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【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に被封止デバイスが形成された半導体チップと、
前記半導体チップの表面に接着され、前記被封止デバイスを、前記半導体チップとそれとの間の空間で形成されるキャビティ内に封止する封止キャップと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記封止キャップが、ガラス、シリコン、セラミック、もしくは樹脂のいずれかから成ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記封止キャップが、前記半導体チップと向き合うように凹部を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記被封止デバイスが、ＭＥＭＳデバイスであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記被封止デバイスがＣＣＤであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体チップ表面における前記キャビティ外の領域には、前記ＣＣＤを制御する論理回路が形成され、この領域に前記封止キャップの凸部が接着されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記キャビティ内は、真空であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記キャビティ内には、不活性ガスが充填されたことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記封止キャップの内側には、特定の波長の光を遮断または透過するフィルター機能を有した金属薄膜が形成されたことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の
半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体チップに貫通されたビアホールに形成された埋め込み電極と、
前記埋め込み電極と前記被封止デバイスとを接続する配線と、を具備したことを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１１】
表面に被封止デバイスが形成され、スクライブラインによって区画された半導体チップを複数配置して成る半導体ウェハと、凹部が形成された封止キャップを複数配置して成るキャップ・アレイ・ウェハと、を準備し、
前記キャップ・アレイ・ウェハと前記半導体ウェハ表面とを接着させることにより、前記キャップ・アレイ・ウェハの凹部と前記半導体ウェハ表面との間の空間でキャビティを形成すると共に、このキャビティ内に前記被封止デバイスを封止する工程と、
スクライブラインに沿って前記半導体ウェハ及び前記キャップ・アレイ・ウェハを切断することにより、個々のパッケージに分割する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記キャビティ内を真空状態にすることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記キャビティ内に不活性ガスを充填することを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記キャップ・アレイ・ウェハの凹部の内面には、特定の波長の光を遮断または透過するフィルター機能を有した金属薄膜を形成したことを特徴とする請求項１１乃至請求項１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記半導体ウェハにビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールに埋め込み電極を形成する工程と、
前記埋め込み電極と前記被封止デバイスとを接続する配線を形成する工程と、を具備したことを特徴とする請求項１１乃至請求項１４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記キャップ・アレイ・ウェハと前記半導体ウェハの表面とを接着する工程の後に、
前記半導体ウェハをバックグラインドする工程を具備したことを特徴とする請求項１１乃至請求項１５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記キャップ・アレイ・ウェハと前記半導体ウェハの表面とを接着する工程の後に、
前記キャップ・アレイ・ウェハをバックグラインドする工程を具備したことを特徴とする請求項１１乃至請求項１５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記キャップ・アレイ・ウェハと前記半導体ウェハの表面とを接着する工程の後に、
前記半導体ウェハと前記キャップ・アレイ・ウェハの両者をバックグラインドする工程を具備したことを特徴とする請求項１１乃至請求項１７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の半導体装置は、上述の課題に鑑みて為されたものであり、表面に被封止デバイスが形成された半導体チップに封止キャップを接着し、半導体チップと封止キャップの間の空間によって形成されるキャビティ内に被封止デバイスを封止したものである。ここで、被封止デバイスは、ＭＥＭＳデバイス、ＣＣＤ等の電子デバイスもしくは微小な機械的デバイス等である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスパッケージであって、
デバイスパッケージの設置面積を画定する底面と、少なくとも１個のデバイス設置箇所を有する上面とを有する伝導性基板と、
前記伝導性基板の上面と隣接する側に第１面を有する絶縁基板であって、前記絶縁基板の、前記第１面と対向する第２面と前記少なくとも１個のデバイス設置箇所との間でアクセスを可能とするための少なくとも１個のアパーチャを有し、また、前記少なくとも１個のアパーチャと前記絶縁基板の周囲に配置された１個または複数の接触箇所とを接続する１個または複数の信号経路を前記第２面に有する、絶縁基板と、
一連の導電性タブであって、当該の導電性タブの各々が前記１個または複数の接触箇所のうちの、対応する接触箇所に結合される、導電性タブと、
を具備することを特徴とするデバイスパッケージ。
【請求項２】
前記少なくとも１個のデバイス設置箇所に実装された少なくとも１個の光デバイスをさらに具備することを特徴とする、請求項１に記載のデバイスパッケージ。
