Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月13日(2007.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層上の活性層上に形成されるメモリセルトランジスタを具備し、
前記メモリセルトランジスタは、
ゲート電極に印加する電圧Ｖｇとそのときに流れるセル電流Ｉｄとの関係において、前記電圧Ｖｇが基準電圧よりも高い正の電圧の領域と前記電圧Ｖｇが前記基準電圧よりも低い負の電圧の領域とを有し、前記正の電圧の領域及び前記負の電圧の領域でのオン電流は、前記電圧Ｖｇが前記基準電圧のときに流れるオフ電流に比べて１０４倍以上であり、
前記メモリセルトランジスタのチャネルは、
実質的にしきい値の異なる少なくとも２つの領域から構成され、
前記少なくとも２つの領域は、
しきい値の高い領域としきい値の低い二つの領域から構成され、前記しきい値の高い領域は、前記しきい値の低い二つの領域により挟まれ、
前記メモリセルトランジスタのドレイン及びソースを構成する拡散層の導電型は、
前記メモリセルトランジスタが形成される前記活性層の導電型と同極性である
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
前記メモリセルトランジスタは、複数個直列接続されてＮＡＮＤストリングを構成し、前記少なくとも２つの領域における最も高いしきい値と最も低いしきい値の電位差は、データ読み出し時に前記ＮＡＮＤストリングのうち選択されたメモリセルトランジスタのゲート電極に印加される電位とそれ以外のメモリセルトランジスタのゲート電極に印加される電位の電位差よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
前記メモリセルトランジスタが書き込み状態である場合に、前記基準電圧は、データ読み出し時に選択された前記メモリセルトランジスタのゲート電極に印加される読み出し電圧に等しいことを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
データ書き込み時には、前記正の電圧の領域内の所定電圧が前記メモリセルトランジスタのゲート電極に印加され、データ消去時には、前記負の電圧の領域内の所定電圧が前記メモリセルトランジスタのゲート電極に印加されることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
前記メモリセルトランジスタが形成される前記活性層の不純物濃度は、１×１０１２ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項４に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
前記メモリセルトランジスタは、前記メモリセルトランジスタのチャネルとの間で電荷の授受を行う電荷蓄積層を備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の不揮発性半導体記憶装置は、絶縁層上の活性層上に形成されるメモリセルトランジスタを具備し、前記メモリセルトランジスタは、ゲート電極に印加する電圧Ｖｇとそのときに流れるセル電流Ｉｄとの関係において、前記電圧Ｖｇが基準電圧よりも高い正の電圧の領域と前記電圧Ｖｇが前記基準電圧よりも低い負の電圧の領域とを有し、前記正の電圧の領域及び前記負の電圧の領域でのオン電流は、前記電圧Ｖｇが前記基準電圧のときに流れるオフ電流に比べて１０４倍以上であり、前記メモリセルトランジスタのチャネルは、実質的にしきい値の異なる少なくとも２つの領域から構成され、前記少なくとも２つの領域は、しきい値の高い領域としきい値の低い二つの領域から構成され、前記しきい値の高い領域は、前記しきい値の低い二つの領域により挟まれ、前記メモリセルトランジスタのドレイン及びソースを構成する拡散層の導電型は、前記メモリセルトランジスタが形成される前記活性層の導電型と同極性である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月14日(2007.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
様々な実施形態では、フィードバックコントローラ５０４（図５Ａ）はさらに、切替え点６６０を格納するためのメモリ及び／又はデータ構造体を含む。装置５００（図５Ａ）は、切替え点６６０において、個々の曲線（「Ｍ１」）６８０及び（「Ｍ２」）６７０の使用を示す適切なパワーモニタを保証するために、範囲（「Ｒ１」）６１０及び（「Ｒ２」）６２０における入力光パワーレベル間を切り替える。再度図５Ａを参照すると、フィードバックコントローラ５０４は範囲６１０又は範囲６２０を選択するための範囲選択器５８０を含んでもよいことに留意されたい。範囲選択器５８０は、切替え点６６０を表すデータを切替え点データ（「Ｓ．Ｏ．Ｐ．」）５８１として格納するためのメモリを含む。本メモリはまた、第１のパワーモニタステージに関して、測定信号電圧と監視される入力光パワーレベルとの第１の関係を、図６における曲線（「Ｍ１」）６８０と等価であってもよい個々の曲線（「Ｃ１」）５８３として格納できる。これはまた、第１のパワーモニタステージに関して、第２の関係を（「Ｃ２」）５８４として格納できる。範囲選択器５８０は、装置５００の起動時及び／又はＡＰＤ５８１上への光ライトの照射（例えば、−４５ｄＢｍ以下の入力光パワー）に先行して、まず曲線（「Ｍ２」）６７０を用いて範囲６２０で始動することにより動作できる。次いで、範囲選択器５８０は、パワーモニタステージ５１４ａからの測定信号が切替え点６６０を通って移動するまで曲線６７０の使用を続ける。その後、範囲選択器はパワーモニタステージ５１４ｂを使用し、曲線（「Ｍ１」）６８０を用いてパワーを監視する。よって、範囲選択器５８０が既知の状態で（即ち、ＡＰＤに照射された既知レベルの光が存在している場合に所定のパワーモニタステージを用いて）始動すれば、これは、切替え点６６０を通るので正しく動作できる。効果的には、フィードバックコントローラ５０４及びそのメモリは、図６において「モニタ信号」として示されている入力光パワーレベルと測定信号５４０（図５Ａ）との非線形的な関係を格納できる。例えば、範囲６２０は、−４５から約−３２ｄＢｍまでの間の比較的非線形的な領域、及び−３２から切替え点６６０に一致する約−２２ｄＢｍまでの比較的線形的な領域を含むことを考慮されたい。この場合もやはり、範囲６２０は本質的に完全に線形である場合もあれば、本質的に完全に非線形である場合もあり、これらの組合せである場合もある。さらに、フィードバックコントローラ５０４は、ＡＰＤ及び／又はＡＰＤ供給者の各タイプについて、曲線（「Ｍ１」）６８０及び（「Ｍ２」）６７０として描かれている一意の関係性を格納できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2007081402.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月18日(2007.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、従来のプリント基板の絶縁層の形成にポリイミド樹脂の蒸着重合技術を用いるものがある（例えば、特許文献３参照）。まず、成形品である立体回路基板の上に銅薄膜を形成し、レ−ザ加工で回路パタ−ンを形成し、ついで絶縁層を蒸着重合もしくはプラズマ重合により形成する。前記工程を繰り返して多層基板を得るというものである。
