Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月19日(2006.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
あるボリューム（２０）を撮像するための磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）デバイス（２００）であって、
磁場を発生させるための少なくとも１つの主マグネット（２３０）と、
前記ボリューム（２０）を撮像するように、前記少なくとも１つの主マグネット（２３０）が発生させる磁場を矯正するための少なくとも１つの傾斜コイル（５０）と、
前記少なくとも１つの傾斜コイル（５０）の動作中にうず電流を実質的に誘導しない主マグネット冷却式熱スプレッダと、
備える、磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）デバイス。
【請求項２】
前記少なくとも１つの主マグネット（２３０）が、極低温で動作する少なくとも１つの超伝導コイルを備えている、請求項１に記載のＭＲＩデバイス（２００）。
【請求項３】
前記少なくとも１つの主マグネット（２３０）がさらに、超伝導コイル層に隣接して、クライオクーラ熱交換器（２８０）と結合させた少なくとも１つの冷却用チューブ（２７０）を備えている、請求項２に記載のＭＲＩデバイス（２００）。
【請求項４】
前記少なくとも１つの主マグネット（２３０）がさらに、前記少なくとも１つの超伝導コイルを包み込んでいる複合真空容器（２４０）であって、少なくとも１つの傾斜コイル（５０）が発生させる磁場によってその内部にうず電流が実質的に誘導されないような材料から形成されている複合真空容器（２４０）を備えている、請求項２に記載のＭＲＩデバイス（２００）。
【請求項５】
前記少なくとも１つの主マグネット（２３０）は、前記少なくとも１つの傾斜コイル（５０）が発生させる磁場により誘導されるようなうず電流が実質的に無い、請求項１に記載のＭＲＩデバイス（２００）。
【請求項６】
前記主マグネット冷却式熱スプレッダが、
冷却式熱シールド（８１０）と、
前記超伝導コイルをその上に巻き付けた冷却式コイルフォーム（２１０）と、
のうちの一方を含む少なくとも１つを備えている請求項２に記載のＭＲＩデバイス（２００）。
【請求項７】
前記主マグネット冷却式熱スプレッダが、前記冷却式コイルフォーム（２１０）を備えており、
前記冷却式コイルフォーム（２１０）が、
ガラス繊維、エポキシ及び銅ワイヤを含む複合材料と、
前記コイルフォーム（２１０）の周りに巻き付けている、クライオクーラ熱交換器（２８０）と結合させた少なくとも１つの冷却用チューブ（２７０）と、
を備えている、請求項６に記載のＭＲＩデバイス（２００）。
【請求項８】
前記主マグネット冷却式熱スプレッダが、前記少なくとも１つの冷却式熱シールド（８１０）を備えており、
前記少なくとも１つの冷却式熱シールド（８１０）が、
シールド・シリンダ（８１０）と、
前記シールド・シリンダ（８１０）の周りに巻き付けている、クライオクーラ熱交換器（２８０）と結合させた少なくとも１つの冷却用チューブ（２７０）と、
を備えている、請求項６に記載のＭＲＩデバイス（２００）。
【請求項９】
前記シールド・シリンダ（８１０）がエポキシ−ガラス／銅−ワイヤ複合材料を含む、請求項８に記載のＭＲＩデバイス（２００）。
【請求項１０】
前記少なくとも１つのマグネット（２３０）と熱的に結合させたクライオクーラ熱交換器（２８０）と、
前記クライオクーラ熱交換器（２８０）が使用する冷却媒体を冷却するための極低温冷凍機（２８０）と、をさらに備えている、請求項１に記載のＭＲＩデバイス（２００）。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月6日(2007.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成された第１の窒化膜と、
前記ゲート電極及び前記第１の窒化膜の側面に順番に形成された第１の酸化膜と第２の窒化膜を備えるサイドウォールとを有し、
前記第１の窒化膜は、上部の外径が下部の外径よりも小さく、
前記第１の酸化膜の前記ゲート電極の側面にある部分は、上面から見て前記第２の窒化膜で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記サイドウォールは、前記ゲート電極及び前記第１の窒化膜の側面に順番に形成された前記第１の酸化膜、前記第２の窒化膜、第２の酸化膜及び第３の窒化膜を備え、
前記第２の酸化膜の前記ゲート電極の側面にある部分は、上面から見て前記第３の窒化膜で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の窒化膜は、上面の角が丸まっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の窒化膜は、上方にいくほど外径が小さくなるテーパー形状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の窒化膜は、上部の外径が下部の外径に比べて階段状に小さくなることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る半導体装置は、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された第１の窒化膜と、ゲート電極及び第１の窒化膜の側面に順番に形成された第１の酸化膜と第２の窒化膜を備えるサイドウォールとを有し、第１の窒化膜は、上部の外径が下部の外径よりも小さく、第１の酸化膜のゲート電極の側面にある部分は、上面から見て第２の窒化膜で覆われている。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月17日(2007.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを生成し、前記プラズマから放射される光を供給する光源装置であって、
前記プラズマから放射される光の位置を一定に維持する維持手段を有することを特徴とする光源装置。
【請求項２】
ターゲットを供給するターゲット供給装置と、
レーザー光を射出するレーザー発生部と、前記ターゲットに前記レーザー光を集光する集光素子とを有し、前記プラズマを生成するレーザー装置と、
前記プラズマから放射される光を集光する光学部材とを更に有することを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項３】
電極から電圧を印加して、放電により前記プラズマを生成する印加装置と、
前記プラズマから放射される光を集光する光学部材とを更に有することを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項４】
前記維持手段は、前記光の位置を検出する第１の検出手段、前記プラズマの位置を検出する第２の検出手段、前記光学部材の位置及び／又は角度を検出する第３の検出手段、前記集光素子の位置及び／又は角度を検出する第４の検出手段のうち少なくとも一の検出手段と、
