【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】明細書
【発明の名称】  半導体装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１のパッドを有する第１の半導体チップと、
第２のパッド、第３のパッド、及び上記第２のパッドと第３のパッドを電気的に接続する配線を有する第２の半導体チップと、
第４のパッドを有する回路基板と、
上記第１のパッドと第２のパッドを接続する第１のボンディングワイヤと、
上記第３のパッドと第４のパッドを接続する第２のボンディングワイヤを有し、
上記配線は上記第２の半導体チップに形成されており、
上記第２パッドは上記第２の半導体チップの上面で且つ上記第２の半導体チップの一つの縁部の近傍に形成されており、
上記第３のパッドは上記第２の半導体チップの上面で且つ上記第２の半導体チップの別の縁部の近傍に形成されており、
上記第４のパッドは上記別の縁部の外周近傍に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  第１のパッドを有する第１の半導体チップと、
第２のパッド、第３のパッド、及び上記第２のパッドと第３のパッドを電気的に接続する配線と、
第４のパッドを有する回路基板と、
上記第１のパッドと第２のパッドを接続する第１のボンディングワイヤと、
上記第３のパッドと第４のパッドを接続する第２のボンディングワイヤを有し、
上記配線は上記第２の半導体チップに上記第２の半導体チップの上面から離れて形成されており、
上記第２パッドは上記第２の半導体チップの上面で且つ上記第２の半導体チップの一つの縁部の近傍に形成されており、
上記第３のパッドは上記第２の半導体チップの上面で且つ上記第２の半導体チップの別の縁部の近傍に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マザー基板上に実装される半導体装置に関する。具体的には、半導体素子を含む一つ又は複数のチップを回路基板（ドータ基板）上に載せ、チップ上に設けたパッド電極と回路基板上に設けた別のパッド電極とをボンディングワイヤ等で電気的に接続した半導体装置又は半導体部品（例えば、チップセット）に関する。
【０００２】
【従来の技術】
限られた面積のマザー基板上に多数の半導体装置又は半導体部品（例えばチップセット）を実装する目的から、ドータ基板の片面上又は両面上に一つの半導体チップ又は重ね合わされた複数の半導体チップを載せたチップ積層型パッケージ〔例えば、Ｓ−ＣＳＰ（Ｓｔａｃｋｅｄ  Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｓ−ＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ）〕が提供されている。
【０００３】
具体的に、図１１と図１２は積層型パッケージ（Ｓ−ＣＳＰ）の一例を示す。このパッケージ１００において、ドータ基板である回路基板１０２は、上面に複数のパッド電極１０４（１０４１−１０４５）を有する回路が配線されている。他方、回路基板１０２の下面には、パッド電極１０４に対応した複数のはんだボール１０６が設けられ、これら対応するパッド電極１０４とはんだボール１０６が回路基板１０２に形成されたスルーホール１０８を介して電気的に接続されている。回路基板１０２の上面にはまた、周知の半導体製造技術を用いて形成した第１の半導体チップ１１０と第２の半導体チップ１１２がこの順序で積層されている。第１の半導体チップ１１０は、内部の回路素子と電気的に接続されたパッド電極１１４（１１４２、１１４４）を有する。他方、第２の半導体チップ１１２は、内部の回路素子と電気的に接続されたパッド電極１１４（１１４１、１１４３、１１４５）を有する。第１と第２の半導体チップ１１０、１１２のパッド電極は、矢印Ｘ−Ｘ’方向から見たとき、パッド電極１１４２がパッド電極１１４１と１１４３の間に位置し、パッド電極１１４４がパッド電極１１４３と１１４５の間に位置するように配置されている。