【手続補正書】
【提出日】平成19年11月21日(2007.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光誘発熱現像性フィルムであって：
第一の屈折率を有するポリマーマトリックスと；
前記ポリマーマトリックスと相溶性があり、前記第一の屈折率と異なる第二の屈折率を有する少なくとも１種のモノマーと；
プロカタリストと；
コカタリストとを含み、前記コカタリストは、化学線の照射に伴い、前記プロカタリストを潜在活性形態に変換し、前記潜在活性形態は、第一の温度での加熱に伴い、活性形態に変換する光誘発熱現像性フィルム。
【請求項２】
前記プロカタリストは、前記第一の温度よりも高い第二の温度への加熱に伴い、前記化学線の照射なしに、活性形態に変換する請求項１に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項３】
更に少なくとも１種の酸化防止剤を含む請求項１に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項４】
前記ポリマーマトリックスはホモポリマー、コポリマーおよび三元重合体のうちの一つである請求項１に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項５】
前記ポリマーマトリックスは第一の繰り返し単位と第二の繰り返し単位とを含む請求項１に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項６】
前記第一の繰り返し単位はアルキルノルボルネンの繰り返し単位を含み、前記第二の繰り返し単位はノルボルネン系の繰り返し単位を含む請求項5に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項７】
前記アルキルノルボルネンの繰り返し単位はヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含み、前記ノルボルネン系の繰り返し単位はジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランの繰り返し単位を含む請求項６に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項８】
前記アルキルノルボルネンの繰り返し単位はヘキシルノルボルネンの繰り返単位を含み、前記ノルボルネン系の繰り返し単位はベンジルノルボルネンの繰り返し単位を含む請求項６に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項９】
前記アルキルノルボルネンの繰り返し単位はヘキシルノルボルネンの繰り返単位を含み、前記ノルボルネン系の繰り返し単位はフェニルエチルノルボルネンの繰り返し単位を含む請求項６に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項１０】
前記少なくとも１種類のモノマーは少なくとも１種類のノルボルネン系モノマーを含む請求項１に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項１１】
前記少なくとも１種類のノルボルネン系モノマーはアルキルペンダントグループを有するノルボルネン系モノマーを含む請求項１０に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項１２】
前記少なくとも１種類のノルボルネン系モノマーはヘキシルノルボルネンおよびビス-ノルボルネンメトキシジメチルシランを含む請求項１０に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項１３】
前記ポリマーマトリックスはヘキシルノルボルネンの繰り返し単位およびジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランの繰り返し単位を含む請求項１１に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項１４】
前記少なくとも１種類のモノマーは架橋モノマーを含む請求項１に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項１５】
前記架橋モノマーはノルボルネン系架橋モノマーを含む請求項１４に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項１６】
前記コカタリストは光開始剤を含む請求項１に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項１７】
前記光開始剤は、化学線の照射に伴い、カチオンと弱配位アニオンとを生じるカチオン性光開始剤を含み、前記プロカタリストは前記弱配位アニオンと関連して前記潜在活性形態に変換される請求項１６に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項１８】
