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【手続補正書】
【提出日】平成20年6月23日(2008.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタルサンプルを処理するデジタルプロセッサであって、
時間領域でデジタルサンプルを処理する時間領域処理エンジンと、
周波数領域でデジタルサンプルを処理する周波数領域処理エンジンと、
時間領域処理済みサンプルと周波数領域処理済みサンプルを交換可能にするデジタルプロセッサに設けられた共有メモリと、
を含み、
サンプルレート固定割り込みに応答して前記時間領域処理エンジンによって時間領域処理が実行される
ことを特徴とするプロセッサ。
【請求項２】
前記時間領域処理エンジンは、サンプル毎の方式でデータサンプルを処理し、前記周波数領域処理エンジンは、ブロックベース方式でデータサンプルを処理し、
前記サンプルレート固定割り込みは、デジタルサンプルバスに基づいて生成され、
前記プロセッサは、前記サンプルレート固定割り込みに応答して前記デジタルサンプルバスから入力データサンプルを受信する入力バッファと、前記サンプルレート固定割り込みに応答して前記デジタルサンプルバスへ出力データサンプルを供給する出力バッファとをさらに含む
ことを特徴とする請求項１に記載のプロセッサ。
【請求項３】
前記サンプルレート固定割り込みに応答して、前記デジタルサンプルをプロセッサに供給し、かつプロセッサから処理済みデジタルサンプルを受信するデジタルサンプルバスにプロセッサをインタフェースで接続する少なくとも１つの入力／出力バッファと、
前記デジタルサンプルバスからデータサンプルを受信する入力バッファと、前記デジタルサンプルバスへデータサンプルを供給する出力バッファとを含み、前記入力バッファと前記出力バッファとはピンポンバッファであり、さらに、
前記デジタルサンプルバスに基づいたサンプルレート固定割り込みを発生する割り込み発生器を含み、
前記入力バッファは前記割り込みに応答して前記プロセッサに入力データサンプルを伝達し、前記出力バッファは前記サンプルレート固定割り込みに応答して前記デジタルサンプルバスに出力データサンプルを伝達する
ことを特徴とする請求項１に記載のプロセッサ。
【請求項４】
入力バッファ及び出力バッファを含み、
デジタルサンプルバスから、プロセッサに割り当てられた該デジタルサンプルバスの少なくとも１つのタイムスロットに供給されるデジタルサンプルを処理のために選択的に抽出し、
処理済みデジタルサンプルをその割り当てられたタイムスロット内に選択的に挿入し、
受信しかつ他の処理装置に関連するデジタルサンプルを前記デジタルサンプルバスに沿って不変のまま受け渡す、
ことを特徴とする請求項１に記載のプロセッサ。
【請求項５】
サンプル毎の方式でデジタルサンプルバスからデジタルサンプルを蓄積し、
デジタルサンプルのブロックを受信した時を識別し、
完全なブロックを受信した時に前記周波数領域で該ブロックを処理し、
サンプル毎の方式で前記デジタルサンプルバスにサンプルの処理済みブロックを通信する、
ことを特徴とする請求項１に記載のプロセッサ。
【請求項６】
前記サンプルレート固定割り込みは、前記プロセッサによってチャンネルに対するデジタルサンプルが受信された時を識別する識別子に応答して生成されることを特徴とする請求項１に記載のプロセッサ。
【請求項７】
デジタルプロセッサにおいてデータサンプルを処理する方法であって、
デジタルプロセッサに設けられた共有メモリにデータサンプルを格納する段階と、
前記共有メモリに供給されたデジタルサンプルを時間領域で処理する段階と、
前記共有メモリに供給されたデジタルサンプルを周波数領域で処理する段階と、
を含み、
時間領域処理済みサンプル及び周波数領域処理済みサンプルは、前記共有メモリを通じて交換可能であり、
前記時間領域処理は、サンプルレート固定割り込みに応答して実行される
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
時間領域処理段階中に、データサンプルは、サンプル毎の方式で処理され、前記周波数領域では、データサンプルは、ブロックベース方式で処理され、さらに、
デジタルサンプルバスに基づいて前記サンプルレート固定割り込みを生成し、
前記サンプルレート固定割り込みに応答して前記デジタルサンプルバスから入力データサンプルを受信し、
前記サンプルレート固定割り込みに応答して前記デジタルサンプルバスへ出力データサンプルを供給する
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記プロセッサは、入力バッファ及び出力バッファを含み、
デジタルサンプルバスから、前記プロセッサに割り当てられた該デジタルサンプルバスの少なくとも１つのタイムスロットに供給されるデジタルサンプルを処理のために選択的に抽出する段階と、
処理済みデジタルサンプルをその割り当てられたタイムスロット内に選択的に挿入する段階と、
受信しかつ他の処理装置に関連するデジタルサンプルを前記デジタルサンプルバスに沿って不変のまま受け渡す段階と、
を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
一連の命令を組み込む機械可読媒体であって、
命令が、機械によって実行された時に、該機械をして、
デジタルプロセッサに設けられた共有メモリにデータサンプルを格納させ、
前記共有メモリに供給されたデジタルサンプルを時間領域で処理させ、かつ
前記共有メモリに供給されたデジタルサンプルを周波数領域で処理させるものであり、
時間領域処理済みサンプル及び周波数領域処理済みサンプルは、前記共有メモリを通じて交換可能であり、
前記時間領域処理は、サンプルレート固定割り込みに応答して実行され、
時間領域処理中、データサンプルはサンプル毎の方式で処理され、
周波数領域処理中、データサンプルはブロックベース方式で処理されることを特徴とし、さらに、
前記命令により、デジタルサンプルバスに基づいて前記サンプルレート固定割り込みを発生させ、
入力バッファに対し、前記サンプルレート固定割り込みに応答して前記デジタルサンプルバスから入力データサンプルを受信させ、
出力バッファに対し、前記サンプルレート固定割り込みに応答して前記デジタルサンプルバスへ出力データサンプルを供給させる
ことを特徴とする機械可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月30日(2008.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
ファイバーのアレイであって、該ファイバーのアレイの把持された端で前記基板によって支持されている前記ファイバーのアレイと、
前記ファイバーのアレイの第２の端である自由端に結合されたミラーと、
を有する微小電気機械装置スキャナー。
【請求項２】
前記ファイバーのアレイは、互いに隣り合って互いにほぼ平行に並べられた複数のファイバーを含み、
前記ファイバーのアレイは前記基板の上面側で支持され、
