Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月19日(2008.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源１２からの入力を受け取って、電子安定器に接続されたランプ１４の動作を制御するように構成された電子安定器１０であって、
正側バス電圧ライン５４と、
グランド基準ライン５６と、
前記電源１２と前記正側バス電圧ライン５４と前記グランド基準ライン５６に接続され、全波整流ダイオードブリッジ１８−２４を含む、入力部１６、２８と、
スイッチングネットワーク３４、３６と、
前記入力部１６，２８と前記スイッチングネットワーク３４，３６に接続された共振ネットワーク４０，４２，４４，４６，４８，５０，５２，１４であって、ゲート駆動ネットワーク３８は共振部から信号を受け取って、受け取った信号を使って前記スイッチングネットワーク３４、３６の動作を制御する、当該共振ネットワークと、
前記電源１２と前記入力部２８間に接続されるトライアック・ディマー２６と、
共振スイッチングネットワーク４６であって、
前記共振ネットワークと、前記正側バス電圧ライン５４と前記グランド基準ライン５６のうちの少なくとも１つに接続された第１の共振コンデンサ５０と、
前記第１の共振コンデンサ５０と、前記入力部１６，２８に接続された第２の共振コンデンサ４８であって、前記第２の共振コンデンサ４８からの共振電流の少なくとも一部は前記入力部１６，２８に供給される、当該第２の共振コンデンサ４８を含む、当該共振スイッチングネットワークとを備え、前記共振電流の一部はトライアック最低保持電流を維持するために十分なものである、電子安定器。
【請求項２】
前記第１の共振コンデンサ５０と前記第２の共振コンデンサ４８の大きさは、前記第２の共振コンデンサ４８から入力部に共振電流から選ばれた一部を供給するために、互いの関係から決定される、請求項１の発明。
【請求項３】
前記安定器１０は、ピーク充電モードとトライアック電流保持モードのうちの少なくとも１つで動作する、請求項１の発明。
【請求項４】
前記ランプ１４の第１の端は、共振コンデンサ４８に接続され、第２の端はグランド基準ライン５６に接続される、請求項１の発明。
【請求項５】
前記ランプ１４は前記入力部１６，２８に直列接続されて、前記ランプ１４を流れる電流が前記入力部１６，２８に供給される、請求項１の発明。
【請求項６】
前記入力部１６，２８には全波整流ダイオードブリッジ１８−２４が含まれる、請求項１の発明。
【請求項７】
前記トライアック電流保持モードで動作中に、全波整流ダイオードブリッジ１８−２４のうちの１つのダイオードだけが一度に動作可能であるように前記安定器１０が構成される、請求項６の発明。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
従って、低照明レベル区間に、低コストで簡単に製造可能な実践的で費用のかからない方法を使って十分なトライアック保持電流を維持する電子安定器の開発が望まれている。また、そのような回路は高い信頼性をもつべきである。
【特許文献１】米国特許第５４１０４６６号
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月1日(2008.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コバルト・オキシヒドロオキサイド−変性されたニッケル・オキシヒドロオキサイドを含むカソードと、
アノードと、
セパレータと
アルカリ電解液と
を具備することを特徴とする一次アルカリ電池。
【請求項２】
前記コバルト・オキシヒドロオキサイド−変性されたニッケル・オキシヒドロオキサイドは、ニッケル・オキシヒドロオキサイド上にコバルト・オキシヒドロオキサイドの被覆を有することを特徴とする請求項１に記載の電池。
【請求項３】
前記被覆は、実質的に一様であることを特徴とする請求項１に記載の電池。
【請求項４】
前記ニッケル・オキシヒドロオキサイドはγ−ＮｉＯＯＨであることを特徴とする請求項１に記載の電池。
【請求項５】
前記コバルト・オキシヒドロオキサイドは、ナトリウムまたはカリウムで変性されたコバルト・オキシヒドロオキサイドであることを特徴とする請求項１に記載の電池。
【請求項６】
前記コバルト・オキシヒドロオキサイド−変性されたニッケル・オキシヒドロオキサイドは、重量比で２％と１５％の間のコバルト・ヒドロオキサイドで被覆されたニッケル・ヒドロオキサイドから誘導されることを特徴とする請求項１に記載の電池。  
【請求項７】
前記コバルト・オキシヒドロオキサイド−変性されたニッケル・オキシヒドロオキサイドは、α−Ｎｉ（ＯＨ）２  から誘導されることを特徴とする請求項１に記載の電池。  
【請求項８】
前記アノードは、亜鉛を含んでいることを特徴とする請求項１に記載の電池。
【請求項９】
前記ニッケル・オキシヒドロオキサイドは、実質的に非分解であることを特徴とする請求項１に記載の電池。
【請求項１０】
前記カソードは、更に酸化添加剤を含むことを特徴とする請求項１に記載の電池。
【請求項１１】
α−Ｎｉ（ＯＨ）２から誘導されたニッケル・オキシヒドロオキサイドを含むカソードと、
アノードと、
セパレータと、
アルカリ電解液と
を具備することを特徴とする一次アルカリ電池。
【請求項１２】
前記ニッケル・オキシヒドロオキサイドは、コバルト・オキシヒドロオキサイド−変性されたニッケル・オキシヒドロオキサイドであることを特徴とする請求項１１に記載の電池。
【請求項１３】
前記コバルト・オキシヒドロオキサイド−変性されたニッケル・オキシヒドロオキサイドは、ニッケル・オキシヒドロオキサイド上にコバルト・オキシヒドロオキサイドの被覆を有することを特徴とする請求項１１に記載の電池。
【請求項１４】
前記被覆は、実質的に一様であることを特徴とする請求項１３に記載の電池。
【請求項１５】
前記コバルト・オキシヒドロオキサイドは、ナトリウムまたはカリウム変性されたコバルト・オキシヒドロオキサイドであることを特徴とする請求項１３に記載の電池。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月7日(2008.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の導電性バンプを有するバンプ側を含む集積回路チップを回路基板に接続するための方法であって、
集積回路チップのバンプ側に接着剤を直接適用することと、
接着剤の一部を除去して導電性バンプのコンタクト領域を露出させることと、
集積回路チップと回路基板との間にバンプによって電気接続が得られ、かつ、接着剤が集積回路チップと回路基板との間に結合を形成するように、回路基板に相対して集積回路チップのバンプ側を配置することと、を含み、前記接着剤の前記一部は接着剤を溶剤で軟化させ、軟化した接着剤を導電性バンプから払拭することで除去される方法。
【請求項２】  複数の導電性バンプを有するバンプ側を含むウエハを提供することと、
導電性バンプが接着剤でオーバーコートされるようにウエハのバンプ側に接着剤を適用することと、
