【手続補正書】
【提出日】平成18年12月14日(2006.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板（３）と、
前記誘電体基板（３）の裏面全面に形成された接地導体（５）と、
前記誘電体基板（３）の表面に周期的に配列され、方形形状に形成された複数の導体パターン（４）とを有し、
前記導体パターン（４）は、他の導体パターン（４）および接地導体（５）とは直流的に絶縁されて設けられたものであり、
伝播する電磁波に対して負の透磁率を示す負透磁率メタマテリアル。
【請求項２】
請求項１に記載した負透磁率メタマテリアルであって、
前記導体パターン（４）の縦横の長さを異なるものとして、透磁率に関する異方性を具備させるようにした負透磁率メタマテリアル。
【請求項３】
誘電体基板（３）と、
前記誘電体基板（３）の裏面全面に形成された接地導体（５）と、
前記誘電体基板（３）の表面に周期的に配列され、六角形形状に形成された複数の導体パターン（４）とを有し、
前記導体パターン（４）は、他の導体パターン（４）および接地導体（５）とは直流的に絶縁されて設けられたものであり、
伝播する電磁波に対して負の透磁率を示す負透磁率メタマテリアル。
【請求項４】
誘電体基板（１３）と、
前記誘電体基板（１３）の裏面全面に形成された接地導体（１５）と、
前記誘電体基板（３）の表面上の第１の方向に形成され周期的に配列された第１の導体ストリップ（１６）と、
前記誘電体基板（３）の表面上の前記第１の方向と交差する第２の方向に形成され周期的に配列された第２の導体ストリップ（１６）と、
前記第１の導体ストリップ（１６）および前記第２の導体ストリップ（１６）の交差位置のそれぞれに対応して配置され、前記第１の導体ストリップ（１６）および前記第２の導体ストリップ（１６）の少なくとも一方と前記接地導体（１５）とを接続する導体ビア（１４）とを有し、
伝播する電磁波に対して負の誘電率を示す負誘電率メタマテリアル。
【請求項５】
誘電体基板（１３）と、
前記誘電体基板（１３）の裏面全面に形成された接地導体（１５）と、
前記誘電体基板（３）の表面上の第１の方向に形成され周期的に配列された第１の導体ストリップ（１６）と、
前記誘電体基板（３）の表面上の前記第１の方向と交差する第２の方向に形成され周期的に配列された第２の導体ストリップ（１６）と、
前記誘電体基板（３）の表面上の第３の方向に形成され、前記第１の導体ストリップ（１６）と前記第２の導体ストリップ（１６）との交差位置において前記第１の導体ストリップ（１６）および前記第２の導体ストリップ（１６）に交差するように形成され、周期的に配列された第３の導体ストリップ（１６）と、
前記第１〜３の導体ストリップ（１６）の交差位置のそれぞれに対応して配置され、前記第１〜３の導体ストリップ（１６）の少なくともいずれか１つと前記接地導体（１５）とを接続する導体ビア（１４）とを有し、
伝播する電磁波に対して負の誘電率を示す負誘電率メタマテリアル。
【請求項６】
請求項４，５のいずれか１項に記載した負誘電率メタマテリアルであって、
前記導体ストリップ（１６）の方向の対称性を崩すことにより、誘電率に関する異方性を具備させるようにした負誘電率メタマテリアル。
【請求項７】
請求項４，５のいずれか１項に記載した負誘電率メタマテリアルであって、
前記導体ビア（１４）の位置を変更することにより、誘電率に関する異方性を具備させるようにした負誘電率メタマテリアル。
【請求項８】
請求項１〜３のいずれか１項に記載した負透磁率メタマテリアルと、正の透磁率を有する正透磁率媒質とを隣接させ、
前記負透磁率メタマテリアルと前記正透磁率媒質との境界に表面波を伝播可能とした表面波導波路。
【請求項９】
請求項４〜７のいずれか１項に記載した負誘電率メタマテリアルと、正の誘電率を有する正誘電率媒質とを隣接させ、
前記負誘電率メタマテリアルと前記正誘電率媒質との境界に表面波を伝播可能とした表面波導波路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】負透磁率または負誘電率メタマテリアルおよび表面波導波路
