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【手続補正書】
【提出日】平成19年11月14日(2007.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明の超伝導量子干渉素子用電子回路１は以上のように構成されており、以下のように動作する。
図２は、本発明の超伝導量子干渉素子用電子回路１の各部の動作状態を模式的に示すタイミングチャートであり、それぞれ（Ａ）は鋸歯状波発生回路３Ａの電圧波形、（Ｂ）はプリアンプの出力４Ａの電圧波形、（Ｃ）はコンパレータ回路の出力５Ａの電圧波形、（Ｄ）は単安定マルチバイブレータからのパルス６Ａの電圧波形、（Ｅ）はサンプルホールド回路の出力７Ａの電圧波形を示している。図の縦軸がそれぞれの波形の電圧振幅を示し、横軸が時間である。
先ず、ＤＣ−ＳＱＵＩＤ２に鋸歯波電流発生回路３から電流が印加され、ｔ１という時刻で臨界電流が流れ、有限電圧の状態に変化する（図２（Ａ）の時刻ｔ１参照）。この有限電圧がプリアンプ４で増幅され、プリアンプから出力電圧４Ａがコンパレータ回路５に出力される（図２（Ｂ）参照）。
次に、コンパレータ回路５は、プリアンプ出力と基準電圧Ｖｔｈとを比較して、ステップ信号５Ａを出力する（図２（Ｃ）参照）。
単安定マルチバイブレータ６は、上記コンパレータ回路のステップ信号５Ａが入力されると、図示の場合にはｔｓの長さのパルス６Ａ、即ち、サンプルホールド制御信号をサンプルホールド回路７に出力する（図２（Ｄ）参照）。
サンプルホールド回路７は、単安定マルチバイブレータ６からサンプルホールド制御信号６Ａが入力されたとき、サンプル時間ｔｓの間は鋸歯状波発生回路３Ａの出力電圧に追随した電圧を出力し、サンプル時間ｔｓが終了した後は、所定のホールド時間ｔｈの間、ホールド電圧を出力し続ける（図２（Ｅ）参照）。
このホールド電圧がローパスフィルタ８に出力され、抽出された直流電圧８Ａが直流電圧計９で計測される。上記したように、この直流電圧からＤＣ−ＳＱＵＩＤ２の臨界電流が求まる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2006329835.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月9日(2007.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジング（１２、１４）により区切られた内部を有し、テストエレメント（４２）を保持するためのマガジン（２６、７８）を有する携帯型分析装置（１０）であって、
マガジン（２６、７８）内部の第１位置から、マガジン（２６、７８）の少なくとも部分的に外側にあってハウジング（１２、１４）の内側に位置する第２の位置までテストエレメント（４２）を搬送する搬送装置（３２、３４、３６）を有し、
マガジン（２６、７８）からのテストエレメント（４２）の搬送が、２つの動作中に生じ、
テストエレメントが貯蔵位置（１１０、１１４）に含まれるマガジン（２６、７８）からのテストエレメント（４２）の前記搬送が、テストエレメント（４２）が回転装置（３５、３６；８２）によって、提示位置（７２、１００、１１６）に移動する様式で行われることを特徴とする携帯型分析装置。
【請求項２】
前記マガジン（２６、７８）内のテストエレメント（４２）の貯蔵位置（１１０、１１４）が、マガジン（２６）内の直立位置により定められることを特徴とする請求項１記載の携帯型分析装置。
【請求項３】
前記マガジン（７８）内のテストエレメント（４２）の貯蔵位置（１１０、１１４）が、ハウジング（１２、１４）内の所定位置に置かれているマガジン（７８）内のテストエレメントの傾斜位置（１１４）により定められることを特徴とする請求項１記載の携帯型分析装置。
【請求項４】
前記テストエレメント（４２）の提示位置（７２、１１６）が、ハウジング（１２、１４）の出口開口部（４６、９４）における水平位置により定められることを特徴とする請求項１記載の携帯型分析装置。
【請求項５】
マガジン（２６、７８）内の貯蔵位置（１１０、１１４）から提示位置（７２、１００、１１６）へのテストエレメント（４２）の移動が、回転運動であることを特徴とする請求項１、２または３記載の携帯型分析装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月21日(2006.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分散性媒体を通る光ビームの１つより多くの通過を利用してモノクロメータ内における光ビームの波面を分散方向に対して反転するシステムにおいて、前記システムが、
少なくとも１つの反射表面を有する少なくとも１つの光学部品を備え、
前記少なくとも１つの光学部品は、前記光ビームを第１の光路から偏向させ、かつ、この偏向された光ビームを前記第１の光路と同軸の第２の光路に沿って向け直すために、前記分散性媒体を通る前記光ビームの連続的な通過間において前記光ビーム内に配置されたときに、前記第２の光路内における前記波面が、前記第１の光路内における前記波面から分散方向に対して反転されるように動作可能であり、
前記反転が、前記少なくとも１つの光学部品の位置に依存して可逆的に動作可能であり、前記反転が、前記第１の光路と同軸をなす軸のまわりに直角に、前記少なくとも１つの光学部品を向け直すことによって可逆的に動作可能であることからなる、システム。
【請求項２】
前記少なくとも１つの光学部品が、複数の光学的に全反射性の表面を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記モノクロメータが、直列デュアルモノクロメータである、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記モノクロメータが、前記分散性媒体を通る前記光ビームの２つの通過を利用する、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記反転が、前記モノクロメータの動作を、加算モードと減算モードとで切り換えるよう動作可能である、請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月18日(2007.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１または複数の第１の計量された液体量を計量し、この液体量を第２の液体量から分離するための微量流体装置であって、
該装置が第１の流路と１または複数の第２の流路とを有し、
該第１の流路が取入口と排出口とを有し、
該装置が排出口の範囲で、取入口の範囲での毛管力よりも大きい、または同じ毛管力を有し、
第２の流路が１または複数の分岐点にて前記第１の流路から分岐しており、
該第２の流路が分岐点にて第１の流路よりも大きい毛管力を有し、
