【手続補正書】
【提出日】平成19年2月1日(2007.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】メモリカード
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  フラッシュメモリと、
原クロックを生成する原クロック発生回路と、
前記原クロックを可変の分周比で分周し、前記フラッシュメモリの動作周波数を規定するクロック信号を生成する分周回路と
を備えるメモリカード。
【請求項２】  前記メモリカードに対して消費電流の設定が為されたことに対応して、前記分周比が設定される、請求項１記載のメモリカード。
【請求項３】  前記分周比を設定する分周レジスタ
を更に備える、請求項１又は請求項２に記載のメモリカード。
【請求項４】  複数のフラッシュメモリと、
前記複数のフラッシュメモリに書き込みが行われた物理アドレスを格納する、複数のタスクレジスタと
を備えるメモリカード。
【請求項５】 前記複数のタスクレジスタは、前記複数のフラッシュメモリの少なくとも２つについての前記物理アドレスを交互に格納する、請求項４記載のメモリカード。
【請求項６】  前記タスクレジスタに対応して設けられ、前記物理アドレスに書き込まれた書き込みデータを格納するデータレジスタ
を更に備える、請求項４又は請求項５に記載のメモリカード。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明のうち請求項１にかかるものはメモリカードであって、フラッシュメモリと、原クロックを生成する原クロック発生回路と、前記原クロックを可変の分周比で分周し、前記フラッシュメモリの動作周波数を規定するクロック信号を生成する分周回路とを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明のうち請求項４にかかるものはメモリカードであって、複数のフラッシュメモリと、前記複数のフラッシュメモリに書き込みが行われた物理アドレスを格納する、複数のタスクレジスタとを備える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明のうち請求項５にかかるものは、請求項４記載のメモリカードであって、前記複数のタスクレジスタは、前記複数のフラッシュメモリの少なくとも２つについての前記物理アドレスを交互に格納する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
コントローラ１は、これらの変換や、ホスト側からの要求に応じてフラッシュメモリの管理、制御を行うＣＰＵ（中央処理ユニット）５を備えている。コントローラ１は更に、メモリカード１００が装備される対象となるホスト側とのインターフェース仕様を整合するためのホストインターフェース（ホストＩ／Ｆ）９、及びフラッシュメモリ群２０側とのインターフェース仕様を整合するためのフラッシュインターフェース（フラッシュＩ／Ｆ）８も備えている。またコントローラ１には、ＣＰＵ５からの命令に基づいて動作するシーケンサ６も備えられ、これにより、あるいはＣＰＵ５が直接に、フラッシュインターフェース８に対して処理を行う。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ＡＴＡカードにはＡＴＡカードを動作させ、あるいは制御するためのＡＴＡコマンドが設定される。ＡＴＡコマンドの中には消費電流値を設定する「Feature Set」コマンドも存在する。ステップＳ３以降はＡＴＡカードの消費電流を変える場合の処理が例示されている。つまりステップＳ３においてFeature Setコマンドを用いて、具体的にはホストインターフェース９を介してホスト側から、所望の消費電流値をセットする。そしてステップＳ４へと進み、ＣＰＵ５が、消費電流値に鑑みてクロック信号を適切な周波数に設定するための分周比を、ＲＡＭ４の分周レジスタ４１内の２ビット８０に格納する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
このような動作を繰り返し、第２の書き込みデータに続く第３の書き込みデータがフラッシュメモリ２０ｃに書き込まれ、第３の書き込みデータに続く第４の書き込みデータがフラッシュメモリ２０ｄに書き込まれると、第４の書き込みデータに続く第５の書き込みデータの書き込み処理の対象としてフラッシュメモリ２０ａが選択される。つまりチップセレクト信号１２ａがアクティブに設定される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
しかしフラッシュメモリ２０ａは既に第１の書き込みデータの書き込み動作を開始していたので、その書き込み動作が終了しているか否かを確認する必要がある。そのため、フラッシュメモリ２０ａに対する新たな書き込み命令を行う前に、フラッシュメモリ２０ａのステータスレジスタを確認する。ステータスにエラーが発生していなければ第１の書き込みデータの書き込み処理は完了している。しかしエラーが発生していた場合には第１の書き込みデータを再度フラッシュメモリ２０ａに書き込む必要がある。そして、このステータスの確認や再度の書き込み処理を書き込み命令毎に行っていては、並列した書き込み処理を行うことができない。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図６は上記（ｉ），（ｉｉ）の場合に共通して採用され得る書き込み処理を示すフローチャートである。ステップＳ１０においてホストから書き込み要求を受けると、メモリカード１００は所定のフラッシュメモリへデータを書き込む。（ｉ），（ｉｉ）の場合に即して言えば、最初にステップＳ１１が実行される際のフラッシュメモリはフラッシュメモリ２０ａである。次にステップＳ１２に進み、ホストからの書き込み要求が完了したか否かを判断する。（ｉ），（ｉｉ）のいずれの場合も、フラッシュメモリ２０ａへのデータの書き込み処理のみではホストからの書き込み要求が完了しないので、ステップＳ１２での判断はＮＯとなり、ステップＳ２１へと進む。ステップＳ２１では、フラッシュメモリの変更が行われる。ステップＳ１１での書き込み処理の対象が、フラッシュメモリ２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄであれば、ステップＳ２１の実行後は、それぞれフラッシュメモリ２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，２０ａあるいはこれに対応するタスクレジスタ、データレジスタが、各フローの対象となる。先の例で言えば、ステップＳ１１での書き込み処理の対象がフラッシュメモリ２０ａであったので、フラッシュメモリ２０ｂあるいはこれに対応するタスクレジスタ４０ｂ、データバッファ７０ｂが、ステップＳ２２〜Ｓ２４の対象となり得る。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
