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【手続補正書】
【提出日】平成20年7月30日(2008.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項1または2記載の1つまたは複数のペプチドを含む、腫瘍を処置または予防するための薬学的組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
活性成分として請求項1または2記載のペプチドを含む、腫瘍細胞の増殖を阻害するためのワクチン。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
請求項1もしくは2記載のペプチド、その免疫学的活性断片、または該ペプチドもしくは免疫学的活性断片をコードするポリヌクレオチドを含むワクチンを被検体に投与する段階を含む、被検体において腫瘍を処置または予防する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月25日(2008.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷を引き出すことが可能な電力消費装置と、供給する電力を変化させることができる電源装置との間の接続におけるエラーの発生を低減するための、前記電力消費装置内の論理機器であって、
電源接続から引き出されるべきパターン化された負荷に対する識別可能なパターンを発生するためのパターン発生コンポーネントと、
前記パターン化された負荷を前記電源接続から引き出すための、負荷引き出しコンポーネントと、
応答電源が、前記電源装置による前記パターン化された負荷に対する要求を満たすことを、信号接続を通して検査するための、前記電力消費装置における検査コンポーネントと
を含み、
前記検査コンポーネントによる前記検査のポジティブな結果は正しい構成を示す、論理機器。
【請求項２】
前記電力消費装置はデータ記憶装置であり、前記電源装置はインテリジェントＵＰＳ装置である、請求項１に記載の論理機器。
【請求項３】
前記パターン発生コンポーネントは、識別可能なビット・パターンを発生する、請求項１又は請求項２に記載の論理機器。
【請求項４】
前記検査コンポーネントは、中点交差検出法を用いて、前記応答電源内にエンコードされた識別可能なビット・パターンの検査を行う、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の論理機器。
【請求項５】
前記検査コンポーネントは、上昇曲線検出法を用いて、前記応答電源内にエンコードされた識別可能なビット・パターンの検査を行う、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の論理機器。
【請求項６】
負荷を引き出すことが可能な電力消費装置と、供給する電力を変化させることができる電源装置との間の接続におけるエラーの発生を低減するための、前記電力消費装置中の論理機器を操作する方法であって、
パターン発生コンポーネントによって、電源接続から引き出されるべきパターン化された負荷に対する識別可能なパターンを発生するステップと、
前記電力消費装置における検査コンポーネントによって、応答電源が前記電源装置による前記パターン化された負荷に対する要求を満たすことを、信号接続を通して検査するステップと
を含む方法。
【請求項７】
前記電力消費装置はデータ記憶装置であり、前記電源装置はインテリジェントＵＰＳ装置である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記検査コンポーネントは、中点交差検出法を用いて、前記応答電源内にエンコードされた識別可能なビット・パターンの検査を行う、請求項６又は請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記検査コンポーネントは、上昇曲線検出法を用いて、前記応答電源内にエンコードされた識別可能なビット・パターンの検査を行う、請求項６又は請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
コンピュータ・システム上にロードされ、その上で実行されるときに、前記コンピュータ・システムに、請求項６から請求項９までのいずれか一項に記載の方法の全てのステップを実行させるコンピュータ・プログラム・コードを含む、コンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月6日(2008.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メトミルおよびオキサミルを含んでなる混合物の殺虫的に有効な量を生長媒体に適用することを含んでなる、生長媒体中に定植された植物を葉面昆虫有害生物から保護する方法。
【請求項２】
メトミルがチオジカルブとして適用される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
メトミルおよびオキサミルの少なくとも８０％を植物葉面の代わりに生長媒体に適用する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
葉面昆虫有害生物が鱗翅目の１種である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
植物がキク科、アブラナ科、アカザ科、ウリ科およびナス科の少なくとも１つである請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月6日(2008.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
呼気の検体を検出する装置であって、
前記装置は、
流入通路を有し、被検者からの呼気を受容するようにされたハウジングと、
前記流入通路に保持される前記検体に反応する検体検知要素と、
被検者から前記呼気を引き出し、制御された割合で前記流入通路に通すポンプ手段と、を有する装置。
【請求項２】
前記ポンプ手段は、前記流入通路の前記検体検知センサーの下流である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記流入通路に入る呼気の圧力を検出するように配置された圧力センサーを更に有する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記流入通路は、第１通路と該第１通路から分岐する第２通路とを有し、前記検体検知要素は、前記第２通路にある、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記ポンプ手段は、前記第１通路の第１ポンプと前記第２通路の第２ポンプと、を有する、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記サイド通路（第２通路）にチェックバルブを更に有する、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
