【手続補正書】
【提出日】平成30年11月21日(2018.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの計測メトリックの少なくとも１つのレシピパラメータに対する少なくとも部分的に連続な依存性を、シミュレーションによってまたは予備的な測定で導出すること、
導出された前記依存性を解析すること、
前記解析に従って計測レシピを決定すること、および
決定された前記レシピに従って少なくとも１つの計測測定を実施すること
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記解析が、前記少なくとも部分的に連続な依存性中の少なくとも１つの極値を識別することを含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記少なくとも部分的に連続な依存性の導関数をヌルにすることによって前記計測レシピを解析的に決定することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記導出がオンザフライで実行されることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記少なくとも１つの計測測定が少なくとも１つのオーバレイ測定を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、前記少なくとも１つのオーバレイ計測測定が、グレーティングオーバグレーティングスキャトロメトリターゲットまたはサイドバイサイドスキャトロメトリターゲットのオーバレイ計測測定であり、前記少なくとも１つのレシピパラメータが、グレーティング間の光路差に関係し、前記少なくとも１つのレシピパラメータが、前記グレーティング間の中間層の厚さ、測定波長、入射角、反射角、入射光および反射光の偏光属性、ターゲット幾何学的パラメータ、ならびに前記グレーティングおよび前記グレーティング間の中間層の電磁気的特性のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項５に記載の方法であって、前記少なくとも１つのオーバレイ計測測定が撮像ターゲットのオーバレイ計測測定であり、前記少なくとも１つのレシピパラメータが、ターゲット構造体間の光路差に関係し、前記少なくとも１つのレシピパラメータが、前記ターゲット構造体間の中間層の厚さ、測定波長、入射角、反射角、入射光および反射光の偏光属性、ターゲット幾何学的パラメータ、前記ターゲット構造体および前記ターゲット構造体間の中間層の電磁気的特性、ならびに測定ツール焦点のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、導出された前記依存性に対する非対称プロセス変動の影響をシミュレートまたは測定することによって、非対称プロセス変動を対称プロセス変動から区別することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、前記少なくとも１つの計測メトリックとしてオーバレイ変動尺度を使用することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、低い不正確さを達成するために、前記少なくとも１つの計測測定で測定された複数のひとみピクセルに適用された少なくとも１つの重み関数に従って、前記少なくとも１つのメトリックを算出することをさらに含み、前記少なくとも１つの重み関数が、前記少なくとも部分的に連続な依存性に関して決定されることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、前記少なくとも１つのオーバレイ計測測定が、グレーティングオーバグレーティングスキャトロメトリターゲットまたはサイドバイサイドスキャトロメトリターゲットのオーバレイ計測測定であり、前記少なくとも１つの重み関数がさらに、予想される信号方向性と所与の照明方向性との間の関係に関して決定されることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、ターゲット構造体間の中間膜スタック内での共振を、前記少なくとも部分的に連続な依存性に従って識別することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法であって、前記少なくとも１つの計測メトリックの推定データと測定データとを比較することによって、ピクセルごとの信号汚染を推定することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法であって、前記少なくとも部分的に連続な依存性が、前記少なくとも１つのレシピパラメータに関する前記少なくとも１つのメトリックの感度ランドスケープであることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、前記感度ランドスケープ中のゼロ感度の点またはコンタを識別すること、および、前記少なくとも１つの計測測定を、ゼロ感度の前記点またはコンタの付近の領域で、一組のパラメータに関して実施することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、単一散乱モデルまたは多重散乱モデルを使用して、前記ランドスケープ中のゼロ感度の前記点またはコンタを識別することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載の方法であって、前記一組のパラメータで張られた部分空間の部分からの信号をビン分割することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載の方法であって、前記ひとみの部分からの信号を、前記ランドスケープ中のゼロ感度の識別された前記点またはコンタに従ってビン分割することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１５に記載の方法であって、前記ランドスケープ中のゼロ感度の識別された前記点またはコンタに従って照明スペクトル分布を選択することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１に記載の方法であって、前記少なくとも部分的に連続な依存性が、前記少なくとも１つのメトリックの前記少なくとも１つのレシピパラメータに関するランドスケープであることを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法であって、平坦領域をピークから区別することによって前記ランドスケープを特徴づけることをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法であって、連続したピークにおける前記ランドスケープの傾きの相対的符号を使用して、前記連続したピーク間の対応するそれぞれの中間平坦領域が正確な平坦領域であるかどうかを判定することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２３】
