Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月8日(2008.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃エンジンのための点火装置であって、
金属ハウジングと、
前記金属ハウジング内に固定され、かつ前記ハウジングの開口部に露出された電極端部を有する絶縁体と、
前記絶縁体に装着された電極ベースを有し、かつ前記電極端部を通って前記絶縁体から延在する中心電極とを備え、ベース部分は、前記絶縁体の電極端部の近傍の端部の軸方向の穴、および部分的に前記軸方向の穴内にあり、矩形の断面を備え、かつ第１の側面および第２の側面を有する貴金属点火先端、ならびに前記点火先端と前記ベースとの間に冶金接合を有し、前記第１の側面および前記第２の側面は前記ベースの端部から軸方向に離れるように延在し、前記点火装置はさらに、
前記金属ハウジングへの冶金接合を第１のハウジング端部に有し、矩形の断面を備え、かつ第１のスパークギャップが間に存在するように第１の側面および第２の側面のうちの一方に隣接する第１の点火端面を有する第１の点火端部へと延在する第１の貴金属接地電極と、
前記金属ハウジングへの冶金接合を第２のハウジング端部に有し、矩形の断面を備え、かつ第２のスパークギャップが間に存在するように第１の側面および第２の側面のうちの他方に隣接する第２の点火端面を有する第２の点火端部へと延在する第２の貴金属接地電極とを備える、点火装置。
【請求項２】
内燃エンジンのための点火装置であって、
電極接合面を有するスチールハウジングと、
前記金属ハウジング内に固定され、かつ前記ハウジングの開口部に露出された電極端部を有する絶縁体と、
前記絶縁体に装着された電極ベースを有し、かつ前記電極端部を通って前記絶縁体から延在する中心電極とを備え、ベース部分は、前記絶縁体の電極端部の近傍の端部の軸方向の穴、および部分的に前記軸方向の穴内にあり、矩形の断面を備え、かつ第１の側面および第２の側面を有する貴金属点火先端、ならびに前記点火先端と前記ベースとの間に冶金接合を有し、前記第１の側面および前記第２の側面は前記ベースの端部から軸方向に離れるように延在し、前記点火装置はさらに、
前記電極接合面への冶金接合を第１のハウジング端部に有し、矩形の断面を備え、かつかつ第１のスパークギャップが間に存在するように第１の側面および第２の側面のうちの一方に隣接する第１の点火端面を有する第１の点火端部へと延在する第１のＩｒ合金接地電極と、
前記電極接合面への冶金接合を第２のハウジング端部に有し、矩形の断面を備え、かつかつ第２のスパークギャップが間に存在するように第１の側面および第２の側面のうちの他方に隣接する第２の点火端面を有する第２の点火端部へと延在する第２のＩｒ合金接地電極とを備える、点火装置。
【請求項３】
前記金属ハウジングはスチールから作られる、請求項１に記載の点火装置。
【請求項４】
前記点火先端、第１の接地電極および第２の接地電極の貴金属は、イリジウム、白金、パラジウム、ロジウム、金、銀、オスミウム、およびそれらの合金からなる群から選択される、請求項１に記載の点火装置。
【請求項５】
前記貴金属は合金添加としてタングステン、イットリウム、ランタン、ルテニウムおよびジルコニウムからなる群からの金属も備える、請求項４に記載の点火装置。
【請求項６】
前記第１の貴金属接地電極および前記第２の貴金属接地電極のうちの少なくとも１つの矩形の断面は正方形の断面である、請求項１または２に記載の点火装置。
【請求項７】
前記第１の貴金属接地電極および第２の貴金属接地電極の両方の矩形の断面は正方形の断面である、請求項１または２に記載の点火装置。
【請求項８】
前記中心電極の貴金属点火先端の矩形の断面は正方形の断面である、請求項１または２に記載の点火装置。
【請求項９】
前記中心電極の前記ベースは、前記ベースの端部の近傍で少なくとも部分的にＣｕ合金コアを包囲するＮｉ合金外殻を備え、前記軸方向の穴は前記Ｎｉ合金外殻内に形成される、請求項１または２に記載の点火装置。
【請求項１０】
前記中心電極の前記ベースは、前記ベースの端部の近傍で少なくとも部分的にＣｕ合金コアを包囲するＮｉ合金外殻を備え、前記軸方向の穴は、前記貴金属点火先端が前記Ｃｕ合金コアと接触するように前記Ｎｉ合金外殻を通って前記Ｃｕ合金コアへと延在する、請求項１または２に記載の点火装置。
【請求項１１】
前記金属ハウジングおよび前記第１の貴金属接地電極ならびに前記第２の貴金属接地電極の間の冶金接合は抵抗溶接を備える、請求項１または２に記載の点火装置。
【請求項１２】
前記第１の点火端面は前記第１の側面および前記第２の側面のうちの一方に実質的に平行であり、前記第２の点火端面は前記第１の側面および前記第２の側面の他方に実質的に平行である、請求項１または２に記載の点火装置。
【請求項１３】
前記絶縁体は前記金属ハウジングの終端開口部から軸方向に延在する終端を有し、前記絶縁体の前記終端から前記金属ハウジングの前記終端開口部への距離は１インチより大きい、請求項１に記載の点火装置。
【請求項１４】
前記Ｉｒ合金は各々、タングステン、イットリウム、ランタン、ルテニウムおよびジルコニウムからなる群からの合金成分を備える、請求項２に記載の点火装置。
【請求項１５】
前記Ｉｒ合金は各々、白金、パラジウム、ロジウム、金、銀およびオスミウムからなる群からの合金成分を備える、請求項２または１４に記載の点火装置。
【請求項１６】
前記絶縁体は前記スチールハウジングの終端開口部から軸方向に延在する終端を有し、前記絶縁体の前記終端から前記スチールハウジングの前記終端開口部への距離は１インチより大きい、請求項２に記載の点火装置。
【請求項１７】
内燃エンジンのための点火装置であって、
環状の端部を有する金属ハウジングと、
前記金属ハウジング内に固定され、かつ前記ハウジングの開口部に露出された電極端部を有する絶縁体と、
前記絶縁体に装着された電極ベースを有し、かつ前記電極端部を通って前記絶縁体から延在する中心電極とを備え、前記電極ベースは、前記絶縁体の電極端部の近傍の端部の軸方向の穴、および部分的に前記軸方向の穴内にあり、矩形の断面を備え、かつ第１の側面および第２の側面を有する貴金属点火先端、ならびに前記点火先端と前記ベースとの間に冶金接合を有し、前記第１の側面および前記第２の側面は前記ベースの端部から軸方向に離れるように延在し、前記点火装置はさらに、
前記金属ハウジングの前記環状の端部への冶金接合を第１のハウジング端部に有し、矩形の断面を備え、かつ第１のスパークギャップが間に存在するように第１の側面および第２の側面のうちの一方に隣接する第１の点火端面を有する第１の点火端部へと延在する第１の貴金属接地電極と、
前記金属ハウジングの前記環状の端部への冶金接合を第２のハウジング端部に有し、矩形の断面を備え、かつ第２のスパークギャップが間に存在するように第１の側面および第２の側面のうちの他方に隣接する第２の点火端面を有する第２の点火端部へと延在する第２の貴金属接地電極とを備える、点火装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月11日(2008.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記コンタクトは、ほぼ平坦な本体部（１７２）と、該本体部を貫通して延びる複数の開口（２０６）と、隣接する該開口間の弾性連結部（２０８）とを有し、
