Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月20日(2007.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その共重合組成が
(a)フッ化ビニリデン                                        50〜85モル%
(b)テトラフルオロエチレン                                   0〜25モル%
(c)パーフルオロ(メチルビニルエーテル)                       7〜20モル%
(d)CF2=CFO[CF2CF(CF3)O]nCF3                                 3〜15モル%
(ただし、nは4〜6の整数である)
(e)RfX(Rfは炭素数2〜8の不飽和フルオロ炭化水素基であり、    0.1〜2モル%
基中に1個以上のエーテル結合を有していてもよく、
Xは臭素またはヨウ素である)
である含フッ素エラストマー。
【請求項２】
溶液粘度ηsp/c(35℃、1重量%メチルエチルケトン溶液)が0.1〜2dl/gである請求項１記載の含フッ素エラストマー。
【請求項３】
溶液粘度ηsp/c(35℃、1重量%ヘキサフルオロベンゼン溶液)が0.1〜7dl/gである請求項１記載の含フッ素エラストマー。
【請求項４】
一般式 R(Br)n(I)m (ここで、Rは炭素数2〜6の飽和フルオロ炭化水素基または飽和クロロフルオロ炭化水素基であり、nおよびmは0、1または2であり、m+nは2である)で表わされる含臭素および/またはヨウ素化合物の存在下で共重合反応させて得られた請求項１記載の含フッ素エラストマ−。
【請求項５】
含臭素および/またはヨウ素化合物がICF2CF2CF2CF2Iである請求項１記載の含フッ素エラストマー。
【請求項６】
(c)成分と(d)成分との合計共重合量が10モル%以上である請求項１または４記載の含フッ素エラストマー。
【請求項７】
(e)成分化合物がCF2=CFOCF2CF2Br、CF2=CFBr、CF2=CHBr、CF2=CFIまたはCF2=CHIである請求項１または４記載の含フッ素エラストマー。
【請求項８】
-30〜-45℃のガラス転移温度Tgを有する請求項１または４記載の含フッ素エラストマ−。
【請求項９】
請求項１または４記載の含フッ素エラストマー100重量部当リ0.1〜10重量部の有機過酸化物、0.1〜10重量部の多官能性不飽和化合物および2重量部以上の受酸剤を添加してなる含フッ素エラストマー組成物。
【請求項１０】
有機過酸化物架橋後に以下に示される低温特性(ASTM D1329準拠)を発現する加硫物を与える請求項９記載の含フッ素エラストマー組成物。
-43℃≦TR10<-30℃<TR70≦-20℃
【請求項１１】
さらに、40重量部以下の偏平状充填剤が添加された請求項９記載の含フッ素エラストマー組成物。
【請求項１２】
請求項９、１０または１１記載の含フッ素エラストマー組成物を架橋成形して得られたフッ素ゴム系シール材。
【請求項１３】
自動車燃料用シール材として用いられる請求項１２記載のフッ素ゴム系シール材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
以上の各成分は、ロール混合、ニーダ混合、バンバリー混合、溶液混合など一般に用いられる混合法によって混練され、混練された混練物は、一般に約100〜250℃で約1〜60分間程度行われるプレス加硫によって加硫され、好ましくはさらに約150〜250℃で約30時間以内のオーブン加硫(二次加硫)が行われる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月24日(2007.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）重量平均分子量が９０，０００〜４００，０００の範囲にあり、かつアニオン性モノマー由来の構成単位を有する水不溶性ポリマー、水１００ｇに対する溶解度が２０℃において５〜４０重量％である有機溶媒、中和剤及び水を含有する乳化組成物（Ａ）と顔料（Ｂ）とを混合し、得られた混合物の不揮発成分率が５〜５０重量％、〔有機溶媒／水〕の重量比が０．１〜０．９である予備分散体を得る第１工程、
（２）得られた予備分散体をメディア式分散機を用いて、連続的に分散し、かつ得られた分散処理物とメディア粒子とを連続的に分離する第２工程、及び
（３）ホモジナイザーを用いて、更に分散処理する第３工程
を含む水系顔料分散体の製造方法。
【請求項２】
第２工程において用いるメディア粒子の粒径が０．０１〜０．２５ｍｍである、請求項１に記載の水系顔料分散体の製造方法。
【請求項３】
第２工程においてメディア式分散機を用いて、予備分散体１ｋｇ当り、正味の積算動力が０．1〜２［ｋｗｈ／ｋｇ］の範囲となるように分散する、請求項１又は２に記載の水系顔料分散体の製造方法。
【請求項４】
第２工程における運転方式が循環方式又は連続方式である、請求項１〜３に記載の水系顔料分散体の製造方法。
【請求項５】
第３工程において用いるホモジナイザーが高圧ホモジナイザーである、請求項１〜４のいずれかに記載の水系顔料分散体の製造方法。
【請求項６】
第１工程において、乳化組成物（Ａ）に顔料（Ｂ）を添加して混合する、請求項１〜５のいずれかに記載の水系顔料分散体の製造方法。
【請求項７】
第１工程における有機溶媒がメチルエチルケトンである、請求項１〜６のいずれかに記載の水系顔料分散体の製造方法。
【請求項８】
前記水不溶性ポリマーが水不溶性グラフトポリマーであって、主鎖が、少なくとも塩生成基含有モノマー（a）由来の構成単位と芳香環含有（メタ）アクリレートモノマー（b）由来の構成単位を含むポリマー鎖であり、側鎖が、少なくとも疎水性モノマー（e）由来の構成単位を含むポリマー鎖である、請求項１〜７のいずれかに記載の水系顔料分散体の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の方法によって得られた水系顔料分散体を含有するインクジェット記録用水系インク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
すなわち、本発明は、つぎの〔１〕及び〔２〕を提供する。
〔１〕（１）重量平均分子量が９０，０００〜４００，０００の範囲にあり、かつアニオン性モノマー由来の構成単位を有する水不溶性ポリマー、水１００ｇに対する溶解度が２０℃において５〜４０重量％である有機溶媒、中和剤及び水を含有する乳化組成物（Ａ）と顔料（Ｂ）とを混合し、得られた混合物の不揮発成分率が５〜５０重量％、〔有機溶媒／水〕の重量比が０．１〜０．９である予備分散体を得る第１工程、
（２）得られた予備分散体をメディア式分散機を用いて、連続的に分散し、かつ得られた分散処理物とメディア粒子とを連続的に分離する第２工程、及び
（３）ホモジナイザーを用いて、更に分散処理する第３工程
を含む水系顔料分散体の製造方法。
