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【手続補正書】
【提出日】平成19年8月28日(2007.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法、並びに液晶表示装置、ＥＬ表示装置、電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上にｎチャネル型の薄膜トランジスタとｐチャネル型の薄膜トランジスタが形成された半導体装置であって、
前記ｎチャネル型の薄膜トランジスタのゲート電極は、第１の導電層を下層とし第２の導電層を上層とした積層構造からなり、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層の幅より狭く、
前記ｎチャネル型の薄膜トランジスタの半導体層において、前記ゲート電極に重なり、且つ、前記第２の導電層には重ならない領域には低濃度不純物領域が形成されており、
前記ｐチャネル型の薄膜トランジスタの半導体層において、チャネル形成領域となる部分に接する領域には高濃度不純物領域が形成されており、
前記半導体装置における駆動回路部の薄膜トランジスタは、前記ｎチャネル型の薄膜トランジスタ及び前記ｐチャネル型の薄膜トランジスタによって構成され、
前記半導体装置における画素部の薄膜トランジスタは、前記ｐチャネル型の薄膜トランジスタによって構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
同一基板上にｎチャネル型の薄膜トランジスタとｐチャネル型の薄膜トランジスタが形成された半導体装置であって、
前記ｎチャネル型の薄膜トランジスタのゲート電極は、第１の導電層を下層とし第２の導電層を上層とした積層構造からなり、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層の幅より狭く、且つ、端部にテーパー形状を有しており、
前記ｎチャネル型の薄膜トランジスタの半導体層において、前記テーパー形状と重なる領域には低濃度不純物領域が形成されており、
前記低濃度不純物領域において、前記半導体層のチャネル形成領域となる部分に接する領域より前記テーパー形状の端部に重なる領域の方が不純物濃度が高く、
前記ｐチャネル型の薄膜トランジスタの半導体層において、チャネル形成領域となる部分に接する領域には高濃度不純物領域が形成されており、
前記半導体装置における駆動回路部の薄膜トランジスタは、前記ｎチャネル型の薄膜トランジスタ及び前記ｐチャネル型の薄膜トランジスタによって構成され、
前記半導体装置における画素部の薄膜トランジスタは、前記ｐチャネル型の薄膜トランジスタによって構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載された半導体装置を用いて作製されたことを特徴とする液晶表示装置。  
【請求項４】
請求項１または２に記載された半導体装置を用いて作製されたことを特徴とするＥＬ表示装置。  
【請求項５】
請求項１または２に記載された半導体装置を用いて作製されたことを特徴とする電子機器。  
【請求項６】
同一基板上にｎチャネル型の薄膜トランジスタとｐチャネル型の薄膜トランジスタを形成する半導体装置の作製方法であって、
第１及び第２の半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記第１の半導体層上に、前記絶縁膜を介して第１の導電層を下層とし第２の導電層を上層として積層された第１の電極を形成するとともに、前記第２の半導体層上に、前記絶縁膜を介して第３の導電層を下層とし第４の導電層を上層として積層された第２の電極を形成し、
前記第１及び第２の電極をマスクとして、前記第１及び第２の半導体層にｎ型を付与する不純物元素を添加して第１の高濃度不純物領域を形成し、
前記第２の導電層をエッチングして、前記第１の導電層より幅が狭い第５の導電層を形成し、
前記第５の導電層をマスクとして、前記第１の導電層を介して前記第１の半導体層にｎ型を付与する不純物元素を添加して低濃度不純物領域を形成し、
前記第１の半導体層をレジストマスクで覆い、前記第２の半導体層にｐ型を付与する不純物元素を添加して前記第１の高濃度不純物領域より不純物濃度が高い第２の高濃度不純物領域を形成し、
前記第１及び第２の半導体層を用いて形成された薄膜トランジスタによって、前記半導体装置の駆動回路部を構成し、
前記第２の半導体層を用いて形成された薄膜トランジスタによって、前記半導体装置の画素部を構成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１の導電層、前記第２の導電層、及び前記第５の導電層の端部はテーパー形状を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月19日(2007.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  各センサ部上に表面側が凸面とされた層内レンズを有する固体撮像素子を製造する方法であって、
平坦化膜上に層内レンズのレンズ材の膜を形成する工程と、
上記レンズ材の膜上に所定のレンズ形状のレジストを形成する工程と、
上記レジストのレンズ形状を上記レンズ材の膜に転写する工程と、
レンズ形状が転写された上記レンズ材の膜上に、さらに同一のレンズ材の膜を成膜して上記層内レンズを形成する工程とを有する
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】  上記層内レンズ上に平坦化膜を介して表面側が凸面とされた無機膜から成るオンチップレンズを形成する工程を有し、該オンチップレンズの形成工程において、上記無機膜上に形成したレンズ形状のレジストからレンズ形状を該無機膜に転写した後に、さらに同一の無機膜を成膜してオンチップレンズを形成することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】  各センサ部上に表面側が凸面とされた層内レンズを有し、
上記層内レンズは、レンズ材の膜上に、さらに同一のレンズ材の膜が成膜されて成る
ことを特徴とする固体撮像素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、センサ上に層内レンズを形成して成る固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子に係わる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述した問題の解決のために、本発明においては、無効領域を低減することにより、高い感度を有する固体撮像素子を製造することができる固体撮像素子の製造方法、並びに高い感度を有する固体撮像素子を提供するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の固体撮像素子の製造方法は、各センサ部上に表面側が凸面とされた層内レンズを有する固体撮像素子を製造するに当たり、平坦化膜上に層内レンズのレンズ材の膜を形成する工程と、このレンズ材の膜上に所定のレンズ形状のレジストを形成する工程と、このレジストのレンズ形状をレンズ材の膜に転写する工程と、レンズ形状が転写されたレンズ材の膜上にさらに同一のレンズ材の膜を成膜して層内レンズを形成する工程とを有するものである。
