Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月5日(2007.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スパッタリングターゲットとそれを用いたＧｅ層、Ｇｅ化合物層、Ｇｅ合金層および光ディスク、電気・電子部品、磁気部品
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  高純度Ｇｅ、もしくはＢ、Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、ＩｒおよびＲｕから選ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原子％の範囲で含むＧｅ合金からなるスパッタリングターゲットであって、
前記ターゲット表面の面方位をＸ線回折法で測定した際の(111)面のピーク強度に対する(220)面のピーク強度の比（(220)／(111)）が0.3以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】  請求項１記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット表面全体における前記(220)／(111)ピーク強度比のバラツキが±30％以内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項３】  請求項１または請求項２記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはバッキングプレートと接合されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項４】  請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットは光ディスクの構成層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項５】  請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットは光ディスクの中間層を構成するＧｅ層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項６】  請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とするＧｅ層。
【請求項７】  請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とするＧｅ化合物層。
【請求項８】  請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とするＧｅ合金層。
【請求項９】  請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層を具備することを特徴とする光ディスク。
【請求項１０】  請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層を具備することを特徴とする電気・電子部品。
【請求項１１】  請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層を具備することを特徴とする磁気部品。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば光ディスクの構成層としてのＧｅ層、Ｇｅ化合物層、Ｇｅ合金層などを形成する際に用いられるスパッタリングターゲットと、それを用いたＧｅ層、Ｇｅ化合物層、Ｇｅ合金層および光ディスク、電気・電子部品、磁気部品に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のスパッタリングターゲットは、例えば請求項３に記載したように、バッキングプレートと接合されて用いられる。また、本発明のスパッタリングターゲットは、例えば請求項４に記載したように、光ディスクの構成層を形成する際に用いられるものである。特に、請求項５に記載したように、相変化型などの光ディスクの中間層を構成するＧｅ層、Ｇｅ化合物層、Ｇｅ合金層の形成用として好適である。
また、本発明のＧｅ層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴としている。本発明の光ディスクは、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層を具備することを特徴としている。本発明の電気・電子部品は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層を具備することを特徴としている。本発明の磁気部品は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層を具備することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月5日(2007.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スパッタリングターゲットとその製造方法、およびそれを用いたタングステンシリサイド膜、配線、電極、電子部品
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＷＳｉx（ただし、ｘは2≦ｘ≦4を満足する数である）で表されるタングステンシリサイドからなるスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット表面をＸ線回折法で測定した際のＷＳｉ2の(002)面、(101)面、(110)面、(103)面、(112)面および(213)面の結晶方位含有比の和が、
【数１】
2002038261.tif 000001
で表されるＷＳｉ2の結晶方位含有比の計算式に基づく値として25％以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】  請求項１記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット表面全体としての前記ＷＳｉ2の(002)面、(101)面、(110)面、(103)面、(112)面および(213)面の結晶方位含有比の和のバラツキが20％以内であることを特徴するスパッタリングターゲット。
【請求項３】  請求項１または請求項２記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記計算式に基づくＷＳｉ2の(101)面の結晶方位含有比が5％以上であることを特徴するスパッタリングターゲット。
【請求項４】  請求項３記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット表面全体としての前記ＷＳｉ2の(101)面の結晶方位含有比のバラツキが20％以内であることを特徴するスパッタリングターゲット。