〔２〕前記〔１〕の方法によって得られた水系顔料分散体を含有するインクジェット記録用水系インク。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月28日(2007.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
次に、この発明により製造した上記高純度モリブデン−タングステン合金粉末を原料粉末として用い、表３に示される従来から通常に行われている焼結条件で、所定の成分組成からなるスパッタリングターゲットを焼結法により作製したところ、相対密度・抗折力はともに高く（相対密度９９．６２％以上、抗折力２８４ＭＰａ以上）、一方、平均結晶粒径・比抵抗の非常に小さい（平均結晶粒径１８．８μｍ以下、比抵抗３９μΩ・ｃｍ以下）スパッタリングターゲットが得られた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
【表５】
2007092089.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
表８には、合金粉末の純度、Ｍｏ量、Ｗ量、Ｏ含有量、その他の不純物（Ｆｅ，Ｎａ，Ｋ）含有量、粉末粒径を示したが、従来法２との対比から明らかなように、この発明により製造したモリブデン−タングステン合金粉末１〜９（実施例１〜９）は、９９．９９％以上の高純度を有し、合金粉末中のＭｏ量、Ｗ量は、目標組成とほぼ一致した組成が得られ、Ｏ含有量及び不純物（Ｆｅ，Ｎａ，Ｋ）含有量が極めて少なく、粉末粒径も１．９１μｍ以下のきわめて微細な合金粉末であることがわかる。
表９は、モリブデン−タングステン合金粉末１（実施例１）について行ったＥＤＸ分布測定による均質性調査デーダであるが、このデータに示されるように、従来法２によるものでは、測定点３０箇所における標準偏差値が１．０９であるのに対して、モリブデン−タングステン合金粉末１（実施例１）では、標準偏差値は０．３５と極めて小さい値であることから、この発明により製造したモリブデン−タングステン合金粉末１（実施例１）は、従来法２による合金粉末に比して、ＭｏとＷの濃度分布の変化が極めて少なく、均一に合金化され、均一な固溶体が形成されており、均質な合金粉末となっていることがわかる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
【表８】
2007092089.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
【表９】
2007092089.tif 000003
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
まず、得られたスパッタリングターゲットをダイヤモンド砥石で研削し、その後、ダイヤモンド琢磨を行い鏡面とし、これをダイヤモンドカッターにて切断し、８ｍｍ×４ｍｍ×２４ｍｍの試験片を作製。
「相対密度（％）」については、試験片を、アルキメデス（水中天秤）法で測定。
「比抵抗（μΩ・ｃｍ）」については、試験片を、４端子法により２４ｍｍの部分を測定。
「坑折力（ＭＰａ）」については、試験片を、支点間距離２０ｍｍで、ＪＩＳ（三点曲げ）法により測定。
「平均結晶粒径（μｍ）」については、光学顕微鏡（倍率×1,000）の観察により、ランダム５０結晶粒について測定した結晶粒径の平均値を平均結晶粒径（μｍ）とした。
「Ｍｏ−Ｗ薄膜の平均パーティクル数（個／ｃｍ２）」については、純銅製バッキングプレートにＩｎ系合金ろう材を用いて、ろう付けした状態で、直流マグネトロンスパッタリング装置に取り付け、スパッタガス：Ａｒ、Ａｒガス圧力：０．５Ｐａ、スパッタ出力：２ｋｗ、スパッタ時間：５分、の条件でスパッタを行い、直径２００ｍｍのＳｉウエハーの表面に全面に亘って厚さ：０．３μｍのＭｏ−Ｗ薄膜を形成した。この結果得られたＭｏ−Ｗ薄膜について、任意箇所の直径：５０ｍｍの円面積内に存在する最大径が０．５μｍ以上のパーティクル数をパーティクル発生カウンターにて測定し、５ケ所の単位面積当たりの平均値で示した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
【表１０】
2007092089.tif 000004
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
表１０に示されるスパッタリングターゲット特性の対比から、この発明のモリブデン−タングステン合金粉末１〜９（実施例１〜９）から作製したスパッタリングターゲットは、従来法１、従来法２のものと比較して、相対密度（９９．６２％以上）と抗折力（２８４ＭＰａ以上）は高く、平均結晶粒径（１８．８μｍ以下）は小さく、非常に均一かつ微細な結晶粒組織となっている。また、比抵抗（３９μΩ・ｃｍ以下）も小さく、さらに、Ｍｏ−Ｗ薄膜の平均パーティクル数も極めて小さな値（０．０３個／ｃｍ２以下）となっている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月12日(2007.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工物が、炭素を加工物表面内に拡散させる浸炭温度で浸炭用ガスと接触させられ、これにより析出炭化物の形成なしに所定厚さの硬化された表面を形成するガス浸炭により加工物を表面硬化させる方法であって、浸炭が始められた後であるが浸炭が完了するより前に浸炭が中断され、かつ加工物が加工物表面内への炭素の拡散を強化するように処理される方法。
【請求項２】
加工物の表面を炭素原子が浸透するようにするために、浸炭される加工物の表面を活性化し、次いで品物の表面内への炭素の拡散を支援するに十分であるが品物表面における析出炭化物の形成を促進する温度よりも低い浸炭温度で浸炭用ガスと加工物とを接触させることを含むステンレス鋼加工物の低温ガス浸炭のための方法であって、加工物表面により取り上げられた炭素の量で測定して、浸炭が少なくも１０％完了した後でかつ浸炭が８０％完了するより前に、浸炭が中断されそして加工物が加工物表面内への炭素原子の拡散を強化するように再活性化される方法。
【請求項３】
鉄で電気メッキされた加工物が、加工物表面内に炭素を拡散させる浸炭温度で浸炭用ガスと接触させられこれにより所定の厚さの硬化された表面を形成するガス浸炭により加工物を表面硬化する方法であって、浸炭の開始後であるが浸炭の完了前に、浸炭が中断されそして浸炭の終わりに形成された表面がパージ用ガスとの接触なしに形成された表面よりも硬いように、加工物が、本質的に不活性ガスよりなるパージ用ガスと３１６℃（６００゜Ｆ）より低いパージ温度で接触させられる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月18日(2007.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  井戸層と前記井戸層に接した障壁層とから構成されている発光層を基板上に形成した窒化物半導体発光素子であって、