前記ミラーは前記基板の底面側に向いた反射面を有する、請求項１に記載の微小電気機械装置スキャナー。
【請求項３】
前記ミラーは、反射膜（アルミニウム、チタン、金、ダイクロックのようなセラミック膜）で形成されている、請求項２に記載の微小電気機械装置スキャナー。
【請求項４】
前記ミラーは、支持のための、Ｓｉ３Ｎ４からなる裏材を有している、請求項３に記載の微小電気機械装置スキャナー。
【請求項５】
前記ファイバーのアレイの前記把持された端と前記自由端との間の部分が露出し、
前記基板がカンチレバーの自由端に結合され、
前記ファイバーのアレイは、第２のカンチレバーを介して前記基板によって支持されている第１のカンチレバーを形成し、
前記第２のカンチレバーは、強磁性体材料で形成されている、請求項１に記載の微小電気機械装置スキャナー。
【請求項６】
前記ファイバーのアレイの前記自由端を振動させる手段をさらに含み、
前記ファイバーのアレイの前記自由端を振動させる前記手段は、選択された刺激に反応する選択されたファイバーを前記アレイの中に含み、
前記選択されたファイバーは、磁気的に反応するファイバー、圧電的に反応するファイバー、静電気的に反応するファイバー、電気熱的に反応するファイバー、および電気ひずみ的に反応するファイバーからなるグループの中から選択される、請求項１に記載の微小電気機械装置スキャナー。
【請求項７】
基板と、
カーボンファイバーのアレイであって、該ファイバーのアレイの把持された端で前記基板によって支持されるカーボンファイバーのアレイと、
前記カーボンファイバーのアレイの第２の端である自由端に結合されているミラーとを含み、
前記カーボンファイバーのアレイの少なくとも１部が露出している、スキャナー。
【請求項８】
前記ミラーは、実質的に平らで、研磨されていない反射面を有し、
前記カーボンファイバーは、約１０ｎｍから１０μｍの間の範囲の直径を有し、
前記ミラーは、前記カーボンファイバーのアレイによって、３０ｋＨｚを超える周波数でプラスまたはマイナス約８０度よりも大きな角度に渡って動かされることが可能であり、
前記カーボンファイバーのアレイは前記基板の上面側で支持され、
前記ミラーは前記基板の底面側を向いた反射面を有し、
前記ファイバーは、前記基板によって溝の中に支持されている、請求項７に記載のスキャナー。
【請求項９】
前記ミラーの前記反射面は、実質的に平らな面を有する、選択的にエッチング可能な蒸着されたＳｉ３Ｎ４上に蒸着されたアルミニウムから形成されている、請求項８に記載のスキャナー。
【請求項１０】
基板と、
カンチレバーであって、前記基板の上面側の該カンチレバーが把持されている端で前記基板によって支持されている１本以上のファイバーで形成されている前記カンチレバーと、
前記カンチレバーの第２の端である自由端に結合されているミラーとを含み、
前記ミラーは前記基板の片側に反射面を有し、
前記ミラーは前記基板の前記片側から光が到達可能である、スキャナー。
【請求項１１】
前記ミラーがアルミニウムで形成され、
前記ミラーは、支持のための、Ｓｉ３Ｎ４からなる裏材を含み、
前記ファイバーが２つの別々の軸の周りの動きをもたらす、請求項１０に記載のスキャナー。
【請求項１２】
ＭＥＭＳ装置を形成する方法であって、
基板上で特定の方向にファイバーを揃えることと、
前記ファイバーを前記基板および他の構造体に結合することと、
前記ファイバー構造体を選択的にパターニング及び開放してＭＥＭＳ装置を形成することと、を備える方法。
【請求項１３】
前記ファイバーを選択的に互いに結合することと、
前記基板上に、前記ファイバーを整列させるための整列パターンまたは溝を予め形成することと、を更に備え、
前記ファイバーは、ファイバー束から抽出され、
前記基板は、所望のファイバーＭＥＭＳ構造を創成するために予めパターニングされる、請求項１２に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年4月30日(2008.4.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１２】
前記修復液が、芳香族官能性アルコキシシラン、アルキルアルコキシシラン、アミノ官能性アルコキシシラン、エポキシ官能性アルコキシシラン、フルオロ官能性アルコキシシラン、ビニル官能性アルコキシシラン、またはメタクリレート官能性アルコキシシランから選択される、５０〜９９重量パーセントのアルコキシシランまたはアルコキシシランの混合物、およびスルフィドシラン、メルカプト官能性アルコキシシラン、ホスホネートシラン、またはそれらの混合物を１〜５０重量パーセント含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
前記組成物が種々の量の修復液、および種々の量のスルフィドシラン、メルカプト官能性アルコキシシラン、ホスホネートシラン、またはそれらの混合物を含有し得る一方で、該組成物は５０〜９９重量パーセントの修復液、および１〜５０重量パーセントの、スルフィドシラン、メルカプト官能性アルコキシシラン、ホスホネートシラン、またはそれらの混合物、あるいは６５〜９５重量パーセントの修復液、および５〜３５重量パーセントの、スルフィドシラン、メルカプト官能性アルコキシシラン、ホスホネートシラン、またはそれらの混合物を含有することがより好ましい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
前記ジスルフィドシランＴＰＤは一般的に、式（Ｃ２Ｈ５Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３−Ｓｘ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３に対応する組成物を有する。式中、ｘは約２．２の平均硫黄鎖長を示す。前記テトラスルフィドシランＴＰＴは、一般的に、やはり式（Ｃ２Ｈ５Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３−Ｓｘ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３に対応する組成物を有する。式中、ｘは約３．７５の平均硫黄鎖長を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月10日(2008.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
担体ポリマー及び該担体ポリマーに共有結合されている式(I)の基を含むアニオン交換膜を含む固体アルカリ型燃料電池。
-SO2-NR1-Q+              (I)
式中、
Q+は少なくとも一つの四級化窒素原子を含む基であり、及び
R1はH又はC1-20アルキル基であるか、又はQ+における基と共に環を形成し、該環は2〜10個の炭素原子及び1〜4個のヘテロ原子を含有する。
【請求項２】
式(I)の基が、以下の構造を有する、請求項１記載の固体アルカリ型燃料電池。
【化１】
2008504660.tif 000001
式中、
