(57)【要約】  Ｓ元素を含まない誘電体材料を提供し、反射層と誘電体層との間に界面層を設けなくても、高信号品質で記録感度および繰り返し書き換え特性に優れた情報記録媒体を提供する。そのために、本願では、少なくとも記録層を備え、前記記録層がレーザビームの照射または電流の印加によって、相変化を起こす情報記録媒体において、Ｉｎ元素と、元素Ｍ１（但し、Ｍ１は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、ＧａおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素）と、酸素元素（Ｏ）と、元素Ｍ２（但し、Ｍ２は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒより選ばれる少なくとも一つの元素）と、フッ素元素（Ｆ）とを含む酸化物−フッ化物誘電体層を備える。
2007063672.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも記録層を備え、前記記録層がレーザビームの照射または電流の印加によって、相変化を起こす情報記録媒体において、
Ｉｎ元素と、元素Ｍ１（但し、Ｍ１は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｇａ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素）と、酸素元素（Ｏ）と、元素Ｍ２（但し、Ｍ２は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｍｇ、Ｃａ、およびＳｒより選ばれる少なくとも一つの元素）と、フッ素元素（Ｆ）とを含む、酸化物−フッ化物誘電体層を備える、情報記録媒体。
【請求項２】
少なくとも二つの情報層を備え、
そのうち少なくとも一つの情報層が、前記記録層と、前記酸化物−フッ化物誘電体層とを少なくとも有する、
請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記酸化物−フッ化物誘電体層は、式：ＩｎaＭ１bＯcＭ２dＦ100-a-b-c-d（原子％）で表わされ、３≦ａ≦３８、３≦ｂ≦３８、１０≦ｃ≦６０、１≦ｄ≦３５、およびａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＜１００を満足する、
請求項１または２に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記酸化物−フッ化物誘電体層は、前記元素Ｍ１より選ばれる元素Ｍ３（但し、Ｍ３は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｃｒ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素）と、前記元素Ｍ２より選ばれる元素Ｍ４（但し、Ｍ４は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、およびＮｄより選ばれる少なくとも一つの元素）とを含む、
請求項１または２に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記酸化物−フッ化物誘電体層は、式：ＩｎeＭ３fＯgＭ４hＦ100-e-f-g-h（原子％）で表わされ、３≦ｅ≦３８、３≦ｆ≦３８、１０≦ｇ≦６０、１≦ｈ≦３５、およびｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＜１００を満足する、
請求項４に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記酸化物−フッ化物誘電体層は、Ｉｎ元素の酸化物と、酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｇａ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素からなる酸化物）と、フッ化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｍｇ、Ｃａ、およびＳｒより選ばれる少なくとも一つの元素からなるフッ化物）とを含む、
請求項１または２に記載の情報記録媒体。
【請求項７】
前記酸化物−フッ化物誘電体層は、式：（Ｉｎ2Ｏ3）j（Ｄ１）k（Ｄ２）100-j-k（ｍｏｌ％）で表わされ、２０≦ｊ≦８５、２０≦ｋ≦８５、およびｊ＋ｋ＜１００を満足する、
請求項６に記載の情報記録媒体。
【請求項８】
前記酸化物−フッ化物誘電体層は、前記酸化物Ｄ１より選ばれる酸化物Ｄ３（但し、Ｄ３は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｃｒ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素からなる酸化物）と、前記フッ化物Ｄ２より選ばれるフッ化物Ｄ４（但し、Ｄ４は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、およびＮｄより選ばれる少なくとも一つの元素からなるフッ化物）とを含む、
請求項または２に記載の情報記録媒体。
【請求項９】
前記酸化物−フッ化物誘電体層は、式：（Ｉｎ2Ｏ3）m（Ｄ３）n（Ｄ４）100-m-n（ｍｏｌ％）で表わされ、２０≦ｍ≦８５、２０≦ｎ≦８５、およびｍ＋ｎ＜１００を満足する、
請求項８に記載の情報記録媒体。
【請求項１０】
前記酸化物−フッ化物誘電体層は、式：（Ｉｎ2Ｏ3）m（Ｄ３）n（Ｄ４）100-m-n（ｍｏｌ％）で表わされ、２５≦ｍ≦６５、２０≦ｎ≦６０、およびｍ＋ｎ＜１００を満足する、
請求項８に記載の情報記録媒体。
【請求項１１】
反射層、第２の誘電体層、前記記録層、および第１の誘電体層をこの順に備え、
前記第１および前記第２の誘電体層の少なくとも１つは、前記酸化物−フッ化物誘電体層である、
請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１２】
反射層、第２の誘電体層、前記記録層、および第１の誘電体層をこの順に備え、
前記第２の誘電体層は、前記酸化物−フッ化物誘電体層である、
請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１３】
レーザビームの入射側に最も近い情報層において、光学分離層、反射層、第４の誘電体層、記録層、および第３の誘電体層をこの順に有し、
前記第３および前記第４の誘電体層の少なくとも１つは、前記酸化物−フッ化物誘電体層である、
請求項２に記載の情報記録媒体。
【請求項１４】
レーザビームの入射側に最も近い情報層において、光学分離層、反射層、第４の誘電体層、記録層、および第３の誘電体層をこの順に有し、
前記第４の誘電体層は、前記酸化物−フッ化物誘電体層である、
請求項２に記載の情報記録媒体。
【請求項１５】
請求項１または２に記載の情報記録媒体の製造方法であって、
前記酸化物−フッ化物誘電体層を、Ｉｎ元素と、元素Ｍ１と、酸素元素と、元素Ｍ２と、フッ素元素とを含むスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により形成する、
情報記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
前記スパッタリングターゲットは、式：ＩｎaＭ１bＯcＭ２dＦ100-a-b-c-d（原子％）で表わされ、３≦ａ≦３８、３≦ｂ≦３８、１０≦ｃ≦６０、１≦ｄ≦３５、およびａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＜１００を満足する、
請求項１５に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
前記スパッタリングターゲットは、前記元素Ｍ１より選ばれる元素Ｍ３（但し、Ｍ３は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｃｒ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素）と、前記元素Ｍ２より選ばれる元素Ｍ４（但し、Ｍ４は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、およびＮｄより選ばれる少なくとも一つの元素）とを含み、
式：ＩｎeＭ３fＯgＭ４hＦ100-e-f-g-h（原子％）で表わされ、３≦ｅ≦３８、３≦ｆ≦３８、１０≦ｇ≦６０、１≦ｈ≦３５、およびｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＜１００を満足する、
請求項１５に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
前記スパッタリングターゲットは、Ｉｎの酸化物と、酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｇａ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素からなる酸化物）と、フッ化物Ｄ２（但し、Ｄ２は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｍｇ、Ｃａ、およびＳｒより選ばれる少なくとも一つの元素からなるフッ化物）とを含み、
式：（Ｉｎ2Ｏ3）j（Ｄ１）k（Ｄ２）100-j-k（ｍｏｌ％）で表わされ、２０≦ｊ≦８５、２０≦ｋ≦８５、およびｊ＋ｋ＜１００を満足する、
請求項１５に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１９】
前記スパッタリングターゲットは、前記酸化物Ｄ１より選ばれる酸化物Ｄ３（但し、Ｄ３は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｃｒ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素からなる酸化物）と、前記フッ化物Ｄ２より選ばれるフッ化物Ｄ４（但し、Ｄ４は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、およびＮｄより選ばれる少なくとも一つの元素からなるフッ化物）とを含み、
式：（Ｉｎ2Ｏ3）m（Ｄ３）n（Ｄ４）100-m-n（ｍｏｌ％）で表わされ、２０≦ｍ≦８５、２０≦ｎ≦８５、およびｍ＋ｎ＜１００を満足する、
請求項１５に記載の情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学的手段または電気的手段によって情報を記録または再生する情報記録媒体とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学的情報記録媒体の一例として、ブルーレイ・ディスク（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ）がある。その媒体の層構成として、基板の表面上に、反射層、第３の界面層、第２の誘電体層、第２の界面層、記録層、第１の界面層、第１の誘電体層、およびカバー層がこの順に形成されたものが挙げられる。【０００３】
第１の誘電体層および第２の誘電体層は、光学距離（＝屈折率×物理距離）を調節することで記録層の光吸収効率を高め、結晶相における反射率および非晶質相における反射率の差を大きくし、信号振幅を大きくする機能を有する。また、記録層を水分等から保護する機能も兼ね備える。これら誘電体層の材料の一例として、８０ｍｏｌ％のＺｎＳと２０ｍｏｌ％のＳｉＯ2の混合物（以下、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20と表記）が挙げられる（例えば、特許文献１参照）。この材料は、非晶質材料であり、熱伝導率が低く、高屈折率で高透明性という特性を有する。また、膜形成時の成膜速度が速く、機械的特性や耐湿性にも優れている。このような優れた特性を有するため、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20は誘電体層を形成するのに非常に適した材料として、実用化されてきた。【０００４】
第１の界面層および第２の界面層は、レーザ光を記録層に照射し、繰り返し書き換え記録を行う際、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20中の硫黄（以下、Ｓ）元素が記録層に拡散するのを防止する目的で設けられる。記録層中にＳ元素が拡散すると、媒体の反射率が著しく低下し、記録媒体の繰り返し書き換え特性が著しく悪化する。この界面層の材料としては、例えばＺｒＯ2とＣｒ2Ｏ3とを含む材料が開示されている（例えば特許文献２参照）。この材料は、Ｓ元素を含まず、青紫色波長領域（４０５ｎｍ付近）のレーザに対して透明性が高く、また高融点であるため耐熱性も高い優れた材料である。【０００５】
反射層は、光学的には記録層に吸収される光量を増大させ、熱的には記録層で生じた熱を速やかに拡散させ、記録層を急冷し非晶質化し易くする機能を有する。さらに、記録層、界面層、および誘電体層を使用環境から保護する機能も有する。このため反射層の材料として、熱伝導率の高いＡｇ合金が好ましく適用されてきた。【０００６】
第３の界面層は、第２の誘電体層に（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20を適用し、反射層にＡｇ合金を適用した場合に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20中のＳ元素が反射層に拡散するのを防ぐ機能を有する。Ｓ元素が反射層に拡散すると、Ａｇ合金中のＡｇと反応し、Ａｇ2Ｓが生成される。このＡｇ2Ｓは常温常湿環境でも生成し、媒体の信頼性が著しく低下する。この第３の界面層の材料としては、硫化物を除く誘電体、Ａｇを除く金属、半金属、半導体が用いることができる。【０００７】
本発明者らは、第２の誘電体層にＳ元素を含む誘電体を用い、第２の界面層および第３の界面層を設けることによる複数の課題を見出した。
第３の界面層に注目すると、まず、記録層で生じた熱が拡散しにくくなることが挙げられる。情報記録媒体において、冷却効果が大きいと非晶質化し易く、良好な記録マークが得られる。元素の中で最も熱伝導率が高いものはＡｇであるが、先述したように、第３の界面層にはＡｇ合金を用いることはできない。そのため第３の界面層を設けることで、記録層の冷却効果が低下する。また、元素の相互拡散防止効果を高める目的で、界面層を異なる材料を用いて多層化したり、膜厚を厚くしたりすることで、さらに冷却効果が失われて急冷化されにくくなり、信号品質が低下する。第２には、第３の界面層を設けることで、媒体を構成する層数が増えることである。層数が増えることで、媒体を製造する設備への投資額が増えたり、製造タクトが長くなったりするという課題が生じ、媒体のコストが上昇することになる。
第２の界面層についても同様、この層を設けることにより、冷却効果が低下したり、媒体コストが上昇したりすることになる。【０００８】
【特許文献１】特公平０６−０９０８０８号公報
【特許文献２】特開２００３−３２３７４３号公報
【発明の開示】
【０００９】
本発明は上記の課題を解決するもので、Ｓ元素を含まず、青紫色波長領域レーザに対して高透明性を有し、耐湿性に優れた誘電体材料を提供することを目的とする。さらに、この誘電体材料を第２の誘電体層に適用することで、第２および第３の界面層が不要となり、高信号品質で記録感度および繰り返し書き換え特性に優れた情報記録媒体を提供することを目的とする。
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明における情報記録媒体は、Ｉｎ元素と、元素Ｍ１（但し、Ｍ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｇａ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素）と、酸素元素（Ｏ）と、元素Ｍ２（但し、Ｍ２はＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｍｇ、Ｃａ、およびＳｒより選ばれる少なくとも一つの元素）と、フッ素元素（Ｆ）とを含む酸化物−フッ化物誘電体層を備える。
【００１１】
また、本発明の情報記録媒体の製造方法は、Ｉｎ元素と、元素Ｍ１（但し、Ｍ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｇａ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素）と、酸素元素（Ｏ）と、元素Ｍ２（但し、Ｍ２はＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｍｇ、Ｃａ、およびＳｒより選ばれる少なくとも一つの元素）と、フッ素元素（Ｆ）とを含むスパッタリングターゲットを用いて、酸化物−フッ化物誘電体層を形成する。
【００１２】
本発明の情報記録媒体によれば、反射層と誘電体層との間に界面層を設けなくても、高信号品質で記録感度および繰り返し書き換え特性に優れた情報記録媒体を提供することができる。また、本発明の情報記録媒体の製造方法によれば、上記のような効果を奏する情報記録媒体を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態１における情報記録媒体１の一部断面図。
【図２】本発明の実施の形態２における情報記録媒体２の一部断面図。
【図３】本発明の実施の形態３における情報記録媒体３の一部断面図。
【図４】本発明の実施の形態４における情報記録媒体４の一部断面図。
【図５】本発明の情報記録媒体に対して情報の記録再生を行う記録再生装置の一部構成の概略図。
【図６】本発明の実施の形態７における情報記録媒体６０７の一部断面図。
【図７】図６に示す情報記憶媒体を使用するシステムの一例を示す模式図。
【図８】４つの情報層を有する情報記録媒体の一部断面図。
【符号の説明】
【００１４】
１、２、３、４、５５、６０７、５  情報記録媒体
３０１、３０２、５０１、５０２、５０３、５０４  情報層
５０  記録再生装置
１１、４３、６０１  基板
１２、３３、８５  反射層
１３、３４、８６  第２の誘電体層
１４  第２の界面層
１５、３５、６０５、８７  記録層
１６、８８  第１の界面層
１７、３７、８９  第１の誘電体層
１８  カバー層
１９  エネルギービーム（レーザ光）
３１、８１、８２、８３  光学分離層
３２、８４  透過率調整層
３６  界面層
４１  ダミー基板
４２  接着層
５１  スピンドルモータ
５２  半導体レーザ
５３  光学ヘッド
５４  対物レンズ
５６  レーザ光
６０２  下部電極
６０３  記録部
６０４  上部電極
６０６  誘電体層
６０８  パルス発生部
６０９  抵抗測定器
６１０、６１１  スイッチ
６１２  印加部
６１３  判定部
６１４  電気的書き込み／読み出し装置
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明における実施の形態について図面を参照しながら説明する。以下の実施の形態は例示的なものであり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１として、レーザ光を用いて情報の記録および再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図１に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。
図１に示す情報記録媒体１は、基板１１の表面上に、反射層１２、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４、記録層１５、第１の界面層１６、第１の誘電体層１７、およびカバー層１８がこの順に積層されることにより形成されている。この情報記録媒体には第１の誘電体層１７側から記録・再生用のエネルギービーム（一般的には、レーザ光）１９が照射される。【００１６】
カバー層１８は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなり、使用するレーザ光に対して光吸収が小さいことが好ましい。またカバー層１８には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスを用いてもよい。これらの材料を使用する場合は、カバー層１８を、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂によって第１の誘電体層１７に張り合わせることにより形成する。【００１７】
基板１１は円盤状の透明な基板である。基板１１の材料には、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはＰＭＭＡ等の樹脂、あるいはガラスを用いることができる。基板１１の記録層１５側の表面には、必要に応じてレーザ光を導くための案内溝（トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されていてもよい。基板１１の記録層１５との反対側の面は、平滑であることが好ましい。なお、基板１１の厚さは５００μｍ〜１３００μｍ程度であるが、特にカバー層１８厚みが１００μｍ程度（ＮＡ＝０．８５で良好な記録・再生が可能な厚みである）の場合、基板１１の厚みは１０５０μｍ〜１１５０μｍの範囲にあることが好ましい。【００１８】
記録層１５は、例えば、レーザ光の照射によって結晶相と非晶質相の間で可逆的な相変化相変化を起こす材料からなる。この材料としては例えば、式：ＧｅpＭ５qＭ６rＴｅ100-(p+q+r)（原子％）で表される材料である。このような材料によれば、非晶質相が安定で信号振幅が大きく、融点の上昇と結晶化速度の低下が少ない記録膜を形成することができる。Ｍ５はＳｂおよびＢｉより選ばれる元素である。Ｍ６は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｓｅ、Ｒｕ、Ｒｓ、Ｐｄ、Ｍｎ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔａ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｗ、Ｐｔ、およびＡｕより選ばれる元素である。ｐは３０≦ｐ＜５０を満たすことが好ましく、さらにｐは３５≦ｐ≦４８を満たすことが好ましい。また、ｑは０＜ｑ≦２０を満たすことが好ましい。また、ｒは０≦ｒ≦２０を満たすことが好ましい。また、３５≦ｐ＋ｑ＋ｒ≦６０を満たすことが好ましい。記録層１５の膜厚は良好な記録特性を得るため５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内にあることが好ましい。記録層１５が厚すぎる場合は、熱の面内方向への拡散による隣接領域への熱的影響が大きくなる。また、記録層１５が薄すぎる場合は情報記録媒体１の反射率が小さくなるため、膜厚は８ｎｍ〜１２ｎｍであることがさらに好ましい。【００１９】
また、記録層１５は、例えばＳｂと、Ｍ７（但し、Ｍ７はＶ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｂｉ、およびＡｕから選ばれる少なくとも一つの元素）とを含む材料で形成することもできる。具体的には、記録層１５は、ＳｂsＭ７100-s（原子％）で表される材料で形成できる。ｓが、５０≦ｓ≦９５を満たす場合には、記録層１５が結晶相の場合と非晶質相の場合との間の情報記録媒体１の反射率差を大きくでき、良好な記録再生特性が得られる。その中でも、７５≦ｓ≦９５の場合には、結晶化速度が特に速く、高い転送レートにおいて良好な書き換え性能が得られる。また、５０≦ｓ≦７５の場合には、非晶質相が特に安定で、低い転送レートにおいて良好な記録性能が得られる。【００２０】
また、記録層１５は、非可逆的相変化材料で形成することができる。非可逆的相変化材料としては、例えば日本国特許公報平７−２５２０９公報（特許第２００６８４９号）に開示されるように、ＴｅＯｘ＋Ｍ８（但し、Ｍ８はＰｄやＧｅ等の元素）を用いることが好ましい。記録層が非可逆的相変化材料の場合、１回のみ書き込み可能な追記型の情報記録媒体となるが、そのような情報記録媒体においても、記録感度、信号保存性の課題を改善するため、本発明が好ましく適用される。【００２１】
なお、記録層１５には、相変化に限らず磁場の印加と光の照射で記録消去再生を行う光磁気材料を用いてもよい。その材料としては、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｓｍよりなる希土類金属群のうち少なくとも一つの元素と、Ｓｃ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉよりなる遷移金属群のうち少なくとも一つの元素を含む材料を用いることができる。具体的には、Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｅ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｓｍ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｎｉ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｓｃ−Ｆｅ−Ｃｏ等が挙げられる。記録層の材料が光磁気材料である場合、情報記録媒体の構成は図１と必ずしも一致しないが、本発明における記録層の両側の界面層構成および材料は、好ましく適用することができる。【００２２】
反射層１２は、記録層１５に吸収される光量を増大させるという光学的な機能を有する。また、反射層１２は、記録層１５で生じた熱を速やかに拡散させ、記録層１５を非晶質化しやすくするという熱的な機能も有する。さらに、反射層１２は、使用する環境から多層膜を保護するという機能も有する。【００２３】
反射層１２の材料には、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、ＴｉおよびＷといった熱伝導率が高い単体金属を用いることができる。また、ＡｌにＣｒ、Ｎｉ、Ｔｉ等を添加したＡｌ合金、ＡｕにＣｕ、Ｃｒ、Ｎｄ等を添加したＡｕ合金、ＡｇにＣｕ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎｄ等を添加したＡｇ合金、Ａｇ−ＣｕにＰｄ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｇｄ、Ｙ等を添加したＡｇ合金、またはＡｇ−ＮｄにＡｕやＰｄ等を添加したＡｇ合金、Ａｇ−ＩｎにＳｎやＧａ等を添加したＡｇ合金、またＡｇ−Ｇａ−Ｓｎ、Ａｇ−Ｇａ−Ｙ、Ａｇ−Ｇａ−Ａｌ、Ａｇ−Ｚｎ−Ａｌ、Ｃｕ−Ｓｉといった合金を用いることもできる。特にＡｇ合金は熱伝導率が大きいため、反射層１２の材料として好ましい。なお、添加濃度は、３原子％以下が好ましい。反射層１２の膜厚は、熱拡散機能が十分となる３０ｎｍ以上であることが好ましい。この範囲内においても、反射層１２が２４０ｎｍより厚い場合には、その熱拡散機能が大きくなりすぎて記録感度が低下する。したがって、反射層１０８の膜厚は３０ｎｍ〜２４０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。【００２４】
第２の界面層１４、第１の界面層１６は記録層への元素の拡散や水分の混入を防止するバリアとしての働きを有する。また、記録層１５と接して設けられているため記録層の結晶化速度を促進または抑制する効果があり、カルコゲナイド材料からなる記録層１５と密着性に優れていることが望まれる。これらの界面層には光吸収の少ない材料を適用することが好ましく、界面層１４および１６の材料としては、例えば、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、Ｃｒ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3およびＡｌ2Ｏ3等の酸化物、Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−ＮおよびＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物およびＬａＦ3、ＣｅＦ3およびＹＦ3等のフッ化物を用いることができる。またそれらより選ばれる混合物でもよい。その混合物の一例として、ＺｒＯ2の安定化のためＹ2Ｏ3を添加したＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3（安定化ジルコニアもしくは部分安定化ジルコニア）や、その他にＺｒＯ2―Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2―Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−Ｉｎ2Ｏ3、ＨｆＯ2―Ｃｒ2Ｏ3、ＨｆＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3およびＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＬａＦ3等が挙げられる。界面層１４および１６の膜厚は１ｎｍ〜１２ｎｍであることが好ましい。界面層の膜厚が薄すぎると、バリアとしての十分な効果が得られず、記録層への元素の拡散や水分の混入を招き、信号品質が悪化する。また、膜厚が厚すぎると記録層に対する結晶化促進または抑制効果が大きくなりすぎ、記録・再生特性が悪化する。このため膜厚はさらに３ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましい。【００２５】
第１の誘電体層１７は記録層１５を水分等から保護する働きと、光学的距離を調節して記録層１５の光吸収率を高める働きと、記録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働きとを有する。第１の誘電体１７には、例えば、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ2、Ｔａ2Ｏ5およびＡｌ2Ｏ3等の酸化物やＣ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−ＮおよびＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物を用いることができる。また、ＺｎＳ等の硫化物やＳｉＣ等の炭化物も用いることができる。また、上記材料の混合物も用いることができる。また、本発明における酸化物−フッ化物誘電体を用いることができる（詳しくは、次の第２の誘電体層１３において説明する）。これらの材料において、例えば、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物は非晶質材料で、成膜速度が速く、また屈折率が高く、機械的強度や耐湿性が良好であるため、第１の誘電体層１７に適用する材料として特に優れている。第１の誘電体層１７の膜厚はマトリクス法に基づく計算により、記録層１５が結晶相の場合と非晶質相の場合との反射光量の変化率を大きくし、また記録層１５での光吸収が大きくなる条件により、決定することができる。具体的な膜厚としては、１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内にあることが望ましく、３０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。【００２６】