該第２の流路が予め定められる容量を有することを特徴とする微量流体装置。
【請求項２】
第１の流路の毛管力よりも大きい、分岐点での第２の流路の毛管力が、第１の流路から第２の流路への移行部における急激に変化する幾何学的特性によって調整されていることを特徴とする請求項１記載の微量流体装置。
【請求項３】
第１の流路の毛管力よりも大きい、分岐点での第２の流路の毛管力が、第１の流路から第２の流路への移行部における急激に変化する内壁の表面特性によって調整されていることを特徴とする請求項１または２記載の微量流体装置。
【請求項４】
第２の流路が分岐点にて始まりかつ液体の流れを停止させるための停止手段にて終わることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の微量流体装置。
【請求項５】
第１の流路の取入口の前に取入口貯留部が接続されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の微量流体装置。
【請求項６】
前記取入口貯留部が取入口の範囲の第１の流路よりも小さい、または同じ毛管力を有することを特徴とする請求項５記載の微量流体装置。
【請求項７】
前記第１の流路の排出口の後に排出口貯留部が接続されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の微量流体装置。
【請求項８】
前記排出口貯留部が排出口の範囲の第１の流路よりも大きい、または同じ毛管力を有することを特徴とする請求項７記載の微量流体装置。
【請求項９】
前記第１の流路が前記取入口と前記排出口の間で区間で分割されており、第１の流路系を形成することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の微量流体装置。
【請求項１０】
第１の流路の前記区間が前記取入口から前記排出口へと増大する毛管力を示すことを特徴とする請求項９記載の微量流体装置。
【請求項１１】
前記第２の流路が区間に分割されており、第２の流路系を形成することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の微量流体装置。
【請求項１２】
前記第２の流路が区間に分割されており、第２の流路系を形成し、
第２の流路の前記区間の毛管力が前記分岐点から前記停止手段まで同じままであるか、または増大することを特徴とする請求項４〜１０のいずれか１項に記載の微量流体装置。
【請求項１３】
前記停止手段にそれぞれ１つずつの第３の流路が接続していることを特徴とする請求項４〜１２のいずれか１項に記載の微量流体装置。
【請求項１４】
前記第３の流路の毛管力が前記第２の流路の毛管力に同じかまたはそれよりも大きいことを特徴とする請求項１３記載の微量流体装置。
【請求項１５】
前記停止手段が毛細管停止部であることを特徴とする請求項４〜１４のいずれか１項に記載の微量流体装置。
【請求項１６】
前記停止手段がマイクロ弁であることを特徴とする請求項４〜１４のいずれか１項に記載の微量流体装置。
【請求項１７】
前記第３の流路がそれぞれ１つの第２の排出口を有することを特徴とする請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の微量流体装置。
【請求項１８】
前記第２の排出口がそれぞれ１つのマイクロ弁または毛細管停止部を有することを特徴とする請求項１７に記載の微量流体装置。
【請求項１９】
第１の流路系、第２の流路系、第３の流路系の個々のあるいはすべての区間および排出口貯留部の少なくともいずれか１つがメアンダ状に形成されていることを特徴とする請求項１〜１８のいずれか１項に記載の微量流体装置。
【請求項２０】
第１の流路系、第２の流路系および第３の流路系の少なくともいずれか１つの個々のあるいはすべての区間が空洞として形成されていることを特徴とする請求項１〜１９のいずれか１項に記載の微量流体装置。
【請求項２１】
第１の流路系、第２の流路系および第３の流路系の少なくともいずれか１つの個々のあるいはすべての区間ならびに排出口貯留部中の少なくともいずれか１つに吸収性の材料が配置されていることを特徴とする請求項１〜２０のいずれか１項に記載の微量流体装置。
【請求項２２】
分岐点の範囲の第１の流路が換気用流路に接続されていることを特徴とする請求項１〜２１のいずれか１項に記載の微量流体装置。
【請求項２３】
請求項１〜２２のいずれか１項に記載の微量流体装置を有することを特徴とするホルダ。
【請求項２４】
請求項１〜２２のいずれか１項に記載の微量流体装置を有することを特徴とする試料ホルダ。
【請求項２５】
１または複数の第１の計量された液体量を計量し、この液体量を第２の液体量から分離するための方法であって、
液体を取入口を介して第１の流路中に入り込ませ、
該液体を最初の分岐点まで搬送し、
この最初の分岐点から液体の第１の部分を最初の第２の流路中に、これが第１の液体量で完全に満たされるまで搬送し、
この最初の分岐点から、場合によっては液体の第２の部分をさらなる分岐点にまで搬送し、
場合によってはこの液体の第２の部分の一部をそのさらなる分岐点からさらなる第２の流路中に、これがさらなる第１の液体量で完全に満たされるまで搬送し、
最後の分岐点の後で第１の流路中に残っている液体の部分を第２の液体量として気相によって第１の液体量から分離し、そして排出口まで搬送し、そこでこの液体の部分が第１の流路から出ることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月21日(2006.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
それらの既に公知のサンプル調製システムに共通の短所は、それらがクロマトグラフィー用のサンプルの調製にのみ適していることである。したがって、そのような自動サンプル調製システムは他の分析方法に柔軟に使用できず、むしろクロマトグラフィー専用に使用できるものである。他の不都合な点は、分析すべきサンプルを手でプロセスから取りだし、サンプル調製に送る必要があることである。別の不都合な点は、分析結果が主として情報的な性質を有し、プロセスの制御に直接的に使用されないことである。したがって、本発明の目的は、改良されたプロセス分析システム、ならびにプロセスを制御する改良された方法およびコンピュータプログラム・プロダクトを提供することである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（詳細な説明）
分析のためのサンプルを調製するために必要とされる工程は、自動サンプル調製によって実施される。採用される分析方法に応じて、これらは例えば以下の工程を含む：
−ライン、バルブおよびカラムの閉塞を防止するために、サンプルを濾過する工程；
−サンプルを１または複数の溶媒で希釈する工程；この場合、希釈は１または複数の工程で実施される。それにより、サンプルの濃度は、使用される分析装置の測定範囲にされる。例えばマルチポイント較正を行うために、異なる濃度の希釈系列が特に可能である。
