【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年12月7日(2007.12.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コポリマー、光活性成分および溶剤よりなるフォトレジスト組成物において、コポリマーが少なくとも１つのシアノ官能基を含有する少なくとも１種類のエチレン構造単位１および少なくとも１つの環状構造単位２よりなり、構造単位１が
【化１】
2004530159.tif 000001
［式中、Ｒ1 〜Ｒ3 は、Ｒ1 〜Ｒ3の少なくとも１つがシアノ官能基を有することを前提として、互いに無関係に水素原子、アルキル、Ｏ−アルキル、アルキルエステル、ペルフルオロアルキルエステル、カルボン酸、アルキルカルボニル、カルボキシレート、シアノ（ＣＮ）、フルオロアルキル、酸−または塩基に不安定な基、アルキルスルホニル、スルホナート、スルホンアミド、アルキルスルホンアミドであり、
Ｒ4 はＯ−アルキル、アルキルエステル、ペルフルオロアルキルエステル、カルボン酸、アルキルカルボニル、カルボキシレート、シアノ（ＣＮ）、フルオロアルキル、酸−または塩基に不安定な基、アルキルスルホニル、スルホナート、スルホンアミド、アルキル  スルホンアミドである。］
で表されそして構造単位２が、
【化２】
2004530159.tif 000002
［式中、Ｒ5 〜Ｒ14は互いに無関係に水素原子、（Ｃ1〜Ｃ6 ）−アルキル、ハロゲン原子、カルボン酸、（Ｃ1〜Ｃ10）−アルキルＯＣＯアルキル、シアノ（ＣＮ）、（Ｃ1〜Ｃ10）−第二または第三カルボキシレート、置換されたピナコールであり、Ｒ7 およびＲ8 は連結されて環式非芳香族構造を形成してもよいし、弗素化アルキルまたはＷ（ＣＦ3 ）2 ＯＨであり、その際にＷは（Ｃ1〜Ｃ6 ）−アルキルまたは（Ｃ1 〜Ｃ6）−アルキルエーテルまたは酸−または塩基に不安定な基であり、
Ｒ15およびＲ16は水素原子または（Ｃ1 〜Ｃ4 ）−アルキルでありそしてｍは０〜３である。］
で表されることを特徴とする、フォトレジスト組成物。
【請求項２】
前記エチレン構造単位１および環状構造単位２中の酸に不安定な基が第三ブトキシカルボニル、第三ペンチルオキシカルボニル、イソボルニルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、２−アルキル−２−アドマンチルオキシカルボニル、テトラヒドロフラニルオキシカルボニル、テトラヒドロピラニルオキシカルボニル、置換されたまたは非置換のメトキシメトキシカルボニル、β−カルボニルオキシ−β−メチル−δ−バレロラクトン、β−カルボニルオキシ−β−メチル−γ−ブチロラクトン、第三ブトキシカルボニルオキシ、第三−ペンチルオキシカルボニルオキシ、イソボルニルオキシカルボニルオキシ、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ、２−アルキル−２−アドマンチロキシカルボニルオキシ、テトラヒドロフラニルオキシカルボニルオキシ、テトラヒドロピラニルオキシカルボニルオキシ、置換されたまたは非置換のメトキシメトキシカルボニルオキシ、β−オキシカルボニルオキシ−β−メチル−δ−バレロラクトン、β−オキシカルボニルオキシ−β−メチル−γ−ブチロラクトン、第三ブトキシ、第三ペンチルオキシ、イソボルニルオキシ、シクロヘキシルオキシ、２−アルキル−２−アドマンチロキシ、テトラヒドロフラニルオキシ、テトラヒドロピラニルオキシ、置換されたまたは非置換のメトキシメトキシ、β−オキシ−β−メチル−δ−バレロラクトンおよびβ−オキシ−β−メチル−γ−ブチロラクトンよりなる群から選択されそして酸に不安定な基がポリマー骨格に直接的にまたは連結基を介して連結されている、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３】
コポリマーにおいてＲ7およびＲ8 が連結されて、ラクトンまたは酸無水物をけいせいしている、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４】
エチレン構造単位１が
【化３】
2004530159.tif 000003
よりなる群から選択されるモノマーから誘導される、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項５】
環状構造単位２が
【化４】
2004530159.tif 000004
よりなる群から選択されるモノマーから誘導される、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項６】
