Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月30日(2007.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディジタル放送を受信するチューナ部と、
該チューナ部にて受信された受信信号を復調して目的とする情報を取り出すための復調部と、
前記情報を保持する記憶部と、
ディジタル放送を受信可能な他のディジタル放送受信端末を着脱可能に接続する接続部とを備えることを特徴とするディジタル放送受信端末。
【請求項２】
前記ディジタル放送受信端末が、さらに、前記ディジタル放送受信端末と前記他のディジタル放送受信端末との接続状態を監視して検知する接続状態監視部を備えることを特徴とする請求項１記載のディジタル放送受信端末。
【請求項３】
前記他のディジタル放送受信端末が前記ディジタル放送受信端末に接続されている場合、前記他のディジタル放送受信端末は、任意のチャネルのサービスに関する情報を順次検索し、前記ディジタル放送受信端末は、前記他のディジタル放送受信端末による検索の結果として取得されたサービスに関する情報を前記記憶部にプリセットし、前記ディジタル放送受信端末での現在のチャネルを変更する際に、前記サービスに関する情報を前記記憶部から読み出すことを特徴とする請求項１記載のディジタル放送受信端末。
【請求項４】
前記他のディジタル放送受信端末が前記ディジタル放送受信端末に接続されている場合、前記他のディジタル放送受信端末は、任意のチャネルの電子番組ガイドに関する情報を順次検索し、前記ディジタル放送受信端末は、前記他のディジタル放送受信端末による検索の結果として取得された電子番組ガイドに関する情報を前記記憶部に格納することを特徴とする請求項１記載のディジタル放送受信端末。
【請求項５】
前記他のディジタル放送受信端末が前記ディジタル放送受信端末に接続されている場合、前記他のディジタル放送受信端末は、任意のチャネルの緊急警報を監視し、前記ディジタル放送受信端末は、前記他のディジタル放送受信端末による監視の結果として取得された緊急警報を選択し、前記ディジタル放送受信端末での現在のチャネルを前記緊急警報の緊急サービスに切り替えることを特徴とする請求項１記載のディジタル放送受信端末。
【請求項６】
前記他のディジタル放送受信端末が前記ディジタル放送受信端末に接続されている場合、前記他のディジタル放送受信端末にて受信されたチャネルの情報を前記ディジタル放送受信端末に切り替えて表示するようにし、または、前記ディジタル放送受信端末にて受信されたチャネルの情報を前記他のディジタル放送受信端末に切り替えて表示するようにしたことを特徴とする請求項１記載のディジタル放送受信端末。
【請求項７】
前記他のディジタル放送受信端末が前記ディジタル放送受信端末に接続されている場合、前記ディジタル放送受信端末によるチャネルの受信中に当該チャネルの受信が困難であると判断されたときに、前記他のディジタル放送受信端末での強階層の受信サービス方式に切り替えて当該チャネルを受信し、前記他のディジタル放送受信端末にて受信され復調された当該チャネルの音声および映像の少なくとも一方に関する情報を、前記ディジタル放送受信端末から途切れなく出力することを特徴とする請求項１記載のディジタル放送受信端末。
【請求項８】
前記他のディジタル放送受信端末が前記ディジタル放送受信端末に接続されている場合、前記他のディジタル放送受信端末にて受信されたチャネルの情報を前記ディジタル放送受信端末にて同時に表示するようにし、または、前記ディジタル放送受信端末にて受信されたチャネルの情報を前記他のディジタル放送受信端末にて同時に表示するようにしたことを特徴とする請求項１記載のディジタル放送受信端末。
【請求項９】
前記他のディジタル放送受信端末が前記ディジタル放送受信端末に接続されている場合、前記ディジタル放送受信端末にて作成された番組予約に関する情報を前記他のディジタル放送受信端末で利用することが可能であり、または、前記他のディジタル放送受信端末にて作成された番組予約に関する情報を前記ディジタル放送受信端末で利用することが可能であることを特徴とする請求項１記載のディジタル放送受信端末。
【請求項１０】
前記ディジタル放送受信端末が、ホーム用ディジタル放送受信端末または車載用ディジタル放送受信端末であり、前記他のディジタル放送受信端末が携帯用ディジタル放送受信端末であることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載のディジタル放送受信端末。
【請求項１１】
ディジタル放送の特定のチャネルの電波を選択的に受信する第１のチューナ部と、該第１のチューナ部にて受信された受信信号を復調して目的とする情報を取り出すための第１の復調部と、前記情報を保持する第１の記憶部とを有する第１のディジタル放送受信端末と、
前記ディジタル放送の特定のチャネルの電波を選択的に受信する第２のチューナ部と、 該第２のチューナ部にて受信された受信信号を復調して目的とする情報を取り出すための第２の復調部と、前記情報を保持する第２の記憶部とを有する他のディジタル放送受信端末とを備え、
前記第２のディジタル放送受信端末が着脱可能に接続されるように構成されることを特徴とするディジタル放送受信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ディジタル放送受信端末およびディジタル放送受信装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
さらに、図２の携帯用ディジタル放送受信端末６においては、操作スイッチ６−８ａから入力されたデータや受信したチャネル内の各種の情報等を格納するためのメモリであるＲＡＭ６−６ａおよびＲＯＭ６−６ｂが設けられている。なお、上記のメモリとして、携帯用ＣＰＵ６−７に内蔵のＲＡＭやＲＯＭ等を利用することもできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
図１０の実施例のホーム用ディジタル放送受信端末７においては、放送局から送信される地上波ディジタル放送の電波を、ホーム用アンテナＡ−７を通して選択的に受信するホーム用チューナ部７−１が設けられている。このホーム用チューナ部７−１は、ホーム用アンテナＡ−７を通して受信された地上波ディジタル放送の複数のチャネルの中から特定のチャネルの電波を選択的に取り出すチャネル選局処理部と、当該チャネルの電波を中間周波信号に変換するための周波数変換部とを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月1日(2007.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
