Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月30日(2007.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】耐火二層管継手用目地装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】合成樹脂製の内管とその内管を被覆する耐火性と断熱性を備えた外管とからなる耐火二層管直管同士又は前記耐火二層管直管と金属管とを連結するための、合成樹脂製の内管とその内管を被覆する耐火性と断熱性を備えた外管とからなる耐火二層管継手において、前記耐火二層管継手の内管及び／又は外管の端部に耐火性と熱膨張性を備えた環状の目地部材を配設したことを特徴とする耐火二層管継手用目地装置。
【請求項２】耐火二層管直管の外管と耐火二層管継手の外管との隙間に前記耐火性と熱膨張性を備えた環状の目地部材を配設したことを特徴とする請求項１に記載の耐火二層管継手用目地装置。
【請求項３】上記耐火性と熱膨張性を備えた環状の目地部材は、その環体を横断するスリットにより切断されていることを特徴とする請求項２に記載の耐火二層管継手用目地装置。
【請求項４】上記環状の目地部材の切断された端面に合じゃくり加工が施され、それらの接合面に設けた係止手段により環形に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の耐火二層管継手用目地装置。
【請求項５】あらかじめ成形されている合成樹脂製の継手内管を継手金型内に配置し、前記継手内管の外側に継手外管用材料を供給して耐火二層管継手を成形するにあたり、耐火性と熱膨張性を備えた環状の目地部材を前記継手金型内に配置して前記耐火二層管継手の外管の端部に接合したことを特徴とする耐火二層管継手用目地装置。
【請求項６】上記耐火性と熱膨張性を備えた環状の目地部材は、上記耐火二層管継手の内管の端部に外挿され、成形される継手外管とにより挟持される円筒状の脚部を備えたことを特徴とする請求項５に記載の耐火二層管継手用目地装置。
【請求項７】上記耐火性と熱膨張性を備えた環状の目地部材は、２６０〜３００℃で発泡を開始し、体積が５〜１０倍に膨張することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の耐火二層管継手用目地装置。
【請求項８】上記耐火性と熱膨張性を備えた環状の目地部材には、熱良伝導性の金属が含有されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の耐火二層管継手用目地装置。
【請求項９】上記脚部を円柱状に形成したことを特徴とする請求項６に記載の耐火二層管継手用目地装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、耐火二層管直管同士又は前記耐火二層管直管と金属管とを連結するときに使用される耐火二層管継手用の耐火性と熱膨張性を備えた目地部材を使用した目地装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、上述の課題を解決して、目地施工を省略できるか、或いは極めて簡単な目地施工で耐火二層管直管と耐火二層管継手の連結を行うことができる耐火二層管継手用の目地装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するため、請求項１の発明では、合成樹脂製の内管とその内管を被覆する耐火性と断熱性を備えた外管とからなる耐火二層管直管同士又は前記耐火二層管直管と金属管とを連結するための、合成樹脂製の内管とその内管を被覆する耐火性と断熱性を備えた外管とからなる耐火二層管継手において、前記耐火二層管継手の内管及び／又は外管の端部に耐火性と熱膨張性を備えた環状の目地部材を配設した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、請求項２の発明では、耐火二層管直管の外管と耐火二層管継手の外管との隙間に前記耐火性と熱膨張性を備えた環状の目地部材を配設した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項３の発明では、上記耐火性と熱膨張性を備えた環状の目地部材を、その環体を横断するスリットにより切断するようにした。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項４の発明では、上記環状の目地部材の切断された端面に合じゃくり加工が施され、それらの接合向に設けた係止手段により環形に接続されるようにした。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、請求項５の発明では、あらかじめ成形されている合成樹脂製の継手内管を継手金型内に配置し、前記継手内管の外側に継手外管用材料を供給して耐火二層管継手を成形するにあたり、耐火性と熱膨張性を備えた環状の目地部材を前記継手金型内に配置して前記耐火二層管継手の外管の端部に接合した。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項６の発明では、上記耐火性と熱膨張性を備えた環状の目地部材は、上記耐火二層管継手の内管の端部に外挿され、成形される継手外管とにより挟持される円筒状の脚部を備えるようにした。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項７の発明では、上記耐火性と熱膨張性を備えた環状の目地部材は、２６０〜３００℃で発泡を開始し、体積が５〜１０倍に膨張するようにした。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項８の発明では、上記耐火性と熱膨張性を備えた環状の目地部材には、熱良伝導性の金属が含有されるようにした。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
更に、請求項９の発明では、上記脚部を円柱状に形成した。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
この発明は前記脚部を円柱状としたもので、請求項５の発明の作用効果に加えて目地部材の脱落を防止できるという作用効果をもたらす。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
