Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月29日(2007.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を記録媒体上に記録するプリント装置であって、
デジタルカメラとダイレクトに通信する通信手段と、
前記通信手段でもってデジタルカメラとダイレクトに通信可能な状況にある場合、前記デジタルカメラが記憶保持している画像を、前記プリント装置が制御する記憶手段に保存する保存処理手段と
を備えることを特徴とするプリント装置。
【請求項２】
前記通信手段でもって前記デジタルカメラから取得した画像を印刷するのか、前記保存処理手段で保存処理するのかのうち少なくとも一方を選択する手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のプリント装置。
【請求項３】
前記デジタルカメラは、前記デジタルカメラが記憶保持する画像について印刷するのか、保存処理するのかを選択するユーザインターフェースと、選択内容と画像データとを前記通信手段を介して出力する手段とを備え、
前記保存処理手段は、前記選択内容が保存処理の指示である場合、画像データを前記記憶手段に保存することを特徴とする請求項１に記載のプリント装置。
【請求項４】
前記保存処理手段は、デジタルカメラによる画像を、撮影日時情報・ファイル名・ファイルサイズ・画像フォーマット・ファイル作成日時情報のうち少なくとも一つで管理する手段を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプリント装置。
【請求項５】
前記通信手段を介して、前記デジタルカメラに記憶保持されている撮影日時情報・ファイル名・ファイルサイズ・画像フォーマット・ファイル作成日時情報のうち少なくとも一つを検出する手段と、
検出した撮影日時情報・ファイル名・ファイルサイズ・画像フォーマット・ファイル作成日時情報のうち少なくとも一つと一致する画像が既に前記記憶手段に保存されている場合、当該画像については前記通信手段での転送をしないように制御する手段と
を備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプリント装置。
【請求項６】
前記保存処理手段は、前記デジタルカメラとダイレクトに接続された初期段階において、前記デジタルカメラに記憶保持されている画像の中の、未保存画像を前記記憶手段に保存することを特徴とする請求項１に記載のプリント装置。
【請求項７】
前記記憶手段は、記録ディスクを回転する記憶装置であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のプリント装置。
【請求項８】
前記記憶手段は、前記プリント装置に内蔵されることを特徴とする請求項７に記載のプリント装置。
【請求項９】
前記通信手段は、ＵＳＢインターフェースによって通信する手段であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のプリント装置。
【請求項１０】
更に、ホストコンピュータと双方向通信可能に接続する第２の通信手段手段を備え、前記記憶手段を前記ホストコンピュータの外部記憶装置として機能することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のプリント装置。
【請求項１１】
デジタルカメラとダイレクトに通信可能な通信手段を有するプリント装置の制御方法であって、
前記通信手段によって、前記デジタルカメラとの通信を行う通信工程と、
前記通信工程により、デジタルカメラとダイレクトに通信可能な状況になった場合、前記デジタルカメラが記憶保持している画像を、前記プリント装置が制御する記憶手段に保存する保存処理工程と
を備えることを特徴とするプリント装置の制御方法。
【請求項１２】
デジタルカメラと、当該デジタルカメラとダイレクトに通信する通信手段を介して接続するプリント装置で構成されるプリントシステムであって、
前記プリント装置は、
前記通信手段でもってデジタルカメラとダイレクトに通信可能な状況にある場合、前記デジタルカメラが記憶保持している画像を、前記プリント装置が制御する記憶手段に保存する保存処理手段とを備え、
前記デジタルカメラは、
デジタルカメラが有する撮影画像を確認するための表示画面及び操作スイッチを有し、
前記通信手段で前記プリント装置にダイレクト通信状態にあるとき、前記表示画面及び前記操作スイッチを前記撮影画像をプリント及び保存するのためのユーザインターフェース手段として切り替える手段を備える
ことを特徴とするプリントシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため、例えば本発明のプリント装置は以下の構成を備える。すなわち、
画像を記録媒体上に記録するプリント装置であって、
デジタルカメラとダイレクトに通信する通信手段と、
前記通信手段でもってデジタルカメラとダイレクトに通信可能な状況にある場合、前記デジタルカメラが記憶保持している画像を、前記プリント装置が制御する記憶手段に保存する保存処理手段とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月5日(2007.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を記録媒体上に記録するプリント装置であって、
デジタルカメラとダイレクトに通信する通信手段と、
画像データを記憶するための記憶手段と、
前記通信手段によりデジタルカメラとのダイレクト通信の状況になったことに応じて、当該デジタルカメラが記憶保持する画像を前記通信手段を介して前記記憶手段に保存する保存制御手段と、
前記デジタルカメラからの印刷の指示を前記通信手段を介して受信した場合、印刷対象の画像を前記保存手段から読出し、印刷する印刷制御手段と
を備えることを特徴とするプリント装置。
【請求項２】
前記記憶手段は不揮発性のマスストレージディバイスであって、
前記保存制御手段は、前記デジタルカメラが記憶保持された画像のうち、前記記憶手段に未保存の画像を受信し、当該記憶手段に保存することを特徴とする請求項１に記載のプリント装置。
【請求項３】
更に、前記記憶手段に記憶された画像を印刷するためのデータに変換した際、当該変換した後のデータ及び画像処理内容を示す情報を前記記憶手段に保存する手段とを備え、
前記印刷制御手段は、
前記デジタルカメラで印刷指示した画像についての画像処理と同じ処理結果の画像が前記記憶手段に存在するか否かを判断する判断手段と、
該判断手段によって処理済みの画像データが存在すると判断した場合、当該画像データをそのまま印刷処理として利用し、
前記判断手段によって、存在しないと判断した場合には、指定された処理に沿った画像処理を行なって印刷処理を行うと共に、画像処理結果のデータと画像処理内容を示す情報とを前記記憶手段に保存する手段と
