【手続補正書】
【提出日】平成20年6月17日(2008.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  式（Ｉ）：
−（ＡＢＯ4）X（ＭnＯm）1-X− （Ｉ）または
式（ＩＩ）：
−（ＡｌＯ2）j（ＭnＯm）k− （ＩＩ）
（式中、Ａは、周期表のＩＩＩＡ族から選択される元素であり、
Ｂは、周期表のＶＢ族から選択される元素であり、
Ｏは、酸素であり、
Ａｌは、アルミニウムであり、
Ｍは、周期表のＩＩＩＢ族又はＩＶＢ族から選択される元素であり、
ｎは、約０．５〜約２．５の範囲にあり、ｍは、約１．５〜約３．５の範囲にあり、ｘは、０〜１の範囲の小数であり、
ｊは、約０．５〜約４．５の範囲にあり、ｋは、約１に等しい）により表される非晶質酸化物。
【請求項２】  Ａはアルミニウム（Ａｌ）であり、Ｂはタンタル（Ｔａ）であり、Ｍはハフニウム（Ｈｆ）又はジルコニウム（Ｚｒ）から選択され、ｎは１であり、ｍは２であり、ｘは０．２５未満である、請求項１記載の式（Ｉ）により表される非晶質酸化物。
【請求項３】  Ａはアルミニウム（Ａｌ）であり、Ｂはタンタル（Ｔａ）であり、Ｍはイットリウム（Ｙ）又はランタン（Ｌａ）から選択され、ｎは２であり、ｍは３であり、ｘは０．２５未満である、請求項１記載の式（Ｉ）により表される非晶質酸化物。
【請求項４】  Ｍはハフニウム（Ｈｆ）又はジルコニウム（Ｚｒ）から選択され、ｎは１であり、ｍは２であり、ｊは４であり、ｋは１である、請求項１記載の式（ＩＩ）により表される非晶質酸化物。
【請求項５】  Ｍはイットリウム（Ｙ）又はランタン（Ｌａ）から選択され、ｎは２であり、ｍは３であり、ｊは３であり、ｋは１である、請求項１記載の式（ＩＩ）により表される非晶質酸化物。
【請求項６】  式（Ｉ）：
−（ＡＢＯ4）X（ＭnＯm）1-X− （Ｉ）
（式中、Ａは、周期表のＩＩＩＡ族から選択される元素であり、Ｂは、周期表のＶＢ族から選択される元素であり、Ｏは、酸素であり、Ｍは、周期表のＩＩＩＢ族又はＩＶＢ族から選択される元素であり、ｎは、約０．５〜約２．５の範囲にあり、ｍは、約１．５〜約３．５の範囲にあり、ｘは、０〜１の範囲の小数である）により表される非晶質酸化物の製造方法であって、
元素Ａを含む気体源と、元素Ｂを含む気体源と、元素Ｍを含む気体源と、酸素を含む気体源とを基板上に供給して、元素Ａを含む気体源と、元素Ｂを含む気体源と、元素Ｍを含む気体源と、酸素を含む気体源とを反応させて、非晶質酸化物を生成させるステップを含む、式（Ｉ）により表される非晶質酸化物の製造方法、または、
式（ＩＩ）：
−（ＡｌＯ2）j（ＭnＯm）k− （ＩＩ）
（式中、Ａｌは、アルミニウムであり、Ｏは、酸素であり、Ｍは、周期表のＩＩＩＢ族又はＩＶＢ族から選択される元素であり、ｊは、約０．５〜約４．５の範囲にあり、ｋは、約１に等しく、ｎは、約０．５〜約２．５の範囲にあり、ｍは、約１．５〜約３．５の範囲にある）により表される非晶質酸化物の製造方法であって、
前記製造方法は、アルミニウムを含む気体源と、元素Ｍを含む気体源と、酸素を含む気体源とを基板上に供給して、アルミニウムを含む気体源と、元素Ｍを含む気体源と、酸素を含む気体源とを反応させて、非晶質酸化物を生成させるステップを含む、式（ＩＩ）により表される非晶質酸化物の製造方法。
【請求項７】  前記元素Ａ、Ｂ及びＭは、化学量論に達するのに十分な量で存在し、前記酸素を含有する気体源は、元素Ａ、Ｂ及びＭが完全に酸化されるのに十分な量の酸素を含む、請求項６記載の式（Ｉ）により表される非晶質酸化物の製造方法。
【請求項８】  前記元素アルミニウム及びＭは、化学量論に達するのに十分な量で存在し、酸素を含む気体源は、元素アルミニウム及びＭが完全に酸化されるのに十分な量の酸素を含む、請求項６記載の式（ＩＩ）により表される非晶質酸化物の製造方法。
