【手続補正書】
【提出日】平成19年5月31日(2007.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  導電性の電極材質から構成されたパッド部と、
前記パッド部の少なくとも底面と側面とにおいて、前記パッド部の少なくとも一部を被覆する下敷膜とを含む、パッド電極を備え、
さらに、第一層間絶縁膜と、
前記第一層間絶縁膜上に設けられた保護膜とを備え、
前記下敷膜の材質が前記電極材質より硬い材質であり、
前記パッド電極の平面形状は、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形の組合せからなる群から選ばれた平面形状であり、
前記パッド電極は、下方に向かって部分的に突出した下側突出部を含み、
前記下側突出部の平面形状は、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形の組合せからなる群から選ばれた平面形状であり、
前記パッド電極は前記第一層間絶縁膜内に形成されており、前記保護膜は前記パッド電極上に開口部を有する、半導体装置。
【請求項２】  導電性の電極材質から実質的に構成されたパッド部と、
前記パッド部の少なくとも底面と側面とにおいて、前記パッド部の少なくとも一部を被覆する下敷膜とを含む、パッド電極を備え、
さらに、第一層間絶縁膜と、
前記第一層間絶縁膜上に設けられた保護膜とを備え、
前記下敷膜の材質が前記電極材質より硬い材質であり、
前記パッド電極は、前記電極材質を有する主電極層と、前記主電極層の上側に接する上側電極層とを含み、
前記主電極層は、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形の組合せからなる群から選ばれた平面形状であり、
前記主電極層は前記第一層間絶縁膜内に形成されており、前記保護膜は前記パッド電極上に開口部を有する、半導体装置。
【請求項３】  導電性の電極材質から構成されたパッド部と、
前記パッド部の少なくとも底面と側面とにおいて、前記パッド部の少なくとも一部を被覆する下敷膜とを含む、パッド電極を備え、
さらに、第一層間絶縁膜と、
前記第一層間絶縁膜上に設けられた保護膜とを備え、
前記下敷膜の材質が前記電極材質より硬い材質であり、
前記パッド電極の平面形状は、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形の組合せからなる群から選ばれた平面形状であり、
前記パッド電極は、前記電極材質を有する主電極層と、前記主電極層の下側に、前記主電極層の平面形状の外周の内側近傍において前記外周に沿う形状の外周を有する接続孔を介して接続された下側電極層とを含み、
前記下側電極層および前記接続孔の少なくとも一方の平面形状は、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形の組合せからなる群から選ばれた平面形状であり、
前記パッド電極は前記第一層間絶縁膜内に形成されており、前記保護膜は前記パッド電極上に開口部を有する、半導体装置。
【請求項４】  前記下側電極層は、下方に向かって部分的に突出した下側突出部を有し、前記下側突出部の平面形状は、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形の組合せからなる群から選ばれた平面形状である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】  導電性の電極材質から構成されたパッド部と、
前記パッド部の少なくとも底面と側面とにおいて、前記パッド部の少なくとも一部を被覆する下敷膜とを含む、パッド電極を備え、
さらに、第一層間絶縁膜と、
前記第一層間絶縁膜上に設けられた保護膜とを備え、
前記下敷膜の材質が前記電極材質より硬い材質であり、
前記パッド電極は、その角部領域において前記パッド部を分割する応力緩衝用絶縁壁を含み、
前記パッド電極は前記第一層間絶縁膜内に形成されており、前記保護膜は前記パッド電極上に開口部を有する、半導体装置。
【請求項６】  前記下側突出部は、その角部領域において前記パッド部を分割する応力緩衝用絶縁壁を含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】  前記主電極層は、その角部領域において前記パッド部を分割する応力緩衝用絶縁壁を含む、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項８】  前記下側電極層および前記接続孔の少なくとも一方は、その角部領域において前記パッド部を分割する応力緩衝用絶縁壁を含む、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項９】  前記下側突出部は、その角部領域において前記パッド部を分割する応力緩衝用絶縁壁を含む、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項１０】  導電性の電極材質から構成されたパッド部と、
前記パッド部の少なくとも底面と側面とにおいて、前記パッド部の少なくとも一部を被覆する下敷膜とを含む、パッド電極を備え、
さらに、第一層間絶縁膜と、
前記第一層間絶縁膜上に設けられた保護膜とを備え、
前記下敷膜の材質が前記電極材質より硬い材質であり、前記パッド部の上面の少なくとも一部を配線と接続するために露出し、