前記光学部材の位置及び／又は角度を調整する第１の調整手段、前記集光素子の位置及び／又は角度を調整する第２の調整手段、前記ターゲット供給装置の位置及び／又は角度を調整する第３の調整手段のうち少なくとも一の調整手段と、
前記検出手段の検出結果に基づいて、前記光の位置を一定に維持するように、前記調整手段を制御する制御部とを有することを特徴とする請求項２記載の光源装置。
【請求項５】
前記維持手段は、前記光の位置を検出する第１の検出手段、前記プラズマの位置を検出する第２の検出手段、前記光学部材の位置及び／又は角度を検出する第３の検出手段、前記電極の位置及び／又は角度を検出する第４の検出手段のうち少なくとも一の検出手段と、
前記光学部材の位置及び／又は角度を調整する第１の調整手段、前記電極の位置及び／又は角度を調整する第２の調整手段のうち少なくとも一の調整手段と、
前記検出手段の検出結果に基づいて、前記光の位置を一定に維持するように、前記調整手段を制御する制御部とを有することを特徴とする請求項３記載の光源装置。
【請求項６】
レチクルに形成されたパターンを被処理体に露光する露光装置であって、
請求項１乃至５のうちいずれか一項記載の光源装置と、
前記光源装置から供給される光を用いて前記レチクルを照明する照明光学系と、
前記レチクルに形成されたパターンを前記被処理体に投影する投影光学系とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項７】
請求項６記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項８】
被測定体の反射率を測定する測定装置であって、
請求項１乃至５記載のうちいずれか一項記載の光源装置と、
前記光源装置から供給された光を前記被測定体に照射する照射手段と、
前記被測定体から反射した前記光を検出する検出手段とを有することを特徴とする測定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月24日(2007.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
一方で、駆動部７５が可動ロッド７３を下降駆動させると、可動ロッド７３の先端部はフィルム７１の円筒状凹部の上底面から離間されて、フィルム７１の上面をスピンベース５の延出部５ａの上面と同一平面内に収容する。このため、突出させた複数の支持部７のフィルム７１のうち少なくとも３個を残して、その一部を下降させることで、下降させたフィルム７１を基板Ｗの下面から離間させることが可能となる。なお、このようなフィルム７１は、可撓性を有するとともに処理液に対する耐腐食性を有する樹脂により成形される。好ましくは、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）等のフッ素樹脂が用いられる。このように、この実施形態ではフィルム７１が本発明の「支持部材」に、駆動部７５が本発明の「駆動手段」に相当している。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月18日(2007.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極上に形成された発光層とを有し、
前記第１の電極は、前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続され、該コンタクトホールに起因する凹部を有し、
前記発光層は、前記凹部上に平坦な上面を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された有機樹脂を含む第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された窒化酸化珪素を含む第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極上に形成された発光層とを有し、
前記第１の電極は、前記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続され、該コンタクトホールに起因する凹部を有し、
前記発光層は、前記凹部上に平坦な上面を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された有機樹脂を含む第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムのうち少なくとも一つを含む第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極上に形成された発光層とを有し、
前記第１の電極は、前記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続され、該コンタクトホールに起因する凹部を有し、
前記発光層は、前記凹部上に平坦な上面を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された有機樹脂を含む第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成されたホウ素、炭素、窒素から選ばれた少なくとも一つの元素と、アルミニウム、珪素、リンから選ばれた少なくとも一つの元素とを含む第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極上に形成された発光層とを有し、
前記第１の電極は、前記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続され、該コンタクトホールに起因する凹部を有し、
前記発光層は、前記凹部上に平坦な上面を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記第１の電極の端部と、前記絶縁膜又は前記第２の絶縁膜とを覆ってバンクが形成され、前記発光層の端部は、当該バンクの側面に接して形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極の端部及び前記絶縁膜を覆って形成されたバンクと、
前記第１の電極上に前記バンクを乗り越えないように形成された発光層とを有し、
前記第１の電極は、前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続され、該コンタクトホールに起因する凹部を有し、
前記発光層は、前記凹部上に平坦な上面を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された有機樹脂を含む第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された窒化酸化珪素を含む第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極の端部及び前記第２の絶縁膜を覆って形成されたバンクと、
前記第１の電極上に前記バンクを乗り越えないように形成された発光層とを有し、