【請求項３】
前記少なくとも１個の光デバイスが、ＬＥＤ、光検出器およびレーザダイオードのうち、少なくともいずれかを備えることを特徴とする、請求項２に記載のデバイスパッケージ。
【請求項４】
前記絶縁基板の前記第２面において前記少なくとも１個のアパーチャを被覆する、封止材料をさらに含むことを特徴とする、請求項３に記載のデバイスパッケージ。
【請求項５】
前記導電性タブが、前記伝導性基板の外周部周囲に配置されたガルウィング形状のものであることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一つに記載のデバイスパッケージ。
【請求項６】
前記導電性タブが、前記伝導性基板を貫通するポストであることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一つに記載のデバイスパッケージ。
【請求項７】
前記一連の導電性タブのうちの１個または複数が、前記伝導性基板に接地されることを特徴とする、請求項１又は２に記載のデバイスパッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月11日(2007.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、かつ、印加磁界がないときに好適な方向に固定された磁化方向を有する強磁性固定層と、
前記強磁性固定層と接触した非磁性金属導電性スペーサ層と、
前記非磁性金属導電性スペーサ層と接触し、かつ、前記強磁性固定層の前記磁化方向に対して自由に回転する磁化方向を有する強磁性自由層と、を有し、
前記強磁性固定層および前記強磁性自由層の少なくとも一方は、
反強磁性的に結合された第１の強磁性膜および第２の強磁性膜と、
前記第１の強磁性膜および第２の強磁性膜の間で接触するように配置された反強磁性
結合膜と、を有し、
前記反強磁性結合膜は、前記第１の強磁性膜および第２の強磁性膜がそれらの磁気モーメントが反平行を向いた状態で結合するのに十分な膜厚を有し、
前記反強磁性結合膜は、本質的にＲｕおよびＦｅからなる材料から形成され、かつ、Ｒｕ１００−ｘＦｅｘの組成を有し、ｘは、約１０原子パーセントと約６０原子パーセントの間にあることを特徴とする磁気抵抗効果スピン・バルブ・センサ。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に形成され、かつ、印加磁界がないときに好適な方向に固定された磁化方向を有する強磁性固定層と、
前記強磁性固定層と接触したトンネル・バリア絶縁層と、
前記強磁性固定層の前記磁化方向に対して自由に回転する磁化方向を有し、かつ、前記トンネル・バリア絶縁層と接触した強磁性検知層と、を有し、
前記強磁性固定層および強磁性検知層の少なくとも一方は、
反強磁性的に結合された第１の強磁性膜および第２の強磁性膜と、
前記第１の強磁性膜および第２の強磁性膜の間で接触するように配置された反強磁性
結合膜と、を有し、
前記反強磁性結合膜は、前記第１の強磁性膜および第２の強磁性膜がそれらの磁気モーメントが反平行を向いた状態で結合するのに十分な膜厚を有し、
前記反強磁性結合膜は、本質的にＲｕおよびＦｅからなる材料から形成され、かつ、Ｒｕ１００−ｘＦｅｘの組成を有し、ｘは、約１０原子パーセントと約６０原子パーセントの間にあることを特徴とする磁気トンネル接合装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月21日(2006.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅を主成分とする配線層に連絡され、外部と電気的に連絡する外部連絡パッド部を備えた半導体装置であって、
前記配線層はＳｉＯよりも低い誘電率の第１の層間絶縁膜の上に形成され、
前記配線層の上に第２の層間絶縁膜が形成され、前記外部連絡パッド部は前記第２の層間絶縁膜の上に形成され、
前記外部連絡パット部は、外部に電気的に連絡するボンディングワイヤを接合する第３の層と、前記第３の層の前記ボンディングワイヤが接合される領域の下で積層する第１の層と、前記第１の層の上に形成される第２の層と、を備え、
前記第２の層は前記第１の層より弾性係数が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第１の層は前記第２の層より厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
銅を主成分とする配線層に連絡する外部と電気的に連絡するボンディングパッド部を備えた半導体装置であって、
前記配線層はＳｉＯよりも低い誘電率の第１の層間絶縁膜の上に形成され、
前記配線層の上に第２の層間絶縁膜が形成され、前記第２の層間絶縁膜の上に前記配線層と電気的に連絡するボンディングパッド部が形成され、
前記配線層の上には前記ボンディングパッド部を有する保護膜を有し、
前記ボンディングパット部は前記配線層に電気的に連絡する第１の層と、前記第１の層の上に形成される第２の層と、前記第１の層と前記第２の層の間に形成される第３の層と、を前記開口部の下に積層して備え、
前記第１の層と前記第３の層はＡｌを主成分とし、
前記第３の層は前記第１の層及び第２の層より弾性係数が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、前記第１の層は前記第２の層より厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１において、前記外部連絡パッド部に開口部を有する保護膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
半導体基板と、前記半導体基板の上に形成される半導体素子と、前記半導体素子の上に形成される第１の絶縁膜層と、前記第１の絶縁膜層の上に形成される銅を主成分とする配線層と、前記配線の上に形成される第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜の上に形成され、前記配線に前記第２の層間絶縁膜に形成されたプラグを介して電気的に連絡するボンディング配線層と、前記ボンディング配線層に形成され外部接続端子が接合されるボンディングパッド部と、を有し、
前記第１の層間絶縁膜はＳｉＯより低い誘電率を有し、
前記ボンディング配線は銅を主成分とし、
