【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年12月6日(2007.12.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の詳細な説明】
【発明の名称】冷却を改善した半導体デバイスのパッケージ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスのパッケージに関し、より詳細には、冷却を改善するためのフィン式ヒートシンクを備える新規な半導体デバイスのパッケージに関する。
【０００２】
本発明は、参照により本明細書に組み込まれている、「ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ  ＤＥＶＩＣＥ  ＰＡＣＫＡＧＥ  ＷＩＴＨ  ＩＭＰＲＯＶＥＤ  ＣＯＯＬＩＮＧ」の名称で２００１年１０月１０日に出願した米国特許仮出願第６０／３２８，３６２号の優先権を主張するものである。
【０００３】
本発明は、半導体デバイスに関し、より詳細には新規な半導体デバイスの低コストの製造プロセスに関する。
【背景技術】
【０００４】
従来技術の半導体デバイスでは、多くの場合、ハウジング面積はその中に含まれる半導体ダイの面積の数倍である。
【０００５】
さらに、多くの周知の半導体デバイスでは、熱はダイの一側面、通常は底面からのみ取り除かれる。
【０００６】
加えて、従来技術の半導体デバイスを製造するプロセスは、特に単一デバイス取り扱い技法を用いたときコストがかかる。
【０００７】
現在知られているダイ、特にパワーＭＯＳゲートダイにおいて、頂部電極（ソース）は一般に約１．０％のケイ素を含むアルミニウム接点（以降アルミニウム接点）である。アルミニウム接点はそれがウェハ製造プロセスに良く適合する理由で使用される。
【０００８】
【特許文献１】米国特許第５，４５１，５４４号
【特許文献２】米国特許第５，０４７，８３３号
【特許文献３】米国特許第５，７９５，７９３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、それらのアルミニウム接点に電気的な接続を形成するのは困難であり、したがって、ワイアを超音波で下地のアルミニウム接点に接合するワイアボンドプロセスが通常用いられる。これらのワイアボンド接続は面積に制限があり、したがって電気抵抗（ＲDSON）と動作中の熱の発生の発生源になっている。
【００１０】
しかし、従来のＭＯＳゲートダイの底部ドレイン接点は、例えば特許文献（特許文献１参照）に示されているように、多くの場合三元金属であって、容易にはんだ付け可能であり、あるいは、ワイアボンディングしないで広い接触面積での電気的な接続が可能である。
【００１１】
したがって、大部分の熱が頂部表面の接合部およびワイアボンド部で発生するにもかかわらず、熱は主に裏面の接点表面でのシリコンダイから除去される。熱をそれらの底部ドレインから改善された方法で除去することが望ましい。
【００１２】
特許文献（例えば特許文献２参照）に示されているように、はんだ付け可能な頂部接点をダイの頂部表面に作製できることが知られている。しかし、それらのはんだ付け可能な頂部接点構造に用いられるパッケージは、ダイ面積に比べて非常に大きな「設置面積」を有していた。
【００１３】
周知の半導体デバイスよりも回路上の占有面積がより小さく、ＲDSONの低い半導体デバイスおよびその製造プロセスが望まれている。
【００１４】
さらに、それらのデバイスを、装置数の少ない生産ラインと低いコストでバッチ処理を可能にするプロセスで製造することが望まれている。
【００１５】
ＭＯＳゲートデバイスのソース側が不動態層、好ましくは感光性液体エポキシまたは窒化ケイ素層などで被覆されているデバイスが知られている。不動態層を形成するには、液体エポキシをウェハ表面上にスピン塗布、スクリーン印刷、または堆積して、ウェハを被覆する。次いで、材料を乾燥し、被覆したウェハを標準的なフォトリソグラフィおよびマスキング技術を用いて露光し、下地のソース金属に間隔を置いて露出した複数の表面領域を作るための不動態層の開口、およびウェハの各ダイの下地ゲート電極層を露出するための類似した開口を形成する。したがって、不動態層は従来の不動態層として働くが、さらにめっきレジスト（必要な場合）およびはんだ領域を画定し形作るはんだマスクとして働く。新規な不動態層の開口はチタン／タングステン／ニッケル／銀金属など、従来のはんだ付け可能な下地頂部金属まで貫通して作製することができる。
【００１６】
