【手続補正書】
【提出日】平成19年4月24日(2007.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に自己組織化単分子膜を形成する工程と、
前記自己組織化単分子膜をパターニングし自己組織化単分子膜パターンを形成する工程と、
前記自己組織化単分子膜パターン上に無電解メッキ法を用いて金属膜を形成する工程と、を有し、
前記自己組織化単分子膜パターンを形成する工程が、回折素子にレーザー光を照射し、第１の回折光と第２の回折光を生じさせ、前記第１の回折光と前記第２の回折光とにより干渉光を形成し、前記干渉光を前記自己組織化単分子膜に照射し、前記自己組織化膜をパターニングする、ことを含む、ことを特徴とする無機偏光素子の製造方法。
【請求項２】
基体上に自己組織化単分子膜を形成する工程と、
前記自己組織化単分子膜をパターニングし自己組織化単分子膜パターンを形成する工程と、
前記自己組織化単分子膜パターン上に無電解メッキ法を用いて金属膜を形成する工程と、を有し、
前記自己組織化単分子膜パターンを形成する工程が、回折素子にレーザー光を照射し、第１の０次回折光と、第１の１次回折光と、第２の０次回折光と、第２の１次回折光と、を生じさせ、前記第１の０次回折光と前記第２の１次回折光とにより第１の干渉光を形成し、前記第１の干渉光を前記自己組織化単分子膜に照射し、前記自己組織化膜をパターニングする、ことを含む、ことを特徴とする無機偏光素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の無機偏光素子の製造方法において、
前記金属膜を形成する工程の前に、前記自己組織化単分子膜パターン上に触媒層を形成する工程を含む、ことを特徴とする無機偏光素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の無機偏光素子の製造方法において、
前記自己組織化単分子膜がアミノ基またはメルカプト基を含む、ことを特徴とする無機偏光素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の無機偏光素子の製造方法において、
前記回折素子が凹凸形状を含み、前記凹凸形状における凹部の深さ及び凹部と凸部との間のデューティが、前記干渉光のコントラストが最大となるように最適化されている、ことを特徴とする無機偏光素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の無機偏光素子の製造方法において、
前記レーザー光を照射する際、前記レーザー光を前記回折素子に対しで走査することを特徴とする無機偏光素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし５のいずれかに記載の無機偏光素子の製造方法において、
前記レーザー光を照射する際、前記レーザー光を、前記回折格子に対して固定して一括
照射することを特徴とする無機偏光素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の無機偏光素子の製造方法において、
前記レーザー光の波長が、４００ｎｍ以下であることを特徴とする無機偏光素子の製造方法。
【請求項９】
基体上に電極を形成する工程と、
前記電極上に自己組織化単分子膜を形成する工程と、
前記自己組織化単分子膜をパターニングし自己組織化単分子膜パターンを形成する工程と、
前記自己組織化単分子膜パターン上に圧電体層を形成する工程と、を有し、
前記自己組織化単分子膜パターンを形成する工程が、回折素子にレーザー光を照射し、第１の回折光と第２の回折光を生じさせ、前記第１の回折光と前記第２の回折光とにより干渉光を形成し、前記干渉光を前記自己組織化単分子膜に照射し、前記自己組織化膜をパターニングする、ことを含む、ことを特徴とする圧電体素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の圧電体素子の製造方法において、
前記圧電体層を形成する工程が前記自己組織化単分子膜パターンに溶液を塗布することを含み、前記溶液の前記自己組織化単分子膜パターンのアミノ基またはメルカプト基に対する親和性が前記自己組織化単分子膜の形成されていない領域に対する親和性より高い、ことを特徴とする圧電体素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の圧電体素子の製造方法において、
前記圧電体を形成する工程が前記自己組織化単分子膜パターンにミストを供給することを含み、前記ミストの前記自己組織化単分子膜パターンのアミノ基またはメルカプト基に対する親和性が前記自己組織化単分子膜の形成されていない領域に対する親和性より高い、ことを特徴とする圧電体素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無機偏光素子の製造方法及び圧電体素子の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明に係る無機偏光素子の製造方法は、基体上に自己組織化単分子膜を形成する工程と、前記自己組織化単分子膜をパターニングし自己組織化単分子膜パターンを形成する工程と、前記自己組織化単分子膜パターン上に無電解メッキ法を用いて金属膜を形成する工程と、を有し、前記自己組織化単分子膜パターンを形成する工程が、回折素子にレーザー光を照射し、第１の回折光と第２の回折光を生じさせ、前記第１の回折光と前記第２の回折光とにより干渉光を形成し、前記干渉光を前記自己組織化単分子膜に照射し、前記自己組織化膜をパターニングする、ことを含む、ことを特徴とする。
