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【手続補正書】
【提出日】令和1年8月27日(2019.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波変換器アセンブリであって、
超音波エネルギーを軸方向において放出するように構成される、変換器層と、
前記軸方向において前記変換器層の上にある、整合層と、
少なくとも前記整合層の中に延在する複数の切溝であって、前記切溝は、少なくとも部分的に、マイクロバルーンまたはマイクロスフェアを備える充填材で充填される、切溝と、
を備える、超音波変換器アセンブリ。
【請求項２】
前記複数の切溝は、複数の第１の切溝および複数の第２の切溝を含み、前記第１の切溝は、前記軸方向において第１の深度を有し、前記第２の切溝は、前記軸方向において前記第１の深度を上回る第２の深度を有する、請求項１に記載の超音波変換器アセンブリ。
【請求項３】
前記変換器層の下にあるバッキング層をさらに備える、請求項２に記載の超音波変換器アセンブリ。
【請求項４】
前記変換器層と前記バッキング層との間の不整合層をさらに備え、前記第２の切溝は、前記整合層、前記変換器層、および前記不整合層を通して前記バッキング層の中に延在する、請求項３に記載の超音波変換器アセンブリ。
【請求項５】
前記不整合層の音響インピーダンスは、炭化タングステンの音響インピーダンス未満である、請求項４に記載の超音波変換器アセンブリ。
【請求項６】
前記充填材の中に形成される溝をさらに備え、前記切溝は、第１の幅を方位角方向において有し、前記溝は、前記方位角方向において前記第１の幅未満の第２の幅を有する、請求項１に記載の超音波変換器アセンブリ。
【請求項７】
前記第２の幅は、前記第１の幅の２分の１を上回る、請求項６に記載の超音波変換器アセンブリ。
【請求項８】
前記第２の幅は、前記第１の幅の４分の１未満である、請求項６に記載の超音波変換器アセンブリ。
【請求項９】
前記溝は、前記軸方向において前記整合層の厚さ未満の深度を有する、請求項６に記載の超音波変換器アセンブリ。
【請求項１０】
前記溝は、前記軸方向において前記整合層の厚さを上回る深度を有する、請求項６に記載の超音波変換器アセンブリ。
【請求項１１】
前記軸方向における個々の切溝内の充填材の深度は、方位角方向において変動する、請求項１に記載の超音波変換器アセンブリ。
【請求項１２】
前記軸方向における個々の切溝内の充填材の深度は、仰角方向において変動する、請求項１に記載の超音波変換器アセンブリ。
【請求項１３】
前記充填材は、軸方向において段階化される、音響インピーダンスを含む、請求項１に記載の超音波変換器アセンブリ。
【請求項１４】
超音波変換器アセンブリを構築する方法であって、
圧電層の上側表面を整合層の下側表面に接合するステップと、
前記圧電層の下側表面を不整合層に接合するステップと、
前記整合層の中に延在する第１の複数の切溝を形成するステップと、
前記整合層、前記圧電層、および前記不整合層を通して延在する第２の複数の切溝を形成するステップであって、前記第１の複数の切溝の深度は、前記第２の複数の切溝の深度未満である、ステップと、
を含む、方法。
【請求項１５】
バッキング層の上側表面を前記不整合層の下側表面に接合するステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の複数の切溝及び前記第２の複数の切溝の各々は、第１の切溝および第２の切溝を含み、
少なくとも部分的に、前記第１の切溝および前記第２の切溝を、マイクロバルーンを備える充填材で充填するステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の切溝または前記第２の切溝のうちの少なくとも１つ内の充填材の中に溝を形成するステップをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記整合層は、ある厚さを有し、前記溝を形成するステップは、仰角方向において前記整合層の厚さ未満の深度を有する溝を形成するステップを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
個々の切溝内の前記充填材の深度を方位角方向において変動させるステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
超音波変換器アセンブリであって、
超音波エネルギーを放出するように構成される複数の圧電変換器要素を備える、変換器層と、
前記変換器層の上にある、複数の整合層であって、Ｚ-軸が、前記複数の整合層および前記変換器層を通して延在する、複数の整合層と、
少なくとも前記複数の整合層の中に延在する、複数の第１の切溝および複数の第２の切溝であって、前記第１の切溝は、前記Ｚ-軸に対して第１の深度を有し、前記第２の切溝は、前記Ｚ-軸に対して第２の深度を有し、前記第２の深度は、前記第１の深度を上回り、前記切溝は、少なくとも部分的に、２つまたはそれを上回る材料を備える複合充填材で充填される、複数の第１の切溝および複数の第２の切溝と、
を備える、超音波変換器アセンブリ。
【請求項２１】
前記複合充填材は、異なる音響インピーダンスを有する２つまたはそれを上回る材料を備える、請求項２０に記載の超音波変換器アセンブリ。
【請求項２２】
前記複合充填材は、空気の音響インピーダンスの約１０％以内の音響インピーダンスを有する、請求項２０に記載の超音波変換器アセンブリ。
【請求項２３】
前記複合充填材は、エポキシ中に懸濁されたマイクロバルーンを含み、前記複合充填材は、空気の音響インピーダンスの約５％以内の音響インピーダンスを有する、請求項２０に記載の超音波変換器アセンブリ。
【請求項２４】
前記変換器層の下にある、バッキング層と、
前記変換器層と前記バッキング層との間の不整合層であって、前記第２の切溝は、前記複数の整合層の内の１つまたはそれを上回る整合層、前記変換器層、および前記不整合層を通して前記バッキング層の中に延在する、不整合層と、
をさらに備える、請求項２０に記載の超音波変換器アセンブリ。
【請求項２５】
前記不整合層の音響インピーダンスは、炭化タングステンの音響インピーダンスと実質的に異なる、請求項２４に記載の超音波変換器アセンブリ。
【請求項２６】
前記不整合層の音響インピーダンスは、前記変換器層の音響インピーダンス未満である、請求項２４に記載の超音波変換器アセンブリ。
【請求項２７】
前記変換器層および前記複数の整合層は、方位角軸に沿って延在するある長さを有し、
前記複合充填材の中に形成される溝をさらに備え、前記第１および第２の切溝は、前記方位角軸に対して第１の幅を有し、前記溝は、前記方位角軸に対して前記第１の幅未満の第２の幅を有する、請求項２０に記載の超音波変換器アセンブリ。
