【手続補正書】
【提出日】平成31年1月7日(2019.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱源の熱膨張係数（ＨＳ  ＣＴＥ）を有するヒートスプレッダであって、前記ヒートスプレッダが、高膨張軸と前記高膨張軸に対して傾いた低膨張軸を有する異方性材料を含む、ヒートスプレッダと、
熱源に結合されるように構成された前記ヒートスプレッダの表面であって、前記異方性材料の前記高膨張軸が、前記ヒートスプレッダの前記表面に対して斜めであり、前記異方性材料の前記高膨張軸が、前記ヒートスプレッダの第１の軸の周りに第１の回転角度で配向され、前記第１の回転角度が前記ヒートスプレッダの第１のＣＴＥと前記ＨＳ  ＣＴＥとのマッチを最適化するように選択される、前記ヒートスプレッダの表面と、を備える機器。
【請求項２】
前記異方性材料の前記高膨張軸が、前記ヒートスプレッダの第２の軸の周りに第２の回転角度で配向され、前記第２の回転角度が、前記ヒートスプレッダの前記第１のＣＴＥと前記ＨＳ  ＣＴＥとのマッチを最適化するように選択される、請求項１に記載の機器。
【請求項３】
高膨張軸が前記ヒートスプレッダの第３の軸の周りに第３の回転角度だけ回転するように前記ヒートスプレッダの内部に前記異方性材料が配向され、前記第３の回転角度が、前記ヒートスプレッダの前記第１のＣＴＥと前記ＨＳ  ＣＴＥとの前記マッチを最適化するように選択される、請求項２に記載の機器。
【請求項４】
前記第１の回転角度、前記第２の回転角度、若しくは前記第３の回転角度、又はそれらの組み合わせが、前記ヒートスプレッダの前記第１のＣＴＥと前記ＨＳ  ＣＴＥとの前記マッチの最適化に従い前記ヒートスプレッダの熱伝導率を最適化する、請求項３に記載の機器。
【請求項５】
前記第１の回転角度、前記第２の回転角度若しくは前記第３の回転角度、又はそれらの組み合わせが、前記ヒートスプレッダの前記第１のＣＴＥ又は第２のＣＴＥと、前記熱源の第１のＨＳ軸に沿った第１のＣＴＥ、若しくは前記熱源の第２のＨＳ軸に沿った第２のＣＴＥ、又はそれらの組み合わせのうちの対応のものとのマッチを最適化する、請求項４に記載の機器。
【請求項６】
前記第１の回転角度、前記第２の回転角度若しくは前記第３の回転角度、又はそれらの組み合わせが、前記熱源の第１のＨＳ軸に沿った前記第１のＣＴＥ、若しくは前記熱源の第２のＨＳ軸に沿った第２のＣＴＥ、又はそれらの組み合わせとのマッチングに従い、前記ヒートスプレッダの熱伝導率を最適化する、請求項５に記載の機器。
【請求項７】
前記異方性材料が、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、銅（Ｃｕ）、立方晶窒化ホウ素（ｃ−ＢＮ）、グラファイト、グラフェン、グラフェン複合体、カーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ複合体、ダイヤモンド、及び熱分解グラファイトのうち少なくとも１つを含む、請求項１に記載の機器。
【請求項８】
前記ヒートスプレッダが、前記表面で前記熱源に、また前記熱源と反対側の表面でヒートシンクに結合される、請求項１に記載の機器。
【請求項９】
熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する熱源と、
異方性材料を含む前記熱源に結合されるヒートスプレッダであって、前記異方性材料が、
１次軸であって、前記１次軸に沿って１次熱膨張係数（ＣＴＥ）を有し、前記１次ＣＴＥが前記異方性材料中で最も高いＣＴＥである１次軸と、
２次軸であって、前記２次軸に沿って２次ＣＴＥを有し、前記２次軸が前記１次軸に直交し、前記１次ＣＴＥが前記２次ＣＴＥと異なる２次軸と、
３次軸であって、前記３次軸に沿って３次ＣＴＥを有し、前記３次軸が前記２次軸及び前記１次軸に直交する３次軸と、を含む、ヒートスプレッダと、
前記熱源と接触する前記ヒートスプレッダの表面であって、前記表面が前記１次軸に対して斜めの平面内に配向され、前記ヒートスプレッダが、
４次軸であって、前記４次軸に沿って４次ＣＴＥを有する前記斜面に直交する４次軸と、
５次軸であって、前記５次軸に沿って５次ＣＴＥを有する前記斜面にある５次軸と、
６次軸であって、前記６次軸に沿って６次ＣＴＥを有する前記斜面にある６次軸と、
を含み、
