【手続補正書】
【提出日】平成19年11月14日(2007.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自身のフェースに少なくとも２ｃｍ２の大面積を有し、かつ、前記フェースの成長表面積のｃｍ２当たり３×１０６転位を超えない均一な低転位密度を有する、非切断単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料。    
【請求項２】
ｃ軸に沿ってバルク成長方向だけに成長された単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料であって、少なくとも２ｃｍの直径を有し、かつ、成長表面積のｃｍ２当たり３×１０６転位を超えない均一な低表面転位密度を有する材料。    
【請求項３】
請求項１または２に記載のＧａＮ材料。    
【請求項４】
ドーパント種でドープされた、請求項１〜３のいずれか一項に記載の材料。    
【請求項５】
１５ｃｍ２を超える大面積を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の材料。    
【請求項６】
少なくとも０．１ｍｍの厚さを有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の材料。
【請求項７】
２ｃｍを超える直径と、少なくとも０．１ｍｍの厚さと、１×１０６ｃｍ−２を超えないＡＤＤと、２５％未満のＤＤＳＤＲと、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶窒化ガリウム。    
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の材料を含む物品。    
【請求項９】
前記材料がヘテロエピタキシャル基板上にあり、前記ヘテロエピタキシャル基板が、サファイア、炭化ケイ素、ガリウム砒素、シリコン、没食子酸リチウム、アルミン酸リチウム、没食子酸リチウムアルミニウム、酸化亜鉛、ダイヤモンド、スピネルおよび酸化マグネシウムからなる群から選択される材料を含む、請求項８に記載の物品。    
【請求項１０】
少なくとも５０μｍの厚さを有する結晶形状である、請求項９に記載の物品。    
【請求項１１】
前記大面積を含む表面を有する請求項９または１０に記載の物品であって、前記表面の直径が少なくとも２インチである物品。    
【請求項１２】
２〜８インチの直径を有する、請求項１または２に記載の材料を含むウエハ。    
【請求項１３】
前記単結晶窒化ガリウム材料における結晶面のｃ面と平行なフェースを有する、請求項１２に記載のウエハ。    
【請求項１４】
請求項２に記載の材料を含むウエハであって、前記ウエハが、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物の前記ｃ面に対して角度をなして配置された表面を有し、前記角度が、約０．１〜約１０度の範囲にあるウエハ。    
【請求項１５】
自身の少なくとも１つのフェースが鏡面仕上げに研磨された、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載のウエハ。    
【請求項１６】
ラッピング、研磨および化学機械研磨の少なくとも１つを含むプロセスによって仕上げられた、請求項１２〜１５のいずれか一項に記載のウエハ。    
【請求項１７】
化学機械研磨を含むプロセスによって仕上げられた、請求項１２〜１６のいずれか一項に記載のウエハ。    
【請求項１８】
少なくとも１つのエピタキシャル層を自身の上に有する、請求項１２〜１７のいずれか一項に記載のウエハ。    
【請求項１９】
請求項１２〜１８のいずれか一項に記載のウエハと、前記ウエハ上に製作されたエレクトロニクスデバイス構造と、を含むエレクトロニクスデバイス物品。    
【請求項２０】
前記エレクトロニクスデバイス構造が発光ダイオードを含む、請求項１９に記載のエレクトロニクスデバイス物品。    
【請求項２１】
大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に形成するための気相成長法であって、（ｉ）ピット化成長条件下で気相成長技術によって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を前記基板に成長させる１つまたは複数のステップを含む第１段階と、（ｉｉ）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面においてピットのクロージャおよび欠陥の消滅を達成するピット充填条件下で、前記気相成長技術によって前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる１つまたは複数のステップを含む第２段階と、を含む方法。    
【請求項２２】
前記第１段階の成長が、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の前記成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成する、請求項２１に記載の方法。    
【請求項２３】
前記成長表面の前記ピット密度が、前記第１段階の成長の終わりに、前記成長表面において少なくとも１００ピット／ｃｍ２である、請求項２１または２２に記載の方法。    
【請求項２４】
前記第２段階の成長が、前記成長表面が１０ピット／ｃｍ２を超えないピット密度を有するまで、継続される、請求項２１〜２３のいずれか一項に記載の方法。    
【請求項２５】
前記第２段階の成長が、前記成長表面が本質的にピットのない表面になるまで継続される、請求項２１〜２３のいずれか一項に記載の方法。    
【請求項２６】
