Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月26日(2007.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自車両の車高をもとに自車両の走行を支援する車両走行支援装置であって、
前記自車両におけるタイヤの接地面から車体までの高さ情報を取得する第一の高さ情報取得手段と、
前記自車両の車上に存在する物体の高さ情報を、
自車両に設置されたカメラ、他車両に設置されたカメラ、路側に設置されたカメラの何れかによって取得する第二の高さ情報取得手段と、
前記第一の高さ情報取得手段によって取得された自車両におけるタイヤの接地面から車体までの高さ情報および前記第二の高さ情報取得手段によって取得された自車両の車上に存在する物体の高さ情報に基づいて自車両の走行を支援する車両走行支援手段と、
を備えたことを特徴とする車両走行支援装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、請求項１の発明に係る車両走行支援装置は、自車両の車高をもとに自車両の走行を支援する車両走行支援装置であって、前記自車両におけるタイヤの接地面から車体までの高さ情報を取得する第一の高さ情報取得手段と、前記自車両の車上に存在する物体の高さ情報を、自車両に設置されたカメラ、他車両に設置されたカメラ、路側に設置されたカメラの何れかによって取得する第二の高さ情報取得手段と、前記第一の高さ情報取得手段によって取得された自車両におけるタイヤの接地面から車体までの高さ情報および前記第二の高さ情報取得手段によって取得された自車両の車上に存在する物体の高さ情報に基づいて自車両の走行を支援する車両走行支援手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月11日(2007.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を有する回路がそれぞれ設けられた複数のガラス基板と、
前記複数のガラス基板の少なくとも１つに設けられた複数の画素を有する画素部と、
前記複数の各ガラス基板に設けられた発光素子又は受光素子と、を有し、
前記発光素子は、一対の電極間に設けられた電界発光層を有し、前記電界発光層は電流を流すことによりレーザ光が発振されるような発光可能な複数の層からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体素子を有する回路がそれぞれ設けられた複数のガラス基板と、
前記複数のガラス基板の少なくとも１つに設けられた複数の画素を有する画素部と、
前記複数の各ガラス基板に設けられた発光素子又は受光素子と、を有し、
前記発光素子は、一対の電極間に設けられた電界発光層を有し、前記電界発光層は電流を流すことによりレーザ光が発振されるような発光可能な複数の層からなり、
前記発光素子から発振された前記レーザ光を用いて光信号を生成し、前記光信号を前記受光素子において電気信号に変換することで、前記複数のガラス基板に設けられた前記各回路と前記画素部と間の信号の伝送が行なわれることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体素子を有する回路がそれぞれ設けられた複数のガラス基板と、
前記複数のガラス基板の少なくとも１つに設けられた複数の画素を有する画素部と、
前記複数の各ガラス基板に設けられた発光素子又は受光素子と、を有し、
前記発光素子は、一対の電極間に設けられた電界発光層を有し、前記電界発光層は電流を流すことによりレーザ光が発振されるような発光可能な複数の層からなり、
前記複数のガラス基板のうち、前記画素部が設けられたガラス基板以外のいずれか１つのガラス基板において、前記半導体素子を有する回路から出力された第１の電気信号が前記発光素子によって前記レーザ光からなる光信号に変換され、
前記画素部が設けられたガラス基板において、前記光信号が前記受光素子において第２の電気信号に変換され、前記第２の電気信号により前記画素部に画像が表示されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２又は３において、
前記光信号が入力される制御信号用光入力部と、
前記制御信号用光入力部によって前記光信号から変換された電気信号が入力される信号線駆動回路又は走査線駆動回路とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記受光素子を有する映像信号用光入力部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記一対の電極は金属を含み、なおかつ前記発光素子からの光を反射し、
前記一対の電極のいずれか一方に設けられた開口部から放射される前記光を用いて、前記光信号が生成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記電界発光層は発光層を有しており、前記発光層にドーパントとして金属錯体が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記電界発光層は発光層と、ホール輸送層とを有しており、前記発光層のホスト材料がＣＢＰであり、前記ホール輸送層の材料がα−ＮＰＤであることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記電界発光層には複数の回折格子が設けられており、前記回折格子間の間隔が、前記電界発光層において生じる光の波長の半分、または前記波長の半分の整数倍であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９において、前記レーザ光が、前記電界発光層の端面より発振することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９において、前記レーザ光が、電流注入方向とは交差する方向から発振することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記電界発光層の厚さは、前記電界発光層において生じる光の波長の半分、または前記波長の半分の整数倍であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
電流励起によって前記一対の電極間に設けられた電界発光層よりレーザ光が発振されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月2日(2007.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード電極と、透明なカソード電極と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に介在された光電気的に活性な領域とを備えるオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、
前記カソード電極は、
仕事関数が３．５ｅＶ以下である材料を含有する第１層と、
前記第１層よりも光電気的に活性な前記領域から離間し、前記第１層とは組成が異なりかつ仕事関数が３．５ｅＶ以下である別の材料を含有する第２層と、
