【手続補正書】
【提出日】平成19年3月20日(2007.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気接続用のパッドが設けられた半導体基板上に、上記パッドを露出させるパッド用開口を有する第１の絶縁膜を形成する工程と、
上記第１の絶縁膜上に上記パッドと接続する第１の導体膜を形成する工程と、
上記第１の導体膜上に、第２の絶縁膜を形成する工程と、
上記第２の絶縁膜に、上記第１の導体膜をスクライブライン領域で露出させる第１のスクライブライン領域開口と、上記第１の導体膜を所定の接続領域で露出させる第１の接続領域開口とを形成する工程と、
上記第１のスクライブライン領域開口から上記第１の導体膜に給電して、上記第１の接続領域開口において上記第１の導体膜に接続された第１の接続部材を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
上記第１の接続領域開口が、上記パッドよりも上記スクライブライン領域側に形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
上記第１の絶縁膜がポリイミド樹脂からなり、
上記第１の導体膜を形成する工程が、
上記第１の絶縁膜の表面および上記パッド用開口の内壁面を改質する工程と、
上記第１の絶縁膜の表面、上記パッド用開口の内壁面、および上記パッド用開口の底面において露出する上記パッドの表面を被覆する第１の薄い導体膜をイオン交換反応によって形成する工程と、
上記第１の薄い導体膜を用いて給電を行う電解めっき法によって、上記第１の薄い導体膜を厚膜化する工程とを含むことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
上記第１の接続部材が、他の固体装置との接続のためのバンプであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
上記第１の接続部材は、上記第２の絶縁膜の上記第１の接続領域開口の底面において上記第１の導体膜に接続されているとともに、上記第１の接続領域開口外の上記第２の絶縁膜の表面にまで延びて形成された第２の導体膜であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
上記第２の絶縁膜がポリイミド樹脂からなり、
上記第２の導体膜を形成する工程が、
上記第２の絶縁膜の表面、上記第１のスクライブライン領域開口の内壁面、および上記第１の接続領域開口の内壁面を改質する工程と、
上記第２の絶縁膜の表面、上記第１のスクライブライン領域開口の内壁面、上記第１のスクライブライン領域開口の底面において露出する上記第１の導体膜の表面、上記第１の接続領域開口の内壁面、および上記第１の接続領域開口の底面において露出する上記第１の導体膜の表面を被覆する第２の薄い導体膜をイオン交換反応によって形成する工程と、
上記第２の薄い導体膜を用いて給電を行う電解めっき法によって、上記第２の薄い導体膜を厚膜化する工程とを含むことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
上記第２の導体膜上に、第３の絶縁膜を形成する工程と、
上記第３の絶縁膜に、上記第２の導体膜をスクライブライン領域で露出させる第２のスクライブライン領域開口と、上記第２の導体膜を所定の第２の接続領域で露出させる第２の接続領域開口とを形成する工程と、
上記第２のスクライブライン領域開口から露出する上記第２の導体膜から給電して、上記第２の接続領域開口において上記第２の導体膜に接続された第２の接続部材を形成する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項５または６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
上記第２の接続領域開口が、上記パッドに対して上記第１の接続領域開口とは反対側に形成されることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
上記第２の接続部材が、他の固体装置との接続のためのバンプであることを特徴とする請求項７または８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
半導体基板上に設けられた電気接続用のパッドと、
上記半導体基板の表面を被覆するとともに、上記パッドを露出させるパッド用開口を有する第１の絶縁膜と、
