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【手続補正書】
【提出日】平成20年1月31日(2008.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外面を有する膨張状態にある管状物品であって、
エラストマー、顔料およびエネルギービーム吸収剤を含む混合物と、
前記外面上に配置された集束エネルギービーム誘導表示と、を含み、緩和状態にあることが可能であり、膨張状態にある時および緩和状態にある時に前記表示から少なくとも約３６センチメートル離れて位置する２０／２０の視力を有する個人の肉眼に前記表示が判読性である管状物品。
【請求項２】
前記混合物が酸化防止剤材料を更に含む、請求項１に記載の管状物品。
【請求項３】
前記構成混合物の全重量を基準にして、
前記エラストマーが前記構成混合物の約２５．０重量％〜約４０．０重量％を構成し、
前記顔料が前記構成混合物の約１．０重量％〜約５．０重量％を構成し、
前記エネルギービーム吸収剤が前記構成混合物の約０．１重量％〜約２．０重量％を構成する、請求項１に記載の管状物品。
【請求項４】
外面を有する管状物品であって、
エラストマー、
顔料
エネルギービーム吸収剤
炭化水素油
酸化防止剤材料および
酸化亜鉛
を含む構成混合物と、
前記外面上に配置された集束エネルギービーム誘導表示と、を含み、緩和状態にあることが可能であり、膨張状態にある時および緩和状態にある時に前記表示から少なくとも約３６センチメートル離れて位置する２０／２０の視力を有する個人の肉眼に前記表示が判読性である管状物品。
【請求項５】
前記構成混合物が一種類以上の過酸化物または充填剤材料を更に含む、請求項１または４に記載の管状物品。
【請求項６】
前記構成混合物が一種類以上のアクリル助剤またはシランカップリング剤を更に含む、請求項１または４に記載の管状物品。
【請求項７】
前記構成混合物の全重量を基準にして、
前記エラストマーが前記構成混合物の約２５．０重量％〜約４０．０重量％を構成し、
前記顔料が前記構成混合物の約１．０重量％〜約５．０重量％を構成し、
前記エネルギービーム吸収剤が前記構成混合物の約０．１重量％〜約２．０重量％を構成し、
前記炭化水素油が前記構成混合物の約５．０重量％〜約２０．０重量％を構成し、
前記酸化防止剤材料が前記構成混合物の約０．１重量％〜約１．０重量％を構成し、
前記酸化亜鉛が前記構成混合物の約０．１重量％〜約１．０重量％を構成する、請求項４に記載の管状物品。
【請求項８】
外面を有する管状物品をマーキングする方法であって、
エラストマー、顔料およびエネルギービーム吸収剤を含む前記管状物品を提供する工程と、
緩和状態から膨張状態に前記管状物品を膨張させる工程と、
集束エネルギービームにより前記外面上に表示を形成する工程と、
前記管状物品を前記膨張状態からコールドシュリンクさせる工程と、
を含む方法。
【請求項９】
前記管状物品を提供する工程が、エラストマー、顔料およびエネルギービーム吸収剤を含む混合物を押し出し、架橋して前記管状物品を形成することを含む、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月11日(2008.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ポリ（１，４−シクロヘキサンジメタノールテレフタレート）と約０．５〜約２０重量パーセントのポリ（１，４−ブチレンテレフタレート）とを含む第一の組成物（前記重量パーセントは前記第一の組成物中に存在する前記ポリ（１，４−シクロヘキサンジメタノールテレフタレート）の量に基づく）と、
（ｂ）有機高分子材料を含む第二の組成物と
を含み、
前記第一の組成物の第一の面が、前記第二の組成物の第二の面と接触しており、
および、さらに、前記ポリ（１，４−ブチレンテレフタレート）において、少なくとも９０モルパーセントのジオール繰り返し単位が１，４−ブタンジオールに由来することを条件とすることを特徴とする装置。
【請求項２】
第一の組成物を造形部品に形成する工程と、次いで、第二の組成物が前記第一の組成物に接着するように、前記造形部品の少なくとも一部を、有機高分子材料を含む前記第二の組成物と接触させる工程とを含み、ポリ（１，４−シクロヘキサンジメタノールテレフタレート）と約０．５〜約２０重量パーセントのポリ（１，４−ブチレンテレフタレート）とを含む前記第一の組成物（前記重量パーセントは前記第一の組成物中に存在する前記ポリ（１，４−シクロヘキサンジメタノールテレフタレート）の量に基づく）を含むことを特徴とする装置を製造するための方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
第二の組成物は、予め造形された第一の組成物の押し出し成形物の上に押出されてもよく、または、二つの組成物が、両者が互いに接触するように、共押出しされてもよい（本願明細書における定義によれば、共押出しは、第一の組成物を先ず形成し、次いで第二の組成物を接触させることとされるが、第一の組成物を、第二の組成物と接触させる前に、造形部品に製造することが好ましい）。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
１．（ａ）ポリ（１，４−シクロヘキサンジメタノールテレフタレート）と約０．５〜約２０重量パーセントのポリ（１，４−ブチレンテレフタレート）とを含む第一の組成物（前記重量パーセントは前記第一の組成物中に存在する前記ポリ（１，４−シクロヘキサンジメタノールテレフタレート）の量に基づく）と、
（ｂ）有機高分子材料を含む第二の組成物と
を含み、
前記第一の組成物の第一の面が、前記第二の組成物の第二の面と接触しており、
および、さらに、前記ポリ（１，４−ブチレンテレフタレート）において、少なくとも９０モルパーセントのジオール繰り返し単位が１，４−ブタンジオールに由来することを条件とすることを特徴とする装置。
２．前記ポリ（１，４−シクロヘキサンジメタノールテレフタレート）において、少なくとも９０モルパーセントのジオール繰り返し単位が１，４−シクロヘキサンジメタノールに由来し、ならびに少なくとも９０モルパーセントのジカルボン酸繰り返し単位がテレフタル酸に由来し、および、前記ポリ（１，４−ブチレンテレフタレート）において、少なくとも９０モルパーセントのジカルボン酸繰り返し単位がテレフタル酸に由来することを特徴とする１．に記載の装置。
３．約１．０〜約１０重量パーセントの前記ポリ（１，４−ブチレンテレフタレート）が前記第一の組成物中に存在することを特徴とする１．または２．に記載の装置。