前記第１層よりも光電気的に活性な前記領域から離間し、かつ仕事関数が３．５ｅＶ以上の材料を含有する第３層と、
を有することを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項２】
請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第１層および前記第２層のうちの一方が、１族に属する金属、２族に属する金属、または遷移金属の群から選択された金属の化合物からなることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項３】
請求項２記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記化合物がハロゲン化合物であることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項４】
請求項２記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記化合物がフッ化物であることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項５】
請求項２記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記金属が１族に属する金属又は２族に属する金属であることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項６】
請求項５記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記金属がリチウムであることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項７】
請求項２記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第１層が、１族に属する金属、２族に属する金属、または遷移金属の群から選択された金属の化合物からなることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項８】
請求項２記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第２層が、１族に属する金属、２族に属する金属、または遷移金属の群から選択された金属の化合物からなることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項９】
請求項２記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第１層および前記第２層のうちの残余の一方が金属からなることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１０】
請求項９記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第１層および前記第２層のうちの残余の一方がＬｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｅｕ、Ｒｂ、Ｋ、Ｙ、Ｎａ、Ｓｍ、Ｓｒ、Ｔｂ、およびＹｂからなる群より選択された金属を含有することを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１１】
請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第２層が前記第１層よりも厚いことを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１２】
請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第２層の厚さが１００Åを超えることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１３】
請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第１層に含まれる材料は、前記第２層に含まれる材料と比較して高い仕事関数を有することを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１４】
請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第３層の厚さが１０００Åを超えることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１５】
請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、仕事関数が３．５ｅＶ以上の前記材料が１０5（Ω・ｃｍ）-1を超える導電率を有することを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１６】
請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、仕事関数が３．５ｅＶ以上の前記材料がアルミニウム、金またはインジウムスズ酸化物であることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１７】
請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、光電気的に活性な前記領域が発光性を有することを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１８】
請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、光電気的に活性な前記領域が発光性有機材料を含有することを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１９】
請求項１８記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記発光性有機材料が高分子材料であることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項２０】
請求項１９記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記発光性有機材料が共役高分子材料であることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項２１】
請求項１８記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記発光性有機材料と前記アノード電極または前記カソード電極の少なくともいずれか一方との間に電荷輸送層を介在したことを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項２２】
請求項４記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記金属が１族に属する金属又は２族に属する金属であることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項２３】
