Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月24日(2008.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  微多孔質メンブランを含んでなる音声伝送性の保護カバーアセンブリであって、
前記微多孔質メンブランは、その少なくとも一部が音響エネルギーに応答して自由に運動するように、その周縁部で少なくとも１つの接着支持システムによって支持されており、さらに
前記微多孔質メンブランは、質量が４０ｇ／ｍ2以下であり、かつ、ガーレー数が１秒以上である
ことを特徴とする、音声伝送性の保護カバーアセンブリ。
【請求項２】  前記保護カバーアセンブリは、３００〜３０００Ｈｚの周波数域における音響伝送損失が３ｄＢ以下であり、かつ、９．８ｋＰａ（１水柱メートル）の耐水圧を３０分間以上保持する、請求項１に記載の音声伝送性の保護カバーアセンブリ。
【請求項３】  前記微多孔質メンブランは、ガーレー数が１〜５０秒の範囲内にある、請求項１又は２に記載の音声伝送性の保護カバーアセンブリ。
【請求項４】  前記微多孔質メンブランは、ガーレー数が１〜１０秒の範囲内にある、請求項３に記載の音声伝送性の保護カバーアセンブリ。
【請求項５】  前記微多孔質メンブランは、質量が１〜４０ｇ／ｍ2の範囲内にある、請求項１〜４のいずれか１項に記載の音声伝送性の保護カバーアセンブリ。
【請求項６】  前記微多孔質メンブランは、質量が１〜３０ｇ／ｍ2の範囲内にある、請求項５に記載の音声伝送性の保護カバーアセンブリ。
【請求項７】  前記微多孔質メンブランは、厚さが３〜１５０μｍの範囲内にある、請求項１〜６のいずれか１項に記載の音声伝送性の保護カバーアセンブリ。
【請求項８】  前記保護カバーアセンブリを音響デバイスに結合するための手段をさらに含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の音声伝送性の保護カバーアセンブリ。
【請求項９】  前記音響デバイスがトランスデューサである、請求項８に記載の音声伝送性の保護カバーアセンブリ。
【請求項１０】  前記アセンブリがさらにブラックカラーを含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の音声伝送性の保護カバーアセンブリ。
【請求項１１】  前記アセンブリがさらに疎油加工されている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の音声伝送性の保護カバーアセンブリ。
【請求項１２】  前記アセンブリがさらに音響ガスケットを有しており；
前記音響ガスケットが、前記メンブランの結合されていない領域の独立した運動を妨げないように、前記アセンブリに結合され、かつ、前記アセンブリと同じ広がりを有している、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の音声伝送性の保護カバーアセンブリ。
【請求項１３】  前記音響ガスケットが、前記メンブランの第２の表面に結合されている、請求項１２に記載の音声伝送性の保護カバーアセンブリ。
【請求項１４】  前記アセンブリが少なくとも９９．９９９９９％の粒子捕集効率を有している、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の音声伝送性の保護カバーアセンブリ。
【請求項１５】  前記メンブランがｅＰＴＦＥである、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の音声伝送性の保護カバーアセンブリ。
【請求項１６】  前記微多孔質メンブランがその周縁部で、複数の接着支持システムによって支持されている、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の音声伝送性の保護カバーアセンブリ。
【請求項１７】  前記微多孔質メンブランが、前記接着支持システムによって、キャプティブ構造で支持されている、請求項１６に記載の音声伝送性の保護カバーアセンブリ。
【請求項１８】  質量が４０ｇ／ｍ2以下であり、かつ、ガーレー数が１秒以上であることを特徴とする、音声伝送用の微多孔質メンブラン。
【請求項１９】  ガーレー数が１〜５０秒の範囲内にある、請求項１８に記載の微多孔質メンブラン。
【請求項２０】  ガーレー数が１〜１０秒の範囲内にある、請求項１９に記載の微多孔質メンブラン。
【請求項２１】  質量が１〜４０ｇ／ｍ2の範囲内にある、請求項１８〜２０のいずれか１項に記載の微多孔質メンブラン。
【請求項２２】  質量が１〜３０ｇ／ｍ2の範囲内にある、請求項２１に記載の微多孔質メンブラン。
【請求項２３】  厚さが３〜１５０μｍの範囲内にある、請求項１８〜２２のいずれか１項に記載の微多孔質メンブラン。
【請求項２４】  該メンブランが少なくとも９９．９９９９９％の粒子捕集効率を有している、請求項１８〜２３のいずれか１項に記載の微多孔質メンブラン。
【請求項２５】  該メンブランがｅＰＴＦＥである、請求項１８〜２４のいずれか１項に記載の微多孔質メンブラン。
【請求項２６】  トランスデューサを有する電子デバイスのための音声伝送性の音響保護カバーとして、微多孔質メンブランを使用する方法であって、前記方法が、
前記メンブランの少なくとも一部が音響エネルギーに応答して自由に運動するように、微多孔質メンブランをその周縁部で少なくとも１つの接着支持システムで支持し；さらに、
電子デバイス内のトランスデューサをカバーするように、前記支持された微多孔質メンブランを方向付けすることにより、音声伝送性の音響保護カバーを形成することを含み；
前記微多孔質メンブランは、質量が４０ｇ／ｍ2以下であり、かつ、ガーレー数が１秒以上である
ことを特徴とする、微多孔質メンブランを使用する方法。
【請求項２７】  トランスデューサを有する電子デバイスのための音声伝送性の音響保護カバーとして、微多孔質メンブランを使用する方法であって、前記方法が、
前記メンブランの少なくとも一部が音響エネルギーに応答して自由に運動するように、微多孔質メンブランをその周縁部で少なくとも１つの接着支持システムで支持し；さらに、
電子デバイス内のトランスデューサをカバーするように、前記支持された微多孔質メンブランを方向付けすることにより、音声伝送性の音響保護カバーを形成することを含み；
前記微多孔質メンブランは、質量が４０ｇ／ｍ2以下であり、かつ、ガーレー数が１秒以上であり、さらに
前記保護カバーアセンブリは、３００〜３０００Ｈｚの周波数域における音響伝送損失が３ｄＢ以下であり、かつ、９．８ｋＰａ（１水柱メートル）の耐水圧を３０分間以上保持する
ことを特徴とする、微多孔質メンブランを使用する方法。
【請求項２８】  さらに、前記微多孔質メンブランに疎油加工を施すことを含む、請求項２６又は２７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月15日(2008.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  配列番号４の可変重鎖（ＶＨ）ドメインアミノ酸配列と配列番号３の可変軽鎖（ＶＬ）ドメインアミノ酸配列を含んでなる抗体。
【請求項２】  無傷のＩｇＧ１抗体である請求項１に記載の抗体。
