Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月16日(2008.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２６】
ビスグリシノカルシウム、酢酸カルシウム、炭酸カルシウム、塩化カルシウム、クエン酸カルシウム、クエン酸リンゴ酸カルシウム、カルシウムコーネート、フッ化カルシウム、カルシウムグルビオネート、グルコン酸カルシウム、カルシウムグリセロホスフェート、リン酸水素カルシウム、カルシウムヒドロキシアパタイト、乳酸カルシウム、カルシウムラクトビオネート、カルシウムラクトグルコネート、リン酸カルシウム、カルシウムピドレート、ステアリン酸カルシウムおよびリン酸三カルシウムから選択される一以上の第二のカルシウム含有化合物を含む、請求項１〜２５のいずれか一つに記載の錠剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
しかしながら、上記の炭酸カルシウムは、例えば、次の段落で挙げられるもの、特に、クエン酸カルシウム、乳酸カルシウム、リン酸三カルシウムを含むリン酸カルシウム、グルコン酸カルシウム、ビスグリシノカルシウム、クエン酸リンゴ酸カルシウム、溶媒和物を含むヒドロキシアパタイトおよびそれらの混合物のような、他のカルシウム含有化合物との混合物の状態で用いられ得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
本発明による使用のためのカルシウム含有化合物は、例えばビスグリシノカルシウム、酢酸カルシウム、炭酸カルシウム、塩化カルシウム、クエン酸カルシウム、クエン酸リンゴ酸カルシウム、カルシウムコーネート(cornate)、フッ化カルシウム、カルシウムグルビオネート(glubionate)、グルコン酸カルシウム、カルシウムグリセロホスフェート、リン酸水素カルシウム、カルシウムヒドロキシアパタイト、乳酸カルシウム、カルシウムラクトビオネート(lactobionate)、カルシウムラクトグルコネート、リン酸カルシウム、カルシウムピドレート(pidolate)、ステアリン酸カルシウムおよびリン酸三カルシウムであり得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
カルシウム含有化合物は、単独または他のカルシウム含有化合物と組み合わせて用いられ得る。
ビスグリシノカルシウム、酢酸カルシウム、炭酸カルシウム、塩化カルシウム、クエン酸カルシウム、クエン酸リンゴ酸カルシウム、カルシウムコーネート、フッ化カルシウム、カルシウムグルビオネート、グルコン酸カルシウム、カルシウムグリセロホスフェート、リン酸水素カルシウム、カルシウムヒドロキシアパタイト、乳酸カルシウム、カルシウムラクトビオネート、カルシウムラクトグルコネート、リン酸カルシウム、カルシウムピドレート、ステアリン酸カルシウムおよびリン酸三カルシウムが特に興味がある。異なるカルシウム含有化合物の混合物も用いられ得る。
以下の実施例に示すように、炭酸カルシウムがカルシウム含有化合物としての使用に特に適しており、炭酸カルシウムは高いカルシウム含有量を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
例えば、カルサイトは四つの異なる形状：偏三角面体状、プリズム状、球状および菱面体状で入手可能であり、アラゴナイト結晶は例えば別々かまたは房になった針状形として得られる。例えば立方体形（Scoraからのスコラライト1A＋B）のような他の形状も入手可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
ファーマカーブ(Pharmacarb) LL（Mahawah New Jersie、Chr. Hansenから入手可能）Lは、12〜16 μmの平均粒子径、1.0〜1.5 g/mLの見掛け嵩密度、および0.7 m2/gの比表面積を有する；
スツールカル(Sturcal)H、スツールカルFおよびスツールカルM (ペンシルバニア、ベスレヘム、Specialty Mineralsから入手可能); スツールカルLは、約7 μmの平均粒子径、0.78〜0.96 g/mLの見掛け嵩密度を有する。スツールカルLは、偏三角面体状結晶よりなる；
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
ソルビトールは(ショ糖と比較して)0.55の甘味効果を有し；マンニトールは≦1の甘味効果を有し；キシリトールは1の甘味効果を有し；イソマルトは＜0.5の甘味効果等を有する。甘味効果は、個々の甘味剤の選択と関連して価値があり得る。したがって、もし錠剤の減少した重量と容量を望むなら、高い甘味効果を有する甘味剤を選択することが好適である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
芳香剤
アプロコット(Aprocot)、レモン、レモン／ライム、ライム、オレンジ、マンダリン、例えば、Firmenich, Kerpen, Germanyから入手可能なアプロコット501.110 AP0551、レモン501.051 TP0551、レモン501.162 AP0551、レモン/ライム501.053 TP0551、ライム501.054 TP0551、オレンジ501.071 AP0551、オレンジTP0551、オレンジ501.434 P0551、マンダリン501.AP0551、レモン デュラローム(Durarome)501.282 TDI1091、またはTasteTech, Bristol, Englandから入手可能なジューシー レモン フレバリング(Juicy Lemon Flavouring)T3602、またはGivaudan Schweiz AG, Kemptthal, Schweizから入手可能なレモン ライム フレーバー パームシール(Lemon Lime Flavour Permseal)11029-31、レモン フレーバー パーマシール(Lemon Flavour Permaseal)12028-31、レモン フレーバー ウルトラドシール(Lemon Flavour Ultradseal)96918-71、またはFrey + Lau Gmbh, Henstedt-Ulzburg, Germanyから入手可能なレモン フレーバー パウダー(Lemon Flavour Powder)605786、レモン フレーバー パウダー605897。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月7日(2008.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式Iを有する環状ペプチド、そのラセミ混合物、その単一エナンチオマー、その単一ジアステレオアイソマーまたはその医薬上許容される塩:
c(R1-Arg-Gly-Asp-R2)
(式I)
［式中:
- cは環状を意味する;
- R1は、一般式: -NX-CY(Z)-CO-を有するアミノ酸;ここで、