接着剤が適用されたウエハをダイスカットして個々の集積回路チップを得ることと、を含み、接着剤を適用した後でかつウエハをダイスカットする前に、さらに以下の工程、
接着剤を溶剤で軟化させる工程と、
軟化した接着剤をオーバーコートされた導電性バンプの先端から払拭し、導電性バンプのコンタクト領域を露出させる工程と、を含む、集積回路チップの製造方法。
【請求項３】  オーバーコートされた導電性バンプの先端から軟化した接着剤を払拭した後、導電性バンプの露出したコンタクト領域の輪郭が丸い、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】  接着剤のオーバーコート部分を除去した後に、導電性バンプの露出したコンタクト領域と接着剤の一次露出面との間の高さに差異が存在する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】  複数の導電性バンプが設けられたパッシベーション面のあるバンプ側を有する回路基板と、
回路基板のバンプ側を被覆する接着剤の層と、を含む集積回路チップであって、接着剤が実質的にパッシベーション面と平行な一次表面を有し、導電性バンプが接着剤で被覆されていない露出したコンタクト領域を有するものであり、導電性バンプの露出したコンタクト領域の輪郭が丸いことを特徴とする集積回路チップ。
【請求項６】  導電性バンプの丸い輪郭と接着剤の一次表面との間の高さに差異が存在するように導電性バンプの一部が接着剤の一次表面から外側に突出している、請求項５に記載の集積回路チップ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月11日(2008.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光学部品に使用するためのリソグラフィ用ステージにおいて：
高純度石英ガラス及び超低膨張ガラスからなる群より選ばれる軽量材料でつくられている定盤；及び
前記定盤上に前記光学部品を保持するためのホルダ；
を備えることを特徴とするリソグラフィ用ステージ。
【請求項２】  前記軽量材料が、前記軽量材料内部に包含された空孔を有することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ用ステージ。
【請求項３】  前記光学部品がマスク及びウエハからなる群より選ばれることを特徴とする請求項１または２に記載のリソグラフィ用ステージ。
【請求項４】  前記リソグラフィ用ステージの底面に付属部品をさらに備えることを特徴とする請求項１から３いずれか１項に記載のリソグラフィ用ステージ。
【請求項５】  前記定盤を位置決め装置に連結するための手段をさらに備えることを特徴とする請求項１から４いずれか１項に記載のリソグラフィ用ステージ。
【請求項６】  前記軽量材料が、ＴｉＯ２含有量が５から１０重量％の範囲にあるＴｉＯ２含有ガラスであることを特徴とする請求項１から５いずれか１項に記載のリソグラフィ用ステージ。
【請求項７】  前記軽量材料が、５℃から３５℃の温度範囲にわたって±３０ｐｐｂ/℃の熱膨張係数を有することを特徴とする請求項１から６いずれか１項に記載のリソグラフィ用ステージ。
【請求項８】  リソグラフィ用投影装置において：
投影光ビームを供給するための光放射装置；
請求項１から７いずれか１項に記載のリソグラフィ用ステージであって、マスクを保持するリソグラフィ用ステージ；
ウエハを保持する基板ステージであって、前記軽量材料でつくられている基板ステージ；及び
前記マスクの照射部分を前記ウエハの標的部分上に結像させるための光学系；
を備えることを特徴とするリソグラフィ用装置。
【請求項９】  極紫外リソグラフィ用ステージを作成する方法において：
高純度石英ガラス及び超低膨張ガラスからなる群より選ばれるガラス材料から内部に包含された空孔を有する構造体を押出成形する工程；及び
前記構造体を前記極紫外リソグラフィ用ステージに造形する工程；
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】  前記造形する工程がガラス材料の個片を前記押出成形された構造体上に融着する工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の別の態様はＥＵＶＬ装置に関する。一実施形態において、リソグラフィ用投影装置は：投影光ビームを供給するための光放射装置；マスクを保持するマスクステージであって、軽量材料で作成されるマスクステージ；ウエハを保持する基板ステージであって、軽量材料でつくられる基板ステージ；及びマスクの照射部分をウエハの標的部分上に結像させるための光学系を備える。別の態様において、ガラス材はＴｉＯ２含有石英ガラスであることが好ましく、好ましくはＴｉＯ２含有量が５から１０重量％ＴｉＯ２の範囲にあり、より好ましくは６から８重量％の範囲にあり、最も好ましくは６.５から７.５％の範囲にある、超低膨張石英ガラスであることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月19日(2008.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
第一ドメイン中の入力信号に追加情報を挿入する装置であって、
・前記第一ドメインとは異なる第二ドメインに存在する、前記入力信号の表示を受信する受信手段と、
・前記追加情報を有する電子透かしを生成する生成手段と、
・前記電子透かしを表す電子透かし信号を前記入力信号と合成するため、当該電子透かし信号を前記第一ドメインへ出力する出力手段と、を有する装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
第一ドメイン中の入力信号に追加情報を挿入する構成であって、
・前記第一ドメインとは異なる第二ドメインに存在する、前記入力信号の表示を受信する受信手段と、
・前記追加情報を有する電子透かしを生成する生成手段と、
・前記電子透かしを表す電子透かし信号を前記入力信号と合成するため、当該電子透かし信号を前記第一ドメインへ出力する出力手段と、
・合成された電子透かし信号及び入力信号を受信することにより電子透かしを埋め込んだ入力信号を生成する合成手段と、
を有する構成。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ろう付け用の鉄基材料において、下記（ｉ）〜（vii）の成分の合計を１００重量％として、
（ｉ）９〜３０重量％のＣｒ、
（ii）最大で５重量％のＭｎ、
（iii）最大で２５重量％のＮｉ、
（iv）０〜７重量％のＭｏ、
（ｖ）０〜１重量％のＮ、
（vi）７．８〜２０重量％のＳｉ、１．５重量％未満の量のＢ及び１５重量％未満の量のＰ（但し、Ｂは必ず含有され、Ｐは含有されなくてもよく、かつＳｉ及びＢは、更にＰが含有される場合のＰは、ろう付け材料が完全に溶融した時の温度を低下させるために有効な量で含有される）、及び
（vii）残りの部分をなす鉄と、不可避的な微量の不純物元素としてのＣ、ＯおよびＳ、
