Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月15日(2019.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
図３は、抽出ユニット３４における本発明のフィルターエレメント１３の配置の概略側面図である。流体（例えば、高温水）は、水入口１７から供給され、抽出ユニット３４に流れる。高温水は、まず、分配ストレーナー３２に突き当たり、その後、挽いたコーヒー（図示しない）を含む抽出チャンバー３３に入る。高温水に圧力（例えば、４〜１６バール）を加えることにより、高温水は、抽出ストレーナー３６に対して押しつけられた挽かれたコーヒーを通過し、挽かれたコーヒー豆は、抽出ストレーナーに維持される。抽出ユニット３４のシールエレメント３５は、加圧水が抽出ストレーナー３６を通過せずに抽出ユニット３４から出ることを防止する。温水は、挽いたコーヒーから物質を分解及び分散させる。水中に分散した材料の最大サイズは、抽出ストレーナー３６の最大孔サイズに依存する。標準として、抽出ストレーナー３６の最大孔サイズは、約１００μｍである。抽出ストレーナーで抽出された分子含有量の高いコーヒーは、フィルターエレメント１３に接触する。フィルターエレメント１３は、抽出ストレーナー３６の最大孔サイズよりも小さい最大孔サイズを有する。したがって、フィルターエレメント１３の通過後、コーヒーの粒子含有量は低くなる。含まれた粒子の最大粒子サイズは、フィルターエレメント１３の最大孔サイズにより決まる。バイパスパイプ３７を介して、より小さい粒子のコーヒーは、最終的に、抽出口に搬送され、そこから、カップ又は保存容器に提供される。フィルターエレメント１３に並列に圧力逃がしバルブ１１を流体的に接続することができる。圧力逃がしバルブ１１は、フィルターエレメント１３の前で非常に高い圧力に達すると開放し、抽出ストレーナー３６で抽出されたコーヒーの迂回を可能にする。すなわち、フィルターエレメント１３に目詰りが生じると、抽出ストレーナー３６で抽出されたコーヒー（標準的に圧力抽出されたコーヒー）は、出口方向へ流体パイプ２７を介してフィルターエレメント１３を通らずに流れることが可能である。これは、フィルターエレメント１３に目詰りが生じた場合でも（標準的に圧力抽出された）コーヒーの回収を可能にする。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月10日(2019.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水冷式発電機ストリップ（１０）であって、
並列配置されている少なくとも２つの導体スタック（１２，１４）であって、積層配置されていると共に絶縁体（１６）を介して互いから電気的に絶縁されている複数の導体（８）をそれぞれ有している前記導体スタック（１２，１４）を備えている前記水冷式発電機ストリップ（１０）において、
前記絶縁体（１６）が、硬化樹脂（２２）によって互いに対して形状的に固定されており、
間隙（２４）が、前記導体スタック（１２，１４）同士の間に設けられており、前記間隙（２４）には、冷却水を輸送するための少なくとも１つの冷却チャネル（２０）が配置されており、
前記冷却チャネル（２０）が、高い熱伝導率を有する外側シェル（２１）を有しており、前記外側シェル（２１）の外面が、前記導体スタック（１２，１４）の前記導体（８）の前記絶縁体（１６）と少なくとも部分的に接触しており、前記冷却チャネル（２０）の前記外側シェル（２１）が、少なくとも特定の領域において、強磁性材料と絶縁層とを備えていることを特徴とする水冷式発電機ストリップ。
【請求項２】
前記冷却チャネル（２０）の前記外側シェル（２１）の材料が、繊維強化高分子材料、耐摩耗性高分子材料、及び非磁性金属材料のうち少なくとも１つの材料を備えていることを特徴とする請求項１に記載の水冷式発電機ストリップ。
【請求項３】
前記冷却チャネル（２０）が、前記導体スタック（１２，１４）の積層高さ（Ｚ）全体に沿って延在していることを特徴とする請求項１又は２に記載の水冷式発電機ストリップ。
【請求項４】
少なくとも１つの分離バンド（３８）が、垂直積層方向に対して横方向に延在しており、前記冷却チャネル（２０）の内部において冷却水の流れを方向づけるために、前記冷却チャネル（２０）に設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の水冷式発電機ストリップ。
【請求項５】
前記水冷式発電機ストリップ（１０）が、複数の冷却チャネル（２０）を有しており、
前記冷却チャネル（２０）のうち少なくとも１つの冷却チャネルが前記導体スタック（１２，１４）の積層高さ（Ｚ）全体に沿って配置されるように、複数の前記冷却チャネル（２０）が配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の水冷式発電機ストリップ。
【請求項６】
前記導体スタック（１２，１４）の前記導体（８）が、角部が丸められた又は面取りされた矩形状の断面であって、短辺（３０）と長辺（３２）とを具備する前記断面を有しており、
前記導体スタック（１２，１４）の前記導体（８）が、前記短辺（３０）の側において冷却チャネル（２０）の前記外側シェル（２１）と接触していることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の水冷式発電機ストリップ。
【請求項７】
高い熱伝導率を有する充填材（２８）で少なくとも部分的に充填されている中間空間（３６）が、前記冷却チャネル（２０）の前記外面と前記導体スタック（１２，１４）のうち一方の導体スタックの２つの隣り合う前記導体（８）それぞれとの間に配置されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の水冷式発電機ストリップ。
【請求項８】
高い熱伝導率を有する前記充填材（２８）が、熱硬化樹脂（２２）を備えており、
前記熱硬化樹脂（２２）の内部には、酸化アルミニウム材料、窒化ホウ素材料、及び３０Ｗ／ｍＫより高い熱伝導率を有する他の固形材料のうち少なくとも１つの材料を備えている板状及び球状の粒子のうち少なくとも１つの粒子が配置されている、一様に分散配置されていることを特徴とする請求項７に記載の水冷式発電機ストリップ。
【請求項９】
前記水冷式発電機ストリップ（１０）が、２つの端面（４４，４６）を有しており、
前記端面（４４，４６）それぞれにおいて、前記冷却チャネル（２０）が、単一の冷却水インターフェース（４２）を介して、冷却水回路（４０）、及び、前記水冷式発電機ストリップ（１０）若しくはさらなる発電機ストリップの他の冷却チャネルのうち少なくとも１つに接続されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の水冷式発電機ストリップ。
【請求項１０】