第２の誘電体層１３は、本発明の特徴となる部分である。第２の誘電体層１３は第１の誘電体層１７同様、光学的距離を調節して記録層１５の光吸収率を高める働きと、記録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働きとを有する。また記録層１５において発生した熱を速やかに反射層１２へ拡散し、記録層１５を冷却する働きも有する。この熱拡散効果が優れている場合、記録層１５への熱的負荷が軽減されて、良好な繰り返し書き換え特性が得られる。【００２７】
第２の誘電体層１３には、上記第１の誘電体層１７と同様の材料を用いることができるが、その中でも特に、本発明における酸化物−フッ化物誘電体を用いることが好ましい。この酸化物−フッ化物誘電体は、Ｉｎ元素と、元素Ｍ１（但し、Ｍ１は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｇａ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素）と、酸素元素と、元素Ｍ２（但し、Ｍ２は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｍｇ、Ｃａ、およびＳｒより選ばれる少なくとも一つの元素）と、フッ素元素とを含む。【００２８】
ここで、酸化物−フッ化物誘電体において、Ｉｎ元素と酸素元素とからなるＩｎの酸化物を含有することで、反射層材料や記録層材料との密着性を向上することができ、情報記録媒体の耐候性・耐湿性を向上することができる。但し、Ｉｎの酸化物は、青紫域や赤色域波長の光に対して光吸収が大きい。このような光吸収の大きい誘電体を誘電体層に適用すると、記録層以外でのレーザ光の損失が生じるため、高い記録パワーが必要となる。つまり記録感度が悪化することになる。また、誘電体層のレーザ光吸収により誘電体層に熱が蓄えられ、書き換え特性が悪化することも考えられる。このような欠点を改善するため、元素Ｍ１、酸素元素、元素Ｍ２、およびフッ素元素を含有させることを考え出した。【００２９】
酸化物−フッ化物誘電体において、元素Ｍ１と酸素元素とからなるＭ１の酸化物を含有することで、誘電体を高透明性にしたり、また高融点にしたりすることができる。よって、誘電体層に熱が蓄えられることなく、また耐熱性に優れるため、情報記録媒体の書き換え特性を向上することができる。さらにＴｉおよびＣｒの酸化物は、反射層材料や記録層材料との密着性に優れ、情報記録媒体の耐候性・耐湿性を向上することができる。【００３０】
酸化物−フッ化物誘電体において、元素Ｍ２の多くはイオン半径の大きいことが特徴であり、また元素Ｍ２とフッ素元素とからなるＭ２のフッ化物は水に難溶性を示し、耐湿性を向上することができると考えられる。また酸化物−フッ化物誘電体において、酸化物とフッ化物を混合することにより、誘電体の構造を複雑にすることができ、熱伝導率を下げ、面内に熱が逃げず低い記録パワーで記録マークを鮮明に書くことができると考えた。つまりこれは記録感度が向上することを意味する。但し、熱伝導率を下げすぎると急冷になりすぎ、書き換え特性を悪化させるため、含有する割合を調整し、記録感度と書き換え特性のバランスをとる必要がある。【００３１】
このようにＩｎ元素、元素Ｍ１、酸素元素、元素Ｍ２、およびフッ素元素をバランス良く含有することで、高密着性、高耐熱性、高透明性、および低熱伝導率を満足した誘電体を得ることができる。これにより、高耐候・耐湿性(界面との高密着性)で、記録感度に優れ、書き換え特性良好な情報記録媒体を得ることができる。【００３２】
具体的に、上記酸化物−フッ化物誘電体を構成する元素の系を挙げると、例えば、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｏ−Ｎｄ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｏ−Ｄｙ−Ｆ、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｏ−Ｎｄ−Ｆ、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｏ−Ｄｙ−Ｆ、Ｉｎ−Ｙ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−Ｙ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｙ−Ｏ−Ｎｄ−Ｆ、Ｉｎ−Ｙ−Ｏ−Ｄｙ−Ｆ、Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏ−Ｎｄ−Ｆ、Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏ−Ｄｙ−Ｆ、Ｉｎ−Ｃｒ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−Ｃｒ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｃｒ−Ｏ−Ｎｄ−Ｆ、Ｉｎ−Ｃｒ−Ｏ−Ｄｙ−Ｆ、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎｄ−Ｆ、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｏ−Ｄｙ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｙ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−ＺｒーＹ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−ＺｒーＣｒ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｓｉ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−ＺｒーＳｉ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｙ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｙ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｃｒ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−ＨｆーＣｒ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｓｉ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−ＨｆーＳｉ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｙ−Ｃｒ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−ＹーＣｒ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−ＣｒーＳｉ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｙ−Ｓｉ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−ＺｒーＹ−Ｓｉ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｙ−Ｃｒ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−ＺｒーＹ−Ｃｒ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｙ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−ＺｒーＹ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｏ−Ｌａ−Ｎｄ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｏ−Ｌａ−Ｄｙ−Ｆ、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｙ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｃｒ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｎｄ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｄｙ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｙ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｓｉ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｙ−Ｃｒ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｙ−Ｓｉ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ−ＬａーＣｅ−ＦおよびＩｎ−Ｚｒ−Ｙ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ等が挙げられる。【００３３】
また、例えば、Ｉｎ元素と酸素元素とは薄膜中においてＩｎ2Ｏ3という安定した形を形成していると考えられる。上記具体例に挙げた酸化物−フッ化物誘電体は、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−ＬａＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−ＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−ＮｄＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−ＤｙＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＨｆＯ2−ＬａＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＨｆＯ2−ＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＨｆＯ2−ＮｄＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＨｆＯ2−ＤｙＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3−ＬａＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3−ＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3−ＮｄＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3−ＤｙＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＴｉＯ2−ＬａＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＴｉＯ2−ＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＴｉＯ2−ＮｄＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＴｉＯ2−ＤｙＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3−ＬａＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3−ＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3−ＮｄＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3−ＤｙＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＬａＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＮｄＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＤｙＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−ＬａＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−ＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＬａＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＬａＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＳｉＯ4−ＬａＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＳｉＯ4−ＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＨｆＯ2−Ｙ2Ｏ3−ＬａＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＨｆＯ2−Ｙ2Ｏ3−ＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＨｆＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＬａＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＨｆＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＨｆＯ2−ＳｉＯ2−ＬａＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＨｆＯ2−ＳｉＯ2−ＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3−ＬａＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3−ＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＬａＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＬａＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3−ＬａＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3−ＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＬａＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＬａＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−ＬａＦ3ーＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−ＬａＦ3ーＮｄＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−ＬａＦ3ーＤｙＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＨｆＯ2−ＬａＦ3ーＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3−ＬａＦ3ーＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＴｉＯ2−ＬａＦ3ーＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3−ＬａＦ3ーＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＬａＦ3ーＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−ＬａＦ3ーＣｅＦ3ーＮｄＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−ＬａＦ3ーＣｅＦ3ーＤｙＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−ＬａＦ3ーＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＬａＦ3ーＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−ＬａＦ3ーＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＳｉＯ4−ＬａＦ3ーＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3−ＬａＦ3ーＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＬａＦ3ーＣｅＦ3、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−Ｃｒ2Ｏ3ーＳｉＯ2−ＬａＦ3ーＣｅＦ3およびＩｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＬａＦ3ーＣｅＦ3等という形で存在するとも考えられる。【００３４】
また、良好な記録感度、繰り返し書き換え特性、密着性を得るため、酸化物−フッ化物誘電体を式：ＩｎaＭ１bＯcＭ２dＦ100-a-b-c-d（原子％）で表した場合、３≦ａ≦３８、３≦ｂ≦３８、１０≦ｃ≦６０、１≦ｄ≦３５およびａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＜１００を満足することが好ましい。また、式：（Ｉｎ2Ｏ3）j（Ｄ１）k（Ｄ２）100-j-k（ｍｏｌ％）で表した場合、２０≦ｊ≦８５、２０≦ｋ≦８５およびｊ＋ｋ＜１００を満足することが好ましい。第２の誘電体層１３の膜厚は第１の誘電体層１７と同様、マトリクス法に基づく計算により、決定することができる。具体的な膜厚としては、３ｎｍ〜７５ｎｍの範囲内にあることが望ましく、５ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。【００３５】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体１の製造方法について説明する。
反射層１２、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４、記録層１５、第１の界面層１６、および第１の誘電体層１７は、気相成膜法の一つであるスパッタリング法により形成できる。【００３６】
まず、基板１１（例えば、厚み１１００μｍ）を成膜装置内に配置する。
続けて、まず、反射層１２を成膜する。このとき、基板１１に案内溝が形成されているときは、この案内溝側に反射層１２を成膜する。反射層１２は、反射層１２を構成する金属または合金からなるスパッタリングターゲットを、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒと反応ガス（例えば、酸素ガスや窒素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成される。【００３７】
続いて、反射層１２上に第２の誘電体層１３を成膜する。第２の誘電体層１３はＩｎ元素と、元素Ｍ１と、酸素元素と、元素Ｍ２、およびフッ素元素とを含むスパタリングターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。具体的にこの混合物のスパッタリングターゲットは、例えば、式：ＩｎaＭ１bＯcＭ２dＦ100-a-b-c-d（原子％）で表わされ、３≦ａ≦３８、３≦ｂ≦３８、１０≦ｃ≦６０、１≦ｄ≦３５、およびａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＜１００を満足することが好ましい。また、第２の誘電体層１３は、式：（Ｉｎ2Ｏ3）j（Ｄ１）k（Ｄ２）100-j-k（ｍｏｌ％）（但し、２０≦ｊ≦８５、２０≦ｋ≦８５、およびｊ＋ｋ＜１００を満足する）で表わされるスパッタリングターゲットを用いても形成でき、さらには、Ｉｎ2Ｏ3、Ｄ１およびＤ２の中の必要な誘電体を含むスパッタリングターゲットを複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることにより形成することもできる。【００３８】
続いて、第２の誘電体層１３上に第２の界面層１４を成膜する。第２の界面層１４は、第２の界面層１４を構成する誘電体の混合物からなるスパタリングターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。または構成する金属元素を含むスパタリングターゲットを用いて、Ａｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングにより形成もできる。【００３９】
続いて、第２の界面層１４上に記録層１５を成膜する。記録層１５は、その組成に応じて、Ｇｅ−Ｍ５−Ｔｅ−Ｍ６合金からなるスパッタリングターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中、Ｋｒガス雰囲気中、Ａｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中またはＫｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。【００４０】
続いて、記録層１５上に第１の界面層１６を成膜する。第１の界面層１６は、第１の界面層１６を構成する化合物からなるスパタリングターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。または構成する金属元素を含むスパタリングターゲットを用いて、Ａｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングにより形成もできる。【００４１】
続いて、第１の界面層１６上に第１の誘電体層１７を成膜する。第１の誘電体層１７は、第１の誘電体層１７を構成する化合物からなるスパタリングターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。または構成する金属元素を含むスパタリングターゲットを用いて、Ａｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングにより形成もできる。【００４２】
上記各スパッタリング工程における電源は、直流（ＤＣ：Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）電源および高周波（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電源を用いることができ、供給電力はともに１Ｗ〜１０ｋＷとした。なお、ＤＣ電源を用いて行うスパッタリングをＤＣスパッタリング、ＲＦ電源を用いて行うスパッタリングをＲＦスパッタリングと呼ぶ。
また、スパッタリング中における成膜室の圧力は、０．０１Ｐａ〜１００Ｐａとした。【００４３】
最後に、第１の誘電体層１７上にカバー層１８を形成する。カバー層１８は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第１の誘電体層１７上に塗布しスピンコートとした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。またカバー層１８には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスの円盤状の基板を用いてもよい。この場合は、第１の誘電体層１７に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を塗布し、これらの基板を密着させ、スピンコートにより均一に延ばし、樹脂を硬化させることで形成できる。【００４４】
なお、各層の成膜方法として、スパッタリング法以外に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相堆積法（ＣＶＤ法：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）および分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いることも可能である。【００４５】
なお、第１の誘電体層１７を成膜した後、またはカバー層１８を形成した後、必要に応じて記録層１５の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この初期化は、レーザ光の照射により行うことができる。【００４６】
上記は一例として、書き換え型の情報記録媒体を中心に説明したが、本実施の形態は、追記型または再生専用型の情報記録媒体においても同様に適用できる。また、各層の成膜順序は、上記順序に限定されるものではない。【００４７】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２として、レーザ光を用いて情報の記録および再生を行う情報記録媒体のさらに別の一例を説明する。図２に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。
図２に示す情報記録媒体２は、基板１１の表面上に、反射層１２、第２の誘電体層１３、記録層１５、第１の界面層１６、第１の誘電体層１７、およびカバー層１８がこの順に積層されることにより形成されている。この情報記録媒体２には誘電体層１７側から記録・再生用のエネルギービーム（一般的には、レーザ光）１９が照射される。【００４８】
基板１１、反射層１２、記録層１５、第１の界面層１６、第１の誘電体層１７、およびカバー層１８は、それぞれ実施の形態１で示したものと材料、機能、および形状も同様である。【００４９】
第２の誘電体層１３の材料は、実施の形態１で示したものと同様である。その機能は、実施の形態１の場合に加え、記録層１５と接して設けられているため記録層の結晶化速度を促進または抑制する効果がある。また、カルコゲナイド材料からなる記録層１５と密着性に優れていることが望まれる。第２の誘電体層１３の膜厚は、実施の形態１同様、マトリクス法に基づく計算により決定することができる。具体的な膜厚としては、３ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内にあることが望ましく、５ｎｍ〜４５ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。【００５０】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体２の製造方法について説明する。
まず、基板１１（例えば、厚み１１００μｍ）を成膜装置内に配置する。
続けて、反射層１２、第２の誘電体層１３、記録層１５、第１の界面層１６、第１の誘電体層１７を順次成膜する。形成方法は、それぞれ実施の形態１で示したものと同様である。最後にカバー層１８を実施の形態１と同様の方法で形成する。【００５１】
なお、第１の誘電体層１７を成膜した後、またはカバー層１８を形成した後、必要に応じて記録層１５の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この初期化は、レーザ光の照射により行うことができる。【００５２】
上記は一例として、書き換え型の情報記録媒体について説明したが、本実施の形態は、追記型または再生専用型の情報記録媒体においても同様に適用できる。また、各層の成膜順序は、上記順序に限定されるものではない。【００５３】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３として、レーザ光を用いて情報の記録および再生を行う情報記録媒体のさらに別の一例を説明する。図３に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体３は、情報を記録再生する情報層を２つ（情報層３０１および情報層３０２と記す）含んでおり、片面からのエネルギービーム（一般的には、レーザ光）１９の照射により、各情報層に対して情報を記録再生できる情報記録媒体である。【００５４】
まず、情報層３０２の構成について説明する。情報層３０２は基板１１の表面上に、反射層１２、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４、記録層１５、第１の界面層１６、および第１の誘電体層１７がこの順に積層されることにより形成されている。基板１１、反射層１２、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４、記録層１５、第１の界面層１６、および第１の誘電体層１７は、それぞれ実施の形態１で示したものと材料、機能および形状も同様である。なお、情報層３０２において、第２の界面層１４は必ずしも設ける必要はない。【００５５】
光学分離層３１は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなり、使用するレーザ光に対して光吸収が小さいことが好ましい。光学分離層３１は、情報層３０１および情報層３０２のフォーカス位置を区別するために用いられ、厚さは対物レンズの開口数（ＮＡ）とレーザ光の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上であることが必要である。焦点の光強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）｝で近似できる。また、光学分離層３１においてレーザ光の入射側に案内溝が形成されていてもよい。【００５６】
