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【手続補正書】
【提出日】平成19年3月23日(2007.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】  基板と、  該基板の上に形成され、表面に六角錐台形の凸部を有する下地層と、  該下地層の上に形成され、素子機能を有するIII族窒化物系化合物半導体層と、  を備え、 前記下地層はマグネシウムがドープされたＧａＮからなる、III族窒化物系化合物半導体素子。    【請求項２】  前記下地層におけるマグネシウムの濃度は１０２０／ｃｍ３以上である、ことを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。    【請求項３】  前記下地層はｎ型ドーパントがドープされており、全体としてｎ型である、ことを特徴とする請求項２に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。    【請求項４】  前記基板はサファイア製若しくはシリコン単結晶製である、ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。    【請求項５】  前記下地層と前記基板との間に堆積層が介在される、ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。    【請求項６】  前記III族窒化物系化合物半導体層は発光素子又は受光素子の機能を有する、ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月18日(2007.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上にｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層が積層され、ｐ型窒化物半導体層側に露出されたｎ型窒化物半導体層の露出面Ｂに設けられたｎ電極と、ｐ型窒化物半導体層の表面Ａに設けられた全面電極上にｐ電極が形成されてなる窒化物半導体素子において、
前記窒化物半導体素子の端部に、前記ｐ型窒化物半導体層の表面Ａと、前記ｎ型窒化物半導体層の露出面Ｂとの間に形成された積層面とほぼ平行な第２の露出面Ｃを有する窒化物半導体素子であって、
前記第２の露出面Ｃは、前記ｐ型窒化物半導体層の表面Ａと、前記活性層の端面Ｄ１の上端との間に形成され、
前記活性層の端面Ｄ１は絶縁層で覆われていることを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】  基板上にｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層が積層され、ｐ型窒化物半導体層側に露出されたｎ型窒化物半導体層の露出面Ｂに設けられたｎ電極と、ｐ型窒化物半導体層の表面Ａに設けられた全面電極上にｐ電極が形成されてなる窒化物半導体素子において、
前記窒化物半導体素子の端部に、前記活性層の端面Ｄ１の下端と露出面Ｂとの間に設けられ、積層面とほぼ平行な第２の露出面Ｃ２を有し、
前記活性層の端面Ｄ１及び前記第２の露出面Ｃ２は絶縁層で覆われている窒化物半導体素子。
【請求項３】  前記第２の露出面Ｃが、前記ｐ型窒化物半導体層表面Ａと露出面Ｂとの間に設けられた露出面Ｃ１と、前記活性層の端面Ｄ１の下端とｎ型窒化物半導体層の露出面Ｂとの間に設けられた露出面Ｃ２と、を有し、
絶縁層が少なくとも前記露出面Ｂ及び第２の露出面Ｃ２に形成されており、
前記第２の露出面Ｃ２における、積層面に垂直方向に対する前記絶縁層の最小膜厚Ｈ１が、前記第２の露出面Ｃ２から前記活性層の端面Ｄ１の上端までの高さＨ２よりも大きいことを特徴とする請求項１又は２記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】  絶縁層は、ＳｉＯ２である請求項１乃至３のいずれか一項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項５】  請求項１乃至４のいずれか一項に記載の前記窒化物半導体素子を、樹脂の封止材料で覆ったＬＥＤ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月28日(2007.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転させて洗浄処理及び乾燥処理するスピン処理装置において、
スピンカップと、
このスピンカップ内に設けられ上記基板を保持するとともに回転駆動される回転テーブルと、
上記スピンカップの周壁の上記回転テーブルに保持された基板とほぼ同じ高さ位置に形成され基板の回転によって生じる気流をスピンカップの外部に逃がす逃し手段であって、上記スピンカップの周壁に形成された通孔と、この通孔を閉塞するとともに基板の回転によって生じる気流で作動して上記通孔を開放する弁を有する逃し手段と
を具備したことを特徴とするスピン処理装置。
【請求項２】
基板を回転させて洗浄処理及び乾燥処理するスピン処理装置において、
処理槽と、
この処理槽内に設けられたスピンカップと、
このスピンカップ内に設けられ上記基板を保持するとともに回転駆動される回転テーブルと、
上記スピンカップの周壁の上記回転テーブルに保持された基板とほぼ同じ高さ位置に形成され基板の回転によって生じる気流をスピンカップの外部に逃がす逃し手段であって、上記スピンカップの周壁に形成された通孔と、この通孔を閉塞するとともに基板の回転によって生じる気流で作動して上記通孔を開放する弁を有する逃し手段と、
上記処理槽に設けられ、上記スピンカップの内部と外部を排気する排気管と
を具備したことを特徴とするスピン処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、基板を回転させて洗浄処理及び乾燥処理するスピン処理装置において、スピンカップと、このスピンカップ内に設けられ上記基板を保持するとともに回転駆動される回転テーブルと、上記スピンカップの周壁の上記回転テーブルに保持された基板とほぼ同じ高さ位置に形成され基板の回転によって生じる気流をスピンカップの外部に逃がす逃し手段であって、上記スピンカップの周壁に形成された通孔と、この通孔を閉塞するとともに基板の回転によって生じる気流で作動して上記通孔を開放する弁を有する逃し手段とを具備したことを特徴とするスピン処理装置にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項２の発明は、基板を回転させて洗浄処理及び乾燥処理するスピン処理装置において、処理槽と、この処理槽内に設けられたスピンカップと、このスピンカップ内に設けられ上記基板を保持するとともに回転駆動される回転テーブルと、上記スピンカップの周壁の上記回転テーブルに保持された基板とほぼ同じ高さ位置に形成され基板の回転によって生じる気流をスピンカップの外部に逃がす逃し手段であって、上記スピンカップの周壁に形成された通孔と、この通孔を閉塞するとともに基板の回転によって生じる気流で作動して上記通孔を開放する弁を有する逃し手段と、上記処理槽に設けられ、上記スピンカップの内部と外部を排気する排気管とを具備したことを特徴とするスピン処理装置にある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
