Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月1日(2008.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表側表面および裏側表面を有する実質的に中実の絶縁センサ本体であって、基板が、前記表側表面から前記裏側表面へ延びる複数の開口を有する、絶縁センサ本体と、
前記表側表面に結合された少なくとも１つの検知素子と、
前記複数の検知素子が前記裏側表面上の対応する接続材料に電気的に接続されるように、前記複数の開口を満たす接続材料であって、電子回路基板への接続材料の接続を可能にするように構成される接続材料とを備える物理特性センサダイ。
【請求項２】
検知回路に取り付けられるように適合された、流体の物理特性を測定するセンサにおいて、
実質的に中実の絶縁センサ本体および複数の検知素子でできているセンサダイであって、前記複数の検知素子が、基板の表側表面上に位置決めされ、かつ複数のダイバイアと連通して、電気信号が基板の前記裏側表面に送られることを可能にしており、前記裏側表面が前記表側表面と反対側であり、かつ前記表側表面と実質的に平行である、センサダイと、
前記裏側表面に並置して前記センサダイに取り付けられるセンサ基板であって、複数の基板バイアを通して前記検知回路にさらに取り付けられるように構成され、前記基板バイアが、前記ダイバイアと接触して前記検知回路への電気接触を可能にする、センサ基板とを備えるセンサ。
【請求項３】
ガラスベースの特性センサを作成する方法であって、
所定のマスクパターンを有するマスクを用いてガラスダイ基板をマスキングし、前記マスクが、所定の光信号を選択的にさえぎる材料でできているステップと、
前記ガラスダイ基板のマスクされていない部分を露光するために、前記マスキングされたガラスダイ基板を照射するステップと、
前記マスクを除去し、かつ前記マスクによって被覆されなかった前記ガラスダイ基板の部分を結晶化するために、前記ガラスダイ基板をアニールするステップと、
前記ガラス基板の結晶化部分をエッチングするステップと、
電気信号の導電経路を提供するために、前記ガラスダイ基板の所定の領域を導電材料でコーティングするステップとを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月27日(2008.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）（ｉ）アルキル基中に４〜１２個の炭素原子を含有するアルキルアクリレート、およびアルキル基中に４〜１２個の炭素原子を含有するアルキルメタクリレートからなる群より選択される１つ以上のＡモノマーと、
（ｉｉ）Ａモノマーと共重合性の１つ以上のエチレン性不飽和Ｂモノマーと、を含む共重合体と、
（ｂ）組成物の総重量を基準にして約８重量％〜約３０重量％のフェンタニルと、
を含む経皮薬剤デリバリ組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月27日(2008.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  中枢神経系を治療するための医薬組成物であって、中枢神経系におけるニューロン損傷を治療または防止するのに有効量のＩＧＦの構造的アナログを含む、前記医薬組成物。
【請求項２】  中枢神経系に対するニューロン損傷が、出生後の脳または脊髄における障害または疾患に帰因する、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】  脳におけるニューロン損傷が、アルツハイマー病、パーキンソン病、ＡＩＤＳ関連痴呆、老人性痴呆、脳卒中、トラウマ、皮質基底神経節症候群、進行性痴呆、痙攣性不全対麻痺を伴う家族性痴呆、進行性核上麻痺、多発性硬化症、肝性脳症、ピック病、ハンチントン病、シルダーの汎発性脳性硬化症、または急性壊死性出血性脳脊髄炎のためである、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項４】  ＩＧＦの構造的アナログが、ｄｅｓ（１−３）ＩＧＦ−Ｉである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項５】  ＩＧＦの構造的アナログが、［Ａｒｇ３］ＩＧＦ−Ｉ、［Ｌｅｕ２４］ＩＧＦ−Ｉ、［Ｌｅｕ６０］ＩＧＦ−Ｉ、ロングＲ３ＩＧＦ−Ｉ、ｄｅｓ（１−６）ＩＧＦ−ＩＩ、［Ｇｌｙ１］ＩＧＦ−ＩＩ、［Ａｒｇ６］ＩＧＦ−ＩＩまたは［Ｌｅｕ２７］ＩＧＦ−ＩＩである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項６】  ＩＧＦの構造的アナログが、約０．０１μｇ／ｋｇ／日〜約４ｍｇ／ｋｇ／日の量で投与される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項７】  ＩＧＦの構造的アナログが、非頭蓋内投与および非脊柱内投与によって投与される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項８】  ＩＧＦの構造的アナログが、局所、経皮、皮下、静脈内、筋肉内、動脈内または腹腔内経路の送達により投与される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項９】  ＩＧＦの構造的アナログが、皮下に設置されたカテーテルを経由して、一定または可変速度の注入ポンプからの送達により投与される、請求項１または３に記載の医薬組成物。
【請求項１０】  ＩＧＦの構造的アナログが、生分解性の化学的組成物またはポリマーからの一定な皮下放出により投与される、請求項１または３に記載の医薬組成物。
【請求項１１】  ＩＧＦの構造的アナログが、好適なプロモーターを含み且つ前記ＩＧＦ構造的アナログをコードする合成遺伝子をヒト体内に導入することにより投与される、請求項１または３に記載の医薬組成物。
【請求項１２】  出生後の中枢神経系におけるニューロン損傷を治療または防止するための医薬の製造における、ＩＧＦの構造的アナログの使用。
【請求項１３】  脳におけるニューロン損傷が、アルツハイマー病、パーキンソン病、ＡＩＤＳ関連痴呆、老人性痴呆、脳卒中、トラウマ、皮質基底神経節症候群、進行性痴呆、痙攣性不全対麻痺を伴う家族性痴呆、進行性核上麻痺、多発性硬化症、肝性脳症、ピック病、ハンチントン病、シルダーの汎発性脳性硬化症、または急性壊死性出血性脳脊髄炎のためである、請求項１２に記載の使用。
【請求項１４】  ＩＧＦの構造的アナログが、ｄｅｓ（１−３）ＩＧＦ−Ｉである、請求項１２に記載の使用。
【請求項１５】  ＩＧＦの構造的アナログが、［Ａｒｇ３］ＩＧＦ−Ｉ、［Ｌｅｕ２４］ＩＧＦ−Ｉ、［Ｌｅｕ６０］ＩＧＦ−Ｉ、ロングＲ３ＩＧＦ−Ｉ、ｄｅｓ（１−６）ＩＧＦ−ＩＩ、［Ｇｌｙ１］ＩＧＦ−ＩＩ、［Ａｒｇ６］ＩＧＦ−ＩＩまたは［Ｌｅｕ２７］ＩＧＦ−ＩＩである、請求項１２に記載の使用。
【請求項１６】  ＩＧＦの構造的アナログが、約０．０１μｇ／ｋｇ／日〜約４ｍｇ／ｋｇ／日の量で投与される、請求項１２に記載の使用。
【請求項１７】  ＩＧＦの構造的アナログが、非頭蓋内投与および非脊柱内投与によって投与される、請求項１２に記載の使用。
【請求項１８】  ＩＧＦの構造的アナログが、局所、経皮、皮下、静脈内、筋肉内、動脈内または腹腔内経路の送達により投与される、請求項１２に記載の使用。
【請求項１９】  ＩＧＦの構造的アナログが、皮下に設置されたカテーテルを経由して、一定または可変速度の注入ポンプからの送達により投与される、請求項１２または１３に記載の使用。
【請求項２０】  ＩＧＦの構造的アナログが、生分解性の化学的組成物またはポリマーからの一定な皮下放出により投与される、請求項１２または１３に記載の使用。
