【手続補正書】
【提出日】平成19年6月5日(2007.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体レーザ素子と、
前記第１の半導体レーザ素子上に絶縁膜を介して積層された第２の半導体レーザ素子とを備え、
前記第１の半導体レーザ素子は、第１の基板と、前記第１の基板の一面上に形成されるとともに第１の波長のレーザ光を出射する第１の発光点を有する第１の半導体層と、前記第１の基板の他面上に形成された第１の電極と、前記第１の半導体層上に形成された第２の電極とを含み、
前記第２の半導体レーザ素子は、第２の基板と、前記第２の基板の一面上に形成されるとともに第２の波長のレーザ光を出射する第２の発光点を有する第２の半導体層と、前記第２の基板の他面上に形成された第３の電極と、前記第２の半導体層上に形成された第４の電極とを含み、
前記第１の半導体レーザ素子は、前記第１の半導体層側に凸部および凹部の一方を有し、前記第２の半導体レーザ素子は、前記第２の半導体層側に凹部および凸部の他方を有し、
前記第１の発光点と前記第２の発光点とが前記第１の基板の一面に垂直な方向の線上に位置するように前記凸部および凹部が設けられ、
前記絶縁膜が前記第１の半導体レーザ素子の前記第２の電極と前記第２の半導体レーザ素子の前記第４の電極との間に配置されるとともに、前記第１の半導体レーザ素子の凸部および凹部の一方が前記第２の半導体レーザ素子の凹部および凸部の他方に嵌合されたことを特徴とする集積型半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記第２の半導体レーザ素子は、第１および第２の貫通孔を有し、
前記第２の電極から前記第１の貫通孔を通して前記第２の基板の前記他面上に延びる第１の取り出し電極と、
前記第４の電極から前記第２の貫通孔を通して前記第２の基板の前記他面上に延びる第２の取り出し電極とをさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の集積型半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記凸部および凹部は、前記第１または第２の波長のレーザ光の出射方向に平行に延びるように形成されたことを特徴とする請求項１または２に記載の集積型半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記第１の半導体層は、第１のクラッド層、第１の活性層および第２のクラッド層を順に含み、前記第２のクラッド層は、平坦部とその平坦部上にストライプ状に延びるリッジ部とを有し、
前記第２の半導体層は、第３のクラッド層、第２の活性層および第４のクラッド層を順に含み、前記第４のクラッド層は、平坦部とその平坦部上にストライプ状に延びるリッジ部とを有し、
前記凸部および凹部の一方は、前記第２のクラッド層の前記リッジ部上に設けられ、前記凹部および凸部の他方は、前記第４のクラッド層の前記リッジ部上に設けられたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の集積型半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記第１の半導体レーザ素子は第１および第２の領域を有し、
前記第２の半導体レーザ素子は、前記第１の半導体レーザ素子の前記第１の領域上に積層され、
前記第１の半導体レーザ素子の前記第２の領域上に前記絶縁膜を介して積層された第３の半導体レーザ素子をさらに備え、
前記第３の半導体レーザ素子は、第３の基板と、前記第３の基板の一面上に形成されるとともに第３の波長のレーザ光を出射する第３の発光点を有する第３の半導体層と、前記第３の基板の他面上に形成された第５の電極と、前記第３の半導体層上に形成された第６の電極とを含むことを特徴とする請求項１記載の集積型半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記第３の半導体レーザ素子は、第３の貫通孔を有し、
前記第６の電極から前記第３の貫通孔を通して前記第２の基板の前記他面上に延びる第３の取り出し電極をさらに備えたことを特徴とする請求項５記載の集積型半導体レーザ素子。
【請求項７】
第１および第２の領域を有する第１の半導体レーザ素子と、
前記第１の半導体レーザ素子の前記第１の領域上に絶縁膜を介して積層された第２の半導体レーザ素子と、
前記第１の半導体レーザ素子の前記第２の領域上に前記絶縁膜を介して積層された第３の半導体レーザ素子を備え、