【発明の効果】
この発明によれば、基板を乾燥処理する際に回転テーブルを高速回転させることで生じる気流を、スピンカップから逃すために、スピンカップの周壁に逃し手段を形成した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
さらに、スピンカップに形成された通孔に、回転テーブルの高速回転によって生じる気流で通孔を開放する弁を設けるようにしたから、高速回転によって生じた気流が衝突すると、その衝突によって揺動して衝撃を吸収緩和するから、スピンカップ内周面での気流の反射を抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月18日(2007.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に第１の膜を成膜する工程と、
上記第１の膜とエッチング速度が異なりエッチング時に第１の膜に対するマスクとなる第２の膜を成膜する工程と、
この第２の膜上にリソグラフィーにより第１レジストパターンを形成する工程と、
この第１レジストパターンで覆われた部分以外を上記第１の膜の上面が露出するまでエッチングし第２の膜のパターンを形成する工程と、
上記第１レジストパターンを除去する工程と、
等方性エッチングを行う工程と、
一部が等方性エッチングされた第２の膜のパターンをマスクとして、上記被加工膜をエッチングする工程とを備えた微細パターン形成方法。
【請求項２】 基板上に第１の膜を成膜する工程と、
上記第１の膜とエッチング速度が異なりエッチング時に第１の膜の上に残る第２の膜を成膜する工程と、
この第２の膜上にリソグラフィーにより第１レジストパターンを形成する工程と、
この第１レジストパターンで覆われた部分以外を上記第１の膜の上面が露出するまでエッチングし第２の膜のパターンを形成する工程と、
上記第１レジストパターンを除去する工程と、
等方性エッチングを行う工程と、
一部が等方性エッチングされた第２の膜のパターンが残った状態で、上記被加工膜をエッチングする工程とを備えた微細パターン形成方法。
【請求項３】 上記第１レジストパターンを除去する工程後に
上記第２の膜のパターン上にリソグラフィーにより第２レジストパターンを形成する工程をさらに備え、
上記等方性エッチングをこの第２レジストパターンで覆われた部分以外に行う工程と、
上記第２レジストパターンを除去する工程と、
一部が等方性エッチングされた第２の膜のパターンをマスクとして、上記１の膜をエッチングする工程とを備えた請求項１の微細パターン形成方法。
【請求項４】 上記第１レジストパターンを除去する工程の後に
上記第２の膜のパターン上にリソグラフィーにより第２レジストパターンを形成する工程をさらに備え、
上記等方性エッチングをこの第２レジストパターンで覆われた部分以外に行う工程と、
上記第２レジストパターンを除去する工程と、
一部が等方性エッチングされた第２の膜のパターンが残った状態で、上記第１の膜をエッチングする工程とを備えた請求項１の微細パターン形成方法。
【請求項５】  第１の膜が導電性膜からなるとともに、第２の膜が絶縁膜からなることを特徴とする請求項３または４記載の微細パターン形成方法。
【請求項６】  導電性膜がポリシリコン、タングステンシリサイド、アルミニウムおよびタングステンのうち少なくとも１種類またはこれらの多層膜により構成されるとともに、絶縁膜がシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜のいずれか一方またはこれらの二層膜により構成されることを特徴とする請求項５記載の微細パターン形成方法。
【請求項７】  被加工膜が絶縁膜からなるとともに、第２の膜が導電性膜からなることを特徴とする請求項３または４記載の微細パターン形成方法。
【請求項８】  絶縁膜がシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜のうち一方またはこれらの二層膜により構成されるとともに、導電性膜がポリシリコン、タングステンシリサイド、アルミニウムおよびタングステンのうち少なくとも１種類またはこれらの多層膜により構成されることを特徴とする請求項７記載の微細パターン形成方法。
【請求項９】  等方性エッチングをウェットエッチングで行うことを特徴とする請求項３または４記載の微細パターン形成方法。
【請求項１０】  第１のレジストパターン形成前に反射防止膜を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項３または４記載の微細パターン形成方法。
【請求項１１】  請求項３または４記載の微細パターン形成方法により製造した半導体装置。
【請求項１２】  請求項３または４記載の微細パターン形成方法により製造した液晶装置。
【請求項１３】  基板と、
基板上の第１の膜と、
上記第１の膜とエッチング速度が異なりエッチング時に第１の膜の上に残る第２の膜とを備え、
上記第２の膜が２つの膜厚を有する、
半導体装置。
【請求項１４】  上記第２の膜の膜厚が厚い部分の下の第１の膜の線幅と上記第２の膜の膜厚が薄い部分の下の第１の膜の線幅が異なる、
請求項１３記載の半導体装置。
【請求項１５】  上記第２の膜の膜厚が厚い部分の下の第１の膜の線幅は上記第２の膜の膜厚が薄い部分の下の第１の膜の線幅より太い、
請求項１４記載の半導体装置。
【請求項１６】  基板と、
基板上の第１の膜と、
上記第１の膜とエッチング速度が異なりエッチング時に第１の膜の上に残る第２の膜とを備え、
上記第２の膜が２つの膜厚を有する、
液晶装置。
【請求項１７】  上記第２の膜の膜厚が厚い部分の下の第１の膜の線幅と上記第２の膜の膜厚が薄い部分の下の第１の膜の線幅が異なる、
請求項１６記載の液晶装置。
【請求項１８】  上記第２の膜の膜厚が厚い部分の下の第１の膜の線幅は上記第２の膜の膜厚が薄い部分の下の第１の膜の線幅より太い、