前記第１の電極は、前記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続され、該コンタクトホールに起因する凹部を有し、
前記発光層は、前記凹部上に平坦な上面を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された有機樹脂を含む第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムのうち少なくとも一つを含む第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極の端部及び前記第２の絶縁膜を覆って形成されたバンクと、
前記第１の電極上に前記バンクを乗り越えないように形成された発光層とを有し、
前記第１の電極は、前記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続され、該コンタクトホールに起因する凹部を有し、
前記発光層は、前記凹部上に平坦な上面を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された有機樹脂を含む第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成されたホウ素、炭素、窒素から選ばれた少なくとも一つの元素と、アルミニウム、珪素、リンから選ばれた少なくとも一つの元素とを含む第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極の端部及び前記第２の絶縁膜を覆って形成されたバンクと、
前記第１の電極上に前記バンクを乗り越えないように形成された発光層とを有し、
前記第１の電極は、前記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続され、該コンタクトホールに起因する凹部を有し、
前記発光層は、前記凹部上に平坦な上面を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項５乃至請求項９のいずれか一において、前記バンク及び前記発光層上に第２の電極が形成され、
前記第２の電極上にパッシベーション膜が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１０において、前記第２の電極と前記パッシベーション膜の間に第３の電極が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、前記薄膜トランジスタは、直列に接続された二つ以上のチャネル形成領域を有する島状の半導体膜を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、前記発光層は、高分子材料を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一に記載の電気光学装置を用いたことを特徴とするビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、モバイルコンピュータ、携帯電話、電子書籍、記録媒体を備えた画像再生装置またはカーオーディオ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月22日(2006.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１セル及び第２セルを備え、
第１セル及び第２セルは、それぞれ、電解質膜と、前記電解質膜を挟んで配置された燃料極及び空気極とを有し、
第２セルは、燃料極から空気極への、電解質膜を通る液体燃料透過が第１セルよりも大きいことを特徴とする液体燃料電池。
【請求項２】
第１セルと第２セルは、熱的に接触して配置されている請求項１に記載の液体燃料電池。
【請求項３】
第２セルの電解質膜は、第１セルの電解質膜と同じ材料からなり、かつ第１セルの電解質膜よりも膜厚が薄い請求項１又は２に記載の液体燃料電池。
【請求項４】
第１セルの電解質膜と第２セルの電解質膜は、互いに異なる材料からなる請求項１又は２に記載の液体燃料電池。
【請求項５】
第１セル及び第２セルを備え、
第１セル及び第２セルは、それぞれ、電解質膜と、前記電解質膜を挟んで配置された燃料極及び空気極とを有し、
第２セルの電解質膜は、第１セルの電解質膜と同じ材料からなり、かつ第１セルの電解質膜よりも膜厚が薄いことを特徴とする液体燃料電池。
【請求項６】
第１セル及び第２セルを備え、
第１セル及び第２セルは、それぞれ、電解質膜と、前記電解質膜を挟んで配置された燃料極及び空気極とを有し、
第１セルの電解質膜と第２セルの電解質膜は、互いに異なる材料からなることを特徴とする液体燃料電池。
【請求項７】
第２セルの空気極は、ＣＯ被毒耐性触媒を備える請求項１〜６の何れか１つに記載の液体燃料電池。
【請求項８】
第２セルは、第１セルに対して電気的に分離されていることを特徴とする請求項１〜７の何れか１つに記載の液体燃料電池。
【請求項９】
第１閾値温度で流量が零になるように、第１セルの温度に連動して第２セルの燃料極へ供給される液体燃料の流量を変動させる液体燃料流量制御部をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の液体燃料電池。
【請求項１０】
前記液体燃料流量制御部は、温度変動に連動するバルブを有することを特徴とする請求項９に記載の液体燃料電池。
【請求項１１】
前記バルブは、形状記憶合金からなる部材を構成要素とすることを特徴とする請求項１０に記載の液体燃料電池。
【請求項１２】
第１閾値温度で流量が零になるように、第１セルの温度に連動して第２セルの空気極へ供給される空気の流量を変動させる空気流量制御部をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の液体燃料電池。
【請求項１３】
前記空気流量制御部は、温度変動に連動するバルブを有することを特徴とする請求項１２に記載の液体燃料電池。
【請求項１４】
前記バルブは、形状記憶合金からなる部材を構成要素とすることを特徴とする請求項１３に記載の液体燃料電池。
【請求項１５】
第１セルの温度が、第１閾値温度よりも高い第２閾値温度を超えたときに、第２セルの空気極に冷却水を供給する冷却水供給部をさらに備える請求項８〜１４の何れか１つに記載の液体燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月15日(2006.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
たとえば、特許文献１は、無加湿高分子電解質膜として、リン酸がドープされたポリベンズイミダゾールなどの材料を開示する。
【特許文献１】特表平１１−５０３２６２号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
（評価）