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の請求項１に係る負透磁率メタマテリアルは、誘電体基板と、前記誘電体基板の裏面全面に形成された接地導体と、前記誘電体基板の表面に周期的に配列され、方形形状に形成された複数の導体パターンとを有し、前記導体パターンは、他の導体パターンおよび接地導体とは直流的に絶縁されて設けられたものであり、伝播する電磁波に対して負の透磁率を示すものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の請求項２に係る負透磁率メタマテリアルでは、上記の負透磁率メタマテリアルにおいて、前記導体パターンの縦横の長さを異なるものとして、透磁率に関する異方性を具備させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の請求項３に係る負透磁率メタマテリアルは、誘電体基板と、前記誘電体基板の裏面全面に形成された接地導体と、前記誘電体基板の表面に周期的に配列され、六角形形状に形成された複数の導体パターンとを有し、前記導体パターンは、他の導体パターンおよび接地導体とは直流的に絶縁されて設けられたものであり、伝播する電磁波に対して負の透磁率を示すものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の請求項４に係る負誘電率メタマテリアルは、誘電体基板と、前記誘電体基板の裏面全面に形成された接地導体と、前記誘電体基板の表面上の第１の方向に形成され周期的に配列された第１の導体ストリップと、前記誘電体基板の表面上の前記第１の方向と交差する第２の方向に形成され周期的に配列された第２の導体ストリップと、前記第１の導体ストリップおよび前記第２の導体ストリップの交差位置のそれぞれに対応して配置され、前記第１の導体ストリップおよび前記第２の導体ストリップの少なくとも一方と前記接地導体とを接続する導体ビアとを有し、伝播する電磁波に対して負の誘電率を示すものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の請求項５に係る負誘電率メタマテリアルは、誘電体基板と、前記誘電体基板の裏面全面に形成された接地導体と、前記誘電体基板の表面上の第１の方向に形成され周期的に配列された第１の導体ストリップと、前記誘電体基板の表面上の前記第１の方向と交差する第２の方向に形成され周期的に配列された第２の導体ストリップと、前記誘電体基板の表面上の第３の方向に形成され、前記第１の導体ストリップと前記第２の導体ストリップとの交差位置において前記第１の導体ストリップおよび前記第２の導体ストリップに交差するように形成され、周期的に配列された第３の導体ストリップと、前記第１〜３の導体ストリップの交差位置のそれぞれに対応して配置され、前記第１〜３の導体ストリップの少なくともいずれか１つと前記接地導体とを接続する導体ビアとを有し、伝播する電磁波に対して負の誘電率を示すものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の請求項６に係る負誘電率メタマテリアルでは、上記の負誘電率メタマテリアルにおいて、前記導体ストリップの方向の対称性を崩すことにより、誘電率に関する異方性を具備させることができる。また、この発明の請求項７に係る負誘電率メタマテリアルでは、上記の負誘電率メタマテリアルにおいて、前記導体ビアの位置を変更することにより、誘電率に関する異方性を具備させることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明の表面波導波路における、正透磁率および正誘電率をもつ媒質は、誘電体基板の表面に金属ストリップを四方に接続した二次元構造とし、誘電体基板の裏面には全面にわたって接地導体が配置される単位セルを構成し、該単位セルの複数個を集合体として構成した。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の請求項８に係る表面波導波路は、上記の負透磁率メタマテリアルと、正の透磁率を有する正透磁率媒質とを隣接させ、前記負透磁率メタマテリアルと前記正透磁率媒質との境界に表面波を伝播可能としたものである。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の請求項９に係る表面波導波路は、上記の負誘電率メタマテリアルと、正の誘電率を有する正誘電率媒質とを隣接させ、前記負誘電率メタマテリアルと前記正誘電率媒質との境界に表面波を伝播可能としたものである。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図５（Ａ）は図４の負透磁率媒質１を構成する単位セル２である。これは、誘電体基板３の表面に方形の金属パッチ４を周囲に誘電体を残して形成し、基板３の裏面には全面に接地導体５を持つ構造となっている。ここで、金属パッチとは、図示のように薄板小片状の金属パターンである。