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【手続補正書】
【提出日】平成20年5月15日(2008.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水処理システムを通して水を移送するポンプと、
紫外光透過リアクタと、
前記水に照射するための紫外光ランプと、
前記ポンプ及び前記紫外光ランプに給電するバッテリと、
前記バッテリを充電するための手動充電器と、
前記ポンプ、前記バッテリ、及びバッテリ充電監視回路に接続されるコントローラと、を有し、
前記コントローラが前記バッテリ充電監視回路から情報を受信することによって、前記バッテリが前記紫外光ランプを所望の強度にするための十分な電力を有しない場合、前記コントローラは、前記ポンプに給電することを禁止する水処理システム。
【請求項２】
前記紫外光ランプから光を検知するためのランプセンサをさらに有する請求項１に記載の水処理システム。
【請求項３】
前記紫外光ランプを給電するための安定器回路をさらに有する請求項２に記載の水処理システム。
【請求項４】
前記安定器回路を給電するための許可回路をさらに有する請求項３に記載の水処理システム。
【請求項５】
前記バッテリ充電監視回路は、前記バッテリに接続される請求項４に記載の水処理システム。
【請求項６】
フラッシュライトをさらに有する請求項５に記載の水処理システム。
【請求項７】
前記フラッシュライトを給電するためのフラッシュライト制御回路をさらに有する請求項６に記載の水処理システム。
【請求項８】
フィルタをさらに有する請求項７に記載の水処理システム。
【請求項９】
前記バッテリが最大充電未満の場合、電源による前記バッテリの充電を可能にするために、該電源に応答するバッテリ充電回路をさらに有する請求項８に記載の水処理システム。
【請求項１０】
前記バッテリが最大充電の状態である場合、前記バッテリ充電回路は、前記バッテリのさらなる充電を禁止する請求項９に記載の水処理システム。
【請求項１１】
前記電源が運転可能な場合、前記コントローラは、前記フラッシュライト制御回路が前記紫外光ランプに給電することを可能にする請求項１０に記載の水処理システム。
【請求項１２】
前記ポンプは、速度可変である請求項１１に記載の水処理システム。
【請求項１３】
ハウジングと、該ハウジング内に含まれる処理サブシステム処理部と、有する水処理システムであって、前記処理サブシステム処理部は、
ＵＶランプと、
前記処理サブシステム処理部に給電するバッテリと、
前記ハウジング内に収容され、かつ、前記バッテリに接続される充電器と、
前記バッテリに接続されるバッテリ充電監視回路と、
前記バッテリに接続される手動充電器と、
前記充電器に接続され、かつ、前記水処理システムの運転を管理するコントローラと、
前記コントローラに接続され、かつ、前記ＵＶランプを監視するためのランプモニタと、
前記コントローラ及び電源に接続され、かつ、前記水処理システムを通して水を移送するポンプと、を有し、
前記コントローラは、前記バッテリ充電監視回路から受信した情報に応答して、前記電源から前記充電器に電気を選択的に供給する水処理システム。
【請求項１４】
水処理システムを通して水を移送する電気ポンプと、
前記水処理システムを通して移送する水を処理することができる電気水処理サブシステムと、
前記電気ポンプ及び前記電気水処理サブシステムに電気的に接続される蓄電デバイスと、
前記蓄電デバイスを充電するための手動充電器と、
前記電気水処理サブシステム、前記電気ポンプ、及び前記蓄電デバイスに接続されるコントローラであって、前記蓄電デバイスを介して前記電気ポンプ及び前記電気水処理サブシステムを選択的に給電するコントローラと、
を有する水処理システム。
【請求項１５】
前記コントローラは、前記蓄電デバイスが前記電気水処理サブシステムに電圧を加えるための十分な電力を有しない場合、前記ポンプに電圧を加えることを禁止する請求項１４に記載の水処理システム。
【請求項１６】
前記電気水処理サブシステムは、フィルタ、ＵＶランプ、及び、ＵＶ透過リアクタを含み、
前記蓄電デバイスは、前記ＵＶランプに接続される請求項１５に記載の水処理システム。
【請求項１７】
前記ＵＶランプから光を検知するためのランプセンサをさらに有する請求項１６に記載の水処理システム。
【請求項１８】
前記ＵＶランプに電圧を加えるための安定器回路をさらに有する請求項１７に記載の水処理システム。
【請求項１９】
前記安定器回路に電圧を加えるための許可回路をさらに有する請求項１８に記載の水処理システム。
【請求項２０】
前記蓄電デバイス及び前記コントローラに接続される蓄電デバイス監視回路をさらに有する請求項１９に記載の水処理システム。
【請求項２１】
フラッシュライトをさらに有する請求項２０に記載の水処理システム。
【請求項２２】
前記フラッシュライトに電圧を加えるためのフラッシュライト制御回路をさらに有する請求項２１に記載の水処理システム。
【請求項２３】
フィルタをさらに有する請求項２２に記載の水処理システム。
【請求項２４】
前記蓄電デバイスが最大充電未満の場合、電源による前記蓄電デバイスの充電を可能にするために、該電源に応答する蓄電デバイス充電回路をさらに有する請求項２３に記載の水処理システム。
【請求項２５】
前記蓄電デバイスが最大充電の状態である場合、前記蓄電デバイス充電回路は、前記蓄電デバイスのさらなる充電を禁止する請求項２４に記載の水処理システム。
【請求項２６】
前記電源が運転可能な場合、前記コントローラは、前記フラッシュライト制御回路が前記ＵＶランプに電圧を加えることを可能にする請求項２５に記載の水処理システム。
【請求項２７】
前記ポンプは、速度可変である請求項２６に記載の水処理システム。
【請求項２８】
ハウジングと、
前記ハウジング内にあり、かつ、ＵＶランプを含むＵＶ透過リアクタと、
前記ＵＶ透過リアクタを通して水を加圧することが可能であり、かつ、前記ＵＶ透過リアクタに接続される電気ポンプと、
前記電気ポンプ及び前記ＵＶランプに接続されるバッテリと、
前記ハウジング内に収納され、前記バッテリに接続され、かつ、手動操作によって前記バッテリに電圧を加える手動発電機と、
前記バッテリから前記ＵＶランプ及び前記ポンプに選択的に給電することによって、水処理システムの運転を調整するコントローラと、
を有する水処理システム。
【請求項２９】
前記コントローラは、前記電気ポンプ及び前記蓄電デバイスに接続され、前記バッテリ内の荷電量に応じて、前記電気ポンプの運転を選択的に制御する請求項２８に記載の水処理システム。
【請求項３０】
前記ＵＶランプを監視するためのランプモニタをさらに有し、
前記ＵＶランプは、前記コントローラに接続される請求項２９に記載の水処理システム。
【請求項３１】
前記電気ポンプは、前記コントローラに接続される請求項３０に記載の水処理システム。
【請求項３２】
前記コントローラは、選択的に前記電気ポンプに電力を供給する請求項３１に記載の水処理システム。
【請求項３３】
前記ランプモニタは、前記ＵＶランプの運転特性に関して、前記コントローラに情報を提供し、