- X は以下からなる群から選択される: H、直鎖状または分枝状 C1-C6 アルキル、C6-C10 アリール、ベンジル、(CH2)n-COR、(CH2)n-NHR’、4-COR-ベンジル、4-(CH2-NHR’)-ベンジル;ここで、nは1〜5の整数; 
- Y は以下からなる群から選択される: H、CHmFm';ここで、m + m’ = 3、ここで、mおよびm’は0〜3の整数;
- Z は以下からなる群から選択される: H、直鎖状または分枝状 C1-C6 アルキル、C6-C10 アリール、(CH2)n1-COR、(CH2)n1-NHR’、4-NHR’-(CH2)n1-ベンジル、4-COR-ベンジル、ここで、n1 は0〜5の整数; 
- R は以下からなる群から選択される: W、OW、N[CH2-CO-NH-CH2-O-(CH2CH2O)n2-CH2-COOW]2、NH-CH2-O-(CH2CH2O)n2-CH2-COOW、NW-(CH2-CH2NH)n2-CH2-CH2NHW;ここで、n2は1〜22の整数;
そして、
- W は以下からなる群から選択される: H、C1-C3 アルキル;
- R’ は以下からなる群から選択される: H、CO-(CH2)n2-COOW、CO-CH2-O-(CH2CH2O)n2-CH2-NHW、CO-CH2-O-(CH2CH2O)n2-CH2-COOW; ここで、n2 は上記の意味を有する;そして、
- R2 は以下からなる群から選択される: D-Phe、D-Tyr、D-Trp、D-2-ナフチル-Ala、D-4-tert-ブチル-Phe、D-4,41-ビフェニル-Ala、D-4-CF3-Phe、D-4-アセチルアミン-Phe］。
【請求項２】
以下からなる群から選択される請求項1の化合物:
c(Arg-Gly-Asp-D-Phe-Amp); 
c[Arg-Gly-Asp-D-Phe-Aad);
c(Arg-Gly-Asp-D-Phe-N-Me-Amp);
c[Arg-Gly-Asp-D.Phe-Amp-CO(CH2)2COOH];
c(Arg-Gly-Asp-D-Phe-N-Amb-Gly);
c[Arg-Gly-Asp-D-Phe-Amp-(CO-CH2-(O-CH2-CH2)2-O-CH2-COOH];
c[Arg-Gly-Asp-D-Phe-Amp-(CO-CH2-(OCH2CH2)8-OCH2-COOH]; 
c[Arg-Gly-Asp-D-Phe-N(カルボキシペンチレン)-Val)];
c[Arg-Gly-Asp-D-Phe-N(アリルオキシカルボニルペンチレン)-Val];および、
c[Arg-Gly-Asp-D-Phe-Amp(CO-CH2-(OCH2-CH2)3OCH3)]。
【請求項３】
直鎖状ペプチドの合成およびその後のその閉環を含む、請求項 1または2の化合物の調製方法。
【請求項４】
ペプチドの合成を固相または溶液において行う、請求項 3の方法。
【請求項５】
請求項 1または2の化合物を含む医薬組成物。
【請求項６】
請求項1または2の少なくとも１つの化合物を、少なくとも１つの医薬上許容される賦形剤または媒体と混合して含む、医薬組成物。
【請求項７】
抗癌薬、抗寄生虫薬および抗ウイルス薬からなる群から選択される薬物を、別々の形態または単一用量形態にてさらに含む、請求項 6の組成物。
【請求項８】
インテグリン受容体阻害活性を有する、請求項5-7のいずれかの医薬組成物。
【請求項９】
異常な血管新生に起因する疾患の治療のためのものである、請求項 8の医薬組成物。
【請求項１０】
該疾患が以下からなる群から選択される請求項 9の医薬組成物：天然または誘発的にインテグリンを過剰発現する腫瘍、炎症性疾患、眼疾患、網膜症、急性腎不全、骨粗鬆症、転移および心血管疾患。
【請求項１１】
炎症性疾患が関節リウマチである、請求項 １０の医薬組成物。
【請求項１２】
心血管疾患が脳卒中または心臓障害である、請求項 １０の医薬組成物。
【請求項１３】
インテグリン阻害により抗寄生虫活性を発揮する、請求項 1または2の化合物を含む医薬組成物。
【請求項１４】
請求項 1または2のいずれかの化合物の放射標識化誘導体を含む組成物。
【請求項１５】
請求項 1または2のいずれかの化合物の放射標識化誘導体を含む診断用組成物。
【請求項１６】
該診断が、小さい腫瘤または動脈閉塞の発症の検出である請求項１５の診断用組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月2日(2008.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板のプラズマイオン注入のための方法であって、
処理チャンバ、前記処理チャンバ内にプラズマを生成するためのソース、前記処理チャンバ内で基板を保持するためのプラテン、前記プラテンから離隔された陽極、及びプラズマから基板へイオンを加速するための注入パルスを生成するパルスソースを含むプラズマイオン注入装置を与える工程と、
前記陽極から二次電子を放出させるよう、プラズマから前記陽極へイオンを加速する工程と、
前記陽極から前記基板へ二次電子を加速する工程と、
注入処理に従い基板のプラズマイオン注入を実行する工程と、
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記二次電子は約５００ｅＶから２０ｋｅＶの範囲のエネルギーを有する、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記陽極は電子放出物質で被覆されている、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記陽極はプラズマに関して負にバイアスされている、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記プラテンは接地されている、ことを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記プラテンは正にバイアスされている、ことを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項７】
中空陰極が、前記陽極とプラズマとの間のプラズマ放電領域を包囲し、前記中空陰極が接地されている、ことを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項８】
基板のプラズマイオン注入のための方法であって、
処理チャンバ、前記処理チャンバ内にプラズマを生成するためのソース、前記処理チャンバ内で基板を保持するためのプラテン、及びプラズマから基板へイオンを加速するための注入パルスを生成するパルスソースを含むプラズマイオン注入装置を与える工程と、
注入処理に従い基板のプラズマイオン注入を実行する工程と、
注入されるイオンと基板との間の不所望な相互作用の効果を少なくとも部分的に補償するよう注入処理中にイオンエネルギーを調節する工程と、
を備えたことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月30日(2008.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機材料を転写してOLEDデバイスを形成するためのドナー要素であって、
