【手続補正書】
【提出日】平成20年1月9日(2008.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）液体交換ゾーンにおいて、カルボン酸スラリーから不純物を除去して、水湿潤カルボン酸ケーク、母液流、溶剤母液流及び溶剤／水副生成物液体流を形成し（溶剤又は水はカルボン酸スラリーの流れに対して向流に添加する）；
（ｂ）乾燥ゾーン中で前記水湿潤カルボン酸ケークを乾燥させて、乾燥カルボン酸ケークを形成する
ことを含んでなる乾燥カルボン酸ケークの製造方法。
【請求項２】
前記液体交換ゾーンが２〜４段階の水又は溶剤向流洗浄を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記溶剤及び前記水を、前記カルボン酸スラリーの流れに対して、向流に添加する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記カルボン酸がテレフタル酸、イソフタル酸、ナフタレンジカルボン酸、トリメリット酸及びそれらの混合物からなる群から選ばれる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記カルボン酸がテレフタル酸である請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記乾燥ゾーンが、前記水湿潤カルボン酸ケーク中の少なくとも１０％の揮発分を蒸発させる請求項１、２又は３に記載の方法。
【請求項７】
テレフタル酸、触媒、酢酸及び不純物を含んでなる前記粗製カルボン酸スラリーを、１１０〜２００℃の温度において酸化ゾーンから回収する請求項１に記載の方法。
【請求項８】
（ａ）溶剤液体交換ゾーン中で、カルボン酸スラリーから不純物を除去して、溶剤を含むカルボン酸ケーク、母液流及び溶剤母液流を形成し；
（ｂ）場合によっては、向流水洗ゾーン中で、溶剤を含むカルボン酸ケークに水を添加して、水湿潤カルボン酸ケーク及び溶剤／水副生成物液体流を生成し；
（ｃ）乾燥ゾーン中で、前記水湿潤カルボン酸ケークを乾燥させて、乾燥カルボン酸ケークを形成する
ことを含んでなる乾燥カルボン酸ケークの製造方法。
【請求項９】
前記カルボン酸が、テレフタル酸、イソフタル酸、ナフタレンジカルボン酸、トリメリット酸及びそれらの混合物からなる群から選ばれる請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記カルボン酸がテレフタル酸である請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記乾燥ゾーンが前記水湿潤カルボン酸ケーク中の揮発分の少なくとも１０％を蒸発させる請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１２】
テレフタル酸、触媒、酢酸及び不純物を含む前記粗製カルボン酸スラリーを、１１０〜２００℃の温度において、酸化ゾーンから回収する請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
（ａ）固液分離ゾーン中で、カルボン酸スラリーから不純物を除去して、スラリー又はケーク状生成物及び母液流を形成し；
（ｂ）向流溶剤−水液体交換ゾーン中で、前記スラリー又はケーク状生成物から残留不純物を除去して、水湿潤カルボン酸ケーク、溶剤母液流及び溶剤／水副生成物液体流を形成し；そして
（ｃ）乾燥ゾーン中で、前記水湿潤カルボン酸ケーク又は溶剤を含むカルボン酸ケークを乾燥させて、前記乾燥カルボン酸ケークを形成する
ことを含んでなる乾燥カルボン酸ケークの製造方法。
【請求項１４】
前記カルボン酸がテレフタル酸、イソフタル酸、ナフタレンジカルボン酸、トリメリット酸及びそれらの混合物からなる群から選ばれる請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記カルボン酸がテレフタル酸である請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
