【手続補正書】
【提出日】令和1年9月11日(2019.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面内に形成される１または複数の凹部のパターンをもつ前記上面を有する基板を提供する段階と、
前記１または複数の凹部内にレーザ誘起前方転写法（ＬＩＦＴ）により、ドナーフィルムから流体の液滴を吐出するために前記ドナーフィルムに衝突するべくレーザビームを方向付ける段階であって、前記流体が、前記１または複数の凹部により画定される形状を有する固体片を形成するべく、前記１または複数の凹部内で固まる、段階と、
前記基板を前記固体片から除去する段階と
を備え、
前記基板を提供する段階は、前記基板を除去する段階の後で薄膜層が前記固体片の外表面として残るように、前記１または複数の凹部内に前記液滴を吐出する前に、前記１または複数の凹部を前記薄膜層で被覆する段階を有する、製造のための方法。
【請求項２】
前記流体の前記液滴が溶融金属を含むように、前記ドナーフィルムが金属膜を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記流体の前記液滴が溶融した形態の半導体材料を含むように、前記ドナーフィルムが前記半導体材料を有する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記流体の前記液滴が溶融した形態の誘電材料を含むように、前記ドナーフィルムが前記誘電材料を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記流体の前記液滴が流体の形態のレオロジ材料を含むように、前記ドナーフィルムが前記レオロジ材料を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記１または複数の凹部内で前記流体を硬化する段階を備える、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記固体片を形成した後で、前記固体片の材料特性を修正するべく、エネルギーを加える段階を備える、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記１または複数の凹部が１ｍｍより小さい寸法を有する、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記基板が半導体ウエハを有し、前記基板を提供する段階は、前記１または複数の凹部を画定するべく、前記半導体ウエハ上の少なくとも１つの表面層をパターン化およびエッチングする段階を有する、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板を除去する段階は、前記基板の分解を誘導する段階を有する、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記分解を誘導する段階は、前記固体片から離れている前記基板を選択的にエッチングする段階を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記レーザビームを方向付ける段階は、前記液滴を吐出する間に、前記基板から少なくとも１００μｍの距離で前記ドナーフィルムを保持する段階を有する、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記レーザビームを方向付ける段階は、第１の流体の第１の液滴および前記第１の流体とは異なる成分を有する第２の流体の第２の液滴を異なるそれぞれのドナーフィルム領域から前記１または複数の凹部内に吐出する段階を有する、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
上面内に形成される１または複数の凹部のパターンをもつ前記上面を有する基板を提供する段階と、
前記１または複数の凹部を薄膜層で被覆する段階と、
流体の液滴を被覆された前記１または複数の凹部内に注入する段階であって、前記流体が、前記１または複数の凹部により画定される形状を有する固体片を形成するべく、被覆された前記１または複数の凹部内で固まる、段階と、
前記基板を前記固体片から除去する段階であって、その上、前記基板を除去する段階の後で、前記薄膜層が前記固体片の外表面として残る、段階と
を備える、製造のための方法。
【請求項１５】
前記薄膜層は金属を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記薄膜層および注入された前記液滴は同一の材料を含む、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記薄膜層および前記液滴が異なる材料を含む、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１８】
注入された前記液滴は金属製材料を含む、請求項１４から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
注入された前記液滴は半導体材料を含む、請求項１４から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
注入された前記液滴は誘電材料を含む、請求項１４から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
注入された前記液滴はレオロジ材料を含む、請求項１４から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
固められた前記流体を硬化する段階を備える、請求項１４から２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記基板は半導体ウエハを有し、前記基板を提供する段階は、前記１または複数の凹部を画定するべく、前記半導体ウエハ上の少なくとも１つの表面層をパターン化およびエッチングする段階を有する、請求項１４から２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
