【手続補正書】
【提出日】平成19年8月30日(2007.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的測定を用いた半導体ウェハー上に形成された構造のプロファイルの決定に使用するために、構造のプロファイルをモデル化する仮想プロファイルの選択方法であって、
ウェハー上に形成された構造の測定回折信号から、当該測定回折信号の代表的抽出標本であるサンプル回折信号を取得すること、
前記ウェハー上に形成された構造のプロファイルをモデル化するために仮想プロファイルを定義すること、
取得されたサンプル回折信号から一つのサンプル回折信号を用いて前記仮想プロファイルを評価すること、
を含む仮想プロファイルの選択方法。
【請求項２】
前記サンプル回折信号を取得することには、
前記ウェハー上の複数の位置から測定回折信号を得ること、
前記サンプル回折信号の数および間隔に対応するサンプル係数を決定すること、
決定されたサンプル係数と関連付けられたコスト配分を決定すること、
決定されたコスト配分がコスト基準を満たさないとき、前記サンプル係数を調整すること、
を含む請求項１に記載の選択方法。
【請求項３】
前記コスト基準は、前記コスト配分における変化率又は固定量である、請求項２に記載の選択方法。
【請求項４】
前記仮想プロファイルを定義することには、２以上のパラメータを用いて前記仮想プロファイルを特徴付けることを含む、請求項１に記載の選択方法。
【請求項５】
前記仮想プロファイルを評価することには、
（ａ）取得したサンプル回折信号から一つのサンプル回折信号にアクセスすること、
（ｂ）前記一つのサンプル回折信号に対応する一つのシミュレート回折信号を決定すること、
（ｃ）前記一つのサンプル回折信号と前記一つのシミュレート回折信号間の適合度を決定すること、
（ｄ）前記適合度が適合度基準を満たさないとき、前記仮想プロファイルを修正すること、
を含む請求項１に記載の選択方法。
【請求項６】
前記ステップ（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）が、前記サンプル回折信号それぞれに対して繰り返される、請求項５に記載の選択方法。
【請求項７】
前記ステップ（ａ）でアクセスされる前記一つのサンプル回折信号は、前記サンプル回折信号の範囲の中心に最も近接したものである、請求項５に記載の選択方法。
【請求項８】
前記仮想プロファイルを評価することには、
（ａ）一つのサンプル回折信号を取得すること、
（ｂ）前記一つのサンプル回折信号に対応する一つのシミュレート回折信号を決定すること、
（ｃ）大域的最小誤差を決定すること、
（ｄ）前記大域的最小誤差が大域的最小誤差基準を超えるとき、前記仮想プロファイルを修正すること、
を含む請求項１に記載の選択方法。
【請求項９】
前記ステップ（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）が、前記サンプル回折信号のそれぞれに対して繰り返される、請求項８に記載の選択方法。
【請求項１０】
前記大域的最小誤差が１以上の大域的探索アルゴリズムの性能を評価するために使用される、請求項８に記載の選択方法。
【請求項１１】
前記仮想プロファイルを特徴付ける１以上のパラメータの感度を決定すること、
決定された感度が許容されないとき、又は感度基準を満たさないとき、前記仮想プロファイルを修正すること、
をさらに含む請求項１に記載の選択方法。
【請求項１２】
前記取得されたサンプル回折信号に基づいて、生成されるフル−ライブラリよりサイズの小さい、１以上のミニ−ライブラリを生成すること、
前記１以上のミニ−ライブラリを用いてテスト回折信号を処理すること、
前記テスト回折信号を処理した結果に基づいて平均誤差および精度を評価すること、
をさらに含む、請求項１に記載の選択方法。
【請求項１３】
前記評価された平均誤差および精度が許容されるか否かを決定すること、
前記評価された平均誤差および精度が許容されると決定したとき、前記フル−ライブラリを生成すること、
をさらに含む、請求項１２に記載の選択方法。
【請求項１４】
前記評価された平均誤差および精度が許容されるか否かを決定することには、前記評価された平均誤差および精度をユーザに提供することを含む、請求項１３に記載の選択方法。