４．前記第一の組成物中に可塑剤が存在しないことを特徴とする１．〜３．のいずれか１つに記載の装置。
５．前記第二の組成物はシリコーンゴムまたはエポキシ樹脂を含むことを特徴とする１．〜４．のいずれか１つに記載の装置。
６．前記第一の面と第二の面との間に接着剤層が存在していることを特徴とする１．〜５．のいずれか１つに記載の装置。
７．第一の組成物を造形部品に形成する工程と、次いで、第二の組成物が前記第一の組成物に接着するように、前記造形部品の少なくとも一部を、有機高分子材料を含む前記第二の組成物と接触させる工程とを含み、ポリ（１，４−シクロヘキサンジメタノールテレフタレート）と約０．５〜約２０重量パーセントのポリ（１，４−ブチレンテレフタレート）とを含む前記第一の組成物（前記重量パーセントは前記第一の組成物中に存在する前記ポリ（１，４−シクロヘキサンジメタノールテレフタレート）の量に基づく）を含むことを特徴とする装置を製造するための方法。
８．前記ポリ（１，４−シクロヘキサンジメタノールテレフタレート）において、少なくとも９０モルパーセントのジオール繰り返し単位が１，４−シクロヘキサンジメタノールに由来し、ならびに少なくとも９０モルパーセントのジカルボン酸繰り返し単位がテレフタル酸に由来し、および前記ポリ（１，４−ブチレンテレフタレート）において、少なくとも９０モルパーセントのジオール繰り返し単位が１，４−ブタンジオールに由来し、ならびに少なくとも９０モルパーセントのジカルボン酸繰り返し単位がテレフタル酸に由来することを特徴とする７．に記載の方法。
９．約１．０〜約１０重量パーセントの前記ポリ（１，４−ブチレンテレフタレート）が前記第一の組成物中に存在することを特徴とする７．または８．に記載の方法。
１０．前記第一の組成物中に可塑剤が存在しないことを特徴とする７．〜９．のいずれか１つに記載の方法。
１１．前記第二の組成物はシリコーンゴムまたはエポキシ樹脂を含むことを特徴とする７．〜１０．のいずれか１つに記載の方法。
１２．前記第一の組成物と第二の組成物との間に接着剤層を適用する更なる工程を含むことを特徴とする７．〜１１．のいずれか１つに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月23日(2008.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペンダントアミノ基を含む少なくとも1つのアミノ酸残基を含むペプチド成分を含む非-直鎖状ペプチド両親媒性物質化合物であって、該アミノ基は該ペプチド成分の非-直鎖状成分に結合しており、該ペプチド成分は疎水性成分に結合している非-直鎖状ペプチド両親媒性化合物。
【請求項２】
残基が、天然型アミノ酸由来である、請求項1記載の化合物。
【請求項３】
アミノ酸が、リシンである、請求項2記載の化合物。
【請求項４】
ペプチド成分が、少なくとも2つのリシン残基を含む、請求項3記載の化合物。
【請求項５】
非-直鎖状成分が、生物活性なエピトープ配列を含む、請求項4記載の化合物。
【請求項６】
エピトープ配列が、RGDS、PHSRN、IKVAV、YIGSRおよびファージディスプレイ法の認識産物から選択される、請求項5記載の化合物。
【請求項７】
2つのリシン残基の各々が、エピトープ配列の一方に結合している、請求項6記載の化合物。
【請求項８】
ペプチド成分が、アラニン、グリシン、ロイシン、システインおよびセリンから選択される残基を含む、請求項1記載の化合物。
【請求項９】
疎水性成分が、約C6〜約C22の範囲のアルキル部分を含む、請求項1記載の化合物。
【請求項１０】
アルキル部分が、ペプチド成分のC-末端付近のリシン残基に結合している、請求項9記載の化合物。
【請求項１１】
ペプチド成分が少なくとも2つのリシン残基を含み、少なくとも一方の残基がRGDS、PHSRN、IKVAV、YIGSRおよびファージディスプレイ法の認識産物から選択される生物活性なエピトープ配列に結合している、請求項10記載の化合物。
【請求項１２】
配列の少なくとも1つが、分光プローブ成分に結合している、請求項11記載の化合物。
【請求項１３】
集合してミセル構造を構築する、請求項11記載の化合物。
【請求項１４】
ペプチド成分、該ペプチド成分に結合している疎水性成分を含み、該ペプチド成分は生物活性なエピトープ配列に結合しているペンダントアミノ基を含む少なくとも1つのアミノ酸残基を含む非-直鎖状ペプチド両親媒性化合物を液体媒体に含むシステム。
【請求項１５】
残基が、天然型アミノ酸由来である、請求項14記載のシステム。
【請求項１６】
アミノ酸が、リシンである、請求項15記載のシステム。
【請求項１７】
エピトープ配列が、RGDS、PHSRN、IKVAV、YIGSRおよびファージディスプレイ法の認識産物から選択される、請求項14記載のシステム。
【請求項１８】
疎水性成分が、ペプチド成分のペンダントアミノ基に結合している、請求項17記載のシステム。
【請求項１９】
ペプチド成分が、アラニン、グリシンおよびロイシンから選択される残基を含む、請求項18記載のシステム。
【請求項２０】
媒体が生理的pHであり、化合物の集合物を含む、請求項17記載のシステム。
【請求項２１】
以下の段階を含む、ペプチド両親媒性のペンダントアミノ基を使用して生物学的に活性なエピトープ配列を提示する方法：
複数のペプチド両親媒性化合物を提供する段階であって、各化合物が疎水性成分およびペプチド成分を含み、化合物の少なくとも1つはペンダントアミノ基を含む少なくとも1つのアミノ酸残基を含む段階；ならびに
アミノ基に生物学的に活性なエピトープ配列を結合する段階。
【請求項２２】
ペプチド成分が、N-末端付近にリシン残基を含む、請求項21記載の方法。
【請求項２３】
エピトープ配列が、RGDS、PHSRN、IKVAV、YIGSRおよびファージディスプレイ法の認識産物から選択される、請求項22記載の方法。
【請求項２４】
ペプチド成分のN-末端が、2つのリシン残基を含む、請求項22記載の方法。
【請求項２５】
残基の各々が、RGDS、PHSRN、IKVAV、YIGSRおよびファージディスプレイ法の認識産物から選択されるエピトープ配列に結合している、請求項24記載の方法。
【請求項２６】
化合物が水性媒体中に存在し、該媒体のpHが該化合物を円筒形ミセルに集合させるように調節される、請求項22記載の方法。
【請求項２７】
化合物の少なくとも1つが、少なくとも2つのリシン残基を含むペプチド成分を含む、請求項21記載の方法。
【請求項２８】