ロータ組立体とステータ組立体とを有している電気機械（１）であって、複数の直列接続されている請求項１〜９のいずれか一項に記載の水冷式発電機ストリップ（１０）をそれぞれ有している複数の導体群を備えていることを特徴とする電気機械。
【請求項１１】
前記電気機械（１）が、前記導体群のすべての又は少なくとも幾つかの前記水冷式発電機ストリップ（１０）に冷却水を供給するための冷却水回路（４０）を有していることを特徴とする請求項１０に記載の電気機械。
【請求項１２】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の水冷式発電機ストリップ（１０）を製造するための方法において、
高い熱伝導率を有する充填材（２８）で冷却チャネル（２０）の外面（２１）をコーティングするステップであって、前記冷却チャネル（２０）が、高い熱伝導率を有する外側シェル（２１）であって、少なくとも特定の領域において強磁性材料及び絶縁層を備えている前記外側シェル（２１）を有している、前記ステップと、
２つの導体スタック（１２，１４）を準備するステップと、
前記導体スタック（１２，１４）の導体それぞれの前記絶縁体（１６）と前記充填材（２８）とが接触するように、前記導体スタック（１２，１４）とコーティングされた前記冷却チャネル（２０）とを互いに対して位置決めするステップと、
前記導体スタック（１２，１４）の組立体と加熱、加圧、又は加熱且つ加圧することによって位置決めされた前記冷却チャネル（２０）とを硬化させるステップと、
を備えていることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月17日(2019.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルを有する送信回路であって、第１の周波数で誘導電力受信機に無線電力を送信するように構成された送信回路と、
前記コイルを駆動するように構成されたインバータと、
制御回路と、を備える誘導電力送信機であって、
前記制御回路は、
前記インバータを制御して、前記第１の周波数より高い第２の周波数でハンドシェーク信号を前記コイルに生成させること、
前記コイルに近接する認証されていないデバイスから前記コイルを介して前記ハンドシェーク信号に対する応答を受信することに応答して、前記コイルを用いた前記第１の周波数での無線電力の送信を取り止めること、及び、
前記コイルに近接する認証されていないデバイスから前記コイルを介して前記ハンドシェーク信号に対する応答を受信しないことに応答して、前記コイルを用いて前記第１の周波数で無線電力を送信すること、
を制御するように構成されている、
誘導電力送信機。
【請求項２】
前記コイルは、ＮＦＣリーダコイル又はＲＦＩＤタグリーダコイルのどちらでもない、請求項１に記載の誘導電力送信機。
【請求項３】
前記送信回路は、前記送信回路を前記第１の周波数に同調するために前記コイルに直列に接続された同調コンデンサを更に備える、請求項１に記載の誘導電力送信機。
【請求項４】
制御回路は、前記第１の周波数で前記誘導電力受信機に前記無線電力を送信するための第１の電圧と、前記ハンドシェーク信号を生成するための第２の電圧とを生成するように前記インバータを制御するように更に構成されており、前記第２の電圧は前記第１の電圧よりも高い、請求項１に記載の誘導電力送信機。
【請求項５】
前記認証されていないデバイスからの前記応答は、前記認証されていないデバイスがＲＦＩＤデバイスであることを示すデータを含み、前記制御回路は、前記データを受信することに応答して前記第１の周波数での前記無線電力の送信を取り止めることにより、前記コイルを用いた前記第１の周波数での前記無線電力の送信を取り止めるように構成されている、請求項１に記載の誘導電力送信機。
【請求項６】
前記制御回路は、
対象物検出信号を前記コイルに生成させるように前記インバータを制御するように更に構成されており、前記送信回路は、前記コイルに近接する認証されたデバイスの検出に応答して前記第１の周波数で前記誘導電力受信機に前記無線電力を送信することにより、前記第１の周波数で前記誘導電力受信機に前記無線電力を送信するように構成されている、請求項１に記載の誘導電力送信機。
【請求項７】
前記対象物検出信号は、前記第１の周波数及び前記第２の周波数とは異なる、第３の周波数である、請求項６に記載の誘導電力送信機。
【請求項８】
前記第１の周波数は、前記誘導電力伝送に対して１００〜２００ｋＨｚであり、前記第２の周波数は１３〜１４ＭＨｚであり、前記第３の周波数は１〜２ＭＨｚである、請求項７に記載の誘導電力送信機。
【請求項９】
前記送信回路は、前記第１、第２及び第３の周波数とは異なる、第４の周波数で認証されたデバイスから返信を受信することに応答して前記第１の周波数で前記誘導電力受信機に前記無線電力を送信することにより、前記第１の周波数で誘導電力受信機に前記無線電力を送信するように構成される、請求項８に記載の誘導電力送信機。
【請求項１０】
前記第４の周波数は約２ｋＨｚである、請求項９に記載の誘導電力送信機。
【請求項１１】
前記ハンドシェーク信号は、前記第２の周波数のオン／オフキーイング、振幅偏移キーイング又は二位相偏移キーイング変調を備える、請求項１に記載の誘導電力送信機。
【請求項１２】
前記制御回路は、第５の周波数を検出することによって前記認証されていないデバイスからの前記応答を検出するように構成されている、請求項１に記載の誘導電力送信機。
【請求項１３】
前記第５の周波数は、実質的に、１０６〜３１８ｋＨｚ、４２４〜４８０ｋＨｚ、又は８４７〜８４８ｋＨｚである、請求項１２に記載の誘導電力送信機。
【請求項１４】
前記認証されていないデバイスは、ＲＦＩＤデバイスである、請求項１に記載の誘導電力送信機。
【請求項１５】
前記制御回路は前記インバータを制御して、前記第２の周波数に先立って第６の周波数で前記送信回路を駆動させ、認証されていない共振デバイスを有する認証された受信機に前記認証されていない共振デバイスを無効にするように命令するために、信号に応じて前記第６の周波数を変調させるように構成されている、請求項１に記載の誘導電力送信機。
【請求項１６】
第１の周波数で誘導電力受信機に無線電力を送信するように構成されたコイルを含む送信回路を備える誘導電力送信機を動作させる方法であって、
前記第１の周波数よりも高い第２の周波数で前記送信回路を駆動することと、
ハンドシェーク信号に応じて前記第２の周波数を変調することと、
前記コイルに近接する認証されていないデバイスから前記ハンドシェーク信号に対する応答を受信したとき、前記コイルを用いた前記第１の周波数での前記無線電力の送信を取り止めることと、
認証されていないデバイスから前記ハンドシェーク信号に対する応答を受信しないとき、前記コイルを用いて前記第１の周波数で前記無線電力を送信することと
を含む、方法。
【請求項１７】
電力送信コイルを有する送信回路であって、第１の周波数で誘導電力受信機に無線電力を送信するように構成された送信回路と、
