【手続補正書】
【提出日】平成19年10月25日(2007.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
次に、ＤＳＭＲ素子１０に対して、約２５０°Ｃから約３００°Ｃという範囲の高い温度（好ましくは約２８０°Ｃ）の下で、かつ、約１０００×１０３/４π[Ａ／ｍ]（から約２０００×１０３/４π[Ａ／ｍ]という範囲の強い外部磁界下において、約５時間、第１の（最初の）磁気アニール工程を行う。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
第２のアニール工程では、ＤＳＭＲ素子１０に対して、例えば、約２００°Ｃから約２６０°Ｃという範囲の温度（好ましくは約２５０°Ｃ）の下で、約１００×１０３/４π[Ａ／ｍ]から約３００×１０３/４π[Ａ／ｍ]という範囲の弱い外部磁界(Ｈann )（好ましくは約２５０×１０３/４π[Ａ／ｍ]）を印加して、約２時間から約５時間の範囲の継続時間をもって、第２の磁気アニール処理を行う。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
次に、ＳＶＭＲ形素子３０に対して、第１の（最初の）磁気アニール工程を行う。この工程は、約２５０°Ｃから約３００°Ｃという範囲の高い温度(好ましくは約２８０°Ｃ) の下で、図２（Ａ）の矢印で示した方向に約１０００×１０３/４π[Ａ／ｍ]から約２０００×１０３/４π[Ａ／ｍ]という範囲の強い外部磁界（Ｈann1）(好ましくは、約２０００×１０３/４π[Ａ／ｍ]) を印加した状態で行う。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
第２のアニール工程では、上部ＳＶＭＲ構造Ｔと下部ＳＶＭＲ構造Ｂとを含むＳＶＭＲ形素子３０に対して、弱い第２のアニール磁界（Ｈann2）の下で、第２の磁気アニール処理を行う。具体的には、例えば、約２００°Ｃから約２６０°Ｃの範囲の温度(好ましくは、約２５０°Ｃ) の下で、約１００×１０３/４π[Ａ／ｍ]から約３００×１０３/４π[Ａ／ｍ]の範囲の弱い外部アニール磁界（Ｈann2）(好ましくは約２５０×１０３/４π[Ａ／ｍ]) を印加して、ＳＶＭＲ形素子３０のアニール処理を行う。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図３は、下部ＳＶＭＲ構造Ｂ(ＡＦＭ／ＦＭ構造) に対する上部ＳＶＭＲ構造Ｔ(ＦＭ／ＡＦＭ構造) の熱安定性が第２の垂直なアニール磁界（Ｈann2）およびアニール温度にどのように依存するかを示す磁化安定領域境界(the Boundary of the M-Stable Region) を表す図である。ここで、ＡＦＭ／ＦＭという表記は、反強磁性層（ＡＦＭ）の上に強磁性層（ＦＭ）を積層した構造であることを意味し、ＦＭ／ＡＦＭという表記は、強磁性層（ＦＭ）の上に反強磁性層（ＡＦＭ）を積層した構造であることを意味する。本明細書の他の箇所においても同様である。なお、この図３に示した例では、ＡＦＭ／ＦＭ構造として、Ｔａ／ＭｎＰｔ（２０ｎｍ）／ＣｏＦｅ（３ｎｍ）／Ｔａという積層構造を用い、ＦＭ／ＡＦＭ構造として、Ｃｕ／ＣｏＦｅ（３ｎｍ）／ＭｎＰｔ（２０ｎｍ）／Ｔａという積層構造を用いた。括弧内の数字は膜厚を表す。これらの２つの試料は、最初に高温かつ強磁界（例えば２８０°Ｃ×５時間×２０００×１０３/４π[Ａ／ｍ]）でアニールされた。ここで、磁化安定領域境界は、アニール磁界および温度の値の各組合せごとに、１２時間アニールを行った後、試料の磁化固定方向を最初のアニール方向に対して５度回転させるようにして行った場合のものとして定義した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
図４は、温度２５０°Ｃ，２０００×１０３/４π[Ａ／ｍ]の強磁界下で５時間アニールした後、交換結合(exchange coupling) が完全に成立したＮｉＦｅ（３ｎｍ）／ＣｏＦｅ（５ｎｍ）／ＭｎＰｔ（２５ｎｍ）／Ｔａについて、測定温度に対する交換磁界Ｈexを表したものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
図５は、弱磁界（３０×１０３/４π[Ａ／ｍ]）の存在下で、第２の反強磁性層（ＳＶＭＲ形素子３０における第２の反強磁性層ＡＦＭＢに相当）を２５０°Ｃで５時間アニールした後のＮｉＦｅ（３ｎｍ）／ＣｏＦｅ（５ｎｍ）／ＭｎＰｔ（２５ｎｍ）／Ｔａについて、測定温度に対する交換磁界Ｈexを表したものである。この条件下では、隣接する第１の反強磁性層（既に形成されている第１の反強磁性層ＡＦＭＡに相当）に対する影響はなかった。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図６〜図１０は、ＮｉＦｅ／ＮｉＭｎについての５通りの異なるＭ−Ｈ（Magnetization-Magnetic Field；磁化−磁界）ループを表すものである。このうち、図６は、ＮｉＦｅ（１１ｎｍ）／ＮｉＭｎ（３０ｎｍ）／Ｔａという積層構造のサンプルを、温度３００°Ｃ, ２０００×１０３/４π[Ａ／ｍ]の磁界下で５時間アニールしたときのＭ−Ｈループを表す。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