請求項２２記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記金属がリチウムであることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項２４】
請求項４記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第１層が、１族に属する金属、２族に属する金属、または遷移金属の群から選択された金属の化合物からなることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項２５】
請求項４記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第２層が、１族に属する金属、２族に属する金属、または遷移金属の群から選択された金属の化合物からなることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項２６】
請求項４記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第１層および前記第２層のうちの残余の一方が金属からなることを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項２７】
請求項２６記載のオプトエレクトロニクスデバイスにおいて、前記第１層および前記第２層のうちの残余の一方がＬｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｅｕ、Ｒｂ、Ｋ、Ｙ、Ｎａ、Ｓｍ、Ｓｒ、Ｔｂ、およびＹｂからなる群より選択された金属を含有することを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項２８】
アノード電極を成膜する工程と、
前記アノード電極上に光電気的に活性な材料の領域を成膜する工程と、
光電気的に活性な材料の前記領域上に、仕事関数が３．５ｅＶ以下の材料を成膜して第１透明カソード電極層を形成する工程と、
前記第１透明カソード電極層上に、前記第１透明カソード電極に含有される材料とは別の材料でありかつ仕事関数が３．５ｅＶ以下のものを成膜して、前記第１透明カソード電極層とは組成が異なる第２透明カソード電極層を形成する工程と、
前記第２透明カソード電極層上に、仕事関数が３．５ｅＶ以上の材料を成膜して第３透明カソード電極層を形成する工程と、
を有することを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月14日(2007.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
曲げ弾性率１．０×１０１〜６．０×１０３ＭＰａ、曲げ歪１％以上である性質を有する低弾性率層（Ａ）と、曲げ弾性率６．０×１０３ＭＰａを超える性質を有する高弾性率層（Ｂ）との少なくとも２層を含む燃料電池用セパレータであって、片面または両面の表面層が低弾性率層（Ａ）であり、（Ａ）層以外の少なくとも１層が高弾性率層（Ｂ）である、燃料電池用セパレータ。
【請求項２】
Ａ層の厚さが０．５ｍｍ以下であり、Ｂ層の厚さが０．０５〜２ｍｍである請求項１記載の燃料電池用セパレータ。
【請求項３】
層構成がＡ層／Ｂ層／Ａ層からなり、全厚さが０．２〜３ｍｍであり、Ａ層とＢ層の厚さ比Ａ／Ｂが０．００１〜１である請求項１または請求項２に記載の燃料電池用セパレータ。
【請求項４】
Ａ層および／またはＢ層が（ａ）樹脂組成物バインダー４０〜２質量％と、（ｂ）導電性物質６０〜９８質量％を含む導電性樹脂複合材料である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の燃料電池用セパレータ。
【請求項５】
Ａ層の（ａ）成分はエラストマー２０〜９９質量％を含む２成分以上の熱可塑性または熱硬化性の樹脂組成物からなり、Ｂ層の（ａ）成分は１００℃以上の融点を持つ結晶性ポリマーおよび／または１００℃以上のガラス転移点を持つ非晶性ポリマーを少なくとも１種含む熱可塑性または熱硬化性の樹脂組成物である請求項４記載の燃料電池用セパレータ。
【請求項６】
Ａ層およびＢ層を構成する（ａ）成分中に少なくとも１種の同種ポリマーあるいは相容性ポリマー対となる成分を含むことを特徴とする請求項４記載の燃料電池用セパレータ。
【請求項７】
（ａ）成分がフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ビニルエステル樹脂、アリルエステル樹脂、１，２−ポリブタジエンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含む組成物である請求項４または５に記載の燃料電池用セパレータ。
【請求項８】
（ａ）成分がポリオレフィン、ポリフェニルスルフィド、フッ素樹脂、ポリアミド、ポリアセタールからなる群から選ばれる少なくとも１種の樹脂組成物である請求項４または５に記載の燃料電池用セパレータ。
【請求項９】
（ａ）成分が水添スチレンブタジエンラバー、スチレン・エチレンブチレン・スチレン  ブロックコポリマー、スチレン・エチレンプロピレン・スチレン  ブロックコポリマー、オレフィン結晶・エチレンブチレン・オレフィン結晶  ブロックコポリマー、スチレン・エチレンブチレン・オレフィン結晶  ブロックコポリマー、スチレン・イソプレン・スチレン  ブロックコポリマー及びスチレン・ブタジエン・スチレン  ブロックコポリマーからなる群から選ばれる少なくとも１種類と、ポリオレフィンの組成物を含むことを特徴とする請求項４に記載の燃料電池用セパレータ。
【請求項１０】
（ａ）成分がポリ弗化ビニリデンと、軟質アクリル樹脂とを含むことを特徴とする請求項４記載の燃料電池用セパレータ。
【請求項１１】
（ｂ）成分が金属材料、炭素質材料、導電性高分子、金属被覆フィラーおよび金属酸化物からなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項４ないし１０のいずれか１項に記載の燃料電池用セパレータ。
【請求項１２】
（ｂ）成分が０．０５〜５質量％のホウ素を含む炭素質材料であることを特徴とする請求項４ないし１０のいずれか１項に記載の燃料電池用セパレータ。
【請求項１３】
（ｂ）成分中に気相法炭素繊維および／またはカーボンナノチューブを０．１〜５０質量％含むことを特徴とする請求項４ないし１２のいずれかに記載の燃料電池用セパレータ。
【請求項１４】
気相法炭素繊維、またはカーボンナノチューブが０．０５〜５質量％のホウ素を含むことを特徴とする請求項１３に記載の燃料電池用セパレータ。
【請求項１５】
シート状に成形された低弾性率層（Ａ）と高弾性率層（Ｂ）を、ロール圧延成形、圧縮成形またはスタンピング成形の中から少なくとも１種の成形法を用いて積層し、かつ、積層体の両面に溝を形成することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の燃料電池用セパレータの製造方法。
【請求項１６】