パッド電極１１４１−１１４５は、ボンディングワイヤ（金線）１１６によって対応する回路基板１０２上のパッド電極１０４（１０４１−１０４５）に電気的に接続されている。このようにして電気的に接続された回路基板１０２と第１及び第２の半導体チップ１１０、１１２は、これら半導体チップ１１０、１１２とボンディングワイヤ１１６を樹脂で封入し、半導体装置として完成される。なお、実際の半導体装置では、図示されている数よりも多くの数のパッド電極が回路基板や第１及び第２の半導体チップ上に存在するが、図面を簡略化するために、図１０と図１１ではそれらの一部のみを示している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述のように、半導体チップ１１０、１１２と回路基板１０２との電気的接続を両者の表面上に設けたパッド電極１０４、１１４とこれらを連結するボンディングワイヤ１１６とで行なうようにした半導体装置１００では、半導体チップ１１０、１１２のパッド電極１１４１−１１４５と回路基板１０２のパッド電極１０４１−１０４５は、矢印Ｙ−Ｙ’方向にこの順番に配置されていなければならない。具体的に図１２を用いて説明すると、回路基板１０２上で矢印Ｙ−Ｙ’方向に一列に配置された５個のパッド電極１０４１−１０４５は、半導体チップ１１０、１１２のパッド電極１１４１−１１４５にそれぞれ対応していなければならない。逆に、回路基板１０２のパッド電極１０４１と矢印Ｙ−Ｙ’方向に関して反対側にある半導体チップ１１２のパッド電極１１４５とをボンディングワイヤ１１６で接続しようとすれば、このボンディングワイヤが他のボンディングワイヤと交叉して接触するという問題を生じる。
【０００５】
しかし、現実には、マザー基板の配線やマザー基板上に配置される他の電気部品との電気的接続を図るうえで、例えば図１２において、半導体チップ１１２のパッド電極１１４１を回路基板１０２のパッド電極１０４５に接続したいという要求がある。しかし、マザー基板ごとに半導体チップ１１０、１１２における回路を変更するものとすれば、回路ごとに違ったパターン露光用マスクを用意しなければならない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するために、本願発明は、ワイヤボンディングによって制限されることなく、半導体チップのパッド電極を回路基板（ドータ基板）の任意の位置に配置された電気接続部に対して電気的に接続できる半導体装置を提供することを目的とする。
【０００７】
また、本願発明は、半導体チップの回路配線を変更することなく、異なる回路配置を有する種々のマザー基板上に実装可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【０００８】
さらに、本願発明は、ワイヤボンディングで接続可能な範囲を超えて、半導体チップと回路基板とを電気的に接続できる半導体装置を提供することを目的とする。
【０００９】
以上の目的を達成するために、本発明にかかる半導体装置は、
第１のパッドを有する第１の半導体チップと、
第２のパッド、第３のパッド、及び上記第２のパッドと第３のパッドを電気的に接続する配線を有する第２の半導体チップと、
第４のパッドを有する回路基板と、
上記第１のパッドと第２のパッドを接続する第１のボンディングワイヤと、
上記第３のパッドと第４のパッドを接続する第２のボンディングワイヤを有し、
上記配線は上記第２の半導体チップに形成されており、
上記第２パッドは上記第２の半導体チップの上面で且つ上記第２の半導体チップの一つの縁部の近傍に形成されており、
上記第３のパッドは上記第２の半導体チップの上面で且つ上記第２の半導体チップの別の縁部の近傍に形成されており、
上記第４のパッドは上記別の縁部の外周近傍に形成されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明の他の形態の半導体装置は、
第１のパッドを有する第１の半導体チップと、
