【手続補正書】
【提出日】平成19年6月25日(2007.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリックス前駆体組成物、又は有機ポリマー及び／又は無機酸化物を含む誘電性マトリックス材料；及び
電界プログラミングのために有効なタイプ及び量の電子供与体及び電子受容体
を含む、電界プログラム可能なフィルムを形成するための組成物。
【請求項２】
前記マトリックス前駆体組成物が、スチレン、４−ヒドロキシスチレン、炭素数１〜１０の直鎖、分枝又は環状アルキル、炭素数１〜１０の直鎖、分枝又は環状アルコキシ、炭素数６〜１０のアリール又はアラルキル、又は炭素数６〜１０のアリールオキシ又はアラルキルオキシ置換スチレン、酢酸ビニル、ビニルアルコール、（メタ）アクリロニトリル、（メタ）アクリル酸、炭素数１〜１０の直鎖、分枝又は環状アルキル又は炭素数６〜１０のアリール又はアラルキル（メタ）アクリレートエステル、炭素数１〜１０の直鎖、分枝又は環状アルキル又は炭素数６〜１０のアリール又はアラルキルシアノアクリル酸エステル、炭素数１〜１０の直鎖、分枝又は環状アルコキシ、炭素数６〜１０のアリール、アリールアルキル、アリールオキシ又はアリールアルキルオキシジアルコール；炭素数１〜１０の直鎖、分枝又は環状アルコキシ、炭素数６〜１０のアリール、アリールアルキル、アリールオキシ又はアリールアルキルオキシ二酸、炭素数１〜１０の直鎖、分枝又は環状アルコキシ；炭素数１〜１０のアリール、アリールアルキル、アリールオキシ又はアリールアルキルオキシジアルコール；炭素数１〜１０の直鎖、分枝又は環状アルコキシ、炭素数６〜１０のアリール、アリールアルキル、アリールオキシ又はアリールアルキルオキシ二酸、炭素数１〜１０の直鎖、分枝又は環状アルコキシ、炭素数６〜１０のアリール、アリールアルキル、アリールオキシ又はアリールアルキルオキシジアミン、少なくとも１つの前記モノマーを含む重合性オリゴマー、少なくとも１つの前記モノマーを含む重合性ポリマー、あるいは少なくとも１つの前記モノマー、オリゴマー又はポリマーを含む組み合わせを含み、
さらに前記マトリックス前駆体組成物の重合により誘電性マトリックス材料が形成されることを特徴とする、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
前記誘電性マトリックス材料がホモポリマー又はコポリマーであり、２より大きい誘電定数を有することを特徴とする、請求項１又は２記載の組成物。
【請求項４】
前記誘電性マトリックス材料がホモポリマー又はコポリマーであり、２〜５００の誘電定数を有することを特徴とする、請求項１又は２記載の組成物。
【請求項５】
前記有機ポリマーが、ポリオレフィン、ポリ（メタ）アクリレート、ポリエステル、ポリアミド、ノボラック、ポリシロキサン、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアセテート、ポリアルキド、ポリアミドイミド、ポリアリレート、ポリウレタン、ポリアリールスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリ塩化ビニル、ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン又は少なくとも１つの前記有機ポリマーを含む組み合わせであることを特徴とする、請求項１記載の組成物。
【請求項６】
前記無機酸化物が下記式の組成物である、請求項１記載の組成物。
ＡwＢxＣyＯz
式中、ｗ、ｘ及びｙは０〜３０であり、ｚは１〜６０であり；Ａはカルシウム、ストロンチウム又はバリウムであり、Ｂはビスマス、ジルコニウム、ニッケル又は鉛であり、Ｃはチタニウム、ニオブ、ジルコニウム、バナジウム又はタンタルである。なお、当該無機酸化物の化学量論はほぼ電荷が中性になるように制限される。
【請求項７】
前記電子受容体が、８−ヒドロキシキノリン、フェノチアジン、９，１０−ジメチルアントラセン、ペンタフルオロアニリン、フタロシアニン、パーフルオロフタロシアニン、テトラフェニルポルフィン、銅フタロシアニン、銅パーフルオロフタロシアニン、銅テトラフェニルポルフィン、２−（９−ジシアノメチレン−スピロ［５，５］ウンデカ−３−イリデン）−マロノニトリル、４−フェニルアゾ−ベンゼン−１，３−ジオール、４−（ピリジン−２−イルアゾ）−ベンゼン−１，３−ジオール、ベンゾ［ｌ，２，５］チアジアゾール−４，７−ジカルボニトリル、テトラシアノキノジメタン、キノリン、クロルプロマジン、テトラフェニルポルフィン又は少なくとも１つの前記電子受容体を含む組み合わせであることを特徴とする、請求項１記載の組成物。
【請求項８】
前記電子供与体が有機電子供与体又は無機電子供与体であることを特徴とする、請求項１記載の組成物。
【請求項９】