この第１の絶縁膜の上記パッド用開口の底面において上記パッドに接合されているとともに、上記パッド用開口外の上記第１の絶縁膜の表面にまで延びて形成された第１の導体膜と、
この第１の導体膜を被覆するとともに、この第１の導体膜をスクライブライン領域で露出させる第１のスクライブライン領域開口と、上記第１の導体膜を所定の接続領域で露出させる第１の接続領域開口とを有する第２の絶縁膜と、
この第２の絶縁膜の上記第１の接続領域開口内において上記第１の導体膜と接合されるように配置された第１の接続部材とを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
上記第１の接続領域開口が、上記パッドよりも上記スクライブライン領域側に形成されていることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
上記第１の接続部材が、他の固体装置との接続のためのバンプであることを特徴とする請求項１０または１１記載の半導体装置。
【請求項１３】
上記第１の接続部材は、上記第２の絶縁膜の上記第１の接続領域開口の底面において上記第１の導体膜に接合されているとともに、上記第１の接続領域開口外の上記第２の絶縁膜の表面にまで延びて形成された第２の導体膜であることを特徴とする請求項１０または１１記載の半導体装置。
【請求項１４】
上記第２の導体膜上に形成され、上記第２の導体膜をスクライブライン領域で露出させる第２のスクライブライン領域開口と、上記第２の導体膜を所定の第２の接続領域で露出させる第２の接続領域開口とを有する第３の絶縁膜と、
上記第２の接続領域開口において上記第２の導体膜に接続された第２の接続部材とをさらに含むことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置。
【請求項１５】
上記第２の接続領域開口が、上記パッドに対して上記第１の接続領域開口とは反対側に形成されていることを特徴とする請求項１４記載の半導体装置。
【請求項１６】
上記第２の接続部材が、他の固体装置との接続のためのバンプであることを特徴とする請求項１４または１５記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【発明の名称】半導体装置およびその製造方法
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板上のパッドに接続された導体膜を有する半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一対の半導体チップの活性面同士を重ね合わせるチップ・オン・チップ構造や、半導体チップの活性面を配線基板に対向させて接合するフリップチップボンディング構造においては、半導体チップの活性面に、バンプと呼ばれる電気接続用の隆起物が設けられる。図３には、このような半導体チップの表面付近の構成が図解的に表されている。
半導体基板５１の活性面５１ａにおいては、外部配線の一部を露出させたパッド５２が設けられている。このパッド５２を露出させる開口５３を有するポリイミド膜５４によって、半導体基板５１の活性面５１ａが覆われている。そして、開口５３内には、パッド５２上にバンプ５５が配置されている。このバンプ５５は、ポリイミド膜５４の表面よりも隆起して形成されている。
【０００３】
バンプ５５の形成は、たとえば、無電解めっき法によって行われる。無電解めっき法では、ポリイミド膜５４の表面に付着性の良い金属膜を形成することができないため、専ら開口５３内においてパッド５２上に金または銅などの良導体の厚膜を成長させることにより、バンプ５５が形成される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、無電解めっき法による厚膜の形成には長時間を要するので、ポリイミド膜５４に形成された開口５３を埋めて、かつ、ポリイミド膜５４の表面から隆起するバンプ５５の形成には、極めて長い時間を要する。そのため、半導体チップの製造に要する時間が長いという問題があった。
そこで、この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、接続部材を有する半導体装置の生産性を向上することができる半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１の発明は、電気接続用のパッドが設けられた半導体基板上に、上記パッドを露出させるパッド用開口を有する第１の絶縁膜を形成する工程と、上記第１の絶縁膜上に上記パッドと接続する第１の導体膜を形成する工程と、