からなる合金でできていることを特徴とするろう付け用の鉄基材料。
【請求項２】
Ｖ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｎｂ及びＴａから選択されたマイクロアロイング元素を更に含む請求項１に記載の鉄基材料。
【請求項３】
Ｓｉを最大で１６重量％含有する請求項１に記載の鉄基材料。
【請求項４】
Ｓｉを８〜１２重量％含有する請求項１に記載の鉄基材料。
【請求項５】
ガス噴霧化、水噴霧化、または溶融紡糸によって製造される請求項１〜４のいずれかに記載の鉄基材料。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のろう付け用の鉄基材料でろう付けされた鉄基材料製の構成要素を有する製品。
【請求項７】
鉄基材料製の構成要素が、最大２重量％のＭｎ、１６．５重量％〜１８重量％のＣｒ、１０．０〜１３．０重量％のＮｉ、２．０〜２．５重量％のＭｏ及び残りの部分をなす鉄及び不可避的な微量の不純物元素からなる請求項６に記載の製品。
【請求項８】
該構成要素が薄壁熱交換プレートであり、
該製品は、少なくとも２つの熱交換媒体向けのプレート型熱交換器であって、前記ろう付け用の鉄基材料でろう付けされた前記薄壁熱交換プレートの複数を有する少なくとも１つのプレートパッケージを備えている、請求項６または７に記載の製品。
【請求項９】
ろう付け用の鉄基材料による鉄基材料製の構成要素のろう付方法において、前記ろう付け用の鉄基材料が、下記（ｉ）〜（vii）の成分の合計を１００重量％として、
（ｉ）９〜３０重量％のＣｒ、
（ii）最大で５重量％のＭｎ、
（iii）最大で２５重量％のＮｉ、
（iv）０〜７重量％のＭｏ、
（ｖ）０〜１重量％のＮ、
（vi）７．８〜２０重量％のＳｉ、１．５重量％未満の量のＢ及び１５重量％未満の量のＰ（但し、Ｂは必ず含有され、Ｐは含有されなくてもよく、かつＳｉ及びＢは、更にＰが含有される場合のＰは、ろう付け材料が完全に溶融した時の温度を低下させるために有効な量で含有される）、及び
（vii）残りの部分をなす鉄と、不可避的な微量の不純物元素としてのＣ、ＯおよびＳ、
からなる合金でできている
ことを特徴とするろう付け方法。
【請求項１０】
前記鉄基材料が、Ｖ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｎｂ及びＴａから選択されたマイクロアロイング元素を更に含む請求項９に記載のろう付け方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
鉄基ろう付け材料は、Ｖ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｔａやその他のマイクロアロイング元素を含むことができる。組成の変動は、不可避的な微量のＣ、ＯおよびＳなどの不純物元素の結果である場合もある。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月2日(2008.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数のストリップを供給方向に供給する、出口側を有する供給装置と、前記供給装置の前記出口側に向けられた入口側を有し、前記複数のストリップを搬送するようになっている、前記供給装置と一列になっている搬送装置と、所定の角度αで前記搬送装置を横切る接合線に沿って前記複数のストリップを互いに接合する接合ユニットとを有する、ゴム材料の中に埋め込まれたコードの複数のストリップを互いに接合するスプライサにおいて、
前記搬送装置は実質的に互いに平行な少なくとも２つの搬送手段を有していることを特徴とする、ゴム材料の中に埋め込まれたコードの複数のストリップを互いに接合するスプライサ。
【請求項２】  前記供給装置は実質的に互いに平行な少なくとも２つの搬送手段を有している、請求項１に記載のスプライサ。
【請求項３】  前記の互いに平行な少なくとも２つの搬送手段は横方向にほぼ一致している、請求項１または２に記載のスプライサ。
【請求項４】  前記の少なくとも２つの搬送手段は、隣接して設置されており、かつ実質的に互いに近接している、請求項１、２または３に記載のスプライサ。
【請求項５】  互いに平行な２つの搬送手段はいずれも、互いに協働してストリップを搬送するようになっている、請求項３または４に記載のスプライサ。
【請求項６】  前記隣接して配置されている搬送手段は別個の駆動手段をそれぞれ有している、請求項１から５のいずれか１項に記載のスプライサ。
【請求項７】  前記駆動手段は制御手段、好ましくは、前記ストリップの位置に応じて駆動手段を作動させる手段を備えたコンピュータ手段によって互いに接続されている、請求項６に記載のスプライサ。
【請求項８】  少なくとも４つの搬送手段を有している、請求項１から７のいずれか１項に記載のスプライサ。
【請求項９】  少なくとも２つの長さが異なる少なくとも４つの搬送手段を有している、請求項１から８のいずれか１項に記載のスプライサ。
【請求項１０】  前記供給装置の前記出口側から前記スプライサの前記接合線の前方の第１の位置まで延びている第１の搬送手段と、前記第１の搬送手段と実質的に平行に、前記供給装置の前記出口側から前記接合線と前記第１の位置との間の第２の位置まで延びている第２の搬送手段とを有する、請求項１から９のいずれか１項に記載のスプライサ。
【請求項１１】  前記第１および第２の搬送手段と一列に、互いに並んで、かつ互いに平行に、前記第１および第２の位置から前記接合線を越えてそれぞれ延びている第３および第４の搬送手段を有する、請求項１０に記載のスプライサ。
【請求項１２】  前記搬送装置の前記搬送手段と前記供給装置の前記搬送手段とは、互いに対して一列に設置されており、かつ間隔をおいて離れた位置で搬送方向に互いに近接している、請求項２に記載のスプライサ。
【請求項１３】  前記搬送手段はコンベヤベルトを有している、請求項１から１２のいずれか１項に記載のスプライサ。
【請求項１４】  前記搬送手段はグリップ力を変更する手段を有している、請求項１から１３のいずれか１項に記載のスプライサ。
【請求項１５】  第１の搬送手段は前記接合線の前方にグリップ力を強める手段を有し、前記第２の搬送手段は前記第１の搬送手段と平行であり、前記接合線の後方にグリップ力を強める手段を有している、請求項１４に記載のスプライサ。
【請求項１６】  前記第１の搬送手段は前記接合線の後方にグリップ力を弱める手段を有し、前記第２の搬送手段は前記接合線の前方にグリップ力を弱める手段を有している、請求項１５に記載のスプライサ。
【請求項１７】  前記グリップ力を変更する手段は選択的にオンさせられることが可能になっている、請求項１４から１６のいずれか１項に記載のスプライサ。
【請求項１８】  前記グリップ力を変更する手段は、動作の種類、特に退ける動作と引き付ける動作に選択的に適応可能である、請求項１７に記載のスプライサ。
【請求項１９】  前記グリップ力を変更する手段は、位置に応じて選択的にオンさせられるか、あるいは作動させられる、請求項１７に記載のスプライサ。