該弾性連結部は、前記本体部が前記弾性連結部付近で撓むと共に前記第１及び第２コンタクトビームの機械的応力を軽減することを許容することを特徴とする請求項１記載の電気コネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月10日(2008.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の埋め込み分離層と、
前記埋め込み分離層上のフィン型電解効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）と、
前記基板における平坦型電解効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、前記ＦＥＴのゲート領域が前記ＦｉｎＦＥＴのゲート領域に対して高さの違いは極くわずかである、平坦型電解効果トランジスタ（ＦＥＴ）と、
を含む構造体。
【請求項２】
基板と、
前記基板上の埋め込み分離層と、
前記埋め込み分離層上の半導体層と、
を含むシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウエハと、
前記埋め込み分離層上のフィン型電解効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）と、
前記基板に組み込まれた平坦型電解効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、前記ＦＥＴのゲート領域が前記ＦｉｎＦＥＴのゲート領域に対して高さの違いは極くわずかである、平坦型電解効果トランジスタ（ＦＥＴ）と、
を含む構造体。
【請求項３】
フィン型電解効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）と一体化した平坦型電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）基板デバイスを形成するための方法であって、
基板を準備するステップと、
埋め込み分離層を前記基板上に形成するステップと、
半導体層を前記埋め込み分離層に結合するステップと、
ＦｉｎＦＥＴゲート領域を含むＦｉｎＦＥＴを前記埋め込み分離層上に形成し、同時に、ＦＥＴゲート領域を含む前記平坦型電解効果トランジスタ（ＦＥＴ）を前記基板に形成するステップと、
前記ＦｉｎＦＥＴゲート領域及び前記ＦＥＴのゲート領域を同時に平坦化するステップと、
含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月10日(2008.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製造オペレーション中にダイ・ユニットを追跡する方法であって、
複数のダイ・ユニットに１対１対応である複数のダイ・ストリングに第１インデックス・ストリングを割り当てるステップと、
前記ダイ・ユニットの少なくともいくつかを前記ソース・オブジェクトから受け取りオブジェクトに輸送した後、前記複数のダイ・ユニットに関連付けられた前記複数のダイ・ストリングを前記ソース・オブジェクトから受け取りオブジェクトにコピーするステップと、
前記受け取りオブジェクトに輸送されたダイ・ユニットを示すために、前記ソース・オブジェクトから前記受け取りオブジェクトに輸送された前記ダイ・ユニットに関連付けられた前記ダイ・ストリングに第２インデックス・ストリングを割り当てるステップと、
前記ソース・オブジェクトに残存するダイ・ユニットを示すために、前記ソース・オブジェクトの前記第１インデックス・ストリングを調整するステップと
から構成され、前記複数のダイ・ユニットはソース・オブジェクトに関連付けられ、前記第１インデックス・ストリングによって包含されるインデックスの各範囲は、前記複数のダイ・ストリングの１つを識別することを特徴とする方法。
【請求項２】
複数のユーザ定義ストリングを前記複数のダイ・ストリングに１対１対応で割り当てるステップをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ダイ・ピッキング順序を前記複数のダイ・ストリングに１対１対応で割り当てるステップをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ソース・オブジェクトから前記受け取りオブジェクトに輸送された前記ダイ・ユニットに関連付けられた前記インデックス・ストリングとダイ・ストリングを記憶するステップと、
ダイ・ユニット追跡情報を備えるレポートを生成するステップと、
をさらに有し、前記記憶されたインデックス・ストリングとダイ・ストリングが前記ダイ・ユニットの履歴を追跡することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ダイ・ストリングは、ウエハＩＤと、ダイ座標の少なくとも１つ、および番号シーケンスのある範囲を有し、各ダイ座標はＸ座標とＹ座標を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ソース・オブジェクトは複数のウエハであり、前記受け取りオブジェクトは複数のリード・フレームであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ソース・オブジェクトは、第１の複数のリード・フレームであり、前記受け取りオブジェクトは第２の複数のマガジンであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ダイ・ストリングは前記ソース・オブジェクトのダイ・マップから生成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
製造オペレーション中にダイ・ユニットを追跡するシステムであって、
複数のダイ・ユニットに１対１対応で一意に割り当てられた複数のダイ・ストリングに第１インデックス・ストリングを割り当てる手段と、
前記ダイ・ユニットの少なくともいくつかを前記ソース・オブジェクトから受け取りオブジェクトに輸送した後、前記複数のダイ・ユニットに関連付けられた前記複数のダイ・ストリングを前記ソース・オブジェクトから受け取りオブジェクトにコピーする手段と、
前記受け取りオブジェクトに輸送されたダイ・ユニットを示すために、前記ソース・オブジェクトから前記受け取りオブジェクトに輸送された前記ダイ・ユニットに関連付けられた前記ダイ・ストリングに第２インデックス・ストリングを割り当てる手段と、
前記ソース・オブジェクトに残存するダイ・ユニットを示すために、前記ソース・オブジェクトの前記第１インデックス・ストリングを調整する手段と、
から構成され、前記複数のダイ・ユニットはソース・オブジェクトに関連付けられ、前記第１インデックス・ストリングによって包含されるインデックスの各範囲は、前記複数のダイ・ストリングの１つを識別することを特徴とするシステム。
【請求項１０】
