【手続補正書】
【提出日】平成20年4月10日(2008.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】導電性リンクのレーザ切断方法およびレーザシステム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板によって支持される集積回路（ＩＣ）内の導電性リンクをレーザ切断する方法であって、前記導電性リンクは、リンク幅を有し、かつ前記集積回路内で、関連する一対の導電性接点間に位置決めされ、前記方法は、
ビーム位置決め装置に、１以上の導電性リンクの位置を代表する位置データを提供する工程と、
少なくとも２つのレーザパルスを発生させる工程と、
前記選択された導電性リンクを切断するために、前記位置決めデータに基づいて、前記レーザパルスを、選択された導電性リンクに方向付ける工程と
を具え、
前記ビーム位置決め装置は、前記基板に対するレーザスポット位置の相対移動を付与し、前記レーザパルスは、第１レーザパルスおよび第２レーザパルスを含み、前記第１レーザパルスおよび前記第２レーザパルスの各々は、前記集積回路にレーザスポットを生じさせ、前記選択された導電性リンクまたは前記レーザスポットの少なくとも一方は、、前記第１レーザパルスおよび第２レーザパルスが、前記選択された導電性リンクに連続的に方向付けられている間中作動中である、導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項２】
前記レーザパルスの各々のパルス幅は、２５ピコ秒よりも小さい請求項１に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項３】
前記レーザパルスを、光学ゲートを通じて方向付ける工程を具える請求項１または２に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項４】
前記選択された導電性リンクは、メモリデバイスまたは論理デバイスのリンクを具える請求項１、２または３に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項５】
保護層は、前記選択された導電性リンクの上を覆う請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項６】
前記レーザパルスを方向付ける工程は、前記選択された導電性リンクの上を覆う前記保護層の０．０１〜０．２μｍの厚さを除去する少なくとも１つのレーザパルス具える請求項５に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項７】
前記レーザパルスを発生させる工程は、第１の選択された導電性リンクを切断するために少なくとも２つのレーザパルスを発生させる第１発生工程と、第２の選択された導電性リンクを切断するために少なくとも２つのレーザパルスを発生させる第２発生工程とを具え、前記第１発生工程と前記第２発生工程との間の繰り返し周波数は、１Ｈｚをよりも大きい請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項８】
前記繰り返し周波数は、５ｋＨｚよりも小さい請求項７に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項９】
前記第１レーザパルスおよび前記第２レーザパルスは、同じエネルギー密度を有する請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項１０】
前記レーザパルスを発生させる工程は、増幅器を利用することを含む請求項１〜９のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項１１】
前記レーザパルスを発生させる工程は、前記レーザパルスを具えるバーストを発生させることを含み、前記バーストは、５００ナノ秒未満の幅を有する請求項１〜１０のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項１２】
前記バーストは２〜５０個のレーザパルスを具える請求項１１に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項１３】
前記第２レーザパルスは、前記第１レーザパルスの終了後に開始する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項１４】
前記レーザパルスの各々はエネルギー密度を有し、レーザパルスの数および前記レーザパルスの各々のエネルギー密度は、切断されるべき前記選択された導電性リンクの厚さの関数として決定される請求項１〜１３のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項１５】
前記選択された導電性リンクは、１μｍ未満の幅を有する請求項１〜１４のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項１６】