別法として、下地金属がより従来的なアルミニウム金属の場合、不動態層をめっきレジストとして用いて、露出したアルミニウムをニッケルおよび金のフラッシュめっきまたは他の一連の金属でめっきし、はんだ付け可能な表面にすることができる。めっき金属区画の頂部は、はんだ付けが容易であり、そうでない場合は通常のアルミニウム電極へのワイアボンドの高い接続抵抗に比べて低い抵抗で接続される。
【００１７】
ソース接点領域は様々な幾何形状を有することができ、また、単一の大面積領域で構成することができる。
【００１８】
次いでウェハはソーイングなどによって個々のダイに単一にされる。次いで個々のダイをソース側を下にして置き、Ｕ形状、Ｌ形状、またはカップ状の部分的にめっきしたドレインクリップを伝導性エポキシまたははんだなどを用いてダイのはんだ付け可能なドレイン側に接続し、ドレインクリップをダイの底部ドレイン電極に接合する。ドレインクリップのポストの底部はダイのソース側表面（すなわち接点突起の頂部）と同一平面であることができ、またはソース側表面は信頼性を向上させるためにポストの底部に関して内部方向に段差を付けてもよい。ダイの外側表面は次いで成形トレイ中でオーバーモールドされる。そのドレインクリップを備える多数のダイはモールドトレイの中で同時にモールドすることができる。
【００１９】
ボンディング材料は、不動態材料のフィレットで、または全てをオーバーモールドすることによって、または組み立て体の一部で保護することができる。部品は、リードフレームや連続ストリップを用いて、またはデバイスを単一ブロックに成形し、そのブロックからデバイスをシンギュレーションすることによって製造中に作製することができる。
【００２０】
モールドの後、デバイスは試験を行い、レーザー刻印し、再び個々のデバイスにソーイングされる。
【００２１】
この種のデバイスは、「ＣＨＩＰ  ＳＣＡＬＥ  ＳＵＲＦＡＣＥ  ＭＯＵＮＴＥＤ  ＤＥＶＩＣＥ  ＡＮＤ  ＰＲＯＣＥＳＳ  ＯＦ  ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＥ」の名称で２００１年３月２８日に出願された同時係属出願整理番号第０９／８１９，７７４号に示されており、その開示は参照により本明細書に組み込まれている。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明によれば、ダイの底部、すなわち半導体ダイの上方向に面するドレインまたは他の電源接点は、フィン構造を備える伝導性ヒートシンクへ少なくとも熱的に接続されている。その構造は、ヒートシンクを数ミリメートルの厚さにすることのできる、サーバなど強制空気冷却を用いる用途、またはヒートシンクをわずかに１／２ミリメートルの厚さにしかできないラップトップまたは他の用途に特に有用である。
【００２３】
ヒートシンクは、伝導性はんだまたは銀充填エポキシなどの伝導性接着剤によってダイに接続することができる。
【００２４】
ヒートシンク自体は、アルミニウムまたは金属−母材ポリマー／エポキシなどの任意の適切な伝導性材料から作ることができ、かつ押し出し成形、成形またはモールドすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明は、ダイの両側に電源または他の電極を有する型の半導体ダイの新規なパッケージを提供し、低コスト製造技法で、冷却を改善して両方の電極を共通の支持表面、例えば印刷回路基板の金属化パターン上へ表面実装するのに利用することを可能にする。
【００２６】
本発明をゲートおよびソース電極を一方の表面に有し、ドレイン電極を反対側の表面に有する縦型伝導パワーＭＯＳＦＥＴを参照して説明するが、本発明は様々なトポロジーのＩＧＢＴ、サイリスタ、ダイオード、などに等しく応用可能である。
【００２７】
したがって、図面で見ることができるように、新規なダイクリップが裏側の電極（ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極）の少なくとも一部を取り囲んで接触し、クリップの少なくとも１個のポストがダイの端部を超えて延伸して同一面上の面で終端するが、前面の接点（ＭＯＳＦＥＴ中のゲートおよびソース）からは絶縁され、ダイクリップが効率良く良好なヒートシンクとして働く。次いで、デバイスはダイおよびクリップの裏側および側部を囲んでオーバーモールドすることができ、ダイの全ての電極に、搭載表面への平坦で同一面上にあるはんだ付け可能な接点表面を提供する。
【００２８】
