【手続補正書】
【提出日】平成19年10月16日(2007.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単独でまたは多層構造の成分として電子用途または電気用途に有用である単一層基板であって、単一層基板は少なくともポリイミド成分およびフルオロポリマー成分のポリマーブレンドを含み、
ａ．フルオロポリマー成分は、
ｉ．０．０２ミクロンと５ミクロンの間の範囲内（両端を含む）の平均粒径を有するフルオロポリマー微細粉末から誘導され、
ii．３７５℃以下の融解温度を有し、
iii．フルオロポリマー成分は、１００重量部のポリイミド成分当たり、９および１２０重量部の間の範囲内（両端を含む）で存在し、
ｂ．単一層基板は外側表面と内部コアとを有し、外側表面は、内部コア中に存在するフルオロポリマー成分の量よりも多い量のフルオロポリマー成分を含み、内部コアは、外側表面中に存在するポリイミド成分の量よりも多い量のポリイミド成分を含み、
ｃ．以下の、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０、１９０および２００ミクロンのうちの任意の２つの値の間の範囲内（両端を含む）の総厚を有する
ことを特徴とする単一層基板。
【請求項２】
基板表面の５０％超はフルオロポリマーであることを特徴とする請求項１に記載の単一層基板。
【請求項３】
表面の少なくとも１つの面に沿った大部分のフルオロポリマー成分が単一連続相であり、単一連続相は、少なくとも０．０５ミクロンの厚さを規定することを特徴とする請求項１に記載の単一層基板。
【請求項４】
０．１および１．７５％の間の範囲内（両端を含む）の吸水率値を有することを特徴とする請求項３に記載の単一層基板。
【請求項５】
ポリイミド前駆体溶液およびフルオロポリマー微細粉末を混合し、かつ、その混合物を、フルオロポリマー微細粉末の凝集体を平均５ミクロン未満に小さくするのに十分なせん断力および温度にかけることによって、基板を部分的に作製することを特徴とする請求項１に記載の単一層基板。
【請求項６】
フルオロポリマー相の少なくとも一部はまた、金属に積層されることを特徴とする請求項１に記載の単一層基板。
【請求項７】
１ＭＨｚにおいて０．０００５から０．００２０の範囲内の散逸損失を有することを特徴とする請求項１に記載の単一層基板。
【請求項８】
基板の誘電率は、２．０および３．５の間（両端を含む）であることを特徴とする請求項１に記載の単一層基板。
【請求項９】
ポリイミド成分は、１種または複数種の二無水物成分と１種または複数種のジアミン成分とを反応させることによって形成されるポリアミック酸前駆体から誘導され、
二無水物成分は、ピロメリット酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）１，１，１，３，３，３，−ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、２，２’ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、およびこれらの組合せからなる群から選択され、
ジアミン成分は、１，４−ジアミノベンゼン、１，３−ジアミノベンゼン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（４，４’−ＯＤＡ）、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（３，４’−ＯＤＡ）、１，３−ビス−（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ−１３４）、１，３−ビス−（３−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ−１３３）、２，２−ビス−［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）、ビス−（４−（４−アミノフェノキシ）フェニルスルホン（ＢＡＰＳ）、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン（ｍ−ＢＡＰＳ）、４，４’−ビス（アミノフェノキシ）ビフェニル（ＢＡＰＢ）、ビス（４−［４−アミノフェノキシ］フェニル）エーテル（ＢＡＰＥ）、２，２’−ビス−（４−アミノフェニル）−１，１，１，３，３−ヘキサフルオロプロパン（６Ｆジアミン）、およびこれらの組合せからなる群から選択され、および
フルオロポリマー成分は、テトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテルコポリマー（ＰＦＡ）、クロロトリフルオロエチレンポリマー（ＣＴＦＥ）、テトラフルオロエチレンクロロトリフルオロエチレンコポリマー（ＴＦＥ／ＣＴＦＥ）、エチレンクロロトリフルオロエチレンコポリマー（ＥＣＴＦＥ）、およびポリビニリデンフルオリド（ＰＶＤＦ）、ポリ（テトラフルオロエチレン−ｃｏ−ヘキサフルオロプロピレン）（ＦＥＰ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、およびポリ（エチレン−ｃｏ−テトラフルオロエチレン）（ＥＴＦＥ）を含む群から選択されるフルオロポリマー成分から誘導される
ことを特徴とする請求項１に記載の単一層基板。
【請求項１０】
