【手続補正書】
【提出日】令和1年7月5日(2019.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマアトマイズ化金属粉末製造方法であって、
加熱された金属源を提供することと、
前記加熱された金属源を少なくとも１つのプラズマ源のプラズマと位置合わせすることであって、前記位置合わせは、前記加熱された金属源を前記少なくとも１つのプラズマ源の出口ノズルから最大で５センチメートル以内に位置決めすることを含む、位置合わせすることと、
前記加熱された金属源を、前記加熱された金属源のアトマイズ化を引き起こすのに有効な条件下で前記少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマと接触させことと、を含み、前記アトマイズ化は約２０未満の総ガス対金属質量比を使用することによって実行され、それにより、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４にしたがって測定して、少なくとも８０％の０〜１０６ミクロン粒経分布収率を有する原料金属粉末を得る、プラズマアトマイズ化金属粉末製造方法。
【請求項２】
前記総ガス対金属質量比は、約１７未満である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記総ガス対金属質量比は、約５〜約１５である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記総ガス対金属質量比は、約２〜約１０である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記総ガス対金属質量比は、約５〜約１０である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
前記総ガス対金属質量比は、約１０〜約２０である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項７】
前記総ガス対金属質量比は、約１０〜約１５である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項８】
前記原料金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも９０％の０〜１０６ミクロン粒径分布収率を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記原料金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも８５％の０〜７５ミクロン粒径分布収率を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記原料金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも５０％の０〜４５ミクロン粒径分布収率を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記原料金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも６０％の０〜４５ミクロン粒径分布収率を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記加熱された金属源は、前記少なくとも１つのプラズマ源の頂点で前記プラズマと接触する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の少なくとも１つの個別ノズルから放出される、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の複数の個別ノズルから放出され、前記個別ノズルは、前記加熱された金属源の周りに角度を付けて位置決めされる、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の環状ノズルから放出される、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記加熱された金属源は、ワイヤ、ロッド、および溶融流から選択される、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記加熱された金属源は、抵抗加熱、アーク放電、および誘導加熱のうちの少なくとも１つによって加熱されたワイヤである、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記加熱された金属源は、抵抗加熱、アーク放電、および誘導加熱のうちの少なくとも１つによって加熱されたロッドである、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記加熱された金属源は、スカル溶融または水冷るつぼから得られた加熱された溶融流である、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項２０】
前記加熱された金属源は、チタン、チタン合金、ジルコニウム、ジルコニウム合金、コバルト超合金、ニッケル超合金、マグネシウム、マグネシウム合金、ニオブ、ニオブ合金、アルミニウム、アルミニウム合金、モリブデン、モリブデン合金、タングステン、タングステン合金、酸素反応性金属、および窒素反応性金属のうちの１つから選択された少なくとも１つの部材を備える、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項２１】
前記加熱された金属源は、チタン、チタン合金、ジルコニウム、ジルコニウム合金、アルミニウム、およびアルミニウム合金から選択される、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項２２】
前記加熱された金属源は、チタン合金から選択される、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項２３】
前記加熱された金属源は、Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖである、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項２４】
前記加熱された金属源は、Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖ、Ｔｉ−６Ａｌ−２Ｓｎ−４Ｚｒ−２Ｍｏ、Ｔｉ−５Ａｌ−５Ｖ−５Ｍｏ−３Ｃｒ、およびチタンアルミナイドから選択される、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項２５】
前記加熱された金属源は、非合金Ｔｉグレード、ＰｄまたはＲｕで改質されたＴｉ合金、アルファ型およびニア（ｎｅａｒ）アルファ型Ｔｉ合金、アルファ−ベータ型Ｔｉ合金、およびニア（ｎｅａｒ）ベータ型およびベータ型Ｔｉ合金から選択される、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項２６】
前記金属粉末は、反応性金属粉末である、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項２７】
前記加熱された金属源を少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマと位置合わせさせることは、前記加熱された金属源を前記少なくとも１つのプラズマ源の前記出口ノズルから最大で２．５センチメートル以内に位置決めすることを含む、請求項１〜２６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項２８】
前記加熱された金属源を少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマと位置合わせさせることは、前記加熱された金属源を前記少なくとも１つのプラズマ源の前記出口ノズルから最大で１．９センチメートル以内に位置決めすることを含む、請求項１〜２６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項２９】
プラズマアトマイズ化金属粉末製造方法であって、
加熱された金属源を提供することと、
前記加熱された金属源を、前記加熱された金属源のアトマイズ化を引き起こすのに有効な条件下で少なくとも１つのプラズマ源のプラズマと接触させことと、
前記アトマイズ化の間、前記加熱された金属源を、前記加熱された金属源を受け入れるガイド部材によって位置合わせすることと、を含み、前記位置合わせは、前記ガイドの向きをガイドに連結された変位可能な部材で調節することによって、前記少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマとの前記加熱された金属源の位置合わせを維持するように前記加熱された金属源の向きを調節することを含む、プラズマアトマイズ化金属粉末製造方法。
【請求項３０】