【請求項２０】  前記グリップ力を変更する手段は電磁石である、請求項１４から１９のいずれか１項に記載のスプライサ。
【請求項２１】  前記グリップ力を変更する手段は、空気圧を増加あるいは減少させるように変化させる手段である、請求項１４から１９のいずれか１項に記載のスプライサ。
【請求項２２】  複数のストリップを供給方向に供給する、出口側を有する供給装置と、前記供給装置の前記出口側に向けられた入口側を有し、前記複数のストリップを搬送するようになっている、前記供給装置と一列になっている搬送装置と、所定の角度αで前記搬送装置を横断／交差する接合線に沿って前記複数のストリップを互いに接合する接合ユニットとを有する、ゴム材料の中に埋め込まれたコードの複数のストリップを互いに接合するスプライサにおいて、
前記供給装置は実質的に互いに平行な少なくとも２つの搬送手段を有していることを特徴とする、ゴム材料の中に埋め込まれたコードの複数のストリップを互いに接合するスプライサ。
【請求項２３】  請求項１から２２のいずれか１項に記載のスプライサを用いて、ゴム材料の中に埋め込まれたコードの複数のストリップを互いに接合する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月9日(2008.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  情報表示面を有する表示装置のための情報表示装置プロテクタであって、前記情報表示装置プロテクタが実質的に透明な可撓性シートのスタックを含み、前記シートが接着剤層を一方面に有するとともに結合剤マトリックスに分散した無機酸化物粒子と低表面エネルギー弗素化化合物とを含むハードコート層を他方面に有し、前記シートが前記情報表示面に合うように前記スタックが切断されている情報表示装置プロテクタ。
【請求項２】  前記ハードコートは、結合剤マトリックスに分散したコロイド無機酸化物粒子を含む請求項１に記載の情報表示装置プロテクタ。
【請求項３】  前記結合剤は導電性ポリマーを含む請求項１に記載の情報表示装置プロテクタ。
【請求項４】  前記弗素化化合物は、式
Ｙ−（ＣaＦ2aＯ）b−ＣaＦ2a−Ｙ
（式中、各Ｙはランダムに分配された−ＣaＦ2aＯ−反復単位の鎖に結合された重合性基を含み、各ａは独立して１〜７であり、ｂは前記反復単位の数であって、パーフルオロポリエーテルが約５００〜約２０，０００の数平均分子量を有するように１〜３００の値を有する。）
を有するパーフルオロポリエーテルから誘導される請求項１に記載の情報表示装置プロテクタ。
【請求項５】  パーソナルディジタルアシスタント、携帯電話、タッチ感応スクリーン、腕時計、カーナビゲーションシステム、ＧＰＳ、測深機、計算機、電子ブック、ＣＤプレーヤー、ＤＶＤプレーヤー、投影テレビスクリーン、コンピュータモニター、ノートブックコンピュータ表示装置またはインストルメントゲージを含む情報表示装置であって、請求項１に記載の情報表示装置プロテクタのスタックを接着させている情報表示装置。
【請求項６】  情報表示面を有する電子機器のための情報表示装置プロテクタを製造する方法であって、
ａ）ラジカル重合性結合剤マトリックスに分散した無機酸化物粒子と低表面エネルギー弗素化化合物とを含む硬化性ハードコート層を実質的に透明で概ね平らな基板の一方面に被着させる工程と、
ｂ）前記ハードコート層を硬化させる工程と、
ｃ）接着剤層を前記基板の他方面に被着させる工程と、
ｄ）前記被覆された基板をシートのスタックに形成する工程と、
ｅ）前記シートが前記情報表示面に合うように前記スタックを二次加工する工程とを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月4日(2008.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  実質的に透明な基材と、結合剤母材中に分散されたアクリレート官能化無機酸化物粒子を含むハードコート層と、前記ハードコートの上のペルフルオロポリエーテルを含む防汚層と、を含むディスプレイ要素。
【請求項２】  前記ハードコートが、フリーラジカル硬化結合剤中に分散されたコロイド無機酸化物粒子を含む、請求項１に記載のディスプレイ要素。
【請求項３】  前記コロイド無機酸化物粒子がコロイドシリカ粒子を含む、請求項２に記載のディスプレイ要素。
【請求項４】  前記結合剤が、１つ以上の共重合性フリーラジカル硬化性モノマー、オリゴマー、ポリマーまたはそれらの組合せから誘導される、請求項１に記載のディスプレイ要素。
【請求項５】  前記結合剤が導電性ポリマーを含む、請求項１に記載のディスプレイ要素。
【請求項６】  前記防汚層が、式：
Ｙ−（ＣａＦ２ａＯ）ｂ−ＣａＦ２ａ−Ｙ
を有するペルフルオロポリエーテルから誘導され、式中、各Ｙが、不規則に分布した―ＣａＦ２ａＯ―反復単位の鎖に結合した重合性基を含み、各ａが独立に１〜７であり、ｂがかかる反復単位の数であり、ｂが１〜３００の値を有し、前記ペルフルオロポリエーテルが約５００〜約２０，０００の数平均分子量を有する、請求項１に記載のディスプレイ要素。
【請求項７】  前記ハードコート層が約１マイクロメータ〜約１００マイクロメータの厚さを有し、前記防汚層が約０．００５〜約２マイクロメータの厚さを有する、請求項１に記載のディスプレイ要素。
【請求項８】  実質的に透明な接着剤層を更に含む、請求項１に記載のディスプレイ要素。
【請求項９】  パーソナルデジタルアシスタント、携帯電話、タッチセンシティブスクリーン、腕時計、カーナビゲーションシステム、広域測位システム、測深機、計算機、電子ブック、ＣＤプレーヤ、ＤＶＤプレーヤ、プロジェクションテレビスクリーン、コンピュータモニタ、ノートブックコンピュータディスプレイまたは計器を更に含む、請求項１に記載のディスプレイ要素。
【請求項１０】  結合剤母材中に分散されたアクリレート官能化無機酸化物粒子を含むハードコート層と前記ハードコートの上のペルフルオロポリエーテルを含む防汚層とをその少なくとも一方の面上に有する可撓性の略平面基材を含む、防汚ハードコーテッドフィルム。
【請求項１１】  ディスプレイ要素の作製方法であって、フリーラジカル重合性結合剤母材中に分散された無機酸化物粒子を含む硬化性ハードコート層を実質的に透明な基材上に適用する工程と、前記ハードコート層を硬化する工程と、ペルフルオロポリエーテルを含む硬化性防汚層を前記ハードコート層に適用する工程と、前記防汚層を硬化する工程と、を含む方法。
【請求項１２】  前記無機酸化物粒子がアクリレート化されている請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  前記ハードコート層が１〜１００マイクロメータの範囲の厚さを有する、請求項１０に記載の防汚ハードコーテッドフィルム。
【請求項１４】  前記防汚層が前記ハードコート層上に被覆される、請求項１０に記載の防汚ハードコーテッドフィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月29日(2008.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体デバイスの製造に有用な、基板のフィーチャ面を平坦にする方法であって、
