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【手続補正書】
【提出日】平成18年12月5日(2006.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面上が発熱体に熱的に接続可能にて成るベース板と、上記ベース板の上記発熱体が接続されない他方の面上に方向の異なる空気の流れる流路を形成する第１の流路部および第２の流路部を備え、上記第１の流路部と上記第２の流路部とは連通する箇所を有することを特徴とするヒートシンク。
【請求項２】
上記第１の流路部および上記第２の流路部は、上記ベース板に対して平行にそれぞれ形成され、上記第１の流路部と上記第２の流路部とは直交して成ることを特徴とする請求項１に記載のヒートシンク。
【請求項３】
上記ベース板の他方の面上に上記ベース板と熱的に接続された複数のリブと、任意の複数の上記リブ上に跨るように配設され上記各リブと熱的に接続されたフィンを複数備え、上記各リブおよび上記ベース板にて上記第１の流路部が、上記各フィンにて上記第２の流路部がそれぞれ形成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のヒートシンク。
【請求項４】
上記リブと上記リブ上の上記フィンとが一体構造物にて成ることを特徴とする請求項３に記載のヒートシンク。
【請求項５】
上記ベース板の他方の面上に上記ベース板と熱的に接続されたリブと、上記リブ上に配設され上記リブと熱的に接続された複数のフィンとを備え、上記リブおよび上記ベース板にて上記第１の流路部が、上記各フィンにて上記第２の流路部がそれぞれ形成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のヒートシンク。
【請求項６】
上記フィンは上記ベース板に対し傾斜して配設されていることを特徴とする請求項３ないし請求項５のいずれかに記載のヒートシンク。
【請求項７】
上記フィンは断面形状が略Ｌ字形状にて成ることを特徴とする請求項３ないし請求項６のいずれかに記載のヒートシンク。
【請求項８】
一方の面上が発熱体に熱的に接続可能にて成り垂直方向に設置されるベース板と、上記ベース板の上記発熱体が接続されない他方の面上に上記垂直方向に対して斜め方向に複数配設されたフィンとを備えたことを特徴とするヒートシンク。
【請求項９】
発熱体からの熱を空気に伝えるフィンと、上記フィンに平行な方向に空気が流れる流路を形成する第１の流路部と、上記フィンに垂直な方向に空気が流れる流路を形成する第２の流路部とを備え、上記第１の流路部と上記第２の流路部とは連通することを特徴とする放熱構造体。
【請求項１０】
上記第２の流路部は、上記フィンを貫通することを特徴とする請求項９に記載の放熱構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ヒートシンクおよび放熱構造体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電子部品などで構成される発熱体を冷却するための放熱構造に係り、特に、自然対流のみを利用して冷却を行うことができるヒートシンクおよび放熱構造体に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、熱特性の効率が優れ、低コストにて形成可能なヒートシンクおよび放熱構造体を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月26日(2007.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物をプラズマ処理する処理室と、該処理室内へ処理用のガスを導入する導入手段と、該処理室内を排気する排気手段と、前記被処理物を載置する試料台と、前記処理室内でプラズマを発生させるための電力供給手段と、該電力供給手段と接続される少なくとも一つの誘導コイルを備えたプラズマ処理装置において、
前記誘導コイルが、２以上の同一形状のコイル要素を回路的に並列に接続して構成されるとともに、その中心が被処理物の中心と一致するように配置され、
前記コイル要素の入力端が、３６０°をコイル要素の数で割った角度おきに配置され、
かつ、前記コイル要素が任意の断面形状を有する円環の表面に沿って３６０°をコイル要素数で割った角度おきに各コイル要素が前記任意の断面形状を有する円環の断面の外周を回転する方向に一定角度回転するか、
もしくは各コイル要素が前記任意の断面形状を有する円環の断面の外周を回転する方向に連続的に回転するように形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記円環は絶縁部品であり、前記コイル要素の導体部が該絶縁部品の表面に形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記円環は絶縁部品であり、前記コイル要素の導体部が該絶縁部品の表面に形成されており、前記絶縁部品に冷却用の冷媒流路が設けられたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記円環は絶縁部品であり、前記コイル要素の導体部が該絶縁部品の表面に形成されており、前記絶縁部品の断面形状が多角形であり、前記コイル要素の導体部が前記絶縁部品の多角形表面に形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記円環は絶縁部品であり、前記コイル要素の導体部が該絶縁部品の表面に形成されており、前記絶縁部品の断面形状が円形であり、前記コイル要素の導体部が前記絶縁部品の表面にトロイダルコイル状に形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記円環は仮想の円環であり、各コイル要素の導体部が該仮想の円環の表面に沿うように形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月5日(2007.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１導電型の半導体基板上に第１導電型の第１半導体層を形成する工程、
（ｂ）前記第１半導体層の存在下で、前記第１半導体層上および前記半導体基板の裏面に第１絶縁膜を形成する工程、
（ｃ）前記第１絶縁膜を選択的にエッチングし、前記第１半導体層上の前記第１絶縁膜に前記第１半導体層に達する開口部を形成し、前記半導体基板の前記裏面の前記第１絶縁膜を残す工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後、前記開口部内を含む前記第１半導体層上の前記第１絶縁膜上に不純物導入材料を配置する工程、