【請求項３】  抗体断片である請求項１に記載の抗体。
【請求項４】  Ｆａｂ断片である請求項３に記載の抗体。
【請求項５】  請求項１から４の何れか一項に記載の抗体と製薬上許容可能なキャリアを含んでなる医薬製剤。
【請求項６】  水性溶液である請求項５に記載の医薬製剤。
【請求項７】  凍結乾燥された請求項５に記載の医薬製剤。
【請求項８】  細胞障害剤と結合してなる請求項１から４の何れか一項に記載の抗体を含んでなる免疫コンジュゲート。
【請求項９】  請求項１から４の何れか一項に記載の抗体をコードする単離された核酸。
【請求項１０】  請求項９に記載の核酸を含んでなるベクター。
【請求項１１】  請求項１０に記載のベクターを含んでなる宿主細胞。
【請求項１２】  哺乳動物細胞である請求項１１に記載の宿主細胞。
【請求項１３】  チャイニーズハムスター卵巣(ＣＨＯ)細胞である請求項１２に記載の宿主細胞。
【請求項１４】  請求項１から４の何れか一項に記載の抗体をコードする核酸を含む宿主細胞を培養して、核酸を発現させて抗体を産生することを含む抗体の製造方法。
【請求項１５】  宿主細胞培養物から抗体を回収することを更に含んでなる請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】  抗体が宿主細胞培養培地から回収される請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】  宿主細胞がチャイニーズハムスター卵巣(ＣＨＯ)細胞である請求項１４から１６の何れか一項に記載の方法。
【請求項１８】  回収した抗体を製薬上許容可能な担体、賦形剤または安定剤と混合し、抗体を含有する医薬製剤を調製することを更に含んでなる請求項１４から１７の何れか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月29日(2007.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  大きな外科的介入なく皮膚を引き締めるための装置（８）であって、
エネルギー送出面（２０）を含むテンプレート（１２）と、
複数のエネルギー送出装置（１８）であって、その各々が前記テンプレートに結合し、光エネルギー源（２２）及びＲＦエネルギー源（２２）から選択されたエネルギー源に結合し、エネルギー送出面（２０）がエネルギー送出装置（１８）から前記皮膚の表面にエネルギーを送出するように構成されており、前記皮膚の表面又は前記皮膚の表面下の組織において組織効果を生ずるように構成されている前記エネルギー送出装置（１８）と、
前記テンプレート（１２）に結合し、前記エネルギー送出面（２０）の少なくとも一部分を冷却するように構成されている冷却装置（１３）と、
を有することを特徴とする装置。
【請求項２】  さらに、フィードバック制御（５４）を有する請求項１記載の装置。
【請求項３】  前記冷却装置（１３）は、調整可能な量の冷却流体媒体を送出するように構成されている請求項１記載の装置。
【請求項４】  前記エネルギー送出面（２０）は、平面ではない請求項１記載の装置。
【請求項５】  前記テンプレート（１２）は、半固体の材料で作られている請求項１記載の装置。
【請求項６】  前記エネルギー送出面（２０）は、湾曲している請求項１記載の装置。
【請求項７】  前記エネルギー送出装置（１８）は、両極性のＲＦ電極である請求項１記載の装置。
【請求項８】  前記冷却装置（１３）は、前記エネルギー送出装置（１８）の背面を冷却するように構成されている請求項１記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月12日(2008.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積重ね構造を製造する方法であって、
ａ）第１の板（１）および第２の板（５）を選択するステップであって、ここで前記第１（１）および第２（５）の板のうちの少なくとも１つが表面（２、７）を有し、この表面が他方の板の表面に付着できないよう少なくとも部分的に粗さを有しているステップと、
ｂ）犠牲層（３、８）を、前記第１の板（１）の表面（２）および／または前記第２の板（５）の表面（７）の少なくとも部分に生成するステップと、
ｃ）前記２つの板（１、５）を互いに結合するステップと、
を上記の順序で含み、さらに下記：
ｄ）前記犠牲層（３）の少なくとも部分を除去して、粗さを有する前記表面が他方の板と少なくとも部分的に向かい合うようにするステップと、
を含むことを特徴とする、前記製造方法。
【請求項２】
粗さが約０．２ｎｍＲＭＳより大きいことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
板（１、５）の少なくとも１つが初めに表面層（６、９）を有していることを特徴とする、請求項１〜２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４】
表面層（６、９）が単結晶であることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
表面層（６、９）がシリコンであることを特徴とする、請求項３または請求項４に記載の方法。
【請求項６】
表面層（６、９）が、この表面層（６、９）の物理化学的性質により、表面（２、７）を構造化する効果を有していることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
表面層（６、９）が窒化珪素であることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
犠牲層（３、８）の自由表面（４、１０）および／または板（１、５）のうちの１つの自由表面が、ステップｃ）の前に平滑化されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
ステップｃ）の結合が分子結合であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
ステップｃ）の結合が犠牲結合剤を使用することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
ステップｃ）の結合が、機械的手段および／またはプラズマ処理および／または熱処理によって補助され、これらの工程が結合前または結合中に特定の雰囲気または開放大気中で行なわれることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
２つの板の少なくとも１つ（１）および／または（５）が、ステップｃ）の後で薄くされることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
板（１、５）のうちの少なくとも１つの塊状部分が、半導体材料から成ることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
塊状部分がシリコンから成ることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
犠牲層（３、８）がシリコン酸化物から成ることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