前記プロカタリストは式(E(R)3)2Pd(Q)2で表され、式中、「E(R)3」は第15族の中性電子ドナー配位子であり、「E」は周期律表の第15族から選択される元素であり、「E(R)3」中の「R」は、水素、その同位体およびハイドロカルビルを含む部位のうちの一つであり、「Q」はカルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子である請求項２に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項１９】
前記プロカタリストは式 [(E(R)3)aPd(Q)(LB)b]p[WCA]ｒで表され、式中、「E(R)3」は第15族の中性電子ドナー配位子であり、「E」は周期律表の第15族から選択される元素であり、「R」は水素、その同位体、およびアニオン性ハイドロカルビルを含む部位の一つであり、「Q」はカルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子であり、「ＬＢ」はルイス塩基であり、「ＷＣＡ」は弱配位アニオンであり、「a」は1，2又は3の整数であり、「b」は0，1又は2の整数であり、「a」と「b」の合計は1，2又は3の整数であり、「p」および「r」はパラジウムカチオンと弱配位アニオンが上記式[(E(R)3)aPd(Q)(LB)b]p[WCA]ｒの構造において電荷のバランスをとる数を表す請求項２に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項２０】
「p」および「r」はそれぞれ1および2の整数から選択される請求項１９に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項２１】
前記ポリマーマトリックスは繰り返し単位を含み、前記繰り返し単位の少なくとも一部はそれぞれ脱離性ペンダントグループを含み、前記脱離性ペンダントグループの少なくとも一部は、前記化学線の照射および前記第二の温度での加熱の結果として、前記ポリマーマトリックスから脱離して前記光誘発熱現像性フィルムから除去され、これによって前記第一の屈折率が変化する請求項１に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項２２】
前記脱離性ペンダントグループは-O-、Si-フェニルおよび-OSi-からなる群から選択される請求項２１に記載の光誘発熱現像性フィルム。  
【請求項２３】
さらに増感剤を含む請求項１に記載の光誘発熱現像性フィルム。  
【請求項２４】
第一の部分と前記第一の部分の横に隣接する第二の部分とを有する材料を含み、前記第一の部分は第一の屈折率を有する第一のノルボルネン系ポリマー材料を含み、前記第二の部分は前記第一の屈折率よりも低い第二の屈折率を有する第二のノルボルネン系ポリマー材料を含む光導波路。
【請求項２５】
前記第一の部分は光導波路のコア部分を含み、前記第二の部分は光導波路のクラッド部分を含む請求項２４に記載の光導波路。
【請求項２６】
前記第一および第二のノルボルネン系材料はアルキルノルボルネンの繰り返し単位を含む請求項２４に記載の光導波路。
【請求項２７】
前記アルキルノルボルネンの繰り返し単位はヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含む請求項２６に記載の光導波路。
【請求項２８】
前記第一および第二のノルボルネン系材料は第一のノルボルネン系の繰り返し単位と第二のノルボルネン系の繰り返し単位とを含む請求項２４に記載の光導波路。
【請求項２９】
前記第一のノルボルネン系の繰り返し単位はアルキルノルボルネンの繰り返し単位を含み、前記第二のノルボルネン系の繰り返し単位はノルボルネン系の繰り返し単位を含む請求項２８に記載の光導波路。
【請求項３０】
前記アルキルノルボルネンの繰り返し単位はヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含み、前記ノルボルネン系の繰り返し単位はジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランの繰り返し単位を含む請求項２９に記載の光導波路。
【請求項３１】
前記アルキルノルボルネンの繰り返し単位はヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含み、前記ノルボルネン系の繰り返し単位はベンジルノルボルネンの繰り返し単位を含む請求項２９に記載の光導波路。
【請求項３２】
前記アルキルノルボルネンの繰り返し単位はヘキシルノルボルネンの繰り返単位を含み、前記ノルボルネン系の繰り返し単位はフェニルエチルノルボルネンの繰り返し単位を含む請求項２９に記載の光導波路。
【請求項３３】
更に前記材料層に上下に隣接して配置されるクラッド層を含む請求項２５に記載の光導波路。
