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【手続補正書】
【提出日】平成20年5月20日(2008.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ヒトにおいて造血を再生できるＣＤ３４陰性多能性末梢血細胞の数を増加させるための医薬の製造のための、成長ホルモン又はその誘導体の一つ又は成長ホルモンの放出を誘導する任意の因子の使用。
【請求項２】  ＣＤ３４陰性多能性細胞が長期間培養イニシエーティング細胞（ＬＴＣ−ＩＣ）である、請求項１記載の使用。
【請求項３】  ヒトにおいて造血を再生できるＣＤ３４陰性多能性末梢血細胞の数が血液のミリリットルあたり少なくとも約５０、１００、５００又は１０００細胞である、請求項１又は２記載の使用。
【請求項４】  ＣＤ３４陰性多能性細胞が白血球除去血輸血により回復する、請求項１ないし３の何れか１項記載の使用。
【請求項５】  ＣＤ３４陰性多能性細胞をヒトにおける移植に使用する、請求項１ないし４の何れか１項記載の使用。
【請求項６】  ＣＤ３４陰性多能性細胞を移植の前に保存する、請求項４又は５記載の使用。
【請求項７】  移植が自己移植である、請求項６記載の使用。
【請求項８】  移植が異種移植である、請求項５又は６記載の使用。
【請求項９】  新生物（neoplastic）疾患、白血病、リンパ腫、造血不全、悪性腫瘍、先天性又は遺伝性として決定された造血異常、貧血、再生不良性貧血、好中球減少及び／又は大理石症の治療のための、請求項１ないし８の何れか１項記載の使用。
【請求項１０】  リンパ腫がホジキン病である、請求項９記載の使用。
【請求項１１】  医薬が以下の群の化合物：造血成長因子、サイトカイン、ケモカイン、モノクローナル抗体の間から選択される一つ又は複数の化合物をさらに含む、請求項１ないし１０の何れか１項記載の使用。
【請求項１２】  サイトカイン群が、ＩＬ−１，ＩＬ−３，ＩＬ−６，ＩＬ−１１，インスリン様成長因子１（ＩＧＦ−１）、Ｇ−ＣＳＦ，ＧＭ−ＣＳＦ又はＳＣＦを含み；ケモカイン群が、ＭＩＰ−１α，ＭＰＩＦ−１，ＭＰＩＦ−２又はＥＵ−２であり；モノクローナル抗体群が抗−ＶＬＡ−４抗体を含む、請求項１１記載の使用。
【請求項１３】  医薬がＧ−ＣＳＦをさらに含む、請求項１ないし１２の何れか１項記載の使用。
【請求項１４】  医薬が成長ホルモン及びＧ−ＣＳＦを含む、請求項１ないし１３の何れか１項記載の使用。
【請求項１５】  成長ホルモンを投与につき１０から５００μｇの量にて投与する、請求項１ないし１４の何れか１項記載の使用。
【請求項１６】  成長ホルモンを投与につき約１００μｇの量にて投与する、請求項１５記載の使用
【請求項１７】  Ｇ−ＣＳＦを投与につき１から１００μｇの量にて投与する、請求項１３ないし１６の何れか１項記載の使用。
【請求項１８】  Ｇ−ＣＳＦを投与につき約５から１０μｇの量にて投与する、請求項１７記載の使用
【請求項１９】  投与を非経口、皮下、静脈内、筋肉内、腹腔内、経皮又は経口経路により行う、請求項１ないし１８の何れか１項記載の使用。
【請求項２０】  投与を皮下で行う、請求項１９記載の使用。
【請求項２１】  投与を毎日又は日に３回する、請求項１ないし２０の何れか１項記載の使用。
【請求項２２】  成長ホルモンの投与を日に３回行い、そしてＧ−ＣＳＦの投与を毎日行う、請求項１３ないし２１の何れか１項記載の使用。
【請求項２３】  約１から１４日間にわたり、白血球除去血輸血までか、インビボにて造血を再生できる循環細胞の流動又は末梢化までか、インビボにて造血を再生できる循環細胞の数の増加までか、又はグラフト化まで、投与を行う、請求項１ないし２２の何れか１項記載の使用。
【請求項２４】  化学治療、放射線治療、骨髄障害性又は骨髄抑圧性の治療、インビボにおいて造血を再生できる細胞の移植又は骨髄移植の前又は後に投与を行う、請求項１ないし２３の何れか１項記載の使用。
【請求項２５】  化学治療の処置の開始の約７日後か又は化学治療の処置の最後から約２日後に投与を開始する、請求項２４記載の使用。
【請求項２６】  イフォスファミド及び／又はビノレルビンによる化学治療の処置の後に投与を行う、請求項２５記載の使用。
【請求項２７】  成長ホルモンがヒト成長ホルモンである、請求項１ないし２６の何れか１項記載の使用。
【請求項２８】  成長ホルモンが組換え成長ホルモンである、請求項１ないし２７の何れか１項記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月22日(2008.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第一機械部分が第二機械部分に対して作業動作を行う、曲げプレス機、裁断機、押抜き機等の機械用の保護装置であって、
前記機械部分の間に位置し、移動機械部分に取り付けられた光電検知器と、
光線が遮断されると前記移動機械部分の作業動作を停止させる停止手段と、
少なくとも前記他方の機械部分により前記光線が遮断される直前において、前記停止手段を非活性化する非活性化手段とを備え、
前記移動機械部分（１０）のための速度測定手段（２５及び２６）が設けられ、前記非活性化手段（３３）が、所定の閾値速度（Ｖｏ）より低い速度において少なくとも部分的に前記停止手段を非活性化する手段（３４）を含み、前記移動機械部分（１０）の作業動作のための制御手段（３１）が、前記他方の機械部分（１１）によって前記光線が遮断される直前に、所定の閾値速度（Ｖｏ）より低い速度まで速度を低下させるようになっていることを特徴とする保護装置。
【請求項２】  前記非活性化手段（３３）が、離れている前記機械部分の動作に対する停止手段（３２）を非活性化する手段（３４）を含むことを特徴とする、請求項１に記載の保護装置。
【請求項３】前記非活性化手段（３３）が、作業動作中に前記閾値速度が下がった位置を保持し、かつその位置が前記移動機械部分（１０）の戻り動作中に再び到達されるまで前記停止手段（３２）を非活性化する手段を有することを特徴とする、請求項２に記載の保護装置。
【請求項４】  前記速度測定手段（２５及び２６）が、異なる場所すなわち前記移動機械部分（１０）の２つの向かい合う端部に配置された、少なくとも２つの独立して動作する測定モジュールを含むことを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の保護装置。
【請求項５】  前記速度測定手段（２５及び２６）の前記測定モジュールからのデータのために比較手段（３６）が設けられていること、及び前記非活性化手段（３３）が、データ（Ｖ１及びＶ２）相互の隔たりが許容値を超えた場合に前記停止手段（３２）の非活性化を妨げる手段を含むことを特徴とする、請求項４に記載の保護装置。