Yは、C6-10アリール基、ヘテロアリール基又はCR7R8であり、R7は、H、ハロゲン原子又はC1-20アルキル基であるか、又はR2、R5又はR8の1つと共に環を形成し、及びR8は、H、ハロゲン原子又はC1-20アルキル基であるか、又はR3、R6、又はR7の一つと共に環を形成し、R7又はR8によって形成される各環は2〜10個の炭素原子を含有し、及び1〜4個のヘテロ原子を含有していてもよく、及び該ヘテロアリール基は5〜10個の環原子を含有し、
R1はH又はC1-20アルキル基であるか、又はR2又はR5の一つと共に環を形成し、該環は2〜10個の炭素原子及び1〜4個のヘテロ原子を含有し、
R2はC1-20アルキル基であるか、又はR1、R3、R5、R7又はR9の一つと共に環を形成し、該環は2〜10個の炭素原子及び1〜4個のヘテロ原子を含有し、
R3はC1-20アルキル基であるか、又はR2、R6、R8又はR10の一つと共に環を形成し、該環は2〜10個の炭素原子及び1〜4個のヘテロ原子を含有し、
R4はC1-20アルキル基であり、
R5はH、ハロゲン原子又はC1-20アルキル基であるか、又はR1、R2、R7又はR9の一つと共に環を形成し、該環は2〜10個の炭素原子を含有し、及び1〜4個のヘテロ原子を含有していてもよく、
R6はH、ハロゲン原子又はC1-20アルキル基であるか、又はR3、R8又はR10の一つと共に環を形成し、該環は2〜10個の炭素原子を含有し、及び1〜4個のヘテロ原子を含有していてもよく、
各R9は独立にH、ハロゲン原子又はC1-20アルキル基であるか、又はR2又はR5の一つと共に環を形成し、該環は2〜10個の炭素原子を含有し、及び1〜4個のヘテロ原子を含有していてもよく、
各R10は独立にH、ハロゲン原子又はC1-20アルキル基であるか、又はR3又はR6の一つ共に環を形成し、該環は2〜10個の炭素原子を含有し、及び1〜4個のヘテロ原子を含有していてもよく、
nは0〜4の整数であり、
及び式(II)の基における環構造はC1-4アルキレン基によって架橋することができる。
【請求項３】
R1がH又はC1-20アルキル基であり、
R2、R3及びR4が、独立にC1-20アルキル基であり、
R5及びR6がHであり、
R9又はR10がHであり、
YがC6-10アリール基、ヘテロアリール基又はCR7R8であり、R7及びR8は独立にH、ハロゲン原子又はC1-20アルキル基であり、及び
nは0〜2の整数である、
請求項２記載の固体アルカリ型燃料電池。
【請求項４】
YがC6-10アリール基、ヘテロアリール基又はCR7R8であり、R7及びR8が独立にハロゲン原子又はC1-20アルキル基である、請求項２又は３記載の固体アルカリ型燃料電池。
【請求項５】
YがCR7R8であり、且つR7及びR8が独立にF又はClである、請求項２〜４のいずれか１項に記載の固体アルカリ型燃料電池。
【請求項６】
YがCR7R8であり、且つR7及びR8が独立にメチル、エチル又はプロピルである、請求項２〜４のいずれか１項に記載の固体アルカリ型燃料電池。
【請求項７】
Yがフェニレン基である、請求項２〜４のいずれか１項に記載の固体アルカリ型燃料電池。
【請求項８】
(CR9R10)nがメチレン又はエチレン基である、請求項２〜７のいずれか１項に記載の固体アルカリ型燃料電池。
【請求項９】
担体ポリマーが、ペルフルオロ側鎖を有するペルフルオロ化炭素鎖を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の固体アルカリ型燃料電池。
【請求項１０】
担体ポリマーが少なくとも1種の芳香族炭化水素を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の固体アルカリ型燃料電池。
【請求項１１】
担体ポリマーがポリベンズイミダゾールを含む、請求項１０記載の固体アルカリ型燃料電池。
【請求項１２】
燃料としてアルコールを含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の固体アルカリ型燃料電池。
【請求項１３】
固体アルカリ型燃料電池の電解質としての、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のイオン交換膜の使用。
【請求項１４】
電気を生成するための固体アルカリ型燃料電池における、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のイオン交換膜の使用。
【請求項１５】
アルコールが酸化される、請求項１４記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月11日(2008.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホログラムの記録及び／又は書き込みを行うための光学システムを備えており、１つまたはそれ以上の参照ビーム（１０１）と、対象ビーム（１００）又は再構成された対象ビームとのコリニア構成を有する、ホログラフィック記憶媒体に対する読み出し及び／又は書き込みを行うための装置であって、
前記光学システムが、３対の対物レンズ（１、６、９）を有する１２ｆ−システムであり、対物レンズの各対（１、６、９）の第１の部材が、対象のフーリエ変換を生成し、第２の部材が前記対象を再変換し、前記光学システムが、共焦点構成における３つの専用平面（１４、８１、９４）を有していて、ホログラムが、中央の前記専用平面（８１）の近くに位置しており、
前記１つまたはそれ以上の参照ビーム（１０１）が、外側にある２つの前記専用平面（１４、９４）において、前記対象ビーム（１００）の光路に対してカップル・イン及び／又はカップル・アウトされることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記対象ビーム（１００）上にデータページを印すためのＳＬＭ（２）が、前記対物レンズの第１の対（１）の第１の焦点面に位置し、前記ＳＬＭ（２）のフーリエ変換の高次成分を遮断する開口をもつ空間フィルタ（１４）が、前記対物レンズの第１の対（１）の共通の焦点面に位置することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記対物レンズの第２の対（６）の第１の焦点面が、前記対物レンズの第１の対（１）の後焦点面に一致し、前記対物レンズの第２の対（６）が折返し対物レンズであり、ホログラフィック媒体（８）の反射層（８１）が、前記対物レンズの第２の対（６）の共通の内部フーリエ平面に位置することを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記対物レンズの第３の対（９）の第１の焦点面が、前記ＳＬＭ（２）の空間的にフィルタされた読出し像が位置する、前記対物レンズの第２の対（６）の後焦点面に一致し、前記ＳＬＭ（２）の前記像のフーリエ変換の高次成分を遮断する開口をもつ空間フィルタ（９４）が、前記対物レンズの第３の対（９）の共通の焦点面に位置し、検出器アレイ（１０）が、前記対物レンズの第３の対（９）の後焦点面に位置することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記対物レンズの第１の対（１）が、偏光ビームスプリッタ（１１）、１／４波長板（１２）、フーリエ対物レンズ（１３）、及びミラー（１４）を含む折返し対物レンズであることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記対物レンズの第３の対（９）が、偏光ビームスプリッタ（９１）、１／４波長板（９２）、フーリエ対物レンズ（９３）、及びミラー（９４）を含む折返し対物レンズであることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記ＳＬＭ（２）が、透過または反射型位相変調ＳＬＭであり、対象ビームの０次回折を抑制するための位相シフトマスクが、前記対物レンズの第３の対（９）の内側の焦点面に配置されることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