次に情報層３０１の構成について説明する。情報層３０１は光学分離層３１の表面上に、透過率調整層３２、反射層３３、第２の誘電体層３４、記録層３５、界面層３６、および第１の誘電体層３７がこの順に積層されることにより形成されている。【００５７】
反射層３３には、実施の形態１で示した反射層１２と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。
界面層３６は、実施の形態１で示した第１の界面層１６と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。【００５８】
第１の誘電体層３７は、実施の形態１で示した第１の誘電体層１７と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。膜厚としては、１０ｎｍ〜１２０ｎｍの範囲内にあることが望ましく、２０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。【００５９】
第２の誘電体層３４の材料には、実施の形態１における第２の誘電体層１３や第２の界面層１４の材料を用いることができる。第２の誘電体層３４は、光学的距離を調節して記録層３５の光吸収率を高める働きや、記録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働きを有する。また、記録層３５において発生した熱を速やかに反射層３３へ拡散し、記録層３５を冷却する働きも有する。また、記録層３５と接して設けられているため記録層の結晶化速度を促進または抑制する効果もある。膜厚としては、３ｎｍ〜７５ｎｍの範囲内にあることが望ましく、５ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。【００６０】
記録層３５は、実施の形態１で示した記録層１５と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様であるが、膜厚はレーザ光の透過率を上げるため、なるべく薄くすることが好ましく、４ｎｍ〜９ｎｍ範囲内にあることがより好ましい。【００６１】
透過率調整層３２は、情報層３０１の透過率を調整する働きを有する。この層を設けることにより、記録層が結晶相時における情報層３０１の透過率Ｔc（％）と、記録層が非晶質相時における情報層３０１の透過率Ｔa（％）とを共に高くすることができる。具体的には、透過率調整層３２を設けた場合、透過率調整層３２が無い場合に比べ、ＴcおよびＴaを２〜１０％向上することができる。また、記録層３５において発生した熱を速やかに反射層３３へ拡散し、記録層３５を冷却する働きも有する。透過率をより高めるため、透過率調整層３２の屈折率ｎ１および減衰係数ｋ１は、ｎ１≧２．０およびｎ１≦０．１を満たすことが好ましく、さらに２．０≦ｎ１≦３．０およびｋ１≦０．０５を満たすことがより好ましい。透過率調整層３２には、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3およびＣｅＯ2等の酸化物やＴｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−ＮおよびＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物を用いることができ、その膜厚ｄ１は、（１／１６）λ／ｎ１≦ｄ１≦（７／３２）λ／ｎ１または（９／１６）λ／ｎ１≦ｄ１≦（２１／３２）λ／ｎ１を満たすことが好ましい。【００６２】
最後に、第１の誘電体層３７上にカバー層１８を形成し、情報記録媒体３が作製される。なお、カバー層１８は、実施の形態１で示したものと材料、機能、および形状も同様である。【００６３】
本実施の形態では、情報層を２層に限定した情報記録媒体について説明したが、この情報層を複数設ける場合も、同様の構成、形成方法により情報記録媒体の作製が可能であり、これにより情報記録媒体の大容量化が可能となる。例えば、４層の情報層を設ける場合は、情報記録媒体３の構成を基に、情報層３０１とカバー層１８との間に、情報層３０１と同様の構成で各層の膜厚を調整したものをさらに２層設ければよい。また、各情報層は書き換え型、追記型または再生専用型のいずれであってよい。【００６４】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体３の製造方法について説明する。
まず、基板１１（例えば、厚み１１００μｍ）を成膜装置内に配置する。
続けて情報層３０２を形成のため、反射層１２、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４、記録層１５、第１の界面層１６、および第１の誘電体層１７を順次成膜する。形成方法は、それぞれ実施の形態１で示したものと同様である。【００６５】
続いて、第１の誘電体層１７上に光学分離層３１を形成する。光学分離層３１は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を情報層３０２上に塗布しスピンコートとした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。なお、光学分離層３１に案内溝を設ける場合は、表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板（型）を硬化前の樹脂上に密着させた後、基板１１と転写用基板とをスピンコートし、その後樹脂を硬化させる。さらにその後、転写用基板を硬化した樹脂から剥がすことにより、所定の案内溝が形成された光学分離層３１が形成できる。【００６６】
続けて情報層３０１を形成する。情報層３０１の形成にはまず透過率調整層３２を形成する。透過率調整層３２は、透過率調整層３２を構成する誘電体からなるスパタリングターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また、透過率調整層３２は、構成する金属元素を含むスパタリングターゲットを用いて、Ａｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングにより形成もできる。
続けて、透過率調整層３２上に反射層３３を形成する。反射層３３は、実施の形態１で説明した反射層１２と同様の方法で形成できる。【００６７】
続けて、反射層３３上に第２の誘電体層３４を形成する。第２の誘電体層３４は、実施の形態１で説明した第２の誘電体層１３または第２の界面層１４と同様の方法で形成できる。
続けて、第２の誘電体層３４上に記録層３５を形成する。記録層３５は、実施の形態１で説明した記録層１５と同様の方法で形成できる。
続けて、記録層３５上に第１の界面層３６を形成する。第１の界面層３６は、実施の形態１で説明した第１の界面層１６と同様の方法で形成できる。
続けて、第１の界面層３６上に第１の誘電体層３７を形成する。第１の誘電体層３７は、実施の形態１で説明した第１の誘電体層１７と同様の方法で形成できる。【００６８】
最後に、第１の誘電体層３７上にカバー層１８を実施の形態１と同様の方法で形成する。
なお、第１の誘電体層１７を成膜した後、またはカバー層１８を形成した後、必要に応じて記録層１５の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。また、第１の誘電体層３７を成膜した後、またはカバー層１８を形成した後、必要に応じて記録層３５の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。いずれの場合の初期化も、レーザ光の照射により行うことができる。【００６９】
上記は一例として、書き換え型の情報記録媒体について説明したが、本実施の形態は、追記型または再生専用型の情報記録媒体においても同様に適用できる。また、各層の成膜順序は、上記順序に限定されるものではない。【００７０】
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４として、レーザ光を用いて情報の記録および再生を行う情報記録媒体のさらに別の一例を説明する。図４に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。【００７１】
図４に示す情報記録媒体４は、基板４３の表面上に、第１の誘電体層１７、第１の界面層１６、記録層１５、第２の界面層１４、第２の誘電体層１３、反射層１２、接着層４２、およびダミー基板４１がこの順に積層されることにより形成されている。この情報記録媒体には第１の誘電体層１７側から記録・再生用のエネルギービーム（一般的には、レーザ光）１９が照射される。【００７２】
基板４３、およびダミー基板４１は、透明で円盤状の基板である。基板４３、およびダミー基板４１には、実施の形態１の基板１１と同様に、例えば、ポリカーボネートやアモルファスポリオレフィンやＰＭＭＡ等の樹脂、またはガラスを用いることができる。基板４３の第１誘電体層１７側の表面には、必要に応じてレーザビームを導くための案内溝（トラックピッチ０．６１５μｍ）が形成されていてもよい。基板４３の第１誘電体層１７側と反対側の表面、およびダミー基板４１の接着層４２側と反対側の表面は、平滑であることが好ましい。なお、基板４３、およびダミー基板４１の厚さは、十分な強度があり、且つ情報記録媒体４の厚さが１．２ｍｍ程度となるよう、０．３ｍｍ〜０．９ｍｍの範囲内であることが好ましい。【００７３】
接着層４２は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）や遅効性樹脂等の樹脂からなり、使用するレーザビーム１９に対して光吸収が小さいことが好ましく、短波長域において光学的に複屈折が小さいことが好ましい。なお、接着層４２の厚さは、光学分離層３１と同様の理由により、０．６μｍ〜５０μｍの範囲内にあることが好ましい。【００７４】
反射層１２、第２の誘電体層１３、記録層１５および第１の界面層１６は、それぞれ実施の形態１で示したものと材料、機能、形状も同様である。また、第１の誘電体層１７は、実施の形態１で示したものと材料、機能は同様であり、膜厚は３０ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲内であることが望ましく、７０ｎｍ〜１８０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。また、第２誘電体層１３は、実施の形態１で示したものと材料、機能は同様であり、膜厚は１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが望ましく、２０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。【００７５】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体４の製造方法について説明する。
まず、基板４３（例えば、厚み６００μｍ）を成膜装置内に配置する。
続けて、第１の誘電体層１７、第１の界面層１６、記録層１５、第２の界面層１４、第２の誘電体層１３、反射層１２を順次成膜する。形成方法はそれぞれ実施の形態１で示したものと同様である。【００７６】
次に、情報層が積層された基板４３およびダミー基板４１（例えば、厚み６００μｍ）を、接着層４２を用いて貼り合わせる。具体的には、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）や遅効性樹脂等の樹脂をダミー基板４１上に塗布して、情報層が積層された基板４３をダミー基板４１上に密着させてスピンコートしたのち、樹脂を硬化させるとよい。また、ダミー基板４１上に予め粘着性の樹脂を均一に塗布し、それを情報層が積層された基板４３に密着させることもできる。【００７７】
なお、基板４３およびダミー基板４１を密着させた後、必要に応じて記録層１５の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この初期化は、レーザ光の照射により行うことができる。【００７８】
上記は一例として、書き換え型の情報記録媒体について説明したが、本実施の形態は、追記型または再生専用型の情報記録媒体においても同様に適用できる。また、各層の成膜順序は、上記順序に限定されるものではない。【００７９】
（実施の形態５）
本発明の実施の形態５として、実施の形態１〜３で説明した情報記録媒体１〜３に対して、情報の記録再生を行う方法について説明する。図５に、本実施の形態の記録再生方法に用いられる記録再生装置５０の一部の構成を模式的に示している。記録再生装置５０は、銃砲記録媒体を回転させるスピンドルモータ５１と、半導体レーザ５２を備える光学ヘッド５３と、半導体レーザ５２から出射されるレーザ光５６を集光する対物レンズ５４とを備える。【００８０】
対物レンズ５４の開口数（ＮＡ）は、レーザ光のスポット径を０．４μｍ〜０．７μｍの範囲内に調整するため、０．５〜１．０の範囲内であることが好ましい。レーザ光の波長は４５０ｎｍ以下（より好ましくは３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの青紫領域）であることが好ましい。情報を記録再生する際の線速度は、再生光による結晶化が起こりにくく、且つ十分な消去率が得られる３ｍ／秒〜２０ｍ／秒の範囲内であることが好ましい。【００８１】
情報記録媒体への情報の記録、消去、および上書き記録は、レーザ光のパワーを高パワーのピークパワーと低パワーのバイアスパワーとの変調により行う。ピークパワーのレーザ光を照射することにより、情報記録媒体の記録膜の局所的な一部に非晶質相が形成され、その非晶質相が記録部（記録マーク）となる。記録マーク間ではバイアスパワーのレーザ光が照射され、結晶相が形成され、その結晶相が消去部となる。ピークパワーのレーザ光を照射するときには、パルス列で形成するマルチパルスとするのが一般的である。マルチパルスはピークパワーとバイアスパワーのパワーレベルで変調させてもよいし、０ｍＷからピークパワーの任意のパワーレベルで変調されてよい。【００８２】
なお、基板１１に案内溝が設けられている場合、情報は、レーザ光の入射側から近い溝面（グルーブ）、またはレーザ光の入射側から遠い溝面（ランド）、またはその両方に記録してもよい。
また、情報の再生はレーザ光を情報記録媒体に照射し、情報記録媒体からの信号を検出器で読み取ることにより行われる。再生時におけるレーザ光パワーは、記録マークの光学的な状態が影響を受けず、且つ情報記録媒体の記録マーク検出のための十分な反射光量が得られるパワーとする。【００８３】
（実施の形態６）
本発明の実施の形態６として、実施の形態４で説明した情報記録媒体４に対して、情報の記録再生を行う方法について説明する。本発明の記録再生方法に用いられる記録再生装置５０の一部の構成は実施の形態５と同様であり図５に示す。ここで、実施の形態５と重複する箇所についてはその説明を省略する。【００８４】
対物レンズ５４の開口数（ＮＡ）は、レーザ光のスポット径を０．４μｍ〜０．７μｍの範囲内に調整するため、０．５〜１．０の範囲内であることが好ましい。レーザ光の波長は７００ｎｍ以下（より好ましくは、７００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲内）であることが好ましい。再生光による結晶化が起こりにくく、且つ十分な消去率が得られる３ｍ／秒〜２０ｍ／秒の範囲内であることが好ましい。【００８５】
（実施の形態７）
本発明の実施の形態７として、電気的エネルギーの印加による情報の記録および再生を実施する情報記録媒体の一例を示す。図６に、その情報記録媒体の一部断面を示す。【００８６】
図６は、基板６０１の表面に、下部電極６０２、記録部６０３および上部電極６０４がこの順に形成されたメモリ６０７である。メモリ６０７の記録部６０３は、円柱状の記録層６０５とそれを取り囲む誘電体層６０６から構成される。このメモリ２０７の構成は、先の図１〜図４に示された光学的情報記録媒体とは異なり、記録層６０５および誘電体層６０６は同一面上に形成され、積層された関係ではない。しかし、それらは基板６０１、下部電極６０２および上部電極６０４を含む積層構成の一部を形成しているため、それぞれ「層」と呼び得るものである。したがって、本発明の情報記録媒体には、記録層と誘電体層が同一面上に形成されているものも含む。【００８７】
基板６０１として、具体的には、Ｓｉ等の半導体基板、またはポリカーボネート基板、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁性基板等が用いられる。また、下部電極６０２および上部電極６０４として、具体的には、実施の形態１に示された反射層１２の材料が用いられる。【００８８】
記録部６０３を形成する記録層６０５は、電気的エネルギーの印加により生じるジュール熱によって、相変化する材料で形成される。記録層６０５の材料として、具体的には、実施の形態１に示された記録層１５の材料が用いられる。【００８９】
記録部６０３を形成する誘電体層６０６は、下部電極６０２と上部電極６０４との間に電圧を印加することによって、記録層６０５に流れた電流が周辺部に逃げることを防止し、記録層６０５を電気的および熱的に遮断する機能を有する。誘電体層６０６の材料として、本発明における酸化物−フッ化物誘電体（例えば、Ｉｎ元素と、元素Ｍ１と、酸素元素と、元素Ｍ２およびフッ素元素とを含む誘電体）が用いられる。【００９０】
下部電極６０２、上部電極６０４、記録層６０５、および誘電体層６０６の形成には、スパッタリング、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法およびＭＢＥ法が用いられる。【００９１】
（実施の形態８）
本発明の実施の形態８として、実施の形態７で説明した情報記録媒体（メモリ）６０７を使用するシステムの一例を示す。図７にそのシステムの模式図を示す。【００９２】
２つの印下部６１２を下部電極６０２および上部電極６０４に、ＡｕまたはＡｌリード線でそれぞれボンディングすることによって、印下部６１２を介して電気的書き込み／読み出し装置６１４をメモリ６０７に接続した。この電気的書き込み／読み出し装置６１４において、下部電極６０２と上部電極６０４にそれぞれ接続された印下部６１２の間には、パルス発生部６０８がスイッチ６１０を介して接続され、また、抵抗測定器６０９がスイッチ６１１を介して接続されている。抵抗測定器６０９には、抵抗測定器６０９によって測定される抵抗値の高低を判定する判定部６１３に接続されている。パルス発生部６０８によって印加部６１２を介して下部電極６０２および上部電極６０４の間に電流パルスを流し、下部電極６０２と上部電極６０４との間の抵抗値を抵抗測定器６０９によって測定し、この抵抗値の高低を判定部６１３で判定した。【００９３】
一般に、記録層６０５の相変化により抵抗値が変化するため、この判定結果に基づいて、記録層６０５の相の状態を知ることができ、これによりメモリ６０７に情報の書き込みおよび消去ができているかが判定できる。【００９４】
［実施例］
（実施例１）
以下に、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
本実施例では、情報記録媒体１の一例を説明する。以下、実施例１の情報記録媒体の製造方法である。【００９５】
まず、基板１１として、案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板を用意した。その基板上に、反射層１２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を８０ｎｍ、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４としてＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3膜（具体的には、式：（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％））を５ｎｍ、記録層１５としてＧｅ−Ｂｉ−Ｔｅ−Ｓｎ膜（具体的には、式：Ｇｅ44.0Ｂｉ3.0Ｔｅ50.7Ｓｎ2.3（原子％）で表されるもの）を１１ｎｍ、第１の界面層１６としてＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3膜（具体的には、式：（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％））を５ｎｍ、第１の誘電体層１７してＺｎＳ−ＳｉＯ2膜（具体的には、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％））を順次スパッタリング法により成膜した。その後に紫外線硬化樹脂を第１の誘電体層１７に塗布し、ポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ７０μｍ）を密着させ、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層１８を形成し、情報記録媒体１を作製した。最後に、記録層１５の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。【００９６】
第２の誘電体層１３および第１の誘電体層１７の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光を入射したとき、記録層１５が結晶相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が１５％〜２５％、記録層１５が非晶質相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が１％〜５％となるように決定した。【００９７】
以上のように作製された情報記録媒体１および従来例の情報記録媒体について、反射層１２と第２の誘電体層１３との密着性、記録感度および繰り返し書き返し性能を評価した。【００９８】
密着性の評価は、情報記録媒体を温度９０℃、相対湿度８０％の条件の恒温槽に１００時間放置した後、一度光学顕微鏡を用いて腐食、剥離を観察した。さらに、１００時間放置（合計２００時間放置）した後、光学顕微鏡を観察し、最終的な腐食、剥離の有無を判定する方法で行った。【００９９】
記録感度および繰り返し書き返し性能の評価は、図５で示した記録再生装置５０を用いて行った。レーザ光の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５、測定時の線速度は４．９ｍ／ｓ、最短マーク長は０．１４９μｍであり、グルーブに情報の記録を行った。【０１００】
記録は０．１４９μｍ（２Ｔ）から０．５９６μｍ（８Ｔ）までのランダムな信号を用い同じグルーブに連続して行った。各書き換え回数において信号の再生を行い、前端ジッタ（記録マークの前端部のジッタ）、後端ジッタ（記録マークの後端部のジッタ）、および前端ジッタと後端ジッタの平均ジッタをタイム・インターバル・アナライザにより測定した。【０１０１】
記録感度は平均ジッタ−ピークパワー特性のカーブにおいて、ジッタ値が最小となるピークパワー値とした。なお、本実施例では、記録感度が５．７ｍＷ以下のものを○、５．７ｍＷより大きく６．０ｍＷ以下のものを△、６．０ｍＷより大きいものを×とした。また、１回目のジッタ値に対して３％増加する書き換え回数を情報記録媒体の繰り返し書き返し性能の上限値とした。書き換え回数上限値として、１０００回以上が好ましいが、本実施例においては、５０００回以上が良好であるものとした。【０１０２】
以下の実施例でも同様に、これら密着性、記録感度および繰り返し書き換え特性の３項目について評価を行ったもの関しては、これらの特性を合わせ総合的に情報記録媒体の性能を◎、○、△および×にて判断した。◎より順に情報記録媒体として優れていることを示す。【０１０３】
本実施例の情報記録媒体１の一例として、第２の誘電体層１３に、式：ＩｎaＭ１bＯcＭ２dＦ100-a-b-c-d（原子％）（但し、Ｍ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、ＧａおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素、Ｍ２はＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒより選ばれる少なくとも一つの元素）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｍ１、Ｍ２）＝（Ｚｒ、Ｌａ）、（Ｚｒ、Ｃｅ）、（Ｚｒ、Ｐｒ）、（Ｚｒ、Ｄｙ）、（Ｚｒ、Ｍｇ）、（Ｈｆ、Ｌａ）、（Ｈｆ、Ｃｅ）、（Ｈｆ、Ｇｄ）、（Ｓｉ、Ｌａ）、（Ｓｉ、Ｃｅ）、（Ｃｒ、Ｌａ）、（Ｃｒ、Ｃｅ）、（Ｙ、Ｌａ）、（Ｔｉ、Ｌａ）、（Ｔａ、Ｌａ）および（Ｇａ、Ｌａ）とし、（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）＝（２０、１０、５０、５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−１０１〜１−１１６とする。【０１０４】
さらに別の一例として、第２の誘電体層１３に、式：ＩｎaＭ１bＯcＭ２dＦ100-a-b-c-d（原子％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｍ１、Ｍ２）＝（ＺｒＳｉ、Ｌａ）、（ＺｒＳｉ、Ｃｅ）、（ＨｆＳｉ、Ｌａ）、（ＨｆＳｉ、Ｃｅ）、（ＣｒＳｉ、Ｌａ）、（ＣｒＳｉ、Ｃｅ）、（ＺｒＹ、Ｌａ）および（ＺｒＹ、Ｃｅ）とし、（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）＝（１５、１５、５６、４）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−１１７〜１−１２４とする。【０１０５】
さらに別の一例として、第２の誘電体層１３に、式：ＩｎaＭ１bＯcＭ２dＦ100-a-b-c-d（原子％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｍ１、Ｍ２）＝（Ｚｒ、ＬａＣｅ）、（Ｈｆ、ＬａＣｅ）、（Ｓｉ、ＬａＣｅ）および（Ｃｒ、ＬａＣｅ）とし、（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）＝（１７、９、２５、３３）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−１２５〜１−１２８とする。【０１０６】
さらに別の一例として、第２の誘電体層１３に、式：ＩｎaＭ１bＯcＭ２dＦ100-a-b-c-d（原子％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｍ１、Ｍ２）＝（ＺｒＳｉ、ＬａＣｅ）、（ＨｆＳｉ、ＬａＣｅ）、（ＣｒＳｉ、ＬａＣｅ）および（ＺｒＹ、ＬａＣｅ）とし、（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）＝（２４、１２、５３、６）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−１２９〜１−１３２とする。【０１０７】
また、従来の第２の誘電体層と比較するため、上記記載の構成の情報記録媒体における、第２の誘電体層として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＬａＦ3、（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50、（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＬａＦ3）50および（ＺｒＯ2）50（ＬａＦ3）50を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を１−０００〜１−００６とする）を作製し、同様の評価を行った。
評価結果を表１に示す。【０１０８】
【表１】
2007063672.tif 000003
表１に示すように密着性に関して、本実施例におけるいずれの情報記録媒体１においても反射層１２に対して剥離、腐食は発生せず、従来例１−０００より大きく改善した結果が得られた。つまり、本実施例の第２の誘電体層として適用したいずれの酸化物−フッ化物誘電体とＡｇとの反応性は無く、情報記録媒体の特性を悪化させないことが示された。【０１０９】
また、本実施例におけるいずれの情報記録媒体１においても記録感度、繰り返し書き換え特性は、従来例１−００１〜１−００６の特性より大きく改善している。記録感度はいずれも６．０ｍＷ以下であり、良好である。【０１１０】
また１万回レベルの書き換えが行えることが示された。情報記録媒体を画像、音声、動画の保存用として用いるときは、１０００回の書き換え回数が好ましく、さらにコンピュータにおける外部メモリとして用いるときは１万回以上の書き換え回数が好ましい。つまり、本実施例における情報記録媒体１はいずれもコンピュータにおける外部メモリとしても適用可能であることが示された。さらにＭ１およびＭ２におけるすべての元素で検証を行ったところ、Ｍ１にＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、ＣｒおよびＳｉ、またＭ２にＬａ、Ｃｅ、ＰｒおよびＮｄから選ばれる少なくとも一つの元素を用いると繰り返し書き換え回数が１万回以上となり、より最適であることがわかった。
以上のように、本発明において、従来を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。【０１１１】
（実施例２）
本実施例では、実施例１で示した情報記録媒体１における第２の誘電体層１３に、式：ＩｎaＭ１bＯcＭ２dＦ100-a-b-c-d（原子％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｍ１、Ｍ２）＝（Ｚｒ、Ｃｅ）とし、（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）＝（２、１２、４０、５）、（３、１２、４０、５）、（１４、１２、４０、５）、（２４、１２、４０、５）、（３８、１２、４０、５）および（４０、１２、４０、５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−２０１〜１−２０６とする。【０１１２】
実施例１同様に、反射層１２との密着性、記録感度および繰り返し書き換え性能を評価した。
評価結果を表２に示す。【０１１３】
【表２】
2007063672.tif 000004
結果、いずれのディスクにおいても、剥離や腐食は発生しなかった。また、いずれのディスクにおいても、書き換え回数が５０００回以上と良好な繰り返し書き換え性能が得られた。特に、３≦ａ≦３８とした場合、記録感度良好で書き換え回数が１万回以上と極めて良好な性能が得られた。【０１１４】
