【手続補正書】
【提出日】平成20年5月30日(2008.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気圧窒素誘電体−バリア放電を発生させる工程と、
前記大気圧窒素誘電体−バリア放電に存在するＨ2Ｏのレベルを測定および制御する工程と、
前記大気圧窒素誘電体−バリア放電をポリマー物質の表面に印加する工程とを含む、ポリマー物質の表面を大気圧窒素誘電体−バリア放電で処理する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
本発明はその様々な実施形態を参照して特に示され、説明されたが、形態および詳細において様々な他の変更を本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく実施できることは当業者には理解されよう。
以下に、本願発明に関連する発明の実施形態を列挙する。
［実施形態１］
表面が、
約１．５以上の、添加された窒素対添加された酸素の比と、
洗浄後の前進水接触角と約５度以下異なる未洗浄の前進水接触角とを有する、大気圧窒素誘電体−バリア放電によって処理された表面を含むポリマー物質。
［実施形態２］
前記表面が約０度の後退水接触角をさらに有する、実施形態１に記載のポリマー物質。
［実施形態３］
ポリプロピレンをさらに含む、実施形態１に記載のポリマー物質。
［実施形態４］
前記大気圧窒素誘電体−バリア放電が、予め定められた量よりも低く維持されたＨ2Ｏレベルを含有する、請求項１に記載のポリマー物質。
［実施形態５］
大気圧窒素誘電体−バリア放電を発生させる工程と、
前記大気圧窒素誘電体−バリア放電に存在するＨ2Ｏのレベルを測定および制御する工程と、
前記大気圧窒素誘電体−バリア放電をポリマー物質の表面に印加する工程とを含む、ポリマー物質の表面を大気圧窒素誘電体−バリア放電で処理する方法。
［実施形態６］
前記大気圧窒素誘電体−バリア放電を印加する工程が、前記表面に約１．５以上の、添加された窒素対添加された酸素の比をもたせる工程を含む、実施形態５に記載の方法。
［実施形態７］
前記ポリマー物質がポリプロピレンフィルムである、実施形態５に記載の方法。
［実施形態８］
Ｈ2Ｏの前記レベルを測定および制御する工程が、Ｈ2Ｏレベルが予め定められた量を超えるかどうか測定する工程と、前記Ｈ2Ｏレベルが前記予め定められた量を超えるとき、Ｈ2Ｏレベルの低減を実施する工程とをさらに含む、実施形態５に記載の方法。
［実施形態９］
前記予め定められた量が２００ｐｐｍ以下である、実施形態８に記載の方法。
［実施形態１０］
前記Ｈ2Ｏレベルの低減を実施する工程が、前記大気圧窒素誘電体−バリア放電への窒素パージガス流を増加させる工程を含む、実施形態８に記載の方法。
［実施形態１１］
前記Ｈ2Ｏレベルの低減を実施する工程が、前記大気圧窒素誘電体−バリア放電に供給されている窒素パージガスに行われた乾燥の量を増加させる工程を含む、実施形態８に記載の方法。
［実施形態１２］
前記Ｈ2Ｏレベルの低減を実施する工程が、処理前に前記ポリマー物質に行われている乾燥の量を増加させる工程を含む、実施形態８に記載の方法。
［実施形態１３］
大気圧窒素誘電体−バリア放電を発生させる工程と、
前記大気圧窒素誘電体−バリア放電に存在するＨ2Ｏのレベルを測定および制御する工程と、
前記大気圧窒素誘電体−バリア放電をポリマー物質の表面に印加する工程とから得られた処理された表面、を含むポリマー物質。
［実施形態１４］
前記処理された表面が、約１．５以上の、添加された窒素対添加された酸素の比および洗浄後の前進水接触角と約５度以下異なる未洗浄の前進水接触角を有する、実施形態１３に記載のポリマー物質。
［実施形態１５］
前記表面が約０度の後退水接触角をさらに有する、実施形態１３に記載のポリマー物質。
［実施形態１６］
ポリプロピレンをさらに含む、実施形態１３に記載のポリマー物質。
［実施形態１７］
前記大気圧窒素誘電体−バリア放電が、２００ｐｐｍよりも低く維持されたＨ2Ｏレベルを有する、実施形態１３に記載のポリマー物質。
［実施形態１８］
大気圧窒素誘電体−バリア放電を発生させる工程と、
前記大気圧窒素誘電体−バリア放電に存在するＨ2Ｏのレベルを予め定められた量よりも少なく維持する工程と、
前記大気圧窒素誘電体−バリア放電をポリマー物質の表面に印加する工程とを含む、ポリマー物質の表面を大気圧窒素誘電体−バリア放電で処理する方法。
［実施形態１９］
前記予め定められた量が２００ｐｐｍ以下である、実施形態１８に記載の方法。
［実施形態２０］
前記予め定められた量が５０ｐｐｍ以下である、実施形態１９に記載の方法。
［実施形態２１］
前記大気圧窒素誘電体−バリア放電を印加する工程が、前記表面に約１．５以上の、添加された窒素対添加された酸素の比をもたせる工程を含む、実施形態１８に記載の方法。
［実施形態２２］
前記ポリマー物質がポリプロピレンフィルムである、実施形態１８に記載の方法。
［実施形態２３］
