【手続補正書】
【提出日】平成19年10月11日(2007.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各発光装置がそれぞれのバイアス回路によってバイアスされる出力ノードに接続される複数の並列に結合される発光装置を駆動するための回路であって、
前記出力ノードに印加される出力電圧を調整するように構成されるレギュレータと、
前記それぞれのバイアス回路から信号を受取り、応答して、バイアスされている前記発光装置のどれが最高の順電圧降下を有するかを検出するように構成される検出回路と、
前記検出回路に結合され、最高の順電圧降下を有する前記発光装置のその１つを駆動するために有効な実質的に最低の出力電圧を生成するように前記レギュレータを制御するための制御信号を生成するように構成される制御回路とを含む、回路。
【請求項２】
各発光装置がそれぞれのバイアス回路によってバイアスされる、そこに複数の発光装置が並列に接続される出力ノードに供給される出力電圧を調整するためのレギュレータを制御するための回路であって、
前記それぞれのバイアス回路から信号を受取り、応答して、前記信号に基づいてバイアスされている前記発光装置のどれが最高の順電圧降下を有するかを検出するように構成される検出回路と、
前記検出回路に結合され、最高の順電圧降下を有する前記発光装置のその１つを駆動するために有効な実質的に最低の電圧を生成するように前記レギュレータを調整するための制御信号を生成するように構成される制御回路とを含む、回路。
【請求項３】
前記信号は各々、各バイアス回路の対応するノードの電圧を示し、前記対応するノード間で最高電圧を保持するノードはバイアスされている前記発光装置のどれが最高の順電圧降下を有するかを示し、
前記検出回路は前記最高電圧を検出するように構成される、請求項１または２に記載の回路。
【請求項４】
前記検出回路は、そのベースがそれぞれ前記バイアス回路から前記信号を受取って前記最高電圧に対応する電圧を出力する複数のＮＰＮトランジスタを含むＯＲ回路を含む、請求項３に記載の回路。
【請求項５】
前記制御回路は、前記検出回路によって検出された前記最高電圧を所定の基準電圧と比較し、応答して、前記制御信号を生成するように構成され、
前記基準電圧は、前記レギュレータを調整して、最高の順電圧降下を有する前記発光装置のその１つを駆動するための実質的に最低の出力電圧を生成するように選択される、請求項３に記載の回路。
【請求項６】
前記制御回路は、前記最高電圧と前記基準電圧との間の差に基づいて前記制御信号として電流をソースまたはシンクするように構成される第１の相互コンダクタンス増幅器を含む、請求項５に記載の回路。
【請求項７】
前記出力ノードの前記出力電圧が所定の電圧を超えるときに前記第１の相互コンダクタンス増幅器からソースされている所定の量の電流をシンクするように構成される第２の相互コンダクタンス増幅器をさらに含む、請求項６に記載の回路。
【請求項８】
前記バイアス回路は各々、電流ミラーを構成するためのＭＯＳトランジスタおよび増幅器を含み、基準電流は電流が前記出力ノードに接続される発光装置を通って流れるように前記トランジスタによってＫの利得でミラーされ、前記トランジスタのドレインは前記増幅器のそれぞれの入力に接続され、前記増幅器の出力は前記トランジスタのゲートに接続され、前記増幅器は、前記トランジスタの１つのドレインおよびゲート電圧が別のもののそれらに等しくなるように維持し、
前記基準電圧は各バイアス回路の前記増幅器がその高利得通常モード範囲で動作できるように最高の可能な電圧になるようにセットされる、請求項５に記載の回路。
【請求項９】
前記対応するノードは前記トランジスタの前記ゲート電圧を得るように結合される、請求項８に記載の回路。
【請求項１０】
前記信号は各々、各バイアス回路の対応するノードの電圧を示し、前記対応するノード間で最低電圧を保持するノードはバイアスされている前記発光装置のどれが最高の順電圧降下を有するかを示し、
前記検出回路は前記最低電圧を検出するように構成される、請求項１または２に記載の回路。
【請求項１１】
前記検出回路は、そのベースがそれぞれ前記バイアス回路から前記信号を受取って前記最低電圧に対応する電圧を出力する複数のＰＮＰトランジスタを含むＯＲ回路を含む、請求項１０に記載の回路。
【請求項１２】
前記制御回路は、前記検出回路によって検出された前記最低電圧を所定の基準電圧と比較し、応答して、前記制御信号を生成するように構成され、
前記基準電圧は、前記レギュレータを調整して、最高の順電圧降下を有する前記発光装置のその１つを駆動するための実質的に最低の出力電圧を生成するように選択される、請求項１０に記載の回路。
【請求項１３】
前記検出回路と前記制御回路との間に結合され、前記検出回路からの前記最低電圧を前記出力ノードの前記出力電圧をスケールダウンすることによって得られるスケールダウン電圧と比較して前記最高電圧を選択するためのセレクタをさらに含み、