残基の各々が、RGDS、PHSRN、IKVAV、YIGSRおよびファージディスプレイ法の認識産物から選択されるエピトープ配列に結合している、請求項27記載の方法。
【請求項２９】
残基の1つが、RGDSエピトープに結合しており、残基の1つがPHSRNエピトープに結合している、請求項28記載の方法。
【請求項３０】
化合物が水性媒体中に存在し、媒体中の試薬を使用して集合させられる、請求項29記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月3日(2008.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筋萎縮性側索硬化症の症状を軽減するための又は多発性硬化症の症状を軽減するための、中枢または末梢神経系への神経保護の提供に使用するために効果的な量のグラチラマー・アセテートおよび2-アミノ-6-トリフルオロメトキシベンゾチアゾールを含む薬学的組成物。 
【請求項２】
筋萎縮性側索硬化の症状を軽減するための又は多発性硬化症の症状を軽減するための中枢または末梢神経系への神経保護の提供に、定期的に2-アミノ-6-トリフルオロメトキシベンゾチアゾールと使用するために効果的な量のグラチラマー・アセテートを含む薬学的組成物。 
【請求項３】
筋萎縮性側索硬化の症状を軽減するための又は多発性硬化症の症状を軽減するための中枢または末梢神経系への神経保護の提供に、定期的にグラチラマー・アセテートと使用するために効果的な量の2-アミノ-6-トリフルオロメトキシベンゾチアゾールを含む薬学的組成物。 
【請求項４】
以下を具備するパッケージ：
i)特定量のグラチラマー・アセテートおよび薬学的に許容される担体を含む、第１の薬学的組成物；
ii)特定量の2-アミノ-6-トリフルオロメトキシベンゾチアゾールおよび薬学的に許容される担体を含む、第２の薬学的組成物；および
iii)前記第１および第２の薬学的組成物を、筋萎縮性側索硬化の症状の軽減に使用するために又は多発性硬化症の症状の軽減に使用するために、神経保護を必要とする被験者の中枢または末梢神経系に神経保護を提供するために共に使用するための説明書。 
【請求項５】
請求項1〜3の何れか１項に記載の薬学的組成物または請求項4記載のパッケージであって、神経保護を提供することは、神経変性疾患を治療すること又は神経外傷を治療することを備える薬学的組成物またはパッケージ。 
【請求項６】
請求項1〜3の何れか１項に記載の薬学的組成物または請求項4記載のパッケージであって、神経保護を提供することが、毒性レベルのグルタメートに対して保護を提供すること又は毒性レベルのモノアミンオキシダーゼ-B活性に対して保護を提供することを備える薬学的組成物またはパッケージ。 
【請求項７】
請求項1〜3もしくは5〜6の何れか１項に記載の薬学的組成物または請求項4〜6の何れか１項に記載のパッケージであって、単独で摂取された場合のグラチラマー・アセテートの量および単独で摂取された場合の2-アミノ-6-トリフルオロメトキシベンザチアゾールの量の各々は、前記被験者の中枢又は末梢神経系に神経保護を提供するために効果的である又は筋萎縮性側索硬化症の症状の軽減に又は多発性硬化症の症状の軽減に効果的である薬学的組成物またはパッケージ。 
【請求項８】
請求項1〜3もしくは5〜7の何れか１項に記載の薬学的組成物または請求項4〜7の何れか１項に記載のパッケージであって、単独で摂取された場合のグラチラマー・アセテートの量、単独で摂取された場合の2-アミノ-6-トリフルオロメトキシベンザチアゾールの量、又は単独で摂取された場合の係る量の各々の何れかは、前記被験者の中枢又は末梢神経系に神経保護を提供するために効果的ではない又は筋萎縮性側索硬化症の症状の軽減に効果的ではない又は多発性硬化症の症状の軽減に効果的ではない薬学的組成物またはパッケージ。
【請求項９】
請求項1〜3もしくは5〜8の何れか１項に記載の薬学的組成物または請求項4〜8の何れか１項に記載のパッケージであって、グラチラマー・アセテートの前記量は、10〜600mg/週の範囲である薬学的組成物またはパッケージ。 
【請求項１０】
請求項9記載の薬学的組成物であって、グラチラマー・アセテートの前記量が20 mg/日である薬学的組成物。 
【請求項１１】
請求項2、3、または5〜10の何れか１項に記載の薬学的組成物であって、周期的な使用が毎日である薬学的組成物。 
【請求項１２】
請求項2、3、または5〜10の何れか１項に記載の薬学的組成物であって、周期的な使用が5〜9日毎に１回である薬学的組成物。 
【請求項１３】
請求項2、3、または5〜12の何れか１項に記載の薬学的組成物であって、前記グラチラマー・アセテートの投与が実質的に2-アミノ-6-トリフルオロメトキシベンザチアゾールの投与に先行する又は前記2-アミノ-6-トリフルオロメトキシベンザチアゾールの投与が実質的にグラチラマー・アセテートの投与に先行する薬学的組成物。 
【請求項１４】
請求項2、3、または5〜13の何れか１項に記載の薬学的組成物であって、前記グラチラマー・アセテートの投与は皮下に、腹腔内に、静脈内に、筋肉内に、眼内に（intraocularly）、又は経口的に成立され、前記2-アミノ-6-トリフルオロメトキシベンザチアゾールの投与は経口的に成立される薬学的組成物。 
【請求項１５】
特定量のグラチラマー・アセテートおよび特定量の2-アミノ-6-トリフルオロメトキシベンゾチアゾール含む薬学的組成物であって、共に摂取された場合に前記量は神経保護を必要とする被験者の中枢または末梢神経系に神経保護を提供するために又は筋萎縮性側索硬化症の症状を軽減するために又は多発性硬化症の症状を軽減するために効果的である；または単独で摂取された場合のグラチラマー・アセテートの量および単独で摂取された場合の2-アミノ-6-トリフルオロメトキシベンザチアゾールの量の各々は、前記被験者の中枢又は末梢神経系に神経保護を提供するために又は筋萎縮性側索硬化症の症状を軽減するために又は多発性硬化症の症状を軽減するために効果的である；または単独で摂取された場合のグラチラマー・アセテートの量または単独で摂取された場合の2-アミノ-6-トリフルオロメトキシベンザチアゾールの量または単独で摂取された場合の係る量の各々の何れかは、前記被験者の中枢又は末梢神経系に神経保護を提供するために又は筋萎縮性側索硬化症の症状を軽減するために又は多発性硬化症の症状を軽減するために効果的ではない薬学的組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月15日(2007.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一領域と絶縁性の仕切で分離された第二領域とを有し、前記第一領域に配置された少なくとも２つの第一容器と前記第二領域に配置された少なくとも２つの第二容器との間に、全ての容器が流体流通状態になるように前記仕切を通る流体接続部が設けられ、該流体接続部の大きさと性質とは内容物を混合するのに適合するようになっており、該内容物の温度を、前記第一領域において予め設定された温度と、前記第二領域において予め設定された、第一領域の温度とは異なる温度との間で変化させることを特徴とする、流体を取り扱う閉鎖型反応容器システム。
