【手続補正書】
【提出日】平成19年4月16日(2007.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】誘導加熱炉および半導体製造装置【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】  誘導コイルの導体自体の内部に水冷配管を施し、前記誘導コイルの内周面に絶縁材により構成したボートを備え、該ボートの一方の開口端より連続的に加熱対象の材料が供給され、前記ボート内で該材料が前記誘導コイルに供給される高周波電流に基づくエネルギーにより加熱され、前記ボートの他方の開口端より流出するようにしたことを特徴とする誘導加熱炉。    【請求項２】  真空チャンバー内に、半導体原料を溶融するボートを備えた誘導加熱炉と、前記誘導加熱炉により溶融された半導体材料を所定の温度に保持しつつ薄膜状に流動させる浅底の複数段の精錬トレイと、最下段の前記精錬トレイの下方に半導体の結晶を製造する結晶製造装置を設けたことを特徴とする半導体製造装置。【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】    【発明の属する技術分野】  本発明は、固体材料等を連続的に投入し、これを高周波誘導加熱により高温に加熱して、連続的に取り出すことができる誘導加熱炉、およびこの誘導加熱炉を用いた半導体製造装置に関するものである。【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】  本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、連続的な加熱処理を行うことができる誘導加熱炉、および半導体製造装置を提供することを目的とする。【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】    【課題を解決するための手段】  このような従来技術における問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、誘導コイルの導体自体の内部に水冷配管を施し、前記誘導コイルの内周面に絶縁材により構成したボートを備え、該ボートの一方の開口端より連続的に加熱対象の材料が供給され、前記ボート内で該材料が前記誘導コイルに供給される高周波電流に基づくエネルギーにより加熱され、前記ボートの他方の開口端より流出するようにしたことを特徴とする誘導加熱炉である。【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】  また、請求項２に記載の発明は、真空チャンバー内に、半導体原料を溶融するボートを備えた誘導加熱炉と、前記誘導加熱炉により溶融された半導体材料を所定の温度に保持しつつ薄膜状に流動させる浅底の複数段の精錬トレイと、最下段の前記精錬トレイの下方に半導体の結晶を製造する結晶製造装置を設けたことを特徴とする半導体製造装置である。【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】  次に、この誘導加熱炉を用いた半導体製造装置の一例について図２を参照して説明する。  本発明に係る半導体製造装置１は、真空チャンバー２内に納められた誘導加熱炉３、精錬トレイ４、結晶製造装置５から基本的に構成されるものである。この真空チャンバー２は、図示しない排気装置によって内部が真空状態とされ、該真空チャンバー２における蒸気圧と温度との関係により半導体内部の不純物が抽出除去される。【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】  真空チャンバー２の上部には、開閉蓋を備えた投入口が設けられており、上記誘導加熱炉３と投入口との間には傾斜板６が設けられる。  また、誘導加熱炉３の下方には、６個の精錬トレイ４ａ〜４ｆが上下に並置されており、この最下段の精錬トレイ４ｆの下方には結晶製造装置５が配置されている。【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】 結晶製造装置５は、半導体の単結晶等を製造するもので、図２に示すように、コールドクルーシブル５１と断熱材５２により覆われるるつぼ５３、該るつぼ５３の外部に配置された高周波コイル５４とから基本的に構成される。るつぼ５３には、図示しない結晶引き上げ装置が備えられ、シリコンの単結晶等が連続的に引き上げられる。【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】  以下、本発明の半導体製造装置１を用いて半導体を製造する工程について説明する。  まず、真空チャンバー２内を真空状態（１．３３×１０−２Ｐａ程度）にまで減圧する。投入口に取り付けられた開閉蓋を開け、未精製のシリコン原料を真空チャンバー２内に投入する。投入されたシリコン原料は、傾斜板６を滑って誘導加熱炉３のボート３３内に落下する。誘導加熱炉３のコイル３１に電流を流し、このコイル３１の誘導作用によりまずカーボングラファイトが加熱され、更に投入されたシリコン原料が加熱される。【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】  そして、最下段の精錬トレイ４ｆに落下したシリコンは、最下段の精錬トレイ４ｆに設けられた注入口４６から単結晶製造装置５のるつぼ５３に落下する。  このように、精錬トレイ４ａ〜４ｆを上下に並置したことにより、半導体精錬装置全体をコンパクトにすることができ、また精錬トレイにおける精錬処理を長時間行うことができる。【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】  次に、結晶製造装置５においてシリコンの単結晶等を製造する工程について説明する。 結晶製造装置５のるつぼ５３の外部に設置されたコイル５４には高周波電流が流されており、誘導加熱によりコールドクルーシブル５１が発熱され、るつぼ５３内の温度が１５００〜１６００℃に保たれている。そして、図示しないが種結晶を用いた結晶の引上装置を備えている。【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】  また、本発明の半導体製造装置によれば、固体状のシリコン片からこれを溶融、精錬、引き上げによる結晶成長を一貫して連続的に行うことが可能となる。【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】    【図１】  本発明の実施形態における誘導加熱炉の要部縦断面図である。    【図２】  本発明の実施形態における熱処理装置の一例を示す図である。    【符号の説明】  １    半導体製造装置  ２    真空チャンバー  ３    誘導加熱炉  ４ａ〜４ｆ    精錬トレイ  ５    結晶製造装置３１    誘導コイル３３    ボート【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】2001324276.tif 000001
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】2001324276.tif 000002