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【手続補正書】
【提出日】平成19年3月6日(2007.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の主面上に規定された受光領域において、マトリクス状に形成された複数の受光素子と、
前記受光領域の上層に形成され、各前記受光素子のそれぞれに対応する複数の開口領域を有する遮光膜と、
各前記開口領域の上層に形成され、入射してくる光の内、所定の色を有する光のみを、対応する開口領域に透過する複数のカラーフィルタと、
互いに隣接する前記カラーフィルタ同士の間を壁面によって仕切る遮光壁とを備え、
前記遮光壁の壁面は、複数のカラーフィルタの内の、最も下層に位置するカラーフィルタの下層側の主面と、最も上層に位置するカラーフィルタの上層側の主面との間において連続した状態で存在することを特徴とする、固体撮像装置。
【請求項２】
前記遮光壁は、前記開口領域を挟んで互いに対向するもの同士の中点が、前記開口領域の中心に対して前記受光領域の中心方向にずれた状態となるように形成され、
前記開口領域を挟んで互いに対向する前記遮光壁同士の中点と、当該開口領域の中心とのずれ量は、前記受光領域の中心からの距離に応じた大きさであることを特徴とする、請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記開口領域を挟んで互いに対向する前記遮光パターン同士の中点と、当該開口領域の中心とのずれ量は、前記受光領域の中心から離れるに従って大きくなることを特徴とする、請求項２に記載の固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体撮像装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
以上のように、図１１に示す固体撮像装置では、フォトダイオード１０２上に、遮光膜１０３の開口部１０４に対応させてカラーフィルタ１０６をオンチップ形成することにより、カラー映像の撮像を可能としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図２に示すように、カラーフィルタ６は、入射してくる光のうち、特定の色の光のみをフォトダイオード２へと透過し、カラーフィルタ６ａ、カラーフィルタ６ｂおよびカラーフィルタ６ｃが存在する。３種類のカラーフィルタ６としては、例えば、Ｇｒｅｅｎの光を透過するものとＲｅｄの光を透過するものとＢｌｕｅの光を透過するものとが挙げられる。例えば、カラーフィルタ６ａがＧｒｅｅｎのカラーフィルタとなり、カラーフィルタ６ｂがＲｅｄのカラーフィルタとなり、カラーフィルタ６ｃがＢｌｕｅのカラーフィルタとなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
遮光壁７は、遮光性を有する材質で形成され、図１の斜光βがフォトダイオード２に入射して生じる混色を防止する役割を果たす。当該遮光壁７は、互いに隣接するカラーフィ
ルタ６同士の間を壁面によって仕切るように、遮光膜３の上層に形成される。なお、遮光壁７の壁面（図１では、遮光壁７の側面）は、少なくとも、カラーフィルタ６の下層側の主面と上層側の主面との間において、連続した状態で存在する必要がある。これにより、斜光がフォトダイオード２に入射することを有効に防止できる。なお、図１のように全てのカラーフィルタ６が同一の平面に形成されるのではなく、図１２に示すように、カラーフィルタが複数の層に存在する場合がある。この場合には、遮光壁７は、複数のカラーフィルタ６の内の、最も下層に位置するカラーフィルタの下層側の主面と、最も上層に位置するカラーフィルタの上層側の主面との間において連続した状態で存在しなければならない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
最後に、平坦化膜８の上層にオンチップマイクロレンズ９を形成する。具体的には、熱溶融性透明樹脂やその上部のレジスト熱リフロー転写により、オンチップマイクロレンズ９を形成する。以上のような工程を経て、図３に示すような構造を有する固体撮像装置が完成する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月28日(2007.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と、蓋部と、受止部とを有し、
前記基部は、気体または液体を導入するための導入口と、不要になった前記気体または前記液体を排出するための排出口とを有し、
前記受止部は、前記導入口から前記気体または前記液体を導入して被処理物を処理したときに、前記被処理物から分離した層を受け止めることができるように、前記基部と前記蓋部とに囲まれた内部に設置されている
ことを特徴とする処理用器具。
【請求項２】
基部と、蓋部と、受止部とを有し、
前記基部は、気体または液体を導入するための導入口と、不要になった前記気体または前記液体を排出するための排出口とを有し、
前記基部と前記蓋部とに囲まれた内部において、
前記受止部は、前記導入口から前記気体または前記液体を導入して被処理物を処理するときに、前記被処理物と対向するように設置されている
ことを特徴とする処理用器具。
【請求項３】
支持部と、気体または液体を導入するための導入口と、不要になった前記気体または前記液体を排出するための排出口とが設けられた基部と、
蓋部と、
前記支持部に設置され、一部が前記基部の側板部に囲まれた内側に落ち込んだ受止部とを有し、
前記基部と前記蓋部とに囲まれた内部において、
前記導入口から前記気体または前記液体を導入して被処理物を処理するときに、前記被処理物は、前記支持部上に、前記受止部と対向するように設置される
ことを特徴とする処理用器具。
【請求項４】
基部と、受止部と、固定部とを有し、
前記基部は、気体または液体を導入するための導入口と、不要になった前記気体または前記液体を排出するための排出口とを有し、
前記受止部は、前記基部と前記固定部との間に被処理物の一部を挟むことによって前記被処理物を固定した状態で前記導入口から前記気体または前記液体を導入して前記被処理物を処理するときに、前記被処理物から分離した層を受け止めることができるように、前記基部と前記固定部とに囲まれた内部に設置されている
ことを特徴とする処理用器具。
【請求項５】
基部と、受止部と、固定部とを有し、
前記基部は、気体または液体を導入するための導入口と、不要になった前記気体または前記液体を排出するための排出口とを有し、
前記受止部は、前記基部と前記固定部との間に被処理物の一部を挟むことによって前記被処理物を固定した状態で、前記導入口から前記気体または前記液体を導入して前記被処理物を処理するときに、前記基部と前記被処理物とに囲まれた内部において前記被処理物と対向するように設置されている
ことを特徴とする処理用器具。
【請求項６】