上記第１の導体膜上に、第２の絶縁膜を形成する工程と、上記第２の絶縁膜に、上記第１の導体膜をスクライブライン領域で露出させる第１のスクライブライン領域開口と、上記第１の導体膜を所定の接続領域で露出させる第１の接続領域開口とを形成する工程と、上記第１のスクライブライン領域開口から上記第１の導体膜に給電して、上記第１の接続領域開口において上記第１の導体膜に接続された第１の接続部材を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【０００６】
請求項２記載の発明は、上記第１の接続領域開口が、上記パッドよりも上記スクライブライン領域側に形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法である。
請求項３記載の発明は、上記第１の絶縁膜がポリイミド樹脂からなり、上記第１の導体膜を形成する工程が、上記第１の絶縁膜の表面および上記パッド用開口の内壁面を改質する工程と、上記第１の絶縁膜の表面、上記パッド用開口の内壁面、および上記パッド用開口の底面において露出する上記パッドの表面を被覆する第１の薄い導体膜をイオン交換反応によって形成する工程と、上記第１の薄い導体膜を用いて給電を行う電解めっき法によって、上記第１の薄い導体膜を厚膜化する工程とを含むことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法である。
【０００７】
請求項４記載の発明は、上記第１の接続部材が、他の固体装置との接続のためのバンプであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法である。
請求項５記載の発明は、上記第１の接続部材は、上記第２の絶縁膜の上記第１の接続領域開口の底面において上記第１の導体膜に接続されているとともに、上記第１の接続領域開口外の上記第２の絶縁膜の表面にまで延びて形成された第２の導体膜であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法である。
【０００８】
請求項６記載の発明は、上記第２の絶縁膜がポリイミド樹脂からなり、上記第２の導体膜を形成する工程が、上記第２の絶縁膜の表面、上記第１のスクライブライン領域開口の内壁面、および上記第１の接続領域開口の内壁面を改質する工程と、上記第２の絶縁膜の表面、上記第１のスクライブライン領域開口の内壁面、上記第１のスクライブライン領域開口の底面において露出する上記第１の導体膜の表面、上記第１の接続領域開口の内壁面、および上記第１の接続領域開口の底面において露出する上記第１の導体膜の表面を被覆する第２の薄い導体膜をイオン交換反応によって形成する工程と、上記第２の薄い導体膜を用いて給電を行う電解めっき法によって、上記第２の薄い導体膜を厚膜化する工程とを含むことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法である。
【０００９】
請求項７記載の発明は、上記第２の導体膜上に、第３の絶縁膜を形成する工程と、上記第３の絶縁膜に、上記第２の導体膜をスクライブライン領域で露出させる第２のスクライブライン領域開口と、上記第２の導体膜を所定の第２の接続領域で露出させる第２の接続領域開口とを形成する工程と、上記第２のスクライブライン領域開口から露出する上記第２の導体膜から給電して、上記第２の接続領域開口において上記第２の導体膜に接続された第２の接続部材を形成する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項５または６記載の半導体装置の製造方法である。
【００１０】
請求項８記載の発明は、上記第２の接続領域開口が、上記パッドに対して上記第１の接続領域開口とは反対側に形成されることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法である。
請求項９記載の発明は、上記第２の接続部材が、他の固体装置との接続のためのバンプであることを特徴とする請求項７または８記載の半導体装置の製造方法である。
【００１１】
請求項１０記載の発明は、半導体基板上に設けられた電気接続用のパッドと、上記半導体基板の表面を被覆するとともに、上記パッドを露出させるパッド用開口を有する第１の絶縁膜と、この第１の絶縁膜の上記パッド用開口の底面において上記パッドに接合されているとともに、上記パッド用開口外の上記第１の絶縁膜の表面にまで延びて形成された第１の導体膜と、この第１の導体膜を被覆するとともに、この第１の導体膜をスクライブライン領域で露出させる第１のスクライブライン領域開口と、上記第１の導体膜を所定の接続領域で露出させる第１の接続領域開口とを有する第２の絶縁膜と、この第２の絶縁膜の上記第１の接続領域開口内において上記第１の導体膜と接合されるように配置された第１の接続部材とを含むことを特徴とする半導体装置である。