前記ボンディングパッド部は、前記外部接続端子が接合される領域の下で、前記ボンディング配線層に接続する第１のアルミニウム合金層が形成され、前記第１のアルミニウム合金層の上に中間層が形成され、前記中間層の上に第２のアルミニウムを合金層が形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、前記ボンディングパッド部には、外部を電気的に連絡されるボンディングワイヤが接合されることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６において、前記第２の層間絶縁膜はＳｉＯより低い誘電率を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
半導体基板と、前記半導体基板の上に形成される半導体素子と、前記半導体素子の上に形成される第１の絶縁膜層と、前記第１の絶縁膜層の上に形成される銅を主成分とする第１の配線層と、前記第１の配線の上に形成される第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜の上に形成され、前記第１の配線と前記第２の層間絶縁膜に形成されたプラグを介して電気的に連絡するボンディング配線層と、前記ボンディング配線層に形成されるボンディングパッド部と、前記ボンディングパッド部に接合され外部に電気的に連絡されるボンディングワイヤを有し、前記ボンディングワイヤ接合部は、バンプ接合径に対する接合バンプ高さの比が１／５以上２／５未満と，２／５以上１／２以下の両方の範囲でワイヤボンディングされたものを備え、半分以上が２／５以上１／２以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１の半導体装置と、前記半導体装置が搭載される基板或はリードフレームと、前記半導体装置の外部連絡パッド部と前記基板或はリードフレームとを電気的に連絡するボンディングワイヤを備え、前記ボンディングワイヤを封止するモールド樹脂と、を備えることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１１】
請求項１の半導体装置と、前記半導体装置の前記ボンディングパッド部と対向して配置される基板と、前記半導体装置の外部連絡パッド部と前記基板とを電気的に連絡する導電部材を備え、前記導電部材の周囲の前記半導体装置と前記基板との間に接着剤を備えることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１２】
請求項１において、前記第２の層は、チタンまたはタングステンを含むことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１３】
請求項６において、前記中間層は、前記第１のアルミニウム合金層及び前記第２のアルミニウム合金層よりも剛性が高いことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１４】
請求項６において、前記中間層は、チタンまたはタングステンを含む膜であることを特徴とする半導体パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月22日(2007.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】   
【請求項１】  プラスチックフィルム上に、Ａ群より選ばれる１つ以上の元素の酸化物、窒化物または酸化窒化物を主成分とするターゲットを用いたＲＦスパッタリングにより第１の膜が積層され、その上層に、Ｂ群より選ばれる１つ以上の元素の酸化物、窒化物または酸化窒化物を主成分とする第２の膜が積層された波長５５０ｎｍにおける光線透過率が７０％以上である透明ガスバリアフィルム。
Ａ群
Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｖ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｂ
Ｂ群
Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ
【請求項２】  第２の膜が、真空蒸着、イオンプレーティング、化学気相成長法、スパッタリングの何れかにより積層される請求項１記載の透明ガスバリアフィルム。
【請求項３】  第２の膜が、導電性ターゲットを用いたパルスＤＣスパッタリングまたはデュアルマグネトロンスパッタリングにより積層される請求項１または２記載の透明ガスバリアフィルム。
【請求項４】  第１の膜が、窒化珪素，窒化酸化珪素，窒化チタン，窒化酸化チタン，酸化タンタル，窒化タンタル，酸化窒化タンタル，酸化タングステンの何れかを主成分とする請求項１〜３何れか一項記載の透明ガスバリアフィルム。
【請求項５】  第２の膜が酸化珪素または窒化酸化珪素を主成分とする請求項１〜４何れか一項記載の透明ガスバリアフィルム。
【請求項６】  第２の膜を成膜するために用いる導電性ターゲットがホウ素を添加した珪素のターゲットである請求項５記載の透明ガスバリアフィルム。
【請求項７】  第１の膜と第２の膜がロール・ツー・ロール工程の１工程中で連続して成膜されたものである請求項１〜６何れか一項記載の透明ガスバリアフィルム。
【請求項８】  前記プラスチックフィルムのガラス転移温度が１５０℃以上であり、第１の膜の成膜温度が１００℃以上である請求項１〜７何れか一項記載の透明ガスバリアフィルム。
【請求項９】  前記プラスチックフィルムの線膨張係数が５０ｐｐｍ／℃以下である請求項１〜８何れか一項記載の透明ガスバリアフィルム。
【請求項１０】  前記プラスチックフィルムが、ポリエーテルスルホン，ポリシクロオレフィン，エポキシ樹脂，アクリル樹脂の何れかを成分としてなる請求項１〜９何れか一項記載の透明ガスバリアフィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月9日(2007.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
これにより、スペーサ１７とチルトボルト１６に螺合したナット１８とによりチルトブラケット１３はディスタンスブラケット１４に向けて内側に押圧され、ステアリングコラム１５が固定されたディスタンスブラケット１４はチルトブラケット１３に対して摩擦力により固定され、チルトロック状態となる。チルトブラケット１３は固定ブラケット１２に固定されているので、ステアリングコラム１５、即ちステアリングシャフトは所定の傾斜角で固定される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2005035529.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2005035529.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2005035529.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月29日(2007.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