前記１次軸が前記５次軸の周りで前記４次軸に対して第１の回転角度で回転するように前記ヒートスプレッダ内に前記異方性材料が配向され、前記第１の回転角度が、前記４次ＣＴＥ、５次ＣＴＥ、若しくは６次ＣＴＥ又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源のＣＴＥとのマッチを最適化する、表面と、を備えるシステム。
【請求項１０】
前記第１の回転角度が、前記４次ＣＴＥ、５次ＣＴＥ、若しくは６次ＣＴＥ又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源の前記ＣＴＥの前記マッチの最適化に従い、前記４次軸、５次軸、若しくは６次軸、又はそれらの任意の組み合わせに沿って熱伝導率を最適化する、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記１次軸が前記６次軸の周りで前記５次軸に対して第２の回転角度だけ回転するように前記ヒートスプレッダ内に前記異方性材料が配向され、前記第２の回転角度が、前記４次ＣＴＥ、５次ＣＴＥ、若しくは６次ＣＴＥ又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源とのＣＴＥの前記マッチを最適化する、請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記第２の回転角度が、前記４次ＣＴＥ、５次ＣＴＥ、若しくは６次ＣＴＥ又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源の前記ＣＴＥとの前記マッチの最適化に従い、前記４次軸、５次軸、若しくは６次軸、又はそれらの任意の組み合わせに沿って熱伝導率を最適化する、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記１次軸が前記４次軸の周りで前記６次軸に対して第３の回転角度だけ回転するように前記ヒートスプレッダ内に前記異方性材料が配向され、前記第３の回転角度が、前記４次ＣＴＥ、５次ＣＴＥ、若しくは６次ＣＴＥ又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源のＣＴＥとの前記マッチを最適化する、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記第３の回転角度が、前記４次ＣＴＥ、５次ＣＴＥ、若しくは６次ＣＴＥ又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源の前記ＣＴＥとの前記マッチの最適化に従い、前記４次軸、５次軸、若しくは６次軸、又はそれらの任意の組み合わせに沿って熱伝導率を最適化する、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記３次ＣＴＥが、前記１次ＣＴＥ及び前記２次ＣＴＥとは異なる、請求項９に記載のシステム。
【請求項１６】
前記異方性材料が、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、銅（Ｃｕ）、立方晶窒化ホウ素（ｃ−ＢＮ）、グラファイト、グラフェン、グラフェン複合体、カーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ複合体、ダイヤモンド、及びカプセル化された熱分解グラファイトのうち少なくとも１つを含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１７】
前記熱源が、レーザーダイオード、集積回路、若しくは発光ダイオード、又はそれらの任意の組み合わせである、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１８】
高膨張軸と前記高膨張軸に対して傾いた低膨張軸を有する異方性材料を含むヒートスプレッダに結合される熱源の第１の軸において前記熱源の第１の熱膨張係数（ＣＴＥ）を特定することと、
１つ又は２つ以上の異方性材料の軸の１つ又は２つ以上のＣＴＥと前記第１のＣＴＥとのマッチを最適化するように前記異方性材料の高膨張軸の第１の回転角度を選択することであって、前記角度が前記ヒートスプレッダの第１の軸を基準とすることと、
前記第１の回転角度に前記異方性材料の前記高膨張軸を回転させることと、を含む方法。
【請求項１９】
