【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年5月26日(2008.5.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に支持された下部ミラーと、
前記下部ミラー上に形成された電子生成層と、
前記電子生成層上に形成された変換層と、
前記変換層上に形成された正孔生成層と、
前記正孔生成層上に形成された上部ミラーと
を有する電界発光素子であって、前記変換層は電子−正孔対をフォトンに変換し、前記下部ミラーおよび上部ミラーは、電界発光素子の発光スペクトルの主波長であって導波モードに関連する選択された波長を示すフォトンの閉じ込めを確実にし、
さらに前記生成層および変換層の少なくとも一部に通じて前記生成層および変換層から導波モードにあるフォトンの少なくとも一部を取り出す光取り出し手段を有し、前記光取り出し手段は電子−正孔対の変換によってフォトンが生じる領域の周辺に形成された回折性の三次元フォトニック結晶または準結晶であり、前記フォトニック結晶または準結晶は導波モードにあるフォトンの波長に実質的に等しい寸法を有する
ことを特徴とする電界発光素子。
【請求項２】
前記光取り出し手段は前記変換層および正孔生成層の少なくとも一部に形成されていることを特徴とする請求項１記載の素子。
【請求項３】
前記光取り出し手段は前記電子生成層、変換層および正孔生成層の少なくとも一部に形成されていることを特徴とする請求項１記載の素子。
【請求項４】
前記光取り出し手段は前記電子生成層、変換層、正孔生成層および上部ミラーの少なくとも一部に形成されていることを特徴とする請求項１記載の素子。
【請求項５】
前記光取り出し手段は前記下部ミラー、電子生成層、変換層、正孔生成層および上部ミラーの少なくとも一部に形成されていることを特徴とする請求項１記載の素子。
【請求項６】
前記準結晶は、実質的につながった多角形で、それらの辺の各々を唯一の隣と共有している凸面のタイリングであることを特徴とする請求項１に記載の素子。
【請求項７】
前記タイリングは、実質的に等しい割合の正方形と正三角形、または頂点における角度が異なり実質的に等しいサイズの辺を持つ第１および第２の菱形からなることを特徴とする請求項６に記載の素子。
【請求項８】
前記タイリングは、選択された数の正三角形および正方形を含むパターンの周期化、または頂点における角度が異なり実質的に等しいサイズの辺を持つ第１および第２の菱形からなることを特徴とする請求項６に記載の素子。
【請求項９】
前記タイリングは、選択された数の正三角形および正方形を含むパターンのスタンフリー(Stampfli)膨張、または頂点における角度が異なり実質的に等しいサイズの辺を持つ第１および第２の菱形からなることを特徴とする請求項６に記載の素子。
【請求項１０】
前記タイリングは、選択された割合の正三角形および正方形の実質的にランダムな分布、または頂点における角度が異なり実質的に等しいサイズの辺を持つ第１および第２の菱形からなることを特徴とする請求項６に記載の素子。
【請求項１１】
前記タイリングは、前記電子生成層、変換層および正孔生成層を少なくとも部分的に囲んでいることを特徴とする請求項６ないし１０のいずれか１項に記載の素子。
【請求項１２】
前記タイリングは湾曲し環状領域の少なくとも一部の上に広がっていることを特徴とする請求項６に記載の素子。
【請求項１３】
前記準結晶は回折要素の少なくとも１つが省略されているタイリングであることを特徴とする請求項６に記載の素子。
【請求項１４】
前記上部ミラーは半反射性タイプのものであり、正孔生成層と他の材料の層との間の界面によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の素子。
【請求項１５】
前記他の材料は、空気、エポキシおよび基板を形成する材料を含む群から選択されることを特徴とする請求項１４に記載の素子。
【請求項１６】
前記下部ミラーは、基板上に設けられたブラッグミラータイプの反射ミラーであることを特徴とする請求項１に記載の素子。
【請求項１７】
前記電子生成層、変換層および正孔生成層の少なくとも一部は、半導体および有機電界発光材料を含む群より選択される材料からなることを特徴とする請求項１に記載の素子。
【請求項１８】