第３の周波数で対象物検出信号を生成するように構成された対象物検出コイルと、
前記対象物検出コイルを駆動するように構成されたインバータと、
制御回路と、を備える誘導電力送信機であって、
前記制御回路は、
前記第３の周波数より高い第２の周波数でハンドシェーク信号を前記対象物検出コイルに生成させるように前記インバータを制御し、
近接する認証されていないデバイスから前記ハンドシェーク信号に対する応答を受信することに応答して、前記電力送信コイルを用いた前記第１の周波数での前記無線電力の送信を取り止め、そして、
認証されていないデバイスから前記ハンドシェーク信号に対する応答を受信しないことに応答して、前記電力送信コイルを用いて前記第１の周波数で前記無線電力を送信するように構成されている、
誘導電力送信機。
【請求項１８】
コイルを有する送信回路であって、第１の周波数で無線電力を誘導電力受信機に送信するように構成された送信回路と、
前記コイルを駆動するように構成されたインバータと、
制御回路と、を備える誘導電力送信機であって、
前記制御回路は前記インバータを制御して、
認証されていないデバイスにハンドシェーク信号を提供するように変調される第２の周波数に先立って第６の周波数で前記送信回路を駆動させ、認証されていない共振デバイスを有する認証された受信機に前記認証されていない共振デバイスを無効にするように命令するために、所定の信号に応じて前記第６の周波数を変調させるように構成されている、誘導電力送信機。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月5日(2018.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グリッド線に接続され、かつ、充放電されるエネルギー貯蔵部であって、前記グリッド線には少なくとも１つの外部の発電機又は当該エネルギー貯蔵部から電力が供給されるエネルギー貯蔵部と、
前記グリッド線を介して供給される電力を消費して動作する負荷と、
前記エネルギー貯蔵部、前記負荷及び前記グリッド線の状態を予測し、予測に対応する指示を生成し、生成した指示を出力するガイドサーバと、
前記ガイドサーバで生成された前記指示に基づいて又は導かれて前記エネルギー貯蔵部の充放電を制御するローカルコントローラと、を備える、
エネルギーマネジメントシステム。
【請求項２】
前記ローカルコントローラは、時間的に重複する複数の指示を保持可能であり、現時刻の時間幅が最も短い前記指示だけを有効にし、有効にした前記指示に基づいてエネルギー貯蔵部を制御する、
請求項１に記載のエネルギーマネジメントシステム。
【請求項３】
前記ガイドサーバは、
前記エネルギー貯蔵部、前記負荷及び前記グリッド線の前記状態に基づいて前記指示を生成するかを決定するコントローラと、
前記コントローラからのトリガリング情報に応じて指示を生成し、生成した前記指示を前記ローカルコントローラへ出力する最適化部と、を備える、
請求項１又は２に記載のエネルギーマネジメントシステム。
【請求項４】
前記ガイドサーバは、
前記外部の発電機の発電を予測する発電予測部と、
前記負荷の消費電力を予測する負荷予測部と、
不定期現象の発生を予測する不定期現象予測部と、
前記発電予測部で生成された予測を格納する発電予測バッファと、
前記負荷予測部で生成された予測を格納する負荷予測バッファと、
不定期現象予測部で生成された予測を格納する不定期現象予測バッファと、をさらに備え、
前記コントローラは前記指示を生成するかを決定し、
前記発電予測部、前記負荷予測部及び前記不定期現象予測部が予測を生成し、生成した予測を前記発電予測バッファ、前記負荷予測バッファ及び不定期現象予測バッファへそれぞれ出力し、
前記最適化部は、前記指示を生成するため、前記発電予測バッファ、前記負荷予測バッファ及び不定期現象予測バッファから前記予測を読み込む、
請求項３に記載のエネルギーマネジメントシステム。
【請求項５】
前記発電予測バッファ、前記負荷予測バッファ及び不定期現象予測バッファから読み出した最新の予測値が測定データに適合しない場合、又は、前記測定データと前記最新の予測値との差が所定値よりも大きい場合には、前記コントローラは、前記発電予測部、前記負荷予測部及び前記不定期現象予測部に前記予測を生成させ、前記最適化部に前記指示を生成させる、
請求項４に記載のエネルギーマネジメントシステム。
【請求項６】
前記不定期現象が発生した場合において、前記不定期現象の発生から所定時間の経過後に不定期現象が発生したとき、前記コントローラは、前記発電予測部、前記負荷予測部及び前記不定期現象予測部に前記予測を生成させ、前記最適化部に前記指示を生成させる、
請求項４に記載のエネルギーマネジメントシステム。
【請求項７】
前記コントローラは、前記予測及び指示を周期的に更新するため、前記負荷予測部及び前記不定期現象予測部に前記予測を周期的に生成させ、前記最適化部に前記指示を周期的に生成させる、
請求項４に記載のエネルギーマネジメントシステム。
【請求項８】
前記不定期現象予測部は、
外部からの過去の測定データを格納するメモリ部と、
外部から受け取った最新の測定データと前記メモリ部から受け取った前記過去の測定データとを処理し、処理データを出力する非線形前処理部と、
前記非線形前処理部から出力された前記処理データから特徴を抽出し、抽出した前記特徴を出力する特徴抽出部と、
前記抽出した特徴が特徴空間のいずれの領域に属するかを決定し、各領域に属する度合いから前記不定期現象の期間の確率又は確率関数を導くパターン認識部と、を備える、
請求項４乃至７のいずれか一項に記載のエネルギーマネジメントシステム。
【請求項９】
エネルギー貯蔵部、負荷及びグリッド線の状態を予測し、予測に対応する指示を生成するかを決定するコントローラと、
前記コントローラからのトリガリング情報に応じて指示を生成し、生成した前記指示をローカルコントローラへ出力する最適化部と、を備え、
前記エネルギー貯蔵部は、前記グリッド線に接続され、かつ、充放電され、
前記グリッド線には少なくとも１つの外部の発電機又は前記エネルギー貯蔵部から電力が供給され、
前記負荷は、前記グリッド線を介して供給される電力を消費して動作し、
前記ローカルコントローラは、前記最適化部で生成された前記指示に基づいて又は導かれて前記エネルギー貯蔵部の充放電を制御する、
ガイドサーバ。
【請求項１０】
グリッド線に接続され、かつ、充放電されるエネルギー貯蔵部、前記グリッド線を介して供給される電力を消費して動作する負荷、及び、少なくとも１つの外部の発電機又は前記エネルギー貯蔵部から電力が供給される前記グリッド線の状態を予測し、
予測に対応する指示を生成し、
生成した指示を出力し、
前記生成した前記指示に基づいて前記エネルギー貯蔵部の充放電を制御する、