しかしながら、絶縁基体として成形品を用いるので、薄くて軽いプリント基板は得られない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、絶縁基体は樹脂シ−トを使用していたが、樹脂によっては吸湿性がある。そのため導電層が酸化剥離しやすくなった（銅箔の表面に酸化銅が出来はがれやすくなる）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図１は、本発明の第１の実施の形態のプリント基板Ｐ’の断面図である。図２は、本発明の第１の実施の形態のプリント基板Ｐ’及びＰ”の断面図である。図２Ａにおいて、導電性薄板又は箔（２）の一方の面上に蒸着重合法によりに有機高分子膜が絶縁基体（１）として形成し、前記導電性薄板または箔（２）を加工して前記絶縁基体（１）上に所定の回路パタ−ン（３）を形成し、さらに回路パタ−ン（３）のある方の面上に蒸着重合法によりに有機高分子膜がカバーシート（４）として形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図２は、本発明の第１実施例のフレキシブルプリント基板Ｐ’及びスーパーファインピッチ用フレキシブルプリント基板Ｐ”の比較のための断面図である。また、図３は本発明の第１実施例の拡大断面図である。図３Ａは、本発明の製法で得られたフレキシブルプリント基板Ｐ’の拡大断面図を示す。従来は、例えば図９の拡大断面図に示すようにポリイミド層（絶縁材シ−ト）１１及び１６を接着剤で貼り付けていた。この場合プリント基板の全体厚さｔは約８０μであったが、本発明の実施の形態によれば全体厚さｔ’は約２４μとなる。さらに、図３Ｂに示す本発明の製法で得られたスーパーファインピッチ用フレキシブルプリント基板Ｐ”の拡大断面図では、厚さｔ”は約１１μとなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明の第１の実施例によれば、更に図２Ａにおいてポリイミドの絶縁基体（１）及びカバーシート（４）の上に導電性の材料（例えばアルミ二ウム）がスパッタされて、図示しないがアルミ膜が形成される。これにより、外部から内部への、及び内部から外部への電磁波シ−ルドを行うことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2007081297.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2007081297.tif 000002
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2007081297.tif 000003
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2007081297.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月20日(2006.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第２の材料からなる結晶基板の成長表面に、前記第２の材料とは格子定数の異なる第１の材料からなる結晶層を成長させる方法であって、
前記成長表面を含む前記基板の層を前記基板の残りの部分から分離する埋め込み層を、前記基板内に生成するステップと、
成長温度で、前記成長表面に前記第１の材料を堆積させるステップとを含み、
前記基板の前記分離される層の厚さが、前記第２の材料の結晶格子が前記第１の材料の結晶化に応答して変形する厚さより薄く、前記埋め込み層が、前記基板の残りの部分を変形させずに、前記変形を可能にするほど十分な展性を有する、方法。
【請求項２】
前記埋め込み層を生成する前記ステップが、第１の元素のイオンを前記基板に注入するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の材料がシリコンであり、前記第１の元素が酸素である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の材料が、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料に、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮＰ、ＡｌＧａＮＡｓ、ＩｎＧａＮＰまたはＩｎＧａＮＡｓが含まれる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
第２の元素のイオンを所定の密度で前記基板に注入するステップをさらに含み、該第２の元素および該所定の密度が、前記埋め込み層が、前記成長温度で展性を有するＳｉＯ２からなるように選択され、前記第２の元素が、ＳｉおよびＯと異なる、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記埋め込み層が、前記基板内のアモルファス領域を含み、該アモルファス領域が、前記基板と実質的に同じ化学組成を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
第１の格子定数を有しかつ成長表面を含む第１の材料からなる結晶基板と、
前記成長表面を含む前記基板の層を前記基板の残りの部分から分離する、前記結晶基板内の埋め込み層と、
前記成長表面に接触した、前記第１の格子定数とは異なる第２の格子定数を有する第２の材料からなる結晶シード層とを含み、
前記基板の前記分離される層の厚さが、前記第２の材料の結晶化によって前記第１の材料の結晶格子に欠陥が生じる厚さより薄く、前記埋め込み層が、前記基板の残りの部分を変形させずに、前記変形を可能にする、集積回路基板。
【請求項９】
前記埋め込み層が、ＳｉＯ２を含み、前記第１の材料がシリコンである、請求項８に記載の集積回路基板。
【請求項１０】
前記第２の材料が、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料である、請求項９に記載の集積回路基板。