本発明の固体撮像素子は、各センサ部上に表面側が凸面とされた層内レンズを有し、この層内レンズは、レンズ材の膜上に、さらに同一のレンズ材の膜が成膜されて成るものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述の本発明製法によれば、レンズ形状が転写されたレンズ材の膜上にさらに同一のレンズ材の膜を成膜して層内レンズを形成することにより、レンズ形状を転写する際に例えばサイドエッチングにより離れたレンズの間を埋めて、レンズの間隔を縮めることができ、レンズの間の無効領域を低減することができる。
上述の本発明の固体撮像素子によれば、層内レンズが、レンズ材の膜上に、さらに同一のレンズ材の膜が成膜されて成ることにより、レンズの間隔を縮めてレンズの間の無効領域を低減することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また本発明は、上記固体撮像素子の製造方法において、層内レンズ上に平坦化膜を介して表面側が凸面とされた無機膜から成るオンチップレンズを形成する工程を有し、オンチップレンズの形成工程において、無機膜上に形成したレンズ形状のレジストからレンズ形状を無機膜に転写した後に、さらに同一の無機膜を成膜してオンチップレンズを形成する。
本発明は、各センサ部上に表面側が凸面とされた層内レンズを有し、この層内レンズは、レンズ材の膜上に、さらに同一のレンズ材の膜が成膜されて成る固体撮像素子である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月26日(2007.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体撮像素子及びその駆動方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画素がマトリクス状に配置され、各画素列毎に蓄積された信号電荷を転送する垂直転送レジスタが設けられ、
上記垂直転送レジスタの転送電極にシャント配線が接続され、
上記シャント配線が、上記垂直転送レジスタと交差する方向に伸びて撮像領域外のバスラインに接続されている
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】  上記シャント配線が、上記画素間上に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】  上記垂直転送レジスタが２分割され、２分割された垂直転送レジスタの端部に接続してそれぞれ水平転送レジスタが設けられたことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項４】  画素がマトリクス状に配置され、各画素列毎に蓄積された信号電荷を転送する垂直転送レジスタが設けられ、
上記垂直転送レジスタの転送電極にシャント配線が接続され、
上記シャント配線が、上記垂直転送レジスタと交差する方向に伸びて撮像領域外のバスラインに接続され、
上記垂直転送レジスタが２分割され、２分割された垂直転送レジスタの端部に接続してそれぞれ水平転送レジスタが設けられた固体撮像素子に対して、
２分割された上記垂直転送レジスタの一方の垂直転送レジスタに対応する撮像領域の信号電荷を、該一方の垂直転送レジスタからその端部に接続された上記水平転送レジスタに送り、
２分割された上記垂直転送レジスタの他方の垂直転送レジスタに対応する撮像領域の信号電荷を、該他方の垂直転送レジスタからその端部に接続された上記水平転送レジスタに送る
ことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、転送レジスタに接続してシャント配線を形成して成る固体撮像素子及びその駆動方法に係わる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上述した問題の解決のために、本発明においては、伝搬遅延を抑制し、かつ駆動周波数を低減することにより、多画素化や大画面化を図ることができる固体撮像素子及びその駆動方法を提供するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の固体撮像素子は、画素がマトリクス状に配置され、各画素列毎に蓄積された信号電荷を転送する垂直転送レジスタが設けられ、この垂直転送レジスタの転送電極にシャント配線が接続され、このシャント配線が垂直転送レジスタと交差する方向に伸びて撮像領域外のバスラインに接続されているものである。
本発明の固体撮像素子の駆動方法は、画素がマトリクス状に配置され、各画素列毎に蓄積された信号電荷を転送する垂直転送レジスタが設けられ、垂直転送レジスタの転送電極にシャント配線が接続され、シャント配線が垂直転送レジスタと交差する方向に伸びて撮像領域外のバスラインに接続され、垂直転送レジスタが２分割され、２分割された垂直転送レジスタの端部に接続してそれぞれ水平転送レジスタが設けられた固体撮像素子に対して、２分割された垂直転送レジスタの一方の垂直転送レジスタに対応する撮像領域の信号電荷を、この一方の垂直転送レジスタからその端部に接続された水平転送レジスタに送り、２分割された垂直転送レジスタの他方の垂直転送レジスタに対応する撮像領域の信号電荷を、この他方の垂直転送レジスタからその端部に接続された水平転送レジスタに送るものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上述の本発明の固体撮像素子の構成によれば、シャント配線が垂直転送レジスタと交差する方向に伸びていることにより、シャント配線に接続されるバスラインは垂直転送レジスタの端部に接続される水平転送レジスタとは別の位置に配置される。
従って、例えば撮像領域の左右にそれぞれバスラインを、撮像領域の上下にそれぞれ水平転送レジスタを設けることが可能になる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また本発明は、上記固体撮像素子において、垂直転送レジスタが２分割され、２分割された垂直転送レジスタの端部に接続してそれぞれ水平転送レジスタが設けられた構成とする。
