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【手続補正書】
【提出日】平成19年5月17日(2007.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信回路と受信回路を切り替えるスイッチ回路であって、
前記スイッチ回路は、スイッチ素子と、前記スイッチ素子と接続する電極パターンと誘電体層から構成される積層体とを主構成とし、前記スイッチ素子は前記積層体上に配置され、前記積層体の内層に設けられた電極パターンと、前記スイッチング素子と、積層体の底面に設けられた端子電極との接続を、全てスルーホールを介して行ったことを特徴とする高周波スイッチモジュール。
【請求項２】
通過帯域の異なる複数の送受信系を各送受信系に分ける分波回路を備え、前記分波回路の少なくとも一部は、積層体内の電極パターンにより構成されたことを特徴とする請求項１に記載の高周波スイッチモジュール。
【請求項３】
前記スイッチ素子としてダイオードまたはトランジスタを用いた請求項１または２記載の高周波スイッチモジュール。
【請求項４】
受信系のバンドパスフィルタの少なくとも１つに弾性表面波素子を用いた請求項１または２に記載の高周波スイッチモジュール。
【請求項５】
前記スイッチ素子としてダイオードまたはトランジスタを用い、前記受信系のバンドパスフィルタの少なくとも１つに弾性表面波素子を用いた請求項１または２に記載の高周波スイッチモジュール。
【請求項６】
前記積層体の底部に半田ボールで外部接続端子を構成した請求項１または２に記載の高周波スイッチモジュール。
【請求項７】
前記スイッチ素子としてダイオードまたはトランジスタを用い、前記積層体の底部に半田ボールで外部接続端子を構成した請求項１または２に記載の高周波スイッチモジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は下記の構成を要旨とする。
（１）送信回路と受信回路を切り替えるスイッチ回路であって、前記スイッチ回路は、スイッチ素子と、前記スイッチ素子と接続する電極パターンと誘電体層から構成される積層体とを主構成とし、前記スイッチ素子は前記積層体上に配置され、前記積層体の内層に設けられた電極パターンと、前記スイッチング素子と、積層体の底面に設けられた端子電極との接続を、全てスルーホールを介して行ったことを特徴とする高周波スイッチモジュールである。
（２）前記（１）記載の高周波スイッチモジュールにおいて、通過帯域の異なる複数の送受信系を各送受信系に分ける分波回路を備え、前記分波回路の少なくとも一部は、積層体内の電極パターンにより構成されたことを特徴とする請求項１に記載の高周波スイッチモジュールである。
（３）前記（１）または（２）記載の高周波スイッチモジュールにおいて、前記スイッチ素子としてダイオードまたはトランジスタを用いることが、より好ましい。
（４）前記（１）または（２）記載の高周波スイッチモジュールにおいて、前記受信系のバンドパスフィルタの少なくとも１つに弾性表面波素子を用いることが、より好ましい。
（５）前記（１）または（２）記載の高周波スイッチモジュールにおいて、前記スイッチ素子としてダイオードまたはトランジスタを用い、前記受信系のバンドパスフィルタの少なくとも１つに弾性表面波素子を用いることが、より好ましい。
（６）前記（１）または（２）記載の高周波スイッチモジュールにおいて、前記積層体の底部に半田ボールで外部接続端子を構成すると、より好ましい。
（７）前記（１）または（２）記載の高周波スイッチモジュールにおいて、前記スイッチ素子としてダイオードまたはトランジスタを用い、前記積層体の底部に半田ボールで外部接続端子を構成すると、より好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月17日(2007.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に電極パターンで伝送線路やコンデンサを形成したせ積層体の主面にチップ素子を実装するとともに、前記チップ素子を覆う金属ケースを配置して、フィルタ回路やスイッチ回路を構成した高周波スイッチモジュールであって、
前記積層体は、側面電極及びこれを連続し前記積層体の主面に延出するランドを備えず、前記積層体の主面には、グランド端子と、チップ素子が実装されるランドが設けられ、前記金属ケースは、天板と前記天板から突き出た突出部と、前記積層体の少なくとも一側面側が開口した開口部を備え、前記突出部を前記グランド端子とはんだ接続したことを特徴とする高周波スイッチモジュール。
【請求項２】
前記金属ケースの開口部側に設けられたランドは、突出部側のランドと比べて、積層体側面の近傍にまで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波スイッチモジュール。
【請求項３】
積層体の内部電極パターンと、主面に実装されたチップ素子と、前記積層体の底面に設けられた端子電極とは、全て積層体に形成さスルーホールを介して接続することを特徴とする請求項１または２に記載の高周波スイッチモジュール。
【請求項４】
前記積層体の底面側の内層には、そのほぼ全面にグランド電極が形成されており、スルーホールを介して前記金属ケースと接続することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の高周波スイッチモジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、内部に電極パターンで伝送線路やコンデンサを形成したせ積層体の主面にチップ素子を実装するとともに、前記チップ素子を覆う金属ケースを配置して、フィルタ回路やスイッチ回路を構成した高周波スイッチモジュールであって、前記積層体は、側面電極及びこれを連続し前記積層体の主面に延出するランドを備えず、前記積層体の主面には、グランド端子と、チップ素子が実装されるランドが設けられ、前記金属ケースは、天板と前記天板から突き出た突出部と、前記積層体の少なくとも一側面側が開口した開口部を備え、前記突出部を前記グランド端子とはんだ接続したことを特徴とする。
本発明においては、前記金属ケースの開口部側に設けられたランドを、突出部側のランドと比べて、積層体側面の近傍にまで形成するのが好ましい。また、積層体の内部電極パターンと、主面に実装されたチップ素子と、前記積層体の底面に設けられた端子電極とは、全て積層体に形成さスルーホールを介して接続されるのが好ましい。
