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【手続補正書】
【提出日】平成19年8月31日(2007.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に形成された高分子化合物薄膜上の任意の位置に配置されたシリカメソ構造体薄膜であって、該薄膜中の管状の細孔の配向方向が一軸方向に揃っていると共に該薄膜が所望の形状にパターニングされており、且つパターニングされた該薄膜の複数の領域の少なくとも一つ以上の領域の細孔の配向方向が異なっていることを特徴とする一軸配向性の細孔構造を有するパターニングされたシリカメソ構造体薄膜。
【請求項２】  基板上に形成された高分子化合物が、繰り返し構造単位中に２つ以上の連続したメチレン基を含むことを特徴とする請求項１に記載の一軸配向性の細孔構造を有するパターニングされたシリカメソ構造体薄膜。
【請求項３】  請求項１または２に記載のシリカメソ構造体薄膜から、細孔中の界面活性剤を除去したことを特徴とする一軸配向性の細孔構造を有するパターニングされたメソポーラスシリカ薄膜。
【請求項４】  前記界面活性剤を除去する方法が焼成である請求項３に記載の一軸配向性の細孔構造を有するパターニングされたメソポーラスシリカ薄膜。
【請求項５】  前記界面活性剤を除去する方法が有機溶剤による抽出である請求項３に記載の一軸配向性の細孔構造を有するパターニングされたメソポーラスシリカ薄膜。
【請求項６】  基板表面に高分子化合物薄膜を形成する工程と、マスクラビング法を用いて該高分子化合物薄膜の任意の複数領域に任意の方向の配向規制力を持たせる工程と、ラビング処理を施した前記基板をケイ素アルコキシドを含む酸性の界面活性剤水溶液中に保持し、該基板上に細孔方向の制御されたシリカメソ構造体の薄膜を作成する工程と、該シリカメソ構造体薄膜を微細加工技術により基板上の任意の位置に任意の形状に成形する工程を含むことを特徴とする一軸配向性の細孔構造を有するパターニングされたシリカメソ構造体薄膜の製造方法。
【請求項７】  前記微細加工技術がリソグラフィ技術を利用したものである請求項６に記載の一軸配向性の細孔構造を有するパターニグされたシリカメソ構造体薄膜の製造方法。
【請求項８】  前記微細加工技術が集束イオンビーム加工技術を利用したものである請求項６に記載の一軸配向性の細孔構造を有するパターニングされたシリカメソ構造体薄膜の製造方法。
【請求項９】  基板上に形成された高分子化合物が、繰り返し構造単位中に２つ以上の連続したメチレン基を含むことを特徴とする請求項６に記載の一軸配向性の細孔構造を有するパターニングされたシリカメソ構造体薄膜の製造方法。
【請求項１０】  基板表面に高分子化合物薄膜を形成する工程と、マスクラビング法を用いて該高分子化合物薄膜の任意の複数領域に任意の方向の配向規制力を持たせる工程と、ラビング処理を施した前記基板をケイ素アルコキシドを含む酸性の界面活性剤水溶液中に保持し、該基板上に細孔方向の制御されたシリカメソ構造体の薄膜を作成する工程と、該シリカメソ構造体薄膜を微細加工技術により基板上の任意の位置に任意の形状に成形する工程と、基板上に形成されたシリカメソ構造体薄膜中から界面活性剤を除去する工程を含むことを特徴とする一軸配向性の細孔構造を有するパターニングされたメソポーラスシリカ薄膜の製造方法。
【請求項１１】  前記微細加工技術がリソグラフィ技術を利用したものである請求項１０に記載の一軸配向性の細孔構造を有するパターニングされたメソポーラスシリカ薄膜の製造方法。
【請求項１２】  前記微細加工技術が集束イオンビーム加工技術を利用したものである請求項１０に記載の一軸配向性の細孔構造を有するパターニングされたメソポーラスシリカ薄膜の製造方法。
【請求項１３】  前記界面活性剤を除去する方法が焼成である請求項１０に記載の一軸配向性の細孔構造を有するパターニングされたメソポーラスシリカ薄膜の製造方法。
【請求項１４】  前記界面活性剤を除去する方法が有機溶剤による抽出である請求項１０に記載の一軸配向性の細孔構造を有するパターニングされたメソポーラスシリカ薄膜の製造方法。
【請求項１５】  前記基板上に形成された高分子化合物が、繰り返し構造単位中に２つ以上の連続したメチレン基を含むことを特徴とする請求項１０に記載の一軸配向性の細孔構造を有するパターニングされたメソポーラスシリカ薄膜の製造方法。
【請求項１６】  基板上の隣り合う領域に異なる一軸配向性の細孔構造を有するパターニングされたメソポーラスシリカ薄膜であって、該細孔構造中に光照射による励起で発光する分子を導入した該薄膜を用いた、光照射及び基板の振動により変調させた偏波を発生させることの出来る偏波変調素子。
【請求項１７】  メソ構造体であって、前記メソ構造体が一軸配向性を持つ細孔構造を有し、且つ前記メソ構造体の細孔中に半導体ポリマーが存在することを特徴とするメソ構造体。
【請求項１８】  前記半導体ポリマーがＭＥＨ−ＰＰＶであることを特徴とする請求項１７記載のメソ構造体。
【請求項１９】  前記メソ構造体に光を入射すると、前記半導体ポリマーからフォトルミネッセンス光を発することを特徴とする請求項１７又は１８のいずれか記載のメソ構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【発明の属する技術分野】
本発明の第五の発明は、基板上の隣り合う領域に異なる一軸配向性の細孔構造を有するパターニングされたメソポーラスシリカ薄膜であって、該細孔構造中に光照射による励起で発光する分子を導入した該薄膜を用いた、光照射及び基板の振動により変調させた偏波を発生させることの出来る偏波変調素子である。
本発明の第五の発明は、メソ構造体であって、前記メソ構造体が一軸配向性を持つ細孔構造を有し、且つ前記メソ構造体の細孔中に半導体ポリマーが存在することを特徴とするメソ構造体である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月4日(2007.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透かし埋め込み対象の原画像を直交座標系の縦横２方向に空間周波数変換して得られる振幅スペクトルを対数極座標変換した上で、さらに対数極座標系の角度方向に空間周波数変換することにより得られる回転および平行移動に関して不変な領域において、前記原画像に埋め込むべき透かしの振幅スペクトルを生成する透かしスペクトル生成部と、
前記透かしの振幅スペクトルを直交座標系の空間領域に逆変換することにより、直交座標系の２次元透かしデータを生成する透かしスペクトル逆変換部と、
前記２次元透かしデータを前記原画像に埋め込む透かし埋め込み部とを含むことを特徴とする透かし埋め込み装置。
【請求項２】