【請求項２１】  ＩＧＦの構造的アナログが、好適なプロモーターを含み且つ前記ＩＧＦ構造的アナログをコードする合成遺伝子をヒト体内に導入することにより投与される、請求項１２または１３に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月13日(2008.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】  植物油体の図画による説明である。
【図２】  ビオチンおよびストレプトアビジン分子を使用することにより油体にカップリングされた抗原の図画による説明である。
【図３】  油体表面に発現されている抗原決定基を伴う組換えオレオシンタンパク質を含む植物油体の図画による説明である。
【図４】  2種の油体調製の図画による説明であり、油体表面に抗原を発現している組換えオレオシン油体タンパク質遺伝子、ならびにストレプトアビジンおよびビオチンの使用により油体にカップリングされた抗原を含む、トランスジェニック植物由来の油体。
【図５】  発現ベクターpT7BioHisのプラスミド地図である。
【図６】  組換えベクターpSBS2004-92 M982 TbpB N-lobeのプラスミド地図である。
【図７】  タンパク質について電気ブロット染色された(A)または抗オレオシン抗体により検出された(B)、オレオシン融合タンパク質としてのナイセリア・メニンギティディスTbpB N-lobeの発現を示している、複合図である。
【図８】  オレオシンおよびナイセリア・メニンギティディスTbpB N-lobeの融合タンパク質がヒトトランスフェリンについての結合活性を維持していることを示している電気ブロットである。
【配列表】
SEQUENCE LISTING
<110>  Sembiosys Genetics Inc.
<120>  The Use of Plant Oil-Bodies in Vaccine Delivery Systems
<130>  BP-A0212
<140>  JP   2002-510111
<141>  2001-06-15
<150>  US   60/212,130
<151>  2000-06-16
<160>  2     
<170>  PatentIn version 3.1
<210>  1
<211>  89
<212>  DNA
<213>  Artificial Sequence
<220>
<223>  Biotinylation consensus sequence
<220>
<221>  CDS
<222>  (1)..(87)
<223>  
<400>  1
atg ctg aac gac atc ttc gaa gct cag aaa atc gaa tgg cat gcc cat       48
Met Leu Asn Asp Ile Phe Glu Ala Gln Lys Ile Glu Trp His Ala His         
1               5                   10                  15              
cac cat cac cat cac gcg cat gca gct gcc atg gaa agc tt                89
His His His His His Ala His Ala Ala Ala Met Glu Ser                     
20                  25                                      
<210>  2
<211>  29
<212>  PRT
<213>  Artificial Sequence
<220>
<223>  Biotinylation consensus sequence
<400>  2
Met Leu Asn Asp Ile Phe Glu Ala Gln Lys Ile Glu Trp His Ala His 
1               5                   10                  15      
His His His His His Ala His Ala Ala Ala Met Glu Ser 
20                  25
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月22日(2008.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】イオン注入装置であって、
高エネルギーイオンビームを生成しかつ該ビームを半導体ウエハへ方向付けるビーム生成器と、
イオンビーム電流を検出する検出器と、
検出されたイオンビーム電流を表す信号を検出器から受信し、検出された圧力に基づくのではなく、イオンビーム経路に沿って真空変動が存在しないときのイオンビーム電流に対応するイオンビーム電流基準値とイオンビーム経路に沿って真空変動が存在するときに測定されたイオンビーム電流との間の差値に基づいて真空変動を検出し、注入中の真空変動を補償するべくイオン注入パラメータを制御する制御器と、
から成る装置。
【請求項２】請求項１に記載の装置であって、制御器は、検出された中性粒子に基づくのではなく、イオンビーム電流基準値とイオンビーム経路に沿って真空変動が存在するときに測定されたイオンビーム電流との間の差値に基づいて真空変動を検出する、ところの装置。
【請求項３】請求項１に記載の装置であって、制御器は、イオンビーム経路に沿ってビーム中のイオンが経験する非照準線及び照準線電荷交換衝突を考慮するべく差値をスケールする、ところの装置。
【請求項４】請求項３に記載の装置であって、差値は非照準線衝突に対する照準線衝突の比率に基づいてスケールされる、ところの装置。
【請求項５】請求項１から４のいずれかに記載の装置であって、制御器は、検出された真空変動に基づいて、真空排気を開始するための真空システム、ウエハ走査速度若しくはビーム走査速度のひとつを制御する、ところの装置。
【請求項６】請求項１から５のいずれかに記載の装置であって、制御器は、イオンビーム経路に沿った真空レベルが安定している間に測定されたイオンビーム電流に基づいて決定されるか若しくはメモリから検索されるイオンビーム電流基準値及び検出されたイオンビーム電流に基づいて真空変動を検出する、ところの装置。
【請求項７】請求項１から６のいずれかに記載の装置であって、制御器は、注入システムをモデル化することによって数学的に引き出される倍率を使ってイオン注入パラメータを調節する、ところの装置。
【請求項８】請求項７に記載の装置であって、制御器は、注入装置内のイオンビーム経路のモデル及び真空システムから少なくとも部分的に得られる計算されたビーム経路長と中性粒子密度の積に基づいて決定された倍率を使用する、ところの装置。
【請求項９】イオン注入処理を制御するための方法であって、
イオンビームを生成する工程と、
ビームラインに沿ってイオンビームを方向付ける工程と、
ビームラインに沿ってビーム電流を検出する工程と、
検出された圧力に基づくのではなく、イオンビーム経路に沿って真空変動が存在しないときのイオンビーム電流に対応するイオンビーム電流基準値とイオンビーム経路に沿って真空変動が存在するときに測定されたイオンビーム電流との間の差値に基づいて真空変動を検出する工程と、
注入中の真空変動を補償するべくイオン注入パラメータを調節する工程と、
から成る方法。
【請求項１０】請求項９に記載の方法であって、真空変動を検出する工程が、非照準線衝突に対する照準線衝突の比率に基づいて差値をスケールする工程から成る、ところの方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月29日(2008.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  透過層を通して光を放射し、また情報を視認者に表示する複数の独立して動作可能な発光デバイスを含むピクシレーテッドディスプレイと、