請求項１７記載の液晶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月3日(2007.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
従来のキズ検出システムは、Ｘ線写真で識別されたようなキズ座標を自動的に、精密に、再現性をもって現実の物理的部品に変換することが不可能である。むしろ、従来のシステムは手動操作によって２次元目視画像を３次元の部品と重ね合わせることを必要としているが、これは完全にオペレータの判断に任されているため、非常に誤りを生じやすい。異なる基準ポイントから何度も検査される複雑な部品の場合、更に大きな悪影響が出る。
【特許文献１】米国特許第６９５０５４８号
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月9日(2007.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のパネル用電極を備える第１基板と、前記複数のパネル用電極と対応されるように配列された複数の接続用電極を備える第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置されて、押圧されたときに前記接続用電極が前記パネル用電極に直接的に連結されるように導く接続部材を具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの接続構造。
【請求項２】
前記接続用電極は前記接続部材の方向に先端を先鋭にされた突出形状からなることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの接続構造。
【請求項３】
前記接続用電極は前記接続部材方向に曲面を有する突出形状からなることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの接続構造。
【請求項４】
前記接続用電極は押圧されたとき、前記パネル用電極内部に差し込まれることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの接続構造。
【請求項５】
前記第２基板はフレキシブル印刷回路フィルム（ＦＰＣ）、チップオンフィルム（ＣＯＦ）、チップオンガラス（ＣＯＧ）であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの接続構造。
【請求項６】
前記パネル用電極は前記第１基板が下部基板の場合、アドレス電極であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの接続構造。
【請求項７】
前記パネル用電極は前記第１基板が上部基板の場合、バス電極であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの接続構造。
【請求項８】
前記接続部材は導電ボールが存在しないエポキシ樹脂、導電ボールが存在しないスチレン樹脂、導電ボールが存在しないウレタン樹脂、導電ボールが存在しないフェノル樹脂及び導電ボールが存在しないシリコーン樹脂のいずれかからなることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの接続構造。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月7日(2007.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質半導体を含むトランジスタと、
前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極に接続された接続配線と、
前記トランジスタ上に設けられた発光素子と、
前記発光素子の画素電極の端部を囲むように設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた補助配線と、を有し、
前記接続配線は、前記発光素子の画素電極に接続され、
前記補助配線は、前記絶縁層に設けられた開口部を介して、前記発光素子の対向電極に接続され、
前記補助配線は、前記トランジスタのゲート電極と同じ層に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
非晶質半導体を含むトランジスタと、
前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極に接続された接続配線と、
前記トランジスタ上に設けられた発光素子と、
前記発光素子の画素電極の端部を囲むように設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた補助配線と、を有し、
前記接続配線は、前記発光素子の画素電極に接続され、
前記補助配線は、前記絶縁層に設けられた開口部を介して、前記発光素子の対向電極に接続され、
前記補助配線は、前記接続配線と同じ層に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
非晶質半導体を含むトランジスタと、
前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極に接続された接続配線と、
前記トランジスタ上に設けられた発光素子と、
前記発光素子の画素電極の端部を囲むように設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた補助配線と、を有し、
前記接続配線は、前記発光素子の画素電極に接続され、
前記補助配線は、前記絶縁層に設けられた開口部を介して、前記発光素子の対向電極に接続され、
前記補助配線は、前記発光素子の画素電極と同じ層に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
有機半導体を含むトランジスタと、
前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極に接続された接続配線と、
前記トランジスタ上に設けられた発光素子と、
前記発光素子の画素電極の端部を囲むように設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた補助配線と、を有し、
前記接続配線は、前記発光素子の画素電極に接続され、
前記補助配線は、前記絶縁層に設けられた開口部を介して、前記発光素子の対向電極に接続され、