アトマイズシステムであって、
金属源を加熱するための少なくとも１つの加熱システムと、
加熱した後の前記加熱された金属源を、前記加熱された金属源のアトマイズ化を引き起こすのに有効な条件下でプラズマと接触させるように構成された少なくとも１つのプラズマ源と、
前記アトマイズ化の間に前記プラズマに対する前記加熱された金属源の向きの変化を引き起こすために前記少なくとも１つのプラズマ源の上流に位置決めされた位置合わせシステムであって、前記位置合わせシステムは、前記加熱された金属源に連結された変位可能な部材と前記加熱された金属源に連結された枢動点とを備え、前記変位可能な部材の変位は、前記加熱された金属源が前記枢動点の周りで回転するのを引き起こす、位置合わせシステムと、を備える、アトマイズシステム。
【請求項３１】
プラズマアトマイズ化金属粉末製造方法であって、
チタンおよびチタン合金から選択された少なくとも１つの部材を備える加熱された金属源を提供することと、
前記加熱された金属源を少なくとも１つのプラズマ源のプラズマと位置合わせすることであって、前記位置合わせは、前記加熱された金属源を前記少なくとも１つのプラズマ源の出口ノズルから最大で２．５センチメートル以内に位置決めすることを含む、位置合わせすることと、
前記加熱された金属源を、前記加熱された金属源のアトマイズ化を引き起こすのに有効な条件下で前記少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマと接触させることと、を含み、前記アトマイズ化は、約２０未満の総ガス対金属質量比を使用することによって実行され、それにより、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４にしたがって測定して、少なくとも８０％の０〜１０６ミクロン粒経分布収率を有する原料チタン含有粉末を得る、プラズマアトマイズ化金属粉末製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４９】
図による説明を簡潔かつ明瞭にするために、適切であると考えられる場合には、対応するまたは類似する要素またはステップを指示するために参照番号が図面間で繰り返し得ることが理解されよう。加えて、本明細書に記載の例示的な実施形態の完全な理解を提供するために、非常に多数の特定の詳細が示されている。しかしながら、当業者には、本明細書に記載された実施形態は、これらの特定の詳細なしで実施され得ることが理解されよう。他の例では、周知の方法、手順、および構成要素は、本明細書に記載された実施形態を不明瞭にしないように詳細には記載されていない。さらに、この説明は、本明細書に記載された実施形態の範囲を決して限定するものとみなされるべきではなく、単に本明細書に記載の様々な実施形態の実施を説明するものとみなされるべきである。
＜付記１＞
＜項１＞
プラズマアトマイズ金属粉末製造方法であって、
加熱された金属源を提供することと、
前記加熱された金属源を、前記加熱された金属源のアトマイズを引き起こすのに有効な条件下で、少なくとも１つのプラズマ源のプラズマと接触させることと、を含み、前記アトマイズは、約２０未満のガス対金属比を使用することによって実行され、それにより、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも８０％の０〜１０６ミクロン粒径分布収率を有する原料金属粉末を得る、プラズマアトマイズ金属粉末製造方法。
＜項２＞
前記ガス対金属比は、約１７未満である、＜項１＞に記載の製造方法。
＜項３＞
前記ガス対金属比は、約５〜約１５である、＜項１＞に記載の製造方法。
＜項４＞
前記ガス対金属比は、約２〜約１０である、＜項１＞に記載の製造方法。
＜項５＞
前記ガス対金属比は、約５〜約１０である、＜項１＞に記載の製造方法。
＜項６＞
前記ガス対金属比は、約１０〜約２０である、＜項１＞に記載の製造方法。
＜項７＞
前記ガス対金属比は、約１０〜約１５である、＜項１＞に記載の製造方法。
＜項８＞
前記原料金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも９０％の０〜１０６ミクロン粒径分布収率を有する、＜項１＞〜＜項７＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９＞
前記原料金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも８５％の０〜７５ミクロン粒径分布収率を有する、＜項１＞〜＜項７＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１０＞
前記原料金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも５０％の０〜４５ミクロン粒径分布収率を有する、＜項１＞〜＜項７＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１１＞
前記原料金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも６０％の０〜４５ミクロン粒径分布収率を有する、＜項１＞〜＜項７＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１２＞
前記加熱された金属源は、前記少なくとも１つのプラズマ源の頂点で前記プラズマと接触する、＜項１＞〜＜項１１＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１３＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の少なくとも１つの個別ノズルから放出される、＜項１＞〜＜項１１＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１４＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の複数の個別ノズルから放出され、前記個別ノズルは、前記加熱された金属源の周りに角度を付けて位置決めされる、＜項１＞〜＜項１１＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１５＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の環状ノズルから放出される、＜項１＞〜＜項１１＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１６＞
前記加熱された金属源は、ワイヤ、ロッド、および溶融流から選択される、＜項１＞〜＜項１５＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１７＞
前記加熱された金属源は、抵抗加熱、アーク放電、および誘導加熱のうちの少なくとも１つによって加熱されたワイヤである、＜項１＞〜＜項１６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１８＞
前記加熱された金属源は、抵抗加熱、アーク放電、および誘導加熱のうちの少なくとも１つによって加熱されたロッドである、＜項１＞〜＜項１６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１９＞
前記加熱された金属源は、スカル溶融または水冷るつぼから得られた加熱された溶融流である、＜項１＞〜＜項１６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項２０＞
前記加熱された溶融源は、チタン、チタン合金、ジルコニウム、ジルコニウム合金、コバルト超合金、ニッケル超合金、マグネシウム、マグネシウム合金、ニオブ、ニオブ合金、アルミニウム、アルミニウム合金、モリブデン、モリブデン合金、タングステン、タングステン合金、酸素反応性金属、および窒素反応性金属のうちの１つから選択された少なくとも１つの部材を備える、＜項１＞〜＜項１９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項２１＞
前記加熱された溶融源は、チタン、チタン合金、ジルコニウム、ジルコニウム合金、アルミニウム、およびアルミニウム合金から選択される、＜項１＞〜＜項１９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項２２＞
前記加熱された溶融源は、チタン合金から選択される、＜項１＞〜＜項１９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項２３＞
前記加熱された溶融源は、Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖである、＜項１＞〜＜項１９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項２４＞
