Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月9日(2007.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のクライアントと、
前記クライアントからのリクエストを処理する複数のサーバを含み、前記複数のサーバの数を動的に変更するサーバ・クラスタと、によって構成されるクライアント・サーバシステムに用いられる負荷分散方法であって、
前記クライアントは、
前記サーバ・クラスタを構成するサーバの数を検出し、
サーバ数の増加が検出された場合に、該増加したサーバに対して送出されるリクエストの配分を、当初は他のサーバに比べて小さく、その後、時間の経過とともに増加するように設定し、
前記設定された配分に基づいて前記複数のサーバに対してリクエストを送出することを特徴とする負荷分散方法。
【請求項２】
前記クライアントは、前記サーバの状態に関する情報として、キャッシュヒット率、キャッシュ使用率又はリクエストの待ち数に関する情報の一つ以上を取得し、該取得した情報に基づいて、該増加したサーバに対して送出されるリクエストの配分を設定することを特徴とする請求項１に記載の負荷分散方法。
【請求項３】
前記クライアントは、前記サーバとの間の通信接続数を設定することによって、前記増加したサーバに対して送出されるリクエストの配分を設定することを特徴とする請求項１に記載の負荷分散方法。
【請求項４】
前記クライアント・サーバシステムは、前記サーバに接続されるストレージ装置を備え、
前記サーバは、前記ストレージ装置に記憶されるファイルの格納場所を示すディレクトリ情報を保持し、
前記クライアントは、前記サーバに送出されるリクエストの各サーバに対する割当として、各サーバへの前記ディレクトリ情報を格納する割当を変更することによって、前記各サーバに対して送出されるリクエストの配分を設定することを特徴とする請求項１に記載の負荷分散方法。
【請求項５】
複数のクライアントと、
前記クライアントからのリクエストを処理する複数のサーバを含み、前記複数のサーバの数を動的に変更するサーバ・クラスタと、によって構成されるクライアント・サーバシステムであって、
前記クライアントは、
前記各サーバに対して送出されるリクエストの配分を設定する負荷設定部と、
前記サーバ・クラスタを構成するサーバの数を検出する台数検出部と、
前記負荷設定部によって設定された配分に基づいて、前記複数のサーバに対してリクエストを送出する負荷分散部と、を備え、
前記負荷設定部は、前記台数検出部によってサーバ数の増加が検出された直後は、該増加したサーバに対して送出されるリクエストの配分を他のサーバに比べて小さく設定することを特徴とするクライアント・サーバシステム。
【請求項６】
前記クライアントは、前記サーバに送出されるリクエストの各サーバに対する割当てを保持する割当保持部を備え、
前記負荷分散部は、前記リクエストの前記サーバに対する割当を変更することによって、前記各サーバに対して送出するリクエストの配分を設定することを特徴とする請求項５に記載のクライアント・サーバシステム。
【請求項７】
前記クライアント・サーバシステムは、前記サーバに接続されるストレージ装置を備え、
前記サーバは、前記ストレージ装置に記憶されるファイルの格納場所を示すディレクトリ情報を保持するディレクトリ情報保持部を備え、
前記クライアントは、前記サーバに送出されるリクエストの各サーバに対する割当として、前記ディレクトリ情報を格納しているサーバの割当を保持する割当管理部を備え、
前記負荷分散部は、前記ディレクトリ情報を格納しているサーバの割当を変更することによって、前記各サーバに対して送出するリクエストの配分を設定することを特徴とする請求項６に記載のクライアント・サーバシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月13日(2007.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気回路のタイミングを解析するための方法であって、
ａ）前記電気回路のネットリスト、１つまたは複数のアサーション、１つまたは複数のパラメータ化された遅延モデル、および１つまたは複数の変動要因を入力するステップと、
ｂ）１つまたは複数のノードおよび１つまたは複数のエッジを有し、前記電気回路を表現するタイミング・グラフを作成するステップと、
ｃ）統計的到達時間の前方伝播について前記タイミング・グラフをレベル均しするステップと、
ｄ）前記タイミング・グラフの各レベルで、前記ノードの各々での１つまたは複数の統計的到達時間を、前記統計的到達時間の各々が１つまたは複数の前記変動要因の確率分布の加重和となるように、伝播させるステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記統計的到達時間が、前記電気回路の各ノードについての到達時間によって決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記電気回路の１つまたは複数のノードの統計的スリューが、１つまたは複数の前記変動要因の確率分布の加重和の形式で決定され、出力される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
遅モードの統計的タイミング解析が実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
早モードの統計的タイミング解析が実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
別個の立ち上がりおよび立ち下がりの統計的遅延が、前記電気回路の各構成要素に供給され、前記電気回路の１つまたは複数のノードについて、別個の立ち上がりおよび立ち下がりの統計的到達時間が決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記電気回路の１つまたは複数のノードで、１つまたは複数の別個の立ち上がりおよび立ち下がりの統計的要求到達時間、別個の立ち上がりおよび立ち下がりの統計的スラック、および別個の立ち上がりおよび立ち下がりの統計的スリューが決定される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記電気回路の各構成要素についての前記パラメータ化された遅延モデルが、確定的部分、相関部分、および独立なランダム部分のうちの１つまたは複数の部分を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記変動要因が相関している、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記変動要因が独立である、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記パラメータ化された遅延モデルが、回路シミュレータによってオンザフライに決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
各アサーションが、確定的か統計的かのいずれかである、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