複数の孔が設けられた前記受止部を有することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の処理用器具。
【請求項７】
筐体内に設置された複数の処理用器具と
前記処理用器具ごとに気体または液体を独立して供給する制御手段とを含み、
前記処理用器具は、
前記気体または前記液体を導入するための導入口と、不要になった前記気体または前記液体を排出するための排出口とを有する基部と、
蓋部と、
前記導入口から前記気体または前記液体を導入して被処理物を処理したときに、前記被処理物から分離した層を受け止めることができるように、前記基部と前記蓋部とに囲まれた内部に設置されている受止部と
を有することを特徴とするエッチング装置。
【請求項８】
筐体内に設置された複数の処理用器具と
前記処理用器具ごとに気体または液体を独立して供給する制御手段とを含み、
前記処理用器具は、
前記気体または前記液体を導入するための導入口と、不要になった前記気体または前記液体を排出するための排出口とを有する基部と、
蓋部と、
前記導入口から前記気体または前記液体を導入して被処理物を処理するときに前記基部と前記蓋部とに囲まれた内部において前記被処理物と対向するように設置されている受止部と
を有することを特徴とするエッチング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月22日(2007.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、コレクタに抵抗が接続された抵抗内蔵バイポーラトランジスタ及び同一チップに複数個の抵抗内蔵バイポーラトランジスタを容易に形成可能なバイポーラトランジスタの構造を提供するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
したがって、上記（Ｂ）の構成を採用した場合は、コレクタに抵抗が接続された抵抗内蔵バイポーラトランジスタ及び同一チップに複数個の抵抗内蔵バイポーラトランジスタを容易に形成することが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明による抵抗内蔵バイポーラトランジスタの実施の形態を、ＮPN型の場合を例にとり、図７にて説明する。高不純物濃度のN型（以下N＋型と称する）半導体基板11上に、上記半導体基板11より低濃度のＰ型半導体層12が形成され、N＋型不純物領域13が上記低濃度のＰ型半導体層12の周囲を囲むように形成される。上記Ｐ型半導体層12の一部上に、Ｎ＋型不純物領域15が形成される。さらに、前記N＋型半導体基板1の一部上に絶縁層16を介して抵抗となる半導体層17が形成され、配線電極18、19、20が形成されることにより、本発明による抵抗内蔵バイポーラトランジスタが形成される。なお、必要に応じて、上記Ｐ型半導体層12の一部上に、P＋型不純物領域14を形成することも可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本構造の場合は、半導体基板1；エミッタ、Ｐ型半導体層2；ベース、Ｎ＋型不純物領域4；コレクタとした構成が可能であり、図８に示す等価回路のように抵抗がコレクタに接続された抵抗内蔵バイポーラトランジスタを構成することが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
次に、本発明による抵抗内蔵バイポーラトランジスタの製造方法を説明する。まず、図９に示すようにN＋型のシリコン基板11を用意し、エピタキシャル成長によりＰ型半導体層12を形成する。これらの各領域の具体的な不純物濃度としては、例えば、N＋型半導体基板11；1×1018 cm-3〜1×10 20 cm-3、Ｐ型半導体層12；2×1014cm-3 〜4×1016cm-3等である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
次に、図１３に示すように、熱酸化、又はＣＶＤ（化学的気相成長法）等により、シリコン酸化膜16を8000オングストローム（10−10ｍ）程度形成し、このシリコン酸化膜16の一部上に多結晶シリコンを5000オングストローム（10−10ｍ）程度堆積し、適当な形状のパターンの形成及び不純物注入を行うことにより、抵抗17を形成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
次に、図１４に示すように、シリコン酸化膜16の適当な箇所にコンタクト孔を形成し、アルミニウム等による配線電極18、19、20を形成することにより、本発明による抵抗内蔵バイポーラトランジスタが完成する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月23日(2007.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜用の基板を支持する載置台と、
パルスレーザ光を発生する少なくとも一つの光源と、
成膜用原料よりなるターゲットを支持するターゲット配設部を有し、前記載置台上の基板の表面に対して相対的に変位可能な局所成膜部と、
前記ターゲット配設部に支持されたターゲットに向けてパルスレーザ光を導く第１光学系と
を備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
浮上用ガスにより前記局所成膜部を前記基板に対して浮上させる浮上機構を備えた
ことを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記浮上機構は、前記浮上用ガスを前記基板に向けて吹き出す通気手段と、前記浮上用ガスを吸引する吸引手段とを備えた
ことを特徴とする請求項２記載の成膜装置。
【請求項４】
前記局所成膜部は、中央に成膜室を有しており、前記ターゲット配設部は前記成膜室内に設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項５】
前記局所成膜部は、前記光源からのパルスレーザ光を前記成膜室へと導く導入路を有し、前記導入路は、前記載置台上の基板に対して略平行に前記局所成膜部を貫通して前記成膜室に通じている
ことを特徴とする請求項４記載の成膜装置。
【請求項６】
前記ターゲット配設部の取付面と前記導入路の成膜室側出口とは、前記成膜室内において対向する位置に配置されている
ことを特徴とする請求項５記載の成膜装置。
【請求項７】
前記ターゲット配設部の取付面は、前記載置台の表面に対して傾斜しており、前記ターゲットに対してパルスレーザ光が斜めに照射される
ことを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項８】
前記ターゲット配設部は複数の取付面を有し、前記複数の取付面のいずれか一つが、前記導入路の成膜室側出口に対向する位置に交替可能に移動する
ことを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項９】
前記成膜室の上面に設けられた窓と、
