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【手続補正書】
【提出日】平成20年7月23日(2008.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１＋Ｎ構造の２つの層（Ｃ１，Ｃ２）を有し、ゴム引きされ、直径ｄ1の単一コアワイヤから成るコア又は内側層（Ｃ１）及び前記内側層（Ｃ１）にピッチＰ2で螺旋をなして一緒に巻き付けられた直径ｄ2のＮ本のワイヤの飽和外側層（Ｃ２）を有するコンパクトな金属ケーブルにおいて、前記層状ケーブルは、
以下の特徴（ｄ1、ｄ2、Ｐ2の単位は、ｍｍ）、即ち、
−０．１５＜ｄ1＜０．５０
−０．１５＜ｄ2＜０．５０
−８＜Ｐ2＜２５
を有し、前記コアワイヤは、ジエン系ゴムのシースで包囲され、前記ジエン系ゴムは、前記コアワイヤと前記外側層Ｃ２の前記ワイヤとの間の隙間を少なくとも部分的に埋めている、ケーブル。
【請求項２】
前記ゴムシースのジエンエラストマーは、ポリブタジエン、天然ゴム、合成ポリイソプレン、ブタジエンコポリマー、イソプレンコポリマー及びこれらエラストマーの混合物から成る群から選択される、請求項１記載のケーブル。
【請求項３】
前記ジエンエラストマーは、天然ゴムである、請求項２記載のケーブル。
【請求項４】
前記ゴムシースは、補強充填材としてカーボンブラックを含む、請求項１〜３のうちいずれか一に記載のケーブル。
【請求項５】
前記ゴムシースは、架橋状態では、１０％伸び率における割線引張モジュラスＥ１０が、５〜２５ＭＰａである、請求項１〜４のうちいずれか一に記載のケーブル。
【請求項６】
以下の特徴（ｄ1及びｄ2の単位は、ｍｍ）、即ち、
−０．１５＜ｄ1＜０．５０
−０．２５＜ｄ2＜０．４０
−０．６＜（ｄ1／ｄ2）＜１．２５
を有する、請求項１〜５のうちいずれか一に記載のケーブル。
【請求項７】
以下の特徴（ｄ1及びｄ2の単位は、ｍｍ）、即ち、
−０．２０＜ｄ1＜０．４８
−０．２５＜ｄ2＜０．４０
−０．８＜（ｄ1／ｄ2）＜１．２
を有する、請求項６記載のケーブル。
【請求項８】
ｐ2は、１０〜２０ｍｍである、請求項１〜７のうちいずれか一に記載のケーブル。
【請求項９】
ｐ2は、１４〜１８ｍｍの範囲内にある、請求項１〜７記載のケーブル。
【請求項１０】
前記層Ｃ２は、６本又は７本のワイヤから成る、請求項１〜９記載のケーブル。
【請求項１１】
前記コアワイヤを包囲している前記ゴムシースは、０．０１ｍｍ〜０．１０ｍｍの最小厚さを有する、請求項１〜１０のうちいずれか一に記載のケーブル。
【請求項１２】
請求項１〜１１のうちいずれか一に記載のケーブルで補強されたタイヤ。
【請求項１３】
２つのビード内に繋留され、ベルトにより半径方向に包囲されたカーカス補強材を有し、前記ベルトが、２つのサイドウォールにより前記ビードに接合されたトレッドによって包囲されている請求項２６記載のタイヤであって、前記ベルトは、請求項１〜１２のうちいずれか一に記載の金属ケーブルを有する、タイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月7日(2008.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線ローカルエリアネットワーク経由でショートメッセージサービス（ＳＭＳ）のコネクティビティを確立するために少なくとも一つの無線送受信装置を登録するように構成されるショートメッセージサービス（ＳＭＳ）プロキシプラットホームと、
ショートメッセージサービス（ＳＭＳ）のメッセージを受信するように構成される受信機と、
再フォーマットされたバージョンの前記ショートメッセージサービス（ＳＭＳ）のメッセージを送信するように構成される送信機と
を含むことを特徴とするインターネットプロトコルショートメッセージゲートウェイ（ＩＰ−ＳＭ−ＧＷ）。
【請求項２】
前記受信されたショートメッセージサービス（ＳＭＳ）のメッセージは、共通線信号Ｎｏ．７（ＳＳ７）フォーマットを使用し、
前記再フォーマットされたバージョンの前記ショートメッセージサービス（ＳＭＳ）のメッセージは、インターネットプロトコル（ＩＰ）フォーマットを使用することを特徴とする請求項１に記載のインターネットプロトコルショートメッセージゲートウェイ（ＩＰ−ＳＭ−ＧＷ）。
【請求項３】
ショートメッセージサービス（ＳＭＳ）を提供する方法であって、
前記方法は、
無線ローカルエリアネットワーク経由でショートメッセージサービス（ＳＭＳ）のコネクティビティを確立するために少なくとも一つの無線送受信装置を登録するステップと、
第１のフォーマットに従って構成されるショートメッセージサービス（ＳＭＳ）のメッセージを受信するステップと、
第２のフォーマットに従って再フォーマットされたバージョンの前記ショートメッセージサービス（ＳＭＳ）のメッセージを送信するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
前記第１のフォーマットは、共通線信号Ｎｏ．７（ＳＳ７）フォーマットであり、
前記第２のフォーマットは、インターネットプロトコル（ＩＰ）フォーマットであることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
無線送受信装置であって、
前記無線送受信装置は、
ショートメッセージサービス（ＳＭＳ）トンネル接続を確立するように構成され、
無線ローカルエリアネットワーク経由で、ショートメッセージサービス（ＳＭＳ）およびマルチメディアサービス（ＭＭＳ）を受信することを登録するように構成され、
ショートメッセージサービス（ＳＭＳ）のコネクティビティを確立することを登録するように構成され、
マルチメディアサービス（ＭＭＳ）のコネクティビティを確立することを登録するように構成され、
前記無線送受信装置のユーザに対して検索を待っているマルチメディアサービス（ＭＭＳ）のメッセージが存在することを警告するショートメッセージサービス（ＳＭＳ）のメッセージを受信するように構成され、
前記マルチメディアサービス（ＭＭＳ）のメッセージを検索するように構成されることを特徴とする無線送受信装置。
【請求項６】
無線送受信装置であって、
前記無線送受信装置は、
無線ローカルエリアネットワークでマルチメディアサービス（ＭＭＳ）接続を確立するように構成され、
前記無線送受信装置に関連づけられたインターネットプロトコル（ＩＰ）アドレスを使用してマルチメディアサービス（ＭＭＳ）を受信することを登録するように構成され、
前記無線送受信装置のユーザに対して検索を待っているマルチメディアサービス（ＭＭＳ）のメッセージが存在することを警告するメッセージを受信するように構成され、
前記マルチメディアサービス（ＭＭＳ）のメッセージを検索するように構成されることを特徴とする無線送受信装置。
【請求項７】
無線送受信装置にショートメッセージサービス（ＳＭＳ）およびマルチメディアサービス（ＭＭＳ）を提供する方法であって、
前記方法は、
ショートメッセージサービス（ＳＭＳ）トンネル接続を提供するステップと、
無線ローカルエリアネットワーク経由でショートメッセージサービス（ＳＭＳ）およびマルチメディアサービス（ＭＭＳ）を受信することを登録するステップと、
ショートメッセージサービス（ＳＭＳ）のコネクティビティを確立することを登録するステップと、
マルチメディアサービス（ＭＭＳ）のコネクティビティを確立することを登録するステップと、