【請求項１５】
前記評価された平均誤差および精度が許容されるか否かを決定することには、
前記評価された平均誤差および精度が、誤差および精度基準を満たすか否かを決定することを含み、当該精度基準はフル−ライブラリが使用されるための光度測定装置と関連した誤差よりも略１桁小さいものである、請求項１３に記載の選択方法。
【請求項１６】
生成されたフル−ライブラリを用いてテスト回折信号を処理すること、
該テスト回折信号を処理した結果に基づいて前記フル−ライブラリに対する平均誤差および精度を評価すること、
をさらに含む、請求項１３に記載の選択方法。
【請求項１７】
前記評価された平均誤差および精度が許容されないとき、前記仮想プロファイルを特徴付ける１以上のパラメータの範囲又は解像度、若しくはその両方を変更すること、
をさらに含む、請求項１３に記載の選択方法。
【請求項１８】
前記サンプル回折信号に基づいて測定ダイパターンを決定することをさらに含み、当該測定ダイパターンにおける各々の位置が前記サンプル回折信号の取得されたウェハー上の各々の位置に対応する、請求項１に記載の選択方法。
【請求項１９】
前記測定ダイパターンが、高度な制御工程又は特徴付け工程で使用される、請求項１８に記載の選択方法。
【請求項２０】
半導体ウェハー上に形成された構造のプロファイルをモデル化する仮想プロファイルを選択するコンピュータ実行可能なコードを有するコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
前記半導体ウェハー上に形成された構造の測定回折信号から、当該測定回折信号の代表的な抽出標本であるサンプル回折信号を取得すること、
前記半導体ウェハー上に形成された構造のプロファイルをモデル化するために仮想プロファイルを定義すること、
前記取得されたサンプル回折信号から一つのサンプル回折信号を用いて前記仮想プロファイルを評価すること、
をコンピュータに実行するよう指示をすることにより、
光学的測定を用いた構造のプロファイルの決定に使用するために、前記構造のプロファイルをモデル化する仮想プロファイルを選択するコンピュータ実行可能なコードを有する、
コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項２１】
サンプル回折信号を取得することには、
前記ウェハー上の複数の位置から測定回折信号を得ること、
前記サンプル回折信号の数および間隔に対応するサンプル係数を決定すること、
決定されたサンプル係数と関連付けられたコスト配分を決定すること、
決定されたコスト配分がコスト基準を満たさないとき、前記サンプル係数を調整すること、
を含む、請求項２０に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項２２】
前記仮想プロファイルを評価することには、
取得したサンプル回折信号から一つのサンプル回折信号にアクセスすること、
前記一つのサンプル回折信号に対応する一つのシミュレート回折信号を決定すること、
前記一つのサンプル回折信号と前記一つのシミュレート回折信号間の適合度を決定すること、
前記適合度が適合度基準を満たさないとき、前記仮想プロファイルを修正すること、
を含む、請求項２０に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項２３】
前記仮想プロファイルを評価することには、
取得したサンプル回折信号から一つのサンプル回折信号にアクセスすること、
前記一つのサンプル回折信号に対応する一つのシミュレート回折信号を決定すること、
大域的最小誤差を決定すること、
前記大域的最小誤差が大域的最小誤差基準を超えるとき、前記仮想プロファイルを修正すること、
を含む、請求項２０に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項２４】
前記仮想プロファイルを特徴付ける１以上のパラメータの感度を決定すること、
決定された感度が許容されないとき、又は感度基準を満たさないとき、前記仮想プロファイルを修正すること、
をさらに含む、請求項２０に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項２５】