前記光源からのパルスレーザ光を前記窓を介して前記載置台上の基板の表面に対して略垂直に入射させる第２光学系と
を備えたことを特徴とする請求項４記載の成膜装置。
【請求項１０】
前記光源からのパルスレーザ光の進路を、前記第１光学系と前記第２光学系との間で切り替える進路切替部を備えた
ことを特徴とする請求項９記載の成膜装置。
【請求項１１】
前記光源から射出されるパルスレーザ光のパルス幅は、ピコ秒またはフェムト秒オーダーである
ことを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項１２】
前記ターゲットとして、金属単体および合金，金属酸化物並びに金属窒化物のうちの少なくとも１種よりなるものを用いる
ことを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項１３】
前記ターゲットとして、アルミニウム（Ａｌ）および銅（Ｃｕ）のうちの少なくとも１種よりなるものを用いる
ことを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項１４】
ＴＦＴアレイ基板の配線パターンの欠陥部分に修復膜を形成するＴＦＴアレイ基板の製造方法であって、
成膜用の基板を載置台に支持させる一方、局所成膜部のターゲット配設部に成膜用原料よりなるターゲットを支持させたのち、前記局所成膜部を前記載置台上の基板の表面に対して相対的に変位させることにより前記局所成膜部を前記欠陥部分に対向させ、少なくとも一つの光源からパルスレーザ光を発生させ、前記パルスレーザ光を第１光学系により前記ターゲット配設部に支持されたターゲットに向けて導き、前記ターゲットの前記パルスレーザ光が照射された位置から成膜用原料を蒸発させて前記欠陥部分を前記修復膜で結線する
ことを特徴とするＴＦＴアレイ基板の製造方法。
【請求項１５】
前記欠陥部分を前記修復膜により結線したのち、前記光源によりパルスレーザ光を発生させ、前記パルスレーザ光を第２光学系により前記ＴＦＴアレイ基板の表面に対して略垂直に入射させることにより、前記修復膜の不要な部分を選択的に除去して整形する
ことを特徴とする請求項１４記載のＴＦＴアレイ基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】成膜装置およびＴＦＴアレイ基板の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、パルスレーザ光をターゲットに照射して蒸発させることにより基板上に薄膜を形成する成膜装置およびこれを用いたＴＦＴアレイ基板の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、簡素な装置構成で、広範囲の成膜用原料を用いて安全に成膜を行うことができる成膜装置およびこれを用いたＴＦＴアレイ基板の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明による成膜装置は、成膜用の基板を支持する載置台と、パルスレーザ光を発生する少なくとも一つの光源と、成膜用原料よりなるターゲットを支持するターゲット配設部を有し、載置台上の基板の表面に対して相対的に変位可能な局所成膜部と、ターゲット配設部に支持されたターゲットに向けてパルスレーザ光を導く第１光学系とを備えたものである。
本発明によるＴＦＴアレイ基板の製造方法は、ＴＦＴアレイ基板の配線パターンの欠陥部分に修復膜を形成するものであって、成膜用の基板を載置台に支持させる一方、局所成膜部のターゲット配設部に成膜用原料よりなるターゲットを支持させたのち、局所成膜部を載置台上の基板の表面に対して相対的に変位させることにより局所成膜部を欠陥部分に対向させ、少なくとも一つの光源からパルスレーザ光を発生させ、パルスレーザ光を第１光学系によりターゲット配設部に支持されたターゲットに向けて導き、ターゲットのパルスレーザ光が照射された位置から成膜用原料を蒸発させて欠陥部分を修復膜で結線するようにしたものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の成膜装置または本発明のＴＦＴアレイ基板の製造方法によれば、局所成膜部に、成膜用原料よりなるターゲットを支持するターゲット配設部を設け、パルスレーザ光をターゲットに照射して成膜を行うようにしたので、従来のレーザＣＶＤ法で用いられているような成膜用原料の気化装置、有毒ガスあるいは発火性ガスの除害装置、または温度管理されたガス配管などは不要となる。よって、装置構成を簡素化し、維持管理コストの削減を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月30日(2007.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に、活性層を含むコア領域を有する窒化物半導体素子であって、
前記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層の内の少なくとも一方に、前記コア領域の最外層から順に第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とを有しており、
前記コア領域の最外層と前記第１の窒化物半導体層との間及び前記第１の窒化物半導体層と前記第２の窒化物半導体層との間に屈折率差を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】
第１の窒化物半導体層は前記コア領域の最外層よりも屈折率が低い請求項１に記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】
第２の窒化物半導体層は第１の窒化物半導体層よりも屈折率が低い請求項１又は２に記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】
コア領域の最外層と第１の窒化物半導体層との屈折率差（Δｎ１）は、０．００４〜０．０３である請求項１〜３のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
【請求項５】
第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層との屈折率差（Δｎ２）は、０．００４〜０．０３である請求項１〜４のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
【請求項６】
第ｍ（ｍ≧２）のｎ型窒化物半導体層と第１のｐ型窒化物半導体層との屈折率差（Δｎ）は、０．００４〜０．０３である請求項６に記載の窒化物半導体素子。
【請求項７】
第ｍ（ｍ≧２）のｎ型窒化物半導体層と前記コア領域の最外層との屈折率差（Δｎｍ）は、０．００７〜０．０５である請求項６又は７に記載の窒化物半導体素子。
【請求項８】
ｎ型窒化物半導体層は、コア領域の最外層に接した第１のｎ型窒化物半導体層から順に第ｍ（ｍ≧２）のｎ型窒化物半導体層を有しており、