前記選択された導電性リンクは、アルミニウム、銅、多結晶シリコン、金、ニッケル、プラチナ、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、タングステン、またはタングステンシリサイド材料から構成される請求項１〜１５のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項１７】
前記第１レーザパルスおよび前記第２レーザパルスのレーザスポットは、等しいスポットサイズを有する請求項１〜１６のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項１８】
前記レーザパルスを発生させる工程は、モード固定レーザを用いて行われる請求項１〜１７のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項１９】
前記レーザスポットは、前記選択された導電性リンクに重複する請求項１〜１８のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項２０】
前記第１レーザパルスおよび第２レーザパルスの各々は、単一ピークパルス形状を有する請求項１〜１９のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項２１】
前記レーザパルスは、２００〜１３２０ｎｍの波長を有する請求項１〜２０のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項２２】
前記レーザパルスは、紫外または近紫外の波長を有する請求項１〜２１のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項２３】
前記レーザパルスは、０．０１μＪ〜１０ｍＪの総エネルギーを有する請求項１〜２２のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項２４】
レーザスポットの少なくとも１つは、前記選択された導電性リンクの幅よりも大きいスポットサイズを有する請求項１〜２３のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項２５】
前記選択された導電性リンクを前記レーザスポットに対して移動させるように作動する２軸配置の少なくとも２つのステージを提供する工程を具える請求項１〜２４のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項２６】
前記選択された導電性リンクを前記レーザスポットに対して移動させるように作動する積層配置の少なくとも２つのステージを提供する工程を具える請求項１〜２４のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項２７】
前記レーザパルスを発生させる工程は、Ｑスイッチレーザを用いて行われる請求項１〜２６のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項２８】
前記レーザパルスの少なくとも１つのエネルギー密度を変化させる工程を具える請求項１〜８または請求項１０〜２７のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項２９】
前記レーザパルスを発生させる工程は、第１導電性リンクを切断するための２つ以上のレーザパルスを発生させる第１発生工程と、第２導電性リンクを切断するための２つ以上のレーザパルスを発生させる第２発生工程とを具え、前記第１発生工程および前記第２発生工程は、同じエネルギー密度プロファイルを有する請求項１〜２８のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項３０】
前記レーザパルスを発生させる工程は、第１導電性リンクを切断するための２つ以上のレーザパルスを発生させる第１発生工程と、第２導電性リンクを切断するための２つ以上のレーザパルスを発生させる第２発生工程とを具え、前記第１発生工程および前記第２発生工程は、異なるエネルギー密度プロファイルを有する請求項１〜２８のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項３１】
前記レーザパルスを方向付ける工程は、前記選択された導電性リンクの０．０１〜０．０３μｍの厚さを除去する少なくとも１つのレーザパルスを具える請求項１〜３０のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項３２】
前記レーザパルスを方向付ける工程は、前記レーザパルスが前記選択された導電性リンクに方向付けられている間中、フォーカスレンズを設け、該フォーカスレンズは、前記選択された導電性リンクに対して相対運動している請求項１〜３１のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項３３】