【請求項９】  前記酸素含有源を含む気体源中の酸素は、酸素原子、酸素イオン、準安定酸素、酸素分子イオン、準安定酸素分子、化合物酸素分子イオン、化合物準安定酸素、化合物酸素ラジカル及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項６記載の式（Ｉ）または式（ＩＩ）により表される非晶質酸化物の製造方法。
【請求項１０】  前記酸素を含む気体源は、Ｏ2又はＮ2Ｏを含む、請求項６記載の式（Ｉ）または式（ＩＩ）により表される非晶質酸化物の製造方法。
【請求項１１】  前記生成させるステップは、リアクター中で行われるリモートプラズマ化学蒸着であり、該リモートプラズマ化学蒸着は、酸素を含む気体源に高周波プラズマ励起又はマイクロ波プラズマ励起を施すステップを含み、前記酸素を含む気体源は、更に希ガス元素を含み、酸素含有気体源は、元素Ａを含む気体源、元素Ｂを含む気体源及び元素Ｍを含む気体源に対して、上流において、リアクター中に注入される、請求項６記載の式（Ｉ）により表される非晶質酸化物の製造方法。
【請求項１２】  前記生成させるステップは、リアクター中で行われるリモートプラズマ化学蒸着であり、該リモートプラズマ化学蒸着は、酸素を含む気体源に高周波プラズマ励起又はマイクロ波プラズマ励起を施すステップを含み、該酸素を含む気体源は、更に希ガス元素を含み、かつ酸素含有気体源は、アルミニウムを含む気体源及び元素Ｍを含む気体源に対して、上流において、リアクター中に注入される、請求項６記載の式（ＩＩ）により表される非晶質酸化物の製造方法。
【請求項１３】  Ａはアルミニウム（Ａｌ）であり、Ｂはタンタル（Ｔａ）であり、Ｍはハフニウム（Ｈｆ）又はジルコニウム（Ｚｒ）から選択され、ｎは１であり、ｍは２であり、ｘは０．２５未満である、請求項６記載の式（Ｉ）により表される非晶質酸化物の製造方法。
【請求項１４】  Ａはアルミニウム（Ａｌ）であり、Ｂはタンタル（Ｔａ）であり、Ｍはイットリウム（Ｙ）又はランタン（Ｌａ）から選択され、ｎは２であり、ｍは３であり、ｘは０．２５未満である、請求項６記載の式（Ｉ）により表される非晶質酸化物の製造方法。
【請求項１５】  Ｍはハフニウム（Ｈｆ）又はジルコニウム（Ｚｒ）から選択され、ｎは１であり、ｍは２であり、ｊは４であり、ｋは１である、請求項６記載の式（ＩＩ）により表される非晶質酸化物の製造方法。
【請求項１６】  Ｍはイットリウム（Ｙ）又はランタン（Ｌａ）から選択され、ｎは２であり、ｍは３であり、ｊは３であり、ｋは１である、請求項６記載の式（ＩＩ）により表される非晶質酸化物の製造方法。
【請求項１７】  第一表面を有する集積回路基板と、
前記基板の前記第一表面において間隔を置いて配置されているソース領域及びドレイン領域と、
前記基板上の前記第一表面において間隔を置いて配置されている前記ソース領域とドレイン領域との間にあるゲート絶縁層と
を含んでなる電界効果型トランジスターであって、
前記ゲート絶縁層は、式（Ｉ）：
−（ＡＢＯ4）X（ＭnＯm）1-X− （Ｉ）
または
式（ＩＩ）：
−（ＡｌＯ2）j（ＭnＯm）k− （ＩＩ）
（式中、Ａは、周期表のＩＩＩＡ族から選択される元素であり、
Ｂは、周期表のＶＢ族から選択される元素であり、
Ｏは、酸素であり、
Ａｌは、アルミニウムであり、
Ｍは、周期表のＩＩＩＢ族又はＩＶＢ族から選択される元素であり、
ｎは、約０．５〜約２．５の範囲にあり、ｍは、約１．５〜約３．５の範囲にあり、ｘは、０〜１の範囲の小数であり、
ｊは、約０．５〜約４．５の範囲にあり、ｋは、約１に等しい）により表される非晶質酸化物を含む、電界効果型トランジスター。