低弾性率層（Ａ）と高弾性率層（Ｂ）を多層押出成形、多層射出成形、圧縮成形またはロール圧延の中から少なくとも１種の成形法を用いてシート状の積層体に成形し、一体化されたシートを圧縮成形、またはスタンピング成形いずれかの方法によって積層体の両面に溝を形成することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の燃料電池用セパレータの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
［１］  曲げ弾性率１．０×１０1〜６．０×１０3ＭＰａ、曲げ歪１％以上である性質を有する低弾性率層（Ａ）と、曲げ弾性率６．０×１０3ＭＰａを超える性質を有する高弾性率層（Ｂ）との少なくとも２層を含む燃料電池用セパレータであって、片面または両面の表面層が低弾性率層（Ａ）であり、（Ａ）層以外の少なくとも１層が高弾性率層（Ｂ）である、燃料電池用セパレータ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
［５］  Ａ層の（ａ）成分はエラストマー２０〜９９質量％を含む２成分以上の熱可塑性または熱硬化性の樹脂組成物からなり、Ｂ層の（ａ）成分は１００℃以上の融点を持つ結晶性ポリマーおよび／または１００℃以上のガラス転移点を持つ非晶性ポリマーを少なくとも１種含む熱可塑性または熱硬化性の樹脂組成物である［４］の燃料電池用セパレータ。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
［１１］  （ｂ）成分が金属材料、炭素質材料、導電性高分子、金属被覆フィラー、および金属酸化物からなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする［４］ないし［１０］のいずれかに記載の燃料電池用セパレータ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月13日(2007.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビーム照射により試料表面の観察を行う試料観察方法において、試料表面に向けて前記電子ビームを照射する一次光学系と、前記試料表面の情報を得た電子を検出する二次光学系とを備えた電子線装置を使用し、前記一次光学系から第１の照射エリアに成形された前記電子ビームを前記試料表面に照射して試料表面の検査を行い、その検査に基づいて試料の欠陥部位を抽出した後、前記抽出された欠陥部位に前記第１の照射エリアよりも小さい第２の照射エリアに成形された前記電子ビームを前記試料表面に照射して前記欠陥部位の拡大または詳細観察を行うことを特徴とする、試料観察方法。
【請求項２】
請求項１に記載の試料観察方法において、前記詳細観察には写像投影方式の高倍観察モードを用いることを特徴とする試料観察方法。
【請求項３】
請求項２に記載の試料観察方法において、前記電子線装置の二次光学系にラインセンサーを設け、試料又はウエハステージを連続的に移動させながら試料表面の検査と前記詳細観察とを同時に行うことを特徴とする試料観察方法。
【請求項４】
電子ビーム照射により試料表面の観察を行う電子線装置において、
電子源からの電子線を電子ビームに成形して試料表面に照射する一次光学系と、
前記電子ビームの照射により放出された二次電子の像を投影し、投影された二次電子の像を検出する二次光学系と、
検出された試料表面の検査及び詳細観察を行う画像処理装置とを備え、
前記一次光学系は第１の照射エリアに成形された前記電子ビームを前記試料表面に照射して該試料表面の検査を行い、
前記画像処理装置は、検査結果に基づいて試料の欠陥部位を抽出し、
前記一次光学系は、前記抽出された欠陥部位に前記第１の照射エリアよりも小さい第２の照射エリアに成形された前記電子ビームを前記試料表面に照射し、前記抽出された欠陥部位に再度電子ビームを照射することにより得られたデータに基づいて、前記欠陥部位の拡大または詳細観察を行うようにしたことを特徴とする、電子線装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電子線装置において、前記詳細観察のために、電子線装置の光学条件を写像投影方式の高倍観察モードに設定することを特徴とする電子線装置。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の電子線装置において、試料又はウエハステージを連続的に移動させながら試料表面の検査と前記詳細観察とを同時に行うように、前記電子線装置の二次光学系にラインセンサー及び走査型電子顕微鏡方式用の電子検出器を設けたことを特徴とする電子線装置。
【請求項７】
電子ビーム照射により試料表面の観察を行う試料観察方法において、試料表面に向けて前記電子ビームを照射する電子銃を備えた一次光学系と、前記試料付近で反射したミラー電子を検出する検出系とを備えた電子線装置を使用し、前記一次光学系から第１の照射エリアに成形された前記電子ビームを前記試料表面に向けて照射してミラー電子を検出することにより該試料表面の検査を行い、その検査に基づいて試料の欠陥部位を抽出した後、前記抽出された欠陥部位に前記第１の照射エリアよりも小さい第２の照射エリアに成形された前記電子ビームを前記試料表面に向けて照射してミラー電子を検出することにより前記欠陥部位の拡大または詳細観察を行うことを特徴とする、試料観察方法。
【請求項８】
請求項７に記載の試料観察方法において、前記詳細観察には写像投影方式の高倍観察モードを用いることを特徴とする試料観察方法。
【請求項９】
請求項８に記載の試料観察方法において、前記電子線装置の二次光学系にラインセンサーを設け、試料又はウエハステージを連続的に移動させながら試料表面の検査と前記詳細観察とを同時に行うことを特徴とする、試料観察方法。
【請求項１０】
請求項７ないし９の何れかに記載の試料観察方法において、前記電子線装置の一次光学系において対物レンズと試料との間に制御電極を設け、前記一次光学系から第１の照射エリアに成形された前記電子ビームを前記試料表面に照射する前に、前記制御電極により、ウエハに対して負の電位を与えることを特徴とする試料観察方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の試料観察方法において、前記制御電極により、ウエハに対して前記電子銃の加速電圧よりも０．５Ｖから２０Ｖ低い電位を与えることを特徴とする試料観察方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の試料観察方法において、前記制御電極により、ウエハに対して前記電子銃の加速電圧よりも０．５Ｖから１０Ｖ低い電位を与えることを特徴とする試料観察方法。
【請求項１３】
電子ビーム照射により試料表面の観察を行う電子線装置において、
電子源からの電子線を電子ビームに成形して試料表面に向けて照射する一次光学系と、
前記試料付近で反射したミラー電子の像を投影し、投影されたミラー電子の像を検出する検出系と、
検出された試料表面の検査及び詳細観察を行う画像処理装置とを備え、
前記一次光学系は第１の照射エリアに成形された前記電子ビームを前記試料表面に照射して該試料表面の検査を行い、
前記画像処理装置は、検査結果に基づいて試料の欠陥部位を抽出し、