前記パッド電極は、その角部領域において突出した応力緩衝用突出部を含み、
前記パッド電極は前記第一層間絶縁膜内に形成されており、前記保護膜は前記パッド電極上に開口部を有する、半導体装置。
【請求項１１】  前記下側突出部は、その角部領域において突出した応力緩衝用突出部を含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１２】  前記主電極層は、その角部領域において突出した応力緩衝用突出部を含む、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項１３】  前記下側電極層および前記接続孔の少なくとも一方は、その角部領域において突出した応力緩衝用突出部を含む、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項１４】  前記下側突出部は、その角部領域において前記パッド部を分割する応力緩衝用突出部を含む、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項１５】  平面形状が、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形、ならびに、これらの少なくとも一部分を含む形状の組合せからなる群から選ばれた平面形状となるような凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部の内面に少なくとも一部を被覆する下敷膜を形成する下敷膜形成工程と、
絶縁膜で覆われた前記凹部に導電性の電極材質を埋め込むパッド部形成工程とを含み、
前記凹部形成工程は、第１の凹部を形成する工程と、前記第１の凹部の一部分においてさらに深く凹む第２の凹部を形成する工程とを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１６】  平面形状が、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形、ならびに、これらの少なくとも一部分を含む形状の組合せからなる群から選ばれた平面形状となるような凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部の内面に少なくとも一部を被覆する下敷膜を形成する下敷膜形成工程と、
絶縁膜で覆われた前記凹部に導電性の電極材質を埋め込むパッド部形成工程とを含み、
前記凹部形成工程は、パッド部本体となる凹部本体とその角部領域に応力緩衝用絶縁壁を形成するための絶縁壁凹部とを形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１７】  平面形状が、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形、ならびに、これらの少なくとも一部分を含む形状の組合せからなる群から選ばれた平面形状となるような凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部の内面に少なくとも一部を被覆する下敷膜を形成する下敷膜形成工程と、
絶縁膜で覆われた前記凹部に導電性の電極材質を埋め込むパッド部形成工程とを含み、
前記凹部形成工程は、パッド部本体となる凹部本体とその角部領域に突出した応力緩衝用突出部を形成するための緩衝用凹部とを形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１８】  半導体基板と、
前記半導体基板上に配置され、トランジスタと第一層間絶縁膜とを有する第一層と、
前記第一層上に配置され、配線と第二層間絶縁膜とを有する第二層と、
前記第二層上に配置され、第一溝を有する第三層間絶縁膜と前記第一溝の側面および底面上に形成された下敷膜と前記第一溝内の前記下敷膜上に形成された銅を含有する第一金属部とを有する第三層と、
前記第三層上に配置され、保護膜を有する第四層とを備え、
前記第一金属部上の前記保護膜には開口部が形成されており、
前記下敷膜は前記第一金属部よりも硬く、
前記第一金属部の平面形状は、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形の組合せからなる群から選ばれた平面形状であり、
前記開口部を通して前記第一金属部にワイヤまたはバンプ電極が接続されている、半導体装置。
【請求項１９】  前記ワイヤまたは前記バンプ電極は、アルミニウムを含有する第二金属部を介して前記第一金属部に接続され、
前記第二金属部は前記第一金属部の上でかつ、前記保護膜の前記開口部の下に設けられ、
前記第二金属部の平面形状は、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形の組合せからなる群から選ばれた平面形状である、請求項１８に記載の半導体装置。
【請求項２０】  半導体基板と、
前記半導体基板上に配置され、トランジスタと第一層間絶縁膜とを有する第一層と、
前記第一層上に配置され、配線と第二層間絶縁膜とを有する第二層と、
前記第二層上に配置され、第一溝を有する第三層間絶縁膜と前記第一溝の側面および底面上に形成された第一金属膜と前記第一溝内の前記第一金属膜上に形成された銅を含有する第一金属部とを有する第三層と、
前記第三層上に配置され、保護膜を有する第四層とを備え、