Ｈ2Ｏの前記レベルを前記予め定められた量よりも低く維持する工程が、Ｈ2Ｏレベルが前記予め定められた量を超えるとき、Ｈ2Ｏレベルの低減を実施する工程を含む、実施形態１８に記載の方法。
［実施形態２４］
大気圧窒素誘電体−バリア放電を発生させる工程と、
前記大気圧窒素誘電体−バリア放電に存在するＨ2Ｏのレベルを予め定められた量よりも少なく維持する工程と、
前記大気圧窒素誘電体−バリア放電をポリマー物質の表面に印加する工程とから得られた処理された表面、を含むポリマー物質。
［実施形態２５］
前記処理された表面が、１．５以上の、添加された窒素対添加された酸素の比および洗浄後の前進水接触角と約５度以下異なる未洗浄の前進水接触角を有する、実施形態２４に記載のポリマー物質。
［実施形態２６］
前記表面が約０度の後退水接触角をさらに有する、実施形態２４に記載のポリマー物質。
［実施形態２７］
ポリプロピレンをさらに含む、実施形態２４に記載のポリマー物質。
［実施形態２８］
前記予め定められた量が２００ｐｐｍ以下である、実施形態２４に記載のポリマー物質。
［実施形態２９］
大気圧窒素誘電体−バリア放電を発生させる工程と、
前記大気圧窒素誘電体−バリア放電をポリマー物質の表面に印加して、処理された表面を形成する工程と、
前記処理された表面の未洗浄の前進接触角と洗浄後の前進接触角との間の差を決定する工程と、
前記差が予め定められた差より大きいとき、前記大気圧窒素誘電体−バリア放電に存在するＨ2Ｏのレベルを減少させ、次いで、前記大気圧窒素誘電体−バリア放電を後続のポリマー物質の表面に印加する工程とを含む、ポリマー物質の表面を大気圧窒素誘電体−バリア放電で処理する方法。
［実施形態３０］
前記未洗浄の前進接触角が未洗浄の前進水接触角であり、前記洗浄後の前進接触角が洗浄後の前進水接触角であり、前記予め定められた差が約５度以下である、実施形態２９に記載の方法。
［実施形態３１］
前記処理された表面の後退水接触角が０より大きいかどうか決定する工程と、前記後退水接触角が約０より大きいとき、前記大気圧窒素誘電体−バリア放電に存在するＨ2Ｏの前記レベルを減少させる工程とをさらに含む、実施形態２９に記載の方法。
［実施形態３２］
前記大気圧窒素誘電体−バリア放電を前記ポリマー物質の前記表面に印加するときにＨ2Ｏレベルを予め定められた量よりも低く維持して、前記処理された表面を形成する工程をさらに含む、実施形態２９に記載の方法。
［実施形態３３］
大気圧窒素誘電体−バリア放電を発生させる工程と、
前記大気圧窒素誘電体−バリア放電をポリマー物質の表面に印加して、処理された表面を形成する工程と、
前記処理された表面の添加された窒素対添加された酸素の比を決定する工程と、
前記比が予め定められた比より小さいとき、大気圧窒素誘電体−バリア放電に存在するＨ2Ｏのレベルを減少させ、次いで、前記大気圧窒素誘電体−バリア放電を後続のポリマー物質の表面に印加する工程とを含む、ポリマー物質の表面を大気圧窒素誘電体−バリア放電で処理する方法。
［実施形態３４］
前記予め定められた比が約１．５である、実施形態３３に記載の方法。
［実施形態３５］
前記大気圧窒素誘電体−バリア放電を前記ポリマー物質の前記表面に印加するときにＨ2Ｏレベルを予め定められた量よりも低く維持して、前記処理された表面を形成する工程をさらに含む、実施形態３３に記載の方法。
［実施形態３６］
窒素ガス入力部と、
前記窒素ガス入力部に接続された内部を有する処理装置筐体であって、前記内部が、大気圧窒素誘電体−バリア放電を含有し、前記大気圧窒素誘電体−バリア放電と接触しているポリマー物質を含有する、前記窒素ガス入力部を通って窒素ガスの連続した流れを受容する処理装置筐体と、
前記処理装置筐体の前記内部のＨ2Ｏレベルを測定するために配置されたＨ2Ｏセンサーと、を含む、大気圧窒素誘電体−バリア放電をポリマー物質に印加するためのシステム。
［実施形態３７］
前記Ｈ2Ｏセンサーによって決定されたときの前記処理装置筐体内のＨ2Ｏの前記レベルを制御するための手段をさらに含む、実施形態３６に記載のシステム。
［実施形態３８］
Ｈ2Ｏの前記レベルを制御するための前記手段が窒素ガス供給源と処理装置との間の弁を含む、実施形態３７に記載のシステム。
［実施形態３９］
Ｈ2Ｏの前記レベルを制御するための前記手段が窒素ガス乾燥システムを含む、実施形態３７に記載のシステム。
［実施形態４０］
前記窒素ガス乾燥システムが活性化炭素トラップを含む、実施形態３９に記載のシステム。
［実施形態４１］
前記窒素ガス乾燥システムが脱水システムを含む、実施形態３９に記載のシステム。
［実施形態４２］
前記窒素ガス乾燥システムが分子篩を含む、実施形態３９に記載のシステム。
［実施形態４３］
Ｈ2Ｏの前記レベルを制御するための前記手段がポリマー物質乾燥システムを含む、実施形態３７に記載のシステム。
［実施形態４４］
前記ポリマー物質乾燥システムが赤外ランプを含む、実施形態４３に記載のシステム。
［実施形態４５］
前記ポリマー物質乾燥システムが、乾燥環境を含有する付属チャンバを含む、実施形態４３に記載のシステム。
［実施形態４６］
前記ポリマー物質乾燥システムが熱風炉を含む、実施形態４３に記載のシステム。