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【手続補正書】
【提出日】平成20年5月1日(2008.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
直流電動機の電機子電流信号は、いわゆる直流成分とこの直流成分に重畳する交流成分とを有する。直流電動機の磁石（磁場），電機子巻線及び整流子が連動する結果として、交流成分は、直流電動機の稼働時に発生する。このことは、誘導電圧の短時間の変化中に現れる。電機子電流信号のリプルが、これから発生する。電機子電流信号中に含まれ、説明したようにもたらされる電流ピーク−以下では電流リプルと呼ぶ−が、電機子の回転時に整流子片の数に相当する頻度で発生する。例えば電機子が 10 個の整流子片を有する場合は、それに応じて 10 個の電流リプルを電機子電流信号中で確認することができる。したがって、電流リプルのカウントは、直流電動機の電機子の実際の回転位置に関する情報及び可動要素の所定の移動区間内のこの可動要素に関する情報を提供できる。この目的のために、対応するカウントをできるようにするため、アナログ式の電機子電流信号がデジタル化される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
移動区間を限定する両ブロック位置間の区間を進むまで、直流電動機がどれくらいの電流リプルによって回転しなければならないかが既知であるので、電流リプルを計数することで駆動要素の位置が測定できる。このような方法は、例えば窓開閉器及び／又は天窓用に設けられているような調節機構を制御するための例えば車両の分野で使用される。例えば窓の位置の検出中の必須な原則は、（手や頭等の）挟み込み保護が窓を閉めるときに解除され得ることである。電動機が増加した負荷のせいで停止することなしに、窓がその上ブロック内とこの上ブロックに沿って設けられているウェザーストリップ内とに進入され得るようにするため、このような解除は必要である。窓の位置測定に対して電流リプルを不正確にカウントした場合は、挟み込み保護が、早めに解除されるか又は遅めに解除されることが起こりうる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の方法では、駆動要素が、その全運動エネルギーによってブロック位置内に進入しない。むしろ、駆動要素を駆動させる直流電動機が、システム自体で規定されたブロック位置に到達する直前に非通電に切替えられて、駆動要素の運動エネルギーを低下させる。この構成の範囲内では、概念「非通電切替(Stromlos-Schalten) 」は、駆動電圧が直流電動機に能動的に供給されないことを意味する。このことは、例えば直流電動機の遮断の過程で実施してもよいし、又は直流電動機の発電動作への切替わり若しくは短絡の過程で実施してもよい。この直流電動機は、別の要因に応じて変動しうる所定の期間後に新たに通電される。その結果、駆動要素が、−著しく低下した運動エネルギーによって−機械的に規定されたブロック位置内に進入する。この駆動要素がその機械的に規定されたブロック位置にあるときに初めて、規定通りのシステム自身の規格化又は再規格化が実施される。したがってこの再規格化は、駆動要素が実際にその機械的に規定されたブロック位置内に十分な精度で存在することを保証する時点で実施される。実際のブロック位置の到達前の短期間の直流電動機の非通電切替によって、そして新たな通電によって、駆動要素が、非常に僅かな運動エネルギーによってブロック位置内に進入する。したがって、駆動要素の跳ね戻りの危険が著しく減っているか、又は、直流電動機と駆動要素との間に組込まれた力伝達機構の跳ね戻りの危険も著しく減っている。それ故に、使用されるこの方法は、駆動要素がその移動時に高い運動エネルギーを有するときの調節装置によってブロック位置内で再規格化を実施するためにも特に適している。このときの高い運動エネルギーは、それに応じた大出力の直流電動機によって、及び／又は直流電動機によって移動する重い物体によって生じうる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月30日(2008.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  データネットワーキング装置であって、
可変利得増幅器を含み、可変利得増幅器は可変利得増幅器の利得を調節するための第１の選択可能なインピーダンスと第２の選択可能なインピーダンスとを有し、前記データネットワーキング装置はさらに、
可変利得増幅器のアナログ出力信号をデジタル信号に変換するためのアナログデジタル変換器と、
デジタル信号をモニタし、第１および第２の選択可能なインピーダンスを作動させる帰還信号をデジタル信号の関数として供給し、それにより可変利得増幅器の利得を調節するためのデジタル信号モニタリング回路とを含み、デジタル信号モニタリング回路はデジタル信号をモニタし、可変利得増幅器のアナログ出力信号を変換するために用いられているアナログデジタル変換器のダイナミックレンジの百分率を判定する、データネットワーキング装置。
【請求項２】  第１および第２の選択可能なインピーダンスは各々、はしご形抵抗回路とマルチプレクサとを有し、マルチプレクサは帰還信号に基づいてはしご形抵抗回路にタップを付ける、請求項１に記載のデータネットワーキング装置。
【請求項３】  マルチプレクサはＭＯＳトランジスタを用いて実現され、帰還信号はマルチプレクサを作動させるためのデジタル選択回線である、請求項２に記載のデータネットワーキング装置。
【請求項４】  可変利得増幅器には、可変利得増幅器の帯域幅を調節するための容量性補償回路が設けられている、請求項１に記載のデータネットワーキング装置。
【請求項５】  容量性補償回路は複数のキャパシタを有し、そのうちの１つがマルチプレクサを用いて可変利得増幅器の補償ノードに結合される、請求項４に記載のデータネットワーキング装置。
【請求項６】  ダイナミックレンジの百分率は、予め定められた期間におけるデジタル信号の平均信号値の関数である、請求項１に記載のデータネットワーキング装置。
【請求項７】  信号の変調型式は変調検出および帰還回路によって判定され、変調検出および帰還回路は、第１および第２の選択可能なインピーダンスを作動させる帰還信号に要因として含まれる変調型式利得帰還信号を生成する、請求項１に記載のデータネットワーキング装置。
【請求項８】  可変利得増幅器は、電流帰還演算増幅器である、請求項１に記載のデ
ータネットワーキング装置。
【請求項９】  第１の選択可能なインピーダンスは、アナログ電圧信号を受信するよう接続された第１の端子と基準電圧に接続された第２の端子とを有するはしご形抵抗回路と、第１の選択可能なインピーダンスの出力をはしご形抵抗回路上の選択された点に結合させるためのマルチプレクサとを有し、出力は増幅器構成要素の第１の入力に接続されており、帰還信号は、第１の端子と第１の増幅器入力との間に接続されるべきはしご形抵抗回路の一部を選択するよう、マルチプレクサを作動させる、請求項１に記載のデータネットワーキング装置。