【００１２】
このような半導体装置は、たとえば、電気接続用のパッドが設けられた半導体基板の表面を、上記パッドを露出させるパッド用開口を有する第１の絶縁膜で被覆する工程と、この第１の絶縁膜の表面および上記パッド用開口の内壁面を改質する工程と、上記第１の絶縁膜の表面、上記パッド用開口の内壁面、および上記パッド開口の底面において露出する上記パッドの表面を被覆する第１の薄い導体膜をイオン交換反応によって形成する工程と、上記第１の薄い導体膜を用いて給電を行う電解めっき法によって、上記第１の薄い導体膜を厚膜化する工程と、上記厚膜化によって形成された第１の導体膜を被覆するとともに、この第１の導体膜をスクライブライン領域で露出させる第１のスクライブライン領域開口と、上記第１の導体膜を所定の接続領域で露出させる第１の接続領域開口とを有する第２の絶縁膜を形成する工程と、上記第２の絶縁膜の上記第１の接続領域開口内において上記第１の導体膜と接合される第１の接続部材を形成する工程とを含む製造方法により作製することができる。
【００１３】
この方法によれば、第１の絶縁膜の表面およびこの第１の絶縁膜に形成されたパッド用開口の内壁面を改質することにより、この改質された表面には、イオン交換反応を利用することによって、付着性の良い第１の薄い導体膜を形成することができる。この第１の薄い導体膜を用いて給電を行うことができるので、電解めっき法によって、この第１の薄い導体膜を厚膜化して第１の導体膜を形成することができる。電解めっき法による導体膜の厚膜化は、短時間で行えるので、結果として、付着性の良い厚膜状の第１の導体膜を第１の絶縁膜上に速やかに形成できる。その後は、第１の導体膜を第２の絶縁膜で被覆し、この第２の絶縁膜に第１の接続領域開口を形成して、この第１の接続領域開口内において上記第１の導体膜と接合される第１の接続部材を形成すればよい。
【００１４】
上記第１の絶縁膜の表面改質処理は、第１の絶縁膜の表面にカチオン交換基を導入する処理であってもよい。この表面改質処理が施された第１の絶縁膜の表面を、第１の薄い導体膜を構成すべき金属材料のイオンを含む水溶液に接触させることにより、イオン交換反応を生じさせることができる。このイオン交換反応により、金属イオンがカチオン交換基と置き換わって、第１の絶縁膜の表面に吸着される。
【００１５】
請求項１１に記載されているように、上記第１の接続領域開口が、上記パッドよりも上記スクライブライン領域側に形成されていてもよい。
また、請求項１２に記載されているように、上記第１の接続部材は、他の固体装置（たとえば別の半導体チップまたは配線基板）との接続のためのバンプであってもよい。
また、請求項１３に記載されているように、上記第１の接続部材は、上記第２の絶縁膜の上記第１の接続領域開口の底面において上記第１の導体膜に接合されているとともに、上記第１の接続領域開口外の上記第２の絶縁膜の表面にまで延びて形成された第２の導体膜であってもよい。この場合には、第２の絶縁膜によって絶縁された２層の導体膜によって、いわゆる多層配線構造が構成されることになる。
【００１６】
上記第１の絶縁膜はポリイミド樹脂からなっていてもよい。この場合には、第１の絶縁膜の表面およびこの第１の絶縁膜に形成された開口の内壁面の改質処理は、たとえば、水酸化カリウム水溶液を用いてポリイミド樹脂のイミド環を開裂させ、第１の絶縁膜の表面にカチオン交換基としてのカルボキシル基を導入する処理であってもよい。この後に、前記第１の薄い導体膜を構成する金属材料のイオンを含む水溶液中に第１の絶縁膜を浸漬することによって、第１の絶縁膜の表面においてイオン交換反応を生じさせることができ、当該金属材料からなる第１の薄い導体膜を第１の絶縁膜の表面およびパッド用開口の内壁面ならびにパッドの表面に形成することができる。
【００１７】
第１の絶縁膜の材料には、ポリイミド樹脂のほかにも、たとえばエポキシ樹脂を採用することができる。この場合には、第１の絶縁膜の表面改質処理は、第１の絶縁膜を硫酸水溶液中に浸漬することによって、その表面にカチオン交換基としてのスルホ基を導入する処理であってもよい。このようにして表面改質処理されたエポキシ樹脂膜を、金属イオンを含む水溶液中に浸漬してイオン交換反応を起こさせると、この金属イオンが第１の絶縁膜の表面に吸着される。
【００１８】