【請求項６】  データ（Ｖ１及びＶ２）相互の隔たりが設定された許容値を超えた場合に、前記移動機械部分（１０）の完全な作業動作を妨げる手段が備えられていることを特徴とする、請求項５に記載の保護装置。
【請求項７】  少なくとも最初の作業動作において、停止信号の後に前記移動機械部分（１０）のオーバーラン（△ｓ）を自動的に感知する手段（３７）が備えられていること、及び前記非活性化手段（３３）が、所定の最大許容オーバーラン（Ｓｏ）を超過した場合に前記停止手段（３２）の非活性化を阻止する手段を有することを特徴とする、請求項１ないし６のいずれかに記載の保護装置。
【請求項８】  所定の最大許容オーバーラン（Ｓｏ）を超過した場合に、前記移動機械部分（１０）の完全な作業動作を妨げる手段が備えられていることを特徴とする、請求項７に記載の保護装置。
【請求項９】  前記移動機械部分（１０）のオーバーランを自動的に感知する前記手段（３７）が、所定の最大許容オーバーラン（Ｓｏ）が検知されるまで感知動作を繰り返し行うことを特徴とする、請求項７あるいは請求項８に記載の保護装置。
【請求項１０】  前記速度測定手段（２５及び２６）が、ケーブル（２８）を有する増分角度変位センサ（２９）、及び／あるいは有孔シートメタル要素製の磁気ストリップ（２１）あるいはラックの動きに感応する誘導センサ（３０）、及び／あるいは光電子検知器を備えた透明な定規、及び／あるいは直線電位差計を備えた少なくとも１つの測定モジュールを有しており、好ましくは変位信号を速度信号に変換するために少なくとも１つの微分手段が備えられていることを特徴とする、請求項１ないし９のいずれかに記載の保護装置。
【請求項１１】  前記所定の閾値速度より低い速度において、前記移動機械部分（１０）から最も遠い光電子検知器の光線（２２）が遮断された際に前記停止手段（３２）の始動を妨げるための手段が設けられており、前記移動機械部分の作業速度を前記閾値速度（Ｖｏ）よりも低く切り換えた後、所定の行程に沿って前記移動機械部分（１０）が移動した後に、前記停止手段（３２）の完全な非活性化が生じることを特徴とする、請求項１ないし１０のいずれかに記載の保護装置。
【請求項１２】  前記所定の行程が、前記移動機械部分（１０）から最も遠い前記光線（２２）と次に近い光線（２３）との間の距離と等しいかあるいはそれよりも小さいことを特徴とする、請求項１１に記載の保護装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月2日(2008.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】  前記第１の遮断手段は、前記蒸発ユニットから前記圧縮ユニットの前記入口の方に向かう冷媒流のみを可能にする圧力阻止弁である、請求項４に記載の冷凍システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】  前記第１のバイパス回路は、前記少なくとも１つの分岐路からの前記冷媒流を加熱する熱源を含み、前記熱源は、前記霜取りスロットルユニットの下流側で前記蒸発ユニットへの前記入力の上流側に位置している、請求項７に記載の冷凍システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】  前記冷凍プロセスユニットは、前記高圧回路と前記低圧回路との間で順次熱を交換する複数の熱交換器と、一対の前記熱交換器間に位置する冷媒気／液分離器と、を備え、前記第１のバイパス回路には、前記気／液分離器から高圧の気相冷媒が供給され、熱交換器は、前記気／液分離器からの前記高圧配管および前記第１のバイパス回路の前記少なくとも１つの分岐路内に位置している、請求項２４に記載の冷凍システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月2日(2008.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  化学式Ｍｎ1-xＸxＯyに相当するドープ処理酸化マンガンであって、
ｘは、約０．００００２３から０．０１４４であり、
ｙは、約１．９０から２．００までの範囲を有し、
Ｘは、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｃｅ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、及び、Ｂｉのグループから選択された少なくとも１つのドーパントであり、
マンガン、酸素、及び、前記ドーパントは、原子レベルで混合している、
ことを特徴とするドープ処理酸化マンガン。
【請求項２】  Ｘは、Ｓｉ、Ｐ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｒｅ、Ｏｓ、及び、Ａｕのグループから選択された少なくとも１つのドーパントであることを特徴とする請求項１に記載の混合物。
【請求項３】  Ｘは、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｂ、及び、Ｚｎのグループから選択された少なくとも１つのドーパントであることを特徴とする請求項１に記載の混合物。
【請求項４】  Ｘは、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｓｂ、Ｒｈ、Ｐ、Ｓｒ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｏｓ、Ｃｒ、Ｃｕ、及び、Ｉｎのグループから選択された少なくとも１つのドーパントであることを特徴とする請求項１に記載の混合物。
【請求項５】  ｘは、約０．００４６から０．００９６であることを特徴とする請求項１に記載の混合物。
【請求項６】  ｘは、約０．００５６から０．００８７であることを特徴とする請求項２に記載の混合物。
【請求項７】  前記物質の混合物は、前記ドーパントとマンガンとを含有する溶液の電着によって調製されることを特徴とする請求項１に記載の混合物。
【請求項８】  前記ドープ処理材料の容量利用率は、同じ合成条件下で作り出されたドープ未処理材料の容量利用率よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の混合物。
【請求項９】  前記材料の表面積は、ドープ未処理ＥＭＤの表面積よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の混合物。
【請求項１０】  窒素吸着を使用するＢＥＴ法によって測定された時、５０から１００平方メートル／グラムの表面積を有することを特徴とする請求項１に記載の混合物。
【請求項１１】  請求項１に記載の材料を含むことを特徴とする、ガルバニ電池のための電極。
【請求項１２】  前記電極は、アルカリバッテリのカソードであることを特徴とする請求項１１に記載の電極。
【請求項１３】  前記電極は、導電基板に付着されることを特徴とする請求項１１に記載の電極。