近年、コンピュータ技術の目覚ましい発展の下で、コンピュータがもつ画像処理性能は著しく向上している。一般消費者向けのＰＣ（パーソナルコンピュータ）やゲーム専用機であっても、かつては画像処理用ワークステーションなどのハイエンド機によって行われていた各種処理を容易に実現できるまでに至った。また、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）が現在のように広く利用されるようになったのは、専用の再生機や録画機の普及だけでなく、ＰＣやゲーム機への搭載によるところが大きい。
【特許文献１】米国特許第６５６３９９９号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月21日(2006.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
符号化対象として入力される入力データ列において、データの値を変換すべき部分データ列を選択する選択手段と、
前記選択手段により選択された部分データ列に含まれる複数のデータ値に基づいて、変換用のデータ値を決定する変換値決定手段と、
前記選択手段により選択された部分データ列の値を、前記変換値決定手段により決定されたデータ値に変換するデータ変換手段と、
前記データ変換手段により部分データ列の値が変換された入力データ列を符号化する符号化手段と
を有する符号化装置。
【請求項２】
前記変換値決定手段は、部分データ列に含まれる複数のデータ値に基づいて決定される平均値、中央値又は最頻値を、前記変換用のデータ値とし、
前記データ変換手段は、この部分データ列に含まれる各データの値を、前記変換値決定手段により決定された平均値、中央値又は最頻値に変換する
請求項１に記載の符号化装置。
【請求項３】
前記選択手段は、互いに連続するデータ列のうち、データの値が既定の範囲内におさまるデータ列を、前記部分データ列として選択する
請求項１又は２に記載の符号化装置。
【請求項４】
符号化対象として入力される入力データ列において互いに連続するデータ列の中から、データの値を変換すべき部分データ列を選択する選択手段と、
前記選択手段により選択された部分データ列に含まれるデータであってこの部分データ列の両端以外のデータの値を用いて、変換用のデータ値を決定する変換値決定手段と、
前記選択手段により選択された部分データ列の値を、前記変換値決定手段により決定されたデータ値に変換するデータ変換手段と、
前記データ変換手段により部分データ列の値が変換された入力データ列を符号化する符号化手段と
を有する符号化装置。
【請求項５】
前記選択手段は、入力データ列に含まれるいずれかのデータと、このデータの後続データ列であり、かつ、このデータの値を基準として既定の範囲内の値をとるデータ列とを、前記部分データ列として選択する
請求項３又は４に記載の符号化装置。
【請求項６】
符号化対象として入力される画像データにおいて、画素値を変換すべき近接画素群を選択する選択手段と、
前記選択手段により選択された近接画素群に含まれる複数の画素の画素値に基づいて、変換用の画素値を決定する変換値決定手段と、
前記選択手段により選択された近接画素群の画素値を、前記変換値決定手段により決定された変換用の画素値に変換するデータ変換手段と、
前記データ変換手段により近接画素群の画素値が変換された画像データを符号化する符号化手段と
を有する符号化装置。
【請求項７】
前記変換値決定手段は、画像領域に応じて、変換用の画素値を決定する方法を切り替える
請求項６に記載の符号化装置。
【請求項８】
コンピュータを含む符号化装置において、
符号化対象として入力される入力データ列において、データの値を変換すべき部分データ列を選択するステップと、
選択された部分データ列に含まれる複数のデータ値に基づいて、変換用のデータ値を決定するステップと、
選択された部分データ列の値を、決定されたデータ値に変換するステップと、
部分データ列の値が変換された入力データ列を符号化するステップと
を前記符号化装置のコンピュータに実行させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、符号化対象となる入力データ列の値を変化させて符号化する符号化装置及びプログラムに関する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月17日(2006.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一チャンネルにつき複数のセグメントで構成される放送信号を受信する受信手段と、
この受信手段により受信された複数のセグメントの内、第１のセグメント群に含まれる放送データを復号する第１の復号手段と、
前記受信手段により受信された複数のセグメントの内、第２のセグメントに含まれる放送データを復号する第２の復号手段と、
前記第１の復号手段または前記第２の復号手段による復号処理によって生成された映像情報に基づく画面を表示する表示手段と、
任意のチャンネルの受信の開始を指示する指示手段と、
この指示手段によって任意のチャンネルの指示が検出されると、このチャンネルに対応する複数のセグメントを受信し、前記第１の復号手段よる復号処理と前記第２の復号手段による復号処理とを同時に行うよう制御する復号制御手段と、
この復号制御手段による復号処理の結果、先に映像情報が生成された方の画面を優先的に前記表示手段に表示させる表示制御手段と
を備えたことを特徴とする放送受信装置。
【請求項２】
前記表示制御手段によって表示された画面が前記第２の復号手段によって生成された映像情報に基づくものである場合、前記第１の復号手段による映像情報の生成が完了した時点で前記第１の復号手段によって生成された映像情報に基づく画面に切り替える切替手段を更に備えたことを特徴とする請求項１に記載の放送受信装置。
【請求項３】
一チャンネルにつき複数のセグメントで構成される放送信号を受信する受信部と、前記受信部にて受信された複数のセグメントの内、第１のセグメント群に含まれる放送データを復号する第１の復号部と、前記受信部にて受信された複数のセグメントの内、第２のセグメントに含まれる放送データを復号する第２の復号部と、復号された映像情報に基づく画面を表示する表示部とを備えた電子機器における表示制御方法であって、
任意のチャンネルの受信の開始を指示する指示ステップと、
この指示ステップにて任意のチャンネルの指示が検出されると、前記受信部にこのチャンネルに対応する複数のセグメントを受信させ、前記第１の復号部による復号処理と前記第２の復号部による復号処理とを同時に行うよう制御する復号制御ステップと、
この復号制御ステップによる復号処理の結果、先に映像情報が生成された方の画面を優先的に前記表示部に表示させる表示制御ステップと
からなることを特徴とする表示制御方法。
【請求項４】