前記補助配線は、前記トランジスタのゲート電極と同じ層に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
有機半導体を含むトランジスタと、
前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極に接続された接続配線と、
前記トランジスタ上に設けられた発光素子と、
前記発光素子の画素電極の端部を囲むように設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた補助配線と、を有し、
前記接続配線は、前記発光素子の画素電極に接続され、
前記補助配線は、前記絶縁層に設けられた開口部を介して、前記発光素子の対向電極に接続され、
前記補助配線は、前記接続配線と同じ層に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
有機半導体を含むトランジスタと、
前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極に接続された接続配線と、
前記トランジスタ上に設けられた発光素子と、
前記発光素子の画素電極の端部を囲むように設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた補助配線と、を有し、
前記接続配線は、前記発光素子の画素電極に接続され、
前記補助配線は、前記絶縁層に設けられた開口部を介して、前記発光素子の対向電極に接続され、
前記補助配線は、前記発光素子の画素電極と同じ層に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記トランジスタと前記発光素子を制御する駆動回路を有し、
前記駆動回路は、非晶質半導体でチャネル部を形成するＮ型トランジスタと有機半導体でチャネル部を形成するＰ型トランジスタを有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記トランジスタと前記発光素子を制御するドライバＩＣを有し、
前記ドライバＩＣは、前記トランジスタと前記発光素子が設けられた基板上に貼り付けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記トランジスタと前記発光素子を制御するドライバＩＣを有し、
前記ドライバＩＣは、前記トランジスタと前記発光素子が設けられた基板上に貼り付けられた接続フィルムに接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記トランジスタは、チャネルエッチ型のトランジスタであることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記トランジスタは、チャネル保護型のトランジスタであることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記トランジスタは、第１のゲート電極、第２のゲート電極およびゲート絶縁膜を有し、
前記第１のゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記第２のゲート電極と重なるように設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記発光素子と前記トランジスタは、可撓性基板上に設けられることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記発光素子に逆方向バイアスを印加する逆方向バイアス印加回路を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項に記載の前記表示装置を用いた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月24日(2007.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学式（１−ｙ）Ｐｂ（Ｚｒ1-xＴｉx）Ｏ3−ｙＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3（０．２≦ｘ≦１、０．０５≦ｙ≦０．６）で表される複合酸化物を主成分とする圧電体磁器組成物において、
Ｖ2Ｏ5を０．０１重量％〜１０重量％およびＢｉ2Ｏ3を０．０１重量％〜１０重量％含むことを特徴とする圧電体磁器組成物。
【請求項２】
Ｖ2Ｏ5が０．０１重量％〜５重量％およびＢｉ2Ｏ3が０．０１重量％〜５重量％含まれた請求項１記載の圧電体磁器組成物。
【請求項３】
Ｂｉ2Ｏ3／Ｖ2Ｏ5の重量比が０．０５〜２．５である請求項１または請求項２記載の圧電体磁器組成物。
【請求項４】
Ｂｉ2Ｏ3／Ｖ2Ｏ5の重量比が０．５〜１．５である請求項４記載の圧電体磁器組成物。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の圧電体磁器組成物を製造する方法において、
原料として、化学式（１−ｙ）Ｐｂ（Ｚｒ1-xＴｉx）Ｏ3−ｙＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3（０．２≦ｘ≦１、０．０５≦ｙ≦０．６）で表される組成の複合酸化物からなり平均粒径が０．０５μｍ〜０．５μｍである粒子を用いることを特徴とする、圧電体磁器組成物の製造方法。
【請求項６】
前記粒子が、化学式（Ｚｒ1-xＴｉx）2Ｏ4（０．２≦ｘ≦１）で表される組成の酸化物とＭｇＮｂ2Ｏ6で表される組成の酸化物とＰｂＯとを出発原料として得られたペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる請求項５記載の、圧電体磁器組成物の製造方法。
【請求項７】
Ｖ成分およびＢｉ成分を、それぞれアルコキシドもしくは金属塩またはそれらの溶液として前記粒子に添加したスラリーまたはペーストを調製する工程を経る請求項５または請求項６記載の、圧電体磁器組成物の製造方法。
【請求項８】
少なくとも圧電体部材と複数の電極とで構成された圧電体素子において、
前記圧電体部材を、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の圧電体磁器組成物で形成したことを特徴とする圧電体素子。
【請求項９】
基板の表面に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の圧電体磁器組成物からなる圧電体膜を形成する工程と、
前記圧電体膜上に上部電極を形成する工程と、
を含む圧電体素子の製造方法であって、