を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント装置。
【請求項４】
前記デジタルカメラからの印刷指示は、印刷対象とする少なくとも１つの画像を特定する情報、及び、その印刷条件を記述したテキスト形式のスクリプトして前記通信手段を介して受信することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプリント装置。
【請求項５】
前記通信手段は、ＵＳＢインターフェースによって通信する手段であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプリント装置。
【請求項６】
更に、ホストコンピュータと双方向通信可能に接続する第２の通信手段手段を備え、前記記憶手段を前記ホストコンピュータの外部記憶装置として機能することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のプリント装置。
【請求項７】
デジタルカメラとダイレクトに通信する通信手段と、画像データを記憶するための記憶手段とを有するプリント装置であって、
前記通信手段によりデジタルカメラとのダイレクト通信の状況になったことに応じて、当該デジタルカメラが記憶保持する画像を前記通信手段を介して前記記憶手段に保存する保存制御工程と、
前記デジタルカメラからの印刷の指示を前記通信手段を介して受信した場合、印刷対象の画像を前記保存手段から読出し、印刷する印刷制御工程と
を備えることを特徴とするプリント装置の制御方法。
【請求項８】
デジタルカメラと、当該デジタルカメラとダイレクトに通信する通信手段を介して接続するプリント装置で構成されるプリントシステムであって、
前記プリント装置は、
画像データを保存するための記憶手段と、
前記通信手段でもってデジタルカメラとダイレクトに通信可能な状況
になったことに応じて、前記デジタルカメラが記憶保持している撮像し
た画像を前記記憶手段に書き込み保存する保存手段と、
前記デジタルカメラから、印刷対象となる画像を特定する情報を受信
した場合、該当する画像を前記保存手段より読出し、印刷する印刷制御
手段とを備え、
前記デジタルカメラは、
前記通信手段で前記プリント装置にダイレクト通信可能な状況になっ
たことに応じて、自身が記憶保持している画像を前記プリント装置に出
力する出力手段と、
自身が有する撮影画像を確認するための表示画面及び操作スイッチを、
撮影画像のプリント指示を行うシステムとしてのユーザインターフェー
ス手段に切り替える切り替え手段と、
前記ユーザインターフェースで画像の印刷を指示した場合、当該画像を
特定する情報を前記プリンタ装置に通知する手段とを備える
ことを特徴とするプリントシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため、例えば本発明のプリント装置は以下の構成を備える。すなわち、
画像を記録媒体上に記録するプリント装置であって、
デジタルカメラとダイレクトに通信する通信手段と、
画像データを記憶するための記憶手段と、
前記通信手段によりデジタルカメラとのダイレクト通信の状況になったことに応じて、当該デジタルカメラが記憶保持する画像を前記通信手段を介して前記記憶手段に保存する保存制御手段と、
前記デジタルカメラからの印刷の指示を前記通信手段を介して受信した場合、印刷対象の画像を前記保存手段から読出し、印刷する印刷制御手段とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月24日(2007.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物品（８）をレーザショックピーニングする方法であって、
少なくとも１つの高フルエンスレーザビーム（１６）を用いて第１の区域（１４）をレーザショックピーニングする段階、及び
少なくとも１つの第１の低フルエンスレーザビーム（２４）を用いて前記第１の区域（１４）と物品（８）の非レーザショックピーニング区域（２２）との間の境界区域（２０）をレーザショックピーニングする段階、
前記高フルエンスレーザビーム（１６）を用いて前記第１の区域（１４）内に高フルエンスレーザショックピーニングスポット（３０）を形成する段階、
前記低フルエンスレーザビーム（２４）を用いて前記境界区域（２０）内に第１の低フルエンスレーザショックピーニングスポット（３１）を形成する段階、及び
前記第１の低フルエンスレーザショックピーニングスポット（３１）が前記高フルエンスレーザショックピーニングスポット（３０）よりも面積が大きくなるように、前記高フルエンスレーザビーム（１６）及び前記低フルエンスレーザビーム（２４）を同一出力で作動させる段階、
を含む方法。
【請求項２】
前記第１の低フルエンスレーザビーム（２４）が、前記高フルエンスレーザビーム（１６）の約５０％のフルエンスを有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第１の低フルエンスレーザビーム（２４）が、前記境界区域（２０）内に単一列（２６）の第１の低フルエンスレーザショックピーニングスポット（３０）のみを形成するために使用される、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記高フルエンスレーザビーム（１６）が、約２００Ｊ／ｃｍ2のフルエンスを有する、請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の低フルエンスレーザビーム（２４）を用いて第１の区域（１４）と境を接する前記境界区域（２０）の第１の部分（３２）をレーザショックピーニングする段階、及び
前記第１の低フルエンスレーザビーム（２４）よりも低いフルエンスを有する第２の低フルエンスレーザビーム（４５）を用いて第１の区域（１４）と非レーザショックピーニング区域（２２）との間の前記境界区域（２０）の第２の部分（３９）をレーザショックピーニングする段階、
をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記第１の低フルエンスレーザビーム（２４）が、前記高フルエンスレーザビーム（１６）の約５０%のフルエンスを有する、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記第２の低フルエンスレーザビーム（４５）が、前記第１の低フルエンスレーザビーム（２４）の約５０%のフルエンスを有する、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記第１の区域から境界区域（２０）を通って前記非レーザショックピーニング区域（２２）に至る外向き方向に最大フルエンスから最小フルエンスの順になっている、１つの第１のフルエンスレーザビーム（２４）から始まる逓減低フルエンスレーザビームを用いて、前記境界区域（２０）をレーザショックピーニングする段階をさらに含む、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月16日(2007.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被覆材料管路と；被覆対象物に被覆材料をスプレー噴流の形でスプレーするために被覆材料管路の下流端部にあるスプレー出口と；被覆材料の流路及びスプレー出口の近くを前記流路から離れてぐるりと回って延び、更に前記被覆材料スプレー噴流を囲繞する形成空気流を圧縮空気で生成するように構成された形成圧縮空気用形成空気出口と；を有する被覆材料用のスプレー器具であって、
