Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月13日(2007.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理されるシートを積載する第１のシート積載手段と、前記第１のシート積載手段のシート搬送方向下流に設けられ、第１のシート積載手段上で処理された後、排出されるシート束を積載する第２のシート積載手段とを備えたシート処理装置において、
前記シート束の処理が終了した後、前記処理された第１のシート積載手段上のシート束を保持するシート束保持手段と、
前記シート束保持手段を、前記シート束を保持する保持位置と、前記第１のシート積載手段の第２のシート積載手段側に設けられ、前記シート束を前記第２のシート積載手段に排出する排出位置との間を、前記シート束を保持した状態で往復移動させる移動手段と、
を備え、
前記排出位置を、前記移動手段により前記シート束保持手段が前記保持位置から前記第２のシート積載手段の方向に移動して停止した後、逆方向に所定距離移動した位置としたことを特徴とするシート処理装置。
【請求項２】
前記排出位置に、前記シート束保持手段の逆方向の移動に伴って該シート束保持手段の前記シート束の保持を解除させる保持解除部を設けたことを特徴とする請求項１記載のシート処理装置。
【請求項３】
前記排出位置は、前記保持解除部により前記シート束保持手段によるシート束の保持が解除されたとき、前記シート束が自重により前記第２のシート積載手段に積載される位置であることを特徴とする請求項２記載のシート処理装置。
【請求項４】
前記シート束保持手段は、前記シート束を保持する第１位置と、前記シート束の保持を解除する第２位置に移動可能であり、前記保持解除部は、前記シート束保持手段の逆方向の移動に伴って前記シート束保持手段を前記第１位置から前記第２位置に移動させることを特徴とする請求項２又は３記載のシート処理装置。
【請求項５】
前記保持解除部は、前記第１のシート積載手段の第２のシート積載手段側端に形成された凹部であり、前記シート束保持手段は前記シート束保持手段の逆方向の移動に伴って前記凹部内を移動するレバー部を有し、前記レバー部を前記凹部内を前記所定距離移動した後、該凹部の側壁に当接させることにより前記第１位置から前記第２位置に移動することを特徴とする請求項４記載のシート処理装置。
【請求項６】
シートに画像を形成する画像形成部と、前記画像形成部により画像が形成されたシートを処理する請求項１乃至５のいずれか１項に記載のシート処理装置とを備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項７】
画像形成部から第１のシート積載手段に搬送されたシートを整合してシート束を形成し、前記整合されたシート束に対して綴じ手段により綴じ処理を行い、第２のシート積載手段に前記シート束を排出する画像形成装置において、
前記シート束の処理が終了した後、前記処理された第１のシート積載手段上のシート束を保持するシート束保持手段と、
前記シート束保持手段を、前記シート束を保持する保持位置と、前記第１のシート積載手段の第２のシート積載手段側に設けられ、前記シート束を前記第２のシート積載手段に排出する排出位置との間を、前記シート束を保持した状態で往復移動させる移動手段と、
を備え、
前記排出位置を、前記移動手段により前記シート束保持手段が前記保持位置から前記第２のシート積載手段の方向に移動して停止した後、逆方向に所定距離移動した位置としたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、処理されるシートを積載する第１のシート積載手段と、前記第１のシート積載手段のシート搬送方向下流に設けられ、第１のシート積載手段上で処理された後、排出されるシート束を積載する第２のシート積載手段とを備えたシート処理装置において、前記シート束の処理が終了した後、前記処理された第１のシート積載手段上のシート束を保持するシート束保持手段と、前記シート束保持手段を、前記シート束を保持する保持位置と、前記第１のシート積載手段の第２のシート積載手段側に設けられ、前記シート束を前記第２のシート積載手段に排出する排出位置との間を、前記シート束を保持した状態で往復移動させる移動手段と、を備え、前記排出位置を、前記移動手段により前記シート束保持手段が前記保持位置から前記第２のシート積載手段の方向に移動して停止した後、逆方向に所定距離移動した位置としたことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また本発明は、画像形成部から第１のシート積載手段に搬送されたシートを整合してシート束を形成し、前記整合されたシート束に対して綴じ手段により綴じ処理を行い、第２のシート積載手段に前記シート束を排出する画像形成装置において、前記シート束の処理が終了した後、前記処理された第１のシート積載手段上のシート束を保持するシート束保持手段と、前記シート束保持手段を、前記シート束を保持する保持位置と、前記第１のシート積載手段の第２のシート積載手段側に設けられ、前記シート束を前記第２のシート積載手段に排出する排出位置との間を、前記シート束を保持した状態で往復移動させる移動手段と、を備え、前記排出位置を、前記移動手段により前記シート束保持手段が前記保持位置から前記第２のシート積載手段の方向に移動して停止した後、逆方向に所定距離移動した位置としたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月22日(2007.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
搬送システムは、上記のように構成された複数台の搬送装置１を以下のように配置して構成される。
即ち、搬送物９の搬入側に複数台の搬送装置１を直列状に配置して搬入側搬送装置群５０を構成すると共に搬出側には複数台の搬送装置１を直列状に配置した搬出側搬送装置群５２を、搬入側搬送装置群５０に対して適宜の角度（図示の例では、約９０度の場合を示すが、これに限定されるものでないことは勿論である。）を設け、かつ回動搬送装置５１を介して接続してなる。回動搬送装置５１はベース盤５３に対し、搬送装置１が固定された回転盤５５を電動モータ（図示せず）の駆動に伴って約９０度の角度で回動して回動搬送装置５１の搬入側が搬入側搬送装置群５０の搬送方向下手側に、また回動搬送装置５１の搬出側が搬出側搬送装置群５２の搬送方向上手側に対してそれぞれ選択的に接続して搬送物９を約９０度の角度で転向して搬送するように構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月17日(2007.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