【請求項２８】
前記変換器層および前記複数の整合層は、方位角軸に沿って延在するある長さを有し、対応する個々の第１および第２の切溝内の前記複合充填材の前記第１の深度および前記第２の深度は、前記方位角軸に対して変動する、請求項２０に記載の超音波変換器アセンブリ。
【請求項２９】
前記変換器層および前記複数の整合層は、仰角軸に沿って延在するある幅を有し、対応する個々の第１および第２の切溝内の前記複合充填材の前記第１の深度および前記第２の深度は、前記仰角軸に対して変動する、請求項２０に記載の超音波変換器アセンブリ。
【請求項３０】
前記複合充填材は、前記Ｚ-軸に対して段階化される、音響インピーダンスを有する、請求項２０に記載の超音波変換器アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月5日(2019.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局によるワイヤレス通信のための方法であって、
より広いシステム帯域幅内の狭帯域領域上で指向性1次同期信号(DPSS)を送信するステップと、
前記DPSSに基づいて1つまたは複数のユーザ機器(UE)からフィードバック情報を受信するステップであって、前記フィードバック情報が、前記フィードバック情報を送信したUEの帯域幅能力の指示を備える、ステップと、
前記フィードバック情報に少なくとも部分的に基づいて、前記より広いシステム帯域幅または前記狭帯域領域のうちの少なくとも1つ内でリソースを前記1つまたは複数のUEに割り振るステップと、
前記DPSS送信に加えて、前記狭帯域領域よりも広い、前記より広いシステム帯域幅の領域において、方向と帯域幅領域の異なる組合せを使用してビーム追跡波形を前記1つまたは複数のUEのうちの少なくとも1つのUEに送信するステップと
を備える方法。
【請求項２】
前記割り振るステップが、
前記狭帯域領域内のリソースブロック(RB)を、前記DPSSに基づいてフィードバックを提供した第1のセットの1つまたは複数のUEに割り振るステップと、
前記狭帯域領域よりも広い前記領域にわたるRBを、第2のセットの1つまたは複数のUEに割り振るステップと
を備える、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記DPSSが第1の時間において送信され、
前記ビーム追跡波形が第2の時間において送信される、
請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記ビーム追跡波形が、単一のUEを対象にするユニキャスト送信で送信される、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
基地局によるワイヤレス通信のための装置であって、
より広いシステム帯域幅内の狭帯域領域上で指向性1次同期信号(DPSS)を送信することと、
前記DPSSに基づいて1つまたは複数のユーザ機器(UE)からフィードバック情報を受信することであって、前記フィードバック情報が、前記フィードバック情報を送信したUEの帯域幅能力の指示を備える、受信することと、
前記フィードバック情報に少なくとも部分的に基づいて、前記より広いシステム帯域幅または前記狭帯域領域のうちの少なくとも1つ内でリソースを前記1つまたは複数のUEに割り振ることと、
前記DPSS送信に加えて、前記狭帯域領域よりも広い、前記より広いシステム帯域幅の領域において、方向と帯域幅領域の異なる組合せを使用してビーム追跡波形を前記1つまたは複数のUEのうちの少なくとも1つのUEに送信することと
を行うように構成された少なくとも1つのプロセッサと、
前記少なくとも1つのプロセッサと結合されたメモリと
を備える装置。
【請求項６】
前記少なくとも1つのプロセッサが、
前記狭帯域領域内のリソースブロック(RB)を、前記DPSSに基づいてフィードバックを提供した第1のセットの1つまたは複数のUEに割り振ることと、
前記狭帯域領域よりも広い前記領域にわたるRBを、第2のセットの1つまたは複数のUEに割り振ることと
によって、リソースを前記1つまたは複数のUEに割り振るように構成される、請求項5に記載の装置。
【請求項７】
前記少なくとも1つのプロセッサが、第1の時間において前記DPSSを送信し、第2の時間において前記ビーム追跡波形を送信する、
請求項5に記載の装置。
【請求項８】
前記少なくとも1つのプロセッサが、前記ビーム追跡波形を単一のUEを対象にするユニキャスト送信で送信する、請求項5に記載の装置。
【請求項９】
ユーザ機器(UE)によるワイヤレス通信のための方法であって、
より広いシステム帯域幅の狭帯域領域上で基地局から送信された指向性1次同期信号(DPSS)を検出するステップと、
前記DPSSに基づいて生成されたフィードバック情報を前記基地局に送信するステップであって、前記フィードバック情報が、前記UEの帯域幅能力の指示を備える、ステップと、
前記フィードバック情報に基づいて、前記より広いシステム帯域幅または前記狭帯域領域のうちの少なくとも1つ内で割り振られたリソースを使用して前記基地局と通信するステップと、
前記DPSS送信を検出するステップに加えて、前記狭帯域領域よりも広い、前記より広いシステム帯域幅の領域において、方向と帯域幅領域の異なる組合せを使用してビーム追跡波形を検出するステップと
を備える方法。
【請求項１０】
前記割り振られたリソースが、
前記狭帯域領域内のリソースブロック(RB)、または
第2のセットの1つまたは複数のUEに対する、前記狭帯域領域よりも広い前記領域にわたるRB
のうちの少なくとも1つを備える、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記DPSSが第1の時間において送信され、
前記ビーム追跡波形が第2の時間において送信される、
請求項9に記載の方法。
【請求項１２】
前記ビーム追跡波形が、前記UEを対象にするユニキャスト送信で送信される、請求項9に記載の方法。
【請求項１３】
ユーザ機器(UE)によるワイヤレス通信のための装置であって、
より広いシステム帯域幅の狭帯域領域上で基地局から送信された指向性1次同期信号(DPSS)を検出することと、
前記DPSSに基づいて生成されたフィードバック情報を前記基地局に送信することであって、前記フィードバック情報が、前記UEの帯域幅能力の指示を備える、送信することと、
前記フィードバック情報に基づいて、前記より広いシステム帯域幅または前記狭帯域領域のうちの少なくとも1つ内で割り振られたリソースを使用して前記基地局と通信することと、
