【手続補正書】
【提出日】平成20年6月26日(2008.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための装置であって、
回転可能の基板保持ブラケットと、
チャンバ手段内で支持されたプラッタであって、前記基板と前記プラッタとの間に第１薬剤を流すための前記プラッタと、
前記基板の上側に第２薬剤を適用するための手段と、
前記基板の下側に音響エネルギを供給するための手段と、
を備え、
前記プラッタは、前記基板の幅よりも大きい幅で隔てられた側壁を有する皿状に凹んだ中央領域を備えることによって、前記皿状に凹んだ中央領域内に前記基板を位置決めする、装置。
【請求項２】
前記基板の上側に音響エネルギを当てるための手段を更に備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記皿状に凹んだ中央領域は、上部及び下部を有しており、前記上部において前記側壁を隔てる幅は、前記下部において前記側壁を隔てる幅よりも広い、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記皿状に凹んだ中央領域は円形であり、前記側壁を隔てる幅は直径である、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
個別の基板の表側を湿式処理するための装置であって、
チャンバ内で支持され、表側及び裏側を有するプラッタを備え、該プラッタは、前記プラッタの裏側に形成される複数のメガソニック変換器を含んでおり、
前記プラッタは、皿状に凹んだ中央領域を前記プラッタの表側に更に備え、前記皿状に凹んだ中央領域は、前記基板の幅よりも大きい幅で隔てられる側壁を有しており、
更に、表側及び裏側を有する前記基板を前記皿状に凹んだ中央領域内に位置決めする回転可能の基板ホルダを備え、前記基板の裏側は、前記プラッタの表側とある隙間で隔てられており、
更に、前記基板の裏側と前記プラッタの表側との間の前記隙間に流体を流す、前記プラッタ内の開口と、
前記基板の表側上に位置決めされ、前記基板の表側上に洗浄液を指向させるノズルと、
を備える、装置。
【請求項６】
前記開口は、前記プラッタのほぼ中心に位置決めされる、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記開口は、前記プラッタの中心から外れている、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記プラッタは、前記基板の裏側と実質的に平行になるように前記メガソニック変換器を保持する、請求項５に記載の装置。
【請求項９】
前記メガソニック変換器は、前記プラッタの裏側の少なくとも８０％をカバーしている、請求項５に記載の装置。
【請求項１０】
前記プラッタは、前記基板の幅よりも大きい幅を有しており、前記基板の裏側と前記プラッタの表側とを隔てる前記隙間は、一定の距離である、請求項５に記載の装置。
【請求項１１】
基板を湿式処理するための装置であって、
表側及び裏側を有するプラッタと、
前記プラッタの裏側に装着された１つ以上の音響波変換器と、
前記プラッタ上に基板を位置決めし、前記プラッタに対して回転可能なブラケットと、
前記プラッタと前記基板との間に第１液体を流す第１液体ディスペンサーと、
前記プラッタ上にあり、前記第２液体ディスペンサーから前記基板上にプロセス液体を流す第２液体ディスペンサーと、
を備える、装置。
【請求項１２】
前記プラッタの裏側に装着された前記１つ以上の音響波変換器は、該プラッタの裏側面積の５０〜１００％をカバーしている、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記プラッタ内に貫通孔を更に備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記貫通孔は、０より大きく数ミリメートル以下の範囲内の距離だけ前記プラッタの中心から僅かに外れている、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記ブラケットは、前記プラッタに対して６０００ｒｐｍまで回転可能である、請求項１１に記載の装置。
【請求項１６】
前記プラッタに対して前記ブラケットを回転させるための装置を更に備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１７】
基板の裏側を洗浄するための方法であって、