テレフタル酸、触媒、酢酸及び不純物を含む前記粗製カルボン酸スラリーを、１１０〜２００℃の温度において、酸化ゾーンから回収する請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記乾燥ゾーンが前記水湿潤カルボン酸ケーク中の揮発分の少なくとも１０％を蒸発させる請求項１３又は１４に記載の方法。
【請求項１８】
（ａ）向流溶剤−水液体交換ゾーン中で、スラリー又はケーク状生成物から溶剤を除去して、前記スラリー又はケーク状生成物中の溶剤の相当部分を水と置き換えることによって、水湿潤カルボン酸ケークを形成し；
（ｂ）乾燥ゾーン中で、前記水湿潤カルボン酸ケーク又は溶剤を含むカルボン酸ケークを乾燥させて、前記乾燥カルボン酸ケークを形成する
ことを含んでなる乾燥カルボン酸ケークの製造方法。
【請求項１９】
前記カルボン酸がテレフタル酸、イソフタル酸、ナフタレンジカルボン酸、トリメリット酸及びそれらの混合物からなる群から選ばれる請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記カルボン酸がテレフタル酸である請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
テレフタル酸、触媒、酢酸及び不純物を含む前記粗製カルボン酸スラリーを、１１０〜２００℃の温度において、酸化ゾーンから回収する請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記乾燥ゾーンが前記水湿潤カルボン酸ケーク中の揮発分の少なくとも１０％を蒸発させる請求項１８又は１９に記載の方法。
【請求項２３】
（ａ）向流溶剤洗浄ゾーン中で、スラリー又はケーク状テレフタル酸生成物からの残留不純物を除去して、酢酸を含むテレフタル酸ケークを形成し；
（ｂ）場合によっては、向流水洗ゾーン中で、酢酸を含む前記テレフタル酸ケークから溶剤の相当部分を除去して、水湿潤テレフタル酸ケークを形成し；そして
（ｃ）乾燥ゾーン中で、前記水湿潤カルボン酸ケーク又は溶剤を含む前記カルボン酸ケークを乾燥させて、前記乾燥カルボン酸ケークを形成する
ことを含んでなる乾燥テレフタル酸ケークの製造方法。
【請求項２４】
前記向流溶剤洗浄ゾーンが４０〜１５５℃の温度で操作される固液分離装置を含む請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記カルボン酸がテレフタル酸である請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記乾燥ゾーンが前記水湿潤カルボン酸ケーク中の揮発分の少なくとも１０％を蒸発させる請求項２３、２４又は２５に記載の方法。
【請求項２７】
テレフタル酸、触媒、酢酸及び不純物を含む前記粗製カルボン酸スラリーを、１１０〜２００℃の温度において、酸化ゾーンから回収する請求項２２に記載の方法。
【請求項２８】
（ａ）向流溶剤−水液体交換ゾーンにおいて、スラリー又はケーク状テレフタル酸生成物から溶剤を除去して、前記スラリー又はケーク状テレフタル酸生成物中の溶剤の相当部分を水と置き換えることによって、水湿潤テレフタル酸ケークを形成し；そして
（ｂ）乾燥ゾーン中で、前記水湿潤テレフタル酸ケーク又は溶剤を含むテレフタル酸ケークを乾燥させて、乾燥テレフタル酸ケークを形成する
ことを含んでなる乾燥テレフタル酸ケークの製造方法。
【請求項２９】
前記溶剤液体交換ゾーンが、４０〜１５５℃の温度で操作される固液分離装置を含む請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記乾燥ゾーンが前記水湿潤カルボン酸ケーク中の揮発分の少なくとも１０％を蒸発させる請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
前記乾燥ゾーンが前記水湿潤カルボン酸ケーク中の揮発分の少なくとも１０％を蒸発させる請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
