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【手続補正書】
【提出日】平成18年12月21日(2006.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型の領域と、
第２の導電型の領域と、
該第１導電型の領域と該第２導電型の領域との間に配置され、該第２導電型の領域における波長λnを有する光を放射することができる活性領域と、
該活性領域により放射された光を反射する表面と、
を含み、
前記第１導電型の領域と前記第２導電型の領域のうちの一方は、前記活性領域と前記反射表面との間に配置され、
前記活性領域は、約０．２５λnに等しいか又はそれ以下の全厚を有し、
前記活性領域の一部分は、前記反射表面から０．６λnと０．７５λnの間に位置する、  ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記活性領域は、障壁層により分離された２つの量子井戸層を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記活性領域の物理的中心は、抽出効率の極大値から０．０５λn以内に対応する電極の表面からの距離に位置することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記活性領域の輝度の中心は、抽出効率の極大値から０．０５λn以内に対応する電極の表面からの距離に位置することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
電極は、前記活性領域により放射された光に対して８０％よりも大きい反射率を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記活性領域は、少なくとも１つのＩＩＩ族窒化物層を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
電極は、銀を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項８】
電極の表面から０．６λnと０．７５λnの間に位置する前記活性領域の前記部分は、該活性領域の第１の部分を含み、
該活性領域の第２の部分は、前記電極の表面から１．２λnと１．３５λnの間に位置する、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項９】
前記反射表面は、金属電極の表面であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記反射表面は、分散型ブラッグ反射器の表面であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月1日(2006.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に複数の導電端子が形成された半導体ウエハを準備し、
前記半導体ウエハの他方の面を加熱ステージから離間させた状態で支持し、
前記半導体ウエハの一方の面に第１のヒーターを対向させて、前記半導体ウエハを加熱することにより、前記複数の導電端子のリフローを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記加熱ステージは、これに接触された加熱プレートにより加熱されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体ウエハの側面に対向させた第２のヒーターにより前記半導体ウエハを加熱することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
表面上に第１の配線層が形成された半導体ウエハを準備し、
前記半導体ウエハの表面に第１の支持基板を貼り付ける工程と、
前記半導体ウエハの裏面に第２の支持基板を貼り付ける工程と、
前記半導体ウエハの裏面に溝を形成し、前記第１の配線層を部分的に露出させる工程と、前記第１の配線層の露出部分に接続され、前記第２の支持基板の表面に延在する第２の配線層を形成する工程と、
前記第２の配線層上に加熱流動性を有する導電端子を形成する工程と、
前記半導体ウエハの表面を加熱ステージから立設された複数のピンによって支持すると共に、前記半導体ウエハの裏面に第１のヒーターを対向させることにより、前記導電端子のリフローを行うリフロー工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記リフロー工程において、前記加熱ステージはその下面に接触された加熱プレートにより加熱されることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記リフロー工程において、前記半導体ウエハの側面に第２のヒーターを対向させ、この第２のヒーターにより前記半導体ウエハを加熱することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
表面上に第１の配線層が形成された半導体ウエハを準備し、
前記半導体ウエハの表面に支持基板を貼り付ける工程と、
前記半導体ウエハの裏面に溝を形成し、前記第１の配線層を部分的に露出させる工程と、
前記第１の配線層の露出部分に接続され、前記半導体ウエハの裏面に延在する第２の配線層を形成する工程と、
前記第２の配線層上に加熱流動性を有する導電端子を形成する工程と、
前記半導体ウエハの表面を加熱ステージから立設された複数のピンによって支持すると共に、前記半導体ウエハの裏面に第１のヒーターを対向させることにより、前記導電端子のリフローを行うリフロー工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記リフロー工程において、前記加熱ステージはその下面に接触された加熱プレートにより加熱されることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記リフロー工程において、前記半導体ウエハの側面に第２のヒーターを対向させ、この第２のヒーターにより前記半導体ウエハを加熱することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
このリフロー処理ボックス４０は、加熱ゾーン４１と冷却ゾーン４２から成る。当該加熱ゾーン４１の天井には、ＩＲヒーター（赤外線ヒーター）４５が複数配置されている。また、ベルト３１下には、ホットプレート４６が複数配置されている。図７（Ｂ）は、図７（Ａ）を矢印Ｘ側から見た側面図であり、リフロー処理ボックス４０の内部の拡大図である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月23日(2006.11.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属窒化物と、チタン又はチタンを主成分とする合金若しくは化合物との積層体上にマスクパターンを形成して、前記積層体の側壁部をテーパー状にした第１の導電層パターンを形成する第１のエッチング処理を行い、