【請求項１１】
前記第２のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料に、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮＰ、ＡｌＧａＮＡｓ、ＩｎＧａＮＰまたはＩｎＧａＮＡｓが含まれる、請求項１０に記載の集積回路基板。
【請求項１２】
前記埋め込み層に、前記第１の材料からなるアモルファス層が含まれる、請求項８に記載の集積回路基板。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月7日(2006.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも１つのコンタクト配置孔（３０）を有するハウジング（１６）と、
前記コンタクト配置孔（３０）に配置される雌コンタクト領域（３８）を有する第１の電気端子（１８）と、
前記コンタクト配置孔内に配置され、前記第１の電気端子（１８）のそれぞれの雌コンタクト領域（３８）を別々に取り囲むフェライトフード（２０）と、
を具備し、
前記フェライトフードが異なる材料で製造されることを特徴とするフィルタコネクタ。
【請求項２】  前記第１の端子（１８）が、導電体に接続される導体接続領域を有し、前記フェライトフード（２０）が、前記導体接続領域から離れて配置されていることを特徴とする請求項１記載のコネクタ。
【請求項３】  前記ハウジングが２つのコンタクト配置孔（３０）を具備し、各孔が雌コンタクト領域（３８）の１つと、フェライトフード（２０）の１つとを受容する請求項１又は２に記載のフィルタコネクタ。
【請求項４】  前記ハウジングが単一のコンタクト配置孔（３０）を有し、フェライトフード（２０）が並列配置され、前記コンタクト配置孔で互いに接触している請求項１又は２に記載のフィルタコネクタ。
【請求項５】  異なる材料は、異なる周波数減衰量を有する請求項１ないし４の何れかに記載のフィルタコネクタ。   
【請求項６】  前記材料の１つが、電気的に非導電材料からなる請求項１ないし５の何れかに記載のフィルタコネクタ。
【請求項７】  前記第１の電気端子（１８）が、前記雌コンタクト領域（３８）と概略一列に整列された配線接続領域を有する略直線状に、それぞれ形成されている請求項１ないし６の何れかに記載のフィルタコネクタ。  
【請求項８】  前記第１の電気端子（１８）が、前記雌コンタクト領域（３８）に対して直角に配される配線接続領域を有する略Ｌ字状に、それぞれ形成されていることを特徴とする請求項１ないし６の何れかに記載のフィルタコネクタ。
【請求項９】  前記雌コンタクト領域（３８）が、梁状のスプリングコンタクトと略方形の輪郭形状とをそれぞれ有し、前記フェライトフード（２０）が、それぞれ、それを貫通する単一の孔を有する管状に形成されていることを特徴とする請求項１ないし８の何れかに記載のフィルタコネクタ。
【請求項１０】  前記ハウジング（１６）が、変形可能なラッチ部を有することを特徴とする請求項１ないし９の何れかに記載のフィルタコネクタ。
【請求項１１】  前記フェライトフード（２０）が、それぞれ、内径約１．５ｍｍ、外径約２．５ｍｍの管状に形成されていることを特徴とする請求項１ないし１０の何れかに記載のフィルタコネクタ。
【請求項１２】  雌コンタクト領域（３８）が、摩擦ばめでフェライトフード（２０）に接続される請求項１ないし１１の何れかに記載のフィルタコネクタ。
【請求項１３】  請求項１ないし１２の何れかに記載のフィルタコネクタと、
前記第１の電気端子（１８）の雌コンタクト領域（３８）に配置される雄コンタクト領域（４８）を有する第２の電気端子とを具備することを特徴とするフィルタコネクタ装置。
【請求項１４】  別個のコンタクト配置孔（３０）を有するハウジング（１６）と、
前記各コンタクト配置孔（３０）に配置される雌コンタクト領域（３８）を有する第１の電気端子（１８）と、
少なくとも２つの別個のフェライトフード（２０）と、
を具備するエアバッグのガス発生装置とともに使用するフィルタコネクタであって、
雌コンタクト領域（３８）は、各フェライトフード（２０）に受容され、それらフェライトフード（２０）は、電気的に互いに隔離されていることを特徴とするフィルタコネクタ。
【請求項１５】  前記第１の電気端子（１８）が、導電体に接続される導体接続領域を有し、前記フェライトフード（２０）が、前記導体接続領域から離れて配置されていることを特徴とする請求項１４記載のコネクタ。
【請求項１６】  ハウジングが、互いに隔離された関係において、フェライトフードとそれらの各雌コンタクト領域とを維持するための誘電性部分を有する請求項１４又は１５に記載のフィルタコネクタ。
【請求項１７】  前記誘電性部分がコンタクト配置孔（３０）を分離する壁（５０）を具備する請求項１６に記載のフィルタコネクタ。
【請求項１８】  前記雌コンタクト領域が、梁状のスプリングコンタクトと略方形の輪郭形状とをそれぞれ有し、前記フェライトフードが、それぞれ、それを貫通する単一の孔を有する管状に形成されていることを特徴とする請求項１４ないし１７の何れかに記載のフィルタコネクタ。
【請求項１９】  前記ハウジングが、変形可能なラッチ部を有することを特徴とする請求項１４ないし１８の何れかに記載のフィルタコネクタ。
【請求項２０】  前記フェライトフードが、それぞれ、内径約１．５ｍｍ、外径約２．５ｍｍの管状に形成されていることを特徴とする請求項１４ないし１９の何れかに記載のフィルタコネクタ。
【請求項２１】  前記フェライトフード（２０）が異なる材料で製造される請求項１４ないし２０の何れかに記載のフィルタコネクタ。
【請求項２２】  少なくとも１つの前記フェライトフード（２０）が導電性フェライト酸化物からなり、少なくとも別のフェライトフード（２０）が非導電性フェライト酸化物からなる請求項２１に記載のフィルタコネクタ。
【請求項２３】  請求項１４ないし２２の何れかに記載のフィルタコネクタと、第１の電気端子（１８）の雌コンタクト領域（３８）に配置される雄コンタクト領域（４８）を有する第２の電気端子とを具備することを特徴とするフィルタコネクタ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画素値に対する出力画素値の関係を示す変換カーブを所定の表示エリアに表示する変換カーブ表示手段と、
前記表示エリア外に設けられたスライダーバーを用いて前記変換カーブを調整し、表示された変換カーブを更新する第１の調整手段と、
前記表示エリア内にて、前記変換カーブを定義する複数の指標軸の１つの位置を変更することで前記変換カーブを調整し、表示された変換カーブを更新する第２の調整手段と、