前記透かしスペクトル生成部は、対数極座標系の半径方向に重複して透かし情報をもたせた透かしの振幅スペクトルを生成することを特徴とする請求項１に記載の透かし埋め込み装置。
【請求項３】
前記透かしスペクトル生成部は、所定の周波数以上の中間周波数帯域に透かし情報をもたせた透かしスペクトルを生成することを特徴とする請求項１または２に記載の透かし埋め込み装置。
【請求項４】
前記透かしスペクトル逆変換部は、
前記回転および平行移動に関して不変な領域において生成された透かしの振幅スペクトルを対数極座標系の角度方向に逆空間周波数変換することにより、対数極座標系の透かしの振幅スペクトルを生成する角度方向逆空間周波数変換部と、
前記対数極座標系の透かしの振幅スペクトルを逆対数極座標変換することにより、直交座標系の透かしの振幅スペクトルを生成する逆対数極座標変換部と、
前記直交座標系の透かしの振幅スペクトルを逆空間周波数変換することにより、直交座標系の２次元透かしデータを生成する２次元逆空間周波数変換部とを含むことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の透かし埋め込み装置。
【請求項５】
透かしが埋め込まれている可能性のあるテスト画像を直交座標系の縦横２方向に空間周波数変換することにより、直交座標系のテスト画像の振幅スペクトルを生成する２次元空間周波数変換部と、
前記直交座標系のテスト画像の振幅スペクトルを対数極座標変換することにより、対数極座標系のテスト画像の振幅スペクトルを生成する対数極座標変換部と、
前記対数極座標系のテスト画像の振幅スペクトルをさらに対数極座標系の角度方向に空間周波数変換することにより、回転および平行移動に関して不変な領域におけるテスト画像の振幅スペクトルを生成する角度方向空間周波数変換部と、
前記回転および平行移動に関して不変な領域におけるテスト画像の振幅スペクトルを利用して、対数極座標系の半径方向に沿って透かしの有無を全探索することにより透かしを抽出する透かし抽出部とを含むことを特徴とする透かし抽出装置。
【請求項６】
前記回転および平行移動に関して不変な領域におけるテスト画像の振幅スペクトルに対して対数極座標系の半径方向に沿った低周波数帯域のみを通過させるフィルタリングを行うローパスフィルタをさらに含み、
前記透かし抽出部は、前記ローパスフィルタにより高周波数成分が除去された前記テスト画像の振幅スペクトルをもとに、透かしを抽出することを特徴とする請求項５に記載の透かし抽出装置。
【請求項７】
前記透かし抽出部は、
対数極座標系における異なる複数の半径をもつテスト画像の振幅スペクトルを利用して、複数の透かし候補の軟値を求める透かし候補抽出部と、
前記透かし候補の軟値を誤り訂正復号することにより、透かし候補の判定値を求める復号部と、
前記透かし候補の判定値を再び誤り訂正符号化することにより、比較対象の硬値を生成する符号化部と、
前記透かし候補の軟値と前記比較対象の硬値の相関を評価する相関評価部と、
前記相関の強度により、前記複数の透かし候補の妥当性を判断し、妥当な透かし候補の判定値を用いて、埋め込まれた透かしの最終的な判定値を求める透かし推定部とを含むことを特徴とする請求項５または６に記載の透かし抽出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月20日(2007.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水中でカラー撮影可能な撮像装置において、
被写体を撮像する撮像手段と、
この撮像手段によって得られる被写体の画像データの輝度分布を表したヒストグラムを各色成分毎に算出するヒストグラム算出手段と、
このヒストグラム算出手段によって画像データの各色成分毎に得られたヒストグラムがそれぞれに所定の感度範囲に入るように撮影条件を補正する補正手段と、
この補正手段によって補正された撮影条件に基づいて前記撮像手段から得られる画像データを撮影画像として取り込む撮影処理手段と、
この撮影処理手段によって得られた撮影画像を記録する記録手段と
を具備したことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
水深値を取得する水深値取得手段を更に備え、
前記補正手段は、前記水深値取得手段によって得られた水深値に応じて、前記ヒストグラム算出手段によって画像データの各色成分毎に得られたヒストグラムがそれぞれに所定の感度範囲に入るように撮影条件を補正することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記補正手段は、前記水深値取得手段によって得られた水深値が第１の所定値よりも大きい場合に、各色成分のヒストグラムの山の多くの部分が所定の感度範囲に入るように撮影条件を補正することを特徴とする請求項２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記補正手段は、前記水深値取得手段によって得られた水深値が第１の所定値よりも大きい第２の所定値以上の場合に、水中の光の減衰の影響を大きく受ける特定の色成分を除く各色成分のヒストグラムが共に所定の感度範囲に入るように撮影条件を補正することを特徴とする請求項３記載の撮像装置。
【請求項５】
前記撮影条件は露出であり、前記補正手段は、前記水深値取得手段によって得られた水深値に応じて露出を適正化するように補正することを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに１つに記載の撮像装置。
【請求項６】
前記撮影条件は感度であり、前記補正手段は、前記水深値取得手段によって得られた水深値に応じて感度を適正化するように補正することを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに１つに記載の撮像装置。
【請求項７】
水中でカラー撮影可能な撮像装置に用いられる画像処理方法であって、
撮像素子を通じて被写体の画像データを取得するステップと、
前記被写体の画像データの輝度分布を表したヒストグラムを色成分毎に算出するステップと、
前記各色成分のヒストグラムがそれぞれに所定の感度範囲に入るように撮影条件を補正するステップと、
前記補正後の撮影条件に基づいて前記撮像素子から得られる画像データを撮影画像として取り込むステップと、
前記撮影画像を所定のメモリに記録するステップと
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
水中でカラー撮影可能な撮像装置に搭載されたコンピュータによって実行されるプログラムであって、
前記コンピュータに、
撮像素子を通じて被写体の画像データを取得する機能と、
前記被写体の画像データの輝度分布を表したヒストグラムを色成分毎に算出する機能と、
