(57)【要約】【課題】フッ素ゴム表面を低摩擦係数化できると共に、その表面粗さを金型に処理を施すことなく粗くすることができるフッ素ゴム組成物及びフッ素ゴム架橋体の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明に係るフッ素ゴム組成物は、ポリオール架橋可能なフッ素ゴムと、第４級アンモニウム塩からなる架橋促進剤と、ポリオール系架橋剤とを含有し、かつ、前記架橋促進剤と前記ポリオール系架橋剤との重量比Ｘ（第４級アンモニウム塩／ポリオール系架橋剤）が０．４０〜０．６０であることを特徴とし、また、フッ素ゴム架橋体の製造方法は、前記フッ素ゴム組成物を、必要により予めポリオール架橋した後、２００℃〜３００℃の温度範囲で０．１〜４８時間熱処理することを特徴とする。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリオール架橋可能なフッ素ゴムと、第４級アンモニウム塩からなる架橋促進剤と、ポリオール系架橋剤とを含有し、
かつ、前記架橋促進剤と前記ポリオール系架橋剤との重量比Ｘ（第４級アンモニウム塩／ポリオール系架橋剤）が０．４０〜０．６０であることを特徴とするフッ素ゴム組成物。
【請求項２】
ポリオール系架橋系のフッ素ゴム架橋体に用いることを特徴とする請求項１記載のフッ素ゴム組成物。
【請求項３】
ポリオール架橋可能なフッ素ゴムと、第４級アンモニウム塩からなる架橋促進剤と、ポリオール系架橋剤とを含有し、
かつ、前記架橋促進剤と前記ポリオール系架橋剤との重量比Ｘ（第４級アンモニウム塩／ポリオール系架橋剤）が０．４０〜０．６０であるフッ素ゴム組成物を、
必要により予めポリオール架橋した後、
２００℃〜３００℃の温度範囲で０．１〜４８時間熱処理することを特徴とするフッ素ゴム架橋体の製造方法。
【請求項４】
フッ素ゴム架橋体の動摩擦係数が０．５以下であり、表面粗さ（Ｒａ）が１．５以上且つ表面粗さ（Ｒｙ）が１０以上であることを特徴とする請求項３記載のフッ素ゴム架橋体の製造方法。
【請求項５】
フッ素ゴム架橋体の動摩擦係数が０．１〜０．４であることを特徴とする請求項４記載のフッ素ゴム架橋体の製造方法。
【請求項６】
フッ素ゴム架橋体の表面粗さ（Ｒａ）が１．５〜４．０の範囲で且つ表面粗さ（Ｒｙ）が１０〜２５の範囲であることを特徴とする請求項４又は５記載のフッ素ゴム架橋体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フッ素ゴム組成物及びフッ素ゴム架橋体の製造方法に関し、詳しくは、フッ素ゴム表面を低摩擦係数化できると共に、その表面粗さを金型に処理を施すことなく粗くすることができるフッ素ゴム組成物及びフッ素ゴム架橋体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、フッ素ゴムは、他の汎用ゴムと同様にゴム本来の特性であるゴム弾性を有し、しかも他の汎用ゴムに比して耐熱性、耐油性、耐薬品性などの特性に優れているので、それらの特性を生かして、例えば、Ｏ−リング、パッキン、ガスケットなどに代表される漏洩防止用ゴム部品、防振ゴム、ベルト、ゴム引布などとして、あるいはプリンターヘッド、ハードディスク（ＨＤＤ）装置のヘッド制御部などの衝撃吸収ストッパー部品、より具体的には、ＨＤＤ装置内の読み取りアームの誤動作抑制等を目的として設置するストッパーなどとして様々な用途に用いられている。【０００３】
このような従来のフッ素ゴムは、ゴム表面が粘着し、摩擦係数が大きいため、その製造に際して、架橋ゴム表面に粘着防止処理をする場合がある。しかし、粘着防止処理をすると、処理コストが高くなるという問題がある。【０００４】
また、従来のフッ素ゴムを、例えば、ハードディスク（ＨＤＤ）の記憶装置のストッパーなどとして用いると、ストッパーとアームとの粘着による誤作動が問題になる。さらに、そのダンピング特性は温度依存性が大きく、高温での反発弾性率が高く、アームの振動を吸収することができないという問題がある。【０００５】