前記DPSS送信を検出することに加えて、前記狭帯域領域よりも広い、前記より広いシステム帯域幅の領域において、方向と帯域幅領域の異なる組合せを使用してビーム追跡波形を検出することと
を行うように構成された少なくとも1つのプロセッサと、
前記少なくとも1つのプロセッサと結合されたメモリと
を備える装置。
【請求項１４】
前記割り振られたリソースが、
前記狭帯域領域内のリソースブロック(RB)、または
第2のセットの1つまたは複数のUEに対する、前記狭帯域領域よりも広い前記領域にわたるRB
のうちの少なくとも1つを備える、請求項13に記載の装置。
【請求項１５】
少なくとも1つのコンピュータに、請求項1乃至4または9乃至12のいずれか1項に記載の方法を実行させるための命令を含むコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月12日(2019.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のサブフレーム中に、無認可無線周波数スペクトル帯域中のチャネル上でリッスンビフォアトーク（ＬＢＴ）プロシージャを実行することと、
前記ＬＢＴプロシージャの完了とデータ送信のために構成された第２のサブフレームの境界との間の時間期間を識別することと、
固定ＬＢＴプロシージャ時間と、実際のＬＢＴプロシージャ時間と、Ｗｉ−Ｆｉプリアンブル時間とに少なくとも部分的に基づいて可変長メッセージの持続時間を選択することと、前記選択された持続時間は、前記チャネル上で送信されるフレームを認可無線周波数スペクトル帯域中の認可チャネル上で送信される認可フレームと時間整合させるように同期を確立する、
前記可変長メッセージが、前記第２のサブフレームの前記境界と時間整合されるように、前記識別された時間期間中に前記チャネル上で、前記選択された持続時間に従ってＷｉ−Ｆｉプリアンブルと前記可変長メッセージとを送信することと
を備える、ワイヤレス通信のための方法。
【請求項２】
前記ＬＢＴプロシージャに関連する擬似ランダムバックオフ間隔を選択すること、前記擬似ランダムバックオフ間隔が、前記チャネル上の通信に関連するシステム時間に少なくとも部分的に基づいて選択される、
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記Ｗｉ−Ｆｉプリアンブル中で自己への送信可（ＣＴＳ−Ｓ）情報要素を送信すること、前記ＣＴＳ−Ｓ情報要素が、前記時間期間の残りの部分中に前記チャネルを予約するように構成された、
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ＣＴＳ−Ｓ情報要素が、前記時間期間の前記残りの部分中に前記チャネルを予約するように選択された固定宛先アドレスを備える、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ＬＢＴプロシージャ中に、１つまたは複数の受信されたＷｉ−Ｆｉ信号のヘッダ部分を復号することと、
前記復号されたヘッダ部分に少なくとも部分的に基づいて、前記ＬＢＴプロシージャが完了したと決定することと
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記チャネルが、前記無認可無線周波数スペクトル帯域におけるデバイスツーデバイス（Ｄ２Ｄ）直接通信に関連する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
プロセッサと、
前記プロセッサと電子通信しているメモリと、
前記メモリに記憶された命令と
を備える、ワイヤレス通信のための装置であって、前記命令は、
第１のサブフレーム中に、無認可無線周波数スペクトル帯域中のチャネル上でリッスンビフォアトーク（ＬＢＴ）プロシージャを実行することと、
前記ＬＢＴプロシージャの完了とデータ送信のために構成された第２のサブフレームの境界との間の時間期間を識別することと、
固定ＬＢＴプロシージャ時間と、実際のＬＢＴプロシージャ時間と、Ｗｉ−Ｆｉプリアンブル時間とに少なくとも部分的に基づいて可変長メッセージの持続時間を選択することと、前記選択された持続時間は、前記チャネル上で送信されるフレームを認可無線周波数スペクトル帯域中の認可チャネル上で送信される認可フレームと時間整合させるように同期を確立する、
前記可変長メッセージが、前記第２のサブフレームの前記境界と時間整合されるように、前記識別された時間期間中に前記チャネル上で、前記選択された持続時間に従ってＷｉ−Ｆｉプリアンブルと前記可変長メッセージとを送信することと
を行うために前記プロセッサによって実行可能である、装置。
【請求項８】
前記ＬＢＴプロシージャに関連する擬似ランダムバックオフ間隔を選択すること、前記擬似ランダムバックオフ間隔が、前記チャネル上の通信に関連するシステム時間に少なくとも部分的に基づいて選択される、
を行うために前記プロセッサによって実行可能な命令をさらに備える、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記Ｗｉ−Ｆｉプリアンブル中で自己への送信可（ＣＴＳ−Ｓ）情報要素を送信すること、前記ＣＴＳ−Ｓ情報要素が、前記時間期間の残りの部分中に前記チャネルを予約するように構成された、
を行うために前記プロセッサによって実行可能な命令をさらに備える、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記ＣＴＳ−Ｓ情報要素が、前記時間期間の前記残りの部分中に前記チャネルを予約するように選択された固定宛先アドレスを備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記ＬＢＴプロシージャ中に、１つまたは複数の受信されたＷｉ−Ｆｉ信号のヘッダ部分を復号することと、
前記復号されたヘッダ部分に少なくとも部分的に基づいて、前記ＬＢＴプロシージャが完了したと決定することと
を行うために前記プロセッサによって実行可能な命令をさらに備える、請求項７に記載の装置。
【請求項１２】
前記チャネルが、前記無認可無線周波数スペクトル帯域におけるデバイスツーデバイス（Ｄ２Ｄ）直接通信に関連する、請求項７に記載の装置。
【請求項１３】
第１のサブフレーム中に、無認可無線周波数スペクトル帯域中のチャネル上でリッスンビフォアトーク（ＬＢＴ）プロシージャを実行するための手段と、
前記ＬＢＴプロシージャの完了とデータ送信のために構成された第２のサブフレームの境界との間の時間期間を識別するための手段と、
固定ＬＢＴプロシージャ時間と、実際のＬＢＴプロシージャ時間と、Ｗｉ−Ｆｉプリアンブル時間とに少なくとも部分的に基づいて可変長メッセージの持続時間を選択するための手段と、前記選択された持続時間は、前記チャネル上で送信されるフレームを認可無線周波数スペクトル帯域中の認可チャネル上で送信される認可フレームと時間整合させるように同期を確立する、