【請求項５】  請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットは、連鎖状に形成されたタングステンシリサイド相と、前記タングステンシリサイド相の間隙に不連続に存在する遊離Ｓｉ相とを含む微細組織を有することを特徴するスパッタリングターゲット。
【請求項６】  請求項５記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット表面をＸ線回折法で測定した際のＳｉの(111)面の結晶方位含有比が、
【数２】
2002038261.tif 000002
で表されるＳｉの結晶方位含有比の計算式に基づく値として10％以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項７】  請求項６記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット表面全体としての前記Ｓｉの(111)面の結晶方位含有比のバラツキが15％以内であることを特徴するスパッタリングターゲット。
【請求項８】  ＷＳｉx（ただし、ｘは2≦ｘ≦4を満足する数である）で表されるタングステンシリサイド粉末を加圧下で焼結し、緻密化されたタングステンシリサイド焼結体を作製する工程と、
前記焼結工程に引き続いて、前記タングステンシリサイド焼結体への加圧力を開放した状態で1000〜1380℃の温度で熱処理した後、常温まで冷却することにより、前記タングステンシリサイド焼結体の結晶方位を調整する工程と、
前記結晶方位の調整工程を経たタングステンシリサイド焼結体を、所望のターゲット形状に加工する工程と
を有することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項９】  請求項８記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、
前記加圧焼結工程は、真空中にて前記タングステンシリサイド粉末に対して24.5〜34.3MPaの圧力を印加しつつ、1200〜1380℃の温度で所定時間保持することにより行うことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１０】  請求項８または請求項９記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、
前記結晶方位の調整工程における熱処理は、真空中にて1000〜1200℃の温度で前記タングステンシリサイド焼結体を2〜10時間保持することにより行うことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１１】  請求項１ないし請求項７のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とするタングステンシリサイド膜。
【請求項１２】  請求項１ないし請求項７のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたタングステンシリサイド膜からなることを特徴とする配線。
【請求項１３】  請求項１ないし請求項７のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたタングステンシリサイド膜からなることを特徴とする電極。
【請求項１４】  請求項１ないし請求項７のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたタングステンシリサイド膜を具備することを特徴とする電子部品。
【請求項１５】  請求項１４記載の電子部品において、
半導体素子であることを特徴とする電子部品。
【請求項１６】  請求項１４記載の電子部品において、
液晶表示素子であることを特徴とする電子部品。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、タングステンシリサイドからなるスパッタリングターゲットとその製造方法、およびそれを用いたタングステンシリサイド膜、配線、電極、電子部品に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上述したような本発明のスパッタリングターゲットは、本発明の製造方法を適用することにより再現性よく得ることができる。すなわち、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、請求項８に記載したように、ＷＳｉx（ただし、ｘは2≦ｘ≦4を満足する数である）で表されるタングステンシリサイド粉末を加圧下で焼結し、緻密化されたタングステンシリサイド焼結体を作製する工程と、前記焼結工程に引き続いて、前記タングステンシリサイド焼結体への加圧力を開放した状態で1000〜1380℃の温度で熱処理した後、常温まで冷却することにより、前記タングステンシリサイド焼結体の結晶方位を調整する工程と、前記結晶方位の調整工程を経たタングステンシリサイド焼結体を所望のターゲット形状に加工する工程とを有することを特徴としている。
また、本発明のタングステンシリサイド膜は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴としている。本発明の配線は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたタングステンシリサイド膜からなることを特徴としている。本発明の電極は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたタングステンシリサイド膜からなることを特徴としている。本発明の電子部品は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたタングステンシリサイド膜を具備することを特徴としている。本発明の電子部品としては、半導体素子や液晶表示素子等が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月13日(2007.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  数平均分子量が１０００〜１００００のアルコキシ基を含有しないポリシロキサン（Ａ）１〜８０重量％、重合性不飽和単量体（Ｂ）９９〜２０重量％、界面活性剤（Ｃ）０.１〜１０重量％よりなることを特徴とするシリコン樹脂含有水性コーティング剤組成物。
【請求項２】  分散粒子の平均粒子径が２００ｎｍ以下である請求項１に記載のシリコン樹脂含有水性コーティング剤組成物。
【請求項３】  数平均分子量が１０００〜１００００のアルコキシ基を含有しないポリシロキサン（Ａ）１〜８０重量％、重合性不飽和単量体（Ｂ）９９〜２０重量％、界面活性剤（Ｃ）０.１〜１０重量％を含有する水性分散液において、該水性分散液の分散粒子の平均粒子径が５００ｎｍ以下になるように予め乳化させたプレ乳化液を、重合開始剤の存在下で重合させることを特徴とするシリコン樹脂含有水性コーティング剤組成物の製造方法。