−内部標準の添加工程；それにより、得られたものの評価が容易になり、多くの場合においてより正確な結果が得られる。
−分析のために適当な温度を得るために、サンプルを冷却する又は熱的に調整する工程；これは、粘度に起因して問題を生じ、例えば加熱したときのみに適切に測定され得る物質、ならびに感熱性の物質に関して特に必要である。
−望ましくない揮発性成分を除去するために、サンプルをガスでストリッピングする工程；
−サンプルをガスでストリッピングし、気相で分析する工程；例えば廃水からの揮発性成分はそれにより測定され得る。
−適当な溶媒を添加することにより構成物質を抽出する工程；
−例えば存在する他の物質の分離または精製のために、サンプルの構成物質を沈殿（または析出）させる工程；
サンプルをサンプルの分析に適した化学的な形態に変換するために、サンプルを誘導体化する（例えばサンプルのシリル化）工程；例えば、反応性化合物の場合、誘導体化しないと、サンプルがクロマトグラフィーカラムで分解する可能性があるというリスクがある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
コントロールユニット１１６はバスインターフェース１１６を有し、これを介してコントロールユニット１０６はフィールド・バス１１８に接続される。フィールド・バスは、例えば、プロフィバス（Ｐｒｏｆｉｂｕｓ）または商業イーサネット（登録商標）であってよい。常套の配線（個々のシグナル）またはシリアルインターフェースを介するカップリングがさらにまた可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004226402.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2004226402.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月12日(2007.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
比較的より高温の領域から比較的より低温の領域への熱伝達における使用のための熱均等化デバイスにおいて、この熱均等化デバイスは、
防熱材料の層と、
該防熱材料の層内のグラファイトファイバーと、更に
該グラファイトファイバーと該防熱材料により形成される接触表面と、
を具備しており、
該グラファイトファイバーは、熱を該ファイバーに沿って、前記より高温の領域から前記より低温の領域へ伝達するために、該接触表面において十分に暴露されており、前記より高温の領域と前記より低温の領域との間で伸張するのに十分な長さを有する、熱均等化デバイス。
【請求項２】
該防熱材料は、テフロン（登録商標）と、ガラスと、セラミックと、ゴムの内の１つである請求項１に記載の熱均等化デバイス。
【請求項３】
該防熱材料の層を保持するためのキャリアーを具備する請求項１または２に記載の熱均等化デバイス。
【請求項４】
該キャリアーは、該防熱材料の層に隣接するエアポケットを有する請求項３に記載の熱均等化デバイス。
【請求項５】
該接触表面は、ロールの表面に対して配置されるために曲げられる請求項１または３に記載の熱均等化デバイス。
【請求項６】
該接触表面は平らである請求項１または３に記載の熱均等化デバイス。
【請求項７】
該グラファイトファイバーの少なくとも幾つかは、それの一方の端部とそれのもう一方の端部との間で曲げられる請求項１または３に記載の熱均等化デバイス。
【請求項８】
該グラファイトファイバーは、該防熱材料内で実質的に直線状である請求項１に記載の熱均等化デバイス。
【請求項９】
グラファイトファイバーの層と、
該ファイバーを実質的に囲んでいて且つファイバーの暴露された表面から離れる、防熱材料と、更に
該ファイバーを囲む該防熱材料の層を保持するキャリアーと、
を具備する熱伝達デバイス。
【請求項１０】
該暴露された表面は、加熱される物体の曲線状の表面に対して配置されるために曲げられる請求項９に記載の熱伝達デバイス。
【請求項１１】
該暴露された表面は平らである請求項９に記載の熱伝達デバイス。
【請求項１２】
該グラファイトファイバーの少なくとも幾つかは、それの一方の端部とそれのもう一方の端部との間で曲げられる請求項９に記載の熱伝達デバイス。
【請求項１３】
該防熱材料は、テフロン（登録商標）と、ガラスと、セラミックと、ゴムの内の１つである請求項９に記載の熱伝達デバイス。
【請求項１４】
該ファイバーは、該防熱材料の該層内で実質的に直線である請求項９に記載の熱伝達デバイス。
【請求項１５】
加熱される構造において、この加熱される構造は、
加熱される表面を有する加熱される本体と、
該加熱される本体に隣接する熱均等化デバイスと、
を具備しており、
該デバイスは、
防熱材料の層と、
該防熱材料の層内のグラファイトファイバーと、更に
該ファイバーと該防熱材料により形成される接触表面と、
を具備しており、
該グラファイトファイバーは、熱をそこを通り伝達するために、該接触表面に沿って十分に暴露されており、該接触表面は該加熱される表面と接触するように配置される、
熱伝達デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月11日(2007.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  計算機援用設計（ＣＡＤ）と外部アプリケーションプログラム（ＥＡＰ）とを実行するコンピュータシステムにおいて、
ＣＡＤパッケージにおけるオブジェクトのモデルであって、ＥＡＰからの出力データを含むモデルを提供する段階と、
前記モデルを修正する段階と、
前記モデルの修正がＥＡＰからの出力データの再計算を要することを検出する段階と、
前記の検出に応答して、ＥＡＰへ新しい入力データを送り、ＥＡＰから新しい出力データを取得する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】  オブジェクトのモデルを操作する計算機援用設計（ＣＡＤ）パッケージを有するコンピュータシステムにおいて、
ＣＡＤプログラムにおけるＣＡＤモデルからデータを外部アプリケーションプログラム（ＥＡＰ）にエクスポートする段階と、
ＥＡＰを実行し、ＥＡＰから出力データを取得するためにエクスポートされたデータを入力データとして使用する段階と、
ＥＡＰからＣＡＤプログラム中へ出力データをインポートする段階と、
出力データをＣＡＤモデル中へ統合する段階と、
ＥＡＰへの入力データが新しい入力データに変化するようにＣＡＤモデルを修正する段階と、
ＥＡＰを呼び出し、新しい入力データをＥＡＰまで通すことにより出力データを更新する段階と、