前記選択された導電性リンクの下方に少なくとも１つのプラットフォームを設ける工程を具え、前記プラットフォームは、前記レーザパルスが前記選択された導電性リンクに方向付けられている間中動いている請求項１〜３２のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項３４】
前記レーザパルスは、前記選択された導電性リンクを切断するために、選択された導電性リンクに高速で方向付けられる請求項１〜３３のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項３５】
少なくとも２つのレーザパルスは、前記選択された導電性リンクまたは前記レーザビームの少なくとも１つが、前記ビームが前記選択された導電性リンクに方向付けられている間中運動しているようなレーザビームを具える請求項１〜３４のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項３６】
前記レーザスポットおよび前記選択された導電性リンクは、前記第１レーザパルスおよび前記第２レーザパルスが前記選択された導電性リンクに方向付けられている間中、相対運動している請求項１〜３５のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項３７】
前記レーザスポットの少なくとも１つは、前記選択された導電性リンクの幅よりも大きいスポットサイズを有し、前記第１レーザパルスおよび前記第２レーザパルスは、紫外線波長を有し、前記レーザパルスは、前記選択された導電性リンクを切断し、かつ前記基板は、前記第１レーザパルスおよび前記第２レーザパルスが前記選択された導電性リンクに方向付けられている間中、ダメージを受けていない請求項１〜３６のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項３８】
前記第１レーザパルスおよび前記第２レーザパルスは、異なるエネルギー密度を有する請求項１〜８または請求項１０〜３７のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項３９】
前記第１レーザパルスおよび前記第２レーザパルスの少なくとも１つは、前記リンク厚さ未満のリンク材料の深さを除去する請求項１〜３８のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項４０】
前記レーザパルスの少なくとも１つは、前記導電性リンクを切断するのに不十分である請求項１〜３９のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項４１】
前記レーザパルスの少なくとも１つは、材料の０．０２〜０．２μｍの深さを除去する請求項１〜４０のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項４２】
請求項１〜４１のいずれか１項に記載の方法において用いられる、基板によって支持される集積回路（ＩＣ）内の導電性リンクを切断するためのレーザシステムであって、前記導電性リンクは、リンク幅を有し、かつ前記集積回路内で、関連する一対の導電性接点間に位置決めされ、
前記システムは、レーザ源、ビーム位置決めシステム、およびレーザシステム制御系を具え、
前記レーザ源は、少なくとも２つのレーザパルスを発生させることができ、前記レーザパルスは、第１レーザパルスおよび第２レーザパルスを含み、前記第１レーザパルスおよび前記第２レーザパルスの各々は、前記集積回路にレーザスポットを生じさせ、
前記ビーム位置決めシステムは、１以上の導電性リンクの位置を代表する位置データを利用して、レーザスポットと導電性リンクとの間の相対位置を変化させることができ、かつ前記ビーム位置決めシステムは、前記レーザ源によって発生させられたレーザパルスを受けることができ、
前記レーザシステム制御系は、前記レーザパルスを、選択された導電性リンクに向かわせるために、前記ビーム位置決めシステムを調節することができ、前記選択された導電性リンクまたは前記レーザスポットの少なくとも一方は、、前記第１レーザパルスおよび前記第２レーザパルスが前記選択された導電性リンクに連続的に方向付けられている間中運動し、かつ前記レーザパルスは前記選択された導電性リンクを切断する導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項４３】
基板によって支持される集積回路（ＩＣ）内の導電性リンクを切断するためのレーザシステムであって、前記導電性リンクは、リンク幅を有し、かつ前記集積回路内で、関連する一対の導電性接点間に位置決めされ、
前記システムは、レーザ源、ビーム位置決めシステム、およびレーザシステム制御系を具え、