一般式（１）で表される１−置換含窒素複素環化合物が一般式（６）
【化３】
2005035972.tif 000001
（ここでＲ1、Ｒ2は前記と同様。）で表される１−置換−３−アミノピロリジン誘導体であり、一般式（４）で表される含窒素複素環化合物が一般式（７）
【化４】
2005035972.tif 000002
（ここでＲ1、Ｒ2、Ｒ3は前記と同様。）で表される３−置換−アミノピロリジン誘導体であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の含窒素複素環化合物の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
一般式（４）で表される含窒素複素環化合物が一般式（７）
【化７】
2005035972.tif 000003
（ここでＲ1、Ｒ2、Ｒ3は前記と同様。）で表される３−置換−アミノピロリジン誘導体であり、一般式（５）で表される含窒素複素環化合物が一般式（８）
【化８】
2005035972.tif 000004
（ここでＲ2、Ｒ3は前記と同様。）で表される３−置換−アミノピロリジン誘導体であることを特徴とする請求項７または８記載の含窒素複素環化合物の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【化９】
2005035972.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月29日(2007.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
薄肉のプラスチック容器が該プラスチック容器に密着する樹脂フィルムにより包装されてなる包装体の前記樹脂フィルムに、開封を容易にするための切り口を入れる包装体加工装置であって、
加工位置に供給された包装体の被加工面に曲線刃を有する刃物を押し当て、切っ先が前記被加工面内で円弧を描くように刃物を回転させて樹脂フィルムに切り口を入れる刃物駆動手段を少なくとも有する包装体加工装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
薄肉のプラスチック容器が該プラスチック容器に密着する樹脂フィルムにより包装されてなる包装体の前記樹脂フィルムに、開封を容易にするための切り口を入れる包装体加工法であって、
包装体の被加工面に曲線刃を有する刃物を押し当て、切っ先が前記被加工面内で円弧を描くように前記刃物を回転させて樹脂フィルムに切り口を入れる包装体加工法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
１．  薄肉のプラスチック容器が該プラスチック容器に密着する樹脂フィルムにより包装されてなる包装体の前記樹脂フィルムに、開封を容易にするための切り口を入れる包装体加工装置であって、
加工位置に供給された包装体の被加工面に曲線刃を有する刃物を押し当て、切っ先が前記被加工面内で円弧を描くように刃物を回転させて樹脂フィルムに切り口を入れる刃物駆動手段を少なくとも有する包装体加工装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
７．  薄肉のプラスチック容器が該プラスチック容器に密着する樹脂フィルムにより包装されてなる包装体の前記樹脂フィルムに、開封を容易にするための切り口を入れる包装体加工法であって、
包装体の被加工面に曲線刃を有する刃物を押し当て、切っ先が前記被加工面内で円弧を描くように前記刃物を回転させて樹脂フィルムに切り口を入れる包装体加工法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月12日(2006.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷する画像を複数選択する、画像選択手段と、
印刷時のレイアウトを選択するレイアウト選択手段と、
前記レイアウト選択手段で選択されたレイアウトを用いて、前記画像選択手段で選択された画像の印刷実行を指示する指示手段を有し、
上記指示手段による指示を行う前に、画像選択手段によって選択された画像群のうち、前記レイアウト選択手段で選択されたレイアウトで少なくとも一枚目に印刷すべき画像をデコードするデコード手段と、
前記指示手段により印刷実行指示が入力されたことに応じて、前記指示手段による指示を行う前に前記デコード手段によってデコードされた画像データを用いた印刷を実行させる印刷制御手段とを備えることを特徴とする印刷制御装置。
【請求項２】
さらに、複数の圧縮画像データを記憶する記憶手段を有し、前記デコード手段は、前記記憶手段から圧縮画像データを読み出す読出し手段を有することを特徴とする請求項１に記載の印刷制御装置。
【請求項３】
さらに、印刷する用紙を選択する、用紙選択手段を有し、前記デコード手段は、用紙選択手段によって選択された用紙のサイズまたは種類に応じて、デコードする枚数を決定することを特徴とする、請求項１ないし２のいずれか１項に記載の印刷制御装置。
【請求項４】
上記デコード手段では、一枚目に印刷する画像の他に、メモリ容量が許容する限り、二枚目以降の画像もデコードすることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の印刷制御装置。
【請求項５】
上記デコード手段では、レイアウト選択手段で選択されたレイアウトに応じて、必要な画像枚数をデコードすることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の印刷制御装置。
【請求項６】
印刷する画像を複数選択する、画像選択工程と、
印刷時のレイアウトを選択するレイアウト選択工程と、
前記レイアウト選択工程でレイアウトを選択後、前記画像選択工程で選択された画像の印刷実行を指示する指示工程を有し、
上記指示工程による指示を行う前に、画像選択工程によって選択された画像群のうち、前記レイアウト選択工程で選択されたレイアウトで少なくとも一枚目に印刷すべき画像をデコードするデコード工程と、
前記指示工程により印刷実行指示が入力されたことに応じて、前記指示工程による指示を行う前に前記デコード工程によってデコードされた画像データを用いた印刷を実行させる印刷制御工程とを備える事を特徴とする印刷方法。
【請求項７】
