【手続補正書】
【提出日】平成20年6月26日(2008.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分子を操作するための方法であって、
近接プローブのセットのうち、２つまたはそれ以上の近接プローブのサブセット上に静電パターンを配置するステップと、
前記静電パターンによって及ぼされる静電力を使用して１つの分子を捕捉するステップと、
前記分子が前記近接プローブのセットによって捕捉された状態にある間に前記分子を操作するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記近接プローブのサブセットにおける各近接プローブの端部が静電力を及ぼすように前記近接プローブのサブセット内の各近接プローブにおける導電材に電位を印加するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記分子が前記近接プローブのセットによって捕捉された状態にある間に前記分子が前記近接プローブのセット全体にわたって移動または回転するように、前記近接プローブのセットにおける２つまたはそれ以上の近接プローブの異なるサブセット上に異なる静電パターンを生成するために前記静電パターンを修正するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記分子が前記近接プローブのセットによって捕捉された状態にある間に前記分子を曲げるために前記静電パターンを修正するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記分子を第１分子および第２分子に分割するために前記静電パターンを修正するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記近接プローブのセットにおける２つまたはそれ以上の近接プローブの第１サブセット上に第１静電パターンを生成するために、および前記近接プローブのセットにおける２つまたはそれ以上の近接プローブの第２サブセット上に第２静電パターンを生成するために、前記静電パターンを修正するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
近接プローブのセットにおける２つまたはそれ以上の近接プローブのサブセットが近接プローブの第１サブセットを表し、前記静電パターンが第１静電パターンを表し、前記分子が第１分子を表し、
前記近接プローブのセットにおける２つまたはそれ以上の近接プローブの第２サブセットにして前記第１サブセットと交わることがない前記第２サブセット上に静電パターンを配置するステップと、
前記第２静電パターンによって及ぼされる静電力を使用して第２分子を捕捉するステップと、
前記第２分子が前記近接プローブのセットによって捕捉された状態にある間に前記第２分子を操作するステップと
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記分子の少なくとも一部分が前記近接プローブのセットによって捕捉された状態にある間に前記分子の少なくとも一部分を反復的に操作するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
分子を操作するための装置であって、
静電パターンによって及ぼされる静電力を使用して１つの分子を捕捉するための手段と、
前記分子が前記近接プローブのセットによって捕捉された状態にある間に前記分子を操作するための手段と
を含む、装置。
【請求項１０】
前記近接プローブのサブセットにおける各近接プローブの端部が静電力を及ぼすように、前記近接プローブのサブセット内の各近接プローブにおける導電材に電位を印加するための手段を更に含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記分子が前記近接プローブのセットによって捕捉された状態にある間に前記分子が前記近接プローブのセット全体にわたって移動または回転するように、前記近接プローブのセットにおける２つまたはそれ以上の近接プローブの異なるサブセット上に異なる静電パターンを生成するために前記静電パターンを修正するための手段を更に含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記近接プローブのセットにおける２つまたはそれ以上の近接プローブの第１サブセット上に第１静電パターンを生成するために、および前記近接プローブのセットにおける２つまたはそれ以上の近接プローブの第２サブセット上に第２静電パターンを生成するために、前記静電パターンを修正するための手段を更に含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
近接プローブのセットにおける２つまたはそれ以上の近接プローブのサブセットが近接プローブの第１サブセットを表し、前記静電パターンが第１静電パターンを表し、前記分子が第１分子を表し、
前記近接プローブのセットにおける２つまたはそれ以上の近接プローブの第２サブセットにして前記第１サブセットと交わることがない前記第２サブセット上に静電パターンを配置するための手段と、
前記第２静電パターンによって及ぼされる静電力を使用して第２分子を捕捉するための手段と、
前記第２分子が前記近接プローブのセットによって捕捉された状態にある間に前記第２分子を操作するための手段と
を更に含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１４】
分子を操作するためのデータ処理システムにおいて使用するためのコンピュータ・プログラムであって、
近接プローブのセットにおける２つまたはそれ以上の近接プローブのサブセット上に静電パターンを配置するための手段と、
静電パターンによって及ぼされる静電力を使用して１つの分子を捕捉するための手段と、
前記分子が前記近接プローブのセットによって捕捉された状態にある間に前記分子を操作するための手段と
を含む、コンピュータ・プログラム。
【請求項１５】
前記近接プローブのサブセットにおける各近接プローブの端部が静電力を及ぼすように、前記近接プローブのサブセット内の各近接プローブにおける導電材に電位を印加するための手段を更に含む、請求項１４に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１６】