（ｅ）前記不純物導入材料の存在下で前記半導体基板に熱処理を施すことにより、前記開口部から前記第１半導体層に第２導電型の不純物を導入し、前記開口部の底部にて前記第１半導体層の表面に第２導電型の第２半導体層を形成し、前記半導体基板と前記第１半導体層と前記第２半導体層とを備えた半導体素子を形成する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程後、前記半導体基板の前記裏面の前記第１絶縁膜を除去する工程、
（ｇ）前記（ｆ）工程後、前記半導体素子の特性を検査する工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記（ｇ）工程において所望の特性が得られなかった場合には、
さらに、前記半導体基板に前記（ｅ）工程における前記熱処理とは別途の熱処理を施した後に、前記（ｇ）工程を再度実施することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体素子は、ＰＮ構造ダイオードであり、
前記（ｇ）工程は、前記ＰＮ構造ダイオードのツェナー電圧を検査する工程であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記（ｅ）工程における前記熱処理によって、前記不純物導入材料の一部の前記不純物が、前記半導体基板の前記裏面の前記第１絶縁膜内に取り込まれ、
前記（ｆ）工程は、前記不純物が導入された前記半導体基板の前記裏面の前記第１絶縁膜を除去する工程であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記（ｃ）工程における前記第１絶縁膜のエッチングは、スピンエッチング法にて行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記（ｃ）工程における前記第１絶縁膜のエッチングは、
前記第１半導体層上に形成された前記第１絶縁膜上に選択的にエッチングマスクを形成する工程と、
前記エッチングマスクを使用するドライエッチング法を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月4日(2007.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層セラミック電子部品の内部電極パターンの形成方法であって、柱状体の集合によって形成され表面から見た形状がクラックによって微細面積に分割された金属薄膜を第１の支持体上に形成する第１の工程と、第２の支持体上に内部電極の非形成部分に対応する形状に樹脂層を形成する第２の工程と、前記第１の支持体上の金属薄膜と前記第２の支持体上の樹脂層とを金属薄膜と樹脂層とが対向するように重ね合わせて支持体ごと加圧する第３の工程と、第３の工程の加圧後に前記第２の支持体を剥離して前記樹脂層とともに内部電極の非形成部分の金属薄膜を除去する第４の工程を備えた内部電極パターンの形成方法。
【請求項２】
セラミックシートと内部電極が交互に重なるように積層する工程を含むセラミック電子部品の製造方法において、柱状体の集合によって形成され表面から見た形状がクラックによって微細面積に分割された金属薄膜を第１の支持体上に形成する第１の工程と、第２の支持体上に内部電極の非形成部分に対応する形状に樹脂層を形成する第２の工程と、前記第１の支持体上の金属薄膜と前記第２の支持体上の樹脂層とを金属薄膜と樹脂層とが対向するように重ね合わせて支持体ごと加圧する第３の工程と、第３の工程の加圧後に前記第２の支持体を剥離して前記樹脂層とともに内部電極の非形成部分の金属薄膜を除去して内部電極パターンを形成する第４の工程と、セラミックシートと前記内部電極パターンを形成した金属薄膜とを交互に積層して積層体を作製する第５の工程と、前記積層体を切断し焼成する第６の工程とを備えた積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
内部電極パターンを形成した金属薄膜とセラミックシートとを積層する第５の工程は、前記金属薄膜と前記セラミックシートとの界面に第２の樹脂層を介在させつつ積層する請求項２記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
第２の樹脂層にはチタン酸バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウムから選ばれた１種類または２種類以上のセラミック粉末が含有されているものを用いる請求項３記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この目的を達成するために本発明は、積層セラミック電子部品の内部電極パターンの形成方法であって、柱状体の集合によって形成され表面から見た形状がクラックによって微細面積に分割された金属薄膜を第１の支持体上に形成する第１の工程と、第２の支持体上に内部電極の非形成部分に対応する形状に樹脂層を形成する第２の工程と、前記第１の支持体上の金属薄膜と前記第２の支持体上の樹脂層とを金属薄膜と樹脂層とが対向するように重ね合わせて支持体ごと加圧する第３の工程と、第３の工程の加圧後に前記第２の支持体を剥離して前記樹脂層とともに内部電極の非形成部分の金属薄膜を除去する第４の工程を備えた内部電極パターンの形成方法であり、金属薄膜を所望の形状で精度良く転写することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月1日(2007.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のセラミックスラリーを成形してセラミックシートを作製する第１の工程と、前記セラミックシート上に複数の電極部をパターン状に形成する第２の工程と、前記セラミックシート上の電極部が形成されていない領域に第２のセラミックスラリーからなる段差吸収用セラミック層を形成する第３の工程と、第３の工程で得られたセラミックシートを複数枚積み重ねてセラミック生積層体を作製する第４の工程と、前記セラミック生積層体を積層方向に加圧し所定の形状に切断したのち焼成する第５の工程と、前記焼結体の両端面に外部電極を形成する第６の工程を含み、前記第１および第２のセラミックスラリーは有機バインダーとしてポリビニルブチラール樹脂を含有し、前記第２のセラミックスラリーは重合度３５０以下のポリビニルブチラール樹脂とそれよりも重合度の高い２種類のポリビニルブチラール樹脂を含むものである積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記第２のセラミックスラリー中のポリビニルブチラール樹脂の総量はセラミック粉末に対する重量比率で５〜１２ｗｔ％である請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
第２のセラミックスラリーとして、第２のセラミックスラリー中に含有される重合度３５０以下のポリビニルブチラール樹脂は、前記第２のセラミックスラリー中に含まれる総樹脂量の７０ｗｔ％以上であるものを用いる請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