前記無線送受信装置のユーザに対して検索を待っているマルチメディアサービス（ＭＭＳ）のメッセージが存在することを警告するショートメッセージサービス（ＳＭＳ）のメッセージを受信するステップと、
前記マルチメディアサービス（ＭＭＳ）のメッセージを検索するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
無線送受信装置にマルチメディアサービス（ＭＭＳ）を提供する方法であって、
前記方法は、
無線ローカルエリアネットワークでマルチメディアサービス（ＭＭＳ）接続を確立するステップと、
前記無線送受信装置に関連づけられたインターネットプロトコル（ＩＰ）アドレスを使用してマルチメディアサービス（ＭＭＳ）を受信することを登録するステップと、
前記無線送受信装置のユーザに対して検索を待っているマルチメディアサービス（ＭＭＳ）のメッセージが存在することを警告するメッセージを受信するステップと、
前記マルチメディアサービス（ＭＭＳ）のメッセージを検索するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線ＬＡＮ上でマルチメディアメッセージサービスを確立するための無線通信方法および装置
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月24日(2008.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線信号におけるスペクトル線を軽減する方法であって、
複数のパルスを含む符号語を生成する符号語生成工程と、
同符号語に応じて複数の符号語変調ウェーブレットを生成する符号語変調ウェーブレット生成工程と、
同複数の符号語変調ウェーブレットを送信データのビットを用いて変調し、複数のデータ変調ウェーブレットを形成するデータ変調ウェーブレット形成工程と、
同複数のデータ変調ウェーブレットを送信するデータ変調ウェーブレット送信工程と、からなり、
符号語変調ウェーブレット生成工程は、
複数の非変調ウェーブレットを生成する工程と、
同複数の非変調ウェーブレットの各々を複数のパルスのうちの１つと混合する工程と、を含む方法。
【請求項２】
符号語生成工程、符号語変調ウェーブレット生成工程、データ変調ウェーブレット形成工程およびデータ変調ウェーブレット送信工程は送信データのセットにおける複数の連続的なデータ値に対して繰り返される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
複数のパルスは二値変調方式および三値変調方式のうちの一方を用いて符号化される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
無線信号におけるスペクトル線を軽減するための回路であって、
データビット・ストリームを受信し、同データビット・ストリームのデータビットに対しスクランブル化関数を実行し、かつ、スクランブル化されたビット・ストリームおよびスクランブル解除信号を供給するためのデータ・スクランブラと、
複数の第１のキャリアパルスをスクランブル化されたビット・ストリームと混合し、スクランブル化されたデータストリームを生成するための第１のミキサと、
スクランブル化されたデータストリームを増幅し、増幅データストリームを供給するための増幅器と、
増幅データストリームをスクランブル解除信号と混合し、スクランブル解除されたデータストリームを生成するための第２のミキサと、からなる回路。
【請求項５】
複数の第１のキャリアパルスを生成するための信号生成器を含む請求項４に記載の回路。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月11日(2008.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されるｎチャネル素子と、
前記半導体基板上に形成されるｐチャネル素子と、
前記ｎチャネル素子または前記ｐチャネル素子の内の一方にのみ位置するイオン注入領域と、前記イオン注入領域は前記ｎチャネル素子または前記ｐチャネル素子の内の一方において、対応するソースコンタクトおよびドレインコンタクトの下方にも設けられることとを備える相補型金属−酸化膜−半導体電界効果トランジスタ構造。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されるエピタキシャル層構造と、
前記エピタキシャル層構造内に形成され、かつ前記エピタキシャル層構造の導電型を決定する少なくとも一つのドーパント層と、
前記半導体基板上に形成されるｎチャネル素子と、
前記半導体基板上に形成されるｐチャネル素子と、
前記ｎチャネル素子または前記ｐチャネル素子の内の一方にのみ設けられるとともに前記エピタキシャル層構造の前記導電型を反転させるように作用するイオン注入領域と、前記イオン注入領域は前記ｎチャネル素子または前記ｐチャネル素子の内の一方において、対応するソースコンタクトおよびドレインコンタクトの下方にも設けられることとを備える相補型金属−酸化膜−半導体電界効果トランジスタ構造。
【請求項３】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されるｎチャネル素子と、
前記半導体基板上に形成されるｐチャネル素子と、
前記ｎチャネル素子または前記ｐチャネル素子の内の一方にのみ位置するイオン注入領域と、前記イオン注入領域は前記ｐチャネル素子に設けられるときにはアクセプタ注入物を含むこととを備える相補型金属−酸化膜−半導体電界効果トランジスタ構造。
【請求項４】
化合物半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されるｎチャネル素子と、
前記半導体基板上に形成されるｐチャネル素子と、
前記ｎチャネル素子または前記ｐチャネル素子の内の一方にのみ位置するイオン注入領域とを備える相補型金属−酸化膜−半導体電界効果トランジスタ構造。
【請求項５】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されるエピタキシャル層構造と、前記エピタキシャル層構造は前記半導体基板上に形成されるバッファ層と、前記バッファ層上に形成されるチャネル層と、前記チャネル層上に形成されるスペーサ層とからなることと、
前記エピタキシャル層構造内に形成される少なくとも一つのドナー層と、
前記半導体基板上に形成されるｎチャネル素子と、
前記半導体基板上に形成されるｐチャネル素子と、
前記ｎチャネル素子または前記ｐチャネル素子の内の一方にのみ位置するイオン注入領域と、前記イオン注入領域は前記エピタキシャル層構造の導電型を反転するように作用することとを備える相補型金属−酸化膜−半導体電界効果トランジスタ構造。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月16日(2008.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の部分および第２の部分を有する半導体基板を用意する工程と、
半導体基板の前記第１の部分の上に第１の誘電体層を形成する工程と、
半導体基板の前記第２の部分の上に第２の誘電体層を形成する工程と、
前記第１の誘電体の上にキャップを形成する工程と、
前記キャップの上に第１のゲート電極層を形成する工程と、
前記第１のゲート電極層の上ではなく前記第２の誘電体層の上に第２のゲート電極層を形成する工程と
を備える半導体デバイスの形成方法。
【請求項２】