シートが積載される積載手段と、
前記積載手段に積載された前記シートの表面に当接し、前記シートの搬送方向に対して交差する方向に移動させる移動手段と、
前記移動手段によって前記交差する方向に移動された前記シートの側端を受け止める側端位置決め手段と、
前記積載手段に対して接離可能に前記側端位置決め手段近傍に配設されて、前記側端位置決め手段に受け止められる前記シートの側端部を前記積載手段に押圧する押圧手段と、
を備え、
前記押圧手段に、前記押圧手段と前記積載手段との間に、前記移動手段によって移動させられる前記シートの側端部を受け入れる案内面を形成したことを特徴とするシート処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記押圧手段は、前記移動手段が前記シートの側端を前記側端位置決め手段に当接させた後、前記移動手段を前記シートから離間させる浮かせ部を有していることを特徴とする請求項１に記載のシート処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
画像形成手段から積載手段に搬送されたシートを整合してシート束を形成し、前記整合されたシート束に対して綴じ手段により綴じ処理を行う画像形成装置において、
前記積載手段に積載された前記シートの表面に当接し、前記シートの搬送方向に対して交差する方向に移動させる移動手段と、
前記移動手段によって前記交差する方向に移動された前記シートの側端を受け止める側端位置決め手段と、
前記積載手段に対して接離可能に前記側端位置決め手段近傍に配設されて、前記側端位置決め手段に受け止められる前記シートの側端部を前記積載手段に押圧する押圧手段と、
を備え、
前記押圧手段に、前記押圧手段と前記積載手段との間に、前記移動手段によって移動させられる前記シートの側端部を受け入れる案内面を形成したことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明のシート処理装置は、シートが積載される積載手段と、前記積載手段に積載された前記シートの表面に当接し、前記シートの搬送方向に対して交差する方向に移動させる移動手段と、前記移動手段によって前記交差する方向に移動された前記シートの側端を受け止める側端位置決め手段と、前記積載手段に対して接離可能に前記側端位置決め手段近傍に配設されて、前記側端位置決め手段に受け止められる前記シートの側端部を前記積載手段に押圧する押圧手段と、を備え、前記押圧手段に、前記押圧手段と前記積載手段との間に、前記移動手段によって移動させられる前記シートの側端部を受け入れる案内面を形成してある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記目的を達成するため、本発明の画像形成装置は、画像形成手段から積載手段に搬送されたシートを整合してシート束を形成し、前記整合されたシート束に対して綴じ手段により綴じ処理を行うようになっており、シートに画像を形成する画像形成手段と、シートが積載される積載手段と、前記積載手段に積載された前記シートの表面に当接し、前記シートの搬送方向に対して交差する方向に移動させる移動手段と、前記移動手段によって前記交差する方向に移動された前記シートの側端を受け止める側端位置決め手段と、前記積載手段に対して接離可能に前記側端位置決め手段近傍に配設されて、前記側端位置決め手段に受け止められる前記シートの側端部を前記積載手段に押圧する押圧手段と、を備え、前記押圧手段に、前記押圧手段と前記積載手段との間に、前記移動手段によって移動させられる前記シートの側端部を受け入れる案内面を形成してある。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月1日(2007.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ポリアミド樹脂１００重量部に対して、（Ｂ）メラミンシアヌレート０．５〜１５重量部、（Ｃ）ポリエチレングリコールのモノエステル化合物０．０５〜０．５重量部、（Ｄ）アミド化合物０．０１〜０．１重量部、（Ｅ）カーボンブラック０．０１〜１重量部、を含有することを特徴とするポリアミド樹脂組成物。
【請求項２】
（Ａ）ポリアミド樹脂の一部と（Ｄ）アミド化合物及び（Ｅ）カーボンブラックを予め溶融混練したものと（Ａ）ポリアミド樹脂の残分、（Ｂ）メラミンシアヌレート及び（Ｃ）ポリエチレングリコールのモノエステル化合物を溶融混練して得られる請求項１記載のポリアミド樹脂組成物。
【請求項３】
（Ａ）ポリアミド樹脂が、合計量１００重量部に対して、（Ａ−１）共重合ポリアミド６６／６樹脂７０〜９０重量部と（Ａ−２）ポリアミド６樹脂１０〜３０重量部の混合物であり、かつ（Ａ−１）共重合ポリアミド６６／６樹脂中のポリアミド６ユニット率が、５〜３０重量％であることを特徴とする請求項１または２記載の車両電気配線保護部材用ポリアミド樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のポリアミド樹脂組成物を用いて成形してなる車両電気配線保護部材。
【請求項５】
ヒンジ部分を有することを特徴とする請求項４記載の車両電気配線保護部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明者等は、鋭意研究を重ねた結果、ポリアミド樹脂、メラミンシアヌレートと、カーボンブラックを主成分とするポリアミド樹脂組成物に、ポリエチレングリコールのモノエステル化合物とアミド化合物を併用した組成物がその目的を達しうることを見い出し、この知見に基づいて本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明は、
［１］（Ａ）ポリアミド樹脂１００重量部に対して、（Ｂ）メラミンシアヌレート０．５〜１５重量部、（Ｃ）ポリエチレングリコールのモノエステル化合物０．０５〜０．５重量部、（Ｄ）アミド化合物０．０１〜０．１重量部、（Ｅ）カーボンブラック０．０１〜１重量部、を含有することを特徴とするポリアミド樹脂組成物。
［２］
（Ａ）ポリアミド樹脂の一部と（Ｄ）アミド化合物及び（Ｅ）カーボンブラックを予め溶融混練したものと（Ａ）ポリアミド樹脂の残分、（Ｂ）メラミンシアヌレート及びポリエチレングリコールのモノエステル化合物（Ｃ）を溶融混練して得られる［１］記載のポリアミド樹脂組成物。
［３］
