Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述した圧電アクチュエータ素子をＨＤＤ（ハードディスク・ドライブ）等の中で使用する場合には、極めて薄い圧電アクチュエータ素子が必要とされるとともに高い寸法精度が要求される。そのかかる寸法上の要請に対し、薄物品、特に０．５mm以下のものの焼結は、反り・特性劣化等の問題が想定されるため、研削加工、ダイサー加工等によって必要とされる寸法を得るのが一般的である。しかし、この様にして得た圧電アクチュエータ素子では、前記加工により発生したパーティクル（微粒子）や、圧電アクチュエータ素子の加工面から剥離しかかったパーティクルが、圧電アクチュエータ素子をＨＤＤ装置に実装した後、圧電アクチュエータ素子から脱落して磁気ディスク表面に付着したりして磁気記録データを損傷したり、場合によっては自身の発生したパーティクルによってアクチュエータ素子が用いられたＨＤＤがアクセス不能になる等、信頼性を低下させる要因を内在していた。このことはＨＤＤに限ったことではなく、クリーンな使用環境でパーティクルを発生するという普遍的な問題があった。本発明の目的は、かかるパーティクル発生によるトラブルを未然に解決し、信頼性の高い磁気記録装置用圧電アクチュエータ素子を提供することである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
第１の発明は、圧電素子の厚みが０．５ｍｍ以下で、且つ素子の表面が実質的に焼結肌のままである磁気記録装置用圧電アクチュエータ素子である。第１及び第２の発明においては、圧電素子の外表面の一部または全部を可撓性樹脂で被覆するのが好ましい。第２の発明は、厚みが０．５ｍｍ以下で、加工面を備えた圧電素子の外表面の少なくとも加工面を、可撓性樹脂で被覆する磁気記録装置用圧電アクチュエ−タ素子である。本発明においては、前記可撓性樹脂の厚みが１μｍ以上１００μｍ以下とするのが好ましい。第３の発明は、第１及び第２の発明の圧電アクチュエータ素子の製造方法であって、圧電材料を成形して成形体を得た後、前記成形体を一次焼結して予備焼結体を得て、次いで前記予備焼結体に加工を施し、その後、二次焼結を施す磁気記録装置用圧電アクチュエータ素子の製造方法である。本発明においては、前記加工を施した予備焼結体の上に、物品を配置することにより荷重を印加しつつ、二次焼結を施すのが好ましく、さらに、前記一次焼結及び／又は二次焼結する際に、圧電材料から作製された圧電焼結体の板上に被焼結物を配置して焼結するのが望ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明の実施の形態】
まず本発明の圧電アクチュエータ素子の製造方法を説明する。本発明において圧電材料とは、ＰＺＴ｛Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 ｝、ＰＴ（ＰｂＴｉＯ3 ）、ＰＬＺＴ｛（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 ｝、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）等のセラミックス圧電材料が好ましい。この圧電材料の粉末を成形して成形体を得る。通常は、圧電材料の粉末を適当な溶媒でスラリー状にしてドクターブレード法でグリーンシートを作製し、所定の電極パターンを印刷して、積層することが多い。しかし、本発明はそれに限定されるものではなく、圧電材料の粉末を金型で成形して成形体を作製してもよい。次に、この成形体を焼結するが、ＰＺＴ，ＰＴ，ＰＬＺＴなどＰｂを含む場合には、この際、前記成形体を圧電材料の粉末から作製された圧電焼結体の板上に配置して焼結する。それにより、焼結に依って成形体の表面から蒸発・飛散する圧電材料の主要構成元素である鉛（Ｐｂ）の補給ができる。これにより焼結密度が向上し、素子の厚みが０．５ｍｍ以下の薄いものであっても反りなく焼結することができるので、従来の様に後加工を必要としない。さらに、厳しい寸法精度を必要とされる場合には、前記成形体を一次焼結し予備焼結体を得て、その後、ダイヤモンド刃などでカッティング、ダイシング加工して、さらに二次焼結を施しても良い。一次焼結によって、蒸発し易い鉛が圧電体表面から失われる場合に、二次焼結することにより、圧電体内部から鉛が圧電体表面に向かって拡散してきて表面の鉛密度を向上できるとともに、加工によって荒れた表面層を修復し且つ表面を焼結したままの焼結肌にしてパーティクルが発生しないよう安定化することが出来る。ここで、一次焼結は最終密度若しくはそれに近い焼結密度を得るように行われ、その条件は、圧電材料の組成や電極材料により異なるが大体１０３０〜１１６０℃程度で、２時間程度大気中で焼結する。そしてアンニーリング（ａｎｎｅａｌｉｎｇ）効果を備える二次焼結は過焼結とならないよう、一次焼結の温度以下で行うことが好ましい。また、一次焼結を施した焼結体の上に板状物品を配置することにより荷重を印加しつつ、二次焼結を施せば、焼結に依り発生しようとする反りが事前矯正されて、パーティクル発生の要因となる後加工の不要な圧電アクチュエータ素子が得ることが出来る。そして、前記一次焼結及び／又は二次焼結する際に、被焼結物を圧電材料から作製された圧電焼結体の板上に配置して焼結すれば、焼結に依って成形体の表面から蒸発・飛散する圧電材料の主要構成元素である鉛（Ｐｂ）の補給ができる。これにより焼結密度が向上し、反りなく焼結できるので後加工を必要としない。以上述べたように、本発明は従来にない製造方法を採用したので、素子の厚みが０．５ｍｍ以下で、且つ素子の表面が実質的に焼結肌のままである圧電アクチュエータ素子を得ることができる。そして、下限は５０〜７０μｍ程度のものまで製造できる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月24日(2007.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の検査を行う検査装置において、
上下に移動可能であって、基板を後段に設けられた検査ステーションユニットへ搬入する搬入手段と、
上下に複数段の検査ステーションユニットを有し、前記搬入手段により搬入された基板を該所定の検査ステーションユニット内において検査する検査ステーション部と、
上下に移動可能であって、前記検査ステーション部の検査ステーションユニット内において検査された基板を該検査ステーションユニットから搬出する搬出手段とを備え、
前記搬入手段は前記複数の検査ステーションユニットのうち、基板が搬入されていない検査ステーションユニットに対向する位置まで移動して、前記基板を該検査ステーションユニットへ搬入し、
前記搬出手段は前記複数の検査ステーションユニットのうち、基板の検査が完了する検査ステーションユニットに対向する位置まで移動して、該基板を該検査ステーションユニットから搬出するものであることを特徴とする基板の検査装置。