また同様に、（Ｍ１、Ｍ２）＝（Ｚｒ、Ｃｅ）とし、（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）＝（１２、２、４０、５）、（１２、３、４０、５）、（１２、１４、４０、５）、（１２、２４、４０、５）、（１２、３８、４０、５）および（１２、４０、４０、５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−２０７〜１−２１２とする。【０１１５】
同様に、反射層１２との密着性、記録感度および繰り返し書き換え性能を評価した。
評価結果を表３に示す。【０１１６】
【表３】
2007063672.tif 000005
結果、いずれのディスクにおいても、剥離や腐食は発生しなかった。また、いずれのディスクにおいても、書き換え回数が５０００回以上と良好な繰り返し書き換え性能が得られた。特に、３≦ｂ≦３８とした場合、記録感度良好で書き換え回数が１万回以上と極めて良好な性能が得られた。【０１１７】
また同様に、（Ｍ１、Ｍ２）＝（Ｚｒ、Ｃｅ）とし、（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）＝（１２、１２、５、５）、（１２、１２、１０、５）、（１２、１２、２０、５）、（１２、１２、４０、５）、（１２、１２、６０、５）および（１２、１２、６５、５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−２１３〜１−２１８とする。【０１１８】
同様に、反射層１２との密着性、記録感度および繰り返し書き換え性能を評価した。
評価結果を表４に示す。【０１１９】
【表４】
2007063672.tif 000006
結果、１０≦ｃ≦６０の範囲外であると、密着性評価において、１００時間後では剥離は発生しなかったが、２００時間後、剥離が発生した。そのため、１０≦ｃ≦６０であることが好ましい。【０１２０】
また同様に、（Ｍ１、Ｍ２）＝（Ｚｒ、Ｃｅ）とし、（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）＝（１２、１２、３５、０．５）、（１２、１２、３５、１）、（１２、１２、３５、１５）、（１２、１２、３５、２５）、（１２、１２、３５、３５）および（１２、１２、３５、４０）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−２１９〜１−２２４とする。【０１２１】
同様に、反射層１２との密着性、記録感度および繰り返し書き換え性能を評価した。
評価結果を表５に示す。【０１２２】
【表５】
2007063672.tif 000007
【０１２３】
結果、いずれのディスクにおいても、剥離や腐食は発生しなかった。また、いずれのディスクにおいても、書き換え回数が５０００回以上と良好な繰り返し書き換え性能が得られた。特に、１≦ｄ≦３５とした場合、記録感度良好で書き換え回数が１万回以上と極めて良好な性能が得られた。
同様に、Ｍ１およびＭ２におけるすべての元素で検証を行ったところ、上記と同様の結果が得られた。【０１２４】
（実施例３）
本実施例では、実施例１で示した情報記録媒体１における第２の誘電体層１３に、式：式：（Ｉｎ2Ｏ3）j（Ｄ１）k（Ｄ２）100-j-k（ｍｏｌ％）（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、ＧａおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素からなる酸化物、Ｄ２はＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒより選ばれる少なくとも一つの元素からなるフッ化物）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ2、ＬａＦ3）、（ＺｒＯ2、ＣｅＦ3）、（ＺｒＯ2、ＰｒＦ3）、（ＺｒＯ2、ＤｙＦ3）、（ＺｒＯ2、ＭｇＦ）、（ＨｆＯ2、ＬａＦ3）、（ＨｆＯ2、ＣｅＦ3）、（ＨｆＯ2、ＧｄＦ3）、（ＳｉＯ2、ＬａＦ3）、（ＳｉＯ2、ＣｅＦ3）、（Ｃｒ2Ｏ3、ＬａＦ3）、（Ｃｒ2Ｏ3、ＣｅＦ3）、（Ｙ2Ｏ3、ＬａＦ3）、（ＴｉＯ2、ＬａＦ3）、（Ｔａ2Ｏ5、ＬａＦ3）および（Ｇａ2Ｏ3、ＬａＦ3）とし、（ｊ、ｋ）＝（５０、２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３−３０１〜３−３１６とする。【０１２５】
さらに別の一例として、第２の誘電体層１３に、式：（Ｉｎ2Ｏ3）j（Ｄ１）k（Ｄ２）100-j-k（ｍｏｌ％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＳｉＯ4、ＬａＦ3）、（ＺｒＳｉＯ4、ＣｅＦ3）、（ＨｆＯ2−ＳｉＯ2、ＬａＦ3）、（ＨｆＯ2−ＳｉＯ2、ＣｅＦ3）、（Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＯ2、ＬａＦ3）、（Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＯ2、ＣｅＦ3）、（ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3、ＬａＦ3）および（ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3、ＣｅＦ3）とし、（ｊ、ｋ）＝（５０、２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３−３１７〜３−３２４とする。【０１２６】
さらに別の一例として、第２の誘電体層１３に、式：（Ｉｎ2Ｏ3）j（Ｄ１）k（Ｄ２）100-j-k（ｍｏｌ％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ2、ＬａＦ3−ＣｅＦ3）、（ＨｆＯ2、ＬａＦ3−ＣｅＦ3）、（ＳｉＯ2、ＬａＦ3−ＣｅＦ3）および（Ｃｒ2Ｏ3、ＬａＦ3−ＣｅＦ3）とし、（ｊ、ｋ）＝（５０、２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３−３２５〜３−３２８とする。【０１２７】
さらに別の一例として、第２の誘電体層１３に、式：（Ｉｎ2Ｏ3）j（Ｄ１）k（Ｄ２）100-j-k（ｍｏｌ％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＳｉＯ4、ＬａＦ3−ＣｅＦ3）、（ＨｆＯ2−ＳｉＯ2、ＬａＦ3−ＣｅＦ3）、（Ｃｒ2Ｏ3−ＳｉＯ2、ＬａＦ3−ＣｅＦ3）および（ＺｒＯ2−Ｙ2Ｏ3、ＬａＦ3−ＣｅＦ3）とし、（ｊ、ｋ）＝（５０、２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−３２９〜１−３３２とする。【０１２８】
評価結果を表６に示す。【０１２９】
【表６】
2007063672.tif 000008
表６に示すように密着性に関して、本実施例におけるいずれの情報記録媒体１においても反射層１２に対して剥離、腐食は発生せず、従来例１−０００より大きく改善した結果が得られた。つまり、本実施例の第２の誘電体層として適用したいずれの酸化物−フッ化物誘電体とＡｇとの反応性は無く、情報記録媒体の特性を悪化させないことが示された。【０１３０】
また、本実施例におけるいずれの情報記録媒体１においても記録感度、繰り返し書き換え特性は、従来例従来例１−００１〜１−００６の特性より大きく改善している。さらにＤ１およびＤ２におけるすべての元素で検証を行ったところ、Ｄ１にＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素からなる酸化物、またＤ２にＬａ、Ｃｅ、ＰｒおよびＮｄより選ばれる少なくとも一つの元素からなるフッ化物を用いると繰り返し書き換え回数が１万回以上となり、より最適であることがわかった。【０１３１】
（実施例４）
本実施例では、実施例１で示した情報記録媒体１における第２の誘電体層１３に、式：（Ｉｎ2Ｏ3）j（Ｄ１）k（Ｄ２）100-j-k（ｍｏｌ％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ2、ＣｅＦ3）とし、（ｊ、ｋ）＝（１５、２５）、（２０、２５）、（４０、２５）、（６０、２５）、（８５、１３）および（９０、８）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−４０１〜１−４０６とする。【０１３２】
実施例１同様に、反射層１２との密着性、記録感度および繰り返し書き換え性能を評価した。
評価結果を表７に示す。【０１３３】
【表７】
2007063672.tif 000009
結果、ｊ＜２０とした場合、密着性評価において、１００時間後では剥離は発生しなかったが、２００時間後、剥離が発生した。また、いずれのディスクにおいても、書き換え回数が５０００回以上と良好な繰り返し書き換え性能が得られた。また、ｊ＞８５とした場合、Ｄ１およびＤ２の含有量が少なくなり、繰り返し書き換え特性が低下する。そのため、特に、２０≦ｊ≦８５とした場合、記録感度良好で書き換え回数が１万回以上と極めて良好な性能が得られた。【０１３４】
また同様に、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ2、ＣｅＦ3）とし、（ｊ、ｋ）＝（２５、１５）、（２５、２０）、（２５、４０）、（２５、６０）、（１３、８５）および（８、９０）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−４０７〜１−４１２とする。【０１３５】
同様に、反射層１２との密着性、記録感度および繰り返し書き換え性能を評価した。
評価結果を表８に示す。【０１３６】
【表８】
2007063672.tif 000010
結果、ｋ＜２０とした場合、Ｄ１の含有量が少なくなり、誘電体の透明性が低下するため、書き換え性能が悪化する（＜５０００回）。また、ｋ＞８５とした場合、Ｄ２の含有量が少なくなり、記録感度が悪下する。そのため、特に、２０≦ｋ≦８５とした場合、記録感度良好で書き換え回数が１万回以上と極めて良好な性能が得られた。
同様にＤ１およびＤ２におけるすべての元素で検証を行ったところ、上記と同様の結果が得られた。【０１３７】
（実施例５）
本実施例では情報記録媒体２の一例を説明する。情報記録媒体２の各層の形成方法は実施例１と同様である。本実施例においては、第２の誘電体層１３に、式：（Ｉｎ2Ｏ3）j（Ｄ１）k（Ｄ２）100-j-k（ｍｏｌ％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ2、ＬａＦ3）、（ＺｒＯ2、ＣｅＦ3）、（ＺｒＯ2、ＤｙＦ3）、（ＺｒＯ2、ＭｇＦ）、（ＨｆＯ2、ＬａＦ3）、（ＨｆＯ2、ＣｅＦ3）、（ＴｉＯ2、ＬａＦ3）、（ＴｉＯ2、ＣｅＦ3）、（ＳｉＯ2、ＬａＦ3）、（ＳｉＯ2、ＣｅＦ3）、（Ｃｒ2Ｏ3、ＬａＦ3）、（Ｃｒ2Ｏ3、ＣｅＦ3）、（Ｇａ2Ｏ3、ＬａＦ3）および（Ｎｂ2Ｏ5、ＣｅＦ3）とし、（ｊ、ｋ）＝（５０、２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ２−１０１〜２−２１４とすし、記録層との密着性の評価を行った。【０１３８】
また、実施例１と同様、第２の誘電体層１３に従来の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を２−０００とする）を作製し、比較した。
評価結果を表９に示す。【０１３９】
【表９】
2007063672.tif 000011
表９に示すように、本実施例におけるいずれの情報記録媒体２においても記録層１２に対して腐食は発生しなかった。Ｄ１およびＤ２の選択により、１００時間後では剥離は発生しなかったが、２００時間後において剥離が発生したものがあるが、従来例（ディスクＮｏ．２−０００）の密着性より優れた特性を示した。【０１４０】
（実施例６）
本実施例では情報記録媒体３の一例を説明する。情報記録媒体３の情報層３０２の形成方法は実施例１と同様である。本実施例においては、第２の誘電体層１３に、式：（Ｉｎ2Ｏ3）j（Ｄ１）k（Ｄ２）100-j-k（ｍｏｌ％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ2、ＬａＦ3）、（ＺｒＯ2、ＣｅＦ3）、（ＨｆＯ2、ＬａＦ3）、（ＨｆＯ2、ＣｅＦ3）、（ＳｉＯ2、ＬａＦ3）、（ＳｉＯ2、ＣｅＦ3）、（Ｃｒ2Ｏ3、ＬａＦ3）および（Ｃｒ2Ｏ3、ＣｅＦ3）とし、（ｊ、ｋ）＝（５０、２５）としたものを適用した。これらの情報記録媒体のディスクＮｏ．をそれぞれ３−１０１〜３−１０８とする。【０１４１】
続けて、情報層３０２上に案内溝の設けられた光学分離層３１を形成した。
続けて、光学分離層３１上に情報層３０１を形成する。情報層３０１は透過率調整層３２としてＴｉＯ2を２１ｎｍ（≒（１１／８０）λ／ｎ）、反射層３３としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を１０ｎｍ、第２の誘電体層３４としてＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3膜（具体的には、式：（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％））、記録層３５としてＧｅ−Ｂｉ−Ｔｅ−Ｓｎ膜（具体的には、式：Ｇｅ42.7Ｂｉ4.1Ｔｅ51.0Ｓｎ2.2（原子％）で表されるもの）を６．５ｎｍ、界面層３６としてＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3膜（具体的には、式：（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％））を５ｎｍ、第１の誘電体層３７してＺｎＳ−ＳｉＯ2膜（具体的には、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％））を順次スパッタリング法により成膜した。最後に紫外線硬化樹脂を第１の誘電体層３７に塗布し、ポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ７０μｍ）を密着させ、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層１８を形成し、情報記録媒体３を作製した。【０１４２】
第２の誘電体層３４および第１の誘電体層３７の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光を入射したとき、記録層３５が結晶相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が４％〜１０％、記録層３５が非晶質相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が１％〜５％、透過率Ｔc（％）および透過率Ｔa（％）がともに４５％〜５５％となるように決定した。【０１４３】
以上のように作製された情報記録媒体３（ディスクＮｏ．３−１０１〜３−１０８）について、実施例１と同様、反射層１２と第２の誘電体層１３との密着性、情報層３０２の記録感度および繰り返し書き返し性能を評価した。なお、本実施例では、記録感度が１１．４ｍＷ以下のものを○、１１．４ｍＷより大きく１２．０ｍＷ以下のものを△、１２．０ｍＷより大きいものを×とした。【０１４４】
また、実施例１と同様、第２の誘電体層１３に従来の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＬａＦ3、（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50、（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＬａＦ3）50および（ＺｒＯ2）50（ＬａＦ3）50を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を３−０００〜３−００６とする）を作製し、比較した。
評価結果を表１０に示す。【０１４５】
【表１０】
2007063672.tif 000012
表１０に示すように密着性に関して、本実施例におけるいずれの情報記録媒体３においても反射層１２に対して剥離、腐食は発生せず、従来例３−０００より大きく改善した結果が得られた。また、本実施例におけるいずれの情報記録媒体３においても記録感度、繰り返し書き換え特性は、従来例３−００１〜３−００６の特性より大きく改善している。記録感度はいずれも１２．０ｍＷ以下であり、良好である。
また、いずれのディスクにおいても１万回以上の書き換えが行えることが示され、本実施例における情報記録媒体３はいずれもコンピュータにおける外部メモリとしても適用可能であることが示された。
以上のように、本発明において、従来を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。【０１４６】
（実施例７）
本実施例では実施例６に記述の情報記録媒体３において、第２の誘電体層１３に、式：（Ｉｎ2Ｏ3）j（Ｄ１）k（Ｄ２）100-j-k（ｍｏｌ％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ2、ＣｅＦ3）、（ｊ、ｋ）＝（５０、２５）を適用し、情報層３０１における第２の誘電体層３４に式：（Ｉｎ2Ｏ3）j（Ｄ１）k（Ｄ２）100-j-k（ｍｏｌ％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ2、ＬａＦ3）、（ＺｒＯ2、ＣｅＦ3）、（ＺｒＯ2、ＤｙＦ3）、（ＺｒＯ2、ＭｇＦ）、（ＨｆＯ2、ＬａＦ3）、（ＨｆＯ2、ＣｅＦ3）、（ＴｉＯ2、ＬａＦ3）、（ＴｉＯ2、ＣｅＦ3）、（ＳｉＯ2、ＬａＦ3）、（ＳｉＯ2、ＣｅＦ3）、（Ｃｒ2Ｏ3、ＬａＦ3）、（Ｃｒ2Ｏ3、ＣｅＦ3）、（Ｇａ2Ｏ3、ＬａＦ3）および（Ｎｂ2Ｏ5、ＣｅＦ3）とし、（ｊ、ｋ）＝（５０、２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３−２０１〜３−２１４とし、記録層との密着性の評価を行った。【０１４７】
また、実施例１と同様、第２の誘電体層３４に従来の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を３−００７とする）を作製し、比較した。
評価結果を表１１に示す。【０１４８】
【表１１】
2007063672.tif 000013
表１１に示すように、本実施例におけるいずれの情報記録媒体２においても記録層１２に対して腐食は発生しなかった。Ｄ１およびＤ２の選択により、１００時間後では剥離は発生しなかったが、２００時間後において剥離が発生したものがあるが、従来例（ディスクＮｏ．３−００７）の密着性より優れた特性を示した。【０１４９】
（実施例８）
本実施例では情報記録媒体４の一例を説明する。
以下、実施例８の情報記録媒体の製造方法である。【０１５０】
まず、基板４３として、案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板を用意した。その基板上に、第１の誘電体層１７してＺｎＳ−ＳｉＯ2膜（具体的には、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％））、第１の界面層１６としてＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3膜（具体的には、式：（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％））を５ｎｍ、記録層１５としてＧｅ−Ｂｉ−Ｔｅ−Ｓｎ膜（具体的には、式：Ｇｅ44.0Ｂｉ3.0Ｔｅ50.7Ｓｎ2.3（原子％）で表されるもの）を１０ｎｍ、第２の界面層１４としてＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3膜（具体的には、式：（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％））を５ｎｍ、第２の誘電体層１３、反射層１２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を１００ｎｍ、を順次スパッタリング法により成膜した。その後、紫外線硬化性樹脂をダミー基板４１上に塗布し、基板４３の反射層１２をダミー基板４１に密着し回転させることによって均一な樹脂層（厚さ２０μｍ）を形成したのち、紫外線を照射して樹脂を硬化させることによって、接着層４２を介して基板４３とダミー基板４１を接着させた。最後に、記録層１５の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。【０１５１】
第２の誘電体層１３および第１の誘電体層１７の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、６６０ｎｍのレーザ光を入射したとき、記録層１５が結晶相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が１３％〜２０％、記録層１５が非晶質相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が０．５％〜４％となるように決定した。【０１５２】
以上のように作製された情報記録媒体４および従来例の情報記録媒体について、反射層１２と第２の誘電体層１３との密着性、記録感度、および繰り返し書き返し性能を評価した。【０１５３】
密着性の評価は、実施例１と同様、情報記録媒体を温度９０℃、相対湿度８０％の条件の恒温槽に１００時間放置した後、一度光学顕微鏡を用いて腐食、剥離を観察した。さらに、１００時間放置（合計２００時間放置）した後、光学顕微鏡を観察し、最終的な腐食、剥離の有無を判定する方法で行った。【０１５４】
記録感度および繰り返し書き返し性能の評価は、図５で示した記録再生装置５０を用いて行った。レーザ光の波長は６６０ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．６５、測定時の線速度は８．２ｍ／ｓ、最短マーク長は０．４２μｍであり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。【０１５５】
記録は０．４２μｍ（３Ｔ）から１．５４μｍ（１１Ｔ）までのランダムな信号を用い同じグルーブおよびランドに連続して行った。各書き換え回数において信号の再生を行い、前端ジッタ（記録マークの前端部のジッタ）、後端ジッタ（記録マークの後端部のジッタ）、および前端ジッタと後端ジッタの平均ジッタをタイム・インターバル・アナライザにより測定した。【０１５６】
記録感度は平均ジッタ−ピークパワー特性のカーブにおいて、ジッタ値が最小となるピークパワー値とした。なお、本実施例では、記録感度が１２．０ｍＷ以下のものを○、１２．０ｍＷより大きく１４．０ｍＷ以下のものを△、１４．０ｍＷより大きいものを×とした。また、１回目のジッタ値に対して３％増加する書き換え回数を情報記録媒体の繰り返し書き返し性能の上限値とした。書き換え回数上限値として、１０００回以上が好ましいが、本実施例においては、５０００回以上が良好であるものとした。【０１５７】
本実施例の情報記録媒体１の一例として、第２の誘電体層１３に、式：Ｉｎ2Ｏ3）j（Ｄ１）k（Ｄ２）100-j-k（ｍｏｌ％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ2、ＬａＦ3）、（ＺｒＯ2、ＣｅＦ3）、（ＨｆＯ2、ＬａＦ3）、（ＨｆＯ2、ＣｅＦ3）、（ＳｉＯ2、ＬａＦ3）、（ＳｉＯ2、ＣｅＦ3）、（Ｃｒ2Ｏ3、ＬａＦ3）および（Ｃｒ2Ｏ3、ＣｅＦ3）とし、（ｊ、ｋ）＝（５０、２５）としたものを適用した。これらの情報記録媒体のディスクＮｏ．をそれぞれ４−１０１〜４−１０８とする。【０１５８】
また、従来の第２の誘電体層と比較するため、上記記載の構成の情報記録媒体における、第２の誘電体層として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＬａＦ3、（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50、（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＬａＦ3）50および（ＺｒＯ2）50（ＬａＦ3）50を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を４−０００〜４−００６とする）を作製し、同様の評価を行った。
評価結果を表１２に示す。【０１５９】
【表１２】
2007063672.tif 000014
表１２に示すように密着性に関して、本実施例におけるいずれの情報記録媒体４においても反射層１２に対して剥離、腐食は発生せず、従来例４−０００より大きく改善した結果が得られた。つまり、本実施例の第２の誘電体層として適用したいずれの酸化物−フッ化物誘電体とＡｇとの反応性は無く、情報記録媒体の特性を悪化させないことが示された。また、本実施例におけるいずれの情報記録媒体４においても記録感度、繰り返し書き換え特性は、従来例４−００１〜４−００６の特性より大きく改善している。記録感度はいずれも１２．０ｍＷ以下であり、良好である。【０１６０】
また１万回レベルの書き換えが行えることが示された。情報記録媒体を画像、音声、動画の保存用として用いるときは、１０００回の書き換え回数が好ましく、さらにコンピュータにおける外部メモリとして用いるときは１万回以上の書き換え回数が好ましい。つまり、本実施例における情報記録媒体４はいずれもコンピュータにおける外部メモリとしても適用可能であることが示された。
以上のように、本発明において、従来を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。【０１６１】
（実施例９）
本実施例では情報記録媒体（メモリ）６０７の一例を説明する。【０１６２】
以下、実施例８の情報記録媒体の作製方法である。
まず、表面を窒化処理した長さ５ｍｍ、幅５ｍｍおよび厚さ１ｍｍのＳｉ基板６０１上に、Ａｕの下部電極６０２を１．０ｍｍ×１．０ｍｍの領域に厚さ０．１μｍで、Ｇｅ38Ｓｂ10Ｔｅ52の記録層６０５を直径０．２ｍｍの円形領域に厚さ０．１μｍで、（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25（ＬａＦ3）25（本発明の酸化物−フッ化物誘電体）の誘電体層６０６を０．６ｍｍ×０．６ｍｍの領域（但し、記録層６０５部を除く）に厚さ０．１μｍで、Ａｕの上部電極６０４を０．６ｍｍ×０．６ｍｍの領域に厚さ０．１μｍで、スパッタリング法により順次形成した。【０１６３】
本実施例においては、記録層６０５の融点は６５０℃、結晶化温度は１８０℃、結晶化時間は１４０ｎｓであった。下部電極６０２と上部電極の６０４間の抵抗値は、記録層６０５の相が非晶質状態では１０００Ω、結晶状態では３０Ωであった。記録層６０５が非晶質状態のとき、下部電極６０２と上部電極の６０４間に２０ｍＡ、１５０ｎｓの電流パルスを印加したところ、電極間の抵抗値が低下し、記録層６０５の相が非晶質状態から結晶状態へと転移した。また、記録層６０５が結晶状態のとき、下部電極６０２と上部電極の６０４間に２００ｍＡ、１００ｎｓの電流パルスを印加したところ、電極間の抵抗値が上昇し、記録層６０５の相が結晶状態から非晶質状態へと転移した。【０１６４】
以上の結果より、誘電体層６０６に本発明の酸化物−フッ化物誘電体：（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25（ＬａＦ3）25を適用することで、電気的エネルギーの印加で記録層６０５に相変態を起こすことができ、よって情報記録媒体６０７が情報を記録する機能を有することが示された。また、誘電体層６０６を設けることにより、記録層６０５から電流が周辺部に逃げるのを抑制でき、電流により生じるジュール熱によって記録層６０５の温度を効率的に上昇させることができる。特に記録層６０５の相を結晶状態から非晶質状態へと転移させる場合には、記録層６０５を一旦溶解し急冷させる過程が必要であるが、誘電体層６０６を設けることにより、より小さな電流により記録層６０５の温度を融点以上に到達させることか可能である。【０１６５】
また、記録部６０３において、複数の記録層６０５を互いに誘電体層６０６で隔離させた構成にすることにより、複数の記録層６０５を設けることができ、情報記録媒体６０７のメモリ容量を増大させたり、アクセス速度やスイッチング機能を向上させたりすることができる。またさらに、情報記録媒体６０７自体を複数個つなぐことも可能である。【０１６６】
（実施例１０）
本実施例では実施の形態３に記述した４つの情報層を有する情報記録媒体（情報記録媒体５と記す）について、図８に示すレーザの最も入射側となる情報層５０１の第２の誘電体層８６に、式：（Ｉｎ2Ｏ3）j（Ｄ１）k（Ｄ２）100-j-k（ｍｏｌ％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ2、ＬａＦ3）、（ＺｒＯ2、ＣｅＦ3）、（ＺｒＯ2、ＤｙＦ3）、（ＺｒＯ2、ＭｇＦ）、（ＨｆＯ2、ＬａＦ3）、（ＨｆＯ2、ＣｅＦ3）、（ＴｉＯ2、ＬａＦ3）、（ＴｉＯ2、ＣｅＦ3）、（ＳｉＯ2、ＬａＦ3）、（ＳｉＯ2、ＣｅＦ3）、（Ｃｒ2Ｏ3、ＬａＦ3）、（Ｃｒ2Ｏ3、ＣｅＦ3）、（Ｇａ2Ｏ3、ＬａＦ3）および（Ｎｂ2Ｏ5、ＣｅＦ3）とし、（ｊ、ｋ）＝（５０、２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ５−１０１〜５−１１４とし、記録層との密着性の評価を行った。【０１６７】
また、実施例１と同様、第２の誘電体層３４に従来の（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を５−００１とする）を作製し、比較した。
評価結果を表１３に示す。【０１６８】
【表１３】
2007063672.tif 000015
表１３に示すように、本実施例におけるいずれの情報記録媒体５においても記録層８７に対して腐食は発生しなかった。Ｄ１およびＤ２の選択により、１００時間後では剥離は発生しなかったが、２００時間後において剥離が発生したものがあるが、従来例（ディスクＮｏ．５−００１）の密着性より優れた特性を示した。
以上、本発明の実施の形態について例を取り上げ説明したが、前述したように本発明は上記の実施の形態に限定されず本発明の技術発想に基づいて他の実施の形態にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【０１６９】
