Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月21日(2007.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】請求項１に係る本発明すり板の一例を示す平面図である。
【図２】図１に示したすり板の正面図を示す。
【図３】図１のすり板を舟体に取り付けた状態の横断面図である。
【図４】請求項２に係る本発明すり板の一例を示す平面図である。
【図５】図４に示したすり板の正面図を示す。
【図６】図４のすり板を舟体に取り付けた状態の横断面図である。
【図７】請求項２に係る本発明すり板の一例を示す平面図である。
【図８】図７に示したすり板の正面図を示す。
【図９】図７のすり板を舟体に取り付けた状態の横断面図である。
【図１０】本発明すり板の一例を示す平面図である。
【図１１】図１０のすり板の正面図である。
【図１２】図１０のすり板を船体に取り付けた状態の横断面図である。
【図１３】従来のカーボンすり板の平面図を示す。
【図１４】図１３のすり坂の正面図を示す。
【図１５】図１３のすり板を舟体に取り付けた状態を示す横断面図である。
【図１６】図１３のすり板を舟体に取り付けた状態の平面図を示す。
【図１７】図１３の正面図である。
【符号の説明】
１  カーボンすり板
２  雌ねじ
３ａ  埋込み金属部材
３ｂ  埋込み金属部材
３ｃ  補強金属板
４  舟体
５  ボルト穴
６  ボルト
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月5日(2007.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２相のパーマネントマグネットタイプのステッピングモータ駆動装置において、マイクロステップ通電モードとフルステップ通電モードでの通電が可能であり、前記ステッピングモータの駆動中に該マイクロステップ通電モードと該フルステップ通電モード間で切り換え可能であってフルステップ通電からマイクロステップ通電に切り換えるタイミング或いはマイクロステップ通電からフルステップ通電に切り換えるタイミングはマイクロステップ通電時における各相の通電電流の絶対値が同じになるタイミングもしくは略等しくなるタイミングであることを特徴とするステッピングモータ駆動装置。
【請求項２】
マイクロステップ駆動テーブルとして第１のマイクロステップ駆動テーブルと、
前記第１のマイクロステップ駆動テーブルの各相に通電する値の組み合わせの値とは少なくとも一部が異なる値の組み合わせからなる第２のマイクロステップ駆動テーブルと、
前記第１のマイクロステップ駆動テーブルと前記第２のマイクロステップ駆動テーブルを記憶する記憶手段と、
ステッピングモータを第１の回転方向及び第２の回転方向に駆動する駆動手段とを更に有し、前記駆動手段は、回転方向に応じて前記記憶手段に記憶された第１のマイクロステップ駆動テーブルと第２のマイクロステップ駆動テーブルのうちどちらかを選択してマイクロステップ駆動が可能なものであることを特徴とする請求項１に記載のステッピングモータ駆動装置。
【請求項３】
ステッピングモータの駆動開始時に、ステッピングモータの回転方向を判別する方向判別手段と、
前記方向判別手段によって第１の方向と判別したとき、前記第１のマイクロステップ駆動テーブルに基づいてマイクロステップ駆動を開始し、該方向判別手段によって第２の方向と判別したとき、前記第２のマイクロステップ駆動テーブルに基づいてマイクロステップ通電モードを開始するマイクロステップ通電モード開始手段と、
フルステップ通電モードに切り換えるタイミングを待ってフルステップ通電モードを開始するフルステップ通電モード開始手段と、を有することを特徴とする請求項２に記載のステッピングモータ駆動装置。
【請求項４】
前記フルステップ通電モード開始後、前記切り換えるタイミングを待って、再びマイクロステップ通電モードを開始する手段をさらに有することを特徴とする請求項３に記載のステッピングモータ駆動装置。
【請求項５】
マイクロステップ通電モードとフルステップ通電モードでの通電が可能であり、該マイクロステップ通電モードと該フルステップ通電モード間で切り換え可能であってフルステップ通電からマイクロステップ通電に切り換えるタイミング或いはマイクロステップ通電からフルステップ通電に切り換えるタイミングはマイクロステップ通電時における各相の通電電流の絶対値が同じになるタイミングもしくは略等しくなるタイミングであり、マイクロステップ駆動テーブルとして第１のマイクロステップ駆動テーブルと、前記第１のマイクロステップ駆動テーブルの各相に通電する値の組み合わせの値とは少なくとも一部が異なる値の組み合わせからなる第２のマイクロステップ駆動テーブルと、前記第１のマイクロステップ駆動テーブルと前記第２のマイクロステップ駆動テーブルを記憶する記憶手段と、ステッピングモータを第１の回転方向及び第２の回転方向に駆動する駆動手段とを更に有し、前記駆動手段は、回転方向に応じて前記記憶手段に記憶された第１のマイクロステップ駆動テーブルと第２のマイクロステップ駆動テーブルのうちどちらかを選択してマイクロステップ駆動が可能なステッピング駆動装置と、
該ステッピングモータ駆動装置により駆動されるステッピングモータと、
該ステッピングモータにより駆動されるレンズと、
を有することを特徴とするレンズ移動装置。
【請求項６】
ステッピングモータの駆動開始時に、ステッピングモータの回転方向を判別する方向判別手段と、
前記方向判別手段によって第１の方向と判別したとき、前記第１のマイクロステップ駆動テーブルに基づいてマイクロステップ駆動を開始し、該方向判別手段によって第２の方向と判別したとき、前記第２のマイクロステップ駆動テーブルに基づいてマイクロステップ通電モードを開始するマイクロステップ通電モード開始手段と、
フルステップ通電モードに切り換えるタイミングを待ってフルステップ通電モードを開始するフルステップ通電モード開始手段と、を有することを特徴とする請求項５に記載のレンズ移動装置。
【請求項７】