ここでストッパーとは、先端に記録読み取り用ヘッド部を有するアームが待機する際のヘッド部可動範囲の位置（アーム振れ位置）を規定し、さらに、アーム作動後、もしくは待機する際のアーム誤動作抑制のために衝撃吸収等を行うことを目的として設置される部分である。【０００６】
近年、このストッパーとしては、ゴム中に磁石を組み込み、磁力によりアームを固定するマグネットフォルダータイプのストッパー、あるいはアームの両側にストッパーを配置したクラッシュストップタイプのストッパーが増加してきている。これらストッパーの要求機能は、主に下記の３項目である。【０００７】
（１）アーム衝突時の衝撃吸収性に優れること。
（２）アーム待機時に磁力等によりゴム／アーム端部（金属）が圧着されている必要があるが、粘着しないこと。
（３）クリーンであること。【０００８】
しかし、従来のフッ素ゴムを用いた場合は、（１）衝撃吸収性、および（３）クリーンである点では問題が少ないものの、粘着性が大きいため、（２）で示す要求性能を満たすものがないという問題があった。【０００９】
特許文献１には、フッ素ゴム組成物に配合する架橋促進剤である第４級ホスホニウム塩と架橋剤の添加比（架橋促進剤／架橋剤）を０．９以上５以下として、従来のフッ素ゴム組成物における添加比より大きくすることにより、ゴム表面を低摩擦化できる技術を開示している。この低摩擦化によってゴム表面状態を改質し、低摩擦係数化、すなわち、低粘着化を実現する。【００１０】
しかしながら、この特許文献１に記載のフッ素ゴム組成物は、表面自体は低摩擦係数であるものの、平滑状態を保っているため、実用に用いる場合、金型に「なし地」処理を施すなどして、さらに表面状態を粗くする手法が組み合わされている。
【特許文献１】国際公開第２００４／０９４４７９号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、本発明は、フッ素ゴム表面を低摩擦係数化できると共に、その表面粗さを金型に処理を施すことなく粗くすることができるポリオール系架橋系のフッ素ゴム組成物及びフッ素ゴム架橋体の製造方法を提供することを課題とする。【００１２】
本発明の他の課題は、以下の記載により明らかとなる。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題は以下の各発明によって解決される。【００１４】
請求項１記載の発明は、ポリオール架橋可能なフッ素ゴムと、第４級アンモニウム塩からなる架橋促進剤と、ポリオール系架橋剤とを含有し、かつ、前記架橋促進剤と前記ポリオール系架橋剤との重量比Ｘ（第４級アンモニウム塩／ポリオール系架橋剤）が０．４０〜０．６０であることを特徴とするフッ素ゴム組成物である。【００１５】
請求項２記載の発明は、ポリオール系架橋系のフッ素ゴム架橋体に用いることを特徴とする請求項１記載のフッ素ゴム組成物である。【００１６】
請求項３記載の発明は、ポリオール架橋可能なフッ素ゴムと、第４級アンモニウム塩からなる架橋促進剤と、ポリオール系架橋剤とを含有し、かつ、前記架橋促進剤と前記ポリオール系架橋剤との重量比Ｘ（第４級アンモニウム塩／ポリオール系架橋剤）が０．４０〜０．６０であるフッ素ゴム組成物を、必要により予めポリオール架橋した後、２００℃〜３００℃の温度範囲で０．１〜４８時間熱処理することを特徴とするフッ素ゴム架橋体の製造方法である。【００１７】
請求項４記載の発明は、フッ素ゴム架橋体の動摩擦係数が０．５以下であり、表面粗さ（Ｒａ）が１．５以上且つ表面粗さ（Ｒｙ）が１０以上であることを特徴とする請求項３記載のフッ素ゴム架橋体の製造方法である。【００１８】
請求項５記載の発明は、フッ素ゴム架橋体の動摩擦係数が０．１〜０．４であることを特徴とする請求項４記載のフッ素ゴム架橋体の製造方法である。【００１９】