前記制御回路は、前記セレクタによって選択された前記最高電圧を前記基準電圧と比較するように構成される、請求項１２に記載の回路。
【請求項１４】
前記バイアス回路は各々、電流ミラーを構成するためのＭＯＳトランジスタおよび増幅器を含み、基準電流は電流が前記出力ノードに接続される発光装置を通って流れるように
前記トランジスタによってＫの利得でミラーされ、前記トランジスタのドレインは前記増幅器のそれぞれの入力に接続され、前記増幅器の出力は前記トランジスタのゲートに接続され、前記増幅器は前記トランジスタの１つのドレインおよびゲート電圧が別のもののそれらに等しくなるように維持し、
前記基準電圧は、各バイアス回路の前記増幅器がその高利得通常モード範囲で動作できるように最低の可能な電圧になるようにセットされる、請求項１２に記載の回路。
【請求項１５】
前記対応するノードは前記トランジスタの前記ドレイン電圧を得るように結合される、請求項１４に記載の回路。
【請求項１６】
前記発光装置は発光ダイオードである、請求項１または２に記載の回路。
【請求項１７】
前記発光ダイオードは白色発光ダイオードである、請求項１６に記載の回路。
【請求項１８】
前記レギュレータはインダクタベースのＤＣ−ＤＣコンバータである、請求項１または２に記載の回路。
【請求項１９】
前記インダクタベースのＤＣ−ＤＣコンバータはバックブーストＤＣ−ＤＣコンバータである、請求項１８に記載の回路。
【請求項２０】
過度の電圧が前記出力ノードに印加されるのを防ぐためのクランプ回路をさらに含む、請求項１または２に記載の回路。
【請求項２１】
回路であって、
それぞれ複数の発光装置に直列に接続されるバイアス回路から信号を受取るための入力ノードを含み、前記発光装置は電源ノードに並列に接続され、前記回路はさらに、
バイアスされている前記発光装置のどれが最高の順電圧降下を有するかを検出するように前記入力ノード上の前記信号に応答する検出回路を含む、回路。
【請求項２２】
前記信号は各々、各バイアス回路の対応するノードの電圧を示し、前記対応するノード間で最高電圧を保持するノードはバイアスされている前記発光装置のどれが最高の順電圧降下を有するかを示し、
前記検出回路は前記最高電圧を検出するように構成される、請求項２１に記載の回路。
【請求項２３】
前記検出回路は、そのベースがそれぞれ前記入力ノードから前記信号を受取って前記最高電圧に対応する電圧を出力する複数のＮＰＮトランジスタを含むＯＲ回路を含む、請求項２２に記載の回路。
【請求項２４】
前記バイアス回路は各々、電流ミラーを構成するためのＭＯＳトランジスタおよび増幅器を含み、基準電流は電流が前記電源ノードに接続される発光装置を通って流れるように前記トランジスタによってＫの利得でミラーされ、前記トランジスタのドレインは前記増幅器のそれぞれの入力に接続され、前記増幅器の出力は前記トランジスタのゲートに接続され、前記増幅器は前記トランジスタの１つのドレインおよびゲート電圧が別のもののそれらに等しくなるように維持し、
前記対応するノードは前記トランジスタの前記ゲート電圧を得るように結合される、請求項２２に記載の回路。
【請求項２５】
前記信号は各々、各バイアス回路の対応するノードの電圧を示し、前記対応するノード間で最低電圧を保持するノードはバイアスされている前記発光装置のどれが最高の順電圧降下を有するかを示し、
前記検出回路は前記最低電圧を検出するように構成される、請求項２１に記載の回路。
【請求項２６】
前記検出回路は、そのベースがそれぞれ前記入力ノードから前記信号を受取って前記最低電圧に対応する電圧を出力する複数のＰＮＰトランジスタを含むＯＲ回路を含む、請求項２５に記載の回路。
【請求項２７】
前記バイアス回路は各々、電流ミラーを構成するためのＭＯＳトランジスタおよび増幅器を含み、基準電流は電流が前記電源ノードに接続される発光装置を通って流れるように前記トランジスタによってＫの利得でミラーされ、前記トランジスタのドレインは前記増幅器のそれぞれの入力に接続され、前記増幅器の出力は前記トランジスタのゲートに接続され、前記増幅器は前記トランジスタの１つのドレインおよびゲート電圧が別のもののそれらに等しくなるように維持し、
前記対応するノードは前記トランジスタの前記ドレイン電圧を得るように結合される、請求項２５に記載の回路。
【請求項２８】
前記発光装置は発光ダイオードである、請求項２１に記載の回路。
【請求項２９】
前記発光ダイオードは白色発光ダイオードである、請求項２８に記載の回路。
【請求項３０】
出力ノードに並列に接続され、各々が発光装置をバイアスするためのそれぞれのバイアス回路に直列に接続される複数の発光装置を駆動するための方法であって、
前記出力ノードに印加される出力電圧を調整するステップと、
前記それぞれのバイアス回路から信号を受取るステップと、