本発明に係る無機偏光素子の製造方法は、基体上に自己組織化単分子膜を形成する工程と、前記自己組織化単分子膜をパターニングし自己組織化単分子膜パターンを形成する工程と、前記自己組織化単分子膜パターン上に無電解メッキ法を用いて金属膜を形成する工程と、を有し、前記自己組織化単分子膜パターンを形成する工程が、回折素子にレーザー光を照射し、第１の０次回折光と、第１の１次回折光と、第２の０次回折光と、第２の１次回折光と、を生じさせ、前記第１の０次回折光と前記第２の１次回折光とにより第１の干渉光を形成し、前記第１の干渉光を前記自己組織化単分子膜に照射し、前記自己組織化膜をパターニングする、ことを含む、ことを特徴とする。
上記無機偏光素子の製造方法において、前記金属膜を形成する工程の前に、前記自己組織化単分子膜パターン上に触媒層を形成する工程を含む、ことが好ましい。
上記無機偏光素子の製造方法において、前記自己組織化単分子膜がアミノ基またはメルカプト基を含む、ことが好ましい。
上記無機偏光素子の製造方法において、前記回折素子が凹凸形状を含み、前記凹凸形状における凹部の深さ及び凹部と凸部との間のデューティが、前記干渉光のコントラストが最大となるように最適化されている、ことが好ましい。
上記無機偏光素子の製造方法において、前記レーザー光を照射する際、前記レーザー光を前記回折素子に対しで走査することが好ましい。
上記無機偏光素子の製造方法において、前記レーザー光を照射する際、前記レーザー光を、前記回折格子に対して固定して一括照射することが好ましい。
上記無機偏光素子の製造方法において、前記レーザー光の波長が、４００ｎｍ以下であることが好ましい。
本発明に係る圧電体素子の製造方法は、基体上に電極を形成する工程と、前記電極上に自己組織化単分子膜を形成する工程と、前記自己組織化単分子膜をパターニングし自己組織化単分子膜パターンを形成する工程と、前記自己組織化単分子膜パターン上に圧電体層を形成する工程と、を有し、前記自己組織化単分子膜パターンを形成する工程が、回折素子にレーザー光を照射し、第１の回折光と第２の回折光を生じさせ、前記第１の回折光と前記第２の回折光とにより干渉光を形成し、前記干渉光を前記自己組織化単分子膜に照射し、前記自己組織化膜をパターニングする、ことを含む、ことを特徴とする。
上記圧電体素子の製造方法において、前記圧電体層を形成する工程が前記自己組織化単分子膜パターンに溶液を塗布することを含み、前記溶液の前記自己組織化単分子膜パターンのアミノ基またはメルカプト基に対する親和性が前記自己組織化単分子膜の形成されていない領域に対する親和性より高い、ことが好ましい。
上記圧電体素子の製造方法において、前記圧電体を形成する工程が前記自己組織化単分子膜パターンにミストを供給することを含み、前記ミストの前記自己組織化単分子膜パターンのアミノ基またはメルカプト基に対する親和性が前記自己組織化単分子膜の形成されていない領域に対する親和性より高い、ことが好ましい。
本発明の第１の薄膜パターンの形成方法は、基体上に自己組織化単分子膜を形成する工程と、レーザー光源から出射した後マスターを通過させることで所定の干渉パターンを生じさせたレーザー光で、前記自己組織化単分子膜を露光して自己組織化単分子膜パターンを形成する工程と、前記自己組織化単分子膜パターン上に薄膜材料を選択的に配して薄膜パターンを形成する工程と、を備えてなることを特徴としている。
また、第２の薄膜パターンの形成方法は、基体上に感光性のレジスト層を形成する工程と、レーザー光源から出射した後マスターを通過させることで所定の干渉パターンを生じさせたレーザー光で、前記レジスト層を露光して露光パターンを形成する工程と、前記露光パターンに基づいて自己組織化単分子膜パターンを形成する工程と、前記自己組織化単分子膜パターン上に薄膜材料を選択的に配して薄膜パターンを形成する工程と、を備えてなることを特徴としている。
これらの薄膜パターンの形成方法において、前記マスターは、前記レーザー光に対して透明で、且つ前記レーザー光が通過する表面に周期性を有する１次元凹凸形状が形成されており、前記凹凸形状は、前記マスターを通過したレーザー光が前記被露光層の表面で干渉することにより前記干渉パターンを生じるように形成されてなり、前記レーザー光は直線偏光であって、該直線偏光の偏光方位は前記凹凸形状の凹部と平行であり、前記マスターと前記被露光層とは近接した状態に配置されてなるのが好ましい。
なお、ここで選択的に配するとは、自己組織化単分子膜が形成されている領域又は形成されていない領域のどちらか一方に薄膜材料が選択的に配置され、それにより自己組織化単分子膜が形成されている領域又は形成されていない領域のどちらか一方に薄膜パターンが選択的に形成されることをいう。