前記ピクシレーテッドディスプレイに接着され、また前記ピクシレーテッドディスプレイと前記透過層との間に配置され、前記ピクシレーテッドディスプレイから放射された光の内部全反射を阻止する嵩拡散体であって、（ｉ）バインダー中に分散されたボイドを含むか、または（ｉｉ）別個の発光デバイスの間の光のクロストークを防ぐように配置された複数のルーバーを含む嵩拡散体と、
を含む情報ディスプレイ。
【請求項２】  透過層を通して光を放射し、また情報を視認者に表示する複数の独立して動作可能な発光デバイスを含むピクシレーテッドディスプレイと、
（ｉ）前記ピクシレーテッドディスプレイと透過層の間に配置され、また前記ピクシレーテッドディスプレイに接着されるか、または（ｉｉ）前記透過層と視認位置との間に配置され、また前記透過層に接着される、微細構造化表面または表面拡散体と
を含む情報ディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月21日(2008.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アントラセン材料を含む発光層を含んでなるELデバイスであって、該アントラセン材料は、2位に少なくとも1つのアリール環を有し、6位に水素またはアルキル基を有し、12個以下の芳香族炭素環を含み、当該アントラセン基の9位に少なくとも1つのナフタレン基を有し、かつ、その10位にアリール基を有し、さらに該アントラセン材料の環には炭素環だけが含まれていることを特徴とするELデバイス。
【請求項２】
上記アントラセン材料が10個の芳香族炭素環を含み、その環には炭素環だけが含まれる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
上記アントラセン材料が少なくとも1個の2-ナフチル基を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
上記アントラセン材料が、9位と10位に独立に選択したナフチル基を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
上記アントラセン材料が、10位にビフェニル基を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
上記アントラセン材料の6位に水素を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
上記アントラセン材料が、アントラセン部分を1つだけ含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
上記アントラセン材料が一般式（1）：
【化１】
2007531273.tif 000001
で表わされる（ただし、
Ar2はアリール基であり；
Ar9はナフチル基であり；
Ar10はアリール基であり；
v1、v3、v4、v5、v7、v8は、独立に、水素または置換基であり；
v6は、水素またはアルキル基である）、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
Ar9とAr10が、独立に選択したナフチル基である、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
v6が水素である、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１１】
上記発光層が一般式（2a）または（2b）の材料；
【化２】
2007531273.tif 000002
を含む（ただし、
Ra〜Rhは、水素であるか、独立に選択した置換基である）、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】
上記アントラセン材料の選択が、
【化３】
2007531273.tif 000003
【化４】
2007531273.tif 000004
【化５】
2007531273.tif 000005
【化６】
2007531273.tif 000006
【化７】
2007531273.tif 000007
【化８】
2007531273.tif 000008
【化９】
2007531273.tif 000009
【化１０】
2007531273.tif 000010
【化１１】
2007531273.tif 000011
の中からなされる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１３】
白色発光を提供するための第2の発光層をさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１４】
一般式（1）：
【化１２】
2007531273.tif 000012
で表わされる化合物（ただし、
Ar2はアリール基であり；
Ar9はナフチル基であり；
Ar10はアリール基であり；
v1、v3、v4、v5、v7、v8は、独立に、水素または置換基であり；
v6は、水素またはアルキル基であり；
12個までの芳香族炭素環が存在していて、環の中には炭素環だけが含まれている）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月6日(2008.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）α−アルミナを含む研磨材、
（ｂ）研磨組成物の総質量に対して、カルシウム、ストロンチウム、バリウム及びこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１種の金属のイオン０．０５〜５０ｍｍｏｌ／ｋｇ、及び
（ｃ）水を含む液体キャリアを含んでなる化学機械研磨組成物。
【請求項２】
存在する前記金属の前記イオンの量が０．０５〜１０ｍｍｏｌ／ｋｇである、請求項１に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項３】
存在する前記金属の前記イオンの量が０．０５〜５ｍｍｏｌ／ｋｇである、請求項２に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項４】
（ａ）α−アルミナ、γ−アルミナ、δ−アルミナ、θ−アルミナ、ダイヤモンド、ボロンカーバイド、シリコンカーバイド、タングステンカーバイド、窒化チタン及びこれらの混合物からなる群から選択される研磨材、
（ｂ）研磨組成物の総質量に対して、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、マグネシウム、亜鉛及びこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１種の金属のイオン０．０５〜３．５ｍｍｏｌ／ｋｇ、及び
（ｃ）水を含む液体キャリアを含んでなる化学機械研磨組成物。
【請求項５】
前記研磨材がヒュームドアルミナをさらに含む、請求項１又は４のいずれかに記載の化学機械研磨組成物。
【請求項６】
前記研磨材がα−アルミナを１０質量％以上含む、請求項５に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項７】
前記研磨組成物中に存在する前記研磨材の量が、前記研磨組成物の総質量に対して０．１〜１０質量％である、請求項１又は４のいずれかに記載の化学機械研磨組成物。
【請求項８】
前記研磨組成物中に存在する前記研磨材の量が、前記研磨組成物の総質量に対して１〜５質量％である、請求項７に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項９】
前記研磨組成物のｐＨが１〜７である、請求項１又は４のいずれかに記載の化学機械研磨組成物。