前記信号に基づいてバイアスされている前記発光装置のどれが最高の順電圧降下を有するかを検出するステップと、
前記出力電圧が最高の順電圧降下を有する前記発光装置のその１つを駆動するための最低電圧を達成するように前記調整するステップを制御するための制御信号を生成するステップとを含む、方法。
【請求項３１】
前記信号は各々、各バイアス回路の対応するノードの電圧を示し、前記対応するノード間で最高電圧を保持するノードはバイアスされている前記発光装置のどれが最高の順電圧降下を有するかを示し、
前記検出するステップは前記最高電圧を検出する、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記検出するステップで検出された前記最高電圧を所定の基準電圧と比較するステップをさらに含み、前記基準電圧は最高の順電圧降下を有する前記発光装置のその１つを駆動するための実質的に最低の出力電圧を生成するように選択され、
前記生成するステップは、前記最高電圧と前記基準電圧との間の差に基づいて前記制御信号を生成する、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記生成するステップは、前記最高電圧と前記基準電圧との間の差に基づいて前記制御信号として電流をソースまたはシンクするステップを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記出力ノードの前記出力電圧が所定の電圧を超えるかどうかを決定するステップと、
前記出力電圧が前記所定の電圧を超えるときに前記生成するステップによってソースされている所定の量の電流をシンクするステップとをさらに含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記バイアス回路は各々、電流ミラーを構成するためのＭＯＳトランジスタおよび増幅器を含み、基準電流は電流が前記出力ノードに接続される発光装置を通って流れるように
前記トランジスタによってＫの利得でミラーされ、前記トランジスタのドレインは前記増幅器のそれぞれの入力に接続され、前記増幅器の出力は前記トランジスタのゲートに接続され、前記増幅器は前記トランジスタの１つのドレインおよびゲート電圧が別のもののそれらに等しくなるように維持し、
前記方法はさらに、
各バイアス回路の前記増幅器がその高利得通常モード範囲で動作できるように最高の可能な電圧を前記基準電圧としてセットするステップをさらに含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３６】
前記受取るステップは、前記バイアス回路の各々から前記トランジスタの前記ゲート電圧を得る、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記信号は各々、各バイアス回路の対応するノードの電圧を示し、前記対応するノード間で最低電圧を保持するノードはバイアスされている前記発光装置のどれが最高の順電圧降下を有するかを示し、
前記検出するステップは前記最低電圧を検出する、請求項３０に記載の方法。
【請求項３８】
前記検出するステップで検出された前記最低電圧を基準電圧と比較するステップをさらに含み、前記基準電圧は最高の順電圧降下を有する前記発光装置のその１つを駆動するための実質的に最低の出力電圧を生成するように選択され、
前記生成するステップは、前記基準電圧と前記最低電圧との間の差に基づいて前記制御信号を生成する、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
スケールダウン電圧を得るために前記出力ノードの出力電圧をスケールダウンするステップと、
高い方を選択するために前記検出するステップで検出された前記最低電圧を前記スケールダウン電圧と比較するステップとをさらに含み、
前記制御するステップは、前記高い方を前記基準電圧と比較することによって前記制御信号を生成する、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記バイアス回路は各々、電流ミラーを構成するためのＭＯＳトランジスタおよび増幅器を含み、基準電流は電流が前記出力ノードに接続される発光装置を通って流れるように前記トランジスタによってＫの利得でミラーされ、前記トランジスタのドレインは前記増幅器のそれぞれの入力に接続され、前記増幅器の出力は前記トランジスタのゲートに接続され、前記増幅器は前記トランジスタの１つのドレインおよびゲート電圧が別のもののそれらに等しくなるように維持し、
前記方法はさらに、
各バイアス回路の前記増幅器がその高利得通常モード範囲で動作できるように最低の可能な電圧を前記基準電圧としてセットするステップをさらに含む、請求項３８に記載の方法。
【請求項４１】
前記受取るステップは、前記バイアス回路の各々から前記トランジスタの前記ドレイン電圧を得る、請求項４０に記載の方法。