【請求項２】
前記第一領域に少なくとも１つの冷却手段を設けることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記冷却手段が、前記容器の周囲に冷却流体を循環させる手段を有することを特徴とする、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記第二領域に少なくとも１つの加熱手段を設けることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記加熱手段が、加熱流体を循環させる手段、電気加熱要素、ＩＲ照射要素、又はマイクロ波要素を有することを特徴とする、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記加熱手段が前記内容物を撹拌する手段を有することを特徴とする、請求項４に記載のシステム。
【請求項７】
前記内容物の温度を測定する手段が設けられていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項８】
前記流体接続部に、複数の弁を制御する手段が少なくとも１つ設けられていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項９】
前記内容物の吸光度、反射率、濁度、又はｐＨを測定する少なくとも１つの手段が設けられていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１０】
前記内容物の体積が１μＬ〜10ｍＬであることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月16日(2008.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アセンブリと基体とがプロセス方向に沿って相対移動中に、該基体に液滴を付着させるための該アセンブリであって、
第１のプリントヘッドモジュール及び該第１のプリントヘッドモジュールと接触する第２のプリントヘッドモジュールを備え、
各前記プリントヘッドモジュールが、該プリントヘッドモジュールが液滴を射出可能なノズルのアレイを含む表面を備え、
前記第１のプリントヘッドモジュールのノズルアレイの各ノズルが、前記第２のプリントヘッドモジュールのノズルアレイの対応するノズルに対して、前記プロセス方向に直交する方向にオフセットされており、
前記第１のプリントヘッドモジュールが、前記第２のプリントヘッドモジュールの対応する位置決め基準と接触する少なくとも１つの位置決め基準を含むことを特徴とするアセンブリ。
【請求項２】
前記第１のプリントヘッドモジュールの前記ノズルアレイの各ノズルが、該ノズルアレイ内の隣接するノズル間の間隔よりも小さい量だけオフセットされることを特徴とする請求項１記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記第１のプリントヘッドモジュールの前記位置決め基準が、該第１のプリントヘッドモジュールの隣接する領域からオフセットされた精密面を含むことを特徴とする請求項１記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記第１及び第２のプリントヘッドモジュールの前記表面の前記ノズルアレイの各々が、一定間隔で離間した一列のノズルを含むことを特徴とする請求項１記載のアセンブリ。
【請求項５】
１つ以上の追加のプリントヘッドモジュールを更に備え、該追加のプリントヘッドモジュールの各々が二次元のプリントヘットアレイを形成するためにクランプによって前記第１及び第２のプリントヘッドモジュールに連結されることを特徴とする請求項１記載のアセンブリ。
【請求項６】
前記追加のプリントヘッドモジュールの各々が少なくとも１つの他のプリントヘッドモジュールと接触することを特徴とする請求項５記載のアセンブリ。
【請求項７】
前記第１及び第２のプリントヘッドモジュールに液体を供給するよう構成された液体供給部を更に備えることを特徴とする請求項１記載のアセンブリ。
【請求項８】
開口部を有するフレームを更に備え、該開口部は前記フレームを通って延び、前記第１及び第２のプリントヘッドモジュールが前記フレームに取り付けられた際に該第１及び第２のプリントヘッドモジュールの前記表面を露出するよう構成されることを特徴とする請求項１記載のアセンブリ。
【請求項９】
二次元のプリントヘットアレイを形成するために前記第１のプリントヘッドモジュールを前記第２のプリントヘッドモジュールに固定するクランプを更に備えることを特徴とする請求項１記載のアセンブリ。
【請求項１０】
アセンブリと基体とがプロセス方向に沿って相対移動中に、該基体に液滴を付着させるための該アセンブリであって、
プリントヘッドモジュールが液滴を射出可能なノズルのアレイを含む表面を含む前記プリントヘッドモジュールと、
フレームを通って延びる開口部が、前記プリントヘッドモジュールの前記ノズルアレイを含む前記表面を露出するよう構成された、前記開口部を有する前記フレームと、
前記フレーム及び前記プリントヘッドモジュールに機械的に連結された圧電アクチュエータと、
前記圧電アクチュエータと電気的に通信する電子コントローラであって、前記圧電アクチュエータに、前記開口部内の前記プリントヘッドモジュールの位置を前記装置の軸に対して変更させるよう構成された前記電子コントローラと、
を備えるアセンブリ。
【請求項１１】
前記軸が前記プロセス方向に直交することを特徴とする請求項１０記載のアセンブリ。
【請求項１２】
前記軸が前記ノズルの列に対して平行であることを特徴とする請求項１０記載のアセンブリ。
【請求項１３】
前記圧電アクチュエータが、圧電材料の積み重なった複数の層から成ることを特徴とする請求項１０記載のアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月17日(2008.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