前記各色成分のヒストグラムがそれぞれに所定の感度範囲に入るように撮影条件を補正する機能と、
前記補正後の撮影条件に基づいて前記撮像素子から得られる画像データを撮影画像として取り込む機能と、
前記撮影画像を所定のメモリに記録する機能と
を実現させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の撮像装置は、水中でカラー撮影可能な撮像装置において、被写体を撮像する撮像手段と、この撮像手段によって得られる被写体の画像データの輝度分布を表したヒストグラムを各色成分毎に算出するヒストグラム算出手段と、このヒストグラム算出手段によって画像データの各色成分毎に得られたヒストグラムがそれぞれに所定の感度範囲に入るように撮影条件を補正する補正手段と、この補正手段によって補正された撮影条件に基づいて前記撮像手段から得られる画像データを撮影画像として取り込む撮影処理手段と、この撮影処理手段によって得られた撮影画像を記録する記録手段とを具備したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、水中撮影を行う場合において、その撮影前に露出や感度などの撮影条件が補正されるので、撮影者が特に意識しなくとも、水中での光の減衰に伴う色変化を適切に補正して良好な撮影画像を得ることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月24日(2007.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
一般にＤＳＦは１．５５μｍ近傍でゼロ分散になるファイバを指すが、同類のファイバで、１．５５μｍ近傍で数ｐｓ／ｎｍ／ｋｍの波長分散を持つ、非ゼロ分散シフトファイバ（ＮＺ-ＤＳＦ：Non Zero-DSF）も使用されており、これらも、同じ課題を持つ可能性がある。ＮＺ-ＤＳＦも広義のＤＳＦである。
本発明の目的は、これらＤＳＦを含めた伝送路を伝播した波長多重光信号に対し、一括して分散補償可能で増設、減設が容易な分散補償装置および分散補償方法を得ることにある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図２を用いて、ネットワークのトポロジーを説明する。図２（ａ）は、二つの端局１０Ａと１０ＢをＤＳＦで結んだポイント・ツー・ポイント（Ｐ−ｔｏ−Ｐ）型ネットワークである。図２（ｂ）は、ＳＤＨに代表されるリング型ネットワークである。リング型ネットワークでは、局１０Ａと局１０Ｂと局１０Ｃと局１０Ｄとが、それぞれ隣り合った局とＤＳＦで接続される。ネットワークがリングを形成しているので、ファイバが１箇所で障害を起こした場合も、逆周りの伝送でプロテクションすることができる。しかも、ネットワークの運用が比較的簡単である。図２（ｃ）のメッシュ型ネットワークは、局１０Ａと局１０Ｂと局１０Ｃと局１０Ｄと図示しない他の局とが、網の目状にＤＳＦで接続されたネットワークである。メッシュ型ネットワークでは、諸条件に応じて設計変更等が可能な最も自由度の高いネットワークであるが、逆に運用管理は難しい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
次に、図３を用いて局間伝送システムを説明する。図３は、図２（ａ）のＰ−ｔｏ−Ｐ型で描いているが、リング型ネットワーク、メッシュ型ネットワークいずれか二つの局間の伝送とも等価である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本実施例では、５００ps/nm程度の刻みで調整しているが、刻み量は、伝送品質を目標値、例えばビット誤り率１０−１２以下とするように選択すれば良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2006186489.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月26日(2007.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成される弾性表面波素子であって、
前記半導体基板の上面に形成される圧電薄膜と、
前記圧電薄膜の上面に形成される入力側ＩＤＴと出力側ＩＤＴと、を備え、
前記入力側ＩＤＴに対して、出力側ＩＤＴを選択的に（１／８）ｎλ（λは弾性波の波長、ｎは整数）で求められる位置にずらして形成し、入力信号に対して位相差０°と、位相差（１／４）ｎπ（ｒａｄ）と、の二つの信号を出力する移相器を構成することを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項２】
請求項１に記載の弾性表面波素子において、
前記出力側ＩＤＴが、第１の出力信号を出力する第１のＩＤＴと、第２の出力信号を出力する第２のＩＤＴと、を備え、
前記移相器が、前記第１の出力信号の位相と第２の出力信号の位相との差が所望の位相差を有する移相器であることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の弾性表面波素子において、
前記入力側ＩＤＴと前記第１のＩＤＴとの間隔が（１／２）ｎλ＋λ、前記入力側ＩＤＴと前記第２ＩＤＴとの間隔が（１／２）ｎλ＋（１／４）λ、に設定され、所望の位相差がπ／２（ｒａｄ）の移相器であることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の弾性表面波素子において、
前記入力側ＩＤＴと前記第１のＩＤＴとが共通に形成され、前記第１のＩＤＴと前記第２のＩＤＴとの間隔が（１／２）λとなるように形成され、位相差がπ（ｒａｄ）の移相器であることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の弾性表面波素子において、
前記入力側ＩＤＴと前記第１のＩＤＴとの間隔がｎλ＋（１／８）λに設定され、位相差がπ／４（ｒａｄ）の移相器であることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項６】
請求項１または請求項２に記載の弾性表面波素子において、
所望の周波数帯域を所定の周波数に分割され、前記所定の周波数に対応して請求項３ないし請求項５のいずれか一項に記載の移相器それぞれが、単独、または複数個、または、それぞれを組み合わせて形成されていることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項７】
デジタル直交変調／復調方式による無線通信装置であって、
デジタル直交変調／復調のための同相成分信号または直交成分信号を生成する移相器を備え、