犠牲層（３、８）を構成する材料が重合体であることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法によって製造されることを特徴とする、積重ね構造（１００）。
【請求項１８】
第１の基板（１）と第２の基板（５）の間に犠牲層（３、８）を含むこと、および前記第１（１）および第２（５）の基板のうちの少なくとも１つが「構造化された」表面（２、７）を少なくとも部分的に有していることを特徴とする、積重ね構造（１００）。
【請求項１９】
表面（２、７）が、その物理化学的性質により構造化されていることを特徴とする、請求項１８に記載の積重ね構造。
【請求項２０】
表面（２、７）の構造化が、予め決められた閾値よりも大きな粗さ（ｒ’２、ｒ’７）であることを特徴とする、請求項１８に記載の積重ね構造。
【請求項２１】
予め決められた閾値が約０．２ｎｍに等しいことを特徴とする、請求項２０に記載の積重ね構造。
【請求項２２】
基板（１、５）のうちの少なくとも１つが、表面層（６、９）を有していることを特徴とする、請求項１８〜２１のいずれか一項に記載の積重ね構造。
【請求項２３】
表面層（６、９）が単結晶であることを特徴とする、請求項２２に記載の積重ね構造。
【請求項２４】
表面層（６、９）がシリコンから成ることを特徴とする、請求項２２または請求項２３に記載の積重ね構造。
【請求項２５】
表面層（６、９）が、この表面層（６、９）の物理化学的性質により表面（２、７）を構造化する効果を有していることを特徴とする、請求項２２に記載の積重ね構造。
【請求項２６】
表面層（６、９）が窒化珪素から成ることを特徴とする、請求項２５に記載の積重ね構造。
【請求項２７】
基板（１、５）のうちの少なくとも１つの塊状部分が半導体材料から成ることを特徴とする、請求項１８〜２６のいずれか一項に記載の積重ね構造。
【請求項２８】
塊状部分がシリコンから成ることを特徴とする、請求項２７に記載の積重ね構造。
【請求項２９】
犠牲層（３、８）がシリコン酸化物から成ることを特徴とする、請求項１８〜２８のいずれか一項に記載の積重ね構造。
【請求項３０】
犠牲層（３、８）を構成する材料が重合体であることを特徴とする、請求項１８〜２８のいずれか一項に記載の積重ね構造。
【請求項３１】
基板（１、５）のうちの少なくとも１つが薄い層であることを特徴とする、請求項１８〜３０のいずれか一項に記載の積重ね構造。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年12月14日(2007.12.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
したがって、導電層２９の厚さｔｅが選ばれなければならず、これに関しては下の条件：
【数７】
2006528380.tif 000001
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
高周波数で抵抗を変える表皮効果もこの場合考慮されなければならない。この点に関し、表皮厚さＤｓは下式：
【数８】
2006528380.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月11日(2007.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
実施例4は、エラストマースチレン-イソプレン-スチレン(SIS-1)ブロックコポリマーおよび鉱油を含有する29wt％スチレンとブレンドされた直鎖熱可塑性スチレン-ブタジエン-スチレン(PS-2)ブロックコポリマーを含有する75wt％スチレンを含有する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月15日(2008.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
式：
【化１】
2006528643.tif 000001
の化合物又はその薬学的に許容され得る塩であって、
Ar1が
【化２】
2006528643.tif 000002
であり；
Ar2が
【化３】
2006528643.tif 000003
であり；
XがO、S、N-CN、N-OH又はN-OR10であり；
R1が、-ハロ、-CH3、-NO2、-CN、-OH、-OCH3、-NH2、C(ハロ)3、-CH(ハロ)2若しくは-CH2(ハロ)、又はAr1が
【化４】
2006528643.tif 000004
のときHであり；
R2はそれぞれ独立に：
(a) -ハロ、-OH、-NH2、-CN又はNO2；
(b) -(C1-C10)アルキル、-(C2-C10)アルケニル、-(C2-C10)アルキニル、-(C3-C10)シクロアルキル、-(C8-C14)ビシクロアルキル、-(C8-C14)トリシクロアルキル、-(C5-C10)シクロアルケニル、-(C8-C14)ビシクロアルケニル、-(C8-C14)トリシクロアルケニル、-(3-乃至7-員環)複素環又は(7-乃至10-員環)ビシクロ複素環（それぞれは無置換又は一つ若しくはそれ以上のR5基で置換されている）；又は
(c) -フェニル、-ナフチル、-(C14)アリール又は(5-乃至10-員環)複素環（それぞれは無置換又は一つ若しくはそれ以上のR6基で置換されている）であり；
R3はそれぞれ独立に：
(a) -ハロ、-CN、-OH、-NO2又はNH2；
(b) -(C1-C10)アルキル、-(C2-C10)アルケニル、-(C2-C10)アルキニル、-(C3-C10)シクロアルキル、-(C8-C14)ビシクロアルキル、-(C8-C14)トリシクロアルキル、-(C5-C10)シクロアルケニル、-(C8-C14)ビシクロアルケニル、-(C8-C14)トリシクロアルケニル、-(3-乃至7-員環)複素環又は(7-乃至10-員環)ビシクロ複素環（それぞれは無置換又は一つ若しくはそれ以上のR5基で置換されている）；又は
(c) -フェニル、-ナフチル、-(C14)アリール又は(5-乃至10-員環)複素環（それぞれは無置換又は一つ若しくはそれ以上のR6基で置換されている）であり；
R5はそれぞれ独立に、-CN、-OH、-(C1-C6)アルキル、-(C2-C6)アルケニル、-ハロ、-N3、-NO2、-N(R7)2、-CH=NR7、-NR7OH、-OR7、-COR7、-C(O)OR7、-OC(O)R7、-OC(O)OR7、-SR7、-S(O)R7又はS(O)2R7であり；
R6はそれぞれ独立に、-(C1-C6)アルキル、-(C2-C6)アルケニル、-(C2-C6)アルキニル、-(C3-C8)シクロアルキル、-(C5-C8)シクロアルケニル、-フェニル、-(3-乃至5-員環)複素環、-C(ハロ)3、-CH(ハロ)2、-CH2(ハロ)、-CN、-OH、-ハロ、-N3、-NO2、N(R7)2、-CH=NR7、-NR70H、-OR7、-COR7、-C(O)OR7、-OC(O)R7、-OC(O)OR7、-SR7、-S(O)R7又はS(0)2R7であり；
R7はそれぞれ独立に、-H、-(C1-C6)アルキル、-(C2-C6)アルケニル、-(C2-C6)アルキニル、-(C3-C8)シクロアルキル、-(C5-C8)シクロアルケニル、-フェニル、-(3-乃至5-員環)複素環、-C(ハロ)3、-CH(ハロ)2又はCH2(ハロ)であり；
