【手続補正書】
【提出日】平成19年10月29日(2007.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板と、第１のパッケージ基板と、第２のパッケージ基板と、で構成され、  該素子基板は、第１の表面層および第２の表面層を有し、該第１の表面層には制御回路が、そして該第２の表面層にはマイクロミラーの配列素子が配置され、該マイクロミラーの配列素子は、マイクロミラーと、該マイクロミラーを支持する少なくとも１つの支持構造と、該マイクロミラーを駆動する少なくとも１つのアドレス電極と、を有し、該制御回路と該少なくとも１つのアドレス電極とを接続する該素子基板上の第１の表面層に形成された複数の電気的導電経路線体が配置され、該制御回路に電気的に接続された該素子基板の第１の表面層には第１の複数の金属電極が配置されるよう構成され、  該第１のパッケージ基板は、第１の表面層と第２の表面層とを有し、該第１の表面層上には第２の複数の金属電極が配置され、該素子基板の第１の複数の金属電極と該パッケージ基板の第２の複数の金属電極とが複数の半田球で電気的に接続され、そして、マウントされた構成を有し、  該第２のパッケージ基板は、該素子基板を囲むガラスフリット接着線で該第１のパッケージ基板の第１の表面層とで接着された構造を有し、該２つのパッケージ基板と該ガラスフリット接着線とによって仕切られた排気領域が構成された、  真空パッケージされたマイクロミラーの配列素子。
【請求項２】
前記制御回路と前記少なくとも１つのマイクロミラー部分のアドレス電極とを接続する少なくとも１つの電気的導電経路線体を有し、該電気的導電経路線体が前記素子基板を貫通しかつ該貫通部が金属で埋めたビアの形である、請求項１記載の真空パッケージされたマイクロミラーの配列素子。
【請求項３】
前記第１の表面層および前記第２の表面層の間が絶縁層で構成された素子基板からなる、請求項１記載の真空パッケージされたマイクロミラーの配列素子。
【請求項４】
前記素子基板の平面に入射する光伝播ベクトル方向に直角となる辺を有さない前記マイクロミラーで構成された、請求項１記載の真空パッケージされたマイクロミラーの配列素子。
【請求項５】
前記マイクロミラー支持構造を支持するために配列されたねじりヒンジと、前記素子基板上の該ねじりヒンジを支持する一対の支持構造からなる前記マイクロミラー部分を有する、請求項１記載の真空パッケージされたマイクロミラーの配列素子。
【請求項６】
前記マイクロミラー部が、前記マイクロミラーの回転を制限する、少なくとも１つの停止部材を有する、請求項１記載の真空パッケージされたマイクロミラーの配列素子。
【請求項７】
第１の停止部材は第１の方向での前記マイクロミラー回転を制限し、第２の停止部材は第２の方向での前記マイクロミラー回転を制限する、少なくとも１つの停止部材を有する、請求項６記載の真空パッケージされたマイクロミラーの配列素子。
【請求項８】
前記第２のパッケージ基板が電磁放射に透明である、請求項１記載の真空パッケージされたマイクロミラーの配列素子。
【請求項９】
前記ガラスフリット接着線を形成するために使われるガラスフリット混合材が、４００℃、３５０℃又は３００℃のいずれかより低いガラス遷移温度のガラスフリットである、請求項１記載の真空パッケージされたマイクロミラーの配列素子。
【請求項１０】
前記ガラスフリット接着線を形成するために使われるガラスフリット混合材が、４５０℃より低い軟化温度のガラスフリットである、請求項１記載の真空パッケージされたマイクロミラーの配列素子。
【請求項１１】
前記ガラスフリット接着線を形成するために使われるガラスフリット混合材が、４５〜９０重量％のＰｂＯを含むガラスフリットから成る、請求項１記載の真空パッケージされたマイクロミラーの配列素子。
【請求項１２】
前記ガラスフリットによる接着線を形成するためのガラスフリット混合材が、ガラスフリットおよび前記ガラスフリットより高い融点を有する微粒子状の充填材料から成る、請求項１記載の真空パッケージされたマイクロミラーの配列素子。
【請求項１３】
排出管が前記パッケージ基板の間に配置された、請求項１記載の真空パッケージされたマイクロミラーの配列素子。
【請求項１４】
排出管が前記第１パッケージ基板の前記第２表面の開口部に封着された、請求項１記載の真空パッケージされたマイクロミラーの配列素子。
【請求項１５】
前記排気された領域の内部にゲッター材が配置された、請求項１記載の真空パッケージされたマイクロミラーの配列素子。
【請求項１６】
前記排気された領域は、第１の部分および第２の部分およびそれらの間を仕切る非封止バリアから成っていて、前記第１の部分は、前記素子基板を含み、前記第２の部分は、前記ゲッター材を含み、前記非封止バリアは、前記第１の部分および前記第２の部分間のガス拡散がなされる、請求項１５記載の真空パッケージされたマイクロミラーの配列素子。
【請求項１７】
