【手続補正書】
【提出日】平成20年6月24日(2008.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    
【請求項１】
対応するＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上にＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を形成する方法であって、ＩＩＩ族源物質と窒素源物質を使用し、Ｖ／ＩＩＩ比が約１〜約１０５の範囲、窒素源物質分圧が約１〜約１０３Ｔｏｒｒの範囲、成長温度が約５００〜約１２５０℃の範囲、成長速度が約０．１ミクロン／時〜約５００ミクロン／時の範囲の堆積条件下、気相エピタキシー法によりＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を堆積させる堆積工程を備える方法。
【請求項２】
対応するＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上にＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を形成する方法において、ＩＩＩ族源物質と窒素源物質を使用し、気相エピタキシー法でＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を堆積させることを含む方法であって、基板が、堆積工程中、サセプタ表面上に安置され、該方法が、基板を堆積工程のためにサセプタ表面上に安置する前に、該サセプタ表面を対応するＩＩＩ−Ｖ族窒化物で塗布することを含む方法。
【請求項３】
対応する未仕上げＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上にＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を形成する方法において、ＩＩＩ族源物質と窒素源物質を使用し、気相エピタキシー法でＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を堆積させることを含む方法であって、基板が基板の成長表面の物質輸送平滑化を施され、物質輸送平滑化が以下のステップ、
ア）窒素種前駆体を含む過圧ガス中で、前記基板をアニーリングする、
イ）前記基板からの不純物を希釈するために１０００Å以下のエピタキシャル層を成長させる、
ウ）アニーリング中に表面活性剤および電荷補償不純物の少なくとも１つを添加して、窒素種前駆体を含む過圧ガス中で、前記基板をアニーリングする、
エ）エピタキシャル層成長中に表面活性剤および電荷補償不純物の少なくとも１つを添加して、前記基板からの不純物を希釈するために１０００Å以下のエピタキシャル層を成長させる、
のうち１つを含む方法。
【請求項４】
対応する未仕上げＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上にＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を形成する方法であって、ＩＩＩ族源物質と窒素源物質を使用し、気相エピタキシー法でＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を堆積させることを含む方法であって、基板が自立（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎを含み、基板が、ＦＳ（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板を酸素、空気、空気／不活性ガス混合物、またはウェット混合物中で酸化して酸素薄層を作成し、該酸素層をアルカリ溶液中で除去あるいはエッチ除去して、基板から潜在的不純物を除去することによって、前記堆積のために調整する方法。
【請求項５】
対応する未仕上げＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上にＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を形成する方法であって、ＩＩＩ族源物質と窒素源物質を使用し、気相エピタキシー法でＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を堆積させることを含み、ホモエピタキシャル層がドープされるが、ドーピングが、ホモエピタキシャル層の成長において中断形態を除去するのに十分な厚みのホモエピタキシャル層中に非ドープ物質の膜厚を形成するために、前記堆積の一時の間休止される方法。
【請求項６】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層がＡＩＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮからなる群から選択される窒化化合物を含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層がＧａＮを含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板が自立基板である、請求項１、２、３、または５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板が化学的機械的研磨した自立基板である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記堆積工程の前に、前記基板がある雰囲気で前記成長温度の範囲内の温度に熱処理され、該雰囲気が水素、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、塩化水素及びそれら種の２種以上の混合物からなる群から選択される１種以上を含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ホモエピタキシャル層が少なくとも０．５ミクロンの厚さである、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記ホモエピタキシャル層が少なくとも３ミクロンの厚さである、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が、前記堆積工程において、０．１〜１０°の範囲のオフカット角度で、（０００１）からオフカットされた結晶配向を有する基板の堆積表面上に堆積される、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が、前記堆積工程において、
【化１】
2004502298.tif 000001
方向に向いているオフカット方向を有する基板の堆積表面上に堆積される、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が、前記堆積工程において、
【化２】
2004502298.tif 000002
方向に向いているオフカット方向を有する基板の堆積表面上に堆積される、請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が、前記堆積工程において、
【化３】
2004502298.tif 000003
と
【化４】
2004502298.tif 000004
との間のオフカット方向を有する基板の堆積表面上に堆積される、請求項１３記載の方法。
【請求項１７】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板が、前記堆積工程前に、水溶性酸洗浄組成物で洗浄される、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板が、前記堆積工程前に、水溶性塩基洗浄組成物で洗浄される、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板が、前記堆積工程前に、基板の堆積表面上で異種化合物に変換され、該異種化合物が除去される、請求項１、２、３、または５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板が、前記堆積工程前に、基板の堆積表面上で酸化され、生成した酸化物が選択的に除去される、請求項１、２、３、または５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板が、前記堆積工程前に、反応性イオンエッチングによって洗浄される、請求項１、２、３、または５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
裏面蒸発保護プロセスで前記基板を処理することをさらに含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記裏面蒸発保護プロセスが、蒸発から基板の裏面表面を保護する物質を基板に塗布することを含む、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
前記裏面蒸発保護プロセスが、基板の裏面表面を研磨することを含む、請求項２２記載の方法。
【請求項２５】
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を堆積する前に、基板の堆積表面にエピタキシャル中間層を適用することをさらに含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記エピ中間層が、異なる格子整合あるいは格子不整合（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ化合物を含む、請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を堆積する前に、基板をアニーリングすることをさらに含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
