【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年10月31日(2007.10.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）中空空間（３０）を含むハウジング（２２）と、
（ｂ）上記中空空間内に収容された移動要素であって、上記ハウジングおよび該移動要素は上記中空空間内に少なくとも一個の作動区画と少なくとも一個のチャンバとを形成すべく配向されるという移動要素と、
（ｃ）上記少なくとも一個の作動区画および上記少なくとも一個のチャンバ内に収容された磁気粘性流体と、
（ｄ）上記少なくとも一個の作動区画内に収容された上記磁気粘性流体に作用することで該流体における流動学的変化を引き起こす磁界を生成する手段と、
（ｅ）上記少なくとも一個のチャンバ内に収容された上記磁気粘性流体の大部分に対して作用することで該チャンバ内に収容された上記磁気粘性流体における沈殿を最小限とする低レベル磁界を生成する手段と、
を備えて成る、磁気粘性流体デバイス。
【請求項２】
当該デバイスは、第１および第２端部を含む緩衝器ピストン・アセンブリを含む移動要素と、上記ピストン・アセンブリの各端部上に離間された第１および第２チャンバを含む少なくとも一個のチャンバとを有する緩衝器である、請求項１記載のデバイス。
【請求項３】
相対的に移動可能である第１構造要素および第２構造要素を含む構造と組み合わされた請求項２記載のデバイスであって、
その本体は上記第１構造要素に対して相互接続され、且つ、その移動部分はピストン・ロッドを介して上記第２構造要素に対して相互接続される、デバイス。
【請求項４】
低レベル磁界を生成する前記手段は少なくとも一個の電磁石を含む、請求項２記載の緩衝器。
【請求項５】
前記少なくとも一個の電磁石は前記ハウジングの壁部に対して取付けられる、請求項4記載の緩衝器。
【請求項６】
前記少なくとも一個の電磁石は前記ピストン・アセンブリの前記第１および第２端部に対して取付けられる、請求項５記載の緩衝器。
【請求項７】
低レベル磁界を生成する前記手段は少なくとも一個の永久磁石を含む、請求項２記載の緩衝器。
【請求項８】
前記少なくとも一個の永久磁石は前記第１および第２チャンバの各々内に収容される、請求項７記載の緩衝器。
【請求項９】
前記少なくとも一個の永久磁石は前記緩衝器ピストン・アセンブリの前記第１および第２端部に対して取付けられる、請求項８記載の緩衝器。
【請求項１０】
前記少なくとも一個の永久磁石は前記ハウジングの壁部に対して取付けられる、請求項７記載の緩衝器。
【請求項１１】
前記少なくとも一個の永久磁石は前記ハウジングの外側面上に配置された帯片状磁石である、請求項７記載の緩衝器。
【請求項１２】
前記ハウジングはブレーキの外側部材であり且つ前記移動要素はロータである、請求項１記載のデバイス。
【請求項１３】
前記低レベル磁界を生成する前記手段は永久磁石を含む、請求項１２記載のデバイス。
【請求項１４】
前記永久磁石は前記少なくとも一個のチャンバを形成する壁部上に取付けられる、請求項１３記載のデバイス。
【請求項１５】
前記永久磁石は前記ロータ上に取付けられる、請求項１３記載のデバイス。
【請求項１６】
低レベル磁界を生成する前記手段は前記少なくとも一個のチャンバの近傍の硬磁性材料を磁化する段階を含む、請求項１記載のデバイス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】沈殿に対する安定性を示す磁気粘性流体デバイス
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の詳細な説明
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、制御可能な流体デバイスの分野に関する。特に本発明は、磁気的に制御可能な流体を利用する制御可能な流体デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