前記第１の誘電体層を形成する工程および前記第２の誘電体層を形成する工程は、互いに異なる誘電材料を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記半導体基板は第３の部分をさらに有し、
前記方法は、
前記第３の部分の上に第３の誘電体層を形成する工程と、
前記第３の誘電体層の上に前記第２のゲート電極層を形成する工程と、
前記第２のゲート電極層の上に第３のゲート電極層を形成する工程と
をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第１の部分および第２の部分を有する半導体基板を用意する工程と、
半導体基板の前記第１の部分の上に、高誘電率を有する第１の誘電体を形成する工程と、
半導体基板の前記第２の部分の上に第２の誘電体を形成する工程と、
前記第２の誘電体の上にシリコンからなるキャップを形成する工程と、
前記第１の誘電体の上に、金属からなる第１のゲート電極を形成する工程と、
前記第１のゲート電極の上ではなく前記キャップの上に、シリコンからなる第２のゲート電極を形成する工程と
を備える半導体デバイスの形成方法。
【請求項５】
第１の部分および第２の部分を有する半導体基板と、
前記第１の部分の上の第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層の上のキャップと、
前記キャップの上の第１のゲート電極層と、
前記第２の部分の上の第２の誘電体層と、
前記第２の誘電体層の上の第２のゲート電極層と
を備え、前記第１のゲート電極層および前記第２のゲート電極層は互いに重なり合っていない半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月16日(2008.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露出した表面を備えたシリコン基板を提供するステップと、
前記シリコン基板の露出した表面に１またはそれ以上の酸化物の形成を抑制させるステップとを有し、かかる抑制させるステップが、
酸化物の存在を低減させるように前記シリコン基板の露出した表面を洗浄するステップと、
前記洗浄され、露出されたシリコン基板上に直接、実質的に純粋なゲルマニウムの層を堆積させるステップとを備え、前記ゲルマニウム層は、厚さがおおよそ１４オングストロームより小さく、前記堆積された実質的に純粋なゲルマニウム層が、露出した表面を備え、
酸化物の存在を低減させるように前記実質的に純粋なゲルマニウム層の露出した表面を洗浄するステップと、
前記洗浄され、露出された実質的に純粋なゲルマニウム層の表面に直接、高ｋ材料の誘電層を形成するステップと、を備えたことを特徴とする半導体構造体を形成する方法。
【請求項２】
前記基板を提供するステップが更に、単結晶シリコンの露出した表面を備えたシリコン層を提供するステップからなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ゲルマニウム層を堆積するステップが更に、２次元成長モードでゲルマニウム層を成長させるステップからなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
露出された表面を備えた高純度の単結晶シリコン基板層を提供するステップと、
前記基板の露出された表面に１またはそれ以上の酸化物の形成を抑制させるステップとを有し、かかる抑制させるステップが、
酸化物の存在を低減させるために基板層の前記露出された表面を洗浄するステップと、
前記基板層の洗浄され、露出された表面上に高純度ゲルマニウムの層を堆積するステップと、を備え、前記ゲルマニウム層が基板層にエピタキシャルに適合し、５％までの炭素を含み、前記ゲルマニウム層が、臨界厚さよりも小さく、前記堆積されたゲルマニウム層は露出した表面を備え、
酸化物の存在を低減させるために前記ゲルマニウム層の露出した表面を洗浄するステップと、を備え
前記ゲルマニウム層の洗浄され、露出した表面に高ｋ材料の誘電層を堆積するステップと、
を有することを特徴とする半導体構造体を形成する方法。
【請求項５】
前記高純度ゲルマニウムの層を堆積するステップが更に、厚さがおおよそ１４オングストロームよりも小さくなるように高純度のゲルマニウム層を堆積するステップからなることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月6日(2008.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非双方向プレゼンテーション面が双方向通信システムにおいて使用されることを可能にする装置であって、
前記装置は、前記非双方向プレゼンテーション面に近接する機器を感知するように適合されるセンサシステムを備え、前記センサシステムは、前記機器の位置データを、前記位置データを介して前記機器に対して処理装置を調整する追跡システムに提供し、
前記装置は、前記非双方向プレゼンテーション面の下端に近接して位置する、装置。
【請求項２】
前記装置の上にかかる埃の量を制限することと、前記非双方向プレゼンテーション面の温度を低下させることと、前記装置の温度を低下させることと、前記装置を換気することとを実行するように適合される換気システムをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記センサシステムへの室内光干渉の量を低減することと、前記センサシステムへの熱干渉の量を低減させることとを実行するように適合されるシールドシステムをさらに備える、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記装置は、前記非双方向プレゼンテーション面の下端の中央に位置する、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記センサシステムは、少なくとも１つの赤外線センサを備え、非カメラベースのセンサシステムである、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
非双方向プレゼンテーション面が双方向通信システムにおいて使用されることを可能にする双方向トレイシステムであって、
前記双方向トレイシステムは、
トレイと、
前記非双方向プレゼンテーション面に近接する機器を赤外線で感知するように適合される赤外線センサシステムと
を備え、
前記センサシステムは、前記機器の位置データを、通信状態にある追跡システムに提供し、前記追跡システムは、前記位置データを介して前記機器に合わせて前記位置データに基づいて処理装置を調整し、
前記トレイは、前記非双方向プレゼンテーション面の下端に近接して位置し、
前記トレイは、放射干渉を受ける、双方向トレイシステム。
【請求項７】
前記トレイの上にかかる埃の量を低減することと、前記非双方向プレゼンテーション面の温度を低下させることと、前記トレイの温度を低下させることとを実行するように適合される換気システムと、
前記放射干渉を低減するように適合されるシールドシステムと
をさらに備え、
前記双方向トレイシステムは、解放式で取り外し可能なクランプ機構によって前記非双方向プレゼンテーション面の下側の中央に位置する、請求項６に記載の双方向トレイシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月4日(2008.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
白色光を放出するための照明装置であって、
