【誤訳訂正書】
【提出日】令和1年8月22日(2019.8.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
特定の開示される実施形態により、研磨された４Ｈ-ＳｉＣのシリコンカーバイド半導体基板が開示され、エピタキシャル成長用に調製される。基板は、１４９ｍｍ〜１５２ｍｍの直径と、３６５〜６７５μｍの厚さと、周辺のはす縁（例えば、基板の製造表面に対して２２．５＋／-０．２度の最大角度を有する）と、０．５μｍ〜５μｍの範囲の合計厚さのばらつき（ｔｏｔａｌ  ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  ｖａｒｉａｔｉｏｎ、ＴＴＶ）及び１μｍ〜４０μｍの範囲の歪みと、２５Ｅ１０／ｃｍ２〜２７５Ｅ１０／ｃｍ２の間のＮａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｋ、Ｍｇの面密度の合計及び１０Ｅ１０／ｃｍ２〜１５０Ｅ１０／ｃｍ２の間の原子Ｐ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｍｎの面密度の合計として、基板のＣ面又はＳｉ面のいずれかの上でＴＸＲＦにより測定された表面の金属汚染濃度と、１／ｃｍ２〜２６００／ｃｍ２の間である、基板内の貫通らせん転位、基底面転位、及びマイクロパイプを含む結晶転位の面密度中央値と、５μｍ〜５０００μｍの範囲の総計傷長さと、０．５μｍ〜１０μｍの範囲の直径を有する５〜５００の合計粒子の範囲の粒子数と、を有する。いくつかの実施形態では、基板は、基板の［０００１］表面が３．５〜４．４度ｃ軸から離れる方向に＜１１-２０＞の方向に向かって傾いているように、配向することができる。いくつかの実施形態では、基板が溶融ＫＯＨ内でエッチングされて１９部位で測定され、それぞれの部位が１×１ｍｍ２であり、部位が製造表面にわたって均一に分布する場合、基底面転位の面密度中央値は、１／ｃｍ２〜２５００／ｃｍ２の範囲であり、貫通らせん転位の面密度中央値は、０／ｃｍ２〜４００／ｃｍ２の範囲であり、基板上の少なくとも１つの部位は、ゼロのらせん転位を測定する。加えて、基板内固有抵抗値は、０．０１３Ω-ｃｍ〜０．０２２Ω-ｃｍの範囲とすることができる。基板は、１．５μｍ〜１６０μｍの範囲の複合体厚さを有する、ケイ素又は炭素の表面上に堆積された１つ以上のＳｉＣホモエピタキシャル層を更に含むことができ、エピタキシャル層の少なくとも１つは、１Ｅ１４／ｃｍ３〜３Ｅ１９／ｃｍ３の範囲の濃度を有するｎ型又はｐ型のドーパント原子を有する。エピタキシャル被膜は、ｉ．１つ以上の基板をＣＶＤエピタキシーシステム内に装填することと、ｉｉ．基板が水素及び塩化水素のガスの混合物に曝露されたときに製造表面をエッチングするために充分な昇温に基板（単数又は複数）を加熱することと、ｉｉｉ．塩素原子を有する少なくとも１つのガスを含んだガスの混合物を使用してエピタキシャル被膜を基板上に堆積させることと、を含むエピタキシープロセスにより製造することができる。いくつかの実施形態では、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｋの面密度の合計として基板のＣ面又はＳｉ面のいずれかの上でＴＸＲＦにより測定された表面の金属汚染濃度は、２５Ｅ１０／ｃｍ２〜２７５Ｅ１０／ｃｍ２の間であり、原子Ｐ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｍｎの面密度の合計は、１０Ｅ１０／ｃｍ２〜１５０Ｅ１０／ｃｍ２の間である。また、ＳｉＣホモエピタキシャル層が溶融ＫＯＨ内でエッチングされて表面にわたって分布した１９部位で測定されたとき、らせん転位の面密度中央値は、０／ｃｍ２〜４００／ｃｍ２の範囲��あり、少なくとも１つの部位がゼロのらせん転位を測定していて、基底面転位の面密度中央値は、０／ｃｍ２〜２０／ｃｍ２の範囲であり、少なくとも１つの部位は、ゼロの基底面転位を測定した。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９７】
本明細書に記載した工程及び技術は、いずれかの特定の装置に本来的に関連するものではなく、構成要素の任意の好適な組み合わせによって実装されてもよいことが理解されるべきである。更に、本明細書に記載の教示に従って、汎用の様々な種類の装置を使用してもよい。本明細書に記載の方法の工程を実施するための専用の装置を構築することもまた、有益であり得る。本発明を、具体的な実施例と関連させて説明したが、これらの実施例は、あらゆる点で、制限的なものではなく、例示的なものであることを意図している。当業者は、本発明の実践のために機能要素の多くの異なる組み合わせが好適となるであろうことを、理解するであろう。更に、本明細書の検討及び本明細書に開示した発明の実践から、本発明の他の実装が、当業者にとっては明らかとなるであろう。上述した実施形態の様々な態様及び／又は構成要素は、関連技術において単独で又は任意の組み合わせで使用されてもよい。本明細書及び各実施例は例示的なものとしてのみ解釈され、本発明の真の範囲及び趣旨は、次の特許請求の範囲によって示されることが意図されている。