【請求項２】
前記搬入手段にはストッパが設けられ、前記基板が該搬入手段に搭載された場合に該ストッパにより該基板を保持し、該基板を前記検査ステーションへ搬入するときに該ストッパを解除して該基板を該検査ステーションへ搬入するよう構成され、
前記搬出手段にはストッパが設けられ、前記検査ステーションから搬出した基板を該ストッパにより保持し、該搬出手段が予め定められた位置に移動したときに該ストッパを解除して該基板を後段へ搬送するよう構成されてなることを特徴とする請求項１記載の基板の検査装置。
【請求項３】
前記搬入手段の前段には、ストッパにより基板を保持すると共に該搬入手段が予め定められた位置に移動したときに該ストッパを解除して該基板を該搬入手段へ搬送する搬入待ちエリアユニットが設けられ、
前記搬出手段の後段には、前記搬出手段が予め定められた位置に移動したときに該搬出手段により搬出された基板を受け取ると共にストッパにより該基板を保持し、後工程である搬出コンベアに基板が存在しない場合に該ストッパを解除して該基板を該搬出コンベアへ搬送する搬出待ちエリアユニットが設けられてなることを特徴とする請求項１、又は２記載の基板の検査装置。
【請求項４】
第１及び第２の操作手段を設け、
前記第１の操作手段の操作により、前記搬入手段が前記搬入されていない検査ステーションユニットに対向する位置まで移動し、
前記第２の操作手段の操作により、前記搬出手段が前記基板の検査が完了する検査ステーションユニットに対向する位置まで移動するようにしたことを特徴とする請求項１記載の基板の検査装置。
【請求項５】
報知手段を設け、
前記検査ステーションユニットにより検査された基板が不良であると判断された場合は、該基板を前記搬出待ちエリアユニットのストッパにより保持すると共に前記報知手段を作動させてなることを特徴とする請求項３記載の基板の検査装置。
【請求項６】
報知手段を設け、
前記検査ステーションユニットにより検査された基板が不良であると判断された場合は、該基板を前記搬出手段のストッパにより保持すると共に前記報知手段を作動させてなることを特徴とする請求項２記載の基板の検査装置。
【請求項７】
不良と判断された基板を搬送するための不良基板搬送コンベア及び該基板を移動させる移動手段とを設け、
前記検査ステーションユニットにより検査された基板が不良であると判断された場合は、該基板を前記搬出待ちエリアユニットのストッパにより保持すると共に前記移動手段により該基板を前記不良基板搬送コンベアまで移動させてなることを特徴とする請求項３記載の基板の検査装置。
【請求項８】
不良と判断された基板を搬送するための不良基板搬送コンベア及び該基板を移動させる移動手段とを設け、
前記検査ステーションユニットにより検査された基板が不良であると判断された場合は、該基板を前記搬出手段のストッパにより保持すると共に前記移動手段により該基板を前記不良基板搬送コンベアまで移動させてなることを特徴とする請求項２記載の基板の検査装置。
【請求項９】
不良と判断された基板を搬送するための不良基板搬送コンベア及び前記搬出手段を移動させる移動手段を設け、
前記検査ステーションユニットにより検査された基板が不良であると判断された場合は、該基板を前記搬出手段のストッパにより保持すると共に前記移動手段により該搬出手段を前記不良基板搬送コンベアと対向する位置まで移動させてなることを特徴とする請求項２記載の基板の検査装置。
【請求項１０】
前記搬入手段と前記搬出手段とを共に上下方向に駆動させる移動手段を設け、前記移動手段により前記搬入手段と前記搬出手段とを同期させて移動させることを特徴とする請求項１記載の基板の検査装置。
【請求項１１】
基板の搬入手段が、基板の搬送方向に対して直交する方向で、基板が搬入されていない検査ステーションユニットに対向する位置まで移動して、前記基板を検査ステーションユニットへ搬入するステップと、
搬入手段により搬入された基板を検査ステーションユニット内において検査するステップと、
基板の搬出手段が、基板の搬送方向に対して直交する方向で、基板の検査が完了する検査ステーションユニットに対向する位置まで移動して、該基板を該検査ステーションユニットから搬出するステップとを含むものであることを特徴とする基板の検査方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、基板の搬入手段が、基板の搬送方向に対して直交する方向で、基板が搬入されていない検査ステーションユニットに対向する位置まで移動して、前記基板を検査ステーションユニットへ搬入するステップと、搬入手段により搬入された基板を検査ステーションユニット内において検査するステップと、基板の搬出手段が、基板の搬送方向に対して直交する方向で、基板の検査が完了する検査ステーションユニットに対向する位置まで移動して、該基板を該検査ステーションユニットから搬出するステップとを含むものであることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
上記電圧生成回路が上記第１の出力トランジスタと共にカレントミラー回路を構成するトランジスタである請求項１、２又は３に記載のパワーオフ検出回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、第１の電源端子と第２の電源端子との間に電気的に接続されているダイオードと、上記ダイオードと第２の電源端子との間に電気的に接続され、上記ダイオードを介して上記第１の電源端子から充電される第１のコンデンサと、上記第１の電源端子と上記第２の電源端子との間に電気的に接続され、論理信号を出力するための第１の出力トランジスタと、上記ダイオードと上記第１のコンデンサとの接続中点と上記第１の出力トランジスタの制御端子との間に電気的に接続され、その制御端子が上記第１の電源端子に電気的に接続されている制御トランジスタと、上記ダイオードと上記第１のコンデンサとの接続中点と上記第２の電源端子との間に電気的に接続され、上記第１の出力トランジスタの制御端子に対して所定の電圧を供給するための電圧生成回路とを有するパワーオフ検出回路である。
請求項２記載の発明は、請求項１に記載のパワーオフ検出回路であって、上記ダイオードと第１のコンデンサとの接続中点と上記第２の電源端子との間に電気的に接続され、リセット信号に応答して導通して上記第１のコンデンサを放電する第１のリセットトランジスタを有するパワーオフ検出回路である。
請求項３記載の発明は、請求項１又は２に記載のパワーオフ検出回路であって、上記第１の電源端子と上記第１の出力トランジスタとの間に電気的に接続され、その制御端子にリセット信号が印加される第２の出力トランジスタを有するパワーオフ検出回路である。
請求項４記載の発明は、請求項１、２又は３に記載のパワーオフ検出回路であって、上記電圧生成回路が抵抗素子で構成され、上記制御トランジスタが導通することにより、上記第１の出力トランジスタの制御端子に所定の電圧が供給されて上記第１の出力トランジスタの導通状態が変化して上記論理信号の論理が反転するパワーオフ検出回路である。