一チャンネルにつき複数のセグメントで構成される放送信号を受信する受信部と、前記受信部にて受信された複数のセグメントの内、第１のセグメント群に含まれる放送データを復号する第１の復号部と、前記受信部にて受信された複数のセグメントの内、第２のセグメントに含まれる放送データを復号する第２の復号部と、復号された映像情報に基づく画面を表示する表示部とを備えたコンピュータを、
任意のチャンネルの受信の開始を指示する指示手段、
この指示手段によって任意のチャンネルの指示が検出されると、前記受信部にこのチャンネルに対応する複数のセグメントを受信させ、前記第１の復号部による復号処理と前記第２の復号部による復号処理とを同時に行うよう制御する復号制御手段、
この復号制御手段による復号処理の結果、先に映像情報が生成された方の画面を優先的に前記表示部に表示させる表示制御手段
として機能させることを特徴とする表示制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】放送受信装置、表示制御方法、および、表示制御プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、地上波デジタルテレビ放送を受信する放送受信装置、および、表示制御方法に関し、詳細には、ＩＳＤＢ−Ｔ方式の地上波デジタルテレビジョン放送信号を受信して当該放送番組の情報（画音または文字等）を再生表示する放送受信装置、表示制御方法、および、表示制御プログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明は、一チャンネルにつき複数のセグメントで構成される放送信号を受信する受信部と、前記受信部にて受信された複数のセグメントの内、第１のセグメント群に含まれる放送データを復号する第１の復号部と、前記受信部にて受信された複数のセグメントの内、第２のセグメントに含まれる放送データを復号する第２の復号部と、復号された映像情報に基づく画面を表示する表示部とを備えた電子機器における表示制御方法であって、任意のチャンネルの受信の開始を指示する指示ステップと、この指示ステップにて任意のチャンネルの指示が検出されると、前記受信部にこのチャンネルに対応する複数のセグメントを受信させ、前記第１の復号部による復号処理と前記第２の復号部による復号処理とを同時に行うよう制御する復号制御ステップと、この復号制御ステップによる復号処理の結果、先に映像情報が生成された方の画面を優先的に前記表示部に表示させる表示制御ステップとからなることを特徴とする。
また、本発明は、一チャンネルにつき複数のセグメントで構成される放送信号を受信する受信部と、前記受信部にて受信された複数のセグメントの内、第１のセグメント群に含まれる放送データを復号する第１の復号部と、前記受信部にて受信された複数のセグメントの内、第２のセグメントに含まれる放送データを復号する第２の復号部と、復号された映像情報に基づく画面を表示する表示部とを備えたコンピュータを、任意のチャンネルの受信の開始を指示する指示手段、この指示手段によって任意のチャンネルの指示が検出されると、前記受信部にこのチャンネルに対応する複数のセグメントを受信させ、前記第１の復号部による復号処理と前記第２の復号部による復号処理とを同時に行うよう制御する復号制御手段、この復号制御手段による復号処理の結果、先に映像情報が生成された方の画面を優先的に前記表示部に表示させる表示制御手段として機能させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月21日(2006.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の周波数帯で発振動作可能に構成され受信信号と合成される発振信号を生成する第１発振回路と、
受信信号と前記第１発振回路により生成された前記発振信号を合成して前記受信信号を前記受信信号よりも周波数の低い変換信号に変換する第１周波数変換回路と、
複数の周波数帯で発振動作可能に構成され所望の周波数の送信信号を生成する第２発振回路とを備え、
１つの半導体基板上に形成され、送信および受信を行なわない第１の動作モードと、送信または受信を開始する前の準備を行なう第２の動作モードと、送信または受信を行なう第３の動作モードとを有し、
前記第１の動作モードでは前記第１発振回路と第２発振回路の動作が停止され、
前記第２の動作モードでは前記第２発振回路または前記第１発振回路および第２発振回路における使用周波数帯の選択動作を行なうようにされた通信用半導体集積回路であって、
前記第１発振回路を含み水晶発振回路からの発振信号を基準信号として所望の周波数の信号を生成する高周波信号発生回路と、
前記第１周波数変換回路を含む受信系回路と、
前記第２発振回路を含む送信系回路とが、それぞれ絶縁物で分離された異なる半導体領域に形成されていることを特徴とする通信用半導体集積回路。
【請求項２】
前記受信系回路が形成された半導体領域と前記送信系回路が形成された半導体領域との下には、共通の絶縁物を介して共通の半導体領域があることを特徴とする請求項１に記載の通信用半導体集積回路。
【請求項３】
前記送信系回路は、前記第２発振回路から出力される送信信号の検出信号と前記第１発振回路により生成された発振信号もしくはそれを分周した信号とを受けて合成しその周波数差に相当する周波数を有する出力信号を生成する信号合成回路と、
該信号合成回路の出力信号の位相と変調後の信号の位相とを比較して位相差を検出する位相差検出回路と、
該位相差検出回路により検出された位相差に応じた電圧を生成するループフィルタとを含み、
該ループフィルタにより生成された電圧により前記第２発振回路の発振周波数が制御される制御ループを備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の通信用半導体集積回路。
【請求項４】
前記制御ループを開いた状態で前記第２発振回路に所定レベルの電位を制御電圧として供給可能な切替え手段と、
前記第２発振回路の出力信号を指定された分周比で分周する可変分周回路と、
前記第１発振回路により生成された発振信号を所定の分周比で分周する固定分周回路と、
前記可変分周回路の出力信号の位相と前記固定分周回路の出力信号の位相とを比較して位相の進み遅れを検出する位相比較回路と、該位相比較回路の出力に応じて前記第２発振回路の使用周波数帯を決定するバンド選択回路とを備え、
前記バンド選択回路は、前記切替え手段により前記所定レベルの電位を前記第２発振回路に供給した状態で、前記可変分周回路の出力信号の位相と前記固定分周回路の出力信号の位相との比較と、その比較結果による選択周波数の変更とを繰り返し実行して２分探査方式で所望の選択周波数帯を選択することを特徴とする請求項３に記載の通信用半導体集積回路。
【請求項５】
前記第１発振回路により生成される発振信号よりも周波数の低い発振信号を生成する第３発振回路を備え、
