【手続補正書】
【提出日】平成20年4月18日(2008.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パラメータを測定するための装置であって、
所定の材料の基板と、
前記基板を横切る位置に散在し、それによって、それらの位置で前記パラメータを個別に測定する複数のセンサと、
前記基板中の少なくとも一つの空洞と、
前記少なくとも一つの空洞中に配置された少なくとも一つの電子処理部品と、
前記複数のセンサと前記少なくとも一つの電子処理部品との間で前記基板を横切って配置された導電体と、
前記少なくとも一つの空洞を充填して前記少なくとも一つの電子処理部品をカプセル化する材料であって、前記充填材料の物理的特性によって、前記少なくとも一つの空洞および前記少なくとも一つの電子処理部品のない前記所定の材料の基板と実質的に同じように、前記パラメータの変化に応答する材料と、
を備える装置。
【請求項２】
請求項１記載の装置において、
前記センサおよび前記少なくとも一つの電子処理部品は、個別の半導体ダイの上に形成された集積回路である装置。
【請求項３】
請求項２記載の装置において、
前記集積回路は、個別のダイの周りのパッケージングを省いた装置。
【請求項４】
請求項２記載の装置において、
前記集積回路は個別のダイの上に結線パッドを備え、前記基板を横切って配置された前記導電体は前記結線パッドに電気的に接続される装置。
【請求項５】
請求項４記載の装置において、
前記結線パッドは、ワイヤ結線によって前記導電体に接続される装置。
【請求項６】
請求項２記載の装置において、
前記基板中に複数の空洞を含み、センサが形成されている前記半導体ダイは前記空洞の内部表面に取り付けられている装置。
【請求項７】
請求項６記載の装置において、
センサが形成されている前記半導体ダイは、間にある電気絶縁性の接着剤によって前記空洞の内部表面に取り付けられている装置。
【請求項８】
請求項１記載の装置において、
前記パラメータは温度であり、前記少なくとも一つの空洞中の前記充填材料は粒子を充填して硬化させた液体材料を含み、前記粒子の熱特性によって、前記少なくとも一つの空洞および前記少なくとも一つの電子処理部品のない前記所定の材料の基板と実質的に同じように、温度の変化に応答する装置。
【請求項９】
請求項８記載の装置において、
前記硬化させた液体材料の体積の７０パーセント強は、前記粒子で充填されている装置。
【請求項１０】
請求項１記載の装置において、
前記基板は、表面で貼り合わされた二つの層で形成され、前記少なくとも一つの空洞は、前記貼り合わされた表面の一方の中に形成され、前記貼り合わされた表面の他方によって覆われている装置。
【請求項１１】
請求項１記載の装置において、
前記導電体は絶縁フィルム中にカプセル化され、前記複数のセンサおよび少なくとも一つの電子処理部品は、内部の前記導電体と電気的に接続するように前記絶縁フィルムに物理的に取り付けられている装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の装置において、
前記基板中に複数の空洞をさらに含み、前記複数の空洞中に前記センサが配置され、前記複数の導電体およびそれらをカプセル化している前記絶縁フィルムは、前記複数の空洞の間の前記基板中に形成された複数の通路の中で前記複数のセンサと前記少なくとも一つの電子処理部品との間に延在する装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の装置において、
前記基板は、表面で貼り合わされた二つの層で形成され、前記複数の空洞および複数の通路は前記貼り合わされた表面の一方の中に形成されている装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか記載の装置において、
前記基板は円形ウエハであり、その前記所定の材料はシリコンである装置。
【請求項１５】
請求項１〜７および９〜１３のいずれか記載の装置において、
前記測定されるパラメータは、温度を含む装置。
【請求項１６】
請求項１〜１３のいずれか記載の装置において、
前記少なくとも一つの電子処理部品は、前記センサからの測定値の無線送信のための回路を備える装置。
【請求項１７】
測定装置であって、
共通の界面で貼り合わされた第１および第２の基板部分と、
前記第１および第２の基板部分の間に配置された複数の空洞と、
前記第１および第２の基板部分の間に配置され、前記複数の空洞の間に延在する複数の溝と、