請求項６及び請求項９の発明では、耐火性を備えた熱膨張性環状目地部材は円筒状又は円柱状の脚部を備え、その脚部が耐火二層管継手の外管と内管とで挟持されているから、請求項５の効果に加えて、耐火二層管継手用の熱膨張性環状目地部材が脱落することなく、耐火二層管継手の内管の径方向の膨張、収縮の径変化を吸収する。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月29日(2007.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  請求項１または請求項２記載の情報処理装置において、前記ブックマークデータは、記憶媒体における記憶内容のインデックスであることを特徴とする情報処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】高周波コイル及び磁気共鳴イメージング装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の閉曲線導体と、前記第１の閉曲線導体の内側に配置された第２の閉曲線導体と、前記第１の閉曲線導体と前記第２の閉曲線導体とを接続する複数の第１の導体と、高周波磁場パルスを発生させるための高周波信号が供給される給電部と、を有する高周波コイルにおいて、
動作電圧を分散させるための電圧分散手段を備えていることを特徴とする高周波コイル。
【請求項２】
請求項１記載の高周波コイルにおいて、
前記電圧分散手段は、隣接する２つの第１の導体の間の第１の閉曲線導体部分の内の少なくとも一つに、直列配置された複数の共振容量素子を有していることを特徴とする高周波コイル。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の高周波コイルにおいて、
前記電圧分散手段は、前記給電位置に対して略９０°ずれた位置に対応する第１の閉曲線導体部分に配置されることを特徴とする高周波コイル。
【請求項４】
静磁場を発生する静磁場発生装置と、前記静磁場に傾斜磁場を発生する傾斜磁場発コイルと、前記静磁場に配置された被検体に核磁気共鳴を誘起するための高周波磁場パルスを発生する高周波コイルと、前記核磁気共鳴により発生するエコー信号を受信する受信コイルと、前記エコー信号を用いて前記被検体の画像を再構成する信号処理手段と、を備えた磁気共鳴イメージング装置において、
前記高周波コイルとして、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の高周波コイルを備えたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明の高周波コイルは以下のように構成される。即ち、第１の閉曲線導体と、前記第１の閉曲線導体の内側に配置された第２の閉曲線導体と、前記第１の閉曲線導体と前記第２の閉曲線導体とを接続する複数の第１の導体と、高周波磁場パルスを発生させるための高周波信号が供給される給電部と、動作電圧を分散させるための電圧分散手段を備えている。
好ましくは、電圧分散手段は、隣接する２つの第１の導体の間の第１の閉曲線導体部分の内の少なくとも一つに、直列配置された複数の共振容量素子を有している。
また、好ましくは、電圧分散手段は、給電部に対して略９０°ずれた位置に対応する第１の閉曲線導体部分に配置される。
上記目的を達成するための本発明の磁気共鳴イメージング装置は以下のように構成される。即ち、静磁場を発生する静磁場発生装置と、静磁場に傾斜磁場を発生する傾斜磁場発コイルと、静磁場に配置された被検体に核磁気共鳴を誘起するための高周波磁場パルスを発生する高周波コイルと、核磁気共鳴により発生するエコー信号を受信する受信コイルと、エコー信号を用いて前記被検体の画像を再構成する信号処理手段と、を備え、この高周波コイルとして上記いずれかの高周波コイルを有している。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月26日(2007.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
従来の内視鏡においては接着剤により撮像素子格納ケースを組み立てているた
め、互いの金属部材を付勢しあうように当接させることにより導通状態を確保し
ていたが、当接させるだけでは接触抵抗により導通状態を確実なものにすること
は難しかった。そのために金属部材を研磨して接着した後に導通状態の確認を行
わなければならず、工数の増大につながっていた。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月7日(2006.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  飾り部（１）にシニヨン（２）を被せたものを、髪止め具（４）に、これでとめた頭髪（５）も入れることが出来る様にして取り付け、髷状にするシニヨンを被せた髪飾り兼用止め。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】  （図１（ｂ））に示される実施例では、上記飾り部１にシニヨン２を被せたものを、髪止め具４にこれで止めた頭髪５も入れることが出来るようにして取り付ける。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
飾り部にシニヨンを被せて、髪止め具に取り付けている状態を示す斜射図である。
【図２】
使用の実施例を示す斜視図である。
【図３】
従来の髪飾り兼用止めの斜射図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１  飾り部
２  シニヨン
３  シニヨン縁部
４髪止め具
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】［図１］（ｂ）
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2002191425.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月24日(2007.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
吸着塔Ｂ′には、自動弁ｓ′、塔内ガス回収用配管３′、流量調整弁７′、ガス導入用配管４′、および自動弁ｌ′を介して、吸着塔Ｄ′から排出された塔内ガス（洗浄ガス）が導入される。吸着塔Ｄ′は、先に吸着工程を行っているのに対して吸着塔Ｂ′は先に（第３）脱着工程を行っていたから（ステップ１２（図７、図８（ｌ）参照））、吸着塔Ｄ′の塔内のほうが吸着塔Ｂ′の塔内よりも高圧とされている。そのため、吸着塔Ｄ′の塔内ガスを吸着塔Ｂ′に導入することにより、吸着塔Ｄ′の塔内が減圧され、吸着塔Ｂ′からは塔内に残留するガスが排出される。このガスは、自動弁ｄ′およびパージガス用配管６′を介して回収される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2002191923.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月22日(2007.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
