【手続補正書】
【提出日】令和1年8月5日(2019.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面を有するキャリアと、
前記上面に存在する第１のモールド化合物と、
前記第１のモールド化合物の第１の部分を覆って存在し、且つ、前記第１のモールド化合物の前記第１の部分を通って前記上面に延びる第１のセットの相互接続部を有する第１の薄化フリップチップダイであって、前記第１のモールド化合物の前記第１の部分が、前記第１の薄化フリップチップダイと前記上面の間の領域を埋める、前記第１の薄化フリップチップダイと、
前記キャリアを覆って、前記第１のモールド化合物と接触して存在し、且つ、前記第１の薄化フリップチップダイを覆う第１の凹部を提供する第２のモールド化合物であって、前記第１の凹部が、前記第１の薄化フリップチップダイの第１のダイ表面に延びる、前記第２のモールド化合物と、
前記第１の凹部に存在し、且つ、前記第１の薄化フリップチップダイの第１の露出面を覆う、第３のモールド化合物であって、前記第１の薄化フリップチップダイは、前記第３のモールド化合物と接触する前記第１の薄化フリップチップダイの前記第１のダイ表面が第１の層の上面となるように、前記第１の層上に基板を有しない前記第１の層を含む、前記第３のモールド化合物と、
を含む、フリップチップモジュール。
【請求項２】
前記第１のモールド化合物の第２の部分を覆って存在し、且つ、前記第２の部分を通って前記上面に延びる第２のセットの相互接続部を有する第２の薄化フリップチップダイをさらに含み、
前記第１のモールド化合物の前記第２の部分は、前記第２の薄化フリップチップダイと前記上面の間の領域を埋め、
前記第２のモールド化合物は、前記第２の薄化フリップチップダイを覆う第２の凹部を提供することによって、前記第２の凹部が、前記第２の薄化フリップチップダイの第２の露出面に延び、
前記第３のモールド化合物が、前記第２の凹部に存在し、且つ、前記第２の薄化フリップチップダイの前記第２の露出面を覆う、
請求項１に記載のフリップチップモジュール。
【請求項３】
前記第１の薄化フリップチップダイは、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）構成要素を提供し、前記第２の薄化フリップチップダイは、ＭＥＭＳ構成要素を提供しない、請求項２に記載のフリップチップモジュール。
【請求項４】
前記第１の薄化フリップチップダイは、集積受動素子（ＩＰＤ）を提供し、前記第２の薄化フリップチップダイは、ＩＰＤを提供しない、請求項２に記載のフリップチップモジュール。
【請求項５】
完全な半導体基板を有する完全なフリップチップダイをさらに含み、前記完全なフリップチップダイは、前記第１のモールド化合物の第２の部分を覆って存在し、且つ、前記第１の部分を通って前記上面に延びる第２のセットの相互接続部を有し、
前記第１のモールド化合物の前記第２の部分は、前記完全なフリップチップダイと前記上面の間の領域を埋め、
前記第２のモールド化合物は、前記完全なフリップチップダイの前記完全な半導体基板を覆い、
前記第３のモールド化合物は、前記第２のモールド化合物の露出面を覆う、
請求項１のフリップチップモジュール。
【請求項６】
前記第１の薄化フリップチップダイは、ＭＥＭＳ素子であり、前記完全なフリップチップダイは、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）コントローラである、請求項５に記載のフリップチップモジュール。
【請求項７】
前記第１のモールド化合物、前記第２のモールド化合物、及び、前記第３のモールド化合物は、同じでなく、それぞれ、異なる物理的特性を有する、請求項１に記載のフリップチップモジュール。
【請求項８】
前記第１のモールド化合物は、透磁性を備えるフェライトナノ粉末を含み、前記第２のモールド化合物は、機械的強度を提供するフィラーを含み、前記第３のモールド化合物は、前記第３のモールド化合物を通して熱伝導性を提供する熱伝導性の添加物を含む、請求項７に記載のフリップチップモジュール。
【請求項９】
前記第１のモールド化合物及び前記第２のモールド化合物は両方とも、熱硬化性ポリマーであり、前記第２のモールド化合物は、前記第１のモールド化合物より固い、請求項１に記載のフリップチップモジュール。
【請求項１０】
前記第２のモールド化合物は、熱硬化性ポリマーであり、前記第３のモールド化合物は、熱可塑性ポリマーである、請求項１に記載のフリップチップモジュール。