前記第２の調整手段で前記変換カーブを調整した場合、調整後の変換カーブに基づいて前記スライダーバーの状態を更新する更新手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記スライダーバーには、明るさを調整する明るさスライダーバー及びコントラストを調整するコントラストスライダーバーが含まれることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記指標軸には、出力画素値の上限を既定する出力画素最大値の軸、出力画素値の下限を既定する出力画素最小値の軸、入力画素値がそれ以上である場合に前記出力画素最大値にするハイライト軸、入力画素値がそれ以下の場合に前記出力画素最小値にするシャドウ軸が含まれることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
入力画素値に対する出力画素値の関係を示す変換カーブを所定の表示エリアに表示する変換カーブ表示工程と、
前記表示エリア外に設けられたスライダーバーを用いて前記変換カーブを調整し、表示された変換カーブを更新する第１の調整工程と、
前記表示エリア内にて、前記変換カーブを定義する複数の指標軸の１つの位置を変更することで前記変換カーブを調整し、表示された変換カーブを更新する第２の調整工程と、
前記第２の調整工程で前記変換カーブを調整した場合、調整後の変換カーブに基づいて前記スライダーバーの状態を更新する更新工程と
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項５】
コンピュータが読込み実行することで、前記コンピュータを、画像処理装置として機能させるためのコンピュータプログラムであって、
入力画素値に対する出力画素値の関係を示す変換カーブを所定の表示エリアに表示する変換カーブ表示手段と、
前記表示エリア外に設けられたスライダーバーを用いて前記変換カーブを調整し、表示された変換カーブを更新する第１の調整手段と、
前記表示エリア内にて、前記変換カーブを定義する複数の指標軸の１つの位置を変更することで前記変換カーブを調整し、表示された変換カーブを更新する第２の調整手段と、
前記第２の調整手段で前記変換カーブを調整した場合、調整後の変換カーブに基づいて前記スライダーバーの状態を更新する更新手段
として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項６】
請求項５に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項７】
コントラスト、明るさを調整する画像処理装置であって、
変換対象の画像データを入力する入力手段と、
入力画素値＝出力画素値の関係を有する初期の変換カーブを所定の表示エリアに表示すると共に、前記変換カーブにて変換して得た画像の各色成分のヒストグラムを前記表示エリア内に合成表示する表示手段と、
前記表示エリア外に設けられたスライダーバーを用いて前記変換カーブを調整し、表示された変換カーブを更新する第１の調整手段と、
前記表示エリア内にて、前記変換カーブを定義する複数の指標軸の１つの位置を変更することで前記変換カーブを調整し、表示された変換カーブを更新する第２の調整手段と、
前記第２の調整手段で前記変換カーブを調整した場合、調整後の変換カーブに基づいて前記スライダーバーの状態を更新する更新手段とを備え、
前記第１、第２の調整手段による変換カーブを調整する毎に、調整後の変換カーブに従って画像の変換、及び、ヒストグラムを更新することを特徴とする画像処理装置。
【請求項８】
コントラスト、明るさを調整する画像処理方法であって、
変換対象の画像データを入力する入力工程と、
入力画素値＝出力画素値の関係を有する初期の変換カーブを所定の表示エリアに表示すると共に、前記変換カーブにて変換して得た画像の各色成分のヒストグラムを前記表示エリア内に合成表示する表示工程と、
前記表示エリア外に設けられたスライダーバーを用いて前記変換カーブを調整し、表示された変換カーブを更新する第１の調整工程と、
前記表示エリア内にて、前記変換カーブを定義する複数の指標軸の１つの位置を変更することで前記変換カーブを調整し、表示された変換カーブを更新する第２の調整工程と、
前記第２の調整工程で前記変換カーブを調整した場合、調整後の変換カーブに基づいて前記スライダーバーの状態を更新する更新工程とを備え、
前記第１、第２の調整工程による変換カーブを調整する毎に、調整後の変換カーブに従って画像の変換、及び、ヒストグラムを更新することを特徴とする画像処理方法。
【請求項９】
コンピュータが読み込み実行することで、前記コンピュータを、コントラスト、明るさを調整する画像処理装置として機能させるコンピュータプログラムであって、
変換対象の画像データを入力する入力手段と、
入力画素値＝出力画素値の関係を有する初期の変換カーブを所定の表示エリアに表示すると共に、前記変換カーブにて変換して得た画像の各色成分のヒストグラムを前記表示エリア内に合成表示する表示手段と、
前記表示エリア外に設けられたスライダーバーを用いて前記変換カーブを調整し、表示された変換カーブを更新する第１の調整手段と、
前記表示エリア内にて、前記変換カーブを定義する複数の指標軸の１つの位置を変更することで前記変換カーブを調整し、表示された変換カーブを更新する第２の調整手段と、
前記第２の調整手段で前記変換カーブを調整した場合、調整後の変換カーブに基づいて前記スライダーバーの状態を更新する更新手段として機能させ、
前記第１、第２の調整手段による変換カーブを調整する毎に、調整後の変換カーブに従って画像の変換、及び、ヒストグラムを更新することを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１０】
請求項９に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月26日(2007.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の範囲を移動することにより光学ズームが可能なズームレンズを通して得られる被写体の像を画像信号に変換する撮像手段と、
前記画像信号を電子ズームするための電子ズーム手段と、
撮像モードを指示するモード指示手段と、
前記モード指示手段により所定撮像モードが指示された場合に前記ズームレンズの位置が前記第１の範囲内かつ第２の範囲外である場合には、前記ズームレンズを前記第２の範囲内に移動させるとともに前記電子ズーム手段に電子ズームを行わせる制御手段と
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記撮像手段により変換された画像信号を記録する記録手段を有し、