エネルギーマネジメント方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月1日(2019.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図８に示すものなどの動作環境では、描かれたコンポーネントおよびプログラムは、さまざまな例示されたコンポーネントを実行するのに使用され得るさまざまな異なるタイプのハードウェアにおいて、互いにおいて実行され、かつ互いと相互作用され得る。例えば、図８に示すものなどのプロセッサは、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（ＦＰＧＡ）、プログラマブルロジックデバイス（ＰＬＤ）、プログラマブルロジックコントローラ（ＰＬＣ）、状態機械、ゲートロジック、別々のハードウェア回路、および本開示全体にわたって記載されるさまざまな機能性を実行するように構成された他の適切なハードウェアを用いて実行され得る。同様に、プリプロセスシミュレーション８２０または実時間監視プログラム８１４などのプログラムは、ハイパーバイザーとして作用することに加えて（またはその代わりとして）さまざまな方法でＮＣプログラムまたはシミュレーションの動作に影響を与える措置をとることができる。例えば、監視プログラムは、並列通信経路を用いて是正措置を実行でき、例えば、実時間監視プログラム８１４は、ＮＣプログラム８１２に基づくコマンドをオーバーライドする（例えばシャットダウンするコマンド）か、またはその影響を修正するコマンド（例えば、設定された期間にわたって減速するかもしくは一時停止するコマンド）を、工作機械８０２へと送信させる。別の代替案として、監視プログラムは、（例えば、シミュレーションプログラム８２２を、ＡＰＩ呼び出しによりそれ自体のコードから呼び出すプリプロセスシミュレーション８２０によって）別のプログラムの実行をそれ自体の動作に一体化することができ、これにより、一体化されたプログラムの実行に対する直接的な制御が可能になる。監視プログラムによる措置が別のプログラムの動作に影響を及ぼすことを可能にする他のアプローチ（例えば、監視プログラムからのメッセージが、それを実行している装置による割り込みとして扱われる）も可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2019504421.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月4日(2019.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
挙動学習された悪化検出の方法を実行するための命令が保存された、持続性のコンピュータ読み取り可能媒体であって、前記命令は、
少なくとも１つの記録データベースから、複数の患者についての医療事象の前の期間及び後の期間の医療従事者の行動の記録を取得するステップと、
前記取得された行動の記録の少なくとも幾つかを所定の基準と比較し、前記複数の患者のそれぞれの状態が悪化しそうであったかを決定するステップと、
少なくとも１つのパラメータデータベースから、前記複数の患者についての前記医療事象の前の期間及び後の期間の生理学的パラメータの記録を取得するステップと、
前記複数の患者のそれぞれの状態が悪化しそうであったとの決定に基づき、前記複数の患者を対照群又は陽性群に分類するステップと、
前記取得された生理学的パラメータ及び前記生理学的パラメータに関連付けられる患者の前記対照群又は前記陽性群としての分類を利用して、悪化検出のための少なくとも１つのアルゴリズムを学習させるステップと、
を有する動作を実行するよう１つ以上のプロセッサに対して動作可能な、コンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項２】
前記少なくとも１つの記録データベースは、電子医療記録システム及び臨床決定支援システムの少なくとも一方である、請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項３】
前記少なくとも１つのパラメータデータベースは、電子医療記録システム及び臨床決定支援システムの少なくとも一方である、請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項４】
前記行動の記録の取得のための前記医療事象の前の期間及び後の期間の継続時間は、前記医療事象のタイプに依存する、請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項５】
前記医療事象の前の期間及び後の期間の継続時間は、前記医療事象のタイプに依存する、請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項６】
前記学習に関するアルゴリズムは、回帰、決定木、ランダムフォレスト、ベクターサポートマシン及びベイジアン法から成る群から選択される、請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項７】
前記学習されたアルゴリズムを用いて、類似する医療事象を経験する患者をリアルタイムに識別する、請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月14日(2019.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
暗号化されたコンテンツを再生デバイス上でセキュアに再生する方法であって、前記方法は、
前記再生デバイスが、１つ以上のキーを受信することと、
前記再生デバイスが、前記１つ以上のキーを使用して、暗号関数を実行し、前記暗号化されたコンテンツを解読するためのコンテンツキーを生成することと、
前記再生デバイスが、前記コンテンツキーを使用して、前記暗号化されたコンテンツを解読することと
を含み、
前記暗号関数は、ライセンスの対象となるライセンスエンティティによって提供され、前記再生デバイスは、前記暗号関数を実行するための前記ライセンスの対象となる前記暗号関数を実行する、方法。
【請求項２】
前記暗号関数を実行することは、
前記１つ以上のキーに基づいて、中間入力を生成することと、
前記中間入力に基づいて、中間出力を生成することと
を含み、
前記中間入力および前記中間出力は一緒に、前記暗号関数に一意に関連付けられた暗号関数入出力（Ｉ／Ｏ）対を備え、前記コンテンツキーは、前記中間出力から生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記暗号関数Ｉ／Ｏ対を、前記暗号関数に一意に関連付けられた予期される暗号関数Ｉ／Ｏ対と比較することと、
前記比較に応答して、前記再生デバイスによる前記暗号化されたコンテンツの再生を無効にすることと
を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記暗号関数は、ライセンシーの前記ライセンスに従って前記再生デバイス上にインストールされ、