本発明は、画素がマトリクス状に配置され、各画素列毎に蓄積された信号電荷を転送する垂直転送レジスタが設けられ、垂直転送レジスタの転送電極にシャント配線が接続され、シャント配線が垂直転送レジスタと交差する方向に伸びて撮像領域外のバスラインに接続され、垂直転送レジスタが２分割され、２分割された垂直転送レジスタの端部に接続してそれぞれ水平転送レジスタが設けられた固体撮像素子に対して、２分割された垂直転送レジスタの一方の垂直転送レジスタに対応する撮像領域の信号電荷を、この一方の垂直転送レジスタからその端部に接続された水平転送レジスタに送り、２分割された垂直転送レジスタの他方の垂直転送レジスタに対応する撮像領域の信号電荷を、この他方の垂直転送レジスタからその端部に接続された水平転送レジスタに送る、固体撮像素子の駆動方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月19日(2007.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体撮像素子及びその駆動方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  転送レジスタにオーバーフローコントロールゲート及びオーバーフロードレインが設けられ、
上記オーバーフローコントロールゲートのゲート電極が、上記転送レジスタ側及び上記オーバーフロードレイン側において、それぞれ下層の電極上に重ねて形成されている
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】  転送レジスタにオーバーフローコントロールゲート及びオーバーフロードレインが設けられ、
上記オーバーフローコントロールゲートのゲート電極が、上記転送レジスタ側及び上記オーバーフロードレイン側において、それぞれ下層の電極上に重ねて形成されている固体撮像素子に対して、
上記オーバーフローコントロールゲートのゲート電極には、上記転送レジスタの電極に印加される駆動パルスを印加し、
上記オーバーフロードレイン側の上記下層の電極には、常にオン状態とする駆動パルスを印加する
ことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、転送レジスタに対してオーバーフロードレインが設けられた固体撮像素子及びその駆動方法に係わる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上述した問題の解決のために、本発明においては、適切なオーバーフロー制御を行うことができる固体撮像素子及びその駆動方法を提供するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の固体撮像素子は、転送レジスタにオーバーフローコントロールゲート及びオーバーフロードレインが設けられ、このオーバーフローコントロールゲートのゲート電極が転送レジスタ側及びオーバーフロードレイン側においてそれぞれ下層の電極上に重ねて形成されているものである。
本発明の固体撮像素子の駆動方法は、転送レジスタにオーバーフローコントロールゲート及びオーバーフロードレインが設けられ、このオーバーフローコントロールゲートのゲート電極が、転送レジスタ側及びオーバーフロードレイン側においてそれぞれ下層の電極上に重ねて形成されている固体撮像素子に対して、オーバーフローコントロールゲートのゲート電極には、転送レジスタの電極に印加される駆動パルスを印加し、オーバーフロードレイン側の下層の電極には、常にオン状態とする駆動パルスを印加するものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上述の本発明の固体撮像素子の構成によれば、オーバーフローコントロールゲートのゲート電極が転送レジスタ側及びオーバーフロードレイン側においてそれぞれ下層の電極上に重ねて形成されていることにより、オーバーフローコントロールゲートの実効長が、転送レジスタ側及びオーバーフロードレイン側の下層の電極の間隔により規定される。
上述の本発明の固体撮像素子の駆動方法によれば、オーバーフローコントロールゲートのゲート電極には、転送レジスタの電極に印加される駆動パルスを印加し、オーバーフロードレイン側の下層の電極(ゲート電極)には、常にオン状態とする駆動パルスを印加することにより、オーバーフロードレイン側の下層の電極(ゲート電極)が常にオン状態となっていて、オーバーフローコントロールゲートによるバリアを超えた電荷を妨げることなくオーバーフロードレインに排出することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明は、転送レジスタにオーバーフローコントロールゲート及びオーバーフロードレインが設けられ、このオーバーフローコントロールゲートのゲート電極が転送レジスタ側及びオーバーフロードレイン側においてそれぞれ下層の電極上に重ねて形成されている固体撮像素子である。
本発明は、転送レジスタにオーバーフローコントロールゲート及びオーバーフロードレインが設けられ、このオーバーフローコントロールゲートのゲート電極が転送レジスタ側及びオーバーフロードレイン側においてそれぞれ下層の電極上に重ねて形成されている固体撮像素子に対して、オーバーフローコントロールゲートのゲート電極には、転送レジスタの電極に印加される駆動パルスを印加し、オーバーフロードレイン側の下層の電極には、常にオン状態とする駆動パルスを印加する固体撮像素子の駆動方法である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2002076318.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月19日(2007.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第一導電型の半導体層、発光層及び第二導電型の半導体層からなり、上面から見て円形状乃至は楕円形状にエッチング加工されている発光領域が、複数形成されている半導体発光素子。
【請求項２】
矩形の基板上に、第一導電型の半導体層、発光層及び第二導電型の半導体層からなり、上面から見て円形状乃至は楕円形状にエッチング加工されている発光領域が、ひとつ以上形成されており、発光光が少なくとも該発光領域の端面から外部へ放出される半導体発光素子。
【請求項３】
基板上に、第一導電型の半導体層、発光層及び第二導電型の半導体層からなる発光領域を有し、該発光領域は、その端面の少なくとも一部が外側に凸状を呈する曲面を含む複数の島状の発光領域部分が橋絡部分にて一体化された形状にエッチング加工されている、半導体発光素子。
【請求項４】
前記島状の発光領域部分が上面から見て円形状乃至は楕円形状とされている、請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記第一導電型の半導体層、発光層及び第二導電型の半導体層がＡｌＩｎＧａＮにて構成されている、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体発光素子は、次の特徴を有するものである。
（１）基板上に、第一導電型の半導体層、発光層及び第二導電型の半導体層からなり、上面から見て円形状乃至は楕円形状にエッチング加工されている発光領域が、複数形成されている半導体発光素子。
