【手続補正書】
【提出日】平成20年2月8日(2008.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  式：
2003522202.tif 000001
（式中、
ｘは３，２又は１であり、ｎ1及びｎ2は同じか又は異なっていてもよく、０又は１〜３であり、Ｘは２価のモノ若しくはポリ芳香族及び／又はヘテロ芳香族残基でありＹ又は、Ｙのそれぞれは同じか又は異なっていてもよく、ｘが１の場合、水素又は任意に置換された炭化水素基を表し、Ｚは、芳香族及び／又はヘテロ芳香族基、及び任意にアルケニレン基を含み、互いに（ヘテロ）芳香族基の炭素原子を介して他の（ヘテロ）芳香族基の環炭素原子に連結するか、又は、アルケニレン基が存在すれば（ヘテロ）芳香族基の環炭素原子を介してアルケニレン基の炭素原子に連結する、固有に少なくとも部分的に共役した樹枝状分子構造を表し、上記分子構造は２以上の少なくとも部分的に共役した樹枝状鎖に付着する（ヘテロ）芳香族基の環炭素原子を介して分子の残部に連結し、デンドリマーの（ヘテロ）芳香環の１又は２以上は任意に置換され、Ｚ及び／又は分子の残部は基Ｙを除いて発光性であり、ｎ2が０である場合にはｘは３でなければならない）の化合物。
【請求項２】  固体状態で発光性である、「請求項１」記載の化合物。
【請求項３】  電気的又は光学的励起下に可視領域の光を発する、「請求項２」記載の化合物。
【請求項４】  発光性残基２個以上を有し、電気的また光学的励起から生じたエネルギーは発光のためにそれらの一つに移動される、「請求項１〜３」のいずれかに記載の化合物。  
【請求項５】  少なくとも２個の固有に少なくとも部分的に共役している発光性残基を有し、コアからより遠くにある発光性残基（単数又は複数）が、コアにより近い発光性残基（単数又は複数）より大きいＨＯＭＯ−ＬＵＭＯエネルギーギャップのものである、「請求項１〜４」のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項６】  Ｚ又はＺのそれぞれは、発光性残基２個以上を含有する、「請求項５」記載の化合物。
【請求項７】  Ｚの部分ではなく、他の発光性残基（単数又は複数）よりも小さい固有のＨＯＭＯ−ＬＵＭＯエネルギーギャップを有する発光性残基をもつ、「請求項５又は６」記載の化合物。
【請求項８】  発光性残基はＺの部分である、「請求項１〜６」のいずれかに記載の化合物。
【請求項９】  コアからより遠くにある発光性残基（単数又は複数）は、コアにより近い残基よりも大きなＨＯＭＯ−ＬＵＭＯエネルギーギャップを有する「請求項８」記載の化合物。
【請求項１０】  少なくとも１個の表面の基がＺの遠位アリール環炭素原子に付着し、上記基はさらに反応可能なアルケン、（メタ）アクリレート、硫黄含有又はシリコン含有基；スルホニル基；ポリエーテル基；Ｃ1〜Ｃ15アルキル基；アミン基；モノ−，ジ−又はトリ−Ｃ1〜Ｃ15アルキルアミン基；−ＣＯＯＲ基（Ｒは水素又はＣ1〜Ｃ15アルキルである）；−ＯＲ基（Ｒは水素、アリール又はＣ1〜Ｃ15アルキル若しくはアルケニルである）；−Ｏ2ＳＲ基（ＲはＣ1〜Ｃ15アルキル又はアルケニルである）；−ＳＲ基（Ｒはアリール又はＣ1〜Ｃ15アルキル若しくはアルケニルである）；ＳｉＲ3基（Ｒ基は同じか、又は異なり、水素、Ｃ1〜Ｃ15アルキル若しくはアルケニルである）又は−ＳＲ’基（Ｒ’はアリール又はＣ1〜Ｃ15アルキル若しくはアルケニルである）、アリール、又はヘテロアリールである、「請求項１〜９」のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１１】  表面の基（単数又は複数）はｔ−ブチル基である、「請求項１０」記載の化合物。
【請求項１２】  Ｚの第一のアリール残基は１，３，５−結合ベンゼン環である、「請求項１〜１１」のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１３】  Ｚは３，５−ビス（３’，５’−ジ−ｔ−ブチルスチリル）フェニル、３，５−ビス［３’，５’−ビス（３’’，５’’−ジ−ｔ−ブチルスチリル）スチリル］フェニル又は３，５−ビス｛３’，５’−ビス［３’’，５’’−ビス（３’’’，５’’’−ジ−ｔ−ブチルスチリル）スチリル］スチリル｝フェニルである、「請求項１２」記載の化合物。