【請求項１０】  第２の選択可能なインピーダンスは、増幅器構成要素の入力に接続された第１の端子と基準電圧に接続された第２の端子とを有するはしご形抵抗回路と、第１の端子をはしご形抵抗回路上の選択された点に結合させるためのマルチプレクサとを有し、帰還信号は、増幅器構成要素の入力と基準電圧との間に接続されるべきはしご形抵抗回路の一部を選択するよう、マルチプレクサを作動させる、請求項１に記載のデータネットワーキング装置。
【請求項１１】  増幅器構成要素は、増幅器構成要素の出力と増幅器構成要素の入力との間に接続された帰還インピーダンスを有する、請求項１０に記載のデータネットワーキング装置。
【請求項１２】  第２の選択可能なインピーダンスは、増幅器構成要素の第２の入力に接続された第１の端子と基準電圧に接続された第２の端子とを有するはしご形抵抗回路と、第１の端子をはしご形抵抗回路上の選択された点に結合させるためのマルチプレクサとを有し、帰還信号は、増幅器構成要素の第２の入力と基準電圧との間に接続されるべきはしご形抵抗回路の一部を選択するよう、マルチプレクサを作動させる、請求項９に記載のデータネットワーキング装置。
【請求項１３】  増幅器構成要素は、増幅器構成要素の出力と増幅器構成要素の第２の入力との間に接続された帰還インピーダンスを有する、請求項１２に記載のデータネットワーキング装置。
【請求項１４】  可変利得増幅器を制御する方法であって、可変利得増幅器のアナログ出力信号はアナログデジタル変換器によってデジタル信号に変換され、
可変利得増幅器のアナログ出力信号を変換するために用いられているアナログデジタル変換器のダイナミックレンジの一部を判定するステップと、
第１の帰還信号を第１の選択可能なインピーダンスに提供し、第２の帰還信号を第２の選択可能なインピーダンスに提供するステップとを含み、第１および第２の帰還信号は可変利得増幅器の利得を調節して、アナログデジタル変換器によって用いられるダイナミックレンジを増加させる、方法。
【請求項１５】  アナログデジタル変換器によって用いられるダイナミックレンジの一部は、予め定められた期間におけるデジタル信号の平均信号値の関数である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】  可変利得増幅器の増幅器構成要素の第１の入力を、第１の帰還信号に従ってはしご形抵抗回路の一部を介して入力電圧信号に選択的に結合させるステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】  可変利得増幅器の増幅器構成要素の第２の入力を、第２の帰還信号に従ってはしご形抵抗回路の一部を介して基準電圧に選択的に結合させるステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】  可変利得増幅器の増幅器構成要素の第２の入力を、第２の帰還信号に従ってはしご形抵抗回路の一部を介して基準電圧に選択的に結合させるステップをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】  受信信号の変調型式を判定するステップと、変調型式利得帰還信号を生成するステップと、変調型式利得帰還信号を第１および第２の帰還信号へ要因として含めるステップとをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】  第１および第２の帰還信号は、第１および第２の選択可能なインピ
ーダンス内のマルチプレクサを制御するためのデジタル選択信号である、請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】  受信信号の帯域幅を判定するステップと、一連の補償キャパシタのうちの１つを可変利得増幅器の補償ノードに結合させる帰還信号を提供するステップとをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月18日(2008.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  信号（１０）のデジタル記述を与えるための装置であって、
クロック（６）によって決定された所定の一定のレートで信号をサンプリングして、各サンプリング時間における信号の振幅に関する情報を含む第１デジタル記述（１２）を与えるためのサンプリング手段（２）と、
前記第１デジタル記述に応答して第２デジタル記述を与えるための変換手段（１４）と、
を備え、
前記変換手段（１４）が、前記信号が所定の第１閾値レベルと交差するかを決定し、前記所定の第１閾値レベルから所定の第２閾値レベルに変化する前記信号の時間間隔を決定するための手段を具備し、
前記所定の一定のサンプリングレートは、前記信号が、前記サンプリング手段の連続したサンプル間で、１つより多い所定の閾値レベルと交差できないように設定され、
前記第２デジタル記述は前記時間間隔と閾値交差の方向を含むことを特徴とする装置。
【請求項２】  前記第２デジタル記述が、前記第１デジタル記述より低いデジタル出力を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】  前記変換手段（１４）が、所定の閾値レベル交差間の時間間隔を求めるために、クロック信号（１６）のサイクル数を計数するタイマ計数手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】  前記サンプリング手段（２）と前記変換手段（１４）を作動させる前記クロック信号（１６）が、同一のクロック（６）から派生することを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】  前記サンプリング手段（２）がアナログ・デジタル変換器を備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】  前記アナログ・デジタル変換器がフラッシュ・アナログ・デジタル変換器を含むことを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】  前記サンプリング手段（２）が、入力信号の最も速い変化速度を制限するように働くアンチ・エイリアシング・フィルタ（８）を備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】  前記変換手段（１４）が論理ゲート配列（２４、２６）を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】  信号のデジタル記述を与えるための方法であって、