前記井戸層は、Ｇａ、Ｎおよび元素Ｘから構成された窒化物半導体であるとともに、その層厚が０．４ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、
前記元素Ｘは、Ａｓ、ＰもしくはＳｂから少なくとも一つ選択される元素であって、
かつ、前記井戸層における、Ｘ／（Ｎ＋Ｘ）の原子分率は、３０％以下であり、
前記障壁層は、Ｇａ、Ｎおよび元素Ｙから構成された窒化物半導体であるとともに、その層厚が１ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、
前記元素Ｙは、Ａｓ、ＰもしくはＳｂから少なくとも一つ選択される元素である、
窒化物半導体発光素子。
【請求項２】  前記元素Ｘと前記元素Ｙが同じ元素である請求項１記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】  前記元素Ｙの添加量が１×１０16／ｃｍ3以上である請求項１または２記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】  前記基板が、窒化物半導体基板である請求項１〜３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】  前記基板が、擬似ＧａＮ基板である請求項１〜３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】  前記基板のエッチピット密度が７×１０7／ｃｍ2以下である請求項４または５記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】  前記発光層が、Ｓｉ、Ｏ、Ｓ、Ｃ、Ｇｅ、Ｚｎ、ＣｄもしくはＭｇのうち少なくとも一つの不純物を含有し、
かつ、前記不純物の添加量が、１×１０16／ｃｍ3以上１×１０20／ｃｍ3以下である請求項１記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項８】  前記井戸層の層数が１０層以下である請求項１、４または５記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項９】  請求項１〜８のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子を有し、
発振波長が３８０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下である窒化物半導体レーザ素子を用いた光ピックアップ装置。
【請求項１０】  請求項１〜８のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子を有し、
発光波長が３８０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下である発光ダイオード素子もしくはスーパールミネッセントダイオード素子を用いた白色光源装置。
【請求項１１】  請求項１〜８のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子を有するとともに、
発光波長が４５０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下である発光ダイオード素子の発光半値幅が、４０ｎｍ以下であり、かつ、エネルギー換算で０．２５ｅＶ以下である表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る窒化物半導体発光素子は、井戸層と前記井戸層に接した障壁層とから構成されている発光層を基板上に形成した窒化物半導体発光素子であって、前記井戸層は、Ｇａ、Ｎおよび元素Ｘから構成された窒化物半導体であるとともに、その層厚が０．４ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、前記元素Ｘは、Ａｓ、ＰもしくはＳｂから少なくとも一つ選択される元素であって、かつ、前記井戸層における、Ｘ／（Ｎ＋Ｘ）の原子分率は、３０％以下であり、前記障壁層は、Ｇａ、Ｎおよび元素Ｙから構成された窒化物半導体であるとともに、その層厚が１ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、前記元素Ｙは、Ａｓ、ＰもしくはＳｂから少なくとも一つ選択される元素である、窒化物半導体発光素子である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２２】
【発明の効果】
本発明に係る窒化物半導体発光素子は、井戸層と前記井戸層に接した障壁層とから構成されている発光層を基板上に形成した窒化物半導体発光素子であって、前記井戸層は、Ｇａ、Ｎおよび元素Ｘから構成された窒化物半導体であるとともに、その層厚が０．４ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、前記元素Ｘは、Ａｓ、ＰもしくはＳｂから少なくとも一つ選択される元素であって、かつ、前記井戸層における、Ｘ／（Ｎ＋Ｘ）の原子分率は、３０％以下であり、前記障壁層は、Ｇａ、Ｎおよび元素Ｙから構成された窒化物半導体であるとともに、その層厚が１ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、前記元素Ｙは、Ａｓ、ＰもしくはＳｂから少なくとも一つ選択される元素であることにより、前記井戸層と前記障壁層との間の界面急峻性が改善され、閾値電流密度が低く、あるいは発光強度の強い、窒化物半導体発光素子とその装置を提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月13日(2007.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  密封容器内にガスを封入し、前記密封容器内に配置した陽極部と陰極部との間で放電を発生させることにより、前記密封容器の光出射窓から外部に向けて所定の光を放出させるガス放電管において、
前記陽極部と前記陰極部との間に配置させて放電路を狭窄する収束開口を有すると共に、前記光出射窓に向けて広げられたカップ状のアークボール成形用凹部を有し、外部電源に接続させる収束電極部と、
前記収束電極部と前記陰極部との間に配置させると共に、前記凹部に対峙して形成した放電制限開口を有し、前記収束電極部に対して電気的に絶縁させるセラミックス製の放電制限部とを備えたことを特徴とするガス放電管。 
【請求項２】  前記放電制限開口は、前記凹部の光出射窓側の開口部分を狭めるように、前記凹部に対峙して配置させたことを特徴とする請求項１記載のガス放電管。
【請求項３】  前記放電制限開口は、前記放電制限部の本体部から前記凹部内に入り込む円筒状の突出部分によって形成させたことを特徴とする請求項１記載のガス放電管。