【請求項３４】
前記材料層の前記光導波路のクラッド部分および前記クラッド層は前記材料の層の前記光導波路のコア部分を取り囲み、前記クラッド層は第三のノルボルネン系ポリマー材料を含む請求項３３に記載の光導波路。
【請求項３５】
前記第三のノルボルネン系材料はアルキルノルボルネンの繰り返し単位を含む請求項３４に記載の光導波路。
【請求項３６】
前記アルキルノルボルネンの繰り返し単位はヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含む請求項３５に記載の光導波路。
【請求項３７】
前記第三のノルボルネン系ポリマー材料はエポキシペンダントグループを有するノルボルネン系の繰り返し単位を含む請求項３４に記載の光導波路。
【請求項３８】
第一の屈折率を有し、ポリマーマトリックス、前記ポリマーマトリックスと相溶性のある少なくとも１種類のモノマー、プロカタリストおよびコカタリストを含む第一の材料層を用意し（ここで、前記ポリマーマトリックスおよび前記少なくとも１種類のモノマーは異なる屈折率を有し、前記コカタリストは、化学線の照射に伴い、前記プロカタリストを潜在活性形態に変換し、前記潜在活性形態は、第一の温度での加熱に伴い、活性形態に変換される）；
前記第一の材料層の第一の部分に前記化学線を選択的に照射し；
前記第一の材料層を前記第一の温度で第一の加熱を行い、前記第一の屈折率を第二の屈折率に変換する光導波路の形成方法。
【請求項３９】
前記プロカタリストは、前記第一の温度よりも高い第二の温度での加熱に伴い、前記化学線の照射なしに、活性形態に変換する請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記コカタリストは、化学線の照射に伴い、カチオンと弱配位アニオンとを生じる光開始剤を含み、前記プロカタリストは前記弱配位アニオンと関連して前記潜在活性形態に変換される請求項３８に記載の方法。
【請求項４１】
前記少なくとも１種類のモノマーは少なくとも１種類のノルボルネン系モノマーを含む請求項３８に記載の方法。
【請求項４２】
更に、前記第一の材料層の上に第二の材料層を用意する工程を含み、前記第二の材料層は前記第二の屈折率と異なる第三の屈折率を有する請求項３８に記載の方法。
【請求項４３】
前記第二の材料層はポリマーマトリックス、前記第二の材料の前記ポリマーマトリックスと相溶性のある少なくとも１種類のモノマー、プロカタリストおよびコカタリストを含み、前記第二の材料層の前記コカタリストは、化学線の照射に伴い、前記第二の材料層の前記プロカタリストを潜在活性形態に変換し、前記第二の材料層の前記プロカタリストは、第一の温度での加熱に伴って、活性形態に変換され、前記活性形態にある前記第二の材料層の前記プロカタリストは前記第二の材料の前記少なくとも１種類のモノマーを重合する請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
前記第二の材料の前記コカタリストは、前記化学線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる光開始剤を含み、前記第二の材料層の前記プロカタリストは前記第二の材料層の前記弱配位アニオンと関連して前記潜在活性形態に変換される請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
前記第二の材料層の前記ポリマーマトリックスは、エポキシペンダントグループを有するノルボルネン系の繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーを含む請求項４３に記載の方法。
【請求項４６】
更に、前記第一の材料層を前記第二の温度で第二の加熱を行う工程を含む請求項３９に記載の方法。
【請求項４７】
前記第一の材料層を、前記第二の温度よりも少なくとも２０℃高い第三の温度で第三の加熱を行う請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】
前記ポリマーマトリックスはノルボルネン系ポリマーである請求項３８に記載の方法。
【請求項４９】
前記ポリマーマトリックスは第一の繰り返し単位と第二の繰り返し単位とを含む請求項３８に記載の方法。
【請求項５０】
前記第一の繰り返し単位はアルキルノルボルネンの繰り返し単位を含み、前記第二の繰り返し単位はノルボルネン系の繰り返し単位を含む請求項４９に記載の方法。
【請求項５１】
前記アルキルノルボルネンの繰り返し単位はヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含み、前記ノルボルネン系の繰り返し単位はジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランの繰り返し単位を含む請求項５０に記載の方法。
【請求項５２】
前記アルキルノルボルネンの繰り返し単位はヘキシルノルボルネンの繰り返単位を含み、前記ノルボルネン系の繰り返し単位はベンジルノルボルネンの繰り返し単位を含む請求項５０に記載の方法。
