【手続補正書】
【提出日】平成19年12月19日(2007.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の導電性ラインを形成する方法であって、
導電性レイヤを基板上に配置すること、
マスクを形成することであって、前記マスクは、前記マスクラインの間にマスク間隔を持つ複数のマスクラインを定義し、前記マスク間隔は幅を有し、前記マスクラインは幅および側壁を有する、マスクを形成すること、
プラズマ処理チャンバ内に前記基板を置くこと、
前記プラズマ処理チャンバ内に前記基板を置いたままで、前記マスクの前記側壁上にコンフォーマルレイヤを堆積することであって、前記コンフォーマルレイヤの堆積は堆積されたコンフォーマルレイヤの無いビアの底部を提供する、コンフォーマルレイヤを堆積すること、
前記プラズマ処理チャンバ内に前記基板を置いたままで、前記マスクを通して前記導電性レイヤをエッチングすることによって、導電性ラインおよび前記導電性ライン間の間隔を形成することであって、前記導電性ラインは幅を有し、前記導電性ライン間の前記間隔は幅を有し、前記導電性ライン間の前記間隔の前記幅は、前記マスク間隔の前記幅より小さく、前記導電性ラインの前記幅は前記ラインマスクの前記幅より大きい、エッチングすること
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記マスク間隔の前記幅に対する前記マスクラインの前記幅の比は、１：１より小さく、前記導電性ラインの間の前記間隔の前記幅に対する前記導電性ラインの前記幅の比は、１：１より小さくない方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記マスク間隔の前記幅に対する前記マスクラインの前記幅の比は、１：１より小さく、前記導電性ラインの間の前記間隔の前記幅に対する前記導電性ラインの前記幅の比は、１：１より大きい方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記コンフォーマルレイヤを第１エッチングレシピでエッチングすることをさらに含み、前記導電性レイヤの前記エッチングは、前記第１エッチングレシピと異なる第２エッチングレシピを用いる方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法によって形成された半導体デバイス。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、前記プラズマ処理チャンバ内に前記基板を置いたままで、前記コンフォーマルレイヤおよびマスクを単一の剥離ステップで剥離することをさらに含む方法。
【請求項７】
請求項１および２のいずれかに記載の方法であって、前記第１堆積は、ブレッドロウフィング堆積およびファセッティング堆積からなるグループから選択され、前記第２堆積は、ブレッドロウフィング堆積およびファセッティング堆積からなるグループから選択され、前記第１堆積および第２堆積は、両方ともブレッドロウフィング堆積ではなく、両方ともファセッティング堆積ではない方法。
【請求項８】
レイヤ中にフィーチャを形成する方法であって、
前記レイヤ上にフォトレジストレイヤを形成すること、
前記フォトレジストレイヤをパターン付けすることによって、フォトレジスト側壁を持つフォトレジストフィーチャを形成することであって、前記フォトレジストフィーチャは第１微小寸法を有する、フォトレジストフィーチャを形成すること、
前記フォトレジストフィーチャの前記側壁上にコンフォーマルレイヤを堆積することによって、前記フォトレジストフィーチャの前記微小寸法を低減することであって、
第１ガス化学物質での第１堆積によって第１堆積プラズマを形成することであって、
第１堆積ガスの流れを供給することと、
プラズマ中に前記第１堆積ガスを形成することと、
前記第１堆積ガスの流れを停止することとを含む、第１堆積プラズマを形成すること、および
第２ガス化学物質での第２堆積によって第２堆積プラズマを形成することであって、前記第１ガス化学物質は前記第２ガス化学物質と異なり、
前記第１堆積ガスと異なる第２堆積ガスの流れを供給することと、
プラズマ中に前記第２堆積ガスを形成することと、
前記第１堆積ガスの流れと前記第２堆積ガスの流れとが同時ではなく交互に起こるように前記第２堆積ガスの流れを停止することとを含む、第２堆積プラズマを形成すること、を含む、コンフォーマルレイヤを堆積すること、および
前記レイヤ内にフィーチャをエッチングすることであって、前記レイヤフィーチャは、前記第１微小寸法より小さい第２微小寸法を有する、エッチングすること
