【手続補正書】
【提出日】平成19年6月25日(2007.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】偏向器および偏向器作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、貫通口と、前記貫通口の側壁に配置された互いに対向する少なくとも一対の電極と、を有する荷電粒子線露光装置に用いられる偏向器であって、
前記基板の上面、前記基板の下面および前記電極と前記基板の間のうち少なくとも１か所に複数の絶縁層が積層されている
ことを特徴とする偏向器。
【請求項２】
基板上に、貫通口と、前記貫通口の側壁に配置された互いに対向する少なくとも一対の電極と、を有する偏向器であって、
前記基板の上面、前記基板の下面および前記電極と前記基板の間のうち少なくとも１か所に複数の絶縁層が積層されている
ことを特徴とする偏向器。
【請求項３】
前記複数の絶縁層のうち少なくとも１つは、二酸化シリコンからなる
ことを特徴とする請求項１または２に記載の偏向器。
【請求項４】
前記複数の絶縁層のうち少なくとも１つは、窒化シリコン、多結晶シリコン、窒化チタンまたは窒化アルミニウムからなる
ことを特徴とする請求項１または２に記載の偏向器。
【請求項５】
前記二酸化シリコンからなる絶縁層は、熱酸化膜である
ことを特徴とする請求項３に記載の偏向器。
【請求項６】
基板上に第１の開口と第２の開口とを形成する工程と、
前記第１の開口の側壁と前記第２の開口の側壁とに絶縁層を形成する工程と、
前記第１の開口の内部に第１の電極を形成する工程と、
前記第２の開口の内部に第２の電極を形成する工程と、
前記第１の開口と前記第２の開口との間に第３の開口を形成し、前記第１の電極と前記第２の電極とから第１の電極面と第２の電極面とをそれぞれ露出させる工程とを有する
ことを特徴とする荷電粒子線露光装置に用いられる偏向器の作製方法。
【請求項７】
基板上に第１の開口と第２の開口とを形成する工程と、
前記第１の開口の側壁と前記第２の開口の側壁とに絶縁層を形成する工程と、
前記第１の開口の内部に第１の電極を形成する工程と、
前記第２の開口の内部に第２の電極を形成する工程と、
前記第１の開口と前記第２の開口との間に第３の開口を形成し、前記第１の電極と前記第２の電極とから第１の電極面と第２の電極面とをそれぞれ露出させる工程とを有する
ことを特徴とする偏向器の作製方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するための本発明の偏向器は、基板上に、貫通口と、前記貫通口の側壁に配置された互いに対向する少なくとも一対の電極と、を有する荷電粒子線露光装置に用いられる偏向器であって、前記基板の上面、前記基板の下面および前記電極と前記基板の間のうち少なくとも１か所に複数の絶縁層が積層されていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに、本発明の偏向器は、基板上に、貫通口と、前記貫通口の側壁に配置された互いに対向する少なくとも一対の電極と、を有する偏向器であって、前記基板の上面、前記基板の下面および前記電極と前記基板の間のうち少なくとも１か所に複数の絶縁層が積層されていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに、本発明の偏向器作製方法は、基板上に第１の開口と第２の開口とを形成する工程と、前記第１の開口の側壁と前記第２の開口の側壁とに絶縁層を形成する工程と、前記第１の開口の内部に第１の電極を形成する工程と、前記第２の開口の内部に第２の電極を形成する工程と、前記第１の開口と前記第２の開口との間に第３の開口を形成し、前記第１の電極と前記第２の電極とから第１の電極面と第２の電極面とをそれぞれ露出させる工程とを有することを特徴とし、荷電粒子線露光装置に用いられる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらに、本発明の偏向器作製方法は、基板上に第１の開口と第２の開口とを形成する工程と、前記第１の開口の側壁と前記第２の開口の側壁とに絶縁層を形成する工程と、前記第１の開口の内部に第１の電極を形成する工程と、前記第２の開口の内部に第２の電極を形成する工程と、前記第１の開口と前記第２の開口との間に第３の開口を形成し、前記第１の電極と前記第２の電極とから第１の電極面と第２の電極面とをそれぞれ露出させる工程とを有することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明によれば、所望の偏向感度が得られる偏向器を提供することができる。また、所望の偏向感度が得られる偏向器の作製方法を提供することができる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
（３）シリコンである基板５０１に誘導結合型プラズマおよびＢＯＳＣＨプロセスを用いたＲＩＥを行い、エッチングストッパーである裏面（下面）の二酸化シリコン５０７を露出させる（図４−１（ｃ））。本工程により、第1の開口である偏向電極用開口５２１ａ，第２の開口である偏向電極用開口５２１ｂが形成される。ここで、ＢＯＳＣＨプロセスとは、エッチングガスと側壁保護用ガスを交互に供給し、エッチングと側壁保護を切換えることにより、シリコンを選択的にかつ異方性良くエッチングする方式である。本方式のＲＩＥを用いることで、アスペクト比の高い第1の開口である偏向電極用開口５２１ａ，第２の開口である偏向電極用開口５２１ｂを形成することができる。具体的には、エッチングガスにＳＦ６（六弗化硫黄）を、側壁保護用ガスにはＣ４Ｆ８（八弗化四炭素）を使用し、ＲＦパワー：１８００Ｗ、バイアスパワー：３０Ｗ、ガス流量：ＳＦ６＝３００ｓｃｃｍ（Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｃｕｂｉｃ  Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ）、Ｃ４Ｆ８＝１５０ｓｃｃｍ、ＳＦ６／Ｃ４Ｆ８ガス切替時間：7秒／２秒、基板温度：１０℃、エッチング時間：５０分という条件でエッチングを行うと良い。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
（６）酸素を用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行い、開口の底部のレジスト５０８を除去し、導電性基板５０９を露出させる。その後、硫酸銅メッキ液を用いて、銅の電気メッキを、基板５０１から銅が突出するまで行い、第1の電極である偏向電極５０３ａ，第２の電極である偏向電極５０３ｂを形成する。（図４−１（f））。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
（１１）導電層５３６上にノボラック系のレジストであるＡＺＰ４６２０（クラリアントジャパン製）を８μｍの厚さで塗布して、フォトリソグラフィを行い、エッチングのマスクを形成する（不図示）。次に、塩素やアルゴン等のガスを用いた反応性イオンエッチングを行い、導電層５３６のチタン／金をエッチングしてシールド電極５０６を形成する。さらに、ＣＦ４等のガスを用いた反応性イオンエッチングを行い、窒化シリコン５３５をエッチングして、絶縁膜５０５、第３の開口５１４およびパッド５１０ａ，５１０ｂを形成する。その後、レジストを除去する（図４−２（ｋ））。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
（１５）ケミカルドライエッチング装置を用いて窒化シリコンからなる絶縁層５０４ｂを除去するとともに、第1の電極面である偏向電極５０３ａの電極面５２０ａ，第２の電極面である偏向電極５０３ｂの電極面５２０ｂを露出させる。その後、レジストおよび保護膜５３９を除去する（図４−２（ｏ））。