前記移相器が、請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の弾性表面波素子からなることを特徴とする無線通信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月1日(2007.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の放送波を受信するための統合アンテナであって、
ループアンテナからなる第１のアンテナと、
前記第１のアンテナのループが形成する平面に対して垂直な方向から見た時に、前記ループの内側部分に、前記第１のアンテナに重ならないように配置された第２のアンテナとを少なくとも備え、
前記第２のアンテナが、実質的な端部を有する線状導体から構成されることを特徴とする統合アンテナ。
【請求項２】
前記第２のアンテナの近傍に、前記第１のアンテナ及び第２のアンテナを構成する導体に接続されない線状導体が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の統合アンテナ。
【請求項３】
前記第１及び第２のアンテナのそれぞれの給電点が近接して配置されており、前記第１と第２のアンテナの各個に接続される給電回路が、同一の誘電体基板上に構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の統合アンテナ。
【請求項４】
前記第２のアンテナがループアンテナであり、
前記第１と第２のアンテナのそれぞれの給電部は、それぞれ２つの給電端子を有しており、前記第１のアンテナの一方の給電端子が前記第２のアンテナの一方の給電端子に、導体によって接続されていることを特徴とする請求項１に記載の統合アンテナ。
【請求項５】
前記第１のアンテナの一方の給電端子と前記誘電体基板に構成された給電回路とを接続する第１の接続手段と、前記第２のアンテナの一方の給電端子と前記誘電体基板に構成された給電回路とを接続する第２の接続手段と、前記第１又は第２のアンテナの他方の給電端子と前記誘電体基板に構成された給電回路とを接続する第３の接続手段と、を有することを特徴とする請求項４に記載の統合アンテナ。
【請求項６】
前記第１のアンテナは第１の平面上に形成され、前記第２のアンテナは第２の平面上に形成されていることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の統合アンテナ。
【請求項７】
前記第１の平面と、前記第２の平面が同一の平面であることを特徴とする請求項６に記載の統合アンテナ。
【請求項８】
前記第１及び第２のアンテナは、誘電体フィルム上に薄い導体で形成されていることを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の統合アンテナ。
【請求項９】
前記第１のアンテナが誘電体フィルム上に薄い導体で形成され、前記第２のアンテナが誘電体基板上に配置されていることを特徴とする請求項６に記載の統合アンテナ。
【請求項１０】
前記第１及び第２のアンテナとは異なる他のアンテナが、誘電体基板上に配置されていることを特徴とする請求項８に記載の統合アンテナ。
【請求項１１】
前記誘電体基板が筐体の内部に設置されており、この筐体は、前記第１のアンテナが設けられた誘電体フィルムに貼り付けて設けられることを特徴とする請求項３，９，１０の何れか１項に記載の統合アンテナ。
【請求項１２】
前記第１及び第２のアンテナに接続される給電回路に合成及び分配回路が接続され、この合成及び分配回路に同軸ケーブルが接続されることを特徴とする請求項１から１１の何れか１項に記載の統合アンテナ。
【請求項１３】
前記第１と第２のアンテナのそれぞれの給電部は、それぞれ２つの給電端子を有しており、前記第１のアンテナの一方の給電端子と前記第２のアンテナの一方の給電端子が、１つの共通給電端子で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の統合アンテナ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記目的を達成する本発明の統合アンテナは、複数の放送波を受信するための統合アンテナであって、ループアンテナからなる第１のアンテナと、第１のアンテナのループが形成する平面に対して垂直な方向から見た時に、ループの内側部分に、第１のアンテナに重ならないように配置された第２のアンテナとを少なくとも備え、第２のアンテナが、実質的な端部を有する線状導体から構成されることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の統合アンテナによれば、構成が簡単であり、共用するアンテナの組み合わせを工夫することにより、小さなスペースで複数のアンテナを設置すること、及びアンテナの性能を確保することができる統合アンテナを提供することができるという効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月16日(2006.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング制御入力信号が印加される発光素子と、前記発光素子により発光される光を受光し、直流電圧を発生する光起電力素子と、ソース電極、ドレイン電極、前記光起電力素子の出力電圧が与えられるゲート電極を有する電界効果型トランジスタとを備え、
前記電界効果型トランジスタは横型電界効果型トランジスタであり、前記ゲート電極に与えられる光起電力素子の出力電圧は、前記電界効果型トランジスタのソース／ドレイン間耐圧に等しいか又はより大きいことを特徴とするフォトリレー。
【請求項２】
前記電界効果型トランジスタは、絶縁基板表面に設けられることを特徴とする請求項１記載のフォトリレー。
【請求項３】
スイッチング制御入力信号が印加される発光素子と、
前記発光素子により発光される光を受光し、直流電圧を発生する光起電力素子と、
ソース電極、ドレイン電極、前記光起電力素子の出力電圧が与えられるゲート電極を有する電界効果型トランジスタと、を備え、
前記電界効果型トランジスタはスーパージャンクション型電界効果型トランジスタであることを特徴とするフォトリレー。
【請求項４】
スイッチング制御入力信号が印加される発光素子と、
前記発光素子により発光される光を受光し、直流電圧を発生する光起電力素子と、
ソース電極、ドレイン電極、前記光起電力素子の出力電圧が与えられるゲート電極を有する電界効果型トランジスタと、
を備え、
前記電界効果型トランジスタは、
第１導電型ベース層と、
第２導電型ドレイン層と、
前記べース層の表面に選択的に形成された第２導電型ソース層と、
前記光起電力素子の出力が供給されるゲート電極と、
前記べ一ス層とドレイン層とで挾まれた領域に形成された第１導電型のドリフト半導体層と、