前記加熱された溶融源は、Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖ、Ｔｉ−６Ａｌ−２Ｓｎ−４Ｚｒ−２Ｍｏ、Ｔｉ−５Ａｌ−５Ｖ−５Ｍｏ−３Ｃｒ、およびチタンアルミナイドから選択される、＜項１＞〜＜項１９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項２５＞
前記加熱された溶融源は、非合金Ｔｉグレード（例えば、グレード１、２、３、または４）、ＰｄまたはＲｕで改質されたＴｉ合金（例えば、グレード７、１１、１６、１７、２６、または２７）、アルファ型およびニア（ｎｅａｒ）アルファ型Ｔｉ合金（例えば、グレード６、９、１２、１８、２８）、アルファ−ベータ型Ｔｉ合金（例えば、グレード５、２３、または２９）、およびニア（ｎｅａｒ）ベータ型およびベータ型Ｔｉ合金（例えば、グレード１９または２０）から選択される、＜項１＞〜＜項１９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項２６＞
前記金属粉末は、反応性金属粉末である、＜項１＞〜＜項１９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項２７＞
プラズマアトマイズ金属粉末製造方法であって、
加熱された金属源を提供することと、
前記加熱された金属源を、少なくとも１つのプラズマ源のプラズマと位置合わせさせることと、
前記加熱された金属源を、前記加熱された金属源のアトマイズを引き起こすのに有効な条件下で、前記少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマと接触させることと、を含む、プラズマアトマイズ金属粉末製造方法。
＜項２８＞
前記加熱された金属源は、金属ワイヤまたは金属ロッドのうちの１つである、＜項２７＞に記載の製造方法。
＜項２９＞
前記加熱された金属源は、前記少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマの頂点と位置合わせされる、＜項２７＞または＜項２８＞に記載の製造方法。
＜項３０＞
前記加熱された金属源を少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマと位置合わせさせることは、前記加熱された金属源を前記少なくとも１つのプラズマ源の出口ノズルから最大で５センチメートル以内に位置決めすることを含む、＜項２７＞〜＜項２９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項３１＞
前記加熱された金属源を少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマと位置合わせさせることは、前記加熱された金属源を前記少なくとも１つのプラズマ源の出口ノズルから最大で２．５センチメートル以内に位置決めすることを含む、＜項２７＞〜＜項２９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項３２＞
前記加熱された金属源を少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマと位置合わせさせることは、前記加熱された金属源を前記少なくとも１つのプラズマ源の出口ノズルから最大で１．９センチメートル以内に位置決めすることを含む、＜項２７＞〜＜項２９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項３３＞
前記位置合わせは、前記加熱された金属源の配向を断続的に調整して、前記加熱された金属源と前記少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマとの位置合わせを維持することを含む、＜項２７＞〜＜項３２＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項３４＞
前記加熱された金属源の前記配向の前記断続的な調整は、前記少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマの上流に、かつその遠隔に位置決めされた枢動点を中心に前記加熱された金属源を枢動させることを含む、＜項３３＞に記載の製造方法。
＜項３５＞
前記位置合わせは、前記プラズマの上流にチャネルを画定するガイド部材を位置決めすることと、前記ガイド部材の前記チャネルを通して前記加熱された金属源を変位させることと、を含む、＜項２７＞〜＜項３４＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項３６＞
ガス源および液体源のうちの少なくとも１つによって前記ガイド部材を冷却することをさらに含む、＜項３３＞に記載の製造方法。
＜項３７＞
前記加熱された金属源の前記配向の前記断続的な調整は、前記少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマの上流に、かつその遠隔に位置決めされた枢動点を中心に前記加熱された金属源を枢動させることを含む、＜項３５＞または＜項３６＞に記載の製造方法。
＜項３８＞
前記チャネルの出口は、前記プラズマの近接に位置決めされる、＜項３３＞〜＜項３６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項３９＞
前記ガイド部材は、前記加熱された金属源の汚染を制限する、＜項３３＞〜＜項３６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項４０＞
前記チャネルを画定する前記ガイド部材の内面は、非汚染材料で形成される、＜項３９＞に記載の製造方法。
＜項４１＞
前記チャネルを画定する前記ガイド部材の内面は、電気絶縁材料で形成される、＜項３９＞または＜項４０＞に記載の製造方法。
＜項４２＞
抵抗加熱、アーク放電、および誘導加熱のうちの少なくとも１つによって前記加熱された金属源を加熱することをさらに含む、＜項２７＞〜＜項４１＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項４３＞
前記アトマイズは、約２０未満のガス対金属比を使用することによって実行され、それにより、少なくとも８０％の０〜１０６ミクロン分布収率を有する金属粉末を得る、＜項２７＞〜＜項４１＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項４４＞
前記ガス対金属比は、約１７未満である、＜項４３＞に記載の製造方法。
＜項４５＞
前記ガス対金属比は、約５〜約１５である、＜項４３＞に記載の製造方法。
＜項４６＞
前記ガス対金属比は、約５〜約１０である、＜項４３＞に記載の製造方法。
＜項４７＞
前記ガス対金属比は、約２〜約１０である、＜項４３＞に記載の製造方法。
＜項４８＞
前記ガス対金属比は、約１０〜約２０である、＜項４３＞に記載の製造方法。
＜項４９＞
前記ガス対金属比は、約１０〜約１５である、＜項４３＞に記載の製造方法。
＜項５０＞
前記得られた原料金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも９０％の０〜１０６ミクロン粒径分布収率を有する、＜項４３＞〜＜項４９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項５１＞
前記得られた原料金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも３０％の０〜７５ミクロン粒径分布収率を有する、＜項４３＞〜＜項４９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項52＞
前記得られた原料金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも５０％の０〜４５ミクロン分布収率を有する、＜項４３＞〜＜項４９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項５３＞
前記得られた原料金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも６０％の０〜４５ミクロン分布収率を有する、＜項４３＞〜＜項４９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項５４＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の少なくとも１つの個別ノズルから放出される、＜項４３＞〜＜項５３＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項５５＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の複数の個別ノズルから放出され、前記個別ノズルは、前記加熱された金属源の周りに角度を付けて位置決めされる、＜項４３＞〜＜項５３＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項５６＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の環状ノズルから放出される、＜項４３＞〜＜項５３＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項５７＞
