Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月4日(2007.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
記録メディアに記録された情報を読み出す読出手段と、
記録メディアから読み出した印刷情報に基づく印刷すべき画像サイズおよび印刷解像度から、画像処理に必要な画像サイズを算出する算出手段と、
前記必要な画像サイズの画像データを前記記録メディアから読み出し、前記読み出した画像データを印刷データに処理する処理手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項2】
記録メディアに記録された情報を読み出す読出手段と、
記録メディアから読み出した画像データを印刷データに処理する処理手段と、
記録メディアに空間スケーラビリティを有する画像が格納されている場合、前記記録メディアから読み出した印刷情報に基づく印刷すべき画像サイズおよび印刷解像度から、画像処理に必要な画像サイズを算出して前記処理手段に通知する算出手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項3】
前記処理手段は、印刷データを格納するメモリの記憶容量が不足すると、エラーを報知して、処理を停止することを特徴とする請求項1または請求項2に記載された画像処理装置。
【請求項4】
前記処理手段は、印刷データを格納するメモリの記憶容量が不足すると、前記メモリに格納した画像データを破棄し、前記必要な画像サイズよりも小さい画像サイズの画像データを前記記録メディアから読み出すことを特徴とする請求項1または請求項2に記載された画像処理装置。
【請求項5】
前記記録メディアはJPEG2000形式の画像を格納することを特徴とする請求項1から請求項4の何れか一項に記載された画像処理装置。
【請求項6】
さらに、前記印刷データに基づき記録媒体に画像を印刷する印刷手段を有することを特徴とする請求項1から請求項5の何れか一項に記載された画像処理装置。
【請求項7】
記録メディアから印刷情報を読み出し、
前記印刷情報に基づく印刷すべき画像サイズおよび印刷解像度から、画像処理に必要な画像サイズを算出し、
前記必要な画像サイズの画像データを前記記録メディアから読み出し、
前記読み出した画像データを印刷データに処理することを特徴とする画像処理方法。
【請求項8】
記録メディアから画像データを読み出して印刷データに処理する画像処理方法であって、
記録メディアに空間スケーラビリティを有する画像が格納されている場合、前記記録メディアから読み出した印刷情報に基づく印刷すべき画像サイズおよび印刷解像度から、画像処理に必要な画像サイズを算出し、算出した画像サイズの画像データを前記記録メディアから読み出すことを特徴とする画像処理方法。
【請求項9】
画像処理装置を制御して、請求項7または請求項8に記載された画像処理を実行することを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項10】
請求項9に記載されたコンピュータプログラムが記録されたことを特徴とするコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、記録メディアから印刷情報を読み出し、前記印刷情報に基づく印刷すべき画像サイズおよび印刷解像度から、画像処理に必要な画像サイズを算出し、前記必要な画像サイズの画像データを前記記録メディアから読み出し、前記読み出した画像データを印刷データに処理することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、記録メディアから画像データを読み出して印刷データに処理する際に、記録メディアに空間スケーラビリティを有する画像が格納されている場合、前記記録メディアから読み出した印刷情報に基づく印刷すべき画像サイズおよび印刷解像度から、画像処理に必要な画像サイズを算出し、算出した画像サイズの画像データを前記記録メディアから読み出すことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月19日(2007.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
複金属シアン化物（ＤＭＣ）触媒は、活性水素原子含有出発化合物へのアルキレンオキシドの重付加反応用の触媒として知られており、例えば、米国特許第3,404,109号, 第3,829,505号, 第3,941,849号および第5,158,922号に開示されている。このＤＭＣ触媒をポリエーテルポリオールの製造のために用いると、特に、水酸化アルカリ金属塩触媒のような通常のアルカリ金属触媒の存在下にポリエーテルポリオールを製造する従来法に比し、末端に二重結合を有する単官能性ポリエーテル（いわゆるモノオール）の割合が減少する。ＤＭＣ触媒から得られたポリエーテルポリオールは、高品質のポリウレタン（例えば、エラストマー、発泡体、塗料）の製造に使用することができる。ＤＭＣ触媒は、金属塩の水溶液を金属シアン化物塩の水溶液と、エーテルなどの有機錯体配位子の存在下に反応させることによって、得られる。代表的な触媒製造によれば、過剰の塩化亜鉛水溶液と、ヘキサシアノコバルト酸カリウムとを混合し、次いで、形成した懸濁液にジメトキシエタン（グライム）を添加する。その後、触媒をろ取し、グライム水溶液で水洗した後、一般式：
Zn3[Co(CN)6]2・xZnCl2・yH2O・zグライム
で示される活性触媒が得られる。この方法は、例えばEP-A 700 949に記載されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
得られたポリエーテルポリオールの特性については、その水酸基価、二重結合含量および粘度を測定した。
反応の経過については、時間−転化率曲線（プロピレンオキシドの消費量（g）-反応時間（分））によって追跡した。誘導時間は、時間／転化率曲線上の最も勾配が大きい地点での接線と曲線から外挿したベースラインとの交点から決定した。触媒活性の臨界を示すプロポキシル化時間は、触媒活性の開始時点（即ち誘導期の終了時点）からプロピレンオキシド添加の終了時点までの期間に相当する。総反応時間は、誘導時間とプロポキシル化時間の合計に等しい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  開封封筒、印刷製品または工作物のような平らな製品が、循環するコンベヤ（３）の搬送路に沿って、コンベヤの下方の所定の収集個所（２）で、収集容器（４）内に降ろされ、空の収集容器（４）が側方の準備位置（６）と収集個所（２）の間の移送区間に沿って、コンベヤ（３）の移動方向に対して横方向に移送区間の案内装置（２２）内で可逆的に駆動されるスライド装置（５）によってずらすことが可能であり、充填された収集容器（４′）が収集個所（２）から押出し可能である、平らな製品を区分けおよび選択的に収集するための装置において、スライド装置（５）が、台に固定配置された駆動装置（８）の、方向変換ホイール（１３，１４）の周りを循環する索具（１５）に固定された連行体（１６）に駆動連結されていることを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月27日(2006.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  エアーモータ用ハウジングと、