ｐ型窒化物半導体層は、前記コア領域の最外層に接した第１のｐ型窒化物半導体層を有しており、
第ｍ（ｍ≧２）のｎ型窒化物半導体層の屈折率は、第１のｐ型窒化物半導体層の屈折率より高い請求項１〜５のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
【請求項９】
第１の窒化物半導体層及び／又は前記第２の窒化物半導体層は、Ａｌを含む窒化物半導体からなる請求項１〜８のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
【請求項１０】
第１の窒化物半導体層及び／又は第２の窒化物半導体層は、少なくとも１０００Åの膜厚を有する請求項１〜９のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
【請求項１１】
第１の窒化物半導体層及び／又は前記第２の窒化物半導体層は、Ａｌを含む窒化物半導体層と、該Ａｌを含む窒化物半導体層とは組成の異なる窒化物半導体層との超格子構造からなる請求項１〜１０のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
【請求項１２】
第１の窒化物半導体層は、コア領域の最外層から５００〜５０００Å程度の位置にある請求項１〜１１のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに、ｎ型窒化物半導体層は、コア領域の最外層に接した第１のｎ型窒化物半導体層から順に第ｍ（ｍ≧２）のｎ型窒化物半導体層を有しており、ｐ型窒化物半導体層は、前記コア領域の最外層に接した第１のｐ型窒化物半導体層を有しており、第ｍ（ｍ≧２）のｎ型窒化物半導体層の屈折率は、第１のｐ型窒化物半導体層の屈折率より高い構成とすることができる。
また、第１の窒化物半導体層及び／又は前記第２の窒化物半導体層は、Ａｌを含む窒化物半導体からなることが好ましく、特に、第１の窒化物半導体層及び／又は前記第２の窒化物半導体層は、少なくとも１０００Åの膜厚を有するか、あるいは、Ａｌを含む窒化物半導体層と、該Ａｌを含む窒化物半導体層とは組成の異なる窒化物半導体層との超格子構造からなることが好ましい。
さらに、第１の窒化物半導体層は、コア領域の最外層から５００〜５０００Å程度の位置にあることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月28日(2007.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギー線を発生するエネルギー線発生部、被照射体にエネルギー線を照射する照射部、前記エネルギー線発生部と前記照射部との間に配置された差動排気部、を備えることを特徴とするエネルギー線照射装置。
【請求項２】
差動排気部が、エネルギー線の進行方向に対して斜めに横切る遮蔽板により、第１のチャンバーと第２のチャンバーを形成するように仕切られており、第１のチャンバーおよび第２のチャンバーがそれぞれ排気口を備えていることを特徴とする、請求項１に記載のエネルギー線照射装置。
【請求項３】
複数の差動排気部を有することを特徴とする、請求項１または２に記載のエネルギー線照射装置。
【請求項４】
０．１Ｐａ以上の圧力下でエネルギー線を照射することを特徴とする、請求項３に記載のエネルギー線照射装置。
【請求項５】
不活性ガスの存在下でエネルギー線を照射することを特徴とする、請求項４に記載のエネルギー線照射装置。
【請求項６】
エネルギー線の断面形状の短軸方向に被照射体を移動させることによりエネルギー線を照射することを特徴とする、請求項５に記載のエネルギー線照射装置。
【請求項７】
被照射体の移動速度を変化させることにより、被照射体に照射されるエネルギー線量を変化させることを特徴とする、請求項６に記載のエネルギー線照射装置。
【請求項８】
エネルギー線の照射に用いる差動排気装置であって、エネルギー線の進行方向に対して斜めに横切る遮蔽板により、前記差動排気装置が第１のチャンバーと第２のチャンバーを形成するように仕切られており、第１のチャンバーおよび第２のチャンバーがそれぞれ排気口を備えていることを特徴とする、差動排気装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月27日(2007.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（Ｃ）成分である白金(II)ビス（アセチルアセトナート）は、本発明の半導体素子封止剤の特徴ある成分であり、（Ａ）成分のケイ素原子結合アルケニル基と（Ｂ）成分のケイ素原子結合水素原子間の付加反応、すなわち、ヒドロシリル化反応の触媒であり、本発明の半導体素子被覆剤を硬化させる作用をする。白金(II)ビス（アセチルアセトナート）は、例えば塩化白金酸の炭化水素溶媒溶液にアセチルアセトンを投入して撹拌し、該炭化水素溶媒を留去することにより容易に製造することができるが、添加量が微量なので、炭化水素溶剤に溶解して使用することが好ましい。なお、（Ｃ）成分の添加量は触媒量であり、所望の硬化速度が得られるように適宣調節すればよいが、良好な硬化物を得るために、（Ａ）成分１００重量部に対して、（Ｃ）成分中の白金金属量として１〜１００重量ｐｐｍの範囲であることが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（Ｅ）成分である有機ケイ素化合物系接着促進剤は、半導体素子封止剤が硬化するときの半導体素子等への接着性を向上させるための任意成分である。代表例として、アルケニル基、メタクリロキシアルキル基、グリシドキシアルキル基およびケイ素原子結合水素原子からなる群から選択される基とケイ素原子結合アルコキシ基とを有する有機ケイ素化合物がある。有機ケイ素化合物は、シラン、シロキサンオリゴマー、ポリシロキサンのいずれであってもよい。このような（Ｅ）成分の有機ケイ素化合物系接着促進剤として、具体的には、式：ＣＨ2＝ＣＨ‐Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、ＣＨ2＝ＣＨ‐ＣＨ2‐Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3で例示されるアルケニル基とケイ素原子結合アルコキシ基とを有するオルガノシラン、アルケニル基とケイ素原子結合アルコキシ基とを有するオルガノシロキサンオリゴマー
；式： ＣＨ2＝ＣＨ（ＣＨ３）ＣＯＯ‐（ＣＨ2）３‐Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3
で示されるメタクリロキシアルキル基とケイ素原子結合アルコキシ基とを有するオルガノシラン、メタクリロキシアルキル基とケイ素原子結合アルコキシ基とを有するオルガノシロキサンオリゴマー；
式：３‐グリシドキシプロピルトリメトキシシランで例示されるケイ素原子結合アルコキシ基とエポキシ基とを有するオルガノシラン、３‐グリシドキシプロピル基とケイ素原子結合アルコキシ基を有するオルガノシロキサンオリゴマー；
