【手続補正書】
【提出日】平成19年10月3日(2007.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性領域と位相調整領域と分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）領域を有する波長可変半導体レーザの検査装置であって、
前記活性領域と前記位相調整領域と前記ＤＢＲ領域に電流を供給する電源と、前記波長可変半導体レーザから出射される半導体レーザ光の出力強度を検出するための受光素子と、前記波長可変半導体レーザから前記受光素子までの光路上に挿入された透過型波長選択素子とを備えていることを特徴とする波長可変半導体レーザの検査装置。
【請求項２】
前記活性領域に注入する所定の活性電流に対し、前記位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記透過型波長選択素子を透過した後の前記半導体レーザ光の出力強度を前記受光素子によって検出することを特徴とする請求項１記載の波長可変半導体レーザの検査装置。
【請求項３】
請求項１記載の検査装置を用いる波長可変半導体レーザの検査方法であって、
前記活性領域に一定の活性電流を注入し、前記位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記透過型波長選択素子を透過した後の前記半導体レーザ光の出力強度を前記受光素子によって検出し、前記波長可変半導体レーザの所望の波長に対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流を求めることを特徴とする波長可変半導体レーザの検査方法。
【請求項４】
前記波長可変半導体レーザの所望の波長が、前記透過型波長選択素子を透過した後の前記半導体レーザ光の出力強度が最大になる波長であることを特徴とする請求項３記載の波長可変半導体レーザの検査方法。
【請求項５】
請求項１記載の検査装置を用いる波長可変半導体レーザの検査方法であって、
前記活性領域に一定の電流を注入し、前記位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記透過型波長選択素子を透過した後の前記半導体レーザ光の出力強度を前記受光素子によって検出し、前記出力強度の変化点に対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流を求めることを特徴とする波長可変半導体レーザの検査方法。
【請求項６】
前記変化点に対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流から、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流の電流比を算出することを特徴とする請求項５記載の波長可変半導体レーザの検査方法。
【請求項７】
前記位相電流を変化させたときに得られる前記変化点に対応する前記位相電流の間隔ΔＩｐｈと、前記ＤＢＲ電流を変化させたときに得られる前記変化点に対応する前記ＤＢＲ電流の間隔ΔＩｄｂｒとから、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流の電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒを算出することを特徴とする請求項５記載の波長可変半導体レーザの検査方法。
【請求項８】
前記位相電流と前記ＤＢＲ電流の電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒを算出し、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流を前記電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒの関係で動作させることにより、前記波長可変半導体レーザの波長を連続的に変化させることを特徴とする請求項６または７記載の波長可変半導体レーザの検査方法。
【請求項９】
前記透過型波長選択素子が、基板上に形成された誘電体多層膜からなることを特徴とする請求項１または２記載の波長可変半導体レーザの検査装置。
【請求項１０】
前記透過型波長選択素子が、基板上に形成された誘電体多層膜からなることを特徴とする請求項３から８のいずれかに記載の波長可変半導体レーザの検査方法。
【請求項１１】
活性領域と位相調整領域と分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）領域を有する波長可変半導体レーザの検査方法であって、
前記活性領域に所定の活性電流を注入し、得られる半導体レーザ光の出力強度を受光素子によって検出し、前記位相調整領域に注入する位相電流を変化させたときに得られる前記出力強度の変化点に対応する前記位相電流の間隔ΔＩｐｈと、前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流を変化させたときに得られる前記変化点に対応する前記ＤＢＲ電流の間隔ΔＩｄｂｒとを求め、前記位相電流の間隔ΔＩｐｈと前記ＤＢＲ電流の間隔ΔＩｄｂｒの電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒを算出することを特徴とする波長可変半導体レーザの検査方法。
【請求項１２】
前記位相電流を変化させたときに得られる前記出力強度の変化点、及び前記ＤＢＲ電流を変化させたときに得られる前記出力強度の変化点が、前記出力強度の減少から前記出力強度の増加に変化する変化点であることを特徴とする請求項１１記載の波長可変半導体レーザの検査方法。
【請求項１３】
前記位相電流と前記ＤＢＲ電流を前記電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒの関係で動作させることにより、前記波長可変半導体レーザの波長を連続的に変化させることを特徴とする請求項１１記載の波長可変半導体レーザの検査方法。
【請求項１４】
活性領域と位相調整領域と分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）領域を有する波長可変半導体レーザの検査装置であって、
前記活性領域と前記位相調整領域と前記ＤＢＲ領域に電流を供給する電源と、前記波長可変半導体レーザから出射される半導体レーザ光の出力強度を検出するための受光素子と、前記波長可変半導体レーザから前記受光素子までの光路上に挿入可能な第２高調波発生素子とを備えていることを特徴とする波長可変半導体レーザの検査装置。
【請求項１５】
前記波長可変半導体レーザから前記受光素子までの光路上に前記第２高調波発生素子を挿入した状態において、前記活性領域に注入する所定の活性電流に対し、前記位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記第２高調波発生素子によって波長変換された高調波光の出力強度を前記受光素子によって検出することを特徴とする請求項１４記載の波長可変半導体レーザの検査装置。
【請求項１６】
請求項１４記載の検査装置を用いる波長可変半導体レーザの検査方法であって、
前記波長可変半導体レーザから前記受光素子までの光路上に前記第２高調波発生素子を挿入しない状態において、前記活性領域に注入する活性電流を変化させ、前記波長可変半導体レーザから出射される半導体レーザ光の出力強度を前記受光素子によって検出し、前記活性電流と前記出力強度との関係を求めることを特徴とする波長可変半導体レーザの検査方法。