前記ハウジングに対し回転可能に連結されたカラーとを具備し、前記カラーが、アクチュエータ表面を画定する内側部分を有し、更に
前記ハウジング内に少なくとも部分的に配置されたエアーバルブを具備し、前記エアーバルブが前記エアーバルブを開閉するアクチュエータ部分を有し、前記アクチュエータ部分が、前記ハウジングから突出して前記カラーのアクチュエータ表面と係合するために付勢され、
前記エアーバルブが開放される第一位置と、前記エアーバルブが閉鎖される第二位置との間で、前記カラーが前記ハウジングに対し回転可能であり、更に
前記ハウジングと係合する第一部分と前記カラーと係合する第二部分とを備えたカラー付勢部材を具備し、前記カラー付勢部材は、前記エアーバルブが閉鎖される第二位置まで前記カラーを付勢し、
前記カラーが、前記エアーバルブを開放するために前記カラー付勢部材の付勢力に抗して前記第一位置まで回転可能である、ストラップテンション工具。
【請求項２】  前記ハウジング内に部分的に形成された付勢部材凹部を更に具備し、前記付勢部材凹部内にはハウジング係合表面が形成され、前記付勢部材凹部が前記カラー内に部分的に形成され、前記付勢部材凹部内にはカラー係合表面が形成され、前記カラー付勢部材が前記付勢部材凹部内に配置され、前記カラー付勢部材の第一部分が前記ハウジング係合表面と係合し、前記カラー付勢部材の第二部分が前記カラー係合表面と係合する、請求項１に記載の工具。
【請求項３】  前記カラー付勢部材が第一端部と対向第二端部とを備えた圧縮コイルばねであり、前記圧縮コイルばねの第一端部が前記ハウジング係合表面と係合し、前記圧縮コイルばねの第二端部が前記カラー係合表面と係合する、請求項２に記載の工具。
【請求項４】  前記付勢部材凹部のハウジング係合表面がそこから突出しているピンを有し、前記圧縮コイルばねの第一端部が前記ピンのまわりに配置される、請求項３に記載の工具。
【請求項５】  前記ハウジング係合表面と前記カラー係合表面とが、それらの間に前記カラー付勢部材を圧縮して拘束するために、前記ハウジングに対しほぼ半径方向に延びて配置されている、請求項２に記載の工具。
【請求項６】  前記カラー付勢部材が第一端部と対向第二端部とを備えた弾性材料であり、前記弾性材料の第一端部が前記ハウジング係合表面と係合し、前記弾性材料の第二端部が前記カラー係合表面と係合する、請求項２に記載の工具。
【請求項７】  前記カラーのアクチュエータ表面がテーパ部を備えたカラー凹部を有し、前記エアーバルブを開放するために前記カラーが前記第一位置まで回転される時に前記エアーバルブのアクチュエータ部分が付勢されて前記カラー凹部内に突出し、前記エアーバルブを閉鎖するために前記カラーが前記第二位置まで回転される時に前記アクチュエータ表面のテーパ部が前記エアーバルブのアクチュエータ部分と係合可能である、請求項１に記載の工具。
【請求項８】  前記エアーバルブのアクチュエータ部分が前記エアーバルブのバルブステム上に配置され、前記バルブステムは、前記エアーバルブのアクチュエータ部分が前記ハウジングから突出するようにスプリング部材により付勢される、請求項１に記載の工具。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月2日(2007.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体物質を保持したメソ孔を有する粒子であって、
当該粒子の平均粒径は、該メソ孔の平均孔径の１０倍以内であることを特徴とする粒子。
【請求項２】
当該粒子は、シリカで構成されている、請求項１に記載の粒子。
【請求項３】
前記生体物質は、特定の生体材料と結合を形成する生体物質である、請求項１又は２に記載の粒子。
【請求項４】
前記結合は、抗原抗体反応により形成する結合である、請求項３に記載の粒子。
【請求項５】
前記生体物質を前記メソ孔中に固定する材料をさらに有する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の粒子。
【請求項６】
検出物質を検出するためのセンサであって、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の粒子と、
該検出物質と、前記生体物質との間の結合を検出するための検出部と、
を備えたことを特徴とするセンサ。
【請求項７】
陽イオン性界面活性剤と、非イオン界面活性剤と、ミセルを膨潤させる物質とを含む液を調製する工程と、
該液中にシリカ源を添加して、該陽イオン性界面活性剤と、該非イオン界面活性剤と、該疎水性物質とを含むシリカメソ構造体を形成する工程と、
該陽イオン性界面活性剤と、該非イオン界面活性剤と、該疎水性物質とを除去して、該シリカメソ構造体にメソ孔を形成させる工程と、
該メソ孔内に、生体物質を付着させる工程とを含むことを特徴とする粒子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月31日(2007.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
このように、炉心タンク１，上部鉄水遮へい体６，下部鉄水遮へい体７および側部鉄水遮へい体８，カランドリア管２を含むカランドリアタンク５の解体および撤去作業に先行して圧力管３のみ簡易な装置を用いて下方に引き抜くことにより、圧力管３の切断作業，撤去作業と圧力管以外の原子炉本体２００の解体および撤去作業とを併行して行うことを可能とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図４〜図５は本発明になる圧力管の吊り降ろし方法を示す図であり、図７，図８は圧力管吊り降ろし後の圧力管の切断及び収納方法を示す図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
【図１】原子炉の概略構成および圧力管型原子炉の解体および撤去装置を示す構成図。
【図２】圧力管型原子炉本体の詳細を示す断面図。