第１の絶縁膜の材料には、他にも、イミド結合もしくはアシド結合またはイミド結合およびアシド結合の両方を含む樹脂を用いることができる。
上記第２の絶縁膜には、第１の絶縁膜の場合と同様に、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂、この他にも、イミド結合もしくはアシド結合またはイミド結合およびアシド結合の両方を含む樹脂を構成材料として用いることができる。特に、第２の絶縁膜によって絶縁された一対の導体膜を用いて多層配線構造を形成する場合には、第２の絶縁膜の構成材料として、ポリイミド樹脂またはエポキシ樹脂を用い、上述のような表面改質処理を、第２の絶縁膜の表面およびその開口（第１のスクライブライン領域開口および第１の接続領域開口）の内壁面に対して施すことが好ましい。
【００１９】
請求項１４に記載されているように、前記半導体装置は、上記第２の導体膜上に形成され、上記第２の導体膜をスクライブライン領域で露出させる第２のスクライブライン領域開口と、上記第２の導体膜を所定の第２の接続領域で露出させる第２の接続領域開口とを有する第３の絶縁膜と、上記第２の接続領域開口において上記第２の導体膜に接続された第２の接続部材とをさらに含んでいてもよい。
【００２０】
この場合に、請求項１５に記載されているように、上記第２の接続領域開口は、上記パッドに対して上記第１の接続領域開口とは反対側に形成されていてもよい。
また、請求項１６に記載されているように、上記第２の接続部材は、他の固体装置との接続のためのバンプであってもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。半導体ウエハＷ（半導体基板）の表面には、複数個の半導体チップに対応した複数の素子形成領域が設けられており、この複数の素子形成領域は、スクライブライン領域Ｌによって区分されている。このスクライブライン領域Ｌは、ダイシングソーによって、ウエハＷから個々の半導体チップを切り出すときの切断線に沿った領域である。
【００２２】
個々の半導体チップに対応した素子形成領域には、別の固体装置（半導体チップまたは配線基板など）との電気接続のためのパッドＰが活性面Ｗａに設けられている。このパッドＰは、活性面Ｗａを覆う第１のポリイミド膜１１（第１の絶縁膜）に形成された開口１１ａ（パッド用開口）から露出している。パッドＰは、活性面Ｗａに作り込まれたトランジスタや抵抗器などの機能素子で構成された内部回路に電気接続された内部配線の一部を露出させたものである。
【００２３】
活性面Ｗａに第１のポリイミド膜１１が形成された図１(ａ)の状態から、図１(ｂ)に示すように、薄い導体膜２１ａ（第１の薄い導体膜）が形成される。この薄い導体膜２１ａの形成には、たとえば、たとえば、「ポリイミド樹脂およびエポキシ樹脂の表面改質を利用するDirect Metallizationに関する基礎的研究」（縄舟他，エレクトロニクス実装学会誌Vol.2 No.5(1999),pp390-393）および「ポリイミド樹脂の表面改質を利用するCo/Pt多層膜の作製および磁気的特性」（田村他，表面技術協会第９９回講演大会要旨集(1999),pp35-36）などで報告されている方法を適用することができる。
【００２４】
すなわち、第１のポリイミド膜１１の表面および開口１１ａの内壁面に対して、表面改質処理が施される。この表面改質処理は、具体的には、第１のポリイミド膜１１が形成された図１(ａ)の状態の半導体ウエハＷを水酸化カリウム水溶液中に浸漬させることにより、第１のポリイミド膜１１の表層部分におけるイミド環を開裂させ、この第１のポリイミド膜１１の表面にカルボキシル基を導入することによって行われる。
【００２５】
このようにして表面改質処理が施された第１のポリイミド膜１１の表面および開口１１ａの内壁面ならびに開口１１ａの底面において露出するパッドＰの表面に対して、イオン交換反応により、薄い導体膜２１ａを良好な付着性で設けることができる。このイオン交換反応は、たとえば、第１のポリイミド膜１１に対して表面改質処理を施した後の状態の半導体ウエハＷを、金属イオンを含む水溶液中に浸漬させることによって行える。たとえば、硫酸銅の水溶液中に浸漬すれば、薄い導体膜２１ａとしての銅薄膜を第１のポリイミド膜１１の表面およびその開口１１ａの内壁面ならびにパッドＰの表面に設けることができる。
【００２６】
こうして第１のポリイミド膜１１の表面に薄い導体膜２１ａが形成された後には、この薄い導体膜２１ａを用いて給電を行う電解めっき法により、図１(ｃ)に示すように、厚い導体膜２１が形成される。すなわち、電解めっき法によって薄い導体膜２１ａを厚膜化することによって、低抵抗化された導体膜２１が第１のポリイミド膜１１の表面に形成されることになる。電解めっきの時の給電は、スクライブライン領域Ｌにおける薄い導体膜２１ａを電極に接続することによって行える。
