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【手続補正書】
【提出日】平成18年12月27日(2006.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録済みのシートの後処理を実行するシート後処理装置であって、
前記記録済のシートに対して後処理を行う後処理機構部と、
前記後処理機構部を駆動するためのモータと、
前記モータを回転駆動する駆動手段と、
前記駆動手段による前記モータの正転駆動時に前記モータを流れる電流が第１電流値以上かどうかを検知する第１検知手段と、
前記駆動手段による前記モータの逆転駆動時に前記モータを流れる電流が第２電流値以上かどうかを検知する第２検知手段と、
前記第１検知手段或は前記第２検知手段のいずれかにより前記モータを流れる電流が前記第１電流値以上、或は第２電流値以上であると検知されると、前記駆動手段による前記モータの駆動を停止させる駆動停止手段とを有し、
前記第２電流値は前記第１電流値よりも大きいことを特徴とするシート後処理装置。
【請求項２】
前記第１検知手段は、前記モータを検出するための抵抗と、前記抵抗に発生する電圧と第１基準電圧とを比較する第１比較手段とを有し、
前記第２検知手段は、前記抵抗に発生する電圧と第２基準電圧とを比較する第２比較手段とを有することを特徴とする請求項１に記載のシート後処理装置。
【請求項３】
前記駆動停止手段は、前記第１及び第２比較手段の出力に応じて前記モータを流れる電流を遮断するスイッチング素子を含むことを特徴とする請求項２に記載のシート後処理装置。
【請求項４】
前記後処理は、複数のシートを整合してステープルする処理を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシート後処理装置。
【請求項５】
前記後処理は、前記シートに穴を空けるパンチ処理を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシート後処理装置。
【請求項６】
異常検知手段を更に有し、前記異常検知手段により異常状態を検知すると、当該異常状態からの復帰動作時に前記モータを逆転し、異常状態でない正常動作時は前記モータを正転駆動する手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のシート後処理装置。
【請求項７】
シート後処理装置を具備する画像記録装置であって、
記録信号に応じてシートに画像を記録する記録手段と、
前記記録手段により記録されたシートを後処理機構部に搬送する搬送手段と、
前記後処理機構を駆動するためのモータと、
前記モータを回転駆動する駆動手段と、
前記駆動手段による前記モータの正転駆動時に前記モータを流れる電流が第１電流値以上かどうかを検知する第１検知手段と、
前記駆動手段による前記モータの逆転駆動時に前記モータを流れる電流が第２電流値以上かどうかを検知する第２検知手段と、
前記第１検知手段或は前記第２検知手段のいずれかにより前記モータを流れる電流が前記第１電流値以上、或は第２電流値以上であると検知されると、前記駆動手段による前記モータの駆動を停止させる駆動停止手段とを有し、
前記第２電流値は前記第１電流値よりも大きいことを特徴とする画像記録装置。
【請求項８】
前記第１検知手段は、前記モータを流れる電流を検出するための抵抗と、前記抵抗に発生する電圧と第１基準電圧とを比較する第１比較手段とを有し、
前記第２検知手段は、前記抵抗に発生する電圧と第２基準電圧とを比較する第２比較手段とを有することを特徴とする請求項７に記載の画像記録装置。
【請求項９】
前記駆動停止手段は、前記第１及び第２比較手段の出力に応じて前記モータを流れる電流を遮断するスイッチング素子を含むことを特徴とする請求項８に記載の画像記録装置。
【請求項１０】
前記後処理は、複数のシートを整合してステープルする処理を含むことを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の画像記録装置。
【請求項１１】
前記後処理は、前記シートに穴を空けるパンチ処理を含むことを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の画像記録装置。
【請求項１２】
異常検知手段を更に有し、前記異常検知手段により異常状態を検知すると、当該異常状態からの復帰動作時に前記モータを逆転し、異常状態でない正常動作時は前記モータを正転駆動する手段を更に有することを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか１項に記載の画像記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シート後処理装置と当該後処理装置を具備する画像記録装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えば記録済みのシートを整合してステープルや綴じ穴を空けるパンチ処理を実行するシート後処理装置と当該後処理装置を具備する画像記録装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、ステープル処理のようなシート後処理装置において異常が発生した場合における駆動電流の増大を抑えることができるシート後処理装置と当該後処理装置を具備する画像記録装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明のシート後処理装置は以下のような構成を備える。即ち、
記録済みのシートの後処理を実行するシート後処理装置であって、
前記記録済のシートに対して後処理を行う後処理機構部と、
前記後処理機構部を駆動するためのモータと、
前記モータを回転駆動する駆動手段と、
前記駆動手段による前記モータの正転駆動時に前記モータを流れる電流が第１電流値以上かどうかを検知する第１検知手段と、
前記駆動手段による前記モータの逆転駆動時に前記モータを流れる電流が第２電流値以上かどうかを検知する第２検知手段と、
前記第１検知手段或は前記第２検知手段のいずれかにより前記モータを流れる電流が前記第１電流値以上、或は第２電流値以上であると検知されると、前記駆動手段による前記モータの駆動を停止させる駆動停止手段とを有し、
前記第２電流値は前記第１電流値よりも大きいことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の画像記録装置は以下のような構成を備える。即ち、
シート後処理装置を具備する画像記録装置であって、
記録信号に応じてシートに画像を記録する記録手段と、
前記記録手段により記録されたシートを後処理機構部に搬送する搬送手段と、
前記後処理機構を駆動するためのモータと、
前記モータを回転駆動する駆動手段と、