第２のパッド、第３のパッド、及び上記第２のパッドと第３のパッドを電気的に接続する配線と、
第４のパッドを有する回路基板と、
上記第１のパッドと第２のパッドを接続する第１のボンディングワイヤと、
上記第３のパッドと第４のパッドを接続する第２のボンディングワイヤを有し、
上記配線は上記第２の半導体チップに上記第２の半導体チップの上面から離れて形成されており、
上記第２パッドは上記第２の半導体チップの上面で且つ上記第２の半導体チップの一つの縁部の近傍に形成されており、
上記第３のパッドは上記第２の半導体チップの上面で且つ上記第２の半導体チップの別の縁部の近傍に形成されていることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態を説明する。なお、以下に説明する複数の実施形態において、共通する符号は共通する部分又は対応する部分を示す。
【００１２】
（１）実施の形態１
図１と図２は実施の形態１にかかる半導体装置の一部を示す。これらの図において、全体を符号１０で示す半導体装置は、同種の半導体装置又は他の電気部品と共にマザー基板１２上に実装される半導体電子部品（例えば、演算装置、記憶装置）である。
【００１３】
この半導体装置１０は回路基板１４を有する。回路基板１４は、絶縁性材料（例えば、ガラスとエポキシ樹脂の組み合わせ、またはポリイミド樹脂）からなる四角形の板の表面と裏面に所定の配線を印刷した矩形のプリント配線基板（ドータ基板）が一般的に用いられる。配線について更に具体的に説明すると、回路基板１４の表面に印刷された回路は、矢印Ｘ−Ｘ’方向とこれに直交する矢印Ｙ−Ｙ’方向に伸びる回路基板縁部に沿って複数のパッド電極（パッド電極）１６Ｘ１、１６Ｘ２・・・、１６Ｙ１’、１６Ｙ２、１６Ｙ３、・・・を有する。また、印刷された回路には、符号１６Ｙ１’で示す特定のパッド電極又は導電接続部（以下、必要に応じて、この電極を「中継用パッド電極」という。）から矢印Ｙ−Ｙ’方向に所定距離を隔てた位置に配置された接続用電極１８と、中継用パッド電極１６Ｙ１’と接続用電極１８とを電気的に接続する配線２０を含む。一方、回路基板１４の裏面には、中継用パッド電極１６Ｙ１’を除く他の複数のパッド電極１６Ｘ１、１６Ｘ２・・・、１６Ｙ２、１６Ｙ３、・・・と接続用電極１８に対応してはんだボール２２が固定されており、これらパッド電極１６Ｘ１、１６Ｘ２・・・、１６Ｙ２、１６Ｙ３、・・・及び接続用電極１８と対応するはんだボール２２とが、回路基板１４に形成された電気配線（例えば、回路基板１４の表面と裏面との間で貫通するスルーホール２４）を介して電気的に接続されている。
【００１４】
回路基板１４の表面には、該回路基板１４よりも小さな第１の半導体チップ２６が載せられ、また第１の半導体チップ２６の表面に該第１の半導体チップ２６よりも小さな第２の半導体チップ３０が載せられている。これら回路基板１４と第１の半導体チップ２６との固定、また第１と第２の半導体チップ２６、３０の固定は、接着剤で行なうことができる。なお、本実施形態では、回路基板１４だけでなく、第１及び第２の半導体チップ２６、３０も、これらを上方（矢印Ｚ方向）から見たときの平面形状が四角形であるが、それらの平面形状は四角形に限るものでなく、その他の形状であってもよい。
【００１５】
第１と第２の半導体チップ２６、３０は、シリコン基板の表面に周知の薄膜形成技術・エッチング技術・露光技術等を含む種々の半導体形成プロセスを通じて形成された一つ又は複数の半導体回路素子（例えば、トランジスタ）を含む。また、第１の半導体チップ２６は、矢印Ｘ−Ｘ’方向と矢印Ｙ−Ｙ’方向に伸びる縁部に沿って複数のパッド電極（パッド電極）３２Ｘ１、３２Ｙ２、・・・を有する。同様に、第２の半導体チップ３０は、矢印Ｘ−Ｘ’方向と矢印Ｙ−Ｙ’方向に伸びる縁部に沿って複数のパッド電極（パッド電極）３２Ｘ２、３２Ｙ１、３２Ｙ２、・・・を有する。これらパッド電極３２Ｘ１、３２Ｘ２・・・、３２Ｙ１、３２Ｙ２、３２Ｙ３、・・・は、上述した回路基板１４のパッド電極１６Ｘ１、１６Ｘ２・・・、１６Ｙ１’、１６Ｙ２、１６Ｙ３、・・・に対応している。