第２のセラミックスラリーとして、セラミック粉末と有機溶剤、有機バインダーとを含み、セラミックスラリー全体に占めるセラミック粉末の重量比率は５０ｗｔ％以上のものを用いる請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
第１のセラミックスラリーとして、重合度１５００以上のポリビニルブチラール樹脂と重合度３５０以下のポリビニルブチラール樹脂との２種類のブチラール樹脂を含み、重合度１５００以上のポリビニルブチラール樹脂は第１のセラミックスラリー中の総樹脂量の５０ｗｔ％以上であるものを用いる請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、誘電体セラミックシート１となる第１のセラミックスラリーおよび段差吸収用セラミック層３となる第２のセラミックスラリーは、有機バインダーとしてポリビニルブチラール樹脂（ＰＶＢ樹脂）を含有し、第２のセラミックスラリーは、重合度３５０以下のポリビニルブチラール樹脂とそれよりも重合度の高いポリビニルブチラール樹脂とを含むという構成を有しており、これにより、誘電体グリーンシート間の密着性が上がり、また使用するバインダーが低重合度であるため、有機バインダーの脱脂が容易になる。更に、段差吸収用セラミック層の強度を確保するとともに、可塑性を高めて積層時の圧力によって内部電極との間の隙間を無くすことができる。これにより、薄膜シートの高積層化においても焼結体のデラミネーションやクラックなどの構造欠陥の発生がなく、特性不良を低減して信頼性能を高めるという作用効果が得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、誘電体セラミックシートとなる第１のセラミックスラリーおよび段差吸収用セラミック層となる第２のセラミックスラリーは、有機バインダーとしてポリビニルブチラール樹脂を含有し、前記第２のセラミックスラリーは、重合度３５０以下のポリビニルブチラール樹脂とそれよりも重合度の高いポリビニルブチラール樹脂との２種類からなるという構成を備えることにより、段差吸収用セラミック層で誘電体グリーンシート間の密着性を上げ、その上有機バインダーの脱脂性を高めることができる。更に、段差吸収用セラミック層のシート強度を確保するとともにシートの可塑性を高めて積層時の圧力によって内部電極との間の隙間を無くすことができる。このため、薄膜シートの高積層化においても焼結体のデラミネーションやクラックなどの構造欠陥の発生がなく、特性不良を低減して信頼性能を高めるという効果が得られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
以下、一実施の形態を用いて、本発明の請求項１〜５に記載の発明について説明する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【表１】
2005303029.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月26日(2007.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を処理ステージの上に搭載し、前記被処理体を囲み、かつ前記処理ステージの上に搭載されているフォーカスリングを備え、前記フォーカスリングおよび前記被処理体は、高周波バイアスを印加されている、プラズマによって前記被処理体を処理するプラズマ処理装置において、
該プラズマ装置は、プラズマ・シースモデルに基づくプラズマおよびイオンシースの等価回路変換を含み、プラズマ・シースモデルに基づくイオンシースの被処理体に対するプラズマ負荷とフォーカスリングに対するプラズマ負荷を同時に解析し、前記フォーカスリングと前記処理ステージとの間の静電容量をイオンシース内の等電位面を平坦化する値とする等価電気回路解析手段を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記等価電気回路解析手段は、フォーカスリング表面に形成されるイオンシースの高さがウエハ表面に形成されるイオンシースの高さと同一、あるいは適切な許容値の範囲で段差を持つよう、フォーカスリング表面高さ、フォーカスリング表面電圧、およびフォーカスリングの材質と構造とを設定することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記等価電気回路解析手段は、フォーカスリングの消耗による経時変化を考慮し、適切な許容値に基づく構造を設定することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記等価電気回路解析手段は、等価電気回路解析手段と、二次元プラズマ解析および二次元電場解析とを備えることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記等価電気回路解析手段は、プラズマ・シース界面平坦化条件を二つ有し、その一つが、前記処理ステージ内の電極から前記被処理体上のプラズマ・シース界面までの高周波電圧の電圧降下量と、前記処理ステージ内の電極から前記フォーカスリング上のプラズマ・シース界面までの高周波電圧の電圧降下量とを等しくするように設定することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記等価電気回路解析手段は、前記プラズマ・シース界面平坦化条件を二つ有し、その一つが、ある高さの基準点から測った前記被処理体表面高さと前記被処理体上のシース厚さの和と、前記基準点から測った前記フォーカスリング表面高さと前記フォーカスリング上のシース厚さの和とを等しくするように設定することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月27日(2007.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
軸芯部に溶射線材挿通孔を有し、
先端部から前記溶射線材挿通孔に沿って延びる縦すり割りが形成された後に直径が縮小する方向に前記先端部が加圧加工された溶射用コンタクトチップにおいて、
前記先端部の近傍以外で前記縦すり割り上に前記縦すり割りの幅よりも大きい直径を有する孔が形成されたことを特徴とする溶射用コンタクトチップ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記目的を達成するために、第１の発明は、
軸芯部に溶射線材挿通孔を有し、
先端部から前記溶射線材挿通孔に沿って延びる縦すり割りが形成された後に直径が縮小する方向に前記先端部が加圧加工された溶射用コンタクトチップにおいて、
前記先端部の近傍以外で前記縦すり割り上に前記縦すり割りの幅よりも大きい直径を有する孔が形成されたことを特徴とする溶射用コンタクトチップである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月27日(2007.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
