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【手続補正書】
【提出日】平成19年6月25日(2007.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  シリコン系非単結晶半導体材料からなるｐｎ又はｐｉｎ構造を有する複数の単位素子同士を、ｐ／ｎ型接合させて積層した光起電力素子において、
前記ｐ／ｎ型接合の接合界面で、窒素濃度が最大となるピークを持ち、且つそのピークにおける窒素濃度（ピーク窒素濃度）が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする光起電力素子。
【請求項２】  前記ｐ／ｎ型接合におけるｎ層がｎ型不純物を含み、前記ピーク窒素濃度がそのｎ型不純物濃度の５％以下であることを特徴とする請求項１に記載の光起電力素子。
【請求項３】  ｎ型不純物はリン元素であることを特徴とする請求項２記載の光起電力素子。
【請求項４】  前記ｐ／ｎ型接合におけるｐ層がｐ型不純物を含み、前記ピーク窒素濃度がそのｐ型不純物濃度の５％以下であることを特徴とする請求項１に記載の光起電力素子。
【請求項５】  前記ｐ型不純物はボロン元素であることを特徴とする請求項４記載の光起電力素子。
【請求項６】  前記接合部界面内において、前記窒素濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の範囲内で変化していることを特徴とする請求項１に記載の光起電力素子。
【請求項７】  前記ｐ／ｎ型接合におけるｐ層が水素化微結晶シリコンからなることを特徴とする請求項１に記載の光起電力素子。
【請求項８】  前記複数の単位素子は異なるバンドギャップを有し、光入射側に位置する単位素子のバンドギャップよりその下に位置する単位素子のバンドギャップが狭いことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項記載の光起電力素子。
【請求項９】  前記ｐ／ｎ型接合を２つ以上を有し、少なくとも光入射側のｐ／ｎ型接合の接合界面で、窒素濃度が最大となるピークを持ち、且つそのピークにおける窒素濃度（ピーク窒素濃度）が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項記載の光起電力素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
シリコン系非単結晶半導体材料からなるｐｎ又はｐｉｎ構造を有する複数の単位素子同士を、ｐ／ｎ型接合させて積層した光起電力素子において、前記ｐ／ｎ型接合の接合界面で、窒素濃度が最大となるピークを持つようにし、且つそのピークにおける窒素濃度（ピーク窒素濃度）が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることにより、界面特性を向上させることができ、光電変換効率の高い光起電力素子が得られる。さらに界面の整合性に優れ、構造安定性（膜の密着性）の高い光起電力素子が得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
前記ｐ／ｎ型接合におけるｎ層がｎ型不純物を含み、前記ピーク窒素濃度がそのｎ型不純物濃度の５％以下であるようにすることにより、ｐ／ｎ型接合部界面の光学ギャップが大きくなり光吸収ロスが小さくなることによる短絡電流の増大が見込める。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
前記ｐ／ｎ型接合におけるｐ層がｐ型不純物を含み、前記ピーク窒素濃度がそのｐ型不純物濃度の５％以下であるようにすることにより、ｐ／ｎ型接合部界面の光学ギャップが大きくなり光吸収ロスが小さくなることによる短絡電流の増大が見込める。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
前記ｐ／ｎ型接合におけるｐ層を水素化微結晶シリコンからならしめることにより、短絡電流（Ｊｓｃ）が改善され、また、微結晶シリコンはアモルファスシリコンに比べてワイドギャップであるため不純物添加効率が高く、光起電力素子内の内部電界が大きくなる。その結果、開放電圧（Ｖｏｃ）も改善され、光電変換効率が向上する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
光入射側に位置する単位素子のバンドギャップよりその下に位置する単位素子のバンドギャップが狭くなるように、異なるバンドギャップの素子を積層することにより、太陽光線のスペクトルの各部分を効率よく吸収することができ、変換効率を向上させることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
ｐ／ｎ型接合を２つ以上を有する光起電力素子において、少なくとも光入射側のｐ／ｎ型接合の接合界面で、窒素濃度が最大となるピークを持ち、且つそのピークにおける窒素濃度（ピーク窒素濃度）が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であるようにすることによって、より一層光電変換効率の高い光起電力素子を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月19日(2007.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露出決定装置およびその露出決定装置を備えた撮像装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数個の異なる露出値で画像を撮影して得られる複数枚の画像データからそれぞれの露出値における該画像データの輝度値を求める輝度値算出手段と、
前記輝度値と予め設定された本露光時の目標輝度値との差分により露出差値を算出する露出差値算出手段と、
前記輝度値算出手段の算出結果と、前記露出差値算出手段の算出結果に基づいて、演算輝度値を算出する演算輝度値算出手段と、
前記演算輝度値算出手段の算出結果を用いて本露光時の露出値を算出する本露光露出値算出手段と、を有することを特徴とする露出決定装置。
【請求項２】  前記演算輝度値算出手段は、前記露出差値の絶対値に基づく比例計算により算出されることを特徴とする請求項１に記載の露出決定装置。
【請求項３】  前記輝度値算出手段は、画面を分割したブロックごとに輝度値を算出することを特徴とする請求項１に記載の露出決定装置。
【請求項４】  請求項１乃至３の何れかに記載の露出決定装置を備えたことを特徴とする撮像装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露出決定装置およびその露出決定装置を備えた撮像装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、以上のような点にかんがみてなされたもので、その目的とする処は、露出スキャンの回数を最低限に抑え、シャッタータイムラグを最小に抑えながら正確な露出値を得ることが可能な露出決定装置およびその露出決定装置を備えた撮像装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
