(57)【要約】  液体製造装置（１６）は、露光装置（ＥＸ）へ供給される液体（ＬＱ）の状態を計測する計測装置（６１Ｋなど）を備え、計測装置（６１Ｋなど）の計測結果を露光装置（ＥＸ）に出力する。
2007072818.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を露光する液浸露光装置に供給される露光用の液体を製造する液体製造装置であって、
前記露光用の液体の状態を計測する計測装置を備え、該計測装置の計測結果を前記露光装置に出力する液体製造装置。
【請求項２】
前記液体は純水である請求項１記載の液体製造装置。
【請求項３】
前記計測装置は、前記液体の性質、及び成分の少なくとも一方を計測する請求項１又は２記載の液体製造装置。
【請求項４】
前記計測装置は、前記液体中のパーティクルの数、前記液体中の溶存気体濃度、前記液体の比抵抗値、前記液体中の全有機炭素、前記液体中のシリカ濃度の少なくとも一つを計測する請求項１〜３のいずれか一項記載の液体製造装置。
【請求項５】
基板を露光する液浸露光装置であって、
液体を製造する液体製造装置と、前記液体製造装置で製造された液体の状態を計測する計測装置とを有する液体製造システムと、
前記液体製造システムからの送出された液体が流れる流路と、
前記流路の開閉を行うバルブとを備え、
前記液体製造システムから前記流路を介して前記基板上に供給された液体を介して前記基板に露光光が照射される露光装置。
【請求項６】
前記計測装置の計測結果を記憶する記憶装置を備える請求項５の露光装置。
【請求項７】
前記記憶装置は、前記計測結果を時間に対応付けて記憶する請求項６記載の露光装置。
【請求項８】
前記計測装置の計測結果に基づいて、露光動作を制御する制御装置を備えたことを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項９】
前記液体は純水である請求項５〜８のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１０】
前記計測装置は、前記液体の性質、及び成分の少なくとも一方を計測する請求項５〜９のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１１】
前記計測装置は、液体中のパーティクルの数、液体中の溶存気体濃度、液体の比抵抗値、液体中の全有機炭素、液体中のシリカ濃度の少なくとも一つを計測する請求項５〜１０のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１２】
前記計測装置の計測結果に基づいて、前記バルブを用いて前記流路の開閉が制御される請求項５〜１１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１３】
前記液体製造装置から供給される液体の温度調整を行う液体調整装置をさらに備え、
前記バルブは、前記液体製造装置と前記液体調整装置との間に配置される請求項１２記載の露光装置。
【請求項１４】
前記液体調整装置は、脱気装置を有する請求項１３記載の露光装置。
【請求項１５】
請求項５〜１４のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
該露光された基板を現像することと、
を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体を介して基板を露光する液浸露光装置に用いられる液体製造装置、液体を介して基板を露光する液浸露光装置、及びデバイス製造方法に関するものである。
本願は、２００５年１２月１９日に出願された特願２００５−３６５６２６号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、液晶表示デバイス等は、感光性の基板を露光して、基板上にパターンを形成する、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置として、例えば下記特許文献１に開示されている液浸露光装置が提案されている。この液浸露光装置は、水、有機溶媒等の液体で基板上に液浸領域を形成し、その液体を介して基板に露光光を照射するものである。
【特許文献１】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
液浸露光装置においては、液体を介して露光処理及び計測処理を精度良く行うために、液体を所望状態に維持することが重要である。そのため、液体に異常がある場合には、その異常に応じた適切な処置を迅速に施すことが重要である。【０００４】
本発明は、液体を介して基板を露光する液浸露光装置に好適な液体製造装置、液体を用いる露光処理及び計測処理を精度良く行うことができる液浸露光装置、及びその液浸露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は以下の構成を採用している。
本発明の第１の態様によれば、基板を露光する液浸露光装置へ供給される露光用液体を製造する液体製造装置であって、露光用の液体の状態を計測する計測装置を備え、計測装置の計測結果を露光装置に出力する液体製造装置が提供される。【０００６】
本発明の第1の態様によれば、液体製造装置に液体の状態を計測する計測装置を設けて、その計測結果を露光装置に出力するので、その計測結果に基づいて、液体が所望状態であるか否かを液浸露光装置で判別することができる。そして、液体に異常がある場合には、その異常に応じた適切な処置を迅速に施すことができる。したがって、液体製造装置からの液体を用いる液浸露光装置での露光処理及び計測処理を精度良く行うことができる。【０００７】
本発明の第２の態様によれば、基板を露光する液浸露光装置であって、液体を製造する液体製造装置及び前記液体製造装置で製造された液体の状態を計測する計測装置を有する液体製造システムと、前記液体製造システムからの送出された液体が流れる流路と、前記流路の開閉を行うバルブとを備え、前記液体製造システムから前記流路を介して前記基板上に供給された液体を介して前記基板に露光光が照射される露光装置が提供される。【０００８】
本発明の第２の態様によれば、液体製造装置から供給される液体に異常がある場合には、その異常に応じた適切な処置を迅速に施すことができる。したがって、液体を用いる露光処理及び計測処理を精度良く行うことができる。【０００９】
