【手続補正書】
【提出日】平成19年2月13日(2007.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子が有する電極の一方とソースまたはドレインの一方が電気的に接続した駆動用ＴＦＴと、
前記駆動用ＴＦＴのソースまたはドレインの他方が電気的に接続した電源供給線と、
前記電源供給線とソースまたはドレインの一方が電気的に接続したスイッチング用ＴＦＴ及び消去用ＴＦＴと、
前記スイッチング用ＴＦＴのソースまたはドレインの他方が接続したソース信号線と、
前記スイッチング用ＴＦＴのゲートが電気的に接続した第１のゲート信号線と、
前記消去用ＴＦＴのゲートが電気的に接続した第２のゲート信号線と、を有し、
前記駆動用ＴＦＴのゲートは前記スイッチング用ＴＦＴのソースまたはドレインの一方及び前記消去用ＴＦＴのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記駆動用ＴＦＴのゲート、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート、前記消去用ＴＦＴのゲート、前記電源供給線、前記ソース信号線、前記第１のゲート信号線及び前記第２のゲート信号線は液滴吐出法を用いてＺｎＯまたはＴｉＯ２上に設けられ、
前記第１のゲート信号線及び前記第２のゲート信号線は、前記駆動用ＴＦＴのゲート、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート、前記消去用ＴＦＴのゲートよりも太い配線であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
発光素子と、
前記発光素子が有する電極の一方とソースまたはドレインの一方が電気的に接続した駆動用ＴＦＴと、
前記駆動用ＴＦＴのソースまたはドレインの他方が電気的に接続した電源供給線と、
前記電源供給線と一方の電極が電気的に接続した容量素子と、
前記容量素子の他方の電極とソースまたはドレインの一方が接続したスイッチング用ＴＦＴと、
前記スイッチング用ＴＦＴのソースまたはドレインの他方が接続したソース信号線と、
前記スイッチング用ＴＦＴのゲートが電気的に接続した第１のゲート信号線と、
前記電源供給線とソースまたはドレインの一方が電気的に接続した消去用ＴＦＴと、
前記消去用ＴＦＴのゲートが電気的に接続した第２のゲート信号線と、を有し、
前記駆動用ＴＦＴのゲートは前記スイッチング用ＴＦＴのソースまたはドレインの一方及び前記消去用ＴＦＴのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記駆動用ＴＦＴのゲート、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート、前記消去用ＴＦＴのゲート、前記電源供給線、前記ソース信号線、前記第１のゲート信号線及び前記第２のゲート信号線は液滴吐出法を用いてＺｎＯまたはＴｉＯ２上に設けられ、
前記第１のゲート信号線及び前記第２のゲート信号線は、前記駆動用ＴＦＴのゲート、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート、前記消去用ＴＦＴのゲートよりも太い配線であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記スイッチング用ＴＦＴはチャネル形成領域を含む半導体膜を有しており、前記半導体膜はセミアモルファス半導体または非晶質半導体を用いていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記駆動用ＴＦＴはチャネル形成領域を含む半導体膜を有しており、前記半導体膜はセミアモルファス半導体または非晶質半導体を用いていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記消去用ＴＦＴはチャネル形成領域を含む半導体膜を有しており、前記半導体膜はセミアモルファス半導体または非晶質半導体を用いていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記発光素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極の間に形成された電界発光層とを有し、
前記第１の電極、前記第２の電極または前記電界発光層のいずれかは、液滴吐出法を用いて形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
基板表面にＺｎＯまたはＴｉＯ２を形成し、
前記ＺｎＯまたはＴｉＯ２上に、駆動用ＴＦＴのゲートと、スイッチング用ＴＦＴのゲートと、消去用ＴＦＴのゲートと、ソース信号線と、第１のゲート信号線と、第２のゲート信号線と、電源供給線とを液滴吐出により形成し、
前記駆動用ＴＦＴのゲートと、前記スイッチング用ＴＦＴのゲートと、前記消去用ＴＦＴのゲートと、前記ソース信号線と、前記第１の信号線と、前記第２のゲート信号線と、前記電源供給線を覆う絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して、前記駆動用ＴＦＴのゲートと、前記スイッチング用ＴＦＴのゲートと、前記消去用ＴＦＴのゲート上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に一導電型を付与する不純物が添加された第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に配線を形成し、
前記配線をマスクとして前記第２の半導体膜をエッチングすることによって、駆動用ＴＦＴと、スイッチング用ＴＦＴと、消去用ＴＦＴとを形成し、
前記駆動用ＴＦＴが有する配線上に撥液性を有する有機材料を選択的に形成し、