前記取得されたサンプル回折信号に基づいて、生成されるフル−ライブラリよりサイズの小さい、１以上のミニ−ライブラリを生成すること、
前記１以上のミニ−ライブラリを用いてテスト回折信号を処理すること、
前記テスト回折信号を処理した結果に基づいて平均誤差および精度を評価すること、
をさらに含む、請求項２０に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項２６】
前記評価された平均誤差および精度が許容されるとき、フル−ライブラリを生成するとともに、
前記評価された平均誤差および精度が許容されないとき、前記仮想プロファイルを特徴付ける１以上のパラメータの範囲又は解像度、若しくはその両方を変更すること、
をさらに含む、請求項２５に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項２７】
前記サンプル回折信号に基づいて測定ダイパターンを決定することをさらに含み、当該測定ダイパターンにおける各々の位置が前記サンプル回折信号の取得されたウェハー上の各々の位置に対応する、請求項２０に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項２８】
光学的測定を用いた半導体ウェハー上に形成された構造のプロファイルの決定に使用するために、構造のプロファイルをモデル化する仮想プロファイルを選択するシステムであって、
前記ウェハー上に形成された構造から測定回折信号を取得するために配置された光度測定装置と、
前記測定回折信号から、当該測定回折信号の代表的な抽出標本であるサンプル回折信号を取得し、当該取得されたサンプル回折信号から一つのサンプル回折信号を用いて仮想プロファイルを評価するために配置された処理モジュールと、
を有するシステム。
【請求項２９】
前記処理モジュールは、
前記サンプル回折信号の数および間隔に対応するサンプル係数を決定すること、
決定されたサンプル係数と関連付けられたコスト配分を決定すること、
および決定されたコスト配分がコスト基準を満たさないとき、前記サンプル係数を調整すること、
によりサンプル回折信号を取得する、請求項２８に記載のシステム。
【請求項３０】
前記処理モジュールは、
取得したサンプル回折信号から一つのサンプル回折信号にアクセスすること、
前記一つのサンプル回折信号に対応する一つのシミュレート回折信号を決定すること、
前記一つのサンプル回折信号と前記一つのシミュレート回折信号間の適合度を決定すること、
前記適合度が適合度基準を満たさないとき、前記仮想プロファイルを修正すること、
により前記仮想プロファイルを評価する、請求項２８に記載のシステム。
【請求項３１】
前記処理モジュールは、
取得したサンプル回折信号から一つのサンプル回折信号にアクセスすること、
前記一つのサンプル回折信号に対応する一つのシミュレート回折信号を決定すること、
大域的最小誤差を決定すること、
前記大域的最小誤差が大域的最小誤差基準を超えるとき、前記仮想プロファイルを修正すること、
により前記仮想プロファイルを評価する、請求項２８に記載のシステム。
【請求項３２】
前記処理モジュールは、さらに前記仮想プロファイルを特徴付ける１以上のパラメータの感度を決定するために構成される、請求項２８に記載のシステム。
【請求項３３】
前記処理モジュールは、さらに
前記取得されたサンプル回折信号に基づいて、生成されるフル−ライブラリよりサイズの小さい、１以上のミニ−ライブラリを生成し、
前記１以上のミニ−ライブラリを用いてテスト回折信号を処理し、
前記テスト回折信号を処理した結果に基づいて平均誤差および精度を評価するよう
に構成される、請求項２８に記載のシステム。
【請求項３４】
前記処理モジュールは、さらに
評価された平均誤差および精度が許容されるとき、フル−ライブラリを生成し、且つ
評価された平均誤差および精度が許容されないとき、前記仮想プロファイルを特徴付ける１以上のパラメータの範囲又は解像度、若しくはその両方を変更するように
構成される、請求項３３に記載のシステム。
【請求項３５】
前記処理モジュールは、さらに
前記サンプル回折信号に基づいて測定ダイパターンを決定するように構成され、
前記測定ダイパターンにおける各々の位置が前記サンプル回折信号の取得されたウェハー上の各々の位置に対応するものである、請求項２８に記載のシステム。