請求項５記載の発明は、請求項１、２又は３に記載のパワーオフ検出回路であって、上記電圧生成回路が第２のコンデンサで構成され、上記第２のコンデンサに対して並列に接続され、上記リセット信号に応答して導通して上記第２のコンデンサを放電する第２のリセットトランジスタを有するパワーオフ検出回路である。
請求項６記載の発明は、請求項１、２又は３に記載のパワーオフ検出回路であって、上記電圧生成回路が上記第１の出力トランジスタと共にカレントミラー回路を構成するトランジスタであるパワーオフ検出回路である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
出力トランジスタ１７のゲート端子は始動トランジスタ１４のドレイン端子に接続されているので、システムのパワーオン時や電源電圧Ｖccの低下前等の抵抗素子２５に電流が流れていない状態では、出力トランジスタ１７はオフ状態にある。この状態では、始動トランジスタ１４は、そのゲート端子が抵抗素子２５によって接地電位に接続されるため、オフ状態にある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
送受信切替回路５１〜５４は、インバータ５５及びＮＡＮＤゲート５６、５７によって、受信動作と送信動作が選択されるように構成されており、選択端子５９に入力された信号がＨＩＧＨであるかＬＯＷであるかにより、一方の送受信切替回路５１、５２内の送信用バッファ５１ｂ、５２ｂが活性化されて送信用に設定され、他方の送受信切替回路５３、５４内の送信用バッファ５３ｂ、５４ｂの出力がハイインピーダンス状態とされて受信用に設定される。従って、各送受信切替回路５１〜５４により、入出力端子６１〜６４は、信号の送信と受信の両方に使用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月17日(2007.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】ｐ型ＧａＡｓ単結晶基板上に第１のｐ型層（Ｇａ1-X1ＡｌX1Ａｓ、０．１３≦Ｘ１≦０．４０）、ｐ型クラッド層（Ｇａ1-X2ＡｌX2Ａｓ、０．２３≦Ｘ２≦０．４６）、発光波長が８５０〜９００ｎｍの範囲内であるｐ型活性層（Ｇａ1-X3ＡｌX3Ａｓ、０≦Ｘ３≦０．０３）、及びｎ型クラッド層（Ｇａ1-X4ＡｌX4Ａｓ、０．１３≦Ｘ４≦０．４０）を順次液相エピタキシャル法で積層した後、該ｐ型ＧａＡｓ単結晶基板を除去した赤外発光ダイオード用エピタキシャルウェハで、ｎ型クラッド層のキャリア濃度が１×１０１７〜１×１０１８ｃｍ-3の範囲内であり、かつ硫黄濃度が３×１０１６原子／ｃｍ3以下であることを特徴とする赤外発光ダイオード用エピタキシャルウェハ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
即ち本発明は、［１］ｐ型ＧａＡｓ単結晶基板上に第１のｐ型層（Ｇａ1-X1ＡｌX1Ａｓ、０．１３≦Ｘ１≦０．４０）、ｐ型クラッド層（Ｇａ1-X2ＡｌX2Ａｓ、０．２３≦Ｘ２≦０．４６）、発光波長が８５０〜９００ｎｍの範囲内であるｐ型活性層（Ｇａ1-X3ＡｌX3Ａｓ、０≦Ｘ３≦０．０３）、及びｎ型クラッド層（Ｇａ1-X4ＡｌX4Ａｓ、０．１３≦Ｘ４≦０．４０）を順次液相エピタキシャル法で積層した後、該ｐ型ＧａＡｓ単結晶基板を除去した赤外発光ダイオード用エピタキシャルウェハで、ｎ型クラッド層のキャリア濃度が１×１０１７〜１×１０１８ｃｍ-3の範囲内であり、かつ硫黄濃度が３×１０１６原子／ｃｍ3以下であることを特徴とする赤外発光ダイオード用エピタキシャルウェハ、［２］ｎ型クラッド層の層厚が２０〜５０μｍの範囲内であることを特徴とする［１］に記載の赤外発光ダイオード用エピタキシャルウェハ、［３］エピタキシャル成長装置を、エピタキシャル成長実施前に、塩化水素ガス雰囲気中において空焼き処理を行うことを特徴とする［１］または［２］に記載した赤外発光ダイオード用エピタキシャルウェハを製造する方法、［４］［３］に記載の赤外発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法を用いて作製した赤外発光ダイオード用エピタキシャルウェハ、［５］［１］または［２］または［４］に記載の赤外発光ダイオード用エピタキシャルウェハを用いて作製した赤外発光ダイオード、［６］［５］に記載の赤外発光ダイオードを用いた光通信、空間伝送用機器に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明では、この構造の赤外ＬＥＤ用エピタキシャルウェハにおいて、ｎ型クラッド層のキャリア濃度を１×１０１７〜１×１０１８ｃｍ-3の範囲内、好ましくは２×１０１７〜６×１０１７ｃｍ-3範囲内とし、かつｎ型クラッド層中の硫黄原子濃度を３×１０１６原子／ｃｍ3以下、好ましくは、１×１０１６原子／ｃｍ3以下とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
なお、本発明のｎ型クラッド層において、硫黄原子濃度が３×１０１６原子／ｃｍ3以下の条件下では、ｎ型クラッド層のキャリア濃度が１×１０１８ｃｍ-3より高くなるとドーパントに起因する欠陥が増加し、発光出力の低下が発生する。また、ｎ型クラッド層のキャリア濃度が１×１０１７ｃｍ-3より低くなると、順方向電圧が高くなりＬＥＤの要求特性を満足しなくなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
ｎ型クラッド層中のキャリヤ濃度は１×１０１７〜１×１０１８ｃｍ-3の範囲内となるようにドーパントであるＴｅを仕込み、ｐ型クラッド層のドーパントとしてはＺｎ、ｐ型活性層のドーパントとしてはＧｅを仕込んだ。また各層の組成比が、第１のｐ型Ｇａ1-X1ＡｌX1Ａｓ層は０．１３≦Ｘ１≦０．４０、ｐ型クラッドＧａ1-X2ＡｌX2Ａｓ層は０．２３≦Ｘ２≦０．４６、ｐ型活性層Ｇａ1-X3ＡｌX3Ａｓは０≦Ｘ３≦０．０３、ｎ型クラッドＧａ1-X4ＡｌX4Ａｓ層は０．１３≦Ｘ４≦０．４０、となるようにＧａメタル、金属Ａｌ、ＧａＡｓ多結晶を仕込んだ。メルトの入っているルツボはルツボ蓋１５をメルト表面に浮かべている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（比較例１）実施例１と同様の手順でエピタキシャル成長とＬＥＤの作製を実施した。ただし、ｎ型クラッド層中のキャリヤ濃度は１×１０１７〜１×１０１８ｃｍ-3の範囲外となるようにドーパントであるＴｅを仕込み、また、ｎ型クラッド層の硫黄濃度を下げるための手段の内、エピタキシャル成長装置の塩化水素ガス雰囲気中での空焼き処理を行わなかった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図４は実施例１、比較例１で作製したＬＥＤにおいて、ｎ型クラッド層のキャリア濃度、ｎ型クラッド層中の硫黄濃度、及び発光出力の測定結果を示したものである。図４中のデータ点に併記した数値は相対発光強度を示す。ｎ型クラッド層のキャリア濃度を１×１０１７〜１×１０１８ｃｍ-3の範囲内、好ましくは２×１０１７〜６×１０１７ｃｍ-3範囲内とし、かつｎ型クラッド層中の硫黄原子濃度を３×１０１６原子／ｃｍ3以下、好ましくは、１×１０１６原子／ｃｍ3以下に制御することにより発光出力が高いＬＥＤを作製できた。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１  ｐ型ＧａＡｓ基板