基板をプラッタに平行に置くステップであって、空間的に離れて前記基板の裏側が前記プラッタの上側に対向しており、それらの間の隙間を定義する前記ステップと、
前記プラッタに対して前記ブラケットを回転させるステップと、
前記基板の裏側と前記プラッタの上側とを接触させるために、前記プラッタを通して液体を流すステップと、
を含む、方法。
【請求項１８】
前記プラッタ上のブラケット内に前記基板を保持するステップと、
前記液体を流すステップを実行すると同時に、前記ブラケットを回転させるステップと、
を更に含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記基板を置くステップは、水平方向に方向付けられた前記プラッタと平行に前記基板を置くステップを更に含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記基板は、半導体ウェーハを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記基板の裏側と前記プラッタの上側との間で定義される前記隙間を横切る距離は、１〜５ミリメートルである、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
個別の基板を処理するための方法であって、
表側及び裏側を有する基板を提供するステップであって、前記基板の表側が処理される、前記ステップと、
前記基板の裏側に音響エネルギを向けるステップと、
前記基板の裏側から前記基板の表側に音響エネルギを伝達するステップと、
音響エネルギが前記基板の表側に伝達されている間、前記基板の表側にプロセス液体を流して、前記基板の表側上にプロセス液体の層を形成するステップと、
を含み、
前記基板の表側で伝達される音響エネルギは、前記基板の表側の処理を実質的に促進するのに十分なエネルギー及び周波数であり、前記表側で処理されているパターンが損傷を受けない程度に十分低い、方法。
【請求項２３】
更に、前記基板の裏側上に第２液体を流すステップを含み、それにより前記音響エネルギが前記裏側に伝達される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第２液体は脱気した液体である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記プロセス液体は薄膜である、請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記基板の裏側に当てられる前記音響エネルギは、５００ｋＨｚ〜８ＭＨｚの間の範囲にあるメガソニックエネルギを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２７】
前記メガソニックエネルギはパルスモードを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記メガソニックエネルギの周波数は、処理される前記基板の共振周波数の整数倍にほぼ等しく、前記共振周波数は、処理される前記基板の厚さの２倍にほぼ等しい波長を含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記基板の裏側に向かう前記音響エネルギは、メガソニックエネルギを複数の周波数で当てるステップを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項３０】
前記基板の裏側に当てられる前記メガソニックエネルギは、前記複数の周波数に関連し、時間変化する複数の振幅を含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記複数の周波数の１つはほぼ５．４±３０％ＭＨｚである、請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
前記基板に当てられる前記音響エネルギの周波数は、ほぼ５．４ＭＨｚ±３０％である、請求項２２に記載の方法。
【請求項３３】
前記基板の表側上へ流れている前記プロセス液体は、Ｈ２，Ｏ２，Ｎ２，Ａｒ，Ｈｅ又はこれらの組み合わせからなるグループから選択した溶解ガスを含む液体である、請求項２２に記載の方法。
【請求項３４】
前記音響エネルギは前記基板の裏側を５０〜１００％の間でカバーしている、請求項２２に記載の方法。
【請求項３５】
基板を処理するための装置であって、
前記基板を位置決めすると共に軸線の回りに回転させるためのブラケットと、
貫通孔を有して、前記ブラケットの直下に平行に整列したプラッタと、