【００２７】
電解めっき法による薄い導体膜２１ａの厚膜化は短時間で行うことができるから、イオン交換反応による薄い導体膜２１の形成およびその厚膜化を経て形成される導体膜２１は、短時間の工程で形成できる。
次に、図１(ｄ)に示すように、第１のポリイミド膜１１の表面にレジスト膜１５がパターン形成される。このレジスト膜１５の形成に先だって、薄い導体膜２１ａ厚膜化して形成された導体膜２１において開口１１ａに対応する部分に形成されている窪み２５に絶縁材１７が埋め込まれてもよい。
【００２８】
次いで、レジスト１５をマスクとして用いたエッチングによって、導体膜２１がパターニングされる。この後、図１(ｅ)に示すように、レジスト１５が剥離され、導体膜２１の表面と、この導体膜２１の不要部分をエッチング除去することによって露出した第１のポリイミド膜１１の表面とを被覆するように、第２のポリイミド膜１２（第２の絶縁膜）が形成される。この第２のポリイミド膜１２には、第１のポリイミド膜１１の開口１１ａを避けた位置に設定された所定の接続領域に、開口１２ａ（第１の接続領域開口）が形成される。そして、この開口１２ａ内にバンプＢが設けられる。開口１２ａは、この実施形態では、パッドＰよりもスクライブライン領域Ｌ側に形成される。
【００２９】
スクライブライン領域Ｌにおいて第２のポリイミド膜１２に開口１１ｂ（第１のスクライブライン領域開口）を形成して導体膜２１を露出させておけば、バンプＢは、開口１１ｂから露出する導体膜２１から給電することによって行う電解めっきにより、速やかに形成することができる。バンプＢは、電解めっき法による速やかな工程によって、開口１２ａを埋め尽くし、さらに第２のポリイミド膜１２の表面から隆起した厚膜状に形成される。
【００３０】
この後、スクライブライン領域Ｌに沿ってダイシングソーでウエハＷを切断することによって、半導体チップの個片が得られる。
以上のように、この実施形態によれば、第１のポリイミド膜１１の表面改質処理と、この表面改質処理後の第１のポリイミド膜１１の表面に対するイオン交換反応とによって、薄い導体膜２１ａが形成される。そして、この薄い導体膜２１ａを厚膜化することによって、低抵抗化された導体膜２１を第１のポリイミド膜１１上に設けることができる。イオン交換反応による薄い導体膜２１ａの形成にはさほどの時間を要せず、また、電解めっきによる薄い導体膜２１ａの厚膜化は速やかに行える。これにより、半導体チップの生産性を向上することができる。
【００３１】
この実施形態の方法に従って作製された半導体チップは、図１(ｅ)に示すように、第１のポリイミド膜１１に形成された開口１１ａからずれた位置に、他の固体装置との接続部材としてのバンプＢを有することになる。その結果、バンプＢと半導体基板としてのウエハＷの活性面Ｗａとの間に、第１のポリイミド膜１１が介在されることになる。このような構造は、他の固体装置と接合された場合に、バンプＢが受ける圧力が、半導体基板（ウエハＷ）に直接作用しない点において有利である。また、他の固体装置と当該半導体チップの活性面Ｗａとの間に、第１および第２のポリイミド膜１１，１２が介在されることになるから、これらにより、固体装置と当該半導体チップとの熱膨張係数の差異を良好に吸収することができる。これにより、半導体基板に熱膨張差に起因する応力が作用することを効果的に抑制できる。
【００３２】
図２は、この発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図解的な断面図である。この図２において、上述の図１に示された各部に対応する部分には、図１の場合と同一の参照符号を付して示す。
この第２実施形態においては、ウエハＷ上に多層配線構造が形成される。すなわち、第２のポリイミド膜１２の表面には、第２の導体膜２２（第１の接続部材）が形成される。この第２の導体膜２２は、第２のポリイミド膜１２に形成された開口１２ａの底部において第１の導体膜２１と接合しており、開口１２ａの内壁面に沿って立ち上がり、さらに、第２のポリイミド膜１２の表面にまで延びている。
【００３３】
