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【手続補正書】
【提出日】平成20年6月18日(2008.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれがコンポジット信号を感知することで、複数のコンポジット信号を提供するよう構成される複数の電極と、
患者に植込めるように構成されたハウジングと、
前記ハウジングに設けられたコントローラと、
ターゲットベクトルを保存するように構成されたメモリと、
前記複数のコンポジット信号を受け取り、前記ターゲットベクトルを使用して前記複数のコンポジット信号からターゲット信号を分離する信号源分離アルゴリズムを実行するように構成され、引き続き信号源分離を実行することによって前記メモリに保存された前記ターゲットベクトルを更新するようにさらに構成された信号プロセッサと、
を含む心臓システム。
【請求項２】
前記信号プロセッサと前記メモリが前記ハウジングに設けられる、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記信号プロセッサが患者体外装置またはネットワークサーバシステムに設けられ、前記信号プロセッサとコントローラとの無線通信を支援するために、前記信号プロセッサと前記コントローラとがそれぞれの通信装置に接続される、請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記信号プロセッサが、心臓信号をもたらす前記ターゲットベクトルが特定されるまで、異なるベクトルを使用して前記複数のコンポジット信号からターゲット信号を反復的に分離する、請求項１記載のシステム。
【請求項５】
前記信号プロセッサが、前記複数のコンポジット信号の空間共分散行列の推定値を求める、請求項１記載のシステム。
【請求項６】
前記信号プロセッサが、前記複数のコンポジット信号から前記ターゲット信号を分離するために使用される、前記複数のコンポジット信号の前記空間共分散行列に対して主成分分析を実行する、請求項５記載のシステム。
【請求項７】
前記信号プロセッサが、前記分離したターゲット信号を使用して心臓の状態を検出する、請求項１記載のシステム。
【請求項８】
前記コントローラが、検出された前記心臓の状態を処置する治療を実施する、請求項７記載の装置。
【請求項９】
患者の皮下かつ非胸腔内に配置されるように構成され、前記信号プロセッサに接続されるリードをさらに含み、前記複数の電極の少なくともいくつかが前記リードによって支持される、請求項１記載のシステム。
【請求項１０】
患者の皮下かつ非胸腔内に配置されるように構成され、前記信号プロセッサに接続するリードをさらに含み、前記複数の電極の全てが前記リードによって支持される、請求項１記載のシステム。
【請求項１１】
前記信号プロセッサに接続されるリードをさらに含み、前記複数の電極の少なくとも幾つかが前記リードによって支持される、請求項１記載のシステム。
【請求項１２】
前記コントローラに接続され、患者の体外で発生した信号を受け取るように構成されたアンテナをさらに含む、請求項１記載のシステム。
【請求項１３】
前記アンテナがさらに前記複数の電極の１つ以上として構成される、請求項１２記載のシステム。
【請求項１４】
前記複数の電極の少なくとも１つが前記ハウジング内または前記ハウジング上に配置され、缶電極として構成される、請求項１記載のシステム。
【請求項１５】
前記缶電極が、前記ハウジングの前面の少なくとも一部と前記ハウジングの背面の少なくとも一部の間に延出するように構成される、請求項１４記載のシステム。
【請求項１６】
前記複数の電極の少なくとも２つが前記ハウジング内または前記ハウジング上に配置され、缶電極として構成される、請求項１記載のシステム。
【請求項１７】
前記複数の電極が少なくとも４つの電極を含み、前記少なくとも４つの電極のうちの１つが前記少なくとも４つの電極の他の電極と同じ平面に配置されない、請求項１記載のシステム。
【請求項１８】
前記信号プロセッサがブラインド信号源分離アルゴリズムを実行するように構成される、請求項１記載のシステム。
【請求項１９】
前記信号プロセッサは、病理学的変化、虚血、患者体内医療装置の方向の変化、不整脈検出率の範囲または閾値を越えたこと、患者の活動レベル、体位変化、治療変更、起動刺激、前記ターゲット信号の信号対雑音比の変化、の検出に応じて前記ターゲットベクトルを更新するよう構成される、請求項１記載の方法。
【請求項２０】
前記信号プロセッサは、前記最大の心臓信号対雑音比を有する信号に対応する心電図ベクトルを、前記複数の信号の線形結合を使用して数学的に再構成するよう構成される、
請求項１記載のシステム。
【請求項２１】
前記信号プロセッサは、所定の範囲内にある前記ターゲット信号における特異点の局所的な発生率、前記ターゲット信号の形態、所定の範囲内にある前記ターゲット信号のローカルピーク濃度のいずれか使用して、又は拍動数が所定の範囲内にある拍動検出を前記ターゲット信号に対して使用して、前記ターゲット信号を心臓信号として特定することによって、前記ターゲット信号に関連するターゲットベクトルを少なくとも部分的に選択する、請求項１記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
ＰＩＭＤ１８２は心臓の活動を検出し、記録する。缶１０３は、ヘッダ１８９を組み込んで示されている。ヘッダ１８９は、図６に例示した実施形態に示すように、電極モジュール１９６と缶１０３との取り外し可能な装着を助けるように構成することができる。ヘッダ１８９は、電極モジュール１９６からのオス継手１９３を受け取るように構成されたメス継手１９２を含む。オス継手１９３は、１つ以上の電極１９８、１９９を電極モジュール１９６を介して缶１０３に接続するために２つの電極接点１９４、１９５を有するものとして示されている。電極１８１ｈおよび電極１８１ｋが電極モジュール１９６の上に示されており、これらもまた電極モジュール１９６を介して缶１０３に接続することができる。缶１０３は、或いはまたはヘッダ電極１８１ｈ、１８１ｋおよび／もしくは第１と第２の電極１９８、１９９の他に、１つ以上の缶電極１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｃを含むことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月12日(2008.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのαβへテロ二量体Ｔ細胞レセプター(TCR)を提示し、TCRα鎖及びβ鎖の各々が膜貫通配列を含んでなり、該膜貫通配列はＮ末端で細胞外定常ドメイン配列に融合し、次に該細胞外定常ドメイン配列はＮ末端で可変領域配列に融合し、該TCRが膜貫通配列により膜に固着し、該TCRがα及びβの細胞外定常ドメイン残基間の、天然型TCRには存在しないジスルフィド結合を含んでなり、該ジスルフィド結合は
TRAC*01のエキソン１のThr48及びTRBC1*01又はTRBC2*01のエキソン１のSer57から置換されたシステイン残基間；又は