このため、本発明においては、下記の（１）に示す露出決定装置および（２）に示す露出決定装置を備えた撮像装置を提供することにより、前記目的を達成しようとするものである。
（１）複数個の異なる露出値で画像を撮影して得られる複数枚の画像データからそれぞれの露出値における該画像データの輝度値を求める輝度値算出手段と、前記輝度値と予め設定された本露光時の目標輝度値との差分により露出差値を算出する露出差値算出手段と、前記輝度値算出手段の算出結果と、前記露出差値算出手段の算出結果に基づいて、演算輝度値を算出する演算輝度値算出手段と、前記演算輝度値算出手段の算出結果を用いて本露光時の露出値を算出する本露光露出値算出手段と、を有することを特徴とする露出決定装置。
（２）前記（１）に記載の露出決定装置を備えたことを特徴とする撮像装置。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
【発明の効果】
本発明によると、露出スキャンの回数を増やすことなく、精度の高い露出制御を行うことが可能な露出決定装置およびその露出決定装置を備えた撮像装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月21日(2006.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
従来のシステムは、上記処理プロセスボトルネック問題を克服しない。
実際、多くの従来のシステムは、問題を悪化させる可能性のある処理システムの出力からとられる完全に処理済みのデータのキャッシングに的を絞っている。
容易に認められるように、このように完全に処理済みのデータのキャッシングは、記憶資源に対して深刻な負荷をかける。
これは、このような方法が過度の量のシステム記憶資源を消費し、それによって、それ以降の処理を行うのに必要な演算資源の消費が減るためである。
しかし、記憶資源のこのような誤った配分に由来する記憶可用性の欠如に起因するボトルネックは蔓延している。
【非特許文献１】Exploring Aggregate  Effect with Weighted Transcoding Graphs for Efficient Cache Replacement in Transcoding Proxies, Chang et al., Proceedings of the 18th International Conference on Data Engineering (ICDE '02), 1063-6382/02, 2002, IEEE
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月15日(2007.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラスタ画像パス・アーキテクチャを実施する方法であって、
（１）装置非依存のグレースケール画像データを与えるように原画像を捕捉する段階と、
（２）前記画像データをバイナリ画像として最適に表現するのに有益な関連するセグメント化情報を生成する段階と、
（３）前記装置非依存のグレースケール画像と前記関連するセグメント化情報とを格納する段階と、
（４）目標とする出力装置を定め、前記セグメント化情報を用いて、前記装置非依存のグレースケール画像を、この目標とする出力装置のために最適化されたバイナリラスタ画像に変換する段階と、
（５）前記バイナリラスタ画像を、前記目標とする出力装置に提示する段階と、
からなる方法。
【請求項２】
ラスタ画像パス・アーキテクチャを実施する方法であって、
（１）装置非依存のグレースケール画像データを与えるように原画像を捕捉する段階と、
（２）前記装置非依存のグレースケール画像データを、バイナリ画像として最適に表現するのに有益な関連するセグメント化情報を生成する段階と、
（３）前記関連するセグメント化情報を適用して、装置非依存のＮ−プレーンＭＲＣ画像データを生成する段階と、
（４）印刷コントローラを有する目標とする印刷エンジンを定め、前記印刷コントローラが効率的に前記装置非依存のＮ−プレーンＭＲＣ画像データを処理できるかどうかを判断する段階と、
（５）前記印刷コントローラが効率的に前記装置依存のＮ−プレーンＭＲＣ画像データを処理できるという判断に応答して、前記Ｎ−プレーンＭＲＣ画像データを前記印刷コントローラに提示する段階と、
（６）前記印刷コントローラが効率的に前記装置依存のＮ−プレーンＭＲＣ画像データを処理できないという判断に応答して、グレースケールのオーバーレイプレーンを表して、画像層を平らにし、このようにして、装置依存のバイナリラスタ画像データを生み出して、装置依存のバイナリラスタ画像ファイルを前記印刷コントローラに提示する段階と、
からなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月14日(2007.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体内で撮影された画像ストリームの伝送を減らすための方法であって、
撮影された画像データと先に伝送された画像データとの間の類似性を判断するステップと、
撮影された画像データが先に伝送された画像データに実質的に類似する場合、撮影された画像データの伝送を減らすステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記類似性を判断するステップは、撮影された画像データと先に伝送された画像データとからの画像画素のサブサンプルを比較することにより、撮影された画像データと先に伝送された画像データとのＨＳＶ特性を比較することにより、撮影された画像データと先に伝送された画像データとの少なくともサブサンプルのＦＥＴ変換を比較することにより、撮影された画像データと先に伝送された画像データとのデータシグネチャを比較することにより、撮影された画像データと先に伝送された画像データとのデータシグネチャを比較することにより、撮影された画像データと先に伝送された画像データとの間の差がしきい値よりも高いかどうか判断することによるか、またはこれらのいずれかの組合せによるものである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記伝送を減らすステップは、撮影された画像データの伝送をスキップすることにより、撮影された画像データと先に伝送された画像データとの間の差を伝送することにより、ヘッダを伝送してかつ撮影された画像データの伝送をスキップすることによるか、またはこれらのいずれかの組合せによるものである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