前記駆動手段による前記モータの正転駆動時に前記モータを流れる電流が第１電流値以上かどうかを検知する第１検知手段と、
前記駆動手段による前記モータの逆転駆動時に前記モータを流れる電流が第２電流値以上かどうかを検知する第２検知手段と、
前記第１検知手段或は前記第２検知手段のいずれかにより前記モータを流れる電流が前記第１電流値以上、或は第２電流値以上であると検知されると、前記駆動手段による前記モータの駆動を停止させる駆動停止手段とを有し、
前記第２電流値は前記第１電流値よりも大きいことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月12日(2007.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
Bi1〜30質量％及び平均粒径が10〜50μmの硬質物粒子0.1〜10質量％を含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなる組成を有し、前記Bi相と接している硬質物粒子に関して、該硬質物粒子全周に対するBi相の接触長さ割合が５０％以下である硬質物粒子の存在割合が硬質物粒子個数の全体に対して７０％以上であることを特徴とするPbフリー銅基焼結合金。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
Bi1〜30質量％と、平均粒径が10〜50μmの硬質物粒子0.1〜10質量％と、Sn1〜15質量％、Ni0.1〜5質量％、及び0.5質量％以下のPからなる群の少なくとも1種とを含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなる組成を有し、前記Bi相と接している硬質物粒子に関して、該硬質物粒子全周に対するBi相の接触長さ割合が５０％以下である硬質物粒子の存在割合が硬質物粒子個数の全体に対して７０％以上であることを特徴とするPbフリー銅基焼結合金。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
特許文献５（特開2001−220630号公報）は、Cu-Bi(Pb)系焼結合金において、耐摩耗性向上のために添加された金属間化合物がBi又はPb相の周りに存在する組織とすることにより、摺動巾に金属間化合物が銅合金表面から突出し、Bi、Pb相及びCuマトリックスは凹んでオイル溜まりとなり、耐焼付性及び耐疲労性に優れた摺動材料が得られることが開示されている。焼結条件の例としては、800〜920℃で約15分が挙げられている。
【特許文献１】特公平８−１９９４５号公報
【特許文献２】特公平７−９０４６号公報
【特許文献３】特開平１０−３３０８６８号公報
【特許文献４】特許第３４２１７２４号
【特許文献５】特開２００１−２２０６３０号公報
【特許文献６】特開２００２−１２９０２号公報
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上述したように、従来のCu-Bi系合金はなじみ性、耐疲労性及び耐食性を高いレベルで両立させることができなかったので、本発明の第一は、Bi1〜30質量％及び平均粒径が10〜50μmの硬質物粒子0.1〜10質量％を含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなる組成を有し、前記硬質物粒子より平均粒径が小さいBi相がCuマトリックス中に分散されていることを特徴とするPbフリー銅基焼結合金を提供し、本発明の第二は、Bi1〜30質量％及び平均粒径が10〜50μmの硬質物粒子0.1〜10質量％を含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなる組成を有し、前記Bi相と接している硬質物粒子に関して、該硬質物粒子全周に対するBi相の接触長さ割合が５０％以下である硬質物粒子の存在割合が硬質物粒子個数の全体に対して７０％以上であることを特徴とするPbフリー銅基焼結合金を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の第二においては、Bi相と接している硬質物粒子に関して、該硬質物粒子の全周に対するＢｉ相の接触長さ割合が５０％以下である硬質物粒子の存在割合が硬質物粒子個数の全体に対して７０％以上であると規定している。ここで、「硬質物粒子の全周に対するＢｉ相の接触長さ割合」を「硬質物接触比率」ということにする。硬質物接触比率が１００％であると、特定の１個のＢｉ相と接している１又は２以上の硬質物粒子のそれぞれが、全周でＢｉ相と接していることであり、これは、とりもなおさず、硬質物粒子がＢｉ相中に埋め込まれている状態である。一方硬質物接触比率が１００％未満であり、０でないとすると、硬質物粒子はＢｉ相外にはみ出した部分を必ず有しており、この部分は銅合金と接していることになる。本発明において、硬質物接触比率を５０％以下としたのは、硬質物粒子とＢｉ相との接触をできるだけ少なくすることにより、それぞれの特性を十分に発揮させるためである。次に、５０％以下の硬質物接触比率の硬質粒子が硬質物全体に対して存在する個数割合を『硬質物存在率』ということにする。硬質物存在率が１００％であると、すべての硬質物接触比率が５０％以下である。一方、硬質物存在比率が０％であると、すべての硬質物粒子に関して硬質物接触比率が５０％を超えることになる。
本発明においては硬質物存在比率を７０％以上に限定したのは、接触が少ないＢｉ相
と硬質粒子を相対的に多くすることにより、それぞれの特性を十分に発揮させるためである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
このような焼結過程をもたらすためには、Cu-Biプレアロイアトマイズ粉末あるいは
Cu（合金）アトマイズ粉末とCu-Bi合金粉末との混合粉末を焼結温度での保持時
間が２分以下の短時間焼結を行なうことが好ましい。このような短時間焼結は特許文
献６（特開２００２−１２９０２号公報）で本出願人が提案した高周波焼結により行
なうことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月24日(2006.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材粒子と前記基材粒子を被覆する中空粒子とからなることを特徴とする被覆粒子。
【請求項２】
中空粒子の空隙率が１０％以上であることを特徴とする請求項１記載の被覆粒子。
【請求項３】
基材粒子及び中空粒子は、有機化合物からなることを特徴とする請求項１又は２記載の被覆粒子。
【請求項４】
中空粒子によって基材粒子表面が単層で被覆されていることを特徴とする請求項１、２又は３記載の被覆粒子。
【請求項５】
請求項１、２、３又は４記載の被覆粒子からなることを特徴とする液晶表示素子用スペーサ。
【請求項６】