具体的に、矢印Ｙ−Ｙ’方向に伸びる縁部近傍に配置されたパッド電極は、１６Ｙ１’と３２Ｙ１、１６Ｙ２と３２Ｙ２、及び１６Ｙ３と３２Ｙ３がそれぞれほぼ矢印Ｘ−Ｘ’方向に伸びる同一直線上に配置されている。また、矢印Ｘ−Ｘ’方向に伸びる縁部近傍に配置されたパッド電極は、１６Ｘ１と３２Ｘ１、１６Ｘ２と３２Ｘ２、及び１６Ｘ３と３２Ｘ３がそれぞれほぼ矢印Ｙ−Ｙ’方向に伸びる同一直線上に配置されている。なお、これらのパッド電極３２Ｘ１、３２Ｘ２・・・、３２Ｙ１、３２Ｙ２、３２Ｙ３、・・・は、上述した半導体形成プロセスの一過程で形成してもよいし、半導体形成プロセスとは別に、周知の印刷技術を利用して形成してもよい。そして、パッド電極３２Ｘ１、３２Ｘ２・・・、３２Ｙ１、３２Ｙ２、３２Ｙ３・・・は、回路基板１４上に第１及び第２の半導体チップ２６、３０を固定した後、周知のワイヤボンダ（図示せず）によって、回路基板１４上のパッド電極１６Ｘ１、１６Ｘ２・・・、１６Ｙ１’、１６Ｙ２、１６Ｙ３・・・との間にボンディングワイヤ（金線）３４を張設して電気的に接続されている。最後に、特に図示していないが、第１及び第２の半導体チップ２６，３０は、ボンディングワイヤ３４及びパッド電極を含めて、絶縁材料からなる樹脂によって封入される（図１０参照）。
【００１６】
以上のようにして形成された半導体装置１０は、回路基板１４よりも一般に相当大きなマザー基板１２の配線上に配置された後、リフロー炉等の加熱炉（図示せず）で加熱してはんだボール２２を溶融し、半導体チップ２６、３０がマザー基板上の所定の回路に永久的に電気的接続される。
【００１７】
したがって、半導体装置１０をマザー基板に実装した状態で、半導体チップ３０のパッド電極３２Ｙ１を接続すべきマザー基板上の回路部分が、回路基板１４における中継用パッド電極１６Ｙ１’に対応する位置でなく接続用電極１８に対向する位置にあっても（換言すれば、パッド電極３２Ｙ１から矢印Ｙ−Ｙ’方向にオフセットした場所にあっても）、この半導体装置１０によれば、パッド電極３２Ｙ１をマザー基板上の目的の回路部分に接続できる。換言すれば、半導体チップ２６、３０の設計（特に、マスクパターン）を変更することなく、回路基板１４上の中継パッド電極等を利用することで、半導体チップ２６、３０の各パッド電極をマザー基板上の所定の回路部分に正しく接続できる。また、この半導体装置１０によれば、従来の技術の欄で説明したような、ボンディングワイヤの交叉接触の問題もない。
【００１８】
（２）実施の形態２
図３は実施の形態２にかかる半導体装置１０２の一部を示す。この半導体装置１０２において、回路基板１４の表面に形成された回路は、中継用パッド電極１６Ｙ１’から矢印Ｙ方向に所定距離だけ隔てた位置に接続用パッド電極１６Ｙ０が設けてある。また、第１の半導体チップ２６には、矢印Ｙ−Ｙ’方向に所定距離だけ隔てて配置された２つの中継用パッド電極３２Ｙ１’と３２Ｙ０’と、これらの中継用パッド電極を電気的に接続する配線３６が設けてある。さらに、図示しないが、回路基板１４の裏面には、接続用パッド電極１６Ｙ０に対応する位置にはんだボールが設けられ、これら接続用パッド電極１６Ｙ０とはんだボールがスルーボール等の電気的接続により接続されている。そして、接続用パッド電極１６Ｙ０と中継用パッド電極３２Ｙ０’、また中継用パッド電極３２Ｙ１’と１６Ｙ１’、さらに中継用パッド電極１６Ｙ１’と第２の半導体チップ３０のパッド電極３２Ｙ１がボンディングワイヤ３４で接続され、これによりパッド電極３２Ｙ１が該パッド電極３２Ｙ１から矢印Ｙ−Ｙ’方向にオフセットした接続用パッド電極１６Ｙ０に対して電気的に接続されている。
【００１９】
この半導体装置１０２によれば、上述した実施の形態１と同様に、一方の半導体チップ２６のマスクパターンと回路基板に回路を印刷するマスクパターンを一部変更するだけ、他方の半導体チップ３０のマスクパターンを変更することなく、中継用パッド電極等回路基板１４上の中継パッド電極等を利用することで、半導体チップ２６、３０の各パッド電極をマザー基板上の所定の回路部分に正しく接続できる。また、回路基板１４の表面に図１に示すような配線２０を設けるスペースが無い場合でも、本実施の形態のように半導体チップ上に中継用配線を設けることでボンディングワイヤの交叉を解消できる。
