【手続補正書】
【提出日】平成20年7月28日(2008.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法であって、
第一の基板またはウェハ上に片持ち梁を定義するステップと、
第二の基板またはウェハ上に少なくとも１つの接触部を形成するステップと、
前記第一の基板またはウェハ上の組合わせ部に関連する層と、前記第二の基板またはウェハ上の組合わせ部に関連する層とをボンディングするステップと、
を有することを特徴とするマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
【請求項２】
前記第一の基板またはウェハが、少なくとも２つの側部駆動電極及び一つの組合わせ部の第一構成部分を備え、
前記第二の基板またはウェハが、前記少なくとも２つの側部駆動電極及び一つの組合わせ部の第二構成部分を備え、
前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部が、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補的な形状を成し、
前記側部駆動電極の前記第二構成部分が、前記第一の基板またはウェハ上の前記側部駆動電極の前記第一構成部分と相補的な形状を成し、
前記マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法は、更に、
前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と対面関係を位置させるステップと、
前記第一の基板またはウェハ上の少なくとも２つの側部駆動電極の前記第一構成部分に関連する層と、前記第二の基板またはウェハ上の少なくとも２つの側部駆動電極の前記第二構成部分に関連する層とをボンディングするステップと、
前記片持ち梁をリリースするために、前記第一の基板またはウェハの少なくとも一部を除去するステップと、
を有する請求項１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
【請求項３】
前記第二の基板またはウェハはケイ素から形成され、前記第二の基板またはウェハを形成する前記ケイ素は単結晶構造を持つ、及び／または、
前記ケイ素の前記結晶構造がＳｉ＜１００＞である、及び／または、
前記ケイ素はｎ型である請求項１または請求項２に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
【請求項４】
前記第一の基板またはウェハはケイ素から形成される、及び／または、
前記第一の基板またはウェハを形成する前記ケイ素は単結晶構造を持つ、及び／または、
前記第一の基板またはウェハ内の前記ケイ素の前記結晶構造がＳｉ＜１００＞である、及び／または、
前記第一の基板またはウェハの前記ケイ素はｎ型である請求項１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
【請求項５】
前記２つの基板間に圧力と共に熱が加えられた結果、前記２つの組合わせ部間で、そして、前記側部駆動電極の前記第一構成部分と前記第二構成部分との間で、共晶ボンディングが起こる請求項１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
【請求項６】
前記片持ち梁は、
（ａ）  前記第一の基板またはウェハ上にケイ素のエピタキシャル層を形成し、前記エピタキシャル層がドープされるステップと、
（ｂ）  前記第一の基板またはウェハ上に配置された梁を定義するために、ケイ素の前記エピタキシャル層のマスキング及びエッチングを行うステップと、
（ｃ）  前記第一の基板またはウェハをエッチングによって除去するステップと、
によって形成される請求項１または請求項２に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
【請求項７】
一時マスク層内の小穴部を通して金属を溶着することにより、接触部は前記片持ち梁の端部上に形成され、前記金属の溶着工程が進むにつれ、前記金属が溶着されて前記小穴部を被覆していき、それによって前記小穴部を通して溶着される前記接触部が、溶着工程が進むにつれて断面を減少しながら延伸構造を持つことができる程度に前記小穴部が十分小さくなっている、及び／または、
前記エピタキシャル層の抵抗率を０．０５Ω−ｃｍ以下に減少させるために、前記エピタキシャル層は、十分な濃度を有するホウ素によってドープされる、及び／または、
エチレンジアミン・ピロカテコールをエッチング液として、エッチングは行われる、及び／または、
好適にチタン、プラチナ及び金の個別層から形成される金属層は、前記エピタキシャル層上に選択的に溶着され、そして高温で焼結されることにより、前記エピタキシャル層上に第一及び第二のオーム接触部を形成し、また、前記第二のオーム接触部は前記片持ち梁の遠心端の近くに配置され、前記第一のオーム接触部は前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成する、及び／または、
比較的厚い金属層が、比較的薄い金属層に溶着され、それから焼結され、前記比較的厚い金属層の第一構成部分は、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成し、また前記第一のオーム接触部を覆っており、前記比較的厚い金属層の第二構成部分は、前記第二のオーム接触部に尖状接触部を形成する、及び／または、
前記比較的厚い金属層はチタン／プラチナ／金である、及び／または、
更に、前記第二の基板またはウェハ上に、チタン／プラチナ／金の接触部を形成し、前記第二の基板またはウェハ上の前記接触部から少なくとも１つの接触部は、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を定義する、及び／または、
前記ボンディングが共晶的に起こり、共晶ボンディングを形成するための前記層が、前記第二の基板またはウェハ上の前記チタン／プラチナ／金の接触部の上に溶着された金−ケイ素共晶層、及び／または、前記第一の基板またはウェハ上のチタン／プラチナ／金の前記比較的厚い層の第一構成部分の上に溶着された金−ケイ素共晶層によって提供される請求項６に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
【請求項８】
前記第一の基板またはウェハは、エッチング停止層を含み、