さらに、前記記録手段は、前記所定撮像モードが設定されている場合には前記所定撮像モードが設定されていない場合よりも前記変換された電気画像信号のうちの狭い画像領域を記録することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
画像を表示する表示手段を有し、
さらに、前記表示手段は、前記所定撮像モードが設定されている場合には前記所定撮像モードが設定されていない場合よりも前記変換された画像信号のうちの狭い画像領域を表示することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
画像信号を記録する記録手段を有し、
さらに、前記記録手段は、前記所定撮像モードが設定されている場合には、前記所定撮像モードが設定されていない場合よりも周辺部を除き中心部の狭い画像領域の画像信号又はそれを基にした画像信号を記録することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
第１の範囲を移動することにより光学ズームが可能なズームレンズを通して得られる被写体の像を画像信号に変換する撮像ステップと、
撮像モードを指示するモード指示ステップと、
前記モード指示ステップにおいて所定撮像モードが指示された場合に前記ズームレンズの位置が前記第１の範囲内かつ第２の範囲外である場合には、前記ズームレンズを前記第２の範囲内に移動させるとともに前記画像信号を電子ズームする制御ステップと
を有することを特徴とする画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の画像処理装置は、第１の範囲を移動することにより光学ズームが可能なズームレンズを通して得られる被写体の像を画像信号に変換する撮像手段と、前記画像信号を電子ズームするための電子ズーム手段と、撮像モードを指示するモード指示手段と、前記モード指示手段により所定撮像モードが指示された場合に前記ズームレンズの位置が前記第１の範囲内かつ第２の範囲外である場合には、前記ズームレンズを前記第２の範囲内に移動させるとともに前記電子ズーム手段に電子ズームを行わせる制御手段とを有することを特徴とする。
また、本発明の画像処理方法は、第１の範囲を移動することにより光学ズームが可能なズームレンズを通して得られる被写体の像を画像信号に変換する撮像ステップと、撮像モードを指示するモード指示ステップと、前記モード指示ステップにおいて所定撮像モードが指示された場合に前記ズームレンズの位置が前記第１の範囲内かつ第２の範囲外である場合には、前記ズームレンズを前記第２の範囲内に移動させるとともに前記画像信号を電子ズームする制御ステップとを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月29日(2006.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯情報端末と複合機器とを用いたデータ送信システムであって、
前記複合機器は、前記携帯情報端末から文書データと当該文書データの送信先情報とを取得する取得手段と、
当該複合機器が前記取得手段以外の手段から取得した文書データを選択する選択手段と、
前記取得手段が取得した文書データと前記選択手段が選択した文書データとを、前記取得手段が取得した送信先情報に係る送信先に送信する送信手段と、
を有することを特徴とするデータ送信システム。
【請求項２】
前記送信手段は、前記取得手段が取得した文書データと前記選択手段が選択した文書データとを１つのファイルとして送信することを特徴とする請求項１に記載のデータ送信システム。
【請求項３】
前記取得手段は、データ受信機能を用いて前記携帯情報端末から文書データと当該文書データの送信先情報を取得することを特徴とする請求項１又は２に記載のデータ送信システム。
【請求項４】
前記取得手段は、着脱可能な記録メディアを介して前記携帯情報端末から文書データと当該文書データの送信先情報とを取得することを特徴とする請求項１又は２に記載のデータ送信システム。
【請求項５】
前記選択手段は、前記複合機器の原稿読取手段が読取った原稿に係る文書データを選択することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のデータ送信システム。
【請求項６】
前記選択手段は、前記複合機器が前記携帯情報端末以外の機器から取得した文書データを選択することを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のデータ送信システム。
【請求項７】
外部の携帯情報端末から文書データと当該文書データの送信先情報とを取得する取得手段と、
前記取得手段以外の手段から取得した文書データを選択する選択手段と、
前記取得手段が取得した文書データと前記選択手段が選択した文書データとを、前記取得手段が取得した送信先情報に係る送信先に送信する送信手段と、
を備えることを特徴とする複合機器。
【請求項８】
外部の携帯情報端末から文書データと当該文書データの送信先情報とを取得する取得工程と、
前記取得工程以外の工程で取得した文書データを選択する選択工程と、
前記取得工程で取得した文書データと前記選択工程で選択した文書データとを、前記取得工程で取得した送信先情報に係る送信先に送信する送信工程と、
を有することを特徴とするデータ送信方法。
【請求項９】
複合機器により実行される制御プログラムであって、
外部の携帯情報端末から文書データと当該文書データの送信先情報とを取得する取得処理と、
前記取得処理以外の処理で取得した文書データを選択する選択処理と、
前記取得処理で取得した文書データと前記選択処理で選択した文書データとを、前記取得処理で取得した送信先情報に係る送信先に送信する送信処理と、
を含むことを特徴とする制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は、携帯情報端末と複合機器とを用いたデータ送信システムであって、前記複合機器は、前記携帯情報端末から文書データと当該文書データの送信先情報とを取得する取得手段と、当該複合機器が前記取得手段以外の手段から取得した文書データを選択する選択手段と、前記取得手段が取得した文書データと前記選択手段が選択した文書データとを、前記取得手段が取得した送信先情報に係る送信先に送信する送信手段とを有している。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタルデータ受信機であって、
狭受信エリアサービスにおける第１受信データから第１映像信号を生成する第１映像信号生成手段と、
広受信エリアサービスにおける第２受信データから第２映像信号を生成する第２映像信号生成手段と、
前記狭受信エリアサービスの受信状態を示すエラー信号を発生するエラー信号発生手段と、