前記積層体の底面側の内層には、そのほぼ全面にグランド電極が形成されており、スルーホールを介して前記金属ケースと接続する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月17日(2007.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのアンテナに接続して送受信系を扱う高周波スイッチモジュールであって、前記送受信系の送信系と受信系を切り替えるスイッチ回路と、前記アンテナに接続する伝送線路とコンデンサで成るフィルタを有し、前記フィルタの伝送線路により前記アンテナが受信した静電気をアースに逃がすことを特徴とする高周波スイッチモジュール。
【請求項２】
少なくとも１つのアンテナに接続して通過帯域の異なる複数の送受信系を扱う高周波スイッチモジュールであって、前記複数の送受信系に信号を分波する分波回路と、前記各送受信系のそれぞれに送信系と受信系を切り替えるスイッチ回路を有し、前記スイッチ回路はダイオードと伝送線路を主構成とし、前記分波回路は伝送線路とコンデンサで構成され、前記分波回路の伝送線路により前記アンテナが受信した静電気をアースに逃がすことを特徴とする高周波スイッチモジュール。
【請求項３】
前記分波回路、前記スイッチ回路、及び前記フィルタの少なくとも一部が積層体で構成された請求項１または２に記載の高周波スイッチモジュール。
【請求項４】
積層体で構成し、前記アンテナと接続する端子と前記フィルタの伝送回路の少なくとも１つとの結合を疎にした請求項１または２に記載の高周波スイッチモジュール。
【請求項５】
積層体において、前記アンテナと接続する端子と前記フィルタの伝送回路の少なくとも１つとの距離をダミー層を介して隔てた請求項１または２に記載の高周波スイッチモジュール。
【請求項６】
受信系のバンドパスフィルタに弾性表面波素子を用いた請求項２記載の高周波スイッチモジュール。
【請求項７】
アンテナと接続する積層体にスイッチ回路と静電気放電対策回路を有し、前記静電気放電対策回路はアンテナとスイッチ回路との間に配置されアースに接続される伝送線路を備え、積層体の底面には高周波端子、グランド端子、スイッチ回路制御端子を含む端子が形成され、前記伝送線路は前記積層体内に電極パターンで形成されたグランド電極とスルーホールを介して接続されるとともに、前記グランド電極は複数のグランド端子とスルーホールを介して接続されることを特徴とする高周波スイッチモジュール。
【請求項８】
積層体の相対向する側面側には、他の端子よりも広い面積に形成されたグランド端子が形成され、前記広面積のグランド端子と前記グランド電極とを複数のスルーホールで接続したことを特徴とする請求項７に記載の高周波スイッチモジュール。
【請求項９】
積層体の他の側面側には、高周波端子、スイッチ回路制御端子、グランド端子が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の高周波スイッチモジュール。
【請求項１０】
前記広面積のグランド端子と前記伝送線路と積層方向に連続するスルーホールを介して接続することを特徴とする請求項８又は９に記載の高周波スイッチモジュール。
【請求項１１】
前記伝送線路とコンデンサとでフィルタとしたことを特徴とする請求項７乃至１０のいずれかに記載の高周波スイッチモジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は下記の構成を要旨とする。
（１）少なくとも１つのアンテナに接続して送受信系を扱う高周波スイッチモジュールであって、前記送受信系の送信系と受信系を切り替えるスイッチ回路と、前記アンテナに接続する伝送線路とコンデンサで成るフィルタを有し、前記フィルタの伝送線路により前記アンテナが受信した静電気をアースに逃がすことを特徴とする高周波スイッチモジュールである。
（２）少なくとも１つのアンテナに接続して通過帯域の異なる複数の送受信系を扱う高周波スイッチモジュールであって、前記複数の送受信系に信号を分波する分波回路と、前記各送受信系のそれぞれに送信系と受信系を切り替えるスイッチ回路を有し、前記スイッチ回路はダイオードと伝送線路を主構成とし、前記分波回路は伝送線路とコンデンサで構成され、前記分波回路の伝送線路により前記アンテナが受信した静電気をアースに逃がすことを特徴とする高周波スイッチモジュールである。
（３）好ましくは、前記（１）または（２）に記載の高周波スイッチモジュールにおいて、前記分波回路、前記スイッチ回路、及び前記フィルタの少なくとも一部が積層体で構成する。
（４）更に好ましくは、前記（１）または（２）に記載の高周波スイッチモジュールにおいて、積層体で構成し、前記アンテナと接続する端子と前記フィルタの伝送回路の少なくとも１つとの結合を疎にすることが好ましい。
（５）前記（１）または（２）に記載の高周波スイッチモジュールにおいて、更に好ましくは、積層体において、前記アンテナと接続する端子と前記フィルタの伝送回路の少なくとも１つとの距離をダミー層を介して隔てることが好ましい。
（６）前記（２）記載の高周波スイッチモジュールにおいて、受信系のバンドパスフィルタに弾性表面波素子を用いることが好ましい。
（７）アンテナと接続する積層体にスイッチ回路と静電気放電対策回路を有し、前記静電気放電対策回路はアンテナとスイッチ回路との間に配置されアースに接続される伝送線路を備え、積層体の底面には高周波端子、グランド端子、スイッチ回路制御端子を含む端子が形成され、前記伝送線路は前記積層体内に電極パターンで形成されたグランド電極とスルーホールを介して接続されるとともに、前記グランド電極は複数のグランド端子とスルーホールを介して接続されることを特徴とする高周波スイッチモジュールである。
（８）前記（７）に記載の高周波スイッチモジュールにおいて、積層体の相対向する側面側には、他の端子よりも広い面積に形成したグランド端子を形成し、前記広面積のグランド端子と前記グランド電極とを複数のスルーホールで接続することが好ましい。
（９）前記（８）に記載の高周波スイッチモジュールにおいて、積層体の他の側面側には、高周波端子、スイッチ回路制御端子、グランド端子が形成されていることが好ましい。
（１０）前記（８）または（９）に記載の高周波スイッチモジュールにおいて、前記広面積のグランド端子と前記伝送線路と積層方向に連続するスルーホールを介して接続することが好ましい。
（１１）前記（７）乃至（１０）のいずれかに記載の高周波スイッチモジュールにおいて、前記伝送線路とコンデンサとでフィルタとすることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月26日(2007.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  コア基板を貫通する導通部が同軸線路構造に形成された配線基板の製造方法において、
コア材に貫通孔を形成し、該貫通孔の内壁面に導体層を形成した後、