２  第１のｐ型ＧａＡｌＡｓ層
３  ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層
４  ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層
５  ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層
６  ホルダ−
７  ウェハカセット
８  ｐ型ＧａＡｓ基板
９  第１のｐ型ＧａＡｌＡｓ層成長ルツボ
１０  ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層成長ルツボ
１１  退避用ルツボ
１２  ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層成長ルツボ
１３  ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層成長ルツボ
１４  ルツボ台
１５  ルツボ蓋
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月19日(2007.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ID読み取りシステム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
IDが付与されたIDタグから，前記付与されたIDの読み取りを行うID読み取りシステムであって，
前記IDタグは，外部からデータを読み取り可能なメモリ領域を有する電子回路チップを備え，前記メモリ領域に，個々の前記IDタグに対して一つずつ発行される唯一の前記IDを格納しており，
前記ID読み取りシステムは，
データベースと，制御部と，入出力部と，ID読み取り部と，を備え，
前記データベースは，複数の前記IDと，前記IDが付与された前記IDタグが有するタグ情報と，を対応づけて格納しており，
前記制御部は，
前記ID読み取り部が前記IDタグの前記電子回路チップから読み取ったIDに基づいて，前記データベースを検索し，前記読み取ったIDに対応づけられているタグ情報を取り出し，
前記ID読み取り部が前記IDタグの前記電子回路チップからのID読み取りに失敗した場合に，他の情報から前記読み取りに失敗したIDを推定する
ことを特徴とするID読み取りシステム。
【請求項２】
請求項１記載のID読み取りシステムであって，
前記入出力部は，前記ID読み取り部が前記IDタグの前記電子回路チップからのID読み取りに失敗した場合に，当該ID読み取りに失敗したIDタグに付与されているタグ情報を，前記他の情報として取得し，
前記制御部は，前記他の情報として取得された前記タグ情報に基づいて，前記データベースを検索し，
前記読み取りに失敗したIDを推定する
ことを特徴とするID読み取りシステム。
【請求項３】
請求項１または２に記載のID読み取りシステムであって，
さらに，ネットワークに接続された通信部を備え，
前記制御部は，前記推定したIDを失効したものと判断し，
前記通信部は，ネットワークを介して，前記推定したIDを失効IDとして，他の装置へ通知する
ことを特徴とするID読み取りシステム。
【請求項４】
請求項１または２記載のID読み取りシステムは，
ネットワークで接続された，装置１と一つ以上の装置２とを有し，
前記装置１は，前記データベースと，前記制御部と，を備え，
各々の前記装置２は，前記入出力部と，前記ID読み取り部と，を備える
ことを特徴とするID読み取りシステム。
【請求項５】
請求項１または２記載のID読み取りシステムであって，
前記データベースと，前記制御部と，前記入出力部と，前記ID読み取り部と，を一つの装置に備える
ことを特徴とするID読み取りシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月23日(2007.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体メモリカード、再生装置、再生方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロテクト領域と非プロテクト領域とを備える半導体メモリカードであって、
プロテクト領域には、接続される機器と半導体メモリカードの間で互いの正当性が認証された場合のみ、当該機器によりアクセスできる領域であるとともに、複数の暗号鍵を所定の順序に配列してなる暗号鍵列が格納され、
非プロテクト領域には、複数の暗号化されたオーディオオブジェクトと、管理情報が格納され、
各オーディオオブジェクトは、固有識別情報を有し、再生すべき有効部分のみからなるものと、有効部分と共に、再生不要な無効部分をその先端及び／又は終端に含むものがあり、
各暗号鍵は、固有識別情報によって各オーディオオブジェクトと対応付けられるとともに、対応するオーディオオブジェクトを復号化し、
管理情報は、属性情報と、ブロック情報と、リンク情報と、プレイリストを含み、
属性情報は、各オーディオオブジェクトが、オーディオトラックの先頭部分、中間部分、終端部分、全体部分のいずれであるかを示し、
ブロック情報は、各オーディオオブジェクトの有効部分の開始位置を示すオフセットと、当該オフセットからの有効部分のデータ長とを示し、
リンク情報は、オーディオトラックの先頭部分又は中間部分を構成するオーディオオブジェクトについて、それらに後続される中間部分又は終端部分との接続関係を有するオーディオオブジェクトを示し、
プレイリストは、オーディオトラックの再生順序を示すとともに、各オーディオトラックにおけるオーディオオブジェクトの再生順序を示す、半導体メモリカード。
【請求項２】
前記オーディオトラックの再生には、オーディオオブジェクトの有効部分の再生をスキップすることなく行う通常再生と、オーディオオブジェクトの有効部分を所定の第１時間ずつスキップし、スキップの度に同有効部分の再生を所定の第２時間だけ行うオーディオトラックの間欠再生とがあり、
前記オーディオトラックは更に、複数のオーディオオブジェクトのそれぞれに１対１の比率で割り当てられた複数のエントリー位置情報を含み、