請求項６記載の発明は、フッ素ゴム架橋体の表面粗さ（Ｒａ）が１．５〜４．０の範囲で且つ表面粗さ（Ｒｙ）が１０〜２５の範囲であることを特徴とする請求項４又は５記載のフッ素ゴム架橋体の製造方法である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、フッ素ゴム表面を配合手法により改質することで、金型に、「なし地」等処理を施さなくても、表面を粗くすることができ、低粘着化に向けた工程の簡素化が行える。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に、本発明の好ましい実施の形態を説明する。【００２２】
〔フッ素ゴム組成物〕
本発明のフッ素ゴム組成物は、ポリオール架橋可能なフッ素ゴムと、第４級アンモニウム塩からなる架橋促進剤と、ポリオール系架橋剤とを少なくとも含有する。【００２３】
＜ポリオール架橋可能なフッ素ゴム＞
ポリオール架橋可能なフッ素ゴム（ポリオール架橋系フッ素ゴム）としては、１種又は２種以上の含フッ素オレフィンの重合体又は共重合体を用いることができる。【００２４】
含フッ素オレフィンとしては、具体的には、例えば、フッ化ビニリデン、ヘキサフルオロプロピレン、ペンタフルオロプロピレン、トリフルオロエチレン、トリフルオロクロロエチレン、テトラフルオロエチレン、フッ化ビニル、パーフルオロアクリル酸エステル、アクリル酸パーフルオロアルキル、パーフルオロメチルビニルエーテル、パーフルオロプロピルビニルエーテル等が挙げられる。【００２５】
これらの含フッ素オレフィンは１種又は２種以上組み合わせて用いることもできる。【００２６】
このようなポリオール架橋系フッ素ゴムとしては、好ましくは、フッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン２元共重合体（略称：ＶＤＦ−ＨＦＰ）、テトラフルオロエチレン−プロピレン２元共重合体（略称：ＴＦＥ−Ｐ）、フッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン−テトラフルオロエチレン３元共重合体（略称：ＶＤＦ−ＨＦＰ−ＴＦＥ）等が挙げられ、これらは市販品として入手できる。【００２７】
＜ポリオール系架橋剤＞
ポリオール系架橋剤としては、ビスフェノール類が好ましい。具体的には、例えば、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン［ビスフェノールＡ］、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）パーフルオロプロパン［ビスフェノールＡＦ］、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン［ビスフェノールＳ］、ビスフェノールＡ−ビス（ジフェニルホフェート）、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、４，４’−ジヒドロキシジフェニルメタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン等のポリヒドロキシ芳香族化合物が挙げられ、好ましくはビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＦ等が用いられる。これらはアルカリ金属塩あるいはアルカリ土類金属塩の形であってもよい。【００２８】
また、ポリオール系架橋剤として、原料ゴムとポリオール系架橋剤とを含む市販のマスターバッチを用いてもよい。市販のマスターバッチとしては、例えばキュラティブＶＣ＃３０（デュポン・ダウ・エラストマー社製：架橋剤〔ビスフェノールＡＦ〕５０ｗｔ％含有）等が挙げられる。これらの架橋剤は１種又は２種以上組み合わせて用いてもよい。【００２９】
＜架橋促進剤＞
本発明において架橋促進剤として用いられる第４級アンモニウム塩は、下記一般式（１）で示される化合物（以下、本発明の第４級アンモニウム塩という）を用いることができる。【００３０】
【化１】
2007058038.tif 000002
【００３１】
上記一般式中、Ｒは炭素数１〜２４のアルキル基又は炭素数７〜２０のアラルキル基を表し、Ｘ−はテトラフルオロボレート基又はヘキサフルオロホスフェート基を表す。【００３２】