a）透明な支持体と；
b）該透明な支持体を通過する輻射線に応答して熱を発生させる第１の金属層と；
c）該第１の金属層の上に設けられていて、水分と酸素の一方または両方と反応する第２の金属層と；
d）該第２の金属層の上に配置された転写可能な有機材料を有する有機層とを含んでなり、該第１の金属層によって吸収された輻射線に応答して該有機材料がOLEDデバイスに転写されることを特徴とするドナー要素。
【請求項２】
該第１の金属層と該透明な支持体の間に配置された反射防止層をさらに含む、請求項１に記載のドナー要素。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月8日(2008.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を設ける工程と、
絶縁層を半導体基板の上に形成する工程と、
導電層を絶縁層の上に形成する工程と、
第１膜厚を有する第１金属シリサイド層を導電層の上に形成する工程と、
導電層をパターニングして、制御電極の一部分であるパターニング済み第１層を形成する工程と、
パターニング済み第１金属シリサイド層を制御電極の上に残すように第１金属シリサイド層をパターニングして、パターニング済み第１金属シリサイド層を制御電極の上に形成する工程と、
第２金属シリサイド層は第２膜厚を有し、かつ第２金属シリサイドの第２膜厚は第１金属シリサイドの第１膜厚よりも厚い、第２金属シリサイド層をパターニング済み第１金属シリサイド層の上に形成する工程とを備える、半導体素子の製造方法。
【請求項２】
第１金属シリサイド層を第１層の上に形成する処理では更に、
金属層を第１層の上にスパッタリング法により堆積させる工程と、
第１アニールを第１の温度で行う工程と、
第２アニールを第１の温度よりも高い第２の温度で行う工程とを備える、請求項１記載の方法。
【請求項３】
第１金属シリサイド層を形成する処理では更に、窒素を第１金属シリサイド層にイオン注入する、請求項２記載の方法。
【請求項４】
半導体基板を設ける工程と、
絶縁層を半導体基板の上に形成する工程と、
ポリシリコン層を絶縁層の上に形成する工程と、
シリコンと、コバルト及びニッケルの内の一つと、を含む第１金属シリサイド層を第１層の上に形成する工程と、
第１金属シリサイド層及びポリシリコン層をパターニングする工程と、
第２金属シリサイドをパターニング済み金属シリサイド層の上に形成する工程とを備える、半導体素子の製造方法。
【請求項５】
半導体基板を設ける工程と、
シリコンを含む上部層を備えるゲート電極積層構造を半導体基板の上に形成する工程と、
ニッケル及びコバルトの内の一つを含む第１金属シリサイド層を上部層の上に形成する工程と、
ゲート電極積層構造をパターニングしてゲート電極を形成する工程と、
ゲート電極積層構造の上の第１金属シリサイド層をパターニングしてパターニング済み第１金属シリサイド層を形成する工程と、
ゲート電極に横方向に隣接する半導体基板に不純物をドープして活性領域を形成する工程と、
第２金属シリサイド層を第１金属シリサイド層及び活性領域の上に形成する工程とを備える、半導体素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月17日(2008.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ（１０２）に第１層（１０６）を設ける工程と、
第１層（１０６）上に、パターニングされていない第１ハードマスク（１１０）を形成する工程と、
パターニングされていない第１ハードマスク（１１０）上に、第２ハードマスク積層構造（１１２）を形成する工程と、
第２ハードマスク積層構造（１１２）を第１パターン（６０２）に従ってパターニングする工程であって、第２ハードマスク積層構造（１１２）の内の第１の厚さに相当する部分（１１８）に第１の部分エッチングを行うことを含む工程と、
第２ハードマスク積層構造（１１２）を第２パターン（１００２）に従って第２の時間に亘ってパターニングする工程であって、第２の時間に亘ってパターニングする工程は第２ハードマスク積層構造（１１２）の内の第２の厚さに相当する部分（１１６）に第２の部分エッチングを行うことを含む工程と、
第２の時間に亘ってパターニングする工程の後に、第２ハードマスク積層構造（１１２）を一様にエッチングして、第１の複数のパターン構造（１８０２）を形成する工程であって、一様にエッチングする工程はその一様にエッチングする工程により露出される第１ハードマスクの一部を部分エッチングする工程と、
第１の複数のパターン構造（１８０２）を用いて、第１ハードマスク（１１０）をエッチングして、第１ハードマスク（１１０）の第２の複数のパターン構造（１８０４）を形成する工程であって、第１ハードマスクのエッチングにより露出される第１層の部分は実質的にエッチングされない工程と、
第２の複数のパターン構造（１８０４）を用いて、第１層（１０６）をエッチングして、第１層（１０６）の第３の複数のパターン構造（２６０２）を形成する工程であって、第１層のエッチングにより露出されるウェハの部分は、第１層のエッチング工程の間実質的に損傷を受けない工程と、を有し、
第１ハードマスク（１１０）は第１材料を含み、第２ハードマスク積層構造（１１２）は第２材料を含み、第１材料は第２材料に対して選択的にエッチング可能であり、かつ第２材料は第１材料に対して選択的にエッチング可能であり、
第１材料は第１層（１０６）の材料に対して選択的にエッチング可能であり、これにより、第３の複数のパターン構造（２６０２）を第１層（１０６）に形成する前に、第１ハードマスク（１１０）の第２の複数のパターン構造（１８０４）におけるエッチング深さの差を低減することが可能である、半導体素子（１００）を形成する方法。
【請求項２】
第２ハードマスク積層構造（１１２）は、第１層部分（１１４）と、第１層部分上に位置する第２層部分（１１６）と、第２層部分上に位置する第３層部分（１１８）とを備え、
第１の部分エッチングを行う工程は、第３層部分（１１８）の一部をエッチングすることを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
第２の部分エッチングを行う工程は第３層部分（１１８）の一部をエッチングすることにより露出される第２層部分（１１６）の一部をエッチングすることを含み、
第２の部分エッチングを行う工程は、第２ハードマスク積層構造（１１２）を第１パターンに従ってパターニングしている間にエッチングされなかった第３層の選択位置において第３層の一部をエッチングすることを含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
第２ハードマスク積層構造（１１２）を第１パターン（６０２）に従ってパターニングする工程では、第２ハードマスク積層構造（１１２）の上に第４の複数のパターン構造（２０２）を形成し、第４の複数のパターン構造（２０２）に従って第２ハードマスク積層構造をエッチングすることを含み、
