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【手続補正書】
【提出日】平成19年6月21日(2007.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を直接貯蔵する液体貯蔵室を備えた液体貯蔵容器において、
前記液体貯蔵室の内面に面した側面を少なくとも１面有するプリズムを少なくとも２つ備え、
該２つのプリズムは前記液体貯蔵室内において互いに斜めに対向して配されていることを特徴とする液体貯蔵容器。
【請求項２】
前記液体貯蔵容器は、液体を容器外に供給する供給口を備えており、前記液体貯蔵容器は前記供給口が重力方向下向きに配される使用姿勢と、前記供給口が重力方向側方向きに配される使用姿勢の少なくとも２つの姿勢で使用可能であり、前記２つのプリズムはいずれの使用姿勢であっても１つは重力方向に関し前記液体貯蔵容器の上方に、別の１つは重力方向に関し前記液体貯蔵室の下方に位置するように配されていることを特徴とする請求項１に記載の液体貯蔵容器。
【請求項３】
前記液体貯蔵容器の使用姿勢で重力方向に関し上方に配置されるプリズムが前記液体貯蔵容器の有無または所定の姿勢に設定されたか否かの検出に使用され、重力方向に関し下方に配置されるプリズムが前記液体貯蔵室内の液体の残量の検出に使用されることを特徴とする請求項１に記載の液体貯蔵容器。
【請求項４】
前記プリズムは、プリズムを構成する界面の２面がともに前記液体貯蔵室の内方に臨んで、且つ突出して配されていることを特徴とする請求項１に記載の液体貯蔵容器。
【請求項５】
前記プリズムは、プリズムを構成する界面の１面が前記液体貯蔵室の内面に臨んで、且つ前記液体貯蔵室の内面と同一平面に配されていることを特徴とする請求項１に記載の液体貯蔵容器。
【請求項６】
前記液体貯蔵容器は、記録装置に用いられる記録ヘッドに設けられる保持体に対し着脱可能に装着されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の液体貯蔵容器。
【請求項７】
前記液体貯蔵容器は、記録装置に用いられる記録ヘッドに供給する液体を貯蔵していることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の液体貯蔵容器。
【請求項８】
液体を貯蔵する液体貯蔵室を有する液体貯蔵容器を保持しつつ、複数の使用姿勢での記録を可能とする記録装置において、
前記記録装置に搭載される前記液体貯蔵容器は、前記液体貯蔵室の内面に面した側面を少なくとも１面有するプリズムを少なくとも２つ備え、該２つのプリズムは前記液体貯蔵室内において互いに斜めに対向して配されて構成されており、
前記プリズムに対して所定の入射角度で光を照射する発光素子と、所定の反射角度で反射された光を受光して所定の検出信号を出力する受光素子と、を有する組を前記複数のプリズムに対応して複数備えており、前記使用姿勢に応じて前記発光素子と受光素子の組は、液体残量有無検出手段と液体貯蔵容器装着検出手段のいずれかとして機能することを特徴とする記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
すなわち、本発明の第１の形態は、液体を直接貯蔵する液体貯蔵室を備えた液体貯蔵容器において、前記液体貯蔵室の内面に面した側面を少なくとも１面有するプリズムを少なくとも２つ備え、該２つのプリズムは前記液体貯蔵室内において互いに斜めに対向して配されていることを特徴とする液体貯蔵容器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の第２の形態は、液体を貯蔵する液体貯蔵室を有する液体貯蔵容器を保持しつつ、複数の使用姿勢での記録を可能とする記録装置において、前記記録装置に搭載される前記液体貯蔵容器は、前記液体貯蔵室の内面に面した側面を少なくとも１面有するプリズムを少なくとも２つ備え、該２つのプリズムは前記液体貯蔵室内において互いに斜めに対向して配されて構成されており、前記プリズムに対して所定の入射角度で光を照射する発光素子と、所定の反射角度で反射された光を受光して所定の検出信号を出力する受光素子と、を有する組を前記複数のプリズムに対応して複数備えており、前記使用姿勢に応じて前記発光素子と受光素子の組は、液体残量有無検出手段と液体貯蔵容器装着検出手段のいずれかとして機能することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月31日(2007.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
縦置きされた場合に底面となる本体縦底面及び横置きされた場合に底面となる本体横底面を有する装置本体と、
被記録物にインクを吐出して記録を行う記録ヘッドと、
前記記録ヘッドからのインクの吐出の方向に対向して配され、前記記録ヘッドから吐出されたインクを廃液として受け取るキャップと、
前記キャップに接続され、前記キャップで受け取られた廃液を前記キャップの外に排出する廃液チューブと、
前記廃液チューブに接続され、前記廃液チューブに流入した廃液を収容する中空の廃液タンクと
を備え、
前記縦置きの場合及び前記横置きの場合のいずれにおいても、前記キャップ、前記廃液チューブ及び前記廃液タンクは、上からこの順序となる位置に前記装置本体に配されるインクジェット式記録装置。
【請求項２】
前記装置本体が更に他の面を底面として置かれた場合に、前記キャップ、前記廃液チューブ及び前記廃液タンクは、上からこの順序となる位置に前記装置本体に配される請求項１に記載のインクジェット式記録装置。
【請求項３】
前記廃液タンクは、前記本体縦底面と前記本体横底面とが隣接する近傍に配される請求項１に記載のインクジェット式記録装置。
【請求項４】
前記キャップと前記廃液チューブとが接続する部分において、前記キャップから前記廃液チューブへの廃液の流れを許容し、前記廃液チューブから前記キャップへの廃液の流れを禁止する逆止弁を更に備える請求項１に記載のインクジェット式記録装置。
【請求項５】
前記装置本体には、内部にインクを収容し、供給口から前記記録ヘッドへインクを供給するインクタンクを備え、
前記縦置きの場合における前記キャップから前記廃液タンクとの間の高さと、前記横置きの場合における前記キャップから前記廃液タンクとの間の高さとが略同一になる位置に、前記キャップ及び前記廃液タンクが前記装置本体に配される請求項１に記載のインクジェット式記録装置。
【請求項６】
前記縦置きの場合及び前記横置きの場合において、前記キャップと前記廃液タンクとを結ぶ直線が、本体横底面および側面に対してそれぞれ約４５度の傾きを有することを特徴とする請求項５に記載のインクジェット式記録装置。
【請求項７】