【図３】原子炉本体を構成する圧力管を収納するカランドリア管からなる集合体の構成を示す図。
【図４】原子炉本体から圧力管を引き抜く第一の作業ステップを示す図。
【図５】吊り降ろし作業と、横倒し作業を行う第二の作業ステップを示す図。
【図６】第三の作業ステップを示す圧力管引き抜き後の原子炉本体の断面図。
【図７】圧力管の切断作業方法を示す図。
【図８】圧力管切断作業後の処分容器への収容作業状況を示す図。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
１…炉心タンク、２…カランドリア管、３…圧力管、５…カランドリアタンク、６…上部鉄水遮へい体、７…下部鉄水遮へい体、８…側部鉄水遮へい体、１１…上部支持フランジ部、１２…下部支持フランジ部、１３…上部鉄水スリーブ、１４…下部鉄水スリーブ、１５…カランドリアタンク上管板、１６…カランドリアタンク下管板、２１…原子炉建屋、２２…コンクリート壁、２４…第三の作業用台車、２６…第一の作業用台車、２８…第二の作業用台車、２９…建屋コンクリート床、３０…圧力管ハンドリング装置、３１…圧力管本体、３２…圧力管上部延長管、３３…圧力管下部延長管、４１…仮設タンク、４２…第一のワイヤ手段、４３…第二のワイヤ手段、４４…ワイヤ巻き取り機（ワイヤ巻き上げ装置）、４５…保管棚、４６…切断作業台、４７…切断装置、４８…処分容器、４９…第三のワイヤ手段、１００…圧力管型原子炉、２００…原子炉（圧力管型原子炉本体）本体、４００…集合体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月19日(2007.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
基板の上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の上に、フラーレンを含むバリア膜を形成する工程と、
前記バリア膜の上に液体を配した状態で、前記バリア膜を介して前記レジスト膜に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行なう工程と、
前記バリア膜を除去する工程と、
前記バリア膜を除去した後、パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なうことにより、前記レジスト膜からレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
基板の上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の上に、フラーレンを含むバリア膜を形成する工程と、
前記バリア膜の上に液体を配した状態で、前記バリア膜を介して前記レジスト膜に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行なう工程と、
パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なって、前記バリア膜を除去すると共に前記レジスト膜からレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記液体は、水又は酸性溶液であることを特徴とする請求項５又は６に記載のパターン形成方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記露光光は、ＫｒＦエキシマレーザ光、Ｘｅ2 レーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光、Ｆ2 レーザ光、ＫｒＡｒレーザ光又はＡｒ2 レーザ光であることを特徴とする請求項５又は６に記載のパターン形成方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
次に、図５（ｂ）に示すように、例えばスピン塗布法により、レジスト膜２の上に以下の組成を有するバリア膜形成用材料からバリア膜３を成膜する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明に係る第１のパターン形成方法は、基板の上にレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜の上にフラーレンを含むバリア膜を形成する工程と、バリア膜の上に液体を配した状態で、バリア膜を介してレジスト膜に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行なう工程と、バリア膜を除去する工程と、バリア膜を除去した後、パターン露光が行なわれたレジスト膜に対して現像を行なうことにより、レジスト膜からレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明に係る第２のパターン形成方法は、基板の上にレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜の上にフラーレンを含むバリア膜を形成する工程と、バリア膜の上に液体を配した状態で、バリア膜を介してレジスト膜に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行なう工程と、パターン露光が行なわれたレジスト膜に対して現像を行なって、バリア膜を除去すると共にレジスト膜からレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2006189612.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月25日(2007.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸気口を有する本体、この本体内に設けられた水タンク、この水タンクからの水を受ける水受部、この水受部の給水口を介して供給された水を加熱する蒸発皿、この蒸発皿内から発生する蒸気を案内する蒸気案内筒、前記吸気口から空気を取り込む送風ファン、この送風ファンから送られる空気を案内する空気案内筒、前記蒸気案内筒からの蒸気と前記空気案内筒からの空気を混合させる混合室及びこの混合室からの蒸気を外部に放出する吹出口を備えた加湿器において、
前記水受部の前記給水口に、通常運転時には開き、前記本体の転倒時には閉じる逆止弁機構を備え、
前記逆止弁機構は、上部が取り外し自在のフタで覆われた広口部と下部の狭口部を有する保持体と、
この保持体の狭口部内に設けられ、常時上方にバネで付勢される弁部と、
通常は自重により前記弁部を下方に押圧して前記弁部を開かせ、前記本体の転倒時には前記弁部から外れて前記弁部を閉じさせる球体と、
を備えたことを特徴とする加湿器。