形成空気出口は、前記被覆材料の流路の回りに前記流路から離れて分布配置され且つ前方に向かって被覆材料スプレー流に向いている多数の穴を本体内に具備しており、
囲繞空気通路が前記穴に対して間隔を有して半径方向内向きに偏倚しており、前記囲繞空気通路は、前記穴が内部に形成されている前記本体の後方にある囲繞空気流入位置から、前記穴が内部に形成されている前記本体の前方にある空気流出位置まで延びており、その囲繞空気通路が前記被覆材料の流路の回りにこの流路から離れて、単一要素の形又は複数の開口の形で延びていて、その結果、前記被覆材料スプレー噴流の流れ吸い込み作用及び／又は前記形成空気流の流れ吸い込み作用によって、前記囲繞空気が前記囲繞空気流入位置から前記囲繞空気流出位置へ前記囲繞空気通路を通って吸い込み可能である、スプレー器具。
【請求項２】
前記本体が前記複数の穴において分割されていない請求項１に記載のスプレー器具。
【請求項３】
前記本体は、少なくとも１０の前記穴を備える請求項１に記載のスプレー器具。
【請求項４】
前記穴の内の隣接する穴の相互間の間隔が、前記被覆材料の流路の回りの円周方向に視て、該円周方向における前記穴の開口寸法よりも、少なくとも５倍大きい請求項１に記載のスプレー器具。
【請求項５】
各前記穴の開口断面が、２．０ｍｍ2より小さい請求項１に記載のスプレー器具。
【請求項６】
前記穴が円形断面を持っている請求項１に記載のスプレー器具。
【請求項７】
前記本体が、前記被覆材料の流路を前記流路から離れて取り囲む管又はホースであり、そして前記穴が前記管乃至ホースの壁の内部に形成されている請求項１に記載のスプレー器具。
【請求項８】
前記穴の出口端部が、上流側において、スプレー出口に対して偏倚して形成されている請求項１に記載のスプレー器具。
【請求項９】
全ての前記穴が、少なくとも一つの圧縮空気入口開口を有する圧縮空気分配管路に空圧的に接続している請求項１に記載のスプレー器具。
【請求項１０】
前記分配管路の開口断面及び前記穴の開口断面が互いに、全ての前記穴から等しい単位時間当たり圧縮空気量が流出できるように調整されている請求項９に記載のスプレー器具。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月24日(2007.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布材料の放出システムにおいて、
塗布材料を放出する出力ポートであって該出力ポートの中心を通り長手方向に延びる軸線を形成する出力ポートを有するノズルを受容するノズルホルダーを備える装置と、
前記ノズルに隣接し前記軸線からオフセットされて接続されたニードル電極であって、前記ノズルホルダーから前記軸線に平行に突出するニードル電極と、
前記出力ポートを通して放出された塗布材料に電荷を与える前記ニードル電極に結合する電力供給装置と、
絶縁材料から形成されたスリーブを備える遮蔽体とを有し、
前記スリーブは、中央通路と、第１の端部及び第２の端部とを有するチューブであり、
前記スリーブは、前記ニードル電極の周囲に配置され、
前記スリーブは、前記第１の端部において前記ノズルホルダーに結合され、
前記ノズルホルダーが前記装置に取付けられるときに、２００３年５月８日に有効とされた工場マニュアル調査会社によって公表されている静電塗装装置認証標準クラス7260の火花点火試験に合格するように、前記ノズルホルダーとの連結部に隣接する前記ニードル電極の部分を遮蔽するために、前記ニードル電極は前記第２の端部において前記スリーブから突き出している、塗布材料の放出システム。
【請求項２】
前記電力供給装置は、比較的高い直流電位を供給する供給装置を有する、請求項１に記載の塗布材料の放出システム。
【請求項３】
前記電力供給装置は、比較的低い直流電位を供給する供給装置を有する、請求項１に記載の塗布材料の放出システム。
【請求項４】
前記電力供給装置は、比較的低い交流電位を供給する供給装置を有する、請求項１に記載の塗布材料の放出システム。
【請求項５】
塗布材料の放出方法において、
塗布材料を放出する出力ポートであって該出力ポートの中心を通り長手方向に延びる軸線を形成する出力ポートを有するノズルを受容するノズルホルダーを備える装置を準備するステップと、
電力供給装置を配設するステップと、
前記出力ポートに隣接し前記軸線からオフセットされて接続されたニードル電極であって、前記ノズルホルダーから前記軸線に平行に突出するニードル電極を配設し、該ニードル電極を前記電力供給装置に結合し、前記出力ポートを通して放出された塗布材料に電荷を与えるステップと、
中央通路と、第１の端部及び第２の端部とを有するチューブであるスリーブであって、前記ニードル電極の周囲に配置される絶縁体のスリーブを準備し、前記スリーブの前記第１の端部において前記スリーブを前記ノズルホルダーに結合し、前記ノズルホルダーが前記装置に取付けられるときに、２００３年５月８日に有効とされた工場マニュアル調査会社によって公表されている静電塗装装置認証標準クラス7260の火花点火試験に合格するように、前記ノズルホルダーとの連結部に隣接する前記ニードル電極の部分を遮蔽するために、前記ニードル電極が前記スリーブの前記第２の端部から突き出されるステップと、
を有する、塗布材料の放出方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】塗布材料の放出システム及び塗布材料の放出方法
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月18日(2007.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
例えば、半導体光素子の実効屈折率ｎcが３．３７であって、コーティング膜２の屈折率ｎfが２．２４８または１．４９９の場合、式（３）を満足するようにコーティング膜２の膜厚ｄfを設定すると、電力反射率Ｒは波長λ＝λ0で極小となり、その極小値は４％となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
