【手続補正書】
【提出日】平成19年5月25日(2007.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
錘固定部を可撓的に支持する周辺固定部と、
前記錘固定部に固定された錘部と、
前記周辺固定部に固定された台座部と、
前記周辺固定部から延在して形成され、前記錘部の厚さ方向の変位を制限するストッパとを備え、
前記ストッパには開口部が形成されることを特徴とする加速度センサ。
【請求項２】
錘固定部、該錘固定部の周辺に配置された周辺固定部、該錘固定部を該周辺固定部に可撓的に接続する梁部を一体に形成した基板と、
前記錘固定部よりも大きな面積を有する錘部と、
前記錘部の周辺に所定の間隙を介して配置される台座部と、
前記台座部と周辺固定部、及び前記錘固定部と前記錘部とをそれぞれ接続する接続層と、
前記周辺固定部から延在し、前記錘部を離間して覆うストッパと、
前記周辺固定部、前記梁部、前記錘固定部、及び前記ストッパにより画成される開口部及び該ストッパ領域内に画成される開口部を含む複数の開口部と、
を備えたことを特徴とする加速度センサ。
【請求項３】
請求項２に記載の加速度センサにおいて、前記複数の開口部は、前記錘固定部から前記周辺固定部の角部に向かって面積が小さくなるように画成されることを特徴とする加速度センサ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１つに記載の加速度センサにおいて、前記ストッパ領域内に画成される開口部は、少なくとも錘部上に形成される開口部を含むことを特徴とする加速度センサ。
【請求項５】
第１の半導体基板、該第１の半導体基板上に形成される第１の層、及び該第１の層上に形成される第２の半導体基板を有する積層基板に形成される加速度センサであって、
前記第２の半導体基板に形成され、矩形状の上面を有する錘固定部と、
前記第２の半導体基板に形成され、前記錘固定部を離間して囲む周辺固定部と、
前記第２の半導体基板に形成され、前記錘固定部と前記周辺固定部とを可撓的に接続する梁部と、
前記第１の層に形成され、該錘固定部に接続される第１の接続部と、
前記第１の層に形成され、前記第１の接続部を離間して囲み、前記周辺固定部に接続される第２の接続部と、
前記第１の半導体基板に形成される錘部であって、前記錘固定部と同形状の上面を有し、前記第１の接続部を介して該錘固定部に接続される中心質量部と、該中心質量部からそれぞれ延在される周辺質量部とにより構成される該錘部と、
前記第１の半導体基板に形成され、前記第２の接続部を介して前記周辺固定部に接続され、前記錘部を離間して囲う台座部と、
前記第２の半導体基板に形成され、前記錘部の変位を制限するために前記周辺質量部を一定の間隔をおいて覆うように配置したストッパであって、開口部を有する該ストッパと、
を備えたことを特徴とする加速度センサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】加速度センサ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ＸＹＺの３軸方向の加速度を検出するための加速度センサ、特に過大な加速度による破壊防止技術に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の加速度センサは、錘固定部を可撓的に支持する周辺固定部と、前記錘固定部に固定された錘部と、前記周辺固定部に固定された台座部と、前記周辺固定部から延在して形成され、前記錘部の厚さ方向の変位を制限するストッパとを備え、前記ストッパには開口部が形成されることを特徴とする。
本発明の他の加速度センサは、錘固定部、該錘固定部の周辺に配置された周辺固定部、該錘固定部を該周辺固定部に可撓的に接続する梁部を一体に形成した基板と、前記錘固定部よりも大きな面積を有する錘部と、前記錘部の周辺に所定の間隙を介して配置される台座部と、前記台座部と周辺固定部、及び前記錘固定部と前記錘部とをそれぞれ接続する接続層と、前記周辺固定部から延在し、前記錘部を離間して覆うストッパと、前記周辺固定部、前記梁部、前記錘固定部、及び前記ストッパにより画成される開口部及び該ストッパ領域内に画成される開口部を含む複数の開口部と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の更に他の加速度センサは、第１の半導体基板、該第１の半導体基板上に形成される第１の層、及び該第１の層上に形成される第２の半導体基板を有する積層基板に形成される加速度センサであって、前記第２の半導体基板に形成され、矩形状の上面を有する錘固定部と、前記第２の半導体基板に形成され、前記錘固定部を離間して囲む周辺固定部と、前記第２の半導体基板に形成され、前記錘固定部と前記周辺固定部とを可撓的に接続する梁部と、前記第１の層に形成され、該錘固定部に接続される第１の接続部と、前記第１の層に形成され、前記第１の接続部を離間して囲み、前記周辺固定部に接続される第２の接続部と、錘部と、台座部と、ストッパとを備えたことを特徴とする。
ここで、前記錘部は、前記第１の半導体基板に形成されるものであって、前記錘固定部と同形状の上面を有し、前記第１の接続部を介して該錘固定部に接続される中心質量部と、該中心質量部からそれぞれ延在される周辺質量部とにより構成されている。前記台座部は、前記第１の半導体基板に形成され、前記第２の接続部を介して前記周辺固定部に接続され、前記錘部を離間して囲うものである。更に、前記ストッパは、前記第２の半導体基板に形成され、前記錘部の変位を制限するために前記周辺質量部を一定の間隔をおいて覆うように配置され、開口部を有している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の加速度センサによれば、錘固定部を可撓的に支持する周辺固定部と、前記錘固定部に固定された錘部と、前記周辺固定部に固定された台座部と、開口部を有するストッパとを備えているので、錘部の変位がストッパで制限され、過大な加速度による破壊を防止することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、次の好ましい実施例の説明を添付図面と照らし合わせて読むと、より完全に明らかになるであろう。但し、図面は、もっぱら解説のためのものであって、この発明の範囲を限定するものではない。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この加速度センサは、第２の半導体基板である厚さ５μｍ程度の第１のシリコン基板１０と、第１の半導体基板である厚さ５２５μｍ程度の第２のシリコン基板２０とを、第１の層である絶縁層３０を介して貼り合わせたＳＯＩ（Silicon  on  Insulator）ウエハに、エッチング等の処理を施して形成したものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
一方、シリコン基板２０は、シリコン基板１０の周辺固定部１２に対応して周辺に設けられた幅５００μｍ程度の台座部２１と、この台座部２１の内側に間隙２２を介して設けられた錘部２３を有している。錘部２３は、シリコン基板１０の錘固定部１３、開口部１１及びストッパ部１５の領域に対応した形状をしている。即ち、錘部２３は、錘固定部１３に対応する中心質量部である中央錘部２３ａと、この中央錘部２３ａの四隅に接続された４個の周辺質量部である周辺錘部２３ｂとで構成されている。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
シリコン基板１０，２０は、周辺固定部１２に対応して残された絶縁層３０の接続層を構成している第２の接続部である酸化膜３１と、錘固定部１３に対応して残された絶縁層３０の接続層を構成している第１の接続部である酸化膜３２とを介して相互に接続されている。また、シリコン基板１０の表面で、四隅の周辺固定部１２とストッパ部１５の境界線上には、このストッパ部１５を補強するために、図示しない保護膜を介して、アルミニウム等による補強部４１が設けられている。