約２５０ｎｍ〜約５００ｎｍにおいて発光ピークを有する放射線を放出する半導体光源と、
該光源に放射的に結合された少なくとも１つの燐光化合物を含む第１の燐光体組成物と、
前記光源に放射的に結合された少なくとも１つの燐光化合物を含む第２の燐光体組成物と、を具備し、
前記第１の燐光体組成物及び前記第２の燐光体組成物が、同一の放射線源により励起されたときに実質的に同一の発光色座標を有する、ことを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記第１の燐光体組成物及び前記第２の燐光体組成物のうちの少なくとも一方が、２つ又はそれ以上の燐光体化合物を含む、請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記第１の燐光体組成物及び前記第２の燐光体組成物が、ＣＩＥ色度表上のｘ座標及びｙ座標の両方において相互に０.０２０単位の範囲内に色点を有する、請求項１に記載の照明装置。
【請求項４】
請求項１に記載の照明装置であって、
該照明装置の色点が、前記ＣＩＥ色度表の黒体軌跡上に又は実質的に該黒体軌跡上にある、照明装置。
【請求項５】
調節可能な演色指数（ＣＲＩ）及び明度を達成できる白色光を放出するための照明装置を製造する方法であって、
約２５０ｎｍ〜約５００ｎｍにおいて発光ピークを有する放射線を放出する半導体光源を準備する工程と、
前記光源に放射的に結合された少なくとも１つの燐光化合物を含む第１の燐光体組成物を準備する工程と、
前記光源に放射的に結合された少なくとも１つの燐光化合物を含む第２の燐光体組成物を準備する工程と、を含み、
前記第１の燐光体及び前記第２の燐光体組成物が、同一の放射線源により励起されたときに実質的に同一の発光色座標を有する、ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月30日(2008.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤外線デバイスの製造方法であって、
表面に形成された集積回路を有するシリコン基板を持ち込む工程と、
分子ビームエピタキシによって、少なくとも１つの結晶バッファ層を少なくとも１つの成長窓へと選択的に成長させる工程と、
有機金属気相成長法によって前記バッファ層上に少なくとも１つの結晶ＣＭＴ層を選択的に成長させる工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
シリコン基板が、＜１１０＞または＜１１１＞に対して２°〜１０°の間でミスアライメントした（００１）の方位を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
シリコン基板上に集積回路を形成する工程を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
基板が複数の成長窓を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
成長窓またはその各々内の基板が、集積回路アーキテクチャに関して異なるレベルにある、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
成長窓またはその各々が、成長窓の外に適用されたマスク材料によって定められている、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
成長窓またはその各々の外の基板へとマスク材料を適用する工程を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
マスク材料が、チタニウムタングステンである、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
バッファ層の成長に先立ち、成長窓またはその各々内の基板を洗浄する工程をさらに含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
基板の前処理工程が、実質的に５００℃を超えない最高温度で行われるヒ素フラックスのもとでの熱洗浄を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１つのバッファ層が、テルル化カドミウム、テルル化亜鉛、またはテルル化カドミウム亜鉛のうちの１つから選択される、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも１つのバッファ層を成長させる工程が、テルル化亜鉛からなる第１のバッファ層を基板上に成長させること、およびテルル化カドミウムからなる第２のバッファ層を第１のバッファ層上に成長させることを含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
テルル化カドミウム水銀からなる少なくとも１つの層の成長に先立ち、分子ビームエピタキシによって成長させた少なくとも１つのバッファ層上に、少なくとも１つのバッファ層を有機金属気相成長法によって成長させる工程を含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
少なくとも１つのテルル化カドミウム水銀層を成長させる工程が、相互拡散多層プロセスを含む、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
テルル化カドミウム水銀からなる少なくとも１つの層を、ドープされた層として成長させる、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも１つのバッファ層を成長させる工程が、成長窓内に結晶材料を成長させ、他の場所には多結晶材料を成長させることを含む、請求項１から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも１つのテルル化カドミウム水銀層を成長させる工程が、成長窓内に結晶材料を成長させ、他の場所には多結晶材料を成長させることを含む、請求項１から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
少なくとも１つのテルル化カドミウム水銀層を成長させた後に、望ましくないテルル化カドミウム水銀および／またはバッファ層材料を取り除く工程を含む、請求項１から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
少なくとも１つのテルル化カドミウム水銀層の形状を定めるためのデバイス加工工程をさらに含む、請求項１から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
少なくとも１つのテルル化カドミウム水銀層を成長させた後に、望ましくないマスク材料を取り除く工程をさらに含む、請求項７、あるいは請求項７を直接または間接的に引用する請求項８から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
集積回路と、成長窓またはその各々内の少なくとも１つのテルル化カドミウム水銀層との間に、電気的接続を作成する工程をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項２２】