基板上のＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層の核生成のために、基板の堆積表面に表面活性剤を塗布することをさらに含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層の形態を平滑化するための物質輸送プロセスを行なうことをさらに含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３０】
前記堆積工程前のＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板が、基板中の欠陥をマスクするマスク処理を施され、前記堆積工程が欠陥のオーバーグロースと除去を遂行する、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
前記堆積工程前にＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板にメサを形成すること、および該メサ上にあるいはメサから横方向にＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を堆積することをさらに含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３２】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と対応するＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板それぞれがＧａＮを含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３３】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と対応するＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板それぞれがＡｌＧａＮを含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３４】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と対応するＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板それぞれがＡｌＩｎＧａＮを含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３５】
前記エピタキシャル層が、ｎ型、ｐ型、あるいは半絶縁性でドープされている、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３６】
前記エピタキシャル層と基板がそれぞれ１Ｅ５Ω／ｃｍ２を超えるシート抵抗を有する、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３７】
請求項１乃至３６のいずれか一項に記載の方法によって製造されたＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル物質。
【請求項３８】
１Ｅ６／ｃｍ２未満の転位を有する、請求項３７に記載のＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル物質。
【請求項３９】
自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上に、１Ｅ６／ｃｍ２未満の転位を有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を含むホモエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ族窒化物品。
【請求項４０】
前記ホモエピタキシャル層と基板がそれぞれＡｌＧａＮを含む、請求項３９記載の物品。
【請求項４１】
前記ホモエピタキシャル層と基板の間の界面で、汚染がない、請求項４０記載の物品。
【請求項４２】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法によって製造されたＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造物。
【請求項４３】
自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上にＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルエピタキシャル層を含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造物。
【請求項４４】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルエピタキシャル層が、非（０００１）ホモエピタキシャルステップフロー結晶成長を含む、請求項４２および４３のいずれか一項に記載のＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造物。
【請求項４５】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルエピタキシャル層が
【化５】
2004502298.tif 000005
オフカット方向を有する、請求項４２および４３のいずれか一項に記載のＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造物。
【請求項４６】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルエピタキシャル層が
【化６】
2004502298.tif 000006
オフカット方向を有する、請求項４２および４３のいずれか一項に記載のＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造物。
【請求項４７】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルエピタキシャル層が
【化７】
2004502298.tif 000007
から
【化８】
2004502298.tif 000008
のオフカット方向を有する、請求項４２および４３のいずれか一項に記載のＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造物。
【請求項４８】
前記基板が仕上げ加工済みである、請求項４２および４３のいずれか一項に記載のＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造物。
【請求項４９】
前記基板が仕上げ加工されていない、請求項４２および４３のいずれか一項に記載のＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造物。
【請求項５０】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルエピタキシャル層が格子整合ＡｌＩｎＧａＮエピタキシャル層を含む、請求項４２および４３のいずれか一項に記載のＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造物。
【請求項５１】
前記基板が、傾斜ＡｌＧａＮ層を上層に有する自立ＧａＮを含む、請求項４２および４３のいずれか一項に記載のＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造物。
【請求項５２】
５ｅ８／ｃｍ２未満の転位密度を有する、請求項４２および４３のいずれか一項に記載のＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造物。
【請求項５３】
５ｅ７／ｃｍ２未満の転位密度を有する、請求項４２および４３のいずれか一項に記載のＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造物。
【請求項５４】
５ｅ６／ｃｍ２未満の転位密度を有する、請求項４２および４３のいずれか一項に記載のＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造物。
【請求項５５】
前記基板がＧａＮを含み、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルエピタキシャル層が該基板のＧａ面上に堆積される、請求項４２および４３のいずれか一項に記載のＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造物。
【請求項５６】
前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルエピタキシャル層が前記基板のＮ終端面上に堆積される、請求項４２および４３のいずれか一項に記載のＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造物。
【請求項５７】
請求項４２および４３のいずれか一項に記載のＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造物を含んでなるマイクロエレクトロニクスデバイス。
【請求項５８】
ＵＶＬＥＤを含む、請求項５７記載のマイクロエレクトロニクスデバイス。
【請求項５９】
ＡｌＧａＮ／ＧａＮ高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を含む、請求項５７記載のマイクロエレクトロニクスデバイス。
【請求項６０】
レーザダイオードを含む、請求項５７記載のマイクロエレクトロニクスデバイス。
【請求項６１】
請求項５７記載のマイクロエレクトロニクスデバイスを含むシステム。
【請求項６２】
サセプタの動作寿命を延長するためにＣＴＥ整合皮膜を有するサセプタを含むエピタキシャル成長炉。