式：ＨＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）3で例示されるケイ素原子結合水素原子とケイ素原子結合アルコキシ基とを有する有機ケイ素化合物、ケイ素原子結合水素原子とケイ素原子結合アルコキシ基とを有するオルガノシロキサンオリゴマー；
シロキサン単位式：(ViMeSiO2/2)a(MeO1/2)b(GSiO3/2)c
（式中、Viはビニル基、Meはメチル基、Gはグリシジドキシプロピル基、ａ、ｂおよびｃは1以下の正数であり合計１である。）で示されるオルガノシロキサンオリゴマー、
シロキサン単位式：(ViMeSiO2/2)a(MeO1/2)b(GSiO3/2)c(Me2SiO2/2)d
（式中、ｄは正数であり、他は上記どおりである。）で示されるオルガノシロキサンオリゴマーが例示される。（Ｅ）成分は低粘度液状であることが好ましく、２５℃において１〜５００mPa・sの範囲内であることが好ましい。
（Ｅ）成分の配合量は、（Ａ）成分１００重量部に対して、０〜１０重量部の範囲であり、好ましくは０．１〜３．０重量部の範囲である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月15日(2006.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を５５０℃以上の温度に加熱して、シリコンを含む成膜ガスを用い、被処理体の上にアモルファスシリコン膜を形成する成膜工程と、
次いで、前記被処理体を成膜工程時の温度よりも高い温度に加熱することにより、前記アモルファスシリコン膜をポリ化してポリシリコン膜を形成するポリ化工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記ポリ化工程は、不活性ガス雰囲気又は水素雰囲気で行うことを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】
前記被処理体はゲート絶縁膜が形成されたものであり、前記成膜工程及びポリ化工程を行うことにより、このゲート絶縁膜の上にポリシリコン膜を成膜することを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項４】
前記ポリシリコン膜に導電性不純物元素を添加してゲート電極を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一に記載の成膜方法。
【請求項５】
前記ポリシリコン膜を第１のポリシリコン膜とし、前記被処理体をポリ化できる温度以上の温度に加熱して、シリコンを含む成膜ガスを用い、被処理体上の第１のポリシリコン膜の上にさらに第２のポリシリコン膜を形成する工程を、含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一に記載の成膜方法。
【請求項６】
多数枚の被処理体を棚状に保持させて、反応容器内に搬入するための被処理体保持具と、
前記反応容器の周囲に設けられた加熱手段と、
前記反応容器内にシリコンを含む成膜ガスを供給するための成膜ガス供給部と、
前記反応容器内を真空排気するための真空排気手段と、
被処理体を加熱手段により５５０℃以上の温度に加熱して、反応容器内に前記成膜ガスを供給し、被処理体の上にアモルファスシリコン膜を形成し、次いで前記成膜ガスの供給を停止して、前記被処理体を成膜工程時の温度よりも高い温度に加熱することにより、前記アモルファスシリコン膜をポリ化してポリシリコン膜を形成するように、前記成膜ガス供給部及び加熱手段を制御する制御部と、を備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項７】
前記反応容器内に不活性ガスを供給するための不活性ガス供給部、又は前記反応容器内に水素ガスを供給するための水素ガス供給部を備え、前記アモルファスシリコン膜をポリ化するときには、不活性ガス供給部より不活性ガスを供給するか、又は水素ガス供給部より水素ガスを供給するように制御部にて不活性ガス給部又は水素ガス供給部を制御することを特徴とする請求項６記載の成膜装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記ポリシリコン膜を形成した後、前記被処理体を加熱して、前記反応容器内に前記成膜ガスを供給し、被処理体上の前記ポリシリコン膜の上に更にポリシリコン膜を形成するように前記成膜ガス供給部及び加熱手段を制御する機能を備えたことを特徴とする請求項６ないし７のいずれか一に記載の成膜装置。
【請求項９】
コンピュータ上で動作するプログラムであって、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載された成膜方法を実施するように構成されたことを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】成膜方法、成膜装置及びコンピュータプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、被処理体にポリシリコン膜を形成するに際し、後の工程で導電性不純物元素を添加するときの、当該導電性不純物元素のポリシリコン膜の厚さ方向への突き抜けを防止することができる成膜方法、成膜装置及びコンピュータプログラムを提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ここで前記被処理体は、ゲート絶縁膜が形成されたものであり、前記成膜工程及びポリ化工程を行うことにより、このゲート絶縁膜の上に前記ポリシリコン膜が成膜され、前記ポリシリコン膜には後の工程において導電性不純物元素が添加され、ゲート電極が形成されるものである。
また本発明のコンピュータプログラムは、コンピュータ上で動作するプログラムであって、上述した成膜方法を実施するように構成されたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月8日(2006.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外囲構体と、前記外囲構体に形成された凹部に固着された固体撮像素子と、前記外囲構体上に前記凹部を覆うようにして設置された透明平板とを備えた固体撮像装置であって、
前記外囲構体上の前記透明平板と面する位置に前記凹部の外縁から外側に向かって複数の溝が設けられ、前記溝に接着剤が充填されて、前記外囲構体と前記透明平板とが前記接着剤を介して接着され、
前記凹部における前記外囲構体の表面は、前記接着剤からなる被膜で覆われ、
前記溝に充填された前記接着剤と前記被膜とは、連接されていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記外囲構体の前記凹部表面全体が、前記被膜で覆われている請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記接着剤は、紫外線硬化性接着剤である請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記固体撮像素子の側面は、前記被膜で覆われている請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法であって、