化学式（１−ｙ）Ｐｂ（Ｚｒ1-xＴｉx）Ｏ3−ｙＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3（０．２≦ｘ≦１、０．０５≦ｙ≦０．６）で表される組成の複合酸化物を含む組成物を使用して前記下部電極上に成膜した後、その組成膜を加熱処理して、前記圧電体膜を形成することを特徴とする、圧電体素子の製造方法。
【請求項１０】
前記複合酸化物からなる粒子、ならびに、ＶおよびＢｉの各アルコキシドもしくは金属塩またはそれらの溶液を用いて、前記組成物が調製される請求項９記載の、圧電体素子の製造方法。
【請求項１１】
前記組成物として、さらに少なくとも感光性有機ポリマーを含む感光性組成物が使用され、成膜後に、感光性組成膜に所定のパターンを焼き付け、現像して、所定のパターンを有する感光性組成膜を形成した後、加熱処理が行われる請求項９または請求項１０に記載の、圧電体素子の製造方法。
【請求項１２】
前記組成膜の加熱処理が６００℃〜９５０℃の温度で行われる請求項９ないし請求項１１のいずれかに記載の、圧電体素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の圧電体磁器組成物からなる圧電体薄板を形成する工程と、
前記圧電体薄板の両面にそれぞれ所定のパターンで電極を形成する工程と、
前記圧電体薄板に分極処理を施す工程と、
を含む圧電体素子の製造方法であって、
化学式（１−ｙ）Ｐｂ（Ｚｒ1-xＴｉx）Ｏ3−ｙＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3（０．２≦ｘ≦１、０．０５≦ｙ≦０．６）で表される組成の複合酸化物を含む組成物を使用して薄板材を形成した後、その薄板材を加熱処理して、前記圧電体薄板を形成することを特徴とする、圧電体素子の製造方法。
【請求項１４】
１個もしくは２個以上のインクノズルを有し、そのインクノズルに連通したインク室の容積をアクチュエータによって変化させ、前記インクノズルからインクを噴射させるようにしたインクジェット式プリンタヘッドにおいて、
前記アクチュエータに、請求項８に記載の圧電体素子を用いたことを特徴とするインクジェット式プリンタヘッド。
【請求項１５】
駆動部によって進行性振動波を発生させるステータと、前記進行性振動波によって移動させられる移動体とを備えた超音波モータにおいて、
前記駆動部に、請求項８記載の圧電体素子を用いたことを特徴とする超音波モータ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月10日(2007.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】複合材料の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）３官能以上のエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂１００重量部及び
（ｂ）７０〜１００℃で活性化する加熱硬化型の潜在性硬化剤３〜４０重量部を主成分とするエポキシ樹脂組成物であって、次の（１）から（３）を満足するエポキシ樹脂組成物を強化繊維材料に含浸してなるプリプレグを１００℃以下の温度で真空バッグ中で一次硬化したのち、１３０〜１８０℃の熱風炉中でフリースタンド状態で二次硬化する、複合材料の成形方法。
（１）調製後２５℃で３週間放置後の粘度上昇が調製直後の２倍以下である。
（２）１００℃以下の温度での１０時間以内の１次硬化で、硬化度が７０％以上又はＪＩＳ−Ｋ−６８４８、６８５０準拠の引張せん断強度（接着強さ）が１０ＭＰａ以上である。
（３）１３０℃以上での２次硬化で硬化物のガラス転移温度が１５０℃以上である。
【請求項２】
成分（ａ）の３官能以上のエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂が、下記構造式（１）のノボラック型エポキシ樹脂及び／又はテトラグリシジルジアミノジフェニルメタンを含むエポキシ樹脂である請求項１記載の複合材料の成形方法。
【請求項３】
成分（ｂ）の潜在性硬化剤がアミンアダクト型の潜在性硬化剤である請求項１記載の複合材料の成形方法。
【請求項４】
成分（ｂ）の潜在性硬化剤がマイクロカプセル型の潜在性硬化剤である請求項１記載の複合材料の成形方法。
【化１】
2001302760.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明の要旨は、
（ａ）３官能以上のエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂１００重量部及び
（ｂ）７０〜１００℃で活性化する加熱硬化型の潜在性硬化剤３〜４０重量部を主成分とするエポキシ樹脂組成物であって、次の（１）から（３）を満足するエポキシ樹脂組成物を強化繊維材料に含浸してなるプリプレグを１００℃以下の温度で真空バッグ中で一次硬化したのち、１３０〜１８０℃の熱風炉中でフリースタンド状態で二次硬化する、複合材料の成形方法である。
（１）調製後２５℃で３週間放置後の粘度上昇が調製直後の２倍以下である。
（２）１００℃以下の温度での１０時間以内の１次硬化で、硬化度が７０％以上又はＪＩＳ−Ｋ−６８４８、６８５０準拠の引張せん断強度（接着強さ）が１０ＭＰａ以上である。
（３）１３０℃以上での２次硬化で硬化物のガラス転移温度が１５０℃以上である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
特に、成分（ａ）の３官能以上のエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂が、構造式（１）のノボラック型エポキシ樹脂及び／又はテトラグリシジルジアミノジフェニルメタンを含むエポキシ樹脂であり、成分（ｂ）の７０〜１００℃で活性化する加熱硬化型の潜在性硬化剤として、アミンアダクト型或いはマイクロカプセル型の潜在性硬化剤であるエポキシ樹脂組成物を使用することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月1日(2007.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また本発明の共重合体を構成する重合単位としてのシクロヘキシル基含有アルキルアクリレート系単量体の具体例としては、メタクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸シクロヘキシル等が挙げられるが、特にメタクリル酸シクロヘキシルが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