【請求項５３】
前記アルキルノルボルネンの繰り返し単位はヘキシルノルボルネンの繰り返単位を含み、前記ノルボルネン系の繰り返し単位はフェニルエチルノルボルネンの繰り返し単位を含む請求項５０に記載の方法。
【請求項５４】
前記プロカタリストは式(E(R)3)2Pd(Q)2で表され、式中、「E(R)3」は第15族の中性電子ドナー配位子であり、「E」は周期律表の第15族から選択される元素であり、「E(R)3」中の「R」は水素、その同位体およびハイドロカルビルを含む部位の一つであり、「Q」はカルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子である請求項３８に記載の方法。
【請求項５５】
前記プロカタリストは式 [(E(R)3)aPd(Q)(LB)b]p[WCA]ｒで表され、式中、「E(R)3」は第15族の中性電子ドナー配位子であり、「E」は第15族の元素であり、「R」は水素、その同位体およびアニオン性ハイドロカルビルを含む部位の一つであり、「Q」はカルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子であり、「ＬＢ」はルイス塩基であり、「ＷＣＡ」は弱配位アニオンであり、「a」は1，2又は3の整数であり、「b」は0，1又は2の整数であり、「a」と「b」の合計は1，2又は3であり、「p」および「r」はパラジウムカチオンと弱配位アニオンが上記式[(E(R)3)aPd(Q)(LB)b]p[WCA]ｒの構造において電荷のバランスをとる数を表す請求項３８に記載の方法。
【請求項５６】
「p」および「r」はそれぞれ1および2の整数から選択される請求項５５に記載の方法。
【請求項５７】
前記第一の屈折率は前記第二の屈折率よりも高く、前記第一の材料層の前記第一の部分は少なくとも１つのクラッド部分を含む請求項３８に記載の方法。
【請求項５８】
前記第一の屈折率は前記第二の屈折率よりも低く、前記第一の材料層の前記第一の部分は少なくとも１つのコア部分を含む請求項３８に記載の方法。
【請求項５９】
前記少なくとも１種類のモノマーは架橋モノマーを含む請求項３８に記載の方法。
【請求項６０】
前記架橋モノマーはノルボルネン系架橋モノマーを含む請求項５９に記載の方法。
【請求項６１】
前記第一の材料層は更に酸化防止剤を含む請求項３８に記載の方法。
【請求項６２】
前記第一の材料層は更に増感剤を含む請求項３８に記載の方法。
【請求項６３】
前記化学線は約２００〜４５０ｎｍのピーク波長を有する請求項３８に記載の方法。
【請求項６４】
前記照射の工程は、前記第一の材料層の前記第一の部分に、約1〜9 J/cm2の照射量で、前記化学線を照射する工程を含む請求項３８に記載の方法。
【請求項６５】
前記ポリマーマトリックスは、前記照射と第一の加熱の結果として、前記ポリマーマトリックスから少なくとも部分的に脱離して前記第一の材料層から除去される脱離性ペンダントグループを含む請求項３８に記載の方法。
【請求項６６】
前記脱離性ペンダントグループは-O-、Si-フェニルおよび-OSi-からなる群から選択される少なくとも１成分を含む請求項６５に記載の方法。
【請求項６７】
前記ポリマーマトリックスはジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランの繰り返し単位を含む請求項３８に記載の方法。
【請求項６８】
前記ポリマーマトリックスはヘキシルノルボルネンの繰り返し単位とジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランの繰り返し単位とを含む請求項３８に記載の方法。
【請求項６９】
前記第二の材料層はポリマーマトリックスと、化学線照射に伴ってカチオンおよび弱配位アニオンを生じる光開始剤とを含む請求項４２に記載の方法。
【請求項７０】
前記第二の材料層は、さらに前記第二の材料層の前記ポリマーマトリックスと相溶性のある少なくとも１種類のモノマーと；前記弱配位アニオンと関連して潜在活性形態に変換され、且つ前記第一の加熱に伴って前記第二の材料層の前記少なくとも１種類のモノマーを重合するプロカタリストと；を含む請求項６９に記載の方法。
【請求項７１】
前記照射の工程は前記第一の材料層をマスクエレメントでマスクする工程を含み、このマスクエレメントは、前記第一の材料層のうちの化学線に晒される前記第一の部分に対応する非マスク部分を有している請求項３８に記載の方法。
【請求項７２】
第一の屈折率を有し、脱離性ペンダントグループを含むポリマーマトリックスと、
化学線の照射に伴ってカチオンと弱配位アニオンとを生じる光開始剤と
を含む光誘発熱現像性フィルム
【請求項７３】
更に少なくとも１種類の酸化防止剤を含む請求項７２に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項７４】