前記一次光学系は、前記抽出された欠陥部位に前記第１の照射エリアよりも小さい第２の照射エリアに成形された前記電子ビームを前記試料表面に向けて照射し、前記抽出された欠陥部位に向けて再度電子ビームを照射することにより得られたデータに基づいて、前記欠陥部位の拡大または詳細観察を行うようにしたことを特徴とする、電子線装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の電子線装置において、前記詳細観察のために、電子線装置の光学条件を写像投影方式の高倍観察モードに設定することを特徴とする電子線装置。
【請求項１５】
請求項１３又は１４に記載の電子線装置において、試料又はウエハステージを連続的に移動させながら試料表面の検査と前記詳細観察とを同時に行うように、前記電子線装置の二次光学系にラインセンサー及び走査型電子顕微鏡方式用の電子検出器を設けたことを特徴とする電子線装置。
【請求項１６】
請求項１３ないし１５の何れかに記載の電子線装置において、前記電子線装置の一次光学系において対物レンズと試料との間に制御電極を設け、前記一次光学系から第１の照射エリアに成形された前記電子ビームを前記試料表面に照射する前に、前記制御電極により、ウエハに対して負の電位を与えることを特徴とする電子線装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の電子線装置において、前記制御電極により、ウエハに対して前記電子銃の加速電圧よりも０．５Ｖから２０Ｖ低い電位を与えることを特徴とする電子線装置。
【請求項１８】
請求項１６に記載の電子線装置において、前記制御電極により、ウエハに対して前記電子銃の加速電圧よりも０．５Ｖから１０Ｖ低い電位を与えることを特徴とする電子線装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月21日(2007.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの発光手段とソケット（２）を有する車両前照灯ランプであって、
前記発光手段はランプ容器（１）に封鎖されており、
前記ソケットにはランプの電気端子（３）が設けられている形式の車両前照灯ランプにおいて、
前記ソケット（２）は、前記車両前照灯ランプを車両前照灯に取り付けるための取付補助具（３）を装着するための固定手段を有する、ことを特徴とする車両前照灯ランプ。
【請求項２】
請求項１記載の車両前照灯ランプにおいて、
前記固定手段は前記ソケット（２）の表面に窪み（２１３，２１４）または突起を有し、
当該窪み（２１３，２１４）または突起は、前記取付補助具に配置された固定手段と噛み合い結合を形成するために用いられる車両前照灯ランプ。
【請求項３】
請求項１記載の車両前照灯ランプにおいて、
前記ソケット（２）には案内エレメント（２３１，２１１，２１２）が設けられており、
該案内エレメントは、前記取付補助具（３０）を前記車両前照灯ランプの前記ソケット（２）に正しい位置で固定するために用いられる車両前照灯ランプ。
【請求項４】
車両前照灯ランプを車両前照灯に取り付けるための取付補助具であって、
該取付補助具には、前記車両前照灯ランプのソケット（２）に当該取付補助具を固定するための固定手段が設けられており、
該取付補助具は、前記ソケット（２）に差し込み可能であり、差し込まれた状態では前記車両前照灯ランプの長手伸張方向での前記ソケット（２）の延長に作用し、前記車両前照灯ランプを前照灯のランプフレームに装着するため、前記ソケット（２）にトルクを及ぼすことができるように構成されている、ことを特徴とする取付補助具。
【請求項５】
請求項４記載の取付補助具において、
前記固定手段は少なくとも１対の弾性エレメント（３１１１ｂ、３１１２ｂ）を有し、
当該一対の弾性エレメントの間で前記ソケット（２）はクランプ部により固定可能である取付補助具。
【請求項６】
請求項５記載の取付補助具において、
前記弾性エレメント（３１１１ｂ、３１１２ｂ）には窪みまたは突起（３１１３，３１１４）が設けられており、
当該窪みまたは突起は前記ソケット（２）に配置された前記固定手段（２１３，２１４）と噛み合い結合を形成するために用いられる取付け補助具。
【請求項７】
請求項４記載の取付補助具において、
案内エレメント（３１１１ａ，３１１２ａ）が設けられており、
該案内エレメントは前記取付補助具（３０）を前記ソケット（２）に正しい位置で固定するために用いられる取付補助具。
【請求項８】
請求項４記載の取付補助具において、
該取付補助具（３０）の端部（３１）には、前記ソケット（２）に整合された収容部が設けられている取付補助具。
【請求項９】
請求項４または８記載の取付補助具において、
該取付補助具（３０）の端部（３１）はクリップ状に構成されており、
該クリップ状の端部（３１）は前記ソケット（２）の形状および大きさに整合されている取付補助具。
【請求項１０】
車両前照灯ランプと取付補助具を有する照明ユニットであって、
該取付補助具は前記車両前照灯ランプを車両前照灯に取り付けるためのものであり、
前記車両前照灯ランプには少なくとも１つの発光手段（４，５）とソケット（２）が設けられており、
該発光手段はランプ容器（１）に封鎖されており、
前記ソケットにはランプの電気端子（３）が設けられており、
前記取付補助具は、前記ソケット（２）に差し込み可能であり、差し込まれた状態では前記車両前照灯ランプの長手伸張方向での前記ソケット（２）の延長に作用し、前記車両前照灯ランプを前照灯のランプフレームに装着するため、前記ソケット（２）にトルクを及ぼすことができるように構成されており、
前記車両前照灯ランプの前記ソケット（２）と前記取付補助具には相互に整合された固定手段が設けられている、ことを特徴とする照明ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月28日(2007.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に発光素子を形成し、
第２の基板上に枠体を形成し、
前記枠体で囲まれた領域に、液状の吸湿性物質を含む組成物を滴下し、
前記組成物を固化することにより吸湿性物質を含む層を形成し、
前記吸湿物質を含む層が前記発光素子と重なり、且つ前記発光素子と、前記吸湿性物質を含む層と、前記枠体とを内側に封じ込めるように、前記第１の基板と前記第２の基板とをシール材によって固着することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板上に発光素子と駆動回路とを形成し、
第２の基板上に枠体と、前記枠体を囲むシール材とを形成し、
前記枠体と前記シール材の間に、液状の吸湿性物質を含む組成物を滴下し、
前記組成物を固化することにより吸湿性物質を含む層を形成し、
前記吸湿物質を含む層が前記発光素子と重なり、前記駆動回路と重ならず、且つ前記発光素子と、前記駆動回路と、前記吸湿性物質を含む層と、前記枠体とを内側に封じ込めるように、前記第１の基板と前記第２の基板とを前記シール材によって固着することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
第１の基板上に発光素子と駆動回路とを形成し、
第２の基板上に枠体を形成し、