請求項５記載の液晶表示素子用スペーサを用いてなることを特徴とする液晶表示素子。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月6日(2007.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルムの重量を基にして少なくとも約０．００１重量％の単一壁カーボンナノチューブ材料を含む包装用フィルムを提供する段階と、および
相対湿度０％及び２３℃で測定した場合に包装用フィルムの酸素透過率を少なくとも約１００ｃｍ３（標準温度及び圧力）／ｍ２／日／酸素差圧１気圧増加するために有効な量の放射線エネルギーを包装用フィルムに照射する段階と、
を含む包装用フィルムの気体透過率の増加方法。
【請求項２】
放射線エネルギー量が最大約３０秒間の持続時間内に放出される少なくとも約０．０１ｍＪ／ｃｍ２の表面線量の非電離放射線を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
放射線エネルギー量が最大約１０秒間の持続時間内に放出される少なくとも約１ｍＪ／ｃｍ２の表面線量の非電離放射線を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
放射線照射段階が包装用フィルムの表面に少なくとも約１０ｍＷ／ｃｍ２の放射線強度の非電離放射線を含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
放射線照射段階が包装用フィルムの表面に少なくとも約１００ｍＷ／ｃｍ２の放射線強度の非電離放射線を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
放射線エネルギー量が最大約３０秒間の持続時間内に放出される少なくとも約０．１ｋＧｙの吸収線量の包装用フィルムに吸収される電離放射線を含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
提供段階の包装用フィルムが包装用フィルムにおける単一壁カーボンナノチューブ材料の合計量の重量を基にして少なくとも約５０％の単一壁カーボンナノチューブ材料を含む少なくとも１層を含む請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
提供段階の包装用フィルムが相対湿度０％及び２３℃で測定した場合に最大約１００ｃｍ３（標準温度及び圧力）／ｍ２／日／酸素差圧１気圧の酸素透過率を有する請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
照射段階が相対湿度０％及び２３℃で測定した場合に包装用フィルムの酸素透過率を少なくとも約１，０００ｃｍ３（標準温度及び圧力）／ｍ２／日／酸素差圧１気圧増加させる請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
提供段階の包装用フィルムがエチレン／ビニルアルコールコポリマー、ポリビニルアルコール、塩化ビニリデンポリマー、ポリアルキレンカーボネート、ポリエステル、ポリアクリロニトリル、及びポリアミドの１種以上から選択される酸素遮断ポリマーを１００重量部と、および
酸素遮断ポリマー１００重量部当たり少なくとも約０．００１重量部の単一壁カーボンナノチューブ材料と、を含む請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
酸素遮断ポリマーがエチレン／ビニルアルコールコポリマーまたは塩化ビニリデンポリマーを含み、提供段階の包装用フィルムが酸素遮断ポリマー１００重量部当たり少なくとも約０．１重量部の単一壁カーボンナノチューブ材料を含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
有効量の放射線エネルギーを照射する段階が最大約１０秒間まで実施される請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
放射線照射段階が可視光エネルギー、赤外光エネルギーまたは紫外光エネルギーのうちの１種を少なくとも約５０％含む有効量の非電離放射線を照射する段階を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
放射線照射段階が少なくとも約５０％の電子ビームエネルギーを含む有効量の電離放射線を照射する段階を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
照射段階が提供段階の包装用フィルムに存在する単一壁カーボンナノチューブ材料の少なくとも約５０重量％を構造的に破壊する請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
提供段階の包装用フィルムが無孔であり、有効量の放射線エネルギーを包装用フィルムに照射する段階が包装用フィルムに複数の孔を開ける請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
包装用フィルムがエチレン／ビニルアルコールコポリマー、ポリビニルアルコール、塩化ビニリデンポリマー、ポリアルキレンカーボネート、ポリエステル、ポリアクリロニトリル、及びポリアミドの１種以上から選択される酸素遮断ポリマー１００重量部と、酸素遮断ポリマー１００重量部当たり少なくとも約０．００１重量部の単一壁カーボンナノチューブ材料を含む包装用フィルムを含む、内部スペースを規定するパッケージと、
パッケージの内部スペースに封入された食品と、および
パッケージの内部スペースに封入された調整気相と、
を含む包装食品。
【請求項１８】
請求項１７に記載の包装食品を提供する段階と、および
相対湿度０％及び２３℃で測定した場合に包装用フィルムの酸素透過率を少なくとも約１００ｃｍ３（標準温度及び圧力）／ｍ２／日／酸素差圧１気圧増加するために有効な量の放射線エネルギーを包装食品の包装用フィルムに照射する段階と、
を含む包装食品の供給方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月3日(2007.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