縦置きされた場合に底面となる本体縦底面及び横置きされた場合に底面となる本体横底面を有する装置本体と、
被記録物にインクを吐出して記録を行う記録ヘッドと、
前記記録ヘッドからのインクの吐出の方向に対向して配され、前記記録ヘッドから吐出されたインクを廃液として受け取るキャップと、
前記キャップに接続され、前記キャップで受け取られた廃液を前記キャップの外に排出する廃液チューブと、
前記廃液チューブに接続され、前記廃液チューブに流入した廃液を収容する中空の廃液タンクと
を備え、
前記廃液タンクは、前記本体縦底面と前記本体横底面とが隣接する近傍に配され、
前記キャップと前記廃液タンクとを結ぶ直線が、本体横底面および側面に対してそれぞれ約４５度の傾きを有することを特徴とするインクジェット式記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記インクジェット式記録装置は、キャップと廃液チューブとが接続する部分において、キャップから廃液チューブへの廃液の流れを許容し、廃液チューブからキャップへの廃液の流れを禁止する逆止弁を更に備えてもよい。これにより、インクジェット式記録装置の姿勢が変えられた場合に、廃液チューブからキャップへ廃液が逆流することをより確実に防ぐことができる。
インクジェット式記録装置において、装置本体には、内部にインクを収容し、供給口から記録ヘッドへインクを供給するインクタンクを備え、縦置きの場合におけるキャップから廃液タンクとの間の高さと、横置きの場合におけるキャップから廃液タンクとの間の高さとが略同一になる位置に、キャップ及び廃液タンクが装置本体に配されてもよい。
インクジェット式記録装置において、縦置きの場合及び横置きの場合において、キャップと廃液タンクとを結ぶ直線が、本体横底面および側面に対してそれぞれ約４５度の傾きを有してもよい。
さらに、本発明の第２の形態においては、縦置きされた場合に底面となる本体縦底面及び横置きされた場合に底面となる本体横底面を有する装置本体と、被記録物にインクを吐出して記録を行う記録ヘッドと、記録ヘッドからのインクの吐出の方向に対向して配され、記録ヘッドから吐出されたインクを廃液として受け取るキャップと、キャップに接続され、キャップで受け取られた廃液をキャップの外に排出する廃液チューブと、廃液チューブに接続され、廃液チューブに流入した廃液を収容する中空の廃液タンクとを備え、廃液タンクは、本体縦底面と本体横底面とが隣接する近傍に配され、キャップと廃液タンクとを結ぶ直線が、本体横底面および側面に対してそれぞれ約４５度の傾きを有することを特徴とするインクジェット式記録装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月6日(2006.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の強化繊維の集合物である縦帯体（１１）と横帯体（１２）を縦横に織ることによって構成されたクロス層（１３）と、前記縦帯体（１１）と横帯体（１２）同士が互いに接合した状態のまま前記クロス層（１３）が常温で変形可能となるように当該クロス層（１３）に含浸させた繋ぎ補強層（１４）と、からなるクロス芯材（４）を備えていることを特徴とする強化繊維シート。
【請求項２】
透明でかつ延性に富んだ合成樹脂製の多延性シート材（６）がクロス芯材（４）の繋ぎ補強層（１４）に貼り付けられている請求項１に記載の強化繊維シート。
【請求項３】
多延性シート材（６）は、合成樹脂製のベースシート（１５）と、乾燥後において豊富な柔軟性を示すインキ（３０）を前記ベースシート（１５）に含浸させることによって当該ベースシート（１５）の裏面に形成された繋ぎ補強層（１６）と、から構成されている請求項２に記載の強化繊維シート。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の強化繊維シート（１）の裏面に接着剤層（７）が設けられ、この接着剤層（７）の裏面に剥離シート（８）が貼り付けられていることを特徴とするドレスアップシート。
【請求項５】
請求項２又は３に記載の強化繊維シート（１）の裏面にクッション層（９）が設けられていることを特徴とするドレスアップシート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】強化繊維シートとそのシートを用いたドレスアップシート
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、強化繊維シートとそのシートを用いたドレスアップシートに関するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月21日(2007.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ポリプロピレン系ランダム共重合体およびアミノ樹脂を主成分とする下塗塗料を用いるポリオレフィン系樹脂成形品の塗装方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、有害な有機溶剤を全く含有しないかまたは殆ど含有せず、しかもポリオレフィン系樹脂成形品並びに上塗塗料の双方に対する良好な付着性を有する、無公害型若しくは低公害型水溶性下塗塗料を用いるポリオレフィン系樹脂成形品の塗装方法に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
アミノ樹脂をポリオレフィン系樹脂成形品用下塗塗料に適用させるに際してはカルボキシル基含有塩素化ポリプロピレン系ランダム共重合体水分散液中に、撹拌下、該アミノ樹脂を少量ずつ混入させる方法が好ましい。その際、該アミノ樹脂は（ａ）そのまま、あるいは（ｂ）アミン、アンモニア等塩基性化合物によりアミノ樹脂に導入されたカルボキシル基および／または水酸基を完全中和または部分中和し、その後水あるいは水と水可溶性溶媒との混合物に溶解して生成した水溶液ないしは水分散液として混合することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
本発明によれば、ポリオレフィン系樹脂成形品用水性下塗塗料として、優れた基板に対する付着性、上塗塗料との層間付着性ならびに耐水性を有する良好な塗膜を得ることができ、産業上極めて有用である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月5日(2007.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の技術的課題は、上記恒温液循環装置における循環液の温度安定性を向上できるようにした水冷却式恒温液循環装置及び該装置における循環液温度制御方法を提供することにある。