１つ又は２つ以上の異方性材料の軸の１つ又は２つ以上のＣＴＥと前記第１のＣＴＥとの前記マッチを最適化するように前記異方性材料の高膨張軸の第２の回転角度を選択することであって、前記角度が前記ヒートスプレッダの第２の軸を基準とすることと、
前記第２の回転角度に前記異方性材料の前記高膨張軸を回転させることと、を更に含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記熱源の第２の軸において前記熱源の第２のＣＴＥを特定することと、
１つ又は２つ以上の異方性材料の軸の前記１つ又は２つ以上のＣＴＥと前記第２のＣＴＥとのマッチングを最適化するように第２の回転角度だけ前記異方性材料の前記高膨張軸を回転させることと、を更に含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
１つ又は２つ以上の異方性材料の軸の前記１つ又は２つ以上のＣＴＥと前記第１のＣＴＥとの前記マッチの最適化に従い、前記ヒートスプレッダの１つ又は２つ以上の軸に沿って熱伝導率を最適化するように前記第１の回転角度を選択することを更に含む、請求項１８に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本明細書で開示されるのは、熱源の熱膨張係数（ＨＳ  ＣＴＥ）を有するヒートスプレッダの例であり、このヒートスプレッダは、高膨張軸（high expansion axis）を有する異方性材料、熱源に結合するヒートスプレッダの表面を含み、異方性材料の高膨張軸は、ヒートスプレッダの表面に対して斜めになってもよく、異方性材料の高膨張軸は、ヒートスプレッダの第１の軸の周りに第１の回転角度で配向されてもよく、第１の回転角度は、ヒートスプレッダの第１のＣＴＥとＨＳ  ＣＴＥのマッチを最適化するように選択されてもよい。異方性材料の高膨張軸は、ヒートスプレッダの第２の軸の周りに第２の回転角度で配向されてもよく、第２の回転角度は、ヒートスプレッダの第１のＣＴＥとＨＳ  ＣＴＥのマッチを最適化するように選択されてもよい。更に、異方性材料は、高膨張軸がヒートスプレッダの第３の軸の周りに第３の回転角度だけ回転することができるようにヒートスプレッダ内部に配向されてもよく、第３の回転角度は、ヒートスプレッダの第１のＣＴＥとＨＳ  ＣＴＥとのマッチを最適化するように選択されてもよい。第１の回転角度、第２の回転角度、若しくは第３の回転角度、又はそれらの組み合わせは、ヒートスプレッダの第１のＣＴＥとＨＳ  ＣＴＥとのマッチの最適化に従いヒートスプレッダの熱伝導率を最適化し得る。第１の回転角度、第２の回転角度若しくは第３の回転角度、又はそれらの組み合わせは、ヒートスプレッダの第１のＣＴＥ又は第２のＣＴＥと、熱源の第１のＨＳ軸に沿った第１のＣＴＥ、若しくは熱源の第２のＨＳ軸に沿った第２のＣＴＥ、又はそれらの組み合わせのうちの対応のもののマッチを最適化し得る。第１の回転角度、第２の回転角度若しくは第３の回転角度、又はそれらの組み合わせは、熱源の第１のＨＳ軸に沿った第１のＣＴＥ、若しくは熱源の第２のＨＳ軸に沿った第２のＣＴＥ、又はそれらの組み合わせのマッチングに従い、ヒートスプレッダの熱伝導率を最適化し得る。ヒートスプレッダは、異方性材料の配向に基づいて実質的に直交異方性であってもよい。異方性材料は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、銅（Ｃｕ）、立方晶窒化ホウ素（ｃ−ＢＮ）、グラファイト、グラフェン、グラフェン複合体、カーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ複合体、ダイヤモンド、及び熱分解グラファイトのうち少なくとも１つを含んでもよい。ヒートスプレッダは、表面で熱源に、また熱源と反対側の表面でヒートシンクに結合されてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
ここに開示された技術の例の一般的又は特定の原理について説明し、例示してきたが、
これらの例は、そのような原理から逸脱することなく構成及び細部を変更できることが明
らかとなるはずである。出願人らは、次の「特許請求の範囲」の趣旨及び範囲内に入る全
ての修正及び変形を特許請求する。
［形態１］
熱源の熱膨張係数（ＨＳ  ＣＴＥ）を有するヒートスプレッダであって、前記ヒートスプレッダが、高膨張軸を有する異方性材料を含む、ヒートスプレッダと、