前記第１の導電層パターンを異方性エッチングする第２のエッチング処理を行い、
前記第１のエッチング処理と、前記第２のエッチング処理との間に、不活性気体によるプラズマ処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
半導体層上に、ゲート絶縁膜を介して、第１導電層及び第２導電層を順次積層して積層体を形成し、
前記積層体上にマスクパターンを形成し、
前記マスクパターンに基づき、前記第１導電層及び第２導電層の側壁部をテーパー状にした第１の導電層パターンを形成する第１のエッチング処理を行い、
前記第１の導電層パターンにアルゴンプラズマ処理をし、
前記第１の導電層パターンにおける前記第２導電層を選択的にエッチングする第２のエッチング処理により第２の導電層パターンを形成し、
前記第２の導電層パターンにおける前記第２導電層をマスクとして、前記半導体層に一導電型の不純物を添加して、前記第２の導電層パターンにおける第１導電層と重なる領域に低濃度ドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、前記第１導電層は、窒化タンタルであり、前記第２導電層は、チタン又はチタンを主成分とする合金若しくは化合物であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２又は３において、前記第１のエッチング処理の後、前記第１の導電層パターンの側壁部に付着する反応生成物を、アルゴンプラズマ処理によって除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、前記反応生成物は、酸化チタンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
半導体層上に、ゲート絶縁膜を介して、第１導電層、第２導電層及び第３導電層を順次積層して積層体を形成し、
前記積層体上にマスクパターンを形成し、
前記マスクパターンに基づき、前記第１導電層、前記第２導電層及び前記第３導電層の側壁部をテーパー状にした第１の導電層パターンを形成する第１のエッチング処理を行い、
前記第１の導電層パターンにアルゴンプラズマ処理をし、
前記第１の導電層パターンにおける前記第２導電層及び前記第３導電層を選択的にエッチングする第２のエッチング処理により第２の導電層パターンを形成し、
前記第２の導電層パターンにおける前記第２導電層及び前記第３導電層をマスクとして、前記半導体層に一導電型の不純物を添加して、前記第２の導電層パターンにおける前記第１導電層と重なる領域に低濃度ドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、前記第１導電層は窒化タンタルであり、前記第２導電層はチタン又はチタンを主成分とする合金もしくは化合物であり、前記第３導電層は窒化チタンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６又は７において、前記第１のエッチング処理の後、前記第１の導電層パターンの側壁部に付着する反応生成物を、前記アルゴンプラズマ処理によって除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、前記反応生成物は、酸化チタンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項２乃至９のいずれか一において、前記第２の導電層パターンと重なる前記低濃度ドレイン領域の長さが１μｍ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記第１の導電層パターンの側壁部におけるテーパー状の基板表面となす角は１０度以上２０度以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記第１のエッチング処理に、ＣＦ４、Ｃｌ２及びＯ２のエッチングガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月18日(2006.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路デバイスの製造方法であって、ａ）１つ以上のリフトオフ層を基体上に配置するステップと、ｂ）架橋コーティングの１つ以上の層を前記リフトオフ層上に配置するステップと、ｃ）前記基体にパターン形成するステップと、ｄ）前記コーティングおよびリフトオフ層を除去するステップとを含み、前記基体は、強誘電性ポリマー、誘電材料、またはその両方の１つ以上の層を含み、前記誘電材料は誘電率≦３を有し、前記リフトオフ層は有機ポリマー材料である製造方法。
【請求項２】
前記リフトオフ層がポリグルタルイミドを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ポリグルタルイミドが≦５０，０００の分子量を有する請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記リフトオフ層が光吸収性材料をさらに含む請求項１から３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記リフトオフ層が架橋ポリマー粒子を含む請求項１から４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記誘電材料が≦２．８の誘電率を有する請求項１から５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記リフトオフ層が、溶剤との接触によって除去される請求項１から６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記リフトオフ層が≦２５００Åの厚さを有する請求項１から７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
強誘電性ポリマー、誘電率≦３を有する誘電材料、またはその両方の１つ以上の層と、１つ以上のリフトオフ層と、前記リフトオフ層上の架橋コーティングの１つ以上の層とを含む集積回路デバイスであって、前記リフトオフ層が有機ポリマー材料である集積回路デバイス。
【請求項１０】
誘電材料が、誘電率≦３を有する請求項１３記載の集積回路デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に、発光素子を複数有する画素部を形成し、
第２の基板上に、第１のシール材を描画し、第２のシール材を前記第１のシール材で囲まれた領域内へ異なる滴下量で複数滴滴下し、
前記第１のシール材が前記画素部を囲むように配置され、且つ、少なくとも一対の前記第１のシール材の間は、前記第２のシール材で充填されるように前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせ、
