【手続補正書】
【提出日】平成19年1月16日(2007.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、シリコン酸化物、シリコン窒化物、金属元素、または金属化合物を有する第一の犠牲層を形成し、
前記第一の犠牲層上に、金属を用いて結晶化された多結晶シリコンを有する層を形成し、
前記多結晶シリコンを有する層上に、シリコン、シリコンの化合物、金属元素、または金属化合物を有する第二の犠牲層を形成し、
前記第二の犠牲層上に第一の絶縁層を形成し、
前記第一の犠牲層、および前記第二の犠牲層の一部または全部をエッチングにより除去することにより微小構造体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に、金属元素、または金属化合物を有する第一の導電層を形成し、
前記第一の導電層上に、シリコン酸化物、シリコン窒化物、金属元素、または金属化合物を有する第一の犠牲層を形成し、
前記第一の犠牲層上に、金属を用いて結晶化された多結晶シリコンを有する層を形成し、
前記多結晶シリコンを有する層上に、シリコン、シリコンの化合物、金属元素、または金属化合物を有する第二の犠牲層を形成し、
前記第二の犠牲層上に第一の絶縁層を形成し、
前記第一の犠牲層、および前記第二の犠牲層の一部または全部をエッチングにより除去することにより微小構造体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上の第一の領域に、シリコン酸化物、シリコン窒化物、金属元素、または金属化合物を有する第一の犠牲層を形成し、
前記第一の領域に形成された前記第一の犠牲層上、および前記基板上の第二の領域に、金属を用いて結晶化させた多結晶シリコンを有する層を形成し、
前記第一の領域および前記第二の領域に形成された前記多結晶シリコンを有する層上に、シリコン、シリコンの化合物、金属元素、または金属化合物を有する層を形成して、第二の犠牲層、および第一の導電層を形成し、
前記第二の犠牲層および前記第一の導電層上に、第一の絶縁層を形成し、
前記第一の領域において、前記第一の犠牲層および前記第二の犠牲層の一部または全部をエッチングにより除去することにより、前記第一の領域に微小構造体を形成し、
前記第二の領域に、前記多結晶シリコンを有する層および前記第一の導電層を有する半導体素子を作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上の第一の領域に、金属元素、または金属化合物を有する第一の導電層を形成し、
前記第一の領域に形成された前記第一の導電層上に、シリコン酸化物、シリコン窒化物、金属元素、または金属化合物を有する第一の犠牲層を形成し、
前記第一の領域に形成された前記第一の犠牲層上、および前記基板上の第二の領域に、金属を用いて結晶化された多結晶シリコンを有する層を形成し、
前記第一の領域および前記第二の領域に形成された前記多結晶シリコンを有する層上に、シリコン、シリコンの化合物、金属元素、または金属化合物を有する層を形成して、第二の犠牲層、および第二の導電層を形成し、
前記第二の犠牲層および前記第二の導電層上に、第一の絶縁層を形成し、
前記第一の領域において、前記第一の犠牲層および前記第二の犠牲層の一部または全部をエッチングにより除去することにより、前記第一の領域に微小構造体を形成し、
前記第二の領域に、前記多結晶シリコンを有する層および前記第二の導電層を有する半導体素子を作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記第一の絶縁層にコンタクトホールを形成し、
前記第一の絶縁層上および前記コンタクトホールに、金属元素、または金属化合物を有する第三の導電層を形成し、
前記第一の犠牲層および前記第二の犠牲層の一部または全部の除去は、前記第三の導電層の形成後に行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に、シリコン酸化物、シリコン窒化物、金属元素、または金属化合物を有する第一の犠牲層を形成し、
前記犠牲層上に、金属を用いて結晶化された多結晶シリコンを有する層を形成し、
前記多結晶シリコンを有する層上に、シリコン、シリコンの化合物、金属元素、または金属化合物を有する第二の犠牲層を形成し、
前記第二の犠牲層上に第一の絶縁層を形成し、
前記第一の犠牲層、および前記第二の犠牲層の一部または全部をエッチングにより除去することにより微小構造体を形成し、
対向基板上第二の絶縁層を形成し、
前記基板と前記対向基板とが向かい合うように貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に、金属元素、または金属化合物を有する第一の導電層を形成し、
前記第一の導電層上に、シリコン酸化物、シリコン窒化物、金属元素、または金属化合物を有する第一の犠牲層を形成し、
前記犠牲層上に、金属を用いて結晶化された多結晶シリコンを有する層を形成し、
前記多結晶シリコンを有する層上に、シリコン、シリコンの化合物、金属元素、または金属化合物を有する第二の犠牲層を形成し、
前記第二の犠牲層上に第一の絶縁層を形成し、