本発明の情報記録媒体とその製造方法は、優れた誘電体材料を有し、大容量な光学的情報記録媒体として、例えばＢｌｕ−ｒａｙ  ＤｉｓｃやＤＶＤ−ＲＡＭのようなＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）に有用である。また、直径６ｃｍや８ｃｍのような小径ディスクに応用することもできる。さらに、電気的情報記録媒体として、電気的なスイッチング素子としても有用である。いずれも、書き換え型、追記型または再生専用型を問わず応用することが可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【手続補正書】
【提出日】平成20年5月16日(2008.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも記録層を備え、前記記録層がレーザビームの照射または電流の印加によって、相変化を起こす情報記録媒体において、
Ｉｎ元素と、元素Ｍ１（但し、Ｍ１は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｇａ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素）と、酸素元素（Ｏ）と、元素Ｍ２（但し、Ｍ２は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｍｇ、Ｃａ、およびＳｒより選ばれる少なくとも一つの元素）と、フッ素元素（Ｆ）とを含む、酸化物−フッ化物誘電体層を備える、情報記録媒体。
【請求項２】
少なくとも二つの情報層を備え、
そのうち少なくとも一つの情報層が、前記記録層と、前記酸化物−フッ化物誘電体層とを少なくとも有する、
請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記酸化物−フッ化物誘電体層は、式：ＩｎａＭ１ｂＯｃＭ２ｄＦ１００−ａ−ｂ−ｃ−ｄ（原子％）で表わされ、３≦ａ≦３８、３≦ｂ≦３８、１０≦ｃ≦６０、１≦ｄ≦３５、およびａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＜１００を満足する、
請求項１または２に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記酸化物−フッ化物誘電体層は、前記元素Ｍ１より選ばれる元素Ｍ３（但し、Ｍ３は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｃｒ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素）と、前記元素Ｍ２より選ばれる元素Ｍ４（但し、Ｍ４は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、およびＮｄより選ばれる少なくとも一つの元素）とを含む、
請求項１または２に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記酸化物−フッ化物誘電体層は、式：ＩｎｅＭ３ｆＯｇＭ４ｈＦ１００−ｅ−ｆ−ｇ−ｈ（原子％）で表わされ、３≦ｅ≦３８、３≦ｆ≦３８、１０≦ｇ≦６０、１≦ｈ≦３５、およびｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＜１００を満足する、
請求項４に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記酸化物−フッ化物誘電体層は、Ｉｎ元素の酸化物と、酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｇａ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素からなる酸化物）と、フッ化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｍｇ、Ｃａ、およびＳｒより選ばれる少なくとも一つの元素からなるフッ化物）とを含む、
請求項１または２に記載の情報記録媒体。
【請求項７】
前記酸化物−フッ化物誘電体層は、式：（Ｉｎ２Ｏ３）ｊ（Ｄ１）ｋ（Ｄ２）１００−ｊ−ｋ（ｍｏｌ％）で表わされ、２０≦ｊ≦８５、２０≦ｋ≦８５、およびｊ＋ｋ＜１００を満足する、
請求項６に記載の情報記録媒体。
【請求項８】
前記酸化物−フッ化物誘電体層は、前記酸化物Ｄ１より選ばれる酸化物Ｄ３（但し、Ｄ３は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｃｒ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素からなる酸化物）と、前記フッ化物Ｄ２より選ばれるフッ化物Ｄ４（但し、Ｄ４は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、およびＮｄより選ばれる少なくとも一つの元素からなるフッ化物）とを含む、
請求項１または２に記載の情報記録媒体。
【請求項９】
前記酸化物−フッ化物誘電体層は、式：（Ｉｎ２Ｏ３）ｍ（Ｄ３）ｎ（Ｄ４）１００−ｍ−ｎ（ｍｏｌ％）で表わされ、２０≦ｍ≦８５、２０≦ｎ≦８５、およびｍ＋ｎ＜１００を満足する、
請求項８に記載の情報記録媒体。
【請求項１０】
前記酸化物−フッ化物誘電体層は、式：（Ｉｎ２Ｏ３）ｍ（Ｄ３）ｎ（Ｄ４）１００−ｍ−ｎ（ｍｏｌ％）で表わされ、２５≦ｍ≦６５、２０≦ｎ≦６０、およびｍ＋ｎ＜１００を満足する、
請求項８に記載の情報記録媒体。
【請求項１１】
反射層、第２の誘電体層、前記記録層、および第１の誘電体層をこの順に備え、
前記第１および前記第２の誘電体層の少なくとも１つは、前記酸化物−フッ化物誘電体層である、
請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１２】
反射層、第２の誘電体層、前記記録層、および第１の誘電体層をこの順に備え、
前記第２の誘電体層は、前記酸化物−フッ化物誘電体層である、
請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１３】
レーザビームの入射側に最も近い情報層において、光学分離層、反射層、第４の誘電体層、記録層、および第３の誘電体層をこの順に有し、
前記第３および前記第４の誘電体層の少なくとも１つは、前記酸化物−フッ化物誘電体層である、
請求項２に記載の情報記録媒体。
【請求項１４】
レーザビームの入射側に最も近い情報層において、光学分離層、反射層、第４の誘電体層、記録層、および第３の誘電体層をこの順に有し、
前記第４の誘電体層は、前記酸化物−フッ化物誘電体層である、
請求項２に記載の情報記録媒体。
【請求項１５】
請求項１または２に記載の情報記録媒体の製造方法であって、
前記酸化物−フッ化物誘電体層を、Ｉｎ元素と、元素Ｍ１と、酸素元素と、元素Ｍ２と、フッ素元素とを含むスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により形成する、
情報記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
前記スパッタリングターゲットは、式：ＩｎａＭ１ｂＯｃＭ２ｄＦ１００−ａ−ｂ−ｃ−ｄ（原子％）で表わされ、３≦ａ≦３８、３≦ｂ≦３８、１０≦ｃ≦６０、１≦ｄ≦３５、およびａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＜１００を満足する、
請求項１５に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
前記スパッタリングターゲットは、前記元素Ｍ１より選ばれる元素Ｍ３（但し、Ｍ３は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｃｒ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素）と、前記元素Ｍ２より選ばれる元素Ｍ４（但し、Ｍ４は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、およびＮｄより選ばれる少なくとも一つの元素）とを含み、
式：ＩｎｅＭ３ｆＯｇＭ４ｈＦ１００−ｅ−ｆ−ｇ−ｈ（原子％）で表わされ、３≦ｅ≦３８、３≦ｆ≦３８、１０≦ｇ≦６０、１≦ｈ≦３５、およびｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＜１００を満足する、
請求項１５に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
前記スパッタリングターゲットは、Ｉｎの酸化物と、酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｇａ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素からなる酸化物）と、フッ化物Ｄ２（但し、Ｄ２は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｍｇ、Ｃａ、およびＳｒより選ばれる少なくとも一つの元素からなるフッ化物）とを含み、
式：（Ｉｎ２Ｏ３）ｊ（Ｄ１）ｋ（Ｄ２）１００−ｊ−ｋ（ｍｏｌ％）で表わされ、２０≦ｊ≦８５、２０≦ｋ≦８５、およびｊ＋ｋ＜１００を満足する、
請求項１５に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１９】
前記スパッタリングターゲットは、前記酸化物Ｄ１より選ばれる酸化物Ｄ３（但し、Ｄ３は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｃｒ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素からなる酸化物）と、前記フッ化物Ｄ２より選ばれるフッ化物Ｄ４（但し、Ｄ４は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、およびＮｄより選ばれる少なくとも一つの元素からなるフッ化物）とを含み、
式：（Ｉｎ２Ｏ３）ｍ（Ｄ３）ｎ（Ｄ４）１００−ｍ−ｎ（ｍｏｌ％）で表わされ、２０≦ｍ≦８５、２０≦ｎ≦８５、およびｍ＋ｎ＜１００を満足する、
請求項１５に記載の情報記録媒体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】明細書
【発明の名称】情報記録媒体とその製造方法
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学的手段または電気的手段によって情報を記録または再生する情報記録媒体とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学的情報記録媒体の一例として、ブルーレイ・ディスク（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ）がある。その媒体の層構成として、基板の表面上に、反射層、第３の界面層、第２の誘電体層、第２の界面層、記録層、第１の界面層、第１の誘電体層、およびカバー層がこの順に形成されたものが挙げられる。
第１の誘電体層および第２の誘電体層は、光学距離（＝屈折率×物理距離）を調節することで記録層の光吸収効率を高め、結晶相における反射率および非晶質相における反射率の差を大きくし、信号振幅を大きくする機能を有する。また、記録層を水分等から保護する機能も兼ね備える。これら誘電体層の材料の一例として、８０ｍｏｌ％のＺｎＳと２０ｍｏｌ％のＳｉＯ２の混合物（以下、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０と表記）が挙げられる（例えば、特許文献１参照）。この材料は、非晶質材料であり、熱伝導率が低く、高屈折率で高透明性という特性を有する。また、膜形成時の成膜速度が速く、機械的特性や耐湿性にも優れている。このような優れた特性を有するため、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０は誘電体層を形成するのに非常に適した材料として、実用化されてきた。
【０００３】
第１の界面層および第２の界面層は、レーザ光を記録層に照射し、繰り返し書き換え記録を行う際、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０中の硫黄（以下、Ｓ）元素が記録層に拡散するのを防止する目的で設けられる。記録層中にＳ元素が拡散すると、媒体の反射率が著しく低下し、記録媒体の繰り返し書き換え特性が著しく悪化する。この界面層の材料としては、例えばＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３とを含む材料が開示されている（例えば特許文献２参照）。この材料は、Ｓ元素を含まず、青紫色波長領域（４０５ｎｍ付近）のレーザに対して透明性が高く、また高融点であるため耐熱性も高い優れた材料である。
【０００４】
反射層は、光学的には記録層に吸収される光量を増大させ、熱的には記録層で生じた熱を速やかに拡散させ、記録層を急冷し非晶質化し易くする機能を有する。さらに、記録層、界面層、および誘電体層を使用環境から保護する機能も有する。このため反射層の材料として、熱伝導率の高いＡｇ合金が好ましく適用されてきた。
第３の界面層は、第２の誘電体層に（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を適用し、反射層にＡｇ合金を適用した場合に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０中のＳ元素が反射層に拡散するのを防ぐ機能を有する。Ｓ元素が反射層に拡散すると、Ａｇ合金中のＡｇと反応し、Ａｇ２Ｓが生成される。このＡｇ２Ｓは常温常湿環境でも生成し、媒体の信頼性が著しく低下する。この第３の界面層の材料としては、硫化物を除く誘電体、Ａｇを除く金属、半金属、半導体が用いることができる。
【特許文献１】  特公平０６−０９０８０８号公報
【特許文献２】  特開２００３−３２３７４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者らは、第２の誘電体層にＳ元素を含む誘電体を用い、第２の界面層および第３の界面層を設けることによる複数の課題を見出した。
第３の界面層に注目すると、まず、記録層で生じた熱が拡散しにくくなることが挙げられる。情報記録媒体において、冷却効果が大きいと非晶質化し易く、良好な記録マークが得られる。元素の中で最も熱伝導率が高いものはＡｇであるが、先述したように、第３の界面層にはＡｇ合金を用いることはできない。そのため第３の界面層を設けることで、記録層の冷却効果が低下する。また、元素の相互拡散防止効果を高める目的で、界面層を異なる材料を用いて多層化したり、膜厚を厚くしたりすることで、さらに冷却効果が失われて急冷化されにくくなり、信号品質が低下する。第２には、第３の界面層を設けることで、媒体を構成する層数が増えることである。層数が増えることで、媒体を製造する設備への投資額が増えたり、製造タクトが長くなったりするという課題が生じ、媒体のコストが上昇することになる。
【０００６】
第２の界面層についても同様、この層を設けることにより、冷却効果が低下したり、媒体コストが上昇したりすることになる。
本発明は上記の課題を解決するもので、Ｓ元素を含まず、青紫色波長領域レーザに対して高透明性を有し、耐湿性に優れた誘電体材料を提供することを目的とする。さらに、この誘電体材料を第２の誘電体層に適用することで、第２および第３の界面層が不要となり、高信号品質で記録感度および繰り返し書き換え特性に優れた情報記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明における情報記録媒体は、Ｉｎ元素と、元素Ｍ１（但し、Ｍ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｇａ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素）と、酸素元素（Ｏ）と、元素Ｍ２（但し、Ｍ２はＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｍｇ、Ｃａ、およびＳｒより選ばれる少なくとも一つの元素）と、フッ素元素（Ｆ）とを含む酸化物−フッ化物誘電体層を備える。
【０００８】
また、本発明の情報記録媒体の製造方法は、Ｉｎ元素と、元素Ｍ１（但し、Ｍ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｇａ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素）と、酸素元素（Ｏ）と、元素Ｍ２（但し、Ｍ２はＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｍｇ、Ｃａ、およびＳｒより選ばれる少なくとも一つの元素）と、フッ素元素（Ｆ）とを含むスパッタリングターゲットを用いて、酸化物−フッ化物誘電体層を形成する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の情報記録媒体によれば、反射層と誘電体層との間に界面層を設けなくても、高信号品質で記録感度および繰り返し書き換え特性に優れた情報記録媒体を提供することができる。また、本発明の情報記録媒体の製造方法によれば、上記のような効果を奏する情報記録媒体を作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明における実施の形態について図面を参照しながら説明する。以下の実施の形態は例示的なものであり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１として、レーザ光を用いて情報の記録および再生を行う情報記録媒体の一例を説明する。図１に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。
【００１１】
図１に示す情報記録媒体１は、基板１１の表面上に、反射層１２、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４、記録層１５、第１の界面層１６、第１の誘電体層１７、およびカバー層１８がこの順に積層されることにより形成されている。この情報記録媒体には第１の誘電体層１７側から記録・再生用のエネルギービーム（一般的には、レーザ光）１９が照射される。
【００１２】
カバー層１８は、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなり、使用するレーザ光に対して光吸収が小さいことが好ましい。またカバー層１８には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスを用いてもよい。これらの材料を使用する場合は、カバー層１８を、例えば、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂によって第１の誘電体層１７に張り合わせることにより形成する。
【００１３】
基板１１は円盤状の透明な基板である。基板１１の材料には、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはＰＭＭＡ等の樹脂、あるいはガラスを用いることができる。基板１１の記録層１５側の表面には、必要に応じてレーザ光を導くための案内溝（トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されていてもよい。基板１１の記録層１５との反対側の面は、平滑であることが好ましい。なお、基板１１の厚さは５００μｍ〜１３００μｍ程度であるが、特にカバー層１８厚みが１００μｍ程度（ＮＡ＝０．８５で良好な記録・再生が可能な厚みである）の場合、基板１１の厚みは１０５０μｍ〜１１５０μｍの範囲にあることが好ましい。
【００１４】
記録層１５は、例えば、レーザ光の照射によって結晶相と非晶質相の間で可逆的な相変化を起こす材料からなる。この材料としては例えば、式：ＧｅｐＭ５ｑＭ６ｒＴｅ１００−（ｐ＋ｑ＋ｒ）（原子％）で表される材料である。このような材料によれば、非晶質相が安定で信号振幅が大きく、融点の上昇と結晶化速度の低下が少ない記録膜を形成することができる。Ｍ５はＳｂおよびＢｉより選ばれる元素である。Ｍ６は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｓｅ、Ｒｕ、Ｒｓ、Ｐｄ、Ｍｎ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔａ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｗ、Ｐｔ、およびＡｕより選ばれる元素である。ｐは３０≦ｐ＜５０を満たすことが好ましく、さらにｐは３５≦ｐ≦４８を満たすことが好ましい。また、ｑは０＜ｑ≦２０を満たすことが好ましい。また、ｒは０≦ｒ≦２０を満たすことが好ましい。また、３５≦ｐ＋ｑ＋ｒ≦６０を満たすことが好ましい。記録層１５の膜厚は良好な記録特性を得るため５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内にあることが好ましい。記録層１５が厚すぎる場合は、熱の面内方向への拡散による隣接領域への熱的影響が大きくなる。また、記録層１５が薄すぎる場合は情報記録媒体１の反射率が小さくなるため、膜厚は８ｎｍ〜１２ｎｍであることがさらに好ましい。
【００１５】
また、記録層１５は、例えばＳｂと、Ｍ７（但し、Ｍ７はＶ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｂｉ、およびＡｕから選ばれる少なくとも一つの元素）とを含む材料で形成することもできる。具体的には、記録層１５は、ＳｂｓＭ７１００-ｓ（原子％）で表される材料で形成できる。ｓが、５０≦ｓ≦９５を満たす場合には、記録層１５が結晶相の場合と非晶質相の場合との間の情報記録媒体１の反射率差を大きくでき、良好な記録再生特性が得られる。その中でも、７５≦ｓ≦９５の場合には、結晶化速度が特に速く、高い転送レートにおいて良好な書き換え性能が得られる。また、５０≦ｓ≦７５の場合には、非晶質相が特に安定で、低い転送レートにおいて良好な記録性能が得られる。
【００１６】
また、記録層１５は、非可逆的相変化材料で形成することができる。非可逆的相変化材料としては、例えば日本国特許公報平７−２５２０９公報（特許第２００６８４９号）に開示されるように、ＴｅＯｘ＋Ｍ８（但し、Ｍ８はＰｄやＧｅ等の元素）を用いることが好ましい。記録層が非可逆的相変化材料の場合、１回のみ書き込み可能な追記型の情報記録媒体となるが、そのような情報記録媒体においても、記録感度、信号保存性の課題を改善するため、本発明が好ましく適用される。
【００１７】
なお、記録層１５には、相変化に限らず磁場の印加と光の照射で記録消去再生を行う光磁気材料を用いてもよい。その材料としては、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｓｍよりなる希土類金属群のうち少なくとも一つの元素と、Ｓｃ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉよりなる遷移金属群のうち少なくとも一つの元素を含む材料を用いることができる。具体的には、Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｅ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｓｍ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｎｉ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｓｃ−Ｆｅ−Ｃｏ等が挙げられる。記録層の材料が光磁気材料である場合、情報記録媒体の構成は図１と必ずしも一致しないが、本発明における記録層の両側の界面層構成および材料は、好ましく適用することができる。
【００１８】
反射層１２は、記録層１５に吸収される光量を増大させるという光学的な機能を有する。また、反射層１２は、記録層１５で生じた熱を速やかに拡散させ、記録層１５を非晶質化しやすくするという熱的な機能も有する。さらに、反射層１２は、使用する環境から多層膜を保護するという機能も有する。
反射層１２の材料には、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、ＴｉおよびＷといった熱伝導率が高い単体金属を用いることができる。また、ＡｌにＣｒ、Ｎｉ、Ｔｉ等を添加したＡｌ合金、ＡｕにＣｕ、Ｃｒ、Ｎｄ等を添加したＡｕ合金、ＡｇにＣｕ、Ｐｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎｄ等を添加したＡｇ合金、Ａｇ−ＣｕにＰｄ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｇａ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｇｄ、Ｙ等を添加したＡｇ合金、またはＡｇ−ＮｄにＡｕやＰｄ等を添加したＡｇ合金、Ａｇ−ＩｎにＳｎやＧａ等を添加したＡｇ合金、またＡｇ−Ｇａ−Ｓｎ、Ａｇ−Ｇａ−Ｙ、Ａｇ−Ｇａ−Ａｌ、Ａｇ−Ｚｎ−Ａｌ、Ｃｕ−Ｓｉといった合金を用いることもできる。特にＡｇ合金は熱伝導率が大きいため、反射層１２の材料として好ましい。なお、添加濃度は、３原子％以下が好ましい。反射層１２の膜厚は、熱拡散機能が十分となる３０ｎｍ以上であることが好ましい。この範囲内においても、反射層１２が２４０ｎｍより厚い場合には、その熱拡散機能が大きくなりすぎて記録感度が低下する。したがって、反射層１２の膜厚は３０ｎｍ〜２４０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００１９】
第２の界面層１４、第１の界面層１６は記録層への元素の拡散や水分の混入を防止するバリアとしての働きを有する。また、記録層１５と接して設けられているため記録層の結晶化速度を促進または抑制する効果があり、カルコゲナイド材料からなる記録層１５と密着性に優れていることが望まれる。これらの界面層には光吸収の少ない材料を適用することが好ましく、界面層１４および１６の材料としては、例えば、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、Ｃｒ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３およびＡｌ２Ｏ３等の酸化物、Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−ＮおよびＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物およびＬａＦ３、ＣｅＦ３およびＹＦ３等のフッ化物を用いることができる。またそれらより選ばれる混合物でもよい。その混合物の一例として、ＺｒＯ２の安定化のためＹ２Ｏ３を添加したＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３（安定化ジルコニアもしくは部分安定化ジルコニア）や、その他にＺｒＯ２―Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２―Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−Ｉｎ２Ｏ３、ＨｆＯ２―Ｃｒ２Ｏ３、ＨｆＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３およびＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３等が挙げられる。界面層１４および１６の膜厚は１ｎｍ〜１２ｎｍであることが好ましい。界面層の膜厚が薄すぎると、バリアとしての十分な効果が得られず、記録層への元素の拡散や水分の混入を招き、信号品質が悪化する。また、膜厚が厚すぎると記録層に対する結晶化促進または抑制効果が大きくなりすぎ、記録・再生特性が悪化する。このため膜厚はさらに３ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましい。
【００２０】
第１の誘電体層１７は記録層１５を水分等から保護する働きと、光学的距離を調節して記録層１５の光吸収率を高める働きと、記録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働きとを有する。第１の誘電体１７には、例えば、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ２、Ｔａ２Ｏ５およびＡｌ２Ｏ３等の酸化物やＣ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−ＮおよびＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物を用いることができる。また、ＺｎＳ等の硫化物やＳｉＣ等の炭化物も用いることができる。また、上記材料の混合物も用いることができる。また、本発明における酸化物−フッ化物誘電体を用いることができる（詳しくは、次の第２の誘電体層１３において説明する）。これらの材料において、例えば、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物は非晶質材料で、成膜速度が速く、また屈折率が高く、機械的強度や耐湿性が良好であるため、第１の誘電体層１７に適用する材料として特に優れている。第１の誘電体層１７の膜厚はマトリクス法に基づく計算により、記録層１５が結晶相の場合と非晶質相の場合との反射光量の変化率を大きくし、また記録層１５での光吸収が大きくなる条件により、決定することができる。具体的な膜厚としては、１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内にあることが望ましく、３０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【００２１】
第２の誘電体層１３は、本発明の特徴となる部分である。第２の誘電体層１３は第１の誘電体層１７同様、光学的距離を調節して記録層１５の光吸収率を高める働きと、記録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働きとを有する。また記録層１５において発生した熱を速やかに反射層１２へ拡散し、記録層１５を冷却する働きも有する。この熱拡散効果が優れている場合、記録層１５への熱的負荷が軽減されて、良好な繰り返し書き換え特性が得られる。
【００２２】