得られた重合液を濃縮し、５０％の酢酸ブチル溶液とした。また上記共重合体の硬化塗膜の塗膜特性を次の方法で調べた。これらの結果を［表１］に示す。
［基材との密着性］上記５０％溶液に該共重合体の水酸基／ＮＣＯ基比が１／１となるようにコロネートＨＸ［日本ポリウレタン工業（株）製、コロネートは登録商標］を加え、ＪＩＳ−Ｇ３１４１鋼板上にアプリケーターにより塗布し、８０℃で２４時間硬化した厚さ２５μｍの試験片を作成し、ＪＩＳ−Ｋ５４００ ６．１５（ゴバン目セロテープ（登録商標）試験）により測定した。
［鉛筆硬度］ＪＩＳ−Ｋ５４００ ６．１４（鉛筆引っかき試験）により試験した。
［耐酸性］１０％ＨＣｌ溶液による２４時間スポットテスト後の塗膜外観を目視観察し、下記の評価をした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
［実施例２］
内容積１Ｌのステンレス製、攪拌機付きオートクレーブ（耐圧１００ｋｇ／ｃｍ2）に、脱気したのち、ＶＤＦ９６ｇ、ＴＦＥ８４ｇ、メタクリル酸シクロヘキシル（以下ＣＨＭＡと略す）１５．１ｇ、ＨＢＶＥ４１．８ｇ、ＢＶＥ６．０ｇ、ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＣＨ2ＣＨ2（ＣＦ2）8Ｆ７７．７ｇ、酢酸エチル４００ｇ、及びｔ−ブチルパーオキシピバレート１．６ｇを入れ、攪拌しながら内温を６０℃に昇温した。その後、攪拌しながら反応を続け、２０時間後攪拌を停止し、反応を終了した。得られた共重合体の収量は２９８ｇ、共重合体収率は９３％であった。無水酢酸によるアセチル化法によって測定したこの共重合体の水酸基価は６８ｍｇＫＯＨ／ｇ樹脂、燃焼法によって測定したフッ素含有量は３８ｗｔ％、ＧＰＣで測定した数平均分子量は２．１×１０4であった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
［実施例３］
内容積１Ｌのステンレス製、攪拌機付きオートクレーブ（耐圧１００ｋｇ／ｃｍ2）に、脱気したのち、ＶＤＦ５０ｇ、ＴＦＥ７８ｇ、アクリル酸メチル（以下ＭＡと略す）９．０ｇ、アクリル酸（以下ＡＡと略す）９．４ｇ、ＨＢＶＥ４５．２ｇ、ＥＶＥ１８．７ｇ、ＣＨ2＝Ｃ（ＣＨ3）ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2（ＣＦ2）8Ｆ４１．９ｇ、ＣＨ2＝Ｃ（ＣＨ3）ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2（ＣＦ2）10Ｆ４９．３ｇ、ｔ−ブタノール２００ｇ、ｎ−ブタノール２００ｇ、及びｔ−ブチルパーオキシピバレート１．５ｇを入れ、攪拌しながら内温を６０℃に昇温した。その後、攪拌しながら反応を続け、２０時間後攪拌を停止し、反応を終了した。得られた共重合体の収量は２７７ｇ、共重合体収率は９２％であった。得られた共重合体の水酸基価は７９ｍｇＫＯＨ／ｇ樹脂、酸価は２６ｍｇＫＯＨ／ｇ樹脂、フッ素含有量は３０ｗｔ％、ＧＰＣで測定した数平均分子量は２．０×１０4であった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
［実施例９〜１２］
容器に、［表３］に示す実施例１〜４で得られた含フッ素共重合体５０％溶液とシリカ微粉末と酢酸エチルを秤量し、ペイントシェーカーにて１５分攪拌を行い、含フッ素共重合体組成物溶液を得た。次に該含フッ素共重合体組成物溶液に該共重合体の水酸基／ＮＣＯ基比が１／１となるようにコロネートＨＸ［日本ポリウレタン工業（株）製、コロネートは登録商標］を加え、コロナ放電処理済みのＰＥＴ上にアプリケーターにより塗布し、８０℃で２４時間硬化した厚さ５μｍの試験片を作成した。塗膜特性を次の方法で調べた。結果を［表３］に示す。
［撥水性］ 水の接触角度（単位：°）で評価した。
［撥油性］ｎ−デカンの接触角度（単位：°）で評価した。
［剥離強力］塗布面に、ポリエステルテープ［Ｎｏ．３１Ｂ：日東電工（株）製］を張り付けた試験片を用意する。該試験片の上方より２０ｇ／ｃｍ2の荷重を掛けて圧着させ、７０℃で２４時間放置した後の剥離強力（単位：ｇ／５０ｍｍ）を測定する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
［実施例１３〜１６］
容器に、［表４］に示す実施例５〜８で得られた含フッ素共重合体５０％溶液とシリカ微粉末と酢酸エチルを秤量し、ペイントシェーカーにて１５分攪拌を行い、含フッ素共重合体組成物溶液を得た。次に該含フッ素共重合体組成物溶液に該共重合体の水酸基／ＮＣＯ基比が１／１となるようにコロネートＨＸ［日本ポリウレタン工業（株）製、コロネートは登録商標］を加え、コロナ放電処理済みのＰＥＴ上にアプリケーターにより塗布し、８０℃で２４時間硬化した厚さ５μｍの試験片を作成した。塗膜特性を実施例１０〜１４と同様に調べた。結果を［表４］に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月5日(2007.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （Ａ）ポリフェニレンエーテル１００重量部と、（Ｂ）共役非芳香族ジエン化合物、１個のジエノフィル基を有するジエノフィル化合物、又はこれらのジエン又はジエノフィル化合物の前駆体より選択される変性剤０．０１〜１０．０重量部よりなる混合物を、高温の気体中に分散、接触させることにより加熱し、反応させる方法において、混練することなく溶融させ反応させることを特徴とする官能化ポリフェニレンエーテル樹脂の製造方法。
【請求項２】  高温の気体の温度が、（Ａ）ポリフェニレンエーテルの融点以上７００℃以下であることを特徴とする、請求項１に記載の官能化ポリフェニレンエーテル樹脂の製造方法。
【請求項３】  高温の気体の温度が、３００℃〜５００℃であることを特徴とする、請求項１に記載の官能化ポリフェニレンエーテル樹脂の製造方法。
【請求項４】  （Ａ）ポリフェニレンエーテルと（Ｂ）変性剤の混合物をあらかじめ気体中に分散させたのち、高温の気体と接触させ加熱し反応させることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の官能化ポリフェニレンエーテル樹脂の製造方法。
【請求項５】  気体が、空気及び／又は窒素、ヘリウム等の不活性気体、非反応性の有機溶剤の蒸気、水蒸気より選ばれることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の官能化ポリフェニレンエーテル樹脂の製造方法。
【請求項６】  気体が、さらに本発明の（Ｂ）変性剤の蒸気を含むことを特徴とする請求項５に記載の官能化ポリフェニレンエーテル樹脂の製造方法。