全ての頂部接点表面は、ダイがウェハ段階であるときに、ダイの頂部面に容易にはんだ付け可能な表面を形成するための新規なはんだマスクを用いて形成される。次いで、ドレインクリップは単一にした後にダイに取り付け、バッチ式のモールドプロセスでオーバーモールドする。
【００２９】
図１は、本発明を応用することのできる典型的なパワーＭＯＳＦＥＴを示す。
【００３０】
ダイ３０は特許（例えば特許文献３参照）に示されている種類にすることができるが、シリコン本体３１、頂部アルミニウム（すなわち１．０％のケイ素を含むアルミニウム）ソース電極３２、アルミニウムゲート電極３３、および底部ドレイン電極３４（図２）を含む接合を有するダイの任意の種類とすることができ、これらの電極は従来の容易にはんだ付け可能な三元金属とすることができる。頂部アルミニウム層は他の任意の適切な金属材料とすることができる。接続は通常アルミニウム電極３２と３３へワイアボンディングによって行われる。
【００３１】
後で説明するが、図３および図４で示したように、容易にはんだ付け可能な複数の接点ポスト３６はソース電極３２に固定され（形成され）、接点ポスト３７はゲート電極３３に固定される。接点ポスト３６および３７は、頂部金属が銀のダイの場合には不動態層の厚さと半ば平らであり、頂部金属がめっきアルミニウムのダイの場合には不動態層の約１／２の厚さである。平坦な接点頂部は同一平面にある。これらの接点への接続ははんだペーストによって行われ、印刷可能な最低のはんだ厚さは、ダイの頂部表面に残る不動態層３８の厚さの約４〜５倍である。
【００３２】
接点ポスト３６のパターンは、図５、図１１、図１８に示したもののように、異なる形状とすることができる。さらに、図６および図７、図８のダイのソース接点４０など、大面積のはんだ付け可能な接点を用いることもできる。接点ポスト３６、３７、ソース接点４０を形成する金属化プロセスは後で説明する。
【００３３】
図３〜図８に示したように用意したダイを備えるパッケージの形成には、図９の伝導性めっき（または部分的なめっき）金属のクリップ４５を使用する。クリップ４５は、他の表面への接点が作製される少なくとも部分的にめっきした銀表面を備える銅合金とすることができる。後に説明するが、クリップ４５は冷却を改善するためのフィンで修正される。
【００３４】
クリップ４５は全体的な「Ｕ形状」を有し、内部表面４７から接点ポスト３６、３７の自由表面までを測定したダイ３０よりもわずかに厚い高さに、クリップ４５の平坦で薄いウェブ４８のめっきされた内部表面４７にドレインを接続するために使用する接着剤の厚さを加えた、浅いポスト４６を備えている。例えば、クリップ４５はポスト４６の全長にわたる０．７ｍｍの全厚さ、および内部表面４７からポスト４６の自由端までの厚さ約０．３９ｍｍを有することができる。ポスト４６の間の距離はダイのサイズにより、各ポスト４６の全幅が約１．５ｍｍのＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製のサイズ４．６のダイには、５．６ｍｍの距離が使用されてきた。
【００３５】
また、図１０に示すように、成形固定開口４９をクリップ４５の中に形成することができる。
【００３６】
ダイ３０のはんだ付け可能な底部ドレイン電極３４は、図１２、２９、３０、３１に示すように、クリップ４５のめっきされた内部に、伝導性接着剤６０などによって電気的に接続および固定される。接着剤は、例えば、銀充填エポキシ材料とすることができ、適切に硬化される。ダイ３０の側部端とクリップ４５のポスト４６の両側の間に間隔６１および６２が残る。
【００３７】
示した実施形態において、構造体はポスト４６（ドレインコネクタ）の自由表面と接点ポスト３６および３７が同一面上にあるような寸法にされる。好ましい実施形態では、ダイのソース電極は、デバイスの信頼性を向上させるために、ポスト４６の自由表面に関して内方向に段差を付けることができる。
【００３８】
図１３、１４、１５に示すように、その後図１１および１２のデバイスは成形トレイの中で、成形化合物７０でオーバーモールドされる。成形化合物７０は、ポスト４６の外側の自由表面を除いてクリップ４５の露出した外側表面の全てを被覆する。成形化合物は図１３および図１５に示すように間隔６１および６２の中を充填する。ここで、デバイスは、接点３６、３７、４６との正しい位置関係を占める印刷回路板の導電性配線の上に表面搭載する準備が完了する。
【００３９】
