【手続補正書】
【提出日】平成20年9月4日(2008.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  サンプリングレートに従って、少なくとも１つの処理ステップで加工物に行なわれる処理に特有な少なくとも１つのパラメータをサンプリングするステップと、
適応サンプリング処理モデルを使用して、サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化し、サンプリングを動的な制御環境に統合された一部分として扱い、状況に関する情報、上流のイベントおよびラン・ツー・ラン・コントローラの要件のうちの、少なくとも１つに基づいてサンプリングレートを変化させるステップと、
前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記少なくとも１つの処理ステップで行なわれる処理を変更するステップとを含む、方法。
【請求項２】  前記処理ステップで前記加工物に行なわれる前記処理の前記少なくとも１つに特有なパラメータをサンプリングするステップは、高度プロセス制御（ＡＰＣ）システムを使用して、前記少なくとも１つの特有なパラメータを監視するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記高度プロセス制御（ＡＰＣ）システムを使用して、前記少なくとも１つの特有なパラメータを監視するステップは、前記高度プロセス制御（ＡＰＣ）システムを使用して、前記処理ステップの間に、処理ツールの少なくとも１つのツール変数を監視するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記適応サンプリング処理モデルを使用して、サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化するステップは、少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む適応サンプリング処理モデルを使用するステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】  前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記処理ステップで行なわれる前記処理を変更するステップは、前記少なくとも１つのチューニングパラメータをチューニングして、前記処理ステップで行なわれる前記処理を改良するステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】  前記適応サンプリング処理モデルを使用して、サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化するステップは、少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む適応サンプリング処理モデ
ルを使用するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】  前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記処理ステップで行なわれる前記処理を変更するステップは、前記少なくとも１つのチューニングパラメータをチューニングして、前記処理ステップで行なわれる前記処理を改良するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】  前記適応サンプリング処理モデルを使用して、サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化するステップは、少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む適応サンプリング処理モデルを使用するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】  前記少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、前記少なくとも１つを組込む前記適応サンプリング処理モデルを使用するステップは、前記少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、閉ループモデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび閉ループ比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む前記適応サンプリング処理モデルを使用するステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記処理ステップで行なわれる前記処理を変更するステップは、前記少なくとも１つのチューニングパラメータをチューニングして、前記処理ステップで行なわれる前記処理を改良するステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】  前記サンプリングレートを変化させるステップは、前記サンプリングレートを増大させることおよび減少させることのうち少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】  前記サンプリングレートを増大させることおよび減少させることのうち少なくとも１つのための手段を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】  サンプリングレートに従って、少なくとも１つの処理ステップで加工物に行なわれる処理に特有な少なくとも１つのパラメータをサンプリングするステップと、
適応サンプリング処理モデルを使用して、サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化し、サンプリングを動的な制御環境に統合された一部分として扱い、状況に関する情報、上流のイベントおよびラン・ツー・ラン・コントローラの要件のうちの、少なくとも１つに基づいて前記サンプリングレートを変化させるステップと、
前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記少なくとも１つの処理ステップで行なわれる前記処理を変更するステップとを含む方法を、コンピュータで実行されるときに行う命令で符号化される、コンピュータ読取可能プログラム記憶装置。
【請求項１４】  少なくとも１つの前記処理ステップで前記加工物に行なわれる前記処理に特有な前記少なくとも１つのパラメータをサンプリングするステップは、高度プロセス制御（ＡＰＣ）システムを使用して、前記少なくとも１つの特有なパラメータを監視するステップを含む、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】  前記高度プロセス制御（ＡＰＣ）システムを使用して、前記少なくとも１つの特有なパラメータを監視するステップは、前記高度プロセス制御（ＡＰＣ）システムを使用して、前記処理ステップの間に、短時間熱処理ツールの前記少なくとも１つのツール変数を監視するステップを含む、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】  前記適応サンプリング処理モデルを使用して、サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化するステップは、少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む適応サンプリング処理モデルを使用するステップを含む、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】  前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記処理ステップで