従来公知の選択培地としては、サルモネラ用として、ラパポートバジリアディス（Ｒａｐｐａｒｐｏｒｔ−Ｖａｓｓｉｌｉａｄｉｓ）培地又はセレナイトブリリアントグリーン（Ｓｅｌｅｎｉｔｅ  Ｂｒｉｌｌｉａｎｔ  Ｇｒｅｅｎ）培地；病原大腸菌用として、ｍＥＣ培地等；カンピロバクター用として、カンピロバクター増菌培地、プレストン（Ｐｒｅｓｔｏｎ）培地、又はドイル−ロマン（Ｄｏｙｌｅ−Ｒｏｍａｎ）培地等；腸炎ビブリオ用として、アルカリ性ペプトン培地又は食塩ポリミキシン培地等；リステリア用として、リステリア増菌培地等；セレウス用として、ポリミキシン加トリプチケースソイブイヨン培地等；ルシニア用として、ソルビット又は胆汁酸塩加リン酸緩衝食塩水等；そして、コレラ用として、アルカリ性ペプトン水等を挙げることができる。これらの培地にゼラチン及び寒天を加えることにより、検出用半流動培地とすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
（Ｃ）測定結果
サルモネラ１４株及びサイトロバクター１３株の３７℃における１８時間培養後の検出用半流動培地中の移動距離を、表２に示す。表２における移動距離の単位は「ｃｍ」である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
《表２》
試験菌                              移動距離（ｃｍ）
サルモネラ血清型エンテリティディスＮｏ．１          １４
サルモネラ血清型エンテリティディスＮｏ．２          １４
サルモネラ血清型インファンティスＮｏ．１            １４
サルモネラ血清型インファンティスＮｏ．２            １４
サルモネラ血清型インファンティスＮｏ．３            １４
サルモネラ血清型スタンレイＮｏ．１                  １４
サルモネラ血清型スタンレイＮｏ．２                  １４
サルモネラ血清型スタンレイＮｏ．３                  １４
サルモネラ血清型ハダールＮｏ．１                    １４
サルモネラ血清型ハダールＮｏ．２                    １４
サルモネラ血清型ハダールＮｏ．３                    １４
サルモネラ血清型チフィミリウムＮｏ．１              １４
サルモネラ血清型チフィミリウムＮｏ．２              １４
サルモネラ血清型チフィミリウムＮｏ．３              １４
サイトロバクターフレウンディＮｏ．１                １１．５
サイトロバクターフレウンディＮｏ．２                  ８．５
サイトロバクターフレウンディＮｏ．３                １１．５
サイトロバクターフレウンディＮｏ．４                １１．０
サイトロバクターフレウンディＮｏ．５                １１．５
サイトロバクターフレウンディＮｏ．６                １１．５
サイトロバクターフレウンディＮｏ．７                １１．５
サイトロバクターフレウンディＮｏ．８                  ５．０
サイトロバクターフレウンディＮｏ．９                １０．０
サイトロバクターフレウンディＮｏ．１０                ５．０
サイトロバクターフレウンディＮｏ．１１                ８．５
サイトロバクターフレウンディＮｏ．１２                ４．５
サイトロバクターフレウンディＮｏ．１３              １１．５      
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
また、本発明の検出方法において、本発明が見出したサルモネラ検出用培地を使用すると、従来行われていた多くの培養ステップと時間を要する培養方法に劣らず、確実にサルモネラを検出することができる。特に、従来法は判定までに５日間以上の日数を要するが、本発明方法では２４時間以内あるいは、たとえ４８時間を要しても、検出用培地の上層部の菌を酵素基質法やためし凝集反応で直接テストすることができ、分離を待たずしてサルモネラの存在が確かめられる格別なる効果がある。
更に、本発明の検出用管状容器は、検出用半流動培地を充填した状態で、使い捨て（ディスポーザブル）製品として利用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月27日(2007.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この図に示す有機電界発光素子１は、基板１１の上部に設けられている。すなわち有機電界発光素子１は、基板１１上に、下部電極１３、発光ユニット１５、接続層１７、正孔注入層１９、正孔輸送層２１、および上部電極２３をこの順に積層してなり、上部電極２３側から発光を取り出す構成となっている。このうち、発光ユニット１５は、少なくとも有機発光層１５ｃを有する通常構成の発光ユニットで良い。本発明は、この発光ユニット１５と上部電極２３との間に、接続層１７、正孔注入層１９、および正孔輸送層２１が狭持されているところが特徴的である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
そして、有機発光層１５ｃとしては、希望する色に応じて選択することが可能であり、例えば、青色系統で言えば、オキサジアゾール誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体などが挙げられ、緑色系統では青色系統の発光層にクマリン６などのクマリン誘導体、キナクリドン誘導体などの既知の緑色色素をドーピングした層などが挙げられ、赤色系統では青色系統又は緑色系統の発光層にニールレッド、ＤＣＭ１｛４−Ｄｉｃｙａｎｍｅｔｈｙｌｅｎｅ−２−ｍｅｔｈｙｌ−６（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ｝、ＤＣＪＴ｛４−（ジシアノメチレン）−２−ｔ−ブチル−６−（ジュロリジルスチリル）−ピラン｝などのピラン誘導体、スクアリリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、クロリン誘導体、ユーロリジン誘導体などの既知の赤色色素ドーピングした層が挙げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