ステップＳ１０が実行された後の２回目に実行されるステップＳ１１では、（ｉ），（ｉｉ）のいずれの場合もフラッシュメモリ２０ｂに対してデータが書き込まれ、ステップＳ１２へ進む。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
図７は本実施の形態にかかるタスクレジスタ群４０と、書き込み命令Ｗm〜Ｗm+4との関係を示す模式図である。ここでも書き込み命令Ｗm〜Ｗm+4は、それぞれフラッシュメモリ２０ａ〜２０ｄに対する書き込み処理である。そしてホストからの要求された書き込み処理が、フラッシュメモリ２０ａ，２０ｂに対する一度のデータの書き込みで足りない場合、例えば書き込み要求に対して少なくとも書き込み命令Ｗm〜Ｗm+4が必要な場合が例示されている。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
なお、本実施の形態ではデータバッファ７０ａをフラッシュメモリ２０ａ，２０ｃに対応して、データバッファ７０ｂをフラッシュメモリ２０ｂ，２０ｄに対応して、それぞれ機能させることができる。物理アドレスを格納しないタスクレジスタ４０ｃ，４０ｄに対応するデータバッファ７０ｃ，７０ｄにデータを格納しても、このデータは再度の書き込みには使用されないからである。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
上記のタスクレジスタの使用数の設定は、実施の形態１と同様に、ＲＡＭ４に使用数設定レジスタ４２を設けておき、ドライブパラメータと共にファクトリフォーマット時にそこにセットすることで可能となる。また使用数設定レジスタ４２は分周レジスタ１４とマージする、例えば２ビット８０よりも上位のビットを使用することで実現しても良い。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
ステップＳ３０においてメモリカード１００に電源が供給されることにより、フローが開始する。そしてステップＳ３１に進み、ＣＰＵ５はドライブパラメータに設定されていたタスクレジスタの使用数を、フラッシュインターフェース８を介してフラッシュメモリ群２０から読み出し、ＲＡＭ４に設けられた使用数設定レジスタ４２に書き込む。これにより、タスクレジスタの使用数についてのデフォルト値が設定される。上述の例で言えば、例えばタスクレジスタの使用数のデフォルト値を、ＣＰＵ４に設定されたタスクレジスタ４０ａ〜４０ｄの総数である４個に設定する。そしてステップＳ３２に進み、ＣＰＵ５が、使用するタスクレジスタを、使用数設定レジスタ４２の値に基づいて決定する。ここではタスクレジスタ４０ａ〜４０ｄを全て使用し、それぞれフラッシュメモリ２０ａ〜２０ｄに対応づける。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
ステップＳ３３以降はＡＴＡカードの消費電流を変える場合の処理が例示されている。つまりステップＳ３３においてFeature Setコマンドを用いて、所望の消費電流値をセットする。そしてステップＳ３４へと進み、ＣＰＵ５が消費電流値に鑑みて、タスクレジスタの使用数を決定し、これをＲＡＭ４の使用数設定レジスタ４２にセットする。次にステップＳ３５へと進み、どのタスクレジスタがどのフラッシュメモリに対応するかをＣＰＵ５で決定する。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
本実施の形態では、以上のようにして、特にコマンドが与えられない場合にはデフォルトの数で、また消費電流を規定するコマンドが与えられれば当該消費電流に適した数で、それぞれタスクレジスタの使用数が設定される。そしてタスクレジスタの使用数によって、書き込み処理が並列に行われる対象となるフラッシュメモリの数が決定されるので、ホスト側の要求に応じてメモリカード１００の消費電力を低減することができる。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
【発明の効果】
この発明のうち請求項１にかかるメモリカードによれば、分周比が可変であるので、フラッシュメモリの動作周波数が可変となる。従って、メモリカードの処理能力や動作電力を可変にすることができる。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
この発明のうち請求項２にかかるメモリカードによれば、消費電力を低減するために、消費電流を設定すれば、これに対応した動作周波数でフラッシュメモリが動作する。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
この発明のうち請求項４にかかるメモリカードによれば、第１のフラッシュメモリの書き込みの際に用いられた物理アドレスがタスクレジスタに記憶されるので、第１のフラッシュメモリの書き込み命令が正常に行われなかった場合であっても、再度の書き込み処理を行うことができる。よって第１のフラッシュメモリに書き込み命令を実行後、その終了を確認することなく第２のフラッシュメモリに書き込み命令を実行するという並列した書き込み処理を行うことが容易となる。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
この発明のうち請求項５にかかるメモリカードによれば、書き込み処理が並列に行われるフラッシュメモリの数は、使用されるタスクレジスタの数を上限とするので、タスクレジスタの数を制御して、消費電力を低減することができる。