請求項２１に記載の方法であって、前記ランドスケープの異なる領域に対する必要なサンプリング密度を、前記ランドスケープ中のピーク位置に従って決定することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２４】
請求項２１に記載の方法であって、ピーク領域では前記ランドスケープを高密度でサンプリングし、平坦領域では前記ランドスケープを低密度でサンプリングすることをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２５】
請求項２１に記載の方法であって、ピーク領域と平坦領域との相対サイズを使用して対称プロセスロバストネスを測定することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２６】
請求項２１に記載の方法であって、前記少なくとも１つの計測メトリックの符号フリップの数に従って前記ピークを識別することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２７】
請求項２６に記載の方法であって、前記少なくとも１つの計測メトリックの符号フリップの数に従って、識別された前記ピークを、単純ピークとしてまたは複合ピークとして特徴づけることをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２８】
請求項２１に記載の方法であって、指定された少なくとも１つのランドスケープ領域にわたって前記少なくとも１つの計測メトリックを積分することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２９】
請求項２８に記載の方法であって、前記少なくとも１つの計測メトリックが少なくとも１つのオーバレイを含むことを特徴とする方法。
【請求項３０】
請求項２１に記載の方法であって、前記少なくとも１つの計測メトリックが少なくとも２つの計測メトリックを含み、前記方法が、指定されたランドスケープ領域にわたって前記少なくとも２つの計測メトリックを相関させて、前記少なくとも１つの計測測定を検証することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項３１】
請求項１に記載の方法であって、前記少なくとも部分的に連続な依存性の離散的な測定値またはデータから、連続な人工信号ランドスケープを内挿または外挿によって得ることをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項３２】
請求項３１に記載の方法であって、基礎をなす物理モデルに前記離散的な測定値またはデータを当てはめることによって、前記連続な人工信号ランドスケープを構築することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項３３】
請求項３１に記載の方法であって、前記人工信号ランドスケープに少なくとも１つの費用関数を適用して、対応するそれぞれの少なくとも１つの計測メトリックを算出することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項３４】
請求項２０に記載の方法であって、前記ランドスケープを、少なくとも１つのパラメータに関するパラメータランドスケープとして導出することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項３５】
請求項３４に記載の方法であって、指定されたメトリックに関して前記パラメータランドスケープを最適化するように前記少なくとも１つのパラメータを調整することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項３６】
請求項３５に記載の方法であって、前記調整が、オーバレイ測定の正確さを増強するように実行されることを特徴とする方法。
【請求項３７】
請求項３５に記載の方法であって、前記調整が現象論モデルに関して実行されることを特徴とする方法。
【請求項３８】
請求項３４に記載の方法であって、前記導出が複数の測定に関して実行されることを特徴とする方法。
【請求項３９】
請求項２０に記載の方法であって、対称プロセス変動に起因するランドスケープシフトを定量化することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項４０】
請求項３９に記載の方法であって、定量化された前記ランドスケープシフトに従って測定設定を選択することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項４１】
請求項３９に記載の方法であって、定量化された前記ランドスケープシフトに対して低い感度を示すように測定設定を選択することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項４２】
請求項３９に記載の方法であって、前記ランドスケープの正反対のシフトを生じさせる対応するターゲット設計または測定設計によって、定量化された前記ランドスケープシフトを相殺することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項４３】
請求項３９に記載の方法であって、対応するそれぞれの部位における定量化された前記ランドスケープシフトに従って、異なるターゲット部位に測定パラメータを当てはめることをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項４４】
請求項３９に記載の方法であって、定量化された前記ランドスケープシフトに従って照明スペクトル分布を選択することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項４５】