【請求項２】
前記水タンクは落水口を開閉する止水弁を有するタンクキャップを備え、
前記逆止弁機構の前記フタの上面に、前記水タンクをセットしたときに、前記タンクキャップの前記止水弁を押し上げて前記止水弁を開く突起を設けたことを特徴とする請求項１記載の加湿器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る加湿器は、吸気口を有する本体、この本体内に設けられた水タンク、この水タンクからの水を受ける水受部、この水受部の給水口を介して供給された水を加熱する蒸発皿、この蒸発皿内から発生する蒸気を案内する蒸気案内筒、前記吸気口から空気を取り込む送風ファン、この送風ファンから送られる空気を案内する空気案内筒、前記蒸気案内筒からの蒸気と前記空気案内筒からの空気を混合させる混合室及びこの混合室からの蒸気を外部に放出する吹出口を備えた加湿器において、前記水受部の前記給水口に、通常運転時には開き、前記本体の転倒時には閉じる逆止弁機構を備え、前記逆止弁機構は、上部が取り外し自在のフタで覆われた広口部と下部の狭口部を有する保持体と、この保持体の狭口部内に設けられ、常時上方にバネで付勢される弁部と、通常は自重により前記弁部を下方に押圧して前記弁部を開かせ、前記本体の転倒時には前記弁部から外れて前記弁部を閉じさせる球体と、を備えたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、水受部の前記給水口に、通常運転時には開き、前記本体の転倒時には閉じる逆止弁機構を備え、逆止弁機構は、上部が取り外し自在のフタで覆われた広口部と下部の狭口部を有する保持体と、この保持体の狭口部内に設けられ、常時上方にバネで付勢される弁部と、通常は自重により前記弁部を下方に押圧して前記弁部を開かせ、本体の転倒時には弁部から外れて弁部を閉じさせる球体と、を備えたので、転倒時の機体外への熱湯の流出を防ぐことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月25日(2007.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料噴流と該燃料噴流の外周側を流れる空気流が形成されるように、気体燃料を燃焼室に噴出する複数の燃料ノズルと空気を該燃焼室に噴出する複数の空気孔とを配置し、
前記気体燃料と前記空気が燃焼室に噴出するように、複数の空気孔を有する盤状部材を前記燃焼室の壁面に配置し、
前記空気孔の流路面積は、前記燃料ノズルの燃料噴出孔の流路面積よりも大きく形成され、
該盤状部材の上流側の空気と前記燃料ノズルからの気体燃料とを前記空気孔の予混合流路で予混合した後に前記燃焼室で混合するように、
前記燃焼室の壁面より上流側であって前記空気孔の入口付近に、前記燃料ノズルの燃料噴出孔先端を前記空気孔の内部に突き出して配置することを特徴とする燃焼器。
【請求項２】
請求項１に記載の燃焼器において、
多数の該燃料ノズルを複数の燃料供給系統に分割し、ガスタービンの負荷によってそれぞれの燃料流量を独立に制御する制御装置を備えたことを特徴とする燃焼器。
【請求項３】
請求項１に記載の燃焼器において、
個々の空気孔または燃料ノズルにそれぞれの軸周りに旋回成分を付与する機構を付与したことを特徴とする燃焼器。
【請求項４】
請求項１に記載の燃焼器において、
該燃料ノズルの一部またはすべてを二重構造として液体燃料の噴霧と気体燃料を切り替えてまたは併用して使用できるようにしたことを特徴とする燃焼器。
【請求項５】
気体燃料を燃焼室に噴出する複数の燃料ノズルと空気を該燃焼室に噴出する複数の空気孔とを配置した燃焼器の運転方法であって、
前記燃焼室の壁面に配置された複数の空気孔を有する盤状部材を備え、
前記空気孔の流路面積は、前記燃料ノズルの燃料噴出孔の流路面積よりも大きく形成し、
前記燃焼室の壁面より上流側であって前記空気孔の入口付近に、前記燃料ノズルの燃料噴出孔先端を前記空気孔の内部に突き出して配置された前記燃料ノズルの先端から気体燃料を前記空気孔に向かって噴出し、燃料噴流と該燃料噴流の外周側を流れる空気流を前記空気孔の予混合流路で予混合させた後、
前記盤状部材から気体燃料と空気を燃焼室に噴出させて、前記燃焼室で混合させることを特徴とする燃焼器の運転方法。
【請求項６】
燃料と空気とが供給される燃焼室を備え、該燃料と該空気を複数の同軸噴流として前記燃焼室に供給するよう構成したことを特徴とする燃焼器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】燃焼器および燃焼器の運転方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の燃焼器は、燃料噴流と該燃料噴流の外周側を流れる空気流が形成されるように、気体燃料を燃焼室に噴出する複数の燃料ノズルと空気を該燃焼室に噴出する複数の空気孔とを配置し、前記気体燃料と前記空気が燃焼室に噴出するように、複数の空気孔を有する盤状部材を前記燃焼室の壁面に配置し、前記空気孔の流路面積は、前記燃料ノズルの燃料噴出孔の流路面積よりも大きく形成され、該盤状部材の上流側の空気と前記燃料ノズルからの気体燃料とを前記空気孔の予混合流路で予混合した後に前記燃焼室で混合するように、前記燃焼室の壁面より上流側であって前記空気孔の入口付近に、前記燃料ノズルの燃料噴出孔先端を前記空気孔の内部に突き出して配置することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
或いは、本発明の燃焼器の運転方法は、前記燃焼室の壁面に配置された複数の空気孔を有する盤状部材を備え、前記空気孔の流路面積は、前記燃料ノズルの燃料噴出孔の流路面積よりも大きく形成し、前記燃焼室の壁面より上流側であって前記空気孔の入口付近に、前記燃料ノズルの燃料噴出孔先端を前記空気孔の内部に突き出して配置された前記燃料ノズルの先端から気体燃料を前記空気孔に向かって噴出し、燃料噴流と該燃料噴流の外周側を流れる空気流を前記空気孔の予混合流路で予混合させた後、前記盤状部材から気体燃料と空気を燃焼室に噴出させて、前記燃焼室で混合させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月6日(2007.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
分岐器を列車が通過するときの安全性を確保するため、定期的に分岐器の機能検査が行われている。分岐器の機能検査は、分岐器の基本レールの側面と対向するトングレールに固定された止め金具の対向面との隙間の間隔を測定することにより行われている。従来、その隙間の間隔を測定するものとして、例えば厚さが０．１ｍｍ，０．２ｍｍ，０．３ｍｍ，０．５ｍｍ，０．７ｍｍ，０．８ｍｍ，１．０ｍｍのように、段階的に厚さの異なる複数のゲージを有し、各ゲージを様々に組合せて厚さを変えながら隙間に挿入し、測定を行うものがある（例えば、特許文献１参照）。例えば、０．５ｍｍ，０．３ｍｍ，０．１ｍｍのゲージを組み合わせて、隙間にぴったりと挿入された場合、隙間の間隔は０．９ｍｍであると測定できる。