R8はそれぞれ独立に、-(C1-C6)アルキル、-(C2-C6)アルケニル、-(C2-C6)アルキニル、-(C3-C8)シクロアルキル、-(C5-C8)シクロアルケニル、-フェニル、-C(ハロ)3、-CH(ハロ)2、-CH2(ハロ)、-CN、-OH、-ハロ、-N3、-NO2、-N(R7)2、-CH=NR7、-NR7OH、-OR7、-COR7、-C(O)OR7、-OC(O)R7、-OC(O)OR7、-SR7、-S(O)R7又はS(O)2R7であり；
R10は-(C1-C4)アルキルであり；
R11はそれぞれ独立に、-(C1-C6)アルキル、-(C2-C6)アルケニル、-(C2-C6)アルキニル、-(C3-C8)シクロアルキル、-(C5-C8)シクロアルケニル、-フェニル、-C(ハロ)3、-CH(ハロ)2、-CH2(ハロ)、-CN、-OH、-ハロ、-N3、-NO2、-N(R7)2、-CH=NR7、-NR7OH、-OR7、-COR7、-C(O)OR7、-OC(O)R7、-OC(O)OR7、-SR7、-S(O)R7又はS(O)2R7であり；
ハロはそれぞれ独立に、-F、-Cl、-Br又はIであり；
mは0又は1であり；
oは0〜4の整数であり；
pは0〜2の整数であり；
nは0〜3の整数であり；
qは0〜6の整数であり；
sは0〜4の整数であり；
rは0〜5の整数である、
前記化合物又はその薬学的に許容され得る塩。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
順方向マッピング・レンダラを有するコンピュータ・グラフィックス・プロセッサであって、
テクスチャ空間内でプリミティブをラスタ化するテクスチャ空間ラスタライザと、
テクスチャ空間ラスタライザの出力の色を決定し、色サンプルを座標と共に転送する色生成ユニットと、
色生成ユニットによって決定された色サンプルを再サンプリングする２パス・スクリーン空間リサンプラと、
前記スクリーン空間リサンプラの少なくとも１つのパスを実行する前に１次元ブラー・フィルタリングを実行する、前記少なくとも１つのパスに関連する少なくとも１つの１次元ブラー・フィルタ・ユニットと
を含むコンピュータ・グラフィックス・プロセッサ。
【請求項２】
第１のおよび第２の１次元ブラー・フィルタ・ユニット
を含み、前記スクリーン空間リサンプラは、第１パス・スクリーン空間リサンプラおよび第２パス・スクリーン空間リサンプラを含み、
前記第１ブラー・フィルタ・ユニットは、前記第１パス・スクリーン空間リサンプラの前に配置され、前記第２ブラー・フィルタ・ユニットは、前記第２パス・スクリーン空間リサンプラの前に配置される
請求項１に記載のコンピュータ・グラフィックス・プロセッサ。
【請求項３】
前記第１のおよび第２のブラー・フィルタ・ユニットは、対応するせん断係数に依存するサイズを有するフットプリントを有する１次元ブラー・フィルタである
請求項１または２に記載のコンピュータ・グラフィックス・プロセッサ。
【請求項４】
前記ラスタライザは、前記せん断係数を決定するように適応される
請求項３に記載のコンピュータ・グラフィックス・プロセッサ。
【請求項５】
ブラーリングされた色サンプルを決定するために、オーバーラップする色サンプルの平均をとることを実行するために複数の色サンプルを保管する遅延ユニット
をさらに含む、請求項１に記載のコンピュータ・グラフィックス・プロセッサ。
【請求項６】
前記第１のおよび第２のブラー・フィルタ・ユニットは、せん断係数によって決定されるフットプリントを有するボックス低域フィルタである
請求項２または３に記載のコンピュータ・グラフィックス・プロセッサ。
【請求項７】
前記第１のおよび第２のブラー・フィルタ・ユニットは、重み付けされたフットプリントを有する低域フィルタである
請求項２または３に記載のコンピュータ・グラフィックス。
【請求項８】
順方向マッピング・レンダリングに基づいてイメージをレンダリングする方法であって、
テクスチャ空間内でプリミティブをラスタ化するステップと、
前記ラスタ化ステップの出力の色を決定し、色サンプルを座標と共に転送するステップと、
色生成ステップで決定された前記色サンプルを再サンプリングする２パス・スクリーン空間再サンプリングのステップと、
少なくとも１パス再サンプリングを実行する前に少なくとも１つの１次元ブラー・フィルタリングを実行するステップと
を含む方法。
【請求項９】
第１のおよび第２の１次元ブラー・フィルタリングのステップ
を含み、前記再サンプリング・ステップは、第１パス・スクリーン空間再サンプリングおよび第２パス・スクリーン空間再サンプリングを含み、
前記第１ブラー・フィルリングは、前記第１パス・スクリーン空間再サンプリングの前に実行され、前記第２ブラー・フィルリングは、前記第２パス・スクリーン空間再サンプリングの前に実行される
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のおよび第２のブラー・フィルタリングは、対応するせん断係数に依存するサイズを有するフットプリントを有する１次元ブラー・フィルタに基づく
請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
前記せん断係数は、前記ラスタ化ステップで決定される
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
ブラーリングされた色サンプルを決定するために、オーバーラップする色サンプルの平均をとることを実行するために複数の色サンプルを保管するステップ
をさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１のおよび第２のブラー・フィルタリングは、せん断係数によって決定されるフットプリントを有するボックス低域フィルタを基礎として実行される
請求項８または９に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１のおよび第２のブラー・フィルタリングは、重み付けされたフットプリントを有する低域フィルタを基礎として実行される
請求項８または９に記載の方法。
【請求項１５】
順方向マッピング・レンダリングに基づいてイメージをレンダリングするコンピュータプログラムであって、
テクスチャ空間内でプリミティブをラスタ化するステップと、
前記ラスタ化ステップの出力の色を決定し、色サンプルを座標と共に転送するステップと、
色生成ステップで決定された前記色サンプルを再サンプリングする２パス・スクリーン空間再サンプリングのステップと、
少なくとも１パス再サンプリングを実行する前に少なくとも１つの１次元ブラー・フィルタリングを実行するステップと
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月21日(2007.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセンサが結合されたタッチプレートを含むタッチセンシティブデバイスと共に用いるための方法であって、
前記タッチセンシティブデバイスへのタッチに応じて、分散を示すセンサ信号を生成することと、
前記センサ信号における前記分散を補正し、分散補正信号を生成することと、
前記分散補正信号を用いて、前記タッチの位置を決定することと、
前記タッチセンシティブデバイスへの前記タッチによって生成されたインパルスを表すインパルスを復元することと、