前記ポリマーマトリックスはホモポリマー、コポリマーおよび三元重合体のうちの一つを含む請求項７２に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項７５】
前記ポリマーマトリックスは第一の繰り返し単位と第二の繰り返し単位とを含む請求項７２に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項７６】
前記第一の繰り返し単位はアルキルノルボルネン系の繰り返し単位を含み、前記第二の繰り返し単位はノルボルネン系の繰り返し単位を含む請求項７５に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項７７】
前記アルキルノルボルネン系の繰り返し単位はヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含み、前記ノルボルネン系の繰り返し単位はジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランの繰り返し単位を含む請求項７６に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項７８】
さらにプロカタリストと、前記ポリマーマトリックスと相溶性のある少なくとも１種類のモノマーとを含む請求項７２に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項７９】
前記プロカタリストは前記弱配位アニオンと関連して潜在活性形態に変換され、十分な熱の適用に伴って活性形態に変換され、前記活性形態の前記プロカタリストは前記少なくとも１種類のモノマーを重合する請求項７８に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項８０】
前記少なくとも１種類のモノマーは少なくとも１種類のノルボルネン系モノマーを含む請求項７８に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項８１】
前記少なくとも１種類のノルボルネン系モノマーはヘキシルノルボルネンおよびビス-ノルボルネンメトキシジメチルシランを含む請求項８０に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項８２】
前記ポリマーマトリックスはヘキシルノルボルネンの繰り返し単位およびジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランの繰り返し単位を含む請求項８１に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項８３】
前記少なくとも１種類のノルボルネン系モノマーはアルキルペンダントグループを有するノルボルネン系モノマーを含む請求項８０に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項８４】
前記少なくとも１種類のモノマーはノルボルネン系架橋モノマーを含む請求項７８に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項８５】
前記プロカタリストは式(E(R)3)2Pd(Q)2で表され、式中、「E(R)3」は第15族の中性電子ドナー配位子であり、「E」は周期律表の第15族から選択される元素であり、「E(R)3」中の「R」は水素、その同位体およびハイドロカルビルを含む部位の一つであり、「Q」はカルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子である請求項７８に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項８６】
前記プロカタリストは式 [(E(R)3)aPd(Q)(LB)b]p[WCA]ｒで表され、式中、「E(R)3」は第15族の中性電子ドナー配位子であり、「E」は第15族の元素であり、「R」は水素、その同位体、およびアニオン性ハイドロカルビルを含む部位の一つであり、「Q」はカルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子であり、「ＬＢ」はルイス塩基であり、「ＷＣＡ」は弱配位アニオンであり、「a」は1，2又は3の整数であり、「b」は0，1又は2の整数であり、「a」と「b」の合計は1，2又は3であり、「p」および「r」はパラジウムカチオンと弱配位アニオンが上記式[(E(R)3)aPd(Q)(LB)b]p[WCA]ｒの構造にて電荷のバランスをとる数を表す請求項７８に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項８７】
「p」および「r」はそれぞれ1および2の整数から選択される請求項８６に記載の光誘発熱現像性フィルム。
【請求項８８】
前記脱離性ペンダントグループは-O-、Si-フェニルおよび-OSi-からなる群から選択される少なくとも１種類の成分を含む請求項７２に記載の光誘発熱現像性フィルム。  