【特許文献１】実開平４−５９４０３号公報
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月22日(2007.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  シンボル間干渉（ISI）除去を行う差動受信機回路であって、この回路は、差動入力信号を受信する為の差動入力、差動出力を提供する為の差動出力を有し、更にこの回路は、
第１の一対差動トランジスタと、
第２の一対差動トランジスタと、
第１の一対差動トランジスタと第２の一対差動トランジスタ間に配されて、差動入力信号と差動出力信号との間にハイパス「シェルフ」フィルタ変換機能をもたらすフィルタ回路網と、
を有する差動受信機回路。
【請求項２】  請求項１記載の差動受信機回路であって、同じ論理レベルを持つ入力信号の長いランのディジタル状態（低周波数）が差動入力に受信されたとき、差動受信回路の利得を減少することにより、フィルタ回路網の変換機能が、シンボル間干渉（ISI）を緩和する差動受信機回路。
【請求項３】  請求項１または２記載の差動受信機回路であって、前記入力信号の状態変換エッジ（高周波数）が差動入力に受信されたとき、フィルタ回路網の変換機能が差動受信回路の利得を増加する差動受信機回路。
【請求項４】  請求項１、２または３記載の差動受信機回路であって、ブレーク周波数は、フィルタ回路網のRC時定数によって決められる差動受信機回路。
【請求項５】  請求項１、２、３または４記載の差動受信機回路であって、第１の一対差動トランジスタの各々は１つのサイズを有し、フィルタ回路網は抵抗を有し、入力デバイスサイズとフィルタ回路網の抵抗比との比は、差動受信機回路によって提供される最大と最小の利得の差を決定する、差動受信機回路。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月13日(2007.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  低ビットレートのアプリケーション用のＡＴＭセルを生成するための方法であって、複数の低ビットレート接続を同じＡＴＭ接続に多重化するステップを含み、
前記低ビットレート接続の少なくとも１つからの使用できるデータがある限り、対応するＡＴＭ接続のために取り決められたセルレートに従って、ＡＴＭセル伝送時点の間隔が空けられるように、ＡＴＭセル伝送時点をスケジュールするステップを有することを特徴とする方法。
【請求項２】  前記セルレートが、ＤＢＲすなわち決定性ビットレートタイプ、またはＣＢＲすなわち固定ビットレートタイプのサービスカテゴリーの場合には、ピークセルレートＰＣＲである請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記セルレートが、ＡＢＴすなわちＡＴＭブロック転送タイプのサービスカテゴリーの場合には、ブロックセルレートＢＣＲである請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記セルレートが、ＡＢＲ、すなわち利用可能ビットレートタイプのサービスカテゴリーの場合には、許容セルレートＡＣＲである請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記セルレートが再び取り決められる請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】  前記低ビットレート接続のいずれからも使用できるデータがないときにはＡＴＭセルを送らない方法であって、かつ前記低ビットレート接続のうち少なくとも１つからの次のデータの使用可能性に配慮して前記スケジュールするステップを参照する他のステップを含む請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】  前記低ビットレート接続が異なる優先順位を割り当てられ、前記多重化ステップが同じ優先順位の低ビットレート接続を多重化するための優先順位内多重化と、異なる優先順位の低ビットレートの接続を多重化するための優先順位間多重化と、を含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】  前記優先順位内多重化と前記優先順位間多重化の両方がＡＴＭアダプテーション層レベルにおいて行われる請求項７に記載の方法。
【請求項９】  前記優先順位内多重化がＡＴＭアダプテーション層レベルにおいて行われ、前記優先順位間多重化がＡＴＭ層レベルにおいて行われる請求項７に記載の方法。
【請求項１０】  低ビットレートのアプリケーション用のＡＴＭセルを生成するための装置であって、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法を実行する手段を含む装置。
【請求項１１】  基地局コントローラへの伝送のために、複数の発生源からの低ビットレートのトラフィックを、同じＡＴＭ接続に多重化するための請求項１０に記載の装置を含む移動無線通信ネットワーク用の基地局。
【請求項１２】  基地局への伝送のために、複数の発生源からの低ビットレートのトラフィックを、同じＡＴＭ接続に多重化するための請求項１０に記載の装置を含む移動無線通信ネットワーク用の基地局コントローラ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月26日(2007.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数チャネルのクロック及びデータ回復システムにおいて、
Ｎ個のデータチャネルを並列に受け取るためのＮ個の位相ロックループ回路であって、該Ｎ個の位相ロックループ回路の各々は、ディジタル位相検出器と２入力ＶＣＯとを含み、該２入力のうちの一方のＶＣＯ入力は、ＶＣＯの中心周波数を設定するためのアナログ入力であり、他方のＶＣＯ入力は、前記中心周波数をトグルするための、前記ディジタル位相検出器の各々からのディジタル入力であり、前記ディジタル位相検出器の各々は、各到来データチャネルの位相を前記ＶＣＯの各々の出力の位相と比較することからなる、Ｎ個の位相ロックループ回路と、
