【手続補正書】
【提出日】平成20年9月5日(2008.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  極低温電子部分と、非極低温電子部分と、前記極低温電子部分と前記非極低温電子部分とを接続するインタコネクトとを具備する極低温装置であって、前記インタコネクトは前記極低温電子部分と前記非極低温電子部分との間に熱遮断体を備えることを特徴とする極低温装置。
【請求項２】  極低温装置であって、
（１）真空デュワアセンブリ内に収容された、入力エンドと出力エンドとを有する極低温電子部分と、
（２）前記真空デュワアセンブリを通して、前記極低温電子部分の前記入力エンドに接続されている極低温エンドに至る周囲エンドを有する、周囲から極低温への入力コネクタと、
（３）前記極低温電子部分の前記出力エンドに接続されている極低温エンドを有し、前記真空デュワアセンブリを通して周囲エンドに至る、極低温から周囲への出力コネクタと、
（４）前記極低温電子部分と密着するように前記真空デュワアセンブリに接続されている極低温源とを具備し、
（ｉ）前記極低温電子部分は、高温超伝導体フィルタ素子および極低温能動半導体回路の少なくとも１つを備え、
（ｉｉ）能動半導体回路が、該能動半導体回路が存在する場合、約８５０ｍＷ未満の合計散逸電力を前記極低温電子部分に生成し、
（ｉｉｉ）前記極低温装置は、２０℃の周囲温度のとき、８０Ｋで約３Ｗ未満の最大クーラーリフトを有することを特徴とする極低温装置。
【請求項３】  高温超電導フィルタ素子を有し、ある動作温度においてある動作周波数を有する極低温受信機を調整する方法であって、前記動作温度を変更して前記極低温受信機の動作周波数をシフトさせるステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項４】  高温超電導フィルタ素子を具備し、ある動作温度においてある動作中心点周波数を有する極低温受信機を調整する方法であって、前記動作温度を変更して前記極低温受信機の前記動作中心点周波数をシフトさせるステップを含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
本発明の他の実施態様は、本明細書に開示した本発明の仕様と実施を考慮すれば当業者には明白であろう。仕様および実施例は模範的なものに過ぎないと考えられ、本発明の真の範囲および精神は、次の特許請求の範囲によって示されることが意図される。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  極低温電子部分と、非極低温電子部分と、前記極低温電子部分と前記非極低温電子部分とを接続するインタコネクトとを具備する極低温装置であって、前記インタコネクトは前記極低温電子部分と前記非極低温電子部分との間に熱遮断体を備えることを特徴とする極低温装置。
［２］  前記インタコネクトは、熱伝導率が低い基板にマイクロストリップラインを備えることを特徴とする［１］に記載の極低温装置。
［３］  前記基板は、石英ガラスおよびエーロゲルの１つ以上を含むことを特徴とする［２］に記載の極低温装置。
［４］  前記極低温電子部分は、高温超伝導体フィルタ素子および極低温能動半導体回路の一方または両方を備えることを特徴とする［１］に記載の極低温装置。
［５］  前記極低温電子部分は、自己共振型スパイラル共振器をベースとする１つ以上のミニフィルタを備える高温超伝導体フィルタ素子を備えることを特徴とする［１］〜［４］のいずれか１つに記載の極低温装置。
［６］  極低温装置であって、
（１）真空デュワアセンブリ内に収容された、入力エンドと出力エンドとを有する極低温電子部分と、
（２）前記真空デュワアセンブリを通して、前記極低温電子部分の前記入力エンドに接続されている極低温エンドに至る周囲エンドを有する、周囲から極低温への入力コネクタと、
（３）前記極低温電子部分の前記出力エンドに接続されている極低温エンドを有し、前記真空デュワアセンブリを通して周囲エンドに至る、極低温から周囲への出力コネクタと、
（４）前記極低温電子部分と密着するように前記真空デュワアセンブリに接続されている極低温源とを具備し、
（ｉ）前記極低温電子部分は、高温超伝導体フィルタ素子および極低温能動半導体回路の少なくとも１つを備え、
（ｉｉ）能動半導体回路が、該能動半導体回路が存在する場合、約８５０ｍＷ未満の合計散逸電力を前記極低温電子部分に生成し、
（ｉｉｉ）前記極低温装置は、２０℃の周囲温度のとき、８０Ｋで約３Ｗ未満の最大クーラーリフトを有することを特徴とする極低温装置。
［７］  前記極低温電子部分は、入力エンドと出力エンドとを有する高温超伝導体フィルタ素子と、入力エンドと出力エンドとを有する能動半導体回路とを備え、
前記能動半導体回路の入力エンドは、前記高温超伝導体フィルタ素子を介して前記入力コネクタの前記極低温エンドに接続され、
前記フィルタ素子の前記入力エンドは前記入力コネクタの前記極低温エンドに接続され、
前記フィルタ素子の前記出力エンドは前記能動半導体回路の前記入力エンドに接続されることを特徴とする［６］に記載の極低温装置。
［８］  前記極低温電子部分は、増幅器、ミキサ、アナログデジタル変換器およびデジタルプロセッサの１つまたは組合せから選択される能動半導体回路を備えることを特徴とする［６］に記載の極低温装置。
［９］  前記能動半導体回路は極低温増幅器であることを特徴とする［８］に記載の極低温装置。
［１０］  前記極低温電子部分は、自己共振型スパイラル共振器をベースとする１つ以上のミニフィルタを備える高温超伝導体フィルタ素子を備えることを特徴とする［６］に記載の極低温装置。
［１１］  少なくとも１つの前記フィルタ素子の上方にありかつ前記極低温源と密着した超伝導プレートをさらに具備することを特徴とする［１０］に記載のシステム。
［１２］  前記周囲から極低温への入力コネクタ、および、前記極低温から周囲への出力コネクタの一方または両方が熱遮断体であることを特徴とする［６］に記載の極低温装置。
［１３］  前記極低温源は極低温冷却器であり、前記極低温冷却器および前記真空デュワアセンブリが、一体ユニットまたはアセンブリとして形成されることを特徴とする［６］に記載の極低温装置。
［１４］  前記極低温電子部分は、自己共振型スパイラル共振器をベースとする１つ以上のミニフィルタを備える高温超伝導体フィルタ素子を備え、前記周囲から極低温への入力コネクタおよび前記極低温から周囲への出力コネクタの一方または両方が熱遮断体であり、前記極低温源は極低温冷却器であり、前記極低温冷却器および前記真空デュワアセンブリが、一体ユニットまたはアセンブリとして形成されることを特徴とする［６］に記載の極低温装置。
［１５］  ［６］〜［１４］のいずれか１項に記載の極低温装置を具備することを特徴とする極低温受信機。
［１６］  ［１５］に記載の極低温受信機と、統合ユニットとして組み立てられたアンテナとを具備することを特徴とする統合アンテナアセンブリ。
［１７］  前記非極低温電子部分が低雑音増幅度の増幅器を備えていることを特徴とする［１］に記載の装置。
［１８］  前記低雑音増幅度の増幅器を備えた非極低温電子部分をさらに具備することを特徴とする［６］に記載の装置。
［１９］  高温超電導フィルタ素子を有し、ある動作温度においてある動作周波数を有する極低温受信機を調整する方法であって、前記動作温度を変更して前記極低温受信機の動作周波数をシフトさせるステップを含むことを特徴とする方法。
［２０］  高温超電導フィルタ素子を具備し、ある動作温度においてある動作中心点周波数を有する極低温受信機を調整する方法であって、前記動作温度を変更して前記極低温受信機の前記動作中心点周波数をシフトさせるステップを含むことを特徴とする方法。