該導体層が形成された貫通孔に、電気的絶縁性を有する樹脂により芯線の外周面を被覆して前記貫通孔に挿入可能な円柱体状に形成したスルーホール部品を挿入して固定し、前記貫通孔の内壁面に形成した導体層と芯線とにより、前記導通部を同軸線路構造としたコア基板を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】  貫通孔に導体層を形成し、該導体層に粗化処理を施した後、貫通孔にスルーホール部品を挿入して固定することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】  貫通孔にスルーホール部品を挿入し、加熱して前記樹脂を硬化させてコア材にスルーホール部品を固定することを特徴とする請求項１または２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】  コア材にスルーホール部品を挿入して固定した後に、コア材の両面から突出するスルーホール部品の両端面を研磨し、コア材の表面とスルーホール部品の端面とを同一面に形成することを特徴とする請求項１、２または３記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】  前記コア基板の両面に、前記同軸線路構造に形成した導通部を介して電気的に接続する配線パターンを形成することを特徴とする請求項１、２、３または４記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】  コア基板の両面に形成された配線パターンを電気的絶縁層により被覆し、該電気的絶縁層に下層の配線パターンが底面に露出するビア穴を形成した後、該ビア穴の内面及び電気的絶縁層の表面に導体層を形成し、該導体層を所定のパターンにエッチングして次層の配線パターンを形成することにより、配線パターンを多層に形成することを特徴とする請求項５記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明は次の構成を備える。
すなわち、コア基板を貫通する導通部が同軸線路構造に形成された配線基板の製造方法において、コア材に貫通孔を形成し、該貫通孔の内壁面に導体層を形成した後、該導体層が形成された貫通孔に、電気的絶縁性を有する樹脂により芯線の外周面を被覆して前記貫通孔に挿入可能な円柱体状に形成したスルーホール部品を挿入して固定し、前記貫通孔の内壁面に形成した導体層と芯線とにより、前記導通部を同軸線路構造としたコア基板を形成することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、前記貫通孔に導体層を形成し、該導体層に粗化処理を施した後、貫通孔にスルーホール部品を挿入して固定することにより、スルーホール部品を貫通孔内に確実に固定することができる。
また、前記貫通孔にスルーホール部品を挿入し、加熱して前記樹脂を硬化させてコア材にスルーホール部品を固定することを特徴とする。
また、前記コア材にスルーホール部品を挿入して固定した後に、コア材の両面から突出するスルーホール部品の両端面を研磨し、コア材の表面とスルーホール部品の端面とを同一面に形成することにより、前記芯線を介してコア基板の両面の配線パターンを確実に電気的に接続することが可能になる。
また、前記コア基板の両面に、前記同軸線路構造に形成した導通部を介して電気的に接続する配線パターンを形成することを特徴とする。
また、前記コア基板の両面に形成された配線パターンを電気的絶縁層により被覆し、該電気的絶縁層に下層の配線パターンが底面に露出するビア穴を形成した後、該ビア穴の内面及び電気的絶縁層の表面に導体層を形成し、該導体層を所定のパターンにエッチングして次層の配線パターンを形成することにより、配線パターンを多層に形成することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月4日(2007.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】下記の群より選ばれるＤＮＡまたはその相補鎖：
（１）配列表の配列番号１に記載のアミノ酸配列をコードする配列表の配列番号２に記載のＤＮＡ配列で示されるＤＮＡ、
（２）前記（１）のＤＮＡと少なくとも９０％のＤＮＡ配列上の相同性を有し、かつアグリカナ−ゼ（ａｇｇｒｅｃａｎａｓｅ）活性を有するポリペプチドをコードするＤＮＡ、
および
（３）前記（１）または（２）のＤＮＡのＤＮＡ配列において１ないし数個のＤＮＡの欠失、置換、付加などの変異あるいは誘発変異を有し、かつアグリカナーゼ活性を有するポリペプチドをコードするＤＮＡ。
【請求項２】請求項１に記載のＤＮＡがコードするポリペプチド。
【請求項３】請求項１に記載のＤＮＡまたはその相補鎖を含有する組換えベクター。
【請求項４】プラスミド  ｐ１７２Ｍ２．１（ＦＥＲＭ  ＢＰ−７１８５号）。
【請求項５】請求項３に記載の組換えベクターを用いて形質転換した形質転換体。
【請求項６】請求項５に記載の形質転換体を培養する工程を含む、ポリペプチドの製造方法。
【請求項７】請求項２に記載のポリペプチドを免疫学的に認識する抗体。
【請求項８】アグリカナーゼ（ａｇｇｒｅｃａｎａｓｅ）活性を有するポリペプチドまたはその遺伝子の発現を調節する化合物のスクリーニング方法であって、請求項１に記載のＤＮＡまたはその相補鎖、請求項２に記載のポリペプチド、請求項３に記載の組換えベクター、請求項４に記載のプラスミド、請求項５に記載の形質転換体、または請求項７に記載の抗体のうち、少なくともいずれか１つを用いることを特徴とするスクリーニング方法。
【請求項９】請求項１に記載のＤＮＡまたはその相補鎖、請求項２に記載のポリペプチド、請求項３に記載の組換えベクター、請求項４に記載のプラスミド、請求項５に記載の形質転換体、または請求項７に記載の抗体のうち、少なくともいずれか１つを含有することを特徴とする疾病の診断に用いるキット。
【請求項１０】疾病がアグリカナ−ゼ（ａｇｇｒｅｃａｎａｓｅ）に関連した疾病である請求項９に記載のキット。
【請求項１１】下記の群より選ばれるＤＮＡまたはその相補鎖のうち、少なくともいずれか１つを含有することを特徴とするアルツハイマー病の診断に用いるキット：
（１）配列表の配列番号１に記載のアミノ酸配列をコードする配列表の配列番号２に記載のＤＮＡ配列で示されるＤＮＡ、
（２）配列表の配列番号２に記載のＤＮＡ配列の部分配列を有するＤＮＡおよびその相補鎖で、かつアグリカナ−ゼ活性を有するポリペプチドをコードするＤＮＡ、
および
（３）前記（１）のＤＮＡと少なくとも７０％のＤＮＡ配列上の相同性を有し、かつアグリカナ−ゼ活性を有するポリペプチドをコードするＤＮＡ。
【請求項１２】βアミロイドによるアグリカナーゼ（ａｇｇｒｅｃａｎａｓｅ）−１のｍＲＮＡ発現の制御能を指標にして行うアルツハイマー病の予防／治療剤のスクリーニング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月15日(2007.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
