【手続補正書】
【提出日】平成20年2月15日(2008.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ガスを送出するための装置であって、
反応物または反応副生成物の拡散を制限する疎水性材料を含むエンベロープと、
該エンベロープ内に配置されるサシェと、
該サシェ内に配置され、開始剤の存在下で該ガスを発生する反応物と、
を備え、
該エンベロープが、該ガスを該エンベロープから放出させることが可能である、装置。
【請求項２】  前記サシェは、０．０１μｍと５０μｍとの間の孔径を有する材料を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】  前記サシェは、疎水性材料を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】  前記サシェは、親水性材料を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】  前記サシェは、１つ以上の親水性ゾーンおよび１つ以上の疎水性ゾーンを有する材料を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項６】  前記１つ以上の親水性ゾーンは、疎水性である前記サシェの表面に酸をプリントすることによって作製される、請求項５に記載の装置。
【請求項７】  前記サシェは、親水性である第１の表面および疎水性である第２の表面を有する材料を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項８】  サシェは、３ｐｓｉと１００ｐｓｉとの間のバブルポイントを有する材料を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項９】  前記サシェは、１４．２ｐｓｉにおいて１００％ＩＰＡの場合、１０秒／５００ｍｌと３，５００秒／５００ｍｌとの間の流動時間を有する、請求項３に記載の装置。
【請求項１０】  前記サシェは、１４．２ｐｓｉにおいて１００％ＩＰＡの場合、５秒／５００ｍｌと５００秒／５００ｍｌとの間の流動時間を有する、請求項４に記載の装置。
【請求項１１】  前記エンベロープは、５０ｇ／ｍ２／２４時間から１，０００ｇ／ｍ２／２４時間の透湿度を有する材料を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】  前記エンベロープは、ＣＯ２について５００ｃｃ／ｍ２／２４時間と３０，０００ｃｃ／ｍ２／２４時間との間の選択的透気度を有する材料を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】  前記エンベロープは、Ｏ２について１，０００ｃｃ／ｍ２／２４時間と１０，０００ｃｃ／ｍ２／２４時間との間の選択的透気度を有する材料を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】  前記反応物は、水溶性の酸および水溶性の亜塩素酸塩を含み、前記ガスは二酸化塩素である、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】  前記水溶性の酸は、リン酸、フマル酸、グリコール酸、酢酸、アスコルビン酸、シュウ酸、マレイン酸、乳酸、酒石酸、クエン酸、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】  前記水溶性の亜塩素酸塩は、亜塩素酸ナトリウム、亜塩素酸カリウム、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】  前記水溶性の亜塩素酸塩  対  前記水溶性の酸の重量比は、１：２から１：６である、請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】  前記エンベロープ内に配置される第２のサシェをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１９】  前記第１のサシェおよび前記第２のサシェの周囲に配置され、前記エンベロープ内に配置される、第３のサシェをさらに備える、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】  前記エンベロープ内に配置される第３のサシェをさらに備える、請求項１８に記載の装置。
【請求項２１】  前記反応物は、前記第１のサシェおよび前記第３のサシェに配置された亜塩素酸ナトリウムと、前記第２のサシェに配置されるクエン酸と、を含む、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】  前記第１、第２、および第３のサシェは、０．０１μｍと５０μｍとの間の孔径および１００ミクロンと４００ミクロンとの間の厚みを有する親水性の押出し膜から構成され、前記エンベロープは、０．０５ミクロンと５ミクロンとの間の孔径および１００ミクロンと４００ミクロンとの間の厚みを有する疎水性膜を含む、請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】  ガスを送出するための装置であって、
サシェであって、該サシェからの反応物または反応副生成物の拡散を制限する疎水性材料を含むサシェと、
該サシェ内に配置され、開始剤の存在下でガスを発生する該反応物と、
を備え、
該サシェは、該反応物と該開始剤を接触させ、該装置から該ガスを放出させ得る、装置。
【請求項２４】  前記サシェは、０．０１μｍと５０μｍとの間の孔径を有する、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】  ガスを送出する方法であって、
（ａ）ガスを送出する装置を設ける工程であって、該装置は、
反応物または反応副生成物の拡散を制限する疎水性材料を含むエンベロープであって、該エンベロープが該エンベロープから該ガスを放出することが可能である、エンベロープと、
該エンベロープ内に配置されるサシェと、
該サシェ内に配置され、開始剤の存在下で該ガスを発生する反応物とを含む、工程、
（ｂ）開始剤を含む環境に該装置を配置する工程、
を含む、方法。