専用ツイン回折要素を備えた参照ビーム発生器と、半円錐参照ビームの１次元アレイを生成するためのリレー光学系とを含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
ツイン液晶ビームデフレクタを備えた参照ビーム発生器と、走査半円錐参照ビームを生成するためのリレー光学系とを含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月9日(2008.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノクラスタ電荷蓄積デバイスの形成方法であって、
１つまたは複数の非電荷蓄積デバイスを配置するための、半導体装置の第１の領域を特定し、
１つまたは複数の電荷蓄積デバイスを配置するための、前記半導体装置の第２の領域を特定し、
前記半導体装置の前記第１の領域中に前記１つまたは複数の非電荷蓄積デバイスのゲート絶縁体として使用されるゲート酸化物を形成し、
その後、前記半導体装置の前記第２の領域中にナノクラスタ電荷蓄積層を形成し、
前記半導体装置の前記第１の領域と前記半導体装置の前記第２の領域の両方の中に前記ゲート酸化物を形成した後でかつ前記ナノクラスタ電荷蓄積層を形成する前に、前記非電荷蓄積デバイスの上にゲート電極層と上に横たわるバリア層を形成し、
前記バリア層を使用して、前記半導体装置の前記第１の領域中の前記ゲート電極層を保護することにより、前記半導体装置の前記第１の領域から前記ナノクラスタ電荷蓄積層を除去する
ことを備える前記方法。
【請求項２】
少なくとも５ナノメートルのゲート酸化物厚みを有する高電圧トランジスタを形成するための領域として前記半導体装置の前記第１の領域を特定することをさらに備える請求項１の方法。
【請求項３】
非電荷蓄積トランジスタを前記第１の領域中に形成し、
前記ナノクラスタ電荷蓄積層を前記半導体装置の前記第２の領域中に形成した後に、前記第２の領域中に電荷蓄積トランジスタを形成することをさらに備える請求項１の方法。
【請求項４】
１つまたは複数の入出力トランジスタまたはロジックトランジスタあるいはこれらの組合せを形成するための領域として、前記半導体装置の第３の領域を特定することをさらに含み、前記第３の領域は、前記第１の領域中の前記１つまたは複数の非電荷蓄積デバイスの前記ゲート酸化物よりも厚みが薄いゲート酸化物を有する１つまたは複数の非電荷蓄積トランジスタを配置するためのものである、請求項１の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月17日(2008.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ出力光パルスを含むビームを選択パルス繰返し数で生成する狭帯域短パルス持続時間ガス放電レーザ出力光パルスビーム生成システムであって、
各パルスに対して、分散波長選択光学器械上へのそのそれぞれのパルスを含むレーザ光パルスビームの入射角によって少なくとも部分的に判断される少なくとも１つの中心波長を選択する分散帯域幅選択光学器械と、
分散中心波長選択光学器械上への前記それぞれのパルスを含む前記レーザ光パルスビームの少なくとも１つの入射角を選択するように作動する同調機構と、
を含み、
前記同調機構は、各部分が少なくとも２つの異なる選択中心波長の一方を有する複数の空間的に分離されているが時間的に分離されていない部分を含むレーザ光パルスを前記分散中心波長選択光学器械から戻すために、前記レーザ光パルスの異なる空間的に分離されているが時間的に分離されていない部分に対して入射角を各々定める複数の入射角選択要素を含む、
ことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記同調機構は、前記パルスの各空間的に分離されているが時間的に分離されていない部分に対する前記それぞれの入射角を選択する電気機械的選択機構を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記同調機構は、前記パルスの各空間的に分離されているが時間的に分離されていない部分に対する前記それぞれの入射角を選択する圧電選択機構を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記同調機構は、前記パルスの各空間的に分離されているが時間的に分離されていない部分に対する前記それぞれの入射角を選択する電気機械的及び圧電選択機構を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記同調機構は、複数の非誘導光学入射角選択要素を含み、該要素は、前記ビームの断面プロファイルにわたって互いに対して差動的に変位可能であり、かつ少なくとも１つのパルスの持続時間にわたって選択された差動的に変位したアラインメントに留まる、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記同調機構は、
少なくとも１つのパルスの持続時間にわたって第１の傾斜機構によって位置決めされる第１の選択要素と、
少なくとも１つのパルスの持続時間にわたって第２の傾斜機構によって位置決めされる第２の選択要素と、
を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記第１及び第２の傾斜機構の一方は、定置装着式である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記入射角選択機構の少なくとも１つは、誘導光学要素を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項９】
レーザ出力光パルスを含むビームを選択パルス繰返し数で生成する狭帯域短パルス持続時間ガス放電レーザ出力光パルスビーム生成システムであって、
各パルスに対して、光学器械上へのそのそれぞれのパルスを含むレーザ光パルスビームの入射角によって少なくとも部分的に判断される選択中心波長に中心がある各パルスに対して少なくとも１つの帯域幅を選択する分散帯域幅選択光学器械と、
前記分散帯域幅選択光学器械上への前記それぞれのパルスを含む前記レーザ光パルスビームの少なくとも２つの入射角を選択するように作動する同調機構と、
