Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月15日(2007.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムを吸蔵・放出する正極と、負極と、非水電解質とを備えた非水電解質二次電池であって、前記非水電解質がアリルスルフィドを含有し、非水電解質中のアリルスルフィドの含有量が非水電解質全体に対して０．１〜４．０ｗｔ％であることを特徴とする非水電解質二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本願発明は、非水電解質二次電池に関するもので、リチウムを吸蔵・放出する正極と、負極と、非水電解質とを備えた非水電解質二次電池であって、前記非水電解質がアリルスルフィドを含有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらに本願発明は、そのアリルスルフィドの含有量が非水電解質全体に対して０．１〜４．０ｗｔ％であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本願発明によれば、非水電解質二次電池において、アリルスルフィド含有する非水電解質を用いることによって、高温下で充放電サイクルをおこなった場合の放電容量の減少を抑制した非水電解質二次電池を得ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
そして、アリルスルフィドの添加量を０．１〜４．０ｗｔ％とすることで、さらに、初期放電容量が大きく、高率放電特性が良好な非水電解質二次電池を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月25日(2007.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部電力源から電気駆動機器の電源部へ電気エネルギーを供給するための電気供給ラインにおいて、生体エネルギーを注入し、そのエネルギー準位を高めた金属又は合金（以下「金属等」という。）を導線化してなる導電素子を、前記外部電力源と前記電源部との中途部に介装したことを特徴とする電気供給ライン。
【請求項２】
外部電力源から電気駆動機器の電源部へ電気エネルギーを供給するための電気供給ラインにおいて、生体エネルギーを注入し、そのエネルギー準位を高めた粉末あるいは粉体状の金属等を絶縁体又は導体のケースに充填してなる導電素子を、前記外部電力源と前記電源部との中途部に介装したことを特徴とする電気供給ライン。
【請求項３】
前記金属等は、元素の周期律表の第４属（４B）に属する元素（Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）から選択した１又は２以上を基本成分として溶融したものであることを特徴とする請求項１又は２記載の電気供給ライン。
【請求項４】
前記金属等は、Ｃｕ，Ａｌ，Ｆｅ，Ａｇ，Ａｕの中から選んだ１又は２以上を溶融したもの、又は、該選んだ１又は２以上を周期律表の第４属（４B）に属する元素に加えて溶融したものであることを特徴とする請求項３記載の電気供給ライン。
【請求項５】
前記金属等は、Ｋ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｐ，Ｓ，Ｎ，Ｏの中から選んだ１又は２以上を含有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の電気供給ライン。
【請求項６】
前記導電素子を、前記電気駆動機器の機器内部に設けたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の電気供給ライン。
【請求項７】
導電線の周囲を絶縁性材料で被覆した電源ケーブルの少なくとも一部において、該導電線と該絶縁性材料との間に、生体エネルギーを注入し、そのエネルギー準位を高めた粉末あるいは粉体状の金属等又は絶縁物の粉末が充填されていることを特徴とする電源ケーブル。
【請求項８】
絶縁性材料で被覆された電気供給線から絶縁性材料を剥ぎ取ることにより導電線の少なくとも一部を露出させ、露出部との間に空間ができるようにして該露出部の周囲を絶縁性材料で被覆し、該空間内に、生体エネルギーを注入し、そのエネルギー準位を高めた粉末あるいは粉体状の金属等又は絶縁物を充填してなることを特徴とする電気供給線。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項記載の導電素子を、外部電力源と電源部との中途あるいは機器内部に有することを特徴とする家電機器、通信機器又は携帯式小型電気機器。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月18日(2007.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
希土類元素、ニッケルおよびコバルトを構成元素として含む水素吸蔵合金粉末を活物質とする水素吸蔵電極において、前記水素吸蔵合金粉末は、質量飽和磁化が１〜５ｅｍｕ／ｇであって、その表面に、磁性を有するニッケルとコバルトを含み、空洞がなく連続した表面層を備えたことを特徴とする水素吸蔵合金電極。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記の課題を達成するために、本発明者らは鋭意検討の結果、特定の粒径の水素吸蔵合金粉末を特定の処理液を用いて、その質量飽和磁化を特定の値とし、特定の表面層を具備するものとすることにより、驚くべきことに、優れたサイクル特性と高率放電特性とを備える電池が得られることを見出し、本発明に至った。本発明は、以下の構成とすることに
よって前記課題を解決する。
（１）本発明に係る水素吸蔵合金電極は、希土類元素、ニッケル（Ｎｉ）およびコバルト（Ｃｏ）を構成元素として含む水素吸蔵合金粉末を活物質とする水素吸蔵電極において、前記水素吸蔵合金粉末は、質量飽和磁化が１〜５ｅｍｕ／ｇであって、その表面に、磁性を有するＮｉおよびＣｏを含み、空洞がなく連続した表面層を備えたことを特徴とする水素吸蔵合金電極である。
ここに、質量飽和磁化は、試料である水素吸蔵合金粉末０．３グラムを精秤し、サンプルホルダーに充填して（株）理研電子製、振動試料型磁力計（モデルＢＨＶ−３０）を用いて５キロエルステッドの磁場をかけて測定した値とする。また、ここでいう表面とは、粉末の外面から深さ４００〜５００ｎｍの領域を指す。なお、表面層は粉末の断面を電子