複数のエントリー位置情報は、オーディオオブジェクト内部の、第１時間おきの位置を示す、請求項１記載の半導体メモリカード。
【請求項３】
請求項１記載の半導体メモリカードについての再生装置であって、
プレイリストに基づいて、再生すべきオーディオトラック内のオーディオオブジェクトを特定し、特定したオーディオオブジェクトを半導体メモリカードの非プロテクト領域から読み出す第１読み出し手段と、
接続される半導体メモリカードと再生装置の間で互いの正当性が認証された場合のみ、当該半導体メモリカードのプロテクト領域へのアクセスを許可する認証手段と、
認証手段で認証に成功した場合に、再生すべきオーディオオブジェクトに対応する暗号鍵をプロテクト領域から読み出す第２読み出し手段と、
読み出されたオーディオオブジェクトを、読み出された暗号鍵を用いて復号する復号手段と、
復号されたオーディオオブジェクトを前記オフセット位置から再生する再生手段とを備える、再生装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体メモリカードについての再生手順をコンピュータに行わせるプログラムをコンピュータ読取可能な形式で記録している記録媒体であって、
プレイリストに基づいて、再生すべきオーディオトラック内のオーディオオブジェクトを特定し、特定したオーディオオブジェクトを半導体メモリカードの非プロテクト領域から読み出す第１読み出しステップと、
接続される半導体メモリカードとコンピュータの間で互いの正当性が認証された場合のみ、当該半導体メモリカードのプロテクト領域へのアクセスを許可する認証ステップと、
認証ステップで認証に成功した場合に、再生すべきオーディオオブジェクトに対応する暗号鍵をプロテクト領域から読み出す第２読み出しステップと、
読み出されたオーディオオブジェクトを、読み出された暗号鍵を用いて復号する復号ステップと、
復号されたオーディオオブジェクトを前記オフセット位置から再生する再生ステップと、
を含む手順をコンピュータに行わせるプログラムが記録されているコンピュータ読取可能な記録媒体。
【請求項５】
請求項１記載の半導体メモリカードを再生するコンピュータにおいて適用される再生方法であって、
プレイリストに基づいて、再生すべきオーディオトラック内のオーディオオブジェクトを特定し、特定したオーディオオブジェクトを半導体メモリカードの非プロテクト領域から読み出す第１読み出しステップと、
接続される半導体メモリカードとコンピュータの間で互いの正当性が認証された場合のみ、当該半導体メモリカードのプロテクト領域へのアクセスを許可する認証ステップと、
認証ステップで認証に成功した場合に、再生すべきオーディオオブジェクトに対応する暗号鍵をプロテクト領域から読み出す第２読み出しステップと、
読み出されたオーディオオブジェクトを、読み出された暗号鍵を用いて復号する復号ステップと、
復号されたオーディオオブジェクトを前記オフセット位置から再生する再生ステップと
を含む、再生方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月1日(2007.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
偏心軸５は、工具スピンドル２に前後一対のベアリング６５，６５を介して支持され、更に、工具スピンドル２の前端に配設されたベアリング６６により軸方向（Ｚ軸方向）不動に位置決め支持されている。偏心軸５の後端外周には、ギヤボックス部１２内に位置させて外ギヤ５１が形成されており、この外ギヤ５１は、工具スピンドル２の最後端外周のギヤ２３の外端にボルト止め固定されたリングギヤ２４の内歯に噛合している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
こうした構成からなる軸頭は、モータ駆動によりカウンタリダクション歯車を介した動力が歯車２０に伝達されて、工具スピンドル２が連続回転駆動される。この駆動により、ギヤ２１も駆動され、それに連結されたハーモニツクドライブ機構７のフレックススプライン７１も回転し、停止状態のサーボモータ６の出力軸に連結されたウェーブジェネレータ７０に反力支持された噛合部で噛合したままサーキュラスプライン７２も減速回転する。このサーキュラスプライン７２の回転は、ギヤ２２に伝達され、ギヤ２３との噛み合い部で上記減速回転を相殺する分だけ増速されて、この回転がそのままリングギヤ２４に伝達される。したがって、ギヤ２０が固定された工具スピンドル２と、リングギヤ２４に外ギヤ５１で噛み合う偏心軸５は、工具スピンドル２の軸心周りに同期回転する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2001219311.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月5日(2006.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  ポリアクリル酸類が、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸エステルおよびポリメタクリル酸エステルから選択される少なくとも１種である請求項１記載の防曇性コーティング材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に用いられる基材としては、レンズ、光学平行平板、ミラー、プリズム、ガラスおよびプラスチックが挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月30日(2007.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】法面施工用安全帯構造
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
法面施工作業者が付帯するベルトに補助ロープを設けて法面に付設したメインロープに係止する補助金具を有する法面施工用安全帯構造において、上記補助金具にメインロープに対し緊締解離自在な仮止め金具とロック金具とが装備されていることを特徴とする法面施工用安全帯構造。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月17日(2007.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の成分を含む安定化された固体セルラーゼ調製物。
ａ）エンドグルカナーゼを全蛋白質重量の10重量％以上含有する。
ｂ）ニ価カチオンと塩化物からなる無機塩をエンドグルカナーゼ重量の90重量％以上含有する。
【請求項２】
二価のカチオンと塩化物からなる無機塩が、塩化カルシウム、塩化コバルト、塩化ニッケル、塩化ストロンチウム、塩化マグネシウム、塩化亜鉛のいずれかである、請求項１記載の固体セルラーゼ調製物。
