【手続補正書】
【提出日】平成20年1月7日(2008.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット表面上に破壊力を与えるための装置であって、
（ａ）電磁エネルギーをターゲット表面に向けて、該ターゲット表面上に破壊力を与えるように構成された電磁エネルギー源と、
（ｂ）少なくとも１つの電流パルスを生成して、前記電磁エネルギー源を駆動するフラッシュランプ電流生成回路と、
を備え、前記電流パルスは、半値全幅の範囲が該電流パルスの実質的に最初の半分以内に位置し、流体によって吸収されたエネルギーを使って前記ターゲット表面を破壊する、前記電磁エネルギー源からの電磁エネルギーを生成するように形成される
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記装置は、流体を前記ターゲット表面上に配置するように構成され、
前記電流パルスによって生成された電磁エネルギーの少なくとも一部分は、前記ターゲット表面上の前記流体によって吸収される
ことを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記電流パルスによって生成された前記電磁エネルギーの少なくとも一部分は、前記ターゲット表面内に置かれた流体によって吸収される
ことを特徴とする、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記電磁エネルギーを吸収する、前記ターゲット表面内の前記流体の少なくとも幾らかは、前記装置から供給されるものではない
ことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記電流パルスによって生成された前記電磁エネルギーの少なくとも一部分は、前記ターゲット表面の上に置かれた流体によって吸収される
ことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記流体は水を含む
ことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記装置は、噴霧流体粒子として、前記ターゲット表面の上に前記流体を配置するように構成され、
前記電流パルスによって生成された電磁エネルギーは、前記ターゲット表面の上に置かれた前記流体により、実質的に吸収されて、該ターゲット表面上に破壊力を与える
ことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記フラッシュランプ電流生成回路の前記電流パルスが、
（ｉ）ｙがアンペアでの電流、ｘがマイクロ秒での時間である時、パルスのプロット上でｙをｘで割ったもの（ｙ／ｘ）と定められる、少なくとも５である傾斜を持つリーディングエッジと、
（ｉｉ）約０．０２５〜約２５０マイクロ秒の範囲内である半値全幅と
を含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記電磁エネルギー源の出力と前記ターゲット表面との間に流体を出力する流体出力  をさらに備えることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
前記流体出力から出力される噴霧粒子の流体を含むフィルタ
を備え、該フィルタは、前記電磁エネルギー源により生成された前記エネルギーの一部分を吸収する
ことを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記ターゲット表面の前記破壊は、一部分は、前記流体により吸収された前記エネルギーではなく、前記電磁エネルギー源により生成されたエネルギーによって引き起こされる  ことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】
エルビウム、イットリウム、スカンジウム  ガリウム  ガーネット（Ｅｒ：ＹＳＧＧ）固体状態レーザ、又はエルビウム、イットリウム、アルミニウム  ガーネット（Ｅｒ：ＹＡＧ）固体状態レーザをさらに含む
ことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
前記電磁エネルギーの能力を維持しながら、該電磁エネルギーの一部分をフィルタにかけて、前記ターゲット表面上又は内の流体によるエネルギーの吸収によって該ターゲット表面上に破壊力を与える
ことを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
（ａ）電磁エネルギー源により生成された電磁エネルギーをターゲット表面に向けて伝送することができるように、該電磁エネルギー源、及びフラッシュランプ電流生成回路を含む装置を、前記ターゲット表面の近くに配置するステップと、
（ｂ）前記フラッシュランプ電流生成回路で、少なくとも１つの電流パルスを生成するステップと
を含み、前記電流パルスは、半値全幅の範囲が該電流パルスの実質的に最初の半分以内に位置し、かつ前記電流パルスは、前記電磁エネルギー源を駆動して、前記ターゲット表面上又は内の流体と相互作用することにより、該ターゲット表面を破壊する電磁エネルギーを提供する
ことを特徴とする、ターゲット表面上に破壊力を与える方法。
【請求項１５】
（ｃ）前記ターゲット表面の上に流体を置いて、前記電磁エネルギーをフィルタにかけて、前記電磁エネルギーの一部分が前記ターゲット表面を破壊する前に、該電磁エネルギーの少なくとも一部分の輝度を下げるステップ
をさらに含むことを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記流体は、流体出力から発された流体粒子の分散として提供される
ことを特徴とする、請求項１４又は１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ターゲット表面を破壊する前に、前記流体が、前記電磁エネルギーの一部分を吸収する
ことを特徴とする、請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記流体は、前記ターゲット表面内に配置される