以上のように、コーティング膜２の膜厚ｄfをλ0／（４ｎf）の奇数倍に設定すると、上述の式（４）からも理解できるように振幅反射率ｒは実数となるため、コーティング膜２の振幅反射ベクトルｒｖは実軸上に存在する。つまり、振幅反射ベクトルｒｖが実軸上に位置するようにコーティング膜の膜厚を設計する必要がある。従って、この方法では、コーティング膜の設計自由度が低く、所望の特性が得られないことがある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
次に、ステップｓ６において、ステップｓ５で求めた位相変化量φ1，φ2を式（５ａ），（５ｂ）にそれぞれ代入して、更に式（５ａ），（５ｂ）のそれぞれに波長λの設計値λtを代入して、膜厚ｄ1，ｄ2を求める。これにより、コーティング膜６の各層の膜厚ｄ1，ｄ2が決定される。以後、波長λの設計値λtを「設計波長λt」と呼ぶ。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
また、仮に半導体光素子１の端面１ｂにコーティング膜１３が存在しない場合には、当該端面１ｂでの電力反射率Ｒの値は約２９．４％となる。この値は、半導体光素子１の実効屈折率ｎc（３．３７）と自由空間３での屈折率とで規定される値であって、自由空間３での屈折率を“１”とすると、（（３．３７−１）／（３．３７＋１））2  で求められる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
【数１１】
2006156729.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５５】
【数１３】
2006156729.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７５】
【数１４】
2006156729.tif 000003
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９５】
【数１５】
2006156729.tif 000004
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2006156729.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月1日(2007.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ層にTMR素子を用いる磁気メモリにおいて，前記メモリ層の素子を構成する強磁性層が引張ひずみ状態となっており，前記強磁性層はFe, Co, Niのいずれかを含み，前記強磁性層に隣接する配線層はRu, W, Ir, Os, Moのいずれかを含むことを特徴とする磁気メモリ。
【請求項２】
メモリ層にTMR素子を用いる磁気メモリの製造方法において，前記メモリ層の素子を構成する強磁性層をFe, Co, Niのいずれかを含む材料で製膜し，前記強磁性層に隣接する配線層をRu, W, Ir, Os, Moのいずれかを含む材料で製膜し，前記配線層をスパッタリングにより製膜することを特徴とする磁気メモリの製造方法。
【請求項３】
メモリ層にTMR素子を用いる磁気メモリの製造方法において，前記メモリ層の素子を構成する強磁性層を製膜し，前記強磁性層と隣接する配線層がTiN, TaN, RuO2のいずれかのバリアメタルを有し，前記バリアメタルをスパッタリングすることにより製膜し、前記配線層をRu，W，Ir，OS，Moのいずれかを含む材料でスパッタリングにより製膜することを特徴とする磁気メモリの製造方法。
【請求項４】
メモリ層にTMR素子を用いる磁気メモリの製造方法において，前記メモリ層の素子を構成する強磁性層を製膜し，前記強磁性層と隣接する配線層がTiN, TaN, RuO2のいずれかのバリアメタルを有し，前記バリアメタルをTi, Ta, Ruのいずれかをスパッタリングで堆積した後，窒化，あるいは酸化を行うことにより製膜し、前記配線層をRu，W，Ir，OS，Moのいずれかを含む材料でスパッタリングにより製膜することを特徴とする磁気メモリの製造方法。
【請求項５】
メモリ層にTMR素子を用い，前記メモリ層が上部および下部配線層の交点に配置される磁気メモリにおいて，前記メモリ層の素子を構成する強磁性層が引張ひずみ状態となっており，前記強磁性層はFe, Co, Niのいずれかを材料として含み，前記配線層を構成する材料として，前記強磁性層に接する部分に関してはRu, W, Ir, Os, Moのいずれかを含み，その他の配線部分にはAl, Cu, Ag, Auのいずれかを含むことを特徴とする磁気メモリ。
【請求項６】
メモリ層にTMR素子を用い，前記メモリ層が上部および下部配線層の交点に配置される磁気メモリの製造方法において，前記メモリ層の素子を構成する強磁性層を製膜し，前記配線層を構成する材料として，前記強磁性層に接する部分に関してはRu, W, Ir, Os, Moのいずれかを含み，前記配線層をスパッタリングにより製膜することを特徴とする磁気メモリの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月6日(2007.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
対向する蓄熱板の大きさが２００〜３５０ｍｍ角の炉体ユニットにおいて、蓄熱板対向間隔を１０〜３０ｍｍに設定したことを特徴とする、請求項２又は請求項３に記載の炉体ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
請求項１に記載の発明は、半導体ウェーハなどを熱処理する炉体において、蓄熱板と、蓄熱板の裏側に配置する加熱ヒーターと、さらに前記加熱ヒーターの裏側に配置する熱遮蔽体とで加熱ユニットを構成し、前記加熱ユニットと大略同一構造のもう一つの加熱ユニットを、互いに蓄熱板が対向するようにして間隔をあけて配置し、前記蓄熱板間の間隙に被加熱物を配置して加熱処理をすることを特徴とする炉体ユニットである。
蓄熱板間の間隔を数ｃｍと狭くすることにより、小型の加熱ヒーターと熱遮蔽体であっても高温度が得られる。
請求項２の発明は、上記請求項１に記載の炉体ユニットにおいて、対向して設置される蓄熱板を平板で構成し、互いに平行となるように配置し、また、リボン状の抵抗加熱方式のヒーターで加熱ヒーターを構成し、さらに、複数枚の耐熱性平板を互いに間隔をあけて配置して熱遮蔽体を構成したことを特徴とする炉体ユニットである。
加熱ヒーターをリボン状のヒーターとし、また、熱遮蔽体も多段の平板で構成することにより、炉体ユニットを小型にすることができる。
請求項３の発明では、炉体ユニットを構成する材料が、カーボン、又はＳｉＣ被覆カーボン、又はＳｉＣ、又はＡｌＮのいずれかであることを特徴としている。炉体の構成材料自体が高い耐熱性を有する。このため、断熱材の使用が節減でき炉体の小型化に寄与する。