前記コントローラは、前記ＵＶランプの前記運転特性に応じて、前記ポンプを運転するようにプログラムされている請求項３２に記載の水処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月31日(2008.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
アルコール：水の体積比が０．５から５である、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月8日(2008.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有するバッキングと、前記主面の少なくとも一部に固定されたタイ層と、前記タイ層の少なくとも一部に固定され、研磨粒子と少なくとも１つのバインダー樹脂とを含む研磨層と、を含む被覆研磨物品であって、前記タイ層が、少なくとも１つの多官能性アジリジンと、少なくとも１つの酸性フリーラジカル重合性モノマーと、少なくとも２つのフリーラジカル重合性側基を有する少なくとも１つのオリゴマーとを含む等方性重合性組成物を少なくとも部分的に重合させることによって作製可能であり、前記オリゴマーの単独重合が、５０℃より低いガラス転移温度を有するポリマーをもたらす、被覆研磨物品。
【請求項２】
請求項１に記載の被覆研磨物品を提供する工程と、
前記研磨層の少なくとも一部を工作物の表面の少なくとも一部と摩擦接触させる工程と、
前記被覆研磨物品または前記工作物の少なくとも一方を他方に対して移動させて前記表面の少なくとも一部を研磨する工程とを含む工作物の研磨方法を含む、工作物の研磨方法。
【請求項３】
タイ層前駆物質をバッキングの少なくとも一部の上に配置する工程であって、前記タイ層前駆物質が、少なくとも１つの多官能性アジリジンと、少なくとも１つの酸性フリーラジカル重合性モノマーと、少なくとも２つのフリーラジカル重合性側基を有する少なくとも１つのオリゴマーとを含む等方性組成物を含み、前記オリゴマーの単独重合が、５０℃より低いガラス転移温度を有するポリマーをもたらす工程と、
前記タイ層前駆物質を少なくとも部分的に重合させる工程と、
重合性メイク樹脂前駆物質を、少なくとも部分的に重合されたタイ層前駆物質上に配置する工程と、
研磨粒子を前記メイク樹脂前駆物質に少なくとも部分的に埋め込む工程と、
前記メイク樹脂前駆物質を少なくとも部分的に重合させる工程とを含む、被覆研磨物品の製造方法。
【請求項４】
タイ層前駆物質をバッキングの少なくとも一部の上に配置する工程であって、前記タイ層前駆物質が、少なくとも１つの多官能性アジリジンと、少なくとも１つの酸性フリーラジカル重合性モノマーと、少なくとも２つのフリーラジカル重合性側基を有する少なくとも１つのオリゴマーとを含む等方性組成物を含み、前記オリゴマーの単独重合が、５０℃より低いガラス転移温度を有するポリマーをもたらす工程と、
前記タイ層前駆物質を少なくとも部分的に重合させる工程と、
重合性バインダー前駆物質と研磨粒子とを含むスラリーを、少なくとも部分的に重合されたタイ層前駆物質上に配置する工程と、
前記バインダー前駆物質を少なくとも部分的に重合させる工程とを含む、被覆研磨物品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月29日(2008.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯用オービタルボール盤（４４）を使用して加工物（４２）に種々の寸法及び形態の孔（５２ａ−ｄ）を形成する方法であって、
前記加工物（４２）は、それに取り付けられた、テンプレート（１０）を有しており、該テンプレートは、加工物に形成される孔の位置に対応したパターンで位置付けされた、予め形成された、ガイド孔（１２−４０）を、備えており、
ａ）それぞれのガイド孔（１２−４０）の識別情報を含んでいる読み取り可能な情報媒体（１２ｉ−４０ｉ）を有する各ガイド孔（１２−４０）を提供するステップと、
ｂ）テンプレートのガイド孔にオービタルボール盤を固定したときに、それぞれの情報媒体（１２ｉ−４０ｉ）を検知することによって、ボール盤がどのガイド孔に固定されたかを識別するステップと、
ｃ）そのガイド孔に固定されたボール盤によって加工物に形成される孔の、関連処理及び寸法パラメータを含んでいる孔データベース（４８）に、検知したガイド孔識別情報を送信するステップと、
ｄ）孔データベース（４８）と通じている制御ユニット（５０）によって、ボール盤（４４）に、ボール盤の識別された位置と関連した孔切削処理を加工物にて実行するよう指示するステップと、
ｅ）全ての孔の形成を完了させるために、上記ステップｂ）−ｄ）を連続して繰り返すステップと、を備えていることを特徴とする方法。
【請求項２】
所定の寸法パラメータからのズレを明確にするために、形成された孔（５２ａ−ｄ）の管理測定を実行する追加ステップを備えている、請求項１記載の方法。
【請求項３】
加工物（４２）に種々の寸法及び形態の孔（５２ａ−ｄ）を形成するためのシステムであって、
回転切削工具（４５）を有し、且つ、テンプレート（１０）の予め形成されたガイド孔（１２−４０）に取り外し可能に固定されるように構成された、携帯用オービタルボール盤（４４）を備えており、
テンプレート（１０）は、テンプレートのガイド孔が、加工物に形成される孔（５２ａ−ｄ）の位置に対応したパターンで位置付けされるように、加工物（４２）に取り付けられ、
システムが、
個々に読み取り可能な情報媒体（１２ｉ−４０ｉ）と、センサー（４７）と、制御ユニット（５０）と、を備えており、
情報媒体（１２ｉ−４０ｉ）は、関連孔識別情報を含んでおり、テンプレート（１０）のガイド孔（１２−４０）の各々に割り当てられ、且つ、その各々と近接して取り付けられており、
センサー（４７）は、ボール盤（４４）に取り付けられており、テンプレートのガイド孔にボール盤を固定したときに、それぞれのガイド孔（１２−４０）の情報媒体（１２ｉ−４０ｉ）を検知し、且つ、それらの関連情報を孔データベース（４８）に送信するように、構成されており、
制御ユニット（５０）は、形成される孔と関連した孔処理データを孔データベース（４８）から受け取るように構成されており、且つ、それに応じて加工物に所定の孔（５２ａ−ｄ）を形成するために、関連した孔切削処理を加工物（４２）に実行するように、ボール盤（４４）に指示するよう、構成されていることを特徴とするシステム。
【請求項４】
読み取り可能な情報媒体（１２ｉ−４０ｉ）が、ＲＦＩＤチップを具備している、請求項３記載のシステム。
【請求項５】
読み取り可能な情報媒体が、ピンコードタグを具備している、請求項３記載のシステム。
【請求項６】
読み取り可能な情報媒体が、カラーマークを具備している、請求項３記載のシステム。
【請求項７】
センサー（４７）が、情報媒体（１２ｉ−４０ｉ）に接触することなく、当該情報媒体（１２ｉ−４０ｉ）を検知するように構成されたアンテナを、具備している、請求項３〜６のいずれか１つに記載のシステム。
【請求項８】
センサー（４７）が、無線接続を通して、検知された関連孔識別情報を孔データベース（４８）に送信するよう構成されている、請求項７記載のシステム
【請求項９】
制御ユニット（５０）が、ボール盤（４４）と一体である、請求項３〜８のいずれか１つに記載のシステム。