行なわれる前記処理を変更するステップは、前記少なくとも１つのチューニングパラメータをチューニングして、前記処理ステップで行なわれる前記処理を改良するステップを含む、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】  前記適応サンプリング処理モデルを使用して、サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化するステップは、少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む適応サンプリング処理モデルを使用するステップを含む、請求項１４に記載の装置。
【請求項１９】  前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記処理ステップで行なわれる前記処理を変更するステップは、前記少なくとも１つのチューニングパラメータをチューニングして、前記処理ステップで行なわれる前記処理を改良するステップを含む、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】  前記適応サンプリング処理モデルを使用して、サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化するステップは、少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む適応サンプリング処理モデルを使用するステップを含む、請求項１３に記載の装置。
【請求項２１】  前記少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、前記少なくとも１つを組込む前記適応サンプリング処理モデルを使用するステップは、前記少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、閉ループモデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび閉ループ比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む前記適応サンプリング処理モデルを使用するステップを含む、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】  前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記処理ステップで行なわれる前記処理を変更するステップは、前記少なくとも１つのチューニングパラメータをチューニングして、前記処理ステップで行なわれる前記処理を改良するステップを含む、請求項２０に記載の装置。
【請求項２３】  コンピュータで実行されると、ある方法を行う命令で符号化される、コンピュータ読取可能プログラム記憶装置であって、前記方法は、前記サンプリングレートを増大させることおよび減少させることのうち少なくとも１つを含む、請求項１３に記載の装置。
【請求項２４】  サンプリングレートに従って、少なくとも１つの処理ステップで加工物に行なわれる処理に特有な少なくとも１つのパラメータをサンプリングするステップと、
適応サンプリング処理モデルを使用して、サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化し、サンプリングを動的な制御環境に統合された一部分として扱い、状況に関する情報、上流のイベントおよびラン・ツー・ラン・コントローラの要件のうちの、少なくとも１つに基づいて前記サンプリングレートを変化させるステップと、
前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記少なくとも１つの処理ステップで行なわれる前記処理を変更するステップとを含む方法を行なうようプログラムされたコンピュータ。
【請求項２５】  前記処理ステップで前記加工物に行なわれる前記処理の前記少なくとも１つに特有なパラメータをサンプリングするステップは、高度プロセス制御（ＡＰＣ）システムを使用して、前記少なくとも１つの特有なパラメータを監視するステップを含む、請求項２４に記載のコンピュータ。
【請求項２６】  前記高度プロセス制御（ＡＰＣ）システムを使用して、前記少なくとも１つの特有なパラメータを監視するステップは、前記高度プロセス制御（ＡＰＣ）システムを使用して、前記処理ステップの間に、短時間熱処理ツールの少なくとも１つのツール変数を監視するステップを含む、請求項２５に記載のコンピュータ。
【請求項２７】  前記適応サンプリング処理モデルを使用して、サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化するステップは、少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む適応サンプリング処理モデルを使用するステップを含む、請求項２６に記載のコンピュータ。
【請求項２８】  前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記処理ステップで行なわれる前記処理を変更するステップは、前記少なくとも１つのチューニングパラメータをチューニングして、前記処理ステップで行なわれる前記処理を改良するステップを含む、請求項２７に記載のコンピュータ。
【請求項２９】  前記適応サンプリング処理モデルを使用して、サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化するステップは、少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む適応サンプリング処理モデルを使用するステップを含む、請求項２５に記載のコンピュータ。
【請求項３０】  前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記処理ステップで行なわれる前記処理を変更するステップは、前記少なくとも１つのチューニングパラメータをチューニングして、前記処理ステップで行なわれる前記処理を改良するステップを含む、請求項２９に記載のコンピュータ。
【請求項３１】  前記適応サンプリング処理モデルを使用して、サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化するステップは、少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む適応サンプリング処理モデルを使用するステップを含む、請求項２４に記載のコンピュータ。
【請求項３２】  前記少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、前記少なくとも１つを組込む前記適応サンプリング処理モデルを使用するステップは、前記少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、閉ループモデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび閉ループ比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む前記適応サンプリング処理モデルを使用するステップを含む、請求項３１に記載のコンピュータ。