【請求項１８】  前記非晶質酸化物が式（Ｉ）または式（ＩＩ）により表され、前記基板は、ＩＩＩ−Ｖ族の二元合金、ＩＩＩ−Ｖ族の四元合金、ＩＩＩ族の窒化物合金及びこれらの組合せからなる群から選択される材料を含む、請求項１７記載の電界効果型トランジスター。
【請求項１９】  前記非晶質酸化物が式（Ｉ）または式（ＩＩ）により表され、前記基板は、（Ｇａ，Ａｌ）Ａｓ、（Ｉｎ，Ｇａ）Ａｓ及びこれらの組合せからなる群から選択されるＩＩＩ−Ｖ族の二元合金を含む、請求項１７記載の電界効果型トランジスター。
【請求項２０】  前記非晶質酸化物が式（Ｉ）により表され、Ａはアルミニウム（Ａｌ）であり、Ｂはタンタル（Ｔａ）であり、Ｍはハフニウム（Ｈｆ）又はジルコニウム（Ｚｒ）から選択され、ｎは１であり、ｍは２であり、ｘは０．２５未満である、請求項１７記載の電界効果型トランジスター。
【請求項２１】  前記非晶質酸化物が式（Ｉ）により表され、Ａはアルミニウム（Ａｌ）であり、Ｂはタンタル（Ｔａ）であり、Ｍはイットリウム（Ｙ）又はランタン（Ｌａ）から選択され、ｎは２であり、ｍは３であり、ｘは０．２５未満である、請求項１７記載の電界効果型トランジスター。
【請求項２２】  前記非晶質酸化物が式（ＩＩ）により表され、Ｍはハフニウム（Ｈｆ）又はジルコニウム（Ｚｒ）から選択され、ｎは１であり、ｍは２であり、ｊは４であり、ｋは１である、請求項１７記載の電界効果型トランジスター。
【請求項２３】  前記非晶質酸化物が式（ＩＩ）により表され、Ｍはイットリウム（Ｙ）又はランタン（Ｌａ）から選択され、ｎは２であり、ｍは３であり、ｊは３であり、ｋは１である、請求項１７記載の電界効果型トランジスター。
【請求項２４】  請求項１記載の非晶質酸化物を含む、マイクロエレクトロニクス装置。
【請求項２５】  前記マイクロエレクトロニクス装置は、ベース層及び該ベース層の上に位置する界面層を含む、請求項２４記載のマイクロエレクトロニクス装置。
【請求項２６】  式（Ｉ）で表される非晶質酸化物は、前記界面層中に存在する、請求項２５記載のマイクロエレクトロニクス装置。
【請求項２７】  式（ＩＩ）で表される非晶質酸化物は、前記界面層中に存在する、請求項２５記載のマイクロエレクトロニクス装置。
【請求項２８】  式（Ｉ）で表される非晶質酸化物は、ベース層中に存在する、請求項２５記載のマイクロエレクトロニクス装置。
【請求項２９】  式（ＩＩ）で表される非晶質酸化物は、ベース層中に存在する、請求項２５記載のマイクロエレクトロニクス装置。
【請求項３０】  前記ベース層は、式（ＩＩＩ）：
Ｄ（ＡｌＯ2）Z（ＩＩＩ）
（式中、Ｄは、ＩＩＩＢ又はＩＶＢ族の酸化物であり、ｚは、３又は４である）の酸化物を含む、請求項２４記載のマイクロエレクトロニクス装置。
【請求項３１】  式（ＩＩＩ）の酸化物は、Ｈｆ（ＡｌＯ2）4、Ｙ（ＡｌＯ2）3及びこれらの組合せからなる群から選択される、請求項３０記載のマイクロエレクトロニクス装置。
【請求項３２】  請求項１記載の式（Ｉ）により表される非晶質酸化物を含む製品。
【請求項３３】  光伝導体、光ダイオード、発光ダイオード、レーザー、センサー、マイクロ機器（ＭＥＭＳ）装置及び金属電極を備えた装置、センサー（アプリケーション）に使用される製品及び触媒（アプリケーション）に使用される製品からなる群から選択される、請求項３２記載の製品。
【請求項３４】  請求項１記載の式（ＩＩ）により表される非晶質酸化物を含む製品。
【請求項３５】  光伝導体、光ダイオード、発光ダイオード、レーザー、センサー、マイクロ機器（ＭＥＭＳ）装置及び金属電極を備えた装置、センサー（アプリケーション）に使用される製品及び触媒（アプリケーション）に使用される製品からなる群から選択される、請求項３４記載の製品。