前記加熱された溶融源は、チタン、チタン合金、ジルコニウム、ジルコニウム合金、コバルト超合金、ニッケル超合金、マグネシウム、マグネシウム合金、ニオブ、ニオブ合金、アルミニウム、アルミニウム合金、モリブデン、モリブデン合金、タングステン、タングステン合金、酸素反応性金属、および窒素反応性金属のうちの１つから選択された少なくとも１つの部材を備える、＜項２７＞〜＜項５６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項５８＞
前記加熱された溶融源は、チタン、チタン合金、ジルコニウム、ジルコニウム合金、アルミニウム、およびアルミニウム合金から選択される、＜項２７＞〜＜項５６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項５９＞
前記加熱された溶融源は、チタン合金から選択される、＜項２６＞〜＜項５６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項６０＞
前記加熱された溶融源は、Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖである、＜項２７＞〜＜項５６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項６１＞
前記加熱溶融源は、Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖ、Ｔｉ−６Ａｌ−２Ｓｎ−４Ｚｒ−２Ｍｏ、Ｔｉ−５Ａｌ−５Ｖ−５Ｍｏ−３Ｃｒ、およびチタンアルミナイドから選択される、＜項２７＞〜＜項５６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項６２＞
前記加熱された溶融源は、非合金Ｔｉグレード（例えば、グレード１、２、３、または４）、ＰｄまたはＲｕで改質されたＴｉ合金（例えば、グレード７、１１、１６、１７、２６、または２７）、アルファ型およびニアアルファ型Ｔｉ合金（例えば、グレード６、９、１２、１８、２８）、アルファ−ベータ型Ｔｉ合金（例えば、グレード５、２３、または２９）、およびニアベータ型およびベータ型Ｔｉ合金（例えば、グレード１９または２０）から選択される、＜項２７＞〜＜項５６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項６３＞
前記金属粉末は、反応性金属粉末である、＜項２７＞〜＜項５６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項６４＞
アトマイズシステムであって、
金属源を加熱するための少なくとも１つの加熱システムと、
加熱した後の前記金属源を、前記加熱された金属源のアトマイズを引き起こすのに有効な条件下で、プラズマと接触させるように構成された少なくとも１つのプラズマ源と、
前記少なくとも１つのプラズマ源の上流に位置決めされた位置合わせシステムであって、前記位置合わせシステムは、前記少なくとも１つのプラズマ源に対して前記金属源の配向を調整するように適合されている、位置合わせシステムと、を備える、アトマイズシステム。
＜項６５＞
前記位置合わせシステムは、前記プラズマの上流のチャネルを画定するガイド部材を備え、前記チャネルは前記金属源の変位経路をさらに画定する、＜項６４＞に記載のアトマイズシステム。
＜項６６＞
前記位置合わせシステムは、前記ガイド部材を冷却するためのガス源および液体源のうちの少なくとも１つを受けるための入口をさらに備える、＜項６５＞に記載のアトマイズシステム。
＜項６７＞
前記チャネルの出口は前記プラズマの近接に位置決めされる、＜項６５＞または＜項６６＞に記載のアトマイズシステム。
＜項６８＞
前記ガイド部材は、前記加熱された金属源の汚染を制限する、＜項６５＞〜＜項６７＞のいずれか１項に記載のアトマイズシステム。
＜項６９＞
前記チャネルを画定する前記ガイド部材の内面は、電気絶縁材料で形成される、＜項６５＞〜＜項６８＞のいずれかに記載のアトマイズシステム。
＜項７０＞
前記ガイド部材の内面は、セラミックで形成される、＜項６５＞〜＜項６９＞のいずれかに記載のアトマイズシステム。
＜項７１＞
前記ガイド部材は、前記金属源を給送するための給送装置と前記プラズマとの間に実質的に延びる、＜項６５＞〜＜項７０＞のいずれか１項に記載のアトマイズシステム。
＜項７２＞
前記位置合わせシステムは、前記金属源に連結された変位可能部材を備え、前記変位可能部材の変位は、前記プラズマに対する前記金属源の配向の変化を引き起こす、＜項６４＞〜＜項７１＞のいずれか１項に記載のアトマイズシステム。
＜項７３＞
前記位置合わせシステムは、前記金属源に連結された枢軸をさらに備え、前記変位可能部材の前記変位は前記金属源の前記枢軸の周りの回転を引き起こし、それによって前記金属源の前記変化する配向を引き起こす、＜項７２＞に記載のアトマイズシステム。
＜項７４＞
前記少なくとも１つの加熱システムは、抵抗加熱、アーク放電、および誘導加熱から選択される、＜項６４＞〜＜項７３＞のいずれか１項に記載のアトマイズシステム。
＜項７５＞
前記少なくとも１つの加熱システムは、前記ガイド部材の周りまたは内部に位置決めされた抵抗加熱、アーク放電、および誘導加熱から選択される、＜項７１＞に記載のアトマイズシステム。
＜項７６＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の少なくとも１つの個別ノズルから放出される、＜項６４＞〜＜項７５＞のいずれか１項に記載のアトマイズシステム。
＜項７７＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の複数の個別ノズルから放出され、前記個別ノズルは、前記加熱された金属源の周りに角度を付けて位置決めされる、＜項６４＞〜＜項７５＞のいずれか１項に記載のアトマイズシステム。
＜項７８＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の環状ノズルから放出される、＜項６４＞〜＜項７５＞のいずれか１項に記載のアトマイズシステム。
＜項７９＞
プラズマアトマイズ金属粉末製造方法であって、
加熱された金属源を提供することと、
前記加熱された金属源を、前記加熱された金属源のアトマイズを引き起こすのに有効な条件下で、少なくとも１つのプラズマ源のプラズマと接触させることと、を含み、それにより、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも８０％の０〜１０６ミクロン粒径分布収率を有する原料金属粉末を得る、プラズマアトマイズ金属粉末製造方法。
＜項８０＞
前記ガス対金属比は、約２０未満である、＜項７９＞に記載の製造方法。
＜項８１＞
前記ガス対金属比は、約１７未満である、＜項７９＞に記載の製造方法。
＜項８２＞
前記ガス対金属比は、約５〜約１５である、＜項７９＞に記載の製造方法。
＜項８３＞
前記ガス対金属比は、約２〜約１０である、＜項７９＞に記載の製造方法。
＜項８４＞
前記ガス対金属比は、約５〜約１０である、＜項７９＞に記載の製造方法。
＜項８５＞
前記ガス対金属比は、約１０〜約２０である、＜項７９＞に記載の製造方法。
＜項８６＞
前記ガス対金属比は、約１０〜約１５である、＜項７９＞に記載の製造方法。
＜項８７＞
前記原料金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも９０％の０〜１０６ミクロン粒径分布収率を有する、＜項７９＞〜＜項８６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項８８＞
前記原料金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも８５％の０〜７５ミクロン粒径分布収率を有する、＜項７９＞〜＜項８６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項８９＞
前記原料金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも５０％の０〜４５ミクロン粒径分布収率を有する、＜項７９＞〜＜項８６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９０＞
前記原料金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも６０％の０〜４５ミクロン粒径分布収率を有する、＜項７９＞〜＜項８６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９１＞
