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【手続補正書】
【提出日】平成19年10月19日(2007.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に薄膜トランジスタや画素電極等が形成された第１の基板と、対向電極が形成された第２の基板と、両基板間に在るスプレイ配向の液晶層をベンド配向にするための液晶装置の駆動方法において、
上記第１の基板のゲート線と上記第２の基板の対向電極間に、通常映像表示期間に液晶層に印加するよりも高い電界強度を与える期間を高電界付与立上げステップとして有していることを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項２】
マトリクス状に薄膜トランジスタや画素電極やゲート線等が形成された第１の基板と、対向電極が形成された第２の基板と、両基板間に在るスプレイ配向の液晶層をベンド配向にするための液晶装置において、
上記第１の基板のゲート線と上記第２の基板の対向電極間に、通常映像表示期間に液晶層に印加するよりも高い電界強度を与える期間を有していることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項２の液晶装置であって、
上記第１の基板のゲート線は、
上記液晶層との間に他の金属膜や半導体層が無い部分では、その絶縁膜厚みが薄く形成された強電界印加型ゲート線であることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項２の液晶装置であって、
上記第１の基板のゲート線と上記液晶層との間の絶縁膜は、
比誘電率が高い材料を用いた高比誘電率材料製絶縁膜であることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項２の液晶装置であって、
上記第１の基板のゲート線は、
上記液晶層との間に他の金属膜や半導体層が無い部分では、形成する金属の厚みを厚くした所定部厚膜型ゲート線であることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項２の液晶装置であって、
上記第１の基板のゲート線は、
上記液晶層との間に他の金属膜や半導体層が無い部分では、ソース線形成金属がゲート線形成金属に電気的に接触して積層されている一部接触型ゲート線であることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項２の液晶装置であって、
上記第１の基板のゲート線は、
上記液晶層との間に他の金属膜や半導体層が無い部分では、ソース線形成金属がゲート線形成金属に電気的に接触せずに積層された非接触型ゲート線であることを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
請求項２の液晶装置であって、
上記第２の基板上の対向電極は、
上記第１の基板のゲート線に対峙する部分とそれ以外の部分に分けた分割型対向電極であることを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
請求項２の液晶装置であって、
上記第２の基板上に在る対向電極は、
その厚みが上記第１の基板のゲート線に対峙する部分は、対峙しない部分に比較して厚く形成された、対峙部厚膜対向電極であることを特徴とする液晶装置。
【請求項１０】
請求項２の液晶装置であって、
上記第２の基板上に、
上記第１の基板のゲート線に対峙する部分に樹脂で積層して形成されたカラーフィルターを有していることを特徴とする液晶装置。
【請求項１１】
前記ゲート線に対峙する部分に樹脂で積層して形成されたカラーフィルターは、
複数の色彩の異なるカラーフィルターの周辺部を積層して形成されたカラーフィルターであることを特徴とする請求項５４に記載の液晶装置。
【請求項１２】
請求項２の液晶装置であって、
上記第２の基板上に、
上記第１の基板のゲート線に対峙する部分に形成され、上記液晶層を挟んでゲート線に対向する柱状スペーサを有していることを特徴とする液晶装置。
【請求項１３】
前記柱状スペーサは、
少なくとも液晶層側は導電性の柱状スペーサであり、
液晶装置の立上げ時、該柱状スペーサにゲート線に対向する電位を付与する柱状スペーサ電位付与手段を有していることを特徴とする請求項１２に記載の液晶装置。
【請求項１４】
マトリクス状に薄膜トランジスタや画素電極等が形成された第１の基板と、対向電極が形成された第２の基板と、両基板間に在るスプレイ配向の液晶層をベンド配向にするための液晶装置の駆動方法において、
上記第１の基板のゲート線上の上記液晶層をベント配向とする第１ステップと、当該ベント配向を核として上記液晶層全体をベント配向に移行する第２ステップとを有していることを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項１５】
前記第１ステップは、上記ゲート線と上記第２の基板の対向電極間に、通常映像表示期間に液晶層に印加するよりも高い電界強度を与えることを特徴とする請求項１４に記載の液晶装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月2日(2007.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
そこで、本発明の目的は、プリズムシートなどの光偏向素子を用いて構成される光源装置において、光偏向素子のプリズム列の先端のつぶれによる黒筋などの発生を、輝度の低下を招くことなく抑止して、輝度が高く、品位に優れた光源装置を提供することにある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
すなわち、本発明の光偏向素子は、光を入射する入光面とその反対側に位置し入射した光を出射する出光面とを有しており、前記入光面には複数のプリズム列が互いに並列に配列され、前記プリズム列のそれぞれは先端部分に位置する傾斜角が１〜５０度の先端部平面と、該先端部平面の一方の側に位置する第１のプリズム面と前記先端部平面の他方の側に位置する第２のプリズム面とから構成されることを特徴とするものである。また、本発明の光源装置は、一次光源と、該一次光源から発せられる光を入射する光入射面および入射した光を導光して出射する光出射面を有する導光体と、該導光体の光出射面側に隣接配置した上記のような光偏向素子からなることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