作動媒体として油圧流体を使用して緩衝力を生成することにより、動作、衝撃および／または振動を制御する緩衝器は公知である。これらのデバイスの内のひとつの特定の種類は、磁気粘性（ＭＲ）流体を含んでいる。ＭＲ流体デバイスは特に重要である、と言うのも、該デバイスは（典型的には１２ボルト以下の）低電圧で動作することから該デバイスが必要とするのは（典型的には数アンペア以下の）僅かな電流のみであり、感電事故の可能性はないからである。緩衝器、ブレーキおよびクラッチなどのＭＲ流体デバイスは、液体担体内に分散された小寸の軟磁性粒子を備える制御可能な磁気粘性（ＭＲ）流体を採用している。典型的な粒子としては種々の形状を有するカルボニル鉄などが挙げられる、該粒子は好適には球状であると共に、約０．１μｍ〜５００μｍ、更に好適には約１μｍ〜１００μｍの平均粒径を呈する。担体流体としては、公知の種々の作動油などが挙げられる。これらのＭＲ流体は十分な強度の磁界に晒されたときに、“見掛け粘度変化”と称されることもある高粘度化挙動（流動学的変化）を呈する。特定のＭＲデバイスにおいては、ＭＲ流体が晒される磁界の強度が大きいほど、大きな抵抗（緩衝力、制動トルクもしくは係止トルク）が達成され得る。ＭＲ流体の例は、特許文献１および特許文献２に見出され得る。
【０００３】
特にＭＲ流体デバイスは、（概略的には巻回ワイヤ式コイルである）磁界生成器に対して供給される電流における単純な変動を以て制御可能性を提供する。先行技術のＭＲ式の取付け部材および緩衝器の記述は、特許文献３、特許文献４、特許文献５、特許文献６および特許文献７に見出され得る。また、制御可能な制動の記述は、特許文献８および特許文献９に見出され得る。
【特許文献１】米国特許第５，５７８，２３８号
【特許文献２】米国特許第５，３８２，３７３号
【特許文献３】米国特許第５，４９２，３１２号
【特許文献４】米国特許第５，３９８，９１７号
【特許文献５】米国特許第５，２８４，３３０号
【特許文献６】米国特許第５，２７７，２８１号
【特許文献７】“制御可能な振動装置”と称された同時係属の米国特許出願第０８／６７４，１７９号
【特許文献８】“制御可能なブレーキ”と称された同時係属の米国特許出願第０８／６７４，３７１号
【特許文献９】“磁気粘性流体デバイス、および、該デバイスを利用する運動器具において力を制御するプロセス”と称された同時係属の米国特許出願第０８／３０４，００５号
【特許文献１０】ＰＣＴ／ＵＳ９７／０２７４３号
【特許文献１１】ＰＣＴ／ＵＳ９７／０２３２２号
【非特許文献１】ダイク（Ｄｙｋｅ）、スペンサー（Ｓｐｅｎｃｅｒ）、セイン（Ｓａｉｎ）およびカールソン（Ｃａｒｌｓｏｎ）による“地震動応答を低減する磁気粘性緩衝器のモデル化および制御”（“Ｍｏｄｅｌｉｎｇ  ａｎｄ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  ｏｆ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｈｅｏｌｏｇｉｃａｌ  Ｄａｍｐｅｒｓ  ｆｏｒ  Ｓｅｉｓｍｉｃ  Ｒｅｓｐｏｎｓｅ  Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ”）（１９９６年８月１日）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
