【手続補正書】
【提出日】平成18年12月20日(2006.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に軟磁性下地層を介して垂直記録層が形成された垂直磁気記録媒体において、
前記基板と軟磁性下地層との間に形成された非晶質層或いは微結晶質層を有し、
前記軟磁性下地層は、第一非晶質軟磁性層、第二非晶質軟磁性層、及び前記第一非晶質軟磁性層と第二非晶質軟磁性層との間に形成された非磁性層を有し、
前記第一非晶質軟磁性層及び第二非晶質軟磁性層は、基板の半径方向に付与された一軸異方性を有し、かつ反強磁性的に結合していることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記非晶質層或いは微結晶質層は、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｃｏ、Ｈｆ、Ｓｉ及びＢからなる群のうち少なくとも二種以上の金属を含む合金を含有すること特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記第一非晶質軟磁性層と非磁性層との間に第一の強磁性層を有し、前記第二非晶質軟磁性層と非磁性層との間に第二の強磁性層を有することを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
基板上に軟磁性下地層を介して垂直記録層が形成された垂直磁気記録媒体において、
前記基板と軟磁性下地層との間に形成された非晶質層或いは微結晶質層を有し、
前記軟磁性下地層は、第一非晶質軟磁性層、第二非晶質軟磁性層、及び前記第一非晶質軟磁性層と第二非晶質軟磁性層との間に形成された非磁性層を有し、
前記第一非晶質軟磁性層及び第二非晶質軟磁性層は、基板の半径方向に付与された一軸異方性を有し、
基板の半径方向に磁界を印加して測定した前記軟磁性下地層の磁化曲線は、ゼロ磁界を含むある磁界範囲で安定な磁化レベルを有するステップ状の形状を有し、さらに負磁界側の飽和磁化から前記磁化レベルへ遷移する磁界の絶対値と、正磁界側の飽和磁化から前記磁化レベルへ遷移する磁界の絶対値がほぼ同じであることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記第一非晶質軟磁性層及び第二非晶質軟磁性層は、反強磁性的に結合していることを特徴とする請求項４記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記非晶質層或いは微結晶質層は、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｃｏ、Ｈｆ、Ｓｉ及びＢからなる群のうち少なくとも二種以上の金属を含む合金を含有すること特徴とする請求項４記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
前記第一非晶質軟磁性層と非磁性層との間に第一の強磁性層を有し、前記第二非晶質軟磁性層と非磁性層との間に第二の強磁性層を有することを特徴とする請求項４記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
基板上に軟磁性下地層を介して垂直記録層が形成された垂直磁気記録媒体において、
前記基板と軟磁性下地層との間に形成された非晶質層或いは微結晶質層を有し、
前記軟磁性下地層は、第一非晶質軟磁性層、第二非晶質軟磁性層、及び前記第一非晶質軟磁性層と第二非晶質軟磁性層との間に形成された非磁性層を有し、
前記第一非晶質軟磁性層及び第二非晶質軟磁性層は、反強磁性的に結合し、
前記基板の半径方向に磁界を印加して測定した前記軟磁性下地層の磁化曲線において、
印加磁界を飽和磁化状態から逆の飽和磁化状態へ変化させたときの磁化曲線の微分値は２つのピークを有し、前記２つのピークは磁界ゼロに対して概ね対称的であり、さらに、印加磁界を正もしくは負の飽和磁化状態からゼロに変化させたときの磁化曲線の微分値のピークと、ゼロから正もしくは負の飽和磁化状態へ変化させたときの磁化曲線の微分値のピークはほぼ重なっていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
前記第一非晶質軟磁性層及び第二非晶質軟磁性層は、基板の半径方向に付与された一軸異方性を有することを特徴とする請求項８記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記非晶質層或いは微結晶質層は、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｃｏ、Ｈｆ、Ｓｉ及びＢからなる群のうち少なくとも二種以上の金属を含む合金を含有すること特徴とする請求項９記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記第一非晶質軟磁性層と非磁性層との間に第一の強磁性層を有し、前記第二非晶質軟磁性層と非磁性層との間に第二の強磁性層を有することを特徴とする請求項８記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１２】