舶用推進装置（１、１’、１’’）であって、
船舶の船体（１０）の下部に取り付けられるように構成されたサポート支柱（３、３’、３’’）に機械的に結合された、少なくとも１つのポッド（２）と、
ポッドの船尾方向の端部に位置し、少なくとも２枚の回転翼（１４）を有しており、モーター又はエンジン（８）に結合された駆動軸（１１）で回転させられる、プロペラ（４）と、を備えており、
前記舶用推進装置は、
ポッド（２）に固定されている少なくとも３枚の整流フィン（５０〜５５、３’Ａ）からなり、ポッド（２）の長手軸（Ｘ）に実質的に垂直であるリング（５）を形成している、機構と、
プロペラ（４）及びフィンの前記リング（５）を、少なくとも一部分で囲む、ノズル（６）と、を更に備えており、
プロペラ（４）がスクリューポンプのローターを構成するように、前記回転翼（１４）の各々が、ノズル（６）の内壁と同一面に来るようなエッジ（７）を有する端部を、示しており、
前記リング（５）が、前記サポート支柱（３、３’、３’’）の中央部と、プロペラと、の間に位置する範囲（Ｚｘ）内に存在することを特徴とする舶用推進装置。
【請求項２】
前記ノズル（６）が少なくとも５枚のフィン（５０〜５５、３’Ａ）を介してポッド（２）に固定されており、前記プロペラ（４）が少なくとも３枚の回転翼（１４）を有している、請求項１記載の推進装置。
【請求項３】
前記リング（５）の各々のフィン（５０〜５５、３’Ａ）が、少なくとも略平面であり、且つ、前記ポッド（２）の軸（Ｘ）に対して規定された方位角（α０、・・・、α５、α’）を有した、表面を、有している、請求項１又は２に記載の推進装置。
【請求項４】
前記ノズル（６）の吸い込み外形、及び、フィンの方位角（α０、・・・、α５、α’）が、船舶の伴流地図に適合している、請求項３記載の推進装置。
【請求項５】
各々の前記フィンの規定された方位角（α０、・・・、α５、α’）が３度〜１５度の範囲内にある、請求項３又は４に記載の推進装置。
【請求項６】
プロペラ（４）の回転方向が、船舶を制動するための制動推力を生じさせるために逆回転可能である、前記いずれかの請求項に記載の推進装置。
【請求項７】
プロペラポンプのローターの回転翼（１４）の各々が、直線のジェネレーターラインを有する、前記いずれかの請求項に記載の推進装置。
【請求項８】
前記サポート支柱（３’）の船尾方向端部（３’Ａ）が、前記リング（５）の前記フィンの１つを構成している、前記いずれかの請求項に記載の推進装置。
【請求項９】
前記装置のサポート支柱（３、３’、３’’）が、船舶の船体（１０）の下部に固定されて取り付けられるように構成されている、前記いずれかの請求項に記載の推進装置（１、１’、１’’）を、少なくとも１つ備えている船舶。
【請求項１０】
前記装置のサポート支柱（３、３’、３’’）が、前記推進装置が枢動可能に取り付けられたポッド型であるように、船舶の船体（１０）の下部に枢動可能に取り付けられるように構成されている、請求項１〜８のいずれかの１つに記載の推進装置（１、１’、１’’）を、少なくとも１つ備えている船舶。
【請求項１１】
前記ノズル（６）及び船舶の船体（１０）との間の距離（Ｄｙ）が、プロペラ（４）が船舶の伴流内で最適に機能するように規定されている、請求項９又は１０に記載の船舶。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月21日(2008.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インサイチュドープトエピタキシャル半導体層を堆積するための方法であって、
単結晶物質の露出領域と電気的絶縁物質の露出領域とを含むパターニングされた基板を収容する処理チャンバ内を、８０ｔｏｒｒより高圧に維持するステップと、
前記処理チャンバ内へジクロロシランのフローを提供するステップと、
前記処理チャンバ内へドーパント水素化物のフローを提供するステップと、
前記単結晶物質の露出領域上に、３ｎｍ  ｍｉｎ−１より速い速度で、前記エピタキシャル半導体層を選択的に堆積するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記電気的絶縁物質の露出領域が、シリコン酸化物を含み、選択的に堆積する前記ステップが、５ｎｍ  ｍｉｎ−１より速い速度での堆積を含む請求項１の方法。
【請求項３】
ジクロロシランの前記フローが２００ｓｃｃｍより多い請求項１の方法。
【請求項４】
ジクロロシランの前記フローが３００ｓｃｃｍ〜５ｓｌｍの範囲である請求項１の方法。
【請求項５】
希釈ガス中で１％に希釈された前記ドーパント水素化物の前記フローに対するジクロロシランの前記フローの割合が、４：１〜１００：１の範囲、若しくは前記ドーパント水素化物の異なる希釈度に関して均等値である請求項１の方法。
【請求項６】
希釈ガス中で１％に希釈された前記ドーパント水素化物の前記フローに対するジクロロシランの前記フローの割合が、５０：１〜１００：１の範囲、若しくは前記ドーパント水素化物の異なる希釈度に関して均等値である請求項１の方法。
【請求項７】
希釈ガス中で１％に希釈された前記ドーパント水素化物の前記フローに対するジクロロシランの前記フローの割合が、４：１〜５０：１の範囲、若しくは前記ドーパント水素化物の異なる希釈度に関して均等値である請求項１の方法。
【請求項８】
堆積の間中、前記処理チャンバ内を１００ｔｏｒｒより高圧に維持するステップを更に含む請求項１の方法。
【請求項９】
堆積の間中、前記処理チャンバ内を大気圧に更に維持する請求項１の方法。
【請求項１０】
選択的に堆積するステップの間、エッチャントをフローするステップを更に含む請求項１の方法。
【請求項１１】
前記エッチャントがＨＣｌを含む請求項１０の方法。
【請求項１２】
選択的に堆積するステップが、ｘ  ｃｍ２のウィンドウについての不均一性の平均が、（０．５）ｘ  ｃｍ２のウィンドウについての不均一性の平均から５％異なる場合のローディング効果より、少ないローディング効果を示す請求項１の方法。
【請求項１３】
選択的に堆積するステップが、前記基板上の所定の半導体ウィンドウ内で、２０％未満の不均一性を有するマイクロローディング効果を示す請求項１の方法。
【請求項１４】
前記ジクロロシラン及び前記ドーパント水素化物と共にカーボン前駆体をフローし、前記エピタキシャル半導体層内にカーボンを添加するステップを更に含む請求項１の方法。
【請求項１５】
