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【手続補正書】
【提出日】平成18年11月29日(2006.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質層と、
前記多孔質層上に形成された、断面形状の高さが該断面形状の幅よりも長い半導体領域を有する構造体と、
前記構造体に応力を加えて歪みを生じさせる歪み誘起領域と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記歪み誘起領域は、前記構造体の少なくとも側面に接触することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記歪み誘起領域は、前記多孔質層の表面に略平行に前記応力を加えることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記多孔質層上に形成された複数の前記構造体を備え、
前記歪み誘起領域は、前記複数の構造体の間に配置されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記構造体は、
前記多孔質層上に形成された半導体領域と、
前記半導体領域の少なくとも側面に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に前記半導体領域を挟むようにして形成されたゲート電極と、
を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記多孔質層は、多孔質シリコンを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体領域は、単結晶シリコンを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記歪み誘起領域は、酸化シリコンを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記歪み誘起領域は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の半導体装置と、
前記半導体領域の一端に形成されたソースと、
前記半導体領域の他端に形成されたドレインと、
を有することを特徴とするトランジスタ。
【請求項１１】
基板に多孔質層を形成する工程と、
前記多孔質層上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層をエッチングして、その断面形状の高さが該断面形状の幅よりも長い半導体領域を形成する工程と、
前記半導体領域に応力を加えて歪みを生じさせる歪み誘起領域を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
基板に多孔質層を形成する工程と、
前記多孔質層上に半導体層を形成する工程と、
前記多孔質層及び前記半導体層をエッチングして、その断面形状の高さが該断面形状の幅よりも長い半導体領域を形成する工程と、
前記多孔質層及び前記半導体領域に応力を加えて歪みを生じさせる歪み誘起領域を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
基板に部分的に多孔質層を形成する工程と、
前記部分的に形成された多孔質層上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層をエッチングして、その断面形状の高さが該断面形状の幅よりも長い半導体領域を前記部分的に形成された多孔質層上に形成する工程と、
前記半導体領域に応力を加えて歪みを生じさせる歪み誘起領域を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第４の側面は、半導体装置の製造方法に係り、基板に多孔質層を形成する工程と、前記多孔質層上に半導体層を形成する工程と、前記多孔質層及び前記半導体層をエッチングして、その断面形状の高さが該断面形状の幅よりも長い半導体領域を形成する工程と、前記多孔質層及び前記半導体領域に応力を加えて歪みを生じさせる歪み誘起領域を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月28日(2007.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ発生部と被処理物との間に多孔板を設けたプラズマ処理装置であって、
前記多孔板に設けられた孔の形状、寸法または配置が不均一であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記多孔板の比較的大きな断面積を持つ孔の周囲を薄くしたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記多孔板の熱膨張係数が略１×１０の−５乗より小さいことを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記多孔板が少なくともケイ素を含む素材からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記多孔板の各孔中心が略同軸同心円上に配置され、かつ、略同一円上に配置された孔の断面積が互いに略等しいことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記多孔板の各孔中心が互いに略等間隔であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記被処理物近傍の活性種がイオンであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記被処理物近傍の活性種が主に中性ラジカルであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
マイクロ波を実質的に透過する誘電体を備えたプラズマ処理室と、マイクロ波をプラズマ処理室に導入する手段と、プラズマ処理室内に設置されたステージと、ステージ上に載置される被処理物と前記誘電体との間に設けられた多孔板とを備え、マイクロ波により表面波プラズマを発生することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記マイクロ波をプラズマ処理室に導入する手段が、スロット付無終端環状導波管であることを特徴とする請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記多孔板の全ての孔の断面積を略同率で拡縮することで、被処理物近傍のプラズマ活性種分布を変えずに活性種密度を変えることを特徴とする請求項１０に記載の設計方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明のプラズマ処理装置は、プラズマ発生部と被処理物との間に多孔板を設けたプラズマ処理装置であって、前記多孔板に設けられた孔の形状、寸法または配置が不均一であることを特徴とする。