前記第１発振回路および第３発振回路は各々外部より供給される発振周波数に関する情報に基づいて発振動作するようにされ、
前記第２発振回路は前記第１発振回路の発振周波数に関する情報および第３発振回路の発振周波数に関する情報から得られた情報に基づいて発振動作するようにされていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の通信用半導体集積回路。
【請求項６】
前記第１発振回路と前記第２発振回路は、時間的に並行して使用周波数帯の選択動作が行なわれることを特徴とする請求項４または５に記載の通信用半導体集積回路。
【請求項７】
前記第３発振回路は、複数の周波数帯で発振動作可能に構成され、前記第１発振回路および前記第２発振回路と時間的に並行して使用周波数帯の選択動作が行なわれることを特徴とする請求項５に記載の通信用半導体集積回路。
【請求項８】
前記第１発振回路と前記第２発振回路における使用周波数帯の選択動作は、前記第２動作モードにおいて行なわれることを特徴とする請求項６または７に記載の通信用半導体集積回路。
【請求項９】
前記バンド選択回路は、前記可変分周回路の出力信号の位相と前記固定分周回路の出力信号の位相とを比較することで選択された前記第２発振回路の発振周波数帯を示す信号に所定の値を加えて所望の選択周波数帯を指定する信号を生成するオフセット付与回路を有することを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の通信用半導体集積回路。
【請求項１０】
複数の周波数帯で発振動作可能に構成され受信信号と合成される発振信号を生成する発振回路と、
受信信号と前記発振回路により生成された前記発振信号を合成して前記受信信号を前記受信信号よりも周波数の低い変換信号に変換する第１周波数変換回路と、
変調後の送信信号と前記発振回路により生成された発振信号を合成して前記変調後の送信信号より周波数の高い送信信号に変換する第２周波数変換回路とを備え、
１つの半導体基板上に形成され、送信および受信を行なわない第１の動作モードと、送信または受信を開始する前の準備を行なう第２の動作モードと、送信または受信を行なう第３の動作モードと、を有し、
前記第１の動作モードでは前記発振回路の動作が停止され、前記第２の動作モードでは前記発振回路における所望の周波数帯の選択動作を行なうようにされた通信用半導体集積回路であって、
前記発振回路を含み水晶発振回路からの発振信号を基準信号として所望の周波数の信号を制御する高周波信号発生回路と、
前記第１周波数変換回路を含む受信系回路と、前記第２周波数変換回路を含む送信系回路とが、それぞれ絶縁物で分離された異なる半導体領域に形成されていることを特徴とする通信用半導体集積回路。
【請求項１１】
前記第１周波数変換回路は直交復調機能を有するように構成され、該第１周波数変換回路により復調されたアナログＩ，Ｑ信号をディジタル信号に変換して出力するＡＤ変換回路を備えることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の通信用半導体集積回路。
【請求項１２】
請求項５〜１１のいずれかに記載の通信用半導体集積回路と、送受信データのベースバンド処理を行なうベースバンド回路とからなり、前記発振周波数に関する情報が前記ベースバンド回路から前記通信用半導体集積回路に供給されるようにされていることを特徴とする無線通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月1日(2006.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
ステップ４０２では、撮影装置１０４の撮影制御部２１０は、上記撮影要請装置１０８と同様に、管理装置１０１に対して撮影装置１０４の登録情報を、撮影通信部２０４により送信する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
入力ボックス９０８では、撮影要請端末１０８のＩＤを入力することで、指定した撮影要請端末１０８以外の撮影要請を却下するように設定できる。初期設定“指定しない”では、撮影要請端末１０８に特に指定を設けず、いずれの撮影要請も受け付ける設定となっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
ステップ４１８では、撮影要請端末１０８を操作する撮影要請者１０７は、端末操作部３０４からの入力により、撮影を行う撮影装置１０４を、表示されたリスト１０２より選択する。このときの、端末表示部３０３での表示方法は、図１０に示すようにテキスト情報で表すことも可能であるし、図１１のようなアイコンで表示してもよいし、図２０のようにマップ形式で表現してもよい。さらには撮影要請端末１０８内に具備した音声出力用スピーカ３０２から音声情報として撮影可能装置リストの情報を出力してもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８９】
（実施形態１７）実施形態１２および実施形態１３の管理装置の撮影装置情報受信手段、撮影装置情報送信手段、撮影要請受信手段および撮影要請送信手段における情報伝達手段はテキスト・画像・音声などの手段のうち少なくとも一つ以上が含まれることを特徴とする管理装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９９】
（実施形態２７） 実施形態２３および実施形態２４の撮影要請装置の撮影装置情報受信手段および撮影要請送信手段における情報伝達手段はテキスト・画像・音声などの手段のうち少なくとも一つ以上が含まれることを特徴とする撮影要請装置。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４Ａ】
2005167504.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４Ｂ】
2005167504.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月25日(2007.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピン層を形成し、前記ピン層を覆う分離層を形成し、二重複合自由層を形成し、前記二重複合自由層を形成することは、ＣｏＦｅを含む第１フリー層を形成し、ＮｉＦｅを含む第２フリー層を形成し、前記第１フリー層を形成し、前記第２フリー層を形成することは、前記第１フリー層の所望の第１膜厚を形成し、かつ、前記第２フリー層の所望の第２膜厚を形成することで、前記第１フリー層の前記第２フリー層に対する膜厚比を形成することを含み、前記第１フリー層と前記第２フリー層との組成を変更せずに、所望の磁気歪を実現するように前記第１層厚と第２層厚との比を選択することを特徴とする磁気記憶装置のフリー層における磁気歪を制御する方法。