ａ）統計的要求到達時間の後方伝播について前記タイミング・グラフをレベル均しするステップと、
ｂ）前記タイミング・グラフの各レベルで、前記ノードの各々での１つまたは複数の統計的要求到達時間を、前記統計的要求到達時間の各々が１つまたは複数の前記変動要因の確率分布の加重和となるように、伝播させるステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記統計的要求到達時間が、前記電気回路の各ノードについての到達時間によって決定される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記電気回路の１つまたは複数のノードの統計的スラックが、１つまたは複数の前記変動要因の確率分布の加重和の形式で決定され、出力される、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月14日(2007.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
言語モデルの学習を行うためのコーパスを作成する方法であって、
定義済み単語および規則と一致するテキストの第１のコーパスから単語候補のリストを抽出すること、
前記第１のコーパスのテキストについての単語主型の指示を供給する前記第１のコーパスの注釈にアクセスすること、
関連付けられている文字列の形態主型および形態副型を形成する部分の組合せを、前記注釈の関数として示す、前記第１のコーパス内の複数の形態タグを供給すること、および、
前記第１のコーパスより大きいテキストの第２のコーパスに、前記第１のコーパスに基づいて前記第２のコーパス内のテキストについての単語主型の指示の注釈を付けること
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記注釈は、前記単語が語彙であるか、形態的派生単語であるか、ファクトイドであるか、名前付きエンティティであるかを示す指示を備えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記形態主型は、接辞添加、反復、分割、マージ、および見出し不変化詞のうちの１つであることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記形態タグを供給することは、前記部分の組合せに対する発語の一部を示すことをさらに含むことを特徴とする請求項１、２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記形態タグを供給することは、前記部分の組合せに対する文字パターンを示すことをさらに含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記第２のコーパスを使用して、言語モデルを学習すること、および、
前記言語モデルを使用してテキストのテストコーパスを処理して、前記テストコーパスのテキスト内の単語を示す出力と前記テストコーパスのテキストの分かち書きの指示とを供給すること
をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記言語モデルの出力を、前記テストコーパスの分かち書きを定義する所与の注釈と比較すること、および、
前記比較に基づいて前記言語モデルの出力を評価すること
をさらに備えたことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記比較することは、前記出力と前記所与の注釈の双方に現れる一致した単語を特定することを含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記評価は、一致する単語に基づいた有効性の値を供給することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
分かち書き言語モデルを評価する方法であって、
注釈付きのコーパスに基づいて分かち書き言語モデルを構成すること、
前記分かち書き言語モデルを、前記注釈付きのコーパスとは異なる、分かち書きされていないテキストのテストコーパスに適用すること、
前記分かち書き言語モデルの出力を、前記テストコーパスの単語の所与の分かち書きと比較すること、および、
前記出力と前記所与の分かち書きとの比較に基づいて、前記分かち書き言語モデルを評価し、前記分かち書き言語モデルの有効性の指示を、個々の単語の型の関数として供給すること
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記評価は、前記所与の分かち書き内の単語と一致する、前記出力内の単語を特定することをさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記比較は、前記出力および前記所与の分かち書き内の人名、地名、組織名、オーバーラップするあいまいな文字列、およびカバーするあいまいな文字列を比較することを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記有効性の指示は、人名、地名、組織名、オーバーラップするあいまいな文字列、およびカバーするあいまいな文字列の前記比較に基づいて供給することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】言語モデルの学習を行うためのコーパスを作成する方法
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月7日(2007.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を、紙文書を用いて、アクセスする方法であって：
プレゼンテーションで提示された1つ以上のスライドについての時間情報を有する第１情報を格納する工程；
を有し、該１つ以上のスライドにおけるスライド毎の該時間情報が、該スライドが該プレゼンテーション中にいつ提示されたかを示すものであり；
更に、該プレゼンテーション用紙文書上に印刷された一連のスライドからのスライドの選定を示す信号を受信する工程；及び
該第１情報を用いて該選定スライドについての時間情報を判定する工程；
を有し、該選定スライドについての該時間情報は、該選定スライドが該プレゼンテーション中にいつ提示された、かを、示し；
更に、該選定スライドについて判定された該時間情報に基づいて該プレゼンテーション中に記録された情報からの情報をアクセスする工程；
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、該第１情報を格納する工程が：
該プレゼンテーション中に記録された該情報から抽出された1つ以上の画像を受信するするサブ工程；
該プレゼンテーションで提示された該1つ以上のスライドを、該１つ以上の抽出画像を、該プレゼンテーション用該紙文書上に印刷された該一連のスライドにおけるスライドの画像と、比較することによって識別するサブ工程；及び
該比較に基づいて該１つ以上のスライドにおけるスライド毎の該時間情報を判定するサブ工程；
を有することを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法であって、更に：