【請求項３３】  前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記処理ステップで行なわれる前記処理を変更するステップは、前記少なくとも１つのチューニングパラメータをチューニングして、前記処理ステップで行なわれる前記処理を改良するステップを含む、請求項３１に記載のコンピュータ。
【請求項３４】  前記サンプリングレートを増大させることおよび減少させることのうち少なくとも１つを含む方法を行なうようプログラムされた、請求項２４に記載のコンピュータ。
【請求項３５】  サンプリングレートに従って、少なくとも１つの処理ステップで加工物に行なわれる処理に特有な少なくとも１つのパラメータをサンプリングするステップと、
適応サンプリング処理モデルを使用して、サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化し、サンプリングを動的な制御環境に統合された一部分として扱い、最近のデータの変動の量と前記最近のデータの前記変動における変化レートとのうち少なくとも１つを含む状況に関する情報、上流のプロセスにおける維持管理と前記上流のプロセスにおける変化とのうち少なくとも１つを含む上流のイベントおよび制御モデルパラメータを識別しようとするラン・ツー・ラン・コントローラの要件のうちの、少なくとも１つに基づいて前記サンプリングレートを変化させるステップと、
前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記少なくとも１つの処理ステップで行なわれる前記処理を変更するステップとを含む、方法。
【請求項３６】  前記処理ステップで前記加工物に行なわれる前記処理の前記少なく
とも１つに特有なパラメータをサンプリングするステップは、高度プロセス制御（ＡＰＣ）システムを使用して、前記少なくとも１つの特有なパラメータを監視するステップを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】  前記高度プロセス制御（ＡＰＣ）システムを使用して、前記少なくとも１つの特有なパラメータを監視するステップは、前記高度プロセス制御（ＡＰＣ）システムを使用して、前記処理ステップの間に、短時間熱処理ツールの少なくとも１つのツール変数を監視するステップを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３８】  前記適応サンプリング処理モデルを使用して、サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化するステップは、少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む適応サンプリング処理モデルを使用するステップを含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】  前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記処理ステップで行なわれる前記処理を変更するステップは、前記少なくとも１つのチューニングパラメータをチューニングして、前記処理ステップで行なわれる前記処理を改良するステップを含む、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】  前記適応サンプリング処理モデルを使用して、サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化するステップは、少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む適応サンプリング処理モデルを使用するステップを含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項４１】  前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記処理ステップで行なわれる前記処理を変更するステップは、前記少なくとも１つのチューニングパラメータをチューニングして、前記処理ステップで行なわれる前記処理を改良するステップを含む、請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】  前記適応サンプリング処理モデルを使用して、サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化するステップは、少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む適応サンプリング処理モデルを使用するステップを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項４３】  前記少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、前記少なくとも１つを組込む前記適応サンプリング処理モデルを使用するステップは、前記少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、閉ループモデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび閉ループ比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む前記適応サンプリング処理モデルを使用するステップを含む、請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】  前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記処理ステップで行なわれる前記処理を変更するステップは、前記少なくとも１つのチューニングパラメータをチューニングして、前記処理ステップで行なわれる前記処理を改良するステップを含む、請求項４２に記載の方法。
【請求項４５】  前記サンプリングレートを変化させるステップは、前記サンプリングレートを増大させることおよび減少させることのうち少なくとも１つを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項４６】  サンプリングレートに従って、少なくとも１つの処理ステップで加工物に対して行なわれる処理の、少なくとも１つの特有なパラメータをサンプリングするためのツールと、
適応サンプリング処理モデルを使用して、サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化し、サンプリングを動的な制御環境に統合された一部分として扱い、状況に関する情報、上流のイベントおよびラン・ツー・ラン・コントローラの要件
のうちの、少なくとも１つに基づいて前記サンプリングレートを変化させるためのコンピュータと、
前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記少なくとも１つの処理ステップで行なわれる前記処理を変更するためのコントローラとを含む、システム。
【請求項４７】  前記少なくとも１つの処理ステップで前記加工物に行なわれる前記処理に特有な前記少なくとも１つのパラメータをサンプリングするための前記ツールは、高度プロセス制御（ＡＰＣ）システムを使用して、前記少なくとも１つの特有なパラメータを監視するためのモニタを含む、請求項４６に記載のシステム。
【請求項４８】  前記高度プロセス制御（ＡＰＣ）システムは、前記少なくとも１つの処理ステップの間に、少なくとも１つの処理ツールの少なくとも１つのツール変数を監視する、請求項４７に記載のシステム。