熱源に結合される前記ヒートスプレッダの表面であって、前記異方性材料の前記高膨張軸が、前記ヒートスプレッダの前記表面に対して斜めであり、前記異方性材料の前記高膨張軸が、前記ヒートスプレッダの第１の軸の周りに第１の回転角度で配向され、前記第１の回転角度が前記ヒートスプレッダの第１のＣＴＥと前記ＨＳ  ＣＴＥとのマッチを最適化するように選択される、前記ヒートスプレッダの表面と、を備える機器。
［形態２］
前記異方性材料の前記高膨張軸が、前記ヒートスプレッダの第２の軸の周りに第２の回転角度で配向され、前記第２の回転角度が、前記ヒートスプレッダの前記第１のＣＴＥと前記ＨＳ  ＣＴＥとのマッチを最適化するように選択される、形態１に記載の機器。
［形態３］
高膨張軸が前記ヒートスプレッダの第３の軸の周りに第３の回転角度だけ回転するように前記ヒートスプレッダの内部に前記異方性材料が配向され、前記第３の回転角度が、前記ヒートスプレッダの前記第１のＣＴＥと前記ＨＳ  ＣＴＥとの前記マッチを最適化するように選択される、形態２に記載の機器。
［形態４］
前記第１の回転角度、前記第２の回転角度、若しくは前記第３の回転角度、又はそれらの組み合わせが、前記ヒートスプレッダの前記第１のＣＴＥと前記ＨＳ  ＣＴＥとの前記マッチの最適化に従い前記ヒートスプレッダの熱伝導率を最適化する、形態３に記載の機器。
［形態５］
前記第１の回転角度、前記第２の回転角度若しくは前記第３の回転角度、又はそれらの組み合わせが、前記ヒートスプレッダの前記第１のＣＴＥ又は第２のＣＴＥと、前記熱源の第１のＨＳ軸に沿った第１のＣＴＥ、若しくは前記熱源の第２のＨＳ軸に沿った第２のＣＴＥ、又はそれらの組み合わせのうちの対応のものとのマッチを最適化する、形態４に記載の機器。
［形態６］
前記第１の回転角度、前記第２の回転角度若しくは前記第３の回転角度、又はそれらの組み合わせが、前記熱源の第１のＨＳ軸に沿った前記第１のＣＴＥ、若しくは前記熱源の第２のＨＳ軸に沿った第２のＣＴＥ、又はそれらの組み合わせとのマッチングに従い、前記ヒートスプレッダの熱伝導率を最適化する、形態５に記載の機器。
［形態７］
前記ヒートスプレッダが、前記異方性材料の配向に基づいて実質的に等方性である、形態１に記載の機器。
［形態８］
前記異方性材料が、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、銅（Ｃｕ）、立方晶窒化ホウ素（ｃ−ＢＮ）、グラファイト、グラフェン、グラフェン複合体、カーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ複合体、ダイヤモンド、及び熱分解グラファイトのうち少なくとも１つを含む、形態１に記載の機器。
［形態９］
前記ヒートスプレッダが、前記表面で前記熱源に、また前記熱源と反対側の表面でヒートシンクに結合される、形態１に記載の機器。
［形態１０］
線熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する熱源と、
異方性材料を含む前記熱源に結合されるヒートスプレッダであって、前記異方性材料が、
１次軸であって、前記１次軸に沿って１次熱膨張係数（ＣＴＥ）を有し、前記１次ＣＴＥが前記異方性材料中で最も高いＣＴＥである１次軸と、
２次軸であって、前記２次軸に沿って２次ＣＴＥを有し、前記２次軸が前記１次軸に直交し、前記１次ＣＴＥが前記２次ＣＴＥと異なる２次軸と、
３次軸であって、前記３次軸に沿って３次ＣＴＥを有し、前記３次軸が前記２次軸及び前記１次軸に直交する３次軸と、を含む、ヒートスプレッダと、
前記熱源と接触する前記ヒートスプレッダの表面であって、前記表面が前記１次軸に対して斜めの平面内に配向され、前記ヒートスプレッダが、
４次軸であって、前記４次軸に沿って４次ＣＴＥを有する前記斜面に直交する４次軸と、
５次軸であって、前記５次軸に沿って５次ＣＴＥを有する前記斜面にある５次軸と、
６次軸であって、前記６次軸に沿って６次ＣＴＥを有する前記斜面にある６次軸と、
を含み、
前記１次軸が前記５次軸の周りで前記４次軸に対して第１の回転角度で回転するように前記ヒートスプレッダ内に前記異方性材料が配向され、前記第１の回転角度が、前記４次ＣＴＥ、５次ＣＴＥ、若しくは６次ＣＴＥ又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源のＣＴＥとのマッチを最適化する、表面と、を備えるシステム。