該選定スライドについての情報の種類の選定を示す信号を受信する工程；
を有し、該プレゼンテーション中に記録された上記情報からの上記情報をアクセスする工程が：
該選定スライドについて判定された該時間情報に基づいて該選定種類の情報をアクセスするサブ工程；
を有することを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法であって、更に：
該選定スライドについて行われる操作の選定を示す信号を受信する工程；及び
該プレゼンテーション中に記録された上記情報から上記情報に該選定操作を行う工程；
を有することを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項４記載の方法であって、該選定操作を行う工程が：
該アクセス情報を、出力デバイスを介して、出力するサブ工程；
を有することを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項４記載の方法であって、該選定操作を行う工程が：
該アクセス情報を保存するサブ工程；
を有することを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項４記載の方法であって、該選定操作を行う工程が：
該アクセス情報を伝達するサブ工程；
を有することを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１記載の方法であって、更に：
該プレゼンテーション用該紙文書上に印刷された該一連のスライドを識別する第２情報を格納する工程；
を有し、該第１情報が該プレゼンテーションの実施前に格納されることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の方法をコンピュータに実行させるプログラム。
【請求項１０】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の方法をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項１１】
システムであって：
データ処理システム；及び
プレゼンテーションで提示された1つ以上のスライドについての時間情報を有する第１情報を格納するよう構成されたメモリ；
を有し、該１つ以上のスライドにおけるスライド毎の該時間情報が、該スライドが該プレゼンテーション中にいつ提示されたかを示し、該メモリが更に、該プレゼンテーション中に記録された情報を格納するよう構成され；
該データ処理システムは：
該プレゼンテーション用紙文書上に印刷された一連のスライドからのスライドの選定を示す信号を受信する手段；及び
該第１情報を用いて該選定スライドについての時間情報を判定する手段；
を有し、該選定スライドについての該時間情報が、該選定スライドが該プレゼンテーション中にいつ提示されたかを示し；
該データ処理システムは更に、該選定スライドについて判定された該時間情報に基づいて該プレゼンテーション中に記録された上記情報からの情報をアクセスする手段；
を有することを特徴とするシステム。
【請求項１２】
請求項１１記載のシステムであって、該データ処理システムが：
該プレゼンテーション中に記録された該情報から抽出された1つ以上の画像を受信するする手段；
該プレゼンテーションで提示された該1つ以上のスライドを、該１つ以上の抽出画像を、該プレゼンテーション用該紙文書上に印刷された該一連のスライドにおけるスライドの画像と、比較することによって識別する手段；及び
該比較に基づいて該１つ以上のスライドにおけるスライド毎の該時間情報を判定する手段；
を有することを特徴とするシステム。
【請求項１３】
請求項１１記載のシステムであって、該データ処理システムが：
該選定スライドについての情報の種類の選定を示す信号を受信する手段；及び
該選定スライドについて判定された該時間情報に基づいて該選定種類の情報をアクセス
する手段；
を有することを特徴とするシステム。
【請求項１４】
請求項１１記載のシステムであって、該データ処理システムが：
該選定スライドについて行われる操作の選定を示す信号を受信する手段；及び
該プレゼンテーション中に記録された該情報からアクセスされた該情報に該選定操作を行う手段；
を有することを特徴とするシステム。
【請求項１５】
請求項１４記載のシステムであって、該データ処理システムが：
該アクセス情報を、出力デバイスを介して、出力する手段；
を有することを特徴とするシステム。
【請求項１６】
請求項１４記載のシステムであって、該データ処理システムが：
該アクセス情報を保存する手段；
を有することを特徴とするシステム。
【請求項１７】
請求項１４記載のシステムであって、該データ処理システムが：
該アクセス情報を伝達する手段；
を有することを特徴とするシステム。
【請求項１８】
請求項１４記載のシステムであって、該メモリが該プレゼンテーション用該紙文書上に印刷された該一連のスライドを識別する第２情報を格納するよう構成され、該第１情報が該プレゼンテーションの実施前に格納されることを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月18日(2007.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記第３段階は、前記判別信号に対応して前期スキャンパルスを生成するための基準クロック信号の周期を可変させる段階を含むことを特徴とする請求項１０記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月11日(2007.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正孔障壁層と、
光発生層と、
電荷輸送層と、
を有する光導電性画像形成部材であって、
前記正孔障壁層は、
金属アルコキシドと、
アミノアルキルシラン、アミノアルコキシシラン、又はアミノアルキルアルコキシシランと、
ポリマーバインダと、
有機溶媒と、
を含む溶液より生成することを特徴とする光導電性画像形成部材。
【請求項２】
請求項１に記載の光導電性画像形成部材であって、
前記金属アルコキシドは、次の構造式で示されるチタンイソプロポキシドであることを特徴とする光導電性画像形成部材。
【化１】
2005092216.tif 000001
【請求項３】
請求項１に記載の光導電性画像形成部材であって、
前記金属アルコキシドは、
チタンメトキシド、チタンブトキシド、ジルコニウムブトキシド、又はチタンエトキシドであることを特徴とする光導電性画像形成部材。
【請求項４】
必要に応じた支持基板と、
正孔障壁層と、
光発生層と、
電荷輸送層と、
を有する光導電性画像形成部材であって、
前記正孔障壁層は、
チタンアルコキシドと、
アミノアルキルシランと、
必要に応じたポリマーバインダと、
を有することを特徴とする光導電性画像形成部材。
【請求項５】
請求項１に記載の光導電性画像形成部材であって、