最近、地震災害の軽減のための土木工学構造を制御するためにＭＲ緩衝器を使用することが提案されている。ＭＲ緩衝器はその所要電力が低いことから、バッテリ電力による動作に対して非常に適している。特に、地震事象の間における主要電力源の喪失は対処されるべき現実であることから、ＭＲ緩衝器が注目を浴びることになる。これらの用途において使用されるＭＲ流体は、（２０年以上にも亙る）比較的に長期の静止的期間に耐え得るべきである。特にＭＲ流体における粒子の沈殿（ｓｅｔｔｌｉｎｇ）は、当該デバイスの性能に対して不都合である。上記流体における沈殿を最小限とする種々の手段であって他の手段より多少は有効であるという手段に関し、流体調製のための多くの研究が為されてきた。たとえば特許文献１０は、沈殿を阻止するカスタード（ｃｕｓｔａｒｄ）状の稠度（ちゅうど）を有する“リコリス・カスタード（ｌｉｃｏｒｉｃｅ  ｃｕｓｔａｒｄ）”を記述している。また特許文献１１は、流体の大寸リザーバに対して低レベルの磁界を印加することで、ユーザが身体部分を挿入するエクササイズ器具内の粒子の沈殿を阻止することを教示している。しかしＭＲ流体における粒子の沈殿は依然として、流体調製のみでは克服することが難しい問題である。更に、緩衝器およびブレーキ内における粒子の沈殿は、概略的には未解決の問題である。故に、時間の経過に対して安定的であると共に流体における沈殿が起こらないというデバイスに対する要望が在る。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
先行技術のシステムの利点および欠点に鑑み、本発明は、中空空間を含むハウジングと、上記中空空間内に収容された移動要素であって、上記ハウジングおよび該移動要素は上記中空空間内に少なくとも一個の作動区画と少なくとも一個のチャンバとを形成すべく配向されるという移動要素と、上記少なくとも一個の作動区画および上記少なくとも一個のチャンバ内に収容された磁気粘性流体と、上記少なくとも一個の作動区画内に収容された上記磁気粘性流体に作用することで該流体における流動学的変化を引き起こす磁界を生成する手段と、上記少なくとも一個のチャンバ内に収容された上記磁気粘性流体の大部分に対して作用することで該チャンバ内に収容された上記磁気粘性流体における沈殿を最小限とする低レベル磁界を生成する手段と、を備えて成る磁気粘性流体デバイスを提供する。上記デバイスは、第１および第２端部を有する緩衝器ピストン・アセンブリと、該ピストン・アセンブリの各端部上に離間された第１および第２チャンバとを含む緩衝器とされ得る。本発明は特に、相対的に移動可能である第１構造要素および第２構造要素を含む土木構造または他の構造と組み合せて適用され、その場合に上記ハウジングは上記第１構造要素に対して相互接続され且つ上記移動部分は上記第２構造要素に対して相互接続される。
【０００６】
ひとつの新規な見地に依れば、低レベル磁界を生成する上記手段は少なくとも一個の電磁石を含む。該電磁石は、上記ハウジングの壁部に対して取付けられるか、または、上記ピストン・アセンブリの上記第１および第２端部に対して取付けられ得る。別の見地に依れば、低レベル磁界を生成する上記手段は少なくとも一個の永久磁石を含む。上記永久磁石は、上記第１および第２チャンバの各々内に収容されるか、上記緩衝器ピストン・アセンブリの上記第１および第２端部に対して取付けられるか、上記ハウジングの壁部に対して取付けられるか、または、それらの組み合わせを以て取付けられ得る。他の見地に依れば、上記永久磁石は上記ハウジングの外壁部分上に配置された帯片状磁石であるか、または、上記壁部分自体が磁化され得る。本発明はまたブレーキおよびクラッチに対しても適用可能性を有しており、その場合に上記ハウジングは外側部材であり且つ上記移動要素は該外側部材内に受容されるロータである。故に、低レベル磁界を生成する上記手段は、上記ロータ上に、または、上記ハウジングの壁部に対して取付けられ得る。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のＭＲデバイスの利点は該デバイスが時的に安定なことである、と言うのも、該デバイスは作動ＭＲ流体内に含まれる粒子が沈殿せずに長年に亙り供用され得るからである。
【０００８】
本発明のＭＲデバイスの利点は、該デバイス内の流体において沈殿が起こらず、オフ状態の抵抗がそれほど影響されないということである。
【０００９】
本発明の上述のおよび更なる特徴、利点および特性は、以下における好適実施例の説明および添付図面から明らかとなろう。