本発明の他の技術的課題は、放熱水流量を最適化することにより、あらゆる状態における循環液の温度安定性を向上できるようにした水冷却式恒温液循環装置及び該装置における循環液温度制御方法を提供することにある。
更に、本発明の他の技術的課題は、上記循環液の温度安定性の向上と同時に、省エネルギー化を図り、また、電磁弁の寿命向上に寄与し、ウォーターハンマの緩和も図れるようにした水冷却式恒温液循環装置及び該装置における循環液温度制御方法を提供することにある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
１    恒温液循環装置
２    外部装置
１０    タンク
１１    放熱管
１１ａ  入口
１１ｂ  出口
１１ｃ  熱交換部
１２    調整手段
１３    管路
１３ａ  出口
１３ｂ  入口
１４    ポンプ
１５    流量センサ
１６，１７    温度センサ
１８ａ，１８ｂ    圧力センサ
１９    コントローラ
２０    配管
２４    電動比例弁
２５    バイパス流路
２６    電磁弁
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月2日(2007.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバ心線（１１）を中心にして、その両側に間隔をあけてテンションメンバ（１２）を配置し、上記テンションメンバ（１２）の周りには直接保護被覆（１５）を設けてなる光ドロップケーブル（１０）において、上記保護被覆（１５）の少なくとも表面に低摩擦・高強度樹脂組成物の層を形成したことを特徴とする蝉対策光ドロップケーブル。
【請求項２】
上記低摩擦・高強度樹脂組成物は、動摩擦係数が０．３以下で、硬度が８５（ＨＤＡ）以上であることを特徴とする請求項１に記載の蝉対策光ドロップケーブル。
【請求項３】
上記低摩擦・高強度樹脂組成物が、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、又は高密度ポリエチレンであることを特徴とする請求項１または２に記載の蝉対策光ドロップケーブル。
【請求項４】
上記光ファイバ心線（１１）と保護被覆（１５）間の空隙（Ｇ）を０．２ｍｍ以上としたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の蝉対策光ドロップケーブル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
利用者宅への光ケーブルの引き込みは図４に示す如く、中間光ドロップクロージャ３４を経て光ドロップケーブルにより行われる。この光ドロップケーブル１０は、同図に示すように支持線（亜鉛メッキ鋼線）１３に吊架され、その支持線１３は利用者住宅３３に取付けられたブラケット（図示せず）等に引き留められ支持線１３部分と切り離されて宅内に引き込まれる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するためにこの発明は、光ファイバ心線１１を中心にして、その両側に間隔をあけてテンションメンバ１２を配置し、上記テンションメンバ１２の周りには直接保護被覆１５を設けてなる光ドロップケーブル１０において、上記保護被覆１５の少なくとも表面に低摩擦・高強度樹脂組成物の層を形成したもので、詳しくは上記低摩擦・高強
度樹脂組成物は、動摩擦係数が０．３以下で、硬度が８５（ＨＤＡ）以上とし、その素材としてポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、高密度ポリエチレンのなかから採用し、必要ならば上記光ファイバ心線と保護被覆間に０．２ｍｍ以上の空隙（ギャップ）を設けることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月15日(2006.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】イオン注入装置のリニア加速器用の共振器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リニア加速器(68)において所定の周波数で共振するための共振器(70)であって、
(a) 長手軸線(99)を有し、低電圧の第１端部(94)と高電圧の第２端部(96)を備える固定位置の誘導コイル(90)と、
(b) この誘導コイルに接続される無線周波数(RF)入力と、
(c) 前記誘導コイルと並列に電気接続されたコンデンサ（Ｃｓ）と、
(d) 長手軸線(98)を有し、前記誘導コイル(90)の高電圧の前記第２端部(96)に配置される円筒状のドリフトチューブ(97)とを含み、
このチューブの長手軸線(98)と前記誘導コイル(90)の長手軸線(99)が互いにほぼ平行になっていることを特徴とする共振器。
【請求項２】
低電圧の前記第１端部(94)は、電気的にアースされていることを特徴とする請求項１記載の共振器。
【請求項３】
前記ＲＦ入力は、第２コンデンサ（Ｃｃ）を介して誘導コイル(90)に容量結合されていることを特徴とする請求項１記載の共振器。
【請求項４】
前記所定の周波数は、少なくとも２７メガヘルツ（ＭＨｚ）であることを特徴とする請求項１記載の共振器。
【請求項５】
前記誘導コイル(90)は、銅で作られていることを特徴とする請求項１記載の共振器。
【請求項６】
リニア加速器(68)において所定の周波数で共振するための共振器(70)であって、
(a) 長手軸線(99)を有し、低電圧の第１端部(94)と高電圧の第２端部(96)を備える固定位置の誘導コイル(90)と、
(b) この誘導コイルに接続される無線周波数(RF)入力と、
(c) 前記誘導コイルと並列に電気接続されたコンデンサ（Ｃｓ）と、
(d) 長手軸線(98)を有し、前記誘導コイル(90)の高電圧の前記第２端部(96)に配置される円筒状のドリフトチューブ(97)とを含み、
このチューブの長手軸線(98)と前記誘導コイル(90)の長手軸線(99)が互いにほぼ平行になっていることを特徴とする共振器。
【請求項７】
低電圧の前記第１端部(94)は、電気的にアースされていることを特徴とする請求項６記載の共振器。
【請求項８】
前記ＲＦ入力は、第２コンデンサ（Ｃｃ）を介して前記誘導コイル(90)に容量結合されていることを特徴とする請求項６記載の共振器。
【請求項９】
前記所定の周波数は、少なくとも２７メガヘルツ（ＭＨｚ）であることを特徴とする請求項６記載の共振器。
【請求項１０】
前記誘導コイル(90)は、銅で作られていることを特徴とする請求項６記載の共振器。
【請求項１１】
前記誘導コイル(90)は、複数のほぼ円形のコイルセグメント（90a〜90ｎ）からなり、各コイルセグメントは、多角形断面を有し、隣接するコイルセグメントの平坦な面（122）が互いに対面していることを特徴とする請求項６記載の共振器。