前記片持ち梁、少なくとも２つの側部駆動電極の前記第一構成部分、及び前記第一の基板またはウェハの前記組合わせ部は、前記エッチング停止層の近くに配置され、
前記片持ち梁は、前記第一の基板またはウェハを最初にエッチングすることによる除去と、その次に前記エッチング停止層をエッチングすることによる除去とによって、リリースされる請求項１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
【請求項９】
前記第二の基板またはウェハはケイ素から形成される、及び／または、
前記第二の基板またはウェハを形成する前記ケイ素は単結晶構造を持つ、及び／または、
前記ケイ素の前記結晶構造がＳｉ＜１００＞である、及び／または、
前記ケイ素はｎ型である、及び／または、
前記第一の基板またはウェハはケイ素から形成される、及び／または、
前記第一の基板またはウェハを形成する前記ケイ素は単結晶構造を持つ、及び／または、
前記第一の基板またはウェハ内の前記ケイ素の前記結晶構造がＳｉ＜１００＞である、及び／または、
前記第一の基板またはウェハの前記ケイ素はｎ型である、及び／または、
前記２つの基板間に圧力と共に熱が加えられた結果、前記２つの組合わせ部間で、そして、前記側部駆動電極の前記第一構成部分と前記第二構成部分との間で、共晶ボンディングが起こる請求項８に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
【請求項１０】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの構造が
（ａ）  第一の基板またはウェハ上に定義された１つの梁及び１つの組合わせ部と、
（ｂ）  第二の基板またはウェハ上に定義された少なくとも１つの接触部及び１つの組合わせ部と、
（ｃ）  前記第一の基板またはウェハ上に定義された前記組合わせ部を、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部へとボンディングするための前記組合わせ部の少なくとも１つの上に配置されたボンディング層と、
を備える構成であって、
前記組合わせ部が、一方からもう一方まで前記ボンディング層に結合されることを特徴とするマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
【請求項１１】
前記構造はマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープを製造するものであり、
前記第一の基板またはウェハは同様に、側部駆動電極の第一構成部分と、感知電極である前記接触部と、前記第二の基板またはウェハ上の前記側部駆動電極の第二構成部分とを備えており、
前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部が、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補的な形状を成しており、
前記側部駆動電極の前記第二構成部分が、前記第一の基板またはウェハ上の前記側部駆動電極の前記第一構成部分と相補的な形状を成しており、
前記第一の基板またはウェハ上に定義された前記組合わせ部を前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部にボンディングするための、また同時に、前記側部駆動電極の前記第一構造部分及び前記第二構造部分をボンディングするための、
少なくとも１つの前記組合わせ部上に配置された前記ボンディング層は、前記側部駆動電極の前記第一構成部分及び前記第二構成部分の少なくとも１つ上にもある請求項１０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
【請求項１２】
前記ボンディング層は圧力／熱に敏感であり、前記第一の基板またはウェハ上に定義された前記組合わせ部を前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部にボンディングし、また同時に、前記側部駆動電極の前記第一構造部分及び前記第二構造部分をボンディングする、及び／または、
前記第一及び前記第二の基板またはウェハは、ケイ素から形成される、及び／または、
前記第一及び前記第二の基板またはウェハを形成する前記ケイ素は、単結晶構造を持つ、及び／または、
前記ケイ素の前記結晶構造はＳｉ＜１００＞である、及び／または、
前記ケイ素はｎ型である、及び／または、
前記第一の基板またはウェハは薄いエッチング停止層を含み、前記梁、側部駆動電極の前記第一構成部分、及び前記第一の基板またはウェハの前記組合わせ部は、前記エッチング停止層の近くに配置される、及び／または、
前記梁は非ドープのものであり、１つの薄く細長い紐状導線は、前記梁の上に配置されている、及び／または、
前記梁は、その抵抗率が０．０５Ω−ｃｍ以下になるようにドープされる、及び／または、
前記薄いエッチング停止層は二酸化ケイ素であり、１つの尖状接触部は前記梁の端部に配置されている、及び／または、
前記エピタキシャル層の抵抗率を０．０５Ω−ｃｍ以下に減少させるために、前記エピタキシャル層は、十分な濃度を有するホウ素によってドープされる、及び／または、
さらに、前記エピタキシャル層上に第一及び第二のオーム接触部を持ち、前記第二のオーム接触部が前記梁の遠心端の近くに配置され、前記第一のオーム接触部が前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成する、及び／または、
比較的厚い金属層が、前記第一及び第二のオーム金属接触部の上に配置され、前記比較的厚い金属層の第一構成部分が前記第一のオーム金属接触部上に配置され、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を提供し、前記比較的厚い金属層の第二構成部分は、前記第二のオーム金属接触部上に尖状接触部を形成している、及び／または、
さらに、前記第二の基板またはウェハ上に配置された金属接触部を持ち、前記第二の基板またはウェハ上の前記接触部の少なくとも１つが、前記第二の基板上の前記組合わせ部を定義する、及び／または、
前記ボンディング層が、前記第二の基板またはウェハ上の前記金属接触部上に配置された金−ケイ素共晶層によって、及び／または、前記第一の基板またはウェハ上の前記比較的厚い金属層の前記第一構成部分上に配置された金−ケイ素共晶層によって提供される、及び／または、