前記フルステップ通電モード開始後、前記切り換えるタイミングを待って、再びマイクロステップ通電モードを開始する手段をさらに有することを特徴とする請求項６に記載のレンズ移動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の２相のパーマネントマグネットタイプのステッピングモータ駆動装置は、マイクロステップ通電モードとフルステップ通電モードでの通電が可能であり、前記ステッピングモータの駆動中に該マイクロステップ通電モードと該フルステップ通電モード間で切り換え可能であってフルステップ通電からマイクロステップ通電に切り換えるタイミング或いはマイクロステップ通電からフルステップ通電に切り換えるタイミングはマイクロステップ通電時における各相の通電電流の絶対値が同じになるタイミングもしくは略等しくなるタイミングであることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明のレンズ移動装置は、マイクロステップ通電モードとフルステップ通電モードでの通電が可能であり、該マイクロステップ通電モードと該フルステップ通電モード間で切り換え可能であってフルステップ通電からマイクロステップ通電に切り換えるタイミング或いはマイクロステップ通電からフルステップ通電に切り換えるタイミングはマイクロステップ通電時における各相の通電電流の絶対値が同じになるタイミングもしくは略等しくなるタイミングであり、マイクロステップ駆動テーブルとして第１のマイクロステップ駆動テーブルと、前記第１のマイクロステップ駆動テーブルの各相に通電する値の組み合わせの値とは少なくとも一部が異なる値の組み合わせからなる第２のマイクロステップ駆動テーブルと、前記第１のマイクロステップ駆動テーブルと前記第２のマイクロステップ駆動テーブルを記憶する記憶手段と、ステッピングモータを第１の回転方向及び第２の回転方向に駆動する駆動手段とを更に有し、前記駆動手段は、回転方向に応じて前記記憶手段に記憶された第１のマイクロステップ駆動テーブルと第２のマイクロステップ駆動テーブルのうちどちらかを選択してマイクロステップ駆動が可能なステッピング駆動装置と、該ステッピングモータ駆動装置により駆動されるステッピングモータと、該ステッピングモータにより駆動されるレンズと、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月18日(2007.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室を形成するプロセスチューブと、前記処理室の前記基板を加熱するヒータユニットと、前記プロセスチューブの下に配置されたマニホールドと、前記マニホールドの下端開口部を閉塞するシールキャップとを備えており、
前記マニホールドの上端面である前記プロセスチューブとのシール面には、シール用ガスを流通させるためのシール用ガス流通溝と、該シール用ガス流通溝の外側に該シール用ガス流通溝から漏洩したシール用ガスを吸引するためのバキューム用溝とが敷設されていることを特徴とする基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月10日(2007.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板の一方の主面上に半導体層が積層されてなる半導体発光素子と、前記半導体発光素子の光出射面を覆い前記半導体発光素子が発光する第１の光の一部を吸収してその第１の光とは異なる波長の第２の光を発光する蛍光体を含む蛍光体層とを備え、前記蛍光体に吸収された一部を除く第１の光と、前記第２の光とが混合された混色光を出射する発光デバイスにおいて、
前記半導体発光素子の側面が遮光膜によって覆われたことを特徴とする発光デバイス。
【請求項２】
前記遮光膜は、半導体発光素子で発光した光を反射させる反射膜である請求項１記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記蛍光体層は、発光素子の光出射面の主面の厚さが、発光素子の側面の厚さと異なる請求項１又は２記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記透光性基板の他方の主面を、前記半導体発光素子の光出射面とした請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記透光性基板の他方の主面上に設けられた蛍光体の厚さが略一定である請求項４記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記半導体発光素子がサブマウント上に実装され、前記サブマウント上に設けられた配線電極に前記半導体発光素子が導通している請求項４又は５記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記遮光膜は、Ａｌ又はＡｇからなる金属膜である請求項１〜４のうちのいずれか１つに記載の発光デバイス。
【請求項８】
透光性基板の一方の主面上に半導体層が積層されてなる半導体発光素子と、前記半導体発光素子の光出射面を覆い前記半導体発光素子が発光する第１の光の一部を吸収してその第１の光とは異なる波長の第２の光を発光する蛍光体を含む蛍光体層とを備え、前記蛍光体に吸収された一部を除く第１の光と、前記第２の光とが混合された混色光を出射する発光デバイスの製造方法において、
前記半導体発光素子の実装面に対向して粘着シートに複数の発光素子を配置し、前記複数の半導体発光素子の側面及び光出射面となる発光素子の透光性基板の他方の主面上に、遮光膜材料層を形成する工程と、
前記複数配置された発光素子を研磨して、前記透光性基板の他方の主面上の遮光膜を除去する工程と、
前記半導体発光素子をサブマウントに実装して、前記半導体発光素子の光出射面に蛍光体層を形成する工程と、を有する発光デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記蛍光体層の形成工程において、前記半導体発光素子を、前記サブマウントに設けられた配線電極に、電気的に導通させて実装する請求項８記載の発光デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光デバイス及びその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
以上の目的を達成するために、本発明に係る発光デバイスは、透光性基板の一方の主面上に半導体層が積層されてなる半導体発光素子と、前記半導体発光素子の光出射面を前記半導体発光素子が発光する第１の光の一部を吸収してその第１の光とは異なる波長の第２の光を発光する蛍光体を含む蛍光体層とを備え、前記蛍光体に吸収された一部を除く第１の光と、前記第２の光とが混合された混色光を出射する発光デバイスにおいて、前記半導体発光素子の側面が遮光膜によって覆われたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る発光デバイスのように、透光性基板上に半導体層を積層した半導体発光素子を覆うように蛍光体を形成して構成した発光デバイスでは、半導体発光素子の主面を覆う蛍光体の量及び層の厚さ管理は比較的容易であるのに対して、半導体発光素子の側面を覆う蛍光体の量及び層の厚さを一定に管理することは困難である。
しかしながら、本発明に係る発光デバイスでは、半導体発光素子の側面が遮光膜によって覆われているので、半導体発光素子の側面に配置された蛍光体が半導体発光素子により励起されることはほとんどなく、半導体発光素子の一方又は他方の主面（光出射面）上に配置された蛍光体のみが励起されて発光に寄与する。