前記導管（流入通路）にオリフィスまたは可変フロー抵抗器を更に有する、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記検体検知要素は、ゾルゲル状のシトクロムＣである、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
被検者から呼気の検体の量を決定する方法であって、
前記方法は、前記流入装置と一体になるポンプを使用して、一定流量で前記被検者から呼気を引き出して、流入装置に流すことを含み、前記流入装置は、前記検体に反応する検知要素を有する、方法。
【請求項１０】
呼気圧を検知して、呼気を前記流入装置に引き入れることを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記流入装置は、第１通路と、第２通路に前記検知要素を有する前記第２通路を有し、前記方法は、呼気を分割し、前記呼気を前記流入装置に引き込み、前記第１通路を通る第１ストリームと、前記第２通路を通る第２ストリームと、に引き込むことを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記呼気は、５ｃｍ3/ｓ〜１１ｃｍ3/ｓの流量で前記第２ストリームを通して引き込まれる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記呼気は、４０ｃｍ3/ｓ〜４５ｃｍ3/ｓの流量で前記第１ストリームを通じて引き込まれる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記装置を通る呼気の流れが開始した後、５秒から９秒の間の間隔で、前記第２通路に流入が開始することを更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
１秒〜１０秒の間の継続時間、前記第２通路を通る前記流れを維持することを更に含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月2日(2008.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料噴射器のベース端から前記燃料噴射器の先端迄燃料を運ぶための燃料供給管と、前記噴射器の前記先端にあって、燃焼室内に前記燃料を噴射するノズルと、前記噴射器の前記先端における前記ノスルから前記噴射器の前記ベース端に熱を伝達して前記ノスルを冷却し、かつ前記噴射器の先端の端面から引っ込んでいる熱伝導手段と、前記燃料供給管、前記ノスル及び前記熱伝導手段のハウジングとを含む燃料噴射器であって、
前記熱伝導手段が、前記噴射器の前記先端と前記ベース端の間において、前記燃料供給管から熱的に絶縁され、前記ハウジングが、前記熱伝導手段と噴射器の先端の端面との間に延ひるように形成されかつシュラウド構成物によって熱伝導手段の端を保護することを特徴とする燃料噴射器。
【請求項２】
前記ハウジングが、前記燃料供給管の全長にわたって延びることを特徴とする請求項１記載の燃料噴射器。
【請求項３】
前記ハウジングが、前記燃料供給管の長さの中間部に沿って延ぴておらず、該中間部において、前記燃料供給管及び前記熱伝導手段が、前記燃料噴射器の外部に曝されることを特徴とする請求項１記載の燃料噴射器。
【請求項４】
前記熱伝導手段が、前記ノスルと物理的に接触し、かつ前記噴射器の前記先端とベース端の間において前記ハウジングから熱的に絶縁されたことを特徴とする請求項１又は２記載の燃料噴射器。
【請求項５】
前記断熱に、前記噴射器の前記先端と前記ベース端の間における前記熱伝導手段と前記燃料供給管及び前記ハウジングの両方との間の物理的間隔が含まれることを特徴とする請求項４記載の燃料噴射器。
【請求項６】
前記噴射器の前記先端部において、前記熱伝導手段と前記ハウジングが物理的に最小限の接触をしていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載の燃料噴射器。
【請求項７】
前記熱伝導手段が、前記噴射器のベース端において前記ハウジングと物理的に接触することを特徴とする請求項１から６のいずれか１つに記載の燃料噴射器。
【請求項８】
前記噴射器のベース端が冷却されることを特徴とする請求項１から７のいずれか１つに記載の燃料噴射器。
【請求項９】
前記冷却が、前記噴射器で用いる補助ガスを利用し、前記燃焼室への燃料噴射を補助することで実現されることを特徴とする請求項８記載の燃料噴射器。
【請求項１０】
前記熱伝導手段が、前記噴射器の先端とベース端の間に延び、前記燃料供給管を包囲して、それと同軸をなす、管の形態をとることを特徴とする請求項１から９のいずれか１つに記載の燃料噴射器。
【請求項１１】
前記熱伝導手段に、アルミニウム、銅、マグネシウム、タングステン及びグラファイトからなる群から選択した材料が含まれることを特徴とする請求項ｌから１０のいずれか１つに記載の燃料噴射器。
【請求項１２】
前記熱伝導手段が、前記ノズルからの熱流束の少なくとも６０％を除去することを特徴とする請求項１から１１のいずれか１つに記載の燃料噴射器。
【請求項１３】
前記熱伝導手段が、前記ノスルからの熱流束の少なくとも８０％を除去することを特徴とする請求項１から１２のいずれか１つに記載の燃料噴射器。
【請求項１４】
前記熱伝導手段が、前記ノズルからの熱流束の少なくとも９０％を除去することを特徴とする請求項１から１３のいずれか１つに記載の燃料噴射器。
【請求項１５】
ガスタービンエンジンに使用されることを特徴とする請求項１から１４のいずれか１つに記載の燃料噴射器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月30日(2008.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリアミド、ポリエステル及びポリカーボネートからなる群から選択された重縮合物を、オリゴマー又はポリマーのエポキシド化化合物、ビスフェノール−Ａ−エポキシド又はエポキシド基を含有する天然油又は脂肪酸エステルの存在下で配合する方法において、この配合を、２２０℃以下の温度で、かつ亜鉛化合物、チタン化合物及びハロゲン化Ｃ1〜Ｃ12−アルキルトリフェニルホスホニウムからなる群から選択された活性剤の存在下で実施することを特徴とする方法。
【請求項２】
重縮合物が、ポリラクチド、ポリカプロラクトン、ポリヒドロキシアルカノエート、並びに脂肪族及び／又は芳香族ジカルボン酸と脂肪族ジオールとからのポリエステルからなる群から選択された１種以上の生分解性ホモポリエステル又はコポリエステルである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
重縮合物が、ポリラクチド、ポリ−β−ヒドロキシブチレート、ポリ−β−ヒドロキシブチレートコアルカノエート及びポリエステルからなる群から選択された１種以上の生分解性ホモポリエステル又はコポリエステルであり、その際、このポリエステルが、以下の組成：
Ａ）
ａ１）少なくとも１種の脂肪族ジカルボン酸又は少なくとも１種の脂環式ジカルボン酸又はそのエステル形成性誘導体又はその混合物３０〜９９モル％
