【手続補正書】
【提出日】平成19年4月13日(2007.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】素子の製造方法または回折光学素子の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】断面がｎ段の階段形状を基板上に形成する素子の製造方法であって、
最も低いｎ段部分を、前記基板上にエッチングによって形成した後、該ｎ段部分として形成された空間部分に第１のエッチングマスクを形成する第１の工程と、
前記第１のエッチングマスクを基準として、前記ｎ段部分の次段であるｎ−１段部分の片側の位置を規定する一方、該ｎ−１段部分のもう一方の片側の位置を第２のエッチングマスクによって規定し、該第１のエッチングマスクと該第２のエッチングマスクとによる前記基板上の開口部をエッチングすることによりｎ−１段部分を形成する第２の工程とを有し、
前記ｎ−１段部分に続く段、およびそれに続く残りの段を形成するに際して、前記第２の工程と同様の第１のエッチングマスクに対するもう一方の片側の位置を規定するエッチングマスクの位置を、前記段数分に対応させて前記開口部を広げ、該開口部のエッチングを繰り返すことを特徴とする素子の製造方法。
【請求項２】断面がｎ段の階段形状の回折パターンを基板上に形成する回折光学素子の製造方法であって、
前記回折パターンの１周期中にある最も低いｎ段部分を、前記基板上にエッチングによって形成した後、該ｎ段部分として形成された空間部分に第１のエッチングマスクを形成する第１の工程と、
前記第１のエッチングマスクを基準として、前記ｎ段部分の次段であるｎ−１段部分の片側の位置を規定する一方、該ｎ−１段部分のもう一方の片側の位置を第２のエッチングマスクによって規定し、該第１のエッチングマスクと該第２のエッチングマスクとによる前記基板上の開口部をエッチングすることによりｎ−１段部分を形成する第２の工程とを有し
前記ｎ−１段部分に続く段、およびそれに続く残りの段を順次形成するに際して、これら各段を形成する毎に、前記第２の工程と同様の第１のエッチングマスクに対するもう一方の片側の位置を規定するエッチングマスクの位置を、順次、前記段数分に対応させて前記開口部を広げ、該開口部のエッチングを繰り返すことを特徴とする回折光学素子の製造方法。
【請求項３】断面が２ｎ段（ｎは２以上の自然数）の階段形状の回折パターンを基板上に形成する回折光学素子の製造方法であって、
前記回折パターンの１周期中にある最も深い２ｎ段部分とその中間のｎ段部分をそれぞれエッチングして形成した後、該２ｎ段部分および該ｎ段部分として形成された空間部分に第１のエッチングマスクを形成する第１の工程と、
前記２ｎ段部分とｎ段部分との間の領域をまたぐように第２のエッチングマスクを形成した後、該２ｎ段部分とｎ段部分との間の領域をエッチングする第２の工程と、
前記第１のエッチングマスクを基準として、前記２ｎ段部分の次段である２ｎ−１段部分および前記ｎ段部分の次段であるｎ−１段部分の片側の位置を規定する一方、該２ｎ−１段部分および該ｎ−１段部分のもう一方の片側の位置を第３のエッチングマスクによって規定し、該第１のエッチングマスクと該第３のエッチングマスクとによる前記基板上の開口部をエッチングすることにより２ｎ−１段部分およびｎ−１段部分を形成する第３の工程とを有し、
前記２ｎ−１段部分およびｎ−１段部分に続く段、およびそれらに続く残りの段を順次形成するに際して、これら各段を形成する毎に、前記第３の工程と同様の第１のエッチングマスクに対するもう一方の片側の位置を規定するエッチングマスクの位置を、順次、前記段数分に対応させて前記開口部を広げ、該開口部のエッチングを繰り返すことを特徴とする回折光学素子の製造方法。
【請求項４】前記第１のエッチングマスクが、エッチバック法またはダマシン法のいずれかによって形成されることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の回折光学素子の製造方法。
【請求項５】前記第１のエッチングマスクが、前記基板と選択比のある材料を前記空間部分に充填することによって形成されることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の回折光学素子の製造方法。
【請求項６】前記エッチングマスクが、金属、酸化物、窒化物のいずれかによりなることを特徴とする請求項５に記載の回折光学素子の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、素子の製造方法または回折光学素子の製造方法に係り、特に、断面が階段状に形成した回折光学素子等のバイナリオプティクス（ＢＯＥ）の製造法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