エチレン構造単位１が少なくとも４０モル％の濃度である、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項７】
エチレン構造単位１が８０モル％より低い濃度である、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項８】
コポリマーの重量平均分子量が２００，０００より小さい、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項９】
コポリマーの重量平均分子量は１，０００より大きい、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１０】
コポリマーが更に追加的コモノマーを含有する、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１１】
追加的コモノマーがアクリレート類、メタクリレート類、スチレン類、ヒドロキシスチレン、ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルスチレン、ビニルエーテル類、酢酸ビニル類、テトラフルオロエチレン、無水マレイン酸および無水イタコン酸およびそれらの弗素化類似物よりなる群から選択される、請求項１０に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１２】
追加的モノマーが３０モル％よりも少ない濃度である、請求項１０に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１３】
コポリマーが露光波長で４／ミクロンよりも小さい吸収係数を有する、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１４】
溶剤をプロピレングリコール−モノアルキルエーテル、プロピレングリコール−アルキルエーテルアセテート、酢酸ブチル、キシレン、エチレングリコール−モノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコール−モノメチルエーテルアセテート、２−ヘプタノン、エチルラクテート、エチル−３−エトキシプロピオナート、エチルラクテートとエチル−３−エトキシプロピオナートとの混合物およびそれらの混合物よりなる群から選択される、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１５】
更に溶解抑制剤を含有する、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１６】
光活性成分が光酸発生剤、光塩基発生剤またはそれらの混合物よりなる群から選択される、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１７】
光酸発生剤がジアゾニウム塩類、ヨードニウム塩類、スルホニウム塩類、スルホン類、ヒドロキシアミン酸エステル類、ハロゲン化物およびスルホン酸エステル類よりなる群から選択される、請求項１３に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１８】
更に塩基を含む、請求項１のフォトレジスト組成物。
【請求項１９】
塩基がトリエチルアミン、トリエタノールアミン、アニリン、エチレンジアミン、ピリジン、トリフェニルヨードニウムヒドロキシド、ジアルキルヨードニウムヒドロキシドおよびトリアルキルスルホニウムヒドロキシドよりなる群から選択される、請求項１６のフォトレジスト組成物。
【請求項２０】
溶剤または溶剤混合物も含有する、請求項１のフォトレジスト組成物。
【請求項２１】
次の段階、すなわち
a)  請求項１のフォトレジスト組成物の膜を基体にコーティングし、
b)  前記基体をベーク処理して溶剤を実質的に除去し、
c)  フォトレジスト膜を像様露光し、
d)  フォトレジスト膜をベーク処理し、そして
e)  露光されたフォトレジスト膜をアルカリ現像剤を用いて現像する、
各段階を含んでなる、フォトレジスト組成物の像形成方法。
【請求項２２】
フォトレジスト膜を１００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲の波長の光で像様露光する、請求項２１の方法。
【請求項２３】
段階ｄ）における加熱を、ホットプレート上では約３０秒〜約１８０秒間または炉中では約１５分〜約４０分の間、約９０℃〜１５０℃の範囲の温度で行う、請求項２１の方法。
【請求項２４】