【請求項４】  数平均分子量が１０００〜１００００のアルコキシ基を含有しないポリシロキサン（Ａ）１〜８０重量％、重合性不飽和単量体（Ｂ）９９〜２０重量％、界面活性剤（Ｃ）０.１〜１０重量％を含有する水性分散液を、分散液を高圧下流路内の壁面部に衝突させ、又は高圧下流路内で分散液同志を衝突させることにより粒子を微細化する装置を用いて、該水性分散液の分散粒子の平均粒子径が５００ｎｍ以下になるように予め乳化させたプレ乳化液を、重合開始剤の存在下で重合することを特徴とするシリコン樹脂含有水性コーティング剤組成物の製造方法。
【請求項５】  水性分散液の衝突時の圧力が１００〜５０００ｋｇｆ/ｃｍ2である請求項４記載のシリコン樹脂含有水性コーティング剤組成物の製造方法。
【請求項６】  分散粒子の平均粒子径が２００ｎｍ以下である請求項３〜５のいずれか１項に記載のシリコン樹脂含有水性コーティング剤組成物の製造方法。
【請求項７】  請求項１又は２記載のシリコン樹脂含有水性コーティング剤組成物を基材に塗布して得られることを特徴とする塗装物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、かかる問題を解決するため鋭意研究を重ねた結果、数平均分子量１０００〜１００００のアルコキシ基を含有しないポリシロキサン（Ａ）、重合性不飽和単量体（Ｂ）、界面活性剤（Ｃ）の水性分散液を、重合開始剤（Ｄ）の存在下にて乳化重合して得られる、シリコン樹脂を複合化したシリコン樹脂含有水性コーティング剤組成物が、上記課題を解決する事を見いだした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また本発明の如く、そのモノマー組成中に数平均分子量１０００〜１００００のアルコキシ基を含有しないポリシロキサン（Ａ）のような高分子量物質を一部含有する場合には、乳化重合後の生成粒子径が大きく成りすぎて実用性が低下する問題が生ずることがある。この問題に関しては、プレ乳化液の分散粒子の平均粒子径を事前に微細化する方法により解決できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
即ち本発明は、（１）数平均分子量が１０００〜１００００のアルコキシ基を含有しないポリシロキサン（Ａ）１〜８０重量％、重合性不飽和単量体（Ｂ）９９〜２０重量％、界面活性剤（Ｃ）０.１〜１０重量％よりなることを特徴とするシリコン樹脂含有水性コーティング剤組成物、
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（３）数平均分子量が１０００〜１００００のアルコキシ基を含有しないポリシロキサン（Ａ）１〜８０重量％、重合性不飽和単量体（Ｂ）９９〜２０重量％、界面活性剤（Ｃ）０.１〜１０重量％を含有する水性分散液において、該水性分散液の分散粒子の平均粒子径が５００ｎｍ以下になるように予め乳化させたプレ乳化液を、重合開始剤の存在下で重合させることを特徴とするシリコン樹脂含有水性コーティング剤組成物の製造方法、
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（４）数平均分子量が１０００〜１００００のアルコキシ基を含有しないポリシロキサン（Ａ）１〜８０重量％、重合性不飽和単量体（Ｂ）９９〜２０重量％、界面活性剤（Ｃ）０.１〜１０重量％を含有する水性分散液を、分散液を高圧下流路内の壁面部に衝突させ、又は高圧下流路内で分散液同志を衝突させることにより粒子を微細化する装置を用いて、該水性分散液の分散粒子の平均粒子径が５００ｎｍ以下になるように予め乳化させたプレ乳化液を、重合開始剤の存在下で重合することを特徴とするシリコン樹脂含有水性コーティング剤組成物の製造方法、
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（５）水性分散液の衝突時の圧力が１００〜５０００ｋｇｆ/ｃｍ2である請求項４記載のシリコン樹脂含有水性コーティング剤組成物の製造方法、
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（７）上記（１）又は（２）記載のシリコン樹脂含有水性コーティング剤組成物を基材に塗布して得られることを特徴とする塗装物、を提供するものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【発明の実施の形態】以下本発明について、具体的に説明する。本発明のシリコン樹脂含有水性コーティング剤組成物は、数平均分子量が１０００〜１００００のアルコキシ基を含有しないポリシロキサン（Ａ）、重合性不飽和単量体（Ｂ）、界面活性剤（Ｃ）のプレ乳化液を、重合開始剤の存在下で乳化重合させることにより製造される。例えばポリシロキサン（Ａ）を重合性不飽和単量体（Ｂ）に溶解させたモノマープレミックスに、界面活性剤（Ｃ）と水の混合液を加えて、予めよく攪拌してプレ乳化液を調整し、重合開始剤の存在下で乳化重合させる等の手順などが有効である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の如く、そのモノマープレミックス中に数平均分子量１０００〜１００００のアルコキシ基を含有しないポリシロキサン（Ａ）のような高分子量物質を一部含有する場合には、乳化重合後の生成粒子径が大きく成りすぎて実用性が低下する問題が生ずることがある。この問題に関しては、プレ乳化液の分散粒子の平均粒子径を事前に微細化する方法により解決できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月28日(2006.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この埋設式サ−モスタットＡは、ケース１と、前記ケース１内に収装されたサ−モバルブ２と、前記サ−モバルブ２を加熱することによって強制的に動作させる熱電素子１０と、被取付け部材であるエンジンヘッドＢと螺合しケース１の底面を閉塞する蓋体３と、サ−モバルブ２と蓋体３との間に介装され、サ−モバルブ２を上方に押圧するコイルスプリング４とから構成されている。
前記ケース１は中空筒形状を有し、図５、図６に示すようにエンジンヘッドＢに形成された冷却液流路Ｃに対応して、入口開口部１ａと出口開口部１ｂが形成されている。また、前記ケース１の周面（側壁）１ｃの入口開口部１ｂの下方位置に、熱電素子１０に接続された接続コード１０ａをケース１の周面（側壁）１ｃの外側に導出させるための貫通孔１ｄが形成されている。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、前記ケース１の周面（側壁）１ｃ、連結部１ｊの稜線部１ｊ1 、キャップ部１ｉの上端面１ｉ1 に、繋がった直線状の溝１ｋが形成され、前記溝１ｋには、リング状形状のゴム部材６が嵌合している。なお、ケース１の底部にも溝１ｋが形成され、リング状形状のゴム部材６が必要以上に突出しないようになされている。