よく洗浄された２５ｍｍ角のガラス基板１１を大気中からスパッタ室１０２の所定の場所に設置し、１０-5Ｐａまで真空引きを行った。その後、図３に示すような幅２ｍｍのラインパターンの開口を備えたシャドウマスク２０１を介して高純度化学社製ＩＺＯを１００ｎｍ、ＤＣスパッタ法により成膜した。成膜条件は、プロセスガスＡｒ：Ｏ2＝５０:１、真空度１０-5Ｐａ、スパッタＰｗ：１５０Ｗ、成膜時間３０分とした。これにより、ＩＺＯからなる２ｍｍラインパターン状の下部電極（陽極）を得た。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
以上の後、再び基板１１をスパッタ室１０２に搬送し、上部電極（陰極）２３を成膜した。この際、下部電極１３との成膜時と同様のラインパターンのシャドウマスクを、下部電極とラインが直交するように配置し、出光興産社製ＩＺＯを下部電極１３と同様の条件で１０分の成膜時間により３３ｎｍの膜厚で成膜した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
＜比較例２＞
上述した実施例と同様の手順にて発光ユニット１５までを形成した後、緩衝層としてＶ2Ｏ5（高純度化学社製）を０．２ｎｍ／ｓの成膜レートにて２０ｎｍの膜厚で形成した。尚、緩衝層として形成したＶ2Ｏ5は、本発明構成においては接続層１７として用いられる材料でもある。そして、この緩衝層上に、直接上部電極（陰極）２３を形成した有機電界発光素子を作製した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
＜評価結果＞
下記表には、以上の実施例および比較例１，２で形成した各有機電界発光素子の発光ユニット１５と上部電極（陰極）２３との間の構成を示す。
【表１】
2007214228.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
尚、発光ユニット１５と上部電極２３との間に緩衝層を設けた比較例２は、発光ユニット１５上に直接上部電極２３を設けた比較例１よりも、ａ）、ｂ）の評価に示される初期特性は良好なものの、ｃ）、ｄ）の表間に示される経時的な劣化が大きかった。これは、比較例２の構成では、緩衝層を設けたことで上部電極２３を形成する際のスパッタダメージがある程度抑制されて初期特性は改善されるものの、緩衝層が寿命特性に対して悪影響を及ぼしているためと考えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月17日(2007.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンが形成されており、重なるように配置された複数の基板と、
少なくともいずれか１つの前記基板に搭載された半導体チップと、
を有し、
２つの前記基板のうち第１の前記基板に形成された第１の前記配線パターンは、前記第１の基板の表面から突出する屈曲部を有し、
前記屈曲部は、前記２つの基板のうち第２の前記基板に形成された第２の前記配線パターンの平坦部に電気的に接続されてなり、
前記屈曲部の凹部内には樹脂が設けられている半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１の基板には、貫通穴が形成されてなり、
前記屈曲部は、前記貫通穴に入り込み、前記第１の基板における前記第１の配線パターンが形成された面とは反対側の面から突出してなる半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１の基板には、貫通穴が形成されてなり、
前記屈曲部は、前記貫通穴上で、前記第１の基板における前記第１の配線パターンが形成された面から突出してなる半導体装置。
【請求項４】
請求項２記載の半導体装置において、
前記貫通穴の内側に、複数の前記屈曲部が形成されてなる半導体装置。
【請求項５】
請求項３記載の半導体装置において、
前記貫通穴の内側に、複数の前記屈曲部が形成されてなる半導体装置。
【請求項６】
請求項２記載の半導体装置において、
前記第１の基板には、複数の前記貫通穴が形成され、
前記第１の配線パターンには、複数の前記屈曲部が形成され、
１つの前記貫通穴と重なるように、１つの前記屈曲部が形成されてなる半導体装置。
【請求項７】
請求項３記載の半導体装置において、
前記第１の基板には、複数の前記貫通穴が形成され、
前記第１の配線パターンには、複数の前記屈曲部が形成され、
１つの前記貫通穴と重なるように、１つの前記屈曲部が形成されてなる半導体装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第２の配線パターンは、前記第２の基板における前記第１の基板側の面に形成されてなる半導体装置。
【請求項９】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第２の配線パターンは、前記第２の基板における前記第１の基板とは反対側の面に形成され、
前記第２の基板に形成された貫通穴を介して、前記屈曲部と前記第２の配線パターンとが電気的に接続されてなる半導体装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第１及び第２の基板の間に、前記半導体チップが配置され、
前記屈曲部は、前記半導体チップの側に突出し、かつ、前記半導体チップよりも高く形成されてなる半導体装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第１及び第２の基板のそれぞれに、前記半導体チップが配置されてなる半導体装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第１及び第２の基板のいずれか一方のみに、前記半導体チップが配置されてなる半導体装置。
【請求項１３】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記基板は、３つ以上重なるように配置され、
３つの前記基板のうち、中央の基板は、前記第１の基板であって、両面のそれぞれから突出して前記屈曲部が形成され、
３つの前記基板のうち、両側の基板が前記第２の基板である半導体装置。
【請求項１４】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記基板は、３つ以上重なるように配置され、
３つの前記基板のうち、中央の基板が前記第２の基板であり、両側の基板が前記第１の基板である半導体装置。
【請求項１５】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記基板は、３つ以上重なるように配置され、
外側に位置する２つの基板の一方は、前記第１の基板であり、他方は、前記第２の基板であり、
内側に位置する少なくとも１つの前記基板は、前記屈曲部及び前記平坦部を有して、両隣の前記基板のうち一方の前記基板に対して前記第１の基板であり、両隣の前記基板のうち他方の前記基板に対して前記第２の基板である半導体装置。