を備えることを特徴とするフォトリレー。
【請求項５】
スイッチング制御入力信号が印加される発光素子と、
前記発光素子により発光される光を受光し、直流電圧を発生する光起電力素子と、
ソース電極、ドレイン電極、前記光起電力素子の出力電圧が与えられるゲート電極を有する電界効果型トランジスタと、
を備え、
前記電界効果型トランジスタは、
第１導電型ベース層と、第２導電型ドレイン層と、
前記べース層の表面に選択的に形成された第２導電型ソース層と、前記光起電力素子の出力が供給されるゲート電極と、
前記べ一ス層と前記ドレイン層とで挾まれた領域に形成されたドリフト半導体層と、を備え、
前記ゲート電極は前記第１導電型ベース層および前記ドリフト半導体層の上方および下方に設けられていることを特徴とするフォトリレー。
【請求項６】
スイッチング制御入力信号が印加される発光素子と、
前記発光素子により発光される光を受光し、直流電圧を発生する光起電力素子と、
ソース電極、ドレイン電極、前記光起電力素子の出力電圧が与えられるゲート電極を有する電界効果型トランジスタと、
を備え、
前記電界効果型トランジスタは、
第１導電型ベース層と、
第２導電型ドレイン層と、
前記べース層の表面に選択的に形成された第２導電型ソース層と、前記光起電力素子の出力が供給されるゲート電極と、
前記べ一ス層と前記ドレイン層とで挾まれた領域に形成されたドリフト半導体層と、
を備え、
前記ベース層、前記ソース層および前記ドレイン層は活性層を構成し、
前記活性層は絶縁基板上に、ピラー状に形成され、
前記ゲート電極は、前記ピラー状の活性層の両側に設けられており、前記ドリフト半導体層は前記ベース層より高い抵抗を有することを特徴とするフォトリレー。
【請求項７】
前記ゲート電極には、前記電界効果型トランジスタのソース／ドレイン間耐圧に等しいか又はより大きい電圧が供給されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のフォトリレー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の実施の形態の電界効果型トランジスタは、基板表面に設けられた第１導電型ベース層と、前記第１導電型べース層の表面に選択的に形成された第２導電型ソース層と、前記第１導電型ベース層とは離れた前記基板上に形成された第２導電型ドレイン層と、前記第１導電型べ一ス層と第２導電型ドレイン層とで挾まれた領域において、前記第１導電型ベース層から前記第２導電型ドレイン層に向かって延長形成された第１導電型のドリフト半導体層と、前記第１導電型ドリフト半導体層に併設形成された第２導電型のドリフト半導体層と、前記第１導電型ドリフト半導体層および第２導電型ドリフト半導体層表面のほぼ半分以上に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを備えることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の実施の形態の電界効果型トランジスタは、絶縁基板表面に設けられた第１導電型ベース層と、前記第１導電型べース層内に選択的に形成された第２導電型ソース層と、前記第１導電型ベース層とは離れた前記絶縁基板上に形成された第２導電型ドレイン層と、前記第１導電型べース層と前記第２導電型ドレイン層とで挾まれた領域に形成されたドリフト層と、前記第１導電型ベース層の表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを備え、
前記ドリフト層は、前記第１導電型ベース層に電気的に接触する第１導電型のドリフト半導体層と、前記第１導電型ドリフト半導体層に対して、前記第２導電型ソース層から前記第２導電型ドレイン層に至る方向とは直行する方向に併設形成された第２導電型のドリフト半導体層とからなるスーパージャンクション型ドリフト層であることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに、本発明の実施形態のフォトリレーは、スイッチング制御入力信号が印加される発光素子と、前記発光素子により発光される光を受光し、直流電圧を発生する光起電力素子と、前記光起電力素子の出力電圧がゲート電極に与えられ、ソース電極とゲート電極が共通に接続された少なくも２個の電界効果型トランジスタとを備え、前記電界効果型トランジスタは、前記請求項１乃至２４のいずれかに記載された電界効果型トランジスタにより構成され、前記ゲート電極に与えられる光起電力素子の出力電圧は、前記電界効果型トランジスタのソース／ドレイン間耐圧に等しいか又はより大きいことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月7日(2007.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミナ粉末を含む研磨材を使用して金属及び非導電性材料を有する基体を研磨することを含むＣＭＰ方法であって、前記アルミナ粉末の粒子がシリカコーティングを有し、前記粉末は、ＢＥＴ表面積が少なくとも５０ｍ2／ｇであり、アルミナ含有率が少なくとも９０重量％であり、且つα−アルミナ含有率が少なくとも９０重量％であり、またここで前記アルミナ粒子の少なくとも９０％の一次粒子幅が５０ｎｍ以下であり、前記アルミナ粒子の１０％未満の一次粒子サイズが１００ｎｍ超である、ＣＭＰ方法。
【請求項２】
前記アルミナ粉末のα−アルミナ含有率が少なくとも９５重量％である、請求項１に記載のＣＭＰ方法。
【請求項３】
前記アルミナ研磨材のシリカ含有率が１〜８重量％である、請求項１に記載のＣＭＰ方法。
【請求項４】
前記アルミナ研磨材を、２〜７重量％の前記アルミナを含有するスラリーの形で加工品に提供する、請求項１に記載のＣＭＰ方法。
【請求項５】
前記アルミナ研磨材を、硬化樹脂マトリックス中に分散した研磨材を含む固定研磨材の形で加工品に提供する、請求項１に記載のＣＭＰ方法。
【請求項６】
前記固定研磨材が、複数の成形された構造を有する成形表面を有する、請求項５に記載のＣＭＰ方法。
【請求項７】
前記研磨材が酸化剤を含有する酸化性液体媒体中で使用される、請求項１〜６のいずれか１項に記載のＣＭＰ方法。
【請求項８】
前記酸化性液体媒体が錯化剤をさらに含有する、請求項７に記載のＣＭＰ方法。
【請求項９】
前記研磨材が、酸化剤として過酸化水素又は硝酸鉄（ＩＩＩ）を含有し且つ錯化剤としてベンゾトリアゾールを含有する酸化性液体媒体中で使用される、請求項１〜６のいずれか１項に記載のＣＭＰ方法。
【請求項１０】