前記固体撮像素子を前記外囲構体に形成された前記凹部に固着させ、
前記固体撮像素子の側面と前記外囲構体との間に所定量の前記接着剤を塗布し、
前記外囲構体上に前記透明平板を設置し、
前記透明平板に一定の押圧力を付加しながら、前記外囲構体を回転させることにより、前記溝に前記接着剤を充填するとともに、前記凹部における前記外囲構体の表面を前記接着剤で覆い、
前記接着剤を硬化させることにより、前記外囲構体と前記透明平板とを接着させるとともに、前記被膜を形成することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記接着剤は、紫外線硬化性接着剤であり、
前記接着剤の硬化は、前記接着剤に紫外線を照射することにより行う請求項５に記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月26日(2007.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＤの励起によるレーザ発振器を並列に複数配置して、前記各レーザ発振器の出射光軸上の前方に、前記各レーザ発振器から発振されたレーザビームを合成して加工点へ導く光学系と、前記レーザビームを監視するモニタが配置され、前記モニタおよび前記ＬＤの電流を監視する電流モニタからの出力にもとづいて出力制御部により前記各レーザ発振器から発振したレーザビームが制御されているレーザプロセスであって、
前記出力制御部は、前記各レーザ発振器の出力が一定になるよう、かつ、前記加工点のパワーが予め定められている所定のパワーになるように制御し、また、励起用のＬＤの寿命予測をおこなっていることを特徴とするレーザプロセス。
【請求項２】
前記出力制御部による、前記加工点のパワーが予め定められている所定のパワーになるような制御は、加工点パワーモニタからデータを受け、予め定められている所定のパワーになるように、個々のレーザ発振器に対応したバリアブルアッテネータを同じ割合で調整することによりおこなっていることを特徴とする請求項１記載のレーザプロセス。
【請求項３】
請求項１または２のいずれかに記載のレーザプロセスを用いて活性層を形成する工程、を具備することを特徴とするトランジスタ装置の製造方法。
【請求項４】
並列に配置されＬＤの励起による複数のレーザ発振器と、この各レーザ発振器の出射光軸上の前方に順次配置された、複数の前記レーザ発振器の個々のレーザ出力を可変することのできる出力減衰器と、この出力減衰器から出力されたレーザビームを合成するビーム合成光学系と、このビーム合成光学系の光軸上の前方に配置され、ラインビームを形成する際に発生する干渉縞を低減化する音響光学変調器と、前記ビーム合成光学系からの出力されたレーザビームを均一分布のラインビームを形成するためにアレイレンズ群および集光レンズからなるビームホモジナイザと、このホモジナイザで形成されたレーザビームを再整形するビーム整形アパチャと、このビーム整形アパチャにより再整形された像を結像する結像光学系と、前記個々のレーザ発振器の出力および励起用のＬＤの電流を検出するモニタリング機構と、前記個々のレーザ発振器の出力をモニタする出力モニタと、前記結像光学系のレーザビームをモニタする加工点出力モニタと、出力制御部とを有し、
前記出力制御部は、前記モニタリング機構および前記出力モニタによりモニタした出力および励起用ＬＤ電流のデータから前記個々のレーザ発振器のメンテナンス時期を推定し、必要によってはメンテナンスが必要な前記レーザ発振器の稼動を停止させ、その分低下した必要パワーを他の前記レーザ発振器の出力を上昇させることで補完し、前記稼動を停止したレーザ発振器のメンテナンス時も装置全体の稼動が継続できる制御アルゴリズムを有していることを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項５】
前記各レーザ発振器から出力されるレーザビームは、可視光領域にあるとともに連続出力であることを特徴とする請求項４記載のレーザアニール装置。
【請求項６】
前記各レーザ発振器は、ＬＤ励起方式のＮｄ：ＹＶＯ４レーザのＳＨＧ出力であるとともに、励起用ＬＤが発振器側ではなく電源側に設置され、かつ、励起エネルギはファイバを通じてレーザ発振器に伝送されていることを特徴とする請求項４記載のレーザアニール装置。
【請求項７】
前記各レーザ発振器から出力されたレーザビームの加工点のラインビーム長さ方向のスティープネスが５μｍ以内であり、かつ、ラインビームを長さ方向にオーバラップさせながら被加工物である基板全面および一部分を結晶化していくことを特徴とする請求項４記載のレーザアニール装置。
【請求項８】
前記結像光学系は、結像位置を２次元的に走査するための偏向器がミラーとガルバノメータスキャナまたはポリゴンミラーと回転駆動用モータで構成されていることを特徴とする請求項４記載のレーザアニール装置。
【請求項９】
前記ホモジナイザに設けられている音響光学変調器は、レーザビームのスイッチング作用を該レーザビームの光路途中で行うと共に、干渉縞の低減化のためにビームの方向を微小角で高速偏向させることを特徴とする請求項４記載のレーザアニール装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザプロセス、このレーザプロセスを用いたトランジスタ装置の製造方法およびレーザアニール装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明はこれらの事情にもとづいてなされたもので、高品質の薄膜トランジスタの活性層の形成するためのレーザプロセスとそれを用いたトランジスタ装置の製造方法およびレーザアニール装置を提供することを目的としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また本発明によれば、前記出力制御部による、前記加工点のパワーが予め定められている所定のパワーになるような制御は、加工点パワーモニタからデータを受け、予め定められている所定のパワーになるように、個々のレーザ発振器に対応したバリアブルアッテネータを同じ割合で調整することによりおこなっていることを特徴とするレーザプロセスである。また本発明によれば、該レーザプロセスを用いて活性層を形成する工程、を具備することを特徴とするトランジスタ装置の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月16日(2007.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体パッケージ内に複数の半導体チップが搭載されるマルチチップタイプの半導体装置であって、
互いに間隔を隔てて一方向に配列された複数の半導体チップと、