前記Ｎ個の位相ロックループ回路のうちの第１の位相ロックループ回路であって、単一コンデンサを有する積分器を更に含み、該積分器は、第１の位相検出器の出力と各第１のＶＣＯのアナログ入力との間に接続されており、前記第１の位相検出器の出力は、前記積分器に入力され、前記積分器の出力がまた、その他の複数のＶＣＯの残りのアナログ入力にも入力されており、これにより、残りの位相ロックループ回路が、前記第１の位相ロックループ回路に従属することとなることからなる、第１の位相ロックループ回路
とを備える、システム。
【請求項２】
複数チャネルのクロック及びデータ回復システムにおいて、
Ｎ個のデータチャネルを並列に受け取るためのＮ個の位相ロックループ回路であって、該Ｎ個の位相ロックループ回路の各々は、ディジタル位相検出器と２入力ＶＣＯとを含み、該２入力のうちの一方のＶＣＯ入力は、ＶＣＯの中心周波数を設定するためのアナログ入力であり、他方のＶＣＯ入力は、前記中心周波数をトグルするための、前記ディジタル位相検出器の各々からのディジタル入力であり、前記ディジタル位相検出器の各々は、各到来データチャネルの位相を前記ＶＣＯの各々の出力の位相と比較することからなる、Ｎ個の位相ロックループ回路と、
基準位相ロックループ回路であって、反復する基準クロックの位相を検出するための周波数／位相検出器と、２入力基準ＶＣＯと、単一コンデンサを有する積分器とを含み、該積分器は、前記基準位相検出器の出力と前記２入力基準ＶＣＯのアナログ入力との間に接続されており、前記基準位相検出器の出力は、前記積分器に入力され、前記積分器の出力がまた、その他のＮ個のＶＣＯの残りのアナログ入力にも入力されており、これにより、残りの位相ロックループ回路が、前記基準位相ロックループ回路に従属することととなることからなる、基準位相ロックループ回路
とを備える、システム。
【請求項３】
前記２入力基準ＶＣＯの出力と前記基準位相検出器との間に接続された分割器回路であって、前記基準クロックの周波数を分割するための、分割器回路を備える、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
複数チャネルのクロック及びデータ回復システムにおいて、
Ｎ個のデータチャネルを並列に受け取るためのＮ個の位相ロックループ受信器回路であって、該Ｎ個の位相ロックループ受信器回路の各々は、ディジタル位相検出器と２入力ＶＣＯとを含み、該２入力のうちの一方のＶＣＯ入力は、ＶＣＯの中心周波数を設定するためのアナログ入力であり、他方のＶＣＯ入力は、中心周波数をトグルするための、前記ディジタル位相検出器の各々からのディジタル入力であり、前記ディジタル位相検出器の各々は、各到来データチャネルの位相を前記ＶＣＯの各々の出力の位相と比較することからなる、Ｎ個の位相ロックループ受信器回路と、
基準位相ロックループ回路であって、反復する基準クロックの位相を検出するための周波数／位相検出器と、２入力基準ＶＣＯと、単一コンデンサを有する積分器とを含み、該積分器は、前記基準位相検出器の出力と前記２入力基準ＶＣＯのアナログ入力との間に接続されており、前記基準位相検出器の出力は、前記積分器に入力され、前記積分器の出力がまた、その他のＮ個のＶＣＯの残りのアナログ入力にも入力されており、これにより、残りの位相ロックループ受信器回路が、前記基準位相ロックループ回路に従属することとなることからなる、基準位相ロックループ回路と、
前記基準位相ロックループ回路に従属するＮ個の送信器位相ロックループ回路
とを備える、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月2日(2007.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】予め決められたインターリービング処理によってインターリーブされたデータビットのマトリクスにおけるデータビットのレートを、該マトリクスから導き出された冗長なデータビットの削除またはデータビットの反復により、所望のデータビットのレートに整合させる方法であって、
前記データビットのインターリーブされていないマトリクスにおいて、前記所望のデータレートを提供するために削除または反復されるべきビットのパターンを求めるステップと、
インターリービング処理とは反対の方法で、前記パターンのそれぞれのビットのアドレスを復号し、インターリーブされたデータビットのマトリクスのビットのそれぞれのアドレスを生成するステップと、
前記それぞれのアドレスに従って、前記インターリーブされたデータビットのそれぞれのビットを削除または反復するステップと、
を含むデータビット・レートを所望のデータビット・レートにマッチングさせる方法。
【請求項２】前記アドレスの復号化が、前記データビットのインターリーブされていないマトリクスからインターリーブされたデータビットを生成するアドレスの符号化と同じ方法で実行される請求項１に記載のデータビット・レートを所望のデータビット・レートにマッチングさせる方法。
【請求項３】前記削除または反復されるべきビットのパターンが、削除または反復されるべきビット数およびマトリクスの列インデックスに依存する請求項１または請求項２に記載のデータビット・レートを所望のデータビット・レートにマッチングさせる方法。
【請求項４】前記インターリービング処理が、Ｎｒ個の行およびＮｃ個の列のマトリクスの行および列の並べ替えを含み、該並べ替えにおいて、インターリーブされるべきデータビットが、以下の式（１）に従って行ごとに表され、
【数１】
行並べ替え      Ｉｒ(ｋ)＝[αｒｋ＋ｆｃ(ｌ)]modＮｒ
列並べ替え      Ｉｃ(ｌ)＝[αｃｌ＋ｆｒ(ｋ)]modＮｃ
式（１）
ここでＩｒ(ｋ)は行インデックスｋのデータビットを表し、ｋは１〜Ｎｒの整数であり、αｒは整数であり、ｆｃ(ｌ)は列インデックスｌのゼロでない関数であり、ｌは１〜Ｎｃの整数であり、Ｉｃ(ｌ)は列インデックスｌのデータビットを表し、αｃは整数であり、ｆｒ(ｋ)はゼロまたは行インデックスｋの関数であり、modＮｒおよびmodＮｃはモジュロＮｒおよびモジュロＮｃ算術をそれぞれ表しており、
インターリーブされたデータビットが列ごとにマトリクスから導き出される請求項１から請求項３のいずれかに記載のデータビット・レートを所望のデータビット・レートにマッチングさせる方法。
【請求項５】前記ｆｃ(ｌ)が、ｆｃ(ｌ)＝ｍｌ＋[Ｎｒ＋１]mod２であり、ｍは整数である請求項４に記載のデータビット・レートを所望のデータビット・レートにマッチングさせる方法。
【請求項６】前記ｍが、およそＮｒ/Ｎｃに等しい請求項５に記載のデータビット・レートを所望のデータビット・レートにマッチングさせる方法。
【請求項７】前記ｆｒ(ｋ)が、ｆｒ(ｋ)＝２ｋ＋[Ｎｃ＋１]mod２である請求項４から請求項６に記載のデータビット・レートを所望のデータビット・レートにマッチングさせる方法。