ａ２）少なくとも１種の芳香族ジカルボン酸又はそのエステル形成性誘導体又はその混合物１〜７０モル％及び
ａ３）スルホネート基含有化合物０〜５モル％
からなり、その際、成分ａ１）〜ａ３）のモル％は合計１００％である酸成分、及び
Ｂ）少なくとも１種のＣ2〜Ｃ12−アルカンジオール又はＣ5〜Ｃ10−シクロアルカンジオール又はその混合物からなるジオール成分
及び、所望の場合は更に
Ｃ）
ｃ１）式Ｉ
ＨＯ−［（ＣＨ2）n−Ｏ］m−Ｈ  （Ｉ）
［式中、ｎは、２、３又は４を表し、かつｍは、２〜２５０の整数を表す］の少なくとも１個のエーテル官能基を含有するジヒドロキシ化合物
ｃ２）式ＩＩａ又はＩＩｂ
【化１】
2008530328.tif 000001
［式中、ｐは、１〜１５００の整数を表し、かつｒは、１〜４の整数を表し、かつＧは、フェニレン、−（ＣＨ2）q−（但し、ｑは１〜５の整数を表す）、−Ｃ（Ｒ）Ｈ−及び−Ｃ（Ｒ）ＨＣＨ2（但し、Ｒはメチル又はエチルを表す）からなる群から選択された基を表す］の少なくとも１種のヒドロキシカルボン酸
ｃ３）少なくとも１種のアミノ−Ｃ2〜Ｃ12−アルカノール又は少なくとも１種のアミノＣ5〜Ｃ10−シクロアルカノール又はその混合物
ｃ４）少なくとも１種のジアミノ−Ｃ1〜Ｃ8−アルカン
ｃ５）一般式ＩＩＩ
【化２】
2008530328.tif 000002
［式中、Ｒ1は、単結合、（ＣＨ2）z−アルキレン基（但し、ｚ＝２、３又は４）又はフェニレン基を表す］の少なくとも１種の２，２’−ビスオキサゾリン
ｃ６）天然アミノ酸、４〜６個のＣ原子を有するジカルボン酸と４〜１０個のＣ原子を有するジアミンとの重縮合により得られるポリアミド、式ＩＶａ及びＩＶｂ
【化３】
2008530328.tif 000003
［式中、ｓは、１〜１５００の整数を表し、かつｔは、１〜４の整数を表し、Ｔは、フェニレン、−（ＣＨ2）u−（但し、ｕは１〜１２の整数を表す）、−Ｃ（Ｒ2）Ｈ−及び−Ｃ（Ｒ2）ＨＣＨ2（但し、Ｒ2はメチル又はエチルを表す）からなる群から選択された基を表す］の化合物、及び繰り返し単位Ｖ
【化４】
2008530328.tif 000004
［式中、Ｒ3は水素、Ｃ1〜Ｃ6−アルキル、Ｃ5〜Ｃ8−シクロアルキル、非置換の又はＣ1〜Ｃ4−アルキル基で三箇所まで置換されているフェニル又はテトラヒドロフリルを表す］を有するポリオキサゾリン
からなる群から選択された、少なくとも１種のアミノカルボン酸
又はｃ１）〜ｃ６）からの混合物
から選択された成分と、
Ｄ）
ｄ１）エステル形成可能である基を少なくとも３個有する、少なくとも１種の化合物
ｄ２）少なくとも１種のイソシアネート
ｄ３）少なくとも１種のジビニルエーテル
又はｄ１）〜ｄ３）からの混合物
から選択された成分とから選択された１種以上の成分を有する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
オリゴマー又はポリマーのエポキシド化化合物が、スチレンとグリシジル（メタ）アクリレートとからなるコポリマーである、請求項１から３までの何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
エポキシド基を含有する天然油が、エポキシド化されたオリーブ油、亜麻仁油、大豆油、パーム油、落花生油、ヤシ油、海藻油、肝油又はこれらの化合物の混合物である、請求項１から３までの何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
オリゴマー又はポリマーのエポキシド化化合物、エポキシド基を含有する天然油又は脂肪酸エステルを、重縮合物に対して０．１〜２質量％の濃度で使用する、請求項１から５までの何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
活性剤を、重縮合物に対して０．３〜５質量％の濃度で使用する、請求項１から６までの何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
活性剤としてｏ−チタン酸テトラ−Ｃ1〜Ｃ6−アルキルを使用する、請求項１から６までの何れか１項に記載の方法。
【請求項９】
活性剤としてステアリン酸亜鉛を使用する、請求項１から６までの何れか１項に記載の方法。
【請求項１０】
活性剤として臭化エチルトリフェニルホスホニウムを使用する、請求項１から６までの何れか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月27日(2008.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた界面層と、
前記界面層上に設けられた高誘電率（ｋ）の誘電体と、
前記高誘電率（ｋ）の誘電体上に設けられたＴｉＣゲート金属と
を含む、半導体構造。
【請求項２】
前記半導体基板が、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣ、Ｇａ、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、他のII／IV族またはIII／VI族の化合物半導体、有機半導体、または層状半導体の１つを含む、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項３】
前記半導体基板がＳｉ含有半導体材料である、請求項２に記載の半導体構造。
【請求項４】
前記界面層がＳｉ、Ｏ、および任意選択的にＮの原子を含む、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項５】
前記界面層がＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、およびそれらのシリケートを含む、請求項４に記載の半導体構造。
【請求項６】
前記界面層が４.０乃至２０の誘電率および０.１乃至５ｎｍの厚さを有する、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項７】
前記界面層が１乃至８０原子パーセントのＳｉ含有量を有する、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項８】
前記界面層が段階的に変動し得るＳｉ含有量を有する、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項９】
前記高誘電率（ｋ）の誘電体が、４.０よりも大きい誘電率および０.１乃至１０ｎｍの厚さを有する、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項１０】
前記高誘電率（ｋ）の誘電体が、酸化物、窒化物、酸窒化物、シリケート、またはそれの混合物を含む、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項１１】
前記高誘電率（ｋ）の誘電体がＨｆベースの材料である、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項１２】