前記第２のシール材は、少なくとも前記画素部の中央と、該中央と一定の間隔を有して取り囲む位置とに滴下されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板上に、発光素子を複数有する画素部を形成し、
第２の基板上に、第１のシール材を描画し、第２のシール材を前記第１のシール材で囲まれた領域内へ異なる滴下量で複数滴滴下し、
前記第１のシール材が前記画素部を囲むように前記第１及び前記第２の基板を貼り合わせる際、加圧により前記第２のシール材を広げて互いに対向する前記第１のシール材の間に充填させ、
前記第１のシール材と前記第２のシール材を硬化させ、
前記第２のシール材は、少なくとも前記画素部の中央と、該中央と一定の間隔を有して取り囲む位置とに滴下されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、前記第１のシール材及び前記第２のシール材の硬化は、紫外線照射、または加熱によって行うことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、前記第１のシール材と前記第２のシール材を硬化させた後、前記第１のシール材に沿って一対の基板を分断することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記画素部の中央に滴下される滴下量は、該中央と一定の間隔を有して取り囲む位置に滴下する滴下量より多いことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第１のシール材は、前記第１及び前記第２の基板間隔を保持するギャップ材を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記第２のシール材は、前記第１のシール材よりも粘度が低いことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記発光素子は、少なくとも一方が透光性である前記第１及び前記第２の基板間に、第１の電極と、該第１の電極上に接する有機化合物層と、該有機化合物層上に接する第２の電極とを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記第１のシール材は、少なくとも前記第２の基板の四隅に開口を有していることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記第２のシール材は、前記開口で露出しており、露出している前記第２のシール材の周縁は湾曲していることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９において、前記第２のシール材は、前記開口で露出しており、露出している前記第２のシール材の周縁は前記開口から突出していることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
一対の基板を所定の間隔でシール材を間に挟んで貼り合わせる基板貼りあわせ装置を備えた製造装置であって、
対向して配置された２つの基板支持台と、
前記２つの支持台間を押圧してシール材を押しつぶす手段とを有し、
前記基板支持台は、フッ素系樹脂を含む膜で覆われていることを特徴とする製造装置。
【請求項１３】
請求項１２において、前記フッ素系樹脂を含む膜は、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、ポリビニルフルオライド、ポリビニリデンフルオライドから選ばれた一種であることを特徴とする製造装置。
【請求項１４】
一対の基板を所定の間隔でシール材を間に挟んで貼り合わせる基板貼りあわせ装置を備えた製造装置であって、
対向して配置された２つの基板支持台と、
前記２つの支持台間を押圧してシール材を押しつぶす手段とを有し、
両面テープで前記２つの基板支持台に前記基板がそれぞれ固定されていることを特徴とする製造装置。
【請求項１５】
請求項１２乃至１４のいずれか一において、前記２つの基板支持台の少なくとも一方は光を透過する材料からなっており、一対の基板を貼り合わせた後、一方の基板支持台を通過する光を照射してシール材を硬化させることを特徴とする製造装置。
【請求項１６】
請求項１４または請求項１５において、前記両面テープは光の照射により接着力が低下するテープであり、一対の基板を貼り合わせた後、基板支持台を通過する光を照射してシール材を硬化させると同時に、前記両面テープの接着力を低下させることを特徴とする製造装置。
【請求項１７】
請求項１２乃至１６のいずれか一において、前記２つの基板支持台の少なくとも一方は光を透過する材料からなっており、光源から照射されて一方の基板支持台を通過した光は、
もう一方の基板支持台の表面で反射させることを特徴とする製造装置。
【請求項１８】
請求項１２乃至１７のいずれか一において、前記２つの基板支持台の少なくとも一方は加熱手段を備えており、一対の基板を貼り合わせた後、加熱によりシール材を硬化させることを特徴とする製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月11日(2006.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複合酸化物を含む原材料体を、２気圧以上に加圧され、かつ体積比１０％以下の酸素を含む雰囲気中で熱処理することにより結晶化させることを含む、セラミックス膜の製造方法。
【請求項２】  複合酸化物を含む原材料体を、２気圧以上に加圧された状態でラピッド・サーマル・アニール法を用いて熱処理することにより結晶化させることを含む、セラミックス膜の製造方法。
【請求項３】  請求項２において、
前記熱処理は、体積比１０％以下の酸素を含む雰囲気中で行われる、セラミックス膜の製造方法。
【請求項４】  請求項１〜３のいずれかにおいて、
前記熱処理は、少なくとも昇温前に２気圧以上に加圧することを含む、セラミックス膜の製造方法。
【請求項５】  請求項１〜３のいずれかにおいて、
前記複合酸化物は、構成元素にＰｂを含み、
前記熱処理は、昇温過程において少なくとも１００℃以下で２気圧以上に加圧した後に、さらに昇温を行うことを含む、セラミックス膜の製造方法。
【請求項６】  請求項１〜５のいずれかにおいて、
前記熱処理の昇温過程を大気圧に対して加圧状態で行うとともに、前記熱処理の降温過程を前記加圧状態に対して減圧状態で行うことを含む、セラミックス膜の製造方法。
【請求項７】  請求項１〜６のいずれかにおいて、
前記原材料体は、前記複合酸化物の加水分解物および重縮合物の少なくともいずれかを含むゾルゲル原料と、前記複合酸化物の構成元素を有機溶媒中に含むＭＯＤ原料との混合物である、セラミックス膜の製造方法。
【請求項８】  請求項１〜７のいずれかにおいて、
