【手続補正書】
【提出日】平成19年3月26日(2007.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱処理装置（22）の加熱室（74）内で処理中に、半導体ウエハの放射率を実時間で決定する方法であって、
前記熱処理装置（22）の加熱室（74）の外側で、ウエハ（Ｗ）の反射率を決定し、
ウエハが熱処理装置（22）の加熱室（74）内に配置されるとき、ウエハ（Ｗ）から反射される放射光線の強さを決定し、
加熱室内でのウエハの反射率を決定するために、前記熱処理装置（22）の外側で決定されたウエハ（Ｗ）の反射率を、加熱室内で決定されるウエハの反射した放射光線の強さと関連付け、
前記熱処理装置内で決定される関連付けられたウエハの反射率から、処理中に、前記ウエハの放射率を実時間で決定する、各工程を含むことを特徴とする半導体ウエハの放射率決定方法。
【請求項２】
熱処理装置（22）の加熱室の外側で、ウエハの反射率を決定する工程は、
熱処理装置の前記加熱室（74）内での熱処理より前に、ウエハの半球方向の反射率を測定するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
熱処理装置（22）の加熱室の外側で、ウエハの反射率を決定する工程は、
放射源（30）からの放射光線で、ウエハの一部分を均一に照明し、
ウエハ（Ｗ）の前記一部分から反射された放射光線の強さを測定する各ステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
熱処理装置の加熱室の外側で、ウエハの反射率を決定する工程は、
放射源（30）の放射光線の強さを測定し、
ウエハ（Ｗ）及び放射源（30）の前記測定された放射光線の強さから、ウエハの反射率を決定するステップを、さらに含むことを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
熱処理装置（22）の加熱室（74）の外側で、ウエハの反射率を決定する工程は、
放射源からの放射光線で、ウエハの一部分を均一に照明し、
前記ウエハの一部分から反射した放射光線の強さと、前記放射源によって放射された放射光線の強さとの比を決定するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記熱処理装置の加熱室の外側で、ウエハの反射率を決定する工程は、
前記ウエハの反射率を前記比に関連付ける較正曲線を生成し、前記較正曲線からウエハの反射率を決定するステップを含むことを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記熱処理装置の加熱室の外側で、ウエハの反射率を決定する工程は、
放射源からの放射光線でウエハの一部分を均一にかつ半球状に照明し、
前記ウエハの一部分から反射された放射光線を測定する、各ステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記熱処理装置の加熱室の外側で、ウエハの反射率を決定する工程中、ウエハの温度を維持すると同様に、前記加熱室の内側で、ウエハの反射率を決定する工程中、ウエハの温度を維持するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記熱処理装置の加熱室の外側で、ウエハの反射率を決定する工程は、
放射源からの放射光線で、積分球を用いてウエハの一部分を均一に照明し、
前記ウエハから反射した放射光線を収集する、各ステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記加熱室の外側でウエハによって反射した放射光線の強さを測定し、放射源から放出した放射光線の強さを測定し、これらの測定された２つの放射光線の強さによる選択された数学的関係を決定し、
ウエハの反射率を前記数学的関係と関係付ける較正曲線を生成し、
この校正曲線からウエハの反射率を決定する各ステップを、さらに含むことを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記熱処理装置の加熱室の外側で、ウエハの反射率を決定する工程は、さらに、前記放射源によって放射された放射光線を調整するステップを含むことを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記加熱室内のウエハの反射した放射光線の強さを決定する工程は、
放射源を用いて前記加熱室内に配置されたウエハを照明し、
前記加熱室内のウエハから反射した放射光線の強さを、検出器を用いて測定する各ステップを含み、