（Ａ）ポリアミド樹脂が、合計量１００重量部に対して、（Ａ−１）共重合ポリアミド６６／６樹脂７０〜９０重量部と（Ａ−２）ポリアミド６樹脂１０〜３０重量部の混合物であり、かつ（Ａ−１）共重合ポリアミド６６／６樹脂中のポリアミド６ユニット率が、５〜３０重量％であることを特徴とする［１］または［２］記載の車両電気配線保護部材用ポリアミド樹脂組成物。
［４］  ［１］〜［３］のいずれかに記載のポリアミド樹脂組成物を用いて成形してなる車両電気配線保護部材、
［５］  ヒンジ部を有することを特徴とする［４］記載の車両電気配線保護部材、
である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月1日(2007.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
官能基としてグリシジル基を有する架橋剤としては、少なくとも分子中に２個以上のグリシジル基を有する化合物であり、該化合物のエポキシ当量（ＷＰＥ）は８０〜４００の範囲にあるものが好ましい。
エポキシ当量が４００以上であるとアクリルモノマーと反応させるために、架橋剤を多く添加する必要があり、またこれとは逆にエポキシ当量が８０以下であると、反応速度が速すぎて成形が困難となる場合がある。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月13日(2007.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記分散液のｐＨ値は、当該分散液の等電点以上であって、かつ前記基材のゼータ電位が０ｍＶ以上になるｐＨ値の範囲に調整することを特徴とする請求項５に記載のダイヤモンド薄膜の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本実施例は、ホウ素などがドープされたＰ型シリコン基材のように、基材のゼータ電位が０ｍＶ以上になるｐＨ値が、ダイヤモンド微粒子の分散液の等電点より高い場合に効果的な工法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図２より、ダイヤモンド微粒子の分散液のゼータ電位は、ｐＨ値が６以上で約―６０ｍＶ程度である。分散液にフッ酸を加えてｐＨ値を下げるとゼータ電位は上昇した。ｐＨ値が２付近でゼータ電位がほぼ０ｍＶ程度となり等電点である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図４にダイヤモンド微粒子の分散液のゼータ電位（点線で示す）および、Ｐ型シリコン基材のゼータ電位（実線）の測定結果を示す。図４より、Ｐ型のシリコン基材のゼータ電位は、ｐＨ値が約５付近で０ｍＶとなっており、ｐＨ値がそれ以下の状態では、ゼータ電位が正電位の状態であり、ｐＨ値がそれ以上ではゼータ電位が負電位となっている。また、図２でも示したように、ダイヤモンド微粒子の分散液のゼータ電位は、ｐＨ値が約２で０ｍＶであり、ｐＨ値がそれ以上では、負電位となっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
ところで、ノンドープのシリコン基材のゼータ電位はｐＨ値２程度で０ｍＶであることが知れており、Ｐ型のシリコン基材のゼータ電位が０ｍＶになるｐＨ値が高くなっているのは、基材中に形成された正孔がゼータ電位の上昇に寄与したためと思われる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
まずダイヤモンド微粒子の分散液のｐＨを２に調整した場合は、ダイヤモンド微粒子の分散液のゼータ電位が５ｍＶで、基材のゼータ電位は７５ｍＶとなっている。この条件では、核発生密度は、１×１０10／ｃｍ２程度と低く、欠陥密度も２５×１０4／ｃｍ２程
度
と非常に多くなる。これは、ダイヤモンド微粒子の分散液のゼータ電位が低いため、ダイヤモンド微粒子の分散性が低下し、微粒子の平均サイズが大きくなっていると推定できる。また、ダイヤモンド微粒子の分散液のゼータ電位と基材のゼータ電位が両方とも正電位であり、密着性も低下していると推定できる。結果的にも裏付けた形となっている。従って、ダイヤモンド微粒子の分散液のｐＨ値が等電点の場合では目標の核発生密度と欠陥密度を得ることができなかった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
実施例３では、ＳｉＯ２基材のように、ダイヤモンド微粒子の分散液中の基材のゼータ電位が０ｍＶになるｐＨ値が、ダイヤモンド微粒子の分散液のゼータ電位の等電点に非常に近いか、より低い場合に効果的な工法である。例えば、図５ に示すように、ＳｉＯ２
基材のダイヤモンド微粒子の分散液中の基材のゼータ電位が０ｍＶになるｐＨ値は２付近であり、ダイヤモンド微粒子の分散液の等電点（図２参照）とほぼ等しい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月20日(2007.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
寒天を含有する水溶液を冷却媒体に滴下し、次いで該滴下により得られる固体を乾燥して得られる寒天を含有する粒子状製剤であって、該寒天を含有する水溶液が、ショ糖、乳糖、マルトース、エリスリトール、トレハロース、キシリトール、ラクチトール、マンニトール、可溶化デンプン、デキストリン及びアラビアゴムから選ばれる１種または２種以上の物質を含有することを特徴とする該粒子状製剤。
【請求項２】
ショ糖、乳糖、マルトース、エリスリトール、トレハロース、キシリトール、ラクチトール、マンニトール、可溶化デンプン、デキストリン及びアラビアゴムから選ばれる１種または２種以上の物質の該粒子状製剤における総重量が、該粒子状製剤における寒天１０重量部に対し３０〜３５０重量部である請求項１記載の粒子状製剤。
【請求項３】
さらにプルラン、プルラン誘導体もしくはその塩、デンプン、デンプン誘導体もしくはその塩、可溶化デンプン、デキストリン、結晶セルロース、粉末セルロース、低置換度ヒドロキシプロピルセルロース、メチルセルロース、アラビアゴム、キサンタンガム、グアーガム、アルギン酸もしくはその塩、アルギン酸誘導体もしくはその塩、キトサン、キトサン誘導体もしくはその塩またはカラギーナンを含有する請求項１または２に記載の粒子状製剤。
【請求項４】
プルラン、プルラン誘導体もしくはその塩、デンプン、デンプン誘導体もしくはその塩、可溶化デンプン、デキストリン、結晶セルロース、粉末セルロース、低置換度ヒドロキシプロピルセルロース、メチルセルロース、アラビアゴム、キサンタンガム、グアーガム、アルギン酸もしくはその塩、アルギン酸誘導体もしくはその塩、キトサン、キトサン誘導体もしくはその塩またはカラギーナンの該粒子状製剤における重量が、該粒子状製剤における寒天１０重量部に対し１〜２５０重量部である請求項３記載の粒子状製剤。