前記第２段階の成長が、前記成長表面が１ピット／ｃｍ２を超えないピット密度を有するまで、継続される、請求項２１〜２３のいずれか一項に記載の方法。    
【請求項２７】
前記単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料がＧａＮを含み、気相成長技術がＨＶＰＥ法を含む、請求項２３〜２６のいずれか一項に記載の方法。    
【請求項２８】
前記第１段階の成長が、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の前記成長表面の少なくとも９０％にわたりピットを形成する、請求項２１〜２７のいずれか一項に記載の方法。    
【請求項２９】
前記第１段階の成長において前記成長表面に形成されたピットが、前記第１段階の成長の終わりに２５μｍを超える平均サイズを有する、請求項２１〜２８のいずれか一項に記載の方法。    
【請求項３０】
前記第２段階の成長が、前記第１段階の成長条件で生成された前記ピットの充填をもたらす第１ステージの成長条件と、続いて、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料のｃ面上に優先的な成長をもたらす第２ステージの成長条件とを含む、請求項２１〜２９のいずれか一項に記載の方法。    
【請求項３１】
成長条件セット間の段階的な遷移を含む、請求項３０に記載の方法。    
【請求項３２】
前記第１段階の成長および前記第２段階の成長のいずれかがアンモニアフローを含み、前記第２段階の成長が、前記第１段階の成長よりも高い成長温度および／または低いアンモニア流量を含む、請求項２１〜３１のいずれか一項に記載の方法。    
【請求項３３】
前記第１段階の成長および前記第２段階の成長のいずれかがアンモニアフローを含み、前記第２段階の成長が、前記第１段階の成長よりも低いアンモニア流量を含む、請求項２１〜３２のいずれか一項に記載の方法。    
【請求項３４】
前記第１段階の成長および前記第２段階の成長のいずれもがアンモニアおよび塩化水素のいずれものフローを含み、前記第２段階の成長が、前記第１段階の成長よりも、塩化水素とアンモニアの比率が低い、請求項２１〜３２のいずれか一項に記載の方法。    
【請求項３５】
ドーパント種で前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料をドープすることをさらに含む、請求項２１〜３４のいずれか一項に記載の方法。    
【請求項３６】
ｐ型にドープされたか、ｎ型にドープされたか、または半絶縁にドープされた特性を与えるために、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料をドープすることをさらに含む、請求項２１〜３４のいずれか一項に記載の方法。    
【請求項３７】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料が、１５ｃｍ２を超える大面積を有する、請求項２１〜３６のいずれか一項に記載の方法。    
【請求項３８】
前記第２段階の成長の終わりにおける前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料が、１×１０６ｃｍ−２を超えない転位密度を有する、請求項２１〜３７のいずれか一項に記載の方法。    
【請求項３９】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料がヘテロエピタキシャル基板上で成長され、前記ヘテロエピタキシャル基板が、サファイア、炭化ケイ素、ガリウム砒素、シリコン、没食子酸リチウム、アルミン酸リチウム、没食子酸リチウムアルミニウム、酸化亜鉛、ダイヤモンド、スピネルおよび酸化マグネシウムからなる群から選択される材料を含む、請求項２１〜３８のいずれか一項に記載の方法。    
【請求項４０】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料から前記ヘテロエピタキシャル基板を除去することをさらに含む、請求項３９に記載の方法。    
【請求項４１】
前記ヘテロエピタキシャル基板が、前記成長ステップの終わりにおける、成長温度である１００℃内の温度での基板のインサイチュエッチングと、前記基板の機械研削と、前記基板の化学研削と、からなる群から選択される除去技術によって前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料から除去される、請求項４０に記載の方法。    
【請求項４２】
前記成長ステップが、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料をインゴット形状で生成するプロセス条件下で行なわれる、請求項２１〜４１のいずれか一項に記載の方法。    
【請求項４３】
大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に形成するための気相成長法であって、（ｉ）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の前記成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、気相成長技術によって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を前記基板に成長させる第１段階であって、前記成長表面上のピット密度が、前記第１段階の終わりに、前記成長表面において少なくとも１００／ｃｍ２である段階と、（ｉｉ）ピットを充填するピット充填条件下で前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させて、本質的にピットのない表面を生成する第２段階と、を含む方法。    
【請求項４４】
請求項２１〜４３のいずれか一項に記載の方法に従って製作されるウエハ。