【手続補正書】
【提出日】平成19年6月27日(2007.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板に貫通孔を形成する貫通孔形成方法であって、
前記半導体基板の表面にエッチングストップ層を形成する工程と、
前記エッチングストップ層の上に保護層を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面に開口部を持ったエッチングマスク層を形成する工程と、
前記エッチングマスク層の前記開口部から前記エッチングストップ層に至る前記半導体基板をエッチングする工程と、
エッチングされた部分に臨む前記エッチングストップ層の部分を除去して貫通孔を形成する工程と
を具えたことを特徴とする貫通孔形成方法。
【請求項２】  半導体基板に貫通孔を形成する貫通孔形成方法であって、
前記半導体基板の表面に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層を覆うエッチングストップ層を形成する工程と、
前記エッチングストップ層の上に保護層を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面に開口部を持ったエッチングマスク層を形成する工程と、
前記エッチングマスク層の前記開口部から前記エッチングストップ層に至る前記半導体基板および前記犠牲層をエッチングする工程と、
エッチングされた部分に臨む前記エッチングストップ層の部分を除去して貫通孔を形成する工程と
を具えたことを特徴とする貫通孔形成方法。
【請求項３】  前記犠牲層は、前記半導体基板の前記表面側の前記開口部の開口形状に対応していることを特徴とする請求項２に記載の貫通孔形成方法。
【請求項４】  前記保護層は、前記貫通孔の周縁部を覆うように形成されることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の貫通孔形成方法。
【請求項５】  前記半導体基板が単結晶シリコン基板であることを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の貫通孔形成方法。
【請求項６】  前記保護層を構成する材料がポリエーテルアミド樹脂であることを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の貫通孔形成方法。
【請求項７】  液体が吐出される吐出口を形成した吐出口形成部材と、前記吐出口から液体を吐出するための吐出エネルギー発生部が前記吐出口と対向して形成された基板と、この基板と当該基板に形成される前記吐出口形成部材との間に形成されて前記吐出口と前記吐出エネルギー発生部との間に液体を導くための液路と、前記基板に形成されて前記液路に連通する液体供給孔とを具えた液体吐出ヘッドであって、
前記液体供給孔は、請求項１〜請求項６の何れかの貫通孔形成方法によって形成された貫通孔であることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項８】  前記吐出エネルギー発生部は、熱エネルギーを発生する電気熱変換素子を有することを特徴とする請求項７に記載の液体吐出ヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の形態は、半導体基板に貫通孔を形成する貫通孔形成方法であって、前記半導体基板の表面にエッチングストップ層を形成する工程と、このエッチングストップ層の上に保護層を形成する工程と、前記半導体基板の裏面に開口部を持ったエッチングマスク層を形成する工程と、このエッチングマスク層の前記開口部から前記エッチングストップ層に至る前記半導体基板をエッチングする工程と、エッチングされた部分に臨む前記エッチングストップ層の部分を除去して貫通孔を形成する工程とを具えたことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の第２の形態は、半導体基板に貫通孔を形成する貫通孔形成方法であって、前記半導体基板の表面に犠牲層を形成する工程と、この犠牲層を覆うエッチングストップ層を形成する工程と、このエッチングストップ層の上に保護層を形成する工程と、前記半導体基板の裏面に開口部を持ったエッチングマスク層を形成する工程と、このエッチングマスク層の前記開口部から前記エッチングストップ層に至る前記半導体基板および前記犠牲層をエッチングする工程と、エッチングされた部分に臨む前記エッチングストップ層の部分を除去して貫通孔を形成する工程とを具えたことを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第３の形態は、液体が吐出される吐出口を形成した吐出口形成部材と、前記吐出口から液体を吐出するための吐出エネルギー発生部が前記吐出口と対向して形成された基板と、この基板と当該基板に形成される前記吐出口形成部材との間に形成されて前記吐出口と前記吐出エネルギー発生部との間に液体を導くための液路と、前記基板に形成されて前記液路に連通する液体供給孔とを具えた液体吐出ヘッドであって、前記液体供給孔は、上述した本発明の第１または第２の形態によって形成された貫通孔であることを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