ＵＳＢ（Universal Serial Bus）ハブなどのＵＳＢ機器は、接続されている機器に対して、ＤＣ（Direct Current）５Ｖの電源を供給することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明に係るＵＳＢ（Universal Serial Bus）ハブの一実施の形態を説明する図である。ＵＳＢハブ２は、バスに接続するための機器をツリー接続（スター型接続とも称する）するための機器であり、例えば、パーソナルコンピュータ１，ＵＳＢフロッピーディスクドライブ３、およびＵＳＢマウス４に接続されている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月1日(2007.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項３に係る発明は、請求項１に係る画像処理装置において、前記判別手段は、前記特徴量の信頼度を評価する信頼度評価手段を有し、該信頼度評価手段の評価に応じて同一被写体が否かの判断に用いる前記特徴量の優先度を決定するように構成されていることを特徴とするものであり、また請求項４に係る発明は、請求項２に係る画像処理装置において、前記判別手段は、前記特徴量の信頼度を評価する信頼度評価手段を有し、該信頼度評価手段の評価に応じて同一被写体か否かの判断に用いる前記特徴量の優先度を決定するように構成されていることを特徴とするものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
Ｓ12：画素集合Ｂ上で前景に属する確率の最も高かった画素maxpを前景候補領域に追加する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
また請求項11に係る発明によれば、合焦位置をずらして連写を行い、焦点位置の異なる連写画像から距離推定値を得るようにしているので、簡便な方法でエッジ部分の距離推定が可能となり、ストロボ利用の場合と異なり照射むら等の影響を受けないようにすることができる。また請求項12に係る発明によれば、２つの重複する画像領域に対し、重複領域とその他の領域とで輝度及び距離推定値の変化が連続的であり、且つ色相及び彩度の変化量が所定の閾値内にある場合に限り、２つの画像領域を同一被写体に属すると判断するように構成されているので、同一被写体中の同一素材の２つの画像領域を別の被写体に属すると判断する可能性を低くすることができる。また請求項13に係る発明によれば、距離判別手段により互いに同一被写体に属すると判断された画素からなる連結領域を基本領域として生成し、連結領域の輪郭上の複数個の画素と同一の被写体に属すると判断された画素を抽出して基本領域に追加して領域を拡張し、高精度の判断に基づいて拡張して行くようにしているので、距離情報にエラーが含まれ基本領域の輪郭が被写体の輪郭と一致しない場合に対処でき、しかも基本領域の多くの輪郭画素と同一被写体と判断された外部画素のみを用いて拡張して行くようにしているので、被写体の輪郭をはみ出して拡張が起こる危険性を緩和することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月7日(2007.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  記録媒体から画像データを再生する再生手段と、
通常再生速度よりも高速に前記画像データを再生するサーチ再生モードにおいて、前記再生された複数画面の画像データを、それぞれ前記サーチ再生モードにおける再生速度に応じた数の領域に分割し、前記分割された複数画面の画像データの互いに異なる領域を用いて１画面の画像データを生成する生成手段とを備える再生装置。
【請求項２】  前記生成手段は連続する複数画面の前記画像データをそれぞれ前記再生速度に応じた数の領域に分割し、前記分割された複数画面の画像データの互いに異なる領域を１つづつ用いて前記１画面の画像データを生成することを特徴とする請求項１記載の再生装置。
【請求項３】  前記再生手段により再生された画像データを記憶する記憶手段を備え、前記サーチ再生モードにおける画像データの再生速度は通常再生速度のｎ倍であり、前記生成手段は前記記憶手段に記憶されたｎ画面（ｎは２以上の整数）の画像データをそれぞれｎ個の領域に分割し、前記分割されたｎ画面の画像データの互いに異なる領域を用いて前記１画面の画像データを生成することを特徴とする請求項１記載の再生装置。
【請求項４】  前記生成手段は前記再生画像データのｎ画面毎に前記１画面の画像データを生成することを特徴とする請求項３記載の再生装置。
【請求項５】  前記生成手段は前記記憶手段から前記画像データを読み出す読み出し手段と、前記読み出された画像データを記憶するメモリと、前記メモリに対する前記画像データの書き込み及び読み出し動作を制御するメモリ制御手段とを有し、前記記憶手段から前記メモリに対して出力すべき画像データを選択するとともに前記メモリにおける記憶アドレスを制御することを特徴とする請求項３記載の再生装置。
【請求項６】  記録媒体から画像データを再生する再生手段と、
前記再生手段により再生された複数画面の画像データを記憶する記憶手段と、
前記画像データに係る画像の動きに応じて第１の再生モードと第２の再生モードの間でモードを切り替えるモード切り替え手段と、
前記記憶手段に記憶された画像データを出力する出力手段と、
前記第１の再生モードにおいて前記記憶手段に記憶された複数画面の画像データをそれぞれ複数の領域に分割し、前記分割された複数画面の画像データの互いに異なる領域を用いて前記出力手段により出力するべき１画面の画像データを生成するとともに、前記第２の再生モードにおいて前記記憶手段に記憶された複数画面の画像データのうち１画面の画像データのみを用いて前記出力手段により出力するべき１画面の画像データを生成する生成手段とを備える再生装置。
【請求項７】  前記画像データは画面内符号化と画面間符号化とを用いて符号化されており、前記再生手段は前記再生画像データを復号する復号手段を有し、前記生成手段は前記第２のモードにおいては前記画面内符号化により符号化された画像データの復号画像データのみを用いて前記１画面の画像データを生成することを特徴とする請求項６記載の再生装置。
【請求項８】  記録媒体から画像データを再生する再生手段と、
通常再生速度のｎ（ｎは２以上の整数）倍の速度で前記画像データを再生するサーチ再生モードにおいて、前記再生手段により再生された連続するｎ画面の前記画像データをそれぞれｎ個の領域に分割し、前記分割されたｎ画面の画像データの互いに異なる領域を用いて１画面のサーチ再生用の画像データを生成する生成手段とを備える再生装置。