【請求項２】
前記分離層が導体層であることを特徴とする請求項１記載の磁気記憶装置のフリー層における磁気歪を制御する方法。
【請求項３】
前記分離層が絶縁層であることを特徴とする請求項１記載の磁気記憶装置のフリー層における磁気歪を制御する方法。
【請求項４】
ピン層と、前記ピン層を覆う分離層と、二重複合自由層と、を有し、前記二重複合自由層は、ＣｏＦｅを含む第１フリー層と、ＮｉＦｅを含む第２フリー層と、を有し、前記第１フリー層は、所望の第１層厚を有し、前記第２フリー層は、所望の第２膜厚を有し、かつ、前記第１フリー層と前記第２フリー層との組成を変更せずに、所望の磁気歪を実現するように前記第１層厚と第２層厚との比を選択することを特徴とする磁気センサ。
【請求項５】
前記分離層が導体層であることを特徴とする請求項４記載の磁気センサ。
【請求項６】
前記分離層は絶縁層であることを特徴とする請求項４記載の磁気センサ。
【請求項７】
ピン層と前記ピン層を覆って形成された絶縁層と、二重複合自由層と、を有し、前記二重複合自由層は、ＣｏＦｅを含む第１フリー層と、ＮｉＦｅを含む第２フリー層と、を有し、前記第１フリー層は、所望の第１層厚を有し、前記第２フリー層は、所望の第２膜厚を有し、かつ、前記第１フリー層と前記第２フリー層との組成を変更せずに、所望の磁気歪を実現するように前記第１層厚と第２層厚との比を選択する磁気トンネル接合デバイスと、
前記磁気トンネル接合デバイスに連結された電流源と、
前記第1および第2フリー層の磁気配向に基づく前記磁気トンネル接合デバイスを介して電気抵抗を検出するために前記磁気トンネル接合デバイスに連結された磁気抵抗検出器とを備えた磁気トンネル接合センサ。
【請求項８】
可動磁気記録媒体と、
ピン層と前記ピン層を覆って形成された分離層と、二重複合自由層と、を有し、前記二重複合自由層は、前記分離層上に形成された、ＣｏＦｅを含む第１フリー層と、前記第１フリー層上に形成された、ＮｉＦｅを含む第２フリー層と、を有し、前記第１フリー層は、所望の第１層厚を有し、前記第２フリー層は、所望の第２膜厚を有し、かつ、前記第１フリー層と前記第２フリー層との組成を変更せずに、所望の磁気歪を実現するように前記第１層厚と第２層厚との比を選択する前記可動記録媒体の磁気信号を検知する磁気センサと、
前記第1および第2フリー層の磁気配向に基づき前記磁気センサを介して電気抵抗を検出するために前記磁気センサに連結された磁気抵抗検出器と、
前記媒体に応じて前記センサを移動させるため前記磁気センサに結合されたアクチュエータとを備えた磁気記憶システム。
【請求項９】
第１層厚を有する、ＣｏＦｅを含む第１フリー層と、前記第１フリー層を覆って形成された第２層厚を有する、ＮｉＦｅを含む第２フリー層とを有し、前記第１フリー層と前記第２フリー層との組成を変更せずに、所望の磁気歪を実現するように前記第１層厚と第２層厚との比を選択する二重フリー層構造と、
磁気モーメントを有す強磁性ピン層構造と、
前記フリー層構造と前記ピン層構造との間に配置された非磁性導電性分離層と、
前記ピン層構造の前記磁気モーメントを固定させる前記ピン層構造に連結した反強磁性ピニング層と、
前記フリー層構造の両側に前記フリー層構造と隣接する関係にある硬質磁気薄膜と、
前記ピニング層構造に隣接するシード層構造とを備えたスピンバルブセンサ。
【請求項１０】
第１層厚を有する、ＣｏＦｅを含む第１フリー層と、前記第１フリー層を覆って形成された第２層厚を有する、ＮｉＦｅを含む第２フリー層とを有し、前記第１フリー層と前記第２フリー層との組成を変更せずに、所望の磁気歪を実現するように前記第１層厚と第２層厚との比を選択する二重フリー層構造と、
磁気モーメントを有す自己固定層構造と、
前記フリー層構造と前記自己固定層構造との間に配置された非磁性導電性分離層と、
前記フリー層構造の両側に前記フリー層構造と隣接する関係にある硬質磁気薄膜と、
この固定させる層構造に隣接するシード層構造とを備えたスピンバルブセンサ。
【請求項１１】
固定された磁気配向を提供する手段と、
磁界を検知する、所望の第１層厚をＣｏＦｅを含む第１手段が有し、磁界を検知する、所望の第２層厚をＮｉＦｅを含む第２手段が有すように、回転自由な磁化を提供する第１および第２手段を備えた、磁界を検知し固定された磁気配向を提供するために前記手段を覆って配置された二重層の手段と、
前記二重層の手段から磁界を固定させる手段を分離する手段とからなる磁気センサであり、前記第１フリー層と前記第２フリー層との組成を変更せずに、所望の磁気歪を実現するように前記第１層厚と第２層厚との比を選択する磁気センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月4日(2007.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、プラズマＣＶＤ法により、珪素からなる下地層を形成し、
前記下地層上に、液滴吐出法でゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記下地層をエッチングし、
前記ゲート電極上に、ゲート絶縁層、セミアモルファス半導体層、絶縁層を積層して形成し、
前記ゲート電極と重なるように、前記絶縁層上に、液滴吐出法で第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを用いて、前記絶縁層をエッチングしてチャネル保護層を形成し、
前記チャネル保護層上に、一導電型の不純物を含有する半導体層を形成し、
前記一導電型の不純物を含有する半導体層上に、液滴吐出法で第２のマスクを形成し、
前記第２のマスクを用いて、前記セミアモルファス半導体層と、前記一導電型の不純物を含有する半導体層をエッチングし、
前記一導電型の不純物を含有する半導体層上に、液滴吐出法でソース配線及びドレイン配線を形成し、
前記ソース配線及び前記ドレイン配線をマスクとして、前記チャネル保護層上の前記一導電型の不純物を含有する半導体層をエッチングし、
前記ゲート絶縁層として、第１の窒化珪素層、樹脂層、第２の窒化珪素層を積層して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に、プラズマＣＶＤ法により、珪素からなる下地層を形成し、
前記下地層上に、液滴吐出法でゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記下地層をエッチングし、
前記ゲート電極上に、ゲート絶縁層、セミアモルファス半導体層、一導電型の不純物を含有する半導体層を積層して形成し、