更新された出力データをユーザのリクエストなしにＣＡＤモデルに自動的に統合する段階とを含むことを特徴とするコンピュータによって実行される方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】  前記モデルが特徴に基づくモデルであることを特徴とする請求項２４に記載のコンピュータによって読み取り可能な媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月11日(2007.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】  幾何学的構造体を表示する異質組み立て体の構成成分の変化を検出するデータ処理システムにおいて、
異質組み立て体に対して作動する第１のＣＡＤシステムであって、関連の第１のフォーマットを有する第１のＣＡＤシステムと、
異質組み立て体の構成成分を修正する第２のＣＡＤシステムであって、第１のフォーマットとは相違する関連の第２のフォーマットを有している第２のＣＡＤシステムと、
第１のＣＡＤシステムを第２のＣＡＤシステムに結合する連想トポロジイ・バスであって、第２のＣＡＤシステムによって構成成分の変化を検出する手段を有している連想トポロジィ・バスと、
を含むことを特徴とするデータ処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】  ターゲットＣＡＤシステムによって演算される異質組み立て体の構成成分の変化を検出するソフトウエアを含有するコンピュータによって読み取り可能な媒体であって、
異質組み立て体のマスタ幾何学的表示であって、ターゲットＣＡＤシステムに関連したターゲットフォーマットでの表示であるマスタ幾何学的表示を提供するステップと、
異質組み立て体の構成成分であって、前記ターゲットＣＡＤシステムに対して異質であるソースフォーマットにおいて表示される構成成分の変化を指示する手段を提供するステップと、
前記異質組み立て体の構成成分の変化を検出するために変化を指示する手段をモニタするステップと、
を実行するための指令を含んでいることを特徴とするソフトウエアを含有するコンピュータによって読み取り可能な媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２４】  幾何学的構造体を表示する異質組み立て体の構成成分の変化を検出するデータ処理システムにおいて、
異質組み立て体に対して演算する第１のＣＡＤシステムであって、関連の第１のフォーマットを有している第１のＣＡＤシステムと、
異質組み立て体の構成成分を修正する第２のＣＡＤシステムであって、前記第１のフォーマットとは相違する関連の第２のフォーマットを有する第２のＣＡＤシステムと、
前記第２のＣＡＤシステムに第１のＣＡＤシステムを結合させる連想トポロジイ・バスであって、前記第２のＣＡＤシステムによって構成成分の変化を検出する手段を有する連想トポロジイ・バスと、
前記構成成分を記憶するために前記の連想トポロジイ・バスによって前記第１と第２のＣＡＤシステムに結合された幾何学的データベースと、
を含むことを特徴とする異質組み立て体の構成成分の変化を検出するデータ処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月25日(2007.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
拡散層の形状としては、また、その外形を直線を主体として構成し、最も長い直線部分が、第１および第２のＰチャネル型ＭＯＳトランジスタが形成される第１のｎウエル領域との境界に対して、平行であり、かつ、その境界に平行な中心線となる直線を規定した場合、その中心線に対して線対称であり、第２および第４のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタは第２のＰウエル領域に形成され、その拡散層の外形は直線を主体として構成され、最も長い直線部分が、第１および第２のＰチャネル型ＭＯＳトランジスタが形成される第１のｎウエル領域との境界に対して、平行であり、かつ、その境界に平行な中心線となる直線を規定した場合、その中心線に対して線対称であることとしてもよい。このとき、線対称と言った場合、完全に線対称でなくとも、例えば中心線の左右で拡散層の面積が同じ程度の形状として、若干の非対称も場合により許容するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
〈実施例１〉
図１および図２に本発明のＳＲＡＭセルのレイアウトＭＣを示す。図１は、半導体基板に形成された、ウエル領域、拡散層、多結晶シリコン配線層およびコンタクトが示されており、図２には、第１層の金属配線層、ビアホール１、第２層の金属配線層、ビアホール２および第３層の金属配線層が示されている。図３は、図１および図２で使用される記号の説明である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、コンタクトホールのエッチ時にサイドスぺーサーを削ってｎ−層上にコンタクトが形成された場合、コンタクトからｎ−を通して基板に流れ込むことが考えられる。多結晶シリコン配線層と拡散層をつなぐコンタクトを形成する場合、拡散層ＴＰ２と多結晶シリコン配線層ＦＧ１の間隔をサイドスぺーサーの長さよりも長くすることにより、拡散層にｎ−が形成されずリーク電流を防ぐことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
Ｐ型高濃度拡散層Ｐ＋を形成する（図１５（ｄ））。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
ゲート電極と拡散層Ｐ＋を形成した後、エッチングストッパとしてシリコン窒化膜ＳｉＮを堆積する（図２２（ａ））。ゲート電極は多結晶シリコンＰｏｌｙＳｉとタングステンＷの積層であり、さらにその上に保護膜として酸化膜ＳｉＯが積層されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
ゲート電極と拡散層Ｐ＋を形成する（図２３（ａ））。ゲート電極は多結晶シリコンＰｏｌｙＳｉとタングステンＷの積層であり、さらにその上に保護膜として酸化膜ＳｉＯが積層されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
【発明の効果】
本発明によれば、拡散層が必要以上に複雑な形状とならないため、微細化が容易である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月21日(2006.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体である導電材料を有する素子と、前記素子を載置している基材と、前記基材上で前記基材と共に前記素子をカバーするカバーとを有する半導体装置において、
前記カバーの端部は前記基材と直接接しており、