本発明の第３の態様によれば、上記記載の露光装置を用いるデバイス製造方法が提供される。本発明の第３の態様によれば、露光精度及び計測精度を良好に維持した状態でデバイスを製造できるので、所望の性能を発揮するデバイスを製造できる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、液浸露光装置において露光処理及び計測処理を精度良く行うことができ、その液浸露光装置を用いて所望性能のデバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】純水製造装置、及び液体供給部を示す概略構成図である。
【図３】計測装置を示す概略構成図である。
【図４】半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【符号の説明】
【００１２】
２…光学素子、１０…液体供給機構、１１…液体供給部、１６…純水製造装置、１７…温調装置、２０…第１液体回収機構、２１…第１液体回収部、６０…計測装置、６１〜６４…計測器、６１Ｋ〜６４Ｋ…分岐管、７０…第１ノズル部材、１６１…純水製造器、１７３…脱気装置、１７４…フィルタ、ＡＲ１…投影領域、ＡＲ２…液浸領域、ＥＸ…露光装置、ＩＮＦ…報知装置、ＭＲＹ…記憶装置、ＬＱ…液体、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系、ＰＳＴ…基板ステージ
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明について図面を参照しながら説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されない。
図１は本発明に係る露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。【００１４】
図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージＭＳＴと、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージＰＳＴと、マスクステージＭＳＴに保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターン像を基板ステージＰＳＴに保持されている基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。制御装置ＣＯＮＴには、露光処理に関する情報を報知する報知装置ＩＮＦが接続されている。報知装置ＩＮＦは、ディスプレイ装置（表示装置）、音又は光を使って警報（警告）を発する警報装置等を含む。更に、制御装置ＣＯＮＴには、露光処理に関する情報を記憶する記憶装置ＭＲＹが接続されている。【００１５】
本実施形態の露光装置ＥＸは、液浸法を適用した液浸露光装置であり、投影光学系ＰＬの像面側に液体ＬＱを供給する液体供給機構１０と、液体ＬＱを回収する第１液体回収機構２０とを備えている。露光装置ＥＸは、少なくともマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に投影している間、液体供給機構１０から供給した液体ＬＱにより投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ１を含む基板Ｐ上の一部に、投影領域ＡＲ１よりも大きく且つ基板Ｐよりも小さい液浸領域ＡＲ２を局所的に形成する。すなわち、露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬの像面側端部の光学素子２と、投影光学系ＰＬの像面側に配置された基板Ｐ表面との間に液体ＬＱを満たす局所液浸方式を採用している。投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間の液体ＬＱ及び投影光学系ＰＬを介して露光光ＥＬを基板Ｐに照射することによって基板Ｐが露光される。制御装置ＣＯＮＴは、液体供給機構１０を使って基板Ｐ上に液体ＬＱを供給するとともに、第１液体回収機構２０を使って基板Ｐ上の液体ＬＱを回収することで、基板Ｐ上に液体ＬＱの液浸領域ＡＲ２を局所的に形成する。【００１６】
投影光学系ＰＬの像面近傍には、後に詳述する第１ノズル部材７０が配置されている。第１ノズル部材７０は、光学素子２の周りを囲むように設けられた環状部材である。基板Ｐの露光中、第１ノズル部材７０は、基板Ｐ（基板ステージＰＳＴ）の上方に配置され、基板Ｐ及び基板ステージＰＳＴの少なくとも一方が、第１ノズル部材７０の下面と対向する。本実施形態において、第１ノズル部材７０は液体供給機構１０及び第１液体回収機構２０それぞれの一部を構成している。【００１７】
本実施形態では、露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとをそれぞれの走査方向に同期移動しつつマスクＭに形成されたパターンの像で基板Ｐを露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。以下の説明において、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと平行な方向をＺ軸方向、Ｚ軸方向に垂直な平面内でマスクＭと基板Ｐとの同期移動方向（走査方向）をＸ軸方向、Ｚ軸方向及びＸ軸方向に垂直な方向（非走査方向）をＹ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。【００１８】
露光装置ＥＸは、床面上に設けられたベースＢＰと、そのベースＢＰ上に設置されたメインコラム１とを備えている。メインコラム１には、内側に向けて突出する上側支持部７及び下側支持部８が形成されている。照明光学系ＩＬは、メインコラム１の上部に固定された支持フレーム３により支持されている。【００１９】
照明光学系ＩＬは、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ＥＬを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、及び露光光ＥＬによるマスクＭ上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等を有している。マスクＭ上の所定の照明領域は照明光学系ＩＬにより均一な照度分布の露光光ＥＬで照明される。照明光学系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ2レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においてはＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。【００２０】