前記原材料体は、前記複合酸化物に加えて、該複合酸化物に対して触媒作用を有する常誘電体材料が混在する、セラミックス膜の製造方法。
【請求項９】  請求項８において、
前記常誘電体材料は、構成元素中にＳｉまたはＧｅを含む酸化物、または構成元素中にＳｉおよびＧｅを含む酸化物からなる、セラミックス膜の製造方法。
【請求項１０】  請求項１〜９のいずれかに記載された製造方法により形成される、セラミックス膜。
【請求項１１】  請求項１０に記載されたセラミックス膜をゲート絶縁膜として有する、半導体装置。
【請求項１２】  基体上に下部電極を形成し、
複合酸化物を含む原材料体を、２気圧以上に加圧され、かつ体積比１０％以下の酸素を含む雰囲気中および１００℃／分以下の昇温速度の条件で熱処理することにより、前記下部電極の上に前記複合酸化物を構成する第１金属と該下部電極を構成する第２金属との化合物からなる下部合金膜を形成するとともに、該下部合金膜の上に前記原材料体が結晶化されたセラミックス膜を形成し、
前記セラミックス膜の上に上部電極を形成することを含む、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項１３】  請求項１２において、
前記熱処理は、少なくとも昇温前に２気圧以上に加圧することを含む、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項１４】  請求項１２において、
前記複合酸化物は、構成元素にＰｂを含み、
前記熱処理は、昇温過程において少なくとも１００℃以下で２気圧以上に加圧した後に、さらに昇温を行うことを含む、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項１５】  請求項１２〜１４のいずれかにおいて、
前記熱処理の昇温過程を大気圧に対して加圧状態で行うとともに、前記熱処理の降温過程を前記加圧状態に対して減圧状態で行うことを含む、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項１６】  請求項１２〜１５のいずれかにおいて、
前記セラミックス膜の上に前記上部電極を形成する前に、前記セラミックス膜の上に前記上部電極を構成する第３金属の酸化膜を形成し、該酸化膜を、２気圧以上に加圧された状態で熱処理することにより、前記第１金属と前記第３金属との化合物からなる上部合金膜を形成することを含み、
前記上部電極は、前記上部合金膜の上に形成される、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項１７】  基体上に下部電極を形成し、
前記下部電極の上に複合酸化物を構成する第１金属の酸化膜を形成し、
前記酸化膜を、２気圧以上に加圧された状態で第１熱処理することにより、前記第１金属と前記下部電極を構成する第２金属との化合物からなる下部合金膜を形成し、
複合酸化物を含む原材料体を、２気圧以上に加圧された状態でラピッド・サーマル・アニール法を用いて第２熱処理することにより、前記下部合金膜の上に前記原材料体が結晶化されたセラミックス膜を形成し、
前記セラミックス膜の上に上部電極を形成することを含む、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項１８】  請求項１７において、
前記第２熱処理は、体積比１０％以下の酸素を含む雰囲気中で行われる、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項１９】  請求項１７または１８において、
前記熱処理は、少なくとも昇温前に２気圧以上に加圧することを含む、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項２０】  請求項１７または１８において、
前記複合酸化物は、構成元素にＰｂを含み、
前記熱処理は、昇温過程において少なくとも１００℃以下で２気圧以上に加圧した後に、さらに昇温を行うことを含む、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項２１】  請求項１７〜２０のいずれかにおいて、
前記第２熱処理の昇温過程を大気圧に対して加圧状態で行うとともに、前記第２熱処理の降温過程を前記加圧状態に対して減圧状態で行うことを含む、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項２２】  請求項１７〜２１のいずれかにおいて、
前記セラミックス膜の上に上部電極を形成する前に、前記セラミックス膜の上に前記上部電極を構成する第３金属の酸化膜を形成し、該酸化膜を、２気圧以上に加圧された状態で第３熱処理することにより、前記第１金属と前記第３金属との化合物からなる上部合金膜を形成することを含み、
前記上部電極は、前記上部合金膜の上に形成される、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項２３】  請求項１２〜２２のいずれかにおいて、
前記原材料体は、前記複合酸化物の加水分解物および重縮合物の少なくともいずれかを含むゾルゲル原料と、前記複合酸化物の構成元素を有機溶媒中に含むＭＯＤ原料との混合物である、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項２４】  請求項１２〜２３のいずれかにおいて、
前記原材料体は、前記複合酸化物に加えて、該複合酸化物に対して触媒作用を有する常誘電体材料が混在する、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項２５】  請求項２４において、
前記常誘電体材料は、構成元素中にＳｉまたはＧｅを含む酸化物、または構成元素中にＳｉおよびＧｅを含む酸化物からなる、強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項２６】  請求項１２〜２５のいずれかに記載された製造方法により形成される、強誘電体キャパシタ。
【請求項２７】  請求項２６に記載された強誘電体キャパシタを含む、半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月21日(2006.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
さらに、医者を見つける最も速い方法は、彼らに電話をするか又はポケットベルで呼び出して返事をもらうことであるが、これらの方法を用いる人は、医者がただちに応答することを望んでいるはずである。医者がどこにいるかを示すことができるだけではなく、ページング、インスタント・メッセージ、ボイスオーバーＩＰのようなインターネットを通じた通信又は他の通信方法を介して即時通信を可能にもするグラフィカル・ユーザー・インタフェースが、改善された病院通信を可能にし、最終的には、患者に対するケアの質を向上させる。
【特許文献１】米国特許第６６１６６０６号