前記検出器は、前記反射した放射光線の強さに比例する出力信号を発生することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１３】
さらに、検出器によって発生した出力検出信号に応答して、前記ウエハから反射した放射光線の強さに比例する第１出力信号を発生させるステップを含むことを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
さらに、前記放射源によって放射された放射光線を調整し、
この調整された放射光線の周波数以外の周波数を取り除くために前記第１出力信号をフィルタリングする、各ステップを含むことを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
さらに、加熱室内のウエハの反射率を、前記加熱室内で測定されるウエハから反射した放射光線の強さと関係付けるステップを含むことを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１６】
以下の式
Ｒ＝ＫΔＶW
（ここで、Ｒは、加熱室（74）内のウエハ（Ｗ）の反射率であり、Ｋは、比例定数であり、ΔＶW は、加熱室内でウエハから反射された放射光線の強さである。）
によって、加熱室内のウエハの反射率を決定するステップを、さらに含むことを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１７】
前記熱処理装置の加熱室を通るウエハをスイープし、
このスイープ中に、ウエハから反射した放射光線と、前記加熱室の外側で測定されるウエハの反射率とから比例定数Ｋを決定する、各ステップをさらに含むことを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
少なくとも比例定数Ｋから、処理中に、ウエハの反射率を計算し、
処理中に、ウエハから反射した放射光線の強さを測定し、
前記測定された反射した放射光線の強さと前記比例定数から、実時間のウエハ反射率を決定する、各ステップをさらに含むことを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
実時間でウエハの放射率を決定するステップは、処理中に、実時間でのウエハ反射率からウエハの放射率を決定するステップを含むことを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
さらに、前記加熱室内のウエハの位置に無関係に前記加熱室内で測定された反射した放射光線の強さに応じたウエハの反射率を決定するステップを含むことを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項２１】
前記加熱室中でウエハを移動させ、
１つまたはそれ以上のウエハの位置で、前記加熱室内のウエハから反射した放射光線の強さを測定し、
前記測定中、ウエハの関連する位置と前記放射光線の強さを記憶させる、各ステップをさらに含むことを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項２２】
前記反射率が熱処理装置の外側で決定されるウエハの温度から、ウエハを実質的に加熱させることなく、ウエハの反射される放射光線の強さを測定するステップを、さらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記加熱室中でウエハを移動させ、
１つまたはそれ以上のウエハの位置で、前記加熱室内のウエハから反射される放射光線の強さを測定し、
前記加熱室内で処理中に、ウエハの反射率の決定を容易にするための比例定数Ｋを計算する、各ステップをさらに含むことを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項２４】
前記加熱室内にウエハが配置される時、放射源を用いてウエハを照明し、
ウエハが加熱室内を移動する時、前記加熱室内のウエハからの全放射光線を、検出器を用いて測定する、各工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項２５】
前記測定されたウエハからの全放射光線を、前記ウエハ以外の他の放射源から発生する放射光線に関連付けるステップをさらに含むことを特徴とする請求項２４記載の装置。
【請求項２６】
放射源を用いて前記加熱室内に配置されるウエハを照明し、
前記加熱室内に導入されるウエハの温度から、前記ウエハを実質的に加熱することなく、ウエハを移動するとき、検出器を用いて前記加熱室内のウエハからの全放射光線を測定し、
