【手続補正書】
【提出日】平成20年4月24日(2008.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのポリマーを検出するためのシステムであって、
前記ポリマーが通過可能な開口部を有する少なくとも１つの検出領域を有する少なくとも１つの半導体装置を含み、前記開口部は、約１００ｎｍ以下の断面積を有し、前記少なくとも１つのポリマーが前記開口部を通過する間に少なくとも前記ポリマーの構成要素の電荷が前記領域に鏡像電荷を作成するよう構成されており、前記鏡像電荷は、前記構成要素の電荷に関連する量により、前記領域の導電性を高めるのに十分であり、
前記検出領域が前記開口部における前記構成要素の前記電荷を検出するようになるように、前記検出領域は、前記ポリマーが前記開口部に入ることを可能にするのに十分な断面を有する、前記半導体装置における開口部を定義する絶縁層を有する前記半導体装置の領域を含む、システム。
【請求項２】
前記絶縁層が酸化物層を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記検出領域の前記領域が、ドーピングされていない半導体層を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記検出領域の前記領域が、前記開口部が形成された酸化物層を含み、前記酸化物層が少なくとも１つのシリコンナノ結晶を含んでいる、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記開口部が非円形である、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
ポリマーを検出するための装置を製造するための方法であって、
少なくとも１つの半導体層を含む半導体構造を提供するステップと、
前記半導体構造に前記ポリマーが通過可能な開口部を有する検出領域を作成するステップと、
前記開口部の前記断面を小さくするために前記開口部を形成する前記半導体層の壁面にドーピングされていない半導体層を形成するステップと、を含み、
前記開口部は、約１００ｎｍ以下の断面積を有し、前記少なくとも１つのポリマーが前記開口部を通過する間に少なくとも前記ポリマーの構成要素の電荷が前記領域に鏡像電荷を作成するよう構成されており、前記鏡像電荷は、前記構成要素の電荷に関連する量により、前記領域の導電性を高めるのに十分である、方法。
【請求項７】
前記検出領域作成ステップが、前記開口部の前記断面を小さくするために前記開口部を形成する前記半導体層の壁面に酸化物層を形成し、前記酸化物層が少なくとも１つのシリコンナノ結晶を含んでいるステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記検出領域作成ステップが、酸化物を含む前記絶縁層を形成するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも１つのポリマーを検出するためのシステムであって、
絶縁層および少なくとも１つの金属層を含む少なくとも１つの構造を含み、前記ポリマーが通過可能な開口部を有する少なくとも１つの検出領域を形成するよう配置され、前記開口部は、約１００ｎｍ以下の断面積を有し、前記少なくとも１つのポリマーが前記開口部を通過する間に少なくとも前記ポリマーの構成要素の電荷が前記領域に鏡像電荷を作成するよう構成されており、前記鏡像電荷は、前記構成要素の電荷に関連する量により、前記領域の導電性を高めるのに十分である、システム。
【請求項１０】
前記絶縁層が前記金属層に接触する、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記構造が２つの金属層を含み、前記絶縁層が前記２つの金属層の間に配置されている、請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記検出領域が前記開口部における前記構成要素の前記電荷を検出するようになるように、前記検出領域が、前記ポリマーが前記開口部に入ることを可能にするのに十分な断面を有する前記開口部が形成された前記構造の領域を含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】
前記開口部を通る前記ポリマーの動きを容易にするために前記構造において動きを生成するようになっている励起装置をさらに含む、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記開口部が非円形である、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】
前記検出領域が凹部における前記構成要素の電荷を検出するようになるように、前記検出領域が前記構造において前記凹部が形成された前記構造の領域を含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの構造が、前記構成要素と結合または前記構成要素と化学反応を起こす前記半導体装置の部分（portion）がなくとも、前記構成要素の前記電荷を受動的に（passively）検出する、請求項９に記載のシステム。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの構造が、前記構成要素の単一の（single）前記電荷を受動的に（passively）に検出する、請求項９に記載のシステム。
【請求項１８】
ポリマーを検出するための装置を製造するための方法であって、