図１６〜図１９は、異なる幾何形状のクリップを用いる、本発明によって修正することのできるデバイスの他の実施形態を示している。このように、図１６および図１７のクリップ８０はウェブ８１と３つの区画に分かれた突起ポスト８２、８３、８４を有する。接点ポスト３６および３７を有するダイ３０は、図１８および図１９に示すように、接点ポスト３６、３７および突起ポスト８２、８３、８４の自由表面が共通の平面に在るように、ウェブ８１にそのドレイン接点（図示せず）で最初に接着される。次いでデバイスは適切な成形トレイの中で、成形化合物７０でオーバーモールドされる。
【００４０】
図２０および図２１は、本発明によって修正することのできるパッケージのさらに他の実施形態を示しており、図７および図８のダイはカップ形状の銀めっきした銅合金クリップ１００に搭載される。クリップ１００は、長さと幅がダイ３０よりも大きな内部領域を有し、ダイ３０の底部ドレイン電極は、内部ウェブの表面１０１（図２１）に銀充填（伝導性）エポキシ１０２によって接続して硬化する。最適には低応力の高接着性エポキシ１０３の輪をダイの端部周囲に付着することができ、パッケージの封止と構造的な強度を与える。
【００４１】
はんだ付け可能なソース接点４０の頂部表面はドレイン突起表面１０５と同一面上にある。したがって、接点１０５、４０、３７の全ては印刷回路板上の接点配線と正しい位置関係を占める。ドレイン接点は任意の適切な形状をとることができ、必要であれば単一接点または側部接点を含むことができる。
【００４２】
図２２〜図２４は、従来のダイのアルミニウム電極上に伝導性ポストを形成するプロセスを示す。
【００４３】
このように各々ゲートの接点ポスト３７および分離したソース電極（番号を付けていない）を有する複数の個々のダイは、ダイを単一にする前のウェハ１１０内に示されている。ウェハ形状に保ったまま、ウェハ１１０の頂部表面は感光性はんだマスク１１１で被覆される。マスク１１１は感光性液体エポキシであり、不動態層、めっきレジスト（必要な場合）およびはんだ領域を画定し形成するはんだマスクとして働く。しかし、他のマスク材料、例えば窒化ケイ素を使用することができる。従来のレチクルを使用して、複数の開口１１１ａ〜１１１ｄが、ダイの頂部金属上の下地のソースおよびゲート接点までマスクを経て形成される。レーザーエッチングプロセスもこれらの開口を形成するのに用いることができる。
【００４４】
図２４に示したように、次いで一連の金属１１２ａ−１１２ｄがウェハの表面上にめっきされ、めっきは開口１１１ａ〜１１１ｄを経て露出されたソース電極３２（および他の電極）に付着し、ソース電極３２との接点およびゲートへの類似の接点を形成する。金属１１２ａ〜１１２ｄはアルミニウムに良好に接触するニッケルの第１の層、続く金フラッシュめっきから構成することができる。別法として、ニッケルに続いて、銀のように容易にはんだ付け可能な頂部表面を与える銅またはスズなどの層とすることができる。
【００４５】
次いで、ウェハを例えば線でソーイングして分離し、ダイを単一にする。典型的なダイ３０は図３〜図８に示した外観を有し、絶縁表面３８の上に突起するはんだ付け可能な複数のソース接点およびゲート接点を有する。
【００４６】
次いで単一にしたダイをドレインソース側を下にして、内部を銀または他の伝導性被覆でめっきした伝導性クリップの中に置く。ダイは、前に説明したように伝導性エポキシなどの従来の接合材料を用いてクリップに接合される。クリップはリードフレームの形で提供することができ、デバイスは後でリードフレームから単一にすることができる。
【００４７】
本発明によれば、クリップ４５（または８０または１００）はダイ３０が発生する熱の放散を改善するために修正することができる。図２５〜図２７を参照すれば、例えば、修正されたクリップ４５は、自由表面を有し、複数の冷却フィン２００がそこから離れて延伸する、ウェブ部２０１を含む。本発明の一態様によれば、ウェブ部２０１は熱の抽出と拡散をより良好にするために、厚さを増すことができる。図２５〜図２７に示した実施形態では、クリップ４５は、ウェブ部２０１の対向する端部に配設された、後に説明するが、ダイ３０の電極に電気的に接続されたウェブ部２０１の表面から離れて延伸する２個のポスト４６を含む。複数の冷却フィン２００と２個のポスト４６、およびウェブ部２０１は互いに一体的に接続されて一体化された本体を形成し、押し出し成形、モールド、または他の適切な方法によって、アルミニウム、金属母材ポリマー、銅、銅合金、または他の適切な熱伝導性材料から作ることができる。無論、本発明によるクリップは必ずしも図２５〜図２７に示した構成に制限する必要はなく、例えば、他の位置に配設されたより少数または多くのポストを含むことができる。
【００４８】