前記第一の犠牲層、および前記第二の犠牲層の一部または全部をエッチングにより除去することにより微小構造体を形成し、
対向基板上第二の絶縁層を形成し、
前記基板と前記対向基板とが向かい合うように貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上の第一の領域に、シリコン酸化物、シリコン窒化物、金属元素、または金属化合物を有する第一の犠牲層を形成し、
前記第一の領域に形成された前記第一の犠牲層上、および前記基板上の第二の領域に、金属を用いて結晶化させた多結晶シリコンを有する層を形成し、
前記第一の領域および前記第二の領域に形成された前記多結晶シリコンを有する層上に、シリコン、シリコンの化合物、金属元素、または金属化合物を有する層を形成して、第二の犠牲層、および第一の導電層を形成し、
前記第二の犠牲層および前記第一の導電層上に、第一の絶縁層を形成し、
前記第一の領域において、前記第一の犠牲層および前記第二の犠牲層の一部または全部をエッチングにより除去することにより、前記第一の領域に微小構造体を形成し、
前記第二の領域には前記多結晶シリコンを有する層および前記第一の導電層を有する半導体素子が形成され、
対向基板上に第二の絶縁層及びアンテナとして機能する導電層を形成し、
前記基板と前記対向基板とが向かい合うように貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
基板上の第一の領域に、金属元素、または金属化合物を有する第一の導電層を形成し、
前記第一の領域に形成された前記第一の導電層上に、シリコン酸化物、シリコン窒化物、金属元素、または金属化合物を有する第一の犠牲層を形成し、
前記第一の領域に形成された前記第一の犠牲層上、および前記基板上の第二の領域に、金属を用いて結晶化させた多結晶シリコンを有する層を形成し、
前記第一の領域および前記第二の領域に形成された前記多結晶シリコンを有する層上に、シリコン、シリコンの化合物、金属元素、または金属化合物を有する層を形成して、第二の犠牲層、および第二の導電層を形成し、
前記第二の犠牲層および前記第二の導電層上に、第一の絶縁層を形成し、
前記第一の領域において、前記第一の犠牲層および前記第二の犠牲層の一部または全部をエッチングにより除去することにより、前記第一の領域に微小構造体を形成し、
前記第二の領域には前記多結晶シリコンを有する層および前記第二の導電層を有する半導体素子が形成され、
対向基板上に第二の絶縁層及びアンテナとして機能する導電層を形成し、
前記基板と前記対向基板とが向かい合うように貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、
前記第一の絶縁層にコンタクトホールを形成し、
前記第一の絶縁層上および前記コンタクトホールに、金属元素、または金属化合物を有する第三の導電層を形成し、
前記第一の領域において、前記第一の犠牲層、および前記第二の犠牲層の一部または全部をエッチングにより除去し、
前記第二の絶縁層上に、金属元素、または金属化合物を有する第四の導電層を形成し、
前記第三の導電層と前記第四の導電層とが電気的に接続するように、前記基板と前記対向基板とを異方性導電材を用いて貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、
前記第一の絶縁層に第一のコンタクトホールを形成し、
前記第一の絶縁層上および前記第一のコンタクトホールに、金属元素、または金属化合物を有する第三の導電層を形成し、
前記第三の導電層上に第三の絶縁層を形成し、
前記第三の絶縁層上に第二のコンタクトホールを形成し、
前記第三の絶縁層上および前記第二のコンタクトホールに、金属元素、または金属化合物を有する第四の導電層を形成し、
前記第一の領域において、前記第一の犠牲層、および前記第二の犠牲層の一部または全部をエッチングにより除去し、
前記第二の絶縁層上に、金属元素、または金属化合物を有する第五の導電層を形成し、
前記第四の導電層と前記第五の導電層とが電気的に接続するように、前記基板と前記対向基板とを異方性導電材を用いて貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項１１のいずれか一において、
前記第二の絶縁層は、前記第一の犠牲層および前記第二の犠牲層の一部または全部がエッチングにより除去された領域と対向しない領域に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記金属は、前記多結晶シリコンを有する層となる層に選択的に添加されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記多結晶シリコンを有する層は、前記金属を用いて熱結晶化またはレーザ結晶化された多結晶シリコン層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、
前記多結晶シリコンを有する層は、多結晶シリコン層と非晶質シリコンとの積層構造を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、
前記多結晶シリコンは可動することを特徴とする半導体装置の作製方法。