【手続補正書】
【提出日】平成20年7月16日(2008.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶融させたソース材料を結晶製造装置へ供給するための溶融装置アセンブリであって、
複数の結晶製造装置のうちの選ばれた結晶製造装置の上方に連続的に位置させることに適するハウジング；
前記ハウジング内に配置されたルツボ；
前記ルツボの中に入れられた固体ソース材料を溶融させるためにルツボに対して配置されたヒータを有してなり、
溶融させたソース材料の流れを制御することに適応化されたノズルをルツボが有していることによって、溶融させたソース材料の導かれた流れを、５０ｋｇ／時〜１４０ｋｇ／時の範囲から選択された流量にて、前記選ばれた結晶製造装置へ供給することができることを特徴とする溶融装置アセンブリ。
【請求項２】
前記導かれた流れは、溶融させたソース材料のコヒーレントな流れである請求項１に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項３】
前記ノズルは、相対的に大きい直径の第１の部分、相対的に小さい直径の第２の部分、および中間の直径の第３の部分を有してなる請求項１に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項４】
ノズルの第３の部分の長さが、該ノズルの第１の部分の長さおよび第２の部分の長さよりも長い請求項３に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項５】
ノズルの第３の部分の長さは、ミリメートル単位で、第３の部分の直径を第２の部分の直径にて除して５０倍した数値に５０ミリメートルを加えた数値に実質的に等しい請求項４に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項６】
前記ヒータは、前記ルツボの上側部分のまわり全体の第１の誘導コイルを有しており、該第１の誘導コイルは電源に接続されて、前記第１の誘導コイルに電流を供給することに適応化されている請求項１に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項７】
前記ヒータは前記ルツボの下側部分のまわり全体の第２の誘導コイルを有しており、該第２の誘導コイルはもう１つの電源に接続されて、前記ルツボの下側部分のソース材料を加熱することに適応化されている請求項６に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項８】
第１および第２の誘導コイルとルツボとの間に配置されたサセプタをさらに有する請求項７に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項９】
サセプタが、第１の誘導コイルによる誘導加熱を防止するための、周方向に間隔をおいて配置される複数のフィンガを有する上側部分と、該サセプタの誘導加熱を促進する下側部分とを有する請求項８に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項１０】
少なくとも１つの半径方向のギャップであって、第１の誘導コイルによる誘導加熱を防止するギャップによって分けられた少なくとも２つのセクションを前記上側部分が有する請求項９に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項１１】
前記サセプタが円錐形態の中間部分と、下側のアウトレット部分とを有する請求項９に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項１２】
前記円錐形態の中間部分と下側のアウトレット部分とはギャップによって分けられている請求項１１に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項１３】
中間部分と上側部分とはギャップによって分離されている請求項１１に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項１４】
溶融装置アセンブリから結晶製造装置へ降下することに適応化されているスプラッシュガードであって、前記溶融装置アセンブリから結晶製造装置の中へ溶融させたソース材料を流入させる間に結晶製造装置を保護するスプラッシュガードを更に有する請求項１に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項１５】
チョクラルスキー法に従って単結晶インゴットを成長させることに適応化した結晶引上げ装置を有する結晶製造装置と組み合わされる請求項１に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項１６】
太陽電池を製造するために用いられる多結晶シリコンを成長させることに適応化した結晶引上げ装置を有する結晶製造装置と組み合わされる請求項１に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項１７】
結晶引上げ装置がＥＦＧ法に従って中空シリコン物体を成長させるために適応化されている請求項１６に記載の結晶製造装置および溶融装置アセンブリ。
【請求項１８】
結晶引上げ装置が多結晶シリコンのリボンを成長させることに適応化されている請求項１６に記載の結晶製造装置および溶融装置アセンブリ。
【請求項１９】
キャスト多結晶シリコン物体を形成するために適応化したルツボを有する結晶製造装置と組み合わされる請求項１に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項２０】
ルツボから結晶製造装置へ溶融させたソース材料の流れを案内するメルトフローガイドを更に有する請求項１に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項２１】
前記メルトフローガイドは前記ノズルによって受けられたチューブを有する請求項２０に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項２２】
前記メルトフローガイドは前記ノズルを受けるチューブを有する請求項２０に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項２３】
前記メルトフローガイドは、結晶製造装置とノズルとの間を流れる間に溶融したシリコンを加熱するための加熱エレメントを有する請求項２０に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項２４】