顕微鏡や収束イオンビーム装置を用いて観察することによってその存在を確認することができる。ここでいう空洞のない連続した表面層とは、合金粉末の断面を電子顕微鏡や収束イオンビーム装置を用いて拡大して観察したときに、水素吸蔵合金粉末の表面に切れ切れに点在するのではない連続した層であって、層中に空洞（鬆）がないものを指す。また、
前記表面層がＮｉおよびＣｏを構成元素として含むことは、粉末の断面を透過形電子顕微鏡を用いた調査によって確認することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月13日(2007.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
【図１】本発明の実施形態の有機ＥＬパネルを示す斜視図である。
【図２】同上実施形態の有機ＥＬパネルの部分断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態の有機ＥＬパネルの製造工程を示す図である。
【図４】同上実施形態の有機ＥＬパネルの異物が付着した状態を示す要部拡大断面図である。
【図５】同上実施形態の有機ＥＬパネルの異物が取れた状態を示す要部拡大断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態の有機ＥＬパネルの製造工程を示す図である。
【図７】本発明の第３の実施形態の有機ＥＬパネルの製造工程を示す図である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２値画像のデータをベジェ曲線を用いてアウトライン化する情報処理装置において、
入力した電子化データから抽出した２値画像の輪郭点列をベジェ曲線で近似できる輪郭の区分に分割し、当該分割した区分の始点及び終点の位置情報を格納手段に格納する曲線分割手段と、
前記分割した輪郭の区分内に属する輪郭点列の内から少なくとも一つの点を、前記分割した区分の始点及び終点を結び特定される第１線分に対する第１距離条件を満たす特徴点として決定し、当該決定した特徴点の位置情報を格納手段に格納する特徴点決定手段と、
前記第１線分に対する第２距離条件を満たし、かつ当該第１線分と平行な第２線分上の位置情報と、前記分割した区分の始点及び終点それぞれに対する接線上の位置情報とをそれぞれ比較して、両位置情報が一致する交点をコントロールポイントとして決定し、当該決定したコントロールポイントの位置情報を格納手段に格納するコントロールポイント決定手段と、
前記区分の始点及び終点、前記特徴点及び前記コントロールポイントにおける位置情報を前記格納手段より読み出し、前記分割した輪郭の区分を前記ベジェ曲線で近似する近似演算手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記特徴点決定手段は、前記分割した区分の始点及び終点により特定される第１線分に対する各輪郭点の距離をそれぞれ演算し、当該演算結果の比較により距離が最大になる輪郭点を特徴点として決定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記コントロールポイント決定手段により求められる前記第２線分は、第２距離条件＝(４／３)×第１距離条件の関係を満たすことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記近似演算手段は、前記特徴点と、当該特徴点に対応する近似したベジェ曲線上の点との位置情報を比較して、当該位置情報が許容閾値座標の範囲内にある場合は、前記近似した曲線を確定し、
前記比較の結果、前記位置情報が前記許容閾値座標の範囲にない場合、前記曲線分割手段は、特徴点決定手段により決定された前記特徴点の位置において、前記分割された輪郭の区分を更に再分割することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項５】
２値画像のデータをベジェ曲線を用いてアウトライン化する情報処理方法において、
曲線分割手段が、入力した電子化データから抽出した２値画像の輪郭点列をベジェ曲線で近似できる輪郭の区分に分割し、当該分割した区分の始点及び終点の位置情報を格納手段に格納する曲線分割工程と、
特徴点決定手段が、前記分割した輪郭の区分内に属する輪郭点列の内から少なくとも一つの点を、前記分割した区分の始点及び終点を結び特定される第１線分に対する第１距離条件を満たす特徴点として決定し、当該決定した特徴点の位置情報を格納手段に格納する特徴点決定工程と、
コントロールポイント決定手段が、前記第１線分に対する第２距離条件を満たし、かつ当該第１線分と平行な第２線分上の位置情報と、前記分割した区分の始点及び終点それぞれに対する接線上の位置情報とをそれぞれ比較して、両位置情報が一致する交点をコントロールポイントとして決定し、当該決定したコントロールポイントの位置情報を格納手段に格納するコントロールポイント決定工程と、
近似演算手段が、前記区分の始点及び終点、前記特徴点及び前記コントロールポイントにおける位置情報を前記格納手段より読み出し、前記分割した輪郭の区分を前記ベジェ曲線で近似する近似演算工程と、
を備えることを特徴とする情報処理方法。
【請求項６】
前記特徴点決定工程では、前記分割した区分の始点及び終点により特定される第１線分に対する各輪郭点の距離をそれぞれ演算し、当該演算結果の比較により距離が最大になる輪郭点を特徴点として決定することを特徴とする請求項５に記載の情報処理方法。
【請求項７】
前記コントロールポイント決定工程により求められる前記第２線分は、第２距離条件＝(４／３)×第１距離条件の関係を満たすことを特徴とする請求項５に記載の情報処理方法。
【請求項８】
前記近似演算工程では、前記特徴点と、当該特徴点に対応する近似したベジェ曲線上の点との位置情報を比較して、当該位置情報が許容閾値座標の範囲内にある場合は、前記近似した曲線を確定し、
前記比較の結果、前記位置情報が前記許容閾値座標の範囲にない場合、前記曲線分割工程では、特徴点決定工程により決定された前記特徴点の位置において、前記分割された輪郭の区分を更に再分割することを特徴とする請求項５に記載の情報処理方法。
【請求項９】
コンピュータで実行するための処理を、請求項５乃至請求項８のいずれか１項に記載の情報処理方法により特定することを特徴とする情報処理プログラム。
【請求項１０】