前記第１受信データに関するパケット信号のパケット数をカウントするパケットカウンタと、
前記エラー信号のエラー数をカウントするエラーカウンタと、
前記パケットカウンタが所定値に達した時に前記エラーカウンタが第１の値以上の場合に、前記第１映像信号から前記第２映像信号への切換えを行う切換手段と、
を有することを特徴とするデジタルデータ受信機。
【請求項２】
デジタルデータ受信機であって、
狭受信エリアサービスにおける第１受信データから第１映像信号を生成する第１映像信号生成手段と、
広受信エリアサービスにおける第２受信データから第２映像信号を生成する第２映像信号生成手段と、
前記狭受信エリアサービスの受信状態を示すエラー信号を発生するエラー信号発生手段と、
前記第１受信データに関するパケット信号のパケット数をカウントするパケットカウンタと、
前記エラー信号のエラー数をカウントするエラーカウンタと、
前記パケットカウンタが所定値に達した時に前記エラーカウンタが第１の値より小さい場合に、前記第２映像信号から前記第１映像信号への切換えを行う切換手段と、
を有することを特徴とするデジタルデータ受信機。
【請求項３】
前記パケットカウンタが所定値に達した時に、前記エラーカウンタ及び前記パケットカウンタをリセットする請求項１又は２に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項４】
前記エラーカウンタが所定値に達した時に、前記エラーカウンタ及び前記パケットカウンタをリセットする請求項１又は２に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項５】
前記切換手段による、前記第１映像信号と前記第２映像信号との間の切換えは、前記パケットカウンタが所定値に達した後、一定時間経過後に行われる請求項１〜４の何れか一項に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項６】
デジタルデータ受信機であって、
狭受信エリアサービスにおける第１受信データから第１映像信号を生成する第１映像信号生成手段と、
広受信エリアサービスにおける第２受信データから第２映像信号を生成する第２映像信号生成手段と、
前記狭受信エリアサービスの受信状態を示す第１エラー信号を発生する第１エラー信号発生手段と、
前記広受信エリアサービスの受信状態を示す第２エラー信号を発生する第２エラー信号発生手段と、
前記第１受信データに関するパケット信号の第１パケット数をカウントする第１パケットカウンタと、
前記第２受信データに関するパケット信号の第２パケット数をカウントする第２パケットカウンタと、
前記第１エラー信号の第１エラー数をカウントする第１エラーカウンタと、
前記第２エラー信号の第２エラー数をカウントする第２エラーカウンタと、
前記第１パケットカウンタが所定値に達した時に前記第１エラーカウンタが第１の値より小さい場合に、前記第２映像信号から前記第１映像信号への切換えを行う切換手段と、
を有することを特徴とするデジタルデータ受信機。
【請求項７】
デジタルデータ受信機であって、
狭受信エリアサービスにおける第１受信データから第１映像信号を生成する第１映像信号生成手段と、
広受信エリアサービスにおける第２受信データから第２映像信号を生成する第２映像信号生成手段と、
前記狭受信エリアサービスの受信状態を示す第１エラー信号を発生する第１エラー信号発生手段と、
前記広受信エリアサービスの受信状態を示す第２エラー信号を発生する第２エラー信号発生手段と、
前記第１受信データに関するパケット信号の第１パケット数をカウントする第１パケットカウンタと、
前記第２受信データに関するパケット信号の第２パケット数をカウントする第２パケットカウンタと、
前記第１エラー信号の第１エラー数をカウントする第１エラーカウンタと、
前記第２エラー信号の第２エラー数をカウントする第２エラーカウンタと、
前記第１パケットカウンタが所定値に達した時に前記第１エラーカウンタが第１の値より大きく、且つ前記第２パケットカウンタが所定値に達した時に前記第２エラーカウンタが第２の値より小さい場合に、前記第１映像信号から前記第２映像信号への切換えを行う切換手段と、
を有することを特徴とするデジタルデータ受信機。
【請求項８】
前記第１パケットカウンタが所定値に達し且つ第２パケットカウンタが所定値に達したときに、前記第２エラーカウンタが、前記第２の値より大きい第３の値以上の場合に、前記切換手段は、前記第１映像信号及び前記第２映像信号のいずれも選択しない、又は前記第１映像信号を静止画として提示する、請求項７に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項９】
前記第１パケットカウンタが所定値に達した時に前記第１エラーカウンタ及び前記第１パケットカウンタをリセットし、前記第２パケットカウンタが所定値に達した時に前記第２エラーカウンタ及び前記第２パケットカウンタをリセットする請求項６〜８の何れか一項に記載に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項１０】
前記第１エラーカウンタが所定値に達した時に前記第１エラーカウンタ及び前記第１パケットカウンタをリセットし、前記第２エラーカウンタが所定値に達した時に前記第２エラーカウンタ及び前記第２パケットカウンタをリセットする請求項６〜８の何れか一項に記載に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項１１】
前記切換手段による、前記第１映像信号と前記第２映像信号との間の切換えは、前記第１パケットカウンタ又は前記第２パケットカウンタが所定値に達した後、一定時間経過後に行われる請求項６〜１０の何れか一項に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項１２】
さらに、前記第１又は第２パケットカウンタの所定値を設定する所定値設定手段を有する請求項６〜１１の何れか一項に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項１３】
前記エラー信号は、第１受信データに関するパケット信号のトランスポート・エラー信号である請求項１〜１２の何れか一項に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項１４】
前記エラー信号は、第１受信データに関するリードソロモン・エラー信号である請求項１〜１２の何れか一項に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項１５】
さらに、シームレス制御を行うか否かの選択を行うことができるシームレス制御選択手段を有する請求項１〜１４の何れか一項に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項１６】