本実施形態においては、液体ＬＱとして純水が用いられる。純水はＡｒＦエキシマレーザ光のみならず、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）も透過可能である。【００２１】
マスクステージＭＳＴは、マスクＭを保持して移動可能である。マスクステージＭＳＴの下面には気体軸受（エアベアリング）４５が複数設けられている。マスクステージＭＳＴは、エアベアリング４５によりマスク定盤４の上面（ガイド面）に支持されている。マスクステージＭＳＴ及びマスク定盤４の中央部にはマスクＭのパターン像を通過させる開口ＭＫ１、ＭＫ２がそれぞれ形成されている。マスク定盤４は、メインコラム１の上側支持部７に防振装置４６を介して支持されている。防振装置４６によって、メインコラム１の振動が、マスクステージＭＳＴを支持するマスク定盤４に伝わらないように、マスク定盤４とメインコラム１とが分離されている。【００２２】
マスクステージＭＳＴは、制御装置ＣＯＮＴにより制御されるリニアモータ等を含むマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤにより、マスク定盤４上において、ＸＹ平面内で２次元移動可能及びθＺ方向に微少回転可能である。【００２３】
マスクステージＭＳＴ上には反射鏡４１が設けられている。また、所定位置にはレーザ干渉計４２が設けられている。マスクステージＭＳＴ上のマスクＭの２次元方向の位置、及びθＸ方向、θＹ方向、θＺ方向の回転角はレーザ干渉計４２によりリアルタイムで計測される。レーザ干渉計４２の計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、レーザ干渉計４２の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤを制御し、マスクステージＭＳＴに保持されているマスクＭの位置制御を行う。【００２４】
なお、反射鏡４１は平面鏡のみでなくコーナーキューブ（レトロリフレクタ）を含むものとしてもよいし、反射鏡４１をマスクステージに固設する代わりに、例えばマスクステージＭＳＴの端面（側面）を鏡面加工して反射面を形成してもよい。また、マスクステージＭＳＴは、例えば特開平８−１３０１７９号公報（対応米国特許第６，７２１，０３４号）に開示される粗微動可能な構成としてもよい。【００２５】
投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率βで基板Ｐに投影する。投影光学系ＰＬは、その終端に設けられた光学素子２を含む複数の光学素子で構成されており、それら光学素子は鏡筒ＰＫで支持されている。本実施形態において、投影光学系ＰＬは、投影倍率βが例えば１／４、１／５、あるいは１／８の縮小系であり、前述の照明領域と共役な投影領域にマスクパターンの縮小像を形成する。なお、投影光学系ＰＬは縮小系、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは屈折素子を含まない反射系であってもよいし、反射素子と屈折素子とを含む反射屈折系であってもよい。また、本実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端の光学素子２のみが液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱと接触する。【００２６】
投影光学系ＰＬを保持する鏡筒ＰＫの外周にはフランジＰＦが設けられている。投影光学系ＰＬはフランジＰＦを介して鏡筒定盤５に支持されている。鏡筒定盤５は、メインコラム１の下側支持部８に防振装置４７を介して支持されている。すなわち、防振装置４７によって、メインコラム１の振動が、投影光学系ＰＬを支持する鏡筒定盤５に伝わらないように、鏡筒定盤５とメインコラム１とが分離されている。【００２７】
基板ステージＰＳＴは、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨを支持して移動可能である。基板ステージＰＳＴの下面には気体軸受（エアベアリング）４８が複数設けられている。基板ステージＰＳＴは、エアベアリング４８により基板定盤６の上面（ガイド面）に支持されている。基板定盤６は、ベースＢＰ上に防振装置４９を介して支持されている。また、防振装置４９によって、ベースＢＰ（床面）やメインコラム１の振動が、基板ステージＰＳＴを支持する基板定盤６に伝わらないように、基板定盤６とメインコラム１及びベースＢＰ（床面）とが分離されている。【００２８】
基板ステージＰＳＴは、制御装置ＣＯＮＴにより制御されるリニアモータ等を含む基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤにより、基板ホルダＰＨに基板Ｐを保持した状態で、基板定盤６上において、ＸＹ平面内で２次元移動可能及びθＺ方向に微小回転可能である。更に基板ステージＰＳＴは、Ｚ軸方向、θＸ方向、及びθＹ方向にも移動可能である。【００２９】
基板ステージＰＳＴ上には反射鏡４３が設けられている。また、所定位置にはレーザ干渉計４４が設けられている。基板ステージＰＳＴ上の基板Ｐの２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計４４によりリアルタイムで計測される。また、不図示ではあるが、露光装置ＥＸは、基板ステージＰＳＴに支持されている基板Ｐの表面の位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出系を備えている。フォーカス・レベリング検出系は、基板Ｐ表面のＺ軸方向の位置情報、及び基板ＰのθＸ及びθＹ方向の傾斜情報を検出する。【００３０】
フォーカス・レベリング検出系はその複数の計測点でそれぞれ基板のＺ軸方向の位置情報を計測することで、基板のθＸ及びθＹ方向の傾斜情報（回転角）を検出するものである。さらに、例えばレーザ干渉計を使って基板のＺ軸、θＸ及びθＹ方向の位置情報を計測可能であるときは、基板の露光動作中にそのＺ軸方向の位置情報が計測可能となるようにフォーカス・レベリング検出系を設けなくてもよく、少なくとも露光動作中はレーザ干渉計の計測結果を用いてＺ軸、θＸ及びθＹ方向に関する基板の位置制御を行うようにしてもよい。【００３１】