【請求項１４】  前記電極は、前記導電基板に堆積することにより付着することを特徴とする請求項１３に記載の電極。
【請求項１５】  前記電極は、少なくとも２重量％の前記ドープ処理酸化マンガンを含むことを特徴とする請求項１１に記載の電極。
【請求項１６】  前記電極は、少なくとも１５重量％の前記ドープ処理酸化マンガンを含むことを特徴とする請求項１５に記載の電極。
【請求項１７】  前記ドープ処理酸化マンガンは、導電材料と混合されることを特徴とする請求項１２に記載の電極。
【請求項１８】  前記導電材料は、炭素であることを特徴とする請求項１７に記載の電極。
【請求項１９】  前記導電材料は、グラファイトであることを特徴とする請求項１８に記載の電極。
【請求項２０】  電解二酸化マンガンを更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の電極。
【請求項２１】  少なくとも１つの電極が、請求項１１に記載の電極であることを特徴とするバッテリ。
【請求項２２】  前記バッテリのカソードは、請求項１１に記載の電極を含むことを特徴とする請求項２１に記載のバッテリ。
【請求項２３】  前記バッテリのアノードは、亜鉛を含むことを特徴とする請求項２２に記載のバッテリ。
【請求項２４】  前記バッテリの電解質は、水酸化カリウムを含むことを特徴とする請求項２２に記載のバッテリ。
【請求項２５】  少なくとも１つの電極が、請求項２０に記載の電極であることを特徴とするバッテリ。
【請求項２６】  前記導電材料、前記電解二酸化マンガン、及び、前記ドープ処理酸化マンガンを組み合わせた重量は、乾燥状態で前記電極の少なくとも９０重量％を構成することを特徴とする請求項２５に記載のバッテリ。
【請求項２７】  アノード及びカソード電極を包含する電解槽で電極品質のドープ処理酸化マンガンを作る方法であって、
可溶性マンガンと可溶性ドーパント種との溶液を電解槽に加える段階と、
ドープ処理酸化マンガンをアノード上にメッキする段階と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のドープ処理酸化マンガンの製造方法。
【請求項２８】  前記メッキする段階において、２０から１００アンペア／平方メートルの堆積電流密度が使用されることを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】  前記溶液を９０から１００℃の間の温度まで加熱する段階を更に含むことを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】  前記混合物は、少なくとも２つの異なるドーパントを含むことを特徴とする請求項１に記載の混合物。
【請求項３１】  Ｘが、Ｎｉ／Ａｌ、Ｎｉ／Ｂ、Ｚｒ/Ｂ、Ｔｉ／Ｂ、Ｈｆ／Ｂ、Ｔａ／Ａｌ、Ｔａ／Ｂ、Ｎｂ／Ｂ、Ｎｂ／Ａｌ、Ｚｒ／Ｎｂ、Ｚｒ／Ａｌ、Ｚｒ／Ｇａ、Ｚｒ／Ｃｅ、Ｚｎ／Ｈｆ、Ｃｅ／Ｂ、Ｇａ／Ｂ、Ｃｅ／Ｈｆ、Ａｌ／Ｂ、Ａｌ／Ｇａ、Ａｌ／Ｂ、Ｚｎ／Ｂ、Ｃｅ／Ｚｎ、Ｃｅ／Ｇａ、Ｈｆ／Ａｌ、Ｈｆ／Ｚｒ、Ｚｎ／Ｚｒ、Ｈｆ／Ｇａ、Ｇａ／Ｎｉ、Ｚｎ／Ｎｉ、Ｇａ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｉｎ、Ｈｆ／Ｎｉ、Ｚｒ／Ｉｎ、Ａｇ／Ｂ、Ａｌ／Ｚｎ、Ｇａ／Ｚｎ、Ｂ／Ｃｒ、Ｚｎ／Ｃｒ、Ｃｒ／Ｎｉ、Ｃｒ／Ａｌ、Ｃｒ／Ｉｎ、Ｃｒ／Ｇａ、Ｃｒ／Ｈｆ、Ａｇ／Ｎｉ、Ａｇ／Ａｌ、Ｃｒ／Ａｇ、Ｃｒ／Ｃｅ、Ｃｒ／Ｚｒ、Ｚｒ／Ａｇ、Ｃｅ／Ａｇ、Ｃｕ／Ｃｒ、Ｃｕ／Ｚｒ、Ｈｆ／Ａｇ、Ｚｎ／Ａｇ、Ｒｕ／Ｚｒ、Ｒｕ／Ｃｅ、Ｒｕ／Ｈｆ、Ｒｕ／Ａｌ、Ｚｒ／Ｃｅ／Ｎｉ、Ｔｉ／Ｃｅ／Ｎｉ、Ｃｅ／Ａｌ／Ｚｒ、Ｔｉ／Ｃｅ／Ａｌ、Ａｌ／Ｎｉ／Ｚｒ、Ａｌ／Ｎｉ／Ｔｌ、Ｃｅ／Ａｌ／Ｎｉ、Ｃｅ／Ａｌ／Ｒｕ、Ｚｒ／Ｈｆ／Ｎｉ、Ｚｒ／Ｈｆ／Ｚｎ、Ｃｅ／Ｎｉ／Ａｌ／Ｚｒ、Ｚｒ／Ａｌ／Ｃｅ／Ｔｉ、及び、Ｚｒ／Ｃｅ／Ｎｉ／Ｐから成るグループから選択されることを特徴とする請求項３０に記載の混合物。
【請求項３２】  請求項１３に記載の電極を包含するバッテリであって、
両方の電極は、平面であり、平面セパレータにより互いに分離される、
ことを特徴とするバッテリ。
【請求項３３】  Ｘは、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｅ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、及び、Ｂｉのグループから選択された少なくとも１つのドーパントであり、
マンガン、酸素、及び、前記ドーパントは、原子レベルで混合している、
ことを特徴とする請求項１に記載のドープ処理酸化マンガン。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月7日(2008.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】  
【請求項１】  式（Ｉ）
ｆａｃ−［Ｍ（ＣＯ）３（ＯＨ２）３］＋    （Ｉ）
式中、Ｍは、Ｍｎ、９９ｍＴｃ、１８６Ｒｅまたは１８８Ｒｅである、
の化合物の調製方法であって、混合物中の過金属酸塩形態（ｐｅｒｍｅｔａｌｌａｔｅ  ｆｏｒｍ）の金属を一酸化炭素および還元剤と反応させることを含み、該還元剤はスズイオンを含むものである、方法。
【請求項２】  前記混合物がさらに安定化剤を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記還元剤がスズの塩を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記還元剤がＳｎＣｌ２、ＳｎＣｌ２・Ｈ２Ｏ、ＳｎＦ２、ＳｎＢｒ２、ＳｎＣｌ２・２Ｈ２Ｏ、ＳｎＩ２およびＳｎＳＯ４からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記混合物がさらにラクトースを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記混合物がさらにピロリン酸塩またはグルセプト酸塩を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】  式（ＩＩ）
ｆａｃ−［Ｍ（ＣＯ）３ＬＸ］ｎ    （ＩＩ）
式中、Ｍは、Ｍｎ、９９ｍＴｃ、１８６Ｒｅまたは１８８Ｒｅであり、
ＬＸは、ｉ）３個の一座配位子、ｉｉ）１個の一座配位子および１個の二座配位子、またはｉｉｉ）１個の三座配位子であり；そして
ｎは、配位子ＬＸの電荷に１個の＋電荷を増やしたものである；
の化合物の調製方法であって、請求項１に従って調製した式（Ｉ）の化合物を、配位子ＬＸと反応させることを含む、方法。
