【手続補正書】
【提出日】平成18年12月6日(2006.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板に金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
パルス発振された第１のレーザ光と、連続発振された第２のレーザ光とを、互いの照射領域が重なるように前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜を結晶化し、
前記結晶化された半導体膜を用いて半導体素子を形成し、
前記半導体素子を間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記絶縁膜側とに分離させることで、前記第１の基板を取り除き、
前記金属酸化膜の一部が付着した前記絶縁膜に第２の接着剤を用いてインターポーザを貼り合わせ、
前記第１の接着剤を除去することで前記第２の基板を取り除くことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板に金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
パルス発振された第１のレーザ光と、連続発振された第２のレーザ光とを、互いの照射領域が重なるように前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜を結晶化し、
前記結晶化された半導体膜を用いて半導体素子を形成し、
前記半導体素子を間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記絶縁膜側とに分離させることで、前記第１の基板を取り除き、
前記金属酸化膜の一部が付着した前記絶縁膜に第２の接着剤を用いて端子が設けられたインターポーザを貼り合わせ、
前記第１の接着剤を除去することで前記第２の基板を取り除いた後、
前記インターポーザに設けられた前記端子と前記半導体素子とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の基板に金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
パルス発振された第１のレーザ光と、連続発振された第２のレーザ光とを、互いの照射領域が重なるように前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜を結晶化し、
前記結晶化された半導体膜を用いて半導体素子を形成し、
前記半導体素子を間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記絶縁膜側とに分離させることで、前記第１の基板を取り除き、
前記金属酸化膜の一部が付着した前記絶縁膜に第２の接着剤を用いて端子が設けられたインターポーザを貼り合わせることで、前記インターポーザに設けられた前記端子と前記半導体素子とを電気的に接続し、
前記第１の接着剤を除去することで前記第２の基板を取り除くことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１の基板に金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
パルス発振された第１のレーザ光と、連続発振された第２のレーザ光とを、互いの照射領域が重なるように前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜を結晶化し、
前記結晶化された半導体膜を用いて半導体素子を形成し、
前記半導体素子を間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記絶縁膜側とに分離させることで、前記第１の基板を取り除き、
前記絶縁膜に部分的に付着した前記金属酸化膜を除去し、
前記絶縁膜に第２の接着剤を用いて端子が設けられたインターポーザを貼り合わせ、
前記第１の接着剤を除去することで前記第２の基板を取り除いた後、
前記インターポーザに設けられた前記端子と前記半導体素子とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
第１の基板の表側に金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
パルス発振された第１のレーザ光と、連続発振された第２のレーザ光とを、互いの照射領域が重なるように前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜を結晶化し、
前記結晶化された半導体膜を用いて半導体素子を形成し、
前記半導体素子を間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
前記第１の基板の裏側に第２の接着剤を用いて第３の基板を貼り合わせ、
前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記絶縁膜側とに分離させることで、前記第１の基板及び前記第３の基板を取り除き、
前記金属酸化膜の一部が付着した前記絶縁膜に第３の接着剤を用いて端子が設けられたインターポーザを貼り合わせ、
前記第１の接着剤を除去することで前記第２の基板を取り除いた後、
前記インターポーザに設けられた前記端子と前記半導体素子とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
第１の基板に金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
パルス発振された第１のレーザ光と、連続発振された第２のレーザ光とを、互いの照射領域が重なるように前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜を結晶化し、
前記結晶化された半導体膜を用いた半導体素子と、前記半導体素子に電気的に接続されたパッドとを形成し、
前記半導体素子及び前記パッドを間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記絶縁膜側とに分離させることで、前記第１の基板を取り除き、
前記金属酸化膜の一部が付着した前記絶縁膜に第２の接着剤を用いて端子が設けられたインターポーザを貼り合わせ、
前記第１の接着剤を除去することで前記第２の基板を取り除いた後、
前記インターポーザに設けられた前記端子と前記パッドとを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
第１の基板の表側に金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
パルス発振された第１のレーザ光と、連続発振された第２のレーザ光とを、互いの照射領域が重なるように前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜を結晶化し、
前記結晶化された半導体膜を用いた半導体素子と、前記半導体素子に電気的に接続されたパッドとを形成し、
前記半導体素子及び前記パッドを間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
前記第１の基板の裏側に第２の接着剤を用いて第３の基板を貼り合わせ、
前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記絶縁膜側とに分離させることで、前記第１の基板及び前記第３の基板を取り除き、
前記金属酸化膜の一部が付着した前記絶縁膜に第３の接着剤を用いて端子が設けられたインターポーザを貼り合わせ、
前記第１の接着剤を除去することで前記第２の基板を取り除いた後、
前記インターポーザに設けられた前記端子と前記パッドとを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
第１の基板に金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
パルス発振された第１のレーザ光と、連続発振された第２のレーザ光とを、互いの照射領域が重なるように前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜を結晶化し、
前記結晶化された半導体膜を用いて複数の半導体素子を形成し、
前記複数の半導体素子を間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記絶縁膜側とに分離させることで、前記第１の基板を取り除き、