ことを特徴とする、請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
流体粒子の噴霧分散の一部分が、前記ターゲット表面の上の前記電磁エネルギーを横切るように、該ターゲット表面の上に、前記装置の流体出力からの該流体粒子の噴霧分散を発することにより、前記ターゲット表面を破壊する
ことを特徴とする、請求項１４〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
前記流体は水を含む
ことを特徴とする、請求項１４〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
ターゲット表面上に破壊力を与えるための装置であって、
（ａ）レーザからの電磁エネルギーを前記ターゲット表面に向けるために、光ファイバと通信状態にある該レーザと、
（ｂ）前記レーザを駆動するために少なくとも１つの電流パルスを生成して、前記レーザから電磁エネルギーを生成するフラッシュランプ電流生成回路と、
を備え、前記電流パルスは、半値全幅の範囲が該電流パルスの実質的に最初の半分以内に位置することを特徴とし、
（ｃ）前記光ファイバから電磁エネルギーを伝送する時、該光ファイバと前記ターゲット表面との間に配置されるフィルタ
をさらに備え、フィルタなしで表面に伝送される電磁エネルギーと比較して、空間的に異なる手法で前記ターゲット表面を破壊するように、前記フィルタは、該ターゲット表面の近くで前記電磁エネルギーを空間的に変更するように構成される
ことを特徴とする装置。
【請求項２２】
前記フィルタは、前記光ファイバから発される前記電磁エネルギーの少なくとも一部分を吸収する流体粒子の分散を含む
ことを特徴とする、請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
前記フィルタは、空間的に分散された流体粒子を含み、かつ、前記装置は、該流体粒子の空間的分散、及び時間的分散を変化させるように構成された
ことを特徴とする、請求項２１又は２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記フラッシュランプ電流生成回路が、
（ｉ）約５０マイクロヘンリーの定格インダクタンスを持つ固体コアインダクタと、    （ｉｉ）約５０マイクロファラドの静電容量を持つ、前記インダクタに結合されたコンデンサと、
（ｉｉｉ）前記固体コアインダクタに結合されたフラッシュランプと、
を備えることを特徴とする、請求項２１〜２３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２５】
エルビウム、イットリウム、スカンジウム  ガリウム  ガーネット（Ｅｒ：ＹＳＧＧ）固体状態レーザ、又はエルビウム、イットリウム、アルミニウム  ガーネット（Ｅｒ：ＹＡＧ）固体状態レーザをさらに含む
ことを特徴とする、請求項２１〜２４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２６】
前記電磁エネルギーの能力を維持しながら、該電磁エネルギーの一部分をフィルタにかけて、前記ターゲット表面上又は内の流体によるエネルギーの吸収によって該ターゲット表面上に破壊力を与える
ことを特徴とする、請求項２１〜２５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２７】
前記流体は水を含む
ことを特徴とする、請求項２１〜２６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２８】
組織を改造する方法であって、
電磁エネルギーのパルスを、前記組織の表面に向けるステップと、
前記組織の局所的な融解、及び改造を実現するように、前記パルスを調整するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２９】
前記調整が、前記パルスの１つ以上の継続時間及びエネルギー密度を変更することをさらに含む
ことを特徴とする、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記調整が、短パルス、及び長パルスを同時に発することを含む
ことを特徴とする、請求項２８又は２９に記載の方法。
【請求項３１】
空気を前記表面に向けることにより冷却手順を実施すること
をさらに含むことを特徴とする、請求項２８〜３０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３２】
前記改造を噛み合わせ表面に適用し、前記改造が腐食形成を抑制する
ことを特徴とする、請求項２８〜３１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３３】
前記流体は水を含む
ことを特徴とする、請求項２８〜３２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３４】
ターゲット表面にイオンを配信する方法であって、
前記ターゲット表面上に粒子を投射するステップであって、前記投射は空気スプレー及び流体スプレーの一方を用いて、イオンを前記ターゲット表面に配信する、前記ステップと、
前記ターゲット表面を改造するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３５】
前記投射は、前記粒子の前記表面への微小機械的接着を促進させることを含む
ことを特徴とする、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記流体は水を含む
ことを特徴とする、請求項３４又は３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記投射は、（１）フッ化物、カルシウム、リン、及び水酸化物を含む群より選択されたイオン、及び（２）フッ化ナトリウム、フッ化錫、フッ化銅、四フッ化チタン、フッ化アミン、及び水酸化カルシウムを含む群より選択されたイオンの、１つ又はそれより多数を含む粒子を投射することを含む
ことを特徴とする、請求項３４又は３５に記載の方法。