【請求項４】  前記放電制限開口は、前記放電制限部の本体部から前記凹部内に入り込む円錐台形状の突出部分によって形成させたことを特徴とする請求項１記載のガス放電管。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るガス放電管は、密封容器内にガスを封入し、密封容器内に配置した陽極部と陰極部との間で放電を発生させることにより、密封容器の光出射窓から外部に向けて所定の光を放出させるガス放電管において、
陽極部と陰極部との間に配置させて放電路を狭窄する収束開口を有すると共に、光出射窓に向けて広げられたカップ状のアークボール成形用凹部を有し、外部電源に接続させる収束電極部と、
収束電極部と陰極部との間に配置させると共に、凹部に対峙して形成した放電制限開口を有し、収束電極部に対して電気的に絶縁させるセラミックス製の放電制限部とを備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
高輝度な光を作り出す場合、収束電極部の収束開口を小さくすればよいという訳ではなく、小さくすればする程、ランプ始動時の放電が起き難くなる。そして、ランプの始動性を高めるためには、陰極部と陽極部との間に著しく大きな電位差を発生させる必要があり、その結果として、ランプの寿命が短くなることが実験で確かめられている。そこで、本発明のガス放電管において、収束電極部と放電制限部とを電気的に絶縁させ、放電制限部が、アークボール成形用凹部に対峙させる放電制限開口をもつことで、陰極部から凹部までの放電路の形成を確実なものとし、これに伴って、確実に始動放電を発生させることが可能になる。更に、凹部に対峙させた放電制限開口によって、ランプ点灯中においても、アークボールを適切な形状に維持し続けることができ、安定したアークボールの成形を可能にして、輝度や光量の安定化が図られる。
さらに、放電制限部は、電気絶縁性のセラミックスによって形成されている。このように放電制限部自体をセラミックスで形成することで、近接配置させる収束電極部と放電制限部との電気的絶縁を簡単に実現させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
【発明の効果】
本発明によるガス放電管は、以上のように構成されているため、次のような効果を得る。すなわち、密封容器内にガスを封入し、密封容器内に配置した陽極部と陰極部との間で放電を発生させることにより、密封容器の光出射窓から外部に向けて所定の光を放出させるガス放電管において、陽極部と陰極部との間に配置させて放電路を狭窄する収束開口を有すると共に、光出射窓に向けて広げられたカップ状のアークボール成形用凹部を有し、外部電源に接続させる収束電極部と、収束電極部と陰極部との間に配置させると共に、凹部に対峙して形成した放電制限開口を有し、収束電極部に対して電気的に絶縁させるセラミックス製の放電制限部とを備えたことにより、高輝度化を実現しつつ始動性を良好にする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月29日(2007.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  六方晶構造を有する、組成式ＬｉａＮｉ１−ｂ−ｃＣｏｂＭｎｃＯ２（ここで、１．０２≦ａ≦１．０９、０．０５≦ｂ≦０．３５、０．１５≦ｃ≦０．３５、０．２５≦ｂ＋ｃ≦０．５５）で表されるリチウムニッケル複合酸化物であって、ＣｕＫα線によるＸ線回折で（０１２）面の回折ピーク強度Ｉ０１２と（００６面）の回折ピーク強度Ｉ００６との合計強度の、（１０１）面の回折ピーク強度Ｉ１０１に対する強度比Ｒ［＝（Ｉ０１２＋Ｉ００６）／Ｉ１０１］が０．４２〜０．５０の範囲にあり、平均粒子径Ｄ５０が４〜２５μｍの範囲にあり、ＢＥＴ表面積が０．２〜１．５ｍ２／ｇの範囲にあることを特徴とする非水電解質二次電池用正極活物質。
【請求項２】  少なくとも上記請求項１記載の非水電解質二次電池用正極活物質を含む、一種以上の正極活物質からなる正極を用いることを特徴とする非水電解質二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明では、前記正極活物質を、好ましくは組成式ＬｉａＮｉ１−ｂ−ｃＣｏｂＭｎｃＯ２（１．０２≦ａ≦１．０９、０．０５≦ｂ≦０．２５、０．２≦ｃ≦０．３５、０．２５≦ｂ＋ｃ≦０．５５）で表されるものとすることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の前記正極活物質のリチウムニッケル複合酸化物において、Ｍｎ置換量をより適正な範囲で調整することにより、あまり容量密度を低下させずに、熱安定性の高い正極活物質とすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【発明の実施の形態】
また、請求項２に係る発明では、非水電解質二次電池の正極に、少なくとも上記請求項１記載の非水電解質二次電池用正極活物質を含む、一種以上の正極活物質を用いることを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項２の発明によれば、上記の正極活物質を用いることにより、充放電サイクル特性を向上させるとともに、安全性を飛躍的に向上させた非水電解質二次電池を提供することができるようになる。そして、上記の正極活物質に他の活物質を加えて用いても、当然のことながら、上記の正極活物質の効果が発揮されるため、同様の優れた特性を持つ非水電解質二次電池を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月10日(2007.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  スピネル構造のマンガン酸リチウムを正極活物質として備えた非水電解質二次電池であって、前記マンガン酸リチウムの（４４０）面に対応する反射Ｘ線回折での反射ピークの半価幅Ｂが、Ｂ≦０．１４５であり、（３１１）、（４００）、（１１１）面に対応する反射Ｘ線回折での反射ピークの強度比が、（３１１）／（１１１）≧０．４５、かつ（４００）／（１１１）≧０．５５、かつ（４００）／（３１１）≧１．１０であることを特徴とする非水電解質二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本願発明は、スピネル構造のマンガン酸リチウムを正極活物質として備えた非水電解質二次電池であって、前記マンガン酸リチウムの（４４０）面に対応する反射Ｘ線回折での反射ピークの半価幅Ｂが、Ｂ≦０．１４５であり、（３１１）、（４００）、（１１１）面に対応する反射Ｘ線回折での反射ピークの強度比が、（３１１）／（１１１）≧０．４５、かつ（４００）／（１１１）≧０．５５、かつ（４００）／（３１１）≧１．