表面に形成された集積回路を有するシリコン基板と、前記基板上の少なくとも１つのバッファ層上に形成された少なくとも１つのテルル化カドミウム水銀層とを備え、基板が＜１１１＞に向かう２°〜１０°だけミスアライメントした（００１）の方位を有する、モノリシックな赤外線デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月14日(2008.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ形成により生成されたデブリを、コレクタ・ミラー上の異なる区域において異なるデブリ堆積速度を生じさせるようにプラズマ形成場所に対して位置決めされたＥＵＶ光源コレクタ・ミラーから除去するためのデバイスであって、
前記コレクタ・ミラーの第１区域を第１温度Ｔ1に加熱して、前記第１区域からデブリを除去するための第１加熱システムと、
前記コレクタ・ミラーの第２区域をＴ1≠Ｔ2である第２温度Ｔ2に加熱して、前記第２区域からデブリを除去するための第２加熱システムと、
を含み、
前記コレクタ・ミラーはチャンバ内に配置され、該チャンバにエッチング剤が導入されることを特徴とするデバイス。
【請求項２】
前記第１加熱システムが放射ヒータを含むことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記プラズマがＳｎを含むことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記第１温度Ｔ1及び前記第２温度Ｔ2の各々が、堆積したＳｎと前記エッチング剤と間の化学反応を開始させるように、１５０から４００℃までの範囲にあることを特徴とする請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
前記エッチング剤が、ＨＢｒ、Ｂｒ2、Ｃｌ2、ＨＣｌ、Ｈ2及びこれらの組み合わせからなるエッチング剤の群から選択されることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月19日(2008.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信ネットワーク（Ｎ）の要素（Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３、Ｎ４）によって提供される情報（Ａ）に基づき診断（Ｄ）を判定することができる診断モジュール（ＭＤ）を含む前記通信ネットワークのための管理システム（ＮＭＳ）であって、前記診断が前記通信ネットワーク内の障害を識別し、前記システムが、前記診断モジュール（ＭＤ）から受信された少なくとも前記診断に基づき１つまたは複数の修正行為を判定し、前記障害を修正するために前記修正行為に対応する１つまたは複数のコマンド（Ｃ）を前記通信ネットワークの１つまたは複数の要素に送信し、前記診断モジュールによる新たな診断の判定を起動するために診断要求（ＣＤ）を診断モジュール（ＭＤ）に送信するように設計された修復モジュール（ＭＲ）も含むことを特徴とする、管理システム。
【請求項２】
イテレーションカウンタが新たな診断が起動される度に増やされ、前記イテレーションカウンタが所定の閾値に到達する場合、前記管理システムが診断モジュールと修復モジュールとを停止する、請求項１に記載の管理システム。
【請求項３】
コマンドが、一般言語で公式化された前記コマンドを、前記通信ネットワーク中の異なる機器に特有のコマンド言語を伴う特有のコマンド（Ｃ１、Ｃ２）コンプライアントに変換することができる仲介モジュール（ＭＥＤ）を通じて送信される、請求項１または２のいずれか一項に記載の管理システム。
【請求項４】
修復モジュール（ＭＲ）が、各イテレーションで判定された診断履歴と修正行為履歴とを有し、診断が、前記閾値が到達されるとき、所与のイテレーションの間のようには適切ではない場合、通信ネットワークを前記所与のイテレーションの間の状態に戻すことができる、請求項２または３の一項に記載の管理システム。
【請求項５】
前記修復モジュールが、前記障害を修正するために修正行為が十分に判定されることが不可能な場合に、前記通信ネットワークの動作において前記障害の影響を取り除くか、または制限するために、トラフィック最適化モジュール（ＴＥ）と通信するようにも設計される、請求項１から４のいずれか一項に記載の管理システム。
【請求項６】
前記診断モジュール（ＭＤ）が、前記診断を判定するためにベイシアンネットワークを使用する、請求項１から５のいずれか一項に記載の管理システム。
【請求項７】
前記診断（Ｄ）が少なくとも前記障害の説明、前記障害の位置を含み、場合によっては前記診断に関連して起こりうる事態の予想を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の管理システム。
【請求項８】
前記診断モジュールが、ＳＮＭＰプロトコルを伴うメッセージコンプライアントを使用して、前記診断を前記修復モジュールに通信する、請求項１から７のいずれか一項に記載の管理システム。
【請求項９】
前記修復モジュールが修復規則ベースを有する、請求項１から８の一項に記載の管理システム。
【請求項１０】
前記規則が前記イテレーションカウンタに依存してもよい、請求項９および２に記載の管理システム。
【請求項１１】
通信ネットワーク（Ｎ）の要素（Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３、Ｎ４）によって提供される情報（Ａ）に基づき診断（Ｄ）を判定するための第１ステップを含む前記通信ネットワークの管理方法であって、前記診断が障害を識別する場合、少なくとも前記診断に基づいて１つまたは複数の修正行為を判定し、前記障害を修正するためにこの（これらの）修正行為に対応する１つまたは複数のコマンド（Ｃ）を前記通信ネットワークの１つまたは複数の要素に送信するための第２ステップも含むことと、処理サイクルを形成するために、前記第１ステップが前記第２ステップの終了時に自動的に起動されることとを特徴とする、管理方法。
【請求項１２】
イテレーションカウンタが新たな診断が起動される度に増やされ、前記イテレーションカウンタが所定の閾値に到達する場合、前記処理サイクルが停止する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
各イテレーションで判定された診断履歴と修正行為履歴とが形成され、通信ネットワークは、診断が、前記閾値が到達されるとき、以前のイテレーションの間のようには適切ではない場合、以前のイテレーションの間の状態に戻される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
コマンドが、一般言語で公式化された前記コマンドを、前記通信ネットワーク中の異なる機器に特有のコマンド言語を伴う特有のコマンドコンプライアントに変換することができる仲介モジュール（ＭＥＤ）を通じて送信される、請求項１１から１３の一項に記載の方法。
【請求項１５】