さらに、前記デコード工程は、複数の圧縮画像データを記憶するメモリから選択された画像に対応する圧縮画像データを読み出す読出し工程を有することを特徴とする請求項６に記載の印刷方法。
【請求項８】
コンピュータにより実行可能なプログラムを記憶する記憶媒体であって、前記プログラムは請求項６ないし７のいずれか１項の印刷方法をコンピュータにより実行可能とすることを特徴とする記憶媒体。
【請求項９】
コンピュータにより請求項６ないし７のいずれか１項に記載の印刷方法を実行させるモジュールで構成されることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】印刷方法、および印刷制御装置、記憶媒体、プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ユーザにより選択された画像を印刷するための印刷制御装置および印刷方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
印刷する画像を複数選択する、画像選択手段と、印刷時のレイアウトを選択するレイアウト選択手段と、レイアウト選択手段で選択されたレイアウトを用いて、画像選択手段で選択された画像の印刷実行を指示する指示手段を有し、指示手段による指示を行う前に、画像選択手段によって選択された画像群のうち、レイアウト選択手段で選択されたレイアウトで少なくとも一枚目に印刷すべき画像をデコードするデコード手段と、指示手段により印刷実行指示が入力されたことに応じて、指示手段による指示を行う前にデコード手段によってデコードされた画像データを用いた印刷を実行印刷制御手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月18日(2007.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチック成形品の表面に導体トラックを適用するためのプロセスであって、
a)出発物質として、少なくとも一つのプラスチック表面をもつ成形品を使用する、ここで前記成形品は中実外部スキンと気泡質コアとをもつ構造用フォームを含み、且つ導電性粒子を含み、その量は前記コアが電気絶縁され、且つ外部スキンが導電性であるような量である；及び
b)選択的に除去するプロセスによって、導体トラックを取り付けないプラスチック表面部分を除去して、前記プラスチック表面の処理済領域に電気的に非導電性区分の所定のパターンを形成し、表面上の未処理領域に導体トラックを製造する、各段階を含む、前記プロセス。
【請求項２】
前記選択的除去プロセスが、機械的除去プロセス、研磨−ブラスティングプロセス、電気機械的除去プロセス、または表面によって吸収された電磁放射による表面処理からなる群から選択される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記電磁放射が、X-線、赤外線、可視光またはUV照射からなる群から選択される、請求項２に記載のプロセス。
【請求項４】
前記電磁放射がレーザ照射である、請求項３に記載のプロセス。
【請求項５】
使用した前記成形品が、中実外部スキンと気泡質コアをもつ構造用フォームを含み、その中実の外部スキンは50〜1000μmの厚さであり、その気泡質コアは200〜10000μmの厚さである、請求項１に記載のプロセス。
【請求項６】
使用した前記成形品が中実外部スキンと気泡質コアとをもつ構造用フォームを含み、その気泡質コアは１〜20μmの範囲のサイズのセルを持つ微孔質フォームである、請求項１に記載のプロセス。
【請求項７】
前記コアが106オーム・センチを超える体積抵抗率をもち、外部スキンが106オーム・センチ未満の体積抵抗率をもつ、請求項１に記載のプロセス。
【請求項８】
前記導電性粒子が、導電性ブラック、グラファイト粉末、金属コーティンググラファイト粉末、炭素繊維、金属繊維、金属コーティング炭素繊維、金属粉末またはこれらの成分の一つ以上の組合せからなる群から選択される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項９】
前記プラスチックが、液晶ポリエステル、ポリブチレンテレフタレート、ホモ-及びコ-ポリアセタール、並びにポリフェニレンスルフィド及びこれらの一種以上の組合せからなる群から選択される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１０】
請求項１に記載のプロセスによって得られる少なくとも一つのプラスチック表面をもつ成形品であって、前記成形品が中実外部スキンと気泡質コアとをもつ構造用フォームを含み、且つ導電性粒子を含み、前記導電性粒子の量は、前記コアが電気絶縁性であり、且つ外部スキンが導電性であるような量であり、ここで前記外部スキンの所定の部分は導体トラックパターンの形状で存在し、プラスチック表面の外部スキンの他の部分は、プラスチック表面の電気的に非導電性部分の所定のパターンが展開されるように除去されている、該成形品。
【請求項１１】
導体トラックがその表面の所定の部分に展開された部品を製造するための導電性粒子を含む構造用フォームの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月9日(2007.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチであって、
（ａ）チャネルプレート内に少なくとも１つのチャネルを形成することと、
（ｂ）前記チャネルプレート上に堆積する堆積材料によって湿潤することのないレジストを前記チャネルの中の少なくとも１つに充填することと、
（ｃ）前記チャネルプレート上の少なくとも１つの領域であって、前記レジストの一部と少なくとも境を接する領域上に前記堆積材料を堆積することと、
（ｄ）前記レジストを除去することと、
（ｅ）前記チャネルプレート内に形成された少なくとも１つのチャネルを基板上の少なくとも１つの特徴部分とアライメントし、前記堆積材料により、前記チャネルプレートと前記基板間に少なくともスイッチング流体を封入することと、
によって製造されることを特徴とするスイッチ。
【請求項２】
（ａ）前記チャネルプレート内に形成された前記少なくとも１つのチャネルは、前記スイッチング流体を保持するチャネルと、作動流体を保持する一対のチャネルと、前記作動流体を保持する前記チャネルのうちの対応するものを前記スイッチング流体を保持する前記チャネルに接続する一対のチャネルと、を有し、
（ｂ）前記チャネルのすべてに前記レジストが充填される、
ことを特徴とする請求項１に記載のスイッチ。
【請求項３】
チャネルプレート内に形成された１つ又は複数のチャネルに対して堆積材料が正確に位置合わせされるように、前記チャネルプレート上に前記堆積材料を堆積する方法であって、