同期信号を伝送するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記類似性を判断するステップは生体内画像化装置によるものである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記生体内画像化装置は自律型カプセル装置である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
先に伝送された画像データは生体内装置に一時的に記憶される、請求項１に記載の方法
。
【請求項８】
体内腔の画像データを撮影するステップと前記画像データを記憶するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月9日(2007.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ＧＰＳ衛星からの電波を受信して車両の現在位置を算出するＧＰＳ受信部と、
車両の速度取締用のレーダ波を受信するレーダ受信部と、
前記レーダ受信部で受信することが困難なレーダ波を発する速度取締装置及びレーダ波を発しない速度取締装置の位置を示す目標位置を予め記録した目標位置記録部と、
警告を発する警告部と、
前記目標位置記録部に記録されている目標位置の中で前記ＧＰＳ受信部で算出された現在位置に最も近い目標位置との距離が所定距離より小さいとき、または前記レーダ受信部で取締電波を受信したとき、及びこれらの両方の条件を満足したときに前記警告部より警告を発する制御部とを備えたことを特徴とする速度取締位置警告装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、速度取締位置警告装置であって、ＧＰＳ衛星からの電波を受信して車両の現在位置を算出するＧＰＳ受信部と、車両の速度取締用のレーダ波を受信するレーダ受信部と、前記レーダ受信部で受信することが困難なレーダ波を発する速度取締装置及びレーダ波を発しない速度取締装置の位置を示す目標位置を予め記録した目標位置記録部と、警告を発する警告部と、前記目標位置記録部に記録されている目標位置の中で前記ＧＰＳ受信部で算出された現在位置に最も近い目標位置との距離が所定距離より小さいとき、または前記レーダ受信部で取締電波を受信したとき、及びこれらの両方の条件を満足したときに前記警告部より警告を発する制御部とを備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月12日(2006.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データの記録媒体であるディスクと、
このディスクを回転させるスピンドルモータと、
前記ディスクを回転させるスピンドル電流を前記スピンドルモータに供給するディスク回転速度制御手段と、
前記ディスクにアクセスするヘッド部と、
このヘッド部を移動させるアクチュエータと、
このアクチュエータを駆動して前記ヘッド部の位置を制御するヘッド位置制御手段と、
前記ヘッド部が前記ディスクから読み込むサーボ情報から、前記ヘッド部の位置検知データを生成する位置検知データ生成手段とを備え、
前記ヘッド位置制御手段は、前記位置検知データ生成手段の電源がＯＮのときは前記位置検知データとをもとに前記ヘッド部の位置を制御し、前記位置検知データ生成手段の電源がＯＦＦのときは前記スピンドル電流の値を取得してこのスピンドル電流値をもとに前記ヘッド部の位置を制御するディスク装置。
【請求項２】
前記ヘッド位置制御手段は、
前記位置検知データ生成手段の電源がＯＮのときに、前記ヘッド部を目標位置に位置させたときのスピンドル電流値を目標電流値として取得し、あらかじめ保持しておき、
上記位置検知データ生成手段の電源がＯＦＦのときは、前記スピンドル電流値が前記目標電流値になるように前記アクチュエータを駆動することにより、前記ヘッド部をディスクの目標位置上に位置させる請求項１に記載のディスク装置。
【請求項３】
前記目標位置は、最も内径側のシリンダと最も外径側のシリンダの中間位置である請求項２に記載のディスク装置。
【請求項４】
前記ヘッド位置制御手段は、前記位置検知データをもとにしたヘッド位置の制御によってヘッド部を前記目標位置に位置させた状態で前記位置検知データ生成手段の電源をＯＦＦし、スピンドル電流値とをもとにしたヘッド位置の制御を開始する請求項２に記載のディスク装置。
【請求項５】
前記ヘッド位置制御手段は、
前記位置検知データ生成手段の電源がＯＮのときに、前記ディスクの複数のシリンダゾーンのそれぞれに、前記位置検知データをもとに前記ヘッド部を位置させたときの前記スピンドル電流の値をそれぞれ取得し、テーブルとして保持しておき、
前記位置検知データ生成手段の電源がＯＦＦのときには、前記テーブルと取得したスピンドル電流値とをもとに前記ヘッド部の位置を制御する請求項１に記載のディスク装置。
【請求項６】
データの記録媒体であるディスクと、このディスクを回転させるスピンドルモータと、前記ディスクを回転させるスピンドル電流を前記スピンドルモータに供給するディスク回転速度制御手段と、前記ディスクにアクセスするヘッド部と、このヘッド部を移動させるアクチュエータと、前記ヘッド部がディスクから読み込んだサーボ情報からヘッド部の位置検知データを生成する位置検知データ生成手段とを備えたディスク装置において、前記ヘッド部の位置変化によって前記スピンドル電流の値が変化することを利用して前記ヘッド部の位置を制御するヘッド位置制御方法であって、
［ａ］スピンドル電流の値を取得するステップと、
［ｂ］前記スピンドル電流値の目標電流値からのずれ量を求めるステップと、
［ｃ］前記ずれ量に応じてアクチュエータを駆動するステップとを含み、
前記位置検知データ生成手段の電源がＯＮのときには、前記位置検知データをもとに前記ヘッド部の位置を制御し、
前記位置検知信号生成手段の電源がＯＦＦのときには、前記［ａ］〜［ｃ］のステップによって前記ヘッド部の位置を制御するヘッド位置制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部から複数系統のディジタルデータがそれぞれ入力される複数の入力インターフェースで構成されたデータ入力手段と、
上記データ入力手段のそれぞれの入力インターフェースに対応して設けられ、上記複数の入力インターフェースから入力されたディジタルデータをバッファリングする複数の入力バッファを有した入力データバッファ手段と、
記録媒体から読み出される複数系統のディジタルデータをそれぞれバッファリングする複数のバッファを有した出力データバッファ手段と、
上記出力データバッファ手段の複数のバッファのそれぞれに対応して設けられた複数の出力インターフェースで構成されたデータ出力手段と、
上記記録媒体に対して、同時に複数系統のディジタルデータの記録あるいは読み出しのためのアクセス要求があると、一系統のみを選択して上記記録媒体へのアクセス権を与えるアクセス要求調停手段と、
