【手続補正書】
【提出日】平成20年2月4日(2008.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの親水性繰り返し単位と少なくとも１つの疎水性繰り返し単位とを有するコポリマーを含む、研磨パッド基材。
【請求項２】
前記研磨パッドの表面エネルギーが３４ｍＮ／ｍ以下である、請求項１に記載の研磨パッド基材。
【請求項３】
前記親水性繰り返し単位が、エステル、エーテル、アクリル酸、アクリルアミド、アミド、イミド、ビニルアルコール、ビニルアセテート、アクリレート、メタクリレート、スルホン、ウレタン、塩化ビニル、エーテルエーテルケトン、カーボネート及びオリゴマー類、並びにこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１又は２のいずれかに記載の研磨パッド基材。
【請求項４】
前記親水性繰り返し単位がウレタンである、請求項１〜３のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項５】
前記疎水性繰り返し単位が、フルオロカーボン、テトラフルオロエチレン、フッ化ビニル、シロキサン、ジメチルシロキサン、ブタジエン、エチレン、オレフィン、スチレン、プロピレン及びオリゴマー類、並びにこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１〜４のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項６】
前記疎水性繰り返し単位がフルオロカーボン又はシロキサンである、請求項１〜５のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項７】
前記研磨パッド基材が、中実の、非孔性研磨パッド基材である、請求項１〜６のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項８】
前記研磨パッド基材の密度が、前記コポリマーの最大理論密度の９０％以上である、請求項１〜７のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項９】
前記研磨パッド基材が多孔性研磨パッド基材である、請求項１〜６のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項１０】
前記研磨パッド基材の密度が、前記コポリマーの最大理論密度の７０％以下である、請求項９に記載の研磨パッド基材。
【請求項１１】
前記研磨パッド基材の気孔率が７５％以下である、請求項９に記載の研磨パッド基材。
【請求項１２】
前記研磨パッド基材が研磨層である、請求項１〜１１のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項１３】
前記研磨層がさらに溝を含む、請求項１２に記載の研磨パッド基材。
【請求項１４】
前記研磨パッド基材がサブパッドである、請求項１〜１１のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項１５】
前記研磨パッド基材がさらに光透過領域を含む、請求項１〜１４のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項１６】
前記光透過領域の光透過率が、１９０ｎｍ〜３５００ｎｍの間の１つ以上の波長において、少なくとも１０％である、請求項１５に記載の研磨パッド基材。
【請求項１７】
前記光透過領域が前記コポリマーを含む、請求項１５に記載の研磨パッド基材。
【請求項１８】
前記研磨パッド基材がさらに研磨粒子を含む、請求項１〜１７のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項１９】
前記研磨粒子が、アルミナ、シリカ、チタニア、セリア、ジルコニア、ゲルマニア、マグネシア及びこれらが共形成した生成物、並びにこれらの組み合わせからなる群から選択される金属酸化物を含む、請求項１８に記載の研磨パッド基材。
【請求項２０】
（i）研磨される加工物を用意し、
（ii）該加工物を請求項１に記載の前記研磨パッド基材を含む研磨システムと接触させ、さらに
（iii）該研磨システムにより該加工物の表面の少なくとも一部を薄く削って、該加工物を研磨することを含む、加工物の研磨方法。
【請求項２１】
該加工物が、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、タングステンシリサイド、チタンシリサイド、有機ポリマー、タングステン、銅、チタン、金属酸化物、金属窒化物及びこれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む表面層を含んでなる、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記研磨システムが、さらに研磨組成物を含む化学機械研磨システムである、請求項２０又は２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
前記方法が、さらにｉｎ−ｓｉｔｕで研磨最終点を検出することを含む、請求項２０〜２２のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２４】
ポリマー鎖に結合した、少なくとも１つの親水性単位と少なくとも１つの疎水性単位とを有する該ポリマーを含む研磨パッド基材。
【請求項２５】
前記ポリマーが熱可塑性ポリマー又は熱硬化性ポリマーである、請求項２４に記載の研磨パッド基材。
【請求項２６】