【請求項８】前記αｒが、Ｎｒ/log２(log２(Ｎｒ))より小さい最大素数である請求項４から請求項７に記載のデータビット・レートを所望のデータビット・レートにマッチングさせる方法。
【請求項９】請求項１から請求項８のいずれかに記載の方法を実行するよう構成されたレートマッチング装置。
【請求項１０】Ｎｒ個の行およびＮｃ個の列のマトリクスの行および列を並べ替えることを含むデータビットをインターリーブする方法であって、インターリーブされるべきデータビットは、以下の式（２）に従って行ごとに表され、
【数２】
行並べ替え      Ｉｒ(ｋ)＝[αｒｋ＋ｆｃ(ｌ)]modＮｒ
列並べ替え      Ｉｃ(ｌ)＝[αｃｌ＋ｆｒ(ｋ)]modＮｃ
式（２）
ここで、Ｉｒ(ｋ)は行インデックスｋのデータビットを表し、ｋは１〜Ｎｒの整数であり、αｒは整数であり、ｆｃ(ｌ)は列インデックスｌのゼロでない関数であり、ｌは１〜Ｎｃの整数であり、Ｉｃ(ｌ)は列インデックスｌのデータビットを表し、αｃは整数であり、ｆｒ(ｋ)はゼロまたは行インデックスｋの関数であり、modＮｒおよびmodＮｃはモジュロＮｒおよびモジュロＮｃ算術をそれぞれ表しており、
インターリーブされたデータビットが列ごとにマトリクスから導き出されるデータビットをインターリーブする方法。
【請求項１１】前記ｍが、およそＮｒ/Ｎｃに等しい請求項１０に記載のデータビットをインターリーブする方法。
【請求項１２】前記αｒが、Ｎｒ/log２(log２(Ｎｒ))より小さい最大素数である請求項１０または請求項１１に記載のデータビットをインターリーブする方法。
【請求項１３】請求項１０、１１または１２に記載の方法を実行するよう構成されたデータ・インターリーバ。
【請求項１４】符号化されたデータビットを削除することにより、並列連接畳み込み符号化されたデータをインターリーブしてレートマッチングする方法であって、該符号化されたデータは、組織ビットおよびパリティビットを有しており、
前記パリティビットとは別個に組織ビットをインターリーブするステップと、
前記インターリーブされたパリティビットからパリティビットを削除してレートマッチングを提供するステップと、
を含む並列連接畳み込み符号化されたデータをインターリーブしてレートマッチングする方法。
【請求項１５】符号化されたデータビットを削除することにより、並列連接畳み込み符号化されたデータをインターリーブしてレートマッチングする方法であって、該符号化されたデータは、組織ビットおよびパリティビットを有しており、
前記組織ビットとは別個にパリティビットをインターリーブするステップと、前記インターリーブされた組織ビットの組織ビットの任意の反復より大きい反復ファクターで、前記インターリーブされたパリティビットのパリティビットを反復し、レートマッチングを提供するステップと、
を含む並列連接畳み込み符号化されたデータをインターリーブしてレートマッチングする方法。
【請求項１６】請求項１４または１５に記載された方法を実行するよう構成された符号化インターリービングおよびレートマッチング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【数３】
行並べ替え      Ｉｒ(ｋ)＝[αｒｋ＋ｆｃ(ｌ)]modＮｒ
列並べ替え      Ｉｃ(ｌ)＝[αｃｌ＋ｆｒ(ｋ)]modＮｃ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【数４】
行並べ替え      Ｉｒ(ｋ)＝[αｒｋ＋ｆｃ(ｌ)]modＮｒ
列並べ替え      Ｉｃ(ｌ)＝[αｃｌ＋ｆｒ(ｋ)]modＮｃ
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月5日(2007.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機フィラーおよび熱硬化性樹脂組成物を含有する絶縁体層と、前記絶縁体層の表面に形成されたリードと、前記リードの前記絶縁体層側の面に実装された少なくとも１つの半導体チップと、前記絶縁体層の裏面に形成されたヒートシンクとを備え、前記半導体チップが、フリップチップボンディングにより前記リードに実装されており、且つ、前記絶縁体層内に封止されているパワーモジュール。
【請求項２】
前記半導体チップが、前記リード側の面に形成された第１の電極と、前記ヒートシンク側の面に形成された第２の電極とを有しており、前記第１の電極がフリップチップボンディングにより前記リードと接続されており、前記第２の電極が、前記絶縁体層内に配置された内部リードを介して、前記リードと接続されている請求項１に記載のパワーモジュール。
【請求項３】
前記絶縁体層において、前記無機フィラーの割合が７０〜９５重量％であり、前記熱硬化性樹脂組成物の割合が５〜３０重量％である請求項１または２に記載のパワーモジュール。
【請求項４】
前記リードの前記半導体チップが実装された面とは反対の面に、電子部品が実装されている請求項１〜３のいずれかに記載のパワーモジュール。
【請求項５】
前記リードが、少なくともその一部を前記絶縁体層表面に露出させた状態で、前記絶縁体層に埋め込まれている請求項１〜４のいずれかに記載のパワーモジュール。
【請求項６】
配線層と基板層とが積層してなる回路基板が、少なくとも一つの前記配線層を前記絶縁体層表面に露出させた状態で、前記絶縁体層に埋め込まれている請求項１〜５のいずれかに記載のパワーモジュール。
【請求項７】
前記熱硬化性樹脂組成物が、熱硬化性樹脂、硬化剤および硬化促進剤を含有し、熱硬化性樹脂の割合が５０〜９５重量％であり、硬化剤の割合が４．９〜４５重量％であり、硬化促進剤の割合が０．１〜５重量％である請求項１〜６のいずれかに記載のパワーモジュール。
【請求項８】
前記熱硬化性樹脂組成物が、エポキシ樹脂と、ノボラック樹脂と、イミダゾールとを含有し、エポキシ樹脂の割合が６０〜８０重量％であり、ノボラック樹脂の割合が１８〜３９．９重量％であり、イミダゾールの割合が０．１〜２重量％である請求項１〜７のいずれかに記載のパワーモジュール。
【請求項９】
前記無機フィラーが、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＢＮおよびＡｌＮからなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項１〜８のいずれかに記載のパワーモジュール。
【請求項１０】
前記無機フィラーの平均粒子径が、０．１〜１００μｍの範囲である請求項１〜９のいずれかに記載のパワーモジュール。
【請求項１１】
前記ヒートシンクの前記絶縁体層側の面が、粗面化されている請求項１〜１０のいずれかに記載のパワーモジュール。
【請求項１２】