複数のユーザ定義ストリングを前記複数のダイ・ストリングに１対１対応で割り当てる手段と、
ダイ・ピッキング順序を前記複数のダイ・ストリングに１対１対応で割り当てる手段と、
前記ソース・オブジェクトから前記受け取りオブジェクトに輸送された前記ダイ・ユニットに関連付けられた前記インデックス・ストリングとダイ・ストリングを記憶する手段と、
をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記ダイ・ストリングは、ウエハＩＤと、ダイ座標の少なくとも１つ、および番号シーケンスのある範囲を有し、各ダイ座標はＸ座標とＹ座標を含むことを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記ソース・オブジェクトは複数のウエハまたはリード・フレームであり、前記受け取りオブジェクトは複数のリード・フレームまたはマガジンであることをそれぞれ特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】
前記ダイ・ストリングは、前記ソース・オブジェクトのダイ・マップから生成されることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１４】
コンピュータ可読媒体にあるコンピュータ・プログラム製品であり、
コンピュータに、複数のダイ・ユニットに１対１対応で一意に割り当てられた複数のダイ・ストリングに第１インデックス・ストリングを割り当てさせる命令と、
コンピュータに、前記ダイ・ユニットの少なくともいくつかを前記ソース・オブジェクトから受け取りオブジェクトに輸送した後、前記複数のダイ・ユニットに関連付けられた前記複数のダイ・ストリングを前記ソース・オブジェクトから受け取りオブジェクトにコピーさせる命令と、
コンピュータに、前記受け取りオブジェクトに輸送されたダイ・ユニットを示すために、前記ソース・オブジェクトから前記受け取りオブジェクトに輸送された前記ダイ・ユニットに関連付けられた前記ダイ・ストリングに第２インデックス・ストリングに割り当てさせる命令と、
コンピュータに、前記ソース・オブジェクトに残存するダイ・ユニットを示すために、前記ソース・オブジェクトの前記第１インデックス・ストリングを調整させる命令と、
を備え、前記複数のダイ・ユニットはソース・オブジェクトに関連付けられ、前記第１インデックス・ストリングによって包含されるインデックスの各範囲は前記複数のダイ・ストリングの１つを識別することを特徴とするコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１５】
コンピュータに、複数のユーザ定義ストリングを前記複数のダイ・ストリングに１対１対応で割り当てさせる命令と、
コンピュータに、ダイ・ピッキング順序を前記複数のダイ・ストリングに１対１対応で割り当てさせる命令と、
コンピュータに、前記ソース・オブジェクトから前記受け取りオブジェクトに輸送された前記ダイ・ユニットに関連付けられた前記インデックス・ストリングとダイ・ストリングを記憶させる命令と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１４に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月1日(2008.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路設計レイアウトを選択的にスケーリングする方法であって、
製造情報に基づいて、前記設計レイアウトの少なくとも１つの問題オブジェクトに対してスケーリング目標を識別するステップと、
各問題オブジェクトに対して技術上の基本寸法および方法制約を定義するステップと、
各問題オブジェクトに対してスケーリングファクタを確定するステップと、
複数のスケーリング技法のうちの、少なくともどの１つの技法が、各問題オブジェクトに適用されるかを判定し、各問題オブジェクトを、それぞれの少なくとも１つのスケーリング技法およびスケーリングファクタでスケーリングするステップと、
アセンブリを必要とする場合に、配置および配線を行って、前記スケーリングされた問題オブジェクトを用いた前記設計のアセンブリを行うステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの問題オブジェクトは、層、領域、およびセルからなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記配置および配線を行うステップは、各問題オブジェクトに対して正しいレイアウトを生成するために、最適化ベースの階層的スケーリングを使用する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記スケーリングファクタは、補正係数、新しい基本寸法、およびスケーリング乗数のうち少なくとも１つである請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記識別するステップは、
前記設計レイアウトを製造することと、
前記製造された設計レイアウトを試験し、問題となる少なくとも１つの問題オブジェクトを識別することと、
前記製造情報を生成すること、
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記設計レイアウトを試験するステップは、オブジェクトの製造をいかにうまく行えるかを示すデータを取得することによって、動作を特徴付け、かつ前記少なくとも１つの問題オブジェクトを識別することを含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記製造情報を生成するステップは、前記問題オブジェクトに対して前記スケーリング目標を生成することを含む請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記スケーリングされたオブジェクトを含む新しい設計レイアウトが、予想される挙動を実現するかどうかを評価するステップをさらに有する請求項１ないし７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
集積回路設計レイアウトを選択的にスケーリングするシステムであって、
製造情報に基づいて、前記設計レイアウトの少なくとも１つの問題オブジェクトに対してスケーリング目標を識別する手段と、
各問題オブジェクトに対して技術上の基本寸法および方法制約を定義する手段と、
各問題オブジェクトに対してスケーリングファクタを確定する手段と、
複数のスケーリング技法のうちの、少なくともどの１つの技法が、各問題オブジェクトに適用されるかを判定し、各問題オブジェクトを、それぞれの少なくとも１つのスケーリング技法およびスケーリングファクタでスケーリングする手段と、
アセンブリを必要とする場合に、配置および配線を行って、前記スケーリングされた問題オブジェクトを用いた前記設計のアセンブリを行う手段と、
を有するシステム。
【請求項１０】