加工用電源５８に接続されたコントロールボックス８２（図３参照）および再生用電源９６に接続されたコントロールボックス（図示せず）は、給電電極７４、加工電極７２、再生電極８４の順に電位が構成されるように、加工用電圧と再生用電圧とをそれぞれ調整する。また、これらのコントロールボックスは、給電電極７４と加工電極７２の極性が同じになるように、加工用電圧と再生用電圧とをそれぞれ調整する。本実施形態では、給電電極７４と加工電極７２の極性を陽極とし、すなわち加工用液体に向かって正電荷が流れ出す電極とすることによって、イオン交換体７６に蓄積された加工生成物イオンを連続的に排出することが可能となるので、長時間にわたって加工を継続することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月18日(2006.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
式：Ｔｉ１００−ａ−ｂ−ｃ−ｄ−ｅ Ｃｕａ ＮｉｂＭ１ｃ Ｍ２ｄ Ｍ３ｅ
（式中、Ｍ１はＺｒ、Ｈｆ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１種の元素であり、Ｍ２はＡｌ及びＳｎの少なくとも１種の元素であり、Ｍ３はＳｉ及びＢの少なくとも１種の元素であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅは、それぞれ、原子％を表し、１０＜ａ＜４０、０＜ｂ＜３０、２＜ｃ＜１０、２＜ｄ＜１０、０＜ｅ＜５及び４０＜ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＜６０を満足する）で示される組成を有し、１５００ＭＰａ以上の強度を有するＴｉ系非晶質合金。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】非晶質合金
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、広い過冷却液体領域を有し、強度特性に優れたＴｉ系非晶質合金に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
すなわち、本発明の態様は、式：Ｔｉ１００−ａ−ｂ−ｃ−ｄ−ｅ ＣｕａＮｉｂ Ｍ１ｃ Ｍ２ｄ Ｍ３ｅ  （式中、Ｍ１はＺｒ、Ｈｆ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１種の元素であり、Ｍ２はＡｌ及びＳｎの少なくとも１種の元素であり、Ｍ３はＳｉ及びＢの少なくとも１種の元素であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅは、それぞれ、原子％を表し、１０＜ａ＜４０、０＜ｂ＜３０、２＜ｃ＜１０、２＜ｄ＜１０、０＜ｅ＜５及び４０＜ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＜６０を満足する）で示される組成を有し、１５００ＭＰａ以上の強度を有するＴｉ系非晶質合金を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明のＴｉ系非晶質合金は、溶融状態から方ロール法、双ロール法、回転液中紡糸法、アトマイズ法、吸引鋳造法等の種々の方法で冷却固化させ、薄帯状、フィラメント状、粉粒体状の非晶質固体に容易に加工することができる。また、本発明は、従来のＴｉ系非晶質合金と比べて格段の非晶質形成能の改善がなされているため、溶融合金を金型の充填鋳造することにより任意の形状の非晶質合金棒並びに板を得ることもできる。さらに吸引鋳造にすることによりパイプ状の非晶質合金管を得ることもできる。また、吸引鋳造以外にも、長さ方向に延在する柱状の中空部を有する鋳型を用い、本発明のＴｉ系非晶質合金を溶融し、鋳型の中空部に溶融したＴｉ系非晶質合金を噴射するとともに中空部を所定の速度で通過させて、中空部を形成する鋳型の壁面にＴｉ系非晶質合金の膜を形成して、本発明のＴｉ系非晶質合金からなるパイプを製造しても良い。このような非晶質合金のパイプは、石油、化学、バイオ、半導体、医学など広範な分野に利用することができ、高強度、高弾性変形率、高耐食性を有するので、例えば、コリオリ流量計の振動流管や注射針などに利用できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明のＴｉ系非晶質合金は、下記式（１）で表される組成を有し、１５００ＭＰａを超える高強度及び４０℃以上の広い過冷却液体領域の幅を有するため、閉塞鋳造、吸引鋳造などの過冷却液体を利用した加工法を用いて任意の形状に加工することができる。本発明によれば、強度が現状のＴｉ基実用合金と同等以上の高強度Ｔｉ基非晶質合金を提供することができる。
式（１）：Ｔｉ１００−ａ−ｂ−ｃ−ｄ−ｅ Ｃｕａ ＮｉｂＭ１ｃ Ｍ２ｄ Ｍ３ｅ
式中、Ｍ１はＺｒ、Ｈｆ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１種の元素であり、Ｍ２はＡｌ及びＳｎの少なくとも１種の元素であり、Ｍ３はＳｉ及びＢの少なくとも１種の元素であり、ａ、b、c、d及びｅは、それぞれ、原子％を表し、１０＜ａ＜４０、０＜ｂ＜３０、２＜ｃ＜１０、２＜ｄ＜１０、０＜ｅ＜５及び４０＜ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＜６０を満足する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
［実施例１〜１４］
まず、表１に示す合金組成からなる材料について、金型鋳造法により最低直径１ｍｍ、長さ５０ｍｍ、５０％以上の非晶質丸棒を作製した。作製されたそれぞれの試料のガラス転移温度（Ｔｇ）、結晶化開始温度（Ｔｘ）を示唆走査熱分析より測定した。結果を下記表１に示す。なお、表１においてΔＴｘは、ガラス転移温度（Ｔｇ）と結晶化温度（Ｔｇ）の差（Ｔｘ‐Ｔｇ）であり、過冷却液体領域を示す。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
［実施例１５〜２３］
表２に示す合金組成からなる材料について、金型鋳造法により直径２ｍｍ、長さ５０ｍｍ完全な非晶質丸棒を作製した。作製されたそれぞれの丸棒の試料のガラス転移温度（Ｔｇ）、結晶化開始温度（Ｔｘ）を示唆走査熱分析より測定した。測定結果を下記表２に示した。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
［実施例２４〜３２］
表３に示す合金組成からなる材料について、金型鋳造法により１．５ｍｍ、長さ５０ｍｍ完全な非晶質丸棒を作製した。試料の圧縮強度及びヤング率を圧縮試験より測定した。測定結果を下記表３に示す。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
