【手続補正書】
【提出日】平成19年2月28日(2007.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、
前記ゲート電極は、第１の導電性材料と、前記第１の導電性材料の側部に形成された第２の導電性材料からなるサイドウォールとを有し、
前記第１の導電性材料はアルミニウム、銅、銀から選ばれた一種の元素または複数の元素を主成分とする合金材料であり、
前記第２の導電性材料はチタン、タンタル、モリブデン、タングステンから選ばれた一種の元素若しくは複数の元素を主成分とする合金材料、又は、シリコン若しくはシリコンを主成分とする材料であり、
前記半導体層のうち前記ゲート絶縁膜に覆われていない部分には、シリサイド層を有する高濃度不純物領域が形成され、
前記サイドウォールの下部に位置する半導体層には、低濃度不純物領域が形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
請求項１において、前記シリサイド層はニッケル、チタン、コバルトから選ばれた元素と、シリコンとの化合物からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第１の導電性材料の下部に、チタン、タンタル、モリブデン、タングステンから選ばれた一種の元素または複数の元素を主成分とする合金材料からなる層を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第１の導電性材料の上部に、チタン、タンタル、モリブデン、タングステンから選ばれた一種の元素または複数の元素を主成分とする合金材料からなる層を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記低濃度不純物領域は強光により活性化されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタを用いた電子機器。
【請求項７】
絶縁表面に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の材料により第１の層を形成し、
前記第１の層上に第２の材料により第２の層を形成し、
前記第２の層上にマスクを形成し、
前記マスクを使用して前記第２の層と前記第１の層をエッチングしてから前記マスクを除去し、
前記半導体層に第１の不純物を添加し、強光を照射することにより低濃度不純物領域を形成し、
前記第１の層と前記第２の層を覆って導電性材料からなる第３の層を形成し、
前記第３の層を異方性エッチングして前記第１の層と前記第２の層の側面にサイドウォールを形成するとともに前記半導体層を露出させ、
前記半導体層に第２の不純物を添加し、高濃度不純物領域を形成し、
前記第２の層、前記サイドウォール及び前記半導体層を覆って金属膜を形成し、
前記半導体層を前記金属膜と反応させてシリサイド化し、
前記第１の材料は、アルミニウム、銅、銀から選ばれた一種の元素または複数の元素を主成分とする合金材料であり、
前記第２の材料は、シリコン若しくはシリコン主成分とする材料、又は、チタン、タンタル、モリブデン、タングステンから選ばれた一種の元素若しくは複数の元素を主成分とする合金材料であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
絶縁表面に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の材料により第１の層を形成し、
前記第１の層上に第２の材料により第２の層を形成し、
前記第２の層上にマスクを形成し、
前記マスクを使用して前記第２の層と前記第１の層をエッチングしてから前記マスクを除去し、
前記半導体層に第１の不純物を添加し、強光を照射することにより低濃度不純物領域を形成し、
前記第１の層と前記第２の層を覆って第３の材料により第３の層を形成し、
前記第３の層を異方性エッチングして前記第１の層と前記第２の層の側面にサイドウォールを形成するとともに前記半導体層を露出させ、
前記半導体層に第２の不純物を添加し、高濃度不純物領域を形成し、
前記第２の層、前記サイドウォール及び前記半導体層を覆って金属膜を形成し、
前記第２の層、前記サイドウォール及び前記半導体層を前記金属膜と反応させてシリサイド化し、
前記第１の材料は、アルミニウム、銅、銀から選ばれた一種の元素または複数の元素を主成分とする合金材料であり、
前記第２の材料は、シリコン若しくはシリコン主成分とする材料、又は、チタン、タンタル、モリブデン、タングステンから選ばれた一種の元素若しくは複数の元素を主成分とする合金材料であり、
前記第３の材料はシリコンまたはシリコンを主成分とする材料であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
絶縁表面に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の材料により第１の層を形成し、
前記第１の層上に第２の材料により第２の層を形成し、
前記第２の層上に第３の材料により第３の層を形成し、
前記第３の層上にマスクを形成し、
前記マスクを使用して前記第３の層と前記第２の層と前記第１の層をエッチングしてから前記マスクを除去し、
前記半導体層に第１の不純物を添加し、強光を照射することにより低濃度不純物領域を形成し、
前記第１の層と前記第２の層と前記第３の層を覆って導電性材料からなる第４の層を形成し、
前記第４の層を異方性エッチングして前記第１の層と前記第２の層と前記第３の層の側面にサイドウォールを形成するとともに前記半導体層を露出させ、
前記半導体層に第２の不純物を添加し、高濃度不純物領域を形成し、
前記第３の層、前記サイドウォール及び前記半導体層を覆って金属膜を形成し、
前記半導体層を前記金属膜と反応させてシリサイド化し、
前記第１の材料は、チタン、タンタル、モリブデン、タングステンから選ばれた一種の元素または複数の元素を主成分とする合金材料であり、
前記第２の材料は、アルミニウム、銅、銀から選ばれた一種の元素または複数の元素を主成分とする合金材料であり、
前記第３の材料はシリコン若しくはシリコン主成分とする材料、又は、チタン、タンタル、モリブデン、タングステンから選ばれた一種の元素若しくは複数の元素を主成分とする合金材料であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
請求項７又は９において、前記導電性材料はチタン、タンタル、モリブデン、タングステンから選ばれた一種の元素または複数の元素を主成分とする合金材料であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の材料により第１の層を形成し、
前記第１の層上に第２の材料により第２の層を形成し、
前記第２の層上に第３の材料により第３の層を形成し、
前記第３の層上にマスクを形成し、
前記マスクを使用して前記第３の層と前記第２の層と前記第１の層をエッチングしてから前記マスクを除去し、
前記半導体層に第１の不純物を添加し、強光を照射することにより低濃度不純物領域を形成し、
前記第１の層と前記第２の層と前記第３の層を覆って第４の材料により第４の層を形成し、
前記第４の層を異方性エッチングして前記第１の層と前記第２の層と前記第３の側面にサイドウォールを形成するとともに前記半導体層を露出させ、
前記半導体層に第２の不純物を添加し、高濃度不純物領域を形成し、
前記第３の層、前記サイドウォール及び前記半導体層を覆って金属膜を形成し、
前記第３の層、前記サイドウォール及び前記半導体層を前記金属膜と反応させてシリサイド化し、
前記第１の材料は、チタン、タンタル、モリブデン、タングステンから選ばれた一種の元素または複数の元素を主成分とする合金材料であり、
前記第２の材料は、アルミニウム、銅、銀から選ばれた一種の元素または複数の元素を主成分とする合金材料であり、
前記第３の材料はシリコン若しくはシリコン主成分とする材料、又は、チタン、タンタル、モリブデン、タングステンから選ばれた一種の元素若しくは複数の元素を主成分とする合金材料であり、
前記第４の材料はシリコンまたはシリコンを主成分とする材料であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１２】
請求項７乃至請求項１１のいずれか一項において、前記金属膜はニッケル、チタン又はコバルトであることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１３】
請求項７乃至請求項１２のいずれか一項において、前記金属膜を形成した後に前記第２の不純物を活性化することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１４】
請求項１３において、第２の不純物元素を活性化すると同時に、前記半導体層をシリサイド化することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１５】
請求項７乃至請求項１４のいずれか一項において、前記シリサイド化は強光を照射することにより行われることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そのため、ゲート配線として比抵抗の低い導電性材料であるアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等を主成分とする材料が検討されている。これらの材料でゲート配線、ゲート電極を形成することで、ゲート遅延時間を低くすることができ、高速動作させることができる。