上記アクセス要求調停手段によりアクセス権が与えられた系統のディジタルデータを上記記録媒体に記録あるいは上記記録媒体から読み出すデータ記録・読み出し手段とを備えたことを特徴とする記録再生装置。
【請求項２】
アクセス要求調停手段は、入力バッファ手段あるいは出力バッファ手段の各系統のそれぞれのバッファに蓄積されるデータ量を監視する監視手段を有し、上記各系統のバッファに蓄積されるデータ量に基づいて一系統のみに記録媒体へのアクセス権を与えることを特徴とする請求項１に記載の記録再生装置。
【請求項３】
アクセス要求調停手段は、入力バッファ手段あるいは出力バッファ手段の各系統のそれぞれのバッファに蓄積されるデータ量を監視する監視手段と、
上記監視手段の監視結果に基づいて、各入力バッファに蓄積されたデータ量が、記録媒体へ少なくとも１回分のアクセスが可能なデータが存在するか、あるいは各出力バッファに記録媒体から少なくとも１回分の所定データ量を転送することが可能な空きが存在する場合に、該当する系統の第一のアクセス要求を発生し、さらに、各入力バッファのオーバーフローあるいは各出力バッファのアンダーフローする直前に第二のアクセス要求を発生するアクセス要求発生手段とを備え、
第二のアクセス要求の方を第一のアクセス要求よりも優先的に要求を受けつけ、各アクセス要求から一系統だけ記録媒体へのアクセス権を与えるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の記録再生装置。
【請求項４】
アクセス要求調停手段は、アクセス要求発生手段が第二のアクセス要求を発生した場合にのみ、アクセス権が遷移するようにしたことを特徴とする請求項３に記載の記録再生装置。
【請求項５】
データ入力手段は、各入力系統のデータに対して各データの記録を開始した時点から記録終了まで、外部から入力される各データのパケット単位毎に時刻情報を付加する時刻情報付加手段を備え、
また、データ出力手段は、各出力系統に対して計時手段と、記録時に上記時刻情報付加手段により付加された時刻情報と上記計時手段の示す時刻とが一致したときに該当する系統のパケットデータを外部からのデータ要求によらず自主的に出力する手段とを備え、
再生ディジタルデータのパケット間隔を記録前ディジタルデータのパケット間隔と等しくし、再生ディジタルデータの平均データレートが記録前ディジタルデータの平均レートに等しくなるようにしたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項６】
データ入力手段は、各入力系統のディジタルデータのパケットに対して時刻情報再ロードフラグを付加する手段をさらに備え、
また、データ出力手段は、各出力系統のディジタルデータのパケットに対してディジタルデータ入力時に付加された上記時間情報再ロードフラグを検出する手段をさらに備え、 上記時刻情報再ロードフラグが検出されると、当該系統のパケットデータに付加された時刻情報により計時手段の時刻情報を更新することを特徴とする請求項５に記載の記録再生装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の記録再生装置と、
受信した複数のディジタル放送信号を復調して、複数のディジタルデータとして上記記録再生装置に出力する放送受信手段と、
使用者からの指示を受けて上記放送受信手段から入力される複数のディジタルデータの上記記録再生装置への記録あるいは上記記録再生装置に記録された複数のディジタルデータの読み出し動作を制御する制御手段と、
上記記録再生装置から読み出された複数のディジタルデータのうちの何れか１つのディジタルデータを選択する選択手段と、
上記選択手段により選択されたディジタルデータをデコード処理するデコード処理手段とを備えたことを特徴とするディジタル放送受信機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明に係る記録再生装置のアクセス要求調停手段は、入力バッファ手段あるいは出力バッファ手段の各系統のそれぞれのバッファに蓄積されるデータ量を監視する監視手段と、監視手段の監視結果に基づいて各入力バッファに蓄積されたデータ量が記録媒体へ少なくとも１回分のアクセスが可能なデータが存在するか、あるいは各出力バッファに記録媒体から少なくとも１回分の所定データ量を転送することが可能な空きが存在する場合に、該当する系統の第一のアクセス要求を発生し、さらに、各入力バッファのオーバーフローあるいは各出力バッファのアンダーフローする直前に第二のアクセス要求を発生するアクセス要求発生手段とを備え、第二のアクセス要求の方を第一のアクセス要求よりも優先的に要求を受けつけ、各アクセス要求から一系統だけ記録媒体へのアクセス権を与えるものである。
また、本発明に係る記録再生装置のアクセス要求調停手段は、アクセス要求発生手段が第二のアクセス要求を発生した場合にのみ、アクセス権が遷移するようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
また、本発明に係る記録再生装置のアクセス要求調停手段は、入力バッファ手段あるいは出力バッファ手段の各系統のそれぞれのバッファに蓄積されるデータ量を監視する監視手段と、監視手段の監視結果に基づいて各入力バッファに蓄積されたデータ量が記録媒体へ少なくとも１回分のアクセスが可能なデータが存在するか、あるいは各出力バッファに記録媒体から少なくとも１回分の所定データ量を転送することが可能な空きが存在する場合に、該当する系統の第一のアクセス要求を発生し、さらに、各入力バッファのオーバーフローあるいは各出力バッファのアンダーフローする直前に第二のアクセス要求を発生するアクセス要求発生手段とを備え、第二のアクセス要求の方を第一のアクセス要求よりも優先的に要求を受けつけ、各アクセス要求から一系統だけ記録媒体へのアクセス権を与えるので、データ記録の場合にバッファによる遅延時間を小さくすることが可能となる。
また、本発明に係る記録再生装置のアクセス要求調停手段は、アクセス要求発生手段が第二のアクセス要求を発生した場合にのみ、アクセス権が遷移するようにしたので、アクセス権の遷移回数が低減されて、記録媒体の動作速度を十分に生かすことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月14日(2007.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板の主面に形成されている電気回路に電気的に接続されている電極パッドを有する半導体チップと、
上記半導体チップ上に設けられており、上記電極パッドに電気的に接続されている略球状の導電性支柱と、
上記半導体チップ上に上記導電性支柱の頂部が露出するように形成されている樹脂と、
上記導電性支柱の頂部に設けられている外部接続端子と、
を有する半導体装置。