従って、本発明に係る発光デバイスでは、比較的管理が容易な半導体発光素子の光出射面となる一方又は他方の主面上に配置された蛍光体の量及び層の厚さのみを管理することにより、色むらの発生を防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月6日(2006.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一方の面に光透過性樹脂によって、マイクロレンズをなす部分および接着部をなす樹脂層を形成して、前記マイクロレンズをなす部分によって前記半導体基板の一方の面に設けられている固体撮像素子のイメージエリアを覆う工程Ａと、この工程Ａの後、光透過部を有する封止部材を前記固体撮像素子を覆うように前記半導体基板上に配する工程Ｂと、この工程Ｂの後、前記マイクロレンズをなす部分の加熱、溶融によりマイクロレンズを形成するとともに、前記接着部の加熱により該接着部を介して前記封止部材を前記半導体基板に固定する工程Ｃとを有することを特徴とする固体撮像素子パッケージの製造方法。
【請求項２】
前記工程Ｃにおいて、前記マイクロレンズをなす部分を加熱する温度は前記接着部を加熱する温度よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記工程Ａの後、前記樹脂層を所定の形状にパターニングし、マイクロレンズをなす部分と、接着部とに分割する工程Ｄを有することを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像素子パッケージの製造方法。
【請求項４】
固体撮像素子のイメージエリアが一方の面に配された半導体基板、該半導体基板の一方の面に配され、前記イメージエリアを覆うマイクロレンズと該マイクロレンズの周囲に配された接着部、および、該接着部を介して前記半導体基板に固定された封止部材を少なくとも備えてなる固体撮像素子パッケージであって、
前記マイクロレンズ、および、前記接着部は光透過性樹脂からなり、
前記封止部材と、前記半導体基板および前記マイクロレンズとの間に空隙が配されることを特徴とする固体撮像素子パッケージ。
【請求項５】
前記接着部と前記マイクロレンズが同一の材質であることを特徴とする請求項４に記載の固体撮像素子パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体撮像素子パッケージおよびその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体基板の一方の面に設けられた固体撮像素子のイメージエリアにマイクロレンズが設けられ、かつ、このマイクロレンズおよびイメージエリアを保護する封止部材が設けられた固体撮像素子パッケージおよびその製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記工程Ａの後、前記樹脂層を所定の形状にパターニングし、マイクロレンズをなす部分と、接着部とに分割する工程Ｄを有することが好ましい。
また、本発明は、固体撮像素子のイメージエリアが一方の面に配された半導体基板、該半導体基板の一方の面に配され、前記イメージエリアを覆うマイクロレンズと該マイクロレンズの周囲に配された接着部、および、該接着部を介して前記半導体基板に固定された封止部材を少なくとも備えてなる固体撮像素子パッケージであって、前記マイクロレンズ、および、前記接着部は光透過性樹脂からなり、前記封止部材と、前記半導体基板および前記マイクロレンズとの間に空隙が配される固体撮像素子パッケージを提供する。
上記構成とした固体撮像素子パッケージにおいて、前記接着部と前記マイクロレンズが同一の材質である形態が好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月17日(2007.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
円板体を一個ごと区分けするためのディスク（１０２）と、前記ディスク（１０２）によって移動する円板体をガイドするディスク基盤（１０４）と、前記ディスク基盤（１０４）を有するとともに、前記ディスク（１０２）が円板体の厚さに応じて前記ディスク基盤（１０４）に対して当該ディスク（１０２）の高さを調整可能な段差部（１４９）を有する装置本体（１００）と、前記ディスク（１０２）が取付けられ、前記装置本体（１００）に上下調整可能に挿着してなる回転軸部材（１６０）とを備え、前記回転軸部材（１６０）を前記段差部（１４９）に選択的に取付けてなることを特徴とする円板体の放出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記回転軸部材（１６０）は、前記ディスク（１０２）を回転する回転部（１６２）と、前記回転部（１６２）を回転可能に枢着する台座部（１６１）とを有し、前記回転部（１６２）に、  動力伝達部材（１４２）に連係する横架部材（１６５）が挿脱可能に装着されるとともに、前記台座部（１６１）が前記段差部（１４９）に固定されてなることを特徴とする請求項２に記載の円板体の放出装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記動力伝達部材（１４２）は、  駆動源（１２１）からの動力を伝達する歯車群のうちのディスク回転歯車（１４３）よりなり、前記ディスク回転歯車（１４３）は、前記回転軸部材（１６０）の挿通孔（１４３ａ）及び該挿通孔（１４３ａ）に連通する縦溝（１４３ｅ）とを有し、前記縦溝（１４３ａ）に前記横架部材（１６５）が係合することを特徴とする請求項４に記載の円板体の放出装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明は、請求項１に記載したように、円板体を一個ごと区分けするためのディスク（１０２）と、前記ディスク（１０２）によって移動する円板体をガイドするディスク基盤（１０４）と、前記ディスク基盤（１０４）を有するとともに、前記ディスク（１０２）が円板体の厚さに応じて前記ディスク基盤（１０４）に対して当該ディスク（１０２）の高さを調整可能な段差部（１４９）を有する装置本体（１００）と、前記ディスク（１０２）が取付けられ、前記装置本体（１００）に上下調整可能に挿着してなる回転軸部材（１６０）とを備え、前記回転軸部材（１６０）を前記段差部（１４９）に選択的に取付ける。
この発明によれば、ディスクを回転するための回転軸部材を装置本体の段差部に選択的に取付けて、円板体の厚さに応じてディスク基盤に対してのディスクの高さを調整することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項５に記載したように、前記動力伝達部材は、  駆動源からの動力を伝達する歯車群のうちのディスク回転歯車よりなり、前記ディスク回転歯車は、前記回転軸部材の挿通孔及び該挿通孔に連通する縦溝とを有し、前記縦溝に前記横架部材が係合する構成とした。