（態様）
（態様１）
ＳｉＣ結晶を成長した体積に製造するための方法であって、
ｉ．ケイ素チップを含む混合物を、黒鉛でできており、前記ＳｉＣ結晶の前記成長した体積の６倍から１２倍の範囲の内容積の円筒形内部を有する反応器セル内に導入することと、
ｉｉ．シリコンカーバイドの種結晶を前記反応器セルの蓋に隣接する前記反応器セルの内部に配置することと、
ｉｉｉ．前記円筒形反応器セルを前記蓋を使用して封鎖することと、
ｉｖ．前記反応器セルを黒鉛製断熱材で包囲することと、
ｖ．前記円筒形反応器セルを真空炉に導入することと、
ｖｉ．前記真空炉を真空にすることと、
ｖｉｉ．前記真空炉を不活性ガスを含むガス混合物で大気圧付近の圧力に充填することと、
ｖｉｉｉ．前記真空炉内の前記円筒形反応器セルを１９７５℃から２５００℃の範囲の温度に加熱することと、
ｉｘ．前記真空炉内の前記圧力を０．００７ｋＰａ〜７ｋＰａ未満（０．０５トル〜５０トル未満）に低減することと、
ｘ．炭素源ガスを前記真空炉内に導入することと、
ｘｉ．ケイ素及び炭素の化学種の昇華並びに前記種の上への蒸気の凝縮を可能にすることと、を含む、方法。
（態様２）
前記円筒形黒鉛製反応器セルが、４０００ｃｍ３〜１６０００ｃｍ３の容積を有する、態様１に記載の方法。
（態様３）
前記円筒形黒鉛製反応器セルが、０．８〜４．０の範囲の内部高さの内径に対する比を有する、態様２に記載の方法。
（態様４）
結果としてできるウェハが３．５度〜４．４度ｃ軸から離れる方向に＜１１−２０＞の方向に向かって傾いている表面を有するような方向に、前記結晶をスライスすることと、
それぞれのウェハを、それによりそれぞれのウェハの厚さを３６５μｍ〜６７５μｍの範囲の平均厚さに低減するように、研削及び研磨することと、
それぞれのウェハの周辺の縁部をはす縁を生成するように研削することと、を更に含み、
それぞれのウェハを研削及び研磨することは、０．５μｍ〜５μｍの範囲の合計厚さのばらつき、及び１μｍ〜４０μｍの範囲の歪みを発生するように実施される、態様１に記載の方法。
（態様５）
２５Ｅ１０／ｃｍ２〜２５０Ｅ１０／ｃｍ２のＮａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｋ、Ｍｇの面密度の合計、及び１０Ｅ１０／ｃｍ２〜１５０Ｅ１０／ｃｍ２の原子Ｐ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｍｎの面密度の合計として、前記基板のＣ面又はＳｉ面のいずれかの上でＴＸＲＦにより測定された表面の金属汚染濃度を提供するように、前記ウェハを洗浄することを更に含む、態様４に記載の方法。
（態様６）
前記ウェハを洗浄することが、９より大きく１２未満のｐＨを有し脱イオン水内で混合された低濃度苛性界面活性剤を有する超音波洗浄タンクに、前記ウェハを浸漬することを含む、態様５に記載の方法。
（態様７）
前記苛性界面活性剤の前記濃度が、０．５〜１０％である、態様６に記載の方法。
（態様８）
洗滌及びスピン乾燥手順を実施することを更に含む、態様７に記載の方法。
（態様９）
粒子及び残留金属汚染を除去するように、４未満のｐＨを有する酸性溶液を使用して、研磨の後に前記基板を洗浄することを更に含む、態様８に記載の方法。
（態様１０）
前記ウェハをポリビニルアルコール製ブラシを使用して磨くことを更に含む、態様９に記載の方法。
（態様１１）
前記基板内の結晶転位の面密度中央値が、１／ｃｍ２と２６００／ｃｍ２との間である、態様１０に記載の方法。
（態様１２）
それぞれのウェハの製造表面上で測定した総計傷長さが、５μｍ〜５０００μｍの範囲である、態様１１に記載の方法。
（態様１３）
それぞれのウェハ内の粒子数が、０．５μｍ〜１０μｍの範囲の直径をそれぞれ有する５〜５００の合計粒子である、態様１２に記載の方法。
（態様１４）
前記基板をエピタキシャル堆積チャンバ内に装填することと、前記基板を昇温に加熱すること並びに水素及び塩化水素のガス混合物を前記エピタキシャル堆積チャンバ内に流入させることにより前記基板を洗浄することと、前記ウェハ上にＳｉＣのエピタキシャル層を堆積させることと、を更に含む、態様１３に記載の方法。
（態様１５）
前記エピタキシャル層が、塩素原子を有する少なくとも１つのガスを含むガス混合物を使用して前記基板上に堆積される、態様１４に記載の方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣ結晶を成長した体積に製造するための方法であって、
ｉ．ケイ素チップを含む混合物を、黒鉛でできており、前記ＳｉＣ結晶の前記成長した体積の６倍から１２倍の範囲の内容積の円筒形内部を有する反応器セル内に導入することと、
ｉｉ．シリコンカーバイドの種結晶を前記反応器セルの蓋に隣接する前記反応器セルの内部に配置することと、