前記加熱された金属源は、前記少なくとも１つのプラズマ源の頂点で前記プラズマと接触する、＜項７９＞〜＜項８６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９２＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の少なくとも１つの個別ノズルから放出される、＜項７９＞〜＜項８６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９３＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の複数の個別ノズルから放出され、前記個別ノズルは、前記加熱された金属源の周りに角度を付けて位置決めされる、＜項７９＞〜＜項８６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９４＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の環状ノズルから放出される、＜項７９＞〜＜項８６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９５＞
前記加熱された金属源は、ワイヤ、ロッド、および溶融流から選択される、＜項７９＞〜＜項８６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９６＞
前記加熱された金属源は、抵抗加熱、アーク放電、および誘導加熱のうちの少なくとも１つによって加熱されたワイヤである、＜項７９＞〜＜項９５＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９７＞
前記加熱された金属源は、抵抗加熱、アーク放電、および誘導加熱のうちの少なくとも１つによって加熱されたロッドである、＜項７９＞〜＜項９５＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９８＞
前記加熱された金属源は、スカル溶融または水冷るつぼから得られた加熱された溶融流である、＜項７９＞〜＜項９５＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９９＞
前記加熱された溶融源は、チタン、チタン合金、ジルコニウム、ジルコニウム合金、コバルト超合金、ニッケル超合金、マグネシウム、マグネシウム合金、ニオブ、ニオブ合金、アルミニウム、アルミニウム合金、モリブデン、モリブデン合金、タングステン、タングステン合金、酸素反応性金属、および窒素反応性金属のうちの１つから選択された少なくとも１つの部材を備える、＜項７９＞〜＜項９５＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１００＞
前記加熱された溶融源は、チタン、チタン合金、ジルコニウム、ジルコニウム合金、アルミニウム、およびアルミニウム合金から選択される、＜項７９＞〜＜項９５＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１０１＞
前記加熱された溶融源は、チタン合金から選択される、＜項７９＞〜＜項９５＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１０２＞
前記加熱された溶融源は、Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖである、＜項７９＞〜＜項９５＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１０３＞
前記加熱された溶融源は、Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖ、Ｔｉ−６Ａｌ−２Ｓｎ−４Ｚｒ−２Ｍｏ、Ｔｉ−５Ａｌ−５Ｖ−５Ｍｏ−３Ｃｒ、およびチタンアルミナイドから選択される、＜項７９＞〜＜項９５＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１０４＞
前記加熱された溶融源は、非合金Ｔｉグレード（例えば、グレード１、２、３、または４）、ＰｄまたはＲｕで改質されたＴｉ合金（例えば、グレード７、１１、１６、１７、２６、または２７）、アルファ型およびニアアルファ型Ｔｉ合金（例えば、グレード６、９、１２、１８、２８）、アルファ−ベータ型Ｔｉ合金（例えば、グレード５、２３、または２９）、およびニアベータ型およびベータ型Ｔｉ合金（例えば、グレード１９または２０）から選択される、＜項７９＞〜＜項９５＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１０５＞
前記金属粉末は、反応性金属粉末である、＜項７９＞〜＜項９５＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜付記２＞
＜項１＞
プラズマアトマイズ化金属粉末製造方法であって、
加熱された金属源を提供することと、
前記加熱された金属源を少なくとも１つのプラズマ源のプラズマと位置合わせすることであって、前記位置合わせは、前記加熱された金属源を前記少なくとも１つのプラズマ源の出口ノズルから最大で５センチメートル以内に位置決めすることを含む、位置合わせすることと、
前記加熱された金属源を、前記加熱された金属源のアトマイズ化を引き起こすのに有効な条件下で前記少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマと接触させことと、を含み、前記アトマイズ化は約２０未満の総ガス対金属質量比を使用することによって実行され、それにより、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４にしたがって測定して、少なくとも８０％の０〜１０６ミクロン粒経分布収率を有する原料金属粉末を得る、プラズマアトマイズ化金属粉末製造方法。
＜項２＞
前記総ガス対金属質量比は、約１７未満である、＜項１＞に記載の製造方法。
＜項３＞
前記総ガス対金属質量比は、約５〜約１５である、＜項１＞に記載の製造方法。
＜項４＞
前記総ガス対金属質量比は、約２〜約１０である、＜項１＞に記載の製造方法。
＜項５＞
前記総ガス対金属質量比は、約５〜約１０である、＜項１＞に記載の製造方法。
＜項６＞
前記総ガス対金属質量比は、約１０〜約２０である、＜項１＞に記載の製造方法。
＜項７＞
前記総ガス対金属質量比は、約１０〜約１５である、＜項１＞に記載の製造方法。
＜項８＞
前記原料金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも９０％の０〜１０６ミクロン粒径分布収率を有する、＜項１＞〜＜項７＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９＞
前記原料金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも８５％の０〜７５ミクロン粒径分布収率を有する、＜項１＞〜＜項７＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１０＞
前記原料金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも５０％の０〜４５ミクロン粒径分布収率を有する、＜項１＞〜＜項７＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１１＞
前記原料金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも６０％の０〜４５ミクロン粒径分布収率を有する、＜項１＞〜＜項７＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１２＞
前記加熱された金属源は、前記少なくとも１つのプラズマ源の頂点で前記プラズマと接触する、＜項１＞〜＜項１１＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１３＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の少なくとも１つの個別ノズルから放出される、＜項１＞〜＜項１１＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１４＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の複数の個別ノズルから放出され、前記個別ノズルは、前記加熱された金属源の周りに角度を付けて位置決めされる、＜項１＞〜＜項１１＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１５＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の環状ノズルから放出される、＜項１＞〜＜項１１＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１６＞
前記加熱された金属源は、ワイヤ、ロッド、および溶融流から選択される、＜項１＞〜＜項１５＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１７＞
