【手続補正書】
【提出日】平成19年7月17日(2007.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体撮像素子であって、
入射光をその光量に応じて電気信号に変換する光電変換素子と、
入射面に配設されたマイクロレンズと、
前記光電変換素子と前記マイクロレンズの間に配設され、樹脂に、酸化チタン（TiO2）、窒化シリコン（Si3N4）、五酸化ニオブ（Nb2O5）のいずれかを分散させたコンポジット材から成る光導波路と、
前記光導波路の周囲に配設された、疎水性多孔質シリカから成る層間絶縁層と
を有し、
複数の前記固体撮像素子を２次元に並べて成るイメージセンサを搭載する撮像装置の撮像光学系の射出瞳から前記光電変換素子までの距離をＬ、前記イメージセンサの中心から、前記イメージセンサ上の前記固体撮像素子の位置までの距離をＨ、前記光電変換素子から前記マイクロレンズの頂点までの高さをＤ、前記イメージセンサにおける、前記複数の固体撮像素子の間隔をＰ、前記光導波路の屈折率をＮＨ、前記層間絶縁層の屈折率をＮＬとした場合に、前記距離（Ｈ）に位置する前記固体撮像素子が、
2006032713.tif 000001
但し、０＜ａ＜１
を満たすことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
固体撮像素子であって、
入射光をその光量に応じて電気信号に変換する光電変換素子と、
入射面に配設されたマイクロレンズと、
前記光電変換素子と前記マイクロレンズの間に配設され、窒化シリコン（Si3N4）または酸化窒化シリコン（SiON）から成る光導波路と、
前記光導波路の周囲に配設された、酸化シリコン（SiO2）から成る層間絶縁層と
を有し、
複数の前記固体撮像素子を２次元に並べて成るイメージセンサを搭載する撮像装置の撮像光学系の射出瞳から前記光電変換素子までの距離をＬ、前記イメージセンサの中心から、前記イメージセンサ上の前記固体撮像素子の位置までの距離をＨ、前記光電変換素子から前記マイクロレンズの頂点までの高さをＤ、前記イメージセンサにおける、前記複数の固体撮像素子の間隔をＰ、前記光導波路の屈折率をＮＨ、前記層間絶縁層の屈折率をＮＬとした場合に、前記距離（Ｈ）に位置する前記固体撮像素子が、
2006032713.tif 000002
但し、０＜ａ＜１
を満たすことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項３】
固体撮像素子であって、
入射光をその光量に応じて電気信号に変換する光電変換素子と、
入射面に配設されたマイクロレンズと、
前記光電変換素子と前記マイクロレンズの間に配設され、酸化シリコン（SiO2）から成る光導波路と、
前記光導波路の周囲に配設された、疎水性多孔質シリカから成る層間絶縁層と
を有し、
複数の前記固体撮像素子を２次元に並べて成るイメージセンサを搭載する撮像装置の撮像光学系の射出瞳から前記光電変換素子までの距離をＬ、前記イメージセンサの中心から、前記イメージセンサ上の前記固体撮像素子の位置までの距離をＨ、前記光電変換素子から前記マイクロレンズの頂点までの高さをＤ、前記イメージセンサにおける、前記複数の固体撮像素子の間隔をＰ、前記光導波路の屈折率をＮＨ、前記層間絶縁層の屈折率をＮＬとした場合に、前記距離（Ｈ）に位置する前記固体撮像素子が、
2006032713.tif 000003
但し、０＜ａ＜１
を満たすことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項４】
前記マイクロレンズと前記光導波路との間に配設され、酸化シリコン（SiO2）から成る平坦化層を更に有し、
前記マイクロレンズを酸化チタン（TiO2）により構成したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記マイクロレンズと前記光導波路との間に配設され、窒化酸化シリコン（SiON）から成る平坦化層を更に有し、
前記マイクロレンズは、疎水性多孔質シリカから成る両凹の層内レンズであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記光電変換素子が分光感度の異なる複数層の光電変換層から成ることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の固体撮像素子は、入射光をその光量に応じて電気信号に変換する光電変換素子と、入射面に配設されたマイクロレンズと、前記光電変換素子と前記マイクロレンズの間に配設され、樹脂に、酸化チタン（TiO2）、窒化シリコン（Si3N4）、五酸化ニオブ（Nb2O5）のいずれかを分散させたコンポジット材から成る光導波路と、前記光導波路の周囲に配設された、疎水性多孔質シリカから成る層間絶縁層とを有し、複数の前記固体撮像素子を２次元に並べて成るイメージセンサを搭載する撮像装置の撮像光学系の射出瞳から前記光電変換素子までの距離をＬ、前記イメージセンサの中心から、前記イメージセンサ上の前記固体撮像素子の位置までの距離をＨ、前記光電変換素子から前記マイクロレンズの頂点までの高さをＤ、前記イメージセンサにおける、前記複数の固体撮像素子の間隔をＰ、前記光導波路の屈折率をＮＨ、前記層間絶縁層の屈折率をＮＬとした場合に、前記距離（Ｈ）に位置する前記固体撮像素子が、
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
を満たすことを特徴とする。
また、別の構成によれば、本発明の固体撮像素子は、入射光をその光量に応じて電気信号に変換する光電変換素子と、入射面に配設されたマイクロレンズと、前記光電変換素子と前記マイクロレンズの間に配設され、窒化シリコン（Si3N4）または酸化窒化シリコン（SiON）から成る光導波路と、前記光導波路の周囲に配設された、酸化シリコン（SiO2）から成る層間絶縁層とを有し、複数の前記固体撮像素子を２次元に並べて成るイメージセンサを搭載する撮像装置の撮像光学系の射出瞳から前記光電変換素子までの距離をＬ、前記イメージセンサの中心から、前記イメージセンサ上の前記固体撮像素子の位置までの距離をＨ、前記光電変換素子から前記マイクロレンズの頂点までの高さをＤ、前記イメージセンサにおける、前記複数の固体撮像素子の間隔をＰ、前記光導波路の屈折率をＮＨ、前記層間絶縁層の屈折率をＮＬとした場合に、前記距離（Ｈ）に位置する前記固体撮像素子が、
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
を満たすことを特徴とする。
更に別の構成によれば、本発明の固体撮像素子は、入射光をその光量に応じて電気信号に変換する光電変換素子と、入射面に配設されたマイクロレンズと、前記光電変換素子と前記マイクロレンズの間に配設され、酸化シリコン（SiO2）から成る光導波路と、前記光導波路の周囲に配設された、疎水性多孔質シリカから成る層間絶縁層とを有し、複数の前記固体撮像素子を２次元に並べて成るイメージセンサを搭載する撮像装置の撮像光学系の射出瞳から前記光電変換素子までの距離をＬ、前記イメージセンサの中心から、前記イメージセンサ上の前記固体撮像素子の位置までの距離をＨ、前記光電変換素子から前記マイクロレンズの頂点までの高さをＤ、前記イメージセンサにおける、前記複数の固体撮像素子の間隔をＰ、前記光導波路の屈折率をＮＨ、前記層間絶縁層の屈折率をＮＬとした場合に、前記距離（Ｈ）に位置する前記固体撮像素子が、