半導体基板に第１の溝、第２の溝および第３の溝をエッチングするステップであって、第１の溝および第２の溝が隣接し、かつ第１の活性領域によって第１の距離だけ隔てられ、第２の溝および第３の溝が隣接し、かつ第２の活性領域によって第２の距離だけ隔てられ、第１の距離が第２の距離以上になるようにエッチングするステップ；
前記第１の溝、第２の溝、第３の溝、第１の活性領域、および第２の活性領域の上に、第１の絶縁層を形成するステップ；および
前記絶縁層を化学／機械研磨し、第１の活性領域の上に平坦でない表面を残し、第２の活性領域の上に平坦な表面を残すステップ；からなる方法。
【請求項２】  前記第１の溝、第２の溝および第３の溝を形成する前に、前記半導体基板の上に第１材料の層を形成する工程から更になる請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記第１材料は、窒化珪素、珪素の多い窒化物、酸窒化珪素、あるいは、それらの混合物膜である請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記第１の距離は前記第２の距離の２倍以上である請求項１に記載の方法。
【請求項５】  基板中の半導体構造であって、基板上で、長手方向が幅方向よりも長い、第１の複数の長細い活性領域を含む一般領域であって、
同一般領域を囲む活性領域と、
同活性領域を囲む第１の溝と、
前記一般領域を囲む第２の溝であって、第１の活性領域が第２の溝を囲み、第１の溝と第２の溝は隣接し、周囲の活性領域によって、少なくとも第１の距離だけ隔てられていることと、
半導体基板中の複数の溝であって、同複数の溝は長細い活性領域の幅によって、少なくとも第２の距離だけ隔てられ、第１の距離は第２の距離の２倍以上である、
半導体構造。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月8日(2008.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも１つの実質的に包囲された流体含有セルを画定するアセンブリ基板であって、該流体含有セルの各々が、互いに流体連絡した複数のポケットを備え、それらポケットの各々が、該ポケット内に少なくとも１つの電磁応答粒子を保有するように、アセンブリ基板によって画定されているアセンブリ基板と、
前記少なくとも１つの流体含有セルに配置され、かつ前記複数のポケット内に保有される複数の電磁応答粒子と、
を備えるアセンブリ。
【請求項２】  複数のポケットを画定するアセンブリ基板であって、それらポケットの各々が、ポリマーフィルムのアブレーションによって形成されたポケットに対応しているアセンブリ基板と、
前記アセンブリ基板の前記複数のポケットに配置される複数の粒子であって、それら粒子の各々が、該アセンブリ基板上での該粒子の状態を制御するために印加電磁場に応答するようになっている複数の粒子と、
前記複数の粒子と前記アセンブリ基板との上方に配置される上面被覆層と、
を備えるアセンブリ。
【請求項３】  アセンブリの作製方法であって、
ポリマーフィルムに照射を施して、アブレーションにより該ポリマーフィルムの一部を除去し、複数のポケットを該ポリマーフィルムに生成する工程と、
前記ポリマーフィルムを使用して、前記ポリマーフィルムの前記複数のポケットに対応する複数のポケットを有するアセンブリ基板を形成する工程と、
前記アセンブリ基板の前記複数のポケットに複数の粒子を配置し、それら粒子のそれぞれを、前記アセンブリ基板における該粒子の状態を制御するために印加電磁場に応じて移動するように構成して配置する工程と、
前記複数の粒子と前記アセンブリ基板の少なくとも一部との上方に、上面被覆層を配置する工程と、
を含むアセンブリ作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月25日(2008.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １０ｍＪ／ｃｍ２／パルス未満のフルエンスで約３００ｎｍより短い波長の紫外リソグラフィ放射線を形成するためのパルス紫外線源を形成するステップと、
約０．０２×１０１８分子／ｃｍ３〜約０．１８×１０１８分子／ｃｍ３の濃度の水素分子を有する高純度溶融シリカリソグラフィガラスを形成するステップと、
紫外リソグラフィ放射線によってリソグラフィパターンを形成するステップと、
前記リソグラフィパターンを縮小して縮小リソグラフィパターンを形成するステップと、
前記縮小リソグラフィパターンを紫外線感受性リソグラフィ媒体に投影して、印刷リソグラフィパターンを形成するステップと、を有してなり、前記形成、前記縮小、および前記投影のステップの少なくとも１つが、前記高純度溶融シリカリソグラフィガラスによって前記紫外リソグラフィ放射線を透過するステップを含むリソグラフィ方法。
【請求項２】  前記パルス紫外線源が、約２００ｎｍより短い波長の紫外リソグラフィ放射線を形成する請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記パルス紫外線源が、ＡｒＦエキシマレーザである請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記パルス紫外線源が、約１．５ｍＪ／ｃｍ２／パルス未満のフルエンスで紫外リソグラフィ放射線を形成する請求項１から３いずれか１項に記載の方法。
【請求項５】  前記パルス紫外線源が、約０．０５ｍＪ／ｃｍ２／パルス未満のフルエンスで紫外リソグラフィ放射線を形成する請求項４に記載の方法。
【請求項６】  前記高純度溶融シリカが、約０．０５×１０１８分子／ｃｍ３〜０．１×１０１８分子／ｃｍ３の濃度の水素分子を有する請求項１から５いずれか１項に記載の方法。
【請求項７】  前記高純度溶融シリカによって生じる前記紫外リソグラフィ放射線の波面の歪曲が、経時的に予測可能であるように展開する請求項１から６いずれか１項に記載の方法。
【請求項８】  前記高純度溶融シリカにおける密度変化および／または光屈折効果によって生じる前記紫外リソグラフィ放射線の波面の歪曲が無視可能である請求項１から７いずれか１項に記載の方法。
【請求項９】  前記パルス紫外線源は、偏光されない紫外リソグラフィ放射線を形成する請求項１から８いずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】  前記パルス紫外線源は、偏光される紫外リソグラフィ放射線を形成する請求項１から９いずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】  １０ｍＪ／ｃｍ２／パルス未満のフルエンスで約３００ｎｍより短い波長の紫外リソグラフィ放射線を形成するためのパルス紫外線源と、