TRAC*01のエキソン１のThr45及びTRBC1*01又はTRBC2*01のエキソン１のSer77から置換されたシステイン残基間；又は
TRAC*01のエキソン１のTyr10及びTRBC1*01又はTRBC2*01のエキソン１のSer17から置換されたシステイン残基間；又は
TRAC*01のエキソン１のThr45及びTRBC1*01又はTRBC2*01のエキソン１のAsp59から置換されたシステイン残基間；又は
TRAC*01のエキソン１のSer15及びTRBC1*01又はTRBC2*01のエキソン１のGlu15から置換されたシステイン残基間にある、Ｔ細胞。
【請求項２】
少なくとも、TCRα鎖及びβ鎖の可変領域の相補性決定領域以外の配列がヒトTCRα及びβの配列に対応する請求項１に記載のＴ細胞。
【請求項３】
複数のTCRをディスプレイしている請求項１又は２に記載のＴ細胞。
【請求項４】
前記TCRにおいて、天然型TCRに存在する鎖間ジスルフィド結合を形成するシステイン残基が非システイン残基で置換されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の細胞。
【請求項５】
前記TCRにおいて、天然型TCRβ鎖に存在する未対合のシステイン残基が存在しない請求項１〜４のいずれか１項に記載の細胞。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に規定されたTCRをコードする発現ベクターを有する宿主細胞を、該TCRの発現を引き起こす条件下でインキュベートすることを含んでなる請求項１〜５のいずれか１項に記載の細胞の取得方法。
【請求項７】
（ａ）患者からのＴ細胞集団の単離
（ｂ）標的細胞に特異的な請求項１〜５のいずれか１項に規定のTCRをコードする発現ベクターでの前記細胞集団のインビトロトランスフェクション
（ｃ）任意に、トランスフェクトした細胞のインビトロ増殖
を含んでなる複数の請求項１〜５のいずれか１項に記載の細胞を製造する方法。
【請求項８】
複数の請求項１〜５のいずれか１項に記載のＴ細胞を医薬的に許容されるキャリアと共に含んでなる注入又は注射可能な医薬組成物。
【請求項９】
ガン、GVHD、感染、臓器拒絶、又は自己免疫疾患の治療用医薬の製造における複数の請求項１〜５のいずれか１項に記載の細胞の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月5日(2007.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスタービンエンジン（１）を洗浄するための洗浄システムであって、前記洗浄システムは可動の乗物（３３）に配置され、
洗浄操作中に前記エンジンの吸気口（１１０）へと液体を注入するように適合されたノズル運搬体（５０，９１）に装着された少なくとも１つのノズル（５４）を含むスプレー装置（３３；９０）と、
前記液体を前記スプレー装置（３３；９０）へと分散するように適合された洗浄ユニット（３１，３５）と、
前記スプレー装置を三次元で動かし、それにより前記スプレー装置（３３；９０）と前記エンジン（１）との間の接触なしに前記エンジンの吸気口（１１０）に対して前記三次元で洗浄操作位置への前記スプレー装置（３３；９０）の位置決めを可能にするように適合された位置決め装置（３４）と、
前記位置決め装置（３４）によりオペレータが前記エンジンの吸気口（１１０）に対して三次元で前記スプレー装置（３３；９０）の位置を調節できるように適合された制御パネル（１１３）とを含む、洗浄システム。
【請求項２】
前記位置決め装置（３４）は前記三次元で前記スプレー装置（３３；９０）の運動を可能にする継手を含むロボットアーム（３４）を含む、請求項１に記載の洗浄システム。
【請求項３】
前記ロボットアーム（３４）は少なくとも１つの伸縮式の部分を含む、請求項２に記載の洗浄システム。
【請求項４】
前記スプレー装置（３３；９０）はエンジン（１）の洗浄操作を監視するように適合された光学検出装置（５５）をさらに含む、請求項１に記載の洗浄システム。
【請求項５】
前記光学検出装置（５５）は前記制御パネル（１１３）に接続され、前記エンジンの吸気口（１１０）の視野を、モニタ（１１２）の前記洗浄システムのオペレータへと運ぶように適合される、請求項４に記載の洗浄システム。
【請求項６】
前記光学検出装置（５５）はカメラを含む、請求項４または５に記載の洗浄システム。
【請求項７】
前記光学検出装置（５５）は光ファイバ装置を含む、請求項４または５に記載の洗浄システム。
【請求項８】
前記スプレー装置（３３；９０）は前記スプレー装置（３３；９０）と前記エンジン（１）との間の距離を測定するように適合された距離測定装置（５６，５７）をさらに含む、請求項４から７のいずれかに記載の洗浄システム。
【請求項９】
前記距離測定装置（５６，５７）は前記制御パネル（１１３）に接続され、前記スプレー装置（３３；９０）と前記エンジン（１）との間の距離の指標を運び、それにより前記モニタ（１１２）によって前記スプレー装置（３３）と前記エンジン（１）との間の現在の距離をオペレータに知らせるように適合される、請求項８に記載の洗浄システム。
【請求項１０】
前記距離測定装置（５６，５７）は音波ビームを放出するように適合された送信機（５６）および前記ビームを受取るように適合された受信機（５７）を含む超音波検出装置であり、前記距離は前記送信機（５６）から前記受信機（５７）への前記ビームの時差によって概算される、請求項８または９に記載の洗浄システム。
【請求項１１】
前記距離測定装置（５６，５７）はレーザビームを放出するように適合された送信機（５６）および前記ビームを受取るように適合された受信機（５７）を含む光学測定装置であり、前記距離は前記送信機（５６）から前記受信機（５７）への前記ビームの時差によって概算される、請求項８または９に記載の洗浄システム。
【請求項１２】
前記距離測定装置（５６，５７）は前記測定された距離が予め定められた値を下回って減少する場合にアラーム信号を放出するように適合されたアラーム手段をさらに含む、請求項７から１１のいずれかに記載の洗浄システム。
【請求項１３】
前記スプレー装置（３３；９０）は照明手段（５２）をさらに含む、請求項１から１２のいずれかに記載の洗浄システム。
【請求項１４】
前記スプレー装置（３３；９０）は前記ノズル運搬体（５０；９１）について対称に配置された実質的にリング型のマニホールド（３６）を含み、前記少なくとも１つのノズル（５４）は前記マニホールド（３６）に配置される、請求項１から１２のいずれかに記載の洗浄システム。
【請求項１５】
前記スプレー装置（３３）は前記ノズル運搬体（５０）に配置される少なくとも１つのパイプ（６１）を含み、前記少なくとも１つのパイプ（６１）は少なくとも１つのノズル（５４）とともに配置される、請求項１から１３のいずれかに記載の洗浄システム。
【請求項１６】
前記スプレー装置（９０）は、各々が異なる直径を有しかつ前記ノズル運搬体（９１）について対称に配置されるいくつかの実質的にリング型のマニホールド（９２）を含み、少なくとも１つのノズル（５４）が各マニホールド（９２）に配置される、請求項１から１４のいずれかに記載の洗浄システム。