【請求項１７】
請求項１４記載の検査装置を用いる波長可変半導体レーザの検査方法であって、
前記活性領域に一定の電流を注入し、前記波長可変半導体レーザから前記受光素子までの光路上に前記第２高調波発生素子を挿入した状態において、前記位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記第２高調波発生素子によって波長変換された高調波光の出力強度を前記受光素子によって検出し、前記波長可変半導体レーザの所望の波長に対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流を求めることを特徴とする波長可変半導体レーザの検査方法。
【請求項１８】
前記波長可変半導体レーザの所望の波長が、前記第２高調波発生素子によって波長変換された前記高調波光の出力強度が最大になる波長であることを特徴とする請求項１７記載の波長可変半導体レーザの検査方法。
【請求項１９】
請求項１４記載の検査装置を用いる波長可変半導体レーザの検査方法であって、
前記活性領域に一定の電流を注入し、前記波長可変半導体レーザから前記受光素子までの光路上に前記第２高調波発生素子を挿入した状態において、前記位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記第２高調波発生素子によって波長変換された高調波光の出力強度を前記受光素子によって検出し、前記高調波光の出力強度の変化点に対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流を求めることを特徴とする波長可変半導体レーザの検査方法。
【請求項２０】
前記変化点に対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流から、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流の電流比を算出することを特徴とする請求項１９記載の波長可変半導体レーザの検査方法。
【請求項２１】
前記位相電流を変化させたときに得られる前記変化点に対応する前記位相電流の間隔ΔＩｐｈと、前記ＤＢＲ電流を変化させたときに得られる前記変化点に対応する前記ＤＢＲ電流の間隔ΔＩｄｂｒとから、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流の電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒを算出することを特徴とする請求項１９記載の波長可変半導体レーザの検査方法。
【請求項２２】
前記位相電流と前記ＤＢＲ電流の電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒを算出し、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流を前記電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒの関係で動作させることにより、前記波長可変半導体レーザの波長を連続的に変化させることを特徴とする請求項２０または２１記載の波長可変半導体レーザの検査方法。
【請求項２３】
前記第２高調波発生素子が、バルク型の擬似位相整合方式により波長変換するものであることを特徴とする請求項１４または１５記載の波長可変半導体レーザの検査装置。
【請求項２４】
前記第２高調波発生素子が、バルク型の擬似位相整合方式により波長変換するものであることを特徴とする請求項１６から２１のいずれかに記載の波長可変半導体レーザの検査方法。
【請求項２５】
活性領域と位相調整領域と分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）領域を有する波長可変半導体レーザと、第２高調波発生（ＳＨＧ）素子とを備えたコヒーレント光源の検査方法であって、
前記活性領域に一定の活性電流を注入し、前記位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記第２高調波発生素子によって波長変換された高調波光の出力強度を前記受光素子によって検出し、前記波長可変半導体レーザの所望の波長に対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流を求めることを特徴とするコヒーレント光源の検査方法。
【請求項２６】
前記波長可変半導体レーザの所望の波長が、前記第２高調波発生素子によって波長変換された前記高調波光の出力強度が最大になる波長であることを特徴とする請求項２５記載のコヒーレント光源の検査方法。
【請求項２７】
活性領域と位相調整領域と分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）領域を有する波長可変半導体レーザと、第２高調波発生（ＳＨＧ）素子とを備えたコヒーレント光源の検査方法であって、
前記位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記第２高調波発生素子によって波長変換された高調波光の出力強度を前記受光素子によって検出し、前記高調波光の出力強度の変化点に対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流を求めることを特徴とするコヒーレント光源の検査方法。
【請求項２８】
前記変化点に対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流から、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流の電流比を算出することを特徴とする請求項２７記載のコヒーレント光源の検査方法。
【請求項２９】
前記位相電流を変化させたときに得られる前記変化点に対応する前記位相電流の間隔ΔＩｐｈと、前記ＤＢＲ電流を変化させたときに得られる前記変化点に対応する前記ＤＢＲ電流の間隔ΔＩｄｂｒとから、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流の電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒを算出することを特徴とする請求項２７記載のコヒーレント光源の検査方法。
【請求項３０】
前記位相電流と前記ＤＢＲ電流の電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒを算出し、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流を前記電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒの関係で動作させることにより、前記波長可変半導体レーザの波長を連続的に変化させることを特徴とする請求項２８または２９記載のコヒーレント光源の検査方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明の波長可変半導体レーザの検査装置は、活性領域と位相調整領域と分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）領域を有する波長可変半導体レーザの検査装置であって、前記活性領域と前記位相調整領域と前記ＤＢＲ領域に電流を供給する電源と、前記波長可変半導体レーザから出射される半導体レーザ光の出力強度を検出するための受光素子と、前記波長可変半導体レーザから前記受光素子までの光路上に挿入された透過型波長選択素子とを備えていて、そのことによって、上記目的が達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