【請求項１２】
前記多角形断面は、長さＸ、幅Ｙの寸法を有するほぼ矩形状であり、長さＸは、隣接する前記コイルセグメント（90a〜90ｎ）の平坦な面（122）を形成することを特徴とする請求項１１記載の共振器。
【請求項１３】
前記コイルセグメント（90a〜90ｎ）は、コイルを冷却する媒体を導くために、２チャンネルの通路を備え、該通路は、前記誘導コイルの第１端部（94）においてそれぞれ入口（100）と出口（102）が分離する、入口通路（118）と出口通路（120）からなり、これらの通路（118,120）は、互いに前記誘導コイルの第２端部（96）において連結されかつ連通していることを特徴とする請求項１１記載の共振器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図１には、一般的な高エネルギーイオン注入装置１０のブロック図が示されている。このイオン注入装置は、３つの部分またはサブシステム、すなわち、(a) 所望の電流とエネルギーのイオンビーム１７を出力するために高電圧源１６によって電力が供給されるイオン源１４を含むターミナル１２と、(b) イオンビームによって注入されるウエハＷを支持する回転ディスク２０を含む端部ステーション１８と、(c) ターミナル１２と端部ステーション１８の間に位置し、質量分析磁石２４と無線周波（ＲＦ）リニア加速器２６（linac）を含むビームラインアセンブリ２２とを備えている。最終のエネルギー磁石（図１では省略）は、リニア加速器２６と回転ディスクの間に配置することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
ＣとＬの値は、回路が共振状態を達成するように選択され、大きい振幅の正弦波電圧が加速電極３２に与えられる。この加速電極３２と設置電極３４，３６は、公知のプッシュプル方式で通過するイオンブームを加速し、パケット内に束ねられる(bunched into packets)。ＲＦ正弦波電極電圧の負の半サイクルの間、正に荷電されたイオンパケットがギャップ３８を横切って第１接地電極３４から加速される（加速電極３２によって引っ張られる）。正弦波サイクルの変移点では、電極３２はニュートラル状態であり、イオンパケットは、電極３２（またドリフトチューブともいう。）を通過して低速度でドリフトする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
このような事情に鑑みて、本発明は、イオン注入装置のリニア加速器用の共振器を提供することを目的としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、各請求項に記載の構成を有する。本発明は、リニア加速器において所定の周波数で共振するための共振器であって、長手軸線を有し、低電圧の第１端部と高電圧の第２端部を備える固定位置の誘導コイルと、この誘導コイルに接続される無線周波数入力と、前記誘導コイルと並列に電気接続されたコンデンサと、長手軸線を有し、前記誘導コイルの高電圧の第２端部に配置される円筒状のドリフトチューブとを含み、このチューブの長手軸線と前記誘導コイルの長手軸線が互いにほぼ平行になっていることを特徴としている。この誘導コイルは、複数のほぼ円形状のコイルセグメントを有し、各コイルセグメントが多角形の断面を有し、隣接するコイルセグメントの平坦な面が互いに対面している。多角形断面が長さｘと幅ｙの寸法を有する長方形で、前記ｘの長さ寸法が隣接するコイルセグメントの平坦な面を定める。コイルセグメントは、２チャンネル構造で、コイル冷却媒体をコイルに導く２チャンネル構造であり、コイルの第１端部で入口と出口が分離する入口通路と出口通路を有し、前記入口通路と出口通路がコイルの第２端部で連通するように接続されている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月19日(2006.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 少なくとも２つの異なるカラーを有する画像をプリントするように構成された、デジタルプリント装置であって、
第１のカラーに関連し且つ複数のドットを有する、第１のハーフトーンスクリーンを備え、該第１のハーフトーンスクリーンは、第１の角度に配置されており、
第２のカラーに関連し且つ複数のドットを有する、第２のハーフトーンスクリーンを備え、該第２のハーフトーンスクリーンは、前記第１の角度に配置されており、前記２つのカラーの合計が色再現範囲の１００％以下である場合には、前記第１のハーフトーンスクリーンのドットが、前記第２のハーフトーンスクリーンのドットと重ならないように設計されている、
前記装置。
【請求項２】 前記第２のハーフトーンスクリーンが、前記第１のハーフトーンスクリーンとずれており、前記第２のハーフトーンスクリーンのドットが、前記第１のハーフトーンスクリーンの４つのドットの中心からの中間距離にある、請求項１に記載のデジタルプリント装置。
【請求項３】 複数のカラーをプリントすることのできるプリント装置において、対向色相の第１のカラーと第２のカラーとを同時にプリントする方法であって、
前記第１のカラーの複数のドットを有する、第１のハーフトーンスクリーンを形成するステップを含み、
第１の角度に、前記第１のハーフトーンスクリーンを配置するステップを含み、
前記２つのカラーの合計を常に色再現範囲の１００％以下になるように制限する、制約を決定するステップを含み、
前記第２のカラーの複数のドットを有する、第２のハーフトーンスクリーンを形成するステップを含み、該第２のハーフトーンスクリーンのドットは、前記制約が満たされる限り、前記第１のハーフトーンスクリーンのドットと重ならず、
前記第１の角度に、前記第２のハーフトーンスクリーンを配置するステップを含み、
前記第１のハーフトーンスクリーンに関連するカラーと、前記第２のハーフトーンスクリーンに関連するカラーとを、プリントするステップを含む、前記方法。
【請求項４】  対向した色相を有する前記第１のハーフトーンスクリーンと前記第２のハーフトーンスクリーンが略同時にプリントされるように構成された、請求項１に記載のデジタルプリント装置。
【請求項５】  対向色相の前記同時プリントが、Ｎビットシステムで用いられる場合には、以下の式
Ａ＋Ｂ≦Ｘ（Ｘ＝２Ｎ−１、Ａは前記第１のハーフトーンスクリーンに関連する着色剤、Ｂは略対向する色相を有する第２の着色剤）
により制約される、請求項４に記載のデジタルプリント装置。
【請求項６】  ２つの対向色のプリントは、色空間内での滑らかな変わり目を実現するようなような割合でのプリントを含む、請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月14日(2006.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