前記枠体で囲まれた領域に、液状の吸湿性物質を含む組成物を滴下し、
前記組成物を固化することにより吸湿性物質を含む層を形成し、
前記吸湿物質を含む層が前記発光素子及び前記駆動回路と重なり、且つ前記発光素子と、前記駆動回路と、前記吸湿性物質を含む層と、前記枠体とを内側に封じ込めるように、前記第１の基板と前記第２の基板とをシール材によって固着することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項４】
第１の基板上に発光素子と駆動回路とを形成し、
第２の基板上に枠体を形成し、
前記枠体で囲まれた領域に、液状の吸湿性物質を含む組成物を滴下し、
前記組成物を固化することにより吸湿性物質を含む層を形成し、
前記吸湿物質を含む層が前記駆動回路と重なり、且つ前記発光素子と、前記駆動回路と、前記吸湿性物質を含む層と、前記枠体とを内側に封じ込めるように、前記第１の基板と前記第２の基板とをシール材によって固着することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項５】
第１の基板上に発光素子と駆動回路とを形成し、
第２の基板上に第１の枠体と前記第１の枠体の内側に形成された第２の枠体とを形成し、
前記第１の枠体と第２の枠体との間に、液状の吸湿性物質を含む組成物を滴下し、
前記組成物を固化することにより吸湿性物質を含む層を形成し、
前記吸湿物質を含む層が前記発光素子と重ならず、前記駆動回路と重なり、且つ前記発光素子と、前記駆動回路と、前記吸湿性物質を含む層と、前記第１の枠体と、前記第２の枠体とを内側に封じ込めるように、前記第１の基板と前記第２の基板とをシール材によって固着することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項６】
第１の基板上に発光素子を形成し、
前記発光素子を囲んで枠体を形成し、
前記枠体で囲まれた領域に、液状の吸湿性物質を含む組成物を滴下し、
前記組成物を固化することにより吸湿性物質を含む層を形成し、
前記発光素子と、前記吸湿性物質を含む層と、前記枠体とを内側に封じ込めるように、前記第１の基板と第２の基板とをシール材によって固着することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項７】
第１の基板上に発光素子と駆動回路とを形成し、
前記駆動回路を囲んで枠体を形成し、
前記発光素子と前記駆動回路とを囲んでシール材を形成し、
前記枠体と前記シール材の間に、液状の吸湿性物質を含む組成物を滴下し、
前記組成物を固化することにより吸湿性物質を含む層を形成し、
前記発光素子と、前記駆動回路と、前記吸湿性物質を含む層と、前記枠体とを内側に封じ込めるように、前記第１の基板と第２の基板とを前記シール材によって固着することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項８】
第１の基板上に発光素子と駆動回路とを形成し、
前記発光素子と前記駆動回路とを囲んで枠体を形成し、
前記枠体で囲まれた領域に、液状の吸湿性物質を含む組成物を滴下し、
前記組成物を固化することにより吸湿性物質を含む層を形成し、
前記発光素子と、前記駆動回路と、前記吸湿性物質を含む層と、前記枠体とを内側に封じ込めるように、前記第１の基板と第２の基板とをシール材によって固着することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
第１の基板上に発光素子と駆動回路とを形成し、
前記駆動回路を囲んで枠体を形成し、
前記枠体で囲まれた領域に、液状の吸湿性物質を含む組成物を滴下し、
前記組成物を固化することにより吸湿性物質を含む層を形成し、
前記発光素子と、前記駆動回路と、前記吸湿性物質を含む層と、前記枠体とを内側に封じ込めるように、前記第１の基板と第２の基板とをシール材によって固着することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
第１の基板上に発光素子と駆動回路とを形成し、
前記発光素子と前記駆動回路とを囲んで第１の枠体を形成し、
前記発光素子を囲んで第２の枠体を形成し、
前記第１の枠体と第２の枠体との間に、液状の吸湿性物質を含む組成物を滴下し、
前記組成物を固化することにより吸湿性物質を含む層を形成し、
前記発光素子と、前記駆動回路と、前記吸湿性物質を含む層と、前記第１の枠体と、前記第２の枠体とを内側に封じ込めるように、前記第１の基板と第２の基板とをシール材によって固着することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項４及び請求項６乃至請求項９のいずれか一において、前記枠体と、前記シール材は同じ物質を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項５または請求項１０において、前記第１の枠体及び第２の枠体と、前記シール材は同じ物質を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、前記組成物の固化は加熱により行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、前記吸湿性物質を含む層は透光性を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、前記組成物を、不活性気体雰囲気中で滴下することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、前記組成物を、減圧下で滴下することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一において、前記発光素子に電気的に接続された薄膜トランジスタを有し、前記薄膜トランジスタは半導体層と、ゲート電極層と、前記半導体層と前記ゲート電極層とに挟まれたゲート絶縁層とを有し、前記半導体層は、マイクロクリスタル半導体、アモルファス半導体、多結晶半導体のいずれかを用いて形成されることを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月6日(2006.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの出力光を導波路に結合する装置であって、
前記出力光が光学要素内に伝送されるように前記光源からの前記出力光を受信するための第１の表面と、前記出力光を当初の方向から前記導波路に向かう変更された方向に再方向付けするように、前記出力光を内部反射するための第２の表面と、前記出力光を前記導波路に伝送するように、前記変更された方向に沿って伝搬する前記出力光を光学的に操作するためのレンズが形成された第３の表面と、を有する光学要素を備えている装置。
【請求項２】