前記排気された領域はほぼ１×１０−４トール（ほぼ１．３３×１０−２Ｐａ）又はほぼ１×１０−６トール（ほぼ１．３３×１０−４Ｐａ）より低い圧力からなる、請求項１記載の真空パッケージされたマイクロミラーの配列素子。
【請求項１８】
請求項１から請求項１７のいずれかに記載の真空パッケージされたマイクロミラーの配列素子から成る空間光変調器（ＳＬＭ）。
【請求項１９】
第１の表面層と第２の表面層とを有する素子基板を提供する工程を有し、  該素子基板の該第１の表面層上に制御回路を形成する工程を有し、  該素子基板の該第２の表面層上に複数のマイクロミラー部を形成する工程を有し、  該複数のマイクロミラー部を形成する工程が、マイクロミラーを駆動するための複数のアドレス電極を形成する工程と、該マイクロミラーを支持するための複数の支持構造を形成する工程と、該支持構造によって支持される複数のマイクロミラーを形成する工程と、で構成され、  少なくとも１つの前記アドレス電極に、前記制御回路を接続する、複数の電気経路線が前記素子基板に形成される工程を有し、  該制御回路と電気的に接続する、該素子基板の該第１の表面層に配置した、第１の複数の金属電極端子を形成する工程を有し、  第１の表面層および第２の表面層を有する、第１のパッケージ基板を提供する工程を有し、  該第１のパッケージ基板該第１の表面層上に、第２の複数の金属端子を形成する工程を有し、  複数の半田球を該複数の金属的端子のすべてに付着する工程を有し、  該第１の複数の金属的端子を該第２の複数の金属的端子に電気的に接続し、該素子基板を該第１のパッケージ基板にマウントする工程を有し、  第２のパッケージ基板を提供する工程を有し、  該素子基板を囲むガラスフリット接着線で封止することで、該第１のパッケージ基板の該第１の表面層に対して、該第２のパッケージ基板を付着させる工程（パッケージを密閉する工程）を有し、  該２つのパッケージ基板と該ガラスフリット接着線によって仕切られた領域を排気し、排気された領域を形成する工程（排気工程）を有する、  マイクロミラーの配列素子の製造方法。
【請求項２０】
マイクロミラー部を形成する前記工程は、除去材料の層に埋め込まれるように、マイクロミラー支持構造を複数形成する工程と、前記除去層および前記マイクロミラー支持構造の上部が実質的に平面であるように平坦化すること工程と、該平坦面上にマイクロミラー素材を付着す工程と、複数のマイクロミラーを形成するために、前記マイクロミラー素材をパターン化する工程と、そして、エッチング・プロセスによって前記の除去層を取り除く工程によりなる、請求項１９記載のマイクロミラーの配列素子の製造方法。
【請求項２１】
前記マイクロミラーがその状態を偏向していない状態または偏向した状態のとき、該マイクロミラーの反射面の少なくとも1つの辺が前記素子基板の平面上の入射光線伝播ベクトル方向に対し６０度以上１２０度未満となるように、複数のマイクロミラーが各々のマイクロミラーにパターン化され、前記の少なくとも１つの辺が光吸収材料の層で覆う工程を有する、請求項１９記載のマイクロミラーの配列素子の製造方法。
【請求項２２】
排出管を提供する工程と、  前記排出管の一部が、前記パッケージ基板およびガラスフリット接着線によって仕切られた領域の内部にあるように、前記排出管を配置する工程と、  該ガラスフリット接着線で該パッケージ基板を付着する工程と、  前記パッケージを密閉する工程の後、該排出管によって前記パッケージから排気する工程と、  前記排出管を封止する工程からなる、請求項１９記載のマイクロミラーの配列素子の製造方法。
【請求項２３】
排出管を提供する工程と、  前記第１のパッケージ基板の前記第２の表面層にある開口部を前期排気管で封止する工程と、  前記パッケージを密閉する工程の後、該排出管によって前記パッケージから排気する工程と、  前記排出管を封止する工程からなる、請求項１９記載のマイクロミラーの配列素子の製造方法。
【請求項２４】
ゲッター材を提供する工程と、  前記パッケージを封止する工程の前に、前記パッケージ基板およびガラスフリット接着線によって仕切られた領域の内部に、前記ゲッター材を配置する工程と、  前記排気工程の後、前記ゲッターを活性にする工程を付加的に含む、請求項１９記載のマイクロミラーの配列素子の製造方法。
【請求項２５】
前記パッケージ基板およびガラスフリット接着線によって仕切られた領域の内部に、前記素子基板を含んでいる第１の領域を提供する工程と、  前記パッケージ基板およびガラスフリット接着線によって仕切られた領域内部に、第２の領域を提供する工程と、  前記第１の領域および前記第２の領域の間の非封止障壁を提供すること工程と、  ゲッター材を提供する工程と、  前記パッケージを封止する工程の前に前記第２の領域に前記ゲッター材を配置する工程と、  前記排出工程の後、前記ゲッターを活性にする工程を付加的に含む、請求項１９記載のマイクロミラーの配列素子の製造方法。