前記パルス紫外線源からリソグラフィ照射を透過する少なくとも１つの合成ガラス光学部材と、を有してなり、前記少なくとも１つの合成ガラス光学部材が、約０．０２×１０１８分子／ｃｍ３〜約０．１８×１０１８分子／ｃｍ３の濃度の水素分子を有する高純度溶融シリカリソグラフィガラスを含むリソグラフィ装置。
【請求項１２】  前記パルス紫外線源が、約２００ｎｍより短い波長の紫外リソグラフィ放射線を形成する請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】  前記パルス紫外線源が、ＡｒＦエキシマレーザである請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】  前記パルス紫外線源が、約１．５ｍＪ／ｃｍ２／パルス未満のフルエンスで紫外リソグラフィ放射線を形成する請求項１１から１３いずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】  前記パルス紫外線源が、約０．０５ｍＪ／ｃｍ２／パルス未満のフルエンスで紫外リソグラフィ放射線を形成する請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１６】  前記高純度溶融シリカが、約０．０５×１０１８分子／ｃｍ３〜０．１×１０１８分子／ｃｍ３の濃度の水素分子を有する請求項１１から１５いずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１７】  前記高純度溶融シリカによって生じる前記紫外リソグラフィ放射線の波面の歪曲が、経時的に予測可能であるように展開する請求項１１から１６いずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１８】  前記高純度溶融シリカにおける密度変化および／または光屈折効果によって生じる前記紫外リソグラフィ放射線の波面の歪曲が無視可能である請求項１１から１７いずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１９】  前記パルス紫外線源は、偏光されない紫外リソグラフィ放射線を形成する請求項１１から１８いずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２０】  前記パルス紫外線源は、偏光される紫外リソグラフィ放射線を形成する請求項１１から１９いずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月7日(2008.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】RFIDタグ組立体であって，
第一および第二の表面を有し，第一の物品に取り付けられる第一の基板と，
該第一の基板の表面の少なくとも一つに取り付けられる少なくとも一つの受動ループと，
少なくとも一つのRFIDタグ部材と，
を含み，
前記受動ループは少なくとも一つのRFID信号を送受信し，
前記タグ部材は，第一および第二の表面を有する第二の基板，前記第二の基板の第一の表面上に配置される少なくとも一つのRFIDタグを含み，前記第二の基板の第二の表面は，前記タグ部材を第二の物品に再度取り付けることができるように，前記第一の基板の表面の一つで，前記受動ループの近傍に着脱自在に取り付けられ，前記RFIDタグは第一の動作周波数を有し，前記RFIDタグは前記受動ループに磁気的に結合する，
ところのRFIDタグ組立体。
【請求項２】前記受動ループは前記第一の基板に埋設される，請求項１に記載のRFIDタグ組立体。
【請求項３】前記第二の基板の第二の表面は前記タグ部材を物品に取り付けるための第一の接着手段を含む，請求項１に記載のRFIDタグ組立体。
【請求項４】前記RFIDタグは，前記受動ループに磁気的に結合する，請求項１に記載のRFIDタグ組立体。
【請求項５】前記受動ループは，前記第一の動作周波数に実質的に等しい固定電気容量およびインダクタンスを有する，請求項RFIDタグ組立体。
【請求項６】前記第一の基板の表面の少なくとも一つは前記第二の基板を物品に取り付けるための第二の接着手段を含む，請求項１に記載のRFIDタグ組立体。
【請求項７】複数の表面を有し，さらにその表面の少なくとも一つの上に配置される，少なくとも一つのRFID信号を送受信する，少なくとも一つの受動ループを有するところの積み出しコンテナ用のRFIDタグ組立体であって，
第一および第二の表面を有する第一の基板と，
少なくとも一つのRFIDタグ部材と，
を含み，
前記タグ部材は，第一および第二の表面を有する第二の基板，および該第二の基板の第一の表面上に配置される少なくとも一つのRFIDタグを含み，前記第二の基板の第二の表面は，前記第一の基板の表面の一つに取り付けられ，前記第一の基板は第一の物品に取り付けでき，前記RFIDタグは第一の動作周波数を有し，
前記第一の基板および前記RFIDタグ部材は，前記コンテナの表面の少なくとも一つの上で，前記受動ループの近傍に配置され，前記RFIDタグ部材タグは前記受動ループに結合する，
ところのRFIDタグ組立体。
【請求項８】前記RFIDタグは前記受動ループに磁気的に結合する，請求項７に記載のRFIDタグ組立体。
【請求項９】前記第二の基板の第二の表面は，前記タグ部材を物品に取り付けるための接着手段を含む，請求項７に記載のRFIDタグ組立体。
【請求項１０】複数の表面を有し，さらにその複数の表面の一つに配置され，または埋設される少なくとも一つのRFIDタグを有する積み出しコンテナ用のRFIDタグ組立体であって，
第一および第二の表面を有する第一の基板と，
該基板の少なくとも一つに配置される第一の受動ループと，
前記コンテナの表面の少なくとも一つ上に配置される第二の受動ループと，
を含み，
第一の受動ループは，少なくとも一つのRFID信号を送受信し，
前記基板および前記第一の受動ループは，前記コンテナの表面の少なくとも一つの上で，前記RFIDタグの近傍に配置され，前記第一の受動ループは前記RFIDタグに結合し，
前記第二の受動ループは前記第一の受動ループと通信する，
ところのRFIDタグ組立体。
【請求項１１】前記第一の受動ループは前記RFIDタグに磁気的に結合する，請求項１０に記載のRFIDタグ組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月25日(2008.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報単位を記録するための所定の位置を示すあらかじめ形成されたトラックポジション情報を有する記録トラックを有し、かつ当該位置の第一位置がそれ以前に記録された情報単位を有する、記録担体上に、少なくとも1つの情報単位を記録する方法であって、当該方法が、
(a)前記少なくとも1つの情報単位を表す変調信号を生成するステップと、
(b)前記記録トラックを走査しかつ当該位置の第二位置において前記変調信号を記録するステップと、
を有する方法において、前記方法が、
(c)当該位置の前記第二位置が、当該位置の前記第一位置の後ろでかつそれに隣接する場合に、当該位置の当該第一位置の終端境界域からリンキング情報を読み取り、かつ前記変調信号を論理的に生成するために前記リンキング情報を使用するステップ