【請求項２】  上記電極パッドと上記導電性支柱とが上記半導体チップ上に形成されている配線により電気的に接続されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  上記外部接続端子が半田ボールである請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】  上記導電性支柱が略球状の銅ボールと当該銅ボールの表面を覆う半田により構成されている請求項２又は３に記載の半導体装置。
【請求項５】  上記導電性支柱の高さが200μm以上である請求項１、２、３又は４に記載の半導体装置。
【請求項６】  半導体基板の主面に形成されている電気回路に電気的に接続されている電極パッドを有する半導体チップと、
上記電極パッドに電気的に接続されている導電性支柱と、
上記導電性支柱の頂部が覆われないように上記導電性支柱を囲む絶縁層と、
を有し、
上記導電性支柱の頂部が実質的に平坦な形状を有する半導体装置。
【請求項７】  半導体基板の主面に形成されている電気回路に電気的に接続されている電極パッドを有する半導体チップと、
上記電極パッドを露出する上記半導体基板上の第1の絶縁層と、
上記電極パッドに接続されている上記第1の絶縁層上の配線と、
上記配線に接続された導電性支柱と、
上記導電性支柱の頂部が覆われないように上記導電性支柱を囲む上記配線及び上記第1の絶縁層上の第2の絶縁層と、
を有する半導体装置。
【請求項８】  上記導電性支柱が実質的に球状である請求項６又は７に記載の半導体装置。
【請求項９】  上記絶縁層の上面が上記導電性支柱の頂部と同一平面にある請求項６又は８に記載の半導体装置。
【請求項１０】  上記第2の絶縁層の上面が上記導電性支柱の頂部と同一平面にある請求項７又は８に記載の半導体装置。
【請求項１１】  上記導電性支柱の頂部上の半田ペーストを更に有する請求項６、７、８、９又は１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】  上記導電性支柱上の半田ボールを更に有する請求項６、７、８、９、１０又は１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】  電気回路と当該電気回路に電気的に接続されている電極パッドとを有する半導体素子が形成されているウエハを用意する工程と、
上記半導体素子上に外部接続端子と上記電極パッドとを電気的に接続するための配線を形成する工程と、
予め形成された導電性支柱を上記配線の所定の位置に接続する工程と、
上記半導体素子上に上記導電性支柱の頂部が露出するように樹脂を形成する工程と、
上記導電性支柱の頂部に外部接続端子を形成する工程と、
上記ウエハをダイシングして外部接続端子が形成された半導体装置を得る工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１４】  上記樹脂を形成する工程が、上記半導体チップ上に樹脂を供給して硬化させる工程と、上記樹脂の表面及び上記導電性支柱の上部を研削して上記導電性支柱の頂部を露出させる工程とを含む請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】  上記導電性支柱が略球状の銅ボールと当該銅ボールの表面を覆う半田により構成されている請求項１３又は１４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】  上記導電性支柱を接続する工程が、上記導電性支柱を上記配線の所定の位置に載置する工程と、上記導電性支柱の表面の半田を溶融して上記配線の所定の位置に当該導電性支柱を接続する工程とを含む請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】  上記外部接続端子を形成する工程が、上記導電性支柱の頂部に半田ボールを載置する工程と、上記半田ボールを溶融して当該半田ボールを上記導電性支柱に接続する工程とを含む請求項１３、１４、１５又は１６に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月28日(2007.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、能動層、及び保護絶縁膜が順次積層されてなるボトムゲート型薄膜トランジスタであって、保護絶縁膜の膜厚が１００ｎｍ以下であり、かつ保護絶縁膜が能動層、ＬＤＤ領域又はソース・ドレイン領域上に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】  能動層が、ポリシリコン膜からなる請求項１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】  保護絶縁膜が５〜５０ｎｍである請求項１又は２記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】  （１）基板上にゲート電極を形成する工程、（２）ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程、（３）ゲート絶縁膜上に能動層前駆体膜及び保護絶縁膜が積層されており、該保護絶縁膜が膜厚１００ｎｍ以下である積層体を形成する工程、（４）保護絶縁膜を通して能動層前駆体膜のＬＤＤ領域又はソース・ドレイン領域にドーパントを注入する工程、及び（５）注入したドーパントを活性化し、ドーパント非注入部分を能動層とする工程、を有することを特徴とするボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】  能動層がポリシリコン膜からなる請求項４記載の製造方法。
【請求項６】  工程（３）において、ゲート絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、該アモルファスシリコン膜を結晶化してポリシリコン膜とし、該ポリシリコン膜上に保護絶縁膜を膜厚が１００ｎｍ以下となるように形成する請求項５記載の製造方法。
【請求項７】  工程（３）において、ゲート絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、該アモルファスシリコン膜上に保護絶縁膜を連続的に形成し、その後アモルファスシリコン膜を結晶化してポリシリコン膜とする請求項５記載の製造方法。
【請求項８】  工程（３）において、ゲート絶縁膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、該アモルファスシリコン膜を表面酸化することにより該アモルファスシリコン膜の表面に保護絶縁膜を形成し、その後アモルファスシリコン膜を結晶化してポリシリコン膜とする請求項５記載の製造方法。