【請求項５】
マイクロビーズまたはミニビーズである請求項１〜４のいずれかに記載の粒子状製剤。
【請求項６】
マイクロカプセルまたはシームレスカプセルである請求項１〜４のいずれかに記載の粒子状製剤。
【請求項７】
寒天とショ糖、乳糖、マルトース、エリスリトール、トレハロース、キシリトール、ラクチトール、マンニトール、可溶化デンプン、デキストリン及びアラビアゴムから選ばれる１種または２種以上の物質とを含有する水溶液を冷却媒体に滴下する工程、ならびに該滴下により得られる固体を乾燥する工程を含むことを特徴とする寒天を含有する粒子状製剤の製造方法。
【請求項８】
さらに、該滴下により得られる固体を直接または乾燥後にエタノールもしくはエタノールを含有する液に浸すか、あるいは該滴下により得られる固体に直接または乾燥後にエタノールもしくはエタノールを含有する液を吹きかける工程を含む請求項７記載の寒天を含有する粒子状製剤の製造方法。
【請求項９】
ショ糖、乳糖、マルトース、エリスリトール、トレハロース、キシリトール、ラクチトール、マンニトール、可溶化デンプン、デキストリン及びアラビアゴムから選ばれる１種または２種以上の物質の該粒子状製剤における総重量を、該粒子状製剤における寒天１０重量部に対し３０〜３５０重量部とする請求項７または８記載の寒天を含有する粒子状製剤の製造方法。
【請求項１０】
さらにプルラン、プルラン誘導体もしくはその塩、デンプン、デンプン誘導体もしくはその塩、可溶化デンプン、デキストリン、結晶セルロース、粉末セルロース、低置換度ヒドロキシプロピルセルロース、メチルセルロース、アラビアゴム、キサンタンガム、グアーガム、アルギン酸もしくはその塩、アルギン酸誘導体もしくはその塩、キトサン、キトサン誘導体もしくはその塩またはカラギーナンを該水溶液に含有させる請求項７〜９のいずれかに記載の粒子状製剤の製造方法。
【請求項１１】
プルラン、プルラン誘導体もしくはその塩、デンプン、デンプン誘導体もしくはその塩、可溶化デンプン、デキストリン、結晶セルロース、粉末セルロース、低置換度ヒドロキシプロピルセルロース、メチルセルロース、アラビアゴム、キサンタンガム、グアーガム、アルギン酸もしくはその塩、アルギン酸誘導体もしくはその塩、キトサン、キトサン誘導体もしくはその塩またはカラギーナンの該粒子状製剤における重量を、該粒子状製剤における寒天１０重量部に対し１〜２５０重量部とする請求項１０記載の粒子状製剤の製造方法。
【請求項１２】
請求項７〜１１のいずれかに記載の製造方法によって製造することができる、寒天を含有する粒子状製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月10日(2007.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンバーチブルトップ車のトランクルーム（５３）の前部に配置されるトノカバー（１）であって、
上記トノカバー（１）が、第１カバー体（１１）と第２カバー体（１２）及び第３カバー体（１３）からなる三分割構造とされると共に、
上記第１カバー体（１１）は車体前部寄りに配置され且つ略水平に延出する第１姿勢と車体前方側へ跳ね上げられた第２姿勢の間で姿勢変更可能とされ、
上記第２カバー体（１２）は上側位置において略水平に延出する第１姿勢と下側位置において略水平に延出する第２姿勢及び該第１姿勢と第２姿勢の中間高さに位置する第３姿勢の間で姿勢変更可能とされ、
上記第３カバー体（１３）は略水平に延出する第１姿勢と上下方向に延出する第２姿勢の間で姿勢変更可能とされ、
上記各カバー体（１１），（１２），（１３）が共に第１姿勢に設定されこれら各カバー体（１１），（１２），（１３）が略同一平面状に並置された第１のトノカバー形態と、
上記第１，第３カバー体（１１），（１３）が共に第１姿勢にあって略同一平面を形成するように車体前後方向に列設されると共に上記第２カバー体（１２）が第３姿勢に設定された第２のトノカバー形態と、
上記第１，第２及び第３カバー体（１１），（１２），（１３）が共に第２姿勢に設定され且つ上記第２カバー体（１２）が上記第１カバー体（１１）寄りに位置する第３のトノカバー形態を選択し得るように構成されていることを特徴とするコンバーチブルトップ車のトノカバー構造。
【請求項２】
請求項１において、
上記第２カバー体（１２）が駆動ユニット（４）で回動される一方、上記第３カバー体（１３）は上記第２カバー体（１２）に連結され該第２カバー体（１２）の回動に連動して回動されるとともに、上記第１カバー体（１１）は上記第２カバー体（１２）の回動変位がカム機構（４０）を介して伝達されることで回動されるように構成されていることを特徴とするコンバーチブルトップ車のトノカバー構造。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月9日(2007.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芯線をＦｅ―Ｎｉ合金等で構成し、芯線の外側にＣｕ層を設け、Ｃｕ層の外側にＮｉ層を設け、Ｎｉ層の外側に硼砂を設けたことを特徴とする導入線。
【請求項２】
外側にＮｉ層を設けた導入線の一端をバルブ内に挿入し他端をバルブから導出し、導入線導出部を加熱圧潰により封止する管球製品において、加熱圧潰される部分の導入線表面に硼砂を設け封止したことを特徴とする管球製品。
【請求項３】
導入線の一端をバルブ内に挿入し他端をバルブから導出し、導入線導出部を加熱圧潰により封止する管球製品において、バルブ内面に鋭利な凹部やキズ等が存しない状態となし、局部的に圧力が集中しないようにしたことを特徴とする管球製品。
【請求項４】
導入線の一端をバルブ内に挿入し他端をバルブから導出し、導入線導出部を加熱圧潰により封止する管球製品において、バルブ内面と導入線表面が接する部分に鋭利な凹部等が存しない状態となし、局部的に圧力が集中しないようにしたことを特徴とする管球製品。
【請求項５】
前記バルブは、大気圧以上の圧力で不活性ガスが封入されたことを特徴とする請求項２乃至４いずれか一に記載の管球製品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
この種の管球製品、例えばウェッジベース形ランプ等は自動車メーター類の照明やウインカーランプ、テールランプ、さらには音響機器の操作部における表示灯等の照明、パチンコ、パチスロ等遊戯具の表示灯などに多用されている。