式（２）におけるＲ1〜Ｒ15としては、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、炭素数１〜１２の炭化水素アルキル基、または炭素数１〜１２のアルコキシ基、アリールオキシ基、芳香族基、ヘテロ環基を挙げることができる。Ｒ1〜Ｒ15に用いられるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、およびヨウ素を挙げることができる。Ｒ1〜Ｒ15に用いられる炭素数１〜１２の炭化水素アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基等を挙げることができる。Ｒ1〜Ｒ15に用いられる炭素数１〜１２のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基等を挙げることができる。Ｒ1〜Ｒ15に用いられるアリールオキシ基としては、フェノキシ基、４−メチルフェノキシ基、ナフチルオキシ基、アンスラニルオキシ基等を挙げることができる。Ｒ1〜Ｒ15に用いられる芳香族としては、フェニル基、ビフェニル基、テルフェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基などを挙げることができる。Ｒ1〜Ｒ15に用いられるヘテロ環基としては、ピリジル基、ピロール基、フラニル基、チオフェン基、ピラゾール基、イミダゾール基、トリアゾール基、テトラゾール基、オキサゾール基、オキサジアゾール基、チアゾール基、チアジアゾール基、インドール基、カルバゾール基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェン基、ベンゾイミダゾール基、ベンゾトリアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾチアゾール基、ベンゾジチアゾール基、フリル基などを挙げることができる。また、Ｒ1〜Ｒ15のうち、同一のフェニル基上に隣接して付いているものは結合して縮合環を形成してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月9日(2007.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
各種の金属製部品、特にネジ、ボルト、ナット、リベット、小物プレス部品等の小型金属製部品は、腐食から防護するためにその表面に様々な防食被膜が形成される。この防食被膜の形成方法として、有機または無機の結合剤と亜鉛粒子または亜鉛合金粒子等の金属粒子を含有する水性分散液を金属製部品の表面に塗布し、その後、硬化処理して硬化被膜を形成する防食方法が知られている（例えば、特許文献１、２、３および４参照）。
【特許文献１】特許第８３３９３４号
【特許文献２】特許第１３２０２９７号
【特許文献３】特許第１８３７４０３号
【特許文献４】米国特許第５８６８８１９号
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、この発明の前記課題を解決するための第２の手段は、
２．複数の金属製部品の表面に塗布された、結合剤と防錆性金属粒子とを含有する水性分散液中に含まれる揮発成分を除去する低温炉および揮発成分が除去された前記水性分散液を硬化させて硬化被膜を形成する高温炉を備えて成ることを特徴とする金属製部品の防食装置
である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
この発明の金属製部品の防食方法は、まず、前記のとおり調製されて結合剤と防錆性金属粒子とを有する水性分散液を複数の金属製部品の表面に塗布する。金属製部品の表面に前記水性分散液を塗布する方法としては、例えば、金属製部品を籠に収納し、水性分散液中にこれを浸漬して、籠を回転させ、過剰の水性分散液を除去する遠心振り切り法、水性分散液中に金属製部品を浸漬し、これをゆっくりと引き上げるディップ法、金属製部品の表面上に水性分散液を流延する流延法、水性分散液の貯留された槽の一端から水性分散液に金属製部品を浸漬し、槽の他端から金属製部品を取り出す連続法、回転する金属製部品上に水性分散液を滴下し、金属製部品に作用する遠心力によって水性分散液を金属製部品上に流延するスピンナー法、金属製部品の表面に水性分散液を吹き付けるスプレー法およびフローコート法等を挙げることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
２．また、この発明の金属製部品の防食装置は、複数の金属製部品の表面に塗布された、結合剤と防錆性金属粒子とを含有する水性分散液に含まれる揮発成分を除去する低温炉および揮発成分が除去された前記水性分散液を硬化させて硬化被膜を形成する高温炉を備えて成る装置である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
この発明に係る防食装置１を用いて金属製部品の防食を図るには、まず、結合剤と防錆性金属粒子とを含有する水性分散液（以下、単に「水性分散液」ということがある。）がその表面に塗布された複数の金属製部品６が用意される。このときの金属製部品、前記水性分散液およびその調製ならびに金属製部品の表面の脱脂処理、錆の除去処理および金属製部品の表面に対する水性分散液の塗布については、前記１．の金属製部品の防食方法において説明したとおりである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
前段搬送機４上に据置された前記複数の金属製部品６は、前段搬送機４の移動によって低温炉２内に搬入される。この低温炉２は、金属製部品の表面に塗布された水性分散液に含まれる揮発成分を加熱することによって除去する炉である。このときの加熱温度および加熱時間は、前記１．の金属製部品の防食方法において説明したとおりである。また、前記揮発成分の除去による効果も、前記１．の金属製部品の防食方法において説明したとおりである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
前記高温炉３は、前記低温炉２によって金属製部品の表面に塗布された水性分散液中の揮発成分が除去され、表皮のみが乾燥され形成された塗膜を加熱することにより硬化処理して、金属製部品の表面に硬化被膜を形成する炉である。このときの加熱温度および加熱時間は、前記１．の金属製部品の防食方法において説明したとおりである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月26日(2007.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燐光体の製造方法であって、前記方法が前記燐光体を構成する成分としてマトリックス成分及びドーパントアクチベータ要素を燃焼又は蒸発することによってその表面を生長する工程を含み、前記燐光体の生長が最後の増大成長中で前記生長を終わる前にその最大方向の距離ｑ（μｍで表示）にわたって行なわれ、前記燐光体の体積増加（体積百分率で表示）が５％より大きい場合において、アクチベータ要素部分がｑ／１０に相当する距離にわたって前記燐光体の表面層の生長前後で測定すると下記条件を満足することを特徴とする方法：
−（ｑ／１０）−１＜ｒｉｃｏ＜０