前記界面層がＳｉＯ２またはＳｉＯＮを含み、および前記高誘電率（ｋ）の誘電体がＨｆＯ２、Ｈｆシリケート、またはＨｆ酸窒化物を含む、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項１３】
前記ＴｉＣが４.７５および５.３ｅＶの間の仕事関数を有する、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項１４】
前記ＴｉＣ層の上にＳｉ含有導電材料を更に含む、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項１５】
前記界面層、前記高誘電率（ｋ）の誘電体、および前記ＴｉＣゲート金属がゲート領域にパターン化される、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項１６】
ＴｉＣ金属化合物を製造する方法であって、
Ｔｉターゲットと、Ｈｅ希釈された炭素（Ｃ）源およびＡｒを含む雰囲気とを準備するステップと、
前記雰囲気において前記ＴｉＣターゲットからＴｉＣ膜をスパッタするステップと
を含む、方法。
【請求項１７】
前記炭素源がアルカン、アルケン、またはアルキンである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記炭素源がアルキンおよびＣ２Ｈ２である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記Ｈｅが、前記炭素源を希釈するために７０乃至９９％の量で使用される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記Ａｒが１乃至１００ｓｃｃｍの流量で提供され、前記Ｈｅ希釈された炭素源が１乃至１００ｓｃｃｍの流量で提供される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
高誘電率（ｋ）の誘電体および界面層を含む積層体を基板の表面上に設けるステップと、
ＴｉＣターゲットとＨｅによって希釈された炭素（Ｃ）源およびＡｒを含む雰囲気とを準備することにより前記積層体上にＴｉＣ膜を形成するステップと、
前記雰囲気において前記ＴｉターゲットからＴｉＣ膜をスパッタするステップと
を含む、半導体構造を形成する方法。
【請求項２２】
前記ＴｉＣ膜の上にＳｉ含有導電材料を形成するステップを更に含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記ＴｉＣ膜と、前記高誘電率（ｋ）の誘電体および前記界面層を含む前記積層体とを、パターン化されたゲート領域にパターン化するステップを更に含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記Ｓｉ含有導電材料と、前記ＴｉＣ膜と、前記高誘電率（ｋ）の誘電体および前記界面層を含む前記積層体とを、パターン化されたゲート領域にパターン化するステップを更に含む、請求項２２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月29日(2008.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造体であって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に配置された界面層と、
前記界面層上に配置された高ｋ誘電体と、
前記高ｋ誘電体上に配置されたＨｆＳｉＮゲート金属と
を備える、半導体構造体。
【請求項２】
前記半導体基板が、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣ、Ｇａ、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、他のＩＩ／ＩＶ族又はＩＩＩ／ＶＩ族化合物半導体、有機半導体、或いは層状半導体の１つを含む、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項３】
前記界面層は、Ｓｉ原子及びＯ原子、随意的にＮ原子を含む、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項４】
前記界面層は、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、又はこれらのシリケートを含む、請求項３に記載の半導体構造体。
【請求項５】
前記界面層は、約４．０から約２０までの誘電率と、約０．１ｎｍから約５ｎｍまでの厚さとを有する、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項６】
前記界面層は、約１原子百分率から約８０原子百分率までのＳｉ含有量を有する、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項７】
前記界面層は、勾配付けされているＳｉ含有量を有する、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項８】
前記高ｋ誘電体は、４．０より大きい誘電率と、約０．５ｎｍから約１０ｎｍまでの厚さとを有する、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項９】
前記高ｋ誘電体は、酸化物、窒化物、酸窒化物、シリケート、又はこれらの混合物を含む、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項１０】
前記高ｋ誘電体は、Ｈｆベースの材料である、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項１１】
前記界面層はＳｉＯ２又はＳｉＯＮを含み、前記高ｋ誘電体は、ＨｆＯ２、Ｈｆシリケート、又はＨｆ酸窒化物を含む、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項１２】
前記ＨｆＳｉＮは、４．０ｅＶから４．５ｅＶまでの間の仕事関数を有する、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項１３】
前記ＨｆＳｉＮ層の上にＳｉ含有導電性材料をさらに含む、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項１４】
前記界面層、前記高ｋ誘電体及び前記ＨｆＳｉＮゲート金属が、ゲート領域内にパターン形成される、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項１５】
ＨｆＳｉＮ金属化合物を製造する方法であって、
Ｈｆターゲットと、Ａｒ／Ｎ２／Ｈｅで希釈されたＳｉ源を含む雰囲気とを準備するステップと、
前記雰囲気中で前記ＨｆターゲットからＨｆＳｉＮ膜をスパッタリングするステップと
を含む、方法。
【請求項１６】
ｎが０、１、２、３、又は４であり、Ｒが１から約１８までの炭素分子を含む脂肪部分である場合に、前記Ｓｉ源は、式ＳｉＨ４−ｎＲｎを有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