絶縁層および少なくとも１つの金属層を含む構造を提供するステップと、
前記構造に検出領域を作成するステップと、を含み、
前記検出領域は、前記ポリマーが通過可能な開口部を有し、前記開口部は、約１００ｎｍ以下の断面積を有し、前記少なくとも１つのポリマーが前記開口部を通過する間に少なくとも前記ポリマーの構成要素の電荷が前記領域に鏡像電荷を作成するよう構成されており、前記鏡像電荷は、前記構成要素の電荷に関連する量により、前記領域の導電性を高めるのに十分である、方法。
【請求項１９】
前記構成要素が核酸鎖の塩基を含み、
前記作成ステップが前記核酸鎖の前記塩基を表す前記電荷を検出するようになっている前記検出領域を作成する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記構造に開口部を作成し、前記開口部が前記ポリマーの一部がそれを通過することを可能にするのに十分な断面を有し、前記検出領域が前記開口部における前記構成要素を表す前記電荷を検出するようになるように前記検出領域に対して位置決めされているステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記開口部が非円形である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記検出領域が凹部における前記構成要素を表す前記電荷を検出するようになるように前記検出領域に対して位置決めされた前記凹部を前記構造に作成するステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
前記検出領域が、前記構成要素と結合または前記構成要素と化学反応を起こす前記半導体装置の部分（portion）がなくとも、前記構成要素の電荷を受動的に（passively）検出する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２４】
前記検出領域が、前記構成要素の単一の前記電荷を受動的に（passively）に検出する、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２５】
少なくとも１つのポリマーを検出するためのシステムであって、
複数の検出装置と、
読取り器と、を含み、
前記検出装置のそれぞれは、前記ポリマーが通過可能な開口部を有する少なくとも１つの検出領域を有し、前記開口部は、約１００ｎｍ以下の断面積を有し、前記少なくとも１つのポリマーが前記開口部を通過する間に少なくとも前記ポリマーの構成要素の電荷が前記領域に鏡像電荷を作成するよう構成されており、前記鏡像電荷は、前記構成要素の電荷に関連する量により、前記領域の導電性を高めるのに十分あり、
前記読み取り器は、前記検出装置のそれぞれからの読取りを選択的に得るようになっており、それぞれの前記読取りが前記検出装置によって検出された電荷のそれぞれを表す、システム。
【請求項２６】
前記検出装置の少なくとも１つが、前記検出領域に近接する前記ポリマーの構成要素の電荷を検出するようになっている、前記検出領域を少なくとも１つ有する少なくとも１つの半導体装置を含む、請求項２５に記載のシステム。
【請求項２７】
前記検出装置の少なくとも１つが、少なくとも１つの前記検出領域を形成するよう配置された絶縁層および少なくとも１つの金属層を含んだ構造を含み、前記検出領域に近接する前記ポリマーの構成要素を表す電荷を検出するようになっている、請求項２５に記載のシステム。
【請求項２８】
前記検出装置それぞれが、前記構成要素と結合または前記構成要素と化学反応を起こす前記半導体装置の部分（portion）がなくとも、前記構成要素の前記電荷を受動的に（passively）検出する、請求項２５に記載のシステム。
【請求項２９】
前記検出装置それぞれが、前記構成要素の単一の前記電荷を受動的に（passively）に検出する、請求項２５に記載のシステム。
【請求項３０】
少なくとも１つのポリマーを検出するためのシステムであって、
前記ポリマーが通過可能な開口部を有する少なくとも１つの検出領域を有する少なくとも１つの半導体装置を含み、前記開口部は、約１００ｎｍ以下の断面積を有し、前記少なくとも１つのポリマーが前記開口部を通過する間に少なくとも前記ポリマーの構成要素の電荷が前記領域に鏡像電荷を作成するよう構成されており、前記鏡像電荷は、前記構成要素の電荷に関連する量により、前記領域の導電性を高めるのに十分あり、前記検出領域が開口部における前記構成要素の前記電荷を検出するようになるようになっており、前記検出領域の前記領域が、前記開口部が形成された酸化物層を含み、前記酸化物層が少なくとも１つのシリコンナノ結晶を含んでいる、システム。
【請求項３１】
ポリマーを検出するための装置を製造するための方法であって、
少なくとも１つの半導体層を含む半導体構造を提供するステップと、
前記半導体構造に検出領域を作成するステップを含み、前記検出領域は、前記ポリマーが通過可能な開口部を有し、前記開口部は、約１００ｎｍ以下の断面積を有し、前記少なくとも１つのポリマーが前記開口部を通過する間に少なくとも前記ポリマーの構成要素の電荷が前記領域に鏡像電荷を作成するよう構成されており、前記鏡像電荷は、前記構成要素の電荷に関連する量により、前記領域の導電性を高めるのに十分あり、
前記開口部作成ステップが、前記開口部の前記断面を小さくするために前記開口部を形成する前記半導体層の壁面に酸化物層を形成し、前記酸化物層が少なくとも１つのシリコンナノ結晶を含んでいる、酸化物層形成ステップを含む、方法。