以上、本発明のＴｉ系非晶質合金について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月14日(2007.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐＨの異なる第１及び第２の液体組成物を少なくとも有する印刷用の液体組成物のセットであって、前記第１及び第２の液体組成物は、機能性物質と、両親媒性のブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーと、液媒体を含有し、前記ポリマーの有機酸または有機酸の塩のｐＫａは異なり、前記第１及び第２の液体組成物を接触させたとき、前記第１の液体組成物はｐＨが変化することにより増粘することを特徴とする液体組成物のセット。
【請求項２】
前記第１の液体組成物の方が前記第２の液体組成物よりポリマーの有機酸または有機酸の塩のｐＫａが大きいことを特徴とする請求項１記載の液体組成物のセット。
【請求項３】
前記第１の液体組成物と前記第２の液体組成物を接触させたときに、前記第１及び第２の液体組成物のｐＨが互いに変化することで、前記第１の液体組成物が増粘することを特徴とする請求項１または２に記載の液体組成物のセット。
【請求項４】
前記第１の液体組成物と前記第２の液体組成物の両親媒性のポリマーが有機酸もしくは有機酸の塩の形の官能基を有し、前記有機酸または有機酸の塩のｐＫａの差が０．３以上であり、且つ前記第１及び第２の液体組成物のｐＨの差が０．３以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液体組成物のセット。
【請求項５】
前記有機酸または有機酸の塩のｐＫａの差が２以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の液体組成物のセット。
【請求項６】
前記有機酸のうち少なくとも一方の有機酸のｐＫａが２以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに液体組成物のセット。
【請求項７】
前記有機酸が、ベンゾイックアシッド基、脂肪族ジカルボン酸基、芳香族ジカルボン酸基、ハロゲン置換ベンゾイックアシッド基及びスルホン酸基からなる群から選ばれるいずれかであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の液体組成物のセット。
【請求項８】
前記両親媒性ポリマーがアルケニルエーテルからなるモノマーの繰り返し単位構造を有するブロックコポリマーであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の液体組成物のセット。
【請求項９】
前記両親媒性のポリマーにより前記機能性物質が内包されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の液体組成物のセット。
【請求項１０】
前記機能性物質が色材である請求項１乃至９のいずれかに記載の液体組成物のセット。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の液体組成物のセットが有する第１及び第２の液体組成物を互いが接するように媒体に付与する工程を有することを特徴とする液体付与方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の液体組成物のセットが有する第１及び第２の液体組成物にエネルギーを作用させることにより、互いが接するように媒体に付与する液体付与手段と、前記液体付与手段を駆動するための駆動手段とを備えていることを特徴とする液体付与装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明における第１の発明は、ｐＨの異なる第１及び第２の液体組成物を少なくとも有する印刷用の液体組成物のセットであって、前記第１及び第２の液体組成物は、機能性物質と、両親媒性のブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーと、液媒体を含有し、前記ポリマーの有機酸または有機酸の塩のｐＫａは異なり、前記第１及び第２の液体組成物を接触させたとき、前記第１の液体組成物はｐＨが変化することにより増粘することを特徴とする液体組成物のセットである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明における第２の発明は、第１の発明の液体組成物のセットが有する第１及び第２の液体組成物を互いが接するように媒体に付与する工程を有することを特徴とする液体付与方法である。
また、本発明における第３の発明は、第１の発明の液体組成物のセットが有する第１及び第２の液体組成物にエネルギーを作用させることにより、互いが接するように媒体に付与する液体付与手段と、前記液体付与手段を駆動するための駆動手段とを備えていることを特徴とする液体付与装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
このようなケースの例をさらに具体的に説明する。両親媒性のブロックポリマーが形成するミセルに黒色の顔料を内包した、水分散インクがあり、このブロックポリマーの親水ユニットはｐＫａが６の有機酸の塩を親水基として持つものであり、ｐＨ９に調製する。さらに今ひとつのインク組成物として、両親媒性のブロックポリマーが形成するミセルに黄色の顔料を内包した、水分散インクがあり、このブロックポリマーの親水ユニットはｐＫａが２の有機酸の塩を親水基として持つものであり、ｐＨを２に調製する。この場合、両者のインク組成物共に、イオン性の親水基をもつため、また、それぞれのｐＫａとｐＨから同程度のイオン解離状態をとらせることができるため、色材の内包、分散が良好であり、かつ粒子の相互作用もイオン反発により抑制され、粘性も低くすることが可能である。一方、前者と後者が隣接箇所にインクジェット記録される時に接液すると、前者のインクは後者のインクによってｐＨが酸性サイドに変化し、親水基のカルボン酸ナトリウムが中和されミセル粒子同士が強く相互作用する力が働くようになり、増粘される。極端な場合粒子が凝集する。いずれにしても組成物としては増粘し、ブリードすなわち色交じりが減少する。この場合、片方のブロックポリマーの親水基のｐＫａともう片方のブロックポリマーのｐＫａが異なることが必要であり、好ましくはその差が０．３以上あると良い。さらに好ましくは１以上である。また、組成物のｐＨも同様に０．３以上異なることが好ましく、さらに好ましくは１以上あるいは２以上あるいは４以上である。差が大きいほどインク組成の自由度が高まるため好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
また、本発明の液体組成物には上記以外の、例えば酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤、界面活性剤、防かび剤等の各種調整剤や添加物を含有させることも可能である。
