【手続補正書】
【提出日】平成19年9月26日(2007.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入出力端子を有する高周波回路と、
化合物半導体基板上に少なくとも一部が前記高周波回路と一体的に形成され、第１の入出力端子の一方の端子が前記高周波回路の入出力端子に接続され、ゲートが第１の抵抗を介して第２の基準電位に接続されたディプレッションタイプ電界効果トランジスタと、
前記化合物半導体基板上に形成され、前記高周波回路に設けられ、第２の入出力端子の一方の端子が前記ディプレッションタイプ電界効果トランジスタの前記第１の入出力端子の他方の端子に接続され、第２の入出力端子の他方の端子が第１の基準電位に接続され、ゲートが第２の抵抗を介して前記第１の基準電位に接続されたエンハンスメントタイプ電界効果トランジスタと、
前記エンハンスメントタイプ電界効果トランジスタの第２の入力端子の一方の端子と前記第１の基準電位間に接続された第１のキャパシタと
を有する高周波集積回路。
【請求項２】
前記高周波集積回路は更に第２のキャパシタを有し、該第２のキャパシタは前記ディプレッションタイプ電界効果トランジスタまたは前記エンハンスメントタイプ電界効果トランジスタの入出力端子間に並列に接続された
請求項１記載の高周波集積回路。
【請求項３】
前記化合物半導体基板はＧａＡｓを有する基板とする
請求項１記載の高周波集積回路。
【請求項４】
前記エンハンスメントタイプ電界効果トランジスタはＨＥＭＴとする
請求項１記載の高周波集積回路。
【請求項５】
前記エンハンスメントタイプ電界効果トランジスタは複数のエンハンスメントタイプ電界効果トランジスタで接続された
請求項１記載の高周波集積回路。
【請求項６】
外部端子と、
入出力端子を有する高周波回路と、
前記外部端子と前記高周波回路の入出力端子間に接続された第１のキャパシタと、
化合物半導体基板上に形成され、前記高周波回路に設けられ、入出力端子の一方の端子が前記外部端子に接続され、他方の端子が前記高周波回路の入出力端子に接続され、ゲートは抵抗を介して基準電位に接続されたエンハンスメントタイプ電界効果トランジスタと
を有する高周波集積回路。
【請求項７】
前記高周波集積回路は更に第２のキャパシタを有し、該第２のキャパシタは前記エンハンスメントタイプ電界効果トランジスタの入出力端子間に並列に接続された
請求項６記載の高周波集積回路。
【請求項８】
前記化合物半導体基板はＧａＡｓを有する基板とする
請求項６記載の高周波集積回路。
【請求項９】
前記エンハンスメントタイプ電界効果トランジスタはＨＥＭＴとする
請求項６記載の高周波集積回路。
【請求項１０】
前記エンハンスメントタイプ電界効果トランジスタは複数のエンハンスメントタイプ電界効果トランジスタで接続された
請求項６記載の高周波集積回路。
【請求項１１】
化合物半導体基板と、
前記化合物半導体基板上に作られたディプレッションタイプ電界効果トランジスタと、
前記化合物半導体基板上に作られ、前記ディプレッションタイプ電界効果トランジスタを一部に持つ高周波回路と、
入出力端子と、
前記化合物半導体基板上に作られ、前記高周波回路にドレイン、または、ソースを接続し、前記高周波回路に接続されていないソース、または、ドレインを前記入出力端子に接続したエンハンスメントタイプ電界効果トランジスタと、
前記高周波回路と前記エンハンスメントタイプ電界効果トランジスタの間の電位より低い基準電位と、前記化合物半導体基板上に作られ、前記エンハンスメントタイプ電界効果トランジスタのゲートと前記基準電位の間に接続された抵抗と
を有する高周波集積回路。
【請求項１２】
前記化合物半導体はＧａＡｓである
請求項１１記載の高周波集積回路。
【請求項１３】
前記高周波集積回路はさらに前記化合物半導体基板上に作られ、前記エンハンスメントタイプ電界効果トランジスタのドレインとソースの間にパラレルに接続されたコンデンサーと
を有する請求項１１記載の高周波集積回路。
【請求項１４】