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月8日(2006.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のコンポーネント間の相互作用のコンテキスト履歴を累積するためのコンピュータ制御による方法であって、
前記複数のコンポーネントは、リクエスタコンポーネントとサービスコンポーネントを含み、
前記リクエスタコンポーネントにより、前記サービスコンポーネントの動作を要求するステップと、前記リクエスタコンポーネントは、リクエスタコンポーネントのコンテキストを前記サービスコンポーネントに渡すよう構成されており、
前記リクエスタコンポーネントのコンテキストを、サービスコンポーネントのコンテキストメタデータとして記録するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載のコンピュータ制御による方法であって、
前記サービスコンポーネントのコンテキストメタデータは、履歴メタデータと結合されることを特徴とする方法。
【請求項３】
相互作用のコンテキスト履歴を累積するためのコンピュータ制御によるシステムであって、
複数のコンポーネントと、前記複数のコンポーネントは、それが何かを明らかにすることのできるコンポーネントコンテキストを有し、前記複数のコンポーネントは、リクエスタコンポーネントとサービスコンポーネントを備え、
前記リクエスタコンポーネントの中にあり、前記サービスコンポーネントの動作を要求するよう構成された要求メカニズムと、前記要求メカニズムはリクエスタコンポーネントのコンテキストを前記サービスコンポーネントに渡すよう構成され、
前記要求メカニズムに応答し、前記リクエスタコンポーネントのコンテキストをサービスコンポーネントのコンテキストメタデータとして記録するよう構成された記録メカニズムと、
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項４】
請求項３に記載のコンピュータ制御によるシステムであって、
前記記録メカニズムは前記サービスコンポーネントの中にあることを特徴とするシステム。
【請求項５】
請求項３に記載のコンピュータ制御によるシステムであって、
前記サービスコンポーネントコンテキストメタデータは、履歴メタデータと結合されることを特徴とするシステム。
【請求項６】
それが何かを明らかにすることのできるコンポーネントコンテキストにおける変更のコンテキスト履歴を累積するための装置であって、
前記コンポーネントコンテキストの一部を変更する動作を検出するよう構成された検出メカニズムと、
前記検出メカニズムに応答し、前記部分を前記コンテキスト履歴と結合するよう構成されている結合メカニズムと、
前記動作に応答して前記部分を変更するよう構成された変更メカニズムと、
を備えることを特徴とする装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置であって、
さらに、前記コンテキスト履歴を提示するよう構成された提示メカニズムを備えることを特徴とする装置。
【請求項８】
装置であって、
要求を受け取るよう構成された受信メカニズムと、
前記受信メカニズムによって受け取られた前記要求にコンテキストアクセス方針を適用するよう構成された第一のセキュリティメカニズムと、
前記要求が一連のコンテキストアクセス許可のひとつを満足していることを確認するよう構成された第一の許可メカニズムと、
前記第一の許可メカニズムに応答して前記要求を満たすよう構成された動作メカニズムと、
を備えることを特徴とする装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに、コンポーネントが要求を受け取り、その要求にコンテキストアクセス方針を適用する方法、装置、プログラム製品の別の実施形態が開示される。コンテキストアクセス方針を要求に適用した後、コンポーネントは、その要求が一連のコンテキストアクセス許可のひとつを満足するかを確認し、満足する場合は、その要求を満たす。本発明に係る方法の１つの態様では、コンピュータ制御による方法であって、要求を受け取るステップと、前記要求にコンテキストアクセス方針を適用するステップと、前記要求が、一連のコンテキストアクセス許可のひとつを満足することを確認するステップと、前記確認ステップに応答して前記要求を満たすステップと、を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月29日(2006.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技の進行に関する遊技制御を行う遊技制御回路と、遊技球の払い出しに関する払出制御を行う払出制御回路とが設けられ、開閉不能に封印された基板ケース内に収容された１つの遊技制御基板であって、
前記遊技制御回路および前記払出制御回路には、前記遊技制御および前記払出制御を実行する1つの共通中央演算装置と、前記遊技制御および前記払出制御に関する情報を記憶する共通揮発性メモリとが搭載され、
前記遊技制御回路には前記遊技制御に関する情報を記憶した遊技用不揮発性メモリを、前記払出制御回路には前記払出制御に関する情報を記憶した払出用不揮発性メモリを、各々搭載する構成としたことを特徴とする弾球遊技機。
【請求項２】
前記共通揮発性メモリは、前記共通中央演算装置とともに１つのチップで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の弾球遊技機。
【請求項３】
前記遊技用不揮発性メモリおよび前記払出用不揮発性メモリは、前記共通中央演算装置とともに１つのチップで構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の弾球遊技機。
【請求項４】
前記共通揮発性メモリ内には、遊技制御領域と払出制御領域とを設ける構成としたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の弾球遊技機。
【請求項５】
前記遊技制御基板上に、遊技球の発射に関する発射制御を行う発射制御回路を設け、
前記共通中央演算装置は、前記遊技制御および前記払出制御に加えて前記発射制御をも実行するように構成し、
前記発射制御に関する情報を前記共通揮発性メモリおよび前記遊技用不揮発性メモリに記憶する構成としたことを特徴とする請求項１ないし４に記載の弾球遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記課題を解決するための請求項１に記載の発明は、
遊技の進行に関する遊技制御を行う遊技制御回路と、遊技球の払い出しに関する払出制御を行う払出制御回路とが設けられ、開閉不能に封印された基板ケース内に収容された１つの遊技制御基板であって、
前記遊技制御回路および前記払出制御回路には、前記遊技制御および前記払出制御を実行する1つの共通中央演算装置と、前記遊技制御および前記払出制御に関する情報を記憶する共通揮発性メモリとが搭載され、