１０であることを特徴とする非水電解質二次電池である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本願発明は、スピネル構造のマンガン酸リチウムのサイクル寿命の悪さ、高温でのより一層のサイクル寿命の低下、高温放置時の容量低下の原因が、マンガン酸リチウムのある種の結晶性の悪さにあることを見出すことにより成されたものであり、スピネル構造の結晶の（４４０）面に現れる結晶性を制御することで上記性能を改善することができることを見出すことにより成されたものである。そして、マンガン酸リチウムの（４４０）面に対応する反射Ｘ線回折での反射ピークの半価幅Ｂが、Ｂ≦０．１４５を満たし、（３１１）、（４００）、（１１１）面に対応する反射Ｘ線回折での反射ピークの強度比が、（３１１）／（１１１）≧０．４５、かつ（４００）／（１１１）≧０．５５、かつ（４００）／（３１１）≧１．１０であるスピネル構造マンガン酸リチウムを正極活物質として用いて非水電解質二次電池を作製することにより、室温および高温でのサイクル寿命が良好で、高温放置による容量の低下の少ない二次電池を得ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明において、スピネル構造のマンガン酸リチウムの（３１１）、（４００）、（１１１）面に対応する反射Ｘ線回折での反射ピークの強度比が、（３１１）／（１１１）≧０．４５、かつ（４００）／（１１１）≧０．５５、かつ（４００）／（３１１）≧１．１０となるようにすることにより、高温でのサイクル寿命または高温放置での容量保持率のより優れた電池とすることができる。さらに、このような特徴を有するマンガン酸リチウムの粉末を用いて正極を作製することにより、正極内でのマンガン酸リチウムの結晶配置を等方的にすることができ、充放電に伴うイオンの移動が円滑になって、高率充放電特性の良好な電池が得られる。なお、上記特定の強度比に加えて、マンガン酸リチウム粒子を球状、楕円球状等の表面が曲面で形成された略球状とすることにより、より等方的な配置が可能となるので、好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
リチウム原料としてＬｉＯＨを、リチウム原料と添加物のアルミニウムの原料としてＬｉＡｌＯ２を、マンガン原料としてＭｎＯ２を使用し、化学式がＬｉ１．１Ａｌ０．０５Ｍｎ１．８５Ｏ４となるように、Ｌｉ：Ａｌ：Ｍｎの比が１．１：０．０５：１．８５になるように混合し、少量の水を加えて、粉体用ミキサーで混合した。ＭｎＯ２としては、平均粒径４μｍ以下に粉砕した電解二酸化マンガンを使用した。この混合物を空気雰囲気中で、８６０℃で１０時間加熱し、焼結物を得た。その後、この焼結物を平均粒子径１５μｍに粉砕した。この工程までで得られたマンガン酸リチウム粉体を比較例試料Ｄとした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
次に、粉砕して平均粒子径１５μｍにした材料を空気中、６００℃でさらに１０時間熱処理し、２０時間以上かけて８０℃以下の温度まで、徐冷した。この工程までで得られたマンガン酸リチウム粉体を本実施例試料Ａとした。また、上記６００℃での１０時間の熱処理を、５００℃での１０時間の熱処理として得られたマンガン酸リチウム粉体を比較例試料Ｃとした。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
原料のＭｎＯ２として、化学合成二酸化マンガンを使用した以外は上記と同じにして、比較例試料Ｅと実施例試料Ｂを作製した。化学合成二酸化マンガンは硫酸マンガンや炭酸マンガンのようなマンガン塩を過塩素酸ナトリウムや過塩素酸カリウム等の酸化剤で酸化して合成するもので、粒径のそろった二酸化マンガンを得ることができる。平均粒径２μｍの化学合成二酸化マンガンを使用して、上記と同じ組成とした混合物を上記と同じ条件で焼成し、これを粉砕して、平均粒子径１５μｍの比較例試料Ｅを得た。さらに、上記試料Ａ同様に、これにさらに熱処理を加えることで、実施例試料Ｂを得た。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
【表１】
2002151070.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
【表２】
2002151070.tif 000002
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
Ｂ≦０．１４５を満たす実施例試料Ａ、Ｂおよび比較例試料Ｃを用いた電池では、比較例試料Ｄ、Ｅを用いた電池に比べて、高温サイクル寿命特性を示す容量保持率、高温放置特性を示す回復放電容量保持率のいずれもが優れていることが判り、特に、高温サイクル寿命特性を示す容量保持率が格段に良くなることがわかる。さらに、実施例試料Ａ、Ｂおよび比較例試料Ｃの中でも、マンガン酸リチウムの（３１１）、（４００）、（１１１）面に対応する反射Ｘ線回折での反射ピークの強度比が、（３１１）／（１１１）≧０．４５、かつ（４００）／（１１１）≧０．５５、かつ（４００）／（３１１）≧１．１０となっている実施例試料Ａ、Ｂを用いた電池の方が、比較例試料Ｃを用いた電池よりも、容量保持率、回復放電容量保持率共により一段と優れていることが判る。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月8日(2007.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】投影露光装置、投影露光方法およびデバイス製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    
【請求項１】第一の基板上のパターンを投影光学系を介して第二の基板上に投影露光する装置において、前記第一の基板と前記投影光学系を介して前記第二の基板の位置を検出する検出光学系と、前記第一の基板の前記投影光学系の光軸方向の位置を検出する検出光学系とを具備し、前記第一の基板と前記第二の基板の検出結果に基づいて、前記第一の基板を前記第二の基板上に投影露光する際のフォーカス位置の制御を行う手段を有することを特徴とする投影露光装置。
【請求項２】 前記第一の基板の位置を検出する検出光学系において、この検出光学系内のレンズを光軸方向に逐次移動させることで、この光学系内の位置検出センサ上の結像状態を変えることを特徴とする、請求項１に記載の投影露光装置。
【請求項３】 前記第二の基板の位置を検出する検出光学系において、前記第二の基板の前記投影光学系の光軸方向の位置を逐次移動させることで、この検出光学系内の位置検出センサ上の結像状態を変えることを特徴とする、請求項１または２に記載の投影露光装置。
【請求項４】 前記第一の基板の位置を検出する検出光学系と、前記第二の基板の位置を検出する検出光学系との、少なくとも一部は同一の光学系からなり、且つ前記第一の基板上と第二の基板上には、フォーカス検出のための専用マークがあって、前記第一の基板と前記投影光学系を介して前記第二の基板の位置を検出する検出光学系内の位置検出センサ上には、前記第一の基板上の専用マークと前記第二の基板上の専用マークが結像することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の投影露光装置。