アルミナ粉末を含有するＣＭＰスラリーであって、前記粉末のアルミナ粒子がシリカコーティングを有し、また前記粉末は、ＢＥＴ表面積が少なくとも５０ｍ2／ｇであり、アルミナ含有率が少なくとも９０重量％であり、且つα−アルミナ含有率が少なくとも９０重量％であり、またここで前記粒子の少なくとも９０％の一次粒子幅が２０〜５０ｎｍであり、前記アルミナ粒子の１０％未満の一次粒子サイズが１００ｎｍ超である、アルミナ粉末を含有するＣＭＰスラリー。
【請求項１１】
前記アルミナ粉末を、酸化剤を含有する酸化性液体媒体中に含む、請求項１０に記載のＣＭＰスラリー。
【請求項１２】
前記酸化性液体媒体が錯化剤をさらに含有する、請求項１１に記載のＣＭＰスラリー。
【請求項１３】
前記アルミナ粉末を、酸化剤として過酸化水素又は硝酸鉄（ＩＩＩ）を含有し且つ錯化剤としてベンゾトリアゾールを含有する酸化性液体媒体中に含む、請求項１０に記載のＣＭＰスラリー。
【請求項１４】
硬化性樹脂中のアルミナ砥粒の分散体を硬化させることによって得られる複数の形成された構造を有する作用表面を具備する、ＣＭＰの用途で使用することが適当な加工研磨材であって、前記アルミナ砥粒は、シリカコーティングを有し、ＢＥＴ表面積が少なくとも５０ｍ2／ｇであり、アルミナ含有率が少なくとも９０重量％であり、且つα−アルミナ含有率が少なくとも９０重量％であり、またここで前記粒子の少なくとも９０％の一次粒子幅が２０〜５０ｎｍであり、前記アルミナ粒子の１０％未満の一次粒子サイズが１００ｎｍ超である、ＣＭＰの用途で使用することが適当な加工研磨材。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月8日(2007.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前方表面及び後方表面、前記前方表面と後方表面との間の中央平面、及び前記前方表面と後方表面とを連絡する周囲縁部を有してなり、第１の材料を含んでなるヘテロエピタキシャル半導体ウエハであって、
該ウエハの前方表面を形成し、前記第１の材料の結晶構造と異なる結晶構造を有する第２の材料を含むヘテロエピタキシャル層であって、欠陥を実質的に有さず、少なくとも５ナノメートルの厚みを有するヘテロエピタキシャル層；
前記第１の材料を含み、前記第２の材料を含まず、前記ヘテロエピタキシャル層に隣接する表面層であって、周囲縁部の少なくとも５ｍｍ以内へ半径方向に延びており、少なくとも５ミクロンの深さまで欠陥を実質的に有さない表面層；並びに
前記第１の材料を含み、前記第２の材料を含まず、前記表面層に隣接するバルク層であって、前記中央平面を通って延びており、少なくとも約１×１０７析出物／ｃｍ３の密度の酸素析出物を有するバルク層
を有してなるヘテロエピタキシャル半導体ウエハ。
【請求項２】
前記ヘテロエピタキシャル層の前記第１の材料がシリコンであり、前記ヘテロエピタキシャル層の第２の材料が歪みシリコン層及び緩和シリコン−ゲルマニウム層を有してなる請求項１記載のウエハ。
【請求項３】
前記ヘテロエピタキシャル層は少なくとも２０ナノメートルの厚みを有する請求項１記載のウエハ。
【請求項４】
前記ヘテロエピタキシャル層は少なくとも１００ナノメートルの厚みを有する請求項１記載のウエハ。
【請求項５】
前記表面層は、少なくとも１０ミクロンの深さまで欠陥を実質的に有さない請求項１記載のウエハ。
【請求項６】
前記バルク層は、少なくとも約１×１０８析出物／ｃｍ３の密度の酸素析出物を有する請求項１記載のウエハ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月5日(2007.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ウェーハ等のワークを搬送する搬送手段と、固体状態の複数の半田ボールを貯留するボール貯留手段と、前記半田ボールをその表面に付着して、前記ワーク上の所望の箇所又は所望の箇所の直上へ移動させる感光体と、前記感光体の表面における前記所望の箇所に対応する位置に露光を行う露光手段と、前記搬送手段の搬送速度と前記感光体の移動速度と前記露光手段による露光を制御する制御手段とを備えることを特徴とする半田ボール搭載装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、上記目的を達成するため、ウェーハ等のワークを搬送する搬送手段と、固体状態の複数の半田ボールを貯留するボール貯留手段と、前記半田ボールをその表面に付着して、前記ワーク上の所望の箇所又は所望の箇所の直上へ移動させる感光体と、前記感光体の表面における前記所望の箇所に対応する位置に露光を行う露光手段と、前記搬送手段の搬送速度と前記感光体の移動速度と前記露光手段による露光を制御する制御手段とを備えることを特徴とする半田ボール搭載装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月18日(2007.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像の撮影または再生に係る操作を行うポインティングデバイスを有する表示制御装置であって、
上記表示制御装置を操作するための所定の領域を有する操作部を表示する操作部表示手段と、
複数の位置における入力操作を可能になされるとともに上記操作部表示手段が表示する上記操作部を視認可能なポインティングデバイスと、
上記操作部表示手段の表示位置と上記ポインティングデバイスの入力位置とに基づいて操作入力制御を行う操作入力制御手段とを備え、
上記ポインティングデバイスは、立体形状をなすとともに、操作機能の異なる操作部の表示位置及び入力位置を、この立体形状に関連付けた位置に配置したことを特徴とする表示制御装置。
【請求項２】
画像の撮影または再生に係る操作を行うポインティングデバイスを有する表示制御装置であって、
上記表示制御装置を操作するための所定の領域を有する操作部を表示する操作部表示手段と、
複数の位置における入力操作を可能になされるとともに上記操作部表示手段が表示する上記操作部を視認可能なポインティングデバイスと、
上記操作部表示手段の表示位置と上記ポインティングデバイスの入力位置とに基づいて操作入力制御を行う操作入力制御手段と、
上記撮影または再生に係る画像を表示する画像表示手段とを備え、
上記ポインティングデバイスは、上記画像表示手段の画像表示面とは異なる高さを有する面を少なくとも有することを特徴とする表示制御装置。
【請求項３】
上記ポインティングデバイスを上記表示制御装置を把持する位置または指掛かり位置に配置したことを特徴とする請求項１または２に記載の表示制御装置。
【請求項４】
上記ポインティングデバイスは稜線を有する複数の面で構成され、第一の面に第一の操作機能を配置し、第二の面に第一の操作機能とは異なる第二の操作機能を配置したことを特徴とする請求項１または２に記載の表示制御装置。
【請求項５】
第一の面に属する領域及び第二の面に属する領域の双方を含む領域に、更に、第三の操作機能を配置したことを特徴とする請求項４に記載の表示制御装置。