【請求項９】  記録媒体から画像データを再生する再生装置における再生方法であって、
通常再生速度よりも高速に前記画像データを再生するサーチ再生モードにおいて、前記再生された複数画面の画像データを、それぞれ前記サーチ再生モードにおける再生速度に応じた数の領域に分割し、前記分割された複数画面の画像データの互いに異なる領域を用いて１画面の画像データを生成することを特徴とする再生方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明にあっては、記録媒体から画像データを再生する再生手段と、通常再生速度よりも高速に前記画像データを再生するサーチ再生モードにおいて、前記再生された複数画面の画像データを、それぞれ前記サーチ再生モードにおける再生速度に応じた数の領域に分割し、前記分割された複数画面の画像データの互いに異なる領域を用いて１画面の画像データを生成する生成手段とを備える構成とした。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８５】
図１７は、制御回路部６２及び制御回路部６１の出力端７から出力される電流に各値の負荷電流を加えた際の商用電源８０側からみた各待機電源部７０（図１５及び図１６）における消費電力と、電源トランスＴｒが常時励磁動作状態である回路に各値の負荷電流を加えた際の商用電源８０側からみた消費電力とを調べ、その比較結果を縦軸に商用電源８０側からみた消費電力[mW]、横軸に負荷電流[μA]としてグラフ化したものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８９】
図１８は、制御回路部６２及び制御回路部６１の出力端７から出力される電流に各値の負荷電流を加えた際の各待機電源部７０（図１５及び図１６）における電源効率と、電源トランスＴｒが常時励磁動作状態である回路に各値の負荷電流を加えた際の電源効率とを調べ、その比較結果を縦軸に電源効率[%]、横軸に負荷電流[μA]としてグラフ化したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2001352501.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2001352501.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月28日(2006.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
すなわち、図１９（Ｂ）に示すように、時刻ｔ43において、目標とする変速再生用データのデータ位置検出パルスが検出されたとすると、時刻位相エラーは、以下のように計算される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月14日(2007.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
ここで、パルパーにより溶解を図った後、異物除去を行い、フローテーターにより脱墨処理し、次いで微細な異物除去を行なう精選処理をなし、分散処理後に、過酸化水素などにより漂白を行なうこともできる。この場合においては、フローテーターでのフロス、及び／または２段フローテーションの場合、ポストフローテーターでのフロスを漂白対象とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月14日(2007.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １０質量％以上４５質量％以下のＳｉと、
３質量％以上１５質量％以下のＣｕと、
Ａｌ及び不可避的不純物のみを含む残部とからなる組成を有することを特徴とする摺動部材用アルミニウム合金。
【請求項２】  ０．５質量％以上５質量％以下のＭｇを含有することを特徴とする請求項１に記載の摺動部材用アルミニウム合金。
【請求項３】  ０．１質量％以上２質量％以下のＦｅを含有することを特徴とする請求項１又は２に記載の摺動部材用アルミニウム合金。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月11日(2007.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
しかしながら、グリセリン、ジグリセリン等の可塑剤は、それ自身の熱安定性が低いため、繊維化工程で熱分解を起こし、可塑性、紡糸性の低下を招く。このような現象は分子量の低いグリセリンやグリセリンのエチレンオキサイド反応付加物を用いた場合に起こり易い。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月20日(2007.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ラジカル重合性不飽和単量体を水性媒体中で乳化重合させた後に、式（R1）n-Si-(R2)4-n［式中ｎは１〜３の整数。R1は炭素数１〜１６のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、：R2は１〜８個の炭素原子を有するアルコキシ基、水酸基］で表される非ラジカル重合性有機珪素化合物を加水分解縮合させると同時に光安定剤を水性樹脂エマルジョン中の固形分の０．１〜５重量％の範囲で加えて得られる水性樹脂エマルジョン。
【請求項２】  ラジカル重合性不飽和単量体を水性媒体中で乳化重合させた後に、光安定剤を水性樹脂エマルジョン中の固形分の０．１〜５重量％の範囲で溶解させた、式（R1）n-Si-(R2)4-n［式中ｎは１〜３の整数。R1は炭素数１〜１６のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、：R2は１〜８個の炭素原子を有するアルコキシ基、水酸基］で表される非ラジカル重合性有機珪素化合物を加水分解縮合させて得られる水性樹脂エマルジョン。
【請求項３】  非ラジカル重合性有機珪素化合物の固形分が、水性樹脂エマルジョン中の固形分の１〜５０重量％である請求項１または２に記載の水性樹脂エマルジョン。
【請求項４】  光安定剤がヒンダードアミン系である請求項１〜３のいずれか１項に記載の水性樹脂エマルジョン。
【請求項５】  ラジカル重合性不飽和単量体の３０〜７０重量％がアルキル基の炭素数が４以上のメタクリル酸アルキルエステルである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の水性樹脂エマルジョン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち本発明は、