第２の時間に亘ってパターニングする工程の前に、第４の複数のパターン構造（１００２）を除去することを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
第２ハードマスク積層構造（１１２）を第２パターンに従って第２の時間に亘ってパターニングする工程は、第２ハードマスク積層構造の上に第４の複数のパターン構造（１００２）を形成し、第４の複数のパターン構造（２０２）に従って第２ハードマスク積層構造をエッチングし、
第２ハードマスク積層構造（１１２）のエッチングの前に、第４の複数のパターン構造（１００２）を除去して、第２ハードマスク積層構造の第１の複数のパターン構造（１８０２）を形成することを更に含む、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月26日(2008.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を持上げ、支持するためのピンアセンブリであって、
−  上端部および底端部を有するリフトピン（１）を含み、
−  前記上端部は基板（４）を受け、支持するものと解釈され、
−  前記底端部はエレベータシステム（３ａ）によって作動させられるものと解釈され、
−  前記リフトピン（１）はガイドによって移動可能に支えられ、
前記ガイドは、垂直軸におけるピン移動の摩擦を減らすためのローラグライド（２）を含む、ピンアセンブリ。
【請求項２】
ローラグライドは、ブッシング（５）に配置された６個のローラ（６）を含む、請求項１に記載のピンアセンブリ。
【請求項３】
ローラグライド（２）は、リアクタ底部（２ａ）上に装着されている、請求項１または２に記載のピンアセンブリ。
【請求項４】
ローラグライド（２）は、低摩耗および低摩擦を可能にする材料でできたローラ（６）を含む、請求項１から３に記載のピンアセンブリ。
【請求項５】
ローラグライド（２）およびブッシング（５）は同じ材料でできている、請求項２に記載のピンアセンブリ。
【請求項６】
リフトピン（１）の底端部は、少なくとも持上げ動作中に、台板（３）を介してエレベータシステム（３ａ）と接触する、請求項１に記載のピンアセンブリ。
【請求項７】
台板（３）は、前記エレベータシステム（３ａ）に対して横方向に移動可能である上板（７）を含む、請求項６に記載のピンアセンブリ。
【請求項８】
台板（３）はさらに、上板（７）を越えて配置されているボール（９）を備えたボール
保持板（８）を含む、請求項６または７に記載のピンアセンブリ。
【請求項９】
ボール保持板（８）は、前記エレベータシステムに対して横方向に移動可能である、請求項８に記載のピンアセンブリ。
【請求項１０】
上板（７）および保持板（８）の横方向の移動は、弾性軸受（７ａ、８ａ）によって容易にされる、請求項７または９に記載のピンアセンブリ。
【請求項１１】
リフトピン（１）の上端部はさらに、ローリングボール（１４）を保持するものと解釈されるクリアランスを含む、請求項１に記載のピンアセンブリ。
【請求項１２】
ローリングボール（１４）はボール軸受（１３）によって支持される、請求項１１に記載のピンアセンブリ。
【請求項１３】
さらに、保持リング（１２）で、部分的にクリアランスを覆い、リフトピンがローラグライドを通って落ちるのを防ぐ、請求項１１または１２に記載のピンアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月15日(2008.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７１】
前記内部空間は密封され、周囲の圧力未満に排気される、請求項６８に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７２】
前記内部空間は、１．３３３２２×１０-3Ｐａ（１０-5ｔｏｒｒ）未満に排気される、請求項７１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月28日(2008.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）発泡性ポリマーと、
（ｂ）発泡剤と、
（ｃ）発泡性ポリマーを少なくとも７０％の膨張率で発泡させるのに有効な粒度及び表面張力を有する粒子状非ハロゲン化非複素環式ポリオレフィン系核剤と、
を含む、絶縁組成物。
【請求項２】
前記核剤が、８０％を超える膨張率を得るのに有効となる、請求項１に記載の絶縁組成物。
【請求項３】
前記核剤が０．１μｍ〜１００μｍの範囲の平均粒度を有する、請求項１に記載の絶縁組成物。
【請求項４】
前記核剤が約３０ダイン／ｃｍ未満の表面張力を有する、請求項１に記載の絶縁組成物。
【請求項５】
前記核剤が、前記絶縁組成物の重量を基準にして０．０１〜１．０重量％の量で加えられる、請求項１に記載の絶縁組成物。
【請求項６】
前記核剤が１３０℃〜２４０℃の間の範囲の融点を有する、請求項１に記載の絶縁組成物。
【請求項７】
前記核剤が、前記発泡性ポリマーの融点よりも少なくとも１５℃高い融点を有する、請求項１に記載の絶縁組成物。
【請求項８】
前記核剤が、ポリ４−メチルペンテン−１、ポリ４−メチルヘキセン−１、ポリ５−メチルヘキセン−１、ポリ４−メチルヘプテン−１、ポリ５−メチルヘプテン−１、ポリ６−メチルヘプテン−１、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項１に記載の絶縁組成物。
【請求項９】
（ａ）内部導体と、
（ｂ）外部導体と、
（ｃ）請求項１〜８のいずれかに記載された絶縁組成物から調製され、前記内部導体を取り囲む発泡絶縁体と、
を含む、同軸ケーブル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
核剤としては、珪藻土、シリカ、窒化ホウ素、ＺｎＯ、及びＭｇＯなどの材料が挙げられる。これらの核剤は、発泡ポリマーのセル構造を向上させるために使用される。しかし、窒化ホウ素は、許容できる電気的性質が得られるが、その使用には費用がかかりすぎることがある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
表ＩＩは、例示する組成物の調製に使用した処方、及び各組成物について得られた結果を示している。これらの配合物は、窒素を物理発泡剤として使用して、ＲＧ−１１同軸ケーブル絶縁体として押し出した。ＲＧ−１１同軸ケーブルは、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）又は線状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）ポリマーでプレコートされた１４ＡＷＧワイヤを含む（プレコート層の肉厚は０．０２５ｍｍ〜０．０７６ｍｍ（０．００１〜０．００３インチ）である）。絶縁体の直径のばらつきは０．３３ｍｍ（０．０１３インチ）であった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