第２の誘電体層１３には、上記第１の誘電体層１７と同様の材料を用いることができるが、その中でも特に、本発明における酸化物−フッ化物誘電体を用いることが好ましい。この酸化物−フッ化物誘電体は、Ｉｎ元素と、元素Ｍ１（但し、Ｍ１は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｇａ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素）と、酸素元素と、元素Ｍ２（但し、Ｍ２は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｍｇ、Ｃａ、およびＳｒより選ばれる少なくとも一つの元素）と、フッ素元素とを含む。
【００２３】
ここで、酸化物−フッ化物誘電体において、Ｉｎ元素と酸素元素とからなるＩｎの酸化物を含有することで、反射層材料や記録層材料との密着性を向上することができ、情報記録媒体の耐候性・耐湿性を向上することができる。但し、Ｉｎの酸化物は、青紫域や赤色域波長の光に対して光吸収が大きい。このような光吸収の大きい誘電体を誘電体層に適用すると、記録層以外でのレーザ光の損失が生じるため、高い記録パワーが必要となる。つまり記録感度が悪化することになる。また、誘電体層のレーザ光吸収により誘電体層に熱が蓄えられ、書き換え特性が悪化することも考えられる。このような欠点を改善するため、元素Ｍ１、酸素元素、元素Ｍ２、およびフッ素元素を含有させることを考え出した。
【００２４】
酸化物−フッ化物誘電体において、元素Ｍ１と酸素元素とからなるＭ１の酸化物を含有することで、誘電体を高透明性にしたり、また高融点にしたりすることができる。よって、誘電体層に熱が蓄えられることなく、また耐熱性に優れるため、情報記録媒体の書き換え特性を向上することができる。さらにＴｉおよびＣｒの酸化物は、反射層材料や記録層材料との密着性に優れ、情報記録媒体の耐候性・耐湿性を向上することができる。
【００２５】
酸化物−フッ化物誘電体において、元素Ｍ２の多くはイオン半径の大きいことが特徴であり、また元素Ｍ２とフッ素元素とからなるＭ２のフッ化物は水に難溶性を示し、耐湿性を向上することができると考えられる。また酸化物−フッ化物誘電体において、酸化物とフッ化物を混合することにより、誘電体の構造を複雑にすることができ、熱伝導率を下げ、面内に熱が逃げず低い記録パワーで記録マークを鮮明に書くことができると考えた。つまりこれは記録感度が向上することを意味する。但し、熱伝導率を下げすぎると急冷になりすぎ、書き換え特性を悪化させるため、含有する割合を調整し、記録感度と書き換え特性のバランスをとる必要がある。
【００２６】
このようにＩｎ元素、元素Ｍ１、酸素元素、元素Ｍ２、およびフッ素元素をバランス良く含有することで、高密着性、高耐熱性、高透明性、および低熱伝導率を満足した誘電体を得ることができる。これにより、高耐候・耐湿性(界面との高密着性)で、記録感度に優れ、書き換え特性良好な情報記録媒体を得ることができる。
具体的に、上記酸化物−フッ化物誘電体を構成する元素の系を挙げると、例えば、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｏ−Ｎｄ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｏ−Ｄｙ−Ｆ、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｏ−Ｎｄ−Ｆ、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｏ−Ｄｙ−Ｆ、Ｉｎ−Ｙ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−Ｙ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｙ−Ｏ−Ｎｄ−Ｆ、Ｉｎ−Ｙ−Ｏ−Ｄｙ−Ｆ、Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏ−Ｎｄ−Ｆ、Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏ−Ｄｙ−Ｆ、Ｉｎ−Ｃｒ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−Ｃｒ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｃｒ−Ｏ−Ｎｄ−Ｆ、Ｉｎ−Ｃｒ−Ｏ−Ｄｙ−Ｆ、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎｄ−Ｆ、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｏ−Ｄｙ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｙ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−ＺｒーＹ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−ＺｒーＣｒ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｓｉ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−ＺｒーＳｉ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｙ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｙ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｃｒ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−ＨｆーＣｒ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｓｉ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−ＨｆーＳｉ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｙ−Ｃｒ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−ＹーＣｒ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−ＣｒーＳｉ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｙ−Ｓｉ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−ＺｒーＹ−Ｓｉ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｙ−Ｃｒ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−ＺｒーＹ−Ｃｒ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｙ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ−Ｌａ−Ｆ、Ｉｎ−ＺｒーＹ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ−Ｃｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｏ−Ｌａ−Ｎｄ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｏ−Ｌａ−Ｄｙ−Ｆ、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｙ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｃｒ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｎｄ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｄｙ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｙ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｓｉ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｙ−Ｃｒ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｙ−Ｓｉ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ−ＬａーＣｅ−ＦおよびＩｎ−Ｚｒ−Ｙ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ−ＬａーＣｅ−Ｆ等が挙げられる。
【００２７】
また、例えば、Ｉｎ元素と酸素元素とは薄膜中においてＩｎ２Ｏ３という安定した形を形成していると考えられる。上記具体例に挙げた酸化物−フッ化物誘電体は、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−ＬａＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−ＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−ＮｄＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−ＤｙＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＨｆＯ２−ＬａＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＨｆＯ２−ＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＨｆＯ２−ＮｄＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＨｆＯ２−ＤｙＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ｙ２Ｏ３−ＬａＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ｙ２Ｏ３−ＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ｙ２Ｏ３−ＮｄＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ｙ２Ｏ３−ＤｙＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＴｉＯ２−ＬａＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＴｉＯ２−ＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＴｉＯ２−ＮｄＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＴｉＯ２−ＤｙＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３−ＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３−ＮｄＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３−ＤｙＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＬａＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＮｄＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＤｙＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＬａＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−ＬａＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−ＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＳｉＯ４−ＬａＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＳｉＯ４−ＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＨｆＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＬａＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＨｆＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＨｆＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＨｆＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＨｆＯ２−ＳｉＯ２−ＬａＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＨｆＯ２−ＳｉＯ２−ＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ｙ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ｙ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３−ＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＬａＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＬａＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３−ＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＬａＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＬａＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−ＬａＦ３ーＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−ＬａＦ３ーＮｄＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−ＬａＦ３ーＤｙＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＨｆＯ２−ＬａＦ３ーＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ｙ２Ｏ３−ＬａＦ３ーＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＴｉＯ２−ＬａＦ３ーＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３ーＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＬａＦ３ーＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−ＬａＦ３ーＣｅＦ３ーＮｄＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−ＬａＦ３ーＣｅＦ３ーＤｙＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＬａＦ３ーＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３ーＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−ＬａＦ３ーＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＳｉＯ４−ＬａＦ３ーＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３ーＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＬａＦ３ーＣｅＦ３、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３ーＳｉＯ２−ＬａＦ３ーＣｅＦ３およびＩｎ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＬａＦ３ーＣｅＦ３等という形で存在するとも考えられる。
【００２８】
また、良好な記録感度、繰り返し書き換え特性、密着性を得るため、酸化物−フッ化物誘電体を式：ＩｎａＭ１ｂＯｃＭ２ｄＦ１００−ａ−ｂ−ｃ−ｄ（原子％）で表した場合、３≦ａ≦３８、３≦ｂ≦３８、１０≦ｃ≦６０、１≦ｄ≦３５およびａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＜１００を満足することが好ましい。また、式：（Ｉｎ２Ｏ３）ｊ（Ｄ１）ｋ（Ｄ２）１００−ｊ−ｋ（ｍｏｌ％）で表した場合、２０≦ｊ≦８５、２０≦ｋ≦８５およびｊ＋ｋ＜１００を満足することが好ましい。第２の誘電体層１３の膜厚は第１の誘電体層１７と同様、マトリクス法に基づく計算により、決定することができる。具体的な膜厚としては、３ｎｍ〜７５ｎｍの範囲内にあることが望ましく、５ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【００２９】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体１の製造方法について説明する。
反射層１２、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４、記録層１５、第１の界面層１６、および第１の誘電体層１７は、気相成膜法の一つであるスパッタリング法により形成できる。
まず、基板１１（例えば、厚み１１００μｍ）を成膜装置内に配置する。
【００３０】
続けて、まず、反射層１２を成膜する。このとき、基板１１に案内溝が形成されているときは、この案内溝側に反射層１２を成膜する。反射層１２は、反射層１２を構成する金属または合金からなるスパッタリングターゲットを、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒと反応ガス（例えば、酸素ガスや窒素ガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより形成される。
【００３１】
続いて、反射層１２上に第２の誘電体層１３を成膜する。第２の誘電体層１３はＩｎ元素と、元素Ｍ１と、酸素元素と、元素Ｍ２、およびフッ素元素とを含むスパタリングターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。具体的にこの混合物のスパッタリングターゲットは、例えば、式：ＩｎａＭ１ｂＯｃＭ２ｄＦ１００−ａ−ｂ−ｃ−ｄ（原子％）で表わされ、３≦ａ≦３８、３≦ｂ≦３８、１０≦ｃ≦６０、１≦ｄ≦３５、およびａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＜１００を満足することが好ましい。また、第２の誘電体層１３は、式：（Ｉｎ２Ｏ３）ｊ（Ｄ１）ｋ（Ｄ２）１００−ｊ−ｋ（ｍｏｌ％）（但し、２０≦ｊ≦８５、２０≦ｋ≦８５、およびｊ＋ｋ＜１００を満足する）で表わされるスパッタリングターゲットを用いても形成でき、さらには、Ｉｎ２Ｏ３、Ｄ１およびＤ２の中の必要な誘電体を含むスパッタリングターゲットを複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることにより形成することもできる。
【００３２】
続いて、第２の誘電体層１３上に第２の界面層１４を成膜する。第２の界面層１４は、第２の界面層１４を構成する誘電体の混合物からなるスパタリングターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。または構成する金属元素を含むスパタリングターゲットを用いて、Ａｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングにより形成もできる。
【００３３】
続いて、第２の界面層１４上に記録層１５を成膜する。記録層１５は、その組成に応じて、Ｇｅ−Ｍ５−Ｔｅ−Ｍ６合金からなるスパッタリングターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中、Ｋｒガス雰囲気中、Ａｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中またはＫｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。
続いて、記録層１５上に第１の界面層１６を成膜する。第１の界面層１６は、第１の界面層１６を構成する化合物からなるスパタリングターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。または構成する金属元素を含むスパタリングターゲットを用いて、Ａｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングにより形成もできる。
【００３４】
続いて、第１の界面層１６上に第１の誘電体層１７を成膜する。第１の誘電体層１７は、第１の誘電体層１７を構成する化合物からなるスパタリングターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。または構成する金属元素を含むスパタリングターゲットを用いて、Ａｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングにより形成もできる。
【００３５】
上記各スパッタリング工程における電源は、直流（ＤＣ：Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）電源および高周波（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電源を用いることができ、供給電力はともに１Ｗ〜１０ｋＷとした。なお、ＤＣ電源を用いて行うスパッタリングをＤＣスパッタリング、ＲＦ電源を用いて行うスパッタリングをＲＦスパッタリングと呼ぶ。
【００３６】
また、スパッタリング中における成膜室の圧力は、０．０１Ｐａ〜１００Ｐａとした。
最後に、第１の誘電体層１７上にカバー層１８を形成する。カバー層１８は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を第１の誘電体層１７上に塗布しスピンコートとした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。またカバー層１８には、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の樹脂、あるいはガラスの円盤状の基板を用いてもよい。この場合は、第１の誘電体層１７に光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を塗布し、これらの基板を密着させ、スピンコートにより均一に延ばし、樹脂を硬化させることで形成できる。
【００３７】
なお、各層の成膜方法として、スパッタリング法以外に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相堆積法（ＣＶＤ法：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）および分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いることも可能である。
なお、第１の誘電体層１７を成膜した後、またはカバー層１８を形成した後、必要に応じて記録層１５の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この初期化は、レーザ光の照射により行うことができる。
【００３８】
上記は一例として、書き換え型の情報記録媒体を中心に説明したが、本実施の形態は、追記型または再生専用型の情報記録媒体においても同様に適用できる。また、各層の成膜順序は、上記順序に限定されるものではない。
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２として、レーザ光を用いて情報の記録および再生を行う情報記録媒体のさらに別の一例を説明する。図２に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。
【００３９】
図２に示す情報記録媒体２は、基板１１の表面上に、反射層１２、第２の誘電体層１３、記録層１５、第１の界面層１６、第１の誘電体層１７、およびカバー層１８がこの順に積層されることにより形成されている。この情報記録媒体２には誘電体層１７側から記録・再生用のエネルギービーム（一般的には、レーザ光）１９が照射される。
基板１１、反射層１２、記録層１５、第１の界面層１６、第１の誘電体層１７、およびカバー層１８は、それぞれ実施の形態１で示したものと材料、機能、および形状も同様である。
【００４０】
第２の誘電体層１３の材料は、実施の形態１で示したものと同様である。その機能は、実施の形態１の場合に加え、記録層１５と接して設けられているため記録層の結晶化速度を促進または抑制する効果がある。また、カルコゲナイド材料からなる記録層１５と密着性に優れていることが望まれる。第２の誘電体層１３の膜厚は、実施の形態１同様、マトリクス法に基づく計算により決定することができる。具体的な膜厚としては、３ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内にあることが望ましく、５ｎｍ〜４５ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【００４１】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体２の製造方法について説明する。
まず、基板１１（例えば、厚み１１００μｍ）を成膜装置内に配置する。
続けて、反射層１２、第２の誘電体層１３、記録層１５、第１の界面層１６、第１の誘電体層１７を順次成膜する。形成方法は、それぞれ実施の形態１で示したものと同様である。最後にカバー層１８を実施の形態１と同様の方法で形成する。
【００４２】
なお、第１の誘電体層１７を成膜した後、またはカバー層１８を形成した後、必要に応じて記録層１５の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この初期化は、レーザ光の照射により行うことができる。
上記は一例として、書き換え型の情報記録媒体について説明したが、本実施の形態は、追記型または再生専用型の情報記録媒体においても同様に適用できる。また、各層の成膜順序は、上記順序に限定されるものではない。
【００４３】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３として、レーザ光を用いて情報の記録および再生を行う情報記録媒体のさらに別の一例を説明する。図３に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。本実施の形態の情報記録媒体３は、情報を記録再生する情報層を２つ（情報層３０１および情報層３０２と記す）含んでおり、片面からのエネルギービーム（一般的には、レーザ光）１９の照射により、各情報層に対して情報を記録再生できる情報記録媒体である。
【００４４】
まず、情報層３０２の構成について説明する。情報層３０２は基板１１の表面上に、反射層１２、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４、記録層１５、第１の界面層１６、および第１の誘電体層１７がこの順に積層されることにより形成されている。基板１１、反射層１２、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４、記録層１５、第１の界面層１６、および第１の誘電体層１７は、それぞれ実施の形態１で示したものと材料、機能および形状も同様である。なお、情報層３０２において、第２の界面層１４は必ずしも設ける必要はない。
【００４５】
光学分離層３１は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂、または誘電体等からなり、使用するレーザ光に対して光吸収が小さいことが好ましい。光学分離層３１は、情報層３０１および情報層３０２のフォーカス位置を区別するために用いられ、厚さは対物レンズの開口数（ＮＡ）とレーザ光の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上であることが必要である。焦点の光強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）｝で近似できる。また、光学分離層３１においてレーザ光の入射側に案内溝が形成されていてもよい。
【００４６】
次に情報層３０１の構成について説明する。情報層３０１は光学分離層３１の表面上に、透過率調整層３２、反射層３３、第２の誘電体層３４、記録層３５、界面層３６、および第１の誘電体層３７がこの順に積層されることにより形成されている。
反射層３３には、実施の形態１で示した反射層１２と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。
【００４７】
界面層３６は、実施の形態１で示した第１の界面層１６と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。
第１の誘電体層３７は、実施の形態１で示した第１の誘電体層１７と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様である。膜厚としては、１０ｎｍ〜１２０ｎｍの範囲内にあることが望ましく、２０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【００４８】
第２の誘電体層３４の材料には、実施の形態１における第２の誘電体層１３や第２の界面層１４の材料を用いることができる。第２の誘電体層３４は、光学的距離を調節して記録層３５の光吸収率を高める働きや、記録前後での反射光量の変化率を大きくして信号振幅を大きくする働きを有する。また、記録層３５において発生した熱を速やかに反射層３３へ拡散し、記録層３５を冷却する働きも有する。また、記録層３５と接して設けられているため記録層の結晶化速度を促進または抑制する効果もある。膜厚としては、３ｎｍ〜７５ｎｍの範囲内にあることが望ましく、５ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