測定されたウエハからの全放射光線をウエハ以外の他の放射源から発生する放射光線に関係付ける、各工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項２７】
前記ウエハ以外の他の放射源から発生する放射光線を、前記測定された全放射光線から減算することによって前記ウエハから放射した放射光線を決定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項２５記載の装置。
【請求項２８】
前記ウエハの放射率及び前記ウエハから放射される放射光線から、処理中のウエハの温度を決定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項２５記載の装置。
【請求項２９】
少なくとも、ウエハの放射率からウエハの温度を決定する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３０】
熱処理装置の加熱室内での処理中に、半導体ウエハの放射率を実時間で決定する方法であって、
前記熱処理装置の加熱室の外側で、ウエハをほぼ均一に照明し、
前記均一に照明されたウエハの反射率を決定し、
前記熱処理装置の加熱室内で前記ウエハを照明し、
前記熱処理装置の加熱室内で前記ウエハから反射した放射光線の強さを決定し、
処理中の前記ウエハの反射率を決定するために、前記熱処理装置の外側で決定されたウエハの反射率を、前記加熱室内で決定されるウエハの反射した放射光線の強さと関連付け、
前記ウエハの反射率から、処理中に、ウエハの放射率を実時間で決定する、各工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項３１】
熱処理装置の加熱室内での処理中に、半導体ウエハの放射率を実時間で決定するための装置であって、
熱処理装置の加熱室の外側で、ウエハの反射率を決定するための反射率決定手段と、
熱処理装置の加熱室内にウエハが配置される時、ウエハから反射される放射光線の強さを決定するための放射光線強度決定手段と、
加熱室内でウエハの反射率を決定するために、熱処理装置の外側で決定されるウエハの反射率を、加熱室内で決定されるウエハから反射した放射光線の強さとを関係付ける関係付け手段と、
熱処理装置内で決定される関係付けられたウエハ反射率から、処理中に、実時間でウエハの放射率を決定するための放射率決定手段と、を含むことを特徴とする装置。
【請求項３２】
前記反射率決定手段は、熱処理装置の加熱室内で、熱処理する前に、ウエハの半球方向の反射率を測定するための測定手段を含むことを特徴とする請求項３１記載の装置。
【請求項３３】
前記反射率決定手段は、
放射光線を用いてウエハの一部分を均一に照明するための放射源と、
前記ウエハの一部分から反射した放射光線の強さを測定する測定手段とを含むことを特徴とする請求項３１記載の装置。
【請求項３４】
前記反射率決定手段は、
前記放射源の放射光線の強さを測定するための放射源測定手段と、
ウエハ及び放射源の前記測定された２つの放射光線の強さから前記ウエハの反射率を決定するための第２反射率決定手段とを含むことを特徴とする請求項３３記載の装置。
【請求項３５】
前記反射率決定手段は、
ウエハの一部分を均一に照明するための放射光線と、
前記ウエハの一部分から反射した放射光線の強さと、前記放射源によって放射された放射光線の強さとの比を決定するための比率決定手段とを含むことを特徴とする請求項３１記載の装置。
【請求項３６】
前記反射率決定手段は、
前記ウエハの反射率を前記比率決定手段によって決められた比に関連付ける較正曲線を生成する手段と、
前記較正曲線から前記ウエハの反射率を決定する第２反射率決定手段とを含むことを特徴とする請求項３５記載の装置。
【請求項３７】
前記反射率決定手段は、
前記放射光線を用いて前記ウエハの一部分をほぼ均一にかつ半球状に照明する放射ステージと、
前記ウエハの一部分から反射した放射光線を測定する測定手段とを含むことを特徴とする請求項３１記載の装置。
【請求項３８】
前記反射率決定手段は、
積分球と光学的に通じる放射源を含み、この放射源によって発生した放射光線で前記ウエハの一部分をほぼ均一に照明する放射ステージと、
前記ウエハから反射した放射光線を集めるための収集手段とを含むことを特徴とする請求項３１記載の装置。
【請求項３９】
前記ウエハによって反射した放射光線の強さを測定するための第１放射光線強度測定手段と、
前記放射源から放射される放射光線の強さを測定するための第２放射光線強度測定手段と、