（２）矩形の基板上に、第一導電型の半導体層、発光層及び第二導電型の半導体層からなり、上面から見て円形状乃至は楕円形状にエッチング加工されている発光領域が、ひとつ以上形成されており、発光光が少なくとも該発光領域の端面から外部へ放出される半導体発光素子。
（３）基板上に、第一導電型の半導体層、発光層及び第二導電型の半導体層からなる発光領域を有し、該発光領域は、その端面の少なくとも一部が外側に凸状を呈する曲面を含む複数の島状の発光領域部分が橋絡部分にて一体化された形状にエッチング加工されている、半導体発光素子。
（４）前記島状の発光領域部分が上面から見て円形状乃至は楕円形状とされている、上記（３）に記載の半導体発光素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月23日(2007.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 第一のエッチングガスを用いて、シリコン基板の表面にエッチングマスクとなるエッチング残渣を付着させながら該表面をエッチングして粗面状にする工程と、
前記粗面工程の後に、第二のエッチングガスを用いて前記シリコン基板表面をエッチングして前記エッチング残渣を除去する工程と、を有するシリコン基板の粗面化法。
【請求項２】 前記第二のエッチングガスはＳＦ６からなることを特徴とする請求項１に記載のシリコン基板の粗面化法。
【請求項３】 前記粗面工程と前記除去工程とを同一のチャンバ内で行うことを特徴とする請求項１又は２に記載のシリコン基板の粗面化法。
【請求項４】 第一のエッチングガスを用いて、シリコン基板の表面にエッチングマスクとなるエッチング残渣を付着させながら該表面をエッチングして粗面状にする工程と、
前記粗面工程の後に、前記シリコン基板を水槽内に浸漬した状態で超音波をかけて前記シリコン基板表面から前記エッチング残渣を除去する工程と、を有するシリコン基板の粗面化法。
【請求項５】 前記第一のエッチングガスは、Ｈ２Ｏを含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のシリコン基板の粗面化法。
【請求項６】 前記第一のエッチングガスはＳＦ６を含み、該ＳＦ６の量よりも前記Ｈ２Ｏの量が少ないことを特徴とする請求項５に記載のシリコン基板の粗面化法。
【請求項７】 前記粗面工程によって、前記シリコン基板の表面に、幅と高さがそれぞれ１μｍ以下の凹凸を形成することを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のシリコン基板の粗面化法。
【請求項８】 前記粗面工程によって、前記シリコン基板の表面に、アスペクト比が２以下の凹凸を形成することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のシリコン基板の粗面化法。
【請求項９】 前記シリコン基板は多結晶シリコン基板であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のシリコン基板の粗面化法。
【請求項１０】 前記エッチングは反応性イオンエッチングであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載のシリコン基板の粗面化法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明のシリコン基板の粗面化法は、第一のエッチングガスを用いて、シリコン基板の表面にエッチングマスクとなるエッチング残渣を付着させながら該表面をエッチングして粗面状にする工程と、前記粗面工程の後に、第二のエッチングガスを用いて前記シリコン基板表面をエッチングして前記エッチング残渣を除去する工程とを有するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記シリコン基板の粗面化法では、前記第二のエッチングガスはＳＦ６からなることが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記シリコン基板の粗面化法では、前記粗面工程と前記除去工程とを同一のチャンバ内で行うことが望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また本発明のシリコン基板の粗面化法は、第一のエッチングガスを用いて、シリコン基板の表面にエッチングマスクとなるエッチング残渣を付着させながら該表面をエッチングして粗面状にする工程と、前記粗面工程の後に、前記シリコン基板を水槽内に浸漬した状態で超音波をかけて前記シリコン基板表面から前記エッチング残渣を除去する工程とを有するものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記シリコン基板の粗面化法では、前記第一のエッチングガスは、Ｈ２Ｏを含むことが好ましい。特に、前記第一のエッチングガスはＳＦ６を含み、該ＳＦ６の量よりも前記Ｈ２Ｏの量が少ないことが好ましい。
上記シリコン基板の粗面化法では、前記粗面工程によって、前記シリコン基板の表面に、幅と高さがそれぞれ１μｍ以下の凹凸を形成することが好ましい。
上記シリコン基板の粗面化法では、前記粗面工程によって、前記シリコン基板の表面に、アスペクト比が２以下の凹凸を形成することが好ましい。
上記シリコン基板の粗面化法では、前記シリコン基板は多結晶シリコン基板であることが好ましい。
上記シリコン基板の粗面化法では、前記エッチングは反応性イオンエッチングであることが好ましい。
つまり、シリコン基板の表面を反応性イオンエッチング法および類似のドライエッチング法で粗面化する際に、エッチングされたシリコンを主成分とするエッチング残渣をシリコン表面に再付着させて、これをエッチングのマイクロマスクとして利用することでシリコン基板表面に凹凸構造を形成するものである。なお、このエッチング残渣は最終的には除去される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【発明の効果】