【請求項８】  配位子ＬＸとの反応が、ハロゲン化物またはハロゲン化物様塩の存在下で起こる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ハロゲン化物様塩が、酢酸塩、リン酸塩および硫酸塩からなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  ＬＸがアミノポリカルボキシレートを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】  ＬＸが、アミノ酸、ペプチド、タンパク質、糖、小型受容体結合分子および身体の細胞からなる群から選択される生物学的に活性のある基質を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】  前記方法が、約２０℃と１５０℃との間で実施される、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】  前記アミノポリカルボキシレート配位子が、ジエチレントリアミン−ペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカン−１，４，７，１０−テトラ酢酸（ＤＯＴＡ）、イミノジ酢酸（ＩＤＡ）、ニトリロトリ酢酸（ＮＴＡ）およびトリアザシクロノナントリ酢酸塩からなる群から選択される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】  前記配位子が三座配位子である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】  過金属酸塩形態の金属を還元するためのキットであって、該金属が、Ｍｎ、９９ｍＴｃ、１８６Ｒｅおよび１８８Ｒｅからなる群より選択され、該キットが、（ａ）スズの塩、キレート化剤および充填剤を含む凍結乾燥還元剤、ならびに（ｂ）一酸化炭素を含み、該キットが、該過金属酸塩形態の金属を＋１酸化状態に還元することができ、該金属が、Ｍｎ、９９ｍＴｃ、１８６Ｒｅおよび１８８Ｒｅからなる群より選択される、キット。
【請求項１６】  前記スズの塩がＳｎＣｌ２、ＳｎＣｌ２・Ｈ２Ｏ、ＳｎＦ２、ＳｎＢｒ２、ＳｎＣｌ２・２Ｈ２Ｏ、ＳｎＩ２およびＳｎＳＯ４からなる群から選択される、請求項１５に記載のキット。
【請求項１７】  前記スズの塩がＳｎＣｌ２である、請求項１５に記載のキット。
【請求項１８】  前記キレート化剤が、ピロリン酸塩、メチレンジホスホン酸塩、ヒドロキシエチルジホスホン酸塩、ＨＤＰ、酒石酸塩、グルセプト酸塩、ゲンチシン酸、アスコルビン酸、蓚酸、グリシン、ニコチン酸、およびヒスチジンからなる群より選択される、請求項１５に記載のキット。
【請求項１９】  前記キレート化剤がピロリン酸塩またはグルセプト酸塩を含む、請求項１８に記載のキット。
【請求項２０】  前記充填剤がラクトースを含む、請求項１５に記載のキット。
【請求項２１】  前記凍結乾燥還元剤が、一酸化炭素を含む上部空間を有する容器に密封されている、請求項１５に記載のキット。
【請求項２２】  前記上部空間が実質的に純粋な一酸化炭素から構成される、請求項２１に記載のキット。
【請求項２３】  アミノポリカルボキシレート配位子を含む、請求項１５に記載のキット。
【請求項２４】  式
ｆａｃ−［Ｍ（ＣＯ）３ＬＸ］ｎ    （ＩＩ）
式中、Ｍは、Ｍｎ、９９ｍＴｃ、１８６Ｒｅまたは１８８Ｒｅであり、
ＬＸは、ｉ）３個の一座配位子、ｉｉ）１個の一座配位子および１個の二座配位子、またはｉｉｉ）１個の三座配位子であり；そして
ｎは、配位子ＬＸの電荷に１個の＋電荷を増やしたものである；
の化合物の調製方法を実行するための請求項１５に記載のキットであって、配位子ＬＸと式：
ｆａｃ−［Ｍ（ＣＯ）３（ＯＨ２）３］＋    （Ｉ）
式中、Ｍは、上記の通りである、
を反応させることを含み、式（Ｉ）の化合物が、過金属酸塩形態の金属と一酸化炭素および凍結乾燥還元剤組成物とを反応させることによって調製される、
キット。
【請求項２５】  前記アミノポリカルボキシレート配位子が、ジエチレントリアミン−ペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカン−１，４，７，１０−テトラ酢酸（ＤＯＴＡ）、イミノジ酢酸（ＩＤＡ）、ニトリロトリ酢酸（ＮＴＡ）およびトリアザシクロノナントリ酢酸塩からなる群から選択される、請求項２３に記載のキット。
【請求項２６】  前記一座配位子が、ホスフィン、イソニトリル、ニトリル、イミダゾール、チオエーテル、およびピリジンからなる群より選択される基を含む物質である、請求項２４に記載のキット。
【請求項２７】  前記二座配位子が、ピリジン基、イミダゾール基およびピラゾール基からなる群より選択される基を含む物質である、請求項２４に記載のキット。
【請求項２８】  前記ピリジン基、イミダゾール基およびピラゾール基が、ヒスチジン、ヒスタミン、官能化イミダゾール系、二座チオエーテル、二座イソシアニド、シッフ塩基型配位子およびピコリン酸からなる群より選択される、請求項２７に記載のキット。
【請求項２９】  前記三座配位子が、トリス−ピラゾリルボレート、トリス−ピラゾリルメタン、トリス−イミダゾリルボレート、トリス−ピラゾリルメタン、１,４,７−トリチアシクロノナン（９−ａｎｅＳ３）、トリアザシクロノナン（９−ａｎｅＮ３）、ヒスチジン、メチオニン、チオエーテルを生じるようにチオール基で誘導されたシステインおよびシクロペンタジエニル誘導体からなる群より選択される基を含む物質である、請求項２４に記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月20日(2008.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）少なくとも１種の糖アルコールまたはモノアンヒドロ糖アルコールと場合により水を含むプロセス流を多段反応器の第１段に導入する工程と、
ｂ）該プロセス流を高められた温度で不活性ガスの向流する流れに緊密に接触させて、存在するいかなる水の大部分を除去し、脱水されたプロセス流を生成せしめる工程と、
ｃ）該脱水されたプロセス流を、形成される反応水が除去されるように不活性ガスの向流する流れの存在下において高められた温度で脱水触媒を緊密に接触させる工程と、
ｄ）該反応器の底部から反応生成物を取り出す工程
を含むことを特徴とする、ジアンヒドロ糖アルコールの製造方法。
【請求項２】
前記少なくとも１種の糖アルコールがソルビトールでありかつ前記生成物がイソソルバイド（ｉｓｏｓｏｒｂｉｄｅ）である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記脱水触媒が硫酸である請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
実施例
実施例１