【請求項１０】
制御ユニット（５０）が、ケーブル装置によってボール盤（４４）に接続された、外部ユニットである、請求項３〜８のいずれか１つに記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
加工物に全ての孔を形成した後に、所定の寸法パラメータからのズレを明確にするために、測定プロ−ブを用いて、管理測定を行うことができ、必要であれば問題の孔の処置を更新する。オービタルボール盤４４の制御ユニット５０は、加工物に孔が何時、どのように形成されるか考慮するための情報を保管している監視データベース（図示せず）を具備している、ローカルネットワークに接続できる。ドリル孔の測定結果は、監視データベースに保管できる。監視システムは、監視データベースからデータを読み取ることができ、その後、加工物の孔が、正確な切削工具によって、適切なときに、正確な順序で、正確なパラメータ等で、孔加工されているかどうか検査するために使用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月3日(2008.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面および端部を有する脆性材料の棒体を劈開するための方法であって、
棒体の端部に隣接した劈開面の表面に開始溝部を形成する段階と、
前記開始溝部を使用して棒体にクラックの形成を開始させる段階と、
棒体に完全に貫通させてブレードを駆動して、棒体を貫通させてクラックを増加させて進ませて、棒体から脆性材料の劈開されたスライスを形成する段階と、
ブレードの動きに続く支持体によって劈開されたスライスを支持して、劈開されたスライスの破損を阻止する段階と、
を備えていることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ブレードを駆動する段階は、制御された速度にてブレードを棒体に貫通させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
脆性材料には、結晶質の材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
脆性材料は、シリコン、ガリウム砒素、ゲルマニウム、シリコン・ゲルマニウム、及び、サファイアからなるグループから選択された材料である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記クラックの形成を開始させる段階は、脆性材料の棒体をブレードと接触させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記クラックの形成を開始させる段階の前に、物理的な支持体に沿ってブレードを案内する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ブレードをクラックに沿って駆動する前に、クラックに対してブレードを整列させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記開始溝部は、前記脆性材料の棒体の端部から間隔を隔て、かつ、前記棒体の表面に垂直な劈開表面を有することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記開始溝部は、キーホール溝部であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
物理的な支持体に沿ってブレードを案内する段階をさらに含み、物理的な支持体の少なくとも一部分は、前記溝部の内部へ延び、前記棒体の表面に対して実質的に垂直である案内面を提供していることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ブレードの動きに続く支持体は、フォロア部材を備え、前記劈開されたスライスを支持する段階は、前記棒体の端部に対して前記フォロア部材を動かすことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
脆性材料の歪結合を破壊するために、前記開始溝部に腐食性の薬品を適用する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
脆性材料の棒体に複数に開始溝部を形成する段階をさらに含み、前記クラックの形成を開始させる段階は、少なくとも１つの前記複数に開始溝部にクラックの形成を開始させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記ブレード、および、前記ブレードの動きに続く支持体の各々は、劈開されたスライスに係合するための曲面を有することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記脆性材料の劈開されたスライスは、ブレードを駆動する段階の間に曲がることを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記劈開されたスライスは、前記ブレードの半径、および、前記支持体の半径に対応する半径まで曲がることを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記ブレードは、前記脆性材料の幅に相互関係がある距離、前記脆性材料の棒体により駆動されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
脆性材料の歪結合を破壊するために、前記クラックに腐食性の薬品を適用する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記開始溝部は、実質的にＶ字形であり、前記クラックの形成を開始させる段階は、一対のブレードを前記Ｖ字形の溝部の中に押し込んでクラックの形成を開始させることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記劈開されたスライスを支持する段階は、前記劈開されたスライスがブレードを駆動する段階の間に曲がるときに、曲面で前記劈開されたスライスを支持することを含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】脆性材料を劈開するための方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、概略的には、劈開に関し、より詳しくは、脆性材料を薄い部分に劈開するための方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の観点によれば、脆性材料の棒体の部分を劈開するための方法が提供される。この方法に関連する装置は、劈開すべき位置に棒体の部分を保持するように適合された支持体と、ブレードと、棒体に劈開部分を作るため、棒体の少なくとも一部分に貫通させてブレードを駆動するように、ブレードに結合されたアクチュータと、劈開中に棒体の端部に係合させるためのフォロアとを備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月21日(2008.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高速ネットワーク内で攻撃からターゲットを保護する方法であって、