本発明の第４級アンモニウム塩としては、Ｒがベンジル基である化合物が好ましく、例えば５−ベンジル−１，５−ジアザビシクロ〔４，３，０〕−５−ノネニウム  テトラフルオロボレート（略称：ＤＢＮ−Ｆ）又はヘキサフルオロホスフェート（略称：ＤＢＮ−Ｐ）などが挙げられる。【００３３】
これらテトラフルオロボレート又はヘキサフルオロホスフェートは、それぞれ約８０℃及び１００℃の融点を有し、ロール、ニーダー、バンバリーなどによる加熱混練時（１００℃）に容易に融解するので、分散性に優れる。【００３４】
本発明の第４級アンモニウム塩として、原料ゴムと第４級アンモニウム塩とを含む市販のマスターバッチを用いてもよい。【００３５】
従来、第４級アンモニウム塩で処理した層状化合物をフッ素ゴム組成物に含有する技術が提案されているが、ポリオール架橋剤との併用においては、架橋促進機能を発揮し得ない。従って、本発明の第４級アンモニウム塩には、第４級アンモニウム塩で処理した層状化合物は含まない。【００３６】
＜その他の配合成分＞  
本発明においては、以上の成分以外に、ゴム配合剤として、例えばカーボンブラック、カーボン繊維等の補強剤；ハイドロタルサイト（Mg6Al2(OH)16CO3）、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、チタン酸カリウム、酸化チタン、硫酸バリウム、硼酸アルミニウム、ガラス繊維、アラミド繊維等の充填剤；ワックス、金属セッケン等の加工助剤；水酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛等の受酸剤；老化防止剤；熱可塑性樹脂；などのようなゴム工業で一般的に使用されている配合剤を本発明に使用する架橋剤及び架橋促進剤の効果を損なわない範囲で必要に応じて添加できる。【００３７】
中でも、水酸化カルシウムは、架橋密度が適度に調整する上で好ましく使用でき、フッ素ゴム架橋体の摩擦係数を低下したり、低反発弾性率を得る上で好ましく、更に成形時の発泡も起きにくいなどの点から望ましい。またフッ素ゴム架橋体の低反発弾性率を得たり、低摩擦係数、低粘着力を得る上では酸化マグネシウムを使用することも好ましい。【００３８】
＜配合比＞
本発明において、本発明の第４級アンモニウム塩とポリオール系架橋剤との重量比Ｘ（第４級アンモニウム塩化合物／ポリオール系架橋剤）は、０．４０〜０．６０の範囲である。【００３９】
この重量比Ｘが、０．４０より小さい場合には、フッ素ゴム架橋体表面を低摩擦係数化することが困難であり、また、この重量比Ｘが、０．６０より大きい場合には、フッ素ゴム架橋体表面を低摩擦係数化することはある程度可能になるが、フッ素ゴム架橋体としての硬度増大や破断伸び低下などが生じ、常態物性が損なわれて実用的ではなくなる。【００４０】
フッ素ゴム組成物の架橋促進剤（第４級アンモニウム塩化合物）の配合量は、ポリオール架橋可能なフッ素ゴム１００重量部に対して、０．９５〜２０重量部の範囲が好ましく、より好ましくは１．０〜１０重量部の範囲である。【００４１】
ポリオール架橋剤（好ましくはビスフェノール類）は、ポリオール架橋可能なフッ素ゴム１００重量部に対して、通常、０．４〜２０重量部の範囲が好ましく、より好ましくは１〜１０重量部の範囲である。【００４２】
＜調製＞
本発明に係るポリオール架橋可能なフッ素ゴム組成物の調製法としては、例えば、所定量の上記各成分を、インターミックス、ニーダー、バンバリーミキサー等の密閉型混練機またはオープンロールなどゴム用の一般的な混練機で混練する手法や、各成分を溶剤等で溶解して、攪拌機等で分散させる方法などが挙げられる。【００４３】
〔フッ素ゴム架橋体の製造方法〕
＜一次加硫（架橋）＞
上記のようにして得られたフッ素ゴム組成物は、射出成形機、圧縮成形機、加硫プレス機、オーブンなどを用いて、通常、１４０℃〜２３０℃の温度で１〜１２０分程度加熱（一次加硫）することにより、架橋（加硫）成形できる。【００４４】