第１の実施例における製造工程を図１０〜図１４に示す。すなわち、表面が＜１００＞面となる厚さが６２５μmの単結晶シリコン基板１１の表面に３０００Åの厚さのpoly-Ｓiによる犠牲層１２をパターニングによってそれぞれ一辺が１００μmの正方形となるように所定間隔で３００個形成し、さらにその上に２５００Åの厚さのLP-ＳiＮをエッチングストップ層１３として形成した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
一方、この単結晶シリコン基板１１の裏面には、４０００Åの厚さのＳiＯ２によるエッチングマスク層１６を異方性エッチングにより形成するが、このエッチングマスク層１６には、犠牲層１２とそれぞれ対向する開口部１５が所定間隔で３００個形成されている（図１０参照）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
次いで、単結晶シリコン基板１１の裏面側からＣＦ４ガスを用いて反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥと記述する）により、貫通孔１７に臨むエッチングストップ層１３の部分を除去した。この場合、単結晶シリコン基板１１の表面側がＣＦ４ガスによるダメージを受けないように、上述のフォトレジスト（ＯＦＰＲ８００）を保護膜として単結晶シリコン基板１１の表面側に塗布しておき、ＲＩＥの終了後にこのフォトレジストを単結晶シリコン基板１１の表面から除去することにより、貫通孔１７を完成させた（図１４参照）。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
第２の実施例における製造工程を図１５〜図２４に示すが、先の実施例と同一機能の部材にはこれと同一符号を記すに止め、重複する説明は省略するものとする。すなわち、表面が＜１００＞面となる厚さが６２５μmの単結晶シリコン基板１１の表面に吐出エネルギー発生部としてＴaＮによる電気熱変換素子２０およびその制御信号配線（図示せず）を形成すると共に３０００Åの厚さのPoly-Ｓiによる犠牲層１２を形成し、さらにこれらの上に２５００Åの厚さのLP-ＳiＮによるエッチングストップ層１３を形成した。上記制御信号配線には、電気熱変換素子２０を動作させるための図示しない駆動回路が接続される。犠牲層１２は、１５０×１１５００（μm）の細長い矩形に形成され、電気熱変換素子２０は、この犠牲層１２の長手方向に沿って３００dpiの間隔で片側１２８個（両側で２５６個）形成した。また、単結晶シリコン基板１１の裏面には、４０００Åの厚さのＳi０２を異方性エッチングすることにより、開口部１５を有するエッチングマスク層１６が形成される（図１５およびそのXVI−XVI矢視断面構造を表す図１６参照）。図１６に示す構成を１チップとして、合計２００チップをこの単結晶シリコン基板１１に形成した。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
次に、第１の実施例と同様にして、エッチングストップ層１３を介して犠牲層１２の周縁部を覆う幅が１０μmのポリエーテルアミドからなる保護層１４を形成した（図１７およびそのXVIII−XVIII矢視断面構造を表す図１８参照）。そして、共通液室２１および液路２２（図２３およびそのXXIV−XXIV矢視断面構造を表す図２４参照）の型となるポジ型レジスト（東京応化工業（株）製：ＯＤＵＲ）２３を単結晶シリコン基板１１の表面側にパターニングより形成し（図１９参照）、さらに表１に記載の成分を有するネガ型レジストを本発明の吐出口形成部材２４としてポジ型レジスト２３を覆うように形成し、そのパターニングによって吐出口形成部材２４に吐出口２５を電気熱変換素子２０とそれぞれ対向するように形成した（図２０参照）。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
さらに、単結晶シリコン基板１１の表面側を保護した状態で、この単結晶シリコン基板１１の裏面側からＣＦ４ガスを用いてＲｌＥにより貫通孔１７に臨むエッチングストップ層１３の部分を除去した（図２２参照）後、図２３および図２４に示すように、ポジ型レジスト２３を除去することにより、２００チップのインクジェットヘッドを完成させた。また、この時点で再び全チップに対して、エッチングストップ層１３のクラックおよび異常の有無を顕微鏡検査にて行ったが、不良は発生していなかった。