シリコンゲル、シリカ、炭素、ゼオライト、エアーゾル製品、金属酸化物、リン酸二カルシウム、アルミナ、およびチタニアからなる群から選択される充填材をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の単一層基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
本発明のポリイミド樹脂組成物を、射出成形、押出成形、回転成形などの知られている加工方法によって成形することができ、実際的な用途に使用され得る。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  単独でまたは多層構造の成分として電子用途または電気用途に有用である単一層基板であって、単一層基板は少なくともポリイミド成分およびフルオロポリマー成分のポリマーブレンドを含み、
ａ．フルオロポリマー成分は、１００重量部のポリイミド成分当たり、以下の、９、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、９０、９５、１００、１１０および１２０重量部のうちの任意の２つの値の間であり、かつその２つの値を含む範囲にあり、
ｂ．フルオロポリマー成分は、
ｉ．以下の、５、４、３、２、１、０．８、０．６、０．５、０．４、０．３、０．２、０．１、０．０８、０．０６、０．０４または０．０２ミクロンのうちの任意の２つの値の間であり、かつその２つの値を含む範囲の平均粒径を有するフルオロポリマー微細粉末から誘導され、かつ
ｉｉ．３７５、３７０、３６５、３５０、３２５、３００、２８０、２７５、２６５または２５０℃以下の融解温度を有することを特徴とする単一層基板。
［２］  単独でまたは多層構造の成分として電子用途または電気用途に有用である外側表面と内部コアとを有する単一層基板であって、単一層基板は少なくともポリイミド成分およびフルオロポリマー成分のポリマーブレンドを含み、
ａ．フルオロポリマー成分は、１００重量部のポリイミド成分当たり、以下の、９、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、９０、９５、１００、１１０および１２０重量部のうちの任意の２つの値の間であり、かつその２つの値を含む範囲にあり、
ｂ．不均衡な量のフルオロポリマー成分は基板の外側表面と一体化しており、
ｃ．不均衡な量のポリイミドは基板の内部コアと一体化しており、
ｄ．外側表面のフルオロポリマー成分は、
ｉ．０．０５ミクロンよりも大きい平均厚さを有し、
ｉｉ．以下の、５、４、３、２、１、０．８、０．６、０．５、０．４、０．３、０．２、０．１、０．０８、０．０６、０．０４または０．０２ミクロンのうちの任意の２つの値の間の範囲の平均粒径を有するフルオロポリマー微細粉末から誘導され、かつ、
ｉｉｉ．３７５、３７０、３６５、３５０、３２５、３００、２８０、２７５、２６５または２５０℃以下の融解温度を有することを特徴とする単一層基板。
［３］  基板表面の５０％超はフルオロポリマーであることを特徴とする［１］に記載の単一層基板。
［４］  表面の少なくとも１つの面に沿った大部分のフルオロポリマー成分が、単一連続相であることを特徴とする［３］に記載の単一層基板。
［５］  単一連続相は、少なくとも０．０５、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１５、２０、２５、５０または６０ミクロンの厚さを規定することを特徴とする［４］に記載の単一層基板。
［６］  以下の、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．１、１．２、１．３、１．４、１．５、１．６、１．７および１．７５％のうちの任意の２つの値の間であり、かつその２つの値を含む範囲の吸水率値を有することを特徴とする［５］に記載の単一層基板。
［７］  ポリイミド前駆体溶液およびフルオロポリマー微細粉末を混合し、かつ、その混合物を、フルオロポリマー微細粉末の凝集体を平均５、４、３、２．５、２、１、０．５、０．２、０．１、０．０５または０．０２ミクロン未満に小さくするのに十分なせん断力および温度にかけることによって、基板を部分的に作製することを特徴とする［６］に記載の単一層基板。
［８］  フルオロポリマー相の少なくとも一部はまた、金属に積層されることを特徴とする［７］に記載の単一層基板。
［９］  以下の、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、１．１、１．２、１．３、１．４、１．５、１．６、１．７および１．７５％のうちの任意の２つの値の間であり、かつその２つの値を含む範囲の吸水率値を有し、かつ、散逸損失が１ＭＨｚで０．０００５から０．００２０の範囲内であることを特徴とする［８］に記載の単一層基板。
［１０］  基板は、以下の、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０、１９０および２００ミクロンのうちの任意の２つの値の間であり、かつその２つの値を含む範囲の総厚を有することを特徴とする［１］に記載の単一層基板。
［１１］  基板の少なくとも２０、３０、４０、５０または６０重量％は、単一連続相であることを特徴とする［１０］に記載の単一層基板。
［１２］  基板の少なくとも４０、５０、６０、７０または８０重量％は、２つの別個の連続相によって規定されることを特徴とする［１０］に記載の単一層基板。