【請求項１０】
前記研磨組成物のｐＨが２〜５である、請求項９に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項１１】
（ａ）基板を用意し、
（ｂ）化学機械研磨組成物を用意し、該化学機械研磨組成物は、
（i）α−アルミナを含む研磨材、
（ii）該研磨組成物の総質量に対して、カルシウム、ストロンチウム、バリウム及びこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１種の金属のイオン０．０５〜５０ｍｍｏｌ／ｋｇ、及び
（iii）水を含む液体キャリア
を含んでなり、
（ｃ）該化学機械研磨組成物を該基板の少なくとも一部に適用し、並びに
（ｄ）該研磨組成物を用いて該基板の少なくとも一部を薄く削り、該基板を研磨する段階を含む、基板の研磨方法。
【請求項１２】
前記化学機械研磨組成物中に存在する前記金属の前記イオンの量が０．０５〜１０ｍｍｏｌ／ｋｇである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記化学機械研磨組成物中に存在する前記金属の前記イオンの量が０．０５〜５ｍｍｏｌ／ｋｇである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
（ａ）基板を用意し、
（ｂ）化学機械研磨組成物を用意し、該化学機械研磨組成物は、
（i）α−アルミナ、γ−アルミナ、δ−アルミナ、θ−アルミナ、ダイヤモンド、ボロンカーバイド、シリコンカーバイド、タングステンカーバイド、窒化チタン及びこれらの混合物からなる群から選択される研磨材、
（ii）該研磨組成物の総質量に対して、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、マグネシウム、亜鉛及びこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１種の金属のイオン０．０５〜３．５ｍｍｏｌ／ｋｇ、及び
（iii）水を含む液体キャリア
を含んでなり、
（ｃ）該化学機械研磨組成物を該基板の少なくとも一部に適用し、並びに
（ｄ）該研磨組成物を用いて該基板の少なくとも一部を薄く削り、該基板を研磨する段階を含む、基板の研磨方法。
【請求項１５】
前記基板が、白金、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、オスミウム、金及びこれらの組み合わせからなる群から選択される貴金属を含み、該貴金属の少なくとも一部を前記研磨組成物を用いて薄く削り、前記基板を研磨する、請求項１１又は１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
前記基板が白金を含み、該白金の少なくとも一部を前記研磨組成物を用いて薄く削り、前記基板を研磨する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記研磨材がヒュームドアルミナをさらに含む、請求項１１又は１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前記研磨材がα−アルミナを１０質量％以上含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記研磨組成物中に存在する前記研磨材の量が、前記研磨組成物の総質量に対して０．１〜１０質量％である、請求項１１又は１４のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
前記研磨組成物中に存在する前記研磨材の量が、前記研磨組成物の総質量に対して１〜５質量％である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記研磨組成物のｐＨが１〜７である、請求項１１又は１４のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
前記研磨組成物のｐＨが２〜５である、請求項２１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月29日(2008.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多結晶有機半導体層と、
前記有機半導体層の第一表面上の整流接触部と、
前記有機半導体層の第二表面と接触しているドープバッファ層であって、非晶質のドー
プ有機半導体から形成されるドープバッファ層と、
前記ドープバッファ層へのオーミック接触部と
を備えるショットキーダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月22日(2008.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
接続ピン（１０）がプラグインカプラ（６）内で軸方向に変位可能になるように構成されることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一つに記載の同軸プラグソケットコネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月27日(2008.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー透明フィルムを含む可撓性基板と、
上記透明フィルムと結合した有機電子デバイスと、
可撓性基板と結合し、有機電子デバイス周縁に設けられたシーラントと、
シーラントと結合し、有機電子デバイスに近接して配設された表板と
を備えるパッケージ。
【請求項２】
前記表板が、パッケージの縁部をくるんで、可撓性基板の有機電子デバイスとは反対側の面と結合する周縁部を有する、請求項１記載のパッケージ。
【請求項３】
さらに、可撓性基板及び表板の各々と結合し、パッケージ周縁部を気密封止するように形成されたエッジシールを備える、請求項１記載のパッケージ。
【請求項４】
前記可撓性基板が第一のエッジシールで覆われた周縁部を有する第一の複合基板からなり、上記表板が第二のエッジシールで覆われた周縁部を有する第二の複合基板からなり、前記有機デバイスが第一の複合基板と第二の複合基板の間に配設されていて、第一の複合基板がシーラントを介して第二の複合基板と結合している、請求項１記載のパッケージ。
【請求項５】
前記可撓性基板がバリアコーティングを備える、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のパッケージ。
【請求項６】
前記可撓性基板が、
摩耗に耐えるように構成された第一の保護層と、
第一の保護層と結合したポリマー透明フィルムと、
透明フィルムと結合したバリアコーティングと、
バリアコーティングと結合し、製造時に透明フィルムを化学的攻撃から保護するように構成された第二の保護層と
を備える複合基板である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のパッケージ。
【請求項７】
前記可撓性基板が、
摩耗に耐えるように構成された第一の保護層と、
第一の保護層と結合した第一のポリマー透明フィルムと、
第一の透明フィルムと結合した第一のバリアコーティングと、
接着層を介して第一のバリアコーティングと結合した第二のバリアコーティングと、
第二のバリアコーティングと結合した第二のポリマー透明フィルムと、
バリアコーティングと結合し、製造時に透明フィルムを化学的攻撃から保護するように構成された第二の保護層と
を備える複合基板である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のパッケージ。
【請求項８】