【００１０】
本明細書の一部を構成する添付図面は、本発明の幾つかの重要な実施例を示している。図面および説明は、協働して本発明を完全に説明する役割を果たす。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
同様の参照番号は同様の要素を表すという図面を参照すると、図１ａにおいては、特にＭＲ緩衝器であるＭＲデバイスの好適実施例が概略的に参照番号２０により示される。緩衝器２０は好適には、（建築物もしくは橋体の第１部分の如き）第１構造部材２１と、（建築物もしくは橋体の第２部分の如き）第２構造部材２３との間において制御可能な緩衝力を提供する。同様に緩衝器２０は、他の大寸の土木工学構造において、または、概略的には相対的に可動である任意の２つの構造のまさに中間における振動／移動を制御するために使用され得る。緩衝器２０は概略的に円筒状のハウジングもしくは本体２２を備え、該本体は好適には、低炭素鋼などの軟磁性材料から製造されて部分的に端部閉塞された中空シリンダである。ハウジング２２は、自身内に形成された中空空間３０と、その末端に形成された少なくとも一個の環状開孔、好適には２個の開孔２８、２８’とを有する。
【００１２】
上記少なくとも一個の、好適には２個の開孔２８、２８’内には、少なくとも一本のピストン・ロッド、好適には２本のピストン・ロッド２４、２４’が軸心方向に摺動可能に受容される。環状開孔２８、２８’は好適には、ピストン・アセンブリ２６を中心合わせしてＭＲ流体３８の流出を阻止すべく軸受／シール・アセンブリを含んでいる。ハウジング２２を第１構造部材２１に対して取付ける手段は、フランジ、および、ボルト、ピン、溶接材などから成る。同様に、上記少なくとも一本の、好適には２本のピストン・ロッド２４、２４’を第２構造部材２３に対して取付ける手段は、ピストン・ロッド２４、２４’に対して螺着的に固定されたロッド端部と、ボルト、ピン、溶接物などにより第２構造部材２３に対して固定されたブラケット３３、３３’とから成る。
【００１３】
ピストン・アセンブリ２６は、少なくとも一本の、好適には２本のピストン・ロッド２４、２４’に対し、該ピストン・ロッド２４、２４’上に形成された螺条付き端部により螺着的に取付けられる。ピストン・アセンブリ２６は中空空間３０内を軸心方向に移動可能であることにより、該中空空間を第１および第２チャンバ３２、３４へと分割する。特に、ピストン・アセンブリ２６とハウジング２２の内径部との間には、作動部分（間隙）３６が形成される。
【００１４】
この作動部分３６は好適には環状形状であると共に、ハウジング２２およびピストン・アセンブリ２６の相互作用および配向により形成される。特に作動部分３６は代替的に、ＭＲ緩衝器の分野における当業者により公知である如く、ピストン・アセンブリ２６を貫通通過しても良い。交互的に巻回されたコイル４０を（約２２ワットの電力を必要とするなら概略的には約１アンペアとされる）適切な電流で励起することにより、第１および第２チャンバ３２、３４の間におけるＭＲ流体３８の流れを制御するに十分な強度の磁界が生成される。これにより、任意の公知の制御アルゴリズムにより制御され得るという制御可能な緩衝力が提供される。
【００１５】
任意の適切な磁気粘性流体３８が使用され得る。該ＭＲ流体３８は、作動部分３６、第１チャンバ３２および第２チャンバ３４内、ならびに、外部補償器チャンバ４４内に収容される。この外部第３チャンバ４４はアキュムレータ４６内に含まれるが、該アキュムレータは、緩衝器２０内のＭＲ流体３８を加圧するためのガス充填チャンバ４８も含んでいる。アキュムレータ４６は、緩衝器２０内におけるＭＲ流体３８の膨張および収縮を許容するだけでなく、一切のキャビテーションが最小限とされる如く緩衝器２０内の流体３８の加圧も行う。
【００１６】
