【手続補正書】
【提出日】平成19年12月17日(2007.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  マグネトロンスパッタリングソースのターゲット配列の全体に渡るプラズマ密度分布の制御方法において、前記ターゲット配列の全体に渡って少なくとも１つの電子トラップが、ターゲット配列を上から見て、自体閉じて循環するループ（５）を形成し、ターゲット配列横断面方向に見て、トンネル状である磁界（Ｈ）によって作られ、前記トンネル状の磁界（４）ならびに前記磁界に対して曲げられた、アノードとカソードとしてのターゲットとの間に作られる電界（Ｅ）のループ（５）に基づき、前記ループ（５）に沿って、および前記ループの中に電流ループを形成する電子流（Ｉe）が形成され、その際ある領域で局所的に、循環するトンネル状の磁界（Ｈ）のループ（５）に沿って磁界条件を制御しながら変化させる（±ΔS）方法において、
この磁界条件の変化によってアノードでループから脱結合されるループ電子流（Ｉe）の割合を変化させることを特徴とする方法。
【請求項２】  磁界（Ｈ）および／または電界が、ループ（５）の平均周長の最大１／３、好ましくは最大１／４、好ましくは本質的により少なくなる領域の内部で変化することを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】  トンネル状の磁界（Ｈ）がターゲット配列から流出し、もしくは再び流入する極領域の平均極距離において、ｄ、制御変化がループｌBの長さで実施され、前記制御変化に対して：０＜ｌB≦４ｄ、好ましくは０＜ｌB≦２ｄが当てはまり、特に有利には：０＜ｌB≦ｄが当てはまることを特徴とする、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】  アノードがトンネル状の磁界（Ｈ）の中へ介入する質量が局在的な変化によって制御されることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】  トンネル状の磁界（Ｈ）が前記磁界の発生器（９a）に局在的に制御する介入によって変化され、および／または電界（Ｅ）がアノードへ制御しながら局在的に介入することによって変化されることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】  トンネル状の磁界（Ｈ）がそのループ（５）の少なくとも大部分に沿って制御磁界（ＨS）が、有利には本質的にターゲットスパッタリング新規表面（１）に対して垂直に重畳することを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】  制御磁界（ＨS）がトンネル磁界ループ（５）に沿って本質的に均質に印加されることを特徴とする、請求項６記載の方法。
【請求項８】  制御された変化が電子トラップの少なくとも１つで実現されると共に、プラズマ密度比が前記電子トラップの間で制御されて変化されることを特徴とする、ターゲット配列（３）の全体に渡って少なくとも２つの電子トラップが作られる、請求項１ないし７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】  一方の電子トラップが他方の電子トラップの内部で実現されることを特徴とする、請求項８記載の方法。
【請求項１０】  両方の電子トラップが並置されて実現されることを特徴とする、請求項８記載の方法。
【請求項１１】  少なくとも１つの電子トラップがターゲットスパッタ面（１）の全体に渡り、好ましくは制御されて、かつ、好ましくは周期的にシフトされることを特徴とする、請求項１ないし１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】  変化と共に、電子トラップのループの形状が制御されて変化され、または電子トラップがそのスイッチオフおよびスイッチオンまで制御されて減衰もしくは増幅されることを特徴とする、請求項１ないし１１のいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】  前記形状の変化がトンネル状の磁界の局在的な変化によって実施されることを特徴とする、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】  制御が不連続的に少なくとも１回のステップで一方の状態から他方の状態へ実施され、または連続的に制御されて、好ましくは所定の時間プロフィールにしたがって実施されることを特徴とする、請求項１ないし１３のいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】  トンネル状の磁界（Ｈ）が電磁石配列（１９ａ、３８）によって、および／または機械的に制御されて移動可能の永久磁石配列（１９）によって変化され、および／または機械的に制御されて移動可能の強磁性シャントによって変化されることを特徴とする、請求項１ないし１４のいずれか１項記載の方法。
【請求項１６】  少なくとも１つの電子トラップがターゲットスパッタ面（１）の全体に渡り、好ましくは制御され、好ましくは周期的にシフトされ、前記変化が電磁石配列（１９ａ、３８）および／または制御されて移動した永久磁石配列（１９）によっておよび／または機械的に制御されて移動した強磁性シャントによって実施され、その場合に前記電磁石配列および／または永久磁石配列（１９）および／またはシャントが電子トラップと共にターゲット配列（３）に対してシフトされることを特徴とする、請求項１ないし１５のいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】  少なくとも１つの電子トラップがターゲットスパッタ面（１）の全体に渡ってシフトされ、好ましくは制御されて、好ましくは周期的にシフトされ、かつ、トンネル状の磁界（Ｈ）に重畳された制御磁界（ＨS）がターゲット配列に対して固定して設けられていることを特徴とする、請求項１ないし１６のいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】  それぞれの電子トラップに割り当てられたターゲット配列の表面領域が異種材料から選ばれることを特徴とする、請求項８記載の方法。