前記ネットワーク内の特定のノードに関連するソースＩＤによって識別されたイニシエータからの要求を受信した後、質問を作成するステップと、
前記ソースＩＤによって識別された前記ノードに、前記質問を送信するステップと、
前記質問に対する回答が受信された場合に、前記回答を評価するステップと、
適切な回答が受信された場合に、さらなるメッセージを前記ターゲットから前記イニシエータへ送信することによって、前記イニシエータと前記ターゲット間の通信を可能にするステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記方法が３ウェイ・ハンドシェーク・プロトコルに組み入れられている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記質問を作成するステップと、前記回答を評価するステップとが、別々のモジュールで実行される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記別々のモジュールがハードウェア・モジュールに組み込まれている、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記質問が、前記ソースＩＤ及び前記ターゲットに関連するパラメータを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記質問を暗号化するステップをさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
イニシエータ関連情報をテーブルに入力するステップをさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ネットワークがＩｎｆｉｎｉＢａｎｄネットワークである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
要求に応じてトリガされる質問を作成する手段と、前記質問に対する回答を評価する手段とを有する、高速ネットワーク内でターゲットを攻撃から保護するシステム。
【請求項１０】
ハードウェア・モジュールに組み込まれている、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記システムが、ネットワーク・アダプタのハウジングに一体化されている、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記システムが、別々のハウジングに一体化されている、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
ソフトウェア・モジュールに組み込まれている、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１４】
前記コンピュータ・プログラムが或るコンピュータ上で作動する場合に、請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の方法を実行するのに適したプログラム符号化手段を有する、コンピュータ・プログラム。
【請求項１５】
高速ネットワーク内での要求を、共通のハンドシェーク・プロトコルを使用してターゲットで処理する方法であって、前記共通のハンドシェーク・プロトコルは、前記ターゲットの負荷が所定の閾値を超えるや否や、請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の方法によって修正される、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月26日(2008.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信した無線周波数信号をベースバンド信号又は中間周波数信号に変換して、当該ベースバンド信号又は中間周波数信号を受信器（３１）に与えるチューナ（３０）を備える無線移動装置（２０）であって、
前記受信器（３１）が、マルチ・プロトコル・カプセル化順方向誤り訂正された（ＭＰＥ−ＦＥＣ）フレームを識別するよう構成され、且つメモリ（３３）に格納のため、前記ベースバンド信号又は中間周波数信号と関連した受信されたデータをアプリケーション・プロセッサ（３２）に与えるよう構成されており、
前記アプリケーション・プロセッサ（３２）が、前記データを前記メモリ（３３）からインターリーブ形式で抽出して、誤りを含む当該インターリーブされたデータについてＭＰＥ−ＦＥＣ誤り訂正を実行するよう構成されている
ことを特徴とする無線移動装置（２０）。
【請求項２】
前記受信されたデータが、デジタル・ビデオ放送ハンドセットＤＶＢ−Ｈ標準に準拠している請求項１記載の無線移動装置（２０）。
【請求項３】
前記受信器（３１）が、誤りを含むマルチ・プロトコル・カプセル化順方向誤り訂正された（ＭＰＥ−ＦＥＣ）フレームを、データ・ストリームに含まれたチェックサム値の使用により、又はＭＰＥＧ２トランスポート・ストリームの下に横たわるトランスポート層上のデータ・ストリームに組み込まれた冗長性により、或いは前記のチェックサム値の使用及び前記の冗長性により識別する請求項１記載の無線移動装置（２０）。
【請求項４】
前記受信器（３１）が、誤りを含むＭＰＥ−ＦＥＣフレームを識別することに応答して、関連のエラー・フラグをデータ・エレメントの形式で生成するよう構成されている請求項１から３のいずれか一項に記載の無線移動装置（２０）。
【請求項５】
ＭＰＥ−ＦＥＣフレーム及び／又は関連のエラー・フラグが、前記受信器（３１）の出力から高速の単方向バス（３４）を介してアプリケーション・プロセッサ（３２）へ出力される請求項１から４のいずれか一項に記載の無線移動装置（２０）。
【請求項６】
誤りを含むＭＰＥ−ＦＥＣフレームを識別することに応答して、前記アプリケーション・プロセッサ（３２）は、前記ＭＰＥ−ＦＥＣフレームの一部をインターリーブ形式で前記メモリ（３３）から抽出する請求項１から５のいずれか一項に記載の無線移動装置（２０）。
【請求項７】
無線移動装置により受信されたデータを誤り訂正する方法であって、無線周波数信号を受信するステップと、当該受信された無線周波数信号をベースバンド信号又は中間周波数信号に変換するステップと、前記ベースバンド信号又は中間周波数信号を、当該ベースバンド信号又は中間周波数信号を処理する受信器に与えるステップとを備える前記方法において、
マルチ・プロトコル・カプセル化順方向誤り訂正された（ＭＰＥ−ＦＥＣ）フレームを識別するステップと、
メモリに格納するため、前記の処理されたベースバンド信号又は中間周波数信号と関連したデータを前記受信器からアプリケーション・プロセッサに通すステップと、
前記データをメモリからインターリーブ形式で抽出するステップと、
前記のインターリーブされたデータを前記アプリケーション・プロセッサに与えて、誤りを含む前記のインターリーブされたデータについてＭＰＥ−ＦＥＣ誤り訂正を実行するステップと
