【手続補正書】
【提出日】平成20年2月26日(2008.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に配置された金属含有層を少なくとも部分的にエッチングする方法であって、
前記金属含有層の一部がエッチングマスクの下に配置される一方で、前記金属含有層の一部が前記エッチングマスクの下に配置されず、
前記方法は、
エッチングチャンバに前記基板を配置するステップと、
前記エッチングチャンバ内にエッチャントガスを流入させるステップと、
前記エッチングチャンバ内で前記エッチャントガスからプラズマを生成するステップと、
前記エッチングマスクの下に配置されていない前記金属含有層の一部をエッチングして取り去るステップであって、前記金属含有層の前記エッチングにより取り去られた部分の一部が、前記基板が前記エッチングチャンバ内にある間に、再堆積して残留側壁パッシベーションが形成されるステップと、
前記エッチングチャンバへの前記エッチャントガスの前記流入を中断するステップと、
前記エッチングチャンバ内にエッチングマスク剥離ガスを流入させるステップと、
前記エッチングチャンバ内の前記エッチングマスク剥離ガスからプラズマを生成するステップと、
前記基板が前記エッチングチャンバ内にある間に、前記エッチングマスクを剥離させて取り去り、前記金属含有層の前記部分の前記再堆積した一部から形成される残留側壁パッシベーションを除去するステップであって、前記エッチングマスク剥離ガスによって生成されたプラズマが、前記エッチングマスクを剥離させて取り去り、前記残留側壁パッシベーションを除去するステップと、
前記エッチングチャンバから前記基板を取り出すステップと、を備える方法。
【請求項２】  請求項１記載の方法であって、更に、
前記エッチングチャンバ内において、前記基板に、前記エッチャントガスからの前記プラズマを静電気的に引き付けるステップと、
前記エッチングチャンバ内において、前記基板に、前記エッチングマスク剥離ガスからの前記プラズマを静電気的に引き付けるステップと、を備える方法。
【請求項３】  請求項１または２に記載の方法であって、
前記エッチングチャンバは、金属エッチングチャンバである、方法。
【請求項４】  請求項１乃至３のいずれかに記載の方法であって、
前記エッチングマスクを剥離させて取り去り、前記残留側壁パッシベーションの一部を除去する前記ステップは、更に、前記エッチングチャンバの壁から残留物を除去する、方法。
【請求項５】  請求項１乃至４のいずれかに記載の方法であって、
前記エッチングマスク剥離ガスは酸素を含む、方法。
【請求項６】  請求項１乃至５のいずれかに記載の方法であって、更に、
ロードロック内に前記基板を配置するステップと、
前記エッチングチャンバ内に前記基板を配置するために、前記ロードロックから前記基板を取り出すステップと、を備える方法。
【請求項７】  請求項１乃至６のいずれかに記載の方法であって、更に、
前記エッチングチャンバから前記基板を取り出した後、腐食パッシベーションチャンバに前記基板を配置するステップと、
ウエハを非プラズマ高温水蒸気に晒すステップと、を備える方法。
【請求項８】  請求項６または７記載の方法であって、更に、
前記腐食パッシベーションチャンバから冷却ステーションに前記基板を搬送するステップと、
前記冷却ステーションにおいて前記基板を冷却するステップと、
前記冷却ステーションから前記ロードロックへ前記基板を搬送するステップと、を備える方法。
【請求項９】  請求項１乃至８のいずれかに記載の方法であって、更に、
前記エッチングステップ及び前記剥離ステップの間、圧力を１乃至８０ミリトールに維持するステップを備える、方法。
【請求項１０】  請求項１乃至９のいずれかに記載の方法であって、更に、
前記エッチングステップ及び前記剥離ステップの間、前記基板を１０℃乃至１００℃の温度に維持するステップを備える、方法。
【請求項１１】  請求項２乃至１０のいずれかに記載の方法であって、
前記エッチャントガスからの前記プラズマを静電気的に引き付ける前記ステップは、前記基板を支持するチャックに、−１０乃至−１，０００ボルトのバイアス電力でバイアスをかけるステップを含み、
前記エッチングマスク剥離ガスからの前記プラズマを静電気的に引き付ける前記ステップは、前記基板を支持する前記チャックに、−１０乃至−１，０００ボルトのバイアス電力でバイアスをかけるステップを含む、方法。
【請求項１２】  請求項１乃至１１のいずれかに記載の方法であって、
前記剥離させて取り去るステップは、前記基板に向けて酸素プラズマを加速させて、前記金属含有層の、再堆積して残留側壁パッシベーションを形成する部分を除去する工程を備える、方法。
【請求項１３】  請求項１乃至１２のいずれかに記載の方法であって、
前記剥離させて取り去るステップは、前記残留側壁パッシベーションの大部分を除去する、方法。
【請求項１４】  請求項１乃至１２のいずれかに記載の方法であって、
前記剥離させて取り去るステップは、前記残留側壁パッシベーションをすべて除去する、方法。
【請求項１５】  基板上に配置された金属含有層を少なくとも部分的にエッチングする方法であって、
前記金属含有層の一部がエッチングマスクの下に配置される一方で、前記金属含有層の一部が前記エッチングマスクの下に配置されず、
前記方法は、
エッチングチャンバに前記基板を配置するステップと、
前記エッチングマスクの下に配置されていない前記金属含有層の一部をエッチングして取り去るステップであって、前記金属含有層の前記エッチングにより取り去られた部分の一部が、前記基板が前記エッチングチャンバ内にある間に、再堆積して前記基板上に残留側壁パッシベーションが形成されるステップと、
前記基板が前記エッチングチャンバ内にある間に、前記エッチングマスクを剥離させて取り去り、前記金属含有層の、再堆積して側壁パッシベーションを形成する部分の、一部を除去するステップと、
前記エッチングチャンバから前記基板を取り出すステップと、を備える方法。
【請求項１６】  基板上に配置された金属含有層を少なくとも部分的にエッチングする装置であって、
前記金属含有層の一部がエッチングマスクの下に配置される一方で、前記金属含有層の一部が前記エッチングマスクの下に配置されず、
前記装置は、
エッチングチャンバに前記基板を配置する手段と、
前記エッチングチャンバ内にエッチャントガスを流入させる手段と、
前記エッチングチャンバ内で前記エッチャントガスからプラズマを生成する手段と、
前記エッチングマスクの下に配置されていない前記金属含有層の一部をエッチングして取り去る手段であって、前記金属含有層の前記エッチングにより取り去られた部分の一部が、前記基板が前記エッチングチャンバ内にある間に、再堆積して残留側壁パッシベーションが形成される手段と、
前記エッチングチャンバへの前記エッチャントガスの前記流入を中断する手段と、
前記エッチングチャンバ内にエッチングマスク剥離ガスを流入させる手段と、
前記エッチングチャンバ内の前記エッチングマスク剥離ガスからプラズマを生成する手段と、
前記基板が前記エッチングチャンバ内にある間に、前記エッチングマスクを剥離させて取り去り、前記金属含有層の、再堆積して残留側壁パッシベーションを形成する部分の、一部を除去する手段と、
前記エッチングチャンバから前記基板を取り出す手段と、を備える装置。