【００４９】
記録層３５は、実施の形態１で示した記録層１５と同様の材料を用いることができ、また、機能および形状も同様であるが、膜厚はレーザ光の透過率を上げるため、なるべく薄くすることが好ましく、４ｎｍ〜９ｎｍ範囲内にあることがより好ましい。
透過率調整層３２は、情報層３０１の透過率を調整する働きを有する。この層を設けることにより、記録層が結晶相時における情報層３０１の透過率Ｔｃ（％）と、記録層が非晶質相時における情報層３０１の透過率Ｔａ（％）とを共に高くすることができる。具体的には、透過率調整層３２を設けた場合、透過率調整層３２が無い場合に比べ、ＴｃおよびＴａを２〜１０％向上することができる。また、記録層３５において発生した熱を速やかに反射層３３へ拡散し、記録層３５を冷却する働きも有する。透過率をより高めるため、透過率調整層３２の屈折率ｎ１および減衰係数ｋ１は、ｎ１≧２．０およびｋ１≦０．１を満たすことが好ましく、さらに２．０≦ｎ１≦３．０およびｋ１≦０．０５を満たすことがより好ましい。透過率調整層３２には、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３およびＣｅＯ２等の酸化物やＴｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−ＮおよびＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等の窒化物を用いることができ、その膜厚ｄ１は、（１／１６）λ／ｎ１≦ｄ１≦（７／３２）λ／ｎ１または（９／１６）λ／ｎ１≦ｄ１≦（２１／３２）λ／ｎ１を満たすことが好ましい。
【００５０】
最後に、第１の誘電体層３７上にカバー層１８を形成し、情報記録媒体３が作製される。なお、カバー層１８は、実施の形態１で示したものと材料、機能、および形状も同様である。
本実施の形態では、情報層を２層に限定した情報記録媒体について説明したが、この情報層を複数設ける場合も、同様の構成、形成方法により情報記録媒体の作製が可能であり、これにより情報記録媒体の大容量化が可能となる。例えば、４層の情報層を設ける場合は、情報記録媒体３の構成を基に、情報層３０１とカバー層１８との間に、情報層３０１と同様の構成で各層の膜厚を調整したものをさらに２層設ければよい。また、各情報層は書き換え型、追記型または再生専用型のいずれであってよい。
【００５１】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体３の製造方法について説明する。
まず、基板１１（例えば、厚み１１００μｍ）を成膜装置内に配置する。
続けて情報層３０２を形成のため、反射層１２、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４、記録層１５、第１の界面層１６、および第１の誘電体層１７を順次成膜する。形成方法は、それぞれ実施の形態１で示したものと同様である。
【００５２】
続いて、第１の誘電体層１７上に光学分離層３１を形成する。光学分離層３１は、光硬化型樹脂（特に紫外線硬化型樹脂）や遅効性熱硬化型樹脂等の樹脂を情報層３０２上に塗布しスピンコートとした後に、樹脂を硬化させることにより形成できる。なお、光学分離層３１に案内溝を設ける場合は、表面に所定の形状の溝が形成された転写用基板（型）を硬化前の樹脂上に密着させた後、基板１１と転写用基板とをスピンコートし、その後樹脂を硬化させる。さらにその後、転写用基板を硬化した樹脂から剥がすことにより、所定の案内溝が形成された光学分離層３１が形成できる。
【００５３】
続けて情報層３０１を形成する。情報層３０１の形成にはまず透過率調整層３２を形成する。透過率調整層３２は、透過率調整層３２を構成する誘電体からなるスパタリングターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリングにより形成できる。また、透過率調整層３２は、構成する金属元素を含むスパタリングターゲットを用いて、Ａｒと反応ガスとの混合ガス雰囲気中における反応性スパッタリングにより形成もできる。
【００５４】
続けて、透過率調整層３２上に反射層３３を形成する。反射層３３は、実施の形態１で説明した反射層１２と同様の方法で形成できる。
続けて、反射層３３上に第２の誘電体層３４を形成する。第２の誘電体層３４は、実施の形態１で説明した第２の誘電体層１３または第２の界面層１４と同様の方法で形成できる。
【００５５】
続けて、第２の誘電体層３４上に記録層３５を形成する。記録層３５は、実施の形態１で説明した記録層１５と同様の方法で形成できる。
続けて、記録層３５上に第１の界面層３６を形成する。第１の界面層３６は、実施の形態１で説明した第１の界面層１６と同様の方法で形成できる。
続けて、第１の界面層３６上に第１の誘電体層３７を形成する。第１の誘電体層３７は、実施の形態１で説明した第１の誘電体層１７と同様の方法で形成できる。
【００５６】
最後に、第１の誘電体層３７上にカバー層１８を実施の形態１と同様の方法で形成する。
なお、第１の誘電体層１７を成膜した後、またはカバー層１８を形成した後、必要に応じて記録層１５の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。また、第１の誘電体層３７を成膜した後、またはカバー層１８を形成した後、必要に応じて記録層３５の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。いずれの場合の初期化も、レーザ光の照射により行うことができる。
【００５７】
上記は一例として、書き換え型の情報記録媒体について説明したが、本実施の形態は、追記型または再生専用型の情報記録媒体においても同様に適用できる。また、各層の成膜順序は、上記順序に限定されるものではない。
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４として、レーザ光を用いて情報の記録および再生を行う情報記録媒体のさらに別の一例を説明する。図４に、その光学的情報記録媒体の一部断面を示す。
【００５８】
図４に示す情報記録媒体４は、基板４３の表面上に、第１の誘電体層１７、第１の界面層１６、記録層１５、第２の界面層１４、第２の誘電体層１３、反射層１２、接着層４２、およびダミー基板４１がこの順に積層されることにより形成されている。この情報記録媒体には第１の誘電体層１７側から記録・再生用のエネルギービーム（一般的には、レーザ光）１９が照射される。
【００５９】
基板４３、およびダミー基板４１は、透明で円盤状の基板である。基板４３、およびダミー基板４１には、実施の形態１の基板１１と同様に、例えば、ポリカーボネートやアモルファスポリオレフィンやＰＭＭＡ等の樹脂、またはガラスを用いることができる。基板４３の第１誘電体層１７側の表面には、必要に応じてレーザビームを導くための案内溝（トラックピッチ０．６１５μｍ）が形成されていてもよい。基板４３の第１誘電体層１７側と反対側の表面、およびダミー基板４１の接着層４２側と反対側の表面は、平滑であることが好ましい。なお、基板４３、およびダミー基板４１の厚さは、十分な強度があり、且つ情報記録媒体４の厚さが１．２ｍｍ程度となるよう、０．３ｍｍ〜０．９ｍｍの範囲内であることが好ましい。
【００６０】
接着層４２は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）や遅効性樹脂等の樹脂からなり、使用するレーザビーム１９に対して光吸収が小さいことが好ましく、短波長域において光学的に複屈折が小さいことが好ましい。なお、接着層４２の厚さは、光学分離層３１と同様の理由により、０．６μｍ〜５０μｍの範囲内にあることが好ましい。
反射層１２、第２の誘電体層１３、記録層１５および第１の界面層１６は、それぞれ実施の形態１で示したものと材料、機能、形状も同様である。また、第１の誘電体層１７は、実施の形態１で示したものと材料、機能は同様であり、膜厚は３０ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲内であることが望ましく、７０ｎｍ〜１８０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。また、第２誘電体層１３は、実施の形態１で示したものと材料、機能は同様であり、膜厚は１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが望ましく、２０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００６１】
次に、本実施の形態で説明した情報記録媒体４の製造方法について説明する。
まず、基板４３（例えば、厚み６００μｍ）を成膜装置内に配置する。
続けて、第１の誘電体層１７、第１の界面層１６、記録層１５、第２の界面層１４、第２の誘電体層１３、反射層１２を順次成膜する。形成方法はそれぞれ実施の形態１で示したものと同様である。
【００６２】
次に、情報層が積層された基板４３およびダミー基板４１（例えば、厚み６００μｍ）を、接着層４２を用いて貼り合わせる。具体的には、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）や遅効性樹脂等の樹脂をダミー基板４１上に塗布して、情報層が積層された基板４３をダミー基板４１上に密着させてスピンコートしたのち、樹脂を硬化させるとよい。また、ダミー基板４１上に予め粘着性の樹脂を均一に塗布し、それを情報層が積層された基板４３に密着させることもできる。
【００６３】
なお、基板４３およびダミー基板４１を密着させた後、必要に応じて記録層１５の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。この初期化は、レーザ光の照射により行うことができる。
上記は一例として、書き換え型の情報記録媒体について説明したが、本実施の形態は、追記型または再生専用型の情報記録媒体においても同様に適用できる。また、各層の成膜順序は、上記順序に限定されるものではない。
【００６４】
（実施の形態５）
本発明の実施の形態５として、実施の形態１〜３で説明した情報記録媒体１〜３に対して、情報の記録再生を行う方法について説明する。図５に、本実施の形態の記録再生方法に用いられる記録再生装置５０の一部の構成を模式的に示している。記録再生装置５０は、情報記録媒体を回転させるスピンドルモータ５１と、半導体レーザ５２を備える光学ヘッド５３と、半導体レーザ５２から出射されるレーザ光５６を集光する対物レンズ５４とを備える。
【００６５】
対物レンズ５４の開口数（ＮＡ）は、レーザ光のスポット径を０．４μｍ〜０．７μｍの範囲内に調整するため、０．５〜１．０の範囲内であることが好ましい。レーザ光の波長は４５０ｎｍ以下（より好ましくは３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの青紫領域）であることが好ましい。情報を記録再生する際の線速度は、再生光による結晶化が起こりにくく、且つ十分な消去率が得られる３ｍ／秒〜２０ｍ／秒の範囲内であることが好ましい。
【００６６】
情報記録媒体への情報の記録、消去、および上書き記録は、レーザ光のパワーを高パワーのピークパワーと低パワーのバイアスパワーとの変調により行う。ピークパワーのレーザ光を照射することにより、情報記録媒体の記録膜の局所的な一部に非晶質相が形成され、その非晶質相が記録部（記録マーク）となる。記録マーク間ではバイアスパワーのレーザ光が照射され、結晶相が形成され、その結晶相が消去部となる。ピークパワーのレーザ光を照射するときには、パルス列で形成するマルチパルスとするのが一般的である。マルチパルスはピークパワーとバイアスパワーのパワーレベルで変調させてもよいし、０ｍＷからピークパワーの任意のパワーレベルで変調されてよい。
【００６７】
なお、基板１１に案内溝が設けられている場合、情報は、レーザ光の入射側から近い溝面（グルーブ）、またはレーザ光の入射側から遠い溝面（ランド）、またはその両方に記録してもよい。
また、情報の再生はレーザ光を情報記録媒体に照射し、情報記録媒体からの信号を検出器で読み取ることにより行われる。再生時におけるレーザ光パワーは、記録マークの光学的な状態が影響を受けず、且つ情報記録媒体の記録マーク検出のための十分な反射光量が得られるパワーとする。
【００６８】
（実施の形態６）
本発明の実施の形態６として、実施の形態４で説明した情報記録媒体４に対して、情報の記録再生を行う方法について説明する。本発明の記録再生方法に用いられる記録再生装置５０の一部の構成は実施の形態５と同様であり図５に示す。ここで、実施の形態５と重複する箇所についてはその説明を省略する。
【００６９】
対物レンズ５４の開口数（ＮＡ）は、レーザ光のスポット径を０．４μｍ〜０．７μｍの範囲内に調整するため、０．５〜１．０の範囲内であることが好ましい。レーザ光の波長は７００ｎｍ以下（より好ましくは、７００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲内）であることが好ましい。情報を記録再生する際の線速度は、再生光による結晶化が起こりにくく、且つ十分な消去率が得られる３ｍ／秒〜２０ｍ／秒の範囲内であることが好ましい。
【００７０】
（実施の形態７）
本発明の実施の形態７として、電気的エネルギーの印加による情報の記録および再生を実施する情報記録媒体の一例を示す。図６に、その情報記録媒体の一部断面を示す。
図６は、基板６０１の表面に、下部電極６０２、記録部６０３および上部電極６０４がこの順に形成されたメモリ６０７である。メモリ６０７の記録部６０３は、円柱状の記録層６０５とそれを取り囲む誘電体層６０６から構成される。このメモリ６０７の構成は、先の図１〜図４に示された光学的情報記録媒体とは異なり、記録層６０５および誘電体層６０６は同一面上に形成され、積層された関係ではない。しかし、それらは基板６０１、下部電極６０２および上部電極６０４を含む積層構成の一部を形成しているため、それぞれ「層」と呼び得るものである。したがって、本発明の情報記録媒体には、記録層と誘電体層が同一面上に形成されているものも含む。
【００７１】
基板６０１として、具体的には、Ｓｉ等の半導体基板、またはポリカーボネート基板、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁性基板等が用いられる。また、下部電極６０２および上部電極６０４として、具体的には、実施の形態１に示された反射層１２の材料が用いられる。
記録部６０３を形成する記録層６０５は、電気的エネルギーの印加により生じるジュール熱によって、相変化する材料で形成される。記録層６０５の材料として、具体的には、実施の形態１に示された記録層１５の材料が用いられる。
【００７２】
記録部６０３を形成する誘電体層６０６は、下部電極６０２と上部電極６０４との間に電圧を印加することによって、記録層６０５に流れた電流が周辺部に逃げることを防止し、記録層６０５を電気的および熱的に遮断する機能を有する。誘電体層６０６の材料として、本発明における酸化物−フッ化物誘電体（例えば、Ｉｎ元素と、元素Ｍ１と、酸素元素と、元素Ｍ２およびフッ素元素とを含む誘電体）が用いられる。
【００７３】
下部電極６０２、上部電極６０４、記録層６０５、および誘電体層６０６の形成には、スパッタリング、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法およびＭＢＥ法が用いられる。
（実施の形態８）
本発明の実施の形態８として、実施の形態７で説明した情報記録媒体（メモリ）６０７を使用するシステムの一例を示す。図７にそのシステムの模式図を示す。
【００７４】
２つの印加部６１２を下部電極６０２および上部電極６０４に、ＡｕまたはＡｌリード線でそれぞれボンディングすることによって、印下部６１２を介して電気的書き込み／読み出し装置６１４をメモリ６０７に接続した。この電気的書き込み／読み出し装置６１４において、下部電極６０２と上部電極６０４にそれぞれ接続された印下部６１２の間には、パルス発生部６０８がスイッチ６１０を介して接続され、また、抵抗測定器６０９がスイッチ６１１を介して接続されている。抵抗測定器６０９には、抵抗測定器６０９によって測定される抵抗値の高低を判定する判定部６１３に接続されている。パルス発生部６０８によって印加部６１２を介して下部電極６０２および上部電極６０４の間に電流パルスを流し、下部電極６０２と上部電極６０４との間の抵抗値を抵抗測定器６０９によって測定し、この抵抗値の高低を判定部６１３で判定した。
【００７５】
一般に、記録層６０５の相変化により抵抗値が変化するため、この判定結果に基づいて、記録層６０５の相の状態を知ることができ、これによりメモリ６０７に情報の書き込みおよび消去ができているかが判定できる。
［実施例］
（実施例１）
以下に、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
【００７６】
本実施例では、情報記録媒体１の一例を説明する。以下、実施例１の情報記録媒体の製造方法である。
まず、基板１１として、案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板を用意した。その基板上に、反射層１２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を８０ｎｍ、第２の誘電体層１３、第２の界面層１４としてＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３膜（具体的には、式：（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％））を５ｎｍ、記録層１５としてＧｅ−Ｂｉ−Ｔｅ−Ｓｎ膜（具体的には、式：Ｇｅ４４．０Ｂｉ３．０Ｔｅ５０．７Ｓｎ２．３（原子％）で表されるもの）を１１ｎｍ、第１の界面層１６としてＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３膜（具体的には、式：（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％））を５ｎｍ、第１の誘電体層１７してＺｎＳ−ＳｉＯ２膜（具体的には、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％））を順次スパッタリング法により成膜した。その後に紫外線硬化樹脂を第１の誘電体層１７に塗布し、ポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ７０μｍ）を密着させ、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層１８を形成し、情報記録媒体１を作製した。最後に、記録層１５の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
【００７７】
第２の誘電体層１３および第１の誘電体層１７の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光を入射したとき、記録層１５が結晶相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が１５％〜２５％、記録層１５が非晶質相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が１％〜５％となるように決定した。
以上のように作製された情報記録媒体１および従来例の情報記録媒体について、反射層１２と第２の誘電体層１３との密着性、記録感度および繰り返し書き返し性能を評価した。
【００７８】
密着性の評価は、情報記録媒体を温度９０℃、相対湿度８０％の条件の恒温槽に１００時間放置した後、一度光学顕微鏡を用いて腐食、剥離を観察した。さらに、１００時間放置（合計２００時間放置）した後、光学顕微鏡を観察し、最終的な腐食、剥離の有無を判定する方法で行った。
記録感度および繰り返し書き返し性能の評価は、図５で示した記録再生装置５０を用いて行った。レーザ光の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５、測定時の線速度は４．９ｍ／ｓ、最短マーク長は０．１４９μｍであり、グルーブに情報の記録を行った。
【００７９】
記録は０．１４９μｍ（２Ｔ）から０．５９６μｍ（８Ｔ）までのランダムな信号を用い同じグルーブに連続して行った。各書き換え回数において信号の再生を行い、前端ジッタ（記録マークの前端部のジッタ）、後端ジッタ（記録マークの後端部のジッタ）、および前端ジッタと後端ジッタの平均ジッタをタイム・インターバル・アナライザにより測定した。
記録感度は平均ジッタ−ピークパワー特性のカーブにおいて、ジッタ値が最小となるピークパワー値とした。なお、本実施例では、記録感度が５．７ｍＷ以下のものを○、５．７ｍＷより大きく６．０ｍＷ以下のものを△、６．０ｍＷより大きいものを×とした。また、１回目のジッタ値に対して３％増加する書き換え回数を情報記録媒体の繰り返し書き返し性能の上限値とした。書き換え回数上限値として、１０００回以上が好ましいが、本実施例においては、５０００回以上が良好であるものとした。
【００８０】
以下の実施例でも同様に、これら密着性、記録感度および繰り返し書き換え特性の３項目について評価を行ったもの関しては、これらの特性を合わせ総合的に情報記録媒体の性能を◎、○、△および×にて判断した。◎より順に情報記録媒体として優れていることを示す。
本実施例の情報記録媒体１の一例として、第２の誘電体層１３に、式：ＩｎａＭ１ｂＯｃＭ２ｄＦ１００−ａ−ｂ−ｃ−ｄ（原子％）（但し、Ｍ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、ＧａおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素、Ｍ２はＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒより選ばれる少なくとも一つの元素）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｍ１、Ｍ２）＝（Ｚｒ、Ｌａ）、（Ｚｒ、Ｃｅ）、（Ｚｒ、Ｐｒ）、（Ｚｒ、Ｄｙ）、（Ｚｒ、Ｍｇ）、（Ｈｆ、Ｌａ）、（Ｈｆ、Ｃｅ）、（Ｈｆ、Ｇｄ）、（Ｓｉ、Ｌａ）、（Ｓｉ、Ｃｅ）、（Ｃｒ、Ｌａ）、（Ｃｒ、Ｃｅ）、（Ｙ、Ｌａ）、（Ｔｉ、Ｌａ）、（Ｔａ、Ｌａ）および（Ｇａ、Ｌａ）とし、（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）＝（２０、１０、５０、５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−１０１〜１−１１６とする。
【００８１】
さらに別の一例として、第２の誘電体層１３に、式：ＩｎａＭ１ｂＯｃＭ２ｄＦ１００−ａ−ｂ−ｃ−ｄ（原子％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｍ１、Ｍ２）＝（ＺｒＳｉ、Ｌａ）、（ＺｒＳｉ、Ｃｅ）、（ＨｆＳｉ、Ｌａ）、（ＨｆＳｉ、Ｃｅ）、（ＣｒＳｉ、Ｌａ）、（ＣｒＳｉ、Ｃｅ）、（ＺｒＹ、Ｌａ）および（ＺｒＹ、Ｃｅ）とし、（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）＝（１５、１５、５６、４）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−１１７〜１−１２４とする。
【００８２】
さらに別の一例として、第２の誘電体層１３に、式：ＩｎａＭ１ｂＯｃＭ２ｄＦ１００−ａ−ｂ−ｃ−ｄ（原子％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｍ１、Ｍ２）＝（Ｚｒ、ＬａＣｅ）、（Ｈｆ、ＬａＣｅ）、（Ｓｉ、ＬａＣｅ）および（Ｃｒ、ＬａＣｅ）とし、（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）＝（１７、９、２５、３３）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−１２５〜１−１２８とする。
【００８３】
さらに別の一例として、第２の誘電体層１３に、式：ＩｎａＭ１ｂＯｃＭ２ｄＦ１００−ａ−ｂ−ｃ−ｄ（原子％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｍ１、Ｍ２）＝（ＺｒＳｉ、ＬａＣｅ）、（ＨｆＳｉ、ＬａＣｅ）、（ＣｒＳｉ、ＬａＣｅ）および（ＺｒＹ、ＬａＣｅ）とし、（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）＝（２４、１２、５３、６）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−１２９〜１−１３２とする。
【００８４】
また、従来の第２の誘電体層と比較するため、上記記載の構成の情報記録媒体における、第２の誘電体層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＬａＦ３、（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＺｒＯ２）５０、（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＬａＦ３）５０および（ＺｒＯ２）５０（ＬａＦ３）５０を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を１−０００〜１−００６とする）を作製し、同様の評価を行った。
評価結果を表１に示す。
【００８５】
【表１】
2007063672.tif 000024
【００８６】
表１に示すように密着性に関して、本実施例におけるいずれの情報記録媒体１においても反射層１２に対して剥離、腐食は発生せず、従来例１−０００より大きく改善した結果が得られた。つまり、本実施例の第２の誘電体層として適用したいずれの酸化物−フッ化物誘電体とＡｇとの反応性は無く、情報記録媒体の特性を悪化させないことが示された。
また、本実施例におけるいずれの情報記録媒体１においても記録感度、繰り返し書き換え特性は、従来例１−００１〜１−００６の特性より大きく改善している。
記録感度はいずれも６．０ｍＷ以下であり、良好である。
【００８７】
また１万回レベルの書き換えが行えることが示された。情報記録媒体を画像、音声、動画の保存用として用いるときは、１０００回の書き換え回数が好ましく、さらにコンピュータにおける外部メモリとして用いるときは１万回以上の書き換え回数が好ましい。つまり、本実施例における情報記録媒体１はいずれもコンピュータにおける外部メモリとしても適用可能であることが示された。さらにＭ１およびＭ２におけるすべての元素で検証を行ったところ、Ｍ１にＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、ＣｒおよびＳｉ、またＭ２にＬａ、Ｃｅ、ＰｒおよびＮｄから選ばれる少なくとも一つの元素を用いると繰り返し書き換え回数が１万回以上となり、より最適であることがわかった。
以上のように、本発明において、従来を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。
【００８８】
（実施例２）
本実施例では、実施例１で示した情報記録媒体１における第２の誘電体層１３に、式：ＩｎａＭ１ｂＯｃＭ２ｄＦ１００−ａ−ｂ−ｃ−ｄ（原子％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｍ１、Ｍ２）＝（Ｚｒ、Ｃｅ）とし、（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）＝（２、１２、４０、５）、（３、１２、４０、５）、（１４、１２、４０、５）、（２４、１２、４０、５）、（３８、１２、４０、５）および（４０、１２、４０、５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−２０１〜１−２０６とする。
【００８９】
実施例１同様に、反射層１２との密着性、記録感度および繰り返し書き換え性能を評価した。
評価結果を表２に示す。
【００９０】
【表２】
2007063672.tif 000025
【００９１】
結果、いずれのディスクにおいても、剥離や腐食は発生しなかった。また、いずれのディスクにおいても、書き換え回数が５０００回以上と良好な繰り返し書き換え性能が得られた。特に、３≦ａ≦３８とした場合、記録感度良好で書き換え回数が１万回以上と極めて良好な性能が得られた。
また同様に、（Ｍ１、Ｍ２）＝（Ｚｒ、Ｃｅ）とし、（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）＝（１２、２、４０、５）、（１２、３、４０、５）、（１２、１４、４０、５）、（１２、２４、４０、５）、（１２、３８、４０、５）および（１２、４０、４０、５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−２０７〜１−２１２とする。
同様に、反射層１２との密着性、記録感度および繰り返し書き換え性能を評価した。
評価結果を表３に示す。
【００９２】
【表３】
2007063672.tif 000026
【００９３】
結果、いずれのディスクにおいても、剥離や腐食は発生しなかった。また、いずれのディスクにおいても、書き換え回数が５０００回以上と良好な繰り返し書き換え性能が得られた。特に、３≦ｂ≦３８とした場合、記録感度良好で書き換え回数が１万回以上と極めて良好な性能が得られた。
また同様に、（Ｍ１、Ｍ２）＝（Ｚｒ、Ｃｅ）とし、（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）＝（１２、１２、５、５）、（１２、１２、１０、５）、（１２、１２、２０、５）、（１２、１２、４０、５）、（１２、１２、６０、５）および（１２、１２、６５、５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−２１３〜１−２１８とする。
同様に、反射層１２との密着性、記録感度および繰り返し書き換え性能を評価した。
評価結果を表４に示す。
【００９４】
【表４】
2007063672.tif 000027
【００９５】
結果、１０≦ｃ≦６０の範囲外であると、密着性評価において、１００時間後では剥離は発生しなかったが、２００時間後、剥離が発生した。そのため、１０≦ｃ≦６０であることが好ましい。
また同様に、（Ｍ１、Ｍ２）＝（Ｚｒ、Ｃｅ）とし、（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）＝（１２、１２、３５、０．５）、（１２、１２、３５、１）、（１２、１２、３５、１５）、（１２、１２、３５、２５）、（１２、１２、３５、３５）および（１２、１２、３５、４０）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−２１９〜１−２２４とする。