を備えることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月3日(2008.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材を処理するためのプロセス加工システムを動作させる方法であって、
化学処理を実行するように構成されたプロセス加工システムに結合された移動システム
を用いて、第一の基材を前記プロセス加工システムの下部部分に移動させる工程、
前記移動システムを用いて、前記プロセス加工システムの前記下部部分から、熱処理を
実行するように構成された前記プロセス加工システムの上部部分に、前記第一の基材を移
動させる工程、および
前記プロセス加工システムおよび前記移動システムから前記第一の基材を取り出す工程
を含む方法。
【請求項２】
前記プロセス加工システムの前記下部部分の中で前記第一の基材をプロセス加工する間
、前記移動システムの中の第一の保持ステーションに第二の基材を保管する工程
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記プロセス加工システムの前記上部部分の中で前記第一の基材をプロセス加工する間
、前記プロセス加工システムの前記下部部分へ前記第二の基材を移動させる工程
をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記移動システムの中の第二の保持ステーションに前記第一の基材を保管する間、前記
プロセス加工システムの前記下部部分から前記プロセス加工システムの前記上部部分へ前
記第二の基材を移動させる工程
をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記プロセス加工システムの前記下部部分の中で前記第二の基材をプロセス加工する間
、前記移動システムの中の前記第一の保持ステーションに第三の基材を保管する工程
をさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記プロセス加工システムの前記上部部分の中で前記第二の基材をプロセス加工する間
、前記プロセス加工システムの前記下部部分へ前記第三の基材を移動させる工程
をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記プロセス加工システムおよび前記移動システムから前記第一の基材を取り出す前記
工程は、前記移動システムの中の第二の保管ステーションに前記第一の基材を保管するこ
とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記プロセス加工システムの前記下部部分の中に前記第一の基材を移動させる前記工程
に続いて、前記第一の基材の上の表面層を変化させるために、前記下部部分の中で前記第
一の基材を化学処理する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記プロセス加工システムの前記下部部分から前記上部部分へ前記第一の基材を移動さ
せる前記工程に続いて、前記第一の基材の上の前記化学変化した表面層を除去するために
、前記第一の基材を熱処理する工程を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
基材を処理するためのプロセス加工システムを動作させる方法であって、
前記プロセス加工システムに結合された移動システムを用いて、前記プロセス加工シス
テムの下部部分の中に第一の基材を移動させる工程、
前記下部部分の中で前記第一の基材をプロセス加工する工程、
前記下部部分の中で前記第一の基材をプロセス加工する間、前記移動システムの中の第
一の保持ステーションへ第二の基材を移動させる工程、
前記移動システムを用いて、前記プロセス加工システムの前記下部部分から上部部分へ
前記第一の基材を移動させる工程、
前記第一の基材を前記上部部分の中でプロセス加工する工程、
前記第一の基材を前記上部部分の中でプロセス加工する間、前記下部部分の中に前記第
二の基材を移動させる工程、
前記下部部分の中で前記第二の基材をプロセス加工する工程、
前記下部部分の中で前記第二の基材をプロセス加工する間、前記第一の保持ステーショ
ンに第三の基材を移動させる工程、
前記下部部分の中で前記第二の基材をプロセス加工する間、前記移動システムの中の第
二の保持ステーションへ前記第一の基材を移動させる工程、
前記移動システムを用いて、前記プロセス加工システムの前記下部部分から前記上部部
分へ前記第二の基材を移動させる工程、
前記上部部分の中で前記第二の基材をプロセス加工する工程、
前記下部部分の中に前記第三の基材を移動させる工程、
前記下部部分の中で前記第三の基材をプロセス加工する工程、および
前記プロセス加工システムおよび前記移動システムから前記第一の基材を取り出す工程
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月31日(2008.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の誘電材料と第２の誘電材料の互層を付着させるステップであって、前記第１の誘電材料と前記第２の誘電材料が異なる速度で選択的にエッチング可能であるステップと、
誘電材料の前記互層内に第１のフィーチャを形成するステップと、
誘電材料の前記互層を選択的にエッチングして、前記第１の誘電材料を有するそれぞれの層内の前記第１の誘電材料の全部でない少なくとも一部分を除去し、前記第２の誘電材料を本質的にエッチングされていないままにしておくステップと
を含む、半導体デバイスの形成方法。
【請求項２】
前記第１の誘電材料が有機誘電材料を含み、前記第２の誘電材料が無機誘電材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
誘電材料の前記互層を選択的にエッチングする前記ステップの後にさらに、
誘電材料の前記互層の表面を覆う共形ライナを付着させて、前記互層を密封するステップ
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記共形ライナが、ＳｉＣＯＨ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＣおよびＳｉＣＮからなるグループから選択された材料を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
共形ライナを付着させる前記ステップの後にさらに、
前記デバイスの表面を覆う導電材料層を付着させて、前記第１のフィーチャを埋めるステップと、
前記デバイスの前記表面を研磨して、前記第１のフィーチャ内の前記導電材料を残し前記デバイスの前記表面の余分な導電材料を除去するステップと
を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
第１の絶縁材料と第２の絶縁材料の互層を付着させるステップと、
前記第１の絶縁材料と前記第２の絶縁材料の前記互層内に第１のフィーチャを形成するステップと、
前記第１の絶縁材料の前記層内に開口を形成するステップと
を含む、半導体デバイスの形成方法。