図７は、ＮｉＦｅ（１１ｎｍ）／ＮｉＭｎ（３０ｎｍ）／Ｔａという積層構造のサンプルを、温度２６０°Ｃ, ２６０×１０３/４π[Ａ／ｍ]の弱い外部磁界下で１時間アニールした場合のＭ−Ｈループを表す。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
図８は、ＮｉＦｅ（１１ｎｍ）／ＮｉＭｎ（３０ｎｍ）／Ｔａという積層構造のサンプルを、最初に図６に示した条件でアニールしたのち、アニール磁界方向を最初の逆にして、温度２６０°Ｃ, ２６０×１０３/４π[Ａ／ｍ]の弱い外部磁界下で１時間再アニールした場合のＭ−Ｈループを表す。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
図９は、ＮｉＦｅ（１１ｎｍ）／ＮｉＭｎ（３０ｎｍ）／Ｔａという積層構造のサンプルを、図６および図８に示した条件でアニールしたのち、外部磁界を印加せずに温度２８０°Ｃで３時間再アニールした場合のＭ−Ｈループを表す。この図９から、低下した交換磁界Ｈex（図８参照）が回復していることが分かる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
図１０は、ＮｉＦｅ（１１ｎｍ）／ＮｉＭｎ（３０ｎｍ）／Ｔａという積層構造のサンプルを、図７に示したようにアニールしたのち、外部磁界を印加せずに温度２８０°Ｃで３時間再アニールした場合のＭ−Ｈループを表す。この図１０から分かるように、交換磁界Ｈex（図８参照）の強度はさらに向上している。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
強磁界下でアニールされ、その後交換結合が完全に成立したＮｉＦｅ（３ｎｍ）／ＣｏＦｅ（５ｎｍ）／ＭｎＰｔ（２５ｎｍ）／Ｔａについて、測定温度に対する交換磁界Ｈexを表す図である。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
隣接する第１の反強磁性層に影響を及ぼさない弱磁界の存在下で第２の反強磁性層をアニールした後のＮｉＦｅ（３ｎｍ）／ＣｏＦｅ（５ｎｍ）／ＭｎＰｔ（２５ｎｍ）／Ｔａについて、測定温度に対する磁界Ｈexを表す図である。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
２０００Ｏｅで５時間、３００°ＣでアニールされたＮｉＦｅ（１１ｎｍ）／ＮｉＭｎ（３０ｎｍ）／Ｔａについて、Ｍ−Ｈループを表す図である。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
２６０×１０３/４π[Ａ／ｍ]の弱い外部磁界下で１時間、２６０°ＣでアニールされたＮｉＦｅ（１１ｎｍ）／ＮｉＭｎ（３０ｎｍ）／Ｔａ試料について、Ｍ−Ｈループを表す図である。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
最初に図６に示した条件でアニールされ、次に反対のアニール方向で弱い外部磁界下で再アニールされたＮｉＦｅ（１１ｎｍ）／ＮｉＭｎ（３０ｎｍ）／Ｔａについて、Ｍ−Ｈループを表す図である。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
図６および図８に示した条件でアニールし、次に外部磁界を印加せずに再アニールした後のＮｉＦｅ（１１ｎｍ）／ＮｉＭｎ（３０ｎｍ）／Ｔａ試料について、Ｍ−Ｈループを表す図である。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
図７に示したようにアニールし、次に外部磁界を印加せずに再アニールした後のＮｉＦｅ（１１ｎｍ）／ＮｉＭｎ（３０ｎｍ）／Ｔａについて、Ｍ−Ｈループを表す図である。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2001176034.tif 000001
【手続補正２１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2001176034.tif 000002
【手続補正２２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2001176034.tif 000003
【手続補正２３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2001176034.tif 000004
【手続補正２４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2001176034.tif 000005
【手続補正２５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2001176034.tif 000006
【手続補正２６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2001176034.tif 000007
【手続補正２７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2001176034.tif 000008