可撓性基板と有機電子デバイスの間に結合したバリアコーティングを備える、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のパッケージ。
【請求項９】
前記有機電子デバイスが有機発光ダイオード又は有機光起電力デバイスからなる、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のパッケージ。
【請求項１０】
前記シーラントが透過性の低い接着剤材料からなる、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のパッケージ。
【請求項１１】
前記シーラントの厚さが有機電子デバイスの厚さよりも大きい、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のパッケージ。
【請求項１２】
前記表板が金属箔からなる、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のパッケージ。
【請求項１３】
前記パッケージの縁部を表板でくるむことで形成されるポケット内に脱湿剤を備える、請求項２記載のパッケージ。
【請求項１４】
前記エッジシールで形成されるポケット内に脱湿剤を備える、請求項３又は４記載のパッケージ。
【請求項１５】
前記エッジシールが金属箔からなる、請求項３又は４記載のパッケージ。
【請求項１６】
パッケージの製造方法であって、
可撓性基板フィルムのロールを用意する段階と、
可撓性基板フィルム上に複数の有機デバイスを配設する段階と、
可撓性基板フィルムのロールと略同じ寸法の金属箔のロールを用意する段階と、
シーラントが複数の境界を形成するように配置するとともに、金属箔を可撓性基板フィルムに結合した後に複数の境界の各々が有機デバイスを完全に包囲するようなサイズをもつように金属箔上にシーラントを配設する段階と、
金属箔を可撓性基板フィルムに結合する段階と
を含んでなる方法。
【請求項１７】
複数のパッケージの各々を切り取る段階を含む、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
切り取る段階が、複数のパッケージの各々の上に存在する金属箔の表面積が可撓性基板フィルムの表面積よりも大きくなるように金属箔を切断することからなる、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
金属箔を可撓性基板フィルムの周縁部全体に巻き付ける段階を含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
切り取ったパッケージに、パッケージ周縁部を気密封止するように構成されたエッジシールを結合する段階を含む、請求項１７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月19日(2008.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード電極とカソード電極との間に配される、少なくとも１つの発光層と、基本材料を具える少なくとも１つの正孔（正電荷）又は電子（負電荷）輸送及び／又は注入層とを有するエレクトロルミネセント装置のための中間層であって、前記アノード電極及び前記カソード電極の両端に電圧が印加される場合、前記エレクトロルミネセント装置が光を発する中間層において、
前記輸送及び／又は注入層が、更に、コロイド粒子を有することを特徴とする中間層。
【請求項２】
前記コロイド粒子が、ＰＣ又はラテックスから構成されるグループから選択される有機材料であることを特徴とする、請求項１に記載の中間層。
【請求項３】
前記コロイド粒子が、酸化物、リン酸塩、ケイ酸塩又はホウ酸塩から構成されるグループから選択される無機材料であることを特徴とする、請求項１に記載の中間層。
【請求項４】
前記コロイド粒子の屈折率は、前記基本材料の屈折率の範囲内にあることを特徴とする、請求項１乃至３の何れか一項に記載の中間層。
【請求項５】
アノード電極が可視スペクトル範囲の光を透過し、カソード電極が前記可視スペクトル範囲の光を反射するか、
前記カソード電極が前記可視スペクトル範囲の光を透過し、前記アノード電極が前記可視スペクトル範囲の光を反射するか、又は
前記カソード電極も前記アノード電極も可視光を透過することを特徴とする、請求項１乃至４の何れか一項に記載の中間層を備えるエレクトロルミネセント装置。
【請求項６】
前記カソード電極は、光を透過し、１つ以上の他の透明な誘電層が堆積される薄い銀層を有することを特徴とする、請求項５に記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項７】
コロイド粒子の平均粒径が、輸送層の厚さの２倍の大きさよりも小さいことを特徴とする、請求項５又は６に記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項８】
前記コロイド粒子をもつ前記輸送層が、正孔を輸送し、ＰＤＯＴ又はＴＰＤから構成されるグループから選択される材料で作製されることを特徴とする、請求項５乃至７の何れか一項に記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項９】
前記コロイド粒子をもつ前記輸送層が、電子を輸送することを特徴とする、請求項５乃至７の何れか一項に記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項１０】
発光層が、ポリマー及び／又は溶解処理された有機材料であることを特徴とする、請求項５乃至９の何れか一項に記載のエレクトロルミネセント装置。
【請求項１１】
前記発光層が、真空蒸着された有機材料から作製されることを特徴とする、請求項５乃至９の何れか一項に記載のエレクトロルミネセント装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月30日(2008.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁放射線の入射波長の吸収体、
前記吸収体と電子移動接触しているトリメタスフェア、
前記トリメタスフェアと電気接触しているアノード、および、
前記吸収体と電気接触しているカソードを含む電磁放射線の入射波長を電気へ変換させるための光起電装置。
【請求項２】
入射電磁放射線の吸収体、
前記吸収体と電子移動接触しているトリメタスフェア含有材料、
アノード、
カソード、および、
前記アノードから前記カソードへの電流路とを含む電気回路。
【請求項３】
前記吸収体および前記トリメタスフェア含有材料が、ヘテロ接合である請求項１に記載の装置または請求項２に記載の電気回路。
【請求項４】
前記吸収体および前記トリメタスフェア含有材料が、混合接合である請求項１に記載の装置または請求項２に記載の電気回路。
【請求項５】
前記アノードが、前記トリメタスフェア含有材料と電気接触している請求項２に記載の電気回路。
【請求項６】
前記カソードが、前記吸収体と電気接触している請求項２に記載の電気回路。
【請求項７】
前記トリメタスフェア含有材料におけるトリメタスフェアが、内部容積を備える炭素ケージ構造を含み、このとき前記炭素ケージ構造が、非炭素ヘテロ原子もしくはイオンと複合体化された１つ以上の金属原子もしくはイオンを内包する請求項１に記載の装置または請求項２に記載の電気回路。
【請求項８】
前記トリメタスフェアが、一般式Ａ3-nＸnＮ＠Ｃm（式中、ｎは０〜３の範囲内であり、ＡおよびＸは三価金属であり、ｍは約６０〜約２００であり、およびＮは非炭素ヘテロ原子もしくはイオンである）を有する請求項７に記載の装置または電気回路。
【請求項９】
Ｎが、窒素である請求項８に記載の装置または電気回路。
【請求項１０】
前記三価金属が、希土類金属またはＩＩＩＢ族金属である請求項８に記載の装置または電気回路。
【請求項１１】