前記ゲート電極と重なるように、前記一導電型の不純物を含有する半導体層上に、液滴吐出法で第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを用いて、前記セミアモルファス半導体層と前記一導電型の不純物を含有する半導体層をエッチングし、
前記一導電型の不純物を含有する半導体層上に、液滴吐出法で、ソース配線及びドレイン配線を形成し、
前記ソース配線及び前記ドレイン配線をマスクとして、前記一導電型の不純物を含有する半導体層をエッチングし、
前記ゲート絶縁層として、第１の窒化珪素層、樹脂層、第２の窒化珪素層を積層して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記ゲート絶縁層、前記半導体層および前記絶縁層は、大気に晒すことなく連続的に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記ゲート電極は、銀、金、又は銅を含む材料を吐出して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２において、
前記セミアモルファス半導体層は、酸素濃度が５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１または請求項２において、
前記セミアモルファス半導体は、酸素濃度が１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１または請求項２において、
前記セミアモルファス半導体層は、結晶粒が分散した非晶質半導体層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１または請求項２において、
前記セミアモルファス半導体層は、０．５〜２０ｎｍの結晶粒が分散した非晶質半導体層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１または請求項２において、
前記セミアモルファス半導体層は、珪化物気体を用いてプラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１または請求項２において、
前記セミアモルファス半導体層は、珪化物気体を希ガス元素で希釈した気体を用いてプラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１または請求項２において、
前記セミアモルファス半導体層は、珪化物気体に炭化物気体を混入させた気体を用いてプラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１または請求項２において、
前記セミアモルファス半導体層は、珪化物気体にゲルマニウム化気体を混入させた気体を用いてプラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記珪化物気体は、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、又はＳｉＦ４であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０において、
前記希ガス元素は、水素、ヘリウム、アルゴン、クリプトン及びネオンから選ばれた１種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１１において、
前記炭化物気体は、ＣＨ４又はＣ２Ｈ６であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１２において、
前記ゲルマニウム化気体は、ＧｅＨ４又はＧｅＦ４であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月31日(2007.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体素子及び液晶表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の導電材料を含む組成物を吐出することによりゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に一導電型の不純物元素を含む半導体膜を形成し、
前記一導電型の不純物元素を含む半導体膜上に、第２の導電材料を含む組成物を吐出することにより、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記一導電型の不純物元素を含む半導体膜を除去することにより、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記半導体膜のうちチャネル領域となる部分の上方に、絶縁膜を形成し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記絶縁膜をマスクとして、前記半導体膜を除去することにより、島状半導体膜を形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項２】
基板上の少なくともゲート電極層が形成される部分に対して、チタン又は酸化チタンを形成し、
前記チタン又は酸化チタンが形成された基板上に、第１の導電材料を含む組成物を吐出することによりゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に一導電型の不純物元素を含む半導体膜を形成し、
前記一導電型の不純物元素を含む半導体膜上に、第２の導電材料を含む組成物を吐出することにより、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記一導電型の不純物元素を含む半導体膜を除去することにより、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記半導体膜のうちチャネル領域となる部分の上方に、絶縁膜を形成し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記絶縁膜をマスクとして、前記半導体膜を除去することにより、島状半導体膜を形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記絶縁膜は、ポリイミド、アクリル、又はシリコンと酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、若しくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも一種を有する材料からなることを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記絶縁膜を液滴吐出法により形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記半導体膜はセミアモルファスシリコンであることを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項６】
