【手続補正書】
【提出日】平成20年9月16日(2008.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  増幅された無線周波数信号を獲得するために基準ＤＣ電圧を有する回路で無線周波数信号を、関連する負荷を有する出力へ増幅する集積回路トランジスタ構造において、
接地電位に接続された第１のソースと、第１の絶縁体上に配置されて無線周波数信号を受信する第１のゲートとを有し、第１のトランスコンダクタンスおよびそれに関連する第１の破壊電圧を有している第１のＮＭＯＳトランジスタと、
第１のＮＭＯＳトランジスタの第１のドレインに接続された第２のソースと、基準ＤＣ電圧源に接続された第２のゲートと、増幅された無線信号の出力部を構成する第２のドレインと、基準ＤＣ電圧源と第２のＮＭＯＳトランジスタの第２のドレインとの間に配置された負荷とを有し、第２のゲートは第２の絶縁体上に配置されている第２のＮＭＯＳトランジスタとを具備しており、第２のＮＭＯＳトランジスタは第２のトランスコンダクタンスおよびそれに関連する第２の破壊電圧を有しているトランジスタ構造。
【請求項２】  第２の絶縁体は第１の絶縁体よりも厚く、それによって第１のトランスコンダクタンスは第２のトランスコンダクタンスよりも大きい請求項１記載のトランジスタ構造。
【請求項３】  第２の破壊電圧は第１の破壊電圧よりも大きい請求項２記載のトランジスタ構造。
【請求項４】  第２の破壊電圧は第１の破壊電圧よりも大きい請求項１記載のトランジスタ構造。
【請求項５】  第２の絶縁体は第１の絶縁体と実質上同一の厚さである請求項１記載のトランジスタ構造。
【請求項６】  集積回路トランジスタ構造は金属接地平面を含んでいる半導体チップパッケージ内に配置され、第１および第２の各ＮＭＯＳトランジスタは接地平面に電気的に接続されている部分を有している請求項１記載のトランジスタ構造。
【請求項７】  接地平面に対する電気接続はボンドパッドによる電気接続を含んでいる請求項６記載のトランジスタ構造。
【請求項８】  増幅された無線信号の出力部は集積回路のエッジの５００μｍ以内に配置されている請求項６記載のトランジスタ構造。
【請求項９】  増幅された無線信号の出力部は無線信号ボンドパッドを経て半導体チップパッケージ上の端子に接続され、無線信号ボンドパッドはそれに関連することができる複数の金属層の一部の金属層を含んでいる請求項８記載のトランジスタ構造。
【請求項１０】  無線信号ボンドパッドはその下に位置する基体中に拡散層を含んでいる請求項９記載のトランジスタ構造。
【請求項１１】  増幅された無線信号の出力部は５つの層を有することができる無線信号ボンドパッド上の下部の２つの電気層を通って接続されていない請求項９記載のトランジスタ構造。
【請求項１２】  集積回路チップを具備している差無線周波数信号を増幅する装置において、集積回路チップは、
差無線周波数信号を受信し、第１の段の増幅された差無線周波数信号を生成する第１のカスコード接続されたＭＯＳトランジスタを含んでいる第１の差増幅段と、
第１の段の増幅された差無線周波数信号の転送を可能にする第１のブロッキングキャパシタと第１のシャントインダクタとを含んでいる第１のレベルシフト段と、
第１のレベルシフト段から第１の段の増幅された差無線周波数信号を受信し、第２の段の増幅された差無線周波数信号を発生する第２のカスコード接続されたＭＯＳトランジスタを含んでいる第２の差駆動段とを含んでいる増幅装置。
【請求項１３】  第２の差駆動段の各駆動段は、
接地されたソースと、第１の絶縁体上に配置されて入力無線周波数信号を受信する第１のゲートとを備え、第１のトランスコンダクタンスおよびそれに関する第１の破壊電圧とを有する第１のＮＭＯＳトランジスタと、
第１のＮＭＯＳトランジスタのドレインに接続されたソースと、基準ＤＣ電圧源に接続されたゲートと、増幅された無線信号の出力を与えるドレインと、基準ＤＣ電圧源と第２のＮＭＯＳトランジスタのドレインとの間に配置されている負荷とを有し、第２のゲートは第２の絶縁体上に配置されている第２のＮＭＯＳトランジスタとを具備しており、この第２のＮＭＯＳトランジスタは第２のトランスコンダクタンスとそれに関連する第２の破壊電圧とを有している請求項１２記載の装置。
【請求項１４】  第１のトランスコンダクタンスが第２のトランスコンダクタンスよりも大きくなるように第２の絶縁体は第１の絶縁体よりも厚さが厚くされている請求項１３記載の装置。
【請求項１５】  第２の破壊電圧は第１の破壊電圧よりも大きい請求項１４記載の装置。