上述のような手順により作製された固体高分子電解質膜を、図２に示したような固体高分子形燃料電池スタック１０に組み込み、イオン伝導度を測定した。イオン伝導度の測定には、４−プローブ伝導度測定装置を使用し、周波数1Hz〜100kHz、電圧100mVの条件下で測定を実施した。その結果、150℃、無加湿の条件下でイオン伝導度約10-1S/cmが得られた。このイオン伝導度は、少なくとも1000時間は維持された。イオン伝導測定後の固体高分子電解質膜を目視にて観察したところ、ひび割れ等の異常は見られなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月15日(2006.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
たとえば、特許文献１は、無加湿高分子電解質膜として、リン酸がドープされたポリベンズイミダゾールなどの材料を開示する。
【特許文献１】特表平１１−５０３２６２号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
強酸としては、リン酸、硫酸などの無機酸が挙げられる。なお、強酸としてリン酸を使用する場合には、濃度が約85〜122(%H3PO4）であることが好ましい。リン酸の濃度が85(%H3PO4）より低いと、イオン伝導度が不十分となり、リン酸の濃度を122 (%H3PO4）より高くすると液体粘度が高くなり、固相状態となりやすく製造上困難である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図２は、PBI(体積平均粒径：50μm）およびリン酸をポリテトラフルオロエチレンで固めた高分子電解質膜（膜厚：200μm）のリン酸含有量とイオン伝導度との関係を示す。図２から分かるように、リン酸濃度が80(wt%)より高い領域において、イオン伝導度が高いレベルで維持されることがわかる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月6日(2007.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、第２電極と、前記第1電極と前記第2電極の間に配置されている有機ＥＬ層と、を備えた有機ＥＬ発光素子と、
前記第２電極の外側に配置されている絶縁膜と、
前記絶縁膜の外側に配置されているカラーフィルタとを備え、
前記有機ＥＬ表示素子、前記絶縁膜及び前記カラーフィルタが、同一基板上に配置されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記カラーフィルタは、前記有機ＥＬ発光素子毎に分離形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記絶縁膜は、窒化シリコン又は酸化シリコンであること特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記第１電極を囲み、第２電極で覆われる絶縁性の隔壁を有し、
前記有機ＥＬ層は、前記第１電極と接し、かつ前記隔壁で囲まれ、第２電極で覆われ、
前記カラーフィルタは、前記隔壁で囲まれた凹部に配置されていることを特徴とすることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記カラーフィルタは、湿式工程で製造されたものであることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項５において、湿式工程はインクジェット法であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記封止部材で封止された内部に吸湿剤を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
請求項1において、
前記絶縁膜は平坦膜であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
請求項1において、
隣接するカラーフィルタの間に遮光膜があることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月8日(2007.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次元的な広がりを有する面状の電子線を試料に対して照射電子線として照射する照射レンズ系と、前記面状の電子線照射により前記試料から出射された反射電子線を投影拡大して試料像を投影結像させる結像レンズ系と、前記照射電子線と前記反射電子線を分離するビームセパレータとを備えた反射結像型電子顕微鏡において、
前記反射電子線については前記ビームセパレータを直進させるとともに、前記照射電子線に対しては前記照射電子線の前記ビームセパレータによる偏向角をほぼ一定に保つように制御する制御手段を設けてなることを特徴とする反射結像型電子顕微鏡。
【請求項２】
電子源で発生した電子線に加速電圧を印加する電子源電圧印加手段と、試料を保持するステージに試料印加電圧を印加する試料電圧印加手段と、前記電子線を二次元的な広がりを有する面状の照射電子線として前記試料に対して照射する照射レンズ系と、前記照射電子線の照射により前記試料から出射された反射電子線を投影拡大して試料像を投影結像させる結像レンズ系と、前記照射電子線と前記反射電子線を分離するビームセパレータとを備えた反射結像型電子顕微鏡において、
前記加速電圧と前記試料印加電圧を制御することにより、前記反射電子線を、前記試料に衝突せずに前記試料の表面付近で引き戻されたミラー電子と、前記試料に衝突して前記試料から発生する二次電子もしくは後方散乱電子とに切替える手段と、
前記ミラー電子に対しては前記ビームセパレータ内を直進させるとともに、前記照射電子線に対しては前記照射電子線の前記ビームセパレータによる偏向角をほぼ一定に保つように制御する制御手段とを設けてなることを特徴とする反射結像型電子顕微鏡。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の反射結像型電子顕微鏡において、
前記ビームセパレータは、電界と磁界を直交かつ重畳させたＥｘＢ偏向器で構成され、前記制御手段は、前記照射電子線に対する偏向角をほぼ一定に保ちながら、前記反射電子線に対して、電界と磁界による偏向作用が打ち消し合うウィーン条件となるように偏向器に供給する電圧および電流を制御することを特徴とする反射結像型電子顕微鏡。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の反射結像型電子顕微鏡において、
前記反射結像型電子顕微鏡は、前記ミラー電子を検出し拡大投影するミラー電子顕微鏡モードと、前記二次電子もしくは後方散乱電子を検出し拡大投影する低エネルギー電子顕微鏡モードで動作し、
かつ、前記ミラー電子顕微鏡モードと前記低エネルギー電子顕微鏡モードとを切替える手段を備えたことを特徴とする反射結像型電子顕微鏡。
【請求項５】
請求項４に記載の反射結像型電子顕微鏡において、
前記ミラー電子顕微鏡モードから前記低エネルギー電子顕微鏡モードへの切替えは、前記試料印加電圧を前記電子源印加電圧より正電位にすることによって行なうことを特徴とする反射結像型電子顕微鏡。