７．１１２ｍｍ（０．２８０インチ）の目標外径で、主要なロイル(Royle)押出機からプレコートされたワイヤ上に絶縁層を押し出す。各組成物は、７６．２ｃｍ（３０インチ）のエアギャップで加工した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
本発明により作製した絶縁体のセル構造は、絶縁体全体にわたって規則的なクローズドセルを有した。ポリ４−メチルペンテン−１核剤では、わずかに大きいセル（１２７μｍ〜３６０μｍ対６４μｍ〜１９１μｍ）が得られたが、この核剤で、所望の膨張レベルで平滑な外面を有するように絶縁体を発泡させることができた。
【表２】
2008500702.tif 000001
【表３】
2008500702.tif 000002
【表４】
2008500702.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月3日(2008.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非接触通信と少なくとも１つの無線通信とが実行可能な無線通信端末であって、
非接触通信以外の無線通信を実行する第１の無線通信部と、
所定のリーダ・ライタとコマンドを用いた非接触通信を実行する第２の無線通信部と、
前記第２の無線通信部による非接触通信の開始に従って、前記第２の無線通信部が受信するコマンドを解析し、当該コマンドがメモリ管理領域のうちＴＲＭ領域又はセキュアフラッシュにアクセスを要求するものであれば、前記第１の無線通信部を停止し、及び当該コマンドがメモリ管理領域のうち一般領域にアクセスを要求するものであれば、前記第１の無線通信部を一時停止する無線通信制御部とを備える、無線通信端末。
【請求項２】
非接触通信の開始から所定時間を計測するタイマをさらに備え、
前記無線通信制御部は、前記タイマによる所定時間の計測結果に従って、前記第１の無線通信部に施した制限を解除することを特徴とする、請求項１に記載の無線通信端末。
【請求項３】
前記無線通信制御部は、ユーザの指示に基づいて、前記第１の無線通信部による無線通信の実行制限を開始することを特徴とする、請求項１に記載の無線通信端末。
【請求項４】
前記無線通信制御部は、ユーザの指示に基づいて、前記第１の無線通信部による無線通信を停止又は一時停止させることを特徴とする、請求項３に記載の無線通信端末。
【請求項５】
ユーザの指示に基づいて、前記第２の無線通信部の非接触通信の実行を制限する第２の無線通信制御部をさらに備えることを特徴とする、請求項３に記載の無線通信端末。
【請求項６】
前記無線通信制御部は、ユーザの指示に基づいて、前記第２の無線通信部の非接触通信の実行も制限し、非接触通信の制限と無線通信の制限とを排他的に制御することを特徴とする、請求項３に記載の無線通信端末。
【請求項７】
非接触通信の開始から所定時間を計測するタイマをさらに備え、
前記無線通信制御部は、前記タイマによる所定時間の計測結果に従って、前記第１の無線通信部に施した制限を解除することを特徴とする、請求項３に記載の無線通信端末。
【請求項８】
非接触通信以外の少なくとも１つの無線通信を実行する第１の無線通信部と、所定のリーダ・ライタとコマンドを用いた非接触通信を実行する第２の無線通信部とを備えた、無線通信端末が行う通信手段切替方法であって、
前記第２の無線通信部による非接触通信の開始を判断するステップと、
前記非接触通信の開始に従って、前記第２の無線通信部が受信するコマンドを解析ステップと、
前記コマンドがメモリ管理領域のうちＴＲＭ領域又はセキュアフラッシュにアクセスを要求するものであれば、前記第１の無線通信部を停止し、及び前記コマンドがメモリ管理領域のうち一般領域にアクセスを要求するものであれば、前記第１の無線通信部を一時停止するステップとを備える、通信手段切替方法。
【請求項９】
非接触通信以外の少なくとも１つの無線通信を実行する第１の無線通信部と、所定のリーダ・ライタとコマンドを用いた非接触通信を実行する第２の無線通信部とを備えた、無線通信端末で実行される通信手段切替プログラムであって、
前記第２の無線通信部による非接触通信の開始を判断するステップと、
前記非接触通信の開始に従って、前記第２の無線通信部が受信するコマンドを解析ステップと、
前記コマンドがメモリ管理領域のうちＴＲＭ領域又はセキュアフラッシュにアクセスを要求するものであれば、前記第１の無線通信部を停止し、及び前記コマンドがメモリ管理領域のうち一般領域にアクセスを要求するものであれば、前記第１の無線通信部を一時停止するステップとを実行させる、通信手段切替プログラム。
【請求項１０】
非接触通信と少なくとも１つの無線通信とが実行可能な無線通信端末に用いられる集積回路であって、
非接触通信以外の無線通信を実行する第１の無線通信部と、所定のリーダ・ライタとコマンドを用いた非接触通信を実行する第２の無線通信部とを備えた、無線通信端末に組み込まれ、
前記第２の無線通信部による非接触通信の開始に従って、前記第２の無線通信部が受信するコマンドを解析し、当該コマンドがメモリ管理領域のうちＴＲＭ領域又はセキュアフラッシュにアクセスを要求するものであれば、前記第１の無線通信部を停止し、及び当該コマンドがメモリ管理領域のうち一般領域にアクセスを要求するものであれば、前記第１の無線通信部を一時停止する無線通信制御部として機能する回路を集積している、集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月5日(2008.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピクセルに関連する変調伝達関数（ＭＴＦ）を有するピクセルと、
前記ピクセルに接続され、前記ピクセルＭＴＦを変化させるように構成された可変ゲート電圧要素と
を備えることを特徴とするセンサ。
【請求項２】
請求項１に記載のセンサであって、ピクセルＭＴＦが可変ゲート電圧をピクセルに印加することによって変化することを特徴とするセンサ。
【請求項３】
請求項２に記載のセンサであって、前記ピクセルが空乏領域および非空乏深部を含み、１つ以上の可変ゲート電圧を印加することが前記ピクセルの前記非空乏深部を変更することを特徴とするセンサ。
【請求項４】
請求項１に記載のセンサであって、前記センサが裏面薄化シリコンセンサを含むことを特徴とするセンサ。
【請求項５】
請求項１に記載のセンサであって、前記センサが前面センサであることを特徴とするセンサ。
【請求項６】
請求項１に記載のセンサであって、前記センサがＣＭＯＳセンサであることを特徴とするセンサ。
【請求項７】
請求項１に記載のセンサであって、前記可変ゲート電圧要素に関連する電圧が試験体の検査の間に実時間で調整可能であることを特徴とするセンサ。
【請求項８】
試験体の画像を感知する方法であって、
前記試験体から光エネルギーを受け取り、前記光エネルギーを少なくとも１つのピクセルを含むセンサに与えるステップと、