さらに、前記シームレス制御のレベルを設定することができるレベル設定手段を有する請求項１５に記載のデジタルデータ受信機。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月30日(2007.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記組成式（１）で表されるクラスレート化合物。
Ｂａ8ＡｕaＧｅ46-a    （１６／３≦a≦６）    （１）
【請求項２】
下記組成式（２）で表されるクラスレート化合物。
Ｂａ8ＡｕbＧａcＧｅ46-b-c    （５≦ｂ＜１６／３、ｃ＝１６−３ｂ）    （２）
【請求項３】
下記組成式（３）で表されるクラスレート化合物。
Ｂａ8ＡｕdＧａeＧｅ46-d-e    （０≦ｄ＜５、e＝１６−３ｄ）    （３）
【請求項４】
下記組成式（４）で表されるクラスレート化合物。
Ｂａ8ＡｕfＧａ6-fＧｅ40    （０＜ｆ＜６）    （４）
【請求項５】
下記組成式（５）で表されるクラスレート化合物。
Ｂａ8ＰｔgＧｅ46-g    （４＜ｇ＜６）    （５）
【請求項６】
下記組成式（６）で表されるクラスレート化合物。
Ｂａ8ＰｄhＧｅ46-h    （５＜ｈ＜６）    （６）
【請求項７】
下記組成式（７）で表されるクラスレート化合物。
Ｂａ8ＰｄiＧａjＧｅ46-i-j    （０≦ｉ≦４、ｊ＝１６−４ｉ）    （７）
【請求項８】
下記組成式（８）で表されるクラスレート化合物。
Ｂａ8ＡkＧａlＳｉ46-k-l    （０≦ｋ≦４、ｌ＝１６−４ｋ）    （８）
（組成式（８）において、ＡはＰｄ又はＰｔを表す。）
【請求項９】
下記組成式（９）で表されるクラスレート化合物。
Ｂａ8ＥmＧａ6-mＧｅ40    （５＜ｍ＜６）    （９）
（組成式（９）において、ＥはＣｕ又はＡｇを表す。）
【請求項１０】
下記組成式（１０）で表されるクラスレート化合物。
Ｂａ8ＧnＧａ6-nＧｅ40    （０＜ｎ≦５）
（組成式（１０）において、ＧはＣｕ又はＡｇを表す。）
【請求項１１】
下記組成式（１１）で表されるクラスレート化合物。
Ｂａ8ＪoＧａpＧｅ46-o-p    （０＜o＜１６／３、ｐ＝１６−３o）
（組成式（１１）において、ＪはＣｕ又はＡｇを表す。）
【請求項１２】
少なくともＢａとＧｅとを構成元素として含むクラスレート化合物の焼結体である熱電変換素子の製造方法であって、
前記クラスレート化合物の構成元素を溶融させてクラスレート化合物を合成する溶融工程と、
合成された前記クラスレート化合物を、６５０〜９００℃で５０〜２５０時間加熱する熱処理工程と、
前記熱処理工程を経た前記クラスレート化合物を微粒子にする微粒子化工程と、
前記微粒子を焼結する焼結工程と、
を有する熱電変換素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月22日(2007.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記アウター遮熱板の外周縁に切欠き部を形成し、この切欠き部と熱処理容器の内面との間に、該容器の内面に沿って配置されている部材を配置するようにした請求項２記載の熱処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ基を含有する熱可塑性重合体、及び、
エポキシ基と付加反応することができる官能基を含有する化合物、又は、エポキシ基を開環重合させることができる重合触媒、
を含み、前記熱可塑性重合体は架橋されて流動性が抑制されている、発光ダイオード装置用接着シート。
【請求項２】
前記エポキシ基を含有する熱可塑性重合体はエポキシ基を含有するポリオレフィン系共重合体である、請求項１記載の接着シート。
【請求項３】
前記エポキシ基を含有する熱可塑性重合体は、ビニル基含有モノマーと、このビニル基含有モノマーと共重合可能であるエポキシ基含有モノマーを共重合させたものである、請求項１記載の接着シート。
【請求項４】
エポキシ基を含有しない熱可塑性重合体をさらに含む、請求項１〜３のいずれか１項記載の接着シート。
【請求項５】
前記接着シートはエポキシ基を開環重合させることができる重合触媒を含み、前記熱可塑性重合体の架橋は、紫外線照射又は加熱を用いた前記重合触媒によるエポキシ基の開環重合により行なわれる、請求項１〜４のいずれか１項記載の接着シート。
【請求項６】
前記エポキシ基を含有する熱可塑性重合体として、分子内にエポキシ基を含有するポリオレフィン共重合体１０〜９５質量％、
前記エポキシ基を含有しない熱可塑性重合体として、分子内にカルボン酸エステル基を含有するポリオレフィン系共重合体４〜８０質量％、
前記エポキシ基と付加反応することができる官能基を含有する化合物として、分子内にカルボキシル基を含有するロジン１〜２０質量％、
を含む組成物に電子線照射して架橋させた、請求項４記載の接着シート。
【請求項７】
発光ダイオード素子、配線基板、蛍光体含有樹脂、レンズ及び蛍光体含有樹脂封止用枠を含む発光ダイオード装置であって、前記配線基板と蛍光体封止用枠とが、請求項１〜６のいずれか１項記載の接着シートで接着された、発光ダイオード装置。
【請求項８】
発光ダイオード素子、配線基板、蛍光体含有樹脂、レンズ、反射板及び放熱板もしくは筐体を含む発光ダイオード装置であって、前記配線基板と、放熱板もしくは筐体、あるいは、反射板とが、請求項１〜６のいずれか１項記載の接着シートで接着された、発光ダイオード装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光システムであって、
主制御部を含み、基板をパターンで露光する露光装置本体と、
光源制御部とパルスレーザ光源とを含み、前記露光装置本体に露光光を提供する光源装置とを備え、
前記主制御部は、前記光源制御部から前記光源装置に関するメンテナンスの要求があったときに、前記光源装置の発振したパルスの数に基づいて前記光源装置のメンテナンスのタイミングを決定することを特徴とする露光システム。
【請求項２】
前記主制御部は、前記主制御部が前記光源制御部に指令した発振パルス数に基づいて前記光源装置のメンテナンスのタイミングを決定することを特徴とする請求項１に記載の露光システム。
【請求項３】
前記主制御部によって決定されるタイミングには、露光動作を開始する直前が含まれることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光システム。
【請求項４】
前記主制御部によって決定されるタイミングには、前記メンテナンスの要求があった直後、及び、露光動作を開始する直前が含まれることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光システム。