【請求項９】  工程（４）以降において、保護絶縁膜に形成された欠陥の回復処理を行う請求項４〜８のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１０】  請求項１〜３のいずれかに記載のボトムゲート型薄膜トランジスタの保護絶縁膜上に層間絶縁膜、透明電極、及び配向膜が形成されたＴＦＴ基板と、対向電極を備えた対向基板と、ＴＦＴ基板と対向基板との間に挟持された液晶からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】  請求項４〜９のいずれかに記載のボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法において工程（５）で能動層を形成した後、保護絶縁膜上に層間絶縁膜、透明電極、及び配向膜を形成してＴＦＴ基板を作製し、該ＴＦＴ基板と対向電極を備えた対向基板との間に液晶を挟持させることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】  請求項１〜３のいずれかに記載のボトムゲート型薄膜トランジスタ及びこのボトムゲート型薄膜トランジスタで駆動される有機ＥＬ素子からなることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１３】  請求項４〜９のいずれかに記載のボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法において工程（５）で能動層を形成した後、保護絶縁膜上に層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜上に前記ボトムゲート型薄膜トランジスタで駆動される有機ＥＬ素子を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月22日(2007.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ照射装置及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ発振器と、第１の反射鏡と、第２の反射鏡とを有し、
前記第１の反射鏡及び前記第２の反射鏡は、それぞれ複数の反射面を有し、
前記第１の反射鏡の前記複数の反射面は、それぞれ第１の方向の断面形状が放物線となり且つ前記第１の方向に直交する第２の方向の断面形状が直線状となり、互いの前記第１の方向が平行となり且つ互いの前記第２の方向が平行となるように配置された構成を有し、
前記第２の反射鏡の前記複数の反射面は、それぞれ第３の方向の断面形状が放物線となり且つ前記第３の方向に直交する第４の方向の断面形状が直線状となり、互いの前記第３の方向が平行となり且つ互いの前記第４の方向が平行となるように配置された構成を有し、
前記第１の反射鏡と前記第２の反射鏡は、前記第１の方向と前記第３の方向が直交するように配置され、
前記レーザ発振器から出力されたレーザビームは、前記第１の反射鏡の前記複数の反射面によって反射され、
前記第１の反射鏡によって反射されたレーザビームは、前記第２の反射鏡の前記複数の反射面によって反射され、
前記第２の反射鏡によって反射されたレーザビームを被照射面に照射することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
請求項１において、
レーザ発振器は、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ガラスレーザのいずれかであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
請求項１において、
レーザ発振器は、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、Ａｒレーザのいずれかであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
レーザビームを第１の反射鏡によって反射し、
前記第１の反射鏡によって反射されたレーザビームを第２の反射鏡によって反射し、
前記第２の反射鏡によって反射されたレーザビームを半導体膜に照射する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の反射鏡及び前記第２の反射鏡は、それぞれ複数の反射面を有し、
前記第１の反射鏡の前記複数の反射面は、それぞれ第１の方向の断面形状が放物線となり且つ前記第１の方向に直交する第２の方向の断面形状が直線状となり、互いの前記第１の方向が平行となり且つ互いの前記第２の方向が平行となるように配置された構成を有し、
前記第２の反射鏡の前記複数の反射面は、それぞれ第３の方向の断面形状が放物線となり且つ前記第３の方向に直交する第４の方向の断面形状が直線状となり、互いの前記第３の方向が平行となり且つ互いの前記第４の方向が平行となるように配置された構成を有し、
前記第１の反射鏡と前記第２の反射鏡は、前記第１の方向と前記第３の方向が直交するように配置されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記半導体膜を用いて薄膜トランジスタを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月28日(2007.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
Ｘ線検出器アレイは、１つのピークのエネルギースペクトルに応答してＸ線信号を生成する。検出器で受信されたＸ線数は、検出器の平均領域及び観察時間間隔全体にわたり積算されて積算信号を生成する。積算信号は、患者のスキャン対象物質の密度に直接関係する。当該技術分野で公知のように、結果として得られたエネルギースペクトル、及び固有の積算特性から同様の物質密度を識別することは困難である。
【特許文献１】米国特許第６４１０９２０号
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月4日(2007.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気式スイッチング多層組立体であって、
下部スイッチングデバイス層と、
上部スイッチングデバイス層を備え、
前記下部及び上部の各スイッチングデバイス層がそれぞれ、
第１及び第２の面を有する第１の非導体基板と、
前記第１の非導体基板の前記第１の面に付着させ、ヒータキャビティと液体金属チャネルと前記ヒータキャビティを前記液体金属チャネル沿いの位置に接続する流路とを生成するようパターン化した第１の誘電体材料層と、
第１及び第２の面を有する第２の非導体基板と、
前記第２の非導体基板の前記第１の面に付着させ、少なくとも前記第１の誘電体材料層の前記ヒータキャビティに合わせパターン化した第２の誘電体材料層と、
前記第２の誘電体材料層上に付着させ、前記第１の誘電体材料層のパターンに合わせパターン化した接着剤層とを有し、