前記方法は、
前記暗号関数Ｉ／Ｏ対を、前記暗号関数に一意に関連付けられた予期される暗号関数Ｉ／Ｏ対と比較することと、
前記比較に応答して、前記ライセンシーを識別することと
をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記ライセンスは、前記ライセンスエンティティによって前記再生デバイスの製造業者へ提供され、前記暗号関数は、前記再生デバイスの前記製造業者に特有であり、前記製造業者によって前記再生デバイスにインストールされる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記暗号関数は、入出力（Ｉ／Ｏ）区別不可能であり、前記暗号関数を明らかにすることなく、前記再生デバイス上にインストールするために前記ライセンスエンティティによって提供される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記再生デバイスは、再生デバイスのクラスのうちの１つであり、前記暗号関数は、前記再生デバイスの前記クラスに特有であり、前記クラスは、前記再生デバイスが使用される具体的な地政学的場所に従って定義される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記暗号関数は、前記暗号化されたコンテンツに特有である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記暗号化されたコンテンツは、コンテンツプロバイダによって提供され、前記暗号関数は、前記コンテンツプロバイダに特有である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記暗号関数は、前記暗号化されたコンテンツと前記１つ以上のキーを含むライセンスファイルと共に、コンテンツプロバイダによって前記再生デバイスに提供される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
暗号化されたコンテンツをセキュアに再生するための再生デバイスであって、前記再生デバイスは、
プロセッサと、
前記プロセッサに通信可能に結合されているメモリと
を備え、
前記メモリは、命令を記憶しており、前記命令は、
１つ以上のキーを受信することと、
前記１つ以上のキーを使用して、暗号関数を実行し、前記暗号化されたコンテンツを解読するためのコンテンツキーを生成することと、
前記コンテンツキーを使用して、前記暗号化されたコンテンツを解読することと
を前記プロセッサが実行するための命令を含み、
前記暗号関数は、ライセンスの対象となるライセンスエンティティによって提供され、前記プロセッサは、前記暗号関数を実行するための前記ライセンスの対象となる前記暗号関数を実行する、再生デバイス。
【請求項１２】
前記暗号関数を実行することは、
前記１つ以上のキーに基づいて、中間入力を生成することと、
前記中間入力に基づいて、中間出力を生成することと
を含み、
前記中間入力および前記中間出力は一緒に、前記暗号関数に一意に関連付けられた暗号関数入出力（Ｉ／Ｏ）対を備え、前記コンテンツキーは、前記中間出力から生成される、請求項１１に記載の再生デバイス。
【請求項１３】
前記メモリは、
前記暗号関数Ｉ／Ｏ対を、前記暗号関数に一意に関連付けられた予期される暗号関数Ｉ／Ｏ対と比較することと、
前記比較に応答して、前記再生デバイスによる前記暗号化されたコンテンツの再生を無効にすることと
を前記プロセッサが実行するための命令を含む命令をさらに記憶している、請求項１２に記載の再生デバイス。
【請求項１４】
前記暗号関数は、ライセンシーの前記ライセンスに従って前記再生デバイス上にインストールされ、
前記メモリは、
前記暗号関数Ｉ／Ｏ対を、前記暗号関数に一意に関連付けられた予期される暗号関数Ｉ／Ｏ対と比較することと、
前記比較に応答して、前記ライセンシーを識別することと
を前記プロセッサが実行するための命令を含む命令をさらに記憶している、請求項１２に記載の再生デバイス。
【請求項１５】
前記ライセンスは、前記ライセンスエンティティによって前記再生デバイスの製造業者へ提供され、前記暗号関数は、前記再生デバイスの前記製造業者に特有であり、前記製造業者によって前記再生デバイスにインストールされる、請求項１１に記載の再生デバイス。
【請求項１６】
前記暗号関数は、入出力（Ｉ／Ｏ）区別不可能であり、前記暗号関数を明らかにすることなく、前記再生デバイス上にインストールするために前記ライセンスエンティティによって提供される、請求項１１に記載の再生デバイス。
【請求項１７】
前記再生デバイスは、再生デバイスのクラスのうちの１つであり、前記暗号関数は、前記再生デバイスの前記クラスに特有であり、前記クラスは、前記再生デバイスが使用される具体的な地政学的場所に従って定義される、請求項１１に記載の再生デバイス。
【請求項１８】
前記暗号関数は、前記暗号化されたコンテンツに特有である、請求項１１に記載の再生デバイス。
【請求項１９】
前記暗号化されたコンテンツは、コンテンツプロバイダによって提供され、前記暗号関数は、前記コンテンツプロバイダに特有である、請求項１１に記載の再生デバイス。
【請求項２０】
前記暗号関数は、前記暗号化されたコンテンツと前記１つ以上のキーを含むライセンスファイルと共に、コンテンツプロバイダによって前記再生デバイスに提供される、請求項１１に記載の再生デバイス。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月9日(2019.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノワイヤの角を丸め、前記ナノワイヤを調整する方法であって、前記方法は、
処理チャンバ内に、ボイドによって互いに分離される複数のナノワイヤを提供するステップであって、前記複数のナノワイヤは、高さ及び少なくとも実質的に直角の角を有する、ステップと、
酸化表面層を前記複数のナノワイヤ上に酸化マイクロ波プラズマを用いて形成するステップと、
前記酸化表面層を除去し、前記複数のナノワイヤの前記高さを調整し、前記角を丸める、除去するステップと、
前記複数のナノワイヤが所望の調整された高さ及び丸められた角を有するまで、前記形成するステップ及び前記除去するステップを少なくとも１回繰り返すステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記複数のナノワイヤは、Ｓｉからなる、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数のナノワイヤは、Ｓｉ、ＳｉＧｅ及び化合物半導体からなる群から選択される、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記酸化マイクロ波プラズマは、プラズマ励起したＯ２ガスを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記除去するステップは、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスを含み、前記化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスは、