請求項９に記載の情報処理プログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ可読の記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
あるいは、上記の目的を達成するべく、本発明にかかる２値画像のデータをベジェ曲線を用いてアウトライン化する情報処理方法は、
曲線分割手段が、入力した電子化データから抽出した２値画像の輪郭点列をベジェ曲線で近似できる輪郭の区分に分割し、当該分割した区分の始点及び終点の位置情報を格納手段に格納する曲線分割工程と、
特徴点決定手段が、前記分割した輪郭の区分内に属する輪郭点列の内から少なくとも一つの点を、前記分割した区分の始点及び終点を結び特定される第１線分に対する第１距離条件を満たす特徴点として決定し、当該決定した特徴点の位置情報を格納手段に格納する特徴点決定工程と、
コントロールポイント決定手段が、前記第１線分に対する第２距離条件を満たし、かつ当該第１線分と平行な第２線分上の位置情報と、前記分割した区分の始点及び終点それぞれに対する接線上の位置情報とをそれぞれ比較して、両位置情報が一致する交点をコントロールポイントとして決定し、当該決定したコントロールポイントの位置情報を格納手段に格納するコントロールポイント決定工程と、
近似演算手段が、前記区分の始点及び終点、前記特徴点及び前記コントロールポイントにおける位置情報を前記格納手段より読み出し、前記分割した輪郭の区分を前記ベジェ曲線で近似する近似演算工程と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月17日(2007.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記記憶制御装置は、前記ホストコンピュータからのコマンドに対して当該記憶制御装置がサポートしている機能レベルを当該ホストコンピュータに通知するコンピュータとにより、前記ホストコンピュータと前記記憶制御装置双方が同じ物理パスグループを認識することを特徴とする請求項８に記載のパスリザーブ管理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月16日(2007.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１サイトにて保持され、または生成される木構造データに第２サイトに保持されている木構造データを同期させる木構造データ同期装置において、上記第１サイトにて保持され、または生成される木構造データの探索順序に従って当該木構造データを構成するノードの部分集合を選択し、選択した部分集合に含まれるノードの子ノード情報を、部分集合単位で上記第２サイトに伝送し、上記子ノード情報に基づいて上記第２サイトに保持されている木構造データを更新する木構造データ同期装置。
【請求項２】
上記第１サイトに保持されている木構造データの探索順序に従って当該木構造データの差分データを取得する第１の探索モードと、上記第１サイトに保持されている木構造データの探索順序に従って当該木構造データを構成するノードの部分集合を選択し、選択した部分集合に含まれるノードの子ノード情報を、部分集合単位で取得する第２の探索モードを実行し、上記第２の探索モードの前後で上記第１の探索モードを実行して、取得した差分情報および子ノード情報を上記第２サイトに伝送する請求項１記載の木構造データ同期装置。
【請求項３】
上記第１サイトに保持されている木構造データはハイパーテキスト構造から導出したものである請求項１または２記載の木構造データ同期装置。
【請求項４】
上記探索順序は幅優先探索法もしくは深さ優先探索法による請求項１、２または３記載の木構造データ同期装置。
【請求項５】
木構造データを保持または生成する第１情報処理装置と、上記第１情報処理装置が保持または生成する木構造データに同期させるべき木構造データを保持する第２情報処理装置との間で木構造データの同期をとる木構造データ同期装置において、
上記第１情報処理装置において、木構造データの探索順序に従って当該木構造データを構成するノードの部分集合を決定する対象ノード決定手段と、
上記第１情報処理装置において、上記対象ノード選択手段により選択された各ノードの子ノード情報を取得する子ノード情報取得手段と、
上記子ノード情報取得手段で取得した子ノード情報を上記第２情報処理装置に送信する子ノード情報送信手段とを有し、
上記第２情報処理装置は上記子ノード情報により上記第２情報処理装置に保持されている木構造データを更新し、上記対象ノード決定手段は上記部分集合の範囲を上記探索順序に従ってシフトしていくことを特徴とする木構造データ同期装置。
【請求項６】
木構造データを保持または生成する第１情報処理装置と、上記第１情報処理装置が保持または生成する木構造データに同期させるべき木構造データを保持する第２情報処理装置と、上記第１情報処理装置および上記第２情報処理装置の間で木構造データの同期をとる木構造データ同期装置とを具備する木構造データ処理システムにおいて、
上記第１情報処理装置において、木構造データの探索順序に従って当該木構造データを構成するノードの部分集合を決定する対象ノード決定手段と、
上記第１情報処理装置において、上記対象ノード選択手段により選択された各ノードの子ノード情報を取得する子ノード情報取得手段と、
上記子ノード情報取得手段で取得した子ノード情報を上記第２情報処理装置に送信する子ノード情報送信手段とを有し、
上記第２情報処理装置は上記子ノード情報により上記第２情報処理装置に保持されている木構造データを更新し、上記対象ノード決定手段は上記部分集合の範囲を上記探索順序に従ってシフトしていくことを特徴とする木構造データ処理システム。
【請求項７】
木構造データを保持または生成する第１情報処理装置と、上記第１情報処理装置が保持または生成する木構造データに同期させるべき木構造データを保持する第２情報処理装置との間で木構造データの同期をとる木構造データ同期用コンピュータプログラムにおいて、
上記第１情報処理装置をなすコンピュータを、
上記第１情報処理装置において、木構造データの探索順序に従って当該木構造データを構成するノードの部分集合を決定する対象ノード決定手段と、
上記第１情報処理装置において、上記対象ノード選択手段により選択された各ノードの子ノード情報を取得する子ノード情報取得手段と、
上記子ノード情報取得手段で取得した子ノード情報を上記第２情報処理装置に送信する子ノード情報送信手段とのそれぞれとして機能させ、