請求項４の発明では、対向する蓄熱板の大きさが２００〜３５０ｍｍ角以下の炉体ユニットにおいて、蓄熱板対向間隔を１０〜３０ｍｍに設定したことを特徴とする、請求項２又は請求項３に記載の炉体ユニットである。
蓄熱板対向間隔が狭いほど温度分布や加熱効率の点で有利であるが、一方、蓄熱板間の間隙に試料を挿入する操作上、ロボットアームや後述するプッシャーピンの動作から最小間隔が特定され、上記条件では１０ｍｍになる。一方、蓄熱板対向間隔の上限は、温度分布と加熱効率などから特定され、上記条件では許容できる最大の間隔が３０ｍｍである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
図1は、本発明による炉体の模式断面図である。
まず、炉体ユニット１００は、上下二つの加熱ユニット１２０、１１０とで構成されている。上下の加熱ユニットは、ほゞ対称構造をなしているので、以下、下側の加熱ユニット１１０を中心に説明する。
加熱ユニット１１０の最上層部には、蓄熱板１１１がある。この裏側（下側）には間隙をあけて加熱ヒーター１１２が設けられている。さらにこの下側には、加熱ヒーターからの輻射熱を遮蔽するための熱遮蔽体１１３が設けられている。蓄熱板は、例えばカーボン製の平板で構成し、また、加熱ヒーターは、カーボン製の平板リボン状ヒーターなどであり、また、熱遮蔽体は、例えば、カーボン平板を適当な間隙をあけて複数枚重ねた多層構造としている。そして、蓄熱板１１１、１２１、加熱ヒーター１１２、１２２、熱遮蔽体１１３、１２３は、連結部材１１４、１２４により固定部材１１５、１２５に固定されている。
上記の二つの加熱ユニット１１０、１２０を図示のように、蓄熱板１１１と１２１とが互に対向するように、適当な間隔をあけて配置する。このとき、通常は互の蓄熱板を平行配置する。また場合によっては、この2枚の蓄熱板の間に半導体ウェーハなどを挿入しやすくする目的で、片側の間隔を広めにすることもあり得る。
以下に実施例について説明する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明による熱処理システムの実施例を図３により説明する。図３は、実施例１で述べた本発明の炉体ユニットを用いた熱処理システムの模式構成図である。
まず、水冷機構を備えたステンレススチール製の熱処理室３２０の中に、実施例１で述べた本発明の炉体ユニット３１１が収納されている。炉体ユニット内の上下の蓄熱板３１２の間隙に試料（被加熱物；本例では、半導体ウェーハ３１０）を挿入するために、炉体ユニットの炉体カバー（外筒）３１３に設けられている開口部に相当する位置の熱処理室の壁部にも開口部を設けた後、ゲートバルブ３３０を設置している。
また、熱処理室３２０の中に窒素（Ｎ２）ガスを導入するための導入管３１７が設けられている。さらに、Ｎ２導入管３１４からは、蓄熱板間の間隙部分（炉心）に向けて直接Ｎ２ガスの送気が可能である。また、各導入管にはマスフローコントローラー（ＭＦＣ）を設けてあり、排気管３１８から排出しながら常に一定流量のＮ２ガスを熱処理室に流し続けることが可能である。さらに、必要に応じて、熱処理室の雰囲気ガスを真空引き口３２６から真空ポンプ３２２により排気することも可能である。
上下２枚の蓄熱板３１２には、温度制御用の熱電対３１５、３１６が取り付けられている。また、炉体ユニット内の上下の加熱ユニットには、給電ケーブル３２３、３２４によりパワーコントローラー３２５を介して電力が供給される。また、上下の加熱ユニットは、各々独立して温度制御がなされる。これにより、実際にウェーハが蓄熱板間に挿入された場合の温度分布変動を修正するのが容易になる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月31日(2007.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、基板２は、金属板７と、第１の絶縁層８と、第２の絶縁層９とを積層して形成されている。第１の絶縁層８の上には、端子１０と、配線パターン１１とが配置されている。発光素子３と配線パターン１１とは、サブマウント１２を介して電気的に接続されている。また、封止部５は相互に連結しており、その両端には封止部支部５ｃが設けられている。封止部支部５ｃと第２の絶縁層９とは、接着剤１３により接合されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
本実施形態の発光装置１は、封止部５を各発光素子３ごとに分離独立させ、封止部５ごとに封止部支部５ｃが基板２と接合し、各封止部５の間にも接着剤１３が充填され、第１のセラミック層１８、第２のセラミック層１９及び第３のセラミック層２０を積層して基板２を形成した以外は、実施形態１の発光装置と同様である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
実施形態１の発光装置１を製造するには、図１０に示すように、先ず蛍光体層４で被覆された発光素子３が複数実装された基板２を準備する。次に、予めモールド成形した封止部５の凹部に封止材６を充填し、封止部５の周囲（封止部支部５ｃ）に接着剤１３を塗布する。その後、基板２と封止部５とを所定の位置に合わせた後、封止部支部５ｃを介して基板２と封止部５とを接合する。これにより、図２に示す実施形態１の発光装置１が完成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
実施形態５の発光装置１を製造するには、図１１Ａに示すように、先ず予めモールド成形により外側面５ａ（反射面）を有する封止部５を形成する。次に、図１１Ｂに示すように、封止部５の外側面５ａの表面に反射膜１５を蒸着、スパッタ、塗布などにより形成する。次に、図１１Ｃに示すように、反射膜１５を形成した封止部５の凹部に封止材１７を充填する。次に、図１１Ｄに示すように、封止部５の残りの凹部の内面に蛍光体層４を塗布などにより形成し、封止部５の周囲（封止部支部５ｃ）に接着剤１３を塗布する。最後に、図１１Ｅに示すように、発光素子３が複数実装された基板２と上記封止部５とを所定の位置に合わせた後、封止部支部５ｃを介して基板２と封止部５とを接合する。これにより、図６に示す実施形態５の発光装置１が完成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2006156662.tif 000001
【図２】
2006156662.tif 000002
【図３】
2006156662.tif 000003
【図４】
2006156662.tif 000004
【図５】
2006156662.tif 000005
【図６】
2006156662.tif 000006
【図７】
2006156662.tif 000007
【図８】
2006156662.tif 000008
【図９】