前記復元インパルスを用いて、前記タッチの前記位置を確認することと、
を含む方法。
【請求項２】
前記インパルスを復元することが、前記タッチプレートの分散関係を決定することと、前記タッチプレートの寸法を決定することと、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記タッチプレートの前記寸法を決定することが、前記タッチプレートに結合された励起トランスデューサと、前記複数のセンサとを用いて、前記タッチプレートの前記寸法を決定することを含み、前記タッチの位置を確認することが、前記復元インパルスの同時性を評価することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記タッチプレートの前記寸法を決定することが、
前記励起トランスデューサによって生成された励起信号を前記タッチプレートに印加し、かつ前記センサのそれぞれによって前記励起信号を検知することと、
前記センサのそれぞれにおける出力に対する、前記励起トランスデューサにおける入力の伝達関数を決定することと、
前記伝達関数を用い、前記センサのそれぞれのために分散補正インパルス応答を決定することと、
前記それぞれの分散補正インパルス応答を用いて、前記タッチプレートの前記寸法を決定することと、を含み、
前記復元インパルスの類似性を評価することが、
閾値を達成する前記類似性評価に応じて、前記タッチ位置を有効として確認することと、
前記閾値を達成しない前記類似性評価に応じて、前記タッチ位置を無効と見なすことと、を含む、請求項３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
図７は、タッチセンシティブデバイス１０２およびタッチパネルコントローラ１２０を含むタッチパネルシステム１００の図である。タッチセンシティブデバイス１０２には、少なくとも３つのセンサ１０４、好ましくは４つのセンサ１０４が含まれ、それぞれが、関連するバッファ回路１０６に結合されている。タッチセンシティブデバイス１０２には、少なくとも１つの放出トランスデューサ１０８がさらに含まれる。放出トランスデューサ１０８は、励起トランスデューサとしてのみ、または二重放出／センサトランスデューサとして動作するように構成してもよい。バッファ回路１０６および放出トランスデューサ１０８のそれぞれは、コントローラ１２０に結合される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
図１０に示す一構成によれば、ウェークオンタッチ検出器１４０をＩ／Ｏプロセッサ２０４に結合して、ウェークオンタッチ検出器１４０によって生成されたウェークアップ信号が、ライン２２４を介してＩ／Ｏプロセッサ２０４に伝送されるようにすることができる。この構成において、Ｉ／Ｏプロセッサは、ウェークアップ信号に応じて、スリープモードからアクティブモードに遷移する。スリープからアクティブモードへの遷移後に、Ｉ／Ｏプロセッサ２０４は、タッチパネルコントローラ１２０のメインプロセッサ２０６もしくは他の構成要素、および／またはタッチセンシティブデバイス１０２を組み込んだ携帯機器の制御システムなど、他の構成要素が起動を必要としているかどうかを決定してもよい。代替として、Ｉ／Ｏプロセッサ２０４は、メインプロセッサ２０６にライン２２６によって伝送される第２のウェークアップ信号を生成してもよい。別の構成において、ウェークオンタッチ検出器１４０は、ウェークアップ信号を生成し、ウェークアップ信号を、Ｉ／Ｏプロセッサ２０４（ライン２２２を介して）およびメインプロセッサ２０６（ライン２２４介して）の両方に伝送することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】寸法が示され、かつマーカが、指によるプレートへの接触位置を示すタッチセンシティブプレートのグラフ表示である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月19日(2007.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓ、ＰｔおよびＰｄからなる群より選択される金属と、（２）ジアゾール基リガンドとを含み、該リガンドが、該ジアゾールの窒素を橋頭窒素として含む縮合芳香族環基を有する有機金属錯体を含有する発光材料を含む発光層を含んでなるエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項２】
前記ジアゾール化合物が、さらに、５員または６員芳香族環で置換されている請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記発光材料が式（１）：
【化１】
2007517382.tif 000001
（式中：
Ｚは、少なくとも１つの芳香族環基と縮合したジアゾール環基を形成するのに必要な原子を表し；
Ｎfは、前記ジアゾール環基と前記縮合した芳香族環基との間の橋頭位における窒素原子を表し；
ＭはＩｒ、Ｒｈ、Ｏｓ、ＰｔおよびＰｄからなる群より選択される配位金属であり；
ｍは、ＭがＩｒまたはＲｈである場合は１、２または３であって、ｍは、ＭがＰｔ、ＰｄまたはＯｓである場合は１または２であり；
Ｌは独立して選択されたリガンド基を表し；
ｗは、ＭがＩｒ、Ｒｈ、またはＯｓである場合は６配位部位を満足するのに必要である０〜４であって、ｗは、ＭがＰｔまたはＰｄである場合は４配位を満足するのに必要な０〜２であり；および
Ｒ1およびＲ2は置換基を表し、但し、Ｒ1およびＲ2は環基を形成してもよい）
によって表される請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
ＭがＩｒである請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
ｗが０であって、ｍが３である請求項３に記載のデバイス。
【請求項６】
前記発光材料が式（１ａ）：
【化２】
2007517382.tif 000002
（式中：
Ｍ、Ｌ、ｗ、ｍ、Ｒ1およびＲ2は請求項３に定義した通りであり；
Ｒ3は水素または置換基を表し；および
Ａｒは芳香族環基を形成するのに必要な原子を表す）
によって表される請求項３に記載のデバイス。
【請求項７】
前記発光材料が式（１ｂ）：
【化３】
2007517382.tif 000003
（式中：
Ｍ、Ｌ、ｗ、ｍ、Ｒ1およびＲ2は請求項３に定義した通りであり；
Ｒ3は水素または置換基を表し；および
Ａｒは芳香族環基を形成するのに必要な原子を表す）
によって表される請求項３に記載のデバイス。
【請求項８】
前記発光層が式（１ｃ）：
【化４】
2007517382.tif 000004
（式中：
Ｍ、Ｌ、Ｗ、ｍ、Ｒ1、Ｒ2は請求項３で定義された通りであり；
Ｒ3は水素または置換基を表し；および
Ａｒは芳香族環基を形成するのに必要な原子を表す）
の発光化合物を含有する請求項３に記載のデバイス。
【請求項９】
前記発光層が式（１ｄ）：
【化５】
2007517382.tif 000005
（式中：
Ｍ、Ｌ、ｗ、ｍ、Ｒ1、Ｒ2は請求項３で定義された通りであり；
Ｒ3は水素または置換基を表し；および
Ａｒは芳香族環基を形成するのに必要な原子を表す）