可変ゲート電圧を各ピクセルに印加するステップであって、ピクセルの変調伝達関数（ＭＴＦ）を調整するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、光エネルギーが、明視野光エネルギーおよび暗視野光エネルギーを含むグループからの少なくとも一つを含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の方法であって、各ピクセルが空乏領域を含み、前記可変ゲート電圧を印加するステップが前記ピクセルの前記空乏領域を物理的に変更し、それによって前記ＭＴＦを調整することを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の方法であって、前記可変ゲート電圧を印加するステップが試験体の検査の間に実時間で行われることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項８に記載の方法であって、前記可変ゲート電圧を印加するステップが前記センサのアンチエイリアシング特性を増強することを特徴とする方法。
【請求項１３】
センサをふくむ、試験体を検査するためのシステムであって、
基板から形成され、空乏領域および非空乏深部を含む前記センサ内の少なくとも１つのピクセルと、
前記基板上に形成された絶縁体と、
前記絶縁体上に形成された導体と、
前記導体および前記基板に接続された可変ゲート電圧源と
を備え、
前記可変ゲート電圧源が、前記ピクセルの変調伝達関数（ＭＴＦ）を変化させるように可変電圧を印加することを特徴とするシステム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のシステムであって、前記ピクセルが空乏領域および非空乏深部を含み、可変比率の電圧を印加することが前記ピクセルの前記非空乏深部を変更することを特徴とするシステム。
【請求項１５】
請求項１３に記載のシステムであって、前記センサが裏面薄化シリコンセンサを含むことを特徴とするシステム。
【請求項１６】
請求項１３に記載のシステムであって、前記センサが前面センサであることを特徴とするシステム。
【請求項１７】
請求項１３に記載のシステムであって、前記センサがＣＭＯＳセンサであることを特徴とするシステム。
【請求項１８】
請求項１３に記載のシステムであって、前記可変ゲート電圧源に関連する電圧が試験体の検査の間に実時間で調整可能であることを特徴とするシステム。
【請求項１９】
請求項１４に記載のシステムであって、前記ピクセルの前記非空乏深部を変更することが前記ＭＴＦを計算するために使用される双曲線セカントの幅を調整することを含むことを特徴とするシステム。
【請求項２０】
請求項１３に記載のシステムであって、前記導体を含む前記ピクセルの側に照明を与えることができる照明源をさらに備えることを特徴とするシステム。
【請求項２１】
請求項１３に記載のシステムであって、前記基板を含む前記ピクセルの側に照明を与えることができる照明源をさらに備えることを特徴とするシステム。
【請求項２２】
請求項１２に記載の方法であって、テストパターンを含むサンプルを画像化することによって検査の前にエイリアシングを低減するように前記可変ゲート電圧の値を決定するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２３】
請求項１２に記載の方法であって、半導体ウェハ上の類似の構造を画像化することによって検査の前にエイリアシングを低減するように前記可変ゲート電圧の値を決定するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２４】
請求項１２に記載の方法であって、レチクル上の類似の構造を画像化することによって検査の前にエイリアシングを低減するように前記可変ゲート電圧の値を決定するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２５】
請求項１２に記載の方法であって、エイリアシングを低減するように前記可変ゲート電圧の値を決定するために複数のフレームを比較するステップをさらに含み、少なくとも１つのフレーム内の試験体の第１の位置が別のフレーム内の試験体の第２の位置と異なることを特徴とする方法。
【請求項２６】
請求項２１に記載のシステムであって、前記照明源が４００ｎｍ未満の波長を含むことを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月30日(2008.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カム軸（１６）の調整装置（１０）用のブレーキ装置であって、少なくとも二つの調整入力部（１３、１４）を有し、それぞれに対応するブレーキ要素（３１、３２）が前記調整入力部（１３、１４）にブレーキをかけるために各調整入力部（１３、１４）用に設けられ、さらに、励磁コイル（３６、３７、３８）及び永久磁石（４２、４３、４４、４５）が設けられ、前記励磁コイルへの通電方向に応じて、一方又は他方の前記ブレーキ要素（３１、３２）のいずれかに磁束を導くように構成されることを特徴とするブレーキ装置。
【請求項２】
一つの磁気ピッチ円（４０、４１）が、同径のステータ（３９）と共に、前記調整入力部（１３、１４）ごとに定義されることを特徴とする請求項１に記載のブレーキ装置。
【請求項３】
前記二つのピッチ円（４０、４１）内に共通の前記励磁コイル（３６）が設けられることを特徴とする請求項１あるいは２に記載のブレーキ装置。
【請求項４】
前記永久磁石（４２、４３、４４、４５）が各々のピッチ円（４０、４１）内に配置されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のブレーキ装置。
【請求項５】
前記永久磁石（４２、４３）が前記励磁コイル（３６）に対して、軸方向の隣に配置されることを特徴とする請求項４に記載のブレーキ装置。
【請求項６】
前記ブレーキ要素（３１、３２）が、前記励磁コイル（３６）及びそれぞれに割り当てられた前記永久磁石（４２、４３）に対して、軸方向の隣に配置されることを特徴とする請求項４あるいは５に記載のブレーキ装置。
【請求項７】
前記永久磁石（４４、４５）が前記励磁コイル（３６）に対して、半径方向の隣に配置されることを特徴とする請求項４に記載のブレーキ装置。
【請求項８】
一つの励磁コイル（３７、３８）がそれぞれ磁気ピッチ円（４０、４１）内に設けられることを特徴とする請求項１あるいは２に記載のブレーキ装置。
【請求項９】
前記励磁コイル（３７、３８）が軸方向に隔てられることを特徴とする請求項８に記載のブレーキ装置。
【請求項１０】
前記励磁コイル（３７、３８）を通る電流が、前記励磁コイル（３７、３８）と電気的に直列に接続された整流素子（４８、４９）を介して制御可能であることを特徴とする、請求項８あるいは９のいずれかに記載のブレーキ装置。
【請求項１１】
前記整流素子（４８、４９）を、構造的に前記励磁コイル（３７、３８）と一体的に構成することを特徴とする請求項１０に記載のブレーキ装置。
【請求項１２】
調整入力部（１３、１４）にブレーキトルクをかけるための軸出力部（１７、１８）が同軸上に配置されることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のブレーキ装置。