第１クロック信号（１６）によって決定された一定のレートで信号をサンプリングして、各サンプリング時間における信号の振幅についての情報をもつ第１デジタル記述を与る段階と、
前記第１デジタル記述をモニタリングし、前記信号が所定の第１閾値レベルと交差してからこれと異なる所定の第２閾値レベルと交差するまでの経過時間を、第２クロック信号を用いて求める段階と、
所定の量だけ変化する前記信号の経過時間とレベル交差の方向を含む第２デジタル記述を生成する段階と、
を備え、
前記信号をサンプリングする段階は、前記信号が、連続したサンプル間で、１つより多い所定の閾値と交差できないレートで、前記信号をサンプリングすることを伴うことを特徴とする方法。
【請求項１０】  前記第２クロック信号が前記第１クロック信号と同一のクロック（６）から派生することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  一定のサンプリングレートのＡＤＣを、適応サンプリングを行うように適応させる方法であって、
クロック信号（１６）に応答して一定のレートで信号をサンプリングするアナログ・デジタル変換器（２）を用意し、
前記アナログ・デジタル変換器の出力を変換手段（１４）に導入する、
ステップを含み、
前記変換手段は、前記アナログ・デジタル変換器（２）の出力に対する応答性があり、いつ前記信号が所定の閾値レベルと交差したかを求め、所定の第１閾値レベルとこれと異なる第２閾値レベルに交差する前記信号間の時間間隔を求め、時間間隔と変化方向のみを含む第２デジタル記述を生成することができ、
前記アナログ・デジタル変換器の所定の一定のサンプリングレートは、前記信号が、連続したサンプル間で、１つより多い所定の閾値と交差できないように適応されていることを特徴とする方法。
【請求項１２】  前記方法が、前記アナログ・デジタル変換器のサンプリングレートを制御するのと同一のクロック（６）から派生したクロック信号を、前記変換手段に与えるステップを含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  前記変換手段が、論理ゲート配列（２４、２６）を有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月27日(2008.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １つまたは複数の人工材料で偽装した人物の検出に使用する方法であって、
近赤外線スペクトルの上方帯域の少なくとも一部で、人体の頭部の少なくとも１つの部分から反射を検出するステップと、および
検出された反射に基づいて、人体の頭部に関連付けられた人工材料の存在を決定するステップと、を含む方法。
【請求項２】  近赤外線スペクトルの上方帯域の少なくとも一部で、人体の頭部の少なくとも１つの部分から反射を検出するように動作可能である検出器装置と、
検出された反射に基づいて、人体の頭部に関連付けられた人工材料の存在に関する情報をユーザに提供するように動作可能である表示装置とを備える、偽装人物検出システム。
【請求項３】  近赤外線スペクトルの１つの帯域の少なくとも一部で、シーンから反射を検出するステップと、
近赤外線スペクトルの一帯域の少なくとも一部で、検出された反射に基づいて、シーンにおける人体の頭部の存在を決定するステップと、
人体の頭部の少なくとも１つの部分からの検出された反射に基づいて、人体の頭部に関連付けられた人工材料の存在を決定するために、近赤外線スペクトルの上方帯域の少なくとも一部で、人体の頭部の少なくとも１つの部分から反射を検出するステップと、
を含む検出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月20日(2008.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の加入者ユニットに複数のグレードのサービスを提供するための基地局における使用のための方法であって、前記方法は、
帯域幅を予約し、その帯域幅を複数のトラフィック・チャネルに分割することと、
複数のトラフィック・チャネルを用いて前記基地局にデータを送信する複数の加入者ユニットからの要求を検出することと、
前記基地局にデータを送信することを要求している前記加入者ユニットのそれぞれの優先度レベルを識別することと、
前記加入者ユニットのそれぞれの優先度レベルをしきい値と比較することと、
前記加入者ユニットの優先度レベルに基づいて前記基地局にデータを送信することを要求している加入者ユニットのそれぞれにトラフィック・チャネルを割り振ることと
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】  請求項１に記載の方法であって、前記加入者ユニットの優先度レベルは、前記加入者ユニットの基地局資源の利用履歴に依存することを特徴とする方法。
【請求項３】  請求項１に記載の方法であって、前記加入者ユニットは、前記加入者ユニットの優先度レベルがしきい値より高いとき、低い優先度レベルが割り当てられることを特徴とする方法。
【請求項４】  請求項３に記載の方法であって、前記低い優先度レベルは、高い優先度レベルが割り当てられた加入者ユニットよりも少ないトラフィック・チャネルが加入者ユニットに割り当てられることになることを特徴とする方法。
【請求項５】  請求項１に記載の方法であって、前記加入者ユニットは、前記加入者ユニットの利用履歴が予め定められたしきい値よりも低いとき、高い優先度レベルが割り当てられることを特徴とする方法。
【請求項６】  請求項５に記載の方法であって、前記高い優先度レベルは、低い優先度レベルが割り当てられた加入者ユニットよりも多くのトラフィック・チャネルが加入者ユニットに割り当てられることになることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003536287.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月20日(2008.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶Ｓｉ基板上で使用するための単結晶エッチング阻止層システムであって、
前記シリコン基板上の、Ｓｉ１−ｘＧｅｘにまで漸変された、ほぼ応力緩和されたバッファ層と、
前記バッファ層上に設けられた、ほぼ応力緩和されたＳｉ１−ｙＧｅｙの均一なエッチング阻止層と、
前記均一なエッチング阻止層上に設けられた、歪んだＳｉ１−ｚＧｅｚの第２のエッチング阻止層とを備えており、
ｘ≠ｙである、単結晶エッチング阻止層システム。
【請求項２】