前記スケーリングされたオブジェクトを含む新しい設計レイアウトが、予想される挙動を実現するかどうかを評価する手段をさらに有する請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
集積回路設計レイアウトを選択的にスケーリングするためのコンピュータプログラムであって、コンピュータに、
製造情報に基づいて、前記設計レイアウトの少なくとも１つの問題オブジェクトに対してスケーリング目標を識別するステップと、
各問題オブジェクトに対して技術上の基本寸法および方法制約を定義するステップと、
各問題オブジェクトに対してスケーリングファクタを確定するステップと、
複数のスケーリング技法のうちの、少なくともどの１つの技法が、各問題オブジェクトに適用されるかを判定し、各問題オブジェクトを、それぞれの少なくとも１つのスケーリング技法およびスケーリングファクタでスケーリングするステップと、
アセンブリを必要とする場合に、配置および配線を行って、前記スケーリングされた問題オブジェクトを用いた前記設計のアセンブリを行うステップと、
を実行させるプログラム。
【請求項１２】
前記スケーリングされたオブジェクトを含む新しい設計レイアウトが、予想される挙動を実現するかどうかを評価するステップをさらに前記コンピュータに実行させることを含む請求項１１に記載のプログラム。
【請求項１３】
製造中に集積回路設計レイアウトの歩留まりを改善する方法であって、
製造された設計レイアウトを試験し、問題となる少なくとも１つの問題オブジェクトを識別するステップと、
前記試験中に取得される製造情報を生成するステップと、
前記設計レイアウトの選択的なスケーリングのために、システムに前記製造情報をフィードバックするステップであって、これにより、前記製造情報に基づき前記設計レイアウトの少なくとも１つの問題オブジェクトに対するスケーリング目標を使用して歩留まりを改善する、フィードバックするステップと、
を有する方法。
【請求項１４】
前記設計レイアウトを試験するステップは、オブジェクトの製造をいかにうまく行えるかを示すデータを取得することによって、動作を特徴付けることを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
製造中に集積回路設計レイアウトの歩留まりを改善するシステムであって、
製造された設計レイアウトを試験し、問題となる少なくとも１つの問題オブジェクトを識別する手段と、
各問題オブジェクトに対するスケーリング目標を含む製造情報を生成する手段と、
前記設計レイアウトの選択的なスケーリングのために、システムに前記製造情報をフィードバックする手段であって、これにより、前記製造情報に基づき前記設計レイアウトの少なくとも１つの問題オブジェクトに対するスケーリング目標を使用して歩留まりを改善する、フィードバックする手段とを、
有するシステム。
【請求項１６】
前記設計レイアウトを試験する手段は、オブジェクトの製造をいかにうまく行えるかを示すデータを取得することによって、動作を特徴付ける手段を含む請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
製造中に集積回路設計レイアウトの歩留まりを改善するためのコンピュータプログラムであって、コンピュータを、
製造された設計レイアウトを試験し、問題となる少なくとも１つの問題オブジェクトを識別する手段と、
各問題オブジェクトに対するスケーリング目標を含む製造情報を生成する手段と、
前記設計レイアウトの選択的なスケーリングのために、システムに前記製造情報をフィードバックして、前記製造情報に基づき前記設計レイアウトの少なくとも１つの問題オブジェクトに対するスケーリング目標を使用して歩留まりを改善する手段と、
して機能させるプログラム。
【請求項１８】
前記設計レイアウトを試験する手段は、オブジェクトの製造をいかにうまく行えるかを示すデータを取得することによって、動作を特徴付けることを含む請求項１７に記載のプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月14日(2008.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データゾーンおよびデータでないゾーンを有する１回のみ書き込み可能な記録媒体にデータを上書きする方法であって、前記データゾーンはユーザデータ領域およびユーザデータでない領域を含み、
ａ）複数の連続記録範囲に前記ユーザデータ領域を分割し、連続記録範囲に同じカテゴリのデータを記録するステップと、
ｂ）前記連続記録領域にあらかじめ記録された領域に適用され、前記同じカテゴリのデータに関連付けられたデータ記録コマンドを受信するステップと、
ｃ）前記連続記録範囲が書き込み可能領域を有する場合、前記連続記録範囲における書き込み可能領域で置き換え記録動作を実行するステップ、および前記連続記録領域が書き込み可能領域を有さない場合に、異なるカテゴリのデータを含まない別の連続記録範囲の書き込み可能領域で前記置き換え動作を実行するステップと
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記置き換え記録動作が前記あらかじめ記録された領域を有する前記連続記録範囲において終了するが、未置き換え領域が残っている場合、置き換えられていない残っているデータは、書き込み可能領域を有する近接の連続記録範囲の次の書き込み可能アドレスにおいて記録されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記近接の連続記録範囲が前記置き換え動作により記録されるデータと異なるデータを有する場合、前記近接の連続記録範囲を書き込み可能な領域を有さないクローズト連続記録範囲変更するステップと、前記置き換え領域により記録されることになるデータが新しい連続記録範囲に記録されるように、書き込み可能領域を有する新しい連続記録範囲に割り当てるステップと
をさらに備えたことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記別の連続記録範囲が前記あらかじめ記録された領域を含む前記連続範囲に近接する連続記録範囲であることを特徴とする請求項１乃至３に記載の方法。
【請求項５】
前記データ記録コマンドおよび前記あらかじめ記録された領域を一時ディスク管理領域における一つのエントリとして置き換える置き換え記録領域の位置情報を受信する前記あらかじめ記録された領域の位置情報を記録するステップと
をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至３に記載の方法。
【請求項６】
前記同じカテゴリのデータはファイルシステムデータ、ユーザデータ、およびファイルシステムミラーデータのうちの１つであることを特徴とする請求項１乃至３に記載の方法。
【請求項７】
前記あらかじめ記録された領域を置き換える前記置き換え記録領域は、前記あらかじめ記録された領域のアドレスを含むことを特徴とする請求項１乃至３に記載の方法。
【請求項８】
データゾーンおよびデータでないゾーンを有する１回のみ書き込み可能な記録媒体にデータを記録するための装置であって、前記データゾーンはユーザデータ領域およびユーザデータでない領域を含み、前記装置は、