導光体３の光入射面３１に略直交した２つの主面は、それぞれＸＹ面と略平行に位置しており、いずれか一方の面（図では上面）が光出射面３３となる。この光出射面３３または裏面３４のうちの少なくとも一方の面に粗面からなる指向性光出射機能部や、プリズム列、レンチキュラーレンズ列、Ｖ字状溝等の多数のレンズ列を光入射面３１と略平行に並列形成したレンズ面からなる指向性光出射機能部を付与することによって、光入射面３１から入射した光を導光体３中を導光させながら、光出射面３３から光入射面３１および光出射面３３に直交する面（ＸＺ面）内の出射光分布において指向性のある光を出射させる。このＸＺ面内分布における出射光分布のピーク光の方向が光出射面３３となす角度をａとすると、この角度ａは１０〜４０度とすることが好ましく、出射光分布の半値全幅は１０〜４０度とすることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月20日(2007.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音声合成器のための多言語テキストのセグメントを処理するテキスト処理システムにおいて、
第１言語を含む前記セグメントの第１部分に対して少なくとも１つのテキスト・韻律解析を実行する第１言語依存モジュールと、
第２言語を含む前記セグメントの第２部分に対して少なくとも１つのテキスト・韻律解析を実行する第２言語依存モジュールと、
前記第１および第２言語依存モジュールからの出力を受け取り、前記全体のセグメントについてのイントネーションに基づく該出力に対して韻律的および音声的コンテクスト修正を実行するように適応した第３モジュールと
を備えたことを特徴とするテキスト処理システム。
【請求項２】
前記第１言語依存モジュールおよび前記第２言語依存モジュールによる処理のためにテキストを正規化するテキスト正規化モジュールをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載のテキスト処理システム。
【請求項３】
多言語テキストを受け取り、前記第１言語を含む部分および前記第２言語を含む部分に対する識別子を関連づけるように適応した言語識別子モジュールをさらに備えたことを特徴とする請求項１または２に記載のテキスト処理システム。
【請求項４】
各前記モジュールからの出力を受け取り、該出力を処理のためにそれに見合った他のモジュールへ転送するように適応した統合器モジュールをさらに備えたことを特徴とする請求項３に記載のテキスト処理システム。
【請求項５】
前記統合器モジュールが、関連づけられた識別子の関数として、前記第１言語依存モジュールおよび前記第２言語依存モジュールへ前記出力を転送することを特徴とする請求項４に記載のテキスト処理システム。
【請求項６】
前記第１言語依存モジュールおよび前記第２言語依存モジュールが形態素解析を実行するように適応していることを特徴とする請求項５に記載のテキスト処理システム。
【請求項７】
前記第１言語依存モジュールおよび前記第２言語依存モジュールが切れ目解析を実行するように適応していることを特徴とする請求項５に記載のテキスト処理システム。
【請求項８】
前記第１言語依存モジュールおよび前記第２言語依存モジュールが強勢解析を実行するように適応していることを特徴とする請求項５に記載のテキスト処理システム。
【請求項９】
前記第１言語依存モジュールおよび前記第２言語依存モジュールが書記素−音素変換を実行するように適応していることを特徴とする請求項５に記載のテキスト処理システム。
【請求項１０】
音声合成器のための多言語テキストのテキスト処理方法において、
入力テキストを受け取り、第１言語を含む部分および第２言語を含む部分を識別し、
第１言語依存モジュールを用いて前記第１言語を含む部分に対して少なくとも１つのテキスト・韻律解析を実行し、第２言語依存モジュールを用いて前記第２言語を含む部分に対して少なくとも１つのテキスト・韻律解析を実行し、
前記第１および第２言語依存モジュールからの出力を受け取り、他の部分に対しての各部分の位置に基づいて該出力に対しての韻律的および音声的コンテクストの分析を一緒に実行する
ことを特徴とするテキスト処理方法。
【請求項１１】
入力テキストを正規化することをさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記部分を識別することは、該部分のそれぞれに識別子を関連づけることを含むことを特徴とする請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記部分を、該部分に関連づけられた識別子の関数として前記第１言語依存モジュールおよび第２言語依存モジュールへ転送することをさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記テキストの部分を、該テキスト中の順序の関数として識別することをさらに含むことを特徴とする請求項１０、１１、１２、または１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記韻律的および音声的コンテクスト抽出を実行することは、前記多言語テキストに対する韻律の記号的記述を出力することを含むことを特徴とする請求項１０、１１、１２、１３または１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
前記韻律的および音声的コンテクスト抽出を実行することは、前記多言語テキストに対する韻律の数値的記述を出力することを含むことを特徴とする請求項１０、１１、１２、１３または１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
プロセッサによって実行される時に音声合成を実行する記憶された命令を有するコンピュータ可読記憶媒体において、該命令が、
第１言語を含む入力テキストの第１部分に対して少なくとも１つのテキスト・韻律解析を実行する第１言語依存モジュールと、
第２言語を含む入力テキストの第２部分に対して少なくとも１つのテキスト・韻律解析を実行する第２言語依存モジュールと、
第１および第２言語依存モジュールからの出力を受け取り、入力テキストの前記第１部分および前記第２部分の組合せについてのイントネーションに基づき前記出力に対して韻律的および音声的コンテクストの修正を実行するように適応した第３モジュールと
を含むテキスト処理モジュールと、
前記第３モジュールからの出力を受け取り、その関数として合成音声波形を発生するように適応した合成モジュールと
を含むことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１８】