前記光発生層は、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニンを有することを特徴とする光導電性画像形成部材。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月12日(2007.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非同期通信網を介して同期通信を行う通信システムであって、
基準クロックを生成するクロック生成装置と、
前記クロック生成装置と前記非同期通信網との間に設けられるマスタ通信装置と、
複数の同期通信網のそれぞれに１つずつ設けられ、対応する同期通信網と前記非同期通信網との間に設けられる複数の従属通信装置と
を備え、
前記マスタ通信装置は、
前記クロック生成装置によって生成された基準クロックを受信する基準クロック受信手段と、
前記基準クロック受信手段が受信した基準クロックに同期したマスタクロックを生成するマスタクロック生成手段と、
前記マスタクロックに関する情報を含む同期情報を生成する同期情報生成手段と、
前記同期情報を格納した同期情報フレームを生成し、生成した同期情報フレームを、前記非同期通信網を介して、複数の前記従属通信装置のそれぞれへ送信する同期情報フレーム送信手段と
を有し、
前記従属通信装置は、
前記マスタ通信装置から送信された同期情報フレームおよび他の従属通信装置から送信された非同期フレームを、前記非同期通信網を介して受信すると共に、非同期フレームを、前記非同期通信網を介して他の従属通信装置へ送信する非同期フレーム送受信手段と、
前記同期通信網内の通信機器と同期フレームを送受信する同期フレーム送受信手段と、
前記同期フレーム送受信手段が受信した同期フレームを非同期フレームのフォーマットに変換し、変換した非同期フレームを、前記非同期フレーム送受信手段に送信させると共に、前記非同期フレーム送受信手段が受信した非同期フレームを同期フレームのフォーマットに変換し、変換した同期フレームを、前記同期フレーム送受信手段に送信させるフレーム変換手段と、
前記非同期フレーム送受信手段が受信したフレームの中から前記同期情報フレームを抽出する同期フレーム抽出手段と、
前記同期フレーム抽出手段によって抽出された同期情報フレームに基づいてマスタクロックを再生し、再生したマスタクロックを、前記非同期フレーム送受信手段、前記同期フレーム送受信手段、前記フレーム変換手段、および前記同期フレーム抽出手段のそれぞれに供給するクロック再生手段と
を有することを特徴とする通信システム。
【請求項２】
請求項１に記載の通信システムであって、
前記同期情報フレーム送信手段は、
前記マスタクロック生成手段によって生成されたマスタクロックに基づいて、予め定められたクロック数毎に、前記同期情報フレームを、前記非同期通信網を介して、複数の前記従属通信装置のそれぞれへ送信し、
前記クロック再生手段は、
前記同期情報フレームの受信間隔を統計処理することにより、前記マスタクロックを再生すること
を特徴とする通信システム。
【請求項３】
請求項１に記載の通信システムであって、
前記同期情報生成手段は、
所定のタイミング毎に、前記マスタクロック生成手段によって生成されたマスタクロックに同期して動作するカウンタのタイムスタンプ値を含む同期情報を生成し、
前記クロック再生手段は、
複数の前記同期情報フレーム内の同期情報に含まれるタイムスタンプ値に基づいて前記マスタクロックを再生すること
を特徴とする通信システム。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の通信システムであって、
前記同期情報生成手段は、
前記基準クロック受信手段によって前記基準クロックが正常に受信されたか否かを示す情報であるクロック情報をさらに生成し、
同期情報フレーム送信手段は、
前記クロック情報を、前記同期情報フレームにさらに格納し、
前記クロック再生手段は、
前記同期情報フレーム内の同期情報に、前記基準クロック受信手段が前記基準クロックを正常に受信されなかった旨が格納されている場合に、直前に再生したマスタクロックを、引き続き前記非同期フレーム送受信手段、同期フレーム送受信手段、およびフレーム変換手段のそれぞれに供給すること
を特徴とする通信システム。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の通信システムであって、
前記従属通信装置は、
前記マスタ通信装置から複数ルートにて送信されてくる同期情報フレームを受信する手段と、
障害を監視する手段と、
障害検出時に選択する同期情報フレームを切り替える手段と
をさらに有することを特徴とする通信システム。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の通信システムであって、
前記マスタ通信装置および前記複数の従属通信装置のそれぞれは、
前記非同期通信網を介して、互いに仮想的な通信路を形成すること
を特徴とする通信システム。
【請求項７】
請求項６に記載の通信システムであって、
前記仮想的な通信路は、
ＩＥＥＥ８０２．１Ｑに規定されるＶＬＡＮ技術を用いて形成されること
を特徴とする通信システム。
【請求項８】
請求項７に記載の通信システムであって、
前記同期情報フレームに付加されるＶＬＡＮヘッダ内のＵｓｅｒ  Ｐｒｉｏｒｉｔｙフィールドの値は、前記複数の従属通信装置間で送受信される非同期フレームに付加されるＶＬＡＮヘッダ内のＵｓｅｒ  Ｐｒｉｏｒｉｔｙフィールドの値よりも、優先度が高くなる値に設定されていること
を特徴とする通信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信システム
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月25日(2007.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
圧電体の表面に、バンプに接合するパッド電極と、このパッド電極と一体である励振電極とを形成する電極形成工程を備える圧電振動片の製造方法であって、
前記電極形成工程では、下地層を形成してから、この下地層より表層側に金を主成分とする層を形成するようになっており、
前記電極形成工程の後に、前記パッド電極の金を主成分とする層に、さらに金を主成分とする膜を形成する厚膜形成工程を有する
ことを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的は、第１の発明によれば、圧電体の表面に、バンプに接合するパッド電極と、このパッド電極と一体である励振電極とを形成する電極形成工程を備える圧電振動片の製造方法であって、前記電極形成工程では、下地層を形成してから、この下地層より表層側に金を主成分とする層を形成するようになっており、前記電極形成工程の後に、前記パッド電極の金を主成分とする層に、さらに金を主成分とする膜を形成する厚膜形成工程を有する圧電振動片の製造方法により達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第１の発明の構成によれば、励振電極とパッド電極とを圧電体の表面に形成する電極形成工程では、下地層を形成してから、この下地層より表層側に金を主成分とする層を形成するようになっているが、この電極形成工程の後に、パッド電極の金を主成分とする層に、さらに金を主成分とする膜を形成する厚膜形成工程を有している。このため、パッド電極は、電極形成工程で形成した金の膜に、厚膜形成工程で形成した金の膜が上乗せされて、金の膜厚が大きくなる。したがって、超音波を印加してバンプとパッド電極とを接合する際、この金の膜厚が大きくなった分だけ、バンプが下地層に到達する恐れを有効に抑制し、下地層の拡散によるパッド電極の剥離を有効に防止できる。