を含み、
前記同調機構は、各部分が少なくとも２つの異なる選択中心波長の１つを有する各パルスの複数の時間的分離部分を含むレーザビームを前記分散帯域幅選択光学器械から戻すために、前記パルスの異なる時間的分離部分に対して入射角を定める時間的入射角選択要素を含む、
ことを特徴とするシステム。
【請求項１０】
レーザ出力光パルスを選択パルス繰返し数で生成する狭帯域短パルス持続時間ガス放電レーザ出力光パルスビーム生成システムであって、
各パルスに対して、光学器械上へのそのそれぞれのパルスを含む出力レーザ光パルスビームの入射角によって少なくとも部分的に判断される選択中心波長に中心がある各パルスに対して少なくとも１つの帯域幅を選択する分散帯域幅選択光学器械と、
前記分散帯域幅選択光学器械上への前記それぞれのパルスを含む前記出力レーザ光パルスビームの少なくとも２つの入射角を選択するように作動する同調機構と、
を含み、
前記同調機構は、
前記レーザ光パルスの空間的に分離されているが時間的に分離されていない部分に対して入射角を各々定める複数の空間入射角選択要素と、
前記パルスの各空間的に分離されているが時間的に分離されていない部分の少なくとも第１の時間的分離部分に対して少なくとも第１の入射角、及び該パルスの各空間的分離部分の第２の時間的に分離されているが空間的に分離されていない部分に対して第２の入射角を各々定める複数の時間的入射角選択要素と、
を含む、
ことを特徴とするシステム。
【請求項１１】
前記同調機構は、
少なくとも１つのパルスの持続時間にわたって第１の傾斜機構によって位置決めされる第１の選択要素アセンブリと、
前記少なくとも１つのパルスの前記持続時間にわたって第２の傾斜機構によって位置決めされる第２の選択要素アセンブリと、
を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記第１の選択要素アセンブリは、空間入射角選択要素と時間的入射角選択要素とを含み、
前記第２の選択要素アセンブリも、空間入射角選択要素と時間的入射角選択要素とを含む、
ことを含むことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記同調機構は、個々のパルスが少なくとも２つの異なる中心波長のそれぞれの１つを含む選択帯域幅を有して、少なくとも２つの中心波長スペクトルを含むレーザパルスビームの統合効果を一連のパルス内に生成する複数のパルスを含むレーザビームを前記分散帯域幅選択光学器械から戻すために、該一連のパルス内の異なるパルスに対して異なる入射角を定める、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記同調機構は、少なくとも第１の区域と第２の区域とを含む差動的に曲げ可能な回折格子を含む前記レーザ光パルスの異なる空間的に分離されているが時間的に分離されていない部分に対して、各部分が少なくとも２つ異なる選択中心波長の１つを有する複数の空間的に分離されているが時間的に分離されていない部分を含むレーザ光パルスを前記分散中心波長選択光学器械の該第１及び第２の区域から戻すために、入射角を各々定める複数の入射角選択要素を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月19日(2008.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノクラスタ電荷蓄積デバイスを形成する方法であって、
ナノクラスタ電荷蓄積デバイスに関連する第１ドーパントウェルと、ナノクラスタを含まない半導体デバイスに関連する第２ドーパントウェルとを有する基板を準備する基板準備工程と、
第１導電性ゲート材料層を有する第１ゲートスタックを第１ドーパントウェルの上に形成する第１ゲートスタック形成工程と、第１導電性ゲート材料層は第１ゲート誘電体層に埋め込まれる複数のナノクラスタの上に、かつ、第２導電性ゲート材料層の一部分の下に位置し、第１ゲートスタックのゲート電極を形成することと、
第２導電性ゲート材料層のうちの第２ドーパントウェルの上の部分を第２ゲートスタックのゲート電極として用いて、第２ドーパントウェル上に第２ゲートスタックを形成する第２ゲートスタック形成工程と、第２導電性ゲート材料層のうちの第１導電性ゲート材料層の上の部分は除去されることと、からなる方法。
【請求項２】
第１ドーパントウェルから分離した全ての領域をマスクして第２導電性ゲート材料層を選択的にエッチングすることによって、第２導電性ゲート材料層のうちの第１導電性ゲート材料層の上の部分を除去する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ドーピングしたポリシリコン、金属または金属合金を用いて第１導電性ゲート材料層及び第２導電性ゲート材料層を形成する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第２導電性ゲート材料層とは異なる材料を用いて第１導電性ゲート材料層を設ける工程を含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
第１ゲート誘電体層を形成する工程と、第１ゲート誘電体層を形成する工程はナノクラスタ層の上及び周囲にゲート酸化膜層及び第２ゲート酸化膜層を形成する工程を含むことと、第１ゲート誘電体層及び第１導電性ゲート材料層は第１ドーパントウェル及び第２ドーパントウェルの両方の上に形成されることと、
ウェットエッチング及びドライエッチングの組み合わせを用いて、第１導電性ゲート材料層、第１ゲート誘電体層及びナノクラスタ層を第２ドーパントウェル上の領域から選択的にエッチングする工程と、を含む請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月31日(2008.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶で５０％〜９０％のＧｅ濃度を有するＳｉＧｅシード層［１０１］と、
前記ＳｉＧｅシード層［１０１］とエピタキシャル関係を有して前記ＳｉＧｅシード層を被覆する単結晶の圧縮歪Ｇｅ層［１００］と、
を備える積層構造。
【請求項２】
前記ＳｉＧｅシード層［１０１］内のＧｅが濃度勾配を有する請求項１に記載の積層構造。
【請求項３】
単結晶で、前記ＳｉＧｅシード層［１０１］とエピタキシャル関係にあり、最高で５０％のＧｅ濃度を有する緩和ＳｉＧｅ層［１３０］を前記ＳｉＧｅシード層の下層にさらに備える請求項１に記載の積層構造。
【請求項４】
単結晶で、前記圧縮歪Ｇｅ層［１００］とエピタキシャル関係にあり、最高で１０％のＧｅ濃度を有して前記圧縮歪Ｇｅ層を被覆するＳｉＧｅ最上層［１２０］をさらに備える請求項１に記載の積層構造。
【請求項５】
前記積層構造は、誘電体［１４０］によって囲まれ絶縁分離される請求項１に記載の積層構造。
【請求項６】
前記積層構造および前記分離誘電体［１４０］は、同一平面上にある上面［１２１，１４１］を有する請求項１に記載の積層構造。
【請求項７】