そこで、本発明は、上記従来技術の課題を解決し、高精度な回折光学素子を実現し、短時間かつ低価格で安定して製造することができる素子の製造方法または回折光学素子の製造方法を提供するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を達成するため、つぎの（１）〜（６）のように構成した素子の製造方法または回折光学素子の製造方法を提供するものである。
（１）断面がｎ段の階段形状を基板上に形成する素子の製造方法であって、
最も低いｎ段部分を、前記基板上にエッチングによって形成した後、該ｎ段部分として形成された空間部分に第１のエッチングマスクを形成する第１の工程と、
前記第１のエッチングマスクを基準として、前記ｎ段部分の次段であるｎ−１段部分の片側の位置を規定する一方、該ｎ−１段部分のもう一方の片側の位置を第２のエッチングマスクによって規定し、該第１のエッチングマスクと該第２のエッチングマスクとによる前記基板上の開口部をエッチングすることによりｎ−１段部分を形成する第２の工程とを有し、
前記ｎ−１段部分に続く段、およびそれに続く残りの段を形成するに際して、前記第２の工程と同様の第１のエッチングマスクに対するもう一方の片側の位置を規定するエッチングマスクの位置を、前記段数分に対応させて前記開口部を広げ、該開口部のエッチングを繰り返すことを特徴とする素子の製造方法。
（２）断面がｎ段の階段形状の回折パターンを基板上に形成する回折光学素子の製造方法であって、
前記回折パターンの１周期中にある最も低いｎ段部分を、前記基板上にエッチングによって形成した後、該ｎ段部分として形成された空間部分に第１のエッチングマスクを形成する第１の工程と、
前記第１のエッチングマスクを基準として、前記ｎ段部分の次段であるｎ−１段部分の片側の位置を規定する一方、該ｎ−１段部分のもう一方の片側の位置を第２のエッチングマスクによって規定し、該第１のエッチングマスクと該第２のエッチングマスクとによる前記基板上の開口部をエッチングすることによりｎ−１段部分を形成する第２の工程とを有し
前記ｎ−１段部分に続く段、およびそれに続く残りの段を順次形成するに際して、これら各段を形成する毎に、前記第２の工程と同様の第１のエッチングマスクに対するもう一方の片側の位置を規定するエッチングマスクの位置を、順次、前記段数分に対応させて前記開口部を広げ、該開口部のエッチングを繰り返すことを特徴とする回折光学素子の製造方法。
（３）断面が２ｎ段（ｎは２以上の自然数）の階段形状の回折パターンを基板上に形成する回折光学素子の製造方法であって、
前記回折パターンの１周期中にある最も深い２ｎ段部分とその中間のｎ段部分をそれぞれエッチングして形成した後、該２ｎ段部分および該ｎ段部分として形成された空間部分に第１のエッチングマスクを形成する第１の工程と、
前記２ｎ段部分とｎ段部分との間の領域をまたぐように第２のエッチングマスクを形成した後、該２ｎ段部分とｎ段部分との間の領域をエッチングする第２の工程と、
前記第１のエッチングマスクを基準として、前記２ｎ段部分の次段である２ｎ−１段部分および前記ｎ段部分の次段であるｎ−１段部分の片側の位置を規定する一方、該２ｎ−１段部分および該ｎ−１段部分のもう一方の片側の位置を第３のエッチングマスクによって規定し、該第１のエッチングマスクと該第３のエッチングマスクとによる前記基板上の開口部をエッチングすることにより２ｎ−１段部分およびｎ−１段部分を形成する第３の工程とを有し、
前記２ｎ−１段部分およびｎ−１段部分に続く段、およびそれらに続く残りの段を順次形成するに際して、これら各段を形成する毎に、前記第３の工程と同様の第１のエッチングマスクに対するもう一方の片側の位置を規定するエッチングマスクの位置を、順次、前記段数分に対応させて前記開口部を広げ、該開口部のエッチングを繰り返すことを特徴とする回折光学素子の製造方法。
（４）前記第１のエッチングマスクが、エッチバック法またはダマシン法のいずれかによって形成されることを特徴とする上記（２）または上記（３）に記載の回折光学素子の製造方法。
（５）前記第１のエッチングマスクが、前記基板と選択比のある材料を前記空間部分に充填することによって形成されることを特徴とする上記（２）〜（４）のいずれかに記載の回折光学素子の製造方法。
（６）前記エッチングマスクが、金属、酸化物、窒化物のいずれかによりなることを特徴とする上記（５）に記載の回折光学素子の製造方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明に係る回折光学素子の製造法方は、回折パターン１周期内の最も深い段または最も深い段と半分の段を初めに形成し、それらの段上をエッチングマスクとなる材料で埋め込むことによって、１周期内の基準を形成することが可能となり、この基準を基にして残りの段を形成することによりアライメントエラーを無くすことができ、寸法エラーが小さく、溝や突起のない、高精度な多段の階段状構造を有する素子の製造方法または回折光学素子の製造方法を実現することができる。