前記第一金属部上の前記保護膜には開口部が形成されており、
前記第一金属膜は、タンタルまたはチタンを含有し、
前記第一金属部の平面形状は、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形の組合せからなる群から選ばれた平面形状であり、
前記開口部を通して前記第一金属部にワイヤまたはバンプ電極が接続されている、半導体装置。
【請求項２１】  前記第一金属膜は窒素を含有し、
前記ワイヤまたは前記バンプ電極は、アルミニウムを含有する第二金属部を介して前記第一金属部に接続され、
前記第二金属部は前記第一金属部の上でかつ、前記保護膜の前記開口部の下に設けられ、
前記第二金属部の平面形状は、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形の組合せからなる群から選ばれた平面形状である、請求項２０に記載の半導体装置。
【請求項２２】  半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板上にトランジスタと第一層間絶縁膜とを形成することによって第一層を形成する工程と、
前記第一層上に配線と第二層間絶縁膜とを形成することによって第二層を形成する工程と、
前記第二層上に第三層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第三層間絶縁膜に第一溝を形成する工程と、
前記第一溝の側面および底面ならびに前記第三層間絶縁膜の上面に下敷膜を形成する工程と、
前記第一溝内の前記下敷膜上および前記第三層間絶縁膜の上面の前記下敷膜上に銅めっき膜を形成する工程と、
化学機械研磨法で前記第三層間絶縁膜上の前記下敷膜および前記銅めっき膜を取り除いて前記第一溝内に第一金属部を設けることにより、前記第三層間絶縁膜、前記下敷膜、および前記第一金属部で構成される第三層を形成する工程と、
前記第三層上に保護膜を形成する工程と、
前記第一金属部上の前記保護膜に開口部を設けることにより、前記開口部を有する前記保護膜で構成される第四層を形成する工程と、
前記開口部を通して前記第一金属部にワイヤまたはバンプ電極を接続する工程とを含み、
前記第一溝の平面形状は、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形の組合せからなる群から選ばれた平面形状である、半導体装置の製造方法。
【請求項２３】  前記第三層を形成する工程と前記保護膜を形成する工程との間に、
前記第三層上にアルミニウム膜を堆積する工程と、
前記アルミニウム膜をエッチングして前記第一金属部上に第二金属部を形成する工程とをさらに含み、
前記ワイヤまたはバンプ電極を接続する工程においては、前記ワイヤまたは前記バンプ電極は、前記第二金属部を介して前記第一金属部に接続され、
前記第二金属部の平面形状は、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形の組合せからなる群から選ばれた平面形状である、請求項２２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２４】  半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板上にトランジスタと第一層間絶縁膜とを形成することによって第一層を形成する工程と、
前記第一層上に配線と第二層間絶縁膜とを形成することによって第二層を形成する工程と、
前記第二層上に第三層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第三層間絶縁膜に第一溝を形成する工程と、
前記第一溝の側面および底面ならびに前記第三層間絶縁膜の上面に、タンタルまたはチタンを含有する第一金属膜を形成する工程と、
前記第一溝内の前記第一金属膜上および前記第三層間絶縁膜の上面の前記第一金属膜上に銅めっき膜を形成する工程と、
化学機械研磨法で前記第三層間絶縁膜上の前記第一金属膜および前記銅めっき膜を取り除いて前記第一溝内に第一金属部を設けることにより、前記第三層間絶縁膜、前記第一金属膜、および前記第一金属部で構成される第三層を形成する工程と、
前記第三層上に保護膜を形成する工程と、
前記第一金属部上の前記保護膜に開口部を設けることにより、前記開口部を有する前記保護膜で構成される第四層を形成する工程と、
前記開口部を通して前記第一金属部にワイヤまたはバンプ電極を接続する工程とを含み、
前記第一溝の平面形状は、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形の組合せからなる群から選ばれた平面形状である、半導体装置の製造方法。
【請求項２５】  前記第三層を形成する工程と前記保護膜を形成する工程との間に、
前記第三層上にアルミニウム膜を堆積する工程と、
前記アルミニウム膜をエッチングして前記第一金属部上に第二金属部を形成する工程とをさらに含み、
前記第一金属部は窒素を含有し、
前記ワイヤまたはバンプ電極を接続する工程においては、前記ワイヤまたは前記バンプ電極は、前記第二金属部を介して前記第一金属部に接続され、
前記第二金属部の平面形状は、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形の組合せからなる群から選ばれた平面形状である、請求項２４に記載の半導体装置の製造方法。