溶融させたソース材料を、結晶体を形成するための結晶製造装置へ供給するための溶融装置アセンブリであって、
第１の結晶製造装置の上方の位置から、第２の結晶製造装置の上方の位置へ移動し得るハウジング；
前記ハウジング内に配置されたルツボ；
前記ルツボの上側部分のまわり全体に設けられた第１の誘導コイルであって、電源に接続されると電流が供給されることに適応化されている前記第１の誘導コイルを有してなり、前記ルツボの中に入れられた固体ソース材料を溶融させるためにルツボに対して配置されたヒータ；ならびに
前記ルツボを支持し、該ルツボ内の固体ソース材料の加熱を促進するサセプタであって、ヒータを独立して制御する、離れて配置された上側部分および下側部分を有するサセプタ
を有する溶融装置アセンブリ。
【請求項２５】
サセプタが上側部分と下側部分との間に中間部分を有しており、該中間部分は上側部分と下側部分とからそれぞれギャップによって分離されている請求項２４に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項２６】
前記ヒータがサセプタの下側部分のまわり全体の第２の誘導コイルを有しており、該第２の誘導コイルはもう１つの電源に接続されており、該第２の誘導コイルに電流を供給することおよび前記サセプタの下側部分を誘導加熱することに適応化されている請求項２４に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項２７】
前記上側部分が、サセプタの上側部分の誘導加熱を防止するために、該上側部分において、周方向に間隔をおいて配置されており、ギャップによって離されている複数のフィンガを有している請求項２４に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項２８】
第１の誘導コイルによる誘導加熱を防止する、少なくとも１つの半径方向のギャップによって分けられた少なくとも２つのセクションを前記上側部分が有する請求項２７に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項２９】
前記上側部分が、４つのセクションおよび４つの半径方向ギャップを有する請求項２８に記載の溶融装置アセンブリ。
【請求項３０】
結晶を製造するためのシステムであって、
複数の結晶製造装置；ならびに
複数の結晶製造装置のうちの選ばれた結晶製造装置の上方に連続的に位置させることができる溶融装置アセンブリであって、
所定の量のソース材料を受け入れる寸法を有しており、溶融させたソース材料を選ばれた結晶製造装置へ供給するアウトレット部分を有するルツボ；および
前記ルツボ内に入れられた固体ソース材料を溶融させるように、該ルツボに熱的に接続されているヒータ
を有する溶融装置アセンブリ
を有してなるシステム。
【請求項３１】
溶融装置アセンブリが、選ばれた結晶製造装置の上方に配置され、該結晶製造装置へ選択的に接続され得る請求項３０に記載のシステム。
【請求項３２】
１つの溶融装置アセンブリを用いて複数の結晶製造装置に供給する方法であって、
第１の結晶製造装置のルツボに溶融させたソース材料を供給するために、該第１の結晶製造装置の上方に溶融装置アセンブリを配置する工程；
溶融装置アセンブリのヒータを操作して、該溶融装置アセンブリの溶融ルツボの中でソース材料を溶融させる工程；
溶融装置アセンブリから第１の結晶製造装置へ溶融させたソース材料の流れを供給する工程；
溶融させたソース材料を、第１の結晶製造装置のルツボを通すことなく、第２の結晶製造装置のルツボへ直接的に供給するために、溶融装置アセンブリを移動させて、溶融装置アセンブリを第２の結晶製造装置の上方に配置する工程；ならびに
溶融装置アセンブリから第２の結晶製造装置へ溶融させたソース材料の流れを供給する工程
を有する方法。
【請求項３３】
溶融装置アセンブリのヒータを操作してソース材料を溶融させる工程が、ヒータの上側誘導コイルに電力を供給することを含んでなる請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
溶融させたソース材料の流れを供給する工程が、ヒータの下側誘導コイルに電力を提供して、溶融装置アセンブリのオリフィスを通る流れを生じさせることを含んでなる請求項３２に記載の方法。
【請求項３５】
ヒータの操作を停止することによって、溶融ルツボからの溶融させたソース材料の流れを停止させることを含んでなる請求項３２に記載の方法。
【請求項３６】
溶融させたソース材料の流れを停止させることが、溶融ルツボからの流れを防止するソース材料の固体プラグを生じさせることを含んでなる請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
第１の結晶製造装置および第２の結晶製造装置の少なくとも１つへ供給したソース材料から単結晶インゴットを成長させることを更に含んでなる請求項３２に記載の方法。
【請求項３８】
第１の結晶製造装置および第２の結晶製造装置の少なくとも１つへ供給したソース材料から多結晶体を生じさせることを更に含んでなる請求項３２に記載の方法。
【請求項３９】
前記多結晶体が、ＥＦＧ法に従って形成される中空の多角形のシリコン物体を含んでなる請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記多結晶体が、多結晶シリコンのリボンを含んでなる請求項３８に記載の方法。
【請求項４１】
前記多結晶体が、キャストシリコン物体を含んでなる請求項３８に記載の方法。
【請求項４２】
溶融装置アセンブリを第２の結晶製造装置の上方に移動させることが、溶融装置アセンブリを上昇させることを含んでなる請求項３２に記載の方法。
【請求項４３】
第２の結晶製造装置へ溶融させたソース材料の流れを供給する前に、溶融装置アセンブリを下方の第２の結晶製造装置のハウジングに取り付けることを更に含んでなる請求項３２に記載の方法。
【請求項４４】
上側の誘導コイルを操作して溶融ルツボの中のソース材料を溶融させることが、溶融ルツボの底部のノズルにおいて固体ソース材料の溶融していないプラグを形成することを更に含んでなる請求項３２に記載の方法。
【請求項４５】
第１の結晶製造装置に溶融させたソース材料の流れを供給することが、溶融させたソース材料の流れを第１の結晶製造装置へ、５０ｋｇ／時〜１４０ｋｇ／時の範囲の流量にて供給することを含んでなる請求項３２に記載の方法。
【請求項４６】
第２の結晶製造装置に溶融させたソース材料の流れを供給することが、溶融させたソース材料の流れを第２の結晶製造装置へ、５０ｋｇ／時〜１４０ｋｇ／時の範囲の流量にて供給することを含んでなる請求項３２に記載の方法。