一方、本発明の液体組成物の増粘作用は、本発明の構成因子である両親媒性ブロックポリマーまたはグラフトポリマーによるものであり、それのみで十分効果的である。増粘作用を持つ添加剤を改めて加える必要はないが、もちろん本発明は補助な意味で該添加剤を加えることを排除するものではない。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月22日(2007.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイル制御の制御磁極を複数個、非磁性体を介して上流側と下流側とに近接配置した選択部を設けて、該選択部の制御磁極により編機の編み部材を選択する選択アクチュエータにおいて、
選択部の上流側の制御磁極に対する選択対象の編み部材の位置に基づいて上流側の制御磁極を動作させると共に、選択部の下流側の制御磁極に対する同じ編み部材の位置に基づいて下流側の制御磁極を動作させるための制御手段を設けて、選択対象の編み部材を選択部の上流側の制御磁極と下流側の制御磁極の双方の動作により選択するようにしたことを特徴とする、選択アクチュエータ。
【請求項２】
選択対象の編み部材に対し選択部の上流側の制御磁極が動作を開始してから、選択部の下流側の制御磁極が動作を終了するまでの編み部材の移動幅が、編機での編み部材の配列ピッチの１００％以上であることを特徴とする、請求項１の選択アクチュエータ。
【請求項３】
前記上流側と下流側の各制御磁極の磁芯が直線状で、その周囲を前記コイルが取り巻き、前記各磁芯の先端が互いに短い間隔で対向して前記上流側と下流側の制御磁極となるように、前記各磁芯の上部が選択アクチュエータの長手方向に沿って曲げられていることを特徴とする、請求項１または２の選択アクチュエータ。
【請求項４】
前記磁芯が方向性ケイ素鋼帯を複数枚積層したものからなり、かつ前記制御磁極の部分でケイ素鋼帯を積層する枚数を減じて、制御磁極の厚さをコイル内での磁芯の厚さよりも薄くし、さらに選択アクチュエータの短辺方向での前記制御磁極の幅を、同じ方向での前記コイル内での磁芯の幅よりも大きくしたことを特徴とする、請求項３の選択アクチュエータ。
【請求項５】
前記各制御磁極のＮ極とＳ極との間に空隙を設けると共に、上流側の制御磁極と下流側の制御磁極とで、前記空隙の位置を選択アクチュエータの短辺方向に沿ってシフトさせたことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかの選択アクチュエータ。
【請求項６】
前記コイルに通電することにより制御磁極での編み部材の磁気的吸着を解いて、選択アクチュエータから編み部材を釈放すると共に、選択アクチュエータの長手方向に沿って、前記選択部の両外側に左右の固定磁極を  配置すると共に、該左右の固定磁極の極性を互いに逆にしたことを特徴とする、請求項１〜５のいずれかの選択アクチュエータ。
【請求項７】
前記制御手段により、選択対象の編み部材が上流側の制御磁極と重なる位置で上流側の制御磁極を動作させ、下流側の制御磁極と重ならなくなる位置で下流側の制御磁極の動作を終了させ、かつ上流側の制御磁極の動作開始から下流側の制御磁極の動作終了までの間、上流側の制御磁極か下流側の制御磁極かが途切れずに動作するようにしたことを特徴とする、請求項２の選択アクチュエータ。
【請求項８】
前記制御手段により、選択対象の編み部材が上流側の制御磁極との重ならなくなる位置で上流側の制御磁極の動作を停止させ、かつ下流側の制御磁極と重なる位置で下流側の制御磁極の動作を開始させるようにしたことを特徴とする、請求項７の選択アクチュエータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明は、コイル制御の制御磁極を複数個、非磁性体を介して上流側と下流側とに近接配置した選択部を設けて、該選択部の制御磁極を複数個、非磁性体を介して上流側と下流側とに近接配置した選択部を設けて、該選択部の制御磁極により編機の編み部材を選択する選択アクチュエータにおいて、選択部の上流側の制御磁極に対する選択対象の編み部材の位置に基づいて上流側の制御磁極を動作させると共に、選択部の下流側の制御磁極に対する同じ編み部材の位置に基づいて下流側の制御磁極を動作させるための制御手段を設けて、選択対象の編み部材を選択部の上流側の制御磁極と下流側の制御磁極の双方の動作により選択するようにしたことを特徴とする。編機は例えば横編機で、この発明は例えば２０Ｇ（ゲージ）以上のファインゲージの横編機や丸編機に適している。編み部材は例えば針であるが、これ以外の目移し部材などでも良い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
好ましくは、選択対象の編み部材に対し選択部の上流側の制御磁極が動作を開始してから、選択部の下流側の制御磁極が動作を終了するまでの編み部材の移動幅が、編機での編み部材の配列ピッチの１００％以上とする。例えば編機が横編機でゲージが２５Ｇとすると、編み部材の配列ピッチは約１mmで、編み部材と選択アクチュエータとの相対位置が０.８mm以上移動する間に渡って、特に好ましくは１mm以上の範囲に渡って選択を行う。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また好ましくは、前記コイルに通電することにより制御磁極での編み部材の磁気的吸着を解いて、選択アクチュエータから編み部材を釈放すると共に、選択アクチュエータの長手方向に沿って、前記選択部の両外側に左右の固定磁極を配置すると共に、該左右の固定磁極の極性を互いに逆にする。
また好ましくは、前記制御手段により、選択対象の編み部材が上流側の制御磁極と重なる位置で上流側の制御磁極を動作させ、下流側の制御磁極と重ならなくなる位置で下流側の制御磁極の動作を終了させ、かつ上流側の制御磁極の動作開始から下流側の制御磁極の動作終了までの間、上流側の制御磁極か下流側の制御磁極かが途切れずに動作するようにする。
特に好ましくは、前記制御手段により、選択対象の編み部材が上流側の制御磁極との重ならなくなる位置で上流側の制御磁極の動作を停止させ、かつ下流側の制御磁極と重なる位置で下流側の制御磁極の動作を開始させるようにする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月17日(2006.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粉末Ｘ線回折パターンにおいて１０．５°±０．５°に特徴的回折ピーク（２θ）を有することを特徴とする５−［｛６−（２−フルオロベンジル）オキシ−２−ナフチル｝メチル］−２，４−チアゾリジンジオンのＢ型結晶体。
【請求項２】
粉末Ｘ線回折パターンにおいて１０．５°±０．５° 及び２０．９°±０．５°に特徴的回折ピーク（２θ）を有することを特徴とする５−［｛６−（２−フルオロベンジル）オキシ−２−ナフチル｝メチル］−２，４−チアゾリジンジオンのＢ型結晶体。
【請求項３】