前記加熱された金属源は、抵抗加熱、アーク放電、および誘導加熱のうちの少なくとも１つによって加熱されたワイヤである、＜項１＞〜＜項１５＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１８＞
前記加熱された金属源は、抵抗加熱、アーク放電、および誘導加熱のうちの少なくとも１つによって加熱されたロッドである、＜項１＞〜＜項１５＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１９＞
前記加熱された金属源は、スカル溶融または水冷るつぼから得られた加熱された溶融流である、＜項１＞〜＜項１５＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項２０＞
前記加熱された金属源は、チタン、チタン合金、ジルコニウム、ジルコニウム合金、コバルト超合金、ニッケル超合金、マグネシウム、マグネシウム合金、ニオブ、ニオブ合金、アルミニウム、アルミニウム合金、モリブデン、モリブデン合金、タングステン、タングステン合金、酸素反応性金属、および窒素反応性金属のうちの１つから選択された少なくとも１つの部材を備える、＜項１＞〜＜項１９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項２１＞
前記加熱された金属源は、チタン、チタン合金、ジルコニウム、ジルコニウム合金、アルミニウム、およびアルミニウム合金から選択される、＜項１＞〜＜項１９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項２２＞
前記加熱された金属源は、チタン合金から選択される、＜項１＞〜＜項１９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項２３＞
前記加熱された金属源は、Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖである、＜項１＞〜＜項１９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項２４＞
前記加熱された金属源は、Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖ、Ｔｉ−６Ａｌ−２Ｓｎ−４Ｚｒ−２Ｍｏ、Ｔｉ−５Ａｌ−５Ｖ−５Ｍｏ−３Ｃｒ、およびチタンアルミナイドから選択される、＜項１＞〜＜項１９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項２５＞
前記加熱された金属源は、非合金Ｔｉグレード、ＰｄまたはＲｕで改質されたＴｉ合金、アルファ型およびニア（ｎｅａｒ）アルファ型Ｔｉ合金、アルファ−ベータ型Ｔｉ合金、およびニア（ｎｅａｒ）ベータ型およびベータ型Ｔｉ合金から選択される、＜項１＞〜＜項１９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項２６＞
前記金属粉末は、反応性金属粉末である、＜項１＞〜＜項１９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項２７＞
前記加熱された金属源を少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマと位置合わせさせることは、前記加熱された金属源を前記少なくとも１つのプラズマ源の前記出口ノズルから最大で２．５センチメートル以内に位置決めすることを含む、＜項１＞〜＜項２６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項２８＞
前記加熱された金属源を少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマと位置合わせさせることは、前記加熱された金属源を前記少なくとも１つのプラズマ源の前記出口ノズルから最大で１．９センチメートル以内に位置決めすることを含む、＜項１＞〜＜項２６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項２９＞
プラズマアトマイズ化金属粉末製造方法であって、
加熱された金属源を提供することと、
前記加熱された金属源を、前記加熱された金属源のアトマイズ化を引き起こすのに有効な条件下で少なくとも１つのプラズマ源のプラズマと接触させことと、
前記アトマイズ化の間、前記加熱された金属源を、前記加熱された金属源を受け入れるガイド部材によって位置合わせすることと、を含み、前記位置合わせは、前記ガイドの向きをガイドに連結された変位可能な部材で調節することによって、前記少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマとの前記加熱された金属源の位置合わせを維持するように前記加熱された金属源の向きを調節することを含む、プラズマアトマイズ化金属粉末製造方法。
＜項３０＞
前記加熱された金属源は、金属ワイヤまたは金属ロッドのうちの１つである、＜項２９＞に記載の製造方法。
＜項３１＞
前記加熱された金属源は、前記少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマの頂点と位置合わせされる、＜項２９＞または＜項３０＞に記載の製造方法。
＜項３２＞
前記加熱された金属源を前記少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマと位置合わせすることは、前記加熱された金属源を前記少なくとも１つのプラズマ源の出口ノズルから最大で５センチメートル以内に位置決めすることを含む、＜項２９＞〜＜項３１＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項３３＞
前記加熱された金属源を前記少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマと位置合わせすることは、前記加熱された金属源を前記少なくとも１つのプラズマ源の出口ノズルから最大で２．５センチメートル以内に位置決めすることを含む、＜項２９＞〜＜項３１＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項３４＞
前記加熱された金属源を前記少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマと位置合わせすることは、前記加熱された金属源を前記少なくとも１つのプラズマ源の出口ノズルから最大で１．９センチメートル以内に位置決めすることを含む、＜項２９＞〜＜項３１＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項３５＞
前記加熱された金属源の前記配向の前記調整は、前記少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマの上流に、かつその遠隔に位置決めされた枢動点を中心に前記加熱された金属源を枢動させることを含む、＜項２９＞または＜項３４＞に記載の製造方法。
＜項３６＞
前記位置合わせは、
前記プラズマの上流にチャネルを画定するガイド部材を位置決めすることと、
前記ガイド部材の前記チャネルを通して前記加熱された金属源を変位させることと、を含む、＜項２９＞〜＜項３５＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項３７＞
ガス源および液体源のうちの少なくとも１つによって前記ガイド部材を冷却することをさらに含む、＜項３６＞に記載の製造方法。
＜項３８＞
前記位置合わせは、
前記プラズマの上流にチャネルを規定するガイド部材を位置決めすることと、
前記ガイド部材の前記チャネルを通して前記加熱された金属源を変位させることと、を含み、
前記チャネルの出口は前記プラズマの近傍に位置決めされる、＜項２９＞に記載の製造方法。
＜項３９＞
前記ガイド部材は、前記加熱された金属源の汚染を制限する、＜項３４＞〜＜項３７＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項４０＞
前記チャネルを画定する前記ガイド部材の内面は、非汚染材料で形成される、＜項３９＞に記載の製造方法。
＜項４１＞
前記チャネルを画定する前記ガイド部材の内面は、電気絶縁材料で形成される、＜項３９＞に記載の製造方法。
＜項４２＞
抵抗加熱、アーク放電、および誘導加熱のうちの少なくとも１つによって前記加熱された金属源を加熱することをさらに含む、＜項２９＞〜＜項４１＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項４３＞
前記アトマイズは、約２０未満の総ガス対金属質量比を使用することによって実行され、それにより、少なくとも８０％の０〜１０６ミクロン分布収率を有する金属粉末を得る、＜項２９＞〜＜項４１＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項４４＞