本発明のシリコン基板の粗面化法は、第一のエッチングガスを用いて、シリコン基板の表面にエッチングマスクとなるエッチング残渣を付着させながら該表面をエッチングして粗面状にする工程と、前記粗面工程の後に、第二のエッチングガスを用いて前記シリコン基板表面をエッチングして前記エッチング残渣を除去する工程とを有することから、高効率の太陽電池などに必要なシリコン基板表面の凹凸構造（粗面）を高タクト・低コストで形成することができる。なお、エッチング残渣を除去しない場合は、太陽電池を形成する場合に良好な半導体接合部を形成できなくなる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また本発明のシリコン基板の粗面化法は、第一のエッチングガスを用いて、シリコン基板の表面にエッチングマスクとなるエッチング残渣を付着させながら該表面をエッチングして粗面状にする工程と、前記粗面工程の後に、前記シリコン基板を水槽内に浸漬した状態で超音波をかけて前記シリコン基板表面から前記エッチング残渣を除去する工程とを有することから、高効率の太陽電池などに必要なシリコン基板表面の凹凸構造（粗面）を高タクト・低コストで形成することができる。なお、エッチング残渣を除去しない場合は、太陽電池を形成する場合に良好な半導体接合部を形成できなくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月10日(2007.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】 シート搬送部に対して、一端が軸支されて、開閉可能な本体部と、この本体部をシート搬送部に保持する係合手段とを有し、前記係合手段は、前記本体部に設けられる保持部と、前記シート搬送部に設けられ、前記本体部の開閉時に、前記保持部が摺接する受部材とを有し、前記保持部は、前記本体部に取り付けられる取付部と、前記受部材に摺接する摺接部とを有し、前記本体部を開くように前記本体部の自由端を動かし次いで該自由端を離した時、前記摺接部を前記受部材に摺接させ、前記本体部を、重力方向にゆっくりと動かすことを特徴とするカバー開閉機構。【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  前記摺接部の表面は、一つ以上の凹凸の形状に形成した請求項１記載のカバー開閉機構。【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  前記受部材には、前記摺接部の表面が摺接する係合部が設けられたことを特徴とする請求項１記載のカバー開閉機構。【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】  前記受部材は、前記本体部を開くように前記本体部の自由端を動かす時に作動する機構で構成したことを特徴とする請求項１または６記載のカバー開閉機構。【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】  前記係合部には、前記摺接部の表面に形成された一つ以上の凹凸に対応した形状が形成されたことを特徴とする請求項１、６または７記載のカバー開閉機構。【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】    【課題を解決するための手段】  上記課題を解決するため、シート搬送部に対して、一端が軸支されて、開閉可能な本体部と、この本体部をシート搬送部に保持する係合手段とを有し、前記係合手段は、前記本体部に設けられる保持部と、前記シート搬送部に設けられ、前記本体部の開閉時に、前記保持部が摺接する受部材とを有し、前記保持部は、前記本体部に取り付けられる取付部と、前記受部材に摺接する摺接部とを有し、前記本体部を開くように前記本体部の自由端を動かし次いで該自由端を離した時、前記摺接部を前記受部材に摺接させ、前記本体部を、重力方向にゆっくりと動かすことを特徴とする。【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】  さらに、摺接部は本体部の垂直方向側に延出し、摺接部の表面は、受部材に接する時に、摩擦を増すように形成されたことを特徴とする。具体的には、摺接部表面を、一つ以上の凹凸の形状に形成したり、第一摩擦部が設けられたことを特徴とする。また、受部材については、摺接部の表面が摺接する係合部を設けたことを特徴とする。受部材は、本体部を開くように前記本体の自由端を動かす時に作動する機構で構成されたことを特徴とする。係合部は、摺接部の表面に形成された一つ以上の凹凸に対応した形状を形成したり、第二摩擦部を設けたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月12日(2007.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  金属からなる被覆層を有する、平均粒径５〜３００μｍ、アスペクト比１．２未満、ＣＶ値６％以下の微粒子を、少なくとも表面がフィルムに対し離型性を持つ吸着板を用いて、押圧により流動又は塑性変形する接着又は粘着フィルムに配置する微粒子の転写・配置方法であって、
前記吸着板の表面の任意の位置に、平均穴径が微粒子の平均粒径の１／４〜１．５倍、アスペクト比１．２未満、ＣＶ値６％以下の穴を設け、
前記微粒子を吸着板の裏面から吸引し、配置した後、吸引状態のまま微粒子をフィルムに押圧し、フィルム厚の１０％以上の深さまで押圧し、その後吸引を開放する又は加圧する
ことを特徴とする微粒子の転写・配置方法。
【請求項２】  穴は、厚み方向にテーパー状又は階段状であることを特徴とする請求項１記載の微粒子の転写・配置方法。
【請求項３】  微粒子の吸引は、気体の吸引により行い、吸引側の真空度が、前記微粒子の平均粒径が３００〜８０μｍである場合、−２０ｋＰａ以下であり、
前記微粒子の平均粒径が８０μｍ未満である場合、−３０ｋＰａ以下である
ことを特徴とする請求項１又は２記載の微粒子の転写・配置方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月27日(2006.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１情報処理装置と、第２情報処理装置とに対し、相互に無線通信可能な画像記録装置であって、
画像記録要求を受信する受信手段と、
前記受信手段で受信した画像記録要求に応じて画像記録処理を行なう画像記録手段と、
前記第１情報処理装置からの第１画像記録要求に応じた画像記録処理中に前記第２情報処理装置からの第２画像記録要求を受信した場合であって、該第２画像記録要求を前記第１画像記録要求よりも優先すべき場合には、前記画像記録手段に前記画像記録処理を中断させ、第２画像記録要求に応じた画像記録処理を開始させる制御手段と、
を有することを特徴とする画像記録装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記画像記録手段による、第２画像記録要求に応じた画像記録処理の終了後、前記第１画像記録要求に応じた画像記録処理を再開させることを特徴とする請求項１に記載の画像記録装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記第１情報処理装置に、前記画像記録処理が中断される旨を通知することを特徴とする請求項１または２に記載の画像記録装置。
【請求項４】
前記制御手段は、中断された前記画像記録処理を再開する際に、前記第１画像記録要求に応じた画像記録が再開する旨を示す画像を記録することを特徴とする請求項１、２または３に記載の画像記録装置。
【請求項５】
前記画像記録手段は、前記第２画像記録要求に応じた画像記録処理の結果出力される記録材を、前記第１画像記録要求に応じた中断された画像記録処理の結果出力された記録材とは異なる位置に載置することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像記録装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記第１情報処理装置及び前記第２情報処理装置に対して装置自体の優先順位を問い合わせることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像記録装置。