前記カーボン前駆体が有機シリコン前駆体を含む請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記カーボン前駆体がメチルシランを含む請求項１４の方法。
【請求項１７】
前記ジクロロシラン及び前記ドーパント水素化物と共にゲルマニウム前駆体をフローし、前記エピタキシャル半導体層内にゲルマニウムを添加するステップを更に含む請求項１の方法。
【請求項１８】
前記ゲルマニウム前駆体がゲルマンを含む請求項１７の方法。
【請求項１９】
前記ドーパント水素化物がアルシンを含む請求項１の方法。
【請求項２０】
前記ドーパント水素化物の前記フローが、５〜２００ｓｃｃｍの範囲の、希釈ガス中で１％に希釈されたアルシン、若しくはアルシンの異なる希釈度に関して均等値である請求項１９の方法。
【請求項２１】
前記ドーパント水素化物がホスフィンを含む請求項１の方法。
【請求項２２】
堆積温度を６５０℃〜７５０℃の範囲に維持するステップをさらに含む請求項１の方法。
【請求項２３】
堆積温度を４５０℃〜６５０℃の範囲に維持するステップをさらに含む請求項１の方法。
【請求項２４】
シリコン含有層を堆積するための方法であって、
１００ｔｏｒｒより高圧のチャンバを提供するステップと、
前記チャンバ内に収容された基板の全面に、ジクロロシラン及びドーパント水素化物をフローするステップと、
前記基板上に、２５ｎｍ  ｍｉｎ−１より速い速度且つ４５０℃〜７５０℃の範囲の堆積温度で、シリコン含有層をエピタキシャルに堆積するステップとを含む方法。
【請求項２５】
前記ドーパント水素化物がｎ型ドーパント水素化物である請求項１又は２４の方法。
【請求項２６】
前記層が１０１９ｃｍ−３より高いドーパント濃度を有する請求項１又は２４の方法。
【請求項２７】
前記層が１０１９ｃｍ−３〜２×１０２１ｃｍ−３の範囲のドーパント濃度を有する請求項１又は２４の方法。
【請求項２８】
エピタキシャルに堆積する前記ステップが選択的に堆積するステップである請求項２４の方法。
【請求項２９】
前記シリコン含有層が、１ｍΩ・ｃｍ未満の堆積に応じた抵抗率を有する請求項２４の方法。
【請求項３０】
前記シリコン含有層が、０．８ｍΩ・ｃｍ未満の堆積に応じた抵抗率を有する請求項２４の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一実施形態によると、インサイチュドープトエピタキシャル半導体層を堆積するための方法は、単結晶物質の露出領域と電気的絶縁物質の露出領域とを含むパターニングされた基板を収容する処理チャンバ内を、８０ｔｏｒｒより高圧に維持するステップを含む。本方法は更に、前記処理チャンバ内へジクロロシランのフローを提供するステップを含む。本方法は更に、前記処理チャンバ内へドーパント水素化物のフローを提供するステップを含む。本方法は更に、前記単結晶物質の露出領域上に、３ｎｍ  ｍｉｎ−１より速い速度で、前記エピタキシャル半導体層を選択的に堆積するステップを含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の別の実施形態によると、シリコン含有層を堆積するための方法は、１００ｔｏｒｒより高圧のチャンバを提供するステップを含む。本方法は更に、前記チャンバ内に囲まれた基板の全面に、ジクロロシラン及びｎ型ドーパント水素化物をフローするステップを含む。本方法は更に、前記基板上に、２５ｎｍ  ｍｉｎ−１より速い速度且つ４５０℃〜７５０℃の範囲の堆積温度で、シリコン含有層をエピタキシャルに堆積するステップを含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月29日(2008.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記導電層は少なくとも１つの布材料を含み、前記弾性コア部材は少なくとも１つの発泡体材料を含み、前記接着剤は少なくとも１つのハロゲン非含有のリンをベースとする難燃性剤を含むものであり、
さらに、前記導電層にハロゲン非含有難燃性剤を含む、請求項９に記載のシールド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
さらに、前記導電層にハロゲン非含有難燃性剤を含む、請求項１または２に記載のシールド。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３３】
さらに、前記導電層にハロゲン非含有難燃性剤を含む、請求項３２に記載のシールド。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月21日(2008.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＮＭＯＳデバイス領域とＰＭＯＳデバイス領域とにゲート電極を形成するために、ゲート誘電体層上にシリコン領域を形成するステップ、
第１金属あるいは金属合金を前記ＮＭＯＳデバイス領域の前記シリコン領域に堆積し、第２金属あるいは金属合金を前記ＰＭＯＳデバイス領域の前記シリコン領域に堆積するステップ、
前記第１金属あるいは金属合金を前記ＮＭＯＳデバイス領域の前記シリコン領域と反応させ、第１シリサイド領域と第１金属あるいは金属合金領域とを前記第１シリサイド領域に形成し、前記第２金属あるいは金属合金を前記ＰＭＯＳデバイス領域の前記シリコン領域と反応させ、第２シリサイド領域と第２金属あるいは金属合金領域とを第２シリサイド領域に形成するようにアニールするステップ、を含み、
前記第１シリサイド領域の仕事関数は、シリコンの伝導帯の＋／−０．２Ｖ内であり、前記第２シリコン領域の仕事関数は、シリコンの価電子帯の＋／−０．２Ｖ内である、デュアルメタルCMOS配列を形成する方法。
【請求項２】
前記シリコン領域を形成する前記ステップは、
ゲート誘電体層上にシリコンを堆積するステップ、
シリコンスタックを形成するために前記シリコンをエッチングするステップ、および、