さらに、上記子ノード情報は、上記第２情報処理装置が当該子ノード情報により上記第２情報処理装置に保持されている木構造データを更新する情報であり、上記対象ノード決定手段は上記部分集合の範囲を上記探索順序に従ってシフトしていくことを特徴とする木構造データ同期用コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月31日(2007.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも臨界表面張力の異なる部位を有する濡れ性変化層と、前記濡れ性変化層上に形成されている導電性材料とを少なくとも有する積層構造体であって、
前記濡れ性変化層は、当該臨界表面張力の異なる部位のうち、高表面エネルギー部のみに導電性材料が形成されていることを特徴とする積層構造体。
【請求項２】
前記臨界表面張力の異なる部位のうち、低表面エネルギー部に半導体層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の積層構造体。
【請求項３】
前記臨界表面張力の異なる部位における臨界表面張力の差が１０ｍＮ／ｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の積層構造体。
【請求項４】
前記臨界表面張力の異なる部位のうち、低表面エネルギー部の臨界表面張力が４０ｍＮ／ｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の積層構造体。
【請求項５】
前記濡れ性変化層は、２種類以上の材料からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の積層構造体。
【請求項６】
前記濡れ性変化層は、２種類以上の材料からなり、
夫々の材料を積層した構造であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の積層構造体。
【請求項７】
前記濡れ性変化層は、第１の材料と第２の材料からなり、
前記第１の材料と前記第２の材料との混合比は、６０／４０〜９５／５であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の積層構造体。
【請求項８】
前記濡れ性変化層は、側鎖に疎水性基を有する高分子材料を含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の積層構造体。
【請求項９】
エネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する材料を含む濡れ性変化層を形成する工程と、
該濡れ性変化層の一部分にエネルギーを付与することによってより臨界表面張力の小さい低表面エネルギー部とより臨界表面張力の大きい高表面エネルギー部とからなる臨界表面張力を異ならせたパターンを形成する工程と、
導電性材料を含有する液体を前記パターンが形成された前記濡れ性変化層の表面に付与することで、前記高表面エネルギー部に導電層を形成する工程と、
前記濡れ性変化層上に半導体層を形成する工程と、を有することを特徴とする積層構造体の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の積層構造体を構成要素として有することを特徴とする電子素子。
【請求項１１】
濡れ性変化層と、
この濡れ性変化層上に形成された半導体層と、
この半導体層に接して導電層として設けられた一対の電極層と、
少なくとも前記半導体層に接して設けられた絶縁体層と、
この絶縁体層に接して設けられた電極層と、を有することを特徴とする請求項１０に記載の電子素子。
【請求項１２】
電極層と、
この電極層上に設けられた濡れ性変化層と、
この濡れ性変化層上に形成された半導体層と、
この半導体層に接して導電層として設けられた一対の電極層と、を有することを特徴とする請求項１０に記載の電子素子。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の電子素子が基板上に複数個配設されたことを特徴とする電子素子アレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月6日(2007.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地基板上に成長制御層を備えた窒化物半導体基板の上に、窒化物半導体層を積層し、該窒化物半導体層の上に、該窒化物半導体層に対する耐反応性膜、反射膜及びレジスト層をこの順に形成し、該レジスト層を所定形状にパターニングし、該パターニングされたレジスト層をマスクとして用いて、前記反射膜を所定形状にパターニングし、さらに、該パターニングされた反射膜をマスクとして用いて、前記耐反応性膜をエッチングし、さらに窒化物半導体層をエッチングすることにより、前記窒化物半導体層表面にストライプ状のリッジを形成することを特徴とする窒化物半導体層のエッチング方法。
【請求項２】
耐反応性膜が、窒化物半導体層に対して選択エッチング性を有する膜である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
光反射する表面又は界面の凹凸構造を備えた窒化物半導体光反射層と、窒化物半導体層と、をこの順に有する窒化物半導体構造と、
該窒化物半導体構造の上に、前記窒化物半導体に対するエッチング選択比が大きい耐反応性膜、光反射の反射膜、レジスト層をこの順に形成した多層膜構造と、を有し、
該レジスト層に、前記光反射に対応する光を露光することにより、所定形状のマスクを形成する工程と、
前記レジスト層によるマスクを介してエッチングして、前記反射膜を所定形状のマスクに形成する工程と、
前記反射膜によるマスクを介して、前記耐反応性膜と前記窒化物半導体構造とを、前記選択比となるエッチングによって、前記窒化物半導体層表面にストライプ状のリッジを形成する工程と、を具備する窒化物半導体層のエッチング方法。
【請求項４】
前記窒化物半導体光反射層は、前記凹凸構造を有する窒化物半導体基板である請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記窒化物半導体層が、前記窒化物半導体光反射層の基板上に、第１導電型半導体層、活性層、第２導電型半導体層がこの順に積層されたレーザ素子構造であり、
前記リッジにより前記レーザ素子構造の導波路が設けられる請求項１〜４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項６】