Ａが、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、ガドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、およびイッテルビウムからなる群から選択される請求項１０に記載の装置または電気回路。
【請求項１２】
Ａが、エルビウム、ホルミウム、スカンジウム、およびイットリウムからなる群から選択される請求項１１に記載の電気回路。
【請求項１３】
Ｘが、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、ガドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、およびイッテルビウムからなる群から選択される請求項１０に記載の電気回路。
【請求項１４】
前記トリメタスフェア含有材料のトリメタスフェアが、Ａ1、Ａ2、Ａ3複合体構造（このとき、Ａ1、Ａ2、およびＡ3は同一の原子もしくはイオンである）を有する請求項１に記載の装置または請求項２に記載の電気回路。
【請求項１５】
前記トリメタスフェアが、ヘテロ原子もしくはイオンを含むＡ1、Ａ2、Ａ3複合体構造を有する請求項１４に記載の装置または電気回路。
【請求項１６】
電子／正孔対を生成するために入射電磁放射線を吸収体または光活性材料によって吸収するステップと、
前記吸収体または前記光活性材料の最低空軌道（ＬＵＭＯ）内の電子を、バンドギャップを越えてトリメタスフェア含有材料へ移動させるステップと、
前記トリメタスフェア含有材料からアノード内へ電子を注入するステップと、
前記吸収体または前記光活性材料の最高被占軌道（ＨＯＭＯ）内の正孔をカソードへ移動させるステップと、
前記アノードおよび前記カソード間の回路を完成させる工程と
を含む、入射電磁放射線を電気信号へ変換させる方法。
【請求項１７】
前記吸収体および前記トリメタスフェア含有材料が、ヘテロ接合である請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記吸収体および前記トリメタスフェア含有材料が、混合接合である請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記トリメタスフェア含有材料におけるトリメタスフェアが、内部容積を備える炭素ケージ構造を含み、このとき前記炭素ケージ構造が、非炭素ヘテロ原子もしくはイオンと複合体化された１つ以上の金属原子もしくはイオンを内包する請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記トリメタスフェアが、一般式Ａ3-nＸnＮ＠Ｃm（式中、ｎは０〜３の範囲内であり、ＡおよびＸは三価金属であり、ｍは約６０〜約２００であり、およびＮは非炭素ヘテロ原子もしくはイオンである）を有する請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
Ｎが、窒素である請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記三価金属が、希土類金属またはＩＩＩＢ族金属である請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
Ａが、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、ガドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、およびイッテルビウムからなる群から選択される請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
Ａが、エルビウム、ホルミウム、スカンジウム、およびイットリウムからなる群から選択される請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
Ｘが、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、ガドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、およびイッテルビウムからなる群から選択される請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記入射電磁放射線が、可視スペクトルまたは紫外スペクトル内の波長である請求項１６に記載の方法。
【請求項２７】
前記トリメタスフェア含有材料のトリメタスフェアが、Ａ1、Ａ2、Ａ3複合体構造（このとき、Ａ1、Ａ2、およびＡ3が、同一の原子もしくはイオンである）を有する請求項１６に記載の方法。
【請求項２８】
前記トリメタスフェアが、ヘテロ原子もしくはイオンを含むＡ1、Ａ2、Ａ3複合体構造を有する請求項２７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月7日(2008.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の上の埋込絶縁層と、
前記埋込絶縁層の上の半導体メサと、
前記半導体メサを実質的に囲むガード・リングと、を備え、
前記ガード・リングは、前記半導体基板と接触し、前記半導体メサに対してＲＦ分離を与えるよう構成されている、
集積回路。
【請求項２】
前記半導体基板は、高抵抗率の半導体基板を含む、請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
前記半導体基板は、シリコン基板を含み、
前記埋込絶縁層は、埋込シリコン酸化物層を含み、
前記半導体メサは、シリコン・メサを含む、
請求項１に記載の集積回路。
【請求項４】
前記半導体基板は、前記ガード・リングにより接触されている範囲にドーピングされている、請求項１に記載の集積回路。
【請求項５】
前記ガード・リングは、低抵抗率のガード・リングを含む、請求項１に記載の集積回路。
【請求項６】
前記ガード・リングは、金属ガード・リングを含む、請求項１に記載の集積回路。
【請求項７】
前記金属ガード・リングは、タングステン・ガード・リングを含む、請求項６に記載の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に形成される絶縁層と、
絶縁層の上に形成される制御電極と、を備え、制御電極は、
絶縁層の上に形成され、かつ第１横方向寸法を有する第１導電層と、
第１導電層の上に形成され、かつ第２横方向寸法を有する第２導電層と、
第２導電層の上に形成され、かつ第３横方向寸法を有する非絶縁層とを備え、
第３横方向寸法は第１横方向寸法よりも大きく、かつ第２横方向寸法よりも大きい、半導体素子。
【請求項２】
基板の中にハロイオン注入領域をさらに備える、請求項１記載の半導体素子。
【請求項３】
第３横方向寸法は、第１及び第２導電層の一部分を選択的に除去して切り欠きを制御電極の反対側面に形成することにより、第１横方向寸法及び第２横方向寸法よりも大きくなる、請求項１記載の半導体素子。
【請求項４】
前記切り欠きは、第２導電層を選択的にエッチングし、及び第１導電層を選択的にエッチングすることにより形成される、請求項３記載の半導体素子。
【請求項５】
一の表面を有する基板を設ける工程と、
絶縁層を基板の前記表面の上に形成する工程と、
第１パターニング済み導電層を絶縁層の上に形成する工程と、
第２パターニング済み導電層を第１パターニング済み導電層の上に形成する工程と、
パターニング済み非絶縁層を第２パターニング済み導電層の上に形成する工程と、
第１及び第２パターニング済み導電層の一部分を選択的に除去して、半導体素子の切り欠き制御電極を形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月4日(2008.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッションフルーツ抽出物の製造法であって、