前記シリコンスタックの上部だけを除去し、それにより前記シリコン領域を形成するために前記シリコンスタックを部分的にエッチングするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記部分的にエッチングするステップは、エッチングステップ内のシリコンスタックの時間制御されたエッチングである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記シリコンを堆積するステッ プは、前記ゲート誘電体層上に第１シリコン層を堆積するステップ、前記第１シリコン層上にエッチストップ層を形成するステップ、および、前記エッチストップ層上に第２シリコン層を形成するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記部分的にエッチングするステップは、前記第２シリコン層をエッチングし、前記エッチストップ層上でエッチングを停止させるステップ、および、前記エッチストップ層を除去するステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１および第２シリサイド領域の相を制御することによって、前記第１および第２シリサイド領域の仕事関数を制御するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１および第２シリサイド領域の相を制御するステップは、前記シリコン領域の厚みを制御するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１金属あるいは金属合金はタンタルである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第２金属あるいは金属合金は、ルテニウム、レニウム、あるいはコバルトのうちのいずれかである請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記第１金属あるいは金属合金はタンタルであり、前記第２金属あるいは金属合金は、ルテニウム、レニウム、あるいはコバルトのうちの１つである、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月11日(2008.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理システムを乾式洗浄する方法であって、
前記プラズマ処理システムの前記乾式洗浄時に微粒子汚染を実質的に低減するための
乾式洗浄処理レシピを含み、前記乾式洗浄処理レシピは、処理ガスの質量流量、前記乾式
洗浄処理のための圧力、および前記処理ガスからプラズマを形成するための電力の少なく
とも１つを設定するステップを含んでおり、さらに、
前記乾式洗浄を容易にするために前記乾式洗浄処理レシピを前記プラズマ処理システ
ムで実行するステップを含む方法。
【請求項２】
前記プラズマ処理システムにおける乾式洗浄率のばらつきを実質的に低減するための乾
式処理レシピを選択するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記乾式洗浄処理の終点の検出に続いて前記乾式洗浄処理を終了するステップをさらに
含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記乾式洗浄処理の終点の検出を過ぎて延長する超過洗浄時間に続いて前記乾式洗浄処
理を終了するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記終点の前記検出に続いて前記乾式洗浄処理を前記終了するステップは、発光分光法
を使用するステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
基板を処理するためのプラズマ処理システムであって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバに結合され、かつ前記基板を支持するように構成された基板保持器
と、
前記処理チャンバに結合され、かつ洗浄ガスを導入するように構成されたガス注入シ
ステムと、
前記処理チャンバに結合され、かつ前記洗浄ガスからプラズマを形成するように構成
されたプラズマ源と、
前記処理チャンバに結合され、かつ前記処理システムを定期的に乾式洗浄するための
処理レシピを実行するように構成された制御装置と、を含み、
前記処理レシピは前記乾式洗浄時に微粒子形成を実質的に最小化する、プラズマ処理シス
テム。
【請求項７】
前記プラズマ処理システムは、前記処理チャンバに結合された診断システムをさらに備
え、前記制御装置は、前記プラズマ処理システムからの発光の監視、前記プラズマ処理シ
ステムにおける微粒子濃度の監視、および前記プラズマ処理システムの内側表面上の膜厚
の監視の少なくとも１つを実施するように構成される、請求項６に記載のプラズマ処理
システム。
【請求項８】
プラズマ処理システムにおける乾式洗浄処理を最適化する方法であって、
前記プラズマ処理システムで、酸素を含有する処理ガスを導入するステップ、前記プ
ラズマ処理システム中の圧力を設定するステップ、および前記処理ガスからのプラズマを
点火するステップを含む乾式洗浄処理を実施するステップと
第１の洗浄率を第１の箇所で求めるステップと、
第２の洗浄率を第２の箇所で求めるステップと、
前記第１の洗浄率と前記第２の洗浄率との間の差を最小化するために前記乾式洗浄処
理を調整するステップと、を含む方法。
【請求項９】
前記第１の洗浄率および前記第２の洗浄率を前記求めるステップは、前記乾式洗浄処理
を実施する前に第１のテスト試料を前記第１の箇所に布置するステップと、前記乾式洗浄
処理を実施する前に第２のテスト試料を前記第２の箇所に布置するステップと、前記乾式
洗浄処理に続いて前記第１のテスト試料を除去するステップと、前記第１のテスト試料上
の膜厚を測定するステップと、前記乾式洗浄処理に続いて前記第２のテスト試料を除去す
るステップと、前記第２のテスト試料上の膜厚を測定するステップとを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の洗浄率および前記第２の洗浄率を前記求めるステップは、イン・サイチュー
の薄膜干渉計を利用するステップを含む、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月18日(2007.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下を含む装置を有する少なくとも１つのステーションを備えた複数のワークピースステーションと：
上部ロータを有する処理ヘッドアッセンブリ；
ベースおよび下部ロータを有するベースアッセンブリ；
前記上部ロータは、ワークピース処理チャンバを形成するために、下部ロータと係合可能であり；
前記上下のロータが係合すると、上下ロータ間の接触を維持する力を生成する、第１磁石および第２磁石；
ワークピースを１つのステーションから別のステーションへ移動させるために、前記ワークピースステーション間で移動可能なロボットと、
を備えることを特徴とするワークピースシステム。
【請求項２】