前記第１の半導体レーザ素子は、第１の基板と、前記第１の基板の一面上に形成されるとともに第１の波長のレーザ光を出射する第１の発光点を有する第１の半導体層と、前記第１の基板の他面上に形成された第１の電極と、前記第１の半導体層上に形成された第２の電極とを含み、
前記第２の半導体レーザ素子は、第２の基板と、前記第２の基板の一面上に形成されるとともに第２の波長のレーザ光を出射する第２の発光点を有する第２の半導体層と、前記第２の基板の他面上に形成された第３の電極と、前記第２の半導体層上に形成された第４の電極とを含み、
前記第３の半導体レーザ素子は、第３の基板と、前記第３の基板の一面上に形成されるとともに第３の波長のレーザ光を出射する第３の発光点を有する第３の半導体層と、前記第３の基板の他面上に形成された第５の電極と、前記第３の半導体層上に形成された第６の電極とを含み、
前記第１の半導体レーザ素子は、前記第１の半導体層側に凸部および凹部の一方を有し、前記第２の半導体レーザ素子は、前記第２の半導体層側に凹部および凸部の他方を有し、
前記絶縁膜が前記第１の半導体レーザ素子の前記第２の電極と、前記第２の半導体レーザ素子の前記第４の電極および前記第３の半導体レーザ素子の前記第６の電極との間に配置されるとともに、前記第１の半導体レーザ素子の凸部および凹部の一方が前記第２の半導体レーザ素子の凹部および凸部の他方に嵌合されたことを特徴とする集積型半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記第２の基板と前記第３の基板とは共通基板であることを特徴とする請求項５〜７記載の集積型半導体レーザ素子。
【請求項９】
第１の半導体レーザ素子を形成する工程と、
第２の半導体レーザ素子を形成する工程と、
前記第１の半導体レーザ素子上に絶縁膜を介して前記第２の半導体レーザ素子を積層する工程とを備え、
前記第１の半導体レーザ素子を形成する工程は、
第１の基板の一面上に、第１の波長のレーザ光を出射する第１の発光点を有する第１の半導体層を形成する工程と、
前記第１の半導体層に凸部および凹部の一方を形成する工程と、
前記第１の基板の他面上および前記第１の半導体層上にそれぞれ第１および第２の電極を形成する工程とを含み、
前記第２の半導体レーザ素子を形成する工程は、
第２の基板の一面上に、第２の波長のレーザ光を出射する第２の発光点を有する第２の半導体層を形成する工程と、
前記第２の半導体層に凹部および凸部の他方を形成する工程と、
前記第２の基板の他面上および前記第２の半導体層上にそれぞれ第３および第４の電極を形成する工程とを含み、
前記第１の半導体レーザ素子上に絶縁膜を介して第２の半導体レーザ素子を積層する工程は、
前記絶縁膜が前記第１の半導体レーザ素子の前記第２の電極と前記第２の半導体レーザ素子の前記第４の電極との間に配置されるように前記第１の半導体レーザ素子の凸部および凹部の一方を前記第２の半導体レーザ素子の凹部および凸部の他方に嵌合させる工程を含み、
前記第１の発光点と前記第２の発光点とが前記第１の基板の一面に垂直な方向の線上に位置するように前記凸部および凹部が設けられていることを特徴とする集積型半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の半導体レーザ素子の凸部および凹部の一方を前記第２の半導体レーザ素子の凹部および凸部の他方に嵌合させた状態で、前記第１の半導体レーザ素子と前記第２の半導体レーザ素子とを同時に劈開する工程をさらに含むことを特徴とする請求項９記載の集積型半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１１】
第３の半導体レーザ素子を形成する工程をさらに備え、
前記第２の半導体層を形成する工程は、
前記第２の基板の前記一面の第１の領域に前記第２の半導体層を形成する工程を含み、
前記第３の半導体レーザ素子を形成する工程は、
前記第２の基板の前記一面の第２の領域に、第３の波長のレーザ光を出射する第３の発光点を有する第３の半導体層を形成する工程と、
前記第３の半導体層と反対側における前記第２の基板の領域上および前記第３の半導体層上にそれぞれ第５および第６の電極を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項９記載の集積型半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の半導体レーザ素子の凸部および凹部の一方を前記第２の半導体レーザ素子の凹部および凸部の他方に嵌合させた状態で、前記第１の半導体レーザ素子、前記第２の半導体レーザ素子および前記第３の半導体レーザ素子を同時に劈開する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１１記載の集積型半導体レーザ素子の製造方法。