を含み、前記コンフォーマルレイヤの堆積は堆積されたコンフォーマルレイヤの無いビアの底部を提供する、方法。
【請求項９】
レイヤ中にフィーチャを形成する方法であって、
前記レイヤ上にフォトレジストレイヤを形成すること、
前記フォトレジストレイヤをパターン付けすることによって、フォトレジスト側壁を持つフォトレジストフィーチャを形成することであって、前記フォトレジストフィーチャは第１微小寸法を有する、フォトレジストフィーチャを形成すること、
前記フォトレジストフィーチャの前記側壁上にレイヤを堆積することによって、前記フォトレジストフィーチャの前記微小寸法を低減することであって、前記フォトレジストフィーチャの前記側壁上にレイヤを堆積することは、
第１ガス化学物質での第１堆積によって第１堆積プラズマを形成することであって、
第１堆積ガスの流れを供給することと、
プラズマ中に前記第１堆積ガスを形成することと、
前記第１堆積ガスの流れを停止することとを含む、第１堆積プラズマを形成すること、および
第２ガス化学物質での第２堆積によって第２堆積プラズマを形成することであって、前記第１ガス化学物質は前記第２ガス化学物質と異なり、
前記第１堆積ガスと異なる第２堆積ガスの流れを供給することと、
プラズマ中に前記第２堆積ガスを形成することと、
前記第１堆積ガスの流れと前記第２堆積ガスの流れとが同時ではなく交互に起こるように前記第２堆積ガスの流れを停止することとを含む、第２堆積プラズマを形成すること、を含む、前記フォトレジストフィーチャの前記側壁上にレイヤを堆積すること、および
前記レイヤ内にフィーチャをエッチングすることであって、前記レイヤフィーチャは、第２微小寸法を有し、前記第２微小寸法は、前記第１微小寸法の７０％より大きくない、エッチングすること
を含み、前記コンフォーマルレイヤの堆積は堆積されたコンフォーマルレイヤの無いビアの底部を提供する、方法。
【請求項１０】
基板上のエッチングレイヤ中にフィーチャを形成する方法であって、
前記エッチングレイヤ上にフォトレジストレイヤを形成すること、
前記フォトレジストレイヤをパターン付けすることによって、フォトレジスト側壁を持つフォトレジストフィーチャを形成することであって、前記フォトレジストフィーチャは第１微小寸法を有する、パターン付けすること、
前記基板をプラズマ処理チャンバ内に置くこと、
前記プラズマ処理チャンバ内に前記基板を置いたままで、前記フォトレジストフィーチャの前記側壁上にコンフォーマルレイヤを堆積することによって、前記フォトレジストフィーチャの前記微小寸法を減らすことであって、前記コンフォーマルレイヤの堆積は堆積されたコンフォーマルレイヤの無いビアの底部を提供する、コンフォーマルレイヤを堆積すること、および
前記プラズマ処理チャンバ内に前記基板を置いたままで、前記エッチングレイヤをエッチングすることであって、前記レイヤフィーチャは、前記第１微小寸法より小さい第２微小寸法を有する、エッチングすること
を含む方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、前記基板がプラズマ処理チャンバ内にある状態で、前記コンフォーマルレイヤおよびフォトレジストレイヤを単一の剥離ステップで剥離することをさらに含む方法。
【請求項１２】
レイヤ中にフィーチャを形成する方法であって、
前記レイヤ上にフォトレジストレイヤを形成すること、
前記フォトレジストレイヤをパターン付けすることによって、フォトレジスト側壁を持つフォトレジストフィーチャを形成することであって、前記フォトレジストフィーチャは第１微小寸法を有する、フォトレジストフィーチャを形成すること、
前記フォトレジストフィーチャの前記側壁上にコンフォーマルレイヤを堆積することによって、前記フォトレジストフィーチャの前記微小寸法を低減することであって、
第１ガス化学物質での第１堆積によって第１堆積プラズマを形成することであって、
第１堆積ガスの流れを供給することと、
プラズマ中に前記第１堆積ガスを形成することと、
前記第１堆積ガスの流れを停止することとを含む、第１堆積プラズマを形成すること、および
第２ガス化学物質での第２堆積によって第２堆積プラズマを形成することであって、前記第１ガス化学物質は前記第２ガス化学物質と異なり、
前記第１堆積ガスと異なる第２堆積ガスの流れを供給することと、
プラズマ中に前記第２堆積ガスを形成することと、
前記第１堆積ガスの流れと前記第２堆積ガスの流れとが同時ではなく交互に起こるように前記第２堆積ガスの流れを停止することとを含む、第２堆積プラズマを形成すること、を含む、コンフォーマルレイヤを堆積すること、および
前記レイヤ内にフィーチャをエッチングすることであって、前記レイヤフィーチャは、前記第１微小寸法より小さい第２微小寸法を有する、エッチングすること