さらに、前記エピタキシャル層上に第一及び第二のオーム接触部を持ち、前記第二のオーム接触部が前記梁の遠心端の近くに配置され、前記第一のオーム接触部が前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成する、及び／または、
前記第一及び前記第二のオーム接触部は、チタン／プラチナ／金の接触部である請求項１１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
【請求項１３】
前記構造はマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの構造であり、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部が、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補的な形状を成す請求項１０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
【請求項１４】
前記片持ち梁は、前記第一の基板またはウェハ上のケイ素のエピタキシャル層から形成され、前記エピタキシャル層は、ドーパントでドープされている、及び／または、
前記エピタキシャル層の抵抗率を０．０５Ω−ｃｍ以下に減少させるために、前記エピタキシャル層は、十分な濃度を有するホウ素によってドープされる、及び／または、
さらに、前記エピタキシャル層上に第一及び第二のオーム接触部を持ち、前記第二のオーム接触部が前記梁の遠心端の近くに配置され、前記第一のオーム接触部が前記第一のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成する、及び／または、
比較的厚い金属層が、前記第一及び第二のオーム接触部の上に配置され、前記比較的厚い金属層の第一構成部分が前記第一のオーム接触部上に配置され、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を提供し、前記比較的厚い金属層の第二構成部分は、前記第二のオーム接触部上に尖状接触部を形成している、及び／または、
さらに、前記第二の基板またはウェハ上に配置された金属接触部を持ち、前記第二の基板またはウェハ上の前記接触部の少なくとも１つが、前記第二の基板上の前記組合わせ部を定義する、及び／または、
前記ボンディング層が、前記第二の基板またはウェハ上の前記金属接触部上に配置された金−ケイ素共晶層によって、及び／または、前記第一の基板またはウェハ上の前記比較的厚い金属層の前記第一構成部分上に配置された金−ケイ素共晶層によって提供される請求項１２に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
【請求項１５】
前記片持ち梁は、前記片持ち梁と前記第一の基板またはウェハのほかの部分との間に提供された二酸化ケイ素層を持つ前記第一の基板またはウェハから形成される請求項１０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
【請求項１６】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法であって、
（ａ）１つの片持ち梁と、少なくとも２つの側部駆動電極の第一構成部分と、１つの組合わせ部を、第一の基板またはウェハ上に定義するステップと、
（ｂ）少なくとも１つの接触部と、前記少なくとも２つの側部駆動電極の第二構成部分と、１つの組合わせ部を、第二の基板またはウェハ上に形成し、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部が、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補的な形状を成し、前記側部駆動電極の前記第二構成部分が、前記第一の基板またはウェハ上の前記側部駆動電極の前記第一構成部分と相補的な形状を成すステップと、
（ｃ）前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と対面関係を位置させるステップと、
（ｄ）前記第一の基板またはウェハ上の組合わせ部に関連する層と、前記第二の基板またはウェハ上の組合わせ部に関連する層とをボンディングするステップと、
（ｅ）前記第一の基板またはウェハ上の少なくとも２つの側部駆動電極の前記第一構成部分に関連する層と、前記第二の基板またはウェハ上の少なくとも２つの側部駆動電極の前記第二構成部分に関連する層とをボンディングするステップと、
（ｆ）前記片持ち梁をリリースするために、前記第一の基板またはウェハの少なくとも一部を除去するステップと、
を有することを特徴とするマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
【請求項１７】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープを製造するための構造が、
（ａ）第一の基板またはウェハ上に定義された、１つの梁、側部駆動電極の第一構成部分及び１つの組合わせ部と、
（ｂ）第二の基板またはウェハ上に定義された、感知電極、前記側部駆動電極の第二構成部分及び１つの組合わせ部と、
（ｃ）前記第一の基板またはウェハ上に定義された前記組合わせ部を、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部とボンディングするための、また同時に、前記側部駆動電極の前記第一及び前記第二構成部分をそれらの間で圧力／熱を加えることでボンディングするための、前記組合わせ部の少なくとも１つの上に配置され、また同時に、前記側部駆動電極の前記第一及び前記第二構成部分の少なくとも１つの上に配置された、圧力／熱に敏感なボンディング層と、
を備える構成であって、
前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部が、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補的な形状を成し、前記側部駆動電極の前記第二構成部分が、前記第一の基板またはウェハ上の前記側部駆動電極の前記第一構成部分と相補的な形状を成すことを特徴とするマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
【請求項１８】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの構造が、