これら管球製品の構成は、従来例を示す図１１（ａ）、（ｂ）及び図１２、さらに下記特許文献１、２に示されるように、一対の導入線１ａ、１ｂの一端にフィラメント２を懸架してマウント部材３を形成し、このマウント部材３をガラス製のバルブ４内に封入してウェッジベース形ランプとしての管球製品を構成している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
さらに、バルブ４の封止部６から導出された一対の導入線１ａ、１ｂを折り曲げて電気的な端子部を形成しウェッジベース形ランプとしての管球製品を構成するようになっている。
【特許文献１】特開２００１−１３５２８１号公報
【特許文献２】特開２００２−２３７２７８号公報
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、この現象はバルブ内に圧力を高めてガスを封入した場合に、生じ易いが、バルブ内に大気圧と同一、若しくは若干圧力を高めてガスを封入する場合等でも、ランプ点灯により高温になるフィラメントの熱で封入されたガスが約3 倍に熱膨張し、これによる圧力でバルブクラックによるリークあるいはバルブ破損が稀に発生することも推測される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
請求項５に記載の管球製品の発明は、請求項２乃至４いずれか一に記載の管球製品において、前記バルブは、大気圧以上の圧力で不活性ガスが封入されたことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
請求項５の発明によれば、バルブ内に大気圧以上の圧力で不活性ガスを封入し、ランプ高輝度化を実現するために高電流を流すと、フィラメントの発熱によりバルブ内の封入ガスが膨張しようとするためバルブ内側から外側への圧力が上昇するが、請求項２乃至４いずれか一に記載の発明によりリークあるいはバルブ破損にいたることを極力防止するようにして高輝度化並びに長寿命化を達成することが可能な管球製品を提供することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
図４は第二実施形態の管球製品を拡大して示す図面で、（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ
）のｂ−ｂ線に沿う縦断面図、図５は第二実施形態の管球製品のマウント部材を拡大して
示す正面図、図６は第二実施形態の管球製品の要部を拡大して示す説明図で、（ａ）は第
二実施形態の説明図、（ｂ）は第一の変形例の説明図、（ｃ）は第二の変形例の説明図、
図７は第二実施形態の管球製品の製造方法における各工程の内容を概略的に示す説明図で、（ａ）〜（ｅ）は正面から見た説明図、（ｆ）は側面から見た説明図、（ｇ）（ｈ）は
正面から見た説明図で、上記各図には第一実施形態と同一部分に同一符号を付してある。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月7日(2007.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の回路セルと、
電源線群と、
上記電源線群に接続される電源スイッチセルと、
上記電源スイッチセルに接続され、所定の上記回路セルに電源を供給する分岐線群と、を有し、
上記電源スイッチセルは、入力される制御信号に応じて、上記分岐線群のうち、上記所定の回路セルに接続される少なくとも１つの分岐線への電源の供給を遮断する
半導体集積回路。
【請求項２】
上記電源スイッチセルは、上記所定の回路セルの非切断時における消費電力に応じて設定された駆動能力を有するスイッチ用トランジスタを含む、
請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項３】
上記電源スイッチセルは、少なくとも一部が上記電源線群の下層領域に含まれる、
請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項４】
上記電源スイッチセルにより電源供給が遮断される上記分岐線は、多層配線構造で上層と下層の配線間を接続するコンタクト配線を介して上記電源線群と接続される、
請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項５】
上記電源スイッチセルは、
上記分岐線群の少なくとも１つの分岐線に接続されている第1の配線と、
上記電源線群の少なくとも1つの電源線に接続されている第２の配線と、
上記第1の配線と上記第２の配線との間に接続され、上記制御信号に応じてオンまたはオフするスイッチ回路と、
を含む請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項６】
上記第２の配線は、少なくとも一部が上記電源線群の下層領域に含まれ、コンタクト配線を介して、より上層の上記電源線に接続されている
請求項５に記載の半導体集積回路。
【請求項７】
上記分岐線群は、
上記第１の配線に接続されている第１の分岐線と、
上記第２の配線に接続されている第２の分岐線と、
を含む請求項５に記載の半導体集積回路。
【請求項８】
上記第１および第２の分岐線は、平面パターンにおいて上記電源スイッチセルを挟んで直線状に配置される
請求項７に記載の半導体集積回路。
【請求項９】
上記第１および第２の分岐線は、平面パターンにおいて上記電源スイッチセルから延びて互いに平行に配置される
請求項７に記載の半導体集積回路。
【請求項１０】
上記第１および第２の分岐線は、多層配線構造の異なる階層に形成され、平面パターンにおいて上記電源スイッチセルから延びて互いに重なって配置される
請求項７に記載の半導体集積回路。
【請求項１１】
上記スイッチ回路は、上記所定の回路セルの非切断時における消費電力に応じて設定された駆動能力を有するスイッチ用トランジスタを含む、
請求項５に記載の半導体集積回路。
【請求項１２】
複数の回路セルと、
電源線群と、
上記電源線群の少なくとも１つの電源線に接続される電源スイッチセルと、
上記電源スイッチセルに接続され、第１および第２の分岐線を含む分岐線群と、を備え、
上記電源スイッチセルは、上記第１および第２分岐線間に接続され、制御信号に応じてオンまたはオフするスイッチ回路を含み、
上記第２分岐線は上記電源線群の一の電源線に接続されている
半導体集積回路。
【請求項１３】
複数の回路セルと、
電源線群と、
複数の分岐線を含んで構成され、上記電源線群の少なくとも１つの電源線からの電源を所定の回路セルに供給する分岐線群と、
上記分岐線群の１つの分岐線と、上記電源線群の１つの電源線との間に接続され、制御信号に応じてオンまたはオフするスイッチ回路と、
を有する半導体集積回路。