【請求項７】
前記制御手段は、
前記第１情報処理装置からの第１画像記録要求に応じた画像記録処理中に前記第２情報処理装置からの第２画像記録要求を受信した場合に、前記第１情報処理装置及び前記第２情報処理装置に対し、前記第１画像記録要求と前記第２画像記録要求のどちらを先に画像記録すべきかについて、問い合わせることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像記録装置。
【請求項８】
第１情報処理装置と、第２情報処理装置と、画像記録装置とを相互に無線接続した画像記録システムであって、
前記画像記録装置は、
画像記録要求を受信する受信手段と、
前記受信手段で受信した画像記録要求に応じて画像記録処理を行なう画像記録手段と、
前記第１情報処理装置からの第１画像記録要求に応じた画像記録処理中に前記第２情報処理装置からの第２画像記録要求を受信した場合に、前記第１情報処理装置及び前記第２情報処理装置に対して装置自体の優先順位を問い合わせる手段と、
該第２画像記録要求を前記第１画像記録要求よりも優先すべき場合には、前記画像記録手段に前記画像記録処理を中断させ、第２画像記録要求に応じた画像記録処理を開始させる制御手段と、
を有し、
前記第１、第２情報処理装置は、
前記画像記録装置における画像記録順序についての優先順位を決定する決定手段と、
前記優先順位の問い合わせに対し、前記決定手段で決定した優先順位を応答する応答手段と、
を有することを特徴とする画像記録システム。
【請求項９】
第１情報処理装置と、第２情報処理装置と、画像記録装置とを相互に無線接続した画像記録システムであって、
前記画像記録装置は、
画像記録要求を受信する受信手段と、
前記受信手段で受信した画像記録要求に応じて画像記録処理を行なう画像記録手段と、
前記第１情報処理装置からの第１画像記録要求に応じた画像記録処理中に前記第２情報処理装置からの第２画像記録要求を受信した場合に、前記第１情報処理装置及び前記第２情報処理装置に対し、前記第１画像記録要求と前記第２画像記録要求のどちらを先に画像記録すべきかについて、問い合わせを行なう手段と、
該第２画像記録要求を前記第１画像記録要求よりも優先すべき場合には、前記画像記録手段に前記画像記録処理を中断させ、第２画像記録要求に応じた画像記録処理を開始させる制御手段と、
を有し、
前記第１、第２情報処理装置は、
前記問い合わせに対し、前記第１画像記録要求と前記第２画像記録要求のどちらを先に画像記録すべきかを表わす優先順位について調停する調停手段と
前記調停手段で調停した前記優先順位を応答する応答手段と、
を有することを特徴とする画像記録システム。
【請求項１０】
前記調停手段は、第１、第２情報処理装置のユーザに対して、前記第１画像記録要求と前記第２画像記録要求のどちらを先に画像記録すべきかについて問い合わせる手段を含むことを特徴とする請求項９に記載の画像記録システム。
【請求項１１】
第１情報処理装置と、第２情報処理装置とに対し、相互に無線通信可能な画像記録装置を用いた画像記録方法であって、
画像記録要求を受信する受信工程と、
前記画像記録装置を用いて、前記受信工程で受信した画像記録要求に応じて画像記録処理を行なう第１画像記録工程と、
前記第１画像記録工程での画像処理処理中に前記第２情報処理装置からの第２画像記録要求を受信した場合であって、該第２画像記録要求を前記第１画像記録要求よりも優先すべき場合には、前記第１画像記録工程での前記画像記録処理を中断し、前記画像記録装置を用いて、第２画像記録要求に応じた画像記録処理を行なう第２画像記録工程と、
を含むことを特徴とする画像記録方法。
【請求項１２】
第１情報処理装置と、第２情報処理装置とに対し、相互に無線通信可能な画像記録装置を制御するためのプログラムであって、
プロセッサに、
画像記録要求を受信する受信工程と、
前記受信工程で受信した画像記録要求に応じて前記画像記録装置に画像記録処理を行なわせる第１画像記録工程と、
前記第１画像記録工程での画像処理処理中に前記第２情報処理装置からの第２画像記録要求を受信した場合であって、該第２画像記録要求を前記第１画像記録要求よりも優先すべき場合には、前記画像記録装置に前記第１画像記録工程での前記画像記録処理を中断させ、第２画像記録要求に応じた画像記録処理を行わせる第２画像記録工程と、
を実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項１３】
第１情報処理装置と、第２情報処理装置とに対し、相互に無線通信可能な画像記録装置を制御するためのプログラムを格納した記憶媒体であって、
プロセッサに、
画像記録要求を受信する受信工程と、
前記受信工程で受信した画像記録要求に応じて前記画像記録装置に画像記録処理を行なわせる第１画像記録工程と、
前記第１画像記録工程での画像処理処理中に前記第２情報処理装置からの第２画像記録要求を受信した場合であって、該第２画像記録要求を前記第１画像記録要求よりも優先すべき場合には、前記画像記録装置に前記第１画像記録工程での前記画像記録処理を中断させ、第２画像記録要求に応じた画像記録処理を行わせる第２画像記録工程と、
を実行させるプログラムを格納したことを特徴とする記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月29日(2007.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
絶縁管（４）の内面（８）と接続部材（２、３）により限定される中空空間（７１）は軸（１）から外へ延びる圧力補償通路（７２）と接続されていることを特徴とする請求項１或いは請求項３に記載の軸。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月26日(2007.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ＥＨＳの懸念を増大させることなく、正確で、より信頼できる結果を容易に得られるようにするために、少なくともいくつかの部品は赤外線ＮＤＥ方法を使用して検査されている。赤外線ＮＤＥ方法は、全ての物質が絶えず電磁放射を吸収し、放出するという前提に基づいて動作する。物質内部における帯電粒子の連続運動の結果、電磁放射は放出される。特に、帯電粒子の運動は温度の上昇に伴って増加し、それに対応して、材料からの放射の連続放出も増加する。通常、亀裂及び欠陥は部品の他の領域より多くの放射を吸収し、その結果、亀裂はその欠陥を取り囲んでいる相対的に平坦で、滑らかな表面領域と比較して高い放射率とラジアンスを有する。
【特許文献１】米国特許第４３４５４５７号