前記記録媒体に／からデータを直接記録／再生するよう構成されたピックアップと、
前記ピックアップから信号を受信して前記受信した信号を復元するか、または記録されることになる信号を前記記録媒体に記録されることになる信号に変調するよう構成されたデータプロセッサと
前記記録媒体から信号を正確に読み出すために前記ピックアップを制御するよう構成されたサーボと、
情報およびデータを一時的に格納するよう構成されたメモリと、
前記装置が前記ユーザデータ領域を複数の連続記録範囲に分割し、同じカテゴリのデータを連続記録範囲に記録し、前記連続記録範囲内の予め記録された領域に適用されたデータ記録コマンドを受信し、前記連続記録範囲が書き換え可能領域を有する場合に、前記連続記録領域の前記書き込み可能領域で前記置き換え記録動作を実行し、前記連続記録範囲が書き換え可能領域を有さない場合に、前記連続記録範囲が異なるカテゴリデータを含まない別の連続記録領域の書き込み可能領域で前記置き換え記録動作を実行するように、前記装置に含まれる上述の構成要素であるピックアップ、データプロセッサ、サーボおよびメモリのマニュアル動作を制御するよう構成されたマイクロプロセッサと
を備えることを特徴とする装置。
【請求項９】
前記置き換え記録動作が前記あらかじめ記録された領域を有する前記連続記録範囲において終了するが、未置き換え領域が残っている場合、置き換えられていない残っているデータは、書き込み可能領域を有する近接の連続記録範囲の次の書き込み可能アドレスにおいて、前記装置が置き換えられていない残っているデータを記録するように構成されていることを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記近接の連続記録範囲が前記置き換え動作により記録されるデータと異なるデータを有する場合、前記装置が、前記近接の連続記録範囲を書き込み可能な領域を有さないクローズト連続記録範囲変更し、前記置き換え領域により記録されることになるデータが新しい連続記録範囲に記録されるように、書き込み可能領域を有する新しい連続記録範囲に割り当てるよう構成されることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記別の連続記録範囲は、前記連続記録範囲への連続記録範囲の近傍である前記あらかじめ記録された領域を含むことを特徴とする請求項８乃至１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記装置は、データ記録コマンドおよび一時ディスク管理領域に一つのエントリとして前記あらかじめ記録された領域を置き換える置き換え記録領域の位置情報を受信する前記予め記録された領域の位置情報を記録するように構成されていることを特徴とする請求項８乃至１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記同じカテゴリのデータは、ファイルシステム、ユーザデータおよびファイルシステムミラーデータのうちの１つであることを特徴とする請求項８乃至１０に記載の装置。
【請求項１４】
前記予め記録された領域を置き換える置き換え記録領域は、前記予め記録された領域のアドレスを含むことを特徴とする請求項８乃至１０に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月6日(2008.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子写真方式等に従い印刷プロセスを実行し複数枚のシートに印刷するディジタル多色印刷機における縁位置揃え制御方法であって、上記ディジタル多色印刷機を構成する各カラー印刷ユニットに対応して且つ各シートに対応して少なくとも１個ずつ、また好ましくは他の位置揃え用マークのうち１個に対する位置を判別できるよう対応するシートより下流にて、各色の位置揃え用マークをシート支持部材に被着させ、印刷プロセス上でより下流に位置するシートに対応する位置揃え用マークについての位置判別結果に基づき、そのシートに後続する他の少なくとも１枚のシートの縁位置揃えを制御する縁位置揃え制御方法において、
表面印刷及び裏面印刷によってシートに両面印刷する際に、シートの各面に対応するよう位置揃え用マークを被着させ、シートの各面に対応する位置揃え用マークの位置を判別し、少なくとも１枚のシートに対する表面印刷を制御するためそのシートに先行するシートの表側印刷面に対応する位置揃え用マークの位置を解析し、少なくとも１枚のシートに対する裏面印刷を制御するためそのシートに先行するシートの裏側印刷面に対応する位置揃え用マークの位置を解析することを特徴とする縁位置揃え制御方法。
【請求項２】
請求項１記載の縁位置揃え制御方法であって、１個の監視制御装置をソフトウェアにより仮想的に二重化し、表面印刷と裏面印刷を個別に監視及び制御することを特徴とする縁位置揃え制御方法。
【請求項３】
電子写真方式等に従い印刷プロセスを実行し複数枚のシートに印刷するディジタル多色印刷機における縁位置揃え制御装置であって、請求項１乃至８の何れか一項記載の縁位置揃え制御方法、即ち上記ディジタル多色印刷機を構成する各カラー印刷ユニットに対応して且つ各シートに対応して少なくとも１個ずつ、また好ましくは他の位置揃え用マークのうち１個に対する位置を判別できるよう対応するシートより下流にて、各色の位置揃え用マークをシート支持部材に被着させ、印刷プロセス上でより下流に位置するシートに対応する位置揃え用マークについての位置判別結果に基づき、そのシートに後続する他の少なくとも１枚のシートの縁位置揃えを制御する、という方法を実行できるよう、位置揃え用マークの検知、その位置の少なくとも相対的な判別、そして判別した位置揃え用マーク位置に基づくカラー印刷ユニットの制御を行う少なくとも１個の監視制御装置を備える縁位置揃え制御装置において、
表面印刷及び裏面印刷によってシートに両面印刷する際、上記位置揃え用マーク検知、位置揃え用マーク位置判別及びカラー印刷ユニット制御を行っている期間を通じ且つ位置揃え用マーク位置に基づき、その位置揃え用マークに対応するのが表側印刷面かそれとも裏側印刷面かを区別乃至弁別できるように監視制御装置が構成されており、表面印刷時には表側印刷面に対応する位置揃え用マークのみに基づき、また裏面印刷時には裏側印刷面に対応する位置揃え用マークのみに基づき、位置揃え用マーク位置に基づくカラー印刷ユニット制御を実行することを特徴とする縁位置揃え制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月16日(2008.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）構造内に形成した少なくとも一の光学デバイス内の光を制御するモノリシック光電子フィードバック構造であって、当該モノリシックフィードバック構造が同じＳＯＩ構造内に形成されている光電子フィードバック構造において：
前記少なくとも一の光学デバイスを伝達する光信号の一部を受信するように配置して、前記少なくとも一の光学デバイスからの出力光信号パワーを測定するようにした少なくとも一の光検出デバイスと；及び