【請求項１６】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置が実装された回路基板。
【請求項１７】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置を有する電子機器。
【請求項１８】
配線パターンが形成された複数の基板のうち、少なくとも１つの前記基板に半導体チップを搭載し、前記複数の基板を重なるように配置し、２つの前記基板を電気的に接続することを含み、
前記２つの基板のうち第１の前記基板に形成された第１の前記配線パターンは、前記第１の基板の表面から突出する屈曲部を有し、前記屈曲部の凹部内には樹脂が設けられており、
前記屈曲部を、前記２つの基板のうち第２の前記基板に形成された第２の前記配線パターンの平坦部に電気的に接続する半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の基板を、それぞれの前記基板の外形を基準として、位置合わせする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１８記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の基板を、それぞれの前記基板に形成された穴を基準として、位置合わせする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１８から請求項２０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記屈曲部に対して押圧力及び熱のうち少なくとも一方を加えて、前記屈曲部と前記平坦部とを電気的に接続する半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項２１記載の半導体装置の製造方法において、
２つ以上の前記基板に形成された前記配線パターンに前記屈曲部が形成され、
前記２つ以上の前記基板に形成された前記屈曲部と前記平坦部とを一括して電気的に接続する半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月18日(2007.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
試料に電子線を照射して走査し、試料を透過した電子線をエネルギー分光するエネルギーフィルタを備えた電子顕微鏡の走査透過電子像観察装置において、スペクトラムを観察するための二次元検出手段と、走査透過電子像を観察するための電子像検出手段と、前記エネルギーフィルタを通過した電子線を前記二次元検出手段と電子像検出手段にそれぞれ選択的に振り分ける偏向手段と、前記エネルギーフィルタと前記偏向手段の間に配置された投影レンズを備え、前記投影レンズのフォーカスを前記エネルギーフィルタのエネルギー分散面に合わせると共に前記偏向手段により電子線を前記二次元検出手段に当てるように偏向してスペクトラム観察を行う一方、前記投影レンズのフォーカスを前記エネルギーフィルタの出射像面に合わせると共に前記偏向手段により電子線を前記電子像検出手段に当てるように偏向して走査像観察を行うようにしたことを特徴とするエネルギーフィルタを備えた電子顕微鏡の走査透過電子像観察装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そのために本発明は、試料に電子線を照射して走査し、試料を透過した電子線をエネルギー分光するエネルギーフィルタを備えた電子顕微鏡の走査透過電子像観察装置において、スペクトラムを観察するための二次元検出手段と、走査透過電子像を観察するための電子像検出手段と、前記エネルギーフィルタを通過した電子線を前記二次元検出手段と電子像検出手段にそれぞれ選択的に振り分ける偏向手段と、前記エネルギーフィルタと前記偏向手段の間に配置された投影レンズを備え、前記投影レンズのフォーカスを前記エネルギーフィルタのエネルギー分散面に合わせると共に前記偏向手段により電子線を前記二次元検出手段に当てるように偏向してスペクトラム観察を行う一方、前記投影レンズのフォーカスを前記エネルギーフィルタの出射像面に合わせると共に前記偏向手段により電子線を前記電子像検出手段に当てるように偏向して走査像観察を行うようにしたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月10日(2007.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成が下記（１）式で表され、その余剰Ｌｉ（ｘ）が遷移金属サイト（３ｂ）を置換することによって、Ｎｉの一部がII価からIII価へと価数変化を生じたものであることを特徴とするリチウム二次電池正極材料用層状リチウムニッケル系複合酸化物粉体。
Ｌｉ１＋ｘＮｉ１−ｙ−ｚ−ｐＭｎｙＣｏｚＭｐＯ２    …（１）
（ただし、０＜ｘ≦０．２０、０．１≦ｙ≦０．５、０．０５≦ｚ≦０．５、０≦ｐ≦０．２、０．２≦ｙ＋ｚ＋ｐ≦０．８であり、ＭはＡｌ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｇａ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｎｂ，及びＺｒの何れか１種以上）
【請求項２】
ｘが、０．１０以上であることを特徴とする請求項１に記載のリチウム二次電池正極材料用層状リチウムニッケル系複合酸化物粉体。
【請求項３】
組成が下記（１）式で表され、その余剰Ｌｉ（ｘ）が遷移金属サイト（３ｂ）を置換することによって、Ｎｉの一部がII価からIII価へと価数変化を生じたものであることを特徴とするリチウム二次電池正極材料用層状リチウムニッケル系複合酸化物粉体。
Ｌｉ１＋ｘＮｉ１−ｙ−ｚ−ｐＭｎｙＣｏｚＭｐＯ２    …（１）
（ただし、０＜ｘ≦０．２０、０．１≦ｙ≦０．５、０．０５≦ｚ≦０．５、０≦ｐ≦０．２、０．２≦ｙ＋ｚ＋ｐ≦０．８であり、Ｍは粉体の一次粒子の成長を抑制できる性質を有するものを示す）
【請求項４】
Ｎｉの一部がII価からIII価へと価数変化を生じることにより、II価のＮｉに対するIII価のＮｉの比率が増大し、Ｎｉの平均原子価が増加していることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のリチウム二次電池正極材料用層状リチウムニッケル系複合酸化物粉体。
【請求項５】
Ｎｉの一部がII価からIII価へと価数変化を生じたことにより、導電性が向上していることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のリチウム二次電池正極材料用層状リチウムニッケル系複合酸化物粉体。
【請求項６】