コマンドが、前記障害を修正するために修正行為が十分に判定されることが不可能な場合、前記通信ネットワークの動作において前記障害の影響を取り除くか、または制限するために、トラフィック最適化モジュール（ＴＥ）に送信されてもよい、請求項１１から１４の一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１ステップは前記診断を判定するためにベイシアンネットワークを使用する請求項１１から１５の一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記診断（Ｄ）が少なくとも前記障害の説明、前記障害の位置を含み、場合によっては前記診断に関連する起こりうる事態の予想を含む、請求項１１から１６の一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月19日(2008.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記ＣＣＩ変数を提供する工程は、前記ネットワークエンティティ（２，３４）により実行されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記第１の通信セション或は前記第２の通信セションが実際に確立されていることが検証されるとき、前記第１のユーザ機器或は前記ネットワークエンティティ（２，３４）は前記第１の通信セションと前記第２の通信セションとが互いに組み合わされて共存していると判断することを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
前記第１或は第２のユーザ機器（１，２）は、各接続されたネットワーク（１１，１２，１３）に対する少なくとも１つの接続部をもつユーザ端末を有し、
前記接続部各々は、デュアル転送モード（ＤＴＭ）端末、汎欧州デジタル移動電話方式−汎用パケット無線サービス（ＧＳＭ−ＧＰＲＳ）端末、全球規模の移動体通信システム−マルチ無線アクセスベアラ（ＵＭＴＳ−マルチＲＡＢ）端末のようなネットワークアドレスをもっていることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
前記第１或は第２のユーザ機器（１，２）は、２つ以上の端末を有し、
前記２つ以上の端末各々は、各接続されたネットワーク（１１，１２，１３）に対する少なくとも１つの接続部をもち、
前記接続部各々はネットワークアドレスをもっていることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
前記ＣＬＩはＳＩＰ  Ｉｎｖｉｔｅメッセージの“Ｆｒｏｍ”ヘッダに含まれるようにＳＩＰ  ＵＲＩとしてフォーマットされることを特徴とする請求項２１又は２２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月19日(2008.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
前記第１或は第２のユーザ機器（１，２）は、各接続されたネットワーク（１１，１２，１３）に対する少なくとも１つの接続部をもつ端末を有し、
前記接続部各々は、デュアル転送モード（ＤＴＭ）端末、汎欧州デジタル移動電話方式−汎用パケット無線サービス（ＧＳＭ−ＧＰＲＳ）端末、全球規模の移動体通信システム−マルチ無線アクセスベアラ（ＵＭＴＳ−マルチＲＡＢ）端末のようなネットワークアドレスをもっていることを特徴とする請求項１８又は１９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
前記第１或は第２のユーザ機器（１，２）は、各接続されたネットワーク（１１，１２，１３）に対する少なくとも１つの接続部をもつ端末を有し、
前記接続部各々は、デュアル転送モード（ＤＴＭ）端末のようなネットワークアドレスをもっていることを特徴とする請求項１８乃至２０のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
前記第１或は第２のユーザ機器（１，２）は、２つ以上の端末を有し、
前記２つ以上の端末各々は、各接続されたネットワーク（１１，１２，１３）に対する少なくとも１つの接続部をもち、
前記接続部各々はネットワークアドレスをもっていることを特徴とする請求項１８乃至２１のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４３】
前記端末（１）は前記ネットワーク（１１，１２，１３）の少なくとも１つへの有線接続部と前記ネットワーク（１１，１２，１３）の少なくとも１つへの無線接続部とを有することを特徴とする請求項４０乃至４２のいずれか１項に記載のネットワーク装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年7月16日(2008.7.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射源と、この放射源により放射される光の一部を吸収し、この吸収された光と異なる波長の光を放射しうる第１蛍光体を含むルミネセンス材料とを有する照明装置において、  この第１蛍光体が、イットリウム（ＩＩＩ）及びガドリニウム（ＩＩＩ）を含むカチオン金属種を有するアニオン性酸素含有種の化合物から選択したホスト格子の付活剤としてユウロピウム（ＩＩＩ）を有する照明装置。
【請求項２】
請求項１に記載の照明装置において、
前記放射源は、３２５〜４９５ｎｍの範囲のピーク放射波長を有する発光ダイオードである照明装置。
【請求項３】
請求項１に記載の照明装置において、
前記ルミネセンス材料は、更に第２蛍光体を含む照明装置。
【請求項４】
請求項３に記載の照明装置において、
前記第２蛍光体は、テルビウム（ＩＩＩ）付活化合物からなる群から選択した緑色蛍光体である照明装置。
【請求項５】
請求項４に記載の照明装置において、
前記第２蛍光体は、（ＹxＧｄ1-x）ＢＯ3：Ｔｂ（０＜ｘ＜１）、ＬａＰＯ4：Ｔｂ、ＬａＰＯ4：Ｃｅ，Ｔｂ、（ＹxＧｄ1-x）3Ａｌ5Ｏ12：Ｔｂ（０＜ｘ＜１）、ＣｅＭｇＡｌ11Ｏ19：Ｔｂ、ＧｄＭｇＢ5Ｏ10：Ｃｅ，Ｔｂ、（ＹxＧｄ1-x）ＢＯ3：Ｔｂ（０＜ｘ＜１）、（ＹxＧｄ1-x）2ＳｉＯ5：Ｔｂ（０＜ｘ＜１）、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、ＬａＯＢｒ：Ｔｂ及びＬａＯＣｌ：Ｔｂからなる群から選択されたものである照明装置。
【請求項６】
請求項１に記載の照明装置において、
前記ルミネセンス材料は、フォトニックバンドギャップ材料と組合わせた前記第１蛍光体を含む照明装置。
【請求項７】
請求項１に記載の照明装置において、
前記ルミネセンス材料は、中間粒径ｄm1＞５００ナノメートルの第１蛍光体を有する照明装置。
【請求項８】
請求項１に記載の照明装置において、
前記ルミネセンス材料は、透明モノリシックセラミック微細構造を呈する前記第１蛍光体を含む照明装置。
【請求項９】
請求項１に記載の照明装置において、
前記ルミネセンス材料は、中間粒径ｄm1の第１蛍光体と、この中間粒径ｄm1より小さな中間粒径ｄm2の第２蛍光体とを具える照明装置。
【請求項１０】
放射源により放射される光の一部を吸収し、この吸収された光と異なる波長の光を放射する蛍光体であって、
この蛍光体が、イットリウム（ＩＩＩ）及びガドリニウム（ＩＩＩ）を含むカチオン金属種を有するアニオン性酸素含有種の化合物から選択したホスト格子の付活剤としてユウロピウム（ＩＩＩ）を有する蛍光体。
【請求項１１】
請求項１０に記載の蛍光体において、
ホスト格子のガドリニウムのモル比が５０モルパーセントより小さい蛍光体。
【請求項１２】
請求項１０に記載の蛍光体において、
この蛍光体が更に、ビスマス（ＩＩＩ）及びプラセオジム（ＩＩＩ）から選択した共付活剤を有する蛍光体。
【請求項１３】
請求項１２に記載の蛍光体において、
前記アニオン性酸素含有種は、酸化物、酸硫化物、オキシハライド、ホウ酸塩、アルミン酸塩、没食子酸塩、ケイ酸塩、ゲルマニウム酸塩、リン酸塩、ヒ酸塩、バナジン酸塩、ニオブ酸塩、タンタル酸塩及びこれらの混合物からなる群から選択されたものである蛍光体。