レーザ干渉計４４の計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。フォーカス・レベリング検出系の検出結果も制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、フォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤを制御し、基板Ｐのフォーカス位置及び傾斜角を制御して基板Ｐの表面を投影光学系ＰＬの像面に合わせ込むとともに、レーザ干渉計４４の計測結果に基づいて、基板ＰのＸ軸方向及びＹ軸方向における位置制御を行う。【００３２】
基板ステージＰＳＴ上には凹部５０が設けられており、基板Ｐを保持するための基板ホルダＰＨは凹部５０に配置されている。そして、基板ステージＰＳＴの凹部５０の周囲に形成された上面５１は、基板ホルダＰＨに保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）の平坦面となっている。なお、基板ホルダＰＨに保持された基板Ｐの表面と基板ステージＰＳＴの上面５１との間に段差があってもよい。なお、基板ステージＰＳＴの上面５１はその一部、例えば基板Ｐを囲む所定領域のみ、基板Ｐの表面とほぼ同じ高さとしてもよい。また、本実施形態では基板ホルダＰＨと基板ステージＰＳＴとを別々に構成し、例えば真空吸着などによって基板ホルダＰＨを基板ステージＰＳＴの凹部に固定しているが、基板ホルダＰＨを基板ステージＰＳＴと一体に形成してもよい。【００３３】
液体供給機構１０は、液体ＬＱを送出可能な液体供給部１１と、液体供給部１１にその一端部が接続された供給管１３とを備えている。供給管１３の他端部は第１ノズル部材７０に接続されている。本実施形態においては、液体供給機構１０は液体ＬＱとして純水を供給するもので、液体供給部１１には、接続管１９を介して純水製造装置１６が接続されている。【００３４】
図２は純水製造装置１６、及び液体供給部１１の構成の一例を示す概略図である。純水製造装置１６は、例えば浮遊物、不純物などを含む水道水あるいは純水を精製して所定の純度の純水を製造する純水製造器１６１と、純水製造器１６１で製造され、液体供給部１１へ供給される純水（液体ＬＱ）の状態（液体ＬＱの性質及び成分のうち少なくとも一方）を計測する計測装置６０を備えている。【００３５】
純水製造装置１６の純水製造器１６１には、工場などから水道水あるいは純水が接続管１８を介して供給される。純水製造器１６１は、イオン交換膜、パーティクルフィルタ等の液体改質部材、及び紫外光照射装置（ＵＶランプ）等の液体改質装置を備えており、これら液体改質部材及び液体改質装置により、液体の比抵抗値、異物（微粒子、気泡）の数、全有機体炭素（ＴＯＣ：total organic carbon）、溶存気体濃度、及び生菌の量等を許容範囲内の所望値に調整する。【００３６】
計測装置６０は、純水製造器１６１から送出される液体ＬＱの状態（液体ＬＱの性質、成分の少なくとも一方を含む）を計測する。計測装置６０の計測項目は、液体ＬＱの比抵抗値、液体ＬＱ中の全有機体炭素、液体ＬＱ中のパーティクル（気泡を含む）の数、液体ＬＱの溶存気体濃度（溶存酸素濃度（ＤＯ：dissolved oxygen）、及び／または溶存窒素濃度（ＤＮ：dissolved nitrogen）を含む）、液体ＬＱ中のシリカ濃度、液体ＬＱ中の金属イオン濃度などの少なくとも１つを含む。計測装置６０の計測項目は、露光される基板Ｐへの悪影響、露光装置ＥＸを構成する部材（光学素子２など）への悪影響などを考慮して選択され、選択された計測項目を計測するために、計測装置６０は少なくとも１つの計測器を備えている。計測器としては、比抵抗値を計測するための比抵抗計、全有機体炭素を計測するためのＴＯＣ計、液体ＬＱ中の微粒子及び気泡を含む異物の数を計測するためのパーティクルカウンタ、溶存酸素（溶存酸素濃度）を計測するためのＤＯ計、溶存窒素（溶存窒素濃度）を計測するためのＤＮ計、シリカ濃度を計測するためのシリカ計等を用いることができる。【００３７】
本実施形態では、計測装置６０は、液体ＬＱ中の全有機炭素を計測するためのＴＯＣ計６１、液体ＬＱ中の微粒子及び気泡を含む異物の数を計測するためのパーティクルカウンタ６２、液体ＬＱ中の溶存気体濃度（溶存酸素濃度、及び／または溶存窒素濃度を含む）を計測するための溶存気体濃度計６３、及び比抵抗計６４を含む。【００３８】
図３は計測装置６０の概略構成図である。図３に示すように、計測装置６０のＴＯＣ計６１は、純水製造器１６１から送出された液体ＬＱの流路を形成する配管の途中から分岐された分岐管（分岐流路）６１Ｋに接続されている。純水製造器１６１より送出された液体ＬＱの一部は分岐管６１Ｋを流れてＴＯＣ計６１に流入する。ＴＯＣ計６１は、分岐管６１Ｋによって形成された分岐流路を流れる液体ＬＱの全有機体炭素（ＴＯＣ）を計測する。同様に、パーティクルカウンタ６２、溶存気体濃度計６３、及び比抵抗計６４は、純水製造器１６１から送出された液体ＬＱの流路を形成する配管の途中から分岐された分岐管６２Ｋ、６３Ｋ、６４Ｋのそれぞれに接続されており、それら分岐管６２Ｋ、６３Ｋ、６４Ｋによって形成された分岐流路を流れる液体ＬＱ中の異物（微粒子及び気泡）の数、溶存気体濃度、比抵抗値をそれぞれ計測する。【００３９】
本実施形態においては、分岐管６１Ｋ〜６４Ｋはそれぞれ独立した分岐流路を形成し、分岐流路のそれぞれに、各計測器６１〜６４が接続されている。すなわち、複数の計測器６１〜６４は、純水製造器１６１から送出された液体ＬＱの流路に対して分岐管６１Ｋ〜６４Ｋを介して並列に接続されている。なお、純水製造器１６１から送出された液体ＬＱの流路に対して一つの分岐流路を形成し、その一部の分岐流路に複数の計測器を直列に接続してもよい。すなわち、１つの分岐管に流入した液体ＬＱの状態を第１の計測器で計測し、その第１の計測器を通過した液体ＬＱを第２の計測器で計測するようにしてもよい。また、各計測器６１〜６４での計測に使用された液体ＬＱは、後述の回収管２３を介して回収される。【００４０】
本実施形態においては、純水製造器１６１から液体ＬＱが送出されている間、計測装置６０には液体ＬＱが常時供給されるため、計測装置６０は液体ＬＱの状態（性質、及び／又は成分）を、基板Ｐの露光中及び露光前後を含めて、常時計測することができる。すなわち、計測装置６０は、露光装置ＥＸで行われる動作（例えば、基板Ｐに対する液浸露光動作）と並行して、液体ＬＱの状態を計測可能である。計測装置６０の計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。露光装置ＥＸの制御装置ＣＯＮＴは、計測装置６０の計測結果に基づいて、純水製造装置１６から送出される液体ＬＱの状態（性質、及び／又は成分）を常時モニタ可能である。【００４１】