粉末Ｘ線回折パターンにおいて２０．９°±０．５° 及び２３．０°±０．５°に特徴的回折ピーク（２θ）を有することを特徴とする５−［｛６−（２−フルオロベンジル）オキシ−２−ナフチル｝メチル］−２，４−チアゾリジンジオンのＢ型結晶体。
【請求項４】
粉末Ｘ線回折パターンにおいて１０．５°±０．５° 及び２３．０°±０．５°に特徴的回折ピーク（２θ）を有することを特徴とする５−［｛６−（２−フルオロベンジル）オキシ−２−ナフチル｝メチル］−２，４−チアゾリジンジオンのＢ型結晶体。
【請求項５】
粉末Ｘ線回折パターンにおいて１０．５°±０．５°、２０．９°±０．５°、２３．０°±０．５°及び２９．２°±０．５° に特徴的回折ピーク（２θ）を有することを特徴とする５−［｛６−（２−フルオロベンジル）オキシ−２−ナフチル｝メチル］−２，４−チアゾリジンジオンのＢ型結晶体。
【請求項６】
粉末Ｘ線回折パターンにおいて１０．５°±０．５°、１８．４°±０．５°、２０．９°±０．５°、２３．０°±０．５°、２６．７°±０．５°及び２９．２°±０．５°に特徴的回折ピーク（２θ）を有することを特徴とする５−［｛６−（２−フルオロベンジル）オキシ−２−ナフチル｝メチル］−２，４−チアゾリジンジオンのＢ型結晶体。
【請求項７】
粉末Ｘ線回折パターンにおいて１２．５°±０．５°に特徴的回折ピーク（２θ）を有することを特徴とする５−［｛６−（２−フルオロベンジル）オキシ−２−ナフチル｝メチル］−２，４−チアゾリジンジオンのＣ型結晶体。
【請求項８】
粉末Ｘ線回折パターンにおいて１２．５°±０．５°及び１４．５°±０．５°に特徴的回折ピーク（２θ）を有することを特徴とする５−［｛６−（２−フルオロベンジル）オキシ−２−ナフチル｝メチル］−２，４−チアゾリジンジオンのＣ型結晶体。
【請求項９】
粉末Ｘ線回折パターンにおいて１４．５°±０．５°及び２２．１°±０．５°に特徴的回折ピーク（２θ）を有することを特徴とする５−［｛６−（２−フルオロベンジル）オキシ−２−ナフチル｝メチル］−２，４−チアゾリジンジオンのＣ型結晶体。
【請求項１０】
粉末Ｘ線回折パターンにおいて１２．５°±０．５°及び２２．１°±０．５°に特徴的回折ピーク（２θ）を有することを特徴とする５−［｛６−（２−フルオロベンジル）オキシ−２−ナフチル｝メチル］−２，４−チアゾリジンジオンのＣ型結晶体。
【請求項１１】
粉末Ｘ線回折パターンにおいて１２．５°±０．５°、１４．５°±０．５°、１７．６°±０．５°及び２２．１°±０．５°に特徴的回折ピーク（２θ）を有することを特徴とする５−［｛６−（２−フルオロベンジル）オキシ−２−ナフチル｝メチル］−２，４−チアゾリジンジオンのＣ型結晶体。
【請求項１２】
粉末Ｘ線回折パターンにおいて１２．５°±０．５°、１４．５°±０．５°、１７．６°±０．５°、１８．８°±０．５°、２２．１°±０．５°、２５．９ °±０．５°、２６．６°±０．５°及び２８．３°±０．５°に特徴的回折ピーク（２θ）を有することを特徴とする５−［｛６−（２−フルオロベンジル）オキシ−２−ナフチル｝メチル］−２，４−チアゾリジンジオンのＣ型結晶体。
【請求項１３】
粉末Ｘ線回折パターンにおいて１７．４°±０．２°及び２２．２°±０．２°に特徴的回折ピーク（２θ）を有することを特徴とする５−［｛６−（２−フルオロベンジル）オキシ−２−ナフチル｝メチル］−２，４−チアゾリジンジオンのＤ型結晶体。
【請求項１４】
粉末Ｘ線回折パターンにおいて２２．２°±０．２°及び２５．３°±０．２°に特徴的回折ピーク（２θ）を有することを特徴とする５−［｛６−（２−フルオロベンジル）オキシ−２−ナフチル｝メチル］−２，４−チアゾリジンジオンのＤ型結晶体。
【請求項１５】
粉末Ｘ線回折パターンにおいて１７．４°±０．２°及び２５．３°±０．２°に特徴的回折ピーク（２θ）を有することを特徴とする５−［｛６−（２−フルオロベンジル）オキシ−２−ナフチル｝メチル］−２，４−チアゾリジンジオンのＤ型結晶体。
【請求項１６】
粉末Ｘ線回折パターンにおいて１０．７°±０．２°、１７．４°±０．２°、２２．２°±０．２°及び２５．３°±０．２°に特徴的回折ピーク（２θ）を有することを特徴とする５−［｛６−（２−フルオロベンジル）オキシ−２−ナフチル｝メチル］−２，４−チアゾリジンジオンのＤ型結晶体。
【請求項１７】
粉末Ｘ線回折パターンにおいて１０．７°±０．２°、１４．５°±０．２°、１５．１°±０．２°、１５．８°±０．２°、１７．４°±０．２°、１８．５°±０．２°、２０．５ °±０．２°、２２．２°±０．２°、２５．３°±０．２°、２６．８°±０．２°及び２７．８°±０．２°に特徴的回折ピーク（２θ）を有することを特徴とする５−［｛６−（２−フルオロベンジル）オキシ−２−ナフチル｝メチル］−２，４−チアゾリジンジオンのＤ型結晶体。
【請求項１８】
５−［｛６−（２−フルオロベンジル）オキシ−２−ナフチル｝メチル］−２，４−チアゾリジンジオンの結晶。
【請求項１９】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のＢ型結晶体、請求項７〜１２のいずれか一項に記載のＣ型結晶体、又は請求項１３〜１７のいずれか一項に記載のＤ型結晶体を融解固化させる工程を含む、粉末Ｘ線回折パターンにおいて１１．５°±０．３°、１７．０°±０．３°、１７．７°±０．２°、２２．４°±０．５°及び２５．７°±０．５°に特徴的吸収ピーク（２θ）を有することを特徴とする５−［｛６−（２−フルオロベンジル）オキシ−２−ナフチル｝メチル］−２，４−チアゾリジンジオンのＡ型結晶体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月10日(2007.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コークスを製造するための多数銘柄の原料炭について、レーザラマン分光測定を行い、得られるレーザラマンスペクトルのピークに係る特性値を求め、これらの複数の特性値を石炭銘柄の配合割合に従って加算して前記スペクトルのピークに係る配合炭の特性値を求め、予め求めておいた前記スペクトルのピークに係る特性値とコークス強度との関係に基づいて、配合炭のコークス強度を推定することを特徴とする配合炭のコークス強度推定方法。
【請求項２】
レーザラマン分光測定をビトリニット、フジニット、及びセミフジニットからなる３つの石炭組織毎に行い、前記各石炭組織から得られるレーザラマンスペクトルのピークに係る特性値を前記石炭組織の含有割合に従って加算し、この加算値を各銘柄石炭の前記スペクトルのピークに係る特性値とすることを特徴とする請求項１に記載の配合炭のコークス強度推定方法。
【請求項３】
レーザラマンスペクトルのピークの特性値が、Ｇバンドの強度に対するＤバンドの強度の比であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配合炭のコークス強度推定方法。
【請求項４】
コークスを製造するための多数銘柄の原料炭について、レーザラマン分光測定を行い、得られるレーザラマンスペクトルのピークに係る、Ｇバンドの強度に対するＤバンドの強度の比である特性値を求め、該特性値を用いて配合炭のコークス強度を推定することを特徴とする配合炭のコークス強度推定方法。