離型キャリア上にリードを形成する工程と、前記リード上に半導体チップをフリップチップボンディングにより実装する工程と、前記離型キャリア上に、無機フィラーおよび熱硬化性樹脂組成物を含有する未硬化状態の絶縁体層を、前記リードおよび前記半導体チップを被覆するように形成する工程と、前記未硬化状態の絶縁体層上にヒートシンクを積層して積層体を形成する工程と、前記積層体を加熱して前記絶縁体層を硬化させる工程と、前記離型キャリアを剥離する工程とを含むことを特徴とするパワーモジュールの製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁体層を形成する工程が、前記無機フィラーおよび前記熱硬化性樹脂組成物を含有するペーストを、前記離型キャリア上に塗布する工程である請求項１２に記載のパワーモジュールの製造方法。
【請求項１４】
前記ペーストの塗布が、スクリーン印刷またはメタルマスク印刷によって実施される請求項１２または１３に記載のパワーモジュールの製造方法。
【請求項１５】
前記絶縁体層を形成する工程が、前記無機フィラーおよび前記熱硬化性樹脂組成物を含有し、且つ、未硬化状態で可撓性を有するシートを、前記離型キャリア上に積層する工程である請求項１２に記載のパワーモジュールの製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁体層を形成する工程を実施する間、または、前記絶縁体層を形成する工程を実施した後であって前記絶縁体層を硬化させる工程の前に、前記離型キャリア上に形成された形成物を真空中に曝す請求項１２〜１５のいずれかに記載のパワーモジュールの製造方法。
【請求項１７】
前記離型キャリアを剥離する工程の後、前記リードの前記絶縁体層側とは反対の面に、電子部品を実装する工程を含む請求項１２〜１６のいずれかに記載のパワーモジュールの製造方法。
【請求項１８】
前記離型キャリア上に前記リードを形成した後、配線層と基板層とが積層してなる回路基板を前記離型キャリア上に配置し、前記絶縁体層を、前記回路基板を被覆するように形成する請求項１２〜１７のいずれかに記載のパワーモジュールの製造方法。
【請求項１９】
前記絶縁体層を形成する工程の前に、前記リードの前記絶縁体層と接する面に、ニッケル、錫、半田および金から選ばれる少なくとも１種の金属メッキ層を形成する請求項１２〜１８のいずれかに記載のパワーモジュールの製造方法。
【請求項２０】
前記絶縁体層を形成する工程の前に、前記リードの前記絶縁体層と接する面を粗面化する請求項１２〜１９のいずれかに記載のパワーモジュールの製造方法。
【請求項２１】
前記絶縁体層上に前記ヒートシンクを積層する工程の前に、前記ヒートシンクの前記絶縁体層と接する面を粗面化する請求項１２〜２０のいずれかに記載のパワーモジュールの製造方法。
【請求項２２】
前記離型キャリアが、ポリフェニレンオキサイド、ポリイミド、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレートおよびアラミドからなる群より選ばれる少なくとも１種の有機フィルムである請求項１２〜２１のいずれかに記載のパワーモジュールの製造方法。
【請求項２３】
前記離型キャリアが、銅箔、ニッケル箔およびアルミニウム箔からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属箔である１２〜２１のいずれかに記載のパワーモジュールの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月2日(2007.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】基板上に、ｎ型窒化物半導体層と、活性層と、ｐ型窒化物半導体層とを有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記活性層を挟み込むようにｎ側光ガイド層とｐ側光ガイド層とを設けて導波路を形成し、該導波路を挟み込むようにｎ側クラッド層とｐ側クラッド層とを設け、
ｐ側光ガイド層にストライプ状の突出部が設けられることでストライプ状の導波路領域を有し、
前記ｐ側光ガイド層が、ｎ側光ガイド層の膜厚より厚いことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】前記ｐ側光ガイド層の突出部の膜厚が１μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】前記ｐ側光ガイド層の突出部が、ｐ型窒化物半導体層側からエッチングすることにより形成され、該エッチング深さが０．７μｍ以内であることを特徴とする請求項１又は２記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】前記ｐ側光ガイド層において、突出部の高さが１００Å以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】前記突出部のストライプ幅が、１μｍ以上３μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】前記ｐ側光ガイド層は、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】前記活性層とｐ側光ガイド層の間に、ｐ型不純物をドープしたＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）からなるｐ側キャップ層を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】前記ｐ側クラッド層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）を含む超格子構造であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項９】前記活性層は、単一量子井戸構造であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、本発明の窒化物半導体レーザ素子は、基板上に、ｎ型窒化物半導体層と、活性層と、ｐ型窒化物半導体層とを有する窒化物半導体レーザ素子において、前記活性層を挟み込むようにｎ側光ガイド層とｐ側光ガイド層とを設けて導波路を形成し、該導波路を挟み込むようにｎ側クラッド層とｐ側クラッド層とを設け、ｐ側光ガイド層にストライプ状の突出部が設けられることでストライプ状の導波路領域を有し、前記ｐ側光ガイド層が、ｎ側光ガイド層の膜厚より厚いことを特徴とする。このことにより、閾値電流を上昇させることなく、良好な光閉込め効果を実現し、リップルを減少させる。また、製造においては、エッチングによりストライプ状の導波路などを形成する際に、ｐ側光ガイド層の位置までをエッチング深さとする場合には、従来に比べて、エッチング精度が増すため好ましい。