式中、前記“ｒｉｃｏ”値（μｍ−１で表示）は前記表面の下にｑ／１０の深さで測定された前記アクチベータ濃度（１）と前記表面で測定された前記アクチベータ濃度（２）との濃度差と、前記表面で測定された前記アクチベータ濃度（２）との比を、０．１とｑの積によって割った値として計算される。
【請求項２】
ｑが針、角柱、円柱又はブロック形状の燐光体結晶に対して５０μｍの値に等しく、その最大方向がその高さ方向である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ｑが球状燐光体結晶に対して２μｍの値に等しく、その最大方向がその直径の高さ方向である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記燐光体を構成する成分が下記のものである請求項１〜３のいずれかに記載の方法：
−  マトリックス成分（１−ａ）ＭＩＸ．ａＭＩＩＸ２
式中、ＭＩは一価のＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ又はＣｓの少なくとも一つであり、ＭＩＩはＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ及びＮｉからなる群から選択される二価金属元素であり、ＸはＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，及びＩからなる群から選択されるハロゲン原子であり、０≦ａ＜０．５である；及び
−  ドーパントアクチベータ要素Ｌｎ
但し、ＬｎはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｂｉ，Ｉｎ又はＧａを表す。
【請求項５】
製造工程として下記工程を含む請求項２に記載の方法：
−  前記マトリックス成分と前記ドーパントアクチベータ要素を含有する成分を化学量論比で混合して所望の燐光体組成物を与える；
−  前記マトリックス成分及びドーパントアクチベータ要素を微粉砕又は粉砕する；
−  前記マトリックス成分と前記ドーパントアクチベータ要素を含有する前記成分の混合物を減圧雰囲気下で反応を与える装置における不活性るつぼに入れる；
−  前記混合物を所望の燐光体の溶融温度Ｔｍｅｌｔと少なくとも等しいか又はそれより高い温度Ｔまで燃焼する；
−  前記燐光体を冷却する。
【請求項６】
製造工程として下記工程を含む請求項３に記載の方法：
−  前記マトリックス成分と前記ドーパントアクチベータ要素を含有する成分を化学量論比で混合して所望の燐光体組成物を与える；
−  前記マトリックス成分及びドーパントアクチベータ要素を微粉砕又は粉砕する；
−  前記混合物をＴｍｅｌｔ−１００℃からＴｍｅｌｔ＋１００℃までの温度Ｔまで燃焼（焼成）し、そこでは溶融温度Ｔｍｅｌｔは所望の燐光体の溶融温度を表す；
−  前記燐光体を冷却する。
【請求項７】
前記マトリックス成分がＣｓＢｒであり、前記ドーパントアクチベータ要素がＥｕである請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月1日(2006.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
クルミ科ユグランス属の果実の仁を、水と混合しうる有機溶剤で抽出し、しかる後溶剤を除去し、水と、水と任意の割合では混合しない有機溶剤とで液液抽出を行い、水相を取り、該水相に溶解している成分をイオン交換樹脂を充填したカラムクロマトグラフィーにより、水と低級アルコールの混合溶媒を溶出溶媒として精製することを特徴とする、請求項１又は２に記載のジカルボン酸配糖体乃至はその塩の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
過酸化物が生体に対して、老化促進、起炎症、ＤＮＡ損傷或いは癌の発生などのように、種々の好ましくない働きをすることは、今や殆ど誰もが知っている事実であり、食品や化粧品の分野では、過酸化物の発生を防ぐ種々の手だてが考案されている。この様な抗酸化手段の内、特にその効果の大きいものに、抗酸化剤の添加がある。脂溶性の抗酸化剤としては、トコフェロール類やＢＨＴ、ＢＨＡ、カテキンなどのポリフェノール類が知られているし、水溶性の抗酸化剤としては、アスコルビン酸類等が知られている。この内、水溶性の抗酸化剤については、アスコルビン酸類が使用されているものの、アスコルビン酸類の経時的な安定性には問題が存し、時としてこれを含む組成物全体が褐色に変化してしまう場合が存し、この改善が求められていた。アスコルビン酸類以外の水溶性の抗酸化剤としては、ルテオリン−７−グルコシド（例えば、特許文献１を参照）や水性のごまの抽出物（例えば、特許文献２を参照）等が存するが、これらは未だ実用化に至っていない。即ち、水溶性の特性を有する新規の抗酸化成分を開発することが望まれていたと言える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この様な状況に鑑みて、本発明者らは、抗酸化能を有するクルミの仁の水性抽出物分画について精製作業を重ねた結果、クルミ科ユグランス属の果実の仁を、水と混合しうる有機溶剤で抽出し、しかる後溶剤を除去し、水と、水と任意の割合では混合しない有機溶剤と
で液液抽出を行い、水相を取り、該水相に溶解している成分をイオン交換樹脂を充填したカラムクロマトグラフィーにより、水と低級アルコールの混合溶媒を溶出溶媒として精製することにより、前記一般式（１）に表される化合物を単離し、発明を完成するに至った。即ち、本発明は以下に示す技術に関するものである。
（１）前記一般式（１）に表されるジカルボン酸配糖体乃至はその塩。
（２）前記一般式（１）に表される化合物が、次に構造を示すグランスレジノサイドＡ又はグランスレジノサイドＢであることを特徴とする、（１）に記載のジカルボン酸配糖体乃至はその塩。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（３）クルミ科ユグランス属の果実の仁を、水と混合しうる有機溶剤で抽出し、しかる後溶剤を除去し、水と、水と任意の割合では混合しない有機溶剤とで液液抽出を行い、水相を取り、該水相に溶解している成分をイオン交換樹脂を充填したカラムクロマトグラフィーにより、水と低級アルコールの混合溶媒を溶出溶媒として精製することを特徴とする、（１）又は（２）に記載のジカルボン酸配糖体乃至はその塩の製造方法。
（４）液液抽出に用いる、水と任意の割合では混合しない有機溶剤が、酢酸エチル及び／又はｎ−ブチルアルコールであることを特徴とする、（３）に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月16日(2007.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを格納する複数のデータ・トラックを有する第１ゾーンと、