テレフタル酸、触媒、酢酸及び不純物を含む前記粗製カルボン酸スラリーを、１１０〜２００℃の温度において、酸化ゾーンから回収する請求項２９に記載の方法。
【請求項３３】
（ａ）向流溶剤洗浄ゾーン中で、スラリー又はケーク状テレフタル酸生成物からから残留不純物を除去して、酢酸を含むテレフタル酸ケークを形成し（前記向流洗浄ゾーンは４０〜１５５℃の温度において操作される少なくとも１つの固液分離装置を含む）；
（ｂ）場合によっては、向流水洗ゾーン中で、酢酸を含む前記テレフタル酸ケークから溶剤の相当部分を除去して、水湿潤テレフタル酸ケークを形成し（前記向流水洗ゾーンは４０〜１５５℃の温度で操作される少なくとも１つの固液分離装置を含む）；
（ｃ）乾燥ゾーン中で、前記水湿潤テレフタル酸ケーク又は溶剤を含む前記テレフタル酸ケークを乾燥させて、前記乾燥テレフタル酸ケークを形成する
ことを含んでなる乾燥テレフタル酸ケークの製造方法。
【請求項３４】
（ａ）固液分離ゾーン中で、カルボン酸スラリーから不純物を除去して、スラリー又はケーク状生成物及び母液流を形成し；
（ｂ）向流溶剤洗浄ゾーン中で、スラリー又はケーク状生成物に溶剤を添加して、溶剤を含むカルボン酸ケーク及び溶剤母液流を生成し；
（ｃ）場合によっては、向流水洗ゾーン中で、溶剤を含むカルボン酸ケークに水を添加して、水湿潤カルボン酸ケーク及び溶剤／水副生成物液体流を生成し；
（ｄ）乾燥ゾーン中で、前記水湿潤カルボン酸ケーク又は溶剤を含む前記カルボン酸ケークを乾燥させて、前記乾燥カルボン酸ケークを形成する
ことを含んでなる乾燥カルボン酸ケークの製造方法。
【請求項３５】
前記カルボン酸がテレフタル酸、イソフタル酸、ナフタレンジカルボン酸、トリメリット酸及びそれらの混合物からなる群から選ばれる請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記カルボン酸がテレフタル酸である請求項３４に記載の方法。
【請求項３７】
前記乾燥ゾーンが前記水湿潤カルボン酸ケーク中の揮発分の少なくとも１０％を蒸発させる請求項３４又は３５に記載の方法。
【請求項３８】
テレフタル酸、触媒、酢酸及び不純物を含む前記粗製カルボン酸スラリーを、１１０〜２００℃の温度において、酸化ゾーンから回収する請求項３４に記載の方法。
【請求項３９】
（ａ）固液分離ゾーン中で、テレフタル酸スラリーから不純物を除去して、スラリー又はケーク状テレフタル酸生成物及び母液流を形成し；
（ｂ）向流溶剤洗浄ゾーン中で、前記スラリー又はケーク状テレフタル酸生成物に溶剤を添加して、溶剤を含むテレフタル酸ケーク及び溶剤母液流を生成し；
（ｃ）場合によっては、向流水洗ゾーン中で、溶剤を含む前記テレフタル酸ケークに水を添加して、水湿潤テレフタル酸ケーク及び溶剤／水副生成物液体流を生成し；そして
（ｄ）乾燥ゾーン中で、前記水湿潤テレフタル酸ケーク又は溶剤を含む前記テレフタル酸ケークを乾燥させて、前記乾燥カルボン酸ケークを形成する
ことを含んでなる乾燥テレフタル酸ケークの製造方法。
【請求項４０】
前記向流溶剤洗浄ゾーンが４０〜１５５℃の温度で操作される固液分離装置を含む請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
前記向流水洗ゾーンが４０〜１５５℃の温度で操作される固液分離装置を含む請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
前記カルボン酸がテレフタル酸である請求項３９に記載の方法。
【請求項４３】
前記乾燥ゾーンが前記水湿潤カルボン酸ケーク中の揮発分の少なくとも１０％を蒸発させる請求項３９又は４０に記載の方法。
【請求項４４】
テレフタル酸、触媒、酢酸及び不純物を含む前記粗製カルボン酸スラリーを、１１０〜２００℃の温度において、酸化ゾーンから回収する請求項３９に記載の方法。
【請求項４５】
前記向流水洗ゾーンが２〜４段階の水向流洗浄を含む請求項３９に記載の方法。
【請求項４６】
前記向流溶剤洗浄ゾーンが２〜４段階の溶剤向流洗浄を含む請求項３９に記載の方法。
【請求項４７】
前記向流溶剤洗浄ゾーンが２〜４段階の溶剤向流洗浄を含む請求項４５に記載の方法。