（ａ）第一の基板またはウェハ上に定義された、１つの梁、側部駆動電極の第一構成部分及び１つの組合わせ部と、
（ｂ）第二の基板またはウェハ上に定義された、少なくとも１つの接触部、前記側部駆動電極の第二構成部分及び１つの組合わせ部と、
（ｃ）前記第一の基板またはウェハ上に定義された前記組合わせ部を、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部とボンディングするための、また同時に、前記側部駆動電極の前記第一及び前記第二構成部分をボンディングするための、前記組合わせ部の少なくとも１つの上に配置され、また同時に、前記側部駆動電極の前記第一及び前記第二構成部分の少なくとも１つの上に配置された、ボンディング層と、
を備える構成であって、
前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部が、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補的な形状を成し、前記組合わせ部が、一方からもう一方まで前記ボンディング層に結合され、前記側部駆動電極の前記構成部分が、一方からもう一方まで前記ボンディング層に結合されることを特徴とするマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
最適な実施例に重点をおいて本発明を述べたが、当業者においては随時改良が可能である。付加請求項を除き、本発明は前述したものに限られない。
次のコンセプトは、本発明の開示内容にサポートされる。
［コンセプト１］
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法であって、
第一の基板またはウェハ上に片持ち梁を定義するステップと、
第二の基板またはウェハ上に少なくとも１つの接触部を形成するステップと、
前記第一の基板またはウェハ上の組合わせ部に関連する層と、前記第二の基板またはウェハ上の組合わせ部に関連する層とをボンディングするステップと、
を有することを特徴とするマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト２］
前記第一の基板またはウェハが、少なくとも２つの側部駆動電極及び一つの組合わせ部の第一構成部分を備え、
前記第二の基板またはウェハが、前記少なくとも２つの側部駆動電極及び一つの組合わせ部の第二構成部分を備え、
前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部が、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補的な形状を成し、
前記側部駆動電極の前記第二構成部分が、前記第一の基板またはウェハ上の前記側部駆動電極の前記第一構成部分と相補的な形状を成し、
前記マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法は、更に、
前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と対面関係を位置させるステップと、
前記第一の基板またはウェハ上の少なくとも２つの側部駆動電極の前記第一構成部分に関連する層と、前記第二の基板またはウェハ上の少なくとも２つの側部駆動電極の前記第二構成部分に関連する層とをボンディングするステップと、
前記片持ち梁をリリースするために、前記第一の基板またはウェハの少なくとも一部を除去するステップと、
を有するコンセプト１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト３］
前記第二の基板またはウェハはケイ素から形成され、前記第二の基板またはウェハを形成する前記ケイ素は単結晶構造を持つコンセプト１またはコンセプト２に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト４］
前記ケイ素の前記結晶構造がＳｉ＜１００＞であるコンセプト３に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト５］
前記ケイ素はｎ型であるコンセプト４に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト６］
前記第一の基板またはウェハはケイ素から形成されるコンセプト１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト７］
前記第一の基板またはウェハを形成する前記ケイ素は単結晶構造を持つコンセプト６に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト８］
前記第一の基板またはウェハ内の前記ケイ素の前記結晶構造がＳｉ＜１００＞であるコンセプト７に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト９］
前記第一の基板またはウェハの前記ケイ素はｎ型であるコンセプト８に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト１０］
前記２つの基板間に圧力と共に熱が加えられた結果、前記２つの組合わせ部間で、そして、前記側部駆動電極の前記第一構成部分と前記第二構成部分との間で、共晶ボンディングが起こるコンセプト１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト１１］
前記片持ち梁は、
（ａ）  前記第一の基板またはウェハ上にケイ素のエピタキシャル層を形成し、前記エピタキシャル層がドープされるステップと、
（ｂ）  前記第一の基板またはウェハ上に配置された梁を定義するために、ケイ素の前記エピタキシャル層のマスキング及びエッチングを行うステップと、
（ｃ）  前記第一の基板またはウェハをエッチングによって除去するステップと、
によって形成されるコンセプト１またはコンセプト２に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト１２］
一時マスク層内の小穴部を通して金属を溶着することにより、接触部は前記片持ち梁の端部上に形成され、前記金属の溶着工程が進むにつれ、前記金属が溶着されて前記小穴部を被覆していき、それによって前記小穴部を通して溶着される前記接触部が、溶着工程が進むにつれて断面を減少しながら延伸構造を持つことができる程度に前記小穴部が十分小さくなっているコンセプト１１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト１３］