基板上に第１の導電材料を含む組成物を吐出することによりゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に一導電型の不純物元素を含む半導体膜を形成し、
前記一導電型の不純物元素を含む半導体膜上に、第２の導電材料を含む組成物を吐出することにより、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記一導電型の不純物元素を含む半導体膜を除去することにより、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記半導体膜のうちチャネル領域となる部分の上方に、絶縁膜を形成し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記絶縁膜をマスクとして、前記半導体膜を除去することにより、島状半導体膜を形成し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極と電気的に接続される画素電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項７】
基板上の少なくともゲート電極層が形成される部分に対して、チタン又は酸化チタンを形成し、
前記チタン又は酸化チタンが形成された基板上に、第１の導電材料を含む組成物を吐出することによりゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に一導電型の不純物元素を含む半導体膜を形成し、
前記一導電型の不純物元素を含む半導体膜上に、第２の導電材料を含む組成物を吐出することにより、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記一導電型の不純物元素を含む半導体膜を除去することにより、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記半導体膜のうちチャネル領域となる部分の上方に、絶縁膜を形成し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記絶縁膜をマスクとして、前記半導体膜を除去することにより、島状半導体膜を形成し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極と電気的に接続される画素電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記絶縁膜は、ポリイミド、アクリル、又はシリコンと酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、若しくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも一種を有する材料からなることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、
前記絶縁膜を液滴吐出法により形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一項において、
前記半導体膜はセミアモルファスシリコンであることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月12日(2007.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、島状のゲート絶縁層と、島状の半導体層とを有するボトムゲート型の薄膜トランジスタを有する発光装置の作製方法であって、
基板上に、金属材料からなる下地層を形成し、
前記下地層上に、前記ゲート電極を液滴吐出法によって形成し、
前記ゲート電極と重ならない位置に形成された前記下地層を絶縁化し、
前記ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、半導体膜を形成し、
前記半導体膜をエッチングすることによって、前記島状の半導体層を形成し、
前記ゲート絶縁膜をエッチングすることによって、前記島状のゲート絶縁層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記絶縁化は、前記下地層を酸化することによって行うことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
ゲート電極と、島状のゲート絶縁層と、島状の半導体層とを有するボトムゲート型の薄膜トランジスタを有する発光装置の作製方法であって、
基板上に、金属材料からなる下地層を形成し、
前記下地層上に、前記ゲート電極を液滴吐出法によって形成し、
前記ゲート電極と重ならない位置に形成された前記下地層を、前記ゲート電極をマスクとしてエッチングし、
前記ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、半導体膜を形成し、
前記半導体膜をエッチングすることによって、前記島状の半導体層を形成し、
前記ゲート絶縁膜をエッチングすることによって、前記島状のゲート絶縁層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記ゲート電極上に、前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜を形成する工程は、大気に晒すことなく連続的に行うことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記島状のゲート絶縁層は、第１の窒化珪素膜と、酸化珪素膜と、第２の窒化珪素膜とを順次積層して形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記下地層は、チタン、タングステン、クロム、タンタル、ニッケル、又はモリブデンから選ばれる金属を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記下地層の膜厚は、０．０１〜１０ｎｍであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記島状の半導体層は、アモルファス半導体、セミアモルファス半導体、又は多結晶半導体でなることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月31日(2007.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光装置の画素毎に少なくとも第１及び第２の半導体素子を有する発光装置の作製方法であって、