基板上に非晶質層或いは微結晶質層を形成する工程と、
前記非晶質層或いは微結晶質層上に第一非晶質軟磁性層を形成する工程と、
前記基板の半径方向に磁界を印加しながら冷却する工程と、
前記第一非晶質軟磁性層上に非磁性層を形成する工程と、
前記非磁性層上に第二非晶質軟磁性層を形成する工程と、
前記第二非晶質軟磁性層上に垂直記録層を形成する工程とを有することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
前記第二非晶質軟磁性層を形成する工程の後に、更に基板の半径方向に磁界を印加しながら冷却する工程を有することを特徴とする請求項１２記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
前記冷却する工程では、１００℃以下に冷却することを特徴とする請求項１２記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
前記第一非晶質軟磁性層及び第二非晶質軟磁性層が、基板の半径方向に一軸異方性を付与され、かつ反強磁性的に結合していることを特徴とする請求項１２記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
基板上に非晶質層或いは微結晶質層を形成する工程と、
前記非晶質層或いは微結晶質層上に第一非晶質軟磁性層を形成する工程と、
前記第一非晶質軟磁性層上に非磁性層を形成する工程と、
前記非磁性層上に第二非晶質軟磁性層を形成する工程と、
前記基板の半径方向に磁界を印加しながら冷却する工程と、
前記第二非晶質軟磁性層上に垂直記録層を形成する工程とを有することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
前記非磁性層を強磁性層で挟むことを特徴とする請求項１６記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
前記非磁性層が、非磁性材と強磁性材との合金を含有することを特徴とする請求項１６記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１９】
前記第一非晶質軟磁性層を形成する工程の後に、更に基板の半径方向に磁界を印加しながら冷却する工程を有することを特徴とする請求項１６記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２０】
前記冷却する工程では、１００℃以下に冷却することを特徴とする請求項１６記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２１】
前記第一非晶質軟磁性層及び第二非晶質軟磁性層が、基板の半径方向に一軸異方性を付与され、かつ反強磁性的に結合していることを特徴とする請求項１６記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２２】
垂直磁気記録媒体と、前記垂直磁気記録媒体を記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部を備えた磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを前記垂直磁気記録媒体に対して相対運動させる手段と、前記磁気ヘッドの信号入力と該磁気ヘッドからの出力信号再生を行うための記録再生処理手段を有する磁気記録装置において、
前記垂直磁気記録媒体は、基板上に軟磁性下地層を介して垂直記録層が形成され、前記基板と軟磁性下地層との間に形成された非晶質層或いは微結晶質層を有し、前記軟磁性下地層は、第一非晶質軟磁性層、第二非晶質軟磁性層、及び前記第一非晶質軟磁性層と第二非晶質軟磁性層との間に形成された非磁性層を有し、前記第一非晶質軟磁性層及び第二非晶質軟磁性層は、基板の半径方向に付与された一軸異方性を有し、かつ反強磁性的に結合していることを特徴とする磁気記録装置。
【請求項２３】
前記非晶質層或いは微結晶質層は、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｃｏ、Ｈｆ、Ｓｉ及びＢからなる群のうち少なくとも二種以上の金属を含む合金を含有すること特徴とする請求項２２記載の磁気記録装置。
【請求項２４】
前記第一非晶質軟磁性層と非磁性層との間に第一の強磁性層を有し、前記第二非晶質軟磁性層と非磁性層との間に第二の強磁性層を有することを特徴とする請求項２２記載の磁気記録装置。
【請求項２５】
前記磁気ヘッドの記録部は単磁極ヘッドで構成され、前記磁気ヘッドの再生部は磁気抵抗効果もしくはトンネル磁気抵抗効果を利用した高感度素子で構成されることを特徴とする請求項２２記載の磁気記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
比較として、第一非晶質軟磁性層と第二非晶質軟磁性層の間の非磁性層にＮｉＴａＺｒを形成した媒体Ｖと、軟磁性層にＦｅＡｌＳｉを形成した媒体Ｗを用意した。比較例の媒体のその他の層構成は本実施例と同じである。