前記レーザ源は、少なくとも２つのレーザパルスを発生させることができ、前記レーザパルスは、第１レーザパルスおよび第２レーザパルスを含み、前記第１レーザパルスおよび前記第２レーザパルスの各々は、前記集積回路にレーザスポットを生じさせ、
前記ビーム位置決めシステムは、１以上の導電性リンクの位置を代表する位置データを利用して、レーザスポットと導電性リンクとの間の相対位置を変化させることができ、かつ前記ビーム位置決めシステムは、前記レーザ源によって発生させられたレーザパルスを受けることができ、
前記レーザシステム制御系は、前記レーザパルスを、選択された導電性リンクに向かわせるために、前記ビーム位置決めシステムを調節することができ、前記選択された導電性リンクまたは前記レーザスポットの少なくとも一方は、、前記第１レーザパルスおよび前記第２レーザパルスが前記選択された導電性リンクに連続的に方向付けられている間中運動し、かつ前記レーザパルスは前記選択された導電性リンクを切断する導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項４４】
基板によって支持される集積回路（ＩＣ）内の導電性リンクをレーザ切断するための方法であって、前記導電性リンクは、リンク幅を有し、かつ前記集積回路内で、関連する一対の導電性接点間に位置決めされ、前記方法は、
ビーム位置決め装置に、１以上の導電性リンクの位置を代表する位置データを提供する工程と、
１セットの少なくとも２つのレーザパルスを発生させる工程と、
前記選択された導電性リンクを切断するために、前記位置決めデータに基づいて、少なくとも２つのレーザパルスのバーストを、選択された導電性リンクに、前記ビーム位置決め装置を用いて高速で方向付ける工程と
を具え、
前記ビーム位置決め装置は、前記基板に対するレーザスポット位置の相対移動を付与し、かつ前記ビーム位置決め装置は、レーザ源によって発生させられたレーザパルスを受けることができ、
前記レーザパルスは、前記レーザ源から発生し、第１レーザパルスおよび第２レーザパルスを含む導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項４５】
基板によって支持される集積回路（ＩＣ）内の導電性リンクをレーザ切断するための方法であって、前記導電性リンクは、リンク幅を有し、かつ前記集積回路内で、関連する一対の導電性接点間に位置決めされ、前記方法は、
ビーム位置決め装置に、１以上の導電性リンクの位置を代表する位置データを提供する工程と、
少なくとも２つのレーザパルスを具えるビームを発生させる工程と、
前記選択された導電性リンクを切断するために、前記位置決めデータに基づいて、前記レーザパルスを、選択された導電性リンクに方向付ける工程と
を具え、
前記位置データに応じる前記ビーム位置決め装置は、前記基板に対するレーザスポット位置の相対移動を付与し、かつ前記ビーム位置決め装置は、レーザ源によって発生させられたレーザパルスを受けることができ、
前記レーザパルスは、前記レーザ源から発生し、第１レーザパルスおよび第２レーザパルスを含み、前記選択された導電性リンクおよび前記ビームは、前記レーザパルスが、前記選択された導電性リンクに順方向付けられている間中、相対運動し、かつ前記第１レーザパルスおよび前記第２レーザパルスは、前記選択された導電性リンクに連続的に方向付けられる導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項４６】
基板によって支持される集積回路（ＩＣ）内の導電性リンクを切断するためのレーザシステムであって、前記導電性リンクは、リンク幅を有し、かつ前記集積回路内で、関連する一対の導電性接点間に位置決めされ、
前記システムは、レーザ源、ビーム位置決めシステム、およびレーザシステム制御系を具え、
前記レーザ源は、少なくとも２つのレーザパルスのバーストを発生させることができ、前記レーザパルスは、第１レーザパルスおよび第２レーザパルスを含み、
前記ビーム位置決めシステムは、前記レーザ源によって発生させられたレーザパルスを受けることができ、かつ１以上の導電性リンクの位置を代表する位置データを利用して、前記リンクと前記レーザパルスとの間の相対位置を変化させることができ、
前記レーザシステム制御系は、前記レーザパルスを、選択された導電性リンクに高速で向かわせるために、前記ビーム位置決めシステムを調節することができ、前記第１レーザパルスおよび前記第２レーザパルスは、前記選択された導電性リンクに連続的に方向付けられ、かつ前記レーザパルスは前記選択された導電性リンクを切断する導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項４７】
基板によって支持される集積回路（ＩＣ）内の導電性リンクを切断するためのレーザシステムであって、前記導電性リンクは、リンク幅を有し、かつ前記集積回路内で、関連する一対の導電性接点間に位置決めされ、
前記システムは、レーザ源、ビーム位置決めシステム、およびレーザシステム制御系を具え、