前記出力光が、前記第１の表面を通って伝送されかつ前記第２の表面から反射された後に、９０度だけ再方向付けされるように、前記第２の表面が、前記当初の方向に対して平行な横軸に対して角度をなしている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記出力光が、前記第１の表面によって屈折されかつ前記第２の表面から反射された後に、９０度だけ再方向付けされるように、前記第１の表面が前記横軸に対して角度をなしている、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記第１及び第２の表面が７０度の角度をなすように、前記第１及び第２の表面が相対的に角度をなしている、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記第１及び第２の表面が、湿式エッチングプロセスを利用して異方性に形成されている、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
光源からの出力光を導波路に結合する方法であって、
当初の方向に沿って伝搬する光源からの出力光を光学要素内に伝送するステップと、
前記光学要素内において前記当初の方向から変更された方向へと前記出力光を再方向付けするステップと、
前記変更された方向に沿って伝搬する前記出力光を前記光学要素から前記導波路に向けて放出するステップであって、前記導波路内へ前記出力光を光学的に操作することを含む、ステップと、
を含む方法。
【請求項７】
エッジ放出型レーザを含む前記光源において前記出力光を発生するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記出力光を再方向付けするステップが、前記光学要素の反射表面から前記変更された方向に、前記光学要素内において伝搬する前記出力光を反射するステップを含む、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
前記出力光を再方向付けするステップが、前記光学要素により屈折されかつ反射された後に、９０度だけ前記出力光を再方向付けするように、前記光学要素の屈折表面において前記出力光を屈折するステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記出力光を光学的に操作するステップが、前記光学要素の表面に形成されたレンズを用いて、前記出力光を光学的に操作するステップを含む、請求項６、７、８、又は９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月22日(2006.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低倍率で撮像して視野内に取得された全体像を小区画に分割し、これらの小区画をそれぞれ高倍率で撮影して貼り合せることにより高解像度の全体像を形成する顕微鏡画像撮影装置において、
小区画を形成する格子における標本像がある格子の中から高さ座標を取得すべき複数個の位置を設定する高さ座標取得位置設定ユニットと、
高倍率において標本の水平座標での焦点位置である高さ座標を読み込む座標読込ユニットと、
上記高さ座標取得位置設定ユニットで設定された格子で上記座標読込ユニットによって読込まれた高さ座標データを用いて、小区画内の任意の位置における高さ位置を算出する焦点補正位置算出ユニットと、
を備えたことを特徴とする顕微鏡画像撮影装置。
【請求項２】
低倍率で撮像して視野内に取得された全体像を小区画に分割し、これらの小区画をそれぞれ高倍率で撮影して貼り合せることにより高解像度の全体像を形成する顕微鏡画像撮影装置において、
複数の小区画の中から標本像の存在する小区画を抽出する標本像区画抽出ユニットと、
標本像の変化に追従して自動的に焦点位置を検出する自動合焦ユニットと、
を備え、
上記自動合焦ユニットは、上記標本像区画抽出ユニットによって抽出された標本像の存在する小区画に水平移動するときには焦点位置の検出を開始し、標本像の存在しない小区画に水平移動するときには焦点位置の検出を停止することにより高倍率での画像撮影を行うことを特徴とする顕微鏡画像撮影装置。
【請求項３】
低倍率の対物レンズで観察スライドガラス全体の広視野画像を撮影し、
この広視野画像から標本像のある領域を抽出し、
この標本像のある領域を抽出する処理によって得られる標本象の有無情報に基づいて標本の凹凸が大きい場合又は視野中に散在した標本である場合にリアルタイムＡＦを使用するように設定して焦点位置を補正しながら高倍率画像を撮影し、
上記標本像のある領域を抽出する処理によって得られる標本象の有無情報に基づいて標本が平坦で視野全体に広く存在する場合にはリアルタイムＡＦを使用しないように設定して高倍率画像を撮影する、
ことを特徴とする顕微鏡画像撮影方法。
【請求項４】
標本全体を撮影した画像から標本像の存在する領域を抽出し、
抽出された標本像領域の中から高さ座標Ｚを取得する複数個の水平位置を設定し、
設定された水平位置において焦点位置である高さ座標を読み込む座標読込ユニットと、
設定された水平位置の座標とその水平位置において読込まれた高さ座標データを用いて標本像領域中の任意の位置における焦点の補正位置を算出し、
標本を水平移動するときに上記算出された補正焦点位置に標本の高さを移動する、
ことを特徴とした顕微鏡画像撮影装置の焦点位置補正方法。
【請求項５】
標本全体を撮影した画像から標本像の存在する領域を抽出し、
抽出された標本像の存在する位置に水平移動するときには標本の水平移動に追従した自動的焦点位置の検出動作を開始し、
標本像の存在しない位置に水平移動するときには自動焦点位置検出動作を停止する
ことを特徴とした顕微鏡画像撮影装置の焦点位置補正方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の顕微鏡画像撮影装置は、例えば低倍率で撮像して視野内に取得された全体像を小区画に分割し、これらの小区画をそれぞれ高倍率で撮影して貼り合せることにより高解像度の全体像を形成する顕微鏡画像撮影装置において、小区画を形成する格子における標本像がある格子の中から高さ座標を取得すべき複数個の位置を設定する高さ座標取得位置設定ユニットと、高倍率において標本の水平座標での焦点位置である高さ座標を読み込む座標読込ユニットと、上記高さ座標取得位置設定ユニットで設定された格子で上記座標読込ユニットによって読込まれた高さ座標データを用いて、小区画内の任意の位置における高さ位置を算出する焦点補正位置算出ユニットと、を備えて構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月27日(2007.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記送信側装置は、
前記受信側装置に送信するファイルに電子透かし情報を付加する電子透かし付加手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記送信側装置及び受信側装置は、被写体の画像を光電変換により撮像する撮像手段を備え、前記ファイルは前記撮像手段により撮像された画像ファイルであることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月9日(2007.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の予約方法に基づく予約制入庫方法であって、
前記エリアの入庫ゲートには、ＤＳＲＣ無線通信が可能なＤＳＲＣ路側機が設けられ、