【請求項１９】  被膜速度および／または被膜材料の分布が少なくとも前記被膜の一部で、請求項１ないし１８のいずれか１項記載のマグネトロンソースの制御によって制御されることを特徴とする、被膜基板の製造方法。
【請求項２０】  スパッタ面（１）を備えたターゲット配列（３）と、磁石配列がスパッタ面（１）の全体に渡ってトンネル状の、スパッタ面（１）から流出し、前記スパッタ面（１）の中へ再び流入する磁界（Ｈ）の少なくとも１つの自体閉ループ（５）を作るスパッタ面（１）から転向するターゲット配列側の磁石配列（９、９a、９au、９m、９i）と、さらにターゲット配列に対してアノードで駆動される電極配列（１３、３２、３０）とを有するマグネトロンソースにおいて、局在的にある領域でループに沿って、磁界とアノードで駆動された電極配列によって同時に生じた電界とによって作られた磁界条件との調整のための制御機構が設けられているものにおいて、
アノードで駆動された電極配列がスパッタ面から流出しまたはスパッタ面の中へ再び流入する磁界の領域に配列された少なくとも１つの部分を有し、前記制御機構が前記部分で磁界条件を調整することを特徴とするマグネトロンソース。
【請求項２１】  制御可能の配列が、ループの平均円周の最大１／３、好ましくは最大１／４になり、好ましくは本質的により短くなる前記ループの領域で介入することを特徴とする、請求項２０記載のマグネトロンソース。
【請求項２２】  磁界を発生する配列の磁極からの平均距離−ｄ−と、制御可能の配列がループで介入する領域の長さ−ｌａ−とが次の特性：０＜ｌa≦４ｄ、好ましくは０＜ｌa≦２ｄ、特に有利には０＜ｌa≦ｄを有することを特徴とする、請求項２０または２１のいずれか１項記載のマグネトロンソース。
【請求項２３】  制御可能の配列が少なくとも１つのヘルムホルツ−コイル配列（３８）を包含することを特徴とする、請求項２０ないし２２のいずれか１項記載のマグネトロンソース。
【請求項２４】  制御可能の配列が電磁石配列（１９ａ）および／または機械的に制御されて移動可能の永久磁石配列（１９）および／または制御されて移動可能の強磁性シャント配列を包含することを特徴とする、請求項２０ないし２３のいずれか１項記載のマグネトロンソース。
【請求項２５】  制御可能の磁石配列が少なくとも１つの駆動されて回動可能に支承されたマグネットシリンダ（１９）を包含することを特徴とする、請求項２４記載のマグネトロンソース。
【請求項２６】  マグネットシリンダ（１９）のための駆動装置がコイル配列（２１）を包含し、前記コイル配列の磁界（Ｈλ）がマグネットシリンダ（１９）の磁気双極子（ＤS）に作用することを特徴とする、請求項２５記載のマグネトロンソース。
【請求項２７】  トンネル状にスパッタ面（１）から流出し、前記スパッタ面（１）の中へ再び流入する磁界（Ｈ）を作る磁石配列（９i、９m、９a、９au）がターゲット配列（３）に対して駆動されて移動可能であり、前記制御可能の磁石配列（１９）が前記磁石配列運動と結合していることを特徴とする、請求項２０ないし２６のいずれか１項記載のマグネトロンソース。
【請求項２８】  各々１つのトンネル状にスパッタ面（１）から流出し、前記スパッタ面（１）の中へ再び流入する磁界（Ｈa、Ｈi）を作る１以上の磁石配列（９i、９m、９a、９au）が設けられていることを特徴とする、請求項２０ないし２７のいずれか１項記載のマグネトロンソース。
【請求項２９】  制御可能の配列が少なくとも磁石配列によって作られたトンネル状にスパッタ面から流出し、前記スパッタ面の中へ再び流入する磁界（Ｈi、Ｈa）の１つに作用することを特徴とする、請求項２８記載のマグネトロンソース。
【請求項３０】  スパッタ面（１）が前記磁界（Ｈi、Ｈa）の領域で異種材料からなることを特徴とする、各々１つのトンネル状にスパッタ面（１）から流出し、前記スパッタ面の中へ再び流入する磁界（Ｈi、Ｈa）を形成する少なくとも２つの磁石配列（９i、９m、９a、９au）を有する、請求項２０ないし２９のいずれか１項記載のマグネトロンソース。
【請求項３１】  制御可能の配列が機械的にトンネル状の磁界の中へ、かつ、前記トンネル状の磁界からシフトされる、好ましくはアノード電極を包含することを特徴とする、請求項２０ないし３０のいずれか１項記載のマグネトロンソース。
【請求項３２】  請求項２０ないし３１のいずれか１項記載のマグネトロンソースを備えたスパッタリング被膜チャンバ。
【請求項３３】  請求項３２記載の少なくとも１つのスパッタリングチャンバを備えた真空処理設備。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、請求項１の序文によるマグネトロンソースのターゲット配列の全体に渡るプラズマ密度とその分布の制御方法、請求項１９の序文による被膜したワークピースの製造方法ならびに請求項２０の序文によるマグネトロンソースに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項１のアプローチは、充分に実現することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明は、さらに請求項１９の文言による被膜ワークピースのための製造方法に関する。本発明によるマグネトロンスパッタリングソースは、請求項２０の文言による基本的な課題の解決のために、請求項２１、２２もしくは２３ないし３０記載の有利な実施形態を特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
請求項３２記載の本発明によるスパッタリング被膜チャンバもしくは請求項３３記載の真空処理設備により、本発明による方式に基づき、非常に好ましい真空処理を、常に本発明によるマグネトロンスパッタリングを包含して実施することができ、その際好適な層厚分布を有する基板および／または層組成の分布が生じ、これらの実現は従来本質的に費用のかかる方式でのみ可能であった。