前記レーザ源は、少なくとも２つのレーザパルスを具えるビームを発生させることができ、前記レーザパルスは、第１レーザパルスおよび第２レーザパルスを含み、
前記ビーム位置決めシステムは、前記レーザ源によって発生させられたレーザパルスを受けることができ、かつ１以上の導電性リンクの位置を代表する位置データを利用して、前記リンクと前記レーザパルスとの間の相対位置を変化させることができ、
前記レーザシステム制御系は、前記レーザパルスを、選択された導電性リンクに向かわせ、焦点を合わせるために、前記ビーム位置決めシステムを調節することができ、
前記選択された導電性リンクおよび前記ビームは、前記レーザパルスが前記選択された導電性リンクに方向付けられている間中相対運動し、前記第１レーザパルスおよび前記第２レーザパルスは、前記選択された導電性リンクに連続的に方向付けられ、かつ前記レーザパルスは前記選択された導電性リンクを切断する導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項４８】
基板によって支持される集積回路（ＩＣ）内の導電性リンクをレーザ切断するための方法であって、前記導電性リンクは、リンク幅を有し、かつ前記集積回路内で、関連する一対の導電性接点間に位置決めされ、前記方法は、
ビーム位置決め装置に、１以上の導電性リンクの位置を代表する位置データを提供する工程と、
少なくとも２つのレーザパルスを発生させる工程と、
前記選択された導電性リンクを切断するために、前記位置決めデータに基づいて、前記レーザパルスを、選択された導電性リンクに方向付ける工程と
を具え、
前記ビーム位置決め装置は、前記基板に対するレーザスポット位置の相対移動を付与し、かつ前記ビーム位置決め装置は、前記レーザ源によって発生させられたレーザパルスを受けることができ、
前記レーザパルスは、レーザ源から発生し、第１レーザパルスおよび第２レーザパルスを含み、
前記第１レーザパルスおよび前記第２レーザパルスは、前記選択された導電性リンクに連続的に方向付けられ、前記第１レーザパルスおよび前記第２レーザパルスの少なくとも１つは、前記リンク厚さ未満のリンク材料の深さを除去する導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項４９】
基板によって支持される集積回路（ＩＣ）内の導電性リンクをレーザ切断するための方法であって、前記導電性リンクは、リンク幅を有し、かつ前記集積回路内で、関連する一対の導電性接点間に位置決めされ、前記方法は、
ビーム位置決め装置に、１以上の導電性リンクの位置を代表する位置データを提供する工程と、
少なくとも２つのレーザパルスのバーストを発生させる工程と、
前記選択された導電性リンクを切断するために、前記位置決めデータに基づいて、前記１レーザパルスおよび前記第２レーザパルスを、選択された導電性リンクに高速で連続的に方向付ける工程と
を具え、
前記ビーム位置決め装置は、前記基板に対するレーザスポット位置の相対移動を付与し、かつ前記ビーム位置決め装置は、前記レーザ源によって発生させられたレーザパルスを受けることができ、
前記レーザパルスは、レーザ源から発生し、第１レーザパルスおよび第２レーザパルスを含み、
前記第１レーザパルスおよび前記第２レーザパルスの少なくとも１つは、前記リンク厚さ未満のリンク材料の深さを除去する導電性リンクのレーザ切断方法。
【請求項５０】
基板によって支持される集積回路（ＩＣ）内の導電性リンクを切断するためのレーザシステムであって、前記導電性リンクは、リンク幅を有し、かつ前記集積回路内で、関連する一対の導電性接点間に位置決めされ、
前記システムは、レーザ源、ビーム位置決めシステム、およびレーザシステム制御系を具え、
前記レーザ源は、少なくとも２つのレーザパルスのバーストを発生させることができ、前記レーザパルスは、第１レーザパルスおよび第２レーザパルスを含み、
前記ビーム位置決めシステムは、前記レーザ源によって発生させられたレーザパルスを受けることができ、かつ前記ビーム位置決めシステムは、１以上の導電性リンクの位置を代表する位置データを利用して、前記リンクと前記レーザパルスとの間の相対位置を変化させることができ、
前記レーザシステム制御系は、前記少なくとも２つのレーザパルスのバーストを、選択された導電性リンクに高速で向かわせるために、前記ビーム位置決めシステムを調節することができ、
前記第１レーザパルスおよび前記第２レーザパルスは前記選択された導電性リンクに連続的に方向付けられ、前記第１レーザパルスおよび前記第２レーザパルスの少なくとも１つは、前記リンク厚さ未満のリンク材料の深さを除去し、かつ前記レーザパルスは前記選択された導電性リンクを切断する導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項５１】
前記レーザ源と前記集積回路との間にフォーカスレンズを具え、該フォーカスレンズは、前記レーザパルスが前記選択された導電性リンクに方向付けられている間中、前記選択された導電性リンクに対して相対的に運動する請求項４３〜５０のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法または導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項５２】