【請求項１７】
ガスタービンエンジン（１）に対応するための可動システムであって、請求項１に記載の乗物と、前記エンジンの洗浄操作中に前記エンジンから出てくる廃棄洗浄液を収集するように適合された収集装置（１１４）を含む液体収集ユニット（１１６）とを含む、可動システム。
【請求項１８】
前記液体収集ユニット（１１６）は前記廃棄洗浄液を貯蔵するためのタンク（１１６）に接続可能である、請求項１７に記載の可動システム。
【請求項１９】
前記液体収集ユニット（１１６）は前記洗浄ユニット（３１，３５）に接続可能である、請求項１７または１８に記載の可動システム。
【請求項２０】
前記タンク（１１６）は前記洗浄ユニット（３１，３５）に接続可能である、請求項１７または１８に記載の可動システム。
【請求項２１】
前記洗浄ユニット（３１，３５）は前記廃棄洗浄液を処理して、それにより前記処理された廃棄洗浄液を洗浄操作で使用できるようにするように適合される、請求項１９または２０に記載の可動システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月16日(2008.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
穿孔中に削岩機へ連結可能なツールに対して打撃装置によって衝撃パルスを与えることと、前記ツールに対して圧縮応力波を生成して、前記ツールの材料に応じた波の伝播速度で前記ツールの第１の端部から第２の端部へ伝播させ、同時に前記ツールの第２の端部から反射して戻る前記圧縮応力の少なくとも一部を、前記ツールの第１の端部へ向かう反射波として伝播させることとを含み、
前記削岩機における前記打撃装置およびその衝撃周波数を制御する、打撃装置を制御する方法において、該方法は、
用いられるツールの長さに応じた応力波の伝播時間と、前記ツールの材料における波の伝播速度とに比例する前記打撃装置の衝撃周波数を設定し、
先の圧縮応力波のうちの１つからの反射波が前記ツールの第１の端部へ到達するときに、前記打撃装置によって新規の圧縮応力波を前記ツールに対して生成し、
前記新規の圧縮応力波および前記反射波を合計して合計波を生成し、これを前記ツールにおいて前記波の伝播速度で前記ツールの第２の端部へ向けて伝播させることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、該方法は、
前記合計波の形状を、衝撃周波数を微調整することによって調節し、
前記微調整において、応力波の伝播時間に比例して決められた衝撃周波数の設定から新規の衝撃パルスの生成を進行または遅延させて、前記記微調節が前記新規の圧縮応力波と前記反射波との合算に対して影響を及ぼし、したがって前記合計波の形状に対しても影響を及ぼすことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法において、該方法は、
継手によって互いに連結された少なくとも２つの伸長ロッドを含むツールを穿孔中に使用し、
伸長ロッドの一方の端部から他方へ、およびその逆への応力波の伝播時間に対応する、前記打撃装置の衝撃周波数を設定し、
前記ツールの第２の端部に向けて伝播する圧縮応力波と、反対方向に伝播して実質的に同時に前記伸長ロッドへ到達する反射波とのタイミングを前記衝撃周波数によって取り、
連結点において前記圧縮応力波および前記反射波を合計して、前記反射波における引張応力成分（＋）を前記圧縮応力波によって相殺することを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の方法において、該方法は、少なくとも100 Hzの衝撃周波数を用いることを特徴とする方法。
【請求項５】
削岩を制御する制御装置におけるソフトウエア製品の実行が、少なくとも次の作動を行うように配設され、すなわち、
穿孔中に削岩機における打撃装置を制御して、前記削岩機へ連結可能なツールに対して衝撃パルスを与えて、圧縮応力波を前記ツールにおいて生成して配し、前記ツールの材料に応じた伝播速度で前記ツールの第１の端部から第２の端部へ伝播させ、同時に前記ツールの第２の端部から反射して戻る前記圧縮応力の少なくとも一部を、前記ツールの第１の端部へ向かう反射波として伝播させ、
さらに前記打撃装置の衝撃周波数を制御する、打撃削岩を制御する前記ソフトウエア製品において、該製品は、
前記ソフトウエア製品の実行が、応力波の伝播時間に比例する前記打撃装置の衝撃周波数を設定するよう配設されることを特徴とするソフトウエア製品。
【請求項６】
請求項５に記載のソフトウエア製品において、該ソフトウエア製品の実行は、前記ツールの長さおよび材料の情報の受信に応じて前記ツールにおける応力波の伝播時間を数学的に決めるように配設されることを特徴とするソフトウエア製品。
【請求項７】
衝撃パルスをツールに対して発生させて、前記衝撃パルスにより生じた圧縮応力波が配されて、前記ツールの第１の端部から第２の端部へ伝播し、前記圧縮応力波の少なくとも一部が反射波として前記ツールの第２の端部から反射して戻り、前記ツールの第１の端部へ向けて伝播する手段と、
打撃装置の衝撃周波数を制御する制御装置と、
前記打撃装置の衝撃周波数を決める手段とを含む打撃装置において、
前記制御装置は、前記ツールの長さに応じた応力波の伝播時間と、前記ツールの材料における波の伝播速度とに比例する前記衝撃周波数を設定するよう配設されることを特徴とする打撃装置。
【請求項８】
請求項７に記載の打撃装置において、
前記制御装置は、該制御装置が前記ツールにおける長さおよび材料の情報を受けた後、前記ツールにおける応力波の伝播時間を数学的に決めるように配設されることを特徴とする打撃装置。
【請求項９】
請求項７または８に記載の打撃装置において、
該打撃装置に対しては、継手によって互いに連結された少なくとも２つの伸長ロッドを有するツールが連結され、
前記制御装置は、前記伸長ロッドの一方の端部から他方への応力波の伝播時間に対応する前記打撃装置の衝撃周波数を設定して配設されて、ツールの第２の端部へ向かって伝播する圧縮応力波および反対方向に伝播する反射波が、前記伸長ロッドの連結点において実質的に同時に作用するよう配されることを特徴とする打撃装置。
【請求項１０】
請求項７ないし９のいずれかに記載の打撃装置において、
前記打撃装置は、前記反射波の圧縮応力成分（−）におけるエネルギーを新規の衝撃パルスを生成するのに利用する手段を有することを特徴とする打撃装置。
【請求項１１】
請求項７ないし１０のいずれかに記載の打撃装置において、
前記制御装置は、前記衝撃周波数を微調節して、前記ツールの第２の端部へ向けて伝播する応力波の形状に影響を及ぼすように配設され、
前記微調節において、前記制御装置は、前記応力波の伝播時間に比例して決められた設定値から、前記衝撃周波数を進行または遅延させて配設されることを特徴とする打撃装置。
【請求項１２】
請求項７ないし１１のいずれかに記載の打撃装置において、
前記衝撃パルスは、衝撃ピストンなしで油圧エネルギーから直接、前記打撃装置に生成されて配されることを特徴とする打撃装置。
【請求項１３】