【請求項５】 前記第一の基板と第二の基板の位置を検出する検出光学系は、前記投影光学系の光軸方向の位置計測を行うとともに光軸に直交した方向の位置計測も行うことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項記載の投影露光装置。
【請求項６】 前記第一の基板上の周辺領域にあるアライメントマークを使用して前記投影光学系の光軸方向の位置を検出し、前記第一の基板上にある窓抜き部を通して前記第二の基板上にあるフォーカス専用マークを計測することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の投影露光装置。
【請求項７】 前記第一の基板の位置を検出する光学系の少なくとも１部は、装置上に保持された基準マークと前記第一の基板とを位置合わせするためのアライメント用の光学系であり、前記第二の基板の位置を検出する光学系は、これとは別の光学系を別個に持つことを特徴とする、請求項６記載の投影露光装置。
【請求項８】 第一の基板上のパターンを投影光学系を介して第二の基板上に投影露光する方法において、前記第一の基板の前記投影光学系の光軸方向の位置を検出光学系により検出する第一工程と、前記第一の基板と前記投影光学系を介して前記第二の基板の位置を前記検出光学系により検出する第二工程と、両基板の検出結果に基づいて、前記第一の基板を前記第二の基板上に投影露光する際のフォーカス位置の制御を行う第三工程を有することを特徴とする投影露光方法。
【請求項９】 前記第一工程は、前記検出光学系による前記第一基板上のパターンに対するフォーカス計測後、前記検出光学系内の位置センサのピントを第一基板上のパターンに対して合焦することを特徴とする請求項８に記載の投影露光方法。
【請求項１０】 前記第一の基板が交換された直後は、前記第一工程、前記第二工程、前記第三工程という手順を踏んで前記第一の基板上のパターンを前記第二の基板上に投影露光することを特徴とする請求項８または９に記載の投影露光方法。
【請求項１１】 ある決められた時間または前記第二の基板の枚数に依存して、前記第一工程または前記第一および第二工程を共に行わないで、前記第二基板上に投影露光する際のフォーカス位置の制御を、直前の第二基板に対するフォーカス位置に基づいて行うことを特徴とする請求項１０に記載の投影露光方法。
【請求項１２】請求項８から１１のいずれか１項記載の投影露光方法により第一の基板上のパターンを第二の基板上に投影露光する工程と、該投影露光した前記第二の基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達成するため、本発明による投影露光装置は、第一の基板上のパターンを投影光学系を介して第二の基板上に投影露光する装置において、前記第一の基板と前記投影光学系を介して前記第二の基板の位置を検出する検出光学系と、前記第一の基板の前記投影光学系の光軸方向の位置を検出する検出光学系とを具備し、前記第一の基板と前記第二の基板の検出結果に基づいて、前記第一の基板を前記第二の基板上に投影露光する際のフォーカス位置の制御を行う手段を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また本発明による投影露光方法は、第一の基板上のパターンを投影光学系を介して第二の基板上に投影露光する方法において、前記第一の基板の前記投影光学系の光軸方向の位置を検出光学系により検出する第一工程と、前記第一の基板と前記投影光学系を介して前記第二の基板の位置を前記検出光学系により検出する第二工程と、両基板の検出結果に基づいて、前記第一の基板を前記第二の基板上に投影露光する際のフォーカス位置の制御を行う第三工程を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月6日(2007.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極、負極、並びに、リチウム塩を非プロトン性の有機溶媒に溶解した溶液を含む電解液を備えた有機電解質電池において、負極がリチウムを可逆的に坦持し得る負極材であって、ガスケットがポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド又はフッ素樹脂からなり、かつ電解液の上記非プロトン性の有機溶媒がプロピレンカーボネート、電解質のリチウム塩が有機含フッ素リチウム塩であることを特徴とする有機電解質電池。
【請求項２】
負極材が芳香族系縮合ポリマーの熱処理物であって水素原子／炭素原子の原子比が５０〜０．０５であるポリアセン系骨格構造を含有する不溶不融性基体と熱硬化性樹脂とを含有する成形体又は該成形体の熱処理物であることを特徴とする請求項１記載の有機電解質電池。
【請求項３】
負極中に坦持されるリチウム量がモル百分率で表して、４０％以上であることを特徴とする請求項２記載の有機電解質電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
かかる状況下、特開平８−１７４７０号公報、及び特開平８−３０６３８４号公報には、ポリアセン系骨格構造を有する有機半導体を正極及び、負極とし、非プロトン性有機溶媒溶液を電解液とする有機電解質電池が開示されている。該電池に用いられる電極は熱縮合反応により得られるポリアセン系骨格構造を有する有機半導体からなり優れた耐熱性を有している。また、該電池においてはガスケットの材質として従来のポリプロピレンに代え、耐熱性に優れ、かつ耐薬品性、耐クリープ性、弾力性にも優れたポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド又はフッ素樹脂を用いることにより、大幅に耐熱性を向上させリフローハンダ付を可能にしている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記不溶不融性基体はＸ線回折（ＣｕＫα）によれば、メインピークの位置は２θで表
して２４°以下に存在し、また該メインピークの４１〜４６°の間にブロードな他のピークが存在する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明の電池を構成するガスケットは、特開平８−１７４７０号公報、及び特開平８−３０６３８４号公報に記載の通り、リフローハンダ付に対応させるにあたり、重要な部材の一つであり、その材質としてはポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド又はフッ素樹脂を用いている。これらの樹脂は融点が２５０℃〜３３０℃と非常に高く、鉛フリーハンダに対応したリフローハンダ付に充分耐え得る耐熱性を有している。また、これら樹脂は耐薬品性、耐クリープ性、弾力性に優れ、かつ成形性をも持ち合わせており、電池のガスケット材料として適している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