耐反応性膜が、酸化シリコンである請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
反射膜が、チタン膜である請求項１〜６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】
反射膜が、誘電体膜からなるミラー構造を有する膜である請求項１〜７のいずれか１つに記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の窒化物半導体層のエッチング方法は、下地基板上に成長制御層を備えた窒化物半導体基板の上に、窒化物半導体層を積層し、該窒化物半導体層の上に、該窒化物半導体層に対する耐反応性膜、反射膜及びレジスト層をこの順に形成し、該レジスト層を所定形状にパターニングし、該パターニングされたレジスト層をマスクとして用いて、前記反射膜を所定形状にパターニングし、さらに、該パターニングされた反射膜をマスクとして用いて、前記耐反応性膜をエッチングし、さらに窒化物半導体層をエッチングすることにより、前記窒化物半導体層表面にストライプ状のリッジを形成することを特徴とする。
この窒化物半導体層のエッチング方法では、耐反応性膜が、窒化物半導体層に対して選択エッチング性を有する膜であることが好ましい。
また、本発明の別の窒化物半導体層のエッチング方法は、光反射する表面又は界面の凹凸構造を備えた窒化物半導体光反射層と、窒化物半導体層と、をこの順に有する窒化物半導体構造と、該窒化物半導体構造の上に、前記窒化物半導体に対するエッチング選択比が大きい耐反応性膜、光反射の反射膜、レジスト層をこの順に形成した多層膜構造と、を有し、該レジスト層に、前記光反射に対応する光を露光することにより、所定形状のマスクを形成する工程と、前記レジスト層によるマスクを介してエッチングして、前記反射膜を所定形状のマスクに形成する工程と、前記反射膜によるマスクを介して、前記耐反応性膜と前記窒化物半導体構造とを、前記選択比となるエッチングによって、前記窒化物半導体層表面にストライプ状のリッジを形成する工程と、を具備することを特徴とする。
これらの窒化物半導体層のエッチング方法では、前記窒化物半導体光反射層は、前記凹凸構造を有する窒化物半導体基板であることが好ましい。
また、前記窒化物半導体層が、前記窒化物半導体光反射層の基板上に、第１導電型半導体層、活性層、第２導電型半導体層がこの順に積層されたレーザ素子構造であり、
前記リッジにより前記レーザ素子構造の導波路が設けられることが好ましい。
さらに、耐反応性膜が、酸化シリコンであることが好ましい。
また、反射膜が、チタン膜である又は誘電体膜からなるミラー構造を有する膜であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月9日(2007.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光で原板を照明する照明光学系と、前記原板のパターンを基板に投影する投影光学系とを備える走査型の投影露光装置において、
前記照明光学系は、前記光源からの光を用いて２次光源を形成する波面分割型オプティカルインテグレータと、前記オプティカルインテグレータからの光を前記原板に導光するコンデンサー光学系とを備え、
前記投影光学系は、前記投影光学系の瞳面近傍に石英を硝材とする光学素子を備え、
前記波面分割型オプティカルインテグレータの分割数を、前記投影光学系の瞳面において、走査方向にＮ、前記走査方向と直交する方向にＭとしたとき、
１００≦Ｍ≦３００且つＭ≦Ｎ
を満たすことを特徴とする投影露光装置。
【請求項２】
前記オプティカルインテグレータは、シート状の２つのマイクロレンズアレイを含むことを特徴とする請求項１記載の投影露光装置。
【請求項３】
前記基板上の照度と、前記瞳面近傍のエネルギー密度とに基づいて、前記基板上の照度を制御する制御部を備えることを特徴とする請求項１または２記載の投影露光装置。
【請求項４】
前記制御部は、照明条件や前記原板を切り替えた場合にも、前記瞳面近傍の前記光学素子におけるエネルギー密度が、０．１ｍＪ／ｃｍ２以下になるように制御することを特徴とする請求項３記載の投影露光装置。
【請求項５】
前記マイクロレンズアレイの各レンズの開口は、前記基板における照射領域と略相似形状であることを特徴とする請求項２記載の投影露光装置。
【請求項６】
前記マイクロレンズアレイの光の入射面と射出面のうち、何れか一方が平面であることを特徴とする請求項２記載の投影露光装置。
【請求項７】
前記マイクロレンズアレイはシリンドリカルレンズアレイであることを特徴とする請求項２記載の投影露光装置。
【請求項８】
前記シリンドリカルレンズアレイの光の射出面において、前記基板の照射領域の長手方向に対応する方向に曲率を有するシリンドリカル面が形成されていることを特徴とする請求項７記載の投影露光装置。
【請求項９】
前記光源は、ＡｒＦエキシマレーザーであることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項記載の投影露光装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項記載の投影露光装置を使用して基板を露光するステップと、
露光された基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての投影露光装置は、光源からの光で原板を照明する照明光学系と、前記原板のパターンを基板に投影する投影光学系とを備える走査型の投影露光装置において、前記照明光学系は、前記光源からの光を用いて２次光源を形成する波面分割型オプティカルインテグレータと、前記オプティカルインテグレータからの光を前記原板に導光するコンデンサー光学系とを備え、前記投影光学系は、前記投影光学系の瞳面近傍に石英を硝材とする光学素子とを備え、前記波面分割型オプティカルインテグレータの分割数を、前記投影光学系の瞳面において、走査方向にＮ、前記走査方向と直交する方向にＭとしたとき、
１００≦Ｍ≦３００且つＭ≦Ｎ
を満たすことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月1日(2007.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
放射線硬化層の平均粗さ（Ｒａ）は、カットオフ値０．２５ｍｍにおいて、１〜３ｎｍが好ましい。上記範囲内にあると、塗布工程でパスロールへの貼り付き故障を起こすことがなく、また、十分な磁性層の平滑性が得られるので好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