この発明によれば、ディスク回転歯車の挿通孔に形成された縦溝に横架部材を上下方向に移動可能に設けたので、回転軸部材は、ディスクを回転するとともに、ディスク回転歯車内を上下に自在に移動してディスクを円板体の厚みに対応した高さに調整できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
ディスク取付基部１２０は、ＡＢＳ樹脂からなる矩形状の基台１０３を形成し、基台１０３の上面部に、ディスク基盤１０４と、モータ１２１用の開口１０５と、              ホッパー１０１の取付孔１０６ａ〜１０６ｄとが形成され、さらに基台１０３の互いに対向する長辺の下縁に、下方に垂設された係止片１０７ａ〜１０７ｆが形成されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
このディスク回転歯車１４３は、ポリアセタール、アセタール樹脂などにより一体成型されており、図６にも示すように、ボス部１４３からリム部１４３ｂにかけて放射状に蓮根のような孔を形成するリブ部１４３ｃが一体に形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月19日(2007.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバーを有し、前記チャンバー内で対象物を露光する露光装置において、
前記チャンバーを介してガスを循環させる循環手段を備え、
前記循環手段のガス循環経路に消音手段を設けたことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
レーザー光源とチャンバーとを有し、前記レーザー光源からのレーザー光を用いて前記チャンバー内で原版又は基板を露光する露光装置において、
前記チャンバーを介して不活性ガスを循環させる循環手段を備え、
前記循環手段の不活性ガス循環経路に消音手段を設けたことを特徴とする露光装置。
【請求項３】
前記消音手段は、前記チャンバーの直上流及び直下流の少なくともいずれかに設けられることを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記消音手段は、前記ガスの流れ方向に対して最上流側の拡径する膨張部と、当該膨張部と略同径で前記ガスの流れ方向に延びる拡大室と、当該拡大室に対して縮径する収縮部とを備え、音を干渉させて消音する機能を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記消音手段は、前記ガスの流れ方向に対して長さが異なる分岐部と、これら分岐部が合流する合流部とを備え、音を干渉させて消音する機能を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記消音手段は、前記ガスの流れ方向に伸縮して当該方向への長さを可変とする伸縮部を備え、当該長さにより干渉音の周波数を調節可能であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記原版及び基板を相対移動させる熱源としてのステージ装置を更に備えることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明の露光装置は、チャンバーを有し、前記チャンバー内で対象物を露光する露光装置において、前記チャンバーを介してガスを循環させる循環手段を備え、前記循環手段のガス循環経路に消音手段を設けたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の露光装置は、レーザー光源とチャンバーとを有し、前記レーザー光源からのレーザー光を用いて前記チャンバー内で原版又は基板を露光する露光装置において、前記チャンバーを介して不活性ガスを循環させる循環手段を備え、前記循環手段の不活性ガス循環経路に消音手段を設けたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、上記装置のより好ましい態様として、前記消音手段は、前記チャンバーの直上流及び直下流の少なくともいずれかに設けられることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、上記装置のより好ましい態様として、前記消音手段は、前記ガスの流れ方向に対して最上流側の拡径する膨張部と、当該膨張部と略同径で前記ガスの流れ方向に延びる拡大室と、当該拡大室に対して縮径する収縮部とを備え、音を干渉させて消音する機能を有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、上記装置のより好ましい態様として、前記消音手段は、前記ガスの流れ方向に対して長さが異なる分岐部と、これら分岐部が合流する合流部とを備え、音を干渉させて消音する機能を有することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、上記装置のより好ましい態様として、前記消音手段は、前記ガスの流れ方向に伸縮して当該方向への長さを可変とする伸縮部を備え、当該長さにより干渉音の周波数を調節可能であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月16日(2007.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型半導体層の上に、ｐ型コンタクト層を介して形成された正電極を備える半導体発光素子であって、
前記ｐ型コンタクト層が、膜厚２５０Å以下の膜厚で、Ｍｇ濃度１．５×１０２０／ｃｍ３以上に設定されてなり、
前記正電極として、ｐ型コンタクト層上に導電性酸化物膜が電気的に接続され、
かつ該導電性酸化物膜が、前記ｐ型コンタクト層との界面近傍において表面側よりも密度が低いことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
ｐ型コンタクト層は、表面がＲＭＳ値３ｎｍ以下の面粗さに設定されてなる請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
密度の低い領域が、ｐ型コンタクト層側から導電性酸化物膜の全膜厚に対して１０〜５０％の範囲に存在する請求項１又は２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
導電性酸化物膜は、ｐ型コンタクト層との界面近傍において、複数の孔が存在する請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項５】
複数の孔は直径が２０〜２００ｎｍ程度である請求項４に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