前記熱可塑性ポリマー又は前記熱硬化性ポリマーが、ポリウレタン、ポリオレフィン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート、ポリカーボネート、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ナイロン、フルオロカーボン、ポリエステル、ポリエーテル、ポリアミド、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエーテルエーテルケトン及びこれらのコポリマー類、並びにこれらの混合物からなる群から選択される、請求項２５に記載の研磨パッド基材。
【請求項２７】
前記熱可塑性ポリマー又は前記熱硬化性ポリマーが、ポリウレタン及びポリオレフィンからなる群から選択される、請求項２６に記載の研磨パッド基材。
【請求項２８】
前記研磨パッドの表面エネルギーが３４ｍＮ／ｍ以下である、請求項２４〜２７のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項２９】
前記親水性単位が、エステル、エーテル、アクリル酸、アクリルアミド、アミド、イミド、ビニルアルコール、ビニルアセテート、アクリレート、メタクリレート、スルホン、ウレタン、塩化ビニル、エーテルエーテルケトン、カーボネート及びオリゴマー類、並びにこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項２４〜２８のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項３０】
前記親水性単位がウレタンである、請求項２４〜２９のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項３１】
前記疎水性単位が、フルオロカーボン、テトラフルオロエチレン、フッ化ビニル、シロキサン、ジメチルシロキサン、ブタジエン、エチレン、オレフィン、スチレン、プロピレン及びオリゴマー類、並びにこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項２４〜３０のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項３２】
前記疎水性単位がフルオロカーボン又はシロキサンである、請求項２４〜３１のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項３３】
前記少なくとも１つの親水性単位と前記少なくとも１つの疎水性単位とが、前記ポリマー鎖の末端の繰り返し単位に結合している、請求項２４〜３２のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項３４】
前記研磨パッド基材が、中実の、非孔性研磨パッド基材である、請求項２４〜３３のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項３５】
前記研磨パッド基材の密度が、前記ポリマーの最大理論密度の９０％以上である、請求項２４〜３４のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項３６】
前記研磨パッド基材が多孔性研磨パッド基材である、請求項２４〜３３のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項３７】
前記研磨パッド基材の密度が、前記ポリマーの最大理論密度の７０％以下である、請求項３６に記載の研磨パッド基材。
【請求項３８】
前記研磨パッド基材の気孔率が７５％以下である、請求項３６に記載の研磨パッド基材。
【請求項３９】
前記研磨パッド基材が研磨層である、請求項２４〜３８のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項４０】
前記研磨層がさらに溝を含む、請求項３９に記載の研磨パッド基材。
【請求項４１】
前記研磨パッド基材がサブパッドである、請求項２４〜３８のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項４２】
前記研磨パッド基材がさらに光透過領域を含む、請求項２４〜４１のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項４３】
前記光透過領域の光透過率が、１９０ｎｍ〜３５００ｎｍの間の１つ以上の波長において、少なくとも１０％である、請求項４２に記載の研磨パッド基材。
【請求項４４】
前記光透過領域が、前記ポリマー鎖に結合した、少なくとも１つの親水性単位と少なくとも１つの疎水性単位とを有する前記ポリマーを含む、請求項４２に記載の研磨パッド基材。
【請求項４５】
前記研磨パッド基材がさらに研磨粒子を含む、請求項２４〜４４のいずれか１つに記載の研磨パッド基材。
【請求項４６】
前記研磨粒子が、アルミナ、シリカ、チタニア、セリア、ジルコニア、ゲルマニア、マグネシア及びこれらが共形成した生成物、並びにこれらの組み合わせからなる群から選択される金属酸化物を含む、請求項４５に記載の研磨パッド基材。
【請求項４７】
（i）研磨される加工物を用意し、
（ii）該加工物を請求項２４に記載の前記研磨パッド基材を含む研磨システムと接触させ、さらに
（iii）該研磨システムにより該加工物の表面の少なくとも一部を薄く削って、該加工物を研磨することを含む、基材の研磨方法。
【請求項４８】
該加工物が、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、タングステンシリサイド、チタンシリサイド、有機ポリマー、タングステン、銅、チタン、金属酸化物、金属窒化物及びこれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む表面層を含んでなる、請求項４７に記載の方法。
【請求項４９】
前記研磨システムが、さらに研磨組成物を含む化学機械研磨システムである、請求項４７又は４８のいずれかに記載の方法。
【請求項５０】
前記方法が、さらにｉｎ−ｓｉｔｕで研磨最終点を検出することを含む、請求項４７〜４９のいずれか１つに記載の方法。