コントーン画像４０をワーピングして、ビーム走査軌道の歪みを補正した後、このワーピングコントーン画像６０は、「非ワーピング」コントーンデータと同じように処理（レンダリング）されて、プリント準備の整った二進データとなる。つまり、ワーピングコントーン画像６０は、ＡＡＴ（エイリアス除去タグ付け）モジュール６２、及びＴＲＣ（階調再生曲線）モジュール６４へ送られる。ＡＡＴモジュール６２は、エイリアス除去することが決定されたワーピングピクセルにタグを付け、そのエイリアス除去タグをＴＲＣモジュール６４へ出力する。グレイピクセルのレンダリングは、そのグレイピクセルがエイリアス除去エッジを表しているか、均一領域を表しているかによって、異なった処理を行うのが望ましいので、ピクセルを分類する必要がある。ＡＡＴモジュール６２は、グレイピクセル近傍の分析を行って、そのグレイピクセルが真のグレイ値を表しているか、エイリアス除去エッジを表しているかを決定する。そのグレイピクセルが、暗領域と明領域との急激な変わり目にある（例えば、一方の側にほぼ飽和した（黒）ピクセルがあり、その反対側には背景（白）ピクセルがある）場合には、そのピクセルはエイリアス除去エッジを表している、とするのが適当である。一方、そのグレイピクセル近傍の値が全て類似している場合には、そのピクセルはエイリアス除去エッジではなく、真のグレイ値であろう。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月20日(2006.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】位置合わせ方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１物体のパターンでレジストが塗布された第２物体を露光する露光装置の前記第１物体と前記第２物体との位置合わせ方法において、
前記第２物体上のアライメントマーク形成部のレジスト塗布後のアライメントオフセット値を取得するステップと、
前記アライメントオフセット値を用いて、前記第１物体とレジストが塗布された前記第２物体との位置を合わせるステップと、を有し、
前記アライメントオフセット値は、レジスト塗布前とレジスト塗布後に計測した前記アライメントマーク形成部の表面形状に基いて決定されることを特徴とする位置合わせ方法。
【請求項２】  前記表面形状は、前記露光装置外のアナライザーによって計測されることを特徴とする請求項１記載の位置合わせ方法。
【請求項３】  前記表面形状は、ＡＦＭによって計測されることを特徴とする請求項１記載の位置合わせ方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は例えば半導体製造用の露光装置において第１物体のレチクル面上に形成されているIC,LSI,VLSI等の微細な電子回路パターンと第２物体のウエハーの相対的な位置合わせ（アライメント）を行う為の位置合わせ方法に関するものである。本発明は特にウエハープロセス誤差であるWIS(Wafer Induced shift)を発生しうる状況においてアライメントを行う必要のある位置合わせ方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明は、上述従来例に鑑み、より正確な位置合わせを可能とする位置合わせ方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面としての位置合わせ方法は、第１物体のパターンでレジストが塗布された第２物体を露光する露光装置の前記第１物体と前記第２物体との位置合わせ方法において、
前記第２物体上のアライメントマーク形成部のレジスト塗布後のアライメントオフセット値を取得するステップと、
前記アライメントオフセット値を用いて、前記第１物体とレジストが塗布された前記第２物体との位置を合わせるステップと、を有し、
前記アライメントオフセット値は、レジスト塗布前とレジスト塗布後に計測した前記アライメントマーク形成部の表面形状に基いて決定されることを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
ここでアライメント計測のオフセットはアライメントオフセット値のことである。
図２はオフセットアナライザーの構成を示したものである。
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９４】
【発明の効果】
本発明によれば、以上のように各要素を特定することにより、より正確な位置合わせを可能とする位置合わせ方法を達成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月12日(2007.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  アナログ値を表す複数の素子のアドレス可能なアレーであって、前記アドレス可能なアレーの各素子が、少なくとも１つの能動素子と、共通ラインに接続される前記アレーの素子の各々の出力とを有するようなアドレス可能なアレーと、
前記共通ラインに接続される回路であって、
前記アドレス可能なアレーの素子のアドレスされた１つに接続されたときに、前記アドレス可能なアレーの素子のうちのアドレスされた少なくとも１つの能動素子と共に差分増幅器を構成するようになっている回路と、
を備えることを特徴とするアレー構成の読み出し用装置。
【請求項２】  前記差分増幅器が、差分対の動作トランスコンダクタンス増幅器である請求項１記載の装置。
【請求項３】  前記アナログ値を表す素子のアレーが、センサーアレーである請求項１記載の装置。
【請求項４】  前記少なくとも１つの能動素子が、切り換えトランジスタと直列に接続された駆動トランジスタを含む請求項１記載の装置。
【請求項５】  前記共通ラインに接続された回路が、少なくとも１つの電流ソースを含む請求項１記載の装置。
【請求項６】  前記共通ラインに接続された回路は、第１と第２の電流ソースと、第１トランジスタとを有し、
前記第１電流ソースが、前記第１トランジスタに接続され、前記第１トランジスタが前記第２電流ソースに接続され駆動トランジスタを構成する
ようになっている請求項１記載の装置。
【請求項７】  アナログ値を表す複数の素子のアドレス可能なアレーと共に使用する方法であって、前記アドレス可能なアレーの各素子が、能動素子と共通ラインに接続される前記アレーの素子の各々の出力とを有するような方法において、前記能動素子と前記アドレス可能なアレーの素子の全てに対し能動外部回路を用いて第１の差分増幅器を構成するよう前記アドレス可能な素子のアレーのうちの第１素子を選択するステップ
が含まれることを特徴とする方法。