【請求項７】
前記第１の誘電材料が、前記第２の誘電材料よりも選択的にエッチングされる材料を含む、請求項１又は６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の誘電材料が、ポリアリーレンエーテル（ＳｉＬＫ（商標））、パリレン（Ｎ）、パリレン（Ｆ）、Ｔｅｆｌｏｎ、多孔質ポリアリーレンエーテル（ＳｉＬＫ（商標））、多孔質パリレン（Ｎ）、多孔質パリレン（Ｆ）および多孔質Ｔｅｆｌｏｎからなるグループから選択された有機誘電材料を含み、前記第２の誘電材料が、ＯＳＧ、ＳｉＯ２、ＦＳＧ、ＭＳＱ、多孔質ＯＳＧ、多孔質ＳｉＯ２、多孔質ＦＳＧおよび多孔質ＭＳＱからなるグループから選択された無機誘電材料を含む、請求項１又は６に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のフィーチャがシングル・ダマシン・フィーチャまたはデュアル・ダマシン・フィーチャを含む、請求項１又は６に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の誘電材料の部分が、前記デュアル・ダマシン・フィーチャのワイヤ・トレンチ部分から除去され、前記デュアル・ダマシン・フィーチャのバイア・トレンチ部分からは除去されない、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の絶縁材料層内に開口を形成する前記ステップの後にさらに、
絶縁材料の前記互層の表面を覆う共形ライナを付着させて、前記互層を密封するステップ
を含み、前記共形ライナが、ＳｉＣＯＨ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＣおよびＳｉＣＮからなるグループから選択された材料を含む、
請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
第１の誘電材料と第２の誘電材料の互層を有し、第１の誘電材料と第２の誘電材料の前記互層内に形成された第１のフィーチャを有する金属配線レベルと、
前記第１の誘電材料内の複数の開口と
を含む半導体デバイス。
【請求項１３】
前記第１の誘電材料が、ポリアリーレンエーテル（ＳｉＬＫ（商標））、パリレン（Ｎ）、パリレン（Ｆ）、Ｔｅｆｌｏｎ、多孔質ポリアリーレンエーテル（ＳｉＬＫ（商標））、多孔質パリレン（Ｎ）、多孔質パリレン（Ｆ）および多孔質Ｔｅｆｌｏｎからなるグループから選択された有機誘電材料を含み、前記第２の誘電材料が、ＯＳＧ、ＳｉＯ２、ＦＳＧ、ＭＳＱ、多孔質ＯＳＧ、多孔質ＳｉＯ２、多孔質ＦＳＧおよび多孔質ＭＳＱからなるグループから選択された無機誘電材料を含む、請求項１２に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記第１の誘電材料が、前記デュアル・ダマシン・フィーチャのワイヤ・トレンチ部分から除去され、バイア・トレンチ部分からは除去されない、請求項１３に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
第１の誘電材料と第２の誘電材料の互層を有し、前記金属配線レベル上に形成され、自体の前記第１の誘電材料内に開口を有する第２の金属配線レベルと、
前記第２の金属配線レベルの第１の誘電材料と第２の誘電材料の前記互層内に形成された第２のフィーチャと、
前記第２の配線レベルの前記第１の誘電材料内の複数の開口と
をさらに含む、請求項１２に記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
互層をなす複数の第１および第２の絶縁層であって、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層のエッチング速度が異なる複数の絶縁層と、
前記第１および第２の絶縁層内に形成された第１のフィーチャと、
選択エッチング中に形成された前記複数の第１の絶縁層内の複数の開口と
を含む半導体デバイス。
【請求項１７】
前記第１の絶縁層が有機誘電材料を含み、前記第２の絶縁層が無機誘電材料を含む、請求項１６に記載の半導体デバイス。
【請求項１８】
前記第１の絶縁層が、ポリアリーレンエーテル（ＳｉＬＫ（商標））、パリレン（Ｎ）、パリレン（Ｆ）、Ｔｅｆｌｏｎ、多孔質ポリアリーレンエーテル（ＳｉＬＫ（商標））、多孔質パリレン（Ｎ）、多孔質パリレン（Ｆ）および多孔質Ｔｅｆｌｏｎからなるグループから選択された有機誘電材料を含み、前記第２の絶縁層が、ＯＳＧ、ＳｉＯ２、ＦＳＧ、ＭＳＱ、多孔質ＯＳＧ、多孔質ＳｉＯ２、多孔質ＦＳＧおよび多孔質ＭＳＱからなるグループから選択された無機誘電材料を含む、請求項１６に記載の半導体デバイス。
【請求項１９】
前記第１のフィーチャがシングル・ダマシン・フィーチャまたはデュアル・ダマシン・フィーチャを含む、請求項１６に記載の半導体デバイス。
【請求項２０】
前記開口が前記デュアル・ダマシン・フィーチャのワイヤ・トレンチ部分内にあり、バイア・トレンチ部分内にはない、請求項１９に記載の半導体デバイス。
【請求項２１】
前記第１の誘電材料が、前記第２の誘電材料よりも選択的にエッチングされる材料を含む、請求項１２又は１６に記載の半導体デバイス。
【請求項２２】
誘電材料の前記互層を密封するために前記互層の表面を覆う共形ライナ
をさらに含み、前記共形ライナが、ＳｉＣＯＨ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＣおよびＳｉＣＮからなるグループから選択された材料を含む、
請求項１２又は１６に記載の半導体デバイス。
【請求項２３】
前記第１のフィーチャ内の導電材料
をさらに含む、請求項１２又は１６に記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月8日(2008.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
燃料電池のための膜電極体（MEA）であって、接線方向内側の領域（III）においては、両側が電極構造（１２、１３）で覆われ、また接線方向外側の領域（I）においては、少なくとも片側が電極構造（１２、１３）を越えて突き出るようにシーリング部材（１４）と結合している平面高分子膜（１１）を含む、前記膜電極体において、高分子膜（１１）がその渕の部位で、エラストマー材料からなるシーリング部材（１４）に埋め込まれ、またシーリング部材が、接線方向外側の領域（I）および内側の領域（III）の間に横たわる遷移領域（II）であって、シーリング部材が、高分子膜（１１）の両側の電極構造（１２、１３）の法線方向外側に重なり合う前記遷移領域内部まで伸びていることを特徴とする、前記膜電極体（MEA）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
シーリング部材（１４）のエラストマー材料に比べ非弾性であるスペーサ構造が、シーリング部材（１４）に埋め込まれていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載のMEA。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