【００２０】
（３）実施の形態３
図４は実施の形態３にかかる半導体装置１０３の一部を示す。この半導体装置１０３は、実施の形態２の変形例で、半導体チップ３０のパッド電極３２Ｙ１と半導体チップ２６の中継用パッド電極３２Ｙ１’、また半導体チップ２６の中継用パッド電極３２Ｙ０’と回路基板１４の接続用パッド電極１６Ｙ０を、それぞれボンディングワイヤ３４で接続し、これによりパッド電極３２Ｙ１を該パッド電極３２Ｙ１から矢印Ｙ−Ｙ’方向にオフセットした接続用パッド電極１６Ｙ０に、ボンディングワイヤを交叉することなく接続できる。また、本実施の形態３によれば、第２の半導体チップ２６に中継用パッド電極等を設けるだけで済み、回路基板１４や第２の半導体チップ３０のマスクパターンを変更する必要がない。さらに、実施の形態２における中継用パッド電極１６Ｙ１’と３２Ｙ１’とを結ぶボンディングワイヤが不要であるので、実施の形態２よりもワイヤボンディングの工程が簡略化でき、またそれに伴うコストが低減できる。加えて、パッド電極３２Ｙ１と１６Ｙ０とのボンディングワイヤが短くなる分、電気抵抗が減り、該ワイヤを通じて流れる信号の遅延が無くなって信号の立ち上がり及び立ち下がりが早くなる。
【００２１】
（４）実施の形態４
図５は実施の形態４にかかる半導体装置１０４の一部を示す。この半導体装置１０４は、半導体チップ３０において矢印Ｙ−Ｙ’方向に伸びる縁部近傍に配置されたパッド電極を、回路基板１４において矢印Ｘ−Ｘ’方向に伸びる縁部近傍に配置されたパッド電極に接続した形態である。具体的に、半導体チップ２６の矢印Ｙ−Ｙ’方向に伸びる縁部３８近傍表面には、該縁部３８に隣接し且つ半導体チップ３０のＹ−Ｙ’方向に伸びる縁部４０近傍表面に設けたパッド電極３２Ｙ１に対応して、中継用パッド電極３２Ｙ１’が設けてある。また、半導体チップ２６の矢印Ｘ−Ｘ’方向に伸びる縁部４２近傍表面には、該縁部４２に隣接し且つ回路基板１４のＸ−Ｘ’方向に伸びる縁部４４近傍表面に設けたパッド電極１６Ｘ０に対応して、中継用パッド電極３２Ｘ０’が設けてある。これら中継用パッド電極３２Ｙ１’と３２Ｘ０’は、半導体チップ２６を製造する際の半導体形成プロセスで該半導体チップ２６の内部又は外部に形成された接続用配線４６を介して電気的に接続されている。さらに、回路基板１４の裏面には、パッド電極１６Ｘ０に電気的に接続されたはんだボール（図示せず）が設けてある。これらパッド電極３２Ｙ１と中継用パッド電極３２Ｙ１’、また中継用パッド電極３２Ｘ０’とパッド電極１６Ｘ０をボンディングワイヤ３４でそれぞれ接続し、これによりパッド電極３２Ｙ１が該パッド電極３２Ｙ１からＸ−Ｘ’方向及びＹ−Ｙ’方向にシフトしたパッド電極１６Ｘ０に電気的に接続されている。
【００２２】
この半導体装置１０４によれば、ワイヤボンディングの配線可能範囲を超えて、矢印Ｘ−Ｘ’方向及び矢印Ｙ−Ｙ’方向に離れた２つの電極間に配線を設けることができる。したがって、マザー基板に対する半導体装置の配線自由度が更に向上する。
【００２３】
なお、本実施の形態では、半導体チップの一辺近傍に配置されたパッド電極を回路基板の隣接辺に配置されたパッド電極に接続したが、半導体チップ内の配線は半導体形成プロセスで自由に配線できるので、上記一辺の反対側にある回路基板の別の辺の近傍に配置されたパッド電極に接続することも当然可能である。
【００２４】
（５）実施の形態５
図６は実施の形態５にかかる半導体装置１０５の一部を示す。本実施形態の半導体装置１０５は、実施の形態１の変形例であり、回路基板１４に設けた中継用パッド電極１６Ｙ１’と接続用パッド電極１６Ｙ０とがボンディングワイヤ３４で接続されている。
【００２５】