イソソルバイドの製造−図１および２の反応器系の定常状態運転（反応器のサイズ  高さ約１４フィート、下側部分の直径５．５フィート）  ６４００ｌｂ／時の７０％ソルビトール（残分は水）の流れを入口（２）に通して導入する。導入箇所で濃度を反応塊の１重量％に保持するのに十分な量で１０重量％の硫酸水溶液を（３）から導入する。１９０ｌｂ−ｍｏｌ／時の量で（４）から窒素（１４５℃）を導入する。上記の表に示される熱勾配および圧力勾配が保持されるように、ヒーター５およびヒーター６−１〜６−５への入熱を調節する。イソソルバイドオリゴマー、分解生成物およびモノアンヒドロソルビトール誘導体を含む残分と共に７０〜８０％イソソルバイドを含む生成物流は、３０００ｌｂ／時の速度で出口（１４）から反応器を出る。
なお、本発明の主たる特徴および態様を要約すれば、以下のとおりである。
１． ａ）少なくとも１種の糖アルコールまたはモノアンヒドロ糖アルコールと場合により水を含むプロセス流を多段反応器の第１段に導入する工程と、
ｂ）該プロセス流を高められた温度で不活性ガスの向流する流れに緊密に接触させて、存在するいかなる水の大部分を除去し、脱水されたプロセス流を生成せしめる工程と、
ｃ）該脱水されたプロセス流を、形成される反応水が除去されるように不活性ガスの向流する流れの存在下において高められた温度で脱水触媒を緊密に接触させる工程と、
ｄ）該反応器の底部から反応生成物を取り出す工程
を含むことを特徴とする、ジアンヒドロ糖アルコールの製造方法。
２． 前記少なくとも１種の糖アルコールがソルビトールでありかつ前記生成物がイソソルバイド（ｉｓｏｓｏｒｂｉｄｅ）である上記１に記載の方法。
３． 前記脱水触媒が硫酸である上記１に記載の方法。
４． 前記硫酸の濃度が反応塊の０．２５〜２．５重量％である上記３に記載の方法。
５． 前記硫酸の濃度が反応塊の０．５〜１．５重量％である上記４に記載の方法。
６． １００〜１８０℃の温度で行われる上記１に記載の方法。
７． １１５〜１６０℃の温度で行われる上記６に記載の方法。
８． １１５〜１４５℃の温度で行われる上記７に記載の方法。
９． 前記反応器中の滞留時間が１〜３時間である上記１に記載の方法。
１０． 前記不活性ガスが窒素または二酸化炭素である上記１に記載の方法。
１１． 前記不活性ガスが窒素である上記１０に記載の方法。
１２． 前記窒素の量が糖アルコールまたはモノアンヒドロ糖アルコール１ポンド（１００％）あたり０．５〜１．５ポンドである上記１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月19日(2008.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ８０％：２０％〜２０％：８０％のオメガ−３：オメガ−６の比率の１種または数種のオメガ−３油と１種または数種のオメガ−６油との混合物である、オメガ−３に富む水非混和性溶剤に溶解したフリーラジカル捕獲性鎮静剤が水で乳化されており、そして界面活性剤によって安定化されている水中油滴型エマルジョンを含み、直接にまたは液体希釈剤で希釈したのちに温血動物への非経口投与に適する、非経口投与用滅菌医薬組成物。
【請求項２】  フリーラジカル捕獲性鎮静剤がプロポホールである、請求項１に記載の非経口投与用滅菌医薬組成物。
【請求項３】  金属イオンキレート化剤がエデテートである、請求項１または２に記載の滅菌医薬組成物。
【請求項４】  約３０重量％までのオメガ−３に富む水非混和性溶剤を含む、請求項１〜３の何れか１項に記載の滅菌医薬組成物。
【請求項５】  約１０重量％〜約２０重量％までのオメガ−３に富む水非混和性溶剤を含む、請求項１〜４の何れか１項に記載の滅菌医薬組成物。
【請求項６】  オメガ−３油がエイコサペンタエン酸（ＥＰＡ）、ドコサヘキサエン酸（ＤＨＡ）、またはＥＰＡとＤＨＡとの混合物である、請求項１〜５の何れか１項に記載の滅菌医薬組成物。
【請求項７】  オメガ−６油がダイズ油である、請求項１〜６の何れか１項に記載の滅菌医薬組成物。
【請求項８】  界面活性剤が天然に存在するホスファチドである、請求項項１〜７の何れか１項に記載の滅菌医薬組成物。
【請求項９】  ホスファチドが卵ホスファチドまたはダイズホスファチドである、請求項８に記載の滅菌医薬組成物。
【請求項１０】  約１重量％〜約２重量％のプロポホールを含む、請求項２〜９の何れか１項に記載の滅菌医薬組成物。
【請求項１１】  （ａ）１重量％のプロポホール、
（ｂ）１０重量％の、８０％：２０％〜２０％：８０％のオメガ−３：オメガ−６の比率の１種または数種のオメガ−３油と１種または数種のオメガ−６油との混合物である、オメガ−３に富む水非混和性溶剤、
（ｃ）１.２重量％の卵ホスファチド、
（ｄ）２.２５重量％のグリセロール、
（ｅ）水酸化ナトリウム、
（ｆ）水
（ｇ）エデテート
を含む、水中油滴型エマルジョンの形態にある滅菌医薬組成物。
【請求項１２】  （ａ）２重量％のプロポホール、
（ｂ）１０重量％の、８０％：２０％〜２０％：８０％のオメガ−３：オメガ−６の比率の１種または数種のオメガ−３油と１種または数種のオメガ−６油との混合物である、オメガ−３に富む水非混和性溶剤、
（ｃ）１.２重量％の卵ホスファチド、
（ｄ）２.２５重量％のグリセロール、
（ｅ）水酸化ナトリウム、
（ｆ）水
（ｇ）エデテート
を含む、水中油滴型エマルジョンの形態にある滅菌医薬組成物。
【請求項１３】  滅菌医薬組成物が０.００５重量％のエデト酸二ナトリウムを含む、請求項１１または１２に記載の滅菌医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月17日(2008.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ウイルスに感染した個体においてウイルス感染症の症状の重篤度を低下させる医薬組成物であって、免疫刺激配列ISSを含むポリヌクレオチドを含み、ここでISSは配列5’-C、G、ピリミジン、ピリミジン、C、G-3’を含み、当該医薬組成物は該ウイルスの抗原の投与と組み合わせて投与されず、そして該組成物はウイルス感染症の症状の重篤度を低下させるに充分な量で投与されることを特徴とする、医薬組成物。
【請求項２】  ISSが配列5’-プリン、プリン、C、G、ピリミジン、ピリミジン、C、G-3’を含む、請求項1に記載の医薬組成物。
【請求項３】  ISSが、5’-AACGTTCG-3’および5’-GACGTTCG -3’より成る群から選ばれる配列を含む、請求項2に記載の医薬組成物。
【請求項４】  ISSが配列5’-TGACTGTGAACGTTCGAGATGA -3’（配列番号1）を含む、請求項1に記載の医薬組成物。
【請求項５】  個体が哺乳動物である、請求項1に記載の医薬組成物。
【請求項６】  投与が感染部位になされる、請求項1に記載の医薬組成物。
【請求項７】  ウイルスに感染した、または暴露された、または暴露される危険のある個体においてウイルス感染症の症状を改善または予防する用途のためのキットであって、