前記複数の半導体チップの各々に直接、接触し、隣り合う前記複数の半導体チップを互いに接続する金属配線と、
隣り合う前記複数の半導体チップ間に配置された放熱手段とを備える、半導体装置。
【請求項２】
前記放熱手段は、冷却用流体が流れる冷却路および金属材料からなる放熱部材の少なくともいずれか一方を含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
一方向に配列された前記複数の半導体チップのうち中間に位置する半導体チップから発生する熱量が、一方向に配列された前記複数の半導体チップのうち両端に位置する半導体チップから発生する熱量よりも小さい、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
一方向に配列された前記複数の半導体チップのうち端に位置する半導体チップに隣り合い、前記半導体チップに接続された放熱板をさらに備える、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記放熱板が接続された前記半導体チップを除く他の前記複数の半導体チップから発生する熱量は、前記放熱部材が接続された前記半導体チップから発生する熱量よりも小さい、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体パッケージ内に複数の半導体チップが搭載されるマルチチップタイプの半導体装置であって、
互いに隣り合う位置に空間を規定するように配置された複数の半導体チップと、
前記空間に設けられた放熱手段とを備え、
前記複数の半導体チップは、互いに向い合う位置において異なる大きさの表面を有する２つの半導体チップおよび隣り合った位置においてずれて配置された２つの半導体チップの少なくともいずれか一方を含む、半導体装置。
【請求項７】
前記放熱手段は、冷却用流体が流れる冷却路および金属材料からなる放熱部材の少なくともいずれか一方を含む、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
主表面を有する半導体基板と、
前記主表面上に形成され、前記主表面に設けられた半導体素子を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に形成され、冷却用流体が流れる第１の冷却路とを備える、半導体装置。
【請求項９】
前記第１の冷却路は、前記層間絶縁膜の内部を循環するように形成されている、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１の冷却路は、冷却用流体が供給される一方端と、冷却用流体が排出される他方端とを含む、請求項８または９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体基板、前記層間絶縁膜および前記第１の冷却路を含む半導体チップと、
前記半導体チップを覆うように形成された樹脂部材と、
前記樹脂部材内に設けられたポンプ部および金属材料からなる放熱部とを備え、
前記ポンプ部は、前記一方端および前記他方端に接続されて、前記第１の冷却路に冷却用流体を循環させ、前記放熱部は、前記他方端から排出された冷却用流体の熱を放熱する、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記層間絶縁膜に形成され、前記層間絶縁膜の熱伝導率に対して相対的に大きい熱伝導率を有する第１の放熱部材をさらに備える、請求項８から１１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第１の放熱部材は、ビアホールおよび金属配線を含む、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第１の放熱部材は、前記層間絶縁膜の表面から露出している、請求項１２または１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記層間絶縁膜の外部に配置され、前記層間絶縁膜の表面から露出する前記第１の放熱部材に接続された第２の放熱部材をさらに備える、請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記第２の放熱部材は、インダクタ素子およびアンテナ素子の少なくともいずれか一方を含む、請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記半導体基板には、半導体素子を取り囲むように、前記主表面側に開口する凹部が形成されている、請求項８から１６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記層間絶縁膜に形成されたペルチェ素子をさらに備える、請求項８から１７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記半導体基板、前記層間絶縁膜および前記第１の冷却路を含む半導体チップと、
前記半導体チップを覆うように形成された樹脂部材と、
前記樹脂部材に形成され、冷却用流体が流れる第２の冷却路とを備える、請求項８から１８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記半導体チップの表面に接触して形成された第３の放熱部材をさらに備える、請求項１９に記載の半導体装置。
【請求項２１】
前記半導体チップの表面が凹凸形状に形成されている、請求項１９または２０に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明に従った半導体装置は、半導体パッケージ内に複数の半導体チップが搭載されるマルチチップタイプの半導体装置である。半導体装置は、互いに間隔を隔てて一方向に配列された複数の半導体チップと、複数の半導体チップの各々に直接、接触し、隣り合う複数の半導体チップを互いに接続する金属配線と、隣り合う複数の半導体チップ間に配置された放熱手段とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月4日(2007.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）複数のチップ形成領域の各々に半導体素子が形成されたウェハであって、前記半導体素子が表面電極と裏面電極とを有するウェハを準備する工程と、
（ｂ）前記ウェハの表面に開口部を有するテープによって、前記ウェハをフレームに固定する工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記ウェハが前記フレームに固定された状態で、前記半導体素子の前記表面電極と前記裏面電極の両方に、測定端子を接続し、前記半導体素子の電気的特性を測定する工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記ウェハをダイシングすることにより、各々が前記半導体素子を有する複数の半導体チップを形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記テープの開口部は、前記ウェハの外形寸法より小さい寸法で形成され、前記テープは、前記ウェハの表面の外周部に貼り付けられることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、前記工程（ｃ）は、前記ウェハを測定装置のプロービングステージに搭載する工程を有し、