【請求項３】
エンドグルカナーゼがフミコーラ・インソレンス（Humicola insolens）由来のエンドグルカナーゼＮＣＥ４もしくはＮＣＥ５、接合菌由来のエンドグルカナーゼRCE I、RCE II、RCE III、MCE I、MCE II、もしくはPCEIのいずれかである、請求項１または２に記載の固体セルラーゼ調製物。
【請求項４】
エンドグルカナーゼを全蛋白質重量の10重量％以上含有するセルラーゼ溶液に、二価カチオンと塩化物からなる無機塩をエンドグルカナーゼ重量に対して90重量％以上添加し、乾燥することを特徴とする安定化された固体セルラーゼ調製物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月9日(2007.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高熱伝導部材が面方向に複数層設けられ、所定部にヒートシンクと熱的に結合するためのヒートシンク接続部を有する高熱伝導プリント配線板において、上記複数層の高熱伝導部材は、高発熱素子が配置される第１の領域と、耐熱強度の低い素子が配置される第２の領域に分離され、かつ分離された各領域の高熱伝導部材は何れも上記ヒートシンク接続部と熱的に結合されていることを特徴とする高熱伝導プリント配線板。
【請求項２】
高熱伝導部材と絶縁性基板とが交互に積層された高熱伝導プリント配線板において、上記高熱伝導部材は上記絶縁性基板からなる断熱部を介して高発熱素子が配置される第１の領域と、耐熱強度の低い素子が配置される第２の領域とに分離され、上記第１及び第２の領域はヒートシンクにそれぞれ接続される部分を有することを特徴とする高熱伝導プリント配線板。
【請求項３】
上記発熱素子の近傍の基板表面部と、上記ヒートシンク接続部の基板表面部との間を直接接続する熱伝導率の大きな金属部材が別途設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の高熱伝導プリント配線板。
【請求項４】
上記金属部材における、上記高発熱素子の近傍と上記ヒートシンク接続部との間の中間部分は上記基板表面部から所定寸法離間されてなることを特徴とする請求項３に記載の高熱伝導プリント配線板。
【請求項５】
上記金属部材は、上記基板表面部に対してリフロー接続されてなることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の高熱伝導プリント配線板。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月1日(2007.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質を有機溶媒に溶解させた電気二重層キャパシタ用有機電解液であって、
該電解質は、式
【化１】
2007258746.tif 000001
［式中、Ｘ−は対アニオンである。］
で表されるピペリジン−１−スピロ−１’−ピロリジニウム塩又は、式
【化２】
2007258746.tif 000002
［式中、Ｘ−は対アニオンである。］
で表されるスピロビピロリジニウム塩を含み、
該有機溶媒は、エチレンカーボネートとプロピレンカーボネートとの混合物を含み、
該電気二重層キャパシタは、比表面積が３００ｍ２／ｇ以下の非多孔性炭素を用いて形成された炭素質電極を有するものである、
電気二重層キャパシタ用有機電解液。
【請求項２】
前記ピペリジン−１−スピロ−１’−ピロリジニウム塩又は前記スピロビピロリジニウム塩が２．０ｍｏｌ／Ｌを超える量含まれてなる、請求項１記載の電気二重層キャパシタ用有機電解液。
【請求項３】
前記対アニオンが４フッ化ホウ酸アニオン又は６フッ化リン酸アニオンである請求項１又は２記載の電気二重層キャパシタ用有機電解液。
【請求項４】
前記非多孔性炭素が、
ニードルコークスグリーンパウダーを、不活性雰囲気下６００〜９００℃で２〜４時間焼成し、焼成した粉末を、重量比で１．８〜２．２倍量の水酸化アルカリ粉末と混合し、粉末混合物を、不活性雰囲気下６５０〜８５０℃で２〜４時間焼成し、焼成した粉末混合物を洗浄して水酸化アルカリを除去し乾燥させることによって得られたものである、請求項１〜３のいずれか記載の電気二重層キャパシタ。
【請求項５】
前記ニードルコークスグリーンパウダーが、石炭系ニードルコークスグリーンパウダーである請求項４記載の電気二重層キャパシタ。
【請求項６】
電解質を有機溶媒に溶解させた有機電解液中に炭素質電極が浸されてなる電気二重層キャパシタであって、
該電解質は、式
【化３】
2007258746.tif 000003
［式中、Ｘ−は対アニオンである。］
で表されるピペリジン−１−スピロ−１’−ピロリジニウム塩又は、式
【化４】
2007258746.tif 000004
［式中、Ｘ−は対アニオンである。］
で表されるスピロビピロリジニウム塩を含み、
該有機溶媒は、エチレンカーボネートとプロピレンカーボネートとの混合物を含み、
該炭素質電極は、比表面積が３００ｍ２／ｇ以下の非多孔性炭素を用いて形成されたものである、
電気二重層キャパシタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
比較例１
水酸化カリウムペレットをあらかじめミルにて粉砕し、粉末状とした。日本製鋼製の石炭系ニードルコークスグリーンパウダー（NCGP）をアルミナ製の坩堝にて、これをマッフル炉にて窒素を循環させながら、８００℃にて３時間焼成し自然冷却した。次に、概焼成品を重量比あたり２倍量の水酸化カリウム粉末と混合した。これをそれぞれニッケル製の坩堝に入れ同じくニッケル製の蓋をかぶせて外気を遮断した。これをマッフル炉にて窒素を循環させながら、７５０℃にて保持時間４時間賦活した。本焼成品を取り出し、純水にて軽く洗浄した後、超音波をかけて洗浄した。時間は１分である。次にブフナーロートを用いて水分を分離した。同様の洗浄操作を繰り返し、洗浄処理水のペーハーが７付近になるまで行った。これを真空乾燥機にて２００℃にて１０時間乾燥を行った。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
比較例２
ＳＢＰＢＦ４の代わりにＰＳＰＢＦ４を用いること以外は比較例１と同様にして電気二重層キャパシタを作製し、試験した。試験結果を表５に示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
比較例３
ＳＢＰＢＦ４の代わりにＴＥＭＡＢＦ４を用いること以外は比較例１と同様にして電気二重層キャパシタを作製し、試験した。試験結果を表５に示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
［表５］
2007258746.tif 000005
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