ピストン・アセンブリ２６は複数の磁界を生成すべく軸心方向に離間され且つ交互的に巻回された複数のコイル４０を含み、これらの磁界は軟磁性の磁極片４２により導向されて作動部分３６内に収容されたＭＲ流体３８に作用することにより、作動部分３６を通るＭＲ流体３８の流れを制限する流動学的変化（見掛け粘度変化）を引き起こす。これにより、可変的な緩衝力が生成される。磁極片４２およびハウジング２２に対して適切な材料は、１２Ｌ１４低炭素鋼などの軟磁性材料から成る。
【００１７】
好適にはデジタル式であるコントローラ５０は、任意の公知のアルゴリズムによりＭＲ緩衝器２０を制御する。該アルゴリズムは、第１および第２部材２１、２３の水平加速度を検知する加速度センサから該部材２１、２３の移動を表すセンサ情報を取り込む段階を含み得る。更に、部材２１、２３間における水平変位もしくは速度センサを介し、変位または速度が直接的に測定かつ提供され得る。特に、もし電力が喪失されたなら、ＭＲ緩衝器２０およびコントローラ５０の所要電力はバッテリが供給する。
【００１８】
コントローラ５０は一個以上のセンサからのセンサ信号を適切なアルゴリズム６０に従い処理し、適切な出力信号をＭＲ緩衝器２０に対して提供する。当業者であれば、非特許文献１に見られる加速度フィードバックに基づくクリップ式最適制御（ｃｌｉｐｐｅｄ−ｏｐｔｉｍａｌ  ｃｏｎｔｒｏｌ）などの種々の制御アルゴリズムは公知である。速度および／または変位に関する入力に基づく他のアルゴリズムが使用され得る。特に地震事象の間において上記デバイスはバッテリ５４のＤＣ電流に従い動作する、と言うのも、電力は地震事象の開始の直後もしくは暫く後に喪失され得るからである。ＡＣ電源５８に従い動作する充電器５６はバッテリ５４を定期的に充電することで、完全充電を確実とする。
【００１９】
第１および第２チャンバ３２、３４内に低レベルの磁界を生成する手段は好適には、ピストン・アセンブリ２６の端部２７、２７’に固定された少なくとも一個の永久磁石２５、または、上記ハウジングの壁部２９、２９’上に取付けられた少なくとも一個の永久磁石２５’から成る。好適には磁石２５、２５’は、ピストン・アセンブリ２６の軸心方向の両端部２７、２７’と、ハウジング２２の内壁部２９、２９’との両方に対して取付けられる。但し、一方または他方で十分なこともある。たとえば、ピストン・アセンブリ２６上のみ、または、ハウジング２２の壁部２９、２９’上のみである。永久磁石２５、２５’は、好適には図１ｂに示された如くリング型磁石であると共に、沈殿を制御する磁界を生成する如き適切な強度を有する。本明細書に記述される磁石および電磁石は、チャンバ３２、３４内のＭＲ流体３８における鉄粒子の沈殿を防止するために、５〜５００エルステッド（４００〜４０，０００アンペア／ｍ）、更に好適には２５〜２００エルステッド（２，０００〜１６，０００アンペア／ｍ）、更に好適には７５〜１２５エルステッド（６，０００〜１０，０００アンペア／ｍ）の範囲の強度を有する磁界を生成すべきである。バリウム・フェライトまたはストロンチウム・フェライトから製造された磁石が好適である。使用され得る他の磁石は、ネオジム鉄ホウ素、結合型ネオジム鉄ホウ素、サマリウム・コバルト、および、アルニコ合金（ａｌｎｉｃｏ）から製造される。磁石２５、２５’は、それらの吸引力により端部２７、２７’および壁部２９、２９’に対して所定位置に固定されるが、接着されても良い。
【００２０】
代替的に、複数個のパック型（ｐｕｃｋ−ｔｙｐｅ）すなわちボタン型の磁石２５、２５’が、チャンバ３２、３４内において（たとえば１２時、３時、６時および９時の位置に配置された）円形パターンで配置されると共に、図２ａに示された如くピストン・アセンブリ２６の軸心方向端部２７、２７’に配置され且つ／又はハウジング２２の壁部２９、２９’上にも取付けられることで、チャンバ３２、３４内で上述の強度の低レベル磁界を生成する手段が提供される。図２ｂには、ボタン型磁石が示される。
【００２１】
代替的にハウジング２２の端部４１は、１０４０系の炭素鋼の如き硬磁性材料から製造されても良い。該材料は大きな磁界に委ねられたときに適切な強度へと磁化されることで、チャンバ３２、３４内の流体における沈殿を防止する。