一次粒子が凝集して二次粒子を形成してなり、二次粒子のメジアン径Ａと平均一次粒子径Ｂとの比Ａ／Ｂが１０〜２００の範囲にあることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のリチウム二次電池正極材料用層状リチウムニッケル系複合酸化物粉体。
【請求項７】
一次粒子結晶がランダムに凝集して二次粒子を形成し、二次粒子が結晶異方性を実質的に有さないことを特徴とする請求項６に記載のリチウム二次電池正極材料用層状リチウムニッケル系複合酸化物粉体。
【請求項８】
平均一次粒子径が０．１〜１μｍ、二次粒子のメジアン径が９〜２０μｍであることを特徴とする請求項６又は７に記載のリチウム二次電池正極材料用層状リチウムニッケル系複合酸化物粉体。
【請求項９】
嵩密度が２．０ｇ／ｃｃ以上であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載のリチウム二次電池正極材料用層状リチウムニッケル系複合酸化物粉体。
【請求項１０】
ニッケル化合物と、ニッケルの一部を置換しうる金属元素化合物とを液体媒体中に分散させたスラリーを噴霧乾燥後、リチウム化合物と混合し、混合物を焼成してリチウム二次電池正極材料用層状リチウムニッケル系複合酸化物粉体を製造するに当たり、噴霧乾燥時のスラリー供給量をＳ（ｇ／ｍｉｎ）、ガス供給量をＧ（Ｌ／ｍｉｎ）とした際、気液比Ｇ／Ｓが、０．４≦Ｇ／Ｓ≦４となる条件で噴霧乾燥を行うことを特徴とするリチウム二次電池正極材料用層状リチウムニッケル系複合酸化物粉体の製造方法。
【請求項１１】
スラリー中の固形物の平均粒子径を０．５μｍ以下となるまで粉砕した後に、噴霧乾燥を行うことを特徴とする請求項１０に記載のリチウム二次電池正極材料用層状リチウムニッケル系複合酸化物粉体の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０又は１１のリチウム二次電池正極材料用層状リチウムニッケル系複合酸化物粉体の製造方法により製造されたリチウム二次電池正極材料用層状リチウムニッケル系複合酸化物粉体。
【請求項１３】
請求項１ないし９及び１２のいずれか１項に記載のリチウム二次電池正極材料用層状リチウムニッケル系複合酸化物粉体と結着剤とを含有する正極活物質層を集電体上に有することを特徴とするリチウム二次電池用正極。
【請求項１４】
リチウムを吸蔵・放出可能な負極、リチウム塩を含有する非水電解質、及びリチウムを吸蔵・放出可能な正極を備えたリチウム二次電池であって、正極として請求項１３に記載のリチウム二次電池用正極を用いたことを特徴とするリチウム二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月14日(2007.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
蛋白質及びペプチドの少なくとも１種を含む液体に吐出用エネルギーを付与して該液体を液滴化する方法であって、
流路中に充填された液体に吐出用エネルギーを付与して該流路に連通する吐出口から液滴として吐出する工程を有し、
前記液体が、請求項１〜５のいずれかに記載の吐出用液体である
ことを特徴とする液滴化方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明にかかる液体の液滴化方法は、蛋白質及びペプチドの少なくとも１種を含む液体に吐出用エネルギーを付与して該液体を液滴化する方法であって、流路中に充填された液体に吐出用エネルギーを付与して該流路に連通する吐出口から液滴として吐出する工程を有し、前記液体が、上記の吐出用液体であることを特徴とする液滴化方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月16日(2007.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静翼とこの静翼の作動流体流れ方向の下流側に対向した動翼とからなる段落を複数有する軸流タービンにおいて、
静翼入口部の半径方向高さに対し静翼出口部の半径方向高さが高い静翼は、タービン中心軸を含む面と静翼外周部との交線が静翼出口部を含んでタービン中心軸方向に伸びる部分を有するように形成され、
前記タービン中心軸方向に伸びる部分を有する段落の動翼の外周側に対向する静止体内壁面は、前記タービン中心軸方向に伸びる部分よりも半径方向外側に位置しており、
動翼の翼長のうち作動流体のエネルギーを回転動力に変換するのに有効に機能する部分を動翼有効長と定義した場合、前記タービン中心軸方向に伸びる部分の半径方向高さは、同じ段落の動翼の動翼有効長の外周部の半径方向高さに設定されている
ことを特徴とする軸流タービン。
【請求項２】
静翼とこの静翼の作動流体流れ方向の下流側に対向した動翼とからなる段落を複数有する軸流タービンにおいて、
静翼入口部の半径方向高さに対し静翼出口部の半径方向高さが高い静翼は、タービン中心軸を含む面と静翼外周部との交線が静翼出口部を含んでタービン中心軸方向に伸びる部分を有するように形成され、
前記タービン中心軸方向に伸びる部分の半径方向高さは、同じ段落の動翼の動翼有効長の外周部の半径方向高さに設定されている
ことを特徴とする軸流タービン。
【請求項３】
静翼とこの静翼の作動流体流れ方向の下流側に対向した動翼とからなる段落を複数有する軸流タービンにおいて、
静翼入口部の半径方向高さに対し静翼出口部の半径方向高さが高い静翼は、タービン中心軸を含む面と静翼外周部との交線が静翼出口部を含んでタービン中心軸方向に伸びる部分を有するように形成され、
前記タービン中心軸方向に伸びる部分は、周方向に隣接する静翼との距離が最小となる前記静翼外周部の負圧面側の点の軸方向位置かそれよりも上流側から延伸している
ことを特徴とする軸流タービン。
【請求項４】
静翼とこの静翼の作動流体流れ方向の下流側に対向した動翼とからなる段落を複数有する軸流タービンにおいて、
静翼入口部の半径方向高さに対し静翼出口部の半径方向高さが高い静翼は、タービン中心軸を含む面と静翼外周部との交線が静翼出口部を含んでタービン中心軸方向に伸びる部分を有するように形成され、
前記タービン中心軸方向に伸びる部分を含む段落は、動翼先端部の回転周速をこの動翼先端部に流入する作動流体の音速で割った動翼先端周速マッハ数が１．０を超える
ことを特徴とする軸流タービン。
【請求項５】
請求項３又は４の軸流タービンにおいて、動翼の翼長のうち作動流体のエネルギーを回転動力に変換するのに有効に機能する部分を動翼有効長と定義した場合、前記タービン中心軸方向に伸びる部分の半径方向高さは、同じ段落の動翼の動翼有効長の外周部の半径方向高さに設定されていることを特徴とする軸流タービン。
【請求項６】