【請求項７】  （Ａ）ポリフェニレンエーテルと（Ｂ）変性剤の混合物を反応させたのち、直ちに（Ａ）ポリフェニレンエーテルの融点以下の温度に冷却することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の官能化ポリフェニレンエーテル樹脂の製造方法。
【請求項８】  （Ａ）ポリフェニレンエーテルが、溶液より沈殿して得られるパウダー状のもので、融点が２４０℃〜２６０℃のポリフェニレンエーテルであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の官能化ポリフェニレンエーテル樹脂の製造方法。
【請求項９】  表面改質装置を用い製造することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の官能化ポリフェニレンエーテル樹脂の製造方法。
【請求項１０】  スプレードライヤーを用い製造することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の官能化ポリフェニレンエーテル樹脂の製造方法。
【請求項１１】  請求項１〜１０のいずれかに記載の製造方法で製造された官能化ポリフェニレンエーテル樹脂。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月24日(2007.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  エポキシ樹脂と硬化剤を含有するエポキシ樹脂組成物において、１５０℃以下の硬化温度Ｔ、硬化時間２時間の条件で硬化させた硬化物のガラス転移温度Ｔｇが、Ｔｇ≧Ｔ＋１５の条件を満たすことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【請求項２】  エポキシ樹脂が、下記一般式（１）または一般式（２）で示される化合物の少なくとも一種類を含むことを特徴とする請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物。
【化１】
2001302762.tif 000001
【化２】
2001302762.tif 000002
【請求項３】  硬化剤が、ジシアンジアミドと尿素系化合物からなることを特徴とする請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項４】  硬化剤には、ジシアンジアミドが、エポキシ樹脂のエポキシ当量の５０質量％以上含まれていることを特徴とする請求項３に記載のエポキシ樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは鋭意検討した結果、１５０℃以下の硬化温度Ｔよりもガラス転移温度Ｔｇが１５℃以上高ければ、加熱硬化前の状態でエアをかみ込んでいても、加熱硬化時に「ふくれ」を形成しないことを見出した。すなわち、本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と硬化剤を含有するエポキシ樹脂組成物において、１５０℃以下の硬化温度Ｔ、硬化時間２時間の条件で硬化させた硬化物のガラス転移温度Ｔｇが、Ｔｇ≧Ｔ＋１５の条件を満たすことを特徴とするエポキシ樹脂組成物である。
【化３】
2001302762.tif 000003
【化４】
2001302762.tif 000004
上記硬化剤は、ジシアンジアミドと尿素系化合物からなることが好ましい。また、上記硬化剤には、ジシアンジアミドが、エポキシ樹脂のエポキシ当量の５０質量％以上含まれることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月5日(2007.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。本発明で言う粉体には、例えばタルク、カオリン、セリサイト、白雲母、絹雲母、金雲母、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、珪酸マグネシウム、珪酸カルシウム、珪酸アルミニウム、ヒドロキシアパタイト、含水珪酸、無水珪酸、ゼオライト、セラミクスパウダー等の無機粉体；微粒子酸化チタン、微粒子酸化亜鉛、微粒子酸化鉄等の無機微粒子粉体；ナイロンパウダー、ポリエチレンパウダー、ポリメチルベンゾグアナミンパウダー、ポリメチルメタクリレートパウダー、四フッ化エチレンパウダー、微結晶性セルロース、シルクパウダー、ラウロイルリジン等の有機粉体；ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウム、ミリスチン酸マグネシウム等の界面活性剤金属塩粉体；酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、ベンガラ、チタン酸鉄、黄酸化鉄、黒酸化鉄、カーボンブラック、マンガンバイオレット、酸化コバルト、酸化クロム、水酸化クロム、チタン酸コバルト、群青、紺青等の無機着色粉体；酸化チタンコーティング雲母、酸化チタンコーティングオキシ塩化ビスマス、オキシ塩化ビスマス、酸化チタンコーティングタルク、魚鱗箔、着色酸化チタンコーティング雲母等のパール顔料；赤色１０４号、赤色１０６号、赤色２０１号、赤色２０２号、赤色２０５号、赤色２２０号、赤色２２６号、赤色２２７号、赤色２２８号、赤色２３０号、赤色４０１号、赤色５０５号、黄色４号、黄色５号、黄色２０２号、黄色２０３号、黄色２０４号、黄色４０１号、青色１号、青色２号、青色２０１号、青色４０４号、緑色３号、緑色２０１号、緑色２０４号、緑色２０５号、橙色２０１号、橙色２０３号、橙色２０４号、橙色２０６号、橙色２０７号等のタール色素；カルミン酸、ラッカイン酸、ブラジリン、クロシン等の天然色素等があり、これらの形状としては球状、板状、不定形等どんな形をしていても構わないし、これらの表面が化粧品で公知であるシリコーン、金属セッケン、ラウロイルリジン、DNAナトリウム塩、ポリエーテル変性シリコーン、ポリエチレン、フッ素化合物、無機酸化物等の処理物で被覆されていても構わない。また、大きさとしては、一次粒子径が５ｎｍ〜２００μmの範囲にあることが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