【請求項１６】  第２の破壊電圧は第１の破壊電圧よりも大きい請求項１３記載の装置。
【請求項１７】  第２の絶縁体は第１の絶縁体と実質上同一の厚さである請求項１３記載の装置。
【請求項１８】  さらに、第２の段の増幅された差無線周波数信号の転送を可能にする第２のブロッキングキャパシタと第２のシャントコンダクタとを含んでいる第２のレベルシフト段と、
第２のレベルシフト段から第２の段の増幅された差無線周波数信号を受信し、第３の段の増幅された差無線周波数信号を発生する第３のカスコード接続されたＭＯＳトランジスタを含んでいる第３の差動段とを含んでいる請求項１２記載の装置。
【請求項１９】  第３の差駆動段の各駆動段は、
接地されたソースと、第１の絶縁体上に配置されて入力無線周波数信号を受信する第１のゲートとを備え、第１のトランスコンダクタンスおよびそれに関する第１の破壊電圧を有する第１のＮＭＯＳトランジスタと、
第１のＮＭＯＳトランジスタのドレインに接続されたソースと、基準ＤＣ電圧源に接続されたゲートと、増幅された無線信号の出力を与えるドレインと、基準ＤＣ電圧源と第２のＮＭＯＳトランジスタのドレインとの間に配置されている負荷とを有し、第２のゲートは第２の絶縁体上に配置されている第２のＮＭＯＳトランジスタとを具備しており、この第２のＮＭＯＳトランジスタは第２のトランスコンダクタンスとそれに関連する第２の破壊電圧とを有する請求項１２記載の装置。
【請求項２０】  第１のトランスコンダクタンスが第２のトランスコンダクタンスよりも大きくなるように第２の絶縁体は第１の絶縁体よりも厚さが大きくされている請求項１９記載の装置。
【請求項２１】  第２の破壊電圧は第１の破壊電圧よりも大きい請求項２０記載の装置。
【請求項２２】  第２の破壊電圧は第１の破壊電圧よりも大きい請求項１９記載の装置。
【請求項２３】  第２の絶縁体は第１の絶縁体と実質上同一の厚さである請求項１９記載の装置。
【請求項２４】  集積回路チップは半導体パッケージ中にパッケージされ、半導体パッケージはパッケージの１側面の周辺部のみに端子を含み、周辺部内のパッケージの１側面上の金属接地平面と、差入力増幅段と、差駆動増幅段と、金属接地平面上に配置されている差出力段と、差入力増幅段により発生される熱エネルギ用のヒートシンクを与える金属接地平面と、差駆動増幅段と、差出力段とを含んでいる請求項１３記載の装置。
【請求項２５】  集積回路チップを具備している差無線周波数信号を増幅する装置において、集積回路チップは、
差無線周波数信号を受信し第１の段の増幅された差無線周波数信号を生成する第１のカスコード接続されたＭＯＳトランジスタを含んでおり、予め定められた第１の供給電圧を供給される第１の差増幅段と、
第１の増幅段から第１の段の増幅された差無線周波数信号を受信し、第２の段の増幅された差無線周波数信号を生成する第２のカスコード接続されたＭＯＳトランジスタを含んでおり、第１の供給電圧よりも大きい予め定められた第２の供給電圧を供給される第２の差増幅段とを含んでいる装置。
【請求項２６】  基準ＤＣ電圧と、関連する負荷を有する出力との間に配置されたインダクタをさらに含み、基準ＤＣ電圧はＶｄｄであり、関連する負荷を有する出力は第２のＮＭＯＳトランジスタの第２の破壊電圧を超過せずに電圧振幅を２Ｖｄｄであるように許容できる請求項１記載のトランジスタ構造。
【請求項２７】  インダクタはボンドワイヤインダクタである請求項１２記載のトランジスタ構造。
【請求項２８】  集積回路上に他のＣＭＯＳトランシーバチップコンポーネントをさらに含んでいる請求項１２記載のトランジスタ構造。
【請求項２９】  第１および第２のＮＭＯＳトランジスタは、集積回路に配置されている多段増幅器の最後の段を与える請求項１２記載のトランジスタ構造。
【請求項３０】  集積回路上に他のＣＭＯＳトランシーバチップコンポーネントをさらに含んでいる請求項８記載のトランジスタ構造。
【請求項３１】  第１および第２のＮＭＯＳトランジスタは、集積回路に配置されている多段増幅器の最後の段を与える請求項１６記載のトランジスタ構造。
【請求項３２】  集積回路上に他のＣＭＯＳトランシーバチップコンポーネントをさらに含んでいる請求項１記載のトランジスタ構造。
【請求項３３】  ２つの回路から形成される差動トランジスタ構造をさらに含んでおり、各２つの回路は請求項１記載のトランジスタ構造を具備している請求項１記載のトランジスタ構造。
【請求項３４】  第１および第２のＮＭＯＳトランジスタは、集積回路に配置されている多段増幅器の最後の段を与える請求項１記載のトランジスタ構造。