【請求項８９】
さらに増感剤を含む請求項７２に記載の光誘発熱現像性フィルム。  
【請求項９０】
少なくとも１個のクラッド部分と横に隣接する少なくとも１個のコア部分とを含む導波路層を含む光導波路であって、
前記少なくとも１個の横に隣接するコア部分は第一のポリマー材料を含み、この第一のポリマー材料は第一の繰り返し単位を含み、前記第一の繰り返し単位のそれぞれは脱離性ペンダントグループを有しており、
前記少なくとも１個のクラッド部分は前記第一のポリマー材料を含み、前記脱離性ペンダントグループは、少なくとも部分的に、前記第一の繰り返し単位の少なくとも一部が欠落しており、前記少なくとも１個の横に隣接するコア部分の第一の屈折率は前記少なくとも１個のクラッド部分の第二の屈折率よりも高くなっている光導波路。
【請求項９１】
前記第一のポリマー材料はノルボルネン系ポリマーである請求項９０に記載の光導波路。
【請求項９２】
前記第一のポリマー材料は更に第二の繰り返し単位を含む請求項９０に記載の光導波路。
【請求項９３】
前記第一の繰り返し単位はジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランの繰り返し単位を含み、前記第二の繰り返し単位はヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含む請求項９２に記載の光導波路。
【請求項９４】
前記第一のポリマー材料は更に少なくとも１種類のモノマーに由来する繰り返し単位を含み、前記少なくとも１種類のモノマーは前記第一のポリマー材料の屈折率よりも低い屈折率を有しており、前記少なくとも１個のクラッド部分は、前記少なくとも１種類のモノマーに由来する前記繰り返し単位の濃度が、前記少なくとも１個の横に隣接するコア部分よりも、高くなっている請求項９０に記載の光導波路。
【請求項９５】
前記少なくとも１種類のモノマーはノルボルネン系モノマーである請求項９４に記載の光導波路。
【請求項９６】
前記少なくとも１種類のモノマーは架橋モノマーである請求項９４に記載の光導波路。
【請求項９７】
前記架橋モノマーはノルボルネン系架橋モノマーを含む請求項９６に記載の導波路。
【請求項９８】
前記第一のポリマー材料はホモポリマー、コポリマーおよび三元重合体のうちの一つを含む請求項９０に記載の光導波路。
【請求項９９】
前記光導波路はさらにプロカタリストおよびその残渣の少なくとも１個を含んでいる請求項９０に記載の光導波路。
【請求項１００】
前記プロカタリストは式(E(R)3)2Pd(Q)2で表され、式中、「E(R)3」は第15族の中性電子ドナー配位子であり、「E」は周期律表の第15族から選択される元素であり、「E (R)3」中の「R」は水素、その同位体およびハイドロカルビルを含む部位の一つであり、「Q」はカルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子である請求項９９に記載の光導波路。
【請求項１０１】
前記プロカタリストは式 [(E(R)3)aPd(Q)(LB)b]p[WCA]ｒで表され、式中、「E (R)3」は第15族の中性電子ドナー配位子であり、「E」は周期律表の第15族から選択される元素であり、「R」は水素、その同位体およびアニオン性ハイドロカルビルを含む部位の一つであり、「Q」はカルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子であり、「ＬＢ」はルイス塩基であり、「ＷＣＡ」は弱配位アニオンであり、「a」は1，2又は3の整数であり、「b」は0，1又は2の整数であり、「a」と「b」の合計は1，2又は3であり、「p」および「r」はパラジウムカチオンと弱配位アニオンが上記式[(E(R)3)aPd(Q)(LB)b]p[WCA]ｒの構造において電荷のバランスをとる数を表す請求項９９に記載の光導波路。
【請求項１０２】
「p」および「r」はそれぞれ1および2の整数から選択される請求項１０１に記載の光導波路。
【請求項１０３】
さらに酸化防止剤を含む請求項９０に記載の光導波路。
【請求項１０４】
前記脱離性ペンダントグループは-O-、Si-フェニルおよび-OSi-からなる群から選択される少なくとも１種類の成分を含む請求項９０に記載の光導波路。
【請求項１０５】
さらに前記導波路層の上に配置されたクラッド層を含む請求項９０に記載の光導波路。
【請求項１０６】
前記クラッド層はノルボルネン系ポリマーを含む請求項１０５に記載の光導波路。
【請求項１０７】
更に前記光導波路層を支持する基板を含む請求項９０に記載の光導波路。
【請求項１０８】
第一の屈折率を有するフィルムを用意し（ここで、前記フィルムは、ポリマーマトリックスおよび光開始剤を含み、前記ポリマーマトリックスは少なくとも一部が脱離性ペンダントグループを有する繰り返し単位を含み、前記光開始剤は化学線の照射に伴いカチオンと弱配位アニオンとを生じる）；
前記フィルムの第一の部分に前記化学線を選択的に照射し；