本発明の非磁性層の厚さは、好ましくは０．２〜３．０μｍであり、０．３〜２．５μｍであることがより好ましく、０．４〜２．０μｍであることがさらに好ましい。なお、本発明の磁気記録媒体の非磁性層は、実質的に非磁性であればその効果を発揮するものであり、例えば不純物として、あるいは意図的に少量の磁性体を含んでいても、本発明の効果を示すものであり、本発明の磁気記録媒体と実質的に同一の構成とみなすことができる。なお、実質的に同一とは、非磁性層の残留磁束密度が１０ｍＴ（１００Ｇ）以下または抗磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００ Ｏｅ）以下であることを示し、好ましくは残留磁束密度と抗磁力を持たないことを意味する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
VIII．物理特性
本発明に用いられる磁気記録媒体の磁性層の飽和磁束密度は、１００〜３００ｍＴ（１，０００〜３，０００Ｇ）であることが好ましい。また磁性層の抗磁力（Ｈｒ）は、１４３．３〜３１８．４ｋＡ／ｍ（１，８００〜４，０００Ｏｅ）であることが好ましいが、より好ましくは１５９．２〜２７８．６ｋＡ／ｍ（２，０００〜３，５００Ｏｅ）である。抗磁力の分布は狭い方が好ましく、ＳＦＤおよびＳＦＤｒは好ましくは０．６以下、さらに好ましくは０．２以下である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
磁性層のＴＯＰＯ−３Ｄのｍｉｒａｕ法で測定した中心面表面粗さＲａは、好ましくは４．０ｎｍ以下であり、より好ましくは３．０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは２．０ｎｍ以下である。磁性層の最大高さＳＲmaxは、０．５μｍ以下、十点平均粗さＳＲｚは０．３μｍ以下、中心面山高さＳＲｐは０．３μｍ以下、中心面谷深さＳＲｖは０．３μｍ以下、中心面面積率ＳＳｒは２０〜８０％、平均波長Ｓλａは５〜３００μｍが好ましい。磁性層の表面突起は０．０１〜１μｍの大きさのものを１００μｍ2当たり０〜２，０００個の範囲で任意に設定することが可能であり、これにより電磁変換特性、摩擦係数を最適化することが好ましい。これらは支持体のフィラーによる表面性のコントロールや磁性層に添加する粉末の粒径と量、カレンダ処理のロール表面形状などで容易にコントロールすることができる。カールは±３ｍｍ以内とすることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
【表１】
2005310311.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
【表２】
2005310311.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月17日(2007.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウム塩とこれを溶解する非水溶媒とから主としてなる非水系電解液であって、不飽和結合を有する環状炭酸エステル化合物を０．０１〜８重量％および一般式（Ｉ）で表されるエーテル結合を有する炭酸エステル化合物を０．０１〜５重量％含有することを特徴とする非水系電解液。
【化１】
2005310477.tif 000001
（式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ、炭素及び水素よりなり更に酸素を含んでいても良いが、不飽和結合は含まない有機基を示し、少なくとも一方はエーテル結合を有する。また、Ｒ1とＲ2との炭素数の合計は３〜１８であり、かつＲ1とＲ2とに含まれる酸素の合計は１〜６である。）
【請求項２】
不飽和結合を有する環状炭酸エステル化合物が、ビニレンカーボネート化合物、ビニルエチレンカーボネート化合物およびメチレンエチレンカーボネート化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の非水系電解液。
【請求項３】
リチウムを吸蔵・放出することが可能な負極及び正極並びに請求項１に記載の非水系電解液とからなることを特徴とする非水系電解液二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
不飽和結合を有する環状炭酸エステル化合物としては、ビニレンカーボネート、メチルビニレンカーボネート、エチルビニレンカーボネート、４，５−ジメチルビニレンカーボネート、４，５−ジエチルビニレンカーボネート、フルオロビニレンカーボネート、トリフルオロメチルビニレンカーボネート等のビニレンカーボネート化合物；ビニルエチレンカーボネート、４−メチル−４−ビニルエチレンカーボネート、４−エチル−４−ビニルエチレンカーボネート、４−ｎ−プロピル−４−ビニルエチレンカーボネート、５−メチル−４−ビニルエチレンカーボネート、４，４−ジビニルエチレンカーボネート、４，５−ジビニルエチレンカーボネート等のビニルエチレンカーボネート化合物；４，４−ジメチル−５−メチレンエチレンカーボネート、４，４−ジエチル−５−メチレンエチレンカーボネート等のメチレンエチレンカーボネート化合物などが挙げられる。これらのうち、ビニレンカーボネート、ビニルエチレンカーボネート、４−メチル−４−ビニルエチレンカーボネートまたは４，５−ジビニルエチレンカーボネートが好ましい。なかでもビニレンカーボネートまたはビニルエチレンカーボネートが好ましく、特にビニレンカーボネートが好ましい。これらは単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月18日(2007.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
放電ランプ１１は、石英ガラスバルブと二つの電極とを有する。ＤＣ−ＡＣコンバータ１５０７から放電ランプ１１の電極に交流電流が印加されると、発光の主成分として石英ガラスバルブ内に封入された水銀や金属ハロゲン化物（メタルハライド）等のガスによって電極間にアーク放電を形成し発光する。より詳しくは、交流電流が印加された時、陰極から放出される電子が基底状態のガスの原子に衝突し、原子がエネルギーの高い励起状態に遷移し、励起状態から基底状態（または準安定状態）に戻る際、余剰エネルギーを光として放射することで発光する。また、交流駆動の放電ランプにおいては、陰極と陽極は交流周期で極性が互いに入れ替わるため、多くの場合、両電極は同一材料かつ同一形状をなし、電子の突入出による高温環境に耐えうるよう、融点の高い金属であるタングステンを主材料とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