しかも、圧電振動片のパッド電極と励振電極とを一体に形成しているが、厚膜形成工程では、パッド電極の金を主成分とする層に、金を主成分とする膜を形成しているので、励振電極の部分の膜厚はパッド電極のように厚くなることはない。したがって、圧電振動片の振動特性に悪影響を及ぼすこともない。
かくして、本発明によれば、バンプを用いて圧電振動片を正確に位置決めすると共に、優れた振動特性を有する圧電振動片の製造方法を提供できるという作用効果を発揮する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月30日(2007.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材、該絶縁基材上に設けられた導体パターンを備え、該絶縁基材に導電性ペースト組成物が充填されたビアホールが形成されてなる配線基板を、該配線基板同士を複数重ね合わせて、または、該配線基板とは異なる、熱可塑性樹脂組成物以外からなる配線基板と交互に重ね合わせて、熱融着により一括積層または逐次積層してなる多層配線基板であって、
前記導電性ペースト組成物が、導電粉末と、バインダー成分とを含み、該導電粉末および該バインダー成分の質量比が、９０／１０以上９８／２未満であり、
前記導電粉末が、第１の合金粒子と第２の金属粒子とからなり、
前記第１の合金粒子が、１８０℃以上２６０℃未満の融点を有する非鉛半田粒子であり、
前記第２の金属粒子が、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕからなる群から選ばれる少なくとも一種以上であり、前記第１の合金粒子と前記第２の金属粒子との質量比が、７６／２４以上９０／１０未満であり、
前記バインダー成分が、マレイミド類を含有する混合物であり、
前記非鉛半田粒子の融点における、前記熱可塑性樹脂組成物の貯蔵弾性率が、１０ＭＰａ以上５ＧＰａ未満である、多層配線基板。
【請求項２】
熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材、該絶縁基材上に設けられた導体パターンを備え、該絶縁基材に導電性ペースト組成物が充填されたビアホールが形成されてなる配線基板を、該配線基板同士を複数重ね合わせて、または、該配線基板とは異なる、熱可塑性樹脂組成物以外からなる配線基板と交互に重ね合わせて、熱融着により一括積層または逐次積層してなる多層配線基板であって、
前記導電性ペースト組成物が、導電粉末と、バインダー成分とを含み、該導電粉末および該バインダー成分の質量比が、９０／１０以上９８／２未満であり、
前記導電粉末が、第１の合金粒子と第２の金属粒子とからなり、
前記第１の合金粒子が、１８０℃以上２６０℃未満の融点を有する非鉛半田粒子であり、
前記第２の金属粒子が、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕからなる群から選ばれる少なくとも一種以上であり、前記第１の合金粒子と前記第２の金属粒子との質量比が、７６／２４以上９０／１０未満であり、
前記バインダー成分が、加熱により硬化する重合性単量体の混合物であり、前記非鉛半田粒子の融点が、前記バインダー成分の硬化温度範囲に含まれ、
前記非鉛半田粒子の融点における、前記熱可塑性樹脂組成物の貯蔵弾性率が、１０ＭＰａ以上５ＧＰａ未満である、多層配線基板。
【請求項３】
前記第１の合金粒子および前記第２の金属粒子の平均粒径が１０μｍ以下であり、平均粒径差が２μｍ以下である、請求項１または２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記バインダー成分が、アルケニルフェノール化合物およびマレイミド類の混合物である、請求項１〜３のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記アルケニルフェノール化合物および前記マレイミド類の混合割合が、モル比で、３０／７０以上７０／３０未満である、請求項４に記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記配線基板の熱融着による一括積層または逐次積層が、温度２００℃以上２６０℃未満、圧力３ＭＰａ以上８ＭＰａ未満で行われるものであって、前記第１の合金粒子と前記第２の金属粒子間、および／または、前記第１の合金粒子と前記導体パターンを形成する金属との間で金属拡散接合が形成されている、請求項１〜５のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記熱可塑性樹脂組成物が、２６０℃以上の結晶融解ピーク温度（Ｔｍ）を有する、ポリアリールケトン樹脂および非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物である、請求項１〜６のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項８】
前記熱可塑性樹脂以外からなる配線基材が、ガラスエポキシ基板（ＦＲ４基板）、２層ポリイミド基板、擬似２層ポリイミド基板、３層ポリイミド基板、液晶ポリマー（ＬＣＰ）基板、および、低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板からなる群から選ばれる一種以上の配線基板である、請求項１〜７のいずれかに記載の多層配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
第一の本発明において、熱可塑性樹脂以外からなる配線基板３００は、ガラスエポキシ基板（ＦＲ４基板）、２層ポリイミド基板、擬似２層ポリイミド基板、３層ポリイミド基板、液晶ポリマー（ＬＣＰ）基板、および、低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板からなる群から選ばれる一種以上の配線基板であることが好ましい。これら例示した熱可塑性樹脂組成物以外からなる配線基板３００は、熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材１０を備えた配線基板１００と交互に重ね合わせて、熱融着により良好に積層することができる。