前記半導体素子の前記裏面電極に接続された前記測定端子は、前記プロービングステージであり、前記ウェハの裏面の全面が前記測定装置のプロービングステージに接触した状態で、前記半導体素子の電気的特性が測定されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、前記半導体素子は、パワーＭＯＳＦＥＴであり、前記表面電極は、ゲート電極及びソース電極であり、前記裏面電極は、ドレイン電極であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３において、前記半導体素子は、ＩＧＢＴであり、前記表面電極は、ゲート電極及びエミッタ電極であり、前記裏面電極は、コレクタ電極であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、前記半導体素子の電気的特性の測定は、オン抵抗の測定であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月30日(2007.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光を用いて被照明面を照明する照明光学系であって、
前記光の一部を分岐させる光分岐部材と、
前記光分岐部材よりも前記光源側に配置され、前記光分岐部材へ入射される前記光を透過すると共に、前記光分岐部材で分岐された光の一部を反射する光学部材と、
前記光学部材によって反射された光の光量を検出するセンサーと
を有することを特徴とする照明光学系。
【請求項２】
前記センサーは、前記被照明面と実質的に共役な位置に配置されていることを特徴とする請求項１記載の照明光学系。
【請求項３】
光源からの光を用いて被照明面を照明する照明光学系であって、
前記光の一部を分岐させる光分岐部材と、
前記光の一部を分岐させる光分岐部材よりも前記光源側に配置され、前記光分岐部材で反射された光の一部を反射し、反射率が２％以上である反射面を有する光学部材と、
前記光学部材によって反射された光の光量を検出するセンサーと
を有することを特徴とする照明光学系。
【請求項４】
前記光分岐部材は、前記照明光学系の光軸に対して１０度以上３０度以下の角度で傾けて配置されていることを特徴とする請求項１又は３記載の照明光学系。
【請求項５】
前記照明光学系の瞳面における光の偏光状態を所定の偏光に制御する偏光制御手段を有することを特徴とする請求項１又は３記載の照明光学系。
【請求項６】
前記照明光学系の瞳面における有効光源の形状を規定する有効光源形成手段を有し、
前記所定の偏光は、前記有効光源において偏光方向が一定の方向に揃っていることを特徴とする請求項５記載の照明光学系。
【請求項７】
前記照明光学系の瞳面における有効光源の形状を輪帯形状に規定する有効光源形成手段を有し、
前記所定の偏光は、前記輪帯形状の接線方向に偏光方向が揃っていることを特徴とする請求項５記載の照明光学系。
【請求項８】
前記光分岐部材は、前記光源からの光の一部を反射することを特徴とする請求項１又は３記載の照明光学系。
【請求項９】
請求項１乃至８のうちいずれか一項記載の照明光学系によりレチクルを照明し、当該レチクルを経た光を投影光学系を介して被処理体に照射して当該被処理体を露光することを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
光源からの光でパターンを照明し、前記パターンを投影光学系を介して被処理体に露光する露光装置であって、
前記光源と前記パターンとの間に配置され、前記光の一部を分岐する光分岐部材と、
前記光源と前記光分岐部材との間に配置され、前記光分岐部材で分岐された光の一部を反射する光学部材と、
前記光分岐部材により分岐され、前記光学部材によって反射された光の一部を検出し、前記被処理体における露光量をモニターするセンサーと、
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
前記光学部材は、前記光分岐部材で分岐された光の一部を反射し、反射率が２％以上である反射面を有することを特徴とする請求項１０記載の露光装置。
【請求項１２】
前記投影光学系の開口数は、０．９以上であることを特徴とする請求項９乃至１１のうちいずれか一記載の露光装置。
【請求項１３】
請求項９乃至１２のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光した前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の一側面としての照明光学系は、光源からの光を用いて被照明面を照明する照明光学系であって、前記光の一部を分岐させる光分岐部材と、前記光分岐部材よりも前記光源側に配置され、前記光分岐部材へ入射される前記光を透過すると共に、前記光分岐部材で分岐された光の一部を反射する光学部材と、前記光学部材によって反射された光の光量を検出するセンサーとを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
光学素子１２５ａ及び１２５ｂ及び偏光分離膜１２８が実現する瞳面での有効光源及び偏光状態としては、図２（ａ）に示すような、ダイポール形状の有効光源をＳ偏光の光で照明するｘ方向の繰り返しパターンに有利な偏光照明、図２（ｂ）に示すような、ダイポール形状の有効光源をＳ偏光の光で照明するｙ方向の繰り返しパターンに有利な偏光照明、図２（ｃ）に示すような、小σの有効光源をＳ偏光の光で照明するｘ方向の繰り返しパターンを有するレベソン位相シフトマスクに有利な偏光照明、図２（ｄ）に示すような、小σの有効光源をＳ偏光の光で照明するｙ方向の繰り返しパターンを有するレベソン位相シフトマスクに有利な偏光照明、図２（ｅ）に示すような、輪帯形状の有効光源を接線方向に偏光方向が揃った光で照明するｘ方向及びｙ方向の両方の繰り返しパターンに有利なタンジェンシャル偏光照明などがある。但し、本発明は、図２に示す有効光源の形状及び偏光状態に限定するものではなく、種々の有効光源の形状及び偏光状態を組み合わせることができる。ここで、図２は、照明光学系１２０の瞳面における有効光源の形状と偏光状態との関係を示す概略平面図である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
照明光学系１２０によれば、露光光路中に挿入されたハーフミラー１３１に対して、光の偏光状態による透過率の差を小さくすることが可能であり、所望の偏光照明を行うことができる。従って、特に高ＮＡの投影光学系を有する露光装置において、良好に高解像な転写を行うことができる。