前記放射源からの放射光線と、前記測定された反射した放射光線の強さとの間の選択された数学的関係を決定するための手段と、
前記数学的関係を用いて前記ウエハの反射率を関係付ける較正曲線を生成するための発生手段と、
前記較正曲線から前記ウエハの反射率を決定するための手段とを、さらに含むことを特徴とする請求項３８記載の装置。
【請求項４０】
前記反射率決定手段は、
前記放射源によって放射された放射光線を調整するための手段をさらに含むことを特徴とする請求項３８記載の装置。
【請求項４１】
前記放射光線強度決定手段は、
加熱室内に配置される時、ウエハを照明するための放射源と、
前記加熱室内のウエハから反射される放射光線の強さを測定するために前記放射源と連通し、かつ反射された放射光線の強さに比例して出力信号を発生する検出器とを含むことを特徴とする請求項３１記載の装置。
【請求項４２】
前記検出器の出力信号に応答して前記ウエハから反射した放射光線の強さに比例する第１出力信号を発生させる手段をさらに含むことを特徴とする請求項４１記載の装置。
【請求項４３】
前記放射源によって放射された放射光線を調整するためのモジュレータと、
前記第１出力信号を濾過して前記調整された放射光線の周波数以外の周波数を取り除くためのフィルタとをさらに含むことを特徴とする請求項４２記載の装置。
【請求項４４】
加熱室内の反射率を、前記加熱室内で測定されるウエハから反射した放射光線の強さとを関係付けるための関係付け手段をさらに含むことを特徴とする請求項４１記載の装置。
【請求項４５】
前記反射率決定手段は、以下の式
Ｒ＝ＫΔＶW
（ここで、Ｒは、加熱室内のウエハの反射率であり、Ｋは、比例定数であり、ΔＶW は、加熱室内でウエハから反射された放射光線の強さである。）によって、加熱室内のウエハの反射率を決定することを特徴とする請求項４１に記載の装置。
【請求項４６】
比例定数Ｋを決定するための決定手段をさらに含み、
この決定手段は、
熱処理装置の加熱室中でウエハをスイープするための手段を含み、前記比例定数Ｋは、スイープ中、ウエハから反射される放射光線と、前記反射率決定手段により、加熱室の外側で決定されるウエハの反射率とから決定されることを特徴とする請求項４５記載の装置。
【請求項４７】
少なくとも比例定数Ｋから処理中のウエハの反射率を決定するための手段と、
処理中に、ウエハから反射される放射光線の強さを測定するための放射光線強度測定手段と、
反射された測定放射光線と比例定数とから、実時間のウエハ反射率を決定するための第２反射率決定手段とを、さらに含むことを特徴とする請求項４６記載の装置。
【請求項４８】
前記放射率決定手段は、処理中に、前記第２反射率決定手段の実時間のウエハ反射率からウエハの放射率を決定することを特徴とする請求項４７記載の装置。
【請求項４９】
前記加熱室中でウエハを移動させる手段と、
前記放射光線の強さとこれに関連したウエハの位置とを記憶するメモリモジュールとを、さらに含むことを特徴とする請求項４１記載の装置。
【請求項５０】
前記加熱室中でウエハを移動させる手段と、
前記加熱室内の処理中に、前記ウエハの反射率の決定を容易にするために比例定数Ｋを計算する手段とを、さらに含むことを特徴とする請求項４５記載の装置。
【請求項５１】
ウエハが加熱室内に配置される時、ウエハを照明するための放射源と、
ウエハが加熱室を移動する時、加熱室内のウエハからの全放射光線を検出するための検出器 とをさらに含むことを特徴とする請求項３１記載の装置。
【請求項５２】
測定される全放射光線を、ウエハ以外の他の放射源から発生する放射光線と関係付けるための手段を更に含むことを特徴とする請求項５１記載の装置。
【請求項５３】
少なくとも１つのウエハの放射率およびウエハから放出した放射光線から、処理中に、ウエハの温度を決定するための温度決定手段をさらに含むことを特徴とする請求項５２記載の装置。
【請求項５４】
熱処理装置の加熱室内での処理中に、半導体ウエハの放射率を実時間で決定するための装置であって、
前記熱処理装置の加熱室の外側で、前記ウエハをほぼ均一に照明するための放射源を含む放射ステージと、
前記照明されたウエハの反射率を決定する手段と、
前記熱処理装置の加熱室内でウエハを照明する手段と、
前記熱処理装置の加熱室内でウエハから反射した放射光線の強さを決定する手段と、
処理中のウエハの反射率を決定するために、前記加熱室の外側で照明されたウエハの反射率を、前記加熱室で決定された前記ウエハの反射した放射光線の強さと関連付ける手段と、
処理中に、前記ウエハの反射率から前記ウエハの放射率を実時間で決定する手段とを含むことを特徴とする装置。
【請求項５５】
熱処理装置の加熱室内での処理中に、半導体ウエハの放射率を実時間で決定するための装置であって、