【請求項６】
請求項４に記載の反射結像型電子顕微鏡において、
前記ミラー電子顕微鏡モードから前記低エネルギー電子顕微鏡モードへの切替えは、前記試料印加電圧の切替えと同時に、ＥｘＢ偏向器に入射する電子線のエネルギーをeＶ0、低エネルギー電子顕微鏡モードでの出射電子線がＥｘＢ偏向器に入射するエネルギーをeＶ1とすると、ＥｘＢ偏向器の偏向電圧および供給電流に、次式で与えられるγの値
【数１】
2006032107.tif 000001
を乗じた偏向電圧および供給電流を与えることによって行なうことを特徴とする反射結像型電子顕微鏡。
【請求項７】
試料に対して二次元的な広がりを有する面状の照射電子線を照射し、該照射電子線の照射により該試料から出射される反射電子線を検出する反射電子顕微鏡と、該検出された反射電子線を用いて画像を形成し、該形成された画像を画像処理して前記試料の検査を行う画像処理部とを備えた検査装置において、
前記反射電子顕微鏡は、
二次元的な広がりを有する面状の電子線を前記試料に対して照射電子線として照射する照射レンズ系と、
前記面状の電子線照射により前記試料から出射された反射電子線を投影拡大して試料像を投影結像させる結像レンズ系と、
前記照射電子線と前記反射電子線を分離するビームセパレータと、
前記反射電子線については前記ビームセパレータを直進させるとともに、前記照射電子線に対しては前記照射電子線の前記ビームセパレータによる偏向角をほぼ一定に保つように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする検査装置。
【請求項８】
請求項７に記載の検査装置において、
前記ビームセパレータは、電界と磁界を直交かつ重畳させたＥｘＢ偏向器で構成され、前記制御手段は、前記照射電子線に対する偏向角をほぼ一定に保ちながら、前記反射電子線に対しては、電界と磁界による偏向作用が打ち消し合うウィーン条件となるように偏向器に供給する電圧および電流を制御することを特徴とする検査装置。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の検査装置において、
前記加速電圧と前記試料印加電圧を制御することにより、前記反射電子線を、前記試料に衝突せずに前記試料の表面付近で引き戻されたミラー電子と、前記試料に衝突して前記試料から発生する二次電子もしくは後方散乱電子とに切替える手段とを備えることを特徴とする検査装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の検査装置において、
前記検査装置は、前記ミラー電子を検出し拡大投影するミラー電子顕微鏡モードと、前記二次電子もしくは後方散乱電子を検出し拡大投影する低エネルギー電子顕微鏡モードで動作し、
かつ、前記ミラー電子顕微鏡モードと前記低エネルギー電子顕微鏡モードとを切替える手段を備えたことを特徴とする検査装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の検査装置において、
前記ミラー電子顕微鏡モードから前記低エネルギー電子顕微鏡モードへの切替えは、前記試料印加電圧の切替えと同時に、ＥｘＢ偏向器に入射する電子線のエネルギーをeＶ0、低エネルギー電子顕微鏡モードでの出射電子線がＥｘＢ偏向器に入射するエネルギーをeＶ1とすると、ＥｘＢ偏向器の偏向電圧および供給電流に、次式で与えられるγの値
【数２】
2006032107.tif 000002
を乗じた偏向電圧および供給電流を与えることによって行なうことを特徴とする検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月22日(2007.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層上に保護金属層を形成する工程と、
前記保護金属層及び前記樹脂層に溝を形成する工程と、
前記溝を埋め込む導電層を前記溝内及び前記保護金属層上に形成する工程と、
前記保護金属層を研磨防御層として利用して、前記導電層を機械研磨することにより、前記導電層を前記溝内に埋め込んで配線層を得る工程と、
前記樹脂層上の前記保護金属層を除去する工程とを有することを特徴とする配線形成方法。
【請求項２】
基板の上に配線層を形成する工程と、
前記配線層の上に立設し、かつ上面側に保護金属層が設けられたビアポストを形成する工程と、
前記ビアポストの段差を埋め込むと共に、前記ビアポストを被覆する樹脂層を形成する工程と、
前記保護金属層を研磨防御層として利用して、前記樹脂層を機械研磨することにより、前記ビアポスト上の前記保護金属層を露出させる工程とを有することを特徴とする配線形成方法。
【請求項３】
前記ビアポストを形成する工程は、
前記配線層を被覆するシード層を形成する工程と、
前記配線層の所要部上に開口部が設けられたレジスト膜を前記シード層上に形成する工程と、
前記シード層をめっき給電層に利用する電解めっきにより、前記レジスト膜の開口部に導電体を形成する工程と、
前記導電体上に前記保護金属層を選択的に形成する工程と、
前記レジスト膜を除去する工程と、
前記導電体及び前記保護金属層をマスクにして、前記シード層をエッチングする工程とを含むことを特徴とする請求項２に記載の配線形成方法。
【請求項４】
前記ビアポスト上の前記保護金属層を露出させる工程の後に、前記保護金属層を除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項２又は３に記載の配線形成方法。
【請求項５】
前記保護金属層として、前記導電層より高い硬度の金属が使用されることを特徴とする請求項１に記載の配線形成方法。
【請求項６】
前記保護金属層は、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、チタン（Ｔｉ）及びタングステン（Ｗ）のいずれかよりなることを特徴とする請求項５に記載の配線形成方法。
【請求項７】
前記機械研磨は、バフ研磨、テープ研磨及びグラインダーによる研磨のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線形成方法。
【請求項８】
前記導電層は銅層であって、前記樹脂層はエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の配線形成方法。
【請求項９】
前記ビアポストは銅よりなり、前記樹脂層はエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の配線形成方法。
【請求項１０】