更に、前記ケース１の冷却液流路Ｃの入口開口部１ａの下方向位置（下端部）には、位置決用の突起部１ｌが設けられている。またこの突起部１ｌに対応して、エンジンヘッドＢに設けられた嵌合穴７の側壁には凹部７ａが設けられ、前記突起部１ｌが凹部７ａに係止される。また、前記ケース１の底面は、シール部材８を介してバイパス通路３ａが形成された蓋体３によって、閉塞されている。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
続いて、サ−モスタットＡの取り付け方法について、説明する。
まず、サ−モスタットＡを組立て、熱電素子１０の接続コード１０ａをケース１の貫通孔１ａを介して外部に導出させる。また、予め、エンジンヘッドＢには、予め上部嵌合穴９、下部嵌合穴７を形成する。
そして、前記上部嵌合穴９、下部嵌合穴７にサ−モスタットＡのケース１を嵌め込む。この嵌め込みに際し、入口開口部１ａと出口開口部１ｂが冷却液流路Ｃと連通するように、向きを合わせて位置合わせする必要がある（図５、図６参照）。そして、嵌合穴７、９にケース１を嵌合させた状態で、シール部材８を介して蓋体３をエンジンヘッドＢに螺合させることにより、ケース１の底面を閉塞する。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
次に、本実施の形態に係るサ−モスタットＡの作用について説明する。（図２、３参照）。まず、サ−モスタットＡの閉状態から開状態への作用について説明する。暖機運転前の冷却液流路Ｃ内の冷却液は、低温であり、この温度はエレメント（弁体）２ａの外周面とワックスケ−ス２ｃを介してワックスケ−ス２ｃ内のワックス２ｂに伝播する（図５を参照）。 
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
そして、時間の経過と共に冷却液流路Ｃ内の冷却液の温度が上昇すると、ワックスケ−ス２ｃ内のワックス２ｂは膨張して体積が増加し、この体積増加に伴ってダイヤフラム２ｅが上方へ膨れ上がる。その結果、上層の半流動体２ｄを介して、ラバ−ピストン２ｆを上方方向に押し上げようとする力が働く。この力が、バックアッププレ−ト２ｈを介してピストン２ｇに伝わり、ピストン２ｇがガイド部２ｃ1 から突出しようとする。しかし、ピストン２ｇの先端部は、固着されたキャップ部に常時接触しているため、実際には、エレメント（弁体）２ａ自体が、コイルスプリング４の反発力に抗しながら、ピストン２ｇに対する相対移動によって押し下げられる。 
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
次に、サ−モスタットＡの開状態から閉状態への作用について説明する。エンジンの運転を停止するとウォ−タ−ポンプの作動が停止し、冷却液流路Ｃ内の冷却液の循環が停止する。時間の経過と共に冷却液の温度が低下し、この温度変化はエレメント（弁体）２ａとワックスケ−ス２ｃを介してワックス２ｂにも伝播される。そして、温度低下とともに膨張していたワックス２ｂは収縮し、サ−モバルブ２を常に上方に付勢するコイルスプリング４の付勢力によって、サ−モバルブ２は上方に摺動する。
その結果、エレメント（弁体）２ａの外周面が、最終的にケース１の入口開口部１ａと出口開口部１ｂを閉状態とし、流路領域ＦＡを遮断する。（図５を参照）。 
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2002038950.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2002038950.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月22日(2007.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】   
【請求項１】（ａ）熱硬化性樹脂もしくは紫外線硬化性樹脂、（ｂ）粉体状の無機充填剤、（ｃ）繊維状の無機充填剤、を必須成分としたプラスチック複合シートであって、プラスチック複合シートの全重量１００重量％に対し粉体状と繊維状の無機充填材の合計量が６０〜９５重量％を占め、なおかつ粉体状と繊維状の無機充填剤の重量比率が５／９５〜９５／５であり、更に粉体状の無機充填剤が、融点３００〜１０００℃のガラス状物質であることを特徴とするプラスチック複合シート。
【請求項２】  前記（ａ）熱硬化性樹脂もしくは紫外線硬化性樹脂の硬化後の屈折率と、（ｂ）粉体状無機充填剤、及び（ｃ）繊維状無機充填剤の屈折率の差が０．０１以下である請求項１記載のプラスチック複合シート。
【請求項３】  波長５５０ｎｍにおける光線透過率が６０％以上である請求項１または２記載の透明プラスチック複合シート。
【請求項４】  ３０〜１５０℃の平均線膨張係数が２５ｐｐｍ以下である請求項１〜３いずれか記載のプラスチック複合シート。
【請求項５】  前記（ａ）熱硬化性樹脂もしくは紫外線硬化性樹脂の硬化後のアッベ数が４５以上である請求項１〜４いずれか記載のプラスチック複合シート。
【請求項６】  基板表面の最大表面粗さが２００ｎｍ以下であることを特徴とした請求項１〜５いずれか記載のプラスチック複合シート。
【請求項７】  （ｂ）粉末状の無機充填剤が酸化珪素、酸化アルミ、酸化硼素を必須成分とし、酸化ナトリウムの含有量が１．０ｗｔ％未満であることを特徴とするガラスである、請求項１〜６いずれか記載のプラスチック複合シート。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月22日(2007.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】   
【請求項１】  透明樹脂(ａ)及びガラスフィラー(ｂ)からなり、透明樹脂の硬化後の光弾性定数が２０×１０−１２Ｐａ−１以下であることを特徴とする透明複合体組成物。
【請求項２】  前記透明樹脂（ａ）の硬化後の屈折率とガラス繊維（ｂ）の屈折率との差が０．０１以下である請求項１の透明複合体組成物。
【請求項３】  前記透明樹脂（ａ）の硬化後のアッベ数が４５以上である請求項１または２の透明複合体組成物。
【請求項４】  透明樹脂がエポキシ樹脂である請求項１〜３いずれかの透明複合体組成物。
【請求項５】  前記ガラス繊維(ｂ)の屈折率が１.５０〜１.５７である請求項１〜４いずれかの透明複合体組成物。
【請求項６】  ３０〜１５０℃における平均線膨張係数が４０ｐｐｍ以下である請求項１〜５いずれかの透明複合体組成物。
【請求項７】  厚さが５０〜２０００μｍのシートである請求項１〜６いずれかの透明複合体組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月12日(2007.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記のものを含む蒸着装置：
ａ）原材料の混合物を含有するるつぼ；