ここで、前記多孔板に設けられた孔の形と配置は、前記プラズマ発生部の活性種分布と拡散計算から、前記被処理物近傍のプラズマ活性種が所望の密度と分布になるように、定められたものであることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月15日(2007.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空環境にて処理を行なう枚葉式半導体処理装置に対し、処理対象である基板を搬入および搬出する搬送装置において、
前記搬送装置が、
前記基板を１枚載置して上下の２位置動作を行う第１のバッファを備えるとともに、真空又は大気状態を繰り返し、前記大気状態のときに、前記第１のバッファに載置された前記基板を前記搬送装置の外部に対してやり取りするロードロック室と、
前記ロードロック室と前記処理装置とが直線状に配置されるよう、前記ロードロック室と前記処理室との間に接続され、常時真空状態に保たれる搬送室と、
前記搬送室に設けられ、真空状態のときの前記ロードロック室又は前記処理装置に対して前記基板を搬送する水平多関節ロボットと、
前記搬送室に設けられ、前記水平多関節ロボットと前記基板を授受可能な第２のバッファと、を備え、
前記水平多関節ロボットが、１本のシングルアームと、前記シングルアームの先端で該シングルアームとは独立に回転動作する前記フォークとで構成され、
前記第２のバッファが、第１及び第２のプレートからなる上下２段のプレートを備え、上中下の３位置動作を行うことによって前記第１及び第２のプレートのそれぞれに前記基板を載置可能なように構成され、
前記上下２段のプレートの前記基板を載置する中心位置が、前記シングルアームの回転中心に位置するよう前記第２のバッファが設置されたことを特徴とする搬送装置。
【請求項２】
前記第１のバッファの上下の２位置動作の機構に、２位置動作を行うエアシリンダを用いたことを特徴とする請求項１記載の搬送装置。
【請求項３】
前記第２のバッファの上中下の３位置動作の機構に、３位置動作を行うエアシリンダを用いたことを特徴とする請求項１記載の搬送装置。
【請求項４】
前記上下２段のプレートは、同一形状の薄板を上下に重ねた構成であることを特徴とする請求項１記載の搬送装置。
【請求項５】
請求項１記載の搬送装置を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記問題を解決するため、本発明は、次のように構成したのである。
請求項１に記載の発明は、真空環境にて処理を行なう枚葉式半導体処理装置に対し、処理対象である基板を搬入および搬出する搬送装置において、前記搬送装置が、前記基板を１枚載置して上下の２位置動作を行う第１のバッファを備えるとともに、真空又は大気状態を繰り返し、前記大気状態のときに、前記第１のバッファに載置された前記基板を前記搬送装置の外部に対してやり取りするロードロック室と、前記ロードロック室と前記処理装置とが直線状に配置されるよう、前記ロードロック室と前記処理室との間に接続され、常時真空状態に保たれる搬送室と、前記搬送室に設けられ、真空状態のときの前記ロードロック室又は前記処理装置に対して前記基板を搬送する水平多関節ロボットと、前記搬送室に設けられ、前記水平多関節ロボットと前記基板を授受可能な第２のバッファと、を備え、前記水平多関節ロボットが、１本のシングルアームと、前記シングルアームの先端で該シングルアームとは独立に回転動作する前記フォークとで構成され、前記第２のバッファが、第１及び第２のプレートからなる上下２段のプレートを備え、上中下の３位置動作を行うことによって前記第１及び第２のプレートのそれぞれに前記基板を載置可能なように構成され、前記上下２段のプレートの前記基板を載置する中心位置が、前記シングルアームの回転中心に位置するよう前記第２のバッファが設置された搬送装置とした。
また、請求項２に記載の発明は、前記第１のバッファの上下の２位置動作の機構に、２位置動作を行うエアシリンダを用いた請求項１記載の搬送装置とした。
また、請求項３に記載の発明は、前記第２のバッファの上中下の３位置動作の機構に、３位置動作を行うエアシリンダを用いた請求項１記載の搬送装置とした。
また、請求項４に記載の発明は、前記上下２段のプレートは、同一形状の薄板を上下に重ねた構成である請求項１記載の搬送装置とした。
また、請求項５に記載の発明は、請求項１記載の搬送装置を備えた半導体製造装置とした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１に記載の発明によると、搬送室に処理前の基板と処理後の基板を載置できる第２のバッファを設けたので、搬送室と処理装置との間の仕切り弁を開けて、搬送ロボットが処理装置に対して未処理の基板と処理済の基板を交換するときでも、ロードロック室と搬送室との間の仕切り弁を開ける必要がなく、搬送装置外部への腐食性ガスの流出を防止し安全性を確保することができる。また、第１のバッファは基板を１枚載置して上下の２位置しか動作を行わないようにしたので、ロードロック室の容積が小さくなり、真空引きおよび大気復帰に要する時間を短縮できる。さらにロードロック室の小型化によりポンプ容量が小さくなるためコストが低減できる。また、搬送ロボットを、１本のシングルアームとフォークとで構成されるようにしたので、アームが複数ある通常の水平多関節ロボットを使用するよりも搬送室の容量を抑えることができ、搬送室の小フットプリントも実現できる。また、第２のバッファをシングルアームの回転中心に位置するように構成したので、第２のバッファのフットプリントが必要でなくなり、かつ搬送ロボットが処理室に対して基板を交換するときに、基板をバッファリングできるためスループット向上を実現できる。
請求項２に記載の発明によると、ロードロック室に搭載する第１のバッファを簡易で低コストな機構で実現できる。
請求項３に記載の発明によると、搬送室に搭載する第２のバッファを簡易で低コストな機構で実現できる。
請求項４に記載の発明によると、２枚の基板を上下に基板１枚分の面積でバッファリングできるのでフットプリント縮小とスループット向上を同時に実現できる。
請求項５に記載の発明によると、フットプリントの小さい半導体製造装置を実現できる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月20日(2007.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを格納する複数のメモリセル、および前記複数のメモリセルに接続される複数のサブワード線を含むメモリセルアレイと、
前記複数のサブワード線をドライブするサブワード線ドライバと、
データを読み出すのに用いられる複数のリファレンスメモリセル、および前記複数のリファレンスメモリセルに接続される複数のリファレンス用読出ワード線を含むリファレンスメモリセルアレイと、
前記複数のリファレンス用読出ワード線をドライブするリファレンス用読出ワード線ドライバとを備え、
