【手続補正書】
【提出日】平成20年6月30日(2008.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  集積回路ウェハの少なくとも一部の温度を制御する装置であって、
前記集積回路ウェハ内に一体化して組み込まれた温度センシング装置と、
前記集積回路ウェハの温度を示す前記温度センシング装置からの信号を受信するセンシング回路と、
前記集積回路ウェハと熱伝達する温度制御媒体と、
前記温度制御媒体の温度を制御する温度制御システムと、を備え、
前記温度制御システムは前記集積回路ウェハの温度を示す信号を使って、前記集積回路ウェハの温度が制御されるように前記温度制御媒体の温度を制御することを特徴とする装置。
【請求項２】  請求項１に記載の装置であって、
前記温度制御媒体は、前記ウェハを支える温度制御チャックであることを特徴とする装置。
【請求項３】  請求項１に記載の装置であって、
前記温度制御媒体は、前記ウェハに向けられた温度制御気体流であることを特徴とする装置。
【請求項４】  請求項３に記載の装置であって、
前記気体は空気であることを特徴とする装置。
【請求項５】  請求項１に記載の装置であって、
前記温度センシング装置は、前記集積回路ウェハ内に組み込まれた温度センシングダイオードであることを特徴とする装置。
【請求項６】  請求項１に記載の装置であって、
前記集積回路ウェアの複数の部分の各々が、当該集積回路ウェハの複数の部分の各々の温度を制御できる温度センシング装置を備えることを特徴とする装置。
【請求項７】  請求項６に記載の装置であって、
前記集積回路ウェハの複数の部分の各々が前記ウェハ内の個々の集積回路チップダイであることを特徴とする装置。
【請求項８】  請求項１に記載の装置であって、
前記センシング回路は前記集積回路ウェハの一部に形成された集積回路の試験に使用されるウェハプローバマシンにおける試験回路の一部であることを特徴とする装置。
【請求項９】  請求項８に記載の装置であって、
前記ウェハプローバマシンの試験回路は前記温度制御システムに接続され、当該試験回路は前記集積回路ウェハの温度を示す信号を用いて、前記温度制御システムに供給され、前記温度制御システムが前記温度制御媒体の温度を制御するために用いる制御信号を発生することを特徴とする装置。
【請求項１０】  請求項９に記載の装置であって、
前記制御信号は、前記温度制御システムによって、前記集積回路ウェハの一部の温度が所望のウェハ温度設定値に制御されるように前記温度制御媒体の温度を第１の温度設定値に設定するために使用されることを特徴とする装置。
【請求項１１】  チャック上の集積回路ウェハの少なくとも一部の温度を制御する方法であって、
前記集積回路ウェハ内に温度センシング装置を一体的に組み込むステップと、
前記集積回路ウェハの温度を示す前記温度センシング装置からの信号を受信するステップと、
前記集積回路ウェハと熱伝達する温度制御媒体を提供するステップと、
前記集積回路ウェハの温度を示す信号を使い、前記集積回路ウェハの温度が制御されるように前記温度制御媒体の温度を制御するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】  請求項１１に記載の方法であって、
前記温度制御媒体は、前記ウェハを支える温度制御チャックであることを特徴とする方法。
【請求項１３】  請求項１１に記載の方法であって、
前記温度制御媒体は、前記ウェハに向けられた温度制御気体流であることを特徴とする方法。
【請求項１４】  請求項１３に記載の方法であって、
前記気体は空気であることを特徴とする方法。
【請求項１５】  請求項１１に記載の方法であって、
集積回路ウェハ内に温度センシング装置を一体的に組み込むステップは、前記集積回路ウェハ内に温度センシングダイオードを一体的に組み込むステップであることを特徴とする方法。
【請求項１６】  請求項１１に記載の方法であって、
前記集積回路ウェハの複数の部分の各々が、当該集積回路ウェハの複数の部分の各々の温度が制御できる温度センシング装置を備えることを特徴とする方法。
【請求項１７】  請求項１６に記載の方法であって、
前記集積回路ウェハの複数の部分の各々は、前記ウェハ内の個々の集積回路チップダイであることを特徴とする方法。
【請求項１８】  請求項１１に記載の方法であって、
前記集積回路ウェハ内の温度を示す信号は、前記集積回路ウェハの一部に形成された集積回路を試験するために使用されるウェハプローバマシンの試験回路のセンシング回路によって受信されることを特徴とする方法。
【請求項１９】  請求項１８に記載の方法であって、
さらに、前記試験回路によって、前記集積回路ウェハの温度を示す信号を用いて前記温度制御媒体の温度を制御するための制御信号を発生するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】  請求項１９に記載の方法であって、
前記制御信号は、前記集積回路ウェハの一部の温度が所望のウェハ温度設定値に制御されるように、前記温度制御媒体の温度を第１の温度設定値に設定するために使用されることを特徴とする方法。
【請求項２１】  集積回路デバイスの少なくとも一部の温度を制御する装置であって、
前記集積回路デバイス内に一体化して組み込まれた集積温度センシング装置と、