前記ユーザ車両が前記入庫ゲートに近接したときに、前記ＤＳＲＣ路側機が前記ＤＳＲＣ車載機から受信した識別符号と、前記記憶手段に記憶された前記予約情報の識別符号とが一致するか否かを照合し、その照合結果により所定の処理を行う予約情報照合処理ステップ
を実行することを特徴とする予約制入庫方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項７に記載の予約制入庫方法は、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の予約方法に基づく予約制入庫方法であって、前記エリアの入庫ゲートには、ＤＳＲＣ無線通信が可能なＤＳＲＣ路側機が設けられ、前記ユーザ車両が前記入庫ゲートに近接したときに、前記ＤＳＲＣ路側機が前記ＤＳＲＣ車載機から受信した識別符号と、前記記憶手段に記憶された前記予約情報の識別符号とが一致するか否かを照合し、その照合結果により所定の処理を行う予約情報照合処理ステップを実行することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月24日(2007.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
暗号化されたデータ及び前記データの暗号化を復号するための復号鍵とを格納した着脱可能な記憶媒体からの前記データの読み出しを制御する方法であって、
前記復号鍵を読み出すステップと、
前記復号鍵を読み出した後、前記記憶媒体から前記復号鍵を削除するステップと、
前記暗号化されたデータを読み出すステップと、
前記読み出された前記復号鍵によって前記暗号化されたデータの暗号化を復号するステップ
とを具備することを特徴とする記憶媒体アクセス制御方法。
【請求項２】
更に、
前記データを読み出した後、前記記憶媒体から前記暗号化されたデータを削除するステップと、
前記読み出されたデータを得た機器に固有の情報であるデバイス固有鍵により、前記データを暗号化するステップと、
前記暗号化されたデータを、前記記憶媒体に書き戻すステップ
とを具備することを特徴とする請求項１に記載の記憶媒体アクセス制御方法。
【請求項３】
更に、
前記読み出した前記復号鍵を、前記読み出されたデータを得た機器に固有の情報であるデバイス固有鍵により暗号化するステップと、
前記暗号化された復号鍵を、前記記憶媒体に書き戻すステップ
とを具備することを特徴とする請求項１又は２に記載の記憶媒体アクセス制御方法。
【請求項４】
認証機能と、前記認証機能を使った認証に成功した場合にのみアクセス可能なプロテクト領域と、認証に関わらずアクセス可能なユーザデータ領域とを具備する記憶媒体であって、前記ユーザデータ領域に暗号化されたデータが格納され、前記暗号化されたデータの復号化のための復号鍵が前記プロテクト領域に格納される記憶媒体からの前記データの読み出しを制御する方法であって、
前記認証機能に基づき前記記憶媒体に対し認証を行うステップと、
前記認証に成功した場合に、前記プロテクト領域から前記復号鍵を読み出すステップと、
前記復号鍵を読み出した後、前記プロテクト領域から前記復号鍵を削除するステップと、
前記ユーザデータ領域から前記暗号化されたデータを読み出すステップと、
前記読み出された前記復号鍵によって前記暗号化されたデータの暗号化を復号するステップ
とを具備することを特徴とする記憶媒体アクセス制御方法。
【請求項５】
前記データを読み出した後、前記ユーザデータ領域から前記暗号化されたデータを削除するステップと、
前記データを復号化した後、前記復号された前記データを前記読み出されたデータを得た機器に固有の情報であるデバイス固有鍵により暗号化するステップと、
前記暗号化したデータを前記ユーザデータ領域に書き戻すステップ
とを具備することを特徴とする請求項４に記載の記憶媒体アクセス制御方法。
【請求項６】
更に、
前記復号鍵を読み出した後、前記読み出されたデータを得た機器に固有の情報であるデバイス固有鍵により前記復号鍵を暗号化するステップと、
前記暗号化された復号鍵を前記プロテクト領域に書き戻すステップ
とを具備することを特徴とする請求項４又は５に記載の記憶媒体アクセス制御方法。
【請求項７】
暗号化されたデータ及び前記データの暗号化を復号するための復号鍵とを格納した着脱可能な記憶媒体からの前記データの読み出しを制御するアクセス制御装置であって、
前記復号鍵を読み出す手段と、
前記復号鍵を読み出した後、前記記憶媒体から前記復号鍵を削除する手段と、
前記暗号化されたデータを読み出す手段と、
前記読み出された前記復号鍵によって前記暗号化されたデータの暗号化を復号する手段
とを具備することを特徴とする記憶媒体アクセス制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶媒体アクセス制御方法及び装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、着脱可能な記憶媒体のアクセス制御方法及び装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、着脱自在な記憶媒体を単一の機器でのみ利用可能にする記憶媒体アクセス制御方法及び装置を提示することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明に係る記憶媒体アクセス制御方法は、暗号化されたデータ及び前記データの暗号化を復号するための復号鍵とを格納した着脱可能な記憶媒体からの前記データの読み出しを制御する方法であって、前記復号鍵を読み出すステップと、前記復号鍵を読み出した後、前記記憶媒体から前記復号鍵を削除するステップと、前記暗号化されたデータを読み出すステップと、前記読み出された前記復号鍵によって前記暗号化されたデータの暗号化を復号するステップとを具備することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明に係る記憶媒体アクセス制御方法は、認証機能と、前記認証機能を使った認証に成功した場合にのみアクセス可能なプロテクト領域と、認証に関わらずアクセス可能なユーザデータ領域とを具備する記憶媒体であって、前記ユーザデータ領域に暗号化されたデータが格納され、前記暗号化されたデータの復号化のための復号鍵が前記プロテクト領域に格納される記憶媒体からの前記データの読み出しを制御する方法であって、前記認証機能に基づき前記記憶媒体に対し認証を行うステップと、前記認証に成功した場合に、前記プロテクト領域から前記復号鍵を読み出すステップと、前記復号鍵を読み出した後、前記プロテクト領域から前記復号鍵を削除するステップと、前記ユーザデータ領域から前記暗号化されたデータを読み出すステップと、前記読み出された前記復号鍵によって前記暗号化されたデータの暗号化を復号するステップとを具備することを特徴とする。
本発明に係る記憶媒体アクセス制御装置は、暗号化されたデータ及び前記データの暗号化を復号するための復号鍵とを格納した着脱可能な記憶媒体からの前記データの読み出しを制御するアクセス制御装置であって、前記復号鍵を読み出す手段と、前記復号鍵を読み出した後、前記記憶媒体から前記復号鍵を削除する手段と、前記暗号化されたデータを読み出す手段と、前記読み出された前記復号鍵によって前記暗号化されたデータの暗号化を復号する手段とを具備することを特徴とする。