前記第３モジュールは前記出力についての韻律の記号による記述を提供し、前記合成モジュールは連結モジュールを含むことを特徴とする請求項１７に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１９】
前記第３モジュールは前記出力についての韻律の数値による記述を提供し、前記合成モジュールは発生モジュールを含むことを特徴とする請求項１７に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２０】
前記第１言語依存モジュールと第２言語依存モジュールにより処理されるテキストを正規化するためのテキスト正規化モジュールをさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２１】
多言語テキストを受け取り、前記第１言語を含む部分および前記第２言語を含む部分に対する識別子を関連づけるように適応した言語識別子モジュールをさらに備えたことを特徴とする請求項１７に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２２】
各モジュールからの出力を受信し、該出力を処理するためにそれぞれに見合った他のモジュールに転送するように適合された統合器モジュールをさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２３】
前記統合器モジュールは、関連識別子の機能として前記出力を前記第１言語依存モジュールと前記第２言語依存モジュールへ転送することを特徴とする請求項２２に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月27日(2006.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器内に保持された絶縁性液体及び複数の帯電泳動粒子と、該絶縁性液体に近接するように配置された第１電極及び第２電極と、該第１電極と第２電極に電圧を印加する手段とを備えた電気泳動表示装置であって、
該電気泳動表示装置は、少なくとも該第１電極と第２電極の間に交流電圧を印加して該帯電泳動粒子を該絶縁性液体中に分散させた第１の状態と、該第１電極と第２電極の間に一方極性の直流電圧を印加して該帯電泳動粒子を該第１電極の側に引き寄せた第２の状態と、該第１電極と第２電極の間に他方極性の直流電圧を印加して該帯電泳動粒子を該第２電極の側に引き寄せた第３の状態とを表示状態として有し、（１）該第１の状態、（２）該第２の状態、（３）該第１の状態、（４）該第３の状態の順で各表示状態が形成されることを特徴とする電気泳動表示装置。
【請求項２】
同じ絶対値の直流電圧を印加して形成される第２の状態と第３の状態が、略同一の階調表示状態である請求項１に記載の電気泳動表示装置。
【請求項３】
該第２電極が画素の境界部に画素を囲んで配置されている請求項１に記載の電気泳動表示装置。
【請求項４】
該第１電極が画素の中央部に配置されている請求項３に記載の電気泳動表示装置。
【請求項５】
該第１電極がＬ字形状で、画素中央部以外の部分に配置されている請求項３に記載の電気泳動表示装置。
【請求項６】
容器内に保持された絶縁性液体及び複数の帯電泳動粒子と、該絶縁性液体に近接するように配置された第１電極及び第２電極と、を有する電気泳動表示装置の駆動方法であって、
該駆動方法は、少なくとも、該第１電極と第２電極の間に交流電圧を印加して該帯電泳動粒子を該絶縁性液体中に分散させた第１の状態を形成するステップと、該第１電極と第２電極の間に一方極性の直流電圧を印加して該帯電泳動粒子を該第１電極の側に引き寄せた第２の状態を形成するステップと、該第１電極と第２電極の間に他方極性の直流電圧を印加して該帯電泳動粒子を該第２電極の側に引き寄せた第３の状態を形成するステップとを有し、（１）該第１の状態を形成するステップ、（２）該第２の状態を形成するステップ、（３）該第１の状態を形成するステップ、（４）該第３の状態を形成するステップの順で電圧が印加されることを特徴とする電気泳動表示装置の駆動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は上記事情を考慮してなされたものであり、容器内に保持された絶縁性液体及び複数の帯電泳動粒子と、該絶縁性液体に近接するように配置された第１電極及び第２電極と、該第１電極と第２電極に電圧を印加する手段とを備えた電気泳動表示装置であって、該電気泳動表示装置は、少なくとも該第１電極と第２電極の間に交流電圧を印加して該帯電泳動粒子を該絶縁性液体中に分散させた第１の状態と、該第１電極と第２電極の間に一方極性の直流電圧を印加して該帯電泳動粒子を該第１電極の側に引き寄せた第２の状態と、該第１電極と第２電極の間に他方極性の直流電圧を印加して該帯電泳動粒子を該第２電極の側に引き寄せた第３の状態とを表示状態として有し、（１）該第１の状態、（２）該第２の状態、（３）該第１の状態、（４）該第３の状態の順で各表示状態が形成されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によると、同じ表示を長時間行う場合であっても、各画素においては、交流電圧による分散動作を挟んで、一方極性の直流電圧による第１コレクト動作や他方極性の直流電圧による第２コレクト動作が順次行われていて、帯電泳動粒子の空間に異なる方向の電界が作用し、残留ＤＣ成分としての蓄積が回避される結果、表示焼き付きを防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月12日(2007.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
従来、携帯通信端末等の情報発信装置が、ユーザの端末情報や位置情報等の所定情報（以下、コンテキスト）をネットワーク上のデータベース（情報収集配信装置）に登録し、コンテキストを利用してサービスを提供する情報利用装置が、データベースに登録されたコンテキストを取得する情報提供方法が知られている。
【非特許文献１】Ａ.  Ｋ.  Ｄｅｙ等、「Ｔｈｅ  Ｃｏｎｔｅｘｔ  Ｔｏｏｌｋｉｔ：  Ａｉｄｉｎｇ  ｔｈｅ  Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｏｆ  Ｃｏｎｔｅｘｔ-Ａｗａｒｅ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」、Ｉｎ  ｔｈｅ  Ｐｒｏｃ.  ｏｆ  ＳＥＷＰＣ００，２０００（http://www.cs.washington.edu/sewpc/papers/dey.pdf）