前記エピタキシャル層の抵抗率を０．０５Ω−ｃｍ以下に減少させるために、前記エピタキシャル層は、十分な濃度を有するホウ素によってドープされるコンセプト１１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト１４］
エチレンジアミン・ピロカテコールをエッチング液として、エッチングは行われるコンセプト１３に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト１５］
好適にチタン、プラチナ及び金の個別層から形成される金属層は、前記エピタキシャル層上に選択的に溶着され、そして高温で焼結されることにより、前記エピタキシャル層上に第一及び第二のオーム接触部を形成し、また、前記第二のオーム接触部は前記片持ち梁の遠心端の近くに配置され、前記第一のオーム接触部は前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成するコンセプト１３に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト１６］
比較的厚い金属層が、比較的薄い金属層に溶着され、それから焼結され、前記比較的厚い金属層の第一構成部分は、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成し、また前記第一のオーム接触部を覆っており、前記比較的厚い金属層の第二構成部分は、前記第二のオーム接触部に尖状接触部を形成するコンセプト１５に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト１７］
前記比較的厚い金属層はチタン／プラチナ／金であるコンセプト１６に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト１８］
更に、前記第二の基板またはウェハ上に、チタン／プラチナ／金の接触部を形成し、前記第二の基板またはウェハ上の前記接触部から少なくとも１つの接触部は、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を定義するコンセプト１７に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト１９］
前記ボンディングが共晶的に起こり、共晶ボンディングを形成するための前記層が、前記第二の基板またはウェハ上の前記チタン／プラチナ／金の接触部の上に溶着された金−ケイ素共晶層、及び／または、前記第一の基板またはウェハ上のチタン／プラチナ／金の前記比較的厚い層の第一構成部分の上に溶着された金−ケイ素共晶層によって提供されるコンセプト１８に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト２０］
前記第一の基板またはウェハは、エッチング停止層を含み、
前記片持ち梁、少なくとも２つの側部駆動電極の前記第一構成部分、及び前記第一の基板またはウェハの前記組合わせ部は、前記エッチング停止層の近くに配置され、
前記片持ち梁は、前記第一の基板またはウェハを最初にエッチングすることによる除去と、その次に前記エッチング停止層をエッチングすることによる除去とによって、リリースされるコンセプト１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト２１］
前記第二の基板またはウェハはケイ素から形成されるコンセプト２０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト２２］
前記第二の基板またはウェハを形成する前記ケイ素は単結晶構造を持つコンセプト２１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト２３］
前記ケイ素の前記結晶構造がＳｉ＜１００＞であるコンセプト２２に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト２４］
前記ケイ素はｎ型であるコンセプト２３に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト２５］
前記第一の基板またはウェハはケイ素から形成されるコンセプト２０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト２６］
前記第一の基板またはウェハを形成する前記ケイ素は単結晶構造を持つコンセプト２５に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト２７］
前記第一の基板またはウェハ内の前記ケイ素の前記結晶構造がＳｉ＜１００＞であるコンセプト２６に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト２８］
前記第一の基板またはウェハの前記ケイ素はｎ型であるコンセプト２７に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト２９］
前記２つの基板間に圧力と共に熱が加えられた結果、前記２つの組合わせ部間で、そして、前記側部駆動電極の前記第一構成部分と前記第二構成部分との間で、共晶ボンディングが起こるコンセプト２０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト３０］
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの構造が
（ａ）  第一の基板またはウェハ上に定義された１つの梁及び１つの組合わせ部と、
（ｂ）  第二の基板またはウェハ上に定義された少なくとも１つの接触部及び１つの組合わせ部と、
（ｃ）  前記第一の基板またはウェハ上に定義された前記組合わせ部を、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部へとボンディングするための前記組合わせ部の少なくとも１つの上に配置されたボンディング層と、
を備える構成であって、
前記組合わせ部が、一方からもう一方まで前記ボンディング層に結合されることを特徴とするマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト３１］
前記構造はマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープを製造するものであり、