なお、一次加硫は、一定の形状を形成（予備成形）するために、形状を維持できる程度に架橋させる工程であり、複雑な形状では、好ましくは、金型により成形され、空気加熱等のオーブンでも一次加硫は可能である。【００４５】
本発明では、フッ素ゴム組成物の混練後に被処理物を圧縮成形する場合、上記混練後は、通常、（ａ）一旦常温に戻し、再び昇温して圧縮成形してもよく、あるいは（ｂ）混練後そのまま昇温を続けて圧縮成形してもよい。通常、圧縮成形機を用いる圧縮工程では、工程上、上記（ａ）の手法になる。【００４６】
また、例えばゴムホース等のフッ素ゴム成形品を製造する場合、フッ素ゴム組成物の混練後、チューブ状に押し出しをして、そのままオーブン加硫を実施することができるが、その場合は、（ｂ）の手法となる。【００４７】
フッ素ゴム組成物の加硫前に、該組成物を一定形状にしておけば、（ａ）の手法でも（ｂ）の手法でも、低摩擦、低粘着性の成形品を得ることができる。得られるフッ素ゴム架橋体の低粘着化の程度は、その前の熱処理に向けた昇温パターンや昇温曲線の如何には影響されず、熱処理を行う温度と時間に左右される。【００４８】
＜熱処理＞
本発明の熱処理方法は、通常の２次加硫と同じであるが、本発明のフッ素ゴム組成物（ポリオール架橋性フッ素樹脂組成物）でなければ、通常の２次加硫を行っても、フッ素ゴム架橋体の動摩擦係数が０．５以下であり、表面粗さ（Ｒａ）が１．５以上且つ表面粗さ（Ｒｙ）が１０以上であるものは得られない。【００４９】
従来のフッ素ゴムでは、２次加硫は、１次加硫で不足した架橋反応を完了させる目的とゴム中の低分子成分をガス化させて、強度向上、圧縮永久歪み低減を目的としているが、本発明はこれと異なり、第４級アンモニウム塩とポリオール系架橋剤との重量比Ｘ（第４級アンモニウム塩化合物／ポリオール系架橋剤）を０．４０〜０．６０の範囲のように特定の範囲に限定して、フッ素ゴム表面を配合手法により改質することで、金型に、「なし地」等処理を施さなくても、表面を粗くすることができ、低粘着化に向けた工程の簡素化が行える。【００５０】
本発明において、一次加硫後の熱処理としては、本発明のフッ素ゴム組成物を、２００℃〜３００℃の温度範囲、好ましくは２４０℃〜２６０℃の温度範囲で、０．１〜４８時間、好ましくは１〜４８時間、より好ましくは１０〜４８時間熱処理する。【００５１】
なお、本発明では、ポリオール架橋可能なフッ素ゴム組成物を、低分子揮発成分（アウトガス）発生防止の観点から、必要により、上記のように予めポリオール架橋（加硫）した後、得られた組成物を、さらに、上記のように２００℃〜３００℃の温度範囲、好ましくは２４０℃〜２６０℃の温度範囲で、０．１〜４８時間、好ましくは１〜４８時間、より好ましくは１０〜４８時間熱処理する。【００５２】
低分子揮発性物質（アウトガス）が多いと、ＨＤ装置用ストッパー等に使用したときには、組成物から発生する低分子成分により、ディスク等の金属部品の汚染などの問題があるため、本発明のように熱処理温度が高く、熱処理時間が長い方が好ましい。【００５３】
このように組成物を熱処理することにより、組成物の内部からその表面に近い部分である組成物表層に、組成物中の架橋促進剤成分などが次第に移行して、組成物の内部（特に中心部）に比べて表層（例えば、組成物の表面および組成物表面から１００μｍ程度内部までの範囲）の架橋密度が向上し、その結果、このように熱処理されて得られた架橋体は、その表面の低摩擦化、低粘着化、表面粗さの実現が可能になる。また、熱処理条件を上記条件に設定すると、特に得られたフッ素ゴム架橋体表面の非粘着性に優れると共に、非粘着性の安定性に優れる点でも好ましい。【００５４】
この点、従来の第４級アンモニウム塩で処理した層状化合物を用いると、組成物中の架橋促進剤成分である第４級アンモニウム塩の移動は制限され、本発明のような架橋促進機能を発揮し得ず、表層の架橋密度の向上は望めず、その結果、熱処理されて得られた架橋体も、その表面の低摩擦化、低粘着化、表面粗さの実現が困難である。かかる理由により、本発明の第４級アンモニウム塩には、第４級アンモニウム塩で処理した層状化合物は含まないのである。【００５５】