前記可変長メッセージが、前記第２のサブフレームの前記境界と時間整合されるように、前記識別された時間期間中に前記チャネル上で、前記選択された持続時間に従ってＷｉ−Ｆｉプリアンブルと前記可変長メッセージとを送信するための手段と
を備える、ワイヤレス通信のための装置。
【請求項１４】
ワイヤレス通信のためのコードを記憶する非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記コードは、
第１のサブフレーム中に、無認可無線周波数スペクトル帯域中のチャネル上でリッスンビフォアトーク（ＬＢＴ）プロシージャを実行することと、
前記ＬＢＴプロシージャの完了とデータ送信のために構成された第２のサブフレームの境界との間の時間期間を識別することと、
固定ＬＢＴプロシージャ時間と、実際のＬＢＴプロシージャ時間と、Ｗｉ−Ｆｉプリアンブル時間とに少なくとも部分的に基づいて可変長メッセージの持続時間を選択することと、前記選択された持続時間は、前記チャネル上で送信されるフレームを認可無線周波数スペクトル帯域中の認可チャネル上で送信される認可フレームと時間整合させるように同期を確立する、
前記可変長メッセージが、前記第２のサブフレームの前記境界と時間整合されるように、前記識別された時間期間中に前記チャネル上で、前記選択された持続時間に従ってＷｉ−Ｆｉプリアンブルと前記可変長メッセージとを送信することと
を行うためにプロセッサによって実行可能である、非一時的コンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月10日(2019.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
脂肪族ポリイソシアネート成分と、ポリオール成分と、官能性酸含有化合物と、の反応生成物を含むポリウレタンポリマーを含む感圧接着剤組成物であって、
前記ポリオール成分が、１０〜１４（ｃａｌ／ｃｍ３）１／２の範囲の全溶解度パラメーターを有し、
前記感圧接着剤組成物が、２５℃、及び周波数１ヘルツにて、１ＭＰａ未満の貯蔵弾性率Ｇ’を有する、感圧接着剤組成物。
【請求項２】
前記ポリオール成分が、３．５〜６の範囲の水素結合を有する、請求項１に記載の感圧接着剤組成物。
【請求項３】
ポリウレタンポリマーと、ポリオール成分と、官能性酸含有化合物と、を含む、感圧接着剤組成物であって、
前記ポリウレタンポリマーが、２５℃で液体であるポリイソシアネートを含む脂肪族ポリイソシアネート成分の反応生成物を含み、
前記ポリオール成分が、オルト−又はメタ−フタレートの繰り返し単位と、少なくとも４個の炭素原子を含むアルキレン基の繰り返し単位とを含み、
前記感圧接着剤組成物が、２５℃、及び周波数１ヘルツにて、１ＭＰａ未満の貯蔵弾性率Ｇ’を有する、感圧接着剤組成物。
【請求項４】
脂肪族ポリイソシアネート成分が、脂肪族環状ポリイソシアネートを含む、請求項３に記載の感圧接着剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月2日(2019.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
付加製造用のアルミニウム合金であって、該アルミニウム合金は、付加製造加工中の改善された耐熱間亀裂性を得るために、約10％の非-平衡(可溶性)共晶成分を用いて凝固させることができ、及び該共晶成分を、後-処理操作中に溶解させて、単一相アルミニウムマトリックスを復元することができ、該マトリックスが、熱間亀裂抵抗性を得るために使用された粗粒共晶成分を含まないものであり得る、前記アルミニウム合金。
【請求項２】
付加製造加工中の熱間亀裂抵抗性を得るための約10％の可溶性T-相共晶混合物、及び高い強度を得るための、6％を超える、約170℃にて析出されるη’-相を含む、請求項1に記載の合金。
【請求項３】
付加製造加工中の熱間亀裂抵抗性を得るための約10％の可溶性T-相共晶混合物、及び高い強度を得るための、6％を超える、約170℃にて析出されるT-相を含む、請求項1に記載の合金。
【請求項４】
高い強度を得るための、4％を超える、選択された温度にて析出されるη-相を含む、請求項1に記載の合金。
【請求項５】
質量基準で約3％〜約9％の亜鉛、約2％〜約6％のマグネシウム、約0.5％〜約2％の銅、0％〜約1％のジルコニウム、0％〜約2％のイットリウム、0％〜約2％のエルビウム、0％〜約2％のイッテルビウム、0％〜約2％のスカンジウム、0％〜約2％の銀、及び0％〜約2％のマンガンを含み、残部が本質的にアルミニウム及び偶発元素及び不純物である合金。
【請求項６】
約0.1％のジルコニウムを含む、請求項5に記載の合金。
【請求項７】
質量基準で、約6.3％の亜鉛、約3.5％のマグネシウム、約1.1％の銅、約0.1％のジルコニウムを含み、及び質量％による残部がアルミニウム及び偶発元素及び不純物を含有する、請求項5に記載の合金。
【請求項８】
質量基準で、約7.5％の亜鉛、約4.6％のマグネシウム、約1.5％の銅、約0.1％のジルコニウムを含み、及び質量％による残部がアルミニウム及び偶発元素及び不純物を含有する、請求項5に記載の合金。
【請求項９】
質量基準で、約3％の亜鉛、約4.7％のマグネシウム、約1.3％の銅、約0.1％のジルコニウムを含み、及び質量％による残部が、アルミニウム及び偶発元素及び不純物を含有する、請求項5に記載の合金。
【請求項１０】
質量基準で、約3.3％の亜鉛、約5.5％のマグネシウム、約1.4％の銅、約0.1％のジルコニウムを含み、及び質量％による残部が、アルミニウム及び偶発元素及び不純物を含有する、請求項5に記載の合金。
【請求項１１】
前記開示された合金が、1種又は2種以上のAl3X析出相を含み、ここにおいてXはZr、Y、Er、Yb又はScである、請求項5に記載の合金。
【請求項１２】
質量基準で約4％〜約9％の亜鉛、約0.5％〜約3％のマグネシウム、約0.5％までの銅、約1％までのジルコニウムを含み、かつ質量％による残部がアルミニウム及び偶発元素及び不純物を含有する、合金。
【請求項１３】
質量基準で、約3.1％のマグネシウム、約2％の銀、約0.5％の銅、約0.1％のジルコニウム、約0.4％のイッテルビウム、約0.4％のエルビウムを含み、かつ質量％による残部が、アルミニウム及び偶発元素及び不純物を含有する、合金。
【請求項１４】
質量基準で、約3.1％のマグネシウム、約2％の銀、約0.5％の銅、約0.1％のジルコニウム、約0.4％のイットリウムを含み、かつ質量％による残部が、アルミニウム及び偶発元素及び不純物を含有する、合金。