ｎが０であり、前記Ｓｉ源がＳｉＨ４である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記Ｓｉ源は、約７０％から約９９％までのＨｅで希釈される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記Ａｒ／Ｎ２／Ｓｉ源は、それぞれ、約１−１００／１−１００／１−１００ｓｃｃｍの流量比を有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
半導体構造体を形成する方法であって、
基板の表面上に、高ｋ誘電体及び界面層を含むスタックを準備するステップと、
前記スタック上にＨｆＳｉＮ膜を形成するステップと
を含み、前記ＨｆＳｉＮ膜は、Ｈｆターゲットと、Ａｒ／Ｎ２／Ｈｅで希釈されたＳｉ源を含む雰囲気とを準備し、前記雰囲気中で前記ＨｆターゲットからＨｆＳｉＮ膜をスパッタリングすることによって形成される、方法。
【請求項２１】
ｎが０、１、２、３、又は４であり、Ｒが１から約１８までの炭素分子を含む脂肪部分である場合に、前記Ｓｉ源は、式ＳｉＨ４−ｎＲｎを有する、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
ｎが０であり、前記Ｓｉ源がＳｉＨ４である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記Ｓｉ源は、約７０％から約９９％までのＨｅで希釈される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
前記Ａｒ／Ｎ２／Ｓｉ源は、それぞれ、約１−１００／１−１００／１−１００ｓｃｃｍの流量比を有する、請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】
前記ＨｆＳｉＮ層の上にＳｉ含有導電性材料を形成するステップをさらに含む、請求項２０に記載の半導体構造体。
【請求項２６】
パターン形成されたゲート領域内に、前記ＨｆＳｉＮ膜と、前記高ｋ誘電体及び前記界面層を含む前記スタックとをパターン形成するステップをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２７】
パターン形成されたゲート領域内に、前記Ｓｉ含有導電性材料と、前記ＨｆＳｉＮ膜と、前記高ｋ誘電体及び前記界面層を含む前記スタックとをパターン形成するステップをさらに含む、請求項２５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月26日(2008.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造であって：
III-V族基板構造体；
前記構造の第一の領域に配置されたエンハンスメント型トランジスタデバイス；
前記構造の横に転置された第二の領域に配置されたデプリーション型トランジスタデバイス；および
前記構造の横に転置された第三の領域に形成されたRF/マイクロ波/ミリ波トランジスタデバイス；
を有する半導体構造。
【請求項２】
前記デプリーション型トランジスタデバイスと前記エンハンスメント型トランジスタデバイスについて共通のチャネル層を含む、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項３】
III-V族基板構造体；
前記基板構造体の上に配置されたInGaAs層；
前記InGaAs層の上に配置されたAlGaAs層；
前記AlGaAs層の上に配置されたInGaP層；
前記InGaP層の上に配置されたAlGaAsショットキー層；および
前記AlGaAsショットキー層とショットキー接触をしているゲート電極；
を含む半導体構造であって、
前記エンハンスメント型トランジスタデバイスは前記InGaP層とショットキー接触をしているゲート電極を有し；
前記デプリーション型トランジスタデバイスは前記AlGaAsショットキー層とショットキー接触をしているゲート電極を有し；
前記RF/マイクロ波/ミリ波トランジスタデバイスは前記AlGaAsショットキー層とショットキー接触をしているゲート電極を有する；
半導体構造。
【請求項４】
半導体構造であって：
前記構造の第一の領域に配置されたエンハンスメント型トランジスタデバイスと、前記構造の横に転置された第二の領域に配置されたデプリーション型トランジスタデバイス、および、前記構造の横に転置された第三の領域に形成されたRF/マイクロ波/ミリ波トランジスタデバイスを有するIII-V族基板構造体を有し；
前記デプリーション型トランジスタデバイスと前記エンハンスメント型トランジスタデバイスのためのチャネル層が前記基板構造体の中に設けられ、；
前記基板構造体は：
前記チャネル層の上に配置されたエンハンスメント型トランジスタデバイスのInGaPエッチストップ/ショットキー接触層；
前記InGaP層の上に配置された第一の層；
前記第一の層の上に配置されたデプリーション型トランジスタデバイスのエッチストップ層；および
前記デプリーション型トランジスタデバイスのエッチストップ層の上に配置された第二の層；を含み、
そして、：
前記デプリーション型トランジスタデバイスは、前記第二の層と前記デプリーション型トランジスタデバイスのエッチストップ層とを貫通するゲートリセスを有し；
前記エンハンスメント型トランジスタデバイスは、前記第二の層と前記デプリーション型トランジスタデバイスのエッチストップ層と前記第一の層とを貫通していて前記InGaP層で終端しているゲートリセスを有する；
半導体構造。
【請求項５】
前記第一の層の材料はInGaPとは異なる、請求項４に記載の半導体構造。
【請求項６】
前記RF/マイクロ波/ミリ波トランジスタは前記第二の層と前記デプリーション型トランジスタデバイスのエッチストップ層とを貫通していて前記第一の層の上で終端しているゲートリセスを有する、請求項５に記載の半導体構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
概要
本発明によれば、半導体構造が提供され、この構造は、III-V族基板構造体；前記構造の第一の領域に配置されたエンハンスメント型トランジスタデバイス；前記構造の横に転置された第二の領域に配置されたデプリーション型トランジスタデバイス；および、前記構造の横に転置された第三の領域に形成されたRF/マイクロ波/ミリ波トランジスタデバイスを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
一つの態様において、半導体構造はデプリーション型トランジスタデバイスとエンハンスメント型トランジスタデバイスについて共通のチャネル層を含む。
一つの態様において、半導体構造は、III-V族基板構造体；基板構造体の上に配置されたInGaAs層；InGaAs層の上に配置されたAlGaAs層；AlGaAs層の上に配置されたInGaP層；InGaP層の上に配置されたAlGaAsショットキー層；およびAlGaAsショットキー層とショットキー接触をしているゲート電極を含む。エンハンスメント型トランジスタデバイスはInGaP層とショットキー接触をしているゲート電極を有する。デプリーション型トランジスタデバイスはAlGaAsショットキー層とショットキー接触をしているゲート電極を有する。RF/マイクロ波/ミリ波トランジスタデバイスはAlGaAsショットキー層とショットキー接触をしているゲート電極を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