前記サブワード線ドライバと前記リファレンス用読出ワード線ドライバとは、同一の回路構成を有する、半導体記憶装置。
【請求項２】
前記サブワード線ドライバと前記リファレンス用読出ワード線ドライバとは、共通の複数のサブデコード信号によって制御される、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記サブワード線ドライバに入力される前記複数のサブデコード信号と、前記前記リファレンス用読出ワード線ドライバに入力される前記複数のサブデコード信号とは、入力関係が互いに入れ替わっている、請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記サブワード線ドライバの入力端子に接続されるメインワード線をさらに備え、
前記サブワード線ドライバは、前記メインワード線からの入力信号を受けた後に前記サブデコード信号を受ける、請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記リファレンス用読出ワード線ドライバの入力端子に接続される読出メインワード線をさらに備え、
前記リファレンス用読出ワード線ドライバは、前記読出メインワード線からの入力信号を受けた後に前記サブデコード信号を受ける、請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
データを格納する複数のメモリセル、および前記複数のメモリセルに接続される複数のビット線および複数のディジット線を含むメモリセルアレイと、
前記複数のビット線を選択するビット線電流選択回路とを備え、
前記ビット線電流選択回路は、複数のビット線電流選択ゲートを含み、
前記複数のビット線電流選択ゲートは、前記ビット線の方向に互いにずらして配置される、半導体記憶装置。
【請求項７】
前記ビット線電流選択回路は、第１および第２のビット線電流選択回路を含み、
前記第１のビット線電流選択回路は、前記ビット線の方向に互いにずらして配置される第１の複数のビット線電流選択ゲートを有し、
前記第２のビット線電流選択回路は、前記第１の複数のビット線電流選択ゲートと同じ配置である第２の複数のビット線電流選択ゲートを有する、請求項６に記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
前記複数のディジット線を選択するディジット線電流選択回路をさらに備え
前記ディジット線電流選択回路は、複数のディジット線電流選択ゲートを含み、
前記複数のディジット線電流選択ゲートは、前記ディジット線の方向に互いにずらして配置される、請求項６に記載の半導体記憶装置。
【請求項９】
複数のメモリセルと、
前記複数のメモリセルからのデータ読出時にデータ検出の基準値を生成する複数のリファレンスメモリセルと、
前記複数のメモリセルと前記複数のリファレンスメモリセルとに共通に、第１の方向に延在して配置される複数のビット線対と、
前記複数のビット線対と交差する第２の方向に延在して配置され、前記複数のメモリセルに対応して設けられる複数のサブワード線と、
前記第２の方向に延在して配置され、前記複数のリファレンスメモリセルに対応して設けられる複数のリファレンス用読出ワード線と、
各々が、所定数の前記サブワード線ごとに前記第２の方向に延在して配置される複数のメインワード線と、
各々が、前記所定数の前記リファレンス用読出ワード線ごとに前記第２の方向に延在して配置される複数の読出メインワード線と、
前記第１の方向に延在して配置され、前記所定数のサブワード線の中から第１のサブワード線を選択するとともに、前記所定数のリファレンス用読出ワード線の中から第１のリファレンス用読出ワード線を選択する共通サブデコード信号を伝達するサブデコード線と、
前記メインワード線からの信号と前記共通サブデコード信号とにより選択された前記第１のサブワード線を駆動するサブワード線ドライバと、
前記読出メインワード線からの信号と前記共通サブデコード信号とにより選択された前記第１のリファレンス用読出ワード線を駆動するリファレンス用読出ワード線ドライバとを備える、半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記複数のメモリセルと前記複数のリファレンスメモリセルとの各々は、アクセストランジスタおよびＴＭＲ素子を含み、前記ＴＭＲ素子の抵抗値の変化によりデータを記憶する、請求項９に記載の半導体記憶装置。
【請求項１１】
前記第１のサブワード線により選択されるメモリセルは、ビット線対の第１のビット線に接続され、
前記第１のリファレンス用読出ワード線により選択されるリファレンスメモリセルは、前記第１のビット線と対をなす第２のビット線に接続される、請求項９に記載の半導体記憶装置。
【請求項１２】
前記共通サブデコード信号の活性化は、選択されたメインワード線および読出メインワード線の活性化よりも遅い、請求項１１に記載の半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月20日(2006.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的記録再生媒体の記録再生層上に光源からの光ビームを集光する対物レンズと、前記光学的記録再生媒体上に集光される光ビームに発生している球面収差量を検出する手段とを備え、前記検出された球面収差量が記録或いは再生の許容値を超えた場合、前記光学的記録再生媒体に対する記録又は再生動作を中止することを特徴とする光学的記録再生装置。
【請求項２】
前記光源と対物レンズ間に、前記光ビームに発生している球面収差を補正する手段を設け、前記光学的記録再生媒体に対する記録又は再生動作を中断した後、前記球面収差補正手段により前記光ビームに発生している球面収差を補正し、前記光学的記録再生媒体の記録又は再生動作を再開することを特徴とする請求項１に記載の光学的記録再生装置。
【請求項３】
前記球面収差量を検出する手段は、前記光学的記録再生媒体から反射又は透過される光ビームを複数の受光素子で検出するセンサ手段と、前記センサ手段の検出信号により前記光学的記録媒体上に集光される光ビームに発生している球面収差量を演算する手段とから成ることを特徴とする請求項１に記載の光学的記録再生装置。
【請求項４】
前記許容値は、前記記録動作時と再生動作時とで異なる値に設定されることを特徴とする請求項１に記載の光学的記録再生装置。
【請求項５】
前記記録動作時における前記許容値は、前記再生動作時における許容値よりも高い値に設定されていることを特徴とする請求項４に記載の光学的記録再生装置。
【請求項６】
前記記録動作の中断時に記録情報を記憶する半導体メモリを設け、前記記録動作時における許容値は、前記半導体メモリの空き容量に応じて段階的な値に設定されることを特徴とする請求項１に記載の光学的記録再生装置。
【請求項７】
前記センサ手段における複数の受光素子は、光ビームの光軸に対して同心状に分割されたものであることを特徴とする請求項３に記載の光学的記録再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