導電性酸化物膜は、亜鉛、インジウム、スズ及びマグネシウムからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項７】
導電性酸化物膜がＩＴＯ膜である請求項６に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
正電極の４００〜６００ｎｍにおける光の透過率が８０％以上である請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項９】
正電極の比抵抗が１×１０−４Ωｃｍ以下である請求項１〜８のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
正電極の上に、さらにＷ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｌの単層膜又は積層膜からなる金属膜が形成されてなる請求項１〜９のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
ｐ型半導体層が窒化物半導体である請求項１〜１０のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の半導体発光素子は、ｐ型半導体層の上に、ｐ型コンタクト層を介して形成された正電極を備える半導体発光素子であって、前記ｐ型コンタクト層が、膜厚２５０Å以下の膜厚で、Ｍｇ濃度１．５×１０２０／ｃｍ３以上に設定されてなり、前記正電極として、ｐ型コンタクト層上に導電性酸化物膜が電気的に接続され、かつ該導電性酸化物膜が、前記ｐ型コンタクト層との界面近傍において表面側よりも密度が低いことを特徴とする。
また、ｐ型コンタクト層は、表面がＲＭＳ値３ｎｍ以下の面粗さに設定されてなることが好ましい。
密度の低い領域が、ｐ型コンタクト層側から導電性酸化物膜の全膜厚に対して１０〜５０％の範囲に存在することが好ましい。
導電性酸化物膜は、ｐ型コンタクト層との界面近傍において、複数の孔が存在することが好ましく、複数の孔は直径が２０〜２００ｎｍ程度であることがより好ましい。
導電性酸化物膜は、亜鉛、インジウム、スズ及びマグネシウムからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含み、特に、ＩＴＯ膜であることが好ましい。
正電極の４００〜６００ｎｍにおける光の透過率が８０％以上であるか、正電極の比抵抗が１×１０−４Ωｃｍ以下であることが好ましい。
正電極の上に、さらにＷ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｌの単層膜又は積層膜からなる金属膜が形成されてなることが好ましい。
ｐ型半導体層が窒化物半導体であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月5日(2006.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負極集電体と、この上に形成されたシリコンの柱状粒子を含む負極活物質薄膜とを備えたエネルギーデバイスであって、
厚さ方向においてシリコン密度が最大となる位置での、前記負極集電体の表面と平行な方向における前記シリコンの柱状粒子の径をＬ１、厚さ方向においてシリコン密度が最大となる位置と前記負極活物質薄膜の表面との距離をＬ２としたとき、Ｌ２／Ｌ１≧０．５であることを特徴とするエネルギーデバイス。
【請求項２】
前記負極集電体の前記負極活物質薄膜側の面の表面粗さＲａが０．０１〜１μｍである請求項１に記載のエネルギーデバイス。
【請求項３】
負極集電体上にシリコンを主成分として含む負極活物質薄膜を真空プロセスにより成膜する工程を含むエネルギーデバイスの製造方法であって、
前記負極集電体の被成膜面の表面粗さＲａが０．０１〜１μｍであり、
前記負極集電体をソースに対して相対的に移動しながら成膜を行い、被成膜領域に、前記負極集電体の相対的移動方向の下流側から不活性ガスを導入することを特徴とするエネルギーデバイスの製造方法。
【請求項４】
負極集電体上にシリコンを主成分として含む負極活物質薄膜を真空プロセスにより成膜する工程を含むエネルギーデバイスの製造方法であって、
前記負極集電体の被成膜面の表面粗さＲａが０．０１〜１μｍであり、
前記負極活物質薄膜の全成膜時間をＴ、成膜開始時刻を０としたとき、０＜ｔ≦０．８３Ｔを満足する時刻ｔから成膜終了までの期間に被成膜領域に不活性ガスを導入することを特徴とするエネルギーデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記真空プロセスが真空蒸着法であることを特徴とする請求項３又は４に記載のエネルギーデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のエネルギーデバイスは、負極集電体と、この上に形成されたシリコンの柱状粒子を含む負極活物質薄膜とを備えたエネルギーデバイスであって、厚さ方向においてシリコン密度が最大となる位置での、前記負極集電体の表面と平行な方向における前記シリコンの柱状粒子の径をＬ１、厚さ方向においてシリコン密度が最大となる位置と前記負極活物質薄膜の表面との距離をＬ２としたとき、Ｌ２／Ｌ１≧０．５であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明のエネルギーデバイスは、負極集電体と、この上に形成されたシリコンの柱状粒子を含む負極活物質薄膜とを備える。そして、厚さ方向においてシリコン密度が最大となる位置での、前記負極集電体の表面と平行な方向における前記シリコンの柱状粒子の径をＬ１、厚さ方向においてシリコン密度が最大となる位置と前記負極活物質薄膜の表面との距離をＬ２としたとき、Ｌ２／Ｌ１≧０．５を満足する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月16日(2007.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層には前記基板に達する開口部が形成されており、
前記開口部を覆って第２の絶縁層が形成されており、
前記第２の絶縁層上には前記開口部の少なくとも一部に重なって発光素子が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に形成された第１の絶縁層と
前記絶縁層上に形成された半導体層と、
前記半導体層を覆って形成されたゲート絶縁層と、
前記半導体層及び前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極とを有し、
前記ゲート絶縁層には前記第１の絶縁層を貫通し、前記基板まで達する開口部が設けられており、