一つの態様において、半導体構造が提供され、この構造は、該構造の第一の領域に配置されたエンハンスメント型トランジスタデバイスと、該構造の横に転置された第二の領域に配置されたデプリーション型トランジスタデバイス、および、該構造の横に転置された第三の領域に形成されたRF/マイクロ波/ミリ波トランジスタデバイスを有するIII-V族基板構造体を有する。この構造は、デプリーション型トランジスタデバイスとエンハンスメント型トランジスタデバイスのためのチャネル層を有する。この構造は、チャネル層の上に配置されたエンハンスメント型トランジスタデバイスのInGaPエッチストップ/ショットキー接触層；InGaP層の上に配置された第一の層；第一の層の上に配置されたデプリーション型トランジスタデバイスのエッチストップ層；およびデプリーション型トランジスタデバイスのエッチストップ層の上に配置された第二の層を含む。デプリーション型トランジスタデバイスは、第二の層とデプリーション型トランジスタデバイスのエッチストップ層とを貫通するゲートリセスを有する。エンハンスメント型トランジスタデバイスは、第二の層とデプリーション型トランジスタデバイスのエッチストップ層と第一の層とを貫通していてInGaP層で終端しているゲートリセスを有する。第一の層の材料はInGaPとは異なる。RF/マイクロ波/ミリ波トランジスタは第二の層とデプリーション型トランジスタデバイスのエッチストップ層とを貫通していて第一の層の上で終端しているゲートリセスを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月16日(2008.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のオーディオチャネルを合成するための方法であって、
ソース信号の和を表す１以上の和信号をオーディオストリームから回収するステップと、
１つまたは複数のソース信号についての統計情報をオーディオストリームから回収するステップと、
出力オーディオ方式を記述するパラメータおよびミキシングパラメータをオーディオストリームから受け取るかまたはローカルに決定するステップと、
少なくとも１つの和信号および前記受け取った統計情報から擬似ソース信号を計算するステップと、
受信したまたはローカルに決定されたオーディオ方式パラメータおよび受信したまたはローカルに決定されたミキシングパラメータが付与されるミキサを用いて、擬似ソース信号から複数のオーディオチャネルを合成するステップとを含む、方法。
【請求項２】
複数のオーディオチャネルを合成するための方法であって、
ソース信号の和を表す１以上の和信号をオーディオストリームから回収するステップと、
１つまたは複数のソース信号についての統計情報をオーディオストリームから回収するステップと、
出力オーディオ方式を記述するパラメータおよびソースミキシングパラメータを、オーディオストリームから受け取るかまたはローカルに決定するステップと、
受け取った統計情報、出力オーディオ方式を記述するパラメータおよび前記ソースミキシングパラメータから出力ミキサパラメータを計算するステップと、
計算した出力ミキサパラメータに基づいて少なくとも１つの和信号から複数のオーディオチャネルを合成するステップとを含む、方法。
【請求項３】
前記統計情報が、前記ソース信号のスペクトル放絡または格子フィルタパラメータまたはラインスペクトルパラメータからなる１つまたは複数のオーディオソース信号のスペクトル放絡を表し、または前記統計情報が、前記複数のソース信号の周波数および時間の関数としての相対出力を表す、請求項１乃至２に記載の方法。
【請求項４】
前記出力ミキサパラメータを計算するステップは、
前記複数のオーディオチャネルのキューを計算するステップと、
前記計算された複数のオーディオチャネルのキューを用いて前記出力ミキサパラメータを計算するステップとからなる、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記擬似ソース信号が、フィルタバンクの１つのサブバンド領域で計算される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記オーディオチャネルが、フィルタバンクの１つのサブバンド領域で合成される、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記サブバンド領域の数と帯域幅が、人の聴覚システムの空間および時間分解能によって決定される、請求項５乃至６に記載の方法。
【請求項８】
サブバンドの数が、３から４０の範囲に含まれる、請求項５乃至６に記載の方法。
【請求項９】
前記サブバンド領域におけるサブバンドが、異なる帯域幅を有し、周波数が低いサブバンドのほうが周波数が高いサブバンドより帯域幅が小さい、請求項５乃至６に記載の方法。
【請求項１０】
短時間フーリエ変換（ＳＴＦＴ）に基づくフィルタバンクを使用し、かつスペクトル係数の各グループがサブバンドを構成するように、スペクトル係数が結合され、スペクトル係数のグループが形成される、請求項５乃至６に記載の方法。
【請求項１１】
前記統計情報が、自動相関関数も含む、請求項１乃至２に記載の方法。
【請求項１２】
スペクトル放絡が、線形予測符号化（ＬＰＣ）パラメータとして表される、請求項３に記載の方法。
【請求項１３】
前記和信号が、複数のサブバンドに分割され、前記統計情報が各擬似ソース信号ごとに各サブバンドの出力を決定するために使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記和信号の線形予測誤差が計算され、その後、全極フィルタ処理が行われて、各擬似ソース信号ごとに前記統計情報により決定されたスペクトル放絡を重ねる、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
オールパスフィルタ処理のような非相関技術を用いて、出力擬似ソース信号を独立させる、請求項１３乃至１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記計算されたキューが、異なる周波数および瞬間の関数としてのレベル差、時間差またはコヒーレンスである、請求項４に記載の方法。
【請求項１７】
ミキサが、ソースレベルの対ミキシングパラメータ依存性を補償する振幅パニングアルゴリズム、または波面合成ミキサ、またはバイノーラルミキサ、または３Ｄオーディオミキサである、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
複数のオーディオチャネルを合成するための装置であって、
ソース信号の和を表す１以上の和信号をオーディオストリームから回収し、