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月7日(2007.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に形成された複数の画素と、
前記複数の画素のうち少なくとも１画素内に形成された画素電極と、
前記複数の画素のうち少なくとも１画素内に形成され、且つ前記画素電極と対向して配設された共通電極と、
前記共通電極と接続された蓄積容量電極と、
前記蓄積容量電極と略平行に形成された走査線と、
前記走査線と絶縁膜を介して交差し、前記画素電極に信号を供給する映像信号線と、
前記絶縁性基板と液晶を介して対向する対向基板と、
前記蓄積容量電極と前記絶縁膜を介して蓄積容量を形成すべく配置され、かつ前記画素電極と接続される蓄積容量形成用パターンと、
を備え、前記画素電極と前記共通電極との間で、前記絶縁性基板と略平行な方向に電界を印加せしめ、前記液晶を配向して表示を行う液晶表示装置であって、
前記画素電極は前記蓄積容量形成用パターンより上の絶縁膜上に形成され、かつ前記蓄積容量形成用パターンへの少なくとも２つの電位供給経路を有しており、前記電位供給経路の少なくとも２つは前記蓄積容量形成用パターン上のコンタクトホールを介して前記蓄積容量形成用パターンに接続されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記走査線に接続されたゲート電極と、
前記映像信号線に接続されたソース電極と、
前記ソース電極と対向して配置され、且つ前記画素電極と接続されたドレイン電極と、
をさらに備え、
前記画素電極における前記蓄積容量形成用パターンへの少なくとも２つの電位供給経路は、前記画素電極とドレイン電極との接続部から、前記蓄積容量形成用パターンと画素電極との接続部の間に形成されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記画素電極と前記共通電極とは同一層の導電膜で形成されることを特徴とする請求項１または２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記蓄積容量電極と前記蓄積容量形成用パターンとが、前記１画素の前記映像信号線の配線方向における略中央部に配設されることを特徴とする請求項１乃至３記載の液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る液晶表示装置は、絶縁性基板上に形成された複数の画素と、前記複数の画素のうち少なくとも１画素内に形成された画素電極と、前記複数の画素のうち少なくとも１画素内に形成され、且つ前記画素電極と対向して配設された共通電極と、前記共通電極と接続された蓄積容量電極と、前記蓄積容量電極と略平行に形成された走査線と、前記走査線と絶縁膜を介して交差し、前記画素電極に信号を供給する映像信号線と、前記絶縁性基板と液晶を介して対向する対向基板と、前記蓄積容量電極と前記絶縁膜を介して蓄積容量を形成すべく配置され、かつ前記画素電極と接続される蓄積容量形成用パターンとを備え、前記画素電極と前記共通電極との間で、前記絶縁性基板と略平行な方向に電界を印加せしめ、前記液晶を配向して表示を行う液晶表示装置であって、前記画素電極は前記蓄積容量形成用パターンより上の絶縁膜上に形成され、かつ前記蓄積容量形成用パターンへの少なくとも２つの電位供給経路を有しており、前記電位供給経路の少なくとも２つは前記蓄積容量形成用パターン上のコンタクトホールを介して前記蓄積容量形成用パターンに接続されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月11日(2007.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  外部装置と通信を行う通信手段を有する通信装置であって、
一の外部装置が前記通信手段にアクセスしている場合に、前記一の外部装置とは異なる外部装置からの前記通信装置に関するコンフィグレーションの設定の変更要求を排除する排除手段を備えることを特徴とする通信装置。
【請求項２】  外部装置と通信を行う通信手段を有する通信装置であって、
一の外部装置が前記通信装置に関するコンフィグレーションに関する閲覧が可能な状態において、前記外部装置からの前記コンフィグレーションの設定の変更要求を排除する排除手段を備えることを特徴とする通信装置。
【請求項３】  前記排除手段は、前記コンフィグレーションの設定のうち、ＩＰアドレスの設定、ファームウェアの設定、ユーザ毎の使用条件の設定、一般ユーザ用パスワードの発行、共有情報の設定、給紙トレイの用紙の設定、ＦＡＸ送信先を指定するための短縮ダイアルの設定の中から、少なくとも１つの設定の変更要求を排除することを特徴とする請求項１又は２に記載の通信装置。
【請求項４】  さらに、前記排除手段が前記コンフィグレーションの設定の変更要求を排除したことを前記外部装置に表示させる表示制御手段を備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の通信装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、コンフィグレーションの設定変更を許可する方式に特徴を有する通信装置に関する。
ここで、コンフィグレーションモードとは、ＩＰアドレスの設定、ファームウェアのインストール、ユーザ毎の使用条件の設定、一般ユーザ用パスワードの発行、共有情報の設定等の、機器の他の動作に影響を与えるような設定を行うことができる動作モードのことである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明は、これらのような問題を解決し、外部装置と通信を行う通信手段を有する通信装置において、通信手段を介した動作要求を許可する場合に、装置の動作に不具合が発生することを防止しつつユーザの利便性を十分確保できるようにすることを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、この発明は、外部装置と通信を行う通信手段を有する通信装置において、一の外部装置が上記通信手段にアクセスしている場合に、上記一の外部装置とは異なる外部装置からの上記通信装置に関するコンフィグレーションの設定の変更要求を排除する排除手段を設けたものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
あるいは、外部装置と通信を行う通信手段を有する通信装置において、一の外部装置が上記通信装置に関するコンフィグレーションに関する閲覧が可能な状態において、上記外部装置からの上記コンフィグレーションの設定の変更要求を排除する排除手段を設けたものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
