【手続補正書】
【提出日】平成18年11月1日(2006.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  マイクロ波が透過可能な誘電体窓で一部を形成されたプラズマ処理室と、
前記プラズマ処理室内に設置される被処理基体の支持手段と、
前記プラズマ処理室内へ処理用ガスを導入するガス導入手段と、
前記プラズマ処理室内を真空排気する排気手段と、
複数のマイクロ波導入口と、前記誘電体窓側の面に予め定められた角度間隔で穿孔されてなる複数のスロットとを有する無終端の環状導波管とを備え、
前記環状導波管は、前記各マイクロ波導入口から入射したマイクロ波を前記各スロットを介し前記誘電体窓を透して前記プラズマ処理室内へ導入するプラズマ処理装置であって、
前記環状導波管の中心軸上にマイクロ波の入口があり、複数のマイクロ波の出口が前記環状導波管の複数の前記マイクロ波導入口と接続されている分岐手段を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】  前記スロットは、前記環状導波管のＨ面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】  前記環状導波管は、その断面中心を結んで形成される環の周長が管内波長の整数倍であり、且つ前記スロットが前記円周に沿って管内波長の１／２又は１／４間隔に放射状に形成されてなるものであることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】  前記環状導波管は、その周長が管内波長の奇数倍であり、前記マイクロ波導入口が１８０度間隔に２個設けられており、
前記分岐手段は、マイクロ波を２方向にＨ分岐導入するものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】  前記被処理基体の表面に、アッシング処理、エッチング処理及び成膜処理のうちからいずれか１種の処理又は複数種の処理を順次施すことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】  マイクロ波が透過可能な誘電体窓で一部を形成されたプラズマ処理室内に被処理基体を設置し、前記プラズマ処理室内へ処理用ガスを導入して、無終端の環状導波管から前記プラズマ処理室内へマイクロ波を導入することにより前記被処理基体にプラズマ処理を施すに際して、
マイクロ波を、その入射方向を複数に分岐して、１つの前記環状導波管に供給し、前記環状導波管に形成されたスロットを介し誘電体窓を透して前記プラズマ処理室内に導入することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】  前記環状導波管の中心軸上からマイクロ波を入射し、予め定められた前記スロットに対応する部位でマイクロ波を複数に分岐することを特徴とする請求項６に記載のプラズマ処理方法。
【請求項８】  前記環状導波管は、その断面中心を結んで形成される環の周長が管内波長の整数倍であり、且つ前記スロットが前記円周に沿って管内波長の１／２又は１／４間隔に放射状に形成されてなるものであることを特徴とする請求項６又は７に記載のプラズマ処理方法。
【請求項９】  前記環状導波管は、その周長が管内波長の奇数倍であり、マイクロ波の入射方向を複数に分岐するマイクロ波導入口が１８０度間隔に２個設けられており、
マイクロ波を２方向にＨ分岐導入することを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１０】  前記被処理基体の表面に、アッシング処理、エッチング処理及び成膜処理のうちから何れか１種の処理又は複数種の処理を順次施すことを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明のプラズマ処理装置は、マイクロ波が透過可能な誘電体窓で一部を形成されたプラズマ処理室と、前記プラズマ処理室内に設置される被処理基体の支持手段と、前記プラズマ処理室内へ処理用ガスを導入するガス導入手段と、前記プラズマ処理室内を真空排気する排気手段と、複数のマイクロ波導入口と、前記誘電体窓側の面に予め定められた角度間隔で穿孔されてなる複数のスロットとを有する無終端の環状導波管とを備え、前記環状導波管は、前記各マイクロ波導入口から入射したマイクロ波を前記各スロットを介し前記誘電体窓を透して前記プラズマ処理室内へ導入するプラズマ処理装置であって、前記環状導波管の中心軸上にマイクロ波の入口があり、複数のマイクロ波の出口が前記環状導波管の複数の前記マイクロ波導入口と接続されている分岐手段を備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明のプラズマ処理方法の一態様では、前記環状導波管の中心軸上からマイクロ波を入射し、予め定められた前記スロットに対応する部位でマイクロ波を複数に分岐する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した好適な実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
本発明のマイクロ波プラズマ処理装置を図１を用いて説明する。１０１はプラズマ処理室、１０２はプラズマ処理室１０１を大気側から分離する誘電体、１０３はマイクロ波をプラズマ処理室１０１に導入するためのスロット付平板状無終端環状導波管、１０４は環状導波管１０３の複数の導入口にマイクロ波を導入する分岐、１１２は被処理基体、１１３は被処理基体１１２の支持体、１１４は被処理基体１１２を加熱するヒータ、１１５は処理用ガス導入手段、１１６は排気部である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
プラズマの発生及び処理は以下のようにして行なう。
先ず、被処理基体２１２を基体支持体２１３上に設置し、ヒータ２１４を用いて被処理基体２１２を所望の温度まで加熱する。排気系（不図示）を介してプラズマ処理室２０１内を真空排気する。続いて、プラズマ処理用ガスを処理用ガス導入口２１５を介して所定の流量でプラズマ発生室２０１内に導入する。次に、排気系（不図示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、プラズマ処理室２０１内を所定の圧力に保持する。マイクロ波電源（不図示）より所望の電力を、位相シフタ付きＨ分岐２０４により環状導波管２０３内に導入する。マイクロ波は位相シフタ付きＨ分岐２０４で２分岐され２個の導入口から環状導波管に導入された後、更にＥ分岐され伝搬空間２０５内を左右に伝搬する。Ｅ分岐されたマイクロ波は導入部２０４の対向部で干渉し、管内波長の１／２毎にスロット２０６を横切る電界を強め、スロット２０６を介し誘電体２０２を透してプラズマ処理室２０１に導入される。プラズマ処理室２０１内に導入されたマイクロ波の電界により電子が加速され、プラズマ処理室２０１内にプラズマが発生する。この際、処理用ガスは発生した高密度プラズマにより励起され、支持体２１３上に載置された被処理基体２１２の表面を処理する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2001135615.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
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【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2001135615.tif 000003
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2001135615.tif 000004