純水製造装置１６から送出された液体ＬＱは、接続管１９を介して液体供給機構１０の液体供給部１１に送出され、液体供給部１１の温調装置１７に供給される。
温調装置１７は、純水製造装置１６で製造され、供給管１３に供給される液体（純水）ＬＱの温度調整を行う。温調装置１７の一端は接続管１９に接続され、他端は供給管１３に接続されている。温調装置１７は、液体ＬＱの温度を粗く調整するラフ温調器１７１と、ラフ温調器１７１の下流側に設けられ、供給管１３に流す液体ＬＱの単位時間当たりの量を制御するマスフローコントローラと呼ばれる流量制御器１７２と、流量制御器１７２を通過した液体ＬＱ中の溶存気体濃度（溶存酸素濃度、及び／または溶存窒素濃度を含む）を低下させるための脱気装置１７３と、脱気装置１７３で脱気された液体ＬＱ中の異物（微粒子、気泡など）を取り除くフィルタ１７４と、フィルタ１７４を通過した液体ＬＱの温度の微調整を行うファイン温調器１７５とを備えている。【００４２】
ラフ温調器１７１は、純水製造装置１６から接続管１９を介して送出された液体ＬＱの温度を目標温度（例えば２３℃）に対して例えば±０．１℃程度の粗い精度で温度調整する。流量制御器１７２は、ラフ温調器１７１と脱気装置１７３との間に配置されており、ラフ温調器１７１で温度調整された液体ＬＱの脱気装置１７３側に対する単位時間当たりの流量を制御する。【００４３】
脱気装置１７３は、ラフ温調器１７１とファイン温調器１７５との間、具体的には流量制御器１７２とフィルタ１７４との間に配置されており、流量制御器１７２から送出された液体ＬＱを脱気して、液体ＬＱ中の溶存気体濃度を所望値まで低下させる。脱気装置１７３としては、中空糸膜フィルタ等のフィルタを用いて液体ＬＱを気液分離し、分離された気体成分を真空系を使って除く脱気フィルタを含む装置などを用いることができる。【００４４】
フィルタ１７４は、ラフ温調器１７１とファイン温調器１７５との間、具体的には脱気装置１７３とファイン温調器１７５との間に配置されており、脱気装置１７３から送出された液体ＬＱ中の異物を取り除くものである。流量制御器１７２、及び脱気装置１７３を通過するときに、液体ＬＱ中に僅かに異物（particle）が混入する可能性が考えられるが、流量制御器１７２及び脱気装置１７３の下流にフィルタ１７４を設けたことにより、そのフィルタ１７４によって異物を取り除くことができる。フィルタ１７４としては、中空糸膜フィルタ及び／又はパーティクルフィルタなど公知のフィルタを用いることができる。なお、脱気装置１７３は、例えば米国特許公開第２００５／０２１９４９０号公報に開示されている装置を用いることができる。【００４５】
ファイン温調器１７５は、ラフ温調器１７１と供給管１３との間、具体的にはフィルタ１７４と供給管１３との間に配置されており、高精度に液体ＬＱの温度調整を行う。例えばファイン温調器１７５は、フィルタ１７４から送出された液体ＬＱの温度（温度安定性、温度均一性）を目標温度に対して±０．０１℃〜±０．００１℃程度の高い精度で調整する。温調装置１７で温度調整された液体ＬＱは供給管１３、第１ノズル部材７０を介して基板Ｐ上に供給される。【００４６】
第１液体回収機構２０は、投影光学系ＰＬの像面側の液体ＬＱを回収するためのものであって、液体ＬＱを回収可能な第１液体回収部２１と、第１液体回収部２１にその一端部が接続された回収管２３とを備えている。回収管２３の他端部は第１ノズル部材７０に接続されている。第１液体回収部２１は例えば真空ポンプ等の真空系（吸引装置）２６、及び回収された液体ＬＱと気体とを分離する気液分離器２７等を備えている。なお真空系として、露光装置ＥＸに真空ポンプを設けずに、露光装置ＥＸが配置される工場の真空系を用いるようにしてもよい。【００４７】
液体供給機構１０及び第１液体回収機構２０の一部を構成する第１ノズル部材７０は第１ノズル保持部材５２に保持されており、その第１ノズル保持部材５２はメインコラム１の下側支持部８に接続されている。【００４８】
液体供給部１１の液体供給動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。液浸領域ＡＲ２を形成するために、制御装置ＣＯＮＴは、純水製造装置１６と液体供給部１１との間の接続管１９に配置されたバルブ１９Ｂを制御して、純水製造装置１６で製造された液体ＬＱを液体供給部１１に送出するとともに、液体供給部１１より液体ＬＱを供給管１３に送出する。液体供給部１１より送出された液体ＬＱは、供給管１３を流れた後、第１ノズル部材７０の内部に形成された供給流路の一端部に流入し、第１ノズル部材７０に設けられた不図示の供給口より、投影光学系ＰＬの像面側の光路空間（基板Ｐの露光中においては、光学素子２と基板Ｐとの間の空間）に供給される。【００４９】
回収管２３の他端部は、第１ノズル部材７０の内部に形成された回収流路の一端部に接続されている。一方、第１ノズル部材７０の内部に形成された回収流路の他端は、第１ノズル部材７０に設けられた不図示の回収口に接続されている。【００５０】
第１液体回収部２１の液体回収動作は制御装置ＣＯＮＴに制御される。制御装置ＣＯＮＴは、液体ＬＱを回収するために、第１液体回収機構２０の第１液体回収部２１を動作させる。例えば、基板Ｐの露光中、第１液体回収部２１の動作により、基板Ｐ上の液体ＬＱは、その基板Ｐの上方に設けられている不図示の回収口から回収され、第１ノズル部材７０内部の回収流路を介して回収管２３に流れ込む。その後、液体ＬＱは、回収管２３を介して第１液体回収部２１に回収される。【００５１】
なお、本実施形態においては、１台の露光装置ＥＸに対して純水製造装置１６を１台配置している（図１参照）がこれに限られず、１台の純水製造装置１６を複数台の露光装置ＥＸで共用しても構わない。【００５２】
更に純水製造装置１６を、露光装置ＥＸが設置された床とは異なる床（たとえば、床下）に配置すれば、露光装置ＥＸが設置されるクリーンルームの空間をより有効に用いることができる。【００５３】
次に、上述した構成を有する露光装置ＥＸを用いてマスクＭのパターン像を基板Ｐに投影して、基板Ｐを露光する方法について図を参照しながら説明する。
制御装置ＣＯＮＴは、投影光学系ＰＬの光学素子２と基板Ｐ、基板ステージＰＳＴの上面５１の少なくとも一方とが対向した状態で、液体供給機構１０による基板Ｐ上に対する液体ＬＱの供給を開始する。また、制御装置ＣＯＮＴは、液体供給機構１０による液体ＬＱの供給の開始とほぼ同時に、第１液体回収機構２０による液体回収を開始する。基板Ｐを液浸露光するために形成された液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱは、光学素子２の下面及び第１ノズル部材７０の下面に接触する。【００５４】