請求項５の軸流タービンにおいて、前記動翼が周方向に隣接する他の動翼と連結する連結カバーを先端に備えている場合、前記動翼の有効長外周部は、前記連結カバーの内周面の高さ位置とそこから前記連結カバー及び動翼の接合部のＲ部の高さ分だけ半径方向内周側の位置との間に位置することを特徴とする軸流タービン。
【請求項７】
請求項５の軸流タービンにおいて、前記動翼の先端が自由端である場合、前記動翼の流路有効範囲外周部は前記動翼の先端部であることを特徴とする軸流タービン。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれかの軸流タービンにおいて、前記動翼が周方向に隣接する他の動翼と連結する連結カバーを先端に備えている場合、前記タービン中心軸方向に伸びる部分は、当該部分が前記連結カバーの内周面の高さ位置とそこから前記連結カバー及び動翼の接合部のＲ部の高さ分だけ半径方向内周側の位置との間に収まる範囲で傾きを有していることを特徴とする軸流タービン。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれかの軸流タービンにおいて、前記タービン中心軸方向に伸びる部分が、最終段静翼のみに形成されていること特徴とする軸流タービン。
【請求項１０】
請求項１〜４のいずれかの軸流タービンにおいて、前記静翼は、タービン中心軸を含む面と静翼外周部との交線が、前記タービン中心軸方向に伸びる部分よりも上流側に、下流側に向かって半径方向外周側に傾斜した部分を有するように形成されていることを特徴とする軸流タービン。
【請求項１１】
請求項１０の軸流タービンにおいて、前記静翼は、タービン中心軸を含む面と静翼外周部との交線が、前記タービン中心軸方向に伸びる部分よりも半径方向外側を通り、前記タービン中心軸方向に伸びる部分に向かって流路を縮小させる部分を有するように形成されていることを特徴とする軸流タービン。
【請求項１２】
請求項１〜４のいずれかの軸流タービンにおいて、周方向に隣接する静翼同士の最小間隙を当該静翼の周方向間隔で割った値が、当該静翼の翼長方向中間部分よりも外周側で小さくなるように当該静翼が形成されていることを特徴とする軸流タービン。
【請求項１３】
請求項１〜４のいずれかの軸流タービンにおいて、前記静翼は、半径方向外周側に向かって動翼回転方向に傾斜し、翼長方向中間部が動翼回転方向に突出するように湾曲又は屈曲して形成されていることを特徴とする軸流タービン。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月29日(2007.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保磁力が高く、かつ媒体ノイズが少ない高密度磁気記録媒体用スパッタリングターゲットであって、その組織が、クロム、ニッケル、タンタルおよびプラチナの金属元素のうち１種以上と残部がコバルトとの合金からなる合金相と、酸素、窒素および炭素のうち少なくとも１種の元素と、これらの元素に対して親和力のあるシリコン、アルミニウム、ホウ素、チタン、およびジルコニウムのうち少なくとも１種の元素との化合物からなるセラミックス相との微細均質分散混合相からなることを特徴とする、透磁率が１９．８以下であるスパッタリングターゲット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ハードディスク用の高密度磁気記録媒体をスパッタリングを用いて製造するのに適したスパッタリングターゲットに関し、特に詳しくは酸化物分散型Ｃｏ系合金スパッタリングターゲットに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、下記の通りのものである。
（１）保磁力が高く、かつ媒体ノイズが少ない高密度磁気記録媒体用スパッタリングターゲットであって、その組織が合金相とセラミックス相とが微細に、かつ均質に分散した混合相からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
（２）合金相が、クロム、ニッケル、タンタルおよびプラチナの金属元素のうち１種以上と残部がコバルトとの合金からなることを特徴とする前項（１）に記載のスパッタリングターゲット。
（３）セラミックス相が、酸素、窒素および炭素のうち少なくとも１種の元素と、これらの元素に対して親和力のあるシリコン、アルミニウム、ホウ素、チタン、およびジルコニウムのうち少なくとも１種の元素との化合物からなることを特徴とする前項（１）に記載のスパッタリングターゲット。
（４）急冷凝固法で作製した合金相合金粉末とセラミックス相粉末とを混合した後、ホットプレスにより形成することを特徴とする、保磁力が高く、かつ媒体ノイズが少ない高密度磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの製造方法。
（５）急冷凝固法で作製した合金相合金粉末とセラミックス相粉末とをメカニカルアロイングしてセラミックス相粉末が均質に合金相合金粉末中に分散した組織を有する複合合金粉末を作製した後、ホットプレスにより成形することを特徴とする保磁力が高く、かつ媒体ノイズが少ない高密度磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの製造方法。
（６）合金相合金粉末が、クロム、ニッケル、タンタルおよびプラチナの金属元素のうち１種以上と残部がコバルトとの合金からなることを特徴とする前項（４）または（５）に記載の高密度磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの製造方法。
（７）セラミックス相粉末が、酸素、窒素および炭素のうち少なくとも１種の元素と、これらの元素に対して親和力のあるシリコン、アルミニウム、ホウ素、チタンおよびジルコニウムのうち少なくとも１種の元素との化合物からなることを特徴とする前項（４）または（５）に記載の高密度磁気記録媒体用スパッタリングターゲットの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月15日(2007.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを複数のボリュームを有する記憶装置に多重書きする方法に於いて、
データを前記ボリュームに格納する期間をボリューム単位にボリューム運用情報テーブルに設定し、データの読み書きを制御する多重書き制御部は、前記ボリューム運用情報テーブルに従い、前記ボリュームにデータを記録し、前記ボリューム運用情報テーブルに従い、前記ボリュームを前記多重書き制御部から切り離し、また前記ボリューム運用情報テーブルに従って前記ボリュームを最新情報に更新し、このサイクルを繰り返すことによって前記記憶装置内にデータを保証するバックアップボリュームを持つことを特徴とするボリュームのバックアップ方法。
【請求項２】