前記溝の中に配置された、内部に導電体を有する電気絶縁フィルムのストリップと、
前記空洞中に配置され、前記フィルムストリップ中の前記導電体で電気的に接続された、あるパラメータの複数のセンサおよび電子処理部品と、を備え、
前記第１および第２の基板部分は、前記溝および空洞の間の共通の界面の領域で直接貼り合わされている測定装置。
【請求項１８】
請求項１７記載の装置において、
前記第１および第２の基板部分は、それぞれが同じ直径を有する円板である装置。
【請求項１９】
請求項１７記載の装置において、
前記複数の空洞および前記複数の溝は、前記フィルムストリップのセグメントの一種類またはそれ以上のパターンが前記第１および第２の基板部分の間の前記界面を横切って繰り返され、それによって、前記装置の製造を単純化するように構成されている装置。
【請求項２０】
請求項１９記載の装置において、
前記センサおよび前記電子処理部品は、前記空洞および前記溝の中への組み込みの前に、前記フィルムストリップセグメントに取り付けられる装置。
【請求項２１】
請求項１７記載の装置において、
前記直接貼り合わされている第１および第２の基板部分の前記領域は、前記二つの基板部分の共通の界面の８０パーセントを超える装置。
【請求項２２】
パラメータを測定するための装置であって、
対向する平坦な表面を有するシリコンウエハ基板と、
前記一方の基板を横切って散在する位置で前記一方の基板表面中に形成され、底面を有する複数のくぼみと、
前記くぼみの少なくともいくつかの前記底面に取り付けられ、それによって、前記一方の基板表面を横切って散在する位置における前記パラメータの測定値を提供する、シリコン集積回路ダイの形の複数のセンサと、
前記くぼみの少なくとも一つの前記底面に取り付けられた少なくとも一つのシリコン電子処理集積回路ダイと、
少なくとも前記集積回路ダイを含む前記くぼみの間で前記一方の基板表面を横切って延在する導電体と、
前記集積回路ダイと、前記ダイが内部に取り付けられている前記くぼみに隣接する導電体との間に延在し、前記集積回路ダイのパッドと前記導電体とに結線されたリードワイヤと、
前記集積回路ダイの周りで前記くぼみを充填し、前記リードワイヤの周りに延在する保護材料であって、前記保護材料の熱特性によって、前記複数のくぼみおよび取り付けられた回路ダイのないシリコンウエハと実質的に同じように、前記パラメータの変化に応答する保護材料と、
を備える装置。
【請求項２３】
請求項２２記載の装置において、
パラメータは温度であり、前記集積回路ダイは伝熱性粒子を含む接着剤によって前記複数のくぼみの前記底部に取り付けられている装置。
【請求項２４】
請求項２３記載の装置において、
前記保護材料は、伝熱性粒子を含む装置。
【請求項２５】
請求項２４記載の装置において、
前記接着剤および前記保護材料は、電気絶縁体である装置。
【請求項２６】
請求項２２記載の装置において、
前記くぼみの少なくとも一つの前記底面に取り付けられ、前記少なくとも一つの電子処理部品に隣接する前記導電体と接続される少なくとも一つの追加の電子処理部品をさらに含む装置。
【請求項２７】
パラメータ測定システムであって、
横切って空間的に散在する前記パラメータの複数のセンサを有する基板、前記センサおよびデータ記憶装置と接続されたプロセッサを備える第１のエレクトロニクスシステム、前記センサおよび前記第１のエレクトロニクスシステムを動作させるように接続された電力貯蔵システム、および前記電力貯蔵システムを再充電するための電磁エネルギーを少なくとも受信するように接続されたコイルを備える携帯形測定装置と、
前記測定装置が一方の側から内部に挿入されたとき前記測定装置を支持する表面、プロセッサを備える第２のエレクトロニクスシステムを含む、前記支持表面より上に配置されたモジュール、前記モジュールの底面に付随するフレキシブルフィルム、前記フィルムに物理的に取り付けられて前記第２のエレクトロニクスシステムによって電気的に駆動され、電磁エネルギーを供給して前記測定装置の前記電力貯蔵システムを再充電するコイル、並びに前記第１および第２のエレクトロニクスシステムの制御下で前記電力貯蔵システムを再充電するために前記測定装置を前記表面に支持したとき、前記フィルムを下降させて前記フィルムのコイルを前記測定装置の前記コイルの上に戴置させる、前記モジュールの下面に付随する機構を備えるドッキングステーションと、
を備えるシステム。
【請求項２８】
請求項２７記載のシステムにおいて、