【請求項２６】  前記環境は液体であり、前記開始剤は水である、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】  前記環境は気体であり、前記開始剤は水蒸気である、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】  ガスを送出するための装置であって、
バリア層と、
該バリア層に隣接して配置されるサシェ層と、
該バリア層と該サシェ層の間に配置され、開始剤の存在下で該ガスを発生する反応物と、
該サシェ層に隣接して配置されるエンベロープ層と、
を備え、該エンベロープ層は、反応物または反応副生成物の拡散を制限する疎水性材料を含み、そして該装置から該ガスを放出させることが可能である、装置。
【請求項２９】  前記バリア層と前記サシェ層の間に配置される乾燥剤をさらに備える、請求項２８に記載の装置。
【請求項３０】  前記サシェ層は、親水性膜である、請求項２８に記載の装置。
【請求項３１】  前記親水性膜であるサシェ層は、０．０１ミクロンと５０ミクロンとの間の孔径および１００ミクロンと４００ミクロンとの間の厚みを有する、請求項３０に記載の装置。
【請求項３２】  前記エンベロープ層は、疎水性の有孔フィルムである、請求項２８に記載の装置。
【請求項３３】  前記エンベロープ層は、０．０５ミクロンと５ミクロンとの間の孔径および１００ミクロンと４００ミクロンとの間の厚みを有する、請求項２８に記載の装置。
【請求項３４】  前記エンベロープ層に隣接して配置される第２のバリア層をさらに備える、請求項２８に記載の装置。
【請求項３５】  前記バリア層は、キャビティを規定するように形成され、該キャビティに前記反応物が配置される、請求項２８に記載の装置。
【請求項３６】  前記バリア層は、第２のキャビティと、該第２のキャビティに配置される乾燥剤とをさらに規定する、請求項３５に記載の装置。
【請求項３７】  口およびキャップを有する袋をさらに備え、前記バリア層は、該キャップを取り付けるように形成される、請求項２８に記載の装置。
【請求項３８】  取り外し可能部分を有するスプレーボトルをさらに備え、前記バリア層は、該取り外し可能部分に取り付けられるように形成される、請求項２８に記載の装置。
【請求項３９】  ガスを送出するための装置であって、
バリア層と、
該バリア層に隣接して配置されるサシェ層であって、該サシェ層が反応物または反応副生成物の拡散を制限する疎水性材料を含む、サシェ層と、
該バリア層と該サシェ層の間に配置され、開始剤の存在下で該ガスを発生する該反応物と、
を備え、
該サシェ層は、該装置に該開始剤を入れることが可能である、装置。
【請求項４０】  前記サシェは、０．０１μｍと５０μｍとの間の孔径を有する、請求項３９に記載の装置。
【請求項４１】  前記バリア層は、キャビティを規定するように形成され、該キャビティに前記反応物が配置される、請求項３９に記載の装置。
【請求項４２】  前記バリア層は、第２のキャビティと、該第２のキャビティ内に配置される乾燥剤とをさらに規定する、請求項４１に記載の装置。
【請求項４３】  ガスを送出する方法であって、
（ａ）ガスを送出するための装置を設ける工程であって、該装置が、
バリア層と、
該バリア層に隣接して配置されるサシェ層と、
該バリア層と該サシェ層との間に配置され、開始剤の存在下において該ガスを発生する反応物と、
該サシェ層に隣接して配置されるエンベロープ層と
を備え、
該エンベロープ層は、反応物または反応副生成物の拡散を制限する疎水性材料を含み、そして該装置から該ガスを放出させることが可能である、工程；および
（ｂ）開始剤を含む環境に該装置を配置する工程、
を含む、方法。
【請求項４４】  前記反応物は、乾燥剤を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４５】  前記サシェは、第２のサシェ内に配置され、該第２のサシェは、前記エンベロープ内に配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項４６】  前記エンベロープは、選択的透過フィルムである、請求項４５に記載の装置。
【請求項４７】  軟弱袋の中に配置される開始剤をさらに備え、該軟弱袋は、前記第２のサシェ内に配置される、請求項４５に記載の装置。
【請求項４８】  軟弱袋の中に配置される開始剤をさらに備え、該軟弱袋は、前記エンベロープ内かつ前記第２のサシェの外に配置される、請求項４５に記載の装置。
【請求項４９】  請求項２０に記載の装置であって、ここで、
前記反応物が前記第１のサシェ内に配置されており；
第２の反応物が前記第２のサシェ内に配置されており；
軟弱袋が前記第３のサシェに隣接するエンベロープ内に配置され、そして前記開始剤が該軟弱袋内に配置されており；
該反応物および該第２の反応物が、該開始剤の存在下でガスを発生する、
装置。
【請求項５０】  請求項２３に記載の装置であって、前記サシェが、第１の容量および第２の容量を規定する隔壁を備え、前記反応物が該第１の容量内に配置され、第２の反応物が該第２の容量内に配置され、該反応物および該第２の反応物が、前記開始剤の存在下でガスを発生する、装置。
【請求項５１】  請求項５０に記載の装置であって、前記サシェの周りに配置されたエンベロープをさらに備え、該エンベロープが疎水性材料を含む、装置。
【請求項５２】  請求項１、２５、２８または４３に記載の装置であって、前記エンベロープまたはエンベロープ層が、前記サシェまたはサシェ層によって規定される容量の２倍〜６倍のエンベロープ容量を規定する、装置。
【請求項５３】  請求項１、２５、２８または４３に記載の装置であって、前記エンベロープまたはエンベロープ層が、該エンベロープからのまたは該エンベロープ層を通る可溶性反応物の拡散を制限する、装置。
【請求項５４】  請求項２３または３９に記載の装置であって、前記サシェまたはサシェ層が、該サシェからのまたは該サシェ層を通る可溶性反応物の拡散を制限する、装置。
【請求項５５】  請求項３１に記載の装置であって、前記バリア層が第１のキャビティおよび第２のキャビティを規定し、前記反応物が該第１のキャビティ内に配置され、乾燥剤が該第２のキャビティ内に配置され、前記エンベロープ層が０．０５ミクロンと５ミクロンとの間の孔径および１００ミクロンと４００ミクロンとの間の厚みを有する、装置。