前記第一の基板またはウェハは同様に、側部駆動電極の第一構成部分と、感知電極である前記接触部と、前記第二の基板またはウェハ上の前記側部駆動電極の第二構成部分とを備えており、
前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部が、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補的な形状を成しており、
前記側部駆動電極の前記第二構成部分が、前記第一の基板またはウェハ上の前記側部駆動電極の前記第一構成部分と相補的な形状を成しており、
前記第一の基板またはウェハ上に定義された前記組合わせ部を前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部にボンディングするための、また同時に、前記側部駆動電極の前記第一構造部分及び前記第二構造部分をボンディングするための、
少なくとも１つの前記組合わせ部上に配置された前記ボンディング層は、前記側部駆動電極の前記第一構成部分及び前記第二構成部分の少なくとも１つ上にもあるコンセプト３０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト３２］
前記ボンディング層は圧力／熱に敏感であり、前記第一の基板またはウェハ上に定義された前記組合わせ部を前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部にボンディングし、また同時に、前記側部駆動電極の前記第一構造部分及び前記第二構造部分をボンディングするコンセプト３１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト３３］
前記第一及び前記第二の基板またはウェハは、ケイ素から形成されるコンセプト３０またはコンセプト３１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト３４］
前記第一及び前記第二の基板またはウェハを形成する前記ケイ素は、単結晶構造を持つコンセプト３３に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト３５］
前記ケイ素の前記結晶構造はＳｉ＜１００＞であるコンセプト３４に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト３６］
前記ケイ素はｎ型であるコンセプト３５に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト３７］
前記第一の基板またはウェハは薄いエッチング停止層を含み、
前記梁、側部駆動電極の前記第一構成部分、及び前記第一の基板またはウェハの前記組合わせ部は、前記エッチング停止層の近くに配置されるコンセプト３１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト３８］
前記梁は非ドープのものであり、
１つの薄く細長い紐状導線は、前記梁の上に配置されているコンセプト３７に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト３９］
前記梁は、その抵抗率が０．０５Ω−ｃｍ以下になるようにドープされるコンセプト３８に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト４０］
前記薄いエッチング停止層は二酸化ケイ素であり、
１つの尖状接触部は前記梁の端部に配置されているコンセプト３７に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト４１］
前記エピタキシャル層の抵抗率を０．０５Ω−ｃｍ以下に減少させるために、前記エピタキシャル層は、十分な濃度を有するホウ素によってドープされるコンセプト４０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト４２］
さらに、前記エピタキシャル層上に第一及び第二のオーム接触部を持ち、前記第二のオーム接触部が前記梁の遠心端の近くに配置され、前記第一のオーム接触部が前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成するコンセプト４１のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト４３］
比較的厚い金属層が、前記第一及び第二のオーム金属接触部の上に配置され、前記比較的厚い金属層の第一構成部分が前記第一のオーム金属接触部上に配置され、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を提供し、前記比較的厚い金属層の第二構成部分は、前記第二のオーム金属接触部上に尖状接触部を形成しているコンセプト４１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト４４］
さらに、前記第二の基板またはウェハ上に配置された金属接触部を持ち、前記第二の基板またはウェハ上の前記接触部の少なくとも１つが、前記第二の基板上の前記組合わせ部を定義するコンセプト４３に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト４５］
前記ボンディング層が、前記第二の基板またはウェハ上の前記金属接触部上に配置された金−ケイ素共晶層によって、及び／または、前記第一の基板またはウェハ上の前記比較的厚い金属層の前記第一構成部分上に配置された金−ケイ素共晶層によって提供されるコンセプト４４に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト４６］
さらに、前記エピタキシャル層上に第一及び第二のオーム接触部を持ち、前記第二のオーム接触部が前記梁の遠心端の近くに配置され、前記第一のオーム接触部が前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成するコンセプト４１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト４７］
前記第一及び前記第二のオーム接触部は、チタン／プラチナ／金の接触部であるコンセプト４２乃至コンセプト４６のいずれかに記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト４８］