ｂ）幅Ｗ及び長さＬを有する、前記るつぼと連通する少なくとも一つの入口及び線状スロット出口を持つ煙突；
ｃ）そらせ板として使用されるランプであり、スロット出口に対して装着され、かつ前記原材料からの蒸発粒子が前記スロット出口を通って逃げるための直接的な通路が全くないように位置づけられる、前記煙突内に含まれる一つより多い線状加熱要素；
ｄ）加熱要素、遮熱要素及び冷却要素を含有する、前記るつぼを包囲するオーブン。
【請求項２】
前記るつぼ及び煙突の長手方向部分が一つの一体化された部分を形成し、かつその界面において材料損失を防止するために一片の材料から作られる請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項３】
前記線状煙突加熱要素が上又は下方向の位置に移動可能である請求項１又は２に記載の蒸着装置。
【請求項４】
前記煙突のまわりに遮熱材をさらに含む請求項１〜３のいずれかに記載の蒸着装置。
【請求項５】
前記煙突の前記スロット出口の前記幅Ｗをその長さＬに沿って調整する手段をさらに含む請求項１〜４のいずれかに記載の蒸着装置。
【請求項６】
前記煙突スロット出口が平均幅Ｗ１を有し、前記煙突入口が平均幅Ｗ２を有し、Ｗ２／Ｗ１の比が３より大きい請求項１〜５のいずれかに記載の蒸着装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月16日(2006.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学成分が質量％で、Ｃ：０．００５％以上０．０４％未満、Ｓｉ：０．５％以下、Ｍｎ：０．５〜３．０％、Ｐ：０．０８％以下、Ｓ：０．０３％以下、Ａｌ：０．０１〜０．１０％、Ｎ：０．０１％以下で、残部が実質的に鉄からなり、組織が平均粒径４〜１５μｍのフェライトと体積率１０％未満の第２相から構成され、この第２相の内８０％以上が粒界に析出し、更に粒界に析出した第２相の内８０％以上が平均粒径３μｍ未満のマルテンサイト粒子であり、これら粒界に分布するマルテンサイト粒子は隣接２粒子間の平均間隔Ｌが、前記フェライトの平均粒径ｄに対して次の不等式を満たすことを特徴とする耐時効性に優れた高強度高延性亜鉛めっき鋼板。
０．７９ｄ＜Ｌ＜３．１ｄ
【請求項２】
請求項１記載の耐時効性に優れた高強度高延性亜鉛めっき鋼板において、化学成分としてさらに、Ｃｒ：１％以下、Ｍｏ：１％以下、Ｖ：０．５％以下、Ｂ：０．０００２〜０．００３％、Ｔｉ：０．１％以下、Ｎｂ：０．１％以下の内１種以上を含有することを特徴とする耐時効性に優れた高強度高延性亜鉛めっき鋼板。
【請求項３】
めっき表面にさらに有機被膜を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の耐時効性に優れた高強度高延性亜鉛めっき鋼板。
【請求項４】
請求項１または請求項２記載の化学成分を有する鋼を、Ａｒ３点以上の終了温度で熱間圧延を行い、圧延後２秒以内に冷却を開始して７０℃／ｓ以上の冷却速度で６５０℃以下まで冷却し、その後５００℃以上で巻取り、冷間圧延および溶融亜鉛めっき処理を施すことにより、組織を請求項１記載の組織に制御することを特徴とする耐時効性に優れた高強度高延性亜鉛めっき鋼板の製造方法。
【請求項５】
溶融亜鉛めっき処理は、めっき前の加熱を均熱温度Ａｃ１〜（Ａｃ１＋８０℃)かつ均熱温度まで１００℃以内の温度域では５℃／ｓ以下の昇温速度で鋼板を加熱し、その後めっき浴浸漬まで冷却速度３〜１５℃／ｓの１次冷却を行い、溶融亜鉛めっきを施した後、あるいはその後合金化処理を施した後に３℃／ｓ以上の冷却速度で２次冷却を行うことを特徴とする請求項４に記載の耐時効性に優れた高強度高延性亜鉛めっき鋼板の製造方法。
【請求項６】
めっき表面にさらに有機被膜処理を施すことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の耐時効性に優れた高強度高延性亜鉛めっき鋼板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明は、化学成分が質量％で、Ｃ：０．００５％以上０．０４％未満、Ｓｉ：０．５％以下、Ｍｎ：０．５〜３．０％、Ｐ：０．０８％以下、Ｓ：０．０３％以下、Ａｌ：０．０１〜０．１０％、Ｎ：０．０１％以下で、残部が実質的に鉄からなり、組織が平均粒径４〜１５μｍのフェライトと体積率１０％未満の第２相から構成され、この第２相の内８０％以上が粒界に析出し、更に粒界に析出した第２相の内８０％以上が平均粒径３μｍ未満のマルテンサイト粒子であり、これら粒界に分布するマルテンサイト粒子は隣接２粒子間の平均間隔Ｌが、前記フェライトの平均粒径ｄに対して次の不等式を満たすことを特徴とする耐時効性に優れた高強度高延性亜鉛めっき鋼板を提供する。
０．７９ｄ＜Ｌ＜３．１ｄ  （１）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の亜鉛めっき鋼板において、化学成分としてさらに、Ｃｒ：１％以下、Ｍｏ：１％以下、Ｖ：０．５％以下、Ｂ：０．０００２〜０．００３％、Ｔｉ：０．１％以下、Ｎｂ：０．１％以下の内１種以上を含有することもできる。また、めっき表面にさらに有機被膜を有するようにすることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月20日(2006.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち、本発明は、
１．エチレン性不飽和カルボン酸単量体（ａ）、芳香族ビニル単量体（ｂ）及び／又は（メタ）アクリル酸エステル単量体（ｃ）から選ばれる１種以上の単量体とを含む単量体組成物を乳化重合して得られる水性樹脂分散体（１）であり、該水性樹脂分散体（１）が２段階以上の乳化重合で得られるものであって、１段目に使用するエチレン性不飽和カルボン酸単量体（ａ−１）と最終段に使用するエチレン性不飽和カルボン酸単量体（ａ−最終）との質量比（ａ−最終）／（ａ−１）が４〜８であることを特徴とするセメントモルタル用水性樹脂分散体であり、
２．水性樹脂分散体（１）が塩基性アルカリ金属化合物を含有していることを特徴とする請求項１のセメントモルタル用水性樹脂分散体であり、
３．セメント（２）１００質量部に対して、充填材（３）が５〜６００質量部、及び請求項１、又は請求項２の水性樹脂分散体（１）０．５〜１００質量部（固形分）を含む樹脂セメントモルタル組成物である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
なお、ここで言う共重合体のガラス転移温度とは、単量体のホモ重合体のガラス転移温度と単量体の共重合比率より次式によって推定することが可能である。
１／Ｔｇ＝W1／Tg1＋W2／Tg2＋・・・
Ｔｇ：単量体１、２・・・よりなる共重合体のガラス転移温度（゜Ｋ）
W1、W2・・：単量体１、単量体２、・・の質量分率
ここでW1＋W2＋・・＝１
Tg1、Tg2・・：単量体１、単量体２、・・のホモ重合体のガラス転移温度（゜Ｋ）