前記遊技制御回路には前記遊技制御に関する情報を記憶した遊技用不揮発性メモリを、前記払出制御回路には前記払出制御に関する情報を記憶した払出用不揮発性メモリを、各々搭載する構成としたことを特徴とする弾球遊技機である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項２に記載の発明は、
請求項１に記載の弾球遊技機において、
前記共通揮発性メモリは、前記共通中央演算装置とともに１つのチップで構成されていることを特徴とする弾球遊技機である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項４に記載の発明は、
請求項１ないし３のいずれか１つに記載の弾球遊技機において、
前記共通揮発性メモリ内には、遊技制御領域と払出制御領域とを設ける構成としたことを特徴とする弾球遊技機である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項５に記載の発明は、
請求項１ないし４に記載の弾球遊技機において、
前記遊技制御基板上に、遊技球の発射に関する発射制御を行う発射制御回路を設け、
前記共通中央演算装置は、前記遊技制御および前記払出制御に加えて前記発射制御をも実行するように構成し、
前記発射制御に関する情報を前記共通揮発性メモリおよび前記遊技用不揮発性メモリに記憶する構成としたことを特徴とする弾球遊技機である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
しかも、請求項１に記載の発明によれば、遊技制御および払出制御を１つの共通中央演算装置で行い、遊技制御および払出制御に関する情報を共通揮発性メモリに記憶する構成としているため、中央演算装置および揮発性メモリの個数を削減でき、コストダウンを図ることができる。また、中央演算装置および揮発性メモリの個数削減により遊技制御基板の小型化を図ることができ、ひいては基板ケースのより一層の小型化を図ることができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項２に記載の発明、請求項３に記載の発明および請求項４に記載の発明によれば、遊技制御回路および払出制御回路の、より一層の簡素化と高能力化を図ることができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、基板ケース内に収容された遊技制御基板上に発射制御回路が設けられている場合において、請求項５に記載の発明によれば、共通中央演算装置で発射制御をも実行するので、発射制御専用の中央演算装置を設ける場合に比べて中央演算装置の個数を削減でき、コストダウンを図ることができる。また、中央演算装置の個数削減により遊技制御基板の小型化を図ることができ、ひいては基板ケースのより一層の小型化を図ることができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
しかも、請求項５に記載の発明によれば、遊技用不揮発性メモリおよび共通揮発性メモリで発射制御に関する情報を記憶させるので、発射制御専用の不揮発性メモリおよび揮発性メモリを設ける場合に比べて不揮発メモリの個数を削減でき、コストダウンを図ることができる。また、不揮発性メモリおよび揮発性メモリの個数削減により、遊技制御基板の小型化を図ることができ、ひいては基板ケースのより一層の小型化を図ることができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月17日(2006.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略方形状の基台の上面部と下面部の縦位置と横位置に罫線を設け、該罫線の交点及び又は桝目中央部の上面部と下面部に貫通穴を設け、これとは別に略円形状の支柱を有し、該支柱を該貫通穴に着脱自在に出し入れ停止する一組の遊戯駒を有したことを特徴とする遊戯具。
【請求項２】
前記基台に着脱自在にして保持部材を設けた請求項１に記載された遊戯具。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月29日(2006.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技機枠に遊技盤ユニットが着脱可能に装着されて形成される遊技機であって、前記遊技盤ユニットを前記遊技機枠に対して位置決めさせる位置決め機構と、該位置決め機構により前記遊技機枠に対して位置決めされた遊技盤ユニットを保持させる保持機構とを具備することを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記位置決め機構は、前記遊技機枠に設けられて前記遊技機枠の前後方向へ相互に平行に延出される一対の案内レールと、前記遊技盤ユニットの底部に設けられ、前記一対の案内レールに係合されて前記遊技盤ユニットが前記遊技機枠の前後方向へ案内される一対の案内溝とを備えると共に、前記遊技機枠に設けられる位置決めピンと、前記遊技盤ユニットの上部に設けられ、前記位置決めピンに係合されて前記遊技盤ユニットが上下方向へ案内される長孔とを備え、前記保持機構は、前記遊技機枠の中枠の前面上部に設けられ、前記遊技機枠の前後方向に平行に配置される軸が前記中枠に摺動可能に支持される回動ストッパと、前記遊技盤ユニットの上部に設けられ、回動されて所定角度位相に位置決めされた前記回動ストッパが係合されるストッパ係合部とを具備することを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記遊技機枠と前記遊技盤ユニットとの間に弾性部材が介在されることを特徴とする請求項２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記保持機構は、さらに、前記中枠の前面に設けられる凸部と、前記回動ストッパの裏面に設けられて前記凸部に係合されることで前記前記回動ストッパが所定角度位相に位置決めされる凹部と、を具備することを特徴とする請求項２又は３に記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明のうち請求項１に記載の発明は、遊技機枠に遊技盤ユニットが着脱可能に装着されて形成される遊技機であって、遊技盤ユニットを遊技機枠に対して位置決めさせる位置決め機構と、該位置決め機構により遊技機枠に対して位置決めされた遊技盤ユニットを保持させる保持機構とを具備することを特徴とする。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、位置決め機構は、遊技機枠に設けられて遊技機枠の前後方向へ相互に平行に延出される一対の案内レールと、遊技盤ユニットの底部に設けられ、一対の案内レールに係合されて遊技盤ユニットが遊技機枠の前後方向へ案内される一対の案内溝とを備えると共に、遊技機枠に設けられる位置決めピンと、遊技盤ユニットの上部に設けられ、位置決めピンに係合されて遊技盤ユニットが上下方向へ案内される長孔とを備え、保持機構は、遊技機枠の中枠の前面上部に設けられ、遊技機枠の前後方向に平行に配置される軸が中枠に摺動可能に支持される回動ストッパと、遊技盤ユニットの上部に設けられ、回動されて所定角度位相に位置決めされた回動ストッパが係合されるストッパ係合部とを具備することを特徴とする。