【請求項１３】
前記ブレーキ要素（３１、３２）が円筒形であり、前記ステータ（３９）の円周方向に延在するエア・ギャップ（４６、４７）内に案内されることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載のブレーキ装置。
【請求項１４】
前記ブレーキ要素（３１、３２）がディスク形であり、前記ステータ（３９）の対称軸に対して直角に延在するエア・ギャップ内に案内されることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載のブレーキ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
他方で、二つの調整入力部を有する調整装置が出願人による先行出願（本願出願後に公開）に記載される。複数の調整入力部を有するこのタイプの調整装置の場合、各々の調整入力部にブレーキをかけることが可能でなければならない。ヒステリシス・ブレーキが各々の調整入力部のために設けられる場合、これは比較的大きなスペースを要し、調整装置もしくはブレーキ装置の複雑な制御が必要になる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【特許文献１】独国特許出願公開第１０３  ２４  ８４５  Ａ１号明細書            （対応する日本特許出願公開２００４−１１５３７号明細書）
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月28日(2008.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外線反射領域と、
紫外線散乱領域とを備える極端紫外リソグラフィ・マスクであって、
前記反射領域および前記散乱領域が、同じ材料で構成されている極端紫外リソグラフィ・マスク。
【請求項２】
前記反射領域が、モリブデンおよびシリコンを含む反射多層を備え、さらに前記多層が、半導体ウェハに印刷するために入射放射波を反射するように形作られた平らな表面を備える、請求項１に記載のマスク。
【請求項３】
前記散乱領域が、モリブデンおよびシリコンを含む多層を備え、さらに前記多層が、露光光学系による集光を妨げかつ半導体ウェハへの印刷を妨げるように入射紫外放射波を偏向させる角度に形作られた斜面を備える、請求項１に記載のマスク。
【請求項４】
前記角度が、前記露光光学系の集光角よりも大きい、請求項３に記載のマスク。
【請求項５】
前記散乱領域が、露光光学系による集光を妨げかつ半導体ウェハへの印刷を妨げるように入射紫外放射波を偏向させるように形作られた粗面を備える、請求項１に記載のマスク。
【請求項６】
前記散乱領域が、露光光学系による集光を妨げかつ半導体ウェハへの印刷を妨げるように入射紫外放射波を偏向させるように形作られたぎざぎざの表面を備える、請求項１に記載のマスク。
【請求項７】
前記散乱領域が、露光光学系による集光を妨げかつ半導体ウェハへの印刷を妨げるように入射紫外放射波を偏向させるように形作られた曲面を備える、請求項１に記載のマスク。
【請求項８】
極端紫外リソグラフィ・マスクを形成する方法であって、
基板に隣接して結晶シリコン層を接合するステップと、
モリブデンとシリコンを含む多層を前記結晶シリコン層に隣接して形成するステップとを備え、
前記多層が、水平部分と平坦でない部分とを有する表面を含んでいる方法。
【請求項９】
前記結晶シリコン層が、前記基板に陽極接合される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
多層を形成する前記ステップより前に、前記方法が、
前記結晶シリコン層の上にハードマスクを堆積するステップと、
前記ハードマスクの上にフォトレジスト・マスクを堆積するステップと、
前記フォトレジスト・マスクでパターンを作るステップと、
前記パターンを前記ハードマスクに転写するステップとをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記結晶シリコン層のエッチングされた領域に平坦でない表面を生成するように前記結晶シリコン層をエッチングするステップと、
前記ハードマスクを除去するステップとをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
露光光学系による集光を避けかつ半導体ウェハへの印刷を妨げるように入射紫外放射波を偏向させる粗面を有するように前記平坦でない部分を形作るステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
露光光学系による集光を避けかつ半導体ウェハへの印刷を妨げるように入射紫外放射波を偏向させるぎざぎざの表面を有するように前記平坦でない部分を形作るステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
露光光学系による集光を避けかつ半導体ウェハへの印刷を妨げるように入射放射波を偏向させる曲面を有するように前記平坦でない部分を形作るステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
極端紫外リソグラフィ・マスクを形成する方法であって、
前記マスクの表面に反射領域を形成するステップと、
前記マスクの前記表面に散乱領域を形成するステップとを含み、
前記反射領域および前記散乱領域が同じ材料を備える方法。
【請求項１６】
露光光学系による集光を避けかつ半導体ウェハへの印刷を妨げるように入射紫外放射波を偏向させる粗面を有するように前記散乱領域を形作るステップをさらに備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
露光光学系による集光を避けかつ半導体ウェハへの印刷を妨げるように入射紫外放射波を偏向させるぎざぎざの表面を有するように前記散乱領域を形作るステップをさらに備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
露光光学系による集光を避けかつ半導体ウェハへの印刷を妨げるように入射放射を偏向させる曲面を有するように前記散乱領域を形作るステップをさらに備える、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月28日(2008.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トンネル・ナノチューブ電界効果トランジスタを製作する方法であって、
半導体特性を有するナノチューブを設けるステップと、
前記トランジスタのチャネル領域、第１のドレイン／ソース領域、および第２のドレイン／ソース領域を前記ナノチューブに定義するステップであって、前記第１のドレイン／ソース領域が前記チャネル領域の第１の端に近接し、さらに前記第２のドレイン／ソース領域が前記チャネル領域の第２の端に近接しているステップと、
前記チャネル領域の上にゲート誘電体層を形成するステップと、
