【手続補正書】
【提出日】平成19年9月25日(2007.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行う処理部と、
前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部は、基板の乾燥処理を行う第１の処理ユニットを含み、
前記受け渡し部は、
基板が一時的に載置される載置部と、
前記処理部および前記載置部の間で基板を搬送する第１の搬送ユニットと、
前記載置部および前記露光装置の間で基板を搬送する第２の搬送ユニットと、
前記載置部および前記第１の処理ユニットの間で基板を搬送する第３の搬送ユニットとを含み、
前記第２の搬送ユニットは、基板を保持する第１および第２の保持手段を備え、
前記第２の搬送ユニットは、前記載置部から前記露光装置へ基板を搬送する際には前記第１の保持手段により基板を保持し、前記露光装置から前記載置部へ基板を搬送する際には前記第２の保持手段により基板を保持し、
前記第３の搬送ユニットは、基板を保持する第３および第４の保持手段を備え、
前記第３の搬送ユニットは、前記第１の処理ユニットから前記載置部へ基板を搬送する際には前記第３の保持手段により基板を保持し、前記載置部から前記第１の処理ユニットへ基板を搬送する際には前記第４の保持手段により基板を保持することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第２の保持手段は前記第１の保持手段よりも下方に設けられたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第４の保持手段は前記第３の保持手段よりも下方に設けられたことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記受け渡し部は、基板に所定の処理を行う第２の処理ユニットをさらに含み、
前記第１の搬送ユニットは、前記処理部、前記第２の処理ユニットおよび前記載置部の間で基板を搬送することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第２の処理ユニットは、基板の周縁部を露光するエッジ露光部を含むことを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記処理部は、
前記露光装置による露光処理前に基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する第３の処理ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１の処理ユニットは、前記第１の処理ユニットによる前記基板の乾燥処理前にさらに基板の洗浄処理を行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第１の処理ユニットは、
基板を略水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、
前記基板保持手段に保持された基板上に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記洗浄液供給手段により基板上に洗浄液が供給された後に基板上に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備えることを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記不活性ガス供給手段は、前記洗浄液供給手段により基板上に供給された洗浄液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給することを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記第１の処理ユニットは、
前記洗浄液供給手段により洗浄液が供給された後であって前記不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給される前に、基板上にリンス液を供給するリンス液供給手段をさらに備えることを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記不活性ガス供給手段は、前記リンス液供給手段により基板上に供給されたリンス液が基板上の中心部から外方へ移動することにより基板上から排除されるように不活性ガスを供給することを特徴とする請求項１０記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記処理部は、基板に薬液処理を行う薬液処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットとを含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１３】
露光装置に隣接するように配置され、処理部、第１の搬送ユニット、第１および第２の保持手段を備えた第２の搬送ユニット、第３および第４の保持手段を備えた第３の搬送ユニット、第１の処理ユニットならびに載置部を備えた基板処理装置において基板を処理する方法であって、
前記処理部により基板に所定の処理を行う工程と、
前記処理部により処理された基板を前記第１の搬送ユニットにより前記載置部に搬送する工程と、
基板を前記第２の搬送ユニットの前記第１の保持手段により保持しつつ前記載置部から前記露光装置に搬送する工程と、
前記露光装置から搬出された基板を前記第２の搬送ユニットの前記第２の保持手段により保持しつつ前記載置部へと搬送する工程と、
基板を前記第３の搬送ユニットの前記第４の保持手段により保持しつつ前記載置部から前記第１の処理ユニットに搬送する工程と、
前記第１の処理ユニットにより基板の乾燥処理を行う工程と、
前記第１の処理ユニットから搬出された基板を前記第３の搬送ユニットの前記第３の保持手段により保持しつつ前記載置部へと搬送する工程と、
前記第１の搬送ユニットにより基板を前記載置部から前記処理部へと搬送する工程とを備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１４】
前記第３の搬送ユニットにより基板を前記載置部から前記第１の処理ユニットに搬送する工程後であって前記第１の処理ユニットにより基板の乾燥処理を行う工程の前に、前記第１の処理ユニットにより基板の洗浄を行う工程をさらに備えることを特徴とする請求項１３記載の基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、露光処理直後に第１の処理ユニットにより基板の乾燥処理が行われるので、基板に付着した液体が基板処理装置内に落下することが防止される。それにより、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良が防止される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
基板載置部ＰＡＳＳ５に移載された基板Ｗは、乾燥／現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により基板載置部ＰＡＳＳ７に移載される。基板載置部ＰＡＳＳ７に移載された基板Ｗは、インターフェースブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４によりエッジ露光部ＥＥＷに搬送される。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
第２の回動モータ６７１により第２の回動軸６７２が回転するとともに第２のアーム６７３が回動し、乾燥処理用ノズル６７０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
ここで、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合には、乾燥処理ユニットＤＲＹは以下に説明する動作により基板Ｗの乾燥処理を行う。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
まず、図５（ａ）で説明した方法により基板Ｗの表面に液層Ｌが形成された後、図８（ａ）に示すように、乾燥処理用ノズル７７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル７７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図８（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。なお、このとき、乾燥処理用ノズル７７０は、基板Ｗの中心部に存在するリンス液を確実に移動させることができるように基板Ｗの表面に近接させておく。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５７】
上記のように、本実施の形態においては、露光処理後の基板Ｗは、乾燥処理ユニットＤＲＹにより乾燥処理が行われた後、第４の搬送ユニットＣＲ４により現像用熱処理部１２１へと搬送される。そのため、第４の搬送ユニットＣＲ４には、露光処理後の基板Ｗの液体が付着することがない。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
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