表５の結果より、比較例１及び２の電気二重層キャパシタは比較例３のものよりも抵抗が低く、容量も大きい。また、これらは高電圧で充電した場合でも充放電の効率が劣化し難い。特に、ＰＳＰＢＦ４を用いた比較例２の電気二重層キャパシタは高電圧で使用可能であった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
測定が終了した後、比較例１、２及び３のセルを分解して電極を取り出した。負極の厚さを比較したところ、比較例１及び２の電極は、比較例３の電極よりも明らかに薄く、膨張の程度が小さかった。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
実施例１及び２
ＰＣの代わりに、ＥＣとＰＣとの重量比５０／５０混合液を用いること以外は、それぞれ比較例１及び比較例２と同様にして、電気二重層キャパシタを作製し、試験した。試験結果を表６に示す。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
［表６］
2007258746.tif 000006
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
表６の結果より、実施例１及び２の電気二重層キャパシタは比較例１及び２のものと比較しても抵抗が低く、容量も大きい。また、これらは高電圧で使用可能であった。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
また、セルから電極を取り出して負極の厚さを観察したところ、比較例１及び２の電極と同様に膨張の程度は小さかった。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月15日(2007.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒子径が０．０１〜１ｍｍであり、ＢＥＴ法により求められる比表面積が７００ｍ２／ｇ以上であり、細孔直径７．５〜１５０００ｎｍの細孔容積が０．２５ｍＬ／ｇ〜１．０ｍＬ／ｇであり、全酸性基が０．３０ｍｅｑ／ｇ〜１．２０ｍｅｑ／ｇであり、そして全塩基性基が０．２０ｍｅｑ／ｇ〜０．７ｍｅｑ／ｇである表面改質球状活性炭からなることを特徴とする、経口投与用吸着剤。
【請求項２】
前記表面改質球状活性炭の原料が熱溶融性樹脂である、請求項１記載の経口投与用吸着剤。
【請求項３】
前記表面改質球状活性炭の原料が熱不溶融性樹脂である、請求項１記載の経口投与用吸着剤。
【請求項４】
前記表面改質球状活性炭の原料がピッチである、請求項１記載の経口投与用吸着剤。
【請求項５】
前記表面改質球状活性炭が、球状活性炭を３００℃〜８００℃で酸化処理し、更に８００℃〜１２００℃で還元処理を行うことにより調製した表面改質球状活性炭である、請求項１記載の経口投与用吸着剤。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の経口投与用吸着剤を有効成分とする、腎疾患治療又は予防剤。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の経口投与用吸着剤を有効成分とする、肝疾患治療又は予防剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の好ましい態様においては、前記表面改質球状活性炭の原料が熱溶融性樹脂である。
本発明の別の好ましい態様においては、前記表面改質球状活性炭の原料が熱不溶融性樹脂である。
本発明の更に別の好ましい態様においては、前記表面改質球状活性炭の原料がピッチである。
本発明の更に別の好ましい態様においては、前記表面改質球状活性炭が、球状活性炭を３００℃〜８００℃で酸化処理し、更に８００℃〜１２００℃で還元処理を行うことにより調製した表面改質球状活性炭である。
更に、本発明は、前記の経口投与用吸着剤のいずれかを有効成分とする、腎疾患治療又は予防剤、あるいは肝疾患治療又は予防剤にも関する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月21日(2006.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補酵素Ｑ１０全量の２０重量％を超える還元型補酵素Ｑ１０を含有する補酵素Ｑ１０を有効成分として使用することを特徴とする、補酵素Ｑ１０含有組成物のバイオアベイラビリティ向上方法。
【請求項２】
還元型補酵素Ｑ１０が、補酵素Ｑ１０全量の４０重量％以上である請求項１記載の向上方法。
【請求項３】
補酵素Ｑ１０が還元型補酵素Ｑ１０である請求項１記載の向上方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月19日(2007.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
ついで、図４及び図５に沿って、一部変更したハイブリッド駆動装置７２について説明する。なお、本実施の形態は、図２及び図３に示すものと、動力分配用プラネタリギヤ２１及び出力軸１２が相違しているだけで、他の部分については同様なので、同一符号を付して説明を省略する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2006111144.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月25日(2007.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
保持機構２５は、搭乗運転部５における変速ペダル１９の前方に、左右向きの支軸４６を支点にした揺動操作が可能となるように配備した左右の両ブレーキペダル４７，４８の踏み込み操作が行われた制動減速時に、速度設定レバー２４の摩擦保持を解除するように、左右のブレーキペダル４７，４８に解除連係機構４９を介して操作連係されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