この半導体装置１０５によれば、実施の形態１と同様に、半導体チップ２６、３０のマスクパターンを変更することなく、パッド電極３２Ｙ１を該パッド電極３２Ｙ１から矢印Ｙ−Ｙ’方向に（また、更に別の中継用パッド電極を設けることにより矢印Ｘ−Ｘ’方向にも）シフトした回路基板上のパッド電極に接続することができる。
【００２６】
（６）実施の形態６
図７は実施の形態６にかかる半導体装置１０６の一部を示す。本実施形態の半導体装置１０６は、実施の形態２の変形例であり、半導体チップ２６に中継用パッド電極３２Ｙ０’を設け、半導体チップ３０のパッド電極３２Ｙ１と回路基板１４のパッド電極１６Ｙ１’、また回路基板１４のパッド電極１６Ｙ１’と半導体チップ２６の中継用パッド電極３２Ｙ０’、さらに半導体チップ２６の中継用パッド電極３２Ｙ０’と回路基板１４の接続用パッド電極１６Ｙ０が、ボンディングワイヤ３４でそれぞれ接続され、半導体チップ３０のパッド電極３２Ｙ１と該パッド電極３２Ｙ１から矢印Ｙ−Ｙ’方向にオフセットした場所にある回路基板１４の接続用パッド電極１６Ｙ０とが電気的に接続されている。
【００２７】
この半導体装置１０６によれば、半導体チップ３０のマスクパターンを変更することなく、該半導体チップ３０のパッド電極３２Ｙ１を離れた場所にある回路基板１４上のパッド電極に対して、ボンディングワイヤを交叉することなく、接続できる。
【００２８】
（７）実施の形態７
図８は実施の形態７にかかる半導体装置１０７の一部を示す。本実施形態の半導体装置１０７において、回路基板１４のパッド電極５０Ｙ０に接続される半導体チップ３０のパッド電極５２Ｙ１は、半導体チップ３０の裏面５４に設けてある。一方、この半導体チップ３０を支える他方の半導体チップ２６の表面５６には、この表面５６上に半導体チップ３０を載せたときにパッド電極５２Ｙ１が対向する場所に配線部分５８が設けてある。この配線部分５８は該配線部分５８から矢印Ｘ’方向に所定距離移動し、半導体チップ３０の載る領域の外側の領域に形成された配線部分６０に接続され、さらに配線部分６０は該配線部分６０から矢印Ｙ方向に伸びる配線部分６２を介して中継パッド電極６４に接続されている。そして、半導体チップ３０のパッド電極５２Ｙ１は、半導体チップ３０を半導体チップ２６上に載せる際にパッド電極５２Ｙ１と配線部分５８とではんだ６６を挟み、これにより配線部分５８と電気的に接続される。なお、はんだ６６は後に加熱溶融され、これにより半導体チップ２６と３０がほぼ密着する。また、半導体チップ２６の配線部分６４と配線基板１４のパッド電極５０Ｙ０は、ボンディングワイヤ３４を介して電気的に接続される。
【００２９】
この半導体装置１０７によれば、半導体チップのパッド電極を、該パッド電極から矢印Ｘ−Ｘ’方向及びＹ−Ｙ’方向に離れた場所に設けた回路基板のパッド電極に対して、ボンディングワイヤを交叉することなく接続できる。また、半導体装置１０７によれば、上部の半導体チップ３０が下部の半導体チップ２６の表面の殆どを占有する場合でも、残りの限られた表面部分を利用して、配線位置を矢印Ｘ−Ｘ’方向及びＹ−Ｙ’方向にシフトできる。また、ワイヤボンディングの距離が短くなり、ワイヤボンディングのコスト、時間を低減できる。
【００３０】
なお、図８では、半導体チップ３０のパッド電極は該半導体チップ３０の裏面に存在する一つのパッド電極しか示していないが、半導体チップ３０のパッド電極はすべて該半導体チップの裏面に設けてもよい。この場合、半導体チップ３０の表面にパッド電極が存在せず、そのために該表面のパッド電極と回路基板とをボンディングワイヤで接続する必要がないので、高さの低い小型の半導体装置を提供できる。ただし、パッド電極５２Ｙ１又は該パッド電極５２Ｙ１を含む複数のパッド電極だけを半導体チップの裏面に設け、残りのパッド電極は半導体チップの表面に配置してもよい。
【００３１】
また、本実施の形態では、半導体チップ２６の電極とこれに対向する半導体チップ３０の電極をはんだで接続しているが、両電極を接続できるものであればあらゆる電気的接続手段を利用できる。
【００３２】
（８）実施の形態８