上述の課題を解決するため、本発明の光学的記録再生装置は、光学的記録再生媒体の記録再生層上に光源からの光ビームを集光する対物レンズと、前記光学的記録再生媒体上に集光される光ビームに発生している球面収差量を検出する手段とを備え、前記検出された球面収差量が記録或いは再生の許容値を超えた場合、前記光学的記録再生媒体に対する記録又は再生動作を中止することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
次に、例えば該光ビームが図７に示す基板厚ムラの無い基板領域Ａ上の記録再生層に集光されて、該球面収差エラー信号レベルがＬ1レベルである状態において、該光ディスク１上に光ビームが正確にフォーカスサーボ、トラッキングサーボがなされて、該光ディスク１から記録する場合について述べる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
また別の場合としては、該球面収差エラー信号の誤差が大きくなったことを検出して、該記録動作を中断し、該球面収差エラー信号の誤差を、記録許容値以内とするように、前記球面収差補正レンズ１５が不図示のモータ等によりサーボ制御され、該光ビームの球面収差が許容範囲以内に補正されるのを待って、該記録動作を自動的に再開するものであってもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
また別の場合としては、該球面収差エラー信号の誤差が大きくなったことを検出して、該記録動作を中断し、該球面収差エラー信号の誤差を、記録許容値以内とするように、前記球面収差補正レンズ１５が不図示のモータ等により制御され、該光ビームの球面収差が許容範囲以内に補正されるのを待って、該記録動作を自動的に再開するものであってもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
更に、該光ディスク１への記録時において、該球面収差エラー信号の誤差が大きくなったことを検出して、該記録動作の中止及び中断を行うと、本来光ディスク１に記録されるべき情報が、半導体メモリなども補助記憶手段に一時的に記憶される。この時、該光ディスク１上に集光される光ビームの球面収差の補正に長時間を要したり、頻繁に該球面収差の悪化を検出して該球面収差の補正が行われると、本来光ディスク１に記録されるべき情報を記憶する半導体メモリ等の補助記憶手段に記憶しきれなくなることが生じて、該光ディスク１に記録すべき情報が未記録になる場合もある。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月22日(2007.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セパレータを介した正極及び負極が、最外周において負極が正極よりも外周側に位置するように捲回されてなる捲回電極を備えたニッケル水素電池において、前記負極は、水素吸蔵合金粉末とＰｄ粉又はＮｉ粉と撥水剤との混合物を有し、前記負極中の前記混合物の存在割合が、前記捲回電極の内周よりも外周において大きいことを特徴とするニッケル水素電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の構成と作用効果は次の通りである。但し、作用機構については推定を含んでおり、その作用機構の成否は、本発明を制限するものではない。
（１）セパレータを介した正極及び負極が、最外周において負極が正極よりも外周側に位置するように捲回されてなる捲回電極を備えたニッケル水素電池において、前記負極は、水素吸蔵合金粉末とＰｄ粉又はＮｉ粉と撥水剤との混合物を有し、前記負極中の前記混合物の存在割合が、前記捲回電極の内周よりも外周において大きいことを特徴とするニッケル水素電池。
（２）前記混合物は、前記負極のうち、正極と対向していない部分に存在していることが好ましい。
（３）前記混合物は、２０℃における水素吸蔵平衡圧が０．０１ＭＰａ以下の水素吸蔵合金粉末を有することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月21日(2007.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主としてアニオンが挿入・脱離される正極と、金属リチウム又はリチウムイオンを吸蔵及び放出可能な負極と、非水溶媒にリチウム塩を溶解してなる非水電解液とから少なくとも構成される非水電解液二次電池に充電する方法において、リチウムを参照電極として正極の充電終止電圧を表した場合に５．３〜５．６Ｖと表される電圧まで充電することを特徴とする非水電解液二次電池の充電方法。
【請求項２】
正極が、炭素質材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の非水電解液二次電池の充電方法。
【請求項３】
負極が、金属リチウム、炭素質材料、並びに、リチウムイオンを吸蔵及び放出可能な金属及び金属化合物からなる群から選ばれるものを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の非水電解液二次電池の充電方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の充電方法により充電される非水電解液二次電池。
【請求項５】
請求項４に記載の非水電解液二次電池に用いられる正極活物質。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の非水電解液二次電池は、このような本発明の充電方法により充電されたものであり、高容量である。
本発明の正極活物質は、このような本発明の非水電解液二次電池に用いられるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月28日(2007.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動可能な第１ステージと、該第１ステージの移動ストロークよりも小さな移動ストロークで移動可能な第２ステージを有する位置決め装置であって、
前記第１ステージの加減速にともなう力を前記第２ステージに伝達する少なくとも２つの継手を有し、
前記第１ステージが加減速をともなう移動をしているときに、前記継手は、前記加減速方向の前後における、前記第２ステージの２つの側面から同一方向に力を付与することを特徴とする位置決め装置。
【請求項２】
前記継手は前記第１ステージの加減速方向に垂直な２つの側面から力を付与することを特徴とする請求項１に記載の位置決め装置。
【請求項３】
移動可能な第１ステージと、該第１ステージの移動ストロークよりも小さな移動ストロークで移動可能な第２ステージを有する位置決め装置であって、
前記第１ステージの加減速にともなう力を前記第２ステージに伝達する少なくとも２つの継手を有し、
該継手は前記第２ステージの少なくとも１つの側面に複数個を設けられることを特徴とする位置決め装置。