前記圧縮歪Ｇｅ層［１００］にホスティングされる正孔伝導型デバイスをさらに備える請求項１に記載の積層構造。
【請求項８】
ＣＭＯＳ回路であって、
単結晶で５０％〜９０％のＧｅ濃度を有するＳｉＧｅシード層［１０１］とエピタキシャル関係を有して該ＳｉＧｅシード層を被覆している圧縮歪Ｇｅ層［１００］にホスティングされるＰＭＯＳ［２１０］デバイスを備えるＣＭＯＳ回路。
【請求項９】
単結晶で、前記圧縮歪Ｇｅ層とエピタキシャル関係にあり、最高で１０％のＧｅ濃度を有するＳｉＧｅ最上層［１２０］によって前記圧縮歪Ｇｅ層［１００］が被覆されると共に、単結晶で、前記ＳｉＧｅシード層［１０１］とエピタキシャル関係にあり、最高で５０％のＧｅ濃度を有する緩和ＳｉＧｅ層［１３０］を前記ＳｉＧｅシード層の下層に備える請求項８に記載のＣＭＯＳ回路。
【請求項１０】
ＰＭＯＳデバイスを作製する方法であって、
５０％〜９０％のＧｅ濃度を有する単結晶ＳｉＧｅシード層［１０１］を、最高で５０％のＧｅ濃度を有する緩和ＳｉＧｅ層［１３０］上にエピタキシャル堆積させる工程と、
圧縮歪Ｇｅ層［１００］を前記ＳｉＧｅシード層上にエピタキシャル堆積させる工程と、
前記圧縮歪Ｇｅ層［１００］に前記ＰＭＯＳデバイスをホスティングする工程とを含む方法。
【請求項１１】
前記ＳｉＧｅシード層［１０１］が０．３ｎｍ〜３ｎｍ厚となり、前記圧縮歪Ｇｅ層［１００］が５ｎｍ〜２０ｎｍ厚となるように選択される請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
最高で１０％のＧｅ濃度を有すように選択されたＳｉＧｅ最上層［１２０］を前記圧縮歪Ｇｅ層［１００］上にエピタキシャル堆積させる工程をさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＳｉＧｅ最上層［１２０］が、０．３ｎｍ〜１０ｎｍ厚の実質的に純粋Ｓｉであるように選択される請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＳｉＧｅシード層［１０１］および前記圧縮歪Ｇｅ層［１００］をエピタキシャル堆積させる工程は、誘電体材料に対して選択的に実行される請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＳｉＧｅ最上層［１２０］をエピタキシャル堆積させる工程は、誘電体材料に対して選択的に実行される請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＰＭＯＳデバイス用のゲート絶縁体［３１０］にｈｉｇｈ−Ｋ材料を使用する工程をさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記ＰＭＯＳデバイス用のゲート絶縁体［３１０］に堆積酸化物を使用する工程をさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
ＣＭＯＳ回路を作製する方法であって、
最高で５０％のＧｅ濃度の緩和ＳｉＧｅ層［１３０］を有するＳＧＯＩウェハ［１５１，１５０，１３０］を準備する工程と、
前記ＳＧＯＩウェハ上にＮＭＯＳ［２２０］およびＰＭＯＳ［２１０］領域の範囲を定める工程と、
前記ＮＭＯＳ領域を誘電体材料［１６０］でキャッピングする工程と、
５０％〜９０％のＧｅ濃度を有する単結晶ＳｉＧｅシード層［１０１］を前記緩和ＳｉＧｅ層上に選択的にエピタキシャル堆積させる工程と、
圧縮歪Ｇｅ層［１００］を前記ＳｉＧｅシード層［１０１］上に選択的にエピタキシャル堆積させる工程と、
前記圧縮歪Ｇｅ層［１００］にＰＭＯＳデバイスホスティングする工程とを含む方法。
【請求項１９】
前記圧縮歪Ｇｅ層［１００］を覆うように、最高で１０％のＧｅ濃度を有するに選択されたＳｉＧｅ最上層［１２０］を選択的にエピタキシャル堆積させる工程をさらに含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記ＳｉＧｅ最上層［１２０］が、０．３ｎｍ〜１０ｎｍ厚の実質的に純粋Ｓｉであるように選択される請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月9日(2008.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイス構造体において、
半導体領域を有する基板と、
トランジスタに基づく機能を実行するための実質的に連続しているドープ処理された領域を有する前記半導体領域内のＬＤＭＯＳトランジスタ構造であって、前記実質的に連続しているドープ処理された領域は、前記実質的に連続しているドープ処理された領域よりも強くドープ処理され且つ浅くなっており、前記実質的に連続しているドープ処理された領域と同じ導電性型式である第１のドープ処理された領域を有しており、前記実質的に連続しているドープ処理された領域がドレインとして機能する、ＬＤＭＯＳトランジスタ構造と、
前記実質的に連続しているドープ処理された領域によって実質的に取り囲まれているショットキーダイオードと、を備えているデバイス構造体。
【請求項２】
デバイス構造体において、
半導体領域を有する基板と、
トランジスタに基づく機能を実行するための実質的に連続しているドープ処理された領域を有する前記半導体領域内のＬＤＭＯＳトランジスタ構造であって、前記実質的に連続しているドープ処理された領域は、前記実質的に連続しているドープ処理された領域よりも強くドープ処理され且つ浅くなっており、前記実質的に連続しているドープ処理された領域と同じ導電性型式である第１のドープ処理された領域を有している、ＬＤＭＯＳトランジスタ構造と、
前記実質的に連続しているドープ処理された領域によって実質的に取り囲まれているショットキーダイオードと、を有し、
前記半導体領域は第１導電性型式のバックグラウンドドーピングを有しており、前記ショットキーダイオードは、
前記基板の表面上のシリサイド領域と、
前記半導体領域内にあり、前記シリサイド領域と接触しており、前記第１導電性型式であり、前記半導体領域より濃度が高い第２のドープ処理された領域と、を備えているデバイス構造体。
【請求項３】
前記ＬＤＭＯＳトランジスタ構造は、
前記第１のドープ処理された領域に隣接しており、前記実質的に連続しているドープ処理された領域の縁部から間隔を空けて配置されている、前記実質的に連続しているドープ処理された領域内の分離領域と、
第３のドープ処理された領域であって、前記第３のドープ処理された領域と前記実質的に連続しているドープ処理された領域との間に空間ができるように、前記実質的に連続しているドープ処理された領域から間隔を空けて配置されている、前記半導体領域と同じ導電性型式の第３のドープ処理された領域と、
前記第３のドープ処理された領域の一部分、前記空間、前記実質的に連続しているドープ処理された領域の一部分、及び前記分離領域の一部分に重なっているゲート構造と、を備えている、請求項２に記載のデバイス構造体。
【請求項４】
前記半導体領域の導電性型式はＰ型である、請求項３に記載のデバイス構造体。
【請求項５】