前記端部の側壁および前記基材に紫外線硬化型樹脂が配置されていることで前記素子が前記基材と前記カバーによって封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記紫外線硬化型樹脂は、前記基材と前記カバーの端部の側壁のみに配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記カバーは凹部を有し前記凹部と前記基材との間に前記素子が配置されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記カバーは凹部を有さないフィルムであり、自重によりたわむことで前記端部が前記基材に接していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記素子は、一対の電極と前記一対の電極の間に配置される少なくとも１層の前記導電材料である有機層とを有する有機発光素子であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
よって本発明は、
半導体である導電材料を有する素子と、前記素子を載置している基材と、前記基材上で前記基材と共に前記素子をカバーするカバーとを有する半導体装置において、
前記カバーの端部は前記基材と直接接しており、
前記端部の側壁および前記基材に紫外線硬化型樹脂が配置されていることで前記素子が前記基材と前記カバーによって封止されていることを特徴とする半導体装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月30日(2007.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下面に複数のパッドがマトリックス状に配置されたＩＣパッケージの該複数のパッドに対応して設けられ基板と電気的に接続される複数の弾性コンタクトが配列された、前記ＩＣパッケージの下面を載置する載置面を有する絶縁ハウジングを備えたＩＣソケットにおいて、
前記絶縁ハウジングに取り付けられる基部と、前記絶縁ハウジングの、対向する側面に沿って前記基部から立ち上がった、カム面を有する案内溝がそれぞれ設けられた両側壁とを有する荷重受け部材、
前記ＩＣパッケージの上面側に位置するものであって、前記ＩＣパッケージに対して荷重し前記パッドを前記弾性コンタクトに向かって押圧する荷重姿勢と、前記ＩＣパッケージに対して無荷重の無荷重姿勢との間で姿勢変化する、前記案内溝内で前記カム面に沿って摺動する爪部を有する加圧カバー、および
前記荷重受け部材に回動自在に軸支されたものであって、前記案内溝内で前記カム面に沿って前記爪部を摺動させ前記加圧カバーを前記荷重姿勢と前記無荷重姿勢との間で姿勢変化させるクランク軸部と、該クランク軸部に対してほぼ直交した操作軸部とを有するレバーを備えたことを特徴とするＩＣソケット。
【請求項２】
前記加圧カバーは、前記無荷重姿勢と前記荷重姿勢との間で姿勢変化するにあたり、所定の中間姿勢を経て姿勢変化するものであって、
前記荷重受け部材の両側壁それぞれに設けられた案内溝は、第１カム面を有する第１案内溝と第２カム面を有する第２案内溝とからなるものであり、
前記爪部は、前記加圧カバーが前記無荷重姿勢と前記中間姿勢との間で姿勢変化する際に前記第１案内溝内で前記第１カム面に沿って摺動する第１爪部と、前記加圧カバーが前記中間姿勢と前記荷重姿勢との間で姿勢変化する際に前記第２案内溝内で前記第２カム面に沿って摺動する第２爪部とからなるものであることを特徴とする請求項１記載のＩＣソケット。
【請求項３】
前記絶縁ハウジングと前記加圧カバーとの間に配備されたものであって、ＩＣパッケージを案内する１対のガイドレールを有するガイド部材を備えたものであることを特徴とする請求項１又は２記載のＩＣソケット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を解決する本発明のＩＣソケットは、下面に複数のパッドがマトリックス状に配置されたＩＣパッケージのその複数のパッドに対応して設けられ基板と電気的に接続される複数の弾性コンタクトが配列された、上記ＩＣパッケージの下面を載置する載置面を有する絶縁ハウジングを備えたＩＣソケットにおいて、
上記絶縁ハウジングに取り付けられる基部と、上記絶縁ハウジングの、対向する側面に沿って上記基部から立ち上がった、カム面を有する案内溝がそれぞれ設けられた両側壁とを有する荷重受け部材、
上記ＩＣパッケージの上面側に位置するものであって、上記ＩＣパッケージに対して荷重し上記パッドを上記弾性コンタクトに向かって押圧する荷重姿勢と、上記ＩＣパッケージに対して無荷重の無荷重姿勢との間で姿勢変化する、上記案内溝内で上記カム面に沿って摺動する爪部を有する加圧カバー、および
上記荷重受け部材に回動自在に軸支されたものであって、上記案内溝内で上記カム面に沿って上記爪部を摺動させ上記加圧カバーを上記荷重姿勢と上記無荷重姿勢との間で姿勢変化させるクランク軸部と、そのクランク軸部に対してほぼ直交した操作軸部とを有するレバーを備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月27日(2006.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電灯に電力を供給する直流電源と、
スイッチング素子を含み、上記直流電源の電圧を放電灯駆動用の高周波に変換する変換回路と、
上記放電灯と上記変換回路との間にＬＣ共振回路とを備え、
上記スイッチング素子の開閉動作により、上記直流電源から上記放電灯への電力投入を間欠的に行ない、上記直流電源からの電力投入がないときには、上記共振回路に流れる共振電流を上記スイッチング素子を通して環流させることを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項２】
請求項１に記載の放電灯点灯装置であって、
上記変換回路は、トランスと、上記直流電源と上記トランスの一次側巻線の間に接続された電力投入用スイッチング素子と、上記トランスの一次側に接続された第１および第２のスイッチング素子とを備え、
上記ＬＣ共振回路に流れる共振電流は、上記トランスを介して上記トランスの一次側で環流させることを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項３】
電源投入用スイッチング素子のオンオフのタイミングは、トランスの二次側巻線に流れる電流の周期に基づいて決められることを特徴とする請求項２記載の放電灯点灯装置。
【請求項４】
電源投入用スイッチング素子のオンオフは、トランスの二次側巻線に流れる電流の周期のＮ／２倍（Ｎは自然数））の周期で行われることを特徴とする請求項３記載の放電灯点灯装置。
【請求項５】
電源投入用スイッチング素子のオンオフのタイミングは、第１のスイッチング素子および第２のスイッチング素子に流れる電流の周期に基づいて決められることを特徴とする請求項２記載の放電灯点灯装置。
