【手続補正書】
【提出日】平成19年6月18日(2007.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ２つの基板の間に、ｎ型の電荷輸送層、光吸収層、ｐ型の電荷輸送層を有する光電変換装置において、前記ｎ型の電荷輸送層は、少なくとも側面に凹凸を有する針状結晶であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】  ２つの基板の間に、ｎ型の電荷輸送層、光吸収層、ｐ型の電荷輸送層を有する光電変換装置において、前記ｎ型の電荷輸送層は、少なくとも２種類以上の異なった様態若しくは組成の単体若しくは混合物から成る半導体層であり、且つ、前記様態の１種類以上が少なくとも側面に凹凸を有する針状結晶を含むことを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】  前記凹凸の凹部深さは、前記針状結晶の最外周に接する２本の最外周間の距離の最小値の２％以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換装置。
【請求項４】  前記凹凸の凹部深さは、前記針状結晶の最外周に接する２本の最外周間の距離の最小値の１０％以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換装置。
【請求項５】  前記凹凸の高低差は、前記針状結晶の断面中心から表面までの最長距離の２％以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換装置。
【請求項６】  前記凹凸の高低差は、前記針状結晶の断面中心から表面までの最長距離の１０％以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換装置。
【請求項７】  前記側面に凹凸を有する針状結晶は、酸化亜鉛であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】  ２つの基板の間に、ｎ型の電荷輸送層、光吸収層、ｐ型の電荷輸送層を有する光電変換装置の製造方法において、針状結晶をエッチングすることにより少なくとも側面に凹凸を有する針状結晶が形成され、前記側面に凹凸を有する針状結晶が前記ｎ型の電荷輸送層として形成されていることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項９】  ２つの基板の間に、ｎ型の電荷輸送層、光吸収層、ｐ型の電荷輸送層を有する光電変換装置の製造方法において、針状結晶をエッチングすることにより少なくとも側面に凹凸を有する針状結晶を形成する工程、前記凹凸を有する針状結晶に当該針状結晶とは異なる様態若しくは組成の単体若しくは混合物を吸着させて半導体混合結晶を形成する工程を含み、前記半導体混合結晶が前記ｎ型の電荷輸送層として形成されていることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１０】  前記エッチングは、酸若しくはアルカリ溶液を用いる事を特徴とする請求項８又は９に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１１】  基板上に針状結晶を形成する工程、前記針状結晶をエッチングすることにより少なくとも側面に凹凸を有する針状結晶を形成する工程、前記側面に凹凸を有する針状結晶上に光吸収層を形成する工程、前記光吸収層が形成された針状結晶にｐ型の電荷輸送層を形成する工程、前記電荷輸送層が形成された針状結晶を他方側の基板で挟んで光電変換セルを作製する工程を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１２】  針状結晶をエッチングすることにより少なくとも側面に凹凸を有する針状結晶を作製する工程、前記側面に凹凸を有する針状結晶を含む混合物を基板上に塗布して焼成する工程、前記基板上に形成された針状結晶上に光吸収層を形成する工程、前記光吸収層が形成された針状結晶にｐ型の電荷輸送層を形成する工程、前記電荷輸送層が形成された針状結晶を他方側の基板で挟んで光電変換セルを作製する工程を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１３】  基板上に針状結晶を形成する工程、前記針状結晶をエッチングすることにより少なくとも側面に凹凸を有する針状結晶を形成する工程、前記側面に凹凸を有する針状結晶の表面に半導体混合結晶を形成する工程、前記側面に凹凸を有する針状結晶上に光吸収層を形成する工程、前記光吸収層が形成された針状結晶にｐ型の電荷輸送層を形成する工程、前記電荷輸送層が形成された針状結晶を他方側の基板で挟んで光電変換セルを作製する工程を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１４】  基板上に針状結晶を形成する工程、前記針状結晶の表面に半導体混合結晶を形成する工程、前記半導体混合結晶が形成された針状結晶をエッチングすることにより少なくとも側面に凹凸を有する針状結晶を形成する工程、前記側面に凹凸を有する針状結晶上に光吸収層を形成する工程、前記光吸収層が形成された針状結晶にｐ型の電荷輸送層を形成する工程、前記電荷輸送層が形成された針状結晶を他方側の基板で挟んで光電変換セルを作製する工程を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１５】  針状結晶を含む混合物を基板上に塗布して焼成する工程、前記焼成後の針状結晶をエッチングすることにより少なくとも側面に凹凸を有する針状結晶を作製する工程、前記基板上に形成された針状結晶上に光吸収層を形成する工程、前記光吸収層が形成された針状結晶にｐ型の電荷輸送層を形成する工程、前記電荷輸送層が形成された針状結晶を他方側の基板で挟んで光電変換セルを作製する工程を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するため、２つの基板の間に、ｎ型の電荷輸送層、光吸収層、ｐ型の電荷輸送層を有する光電変換装置において、前記ｎ型の電荷輸送層は、少なくとも側面に凹凸を有する針状結晶であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、本発明は、２つの基板の間に、ｎ型の電荷輸送層、光吸収層、ｐ型の電荷輸送層を有する光電変換装置において、前記ｎ型の電荷輸送層は、少なくとも２種類以上の異なった様態若しくは組成の単体若しくは混合物から成る半導体層であり、且つ、前記様態の１種類以上が少なくとも側面に凹凸を有する針状結晶を含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、本発明は、２つの基板の間に、ｎ型の電荷輸送層、光吸収層、ｐ型の電荷輸送層を有する光電変換装置の製造方法において、針状結晶をエッチングすることにより少なくとも側面に凹凸を有する針状結晶が形成され、前記側面に凹凸を有する針状結晶が前記ｎ型の電荷輸送層として形成されていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、本発明は、２つの基板の間に、ｎ型の電荷輸送層、光吸収層、ｐ型の電荷輸送層を有する光電変換装置の製造方法において、針状結晶をエッチングすることにより少なくとも側面に凹凸を有する針状結晶を形成する工程、前記凹凸を有する針状結晶に当該針状結晶とは異なる様態若しくは組成の単体若しくは混合物を吸着させて半導体混合結晶を形成する工程を含み、前記半導体混合結晶が前記ｎ型の電荷輸送層として形成されていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、本発明は、針状結晶をエッチングすることにより少なくとも側面に凹凸を有する針状結晶を作製する工程、前記側面に凹凸を有する針状結晶を含む混合物を基板上に塗布して焼成する工程、前記基板上に形成された針状結晶上に光吸収層を形成する工程、前記光吸収層が形成された針状結晶にｐ型の電荷輸送層を形成する工程、前記電荷輸送層が形成された針状結晶を他方側の基板で挟んで光電変換セルを作製する工程を含むことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、本発明は、針状結晶を含む混合物を基板上に塗布して焼成する工程、前記焼成後の針状結晶をエッチングすることにより少なくとも側面に凹凸を有する針状結晶を作製する工程、前記基板上に形成された針状結晶上に光吸収層を形成する工程、前記光吸収層が形成された針状結晶にｐ型の電荷輸送層を形成する工程、前記電荷輸送層が形成された針状結晶を他方側の基板で挟んで光電変換セルを作製する工程を含むことを特徴とする。