【請求項５】
前記主制御部によって決定されるタイミングには、前記メンテナンスの要求があった直後、実行している露光動作の終了の直後、及び、露光動作を開始する直前が含まれることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光システム。
【請求項６】
前記主制御部は、パルスの発振時刻を変数とする関数で重み付けされた前記光源装置の発振したパルスの数の、設定時間にわたる和に基づいて前記光源装置のメンテナンスのタイミングを決定することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の露光システム。
【請求項７】
前記主制御部は、ジョブキューを有し、前記メンテナンスの処理を前記ジョブキューに登録することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の露光システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る露光システムは、主制御部を含み基板をパターンで露光する露光装置本体と、光源制御部とパルスレーザ光源とを含み前記露光装置本体に露光光を提供する光源装置とを備える。前記主制御部は、前記光源制御部から前記光源装置に関するメンテナンスの要求があったときに、前記光源装置の発振したパルスの数に基づいて前記光源装置のメンテナンスのタイミングを決定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の好適な実施形態によれば、前記主制御部は、前記主制御部が前記光源制御部に指令した発振パルス数に基づいて前記光源装置のメンテナンスのタイミングを決定しうる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の好適な実施形態によれば、前記主制御部によって決定されるタイミングには、露光動作を開始する直前が含まれうる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の好適な実施形態によれば、前記主制御部によって決定されるタイミングには、前記メンテナンスの要求があった直後、及び、露光動作を開始する直前が含まれうる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の好適な実施形態によれば、前記主制御部によって決定されるタイミングには、前記メンテナンスの要求があった直後、実行している露光動作の終了の直後、及び、露光動作を開始する直前が含まれうる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の好適な実施形態によれば、前記主制御部は、パルスの発振時刻を変数とする関数で重み付けされた前記光源装置の発振したパルスの数の、設定時間にわたる和に基づいて前記光源装置のメンテナンスのタイミングを決定しうる。
本発明の好適な実施形態によれば、前記主制御部は、ジョブキューを有し、前記メンテナンスの処理を前記ジョブキューに登録しうる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換部を有する光電変換領域と、前記複数の光電変換部からの信号を読み出す読み出し回路と、前記読み出し回路に電流を供給するための基準電流発生回路を同一半導体基板上に配した撮像装置であって、
前記基準電流発生回路は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴを含んでおり、
前記基準電流発生回路を流れる電流を遮断もしくは前記基準電流発生回路を流れる電流を抑制するスイッチを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記Ｎ型ＭＯＳＦＥＴは５極管領域で動作し、前記スイッチは前記Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのドレイン電流を遮断もしくは抑制することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記読み出し回路は、前記複数の光電変換部からの信号を増幅する増幅回路であることを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記複数の光電変換部からの信号を読み出す複数の垂直信号線と、
前記複数の垂直信号線からの信号が各垂直信号線に対応したスイッチを介して、時系列に読み出される水平出力線とを有し、
前記増幅回路は前記水平出力線からの信号を増幅することを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記複数の光電変換部からの信号をディジタル信号に変換するアナログ・ディジタル変換回路と、前記アナログ・ディジタル変換回路からの信号を処理する信号処理回路と、前記複数の光電変換部に光を結像するレンズとを有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の撮像装置では、複数の光電変換部を有する光電変換領域と、前記複数の光電変換部からの信号を読み出す読み出し回路と、前記読み出し回路に電流を供給するための基準電流発生回路を同一半導体基板上に配した撮像装置であって、前記基準電流発生回路は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴを含んでおり、前記基準電流発生回路を流れる電流を遮断もしくは前記基準電流発生回路を流れる電流を抑制するスイッチを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このような構成にすることで、特に、ＮＭＯＳ１２５で発生していたインパクトイオン化の影響が軽減できる。上述したように、ＮＭＯＳが５極管領域で動作する時に特に効果が大きい。制御信号ＰＳＡＶＥは、出力アンプ１１８が動作する必要の無い期間、すなわち蓄積期間や水平ブランキング期間中にハイレベルに設定されることが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
図２は本実施例の光電変換装置の全体構成を示す等価回路図であり、同一半導体基板上に形成されている。従来技術の光電変換装置では、基準電流発生回路１２１に近い画素領域において、インパクトイオン化によるキャリア発生または再結合発光による暗出力上昇が問題となっていた。とくにＮＭＯＳが５極管領域で動作する時に問題が大きかった。しかし、本実施例の光電変換装置においては、長時間蓄積撮影においても、キャリア発生や発光が抑えられ、基準電流発生回路に５極管領域で動作するＮ型ＭＯＳＦＥＴを含む場合にも良好な画像が得られる。