（比較例２）
電解液として１モル／ＬｉＣＦ3ＳＯ3−エチレンカーボネート／γ−ブチロラ
クトンの１：１混合溶媒溶液を用いた以外は実施例１と同様に電池組立を行なっ
た。リフローハンダ付処理を行なった場合と未処理の場合の初期容量、交流内部
抵抗を表１、サイクル試験、高温負荷試験の結果を表２、表３に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月29日(2007.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  グリコールを電気化学的に酸化することを特徴とする燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明において、燃料電池が固体高分子形燃料電池であることが好ましい。固体高分子形燃料電池とした場合、小型で軽量の燃料電池が得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明において、グリコールが、プロピレングリコールまたはエチレングリコールの少なくともひとつであることが好ましい。プロピレングリコールまたはエチレングリコールは沸点が高いために取り扱いが容易で、しかも発電効率の高い燃料電池が得られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の燃料電池を用いた発電システムにおいて、燃料としてグリコールを含む溶液を用い、それを燃料電池に直接供給することが好ましい。そのことにより、優れた特性を示す発電システムを得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月14日(2007.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  水平方向及び垂直方向に複数配列された画素と、
前記垂直方向の複数の画素毎に共通に接続される複数の垂直出力線と、
１つの垂直出力線毎に複数設けられた保持容量とを有し、
前記１つの垂直出力線毎の複数の保持容量を垂直方向に配置したことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】  水平方向及び垂直方向に複数配列された画素を有する画素領域と、
前記垂直方向の複数の画素毎に共通に接続される複数の垂直出力線と、
１つの垂直出力線毎に複数設けられた前記垂直出力線の信号を保持する保持容量と、
前記垂直信号線の信号が読み出される水平出力線と、
を有する固体撮像装置において、
前記水平出力線は、前記画素領域を挟んで対向配置された第１及び第２の水平出力線を有し、
前記複数の垂直信号線は、前記第１の水平出力線に信号を読み出す第１の垂直信号線群と、前記第２の水平出力線に信号を読み出す第２の垂直出力線群とを有し、
前記複数の保持容量の短手方向の長さを、水平方向の画素ピッチよりも長く、前記水平方向の画素ピッチの２倍よりも短くすることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】  前記垂直出力線毎に設けられた複数の保持容量は、ノイズ信号を保持する第１の保持容量と、光電変換によって生じる信号を保持する第２の保持容量を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】  前記保持容量は、ＭＯＳトランジスタ又は平行板容量を用いて形成することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の固体撮像装置。
【請求項５】  前記各画素には、色分解フィルタが設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載の固体撮像装置。
【請求項６】  前記各画素には、Ｒ，Ｇ，Ｂ色分解フィルタのいずれかが設けられ、前記各分解フィルタは、ＲフィルタとＢフィルタとが対角に配置され、２つのＧフィルタが対角に配置されることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項記載の固体撮像装置。
【請求項７】  請求項１から６のいずれか１項記載の固体撮像装置と、前記固体撮像装置へ光を結像する光学系と、前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを有することを特徴とする固体撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、水平方向及び垂直方向に複数配列された画素と、前記垂直方向の複数の画素毎に共通に接続される複数の垂直出力線と、１つの垂直出力線毎に複数設けられた保持容量とを有し、前記１つの垂直出力線毎の複数の保持容量を垂直方向に配置したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明は、水平方向及び垂直方向に複数配列された画素を有する画素領域と、前記垂直方向の複数の画素毎に共通に接続される複数の垂直出力線と、１つの垂直出力線毎に複数設けられた前記垂直出力線の信号を保持する保持容量と、前記垂直信号線の信号が読み出される水平出力線と、を有する固体撮像装置において、前記水平出力線は、前記画素領域を挟んで対向配置された第１及び第２の水平出力線を有し、前記複数の垂直信号線は、前記第１の水平出力線に信号を読み出す第１の垂直信号線群と、前記第２の水平出力線に信号を読み出す第２の垂直出力線群とを有し、前記複数の保持容量の短手方向の長さを、水平方向の画素ピッチよりも長く、前記水平方向の画素ピッチの２倍よりも短くすることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月4日(2007.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐチャネル型ＴＦＴと、ｎチャネル型ＴＦＴとを有し、
前記ｐチャネル型ＴＦＴと前記ｎチャネル型ＴＦＴとはそれぞれ、絶縁表面上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含み、
前記ｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極は、第１の幅を有する第１の導電層を下層とし、前記第１の幅より狭い第２の幅を有する第２の導電層を上層とする積層構造であり、
前記ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極は、第３の幅を有する第３の導電層を下層とし、前記第３の幅と同一の幅を有する第４の導電層を上層とする積層構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ｐチャネル型ＴＦＴと、ｎチャネル型ＴＦＴとを有し、