（ａ）パッションフルーツの果皮を水と接触させて水性抽出物と固体残渣とを得るステップと；
（ｂ）前記水性抽出物を高分子マトリックスと接触させて該水性抽出物から少なくとも一つの成分を吸着させるステップと；そして
（ｃ）前記成分を前記マトリックスから溶出するステップと
を含む方法。
【請求項２】
溶出ステップが有機溶媒を使用する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
有機溶媒が、エタノール、イソプロピルアルコール、メタノール、１−プロパノール、及びアセトンからなる群から選ばれる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
高分子マトリックスが非イオン性高分子マトリックス樹脂である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
高分子マトリックスを、水性抽出物との接触後、溶出ステップの前に水で洗浄するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法に従って製造されたパッションフルーツの抽出物。
【請求項７】
哺乳動物における血圧の低下のための請求項６の抽出物。
【請求項８】
哺乳動物における血清中一酸化窒素濃度の低下のための請求項６の抽出物。
【請求項９】
哺乳動物における肝損傷の防止のための請求項６の抽出物。
【請求項１０】
哺乳動物がヒトである、請求項７〜９のいずれかに記載の抽出物。
【請求項１１】
カテキン、シアニジン、エデュリル酸、エピカテキン、ルテオリン、フェニルピルビン酸、ケルセチン、及びそのような化合物のいずれかの配糖体からなる群の少なくとも一つの化合物を含む、請求項６に記載のパッションフルーツ果皮の抽出物。
【請求項１２】
構造：
【化１】
2007531734.tif 000001
を有する化合物及びそのシス異性体を含む、請求項６に記載のパッションフルーツの抽出物。
【請求項１３】
パッションフルーツの果皮のみが使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法に従って製造された抽出物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月31日(2008.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
哺乳類対象における肺水腫を治療または予防するための組成物であって、αｖβ５インテグリンの拮抗剤を含み、該拮抗剤が抗体である該組成物。
【請求項２】
前記抗体が、ヒト化抗体である請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記抗体が、ｓｃＦｖ、Ｆａｂ、および（Ｆａｂ’）2からなる群から選択される請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記抗体が、αｖβ５インテグリンに対する特異的結合についてＡＬＵＬＡ（ＡＴＣＣ寄託番号ＰＴＡ−５８１７号）と競合する請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記抗体が、ＡＬＵＬＡである請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記抗体が、ヒト化ＡＬＵＬＡである請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
急性肺損傷を治療または予防するための第２の治療剤をさらに含む請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記第二の治療剤が、ＴＧＦβ経路阻害剤、活性化プロテインＣ、ステロイド、ＧＭ−ＣＳＦ、血小板阻害剤、利尿剤、気管支拡張剤、αｖβ５インテグリンに結合する抗体、β５に結合する抗体、αｖβ５インテグリンの第2の拮抗剤、αｖβ６インテグリンの拮抗剤、β２作動薬、および界面活性剤からなる群から選択される請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
αｖβ５に対する結合についてＡＬＵＬＡ（ＡＴＣＣ寄託番号ＰＴＡ−５８１７号）と特異的に競合する抗体。
【請求項１０】
前記抗体が、ＡＬＵＬＡである請求項９に記載の抗体。
【請求項１１】
前記抗体が、ヒト化ＡＬＵＬＡである請求項９に記載の抗体。
【請求項１２】
薬学上許容しうる賦形剤、およびαｖβ５に対する特異的結合についてＡＬＵＬＡ（ＡＴＣＣ寄託番号ＰＴＡ−５８１７号）と競合する抗体を含む医薬組成物。
【請求項１３】
前記抗体が、ＡＬＵＬＡである請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
前記抗体が、ヒト化ＡＬＵＬＡである請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
急性肺損傷を治療または予防するための第2の治療剤をさらに含む請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
前記第2の治療剤が、ＴＧＦβ経路阻害剤、活性化プロテインＣ、ステロイド、ＧＭ−ＣＳＦ、血小板阻害剤、利尿剤、気管支拡張剤、αｖβ５インテグリンに結合する抗体、β５に結合する抗体、αｖβ５インテグリンの第2の拮抗剤、αｖβ６インテグリンの拮抗剤、β-２作動薬、および界面活性剤からなる群から選択される請求項１５に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
肺水腫を治療するための剤を同定する方法であって、
複数の剤をαｖβ５と接触させること；
αｖβ５インテグリンに対する結合についてαｖβ５インテグリンのリガンドと競合する剤を選択すること；および
選択された前記の剤が、肺水腫に対する効果を有するかどうかを決定して、それにより肺水腫を治療するための剤を特定することを含む方法。
【請求項１８】
肺水腫を治療または予防するためのキットであって、
αｖβ５インテグリンの拮抗剤；および
急性肺損傷を治療または予防するための第2の治療剤を含むキット。
【請求項１９】
αｖβ５インテグリンの前記拮抗剤が、モノクローナル抗体である請求項１８に記載のキット。
【請求項２０】
前記モノクローナル抗体が、ＡＬＵＬＡである請求項１９に記載のキット。
【請求項２１】
前記モノクローナル抗体が、ヒト化ＡＬＵＬＡである請求項２０に記載のキット。
【請求項２２】
前記第2の治療剤が、ＴＧＦβ経路阻害剤、活性化プロテインＣ、ステロイド、ＧＭ−ＣＳＦ、血小板阻害剤、利尿剤、気管支拡張剤、αｖβ５インテグリンに結合する抗体、β５に結合する抗体、αｖβ５インテグリンの第2の拮抗剤、αｖβ６インテグリンの拮抗剤、β-２作動薬、および界面活性剤からなる群から選択される請求項１８に記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月7日(2008.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジフルオロメタン（HFC-32）、1,1,1-トリフルオロエタン（HFC-143a）および1,1-ジフルオロエタン（HFC-152a）からなる群から選択される少なくとも一つのヒドロフルオロカーボンを製造するための方法であって、
(a) 反応容器を用意し、
(b) 反応容器の中に強いルイス酸フッ素化触媒を含ませた活性炭を供給し、このとき強いルイス酸触媒はAs、Sb、Al、Tl、In、V、Nb、Ta、Ti、ZrおよびHfのハロゲン化物からなる群から選択され、
(c) 強いルイス酸フッ素化触媒を含ませた活性炭に無水フッ化水素ガスと塩素ガスを通すことによって触媒を活性化させ、