第２の導体膜２２は、第１の導体膜２１と同様なプロセスによって形成することができる。すなわち、第２のポリイミド膜１２の表面、開口１２ａの内壁面および開口１１ｂの内壁面の表面改質処理を、第１のポリイミド膜１１の表面改質処理の場合と同様にして行う。そして、このようにして表面改質処理の施された第２のポリイミド膜１２の表面、開口１２ａの内壁面および開口１１ｂの内壁面、ならびに開口１１ｂ，１２ｂの底面において露出する第１の導体膜２１の表面に、イオン交換反応を利用することにより、薄い導体膜（第２の薄い導体膜）が形成される。この薄い導体膜は、開口１１ｂおよび１２ａにおいて第１の導体膜２１に接触するから、この第１の導体膜２１および当該薄い導体膜からの給電によって、第２のポリイミド膜１２上に形成された当該薄い導体膜を電解めっき法により厚膜化して、厚膜状の導体膜２２を設けることができる。この第２の導体膜２２は、開口１２ａに対応した位置に窪み２６を有することになるが、この窪み２６には、必要に応じて絶縁材２７が充填される。
【００３４】
第２の導体膜２２は、必要に応じてパターニングされる。その後に、第２の導体膜２２と、この第２の導体膜２２のパターニングによって露出した第２のポリイミド膜１２の表面とを覆うように絶縁膜１３（第３の絶縁膜。たとえば、ポリイミド膜）が形成される。この絶縁膜１３には、開口１２ａを避けた位置に設定された所定の接続領域に開口１３ａ（第２の接続領域開口）が形成される。この開口１３ａには、バンプＢ（第２の接続部材）が埋め込まれる。スクライブラインＬにおいて第２の導体膜２２を露出させる絶縁膜１３に開口１３ｂ（第２のスクライブライン領域開口）を形成しておけば、バンプＢは、スクライブライン領域Ｌにおける第１の導体膜２１および第２の導体膜２２を介する給電によって行う電解めっき法により形成することができる。この実施形態では、バンプＢが埋め込まれる開口１３ａは、パッドＰに対して開口１２ａとは反対側に形成される。
【００３５】
このようにこの第２の実施形態によれば、ポリイミド膜の表面の改質処理とイオン交換反応による薄い導体膜の形成、および電解めっき法による薄い導体膜の厚膜化によって、ウエハＷ上に２層構造の配線を設けることができる。
以上、この発明の２つの実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上述の第１および第２の実施形態においては、第１および第２の絶縁膜の材料としてポリイミド樹脂を用いたが、エポキシ樹脂を用いることもできる。この場合には、表面改質処理は、硫酸水溶液にエポキシ樹脂の膜が形成されたウエハを浸漬することによって、エポキシ樹脂膜の表面にスルホ基を導入する処理であることが好ましい。そして、イオン交換反応によってこのスルホ基を金属イオンと交換させることにより、エポキシ樹脂膜の表面に薄い導体膜を形成することができる。
【００３６】
また、上述の第１および第２実施形態においては、第１および第２の導体膜２１，２２における窪み２５，２６に絶縁材１７，２７を充填しているけれども、この絶縁材１７，２７の充填は省略されてもよい。
また、導体膜２１，２２の材料には、銅のほかにも、コバルトやニッケルなどの他の良導性の金属材料を用いることができる。バンプＢの材料についても同様であるが、このバンプＢの材料には、導体膜２１，２２と同じ材料が用いられることが好ましい。
【００３７】
また、上述の第２の実施形態においては、ウエハＷの活性面Ｗａ上に２層構造の配線を設ける例について説明したが、３層以上の多層配線構造も同様にして形成することができる。
また、上述の第１および第２の実施形態においては、第１および第２の絶縁膜がいずれもポリイミド樹脂からなっている例について説明したが、これらは上述のとおりエポキシ樹脂からなっていてもよいし、第１および第２の絶縁膜が異なる絶縁性樹脂材料からなっていてもよい。
【００３８】
その他、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範囲で種々の変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図２】この発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図解的な断面図である。
【図３】半導体基板の活性面にバンプを形成するための従来技術を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１１      第１のポリイミド膜
１１ａ    開口
１２      第２のポリイミド膜
１２ａ    開口
１３      絶縁膜
１３ａ    開口
２１      第１の導体膜
２１ａ    薄い導体膜
２２      第２の導体膜
Ｂ        バンプ
Ｌ        スクライブライン領域
Ｐ        パッド
Ｗ        半導体ウエハ（半導体基板）
Ｗａ      活性面