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月5日(2007.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）細胞を含む試料と蛍光色素を含む試薬を混合することにより免疫学的手法を用いないで測定用試料を調製し、
（ｂ）前記細胞から複数の形態学的情報を検出し、
（ｃ）前記複数の形態学的情報からスキャッタグラムを作成し、
（ｄ）前記スキャッタグラムの巨核球領域に集団が存在するか否かを決定することからなる巨核球の検出方法。
【請求項２】
スキャッタグラムに巨核球領域が表示されるように設定される請求項１記載の検出方法。
【請求項３】
検出が自動血球分析装置により行われる請求項１記載の検出方法。
【請求項４】
複数の形態学的情報が、細胞から発せられる側方散乱光及び側方蛍光からなる請求項１記載の検出方法。
【請求項５】
複数の形態学的情報が、細胞から発せられる前方散乱光及び側方散乱光からなる請求項１記載の検出方法。
【請求項６】
複数の形態学的情報が、細胞から発せられる前方散乱光及び蛍光からなる請求項１記載の検出方法。
【請求項７】
検出が、測定用試料を電気的に帯電した細孔を通して直流抵抗と高周波抵抗の変化を同定することからなる請求項１記載の検出方法。
【請求項８】
さらに巨核球領域を同定することからなる請求項１記載の検出方法。
【請求項９】
同定が、精製された巨核球から検出された複数の情報から第１の参照スキャッタグラムを作成し、末梢血試料及び骨髄試料のうちの少なくとも一つ中の細胞から検出された複数の情報から第２の参照スキャッタグラムを作成し（ここで、末梢血及び骨髄試料には、実質的に巨核球が存在しない）、第１の参照スキャッタグラムと第２のスキャッタグラムを比較し、それによって巨核球領域を同定することからなる請求項８記載の検出方法。
【請求項１０】
精製された巨核球が、分化したDami細胞からなる請求項９記載の検出方法。
【請求項１１】
精製された巨核球が、CD34陽性造血細胞から誘導された細胞からなる請求項９記載の検出方法。
【請求項１２】
前記細胞が、トロンボポエチンを用いて誘導される請求項１１記載の検出方法。
【請求項１３】
（ａ）細胞を含む試料と蛍光色素を含む試薬を混合することにより免疫学的手法を用いないで測定用試料を調製し、
（ｂ）前記細胞から複数の情報を検出し、ここで、前記情報は、細胞の大きさ情報、細胞内部情報、細胞の染色度合いの情報及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、
（ｃ）複数の情報をプロットすることによりスキャッタグラムを作成し、
（ｄ）スキャッタグラムの巨核球領域内に集団が存在するか否かを決定することからなる巨核球の検出方法。
【請求項１４】
検出が自動血球分析装置により行われる請求項１３記載の検出方法。
【請求項１５】
細胞内部情報が、細胞より発せられた側方散乱光に基づいて検出され、細胞の染色度合いの情報が、細胞より発せられた蛍光に基づいて検出される請求項１３記載の検出方法。
【請求項１６】
細胞の大きさ情報が、細胞より発せられる前方散乱光に基づいて検出され、細胞内部情報が、細胞より発せられた側方散乱光に基づいて検出される請求項１３記載の検出方法。
【請求項１７】
細胞の大きさ情報が、細胞より発せられる前方散乱光に基づいて検出され、細胞の染色度合いの情報が、細胞より発せられた蛍光に基づいて検出される請求項１３記載の検出方法。
【請求項１８】
検出が、測定用試料を電気的に帯電した細孔を通して直流抵抗の変化に基づいて細胞の大きさ情報を同定し、高周波抵抗の変化に基づいて細胞内部情報を同定することからなる請求項１３記載の検出方法。
【請求項１９】
（ａ）細胞を含む試料と、蛍光色素と溶血剤からなる試薬を混合することにより免疫学的手法を用いないで測定用試料を調製し、
（ｂ）前記細胞から発せられる散乱光と蛍光を検出し、
（ｃ）前記散乱光と前記蛍光をプロットすることによりスキャッタグラムを作成し、
（ｄ）スキャッタグラムの巨核球領域内に集団が存在するか否かを決定することからなる巨核球の検出方法。
【請求項２０】
散乱光が側方散乱光からなる請求項１９記載の検出方法。
【請求項２１】
検出が自動血球分析装置により行われる請求項１９記載の検出方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
簡潔に言えば、本発明の特徴を具体化した第１の巨核球の検出方法は、（ａ）細胞を含む試料と蛍光色素を含む試薬を混合することにより免疫学的手法を用いないで測定用試料を調製し、、（ｂ）前記細胞から複数の形態学的情報を検出し、（ｃ）前記複数の形態学的情報からスキャッタグラムを作成し、（ｄ）前記スキャッタグラムの巨核球領域に集団が存在するか否かを決定する、ことを含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の特徴を具体化した第２の巨核球の検出方法は、（ａ）細胞を含む試料と蛍光色素を含む試薬を混合することにより免疫学的手法を用いないで測定用試料を調製し、（ｂ）前記細胞から複数の情報を検出し、ここで前記情報は、細胞の大きさ情報、細胞の内部情報、細胞の染色度合いに関する情報及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、（ｃ）前記複数の情報をプロットすることによりスキャッタグラムを作成し、（ｄ）前記スキャッタグラムの巨核球領域に集団が存在するか否かを決定する、ことを含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の特徴を具体化した第３の巨核球の検出方法は、（ａ）細胞を含む試料と、蛍光色素と溶血剤を含む試薬を混合することにより免疫学的手法を用いないで測定用試料を調製し、（ｂ）前記細胞から放出される散乱光と蛍光を検出し、（ｃ）前記散乱光と前記蛍光プロットすることによりスキャッタグラムを作成し、（ｄ）前記スキャッタグラムの巨核球領域に集団が存在するか否かを決定する、ことを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数配設された導電パターンの状態を検査する導電パターン検査装置であって、
検査対象パターンの一端に静電結合されたセンサ電極と、
検査対象パターンを含む少なくとも２以上の連続する導電パターンの他端と電気的に接続された給電電極と、
給電電極とセンサ電極とを介して対象パターンに交流信号を印加する信号印加手段と、
信号印加手段の電源とセンサ電極または給電電極の間に流れる電流値を検出する電流値検出手段と、
検出された電流値に基づいて導電パターンの断線および短絡の有無を検出する欠陥検出手段と、
を有することを特徴とする導電パターン検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の導電パターン検査装置であって、さらに、
断線または短絡が検出された導電パターンに沿ってセンサ電極を移動させる移動手段と、
移動における電流値の変化から断線または短絡の位置を検出する位置検出手段と、
