【手続補正書】
【提出日】平成20年5月7日(2008.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直径ｄの純シリカ製コア領域と
該コア領域を取り囲む、外径Ｄのフッ素をドープされたクラッド領域とを有し、Ｄ/ｄは8.5より大きいことを特徴とする、長波長信号のシングルモード伝送用光ファイバ。
【請求項２】
前記ファイバがその外側に管層をさらに有することを特徴とする、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項３】
前記外側の管層が純シリカ製コア領域の屈折率と同一の屈折率を有することを特徴とする、請求項２に記載の光ファイバ。
【請求項４】
９＜Ｄ/ｄ＜10であることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項５】
ガラス管を用意し、
b)該ガラス管の内壁にフッ素をドープしたシリカの複数の層を蒸着し、該複数の層がクラッド層の所望の直径Ｄを得るように選択され、
c)蒸着されたフッ素をドープしたシリカの内壁にシリカ材を蒸着し、該シリカ材の量は所望のコア直径ｄを得るように選択され、及び
d)前記管を押し潰して、直径ｄのコア領域と該コア領域を取り囲む外径Ｄのクラッド層（但し、Ｄ/ｄは8.5より大きい）とを有する光ファイバプレフォームを形成する
ことを特徴とする、長波長信号のシングルモード伝送用光ファイバの形成方法。
【請求項６】
フッ素をドープした材料の複数の層を蒸着する前に、リンとフッ素とをドープしたシリカの比較的少ない数の層がガラス管の内壁に最初に蒸着されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
カットオフ波長が操作波長に近い値を有するようにＤ/ｄ比が選択されることを特徴とする、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項８】
20〜90層のフッ素をドープしたシリカが、ガラス管の内壁に蒸着されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
「低減クラッド」と称される、従来技術のシングルモードファイバのある型のものにおいては、クラッド材の有効屈折率は、コアの屈折率よりもかなり小さくなるように選択される。これらの低減クラッドの従来技術による設計の大部分においては、ファイバ全体の直径を小さく保ちつつ屈折率の差を最も大きくするために、コア領域は屈折率を大きくするように「アップドープ」され、クラッド領域は屈折率を小さくするように「ダウンドープ」される。コアの直径ｄに対するクラッドＤの直径の比は、プレフォームから作られた光ファイバの様々な性能のパラメータを決定するのに有用である。例えば、所望の透過性質を有する光ファイバを得るためには、Ｄ／ｄ比は、許容される比較的狭い値の範囲内にあるのがよい。シングルモードのカットオフ波長は適切なＤ／ｄ値を決定するために考慮されなければならない。このカットオフ波長とは、それより短い波長では光ファイバがステップインデックスマルチモードファイバとして挙動し、それよりも長い波長では光ファイバがシングルモードファイバとして挙動する波長である。また、Ｄ／ｄ比は、シングルモードファイバにおいて光強度の幅の基準であるモードフィールド径（ＭＦＤ）（「スポットサイズ」とも称される）に影響する。殆どの場合において、Ｄ／ｄ比を2.5未満に維持するのが望ましい。この値は短波長の機器においては問題がないが、より長い波長（例えば、1550 nm）になると、この値では維持することができない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
したがって、純シリカ製ファイバ（これは例えばＭＣＶＤによって製造される。）に対しては、光波のガイドに必要な屈折率の差を提供することのできる低減クラッドはシングルモードを含有するのに十分なほど厚くなくてはならず、その一方でファイバからエネルギーが漏出するのと、特定の波長で減衰が劇的に増加するのとを許してはならない。さらに、プレフォームはシングルモードを十分に含有する操作波長に比較的近いカットオフ波長を有するように設計されなければならない。さらに、屈折率低減クラッド材は、巨大な折り曲げ損失を被ることなく、操作波長モードを含有するのに十分な厚さを有していなければならない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によると、コアは純シリカで形成されており、フッ素をドープしたシリカを含有する比較的厚いクラッドを有する。フッ素種を添加することにより、純シリカコア材料に対してクラッドの有効屈折率を低減させることができる。従来技術のMCVD工程を用いることにより、約20〜90層のフッ素添加シリカがガラス製のプレフォーム管内に堆積される。コア材料は、後から、フッ素添加シリカの堆積層の上に堆積される。
【発明の効果】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このようなＤ／ｄ比を有する純シリカ製コアのファイバを形成すると、得られたファイバは耐放射線性（ある使用目的には必要な特徴である）になり、都合がよい。得られたファイバは、また、耐水素性である（即ち、水素環境下で十分に機能する）ことが実証されており、それ故に、厳しい環境化（例えば、「坑井内用」ファイバ）で典型的に見られる水素誘起性の損失への向上した抵抗性を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図２〜５は、本発明の長波長用シングルモードファイバを形成するのに使用することのできる好適な一連の工程を示している。図２に示されているように、このプロセスは、よく知られている「調整化学蒸着法（modified chemical vapor deposition）」技法を用いて光ファイバプレフォームを作るのに使用される好適なガラス管20から始まる。次いで、図３に示されるように、クラッド材22が管22の内壁24に蒸着される。クラッドは、所望の厚さの最終的なプレフォーム構造体になるまで何層にも蒸着される。厚いクラッド領域を形成するのに20〜90もの別々の層のフッ素をドープしたシリカを蒸着する必要がある場合もある。特に、所望のＤ／ｄ比を得るために、層の数は、コア領域の予め定められた直径ｄに関して（様々な工程パラメータと組み合わせて）制御される。製造中にクラッドが厚過ぎることが発見されれば、蒸着したクラッド材の一部を除去するためにＨＦエッチングを用いることができる。ガラス管20の長さに応じて、蒸着温度は約1920〜2020℃の範囲内であるのが好ましい。フッ素ドープクラッドは、ＳｉＦ、Ｏ２、ＳｉＣｌ４、及びＨｅの前駆体から形成される。使用される機器に応じて、半数の層は一方向（例えば、左から右）に蒸着し、残りの半数の層は反対方向（例えば、右から左）に蒸着して、比較的厚く蒸着されるクラッド材の形状における非平坦部分を均衡化することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
別の態様において、蒸着された第一セットのクラッド層（例えば、20〜30層）は、フッ素と共にリンを含有していてもよく、この第一セットのクラッド層に続いて「フッ素のみを添加した」クラッド層が蒸着されてもよい。フッ素のみが添加された層があることによって、先に記述したように、水素の安定性が維持される。さらに、MCVDはファイバプレフォームを形成する好適な技法ではあるが、所望のＤ／ｄ比を有するファイバをやはり形成することのできる、他のいかなる技法を使用することもできる。