液浸領域ＡＲ２を形成した後、制御装置ＣＯＮＴは、投影光学系ＰＬと基板Ｐとを対向した状態で、基板Ｐに露光光ＥＬを照射し、マスクＭのパターン像を投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して基板Ｐ上に投影して、基板Ｐを露光する。基板Ｐを露光するときも、制御装置ＣＯＮＴは、液体供給機構１０による液体ＬＱの供給と並行して、第１液体回収機構２０による液体ＬＱの回収を行う。また基板Ｐを露光するときは、基板Ｐを支持する基板ステージＰＳＴをＸ軸方向（走査方向）に移動しながら、マスクＭのパターン像を投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して基板Ｐ上に投影する。【００５５】
本実施形態における露光装置ＥＸは、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向（走査方向）に移動しながらマスクＭのパターン像を基板Ｐに投影するものであって、基板上の各ショット領域の走査露光中に、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱ及び投影光学系ＰＬを介してマスクＭの一部のパターン像が投影領域ＡＲ１内に投影され、マスクＭが−Ｘ方向（又は＋Ｘ方向）に速度Ｖで移動するのに同期して、基板Ｐが投影領域ＡＲ１に対して＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）に速度β・Ｖ（βは投影倍率）で移動する。【００５６】
純水製造装置１６から液体供給機構１０の液体供給部１１に供給される液体ＬＱの状態（性質、及び／又は成分を含む）は、計測装置６０により常時計測（モニタ）されている。計測装置６０の計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力され、制御装置ＣＯＮＴは、計測装置６０の計測結果（モニタ情報）を記憶装置ＭＲＹに記憶する。【００５７】
本実施形態においては、制御装置ＣＯＮＴは、計測装置６０の計測結果を時間に対応付けて記憶装置ＭＲＹに記憶する。以下の説明においては、計測装置６０の計測結果を時間経過に対応付けて記憶した情報を適宜「ログ情報」と称する。【００５８】
制御装置ＣＯＮＴは、計測装置６０の計測結果が異常か否かを判別する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、前記判別結果に基づいて、露光動作を制御する。
ここで、計測装置６０の計測結果が異常であるとは、計測装置６０で計測される複数の項目（比抵抗値、ＴＯＣ、パーティクルの数、溶存気体濃度）の少なくとも一つの計測値が許容範囲外となり、液体ＬＱを介した露光処理及び計測処理を所望状態で行うことができない状況である場合を指す。例えば、液体ＬＱの比抵抗値が許容値（一例として、２５℃において１８．２ＭΩ・ｃｍ）よりも小さい場合（異常である場合）、液体ＬＱ中にナトリウムイオン等の金属イオンが多く含まれている可能性がある。その金属イオンを多く含んだ液体ＬＱで基板Ｐ上に液浸領域ＡＲ２を形成すると、液体ＬＱの金属イオンが基板Ｐ上のデバイスパターン（配線パターン）に付着し、デバイスの動作不良を引き起こす可能性がある。また、液体ＬＱ中の全有機体炭素の値が許容値（一例として、５．０ｐｐｂ、より好ましくは１．０ｐｐｂ）よりも大きい場合、液体ＬＱの光透過率が低下している可能性がある。その場合、液体ＬＱを介した露光精度及び、液体ＬＱを介した光計測部による計測精度が劣化する。具体的には、液体ＬＱの光透過率が下がると基板Ｐ上での露光量が変動し、基板Ｐ上に形成される露光線幅にばらつきが生じてしまう。また光透過率の低下により、液体ＬＱは光透過率低下分だけ多くの光エネルギーを吸収していることになるので、液体温度が上昇する。この温度上昇に起因して、投影光学系ＰＬと液体ＬＱを介して形成されるパターン像が劣化する可能性もある。また、液体ＬＱ中の微粒子及び／又は気泡を含む異物の量が許容値（一例として、大きさが０．１μｍ以上のものが１ｍ１中に０．１個、より好ましくは０．０１個）よりも多い場合、液体ＬＱを介して基板Ｐ上に転写されるパターンに欠陥が生じる可能性が高くなる。また、液体ＬＱ中の溶存気体濃度の値が許容値（一例として、溶存酸素の場合、３ｐｐｂ、より好ましくは１ｐｐｂ。溶存窒素の場合、一例として３ｐｐｍ）よりも大きい場合、液体ＬＱ中に気泡が生成される可能性が高くなる。液体ＬＱ中に気泡が生成されると、上述同様、基板Ｐ上に転写されるパターンに欠陥が生じる可能性が高くなる。【００５９】
計測装置６０の計測結果が異常でないと判断したとき、制御装置ＣＯＮＴは、実施している動作、例えば液浸露光動作を継続する。一方、計測装置６０の計測結果が異常であると判断したとき、制御装置ＣＯＮＴは、実施中の動作、例えば露光動作を停止する。計測装置６０の計測結果が異常の場合、制御装置ＣＯＮＴは、純水製造装置１６と液体供給部１１との間の接続管１９に設けられたバルブ１９Ｂを制御して、純水製造装置１６から液体供給部１１への液体の供給を停止する。これにより、液体供給部１１内に配置されている、温調器１７１，１７５、脱気装置１７３、及びフィルタ１７４などが、異常な液体ＬＱによってダメージを受けたり、各種交換部品の寿命が短くなったりする、悪影響を抑えることができる。【００６０】
また、計測装置６０の計測結果が異常であると判断したとき、制御装置ＣＯＮＴは、報知装置ＩＮＦで警報（警告）を発するなど、純水製造装置１６から供給される液体ＬＱが異常である旨を報知装置ＩＮＦで報知することができる。【００６１】
また、制御装置ＣＯＮＴは、計測装置６０の計測結果に基づいて、液体ＬＱ複数の異常を特定し、その対応策を報知装置ＩＮＦで報知することができる。例えば、計測装置６０の比抵抗計６４の計測結果に基づいて、液体ＬＱの比抵抗値が異常であると判断した場合、制御装置ＣＯＮＴは、純水製造器１６１のイオン交換膜のメンテナンス（点検・交換）を促す内容の表示を報知装置ＩＮＦで表示（報知）する。また、計測装置６０のＴＯＣ計６１の計測結果に基づいて、液体ＬＱの全有機体炭素が異常であると判断した場合、制御装置ＣＯＮＴは、純水製造器１６１のＵＶランプのメンテナンス（点検・交換）を促す内容の表示を報知装置ＩＮＦで表示（報知）する。また、計測装置６０のパーティクルカウンタ６２の計測結果に基づいて、液体ＬＱ中の異物（微粒子、気泡）の数（量）が異常であると判断した場合、制御装置ＣＯＮＴは、純水製造器１６１のパーティクルフィルタのメンテナンス（点検・交換）を促す内容の表示を報知装置ＩＮＦで表示（報知）する。また、計測装置６０の溶存気体濃度計６３の計測結果に基づいて、液体ＬＱ中の溶存気体濃度が異常であると判断した場合、制御装置ＣＯＮＴは、温調装置１７の脱気装置１７３の脱気能力を上げる。【００６２】