基板上に第１の導電材料を含む組成物を吐出することによりゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に一導電型の不純物元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に、第２の導電材料を含む組成物を吐出することにより、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記第２の半導体膜の一部を除去することにより、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記第１の半導体膜のうちチャネル領域となる部分の上方に絶縁膜を形成し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記絶縁膜をマスクとして、前記第１の半導体膜の一部を除去することにより、島状半導体膜を形成することによって前記第１及び第２の半導体素子を形成し、
前記第１の半導体素子のゲート電極層上に存在するゲート絶縁膜の少なくとも一部を除去することにより、コンタクトホールを形成し、
第３の導電材料を含む組成物を吐出することにより、前記コンタクトホールを介して、前記第２の半導体素子のソース電極又はドレイン電極と、前記第１の半導体素子のゲート電極層とを電気的に接続するための導電体を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
発光装置の画素毎に少なくともスイッチング用及び駆動用の半導体素子を有する発光装置の作製方法であって、
基板上に第１の導電材料を含む組成物を吐出することによりゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に一導電型の不純物元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に、第２の導電材料を含む組成物を吐出することにより、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記第２の半導体膜の一部を除去することにより、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記第１の半導体膜のうちチャネル領域となる部分の上方に絶縁膜を形成し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記絶縁膜をマスクとして、前記第１の半導体膜の一部を除去することにより、島状半導体膜を形成することによってスイッチング用及び駆動用の半導体素子を形成し、
前記駆動用の半導体素子のゲート電極層上に存在するゲート絶縁膜の少なくとも一部を除去することにより、コンタクトホールを形成し、
第３の導電材料を含む組成物を吐出することにより、前記コンタクトホールを介して、前記スイッチング用の半導体素子のソース電極又はドレイン電極と、前記駆動用の半導体素子のゲート電極層とを電気的に接続するための導電体を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
発光装置の画素毎に少なくとも第１及び第２の半導体素子を有する発光装置の作製方法であって、
基板上に第１の導電材料を含む組成物を吐出することによりゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に一導電型の不純物元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に、第２の導電材料を含む組成物を吐出することにより、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記第２の半導体膜の一部を除去することにより、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記第１の半導体膜のうちチャネル領域となる部分の上方に絶縁膜を形成し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記絶縁膜をマスクとして、前記第１の半導体膜の一部及び前記ゲート絶縁膜の一部を除去することにより、島状半導体膜及び島状ゲート絶縁膜を形成することによって前記第１及び第２の半導体素子を形成し、
第３の導電材料を含む組成物を吐出することにより、前記第１の半導体素子のゲート電極層と、前記第２の半導体素子のソース電極又はドレイン電極とを電気的に接続するための導電体を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
発光装置の画素毎に少なくともスイッチング用及び駆動用の半導体素子を有する発光装置の作製方法であって、
基板上に第１の導電材料を含む組成物を吐出することによりゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に一導電型の不純物元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に、第２の導電材料を含む組成物を吐出することにより、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記第２の半導体膜の一部を除去することにより、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記第１の半導体膜のうちチャネル領域となる部分の上方に絶縁膜を形成し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記絶縁膜をマスクとして、前記第１の半導体膜の一部及び前記ゲート絶縁膜の一部を除去することにより、島状半導体膜及び島状ゲート絶縁膜を形成することによって少なくともスイッチング用及び駆動用の半導体素子を形成し、
第３の導電材料を含む組成物を吐出することにより、前記駆動用の半導体素子のゲート電極層と、スイッチング用の半導体素子のソース電極又はドレイン電極とを電気的に接続するための導電体を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記絶縁膜は、シロキサンを含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記絶縁膜を液滴吐出法により形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第１の半導体膜はセミアモルファスシリコンであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の発光装置の作製方法を用いて作製された発光装置を有するＥＬテレビジョン装置。