ここで、図２８〜図２９を参照すれば、ダイ３０の裏のドレイン電極３４は、はんだまたは伝導性銀充填エポキシによって伝導的にクリップ４５に取り付けられている。したがって、構造体は、ソースおよびゲート電極３２、３３を受容する適切な配線（図示せず）を有するＰＣＢまたは他の搭載基板２１０に取り付けることができ、一方、ポスト４６を基板２１０のドレイン接点パターンに接続することもできる。図３０および図３１を詳細に参照すれば、ポスト４６は絶縁充填剤１０３によってダイ３０の端部から絶縁されている。
【００４９】
ゲートとソース３２、３３、およびドレイン４６は、前に説明した製造プロセスに用いられるものに類似した不動態化プロセスを用いて、ダイ／基板２１０の接合境界内部で分離されている。
【００５０】
本発明によるデバイスは発生した熱を放散するためのフィンを有するクリップに制限されず、他の熱放散構造を用いることができる。例えば、図３２ａおよび図３２ｂに示したように、本発明の他の実施形態によれば、熱放散ピンアレイを有するクリップを使用して、空気の流れを向上することができる。それらのクリップの各ピンはメサ型構造であり、熱を放散することは可能であるが熱放出表面の空気の流れは制限しない。
【００５１】
回路板上の接点へのクリップのはんだ付け性を向上させるために、クリップは、例えば、ニッケル、ニッケル−金、ニッケル−白金、または銀などのはんだ付けの容易な材料で被覆することができる。さらに、本発明によるクリップは、放射率の高い被覆で被覆して、輻射による熱放散を向上させることができる。
【００５２】
本発明をその特定の実施形態に関して説明したが、当業者であれば、多くの他の変形と修正および用途は明らかであろう。したがって、本発明は本明細書の特定の開示によって制限されず、付属の請求項によってのみ制限されることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明によって筐体に収容することのできる、単一にしたパワーＭＯＳＦＥＴダイの平面図である。
【図２】図１の断面線２〜２で描いた図１の断面図である。
【図３】図１のダイを、複数の分離した「はんだ付け可能な」ソース接点領域と「はんだ付け可能な」ゲート領域に画定する加工を行った後の平面図である。
【図４】図３の断面線４〜４で描いた図３の断面図である。
【図５】図３のパターンに類似した修正ソース接点パターンを備えるダイの図である。
【図６】図３および５のパターンに類似した、さらに他の大面積の「はんだ付け可能な」ソース接点パターンを備えるダイの図である。
【図７】さらに他の接点トポロジー（コーナー部のゲートを備える）の平面図である。
【図８】図７の断面線８〜８で描いた図７の断面図である。
【図９】本発明によって修正することのできるドレインクリップの俯瞰図である。
【図１０】クリップに形成した成形固定開口を備える図９のクリップの平面図である。
【図１１】図３および４のダイと図９のクリップのサブアセンブリ品の底面図である。
【図１２】図１１の断面線１２〜１２で描いた図１１の断面図である。
【図１３】モールドトレイ中でオーバーモールドした後の図１１と１２のサブアセンブリ品の図である。
【図１４】図１３の断面線１４〜１４で描いた図１３の断面図である。
【図１５】図１３の断面線１５〜１５で描いた図１３の断面図である。
【図１６】本発明によって修正することのできるドレインクリップの他の実施形態の俯瞰図である。
【図１７】図１６のクリップの平面図である。
【図１８】図１６および１７のクリップと図３および４の一般的な種類のダイを組み立てたオーバーモールド後の底面図である。
【図１９】図１８の断面線１９〜１９で描いた図１８の断面図である。
【図２０】図７および８のトポロジーのダイを備えるカップ状ドレインクリップの底面図である。
【図２１】図２０の断面線２１〜２１で描いた図２０の断面図である。
【図２２】単一にする前のＭＯＳＦＥＴダイのウェハを示す図である。
【図２３】図２２のウェハのソース表面への不動態層の形成およびパターン形成のプロセスステップを示す図である。
【図２４】図２３の不動態層上の金属化を示す図である。
【図２５】本発明による新規なドレインクリップの等角図である。
【図２６】図２５のクリップの平面図である。
【図２７】図２６の側面図である。
【図２８】ダイおよび支持基板に用いられた本発明の修正ドレインクリップの展開俯瞰図である。
【図２９】組み立て後の図２５の構造を示す図である。
【図３０】図２９の前面平面図である。
【図３１】図３０に示したデバイスの一部の拡大図である。
【図３２ａ】代替の実施形態によるクリップの側面図である。
【図３２ｂ】代替の実施形態によるクリップの平面図である。