第二の本発明は、熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材（１０）、該絶縁基材上に設けられた導体パターン（２０）を備え、該絶縁基材に導電性ペースト組成物（４０）が充填されたビアホール（３０）が形成されてなる配線基板（１００）を、該配線基板同士を複数重ね合わせて、または、該配線基板とは異なる、熱可塑性樹脂組成物以外からなる配線基板（３００）と交互に重ね合わせて、熱融着により一括積層または逐次積層してなる多層配線基板であって、導電性ペースト組成物（４０）が、導電粉末と、バインダー成分とを含み、該導電粉末および該バインダー成分の質量比が、９０／１０以上９８／２未満であり、導電粉末が、第１の合金粒子と第２の金属粒子とからなり、第１の合金粒子が、１８０℃以上２６０℃未満の融点を有する非鉛半田粒子であり、第２の金属粒子が、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕからなる群から選ばれる少なくとも一種以上であり、第１の合金粒子と第２の金属粒子との質量比が、７６／２４以上９０／１０未満であり、バインダー成分がマレイミド類を含有する混合物であり、非鉛半田粒子の融点における、熱可塑性樹脂組成物の貯蔵弾性率が、１０ＭＰａ以上５ＧＰａ未満である、多層配線基板（２００）である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
（ビアホール充填用導電性ペースト組成物の作製）
Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金粒子（平均粒径５．５５μｍ、融点２２０℃、Ｓｎ：Ａｇ：Ｃｕ（質量比）＝９６．５：３：０．５）７６質量％およびＣｕ粒子（平均粒径５μｍ）２４質量％の割合で混合した導電粉末９７質量部に対して、ジメタリルビスフェノールＡ５０質量％およびビス（４−マレイミドフェニル）メタン５０質量％の割合で混合した重合性単量体の混合物３質量部、ならびに溶剤としてγブチロラクトン７．２質量部、を添加して、３本ロールで混練して導電性ペースト組成物を調製した。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月30日(2007.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
（導電性ペースト組成物の作製）
Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金粒子（平均粒径５．５５μｍ、融点２２０℃、Ｓｎ：Ａｇ：Ｃｕ（質量比）＝９６．５：３：０．５）７６質量％およびＣｕ粒子（平均粒径５μｍ）２４質量％の割合で混合した導電粉末９７質量部に対して、ジメタリルビスフェノールＡ５０質量％およびビス（４−マレイミドフェニル）メタン５０質量％の割合で混合した重合性単量体の混合物３質量部、ならびに溶剤としてγブチロラクトン７．２質量部、を添加して、３本ロールで混練して導電性ペースト組成物を調製した。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月30日(2007.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材、該絶縁基材上に設けられた導体パターンを備え、該絶縁基材に導電性ペースト組成物が充填されたビアホールが形成されてなる配線基板を、該配線基板同士を複数重ね合わせて、または、該配線基板とは異なる、熱可塑性樹脂組成物以外からなる配線基板と交互に重ね合わせて、熱融着により一括積層または逐次積層してなる多層配線基板における、前記ビアホールに充填する導電性ペースト組成物であって、
導電粉末と、バインダー成分とを含み、該導電粉末および該バインダー成分の質量比が、９０／１０以上９８／２未満であり、
前記導電粉末が、第１の合金粒子と第２の金属粒子とからなり、
前記第１の合金粒子が、１８０℃以上２６０℃未満の融点を有する非鉛半田粒子であり、
前記第２の金属粒子が、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕからなる群から選ばれる少なくとも一種以上であり、前記第１の合金粒子と前記第２の金属粒子との質量比が、７６／２４以上９０／１０未満であり、
前記バインダー成分が、マレイミド類を含有する混合物である、
ビアホール充填用導電性ペースト組成物。
【請求項２】
熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材、該絶縁基材上に設けられた導体パターンを備え、該絶縁基材に導電性ペースト組成物が充填されたビアホールが形成されてなる配線基板を、該配線基板同士を複数重ね合わせて、または、該配線基板とは異なる、熱可塑性樹脂組成物以外からなる配線基板と交互に重ね合わせて、熱融着により一括積層または逐次積層してなる多層配線基板における、前記ビアホールに充填する導電性ペースト組成物であって、
導電粉末と、バインダー成分とを含み、該導電粉末および該バインダー成分の質量比が、９０／１０以上９８／２未満であり、
前記導電粉末が、第１の合金粒子と第２の金属粒子とからなり、
前記第１の合金粒子が、１８０℃以上２６０℃未満の融点を有する非鉛半田粒子であり、
前記第２の金属粒子が、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕからなる群から選ばれる少なくとも一種以上であり、前記第１の合金粒子と前記第２の金属粒子との質量比が、７６／２４以上９０／１０未満であり、
前記バインダー成分が、加熱により硬化する重合性単量体の混合物であり、前記非鉛半田粒子の融点が、前記バインダー成分の硬化温度範囲に含まれている、
ビアホール充填用導電性ペースト組成物。
【請求項３】
前記バインダー成分が、アルケニルフェノール化合物およびマレイミド類の混合物である、請求項１または２に記載のビアホール充填用導電性ペースト組成物。
【請求項４】
前記第１の合金粒子および前記第２の金属粒子の平均粒径が１０μｍ以下であり、平均粒径差が２μｍ以下である、請求項１〜３のいずれかに記載のビアホール充填用導電性ペースト組成物。
【請求項５】
前記第１の合金粒子が、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ、および、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉからなる群から選ばれる一種以上の非鉛半田粒子である、請求項１〜４のいずれかに記載のビアホール充填用導電性ペースト組成物。
【請求項６】
前記アルケニルフェノール化合物がジメタリルビスフェノールＡで、
前記マレイミド類がビス（４−マレイミドフェニル）メタンであり、
前記ジメタリルビスフェノールＡおよび前記ビス（４−マレイミドフェニル）メタンのモル比が、３０／７０以上７０／３０未満である、請求項３〜５のいずれかに記載のビアホール充填用導電性ペースト組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
第一の本発明において、アルケニルフェノール化合物がジメタリルビスフェノールＡで、マレイミド類がビスマレイミドであり、ジメタリルビスフェノールＡおよびビスマレイミドのモル比が、３０／７０以上７０／３０未満であることが好ましい。このようなバインダー成分を使用することによって、導体接着力をより良好なものとすることができる。