前記少なくとも一の光検出デバイスからの前記出力信号に応じて、前記測定した出力信号パワーを所定の値と比較して、当該比較に基づいて前記少なくとも一の光学デバイスへフィードバック制御信号を与える制御電子機器モジュールと；
を具えることを特徴とするモノリシック光電子フィードバック構造。
【請求項２】
請求項１に記載のモノリシック光電子フィードバック構造において、前記構造が更に、前記少なくとも一の光検出デバイスと前記少なくとも一の光学デバイスとの間に配置した光結合導波管を具え、前記伝達する光信号の一部を取り出して、当該取り出した部分を前記少なくとも一の光検出デバイスの入力に結合することを特徴とするモノリシック光電子フィードバック構造。
【請求項３】
請求項１に記載のモノリシック光電子フィードバック構造において、前記少なくとも一の光検出デバイスが、前記少なくとも一の光学デバイスの出力導波管に沿って配置したイン−ライン光検出デバイスを具えることを特徴とするモノリシック光電子フィードバック構造。
【請求項４】
請求項１に記載のモノリシック光電子フィードバック構造において、前記構造が更に、前記少なくとも一の光検出デバイスの出力と前記制御電子機器モジュールの入力との間に配置したＡ／Ｄコンバータを具え、測定したアナログ信号値を前記制御電子機器モジュールで使用するデジタル表示に変換することを特徴とするモノリシック光電子フィードバック構造。
【請求項５】
請求項１に記載のモノリシック光電子フィードバック構造において、前記構造が更に、前記ＳＯＩ構造内に配置したルックアップテーブルを具え、前記制御電子機器に接続されているメモリモジュールを具え、前記ルックアップテーブルが前記制御電子機器で使用する予想光学パワー値を保存していることを特徴とするモノリシック光電子フィードバック構造。
【請求項６】
請求項１に記載のモノリシック光電子フィードバック構造において、前記構造が更に、前記制御電子機器と外付制御回路との間で信号を送信／受信する通信インターフェースを具えることを特徴とするモノリシック光電子フィードバック構造。
【請求項７】
請求項６に記載のモノリシック光電子フィードバック構造において、前記通信インターフェースが前記制御電子機器内の初期設定値を保存するための入力通信路を具えることを特徴とするモノリシック光電子フィードバック構造。
【請求項８】
請求項６に記載のモノリシック光電子フィードバック構造において、前記通信インターフェースが、前記制御電子機器と対話するための出力通信路を具え、その性能を決定することを特徴とするモノリシック光電子フィードバック構造。
【請求項９】
請求項１に記載のモノリシック光電子フィードバック構造において、前記少なくとも一の光学デバイスが、複数の光学デバイスを具えることを特徴とするモノリシック光電子フィードバック構造。
【請求項１０】
請求項９に記載のモノリシック光電子フィードバック構造において、前記構造が更に、前記複数の光学デバイスと前記制御電子機器との間のインターフェースを制御する電子セレクタを具えることを特徴とするモノリシック光電子フィードバック構造。
【請求項１１】
請求項１に記載のモノリシック光電子フィードバック構造において、前記少なくとも一の光検出デバイスが一対の光検出デバイスを具えることを特徴とするモノリシック光電子フィードバック構造。
【請求項１２】
請求項１１に記載のモノリシック光電子フィードバック構造において、前記一対の光検出デバイスのうちの第１の光検出デバイスが、前記ＳＯＩ構造内の入力光導波管セクションに沿って配置されており、残りの第２の光検出デバイスが、前記ＳＯＩ構造内の出力光導波管セクションに沿って配置されていることを特徴とするモノリシック光電子フィードバック構造。
【請求項１３】
請求項１２に記載のモノリシック光電子フィードバック構造において、前記光学デバイスが、前記第１及び第２の光検出デバイスの間に配置された少なくとも一の可変光減衰器を具え、前記フィードバック構造が減衰調整フィードバック制御を実行するのに使用されることを特徴とするモノリシック光電子フィードバック構造。
【請求項１４】
請求項１に記載のモノリシック光電子フィードバック構造において、光学デバイスが光学モジュレータを具え、前記制御素子の出力が当該光学モジュレータの位相シフトセクションに結合されていることを特徴とするモノリシック光電子フィードバック構造。
【請求項１５】
請求項１に記載のモノリシック光電子フィードバック構造において、前記光学デバイスが少なくとも一の光カプラを具え、前記フィードバック構造が前記光カプラと前記少なくとも一の光学デバイスとの間の結合効率を調整するのに使用されることを特徴とするモノリシック光電子フィードバック構造。
【請求項１６】
請求項１５に記載のモノリシック光電子フィードバック構造において、前記少なくとも一の光カプラが、逆テーパ導波管カプラを具えることを特徴とするモノリシック光電子フィードバック構造。
【請求項１７】
請求項１５に記載のモノリシック光電子フィードバック構造において、前記少なくとも一の光カプラが、光学グレーティング構造を具え、前記フィードバック構造が、前記グレーティングの周期を変更し、関連する光結合効率を調整するのに使用されることを特徴とするモノリシック光電子フィードバック構造。
【請求項１８】
請求項１に記載のモノリシック光電子フィードバック構造において、前記少なくとも一の光学デバイスが、光学スイッチであることを特徴とするモノリシック光電子フィードバック構造。
【請求項１９】
請求項１に記載のモノリシック光電子フィードバック構造において、フィードバック構造の少なくとも一部が、前記少なくとも一の光学デバイスを支持している前記ＳＯＩ構造に接続された別の素子として提供されていることを特徴とするモノリシック光電子フィードバック構造。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月9日(2008.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺被写体の放射線写真画像を記録しておく蓄積性蛍光体用のカセットであって、
相対向する開放可能な第１端及び第２端を有するシェルと、シェル内に単体で収納されている蓄積性蛍光体プレートと、を備え、
蓄積性蛍光体プレートの少なくとも一部を第１端及び第２端を介しシェル外に出せるカセット。
【請求項２】
単体で組み込まれている蓄積性蛍光体プレートのうち少なくとも一部を、相対向する２個の端を介し引き出すことができるよう構成されており、放射線に対し露出される撮像用のカセットと、
（１）そのカセットの一端を介し蓄積性蛍光体プレートの第１部分を引き出してスキャンすることにより、第１部分画像を取得し、且つ（２）そのカセットの逆側にある他端を介し同じ蓄積性蛍光体プレートの第２部分を引き出してスキャンすることにより、第２部分画像を取得するよう、構成されている蓄積性蛍光体リーダと、
第１部分画像と第２部分画像を結合させて長尺被写体の画像を生成する手段と、
を備える撮像システム。
【請求項３】
長尺被写体の放射線画像を読み取る方法であって、
単体で組み込まれている蓄積性蛍光体プレートの少なくとも一部を、相対向する２個の端を介し引き出せるよう構成されており、且つ放射線に対し露出済のカセットを準備するステップと、