アルカリ現像剤が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液を含んでなる、請求項２１の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、マイクロリソグラフィーの分野で特に有用でありそして半導体ディバイスの製造においてネガ型およびポジ型パターンを像形成するのに特に有用な新規のフォトレジスト組成物に関する。このフォトレジスト組成物は新規のコポリマーと光活性成分を含み、該コポリマーが少なくとも１つのシアノ官能基を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される単位および不飽和の環式非芳香族化合物から誘導される単位を含む。新規のフォトレジストのポリマーは深紫外線範囲において高い透明性を有しそしてかかる組成物は１９３ナノメータ（ｎｍ）および１５７ｎｍで露光するのに特に有用である。本発明は更に新規のフォトレジストを像形性する方法にも関する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
［式中、Ｒ1〜Ｒ4 は、Ｒ1 〜Ｒ4の少なくとも１つがシアノ官能基を有することを前提として、互いに無関係に水素原子、アルキル、Ｏ−アルキル、アルキルエステル、ペルフルオロアルキルエステル、カルボン酸、アルキルカルボニル、カルボキシレート、シアノ（ＣＮ）、フルオロアルキル、酸−または塩基に不安定な基、アルキルスルホニル、スルホナート、スルホンアミド、アルキルスルホンアミドである。］
一つのモノマー中に２つより多いシアノ基が存在していないのが有利である。Ｒ1 〜Ｒ4の少なくとも１つがシアノ官能基であるのが更に有利であり、Ｒ1〜Ｒ4 の内の２つがシアノ基であるのが更に有利である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
上記規定においておよび明細書全体において、アルキルは所望の数の炭素原子および原子価を有する直鎖状および分岐したアルキルを意味する。更にアルキルには単環、二環、三環等でもよい脂環式基も含む。適する直鎖状アルキル基にはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル等が含まれ；分岐したアルキル基にはイソプロピル、イソ−、第二または第三ブチル基、分岐したペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル等が含まれ；単環式アルキル基にはシクロペンチル、シクロヘキシルおよびシクロヘプチルが含まれ；二環式アルキル基には置換されたビシクロ［２．２．１］ヘプタン、ビシクロ［２．２．２］オクタン、ビシクロ［３．２．１］オクタン、ビシクロ［３．２．２］ノナンおよびビシクロ［３．３．２］デカン等が含まれる。三環式アルキル基の例にはトリシクロ［５．２．１．０2,6 ］デカン、トリシクロ［５．４．０．０2,6 ］ウンデカン、トリシクロ［４．２．２．１2,5 ］ウンデカン、およびトリシクロ［５．３．２．０2,6 ］ドデカンが含まれる。有利なアルキル基は非環状構造として使用する時には１０より少ない炭素原子数であり、更に有利なのは６より少ない炭素原子数である。フルオロアルキル基は弗素原子で完全にまたは部分的に置換されたアルキル基であり、その例にはトリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル等がある。酸−または塩基に不安定な基は、酸または塩基が光分解で発生する時に分解してポリマーを現像剤に可溶性にする基をもたらすものである。酸または塩基分解性基の例は、限定されないが、第三ブトキシカルボニル、第三ペンチルオキシカルボニル、イソボルニルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、２−アルキル−２−アドマンチルオキシカルボニル、テトラヒドロフラニルオキシカルボニル、テトラヒドロピラニルオキシカルボニル、色々に置換されたまたは非置換のメトキシメトキシカルボニルオキシ、β−カルボニルオキシ−β−メチル−δ−バレロラクトン、β−カルボニルオキシ−β−メチル−γ−ブチロラクトン、第三ブトキシカルボニルオキシ、第三ペンチルオキシカルボニルオキシ、イソボルニルカルボニルオキシ、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ、２−アルキル−２−アドマンチルオキシカルボニルオキシ、テトラヒドロオキシフラニルオキシカルボニルオキシ、テトラヒドロピラニルオキシカルボニルオキシ、色々に置換されたメトキシメトキシカルボニルオキシ、β−オキシカルボニルオキシ−β−メチル−δ−バレロラクトン、β−オキシカルボニルオキシ−β−メチル−γ−ブチロラクトン、第三ブトキシ、第三ペンチルオキシ、イソボルニルオキシ、シクロヘキシルオキシ、２−アルキル−２−アドマンチルオキシ、テトラヒドロフラニルオキシ、テトラヒドロピラニルオキシ、色々に置換されたメトキシメトキシ、β−オキシ−β−メチル−δ−バレロラクトンおよびβ−オキシ−β−メチル−γ−ブチロラクトンがある。