１．ラジカル重合性不飽和単量体を水性媒体中で乳化重合させた後に、式（R1）n-Si-(R2)4-n［式中ｎは１〜３の整数。R1は炭素数１〜１６のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、：R2は１〜８個の炭素原子を有するアルコキシ基、水酸基］で表される非ラジカル重合性有機珪素化合物を加水分解縮合させると同時に光安定剤を水性樹脂エマルジョン中の固形分の０．１〜５重量％の範囲で加えて得られる水性樹脂エマルジョン、
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
２．ラジカル重合性不飽和単量体を水性媒体中で乳化重合させた後に、光安定剤を水性樹脂エマルジョン中の固形分の０．１〜５重量％の範囲で溶解させた、式（R1）n-Si-(R2)4-n［式中ｎは１〜３の整数。R1は炭素数１〜１６のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、：R2は１〜８個の炭素原子を有するアルコキシ基、水酸基］で表される非ラジカル重合性有機珪素化合物を加水分解縮合させて得られる水性樹脂エマルジョン、
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
４．光安定剤がヒンダードアミン系である、上記１〜３のいずれかに記載の水性樹脂エマルジョン、
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
５．ラジカル重合性不飽和単量体の３０〜７０重量％がアルキル基の炭素数が４以上のメタクリル酸アルキルエステルである、上記１〜４のいずれかに記載の水性樹脂エマルジョンを提供しようとするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月31日(2007.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記のように、滑り軸受６にカム筒部１１ａ、１１ｂを一体に設けると、下側ヒンジ部材Ｘ2 に対して上側ヒンジ部材Ｘ1 を回転させた場合に、対向配置の一対の滑り軸受６はカム面１２ａ、１２ｂに沿って回動するため、上側ヒンジ部材Ｘ1 は回転しつつ上方に移動する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月27日(2007.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
従来より、このような車載用ノブスイッチ装置において、ハウジングの内部に配設したガイド体によって操作つまみを昇降可能に支持するようにしたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。このガイド体はスナップ結合等の固定手段を用いてホルダに一体化されており、回路基板に実装されたプッシュスイッチはガイド体によって包囲されている。ガイド体にはプッシュスイッチと対向する位置に円筒状のガイド部が設けられており、操作つまみの裏面から突出する円柱状のボスをこのガイド部に摺動自在に嵌合することにより、操作つまみをスムーズに押圧操作できるようになっている。
【特許文献１】特開平１０−２６９８９８号公報（第３−４頁、図１）
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月6日(2007.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２種類の３族元素と窒素とからなる半導体基板と、
前記半導体基板上に形成される活性層と、
前記半導体基板と前記活性層との間の前記半導体基板の上面に形成されるとともに、前記半導体基板の構成元素と同一の構成元素からなり、かつ、前記構成元素の少なくとも２種類の３族元素の内、最も軽い元素の組成比が前記半導体基板の対応する元素の組成比よりも高い窒化物系半導体層とを備えた、半導体素子。
【請求項２】
前記半導体基板の構成元素と同一の構成元素からなるクラッド層をさらに備える、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記半導体基板および前記窒化物系半導体層は、ＡｌＧａＮ層であり、
前記窒化物系半導体層のＡｌ組成比は、前記半導体基板のＡｌ組成比より高い、請求項１または２に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記半導体基板および前記窒化物系半導体層は、ＩｎＧａＮ層であり、
前記窒化物系半導体層のＧａ組成比は、前記半導体基板のＧａ組成比より高い、請求項１または２に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記窒化物系半導体層は、前記半導体基板の上面上に接触するように形成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体素子。
【請求項６】
前記窒化物系半導体層は、前記半導体基板の表面が変質された変質層からなる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体素子。
【請求項７】
少なくとも２種類の３族元素と窒素とからなる半導体層と、
活性層と、
前記活性層の前記半導体層とは反対側の面側に接着層により接着された基板と、
前記半導体層と前記活性層との間の前記半導体層の表面に形成されるとともに、前記半導体層の構成元素と同一の構成元素からなり、かつ、前記構成元素の少なくとも２種類の３族元素の内、最も軽い元素の組成比が前記半導体層の対応する元素の組成比よりも高い窒化物系半導体層とを備えた、半導体素子。
【請求項８】
前記活性層には、前記活性層を構成する層の主表面に沿った方向の圧縮歪が印加されている、請求項７に記載の半導体素子。
【請求項９】
前記活性層は、前記半導体層よりも大きい格子定数を有する、請求項７または８に記載の半導体素子。
【請求項１０】
前記半導体層および前記窒化物系半導体層は、ＡｌＧａＮ層であり、
前記窒化物系半導体層のＡｌ組成比は、前記半導体層のＡｌ組成比より高い、請求項７〜９のいずれか１項に記載の半導体素子。
【請求項１１】
前記半導体層および前記窒化物系半導体層は、ＩｎＧａＮ層であり、
前記窒化物系半導体層のＧａ組成比は、前記半導体層のＧａ組成比より高い、請求項７〜９のいずれか１項に記載の半導体素子。
【請求項１２】
前記窒化物系半導体層は、前記半導体層の前記活性層側の表面上に、前記半導体層に接触するように形成されている、請求項７〜１１に記載の半導体素子。
【請求項１３】
前記窒化物系半導体層は、前記半導体層の前記活性層側の表面が変質された変質層からなる、請求項７〜１１に記載の半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