を含む方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、前記フォトレジストフィーチャ上にコンフォーマルレイヤを堆積することは、
前記第１ガス化学物質での第３堆積によって第３堆積プラズマを形成すること、および
前記第２ガス化学物質での第４堆積によって第４堆積プラズマを形成すること
をさらに含む方法。
【請求項１４】
請求項１２および１３のいずれかに記載の方法であって、前記第２微小寸法は、前記第１微小寸法の７０％より大きくない方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、前記側壁上に前記コンフォーマルレイヤを堆積することは、実質的に垂直な側壁を形成する方法。
【請求項１６】
請求項１２および１５のいずれかに記載の方法であって、前記フォトレジストレイヤは２４８ｎｍフォトレジストから形成され、前記フィーチャは１４０ｎｍより大きくないＣＤを有する方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載の方法であって、前記フォトレジストマスクおよび堆積されたコンフォーマルレイヤを単一の剥離ステップで剥離することをさらに含む方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、前記フォトレジストマスクおよび堆積されたコンフォーマルレイヤを前記剥離することは、前記フォトレジストマスクおよび堆積されたレイヤをアッシングすることを含む方法。
【請求項１９】
請求項１４に記載の方法であって、前記コンフォーマルレイヤは側壁厚さを有し、前記コンフォーマルレイヤは、前記フィーチャの上部から底部まで実質的に同じ側壁厚さを有する方法。
【請求項２０】
請求項１４に記載の方法であって、前記コンフォーマルレイヤは、側壁厚さおよびフォトレジストフィーチャ底部厚さを有し、前記側壁厚さは、前記フォトレジストフィーチャ底部厚さより大きい方法。
【請求項２１】
レイヤ中にフィーチャを形成する方法であって、
前記レイヤ上にフォトレジストレイヤを形成すること、
前記フォトレジストレイヤをパターン付けすることによって、フォトレジスト側壁を持つフォトレジストフィーチャを形成することであって、前記フォトレジストフィーチャは第１微小寸法を有する、フォトレジストフィーチャを形成すること、
前記フォトレジストフィーチャの前記側壁上にレイヤを堆積することによって、前記フォトレジストフィーチャの前記微小寸法を低減することであって、前記フォトレジストフィーチャの前記側壁上にレイヤを堆積することは、
第１ガス化学物質での第１堆積によって第１堆積プラズマを形成することであって、
第１堆積ガスの流れを供給することと、
プラズマ中に前記第１堆積ガスを形成することと、
前記第１堆積ガスの流れを停止することとを含む、第１堆積プラズマを形成すること、および
第２ガス化学物質での第２堆積によって第２堆積プラズマを形成することであって、前記第１ガス化学物質は前記第２ガス化学物質と異なり、
前記第１堆積ガスと異なる第２堆積ガスの流れを供給することと、
プラズマ中に前記第２堆積ガスを形成することと、
前記第１堆積ガスの流れと前記第２堆積ガスの流れとが同時ではなく交互に起こるように前記第２堆積ガスの流れを停止することとを含む、第２堆積プラズマを形成すること、を含む、前記フォトレジストフィーチャの前記側壁上にレイヤを堆積すること、および
前記レイヤ内にフィーチャをエッチングすることであって、前記レイヤフィーチャは、第２微小寸法を有し、前記第２微小寸法は、前記第１微小寸法の７０％より大きくない、エッチングすること
を含む方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法であって、前記第２微小寸法は、前記第１微小寸法の６０％より大きくない方法。
【請求項２３】
請求項２１に記載の方法であって、前記フォトレジストフィーチャ上に前記レイヤを堆積することは、
前記第１ガス化学物質での第３堆積によって第３堆積プラズマを形成すること、および
前記第２ガス化学物質での第４堆積によって第４堆積プラズマを形成すること
をさらに含む方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の方法であって、前記側壁上に前記レイヤを堆積することは、実質的に垂直な側壁を形成する方法。
【請求項２５】
レイヤ中にフィーチャを形成する装置であって、前記レイヤは、基板によって支持され、前記レイヤは、第１ＣＤを持つフォトレジストフィーチャを持つフォトレジストマスクによって覆われ、前記装置は、
プラズマ処理チャンバであって、
