【手続補正書】
【提出日】平成19年3月1日(2007.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上にドライバー回路と画素部が設けられた半導体装置であって、
前記ドライバー回路及び画素部は下地膜上に設けられ、ゲート絶縁膜を有するＮチャネル型ＴＦＴを有し、
前記Ｎチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域と、ソース領域及びドレイン領域と、を有し、
前記ドライバー回路が有する前記ソース領域及びドレイン領域の１５族に属する元素の濃度は、前記画素部が有する前記ソース領域及びドレイン領域の１５族に属する元素の濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
同一基板上にドライバー回路と画素部が設けられた半導体装置であって、
前記ドライバー回路及び画素部は下地膜上に設けられ、ゲート絶縁膜を有するＮチャネル型ＴＦＴを有し、
前記Ｎチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域と、ソース領域及びドレイン領域と、ＬＤＤ領域と、を有し、
前記ドライバー回路が有する前記ＬＤＤ領域の１５族に属する元素の濃度は、前記画素部が有する前記ＬＤＤ領域の１５族に属する元素の濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
同一基板上にドライバー回路と画素部が設けられた半導体装置であって、
前記ドライバー回路及び画素部は下地膜上に設けられ、ゲート絶縁膜を有するＮチャネル型ＴＦＴを有し、
前記Ｎチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域と、ソース領域及びドレイン領域と、ＬＤＤ領域と、を有し、
前記ドライバー回路が有する前記ＬＤＤ領域の１５族に属する元素の濃度は、前記画素部が有する前記ＬＤＤ領域の１５族に属する元素の濃度よりも高く、且つ前記ドライバー回路が有する前記ソース領域及びドレイン領域の１５族に属する元素の濃度は、前記画素部が有する前記ソース領域及びドレイン領域の１５族に属する元素の濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記画素部が有する前記チャネル形成領域下に、前記下地膜を介して遮蔽層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
同一基板上にドライバー回路と画素部が設けられた半導体装置であって、
前記ドライバー回路及び画素部は下地膜上に設けられ、ゲート絶縁膜を有するＮチャネル型ＴＦＴを有し、
前記Ｎチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域と、ソース領域及びドレイン領域と、ＬＤＤ領域と、を有し、
前記ゲート絶縁膜上に接してそれぞれゲート電極が設けられ、
前記ドライバー回路が有する前記ソース領域及びドレイン領域の１５族に属する元素の濃度は、前記画素部が有する前記ソース領域及びドレイン領域の１５族に属する元素の濃度よりも高く、
前記ドライバー回路が有するＮチャネル型ＴＦＴの前記ＬＤＤ領域は前記ゲート電極と一部が重なり、
前記画素部が有するＮチャネル型ＴＦＴの前記ＬＤＤ領域は前記ゲート電極と重ならないことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
同一基板上にドライバー回路と画素部が設けられた半導体装置であって、
前記ドライバー回路及び画素部は下地膜上に設けられ、ゲート絶縁膜を有するＮチャネル型ＴＦＴを有し、
前記Ｎチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域と、ソース領域及びドレイン領域と、ＬＤＤ領域と、を有し、
前記ゲート絶縁膜上に接してそれぞれゲート電極が設けられ、
前記ドライバー回路が有する前記ＬＤＤ領域の１５族に属する元素の濃度は、前記画素部が有する前記ＬＤＤ領域の１５族に属する元素の濃度よりも高く、
前記ドライバー回路が有するＮチャネル型ＴＦＴの前記ＬＤＤ領域は前記ゲート電極と一部が重なり、
前記画素部が有するＮチャネル型ＴＦＴの前記ＬＤＤ領域は前記ゲート電極と重ならないことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
同一基板上にドライバー回路と画素部が設けられた半導体装置であって、
前記ドライバー回路及び画素部は下地膜上に設けられ、ゲート絶縁膜を有するＮチャネル型ＴＦＴを有し、
前記Ｎチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域と、ソース領域及びドレイン領域と、ＬＤＤ領域と、を有し、
前記ゲート絶縁膜上に接してそれぞれゲート電極が設けられ、
前記ドライバー回路が有する前記ＬＤＤ領域の１５族に属する元素の濃度は、前記画素部が有する前記ＬＤＤ領域の１５族に属する元素の濃度よりも高く、且つ前記ドライバー回路が有する前記ソース領域及びドレイン領域の１５族に属する元素の濃度は、前記画素部が有する前記ソース領域及びドレイン領域の１５族に属する元素の濃度よりも高く、
前記ドライバー回路が有するＮチャネル型ＴＦＴの前記ＬＤＤ領域は前記ゲート電極と一部が重なり、
前記画素部が有するＮチャネル型ＴＦＴの前記ＬＤＤ領域は前記ゲート電極と重ならないことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一項において、
前記画素部が有する前記チャネル形成領域下に、前記下地膜を介して遮蔽層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記遮蔽層のチャネル長方向の幅は、前記画素部が有するＮチャネル型ＴＦＴのゲート電極のチャネル長方向の幅よりも広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の半導体装置を有する電子機器。
【請求項１１】
請求項１０における電子機器とは、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、又は携帯情報端末のいずれかであることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
同一基板上にドライバー回路と画素部を有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜をパターニングして半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ドライバー回路が有する半導体層に対して第１のマスクを用いて１５族に属する元素を選択的に添加することで前記ドライバー回路の半導体層にＬＤＤ領域を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜を選択的に形成し、