【請求項１４】
請求項１２に記載の蛍光体において、
この蛍光体が、ホスト格子のカチオンに対して０．００１〜２０ｍｏｌ％のモル比で前記付活剤を有する蛍光体。
【請求項１５】
請求項１２に記載の蛍光体において、
この蛍光体が、ホスト格子のカチオンに対して０．００１〜２ｍｏｌ％のモル比の共付活剤を有する蛍光体。
【請求項１６】
請求項１２に記載の蛍光体において、
この蛍光体が、（Ｙ1-x-yＧｄx）2Ｏ2Ｓ：Ｅｕy、（Ｙ1-x-yＧｄx）ＶＯ4：Ｅｕy、（Ｙ1-x-y-zＧｄx）ＯＣｌ：ＥｕyＢｉz、（Ｙ1-x-yＧｄx）（Ｖ，Ｐ，Ｂ）Ｏ4：Ｅｕy、（Ｙ1-x-yＧｄx）ＮｂＯ4：Ｅｕy、（Ｙ1-x-yＧｄx）ＴａＯ4：Ｅｕy及び（Ｙ1-x-y-zＧｄx）2Ｏ3：ＥｕyＢｉz（これらにおいて０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜０．２及び０＜ｚ＜０．０２）からなる群から選択されたものである蛍光体。
【請求項１７】
請求項１２に記載の蛍光体において、
この蛍光体には、アルミニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ガドリニウム及びルテチウムのフッ化物及びオルトリン酸塩と、アルミニウム、イットリウム及びランタンの酸化物と、アルミニウムの窒化物とからなる群から選択した被膜が設けられている蛍光体。
【請求項１８】
全般照明、信号及び標識照明、自動車用照明及び液晶ディスプレーのバックライトのための請求項１０に記載の蛍光体の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月25日(2008.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＯＳＦＥＴ装置であって、ボディダイオード構造を有し、且つ、バイアス手段を含み、前記バイアス手段は、前記ボディダイオード構造の逆回復中に、ＭＯＳＦＥＴのゲートに選択的に印加されるバイアス電圧を供給して、前記ボディダイオード構造に関連する逆回復過渡信号を減少させ、前記バイアス手段が、前記装置のゲートパス内に配置されるダイオード素子を有する、ＭＯＳＦＥＴ装置。
【請求項２】
前記バイアス手段が、前記バイアス電圧のレベルがゲート−ソース閾値電圧を超えないように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ダイオード素子が、複数の接合ダイオードを有する、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記複数の接合ダイオードが、並列接合ダイオードのチェーンとして構成される、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記バイアス手段が、抵抗−ダイオード組合せを有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記ダイオード素子が、統合された多結晶シリコンダイオードを有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記バイアス手段が、前記バイアス電圧の前記レベルがソース電位と前記ゲート−ソース閾値電圧の間の範囲内にあるように構成される、請求項１から６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記バイアス手段が、前記バイアス手段の両端に前記バイアス電圧を発生させるために、前記装置内のドレイン−ゲートキャパシタンスから電流を受け取るように構成される、請求項１から７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記ドレイン−ゲートキャパシタンスが、前記ＭＯＳＦＥＴ装置の固有のドレイン−ゲートキャパシタンスを有する、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記バイアス手段が、ＭＯＳＦＥＴ構造内に統合される、請求項１から９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
ボディダイオード構造を有するＭＯＳＦＥＴ装置を動作させる方法であって、前記ボディダイオード構造に関連する逆回復過渡信号を減少させるために前記ボディダイオード構造の逆回復中にＭＯＳＦＥＴのゲートに選択的にバイアス電圧を印加するステップを備え、前記バイアス電圧が、前記装置のゲートパス内に配置されたダイオード素子によって発生させられる、方法。
【請求項１２】
前記バイアス電圧を前記ＭＯＳＦＥＴ装置のゲート−ソース閾値電圧より低い値に制限するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記バイアス電圧をソース電位と前記ＭＯＳＦＥＴ装置の前記ゲート−ソース閾値電圧の間の範囲内に制限するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ダイオード素子の両端に前記バイアス電圧を発生させるために、前記装置のドレイン−ゲートキャパシタンスから電流を受け取ることを含む、請求項１１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記電流が、前記ＭＯＳＦＥＴ装置の固有のドレイン−ゲートキャパシタンスから受け取られる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
複数の接合ダイオードにわたって前記バイアス電圧を発生させるステップを含む、請求項１１から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
ダイオード−抵抗組合せにわたって前記バイアス電圧を発生させるステップを含む、請求項１１から１６のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月11日(2008.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多重化ストリーム内にグラフィックコンテンツを含むデジタルビデオ信号を編集する方法であって、
編集中において前記信号を組み立てる工程と、
前記ストリーム内に多重化される少なくとも第１タイプのイメージのフレーム内のみに、前記グラフィックコンテンツを多重化する工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記デジタルビデオ信号が、ＭＰＥＧ−２に準拠する信号であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第１タイプのイメージが、前記ストリーム内の他のピクチャを参照せずに符号化されるＩピクチャであることを特徴とする請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記グラフィックが、プレゼンテーション・グラフィックまたはインタラクティブ・グラフィックであることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記プレゼンテーション・グラフィックが、字幕を含んでいることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記インタラクティブ・グラフィックが、メニューを含んでいることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項７】