【請求項６】
電源投入用スイッチング素子のオンオフは、第１のスイッチング素子および第２のスイッチング素子に流れる電流の周期のＮ／２倍（Ｎは自然数）の周期で行われることを特徴とする請求項５記載の放電灯点灯装置。
【請求項７】
上記直流電源から上記放電灯への電力投入タイミングは、負荷電流の周期に基づいて決められることを特徴とする、請求項１記載の放電点灯装置。
【請求項８】
上記電力投入を間欠的に行なう動作は、
上記放電灯のコールドスタート時に行なうことを特徴とする請求項１記載の放電灯点灯装置。
【請求項９】
上記電力投入を間欠的に行なう動作は、
上記放電灯のインピーダンスが低いときに行なわれることを特徴とする請求項１記載の放電灯点灯装置。
【請求項１０】
上記ＬＣ共振回路は、
トランスの二次側巻線に直列に接続された第１のインダクタンス素子と、
上記トランスの二次側に接続され、第２のインダクタンス素子と第１のコンデンサを含む直列共振回路と、
上記トランスの二次側に接続され、第３のインダクタンス素子と第２のコンデンサを含む並列共振回路によって構成されることを特徴とする請求項２記載の放電灯点灯装置。
【請求項１１】
上記ＬＣ共振回路に用いるインダクタンスを、上記トランスの二次巻線のリーケージインダクタンスを用いて形成することを特徴とする請求項２記載の放電灯点灯装置。
【請求項１２】
放電灯に電力を供給する直流電源と、
上記直流電源の電圧を上記放電灯に伝達するトランスと、
上記直流電源と上記トランスの一次巻線の間に接続された電力投入用スイッチング素子と、
上記トランスの一次側に接続された第１および第２のスイッチング素子を備え、
電力投入用スイッチング素子をオンにするとともに第１のスイッチング素子あるいは第２のスイッチング素子のどちらか一方をオンにして直流電源から電力を供給する期間と、
上記電源投入用スイッチング素子をオフとすると共に、上記第１のスイッチング素子と上記第２のスイッチング素子をオンにしてトランスの一次側で電流が流れるようにする期間とを設けることにより、
上記直流電源から上記トランスへの電力投入を間欠的にし、上記直流電源から上記トランスへの電力投入がないときには、トランスの一次側で電流を環流させることを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項１３】
上記放電灯は、高輝度放電灯であることを特徴とする請求項１または１２記載の放電灯点灯装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
放電灯に電力を供給する直流電源と、スイッチング素子を含み、直流電源の電圧を放電灯駆動用の高周波に変換する変換回路と、放電灯と変換回路との間にＬＣ共振回路とを備え、スイッチング素子の開閉動作により、直流電源から放電灯への電力投入を間欠的に行ない、直流電源からの電力投入がないときには、共振回路に流れる共振電流をスイッチング素子を通して環流させるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明によれば、直流電源からの電力投入がないときでも、共振回路に流れる共振電流をスイッチング素子を通して環流させることにより、スイッチングの回数を少なくして損失を減らすことができると共に、放電灯への電力供給の効率をよくすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月4日(2007.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向及び該第１方向に交差する第２方向に沿って二次元的に配置された複数の画素からなる表示画面を備えた有機ＥＬ表示装置において、
前記複数の画素のＮ個（Ｎは３以上の整数）を前記第１方向沿いに並べて形成される画素列について、該画素列の１番目及びＮ番目の画素に夫々設けられた発光領域の前記第１方向に沿う幅が、Ｍ番目（Ｍは整数で、１＜Ｍ＜Ｎを満たす）の画素に設けられた発光領域の前記第１方向に沿う幅より狭いことを特徴とする自発光表示装置。
【請求項２】
前記整数Ｍは、前記整数Ｎの１／２又はこれを切り上げた値であることを特徴とする請求項１に記載の自発光表示装置。
【請求項３】
前記複数の画素のｎ個を前記第２方向沿いに並べて形成された画素行を有し、該画素行の１番目及びｎ番目の画素の発光領域の前記第２方向に沿う幅はｍ番目（ｍは整数で、１＜ｍ＜ｎ）の画素の幅より狭いことを特徴とする請求項１に記載の自発光表示装置。
【請求項４】
前記画素は、薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記電極を露出する開口を備えた絶縁膜と、前記画素電極の上に形成された発光層と、前記発光層の上に形成された共通電極とを備え、
前記発光領域は、前記絶縁膜の開口領域であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
第１方向及び該第１方向に交差する第２方向に沿って二次元的に配置された複数の画素からなる表示画面を備えた有機ＥＬ表示装置において、
前記表示画面の中央部の画素面積と前記周辺部の画素面積が異なることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記表示画面の中央部の画素面積は前記周辺部へ向かって小さくなっていることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記表示画面の中央部の画素幅は前記中央部から遠ざかるに従って漸次狭くなっていることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
第１方向及び該第１方向に交差する第２方向に沿って二次元的に配置された複数の画素からなる表示画面を備えた有機ＥＬ表示装置において、
前記表示画面の中央部の画素ピッチと前記周辺部の画素ピッチが異なることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記表示画面の中央部の画素ピッチは前記周辺部へ向かって漸次変化していることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
第１方向及び該第１方向に交差する第２方向に沿って二次元的に配置された複数の画素からなる表示画面を備えた有機ＥＬ表示装置において、
前記画素は、画素電極と、駆動用電源線と前記画素電極との間に接続される薄膜トランジスタと、前記画素電極を露出する開口を備えた絶縁膜と、前記画素電極の上に形成された発光層と、前記発光層の上に形成された共通電極とを備え、
前記駆動用電源線の幅は、表示画面の中央部と周辺部で異なることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月30日(2007.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系の収差を測定する方法であって、