【請求項８】  前記能動素子と前記アドレス可能なアレーの素子の全てに対し能動外部回路を用いて第２の差分増幅器を構成するよう前記アドレス可能な素子のアレーのうちの第２素子を選択するステップ
をさらに有する請求項７記載の方法。
【請求項９】  選択された能動素子のアレーのうちの能動素子を用いることにより能動素子のアレーを選択したときに、完全な差分増幅器を構成するために前記能動素子アレーにより使用される増幅器回路の一部を時分割多重化するステップを含む
ことを特徴とする方法。
【請求項１０】  複数のアナログ値を表す複数の表示手段のアレーであって、前記表示手段の各々が、少なくとも１つの能動素子手段と、共通ラインに接続されたその出力とを含むような表示手段のアレー、および
前記共通ラインに接続された手段であって、前記表示手段のアドレスされた１つに接続されたときに、前記表示手段のアドレスされた１つの能動素子手段と共に差分増幅器手段を構成するようになっている
ことを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板１２と、
前記基板１２に近接して配置されたｎタイプ層ｐタイプ層及び活性層を含むＡｌxＧａyＩｎzＮ構造１８と、
前記基板と前記ＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の底側の間に入る第１のミラー・スタック１４と、
第１のミラー・スタック１４と前記基板１２及び前記ＡｌxＧａyＩｎzＮ構造１８の選択された方との間に入る、あるボンディング温度を有するウェーハ・ボンド界面１６と、ｐタイプ及びｎタイプの接触部（２２ａ、２２ｂ）が含まれており、ｐタイプの接触部がｐタイプ層に電気的に接続され、ｎタイプの接触部がｎタイプ層に電気的に接続されることを特徴とする、デバイス。
【請求項２】  さらに、ウェーハ・ボンド界面に隣接して、少なくとも１つの中間ボンディング層が含まれていることと、中間ボンディング層と基板の一方が、コンプライアンスを備えるように選択されることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】  ＡｌxＧａyＩｎzＮデバイス（１８）が、垂直空洞光電子構造であることを特徴とする、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】  ＡｌxＧａyＩｎzＮデバイス（１８）に、さらに、ｐタイプ層内の電流収斂層が含まれていることを特徴とする、請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】  基板がコンプライアンスを備えており、リン化ガリウム（ＧａＰ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、及び、シリコン（Ｓｉ）を含むグループから選択されることを特徴とする、請求項２に記載のデバイス。
【請求項６】  中間ボンディング層が、コンプライアンスを備えており、誘電体、及び、ハロゲン化物、ＺｎＯ、インジウム、スズ、クロム（Ｃｒ）、金、ニッケル、及び、銅とＩＩ−ＶＩ材料を含有する合金を含むグループから選択されることを特徴とする、請求項２に記載のデバイス。
【請求項７】  さらに、ＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の上部側に隣接して配置された第２のミラー・スタック（２０）が含まれていることを特徴とする、請求項２に記載のデバイス。
【請求項８】  第１と第２のミラー・スタック（１４、２０）の少なくとも一方が、誘電体分布ブラッグ・リフレクタ及び複合分布ブラッグ・リフレクタを含むグループから選択されることを特徴とする、請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】  さらに、ＡｌxＧａyＩｎzＮ構造に隣接して配置された第２のミラー・スタック（２０）が含まれることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】  第１と第２のミラー・スタック（１４、２０）の少なくとも一方が、誘電体分布ブラッグ・リフレクタ及び複合分布ブラッグ・リフレクタを含むグループから選択されることを特徴とする、請求項９に記載のデバイス。
【請求項１１】  ＡｌxＧａyＩｎzＮデバイス（１８）に、さらに、ｐタイプ層内の電流収斂層が含まれていることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】  基板がコンプライアンスを備えており、リン化ガリウム（ＧａＰ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、及び、シリコン（Ｓｉ）を含むグループから選択されることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１３】  ＡｌxＧａyＩｎzＮデバイスが、垂直空洞光電子構造であることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１４】  ＡｌxＧａyＩｎzＮ構造を組立てるための方法であって、
第１のミラー・スタックにホスト基板を取り付けるステップと、
犠牲成長基板上にＡｌxＧａyＩｎzＮ構造を組立てるステップと、
ウェーハ・ボンド界面を形成するステップと、
犠牲成長基板を除去するステップと、
ＡｌxＧａyＩｎzＮ構造に電気的接触部を堆積させるステップが含まれている、
ＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項１５】  犠牲成長基板を除去するステップに、レーザ融解が含まれることを特徴とする、請求項１４に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項１６】  さらに、ウェーハ・ボンド界面に中間ボンディング層を取り付けるステップが含まれることを特徴とする、請求項１４に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項１７】  ホスト基板及び中間ボンディング層の一方が、コンプライアンスを備えるように選択されることを特徴とする、請求項１６に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項１８】  さらに、ＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の上に第２のミラー・スタックを取り付けるステップが含まれることを特徴とする、請求項１４記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項１９】  ＡｌxＧａyＩｎzＮ構造を組立てるための方法であって、
