【手続補正書】
【提出日】平成19年4月4日(2007.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体基板と、前記窒化物半導体基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層と発光層とｐ型窒化物半導体層とを含む窒化物半導体層と、を含み、前記窒化物半導体基板の表面は、複数の溝が形成されている溝領域と前記溝領域以外の平坦領域とを有しており、前記平坦領域の上方に前記発光層中の発光領域が位置していることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記複数の溝を構成するそれぞれの溝が互いに平行に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記複数の溝が、平行する２本以上４本以下の溝から構成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記複数の溝を構成する隣り合う溝同士の間の間隔が１μｍ以上１００μｍ未満であることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
前記発光領域が前記窒化物半導体基板の表面における前記溝領域と前記平坦領域との境界から前記平坦領域側に２０μｍ以上離れた領域の上方に位置していることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
前記窒化物半導体発光素子は窒化物半導体レーザ素子であって、前記発光領域が光導波路であることを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
複数の溝が形成されている溝領域と前記溝領域以外の平坦領域とを有する窒化物半導体基板の表面上にｎ型窒化物半導体層と発光層とｐ型窒化物半導体層とを含む窒化物半導体層を形成する工程と、前記窒化物半導体基板の表面における前記平坦領域の上方に前記発光層中の発光領域を位置させる工程と、を含む、窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記複数の溝を構成するそれぞれの溝が互いに平行に形成されていることを特徴とする、請求項７に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記複数の溝が、平行する２本以上４本以下の溝から構成されていることを特徴とする、請求項８に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記複数の溝を構成する隣り合う溝同士の間の間隔が１μｍ以上１００μｍ未満であることを特徴とする、請求項７から９のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記窒化物半導体基板の表面上における前記溝領域が形成される周期が１００μｍ以上１０００μｍ以下であることを特徴とする、請求項７から１０のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記平坦領域の幅が２００μｍ以上９００μｍ以下であることを特徴とする、請求項７から１０のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】
表面に溝領域と前記溝領域以外の平坦領域とを周期的に有しており、前記溝領域は、少なくともその両端に溝を有し、複数の溝を有することを特徴とする、窒化物半導体基板。
【請求項１４】
前記溝領域における複数の溝が、互いに平行な２本以上４本以下の溝から構成されていることを特徴とする、請求項１３に記載の窒化物半導体基板。
【請求項１５】
前記溝領域における複数の溝において、隣り合う溝同士の間隔が１μｍ以上１００μｍ未満であることを特徴とする、請求項１３または１４に記載の窒化物半導体基板。
【請求項１６】
前記溝領域が形成される周期が１００μｍ以上１０００μｍ以下であることを特徴とする、請求項１３から１５のいずれかに記載の窒化物半導体基板。
【請求項１７】
窒化物半導体基板と、前記窒化物半導体基板上に形成された第１導電型窒化物半導体層と発光層と第２導電型窒化物半導体層とを含む窒化物半導体層と、を含み、前記窒化物半導体基板の表面は、複数の溝が形成されている溝領域と前記溝領域以外の平坦領域とを周期的に有しており、前記平坦領域の上方に前記発光層中の発光領域が位置していることを特徴とする、ウエハ。
【請求項１８】
前記複数の溝を構成するそれぞれの溝が互いに平行に形成されていることを特徴とする、請求項１７に記載のウエハ。
【請求項１９】
前記複数の溝が、平行する２本以上４本以下の溝から構成されていることを特徴とする、請求項１７または１８に記載のウエハ。
【請求項２０】
前記複数の溝を構成する隣り合う溝同士の間の間隔が１μｍ以上１００μｍ未満であることを特徴とする、請求項１７から１９のいずれかに記載のウエハ。
【請求項２１】
前記発光領域が前記窒化物半導体基板の表面における前記溝領域と前記平坦領域との境界から前記平坦領域側に２０μｍ以上離れた領域の上方に位置していることを特徴とする、請求項１７から２０のいずれかに記載のウエハ。
【請求項２２】
前記発光領域が窒化物半導体レーザ素子の光導波路であることを特徴とする、請求項１７から２１のいずれかに記載のウエハ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】窒化物半導体発光素子、その製造方法、窒化物半導体基板およびウエハ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明は、複数の溝が形成されている溝領域と溝領域以外の平坦領域とを有する窒化物半導体基板の表面上にｎ型窒化物半導体層と発光層とｐ型窒化物半導体層とを含む窒化物半導体層を形成する工程と、窒化物半導体基板の表面における平坦領域の上方に発光層中の発光領域を位置させる工程と、を含む、窒化物半導体発光素子の製造方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法においては、平坦領域の幅が２００μｍ以上９００μｍ以下であることが好ましい。また、本発明は、表面に溝領域と溝領域以外の平坦領域とを周期的に有しており、溝領域は、少なくともその両端に溝を有し、複数の溝を有する窒化物半導体基板である。ここで、本発明の窒化物半導体基板においては、溝領域における複数の溝が、互いに平行な２本以上４本以下の溝から構成されていることが好ましい。また、本発明の窒化物半導体基板においては、溝領域における複数の溝において、隣り合う溝同士の間隔が１μｍ以上１００μｍ未満であることが好ましい。また、本発明の窒化物半導体基板においては、溝領域が形成される周期が１００μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましい。さらに、本発明は、窒化物半導体基板と、窒化物半導体基板上に形成された第１導電型窒化物半導体層と発光層と第２導電型窒化物半導体層とを含む窒化物半導体層と、を含み、窒化物半導体基板の表面は、複数の溝が形成されている溝領域と溝領域以外の平坦領域とを周期的に有しており、平坦領域の上方に発光層中の発光領域が位置しているウエハである。ここで、本発明のウエハにおいては、複数の溝を構成するそれぞれの溝が互いに平行に形成されていることが好ましい。また、本発明のウエハにおいては、複数の溝が、平行する２本以上４本以下の溝から構成されていることが好ましい。また、本発明のウエハにおいては、複数の溝を構成する隣り合う溝同士の間の間隔が１μｍ以上１００μｍ未満であることが好ましい。また、本発明のウエハにおいては、発光領域が窒化物半導体基板の表面における溝領域と平坦領域との境界から平坦領域側に２０μｍ以上離れた領域の上方に位置していることが好ましい。また、本発明のウエハにおいては、発光領域が窒化物半導体レーザ素子の光導波路であることが好ましい。