計算に使用する単量体のホモ重合体のＴｇ（゜Ｋ）は、例えばポリマーハンドブック（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ）に記載されている。本願において用いた数値を例示する。カッコ内の値がホモ重合体のＴｇを示す。ポリスチレン（３７３゜Ｋ）、ポリメタクリル酸メチル（３７８゜Ｋ）、ポリアクリル酸ブチル（２１９゜Ｋ）、ポリアクリル酸２−エチルヘキシル（２０５゜Ｋ）、ポリアクリル酸（３７９゜Ｋ）、ポリメタクリル酸（４０３゜Ｋ）、ポリアクリロニトリル（３７３゜Ｋ）、ポリアクリル酸２−ヒドロキシエチル（２５８゜Ｋ）、ポリメタクリル酸２−ヒドロキシエチル（３２８゜Ｋ）。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月13日(2007.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（I）：
【化１】
2005029789.tif 000001
［式中、ＲはＣ１−Ｃ１８アルキルまたはシクロアルキルを示す］
である末端基または側基を固形分に関して２〜２０重量％含有するポリウレタンの水性製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月29日(2007.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも次の構成要素（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）からなる繊維強化複合材料用強化繊維基材。
構成要素（Ａ）：強化繊維
構成要素（Ｂ）：層間強化材
構成要素（Ｃ）：実質的に前記繊維強化複合材料を構成するマトリックス樹脂に不溶の層間スペーサー
【請求項２】
構成要素（Ｂ）が熱可塑性樹脂である請求項１に記載の繊維強化複合材料用強化繊維基材。
【請求項３】
熱可塑性樹脂がポリアリレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィドからなる群から選ばれた少なくとも１種である請求項２に記載の繊維強化複合材料用強化繊維基材。
【請求項４】
構成要素（Ｂ）がポリアリレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィドからなる群から選ばれた少なくとも１種の熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂との混合物である請求項１に記載の繊維強化複合材料用強化繊維基材。
【請求項５】
構成要素（Ｂ）が粒子である請求項１〜４のいずれかに記載の繊維強化複合材料用強化繊維基材。
【請求項６】
構成要素（Ｃ）が不織布、または編み物である請求項１〜５のいずれかに記載の繊維強化複合材料用強化繊維基材。
【請求項７】
不織布、または編み物の目付が１〜１０ｇ／ｍ２である請求項６に記載の繊維強化複合材料用強化繊維基材。
【請求項８】
構成要素（Ｃ）がポリアミド、ポリイミド、ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレンスルフィドからなる群から選ばれた少なくとも１種の熱可塑性樹脂である請求項６または７に記載の繊維強化複合材料用強化繊維基材。
【請求項９】
構成要素（Ｃ）が、２３℃の温度での曲げ弾性率が１．０〜５．０ＧＰａであり、かつ温度２３℃の水中浸漬２４時間後の吸水率が１．２％未満である請求項６〜８のいずれかに記載の繊維強化複合材料用強化繊維基材。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の繊維強化複合材料用強化繊維基材と、前記マトリックス樹脂組成物の硬化物からなる繊維強化複合材料。
【請求項１１】
強化繊維の繊維体積含有率（Ｖｆ）が４５〜６５％である請求項１０に記載の繊維強化複合材料。
【請求項１２】
層間の厚みが１０〜３０μｍである請求項１０または１１に記載の繊維強化複合材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】繊維強化複合材料用強化繊維基材および繊維強化複合材料
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は上記の目的を達成するために、以下の手段をとる。すなわち本発明は、少なくとも次の構成要素（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）からなる繊維強化複合材料用強化繊維基材を骨子とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
構成要素（Ａ）：強化繊維
構成要素（Ｂ）：層間強化材
構成要素（Ｃ）：実質的に前記繊維強化複合材料を構成するマトリックス樹脂に不溶の層間スペーサー
また、本発明の繊維強化複合材料は、上記強化繊維基材と、マトリックス樹脂組成物の硬化物とからなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
本発明の繊維強化複合材料は、本発明の繊維強化複合材料用強化繊維基材と、前記マトリックス樹脂組成物の硬化物からなるものであるが、それ以外の材料を含むものであっても構わない。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月23日(2007.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  結像された被写体像を光電変換して電子的な画像データを得るための撮像手段と、該撮像手段による撮影時のシーンの輝度情報を検出する輝度検出手段と、前記撮像手段により得られた画像データに対し、階調変換処理を行う階調変換手段と、前記輝度検出手段により検出された輝度情報に応じて、階調変換特性を変更するように前記階調変換手段を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記輝度検出手段により検出された輝度情報の値の増減に応じて、コントラストが増減するように階調変換特性を変更すべく、前記階調変換手段を制御することを特徴とする電子カメラ。
【請求項２】  前記制御手段は、前記輝度検出手段により検出された輝度情報が所定値より高いときに、基準となる階調変換特性よりコントラストが高くなるように階調変換特性を変更すべく、前記階調変換手段を制御することを特徴とする請求項１に係る電子カメラ。
【請求項３】  前記制御手段は、前記輝度検出手段により検出された輝度情報が所定値より高く、且つ、そのシーンのコントラストが所定値より高いときには、基準となる階調変換特性によって階調変換処理を行うように前記階調変換手段を制御することを特徴とする請求項１に係る電子カメラ。
【請求項４】  前記制御手段は、前記輝度検出手段により検出された輝度情報が所定値より低いときに、基準となる階調変換特性よりコントラストが低くなるように階調変換特性を変更すべく、前記階調変換手段を制御することを特徴とする請求項１に係る電子カメラ。
