【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年11月16日(2007.11.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果トランジスタ、特に、ＭＩＳ電界効果トランジスタであって、
ａ）半導体基板の上に配置される少なくとも１つのウェブタイプの隆起であって、上面および側面を有するウェブタイプの隆起と、
ｂ）該ウェブタイプの隆起の該上面の上に配置される第１のゲート酸化物層と、
ｃ）該第１のゲート酸化物層の上に配置される第１のゲート電極であって、上面および側面を有する第１のゲート電極と、
ｄ）該ウェブタイプの隆起の該側面の一部分および該第１のゲート電極の該側面の一部分の上に少なくとも配置される第２のゲート酸化物層と、
ｅ）該第２のゲート酸化物層、および該第１のゲート電極の該上面の上に配置される第２のゲート電極と、
ｆ）該ウェブタイプの隆起の上に配置されるソース領域およびドレイン領域と
を有する、電界効果トランジスタ。
【請求項２】
前記第２のゲート酸化物層は、前記ウェブタイプの隆起の前記側面の上よりも、前記第１のゲート電極の前記側面の上で、より厚く製造される、請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項３】
絶縁スペーサは、前記第１のゲート電極のレベルで前記第２のゲート酸化物層の上に配置される、請求項１または２に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項４】
電界効果トランジスタ、特に、ＭＩＳ電界効果トランジスタであって、
ａ）半導体基板の上に配置される少なくとも１つのウェブタイプの隆起であって、上面および側面を有するウェブタイプの隆起と、
ｂ）該ウェブタイプの隆起の該側面の一部分の上に少なくとも配置される第１のゲート酸化物層と、
ｃ）該第１のゲート酸化物層の上に配置される第１のゲート電極であって、上面および側面を有する第１のゲート電極と、
ｄ）該ウェブタイプの隆起の該上面、および該第１のゲート電極の該上面の上に配置される第２のゲート酸化物層と、
ｅ）該第２のゲート酸化物層、および該第１のゲート電極の該側面の上に配置される第２のゲート電極と、
ｆ）該ウェブタイプの隆起の上に配置されるソース領域およびドレイン領域と
を有する、電界効果トランジスタ。
【請求項５】
前記ウェブタイプの隆起は、該ウェブタイプの隆起の前記上面と該ウェブタイプの隆起の前記側面との間で丸みのあるエッジをさらに備える、請求項１〜４のいずれか１つに記載の電界効果トランジスタ。
【請求項６】
前記エッジの湾曲の半径は、前記第１のゲート酸化物層または前記第２のゲート酸化物層の厚さに比例する、請求項５に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項７】
前記ソース領域と前記ゲート電極との間、さらに、前記ドレイン領域と該ゲート電極との間にスペーサが配置される、請求項１〜６のいずれか１つに記載の電界効果トランジスタ。
【請求項８】
前記第１のゲート電極は、ポリシリコン層を有する、請求項１〜７のいずれか１つに記載の電界効果トランジスタ。
【請求項９】
前記第２のゲート電極は、ポリシリコン金属の２重層またはポリサイド層を有する、請求項１〜８のいずれか１つに記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１０】
ゲート酸化物層によって覆われた前記ウェブタイプの隆起の前記側面の一部分は、トレンチアイソレーションによって境界付けされる、請求項１〜９のいずれか１つに記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１１】
前記ソース領域および前記ドレイン領域のドーピングプロファイルの深さは、ゲート酸化物層によって覆われている前記ウェブタイプの隆起の底面と、前記第２のゲート酸化物層の底面との間の高さの差よりも大きい、請求項１〜１０のいずれか１つに記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１２】
電界効果トランジスタ、特に、ＭＩＳ電界効果トランジスタを製造する方法であって、
ａ）半導体基板が提供される工程であって、第１のゲート酸化物層が該半導体基板の上に付与され、側面を備える第１のゲート電極層が該第１のゲート酸化物層に付与されている、工程と、