犠牲成長基板に対してＡｌxＧａyＩｎzＮ構造を組立てるステップと、
ＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の上に第１のミラー・スタックを取り付けるステップと、
ウェーハ・ボンド界面を形成するステップと、
犠牲成長基板を除去するステップと、
ＡｌxＧａyＩｎzＮ構造に電気的接触部を堆積させるステップが含まれている、
方法。
【請求項２０】  犠牲成長基板を除去するステップに、レーザ融解ステップが含まれることを特徴とする、請求項１９に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項２１】  さらに、ウェーハ・ボンド界面に中間ボンディング層を取り付けるステップが含まれることを特徴とする、請求項１９に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項２２】  ホスト基板と中間ボンディング層の一方が、コンプライアンスを備えるように選択されることを特徴とする、請求項１９に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項２３】  さらに、ＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の上に第２のミラー・スタックを取り付けるステップが含まれることを特徴とする、請求項１９に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法であって、
ホスト基板を第１のミラー・スタックに取り付けるステップと、
犠牲成長基板上にＡｌxＧａyＩｎzＮ構造を組立てるステップと、
ウェーハ・ボンド界面を形成するステップと、
レーザ融解によって前記犠牲成長基板を除去するステップと、
前記ＡｌxＧａyＩｎzＮ構造に電気接触部を堆積させるステップが含まれている、
方法。
【請求項２】  レーザ融解によって犠牲成長基板を除去する前記ステップには、
前記ＡｌxＧａyＩｎzＮ構造と前記犠牲成長基板の間にある分解温度を有する犠牲層を成長させるステップと、
分解温度が前記犠牲層よりも高い阻止層を付け加えるステップと選択されたレーザ波長のレーザを使用するステップとをM（ここで、Mは１以上の自然数）回反復するステップとが含まれ、前記犠牲成長基板がそのレーザ波長に対して透明であることを特徴とする、
請求項１に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項３】  前記M個の犠牲層が、分解されるほどの厚さを有していることを特徴とする、請求項２に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項４】  さらに、前記M個の阻止層にエッチングを施すステップが含まれることを特徴とする、請求項３に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項５】  前記犠牲層が、窒化ガリウムであり、前記阻止層がＡｌxＧａyＩｎzＮであることを特徴とする、請求項２に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項６】  前記レーザ融解によって犠牲成長基板を除去するステップに、
前記ＡｌxＧａyＩｎzＮ構造と前記犠牲成長基板の間に犠牲層を成長させるステップと阻止層を付け加えるステップとを前記M回繰り返すステップと、
選択されたレーザ波長のレーザを使用するステップが含まれ、
前記阻止層が、選択されたレーザ波長においてある吸収レベルを備えることと、前記犠牲成長基板がそのレーザ波長に対して透明であることを特徴とする、
請求項１に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項７】  前記M個の犠牲層が、分解されるほどの厚さを有していることを特徴とする、請求項６に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項８】  さらに、前記Mの阻止層にエッチングを施すステップが含まれることを特徴とする、請求項７に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項９】  前記犠牲層が、窒化ガリウムであり、前記阻止層がＡｌxＧａyＩｎzＮであることを特徴とする、請求項６に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項１０】  ＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法であって
犠牲成長基板にＡｌxＧａyＩｎzＮ構造を組立てるステップと、
前記ＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の上に第１のミラー・スタックを堆積させるステップと、
第１のミラー・スタックにホスト基板のウェーハ・ボンディングを施して、ウェーハ・ボンド界面を形成するステップと、
レーザ融解によって前記犠牲成長基板を除去するステップと、
前記ＡｌxＧａyＩｎzＮ構造に電気接触部を堆積させるステップが含まれている、
方法。
【請求項１１】  前記レーザ融解によって犠牲成長基板を除去するステップに、
前記ＡｌxＧａyＩｎzＮ構造と前記犠牲成長基板の間にある分解温度を有する犠牲層を成長させるステップと分解温度が該犠牲層よりも高い阻止層を付け加えるステップとをM(ここで、Mは１以上の自然数である)回繰り返すステップと、
選択された波長のレーザを使用するステップが含まれ、前記犠牲成長基板がそのレーザ波長に対して透明であることを特徴とする、
請求項１０に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項１２】  前記M個の犠牲層が、分解されるほどの厚さを有していることを特徴とする、請求項１１に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項１３】  さらに、前記Ｎ個の阻止層にエッチングを施すステップが含まれることを特徴とする、請求項１２に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項１４】  前記犠牲層が窒化ガリウムであり、前記阻止層がＡｌxＧａyＩｎzＮであることを特徴とする、請求項１１に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項１５】  前記レーザ融解によって犠牲成長基板を除去するステップに、
前記ＡｌxＧａyＩｎzＮ構造と前記犠牲成長基板の間に犠牲層を成長させるステップと阻止層を付け加えるステップとをM（ここで、Mは１以上の自然数）回繰り返すステップと、