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、遊技機枠と遊技盤ユニットとの間に弾性部材が介在されることを特徴とする。
請求項４に記載の発明は、請求項２又は３に記載の発明において、保持機構は、さらに、中枠の前面に設けられる凸部と、回動ストッパの裏面に設けられて凸部に係合されることで回動ストッパが所定角度位相に位置決めされる凹部と、を具備することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
従って、請求項１に記載の発明では、位置決め機構により遊技盤ユニットが遊技機枠に対して位置決めされ、該位置決め機構により遊技機枠に対して位置決めされた遊技盤ユニットが保持機構により保持される。
請求項２に記載の発明では、一対の案内溝が一対の案内レールに案内されて遊技盤ユニットが遊技機枠に対して当該遊技機枠の前後方向へ案内され、この状態で、長孔が位置決めピンに係合されて遊技盤ユニットが遊技機枠に対して位置決めされ、この状態で、回動ストッパが回動されて所定角度位相に位置決めされることにより、回動ストッパがストッパ係合部に係合されて遊技盤ユニットが遊技機枠に保持される。
請求項３に記載の発明では、遊技機枠の前枠が閉じられた際には、遊技機枠と遊技盤ユニットとの間に介在された弾性部材の弾性力により、遊技盤ユニットが遊技機枠の前枠に向けて付勢される。
請求項４に記載の発明では、位置決め機構により遊技盤ユニットが遊技機枠に対して位置決めされ、この状態で回動ストッパを回動させることにより、凸部に凹部が係合されて回動ストッパが所定角度位相（保持位置）に位置決めされる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
なお、実施の形態は上記に限定されるものではなく、例えば次のように構成してもよい。
本実施の形態では、遊技機枠２にスロットマシン用の遊技盤ユニット３を着脱可能に装着したが、遊技機枠２にパチンコ機用の遊技盤ユニット（３）を着脱可能に装着してもよい。
弾性部材６２は、皿ばね、ゴム材、或いはウレタン樹脂等であってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月25日(2006.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体と、前記本体に対して開閉可能に備えられる開閉体と、を有する遊技機において、
前記開閉体の一端側を回転軸として回転させるようにして当該開閉体の他端側を前記本体に対して開閉させる片開き手段と、
前記開閉体を前記本体に対して開いた状態にするに際し、前記片開き手段の前記回転軸を、前記開閉体を前記本体に対して閉じた状態での第１位置から前記本体の前面側でかつ前記本体の他端側の方に所定距離だけ移動させた第２位置に変位させる回転軸変位手段と、
を備えていることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の遊技機において、
前記回転軸変位手段は、
前記第１位置から特定距離離れた第３位置と前記第２位置から当該特定距離離れた第４位置とを結んだ第１案内部と、前記第３位置から前記本体の幅方向で他端側の方に所定距離離れた当該幅方向の所定長さの第２案内部と、を水平面領域に有する、前記本体に設けられる基体と、
前記第１案内部内を前記第３位置から前記第４位置に摺動する第１摺動部と、前記第２案内部内を前記第１案内部に近い側から遠い側に摺動する第２摺動部とを、線分の両端にそれぞれ位置するように設けられ、かつ、前記第１摺動部から前記本体の前面側で一端側寄りに延出した延出部を有する可動リンクと、
前記延出部に対して回動可能に取り付けられた回動軸部と、前記回動軸部から所定方向に突出した突出部とを備えた連結板と、
一端が前記連結板の前記突出部に回動可能に取り付けられ、かつ、他端が前記基体の前記第２案内部に近い端部の所定箇所に回動可能に取り付けられた可変リンクと、
前記連結板の前記回動軸部および前記突出部にそれぞれ設けられた嵌合ピンと、
前記各嵌合ピンに嵌合される嵌合孔をそれぞれ有する、前記開閉体に設けられた掛合部材と、
を備えていることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月25日(2006.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
始動条件成立に基づいて、遊技者にとって有利な遊技状態とするか否かを示す所定の表示演出を表示する表示手段と、
前記表示手段で表示されるべき表示演出を決定する表示演出決定手段と、
前記表示演出決定手段で決定された表示演出を前記表示手段に表示させるように制御する表示制御手段と、
遊技者による遊技の結果により払出される被対象物の数を計数する払出計数手段と、
前記払出計数手段で所定期間内に計数された被対象物の総数が所定値を超えたことを検出する超過検出手段と、
を備え、
前記表示演出決定手段は、前記超過検出手段で当該検出がされると、所定の表示演出よりも表示演出時間の長い表示演出を決定する確率が高くなるように設定される
ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の遊技機において、
前記払出計数手段は、払出される被対象物の数を記憶する払出記憶手段を備え、
前記払出記憶手段は、払出される被対象物の数を数えるカウンタと、
前記カウンタの値を記憶する複数個のバッファと、
前記カウンタの値を前記複数個のバッファの何れに記憶させるかを指示するポインタとを備えている
ことを特徴とする遊技機。
【請求項３】
請求項２に記載の遊技機において、
前記ポインタは、所定時間を計時するタイマ部を備え、
前記タイマ部の所定時間を計時するごとに、指示する前記バッファを順番に異ならせるようにして決定することを特徴とする遊技機。
【請求項４】
請求項３に記載の遊技機において、
前記払出計数手段は、所定時間に前記払出記憶手段に記憶された被対象物の数を演算する払出数演算手段を備えていることを特徴とする遊技機。
【請求項５】
請求項２から請求項４のいずれか一つに記載の遊技機において、
前記バッファは、ｎ個（但し、ｎは、０，１を含まない自然数である）設けられ、
当該ｎ個のバッファに、１からｎまでの番号を付与し、前記カウンタの値を１からｎの番号の順にそのバッファに記憶し、ｎの番号の次には、１の番号のバッファに記憶することを特徴とする遊技機。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の遊技機において、