を有することを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記方法が、
(d)当該位置の前記第二位置が、当該位置の前記第一位置の前でかつそれに隣接する場合に、当該位置の当該第一位置の開始境界域からリンキング情報を読み取り、かつ前記変調信号を論理的に生成するために前記リンキング情報を使用するステップと、
を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記リンキング情報が、エラー符号器を事前設定するための、それ以前に記録された情報単位の最後の部分を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記変調信号を書き込んだ後に、少なくとも1つの情報単位と当該第一部分に基づいて、当該第一部分とエラー訂正ワードとを表わす追加の変調信号を生成し、かつ前記追加の変調信号を前記開始境界域に記録するために、前記リンキング情報が、前記それ以前に記録された情報単位の第一部分を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記リンキング情報が、CDサブコードを有する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項６】
リンキング情報が、前記少なくとも1つの情報単位の前記データバイトの後の前記終端境界域に追加的に記録される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記それ以前に記録された情報単位が、当該追加的に記録されたリンキング情報を有する終端境界域によって終了し、かつ、前記変調信号の前記記録が、前記終端境界域を上書きすることによって開始される、
または、当該記録担体が、ライトワンスタイプであり、かつ前記リンキング情報が、連続する情報単位を記録するときにエラー符号器を事前設定できるように所定の値のダミーデータバイトを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
情報単位を記録するための所定の位置を示すあらかじめ形成されたトラックポジション情報を有する記録トラックを有し、かつ当該位置の第一位置がそれ以前に記録された情報単位を有する、記録担体上に、少なくとも1つの情報単位を記録するためのデバイスであって、当該デバイスが、
前記少なくとも1つの情報単位を表す変調信号を生成するための変調器手段と、
前記記録トラックを走査して当該位置の第二位置において前記変調信号を記録するための記録手段と、
を有するデバイスにおいて、前記デバイスが、
当該位置の前記第二位置の直前の前記位置の終端境界域からリンキング情報を読み取るための検索手段を有することと、前記変調器手段が、当該位置の前記第二位置が当該位置の前記第一位置の後ろでかつそれに隣接する場合に、前記変調信号を論理的に生成するために前記リンキング情報を使用するためのリンキング手段を有することとを特徴とする、デバイス。
【請求項９】
前記検索手段が、当該位置の前記第二位置の後ろの前記位置の開始境界域からリンキング情報を読み取るように構成され、かつ、前記リンキング手段が、当該位置の前記第二位置が当該位置の前記第一位置の前でかつそれに隣接する場合に、前記変調信号を論理的に生成するために前記リンキング情報を使用するように構成されている、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記記録手段が、前記少なくとも1つの情報単位の前記データバイトの後の前記終端境界域にリンキング情報を追加的に記録するように構成されている、請求項８に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月4日(2008.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の上に存在する損傷シリカ誘電フィルムに疎水性を与える方法であって、前記誘電フィルムが、前記誘電フィルムの以前に存在していた疎水性を実質的に損傷もしくは除去するような方法で少なくとも１つのエッチング剤もしくは灰化試薬と接触しており、
（ａ）前記損傷シリカ誘電フィルムを表面改質組成物と接触させて該損傷シリカ誘電フィルムを疎水性にすること、及び
（ｂ）未反応の表面改質組成物、反応生成物、およびこれらの混合物を除去すること、
を含み、
前記表面改質組成物は、損傷シリカ誘電フィルムからシラノール部分を除去するための少なくとも１つの表面改質剤を含む、
前記方法。
【請求項２】
前記損傷シリカ誘電フィルムが、工程（ａ）に先立ってウェットクリーニングに供される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記表面改質組成物が、次の化学式：R3SiNHSiR3、RxSiCly、RxSi(OH)y、R3SiOSiR3、RxSi(OR)y、MpSi(OH)[4‐p]、RxSi(OCOCH3)yおよびこれらの組合せ（式中、xは１〜３の範囲の整数であり；yはy＝4‐xとなるような１〜３の範囲の整数であり；pは２〜３の範囲の整数であり；Rはそれぞれ独立して水素および疎水性有機部分から選ばれ；Mはそれぞれ独立して選ばれた疎水性有機部分であり；そしてRおよびMは同じもしくは異なり得る）からなる群から選ばれる化学式を有する少なくとも１つの化合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記表面改質組成物が、アセトキシトリメチルシラン、アセトキシシラン、ジアセトキシジメチルシラン、メチルトリアセトキシシラン、フェニルトリアセトキシシラン、ジフェニルジアセトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、２−トリメチルシロキシペント−２−エン−４−オン、ｎ−（トリメチルシリル）アセトアミド、２−（トリメチルシリル）酢酸、ｎ−（トリメチルシリル）イミダゾール、トリメチルシリルプロピオレート、トリメチルシリル（トリメチルシロキシ）−アセテート、ノナメチルトリトリシラザン、ヘキサメチルジシロキサン、トリメチルシラノール、トリエチルシラノール、トリフェニルシラノール、ｔ−ブチルジメチルシラノール、ジフェニルシランジオール、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリクロロシランおよびこれらの組合せからなる群から選ばれる少なくとも１つの化合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記シリカ誘電フィルムがメチルヒドリドシロキサンフィルムである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記表面改質組成物がメチルトリアセトキシシランを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