ヘッドが前記第１ゾーン上方にある場合よりもヘッドの浮揚高さを高くする表面を有する第２ゾーンと含み、前記第１ゾーンはディスクリート・トラック記録パターンを含むと共に、前記第２ゾーンは前記第１ゾーンの表面に対して平坦な表面を有する磁気記録ディスク。
【請求項２】
浮揚高さにあるヘッドからデータを格納する手段と、
前記ディスクの表面テクスチャを利用して、前記ヘッドの前記浮揚高さを高くする手段とを含む磁気記録ディスク。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月7日(2006.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図３および図４から分かるように、ラッチ回路がオフ状態のときには、Ｐ-型の半導体
基板１およびＰ-型不純物拡散領域４，Ｐ-型不純物拡散領域１１，Ｐ-型不純物拡散領域１９，Ｐ-型不純物拡散領域２５それぞれから空乏層が延びることにより、Ｎ-型エピタキシャル層２が完全に空乏化されている。したがって、Ｎ-型エピタキシャル層２の表面電界は緩和されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、Ｐ-型の半導体基板１側から延びる空乏層は、Ｐ-型不純物拡散領域４，Ｐ+型不純物拡散領域６，Ｐ-型不純物拡散領域１１，Ｐ+型不純物拡散領域１２，Ｐ+型不純物拡散領域１６，Ｐ-型不純物拡散領域１９，Ｐ+型不純物拡散領域２２，Ｐ-型不純物拡散領域２５には達しない。このような作用は、ＤＯＵＢＬＥ  ＲＥＳＵＲＦと呼ばれる表面電界を緩和する構造に付随した作用であり、特開平１０−４１４３号公報に記載されている。表面電界を緩和するＤＯＵＢＬＥ  ＲＥＳＵＲＦ条件を満たせば、素子の耐圧は、半導体基板の主表面に垂直な方向の１次元耐圧となる。したがって、素子の耐圧は、Ｐ-型の半導体基板１とＮ-型エピタキシャル層２との間の耐圧により決定される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月19日(2006.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サブストレートと、
前記サブストレート上にありＣｒとＣｒの合金から成るグループから選択された非強磁性の下地層と、
前記下地層の上に直接かつ接触して形成されており、本質的にコバルト（Ｃｏ）とクロム（Ｃｒ）と鉄（Ｆｅ）から成る合金である第１の強磁性薄膜と、
前記第１の強磁性薄膜上の非強磁性スペーサ薄膜と、
前記スペーサ薄膜上にあり、ＣｏとＢを含む合金であり、前記スペーサ薄膜を通して前記第１の強磁性薄膜と反強磁性的に交換結合している第２の強磁性薄膜と、
を有し、
前記下地層は、Ｃｒとチタン（Ｔｉ）のみの合金であることを特徴とする磁気記録ディスク。
【請求項２】
さらに、前記サブストレートと前記下地層の間にシード層を有し、前記下地層が直接前記シード層上に接触して形成されていることを特徴とする請求項１記載のディスク。
【請求項３】
前記シード層は、ルテニューム（Ｒｕ）とアルミニューム（Ａｌ）のみの合金であることを特徴とする請求項２記載のディスク。
【請求項４】
前記シード層は、ニッケル（Ｎｉ）とアルミニューム（Ａｌ）のみの合金であることを特徴とする請求項２記載のディスク。
【請求項５】
前記スペーサ薄膜は、本質的にルテニューム（Ｒｕ）から成ることを特徴とする請求項１記載のディスク。
【請求項６】
前記第２の強磁性薄膜は、さらにＣｒとＰｔを含む合金であることを特徴とする請求項１記載のディスク。
【請求項７】
前記サブストレートはガラスであることを特徴とする請求項１記載のディスク。
【請求項８】
さらに、前記第２の強磁性薄膜上に形成された保護膜を有することを特徴とする請求項１記載のディスク。
【請求項９】
前記第１の強磁性薄膜はＣｏとＣｒとＦｅのみの合金であることを特徴とする請求項１記載のディスク。
【請求項１０】
前記第１の強磁性薄膜は、Ｃｏ（１００−ｘ−ｙ）ＣｒｘＦｅｙ、但しｘは２と２５の間で、ｙは２と３０の間である、の組成を持つことを特徴とする請求項１記載のディスク。
【請求項１１】
前記第１の強磁性薄膜は、およそ０．５と３．５ｎｍの間の厚さを持つことを特徴とする請求項１記載のディスク。
【請求項１２】
前記第１の強磁性薄膜はｔ１の厚さとＭ１の磁化を持ち、前記第２の強磁性薄膜はｔ２の厚さとＭ２の磁化を持ち、前記第１と第２の強磁性薄膜の単位面積当たりの磁化モーメント（Ｍ１×ｔ１）と（Ｍ２×ｔ２）は、それぞれ互いに異なっていることを特徴とする請求項１記載のディスク。
【請求項１３】
ガラスのサブストレートと、
前記サブストレート上にあり、ＣｒとＣｒＶ合金とＣｒＴｉ合金から成るグループから選択された下地層と、
およそ２と２５原子パーセントの間であるＣｒとおよそ２と３０原子パーセントの間であるＦｅとＣｏのみの合金であり前記下地層の上に直接かつ接触する第１の強磁性薄膜と、前記第１の強磁性薄膜上にありＲｕとＣｒとＲｈとＩｒとＣｕとこれらの合金から成るグループから選択された材料による非強磁性スペーサ薄膜と、前記スペーサ薄膜上にありＣｏとＢを含む合金の第２の強磁性薄膜とを有し、前記スペーサ薄膜は前記第２の強磁性薄膜が当該スペーサ薄膜を通して前記第１の強磁性薄膜に反強磁性的に交換結合されるように誘導するために十分な厚さを持つ、前記下地層上にある磁気記録層と、
前記磁気記録層上に形成された保護膜と、を有することを特徴とする磁気記録ディスク。
【請求項１４】
さらに、前記サブストレートと前記下地層の間にシード層を有し、前記下地層はＣｒとＴｉのみの合金であり前記シード層上に直接かつ接触して形成されていることを特徴とする請求項１３記載のディスク。
【請求項１５】
前記シード層は、ＲｕＡｌ合金とＮｉＡｌ合金から成るグループから選択されることを特徴とする請求項１４記載のディスク。
【請求項１６】
前記スペーサ薄膜は、Ｒｕであることを特徴とする請求項１５記載のディスク。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月20日(2007.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 カーボン繊維不織布と、前記カーボン繊維不織布で挟まれもしくは囲まれたカーボン繊維織布と、で構成されていることを特徴とするガス拡散層。
【請求項２】  前記カーボン繊維不織布の厚みＴPの前記カーボン繊維織布の厚みＴClに対する比ＴP／ＴClが、０．７〜０．９であることを特徴とする請求項１記載のガス拡散層。
【請求項３】  前記カーボン繊維織布の面積ＳClの前記ガス拡散層の全面積Ｓに対する比ＳCl／Ｓが、０．５〜０．９であることを特徴とする請求項１または２記載のガス拡散層。
【請求項４】  前記カーボン繊維不織布が格子の形状を有し、前記格子の窓状開口部に前記カーボン繊維織布が組み合わされていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のガス拡散層。