これらの通信装置において、上記排除手段が、上記コンフィグレーションの設定のうち、ＩＰアドレスの設定、ファームウェアの設定、ユーザ毎の使用条件の設定、一般ユーザ用パスワードの発行、共有情報の設定、給紙トレイの用紙の設定、ＦＡＸ送信先を指定するための短縮ダイアルの設定の中から、少なくとも１つの設定の変更要求を排除するようにするとよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
さらに、上記排除手段が上記コンフィグレーションの設定の変更要求を排除したことを上記外部装置に表示させる表示制御手段を設けるとよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５５】
【発明の効果】
以上説明してきたように、この発明の通信装置によれば、装置の動作に不具合が発生することを防止しつつ、ユーザの利便性を十分確保できるようにすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月5日(2007.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
ＰＳＫ、ＦＳＫまたはＡＳＫ信号は、混合器５１４、直流阻止コンデンサ５１２、伝送線路５１０、可変周波数帯アンテナシステム５００の出力端子５００ｂ、混合器５０９、高周波阻止コイル５４２を介して制御部１８０に供給され、上述したように各種制御が行われる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月15日(2007.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークスイッチであって、
リアルタイム性の受信パケットを識別する識別手段と、
前記識別手段による識別に応じて、リアルタイム性パケットの受信間隔を認識する認識手段と、
前記認識手段による認識に基づいて、リアルタイム性パケットを他の種別のパケットより優先して出力する出力手段と、
を有することを特徴とするネットワークスイッチ。
【請求項２】
請求項１において、
前記識別手段により識別されたリアルタイム性パケットの受信周期が揺らいでいるか否かを判定する判定手段を更に有し、
前記認識手段は、前記判定手段による判定に応じて、前記認識を行なうことを特徴とするネットワークスイッチ。
【請求項３】
請求項１において、
前記認識手段は、前記判定手段により受信周期が揺らいでいないと判定されたリアルタイム性パケットの受信間隔を測定することによりリアルタイム性パケットの受信間隔を認識することを特徴とするネットワークスイッチ。
【請求項４】
請求項１において、
前記認識手段は、前記リアルタイム性パケットの送信元の装置との間に介在する他のネットワークスイッチの数に基づいて、リアルタイム性パケットの受信間隔を測定することを特徴とするネットワークスイッチ。
【請求項５】
請求項２において、
前記判定手段は、受信したパケットに付加されている情報に基づいて、前記判定を行なうことを特徴とするネットワークスイッチ。
【請求項６】
請求項１において、
前記出力手段により出力するパケットに、前記認識手段により認識したパケット間隔を維持して出力するパケットであることを示す情報を付加する付加手段を更に有することを特徴とするネットワークスイッチ。
【請求項７】
請求項１において、
前記出力手段は、前記リアルタイム性パケットの出力後に、前記他のパケットを出力することを特徴とするネットワークスイッチ。
【請求項８】
請求項１において、
前記出力手段は、前記認識手段により認識したパケットの受信間隔に基づいて、次に受信されるべきリアルタイム性パケットの受信タイミングを判定し、該受信タイミングより前に受信したパケットより、リアルタイム性パケットを優先して出力することを特徴とするネットワークスイッチ。
【請求項９】
ネットワークスイッチであって、
リアルタイム性の受信パケットを識別する識別手段と、
前記識別手段によりリアルタイム性パケットであると識別した複数のパケットの間隔を維持して出力する出力手段と、
前記出力手段により出力するパケットの間隔が維持されているか否かに応じて、前記パケットの間隔が維持されていることを示す情報を送信パケットに付加する付加手段と、
を有することを特徴とするネットワークスイッチ。
【請求項１０】
請求項９において、
前記出力手段は、受信パケットの受信周期が揺らいでいないパケットの間隔を維持して出力することを特徴とするネットワークスイッチ。
【請求項１１】
ネットワークスイッチにおけるパケット中継方法であって、
リアルタイム性の受信パケットを識別する識別工程と、
前記識別工程における識別に応じて、リアルタイム性パケットの受信間隔を認識する認識工程と、
前記認識工程による認識に基づいて、リアルタイム性パケットを他の種別のパケットより優先して出力する出力工程と、
を有することを特徴とするパケット中継方法。
【請求項１２】
ネットワークスイッチにおけるパケット中継方法であって、
リアルタイム性の受信パケットを識別する識別工程と、
前記識別工程においてリアルタイム性パケットであると識別した複数のパケットの間隔を維持して出力する出力工程と、
前記出力工程により出力するパケットの間隔が維持されているか否かに応じて、前記パケットの間隔が維持されていることを示す情報を送信パケットに付加する付加工程と、
を有することを特徴とするパケット中継方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】リアルタイム性パケットのリアルタイム性を維持してパケットを中継するネットワークスイッチ及びパケット中継方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、ネットワークスイッチが、リアルタイム性の受信パケットを識別し、該識別に応じて、リアルタイム性パケットの受信間隔を認識し、該認識に基づいて、リアルタイム性パケットを他の種別のパケットより優先して出力する。また、ネットワークスイッチが、リアルタイム性の受信パケットを識別し、リアルタイム性パケットであると識別した複数のパケットの間隔が維持されているか否かに応じて、パケットの間隔が維持されていることを示す情報を送信パケットに付加する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月14日(2007.