前記レーザパルスの少なくとも１つが、材料の０．０２〜０．２μｍの深さを除去する請求項４３〜５１のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法または導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項５３】
前記ビーム位置決めシステムは、第１の選択された導電性リンクを切断するための少なくとも２つのレーザパルスの第１セットと、第２の選択された導電性リンクを切断するための少なくとも２つのレーザパルスの第２セットとを方向付けることができ、前記第１セットおよび第２セットとの間の繰り返し周波数は１ｋＨｚよりも大きい請求項４３〜５１のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法または導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項５４】
前記レーザパルスを具えるバーストが、５００ナノ秒未満の幅を有する請求項４３〜５３のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法または導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項５５】
前記バーストが、２〜５０個のレーザパルスを具える請求項５４に記載の導電性リンクのレーザ切断方法または導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項５６】
前記第２レーザパルスが、前記第１レーザパルスの終了後に開始する請求項４３〜５５のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法または導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項５７】
前記選択された導電性リンクが、１μｍ未満の幅を有する請求項４３〜５６のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法または導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項５８】
前記レーザ源が、モード固定レーザを含む請求項４３〜５７のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法または導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項５９】
前記レーザスポットが、前記選択された導電性リンクに重複する請求項４３〜５８のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法または導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項６０】
前記第１レーザパルスおよび第２レーザパルスの各々が、単一ピークパルス形状を有する請求項４３〜５９のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法または導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項６１】
前記レーザパルスが、紫外または近紫外の波長を有する請求項４３〜６０のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法または導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項６２】
前記レーザスポットの少なくとも１つが、前記選択された導電性リンクの幅よりも大きいスポットサイズを有する請求項４３〜６１のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法または導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項６３】
前記選択された導電性リンクを、前記レーザスポットに対して移動させるように作動する２軸配置の少なくとも２つのステージを具える請求項４３〜６２のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法または導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項６４】
前記選択された導電性リンクを、前記レーザスポットに対して移動させるように作動する積層配置の少なくとも２つのステージを具える請求項４３〜６２のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法または導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項６５】