前記第３のドープ処理された領域は、更に、ソース接点である前記半導体領域より高いドーピング濃度を有する、前記第１導電性型式の第４のドープ処理された領域を有していることを特徴とする、請求項３に記載のデバイス構造体。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年6月20日(2008.6.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項６】
５０Ｖの形成電圧で形成され、１０分間の約１３００℃〜約１４００℃の温度と９０℃の形成温度で焼結された場合に、前記キャパシタンスが約３７，０００〜約３９，０００ＣＶ／ｇである、請求項５に記載のタンタルフレーク状粉末。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月24日(2008.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアを伝導するための構造であって、
＜１１０＞において上面を有するＳｉまたはＳｉＧｅの単結晶基板と、
前記基板の上に形成したＳｉＧｅの擬似格子整合層であって、前記基板よりもＧｅ濃度が高く、これによって圧縮性の歪みがかかっている、擬似格子整合層と、
を含む、構造。
【請求項２】
前記擬似格子整合層の上にゲート誘電体を更に含む、請求項１に記載の構造。
【請求項３】
前記ゲート誘電体の上にゲート電極を更に含む、請求項２に記載の構造。
【請求項４】
前記ゲート誘電体の各側において前記擬似格子整合層に形成されたソースおよびドレイン領域を更に含み、前記ソースおよびドレイン領域間にチャネルを形成する、請求項３に記載の構造。
【請求項５】
前記ゲート誘電体の上にポリシリコン・ゲート電極を更に含み、ＭＯＳＦＥＴを形成する、請求項２に記載の構造。
【請求項６】
前記ゲート誘電体の上にポリシリコン・ゲルマニウム・ゲート電極を更に含む、請求項２に記載の構造。
【請求項７】
前記ゲート誘電体の上に金属および金属シリサイドのゲート電極の一方を更に含む、請求項２に記載の構造。
【請求項８】
前記ゲート誘電体が３．９よりも大きい誘電率を有する、請求項２に記載の構造。
【請求項９】
前記基板の表面が０．１ｎｍのＲＭＳを有する、請求項１に記載の構造。
【請求項１０】
前記ＳｉＧｅの擬似格子整合層が２０ｎｍ未満の厚さを有する、請求項１に記載の構造。
【請求項１１】
キャリアを伝導するための構造を形成するための方法であって、
＜１１０＞において上面を有するＳｉまたはＳｉＧｅの単結晶基板を選択するステップと、
前記基板の上に形成したＳｉＧｅの擬似格子整合層であって、前記基板よりもＧｅ濃度が高く、これによって圧縮性の歪みがかかっている、擬似格子整合層を形成するステップと、
を含む、方法。
【請求項１２】
前記擬似格子整合層の上にゲート誘電体を形成するステップと、
前記ゲート誘電体の上にゲート電極を形成するステップと、
前記ゲート誘電体の各側において前記擬似格子整合層にソースおよびドレイン領域を形成し、前記ソースおよびドレイン領域間にチャネルを形成するステップと、
を更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
半導体エピタキシャル層を形成するための方法であって、
＜１１０＞において上面を有するＳｉまたはＳｉＧｅの単結晶基板を選択するステップと、
前記単結晶基板を急速化学的気相堆積ツール内に装着するステップと、
前記ツール内の圧力を０．２トール未満に低下させるステップと、
前記ツール内の温度を６００℃まで上昇させるステップと、
Ｓｉ含有ガスおよびＧｅ含有ガスの双方を導入し、これによって、前記基板の上に、前記基板とは異なるＧｅ濃度を有するＳｉＧｅの擬似格子整合層を形成し、これによって前記擬似格子整合層を歪ませる、ステップと、
を含む、方法。
【請求項１４】
０．１ｎｍのＲＭＳ粗さ未満の前記基板の表面を化学的に処理するステップを更に含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ツール内の温度を４００℃未満に低下させる時間期間の後、エピタキシャル成長を終了させるステップを更に含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
エピタキシャル堆積のために基板を化学的に処理するための方法であって、
０．２ｎｍ未満の表面粗さを有するＳｉまたはＳｉＧｅ基板を選択するステップと、
前記基板を脱イオン化水において２３℃で１０ＰＰＭオゾンの第１の槽に浸漬するステップと、
前記基板を希薄ＨＦ１００：１の第２の槽に少なくとも１分間浸漬するステップと、
前記基板を脱イオン化水の第３の槽に少なくとも５分間浸漬するステップと、
前記基板をＨＣｌ酸および脱イオン化水の少なくとも１：１００の２３℃の第４の槽に浸漬するステップと、
前記基板を脱イオン化水の第５の槽に少なくとも５分間浸漬するステップと、
前記基板を前記第５の槽から取り出して、窒素を含む雰囲気において少なくとも３０℃の温度で前記基板を乾燥させるステップと、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月5日(2008.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラップトップスタンドであって、
１以上の放熱窓が設けられたフロントパネルと、
その一端で前記フロントパネルの一端に枢着した基台と、
枢着端部と該枢着端部の反対側に位置する位置決め端部とを有する支持プレートであって、該枢着端部を前記フロントパネルと前記基台の一方に枢着させることができる支持プレートと、
前記フロントパネルと前記基台の他方に設けられた複数の位置決め部材と
を備え、前記ラップトップスタンドでラップトップコンピューターを支持した時に、前記位置決め端部を前記複数の位置決め部材の１つに独立に位置させることができる、ラップトップスタンド。
【請求項２】
前記フロントパネルの枢着部に２以上の折畳み式バックストップが設けられている、請求項１に記載のラップトップスタンド。
【請求項３】
前記ラップトップスタンドを折畳んだ時に、前記フロントパネルが、該フロントパネルが前記基台に枢着する位置とは異なる位置で前記基台にクリップ結合される、請求項１に記載のラップトップスタンド。
【請求項４】
前記基台が上向きの隆起台部を備えており、前記複数の位置決め部材は、該隆起台部に設けられた複数の平行な溝である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のラップトップスタンド。
【請求項５】
前記枢着端部は前記フロントパネルに枢着され、前記複数の位置決め部材は前記基台に位置している、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のラップトップスタンド。
【請求項６】
前記放熱窓のサイズは、前記フロントパネルと前記基台とを折畳んだ時に前記隆起台部が前記放熱窓内に収納されるように、前記隆起台部と対応している、請求項４に記載のラップトップスタンド。
【請求項７】
前記フロントパネルの背面から突出した保持リブが、前記フロントパネルの背面の周縁部及び前記放熱窓の周縁部に設けられている、請求項４に記載のラップトップスタンド。