前記第１及び第２の非導体基板のそれぞれの前記第１の面は互いに対向し、前記第１と第２の誘電体材料層と前記接着剤層を介して当接するとともに、
前記下部スイッチングデバイス層が、
その前記第１の非導体基板の前記第２の面上にあって半田ボールにより前記電気式スイッチング多層組立体を目標位置に装着する導電パッドの下部パターンと、
その前記第２の非導体基板の前記第２の面上にある導電パッドの上部パターンと、
前記上部及び下部パターンの導電パッドを相互に、かつまた、前記第１の誘電体材料層上に形成した導体路により前記ヒータキャビティ及び前記液体金属チャネル内の選択された位置と選択的に相互接続するビアの集合体を有し、
前記上部スイッチングデバイス層が、
その第１の非導体基板の前記第２の面上にあって半田ボールにより前記電気式スイッチング多層組立体を下部スイッチングデバイス層の前記第２の非導体基板の前記第２の面上の前記導電パッドの前記上部パターンに電気的に接続する導電パッドの下部パターンと、
その前記第１の誘電体材料層上に形成した導体路によりその前記導電パッドの下部パターンを前記ヒータキャビティ内の選択された位置及び液体金属チャネルと選択的に相互接続するビアの集合体を有する、
ことを特徴とする電気式スイッチング多層組立体。
【請求項２】
前記非導体基板のうちの少なくとも一つはガラスからなる、ことを特徴とする請求項１記載の電気式スイッチング多層組立体。
【請求項３】
前記非導電基板のうちの少なくとも一つがセラミックからなる、ことを特徴とする請求項１記載の電気式スイッチング多層組立体。
【請求項４】
前記第１の非導体基板と前記第１の誘電体材料層を貫通する導電ビアであって、各端部が前記ヒータキャビティ内にある前記導電ビアをさらに備える、ことを特徴とする請求項１記載の電気式スイッチング多層組立体。
【請求項５】
前記ビアと前記パッド間に架設したヒータ抵抗器を覆うヒータキャビティ内部のパッドをさらに備える、ことを特徴とする請求項４記載の電気式スイッチング多層組立体。
【請求項６】
前記第１の非導体基板と前記第１の誘電体材料層を貫通する導電ビアであって、各端部が前記液体金属チャネル内にある前記導電ビアをさらに備える、ことを特徴とする請求項４記載の電気式スイッチング多層組立体。
【請求項７】
前記上部及び下部スイッチングデバイス層用の前記第１及び第２の誘電体材料層は、厚膜技術を用いて付着させてある、ことを特徴とする請求項１記載の電気式スイッチング多層組立体。
【請求項８】
前記上部及び下部スイッチングデバイス層の一方の一部である導体路に半田付けした少なくとも一つの可撓性導体をさらに備える、ことを特徴とする請求項１記載の電気式スイッチング多層組立体。
【請求項９】
前記上部スイッチデバイス層はさらに、その前記第２の非導体基板の前記第２の面上にあって前記上部スイッチングデバイス層内のビアにより前記上部スイッチングデバイス層内の所定位置に接続した導電パッドの上部パターンを備え、前記電気式スイッチング多層組立体はさらに、追加のスイッチングデバイス層であって、その中のビアに接続され前記上部スイッチングデバイス層上の導電パッドの上部パターンに半田付けした導電パッドの下部パターンを有する前記追加のスイッチングデバイス層を備える、ことを特徴とする請求項１記載の電気式スイッチング組立体。
【請求項１０】
液体金属ビアを備えたＬＩＭＭＳ組立体であって、
第１及び第２の面を有する第１の非導体基板と、
前記第１の非導体基板の前記第１の面上の第１の金属接点パッドと、
前記第１の非導体基板の前記第１の面に付着させ、前記第１の金属接点パッドの一部を露出させるビア橋絡孔を生成しかつまたヒータキャビティと液体金属チャネルと該ヒータキャビティを前記液体金属チャネル沿いの所定位置に接続する流路とを生成するようパターン化した第１の誘電体材料層と、
第１及び第２の面を有する第２の非導体基板と、
前記第２の非導体基板の前記第１の面に付着させた第２の誘電体材料層と、
前記第２の基板内に位置し、前記第２の誘電体材料層上に第２の金属接点パッドを有するビアと、
前記第２の誘電体材料層上に付着させ、前記第１の誘電体材料層のパターンに合わせパターン化した接着剤層と、
互いに対向し、前記第１と第２の誘電体材料層と前記接着剤層を介して当接させた前記第１及び第２の非導体基板のそれぞれの第１の面と、
前記橋絡孔内にあって、前記第１と第２の金属接点パッドを電気的に接続する液体金属のボールを備える、
ことを特徴とする前記組立体。
【請求項１１】
前記液体金属が水銀であり、前記第１と第２の金属接点パッドは元々は、金からなる電気防食層により覆われていた白金の外層を備える、ことを特徴とする請求項１０記載のＬＩＭＭＳ組立体。
【請求項１２】
液体金属ビアを有する多層電気組立体であって、
第１及び第２の面を有する第１の非導体基板と、
前記第１の基板の前記第１の面上の第１の金属接点パッドと、
前記第１の非導体基板の第１の面に付着させ、前記第１の金属接点パッドの一部を露出させる橋絡孔を少なくとも含む選択された領域内に存在しないようパターン化した第１の誘電体材料層と、
第１及び第２の面を有する第２の非導体基板と、
前記第２の非導体基板内に位置し、前記第２の非導体基板の第１の面上に第２の金属接点パッドを有するビアと、
前記第２の非導体基板の第１の面に付着させ、前記第１の誘電体材料層のパターンに合わせパターン化した接着剤層と、
互いに対向し、前記第１の誘電体材料層と前記接着剤層を介して当接させた前記第１及び第２の非導体基板の前記第１の面と、
前記橋絡孔内にあって、前記第１と第２の金属接点パッドを電気的に接続する液体金属のボールを備える、
ことを特徴とする多層電気組立体。
【請求項１３】
前記液体金属が水銀であり、前記第１と第２の金属接点パッドは元々は、金の電気防食層で覆われていた白金の外層を備える、ことを特徴とする請求項１２記載の多層電気組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月24日(2007.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の広さを有する領域を照射する面形状の１次電子ビームを試料に向けて照射する手段と、
前記１次電子ビームの前記試料へ向けた照射によって前記試料の表面の情報を得た電子を拡大投影してＴＤＩセンサに結像させる手段と、
前記ＴＤＩセンサに結像された前記電子を画像として合成する手段と、
を備える電子線装置であって、
前記１次電子ビームを試料に照射する前記手段と、前記ＴＤＩセンサに結像させる前記手段とが、静電レンズで構成された光学系を備え、
更に、
前記１次電子ビームと前記電子とを、電界と磁界とを用いる偏向器によって分離する手段と、
前記１次電子ビームを、前記試料上の帯状部分に順次走査させる手段であって、前記帯状部分を走査した後に前記試料をステップ移動させて次の前記帯状部分を走査する手段と、
を備え、隣り合う前記帯状部分の重なり幅を調整可能としたことを特徴とする電子線装置。
【請求項２】
前記電子は、前記試料より発生する二次電子、反射電子、後方散乱電子のうちの少なくとも１つであることを特徴とする、請求項１に記載の電子線装置。
