【手続補正書】
【提出日】平成19年1月17日(2007.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の熱処理サイクルで１枚ずつ一連の平板状基板を連続して熱処理するための熱処理装置であって、
熱処理のために当該熱処理装置内に前記一連の基板のうちの１つが配置されたとき、該基板と面するように向けられている境界面を有している加熱炉本体、
出力設定によって設定された出力レベルで前記加熱炉本体を加熱するよう構成された制御可能なヒータ、
熱処理において前記基板がさらされる処理温度を測定するよう構成された熱処理温度センサ、および
前記処理温度センサから熱処理温度の読み取り値を受信するとともに、所望の処理温度のための所望の温度の入力を受信し、前記ヒータの前記出力設定を生成して出力するように構成された熱処理温度を制御するための温度レギュレータ
を有しており、
該温度レギュレータが、
トリガーシグナル熱処理サイクルの頻度に応じて１つ以上のトリガーシグナルを発生させるよう構成された第１の計算部、および
前記ヒータの前記出力設定を少なくとも部分的に決定する制御設定点を計算するよう構成された第２の計算部であって、前記トリガーシグナルを受信し、該トリガーシグナルの受信により処理温度の読み取り値に基づいて新しい制御設定点を計算し、該新しい制御設定点を次のトリガーシグナルによって再び計算がトリガーされるまで保持するよう構成されている第２の計算部を有している熱処理装置。
【請求項２】
前記第１の計算部が物流コントローラを有しており、該物流コントローラは、前記一連の基板のうちの１つが熱処理のため該装置内に装填されたことを示すトリガーシグナルを発生させるように構成されている請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項３】
前記第１の計算部が、前記熱処理温度センサから処理温度の読み取り値を受信し、各処理サイクルにおいて該処理温度の読み取り値に基づいて１つ以上のトリガーシグナルを発生させるよう構成されている請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項４】
前記第１の計算部が、所望の処理温度に達したときにトリガーシグナルを発生させるよう構成されている請求項３に記載の熱処理装置。
【請求項５】
前記第１の計算部が、処理サイクル内で処理温度が最小値に達したときにトリガーシグナルを発生させるよう構成されている請求項３に記載の熱処理装置。
【請求項６】
前記制御設定点が前記出力設定である請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項７】
前記加熱炉本体が、複数の加熱ゾーンを有しており、
前記複数の加熱ゾーンのそれぞれが、独立して制御されるヒータを有している請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項８】
前記加熱炉本体の前記ヒータに近接する部位でヒータ側温度を測定するよう構成されたヒータ側温度センサをさらに有しており、
前記制御設定点が、目標とするヒータ側温度であり、前記処理温度を制御するための温度レギュレータが、
前記第２の計算部の一部を構成する境界面温度レギュレータであって、前記所望の温度の入力および前記熱処理温度センサからの読み取り値を受信し、前記制御設定点を計算して出力するよう構成された境界面温度レギュレータ、および
前記ヒータ側温度センサから温度読み取り値を受信し、さらに前記制御設定点を受信するように構成され、さらに前記ヒータの出力設定を生成して出力することによってヒータ側温度を該制御設定点の値に調整するよう構成されているヒータ側温度レギュレータ
を有している請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項９】
前記ヒータ側温度レギュレータが、前記ヒータ側温度を前記制御設定点の値に保つため、毎秒またはそれ以下について約１回、前記ヒータの出力レベルを調整するよう構成されている請求項８に記載の熱処理装置。
【請求項１０】
前記処理温度センサによって測定された処理温度読み取り値をフィルタ処理し、或る時間枠内において測定された１つ以上の処理温度読み取り値を出力するとともに、該時間枠外の処理温度読み取り値を阻止するように構成された時間枠フィルタをさらに有しており、
前記新しい制御設定点の計算に使用される処理温度読み取り値が、該フィルタ処理された１つ以上の処理温度読み取り値である請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項１１】
前記時間枠フィルタが、基板が熱処理のために熱処理装置内に配置されたほぼその瞬間の処理温度読み取り値を、フィルタ処理を通じて出力するよう構成されている請求項１０に記載の熱処理装置。
【請求項１２】
前記フィルタ処理後の処理温度読み取り値が、基板の配置の瞬間の前約０．１〜３秒からの温度読み取り値のみを含んでいる請求項１１に記載の熱処理装置。
【請求項１３】
前記温度レギュレータに接続された処理能力コントローラであって、該熱処理装置に所望される基板熱処理能力を示している所望の処理能力の入力を受信し、さらに該熱処理装置の実際の基板熱処理能力を示している入力を受信し、これら入力に基づいて前記第２の計算部へと処理能力制御信号を出力する処理能力コントローラをさらに有しており、
前記第２の計算部が、該処理能力制御信号に少なくとも部分的に基づいて、前記新しい制御設定点を計算するよう構成されている請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項１４】
一連の半導体基板を個々に処理するための方法であって、
或る処理温度を有する処理室を備えた反応炉であって、自身の出力レベルを決定するための制御設定点を有し、該処理室を所望の処理温度に加熱するためのヒータを備えた反応炉を準備すること、
一連の基板のそれぞれを順番に前記処理室内に装填し、次いで前記一連の基板のそれぞれを処理室から取り出し、処理室への基板の装填によって処理温度が低下し、前記制御設定点に設定された前記ヒータが、基板の装填によって処理温度が低下したのちの処理室を所望の処理温度まで再加熱し、装填は、処理室が所望の処理温度にあるほぼそのときに実行され、取り出しは、基板が再び所望の処理温度に達する前に実行されること、
或る計算条件について処理室を監視し、該計算条件を満足したとき、１つ以上の処理温度読み取り値に基づく新しい制御設定点の計算がトリガーされること、および
基板の装填または取り出しの頻度と共鳴する頻度で、前記新しい制御設定点を計算し、該制御設定点を再び前記計算条件が満足されるまで保持すること
を含んでいる方法。
【請求項１５】
前記制御設定点の計算が、前記計算条件が満足されたときの前またはほぼその間の１つ以上の処理温度読み取り値に基づいて計算される請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記計算が、連続する基板の装填の間に少なくとも１回行なわれる請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
基板の装填または取り出しによって、前記計算条件が満足されたことになる請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
連続する基板の装填の間において前記処理室の処理温度が最小温度または最大温度にあるとき、前記計算条件が満足されたことになる請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記計算条件が、前記処理室を通過するガスの流れが変化したときに満足されたことになる請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記ヒータが加熱体を加熱し、これによって前記処理室を所望の処理温度に加熱するよう構成されている請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
前記加熱体が複数の加熱ゾーンを有し、各加熱ゾーンが別個のヒータによって別個の所望の温度に加熱される請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記制御設定点が、前記加熱体の前記ヒータの近傍の部位に所望される温度である請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記ヒータが第１の温度コントローラに接続されており、該第１の温度コントローラは、前記加熱体の該ヒータの近傍の部位の温度を分析し、該加熱体の該ヒータの近傍の部位の温度を所望の温度に保つべく該ヒータの出力レベルを調整するよう構成された請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記ヒータの出力レベルが、約１秒に１回調整される請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記制御設定点が、前記出力レベルの設定である請求項１４に記載の方法。
【請求項２６】
新しい制御設定点の計算が、すべての処理温度読み取り値を、２番目の基板による処理温度の低下が生じる直前の期間に到着する処理温度読み取り値にフィルタ処理する請求項１４に記載の方法。
【請求項２７】
前記期間に、約１個〜約１０個の温度測定値が含まれている請求項２６に記載の方法。