前記有機電子供与体が、テトラチアフルバレン、４，４’，５−トリメチルテトラチアフルバレン、ビス（エチレンジチオ）テトラチアフルバレン、ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−エチルカルバゾール、テトラチオテトラセン、ヘキサメチルベンゼン、テトラメチルテトラセレノフルバレン又はヘキサメチレンテトラセレノフルバレンであることを特徴とする、請求項８記載の組成物。
【請求項１０】
前記無機電子供与体が、Ｋ+ＢＥｔ3Ｈ-又はＮＲ4+ＢＥｔ3Ｈ-で還元され、テトラヒドロフラン、テトラヒドロチオフェン、第４級アンモニウム塩又はベタイン界面活性剤を用いて安定化される遷移金属の金属ハライド塩又はアセチルアセトナート錯体であることを特徴とする、請求項８記載の組成物。
【請求項１１】
前記電子供与体が、保護有機又は無機シェルを含むことを特徴とする、請求項８、９又は１０記載の組成物。
【請求項１２】
供与体−受容体錯体をさらに含み、前記供与体−受容体錯体が、テトラチアフルバレン−テトラシアノキノジメタン；ヘキサメチレンテトラチアフルバレン−テトラシアノキノジメタン；テトラセレナフルバレン−テトラシアノキノジメタン；ヘキサメチレンテトラセレナフルバレン−テトラシアノキノジメタン；メチルカルバゾールテトラシアノキノジメタン；テトラメチルテトラセレノフルバレン−テトラシアノキノジメタン；金、銅、銀又は鉄を含む金属ナノ粒子−テトラシアノキノジメタン錯体、フェロセン−テトラシアノキノジメタン錯体；テトラチオテトラセン、テトラメチル−ｐ−フェニレンジアミン、又はヘキサメチルベンゼン−テトラシアノキノジメタン錯体；テトラチアフルバレン、ヘキサメチレンテトラチアフルバレン、テトラセレナフルバレン、ヘキサメチレンテトラセレナフルバレン、又はテトラメチルテトラセレノフルバレン−Ｎ−アルキルカルバゾール（炭素数１〜１０、直鎖又は分枝）錯体；テトラチオテトラセン、テトラメチル−ｐ−フェニレンジアミン、又はヘキサメチルベンゼン−バックミンスターフラーレンＣ60錯体；テトラチアフルバレン、ヘキサメチレンテトラチアフルバレン、テトラセレナフルバレン、ヘキサメチレンテトラセレナフルバレン、テトラメチルテトラセレノフルバレン−Ｎ−アルキルカルバゾール（炭素数１〜１０、直鎖又は分枝）錯体；テトラチオテトラセン、テトラメチル−ｐ−フェニレンジアミン、又はヘキサメチルベンゼン−テトラシアノベンゼン錯体；テトラチアフルバレン、ヘキサメチレンテトラチアフルバレン、テトラセレナフルバレン、ヘキサメチレンテトラセレナフルバレン、又はテトラメチルテトラセレノフルバレン−Ｎ−アルキルカルバゾール（炭素数１〜１０、直鎖又は分枝）錯体；テトラチオテトラセン、テトラメチル−ｐ−フェニレンジアミン、又はヘキサメチルベンゼン−テトラシアノエチレン錯体；テトラチアフルバレン、ヘキサメチレンテトラチアフルバレン、テトラセレナフルバレン、ヘキサメチレンテトラセレナフルバレン、又はテトラメチルテトラセレノフルバレン−Ｎ−アルキルカルバゾール（炭素数１〜１０、直鎖又は分枝）錯体；テトラチオテトラセン、テトラメチル−ｐ−フェニレンジアミン、ヘキサメチルベンゼン−ｐ−クロラニル錯体、又は少なくとも１つの前記供与体−受容体錯体を含む組み合わせであることを特徴とする、請求項１記載の組成物。
【請求項１３】
さらに溶媒を含むことを特徴とする、請求項１記載の組成物。
【請求項１４】
電界プログラム可能なフイルム（１）を形成するための、マトリックス前駆体組成物又は誘電性マトリックス材料を含む組成物であって、前記誘電性マトリックス材料が有機ポリマー及び／又は無機酸化物を含み、また電子供与体（Ｄ）及び電子受容体（Ａ）各々が電界プログラム可能なフイルムを形成することを可能にする量で存在し、前記電子供与体が範囲１nmから１００nmのサイズのナノ粒子から本質的になることを特徴とする組成物。
【請求項１５】
誘電性マトリックス材料を含む電界プログラム可能なフイルム（１）であって、前記誘電性マトリックス材料が有機ポリマー及び／又は無機酸化物、電子供与体（Ｄ）及び電子受容体（Ａ）を含み、前記電子供与体が範囲１nmから１００nmのサイズのナノ粒子から本質的になることを特徴とする電界プログラム可能なフイルム（１）。
【請求項１６】
有機ポリマー及び／又は無機酸化物を含む誘電性マトリックス材料；
電子供与体；及び
電子受容体を含む、電界プログラム可能なフィルム。
【請求項１７】
請求項１６のフィルムを含むデータ格納デバイス。
【請求項１８】
請求項１６のフィルムを含むクロスポイントアレイ。
【請求項１９】
請求項１記載の組成物を基板に塗布する工程と、当該塗布した組成物から溶媒を除去してフィルムを形成する工程とを含むことを特徴とする、電界プログラム可能なフィルムの製造方法。
【請求項２０】
請求項１９の方法により製造されたフィルム。