【手続補正書】
【提出日】平成19年5月11日(2007.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の高濃度不純物含有層、
前記第１導電型の高濃度不純物含有層上に形成される第１導電型の低濃度不純物含有層、
を有するＭＯＳＦＥＴであって、
前記ＭＯＳＦＥＴは、
前記第１導電型の低濃度不純物含有層の中に形成される島型の第２導電型の不純物含有領域、
前記第１導電型の低濃度不純物含有層の中に形成される第１導電型の第１高濃度不純物含有領域、
前記第２導電型の不純物含有領域の中に形成される第１導電型の第２高濃度不純物含有領域、
前記第２導電型の不純物含有領域、及び、当該第２導電型の不純物含有領域と前記第１導電型の第１項濃度不純物領域との間の前記第１導電型の低濃度不純物領域上に形成されるゲート電極、
を有する単位半導体部を前記第１低濃度不純物含有層に複数有し、
それぞれの前記単位半導体部は、
隣接する単位半導体部と鏡像関係を形成しており、
前記高濃度不純物含有層と前記各第１高濃度不純物含有領域とが接続されており、
前記ゲート電極にかかる電圧によって、前記第１高濃度不純物含有領域と前記第２高濃度不純物含有領域との間に流れる動作電流を制御し、
前記ゲート電極にかかる電圧によって、前記第１高濃度不純物含有領域と前記第２高濃度不純物含有領域との間に流れる動作電流を制御できる範囲において、前記第２導電型の不純物含有領域における前記動作電流が流れる領域の前記第１高濃度不純物含有領域側の端部から当該第１高濃度不純物含有領域までの距離より、前記第２導電型の不純物含有領域における前記動作電流が流れる領域の前記第１高濃度不純物含有領域側の端部から前記第１導電型の高濃度不純物含有層までの距離が、短く、
それぞれの前記単位半導体部が有する前記第１高濃度不純物含有領域同士、前記第２高濃度不純物含有領域同士および前記ゲート電極同士が接続されていること、
を特徴とするＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２】
第１導電型の高濃度不純物含有層、
前記第１導電型の高濃度不純物含有層上に形成される第１導電型の低濃度不純物含有層、
を有するＭＯＳＦＥＴであって、
前記ＭＯＳＦＥＴは、
前記第１導電型の低濃度不純物含有層の中に形成される島型の第２導電型の不純物含有領域、
前記第１導電型の低濃度不純物含有層の中に形成される第１導電型の第１高濃度不純物含有領域、
前記第２導電型の不純物含有領域の中に形成される第１導電型の第２高濃度不純物含有領域、
前記第２導電型の不純物含有領域、及び、当該第２導電型の不純物含有領域と前記第１導電型の第１項濃度不純物領域との間の前記第１導電型の低濃度不純物領域上に形成されるゲート電極、
を有する単位半導体部を前記第１低濃度不純物含有層に複数有し、
それぞれの前記単位半導体部は、
前記高濃度不純物含有層と前記各第１高濃度不純物含有領域とが接続されており、
前記各ゲート電極にかかる電圧によって、前記第１高濃度不純物含有領域と前記第２高濃度不純物含有領域との間に流れる動作電流を制御し、
前記各ゲート電極にかかる電圧によって、前記第１高濃度不純物含有領域と前記第２高濃度不純物含有領域との間に流れる動作電流を制御できる範囲において、前記第２導電型の不純物含有領域における前記動作電流が流れる領域の前記第１高濃度不純物含有領域側の端部から当該第１高濃度不純物含有領域までの距離より、前記第２導電型の不純物含有領域における前記動作電流が流れる領域の前記第１高濃度不純物含有領域側の端部から前記第１導電型の高濃度不純物含有層までの距離が、短く、
各単位半導体部が有する前記第１高濃度不純物含有領域同士、前記第２高濃度不純物含有領域同士および前記ゲート電極同士が接続されており、
