【手続補正書】
【提出日】平成20年8月12日(2008.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ５００ナノメートルよりも小さい最小幅を有する少なくとも１つの部分を有含む少なくとも４つの半導体ナノワイヤを含み、前記少なくとも４つの半導体ナノワイヤは互いに関係する２０％より小さい個々の平均直径における変動を有する半導体ナノワイヤの母集団から取得される、電気デバイス。
【請求項２】  第１の半導体材料を含む内部コアと、
前記内部コアの外側の１つまたは複数の外殻とを含む少なくともひとつの半導体ナノワイヤを前記デバイスは含み、前記外殻の少なくとも１つが前記第１の半導体材料と異なる材料を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、元素半導体を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】  前記元素半導体は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｂ、ダイアモンド、およびＰから成るグループから選択される、請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】  前記デバイスは、元素半導体の固溶体を含む少なくともひとつの半導体ナノワイヤを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】  前記固溶体は、Ｂ−Ｃ、Ｂ−Ｐ（ＢＰ６）、Ｂ−Ｓｉ、Ｓｉ−Ｃ、Ｓｉ−Ｇｅ、Ｓｉ−Ｓｎ、およびＧｅ−Ｓｎから成るグループから選択される、請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】  前記デバイスは、ＩＶ族−ＩＶ族半導体材料を含む少なくともひとつの半導体ナノワイヤを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、ＩＩＩ族−Ｖ族半導体を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】  前記ＩＩＩ族−Ｖ族半導体は、ＢＮ／ＢＰ／ＢＡｓ、ＡｌＮ／ＡｌＰ／ＡｌＡｓ／ＡｌＳｂ、ＧａＮ／ＧａＰ／ＧａＡｓ／ＧａＳｂ、ＩｎＮ／ＩｎＰ／ＩｎＡｓ／ＩｎＳｂから成るグループから選択される、請求項９に記載のデバイス。
【請求項１０】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、ＢＮ／ＢＰ／ＢＡｓ、ＡｌＮ／ＡｌＰ／ＡｌＡｓ／ＡｌＳｂ、ＧａＮ／ＧａＰ／ＧａＡｓ／ＧａＳｂ、ＩｎＮ／ＩｎＰ／ＩｎＡｓ／ＩｎＳｂから成るグループからの２以上のＩＩＩ族−Ｖ族半導体の組合せを含む合金を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、ＩＩ族−ＶＩ族半導体を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】  前記半導体は、ＺｎＯ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ、ＣｄＳ／ＣｄＳｅ／ＣｄＴｅ、ＨｇＳ／ＨｇＳｅ／ＨｇＴｅ、ＢｅＳ／ＢｅＳｅ／ＢｅＴｅ／ＭｇＳ／ＭｇＳｅから成るグループから選択される、請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１３】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、ＺｎＯ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ、ＣｄＳ／ＣｄＳｅ／ＣｄＴｅ、ＨｇＳ／ＨｇＳｅ／ＨｇＴｅ、ＢｅＳ／ＢｅＳｅ／ＢｅＴｅ／ＭｇＳ／ＭｇＳｅから成るグループからの２以上のＩＩ族−ＶＩ族半導体の組合せを含む合金を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１４】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、ＩＶ族−ＶＩ族半導体を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１５】  前記半導体は、ＧｅＳ、ＧｅＳｅ、ＧｅＴｅ、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅから成るグループから選択される、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、Ｉ族−ＶＩＩ族半導体を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１７】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、ｐ型ドーパントを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１８】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、ｎ型ドーパントを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１９】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、周期律表のＩＩＩ族からのｐ型ドーパントを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２０】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、周期律表のＶ族からのｎ型ドーパントを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２１】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、周期律表のＩＩ族からのｐ型ドーパントを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２２】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、周期律表のＩＶ族からのｐ型ドーパントを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２３】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、細長く、かつ前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤの少なくとも１つの部分が長手方向の断面である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２４】  前記長手方向の断面は、最も長い幅に対する前記断面の長さの比が４：１よりも大きい、請求項２３に記載のデバイス。
