【手続補正書】
【提出日】平成19年7月19日(2007.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に、チャネル領域と、ソース領域と、ドレイン領域と、保持容量を形成する領域と、を含む第１の島状半導体層と、第１の配線の一部となる第２の島状半導体層及び第３の島状半導体層と、
前記第１の島状半導体層、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層を介して、前記チャネル領域と交差し、かつ前記第２の島状半導体層と前記第３の島状半導体層とを電気的に接続する第１の配線と、
前記絶縁層を介して、前記保持容量を形成する領域と重なり、かつ前記第２の島状半導体層と交差する第２の配線と、を有し、
前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記保持容量を形成する領域、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層には、一導電型不純物が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に、チャネル領域と、ソース領域と、ドレイン領域と、保持容量を形成する領域と、を含む第１の島状半導体層と、第１の配線の一部となる第２の島状半導体層及び第３の島状半導体層と、
前記第１の島状半導体層、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層を介して、前記チャネル領域と交差し、かつ前記第２の島状半導体層と前記第３の島状半導体層とを電気的に接続する第１の配線と、
前記絶縁層を介して、前記保持容量を形成する領域と重なり、かつ前記第２の島状半導体層と交差する第２の配線と、を有し、
前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記保持容量を形成する領域、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層には、１０１９ａｔｏｍｉｃ／ｃｍ３以上の濃度の一導電型不純物が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面上に、チャネル領域と、ソース領域と、ドレイン領域と、保持容量を形成する領域と、を含む第１の島状半導体層と、第１の配線の一部となる第２の島状半導体層及び第３の島状半導体層と、
前記第１の島状半導体層、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層を介して、前記チャネル領域と交差し、かつ前記第２の島状半導体層と前記第３の島状半導体層とを電気的に接続する第１の配線と、
前記絶縁層を介して、前記保持容量を形成する領域と重なり、かつ前記第１の配線と隣り合う配線に電気的に接続する第２の配線と、を有し、
前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記保持容量を形成する領域、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層には、１０１９ａｔｏｍｉｃ／ｃｍ３以上の濃度の一導電型不純物が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の配線はゲート配線であり、
前記第２の配線はソース配線であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記絶縁表面上にはＴＦＴを含む画素部が設けられ、前記画素部では前記絶縁層上に、前記ドレイン領域に電気的に接続している画素電極を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記ＴＦＴはｎチャネル型であり、前記画素部の周辺にｎチャネル型ＴＦＴからなる駆動回路が同一の絶縁表面上に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５において、
前記ＴＦＴはｐチャネル型であり、前記画素部の周辺にｐチャネル型ＴＦＴからなる駆動回路が同一の絶縁表面上に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項５において、
前記画素部の周辺にｎチャネル型ＴＦＴと、ｐチャネル型ＴＦＴと、からなる駆動回路が同一の絶縁表面上に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記チャネル領域と前記ソース領域との間の領域、及び前記チャネル領域と前記ドレイン領域との間の領域には、ＬＤＤ領域を形成する不純物領域があることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記チャネル領域と前記ソース領域との間の領域、及び前記チャネル領域と前記ドレイン領域との間の領域には、真性半導体領域があることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記半導体装置は、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、携帯型情報端末、デジタルカメラ、またはプロジェクターであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
絶縁表面上に結晶構造を含む半導体層を形成し、
前記結晶構造を含む半導体層をエッチングして、チャネル領域と、ソース領域と、ドレイン領域と、保持容量を形成する領域と、を含む第１の島状半導体層と、ゲート配線の一部となる第２の島状半導体層及び第３の島状半導体層と、を形成し、
前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記保持容量を形成する領域、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層に、ｎ型を付与する不純物元素を添加し、
前記第１の島状半導体層、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を選択的にエッチングして、前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層上の前記絶縁層の一部に開口部を形成し、
前記開口部によって露出した前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層に、ｐ型を付与する不純物元素を添加し、
前記絶縁層、前記第１の島状半導体層、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層上に導電層を形成し、
前記導電層を選択的にエッチングして、ソース配線と、前記第２の島状半導体層と前記第３の島状半導体層を電気的に接続するゲート配線と、を形成し、
前記第１の島状半導体層、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層に、前記絶縁層を通過させて一導電型の不純物元素を添加し、
前記第１の島状半導体層、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層に添加された不純物元素を活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
絶縁表面上に非結晶構造の半導体層を形成し、
前記非結晶構造の半導体層にニッケル、鉄、パラジウム、スズ、鉛、コバルト、白金、銅、金のうち何れかを添加し、
前記半導体層を熱処理し、結晶構造を含む半導体層を形成し、
前記結晶構造を含む半導体層をエッチングして、チャネル領域と、ソース領域と、ドレイン領域と、保持容量を形成する領域と、を含む第１の島状半導体層と、ゲート配線の一部となる第２の島状半導体層及び第３の島状半導体層を形成し、
前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記保持容量を形成する領域、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層に、ｎ型を付与する不純物元素を添加し、
前記第１の島状半導体層、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を選択的にエッチングして、前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層上の前記絶縁層の一部に開口部を形成し、
前記開口部によって露出した前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層に、ｐ型を付与する不純物を添加し、
前記第１の島状半導体層、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層を熱処理もしくはレーザー照射処理し、
前記絶縁層、前記第１の島状半導体層、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層の上に導電層を形成し、
前記導電層を選択的にエッチングして、ソース配線と、前記第２の島状半導体層と前記第３の島状半導体層を電気的に接続するゲート配線と、を形成し、
前記第１の島状半導体層、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層に、前記絶縁層を通過させてｎ型を付与する不純物元素を添加し、
前記第１の島状半導体層、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層に添加された不純物元素を活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１２または請求項１３において、
前記半導体装置は、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、携帯型情報端末、デジタルカメラ、またはプロジェクターであることを特徴とする半導体装置の作製方法。