の発光化合物を含有する請求項３に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月22日(2007.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リン光発光材料を含有する発光層を含む電場発光デバイスであって、前記リン光発光材料が、有機金属錯体を含有し、前記有機金属錯体が、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓ、ＰｔおよびＰｄからなる群より選択される金属ならびに少なくとも１つの芳香族環と縮合しているピラゾール化合物を含む電場発光デバイス。
【請求項２】
前記金属がＩｒである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記発光材料が、式（１）：
【化１】
2007517381.tif 000001
（式中、
Ｚは、少なくとも１つの芳香族環基と縮合しているピラゾール環基を形成するために必要な原子を表し；
Ｍは、Ｉｒ、Ｒｈ、ＰｔおよびＰｄからなる群より選択される配位金属であり；
ｍは、ＭがＩｒまたはＲｈである場合には、１、２または３であり、およびＭがＰｔまたはＰｄである場合には、ｍは１または２であり；
Ｌは、独立して選択される配位子基を表し；
ｗは、ＭがＩｒ、ＲｈまたはＯｓである場合には、６配位座を満たすために必要に応じて０〜４であり、およびｗは、ＭがＰｔまたはＰｄである場合には、４配位座を満たすために必要に応じて０〜２であり；ならびに
Ｒ1およびＲ2は、置換基を表すが、但し、Ｒ1およびＲ2が、環基を形成し得ることを条件とする）
により表される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
ＭがＩｒである、請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
ｗが０であり、ｍが３である、請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
Ｒ1およびＲ2が、６員芳香族環基を形成するように連結するために必要な原子を表す、請求項３に記載のデバイス。
【請求項７】
Ｒ1およびＲ2が、６員芳香族環基を形成するように連結するために必要な原子を表す、請求項４に記載のデバイス。
【請求項８】
前記発光材料が、式（１ａ）：
【化２】
2007517381.tif 000002
（式中、
Ｍ、Ｌ、ｗ、ｍ、Ｒ1およびＲ2は、請求項３において定義したとおりであり；
Ａｒは、芳香族環基を形成するために必要な原子を表し；ならびに
Ｒ3は、水素または置換基を表す）
により表される、請求項３に記載のデバイス。
【請求項９】
前記発光材料が、式（１ｂ）：
【化３】
2007517381.tif 000003
（式中、
Ｍ、Ｌ、ｗ、ｍ、Ｒ1およびＲ2は、請求項３において定義したとおりであり；
Ａｒは、芳香族環基を形成するために必要な原子を表し；ならびに
Ｒ4は、Ｈまたは置換基を表す）
により表される、請求項３に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記発光層が、式（１ｃ）：
【化４】
2007517381.tif 000004
（式中、
Ｍ、Ｌ、ｗ、ｍ、Ｒ1、Ｒ2は、請求項３において定義したとおりであり；
Ａｒは、芳香族環基を形成するために必要な原子を表し；ならびに
Ｒ3は、Ｈまたは置換基を表す）
の発光化合物を含有する、請求項３に記載のデバイス。
【請求項１１】
Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓ、ＰｔまたはＰｄおよび少なくとも１つの芳香族環と縮合しているピラゾール化合物からなる有機金属錯体。
【請求項１２】
式（１）：
【化５】
2007517381.tif 000005
（式中、
Ｚは、少なくとも１つの縮合芳香族環基で置換されているピラゾール環基を形成するために必要な原子を表し；
Ｍは、Ｉｒ、Ｒｈ、ＰｔおよびＰｄからなる群より選択される配位金属であり；
ｍは、ＭがＩｒまたはＲｈである場合には、１または３であり、およびｍは、ＭがＰｔまたはＰｄである場合には、１または２であり；
Ｌは、独立して選択される配位子基を表し；
ｗとｍの合計は、ＭがＩｒまたはＲｈである場合には、３であり、およびｗとｍの合計は、ＭがＰｔまたはＰｄである場合には、２であり；ならびに
Ｒ1およびＲ2は、置換基を表すが、但し、Ｒ1およびＲ2が、環基を形成し得ることを条件とする）
により表される、請求項１１に記載の有機金属錯体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月7日(2007.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリシステムにおいて、
少なくとも２つのサブアレイに分割された不揮発性メモリセルのアレイであって、前記少なくとも２つのサブアレイの各々においてデータが同時にアクセス可能な不揮発性メモリセルのアレイと、
少なくとも第１および第２の異なるインタリーブ配列で前記少なくとも２つのサブアレイ内に記憶されたデータと、
を備える不揮発性メモリシステム。
【請求項２】
前記少なくとも２つのサブアレイの各々において同時にアクセス可能な前記データは、データのセクタを含み、前記少なくとも２つのサブアレイ内に記憶されたデータのセクタは、
前記第１のインタリーブ配列に従って前記サブアレイを跨いでインタリーブされた第１の連続した論理アドレスのセットによって識別される少なくとも第１のデータセクタのセットと、
前記第２のインタリーブ配列に従って前記少なくとも２つのサブアレイのうちの単一の
サブアレイ内にインタリーブされた第２の連続した論理アドレスのセットによって識別される少なくとも第２のデータセクタのセットと、
を備える請求項１記載のメモリシステム。
【請求項３】
記憶されたデータのセクタのインタリービングの度合いを示す表示も記憶される請求項２記載のメモリシステム。
【請求項４】
前記インタリービングの度合いを示す表示は、それらが関係する前記記憶されたデータのセクタ内にオーバーヘッドとして記憶される請求項３記載のメモリシステム。
【請求項５】
前記インタリービングの度合いを示す表示は、それらが関係する前記記憶されたデータのセクタとは別のセクタに記憶される請求項３記載のメモリシステム。
【請求項６】
複数単位のデータをプログラムするために、またデータを並列に読み出すために同時にアクセス可能な複数のメモリセルサブアレイを有する不揮発性メモリにおいて、個々のサブアレイが同時に消去可能なある最小数のメモリセルのブロックに分割され、前記メモリを動作させる方法は、
前記複数のサブアレイの各々における１ブロックの総データ記憶容量よりも小さく、かつ連続した論理アドレスを有する所定数の単位のデータを前記メモリ内へプログラムするコマンドを受信するステップと、
プログラム対象の前記所定数の単位のデータを受信するステップと、
前記サブアレイの各々における１ブロックの前記総データ記憶容量を基準としてプログラムされている前記所定数の単位のデータに合わせて前記複数のメモリセルサブアレイのうちの１つまたはそれ以上のサブアレイの複数ブロックにわたって順番に配列された連続した論理アドレスを有する前記受信された単位のデータをプログラムするステップと、