前記ゲート絶縁層、前記ゲート電極及び前記開口部を覆って第２の絶縁層が形成されており、
前記第２の絶縁層上には前記開口部の少なくとも一部に重なって発光素子が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は単層構造であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記第１の絶縁層又は／及び前記第２の絶縁層は多層構造であることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記発光素子は第１の電極と発光層と第２の電極を有しており、
前記第１の電極が前記第２の電極より前記基板側に形成されており、
前記第２の絶縁層は前記第１の電極の屈折率と前記基板の屈折率の間の屈折率を有していることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記発光素子は第１の電極と発光層と第２の電極を有しており、
前記第１の電極が前記第２の電極より前記基板側に形成されており、前記開口部における前記第１の電極から前記基板までの間に存在するそれぞれの層が有する屈折率は前記基板側に近いほど小さいことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記発光素子は第１の電極と発光層と第２の電極を有しており、
前記第１の電極が前記第２の電極より前記基板側に形成されており、前記開口部における前記第１の電極から前記基板までの間に存在するそれぞれの層が有する屈折率は前記基板側に近いほど小さいことを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月3日(2007.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース構造体と、該ベース構造体の表面に沿って該ベース構造体に非接触で移動可能な可動ステージとを備えた位置決めステージ装置において、
前記ベース構造体の前記表面下に埋め込まれた複数個の送電コイルと、該表面に対向して前記可動ステージに取り付けられた受電コイルと、該可動ステージの位置に応じて該送電コイルを順次切り替える切り替え手段と、該送電コイルに該切り替え手段を介して交流電力を供給する給電手段とを有することを特徴とする位置決めステージ装置。
【請求項２】
前記送電コイルが、前記可動ステージを移動させる駆動コイルとしても使用されることを特徴とする請求項１に記載の位置決めステージ装置。
【請求項３】
前記受電コイルは、前記可動ステージの駆動方向に複数個が配列されていることを特徴とする請求項１または２に記載の位置決めステージ装置。
【請求項４】
前記可動ステージの駆動方向が、ベース構造体の表面に沿った２次元方向であることを特徴とする請求項３に記載の位置決めステージ装置。
【請求項５】
前記受電コイルは、前記送電コイルと位相をずらして配置されていることを特徴とする請求項３または４に記載の位置決めステージ装置。
【請求項６】
前記可動ステージの駆動方向に配列された受電コイルの個数がｎ個であるとき、前記受電コイルと送電コイルとの位相を１８０度／ｎずらしてあることを特徴とする請求項５に記載の位置決めステージ装置。
【請求項７】
前記交流電力の周波数を、前記送電コイルと受電コイル間の相互インダクタンスと負荷とで決まる共振周波数に設定したことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の位置決めステージ装置。
【請求項８】
前記交流電力に制御信号を重畳させて送受信し、前記可動ステージ上の電気回路と前記ベース構造体側に設けられている制御装置との間で通信することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の位置決めステージ装置。
【請求項９】
ベース構造体と、該ベース構造体の表面に沿って該ベース構造体に非接触で移動可能な可動ステージとを備えた位置決めステージ装置において、
前記ベース構造体の前記表面下に埋め込まれた複数個のコイルと、該表面に対向して前記可動ステージに取り付けられた受電コイルと、前記複数個のコイルのそれぞれに設けられ、前記複数個のコイルを送電用と前記可動ステージの駆動用に切り替え可能なスイッチとを備え、前記可動ステージの位置に応じて前記スイッチを切り替えることを特徴とする位置決めステージ装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１つに記載の位置決めステージ装置を備え、該ステージ装置によって基板を位置決めすることを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の露光装置によって基板を露光する工程を有するデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の目的を達成するために、本発明に係る第１の位置決めステージ装置は、ベース構造体と、該ベース構造体の表面に沿って該ベース構造体に非接触で移動可能な可動ステージとを備えた位置決めステージ装置において、前記ベース構造体の前記表面下に埋め込まれた複数個の送電コイルと、該表面に対向して前記可動ステージに取り付けられた受電コイルと、該可動ステージの位置に応じて該送電コイルを順次切り替える切り替え手段と、該送電コイルに該切り替え手段を介して交流電力を供給する給電手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記交流電力の周波数を、前記送電コイルと受電コイル間の相互インダクタンスと負荷とで決まる共振周波数に設定すれば、より高効率の送電を行うことができる。
また、前記交流電力に制御信号を重畳させて送受信することにより、可動ステージ上の電気回路と前記ベース構造体側に設けられた制御装置との間で通信することができる。
また、可動ステージ上に直流回路用の平滑コンデンサとともに、または、平滑コンデンサに代えて、再充電可能な２次電池を搭載してもよい。
前記可動ステージの駆動方向は、ベース構造体の表面に沿った１次元方向であっても２次元方向であっても本発明は適用可能である。
上記の目的を達成するために、本発明に係る第２の位置決めステージ装置は、ベース構造体と、該ベース構造体の表面に沿って該ベース構造体に非接触で移動可能な可動ステージとを備えた位置決めステージ装置において、前記ベース構造体の前記表面下に埋め込まれた複数個のコイルと、該表面に対向して前記可動ステージに取り付けられた受電コイルと、前記複数個のコイルのそれぞれに設けられ、前記複数個のコイルを送電用と前記可動ステージの駆動用に切り替え可能なスイッチとを備え、前記可動ステージの位置に応じて前記スイッチを切り替えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