【請求項６】
上記ポインティングデバイスは半楕円柱面の形状をなし、その外表面は中心線に平行な仮想的な境界で接する２つの面で構成され、第一の面に第一の操作機能を配置し、第二の面に第一の操作機能とは異なる第二の操作機能を配置したことを特徴とする請求項１または２に記載の表示制御装置。
【請求項７】
第一の面に属する領域及び第二の面に属する領域の双方を含む領域に、更に、第三の操作機能を配置したことを特徴とする請求項６に記載の表示制御装置。
【請求項８】
上記ポインティングデバイスは稜線を有する複数の面で構成され、第一の面に使用頻度の高い操作機能を配置し、第二の面に使用頻度の低い操作機能を配置したことを特徴とする請求項１または２に記載の表示制御装置。
【請求項９】
上記ポインティングデバイスは稜線を有する複数の面で構成され、第一の面に使用頻度の高い操作機能を配置し、第二の面に使用頻度の低い操作機能を配置し、上記画像表示手段と平行な第三の面に選択操作機能を配置したことを特徴とする請求項２に記載の表示制御装置。
【請求項１０】
上記操作部表示手段の表示面は、上記ポインティングデバイスの外表面と平行になされていることを特徴とする請求項１または２に記載の表示制御装置。
【請求項１１】
上記ポインティングデバイスは上記表示制御装置の側面に設けられ、上記表示制御装置の本体に蝶着することを特徴とする請求項１または２に記載の表示制御装置。
【請求項１２】
上記ポインティングデバイスは、上記表示制御装置の本体内部に着脱可能に設けられる電池またはメモリカードのカバーとしてなされることを特徴とする請求項１１に記載の表示制御装置。
【請求項１３】
上記ポインティングデバイスは、上記表示制御装置の本体内部に着脱可能に設けられる電池またはメモリカードを視認可能な透明部を有することを特徴とする請求項１１に記載の表示制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解消するための、本発明に係る請求項１に記載の表示制御装置は、画像の撮影または再生に係る操作を行うポインティングデバイスを有する表示制御装置であって、上記表示制御装置を操作するための所定の領域を有する操作部を表示する操作部表示手段と、複数の位置における入力操作を可能になされるとともに上記操作部表示手段が表示する上記操作部を視認可能なポインティングデバイスと、上記操作部表示手段の表示位置と上記ポインティングデバイスの入力位置とに基づいて操作入力制御を行う操作入力制御手段とを備え、上記ポインティングデバイスは、立体形状をなすとともに、操作機能の異なる操作部の表示位置及び入力位置を、この立体形状に関連付けた位置に配置した。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月15日(2007.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する長辺と短辺で形成される台形型導電体と、互いに並んだ台形型導電体に給電する給電点と、を有する面状ダイポールアンテナと、
台形型導電体の短辺側に配置された無給電素子と、
を備えることを特徴とする台形型エレメントアンテナ。
【請求項２】
請求項１に記載の台形型エレメントアンテナにおいて、
無給電素子は、幅の狭い長方形又は台形形状であることを特徴とする台形型エレメントアンテナ。
【請求項３】
対応する長辺と短辺で形成される台形型導電体と、台形型給電点とグランドに接続する給電点と、を有する面状モノポールアンテナと、
台形型導電体の短辺側に配置され、一端がグランドに接続された無給電素子と、
を備えることを特徴とする台形型エレメントアンテナ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図９は、従来構成におけるダイポールアンテナのリターンロスを示した特性図である。電力保存の法則より、電気的に測定したリターンロスが空間に放射される電磁波を示すことから、放射電磁波の共振周波数は６００ＭＨｚとなり、リターンロスの目標値が−１０ｄＢと仮定すると帯域幅は５５０ＭＨｚ〜６５０ＭＨｚとなる。しかし、このままでは、帯域幅４７０ＭＨｚ〜７７０ＭＨｚの地上波デジタル放送受信用としては十分な特性が望めない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
以上のような課題を解決するために、本発明に係る台形型エレメントアンテナは、対向する長辺と短辺で形成される台形型導電体と、互いに並んだ台形型導電体に給電する給電点と、を有する面状ダイポールアンテナと、台形型導電体の短辺側に配置された無給電素子と、を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る台形型エレメントアンテナは、対応する長辺と短辺で形成される台形型導電体と、台形型給電点とグランドに接続する給電点と、を有する面状モノポールアンテナと、台形型導電体の短辺側に配置され、一端がグランドに接続された無給電素子と、を備えることを特徴とする。なお、面状ダイポールアンテナ及び面状モノポールアンテナは湾曲する面を含み、以下、平面ダイポールアンテナ及び平面モノポールアンテナともいう。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
地上波デジタル放送受信用（帯域幅：４７０ＭＨｚ〜７７０ＭＨｚ）にダイポールアンテナを用いると、目標の帯域幅に対して未達であったが、本発明を用いた台形型エレメントアンテナの形状にすることにより広帯域化が可能となり目標帯域幅を満たすことができるという効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月9日(2007.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光学系と、
前記複数の光学系に１対１に対応する複数の撮像領域と、
前記複数の光学系のそれぞれの光軸上に配置され、互いに異なる波長域の光を透過する色フィルタと、
前記複数の光学系のそれぞれの光軸上に配置された平行平板状の透明部材と、
前記透明部材の前記光軸に対する傾斜角度を変化させる傾斜手段と、を有し、
前記透明部材は
、同じ光軸上にある前記色フィルタの透過波長域に応じて、厚みまたは屈折率が互いに異なる撮像装置。
【請求項２】