2006156662.tif 000009
【図１０】
2006156662.tif 000010
【図１１】
2006156662.tif 000011
【図１２】
2006156662.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記第１軟磁性膜と前記第２軟磁性膜との間に形成される前記巨大磁気抵抗薄膜の膜厚が０．０５μｍ以上１．０μｍ未満であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の薄膜磁気抵抗素子。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月12日(2007.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に受光部が配置され、前記基板上に複数の配線層を有し、
前記複数の配線層の一層が配された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に配置された配線層上に配され、前記受光部に対応する位置に前記第１の絶縁膜と接する部分を有し、且つ該第１の絶縁膜と屈折率の異なる第２の絶縁膜と、を有する固体撮像装置において、
前記受光部上の少なくとも一部に配された、膜厚方向に複数の屈折率を有する部分を含む第３の絶縁膜を有することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第１の絶縁膜上に配された配線層と前記第２の絶縁膜との間に配された、前記第２の絶縁膜とは屈折率の異なる第４の絶縁膜を有することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第４の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜の界面における入射光の反射を低減させる反射防止膜であることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第２の絶縁膜は窒化シリコン膜であり、前記第４の絶縁膜は酸窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記４の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜上に配された配線層よりも膜厚が薄いことを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第３の絶縁膜は、前記受光部上での入射光の反射を低減させる反射防止膜であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第３の絶縁膜は、前記受光部上に配された酸化シリコン膜と、該酸化シリコン膜上に配された窒化シリコン膜とを含むことを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第２の絶縁膜上に、少なくともカラーフィルターまたはマイクロレンズのいずれかが配置されており、前記第２の絶縁膜とカラーフィルターまたはマイクロレンズとの間に、前記第２の絶縁膜とカラーフィルターまたはマイクロレンズとの間の屈折率を有する膜が配置されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記第２の絶縁膜とカラーフィルターまたはマイクロレンズとの間の屈折率を有する膜は酸窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項８に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第１の絶縁膜上に配された配線層の端部はテーパ形状を有していることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記第２の絶縁膜は、前記基板に水素を供給するための膜であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記第１の絶縁膜は平坦化されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
基板に受光部が配置され、前記基板上に複数の配線層を有し、
該複数の配線層の一層が第１の酸化シリコン膜上に配された固体撮像装置において、
前記受光部上の少なくとも一部に受光部側から酸化シリコン膜、第１の窒化シリコン膜がこの順で配置されており、
前記第１の酸化シリコン膜上の、前記受光部に対応する位置に、窒化シリコン膜、第２の窒化シリコン膜が受光部側からこの順で配置されていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれかの請求項に記載の固体撮像装置と、該固体撮像装置へ光を結像する光学系と、該固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを有することを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記課題に鑑み、本発明は、基板に受光部が配置され、前記基板上に複数の配線層を有し、前記複数の配線層の一層が配された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に配置された配線層上に配され、前記受光部に対応する位置に前記第１の絶縁膜と接する部分を有し、且つ該第１の絶縁膜と屈折率の異なる第２の絶縁膜と、を有する固体撮像装置において、前記受光部上の少なくとも一部に配された、膜厚方向に複数の屈折率を有する部分を含む第３の絶縁膜を有することを特徴とするものである。
また、本発明は、基板に受光部が配置され、前記基板上に複数の配線層を有し、該複数の配線層の一層が第１の酸化シリコン膜上に配された固体撮像装置において、前記受光部上の少なくとも一部に受光部側から酸化シリコン膜、第１の窒化シリコン膜がこの順で配置されており、前記第１の酸化シリコン膜上の、前記受光部に対応する位置に、窒化シリコン膜、第２の窒化シリコン膜が受光部側からこの順で配置されていることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月13日(2007.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上において複数の自発光性の表示素子を備え、一主面を表示面とする表示パネルと、
前記表示パネルにフレキシブル基板を介して接続され、前記表示パネルの非表示面側に配置され、前記表示パネルへ駆動信号を供給する駆動回路基板と、
前記表示パネル及び前記駆動回路基板を保持し、前記表示パネルと前記駆動回路基板との間に介在する介在部を有するフレームと、を備え、