前記分子が前記近接プローブのセットによって捕捉された状態にある間に前記分子が前記近接プローブのセット全体にわたって移動または回転するように、前記近接プローブのセットにおける２つまたはそれ以上の近接プローブの異なるサブセット上に異なる静電パターンを生成するために前記静電パターンを修正するための手段を更に含む、請求項１４に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１７】
前記分子が前記近接プローブのセットによって捕捉された状態にある間に前記分子を曲げるために前記静電パターンを修正するための手段を更に含む、請求項１４に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１８】
前記分子を第１分子および第２分子に分割するために前記静電パターンを修正するための手段を更に含む、請求項１４に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１９】
近接プローブのセットにおける２つまたはそれ以上の近接プローブのサブセットが近接プローブの第１サブセットを表し、前記静電パターンが第１静電パターンを表し、前記分子が第１分子を表し、
前記近接プローブのセットにおける２つまたはそれ以上の近接プローブの第２サブセットにして前記第１サブセットと交わることがない前記第２サブセット上に静電パターンを配置するための手段と、
前記第２静電パターンによって及ぼされる静電力を使用して第２分子を捕捉するための手段と、
前記第２分子が前記近接プローブのセットによって捕捉された状態にある間に前記第２分子を操作するための手段と
を更に含む、請求項１４に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項２０】
分子を操作するための装置であって、
２つまたはそれ以上の近接プローブのセットと、
前記近接プローブのセットを保持する基板と、
前記近接プローブのセットを制御回路に接続する導電性ワイヤのセットと、
前記近接プローブのセット上の静電パターンによって及ぼされる静電力を使用して分子を捕捉するために前記静電パターンをアクティブ状態にするための第１制御回路と、
前記分子が前記近接プローブのセットによって捕捉された状態にある間に前記分子を操作するための第２制御回路と
を含む、装置。
【請求項２１】
第１近接プローブ・アレイ・ブロックを形成する第１基板および近接プローブの第１セットと、
第２近接プローブ・アレイ・ブロックを形成する第２基板および近接プローブの第２セットと
を更に含む、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記第１近接プローブ・アレイ・ブロックによって捕捉された第１分子が前記第２近接プローブ・アレイ・ブロックによって捕捉された第２分子と化学的に反応することができるように、前記第１近接プローブ・アレイ・ブロックおよび前記第２近接プローブ・アレイ・ブロックを並置するための手段を更に含む、請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
前記第１近接プローブ・アレイ・ブロックおよび前記第２近接プローブ・アレイ・ブロックが分子を捕捉することができるように前記第１近接プローブ・アレイ・ブロックおよび前記第２近接プローブ・アレイ・ブロックを並置するための手段を更に含む、請求項２１に記載の装置。
【請求項２４】
前記第１近接プローブ・アレイ・ブロックおよび前記第２近接プローブ・アレイ・ブロックによって捕捉された分子が、前記第１近接プローブ・アレイ・ブロックまたは前記第２近接プローブ・アレイ・ブロックの移動によって生じる物理的な力を受けるように、前記第１近接プローブ・アレイ・ブロックを前記第２近接プローブ・アレイ・ブロックから独立して移動させるための手段を更に含む、請求項２１に記載の装置。
【請求項２５】
前記第１近接プローブ・アレイ・ブロックによって捕捉された第１分子が前記第２近接プローブ・アレイ・ブロックによって捕捉された第２分子と化学的に反応することができるように、前記第１近接プローブ・アレイ・ブロックを前記第２近接プローブ・アレイ・ブロックと対向させるための手段を更に含む、請求項２１に記載の装置。
【請求項２６】
プローブ間の間隔を増加または減少させるために拡大または縮小するように電気的に制御することが可能な前記基板のプローブ間部分を更に含む、請求項２０に記載の装置。
【請求項２７】
分子を操作するための装置であって、
２つまたはそれ以上の近接プローブを制御回路に接続する導電性ワイヤのセットと、
第１近接プローブ・アレイ・ブロックを形成する第１基板および近接プローブの第１セットと、
第２近接プローブ・アレイ・ブロックを形成する第２基板および近接プローブの第２セットと、
近接プローブのセット上の静電パターンによって及ぼされる静電力を使用して分子を捕捉するために前記静電パターンをアクティブ状態にするための第１制御回路と、
前記分子が近接プローブのセットによって捕捉された状態にある間に前記分子を操作するための第２制御回路と、
前記第１近接プローブ・アレイ・ブロックによって捕捉された第１分子が前記第２近接プローブ・アレイ・ブロックによって捕捉された第２分子と化学的に反応することができるように、前記第１近接プローブ・アレイ・ブロックおよび前記第２近接プローブ・アレイ・ブロックを並置するための手段と
を含む、装置。
【請求項２８】
分子を操作するための装置であって、
２つまたはそれ以上の近接プローブを制御回路に接続する導電性ワイヤのセットと、
第１近接プローブ・アレイ・ブロックを形成する第１基板および近接プローブの第１セットと、
第２近接プローブ・アレイ・ブロックを形成する第２基板および近接プローブの第２セットと、
近接プローブのセット上の静電パターンによって及ぼされる静電力を使用して分子を捕捉するために前記静電パターンをアクティブ状態にするための第１制御回路と、
前記分子が近接プローブのセットによって捕捉された状態にある間に前記分子を操作するための第２制御回路と、
前記第１近接プローブ・アレイ・ブロックおよび前記第２近接プローブ・アレイ・ブロックによって捕捉された分子が、前記第１近接プローブ・アレイ・ブロックまたは前記第２近接プローブ・アレイ・ブロックの移動によって生じる物理的な力を受けるように、前記第１近接プローブ・アレイ・ブロックを前記第２近接プローブ・アレイ・ブロックから独立して移動させるための手段と
を含む、装置。