前記フィルムを第一の温度で加熱し、前記繰り返し単位の少なくとも一部の前記脱離性ペンダントグループは、前記照射および加熱の結果として、少なくとも部分的に脱離して前記第一の部分から除去され、これによって前記第一の屈折率を第二の屈折率に変化させる光導波路の形成方法。
【請求項１０９】
前記繰り返し単位はノルボルネン系の繰り返し単位である請求項１０８に記載の方法。
【請求項１１０】
前記ノルボルネン系の繰り返し単位はヘキシルノルボルネンの繰り返し単位および／またはジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランの繰り返し単位を含む請求項１０９に記載の方法。
【請求項１１１】
前記フィルムは、さらに、少なくとも１種類のモノマーとプロカタリストとを含み、前記プロカタリストは前記弱配位アニオンと関連して潜在活性形態に変換され、前記第一の温度での加熱に伴って活性形態に変換され、前記活性形態の前記プロカタリストは前記少なくとも１種類のモノマーを重合する請求項１０８の方法。
【請求項１１２】
前記少なくとも１種類のモノマーはノルボルネン系モノマーを含む請求項１１１に記載の方法。
【請求項１１３】
前記少なくとも１種類のモノマーは架橋モノマーを含む請求項１１１に記載の方法。
【請求項１１４】
前記架橋モノマーはノルボルネン系架橋モノマーを含む請求項１１３に記載の方法。
【請求項１１５】
前記プロカタリストは、前記第一の温度よりも高い第二の温度への加熱に伴い、前記化学線の照射なしに、活性形態に変換される請求項１１１に記載の方法。
【請求項１１６】
さらに、前記フィルムを前記第二の温度に加熱する工程を含む請求項１１５に記載の方法。
【請求項１１７】
さらに、前記フィルムを、前記第二の温度よりも少なくとも２０℃高い第三の温度に加熱する工程を含む請求項１１６に記載の方法。
【請求項１１８】
前記フィルムは更に酸化防止剤を含む請求項１０８に記載の方法。
【請求項１１９】
前記プロカタリストは式(E(R)3)2Pd(Q)2で表され、式中、「E(R)3」は第15族の中性電子ドナー配位子であり、「E」は周期律表の第15族から選択される元素であり、「E(R)3」中の「R」は水素、その同位体およびハイドロカルビルを含む部位の一つであり、「Q」はカルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子である請求項１１１に記載の方法。
【請求項１２０】
前記プロカタリストは式 [(E(R)3)aPd(Q)(LB)b]p[WCA]ｒで表され、式中、「E(R)3」は第15族の中性電子ドナー配位子であり、「E」は周期律表の第15族から選択される元素であり、「R」は水素、その同位体、およびアニオン性ハイドロカルビルを含む部位の一つであり、「Q」はカルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子であり、「ＬＢ」はルイス塩基であり、「ＷＣＡ」は弱配位アニオンであり、「a」は1，2又は3の整数であり、「b」は0，1又は2の整数であり、「a」と「b」の合計は1，2又は3であり、「p」および「r」はパラジウムカチオンと弱配位アニオンが上記式[(E(R)3)aPd(Q)(LB)b]p[WCA]ｒの構造において電荷のバランスをとる数を表す請求項１１１に記載の方法。
【請求項１２１】
「p」および「r」はそれぞれ1および2の整数から選択される請求項１２０に記載の方法。
【請求項１２２】
前記化学線は約２００〜４５０ｎｍのピーク波長を有する請求項１０８に記載の方法。
【請求項１２３】
前記照射の工程は、前記フィルムの前記第一の部分に、約1〜9 J/cm2の照射量で照射する工程を含む請求項１０８に記載の方法。
【請求項１２４】
前記脱離性ペンダントグループは-O-、Si-フェニルおよび-OSi-からなる群から選択される少なくとも１成分を含む請求項１０８に記載の方法。
【請求項１２５】
さらに前記フィルムの上に第二のフィルムを用意する工程を含み、前記第二のフィルムはポリマーマトリックスおよび光開始剤を含み、前記第二のフィルムの前記ポリマーマトリックスは少なくともその一部が脱離性ペンダントグループを有する繰り返し単位を含み、前記第二のフィルムの前記光開始剤は、化学線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる請求項１０８に記載の方法。
【請求項１２６】
前記脱離性ペンダントグループは-O-、Si-フェニルおよび-OSi-からなる群から選択される少なくとも１成分を含む請求項１２５に記載の方法。
【請求項１２７】
前記第一の部分は前記光導波路構造のクラッド部分を含む請求項１０８に記載の方法。
【請求項１２８】
前記照射の工程は、前記第一の部分に対応する非マスク部分を有するマスクエレメントで前記フィルムをマスクする工程を含む請求項１０８に記載の方法。
【請求項１２９】
前記フィルムは更に増感剤を含む請求項１０８に記載の方法。