なお、制御装置ＣＯＮＴは、計測装置６０の計測結果（モニタ情報）を、報知装置ＩＮＦで常時報知することもできるし、計測装置６０の計測結果を所定間隔で報知装置ＩＮＦで報知することも可能であるし、計測装置６０の計測結果の時間変化（ログ情報）を報知装置ＩＮＦで報知することもできる。【００６３】
また、制御装置ＣＯＮＴは、計測装置６０の計測結果が異常の場合に、露光装置ＥＸで実施されている各種動作を停止させずに、各種動作を継続するための調整を行うこともできる。例えば、基板Ｐの露光中に、液体ＬＱ中のＴＯＣが変動することに起因して、液体ＬＱの光透過率が変動する可能性がある。液体ＬＱの光透過率が変動すると、基板Ｐ上での露光量（積算露光量）に変動が生じ、その結果、ショット領域に形成されるデバイスパターンの露光線幅に異常が生じる可能性がある。そこで、液体ＬＱ中のＴＯＣとそのときの液体ＬＱの光透過率との関係を予め求めて記憶装置ＭＲＹに記憶しておき、制御装置ＣＯＮＴは、前記記憶情報と、計測装置６０（ＴＯＣ計６１）の計測結果とに基づいて、露光量を制御することで、所望線幅のパターンを得ることができる。【００６４】
以上説明したように、純水製造装置１６に液体ＬＱの状態（性質及び成分のうち少なくとも一方を含む）を計測する計測装置６０を設けたことにより、その計測結果に基づいて、液浸領域ＡＲ２を形成するための液体ＬＱが所望状態であるか否か（異常か否か）を判別することができる。そして、計測装置６０の計測結果が異常である場合には、液体ＬＱを所望状態にするための適切な処置を迅速に施したり、露光装置ＥＸの動作を制御することで、露光装置ＥＸで実行される計測、露光などの精度劣化を防止することができる。【００６５】
なお、上述の実施形態においては、計測装置６０は純水製造装置１６から送出される液体ＬＱの状態を常時計測しているが、所定の時間間隔ごと、あるいは所定のタイミング（例えばロット先頭）で液体ＬＱの状態を計測するようにしてもよい。【００６６】
なお、上述の実施形態において、露光装置ＥＸ内（例えば、液体供給部１１と第１ノズル部材７０との間、及び／または第１ノズル部材７０と第１液体回収部２１との間）に、純水製造装置１６内に設けられている計測装置と同様の計測装置を設けてもよい。この場合、純水製造装置１６内の計測装置６０の計測結果と露光装置ＥＸ内の計測装置の計測結果とを比較することによって、露光装置ＥＸ内における液体ＬＱの劣化を検知することができる。【００６７】
また上述の実施形態においては、純水製造装置１６の計測装置６０の計測結果に基づいて制御装置ＣＯＮＴが露光装置ＥＸの動作を制御しているが、露光装置ＥＸの状態（露光中、計測中、エラー発生中など）を純水製造装置１６に出力し、純水製造装置１６が、露光装置ＥＸからの情報に基づいて、純水製造装置１６自身の動作を制御（例えば、純水製造動作を最適化）するようにしてもよい。【００６８】
また、上述の実施形態においては、液体供給部１１の温調装置１７は、フィルタ１７４と脱気装置１７３と流量制御器１７２を備えているが、これらの少なくとも一つを省略してもよい。【００６９】
また、上述の実施形態においては、純水製造装置１６で製造された純水（液体ＬＱ）は、温調装置１７を含む液体供給部１１を介して第１ノズル部材７０に供給されているが、液体供給部１１を省いて、純水製造装置１６で製造された純水（液体ＬＱ）を供給管１３に直接送出するようにしてもよい。【００７０】
上述した実施形態における液体ＬＱは純水である。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板Ｐ上のフォトレジストや光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Ｐの表面、及び投影光学系ＰＬの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。【００７１】
上述の各実施形態においては、露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬの光学素子２の射出側の光路空間を液体ＬＱで満たして基板Ｐを露光しているが、国際公開第２００４／０１９１２８号に開示されているように、投影光学系ＰＬの光学素子２の入射側の光路空間も液体ＬＱで満たすようにしてもよい。この場合において、光学素子２の入射側の光路空間に供給される液体ＬＱ（純水）を製造する液体製造装置（純水製造装置）にも、液体ＬＱの状態を計測する計測装置を設けることが望ましい。【００７２】
なお、本実施形態の液体ＬＱは純水であるが、純水以外の液体であってもよい。例えば、露光光ＥＬの光源がＦ2レーザである場合、液体ＬＱとしてはＦ2レーザ光を透過可能な、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フッ素系オイル等を用いることができる。【００７３】
また、液体ＬＱとしては、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。液体ＬＱとしては、例えば、屈折率が約１．５０のイソプロパノール、屈折率が約１．６１のグリセロール（グリセリン）といったＣ−Ｈ結合あるいはＯ−Ｈ結合を持つ所定液体、ヘキサン、ヘプタン、デカン等の所定液体（有機溶剤）、デカリン、バイサイクロヘクシル等の所定液体が挙げられる。あるいは、これら所定液体のうち任意の２種類以上の液体が混合されたものであってもよいし、純水に上記所定液体が添加（混合）されたものであってもよい。あるいは、液体ＬＱとしては、純水に、Ｈ＋、Ｃｓ＋、Ｋ＋、Ｃｌ−、ＳＯ４２−、ＰＯ４２−等の塩基又は酸を添加（混合）したものであってもよい。更には、純水にＡｌ酸化物等の微粒子を添加（混合）したものであってもよい。これら液体ＬＱは、ＡｒＦエキシマレーザ光を透過可能である。また、液体ＬＱとしては、光の吸収係数が小さく、温度依存性が少なく、投影光学系ＰＬ及び／又は基板Ｐの表面に塗布されている感光材（又は保護膜（トップコート膜）あるいは反射防止膜など）に対して安定なものであることが好ましい。【００７４】