送電コイル１７と受電コイル１５の両端に送受信回路２５を設け、電力を供給しているコイル１７、１５に信号を重畳させて通信すれば、電磁誘導によりこのような制御信号をやり取りすることが可能となる。ただし、給電信号としては数ｋＨｚから数十ｋＨｚを使うので、これと周波数的に干渉がない数百ｋＨｚから数ＭＨｚの高周波信号を使う。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
［第６の実施例］
図１０は、上記の位置決めステージ装置をウエハステージとする半導体デバイス製造用の露光装置を示す。
この露光装置は、半導体集積回路等の半導体デバイスや、マイクロマシン、薄膜磁気ヘッド等の微細なパターンが形成されたデバイスの製造に利用され、原版であるレチクルＲを介して基板としての半導体ウエハＷ上に光源６１からの露光エネルギーとしての露光光（この用語は、可視光、紫外光、ＥＵＶ光、Ｘ線、電子線、荷電粒子線等の総称である）を投影系としての投影レンズ（この用語は、屈折レンズ、反射レンズ、反射屈折レンズシステム、荷電粒子レンズ等の総称である）６２を介して照射することによって、基板上に所望のパターンを形成している。
この露光装置において、定盤５１は多相電磁コイル（図２のコイル１７）を有し、可動ステージ５７は永久磁石（図２の永久磁石１２）群を有している。
可動ステージ５７（図２の可動ステージ３）は静圧軸受５８（図２の静圧軸受７）によって支持されている。可動ステージ５７の動きは、可動ステージ５７に固設したミラー５９（図２のバーミラー５）および干渉計６０（図２のレーザ干渉計５）を用いて計測する。
可動ステージ５７に搭載したチャック（図２の静電チャック６）上に基板であるウエハＷを保持し、光源６１、投影光学系６２によって、原版であるレチクルＲのパターンをウエハＷ上の各領域にステップアンドリピートもしくはステップアンドスキャンで縮小転写する。
なお、本発明の位置決めステージ装置は、マスクを使用せずに半導体ウエハ上に回路パターンを直接描画してレジストを露光するタイプの露光装置にも、同様に適用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月12日(2007.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体基板上に第１絶縁膜を形成する工程、
（ｂ）前記第１絶縁膜上に第１導体片を形成する工程、
（ｃ）前記半導体基板上および前記第１導体片の側壁に、ＩＳＳＧ酸化法によって第２絶縁膜を形成する工程、
（ｄ）前記第２絶縁膜上に堆積され、且つ、前記第１導体片を覆うように、第３絶縁膜を堆積する工程、
（ｅ）前記第３絶縁膜を異方性エッチングすることで、前記第１導体片の側壁にサイドウォールスペーサを形成する工程、
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、さらに、
（ｆ）前記（ｂ）工程の後に、前記半導体基板に、イオン注入法によって第１不純物領域を形成する工程、
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程では、前記サイドウォールスペーサ下の前記第２絶縁膜以外の前記第２絶縁膜が除去されており、
さらに、
（ｇ）前記（ｅ）工程の後に、前記半導体基板上に、ＩＳＳＧ酸化法によって第４絶縁膜を形成する工程、
（ｈ）前記第４絶縁膜上に、第２導体片を形成する工程、
（ｉ）前記第２導体片上に、酸化シリコン膜および窒化シリコン膜からなる積層膜を形成する工程、
（ｊ）前記積層膜上に、第３導体片を形成する工程、
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記第１絶縁膜は、不揮発性メモリセルの選択用トランジスタのゲート絶縁膜を構成し、
前記第１導体片は、前記選択用トランジスタのゲート電極を構成し、
前記第３絶縁膜は、前記不揮発性メモリセルの第１ゲート絶縁膜を構成し、
前記第２導体片は、前記不揮発性メモリセルの浮遊ゲート電極を構成し、
前記第３導体片は、前記不揮発性メモリセルの制御ゲート電極を構成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記第３絶縁膜は、酸化シリコン膜で形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項６】
（ａ）半導体基板上に、電荷蓄積膜を含む積層膜を形成する工程、
（ｂ）前記積層膜に第１導体片を形成する工程、
（ｃ）前記半導体基板上および前記第１導体片の側壁に、ＩＳＳＧ酸化法によって第２絶縁膜を形成する工程、
（ｄ）前記第２絶縁膜上に堆積され、且つ、前記第１導体片を覆うように、第３絶縁膜を堆積する工程、
（ｅ）前記第３絶縁膜を異方性エッチングすることで、前記第１導体片の側壁にサイドウォールスペーサを形成する工程、
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
（ｋ）前記（ｅ）工程の後に、前記半導体基板に、イオン注入法によって第２不純物領域を形成する工程、
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６または７記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記電荷蓄積膜は、窒化シリコン膜で形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６または７記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記電荷蓄積膜は、酸窒化シリコン膜で形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６または７記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記電荷蓄積膜は、シリコンナノドットで形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】不揮発性半導体記憶装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、以下の工程を含んでいる。
（ａ）半導体基板上に第１絶縁膜を形成する工程、
（ｂ）前記第１絶縁膜上に第１導体片を形成する工程、
（ｃ）前記半導体基板上および前記第１導体片の側壁に、ＩＳＳＧ酸化法によって第２絶縁膜を形成する工程、
（ｄ）前記第２絶縁膜上に堆積され、且つ、前記第１導体片を覆うように、第３絶縁膜を堆積する工程、
（ｅ）前記第３絶縁膜を異方性エッチングすることで、前記第１導体片の側壁にサイドウォールスペーサを形成する工程。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月24日(2006.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記板状部材は、個片化された複数枚のチップからなる半導体ウエハにより構成され、