１つまたは複数のソース信号についての統計情報をオーディオストリームから回収し、
出力オーディオ方式を記述するパラメータおよびミキシングパラメータをオーディオストリームから受け取るかまたはローカルに決定し、
少なくとも１つの和信号および前記受け取った統計情報から擬似ソース信号を計算し、
受信したまたはローカルに決定されたオーディオ方式パラメータおよび受信したまたはローカルに決定されたミキシングパラメータが付与されるミキサを用いて、擬似ソース信号から複数のオーディオチャネルを合成する、装置。
【請求項１９】
複数のオーディオチャネルを合成するための装置であって、
ソース信号の和を表す１以上の和信号をオーディオストリームから回収し、
１つまたは複数のソース信号についての統計情報をオーディオストリームから回収し、
出力オーディオ方式を記述するパラメータおよびソースミキシングパラメータを、オーディオストリームから受け取るかまたはローカルに決定し、
受け取った統計情報、出力オーディオ方式を記述するパラメータおよび前記ソースミキシングパラメータから出力ミキサパラメータを計算し、
計算した出力ミキサパラメータに基づいて少なくとも１つの和信号から複数のオーディオチャネルを合成する、装置。
【請求項２０】
複数のソース信号を符号化する方法であって、
１つまたは多数のソース信号を表す統計情報を複数のソース信号のために計算するステップと、
前記計算された統計情報を複数のソース信号から引き出されたオーディオ信号のためのメタデータとして送信するステップとを含む、方法。
【請求項２１】
前記統計情報が、複数のソース信号のサブバンド出力、または正規化されたサブバンド相互相関関数、または正規化されたサブバンド自動相関関数について情報からなる、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
複数のソース信号を符号化するための装置であって、
１つまたは多数のソース信号のスペクトル放絡を表す統計情報を複数のソース信号のために計算し、
前記計算された統計情報を複数のソース信号から引き出されたオーディオ信号のためのメタデータとして送信する、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月19日(2008.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図５は、コンプレッサ流２６から抽気空気流２６ａが抽出された、図３の代替実施例を示す。抽気空気流２６ａは、次にコンプレッサ５８によってさらに圧縮され、触媒部分酸化反応器１２に直接導入される。この実施例は、コンプレッサ５８によって提供される別個の圧縮の圧縮負荷を低下させるのに役立つ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
【図１】本発明による方法を実行する装置の略図である。
【図２】本発明による方法を実行する装置の代替実施例である。
【図３】本発明による方法を実行する装置のさらなる実施例の略図である。
【図４】本発明による方法を実行する装置のさらなる実施例の略図である。
【図５】本発明による方法を実行する装置のさらなる実施例の略図である。
【図６】希薄予混合燃焼器の使用と組み合わせた、本発明による方法を実行する装置の実施例の略図である。
【図７】図６に概略的に示したタイプの希薄予混合燃焼器の略図である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月14日(2008.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
一実施例において、前記触覚装置は、各第１アームの穴の角度を測定するセンサを具え、前記可動部材の位置がこの測定結果に基づき算出されてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
図６は、第１の端部位置にある第１アーム８を示し、図７は第２の端部位置にある第１アームを示す。これらの端部間の移動は、第１アーム８の回転により達成される。これらの図から分かるように、第１アーム８の移動は、湾曲部分５２の部分がハウジング３５の領域をこの位置では線形移動と考えられるように通るように移動する。このため、ハウジング３５の開口３６は湾曲部分５２の（最大）断面に適合する大きさを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
図１２は、第１と第２のアーム８、１０および／または第２アーム１０と可動部材４との弾性結合の実施例を示す図である。ここで、第２アーム１０は３本のリンクバー１２を具え、その端部が図１２に示されている。リンクバー１２の端部は、第１アーム８または可動部材４に３つの弾性ヒンジまたは弾性ヒンジ関節８６で連結されている。これらの弾性ヒンジ８６は、個別の部材として構成してもよいし、リンクバー１２とともに１ピースで構成してもよい。また、第２アーム１０と第１アーム８および／または可動部材４を１ピースで構成してもよい。１ピースで構成する実施例の場合、弾性ヒンジ８６は材料のテーパリングで形成してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月13日(2008.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン結合部位に対して10Å以下の距離に存在する位置、好ましくは6Å以下の距離に存在する位置にアミノ酸残基において少なくとも1つの修飾を含んでなるRP-IIプロテアーゼ変異型。
【請求項２】
修飾が下記の位置: 1、2、3、4、5、6、7、8、143、144、145、146、158、159、160、161、162、194、199、200および201、好ましくは2、3、4、5、6、7、144、159、160および161の少なくとも1つにおいてなされており、そしてことにBLC (配列番号2) における修飾D7EおよびD7Qであり、ここで位置はBLCまたは対応する位置である、請求項１に記載の変異型。
【請求項３】
修飾が正に帯電したアミノ酸残基の中性または負に帯電した残基による置換、または中性残基の負に帯電した残基による置換、または正に帯電した残基または中性の残基の欠失を含んでなる、請求項１または２に記載の変異型。
【請求項４】
BLCの位置144および161に対応する少なくとも1つの位置における修飾、ことにBLC (配列番号2) 中の修飾H114Rおよび/またはD161R,K + H144Q,Nにより、イオン結合部位が除去されている、請求項１に記載の変異型。
【請求項５】
BLCの位置26〜31 (26、27、28、29、30および31); 89〜91 (89、90および91); 216〜221 (216、217、218、219、220および221) に対応する少なくとも1つの位置における高度に移動性の領域中のアミノ酸残基に少なくとも1つの修飾を含んでなるRP-IIプロテアーゼ変異型。
【請求項６】
親がBLCであり、そして修飾がG30Aおよび/またはG91Aを含んでなる、請求項５に記載の変異型。
【請求項７】