【請求項１４】
複数の回路セルと、
電源線と、
上記電源線から分岐する第１の分岐線と第２の分岐線とを含む分岐線群と、
入力される制御信号に応じて上記第２の分岐線への電源の供給を遮断するスイッチ回路と、を有し、
上記複数の回路セルは、
上記第１の分岐線から電源を供給される第１の回路セルと、
上記第２の分岐線から電源を供給される第２の回路セルと、を含む
半導体集積回路。
【請求項１５】
上記スイッチ回路は、上記第２の分岐線と、上記電源線との間に接続される
請求項１４に記載の半導体集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
格子縞状の電源線パターンの内部には、大まかに分けて、分岐線群ＢＬ１に接続された回路セル１０が配置される電源非遮断領域Ａ１と、分岐線群ＢＬ２に接続された回路セル１０が配置される電源遮断領域Ａ２と、分岐線群ＢＬ１，ＢＬ２に接続されないその他の領域（図３の例では回路ブロック３０の領域）とがある。
図２に示す電源非遮断領域Ａ１と電源遮断領域Ａ２は、各分岐線群における電源スイッチセル２０の挿入の有無を選択することによって、それぞれの範囲を自由に定めることが可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図３の例において、電源スイッチセル２０は、その一部が電源線群ＰＬ１の下層領域に含まれている。電源線群ＰＬ１から電源スイッチセル２０へ分岐する配線には、例えば、電源線群ＰＬ１から配線層を貫いて下層に伸びるコンタクト配線が用いられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
分岐線群ＢＬ３−１およびＢＬ３−３は、電源線群ＰＬ１の共通の分岐点から分岐しており、この分岐点から互いに反対方向に伸びている。
分岐線群ＢＬ３−２およびＢＬ３−４は、電源線群ＰＬ１の共通の分岐点から分岐しており、この分岐点から互いに反対方向に伸びている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月12日(2006.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体層を有する電界効果型トランジスタであって、該有機半導体層が少なくともポルフィリン化合物を含み、該有機半導体層においてＣｕＫαＸ線回折ブラッグ角（２θ）９．９°以上１０．４°以下の範囲における最大回折強度Ｉ１が２３．０°以上２６．０°以下の範囲における最大回折強度Ｉ２よりも強く、前記有機半導体層が前記ポルフィリン化合物の前駆体であるビシクロ［２．２．２］オクタジエン骨格を有する化合物からなる溶液を基板上に塗布し加熱することで得られたものであることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項２】
前記最大回折強度Ｉ１とＩ２の比Ｉ１／Ｉ２が２以上であることを特徴とする請求項１記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項３】
前記ポルフィリン化合物がテトラベンゾポルフィリンであることを特徴とする請求項１または２記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項４】
前記ポルフィリン化合物が無金属ポルフィリン化合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項５】
有機半導体層を有する電界効果型トランジスタの製造方法であって、
ポルフィリン化合物の前駆体であるビシクロ［２．２．２］オクタジエン骨格を有する化合物からなる溶液を基板上に塗布し塗膜を得る工程と、
前記基板を加熱し前記前駆体を前記ポルフィリン化合物に変化させてＣｕＫαＸ線回折ブラッグ角（２θ）９．９°以上１０．４°以下の範囲における最大回折強度Ｉ１が２３．０°以上２６．０°以下の範囲における最大回折強度Ｉ２よりも強い有機半導体層を得る工程と、を少なくとも有することを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記最大回折強度Ｉ１とＩ２の比Ｉ１／Ｉ２が２以上であることを特徴とする請求項５記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記ポルフィリン化合物がテトラベンゾポルフィリンであることを特徴とする請求項５または６記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記ポルフィリン化合物が無金属ポルフィリン化合物であることを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、有機半導体層を有する電界効果型トランジスタであって、該有機半導体層が少なくともポルフィリン化合物を含み、該有機半導体層においてＣｕＫαＸ線回折ブラッグ角（２θ）９．９°以上１０．４°以下の範囲における最大回折強度Ｉ１が２３．０°以上２６．０°以下の範囲における最大回折強度Ｉ２よりも強く、前記有機半導体層が前記ポルフィリン化合物の前駆体であるビシクロ［２．２．２］オクタジエン骨格を有する化合物からなる溶液を基板上に塗布し加熱することで得られたものであることを特徴とする電界効果型トランジスタである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は以下である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、有機半導体層を有する電界効果型トランジスタの製造方法であって、ポルフィリン化合物の前駆体であるビシクロ［２．２．２］オクタジエン骨格を有する化合物からなる溶液を基板上に塗布し塗膜を得る工程と、前記基板を加熱し前記ポルフィリン化合物を前記ポルフィリン化合物に変化させてＣｕＫαＸ線回折ブラッグ角（２θ）９．９°以上１０．４°以下の範囲における最大回折強度Ｉ１が２３．０°以上２６．０°以下の範囲における最大回折強度Ｉ２よりも強い有機半導体層を得る工程と、を少なくとも有することを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の電界効果型トランジスタは有機半導体層を有する電界効果型トランジスタであって、該有機半導体層が少なくともポルフィリン化合物を含み、該有機半導体層においてＣｕＫαＸ線回折ブラッグ角（２θ）９．９°以上１０．４°以下の範囲における最大回折強度Ｉ１が２３．０°以上２６．０°以下の範囲における最大回折強度Ｉ２よりも強く、前記有機半導体層が前記ポルフィリン化合物の前駆体であるビシクロ［２．２．２］オクタジエン骨格を有する化合物からなる溶液を基板上に塗布し加熱して得られたものであることを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