次に、図１０に示すように、Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５ＮからなるＩｎＧａＮ基板３１の表面（成長面）に約５ｎｍの厚みを有する高Ｇａ組成層３１ａを形成する。具体的には、Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５ＮからなるＩｎＧａＮ基板３１を、ＮＨ３（２５％）、Ｎ２（６５％）およびＨ２（１０％）からなる雰囲気中に、約９００℃の温度に保持した状態で、約３０分間保持する。これにより、ＩｎＧａＮ基板３１の表面の付着物が脱離するとともに、ＩｎＧａＮ基板３１の表面のＩｎが脱離する。その結果、Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５ＮからなるＩｎＧａＮ基板３１の表面に、Ｇａ組成比がＩｎＧａＮ基板３１の８５％よりも大きい変質層からなる高Ｇａ組成層３１ａが形成される。さらに、ＭＯＶＰＥ法を用いて、ＩｎＧａＮ基板３１を約７５０℃の温度に保持した状態で、ＮＨ３（２５％）およびＨ２（７５％）の雰囲気において、ＩｎＧａＮ基板３１上に、約１μｍの厚みを有するＳｉがドープされたＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎからなるｎ型クラッド層３２を成長させる。続いて、ｎ型クラッド層３２上に、ＳｉがドープされたＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎからなるｎ型光導波層３３、ＭＱＷ構造を有する活性層３４、アンドープのＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎからなるｐ型光導波層３５、Ｍｇがドープされた約２．５ｎｍの厚みを有するＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ層と約２．５ｎｍの厚みを有するＧａＮ層との６０周期の超格子クラッド層３６および約０．１μｍの厚みを有するＭｇがドープされたＧａＮからなるｐ型コンタクト層３７を、この順に成長させる。その後、ＩｎＧａＮ基板３１を、窒素雰囲気中でアニール処理することによって、ｐ型不純物であるＭｇを活性化させて、ｐ型化を行う。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月28日(2007.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号の光学特性を分析する方法であって、
周波数が異なる入力スペクトルピークを備える入力光信号を受信するステップと、
中央スペクトルピークおよび側部スペクトルピークを備える局部光信号を供給するステップと、
前記入力光信号と前記局部光信号を合成及び混合し、前記入力光信号の前記入力スペクトルピークの合成を含む出力スペクトルピークを構築するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記出力スペクトルピークを使用し、前記入力光信号の前記入力スペクトルピーク間におけるスペクトル位相差を導出するステップを更に有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記局部光信号を供給するステップが、前記出力スペクトルピークの振幅が変化するように、局部発振器信号の位相変調に使用される電気的変調信号の位相をシフトさせるステップを有する、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
光アナライザシステムであって、
周波数の異なる入力スペクトルピークを有する入力光信号を受信する入力と、
中央スペクトルピークおよび側部スペクトルピークを有する局部光信号を生成するべく構成された光信号生成器と、
前記入力光信号と前記局部光信号を合成するべく構成された光カプラと、
前記入力光信号と前記局部光信号を受信して混合し、前記入力光信号の前記入力スペクトルピークの合成を含む出力スペクトルピークを構築するべく構成された光レシーバと、
を有するシステム。
【請求項５】
前記光レシーバに動作可能に接続され、前記出力スペクトルピークを使用し、前記入力  光信号の前記入力スペクトルピーク間におけるスペクトル位相差を導出するべく構成された処理ユニットを更に有する、請求項４記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月21日(2007.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
トランスポンダによって発せられた応答信号及び送信機によって発せられた励起信号は、受信コイルに入射する。通常受動トランスポンダを使用する追跡システムでは、両方の信号が受信機で受信されるときに、励起信号は応答信号よりもはるかに大きい。応答信号は励起信号と同じ周波数で発せられ、応答信号は励起信号よりもはるかに小さいことから、応答信号を正確に分離して測定することは困難である。
【特許文献１】米国特許第６３７４１３１号
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月24日(2007.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光用大型基板及びそのハンドリング方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  対角長又は直径が５００ｍｍ以上であり、厚さが１〜２０ｍｍである平板状の露光用大型基板において、外周面の面粗さＲａが０．０５〜０．４μｍであることを特徴とする露光用大型基板。
【請求項２】  基板外周面の、ハンドリング用手袋と水を介しての静摩擦係数が基板質量（ｋｇ）／２×（０．０２〜０．０３）である請求項１記載の露光用大型基板。
【請求項３】  基板外周面の、ハンドリング用手袋と水を介しての静摩擦係数が０．１〜０．２である請求項１記載の露光用大型基板。
【請求項４】  基板が合成石英基板である請求項１〜３のいずれか１項記載の露光用大型基板。
【請求項５】  対角長又は直径が５００ｍｍ以上であり、厚さが１〜２０ｍｍである平板状の露光用大型基板をハンドリングするに際し、請求項１〜４のいずれか１項記載の露光用大型基板の外周面をハンドリング用手袋を装置してハンドリング操作することを特徴とする露光用大型基板のハンドリング方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶パネルの製造等に用いられる露光用大型基板及びそのハンドリング方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、洗浄時の基板外周面部からの発塵を抑え、且つ人手でハンドリング可能な露光用大型基板及びそのハンドリング方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