第二の本発明は、熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材（１０）、該絶縁基材上に設けられた導体パターン（２０）を備え、該絶縁基材（１０）に導電性ペースト組成物（４０）が充填されたビアホール（３０）が形成されてなる配線基板（１００）を、該配線基板（１００）同士を複数重ね合わせて、または、該配線基板（１００）とは異なる、熱可塑性樹脂組成物以外からなる配線基板（３００）と交互に重ね合わせて、熱融着により一括積層または逐次積層してなる多層配線基板（２００）における、前記ビアホールに充填する導電性ペースト組成物（４０）であって、導電粉末と、バインダー成分とを含み、該導電粉末および該バインダー成分の質量比が、９０／１０以上９８／２未満であり、前記導電粉末が、第１の合金粒子と第２の金属粒子とからなり、前記第１の合金粒子が、１８０℃以上２６０℃未満の融点を有する非鉛半田粒子であり、前記第２の金属粒子が、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕからなる群から選ばれる少なくとも一種以上であり、前記第１の合金粒子と前記第２の金属粒子との質量比が、７６／２４以上９０／１０未満であり、前記バインダー成分が、マレイミド類を含有する混合物である、ビアホール充填用導電性ペースト組成物である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
（ビアホール充填用導電性ペースト組成物の作製）
Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金粒子（平均粒径５．５５μｍ、融点２２０℃、Ｓｎ：Ａｇ：Ｃｕ（質量比）＝９６．５：３：０．５）７６質量％およびＣｕ粒子（平均粒径５μｍ）２４質量％の割合で混合した導電粉末９７質量部に対して、ジメタリルビスフェノールＡ５０質量％およびビス（４−マレイミドフェニル）メタン５０質量％の割合で混合した重合性単量体の混合物３質量部、ならびに溶剤としてγブチロラクトン７．２質量部、を添加して、３本ロールで混練して導電性ペースト組成物を調製した。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月16日(2007.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
輝度信号が入力される入力手段と、
前記入力手段に入力された１フレーム分の輝度信号から、各輝度レベルのヒストグラムデータを取得する取得手段と、
前記取得手段で取得された各輝度レベルのヒストグラムデータの中から、画面内の所定の領域を占めるように表示される無画部分に対応するヒストグラムデータを除去する度数変換手段と、
前記度数変換手段で度数変換処理が施されたヒストグラムデータに基づいて、前記入力手段に入力された輝度信号に非線形補正処理を施すための非線形補正処理用テーブルを作成する作成手段と、
前記作成手段で作成された非線形補正処理用テーブルに基づいて、前記入力手段に入力された輝度信号に非線形補正処理を施す処理手段とを具備することを特徴とする映像信号処理装置。
【請求項２】
前記度数変換手段は、
前記入力手段に入力された１フレーム分の輝度信号に対して、予め画面中央部に設定された所定の領域から各輝度レベルのヒストグラムデータを取得する第１の手段と、
前記第１の手段で取得したヒストグラムデータを、前記取得手段で取得された各輝度レベルのヒストグラムデータから減算する第２の手段と、
前記第２の手段で得られたヒストグラムデータの中から、予め設定された値に基づいて前記無画部分に対応するヒストグラムデータを検出する第３の手段と、
前記第３の手段で検出されたヒストグラムデータを、前記取得手段で取得された各輝度レベルのヒストグラムデータから減算する第４の手段とを具備することを特徴とする請求項１記載の映像信号処理装置。
【請求項３】
前記第３の手段は、
前記第２の手段で得られたヒストグラムデータの中から、予め無画部分を判定するために設定された輝度レベルに対応するヒストグラムデータを検出する第５の手段と、
前記第５の手段で検出されたヒストグラムデータの中から、１フレーム分の輝度信号中で無画部分が占める画素数として予め設定された数より多いものを検出する第６の手段とを具備することを特徴とする請求項２記載の映像信号処理装置。
【請求項４】
前記第６の手段は、
前記取得手段で取得された各輝度レベルのヒストグラムデータの総データ数を算出する第７の手段と、
前記第７の手段で算出された等データ数に、１フレーム分の輝度信号中で無画部分が占める割合として予め設定されたパラメータを乗算する第８の手段とを具備し、
前記第８の手段の出力値を、１フレーム分の輝度信号中で無画部分が占める画素数としていることを特徴とする請求項３記載の映像信号処理装置。
【請求項５】
前記第３の手段は、前記第６の手段で検出されたヒストグラムデータの中から、最も多いものを無画部分に対応するヒストグラムデータとして検出することを特徴とする請求項３記載の映像信号処理装置。
【請求項６】
前記度数変換手段は、前記取得手段で取得された各輝度レベルのヒストグラムデータの中から、レターボックス方式及びサイドパネル方式の少なくとも一方の映像信号に含まれる無画部分に対応するヒストグラムデータを除去することを特徴とする請求項１記載の映像信号処理装置。
【請求項７】
放送信号を受信する受信手段と、
前記受信手段で受信された放送信号から輝度信号を復元する第１の復元手段と、
前記第１の復元手段で復元された１フレーム分の輝度信号から、各輝度レベルのヒストグラムデータを取得する取得手段と、
前記取得手段で取得された各輝度レベルのヒストグラムデータの中から、画面内の所定の領域を占めるように表示される無画部分に対応するヒストグラムデータを除去する度数変換手段と、
前記度数変換手段で度数変換処理が施されたヒストグラムデータに基づいて、前記第１の復元手段で復元された輝度信号に非線形補正処理を施すための非線形補正処理用テーブルを作成する作成手段と、
前記作成手段で作成された非線形補正処理用テーブルに基づいて、前記第１の復元手段で復元された輝度信号に非線形補正処理を施す処理手段と、
前記受信手段で受信された放送信号から色信号を復元する第２の復元手段と、
前記第２の復元手段で復元された色信号に対して、前記第１の復元手段で復元された輝度信号に基づいた振幅補正処理を施す補正手段と、
前記補正手段で振幅補正処理が施された色信号と、前記処理手段で非線形補正処理が施された輝度信号とに基づいて映像表示を行なう表示手段とを具備することを特徴とする放送受信装置。
【請求項８】
輝度信号を入力する入力工程と、
前記入力工程で入力された１フレーム分の輝度信号から、各輝度レベルのヒストグラムデータを取得する取得工程と、
前記取得工程で取得された各輝度レベルのヒストグラムデータの中から、画面内の所定の領域を占めるように表示される無画部分に対応するヒストグラムデータを除去する度数変換工程と、
前記度数変換工程で度数変換処理が施されたヒストグラムデータに基づいて、前記入力工程で入力された輝度信号に非線形補正処理を施すための非線形補正処理用テーブルを作成する作成工程と、
前記作成工程で作成された非線形補正処理用テーブルに基づいて、前記入力工程で入力された輝度信号に非線形補正処理を施す処理工程とを具備することを特徴とする映像信号処理方法。
【請求項９】
前記度数変換工程は、
前記入力工程で入力された１フレーム分の輝度信号に対して、予め画面中央部に設定された所定の領域から各輝度レベルのヒストグラムデータを取得する第１の工程と、