この知見に基づき、鋭意研究を重ねたところ、少なくともポルフィリン化合物を含み、かつＣｕＫαＸ線回折ブラッグ角（２θ）９．９°以上１０．４°以下の範囲における最大回折強度Ｉ１が２３．０°以上２６．０°以下の範囲における最大回折強度Ｉ２よりも強く、前記有機半導体層が前記ポルフィリン化合物の前駆体であるビシクロ［２．２．２］オクタジエン骨格を有する化合物からなる溶液を基板上に塗布し加熱して得られたものであることにより、有機半導体層を有する電界効果型トランジスタが、高い電界効果移動度とＯＮ／ＯＦＦ比を示すことを見出した。より好ましくはＩ１／Ｉ２が２以上である。これにより本発明はなされた。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月28日(2007.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スプリット構造のメモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置であって、前記メモリセルは、
（ａ）半導体基板中に形成された第１および第２半導体領域と、
（ｂ）前記第１および第２半導体領域間上の前記半導体基板の上部に形成された選択ゲートおよび前記選択ゲート形成後に形成されたメモリゲートと、
（ｃ）前記選択ゲートと前記半導体基板との間に形成された第１絶縁膜と、
（ｄ）前記メモリゲートと前記半導体基板との間、および前記選択ゲートとメモリゲートとの間の前記選択ゲート側壁部にそれぞれ形成された第２絶縁膜とを備え、
前記第２絶縁膜は、前記半導体基板上の第１の電位障壁膜と、その上部に形成されたシリコン窒化膜と、その上部に形成された第２の電位障壁膜とを含み、かつ、前記選択ゲートとメモリゲートとの間の前記選択ゲート側壁部に形成された前記シリコン窒化膜の膜厚が、前記メモリゲートと前記半導体基板との間に形成された前記シリコン窒化膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置において、前記半導体基板から、前記シリコン窒化膜の局所領域に電子を注入する書き込み手段と、
前記シリコン窒化膜の局所領域に正孔を注入して前記書き込み手段により書き込まれた電子を消去する消去手段とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置において、前記選択ゲートの側壁の一面が、その断面において逆テーパ形状を有していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項３記載の不揮発性半導体記憶装置において、選択ゲートの側壁の一面がメモリゲートに隣接する側の側壁であり、前記選択ゲート側壁の延長線とＳｉ基板の作る角度が７５°〜９０°であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置において、選択ゲートの一方の側壁に形成された第1の電位障壁膜であるシリコン酸化膜の膜厚が、シリコン基板側に近い部分で薄くなっていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置において、前記選択ゲートの上に絶縁膜パターンが形成されており、前記絶縁膜の一方のパターンエッジより前記選択ゲートのパターンエッジが内側に配置されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
請求項６記載の不揮発性半導体記憶装置において、前記選択ゲートの側壁の一面がメモリゲートに隣接する側の側壁であり、前記選択ゲート上に形成された絶縁膜のパターンエッジと前記絶縁膜パターンより内側に配置された選択ゲートのパターンエッジとの長さが、４０nm以下であるあることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月9日(2007.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影レンズの予定結像面に配置される、複数画素からなる固体撮像素子であって、各画素は、
マイクロレンズと、
入射光を電気信号に変換する光電変換手段と、
透明な材料で構成され、前記マイクロレンズと前記光電変換手段との間に配置された、前記マイクロレンズからの光を前記光電変換手段に導光する導光手段とを有し、
前記導光手段は、該導光手段の側面に接する材料よりも高屈折率の材料で構成され、前記固体撮像素子における各画素の位置に応じてそれぞれ異なる形状を有し、該形状は、前記マイクロレンズから入射する光が前記導光手段と該導光手段の側面に接する材料との境界で全反射する条件を満たすことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記マイクロレンズは、対応する画素の前記固体撮像素子の中央からの位置に応じて、前記光電変換手段の光軸に対して前記固体撮像素子の中心側に偏心して配置され、前記導光手段は、前記マイクロレンズからの光がほぼ全入射する開口を有することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記導光手段は、多角錐台または円錐台の形状を有し、前記固体撮像素子から遠い側の底面が、前記固体撮像素子側の底面よりも広いことを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記導光手段は、対応する画素の位置が前記固体撮像素子の中央から離れるに従って、前記固体撮像素子の周辺側に位置する傾斜面の角度がより垂直に近づく形状を有することを特徴とする請求項３に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
撮影レンズの予定結像面に配置される、複数画素からなる固体撮像素子であって、各画素は、
マイクロレンズと、
入射光を電気信号に変換する光電変換手段と、
透明な材料で構成され、前記マイクロレンズと前記光電変換手段との間に配置された、前記マイクロレンズからの光を前記光電変換手段に集光する集光手段とを有し、
前記集光手段は、前記固体撮像素子における各画素の位置に応じてそれぞれ異なる形状を有し、該形状が、前記マイクロレンズから入射する光が前記光電変換手段の領域内にほぼ収まるように集光する形状及び集光力を有することを特徴とする固体撮像素子。
【請求項６】