前記ゲート誘電体層の上にゲート電極を形成するステップと、
ｎ型ドーパントを使用して前記第１のドレイン／ソース領域に選択的にドープするステップと、
ｐ型ドーパントを使用して前記第２のドレイン／ソース領域に選択的にドープするステップと、
前記ゲート電極および前記ドレイン／ソース領域の各々に少なくとも１つの電気コンタクトを形成するステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記ナノチューブが、軸方向の開口を有しない、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ナノチューブが、炭素（Ｃ）ナノチューブ、シリコン（Ｓｉ）ナノチューブ、および化合物半導体を備えるナノチューブのうちの１つである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記化合物半導体が、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、燐化インジウム（ＩｎＰ）、および砒化インジウム・ガリウム（ＩｎＧａＡｓ）のうちの１つである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ナノチューブの外径が、約５ｎｍ未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ドーピングが、前記チャネル領域で電荷担体の量子力学的トンネリングを容易にする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ｎ型ドーパントが、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、およびポリエチレンイミン分子のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ｐ型ドーパントが、塩素（Ｃｌ２）および臭素（Ｂｒ２）のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ドーピングが、金属／分子堆積プロセスを使用して行なわれる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ゲート誘電体層が、ＳｉＯ２、ＨｆＯ２、およびＡｌ２Ｏ３のうちの少なくとも１つで約１から１０ｎｍの厚さに形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ゲート電極が、金属、金属の合金、または導電性化合物のうちの少なくとも１つで形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも１つの電気コンタクトが、金属、金属の合金、または導電性化合物のうちの少なくとも１つで形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ゲート誘電体層、ゲート電極、および少なくとも１つの電気コンタクトが、真空堆積プロセスを使用して形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
トンネル・ナノチューブ電界効果トランジスタであって、
ナノチューブに画定された、半導体特性を有するチャネル領域と、
前記チャネル領域の上に形成されたゲート誘電体層と、
前記ゲート誘電体層の上に形成されたゲート電極と、
前記チャネル領域の第１の端に近接して前記ナノチューブに形成された第１のドレイン／ソース領域であって、ｎ型ドーパントを使用して選択的にドープされた第１のドレイン／ソース領域と、
前記チャネル領域の第２の端に近接して前記ナノチューブに形成された第２のドレイン／ソース領域であって、ｐ型ドーパントを使用して選択的にドープされた第２のドレイン／ソース領域と、
前記ゲート電極および前記ドレイン／ソース領域の各々の上の少なくとも１つの電気コンタクトと、を備えるトンネル・ナノチューブ電界効果トランジスタ。
【請求項１５】
前記第１のドレイン／ソース領域が接地電位の電源に結合され、前記第２のドレイン／ソース領域がドレイン電圧の電源に結合され、さらに前記ゲート電極がゲート電圧の電源に結合され、それによってｐ型トランジスタ・デバイスを形成している、請求項１４に記載のトランジスタ。
【請求項１６】
前記第２のドレイン／ソース領域およびゲート電極の電圧が、前記接地電位以下である、請求項１５に記載のトランジスタ。
【請求項１７】
前記第２のドレイン／ソース領域が接地電位の電源に結合され、前記第１のドレイン／ソース領域がドレイン電圧の電源に結合され、さらに前記ゲート電極がゲート電圧の電源に結合され、それによってｎ型トランジスタ・デバイスを形成している、請求項１４に記載のトランジスタ。
【請求項１８】
前記第１のドレイン／ソース領域およびゲート電極の電圧が、前記接地電位以上である、請求項１７に記載のトランジスタ。
【請求項１９】
前記ナノチューブが、軸方向の開口を有しない、請求項１４に記載のトランジスタ。
【請求項２０】
前記ナノチューブが、炭素（Ｃ）ナノチューブ、シリコン（Ｓｉ）ナノチューブ、および化合物半導体を備えるナノチューブのうちの１つである、請求項１４に記載のトランジスタ。
【請求項２１】
前記化合物半導体が、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、燐化インジウム（ＩｎＰ）、および砒化インジウム・ガリウム（ＩｎＧａＡｓ）のうちの１つである、請求項２０に記載のトランジスタ。
【請求項２２】
前記ナノチューブの外径が、約５ｎｍ未満である、請求項１４に記載のトランジスタ。
【請求項２３】
ドーピングが、前記チャネル領域で電荷担体の量子力学的トンネリングを容易にする、請求項１４に記載のトランジスタ。
【請求項２４】
前記ｎ型ドーパントが、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、およびポリエチレンイミン分子のうちの少なくとも１つを含む、請求項１４に記載のトランジスタ。
【請求項２５】
前記ｐ型ドーパントが、塩素（Ｃｌ２）および臭素（Ｂｒ２）のうちの少なくとも１つを含む、請求項１４に記載のトランジスタ。
【請求項２６】
ドーピングが、金属／分子堆積プロセスを使用して行なわれている、請求項１４に記載のトランジスタ。
【請求項２７】
前記ゲート誘電体層が、ＳｉＯ２、ＨｆＯ２、およびＡｌ２Ｏ３のうちの少なくとも１つで約１から１０ｎｍの厚さに形成されている、請求項１４に記載のトランジスタ。
【請求項２８】
前記ゲート電極が、金属、金属の合金、または導電性化合物のうちの少なくとも１つで形成されている、請求項１４に記載のトランジスタ。
【請求項２９】
前記少なくとも１つの電気コンタクトが、金属、金属の合金、または導電性化合物のうちの少なくとも１つで形成されている、請求項１４に記載のトランジスタ。
【請求項３０】
前記ゲート誘電体層、ゲート電極、および前記少なくとも１つの電気コンタクトが、真空堆積プロセスを使用して形成されている、請求項１４に記載のトランジスタ。