前記第２のエッチング阻止層上に、ＳｉＯ２層が堆積している、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ＳｉＯ２層が第２の基板に接着されている、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記第２の基板が、第２のＳｉ基板上に設けられたＳｉＯ２の層を含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記第２の基板が、ガラス基板上に設けられたＳｉＯ２の層を含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項６】
前記第２の基板が、石英基板上に設けられたＳｉＯ２の層を含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項７】
前記ほぼ応力緩和されたＳｉ１−ｙＧｅｙの均一なエッチング阻止層が、水性異方性シリコンエッチング剤中でシリコンよりも低いエッチング速度を有し、前記水性異方性シリコンエッチング剤が、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化リチウム、エチレンジアミン／ピロカテコール／ピラジン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）およびヒドラジンからなる群から選択される、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
半導体構造を形成する方法であって、
第１の均一なエッチング阻止層を形成し、
前記均一なエッチング阻止層上に、第２のエッチング阻止層を形成し、
前記第２のエッチング阻止層上に、ほぼ応力緩和された層を形成し、
前記ほぼ応力緩和された層を、絶縁体を含む基板に接合し、
前記第１のエッチング阻止層の少なくとも一部を除去することによって、前記第２のエッチング阻止層を解放する方法であって、
前記ほぼ応力緩和されたＳｉ１−ｙＧｅｙの均一なエッチング阻止層が、水性異方性シリコンエッチング剤中でシリコンよりも低いエッチング速度を有し、前記水性異方性シリコンエッチング剤が、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化リチウム、エチレンジアミン／ピロカテコール／ピラジン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）およびヒドラジンからなる群から選択される、方法。
【請求項９】
前記第２のエッチング阻止層を解放することが、湿式エッチングを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２のエッチング阻止層の少なくとも一部を除去することによって、前記ほぼ応力緩和された層を解放することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記ほぼ応力緩和された層を解放することが、湿式エッチングを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２のエッチング阻止層が歪みを有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
Ｓｉ１−ｘＧｅｘのバッファ層を、前記第１の均一なエッチング阻止層の下に設け、該第１の均一なエッチング阻止層が、Ｓｉ１−ｙＧｅｙを含み、ｘ≠ｙである、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月12日(2008.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板クリーニングチャンバにおいて、
ａ）  基板を収容できる処理空洞を協働して画定する上側表面と下側表面を有するチャンバ本体、
ｂ）  前記チャンバ本体内に形成され、前記上側表面で終わり、前記処理空洞と流体接続する第１の流体入口、
ｃ）  前記チャンバ本体内に形成され、前記下側表面で終わり、前記処理空洞と流体接続する第２の流体入口、及び
ｄ）  前記処理空洞の周りに前記処理空洞の中心軸からある半径距離で配置された１つ又はそれ以上の排気ポート、を備え、
各々の前記１つ又はそれ以上の排気ポートは、前記中心軸で始まる半径ラインに対してある角度の方向を向く入口と出口を備えることを特徴とする基板クリーニングチャンバ。
【請求項２】  前記１つ又はそれ以上の排気ポートは、前記処理空洞から離れる流体の接線方向の流れを与えるように構成されている請求項１に記載のチャンバ。
【請求項３】  前記１つ又はそれ以上の排気ポートは、前記処理空洞の径にほぼ等しい距離の点で、半径方向に配置されている請求項１に記載のチャンバ。
【請求項４】  前記第１の流体入口と前記第２の流体入口は、前記中心軸に沿って配置されている請求項１に記載のチャンバ。
【請求項５】  前記チャンバ本体は、前記処理空洞の上側境界と下側境界をそれぞれ画定する上側表面と下側表面を備え、前記第１の流体入口は、前記処理空洞の前記中心軸の近くの前記上側表面で終わり、
前記チャンバ本体内に形成され、前記上側表面で終わる第１の複数の推進チャンネルを備え、前記第１の複数の推進チャンネルの少なくとも一部は、前記中心軸で始まる半径ラインに対して、ある角度で配置される請求項１に記載のチャンバ。
【請求項６】  前記チャンバ本体内に形成され、前記下側表面で終わる第２の複数の推進チャンネルを備え、前記第２の複数の推進チャンネルの少なくとも一部は、前記下側表面の面に対して、ある角度で配置される請求項５に記載のチャンバ。
【請求項７】  前記第１の複数の推進チャンネルと前記第２の複数の推進チャンネルは、共通の方向を向く出口部分を含み、流体が前記出口部分を通って流れるとき、前記処理空洞内に環状流れパターンを提供する請求項６に記載のチャンバ。
【請求項８】  前記チャンバ本体内に配置され、内部に１つ又はそれ以上の排気ポートが形成されたマニホルドを備える請求項１に記載のチャンバ。
【請求項９】  基板クリーニングチャンバにおいて、
ａ）  上側表面が形成された上側プレートと、下側表面が形成された下側プレートとを有するチャンバ本体であって、前記上側表面と前記下側表面はそれらの間に処理空洞を協働して画定するチャンバ本体、
ｂ）  前記チャンバ本体内に形成され、前記上側表面で終わる第１の流体入口、
ｃ）  前記チャンバ本体内に形成され、前記下側表面で終わる第２の流体入口、を備え、前記第１の流体入口と前記第２の流体入口は前記処理空洞の中心軸に沿って配置され、
ｄ）  前記上側表面上で前記中心軸からある半径距離において終了する第１の複数の推進チャンネル、
ｅ）  前記下側表面上で前記中心軸からある半径距離において終了する第２の複数の推進チャンネル、及び
ｆ）  前記処理空洞の周りに前記処理空洞の中心軸からある半径距離で配置された１つ又はそれ以上の排気ポート、を備え、
各々の前記１つ又はそれ以上の排気ポートは、前記中心軸で始まる半径ラインに対してある角度の方向を向く入口と出口を備え、