シーリング部材（１４）が、シールを形成するように、燃料電池スタック内の隣接した要素と相互作用するため、法線方向外側に配置されたシーリング構造（１５）を有することを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載のMEA。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
セパレータプレート（２０）の間にそれぞれ配置された複数個の膜電極ユニット（MEA）（１０）を含む燃料電池スタックであって、ここでそれぞれのMEAは接線方向内側の領域（III）の両面が電極構造（１２、１３）で覆われ、また電極構造コーティング（１２、１３）を越えて突き出るように、接線方向外側の領域（I）を有する平面高分子膜（１１）を含み、それぞれの高分子膜（１１）の境界域が、エラストマー材料で形成されたシーリング部材（１４）に埋め込まれ、結合を形成し、シーリング部材（１４）が、接線方向にみて外部領域（I）および内部領域（III）の間に横たわる遷移領域（II）へ向かって接線方向に向かって内側に伸び、そしてそれが、高分子膜（１１）の両側の電極構造（１２、１３）に法線方向外側から重なり合うことを特徴とする、燃料電池スタック。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
額縁状に、高分子膜の内部領域を完全に囲むことを特徴とする、請求項１０に記載の燃料電池スタック。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月31日(2008.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にタンタル−窒化物の拡散バリア領域を形成する方法であって、
チャンバにおいて第１の数の第１のサイクルを実行することによって低ｋ材料基板（１０２）上に保護層（１０４）を形成するステップであって、各第１のサイクルが、
前記基板をタンタル系前駆物質に暴露するステップと、
前記チャンバを排気するステップと、
前記タンタル系前駆物質および窒素プラズマからプラズマ増強原子層堆積（ＰＥ−ＡＬＤ）を行うステップと、
前記チャンバを排気するステップと、
を含む、ステップと、
前記チャンバにおいて第２の数の第２のサイクルを実行することによって次の実質的化学量論的タンタル−窒化物拡散バリア層（１０８）を形成するステップであって、各第２のサイクルが、
前記基板をタンタル系前駆物質に暴露するステップと、
前記チャンバを排気するステップと、
前記タンタル系前駆物質ならびに水素および窒素のプラズマからＰＥ−ＡＬＤを行うステップと、
前記チャンバを排気するステップと、
を含む、ステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記タンタル系前駆物質が、五塩化タンタル（ＴａＣｌ５）、五ヨウ化タンタル（ＴａＩ５）、五フッ化タンタル（ＴａＦ５）、および五臭化タンタル（ＴａＢｒ５）から成る群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記暴露するステップが、更に、前記タンタル系前駆物質のためのキャリア・ガスを提供することを含む、請求項１に記載の方法。  
【請求項４】
前記キャリア・ガスがアルゴンを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記保護層（１０４）が、タンタル含有量よりも多い窒素含有量を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記保護層（１０４）を形成するステップが、１０００ラングミュアより大きい前記低ｋ材料基板（１０２）の暴露を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記基板が、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、フッ化水素（ＨＦ）浸漬シリコン（Ｓｉ）、および低ｋ材料から成る群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のサイクル数が、前記第２のサイクル数よりも小さい、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記低ｋ材料と前記保護層（１０４）との間に実質的に拡散が存在しない、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記タンタル−窒化物が、Ｔａ３Ｎ５、Ｔａ４Ｎ５、およびＴａ５Ｎ６から成る群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記保護層（１０４）が８２０℃よりも大きい熱安定性を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記タンタル−窒化物拡散バリア層（１０８）が前記保護層（１０４）よりも厚い、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月23日(2008.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のフォトレジストエッチングマスクを通して低ｋ誘電体層中にフィーチャをエッチングする方法であって、
低ｋ誘電体層を基板上に設けること、
パターン付けされたフォトレジストマスクを前記低ｋ誘電体層上に設けること、
少なくとも１つのフィーチャを前記低ｋ誘電体層中にエッチングすること、および
単一のフォトレジストマスクを剥離するガス変調された周期的剥離プロセスを３サイクルより多く行うことであって、
それぞれのサイクルは、
第１ガスを用いて保護層形成フェーズを行うことであって、前記保護層形成フェーズはそれぞれのサイクルについて約０．００５〜１０秒行われ、
前記第１ガスを提供すること、および
前記第１ガスからプラズマを形成することであって、保護層は前記少なくとも１つのフィーチャの側壁上に形成され、前記保護層の厚さが増加される、前記第１ガスからプラズマを形成すること
を含む保護層形成フェーズを行うこと、
第２ガスを用いて前記フォトレジストマスクを剥離する剥離フェーズを行うことであって、前記第１ガスは前記第２ガスとは異なり、前記エッチングフェーズはそれぞれのサイクルについて約０．００５〜１０秒行われ、
前記第２ガスを提供すること、および
前記第２ガスからプラズマを形成することであって、前記保護層の厚さが減少され、前記フォトレジストマスクの一部は剥離される、前記第２ガスからプラズマを形成すること
を含む剥離フェーズを行うこと