【請求項１１】
前記第１のモールド化合物と前記第２のモールド化合物は同じである、請求項１に記載のフリップチップモジュール。
【請求項１２】
前記第２のモールド化合物と前記第３のモールド化合物は同じである、請求項１に記載のフリップチップモジュール。
【請求項１３】
前記第２のモールド化合物は、前記第３のモールド化合物との接着を促進するエッチングされた表面を有する、請求項１に記載のフリップチップモジュール。
【請求項１４】
前記第１の露出面は、埋め込み酸化物（ＢＯＸ）を含むエッチング停止層の前記表面である、請求項１に記載のフリップチップモジュール。
【請求項１５】
前記第２のモールド化合物の上面と、前記第１の薄化フリップチップダイの前記第１のダイ表面とを覆って配置された誘電体層をさらに含む、請求項１に記載のフリップチップモジュール。
【請求項１６】
前記誘電体層は、窒化シリコン（ＳｉＮ）層である、請求項１５に記載のフリップチップモジュール。
【請求項１７】
前記第３のモールド化合物は、２．５Ｗ／ｍ・Ｋより大きい熱伝導率と、１０３Ｏｈｍ‐ｃｍの電気抵抗率を有する、請求項１に記載のフリップチップモジュール。
【請求項１８】
上面を有するキャリアを備えることと、
フリップチップダイから前記キャリアの前記上面に延びる相互接続部によって、前記キャリアの前記上面に前記フリップチップダイを取り付けることと、
前記フリップチップダイと前記キャリアの前記上面の間の空間を第１のモールド化合物で埋めることと、
前記キャリアの前記上面上に第２のモールド化合物を塗布して、前記フリップチップダイを封止することと、
前記第２のモールド化合物を薄化して、前記フリップチップダイの基板を露出させることと、
前記フリップチップダイの前記基板を、前記基板が残らないようにエッチングして、空洞の底面に露出面を有する薄化フリップチップダイを提供することと、
第３のモールド化合物を塗布して、前記薄化フリップチップダイの前記空洞をほぼ埋めることと、
を含む、フリップチップモジュール製造方法。
【請求項１９】
前記第３のモールド化合物を塗布する前に前記空洞の前記底面の前記露出面を覆って誘電体層を配置することをさらに含む、請求項１８に記載のフリップチップモジュール製造方法。
【請求項２０】
前記空洞の前記底面の前記露出面は、ＢＯＸでできたエッチング停止層の表面であり、前記誘電体層は、ＳｉＮでできている、請求項１９に記載のフリップチップモジュール製造方法。
【請求項２１】
前記第３のモールド化合物を塗布する前に、前記第２のモールド化合物の上面を粗面化することをさらに含む、請求項１８に記載のフリップチップモジュール製造方法。
【請求項２２】
前記第１のモールド化合物は、コーンプレート粘度計を用いて測定すると、３６０ｍＰａ・ｓ以下の未硬化粘度を有するエポキシ樹脂である、請求項１８に記載のフリップチップモジュール製造方法。
【請求項２３】
前記第１のモールド化合物と前記第２のモールド化合物の両方は、エポキシ樹脂であり、前記第２のモールド化合物は、前記第１のモールド化合物より固い、請求項１８に記載のフリップチップモジュール製造方法。
【請求項２４】
前記第２のモールド化合物は、熱硬化性ポリマーであり、前記第３のモールド化合物は、２．５Ｗ／ｍ・Ｋより大きい熱伝導率と、１０３Ｏｈｍ‐ｃｍより大きい電気抵抗率を有する熱可塑性物質である、請求項１８に記載のフリップチップモジュール製造方法。
【請求項２５】
上面を有するキャリアと、
前記上面に存在する第１のモールド化合物と、
前記第１のモールド化合物の第１の部分を覆って存在し、且つ、前記第１のモールド化合物の前記第１の部分を通って前記上面に延びる第１のセットの相互接続部を有する第１の薄化フリップチップダイであって、前記第１のモールド化合物の前記第１の部分は、前記第１の薄化フリップチップダイと前記上面との間の領域を埋める、前記第１の薄化フリップチップダイと、
前記キャリアを覆って、前記第１のモールド化合物と接触して存在し、前記第１の薄化フリップチップダイの第１のダイ表面に延びる第２のモールド化合物と、
前記第１の薄化フリップチップダイの第１の露出面を覆う第３のモールド化合物であって、前記第１の薄化フリップチップダイは、前記第３のモールド化合物と接触する前記第１の薄化フリップチップダイの前記第１のダイ表面が第１の層の上面となるように、前記第１の層上に基板を有しない前記第１の層を含む、前記第３のモールド化合物と、
を含む、フリップチップモジュール。