【請求項８】
前記基台の周縁部の形状に対応した保持リブが前記フロントパネルの背面に設けられ、前記基台から上向きに突出した保持リブが、前記基台の枢着されていない周縁部に設けられている、請求項７に記載のラップトップスタンド。
【請求項９】
前記フロントパネルの前記保持リブと、前記基台の前記保持リブと、前記隆起台部とは、前記支持プレートの厚さ以上の同一の高さを有している、請求項８に記載のラップトップスタンド。
【請求項１０】
前記基台の底面に３個以上の滑止めパッドが設けられ、前記フロントパネルにハンドルが設けられている、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のラップトップスタンド。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月4日(2008.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
哺乳類雌における受胎能または胚形成を制御するための医薬の製造における、アンジオポエチン誘発Tie受容体活性のモジュレーターの使用。
【請求項２】
哺乳類雌における受胎能もしくは胚形成の制御または避妊のための、アンジオポエチン誘発Tie受容体活性のモジュレーターを含む医薬。
【請求項３】
雌がヒトである、請求項２の医薬。
【請求項４】
さらに医薬上許容される希釈剤、賦形剤または担体を含む、請求項２または３の医薬。
【請求項５】
モジュレーターがアンジオポエチン誘発Tie受容体活性の阻害薬であり、該モジュレーターが受胎能または胚形成の阻害に有効な量にて医薬中に存在する、請求項２〜４のいずれかの医薬。
【請求項６】
阻害薬が、アンジオポエチンタンパク質に結合し、かつ哺乳類Tie-1またはTie-2受容体チロシンキナーゼの細胞外ドメインのアミノ酸配列と少なくとも80%同一であるアミノ酸配列を含む可溶性ポリペプチドを含む、請求項５の医薬。
【請求項７】
阻害薬が以下からなる群より選択されるメンバーを含む、請求項５の医薬:
(A) 以下を含むポリペプチド:
(i) 配列番号 2のアミノ酸25-759と少なくとも80%同一であるアミノ酸配列;
(ii) 配列番号 4のアミノ酸23-745と少なくとも80%同一であるアミノ酸配列; および
(iii) (i)または(ii)のフラグメント;
ここで、該ポリペプチドは、アンジオポエチン-1 (配列番号 6)、アンジオポエチン-2 (配列番号 8)、アンジオポエチン-3 (配列番号 10)、およびアンジオポエチン-4 (配列番号 12) からなる群より選択される少なくとも１つのアンジオポエチンポリペプチドに結合する; 
(B) (A)のポリペプチドをコードするヌクレオチド配列を含むポリヌクレオチド; および
(C) (B)のポリヌクレオチドを含むベクター。
【請求項８】
ポリペプチドがさらにイムノグロブリンFcフラグメントを含む、請求項６または７の医薬。
【請求項９】
イムノグロブリンFcフラグメントがIgG Fcドメインを含む、請求項８の医薬。
【請求項１０】
阻害薬がTie-1またはTie-2受容体チロシンキナーゼの細胞外ドメインに特異的に免疫反応する抗体物質を含む、請求項５の医薬、ここで該抗体物質は以下を含む: (a) モノクローナルまたはポリクローナル抗体; (b) 該免疫反応性を保持する(a)のフラグメント; または(c) (a)の抗原結合フラグメントを含み、かつ該免疫反応性を保持するポリペプチド。
【請求項１１】
阻害薬が、Tie-1受容体チロシンキナーゼ、Tie-2受容体チロシンキナーゼ; アンジオポエチン-1、アンジオポエチン-2、アンジオポエチン-3およびアンジオポエチン-4からなる群より選択されるポリペプチドの発現を阻害する干渉RNAを含む、請求項５の医薬。
【請求項１２】
モジュレーターが、Tie受容体活性のアゴニストであり、雌における受胎能の増加または胚形成の促進に有効な量にて医薬中に存在する、請求項２〜４のいずれかの医薬。
【請求項１３】
アゴニストが、(a) Tie受容体チロシンキナーゼに結合してそれを刺激するのに有効である哺乳類アンジオポエチンポリペプチドまたはそのフラグメントと少なくとも80%同一であるアミノ酸配列を含むポリペプチド; または(b)該ポリペプチドをコードするヌクレオチド配列を含むポリヌクレオチド; または(c) 該ポリヌクレオチドを含むベクターを含む、請求項１２の医薬。
【請求項１４】
アンジオポエチンポリペプチドが、ヒトアンジオポエチン-1 (配列番号 6)、アンジオポエチン-2 (配列番号 8) 、アンジオポエチン-3 (配列番号 10)およびアンジオポエチン-4 (配列番号 12) からなる群より選択される、請求項１３の医薬。
【請求項１５】
経口的に、静脈内注射、筋肉内注射または他の注射により、経皮パッチにより、局所的に、または経膣的に投与される、請求項２〜１４のいずれかの医薬。
【請求項１６】
排卵後に投与される、請求項２〜１４のいずれかの医薬。
【請求項１７】
哺乳類雌由来の生物学的サンプルにおけるTie受容体の発現または活性を測定する工程を含む、雌における不妊についてスクリーニングする方法、ここでTie発現または活性が受胎能と相関する。
【請求項１８】
生物学的サンプルが卵巣表面内皮の一次繊毛を含む、請求項１７の方法。
【請求項１９】
以下の工程を含む、Tie受容体チロシンキナーゼとアンジオポエチンリガンドとの結合のモジュレーターをスクリーニングする方法:
a) 推定モジュレーター化合物の存在および非存在下において、Tie-1受容体およびTie-2受容体またはTie-1/Tie-2複合体をその表面に発現する細胞を含むTie受容体組成物とアンジオポエチンリガンドとを接触させる工程;
b) 該推定モジュレーター化合物の存在および非存在下において、Tie受容体とアンジオポエチンリガンドとの結合を測定する工程; および
c) 該推定モジュレーター化合物の非存在下における結合と比較した、該推定モジュレーター化合物の存在下における該結合の減少または増加に基づきモジュレーター化合物を同定する工程。
【請求項２０】
さらに以下の工程を含む、請求項１９の方法:
(d) 工程 (c)により同定されたモジュレーターを医薬上許容される担体中に製剤化することによりモジュレーター組成物を製造する工程。
【請求項２１】
さらに以下の工程を含む、請求項２０の方法：
(e) Tie受容体を発現する細胞を含む哺乳類に該モジュレーター組成物を投与し、該哺乳類における該モジュレーター組成物の生理学的効果を測定する工程。
【請求項２２】
哺乳類における受胎能を評価することを含む、請求項２１の方法。
【請求項２３】
Tie受容体が、哺乳類Tie-1および哺乳類Tie-2ならびにその混合物からなる群より選択される、請求項１９〜２２のいずれかの方法。
【請求項２４】
Tie受容体およびアンジオポエチンがヒトである、請求項２３の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】配列表
【補正方法】変更
【補正の内容】
【配列表】
2008504248000001.app