そのカセットの一端を介し、蓄積性蛍光体プレートの第１部分を引き出してスキャンすることにより、第１部分画像を取得するステップと、
そのカセットの逆側にある他端を介し、同じ蓄積性蛍光体プレートの第２部分を引き出してスキャンすることにより、第２部分画像を取得するステップと、
第１部分画像と第２部分画像を結合させて長尺被写体の画像を生成するステップと、
を有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月18日(2008.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース（１４，１１４，２１４）と、
少なくとも１つの光学装置を受けるように構成された支持部（１２，１１２，２１２）と、
この支持部に機械的にカップリングされた偏心カム面（１４６，２４６，３４６）を有する夫々のカム（２２，１４０，２４０，３４０）を備えている複数のアジャスタ（２０，１２０，２２０）とを具備する調節可能な光学装着体（１０，１１０，２１０，３１０）であって、
前記複数のアジャスタの各々は、このアジャスタの互いに独立した２つの部分の回転により、装着体を分解することなく、２方向で前記ベースに対して前記支持部を調節するのに使用されることが可能であり、前記２方向のうちの一方向は、前記ベースに対する前記支持部の夫々の部分の高さ方向であり、他方向は、ベースに対して平行であり、また、前記独立した２つの部分の一方は、前記アジャスタのカムを含み、
前記独立した２つの部分の他方は、夫々の留めねじ（２１，１４２，２４２，３４２）と、前記ベースと支持部とに機械的にカップリングされた夫々の弾性デバイス（１６，１２６，２８４，３８４）とを有し、
これら留めねじと弾性デバイスとは、弾性デバイスが、前記支持部を前記ベースから留めねじとは反対の方向に付勢するばね力を与えることにより、前記ベースに対する前記支持部の夫々の部分の高さを調節するように構成されている、装着体。
【請求項２】
前記カムの回転により、前記支持部は、前記ベースに対して平行な前記他方向に移動される請求項１の装着体。
【請求項３】
前記偏心カム面は、前記支持部の複数のスロット（１３０，１３２，１３４，２３０，３３０）の壁部にそれぞれ当接されている請求項１の装着体。
【請求項４】
前記偏心カム面が当接されている前記壁部は、傾斜した壁部（３９３）を含んでいる請求項３の装着体。
【請求項５】
前記偏心カム面は、前記アジャスタの軸線方向に湾曲されている請求項４の装着体。
【請求項６】
前記夫々の留めねじは、前記カムの夫々の中央ホール（１６８，２６８，３６８）を貫通している請求項１の装着体。
【請求項７】
前記複数のアジャスタの位置の公差を減じる弾性の撓み部をさらに具備している請求項６の装着体。
【請求項８】
前記弾性デバイスは、積層された複数の円板ばね（２８４，３８４）を含んでいる請求項１ないし７のいずれか１の装着体。
【請求項９】
前記弾性デバイスは、前記ベースの部分をなしている片持ち梁の撓み部（１２６）を含んでいる請求項１ないし８のいずれか１の装着体。
【請求項１０】
前記アジャスタの各々において、前記互いに独立した２つの部分は、共通の軸線を中心として回転する請求項１ないし９のいずれか１の調節可能な装着体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月17日(2008.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一時的な入力データストリームを、入力データを複製する位相変調を有する少なくとも１つの並列光データストリームに変換するための光遅延手段および少なくとも１つの基準データセットを複製する並列位相変調を与えるための基準位相変調器を備える相関装置にして、基準位相変調器および光遅延手段が、入力データと基準データの両方に従って同相変調されている並列光信号を生成するように調整され、光遅延手段が、各々が入力位相変調された光信号の複製を生成し且つ各々が次々に遅れるチャンネルに与えられる遅れが一定量だけ変化する別個の遅れを有する複数のチャネルを与える、相関装置であって、該装置が、光遅延手段のチャンネルの出力に作用して複数の並列光データストリームを与えるように構成された光複製手段と、各々が並列光データストリームのうちの１つに基準位相変調を与える複数の基準データ位相変調器とを備えることを特徴とする、相関装置。
【請求項２】
入力位相変調された光信号が、位相変調されたデジタル信号であり、相次ぐ遅れの間の漸増的な遅れが、入力位相変調された光信号のビットレートと等しい、請求項１に記載の相関装置。
【請求項３】
入力位相変調された信号が、２値位相変調された信号である、請求項２に記載の相関装置。
【請求項４】
光遅延手段が、別個の遅れの複数の光導波路遅延線路を備える、請求項１から３のいずれかに記載の相関装置。
【請求項５】
光遅延手段が、一時的な入力データストリームに応答して変調された位相変調された光源を備える、請求項１から４のいずれかに記載の相関装置。
【請求項６】
基準位相変調器が位相変調空間光変調器（ＳＬＭ）を備える、請求項１から５のいずれかに記載の相関装置。
【請求項７】
位相変調ＳＬＭが、２値位相変調ＳＬＭである、請求項６に記載の相関装置。
【請求項８】
位相変調ＳＬＭが、アナログの位相変調ＳＬＭである、請求項６に記載の相関装置。
【請求項９】
位相変調ＳＬＭが、２値位相変調を与える、請求項８に記載の相関装置。
【請求項１０】
基準位相変調器が、各光チャンネル用に少なくとも１つ、複数の位相変調要素を備える、請求項１から９のいずれかに記載の相関装置。
【請求項１１】
位相変調要素が、一体化された電気−光位相変調器である、請求項１０に記載の相関装置。
【請求項１２】
並列光信号の干渉計結合を引き起こすための結合手段および結合手段の出力を検出するための光検出器をさらに備える、請求項１から１１のいずれかに記載の相関装置。
【請求項１３】
複数の基準空間位相パターンを表示する空間光位相変調器を備え、各基準空間位相パターンが基準データ位相変調器である、請求項１から１２のいずれか一項に記載の相関装置。
【請求項１４】
光複製手段が回折光学部品を備える、請求項１から１３のいずれか一項に記載の相関装置。
【請求項１５】
周期的に装置を較正するための較正手段を備える、請求項１から１４のいずれかに記載の相関装置。
【請求項１６】
較正手段が、基準データセットと相関があることが知られているデータを入力し、かつ装置の出力を測定するための手段を備える、請求項１５に記載の相関装置。
【請求項１７】
較正手段が、データが入力されたとき光検出器の出力を監視し、この出力に基づいて相関を識別するための閾値を設定する、請求項１２に直接的または間接的に従属するとき請求項１６に記載の相関装置。
【請求項１８】
較正手段が、装置の位相ずれに応答して、少なくともアナログＳＬＭの一部の位相変調を調節する、請求項８に直接的または間接的に従属するとき請求項１５から１７のいずれかに記載の相関装置。
【請求項１９】
基準位相変調器が、複数の基準空間位相パターンを表示するための空間光位相変調器を備え、光遅延手段が、複数の同一データの空間位相パターンを生成するための光複製手段を備え、各データの空間位相パターンが、別個の基準空間位相パターンと光学的整合である、請求項１に記載の相関装置。