衝撃パルスをツールに対して発生させて、前記衝撃パルスにより生じた圧縮応力波が配されて、前記ツールの第１の端部から第２の端部へ伝播し、前記応力波の少なくとも一部が反射波として前記ツールの第２の端部から反射して戻り、前記ツールの第１の端部へ向けて伝播する手段と、
打撃装置の衝撃周波数を制御する手段と、
前記打撃装置の衝撃周波数を決める手段とを含む打撃装置において、
該打撃装置は、前記衝撃周波数および衝撃エネルギーを無段階で別個に制御する手段を含み、
該打撃装置の前記衝撃周波数は、用いられるツールの長さとツールの材料における波の伝播速度とに応じた応力波の伝播時間に比例して配されることを特徴とする打撃装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の打撃装置において、前記衝撃パルスは、衝撃ピストンなしで油圧エネルギーから直接、該打撃装置に生成されて配されることを特徴とする打撃装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月5日(2008.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
末端水酸基若しくはカルボン酸基、又は末端水酸基及びカルボン酸基の両反応基を持つポリラクチド樹脂と、１分子あたり平均２〜１５個の遊離エポキシ基を持つアクリルポリマー又はコポリマーとの反応産物からなり、このアクリルポリマー又はコポリマーの重量平均分子量が１，０００〜６，０００であり、かつエポキシ基あたりの分子量が１５０〜７００である、長鎖の分枝を持つ溶融加工可能なポリラクチド樹脂。
【請求項２】
前記反応産物において、前記アクリルポリマー又はコポリマーが、開始ポリラクチド樹脂１モルあたり０．５モル以下である請求項１に記載のポリラクチド樹脂。
【請求項３】
前記アクリルポリマー又はコポリマーが、開始ポリラクチド樹脂１モルあたり０．０５〜０．４モルである請求項２に記載のポリラクチド樹脂。
【請求項４】
前記開始ポリラクチド樹脂が、分子あたり平均０．８〜１．５個のカルボキシル基を含有する請求項２に記載のポリラクチド樹脂。
【請求項５】
前記開始ポリラクチド樹脂が、ポリスチレンを標準物質としたゲル浸透クロマトグラフィーによる測定で、数平均分子量が３０，０００〜２５０，０００である請求項４に記載のポリラクチド樹脂。
【請求項６】
前記開始ポリラクチド樹脂が、１分子あたり平均０．８〜１．２５個の末端カルボン酸基を有し、かつ前記アクリルポリマー又はコポリマーが、１分子あたり、平均２〜１０個の遊離エポキシ基を有する請求項１に記載のポリラクチド樹脂。
【請求項７】
溶融加工可能なポリラクチド樹脂とアクリルポリマー又はコポリマーとの混合物を該ポリラクチド樹脂のガラス転移温度以上まで加熱する工程からなる方法であって、該ポリラクチド樹脂が少なくとも４０℃のガラス転移温度を有し、かつ末端水酸基若しくはカルボン酸基、又は末端巣酸基及びカルボン酸基の両反応基を有し、該アクリルポリマー又はコポリマーが１分子あたり平均２〜１５個の遊離エポキシ基を持ち、このアクリルポリマー又はコポリマーの重量平均分子量が１，０００〜６，０００であり、かつエポキシ基あたりの分子量が１５０〜７００である、溶融加工可能なポリラクチド樹脂に長鎖分枝を導入する方法。
【請求項８】
開始ポリラクチド樹脂と、１分子あたり平均２〜１０個の遊離エポキシ基を持つアクリルポリマー又はコポリマーとの反応産物であって、開始ポリラクチド樹脂１モルに対し、アクリルポリマー又はコポリマーが０．５〜２０モルであり、このアクリルポリマー又はコポリマーの重量平均分子量が１，０００〜６，０００であり、かつエポキシ基あたりの分子量が１５０〜７００である、遊離エポキシ基を有するポリラクチド樹脂。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月9日(2008.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図３は、ビチューメンの生成および発電などの直接および間接的な用途で使用するための熱エネルギーを生産するために、本発明の仕上げ工法と生産方法の一実施の形態を図示する。坑井３２０、３２５、および３３０を、地表１から先カンブリア代の岩石層１０の上に重なる何らかの堆積層２を抜けて、十分な温度があり、岩石層の卓越した応力場で決める互いに垂直または水平方向に向いた一又は複数の不連続な層亀裂節理群３００、３０５、３１０を発達させられる深さの先カンブリア代岩石層１０まで掘削する。垂直方向の層亀裂群の場合、最も深い坑井３２０は、坑底貯留層の上に一又は複数の貯留層を発達できる十分に高い坑底岩石温度に達するために、３０，０００フィート（層の地温勾配と地熱熱の最終利用者に必要な温度による）以上の深さまで掘削する必要があるだろう。最も小さい主要応力が垂直位置にあるために亀裂群が垂直に発達する場合、各亀裂群貯留層は約５，０００フィートで分離する必要がある。この場合、２番目に深い坑井３２５は２５，０００フィートの深さまで掘削してケーシングし、３番目の坑井３３０は２０，０００フィートの深さまで掘削してケーシングする必要があるだろう。各坑井の一番下の部分を節理の膨張圧力と層破砕圧力を超える、約１．０ｐｓｉ／フィート深さと見積もられる圧力で注入することによって水圧破砕すれば、層に拡張された節理をもつ貯留層体積を生産できるであろう。そうすることで、坑井は貯留層に注水した後貯留層を減圧する加圧サイクルに利用して、拡張した節理から加熱された水をフラッシュし、加圧および減圧サイクル中に水で吸収する熱を生産することになろう。浅い他の２つの坑井のそれぞれで同じ坑井仕上げプロセスを繰り返して、節理を拡張させることで貯留層に注水する加圧した水を受け入れる３つの不連続な貯留層の集合体を発達させ、水を貯留層に流し込んで、加熱し、その後坑井の水圧が低下したら貯留層から吐き出す。１つの坑井に坑井が逆流する速度の２倍で注入するために、坑井の圧力サイクルのタイミングを合わせることによって、吸収熱が継続的に生産できるであろう。これら坑井の逆流サイクルのタイミングをずらすことによって、この貯留層の構成から継続的な高流量の生産を提供することが可能である。貯留層を垂直または水平の向きにして水平に隔たる貯留層の発達にも、同様なプロセスが必要であろう。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図３は、互いに垂直に分離した３つの不連続な貯留層から継続的に高い加熱水流を生むのに必要な構成を示す。プレチャージポンプ３６０は地表の貯留ピット３５０から注入ポンプ３８５に冷却水を供給する。注入ポンプ３８５は高圧かつ大流量の冷却水を３つの高温岩体（ＨＤＲ）貯留層の１つに押し流す。注入ポンプ３８５は、１つの貯留層を他の２つのＨＤＲ貯留層から加熱された水をフラッシュする排水速度と等しい速度で完全に注水できるような大きさとする。このように、３坑井による生産工法を使えば、２つの坑井が半分の注入速度で生産することによって、３つの坑井間で注入速度と生産速度を一致させて継続的な流れを提供できるであろう。坑井は、交互に開閉する排水制御弁４１０、４０５、４００、および注入制御弁３９０、４１５、４２０で管理して、２４時間ごとに適切な連続性を提供する。大流量の加熱水は注水サイクル中に岩石に蓄えられた圧力エネルギーで地表に運ばれる。さらに加熱水を熱交換器４５に通して、そこで第２流体を熱交換器のライン４０から５０に流すことによって、坑井の排水流から熱を伝達する。冷却された坑井の流体は制御弁３７０から注入ポンプ３８５まで坑井を逆流する。代わりの方法として、冷却された坑井の流体は、システムの背圧を制御するチョークバルブ３７５の反対側にあるライン３８０および３６５によって、熱交換器から地表の貯留ピット３５０に排水できる。地表の貯留ピット３５０を使えば、貯留層が成熟したときに補給水の供給に必要な予備水を蓄えられるであろう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2008504470.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2008504470.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2008504470.tif 000003