前記ディプレッションタイプ電界効果トランジスタと前記エンハンスメントタイプ電界効果トランジスタは、ゲート接合型電界効果トランジスタである
請求項１１記載の高周波集積回路。
【請求項１５】
前記ディプレッションタイプ電界効果トランジスタと前記エンハンスメントタイプ電界効果トランジスタはＭＥＳ電界効果トランジスタである
請求項１１記載の高周波集積回路。
【請求項１６】
前記ディプレッションタイプ電界効果トランジスタと前記エンハンスメントタイプ電界効果トランジスタは、ＨＥＭＴである
請求項１１記載の高周波集積回路。
【請求項１７】
前記ディプレッションタイプ電界効果トランジスタは複数個直列に接続されたディプレッションタイプ電界効果トランジスタを有する
請求項１１記載の高周波集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の高周波集積回路は、入出力端子を有する高周波回路と、化合物半導体基板上に少なくとも一部が前記高周波回路と一体的に形成され、第１の入出力端子の一方の端子が前記高周波回路の入出力端子に接続され、ゲートが第１の抵抗を介して第２の基準電位に接続されたディプレッションタイプ電界効果トランジスタと、前記化合物半導体基板上に形成され、前記高周波回路に設けられ、第２の入出力端子の一方の端子が前記でディプレッションタイプ電界効果トランジスタの前記第１の入出力端子の他方の端子に接続され、第２の入出力端子の他方の端子が第１の基準電位に接続され、ゲートが第２の抵抗を介して前記第１の基準電位に接続されたエンハンスメントタイプ電界効果トランジスタと、前記エンハンスメントタイプ電界効果トランジスタの第２の入力端子の一方の端子と前記第１の基準電位間に接続された第１のキャパシタとを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の高周波集積回路は、外部端子と、入出力端子を有する高周波回路と、前記外部端子と前記高周波回路の入出力端子間に接続された第１のキャパシタと、化合物半導体基板上に形成され、前記高周波回路に設けられ、入出力端子の一方の端子が前記外部端子に接続され、他方の端子が前記高周波回路の入出力端子に接続され、ゲートは抵抗を介して基準電位に接続されたエンハンスメントタイプ電界効果トランジスタとを有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の高周波集積回路は、化合物半導体基板と、前記化合物半導体基板上に作られたディプレッションタイプ電界効果トランジスタと、前記化合物半導体基板上に作られ、前記ディプレッションタイプ電界効果トランジスタを一部に持つ高周波回路と、入出力端子と、前記化合物半導体基板上に作られ、前記高周波回路にドレイン、または、ソースを接続し、前記高周波回路に接続されていないソース、または、ドレインを前記入出力端子に接続したエンハンスメントタイプ電界効果トランジスタと、前記高周波回路と前記エンハンスメントタイプ電界効果トランジスタの間の電位より低い基準電位と、前記化合物半導体基板上に作られ、前記エンハンスメントタイプ電界効果トランジスタのゲートと前記基準電位の間に接続された抵抗とを有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の静電保護素子付き高周波集積回路は、Ｅ電界効果トランジスタ（エンハンスメントタイプ電界効果トランジスタ）を保護素子と使う場合、高周波回路で使用される、Ｄ電界効果トランジスタ（ディプレッションタイプ電界効果トランジスタ）、または、Ｅ電界効果トランジスタと、同じ、または、ほとんど同様な構造であるため、ＧａＡｓ上に作りこむプロセスにおいて、最小限の工程追加で、作製できる。また、Ｄｉｏｄｅ型保護素子のように、ＥＳＤなどノイズは、Ｊｕｎｃｔｉｏｎを通過しないため、保護素子自体の能力、耐圧も優れている。さらに、もともと、高周波回路内で用いられる電界効果トランジスタと、同様な構造であるため、寄生容量も小さく、本来の回路に与える悪影響も小さい。