前記第１の複数の推進チャンネルと前記第２の複数の推進チャンネルのうち少なくとも一方は、前記処理空洞内に位置する基板に回転運動を与えるように構成されていることを特徴とする基板クリーニングチャンバ。
【請求項１０】  前記第１の複数の推進チャンネルと前記第２の複数の推進チャンネルは、共通の方向を向く出口部分を含み、流体がそれぞれの前記出口部分を通って流れるとき、協働して前記処理空洞内に環状流れパターンを提供する請求項９に記載のチャンバ。
【請求項１１】  前記チャンバ本体内に配置され、内部に１つ又はそれ以上の排気ポートが形成されたマニホルドを備える請求項９に記載のチャンバ。
【請求項１２】  処理システムにおいて、
ａ）  移送チャンバ、及び
ｂ）  少なくとも１つの基板クリーニングチャンバを備え、該基板クリーニングチャンバは、
i）  基板を収容することができる処理空洞を画定し、前記移送チャンバから前記処理空洞へ基板を移送することのできる開口部を画定するチャンバ本体、
ii）  前記チャンバ本体内に形成され、前記前記処理空洞と流体接続し、前記処理空洞の中心軸の周りに配置された第１の流体入口、
iii）  前記処理空洞内で終わり、環状パターンで流体の流れを発生するように構成された第１の複数の推進チャンネル、及び
vi）  前記処理空洞の周りに前記処理空洞の中心軸からある半径距離で配置された１つ又はそれ以上のガス射気ポート、を備え、
各々の前記１つ又はそれ以上の排気ポートは、前記中心軸で始まる半径ラインに対してある角度の方向を向く入口と出口を備えることを特徴とする処理システム。
【請求項１３】  基板をクリーニングする方法において、
ａ）  少なくとも一部は上側表面と下側表面により画定される処理空洞を内部に有するチャンバ本体を準備し、
ｂ）  前記処理空洞内に基板を配置し、
ｃ）  前記処理空洞内へそして基板上へ第１の流体を流し、
ｄ）  前記処理空洞内へそして前記基板上へ、中心軸の周りに前記基板を回転させる角度で第２の流体を流し、
前記第１の流体と第２の流体の流れは、前記処理空洞内に前記基板を接触しないように維持するように構成され、
ｅ）  前記基板の周りに配置された排気ポートを通って、前記第１の流体と第２の流体を接線方向に排気することを特徴とする方法。
【請求項１４】  前記ｃ）ステップは、前記上側表面に形成された第１のチャンネルと前記下側表面に形成された第２のチャンネルから第１の流体を流すことを備え、前記第１と第２のチャンネルは、前記処理空洞の中心軸に沿って配置されている請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】  前記ｂ）ステップは、
前記上側表面と前記下側表面の間に前記基板を位置決めし、
前記基板と前記上側表面の間の空間に低圧を生じさせ、前記基板を吊下げることを備える請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月5日(2008.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  超小型電子回路基板を清浄化するための清浄化液であって、該清浄化液は、以下：
水酸化テトラアルキルアンモニウムからなる群より選択された０．０５〜１２．４重量％の水酸化第四級アンモニウムであって、ここで該アルキルは、Ｃ１〜Ｃ１０の原子のうちの１つまたはＣ１〜Ｃ１０原子の組み合わせを含む、水酸化第四級アンモニウム；
モノエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチルアミノエタノール、アミノエトキシエタノール、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｃ２−Ｃ５アルカノールアミン、およびそれらの組み合わせからなる群より選択される、０．２重量％〜２７．８重量％の極性有機アミン；ならびに
アスコルビン酸（ビタミンＣ）、Ｌ（＋）−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、アスコルビン酸誘導体、ベンゾトリアゾール、クエン酸、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、およびそれらの組み合わせ、からなる群より選択される、有効量の腐食防止剤；
を含み、
ここで、該溶液のアルカリ度が溶液１グラムあたり０．０７３ミリ当量塩基より大きい、清浄化液。
【請求項２】  銅含有超小型電子回路基板を清浄化するための清浄化液であって、該清浄化液は、水酸化テトラメチルアンモニウム、モノエタノールアミン、アスコルビン酸、および脱イオン水を含む、清浄化液。
【請求項３】  前記清浄化液は、以下：
０．０５〜１２．４重量％の水酸化テトラメチルアンモニウム；
０．２〜２７．８重量％のモノエタノールアミン；
０．２〜１０．９重量％のアスコルビン酸；および
脱イオン水；
を含み、
ここで、該溶液のアルカリ度が、溶液１グラムあたり０．０７３ミリ当量塩基より大きい、請求項２に記載の清浄化液。
【請求項４】  前記溶液のアルカリ度が、溶液１グラムあたり約０．１ミリ当量塩基より大きい、請求項２に記載の清浄化液。
【請求項５】  前記腐食防止剤が、アスコルビン酸、Ｌ−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、およびアスコルビン酸誘導体からなる群より選択される、請求項１に記載の清浄化液。
【請求項６】  ＣＭＰ清浄化のための清浄化液であって、本質的に、バランス用の水以外に、０．０５重量％〜１．２５重量％の水酸化テトラメチルアンモニウム、０．２重量％〜２．２５重量％のモノエタノールアミン、および有効量のアスコルビン酸から構成される、清浄化液。
【請求項７】  腐食防止剤の有効量が、０．２重量％〜１０．９重量％の範囲である、請求項１に記載の清浄化液。
【請求項８】  バイア清浄化液であって、本質的に、バランス用の水以外に、７．５重量％〜１２．４重量％の水酸化テトラメチルアンモニウム、１２．５重量％〜２７．８重量％のモノエタノールアミン、０．２重量％〜１０．９重量％のアスコルビン酸から構成される、清浄化液。
【請求項９】  超小型電子回路基板のための清浄化液であって、該清浄化液は、本質的に、バランス用の水以外に以下：
水酸化テトラアルキルアンモニウムからなる群より選択された３．０〜１２．４重量％の水酸化第四級アンモニウムを含む１．５重量％〜１２．５重量％の濃縮物であって、ここで該アルキルは、Ｃ１〜Ｃ１０の原子のうちの１つまたはＣ１〜Ｃ１０原子の組み合わせを含む、濃縮物、
モノエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチルアミノエタノール、アミノエトキシエタノール、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｃ２−Ｃ５アルカノールアミン、およびそれらの混合物からなる群より選択される、５．０重量％〜２７．８重量％の極性有機アミン；