前記基板及び前記プラッタ間の隙間内に第１薬剤を流入させるため前記貫通孔に接続された流体源と、
前記プラッタ上に位置決めされた複数の音響波変換器と、
を備え、
前記複数の音響波変換器は、第１グループの音響波変換器及び第２グループの音響波変換器を有しており、前記第１グループの音響波変換器は、第１周波数で振動するための第１厚さを有しており、前記第２グループの音響波変換器は、前記第１厚さとは異なる、第２周波数で振動するための第２厚さを有しており、
前記第１グループの音響波変換器及び前記第２グループの音響波変換器に接続されており、重畳した前記第１周波数及び前記第２周波数を有する単一パワー信号を前記第１グループの音響波変換器及び前記第２グループの音響波変換器に送信するように構成された電気配線を更に備える、装置。
【請求項３６】
前記第１周波数及び前記第２周波数の少なくとも１つは、最小周波数の整数倍である、請求項３５に記載の装置。
【請求項３７】
前記第１周波数及び前記第２周波数の少なくとも１つは、５．４±３０％ＭＨｚである、請求項３５に記載の装置。
【請求項３８】
前記第１グループの音響波変換器及び前記第２グループの音響波変換器は、四分円内に配置されている、請求項３５に記載の装置。
【請求項３９】
前記第１グループの音響波変換器及び前記第２グループの音響波変換器は、線形条片になって前記プラッタ上に位置決めされている、請求項３５に記載の装置。
【請求項４０】
前記線形条片のそれぞれは、前記プラッタ表面の直径にわたり実質的に延びている、請求項３９に記載の装置。
【請求項４１】
前記第１グループの音響波変換器は前記プラッタ表面の第１半円を占めており、前記第２グループの音響波変換器は前記プラッタ表面の第２半円を占めており、前記第１半円及び前記第２半円は、同一の前記プラッタ表面上にあり、重なっていない、請求項３５に記載の装置。
【請求項４２】
前記複数の音響波変換器は圧電材料を含む、請求項３５に記載の装置。
【請求項４３】
基板保持装置であって、
基板を支持する少なくとも３つの柱状部を有すると共に、軸線回りに回転可能のブラケットを備え、
前記基板の位置は重力により前記ブラケット上に維持される、装置。
【請求項４４】
前記ブラケットは前記軸線に沿って並進可能である、請求項４３に記載の装置。
【請求項４５】
前記柱状部のそれぞれは、前記基板を支持するコンタクトパッドを含む、請求項４３に記載の装置。
【請求項４６】
前記コンタクトパッドはエラストマーである、請求項４５に記載の装置。
【請求項４７】
前記柱状部は翼形形状になっている、請求項４３に記載の装置。
【請求項４８】
基板を湿式処理するためのシステムであって、
プロセスチャンバ中で前記基板を位置決めすると共に回転させるための手段と、
薬剤源と、
第１薬剤を前記基板の下側上に供給するための手段と、
第２薬剤を前記基板の上側上に供給するための手段と、
メガソニックエネルギを前記基板に当てるための手段と、
制御電子機器と、
を備える、システム。
【請求項４９】
前記プロセスチャンバは、薬剤及びガスを引いて前記基板から離すように円環配列のベントを通る空気流を供給できる、請求項４８に記載のシステム。
【請求項５０】
個別の基板を順序付けして湿式処理するための装置であって、
複数の単一基板プロセスチャンバを備え、各プロセスチャンバが、音響エネルギを前記基板の裏側に伝達するために位置決めされた複数の変換器と、複数のウェーハカートリッジとを含み、
更に、基板を前記基板プロセスチャンバへ及び前記基板カートリッジへ並びに前記基板プロセスチャンバから及び前記基板カートリッジから搬送することができる中央配置のロボットアームを備える、装置。
【請求項５１】
前記変換器に供給された出力の少なくとも３０％が前記基板に達する効率をもたらすための手段を更に備える、請求項５０に記載の装置。
【請求項５２】
前記音響エネルギは、周波数＝（基板材料中の音速）／（２）（基板の厚さ）を発生する音響波変換器により供給される、請求項５０に記載の装置。
【請求項５３】
１つ以上の音響波変換器を装着するための手段と、該１つ以上の音響波変換器を前記基板の裏側に平行に対面して位置決めするための手段とを更に備える、請求項５０に記載の装置。
【請求項５４】
前記１つ以上の音響波変換器と前記基板の裏側との間に液体を流すための手段を更に備える、請求項５３に記載の装置。
【請求項５５】
プラッタ上に８０％以上の音響カバレッジもたらすように前記１つ以上の音響波変換器を前記プラッタ上に位置決めするための手段を更に備える、請求項５４に記載の装置。