前記透明部材は一体化されており、一体として傾斜角度が変化する請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記透明部材の傾斜角度の変化により前記撮像領域に入射する光線が同じ量だけ平行移動するように、同じ光軸上にある前記色フィルタの透過波長域に応じて、前記透明部材の厚みまたは屈折率が設定されている請求項1または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記透明部材は前記色フィルタを兼ねる請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記複数の光学系は４つの光学系からなり、その内２つの光学系の光軸上に配置された前記色フィルタは緑色光を透過し、１つの光軸上に配置された前記色フィルタは赤色光を透過し、１つの光軸上に配置された前記色フィルタは青色光を透過する請求項１に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記複数の撮像領域に結像された画像を合成する画像合成手段をさらに有し、
前記画像合成手段は、前記透明部材の傾斜角度を変化させる前後で得られた画像を合成する請求項１に記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月24日(2007.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザダイオードチップと、該半導体レーザダイオードチップの筺体とからなる半導体レーザダイオードであって、前記半導体レーザダイオードチップの共振器端面に形成され、前記半導体レーザダイオードチップから放出された光により活性化される、ＴｉＯ２に窒素をドープしたＴｉＯ２−ＸＮＸから成る光触媒層を有する、ことを特徴とする半導体レーザダイオード。    
【請求項２】
前記共振器端面と前記光触媒層との間に、反射率を制御する光学薄膜層を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザダイオード。    
【請求項３】
前記光学薄膜層は、Ａｌ２Ｏ３で形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザダイオード。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、半導体レーザダイオードチップと、該半導体レーザダイオードチップの筺体とからなる半導体レーザダイオードであって、前記半導体レーザダイオードチップの共振器端面に形成され、前記半導体レーザダイオードチップから放出された光により活性化される、ＴｉＯ２に窒素をドープしたＴｉＯ２−ＸＮＸから成る光触媒層を有する、ことを特徴とする半導体レーザダイオードである。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この構成によれば、半導体レーザダイオードチップから放出された光により共振器端面に設けられた、ＴｉＯ２に窒素をドープしたＴｉＯ２−ＸＮＸから成る光触媒層が活性化され、半導体レーザダイオードの周囲に浮遊する有機物が分解され、共振器端面に付着することを防ぐことができる。また、半導体レーザダイオードチップの共振器端面の光触媒層上に有機物が付着していたとしても、半導体レーザダイオードチップから放出された光により、有機物は分解される。また、光触媒層をＴｉＯ２に窒素をドープしたＴｉＯ2-XＮXにより形成しているので、半導体レーザダイオードの発光波長に対し効率よく活性化させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記光学薄膜層は、Ａｌ２Ｏ３で形成されていることを特徴とする半導体レーザダイオードである。 
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月9日(2007.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
次に、音声対話制御装置１３について説明する。図４は、図１に示す音声対話制御装置１３の詳細な構成を示すブロック図である。図４において、音声対話制御装置１３は、音声対話装置１１と、１以上の音声対話装置１２との間で行われる音声通信を制御するために、送受信部１３１、メッセージ解読部１３２、属性情報記憶部１３３、優先度設定部１３４、対話制御部１３５、音声蓄積部１３６及び中央制御部１３７を備えている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
また、最初に選ばれた着信側ユーザとの対話の結果、発信側ユーザが、今回選択された音声対話装置１２（１２ａ）の設置場所に行くと決定した場合、発信側ユーザの用件は終了し、さらなる音声対話は不要である。この場合、音声対話装置１１は、図示はしていないが、用件が終了した旨を表す発信側メッセージを作成し、ネットワーク１４を介して、音声対話制御装置１３にこれを送信する。これに応じて、音声対話制御装置１３は、音声対話装置１１及び１２（１２ａ）のコネクションを切断し、さらに、例えば音声対話装置１１からの音声情報のように、今回の一連の処理で生成された各種情報を破棄する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
上記の発信側メッセージに応答して、音声対話制御装置１３において、対話制御部１３５は、音声対話装置１１及び１２（１２ａ）の間に張られていたコネクションを切断する（シーケンスＳ１９）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
さらに、音声対話制御装置１３は、コネクションを確立する前に、複数の音声対話装置１２からランダムに単一のものを選択し、今回選択した音声対話装置１２と、音声対話装置１１とのコネクションを確立しても構わない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
また、以上の実施形態では、音声対話装置１１からの所定の発信側メッセージの到着により、音声対話制御装置１３は、コネクションを切断していた。しかし、これに限らず、音声対話制御装置１３は、現在コネクションが確立されている音声対話装置１１及び１２の間で所定時間の無音状態を検出すると、そのコネクションを切断するようにしても構わない。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年11月2日(2007.11.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
マルチプレクサＰＭＵＸ１０は、バッファＴＡＭＰの巡回読み出しを行い、これらのバッファが読み出し時にフルパケットを含む場合には、マルチプレクサＰＭＵＸ１０がこのパケットをフロー速度の大きい単一の出力１２に変形する。そうでなければ、マルチプレクサ１０が、「ダミーパケット」と呼ばれる特別なパケットを挿入する。この動作においては、マルチプレクサ１０はクロックＨｏによって駆動される。