【請求項１５】
請求項１に記載の合金を含む、製品。
【請求項１６】
付加製造法を通して物品を製造する方法であって、
粉末化された合金組成物を、付加製造手順及びその後の後処理操作に掛ける工程を含み、そこで該合金は、質量基準で、約3％〜約9％の亜鉛、約2％〜約6％のマグネシウム、約0.5％〜約2％の銅、0％〜約1％のジルコニウム、0％〜約2％のイットリウム、0％〜約2％のエルビウム、0％〜約2％のイッテルビウム、0％〜約2％のスカンジウム；0％〜約2％の銀、及び0％〜約2％のマンガンを含み、残部が本質的にアルミニウム及び偶発元素及び不純物である、前記方法。
【請求項１７】
前記合金が、付加製造加工中の改善された耐熱間亀裂性を得るために、約10％の非-平衡(可溶性)共晶成分を用いて凝固させることができる、請求項16に記載の方法。
【請求項１８】
前記共晶成分を、後-処理操作中に溶解させて、単一相アルミニウムマトリックスを復元することができ、該マトリックスは熱間亀裂抵抗性を得るために使用された粗粒共晶成分を含まないものであり得る、請求項17に記載の方法。
【請求項１９】
前記後-処理操作が熱処理を含む、請求項16に記載の方法。
【請求項２０】
質量基準で、約3％〜約9％の亜鉛、約0.5％〜約3％のマグネシウム、約0.5％〜約1％のジルコニウム、0％〜約2％のエルビウム、約0.5％未満の銅を含み、かつ質量％による残部が、アルミニウム及び偶発元素及び不純物を含有する、合金。
【請求項２１】
質量基準で、約4％〜約8％の亜鉛を含む、請求項20に記載の合金。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月28日(2019.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
様々な寸法または構成の電気化学セルスタックの製造方法であって、
接続可能端に沿って嵌合面を有する面状モジュール部品を備える第１の部品ストックから第１の面寸法および構成を有する第１の面状モジュールを組み立てることであって、共面構成で前記面状モジュール部品同士を接続して、前記第１の面寸法および構成を有する第１の面状モジュールを形成することを含むことと、
複数の面状モジュールを備える第１の電気化学スタック内の前記第１の面状モジュールを組み立てて、前記第１の面寸法および構成に対応する前記電気化学スタックを形成することと、
前記第１の部品ストックと共通する面状モジュール部品を含む第２の部品ストックを特定すると共に、前記第１の面状モジュールとは異なる面寸法または構成を有する第２の面状モジュールを前記第２の部品ストックから組み立てることと、
複数の面状モジュールを備える第２の電気化学スタック内の前記第２の面状モジュールを組み立てて、前記第２の面寸法または構成に対応する前記第２の電気化学スタックを形成することと、を含む方法。
【請求項２】
前記第２の面状モジュールが、前記第１の面状モジュールの共通面状モジュール部品とは異なる数の共通面状モジュール部品を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の面状モジュールが、前記第１の面状モジュールの共通面状モジュール部品と同数の共通面状モジュール部品を、前記第１の面状モジュールとは異なる構成で備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記複数の面状モジュール部品が、前記面状モジュールの面に対して垂直な方向に凹んだ第１の面状モジュール部品の嵌合面に沿った部分と、前記第１の面状モジュール部品の凹んだ部分を補完するように構成される第２の面状モジュール部品の嵌合面に沿った部分との間の接続部を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
複数の面状モジュールフレーム部品を有する面状周縁フレームを備える面状電気化学セルモジュールであって、前記複数の面状モジュールフレーム部品同士を、前記モジュール面状周縁フレーム部品の相互接続端に沿って嵌合面で接続させて、接続されたモジュール面状周縁フレーム部品を面状周縁フレームの面に沿って延在させた、面状電気化学セルモジュール。
【請求項６】
前記面状周縁フレームが機能モジュールを保持する、請求項５に記載の面状電気化学セルモジュール。
【請求項７】
前記モジュール面状周縁フレーム部品が、前記面状周縁フレームの面に対して垂直な方向に凹んだ第１のモジュール面状周縁フレーム部品の嵌合面と、前記第１のモジュール面状周縁フレーム部品の凹んだ部分を補完するように構成される第２のモジュール面状周縁フレーム部品の前記嵌合面に沿った部分と、に沿って接続される、請求項５または６に記載の面状電気化学セルモジュール。
【請求項８】
前記面状周縁フレーム内に保持される面状内側フレームをさらに備える、請求項５〜７のいずれか一項に記載の面状電気化学セルモジュール。
【請求項９】
前記面状内側フレームが前記面状周縁フレームと共に、複数のフレーム付き空間を形成する、請求項５〜８のいずれか一項に記載の面状電気化学セルモジュール。
【請求項１０】
前記面状モジュールフレーム部品が、スタックアセンブリボルトのための非導電性開口部を含む、あるいは協働して含む、請求項５〜９のいずれか一項に記載の面状電気化学セルモジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気化学セルスタックの製造方法および面状電気化学セルモジュール
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月11日(2019.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定ロケールにおけるベクトル場を測定するための測定システムであって、
少なくとも１つの浮動構造と、
ビームを放射し、反射または散乱されたビームを受け取るように、１つの前記浮動構造もしくは複数の前記浮動構造の何れかに装着された複数のビームトランシーバーとを備え、
前記ビームトランシーバーは、前記ビームトランシーバーによって放射されたビームが前記測定ロケールで交差するように配置され、
ビームトランシーバーから放射されるビームの方向を変更するよう構成された制御システムと、
公称作動位置からの前記少なくとも１つの浮動構造の変位の測定を可能にする位置検出装置と、
前記少なくとも１つの浮動構造の向きを測定するように構成された姿勢検出装置とをさらに備え、
前記位置検出装置および前記姿勢検出装置は、１つ又はそれぞれの前記浮動構造の動きを考慮してビーム操縦を調整するために、制御システムに読み取り値を提供することを特徴とする測定システム。