【請求項４】
前記第１ステージの加減速時における前記微動ステージの変形量情報に基づいて、該変形を補正するように、各継手から前記微動ステージに付与する力を制御する制御手段を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の位置決め装置。
【請求項５】
前記第２ステージに搭載された位置決め対象としての基板と、
前記第２ステージの変形、または前記第２ステージに対する前記基板の変位を検出する検出手段と、
前記検出手段からの出力に基づいてリアルタイムに前記継手から前記第２ステージに付与する力を制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の位置決め装置。
【請求項６】
前記継手が電流および／または磁力を利用した電磁アクチュエータを有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の位置決め装置。
【請求項７】
前記第１ステージの等速時には、前記継手は力を付与しないことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の位置決め装置。
【請求項８】
前記第２ステージは、前記第１ステージに対してリニアモータによって非接触に駆動することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の位置決め装置。
【請求項９】
第１方向に移動可能な第１ステージと、該第１ステージの移動ストロークよりも小さな移動ストロークで移動可能な第２ステージを有する位置決め装置であって、
前記第２ステージは、前記第１方向の前後に磁性体板を有し、
前記第１ステージは、前記磁性体板をそれぞれで前記第１方向の両側から挟み込むように設けられた一対の電磁石を有することを特徴とする位置決め装置。
【請求項１０】
前記電磁石は前記第１ステージが前記第１方向に加減速をともない移動する際に力を発生することを特徴とする請求項９に記載の位置決め装置。
【請求項１１】
原版のパターンを基板に露光する露光装置であって、前記原版および／または基板を請求項１〜１０のいずれかに記載の位置決め装置を用いて位置決めすることを特徴とする露光装置。
【請求項１２】
前記第２ステージの変形量もしくは前記第２ステージに搭載された原版および／または基板の前記第２ステージに対する変位量を所定値と比較するステップと、前記比較結果に応じて露光作業を中断するステップと、前記第２ステージの変形量もしくは前記第２ステージに搭載された原版および／または基板の前記第２ステージに対する変位量を前記第２ステージが停止した状態で測定するステップと、前記測定値をオフセット値として制御部のメモリに格納するステップと、前記オフセット値を前記第２ステージの制御に反映するステップとを有することを特徴とする請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
デバイス製造方法であって、請求項１２に記載の露光装置を用いてデバイスを製造する工程を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述の課題を解決するために本発明は、移動可能な第１ステージと、該第１ステージの移動ストロークよりも小さな移動ストロークで移動可能な第２ステージを有する位置決め装置であって、前記第１ステージの加減速にともなう力を前記第２ステージに伝達する少なくとも２つの継手を有し、前記第１ステージが加減速をともなう移動をしているときに、前記継手は、前記加減速方向の前後における、前記第２ステージの２つの側面から同一方向に力を付与することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月18日(2007.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
（３）電位規定構造  低電圧層（導電層）１１４は、リアプレート１０２上に、スルーホール構造１０８の大気側から一定距離に形成された層である。低電圧層（導電層）１１４は、筐体１１５側の例えばグランドに電気的接続されており、グランド電位に規定されている。この構成によって、スルーホール構造１０８に印加された高電位の存在領域を、低電圧層（導電層）１１４の内側（低電圧層（導電層）１１４とスルーホール構造１０８との間の領域）に閉じ込めることができるため、リアプレート大気側の周辺での不慮の放電を防止することが可能となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ここで、第一の導電体及び第二の導電体と弾性構造１０７との位置関係について、図１２及び図１３を用いて説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月12日(2007.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介して他の情報処理装置と接続され、所定のコマンドに従って情報処理を行う情報処理装置であって、
前記他の情報処理装置から動作状態に関する情報を収集して、装置情報テーブルを作成する能力交換手段と、
前記コマンドが発生した際、当該コマンドの実行に要する資源に関する情報と、前記装置情報テーブルの動作状態に関する情報とを比較して、当該コマンドを実行可能な情報処理装置を特定する装置特定手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記能力交換手段は、前記他の情報処理装置の情報処理能力を収集して前記装置情報テーブルに保存し、
前記装置特定手段は、前記コマンドの実行に要する情報処理能力と、前記他の情報処理装置の情報処理能力とを比較して、前記コマンドを実行可能な情報処理装置を特定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記能力交換手段は、前記他の情報処理装置のメモリ容量を収集して前記装置情報テーブルに保存し、
前記装置特定手段は、前記コマンドの実行に要するメモリ容量と、前記他の情報処理装置のメモリ容量とを比較して、前記コマンドを実行可能な情報処理装置を特定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記能力交換手段は、前記他の情報処理装置の外部記録手段の容量を収集して前記装置情報テーブルに保存し、
前記装置特定手段は、前記コマンドの実行に要する外部記録手段の容量と、前記他の情報処理装置の外部記録手段の容量とを比較して、前記コマンドを実行可能な情報処理装置を特定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記能力交換手段は、前記他の情報処理装置の機能を特定可能な情報処理装置種別識別子を収集して前記装置情報テーブルに保存し、