［形態１１］
前記第１の回転角度が、前記４次ＣＴＥ、５次ＣＴＥ、若しくは６次ＣＴＥ又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源の前記ＣＴＥの前記マッチの最適化に従い、前記４次軸、５次軸、若しくは６次軸、又はそれらの任意の組み合わせに沿って熱伝導率を最適化する、形態１０に記載のシステム。
［形態１２］
前記１次軸が前記６次軸の周りで前記５次軸に対して第２の回転角度だけ回転するように前記ヒートスプレッダ内に前記異方性材料が配向され、前記第２の回転角度が、前記４次ＣＴＥ、５次ＣＴＥ、若しくは６次ＣＴＥ又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源とのＣＴＥの前記マッチを最適化する、形態１０に記載のシステム。
［形態１３］
前記第２の回転角度が、前記４次ＣＴＥ、５次ＣＴＥ、若しくは６次ＣＴＥ又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源の前記ＣＴＥとの前記マッチの最適化に従い、前記４次軸、５次軸、若しくは６次軸、又はそれらの任意の組み合わせに沿って熱伝導率を最適化する、形態１２に記載のシステム。
［形態１４］
前記１次軸が前記４次軸の周りで前記６次軸に対して第３の回転角度だけ回転するように前記ヒートスプレッダ内に前記異方性材料が配向され、前記第３の回転角度が、前記４次ＣＴＥ、５次ＣＴＥ、若しくは６次ＣＴＥ又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源のＣＴＥとの前記マッチを最適化する、形態１２に記載のシステム。
［形態１５］
前記第３の回転角度が、前記４次ＣＴＥ、５次ＣＴＥ、若しくは６次ＣＴＥ又はそれらの任意の組み合わせと前記熱源の前記ＣＴＥとの前記マッチの最適化に従い、前記４次軸、５次軸、若しくは６次軸、又はそれらの任意の組み合わせに沿って熱伝導率を最適化する、形態１４に記載のシステム。
［形態１６］
前記３次ＣＴＥが、前記１次ＣＴＥ及び前記２次ＣＴＥとは異なる、形態１０に記載のシステム。
［形態１７］
前記異方性材料が、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、銅（Ｃｕ）、立方晶窒化ホウ素（ｃ−ＢＮ）、グラファイト、グラフェン、グラフェン複合体、カーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ複合体、ダイヤモンド、及びカプセル化された熱分解グラファイトのうち少なくとも１つを含む、形態１０に記載のシステム。
［形態１８］
前記熱源が、レーザーダイオード、集積回路、若しくは発光ダイオード、又はそれらの任意の組み合わせである、形態１４に記載のシステム。
［形態１９］
熱源の第１の熱膨張係数（ＣＴＥ）を、異方性材料を含むヒートスプレッダに結合される前記熱源の第１の軸において特定することと、
１つ又は２つ以上の異方性材料の軸の１つ又は２つ以上のＣＴＥと前記第１のＣＴＥとのマッチを最適化するように前記異方性材料の高膨張軸の第１の回転角度を選択することであって、前記角度が前記ヒートスプレッダの第１の軸を基準とすることと、
前記第１の回転角度に対して前記異方性材料の前記高膨張軸を回転させることと、を含む方法。
［形態２０］
１つ又は２つ以上の異方性材料の軸の１つ又は２つ以上のＣＴＥと前記第１のＣＴＥとの前記マッチを最適化するように前記異方性材料の高膨張軸の第２の回転角度を選択することであって、前記角度が前記ヒートスプレッダの第２の軸を基準とすることと、
前記第２の回転角度に対して前記異方性材料の前記高膨張軸を回転させることと、を更に含む、形態１９に記載の方法。
［形態２１］
前記熱源の第２の軸において前記熱源の第２のＣＴＥを特定することと、
１つ又は２つ以上の異方性材料の軸の前記１つ又は２つ以上のＣＴＥと前記第２のＣＴＥとのマッチングを最適化するように第２の回転角度だけ前記異方性材料の前記高膨張軸を回転させることと、を更に含む、形態１９に記載の方法。
［形態２２］
１つ又は２つ以上の異方性材料の軸の前記１つ又は２つ以上のＣＴＥと前記第１のＣＴＥとの前記マッチの最適化に従い、前記ヒートスプレッダの１つ又は２つ以上の軸に沿って熱伝導率を最適化するように前記第１の回転角度を選択することを更に含む、形態１９に記載の方法。