（ａ）前記堆積材料によって湿潤することのないレジストを前記チャネルの中の少なくとも１つに充填することと、
（ｂ）前記チャネルプレートの少なくとも１つの領域であって、前記レジストの一部と少なくとも境を接する領域上に前記堆積材料を堆積することと、
（ｃ）前記レジストを除去することと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項４】
前記堆積材料は粘着物であることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記レジストを除去することの前に、前記粘着物を硬化させることを更に有することを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記堆積材料が、スピンコーティング法によって堆積されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記堆積材料は、スプレーコーティング法によって堆積されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記レジストは、エッチング法によって除去されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項９】
前記レジストは、現像によって除去されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項１０】
前記レジストを前記少なくとも１つのチャネルに充填した後に、前記チャネルプレートを研磨し、前記レジストと、前記レジストが充填された前記チャネルの端部との間の変わり目を明確にすることを更に有する特徴とする請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月8日(2007.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】  
【請求項１】
露光時に、真空雰囲気内で、光源部から射出されるＥＵＶ光を用いてレチクルのパターンを投影光学系を介して被処理体上に転写し、露光待機時に当該パターンの転写を待つ露光装置であって、
前記被処理体を保持するウェハチャックを有する移動可能なステージと、
前記露光待機時に前記投影光学系の前記被処理体側で前記ＥＵＶ光を吸収する吸収部材と、を有し、
前記ウェハチャックは前記被処理体を静電吸着する静電チャックであることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
露光時に、真空雰囲気内で、光源部から射出されるＥＵＶ光を用いてレチクルのパターンを投影光学系を介して被処理体上に転写し、露光待機時に当該パターンの転写を待つ露光装置であって、
前記被処理体を保持するウェハチャックを有する移動可能なステージと、
前記露光待機時に前記投影光学系の前記被処理体側で前記ＥＵＶ光を吸収する吸収部材と、を有し、
前記吸収部材を冷却する冷却部材と、を更に有することを特徴とする露光装置。
【請求項３】
前記冷却部材は、冷却媒体が流れる流路を含むことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記露光時から前記露光待機時へ切替わる際、前記投影光学系と前記被処理体との間で、前記ＥＵＶ光の光路外の位置から前記ＥＵＶ光の光路上の位置へ、前記吸収部材を移動させる駆動手段と、を更に有することを特徴とする請求項１乃至３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記ステージが前記ウェハチャックを、前記ＥＵＶ光の光路上の位置から前記ＥＵＶ光の光路外の位置へ、移動させた際、前記ＥＵＶ光の光路外の位置から前記ＥＵＶ光の光路上の位置へ、前記吸収部材を移動させる駆動手段と、を更に有することを特徴とする請求項１乃至３に記載の露光装置。
【請求項６】
前記吸収部材は、輻射を防止するように構成されることを特徴とする請求項１
乃至５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記吸収部材は、アルミニウム、銅またはガラスを含むことを特徴とする請求項１乃至６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記ウェハチャックは、前記被処理体の保持面に接触する突起部を有し、その接触率は、前記被処理体の保持面の２０％以下であることを特徴とする請求項１乃至７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記レチクルは反射型レチクルであり、前記投影光学系は反射ミラーを含むことを特徴とする請求項１乃至８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記レチクル及び前記投影光学系に含まれる少なくとも１つの光学部材の温度を検出する手段と、
検出された前記温度分布に基づいて、前記ＥＵＶ光の光路外の位置と前記ＥＵＶ光の光路上の位置の間で、前記吸収部材を移動させる駆動手段と、を更に有することを特徴とする請求項１乃至９に記載の露光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて、レチクルのパターンを被処理体上に転写するステップと、
転写された前記被処理体を現像するステップと、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面としての露光装置は、露光時に、真空雰囲気内で、光源部から射出されるＥＵＶ光を用いてレチクルのパターンを投影光学系を介して被処理体上に転写し、露光待機時に当該パターンの転写を待つ露光装置であって、前記被処理体を保持するウェハチャックを有する移動可能なステージと、前記露光待機時に前記投影光学系の前記被処理体側で前記ＥＵＶ光を吸収する吸収部材と、を有し、前記ウェハチャックは前記被処理体を静電吸着する静電チャックであることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて、レチクルのパターンを被処理体上に転写するステップと、転写された前記被処理体を現像するステップと、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月7日(2007.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 使用者の呼吸を検知し該呼吸に同調して使用者に呼吸用気体を供給する自動開閉弁を備えた装置において、