本発明によると、上述した熱処理を行うことにより、架橋体表面の動摩擦係数が０．５以下、好ましくは０．１〜０．４の低摩擦性フッ素ゴム架橋体を得ることができる。【００５６】
動摩擦係数の測定は、厚さ２ｍｍの試料ゴムシートをＪＩＳ  Ｋ７１２５，Ｐ８１４７に準拠し、新東科学社製表面試験機により、試料ゴムシート表面の動摩擦係数を測定した。【００５７】
また組成物の上記熱処理を行うことにより、所望の表面粗さが実現される。即ち、低摩擦性フッ素ゴム架橋体の表面粗さ（Ｒａ）が１．５以上且つ表面粗さ（Ｒｙ）が１０以上となり、好ましくは表面粗さ（Ｒａ）が１．５〜４．０、表面粗さ（Ｒｙ）１０〜２５となり、金型に「なし地」処理を施したものと同程度以上の表面粗さが実現される。
【実施例】
【００５８】
以下、本発明について実施例に基づいて説明するが、本発明はかかる実施例によって何ら限定されるものではない。【００５９】
（実施例１）
＜配合成分とその配合量＞
（１）ポリオール架橋可能なフッ素ゴム；
（デュポン・ダウ・エラストマー社製「バイトンＡ５００」；ポリオール加硫系、ムーニー粘度ML1+10(121℃)４５）・・・１００重量部
（２）ＭＴカーボン；
（Huber社製「Huber N-990」;平均粒径500mμ、比表面積6m2/g）・・・５重量部
（３）ハイドロタルサイト；
（協和化学社製「ＤＨＴ−４Ａ」）・・・２重量部
（４）水酸化カルシウム；
（近江化学工業社製「カルディック＃２０００」）・・・３重量部
（５）架橋剤；
ビスフェノールＡＦ（デュポン・ダウ・エラストマー社製「キュラティブＶＣ＃３０」；５０ｗｔ％とフッ素ゴム〔バイトンＥ−４５〕５０ｗｔ％のマスターバッチ）・・・４．６重量部（注：ロール投入）
（６）架橋促進剤；
５−ベンジル−１,５−ジアザビシクロ（４，３，０）−５−ノネニウム  テトラフルオロボレート・・・１．０重量部（注：ロール投入）【００６０】
＜調製及び加硫並びに熱処理＞
以上の各配合成分（加硫成分を除く。）をニーダーに投入して２０分混練した後、オープンロールにて加硫成分を投入することで組成物を調製した。【００６１】
これを１７０℃で２０分加圧加硫することで加硫品を成形し、さらに２６０℃で１０時間熱処理を行った。【００６２】
得られた熱処理物について、動摩擦係数、表面粗さ、ゴム硬度、破断強度、破断伸びを測定した。【００６３】
その結果を表１に示す。【００６４】
＜測定方法＞
動摩擦係数（μ）；
動摩擦係数の測定は、厚さ２ｍｍの試料ゴムシートをＪＩＳ  Ｋ７１２５，Ｐ８１４７に準拠し、新東科学社製表面試験機により、試料ゴムシート表面の動摩擦係数を測定した。試験条件は、相手材が直径１０ｍｍクロムメッキ鋼球の摩擦子、移動速度５０ｍｍ／分、荷重は５０ｇで測定した。【００６５】
表面粗さ；ＪＩＳ  Ｂ−０６０１に準拠。【００６６】
ゴム硬度；
ＪＩＳ  Ｋ６２５３に準拠し、タイプＡデュロメーターで測定した。通常４０〜８５（ポイント）が好ましく、６０〜８０（ポイント）がより好ましい。【００６７】
破断強度；ＪＩＳ  Ｋ６２５１に準拠。５〜１５ＭＰａが望ましい。 【００６８】
破断伸び；ＪＩＳ  Ｋ６２５１に準拠（２３±３℃にて測定）。【００６９】
＜評価＞
表１から、ビスフェノールＡＦと第４級アンモニウム塩の組み合わせにより、低摩擦係数化と表面粗さ（１．５以上）が両立していることがわかる。【００７０】
（実施例２）
実施例１と同じ配合成分を表１に示すような配合量に代え、さらに架橋促進剤と架橋剤の配合比を表１に示すように代えた以外は同様にして、熱処理物を得て、動摩擦係数、表面粗さ、ゴム硬度、破断強度、破断伸びを測定した。【００７１】
その結果を表１に示す。【００７２】
その結果、表１に示すように、ビスフェノールＡＦと第４級アンモニウム塩の組み合わせにより、低摩擦係数化と表面粗さ（１．５以上）が両立していることがわかる。【００７３】
（実施例３）
実施例１と同じ配合成分を表１に示すような配合量に代え、さらに架橋促進剤と架橋剤の配合比を表１に示すように代えた以外は同様にして、熱処理物を得て、動摩擦係数、表面粗さ、ゴム硬度、破断強度、破断伸びを測定した。【００７４】