前記樹脂層はソルダレジスト膜であり、前記ビアポストの上面に電子部品が電気的に接続されることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の配線形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明は配線形成方法に係り、基板の上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層上に前記保護金属層を形成する工程と、前記保護金属層及び前記樹脂層に溝を形成する工程と、前記溝を埋め込む導電層を前記溝内及び前記保護金属層上に形成する工程と、前記保護金属層を研磨防御層として利用して、前記導電層を機械研磨することにより、前記導電層を前記溝内に埋め込んで配線層を得る工程と、前記樹脂層上の前記保護金属層を除去する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明では、まず、基板上に樹脂層及び保護金属層を順に形成し、保護金属層及び樹脂層の所要部を加工することにより溝を形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月9日(2007.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）タブと、前記タブの周囲に配置された複数のリードと、低分子化合物を含む接着剤を介して前記複数のリードに貼り付けられたテープとを有するリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）複数のパッドを有する半導体チップを前記タブ上に搭載する工程と、
（ｃ）前記複数のリードと前記半導体チップの複数のパッドとを複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを樹脂で封止する工程と、
を含み、
前記（ｄ）工程の前までに、１６０〜３００℃の温度で、合計２分以上前記リードフレームを加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｃ）工程の前までに、１６０〜３００℃の温度で、合計２分以上前記リードフレームを加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｃ）工程の前までに、酸素を有する雰囲気中において１６０〜３００℃の温度で、合計２分以上前記リードフレームを加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｃ）工程の前までに、酸素を有する雰囲気中において１８０〜３００℃の温度で、合計２分以上前記リードフレームを加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｃ）工程の前までに、２４０℃の温度で、合計２分〜５分間前記リードフレームを加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記接着剤は、フェノール樹脂とビスマレイミド樹脂を主成分とする混合接着剤であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記リードフレームは、銅または銅合金から成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記リードは前記樹脂で封止されるインナリード部を有しており、前記インナリード部において前記ワイヤが接続される領域に銀めっきがコーティングされていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記低分子化合物は、アセトアルデヒド、メタノールもしくはアセトンであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｂ）工程では、前記半導体チップは銀ペーストを介して前記タブ上に搭載され、前記（ｂ）工程の後で、かつ前記（ｃ）工程の前に、前記銀ペーストのベーク処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の目的は、信頼性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
すなわち、本発明は、タブと、前記タブの周囲に配置された複数のリードと、低分子化合物を含む接着剤を介して前記複数のリードに貼り付けられたテープとを有するリードフレームを準備する工程と、複数のパッドを有する半導体チップを前記タブ上に搭載する工程と、前記複数のリードと前記半導体チップの複数のパッドとを複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程と、前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを樹脂で封止する工程と、を含み、前記（ｄ）工程の前までに、１６０〜３００℃の温度で、合計２分以上前記リードフレームを加熱するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に処理ガスを導入してプラズマを発生させ、被処理物を真空処理するプラズマ処理装置において、
エッチングの処理ステップと、プラズマクリーニングのステップと、処理室内壁を保護するための壁面安定化ステップの処理を設定し、各ステップの順序、頻度を任意に設定するためのプラズマ放電条件設定機能と、
処理室内壁を構成する材料を含む反応物の存在を検出するモニタ手段と、
前記処理室内壁を構成する材料を含む反応物の存在が所定量以上となったことを報知するアラーム手段を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記モニタ手段が、プラズマ処理室に配置したプラズマ発光分光器、質量分析器、インピーダンスモニタ検出手段、プラズマ生成手段に電力を加える経路に設置された電流検出器または電圧検出器もしくは電流電圧位相検出器、または電力の進行波検出器または反射波検出器のいずれかまたはその組み合わせであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２記載のプラズマ処理装置において、
モニタ手段から得られる複数の信号から前記処理室内壁を構成する材料を含む反応物の存在を示す検知信号として、モニタが検出可能な信号のうち任意の信号を選択する機能を有するとともに、アラームを発する信号値の閾値を任意に設定する手段を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項３記載のプラズマ処理装置において、モニタ手段から得られる複数の信号から少なくとも２個以上の信号を選択し、これらの信号を加算、減算、乗算、除算のいずれかもしくはその組み合わせを検知信号とする演算機能を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
被処理物が設置された処理室内に処理ガスを導入してプラズマを発生させ、被処理物を真空処理するプラズマ処理装置の処理室内壁面安定化処理方法であって、
エッチング処理に続くプラズマクリーニング処理の後に、処理室内壁表面を保護する内壁保護ガスを導入してプラズマ処理する処理室壁面安定化処理を施すことを特徴とするプラズマ処理装置の処理室内壁面安定化処理方法。
【請求項６】
請求項５記載のプラズマ処理装置の処理室内壁面安定化処理方法において、