該装置に呼吸圧力検知手段および呼吸周期時間検知手段を備え、呼吸圧力または呼吸周期時間の検知結果が設定圧力閾値または設定呼吸周期時間閾値を外れた場合、異常信号を発する異常検知手段を備えると共に、
該装置とは独立した表示手段を更に備え、該装置に、該異常信号を送信する送信手段を、該表示手段に、該異常信号の受信手段を備え、受信情報を該表示手段に表示することを特徴とする呼吸用気体供給装置。
【請求項２】  該装置の送信手段、該表示手段の受信手段が小電力無線又はブルートゥースであることを特徴とする請求項１記載の呼吸用気体供給装置。
【請求項３】  該装置に、呼吸用気体の設定流量値又は実流量値を検知する流量検知手段を備え、該装置に、該流量検知結果を送信する送信手段を、該表示手段に、該流量検知結果の受信手段を備え、受信情報を該表示手段に表示することを特徴とする請求項２記載の呼吸用気体供給装置。
【請求項４】  該装置が該自動開閉弁の開閉制御により呼吸同調して供給するデマンドレギュレーターを備えた装置である、請求項１〜３の何れかに記載の呼吸用気体供給装置。
【請求項５】  該デマンドレギュレーターの電源電池の残量を検知する電池残量検知手段、該呼吸用気体を充填したボンベの残圧を検知する圧力検知手段の少なくとも一つを更に備え、設定閾値を下回る場合に、該異常信号検知手段が異常信号を発することを特徴とする請求項４記載の呼吸用気体供給装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月8日(2007.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】１つの溶接トーチから互いに電気的に絶縁された第１の溶接ワイヤ及び第２の溶接ワイヤをそれぞれ予め設定した送給速度で送給し、前記第１の溶接ワイヤには予め設定した第１のピーク電流の通電と予め設定した第１のベース電流の通電とを１周期とする通電を繰り返すと共に、前記第２の溶接ワイヤには予め設定した第２のピーク電圧の印加による第２のピーク電流の通電と第２のベース電圧の印加による第２のベース電流の通電とを１周期とする通電を繰り返し、前記第１の溶接ワイヤ及び前記第２の溶接ワイヤと被溶接物との間に２つのアークを発生させて溶接する多電極パルスアーク溶接制御方法において、前記第２の溶接ワイヤに、前記第１のピーク電流の通電期間の開始時点から予め設定した遅延時間の経過時点までの期間は前記第２のベース電圧を印加して前記第２のベース電流を通電し、前記経過時点から前記第１のピーク電流の通電期間の終了時点までの期間は前記第２のピーク電圧を印加して前記第２のピーク電流を通電し、前記第１のベース電流の通電期間は第２のベース電圧を印加して前記第２のベース電流を通電し、第１ワイヤ溶接電流のパルス周波数を変化させて前記第１ワイヤ溶接電流の平均値を増減させることによって前記第１の溶接ワイヤのアーク長を制御し、第２ワイヤ溶接電流の前記第２のピーク電流の値を変化させて前記第２ワイヤ溶接電流の平均値を増減させることによって前記第２の溶接ワイヤのアーク長を制御する多電極パルスアーク溶接制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】１つの溶接トーチから互いに電気的に絶縁された第１の溶接ワイヤ及び第２の溶接ワイヤをそれぞれ予め設定した送給速度で送給し、前記第１の溶接ワイヤには予め設定した第１のピーク電流の通電と予め設定した第１のベース電流の通電とを１周期とする通電を繰り返すと共に、前記第２の溶接ワイヤには予め設定した第２のピーク電圧の印加による第２のピーク電流の通電と第２のベース電圧の印加による第２のベース電流の通電とを１周期とする通電を繰り返し、前記第１の溶接ワイヤ及び前記第２の溶接ワイヤと被溶接物との間に２つのアークを発生させて溶接する多電極パルスアーク溶接制御方法において、前記第２の溶接ワイヤに、第1回目の前記第１のピーク電流の通電期間の開始時点から予め設定した遅延時間の経過時点までの期間は予め設定した前記第２のベース電圧を印加して前記第２のベース電流を通電し、前記経過時点から前記第１のピーク電流の通電期間の終了時点までの期間は前記第２のピーク電圧を印加して前記第２のピーク電流を通電し、前記第１のベース電流の通電期間は前記第２のベース電圧を印加して前記第２のベース電流を通電し、続いて第２回目の前記第１のピーク電流の通電期間及び前記第１のベース電流の通電期間は前記第２のベース電圧を印加して前記第２のベース電流を通電し、さらに予め設定した２以上の整数である倍率ｎによって前記第２回目と同様の通電を第ｎ回目まで繰り返し、前記第１回目乃至第ｎ回目の通電を１組として繰り返して通電し、第１ワイヤ溶接電流のパルス周波数を変化させて前記第１ワイヤ溶接電流の平均値を増減させることによって前記第１の溶接ワイヤのアーク長を制御し、第２ワイヤ溶接電流の前記第２のピーク電流の値を変化させて前記第２ワイヤ溶接電流の平均値を増減させることによって前記第２の溶接ワイヤのアーク長を制御する多電極パルスアーク溶接制御方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年3月19日(2007.3.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  器具を殺菌消毒するための殺菌消毒容器において、
容器を取り囲む壁、
容器内部に医療器具を保持するための手段、及び
殺菌消毒ガスを導入するための容器内部に開口した少なくとも１つの開口部、
とから構成され、前記壁は、熱可塑性液晶ポリマーから作られており、それ故、該壁は、過酸化水素とエチレンオキシドによる化学的攻撃に耐え、いかなる電磁場にもほとんど干渉せず、かつ該壁は温度上昇による攻撃にも耐えるという改良点を有する器具を殺菌消毒するための器具殺菌消毒容器。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
本発明の具体的な実施態様は以下のとおりである。
（１）熱可塑性液晶ポリマーは、完全芳香族ポリエステルを含む請求項１に記載の殺菌消毒容器。
（２）完全芳香族ポリエステルは、ポリベンゾエート−ナフタレートを含む実施態様（１）に記載の殺菌消毒容器。
（３）完全芳香族ポリエステルは、ポリベンゾエート−テレフタレート−ビスフェノール−イソフタレートを含む実施態様（１）に記載の殺菌消毒容器。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
（４）液晶ポリマーは、ポリベンゾエート−ナフタレート、ポリベンゾエート−テレフタレート−ビスフェノール−イソフタレート、ポリベンゾエート−テレフタレート−エチレングリコール、及びポリフタレート−アミノテレフタレートから成るグループから選択される請求項１に記載の殺菌消毒容器。