請求項１から６いずれか１項記載の方法に従って編集されたグラフィックコンテンツを含むデジタルビデオ信号のための、トリック再生方法であって、
トリック再生中において、該トリック再生を表示するためのソースとしてのソース多重化ストリームから、選択された数の第１タイプのイメージを読み出す工程と、
前記第１タイプのイメージ内に多重化された前記グラフィックコンテンツを、該第１タイプのイメージと共に読み出す工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
多重化ストリーム内にグラフィックコンテンツを含むデジタルビデオ信号を編集する装置であって、請求項１から６いずれか１項記載の方法を実行するように適合化されていることを特徴とする装置。
【請求項９】
グラフィックコンテンツを含むデジタルビデオ信号のトリック再生のための装置であって、請求項７記載の方法を実行するように構成されていることを特徴とする装置。
【請求項１０】
コンピュータによる処理のためのコンピュータプログラムであって、多重化ストリーム内にグラフィックコンテンツを含むデジタルビデオ信号を編集するためのコードセグメントを含み、請求項１から６いずれか１項記載の方法を実行するように構成されたコンピュータプログラムが、記録されていることを特徴とするコンピュータ読取可能な媒体。
【請求項１１】
コンピュータによる処理のためのコンピュータプログラムであって、多重化ストリーム内にグラフィックコンテンツを含むデジタルビデオ信号をトリック再生するためのコードセグメントを含み、請求項７記載の方法を実行するように構成されたコンピュータプログラムが、記録されていることを特徴とするコンピュータ読取可能な媒体。
【請求項１２】
グラフィックコンテンツを含むデジタルビデオ信号であって、
トランスポートストリーム内に、選択された数の第１タイプの符号化されたイメージを含み、
前記グラフィックコンテンツが、前記第１タイプのイメージ内のみに、多重化されていることを特徴とするデジタルビデオ信号が記憶されたデジタル記憶媒体。
【請求項１３】
請求項１から６いずれか１項記載の方法により編集された、多重化されたデジタルビデオ信号が記憶されたデジタル記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月18日(2008.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化剤を用いる、フリーの１級水酸基−ＣＨ２ＯＨを含有するオリゴサッカライドおよび／またはポリサッカライドの制御された酸化方法であって、
酸化反応は、用いられる酸化剤に対して不活性である圧縮流体中で行われることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記流体は不活性ガスであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記不活性ガスは、希ガス、ＣＯ２、単体窒素、ペルハロゲン化ガスおよびこれらの混合物から選ばれることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記不活性ガスは、ＣＯ２、単体窒素、アルゴンおよびこれらの混合物から選ばれることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記流体は、圧縮ガス相の形態であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項６】
前記流体は、発泡液相の形態であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
不活性ガス（単数種または複数種）は、他の液体共溶媒との混合物として用いられることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】
酸化剤は、二酸化窒素、すなわち、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ４ダイマーまたはこれらの混合物であり、必要に応じて酸素の存在下に用いられることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項９】
操作は、閉鎖系において、圧力下に、２０〜６０℃程度、特には２０〜４０℃の温度で、２〜４０ＭＰａ（２０〜４００バール）程度、特には６〜１８ＭＰａ（６０〜１８０バール）の圧力下に行われることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１０】
ポリサッカライドは、閉じられた反応器内に配置され、該反応器は、次いで、不活性圧縮流体により満たされることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１１】
酸化剤は、酸化されることが望まれるＣＨ２ＯＨの量に対して過剰に用いられることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】
反応の終了時に、反応器内に漏れ流量を生じさせる一方で、同時に、作動圧力と同一のレベル以上に圧力を一定に維持することによってＮＯ２は除去されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】
セルロース、でんぷんまたはグルコマンナンをポリサッカライドとして使用すること特徴とする請求項１〜１２のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１つに記載の方法によって得られるカルボキシル化ポリサッカライド。
【請求項１５】
セルロースの場合に２５．５％までにわたる可変の質量％のカルボン酸含有量を示すことを特徴とする請求項１４に記載のポリサッカライド。
【請求項１６】
食品産業において、塗料、紙または織物産業において、農業において、医薬産業において、医学、生物医学またはパラメディカル領域において；手術において、化粧品産業において、および、金属イオン、重金属および核産業における放射性元素を錯体化または封鎖するための剤としての、請求項１４または１５に記載のポリサッカライドの適用。
【請求項１７】
前記カルボキシル化ポリサッカライドは、ヒトまたは動物用の組織または臓器修繕のための生体吸収性糸および／または布地として用いられることを特徴とする請求項１６に記載の適用。
【請求項１８】
前記カルボキシル化ポリサッカライドは、止血性および／または静菌静特性を有する、包帯、圧定布、布地およびスポンジとして用いられることを特徴とする請求項１６に記載の適用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、酸化剤を用い、カルボキシル化オリゴサッカライドおよび／またはポリサッカライドに選択的に導く、フリーの１級水酸基−ＣＨ２ＯＨを含有するオリゴ−および／またはポリサッカライドの制御された酸化方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ＣＯ２、窒素、アルゴン等の不活性ガスは、通常、他の分子と相互作用しないことが知られている。しかしながら、本発明者らは、大いに驚くべきことに、圧縮ガスの形態または発泡液の形態のいずれかにおける圧縮流体の形態でのそれらの使用が、ＮＯ２反応剤または一般的な酸化剤を大量に可溶化することを可能にすることを見出した。