アスコルビン酸（ビタミンＣ）、Ｌ（＋）−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、アスコルビン酸誘導体、ベンゾトリアゾール、クエン酸、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、およびそれらの組み合わせからなる群より選択される、２．０重量％〜１０．９重量％の腐食防止剤；ならびに
８７．５重量％〜９８．５重量％の脱イオン水から構成され、ここで、該溶液は溶液１グラムあたり０．０７３ミリ当量塩基より大きい、アルカリ度を有する、清浄化液。
【請求項１０】  銅含有超小型電子回路基板を清浄化するための清浄化液であって、該清浄化液は、本質的に、バランス用の水以外に以下：
３．０〜１２．４重量％の水酸化テトラメチルアンモニウムを含む１．５重量％〜１２．５重量％の濃縮物、
２．０〜２７．８重量％のモノエタノールアミン；
２．０〜１０．９重量％のアスコルビン酸；および
８７．５重量％〜９８．５重量％の脱イオン水から構成され、ここで、該溶液は溶液１グラムあたり０．０７３ミリ当量塩基より大きい、アルカリ度を有する、清浄化液。
【請求項１１】  前記濃縮物がキレート剤をさらに含む、請求項９に記載の清浄化液。
【請求項１２】  銅含有超小型電子回路基板を清浄化する方法であって、該超小型電子回路基板を、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の清浄化液と接触させる工程を包含する、方法。
【請求項１３】  前記接触させる工程の温度が、周囲条件から７０℃の範囲である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  超小型電子基板のバイアを清浄化する方法であって、該バイアを有する超小型電子基板を請求項１〜１０のいずれか１項に記載の清浄化液と接触させる工程を包含する、方法。
【請求項１５】  前記超小型電子基板が、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴｉＷ、シリカ、およびこれらの組合せからなる群より選択される少なくとも１種の材料を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】  銅含有集積回路の製造中に、化学的機械的研磨後に該銅含有集積回路を清浄化するために有用な清浄化液であって、該清浄化液は、水酸化テトラメチルアンモニウム、モノエタノールアミン、および水を含む、清浄化液。
【請求項１７】  銅含有集積回路の製造中に、化学的機械的研磨後に該銅含有集積回路を清浄化するために有用な清浄化液であって、該清浄化液は、水酸化テトラメチルアンモニウム、モノエタノールアミン、および水から構成される、清浄化液。
【請求項１８】  水酸化テトラメチルアンモニウム対モノエタノールアミンの重量％比が１．８である、請求項１６または１７に記載の清浄化液。
【請求項１９】  前記清浄化液のアルカリ度が、該清浄化液１グラムあたり約０．０７３ミリ当量塩基より大きい、請求項１６または１７に記載の清浄化液。
【請求項２０】  前記水酸化テトラメチルアンモニウムの量が、前記清浄化液の総重量に基づいて０．５重量％である、請求項１６または１７に記載の清浄化液。
【請求項２１】  前記モノエタノールアミンの量が、前記清浄化液の総重量に基づいて０．９重量％である、請求項１６または１７に記載の清浄化液。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の、窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との混合窒化物のクラックを含まない単結晶層であって、前記基板は前記層に張力応力を引き起こし、かつバッファー層により被覆されており；
前記クラックを含まない単結晶層が、格子定数が該クラックを含まない単結晶層の材料の格子定数よりも小さく、１００から３００ｎｍの間の厚みを有する物質の単結晶の中間層を少なくとも一つ含む層。
【請求項２】
前記中間層の厚みが２００から２５０ｎｍの間である、請求項１記載の層。
【請求項３】
２μｍ以上の厚みを有する厚い層である、請求項１記載の層。
【請求項４】
２から５μｍの間の厚みを有する厚い層である、請求項１記載の層。
【請求項５】
前記ガリウムとその他の金属との混合窒化物が、ガリウムとアルミニウムとの窒化物、またはガリウムとインジウムとの窒化物から選択される、請求項１記載の層。
【請求項６】
前記基板が、ケイ素および炭化ケイ素基板から選択される、請求項１記載の層。
【請求項７】
前記バッファー層がＡｌＮ層である、請求項１記載の層。
【請求項８】
前記中間層がＡｌＮまたはＡｌＧａＮの層である、請求項１記載の層。
【請求項９】
１ないし５の前記中間層を含む、請求項１ないし７のいずれか一項に記載の層。
【請求項１０】
基板上の窒化ガリウムまたはガリウムとその他の金属との混合窒化物のクラックを含まない単結晶層の製造方法であって、前記基板が前記層に張力応力を引き起こし、当該方法は、以下の順に以下の工程：
ａ）前記基板上にアルミニウムの単一原子層を堆積する工程；
ｂ）バッファー層を堆積する工程；
ｃ）前記窒化ガリウムまたは前記ガリウムとその他の金属との混合窒化物を成長させる工程；
ｄ）前記窒化ガリウムまたは前記ガリウムとその他の金属との混合窒化物を成長させる工程を中断する工程；
ｅ）格子定数が、前記窒化ガリウムまたは前記ガリウムとその他の金属との混合窒化物の格子定数よりも小さく、かつ１００から３００ｎｍの間の厚みを有する物質の単結晶の中間層を成長させる工程；
ｆ）前記窒化ガリウムまたは前記ガリウムとその他の金属との混合窒化物の層が最終的に必要な厚みとなるまで、前記窒化ガリウムまたは前記ガリウムとその他の金属との混合窒化物の堆積の成長させる工程を続ける工程；
ｇ）前記基板、および前記窒化ガリウムまたは前記ガリウムとその他の金属との混合窒化物の層を冷却する工程を含む方法。
【請求項１１】
前記基板がケイ素であり、前記ａ）工程の前に、加熱した前記基板の表面をアンモニアに晒す、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記中間層の厚みが２００から２５０ｎｍの間である、請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
前記ｅ）工程と前記ｆ）工程との間で、前記ｃ）工程ないし前記ｅ）工程を少なくとも一回繰り返し、前記クラックを含まない単結晶層の内部に、少なくとも二つの前記中間層を成長させる、請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
前記単結晶の中間層の成長温度が、８００から１０００℃の間である、請求項１０記載の方法。