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2008504470.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月12日(2008.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール又はポリウレタン、
（ｂ）下記の式（Ｉ）で表されるＵＶ吸収剤及び／又は下記の式（ＩＩ）で表されるヒンダードアミン光安定剤
【化１】
2008504422.tif 000001
（式中、Ｒ1及びＲ2は、互いに独立して炭素原子数１ないし４のアルキル基又は炭素原子数１ないし４のアルコキシ基を表す。）、及び
（ｃ）前記成分（Ｉ）及び（ＩＩ）のうち１つだけが存在する場合、少なくとも１種の更なるヒンダードアミン光安定剤及び／又はヒドロキシフェニル−トリアジン、ベンゾフェノン、オキサニリド、アクリレート及びシアンアクリレート類からなる群から選ばれるＵＶ吸収剤を含む組成物であって、但し、成分（ｃ）が下記の式（Ａ）ないし（Ｄ）
【化２】
2008504422.tif 000002
で表される化合物ではない組成物。
【請求項２】
前記成分（ｃ）として下記の式ＨＡ−１ないしＨＡ−１１で表されるヒンダードアミン光安定剤又は下記の式ＵＶ−５ないしＵＶ−８で表されるＵＶ吸収剤を含む、請求項１記載の組成物
【化３】
2008504422.tif 000003
【化４】
2008504422.tif 000004
【化５】
2008504422.tif 000005
【化６】
2008504422.tif 000006
【化７】
2008504422.tif 000007
ＨＡ−１１）７−オキサ−３，２０−ジアザジスピロ[５．１．１１．２]ヘンエイコサノ−２１−オン、２，２，４，４−テトラメチル−２０−（オキシラニルメチル）−と（クロロメチル）オキシランとのポリマー（別名：エピクロロヒドリン−２，２，４，４−テトラメチル−７−オキサ−３，２０−ジアザ−２０−（２，３−エポキシプロピル）ジスピロ[５．１．１１．２]ヘンエイコサノ−２１−オンコポリマー）
【化８】
2008504422.tif 000008
【化９】
2008504422.tif 000009
【請求項３】
更なる安定剤を含む、請求項１記載の組成物。
【請求項４】
更なる安定剤として酸化防止剤、光安定剤及び／又は加工安定剤を含む、請求項３記載の組成物。
【請求項５】
更なる安定剤としてフェノール系及び／又はアミン系酸化防止剤、ヒンダードアミン光安定剤、ＵＶ吸収剤、ホスフィット、ホスホナイト及び／又はベンゾフラノンを含む、請求項４記載の組成物。
【請求項６】
更なる安定剤としてヒンダードアミン光安定剤、ＵＶ吸収剤、フェノール系酸化防止剤及び／又はホスフィットを含む、請求項５記載の組成物。
【請求項７】
光、酸素及び／又は熱による劣化に対してポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール又はポリウレタンを安定化する方法であって、前記物質に請求項１で定義された成分（ｂ）及び（ｃ）の混合物を配合することを含む方法。
【請求項８】
前記混合物が付加的に更なる添加剤及び／又は更なる安定剤を含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
更なる安定剤としてヒンダードアミン光安定剤、ＵＶ吸収剤、フェノール系酸化防止剤及び／又はホスフィットを含み、該ホスフィットが
【化８】
2008504422.tif 000010
及び
【化９】
2008504422.tif 000011
からなる群から選択される、請求項６記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月19日(2008.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料から機械的エネルギを生み出すための燃焼装置であって、
燃焼室を規定し、前記燃焼室内での前記燃焼の燃焼中に軸方向に伸張するよう構成された実質的に円筒形のコンプライアント部分を備えるよう構成された１組の壁と、
前記コンプライアント部分の変形を機械的出力に変換する結合部と、
１以上のポートと、を備え、
前記１以上のポートは、酸素源および燃料を前記燃焼室内に取り込んで、排気ガスを前記燃焼室から排出するよう構成されている、
燃焼装置。
【請求項２】
請求項１に記載の燃焼装置であって、
前記コンプライアント部分は、前記燃焼室内での前記燃料の燃焼中に伸長するよう構成されている、燃焼装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の燃焼装置であって、
前記コンプライアント部分は、約１００ＭＰａ未満の弾性係数を有する、燃焼装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の燃焼装置であって、さらに、
前記燃焼室内での前記燃料の燃焼を開始するよう構成された点火機構を備える、燃焼装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の燃焼装置であって、
前記コンプライアント部分は、前記燃焼室内での前記燃料の燃焼中に厚さが減少するよう構成されている、燃焼装置。
【請求項６】
請求項５に記載の燃焼装置であって、
前記燃焼室の容積は、前記コンプライアント部分の前記厚さの減少の結果として増大するよう構成されている、燃焼装置。
【請求項７】
請求項１に記載の燃焼装置であって、
前記実質的に円筒形のコンプライアント部分は、前記実質的に円筒形のコンプライアント部分の円筒の軸に沿って軸方向に伸長するよう構成されている、燃焼装置。
【請求項８】
請求項７に記載の燃焼装置であって、さらに、
前記燃焼室内での前記燃料の燃焼中に前記実質的に円筒形のコンプライアント部分の外側部分の半径方向への拡張を低減する制約部を備える、燃焼装置。
【請求項９】
請求項８に記載の燃焼装置であって、