前記レーザ源が、Ｑスイッチレーザを含む請求項４３〜６４のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法または導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項６６】
前記レーザパルスの少なくとも１つのエネルギー密度を変化させることができるデバイスを具え、前記デバイスは、前記レーザ源と前記集積回路との間に位置され、前記デバイスは、音響光学デバイス、ポケッスルスセル、Ｅ−Ｏデバイス、Ｑスイッチ、偏光器、または調波変換器のうちの１つを具える請求項４３〜６５のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法または導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項６７】
前記レーザパルスの少なくとも１つが、２５ピコセカンド未満のパルス幅を有する請求項４３〜６６のいずれか１項に記載の導電性リンクのレーザ切断方法または導電性リンクを切断するためのレーザシステム。
【請求項６８】
基板上に製造される回路中において、関連する一対の導電性接点間に位置決めされる導電性余剰メモリリンクまたは集積回路リンクを切断する方法であって、該方法は、
ビーム位置決め装置に、前記回路中の導電性余剰メモリリンクの位置を表すビーム位置決めデータを提供する工程と、
第１時間間隔の間中、少なくとも２つのレーザ出力パルスの第１セットの第１バーストを、レーザから発生させる工程と、
前記第１接点間の第１位置で、前記第１導電性余剰メモリリンクに衝突するように、レーザ出力パルスの第１セットの第１バーストを、前記ビーム位置決めデータに応じて方向付ける工程と、
前記第１時間間隔とは経時的に異なる第２時間間隔の間中、少なくとも２つのレーザ出力パルスの第２セットの第２バーストを、レーザから発生させる工程と、
前記第２接点間の第２位置で、第２導電性余剰メモリリンクに衝突するように、レーザ出力パルスの第２セットの第２バーストを、前記ビーム位置決めデータに応じて方向付ける工程と
を具え、
前記リンクは、それぞれのリンク幅を有し、
前記第１セットの前記レーザ出力パルスの各々は、２５ピコセカンドよりも短い継続時間のパルス幅および前記リンク幅よりも大きいスポットサイズを有し、かつ前記第１バーストは、５００ナノ秒よりも短い継続時間のバースト幅を有し、
前記第１セットからの前記レーザ出力パルスの少なくとも２つは、深さが連続的に除去され、かつ前記第１導電性リンクおよび前記第１バーストの重複する部分は、前記第１接点間で前記第１導電性リンクを切断し、
前記第２セットの前記レーザ出力パルスの各々は、２５ピコセカンドよりも短い継続時間のパルス幅および前記リンク幅よりも大きいスポットサイズを有し、かつ前記第２バーストは、５００ナノ秒よりも短い継続時間のバースト幅を有し、
前記第２位置は、前記第１位置とは異なり、前記第２セットからの前記レーザ出力パルスの少なくとも２つは、深さが連続的に除去され、かつ前記第２導電性リンクおよび前記第２バーストの重複する部分は、前記第２接点間で前記第２導電性リンクを切断する導電性余剰メモリリンクまたは集積回路リンクの切断方法。
【請求項６９】
選択されたリンク構造の位置からのターゲット材料を選択的に除去する方法であって、各選択されたリンク構造は、除去のために選択された導電性余剰メモリリンクまたは集積回路リンクを含み、各選択された導電性リンクは、基板によって支持される回路において、リンク幅を有し、かつ関連する一対の導電性接点間に位置付けられ、前記方法は、
ビーム位置決め装置に、前記選択された導電性リンクの１以上の位置を代表する位置データを提供する工程と、
各選択されたリンク構造のために、２以上の時間変位レーザ出力パルスのセットを発生させる工程と、
レーザ出力パルス発生および前記ビーム位置決め装置によって伝えられる相対運動を調節する工程と
を具え、
前記ビーム位置決め装置は、前記ビーム位置決めデータに応じて前記基板に対するレーザスポット位置の相対移動を付与し、
前記セットのレーザ出力パルスの各々は、レーザスポットによって特徴付けられ、前記レーザスポットは、前記レーザスポット位置でスポットサイズおよびエネルギー密度を有し、前記スポットサイズは、前記リンク幅よりも大きく、
レーザ出力パルス発生および前記ビーム位置決め装置によって伝えられる相対運動を調節する工程は、前記相対運動が、前記セットのレーザ出力パルスが前記選択されたリンク構造を連続的に打つ間中連続的となるように、かつ前記セットの各レーザ出力パルスのレーザスポットが前記リンク幅を囲み、かつ前記セットが前記選択された導電性リンク構造の位置でターゲット材料を除去するように行われる選択されたリンク構造の位置からのターゲット材料を選択的に除去する方法。