以上の構成から、左右向きの回転軸２７を支点にして、速度設定レバー２４を、退避位置からその前進増速操作方向である前方に備えた前進速度設定領域に揺動操作すると、操作部材２６の係合凹部２６Ａが、補助揺動部材３２の他方の遊端に係合して、中継揺動部材３０に対する補助揺動部材３２の揺動変位を阻止するようになり、これによって、速度設定レバー２４を、前進速度設定領域において揺動操作すると、操作部材２６が、その前進速度設定領域での速度設定レバー２４の操作位置に応じた操作量で、補助揺動部材３２を介して、中継揺動部材３０をガイド孔２８Ａの前進変速用ガイド部２８ａに沿って押圧揺動させるようになり、このときの中継揺動部材３０の揺動操作量に応じた操作量で、静油圧式無段変速装置７が前進変速操作され、このときの前進変速状態が、保持機構２５による速度設定レバー２４の摩擦保持で維持され、結果、速度設定レバー２４の操作位置に応じた前進速度で車体を走行させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月31日(2007.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このような構成を有する補助衣類Ｘ は図２に示すように、吸湿性・吸水性のある一般的な長袖のシャツＹ を着用する前に肌に直接着用しておき、この上から長袖シャツＹ を着用するようにして使用する。このように長袖のシャツＹ の下に補助衣類Ｘ を着用したときの作用を図３を用いて説明する。図３は着用時の補助衣類Ｘ と長袖のシャツＹ の重なり部分における模式的な断面図である。まず、着用者が肌Ｓ から発汗すると、気状となった汗は、図３（ ａ ） に示すように補助衣類Ｘ を通り抜けて吸湿性・吸水性のある長袖のシャツＹにより吸収される。補助衣類Ｘ は十分に薄く、網目も十分に粗いので気状の汗はスムーズに通り抜けることができる。また、液状の汗も、補助衣類Ｘ が薄く、網目が粗いために、長袖のシャツＹ に接触しやすく、吸湿性・吸水性の衣料の吸湿吸水作用で適宜吸収されていく。やがて、時間が経って発汗した汗の累積量が多くなると、長袖のシャツＹ は吸収した多量の汗により濡れた状態となる。しかし、図３（ ｂ ） に示すように、濡れた長袖のシャツＹ は補助衣類Ｘ により肌Ｓ にほとんど触れることはなく、長袖のシャツＹ からの水分も補助衣類Ｘ の撥水性により補助衣類Ｘ から肌Ｓ の側へ移動することができない。このように、補助衣類Ｘ は肌着等の下にさらに補助する衣類を着用するという従来にない着想によって、適切に汗を吸収しながら肌に対する不快感や濡れた衣類による体温の低下を低減させることができる。  なお、上記の実施の形態では補助衣類は補助する衣類と同じ形状としたが、発汗量が多いところや、濡れると不快感が高いところなど、一部分に限定して着用できるような形状でもよい。例えば、図４（ ａ ） に示すように、腹巻状として腹から背中に至る部分のみに設けたり、図４（ ｂ ） に示すように、汗を比較的多量にかく、脇の下と背中の部分のみの設けるようにするようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月22日(2007.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
左右方向に延び、かつ、前後方向に互いに対向する少なくとも前後一対の針床を有し、後針床が左右にラッキング可能で、かつ、前後の針床間で編目の目移しが可能な横編機を用いて、ニットウエアを構成する少なくとも前身頃を第１の針床上に付属させ、後身頃を第２の針床上に付属させ、前後の身頃が編み幅の両端で接続された筒状体として身頃を裾から肩に向けて編成するとともに途中、前身頃を右前身頃と左前身頃とに分岐して、その間にネックホールを形成しながら前身頃を編成するとともに、これら左右の前身頃の編成の過程においてネックホール周縁部分の針を順次編成から外して不作用状態にしていく引き返し編成を行うことで前身頃に基端側が尖ったＶネックのネックホールを形成した後、前身頃と後身頃のネックホール形成箇所に衿部を続けて編むようにしたニットウエアの編成方法であって、前記衿部の編成は以下のステップで行うことを特徴とするＶネックを有するニットウエアの編成方法。
１）Ｖネック尖端側の少なくとも１本のウエールには続く編目形成は行わず、Ｖネック尖端側を給糸口の折り返し箇所として、Ｃ字を描くように衿部を右前衿部、後衿部、左前衿部、続いて左前衿部、後衿部、右前衿部と繰り返し編成するとともに、この編成過程においてＶネック尖端付近の針を順次尖端に近い側から不作用状態にしていく引き返し編成を行って衿部を編成するステップ、
２）ステップ１で不作用とした衿部のＶネック尖端側ウエールを係止する針に対して給糸して続く編目を形成するステップ、
３）前記形成されたＶネック尖端側ウエールの編目と、この編目に隣接する右前衿部と左前衿部の引き返し編み部分の編目を重ねるステップ、
４）上記ステップ２とステップ３を繰り返し行ってＶネック尖端部をＶ字状に成型するステップ、
５）衿部の編み終わり部分に対して順次伏目編成を行って針から衿部を解放するステップ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
左右方向に延び、かつ、前後方向に互いに対向する少なくとも前後一対の針床を有し、後針床が左右にラッキング可能で、かつ、前後の針床間で編目の目移しが可能な横編機を用いて、前後の身頃が編み幅の両端で接続された筒状体として身頃が裾から肩に向けて編成され、その途中、前身頃が右前身頃と左前身頃とに分岐され、その間にネックホールが形成され、左右の前身頃はネックホール周縁部を引き返し編成し、基端側が尖ったＶネックのネックホールが形成され、前身頃と後身頃のネックホール形成箇所に続けて編まれた衿部が、ネックホール形成箇所のＶネック尖端側の少なくとも１本のウエールを除いて、Ｖネック尖端側が給糸の折り返し箇所となるようにＣ字を描くように衿部を右前衿部、後衿部、左前衿部、続いて左前衿部、後衿部、右前衿部と繰り返し編目コースが形成されており、かつ、この衿部はこの折り返し箇所がＶネック尖端に近い側から不作用状態にしていく引き返し編成がされており、左右の前衿部はこの引き返し部分の編目が、続いて形成されるＶネック尖端部のウエールの編目に重ね合わされ、さらに衿部の編み終わり部分に対して伏目処理が施されている横編機により編まれたＶネックを有するニットウエア。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
またもう一つの発明では、Ｖネックを有するニットウエアは、左右方向に延び、かつ、前後方向に互いに対向する少なくとも前後一対の針床を有し、後針床が左右にラッキング可能で、かつ、前後の針床間で編目の目移しが可能な横編機を用いて、前後の身頃が編み幅の両端で接続された筒状体として身頃が裾から肩に向けて編成され、その途中、前身頃が右前身頃と左前身頃とに分岐され、その間にネックホールが形成され、左右の前身頃はネックホール周縁部を引き返し編成し、基端側が尖ったＶネックのネックホールが形成され、前身頃と後身頃のネックホール形成箇所に続けて編まれた衿部が、ネックホール形成箇所のＶネック尖端側の少なくとも１本のウエールを除いて、Ｖネック尖端側が給糸の折り返し箇所となるようにＣ字を描くように衿部を右前衿部、後衿部、左前衿部、続いて左前衿部、後衿部、右前衿部と繰り返し編目コースが形成されており、かつ、この衿部はこの折り返し箇所がＶネック尖端に近い側から不作用状態にしていく引き返し編成がされており、左右の前衿部はこの引き返し部分の編目が、続いて形成されるＶネック尖端部のウエールの編目に重ね合わされ、さらに衿部の編み終わり部分に対して伏目処理が施されている。