基体の上に存在するシリカ誘電フィルムに疎水性を与える方法であって、
（ａ）前記シリカ誘電フィルムを少なくとも１つの表面改質剤を含むプラズマと接触させて該シリカ誘電フィルムを疎水性にすること、及び
（ｂ）未反応の表面改質組成物、反応生成物、およびこれらの混合物を除去すること、
を含み、
前記表面改質組成物は、損傷シリカ誘電フィルムからシラノール部分を除去するための少なくとも１つの表面改質剤を含む、
前記方法。
【請求項８】
シラン化合物から誘導されるプラズマが表面改質組成物として用いられる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
シリカ誘電フィルムが、その誘電率の増加、シラノールの増加、または有機部分の減少、の少なくとも一つによって損傷している、基体の上に存在する損傷シリカ誘電フィルムを処理する方法であって、
前記損傷シリカ誘電フィルムを表面改質組成物と接触させて、以下の（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）、
（ｉ）該損傷シリカ誘電フィルムの誘電率の減少；
（ｉｉ）該損傷シリカ誘電フィルムのシラノールの減少；
（ｉｉｉ）該損傷シリカ誘電フィルムの有機部分の増加；
の一つ以上をもたらすことを含む、前記方法。
【請求項１０】
前記シリカ誘電フィルムが、少なくとも一つのエッチング剤もしくは灰化試薬と接触によって損傷している、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記損傷シリカ誘電フィルムを表面改質組成物と接触させて、（ｉ）該損傷シリカ誘電フィルムの誘電率の減少をもたらすことを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記損傷シリカ誘電フィルムを表面改質組成物と接触させて、（ｉｉ）該損傷シリカ誘電フィルムのシラノールの減少をもたらすことを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記損傷シリカ誘電フィルムを表面改質組成物と接触させて、（ｉｉｉ）該損傷シリカ誘電フィルムの有機部分の増加をもたらすことを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
未反応の表面改質組成物、反応生成物、およびこれらの混合物を除去することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも一つのエッチング剤もしくは灰化試薬と接触後、かつ、表面改質組成物との接触前に、前記損傷シリカ誘電フィルムをウェットクリーニングすることをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
前記損傷シリカ誘電フィルムを表面改質組成物と接触させて、（ｉ）該損傷シリカ誘電フィルムの誘電率の約１．５〜約３．８への減少をもたらすことを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
前記シリカ誘電フィルムが多孔質またはナノ多孔質である、請求項９に記載の方法。
【請求項１８】
前記シリカ誘電フィルムが非多孔質である、請求項９に記載の方法。
【請求項１９】
請求項９に記載の方法であって、
（ａ）前記シリカ誘電フィルムが損傷前の第一のＣ−Ｈ吸収値を示し、
（ｂ）前記損傷シリカ誘電フィルムが第二のＣ−Ｈ吸収値を示し、そして
（ｃ）表面改質組成物との接触後に、前記シリカ誘電フィルムが第三のＣ−Ｈ吸収値を示し、
ここで、第三のＣ−Ｈ吸収値が第一のＣ−Ｈ吸収値の９３．７５％〜１３８．４６％である（すべての吸収値はフーリエ変換赤外分光法で測定される）、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月14日(2008.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  調節可能な焦点調整ビームを備えた水中フラッシュライト（１０）において、
内側及び外側を有しており、内部にランプ支持ボア（２１）が設けられている水密ハウジング（１１）と、
前記ハウジング（１１）の前記外側に取り付けられているランプスイッチ（２７）と、
前記水密ハウジング（１１）に取り外し可能に取り付けられているバッテリーパック（１２）と、
前記ハウジングのランプ支持ボア（２１）にスライド可能に取り付けられ、前記ランプスイッチ（２７）を通して前記バッテリーパック（１２）と作動的に接続されているランプ（１８）と、
前記ハウジング（１１）の外側に前記ハウジング（１１）にスライド可能に取り付けられ、永久磁石（３５、３６）が取り付けられているスライド可能な外側焦点調整部材（１４）と、
前記ハウジング（１１）の内側に前記ハウジング（１１）にスライド可能に取り付けられ、永久磁石（３７）が取り付けられているスライド可能な内側焦点調整部材（３８）であって、前記永久磁石（３７）は、前記スライド可能な外側焦点調整部材（１４）をスライドさせて、それに取り付けられている前記磁石（３５、３６）を前記内側焦点調整部材の磁石（３７）と磁気的に係合した状態で動かすことができるように配置されている、スライド可能な内側焦点調整部材（３８）と、
２つの端部分を有しており、一方の端部分は前記ランプ（１８）と、他方の端部分は前記スライド可能な内側焦点調整部材（３８）と可動的に接続されているリンク（４１）と、を備えており、
前記外側焦点調整部材（１４）を動かすと、前記内側焦点調整部材（３８）と焦点調整リンク（４１）とがスライドして、前記ランプ（１８）の焦点を調節することを特徴とする、調節可能な焦点調整ビームを備えた水中フラッシュライト（１０）。
【請求項２】  前記水密ハウジング（１１）の内側にはピックアップコイル（３２）が取り付けられており、前記ピックアップコイル（３２）を作動させるために前記ランプスイッチ内に磁石（２６）が可動的に取り付けられていることを特徴とする、請求項１に記載の調節可能な焦点調整ビームを備えた水中フラッシュライト（１０）。
【請求項３】  前記ランプスイッチ（２７）は、前記スライド可能な外側焦点調整部材（１４）内に取り付けられていることを特徴とする、請求項２に記載の調節可能な焦点調整ビームを備えた水中フラッシュライト（１０）。
【請求項４】  前記バッテリーパック（１２）は、２つのバッテリー極を有し防水ハウジング内に取り付けられた少なくとも１つのバッテリー（４７、５０）を有しており、前記水密ハウジング（１１）に取り外し可能に取り付けられており、前記バッテリーハウジングに取り付けられている少なくとも１つの電気的接点を有していることを特徴とする、請求項１に記載の調節可能な焦点調整ビームを備えた水中フラッシュライト（１０）。
【請求項５】  前記バッテリーパック（１２）は、前記防水ハウジングの内側に、前記バッテリー極の１つと、バッテリーパック防水ハウジングの電気的接点との間に接続されている磁気作動スイッチ（５１）を備えていることを特徴とする、請求項４に記載の調節可能な焦点調整ビームを備えた水中フラッシュライト（１０）。