前記装置特定手段は、前記コマンドの実行に要する機能と、前記他の情報処理装置の情報処理装置種別識別子とを比較して、前記コマンドを実行可能な情報処理装置を特定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記能力交換手段は、前記装置特定手段によって特定された情報処理装置に対して前記コマンドを送信して実行要求することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記能力交換手段は、前記他の情報処理装置のネットワークへの接続が変更された場合に、前記他の情報処理装置の動作状態に関する情報を収集して、前記装置情報テーブルを更新することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記能力交換手段は、所定の時間間隔で前記他の情報処理装置の動作状態に関する情報を収集して、前記装置情報テーブルを更新することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記他の情報処理装置は、前記コマンドを処理するプロセッサ手段を複数備え、前記能力交換手段は、前記複数のプロセッサ手段各々の動作状態に関する情報を収集して、前記装置情報テーブルに保存することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の情報処理装置は、さらに、前記ネットワーク上に他の情報処理装置が接続されたか否かを判断するマネージャ手段を備え、
このマネージャ手段によって前記ネットワーク上に他の情報処理装置が接続されたと判断された場合には、前記能力交換手段による処理を実行することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
ネットワークを介して他の情報処理装置と接続される情報処理装置が所定のコマンドに従って情報処理を行う情報処理方法であって、
前記他の情報処理装置から動作状態に関する情報を収集して、装置情報テーブルを作成する能力交換工程と、
前記コマンドが発生した際、当該コマンドの実行に要する資源に関する情報と、前記装置情報テーブルの動作状態に関する情報とを比較して、当該コマンドを実行可能な情報処理装置を特定する装置特定工程と、
を備えることを特徴とする情報処理方法。
【請求項１２】
一の情報処理装置と他の情報処理装置がネットワークを介して接続され、所定のコマンドに従って情報処理を行う情報処理システムであって、
前記一の情報処理装置は、前記他の情報処理装置から動作状態に関する情報を収集して、装置情報テーブルを作成する能力交換手段と、前記コマンドが発生した際、当該コマンドの実行に要する資源に関する情報と、前記装置情報テーブルの動作状態に関する情報とを比較して、当該コマンドを実行可能な情報処理装置を特定する装置特定手段とを備えることを特徴とする情報処理システム。
【請求項１３】
一の情報処理装置と他の情報処理装置がネットワークを介して接続された情報処理システムにおいて所定のコマンドに従って情報処理を行うために、前記一の情報処理装置が備えるコンピュータを、
前記他の情報処理装置から動作状態に関する情報を収集して、装置情報テーブルを作成する能力交換手段、および、前記コマンドが発生した際、当該コマンドの実行に要する資源に関する情報と、前記装置情報テーブルの動作状態に関する情報とを比較して、当該コマンドを実行可能な情報処理装置を特定する装置特定手段、
として機能させるための情報処理用プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月20日(2007.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの宛先に文書を配布する方法であって、
配布されるべき電子文書を表す文書データを受信する工程と、
少なくとも１つのプリンタジョブ言語コマンドを前記文書に関連付けることでジョブを作成する工程であって、前記プリンタジョブ言語コマンドは前記ジョブを配布するための指示を含む、ジョブを作成する工程と、
前記プリンタジョブ言語コマンドに基づいて前記ジョブを少なくとも１つの宛先に配布する工程と、
を備える方法。
【請求項２】
前記宛先に前記ジョブを配布する前に、文書配布キューに前記ジョブを供給する工程をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記文書配布キューは前記宛先を示さない、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記文書配布キューによって前記ジョブを受信すると、前記文書配布キューにより前記プリンタジョブ言語コマンドを読み出す工程をさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記プリンタジョブ言語コマンドが読み出された後、前記文書配布キューによって前記ジョブを宛先キューに配布する工程をさらに備え、前記宛先キューは前記宛先を示す、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記宛先は、画像形成装置、電子メールシステム、ウェブ公開システム、および、文書管理システムからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記文書は複数の宛先に配布される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記文書は複数の宛先に配布される、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも１つの宛先に文書を配布するシステムであって、
配布されるべき電子文書を表すデータを受信する手段と、
少なくとも１つのプリンタジョブ言語コマンドを前記文書に関連付けるジョブ作成手段であって、前記プリンタジョブ言語コマンドは前記ジョブを配布するための指示を含む、ジョブ作成手段と、
前記プリンタジョブ言語コマンドに基づいて、前記ジョブを前記少なくとも１つの宛先に配布する配布手段と、
を備えるシステム。
【請求項１０】
前記配布手段は、前記ジョブを受信する文書配布キューを備える、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記文書配布キューは前記宛先を示さない、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記文書配布キューは、さらに前記プリンタジョブ言語コマンドを読み出す、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記文書配布キューは、前記プリンタジョブ言語コマンドに基づいて、前記ジョブを宛先キューに配布し、前記宛先キューは前記宛先を示す、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記宛先は、画像形成装置、電子メールシステム、ウェブ公開システム、および、文書管理システムからなる群から選択される、請求項９に記載のシステム。