【請求項２】
前記ベクトル場が流体速度である、請求項１に記載の測定システム。
【請求項３】
複数のビームトランシーバーを担持するフレームを備える、請求項１または２に記載の測定システム。
【請求項４】
前記浮動構造は、気象マストもしくは他の支柱構造体を備えるか、または気象マストもしくは他の支柱構造体を形成する請求項１〜３のいずれか一項に記載の測定システム。
【請求項５】
前記トランシーバーのうちの１つ以上が、空間的に分離された送信機および受信機を備える、請求項１〜４のいずれか一項に記載の測定システム。
【請求項６】
前記制御システムは、前記測定ロケールで交差するように、複数のビームトランシーバーから複数のビームを選択、切替え、又は操縦するよう構成されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の測定システム。
【請求項７】
ドップラーシフトを計算するために、周波数等の送信および受信されたビームパラメータを測定および比較し、それによって相対視線速度成分を示す、請求項１〜６のいずれか一項に記載の測定システム。
【請求項８】
前記ビームを用いて、密度、乱流強度、水平面等の任意の面に対する流れ傾斜角、水平風力、垂直風力、水平ウィンドシア、垂直ウィンドシア、水平風向、風速（風速度の大きさ）、垂直風速、または水平風速等の、被験媒体の他の特性を測定または推定する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の測定システム。
【請求項９】
時間的に連続した測定を組み合わせて、被験媒体のパラメータの変化率を測定または推定する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の測定システム。
【請求項１０】
複数の測定値を、ある空間領域にわたって延びるベクトル場空間マップ及び／又はある時間領域にわたって延びるベクトル場時間マップに組み合わせる、請求項１〜９のいずれか一項に記載の測定システム。
【請求項１１】
前記ビームはＳＯＤＡＲビーム、ＲＡＤＡＲビーム、ＬＩＤＡＲビーム、ドップラーＬＩＤＡＲビーム、連続波（ＣＷ）ＬＩＤＡＲビームまたはパルスＬＩＤＡＲビームである、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の測定システム。
【請求項１２】
２つ以上のビームが２つ以上の独立した浮動構造から発せられ、前記ベクトル場のパラメータを再構成するために、前記システムが前記独立した構造物からのデータを組み合わせる、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の測定システム。
【請求項１３】
風ベクトル場測定データが風力タービン制御システムに供給されるか、及び／又は、状態監視システムデータと組み合わされる、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の測定システム。
【請求項１４】
前記制御システムは、風からより多くのエネルギーを収穫するために、測定データを利用するか、及び／又は、
アラームもしくは保護手段を始動して部品の損傷を低減または回避するために、測定データを利用する、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の測定システム。
【請求項１５】
測定値を分析して流体密度値を導出するか、及び／又は、
連続的な速度測定を用いて、流体加速度測定値、またはベクトル変位のより高い時間微分値を生成する、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の測定システム。
【請求項１６】
複数のビーム源は、異なる周波数、パルス繰り返し周波数、または異なる偏光特性で送信する、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の測定システム。
【請求項１７】
前記ビームは、異なるビームを識別するために、周波数、偏光またはパルスチェーンインターバル符号化によって符号化される、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の測定システム。
【請求項１８】
前記姿勢検知装置によって測定された方向は、ロール角、ピッチ角およびヨー角データを含む、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の測定システム。
【請求項１９】
測定ロケールにおけるベクトル場を測定する方法であって、
ビームを放射し、反射または散乱したビームを受信する複数のビームトランシーバーを設けることを含み、前記複数のビームトランシーバーは、１つの浮動構造もしくは複数の浮動構造の何れかに装着されており、
前記ビームトランシーバーによって放射されたビームは前記測定ロケールで交差し、
１つ又はそれぞれの浮動構造の公称動作位置からの変位を測定することと、
１つ又はそれぞれの浮動構造の向きを測定することとをさらに含み、
１つ又はそれぞれの浮動構造の動きを考慮して、測定された変位、ロール、ピッチおよびヨー角度に基づいてビームトランシーバーから放射されるビームの方向を変化させることを特徴とする方法。
【請求項２０】
測定システムの一部を構成するプロセッサによって実行される際、１つの浮動構造もしくは複数の浮動構造の何れかに装着された複数のビームトランシーバーを制御し、前記ビームトランシーバーによって放射されたビームが測定ロケールで交差するように動作する命令を含む、コンピュータプログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月10日(2019.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
どちらの種類のポンプが所与の用途に最も適しているかを判断するために、ポンプ内の血液の比速度の評価がしばしば必要になる。比速度は、所望の流量、上昇高さ（入口と出口との間の圧力差）、および回転速度といった、異なるパラメータの関数として計算される、標準化された変量である。この値を根幹として、ポンプの種類は、比速度が［０−１．２］の遠心式、比速度が［１−２．２］の斜流式、および前述の軸流式から選択することができる。ノモグラムによって、ロータで使用される翼または羽根のための所定の外形を有する、ポンプの種類を選択することが可能になる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
ロータの寸法は、以下の表の通りにすることができる。
【表３】