請求項１８に記載の方法であって、前記ランドスケープに従って低い不正確さを達成するように、計測レシピとハードウェア設定のうちの少なくとも一方を最適化することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項４６】
請求項４５に記載の方法であって、少なくとも１つのハードウェアパラメータを、前記ランドスケープ中のゼロ感度の点またはコンタに対して調節することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項４７】
請求項２０に記載の方法であって、前記ランドスケープに従って低い不正確さを生じるように計測ターゲットを設計することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項４８】
請求項４７に記載の方法であって、ターゲット構造体間の中間膜スタック内での共振を前記ランドスケープに従って予測すること、および前記中間膜スタックを、指定された測定パラメータにおいて共振を生じるように構成することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項４９】
請求項４８に記載の方法であって、ターゲットの下構造体よりも低い位置への電磁波侵入またはターゲットの下構造体への電磁波侵入を最小化することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項５０】
請求項４９に記載の方法であって、前記ターゲットの下層または前記ターゲットの下層よりも低い位置にダミーフィルまたはセグメント化を有するように前記ターゲットを設計することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項５１】
請求項４７に記載の方法であって、設計された前記ターゲットの計測測定を実行することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項５２】
請求項５１に記載の方法であって、前記ランドスケープが感度ランドスケープであり、前記方法が、前記感度ランドスケープの低い不正確さの点もしくはコンタまたはゼロ不正確さの点もしくはコンタにおいてオーバレイを測定することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項５３】
請求項４７に記載の方法であって、前記ランドスケープの平坦領域で計測測定を実行することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項５４】
請求項４７に記載の方法に従って設計されたことを特徴とするターゲット設計ファイル。
【請求項５５】
請求項１４に記載の方法によって決定されたことを特徴とするランドスケープ。
【請求項５６】
計測ツールのひとみ平面において少なくとも＋／−１次の回折を含む回折信号を測定すること
を含む方法であって、前記信号が、少なくとも２つのセルを含むターゲットから導出され、前記セルがそれぞれ、正反対の設計オフセットを有する少なくとも２つの周期的構造を有し、前記方法がさらに、
前記少なくとも２つのセルの測定された前記回折信号から、前記ターゲットのオーバレイを、互いに関して１８０°だけ回転させたひとみピクセルにおいて測定された反対の次数の信号強度間の差をセルごとに使用して算出すること
を含むことを特徴とする方法。
【請求項５７】
請求項５６に記載の方法であって、前記オーバレイが
【数１】
2017537317.tif 000001
として算出され、
【数２】
2017537317.tif 000002
が、前記ひとみピクセルを表し、ｆ０が、前記設計オフセットを示し、Ｄ１およびＤ２が、前記正反対の設計オフセットに対応して、互いに関して１８０°だけ回転させたひとみピクセルにおいて測定された反対の次数の信号強度間の前記差を示すことを特徴とする方法。
【請求項５８】
請求項５６に記載の方法であって、互いに関して１８０°だけ回転させたひとみピクセルにおいて測定された反対の次数の信号強度間の前記差から導出された、前記正反対の設計オフセットに対するひとみ関数間の推定された当てはめから、少なくとも１つの忠実度メトリックを導出することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項５９】
請求項５８に記載の方法であって、前記少なくとも１つの忠実度メトリックが、
【数３】
2017537317.tif 000003
および
【数４】
2017537317.tif 000004
の線形あてはめから導出されることを特徴とする方法。
【請求項６０】
請求項５８に記載の方法であって、前記ひとみピクセルに重み付けして前記少なくとも１つの忠実度メトリックを導出することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項６１】
請求項６０に記載の方法であって、前記少なくとも１つの忠実度メトリックが、前記推定されたはめあいの重み付けされたカイ２乗尺度を含むことを特徴とする方法。
【請求項６２】
請求項５６に記載の方法であって、公称オーバレイ値を、互いに関して１８０°だけ回転させたひとみピクセルにおいて測定された反対の次数の信号強度間の前記差を前記ひとみを横切って積分することによって導出されたオーバレイ値と比較することによって、少なくとも１つの忠実度メトリックを導出することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項６３】
請求項６２に記載の方法であって、導出された前記オーバレイ値が、前記ひとみを横切って
【数５】
2017537317.tif 000005
を積分することによって算出され、
【数６】
2017537317.tif 000006
が、前記ひとみピクセルを表し、Ｄ１およびＤ２が、前記正反対の設計オフセットに対応して、互いに関して１８０°だけ回転させたひとみピクセルにおいて測定された反対の次数の信号強度間の前記差を示すことを特徴とする方法。
【請求項６４】
請求項６３に記載の方法であって、前記積分が、
【数７】
2017537317.tif 000007
の平均に関して実行されることを特徴とする方法。
【請求項６５】
請求項６４に記載の方法であって、前記積分が、
【数８】
2017537317.tif 000008
の２次以上の積率に関して実行されることを特徴とする方法。
【請求項６６】