前記有機材料は、共役または非共役の有機ポリマー、および有機金属錯体を含む群より選択されることを特徴とする請求項１７に記載の素子。
【請求項１９】
前記半導体は、シリコン、ガリウム、アルミニウム、インジウム、窒素、リン、ヒ素およびアンチモン系の化合物、ならびにこれらの合金を含む群より選択されることを特徴とする請求項１７に記載の素子。
【請求項２０】
ｉ）ＧａＡｓ基板と、前記下部ミラーを形成するＧａＡｓとＡｌＡｓの交互層と、生成手段の一部を形成するｎドープトＧａＡｓ層と、ＩｎＧａＡｓ中の量子井戸を囲む２つのＡｌＧａＡｓバリアからなり、前記変換層を形成する活性層と、生成手段の一部および外部の空気と前記上部ミラーを形成するｎドープトＧａＡｓとをこの順に積層した積層体と、ii）ｐドープトＧａＡｓ層を正極性にさせる第１の電極コンタクト手段およびｎドープトＧａＡｓ層を負極性にさせるのに適した第２の電極コンタクト手段とからなることを特徴とする請求項１７に記載の素子。
【請求項２１】
前記上部ミラーおよび下部ミラーは、非対称の共振キャビティ、特にファブリ−ペロ型のものを規定することを特徴とする請求項１に記載の素子。
【請求項２２】
前記上部ミラーおよび下部ミラーは、変換層によって発せられるフォトンの波長を持つ反共振キャビティを規定することを特徴とする請求項１に記載の素子。
【請求項２３】
請求項１ないし２２のいずれか１項の素子を有することを特徴とする電界発光ダイオード。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
ミラーとこれらを含む材料の特性を分ける距離は、好ましくは、変換手段によって発せられるフォトンの波長に対して、共振マイクロキャビティ、特にファブリ−ペロ型のもの、または反共振キャビティを規定するように選択する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
前に示したように、半導体材料によって実現される電界発光素子中において生成されるフォトンの取り出し出力は比較的弱い。半導体材料内で発したフォトンのおおよそ５％が上面から外部へ回収されるであろう。最近（特に米国特許第５４０５７１０号明細書を参照のこと）、ルーセントLUCENT社は従来の電界発光素子に対する理想を提唱している。これは、電子−正孔対のフォトンへの変換手段を、ファブリ−ペロ型の共振マイクロキャビティを平らにした２つのミラーの間に配置することにある。上部ミラーに向かって発し、この上部ミラーに対して実質的に垂直な方向に［「臨界角」（当業者に周知である）まで］外部の空気に通じるフォトンは、素子の外部に達し、発光に寄与する。同様に、下部ミラーに向かい、この下部ミラーに対して実質的に垂直な方向に（数度の範囲で）発したフォトンは、上部ミラーの方向へ反射され、外部に達し、発光に寄与する。このことは特に、H. Benisty, H. De Neve and C. Weisbuch, IEEE Journal of Quantum Electronics, vol. 34, pp. 1612-1631, 1998に記載されている。Lausan Federal Polytechnic Schoolも、変換手段とキャリア生成手段との特殊な光学スタッキングに基づく、この種のキャビティの改良を提案しており、これも本発明に対する基本的な構造として役立つであろう。このようなダイオードにより、約３０％の出力に到達することが可能である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
この例においては、上部ミラー１４は正孔生成層８（ｐドープトＧａＡｓ）と外部の空気との間の上部界面からなる
下部ミラー５および上部ミラー１４は、この非限定的な例では、ファブリ−ペロ型の共振電磁波マイクロキャビティを規定し、量子井戸において上部および下部ミラーにほぼ垂直な方向に生成したフォトンは外部へ透過し、他の残りはミラーの間、特に変換手段７の量子井戸を構成する層において導波モードの形態で閉じ込められる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
この変形例においては、上部ミラーおよび下部ミラーは反共振キャビティを規定することができ、変換手段７において生成したフォトンはミラーの間に強制的に残る（実際上、ミラー面に実質的に垂直な方向には全く光が出ない）。