免疫刺激配列（ISS）を含むポリヌクレオチドを含む組成物、ここで、ISSは配列5’-C、G、ピリミジン、ピリミジン、C、G-3’を含み、そしてこのキットは該ウイルスの抗原を含まない；および、
該ウイルスに感染した、または暴露された、または暴露される危険のある個体に該組成物を投与するための使用説明書、
を含むキット。
【請求項８】  ISSが配列5’-プリン、プリン、C、Ｇ、ピリミジン、ピリミジン、C、Ｇ-3’を含む、請求項7に記載のキット。
【請求項９】  ISSが、5’-AACGTTCG-3’および5’-GACGTTCG -3’より成る群から選ばれる配列を含む、請求項8に記載のキット。
【請求項１０】  ISSが配列5’-TGACTGTGAACGTTCGAGATGA -3’（配列番号1）を含む、請求項8に記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月11日(2008.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  リポソームおよび該リポソームの水相に導入されたα粒子放出放射性核種を含み、個体に投与されたときに該放射性核種の崩壊によって形成される放射性崩壊中間体が前記リポソーム内に封鎖されて留まることを特徴とする放射線治療用組成物。
【請求項２】 前記α粒子放出放射性核種が、キレート化合物として水相に導入されることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３】 前記α粒子放出放射性核種が、225Ａｃ、223Ｒａ、213Ｂｉおよび211Ａｔから選択されることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項４】  前記α粒子放出放射性核種が225Ａｃであることを特徴とする請求項３記載の組成物。
【請求項５】 前記リポソームを被覆する分子をさらに含み、該分子が、特定ターゲット細胞に選択的に結合してリポソームのターゲティングおよびターゲット保持特性を高めることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項６】 前記分子が抗体であることを特徴とする請求項５記載の組成物。
【請求項７】 前記抗体が抗腫瘍抗体であることを特徴とする請求項６記載の組成物。
【請求項８】 放射性崩壊中間体の保持特性を高めるために前記リポソームの水相中に導入された、金属結合分子およびハロゲン結合分子から選択される分子をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項９】 空のリポソームをさらに含み、該空のリポソームが、網内系臓器を飽和させて非腫瘍特異的な脾臓および肝臓への前記放射性核種の取込みを減らすために前記個体に予め投与されることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１０】  前記リポソームが単層または多層のいずれかであることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１１】 網内系臓器による取込みを防止するために、リポソーム中に補助分子をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１２】 前記補助分子がポリエチレングリコール結合脂質（ＰＥＧ−脂質）であることを特徴とする請求項１１記載の組成物。
【請求項１３】ターゲティング分子が前記補助分子に結合していることを特徴とする請求項１１記載の組成物。
【請求項１４】 ターゲット細胞との膜融合を促進させるためまたはターゲット細胞によるエンドサイトーシスを促進させるためにリポソーム中に導入された付加分子をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月4日(2008.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】  少なくとも一つのエポキシ基を有する第１有機分子、少なくとも一つの求核性基、望ましくは少なくとも一つのヒドロキシル基を有する第２有機分子、および充填剤および／または顔料のような、その組成物に溶けない少なくとも一つのさらなる物質を含むことを特徴とする、こすると除去できて、そして電磁スペクトルの紫外線領域の波長を有する放射線を照射すると硬化できる層を基材上に形成するための組成物の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】  こすると剥がれる層を基材上に形成させるための組成物であって、該層はこすることにより除去でき、そして該組成物は、少なくとも一つのエポキシ基を有する第１有機分子、少なくとも一つの求核性基、望ましくはヒドロキシル基である求核性基を有する第２有機分子、および実質的に平行でそして平らな表面を有する顔料、望ましくは光輝性顔料、金属効果顔料またはアルミニウム顔料の群から選ばれる、該コーティング組成物に溶けない少なくとも一つのさらなる物質を含んでいる、組成物の使用。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】  基材上に、その基材上の情報を一時的に隠蔽するための、こすると剥がれる層を形成し、該層を除去すると、その情報が見えるようにするためのコーティング組成物であって、
次の：
ａ．i)エポキシ基を含む少なくとも一つの第１有機分子、と
ii) 求核性基を含む少なくとも一つの第２有機分子とを含んでおり、
該第２有機分子は、求核性基とエポキシ基の化学反応により、該第１有機分子で橋架けできるフィルム形成成分；
ｂ．該コーティング組成物に不溶で、少なくとも一種の顔料を含んでいる成分；
ｃ．望ましくは紫外線領域の電磁放射線を照射して、該第１有機分子と第２有機分子の間の該反応を開始するための少なくとも一つの光開始剤；
ｄ．場合により用いられる、さらなる添加剤；および
ｅ．場合により用いられる、溶媒；
を含んでおり、
該フィルム形成成分／該不溶成分‐重量比（ｒ）が0.35〜0.95の範囲であり、該組成物は、該層を形成するために、該第１有機分子と第２有機分子の反応により硬化され、該コーティング組成物は、20℃で、2.0 Pa.sを超えない、望ましくは 1.6Pa.sを超えない、そしてより望ましくは 1.3Pa.sを超えない粘度を有する印刷インキであり、そしてその組成物の溶媒含有量は、その組成物の重量の10重量％を超えない、コーティング組成物。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２４】  該顔料が、第１および第２の平行で平たい表面を有するフレーク顔料類からなる群から選ばれることを特徴とする、請求項１から２２の一項に記載の使用のための組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月5日(2008.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも１つの界面活性剤と、少なくとも１つのビルダーと、洗剤若しくは清浄剤に対して、主鎖に対して、（メタ）アクリル酸−基本構成ブロック０〜３０質量％が（無水）マレイン酸−基本構成ブロック若しくはフマル酸−基本構成ブロック又はその混合物により、かつ（メタ）アクリル酸−基本構成ブロック０〜１０質量％が他の共重合性のエチレン系基本構成ブロックにより置換されていてよい、ポリ（メタ）アクリル酸−主鎖、
