【手続補正書】
【提出日】平成19年1月12日(2007.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物系半導体基板上に形成される窒化物系半導体層の発光部分に対応する前記窒化物系半導体基板の第１領域以外の第２領域の所定領域を所定の深さまで選択的に除去することにより、前記窒化物系半導体基板に溝部を形成する工程と、
前記窒化物系半導体基板の前記第１領域および前記溝部上に、前記窒化物系半導体基板とは異なる組成を有する前記窒化物系半導体層を形成する工程とを備えた、窒化物系半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記窒化物系半導体基板は、ＧａＮ基板を含み、
前記窒化物系半導体層は、ＡｌとＧａとＮとを含有する層を含む、請求項１に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記窒化物系半導体基板上に前記窒化物系半導体層を形成する工程は、
前記窒化物系半導体基板の前記第１領域の上面上、前記溝部の底面および側面上に前記窒化物系半導体層を形成する工程を含み、
前記溝部の側面上に形成される前記窒化物系半導体層のＡｌ組成比は、前記第１領域の上面上に形成される前記窒化物系半導体層のＡｌ組成比よりも低い、請求項２に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記窒化物系半導体基板に前記溝部を形成する工程は、
前記溝部の開口幅が、前記溝部の底面から開口端に向かって徐々に大きくなるように形成する工程を含む、請求項３に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記窒化物系半導体基板上に前記窒化物系半導体層を形成する工程は、
前記窒化物系半導体基板の前記第１領域の上面上、前記溝部の底面および側面上に前記窒化物系半導体層を形成する工程を含み、
前記溝部の側面上に形成される前記窒化物系半導体層の厚みは、前記第１領域の上面上に形成される前記窒化物系半導体層の厚みよりも小さい、請求項１または２に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記窒化物系半導体基板に前記溝部を形成する工程は、
前記溝部の側面が、前記窒化物系半導体基板の表面に対して実質的に垂直になるように形成する工程を含む、請求項５に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記窒化物系半導体基板に前記溝部を形成する工程は、
前記溝部の開口幅が、前記溝部の底面から開口端に向かって徐々に小さくなるように形成する工程を含む、請求項５に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記窒化物系半導体基板に前記溝部を形成する工程は、
前記窒化物系半導体基板に、所定の方向に延びる細長状の前記溝部を形成する工程を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記窒化物系半導体基板の表面は（Ｈ，Ｋ，−Ｈ−Ｋ，０）面を有し、
前記溝部を［Ｋ，−Ｈ，Ｈ−Ｋ，０］方向に沿って延びるように形成する、請求項８記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法（ＨとＫは整数であり、ＨとＫの少なくとも一方は０ではない）。
【請求項１０】
前記窒化物系半導体基板に前記溝部を形成する工程は、
前記窒化物系半導体基板に、前記第１領域を囲むように、第１の方向および前記第１の方向と交差する第２の方向に延びる細長状の前記溝部を格子状に形成する工程を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の窒化物系半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
発光部分に対応する第１領域と、所定の高さを有する段差部を介して前記第１領域に隣接するように配置された第２領域とを含む窒化物系半導体基板と、
前記窒化物系半導体基板の前記第１領域の上面および前記段差部の側面上に形成されるとともに、前記窒化物系半導体基板とは異なる組成を有する窒化物系半導体層とを備え、
前記段差部の側面上に形成される前記窒化物系半導体層の厚みは、前記第１領域の上面上に形成される前記窒化物系半導体層の厚みよりも小さい、窒化物系半導体発光素子。
【請求項１２】
発光部分に対応する第１領域と、所定の高さを有する段差部を介して前記第１領域に隣接するように配置された第２領域とを含む窒化物系半導体基板と、
前記窒化物系半導体基板の前記第１領域の上面および前記段差部の側面上に形成されるとともに、前記窒化物系半導体基板とは異なる組成を有するとともに、ＡｌとＧａとＮとを含有する窒化物系半導体層とを備え、
前記段差部の側面上に形成される前記窒化物系半導体層のＡｌ組成比は、前記第１領域の上面上に形成される前記窒化物系半導体層のＡｌ組成比よりも低い、窒化物系半導体発光素子。
【請求項１３】
前記窒化物系半導体基板の表面は（Ｈ，Ｋ，−Ｈ−Ｋ，０）面を有し、
前記溝部は［Ｋ，−Ｈ，Ｈ−Ｋ，０］方向に沿って延びるように形成されている、請求項１１または１２に記載の窒化物系半導体発光素子（ＨとＫは整数であり、ＨとＫの少なくとも一方は０ではない）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
窒化物系半導体基板の表面が（Ｈ，Ｋ，−Ｈ−Ｋ，０）面を有する場合には、
溝部を［Ｋ，−Ｈ，Ｈ−Ｋ，０］方向に沿って延びるように形成するのが好ましい。このように構成すれば、クラックが発生し易い［０００１］方向と交差する方向へのクラックの伝播を効果的に抑制できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、この局面において、窒化物系半導体基板の表面が（Ｈ，Ｋ，−Ｈ−Ｋ，０）面を有する場合には、溝部は［Ｋ，−Ｈ，Ｈ−Ｋ，０］方向に沿って延びるように形成されていることが好ましい（ＨとＫは整数であり、ＨとＫの少なくとも一方は０ではない）。このように構成すれば、クラックが発生し易い［０００１］方向と交差する方向へのクラックの伝播を効果的に抑制できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
次に、基板温度を約１１６０℃から約８５０℃に下げる。そして、Ｇａ原料であるＴＥＧａ（トリエチルガリウム）ガスおよびＩｎ原料であるＴＭＩｎ（トリメチルインジウム）ガスを、キャリアガスとしてのＮ２ガスを用いて反応炉内に供給することによって、ｎ側キャリアブロック層４上に、約２０ｎｍの厚みを有するアンドープＩｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎからなる４つの量子障壁層（図示せず）と、約３．５ｎｍの厚みを有するアンドープＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎからなる３つの量子井戸層（図示せず）とを交互に約０．２５μｍ／ｈの速度で成長させる。これにより、４つの量子障壁層と３つの量子井戸層とが交互に積層された多重量子井戸（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ）構造を有するＭＱＷ活性層５が形成される。続けて、ＭＱＷ活性層５上に、約０．１μｍの厚みを有するアンドープＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎからなるｐ側光ガイド層６を成長させる。この後、ＴＭＧａガスおよびＴＭＡｌガスを、キャリアガスとしてのＮ２ガスを用いて反応炉内に供給することによって、ｐ側光ガイド層６上に、約２０ｎｍの厚みを有するアンドープＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎからなるｐ側キャリアブロック層７を約１．２μｍ／ｈの速度で成長させる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
また、上記第１〜第６実施形態及び以下に示す第７、第８実施形態では、窒化物系半導体各層の結晶成長を、ＭＯＣＶＤ法を用いて行ったが、本発明はこれに限らず、ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法、および、ＴＭＡｌ、ＴＭＧａ、ＴＭＩｎ、ＮＨ３、ヒドラジン、ＳｉＨ４、ＧｅＨ４およびＭｇ（Ｃ５Ｈ５）２などを原料ガスとして用いるガスソースＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法などを用いて結晶成長を行ってもよい。