【請求項１５】
前記文書は複数の宛先に配布される、請求項９に記載のシステム。
【請求項１６】
前記文書は複数の宛先に配布される、請求項１３に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】文書配布方法および文書配布システム
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月7日(2007.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ＭｎＯ４−＋４ＣＨ３ＯＨ→Ｍｎ２＋＋４Ｈ２Ｏ＋４ＨＣＨＯ＋３ｅ−
なお、この所定添加量は実際に電池に添加した後の電解液を分析し、測定した後の値である。前述したように、メタノールは電解酸化によって分解するために、計算上で添加した量と実際に測定した量とでは、値が変わってしまうので、添加量と測定量の関係を求め、それをもとに、元の添加量を算出した。測定値と添加量の関係を表１に示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
［実施例１〜５および比較例１〜３］
［実施例１］
電解液中のメタノール濃度（測定酸素濃度に換算、以下同様）を０．３ｍｇ／Ｌとした鉛蓄電池を作製し、これを実施例１の鉛蓄電池とした。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月14日(2007.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、互いにミラー面を対向させて配置された２つのミラー部材と、前記ミラー面間に配置された、コア部および該コア部を囲むクラッド部からなる光導波路とを備えており、前記ミラー面の一方の上に発光素子が配置され、前記ミラー面の他方の上に受光素子が配置されるものであって、前記ミラー部材は、導電性の材料からなるとともに電気配線と電気的に接続されており、側面が光の伝搬方向を前記基板の表面に平行な方向と垂直な方向との間で変換する前記ミラー面であり、上面に前記発光素子または前記受光素子の端子電極が発光部または受光部を前記ミラー面上に位置させて接続されることを特徴とする光電気配線基板。
【請求項２】
前記発光素子または前記受光素子と前記ミラー部材との間に設けられ、前記発光素子または前記受光素子と前記ミラー部材とを光学的に結合させる光路用ビアを有する上部基板をさらに具備する請求項１記載の光電気配線基板。
【請求項３】
前記光路用ビアは、その内部に、中心部の屈折率がその周囲部よりも高い光学材料樹脂が設けられている請求項２記載の光電気配線基板。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月11日(2007.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
まず制御部７の制御の下に、保持指標データベース１３に収録されている、ｎ−アルカンを基準とする保持指標が既知である任意の２種の化合物α、βについて、所定の分析条件（ここでは昇温分析とする）で以てＧＣ分析を実行する。この分析により、図３に示すようなクロマトグラムを取得し、保持時間推定部１２は各化合物α、βの保持時間（ＲＴ）ａ、ｂを求める（ステップＳ１）。化合物α、βの保持指標（ＲＩ）は保持指標データベース１３より与えられるから、保持時間（ＲＴ）と保持指標（ＲＩ）との組み合わせ（ＲＴ，ＲＩ）は、（ａ，Ａ）、（ｂ，Ｂ）となる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月31日(2007.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項６記載のプラズマ式溶融炉において、前記被処理物が燃焼灰であることを特徴とするプラズマ式溶融炉。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
この切替えにより図３に示すようにプラズマトーチ３（中央電極１５）と炉底側電極２との間でプラズマアーク８が発生し、その結果、スラグ溶融浴７の凹み２６は更に深くなり、最終的には殆ど炉底側電極２の上面が露出して、プラズマアーク８の状態がさらに安定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
この点本実施形態は前述のようにトーチ側電極１６の周面がセラミックなどの化学的に安定な保護膜１７で覆われているから、トーチ側電極１６が直接腐食性雰囲気に晒されることがないので、電極１６の腐食が抑制される。また、セラミック溶射された個所は電気的に絶縁されているため、プラズマアークがエンドキャップを通じてショートパスすることも無くなる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月6日(2007.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この出力特性Ｔ１においては、電動機電流０．１Ａあたりの検出電圧Ｖｏの変化量は、前記（１）式より、ｋｌｏｇ（０．１＋１）＋２．５＝２．５２２Ｖとなる。したがって、例えば、電動機電流Ｉｍが０．１Ａの場合、Ｖｏの変化量は、２．５２２Ｖ−２．５Ｖ（中点電圧）より、０．０２２Ｖとなる。これは、前記した出力特性Ｔ２の場合（０．００２５Ｖ）に比べて大きい。
１ビットあたりの出力電圧Ｖｏの分解能は、前記した出力特性Ｔ２の場合と同様、基準電圧／分解能＝５Ｖ／２１０より、０．００５Ｖとなる。
以上から、例えば、電動機電流Ｉｍが０．１Ａのとき、前記した出力特性Ｔ２の場合と異なり、Ｖｏの変化量０．０２２Ｖが、１ビットあたりのＶｏの分解能０．００５Ｖよりも大きくなる。このため、分解能の精度に問題がないので、Ｉｍ＝０．１Ａの場合のＶｏを検出することが可能となる。よって、微小電流領域における分解能の精度が比較例の場合に比べて向上することがわかる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月5日(2007.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線を基板上の検査対象品に照射して異なる方向から撮影した複数のＸ線画像を取得するＸ線画像取得手段と、
上記複数のＸ線画像に基づいて再構成演算を実行する再構成演算手段と、
当該再構成演算によって得られた再構成情報に含まれる上記基板の配線パターンの情報に基づいて上記検査対象品の良否を判定するための検査位置を決定し、良否判定を行う対象品検査手段とを備えることを特徴とするＸ線検査装置。
【請求項２】
上記対象品検査手段は、上記基板に対して平行な方向の断層像であって、当該基板に対して垂直な方向の位置が異なる複数の断層像を取得し、各断層像に含まれる上記基板の配線パターンの情報から上記基板に対して垂直な方向における上記配線パターンの位置を特定し、上記検査位置を決定することを特徴とする上記請求項１に記載のＸ線検査装置。
【請求項３】