選択されたレーザ波長のレーザを使用するステップが含まれ、前記阻止層が選択されたレーザ波長においてある吸収レベルを備えることと、前記犠牲成長基板がそのレーザ波長に対して透明であることを特徴とする、
請求項１０に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項１６】  前記M個の犠牲層が、分解されるほどの厚さを有していることを特徴とする、請求項１５に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項１７】  さらに、前記M個の阻止層にエッチングを施すステップが含まれることを特徴とする、請求項１６に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【請求項１８】  前記犠牲層が窒化ガリウムであり、前記阻止層がＡｌxＧａyＩｎzＮであることを特徴とする、請求項１５に記載のＡｌxＧａyＩｎzＮ構造の組立方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月27日(2006.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート配線が形成された絶縁表面にゲート絶縁膜と非晶質半導体膜とを順次積層形成し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、裏面露光を用いてレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて前記第１の絶縁膜をパターニングして、チャネル形成領域となるべき領域上に保護膜を形成し、
１３族または１５族に属する不純物元素の添加を前記結晶質半導体膜に行い高濃度不純物領域を選択的に形成し、
前記保護膜を覆い、かつ前記結晶質半導体膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜を介して１３族または１５族に属する不純物元素の添加を前記結晶質半導体膜に行い、前記チャネル形成領域と前記高濃度不純物領域の間に低濃度不純物領域を形成し、
前記結晶質半導体膜と前記第２の絶縁膜を同時にパターニングし、
前記第２の絶縁膜を覆って第３の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールに配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ゲート配線が形成された絶縁表面にゲート絶縁膜と非晶質半導体膜とを順次積層形成し、
珪素を含む非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、裏面露光を用いてレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて前記第１の絶縁膜をパターニングしてチャネル形成領域となるべき領域上に保護膜を形成し、
１３族または１５族に属する不純物元素の添加を前記結晶質半導体膜に行い高濃度不純物領域を選択的に形成し、
前記保護膜を覆い、かつ前記結晶質半導体膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜を介して１３族または１５族に属する不純物元素の添加を前記結晶質半導体膜に行い、前記チャネル形成領域と前記高濃度不純物領域の間に低濃度不純物領域を形成し、
加熱処理によって、前記結晶質半導体膜中の前記触媒元素を前記高濃度不純物領域にゲッタリングさせ、
前記結晶質半導体膜と前記第２の絶縁膜を同時にパターニングし、
前記第２の絶縁膜を覆って第３の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールに配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記触媒元素として、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた少なくとも一つの元素が用いられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
ゲート配線が形成された絶縁表面にゲート絶縁膜と非晶質半導体膜とを順次積層形成し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、裏面露光を用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記第１の絶縁膜をパターニングしてチャネル形成領域となるべき領域上に保護膜を形成し、
フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて、前記結晶質半導体膜のうちｐチャネル型ＴＦＴとなる領域に１３族に属する不純物元素を添加し、
前記保護膜を覆い、かつ前記結晶質半導体膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜を介して、前記結晶質半導体膜のうちｎチャネル型ＴＦＴとなる領域に１５族に属する不純物元素を添加して低濃度不純物領域を形成し、
前記第２の絶縁膜を選択的に除去して前記結晶質半導体膜の一部を露呈させ、
前記露呈させた前記結晶質半導体膜に１５族に属する不純物元素の添加を行い高濃度不純物領域を形成し、
前記第２の絶縁膜及び前記結晶質半導体膜を覆って第３の絶縁膜を形成し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴは、前記第３の絶縁膜に第１のコンタクトホールを形成し、
前記ｐチャネル型ＴＦＴは、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜に第２のコンタクトホールを形成し、
前記第１のコンタクトホール及び前記第２のコンタクトホールに配線を形成し、
前記低濃度不純物領域を、前記チャネル形成領域と前記高濃度不純物領域の間に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記結晶質半導体膜と液体とを接触させて、前記結晶質半導体膜に残存する前記触媒元素を低減させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜の表面が大気にふれることなく、前記非晶質半導体膜を積層形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記非晶質半導体膜の表面の酸化膜をフッ酸系のエッチャントにより除去した後、前記非晶質半導体膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。