【請求項３】
前記電子は、前記試料の表面付近で反射されたミラー電子であることを特徴とする、請求項１に記載の電子線装置。
【請求項４】
走査する前記手段が、一つの方向に走査した後に、該方向とは逆の方向に走査することが可能であることを特徴とする、請求項１に記載の電子線装置。
【請求項５】
走査する前記手段の走査速度が画素サイズの整数倍であることを特徴とする、請求項１に記載の電子線装置。
【請求項６】
走査する前記手段の走査速度が、画素サイズと前記ＴＤＩセンサのライン周波数との積であることを特徴とする、請求項１に記載の電子線装置。
【請求項７】
走査する前記手段の走査速度が画素サイズに応じて変えることができることを特徴とする、請求項６に記載の電子線装置。
【請求項８】
所定の広さを有する領域を照射する面形状の１次電子ビームを試料に向けて照射する手段と、
前記１次電子ビームの前記試料へ向けた照射によって前記試料の表面の情報を得た電子を拡大投影してＴＤＩセンサに結像させる手段と、
前記ＴＤＩセンサに結像された前記電子を画像として合成する手段と、
を備える電子線装置であって、
前記１次電子ビームを前記試料に照射する前記手段と前記ＴＤＩセンサに結像させる前記手段とが、静電レンズで構成された光学系を備え、
更に、
前記１次電子ビームと前記電子とを、電界と磁界とを用いる偏向器によって分離する手段と、
前記１次電子ビームを、所定の走査幅で前記試料上の帯状部分に順次走査させる手段であって、前記帯状部分を走査した後に前記試料をステップ移動させて次の走査を行う手段と、
を備え、前記所定の走査幅は、隣り合う走査において前記ＴＤＩセンサの端部が重なるように設定されていることを特徴とする電子線装置。
【請求項９】
前記電子は、前記試料より発生する二次電子、反射電子、後方散乱電子のうちの少なくとも１つであることを特徴とする、請求項８に記載の電子線装置。
【請求項１０】
前記電子は、前記試料の表面付近で反射されたミラー電子であることを特徴とする、請求項８に記載の電子線装置。
【請求項１１】
走査を行う前記手段が、一つの方向に走査した後に、該方向とは逆の方向に走査することが可能であることを特徴とする、請求項８に記載の電子線装置。
【請求項１２】
走査を行う前記手段の走査速度が画素サイズの整数倍であることを特徴とする、請求項８に記載の電子線装置。
【請求項１３】
走査を行う前記手段の走査速度が、画素サイズと前記ＴＤＩセンサのライン周波数との積であることを特徴とする、請求項８に記載の電子線装置。
【請求項１４】
走査を行う前記手段の走査速度が画素サイズに応じて変えることができることを特徴とする、請求項１３に記載の電子線装置。
【請求項１５】
前記試料には複数のダイが形成され、前記電子線装置は任意の前記ダイのみを走査することができることを特徴とする、請求項８に記載の電子線装置。
【請求項１６】
電子ビームを試料に向けて照射する手段と、
該電子ビームの前記試料へ向けた照射によって前記試料の表面の情報を得た電子を拡大投影して検出器に結像させる手段と、
前記検出器に結像された前記電子を画像として合成する手段と、
を備える電子線装置であって、
前記電子ビームを試料に照射する前記手段と、前記検出器に結像させる前記手段とが、静電レンズで構成された光学系を備え、
更に、
前記電子ビームと前記電子とを、電界と磁界とを用いる偏向器によって分離する手段と、
前記試料上の帯状部分を順次走査する手段であって、前記帯状部分を走査した後に前記試料をステップ移動させて次の前記帯状部分を走査する手段と、
を備え、隣り合う前記帯状部分の重なり幅を調整可能としたことを特徴とする電子線装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月27日(2007.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  基体上に、層内に複数の結晶種用半導体薄膜が配置された非単結晶半導体層を形成する工程と、
結晶種が形成配置されている前記非単結晶半導体層にエネルギー線を照射することによって、非単結晶半導体層内の上記結晶種に対応する位置において配置された単結晶半導体粒を形成する工程とを有し、
前記エネルギー線の照射は、照射面内においてエネルギー線照射強度が最大値となる領域から連続的に低減して最小値となる領域に変化する態様のエネルギー線の前記最小値となる領域を、前記結晶種に位置合わせして行うことを特徴とする、結晶化半導体層の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−１２７３１０（図２ないし図５参照）
【特許文献２】特開２００３−３１４９７
【特許文献３】特開２００３−８６６０４
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、当然のことながら、薄膜半導体装置内におけるトランジスタ回路の配置は、多数の単位回路が規則的に整然と、例えば幾何学的な配列態様で並んでいなければならないが、回路形成の基盤である多結晶層の結晶粒や結晶配置が不揃いであると、単位回路は、様々な粒径や配置の結晶粒にまたがって形成されることにならざるをえない。このことは、単位回路毎に、移動度や電子通過態様が相違する結果をもたらし、薄膜半導体装置の性能に悪影響を及ぼすことになる。例えば、単位回路毎の特性にばらつきがあると、装置全体としては低いレベルの特性を基礎として設計せざるをえない。
上記特許文献２及び３においては、従来技術における上記の難点を回避するため、薄膜半導体層内における半導体結晶粒の配置を二次元方向において整列化させるための手段として、薄膜半導体層にエネルギー線照射を行うに際し、照射面内において、エネルギー線照射強度が最大限となる領域とその最大値から連続的に低減して最小値となる領域とが二次元方向において規則的に配列される強度分布態様で行うことが提案されている。
しかし、上記特許文献においても、薄膜半導体層内に予め結晶種を形成しておき、その結晶種の配置に対応する態様でエネルギー線の照射を行うことについては、全く示唆されていない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この発明の結晶化半導体層の形成方法は、基体上に、層内に複数の結晶種用半導体薄膜が配置された非単結晶半導体層を形成する工程と、結晶種が形成配置されている前記非単結晶半導体層にエネルギー線を照射することによって、非単結晶半導体層内の上記結晶種に対応する位置において配置された単結晶半導体粒を形成する工程とを有し、前記エネルギー線の照射は、照射面内においてエネルギー線照射強度が最大値となる領域から連続的に低減して最小値となる領域に変化する態様のエネルギー線の前記最小値となる領域を、前記結晶種に位置合わせして行うことを特徴とする。この発明によれば、粒径が大きく、結晶粒の形成位置が整列され、電子移動度特性等も統一化された結晶化半導体層を得ることができる。