(d) 活性化した触媒を収容している反応容器の中で、気体状態において、フッ化水素と、クロロフルオロメタン、ジクロロメタン、1,1,1-トリクロロエタン、塩化ビニル、1,1-ジクロロエチレン、1,2-ジクロロエチレン、1,2-ジクロロエタン、および1,1-ジクロロエタンからなる群から選択される１以上のハロゲン化炭化水素とを、これら塩素化炭化水素反応物質に対応するヒドロフルオロカーボン生成物と、塩化水素、未反応の塩素化炭化水素反応物質、不十分にフッ素化された中間物質、および未反応のフッ化水素のうちの１以上とを含む生成物流れが生成する時間と温度において接触させ、そして
(e) 生成物流れからヒドロフルオロカーボン生成物を分離する、
以上の工程を含む方法。
【請求項２】
工程(d)におけるフッ化水素と塩素化炭化水素反応物質は、反応容器の中に導入される前に気体状の段階まで予熱される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
反応物質は、反応容器の中に導入される前に、反応温度に近い過熱された気体状の段階まで予熱される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
工程(d)における塩素化炭化水素反応物質は塩化メチレンを含み、そしてヒドロフルオロカーボン生成物はジフルオロメタンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
工程(d)における反応は連続式の反応として行なわれ、そしてヒドロフルオロカーボン生成物が分離された生成物流れの中の不十分にフッ素化された中間物質は反応容器へ再循環して戻される、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月18日(2008.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
過増殖性障害を処置するための組成物であって、該組成物は、このような処置を必要とする被験体への投与のために適切であり、該組成物は、次式の化合物：
【化１】
2007531736.tif 000001
ここで：Ｙ＝ＨもしくはＯＨであり、そしてＸ＝Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩもしくはＣＨ３である；
または
【化２】
2007531736.tif 000002
ここで：Ｙ＝ＨもしくはＯＨであり、そしてＸ＝Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩである、あるいはそれらの薬学的に受容可能な塩を含有し、それにより、該過増殖性障害が処置される、
組成物。
【請求項２】
前記化合物が、以下である：
【化３】
2007531736.tif 000003
ここで：Ｙ＝ＨもしくはＯＨであり、そしてＸ＝Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩもしくはＣＨ３である；
または
【化４】
2007531736.tif 000004
ここで：Ｙ＝ＨもしくはＯＨであり、そしてＸ＝Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩである、
請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記化合物が、次式を有する、請求項１に記載の組成物：
【化５】
2007531736.tif 000005
【請求項４】
前記化合物が、次式を有する、請求項１に記載の組成物：
【化６】
2007531736.tif 000006
【請求項５】
前記化合物が、以下である、請求項１に記載の組成物：
【化７】
2007531736.tif 000007
【請求項６】
前記過増殖性障害が、腫瘍である、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記組成物が、さらに、薬学的に受容可能なキャリアまたは希釈剤を含有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記腫瘍が、卵巣の腫瘍、乳房の腫瘍、子宮頚部の腫瘍、前立腺の腫瘍、肝臓の腫瘍、肺の腫瘍、腎臓の腫瘍、結腸の腫瘍、膵臓の腫瘍、脳腫瘍、胃の腫瘍および黒色腫から選択される、請求項６に記載の組成物。
【請求項９】
次式の化合物：
【化８】
2007531736.tif 000008
であって、ここで：
Ａは、
【化９】
2007531736.tif 000009
であり、Ｙ＝ＨまたはＯＨであり、そしてＸ＝Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩまたはＣＨ３であり；
但し、Ａが
【化１０】
2007531736.tif 000010
である場合、Ｘは、ＣＨ３ではない、
化合物。
【請求項１０】
次式：
【化１１】
2007531736.tif 000011
ここで：Ｙ＝ＨもしくはＯＨであり、そしてＸ＝Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩもしくはＣＨ３である、
を有する、請求項９に記載の化合物。
【請求項１１】
次式：
【化１２】
2007531736.tif 000012
ここで：Ｙ＝ＨもしくはＯＨであり、そしてＸ＝Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩである、
を有する、請求項９に記載の化合物。
【請求項１２】
以下である、請求項９に記載の化合物：
【化１３】
2007531736.tif 000013
【請求項１３】
請求項９に記載の化合物の治療有効量、またはそれらの薬学的に受容可能な塩と薬学的に受容可能なキャリアもしくは希釈剤とを含有する、薬学的組成物。
【請求項１４】
卵巣の腫瘍、乳房の腫瘍、子宮頚の腫瘍、前立腺の腫瘍、肝臓の腫瘍、肺の腫瘍、腎臓の腫瘍、結腸の腫瘍、膵臓の腫瘍、脳腫瘍、胃の腫瘍および黒色腫から選択される腫瘍についての少なくとも１つの細胞株に関して、１０μＭ以下のＩＣ５０を有する、請求項９に記載の化合物。
【請求項１５】
前記細胞株が、卵巣の腫瘍に対するＨｕｍａｎ  ＯＶＣＡＲ−３、乳房の腫瘍に対するＭＣＦ−７またはＭＤＡ−ＭＢ−２３１、子宮頚部の腫瘍に対するＨｅＬａ、前立腺の腫瘍に対するＰＣ３またはＬＮＣａｐ、肝臓の腫瘍に対するＨｅｐＧ２、肺の腫瘍に対するＡ５４９またはＮＣＩ−Ｈ２２６、腎臓の腫瘍に対するＵＭＲＣ２、結腸の腫瘍に対するＨＴ−２９またはＨＣＴ１１６、膵臓の腫瘍に対するＰＡＮＣ−１、脳腫瘍に対するＵ２５１、胃の腫瘍に対するＭＫＮ−４５および黒色腫に対するＳＫ−ＭＥＬ−２８から選択される、請求項１４に記載の化合物。
【請求項１６】
１．０μＭ以下のＩＣ５０を有する、請求項１４に記載の化合物。
【請求項１７】
０．５μＭ以下のＩＣ５０を有する、請求項１４に記載の化合物。
【請求項１８】
次式の化合物：
【化１４】
2007531736.tif 000014
ここで：Ｙ＝ＨもしくはＯＨであり、そしてＸ＝Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩもしくはＣＨ３である；
または次式の化合物：
【化１５】
2007531736.tif 000015
ここで：Ｙ＝ＨもしくはＯＨであり、そしてＸ＝Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩである；を合成する方法であって、該方法は、以下の群から選択される少なくとも１つの工程を包含し：
【化１６】
2007531736.tif 000016
ここで、Ｂは、第三級ブチルジメチルシリル、第三級ブチルジフェニルシリル、ベンジルおよびトリチルから選択される、
方法。
【請求項１９】
Ｂが、トリチルである、請求項１８に記載の方法。