【請求項１４】  ｘは３である、「請求項１〜１３」のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１５】  ｎ1及びｎ2は１である「請求項１〜１４」のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１６】  Ｘはベンゼン、アントラセン、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、チオフェン、オキサジアゾール又はコロネンの残基を含む、「請求項１〜１５」のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１７】  Ｘはパラ位置において隣接原子に連結している、「請求項１〜１６」のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１８】  その電子輸送性を増大させる１又は２個以上の電子求引基を導入する、「請求項１〜１７」のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１９】  「請求項１〜１８」のいずれか一項に記載の化合物を製造する方法において、式：
2003522202.tif 000002
のアルデヒドを式：
ＴＣＨ2−Ｚ
のＺ含有化合物（式中、Ｙ，ｎ1，Ｘ，ｘ及びＺは上記でに定義した通りであり、ｎ3は０，１又は２であり、Ｔは隣接メチレン基をアルデヒドと反応させてアルケンを形成させることを可能にする官能基を表す）
と反応させることを含む方法。
【請求項２０】  アルデヒドは式：
2003522202.tif 000003
のブロミドを式：
（ＣＨ2＝ＣＨ）n3−Ｘ−ＣＨＯ
のビニル化合物と反応させることによって得られる、「請求項１９」記載の方法。
【請求項２１】  Ｚ含有化合物は式：（ＲＯ）2Ｐ（Ｏ）ＣＨ2−Ｚ（式中、Ｒはそれぞれ同じか、又は異なっていてもよく、アルキル又はアリール基を表す）のホスホネートである「請求項１９又は２０」記載の方法。
【請求項２２】  ホスホネートは相当するアリールメチルブロミドを相当するホスファイトと反応させることにより得られる、「請求項２１」記載の方法。
【請求項２３】  アリールメチルブロミドは相当するアルコールを臭素化することにより得られる、「請求項２２」記載の方法。
【請求項２４】  アルコールは式：ＯＣＨ−Ｚのアルデヒドを還元することによって得られる、「請求項２３」記載の方法。
【請求項２５】  「請求項１〜１８」のいずれか一項に記載の化合物又は「請求項１９〜２４」のいずれかに記載の方法で製造される化合物を少なくとも１種含む発光デバイス。
【請求項２６】  該化合物が発光層を形成する、「請求項２５」記載のデバイス。
【請求項２７】  該化合物が正孔輸送層を形成する「請求項２５」記載のデバイス。
【請求項２８】  「請求項１〜１８」のいずれか一項に記載の少なくとも１種の化合物又は「請求項１９〜２４」のいずれか意向に記載の方法で製造される少なくとも１種の化合物の層を溶液として上記デバイスの他の層に適用し、溶媒を蒸発させることを含む発光デバイスの製造方法。
【請求項２９】  「請求項２５〜２７」のいずれか一項に記載の１又は２個以上の発光デバイスを含む画素を包含するカラーディスプレーデバイス。
【請求項３０】  電気的に作動する発光ダイオードにおける発光素子として使用するための「請求項１〜１８」のいずれか一項に記載の少なくとも１種の化合物又は「請求項１９〜２４」のいずれかに記載の方法で製造される化合物。
【請求項３１】  発光デバイス以外の他の半導体デバイス例えばフォトダイオード、太陽光電池、ＦＥＴ又は固体状態のトリオードにおける「請求項１〜１８」のいずれか一項に記載の化合物又は「請求項１９〜２４」のいずれか一項に記載の方法で製造される化合物の使用。
【請求項３２】  式：
ＣＯＲＥ−［ＤＢＥＤＲＩＴＥ］n
（式中、ＣＯＲＥは原子又は基を表し、ｎは少なくとも１の整数であり、ＤＥＮＤＲＩＴＥは、ｎが２以上の場合には同じか、又は異なっていてもよく、互いにアルケニル基の炭素原子を介してアリール又はヘテロアリール基の環炭素原子に連結するアリール及び／又はヘテロアリール基及びアルケニル基を含む固有に少なくとも部分的に共役した樹枝状分子構造を表し、ＣＯＲＥは２以上の少なくとも部分的に共役した樹枝状鎖が付着する（ヘテロ）アリール基の環炭素原子に連結する最初の単結合を終端とし、上記環炭素原子はＤＥＮＤＲＩＴＥの部分を形成し、ＣＯＲＥ及び／又はＤＥＮＤＲＩＴＥは発光性である）の化合物を製造する方法において、中心原子又は基のアルデヒドを、隣接するメチレン基をアルデヒドと反応させてアルケンを形成させることを可能にする官能基を有するアリール又はヘテロアリール化合物と反応させて、このようにしてＣＯＲＥ−ＤＥＮＤＲＩＴＥを形成させることを含む、上記方法。