ｂ）上面および側面を有する少なくとも１つのウェブタイプの隆起が生成される工程であって、該第１のゲート酸化物層および該第１のゲート電極層が該ウェブタイプの隆起の該上面の上に配置されている、工程と、
ｃ）第２のゲート酸化物層が、該ウェブタイプの隆起の該側面の一部分および該第１のゲート電極層の該側面の一部分の上に少なくとも生成される工程と、
ｄ）第２のゲート電極層が付与されることにより、該第２のゲート電極層が、該第２のゲート酸化物層、および該第１のゲート電極層の該上面の上に配置される工程と、
ｅ）該第１のゲート電極層および該第２のゲート電極層が、第１および第２のゲート電極を形成するようにパターニングされ、ソース領域およびドレイン領域が生成される工程と
を包含する、方法。
【請求項１３】
前記ウェブタイプの隆起は、トレンチアイソレーション用のトレンチのパターニングにより生成される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記トレンチアイソレーション用の前記トレンチは、酸化物で充填され、かつ、エッチングバックが実行され、これにより、前記ウェブタイプの隆起の前記側面の一部分が露出される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記エッチングバックの前に、ＣＭＰ工程が実行される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ウェブタイプの隆起の前記上面と該ウェブタイプの隆起の前記側面との間の該ウェブタイプの隆起のエッジを丸み付けするために、少なくとも１回の熱処理が実行される、請求項１２〜１５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１７】
前記ゲート酸化物層は、それぞれ、熱酸化によって生成される、請求項１２〜１６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１８】
前記第２のゲート酸化物層は、選択的酸化によって生成され、これにより、前記第２のゲート酸化物層は、前記ウェブタイプの隆起の前記側面の上よりも、前記第１のゲート電極の前記側面の上で、より厚く製造される、請求項１２〜１７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１９】
絶縁スペーサは、前記第１のゲート電極層が生成された後に生成され、これにより、該第１のゲート電極のレベルで、絶縁スペーサが前記第２のゲート酸化物層の上に配置される、請求項１２〜１８のいずれか１つに記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
この場合、エッジの湾曲の半径が第１または第２のゲート酸化物層の層厚さの大きさのオーダーにある場合、特に好適である。従って、いわゆる「寄生コーナーデバイス」の閾値電圧は、プレーナチャネル領域の閾値電圧値よりも大きい値にされ得る。従って、結果として生じた、エッジの湾曲の表面に沿う電界の大きさは、チャネルのプレーナ部分における電界の大きさを超過しない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
本発明による電界効果トランジスタの本実施形態の場合、活性領域のエッジ８が丸み付けされる。この丸み付けの湾曲の半径は、ゲート酸化物の厚さの大きさのオーダーにある。さらに、チャネル領域は、デュアルゲート電極５、７をＳ／Ｄコンタクト領域から長手方向に絶縁するスペーサ（図示せず）によってソースおよびドレイン側で支えられる（ｆｌａｎｋｅｄ）。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
従って、活性面および埋没ＳＴＩ表面を含む起伏構造は、チャネル領域において、デュアルゲート電極５、７によって覆われる。この場合、第１のゲート電極５は、好適には、高濃度ドーピングポリシリコンからなる一方で、第２のゲート電極７は、好適には、ポリシリコン金属層のスタックを有する。２つのゲート電極５、７は、第１のゲート電極５が、活性領域２の垂直部分２ｂのみを覆い、かつ、その上面でほぼ終端する一方で、第２のゲート電極７は、活性領域２の上面を覆い、かつ第１のゲート電極５を包囲するように配置される。この場合、第２のゲート電極は、その側面上の第１のゲート電極と接触する一方で、第２のゲート酸化物層６によってその上部側壁から絶縁される。チャネル領域は、そのプレーナ部分で第２のゲート酸化物層６によって、およびその垂直領域において第１のゲート酸化物層４によって覆われる。