前記熱処理装置の加熱室の外側で、前記ウエハをほぼ均一に照明するための放射源を含む放射ステージと、
前記照明されたウエハの反射率を決定するプログラムされたプロセッサと、
前記熱処理装置の加熱室内でウエハを照明する第２放射源と、
前記熱処理装置の加熱室内でウエハから反射した放射光線の強さを決定する検出器と、
処理中のウエハの反射率を決定するために、前記加熱室内の外側で照明されたウエハの反射率を、前記加熱室で決定された前記ウエハの反射した放射光線の強さと関連付ける手段と、
処理中に、前記ウエハの反射率から前記ウエハの放射率を実時間で決定する手段とを含むことを特徴とする装置。
【請求項５６】
熱処理装置の加熱室内での処理中に、加工物の放射率を決定するための放射率決定装置であって、
前記熱処理装置の加熱室の外側で、加工物の反射率を直接決定するための第１決定手段と、前記熱処理装置の加熱室の内側で、処理中に、前記加工物の反射率を決定するための第２決定手段とを含み、前記第２決定手段は、
前記熱処理装置の加熱室内に配置された加工物から反射した放射光線の強さを決定するための強度決定手段と、
前記加熱室内の加工物の反射率を決定するために、前記熱処理装置の外側で決定された前記加工物の反射率と、前記加熱室内で決定された前記加工物の前記反射した放射光線の強さとを関連付けるための関連手段とを備えており、
さらに、前記放射率決定装置は、
熱処理作業で決定された加工物の関連付けられた反射率から、処理中に、実時間で加工物の放射率を決定するための放射率決定手段を含んでいることを特徴とする装置。
【請求項５７】
前記第１決定手段は、前記熱処理装置の加熱室内での熱処理の前に、加工物の半球方向の反射率を測定するための測定手段を含んでいることを特徴とする請求項５６に記載の装置。
【請求項５８】
前記第１決定手段は、放射源からの放射光線を用いて、加工物の一部分を均一に照明する前記放射源と、前記加工物の一部分から反射した放射光線の強さを測定するための測定手段とを含んでいることを特徴とする請求項５６に記載の装置。
【請求項５９】
前記第１決定手段は、さらに、前記放射源の放射光線の強さを測定するための放射源測定手段と、前記加工物及び放射源の前記測定された放射光線の強さから加工物の反射率を決定するための第２反射率決定手段とを含んでいること特徴とする請求項５８に記載の装置。
【請求項６０】
前記第１決定手段は、加工物の一部分を均一に照明する放射源と、前記加工物の一部分から反射した放射光線の強さと、前記放射源によって放射された放射光線の強さとの比を決定するための比率決定手段とを含んでいることを特徴とする請求項５６に記載の装置。
【請求項６１】
前記第１決定手段は、さらに、前記加工物の反射率を、前記比率決定手段によって決定された前記比と関連させる較正曲線を生成するための手段と、前記較正曲線から前記加工物の反射率を決定するための反射率決定手段とを含んでいることを特徴とする請求項６０に記載の装置。
【請求項６２】
前記第１決定手段は、前記加工物の一部分を放射光線で均一にかつ半球状に照明する放射ステージと、前記加工物の一部分から反射した放射光線を測定するための測定手段とを含んでいることを特徴とする請求項５６に記載の装置。
【請求項６３】
前記第１決定手段は、さらに、１つの積分球に光学的に連通する放射源を含み、記加工物の一部分を前記放射源によって生成した放射光線で均一に照明することを特徴とする請求項５６に記載の装置。
【請求項６４】
前記第１決定手段は、さらに、
前記加工物によって反射した放射光線の強さを測定するための第１強度測定手段と、
前記放射源から放射された放射光線の強さを測定するための第２強度測定手段と、
前記反射した放射光線と前記放射源からの放射光線のそれぞれの測定された光線の強さの選択された数学的関係を決定するための手段と、
前記数学的関係を用いて前記加工物の反射率に関連する較正曲線を生成するための生成手段とを含み、
前記第１決定手段は、前記較正曲線から加工物の反射率を直接決定することを特徴とする請求項６３に記載の装置。
【請求項６５】
前記第２決定手段は、さらに、前記放射源によって放射された放射光線を調整する手段を含んでいることを特徴とする請求項６３に記載の装置。
【請求項６６】
前記第２決定手段は、
前記加熱室内に配置される加工物を照明する放射源と、
前記放射源に接続され、測定された反射した放射光線を決定するために、前記加熱室内の加工物から反射した放射光線の放射強度を測定する検出器とを含み、
前記検出器は、前記測定された反射した放射光線の強さに比例する出力信号を発生させることを特徴とする請求項５６に記載の装置。