（５）液晶ポリマーは、充填材により強化される請求項１に記載の殺菌消毒容器。
（６）充填材は、ガラスもしくは鉱物繊維を含む実施態様（５）に記載の殺菌消毒容器。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月2日(2007.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記近赤外吸収スペクトルが４５００〜４２００ｃｍ-1及び／又は６０００〜５５００ｃｍ-1の波数域であることを特徴とする、請求項１に記載の個人識別／認証の鑑別法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この様な状況に鑑みて、本発明者らは鋭意研究努力を重ねた結果、毛髪を用いた、過去まで遡って履歴を含む個人識別／認証を行う方法であって、予め複数のヒトの損傷の種類及び／又は損傷度合の異なる２種以上の毛髪と、未知毛髪の試験試料の近赤外吸収スペクトルを測定し、前記近赤外吸収スペクトル又はそのデータ加工したものを統計的処理し、該分析結果における指標として、これと試験試料の近赤外吸収スペクトル又はそのデータ加工したものに統計的処理を行った指標とを比較し、個人識別／認証することを特徴とする、毛髪による個人識別／認証の鑑別法により、個人識別／認証方法、及び／又は過去まで遡って履歴を含む個人識別／認証方法を非侵襲的に鑑別できることを見出し、発明を完成させるに至った。即ち、本発明は以下に示す技術に関するものである。
（１）毛髪を用いた鑑別法であって、近赤外吸収スペクトルの統計処理結果を指標とする、個人識別／認証の鑑別法。
（２）前記近赤外吸収スペクトルが４５００〜４２００ｃｍ-1及び／又は６０００〜５５００ｃｍ-1の波数域であることを特徴とする、（１）に記載の個人識別／認証の鑑別法。（３）前記統計処理のアルゴリズムが主成分分析（ＰＣＡ）、ＰＬＳ、ＳＩＭＣＡ（シムカ）、又はＫＮＮ法であることを特徴とする、（１）及び／又は（２）に記載の鑑別法。（４）前記統計処理結果の個人識別／認証の特性が、毛髪のダメージ特性と固有毛髪の損傷可能性に表現されるものであることを特徴とする、（１）〜（３）何れか１項に記載の個人識別／認証の鑑別法。
（５）時系列的な履歴によって表現されることを特徴とする、（１）〜（３）何れか１項に記載の個人識別／認証の鑑別法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の個人の識別／認証の鑑別法で使用されるフーリエ変換近赤外吸収スペクトルとしては、４５００〜４２００ｃｍ-1及び／又は６０００〜５５００ｃｍ-1が好ましい波数領域であり、より好ましい波数領域は４５００〜４２００ｃｍ-1である。これは、この波数領域に於けるスペクトルが毛髪の個人の特性、例えば毛髪内部の化学的組成や構造的特性を良く反映していると考えられるからである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
又、識別／認証された所有者の毛髪のダメージ特性や固有毛髪の損傷可能性も鑑別することができる。このような鑑別を行う場合、８０００−４５００ｃｍ-1の近赤外吸収スペクトルを用いるのが好ましい。これは、この様な特性値が、この測定域では、より明確に分かれてクラス分けされるからである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
前記化学処理は、化学処置の種類及び化学処置剤の濃度又は回数によって調整し、状態の異なる７種の毛髪を準備した。化学処置の種類としては、パーマ処置、ブリーチ処置、及びパーマとブリーチとによる複合処置を行った。化学処置剤の濃度又は回数は、パーマ処置ではチオグリコール酸アンモニウム５％と１０％を、ブリーチ処置では、３％過酸化水素及び３％アンモニアを含むブリーチ処置剤で処置１回と３回を行った。複合処置では、２種類の濃度のパーマ処置後にブリーチ処置を１回行った。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
４５００〜４２００ｃｍ-1の波数域の近赤外吸収スペクトルに対して主成分分析を行った結果を図１に示す。これより、未処置や各種化学処置（ブリーチ処置、パーマ処置、複合処置、さらに、パーマ処置２種類、及びブリーチ処置の回数違い）のプロットは、８名が個人別にクラスに十分に分かれ、平面上に展開している。例えば、被験者Ｈは処置の有無や種類に関わらず左下方向に分布し、楕円内に位置している。未知毛髪の近赤外吸収スペクトルの主成分分析の指標を図１にプロット（☆で表示）すると、被験者Ｈの属する楕円内に存在することから、未知毛髪が被験者Ｈであると鑑別される。かくのごとくに、プロット位置を見ることにより、個人識別／認証の鑑別ができることが分かる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
実施例１において、５０６０〜４５００ｃｍ-1の波数域の近赤外吸収スペクトルに対し
て主成分分析を行った結果を図２に示す。被験者Ｈと鑑別された未知毛髪の近赤外吸収スペクトルの主成分分析の指標は、図２にプロット（☆で表示）される。その位置を見ることにより、被験者Ｈの未知毛髪の化学損傷の種類と度合がパーマ処置１０％でブリーチ処置１回という、処置過去まで遡って、履歴を含めて個人識別／認証ができることが分かる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
実施例１において、鑑別に使用するスペクトルの波数域を、６０００〜４２００ｃｍ-1の近赤外吸収スペクトルに変えて同様の検討を行った。図４より、８名が個人別にクラス分けがされているが、４５００〜４２００ｃｍ-1、及び６０００〜５５００ｃｍ-1の波数域の場合ほどではないことが分かる。プロット位置を見ることにより、個人識別／認証の鑑別が大凡にはできることが分かる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
実施例１において、鑑別に使用するスペクトルの波数域を、５０６０〜４５００ｃｍ-1の近赤外吸収スペクトルに変えて同様の検討を行った。図５より、この波数領域は実施例２に示したように、処置過去まで遡って、履歴を含めて個人識別／認証をするのには好適であるが、８人の個人別のクラス分けが実施例１ほど十分でないことが分かる。プロット位置を見ることによって、個人識別／認証を鑑別するためには、４５００〜４２００ｃｍ-1及び／又は６０００〜５５００ｃｍ-1の波数領域をもちいることが好ましく、なかでも４５００〜４２００ｃｍ-1を用いることが特に好ましいことが分かる。