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された第一導電型の第一の不純物拡散領域と、前記第一不純物拡散領域中に形成された第二導電型の第二の不純物拡散領域と、前記第二の不純物拡散領域の表面上に形成された第一導電型の第三の不純物拡散領域とにより形成されたフォトダイオード、及び該フォトダイオードに蓄積された信号を増幅して出力するアンプを含む固体撮像素子であって、前記第三の不純物拡散領域は、前記第一の不純物領域を形成する不純物イオンに比べて拡散係数が小さい不純物イオンを含むことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記フォトダイオードは完全空乏化動作されることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記第一の不純物拡散領域はリンを含み、前記第三の不純物拡散領域は砒素を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記第一の不純物拡散領域はリンを含み、前記第三の不純物拡散領域はアンチモンを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記第一の不純物拡散領域はアルミニウムを含み、前記第三の不純物拡散領域はボロンを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記アンプはＰＭＯＳにより形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項７】
前記ＰＭＯＳのゲート電極はＮ型ポリシリコンにより形成されており、前記第二の不純物拡散領域はＰ型半導体領域であることを特徴とする請求項６に記載の固体撮像素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上述の課題を解決するため、本発明の固体撮像素子は、半導体基板上に形成された第一導電型の第一の不純物拡散領域と、前記第一不純物拡散領域中に形成された第二導電型の第二の不純物拡散領域と、前記第二の不純物拡散領域の表面上に形成された第一導電型の第三の不純物拡散領域とにより形成されたフォトダイオード、及び該フォトダイオードに蓄積された信号を増幅して出力するアンプを含む固体撮像素子であって、前記第三の不純物拡散領域は、前記第一の不純物領域を形成する不純物イオンに比べて拡散係数が小さい不純物イオンを含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、前記個体撮像素子において、前記第一の不純物拡散領域はリンを含み、前記第三の不純物拡散領域は砒素を含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、前記個体撮像素子において、前記第一の不純物拡散領域はリンを含み、前記第三の不純物拡散領域はアンチモンを含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、前記個体撮像素子において、前記第一の不純物拡散領域はアルミニウムを含み、前記第三の不純物拡散領域はボロンを含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月11日(2007.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが一方の信号線と他方の信号線からなる複数の差動対配線を有する位相配線構造であって、いずれかの差動対配線における一方の信号線と他方の信号線が、他の差動対配線の信号線に対して、物理的な位置が等距離にない場合、前記一方または他方の信号線を前記他の差動対配線の信号線に対して電気的に等距離に近づけるためのダミー配線を設けたことを特徴とする位相配線構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明に係る位相配線構造は、それぞれが一方の信号線と他方の信号線からなる複数の差動対配線を有する位相配線構造であって、いずれかの差動対配線における一方の信号線と他方の信号線が、他の差動対配線の信号線に対して、物理的な位置が等距離にない場合、前記一方または他方の信号線を前記他の差動対配線の信号線に対して電気的に等距離に近づけるためのダミー配線を設けたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明の位相配線構造は、それぞれが一方の信号線と他方の信号線からなる複数の差動対配線を有する位相配線構造であって、いずれかの差動対配線における一方の信号線と他方の信号線が、他の差動対配線の信号線に対して、物理的な位置が等距離にない場合、前記一方または他方の信号線を前記他の差動対配線の信号線に対して電気的に等距離に近づけるためのダミー配線を設けたため、密度の高い配線を行う配線板であっても遮蔽層の必要性がなく、従って、高密度配線を可能とする位相配線構造を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月14日(2007.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁弁を駆動するための電流を供給する電源と、
前記電磁弁の作動限界時間以下の通電時間で前記電磁弁の作動限界電流を超える電流の通電と前記電流の遮断とをくり返す通電制御手段とを備える電磁弁の制御装置。
【請求項２】
前記電源から供給される電圧を昇圧する昇圧回路をさらに備える請求項１に記載の電磁弁の制御装置。
【請求項３】
前記電磁弁の正常な開弁動作または正常な閉弁動作を確認する確認手段と、
前記正常な開弁動作または正常な閉弁動作が確認できた後に前記電磁弁を開弁または閉弁する開閉制御手段とをさらに備える請求項１または２に記載の電磁弁の制御装置。
【請求項４】
前記確認手段は、前記電磁弁が設置される流路の下流側で前記電磁弁の開閉により流出を制御される流体の圧力を検知する手段を有する請求項３に記載の電磁弁の制御装置。
【請求項５】
前記電磁弁は、電磁石への励磁によって移動可能な弁体と前記弁体が着座する弁座とを有しており、
前記確認手段は、前記弁座近傍部、弁体の可動範囲周辺部、または前記可動範囲中の前記弁座側と反対側の端部近傍部のいずれかにおいて温度を測定する手段を有する請求項３に記載の電磁弁の制御装置。
【請求項６】
前記電磁弁は、電磁石と前記電磁石への励磁によって所定の移動軸に沿って移動可能な弁体と前記弁体が着座する弁座と前記電磁石、前記弁体および弁座を収納する筐体とを有しており、
前記確認手段は、前記弁体の移動を検知する加速度センサを有する請求項３に記載の電磁弁の制御装置。
【請求項７】
前記加速度センサは、前記筐体の前記移動軸上または前記筐体に収容された管材の前記筐体から露出する露出面側の前記移動軸上に設置される請求項６に記載の電磁弁の制御装置。