従って、本発明は下記の露光用大型基板及びそのハンドリング方法を提供する。
（１）対角長又は直径が５００ｍｍ以上であり、厚さが１〜２０ｍｍである平板状の露光用大型基板において、外周面の面粗さＲａが０．０５〜０．４μｍであることを特徴とする露光用大型基板。
（２）基板外周面の、ハンドリング用手袋と水を介しての静摩擦係数が基板質量（ｋｇ）／２×（０．０２〜０．０３）である（１）記載の露光用大型基板。
（３）基板外周面の、ハンドリング用手袋と水を介しての静摩擦係数が０．１〜０．２である（１）記載の露光用大型基板。
（４）基板が合成石英基板である（１）〜（３）のいずれか１項記載の露光用大型基板。
（５）対角長又は直径が５００ｍｍ以上であり、厚さが１〜２０ｍｍである平板状の露光用大型基板をハンドリングするに際し、（１）〜（４）のいずれか１項記載の露光用大型基板の外周面をハンドリング用手袋を装置してハンドリング操作することを特徴とする露光用大型基板のハンドリング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月27日(2007.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の物体側からの光路に沿って、
屈折系であり、第１の物体の第１中間像を形成する第１結像光学系と、
２つのミラーを有し、前記第１の物体の第２中間像を形成する第２結像光学系と、
レンズを有し、前記第１の物体の像を第２の物体上に形成する第３結像光学系と、
を備え、前記第１の物体の像を前記第２の物体上に結像する投影光学系であって、
前記第１結像光学系の近軸倍率をβ１、前記第２結像光学系の近軸倍率をβ２としたとき、
０．８０＜｜β１・β２｜＜２．０
を満足し、
前記２つのミラーは、凹面ミラーを含み、
前記第１結像光学系と前記凹面ミラーとは、共通の直線光軸を持つ投影光学系。
【請求項２】
瞳の中心部が遮光されていないことを特徴とする請求項１記載の投影光学系。
【請求項３】
前記第１結像光学系の近軸倍率は、等倍以上であることを特徴とする請求項１記載の投影光学系。
【請求項４】
前記第１，第２の物体は、互いに平行に配置されることを特徴とする請求項１記載の投影光学系。
【請求項５】
前記凹面ミラーは、前記第１の物体と対向して配置されていることを特徴とする請求項１記載の投影光学系。
【請求項６】
前記第１，第２，または第３結像光学系は、回折光学素子を有することを特徴とする請求項１記載の投影光学系。
【請求項７】
前記第２結像光学系は、レンズを有することを特徴とする請求項１記載の投影光学系。
【請求項８】
光源からの光で前記第１の物体を照明する照明光学系と、前記第１の物体からの光を前記第２の物体へ投影する、請求項１乃至７いずれかに記載の投影光学系とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の露光装置を用いて前記第２の物体を露光する露光工程と、前記露光された第２の物体を現像する現像工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の一側面としての投影光学系は、第１の物体側からの光路に沿って（第１の物体側から出射する光が通過する順に）、屈折系であり第１の物体の第１中間像を形成する第１結像光学系と、２つのミラーを有し前記第１の物体の第２中間像を形成する第２結像光学系と、レンズを有し前記第１の物体の像を第２の物体上に形成する第３結像光学系と、を備え、前記第１の物体の像を前記第２の物体上に結像する投影光学系であって、前記第１結像光学系の近軸倍率をβ１、前記第２結像光学系の近軸倍率をβ２としたとき、
０．８０＜｜β１・β２｜＜２．０
を満足し、前記２つのミラーは凹面ミラーを含み、前記第１結像光学系と前記凹面ミラーとは共通の直線光軸を持つ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月11日(2007.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
着色液を吸収しうる受容層を有する透明基材を用意する工程と、該層にインクジェット記録方法を用いて着色液を付与し特定の光学濃度領域をもつ光量調節領域を形成する工程とを有する光量調節部材の製造方法において、該層が樹脂と架橋剤を含有し、該層に着色液を付与後、該層を所定環境で保存し着色液によって形成されたドットをにじませる工程、該層に含まれる樹脂を架橋剤によって架橋させる工程を有することを特徴とする光量調節部材の製造方法。
【請求項２】
前記着色液を付与し特定の光学濃度領域をもつ光量調節領域を形成する工程において、前記受容層に透明液および着色液を付与することを特徴とする請求項１に記載の光量調節部材の製造方法。
【請求項３】
前記光量調節領域が、連続的に或いは段階的に変化する濃度分布を有するものとなるように着色液を付与する請求項１または２に記載の光量調節部材の製造方法。
【請求項４】
前記着色液を付与し特定の光学濃度領域をもつ光量調節領域を形成する工程の前に、前記受容層に透明液を付与する工程を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光量調節部材の製造方法。
【請求項５】
前記所定環境は、相対湿度７０％以上９０％以下、温度３０℃以上７０℃以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光量調節部材の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂を架橋剤によって架橋させる工程の後に、更に、前記受容層上に透明な平坦化層を設ける工程を有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の光量調節部材の製造方法。
【請求項７】
前記透明な平坦層を形成する工程の後に、更に、光量調節部材の平坦化層表面と透明基材裏面に反射防止膜を設ける工程を有する請求項６に記載の光量調節部材の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の製造方法で製造された光量調節部材が具備されていることを特徴とする光量調節装置。
【請求項９】
請求項８に記載の光量調節装置と、被写体像を形成するための撮影光学系と、該被写体像を光電変換する撮像手段と、光電変換された信号を記録する記録手段とを有する撮影装置であって、前記記光量調節装置を、上記撮影光学系に配置することを特徴とする撮影装置。