前記集積回路デバイスの温度を示す前記温度センシング装置からの信号を受信するセンシング回路と、
前記集積回路デバイスと熱伝達する温度制御媒体と、
前記温度制御媒体の温度を制御する温度制御システムと、を備え、
前記温度制御システムは前記集積回路デバイスの温度を示す信号を使って、前記集積回路デバイスの温度が制御されるように前記温度制御媒体の温度を制御することを特徴とする装置。
【請求項２２】  請求項２１に記載の装置であって、
前記温度制御媒体は、前記デバイスを支える温度制御チャックであることを特徴とする装置。
【請求項２３】  請求項２１に記載の装置であって、
前記温度制御媒体は、前記デバイスに向けられた温度制御気体流であることを特徴とする装置。
【請求項２４】  請求項２３に記載の装置であって、
前記気体は空気であることを特徴とする装置。
【請求項２５】  請求項２１に記載の装置であって、
前記温度センシング装置は、前記集積回路ウェハ内に組み込まれた温度センシングダイオードであることを特徴とする装置。
【請求項２６】  請求項２１に記載の装置であって、
前記集積回路デバイスの複数の部分の各々が、当該集積回路デバイスの複数の部分の各々の温度を制御できる温度センシング装置を備えることを特徴とする装置。
【請求項２７】  請求項２１に記載の装置であって、
前記センシング回路は前記温度制御システムに接続された試験回路の一部であり、前記試験回路は前記集積回路デバイスの温度を示す信号を用いて、前記温度制御システムに印加され、前記温度制御システムが前記温度制御媒体の温度を制御するために使用する制御信号を発生することを特徴とする装置。
【請求項２８】  請求項２７に記載の装置であって、
前記制御信号は、前記温度制御システムによって、前記集積回路デバイスの一部の温度がデバイス温度設定値に制御されるように前記温度制御媒体の温度を第１の温度設定値に設定するために使用されることを特徴とする装置。
【請求項２９】  集積回路デバイスの少なくとも一部の温度を制御する方法であって、
前記集積回路デバイス内に温度センシング装置を一体的に組み込むステップと、
前記集積回路デバイスの温度を示す前記温度センシング装置からの信号を受信するステップと、
前記集積回路デバイスと熱伝達する温度制御媒体を提供するステップと、
前記集積回路デバイスの温度を示す信号を使い、前記集積回路デバイスの温度が制御されるように前記温度制御媒体の温度を制御するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３０】  請求項２９に記載の方法であって、
前記温度制御媒体は、前記デバイスを支える温度制御チャックであることを特徴とする方法。
【請求項３１】  請求項２９に記載の方法であって、
前記温度制御媒体は、前記デバイスに向けられた温度制御気体流であることを特徴とする方法。
【請求項３２】  請求項３１に記載の方法であって、
前記気体は空気であることを特徴とする方法。
【請求項３３】  請求項２９に記載の方法であって、
集積回路デバイス内に温度センシング装置を一体的に組み込むステップは、前記集積回路デバイス内に温度センシングダイオードを一体的に組み込むステップであることを特徴とする方法。
【請求項３４】  請求項２９に記載の方法であって、
前記集積回路デバイスの複数の部分の各々が、当該集積回路デバイスの複数の部分の各々の温度が制御できる温度センシング装置を備えることを特徴とする方法。
【請求項３５】  請求項２９に記載の方法であって、
前記集積回路デバイス内の温度を示す信号は、前記集積回路デバイスの一部に形成された集積回路を試験するために使用される試験回路のセンシング回路によって受信されることを特徴とする方法。
【請求項３６】  請求項３５に記載の方法であって、
さらに、前記試験回路により、前記集積回路デバイスの温度を示す信号を用いて前記温度制御媒体の温度を制御するための制御信号を発生するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項３７】  請求項３６に記載の方法であって、
前記制御信号は、前記集積回路デバイスの一部の温度がデバイス温度設定値に制御されるように、前記温度制御媒体の温度を第１の温度設定値に設定するために使用されることを特徴とする方法。
【請求項３８】  集積回路チップダイを含む試験中デバイス（ＤＵＴ）の少なくとも一部の温度を制御する装置であって、
前記集積回路チップダイ内に一体化して組み込まれた温度センシング装置と、
前記集積回路チップダイの温度を示す前記温度センシング装置からの信号を受信するセンシング回路と、
前記ＤＵＴと熱伝達する温度制御媒体と、
前記温度制御媒体の温度を制御する温度制御システムと、を備え、
前記温度制御システムは前記集積回路チップダイの温度を示す信号を使って、前記集積回路チップダイの温度が制御されるように前記温度制御媒体の温度を制御することを特徴とする装置。
【請求項３９】  請求項３８に記載の装置であって、
前記ＤＵＴは、前記集積回路チップダイを格納するパッケージを有するパッケージ集積回路であることを特徴とする装置。
【請求項４０】  請求項３９に記載の装置であって、
試験刺激信号が前記パッケージ上のピンを通じて前記集積回路チップダイに印加されることを特徴とする装置。
【請求項４１】  請求項３９に記載の装置であって、