【請求項５】  水素イオン伝導性高分子電解質膜、ならびに前記電解質膜を挟む燃料電極および酸化剤電極で構成され、
前記燃料電極および前記酸化剤電極が、触媒層と請求項１〜４のいずれかに記載のガス拡散層とを含むことを特徴とする高分子電解質型燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、カーボン繊維不織布と、前記カーボン繊維不織布で挟まれもしくは囲まれたカーボン繊維織布と、で構成されていることを特徴とするガス拡散層を提供する。
前記ガス拡散層においては、前記カーボン繊維不織布の厚みＴPの前記カーボン繊維織布の厚みＴClに対する比ＴP／ＴClが、０．７〜０．９であるのが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記カーボン繊維織布の面積ＳClの前記ガス拡散層の全面積Ｓに対する比ＳCl／Ｓが、０．５〜０．９であるのが好ましい。
また、前記カーボン繊維不織布が格子の形状を有し、前記格子の窓状開口部に前記カーボン繊維織布が組み合わされているのが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明は、カーボン繊維不織布と、前記カーボン繊維不織布で挟まれもしくは囲まれたカーボン繊維織布と、で構成されていることを特徴とするガス拡散層に関する。さらに具体的には、本発明に係るガス拡散層はシート状であり、その面内において、カーボン繊維織布からなる部分と、カーボン繊維不織布からなる部分とが存在する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明に係る高分子電解質型燃料電池においては、カーボン繊維不織布と、カーボン繊維不織布で挟まれもしくは囲まれたカーボン繊維織布と、から構成されるガス拡散層を具備することにより、カーボン繊維織布と接する触媒層が高い耐フラッディング性を有する。したがって、本発明に係る高分子電解質型燃料電池は、高加湿ガスによる作動に適している。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月5日(2007.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性体を含む加熱手段と、
前記加熱手段の長手方向に複数配置され、２つの独立した共振回路を構成する複数のコイルと、
この複数のコイルが加熱した領域の温度を検知する複数の温度検知手段と、
前記２つの共振回路を交互に駆動するよう制御する制御手段と、
前記複数の温度検知手段が検知した温度差とあらかじめ決められた値とを比較する比較手段とからなり、
この比較手段により比較された結果に応じて、前記制御手段は前記２つの共振回路の駆動時間を切り替えるよう制御することを特徴とする定着装置。
【請求項２】
前記比較手段で温度が低いと判断された方の領域を加熱するコイルの駆動時間を、温度が高いと判断された方の領域を加熱するコイルの駆動時間より長くすることを特徴とする請求項１記載の定着装置。
【請求項３】
前記温度が低いと判断された方の領域を加熱するコイルの駆動時間と、前記温度が高いと判断された方の領域を加熱するコイルの駆動時間とを切り替える際、この切り替えるまでの最小時間間隔を、１／共振回路に印加される周波数の半波長、の整数倍とすることを特徴とする請求項１記載の定着装置。
【請求項４】
前記温度が低いと判断された方の領域を加熱するコイルの駆動時間と、前記温度が高いと判断された方の領域を加熱するコイルの駆動時間とを切り替える際、この切り替えるまでの最小時間間隔を、０．５秒以内とすることを特徴とする請求項３記載の定着装置。
【請求項５】
前記加熱手段は、芯金と、芯金の周りに設けられた発泡ゴムと、発泡ゴムの周りに設けられた金属導電層と、を有し、前記複数のコイルは、前記金属導電層の外側に位置されていることを特徴とする請求項１記載の定着装置。
【請求項６】
磁性体を含む加熱手段と、
前記加熱手段の長手方向に複数配置され、コイルと共振用コンデンサとからなり、第１の共振周波数を有する第１の共振回路と、コイルと共振用コンデンサとからなり、第１の共振周波数とは異なる第２の共振周波数を有する第２の共振回路と、
この第１及び第２の共振回路のそれぞれのコイルが加熱した領域の温度を検知する複数の温度検知手段と、
前記第１及び第２の共振回路を前記第１及び第２の周波数の駆動電流で駆動する制御手段と、
前記複数の温度検知手段が検知した温度差とあらかじめ決められた値とを比較する比較手段とからなり、
この比較手段により比較された結果に応じて、前記制御手段は前記第１及び第２共振回路に、前記第１の周波数または第２周波数のいずれかの駆動電流を供給するよう制御することを特徴とする定着装置。
【請求項７】
前記比較手段で温度が低いと判断された方の領域を主として加熱するコイルへの周波数電流の供給時間を、温度が高いと判断された方の領域を加熱するコイルへの周波数電流の供給時間より長くすることを特徴とする請求項６記載の定着装置。
【請求項８】
前記加熱手段は、芯金と、芯金の周りに設けられた発泡ゴムと、発泡ゴムの周りに設けられた金属導電層と、を有し、前記複数のコイルは、前記金属導電層の外側に位置されていることを特徴とする請求項６記載の定着装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明の定着装置は、磁性体を含む加熱手段と、前記加熱手段の長手方向に複数配置され、２つの独立した共振回路を構成する複数のコイルと、この複数のコイルが加熱した領域の温度を検知する複数の温度検知手段と、前記２つの共振回路を交互に駆動するよう制御する制御手段と、前記複数の温度検知手段が検知した温度差とあらかじめ決められた値とを比較する比較手段とからなり、この比較手段により比較された結果に応じて、前記制御手段は前記２つの共振回路の駆動時間を切り替えるよう制御することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、この発明の定着装置は、磁性体を含む加熱手段と、前記加熱手段の長手方向に複数配置され、コイルと共振用コンデンサとからなり、第１の共振周波数を有する第１の共振回路と、コイルと共振用コンデンサとからなり、第１の共振周波数とは異なる第２の共振周波数を有する第２の共振回路と、この第１及び第２の共振回路のそれぞれのコイルが加熱した領域の温度を検知する複数の温度検知手段と、前記第１及び第２の共振回路を前記第１及び第２の周波数の駆動電流で駆動する制御手段と、前記複数の温度検知手段が検知した温度差とあらかじめ決められた値とを比較する比較手段とからなり、この比較手段により比較された結果に応じて、前記制御手段は前記第１及び第２共振回路に、前記第１の周波数または第２周波数のいずれかの駆動電流を供給するよう制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月20日(2007.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレベーター単体を制御し、エレベーターの運行データを格納するデータベースを有するエレベーター制御システムにおいて、