前記総ガス対金属質量比は、約１７未満である、＜項４３＞に記載の製造方法。
＜項４５＞
前記総ガス対金属質量比は、約５〜約１５である、＜項４３＞に記載の製造方法。
＜項４６＞
前記総ガス対金属質量比は、約５〜約１０である、＜項４３＞に記載の製造方法。
＜項４７＞
前記総ガス対金属質量比は、約２〜約１０である、＜項４３＞に記載の製造方法。
＜項４８＞
前記総ガス対金属質量比は、約１０〜約２０である、＜項４３＞に記載の製造方法。
＜項４９＞
前記総ガス対金属質量比は、約１０〜約１５である、＜項４３＞に記載の製造方法。
＜項５０＞
前記得られた金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも９０％の０〜１０６ミクロン粒径分布収率を有する、＜項４３＞〜＜項４９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項５１＞
前記得られた金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも３０％の０〜７５ミクロン粒径分布収率を有する、＜項４３＞〜＜項４９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項５２＞
前記得られた金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも５０％の０〜４５ミクロン分布収率を有する、＜項４３＞〜＜項４９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項５３＞
前記得られた金属粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４に従って測定される、少なくとも６０％の０〜４５ミクロン分布収率を有する、＜項４３＞〜＜項４９＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項５４＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の少なくとも１つの個別ノズルから放出される、＜項４３＞〜＜項５３＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項５５＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の複数の個別ノズルから放出され、前記個別ノズルは、前記加熱された金属源の周りに角度を付けて位置決めされる、＜項４３＞〜＜項５３＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項５６＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の環状ノズルから放出される、＜項４３＞〜＜項５３＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項５７＞
前記加熱された金属源は、チタン、チタン合金、ジルコニウム、ジルコニウム合金、コバルト超合金、ニッケル超合金、マグネシウム、マグネシウム合金、ニオブ、ニオブ合金、アルミニウム、アルミニウム合金、モリブデン、モリブデン合金、タングステン、タングステン合金、酸素反応性金属、および窒素反応性金属のうちの１つから選択された少なくとも１つの部材を備える、＜項２９＞〜＜項５６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項５８＞
前記加熱された金属源は、チタン、チタン合金、ジルコニウム、ジルコニウム合金、アルミニウム、およびアルミニウム合金から選択される、＜項２９＞〜＜項５６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項５９＞
前記加熱された金属源は、チタン合金から選択される、＜項２８＞〜＜項５６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項６０＞
前記加熱された金属源は、Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖである、＜項２９＞〜＜項５６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項６１＞
前記加熱金属源は、Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖ、Ｔｉ−６Ａｌ−２Ｓｎ−４Ｚｒ−２Ｍｏ、Ｔｉ−５Ａｌ−５Ｖ−５Ｍｏ−３Ｃｒ、およびチタンアルミナイドから選択される、＜項２９＞〜＜項５６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項６２＞
前記加熱された金属源は、非合金Ｔｉグレード、ＰｄまたはＲｕで改質されたＴｉ合金、アルファ型およびニアアルファ型Ｔｉ合金、アルファ−ベータ型Ｔｉ合金、およびニアベータ型およびベータ型Ｔｉ合金から選択される、＜項２９＞〜＜項５６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項６３＞
前記金属粉末は、反応性金属粉末である、＜項２９＞〜＜項５６＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項６４＞
アトマイズシステムであって、
金属源を加熱するための少なくとも１つの加熱システムと、
加熱した後の前記加熱された金属源を、前記加熱された金属源のアトマイズ化を引き起こすのに有効な条件下でプラズマと接触させるように構成された少なくとも１つのプラズマ源と、
前記アトマイズ化の間に前記プラズマに対する前記加熱された金属源の向きの変化を引き起こすために前記少なくとも１つのプラズマ源の上流に位置決めされた位置合わせシステムであって、前記位置合わせシステムは、前記加熱された金属源に連結された変位可能な部材と前記加熱された金属源に連結された枢動点とを備え、前記変位可能な部材の変位は、前記加熱された金属源が前記枢動点の周りで回転するのを引き起こす、位置合わせシステムと、を備える、アトマイズシステム。
＜項６５＞
前記位置合わせシステムは、前記プラズマの上流のチャネルを画定するガイド部材を備え、前記チャネルは前記加熱された金属源の変位経路をさらに画定する、＜項６４＞に記載のアトマイズシステム。
＜項６６＞
前記位置合わせシステムは、前記ガイド部材を冷却するためのガス源および液体源のうちの少なくとも１つを受けるための入口をさらに備える、＜項６５＞に記載のアトマイズシステム。
＜項６７＞
前記チャネルの出口は前記プラズマの近接に位置決めされる、＜項６５＞または＜項６６＞に記載のアトマイズシステム。
＜項６８＞
前記ガイド部材は、前記加熱された金属源の汚染を制限する、＜項６５＞〜＜項６６＞のいずれか１項に記載のアトマイズシステム。
＜項６９＞
前記チャネルを画定する前記ガイド部材の内面は、電気絶縁材料で形成される、＜項６５＞〜＜項６８＞のいずれかに記載のアトマイズシステム。
＜項７０＞
前記ガイド部材の内面は、セラミックで形成される、＜項６５＞〜＜項６８＞のいずれかに記載のアトマイズシステム。
＜項７１＞
前記ガイド部材は、前記金属源を給送するための給送装置と前記プラズマとの間に実質的に延びる、＜項６５＞〜＜項７０＞のいずれか１項に記載のアトマイズシステム。
＜項７２＞
前記少なくとも１つの加熱システムは、抵抗加熱、アーク放電、および誘導加熱から選択される、＜項６４＞〜＜項７１＞のいずれか１項に記載のアトマイズシステム。
＜項７３＞
前記少なくとも１つの加熱システムは、前記ガイド部材の周りまたは内部に位置決めされた抵抗加熱、アーク放電、および誘導加熱から選択される、＜項７１＞に記載のアトマイズシステム。
＜項７４＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の少なくとも１つの個別ノズルから放出される、＜項６４＞〜＜項７３＞のいずれか１項に記載のアトマイズシステム。
＜項７５＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の複数の個別ノズルから放出され、前記個別ノズルは、前記加熱された金属源の周りに角度を付けて位置決めされる、＜項６４＞〜＜項７３＞のいずれか１項に記載のアトマイズシステム。
＜項７６＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の環状ノズルから放出される、＜項６４＞〜＜項７３＞のいずれか１項に記載のアトマイズシステム。
＜項７７＞
プラズマアトマイズ化金属粉末製造方法であって、
チタンおよびチタン合金から選択された少なくとも１つの部材を備える加熱された金属源を提供することと、
前記加熱された金属源を少なくとも１つのプラズマ源のプラズマと位置合わせすることであって、前記位置合わせは、前記加熱された金属源を前記少なくとも１つのプラズマ源の出口ノズルから最大で２．５センチメートル以内に位置決めすることを含む、位置合わせすることと、