及び側鎖として、２５０〜１０，０００の平均分子量を有し、エステル基を介して主鎖に結合したＣ１-３０−アルキルポリ−Ｃ２-４−アルキレングリコール
からなり、その際、ポリマーに対して、主鎖１〜１９質量％及び側鎖８１〜９９質量％が存在し、かつこの比及び側鎖の平均分子量が、ポリマー中に遊離カルボキシル基が存在するように選択される少なくとも１つのポリマー０．２〜１０質量％とを含有している洗剤又は清浄剤。
【請求項２】  ポリマー中に主鎖５〜１５質量％及び側鎖８５〜９５質量％が存在する、請求項１記載の洗剤又は清浄剤。
【請求項３】  ポリマー中で側鎖の平均分子量が５００〜２０００である、請求項１又は２記載の洗剤又は清浄剤。
【請求項４】  ポリマー中でポリ（メタ）アクリル酸鎖が、（メタ）アクリル酸−基本構成ブロックと（無水）マレイン酸−基本構成ブロック０〜１０質量％とから構成されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の洗剤又は清浄剤。
【請求項５】  ポリマー中で側鎖としてＣ１-６−アルキルポリエチレングリコールを使用する、請求項１から４までのいずれか１項記載の洗剤又は清浄剤。
【請求項６】  少なくとも１つの界面活性剤、少なくとも１つのビルダー及び場合により更に常用の内容物を水と混合してスラリーにし、かつ引き続きスラリーを乾燥させることによる固体の洗剤又は清浄剤を製造する方法において、
洗剤若しくは清浄剤の固体の内容物に対して、０．２〜１０質量％の存在で、請求項１から５までのいずれか１項に記載の少なくとも１つのポリマーの混合を実施することを特徴とする、固体の洗剤又は清浄剤の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月27日(2007.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  バイアス非依存性容量を持つニオブベースのアノードを有するコンデンサー。
【請求項２】  少なくとも障壁層中にバナジウムを含有することを特徴とするニオブベースのアノードと五酸化ニオブベースの障壁層を有する請求項１に記載のコンデンサー。
【請求項３】  バイアス非依存性容量を持つニオブベースのアノード。
【請求項４】  １０から１００，０００ｐｐｍまでのバナジウムを含有するニオブベースのアノード。
【請求項５】  アノード基準で１０から１０，０００ｐｐｍまでのバナジウムの表面コーティングを含有するニオブ及び／またはニオブ化合物ベースのアノード。
【請求項６】  １０から１００，０００ｐｐｍまでのバナジウムを含有するニオブベースの粉末。
【請求項７】  ５００から１０，０００ｐｐｍまでのバナジウムを含有するニオブベースの粉末。
【請求項８】  ニオブベースのバナジウム含有粉末を製造する方法であって、バナジウム粉末、酸化バナジウム、及び／または加水分解により、あるいは熱的に酸化バナジウムに分解可能であるバナジウム化合物をニオブ金属、酸化ニオブ及び／または酸化ニオブ水和物と混合し、該混合物を場合によっては乾燥、仮焼し、そして該混合酸化物を該バナジウム含有ニオブ亞酸化物あるいはニオブ金属に還元し、場合によっては窒化することを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
【表６】
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本発明の好適な実施の態様は次のとおりである。
１．  バイアス非依存性容量を持つニオブベースのアノードを有するコンデンサー。
２．  少なくとも障壁層中にバナジウムを含有することを特徴とするニオブベースのアノードと五酸化ニオブベースの障壁層を有する上記１に記載のコンデンサー。
３．  １０から１００，０００ｐｐｍまでのバナジウム含量を有する上記２に記載のコンデンサー。
４．  ５００から１０，０００ｐｐｍまでのバナジウム含量を有する上記３に記載のコンデンサー。
５．  該アノードがニオブ金属、ニオブ亞酸化物、窒化ニオブ及び／または酸窒化ニオブからなる上記１ないし４のいずれか一つに記載のコンデンサー。
６．  該アノードがニオブ−タンタル合金からなる上記１ないし４のいずれか一つに記載のコンデンサー。
７．  該アノードがニオブの芯部と亞酸化物層からなる上記５に記載のコンデンサー。
８．  該アノードが１０から１００，０００ｐｐｍまでのバナジウムを含有する上記５ないし７のいずれか一つに記載のコンデンサー。
９．  該アノードが５００から１０，０００ｐｐｍまでのバナジウムを含有する上記８に記載のコンデンサー。
１０．  該障壁層が全アノード重量基準で１０から１０，０００ｐｐｍまでのバナジウムを含有する上記５ないし７のいずれか一つに記載のコンデンサー。
１１．  バイアス非依存性容量を持つニオブベースのアノード。
１２．  １０から１００，０００ｐｐｍまでのバナジウムを含有するニオブベースのアノード。
１３．  １０から１００，０００ｐｐｍまでのバナジウムを含有する上記１１に記載のアノード。
１４．  アノード基準で１０から１０，０００ｐｐｍまでのバナジウムの表面コーティングを含有するニオブ及び／またはニオブ化合物ベースのアノード。
１５．  １０から１００，０００ｐｐｍまでのバナジウムを含有するニオブベースの粉末。
１６．  ５００から１０，０００ｐｐｍまでのバナジウムを含有するニオブベースの粉末。
１７．  ニオブベースのバナジウム含有粉末を製造する方法であって、バナジウム粉末、酸化バナジウム、及び／または加水分解により、あるいは熱的に酸化バナジウムに分解可能であるバナジウム化合物をニオブ金属、酸化ニオブ及び／または酸化ニオブ水和物と混合し、該混合物を場合によっては乾燥、仮焼し、そして該混合酸化物を該バナジウム含有ニオブ亞酸化物あるいはニオブ金属に還元し、場合によっては窒化することを特徴とする方法。
１８．  バナジウム含有混合酸化物の該バナジウム含有ＮｂＯ2への還元を水素流中１０００から１５００°Ｃまでの温度で行うことを特徴とする上記１７に記載の方法。
１９．  該バナジウム含有Ｎｂ2Ｏ5あるいはＮｂＯ2と場合によってはバナジウムも含有するニオブ粉末からバナジウム含有ＮｂＯへの反応を水素流中あるいは真空中で９００から１６００°Ｃまでの温度で加熱することにより行うことを特徴とする上記１７あるいは１８に記載の方法。