前記酸化表面層をＨＦガス及びＮＨ３ガスに露出し、反応生成物を前記複数のナノワイヤ上に形成するステップと、
前記複数のナノワイヤを熱処理し、前記反応生成物を脱着させるステップと、
を含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記酸化マイクロ波プラズマは、前記処理チャンバ内の１Ｔｏｒｒ以下のガス圧力を利用する、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記酸化マイクロ波プラズマは、前記処理チャンバ内の１Ｔｏｒｒより大きいガス圧力を利用する、
請求項１に記載の方法。
【請求項８】
マイクロ波プラズマによりナノワイヤの角を丸め、前記ナノワイヤを調整する方法であって、前記方法は、
処理チャンバ内に、ボイドによって互いに分離される複数のナノワイヤを提供するステップであって、前記複数のナノワイヤは、高さ及び少なくとも実質的に直角の角を有する、ステップと、
第１酸化表面層を前記複数のナノワイヤ上に、第１ガス圧力の第１酸化マイクロ波プラズマを用いて形成するステップと、
第２酸化表面層を前記複数のナノワイヤ上に、前記第１ガス圧力とは異なる第２ガス圧力の第２酸化マイクロ波プラズマを用いて形成するステップと、
前記第１酸化表面層及び前記第２酸化表面層を除去し、前記複数のナノワイヤの前記高さを調整し、前記角を丸める、除去するステップと、
前記複数のナノワイヤが所望の調整された高さ及び丸められた角を有するまで、前記形成するステップ及び前記除去するステップの各々を少なくとも１回繰り返すステップと、
を含む方法。
【請求項９】
前記複数のナノワイヤは、Ｓｉからなる、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記複数のナノワイヤは、Ｓｉ、ＳｉＧｅ及び化合物半導体からなる群から選択される、
請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１酸化マイクロ波プラズマ及び前記第２酸化マイクロ波プラズマは、プラズマ励起したＯ２ガスを含む、
請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記除去するステップは、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスを含み、前記化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスは、
前記第１酸化表面層及び前記第２酸化表面層をＨＦガス及びＮＨ３ガスに露出し、反応生成物を前記複数のナノワイヤ上に形成するステップと、
前記複数のナノワイヤを熱処理し、前記反応生成物を脱着させるステップと、
を含む、
請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１ガス圧力は、前記第２ガス圧力より低い、
請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１ガス圧力は、１Ｔｏｒｒ以下であり、前記第２ガス圧力は、１Ｔｏｒｒより大きい、
請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
マイクロ波プラズマによりナノワイヤの角を丸め、前記ナノワイヤを調整する方法であって、前記方法は、
処理チャンバ内に、ボイドによって互いに分離される複数のナノワイヤを提供するステップであって、前記複数のナノワイヤは、高さ及び少なくとも実質的に直角の角を有するステップと、
第１酸化表面層を前記複数のナノワイヤ上に、１Ｔｏｒｒ以下のガス圧力の第１酸化マイクロ波プラズマを用いて形成するステップと、
第２酸化表面層を前記複数のナノワイヤ上に、１Ｔｏｒｒより大きい第２ガス圧力の第２酸化マイクロ波プラズマを用いて形成するステップと、
前記第１酸化表面層及び前記第２酸化表面層を除去し、前記複数のナノワイヤの前記高さを調整し、前記角を丸める、除去するステップと、
前記複数のナノワイヤが所望の調整高さ及び丸い角を有するまで、前記形成するステップ及び前記除去するステップの各々を少なくとも１回繰り返すステップと、
を含む方法。
【請求項１６】
前記複数のナノワイヤは、Ｓｉからなる、
請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記複数のナノワイヤは、Ｓｉ、ＳｉＧｅ及び化合物半導体からなる群から選択される、
請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１酸化マイクロ波プラズマ及び前記第２酸化マイクロ波プラズマは、プラズマ励起したＯ２ガスを含む、
請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記除去するステップは、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスを含み、前記化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスは、
前記第１酸化表面層及び前記第２酸化表面層をＨＦガス及びＮＨ３ガスに露出し、反応生成物を前記複数のナノワイヤ上に形成するステップと、
前記複数のナノワイヤを熱処理し、前記反応生成物を脱着させるステップと、
を含む、
請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月14日(2019.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイナミック・ランダムアクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）デバイスを形成する方法において、
基板に形成された窪みを有するフィン付き基板を設けるステップと、及び
前記窪みの側壁表面にイオン注入を実施して、不均一厚さのゲート酸化物層を形成する酸化物層形成ステップであって、前記側壁表面の頂部区域におけるゲート酸化物層の厚さが前記側壁表面の底部区域におけるゲート酸化物層の厚さよりも大きくなるように形成する、該酸化物層形成ステップと、を備える、方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、さらに、一連のイオン注入を複数の異なる注入角度で実施するステップを備える、方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、さらに、前記一連のイオン注入の実施中に、イオン注入エネルギー及びイオン線量のうち少なくとも一方を変化させるステップを備える、方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法において、さらに、前記注入角度は前記側壁表面に対して測ったものとして、注入角度が減少するにつれて、前記イオン注入エネルギー及びイオン線量を前記一連のイオン注入にわたり増加させるステップを備える、方法。