前記加熱された金属源を、前記加熱された金属源のアトマイズ化を引き起こすのに有効な条件下で前記少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマと接触させることと、を含み、前記アトマイズ化は、約２０未満の総ガス対金属質量比を使用することによって実行され、それにより、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４にしたがって測定して、少なくとも８０％の０〜１０６ミクロン粒経分布収率を有する原料チタン含有粉末を得る、プラズマアトマイズ化金属粉末製造方法。
＜項７８＞
前記総ガス対金属質量比は約２０未満である、＜項７７＞に記載の製造方法。
＜項７９＞
前記総ガス対金属質量比は約１７未満である、＜項７７＞に記載の製造方法。
＜項８０＞
前記総ガス対金属質量比は約５から約１５である、＜項７７＞に記載の製造方法。
＜項８１＞
前記総ガス対金属質量比は約２から約１０である、＜項７７＞に記載の製造方法。
＜項８２＞
前記総ガス対金属質量比は約５から約１０である、＜項７７＞に記載の製造方法。
＜項８３＞
前記総ガス対金属質量比は約１０から約２０である、＜項７７＞に記載の製造方法。
＜項８４＞
前記総ガス対金属質量比は約１０から約１５である、＜項７７＞に記載の製造方法。
＜項８５＞
前記原料チタン粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４にしたがって測定して、少なくとも９０％の０〜１０６ミクロン粒経分布収率を有する、＜項７７＞〜＜項８４＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項８６＞
前記原料チタン粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４にしたがって測定して、少なくとも８５％の０〜７５ミクロン粒経分布収率を有する、＜項７７＞〜＜項８４＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項８７＞
前記原料チタン粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４にしたがって測定して、少なくとも５０％の０〜４５ミクロン粒経分布収率を有する、＜項７７＞〜＜項８４＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項８８＞
前記原料チタン粉末は、ＡＳＴＭ  Ｂ２１４にしたがって測定して、少なくとも６０％の０〜４５ミクロン粒経分布収率を有する、＜項７７＞〜＜項８４＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項８９＞
前記加熱された金属源は、前記少なくとも１つのプラズマ源の頂点で前記プラズマと接触する、＜項７７＞〜＜項８４＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９０＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の少なくとも１つの個別ノズルから放出される、＜項７７＞〜＜項８４＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９１＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の複数の個別ノズルから放出され、前記個別ノズルは、前記加熱された金属源の周りに角度を付けて位置決めされる、＜項７７＞〜＜項８４＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９２＞
前記プラズマは、前記少なくとも１つのプラズマ源の環状ノズルから放出される、＜項７７＞〜＜項８４＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９３＞
前記加熱された金属源は、ワイヤ、ロッド、および溶融流から選択される、＜項７７＞〜＜項８４＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９４＞
前記加熱された金属源は、抵抗加熱、アーク放電、および誘導加熱のうちの少なくとも１つによって加熱されたワイヤである、＜項７７＞〜＜項９２＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９５＞
前記加熱された金属源は、抵抗加熱、アーク放電、および誘導加熱のうちの少なくとも１つによって加熱されたロッドである、＜項７７＞〜＜項９２＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９６＞
前記加熱された金属源は、スカル溶融または水冷るつぼから得られた加熱された溶融流である、＜項７７＞〜＜項９２＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９７＞
前記加熱された金属源はチタン合金である、＜項７７＞〜＜項９３＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９８＞
前記加熱された金属源は、チタン合金から選択される、＜項７７＞〜＜項９３＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項９９＞
前記加熱された金属源は、Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖである、＜項７７＞〜＜項９３＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１００＞
前記加熱された金属源は、Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖ、Ｔｉ−６Ａｌ−２Ｓｎ−４Ｚｒ−２Ｍｏ、Ｔｉ−５Ａｌ−５Ｖ−５Ｍｏ−３Ｃｒ、およびチタンアルミナイドから選択される、＜項７７＞〜＜項９３＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１０１＞
前記加熱された金属源は、非合金Ｔｉグレード、ＰｄまたはＲｕで改質されたＴｉ合金、アルファ型およびニアアルファ型Ｔｉ合金、アルファ−ベータ型Ｔｉ合金、およびニアベータ型およびベータ型Ｔｉ合金から選択される、＜項７７＞〜＜項９３＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１０２＞
前記金属粉末は、反応性金属粉末である、＜項７７＞〜＜項９３＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１０３＞
前記加熱された金属源は、前記少なくとも1つのプラズマ源の前記出口ノズルから最大で１．９センチメートル以内に位置決めされる、＜項７７＞〜＜項１０２＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１０４＞
前記位置合わせは、
前記加熱された金属源と前記少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマとの位置合わせを維持するために、前記加熱された金属源の向きを断続的に調節することを含む、＜項７７＞〜＜項１０３＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１０５＞
前記加熱された金属源の前記向きの前記断続的な調節は、前記少なくとも１つのプラズマ源の前記プラズマの上流で遠隔に位置決めされた枢動点の周りで前記加熱された金属源を枢動させることを含む、＜項１０４＞に記載の製造方法。
＜項１０６＞
前記位置合わせは、
前記プラズマの上流にチャネルを規定するガイド部材を位置決めすることと、
前記ガイド部材の前記チャネルを通して前記加熱された金属源を変位させることと、を含む、＜項７７＞〜＜項１０５＞のいずれか１項に記載の製造方法。
＜項１０７＞
ガス源および液体源のうちの少なくとも１つによって前記ガイド部材を冷却することをさらに含む、＜項１０６＞に記載の製造方法。
＜項１０８＞
前記加熱された金属源は、グレード１、２、３または４の非合金Ｔｉである、＜項２５＞、＜項６２＞または＜項１０１＞に記載の製造方法。
＜項１０９＞
前記加熱された金属源は、グレード７、１１、１６、１７，２６または２７のＰｄまたはＲｕで改変されたＴｉ合金である、＜項２５＞、＜項６２＞または＜項１０１＞に記載の製造方法。
＜項１１０＞
前記加熱された金属源は、グレード６、９、１２、１８または２８のアルファ型およびニア（ｎｅａｒ）アルファ型Ｔｉ合金である、＜項２５＞、＜項６２＞または＜項１０１＞に記載の製造方法。
＜項１１１＞
前記加熱された金属源は、グレード５、２３または２９のアルファ−ベータ型Ｔｉ合金である、＜項２５＞、＜項６２＞または＜項１０１＞に記載の製造方法。
＜項１１２＞
前記加熱された金属源は、グレード１９または２０のニア（ｎｅａｒ）ベータ型およびベータ型Ｔｉ合金である、＜項２５＞、＜項６２＞または＜項１０１＞に記載の製造方法。