ある実施の形態においては、前記活性領域に注入する所定の活性電流に対し、前記位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記透過型波長選択素子を透過した後の前記半導体レーザ光の出力強度を前記受光素子によって検出することにより、上記目的が達成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の波長可変半導体レーザの検査方法は、前記検査装置を用いる波長可変半導体レーザの検査方法であって、前記活性領域に一定の活性電流を注入し、前記位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記透過型波長選択素子を透過した後の前記半導体レーザ光の出力強度を前記受光素子によって検出し、前記波長可変半導体レーザの所望の波長に対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流を求めることを特徴とし、これによって、上記目的が達成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ある実施の形態においては、前記波長可変半導体レーザの所望の波長が、前記透過型波長選択素子を透過した後の前記半導体レーザ光の出力強度が最大になる波長であることによって、上記目的が達成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の波長可変半導体レーザの検査方法は、前記検査装置を用いる波長可変半導体レーザの検査方法であって、前記活性領域に一定の電流を注入し、前記位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記透過型波長選択素子を透過した後の前記半導体レーザ光の出力強度を前記受光素子によって検出し、前記出力強度の変化点に対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流を求めることを特徴とし、これによって、上記目的が達成される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ある実施の形態においては、前記位相電流を変化させたときに得られる前記変化点に対応する前記位相電流の間隔ΔＩｐｈと、前記ＤＢＲ電流を変化させたときに得られる前記変化点に対応する前記ＤＢＲ電流の間隔ΔＩｄｂｒとから、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流の電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒを算出することによって、上記目的が達成される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
ある実施の形態においては、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流の電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒを算出し、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流を前記電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒの関係で動作させることにより、前記波長可変半導体レーザの波長を連続的に変化させることによって、上記目的が達成される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明の波長可変半導体レーザの検査方法は、活性領域と位相調整領域と分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）領域を有する波長可変半導体レーザの検査方法であって、前記活性領域に所定の活性電流を注入し、得られる半導体レーザ光の出力強度を受光素子によって検出し、前記位相調整領域に注入する位相電流を変化させたときに得られる前記出力強度の変化点に対応する前記位相電流の間隔ΔＩｐｈと、前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流を変化させたときに得られる前記変化点に対応する前記ＤＢＲ電流の間隔ΔＩｄｂｒとを求め、前記位相電流の間隔ΔＩｐｈと前記ＤＢＲ電流の間隔ΔＩｄｂｒの電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒを算出することを特徴とし、これによって、上記目的が達成される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
ある実施の形態においては、前記位相電流を変化させたときに得られる前記出力強度の変化点、及び前記ＤＢＲ電流を変化させたときに得られる前記出力強度の変化点が、前記出力強度の減少から前記出力強度の増加に変化する変化点であることによって、上記目的が達成される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
ある実施の形態においては、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流を前記電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒの関係で動作させることにより、前記波長可変半導体レーザの波長を連続的に変化させることによって、上記目的が達成される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、本発明の波長可変半導体レーザの検査装置は、活性領域と位相調整領域と分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）領域を有する波長可変半導体レーザの検査装置であって、前記活性領域と前記位相調整領域と前記ＤＢＲ領域に電流を供給する電源と、前記波長可変半導体レーザから出射される半導体レーザ光の出力強度を検出するための受光素子と、前記波長可変半導体レーザから前記受光素子までの光路上に挿入可能な第２高調波発生素子とを備えていて、そのことによって、上記目的が達成される。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ある実施の形態においては、前記波長可変半導体レーザから前記受光素子までの光路上に前記第２高調波発生素子を挿入した状態において、前記活性領域に注入する所定の活性電流に対し、前記位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記第２高調波発生素子によって波長変換された高調波光の出力強度を前記受光素子によって検出することによって、上記目的が達成される。