前記フィルムの一端は前記モジュールの前記底面に取り付けられ、前記下降させる機構は、前記測定装置の上に戴置させる前記フィルムのたるみ、および前記フィルムを前記測定装置より高く持ち上げる前記フィルムの相対的な張りを提供するために前記フィルムの反対側の端に取り付けられた電磁デバイスを備えるシステム。
【請求項２９】
請求項２７記載のシステムにおいて、
前記測定装置を支持する前記ドッキングステーションの前記表面は、前記測定装置を戴置する複数のホイールを備え、前記ホイールは、個別の電気モータによって駆動され、それによって、前記電気モータにエネルギーが供給されると、前記ドッキングステーションの前記支持表面に対して前記測定装置を移動させるシステム。
【請求項３０】
一方の表面に散在するパラメータの複数のセンサを有する基板を備えるバッテリー駆動携帯形測定装置中で、前記測定装置上で処理することによって前記パラメータの前記センサから得られるデータの量を圧縮する方法であって、
個別のセンサによって異なる時刻に読み取られた前記パラメータの値の間の第１の組の差分を計算するステップと、
前記複数のセンサによって所定の時刻に読み取られた前記パラメータの値の間の第２の組の差分を計算するステップと、
前記第１の組の差分または第２の組の差分のうちで前記センサによって読み取られた前記パラメータの前記値を少ないデータ量で表す方を選ぶステップと、
を含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図５Ｂは、磁気伝導層５５５を有するコイル５０９を示す。磁気伝導層５５５は、フェライト材料で作るとよい。誘導磁場は磁気伝導層５５５中に集められ、そのため、基板５０２中の磁場は最小になる。基板５０２がドープ化されたシリコンなどの導電性材料でできている場合、これは特に有利である。ＲＦ磁場が導電性基板中に広がると、基板中の変化する磁場によって渦電流が誘導される。これらの渦電流はＲＦ磁場を散逸させ、Ｅ−コイル５１０とコイル５０９との間の送電の効率を低下させる。さらに、導電性基板を通って流れる渦電流は基板を加熱し、ＰＣＭＤ１００を損傷させると考えられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
図４Ａは、回路トレース用に用いられる単一導電層で実施形態を作るプロセスを説明している。図４Ａのステップ４０４で、基板１０２の上に絶縁層３０４を形成させる。絶縁層３０４は、好ましくは酸化物を含むが、任意の公知の絶縁材料であってよく、基板１０２の表面上に析出させるかまたは成長させることができる。ステップ４０８では、絶縁層３０４の上に絶縁層３０８を形成させる。絶縁層３０４および３０８は、好ましくはさまざまな材料を含むが、必ずしも含まなくてもよい。好ましい実施形態では、絶縁層３０８は窒化物を含む。ステップ４１２で、絶縁層３０８の上に導電層３１２を形成させる。次に、ステップ４１６で、公知のパターン形成方法およびエッチング方法に従って、導電層３１２中に電気トレースをパターン形成し、エッチングする。ステップ４２０で、ステップ４１６の導電トレースの上に不動態層３１６を形成させる。ステップ４２４で、一つまたはそれ以上の層を通して基板内に部品１４０のための空洞１４２を形成させる。空洞１４２は、機械的に形成させるか、またはエッチングすることができる。ステップ４２８で、空洞１４２内に部品１４０（図示せず）が挿入され、図１Ｃに見るように導電層３１２中のトレースに電気的に結合される。次に、ステップ４３２で、部品１４０および他の層の上に不動態層（図示せず）を形成させる。不動態層は任意の公知の材料を含んでもよいが、好ましくはポリイミドまたはオキシ窒化物を含む。オプションとして、不動態層の上に電気および化学保護シールド層を形成させる（図４Ｂに示す）ステップ４３６を実行してもよい。これは、プラズマエッチングチャンバ中などの非常に苛酷なプロセス加工環境からＰＣＭＤを保護する上で特に有用である。シールド層は、そのような環境に共通する気体および他の元素に対してほぼ不透過性だからである。シールド層は、プラズマチャンバ中の高エネルギーイオン衝撃によって誘起されるエッチングプロセスに対しても抵抗性である必要がある。シールド層の一例は、実際にはマイラー（登録商標）、ＰＥ層などの重合体層、金属箔、およびサーリン（登録商標）などの封止剤層を含むさまざまな層の複合体である。シールド層の合計の厚さは、２５ミクロンから９９ミクロン強の範囲であるとよい。