前記超過検出手段は、所定値を記憶する所定値記憶部を備え、
前記払出数演算手段で算出された値が当該所定値記憶部に記憶されている所定値を超えているかを判定する判定部を備えていることを特徴とする遊技機。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか一つに記載の遊技機において、
前記表示演出決定手段は、所定の表示演出よりも表示演出時間の長い表示演出を決定する確率が高く設定されている長時間用表示演出決定テーブルを備え、前記判定部で演算された値が所定値を超えていると判定されたことに基づき、当該長時間用表示演出決定テーブルを選択し、表示演出を決定すること特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月30日(2006.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静磁場発生手段と、傾斜磁場発生手段と、高周波送信コイルと、高周波受信コイルと、この高周波受信コイルにより受信した核磁気共鳴信号に基づき、被検体の断層画像を再構成する画像再構成手段と、上記傾斜磁場発生手段、高周波送信コイル、高周波受信コイル及び画像再構成手段の動作を制御する動作制御手段とを備える磁気共鳴イメージング装置において、
上記被検体の所定の部位に高勾配磁界を発生させ、上記被検体内に注入された磁気応答物質である温熱治療用の薬剤を、上記部位に滞留させる高勾配磁界発生手段を備えることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
請求項１記載の磁気共鳴イメージング装置において、被検体の体内に上記薬剤を注入する貫通孔を有するガイド機構をさらに備え、上記動作制御手段は、上記高周波送信コイルにより高周波を被検体に送信して上記部位に滞留する上記薬剤を加熱することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
請求項２記載の磁気共鳴イメージング装置において、上記動作制御手段は、上記部位の加熱前における上記部位の断層画像を撮像させるとともに、上記部位の加熱後における上記部位の断層画像を撮像させて、上記加熱処理前後の画像に基いて上記加熱手段を制御することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
請求項２記載の磁気共鳴イメージング装置において、上記静磁場発生手段が発生する静磁場を利用して上記被検体から上記薬剤を回収する薬剤回収手段を備えたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
請求項４記載の磁気共鳴イメージング装置において、上記被検体と上記薬剤回収手段とを交互に上記静磁場に配置して、薬剤回収と上記被検体の断層画像の撮像を交互に行う手段と、この断層画像から薬剤が回収されたか否かを判断する手段を備えたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】
請求項１、２、３、４、５のうちのいずれか一項記載の磁気共鳴イメージング装置において、上記磁性体要素は、強磁性体からなる細線であることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
（Ｅ）上述の機能を発揮できる装置は、一般的なＭＲＩ装置に、磁性体要素を均一空間内部に配置できるガイド誘導機構並びに被検体１の体内に滞留した磁気応答物質２２を高周波加熱できるコイルを設けることで達成することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
ステップ１０７において、ガン細胞を所定以上確認できなかった場合は、ステップ１０８に進み、薬剤回収用バイパス手段を被検体１に設置する。このバイパス手段は、図７に示すように、血流閉止ピン３０と、血管バイパス３１と、この血管バイパス３１の中途に配置された磁性体フィルタ２９とを備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
列毎に複数種類の図柄の変動表示及び停止表示を行うための図柄表示手段、図柄表示手段による図柄の変動表示を開始させるための始動操作手段、及び図柄変動列に対応して設けられており、図柄表示手段による図柄の変動表示を停止表示させるための停止操作手段を備え、有効ラインに沿って特別遊技への移行を許容する役の入賞を示す図柄の組み合わせが揃うと、遊技状態を遊技者にとって有利な特別遊技状態に移行させるスロットマシンであって、
このスロットマシンは、
１回の特別遊技における遊技者に対する利益付与量が所定の最大量に達することを条件として、当該特別遊技を終了させ、遊技状態を当該特別遊技とは異なる態様で遊技者にとって有利な特定遊技状態に移行させるための特定遊技移行手段を含むことを特徴とするスロットマシン。
【請求項２】
上記特定遊技移行手段は、１回の特別遊技における遊技者に対する利益付与量が所定の最大量に達したとき、特定遊技状態に移行させるか否かを抽選により決定するための第１の抽選手段を含み、この第１の抽選手段による抽選に当選した場合に、特定遊技状態に移行させることを特徴とする請求項１に記載のスロットマシン。
【請求項３】
上記第１の抽選手段は、１回の特別遊技において遊技者に付与される利益量が所定の最大量に達した時点での利益付与率に応じて、抽選に当選することにより特別遊技状態に移行させる旨の決定がなされる確率を変化させるための手段を含むことを特徴とする請求項２に記載のスロットマシン。
【請求項４】
上記特定遊技状態は、リプレイタイムであることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のスロットマシン。
【請求項５】
上記特別遊技状態では、小役ゲーム及びボーナスゲームをそれぞれ複数回遊技できる権利が与えられ、
上記特別遊技役の入賞を契機に、小役ゲームの実行回数を抽選により決定するための第２の抽選手段をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載のスロットマシン。
【請求項６】
列毎に複数種類の図柄の変動表示及び停止表示を行うための図柄表示手段、図柄表示手段による図柄の変動表示を開始させるための始動操作手段、及び図柄変動列に対応して設けられており、図柄表示手段による図柄の変動表示を停止表示させるための停止操作手段を備え、有効ラインに沿って特別遊技への移行を許容する役の入賞を示す図柄の組み合わせが揃うと、遊技状態を遊技者にとって有利な特別遊技状態に移行させるスロットマシンを制御するための方法であって、
この制御方法は、
１回の特別遊技における遊技者に対する利益付与量が所定の最大量に達することを条件として、遊技状態を当該特別遊技とは異なる態様で遊技者にとって有利な特定遊技状態に移行させるためのステップを含むことを特徴とするスロットマシンの制御方法。