を含む方法。
【請求項７】
不揮発性メモリシステムを動作させる方法において、
少なくとも第１の並列処理度および第２の並列処理度の各々でデータを書き込みおよび読み出しを実行して前記メモリを動作させるステップと、
前記メモリシステムによって受信されたデータ書き込み要求を観察するステップと、
前記受信された書き込み要求の個々の要求に添付されたデータを、前記受信された書き込み要求の少なくとも１つの特性に応じて、前記少なくとも第１および第２の並列処理度のうちの１つで書き込むステップと、
を含む方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つの特性は、前記メモリ内に書き込まれるべき書き込み要求と共に受信されたある量のデータを含む請求項８記載の方法。
【請求項９】
消去の単位としてブロック内に配列された不揮発性メモリセルのアレイ、その内部に配置されたデータのプログラミングおよび読み出しの単位としてのページ、および独立してアクセス可能な複数のブロックからなるプレーンを有するフラッシュメモリシステムにおける動作方法は、
複数の前記プレーンからのブロックを個々に含むメタブロックを論理的に形成するステップと、
さまざまな量のデータを有する書き込みコマンドを連続して受信するステップと、
前記書き込みコマンドのさまざまな特性に応じて、前記プレーンのうちの１つのプレーンの個々のブロック内のページに並列または順次に、あるいは前記メタブロックのうちの１つのメタブロックの２つまたはそれ以上のブロック内のページに並列に、前記受信されたデータをさまざまに書き込むステップと、
を含む方法。
【請求項１０】
データが並列に書き込まれている前記ブロックを識別する表示を、前記受信されたデータと同時に書き込むステップをさらに含む請求項１０記載の方法。
【請求項１１】
共に消去可能でかつ複数のデータの単位を個々に記憶するセルのブロックに構成されたメモリセルのアレイを有する不揮発性メモリシステムにおいて、書き込み対象の１つまたはそれ以上の単位のデータの論理アドレスを個々に指定し、かつ連続して受信されている前記指定された１つまたはそれ以上の単位のデータが添付されている一連の書き込みコマンドに応答する方法は、
個々の書き込みコマンドの前記論理アドレスを、前記添付の１つまたはそれ以上の単位のデータを並列に書き込むことができる１つまたはそれ以上の前記ブロックのメモリセル内の物理アドレスに変換するステップであって、ある数の前記１つまたはそれ以上のブロックが、前記１つまたはそれ以上の単位のデータを受信するために、前記受信された一連の書き込みコマンドのうちの少なくとも１つによって指定されたデータの単位数の関数として選択されるステップと、
前記選択された１つまたはそれ以上の単位のデータを前記１つまたはそれ以上のブロックに並列に書き込むステップと、
を含む方法。
【請求項１２】
不揮発性メモリのメモリセルのアレイを動作させる方法において、
第１および第２の異なるインタリーブ配列でデータを記憶するステップと、
前記第２のインタリーブ配列で記憶することによってより最適な性能特性がもたらされると考えられる前記第１のインタリーブ配列で記憶された前記データのうちの少なくとも一部を更新するコマンドの受信に応答して、前記第１のインタリーブ配列で記憶されたデータを読み出すステップと、
前記読み出されたデータおよび前記更新されたデータを、前記第２のインタリーブ配列で前記メモリアレイに書き込むステップと、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月7日(2007.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィールドワインディングと、第１の制御信号に応答して前記フィールドワインディングへ速度制御信号を供給し、当該ファンの回転速度を制御する速度制御装置と、動作電力が前記フィールドワインディング及び前記速度制御装置へ供給されることを可能にする第１及び第２の入力部であって、該第１及び第2の入力部のうちの少なくとも１つは第１の電圧源へ動作上結合される第１及び第２の入力部と、第２の電圧源へ動作上結合され、前記第１の制御信号を前記速度制御装置へ供給する第３の入力部とを有するファンと、
温度を測定し、該測定された温度を示す温度表示信号を供給する温度測定手段と、
前記温度表示信号に応答して第２の制御信号を供給する処理手段と、
前記第２の制御信号に応答して前記ファンの前記第３の入力部へ前記第１の制御信号を供給する制御手段であって、前記第２の制御信号に応答してパルスを発生させるパルス発生手段を有する制御手段と、
を有する温度制御装置であって、
前記制御手段は、前記パルスに応答してオン及びオフを切替える第１の切替え手段を更に有し、
前記制御手段は、
前記第１の切替え手段がオフに切り替えられる場合に最低速度に対応する所定速度へと前記回転速度を制御するよう前記第２の電圧源から所定電流を引き込み、
前記第１の切替え手段がオンに切り替えられる場合に前記最低速度よりも速い速度へと前記回転速度を制御するよう前記第２の電圧源から前記所定電流とは異なる電流を引き込む、ことを特徴とする温度制御装置。
【請求項２】
前記第１の切替え手段の第１の導通端子は、前記ファンの前記第３の入力部へ結合され、それによって前記第２の電圧源へ結合される、ことを特徴とする請求項１記載の温度制御装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記第１の切替え手段の前記第１の導通端子へ動作上結合された第１の端子と、前記ファンの第３の入力部へ動作上結合された第２の端子とを有する第１の抵抗を更に有する、ことを特徴とする請求項２記載の温度制御装置。
【請求項４】
前記第１の切替え手段は、
前記パルス発生手段へ動作上結合され、前記パルスを受け取る第２の導通端子と、
接地へ動作上結合された第３の導通端子と、
を更に有する、ことを特徴とする請求項３記載の温度制御装置。
【請求項５】
前記制御手段は、接地へ動作上結合された第１の端子と、前記第１の抵抗の第２の端子へ動作上結合された第２の端子とを有する第２の抵抗を更に有する、ことを特徴とする請求項３記載の温度制御装置。
【請求項６】
前記制御手段は、接地へ動作上結合された第１の端子と、前記第２の抵抗の前記第２の端子へ動作上結合された第２の端子とを有するキャパシタを更に有する、ことを特徴とする請求項５記載の温度制御装置。
【請求項７】
前記ファンの前記第２の入力部へ動作上結合された第１の導通端子と、前記処理手段へ動作上結合された第２の導通端子とを有し、第３の制御信号を受信して、前記ファンのオン及びオフを切り替える第２の切替え手段を更に有する、請求項１記載の温度制御装置。
【請求項８】
フィールドワインディングと、第１の制御信号に応答して前記フィールドワインディングへ速度制御信号を供給し、当該ファンの回転速度を制御する速度制御装置と、動作電力が前記フィールドワインディング及び前記速度制御装置へ供給されることを可能にする第１及び第２の入力部であって、該第１及び第2の入力部のうちの少なくとも１つは第１の電圧源へ動作上結合される第１及び第２の入力部と、第２の電圧源へ動作上結合され、前記第１の制御信号を前記速度制御装置へ供給する第３の入力部とを有するファンを設けるステップと、
温度を測定し、該測定された温度を示す温度表示信号を供給するステップと、