［１３］  ポリイミド成分は、１種または複数の二無水物成分を１種または複数のジアミン成分と接触させることによって、少なくとも部分的にもたらされるポリアミック酸前駆体から誘導され、二無水物成分は、ピロメリット酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）１，１，１，３，３，３，−ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、２，２’ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、およびこれらの組合せからなる群から選択されることを特徴とする［１］に記載の単一層基板。
［１４］  ポリイミド成分は、１種または複数の二無水物成分と１種または複数のジアミン成分を接触させることによって、少なくとも部分的にもたらされるポリアミック酸前駆体から誘導され、ジアミン成分は、１，４−ジアミノベンゼン、１，３−ジアミノベンゼン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（４，４’−ＯＤＡ）、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（３，４’−ＯＤＡ）、１，３−ビス−（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ−１３４）、１，３−ビス−（３−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ−１３３）、２，２−ビス−［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）、ビス−（４−（４−アミノフェノキシ）フェニルスルホン（ＢＡＰＳ）、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン（ｍ−ＢＡＰＳ）、４，４’−ビス（アミノフェノキシ）ビフェニル（ＢＡＰＢ）、ビス（４−［４−アミノフェノキシ］フェニル）エーテル（ＢＡＰＥ）、２，２’−ビス−（４−アミノフェニル）−１，１，１，３，３−ヘキサフルオロプロパン（６Ｆジアミン）、およびこれらの組合せからなる群から選択されることを特徴とする［１］に記載の単一層基板。
［１５］  フルオロポリマー成分は、テトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテルコポリマー（ＰＦＡ）、クロロトリフルオロエチレンポリマー（ＣＴＦＥ）、テトラフルオロエチレンクロロトリフルオロエチレンコポリマー（ＴＦＥ／ＣＴＦＥ）、エチレンクロロトリフルオロエチレンコポリマー（ＥＣＴＦＥ）、およびポリビニリデンフルオリド（ＰＶＤＦ）、ポリ（テトラフルオロエチレン−ｃｏ−ヘキサフルオロプロピレン）（ＦＥＰ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、およびポリ（エチレン−ｃｏ−テトラフルオロエチレン）（ＥＴＦＥ）を含む群から選択されるフルオロポリマー成分から誘導されることを特徴とする［１］に記載の単一層基板。
［１６］  板の誘電率は、以下の、２．０、２．１、２．２、２．３、２．４、２．５、２．６、２．７、２．８、２．９、３．００、３．１、３．２、３．３、３．４および３．５のうちの任意の２つの値の間であり、かつその２つの値を含むことを特徴とする［１］に記載の単一層基板。
［１７］  液晶ポリマー成分をさらに含むことを特徴とする［１］に記載の単一層基板。
［１８］  前記基板は、高速デジタルアンテナの全部または一部を含むことを特徴とする［１］に記載の単一層基板。
［１９］  前記基板は、マイクロ波受信機、マイクロ波送信機またはマイクロ波トランシーバーの構成要素であることを特徴とする［１］に記載の単一層基板。
［２０］  前記基板は、多層のフレキシブル回路基板またはリジッド回路基板の構成要素であることを特徴とする［１］に記載の単一層基板。
［２１］  前記基板は、レベル１またはレベル２の回路パッケージの構成要素であることを特徴とする［１］に記載の単一層基板。
［２２］  前記基板が、１本または複数の導電性ワイヤまたは導電性ケーブル用のハウジングの全部または一部を構成することを特徴とする［１］に記載の単一層基板。
［２３］  充填材をさらに含むことを特徴とする［１］に記載の単一層基板。
［２４］  シリコンゲル、シリカ、炭素、ゼオライト、エアーゾル製品、および金属酸化物からなる群から選択される充填材をさらに含むことを特徴とする［１］に記載の単一層基板。
［２５］  リン酸二カルシウム、アルミナ、およびチタニアからなる群から選択される充填材をさらに含むことを特徴とする［１］に記載の単一層基板。
［２６］  基板はパッケージング構成物の構成要素であって、パッケージング構成物は、チップオンリード（「ＣＯＬ」）パッケージ、チップオンフレックス（「ＣＯＦ」）パッケージ、リードオンチップ（「ＬＯＣ」）パッケージ、マルチチップモジュール（「ＭＣＭ」）パッケージ、オプトエレクトロニックパッケージ、フラットワイヤ用途、ボールグリッドアレイ（「ＢＧＡ」または「μ−ＢＧＡ」）パッケージ、チップスケールパッケージ（ＣＳＰ）またはテープ自動化ボンディング（「ＴＡＢ」）パッケージであることを特徴とする［１］に記載の基板。
［２７］  基板は導電性通路を含む集積回路パッケージング基板の構成要素であって、前記通路は、以下の群、すなわち、ワイヤボンド、導電性金属およびはんだバンプのうちの１つまたは複数のメンバーを含むことを特徴とする［１］に記載の基板。