ボリューム単位に指定バックアップ装置にバックアップすることを前記ボリューム運用情報テーブルに設定し、前記ボリューム運用情報テーブルに従い、前記ボリュームを前記多重書き制御部から切り離し、上記記憶装置に格納されたデータを、前記指定バックアップ装置にバックアップすることを特徴とする請求項１記載のボリュームのバックアップ方法。
【請求項３】
データを複数のボリュームを有する記憶装置に多重書きする方法に於いて、
データを前記ボリュームに格納する期間を、月曜日、月曜日から火曜日、月曜日から水曜日、月曜日から木曜日、月曜日から金曜日と設定し、ボリューム単位に前記設定された期間のうちいずれか１の期間をボリューム運用情報テーブルに設定し、データの読み書きを制御する多重書き制御部は、前記ボリューム運用情報テーブルに従い、前記ボリュームにデータを記録し、前記ボリューム運用情報テーブルに従い、前記ボリュームを前記多重書き制御部から切り離し、また前記ボリューム運用情報テーブルに従って前記ボリュームを最新情報に更新し、このサイクルを繰り返すことによって前記記憶装置内にデータを保証するバックアップボリュームを持つことを特徴とするボリュームのバックアップ方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月30日(2007.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】端末装置及びその制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ホストに接続するように構成され、ステータス変更に応答して自動的にステータスデータを生成して、前記ステータスデータを前記ホストに送信する自動ステータス返送手段を有する端末装置において、
現在生成した最新のステータスデータと、前回ホストに送信したステータスデータとの間での変更を定義する変更データを生成する手段と、
前記最新のステータスデータを前記ホストに送信する際に、前記変更データとともに前記ホストに送信する手段と、
を備えたことを特徴とする端末装置。
【請求項２】  ホストに接続するよう構成され、ステータス変更に応答して自動的にステータスデータを生成して、前記ステータスデータを前記ホストに送信する自動ステータス返送手段を有する端末装置の制御方法において、
前回ホストに送信した前回のステータスデータと、前記自動ステータス返送手段が現在生成した最新のステータスデータとの間でのステータス変更を定義する変更データを生成する工程と、
前記最新のステータスデータを前記ホストに送信する際に、前記変更データとともに送信する工程と、
を備えることを特徴とする端末装置の制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
その他、ホスト装置へのデータの送信は、ホスト装置からのステータス要求コマンドによっても行われる。ステータス要求コマンドにも種々のものがある。例えばステータスの確認のためにホスト装置が必要に応じて個別的にコマンドを送信してステータス情報を送信してもらうもの、ステータスに変化がある度に自動的にステータス情報の送信をするという端末の機能（以下オートステータスバック：ＡＳＢと称する）を利用するもの等がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
コマンド解析部７３では、コマンドを解析し、そのコマンドを実行する。例えば印字コマンドであれば、プリントバッファ(図示せず)に印字データのセットアップし、印刷制御部７４の制御の下で、ヘッドドライバ７６及び印刷機構７７により印字を行う。モータドライバ７５は印字用紙（図示せず）の搬送及びヘッドキャリッジ（図示せず）の移動等を行う。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明は、連続して発生するステータス情報について、専用バッファを設けて少なくとも最新のステータス情報とそのステータスの変化履歴を記憶し、ホスト装置には最新のステータス情報とそれに至るステータスの変化履歴データのみを送信することにより、送信のためのバッファを少なくすることが可能となり、通信負荷を大幅に減少させることのできるステータス情報の送信制御方法を提供することができるようになった。これにより、少ないデータ量でステータスの変化履歴を確実に記憶し、伝達することができるようになった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の端末装置は、ホストに接続するように構成され、ステータス変更に応答して自動的にステータスデータを生成して、前記ステータスデータを前記ホストに送信する自動ステータス返送手段を有する端末装置において、
現在生成した最新のステータスデータと、前回ホストに送信したステータスデータとの間での変更を定義する変更データを生成する手段と、
前記最新のステータスデータを前記ホストに送信する際に、前記変更データとともに前記ホストに送信する手段と、
を備えたことを特徴とする。
また、本発明の端末装置の制御方法は、ホストに接続するよう構成され、ステータス変更に応答して自動的にステータスデータを生成して、前記ステータスデータを前記ホストに送信する自動ステータス返送手段を有する端末装置の制御方法において、
前回ホストに送信した前回のステータスデータと、前記自動ステータス返送手段が現在生成した最新のステータスデータとの間でのステータス変更を定義する変更データを生成する工程と、
前記最新のステータスデータを前記ホストに送信する際に、前記変更データとともに送信する工程と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2002189640.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2002189640.tif 000002
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2002189640.tif 000003
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2002189640.tif 000004
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2002189640.tif 000005
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2002189640.tif 000006
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2002189640.tif 000007
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2002189640.tif 000008