図９は実施の形態８にかかる半導体装置１０８の一部を示す。本実施形態の半導体装置１０８は、実施の形態７の半導体装置の変形例であり、半導体チップ２６の表面５６から、上述した電極部分６２と６４が除かれている。一方、回路基板１４の表面には、パッド電極７０Ｙ０の他に、パッド電極７０Ｙ０から矢印Ｙ’方向に所定距離を隔てた場所に中継電極７０Ｙ１’が形成され、これらパッド電極７０Ｙ０と中継電極７０Ｙ１’が配線７２で電気的に接続されている。そして、電極部分６０と中継電極７０Ｙ１’が、ボンディングワイヤ６８で電気的に接続されている。その他の構成は、実施の形態７の半導体装置１０７と実質的に同一である。したがって、この半導体装置１０８によれば、上述した実施の形態７の半導体装置１０７と同一の作用効果が得られる。
【００３３】
（９）実施の形態９
図１０は実施の形態９にかかる半導体装置１０９の一部を示す。本実施形態の半導体装置１０９は、実施の形態８の半導体装置の変形例であり、回路基板１４のパッド電極７０Ｙ０と中継電極７０Ｙ１’がボンディングワイヤ６８で電気的に接続されている。その他の構成は、実施の形態８の半導体装置と同一である。したがって、この半導体装置１０８によれば、上述した実施の形態７の半導体装置１０７と同一の作用効果が得られる。
【００３４】
なお、以上の実施の形態では、回路基板は矩形の板としたが、導電材料からなる板を所定の形に加工した所謂リードフレームであってもよい。また、以上の実施形態では、回路基板上に第１と第２の半導体チップを積層した半導体装置を示したが、本発明にとって回路基板上に設ける半導体チップの数は限定的なものでない。
【００３５】
【発明の効果】
以上、本発明の半導体装置は、ワイヤボンディングによって制限されることなく、またワイヤボンディングの性能を超えて、半導体チップのパッド電極を回路基板の任意の位置に配置された電気接続部に対して電気的に接続できる。
【００３６】
また、本発明の半導体装置は、半導体チップの回路配線を変更することなく、種々のマザー基板上に実装できる。
【００３７】
さらに、本発明の半導体装置は、ワイヤボンディングで接続可能な範囲を超えて、半導体チップと回路基板とを電気的に接続できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施の形態１にかかる半導体装置の部分斜視図。
【図２】  図１に示す半導体装置の側面図。
【図３】  実施の形態２にかかる半導体装置の部分斜視図。
【図４】  実施の形態３にかかる半導体装置の部分斜視図。
【図５】  実施の形態４にかかる半導体装置の部分斜視図。
【図６】  実施の形態５にかかる半導体装置の部分斜視図。
【図７】  実施の形態６にかかる半導体装置の部分斜視図。
【図８】  実施の形態７にかかる半導体装置の部分斜視図。
【図９】  実施の形態８にかかる半導体装置の部分斜視図。
【図１０】  実施の形態９にかかる半導体装置の部分斜視図。
【図１１】  従来の半導体装置にかかる積層型パッケージ（Ｓ−ＣＳＰ）の側面図。
【図１２】  図１１に示す積層型パッケージの斜視図。
【符号の説明】
１０  半導体装置、  １２  マザー基板、  １４  回路基板、  １６Ｘ１・３２Ｘ１  パッド電極、  １６Ｙ１’  中継用パッド電極、  ２０  配線、  ２６  第１の半導体チップ、  ３０  第２の半導体チップ、  ３４  ボンディングワイヤ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2001196529.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2001196529.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2001196529.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2001196529.tif 000004
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2001196529.tif 000005