請求項６２に記載の方法であって、前記ひとみピクセルに重み付けして前記少なくとも１つの忠実度メトリックを導出することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項６７】
請求項５６に記載の方法であって、
（ｉ）スキャトロメトリアルゴリズムを使用して公称オーバレイ値を導出すること、
（ｉｉ）互いに関して１８０°だけ回転させたひとみピクセルにおいて測定された反対の次数の信号強度間の前記差から導出された、前記正反対の設計オフセットに対するひとみ関数間の当てはめを推定すること、および
（ｉｉｉ）公称オーバレイ値を、互いに関して１８０°だけ回転させたひとみピクセルにおいて測定された反対の次数の信号強度間の前記差を前記ひとみを横切って積分することによって導出されたオーバレイ値と比較すること
のうちの対応する少なくとも２つによって導出された、対応するパラメータに関連した少なくとも２つのオーバレイ値を使用して、少なくとも１つの忠実度メトリックを導出することをさらに含み、
前記少なくとも１つの忠実度メトリックが、異なるパラメータ値下での導出された前記少なくとも２つのオーバレイ値間の差の変動性に対応するひとみ雑音を定量化するように定義される
ことを特徴とする方法。
【請求項６８】
請求項６７に記載の方法であって、前記パラメータが、前記ひとみ平面ピクセルの異なる重み付けを含むことを特徴とする方法。
【請求項６９】
請求項６７に記載の方法であって、前記ひとみ雑音の前記定量化が、互いに関して１８０°だけ回転させたひとみピクセルにおけるオーバレイ差に関して実行されることを特徴とする方法。
【請求項７０】
請求項６６に記載の方法であって、前記重み付けが、ひとみ空間に対して共役な空間内で定義されることを特徴とする方法。
【請求項７１】
請求項７０に記載の方法であって、前記共役な空間がひとみフーリエ共役空間であることを特徴とする方法。
【請求項７２】
請求項５６に記載の方法であって、ひとみピクセルのグループ間の算出された前記オーバレイの変動から、少なくとも１つの忠実度メトリックを導出することをさらに含み、前記グループのサイズが、前記計測ツールの光学系内の予想される干渉源に関係した指定された長さスケールに従って選択されることを特徴とする方法。
【請求項７３】
請求項７２に記載の方法であって、前記グループの前記サイズが、λ／（Ｌ／２）のスケールで選択され、ここでλが照明波長、Ｌが、予想される前記干渉源のサイズであることを特徴とする方法。
【請求項７４】
請求項５８に記載の方法であって、前記少なくとも１つの忠実度メトリックに従って測定レシピを選択することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項７５】
請求項５６に記載の方法であって、前記ひとみ平面の中心に関して前記オーバレイの非対称性メトリックを算出することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項７６】
請求項５６に記載の方法であって、前記周期的構造に対して垂直な方向の非対称性メトリックを算出することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項７７】
請求項７６に記載の方法であって、前記非対称性メトリックが、測定された前記回折信号と前記オーバレイのうちの少なくとも一方に関して算出されることを特徴とする方法。
【請求項７８】
請求項７６に記載の方法であって、前記非対称性メトリックが、前記垂直な方向に反射されたひとみ像の統計解析を適用することによって算出されることを特徴とする方法。
【請求項７９】
少なくとも１つのレシピパラメータを使用した、少なくとも１つの計測メトリックの、信号タイプに関係した少なくとも１つの測定を実行すること、
前記少なくとも１つの測定を、前記少なくとも１つの計測メトリックおよび少なくとも１つの偏差因子に対する前記信号タイプの依存性を記述した現象論モデルに当てはめること、ならびに
前記当てはめから、補正された対応するそれぞれの少なくとも１つの計測メトリックを導出すること
を含むことを特徴とする方法。
【請求項８０】
請求項７９に記載の方法であって、
導出された前記補正された少なくとも１つの計測メトリックに従って計測レシピを決定すること、および
決定された前記レシピに従って少なくとも１つの計測測定を実施すること
をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項８１】
請求項７９に記載の方法であって、前記現象論モデルが、シミュレーションによってまたは予備的な測定で導出された前記少なくとも１つの計測メトリックの前記少なくとも１つのレシピパラメータに対する少なくとも部分的に連続な依存性から導出されることを特徴とする方法。
【請求項８２】
請求項７９に記載の方法であって、前記少なくとも１つの計測メトリックがターゲットオーバレイを含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
ある種の実施形態では、オーバレイ計測測定が、グレーティングオーバグレーティングスキャトロメトリターゲットまたはサイドバイサイドスキャトロメトリターゲットのオーバレイ計測測定であり、前記少なくとも１つのパラメータが、グレーティング間の光路差に関係し、前記少なくとも１つのパラメータが、グレーティング間の中間層の厚さ、測定波長、入射角、反射角、入射光および反射光の偏光属性、ターゲット幾何学的パラメータ、ならびにグレーティングおよびグレーティング間の中間層の電磁気的特性のうちの少なくとも１つを含む。ある種の実施形態では、前記少なくとも１つのパラメータが、測定波長、入射光および／または反射光の偏光、ならびに入射角および／または反射角のうちの少なくとも１つを含むことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
ある種の実施形態では、オーバレイ計測測定が撮像ターゲットのオーバレイ計測測定であり、前記少なくとも１つのパラメータが、ターゲット構造体間の光路差に関係し、前記少なくとも１つのレシピパラメータが、ターゲット構造体間の中間層の厚さ、測定波長、入射角、反射角、入射光および反射光の偏光属性、ターゲット幾何学的パラメータ、ターゲット構造体およびターゲット構造体間の中間層の電磁気的特性、ならびに測定ツール焦点のうちの少なくとも１つを含む。ある種の実施形態では、前記少なくとも１つのパラメータが、測定ツールの焦点、測定波長、入射光および／または反射光の偏光、ならびに入射角および／または反射角のうちの少なくとも１つを含む。