【請求項７０】
基板または保護層上に製造される回路中で、関連する一対の導電性接点間に位置付けられる導電性リンクを切断するためのレーザ出力を使用するためのレーザシステムにおいて、前記リンクはそれぞれリンク幅を有し、前記レーザシステムは、励起光源、レーザ共振器、モード・ロックデバイス、バーストゲートデバイス、ビーム位置決めシステム、およびレーザシステム制御系を具え、
前記励起光源は励起光を提供し、
前記レーザ共振器は、レーザパルスの励起光および放射の受け入れを容易にし、各々２５ピコセカンドよりも短い継続時間のパルス幅を有し、前記レーザ共振器は固体のレザント(lasant)を含み、
前記モード・ロックデバイスは、前記レーザ共振器をモード・ロックし、
前記バーストゲートデバイスは、レーザ出力の不連続のバーストへのレーザパルスをゲートし、各バーストは少なくとも２つのレーザパルスを含み、かつ５００ナノ秒よりも短い継続時間のバースト幅を有し、
前記ビーム位置決めシステムは、前記レーザ出力から結果として生じるリンクおよびレーザスポット間の相対位置を変化させ、
前記レーザシステム制御系は、前記バーストゲートデバイスを用いて前記ビーム位置決めシステムを調節し、その結果、各バーストのレーザパルスのレーザスポットは、空間的に連続し、かつ重なり、前記リンク幅よりも大きいスポットサイズを有し、かつ各バーストは、単一リンクに作用し、ターゲットマテリアルを、連続して深さに作用するように除去する
導電性リンク切断用レーザ出力を使用するためのレーザシステム。
【請求項７１】
選択されたリンク構造の位置からターゲット材料を除去するためのレーザ出力を使用するためのレーザシステムであって、各選択されたリンク構造は、除去のために選択された導電性余剰メモリリンクまたは集積回路リンクを含み、各選択された導電性リンクは、基板によって支持される回路において、リンク幅を有し、かつ関連する一対の導電性接点間に位置付けられ、前記レーザシステムは、励起光源、レーザ共振器、モード・ロックデバイス、光学ゲートデバイス、ビーム位置決めシステム、およびレーザシステム制御系を具え、
前記励起光源は、レーザ共振器に励起光を提供し、
前記レーザ共振器は、レーザ出力パルスの励起光および放射の受け入れを容易にし、
前記モード・ロックデバイスは、前記レーザ共振器をモード・ロックし、
前記バーストゲートデバイスは、レーザ出力の不連続のセットへのレーザ出力パルスをゲートし、各セットは少なくとも２つの時間変位レーザ出力パルスを含み、セットの前記レーザ出力パルスの各々は、前記ターゲット材料上のレーザスポット位置でスポットサイズおよびエネルギー密度を有するレーザスポットによって特徴付けられ、前記スポットサイズは、前記リンク幅よりも大きく、
前記ビーム位置決めシステムは、前記選択された導電性リンクの１以上の位置を表すビーム位置決めデータに応じて前記基板に前記レーザスポット位置の相対運動を伝え、
前記レーザシステム制御系は、前記光学ゲートデバイスおよび前記ビーム位置決め装置によって伝えられる相対運動の操作を調整し、前記相対運動は、前記セットのレーザ出力パルスが選択されたリンク構造に連続的に当たり、その結果、前記セットの各レーザ出力パルスのレーザスポットが、前記リンク幅を囲む間中連続し、かつ前記セットは、前記選択されたリンク構造の位置でターゲット材料を除去するターゲット材料を除去するためのレーザ出力を使用するためのレーザシステム。
【請求項７２】
関連するリンク構造を有する導電性余剰メモリリンクまたは集積回路リンクを選択的に切断する方法であって、各リンクは、基板によって支持される回路において、リンク幅を有し、かつ関連する一対の導電性接点間に位置付けられ、前記方法は、
ビーム位置決め装置に、前記選択された導電性リンクの１以上の位置を代表する位置データを提供する工程と、
各選択されたリンク構造のために、２以上の時間変位レーザ出力パルスのセットを発生させる工程と、
レーザ出力パルス発生および前記ビーム位置決め装置によって伝えられる相対運動を調節する工程と
を具え、
前記ビーム位置決め装置は、前記ビーム位置決めデータに応じて前記基板に対するレーザスポット位置の相対移動を付与し、
前記セットのレーザ出力パルスの各々は、レーザスポットによって特徴付けられ、前記レーザスポットは、前記レーザスポット位置でスポットサイズおよびエネルギー密度を有し、前記スポットサイズは、前記リンク幅よりも大きく、かつ前記セットのレーザ出力パルスの少なくとも２つは、異なるエネルギーおよび異なるピークパワーを有し、
レーザ出力パルス発生および前記ビーム位置決め装置によって伝えられる相対運動を調節する工程は、前記相対運動が、前記セットのレーザ出力パルスが前記選択されたリンク構造を連続的に打つ間中連続的となるように、かつ前記セットの各レーザ出力パルスのレーザスポットが前記リンク幅を囲み、かつ前記セットが、その関連する一対の導電性接点間の導電性リンクを切断する関連するリンク構造を有する導電性余剰メモリリンクまたは集積回路リンクを選択的に切断する方法。