【請求項８】
前記確認手段は、前記開弁または閉弁にともなう電流の変化を検知する手段を有する請求項３に記載の電磁弁の制御装置。
【請求項９】
前記電磁弁は、燃料電池のガス流路に設けられる請求項１から８のいずれかに記載の電磁弁の制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月12日(2007.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機材料を含むペーストの製造方法において、磁場を印加して異物を除去する工程を有することを特徴とする無機材料ペーストの製造方法。
【請求項２】
永久磁石を用いて磁場を発生させることを特徴とする請求項１記載の無機材料ペーストの製造方法。
【請求項３】
電磁石を用いて磁場を発生させることを特徴とする請求項１記載の無機材料ペーストの製造方法。
【請求項４】
磁場を印加しながら無機材料ペーストを搬送することにより異物を除去することを特徴とする請求項１記載の無機材料ペーストの製造方法。
【請求項５】
磁場を印加しながら無機材料ペーストを濾過することにより異物を除去することを特徴とする請求項１記載の無機材料ペーストの製造方法。
【請求項６】
磁場を印加しながら無機材料ペーストを混練することにより異物を除去することを特徴とする請求項１記載の無機材料ペーストの製造方法。
【請求項７】
無機材料が、ガラスフリット、導電性材料および蛍光体材料のいずれか１種またはこれらを２種以上含むことを特徴とする請求項１記載の無機材料ペーストの製造方法。
【請求項８】
ガラスフリットのガラス転移点が３５０〜６００℃の範囲であることを特徴とする請求項７記載の無機材料ペーストの製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の無機材料ペーストの製造方法で得られた無機材料ペーストを用いて作製したプラズマディスプレイ部材。
【請求項１０】
請求項９記載のプラズマディスプレイ部材を用いて作製したプラズマディスプレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明は次の構成を有する。すなわち、本発明は、無機材料を含むペーストの製造方法において、磁場を印加して異物を除去する工程を有することを特徴とする無機材料ペーストの製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の好ましい態様によれば、磁場を印加しながら無機材料ペーストを搬送することにより異物を除去することができ、磁場を印加しながら無機材料ペーストを濾過することにより異物を除去することができ、そして、磁場を印加しながら無機材料ペーストを混練することにより異物を除去することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月25日(2007.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
ここでプロセス条件は、プロセス温度が９００℃、プロセス圧力が４７Ｐａであって直径２００ｍｍのウエハを用いている。プロセスガスは、ノズル６６からのＯ２ ガス流量は２．４３ｓｌｍ（スタンダードリットルミニッツ）で固定し、Ｈ２ ガスに関してはノズル８０Ａからの流量は０．２７ｓｌｍで固定しており、ノズル８０Ｃからの流量は０．０７ｓｌｍで固定している。またＨ２ ガス濃度は１２．３％［＝（０．２７＋０．０７）／（２．４３＋０．２７＋０．０７）×１００］である。
この図５に示す膜厚分布から明らかなように、メインのノズル８０ＡからＨ２ ガスを供給するのに加えて、略中央部のノズル８０ＣからＨ２ ガスを補助的に加えるだけで、各態様１〜４について面間方向の膜厚を微細に制御できることが判明する。この時の膜厚の面間均一性は、態様１が±０．９５％、態様２が±０．９６％、態様３が±１．１４％、態様４が±１．６７％であった。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月9日(2007.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持装置であって、前記基板を保持する保持面をその上面に有する複数のピンと、前記複数のピンのうち前記基板の中心部に配置されるピンの周囲に設けられた第１の掘り込み部と、前記第１の掘り込み部の周囲に設けられた第２の掘り込み部とを有し、該第２の掘り込み部は前記第１の掘り込み部よりも掘り込み量が小さいことを特徴とする基板保持装置。
【請求項２】
前記基板の熱を逃すための熱伝達ガスを前記第１の掘り込み部に供給および排気する手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項３】
前記基板保持装置は静電力によって基板を保持することを特徴とする請求項１または２に記載の基板保持装置。
【請求項４】
前記基板保持装置は真空雰囲気内で基板を保持することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板保持装置。
【請求項５】
前記第２の掘り込み部の周囲に第３の掘り込み部を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板保持装置。
【請求項６】
前記第２の掘り込み部と前記基板により形成される気体流路のコンダクタンスが２．０Ｅ−０７ｍ３／ｓ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板保持装置。
【請求項７】
前記第２の掘り込み部の掘り込み量は１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板保持装置。
【請求項８】
前記第２の掘り込み部の掘り込み量は３μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板保持装置。
【請求項９】
前記第２の掘り込み部の掘り込み量は１μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板保持装置。
【請求項１０】
真空チャンバ内で基板を保持する基板保持装置であって、
前記基板を保持する保持面をその上面に有する複数のピンと、
前記基板の中心部に配置されるピンの周囲に設けられた第１の掘り込み部と、
前記基板の外周部に配置されるピンの周囲に設けられた第２の掘り込み部と、
前記第１の掘り込み部に設けられ前記基板の熱を取り除くための熱伝達ガスを供給するための供給口とを有し、