光学素子２は、例えば石英（シリカ）で形成することができる。あるいは、フッ化カルシウム（蛍石）、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、及びＢａＬｉＦ３等のフッ化化合物の単結晶材料で形成されてもよい。更に、最終光学素子は、ルテチウムアルミニウムガーネット（ＬｕＡＧ）で形成されてもよい。及びフッ化ナトリウム等のフッ化化合物の単結晶材料で形成されてもよい。【００７５】
投影光学系の少なくとも１つの光学素子を、石英及び／又は蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で形成してもよい。例えば、国際公開第２００５／０５９６１７号パンフレットに開示されているような、サファイア、二酸化ゲルマニウム等、あるいは、国際公開第２００５／０５９６１８号パンフレットに開示されているような、塩化カリウム（屈折率約１．７５）等を用いることができる。【００７６】
上記各実施形態では複数の光学素子を有する投影光学系を備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、一つの光学素子で構成された投影光学系を用いてもよい。あるいは、投影光学系を用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。投影光学系を用いない場合であっても、露光光はマスク又はレンズなどの光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸領域が形成される。【００７７】
上記各実施形態では干渉計システムを用いてマスクステージ及び基板ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば基板ステージの上面に設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムの両方を備えるハイブリッドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正（キャリブレーション）を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り替えて用いる、あるいはその両方を用いて、基板ステージの位置制御を行うようにしてもよい。【００７８】
また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、及び米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも適用できる。【００７９】
なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。基板はその形状が円形に限られるものでなく、矩形など他の形状でもよい。【００８０】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動しながら基板Ｐを露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを露光する静止露光型の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。【００８１】
また、露光装置ＥＸとしては、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第１パターンの縮小像を投影光学系（例えば１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系）を用いて基板Ｐ上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第２パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。【００８２】
また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、及び米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号などに開示されているツインステージ型の露光装置にも適用できる。【００８３】
また、特開平１１−１３５４００号公報、特開２０００−１６４５０４号公報、米国特許６，８９７，９６３号などに開示されているように、基板Ｐを保持する基板ステージと、各種計測センサなどを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。
また、上述の実施形態においては、基板の表面が局所的に液体で覆われる液浸露光装置を採用しているが、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報に開示されているような露光対象の基板表面の全体が液体で覆われる液浸露光装置にも適用可能である。【００８４】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。【００８５】
なお、本国際出願で指定又は選択された国の法令で許容される限りにおいて、上記各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。【００８６】
露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。【００８７】
各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。【００８８】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図４に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸにより基板を露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などの基板処理プロセスを含むステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【図１】
2007072818.tif 000003
【図２】
2007072818.tif 000004
【図３】
2007072818.tif 000005
【図４】
2007072818.tif 000006
【国際調査報告】
2007072818.tif 000007
2007072818.tif 000008
2007072818.tif 000009
2007072818.tif 000010