【請求項６７】
前記第２決定手段は、さらに、前記検出器の前記出力信号に応答して前記加工物から反射した放射光線の強さに比例する第１出力信号を発生させるための手段を含んでいることを特徴とする請求項６６に記載の装置。
【請求項６８】
さらに、前記放射源によって放射される放射光線を調整するモジュレータと、前記第１出力信号を濾過して、前記調整された放射光線の周波数以外の周波数を取り除くフィルタとを含んでいることを特徴とする請求項６７に記載の装置。
【請求項６９】
前記第２決定手段は、さらに、前記加熱室内の加工物の反射率を前記加熱室内の加工物の測定された反射した放射光線の強さに関連させる関連手段を含んでいることを特徴とする請求項６６に記載の装置。
【請求項７０】
前記第１決定手段は、以下の式
Ｒ＝ＫΔＶW
（ここで、Ｒは、加熱室（74）内のウエハ（Ｗ）の反射率であり、Ｋは、比例定数であり、ΔＶW は、加熱室内でウエハから反射された放射光線の強さである。）によって、加熱室内の加工物の反射率を決定することを特徴とする請求項６６に記載の装置。
【請求項７１】
比例定数Ｋを決定するための決定手段をさらに含み、この決定手段 は、
熱処理装置の加熱室中で加工物をスイープするための手段を含み、前記比例定数Ｋは、スイープ中、加工物から反射される放射光線と、前記第１決定手段により、加熱室の外側で決定される加工物の反射率とから決定されることを特徴とする請求項７０記載の装置。
【請求項７２】
前記第２決定手段は、さらに、
少なくとも比例定数Ｋから処理中の加工物の反射率を決定するための手段と、
処理中に、前記加工物から反射される放射光線の強さを測定するための強度測定手段と、
測定された反射した放射光線と比例定数とから、前記加工物の反射率を実時間で決定するための反射率決定手段とを含むことを特徴とする請求項７１記載の装置。
【請求項７３】
前記第２決定手段は、さらに、処理中に、前記反射率決定手段の実時間のウエハ反射率から前記加工物の放射率を決定するための放射率決定手段を含んでいることを特徴とする請求項７２記載の装置。
【請求項７４】
さらに、前記加熱室を通って加工物を移動させるための手段と、前記加工物の放射光線の強さとこれに関連する位置を記憶するメモリモジュールとを含むことを特徴とする請求項６６記載の装置。
【請求項７５】
さらに、前記加熱室を通って加工物を移動させるための手段と、前記加熱室内の処理中に前記加工物の反射率の決定を容易にするために比例係数Kを計算する手段とを含むことを特徴とする請求項７０記載の装置。
【請求項７６】
前記第２決定手段は、
前記加熱室内に配置されたとき、加工物を照明する放射源と、
前記加工物が前記加熱室内を通過するときに、前記加工物からの全放射光線を検出するための検出器とを含んでいることを特徴とする請求項５６記載の装置。
【請求項７７】
さらに、前記加工物から測定された全放射光線を前記加工物以外の他の放射源から発生する放射光線と関連つけるための手段を含むことを特徴とする請求項７６記載の装置。
【請求項７８】
さらに、前記加工物の放射率の少なくとも１つおよび前記加工物から放射された放射光線から、処理中に前記加工物の温度を決定する温度決定手段を含むことを特徴とする請求項７７記載の装置。
【請求項７９】
熱処理装置の加熱室内での処理中に、半導体ウエハの温度を決定する方法であって、
前記加熱室の外側の低い温度において前記ウエハの反射率を決定し、
前記加熱室内での処理中に、前記ウエハから反射した放射光線の強さを決定し、
処理中の前記ウエハの反射率を決定するために、前記加熱室内での処理中に、低温度でのウエハの反射率を、前記ウエハから反射した放射光線の強さと関連付け、
前記熱処理装置内で決定された前記ウエハの反射率から、処理中に、前記ウエハの放射率を決定し、
前記処理中に、前記ウエハの放射率から前記ウエハの温度を決定する、各工程を含んでいることを特徴とする方法。
【請求項８０】
前記加熱室の外側の低い温度において前記ウエハの反射率を決定する工程は、前記加熱室の外側で低い温度で、前記ウエハの反射率を決定する工程は、前記熱処理装置の加熱室内の熱処理前に前記ウエハの半球方向の反射率を測定するステップを含んでいることを特徴とする請求項７９記載の方法。
【請求項８１】
前記加熱室の外側の低い温度において前記ウエハの反射率を決定する工程は、
放射源からの放射光線を用いて前記ウエハの一部分をほぼ均一に照明し、
前記ウエハの一部分から放射した放射光線の強さを測定する、各ステップを含んでいることを特徴とする請求項７９記載の方法。
【請求項８２】
前記加熱室の外側の低い温度において前記ウエハの反射率を決定する工程は、