試験応答信号が、前記パッケージ上のピンを通じて前記集積回路チップダイから受信されることを特徴とする装置。
【請求項４２】  請求項３９に記載の装置であって、
前記集積回路チップダイの温度を示す信号が、前記パッケージ上のピンを通じて前記集積回路チップダイから受信されることを特徴とする装置。
【請求項４３】  請求項３８に記載の装置であって、
前記温度センシング装置は、前記集積回路チップダイ内に組み込まれた温度センシングダイオードであることを特徴とする装置。
【請求項４４】  請求項３８に記載の装置であって、
前記センシング回路は前記集積回路チップダイの試験に使用される試験回路の一部であることを特徴とする装置。
【請求項４５】  請求項４４に記載の装置であって、
前記試験回路は、前記ＤＵＴのパッケージ上のピンを通じて、前記集積回路チップダイに試験刺激信号を印加することを特徴とする装置。
【請求項４６】  請求項４４に記載の装置であって、
前記試験回路は、前記ＤＵＴのパッケージ上のピンを通じて、前記集積回路チップダイから試験応答信号を受信することを特徴とする装置。
【請求項４７】  請求項４４に記載の装置であって、
前記試験回路は前記温度制御システムに接続され、前記試験回路は前記集積回路チップダイの温度を示す信号を用いて、前記温度制御システムに印加され、前記温度制御システムが前記温度制御媒体の温度を制御するために使用する制御信号を発生することを特徴とする装置。
【請求項４８】  請求項４７に記載の装置であって、
前記制御信号は、前記温度制御システムによって、前記集積回路チップダイの温度が第２のチップダイ温度設定値に制御されるように、前記温度制御媒体の温度を第１の温度設定値に設定するために使用されることを特徴とする装置。
【請求項４９】  請求項３８に記載の装置であって、
前記集積回路チップダイの温度を示す信号は、前記ＤＵＴのパッケージ上のピンを通じて前記集積回路チップダイから受信されることを特徴とする装置。
【請求項５０】  請求項３８に記載の装置であって、
前記温度制御媒体は、前記ＤＵＴに向けられた温度制御気体流であることを特徴とする装置。
【請求項５１】  請求項５０に記載の装置であって、
前記気体は空気であることを特徴とする装置。
【請求項５２】  集積回路チップダイを含む試験中のデバイス（ＤＵＴ）の少なくとも一部の温度を制御する方法であって、
前記集積回路チップダイ内に温度センシング装置を一体的に組み込むステップと、
前記集積回路チップダイの温度を示す前記温度センシング装置からの信号を受信するステップと、
前記ＤＵＴと熱伝達する温度制御媒体を提供するステップと、
前記集積回路チップダイの温度を示す信号を使い、前記集積回路チップダイの温度が制御されるように前記温度制御媒体の温度を制御するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項５３】  請求項５２に記載の方法であって、
前記ＤＵＴは、前記集積回路チップダイを格納するパッケージを備えるパッケージ集積回路であることを特徴とする方法。
【請求項５４】  請求項５３に記載の方法であって、
さらに、前記パッケージ上のピンを通じて試験刺激信号を前記集積回路チップダイに印加するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項５５】  請求項５３に記載の方法であって、
さらに、前記パッケージ上のピンを通じて試験応答信号を前記集積回路チップダイから受信するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項５６】  請求項５３に記載の方法であって、
さらに、前記パッケージ上のピンを通じて、前記集積回路チップダイの温度を示す信号を集積回路チップダイから受信するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項５７】  請求項５２に記載の方法であって、
前記温度制御媒体は、前記ＤＵＴに向けられた温度制御気体流であることを特徴とする方法。
【請求項５８】  請求項５７に記載の方法であって、
前記気体は空気であることを特徴とする方法。
【請求項５９】  請求項５２に記載の方法であって、
集積回路チップダイ内に温度センシング装置を一体的に組み込むステップは、前記集積回路チップダイ内に温度センシングダイオードを一体的に組み込むステップであることを特徴とする方法。
【請求項６０】  請求項５２に記載の方法であって、
前記集積回路チップダイ内の温度を示す信号は、前記集積回路チップダイの試験に使用される試験回路のセンシング回路で受信されることを特徴とする方法。
【請求項６１】  請求項６０に記載の方法であって、さらに、
前記試験回路を前記温度制御システムに接続するステップと、
前記試験回路によって、前記集積回路チップダイ内の温度を示す信号を用いて、制御信号を発生し、当該制御信号を前記温度制御システムに印加するステップを含み、前記温度制御システムは、前記制御信号を使って前記温度制御媒体の温度を制御することを特徴とする方法。
【請求項６２】  請求項６１に記載の方法であって、
前記制御信号は、前記温度制御システムによって、前記集積回路チップダイの温度が第２のチップダイ温度設定値に制御されるように、前記温度制御媒体の温度を第１の温度設定値に設定するために使用されることを特徴とする方法。