前記制約部は、前記実質的に円筒形のコンプライアント部分の周囲を包む高張力要素を備える、燃焼装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の燃焼装置であって、
前記高張力要素は、前記実質的に円筒形のコンプライアント部分の一方の端部から前記実質的に円筒形のコンプライアント部分の他方の端部まで、前記実質的に円筒形のコンプライアント部分の周囲をらせん状に包む、燃焼装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の燃焼装置であって、
前記制約部は、つる巻きバネを備える、燃焼装置。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の燃焼装置であって、
前記１以上のポートは、前記酸素源の取り込みと排気ガスの排出との両方に用いられる１つのポートを備える、燃焼装置。
【請求項１３】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の燃焼装置であって、
前記１以上のポートは、前記酸素源を取り込むよう構成された第１のポートと、ガスを排気するよう構成された第２のポートとを備える、燃焼装置。
【請求項１４】
燃料から機械的エネルギを生み出すための方法であって、
燃料および酸素源を燃焼室内に供給する工程と、
前記燃焼室内で前記燃料を燃焼させる工程と、
前記燃焼で生成された圧力を用いて、前記燃焼室の境界を形成する１組の壁が備えたコンプライアント部分の一部の厚さを減少させることで、前記厚さの減少に伴って前記燃焼室の容積を増大させる工程と、
を備える、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記コンプライアント部分は、前記厚さの減少する方向と実質的に直交する方向に伸長する、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、さらに、
前記厚さの減少する前記方向に前記コンプライアント部分の外側部分を制約する工程を備える、方法。
【請求項１７】
請求項１４ないし１６のいずれかに記載の方法であって、
前記コンプライアント部分は、約５ＭＰａから約１００ＭＰａの間の弾性係数を有する、方法。
【請求項１８】
請求項１４ないし１７のいずれかに記載の方法であって、
前記コンプライアント部分の前記厚さは、燃焼前の前記コンプライアント部分の元々の厚さよりも、約２０％以上減少する、方法。
【請求項１９】
請求項１４ないし１８のいずれかに記載の方法であって、さらに、
前記容積の増大を、前記機械的エネルギによって仕事を実行する機械的出力に変換する工程を備える、方法。
【請求項２０】
請求項１４に記載の方法であって、さらに、
前記コンプライアント部分の厚さが減少した際の前記コンプライアント部分を介して前記燃焼室内で発生した熱を放散する工程を備える、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月18日(2008.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面を有するシリコン基板と、
前記基板の前記上面の大部分を覆う非晶質窒化ケイ素からなる材料層と、
前記窒化ケイ素からなる材料層上に形成される窒化物からなる材料の上部層とを備える半導体構造。
【請求項２】
前記窒化ケイ素からなる材料層が実質的に前記基板の上面全体を覆う請求項１に記載の構造。
【請求項３】
前記窒化ケイ素からなる材料層がＳｉＮからなる請求項１に記載の構造。
【請求項４】
前記上部層が単結晶である請求項１に記載の構造。
【請求項５】
前記上部層が窒化ケイ素からなる材料層の上にじかに形成される請求項１に記載の構造。
【請求項６】
前記上部層が窒化アルミニウムからなる材料からなる請求項１に記載の構造。
【請求項７】
前記上部層が前記基板とのエピタキシャル関係を有する請求項１に記載の構造。
【請求項８】
前記上部層が窒化ガリウム材料合金からなる請求項１に記載の構造。
【請求項９】
前記窒化ケイ素からなる材料層が１００オングストローム未満の厚さを有する請求項１に記載の構造。
【請求項１０】
前記窒化ケイ素からなる材料層が１０オングストロームより大きい厚さを有する請求項１に記載の構造。
【請求項１１】
前記上部層一面に形成される窒化ガリウム材料領域をさらに備える請求項１に記載の構造。
【請求項１２】
前記上部層の欠陥が１ｃｍ２あたり約１０１０個未満というミスフィット転位密度を有する請求項１に記載の構造。
【請求項１３】
上面を有するシリコン基板と、
１００オングストローム未満の厚さを有し、前記基板の上面の大部分を覆う窒化ケイ素からなる材料層と、
前記窒化ケイ素からなる材料層の上方に形成され、単結晶窒化物からなる材料上部層とを備える半導体構造。
【請求項１４】
反応室内にシリコン基板を提供する工程と、
前記反応室の中に窒素源を導入し、非晶質窒化ケイ素からなる材料層を形成する工程と、
前記反応室の中に第２のソースを導入し、前記窒化ケイ素からなる材料層の上に窒化物からなる材料の上部層を形成する工程と、
を備える半導体構造を形成する方法。
【請求項１５】
前記窒素源が前記室内に導入されるときに、前記反応室内の前記温度が約１０００℃と約１１００℃の間である請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記窒素源が前記室内に導入されると、前記反応室内の前記圧力が２．６７×１０３Ｐａ〜５．３３×１０３Ｐａ（約２０トールと約４０トールの間）である請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記窒素源がアンモニアである請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記窒素源が前記シリコン基板と反応し、窒化ケイ素からなる材料層を形成する請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２のソースがアルミニウム源からなる請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記アルミニウム源が前記窒素源と反応し、窒化アルミニウムの層を形成する請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月23日(2008.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって、
光を照射することによる解離により少なくとも一つの反応化学種が生成される溶液層を、溶液分注ノズルによって基板の表面に供給するステップと、
反応化学種を生成するために前記溶液を解離可能なエネルギ源を利用するステップであって、前記エネルギ源は、エネルギが前記基板の前記表面に衝突するのを遮断するバッフルを備えたエンクロージャに含まれ、エネルギは、前記基板の前記表面上の前記溶液層の少なくとも第１の部分に向けられ、前記バッフルは、前記基板の前記表面からの再結合長未満であるステップと、
前記基板上の第一の材料を反応させるステップと、
前記反応させた第一の材料を前記基板から除去するステップと