前記剥離動作及び反剥離動作の一回あたりの移動量は、それらの動作方向に沿うチップの長さより短く設定されていることを特徴とする請求項１記載の剥離装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明において、前記板状部材は、個片化された複数枚のチップからなる半導体ウエハにより構成され、
前記剥離動作及び反剥離動作の一回あたりの移動量は、それらの動作方向に沿うチップの長さより短く設定される、という構成も好ましくは採用される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｃ軸方向に面方位が揃った第１の半導体層と、該第１の半導体層上に設けられ、前記第１の半導体層よりも格子定数が大きい第２の半導体層と、を具備し、
前記第１の半導体層は、ＸＲＣ（０００２）回折において半値幅が９０arcsec以下であり、前記第２の半導体層は、螺旋転位密度が３×１０7 ／ｃｍ2 以下であることを特徴とする積層半導体基板。
【請求項２】
前記第２の半導体層は、ａ軸方向に圧縮ひずみがかかっていることを特徴とする請求項１記載の積層半導体基板。
【請求項３】
前記第１の半導体層は窒化アルミニウムであり、
前記第２の半導体層は窒化ガリウムであることを特徴とする請求項１または２記載の積層半導体基板。
【請求項４】
前記第２の半導体層上に形成され、前記第２の半導体層より格子定数が小さく、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ（０＜ｘ≦０．１）からなる第３の半導体層をさらに具備することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の積層半導体基板。
【請求項５】
前記第３の半導体層は、螺旋転位密度が３×１０7 ／ｃｍ2 以下であることを特徴とする請求項４記載の積層半導体基板。
【請求項６】
ｃ軸方向に面方位が揃った第１の窒化物半導体層を形成する工程と、
前記第１の窒化物半導体層の表面に、前記第１の窒化物半導体層よりも格子定数が大きい窒化物半導体結晶を成長させ、第２の窒化物半導体層を形成する工程と、を具備し、
前記第２の窒化物半導体層の形成工程において、前記窒化物半導体結晶の成長初期に３次元成長させることを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
【請求項７】
前記第２の窒化物半導体層の上に、前記第２の窒化物半導体層より格子定数が小さいＡｌx Ｇａ1-x Ｎ（０＜ｘ≦０．１）結晶を成長させ、第３の窒化物半導体層を形成する工程をさらに具備することを特徴とする請求項６記載の窒化物半導体の成長方法。
【請求項８】
前記第２の窒化物半導体層は、ａ軸方向に圧縮ひずみを有することを特徴とする請求項６または７記載の窒化物半導体の成長方法。
【請求項９】
前記第１の窒化物半導体層は窒化アルミニウムであり、
前記第２の窒化物半導体層は窒化ガリウムであることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１つに記載の窒化物半導体の成長方法。
【請求項１０】
前記第１乃至第３の窒化物半導体層を、支持基板に貼り合わせる工程と、
前記支持基板に貼り合わせた第１の窒化物半導体層および第２の窒化物半導体層を除去する工程と、を具備することを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１つに記載の窒化物半導体の成長方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】積層半導体基板および窒化物半導体の成長方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、積層半導体基板および窒化物半導体の成長方法に係り、特に窒化物半導体デバイスを形成するための積層半導体基板および窒化物半導体の成長方法に関するもので、発光ダイオード（ＬＥＤ）、青色、紫色などの短波長レ−ザダイオード（ＬＤ）などの発光デバイス、受光素子、高周波トランジスタ、高耐圧トランジスタなどに使用されるものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたもので、高品質の窒化物半導体デバイスを歩留まり良く、低コストで実現することが可能になり、窒化物半導体デバイスを形成するために使用して好適な積層半導体基板および窒化物半導体の成長方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の積層半導体基板は、ｃ軸方向に面方位が揃った第１の半導体層と、該第１の半導体層上に設けられ、前記第１の半導体層よりも格子定数が大きい第２の半導体層と、を具備し、前記第１の半導体層は、ＸＲＣ（０００２）回折において半値幅が９０arcsec以下であり、前記第２の半導体層は、螺旋転位密度が３×１０7 ／ｃｍ2 以下であることを特徴とする。また、前記第２の半導体層上に形成され、前記第２の半導体層より格子定数が小さく、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ（０＜ｘ≦０．１）からなる第３の半導体層をさらに具備することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の窒化物半導体の成長方法は、ｃ軸方向に面方位が揃った第１の窒化物半導体層を形成する工程と、前記第１の窒化物半導体層の表面に、前記第１の窒化物半導体層よりも格子定数が大きい窒化物半導体結晶を成長させ、第２の窒化物半導体層を形成する工程と、を具備し、前記第２の窒化物半導体層の形成工程において、前記窒化物半導体結晶の成長初期に３次元成長させることを特徴とする。また、前記第２の窒化物半導体層の上に、前記第２の窒化物半導体層より格子定数が小さいＡｌx Ｇａ1-x Ｎ（０＜ｘ≦０．１）結晶を成長させ、第３の窒化物半導体層を形成する工程をさらに具備することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の積層半導体基板によれば、高品質の窒化物半導体デバイスを歩留まり良く、低コストで実現することが可能になり、窒化物半導体デバイスを形成するために使用して好適である。また、本発明の積層半導体基板を用いることにより、紫外領域から可視光までの広範囲で高出力を可能としたＬＥＤまたはＬＤを形成することができる。
また、本発明の窒化物半導体の成長方法によれば、低転位化が可能になり、高品質の窒化物半導体デバイスを歩留まり良く、低コストで実現することが可能になる。