内壁保護ガスは酸素（Ｏ２）ガス、もしくはフッ素系（Ｆ）ガスを含み、総ガス流量に対して酸素（Ｏ２）ガス、もしくはフッ素系（Ｆ）ガスの流量比が少なくとも５０％以上であることを特徴とするプラズマ処理装置の処理室内壁面安定化処理方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のプラズマ処理装置において、
前記処理室内モニタ手段が発する処理室内壁を構成する材料を含む反応物の増加を示す信号を受けて、あらかじめ設定された壁面安定化処理ステップを実行する機能を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項７記載のプラズマ処理装置において、
前記処理室内モニタ手段が発する処理室内壁を構成する材料を含む反応物の増加を示す信号の積算回数に応じて、あらかじめ設定された壁面安定化処理ステップの時間を所定の時間延長して実行する機能を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図５に、ポリシリコンをＣｌ２ガスのプラズマでエッチング処理中のある時間に得られたプラズマ発光スペクトルを示した。発光スペクトルは、ある波長範囲、ここでは２５０ｎｍから８５０ｎｍの範囲を多数のチャンネル（ここでは２０００チャンネル）に分割して各チャンネルの発光強度として得ることができる。ここで、処理室壁面を構成する材料を含む反応物を検知する場合には、処理に用いられるガスと処理室壁面材料の組み合わせにより、検出すべき信号が変わってくるので、任意に検知信号のチャンネルを選択可能とする機能を備えた。エッチング装置の制御コンピュータ１１５にはある特定の選択した波長の信号が、これも任意に設定できる所定の閾値を越えた場合に、その旨を知らせるアラーム信号が発せられるようになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月19日(2007.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
定盤と、
前記定盤に搭載されて所定方向に移動するステージ装置と、
前記定盤に搭載されて前記ステージ装置の移動に伴って前記所定方向とは逆方向に移動するカウンタマスと、
前記ステージ装置及び前記カウンタマスの各々の動作物理量を検出するセンサと、
前記定盤に力を与えるアクチュエータと、
前記センサでの検出結果に基づいて、前記ステージ装置及び前記カウンタマスが前記定盤に与える力の差分並びに前記定盤に与えるモーメントの差分を演算し、該演算結果に基づいて、前記アクチュエータを制御するための制御指令信号を生成する補償演算部と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記センサは、前記動作物理量として位置情報、速度情報及び加速度情報の少なくとも１つを検出することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記補償演算部は、前記ステージ装置及び前記カウンタマスの各々の質量と、前記センサで検出した前記動作物理量と、前記定盤の重心位置を原点としたときの前記ステージ装置及び前記カウンタマスの各々の重心位置と、に基づいて、前記制御指令信号を生成することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記補償演算部は、前記ステージ装置及び前記カウンタマスの各々の質量と、前記センサで検出した前記動作物理量と、前記定盤の重心位置を原点としたときの前記ステージ装置及び前記カウンタマスの各々の重心位置と、変位比例ゲインと、速度比例ゲインと、に基づいて、前記制御指令信号を生成することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光装置。
【請求項５】
前記補償演算部は、前記カウンタマスの移動によって相殺しきれない、前記ステージ装置の移動に伴う駆動反力を低減するように前記制御指令信号を生成することを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記ステージ装置と前記カウンタマスとの間の相対速度を検出する相対速度センサを備え、
前記補償演算部は、前記相対速度センサでの検出結果に基づいて前記制御指令信号を生成することを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記補償演算部は、前記ステージ装置の加速度情報に基づいて前記カウンタマスの加速度情報を推定することを特徴とする請求項３乃至請求項６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記補償演算部は、前記センサで検出した前記動作物理量に基づいて、前記定盤に搭載された荷重の重心位置の変化量を検出し、前記重心位置の変化量に応じて前記制御指令信号を生成することを特徴とする請求項３乃至請求項７のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記アクチュエータは、前記定盤に対して鉛直方向に力を加えるアクチュエータ及び前記定盤に対して水平方向に力を加えるアクチュエータの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１０】
半導体デバイスの製造方法であって、
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の露光装置を利用して原版のパターンを基板に転写する露光工程と、
前記パターンが転写された基板を現像する現像工程と、
を含むことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明の第１の側面は、露光装置に係り、定盤と、前記定盤に搭載されて所定方向に移動するステージ装置と、前記定盤に搭載されて前記ステージ装置の移動に伴って前記所定方向とは逆方向に移動するカウンタマスと、前記ステージ装置及び前記カウンタマスの各々の動作物理量を検出するセンサと、前記定盤に力を与えるアクチュエータと、前記センサでの検出結果に基づいて、前記ステージ装置及び前記カウンタマスが前記定盤に与える力の差分並びに前記定盤に与えるモーメントの差分を演算し、該演算結果に基づいて、前記アクチュエータを制御するための制御指令信号を生成する補償演算部と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月8日(2007.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内にあって、
被加工試料を載置する被加工試料設置手段と、
前記被加工試料設置手段上に載置された前記被加工試料と対面する位置に配置された放電生成用電極と、
前記被加工試料設置手段に高周波電圧を印加するための手段と、
前記放電生成用電極に放電生成用高周波電圧を印加するための手段と、
前記放電生成用電極により導入される放電用高周波との相互作用で所定のガスをプラズマ化するための磁場を生成する磁場生成手段とを有し、