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記保護層形成フェーズは、２００Å未満の厚さの層を形成する方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記保護層形成フェーズは、約０．１および１００Åの間の厚さの層を形成する方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の方法であって、ガス変調された周期的剥離プロセスを実行することは、容量的に結合されたプラズマプロセスチャンバ内で行われる方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の方法であって、前記保護層形成フェーズおよび前記エッチングフェーズは、共通したプラズマプロセスチャンバ内で行われる方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の方法であって、前記共通したプラズマプロセスチャンバは、容量的に結合されたプラズマプロセスチャンバであって、前記第１ガスから前記プラズマを形成することは、容量的に結合されたエネルギーを提供することを含む方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の方法であって、前記ガス変調された周期的剥離プロセスは、少なくとも３サイクル行われる方法。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載の方法であって、前記第１ガスは保護層形成ガスを含み、前記第２ガスは剥離ガスを含む方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、前記保護層形成ガスは、C2H4、CH4、CH4、C2H4、C2H6、C2H2、C3H8、CO、SiH4、Si(CH3)4、Si(C2H5)4、CH3F、C2H5F、C3H7F、およびC2H3Fのうちの少なくとも１つである方法。
【請求項１０】
請求項８〜９のいずれかに記載の方法であって、前記剥離ガスは、O2、H2、N2、水蒸気、CO2、およびNH3のうちの少なくとも１つである方法。
【請求項１１】
請求項８〜１０のいずれかに記載の方法であって、前記第１ガスは、１：１未満である保護層形成ガスに対する剥離ガスの比を有し、前記第２ガスは、１０：１および２：１の間である保護層形成ガスに対する剥離ガスの比を有する方法。
【請求項１２】
基板上の単一層の少なくとも一部を除去する方法であって、
ガス変調された周期的プロセスを３サイクルより多く実行することであって、それぞれのサイクルは、
堆積ガス化学物質を持つ第１ガス化学物質を用いて保護層形成フェーズを行うことであって、前記保護層形成フェーズはそれぞれのサイクルについて約０．００５〜１０秒行われ、
前記第１ガス化学物質を提供すること、および
前記第１ガス化学物質からプラズマを形成することであって、前記プラズマは保護層の形成を引き起こし、前記保護層の厚さを増加させ、前記保護層は前記基板に関するエッチング反応に対して前記基板より不活性である、前記第１ガス化学物質からプラズマを形成すること
を含む保護層形成フェーズを行うこと、
除去ガス化学物質を用いた第２ガス化学物質を用いて、前記単一層の少なくとも一部を除去する除去フェーズを行うことであって、前記第１ガス化学物質は前記第２ガス化学物質とは異なり、前記除去フェーズはそれぞれのサイクルについて約０．００５〜１０秒行われ、
前記第２ガス化学物質を提供すること、および
前記第２ガス化学物質からプラズマを形成し、前記単一層の少なくとも一部を除去すること
を含む除去フェーズを行うこと
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月22日(2008.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマイオン注入装置であって、
プロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバに位置する基板を支持するためのプラテンと、
前記プロセスチャンバにある前記プラテンから間隔があけられた陽極と、
前記プロセスチャンバに連結されたプロセスガス源であって、該プロセスガスのイオンを含むプラズマが、前記陽極と前記プラテンとの間のプラズマ放電領域に導入されるところのプロセスガス源と、
イオンをプラズマから基板へと加速するために、前記プラテンと前記陽極との間に注入パルスを印加するパルス源と、
前記プロセスチャンバ内のイオン質量およびエネルギーを測定するプラズマモニターと、
を含み、測定されたイオン質量およびエネルギーはプラズマイオン注入装置の動作状態を示す、ことを特徴とするプラズマイオン注入装置。
【請求項２】
プラズマモニターがイオン質量およびエネルギー分析器を含む、請求項１に記載のプラズマイオン注入装置。
【請求項３】
プラズマモニターの入り口が陽極に形成されている、請求項１に記載のプラズマイオン注入装置。
【請求項４】
プラズマモニターの入り口がプラテンに形成されている、請求項１に記載のプラズマイオン注入装置。
【請求項５】
プラズマモニターの入り口がプラテンの基板支持面に隣接して位置する、請求項１に記載のプラズマイオン注入装置。
【請求項６】
プラズマモニターが、プラズマ放電領域のイオンを分析するように構成され配置されている、請求項１に記載のプラズマイオン注入装置。
【請求項７】
プラズマモニターが、プラズマ放電領域から基板に加速されるイオンを分析するように構成され配置されている、請求項１に記載のプラズマイオン注入装置。
【請求項８】
プラズマモニターが、前記注入パルスに関して、所定の時間間隔の間イオンの質量およびエネルギーを判定するように構成されている、請求項１に記載のプラズマイオン注入装置。
【請求項９】
プラズマモニターが、捕捉時間間隔の間、イオンの質量およびエネルギーを判定するように構成されている、請求項１に記載のプラズマイオン注入装置。
【請求項１０】
プラズマモニターが、イオン質量およびエネルギーの時間平均の測定を行うように構成されている、請求項１に記載のプラズマイオン注入装置。
【請求項１１】
測定されたイオン質量およびエネルギーに応答してプラズマイオン注入装置の動作状態を判定する分析ユニットと、判定された動作状態に応答してプラズマイオン注入装置のパラメータを制御する制御器とをさらに含む、請求項１に記載のプラズマイオン注入装置。
【請求項１２】
プラズマモニターが、イオン質量に関して測定を走査するように構成されている、請求項１に記載のプラズマイオン注入装置。
【請求項１３】
プラズマモニターが、イオンエネルギーに関して測定を走査するように構成されている、請求項１に記載のプラズマイオン注入装置。
【請求項１４】
プラズマモニターがプロセスチャンバに入り口オリフィスを通じて連通する、
請求項１に記載のプラズマイオン注入装置。
【請求項１５】
プラズマモニターが、前記パルスのそれぞれの間で、所定の時間間隔中にイオン質量およびエネルギーを測定するように構成されている、請求項１に記載のプラズマイオン注入装置。
【請求項１６】
プラズマモニターが、前記パルスのそれぞれの後で、所定の時間間隔中にイオン質量およびエネルギーを測定するように構成されている、請求項１に記載のプラズマイオン注入装置。
【請求項１７】
プラズマモニターが、前記プロセスチャンバにおけるイオン質量の分布を測定する、請求項１に記載のプラズマイオン注入装置。
【請求項１８】
プラズマモニターが、前記プロセスチャンバにおけるイオンエネルギーの分布を測定する、請求項１に記載のプラズマイオン注入装置。