プラズマ処理チャンバエンクロージャを形成するチャンバ壁、
前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内で基板を支持する基板支持、
前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内の圧力を制御する圧力レギュレータ、
プラズマを維持するために前記プラズマ処理チャンバエンクロージャに電力を供給する少なくとも１つの電極、
ガスを前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内に供給するガス吸気口、および
ガスを前記プラズマ処理チャンバエンクロージャから排気するガス出口
を備えるプラズマ処理チャンバ、
前記ガス吸気口と流体連通するガスソースであって、
第１堆積ガスソース、
第２堆積ガスソース、および
エッチャントガスソース
を備えるガスソース、
前記ガスソースおよび前記少なくとも１つの電極に制御可能に接続されたコントローラであって、
少なくとも１つのプロセッサ、および
コンピュータで読み取り可能な媒体であって、
前記フォトレジストフィーチャ内に、第２ＣＤを持つフィーチャを形成するためにフォトレジストマスク上に側壁堆積を形成するよう少なくとも３つの堆積サイクルを行うコンピュータで読み取り可能なコードであって、
前記第１堆積ガスソースから前記プラズマ処理チャンバエンクロージャへ第１堆積ガスのフローを供給するコンピュータで読み取り可能なコード、
前記第１堆積ガスソースから前記プラズマ処理チャンバエンクロージャへの前記第１堆積ガスのフローを停止するコンピュータで読み取り可能なコード、
前記第１堆積ガスの流れが停止された後で、前記第２堆積ガスソースから前記プラズマ処理チャンバエンクロージャへ第２堆積ガスのフローを供給するコンピュータで読み取り可能なコード、および
前記第２堆積ガスソースから前記プラズマ処理チャンバエンクロージャへの前記第２堆積ガスのフローを停止するコンピュータで読み取り可能なコード
を含む少なくとも３つの堆積サイクルを行うコンピュータで読み取り可能なコード、
前記少なくとも３つの堆積サイクルの完了後に、前記エッチャントガスソースから前記プラズマ処理チャンバへエッチャントガスのフローを供給するコンピュータで読み取り可能なコード、および
前記エッチャントガスを用いて前記レイヤ中でフィーチャをエッチングするコンピュータで読み取り可能なコードであって、前記レイヤ中の前記フィーチャは第３ＣＤを有する、コード
を備えるコンピュータで読み取り可能な媒体を備えるコントローラ
を備える装置。
【請求項２６】
請求項２５に記載の装置であって、前記第２ＣＤは前記第１ＣＤの７０％より小さく、前記第３ＣＤは前記第１ＣＤの７０％より小さい装置。
【請求項２７】
請求項２５に記載の装置であって、前記側壁堆積は高度にコンフォーマルである装置。
【請求項２８】
複数の導電性ラインを形成する方法であって、
導電性レイヤを基板上に配置すること、
マスクを形成することであって、前記マスクは、前記マスクラインの間にマスク間隔を持つ複数のマスクラインを定義し、前記マスク間隔は幅を有し、前記マスクラインは幅および側壁を有する、マスクを形成すること、
プラズマ処理チャンバ内に前記基板を置くこと、
前記プラズマ処理チャンバ内に前記基板を置いたままで、前記マスクの前記側壁上にコンフォーマルレイヤを堆積することであって、
第１ガス化学物質での第１堆積によって第１堆積プラズマを形成することであって、
第１堆積ガスの流れを供給することと、
プラズマ中に前記第１堆積ガスを形成することと、
前記第１堆積ガスの流れを停止することとを含む、第１堆積プラズマを形成すること、および
第２ガス化学物質での第２堆積によって第２堆積プラズマを形成することであって、前記第１ガス化学物質は前記第２ガス化学物質と異なり、
前記第１堆積ガスと異なる第２堆積ガスの流れを供給することと、
プラズマ中に前記第２堆積ガスを形成することと、
前記第１堆積ガスの流れと前記第２堆積ガスの流れとが同時ではなく交互に起こるように前記第２堆積ガスの流れを停止することとを含む、第２堆積プラズマを形成すること、を含む、コンフォーマルレイヤを堆積すること、および
前記プラズマ処理チャンバ内に前記基板を置いたままで、前記マスクを通して前記導電性レイヤをエッチングすることによって、導電性ラインおよび前記導電性ライン間の間隔を形成することであって、前記導電性ラインは幅を有し、前記導電性ライン間の前記間隔は幅を有し、前記導電性ライン間の前記間隔の前記幅は、前記マスク間隔の前記幅より小さく、前記導電性ラインの前記幅は前記ラインマスクの前記幅より大きい、エッチングすること
を含む方法。