前記基板を除去する段階は、前記固体片から離れている前記基板を選択的にエッチングする段階を有する、請求項１４から２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
前記１または複数の凹部を被覆する段階は、固められた前記流体と前記薄膜層との間の第２の接着より弱い第１の接着によって、前記薄膜層を前記基板に塗布する段階を有し、前記基板を前記固体片から除去する段階は、前記固体片を前記固体片に接着している前記薄膜層とともに前記１または複数の凹部から取り出す段階を有する、請求項１４から２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記１または複数の凹部は、１ｍｍより小さい寸法を有する、請求項１４から２５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２７】
透明なドナー基板上に堆積されるドナーフィルムを有する透明な前記ドナー基板と、
上面内に形成される１または複数の凹部のパターンを有するアクセプタ基板の前記上面に近接して前記ドナー基板を位置決めする位置決めアセンブリと、
流体の液滴をレーザ誘起前方転写法（ＬＩＦＴ）により、前記ドナーフィルムから前記１または複数の凹部内に吐出するために、前記ドナーフィルム上に衝突するべく、レーザビームを方向付ける、レーザを有する光学アセンブリであって、前記流体が、前記１または複数の凹部により画定される形状を有する固体片を形成するべく、前記１または複数の凹部内で固まる、光学アセンブリと
を有する堆積ステーションと、
前記固体片から前記ドナー基板をリリースする、リリースステーションと、
前記ドナー基板をリリースした後で薄膜層が前記固体片の外表面として残るように、前記１または複数の凹部内に前記液滴を吐出する前に、前記１または複数の凹部を前記薄膜層で被覆する、被覆ステーションと
を備える製造装置。
【請求項２８】
前記流体の前記液滴が溶融金属を含むように、前記ドナーフィルムが金属膜を有する、請求項２７に記載の製造装置。
【請求項２９】
前記流体の前記液滴が溶融した形態の半導体材料を含むように、前記ドナーフィルムが前記半導体材料を有する、請求項２７または２８に記載の製造装置。
【請求項３０】
前記流体の前記液滴が溶融した形態の誘電材料を含むように、前記ドナーフィルムが前記誘電材料を有する、請求項２７から２９のいずれか一項に記載の製造装置。
【請求項３１】
前記流体の前記液滴が流体の形態のレオロジ材料を含むように、前記ドナーフィルムが前記レオロジ材料を有する、請求項２７から３０のいずれか一項に記載の製造装置。
【請求項３２】
前記１または複数の凹部は、１ｍｍより小さい寸法を有する、請求項２７から３１のいずれか一項に記載の製造装置。
【請求項３３】
前記ドナー基板は半導体ウエハを有し、前記１または複数の凹部を画定するべく、前記半導体ウエハ上の少なくとも１つの表面層がパターン化およびエッチングされる、請求項２７から３２のいずれか一項に記載の製造装置。
【請求項３４】
前記リリースステーションが前記ドナー基板の分解を選択的に誘導する、請求項２７から３３のいずれか一項に記載の製造装置。
【請求項３５】
前記リリースステーションが前記固体片から離れている前記ドナー基板を選択的にエッチングすることにより、前記分解を誘導する、請求項３４に記載の製造装置。
【請求項３６】
前記液滴が前記１または複数の凹部内に吐出される間に、前記ドナー基板から少なくとも１００μｍの距離で前記ドナーフィルムが保持される、請求項２７から３５のいずれか一項に記載の製造装置。
【請求項３７】
第１の流体の第１の液滴および前記第１の流体とは異なる成分を有する第２の流体の第２の液滴を異なるそれぞれのドナーフィルム領域から前記１または複数の凹部内に吐出させるために、前記レーザビームが方向付けられる、請求項２７から３６のいずれか一項に記載の製造装置。
【請求項３８】
上面に形成される１または複数の凹部のパターンをもつ前記上面を有するアクセプタ基板を受け入れ、前記アクセプタ基板の少なくとも前記１または複数の凹部を薄膜層で被覆する、被覆ステーションと、
前記１または複数の凹部の被覆の後で、流体の液滴を前記アクセプタ基板の前記１または複数の凹部内に注入する、堆積ステーションであって、前記流体が、前記１または複数の凹部により画定される形状を有する固体片を形成するべく、被覆された前記１または複数の凹部内で固まる、堆積ステーションと、
前記固体片から前記アクセプタ基板をリリースし、その上、前記アクセプタ基板を除去することの後で、前記薄膜層が前記固体片の外表面として残る、リリースステーションと
を備える製造装置。
【請求項３９】
前記薄膜層は金属を含む、請求項３８に記載の製造装置。
【請求項４０】
前記薄膜層および注入された前記液滴は同一の材料を含む、請求項３８または３９に記載の製造装置。
【請求項４１】
前記薄膜層および前記液滴が異なる材料を含む、請求項３８または３９に記載の製造装置。
【請求項４２】
注入された前記液滴は金属製材料を含む、請求項３８から４０のいずれか一項に記載の製造装置。
【請求項４３】
注入された前記液滴は半導体材料を含む、請求項３８から４２のいずれか一項に記載の製造装置。
【請求項４４】
注入された前記液滴は誘電材料を含む、請求項３８から４３のいずれか一項に記載の製造装置。
【請求項４５】
注入された前記液滴はレオロジ材料を含む、請求項３８から４４のいずれか一項に記載の製造装置。
【請求項４６】
前記アクセプタ基板は半導体ウエハを有し、前記１または複数の凹部を画定するべく、前記半導体ウエハ上の少なくとも１つの表面層がパターン化およびエッチングされる、請求項３８から４５のいずれか一項に記載の製造装置。
【請求項４７】
前記リリースステーションは、前記固体片から離れている前記アクセプタ基板を選択的にエッチングする、請求項３８から４６のいずれか一項に記載の製造装置。
【請求項４８】
前記１または複数の凹部は、１ｍｍより小さい寸法を有する、請求項３８から４７のいずれか一項に記載の製造装置。
【請求項４９】
前記薄膜層は、前記固められた流体と前記薄膜層との間の第２の接着より弱い第１の接着によって、前記アクセプタ基板に接着するために塗布され、前記リリースステーションは、前記固体片を前記固体片に接着している前記薄膜層とともに前記１または複数の凹部から取り出す、請求項３８から４８のいずれか一項に記載の製造装置。