上記対象品検査手段は、上記配線パターンの像に特徴的な特徴量を上記再構成情報から抽出し、当該特徴量に基づいて上記検査位置を特定することを特徴とする上記請求項１または請求項２のいずれかに記載のＸ線検査装置。
【請求項４】
上記特徴量は、画像のエッジ情報であることを特徴とする上記請求項３に記載のＸ線検査装置。
【請求項５】
上記対象品検査手段は、上記再構成情報に含まれるアーチファクトの影響が所定以下の部位における配線パターンの情報に基づいて、上記検査位置を決定することを特徴とする上記請求項１〜請求項４のいずれかに記載のＸ線検査装置。
【請求項６】
上記検査対象品の検査対象は、はんだバンプであることを特徴とする上記請求項５に記載のＸ線検査装置。
【請求項７】
Ｘ線によって検査対象を検査するＸ線検査方法であって、
Ｘ線を基板上の検査対象品に照射して異なる方向から撮影した複数のＸ線画像を取得するＸ線画像取得工程と、
上記複数のＸ線画像に基づいて再構成演算を実行する再構成演算工程と、
当該再構成演算によって得られた再構成情報に含まれる上記基板の配線パターンの情報に基づいて上記検査対象品の良否を判定するための検査位置を決定し、良否判定を行う対象品検査工程とを備えることを特徴とするＸ線検査方法。
【請求項８】
Ｘ線によって検査対象を検査するＸ線検査プログラムであって、
Ｘ線を基板上の検査対象品に照射して異なる方向から撮影した複数のＸ線画像を取得するＸ線画像取得機能と、
上記複数のＸ線画像に基づいて再構成演算を実行する再構成演算機能と、
当該再構成演算によって得られた再構成情報に含まれる上記基板の配線パターンの情報に基づいて上記検査対象品の良否を判定するための検査位置を決定し、良否判定を行う対象品検査機能とをコンピュータに実現させることを特徴とするＸ線検査プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的の少なくともひとつを達成するため、異なる位置に検出器を配置して基板上の検査対象品を撮影した複数のＸ線画像を取得し、各Ｘ線画像に基づいて再構成演算を行う。再構成演算によれば、照射範囲の物質の構造に関する情報を示す再構成情報（例えば３次元画像）が得られるので、この情報によれば、基板に形成されている配線パターンの情報を取得することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
また、上記変数ｎは最大値をＮとする整数である。従って、Ｘ線検出器１３ａは３６０°／Ｎずつ回転することになる。Ｎ＋１は、Ｘ線画像を撮影する回転位置の数であり、要求される検査速度と検査精度、アーチファクトの程度および検査対象品の外形（軸対称性）から決定すればよい。例えば、Ｎ＝３１等（撮影回数３２）を採用可能であるが、より少ない撮影回数（例えば、Ｎ＝４，撮影回数５）でＸ線画像を取得し、補間演算によって擬似的にＸ線画像の枚数を増加する構成を採用してもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
そこで、上記図５に示す位置Ｔ０を検査位置とし、この位置の断層像を解析すれば、容易かつ確実にバンプ１２ｃの良否を判定することが可能である。すなわち、Ｘ線画像においては、Ｘ線の吸収率によって画像の濃度が異なるので、位置Ｔ０の断層像を観察すれば、パッド１２ｄの周りにはんだが存在するか否かを容易に観察することができる。ここで、パッド１２ｄ等の配線パターンは薄いので、正確に位置Ｔ０を特定し、パッド１２ｄの周辺を観察することが良否判定の精度にとって極めて重要な要素となる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月1日(2007.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
該補正変速比設定手段は、該目標トルク相関値に基づき該補正変速比を設定する補正変速比設定マップを有し、
該第１の作動領域は、該補正変速比設定マップに規定された目標補正変速比増大特性線上に設けられ、
該第２の作動領域は、該補正変速比設定マップに規定された目標補正変速比減少特性線上に設けられ、
該補正変速比設定マップでは、該目標トルク相関値が該目標補正変速比増大特性線を越えて増大する場合には該目標補正変速比増大特性線に沿って該補正変速比が設定され、
該目標トルク相関値が該目標補正変速比減少特性線を越えて減少する場合には該目標補正変速比減少特性線に沿って該補正変速比が設定される
ことを特徴とする、請求項１又は２記載の無段変速機の制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
該補正変速比の下限値は、ゼロである
ことを特徴とする、請求項１〜６いずれか１項に記載の無段変速機の制御装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、請求項２記載の本発明の無段変速機の制御装置は、請求項１記載の内容において、該補正変速比には上限値及び下限値が設定されていることを特徴としている。
また、請求項３記載の本発明の無段変速機の制御装置は、請求項１または２記載の内容において、該補正変速比設定手段は、該目標トルク相関値に基づき該補正変速比を設定する補正変速比設定マップを有し、該第１の作動領域は、該補正変速比設定マップに規定された目標補正変速比増大特性線上に設けられ、該第２の作動領域は、該補正変速比設定マップに規定された目標補正変速比減少特性線上に設けられ、該補正変速比設定マップでは、該目標トルク相関値が該目標補正変速比増大特性線を越えて増大する場合には該目標補正変速比増大特性線に沿って該補正変速比が設定され、該目標トルク相関値が該目標補正変速比減少特性線を越えて減少する場合には該目標補正変速比減少特性線に沿って該補正変速比が設定されることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、請求項６記載の本発明の無段変速機の制御装置は、請求項１〜３いずれか１項の記載の内容において、該目標トルク相関値が、燃料噴射量であることを特徴としている。
また、請求項７記載の本発明の無段変速機の制御装置は、請求項１〜６いずれか１項の記載の内容において、該補正変速比の下限値は、ゼロであることを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
変速制御部（変速制御手段）３７は、図５に示すように、目標加算変速比設定部３４によって設定された目標加算変速比ＲA-Tと、基本変速比設定部３２によって設定された基
本変速比ＲBとを加算することで、目標変速比ＲTを得るとともに、ここで得られた目標変速比ＲTとなるように、実際にＣＶＴ１２を制御するものである。
本発明の一実施形態に係る無段変速機の制御装置は上述のように構成されているので、以下のような作用および効果を奏する。なお、ここでは、目標スロットルバルブ開度θTH-Tが、図４中、θTHE，θTHF，θTHG，θTHH，θTHJおよびθTHKに示すように変化した場合を例にとって具体的に説明する。