【請求項５】
請求項３記載の方法において、さらに、前記側壁表面の前記頂部区域に沿って前記ゲート酸化物層の厚さを増加させ、前記ゲート酸化物層の厚さが前記フィン付きの基板の頂面近傍で最大となるようにするステップを備える、方法。
【請求項６】
請求項２記載の方法において、さらに、前記窪みの前記側壁表面に対して前記一連のイオン注入を実施する前に、前記窪み内に基礎酸化物層を形成するステップを備える、方法。
【請求項７】
請求項２記載の方法において、さらに、前記フィン付きの基板にプラズマを照射するステップを備える、方法。
【請求項８】
請求項７記載の方法において、さらに、前記フィン付きの基板に対するプラズマ照射、及び前記窪みの前記側壁表面に対する前記一連のイオン注入を同時に実施するステップを備える、方法。
【請求項９】
請求項７記載の方法において、さらに、前記フィン付きの基板に対するプラズマを照射する前に、前記一連のイオン注入のうち少なくとも１つのイオン注入を実施するステップを備える、方法。
【請求項１０】
メモリデバイス用のゲート酸化物層を形成する方法において、
基板に形成された窪みを有するフィン付き基板を設けるステップと、及び
前記窪みの側壁表面に一連のイオン注入を実施して、不均一厚さのゲート酸化物層を形成する酸化物層形成ステップであって、複数の異なる注入角度で一連のイオン注入を前記側壁表面に衝突させて、側壁表面の頂部区域における厚さが側壁表面の底部区域における前記ゲート酸化物層の厚さよりも大きい前記ゲート酸化物層を形成する、該酸化物層形成ステップと、を備える、方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法において、さらに、前記一連のイオン注入の実施中に、イオン注入エネルギー及びイオン線量のうち少なくとも一方を変化させるステップを備える、方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の方法において、さらに、前記注入角度は前記側壁表面に対して測ったものとして、注入角度が減少するにつれて、前記イオン注入エネルギー及びイオン線量を前記一連のイオン注入にわたり増加させるステップを備える、方法。
【請求項１３】
ダイナミック・ランダムアクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）デバイスにおいて、
基板に窪みを画定するフィンのセットであって、前記窪みは側壁表面及び底面を有する、該フィンのセットと、及び
前記窪みの前記側壁表面及び前記底面に沿って形成されたゲート酸化物であって、前記側壁表面の頂部区域に沿う前記ゲート酸化物の厚さが前記側壁表面の底部区域に沿う前記ゲート酸化物の厚さよりも大きい、該ゲート酸化物と
を備える、ＤＲＡＭデバイス。
【請求項１４】
請求項１３記載のＤＲＡＭデバイスにおいて、前記基板はＳｉであり、前記ゲート酸化物はＳｉＯ２である、ＤＲＡＭデバイス。
【請求項１５】
請求項１３記載のＤＲＡＭデバイスにおいて、前記側壁表面の頂部区域に沿う前記ゲート酸化物の厚さは、前記基板の頂面に向かって増大する、ＤＲＡＭデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＤＲＡＭデバイス、ＤＲＡＭデバイスを形成する方法及びゲート酸化物層を形成する方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
動作中、イオン注入１１８は、デバイス１００が、例えば図１に示すような第１位置にある間に実施することができる。側壁表面１２０に沿う酸化物層１２４の形成に続いて、デバイス１００を回転し（例えば、３０゜、４５゜、６０゜又は９０゜の角度だけ）、また他のイオン注入をデバイス１００に適用し、フィン１０２のセットにおける１つ又はそれ以上の側壁表面に沿って酸化物層１２４を形成することができる。例示的実施形態において、酸化物層１２４を再びフィン１２０における側壁表面１２０の一部分に沿ってのみ形成する。このイオン注入は、側壁表面１２０に対して約６０゜（又は側壁表面１２０に直交する平面に対して約３０゜）の入射角で同様に実施することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
例えば、図４に示すように、一連のイオン注入４１８Ａ〜Ｃは、種々の注入角度α１〜３でフィン４０２のセットにおける側壁表面４２０に対して実施することができる。例示的実施形態において、第１イオン注入４１８-Ａは、注入角度α１、及び第１注入エネルギー／イオン線量で実施し、第２イオン注入４１８-Ｂは、他の注入角度α２、及び注入エネルギー／イオン線量で実施し、また第３イオン注入４１８-Ｃは、さらに他の注入角度α３、及び注入エネルギー／イオン線量で実施する。各注入角度α１〜３は、側壁表面４２０の頂部区域４４５に沿う様々なポイントに衝突するよう側壁表面４２０に対して平行ではない。図示のように、側壁表面４２０の底部区域４４８は、一連のイオン注入４１８Ａ〜Ｃによってはほぼ影響を受けないままである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
方法８００は、さらに、ブロック８０７に示すに示すように、窪みの側壁表面の頂部区域に沿ってゲート酸化物の厚さを増加させて、不均一厚さのゲート酸化物層を形成するステップを備える。幾つかの実施形態において、ゲート酸化物の厚さはフィン付きの基板の頂面近傍で最大となるようにする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７Ａ】
2019504489.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７Ｂ】
2019504489.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月5日(2019.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理チャンバの内部容積に部分的に曝されて配置されたプローブと、
前記内部容積内のプラズマ電位から導出されるアナログ信号を前記プローブから受け取り、
前記アナログ信号の第１の降下を検出することに基づいてアーキング事象が発生していることを判定し、前記第１の降下は、第１の持続時間と第１の振幅を有し、