【請求項２５】  前記デバイスは、単結晶を含む少なくともひとつの半導体ナノワイヤを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２６】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、ｎ型にドープされている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２７】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、ｐ型にドープされている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２８】  前記半導体ナノワイヤは２０％より小さい個々の平均直径における変動を有する結晶コロイド粒子の母集団を選択し、触媒コロイド粒子から触媒の働きで半導体ナノワイヤの母集団を成長するプロセスにより作成され、２０％より小さい個々の平均直径における変動を有する少なくとも４つの半導体ナノワイヤが選択されることで２０％より小さい個々の平均直径における変動を有する半導体ナノワイヤの母集団を生成する、請求項１のデバイス。
【請求項２９】  少なくとも４つの半導体ナノワイヤを含み、前記少なくとも４つの半導体ナノワイヤのそれぞれは、その長手方向の軸における任意の点に半導体が５００ナノメートルよりも小さい最大断面寸法を有するような長手方向の軸を有し、前記少なくとも４つの半導体ナノワイヤは互いに関係する２０％より小さい個々の平均直径における変動を有する半導体ナノワイヤの母集団から取得される、電気デバイス。
【請求項３０】  前記少なくとも４つの半導体ナノワイヤの少なくともひとつは、
第１の半導体材料を含む内部コアと、
前記内部コアの外側の１つまたは複数の外殻と、を含み、前記外殻の少なくとも１つが前記第１の半導体材料と異なる材料を含む、請求項２９に記載のデバイス。
【請求項３１】  前記少なくとも４つの半導体ナノワイヤの少なくともひとつの長手方向の軸における任意の点で、最も長い幅に対する前記断面の長さの比が４：１よりも大きい、請求項２９に記載のデバイス。
【請求項３２】  前記少なくとも４つの半導体ナノワイヤの少なくともひとつの長手方向の軸における任意の点で、前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは１００ナノメートルよりも小さい最小幅を有する、請求項２９に記載のデバイス。
【請求項３３】  前記デバイスは、単結晶を含む少なくともひとつの半導体ナノワイヤを含む、請求項２９に記載のデバイス。
【請求項３４】  前記デバイスは、ｎ型にドープされている少なくともひとつの半導体ナノワイヤを含む、請求項２９に記載のデバイス。
【請求項３５】  前記デバイスは、ｐ型にドープされている少なくともひとつの半導体ナノワイヤを含む、請求項２９に記載のデバイス。
【請求項３６】  前記半導体ナノワイヤは２０％より小さい個々の平均直径における変動を有する結晶コロイド粒子の母集団を選択するプロセスにより作成され、触媒コロイド粒子から触媒の働きで半導体ナノワイヤの母集団を成長し、２０％より小さい個々の平均直径における変動を有する少なくとも４つの半導体ナノワイヤが選択されることで２０％より小さい個々の平均直径における変動を有する半導体ナノワイヤの母集団を生成する、請求項２９のデバイス。
【請求項３７】  少なくとも４つの半導体ナノワイヤを含み、前記少なくとも４つの半導体ナノワイヤのそれぞれは、５００ナノメートルよりも小さい最小幅を有する少なくとも１つの部分を含み、２０％より小さい個々の平均直径における変動を有する結晶コロイド粒子の母集団を選択し、触媒コロイド粒子から触媒の働きで半導体ナノワイヤの母集団を成長するプロセスにより作成される、電気デバイス。
【請求項３８】  前記少なくとも４つの半導体ナノワイヤのそれぞれは、５００ナノメートルよりも小さい最小幅を有する少なくともひとつの部分を含み、これにより、２０％より小さい個々の平均直径における変動を有する前記少なくとも４つの半導体ナノワイヤが取得される２０％より小さい個々の平均直径における変動を有する少なくとも４つの半導体ナノワイヤの母集団を生成する、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項３９】  第１の半導体材料を含む内部コアと、
前記内部コアの外側の１つまたは複数の外殻とを含み、前記外殻の少なくとも１つが前記第１の半導体材料と異なる材料を含む、少なくともひとつの半導体ナノワイヤを、前記デバイスは含む、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項４０】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、元素半導体を含む、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項４１】  前記デバイスは、ＩＶ族−ＶＩ族半導体材料を含む少なくともひとつの半導体ナノワイヤを含む、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項４２】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、ＩＩＩ族−Ｖ族半導体を含む、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項４３】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、ＩＩ族−ＶＩ族半導体を含む、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項４４】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、ＩＶ族−ＩＶ族半導体を含む、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項４５】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、Ｉ族−ＶＩＩ族半導体を含む、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項４６】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、ｐ型ドーパントを含む、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項４７】  前記少なくともひとつの半導体ナノワイヤは、ｎ型ドーパントを含む、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項４８】  前記最小幅は１００ナノメートルより小さい、請求項３７に記載のデバイス。