【手続補正書】
【提出日】平成19年12月7日(2007.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデータ記憶領域を備える不揮発性メモリにおいて、各データ記憶領域は、
ユーザデータ部と、
オーバーヘッドデータ部であって、各データ記憶領域のオーバーヘッドデータ部は別の１つのデータ記憶領域が適正に書き込まれたことを示す第１のフラグを含むオーバーヘッドデータ部と、
を備える不揮発性メモリ。
【請求項２】
前記各データ記憶領域のオーバーヘッド部は、そのデータ記憶領域自体が適正に書き込まれたことを示す第２のフラグをさらに含む請求項１記載の不揮発性メモリ。
【請求項３】
前記データ記憶領域は、それぞれデータセクタに対応する請求項１記載の不揮発性メモリ。
【請求項４】
前記データ記憶領域は複数の消去ユニットに編成され、各消去ユニット内の所定のデータ記憶ユニットのオーバーヘッドデータ部は、所定のデータ記憶ユニットが属する消去ユニットが消去動作を完了したことを示す第３のフラグをさらに含む請求項１記載の不揮発性メモリ。
【請求項５】
前記データ記憶領域は複数の消去ユニットに編成され、前記消去ユニットの各々は、そのオーバーヘッドデータ部が前記第２のフラグを有し、かつ前記第１のフラグを有していない追加のデータ記憶領域をさらに含む請求項１記載の不揮発性メモリ。
【請求項６】
前記第１のフラグを有していない前記各データ記憶領域のオーバーヘッドデータ部は、前記第１のフラグを有していない前記データ記憶領域が属する前記消去ユニットが消去動作を完了したことを示す第３のフラグを含む請求項５記載の不揮発性メモリ。
【請求項７】
前記データ記憶領域は所定のシーケンスに従って書き込まれ、前記別の１つのデータ記憶領域はシーケンスにおいて先行するデータ記憶領域であり、前記第１のフラグを有していない前記データ記憶領域は、それらが属するそれぞれのブロック内の前記シーケンスにおける第１のデータ記憶領域である請求項６記載の不揮発性メモリ。
【請求項８】
前記第１のフラグは、それぞれ複数ビットからなる請求項１記載の不揮発性メモリ。
【請求項９】
前記データ記憶領域は所定のシーケンスに従って書き込まれ、前記別の１つのデータ記憶領域はシーケンスにおいて先行するデータ記憶領域である請求項１記載の不揮発性メモリ。
【請求項１０】
前記第１のフラグとユーザデータ部のコンテンツは、誤り訂正符号（ＥＣＣ）によって保護される請求項１記載の不揮発性メモリ。
【請求項１１】
複数のデータ記憶領域を各々有する複数の消去ユニットを備える不揮発性メモリにおいて、各データ記憶領域は、
ユーザデータ部と、
オーバーヘッドデータ部と、を備え、
各消去ユニット内の所定のデータ記憶ユニットのオーバーヘッドデータ部は、前記所定のデータ記憶ユニットが属する消去ユニットが消去動作を完了したことを示すフラグをさらに含む不揮発性メモリ。
【請求項１２】
前記フラグは、複数ビットからなる請求項１１記載の不揮発性メモリ。
【請求項１３】
メモリにおいて、
複数のデータ記憶領域を備える不揮発性メモリと、
データをメモリに読み込みかつ書き込むためのコントローラであって、２つまたはそれ以上の前記データ記憶領域へのデータの順次書き込み処理中に、第１のデータ記憶領域に続く各データ記憶領域ごとに、先行するデータ記憶領域の書き込みを示す表示が前記書き込み処理の一部として現行のデータ記憶領域に書き込まれるコントローラと、
を備えるメモリ。
【請求項１４】
順次処理の最後のデータ記憶領域について、順次書き込み処理中に、最後のデータ記憶領域の書き込みを示す表示が最後のデータ記憶領域に書き込まれる請求項１３記載のメモリ。
【請求項１５】
前記各データ記憶領域はデータ部とオーバーヘッド部とを含み、前記表示はオーバーヘッド部に書き込まれる請求項１４記載のメモリ。
【請求項１６】
不揮発性メモリの動作方法において、
ユーザデータを含む第１のコンテンツを第１のデータ記憶領域にプログラムするステップと、
第１のコンテンツが第１のデータ記憶領域に適正にプログラムされたことを検証するステップと、
引き続いて、ユーザデータを含む第２のコンテンツを第２のデータ記憶領域にプログラムするステップと、
前記第２のコンテンツをプログラムするステップと同時に、第１のデータ記憶領域が適正にプログラムされたことを示す表示を前記第２のデータ記憶領域に書き込むステップと、
を含む方法。
【請求項１７】
前記第２のコンテンツをプログラムするステップに引き続いて、前記第２のコンテンツが前記第２のデータ記憶領域に適正にプログラムされたことを検証するステップと、
引き続いて、前記第２のデータ記憶領域が適正にプログラムされたことを示す表示を前記第２のデータ記憶領域に書き込むステップと、
をさらに含む請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記データ記憶領域は、所定の順序で書き込まれる請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
前記データ記憶領域が消去ユニットにグループ化され、前記方法は、
前記第２のコンテンツをプログラムするステップに引き続いて、前記第２のコンテンツが前記第２のデータ記憶領域に適正にプログラムされたことを検証するステップと、
