【手続補正書】
【提出日】平成19年5月9日(2007.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部と、前記画素部の動作を制御するための駆動回路とを有し、
前記画素部には、液晶素子と、前記液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴが設けられており、
前記駆動回路が有するＴＦＴと、前記液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとは、チャネル形成領域にセミアモルファス半導体が用いられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
画素部と、前記画素部の動作を制御するための駆動回路とを有し、
前記画素部には、液晶素子と、前記液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴが設けられており、
前記駆動回路が有するＴＦＴと、前記液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとは、ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜上に形成された一対の第２の半導体膜とを有し、
前記一対の第２の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添加されており、
前記第１の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
画素部と、前記画素部の動作を制御するための駆動回路とを有し、
前記画素部には、液晶素子と、前記液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴが設けられており、
前記駆動回路が有するＴＦＴと、前記液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとは、ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜上に形成された一対の第２の半導体膜と、前記第１の半導体膜と前記一対の第２の半導体膜の間に、前記一対の第２の半導体膜と重なるように設けられた一対の第３の半導体膜とを有し、
前記一対の第２の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添加されており、
前記第１の半導体膜には、前記一導電型を付与する不純物とは逆の導電型を付与する不純物が添加されており、
前記第１の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
画素部と、前記画素部の動作を制御するための駆動回路とを有し、
前記画素部には、液晶素子と、前記液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴが設けられており、
前記駆動回路が有するＴＦＴと、前記液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとは、ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜上に形成されたチャネル保護膜と、前記第１の半導体膜上に形成された一対の第２の半導体膜とを有し、
前記一対の第２の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添加されており、
前記第１の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
画素部と、前記画素部の動作を制御するための駆動回路とを有し、
前記画素部には、液晶素子と、前記液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴが設けられており、
前記駆動回路が有するＴＦＴと、前記液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとは、ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜上に形成されたチャネル保護膜と、前記第１の半導体膜上に形成された一対の第２の半導体膜と、前記第１の半導体膜と前記一対の第２の半導体膜の間に、前記一対の第２の半導体膜と重なるように設けられた一対の第３の半導体膜とを有し、
前記一対の第２の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添加されており、
前記第１の半導体膜には、前記一導電型を付与する不純物とは逆の導電型を付与する不純物が添加されており、
前記第１の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項３又は請求項５において、前記一対の第３の半導体膜は、セミアモルファス半導体で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項２乃至請求項６のいずれか１項において、前記一対の第２の半導体膜は、セミアモルファス半導体で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項２乃至請求項７のいずれか１項において、前記一導電型はｎ型であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、前記駆動回路が有するＴＦＴと、前記液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとは、窒化珪素膜、酸化珪素膜又は窒化酸化珪素膜で覆われていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、前記駆動回路が有するＴＦＴのソース又はドレインと、前記液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴのソース又はドレインに、それぞれ電気的に接続された配線は、アルミニウム、チタン、タンタル若しくはモリブデン、又はこれらの元素の窒化物を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項１０において、前記アルミニウムには、チタン、シリコン、スカンジウム、ネオジウム又は銅が、０．５〜５原子％の濃度で添加されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
画素部と、前記画素部の動作を制御するための走査線駆動回路及び信号線駆動回路とを有し、
前記画素部には、液晶素子と、前記液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴが設けられており、
前記走査線駆動回路が有するＴＦＴと、前記液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとは、チャネル形成領域にセミアモルファス半導体が用いられており、
前記信号線駆動回路が有するトランジスタは、単結晶又は多結晶の半導体を用いていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
画素部と、前記画素部の動作を制御するための走査線駆動回路及び信号線駆動回路とを有し、
前記画素部には、液晶素子と、前記液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴが設けられており、
前記走査線駆動回路が有するＴＦＴと、前記液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとは、チャネル形成領域にセミアモルファス半導体が用いられており、
前記信号線駆動回路が有するトランジスタは、ＳＯＩを用いていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項において、前記液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴはマルチゲート構造を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか１項において、前記駆動回路はアナログスイッチを含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか１項において、前記セミアモルファス半導体は、０．５〜２０ｎｍの結晶粒を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか１項において、前記セミアモルファス半導体は、水素又はハロゲンを１原子％以上含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか１項において、前記セミアモルファス半導体は、珪化物気体をグロー放電分解することにより形成されたものであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１８のいずれか１項において、前記セミアモルファス半導体は、水素、ヘリウム、アルゴン、クリプトン及びネオンから選ばれた一種又は複数のガスで希釈した珪化物気体を用いて形成されたものであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項１９のいずれか１項において、前記セミアモルファス半導体は、炭化物気体又はゲルマニウム化気体を混入させた珪化物気体を用いて形成されたものであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２１】
請求項１乃至請求項２０のいずれか１項に記載の液晶表示装置を用いた電子機器。
【請求項２２】
請求項２１において、前記電子機器は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末又は画像再生装置であることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、一対の第２の半導体膜１１３に接するように、配線１１５が形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、一対の第２の半導体膜１２３に接するように、配線１２５が形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、一対の第２の半導体膜３１３、３２３に接するように、配線３１５、３２５が形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
また、駆動回路を別途形成する場合、必ずしも駆動回路が形成された基板を、画素部が形成された基板上に貼り合わせる必要はなく、例えばＦＰＣ上に貼り合わせるようにしても良い。図５（Ａ）に、信号線駆動回路６０２３のみを別途形成し、第１の基板６０２１上に形成された画素部６０２２及び走査線駆動回路６０２４と接続している素子基板の形態を示す。画素部６０２２及び走査線駆動回路６０２４は、セミアモルファスＴＦＴを用いて形成する。信号線駆動回路６０２３は、ＦＰＣ６０２５を介して画素部６０２２と接続されている。画素部６０２２と、信号線駆動回路６０２３と、走査線駆動回路６０２４とに、それぞれ電源の電位、各種信号等が、ＦＰＣ６０２５を介して供給される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
次に、ノード１に与えられているＣＬＫがＬレベルからＨレベルに変わると、ＴＦＴ８０５がオンしているので、ノード４、すなわちＴＦＴ８０５のソースの電位が上昇を始める。そしてＴＦＴ８０５のゲート・ソース間には容量素子８０７による容量結合が存在しているため、ノード４の電位上昇に伴い、浮遊状態となっているＴＦＴ８０５のゲートの電位が再び上昇する。最終的には、ＴＦＴ８０５のゲートの電位は、Ｖｄｄ＋Ｖｔｈよりも高くなり、ノード４の電位はＶｄｄに等しくなる。そして、上述の動作が２段目以降のパルス出力回路１４０１においても同様に行なわれ、順にパルスが出力される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
本発明の液晶表示装置を用いた電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ：Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。本発明では、半導体膜の成膜後に結晶化の工程を設ける必要がないので、比較的パネルの大型化が容易であるため、１０〜５０インチの大型のパネルを用いた電子機器に非常に有用である。それら電子機器の具体例を図１４に示す。