前記第２の掘り込み部が熱伝達ガスをシールする機能を有することを特徴とする基板保持装置。
【請求項１１】
前記基板保持装置は静電吸着力を用いて前記基板を保持するように構成され、前記第２の掘り込み部においても静電吸着力を発生することを特徴とする請求項１０に記載の基板保持装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の基板保持装置を用いて基板を保持することを特徴とする露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の目的を解決するために、本発明では、前記基板を保持する保持面をその上面に有する複数のピンと、前記複数のピンのうち前記基板の中心部に配置されるピンの周囲に設けられた第１の掘り込み部と、前記第１の掘り込み部の周囲に設けられた第２の掘り込み部とを有し、該第２の掘り込み部は前記第１の掘り込み部よりも掘り込み量が小さいことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
好ましい実施形態として、真空雰囲気内で静電チャックとしての機能を有し、前記基板の熱を逃すための熱伝達ガスを前記第１の掘り込み部に供給および排気する手段を有することが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
さらに、前記第２の掘り込み部と前記基板により形成される気体流路のコンダクタンスが２．０Ｅ−０７ｍ３／ｓ以下であることがより好ましく、その掘り込み量は１０μｍ以下、３μｍ以下、１μｍ以下としうる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月7日(2007.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
半導体装置を金型中に載置して、該金型と該半導体装置との間に供給した硬化性液状シリコーン組成物を所定の成形温度で圧縮成形することによりシリコーン硬化物で封止した半導体装置を製造する方法であって、前記硬化性液状シリコーン組成物が、室温で９０Pa・s以下の粘度を有し、キュラストメーターで測定した、前記成形温度における測定直後から１kgf・cmのトルクに達するまでの時間が１分以上であり、かつ１kgf・cmのトルクから５kgf・cmのトルクに達するまでの時間が１分以内であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
硬化性液状シリコーン組成物がヒドロシリル化反応硬化性液状シリコーン組成物であることを特徴とする、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
４０ａ、４０ｂは上型３４と下型２３の成形面を被覆する幅寸法に形成された長尺体の剥離性フィルムである。剥離性フィルム４０ａ、４０ｂは封止時に硬化性樹脂組成物が成形面にじかに接しないように封止領域を被覆する目的で設けるものである。剥離性フィルム４０ａ、４０ｂは封止領域での成形面の凹凸にならって変形できるよう柔軟でかつ一定の強度を有するとともに、金型温度に耐える耐熱性、シリコーン硬化物および金型と容易に剥離できるフィルム材が好適に用いられる。このようなフィルムとしては、ポリテトラフルオロエチレン樹脂（ＰＴＦＥ）フィルム、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合樹脂（ＥＴＦＥ）フィルム、テトラフルオロエチレン−ペルフルオロプロピレン共重合樹脂（ＦＥＰ）フィルム、ポリビニリデンフルオライド樹脂（ＰＶＤＦ）フィルム等のフッ素樹脂フィルム；ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）フィルム、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）フィルムが例示される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月24日(2006.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面上にチップ上配線が形成され、当該チップ上配線が外部接続配線と電気的に接続されるよう構成された半導体チップであって、
前記チップ上配線は、前記主面の第１の端部の側から第２の端部の側に延伸するように形成されていることを特徴とする半導体チップ。
【請求項２】
第１の主面上に第１のチップ上配線が形成された第１の半導体チップと、
当該第１の主面上に積層された、第２の主面上に第２のチップ上配線が形成された第２の半導体チップと、
前記第１のチップ上配線または前記第２のチップ上配線に電気的に接続される、複数の外部接続配線と、を有する積層型半導体装置であって、
前記第２の半導体チップは、前記第１のチップ上配線の少なくとも一部が露出するようにずらして積層され、
前記第２のチップ上配線は、前記第２の主面の、第１の端部の側から第２の端部の側に延伸するように形成され、前記第１のチップ上配線または前記外部接続配線と電気的に接続される構造であることを特徴とする積層型半導体装置。
【請求項３】
前記第１のチップ上配線は、前記第２のチップ上配線を介して前記外部接続配線に電気的に接続される構造であることを特徴とする請求項２記載の積層型半導体装置。
【請求項４】
前記第２のチップ上配線は、前記第１のチップ上配線を介して前記外部接続配線に電気的に接続される構造であることと特徴とする請求項２記載の積層型半導体装置。
【請求項５】
前記外部接続配線は、リードフレームからなることを特徴とする請求項２乃至４のうち、いずれか１項記載の積層型半導体装置。
【請求項６】
前記外部接続配線は、テープキャリアに形成された配線であることを特徴とする請求項２乃至４のうち、いずれか１項記載の積層型半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、上記の問題は第１の主面上に第１のチップ上配線が形成された第１の半導体チップと、当該第１の主面上に積層された、第２の主面上に第２のチップ上配線が形成された第２の半導体チップと、前記第１のチップ上配線または前記第２のチップ上配線に電気的に接続される、複数の外部接続配線と、を有する積層型半導体装置であって、前記第２の半導体チップは、前記第１のチップ上配線の少なくとも一部が露出するようにずらして積層され、前記第２のチップ上配線は、前記第２の主面の、第１の端部の側から第２の端部の側に延伸するように形成され、前記第１のチップ上配線または前記外部接続配線と電気的に接続される構造であることを特徴とする積層型半導体装置により、解決する。