を備える方法。
【請求項２】
溶液は、Ｈ2Ｏ2又はＨ2Ｏで構成される集合のうち少なくとも一つを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記反応化学種は、Ｏ3、Ｏ2、ＯＨ、Ｏ、又はＯＯＨで構成される集合のうち少なくとも一つを含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記エネルギ源は、紫外線光である請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記エネルギ源は、前記溶液が前記基板の前記表面に接触する前に、前記溶液に照射する請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記エネルギ源は、前記溶液が前記基板の前記表面に接触する時間の少なくとも一部に渡って前記溶液に照射する請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記エネルギ源は、約３００ｎｍ以下の波長を有する光源である請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記エネルギ源は、約１８０ｎｍ乃至約２２０ｎｍの波長を有する光源である請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記エネルギ源は、コリメートされた光源である請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記エネルギ源は、パルス化されたエネルギ源である請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記エネルギ源に晒される前記第一の材料の実質的に一部のみを反応させる請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記溶液層は、少なくとも濃度１０パーセントのＨ2Ｏ2を含む請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記第一の材料は、有機材料である請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記第一の材料は、マスク層のパターンを介して露出させる請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記基板の前記表面に前記溶液層を供給するステップは、動的液体メニスカスを介して前記溶液を供給するステップを含む請求項１記載の方法。
【請求項１６】
更に、前記基板の前記表面を濯ぐステップを備える請求項１記載の方法。
【請求項１７】
基板を処理するシステムであって
基板支持部と、その上に支持された基板と、
溶液分注ノズルと、
前記基板の表面上で支持された溶液の層であって、前記溶液分注ノズルによって前記基板の前記表面に供給される溶液の層と、
反応化学種を生成するために前記溶液を解離可能なエネルギ源であって、前記エネルギ源は、エネルギが前記基板の前記表面に衝突するのを遮断するバッフルを備えた容器に収容され、前記基板の前記表面上の前記溶液の前記層の少なくとも第１の部分に向けられ、前記バッフルは、前記基板の前記表面からの再結合長未満であるエネルギ源と、
前記基板支持部と、前記溶液分注ノズルと、前記エネルギ源とに結合され、前記溶液と、前記基板支持部と、前記エネルギ源との動作パラメータを制御可能な制御システムと
を備えるシステム。
【請求項１８】
前記エネルギ源は、光源である請求項１７記載のシステム。
【請求項１９】
前記エネルギ源は、紫外光源である請求項１７記載のシステム。
【請求項２０】
前記エネルギ源は、近接ヘッドに含まれ、前記溶液の前記層は、前記近接ヘッドと前記基板の前記表面との間に支持された動的液体メニスカス内の前記基板の前記表面で支持でき、前記近接ヘッドは、
複数のポートであって、
近接ヘッド表面、
前記近接ヘッドに結合された真空源、
前記近接ヘッドに結合された第２の溶液源
を含む請求項１７記載のシステム。
【請求項２１】
基板内の有機層をエッチングするシステムであって、
基板支持部と、その上に支持され、有機層上に形成されたパターン化マスク層を有し、前記有機層の第一の部分が前記マスク層内のパターンの第一の部分により露出される基板と
溶液分注ノズルと
前記基板の上面において支持される溶液の層であって、前記分注ノズルによって前記基板の前記上面に供給される溶液層と
少なくとも一つの反応化学種を生成するために前記溶液の解離が可能な光源であって、前記光源は、光が前記基板の前記上面に衝突するのを遮断するバッフルを備えたエンクロージャに含まれ、前記基板の前記上面上の前記溶液の前記層の少なくとも第１の部分に向けられ、前記バッフルは、前記基板の前記上面からの再結合長未満である光源と
前記基板支持部と、前記溶液分注ノズルと、前記光源とに結合され、前記溶液と、前記基板支持部と、前記光源との動作パラメータを制御可能な制御システムと
を備えるシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月23日(2008.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイを基板にボンディングする方法であって、前記ダイは１つ以上のボンディング領域を含み、各ボンディング領域が金属面を含み、前記基板は１つ以上のボンディング領域を含み、各ボンディング領域が金属面を含み、前記ダイを前記基板と整列すると、前記ダイの１つ以上のボンディング領域が、前記基板の１つ以上のボンディング領域と位置が合うようにする方法において、
前記ダイ及び／又は前記基板の少なくとも選択されたボンディング領域上に、最小の横方向寸法を有するボンディング材料を配置するステップと、
前記ダイの前記１つ以上のボンディング領域が、前記基板の前記１つ以上のボンディング領域と位置が合うように、前記ダイ及び／又は基板を整列するステップと、
前記ダイと前記基板との間に、少なくとも選択されたボンディング領域の前記最小の横方向寸法を少なくとも４０％増大するのに十分な力を加えるステップと