【請求項５】  前記制御手段は、前記輝度検出手段により検出された輝度情報が所定値より低く、且つ、そのシーンのコントラストが所定値より低いときには、基準となる階調変換特性により階調変換処理を行うように前記階調変換手段を制御することを特徴とする請求項１に係る電子カメラ。
【請求項６】  被写体に向けて発光を行うストロボ手段を備え、前記制御手段は、前記ストロボ手段による発光が行われたときに、基準となる階調変換特性により階調変換処理を行うように前記階調変換手段を制御することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に係る電子カメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するため、本発明は、結像された被写体像を光電変換して電子的な画像データを得るための撮像手段と、該撮像手段による撮影時のシーンの輝度情報を検出する輝度検出手段と、前記撮像手段により得られた画像データに対し、階調変換処理を行う階調変換手段と、前記輝度検出手段により検出された輝度情報に応じて、階調変換特性を変更するように前記階調変換手段を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記輝度検出手段により検出された輝度情報の値の増減に応じて、コントラストが増減するように階調変換特性を変更すべく、前記階調変換手段を制御するようにして電子カメラを構成するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月17日(2007.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被写体を撮像して画像信号を出力する撮像手段と、
上記撮像手段により撮像された画像信号を基に所定の形式の画像データを得る画像処理手段と、
撮影時に、露出若しくは画質に係る撮影条件を補正する撮影条件補正手段と、
上記撮影条件補正手段により補正された撮影条件に基づいて、上記画像データから可視画像を形成するときの処理に係る補正を指示するための補正指示情報を設定する設定手段と、
上記設定手段により設定された可視画像を形成するときの処理に係る補正を指示するための補正指示情報を上記画像データに付随させて出力する出力手段と、
を備え、
上記設定手段は、上記撮影条件補正手段により補正された撮影条件に基づいて、上記画像データから可視画像を形成するときの少なくとも階調に係る処理、色に係る処理、及びシャープネスに係る処理の何れかを含む処理毎に補正を行うか否かを指示するための補正指示情報を設定する、
ことを特徴とする電子カメラ。
【請求項２】  上記設定手段は、
上記撮影条件補正手段により補正された撮影条件に基づいて、上記画像データから可視画像を形成するときの処理を組み合わせた複数の処理に係る補正を指示するための補正指示情報を設定する、
ことを特徴とする請求項１記載の電子カメラ。
【請求項３】  電子カメラと画像形成装置を含む電子カメラシステムであって、
上記電子カメラは、
被写体を撮像して画像信号を出力する撮像手段と、
上記撮像手段により撮像された画像信号を基に所定の形式の画像データを得る画像処理手段と、
撮影時に、露出若しくは画質に係る撮影条件を補正する撮影条件補正手段と、
上記撮影条件補正手段により補正された撮影条件に基づいて、上記画像データから可視画像を形成するときの処理に係る補正を指示するための補正指示情報を設定する設定手段と、
上記設定手段により設定された可視画像を形成するときの処理に係る補正を指示するための補正指示情報を上記画像データに付随させて出力する出力手段と、
を備え、
上記画像形成装置は、
画像形成対象となる画像データ及び該画像データに付随した補正指示情報を読み出す読み出し手段と、
上記読み出し手段により読み出された補正指示情報に基づいて画質形成処理を行う画像形成処理手段と、
上記画像形成処理手段により画像処理された画像データを出力する出力手段と、
を備えたことを特徴とする電子カメラシステム。
【請求項４】  上記設定手段は、
上記撮影条件補正手段により補正された撮影条件に基づいて、上記画像データから可視画像を形成するときの少なくとも階調に係る処理、色に係る処理、及びシャープネスに係る処理の何れかを含む処理毎に補正を行うか否かを指示するための補正指示情報を設定する、
ことを特徴とする請求項３記載の電子カメラシステム。
【請求項５】上記設定手段は、
上記撮影条件補正手段により補正された撮影条件に基づいて、上記画像データから可視画像を形成するときの処理を組み合わせた複数の処理に係る補正を指示するための補正指示情報を設定する、
ことを特徴とする請求項４記載の電子カメラシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の第一の態様である電子カメラは、被写体を撮像して画像信号を出力する撮像手段と、上記撮像手段により撮像された画像信号を基に所定の形式の画像データを得る画像処理手段と、撮影時に、露出若しくは画質に係る撮影条件を補正する撮影条件補正手段と、上記撮影条件補正手段により補正された撮影条件に基づいて、上記画像データから可視画像を形成するときの処理に係る補正を指示するための補正指示情報を設定する設定手段と、上記設定手段により設定された可視画像を形成するときの処理に係る補正を指示するための補正指示情報を上記画像データに付随させて出力する出力手段とを備え、上記設定手段は、上記撮影条件補正手段により補正された撮影条件に基づいて、上記画像データから可視画像を形成するときの少なくとも階調に係る処理、色に係る処理、及びシャープネスに係る処理の何れかを含む処理毎に補正を行うか否かを指示するための補正指示情報を設定する、ように構成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記の構成によれば、画像データから可視画像を形成するときの処理に係る補正を指示するための補正指示情報が、撮影時にユーザにより補正された撮影
条件（露出若しくは画質に係る撮影条件）に基づいて設定されるので、ユーザの撮影意図を可視画像形成時により正確に反映させることができる。尚、露出若しくは画質に係る撮影条件は、例えば、カメラモード（露出モード、測光モード、露出補正、コントラスト、彩度、ホワイトバランス、シャープネス、ＩＳＯ感度等）等を含むものである。また、補正指示情報は、例えば、明るさ、コントラスト、ホワイトバランス、彩度、シャープネス等に係る処理の処理毎に補正を行うか否かを示す情報等である。また、上記の構成によれば、補正指示情報として、少なくとも階調、色、シャープネスに係る処理の何れかを含む処理毎に、補正を行うか否かの指示を設定することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