BLCの位置51〜56 (51、52、53、54、55、56) 、88〜94 (88、89、90、91、92、93、94) 、118〜122 (118、119、120、121、122) および173〜183 (173、174、175、176、177、178、179、180、181、182、183) 、好ましくは51〜56および118〜122に対応する少なくとも1つの位置において高度に移動性の領域中に作られた少なくとも1つの修飾を含んでなるRP-IIプロテアーゼ変異型。
【請求項８】
BLC中の位置128および145または対応する位置におけるアミノ酸残基のCysへの修飾、好ましくはBLCまたは対応する位置における置換S145CおよびT128Cにより提供された少なくとも1つのジサルファイド架橋を含んでなるRP-IIプロテアーゼ変異型。
【請求項９】
BLCの位置7、17、95、109、143、174、209、216に対応する少なくとも1つの位置に修飾、ことにBLC (配列番号1) 中の修飾:
D7N、S、T
Y17R、K、H
Y95R、K、H、
T109R、K、H
Q143R、K、H
Q174R、K、H
E209Q、N
N216R、K、H
を含んでなる親RP-IIプロテアーゼに比較して修飾された表面電荷分布を有するRP-IIプロテアーゼ変異型。
【請求項１０】
BLC中の位置18、115、185、269および293に対応する少なくとも1つの位置にProへの置換、ことにBLC (配列番号1) 中の1または2以上の置換: T60P、S221P、G193P、V194Pを含んでなる親RP-IIプロテアーゼに比較して改良された安定性を示すRP-IIプロテアーゼ変異型。
【請求項１１】
活性部位の残基から10Åより短い距離にあるBLC中の位置1、8、22〜35 (22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35) 、42〜58 (42、43、44、45、46、47、48、49、50、51、52、53、54、55、56、57、58) 、82〜100 (82、83、84、85、86、87、88、89、90、91、92、93、94、95、96、97、98、99、100) 、129〜135 (129、130、131、132、133、134、135) 、141〜142、153〜156 (153、154、155、156) 、158、161〜171 (161、162、163、164、165、166、167、168、169、170、171) 、188〜193 (188、189、190、191、192、193) 、195、201〜207 (201、202、203、204、205、206、207) 、210、213〜214、217に対応する位置のアミノ酸残基中に修飾を含んでなるRP-IIプロテアーゼ変異型。
【請求項１２】
下記の修飾の少なくとも1つの修飾をさらに含んでなる、請求項２〜11のいずれかに記載のRP-IIプロテアーゼ変異型: (i) 欠失または置換、好ましくはAsp、Gln、Ser、Pro、ThrまたはTyrとの置換により修飾されているAsn-Gly配列の一部分を形成する位置におけるアミノ酸残基; (ii) Phe、Thr、GlnまたはGlyとの置換により修飾されているTrpにより占有された位置におけるアミノ酸残基; (iii) Alaとの置換により修飾されているGluまたはAspにより占有された位置におけるアミノ酸残基; (iv) Proとの置換により修飾されているGluまたはAsp残基により占有された位置後の第1または第2 位置である位置におけるアミノ酸残基; または (v) 欠失または置換、好ましくはSerまたはAlaとの置換により修飾されているMetにより占有された位置におけるアミノ酸残基。
【請求項１３】
少なくとも1つから50までの位置、または1〜45位置、または1〜40位置、または1〜35位置、または1〜30位置、または1〜25位置、または1〜20位置、または1〜15位置、または1〜14位置、または1〜13位置、または1〜12位置、または1〜11位置、または1〜10位置、または1〜9位置、または1〜8位置、または1〜7位置、または1〜6位置、または1〜5位置、または1〜4位置、または1〜3位置、または1〜2位置の範囲の多数の位置において修飾され、このような修飾が示した数の位置に置換、欠失、挿入およびそれらの組合わせを含んでなる、請求項1〜12のいずれかに記載のRP-IIプロテアーゼ変異型。
【請求項１４】
請求項1〜13のいずれかにおいて規定されまたは製造されたRP-IIプロテアーゼ変異型をコードする核酸配列を含んでなる単離されたポリヌクレオチド。
【請求項１５】
請求項1〜14のいずれかにおいて規定されまたは製造されるRP-IIプロテアーゼ変異型を含んでなる洗剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月7日(2007.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
糖蜜、麦芽エキス及び蔗糖からなる群から選択される少なくとも１つの炭素源、イースト抽出物及びコーン・スティープ・リカーから選択される少なくとも１つの有機窒素源、さらに無機窒素源を含む糸状菌用培地。
【請求項２】
前記の少なくとも１つの炭素源は、培地の乾燥重量の７０〜８５重量％を構成し、前記の少なくとも１つの有機窒素源は、培地の乾燥重量の１５〜３０重量％を構成する請求項１の培地。
【請求項３】
前記無機窒素源は、培地の乾燥重量の１０重量％未満で含まれる請求項１又は２の培地。
【請求項４】
前記無機窒素源は、硝酸アンモニウム又は塩からなる請求項３の培地。
【請求項５】
７５〜８５％（培地の乾燥重量に対する重量割合）の麦芽エキス及び１５〜２５％（培地の乾燥重量に対する重量割合）のイースト抽出物からなる糸状菌用培地。
【請求項６】
６０〜６５％（培地の乾燥重量に対する重量割合）の糖蜜、１０〜１５％（培地の乾燥重量に対する重量割合）の蔗糖、１０〜１５％（培地の乾燥重量に対する重量割合）のコーン・スティープ・リカー及び１０〜１５％のイースト抽出物からなる糸状菌用培地。
【請求項７】
さらに、５〜８％（培地の乾燥重量に対する重量割合）の無機窒素源を含む請求項５又は６の培地。
【請求項８】
前記無機窒素源がリン酸水素二アンモニウムからなる請求項７の培地。
【請求項９】
２５〜３０％（培地の乾燥重量に対する重量割合）の麦芽エキス、４０〜４５％（培地の乾燥重量に対する重量割合）の糖蜜及び２５〜３０％（培地の乾燥重量に対する重量割合）のコーン・スティープ・リカーを含む糸状菌用培地。
【請求項１０】
請求項１又は２の培地に糸状菌の分生子を接種し、２３〜３０℃の温度で、５〜１０日間前記培地を保持して、前記菌の生殖及び成長を測定することを含む糸状菌の生成方法であって、
前記培地の無機窒素源を少量ずつ徐々に添加する糸状菌の生成方法。
【請求項１１】
前記無機窒素源は、硝酸アンモニウム及び塩からなり、該無機窒素源を、培地の乾燥重量の１０％未満で添加する請求項１０の方法。
【請求項１２】
請求項５、６又は９の培地に糸状菌の分生子を接種し、２３〜３０℃の温度で、５〜１０日間前記培地を保持して、前記菌の生殖及び成長を測定することを含む糸状菌の生成方法。