前記温度表示信号に応答して第２の制御信号を供給するステップと、
前記第２の制御信号に応答してパルスを発生させるステップと、
前記パルスに応答して前記ファンの前記第３の入力部へ前記第１の制御信号を供給するステップと、
を有する温度制御方法であって、
前記パルスに応答して切替え手段のオン及びオフを切り替えるステップと、
前記切替え手段がオフに切り替えられる場合に最低速度に対応する所定速度へと前記回転速度を制御するよう前記第１の制御信号を供給するために前記第２の電圧源から所定電流を引き込むステップと、
前記第１の切替え手段がオンに切り替えられる場合に前記最低速度よりも速い速度へと前記回転速度を制御するよう前記第１の制御信号を供給するために前記第２の電圧源から前記所定電流とは異なる電流を引き込むステップと、
を有する温度制御装置。
【請求項９】
前記ファンのオン及びオフを切り替えるよう第３の制御信号を供給するステップを更に有する請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記ファンは、前記測定された温度が所定数の連続読込みの間に閾値を超える場合に、オンに切り替えられる、ことを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記ファンは、前記ファンの回転速度が最低速度であって、且つ、前記測定された温度が所定の限界だけ閾値よりも低い場合に、オフに切り替えられる、ことを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記ファンの回転速度は、前記測定された温度が所定数の連続読込みの間に閾値を超える場合に増大する、ことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１３】
前記ファンの回転速度は、前記測定された温度が所定数の連続読込みの間に低下する場合に低減される、ことを特徴とする請求項８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月28日(2007.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タッチプレートと、
前記タッチプレートに結合された複数のセンサであって、前記センサのそれぞれが、前記タッチプレートにおける屈曲波を検知するように構成されたセンサと、
前記タッチプレートに結合され、かつ前記タッチプレートに屈曲波を誘発するように構成された励起トランスデューサと、
複数のアクティブバッファ回路であって、前記アクティブバッファ回路のそれぞれが、前記センサの１つにそれぞれ結合されたアクティブバッファ回路と、
前記アクティブバッファ回路を介して前記センサに結合され、非アクティブバッファド接続部を介して前記励起トランスデューサに結合されたコントローラであって、前記センサによって受信された検知信号に応じて前記タッチプレートにおけるタッチと関連する情報を計算するように構成されたコントローラと、
を含むタッチセンシティブ装置。
【請求項２】
前記タッチに関連する前記情報がタッチ位置を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記タッチに関連する前記情報が、前記タッチのリフトオフの検出に関する情報を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記タッチプレートがほぼ矩形であり、
前記複数のセンサが、前記タッチプレートのそれぞれのコーナーにそれぞれ配置された４つのセンサを含み、
前記励起トランスデューサが、前記タッチプレートの周縁エッジに隣接して配置されている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記アクティブバッファ回路のそれぞれが電界効果トランジスタを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記複数のセンサ、前記複数のアクティブバッファ回路、および前記励起トランスデューサが、前記タッチプレートにそれぞれ配置されている、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記センサのそれぞれが、前記アクティブバッファ回路の１つにおける平衡入力部に差動検知信号を供給するように構成され、前記アクティブバッファ回路のそれぞれが、前記コントローラの平衡入力部に結合されている、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記センサが、前記誘発された屈曲波に応じて屈曲波信号を生成し、
前記コントローラが、前記屈曲波信号を用いて、前記タッチプレートの相対寸法を計算する、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
励起トランスデューサおよび複数のセンサがそれぞれ結合されたタッチプレートを含むタッチセンシティブデバイスと共に用いるための方法であって、
前記励起トランスデューサによって生成された励起信号を前記タッチプレートに印加し、かつ前記センサのそれぞれによって前記励起信号を検知することと、
前記センサのそれぞれにおける出力に対して、前記励起トランスデューサにおける入力の伝達関数を決定することと、
前記伝達関数を用い、前記センサのそれぞれに対して分散補正インパルス応答を決定することと、
前記それぞれの分散補正インパルス応答を用いて、前記タッチセンシティブデバイスの校正を実行することと、
を含む方法。
【請求項１０】
前記タッチセンシティブデバイスの前記校正を実行することが、前記タッチプレートのための分散関係を決定することを含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月12日(2007.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェブの一連の部分を撮像してデジタル情報を提供するステップと、
前記デジタル情報を少なくとも一つの初期アルゴリズムにより処理して、異常を含む前記ウェブ上の領域を識別するステップと、
前記デジタル情報の少なくとも一部を複数の後続アルゴリズムにより解析して、複数の異なる製品向けの前記ウェブにおいてどの異常が実際の欠陥を表わすかを決定するステップと、
前記各製品について少なくとも１個の製品選択パラメータの値を決定するステップと、
前記各製品について決定された値に基づいて、前記製品の１種類を選択するステップと、
前記ウェブを前記選択された製品に加工するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
値を決定するステップが、前記各製品について決定された実際の欠陥に基づいて前記各製品について決定された各々の値を計算するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
値を決定するステップが、複数の製品選択パラメータの値を決定するステップを含み、前記方法が更に、
前記各製品について前記値の重み付き平均を計算するステップと、
前記計算された重み付き平均の各々に基づいて製品を選択するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。