を備えていることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、該方法は更に、前記力を前記ダイと基板との間に加えている間、前記ダイ及び／又は前記基板に熱を加える加熱ステップを備えていることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、前記加熱ステップは、前記ボンディング材料の温度を少なくとも３００℃まで上昇させるのに十分な熱を加えることからなることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、前記力は、前記ボンディング材料の１グラム当たり、少なくとも５００００Ｋｇの力であることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、前記ダイは、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法において、前記基板は、デバイス・パッケージの少なくとも一部であることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項６記載の方法において、前記デバイス・パッケージは、リードレス・チップ・キャリア（ＬＣＣ）パッケージであることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１記載の方法において、少なくとも選択されたボンディング領域は、０．００１グラム未満のボンディング材料を含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１記載の方法において、少なくとも選択されたボンディング領域の前記ボンディング材料は、１０ミル未満の横方向寸法を有することを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１記載の方法において、前記ボンディング材料は金属であることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月16日(2008.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
監視区域における事象を記録に残すように機能する事象ドキュメント・システム（ＥＤＳ）であって、
該監視区域のイメージを表す出力信号を生成するビデオ監視サブシステムと、
該ビデオ監視サブシステムの出力信号を符号化する符号化サブシステムと、
該ビデオ監視サブシステムの該符号化された出力信号を格納する格納サブシステムと、
該ＥＤＳを制御する制御サブシステムと
を備え、
該ビデオ監視サブシステムが起動されると、該格納サブシステムが該ビデオ監視サブシステムの該符号化された出力信号を格納し、
該ビデオ監視サブシステムの該符号化された出力信号はデータベース格納サービス事務局によってのみ認証される、ＥＤＳ。
【請求項２】
前記符号化は、前記ビデオ監視サブシステムの出力信号を暗号化することを含む、請求項１に記載のＥＤＳ。
【請求項３】
前記符号化は、前記ビデオ監視サブシステムの出力信号に透かしを入れることを含む、請求項１に記載のＥＤＳ。
【請求項４】
前記ビデオ監視サブシステムは自動で起動されるように動作する、請求項１に記載のＥＤＳ。
【請求項５】
前記自動での起動は、前記ＥＤＳに接続される少なくとも１つのセンサに応答して行われる、請求項４に記載のＥＤＳ。
【請求項６】
前記ビデオ監視サブシステムは手動で起動されるように動作する、請求項１に記載のＥＤＳ。
【請求項７】
前記事象を検出する事象トリガ・サブシステムをさらに備え、
該事象トリガ・サブシステムが事象を検出すると、前記制御サブシステムが前記格納サブシステムに事象前データ・セグメントおよび事象後データ・セグメントを保存するように命令し、該事象によって前記ビデオ監視サブシステムが動作不能になる場合、前記格納サブシステムの格納機能が前記事象前データ・セグメントを格納するのに使用される、請求項１に記載のＥＤＳ。
【請求項８】
前記事象トリガ・サブシステムが、機械的力検出サブシステム、流量変化検出サブシステム、及び圧力変化検出サブシステムの少なくとも１つを含む、請求項７に記載のＥＤＳ。
【請求項９】
前記ビデオ監視サブシステムの前記符号化された出力信号を前記データベース格納サービス事務局に送信する送信機をさらに含む、請求項７に記載のＥＤＳ。
【請求項１０】
前記データベース格納サービス事務局は正確かつ真正なデータを保持することが保証されている、請求項７に記載のＥＤＳ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月1日(2008.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）反応緩衝液、
（ｂ）第１の濃度の二価カチオン、
（ｃ）任意成分としての第２の濃度の二価カチオンキレート剤、
（ｄ）少なくとも１種のＡＴＰ抽出剤、及び
（ｅ）ルシフェラーゼ酵素
を含んでなり、
該少なくとも１種のＡＴＰ抽出剤は、細菌又は酵母の完全性を破壊して、ＡＴＰの抽出をもたらすことができる化合物または化合物の組み合わせを含み、
第１の濃度と第２の濃度の間の差が５ｍＭ未満である、微生物を含有することが疑われるサンプル中のＡＴＰを検出するための組成物。
【請求項２】
第１の濃度が２．５ｍＭ未満である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
第１の濃度が１．０ｍＭ未満である、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
第２の濃度の二価カチオンキレート剤を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
第１の濃度が少なくとも１０ｍＭである、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
第１の濃度が少なくとも２０ｍＭである、請求項４に記載の組成物。
【請求項７】
第２の濃度が第１の濃度に少なくとも等しいかまたはそれを超える、請求項４〜６のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項８】
該少なくとも１種のＡＴＰ抽出剤が、グラム陰性細菌の完全性を破壊することができる化合物または化合物の組み合わせを含む、請求項１〜７のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項９】
該少なくとも１種のＡＴＰ抽出剤が、四級アンモニウム塩を含む請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
該少なくとも１種のＡＴＰ抽出剤がセチルトリメチル臭化アンモニウムを含んでなる、請求項８に記載の組成物。
【請求項１１】
該少なくとも１種のＡＴＰ抽出剤がクロロヘキシジンおよび非イオン性洗剤を含んでなる、請求項８に記載の組成物。
【請求項１２】
該少なくとも１種のＡＴＰ抽出剤が、セチルトリメチル臭化アンモニウム、クロロヘキシジン、および非イオン性洗剤を含んでなる、請求項８に記載の組成物。
【請求項１３】
二価カチオンがＭｇ2+、Ｃａ2+またはＭｎ2+である、請求項１〜１２のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項１４】
二価カチオンキレート剤がＥＤＴＡまたはＣＤＴＡである、請求項１〜１２のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項１５】
二価カチオンがＭｇ2+であり、二価カチオンキレート剤がＥＤＴＡである、請求項１〜１２のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項１６】
（ａ）サンプルと、請求項１〜１５のいずれか1項に記載の組成物とを接触させるステップと、
（ｂ）ルミネセンスを検出するステップ
を含んでなる、微生物を含有するまたは含有することが疑われるサンプル中のＡＴＰを検出する方法。