を有することを特徴とする導電パターン検出装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の導電パターン検査装置であって、
給電電極は、他端に静電結合された電極板であることを特徴とする導電パターン検査装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の導電パターン検査装置であって、
給電電極は、導電パターンの他端に設けられたコモンバーであることを特徴とする導電パターン検査装置。
【請求項５】
基板上に複数配設された導電パターンの状態を検査する導電パターン検査装置であって、
対象パターンとその両側の導電パターンとを含む少なくとも３以上の導電パターンの両端と電気的に接続された一対の第１電極と、
対象パターンの両側の導電パターン上に配される一対の電極であって、両側の導電パターンにそれぞれ静電結合された一対の第２電極と、
一対の第１電極を介して導電パターンに第１周波数の交流信号を印加する第１印加手段と、
一対の第２電極を介して導電パターンに第２周波数の交流信号を印加する第２印加手段と、
対象パターン上に設けられた電極であって、対象パターンに静電結合されたセンサ電極と、
センサ電極における周波数毎の電圧値を検出する電圧検出手段と、
検出された電圧値に基づいて断線および短絡の有無を検出する欠陥検出手段と、
を有することを特徴とする導電パターン検査装置。
【請求項６】
請求項５に記載の導電パターン検査装置であって、
電圧検出手段は、センサ電極の電位を周波数で弁別して検出する弁別手段を有することを特徴とする導電パターン検査装置。
【請求項７】
請求項５または６に記載の導電パターン検査装置であって、
第１印加手段と第２印加手段のうち少なくとも一方の電源は、中点アースされており、
センサ電極は、対象パターンの中心からずれた位置にあることを特徴とする導電パターン検出装置。
【請求項８】
請求項５ないし７のいずれか１に記載の導電パターン検査装置であって、さらに、
断線または短絡が検出された導電パターンに沿ってセンサ電極を移動させる移動手段と、
移動における電圧値の変化から断線または短絡の位置を検出する位置検出手段と、
を有することを特徴とする導電パターン検査装置。
【請求項９】
基板上に列状に配設された複数のゲートパターンと、
ゲートパターンに隣接して列状に配設された複数のＣｓパターンであって、その一端をＣｓ用コモンバーで接続された複数のＣｓパターンと、
を検査する導電パターン検査装置であって、
対象ゲートパターンを含む少なくとも１以上のゲートパターンの両端と電気的に接続される一対のゲート用電極と、
一対のゲート用電極を介して対象ゲートパターンに第１周波数の交流信号を印加するゲート用印加手段と、
対象ゲートパターンに隣接する対象Ｃｓパターンを含む少なくとも１以上のＣｓパターンの他端と静電結合されたＣｓ用電極と、
Ｃｓ用コモンバーとＣｓ用電極とを介して対象Ｃｓパターンに第２周波数の交流信号を印加するＣｓ用印加手段と、
対象ゲートパターンまたは対象Ｃｓパターンと静電結合された電極と、
センサ電極における電圧値を検出する短絡用検出手段と、
検出された電圧値に基づいてゲートパターンおよびＣｓパターンの欠陥を検出する欠陥検出手段と、
を有することを特徴とする導電パターン検査装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の導電パターン検査装置であって、さらに、
断線または短絡が検出された対象パターンに沿ってセンサ電極を移動させる移動手段と、
移動における電圧値の変化から断線または短絡の位置を検出する位置検出手段と、
を有することを特徴とする導電パターン検査装置。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の導電パターン検査装置であって、
ゲート用印加手段およびＣｓ用印加手段の電源は、中点アースされており、
センサ用電極は、対象パターンの中心位置からずれた位置にあることを特徴とする導電パターン検査装置。
【請求項１２】
基板上に列状に配設された複数のゲートパターンと、
ゲートパターンに隣接して列状に配設された複数のＣｓパターンであって、その一端をＣｓ用コモンバーで接続された複数のＣｓパターンと、
を検査する導電パターン検査装置であって、
対象ゲートパターンを含む少なくとも１以上のゲートパターンの両端と電気的に接続される一対のゲート用電極と、
一対のゲート用電極を介して対象ゲートパターンに交流信号を印加するゲート用印加手段と、
対象ゲートパターンに隣接する対象Ｃｓパターンを含む少なくとも１以上のＣｓパターンの他端と静電結合されたＣｓ用電極と、
Ｃｓ用コモンバーとＣｓ用電極とを介して対象Ｃｓパターンに交流信号を印加するＣｓ用印加手段と、
対象ゲートパターンまたは対象Ｃｓパターンと静電結合された電極であって、ゲート用印加手段およびＣｓ用印加手段の電源と接続されたセンサ電極と、
電源とセンサ電極との間に流れる電流値を検出する電流値検出手段と、
検出された電流値に基づいてＣｓパターンおよびゲートパターンの欠陥を検出する欠陥検出手段と、
を有することを特徴とする導電パターン検査装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の導電パターン検査装置であって、
センサ電極は、ゲート用印加手段およびＣｓ用印加手段の電源の中点に接続され、対象パターンのほぼ中心にあることを特徴とする導電パターン検査装置。
【請求項１４】
請求項９乃至１３のいずれか１に記載のパターン検査装置であって、
一対のゲート用電極のうち、一方は、ゲート用コモンバーであることを特徴とする導電パターン検査装置。
【請求項１５】
請求項９乃至１３のいずれか１に記載の導電パターン検査装置であって、
一対のゲート用電極のうち、少なくとも一方は、ゲートパターンと静電結合により接続されていることを特徴とする導電パターン検査装置。
【請求項１６】
基板上に複数配設された導電パターンの状態を検査する導電パターン検査装置であって、
検査対象パターンに静電結合されたセンタ電極と、
検査対象パターンに対し、互いに異なる位置から静電結合により、互いに１８０度異なる位相の検査電圧を供給する一対の給電電極と、
センサ電極に誘起された電圧の変化に基づいて、断線および短絡の少なくとも一方を検出する欠陥検出手段と、
を備えることを特徴とする導電パターン検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月8日(2007.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
また、図７に示すように、ホール素子１はプリント基板１０に取付けられるが、この場合、プリント基板１０との取付け距離１の違いは電流センサーの性能に微妙に影響するために所定の距離でセッティングする必要があり、治具（図示せず）を用いてホール素子１をプリント基板１０に所定の取付け距離で取付けていた。
【特許文献１】特開平８−７５７９７