ｉｉｉ．前記円筒形反応器セルを前記蓋を使用して封鎖することと、
ｉｖ．前記反応器セルを黒鉛製断熱材で包囲することと、
ｖ．前記円筒形反応器セルを真空炉に導入することと、
ｖｉ．前記真空炉を真空にすることと、
ｖｉｉ．前記真空炉を不活性ガスを含むガス混合物で大気圧の圧力に充填することと、
ｖｉｉｉ．前記真空炉内の前記円筒形反応器セルを１９７５℃から２５００℃の範囲の温度に加熱することと、
ｉｘ．前記真空炉内の前記圧力を０．００７ｋＰａ〜７ｋＰａ未満（０．０５トル〜５０トル未満）に低減することと、
ｘ．炭素源ガスを前記真空炉内に導入することと、
ｘｉ．ケイ素及び炭素の化学種の昇華並びに前記種の上への蒸気の凝縮を可能にすることと、を含む、方法。
【請求項２】
前記円筒形黒鉛製反応器セルが、４０００ｃｍ３〜１６０００ｃｍ３の容積を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記円筒形黒鉛製反応器セルが、０．８〜４．０の範囲の内部高さの内径に対する比を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
結果としてできるウェハ基板が３．５度〜４．４度ｃ軸から離れる方向に＜１１−２０＞の方向に向かって傾いている表面を有するような方向に、前記結晶をスライスすることと、
それぞれのウェハ基板を、それによりそれぞれのウェハ基板の厚さを３６５μｍ〜６７５μｍの範囲の平均厚さに低減するように、研削及び研磨することと、
それぞれのウェハ基板の周辺の縁部をはす縁を生成するように研削することと、を更に含み、
それぞれのウェハ基板を研削及び研磨することは、０．５μｍ〜５μｍの範囲の合計厚さのばらつき、及び１μｍ〜４０μｍの範囲の歪みを発生するように実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
２５Ｅ１０／ｃｍ２〜２５０Ｅ１０／ｃｍ２のＮａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｋ、Ｍｇの面密度の合計、及び１０Ｅ１０／ｃｍ２〜１５０Ｅ１０／ｃｍ２の原子Ｐ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｍｎの面密度の合計として、前記ウェハ基板のＣ面又はＳｉ面のいずれかの上でＴＸＲＦにより測定された表面の金属汚染濃度を提供するように、前記ウェハ基板を洗浄することを更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ウェハ基板を洗浄することが、９より大きく１２未満のｐＨを有し脱イオン水内で混合された低濃度苛性界面活性剤を有する超音波洗浄タンクに、前記ウェハ基板を浸漬することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記苛性界面活性剤の濃度が、０．５〜１０％である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
洗滌及びスピン乾燥手順を実施することを更に含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
粒子及び残留金属汚染を除去するように、４未満のｐＨを有する酸性溶液を使用して、研磨の後に前記ウェハ基板を洗浄することを更に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ウェハ基板をポリビニルアルコール製ブラシを使用して磨くことを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ウェハ基板内の結晶転位の面密度中央値が、１／ｃｍ２と２６００／ｃｍ２との間である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
それぞれのウェハ基板の製造表面上で測定した総計傷長さが、５μｍ〜５０００μｍの範囲である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
それぞれのウェハ基板内の粒子数が、０．５μｍ〜１０μｍの範囲の直径をそれぞれ有する５〜５００の合計粒子である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ウェハ基板をエピタキシャル堆積チャンバ内に装填することと、前記ウェハ基板を昇温に加熱すること並びに水素及び塩化水素のガス混合物を前記エピタキシャル堆積チャンバ内に流入させることにより前記ウェハ基板を洗浄することと、前記ウェハ基板上にＳｉＣのエピタキシャル層を堆積させることと、を更に含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記エピタキシャル層が、塩素原子を有する少なくとも１つのガスを含むガス混合物を使用して前記ウェハ基板上に堆積される、請求項１４に記載の方法。