少なくとも１つのステーションと連繋する処理ヘッドアッセンブリリフタを更に備えている、ことを特徴とする請求項１のシステム。
【請求項３】
前記下部ロータが開口部を有し、それを通って処理流体がワークピース表面へ供給される、ことを特徴とする請求項１のシステム。
【請求項４】
前記上下のロータのうちの少なくとも１つを回転させるモータを更に含む、ことを特徴とする請求項１のシステム。
【請求項５】
前記処理ヘッドアッセンブリが、前記処理チャンバ内へ処理流体を導入するノズルを備えている、ことを特徴とする請求項１のシステム。
【請求項６】
磁力が、前記第１磁石と前記第２磁石の間の反発により生成される、ことを特徴とする請求項１のシステム。
【請求項７】
前記第１磁石が前記ベース内にあって前記下部ロータ内の前記第２磁石と反発し、処理ヘッドアッセンブリリフタが前記処理ヘッドアッセンブリを前記ベースアッセンブリに向かって移動させるとき、前記上部ロータが前記下部ロータに接触し、前記下部ロータを前記ベースに向かって押圧しながら、前記上下のロータ間で接触シールを形成する、ことを特徴とする請求項１のシステム。
【請求項８】
前記ヘッドアッセンブリの垂直方向に上方で、前記装置の外側の周囲環境内にある第１開口部と、前記処理チャンバ内へスプレーするよう位置決めされたノズルを有する第２開口部とを有するシュノーケルと；
前記処理チャンバを回転させるモータと；
を更に含み、前記ワークピースが前記処理チャンバ内に位置決めされ、前記モータが前記処理チャンバと前記ワークピースを回転させると、該ワークピースの中央に隣接して低い空気圧力領域が生成され、周囲環境から前記処理チャンバ内へ空気を引き込む、ことを特徴とする請求項１のシステム。
【請求項９】
前記処理チャンバ内に配置されたワークピースの中央部分へ、処理流体を配送する流体アプリケータと；
前記流体アプリケータの外部周辺の実質的に環状の開口部と；
前記環状開口部を通して前記処理チャンバ内へパージガスを配送するパージガス源と；
を更に備えることを特徴とする請求項１のシステム。
【請求項１０】
前記ベース内に形成された少なくとも１つの環状の排出チャンネルを更に備える、ことを特徴とする請求項１のシステム。
【請求項１１】
前記第１ロータと前記第２ロータを一緒にすると、整列ピンが前記ワークピースの縁部に接触して、前記ワークピースを前記第１ロータと前記第２ロータの間で中央に配置する、ことを特徴とする請求項１のシステム。
【請求項１２】
複数のドレイン経路を含む可動ドレインアッセンブリであって、該ドレインアッセンブリを移動させることで、各ドレイン経路が別々に前記処理チャンバと整列可能となる、可動ドレインアッセンブリを更に備えることを特徴とする請求項１のシステム。
【請求項１３】
ワークピースを第１ロータ上に配置するステップと；
前記ワークピースの周りの処理チャンバを形成するために、非接触力により第２ロータを前記第１ロータへ係合させるステップと；
前記第１ロータと前記第２ロータを回転させるステップと；
第１処理流体が遠心力により前記ワークピースの第１側面上を半径方向に外側へ流れるよう、第１処理流体をワークピースの第１側面へ適用するステップと、
を備えることを特徴とするワークピース処理方法。
【請求項１４】
ベースおよび第１ロータを有するベースアッセンブリ内へワークピースを配置するステップと；
前記第１ロータを前記ベースから退けるよう、磁力を加えるステップと、
を更に備えることを特徴とする請求項１３のワークピース処理方法。
【請求項１５】
前記処理流体を前記ワークピースに適用するステップが、
第１処理流体を前記ワークピースの第１表面へ適用するステップと；
第２処理流体を前記ワークピースの第２表面に適用するステップと、
を備えている、ことを特徴とする請求項１３の方法。
【請求項１６】
前記第１及び／又は第２処理流体が、空気、水、オゾン発生水、窒素、イソプロピルアルコール、フッ化水素酸、硫酸、過酸化水素、塩酸、アンモニア、溶剤および混酸／酸化剤から成るグループから選択される流体を含んでいる、ことを特徴とする請求項１３の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月27日(2008.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッダコネクタ（１００）と係合するように構成される絶縁性キャリア（２１０）と、
該キャリア（２１０）に位置決めされた少なくとも１つのケーブルコネクタ（２２０）と
を備える電気コネクタであって、
各ケーブルコネクタ（２２０）は、前記対応するケーブル（２７０）を終端し、各ケーブルコネクタ（２２０）は、前記対応するケーブル（２７０）のシールド（２７２）に電気的に接続される導電性外部筐体（２２２）を備え、前記外部筐体（２２２）は、絶縁性内部筐体（２２６）を内部に有し、前記内部筐体（２２６）は、第１および第２の導電性端子（２２８、２３０）を互いに、かつ前記外部筐体（２２２）から電気的に絶縁させた状態に保ち、前記第１の端子（２２８）は、一端が前記対応するケーブル（２７０）の第１の信号線（２３５）に接続され、前記第２の端子（２３０）は、一端が前記対応するケーブル（２７０）の第２の信号線（２３５）に接続され、前記内部筐体（２２６）は、前記第１の端子（２２８）と第２の端子（２３０）との間でシールドブレード（１０６）を受けるように構成され、前記外部筐体（２２２）は、前記第１の端子（２２８）と第２の端子（２３０）との間で受けた前記シールドブレード（１０６）と電気的に結合するための第１の接点（２４０）と、該外部筐体（２２２）の外面にある第２のシールドブレード（１０６）と電気的に結合するための第２の接点（２４２ａ）と、該外部筐体（２２２）の外面にある第３のシールドブレード（１０６）と電気的に結合するための第３の接点（２４２ｂ）を含む、電気コネクタ。
【請求項２】
前記少なくとも１つのケーブルコネクタ（２２０）を前記キャリア（２１０）に固定するための保持クリップ（２２６）をさらに備える、請求項１に記載の電気コネクタ。
【請求項３】
前記キャリア（２１０）と係合して、前記ケーブル（２７０）を該コネクタの係合方向に対して角度をなすようにガイドするケーブルシュラウド（２６９）をさらに備える、請求項１及び２のいずれかに記載の電気コネクタ。
【請求項４】
突出した複数の信号ピン（１０４）および複数のシールドブレード（１０６）を有するヘッダ本体（１０２）を備えるヘッダコネクタ（１００）をさらに備え、前記絶縁性キャリア（２１０）は前記ヘッダコネクタ（１００）と係合するように構成される、請求項１から３までのいずれかに記載の電気コネクタ。