前記アナログ信号の検出された第１の降下に基づいて出力信号を出力するように構成された検出回路と、を備え、
前記出力信号は、前記第１の持続時間より長い第２の持続時間を有し、前記第１の持続時間は１００マイクロ秒未満であり、前記第２の持続時間は１００マイクロ秒を超えており、
更に、
前記検出回路と通信するデータログシステムであって、１００マイクロ秒を超えた入力信号を検出すると共に、前記検出回路からの前記出力信号を受信するように構成された、データログシステムと、
を備える、アーキング検出装置。
【請求項２】
前記検出回路が前記プローブからの前記アナログ信号をデジタル信号に変換するように動作可能である、請求項１に記載のアーキング検出装置。
【請求項３】
前記検出回路が前記アナログ信号をフィルタ処理するように更に構成された、請求項１に記載のアーキング検出装置。
【請求項４】
内部容積を画定するチャンバ本体と、
前記内部容積内に配置されたペデスタル組立体であって、基板を支持するように構成された、ペデスタル組立体と、
前記ペデスタル組立体の上方で、前記内部容積内に配置されたシャワーヘッドであって、前記内部容積内でプラズマを生成するように構成された、シャワーヘッドと、
アーキング検出装置であって、
プラズマ処理チャンバの内部容積に部分的に曝されたプローブと、
前記内部容積内のプラズマ電位から導出されるアナログ信号を前記プローブから受け取り、前記アナログ信号の第１の降下を検出することに基づいてアーキング事象が発生していることを判定し、前記第１の降下は、第１の持続時間と第１の振幅を有し、前記アナログ信号の検出された第１の降下に基づいて出力信号を出力し、前記出力信号は、前記第１の持続時間より長い第２の持続時間を有し、前記第１の持続時間は１００マイクロ秒未満であり、前記第２の持続時間は１００マイクロ秒を超えるように構成された検出回路と、
前記検出回路と通信するデータログシステムであって、１００マイクロ秒を超えた入力信号を検出すると共に、前記検出回路からの前記出力信号を受信するように構成された、データログシステムと、
を備えるアーキング検出装置と、
を備える、プラズマ処理チャンバ。
【請求項５】
前記検出回路が前記プローブからの前記アナログ信号をデジタル信号に変換するように動作可能である、請求項４に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項６】
前記アーキング検出装置が、
前記アーキング検出装置と通信するコントローラであって、前記検出回路からの前記出力信号の前記出力に応答して、前記プラズマ処理チャンバで実行されている処理を停止するように構成された、コントローラ、
をさらに備える、請求項４に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項７】
前記検出回路が前記アナログ信号をフィルタ処理するように更に構成される、請求項４に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項８】
プラズマ処理チャンバ内のアーキング事象を検出するための方法であって、
前記処理チャンバの内部容積内に部分的に配置されたプローブからのアナログ信号を検出回路に送信するステップであって、前記アナログ信号は、前記内部容積内のプラズマ電位から導出される、ステップと、
前記アナログ信号の第１の降下を検出することに基づいてアーキング事象が前記内部容積内で発生していることを前記検出回路によって判定するステップであって、前記第１の降下は、第１の持続時間と第１の振幅を有する、ステップと、
前記アーキング事象が発生したという判定に応答して、前記検出回路によって出力信号を出力するステップとを備え、
前記出力信号は、前記第１の持続時間より長い第２の持続時間を有し、
前記第１の持続時間は１００マイクロ秒未満であり、前記第２の持続時間は１００マイクロ秒を超えており、
更に、
前記検出回路からの前記出力信号をデータログシステムによって受信するステップを備え、
前記データログシステムは、１００マイクロ秒を超えた入力信号を検出するように構成された、方法。
【請求項９】
前記出力信号は、デジタル信号である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記検出回路は、前記プローブによって送信された前記アナログ信号をフィルタ処理する、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記検出回路は、
各々の演算増幅器が第１の入力、第２の入力及び出力を有する、第１の演算増幅器及び第２の演算増幅器を備え、
前記第１の演算増幅器の前記第１の入力は、前記アナログ信号に接続されており、
前記第２の演算増幅器の前記第１の入力は、前記第１の演算増幅器の前記出力に接続されており、
前記第２の演算増幅器の前記第２の入力は、第１のレジスタを介して前記第１の演算増幅器の前記出力に接続されており、接地されたコンデンサが、前記第１のレジスタと前記第２の演算増幅器の前記第２の入力との間で前記第２の演算増幅器の前記第２の入力に接続されている、請求項１に記載のアーキング検出装置。
【請求項１２】
前記検出回路は、前記第２の演算増幅器の前記出力に基づいて動作するように構成された単安定マルチバイブレータを更に備えた、請求項１１に記載のアーキング検出装置。
【請求項１３】
前記検出回路は、
各々の演算増幅器が第１の入力、第２の入力及び出力を有する、第１の演算増幅器及び第２の演算増幅器を備え、
前記第１の演算増幅器の前記第１の入力は、前記アナログ信号に接続されており、
前記第２の演算増幅器の前記第１の入力は、前記第１の演算増幅器の前記出力に接続されており、
前記第２の演算増幅器の前記第２の入力は、第１のレジスタを介して前記第１の演算増幅器の前記出力に接続されており、接地されたコンデンサが、前記第１のレジスタと前記第２の演算増幅器の前記第２の入力との間で前記第２の演算増幅器の前記第２の入力に接続されており、
更に、
前記第２の演算増幅器の前記出力に基づいて動作するように構成された単安定マルチバイブレータを備えた、請求項４に記載のプラズマ処理チャンバ
【請求項１４】
前記検出回路は、
各々の演算増幅器が第１の入力、第２の入力及び出力を有する、第１の演算増幅器及び第２の演算増幅器を備え、
前記アナログ信号の前記第１の降下を検出することは、前記検出回路の前記第２の演算増幅器によって検出され、
前記第１の演算増幅器の前記第１の入力は、前記アナログ信号に接続されており、
前記第２の演算増幅器の前記第１の入力は、前記第１の演算増幅器の前記出力に接続されており、
前記第２の演算増幅器の前記第２の入力は、第１のレジスタを介して前記第１の演算増幅器の前記出力に接続されており、接地されたコンデンサが、前記第１のレジスタと前記第２の演算増幅器の前記第２の入力との間で前記第２の演算増幅器の前記第２の入力に接続されている、請求項８に記載の方法。