前記構造はマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの構造であり、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部が、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補的な形状を成すコンセプト３０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト４９］
前記片持ち梁は、前記第一の基板またはウェハ上のケイ素のエピタキシャル層から形成され、前記エピタキシャル層は、ドーパントでドープされているコンセプト３３に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト５０］
前記エピタキシャル層の抵抗率を０．０５Ω−ｃｍ以下に減少させるために、前記エピタキシャル層は、十分な濃度を有するホウ素によってドープされるコンセプト４９に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト５１］
さらに、前記エピタキシャル層上に第一及び第二のオーム接触部を持ち、前記第二のオーム接触部が前記梁の遠心端の近くに配置され、前記第一のオーム接触部が前記第一のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成するコンセプト４９またはコンセプト５０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト５２］
比較的厚い金属層が、前記第一及び第二のオーム接触部の上に配置され、前記比較的厚い金属層の第一構成部分が前記第一のオーム接触部上に配置され、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を提供し、前記比較的厚い金属層の第二構成部分は、前記第二のオーム接触部上に尖状接触部を形成しているコンセプト５１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト５３］
さらに、前記第二の基板またはウェハ上に配置された金属接触部を持ち、前記第二の基板またはウェハ上の前記接触部の少なくとも１つが、前記第二の基板上の前記組合わせ部を定義するコンセプト５２に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト５４］
前記ボンディング層が、前記第二の基板またはウェハ上の前記金属接触部上に配置された金−ケイ素共晶層によって、及び／または、前記第一の基板またはウェハ上の前記比較的厚い金属層の前記第一構成部分上に配置された金−ケイ素共晶層によって提供されるコンセプト５３に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト５５］
前記片持ち梁は、前記片持ち梁と前記第一の基板またはウェハのほかの部分との間に提供された二酸化ケイ素層を持つ前記第一の基板またはウェハから形成されるコンセプト３０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト５６］
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法であって、
（ａ）１つの片持ち梁と、少なくとも２つの側部駆動電極の第一構成部分と、１つの組合わせ部を、第一の基板またはウェハ上に定義するステップと、
（ｂ）少なくとも１つの接触部と、前記少なくとも２つの側部駆動電極の第二構成部分と、１つの組合わせ部を、第二の基板またはウェハ上に形成し、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部が、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補的な形状を成し、前記側部駆動電極の前記第二構成部分が、前記第一の基板またはウェハ上の前記側部駆動電極の前記第一構成部分と相補的な形状を成すステップと、
（ｃ）前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と対面関係を位置させるステップと、
（ｄ）前記第一の基板またはウェハ上の組合わせ部に関連する層と、前記第二の基板またはウェハ上の組合わせ部に関連する層とをボンディングするステップと、
（ｅ）前記第一の基板またはウェハ上の少なくとも２つの側部駆動電極の前記第一構成部分に関連する層と、前記第二の基板またはウェハ上の少なくとも２つの側部駆動電極の前記第二構成部分に関連する層とをボンディングするステップと、
（ｆ）前記片持ち梁をリリースするために、前記第一の基板またはウェハの少なくとも一部を除去するステップと、
を有することを特徴とするマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの製造方法。
［コンセプト５７］
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープを製造するための構造が、
（ａ）第一の基板またはウェハ上に定義された、１つの梁、側部駆動電極の第一構成部分及び１つの組合わせ部と、
（ｂ）第二の基板またはウェハ上に定義された、感知電極、前記側部駆動電極の第二構成部分及び１つの組合わせ部と、
（ｃ）前記第一の基板またはウェハ上に定義された前記組合わせ部を、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部とボンディングするための、また同時に、前記側部駆動電極の前記第一及び前記第二構成部分をそれらの間で圧力／熱を加えることでボンディングするための、前記組合わせ部の少なくとも１つの上に配置され、また同時に、前記側部駆動電極の前記第一及び前記第二構成部分の少なくとも１つの上に配置された、圧力／熱に敏感なボンディング層と、
を備える構成であって、
前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部が、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補的な形状を成し、前記側部駆動電極の前記第二構成部分が、前記第一の基板またはウェハ上の前記側部駆動電極の前記第一構成部分と相補的な形状を成すことを特徴とするマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。