さらに、それぞれの前記単位半導体部は、
当該単位半導体部の前記第２導電型の不純物含有領域と、当該単位半導体部に隣接して位置する他の前記単位半導体部の前記第２導電型の不純物含有領域とが、一体として形成されており、
当該単位半導体部の前記第１導電型の第１高濃度不純物含有領域と、当該単位半導体部に隣接して位置する前記単位半導体部であって前記他の単位半導体部とは異なる単位半導体部の前記第１導電型の第１高濃度不純物含有領域とが、一体として形成されていること、
を特徴とするＭＯＳＦＥＴ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に係るＭＯＳＦＥＴのいずれかにおいて、
前記ＭＯＳＦＥＴは、さらに、
前記第１導電型の低濃度不純物含有層の中に形成される第１導電型の接続用高濃度不純物含有領域を有しており、
前記高濃度不純物含有層と前記各第１高濃度不純物含有領域とは、前記接続用高濃度不純物含有領域を介して接続されていること、
を特徴とするＭＯＳＦＥＴ。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に係るＭＯＳＦＥＴのいずれかにおいて、
前記高濃度不純物含有層と前記各第１高濃度不純物含有領域とは、直接的に接続されていること、
を特徴とするＭＯＳＦＥＴ。
【請求項５】
請求項３に係るＭＯＳＦＥＴにおいて、
前記第１導電型の高濃度不純物含有層は、埋め込み層であり、
前記第１導電型の低濃度不純物含有層は、エピタキシャル層であり、
前記第２導電型の不純物含有領域は、ボディ領域であり、
前記第１導電型の第１高濃度不純物含有領域は、ドレイン領域であり、
前記第１導電型の第２高濃度不純物含有領域は、ソース領域であり、
前記第１導電型の接続用高濃度不純物含有領域は、埋没ドレイン領域であること、
を特徴とするＭＯＳＦＥＴ。
【請求項６】
請求項１〜５にかかるＭＯＳＦＥＴのいずれかにおいて、
前記高濃度不純物含有層および前記第１高濃度不純物含有領域のシート抵抗値は、前記低濃度不純物含有層のシート抵抗値よりも小さい、
ことを特徴とするＭＯＳＦＥＴ。
【請求項７】
複数の単位半導体部を有するＭＯＳＦＥＴの製造方法において、
前記単位半導体部を、
第１導電型の高濃度不純物含有層の上に第１導電型の低濃度不純物含有層を形成して、
前記低濃度不純物含有層の所定の場所に、第１導電型の不純物を所定の拡散方法で拡散させて、前記高濃度不純物含有層と接する第１導電型の接続用高濃度不純物含有領域を形成し、
前記低濃度不純物含有層の上部であって、前記接続用高濃度不純物含有領域に対応した場所に第１導電型の第１高濃度不純物含有領域を形成し、
前記低濃度不純物含有層の所定の場所に、第２導電型の不純物含有領域を形成し、
前記第２導電型の不純物含有領域に第１導電型の第２高濃度不純物含有領域を形成することによって形成し、
前記第２導電型の不純物含有領域、及び、当該第２導電型の不純物含有領域と前記第１導電型の第１項濃度不純物領域との間の前記第１導電型の低濃度不純物領域上に、前記第１高濃度不純物含有領域と前記第２高濃度不純物含有領域との間に流れる動作電流を制御するゲート電極を形成し、
さらに、
前記単位半導体部を、
隣接する単位半導体部と鏡像関係を有するように形成し、
前記第２導電型の不純物含有領域における動作電流が流れる領域の前記第１高濃度不純物含有領域側の端部から当該第１高濃度不純物含有領域までの距離より、前記第２導電型の不純物含有領域における動作電流が流れる領域の前記第１高濃度不純物含有領域側の端部から前記第１導電型の高濃度不純物含有層までの距離が、短くなるように形成し、
それぞれの前記単位半導体部が有する前記第１高濃度不純物含有領域同士、前記第２高濃度不純物含有領域同士および前記ゲート電極同士を接続すること、
を特徴とするＭＯＳＦＥＴの製造方法。