【００２２】
図３ａを参照すると、別の見地において、チャンバ３２、３４内で上述の低レベル磁界を生成する手段は、少なくとも一個の電磁石３１から成る。好適には複数個の電磁石３１が、ピストン・アセンブリ２６の軸心方向端部２７、２７’にて（たとえば１２時、３時、６時および９時の位置などの）円形パターンで配置されると共に、好適にはハウジング２２の壁部２９、２９’上にも取付けられる。図３ｂに示された如く電磁石３１は好適には、プラスチック・ボビン３５内に圧着された軟磁性収束要素３３であって十分な量のワイヤが周囲に巻回されて低レベル・コイル３７を形成する軟磁性収束要素３３を備える。電源および接地に対しては、電気リード線３９、３９’が適切に相互接続を行う。好適には、チャンバ３２、３４内の複数個の電磁石は電気的に直列関係で結線される。上記電磁石は、（地震事象の間などにおいて）制御アルゴリズムを開始するときに完全に作動停止されることから、上述の永久磁石形態と比較して更に低いオフ状態に帰着し得る、という利点を有する。また前述と同様に、点線輪郭３１’、３１”により表される如く電磁石３１はハウジング２２の壁部２９’に対しても取付けられ得る。示された如く、低レベル磁界を提供する上記手段は、上記中空空間内にまたはその外部に取付けられ得る。もし外部に取付けられるなら、ハウジングの端部は非磁性とされねばならない。
【００２３】
図４ａおよび図４ｂは、ＭＲデバイス２０ａ、２０ａ’のブレーキの実施例を示している。これらの実施例の各々は：中空空間３０ａを含むハウジング２２ａと；中空空間３０ａ内に収容されたロータ２６ａの如き可動要素と；ハウジング２２ａおよびロータ２６ａは、中空空間３０ａ内において好適には複数個の間隙３６ａ、３６ａ’の形態をとる少なくとも一個の作動部分と、少なくとも一個のチャンバ、好適には２個のチャンバ３２ａ、３４ａとを形成すべく配向されており；間隙３６ａ、３６ａ’およびチャンバ３２ａ、３４ａ内に収容されたＭＲ流体３８ａと；間隙３６ａ、３６ａ’内に収容されたＭＲ流体３８ａに作用して該流体における流動学的変化を引き起こす磁界を生成する手段と；チャンバ３２ａ、３４ａ内に収容されたＭＲ流体３８ａの相当の部分（大部分）に作用して、該チャンバ内に収容されたＭＲ流体３８ａの沈殿を最小限とする低レベル磁界を生成する手段と；を含んでいる。
【００２４】
図４ａの実施例において、間隙３６ａ、３６ａ’に亙り作用する磁界を生成する手段は、チャンバ３２ａ、３４ａの近傍に配置されたロータ２６ａの内側部分を形成するリング型永久磁石２５ａを備える。北（ｎ）および南（ｓ）極は、チャンバ３２ａ、３４ａ内のＭＲ流体３８ａの大部分が上述の大きさの低レベル磁界に晒される如く配向される。これにより、ブレーキ２０ａが使用されないときに該ブレーキ内におけるＭＲ流体３８ａにおける沈殿は最小限とされる。選択的に、ロータ２６ａの最内側部分は、粒子の軽度の整列を引き起こして該粒子の沈殿を防止するに適した強度へと磁化される硬磁性材料を含み得る。図４ｂの実施例において、ハウジング２２ａの内壁部２９ａ、２９ａ’上に取付けられた永久磁石２５ａ、２５ａ’は、上記の低レベル磁界を生成する手段を提供する。リング型磁石２５ａ、２５ａ’が示されているが、上記の例から明らかである様に、帯片型、パック／ボタン型の磁石または電磁石が代替使用され得る。また、ブレーキの実施例が示されているが、本発明は当該クラッチ内の流体における沈殿を防止すべくクラッチに対する適用可能性も有している。
【００２５】