【請求項４９】  計測された前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化する前記コンピュータは、少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む適応サンプリング処理モデルを使用する、請求項４８に記載のシステム。
【請求項５０】  前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記少なくとも１つの処理ステップで行なわれる前記処理を変更する前記コントローラは、前記少なくとも１つのチューニングパラメータをチューニングして、前記少なくとも１つの処理ステップで行なわれる前記処理を改良する、請求項４９に記載のシステム。
【請求項５１】  サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化する前記コンピュータは、少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む適応サンプリング処理モデルを使用する、請求項４７に記載のシステム。
【請求項５２】  前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記少なくとも１つの処理ステップで行なわれる前記処理を変更する前記コントローラは、前記少なくとも１つのチューニングパラメータをチューニングして、前記少なくとも１つの処理ステップで行なわれる前記処理を改良する、請求項５１に記載のシステム。
【請求項５３】  サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化する前記コンピュータは、少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む適応サンプリング処理モデルを使用する、請求項４６に記載のシステム。
【請求項５４】  前記コンピュータは、前記少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、閉ループモデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび閉ループ比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む前記適応サンプリング処理モデルを使用する、請求項５３に記載のシステム。
【請求項５５】  前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記少なくとも１つの処理ステップで行なわれる前記処理を変更する前記コントローラは、前記少なくとも１つのチューニングパラメータをチューニングして、前記少なくとも１つの処理ステップで行なわれる前記処理を改良する、請求項５３に記載のシステム。
【請求項５６】  前記コンピュータは、前記サンプリングレートを増大させることおよび減少させることのうち少なくとも１つを行なう、請求項４６に記載のシステム。
【請求項５７】  サンプリングレートに従って、少なくとも１つの処理ステップで加工物に行なわれる処理に特有な少なくとも１つのパラメータをサンプリングするための手段と、
適応サンプリング処理モデルを使用して、サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化し、サンプリングを動的な制御環境に統合された一部分として扱い、状況に関する情報、上流のイベントおよびラン・ツー・ラン・コントローラの要件
のうちの、少なくとも１つに基づいて前記サンプリングレートを変化させるための手段と、
前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記少なくとも１つの処理ステップで行なわれる前記処理を変更するための手段とを含む、装置。
【請求項５８】  前記少なくとも１つの処理ステップで前記加工物に行なわれる前記処理に特有な前記少なくとも１つのパラメータをサンプリングするための前記手段は、高度プロセス制御（ＡＰＣ）システムを使用して、前記少なくとも１つの特有なパラメータを監視するための手段を含む、請求項５７に記載の装置。
【請求項５９】  前記高度プロセス制御（ＡＰＣ）システムを使用して、前記少なくとも１つの特有なパラメータを監視するための前記手段は、前記高度プロセス制御（ＡＰＣ）システムを使用して、前記少なくとも１つの処理ステップの間に、少なくとも１つの処理ツールの少なくとも１つのツール変数を監視するための手段を含む、請求項５８に記載の方法。
【請求項６０】  前記適応サンプリング処理モデルを使用して、サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化するための前記手段は、少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む適応サンプリング処理モデルを使用するための手段を含む、請求項５９に記載の装置。
【請求項６１】  前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記少なくとも１つの処理ステップで行なわれる前記処理を変更するための前記手段は、前記少なくとも１つのチューニングパラメータをチューニングして、前記少なくとも１つの処理ステップで行なわれる前記処理を改良するための手段を含む、請求項６０に記載の装置。
【請求項６２】  前記適応サンプリング処理モデルを使用して、サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化するための前記手段は、少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む適応サンプリング処理モデルを使用するための手段を含む、請求項５８に記載の装置。
【請求項６３】  前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記少なくとも１つの処理ステップで行なわれる前記処理を変更するための前記手段は、前記少なくとも１つのチューニングパラメータをチューニングして、前記少なくとも１つの処理ステップで行なわれる前記処理を改良するための手段を含む、請求項６２に記載の装置。
【請求項６４】  前記適応サンプリング処理モデルを使用して、サンプリングされた前記少なくとも１つの特有なパラメータをモデル化するための前記手段は、少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む適応サンプリング処理モデルを使用するための手段を含む、請求項５７に記載の装置。
【請求項６５】  前記少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、モデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、前記少なくとも１つを組込む前記適応サンプリング処理モデルを使用するための前記手段は、前記少なくとも１つのチューニングパラメータを有する、閉ループモデル予測制御（ＭＰＣ）コントローラおよび閉ループ比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラのうちの、少なくとも１つを組込む前記適応サンプリング処理モデルを使用するための前記手段を含む、請求項６４に記載の装置。
【請求項６６】  前記適応サンプリング処理モデルを適用して、前記少なくとも１つの処理ステップで行なわれる前記処理を変更するための前記手段は、前記少なくとも１つのチューニングパラメータをチューニングして、前記少なくとも１つの処理ステップで行なわれる前記処理を改良するための手段を含む、請求項６４に記載の装置。