インターネットにて標準的に用いられるドキュメントシステムであるＷＷＷによる情報送信機能を持ったＷＥＢサーバを有するエレベーター運行管理制御系と、
前記ＷＥＢサーバと通信手段を介して接続され、かつ、前記運行データに基づいて生成された複数の計測結果の画面データを表示するＷＥＢブラウザを備えるクライアント装置と、
を備え、前記クライアント装置は、エレベーター運行状況の表示と、使い勝手仕様の変更機能と、を有することを特徴とするエレベーター制御システム。
【請求項２】
請求項１において、前記運行データから生成した複数の計測結果中から、少なくともエレベーター運行状況を分析できる複数の計測結果を、１つの画面上に表示することを特徴とするエレベーター制御システム。
【請求項３】
請求項１において、前記運行データから生成した複数の計測結果中から、少なくとも乗り場呼び継続時間，利用人数，稼働台数の３つが１つの画面上に表示することを特徴とするエレベーター制御システム。
【請求項４】
請求項３において、前記稼働台数とは所定計測時間内における平均稼働台数が表示されることを特徴とするエレベーター制御システム。
【請求項５】
請求項１において、前記運行データに基づいて生成した複数の計測結果を、少なくとも上り下り方向を合わせた全階床や１日の合計値または平均値として表示することを特徴とするエレベーター制御システム。
【請求項６】
請求項１において、前記運行データに基づいて生成した複数の計測結果を、指定時間帯に限定して表示することを特徴とするエレベーター制御システム。
【請求項７】
請求項１において、前記運行データに基づいて生成した複数の計測結果を、所定階に限定して表示することを特徴とするエレベーター制御システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、エレベーターの運行状況を好適に表示し、ユーザーの多種多様な要求を実現する装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明は、エレベーター単体を制御し、エレベーターの運行データを格納するデータベースを有するエレベーター制御システムにおいて、インターネットにて標準的に用いられるドキュメントシステムであるＷＷＷによる情報送信機能を持ったＷＥＢサーバを有するエレベーター運行管理制御系と、前記ＷＥＢサーバと通信手段を介して接続され、かつ、前記運行データに基づいて生成された複数の計測結果の画面データを表示するＷＥＢブラウザを備えるクライアント装置と、を備え、前記クライアント装置は、エレベーター運行状況の表示と、使い勝手仕様の変更機能と、を有するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月19日(2007.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の階床をサービスする複数台のエレベータを管理するエレベータの群管理システムにおいて、将来の所定期間の時間軸に対する各エレベータの予測位置を示す予測軌跡を作成する予測軌跡作成手段を備えたことを特徴とするエレベータの群管理システム。
【請求項２】
複数の階床をサービスする複数台のエレベータを管理するエレベータの群管理システムにおいて、将来の所定期間の時間軸に対する各エレベータの予測位置を示す予測軌跡を作成する予測軌跡作成手段と、各エレベータ毎の前記予測軌跡を表示する予測軌跡表示手段を備えたことを特徴とするエレベータの群管理システム。
【請求項３】
複数の階床をサービスする複数台のエレベータを管理するエレベータの群管理システムにおいて、将来の所定期間の時間軸に対する各エレベータの予測位置を示す予測軌跡を作成する予測軌跡作成手段と、前記各エレベータの予測軌跡間の位置関係に関する評価値を算出する評価値算出手段を備えたことを特徴とするエレベータの群管理システム。
【請求項４】
複数の階床をサービスする複数台のエレベータを管理するエレベータの群管理システムにおいて、将来の所定期間の時間軸に対する各エレベータの予測位置を示す予測軌跡を作成する予測軌跡作成手段と、前記各エレベータの予測軌跡間の位置関係に関する評価値を算出する評価値算出手段と、この評価値に基づいて、発生したホール呼びにエレベータを割当てるホール呼び割当て手段を備えたことを特徴とするエレベータの群管理システム。
【請求項５】
請求項３又は４において、各かご間の前記位置関係は、各かご間の間隔であることを特徴とするエレベータの群管理システム。
【請求項６】
請求項３又は４において、各かご間の前記位置関係は、各かご間の時間的間隔及び／又は空間的間隔であることを特徴とするエレベータの群管理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月15日(2007.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
０．０１〜２ｗｔ％のＳｉＯ2と９９．９９〜９８ｗｔ％のＳｉＣから実質的になる再結晶ＳｉＣ焼結体であって、該再結晶ＳｉＣ焼結体は、ＳｉＣを主成分とする成形体母原料から作製された気孔率１２．９％〜１６．７％の成形体に対し、炉の有効体積（加熱域）の０．０１〜１０倍のＡｒガスを毎分流しながら、０．０１〜２ａｔｍの圧力下で、２Ｈｒ以上かけて２０００℃まで昇温し、その後０．５〜２ａｔｍの圧力下で、２０００〜２５００℃の温度に昇温することにより製造され、その抵抗率が５００〜５００００Ω・ｃｍに制御され、熱伝導率が１００〜２００Ｗ／ｍ・Ｋであることを特徴とする再結晶ＳｉＣ焼結体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
すなわち、本発明によれば、０．０１〜２ｗｔ％のＳｉＯ2と９９．９９〜９８ｗｔ％のＳｉＣから実質的になる再結晶ＳｉＣ焼結体であって、該再結晶ＳｉＣ焼結体は、ＳｉＣを主成分とする成形体母原料から作製された気孔率１２．９％〜１６．７％の成形体に対し、炉の有効体積（加熱域）の０．０１〜１０倍のＡｒガスを毎分流しながら、０．０１〜２ａｔｍの圧力下で、２Ｈｒ以上かけて２０００℃まで昇温し、その後０．５〜２ａｔｍの圧力下で、２０００〜２５００℃の温度に昇温することにより製造され、その抵抗率が５００〜５００００Ω・ｃｍに制御され、熱伝導率が１００〜２００Ｗ／ｍ・Ｋであることを特徴とする再結晶ＳｉＣ焼結体が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】