【請求項２０】
位相変調が入力データを表す位相変調された一時的な光信号を取得するステップと、
各々が入力位相変調された光信号の複製を生成し且つ各々が次々に遅れるチャンネルに与えられる遅れが一定量だけ変化する別個の遅れを有する複数のチャネルを有する光遅延手段に位相変調された一時的な光信号を入力することにより、位相変調された一時的な光信号を、入力データを表す位相変調を有する少なくとも１つの並列データの光信号に変換するステップと、
前記少なくとも１つの並列光データの信号を変調するステップであって、位相変調が基準データを複製するステップと、
基準変調によって変更された、この光データ信号または各光データ信号を干渉計結合し、検出器上に導くステップと、
入力データと基準データの間の相関の指標として検出器出力を使用するステップとを含む、入力データと基準データの相関をとる方法であって、該方法が、
光遅延手段のチャンネルの出力を、複数の並列光データストリームを与えるために光複製手段上に導くステップを含んでおり、
少なくとも１つの並列光データの信号を変調するステップが、基準位相変調を並列光データストリームの各々に与えることを含むことを特徴とする、方法。
【請求項２１】
位相変調された一時的な光信号が、光遅延手段の相次ぐチャンネルの遅れが変化する量と等しいビットレートを有する２値のデジタル位相信号である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
基準データと相関があることが知られている入力データとの相関をとり、関連する検出器の出力を測定し、この出力を使用して閾値を設定する初期の較正ステップを含む、請求項２０から２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
周期的に較正ステップを繰り返すステップを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
較正ステップの間の検出器の出力が、現在の閾値を維持するか、閾値を調節するか、またはシステムの位相状態を再設定する必要性を示すために使用される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
並列光データを、基準データを表す位相変調で変調するステップが、アナログの空間光変調器（ＳＬＭ）を使用して行われ、ＳＬＭに表示された適切な基準空間位相パターンの少なくとも一部の位相が周期的に調節されて、ＳＬＭ上のそのポイントで入射する放射内の位相ずれを補償する、請求項２４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月10日(2008.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬化性被膜組成物を基材に適用して硬化性被膜を形成し、該硬化性被膜を画像的に硬化して被膜を形成し、該被膜を現像及び乾燥して形成したブラックマトリクスであって、該硬化性被膜組成物がビヒクル及び少なくとも１種の修飾顔料を含み、該修飾顔料が、式−Ｘ−Ｉの少なくとも１つの有機基が結合した顔料を含み、式中、該顔料に直接結合しているＸがアリーレン基もしくはヘテロアリーレン基、又はアルキレン基を表し、Ｉが少なくとも１種のイオン性基又は少なくとも１種のイオン化可能な基を含む非ポリマー基を表すことを特徴とする、ブラックマトリクス。
【請求項２】
Ｘが、炭素１２個以下の、アリーレン基もしくはヘテロアリーレン基、又はアルキレン基を表す、請求項１に記載のブラックマトリクス。
【請求項３】
Ｘがアリーレン基である、請求項１に記載のブラックマトリクス。
【請求項４】
Ｉが、少なくとも１種のカルボン酸基もしくはその塩、少なくとも１種のスルホン酸基もしくはその塩、少なくとも１種のアルキルスルフェート基、少なくとも１種のアルキルアミン基もしくはその塩、又は少なくとも１種のアルキルアンモニウム基を含む、請求項１に記載のブラックマトリクス。
【請求項５】
前記塩が、Ｎａ+塩、Ｋ+塩、Ｌｉ+塩、又はＮＨ4+塩である、請求項４に記載のブラックマトリクス。
【請求項６】
前記有機基が、アリールカルボン酸塩の基又はアリールスルホン酸塩の基である、請求項１に記載のブラックマトリクス。
【請求項７】
前記硬化性被膜が感光性被膜であり、前記被膜が前記硬化性被膜を照射して形成される、請求項１に記載のブラックマトリクス。
【請求項８】
前記硬化性被膜組成物が感光性樹脂を含む、請求項７に記載のブラックマトリクス。
【請求項９】
前記硬化性被膜組成物がさらに少なくとも１種の光開始剤を含む、請求項８に記載のブラックマトリクス。
【請求項１０】
前記硬化性被膜が感熱性被膜であり、前記被膜が前記硬化性被膜を熱処理して形成される、請求項１に記載のブラックマトリクス。
【請求項１１】
前記被膜が、前記被膜の合計質量に対して前記修飾顔料を３０質量％以上含む、請求項１に記載のブラックマトリクス。
【請求項１２】
前記被膜が、前記被膜の合計質量に対して前記修飾顔料を５０質量％以上含む、請求項１に記載のブラックマトリクス。
【請求項１３】
前記被膜が、前記被膜の合計質量に対して前記修飾顔料を５０質量％〜８０質量％含む、請求項１に記載のブラックマトリクス。
【請求項１４】
前記被膜の体積抵抗率が１０12Ωｃｍ以上である、請求項１に記載のブラックマトリクス。
【請求項１５】
さらに前記被膜の光学密度が１μｍ厚で３以上である、請求項１４に記載のブラックマトリクス。
【請求項１６】
前記被膜の体積抵抗率が１０6〜１０8Ωｃｍである、請求項１に記載のブラックマトリクス。
【請求項１７】
さらに前記被膜の光学密度が１μｍ厚で４以上である、請求項１６に記載のブラックマトリクス。
【請求項１８】
前記ビヒクルが非水系ビヒクルである、請求項１に記載のブラックマトリクス。
【請求項１９】
前記ビヒクルが、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含む、請求項１に記載のブラックマトリクス。
【請求項２０】
前記ビヒクルが水系ビヒクルである、請求項１に記載のブラックマトリクス。
【請求項２１】
前記硬化性被膜組成物が少なくとも２種の修飾顔料を含み、該修飾顔料が異なっている、請求項１に記載のブラックマトリクス。
【請求項２２】
前記修飾顔料の少なくとも１種が、少なくとも１種のカルボン酸基又はその塩を含み、前記修飾顔料の少なくとも１種が、少なくとも１種のスルホン酸基又はその塩を含む、請求項２１に記載のブラックマトリクス。
【請求項２３】
前記修飾顔料に、さらに式−Ｘ−ＮＩの少なくとも１つの有機基が結合しており、ＮＩが少なくとも１種の非イオン性基を含む非ポリマー基を表す、請求項１に記載のブラックマトリクス。
【請求項２４】
前記非イオン性基が、アルキル基、カルボン酸エステル、アミド、アルキレンオキシド、グリコール、アルコール、エーテル、ケトン、ハロゲン又はニトリルである、請求項２３に記載のブラックマトリクス。
【請求項２５】
前記非イオン性基が、アリールカルボン酸エステル、アリールカルボン酸アミド又はアラルキル基である、請求項２３に記載のブラックマトリクス。