前記介在部は、前記表示パネルと前記駆動回路基板との間に空気層を形成することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記空気層の厚みは、０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記表示素子は、基板上に画素毎に形成された第１電極と、
前記第１電極に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に保持された有機活性層と、を備えたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記フレームは、前記空気層を形成した状態で前記駆動回路基板と係合する爪部を有することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明の態様による表示装置は、
基板上において複数の自発光性の表示素子を備え、一主面を表示面とする表示パネルと、
前記表示パネルにフレキシブル基板を介して接続され、前記表示パネルの非表示面側に配置され、前記表示パネルへ駆動信号を供給する駆動回路基板と、
前記表示パネル及び前記駆動回路基板を保持し、前記表示パネルと前記駆動回路基板との間に介在する介在部を有するフレームと、を備え、
前記介在部は、前記表示パネルと前記駆動回路基板との間に空気層を形成することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月20日(2007.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、前記ＲＦ放射部は、平行平板電極のアンテナまたはフォーカスリングまたはファラデーシールドまたは他の電極のいずれかで構成されており、各電極はプラズマと容量結合していることを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
容器内にプラズマが生成される真空容器と、該真空容器外に設けた第１の高周波電源および第２の高周波電源ならびに第３の高周波電源と、第１の高周波電源からの第１の高周波電圧が供給される真空容器内または真空容器外に設けた第１の電極と、上面に試料が載置され第２の高周波電源からの第２の高周波電圧が供給される真空容器内に設けた第２の電極と、第２の高周波電圧と第３の高周波電源からの第３の高周波電圧の位相差を制御する位相制御装置とを備えるプラズマ処理装置の制御方法であって、
前記プラズマと容量結合するＲＦ放射部と第２の電極との間に同一周波数で位相信号以外の信号源を用いて前記第２の電極の高周波電圧および第３の高周波電圧の位相差を制御する工程を備え、
前記真空容器内の堆積膜除去時、堆積膜の量に応じて位相差を制御することを特徴とするプラズマ処理装置の制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明で重要なことは、上下各電極の前面ではプラズマの特性が異なるため、ひいては、イオンシースの特性が異なり、結果として、上下各電極での高周波の歪み量（高調波の次数と大きさ）は異なる、つまり各電極電圧の波形が異なるということである。実際、特許文献２や特許文献３で記述されているように、位相制御の指標となる物理量である、最大電極電圧、ゲート酸化膜間電圧、δＶｄｃ、外周部イオン飽和電流密度の測定値は、特徴的位相差である１８０度で最適値となっているわけではなく、ずれが生じている。このずれの原因は、その多くが前述の高周波伝播経路のインピーダンスが異なるために各電極の位相差が制御できていないことと、電極の電流／電圧波形が高調波のために歪んでいることに原因を求めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月12日(2007.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極および陰極からなる１対の電極と、該１対の電極間に挟持された１または複数の有機化合物を含む層を少なくとも有する有機発光素子において、前記有機化合物を含む層のうち、発光領域のある少なくとも１層が、下記一般式［３’］で示される第１の化合物と、該第１の化合物のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する下記一般式［６］、［７］のいずれかで示される第２の化合物と含むことを特徴とする有機発光素子。
【化１】
2006156562.tif 000001
（一般式［３’］において、Ａｒ1、Ａｒ2は、置換あるいは未置換のアリール基及び複素環基からなる群より選ばれた基であり、連結基で結合された基でもよく、同じであっても異なっていてもよい。また、Ａｒ1及びＡｒ2は、互いに結合し環を形成していてもよい。
Ｒ1、Ｒ3は、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換あるいは未置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アミノ基からなる群より選ばれた基であり、同じであっても異なっていてもよい。
ａは１〜９の整数、ｃは１〜８の整数。）
【化２】
2006156562.tif 000002
（一般式［６］において、Ｒ21〜Ｒ24は、水素原子、アルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の複素環基、置換アミノ基、シアノ基、またはハロゲン原子を表し、同じであっても異なっていても良い。Ａｒ21およびＡｒ22は、置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基または置換あるいは無置換の縮合多環複素環基を表し、同じであっても異なっていても良い。
ｄ、ｅ、ｆ、ｇは１〜３の整数を表す。）
【化３】
2006156562.tif 000003
（一般式［７］において、Ｒ31およびＲ32は、水素原子、アルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の複素環基、置換アミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表し、同じであっても異なっていても良い。Ｒ33およびＲ34は水素原子、アルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基または置換あるいは無置換の複素環基を表し、同じであっても異なっていても良い。Ａｒ31およびＡｒ32は、ベンゼン環３個以上の置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基またはベンゼン環３個以上の置換あるいは無置換の縮合多環複素環基を表し、同じであっても異なっていても良い。ｑは１〜１０の整数を表す。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の有機発光素子は、陽極および陰極からなる１対の電極と、該１対の電極間に挟持された１または複数の有機化合物を含む層を少なくとも有する有機発光素子において、前記有機化合物を含む層のうち、発光領域のある少なくとも１層が、下記一般式［３’］で示される第１の化合物と、該第１の化合物のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する後記一般式［６］、［７］のいずれかで示される第２の化合物と含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【化１】