［コンセプト５８］
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープの構造が、
（ａ）第一の基板またはウェハ上に定義された、１つの梁、側部駆動電極の第一構成部分及び１つの組合わせ部と、
（ｂ）第二の基板またはウェハ上に定義された、少なくとも１つの接触部、前記側部駆動電極の第二構成部分及び１つの組合わせ部と、
（ｃ）前記第一の基板またはウェハ上に定義された前記組合わせ部を、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部とボンディングするための、また同時に、前記側部駆動電極の前記第一及び前記第二構成部分をボンディングするための、前記組合わせ部の少なくとも１つの上に配置され、また同時に、前記側部駆動電極の前記第一及び前記第二構成部分の少なくとも１つの上に配置された、ボンディング層と、
を備える構成であって、
前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部が、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補的な形状を成し、前記組合わせ部が、一方からもう一方まで前記ボンディング層に結合され、前記側部駆動電極の前記構成部分が、一方からもう一方まで前記ボンディング層に結合されることを特徴とするマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・ジャイロスコープ。

【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・ジャイロスコープの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図１Ｂ】
本発明に係る、図１Ａに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図２Ａ】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・ジャイロスコープの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図２Ｂ】
本発明に係る、図２Ａに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図３Ａ】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・ジャイロスコープの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図３Ｂ】
本発明に係る、図３Ａに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図４Ａ】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・ジャイロスコープの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図４Ｂ】
本発明に係る、図４Ａに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図５Ａ】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・ジャイロスコープの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図５Ｂ】
本発明に係る、図５Ａに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図６Ａ】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・ジャイロスコープの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図６Ｂ】
本発明に係る、図６Ａに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図７Ａ】
本発明に係る、ジャイロスコープの基板部分の構成工程における切断図である。
【図７Ｂ】
本発明に係る、図７Ａに対応する基板部分の構成工程における平面図である。
【図８Ａ】
本発明に係る、ジャイロスコープの基板部分の構成工程における切断図である。
【図８Ｂ】
本発明に係る、図８Ａに対応する基板部分の構成工程における平面図である。
【図９Ａ】
本発明に係る、ジャイロスコープの基板部分の構成工程における切断図である。
【図９Ｂ】
本発明に係る、図９Ａに対応する基板部分の構成工程における平面図である。
【図１０Ａ】
本発明に係る、ジャイロスコープの基板部分の構成工程における切断図である。
【図１０Ｂ】
本発明に係る、図１０Ａに対応する基板部分の構成工程における平面図である。
【図１１Ａ】
本発明に係る、ジャイロスコープの基板部分の構成工程における切断図である。
【図１１Ｂ】
本発明に係る、図１１Ａに対応する基板部分の構成工程における平面図である。
【図１２】
本発明に係る、片持ち梁ビーム形成部と基板部分とを組合わせ、望ましい共晶ボンディングを利用して互いのボンディングが行われた図である。
【図１３】
図１３は、片持ち梁ビーム形成部と基板部分とを組合わせ、望ましい共晶ボンディングを利用して互いのボンディングが行われた図である。
【図１４Ａ】
本発明に係る、完成したマイクロ・エレクトロ・メカニカル・ジャイロスコープの切断図である。
【図１４Ｂ】
本発明に係る、完成したマイクロ・エレクトロ・メカニカル・ジャイロスコープの平面図である。
【図１５】
本発明に係る、完成したマイクロ・エレクトロ・メカニカル・ジャイロスコープの切断図である。
【図１６】
本発明に係る、片持ち梁ビームがエッチング停止層上に形成されており、また基板部分が組み合わされて、望ましい共晶ボンディングによってボンディングされている、片持ち梁形成部の加減調節の図である。
【図１７】
本発明に係る、片持ち梁ビームがエッチング停止層上に形成されており、また基板部分が組み合わされて、望ましい共晶ボンディングによってボンディングされている、片持ち梁形成部の加減調節の図である。
【図１８Ａ】
本発明に係る、完成したマイクロ・エレクトロ・メカニカル・ジャイロスコープの断面図である。
【図１８Ｂ】
本発明に係る、図１８Ａの平面図である。
【図１９】
本発明に係る、相対的に小型の紐状導線が片持ち梁ビーム上に提供されている、加減調節の図である。