光源からの光を用いて照明光学系でレチクルを照明するステップと、
前記レチクルに形成されたテストパターンの像を前記投影光学系で基板上に投影する投影ステップと、
前記テストパターンの像の位置ずれ量を測定する測定ステップと、
前記測定ステップで測定した前記位置ずれ量に基づいて、前記投影光学系の収差を決定する決定ステップと、
を有し、
前記投影ステップは、前記投影光学系の瞳の所定の領域のみを前記光が通過するように前記光を前記照明光学系又は投影光学系の中に配置された整形手段と前記レチクルの前記テストパターンが形成された面と反対の面に形成された遮光パターンとを用いて整形する整形ステップを含む
ことを特徴とする収差測定方法。
【請求項２】
前記決定ステップは、前記測定ステップで測定した前記位置ずれ量に基づいて、Ｚｅｒｎｉｋｅ多項式の所定の項の係数を決定する
ことを特徴とする請求項１記載の収差測定方法。
【請求項３】
前記照明光学系の中に配置された整形手段は、前記照明光学系の瞳面に配置された開口絞りを含む
ことを特徴とする請求項１記載の収差測定方法。
【請求項４】
前記投影光学系の中に配置された整形手段は、瞳フィルターを含む
ことを特徴とする請求項１記載の収差測定方法。
【請求項５】
前記照明光学系の中に配置された整形手段は、輪帯状の有効光源の内径及び／又は外径を変更する
ことを特徴とする請求項１記載の収差測定方法。
【請求項６】
前記テストパターンと前記遮光パターンが対になって、前記レチクルの両面に複数形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の収差測定方法。
【請求項７】
前記開口絞りは複数の開口を持ち、前記遮光パターンは該複数の開口のうち少なくとも１つの開口を通過した前記光を遮光する
ことを特徴とする請求項３記載の収差測定方法。
【請求項８】
前記テストパターンと前記遮光パターンが対になって、前記レチクルの両面に複数形成されている
ことを特徴とする請求項７記載の収差測定方法。
【請求項９】
前記遮光パターンと対になっていない、前記テストパターンが前記レチクルに複数形成されている
ことを特徴とする請求項８記載の収差測定方法。
【請求項１０】
前記投影ステップは、前記遮光パターンと対になっている前記テストパターンと、前記遮光パターンと対になっていない前記テストパターンとが重なるように、前記基板を二重露光するステップを含む
ことを特徴とする請求項９記載の収差測定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の一側面としての収差測定方法は、投影光学系の収差を測定する方法であって、光源からの光を用いて照明光学系でレチクルを照明するステップと、前記レチクルに形成されたテストパターンの像を前記投影光学系で基板上に投影する投影ステップと、前記テストパターンの像の位置ずれ量を測定する測定ステップと、前記測定ステップで測定した前記位置ずれ量に基づいて、前記投影光学系の収差を決定する決定ステップと、を有し、前記投影ステップは、前記投影光学系の瞳の所定の領域のみを前記光が通過するように前記光を前記照明光学系又は投影光学系の中に配置された整形手段と前記レチクルの前記テストパターンが形成された面と反対の面に形成された遮光パターンとを用いて整形する整形ステップを含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月19日(2007.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型の窒化物半導体からなる第１の層、及び該第１の層の上に配置されたｐ型の窒化物半導体からなる第２の層を含み、該第１の層と第２の層との間に発光領域を画定し、該第１の層の表面の一部の第１の領域において、該第２の層が除去されて該第１の層が現われている発光積層構造と、
前記第２の層の表面上に配置され、該第２の層に電気的に接続されたｐ側電極と、
前記ｐ側電極を覆う絶縁膜と、
前記第１の領域において、前記第１の層に電気的に接続されたｎ側電極と、
前記絶縁膜の上に配置され、前記ｎ側電極まで至り、該ｎ側電極に電気的に接続され、銀を含む合金または銀で形成された反射膜と
を有する半導体発光素子。
【請求項２】
前記ｐ側電極が、Ｐｔ、Ｒｈ及びＰｄからなる群より選択された１つの金属で形成されており、その厚さが１ｎｍ〜１５ｎｍである請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
ｎ型の窒化物半導体からなる第１の層、及び該第１の層の上に配置されたｐ型の窒化物半導体からなる第２の層を含み、該第１の層と第２の層との間に発光領域を画定し、該第１の層の表面の一部の第１の領域において、該第２の層が除去されて該第１の層が現われている発光積層構造と、
前記第２の層の表面上に配置され、該第２の層に電気的に接続され、前記発光領域で発生した光を透過させるｐ側電極と、
前記ｐ側電極を覆う絶縁膜と、
前記第１の領域において、前記第１の層に電気的に接続されたｎ側電極と、
前記絶縁膜の上に配置され、前記ｎ側電極まで至り、該ｎ側電極に電気的に接続され、前記発光領域で発生した光を反射する反射膜と
を有する半導体発光素子。
【請求項４】
ｎ型の窒化物半導体からなる第１の層、及び該第１の層の上に配置されたｐ型の窒化物半導体からなる第２の層を含み、該第１の層と第２の層との間に発光領域を画定し、該第１の層の表面の一部の第１の領域において、該第２の層が除去されて該第１の層が現われている発光積層構造と、
前記第２の層の表面上に配置され、該第２の層に電気的に接続されたｐ側電極と、
前記ｐ側電極を覆う絶縁膜と、
前記第１の領域において、前記第１の層に電気的に接続されたｎ側電極と、
前記絶縁膜の上に配置され、銀を含む合金または銀で形成され、前記ｐ側電極及びｎ側電極のいずれにも接続されておらず電気的にフローティング状態にされた反射膜と
を有する半導体発光素子。
【請求項５】
前記ｐ側電極が、Ｐｔ、Ｒｈ及びＰｄからなる群より選択された１つの金属で形成されており、その厚さが１ｎｍ〜１５ｎｍである請求項４に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
ｎ型の窒化物半導体からなる第１の層、及び該第１の層の上に配置されたｐ型の窒化物半導体からなる第２の層を含み、該第１の層と第２の層との間に発光領域を画定し、該第１の層の表面の一部の第１の領域において、該第２の層が除去されて該第１の層が現われている発光積層構造と、
前記第２の層の表面上に配置され、該第２の層に電気的に接続され、前記発光領域で発生した光を透過させるｐ側電極と、
前記ｐ側電極を覆う絶縁膜と、
前記第１の領域において、前記第１の層に電気的に接続されたｎ側電極と、
前記絶縁膜の上に配置され、前記ｐ側電極及びｎ側電極のいずれにも接続されておらず電気的にフローティング状態にされ、前記発光領域で発生した光を反射する反射膜と