【請求項１５】
前記単結晶の中間層の成長温度が、９００から９５０℃の間である、請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
前記窒化ガリウムまたは前記ガリウムとその他の金属との混合窒化物の層の最終的な厚みが、２μｍ以上である、請求項１０記載の方法。
【請求項１７】
前記窒化ガリウムまたは前記ガリウムとその他の金属との混合窒化物の層の最終的な厚みが、２から５μｍの間である、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
ガリウムの前記混合窒化物が、ガリウムとアルミニウムとの窒化物、またはガリウムとインジウムとの窒化物であるように選択される、請求項１０記載の方法。
【請求項１９】
前記基板が、ケイ素および炭化ケイ素基板から選択される、請求項１０記載の方法。
【請求項２０】
前記バッファー層がＡｌＮ層である、請求項１０記載の方法。
【請求項２１】
前記中間層がＡｌＮまたはＡｌＧａＮの層である、請求項１０記載の方法。
【請求項２２】
前記ｃ）工程ないし前記ｅ）工程を１ないし５回繰り返す、請求項１０記載の方法。
【請求項２３】
前記バッファー層の堆積、前記窒化ガリウムまたは前記ガリウムとその他の金属との混合窒化物の成長、および前記単結晶の中間層の成長が、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）、またはヒドリド気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）によって行われる、請求項１０ないし２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
前記単結晶の中間層を、分子線エピタキシーにより８００から１０００℃の間の温度で０．１から０．５μｍ／ｈの間の成長速度で成長させる、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
請求項１ないし９のいずれか一項に記載のクラックを含まない単結晶層を少なくとも一つ有する電子または光電子装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月13日(2008.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  リチウムコバルト酸化物又はその誘導体から成り、平均粒径が約１００ｎｍ以下であり、少なくとも約９５％の粒子の直径が平均粒径の約４０％以上約１６０％以下である粒子径分布を有する粒子集合体。
【請求項２】  上記リチウムコバルト酸化物又はその誘導体が、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｖ、Ｔｉ及びそれらの組合せ、から成る群から選択された別の１種の金属により置換されたリチウムコバルト酸化物から成る請求項１記載の粒子集合体。
【請求項３】  リチウムニッケル酸化物又はその誘導体から成り、平均粒径が約１００ｎｍ以下であり、少なくとも約９５％の粒子の直径が平均粒径の約４０％以上約１６０％以下である粒子径分布を有する粒子集合体。
【請求項４】  上記リチウムニッケル酸化物又はその誘導体が、Ｍｎ、Ｂ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｖ、Ｔｉ及びそれらの組合せ、から成る群から選択された金属により置換されたリチウムニッケル金属酸化物から成る請求項３記載の粒子集合体。
【請求項５】  リチウムチタン酸化物又はその誘導体から成り、平均粒径が約１００ｎｍ以下である粒子集合体。
【請求項６】  上記リチウムチタン酸化物又はその誘導体が、Ｌｉ１＋ｘＴｉ２−ｘＯ４、０≦ｘ≦１／３から成る請求項５記載の粒子集合体。
【請求項７】  上記粒子集合体が、少なくとも約９５％の粒子の直径が平均粒径の約４０％以上約１６０％以下である粒子径分布を有する請求項５記載の粒子集合体。
【請求項８】  上記粒子集合体の平均粒径の約３倍以上の直径を有する粒子を実質的に含まない請求項１から７のいずれか一つに記載の粒子集合体。
【請求項９】  請求項１から８のいずれか一つに記載の粒子集合体から成るカソードを有する電池。
【請求項１０】  金属が第１金属と第２金属とから成るリチウム金属酸化物の製造方法であって、
リチウム、第１金属及び第２金属の前駆体化合物を含むアエロゾル前駆体を反応させて形成した前駆体粒子を、酸化雰囲気で加熱する工程を含み、
上記リチウム、第１金属及び第２金属の相対量を、生成する混合金属酸化物が所望の化学量論組成を有するように選定するリチウム金属酸化物の製造方法。
【請求項１１】  上記リチウム金属酸化物粒子の平均粒径が約１００ｎｍ以下である請求項１０記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月4日(2008.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  移動体通信ユニットにおいてサポート要求を生成する工程と、前記サポート要求に基づいて遠隔支援場所に１つ以上の問題に関連したサポートメッセージを送信する工程と、前記遠隔支援場所において前記サポートメッセージを受信する工程とを有する移動体通信ユニットへの支援を提供する方法であって、
前記方法は、さらに
・前記１つ以上の問題を少なくとも部分的には解決することを可能にするサポート情報を生成する工程と、
・前記サポート情報を前記移動体通信ユニットに提供する工程とを有することを特徴とする方法。
【請求項２】  前記サポート要求は、
・ユーザ動作と、
・前記遠隔支援場所から受信されるメッセージと、
・タイマ事象、エラー事象などのような何らかの内部的事象と、
・規則的な時間間隔で実行されるステータスチェックとの内、
１つ以上に基づいて生成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記サポート情報は、前記移動体通信ユニットが設定の自動更新を実行し、これにより前記１つ以上の問題を修正できるようにする更新とサポートとの内の少なくともいずれかの情報を含むメッセージを送信することにより、前記移動体通信ユニットに提供されることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】  前記サポート情報はＳＭＳメッセージに含まれていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】  前記サポート情報は、
・１つ以上のユニット設定／パラメータと、
・ユニット識別と、
・前記移動体通信ユニットのステータスと、
・前記移動体通信ユニットの内部状態と、
・少なくとも１つのエラーコードと、
・前記移動体通信ユニットにおけるソフトウェア、ハードウェア、ファームウェアなどの内、少なくとも１つのバージョン番号と、