同様に、反射層１２との密着性、記録感度および繰り返し書き換え性能を評価した。
評価結果を表５に示す。
【００９６】
【表５】
2007063672.tif 000028
【００９７】
結果、いずれのディスクにおいても、剥離や腐食は発生しなかった。また、いずれのディスクにおいても、書き換え回数が５０００回以上と良好な繰り返し書き換え性能が得られた。特に、１≦ｄ≦３５とした場合、記録感度良好で書き換え回数が１万回以上と極めて良好な性能が得られた。
同様に、Ｍ１およびＭ２におけるすべての元素で検証を行ったところ、上記と同様の結果が得られた。
【００９８】
（実施例３）
本実施例では、実施例１で示した情報記録媒体１における第２の誘電体層１３に、式：式：（Ｉｎ２Ｏ３）ｊ（Ｄ１）ｋ（Ｄ２）１００−ｊ−ｋ（ｍｏｌ％）（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、ＧａおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素からなる酸化物、Ｄ２はＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒより選ばれる少なくとも一つの元素からなるフッ化物）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ２、ＬａＦ３）、（ＺｒＯ２、ＣｅＦ３）、（ＺｒＯ２、ＰｒＦ３）、（ＺｒＯ２、ＤｙＦ３）、（ＺｒＯ２、ＭｇＦ）、（ＨｆＯ２、ＬａＦ３）、（ＨｆＯ２、ＣｅＦ３）、（ＨｆＯ２、ＧｄＦ３）、（ＳｉＯ２、ＬａＦ３）、（ＳｉＯ２、ＣｅＦ３）、（Ｃｒ２Ｏ３、ＬａＦ３）、（Ｃｒ２Ｏ３、ＣｅＦ３）、（Ｙ２Ｏ３、ＬａＦ３）、（ＴｉＯ２、ＬａＦ３）、（Ｔａ２Ｏ５、ＬａＦ３）および（Ｇａ２Ｏ３、ＬａＦ３）とし、（ｊ、ｋ）＝（５０、２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−３０１〜１−３１６とする。
【００９９】
さらに別の一例として、第２の誘電体層１３に、式：（Ｉｎ２Ｏ３）ｊ（Ｄ１）ｋ（Ｄ２）１００−ｊ−ｋ（ｍｏｌ％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＳｉＯ４、ＬａＦ３）、（ＺｒＳｉＯ４、ＣｅＦ３）、（ＨｆＯ２−ＳｉＯ２、ＬａＦ３）、（ＨｆＯ２−ＳｉＯ２、ＣｅＦ３）、（Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＬａＦ３）、（Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＣｅＦ３）、（ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３、ＬａＦ３）および（ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３、ＣｅＦ３）とし、（ｊ、ｋ）＝（５０、２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−３１７〜１−３２４とする。
【０１００】
さらに別の一例として、第２の誘電体層１３に、式：（Ｉｎ２Ｏ３）ｊ（Ｄ１）ｋ（Ｄ２）１００−ｊ−ｋ（ｍｏｌ％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ２、ＬａＦ３−ＣｅＦ３）、（ＨｆＯ２、ＬａＦ３−ＣｅＦ３）、（ＳｉＯ２、ＬａＦ３−ＣｅＦ３）および（Ｃｒ２Ｏ３、ＬａＦ３−ＣｅＦ３）とし、（ｊ、ｋ）＝（５０、２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−３２５〜１−３２８とする。
【０１０１】
さらに別の一例として、第２の誘電体層１３に、式：（Ｉｎ２Ｏ３）ｊ（Ｄ１）ｋ（Ｄ２）１００−ｊ−ｋ（ｍｏｌ％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＳｉＯ４、ＬａＦ３−ＣｅＦ３）、（ＨｆＯ２−ＳｉＯ２、ＬａＦ３−ＣｅＦ３）、（Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＬａＦ３−ＣｅＦ３）および（ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３、ＬａＦ３−ＣｅＦ３）とし、（ｊ、ｋ）＝（５０、２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−３２９〜１−３３２とする。
評価結果を表６に示す。 
【０１０２】
【表６】
2007063672.tif 000029
【０１０３】
表６に示すように密着性に関して、本実施例におけるいずれの情報記録媒体１においても反射層１２に対して剥離、腐食は発生せず、従来例１−０００より大きく改善した結果が得られた。つまり、本実施例の第２の誘電体層として適用したいずれの酸化物−フッ化物誘電体とＡｇとの反応性は無く、情報記録媒体の特性を悪化させないことが示された。
また、本実施例におけるいずれの情報記録媒体１においても記録感度、繰り返し書き換え特性は、従来例従来例１−００１〜１−００６の特性より大きく改善している。さらにＤ１およびＤ２におけるすべての元素で検証を行ったところ、Ｄ１にＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素からなる酸化物、またＤ２にＬａ、Ｃｅ、ＰｒおよびＮｄより選ばれる少なくとも一つの元素からなるフッ化物を用いると繰り返し書き換え回数が１万回以上となり、より最適であることがわかった。
【０１０４】
（実施例４）
本実施例では、実施例１で示した情報記録媒体１における第２の誘電体層１３に、式：（Ｉｎ２Ｏ３）ｊ（Ｄ１）ｋ（Ｄ２）１００−ｊ−ｋ（ｍｏｌ％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ２、ＣｅＦ３）とし、（ｊ、ｋ）＝（１５、２５）、（２０、２５）、（４０、２５）、（６０、２５）、（８５、１３）および（９０、８）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−４０１〜１−４０６とする。
【０１０５】
実施例１同様に、反射層１２との密着性、記録感度および繰り返し書き換え性能を評価した。
評価結果を表７に示す。
【０１０６】
【表７】
2007063672.tif 000030
【０１０７】
結果、ｊ＜２０とした場合、密着性評価において、１００時間後では剥離は発生しなかったが、２００時間後、剥離が発生した。また、いずれのディスクにおいても、書き換え回数が５０００回以上と良好な繰り返し書き換え性能が得られた。また、ｊ＞８５とした場合、Ｄ１およびＤ２の含有量が少なくなり、繰り返し書き換え特性が低下する。そのため、特に、２０≦ｊ≦８５とした場合、記録感度良好で書き換え回数が１万回以上と極めて良好な性能が得られた。
【０１０８】
また同様に、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ２、ＣｅＦ３）とし、（ｊ、ｋ）＝（２５、１５）、（２５、２０）、（２５、４０）、（２５、６０）、（１３、８５）および（８、９０）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ１−４０７〜１−４１２とする。
同様に、反射層１２との密着性、記録感度および繰り返し書き換え性能を評価した。
評価結果を表８に示す。 
【０１０９】
【表８】
2007063672.tif 000031
【０１１０】
結果、ｋ＜２０とした場合、Ｄ１の含有量が少なくなり、誘電体の透明性が低下するため、書き換え性能が悪化する（＜５０００回）。また、ｋ＞８５とした場合、Ｄ２の含有量が少なくなり、記録感度が悪下する。そのため、特に、２０≦ｋ≦８５とした場合、記録感度良好で書き換え回数が１万回以上と極めて良好な性能が得られた。
同様にＤ１およびＤ２におけるすべての元素で検証を行ったところ、上記と同様の結果が得られた。
【０１１１】
（実施例５）
本実施例では情報記録媒体２の一例を説明する。情報記録媒体２の各層の形成方法は実施例１と同様である。本実施例においては、第２の誘電体層１３に、式：（Ｉｎ２Ｏ３）ｊ（Ｄ１）ｋ（Ｄ２）１００−ｊ−ｋ（ｍｏｌ％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ２、ＬａＦ３）、（ＺｒＯ２、ＣｅＦ３）、（ＺｒＯ２、ＤｙＦ３）、（ＺｒＯ２、ＭｇＦ）、（ＨｆＯ２、ＬａＦ３）、（ＨｆＯ２、ＣｅＦ３）、（ＴｉＯ２、ＬａＦ３）、（ＴｉＯ２、ＣｅＦ３）、（ＳｉＯ２、ＬａＦ３）、（ＳｉＯ２、ＣｅＦ３）、（Ｃｒ２Ｏ３、ＬａＦ３）、（Ｃｒ２Ｏ３、ＣｅＦ３）、（Ｇａ２Ｏ３、ＬａＦ３）および（Ｎｂ２Ｏ５、ＣｅＦ３）とし、（ｊ、ｋ）＝（５０、２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ２−１０１〜２−２１４とすし、記録層との密着性の評価を行った。
【０１１２】
また、実施例１と同様、第２の誘電体層１３に従来の（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を２−０００とする）を作製し、比較した。
評価結果を表９に示す。  
【０１１３】
【表９】
2007063672.tif 000032
【０１１４】
表９に示すように、本実施例におけるいずれの情報記録媒体２においても記録層１５に対して腐食は発生しなかった。Ｄ１およびＤ２の選択により、１００時間後では剥離は発生しなかったが、２００時間後において剥離が発生したものがあるが、従来例（ディスクＮｏ．２−０００）の密着性より優れた特性を示した。
（実施例６）
本実施例では情報記録媒体３の一例を説明する。情報記録媒体３の情報層３０２の形成方法は実施例１と同様である。本実施例においては、第２の誘電体層１３に、式：（Ｉｎ２Ｏ３）ｊ（Ｄ１）ｋ（Ｄ２）１００−ｊ−ｋ（ｍｏｌ％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ２、ＬａＦ３）、（ＺｒＯ２、ＣｅＦ３）、（ＨｆＯ２、ＬａＦ３）、（ＨｆＯ２、ＣｅＦ３）、（ＳｉＯ２、ＬａＦ３）、（ＳｉＯ２、ＣｅＦ３）、（Ｃｒ２Ｏ３、ＬａＦ３）および（Ｃｒ２Ｏ３、ＣｅＦ３）とし、（ｊ、ｋ）＝（５０、２５）としたものを適用した。これらの情報記録媒体のディスクＮｏ．をそれぞれ３−１０１〜３−１０８とする。
【０１１５】
続けて、情報層３０２上に案内溝の設けられた光学分離層３１を形成した。
続けて、光学分離層３１上に情報層３０１を形成する。情報層３０１は透過率調整層３２としてＴｉＯ２を２１ｎｍ（≒（１１／８０）λ／ｎ）、反射層３３としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を１０ｎｍ、第２の誘電体層３４としてＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３膜（具体的には、式：（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％））、記録層３５としてＧｅ−Ｂｉ−Ｔｅ−Ｓｎ膜（具体的には、式：Ｇｅ４２．７Ｂｉ４．１Ｔｅ５１．０Ｓｎ２．２（原子％）で表されるもの）を６．５ｎｍ、界面層３６としてＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３膜（具体的には、式：（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％））を５ｎｍ、第１の誘電体層３７してＺｎＳ−ＳｉＯ２膜（具体的には、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％））を順次スパッタリング法により成膜した。最後に紫外線硬化樹脂を第１の誘電体層３７に塗布し、ポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ７０μｍ）を密着させ、スピンコートした後に、紫外線により樹脂を硬化させ、カバー層１８を形成し、情報記録媒体３を作製した。
【０１１６】
第２の誘電体層３４および第１の誘電体層３７の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、４０５ｎｍのレーザ光を入射したとき、記録層３５が結晶相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が４％〜１０％、記録層３５が非晶質相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が１％〜５％、透過率Ｔｃ（％）および透過率Ｔａ（％）がともに４５％〜５５％となるように決定した。
【０１１７】
以上のように作製された情報記録媒体３（ディスクＮｏ．３−１０１〜３−１０８）について、実施例１と同様、反射層３３と第２の誘電体層３４との密着性、情報層３０２の記録感度および繰り返し書き返し性能を評価した。なお、本実施例では、記録感度が１１．４ｍＷ以下のものを○、１１．４ｍＷより大きく１２．０ｍＷ以下のものを△、１２．０ｍＷより大きいものを×とした。
【０１１８】
また、実施例１と同様、第２の誘電体層１３に従来の（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＬａＦ３、（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＺｒＯ２）５０、（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＬａＦ３）５０および（ＺｒＯ２）５０（ＬａＦ３）５０を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を３−０００〜３−００６とする）を作製し、比較した。
評価結果を表１０に示す。
【０１１９】
【表１０】
2007063672.tif 000033
【０１２０】
表１０に示すように密着性に関して、本実施例におけるいずれの情報記録媒体３においても反射層１２に対して剥離、腐食は発生せず、従来例３−０００より大きく改善した結果が得られた。また、本実施例におけるいずれの情報記録媒体３においても記録感度、繰り返し書き換え特性は、従来例３−００１〜３−００６の特性より大きく改善している。
記録感度はいずれも１２．０ｍＷ以下であり、良好である。
また、いずれのディスクにおいても１万回以上の書き換えが行えることが示され、本実施例における情報記録媒体３はいずれもコンピュータにおける外部メモリとしても適用可能であることが示された。
以上のように、本発明において、従来を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。
【０１２１】
（実施例７）
本実施例では実施例６に記述の情報記録媒体３において、第２の誘電体層１３に、式：（Ｉｎ２Ｏ３）ｊ（Ｄ１）ｋ（Ｄ２）１００−ｊ−ｋ（ｍｏｌ％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ２、ＣｅＦ３）、（ｊ、ｋ）＝（５０、２５）を適用し、情報層３０１における第２の誘電体層３４に式：（Ｉｎ２Ｏ３）ｊ（Ｄ１）ｋ（Ｄ２）１００−ｊ−ｋ（ｍｏｌ％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ２、ＬａＦ３）、（ＺｒＯ２、ＣｅＦ３）、（ＺｒＯ２、ＤｙＦ３）、（ＺｒＯ２、ＭｇＦ）、（ＨｆＯ２、ＬａＦ３）、（ＨｆＯ２、ＣｅＦ３）、（ＴｉＯ２、ＬａＦ３）、（ＴｉＯ２、ＣｅＦ３）、（ＳｉＯ２、ＬａＦ３）、（ＳｉＯ２、ＣｅＦ３）、（Ｃｒ２Ｏ３、ＬａＦ３）、（Ｃｒ２Ｏ３、ＣｅＦ３）、（Ｇａ２Ｏ３、ＬａＦ３）および（Ｎｂ２Ｏ５、ＣｅＦ３）とし、（ｊ、ｋ）＝（５０、２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ３−２０１〜３−２１４とし、記録層との密着性の評価を行った。
【０１２２】
また、実施例１と同様、第２の誘電体層３４に従来の（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を３−００７とする）を作製し、比較した。
評価結果を表１１に示す。
【０１２３】
【表１１】
2007063672.tif 000034
【０１２４】
表１１に示すように、本実施例におけるいずれの情報記録媒体３においても記録層３５に対して腐食は発生しなかった。Ｄ１およびＤ２の選択により、１００時間後では剥離は発生しなかったが、２００時間後において剥離が発生したものがあるが、従来例（ディスクＮｏ．３−００７）の密着性より優れた特性を示した。
（実施例８）
本実施例では情報記録媒体４の一例を説明する。
【０１２５】
以下、実施例８の情報記録媒体の製造方法である。
まず、基板４３として、案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板を用意した。その基板上に、第１の誘電体層１７してＺｎＳ−ＳｉＯ２膜（具体的には、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％））、第１の界面層１６としてＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３膜（具体的には、式：（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％））を５ｎｍ、記録層１５としてＧｅ−Ｂｉ−Ｔｅ−Ｓｎ膜（具体的には、式：Ｇｅ４４．０Ｂｉ３．０Ｔｅ５０．７Ｓｎ２．３（原子％）で表されるもの）を１０ｎｍ、第２の界面層１４としてＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３膜（具体的には、式：（ＺｒＯ２）２５（ＳｉＯ２）２５（Ｃｒ２Ｏ３）５０（ｍｏｌ％））を５ｎｍ、第２の誘電体層１３、反射層１２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜を１００ｎｍ、を順次スパッタリング法により成膜した。その後、紫外線硬化性樹脂をダミー基板４１上に塗布し、基板４３の反射層１２をダミー基板４１に密着し回転させることによって均一な樹脂層（厚さ２０μｍ）を形成したのち、紫外線を照射して樹脂を硬化させることによって、接着層４２を介して基板４３とダミー基板４１を接着させた。最後に、記録層１５の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
【０１２６】
第２の誘電体層１３および第１の誘電体層１７の膜厚は、マトリクス法に基づく計算により決定した。具体的には、６６０ｎｍのレーザ光を入射したとき、記録層１５が結晶相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が１３％〜２０％、記録層１５が非晶質相時の情報記録媒体の反射率（基板の鏡面部における反射）が０．５％〜４％となるように決定した。
【０１２７】
以上のように作製された情報記録媒体４および従来例の情報記録媒体について、反射層１２と第２の誘電体層１３との密着性、記録感度、および繰り返し書き返し性能を評価した。
密着性の評価は、実施例１と同様、情報記録媒体を温度９０℃、相対湿度８０％の条件の恒温槽に１００時間放置した後、一度光学顕微鏡を用いて腐食、剥離を観察した。さらに、１００時間放置（合計２００時間放置）した後、光学顕微鏡を観察し、最終的な腐食、剥離の有無を判定する方法で行った。
【０１２８】
記録感度および繰り返し書き返し性能の評価は、図５で示した記録再生装置５０を用いて行った。レーザ光の波長は６６０ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．６５、測定時の線速度は８．２ｍ／ｓ、最短マーク長は０．４２μｍであり、グルーブおよびランドに情報の記録を行った。
記録は０．４２μｍ（３Ｔ）から１．５４μｍ（１１Ｔ）までのランダムな信号を用い同じグルーブおよびランドに連続して行った。各書き換え回数において信号の再生を行い、前端ジッタ（記録マークの前端部のジッタ）、後端ジッタ（記録マークの後端部のジッタ）、および前端ジッタと後端ジッタの平均ジッタをタイム・インターバル・アナライザにより測定した。
【０１２９】
記録感度は平均ジッタ−ピークパワー特性のカーブにおいて、ジッタ値が最小となるピークパワー値とした。なお、本実施例では、記録感度が１２．０ｍＷ以下のものを○、１２．０ｍＷより大きく１４．０ｍＷ以下のものを△、１４．０ｍＷより大きいものを×とした。また、１回目のジッタ値に対して３％増加する書き換え回数を情報記録媒体の繰り返し書き返し性能の上限値とした。書き換え回数上限値として、１０００回以上が好ましいが、本実施例においては、５０００回以上が良好であるものとした。
【０１３０】
本実施例の情報記録媒体４の一例として、第２の誘電体層１３に、式：Ｉｎ２Ｏ３）ｊ（Ｄ１）ｋ（Ｄ２）１００−ｊ−ｋ（ｍｏｌ％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ２、ＬａＦ３）、（ＺｒＯ２、ＣｅＦ３）、（ＨｆＯ２、ＬａＦ３）、（ＨｆＯ２、ＣｅＦ３）、（ＳｉＯ２、ＬａＦ３）、（ＳｉＯ２、ＣｅＦ３）、（Ｃｒ２Ｏ３、ＬａＦ３）および（Ｃｒ２Ｏ３、ＣｅＦ３）とし、（ｊ、ｋ）＝（５０、２５）としたものを適用した。これらの情報記録媒体のディスクＮｏ．をそれぞれ４−１０１〜４−１０８とする。
【０１３１】
また、従来の第２の誘電体層と比較するため、上記記載の構成の情報記録媒体における、第２の誘電体層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＬａＦ３、（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＺｒＯ２）５０、（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＬａＦ３）５０および（ＺｒＯ２）５０（ＬａＦ３）５０を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を４−０００〜４−００６とする）を作製し、同様の評価を行った。
評価結果を表１２に示す。 
【０１３２】
【表１２】
2007063672.tif 000035
【０１３３】
表１２に示すように密着性に関して、本実施例におけるいずれの情報記録媒体４においても反射層１２に対して剥離、腐食は発生せず、従来例４−０００より大きく改善した結果が得られた。つまり、本実施例の第２の誘電体層として適用したいずれの酸化物−フッ化物誘電体とＡｇとの反応性は無く、情報記録媒体の特性を悪化させないことが示された。また、本実施例におけるいずれの情報記録媒体４においても記録感度、繰り返し書き換え特性は、従来例４−００１〜４−００６の特性より大きく改善している。
記録感度はいずれも１２．０ｍＷ以下であり、良好である。
【０１３４】
また１万回レベルの書き換えが行えることが示された。情報記録媒体を画像、音声、動画の保存用として用いるときは、１０００回の書き換え回数が好ましく、さらにコンピュータにおける外部メモリとして用いるときは１万回以上の書き換え回数が好ましい。つまり、本実施例における情報記録媒体４はいずれもコンピュータにおける外部メモリとしても適用可能であることが示された。
以上のように、本発明において、従来を上回る特性を有する情報記録媒体が得られた。
【０１３５】
（実施例９）
本実施例では情報記録媒体（メモリ）６０７の一例を説明する。
以下、実施例８の情報記録媒体の作製方法である。
まず、表面を窒化処理した長さ５ｍｍ、幅５ｍｍおよび厚さ１ｍｍのＳｉ基板６０１上に、Ａｕの下部電極６０２を１．０ｍｍ×１．０ｍｍの領域に厚さ０．１μｍで、Ｇｅ３８Ｓｂ１０Ｔｅ５２の記録層６０５を直径０．２ｍｍの円形領域に厚さ０．１μｍで、（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＺｒＯ２）２５（ＬａＦ３）２５（本発明の酸化物−フッ化物誘電体）の誘電体層６０６を０．６ｍｍ×０．６ｍｍの領域（但し、記録層６０５部を除く）に厚さ０．１μｍで、Ａｕの上部電極６０４を０．６ｍｍ×０．６ｍｍの領域に厚さ０．１μｍで、スパッタリング法により順次形成した。
【０１３６】
本実施例においては、記録層６０５の融点は６５０℃、結晶化温度は１８０℃、結晶化時間は１４０ｎｓであった。下部電極６０２と上部電極の６０４間の抵抗値は、記録層６０５の相が非晶質状態では１０００Ω、結晶状態では３０Ωであった。記録層６０５が非晶質状態のとき、下部電極６０２と上部電極の６０４間に２０ｍＡ、１５０ｎｓの電流パルスを印加したところ、電極間の抵抗値が低下し、記録層６０５の相が非晶質状態から結晶状態へと転移した。また、記録層６０５が結晶状態のとき、下部電極６０２と上部電極の６０４間に２００ｍＡ、１００ｎｓの電流パルスを印加したところ、電極間の抵抗値が上昇し、記録層６０５の相が結晶状態から非晶質状態へと転移した。
【０１３８】
以上の結果より、誘電体層６０６に本発明の酸化物−フッ化物誘電体：（Ｉｎ２Ｏ３）５０（ＺｒＯ２）２５（ＬａＦ３）２５を適用することで、電気的エネルギーの印加で記録層６０５に相変態を起こすことができ、よって情報記録媒体６０７が情報を記録する機能を有することが示された。また、誘電体層６０６を設けることにより、記録層６０５から電流が周辺部に逃げるのを抑制でき、電流により生じるジュール熱によって記録層６０５の温度を効率的に上昇させることができる。特に記録層６０５の相を結晶状態から非晶質状態へと転移させる場合には、記録層６０５を一旦溶解し急冷させる過程が必要であるが、誘電体層６０６を設けることにより、より小さな電流により記録層６０５の温度を融点以上に到達させることか可能である。
【０１３９】
また、記録部６０３において、複数の記録層６０５を互いに誘電体層６０６で隔離させた構成にすることにより、複数の記録層６０５を設けることができ、情報記録媒体６０７のメモリ容量を増大させたり、アクセス速度やスイッチング機能を向上させたりすることができる。またさらに、情報記録媒体６０７自体を複数個つなぐことも可能である。
（実施例１０）
本実施例では実施の形態３に記述した４つの情報層を有する情報記録媒体（情報記録媒体５と記す）について、図８に示すレーザの最も入射側となる情報層５０１の第２の誘電体層８６に、式：（Ｉｎ２Ｏ３）ｊ（Ｄ１）ｋ（Ｄ２）１００−ｊ−ｋ（ｍｏｌ％）で表される酸化物−フッ化物誘電体において、（Ｄ１、Ｄ２）＝（ＺｒＯ２、ＬａＦ３）、（ＺｒＯ２、ＣｅＦ３）、（ＺｒＯ２、ＤｙＦ３）、（ＺｒＯ２、ＭｇＦ）、（ＨｆＯ２、ＬａＦ３）、（ＨｆＯ２、ＣｅＦ３）、（ＴｉＯ２、ＬａＦ３）、（ＴｉＯ２、ＣｅＦ３）、（ＳｉＯ２、ＬａＦ３）、（ＳｉＯ２、ＣｅＦ３）、（Ｃｒ２Ｏ３、ＬａＦ３）、（Ｃｒ２Ｏ３、ＣｅＦ３）、（Ｇａ２Ｏ３、ＬａＦ３）および（Ｎｂ２Ｏ５、ＣｅＦ３）とし、（ｊ、ｋ）＝（５０、２５）としたものを適用した。これらのディスクＮｏ．をそれぞれ５−１０１〜５−１１４とし、記録層との密着性の評価を行った。
また、実施例１と同様、第２の誘電体層３４に従来の（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を適用した情報記録媒体（ディスクＮｏ．を５−００１とする）を作製し、比較した。
評価結果を表１３に示す。 
【０１４０】
【表１３】
2007063672.tif 000036
【０１４１】
表１３に示すように、本実施例におけるいずれの情報記録媒体５においても記録層８７に対して腐食は発生しなかった。Ｄ１およびＤ２の選択により、１００時間後では剥離は発生しなかったが、２００時間後において剥離が発生したものがあるが、従来例（ディスクＮｏ．５−００１）の密着性より優れた特性を示した。
以上、本発明の実施の形態について例を取り上げ説明したが、前述したように本発明は上記の実施の形態に限定されず本発明の技術発想に基づいて他の実施の形態にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【０１４２】
本発明の情報記録媒体とその製造方法は、優れた誘電体材料を有しかつ大容量な光学的情報記録媒体を実現できるため、例えばＢｌｕ−ｒａｙ  ＤｉｓｃやＤＶＤ−ＲＡＭのようなＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）に有用である。また、直径６ｃｍや８ｃｍのような小径ディスクに応用することもできる。さらに、電気的情報記録媒体として、電気的なスイッチング素子としても有用である。いずれも、書き換え型、追記型または再生専用型を問わず応用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１４３】
【図１】本発明の実施の形態１における情報記録媒体１の一部断面図。
【図２】本発明の実施の形態２における情報記録媒体２の一部断面図。
【図３】本発明の実施の形態３における情報記録媒体３の一部断面図。
【図４】本発明の実施の形態４における情報記録媒体４の一部断面図。
【図５】本発明の情報記録媒体に対して情報の記録再生を行う記録再生装置の一部構成の概略図。
【図６】本発明の実施の形態７における情報記録媒体６０７の一部断面図。
【図７】図６に示す情報記憶媒体を使用するシステムの一例を示す模式図。
【図８】４つの情報層を有する情報記録媒体の一部断面図。
【符号の説明】
【０１４４】
１、２、３、４、５５、６０７、５  情報記録媒体
３０１、３０２、５０１、５０２、５０３、５０４  情報層
５０  記録再生装置
１１、４３、６０１  基板
１２、３３、８５  反射層
１３、３４、８６  第２の誘電体層
１４  第２の界面層
１５、３５、６０５、８７  記録層
１６、８８  第１の界面層
１７、３７、８９  第１の誘電体層
１８  カバー層
１９  エネルギービーム（レーザ光）
３１、８１、８２、８３  光学分離層
３２、８４  透過率調整層
３６  界面層
４１  ダミー基板
４２  接着層
５１  スピンドルモータ
５２  半導体レーザ
５３  光学ヘッド
５４  対物レンズ
５６  レーザ光
６０２  下部電極
６０３  記録部
６０４  上部電極
６０６  誘電体層
６０８  パルス発生部
６０９  抵抗測定器
６１０、６１１  スイッチ
６１２  印加部
６１３  判定部
６１４  電気的書き込み／読み出し装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2007063672.tif 000044
【国際調査報告】
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2007063672.tif 000046
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