【請求項５】
複数銘柄の原料炭を配合した配合炭を乾留するコークスの製造方法において、予め求めておいた、石炭各組織のレーザラマンスペクトルのピークの特性値とコークス強度との関係に基づいて、配合炭のレーザラマンスペクトルのピークの特性値が所定のコークス強度が得られる値になるように、原料炭の銘柄の選定と原料炭の配合割合を決定することを特徴とするコークスの製造方法。
【請求項６】
複数銘柄の原料炭を配合した配合炭を乾留するコークスの製造方法において、予め求めておいた、石炭各組織のレーザラマンスペクトルのピークに係る、Ｇバンドの強度に対するＤバンドの強度の比である特性値とコークス強度との関係に基づいて、配合炭のレーザラマンスペクトルのピークの特性値が所定のコークス強度が得られる値になるように、原料炭の銘柄の選定と原料炭の配合割合を決定することを特徴とするコークスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項３に記載の発明に係る配合炭のコークス強度推定方法は、請求項１又は請求項２に記載の発明において、レーザラマンスペクトルのピークの特性値が、Ｇバンドの強度に対するＤバンドの強度の比であることを特徴としている。
また、請求項４に記載の発明に係る配合炭のコークス強度推定方法は、コークスを製造するための多数銘柄の原料炭について、レーザラマン分光測定を行い、得られるレーザラマンスペクトルのピークに係る、Ｇバンドの強度に対するＤバンドの強度の比である特性値を求め、該特性値を用いて配合炭のコークス強度を推定することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項５に記載の発明に係るコークスの製造方法は、複数銘柄の原料炭を配合した配合炭を乾留するコークスの製造方法において、予め求めておいた、石炭各組織のレーザラマンスペクトルのピークの特性値とコークス強度との関係に基づいて、配合炭のレーザラマンスペクトルのピークの特性値が所定のコークス強度が得られる値になるように、原料炭の銘柄の選定と原料炭の配合割合を決定することを特徴としている。
また、請求項６に記載の発明に係るコークスの製造方法は、複数銘柄の原料炭を配合した配合炭を乾留するコークスの製造方法において、予め求めておいた、石炭各組織のレーザラマンスペクトルのピークに係る、Ｇバンドの強度に対するＤバンドの強度の比である特性値とコークス強度との関係に基づいて、配合炭のレーザラマンスペクトルのピークの特性値が所定のコークス強度が得られる値になるように、原料炭の銘柄の選定と原料炭の配合割合を決定することを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
この４種類の配合炭を炉温１１００℃のコークス炉の中で７時間乾留する缶焼試験を行った。この際の配合炭の充填密度は０．８Ｔ／m３ とした。缶焼試験後、炉から出して散水し、消火した。次いで、炉から取り出したコークスについて、ＪＩＳに準拠してコークスドラム強度試験（ＤＩ３０１５）を行い、コークスの強度を測定した。この結果は表３に示す。そして、表３に示す４種類の配合炭のＲ値と、その配合炭から得られたコークスの強度との関係を図１に示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図１から明らかなように、配合炭のＲ値とコークス強度との間には極めて強い相関関係があることが示されている。このため、顕微レーザラマン測定を行って配合炭のＲ値を求めれば、そのＲ値から、得られるコークスの強度を精度よく推定できることが確認された。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005281355.tif 000001
【図２】
2005281355.tif 000002
【図３】
2005281355.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月11日(2007.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光体を用いて発光する発光管と、発光管の外側を覆う透明な材料からなる外囲器とを有し、該外囲器の内側全面に長残光の残光蛍光体層のみを設けたことを特徴とする電球型蛍光ランプ。
【請求項２】
前記残光蛍光体層に含まれる長残光蛍光体が、２ｍｇ／ｃｍ2以上６ｍｇ／ｃｍ2以下であることを特徴とする請求項1に記載の電球型蛍光ランプ。
【請求項３】
前記長残光蛍光体が、少なくとも、一般式としてＭＡｌ2Ｏ4：Ｘ、Ｙ（Ｍはカルシウム、ストロンチウムおよびバリウムからなる群から選ばれる少なくとも一つ以上の元素で、Ｘ、Ｙは、ユーロピウム、ジスプロシウムおよびネオジウムからなる群から選ばれる供付活剤である）で表される化合物を母結晶とした蛍光体または、一般式としてＹ2Ｏ2Ｓ：Ｚ（Ｚは、ユーロピウム、マグネシウムおよびチタンからなる群から選ばれる少なくとも一つ以上の元素からなる付活剤）を母結晶として使用した蛍光体であることを特徴とする請求項１に記載の電球型蛍光ランプ。
【請求項４】
前記蛍光体が、２価ユーロピウム及びジスプロシウム付活アルミン酸ストロンチウムであることを特徴とする請求項３に記載の電球型蛍光ランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、蛍光体を用いて発光する発光管と、発光管の外側を覆う透明な材料からなる外囲器とを有し、該外囲器の内側全面に長残光の残光蛍光体層のみを設けたことを特徴とする電球型蛍光ランプである。残光蛍光体層に含まれる長残光蛍光体が、２ｍｇ／ｃｍ2以上６ｍｇ／ｃｍ2以下であることが好ましく、長残光蛍光体が、少なくとも、一般式としてＭＡｌ2Ｏ4：Ｘ、Ｙ（Ｍはカルシウム、ストロンチウムおよびバリウムからなる群から選ばれる少なくとも一つ以上の元素で、Ｘ、Ｙは、ユーロピウム、ジスプロシウムおよびネオジウムからなる群から選ばれる供付活剤である）で表される化合物を母結晶とした蛍光体または、一般式としてＹ2Ｏ2Ｓ：Ｚ（Ｚは、ユーロピウム、マグネシウムおよびチタンからなる群から選ばれる少なくとも一つ以上の元素からなる付活剤）を母結晶として使用した蛍光体であることが好ましい。更に、蛍光体が、２価ユーロピウム及びジスプロシウム付活アルミン酸ストロンチウムであることがより好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
長残光性蛍光体としては、一般式としてＭＡｌ2Ｏ4で表される化合物でＭはカルシウム、ストロンチウム、バリウムなどの群の少なくとも一つ以上の金属元素からなる化合物を母結晶にした蛍光体であり、付活剤としてユーロピウムが用いられる他に供付活剤ジスプロシウム、ネオジウムなどが使用されるものと、Ｙ2Ｏ2Ｓを母結晶としユーロピウム、マグネシウム、チタンの付活剤を使用した蛍光体の少なくとも一つ以上を使用することができる。