前記ドライバー回路及び画素部の半導体層に対して前記導電膜を用いて１５族に属する元素を選択的に添加することで前記画素部の半導体層にＬＤＤ領域を形成し、
前記ドライバー回路及び画素部の半導体層に対して第２のマスクを用いて１５族に属する元素を選択的に添加することで前記ドライバー回路及び画素部の半導体層にソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ドライバー回路が有する前記ＬＤＤ領域の１５族に属する元素の濃度は、前記画素部が有する前記ＬＤＤ領域の１５族に属する元素の濃度よりも高く、且つ前記ドライバー回路が有する前記ソース領域及びドレイン領域の１５族に属する元素の濃度は、前記画素部が有する前記ソース領域及びドレイン領域の１５族に属する元素の濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
同一基板上にドライバー回路と画素部を有する半導体装置の作製方法であって、
基板上の画素部に遮蔽層を選択的に形成し、
前記基板及び前記遮蔽層上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜をパターニングして半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ドライバー回路が有する半導体層に対して第１のマスクを用いて１５族に属する元素を選択的に添加することで前記ドライバー回路の半導体層にＬＤＤ領域を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜を選択的に形成し、
前記ドライバー回路及び画素部の半導体層に対して前記導電膜を用いて１５族に属する元素を選択的に添加することで前記画素部の半導体層にＬＤＤ領域を形成し、
前記ドライバー回路及び画素部の半導体層に対して第２のマスクを用いて１５族に属する元素を選択的に添加することで前記ドライバー回路及び画素部の半導体層にソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ドライバー回路が有する前記ＬＤＤ領域の１５族に属する元素の濃度は、前記画素部が有する前記ＬＤＤ領域の１５族に属する元素の濃度よりも高く、且つ前記ドライバー回路が有する前記ソース領域及びドレイン領域の１５族に属する元素の濃度は、前記画素部が有する前記ソース領域及びドレイン領域の１５族に属する元素の濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
同一基板上にドライバー回路と画素部を有する半導体装置の作製方法であって、
基板上の画素部に遮蔽層を選択的に形成し、
前記基板及び前記遮蔽層上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜をパターニングして半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ドライバー回路が有する半導体層に対して第１のマスクを用いて１５族に属する元素を選択的に添加することで前記ドライバー回路の半導体層にＬＤＤ領域を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜を選択的に形成し、
前記ドライバー回路及び画素部の半導体層に対して前記導電膜を用いて１５族に属する元素を選択的に添加することで前記画素部の半導体層にＬＤＤ領域を形成し、
前記導電膜上に第２のマスクを裏面露光により形成し、
前記ドライバー回路及び画素部の半導体層に対して第２のマスクを用いて１５族に属する元素を選択的に添加することで前記ドライバー回路及び画素部の半導体層にソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ドライバー回路が有する前記ＬＤＤ領域の１５族に属する元素の濃度は、前記画素部が有する前記ＬＤＤ領域の１５族に属する元素の濃度よりも高く、且つ前記ドライバー回路が有する前記ソース領域及びドレイン領域の１５族に属する元素の濃度は、前記画素部が有する前記ソース領域及びドレイン領域の１５族に属する元素の濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１２乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記画素部に形成された前記第２のマスクを、前記導電膜を覆うように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
ゲート絶縁膜２０７を形成したら、ドライバー回路のＮＴＦＴのチャネル形成領域２１０、及び画素部、ドライバー回路のＰＴＦＴ上にレジストマスク２０８ａ〜ｃを設けた後、１５族に属する元素（本実施例ではリン）を添加してドライバーＴＦＴのＮＴＦＴの低濃度不純物領域２０９を形成する。（図３（Ｂ））この低濃度不純物領域２０９に添加されるリンの濃度は５×１０１７〜５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３となるように調節する。この時のリンの濃度がドライバー回路のＮＴＦＴのＬＤＤ領域における濃度を決定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
こうして活性化工程を終了したら、次に導電膜２１１を形成した。（図３（Ｃ））次いで、パターニングを行いドライバーＴＦＴのゲート配線２１２ａ（ＮＴＦＴ側）、画素ＴＦＴのゲート配線２１２ｃを形成する。なお、ゲート配線２１２ｃは画素ＴＦＴがダブルゲート構造であるためゲート配線を２本記載しているが、実際には同一配線である。また、ドライバーＴＦＴのＰＴＦＴ全体を覆った導電層２１２ａを形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
次いで、配線２１２ａ〜ｃをマスクとして、１５族に属する元素を添加し、自己整合的に低濃度不純物領域２１４が形成された。（図３（Ｄ））この低濃度不純物領域２１４に添加される不純物の濃度、ここではリンの濃度が５×１０１７〜５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３となるように調節する。ただし、この工程は先のリンの添加工程よりも低いドーズ量５×１０１２〜１×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ２で添加する。この時、添加された１５族に属する元素の濃度が画素部のＬＤＤ領域の濃度を決定する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５５】
〔実施例９〕
本実施例では、本願発明を用いてＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を作製した例について説明する。