ランプ温度検出部１５０４は、温度センサ等を用いて放電ランプ１１の石英ガラスバルブ表面の温度を検出し周波数制御部１５０５に出力する。
ランプ電圧検出部８は、ＤＣ−ＡＣコンバータ１５０７が放電ランプ１１に印加する駆動交流電圧の実効値（以下、「ランプ電圧」と呼ぶ。）を検出する。
周波数制御部１５０５は、ランプ温度検出部１５０４が検出した放電ランプ１１の表面温度の温度情報とランプ電圧検出部８が検出したランプ電圧とに従って、放電ランプ１１の駆動周波数を決定し、対応する周波数制御信号を周波数制御部１５０５に出力する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月5日(2007.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオまたはイメージのデータを復号化する方法であって、
１組の量子化済み変換係数を受け取るステップと、
前記量子化済み変換係数を非量子化変換係数に非量子化するステップであって、そこでは、前記１組の量子化済み変換係数は論理的に１つのブロック内に配置されており、各量子化済み変換係数について、
前記ブロック内の前記量子化済み変換係数の位置に基づいて１グループが複数の増倍率からなる複数のグループから１つのグループを選択するステップと、
量子化パラメータに依存して、当該選択されたグループ内で１つの増倍率を選択するステップと、
前記変換済み変換係数と選択された増倍率とを乗算するステップと
を含むステップと、
前記変換係数に逆変換処理を適用してそこから情報を再構築するステップであって、そこでは、前記逆変換処理は複数の値の１つおよび複数の非量子化変換係数の１つの間での各乗算演算がシフト演算によって実行できるような値を有する逆変換計算を適用し、前記逆変換処理は直交であるステップと
を実行することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記量子化済み係数および増倍率の値が１６ビット演算での非量子化を可能にすることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記逆変換処理を非量子化変換係数に適用する処理では、１６ビット演算が実行されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
再構築される前記情報は４×４ブロックについての予測誤差情報を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記逆変換計算における前記複数の値の１つおよび複数の非量子化変換係数の１つの間の各乗算演算は右シフト演算により実行されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記逆変換計算は前記再構築の情報の４×４ブロックについて１６右シフト演算、複数の加算演算および複数の減算演算で構成されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記逆変換計算は互いに直交である列を有する行列に基づくことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の方法を実行するための、コンピュータ実行可能命令を有することを特徴とするコンピュータ読取り可能媒体。
【請求項９】
ビデオまたはイメージのデータを提供するシステムにおいて、ブロック変換エンコーダと、ブロック変換デコーダと前記ブロック変換エンコーダから前記ブロック変換デコーダに量子化済み変換係数を提供するメカニズムとを有し、
前記ブロック変換エンコーダは、
１）情報に変換を適用してそこから変換係数を構築する処理であって、そこでは、前記変換処理は、複数の変換計算の値の１つおよび複数の変換係数の１つの間での各乗算演算がシフト演算によって実行できるような値を有する逆変換計算を適用し、前記逆変換処理は直交である処理と、
２）変換係数を１組の量子化済み整数変換係数に量子化する量子化処理と
を実行し、
前記ブロック変換デコーダは、
１）前記量子化済み整数変換係数を非量子化変換係数に非量子化する非量子化処理であって、そこでは、該量子化処理は、各量子化済み整数変換係数について増倍率の３つのグループの選択された１つから増倍率を選択することにより前記変換済み整数変換係数を増減し、当該選択されるグループは他の量子化済み整数変換係数と比較した量子化済み整数変換係数の相対位置に基づいて選択される非量子化処理と
２）再構築の情報を、前記非量子化変換係数から生成する逆変換処理であって、そこでは、前記逆変換処理は、複数の値の１つおよび複数の非量子化変換係数の１つの間での各乗算演算がシフト演算によって実行できるような値を有する逆変換計算を適用し、前記逆変換計算の値は、互いに直交である列を有する行列に基づく逆変換処理と
を実行することを特徴とするシステム。
【請求項１０】
１組の量子化済み変換係数を受け取る手段と、
前記量子化済み変換係数を非量子化変換係数に非量子化する手段であって、そこでは、前記１組の量子化済み変換係数は論理的に１つのブロック内に配置されており、前記非量子化する処理は、前記量子化済み変換係数と、１つのグループが複数の増倍率からなる複数のグループから選択された増倍率とを乗算する処理を含み、前記選択は前記ブロック内の量子化済み変換係数の相対位置に依存し、および量子化パラメータにも依存する手段と、
と
を含む手段と、
前記変換係数に逆変換処理を適用してそこから再構築の情報を生成する手段であって、そこでは、前記逆変換処理は複数の値の１つおよび複数の非量子化変換係数の１つの間での各乗算演算がシフト演算によって実行できるような値を有する逆変換計算を適用し、前記逆変換処理は直交である手段と
を有することを特徴とするビデオデコーダ。
【請求項１１】
再構築の前記情報は４×４ブロックについての予測誤差情報を有することを特徴とする請求項１０に記載のデコーダ。
【請求項１２】
前記逆変換計算における前記複数の値の１つおよび複数の非量子化変換係数の１つの間の各乗算演算は右シフト演算により実行されることを特徴とする請求項１０に記載のデコーダ。
【請求項１３】