図５は、本発明のデバイスの別実施例、特に単一管式ＭＲ緩衝器２０ｂを示している。該ＭＲ緩衝器２０ｂは、自身内に形成された中空空間３０ｂを含む概略的に円筒状のハウジング（緩衝器本体）２２ｂと、中空空間３０ｂ内に収容されたピストン・アセンブリ２６ｂなどの可動要素とを含み、ハウジング２２ｂおよびピストン・アセンブリ２６ｂは、環状の制御可能通路３６ｂの形態である少なくとも一個の作動区画を形成すべく、且つ、中空空間３０ｂを第１および第２チャンバ３２ｂ、３４ｂへと細分すべく配向される。緩衝器２０ｂはまた、環状の制御可能通路３６ｂおよび第１および第２チャンバ３２ｂ、３４ｂ内に収容されたＭＲ流体３８ｂと、環状の制御可能通路３６ｂ内に収容された該ＭＲ流体３８ｂに作用して該流体の流動学的変化を引き起こす磁界を生成する手段と、第１および第２チャンバ３２ｂ、３４ｂ内に収容された上記ＭＲ流体の大部分に作用することで該チャンバ内のＭＲ流体における沈殿を最小限とする低レベル磁界を生成する別体の手段とを含む。好適には、環状の制御可能通路３６ｂに対して晒される磁界を生成する上記手段は巻回コイル４０ｂなどから成るが、永久磁石を含んでも良い。低レベル磁界を生成する上記手段は好適には、ハウジング２２ｂの外壁部分２９ｂ上に取付けられた帯片型永久磁石２５ｂから成る。帯片型永久磁石２５ｂは、円周方向または軸心方向に延在する帯片として配置され得る。この実施例においては、低レベル磁界もまた環状の制御可能通路３６ｂに対して露出される。代替的に、磁石２５ｂ’、２５ｂ”、２５ｂ”’が、低レベル磁界を生成する手段を構成し得る。
【００２６】
本発明の好適実施例を含む幾つかの実施例が詳細に記述されたが、上記内容に対しては、添付の各請求項において定義された本発明の精神および有効範囲から逸脱せずに種々の改変、代替、変更および適合が為され得る。斯かる改変、代替および変更の全ては、本発明の一部と見做されるべきことが意図される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】図面の簡単な説明
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１ａ】ＭＲ緩衝器の部分的側断面図である。
【図１ｂ】図１ａの緩衝器のチャンバ内に取付けられるリング型磁石の斜視図である。
【図２ａ】ＭＲ緩衝器の第１実施例の部分的側断面図である。
【図２ｂ】図２ａの緩衝器のチャンバ内に取付けられるボタン型磁石の斜視図である。
【図３ａ】ＭＲ緩衝器の第２実施例の部分的側断面図である。
【図３ｂ】図３ａの緩衝器のチャンバ内にまたは壁部に対して取付けられる電磁石の斜視図である。
【図４ａおよび図４ｂ】ＭＲブレーキの第１実施例および第２実施例の部分的側断面図である。
【図５】単一管式ＭＲ緩衝器の一実施例の部分的側断面図である。
【符号の説明】
【００２８】
２０  ＭＲ緩衝器
２０ａ  ＭＲデバイス／ブレーキ
２０ａ’  ＭＲデバイス
２０ｂ  単一管式ＭＲ緩衝器
２１  第１構造部材
２２  ハウジング／本体
２２ａ  ハウジング
２２ｂ  ハウジング／緩衝器本体
２３  第２構造部材
２４、２４’  ピストン・ロッド
２５  永久磁石／ボタン型磁石
２５’  永久磁石／ボタン型磁石
２５ａ  リング型永久磁石
２５ａ’  リング型磁石／永久磁石
２５ｂ  帯片型永久磁石
２５ｂ’、２５ｂ”、２５”’  磁石
２６  ピストン・アセンブリ／移動要素
２６ａ  ロータ
２６ｂ  ピストン・アセンブリ
２７、２７’  端部／軸心方向端部
２８、２８’  環状開孔
２９、２９’  内壁部
２９ａ、２９ａ’  内壁部
２９ｂ  外壁部分
３０  中空空間
３０ａ  中空空間
３０ｂ  中空空間
３１  電磁石
３１’、３１”  点線輪郭
３２  第１チャンバ
３２ａ  チャンバ
３２ｂ  第１チャンバ
３３、３３’  ブラケット
３４  第２チャンバ
３４ａ  チャンバ
３４ｂ  第２チャンバ
３５  プラスチック・ボビン
３６  作動部分／作動区画
３６ａ、３６ａ’  間隙
３６ｂ  環状の制御可能通路
３７  低レベル・コイル
３８  ＭＲ流体／磁気粘性流体
３８ａ、３８ｂ  ＭＲ流体
３９、３９’  電気リード線
４０  コイル
４０ｂ  コイル
４１  端部
４２  磁極片
４４  外部補償器チャンバ／外部第３チャンバ
４６  アキュムレータ
４８  ガス充填チャンバ
５０  コントローラ
５４  バッテリ
５６  充電器
５８  ＡＣ電源
６０  適切なアルゴリズム