前記放射源の放射光線の強さを測定し、
前記ウエハおよび放射源の前記測定された放射光線の強さから前記低い温度において前記ウエハの反射率を決定する。各ステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項８１記載の方法。
【請求項８３】
前記加熱室の外側の低い温度において前記ウエハの反射率を決定する工程は、
放射源からの放射光線を用いて、前記ウエハの一部分をほぼ均一に照明し、
前記ウエハの一部分から反射した放射光線の強さと、前記放射源の放射光線の強さの比を決定する、各ステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項７９記載の方法。
【請求項８４】
前記加熱室の外側の低い温度において前記ウエハの反射率を決定する工程は、
前記ウエハの反射率を前記比に関連付ける較正曲線を生成し、
前記較正曲線から前記低い温度において、前記ウエハの反射率を決定する、各ステップを含んでいることを特徴とする請求項８３記載の方法。
【請求項８５】
前記低い温度は、約−２００℃〜約１２０℃の範囲内にあることを特徴とする請求項７９記載の方法。
【請求項８６】
前記低い温度は、約１０℃〜約１００℃の範囲内にあることを特徴とする請求項７９記載の方法。
【請求項８７】
前記加熱室の外側の低い温度において前記ウエハの反射率を決定する工程は、
放射源からの放射光線を用いて、前記ウエハの一部分をほぼ均一に照明し、
関連した検出器のノイズに対して補正するために、前記放射源によって放射された放射光線を調整し、
前記ウエハから反射した放射光線を収集し、
前記ウエハによって反射した放射光線の強さを測定し、
前記放射源から放射された放射光線の強さを測定する、各ステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項７９記載の方法。
【請求項８８】
前記反射した放射光線の測定された強さと、前記放射源からの放射光線との間の選択された関係を決定し、
前記低い温度での前記ウエハの反射率を前記較正曲線から決定する、各ステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項８７記載の方法。
【請求項８９】
前記加熱室内での処理中に、前記ウエハから反射した放射光線の強さを決定する工程は、
放射源からの放射光線を用いて前記加熱室内に配置されるウエハを照明し、
前記加熱室を通過する前記ウエハをスイープし、
前記加熱室内の複数のウエハ位置にある前記ウエハから反射した放射光線の強さを検出器を用いて測定し、
前記反射した放射光線の強さに比例して前記検出器から出力信号を発生させ、
前記加熱室内の前記ウエハの関連した位置と、前記放射光線の強さとを記憶させる、各ステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項７９記載の方法。
【請求項９０】
前記放射源によって放射された放射光線を調整し、
前記加熱室内のウエハから反射した放射光線の強さに比例する前記検出器の出力信号に応答して第１出力信号を発生させる、各ステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項８９記載の方法。
【請求項９１】
前記ウエハの反射率を、前記加熱室内で測定されるウエハの反射した放射光線の強さと関連付けるステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項８９記載の方法。
【請求項９２】
前記加熱室内の前記ウエハの位置に無関係に、前記加熱室内で測定された放射光線の関数として、前記ウエハの反射率を決定するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項８９記載の方法。
【請求項９３】
前記加熱室内のウエハの温度を、スイープ中、前記反射率が決定されるときのウエハの温度とほぼ同一の温度に維持するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項８９記載の方法。
【請求項９４】
放射源を用いて前記加熱室内に配置されるウエハを照明し、
前記低い温度からウエハを加熱することなく、ウエハを移動させるとき、検出器を用いて、前記加熱室内のウエハから放射する全放射光線を測定し、
前記ウエハからの測定された全放射光線を、前記ウエハ以外の他の放射源から発生する放射光線と関連付け、
前記ウエハの放射率と、前記ウエハからの全放射光線から、処理中に、前記ウエハの温度を決定する、各ステップを含んでいることを特徴とする請求項７９記載の方法。