2018532074.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月1日(2019.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）  平均で少なくとも１つの式（Ｉ）のアミノ又はホスフィノ官能化ポリマー単位を含む少なくとも１つの末端ブロックＤ、
【化１】
2018532022.tif 000001
並びに
以下、即ち、
（ｂ）  アミノ官能基又はホスフィノ官能基を実質的に含まず、約１，０００〜約６０，０００の数平均分子量を有し、高い使用温度を有する１つ以上のＡブロック、及び
（ｃ）  各ブロックＢが本質的に官能化されておらず、約１，０００〜約１，０００，０００の数平均分子量を有し、高くても約２０℃のガラス転移温度を有する１つ以上のＢブロック、
及び
（ｄ）  １つ以上のＡブロックと１つ以上のＢブロックとの混合物
［式中、
Ｚは窒素又はリンであり；
Ｒ１は水素又はアルキル基であり；
Ｒ２は水素原子又は第三級アルキル基であり；
Ｒは各々独立して、任意選択的に部分−(Ａ１−ＮＲａ)ｘＲｂ又は−(Ａ１−ＯＲａ)ｘＲｂで置換されたアルキル又はフェニル基であり；又は
２つのＲ基は、それらが結合しているＺと一緒になって、任意選択的に置換された環を形成し；
ｘは１、２又は３であり；
Ａ１は、１つ以上のメチル基及び／又はエチル基で任意選択的に置換された直鎖アルキレンであり；
Ｒａ及びＲｂは、各々独立して、水素又はアルキル基である］
からなる群から選択される１つ以上の追加のブロック又は対応するオニウム塩
を含む、官能化されたブロックコポリマー。
【請求項２】
前記Ｄブロックが、前記ブロックコポリマーの外部末端の各々の上に形成される、請求項１に記載の官能化ブロックコポリマー。
【請求項３】
前記少なくとも１つの末端ブロックＤが、前記ブロックコポリマーの少なくとも２５重量％である、請求項１又は２に記載の官能化ブロックコポリマー。
【請求項４】
前記Ｂブロックが共役ジエンのセグメントを含み、共役ジエン単位の少なくとも５０％が水素化されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の官能化ブロックコポリマー。
【請求項５】
前記Ｄブロックが、前記ブロックコポリマーの全分子量の１５重量％以下を構成し、共役ジエン単位の少なくとも７０％が水素化されている、請求項４に記載の官能化ブロックコポリマー。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の官能化ブロックコポリマーを含む膜又はフィルム。
【請求項７】
少なくとも１つのＢブロックを含み、該少なくとも１つのＢブロックが一緒になってブロックコポリマーの分子量の少なくとも７５重量％であり、前記ブロックコポリマーが星型分岐状である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の官能化ブロックコポリマー。
【請求項８】
少なくとも１つのブロックＢを含み、各ブロックＢが本質的に官能化されておらず、各ブロックＢが、重合した、（ｉ）エチレンモノマー、（ｉｉ）Ｃ３〜Ｃ８α−オレフィンモノマー、（ｉｉｉ）イソブチレンモノマー、（ｉｖ）共役ジエンモノマー、（ｖ）（メタ）アクリレートエステルモノマー、（ｖｉ）ケイ素ポリマー、及び（ｖｉｉ）（ｉ）から（ｖ）から選択されるモノマーの混合物からなる群から独立して選択され、重合した共役ジエンモノマーを含有するセグメントが任意選択的に水素化される、請求項１〜５及び７のいずれか一項に記載の官能化ブロックコポリマー。
【請求項９】
一般的な構成Ｄ−Ａ、Ｄ−Ａ−Ｄ、Ｄ−Ａ−Ｄ−Ａ−Ｄ、（Ｄ−Ａ−Ｄ）ｎＸ、（Ｄ−Ａ）ｎＸ、Ｄ−Ｂ−Ａ−Ｂ−Ｄ、Ｄ−Ａ−Ｂ−Ａ−Ｄ、（Ｄ−Ｂ−Ａ）ｎＸ、（Ｄ−Ａ−Ｂ）ｎＸ、Ｄ−Ｂ、Ｄ−Ｂ−Ｄ、Ｄ−Ｂ−Ｄ−Ｂ−Ｄ、（Ｄ−Ｂ−Ｄ）ｎＸ若しくは（Ｄ−Ｂ）ｎＸ又はそれらの混合物を有し、式中ｎは２〜約３０の整数であり、Ｘはカップリング剤残基であり、複数のＡブロック、Ｂブロック又はＤブロックは同じ又は異なる、請求項１〜５及び７〜８のいずれか一項に記載の官能化ブロックコポリマー。
【請求項１０】
各ブロックＤが、（ｉ）スチレンのホモポリマー及びコポリマーから誘導されたセグメント、（ｉｉ）第一級アルキル基で置換されたフェニル環を有するスチレンのホモポリマー及びコポリマーから誘導されたセグメント、（ｉｉｉ）α−アルキルスチレンのホモポリマー及びコポリマーから誘導されたセグメント、（ｉｖ）第一級アルキル基によって置換されたフェニル環を有するα−アルキルスチレンのホモポリマー及びコポリマーから誘導されたセグメント、及び（ｖ）（ｉ）〜（ｉｖ）の組み合わせからなる群から独立して選択される、請求項１〜５及び７〜９のいずれか一項に記載の官能化ブロックコポリマー。
【請求項１１】
アミノ又はホスフィノ官能化ブロックコポリマーを調製する方法であって、不活性炭化水素溶媒中、開始剤の存在下で、
（ａ）  複数のｐ−ビニルベンジルアミンモノマー又はビニルベンジルホスフィンモノマーから末端ブロックＤを重合する工程（ただし、ｐ−ビニルベンジルアミンモノマー又はビニルベンジルホスフィンモノマーは２０℃〜６０℃の温度範囲で重合することができる）、
（ｂ）  少なくとも１つ以上の追加のブロックを重合する工程（ここで、該１つ以上の追加のブロックは、
高くても２０℃のＴｇを有する非晶質ブロックＢ、
少なくとも約２０℃の高い使用温度を有する結晶性又は半結晶性のブロックＡ、
及びそれらの混合物
を含む群から選択される）、及び
（ｃ）任意選択的に、工程（ａ）〜（ｂ）から形成されたブロックコポリマーをカップリングする、又は第２の末端ブロックＤを重合する工程
を含む方法。
【請求項１２】
前記Ｄブロックが、前記ブロックコポリマーの外部端部の各々上に形成される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
各末端ブロックＤが、複数のｐ−ビニルベンジルアミンモノマーから重合され、各末端ブロックＤが、前記ブロックコポリマーの全分子量の１０重量％以下を構成する、請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記官能化ブロックコポリマーが、少なくとも１つのＢブロックを含み、該少なくとも１つのＢブロックが一緒になって前記ブロックコポリマーの分子量の少なくとも５０重量％であり、前記ブロックＤの官能基の１０〜１００％が、オニウム塩の形態である、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記官能化ブロックコポリマーを膜又はフィルムに流涎成形する工程をさらに含む、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月9日(2019.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式：