前記第２の基板を切断することにより、前記複数の半導体素子を各々の半導体素子に分割し、
分割された半導体素子の各々において、前記金属酸化膜の一部が付着した前記絶縁膜に第２の接着剤を用いてインターポーザを貼り合わせ、
前記第１の接着剤を除去することで前記分割された半導体素子の各々の前記第２の基板を取り除くことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
第１の基板に金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
パルス発振された第１のレーザ光と、連続発振された第２のレーザ光とを、互いの照射領域が重なるように前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜を結晶化し、
前記結晶化された半導体膜を用いて複数の半導体素子を形成し、
前記複数の半導体素子を間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記絶縁膜側とに分離させることで、前記第１の基板を取り除き、
前記第２の基板を切断することにより、前記複数の半導体素子を各々の半導体素子に分割し、
分割された半導体素子の各々において、前記金属酸化膜の一部が付着した前記絶縁膜に第２の接着剤を用いて端子が設けられたインターポーザを貼り合わせることで、前記インターポーザと前記分割された半導体素子の各々とを電気的に接続し、
前記第１の接着剤を除去することで前記分割された半導体素子の各々の前記第２の基板を取り除くことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
第１の基板に金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
パルス発振された第１のレーザ光と、連続発振された第２のレーザ光とを、互いの照射領域が重なるように前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜を結晶化し、
前記結晶化された半導体膜を用いて複数の半導体素子を形成し、
前記複数の半導体素子を間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記絶縁膜側とに分離させることで、前記第１の基板を取り除き、
前記金属酸化膜の一部が付着した前記絶縁膜に第３の接着剤を用いてインターポーザを貼り合わせ、
前記第２の基板と前記インターポーザを切断することにより、前記複数の半導体素子を各々の半導体素子に分割し、
前記第１の接着剤を除去することで分割された半導体素子の各々の前記第２の基板を取り除くことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
第１の基板に金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
パルス発振された第１のレーザ光と、連続発振された第２のレーザ光とを、互いの照射領域が重なるように前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜を結晶化し、
前記結晶化された半導体膜を用いて複数の半導体素子を形成し、
前記複数の半導体素子を間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記絶縁膜側とに分離させることで、前記第１の基板を取り除き、
前記金属酸化膜の一部が付着した前記絶縁膜に第３の接着剤を用いて端子が設けられたインターポーザを貼り合わせることで、前記インターポーザに設けられた前記端子と前記複数の半導体素子とを電気的に接続し、
前記第２の基板と前記インターポーザを切断することにより、前記複数の半導体素子を各々の半導体素子に分割し、
前記第１の接着剤を除去することで分割された半導体素子の各々の前記第２の基板を取り除くことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
第１の基板に金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
パルス発振された第１のレーザ光と、連続発振された第２のレーザ光とを、互いの照射領域が重なるように前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜を結晶化し、
前記結晶化された半導体膜を用いて複数の半導体素子を形成し、
前記複数の半導体素子を間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記絶縁膜側とに分離させることで、前記第１の基板を取り除き、
前記金属酸化膜の一部が付着した前記絶縁膜に第３の接着剤を用いてインターポーザを貼り合わせ、
前記第１の接着剤を除去することで前記第２の基板を取り除いた後、
前記インターポーザを切断することにより、前記複数の半導体素子を各々の半導体素子に分割することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
第１の基板に金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とを順に積層するように形成し、
パルス発振された第１のレーザ光と、連続発振された第２のレーザ光とを、互いの照射領域が重なるように前記半導体膜に照射することで、前記半導体膜を結晶化し、
前記結晶化された半導体膜を用いて複数の半導体素子を形成し、
前記複数の半導体素子を間に挟んで前記第１の基板と向かい合うように、第１の接着剤を用いて第２の基板を貼り合わせ、
前記金属酸化膜を前記金属膜側と前記絶縁膜側とに分離させることで、前記第１の基板を取り除き、
前記金属酸化膜の一部が付着した前記絶縁膜に第３の接着剤を用いて端子が設けられたインターポーザを貼り合わせることで、前記インターポーザに設けられた前記端子と前記複数の半導体素子とを電気的に接続し、
前記第１の接着剤を除去することで前記第２の基板を取り除いた後、
前記インターポーザを切断することにより、前記複数の半導体素子を各々の半導体素子に分割することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記半導体素子を形成する際の加熱処理により、前記金属酸化膜は結晶化されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、
前記金属酸化膜は、前記金属膜の表面を酸化することで形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、
前記第１のレーザ光は、前記半導体膜に対する吸収係数が１×１０４ｃｍ−１以上の波長を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一において、
前記第１のレーザ光は第２高調波を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一において、
前記第２のレーザ光は基本波を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一において、
前記結晶化において、前記半導体膜に対して前記第１のレーザ光の照射領域及び前記第２のレーザ光の照射領域を相対的に移動させており、前記半導体素子は、前記移動の向きに対して垂直の方向における前記第２のレーザ光の照射領域の幅に収まる領域に形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１９において、前記移動の向きに対して垂直の方向における前記第２のレーザ光の照射領域の幅を１０ｍｍ以上５０ｍｍ以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１乃至請求項２０のいずれか一において、
前記第１のレーザの照射領域と、前記第２のレーザの照射領域とが重なる領域の面積は、前記第２のレーザの照射領域に相当することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１乃至請求項２１のいずれか一において、前記作製方法を用いて作製されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】
請求項２２において、前記半導体装置を用いることを特徴とする電子機器。