【手続補正書】
【提出日】平成19年6月8日(2007.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一分離領域と、
前記第一分離領域を取り囲むように環状に配置されたダミーパターンと、
前記ダミーパターンを取り囲むように配置された複数の活性領域と、
前記複数の活性領域それぞれを区分し、かつ、前記複数の活性領域それぞれと、前記ダミーパターンとを区分する第二分離領域と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ダミーパターンは、環状にパターニングされた一体のパターンであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ダミーパターンは、環状に配置された複数の孤立パターンで構成され、
前記複数の孤立パターンそれぞれは、前記第二分離領域により区分されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ダミーパターンは、電気的な機能を有していないことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ダミーパターンの幅は、該ダミーパターンに取り囲まれる前記第一分離領域の大きさに応じて異なることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項記載の半導体装置。
【請求項６】
非活性領域は、前記第一分離領域と、前記ダミーパターンとを有し、
前記ダミーパターンは、直径１０μｍ以上の円を収容し得る前記非活性領域の中にのみ形成されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項記載の半導体装置。
【請求項７】
前記複数の活性領域それぞれと、前記ダミーパターンとの間の前記第二分離領域の窪みは、前記第一分離領域の窪みよりも小さいことを特徴とする請求項1乃至６の何れか1項記載の半導体装置。
【請求項８】
半導体ウエハに、環状のダミーパターンに取り囲まれる第一トレンチと、複数の活性領域および前記ダミーパターンのそれぞれを分離する第二トレンチと、を形成するステップと、
前記複数の活性領域上、前記ダミーパターン上、前記第一トレンチ内、及び前記第二トレンチ内に、絶縁材料を体積させて、前記第一トレンチ内及び前記第二トレンチ内に絶縁材料を埋め込むステップと、
前記第一トレンチ及び前記第二トレンチの外に堆積された前記絶縁材料をＣＭＰにより除去して、前記第一トレンチの中の第一分離領域と前記第二トレンチの中の第二分離領域とを形成するステップと、を含み、
前記ダミーパターンを取り囲むように、前記複数の活性領域が配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記ダミーパターンは、環状にパターニングされた一体のパターンであることを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ダミーパターンは、環状に配置された複数の孤立パターンで構成され、
前記複数の孤立パターンそれぞれは、前記第二分離領域により区分されていることを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記ダミーパターンは、電気的な機能を有していないことを特徴とする請求項８乃至１０の何れか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記ダミーパターンの幅は、該ダミーパターンに取り囲まれる前記第一分離領域の大きさに応じて異なることを特徴とする請求項８乃至１１の何れか1項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
非活性領域は、前記第一分離領域と、前記ダミーパターンとを有し、
前記ダミーパターンは、直径１０μｍ以上の円を収容し得る前記非活性領域の中にのみ形成されることを特徴とする請求項８乃至１２の何れか1項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記複数の活性領域それぞれと、前記ダミーパターンとの間の前記第二分離領域の窪みは、前記第一分離領域の窪みよりも小さいことを特徴とする請求項８乃至１３の何れか1項記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、半導体装置であって、
第一分離領域と、
前記第一分離領域を取り囲むように環状に配置されたダミーパターンと、
前記ダミーパターンを取り囲むように配置された複数の活性領域と、
前記複数の活性領域それぞれを区分し、かつ、前記複数の活性領域それぞれと、前記ダミーパターンとを区分する第二分離領域と、
を備えることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３記載の発明は、請求項１記載の半導体装置であって、前記ダミーパターンは、環状に配置された複数の孤立パターンで構成され、
前記複数の孤立パターンそれぞれは、前記第二分離領域により区分されていることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項５記載の発明は、請求項１乃至４の何れか１項記載の半導体装置であって、前記ダミーパターンの幅は、該ダミーパターンに取り囲まれる前記第一分離領域の大きさに応じて異なることを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項６記載の発明は、請求項１乃至５の何れか１項記載の半導体装置であって、
非活性領域は、前記第一分離領域と、前記ダミーパターンとを有し、
前記ダミーパターンは、直径１０μｍ以上の円を収容し得る非活性領域の中にのみ形成されていることを特徴とするものである。
請求項７記載の発明は、請求項１乃至６の何れか１項記載の半導体装置であって、前記複数の活性領域それぞれと、前記ダミーパターンとの間の前記第二分離領域の窪みは、前記第一分離領域の窪みよりも小さいことを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項８記載の発明は、半導体装置の製造方法であって、
環状のダミーパターンに取り囲まれる第一トレンチと、複数の活性領域および前記ダミーパターンのそれぞれを分離する第二トレンチと、を形成するステップと、
前記複数の活性領域上、前記ダミーパターン上、前記第一トレンチ内、及び前記第二トレンチ内に、絶縁材料を体積させて、前記第一トレンチ内及び前記第二トレンチ内に絶縁材料を埋め込むステップと、
前記第一トレンチ及び前記第二トレンチの外に堆積された前記絶縁材料をＣＭＰにより除去して、前記第一トレンチの中の第一分離領域と前記第二トレンチの中の第二分離領域とを形成するステップと、を含み、
前記ダミーパターンを取り囲むように、前記複数の活性領域が配置されていることを特徴とするものである。
請求項９記載の発明は、請求項８記載の半導体装置の製造方法であって、前記ダミーパターンは、環状にパターニングされた一体のパターンであることを特徴とするものである。
請求項１０記載の発明は、請求項８記載の半導体装置の製造方法であって、前記ダミーパターンは、環状に配置された複数の孤立パターンで構成され、
前記複数の孤立パターンそれぞれは、前記第二分離領域により区分されていることを特徴とするものである。
請求項１１記載の発明は、請求項８乃至１０の何れか１項記載の半導体装置の製造方法であって、前記ダミーパターンは、電気的な機能を有していないことを特徴とするものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項１２記載の発明は、請求項８乃至１１の何れか１項記載の半導体装置の製造方法であって、前記ダミーパターンの幅は、該ダミーパターンに取り囲まれる前記第一分離領域の大きさに応じて異なることを特徴とするものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項１３記載の発明は、請求項８乃至１２の何れか１項記載の半導体装置の製造方法であって、
非活性領域は、前記第一分離領域と、前記ダミーパターンとを有し、
前記ダミーパターンは、直径１０μｍ以上の円を収容し得る非活性領域の中にのみ形成されることを特徴とするものである。
請求項１４記載の発明は、請求項８乃至１３の何れか１項記載の半導体装置の製造方法であって、前記複数の活性領域それぞれと、前記ダミーパターンとの間の前記第二分離領域の窪みは、前記第一分離領域の窪みよりも小さいことを特徴とするものである。