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の波長可変半導体レーザの検査方法は、前記検査装置を用いる波長可変半導体レーザの検査方法であって、前記波長可変半導体レーザから前記受光素子までの光路上に前記第２高調波発生素子を挿入しない状態において、前記活性領域に注入する活性電流を変化させ、前記波長可変半導体レーザから出射される半導体レーザ光の出力強度を前記受光素子によって検出し、前記活性電流と前記出力強度との関係を求めることを特徴とし、これによって、上記目的が達成される。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明の波長可変半導体レーザの検査方法は、前記検査装置を用いる波長可変半導体レーザの検査方法であって、前記活性領域に一定の電流を注入し、前記波長可変半導体レーザから前記受光素子までの光路上に前記第２高調波発生素子を挿入した状態において、前記位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記第２高調波発生素子によって波長変換された高調波光の出力強度を前記受光素子によって検出し、前記波長可変半導体レーザの所望の波長に対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流を求めることを特徴とし、これによって、上記目的が達成される。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
ある実施の形態においては、前記波長可変半導体レーザの所望の波長が、前記第２高調波発生素子によって波長変換された前記高調波光の出力強度が最大になる波長であることによって、上記目的が達成される。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明の波長可変半導体レーザの検査方法は、前記検査装置を用いる波長可変半導体レーザの検査方法であって、前記活性領域に一定の電流を注入し、前記波長可変半導体レーザから前記受光素子までの光路上に前記第２高調波発生素子を挿入した状態において、前記位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記第２高調波発生素子によって波長変換された高調波光の出力強度を前記受光素子によって検出し、前記高調波光の出力強度の変化点に対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流を求めることを特徴とし、これによって、上記目的が達成される。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ある実施の形態においては、前記位相電流を変化させたときに得られる前記変化点に対応する前記位相電流の間隔ΔＩｐｈと、前記ＤＢＲ電流を変化させたときに得られる前記変化点に対応する前記ＤＢＲ電流の間隔ΔＩｄｂｒとから、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流の電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒを算出することによって、上記目的が達成される。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
ある実施の形態においては、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流の電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒを算出し、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流を前記電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒの関係で動作させることにより、前記波長可変半導体レーザの波長を連続的に変化させることによって、上記目的が達成される。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、本発明のコヒーレント光源の検査方法は、活性領域と位相調整領域と分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）領域を有する波長可変半導体レーザと、第２高調波発生（ＳＨＧ）素子とを備えたコヒーレント光源の検査方法であって、前記活性領域に一定の活性電流を注入し、前記位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記第２高調波発生素子によって波長変換された高調波光の出力強度を前記受光素子によって検出し、前記波長可変半導体レーザの所望の波長に対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流を求めることを特徴とし、これによって、上記目的が達成される。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
ある実施の形態においては、前記波長可変半導体レーザの所望の波長が、前記第２高調波発生素子によって波長変換された前記高調波光の出力強度が最大になる波長であることによって、上記目的が達成される。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、本発明のコヒーレント光源の検査方法は、活性領域と位相調整領域と分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）領域を有する波長可変半導体レーザと、第２高調波発生（ＳＨＧ）素子とを備えたコヒーレント光源の検査方法であって、前記位相調整領域に注入する位相電流と前記ＤＢＲ領域に注入するＤＢＲ電流の少なくとも一方を変化させ、前記第２高調波発生素子によって波長変換された高調波光の出力強度を前記受光素子によって検出し、前記高調波光の出力強度の変化点に対応する前記位相電流及び前記ＤＢＲ電流を求めることを特徴とし、これによって、上記目的が達成される。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
ある実施の形態においては、前記位相電流を変化させたときに得られる前記変化点に対応する前記位相電流の間隔ΔＩｐｈと、前記ＤＢＲ電流を変化させたときに得られる前記変化点に対応する前記ＤＢＲ電流の間隔ΔＩｄｂｒとから、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流の電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒを算出することによって、上記目的が達成される。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
ある実施の形態においては、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流の電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒを算出し、前記位相電流と前記ＤＢＲ電流を前記電流比ΔＩｐｈ／ΔＩｄｂｒの関係で動作させることにより、前記波長可変半導体レーザの波長を連続的に変化させることによって、上記目的が達成される。