前記逆変換計算は前記再構築の情報の４×４ブロックについて１６右シフト演算、複数の加算演算および複数の減算演算で構成されることを特徴とする請求項１２に記載のデコーダ。
【請求項１４】
前記逆変換計算は互いに直交である列を有する行列に基づくことを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれかに記載のデコーダ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月18日(2007.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ光を用いてレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルからの光を被露光体に導く、複数の反射光学素子で構成された投影光学系と、前記レチクルから前記被露光体に至る光路を囲むチャンバと、を有する露光装置であって、
冷凍機と、
前記冷凍機に接続され、かつ前記チャンバ内に配されたコールドトラップ部材と、
前記チャンバ内に配され、かつ前記コールドトラップが所定の部材を輻射冷却するのを抑える輻射シールド部材と、
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記所定の部材が前記反射光学素子である、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記所定の部材が前記チャンバである、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記所定の部材が前記被露光体、前記レチクル及びそれらのいずれかを搭載するステージの少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項５】
前記輻射シールド部材が、前記反射光学素子および前記コールドトラップ部材の少なくとも一方を囲むように設けられている、ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の露光装置。
【請求項６】
前記コールドトラップ部材が配置された空間にガスを供給するガス供給器を有する、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の露光装置。
【請求項７】
前記輻射シールド部材で囲まれた空間にガスを供給するガス供給器を有する、ことを特徴とする請求項５または６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記輻射シールド部材によって囲まれた空間からガスを排気するガス排出器を有する、ことを特徴とする請求項６乃至７のいずれかに記載の露光装置。
【請求項９】
前記ガス供給器により供給されるガスは不活性ガスである、ことを特徴とする請求項６または７に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記チャンバは、前記ＥＵＶ光の光路に沿って前記レチクル側から順に、レチクル側チャンバと、該レチクル側チャンバに開口部を介して接続された被露光体側チャンバとを有し、
前記コールドトラップ部材は、前記被露光体側チャンバ内に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記開口部に、開口を有するコールドトラップ部材が配置されている、ことを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記被露光体側チャンバ内の圧力をＰｏｗとし、前記被露光体を搭載するステージを囲む空間の圧力をＰｗとしたとき、
Ｐｏｗ＞Ｐｗ
の関係を満たしつつ、前記コールドトラップ部材を再生する、
ことを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記被露光体チャンバ内のガスを排気するガス排出器と、前記被露光体チャンバ内にガスを供給するガス供給器とを有し、
前記コールドトラップ部材の再生時には、前記ガス排出器と前記ガス供給器とを同時に稼動させる、
ことを特徴とする請求項１０または１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記輻射シールド部材および前記コールドトラップ部材の少なくとも一方の温度を制御する、
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１５】
前記反射光学素子の温度を測定する手段を有し、
前記温度測定手段により測定された温度に基づいて前記少なくとも一方の温度を制御する、
ことを特徴とする請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記輻射シールド部材を２つ有し、それぞれ異なる温度に制御する、ことを特徴とする請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれかに記載の露光装置を用いて被露光体を露光する工程と、
前記工程において露光された被露光体を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明は、以下のとおりである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明は、ＥＵＶ光を用いてレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルからの光を被露光体に導く、複数の反射光学素子で構成された投影光学系と、前記レチクルから前記被露光体に至る光路を囲むチャンバと、を有する露光装置であって、
冷凍機と、
前記冷凍機に接続され、かつ前記チャンバ内に配されたコールドトラップ部材と、
前記チャンバ内に配され、かつ前記コールドトラップが所定の部材を輻射冷却するのを抑える輻射シールド部材と、
を有することを特徴とする露光装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
また、本発明は、前述の露光装置を用いて被露光体を露光する工程と、
前記工程において露光された被露光体を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法である。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
ＥＵＶ光を用いる露光装置のスループットを向上させることができる。