を有する半導体発光素子。
【請求項７】
前記絶縁膜が、酸化シリコン、酸化チタン、酸化タンタル、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、及び絶縁性高分子材料からなる群より選択された少なくとも１つの材料で形成されている請求項１〜６のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項８】
さらに、前記反射膜を覆う絶縁性の保護膜を有する請求項１〜７のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項９】
さらに、前記反射膜と前記保護膜との間に、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｗ、及びＭｏからなる群より選択された少なくとも１つの金属からなる中間層が配置されている請求項８に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
さらに、前記ｐ側電極の表面の一部の領域上に配置されたフリップチップボンディング用のｐ側パッドと、
前記ｎ側電極の表面の一部の領域上に配置されたフリップチップボンディング用のｎ側パッドと
を有する請求項１〜９のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
さらに、前記ｐ側電極の表面の一部の領域上に配置されたフリップチップボンディング用のｐ側パッドと、
前記反射膜のうち、前記第２の層と重なる部分の表面上に配置されたフリップチップボンディング用のｎ側パッドと
を有する請求項１〜９のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
前記反射膜が、前記発光領域で発光し該反射膜に向かって進行する光を散乱させるような平面形状を有し、
さらに、前記反射膜で散乱された光が入射することにより蛍光を発生する蛍光体を有する請求項１〜９のいずれかに記載の半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月22日(2007.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記録層を備えた多層記録媒体にレーザ光を照射し、前記記録媒体からの反射光を検出する光学手段を有する光情報記録再生装置であって、
前記光学手段に、対象とする記録層からの反射光を反射し、対象外の記録層からの反射光をほとんど通過させる、１あるいは複数の反射鏡を有することを特徴とする光情報記録再生装置。
【請求項２】
前記光学手段に、前記対象外の記録層からの反射光のうち、前記対象とする記録層の隣接層からの反射光を検出する第１の光検出器を備えることを特徴とする請求項１記載の光情報記録再生装置。
【請求項３】
前記光学手段に、前記対象外の記録層からの反射光のうち、前記対象とする記録層の前記光学手段側の隣接層からの反射光を検出する第２の光検出器を備えることを特徴とする請求項１記載の光情報記録再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月5日(2007.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
図１は、本発明の実施形態に係る再生装置のハードウェア構成の示すブロック図である。再生装置１０は、ＣＰＵ２、主記憶部３、二次記憶部４、操作部５、表示部６、および入出力インターフェース部７を備えており、互いにバス１を介して接続される。主記憶部３は、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリ用媒体で実現される。また、主記憶部３には、ＣＰＵ２が実行すべき作品再生プログラムが読み込まれる。なお、作品再生プログラムは、あらかじめＲＯＭの形で主記憶部３に記憶されていても構わないし、二次記憶部４から主記憶部３に読み込まれても構わないし、通信回線を通じて外部より主記憶部３に供給されても構わない。ＣＰＵ２は、嗜好度の算出や、作品再生プログラムを実行することによって、作品の再生等を行う。二次記憶部４は、ハードディスク等の記憶媒体で実現される。また、二次記憶部４には、上記作品再生プログラムや各種データが格納される。操作部５は、キーボードやリモコン等の操作用装置で実現される。表示部６は、液晶ディスプレイ等の装置で実現される。入出力インターフェース部７は、スピーカー端子やヘッドホン端子やＩＥＥＥ１３９４端子やＵＳＢ端子等で実現される。具体的には、再生装置１０は、上述のハードウェア構成を有するパーソナルコンピュータ等の汎用コンピュータ、ＭＰ３プレーヤー等のデジタル音楽プレーヤー、カーオーディオシステム等である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
（第５の実施形態）
次に、図１７から図２７を参照して、本発明の第５の実施形態について説明する。第５の実施形態では、複数種類の嗜好度を算出する。以下、第５の実施形態として、上述の第３の実施形態にかかる嗜好度算出処理において、音楽作品の再生日時により分類し、当該分類に応じて複数の種類の嗜好度を算出する嗜好度算出処理について説明する。ここでは、上述での第３の実施形態と同様の処理で算出する嗜好度（すなわち、再生日時を考慮せず算出する嗜好度）を単純嗜好度Ｍ１とし、更に「朝・昼・夜」という時間帯による分類に応じてそれぞれ算出する嗜好度と、「春・夏・秋・冬」の四季による分類に応じてそれぞれ算出する嗜好度を追加する。ここで、説明を具体的にするために、時間帯による分類については、５：００〜１０：５９を朝とし、１１：００〜１６：５９を昼とし、１７：００〜４：５９を夜とする。また、四季による分類については、３月〜５月を春とし、６月〜８月を夏とし、９月〜１１月を秋とし、１２月〜２月を冬とする。なお、当該実施形態に係る音楽再生装置は、記憶部１１に格納されるデータ構造が異なるが、他は上述した第３の実施形態と同様であるため、同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
図２７は、上記ステップＳ１１１で示した季節嗜好度判定処理の詳細を示すフローチャートである。図２７において、嗜好度算出部１９は、上述した季節回数更新処理におけるステップＳ１３０、Ｓ１３４、Ｓ１３８の処理と同様に、ステップＳ１０４で取得した再生月から季節を判定する（ステップＳ１７３〜Ｓ１７５）。その結果に応じて、上述の時刻嗜好度判定処理におけるステップＳ１６０〜Ｓ１６３と同様の嗜好度算出処理を、春嗜好度Ｍ５および春再生回数ｎ５、または夏嗜好度Ｍ６および夏再生回数ｎ６、または秋嗜好度Ｍ７および秋再生回数ｎ７、または冬嗜好度Ｍ８および冬再生回数ｎ８を用いて行う（ステップＳ１７６〜Ｓ１９１）。以上で、季節嗜好度判定処理が終了する。