前記駆動用ＴＦＴと、スイッチング用ＴＦＴと、消去用ＴＦＴを覆って液滴吐出法を用いて層間絶縁膜を形成するとともに前記撥液性を有する材料が形成された箇所にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールを介して前記駆動用ＴＦＴと接続する第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層と第２の電極とを形成することによって発光素子を形成する発光装置の作製方法であって、
前記第１のゲート信号線及び前記第２のゲート信号線は、前記駆動用ＴＦＴのゲート、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート、前記消去用ＴＦＴのゲートよりも太い配線であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
基板表面にＺｎＯまたはＴｉＯ２を形成し、
前記ＺｎＯまたはＴｉＯ２上に、駆動用ＴＦＴのゲートと、スイッチング用ＴＦＴのゲートと、消去用ＴＦＴのゲートと、ソース信号線と、第１のゲート信号線と、第２のゲート信号線と、電源供給線とを液滴吐出により形成し、
前記駆動用ＴＦＴのゲートと、前記スイッチング用ＴＦＴのゲートと、前記消去用ＴＦＴのゲートと、前記ソース信号線と、前記第１の信号線と、前記第２のゲート信号線と、前記電源供給線を覆う絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して、前記駆動用ＴＦＴのゲートと、前記スイッチング用ＴＦＴのゲートと、前記消去用ＴＦＴのゲート上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に一導電型を付与する不純物が添加された第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に配線を形成し、
前記配線をマスクとして前記第２の半導体膜をエッチングすることによって、駆動用ＴＦＴと、スイッチング用ＴＦＴと、消去用ＴＦＴとを形成し、
前記駆動用ＴＦＴが有する配線上に撥液性を有する有機材料を選択的に形成し、
前記駆動用ＴＦＴと、スイッチング用ＴＦＴと、消去用ＴＦＴを覆って液滴吐出法を用いて層間絶縁膜を形成するとともに前記撥液性を有する材料が形成された箇所にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールを介して前記駆動用ＴＦＴと接続する第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層と第２の電極とを形成することによって発光素子を形成する発光装置の作製方法であって、
前記第１のゲート信号線及び前記第２のゲート信号線は、前記駆動用ＴＦＴのゲート、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート、前記消去用ＴＦＴのゲートよりも太い配線であり、
前記第１のゲート信号線及び前記第２のゲート信号線を液滴吐出法で形成した後に前記前記スイッチング用ＴＦＴのゲート、前記消去用ＴＦＴのゲートを形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
基板表面にＺｎＯまたはＴｉＯ２を形成し、
前記ＺｎＯまたはＴｉＯ２上に、駆動用ＴＦＴのゲートと、スイッチング用ＴＦＴのゲートと、消去用ＴＦＴのゲートと、ソース信号線と、第１のゲート信号線と、第２のゲート信号線と、電源供給線とを液滴吐出により形成し、
前記駆動用ＴＦＴのゲートと、前記スイッチング用ＴＦＴのゲートと、前記消去用ＴＦＴのゲートと、前記ソース信号線と、前記第１の信号線と、前記第２のゲート信号線と、前記電源供給線を覆う絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して、前記駆動用ＴＦＴのゲートと、前記スイッチング用ＴＦＴのゲートと、前記消去用ＴＦＴのゲート上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に一導電型を付与する不純物が添加された第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に配線を形成し、
前記配線をマスクとして前記第２の半導体膜をエッチングすることによって、駆動用ＴＦＴと、スイッチング用ＴＦＴと、消去用ＴＦＴとを形成し、
前記駆動用ＴＦＴが有する配線上に撥液性を有する有機材料を選択的に形成し、
前記駆動用ＴＦＴと、スイッチング用ＴＦＴと、消去用ＴＦＴを覆って液滴吐出法を用いて層間絶縁膜を形成するとともに前記撥液性を有する材料が形成された箇所にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールを介して前記駆動用ＴＦＴと接続する第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層と第２の電極とを形成することによって発光素子を形成する発光装置の作製方法であって、
前記第１のゲート信号線及び前記第２のゲート信号線は、前記駆動用ＴＦＴのゲート、前記スイッチング用ＴＦＴのゲート、前記消去用ＴＦＴのゲートよりも太い配線であり、
前記第１のゲート信号線及び前記第２のゲート信号線を液滴吐出法で形成した後に紫外線を照射し、
前記第１のゲート信号線及び前記第２のゲート信号線と接続するように前記スイッチング用ＴＦＴのゲート、前記消去用ＴＦＴのゲートを形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、前記第１の電極、前記第２の電極または前記電界発光層のいずれかは、液滴吐出法を用いて形成されていることを特徴とする発光装置の作製方法。