2006156562.tif 000004
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（一般式［３’］において、Ａｒ1、Ａｒ2は、置換あるいは未置換のアリール基及び複素環基からなる群より選ばれた基であり、連結基で結合された基でもよく、同じであっても異なっていてもよい。また、Ａｒ1及びＡｒ2は、互いに結合し環を形成していてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ａは１〜９の整数、ｃは１〜８の整数。）
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
次に本発明第１の化合物についてその代表例を挙げる（例示化合物１〜１３，１８〜２３が本発明第１の化合物）。ただし、これらの化合物に限定されるものではない。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明していくが、本発明はこれらに限定されるものではない（実施例１〜８が本発明の実施例）。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月25日(2007.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
拡散管内に収容した多数の第１の導電型の結晶シリコン粒子を、前記拡散管内に酸素を含む第２の導電型用の不純物ガスを導入し、前記拡散管を回転させて前記結晶シリコン粒子を攪拌しながらこれら結晶シリコン粒子の表面に珪酸ガラスが形成され、内部に第２の導電型用の不純物が拡散しない温度に加熱して、前記結晶シリコン粒子の表面に前記不純物を含む珪酸ガラスを形成する工程と、次いで、前記不純物を含む珪酸ガラスが形成された前記結晶シリコン粒子を前記不純物の拡散温度に加熱して、前記結晶シリコン粒子の表面に前記不純物を拡散させて第２の導電型のシリコン層を形成する工程とを有することを特徴とする結晶シリコン粒子への不純物の拡散方法。
【請求項２】
前記不純物を含む珪酸ガラスが形成された前記結晶シリコン粒子を前記不純物の拡散温度に加熱して、前記結晶シリコン粒子の表面に前記不純物を拡散させて第２の導電型のシリコン層を形成する工程において、前記不純物を含む珪酸ガラスが形成された前記結晶シリコン粒子を、前記拡散管を回転させずに前記不純物の拡散温度に加熱することを特徴とする請求項１記載の結晶シリコン粒子の不純物の拡散方法。
【請求項３】
導電性基板の一主面に、第１の導電型の結晶シリコン粒子が多数個、下部を前記導電性基板に接合され、隣接するもの同士の間に絶縁物質を介在させるとともに上部を前記絶縁物質から露出させて配置されて、これら結晶シリコン粒子に第２の導電型の半導体層および透光性導体層が順次設けられた光電変換装置であって、前記結晶シリコン粒子は、請求項１または２記載の結晶シリコン粒子への不純物の拡散方法を用いて製造されたものであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項３記載の光電変換装置を発電手段として用い、該発電手段の発電電力を負荷へ供給するように成したことを特徴とする光発電装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の結晶シリコン粒子への不純物の拡散方法は、拡散管内に収容した多数の第１の導電型の結晶シリコン粒子を、前記拡散管内に酸素を含む第２の導電型用の不純物ガスを導入し、前記拡散管を回転させて前記結晶シリコン粒子を攪拌しながらこれら結晶シリコン粒子の表面に珪酸ガラスが形成され、内部に第２の導電型用の不純物が拡散しない温度に加熱して、前記結晶シリコン粒子の表面に前記不純物を含む珪酸ガラスを形成する工程と、次いで、前記不純物を含む珪酸ガラスが形成された前記結晶シリコン粒子を前記不純物の拡散温度に加熱して、前記結晶シリコン粒子の表面に前記不純物を拡散させて第２の導電型のシリコン層を形成する工程とを有することを特徴とする。また好ましくは、前記不純物を含む珪酸ガラスが形成された前記結晶シリコン粒子を前記不純物の拡散温度に加熱して、前記結晶シリコン粒子の表面に前記不純物を拡散させて第２の導電型のシリコン層を形成する工程において、前記不純物を含む珪酸ガラスが形成された前記結晶シリコン粒子を、前記拡散管を回転させずに前記不純物の拡散温度に加熱することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の結晶シリコン粒子への不純物の拡散方法によれば、拡散管内に収容した多数の第１の導電型の結晶シリコン粒子を、拡散管内に酸素を含む第２の導電型用の不純物ガスを導入し、拡散管を回転させて結晶シリコン粒子を攪拌しながらこれら結晶シリコン粒子の表面に珪酸ガラスが形成され、内部に第２の導電型用の不純物が拡散しない温度に加熱して、結晶シリコン粒子の表面に不純物を含む珪酸ガラスを形成する工程と、次いで、不純物を含む珪酸ガラスが形成された結晶シリコン粒子を、好ましくは拡散管を回転させずに不純物の拡散温度に加熱して、結晶シリコン粒子の表面に不純物を拡散させて第２の導電型のシリコン層を形成することにより、第２導電型不純物を含む珪酸ガラス層が多数の結晶シリコン粒子の全体に均一に形成されるとともに、拡散温度で回転することによる結晶シリコン粒子表面の衝突痕の発生を防ぐことができるので、傷のないｐｎ接合部を形成することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
結晶シリコン粒子13表面の珪酸ガラスに含まれる不純物の濃度は、10１７〜10２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度がよい。10１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満では、充分な表面濃度が得られないので、フェルミ準位が不足して光電変換装置の解放電圧が低下し易くなる。10２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を超えると、結晶シリコン粒子13表面に五酸化リンが現れ、拡散が不均一となり易い。