前記マイクロレンズは、対応する画素の前記固体撮像素子の中央からの位置に応じて、前記光電変換手段の光軸に対して前記固体撮像素子の中心側に偏心して配置され、前記集光手段は、前記マイクロレンズからの光がほぼ全入射する開口を有することを特徴とする請求項５に記載の固体撮像素子。
【請求項７】
前記集光手段は、対応する画素の位置が前記固体撮像素子の中央から離れるに従って、前記固体撮像素子の周辺側の曲率半径がより小さくなる形状を有することを特徴とする請求項５または６に記載の固体撮像素子。
【請求項８】
配線層を含む層間絶縁膜上にレジストを塗布する工程と、
光透過性支持体にドット密度を段階的に変化させた遮光パターンを形成したフォトマスクを用いて前記レジストを露光して現像し、非対称形状にパターニングする工程と、
エッチング処理により、前記レジストの前記非対称形状を前記層間絶縁膜に転写する工程と
を有することを特徴とする非対称光導波路の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、撮影レンズの予定結像面に配置される、複数画素からなる本発明の固体撮像素子は、各画素は、マイクロレンズと、入射光を電気信号に変換する光電変換手段と、透明な材料で構成され、前記マイクロレンズと前記光電変換手段との間に配置された、前記マイクロレンズからの光を前記光電変換手段に導光する導光手段とを有し、前記導光手段は、該導光手段の側面に接する材料よりも高屈折率の材料で構成され、前記固体撮像素子における各画素の位置に応じてそれぞれ異なる形状を有し、該形状は、前記マイクロレンズから入射する光が前記導光手段と該導光手段の側面に接する材料との境界で全反射する条件を満たす。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、別の構成によれば、撮影レンズの予定結像面に配置される、複数画素からなる本発明の固体撮像素子は、各画素は、マイクロレンズと、入射光を電気信号に変換する光電変換手段と、透明な材料で構成され、前記マイクロレンズと前記光電変換手段との間に配置された、前記マイクロレンズからの光を前記光電変換手段に集光する集光手段とを有し、前記集光手段は、前記固体撮像素子における各画素の位置に応じてそれぞれ異なる形状を有し、該形状が、前記マイクロレンズから入射する光が前記光電変換手段の領域内にほぼ収まるように集光する形状及び集光力を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
一方、固体撮像素子３０の中央部に位置していない画素ｃ及びｄでは、不図示の撮影レンズから入射する光の主光線は、撮影レンズの射出瞳と画素の位置で決まる所定の角度で入射する。そのため、マイクロレンズ３１ｃ及び３１ｄの光軸４１ｃ及び４１ｄは光導波路３６ｃ及び３６ｄの中心軸４０ｃ及び４０ｄに対して画素中央部に偏心するように設定されている。また、光導波路３６ｃ及び３６ｄはその中心軸４０ｃ及び４０ｄに対して非対称な四角錐台の形状を成している。すなわち、光導波路３６ｃ及び３６ｄの中心軸４０ｃ及び４０ｄに対して固体撮像素子３０の中央部側の傾斜面の角度は一定だが、中心軸４０ｃ及び４０ｄに対して固体撮像素子３０の周辺部側の傾斜面の角度はその画素の位置に応じて異なるように形成されている。つまり、固体撮像素子３０の周辺部にいくにしたがって撮影レンズからの主光線の入射角が深くなるため、光導波路３６の傾斜面への入射角が浅くなるように、周辺部側に位置する傾斜面の角度はSi基板３２に対して垂直に近づくように形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月11日(2007.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体高分子電解質膜の一方の表面にアノード触媒層が形成され、他方の表面にカソード触媒層が形成され、更に、前記アノード触媒層と前記カソード触媒層の表面それぞれに高分子系のフィルム樹脂が形成された固体高分子電解質燃料電池であって、
触媒層及びフィルム樹脂は前記電解質膜の両面内に形成され、かつ、前記固体高分子電解質膜をフィルムシールで全面覆うと共に、（１）触媒層，フィルム樹脂及び電解質膜の端面と、（２）電解質膜のうち前記触媒層が形成されていない面と、（３）前記フィルムシールとで形成される空間は不活性ガスでパージされてなり更に前記電解質膜の端面と前記フィルムシールとは接触せず構成されること
を特徴とする固体高分子電解質燃料電池。
【請求項２】
前記アノード触媒層と高分子系のフィルム樹脂と、前記カソード触媒層と高分子系のフィルム樹脂とのそれぞれの間にガス拡散層が形成されることを特徴とする請求項１記載の固体高分子電解質燃料電池。
【請求項３】
前記フィルム樹脂のうち前記電解質膜側とは反対の表面は、前記フィルムシールと密着していることを特徴とする請求項１または２に記載の固体高分子電解質燃料電池。
【請求項４】
前記フィルムシールで覆われた空間中に脱酸素剤を備えることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の固体高分子電解質燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために、本願請求項１に記載の固体高分子電解質燃料電池は、固体高分子電解質膜の一方の表面にアノード触媒層が形成され、他方の表面にカソード触媒層が形成され、更に、前記アノード触媒層と前記カソード触媒層の表面それぞれに高分子系のフィルム樹脂が形成された固体高分子電解質燃料電池であって、触媒層及びフィルム樹脂は前記電解質膜の両面内に形成され、かつ、前記固体高分子電解質膜をフィルムシールで全面覆うと共に、（１）触媒層，フィルム樹脂及び電解質膜の端面と、（２）電解質膜のうち前記触媒層が形成されていない面と、（３）前記フィルムシールとで形成される空間は不活性ガスでパージされてなり更に前記電解質膜の端面と前記フィルムシールとは接触せず構成されるを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このとき、前記アノード触媒層と高分子系のフィルム樹脂と、前記カソード触媒層と高分子系のフィルム樹脂とのそれぞれの間にガス拡散層が形成されると好適である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、前記フィルム樹脂のうち前記電解質膜側とは反対の表面は、前記フィルムシールと密着していると好適である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
更に、前記フィルムシールで覆われた空間中に脱酸素剤を備えると好適である。