２０．  該バナジウム含有ニオブ酸化物の該ニオブ金属への還元を保護用ガス雰囲気下マグネシウム蒸気の存在下で加熱することにより行うことを特徴とする上記１７あるいは１８に記載の方法。
２１．  該バナジウム含有ニオブ金属あるいはニオブ亞酸化物粉末を窒素含有雰囲気中で加熱することにより該窒化を行うことを特徴とする上記１７ないし２０のいずれか一つに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月19日(2008.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＣＤＭＡセルラ通信システムにおける信号処理遅延時間を短縮する方法であって、
第１の処理に従ってデータフレームを処理し、
干渉キャンセレーションアルゴリズムを用いる第２の処理に従って前記データフレームを前記第１の処理と平行に同時に処理し、
前記第１の処理に従って処理された前記データフレームの選択されたセグメントを、前記第２の処理に従って同時に処理された前記データフレームの選択されたセグメントと結合させ、
前記第１の処理により前記データフレームを処理することから生成されるデータは、前記第２の処理により前記データフレームを処理することから生成されるデータを補足し、さもなければ前記干渉キャンセレーションアルゴリズムにより招いた遅延を最小にすることを特徴とする方法。
【請求項２】  さらに前記データフレームの前記結合されたセグメントを一時的にバッファに記憶することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  さらに前記データフレームの前記結合されたセグメントを逆インタリーブし、復号化することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記結合させる工程は、前記第１の処理の終了よりも遅くない時刻において処理されたセグメントだけを選択することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】  さらに前記第２の処理とともに用いられることになる拡散因子を評価することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】  さらに前記データフレームに関する正しい拡散因子を検出し、前記評価された拡散因子と前記正しい拡散因子とを比較することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】  前記評価された拡散因子を用いて処理された前記セグメントは、前記評価された拡散因子が実質的に前記正しい拡散因子と同じである場合にのみ、選択されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】  ＣＤＭＡセルラ通信システムにおける信号処理遅延時間を短縮する信号受信装置であって、
データフレームを処理する第１のプロセッサと、
干渉キャンセレーションアルゴリズムを用い、前記データフレームを前記第１の処理と平行に同時に処理する第２のプロセッサと、
前記第１及び第２のプロセッサに結合されたセレクタとを有し、
前記セレクタは、前記第１のプロセッサによって処理された前記データフレームの選択されたセグメントを、前記第２のプロセッサによって同時に処理された前記データフレームの選択されたセグメントと結合させるために適合されており、
前記第１のプロセッサにより前記データフレームを処理することから生成されるデータは、前記第２のプロセッサにより前記データフレームを処理することから生成されるデータを補足し、さもなければ前記干渉キャンセレーションアルゴリズムにより招いた遅延を最小にすることを特徴とする装置。
【請求項９】  前記データフレームの前記結合されたセグメントを一時的に記憶するバッファをさらに有することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】  前記データフレームの前記結合されたセグメントを逆インタリーブする逆インタリーバと、
前記データフレームの前記結合されたセグメントを復号化する復号化器とをさらに有することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１１】  前記セレクタは、前記第１の処理の終了よりも遅くない時刻において処理されたセグメントだけを選択するように適合されていることを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１２】  前記第２のプロセッサに結合され、前記第２のプロセッサによって用いられることになる拡散因子を評価する拡散因子評価器をさらに有する特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１３】  前記データフレームに関する正しい拡散因子を検出する拡散因子検出器をさらに有し、
前記セレクタはさらに、前記評価された拡散因子と前記正しい拡散因子とを比較するように適合されていることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】  前記評価された拡散因子を用いて処理された前記セグメントは、前記評価された拡散因子が実質的に前記正しい拡散因子と同じである場合にのみ、前記セレクタによって選択されることを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月23日(2008.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アプリケーション・データを、所定の形状を有するウェーブレットに符号化するステップと、
アンテナを介して、前記ウェーブレットを含む無搬送波超広帯域波形を伝送するステップと、
前記無搬送波超広帯域波形をアンテナを使って受信するステップと、
前記受信ステップで受信した無搬送波超広帯域波形に含まれる前記ウェーブレットから前記アプリケーション・データを復号化するステップと、
を有するアプリケーション・データを無搬送波超広帯域無線信号で搬送するための方法。
【請求項２】
前記アプリケーション・データがコンピュータ実行可能なインストラクションを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記波形が、バイフェーズ、クワッドフェーズ、マルチレベル・バイフェーズ及びマルチレベル・クワッドフェーズの少なくとも１つである請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記波形はパルス位置変調スキームに適合したパルスを含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
コンピュータ実行可能なインストラクションを有する、無搬送波超広帯域波形に埋め込まれたコンピュータデータ信号。