これら酸−または塩基に不安定な基はポリマー骨格に直接的にまたは連結基を介して連結されている。その際に連結基の例には炭素、（Ｃ1 〜Ｃ6 ）−アルキレン（例えばメチレンまたはエチレン）またはアルキニルオキシカルボニルがある。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
本発明の新規のポリマーは重合されて、約１，０００〜２００，０００、好ましくは約４，０００〜約２０，０００、特に好ましくは約６，０００〜約１４，０００の重量平均分子量を有するポリマーをもたらす。Ｍｗが重量平均分子量でありそしてＭｎが数平均分子量である場合に、樹脂の多分散性（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．５〜３．０の範囲内にあり、樹脂の分子量はゲルパーミッションクロマトグラフィーによって決めることができる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
本発明の新規のポリマーには追加的不飽和モノマーが組み入れられていてもよい。これらは限定されるものではないが、アクリレート類、メタクリレート類、スチレン類、特にヒドロキシスチレンおよびヒドロキシヘキサフルオロイソプロピルスチレン、ビニルエーテル類、酢酸ビニル類、テトラフルオロエチレン、無水マレイン酸および無水イタコン酸およびそれらの弗素化類似物が含まれる。追加的モノマーは酸−または塩基に不安定な基を含有していてもよい。追加的モノマーは露光波長でポリマーの所望の透明性が未だ維持される量で添加することができる。追加的モノマーは好ましくは３０モル％より少ない、好ましくは２５モル％より少ない、特に１５モル％より少ない量でポリマー中に組み入れられる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
本発明のポリマーは酸性−または塩基に不安定な基である保護基を含有する１種類以上のモノマーを含有している。保護基は露光後に保護を解除し、ポジ型フォトレジスト用現像剤に可溶であるかまたはネガ型フォトレジスト用現像剤中に不溶であるポリマーをもたらす。ポリマーは重合後に保護基でマスクしてもよいしまたはモノマーをマスクして次いで重合してもよい。ポリマーは溶解抑制剤によって抑制されて、露光時にフォトレジストが現像剤に可溶性になってもよい。一般的溶解抑制剤は、フォトレジストに添加して未露光フォトレジストが現像剤に溶解する速度を低下させる。使用できる公知の溶解抑制剤の例にはモノマーのまたはオリゴマーのコール酸塩がある。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
２−シアノアクリル酸メチル／ノルボルネン−ヘキサフルオロ第三ブタノール−コポリマーの合成：
テフロン塗装した攪拌棒、およびＯ−リングを有する、糸で繋いだテフロン製キャプを備えた３５ｍＬの耐圧式パイプにＭＣＡ（１．１５ｇ、１０．４ｍｍｏｌ）、ＮＢＨＦｔＢ（２．８５ｇ、１０．４ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ（４ｇ）、ＡＩＢＮ（１２０ｍｇ）および酢酸（２００ｍｇ）を添加する。反応混合物を３０ｍＬ／分の流速で窒素を用いて１５分間脱気する。この反応容器を次いでテフロン製ねじ込みキャップを用いて気密に直接的に栓をする。次いでこの容器を７２℃に予備加熱されたオイルバス中に置く。反応を３時間進行させる。粘性の反応物質を室温に冷却しそして２０．５ｍＬのＴＨＦで希釈する。この溶液を攪拌下に７５ｍＬのヘキサン中に滴加する。白色のポリマーを濾過し、ヘキサンで洗浄しそして減圧炉中で夜通し５５℃で乾燥する。ポリマーの収率は６１．１％である。このコポリマーの分子量はＭｗ＝２７３０、Ｍｎ＝１５７６およびＰＤ＝１．７３が測定された。このポリマーを更に、該ポリマーに酸−または塩基に不安定な基をもたらす化合物と反応させる。このポリマーのＴｇはＤＳＣ（TA Instruments、Model2920) を用いて測定して１６３℃であることが測定された。