前記放電生成用電極に、前記放電生成用高周波電圧の周波数に対して高インピーダンスで、かつ直流的に低抵抗でアースと接続される低周波通過フィルタを設けてなることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
真空容器内にあって、
被加工試料を載置する被加工試料設置手段と、
前記被加工試料設置手段上に載置された前記被加工試料と対面する位置に配置された放電生成用電極と、
前記被加工試料設置手段に高周波電圧を印加するための手段と、
前記放電生成用電極に放電生成用高周波電圧を印加するための手段と、
前記放電生成用電極により導入される放電用高周波との相互作用で所定のガスをプラズマ化するための磁場を生成する磁場生成手段とを有し、
前記放電生成用電極に、前記放電生成用高周波電圧の周波数に対して高インピーダンスで、かつ直流的に低抵抗でアースと接続される低周波通過フィルタと、前記低周波通過フィルタと前記アースとの間に直列に接続された直流電圧印加手段とを設けてなることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
プラズマ電位を検出し、プラズマ電位の変化に対応して前記直流電圧印加手段に印加する電圧を制御するプラズマ電位測定手段を設けてなることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１、２又は３に記載のプラズマ処理装置において、前記低周波通過フィルタが、インダクタンスであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１、２又は３に記載のプラズマ処理装置において、前記低周波通過フィルタが、前記放電生成用高周波電圧の周波数の１/４波長の長さで構成された特定の特性インピーダンスを有する導体線路であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１、２又は３に記載のプラズマ処理装置において、
前記低周波通過フィルタが、接地されたインダクタンスと、前記インダクタンスの両端に対接地間で接続されたコンデンサとで構成されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項１、２又は３に記載のプラズマ処理装置において、前記放電生成用高周波電圧の周波数が、５０ＭＨｚ以上５００ＭＨｚ以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項１、２又は３に記載のプラズマ処理装置において、
前記被加工試料設置手段に印加される高周波電圧の周波数が、４００ＫＨｚ以上１５ＭＨｚ以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項９】
請求項１、２又は３に記載のプラズマ処理装置において、
前記磁場発生手段による磁場の向きが、前記放電生成用電極および前記被加工試料設置手段の面に垂直方向の成分を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項１、２又は３に記載のプラズマ処理装置において、
前記被加工試料に対面する位置に配置された前記放電生成用電極の表面に、導体または半導体材料のいずれか一方を配置してなることを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月23日(2007.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
以上の発電装置１は、例えば、デジタルカメラ、携帯電話機器、ノート型パソコン、腕時計、ＰＤＡ，電子計算機、その他の電子機器本体に搭載されるものである。ここで、気化器１１、反応装置１２および燃料電池１３は例えば電子機器本体に内蔵され、燃料容器１０は電子機器本体に対して着脱可能に設けられる。燃料容器１０が電子機器本体に装着された場合、燃料容器１０内の燃料および水はポンプによって気化器１１に供給されるようになっている。また、後述するように、発電装置１が電子機器本体に対して着脱可能に設けられるようになっていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月18日(2007.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  対向する第１基板と第２基板の間に、壁により内部にめっき液を封入することによってセルが形成され、前記第１基板上の少なくとも一部に第１電極、前記セル内部に第２電極が配置された構造を有し、前記第１電極及び第２電極に画像情報に応じた信号を印加し、前記第１電極上の少なくとも一部に金属が電着した状態と、前記第１電極上の少なくとも一部の金属が溶解した状態とに変化させることによって表示を行うことを特徴とする電着表示装置。
【請求項２】  前記第２電極は、少なくとも前記第２基板上にあることを特徴とする請求項１に記載の電着表示装置。
【請求項３】  前記第２電極は、少なくとも前記壁上にあることを特徴とする請求項１に記載の電着表示装置。
【請求項４】  前記第２電極は、少なくとも前記第１基板上にあることを特徴とする請求項１に記載の電着表示装置。
【請求項５】  前記第２電極は、前記セル内部に複数あることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電着表示装置。
【請求項６】  前記金属は、Ｎｉ若しくはＣｕ若しくはＣｏであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電着表示装置。
【請求項７】  前記壁は、陽極酸化アルミナナノホールで構成され、その細孔内にめっき液を封入することによってセルが構成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電着表示装置。
【請求項８】  前記第１基板側が画像を見る側の表であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の電着表示装置。
【請求項９】  前記第１基板側が裏であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の電着表示装置。
【請求項１０】  前記第１電極と前記第２電極とがマトリクス配置され、前記第１電極と前記第２電極の交点にセルが配置され、前記第１電極に走査信号或いは情報信号を印加する回路と、前記第２電極に情報信号或いは走査信号を印加する回路と、を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の電着表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の電着表示装置は、対向する第１基板と第２基板の間に、壁により内部にめっき液を封入することによってセルが形成され、前記第１基板上の少なくとも一部に第１電極、前記セル内部に第２電極が配置された構造を有し、前記第１電極及び第２電極に画像情報に応じた信号を印加し、前記第１電極上の少なくとも一部に金属が電着した状態と、前記第１電極上の少なくとも一部の金属が溶解した状態とに変化させることによって表示を行うことを特徴とする。