尚、上述した本発明の第一の態様において、上記設定手段は、上記撮影条件補正手段により補正された撮影条件に基づいて、上記画像データから可視画像を形成するときの処理を組み合わせた複数の処理に係る補正を指示するための補正指示情報を設定するようにしても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月7日(2007.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  メッセージを送受信することでハンドシェイク手順を実行する通信装置において、通信チャネル確立後にハンドシェイク手順で定められた第１のメッセージを送信し、その後受信が予定されるメッセージを正しく受信できなかったと判断した場合には、最終正常受信メッセージが存在しない旨を含む再送信要求メッセージを送信し、一方、通信チャネル確立後にハンドシェイク手順で定められた第１のメッセージを受信し、この第１のメッセージを受信した後に第２のメッセージを送信し、その後最終正常受信メッセージが存在しない旨を含む再送信要求メッセージを受信した場合には、第２のメッセージを再度送信する制御手段を具備する通信装置。
【請求項２】  前記第１、２のメッセージは、各々、ＩＴＵ−Ｔ勧告Ｇ．９９４．１で規定されたＣＬＲメッセージ、ＣＬメッセージである請求項１記載の通信装置。
【請求項３】  前記第１、２のメッセージは、各々、ＩＴＵ−Ｔ勧告Ｇ．９９４．１で規定されたＭＳメッセージ、ＡＣＫメッセージである請求項１記載の通信装置。
【請求項４】  メッセージを送受信することでハンドシェイク手順を実行する通信装置において、通信チャネル確立後にハンドシェイク手順で定められた第１のメッセージを送信し、その後受信が予定されるメッセージを正しく受信できなかったと判断した場合には、最終正常受信メッセージが存在しない旨を含む再送信要求メッセージを送信し、一方、通信チャネル確立後にハンドシェイク手順で定められた第１のメッセージを正しく受信できなかったと判断した場合には、最終正常受信メッセージが存在しない旨を含む再送信要求メッセージを送信し、この再送信要求メッセージを送信した後に最終正常受信メッセージが存在しない旨を含む再送信要求メッセージを受信したならば通信を終了させる第２のメッセージを送信する制御手段を具備する通信装置。
【請求項５】  前記第１、２のメッセージは、各々、ＩＴＵ−Ｔ勧告Ｇ．９９４．１で規定されたＣＬＲメッセージ、ＮＡＫ−ＣＤメッセージである請求項４記載の通信装置。
【請求項６】  メッセージを送受信することでハンドシェイク手順を実行する通信装置において、通信チャネル確立後にハンドシェイク手順で定められた第１のメッセージを送信し、その後受信が予定されるメッセージを正しく受信できなかったと判断した場合には、最終正常受信メッセージが存在しない旨を含む再送信要求メッセージを送信し、この再送信要求メッセージを送信した後に第１のメッセージが最終正常受信メッセージである旨を含む再送信要求メッセージを受信したならば、最終正常受信メッセージが存在しない旨を含む再送信要求メッセージを送信し、一方、通信チャネル確立後にハンドシェイク手順で定められた第１のメッセージを受信し、この第１のメッセージを受信した後に第２のメッセージを送信し、その後受信が予定されるメッセージを正しく受信できなかったと判断した場合には、第１のメッセージが最終正常受信メッセージである旨を含む再送信要求メッセージを送信し、この再送信要求メッセージを送信した後に最終正常受信メッセージが存在しない旨を含む再送信要求メッセージを受信したならば、第２のメッセージを再度送信する制御手段を具備する通信装置。
【請求項７】  前記第１、２のメッセージは、各々、ＩＴＵ−Ｔ勧告Ｇ．９９４．１で規定されたＣＬＲメッセージ、ＣＬメッセージである請求項６記載の通信装置。
【請求項８】  前記第１、２のメッセージは、各々、ＩＴＵ−Ｔ勧告Ｇ．９９４．１で規定されたＭＳメッセージ、ＡＣＫメッセージである請求項６記載の通信装置。
【請求項９】  メッセージを送受信することでハンドシェイク手順を実行する通信装置において、通信チャネル確立後にハンドシェイク手順で定められた第１のメッセージを送信し、その後受信が予定されるメッセージを正しく受信できなかったと判断した場合には、最終正常受信メッセージが存在しない旨を含む再送信要求メッセージを送信し、その後再び受信が予定されるメッセージを正しく受信できなかったと判断したならば、最終正常受信メッセージが存在しない旨を含む再送信要求メッセージを送信し、一方、通信チャネル確立後にハンドシェイク手順で定められた第１のメッセージを受信し、この第１のメッセージを受信した後に第２のメッセージを送信し、その後受信が予定されるメッセージを正しく受信できなかったと判断した場合には、第１のメッセージが最終正常受信メッセージである旨を含む再送信要求メッセージを送信し、この再送信要求メッセージを送信した後に最終正常受信メッセージが存在しない旨を含む再送信要求メッセージを受信したならば、第２のメッセージを再度送信する制御手段を具備する通信装置。
【請求項１０】  前記第１、２のメッセージは、各々、ＩＴＵ−Ｔ勧告Ｇ．９９４．１で規定されたＣＬＲメッセージ、ＣＬメッセージである請求項９記載の通信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月29日(2006.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
時間順次で、前記光源の光から複数の色光を所定の周波数で繰り返し生成する回転カラーフィルタと、
該複数の色光のそれぞれに対応した画像を生成し、該複数の色光を処理する電気光学装置と、
前記回転カラーフィルタの回転駆動と、前記電気光学装置の駆動タイミングとを同期させるように制御する駆動回路と、
を備え、
前記駆動回路は、前記所定の周波数が２５０Ｈｚ以上となるように、前記回転カラーフィルタの回転数を制御するカラー表示装置。
【請求項２】
互いに異なる色光を発光し、複数の色光を所定の周波数で繰り返し発光する複数の光源と、
該複数の色光のそれぞれに対応した画像を生成し、該複数の色光を処理する電気光学装置と、
前記複数の光源の点灯タイミングと、前記電気光学装置の駆動タイミングとを同期させるように制御する駆動回路と、
を有し、
前記駆動回路は、前記所定の周波数が２５０Ｈｚ以上となるように、前記複数の光源の点灯タイミングを制御するカラー表示装置。
【請求項３】
前記所定の周波数は３００Ｈｚ以上である、請求項１または２記載のカラー表示装置。
【請求項４】
前記電気光学装置は反射型の電気光学装置である、請求項１〜３のいずれかに記載のカラー表示装置。
【請求項５】
前記電気光学装置は液晶装置である、請求項４記載のカラー表示装置。
【請求項６】
前記電気光学装置はデジタルマイクロミラーデバイスである、請求項４記載のカラー表示装置。
【請求項７】
前記電気光学装置は透過型電気光学装置である、請求項１〜３のいずれかに記載のカラー表示装置。
【請求項８】
前記画像を投写するレンズをさらに有した、請求項１〜７のいずれかに記載のカラー表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】カラー表示装置