その結果を表１に示す。【００７５】
その結果、表１に示すように、ビスフェノールＡＦと第４級アンモニウム塩の組み合わせにより、低摩擦係数化と表面粗さ（１．５以上）が両立していることがわかる。【００７６】
（比較例１）
＜配合成分とその配合量＞
実施例１において、ハイドロタルサイトに代えて酸化マグネシウム（協和化学工業社製「キョウワマグ＃１５０」）を用い、第４級アンモニウム塩に代えて下記第４級ホスホニウム塩を用いた以外は同様の配合成分とした。また各成分の配合量および架橋促進剤と架橋剤の配合比を表１に示すように代えた。【００７７】
第４級ホスホニウム塩； 
デュポン・ダウ・エラストマー社製「キュラティブＶＣ＃２０」；架橋促進剤３３ｗｔ％とフッ素ゴム〔バイトンＥ−４５〕６７ｗｔ％のマスターバッチ）【００７８】
＜測定方法及び結果＞
実施例１と同様にして、その結果を表１に示す。【００７９】
＜評価＞
表１より、ビスフェノールＡＦと第４級ホスホニウム塩の組み合わせにより、低摩擦化しているが、表面の粗さは平滑面のままであることがわかる。【００８０】
（比較例２）
実施例１と同じ配合成分を表１に示すような配合量に代え、さらに架橋促進剤と架橋剤の配合比を表１に示すように代えた以外は同様にして、熱処理物を得て、動摩擦係数、表面粗さ、ゴム硬度、破断強度、破断伸びを測定した。その結果を表１に示す。【００８１】
表１より、ビスフェノールＡＦと第４級アンモニウム塩の組み合わせであるが、アンモニウム塩の配合量が少ないため、低摩擦化の効果が現れていない。【００８２】
（比較例３）
実施例１と同じ配合成分を表１に示すような配合量に代え、さらに架橋促進剤と架橋剤の配合比を表１に示すように代えた以外は同様にして、熱処理物を得て、動摩擦係数、表面粗さ、ゴム硬度、破断強度、破断伸びを測定した。その結果を表１に示す。【００８３】
表１より、ビスフェノールＡＦと第４級アンモニウム塩の組み合わせであるが、アンモニウム塩の配合量が少ないため、低摩擦化の効果は若干あるが、表面粗さは平滑のままである。【００８４】
（比較例４）
実施例１と同じ配合成分を表１に示すような配合量に代え、さらに架橋促進剤と架橋剤の配合比を表１に示すように代えた以外は同様にして、熱処理物を得て、動摩擦係数、表面粗さ、ゴム硬度、破断強度、破断伸びを測定した。その結果を表１に示す。【００８５】
表１より、ビスフェノールＡＦと第４級アンモニウム塩の組み合わせであるが、アンモニウム塩の配合量が若干少ないため、十分な機能が得られていない。【００８６】
（比較例５）
比較例１と同じ配合成分を表１に示すような配合量に代え、さらに架橋促進剤と架橋剤の配合比を表１に示すように代えた以外は同様にして、熱処理物を得て、動摩擦係数、表面粗さ、ゴム硬度、破断強度、破断伸びを測定した。その結果を表１に示す。【００８７】
表１より、架橋促進剤とポリオール系架橋剤との重量比が本発明の範囲内であっても、ビスフェノールＡＦと第４級ホスホニウム塩の組み合わせであるので、低摩擦化の効果が現れず、表面の粗さも平滑面のままであることがわかる。【００８８】
【表１】
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【００８９】
〔フッ素ゴム架橋体の用途〕
上記のようして得られた低摩擦性フッ素ゴム架橋体は、低摩擦係数化と表面粗さ（１．５以上）が両立しており、ハードディスク（ＨＤＤ）記憶装置用ヘッド、ＨＤＤ装置用ストッパー、光ディスク等を用いる車載用ディスク装置やカメラ一体型ビデオレコーダー用ディスク装置等の記憶装置用ヘッド、プリンターヘッド等の衝撃吸収用ストッパー部品；Ｏリング、パッキン、Ｖパッキン、オイルシール、ガスケット、角リング、Ｄリング、ダイアフラム、各種バルブ等の流体（気体等を含む。）漏洩防止用の各種ゴム部品；防振ゴム、ベルト、ゴム引布、ワイパー等の各種ゴム部品等として好適に用いられる。
【国際調査報告】
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