前記ｐチャネル型ＴＦＴと前記ｎチャネル型ＴＦＴとはそれぞれ、絶縁表面上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含み、
前記ｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極は、第１の幅を有する第１の導電層を下層とし、前記第１の幅より狭い第２の幅を有する第２の導電層を上層とする積層構造であり、
前記ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極は、第３の幅を有する第３の導電層を下層とし、前記第３の幅と同一の幅を有する第４の導電層を上層とする積層構造であり、
前記ｎチャネル型ＴＦＴにおける前記第１の導電層の端部における断面形状は、テーパー形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ｐチャネル型ＴＦＴと、ｎチャネル型ＴＦＴとを有し、
前記ｐチャネル型ＴＦＴと前記ｎチャネル型ＴＦＴとはそれぞれ、絶縁表面上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含み、
前記ｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極は、第１の幅を有する第１の導電層を下層とし、前記第１の幅より狭い第２の幅を有する第２の導電層を上層とする積層構造であり、
前記ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極は、第３の幅を有する第３の導電層を下層とし、前記第３の幅と同一の幅を有する第４の導電層を上層とする積層構造であり、
前記ｎチャネル型ＴＦＴにおける前記第１の導電層の端部における断面形状及び前記第２の導電層の端部における断面形状は、テーパー形状であり、
前記ｎチャネル型ＴＦＴにおける前記第２の導電層の端部における断面のテーパー形状のテーパー角は、前記第１の導電層の端部における断面のテーパー形状のテーパー角よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記ｎチャネル型ＴＦＴは、前記第２の導電層と重なるチャネル形成領域と、前記第１の導電層と重なり前記第２の導電層と重ならない第１の不純物領域と、前記第１の導電層及び前記第２の導電層と重ならない第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域はＬＤＤ領域であり、前記第２の不純物領域はソース領域及びドレイン領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記ｎチャネル型ＴＦＴは、前記第２の導電層と重なるチャネル形成領域と、前記第１の導電層と重なり前記第２の導電層と重ならない第１の不純物領域と、前記第１の導電層及び前記第２の導電層と重ならない第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域はＬＤＤ領域であり、前記第２の不純物領域はソース領域及びドレイン領域であり、
前記第１の不純物領域は前記チャネル形成領域からの距離が増大するとともにｎ型を付与する不純物元素の濃度が増加する領域を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項２または請求項３において、
前記ｎチャネル型ＴＦＴは、前記第２の導電層と重なるチャネル形成領域と、前記第１の導電層と重なり前記第２の導電層と重ならない第１の不純物領域と、前記第１の導電層及び前記第２の導電層と重ならない第２の不純物領域とを有し、前記第１の不純物領域はＬＤＤ領域であり、前記第２の不純物領域はソース領域及びドレイン領域であり、
前記第１の不純物領域は、前記チャネル形成領域からの距離が増大するとともにｎ型を付与する不純物元素の濃度が増加する領域を含み、
当該領域は、前記第１の導電層の端部を介してｎ型を付与する不純物元素を添加することによって形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
画素部と、駆動回路とを有し、
前記画素部は前記ｐチャネル型ＴＦＴを有し、
前記駆動回路部は前記ｐチャネル型ＴＦＴと前記ｎチャネル型ＴＦＴとを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載された半導体装置とは、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ナビゲーションシステム、パーソナルコンピュータ、携帯型情報端末、デジタルビデオディスクプレーヤー、または電子遊技機器であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月6日(2007.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板の防湿方法において、
前記基板上にハンダペーストを塗布するステップと、
前記ハンダペースト上に部品を配置するステップと、
前記部品が配置された基板上に防湿コーティング剤を塗布するステップと、
前記防湿コーティング剤が塗布された基板をリフロー炉内で加熱することによって、配置された前記部品のハンダ付けと前記防湿コーティング剤の乾燥を行うステップとを有することを特徴とする基板の防湿方法。
【請求項２】  基板の防湿方法において、
前記基板上に部品を配置するステップと、
前記部品が配置された基板上に防湿コーティング剤を塗布するステップと、
前記防湿コーティング剤が塗布された基板をハンダ噴流に接触させることによって、配置された前記部品のハンダ付けと前記防湿コーティングの乾燥を行うステップとを有することを特徴とする基板の防湿方法。
【請求項３】  基板の防湿方法において、
前記基板上に部品を仮止めするための接着剤を塗布するステップと、
前記接着剤が塗布された箇所に部品を配置するステップと、
前記部品が配置された前記基板を、前記接着剤を硬化させるために加熱するステップと、
前記部品が仮止めされた前記基板に防湿コーティング剤を塗布するステップと、
前記防湿コーティング剤が塗布された基板をハンダ噴流に接触させることによって、仮止めされた前記部品のハンダ付けと前記防湿コーティングの乾燥を行うステップとを有することを特徴とする基板の防湿方法。
【請求項４】  基板の防湿方法において、
前記基板上に部品を仮止めするための接着剤を塗布するステップと、
前記接着剤が塗布された箇所に部品を配置するステップと、
前記部品が仮止めされた前記基板に防湿コーティング剤を塗布するステップと、
前記防湿コーティング剤が塗布された基板を接着剤硬化炉内で加熱することによって、前記接着剤の硬化と前記防湿コーティングの乾燥とを行うステップとを有することを特徴とする基板の防湿方法。