前記第１の工程で取得したヒストグラムデータを、前記取得工程で取得された各輝度レベルのヒストグラムデータから減算する第２の工程と、
前記第２の工程で得られたヒストグラムデータの中から、予め設定された値に基づいて前記無画部分に対応するヒストグラムデータを検出する第３の工程と、
前記第３の工程で検出されたヒストグラムデータを、前記取得工程で取得された各輝度レベルのヒストグラムデータから減算する第４の工程とを具備することを特徴とする請求項８記載の映像信号処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月12日(2007.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタおよびその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に接して設けられた、ソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域の間に形成されたチャネル形成領域とを含む半導体膜と、
を有する薄膜トランジスタであって、
前記ゲート絶縁膜は、ボロン元素を含む窒化酸化シリコン膜を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
ソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域の間に形成されたチャネル形成領域とを含む、絶縁表面上に設けられた半導体膜と、
前記チャネル形成領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を有する薄膜トランジスタであって、
前記ゲート絶縁膜は、ボロン元素を含む窒化酸化シリコン膜を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記ゲート絶縁膜は積層構造を有し、
前記窒化酸化シリコン膜は前記ゲート電極に接して設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記絶縁表面は、ボロン元素を含む窒化酸化シリコン膜から形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一において、
ボロン元素を含む窒化酸化シリコン膜が前記絶縁表面上に接して形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項６】
絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた、ソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域の間に形成されたチャネル形成領域とを有し、
前記絶縁膜は、ボロン元素を含む窒化酸化シリコン膜を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項７】
絶縁膜上に設けられたソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域の間に形成されたチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを有し、
前記絶縁膜は、ボロン元素を含む窒化酸化シリコン膜を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記窒化酸化シリコン膜中のボロン元素の組成比率は０．１〜５０ａｔｏｍｓ％であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記窒化酸化シリコン膜中の酸素の組成比率は１〜３０ａｔｏｍｓ％であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記窒化酸化シリコン膜の内部応力は−５×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２〜５×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記薄膜トランジスタは、ボロン元素を含む窒化酸化シリコン膜で覆われていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
前記半導体膜は結晶質半導体膜であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
前記半導体膜は非晶質半導体膜であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１４】
絶縁表面上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にボロン元素を含む窒化酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に半導体薄膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１５】
絶縁表面上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にボロン元素を含む窒化酸化シリコン膜からなる第１のゲート絶縁膜を形成し、
前記第１のゲート絶縁膜上に第２のゲート絶縁膜を形成し、
前記第２のゲート絶縁膜上に半導体薄膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１６】
絶縁表面上に半導体薄膜を形成し、
前記半導体薄膜上にボロン元素を含む窒化酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１７】
請求項１４乃至１６のいずれか一において、
前記絶縁表面は、ボロン元素を含む窒化酸化シリコン膜から形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１８】
請求項１４乃至１７のいずれか一において、
前記窒化酸化シリコン膜は、酸化窒素ガスを含む雰囲気中においてボロン元素が添加された半導体ターゲットを用いたスパッタリング法により形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１９】
請求項１４乃至１７のいずれか一において、
前記窒化酸化シリコン膜は、ボロン元素を含むガスと酸化窒素ガスとからなる雰囲気中において、半導体ターゲットを用いたスパッタリング法により形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記雰囲気中のボロン元素の含有比率を連続的または段階的に変化させて窒化酸化シリコン膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２１】
請求項１８乃至２０のいずれか一において、
前記酸化窒素ガスとは、一酸化一窒素ガス、一酸化二窒素ガス、二酸化窒素ガス及び三酸化窒素ガスのうちの一種または複数種、またはこれらのガスを不活性ガスや酸素ガスやアンモニアで希釈したガスであることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。