前記第２のデータ記憶領域が、前記第２のデータ記憶領域が属する前記消去ユニットに所定の順序で書き込まれた最後のデータ記憶領域である場合は、引き続いて前記第２のデータ記憶領域が適正にプログラムされたことを示す表示を前記第２のデータ記憶領域に書き込むステップと、
をさらに含む請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記第２のコンテンツと第１のデータ記憶領域が適正にプログラムされたことを示す表示とは、誤り訂正符号（ＥＣＣ）によって保護される請求項１６記載の方法。
【請求項２１】
順次書き込まれる複数のセクタが適正にプログラムされたか否かを判定する方法において、
シーケンスにおける最初のセクタ以外の全てのセクタが適正にプログラムされたか否かを、後続するセクタのコンテンツに基づいて判定するステップと、
適正にプログラムされていないと表示された第１のセクタを、その後のセクタのコンテンツに基づいて発見するステップと、
前記第１のセクタ自体のコンテンツに基づいて、前記第１のセクタが適正にプログラムされたか否かを判定するステップと、
を含む方法。
【請求項２２】
後続するセクタの前記コンテンツは、先行するセクタが適正にプログラムされたか否かを表示するフラグを含む請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
先行するセクタが適正にプログラムされたことを表示する前記フラグは、複数ビットからなる請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
先行するセクタが適正にプログラムされたことを表示する前記フラグは、誤り訂正符号（ＥＣＣ）によって保護される請求項２２記載の方法。
【請求項２５】
前記第１のセクタ自体の前記コンテンツは、前記第１のセクタが適正にプログラムされたことを表示するフラグを含む請求項２１記載の方法。
【請求項２６】
前記第１のセクタが適正にプログラムされたことを表示する前記フラグは、複数ビットからなる請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
不揮発性メモリの動作方法において、
不揮発性メモリのブロックのデータコンテンツを消去するステップであって、前記ブロックは、各々がデータ部とオーバーヘッド部とを有する複数のセクタを備えるステップと、
ブロックが正常に消去されたことを検証するステップと、
ブロックが正常に消去されたことを示す表示を、指定されたセクタのうちの１つのセクタのオーバーヘッド部に書き込むステップと、
を含む方法。
【請求項２８】
前記表示は、フラグを含む請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
前記フラグは、複数ビットからなる請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
各々がデータ部とオーバーヘッド部とを有する複数のセクタを有する不揮発性メモリの動作方法において、
少なくとも第１のセクタのデータコンテンツを変更するステップと、
引き続いて、前記少なくとも第１のセクタのデータコンテンツを変更するステップが正常に完了したことを検証するステップと、
引き続いて、前記少なくとも第１のセクタのデータコンテンツを変更するステップが正常に完了したことを示す表示を第２のセクタのオーバーヘッド部に記録するステップと、
を含む方法。
【請求項３１】
前記データコンテンツを変更するステップは、プログラミング動作である請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
前記第１および第２のセクタは同じブロックに属し、前記データコンテンツを変更するステップは消去動作である請求項３０記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
セクタｘがプログラムされた後、アルゴリズムはセクタｘのＬＳＳをプログラムすることができる。これは書き込み失敗検出を確実にするために、ホストプログラミングコマンドの最後のセクタだけが２回のプログラム動作をすればよいことを意味している。ＰＳＳ方式は、コントローラによってキャッシュされるホストのアトミックな書き込みコマンドまたはコマンド群内の全てのセクタに適用される。ＬＳＳ方式はシーケンス外のページのプログラミングが許容されない場合に、ホストのアトミックな書き込みコマンドおよびブロックの最後の物理的ページに適用される。メモリシステムはホストコマンドからプログラムされるセクタ番号を判定することができ、またＰＳＳおよびＬＳＳを用いた書き込み動作を管理するためにホストキャッシュを利用することによって、システム性能に対する影響を最小限にすることができる。例えば、コントローラはホストの複数のアトミックな書き込みを１つのメモリ動作シーケンスにグループ分けすることができ、それによって大きなセクタのチャンク (chunk of sector)にわたって書き込みＬＳＳのオーバーヘッドを減衰 (amortize) するので、性能に対する影響を低減することができる。これらの機構によって、セクタがブロック内の最後にプログラムされたセクタ、或いはブロックの最後の物理セクタである場合は、次の物理セクタのＰＳＳおよび現行のセクタのＬＳＳを探索することによって書き込み失敗エラーの検出を確実なものにする。