・前記移動体通信ユニットに、どのハードウェア／物理的／機能的なユニット／モジュールが接続されているか或いは接続されていたかについてと、或いは
・他の関連情報との内、
１つ以上に関する／１つ以上を表現する情報を有していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】  前記移動体通信ユニットは移動電話であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】  前記遠隔支援場所に前記サポートメッセージを送信することは電話番号或いはＩＰアドレスに関連した接続情報に基づいており、
前記接続情報は、
・前記移動体通信ユニットに格納されるか、
・ＳＩＭカードに格納されるか、
・ユーザによって入力されるか、或いは
・前記遠隔支援場所から受信される前記メッセージの一部であるかの内、
１つ以上に当てはまることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】  移動体通信ユニットにはサポート要求を生成する手段（４０３）と、前記サポート要求に基づいて遠隔支援場所に１つ以上の問題に関連したサポートメッセージを送信する第１の通信手段（４０４）と有し、前記遠隔支援場所には前記サポートメッセージを受信する第２の通信手段（４０５）とを有する移動体通信ユニットへの支援を提供するシステムであって、
前記システムは、さらに
・前記１つ以上の問題を少なくとも部分的には解決することを可能にするサポート情報を生成する手段（４０６）と、
・前記第２の通信手段（４０５）を介して前記サポート情報を前記移動体通信ユニットに提供する手段とを有することを特徴とするシステム。
【請求項９】  前記サポート要求は、
・ユーザ動作と、
・前記遠隔支援場所から受信されるメッセージと、
・タイマ事象、エラー事象などのような何らかの内部的事象と、
・規則的な時間間隔で実行されるステータスチェックとの内、
１つ以上のものに基づいて生成されることを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】  前記サポート情報は、前記移動体通信ユニットが設定の自動更新を実行し、これにより前記１つ以上の問題を修正できるようにする更新とサポートとの内の少なくともいずれかの情報を含むメッセージを前記第２の通信手段（４０５）を介して送信することにより、前記移動体通信ユニットに提供されることを特徴とする請求項８又は９に記載のシステム。
【請求項１１】  前記サポート情報はＳＭＳメッセージに含まれていることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１２】  前記サポート情報は、
・１つ以上のユニット設定／パラメータと、
・ユニット識別と、
・前記移動体通信ユニットのステータスと、
・前記移動体通信ユニットの内部状態と、
・少なくとも１つのエラーコードと、
・前記移動体通信ユニットにおけるソフトウェア、ハードウェア、ファームウェアなどの内、少なくとも１つのバージョン番号と、
・前記移動体通信ユニットに、どのハードウェア／物理的／機能的なユニット／モジュールが接続されているか或いは接続されていたかについてと、或いは
・他の関連情報との内、
１つ以上に関する／１つ以上を表現する情報を有していることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１３】  前記移動体通信ユニットは移動電話であることを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１４】  前記遠隔支援場所に前記サポートメッセージを前記第１の通信手段（４０４）を介して送信することは電話番号或いはＩＰアドレスに関連した接続情報に基づいており、
前記接続情報は、
・前記移動体通信ユニットに格納されるか、
・ＳＩＭカードに格納されるか、
・ユーザによって入力されるか、或いは
・前記遠隔支援場所から受信される前記メッセージの一部であるかの内、
１つ以上に当てはまることを特徴とする請求項８乃至１３のいずれか１項に記載のシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年7月18日(2008.7.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
バレルは注射器の後方端を受けかつ位置決めするために後方端に非対称のカップ形部１１を有する。フランジ１２は厚みがあり、湾曲ループ１３により約９０°の円弧にわたって半径方向に延びている。この反対側に、スロット１４がフランジ１２の上下面間に設けられ、ソケット１５に対して開放し、ソケット１５内には注射器のフランジ２が着座している。それが適正位置にあるときに、フランジ２の後面は前方向においてスロット１４を丁度越える。ゲート１６は、フランジ１２の側へかつループ１３のクラウンから９０°で薄いウエブ１７により蝶番止めされ、かつ図示後退位置から揺動してスロット１４内へ侵入しかつ拘束されると同時にバレル５内に注射器を閉じ込めることができる。ゲートは一コーナで蝶番を備えた概ねＤ形であり、Ｄ形の直線部は半円形切欠き１８を有し、切欠き１８はプランジャ４の半分の囲繞を可能にし、かつゲートの本体の隣接部はフランジ２上に重なりかつ注射器の後方移動を阻止または遮断する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
針のプロテクタスリーブ７は長手中間部の前方にショルダ２４で縮小する円筒部材である。相対的に大きい直径部２５および相対的に小さい直径部２６の両者は良好グリップのために外リブ２７を有する。内部には、タブ２８がショルダ２４から内方かつ前方へ突出し、ショルダ２４は外側にスロープを付け内側が段構成されている。相対的に大きい直径部２５はＬ形スロット２９を有し、長いアームが長手の大半にわたり、かつ短いアームは後端で周辺部を形成している。基礎幅は突起９の幅に対応し、かつ短いアームの入口にはスロット２９の対応部へ突起９のスナップ作用を可能にする小さいラグ３０が形成されている。直径方向に対峙する二つのキー３１は相対的に大きい直径部２５の内部に形成されかつ突起９がスロット２９の相対的に短いアームへ侵入するときにキー８と共働する位置にある。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
使用前に、プロテクタスリーブ７はバネ６に対して後方へ移動し、タブ２８が針のキャップの拡大後端にスナップ係止するまでバネ６はショルダ２４内の内段上を付勢する。プロテクタスリーブ７を移動させると、プロテクタスリーブ７はバネ６により再び前方へ移動し、タブ２８は針キャップを徐々に緩める。針キャップが取り除かれると、針３の先端は小さい直径部２６により包囲維持される。そこで装置は使用できる状態になる。