2018532036.tif 000001
を有する、
ポロキサマーコアと少なくとも1つのシクロデキストリンとを含む、ポリロタキサン、またはその塩:
式中、
各mおよびnは、独立して、0〜30の整数であり、ただしm + m' + n + n'が約4〜約30であることを条件とし;
CおよびC'は同じかまたは異なり、下記式の末端キャップ基を表し:
2018532036.tif 000002
式中、各L2は独立して、結合または(C1〜C6)アシルであり; 各G3は、-O-、-NH-、および-S-から選択される0〜5個の基が割り込んでいる、置換もしくは非置換(C6〜C50)ヒドロカルビル基であり、ここで(C6〜C50)ヒドロカルビル基は立体的にかさ高く;各sは独立して、1〜6の整数であり;
Bは以下:
2018532036.tif 000003
を表し、これに対して末端キャップ基が(C1〜C6)ヒドロカルビレン基を介してBに共有結合しており、またはBは炭水化物、ポリペプチド、ポリカーボネート、ポリアミド、もしくはポリエステルポリマーを表し;
式中、R5はメチルであり; dは約1〜約800の整数であり; かつqは約6〜約800の整数であり;
Aは一般式(I)の大環状ホスト分子を表し:
2018532036.tif 000004
式中、
xは0〜8の整数であり; ZはOまたはNHであり;
各R1およびR2は独立して、水素、置換もしくは非置換(C1〜C6)ヒドロカルビル基または下記式(IIIc)の基であり:
2018532036.tif 000005
式中、yは0〜10の整数であり; pは1〜10の整数であり; X2は(C1〜C6)アシル、短鎖ポリペプチド、短鎖炭水化物、ポリエステルまたはポリアミドを表し; X3およびX4は各々、独立して、-O-、-NH-、カルバミル基、ヘテロシクリル基、ジスルフィド(-S-S-)、アミドまたはエステルであり; かつR4はレポーター基であり、ただし少なくとも1つのR2基が式(IIIc)の基であることを条件とする。
【請求項２】
CおよびC'が同じかまたは異なり、下記式の末端キャップ基を表し:
2018532036.tif 000006
式中、各L2は独立して(C1〜C6)アシルである、請求項1に記載のポリロタキサン。
【請求項３】
L2がC=Oである、請求項2に記載のポリロタキサン。
【請求項４】
各sが2である、請求項3に記載のポリロタキサン。
【請求項５】
各G3が独立して、コレステリル基、2,4,6-トリニトロフェニル基、シクロデキストリンラジカルまたはフルオレセインラジカルである、請求項1に記載のポリロタキサン。
【請求項６】
Bが以下:
2018532036.tif 000007
を表し、これに対して末端キャップ基がカルバミル基、ヘテロシクリル基、ジスルフィド(-S-S-)、アミドまたはエステルを介してBに共有結合している、請求項1に記載のポリロタキサン。
【請求項７】
R1が置換(C1〜C6)ヒドロカルビル基であり、かつR2が式(IIIc)の基である、請求項1に記載のポリロタキサン。
【請求項８】
xが1であり、かつzが0である、請求項7に記載のポリロタキサン。
【請求項９】
X2が(C1〜C6)アシルを表す、請求項1に記載のポリロタキサン。
【請求項１０】
X2がC=Oである、請求項9に記載のポリロタキサン。
【請求項１１】
X3およびX4がそれぞれNHである、請求項10に記載のポリロタキサン。
【請求項１２】
m + m' + n + n'が約5〜約20である、請求項1に記載のポリロタキサン。
【請求項１３】
Aがヒドロキシプロピル-β-シクロデキストリン(HPβCD)である、請求項1に記載のポリロタキサン。
【請求項１４】
A'が4-スルホブチルエーテル-β-シクロデキストリン(SBEβCD)である、請求項1に記載のポリロタキサン。
【請求項１５】
Aがヒドロキシプロピル-β-シクロデキストリンであり、かつm + nが約2〜約10であり;A'が4-スルホブチルエーテル-β-シクロデキストリンであり、かつm' + n'が約2〜約10である、請求項1に記載のポリロタキサン。
【請求項１６】
レポーター基がキレート化部分である、請求項1に記載のポリロタキサン。
【請求項１７】
キレート化部分が、放射性核種を含む放射性核種キレート化部分である、請求項16に記載のポリロタキサン。
【請求項１８】
放射性核種キレート化部分が、常磁性核種を含む常磁性核種キレート化部分である、請求項17に記載のポリロタキサン。
【請求項１９】
キレート化部分がDOTAラジカルまたはDO3Aラジカルである、請求項18に記載のポリロタキサン。
【請求項２０】
ポリロタキサンが、
HPβCD/SBEβCD-F127 (ここでd = 200およびq = 65);
HPβCD/SBEβCD-F68 (ここでd = 151およびq = 29);
HPβCD/SBEβCD-L35 (ここでd = 22およびq = 16);
HPβCD/SBEβCD-L64 (ここでd = 26およびq = 30);または
HPβCD/SBEβCD-L81 (ここでd = 6.25およびq = 43)であり、
GPC分析によって決定された場合に約20,000 g/mol〜約50,000 g/molの重量平均分子量を有し;
HPβCDが式(I)の大環状ホストであり、
式中、各R1はHであり、ZはOであり、かつR2は式(IIIc)の基であり、ここでyは0であり; X2はC(O)Oであり; X3およびX4はそれぞれ-NH-であり; pは2であり; かつR4はDOTAであり; 
各sが2であり; 各L2 C(O); かつ各G3がコレステリル基を表す、下記式:
2018532036.tif 000008
の基CおよびC'はC(O)基を介して、各ポリロタキサンに対して変数dおよびqが上記のように定義される下記式:
2018532036.tif 000009
の基Bに共有結合している、
請求項1に記載のポリロタキサン。
【請求項２１】
約1〜約10個のHPβCD分子および約1〜約10個のSBEβCDを含む、請求項20に記載のポリロタキサン。
【請求項２２】
請求項1〜21のいずれか一項に記載のポリロタキサンおよび薬学的に許容される担体を含む、薬学的組成物。
【請求項２３】
請求項1〜21のいずれか一項に記載のポリロタキサンの治療有効量を含む、対象におけるニーマン・ピック病C型(NPC)を処置するための薬学的組成物。
【請求項２４】
請求項1〜21のいずれか一項に記載のポリロタキサンの画像化に十分な量を含む、対象における画像化のための組成物。