植物抽出エキスには例えば、アロエエキス、オレンジエキス、海藻抽出エキス、緑茶エキス、ドクダミエキス、ヨモギエキス、ユーカリエキス、ストロベリー果汁等の化粧品に汎用される植物抽出エキスが用いられる。各種ビタミン類としては例えば、ビタミンA、β―カロチン、ビタミンB２、ビタミンB１２、ビタミンB６、リボフラビン、ビタミンC、ビタミンD、ビタミンK、ビタミンP等及びその誘導体が挙げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の球状粉体化粧料を工業的に大量生産する場合に使用される装置機械類としては、粉体と水溶性増粘剤水溶液の混合には、化粧品製造機械として公知であるヘンシェルミキサ、ロボクープ（ROBOT  COUPE）、プラネタリーミキサー（PLANETARY MIXER）、リボンミキサー、スピードカッター等の混合攪拌機を用いることができる。また、粉体と水溶性増粘剤水溶液の混合物の押し出し成形機には不二パウダル社製のペレッターが、ペレッターにより作られた棒状塊を球状にする機械には不二パウダル社製のマルメライザーや化粧品製造機械として公知である電動篩が用いられる。しかし、本発明の球状粉体化粧料はこれらの機械装置類に限定されなくともその製造は可能であるため、これに類する機械であれば構わない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
表１の結果から、本発明の実施例は比較例と比べていずれも取れ具合、耐衝撃性、外観の面白さに優れていることが判る。これに対して比較例１は水溶性増粘剤を用いずに油圧プレス機で圧縮成形した例であるが、強度が弱くすぐに割れてしまった。比較例２は粒子径が１ｍｍと小さい場合であるが、ブラシに粒子が付着してしまったり、大きさが小さすぎて汚く見えてしまい、面白みに欠ける問題があった。比較例３は通常の打型品であるが、球状化粧料と同一の中身であるため圧縮成形には不向きで割れやすく、使い勝手に問題がないものの面白みに欠けていた。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月16日(2007.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題の解決手段】
この様な状況に鑑みて、本発明者らは、使用感、安全性に優れる、温感を有するパック化粧料を求めて鋭意研究努力を重ねた結果、１）炭酸塩から選ばれる１種乃至は２種以上と２）マグネシウム塩及び酸化マグネシウムから選ばれる１種乃至は２種以上と３）炭素数１０〜２４の高級アルコールから選ばれる１種乃至は２種以上とを含有することを特徴とする発泡パック用組成物を用時、有機酸から選ばれる１種乃至は２種以上を含有することを特徴とする発泡用の組成物で発泡させるタイプのパック料にこの様な特性があることを見いだし、発明を完成させるに至った。即ち、本発明は以下に示す技術に関するものである。
（１）１）炭酸塩から選ばれる１種乃至は２種以上と２）マグネシウム塩及び酸化マグネシウムから選ばれる１種乃至は２種以上と３）炭素数１０〜２４の高級アルコールから選ばれる１種乃至は２種以上とを含有することを特徴とする発泡パック用組成物。
（２）炭酸塩から選ばれる１種乃至は２種以上として、炭酸水素ナトリウムを０．５〜８重量％含有することを特徴とする、（１）に記載の発泡パック用組成物。
（３）マグネシウム塩及び酸化マグネシウムから選ばれる１種乃至は２種以上として、酸化マグネシウムを１〜５重量％含有することを特徴とする（１）又は（２）に記載の発泡パック用組成物。
（４）炭素数１０〜２４の高級アルコールから選ばれる１種乃至は２種以上として、セタノールを１〜１０重量％含有することを特徴とする、（１）〜（３）何れか１つに記載の発泡パック用組成物。
（５）有機酸から選ばれる１種乃至は２種以上を含有することを特徴とする、（１）〜（４）何れか１つの記載の発泡パック用組成物を発泡させる為の発泡用の組成物。
（６）有機酸から選ばれる１種乃至は２種以上として、クエン酸イオンをクエン酸に換算して１０〜２０重量％含有することを特徴とする、（５）に記載の発泡用の組成物。
（７）（１）〜（４）何れか１項に記載の発泡パック用の組成物と（５）又は（６）に記載の発泡用の組成物とを組み合わせてなる発泡パック。
（８）温感を有することを特徴とする、（７）に記載の発泡パック。以下、本発明について実施の形態を中心に詳細に説明を加える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明の実施の形態】
（１）本発明の発泡パック用の組成物の必須成分である炭酸塩
本発明の発泡パック用の組成物は炭酸塩から選ばれる１種乃至は２種以上を必須成分として含有することを特徴とする。本発明で使用できる炭酸塩としては、化粧料などで使用されているものであれば特段の限定無く使用することが出来、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウムなどの炭酸と水素イオンを含有しても良いアルカリ金属の塩、炭酸カルシウム、炭酸水素カルシウムなどの炭酸と水素イオンを含有しても良いアルカリ土類金属の塩が好ましく例示でき、これらの内では、発泡特性から、炭酸水素ナトリウムを含有することが特に好ましい。炭酸水素ナトリウムの含有量は、組成物全量に対して０．５〜８重量％が好ましく、１〜７重量％が更に好ましい。又、炭酸塩の含有量としては、１〜１０重量％が好ましく、更に好ましくは２〜８重量％である。これは多すぎても少なすぎても泡形成が阻害されるからである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（５）本発明の発泡用の組成物
本発明の発泡用の組成物は、使用直前に上記発泡パック用の組成物と混合して、これを発泡させるためのものであって、その必要な構成要件としては、有機酸を含有することである。これは、かかる有機酸によって、上記発泡パック用の組成物中の炭酸塩が加水分解して炭酸ガスを発生するからである。この様な有機酸は、発泡用に組成物全体が酸性になるのであれば、遊離の有機酸の形態であっても、一部が塩になった酸性の緩衝組成物の形態であってもかまわない。好ましい形態は、泡が持続的に発生することから、一部が塩となった緩衝組成物の形態である。この様な有機酸（イオン）としては、クエン酸（イオン）、蓚酸（イオン）、グリコール酸（イオン）、乳酸（イオン）、リンゴ酸（イオン）等が例示でき、これらは唯１種を含有することも出来るし、２種以上を組み合わせて含有することも出来る。この様な中で特に好ましい形態は、組成物全量に対して、クエン酸を、クエン酸イオンをクエン酸に換算して１０〜２０重量％、更に好ましくは１５〜１８重量％含有することである。有機酸の含有量としては、酸の量に換算して、総量で組成物全量に対して１０〜２５重量％であり、更に好ましくは１５〜２０重量部である。これは、上記の炭酸塩の加水分解に見合った量だからである。