【手続補正書】
【提出日】平成19年10月11日(2007.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カーボン材料を内設したチャンバーにＦ2ガスまたはＦ2ガスと不活性ガスとの混合ガスを導入し、該カーボン材料にバイアス電圧を印加することにより該カーボン材料から炭素原子を供給して高密度のラジカルを発生させるラジカル発生方法であって、該カーボン材料に６００Ｖ以下のバイアス電圧を印加することによってＣＦ3ラジカルを選択的に形成
させて高純度のＣＦ3ラジカルを発生させることを特徴とするラジカル発生方法。
【請求項２】
前記炭素原子が前記カーボン材料のマグネトロンスパッタリングにより発生することを特徴とする請求項１に記載のラジカル発生方法。
【請求項３】
前記バイアス電圧が、高周波と低周波を並列に接続した二周波結合マグネトロンにより前記カーボン材料に印加されることを特徴とする請求項１または２に記載のラジカル発生方法。
【請求項４】
前記バイアス電圧が、４８０〜６００Ｖであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のラジカル発生方法。
【請求項５】
前記Ｆ2ガスが、固体ソースを加熱することによって発生するＦ2ガスを用いることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のラジカル発生方法。
【請求項６】
カーボン材料を内設したチャンバーにＦ2ガスまたはＦ2ガスと不活性ガスとの混合ガスを導入し、該カーボン材料にバイアス電圧を印加することにより該カーボン材料から炭素原子を供給して高密度のラジカルを発生させるラジカル発生方法であって、前記チャンバー内に発生したラジカルの赤外吸収スペクトルを測定しながら該カーボン材料に印加するバイアス電圧を調節することによって、ＣＦ3ラジカルとＣＦ2ラジカルとＣＦラジカルとの割合を任意に制御することを特徴とするラジカル発生方法。
【請求項７】
前記炭素原子が前記カーボン材料のマグネトロンスパッタリングにより発生することを特徴とする請求項６に記載のラジカル発生方法。
【請求項８】
前記バイアス電圧が、高周波と低周波を並列に接続した二周波結合マグネトロンにより前記カーボン材料に印加され、かつ該低周波の出力を調節することによって調節されるこ
とを特徴とする請求項６または７に記載のラジカル発生方法。
【請求項９】
前記Ｆ2ガスが、固体ソースを加熱することによって発生するＦ2ガスを用いることを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載のラジカル発生方法。
【請求項１０】
請求項１〜５のいずれかに記載のラジカル発生方法により発生させた高純度のＣＦ3ラ
ジカルを用いてシリコン酸化膜をエッチングすることを特徴とするシリコン酸化膜のエッチング方法。
【請求項１１】
請求項６〜９のいずれかに記載のラジカル発生方法により発生させたＣＦ3ラジカルと
ＣＦ2ラジカルとを含むラジカルを用いてシリコン酸化膜とレジストとからなる膜をエッ
チングするエッチング方法であり、ＣＦ3ラジカル密度とＣＦ2ラジカル密度との比（ＣＦ3／ＣＦ2）が１０以下であることを特徴とするエッチング方法。
【請求項１２】
印加電極と対向電極とが内設されたチャンバーと、該チャンバーにＦ2ガスまたはＦ2ガスと不活性ガスとの混合ガスを供給する手段とを有するラジカル発生装置であって、
前記印加電極がカーボン材料からなり、かつ該印加電極には高周波電源と低周波電源とを並列に接続した二周波結合マグネトロンが接続され、
前記チャンバーには、赤外吸収分光装置から照射されるＩＲレーザーが前記印加電極と対向電極との間を通過するように、赤外吸収分光装置が接続されていることを特徴とするラジカル発生装置。
【請求項１３】
印加電極と基板搭載用電極とが内設されたチャンバーと、該チャンバーにＦ2ガスまた
はＦ2ガスと不活性ガスとの混合ガスを供給する手段とを有するエッチング装置であって
、
前記印加電極がカーボン材料からなり、かつ該印加電極には高周波電源と低周波電源とを並列に接続した二周波結合マグネトロンが接続され、
前記基板搭載用電極にはエッチング基板を搭載することができ、
前記チャンバーには、赤外吸収分光装置から照射されるＩＲレーザーが前記印加電極と基板搭載用電極との間を通過するように、赤外吸収分光装置が接続されていることを特徴とするエッチング装置。
【請求項１４】
カーボン材料を内設したチャンバーにＦ2ガスと不活性ガスとの混合ガスを導入し、該
カーボン材料にバイアス電圧を印加することにより該カーボン材料から炭素原子を供給してＣＦ3ラジカルとＣＦ2ラジカルとを含むラジカルを発生させ、該ラジカルを用いてシリコン酸化膜とレジストとからなる膜をエッチングするエッチング方法であって、前記混合ガス中のＦ2ガス濃度が０．１〜４．０体積％の範囲にあることを特徴とするエッチング
方法。
【請求項１５】
前記Ｆ2ガスが、固体ソースを加熱することによって発生するＦ2ガスを用いることを特徴とする請求項１４に記載のエッチング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち、本発明は、以下の（１）〜（１５）に関する。
（１）カーボン材料を内設したチャンバーにＦ2ガスまたはＦ2ガスと不活性ガスとの混
合ガスを導入し、該カーボン材料にバイアス電圧を印加することにより該カーボン材料から炭素原子を供給して高密度のラジカルを発生させるラジカル発生方法であって、該カーボン材料に６００Ｖ以下のバイアス電圧を印加することによってＣＦ3ラジカルを選択的
に形成させて高純度のＣＦ3ラジカルを発生させることを特徴とするラジカル発生方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（４）前記バイアス電圧が、４８０〜６００Ｖであることを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記載のラジカル発生方法。
（５）前記Ｆ2ガスが、固体ソースを加熱することによって発生するＦ2ガスを用いることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載のラジカル発生方法。
（６）カーボン材料を内設したチャンバーにＦ2ガスまたはＦ2ガスと不活性ガスとの混合ガスを導入し、該カーボン材料にバイアス電圧を印加することにより該カーボン材料から炭素原子を供給して高密度のラジカルを発生させるラジカル発生方法であって、前記チャンバー内に発生したラジカルの赤外吸収スペクトルを測定しながら該カーボン材料に印加するバイアス電圧を調節することによって、ＣＦ3ラジカルとＣＦ2ラジカルとＣＦラジカルとの割合を任意に制御することを特徴とするラジカル発生方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（７）前記炭素原子が前記カーボン材料のマグネトロンスパッタリングにより発生することを特徴とする上記（６）に記載のラジカル発生方法。
（８）前記バイアス電圧が、高周波と低周波を並列に接続した二周波結合マグネトロンにより前記カーボン材料に印加され、かつ該低周波の出力を調節することによって調節されることを特徴とする上記（６）または（７）に記載のラジカル発生方法。
（９）前記Ｆ2ガスが、固体ソースを加熱することによって発生するＦ2ガスを用いることを特徴とする上記（６）〜（８）のいずれかに記載のラジカル発生方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（１０）上記（１）〜（５）のいずれかに記載のラジカル発生方法により発生させた高純度のＣＦ3ラジカルを用いてシリコン酸化膜をエッチングすることを特徴とするシリコ
ン酸化膜のエッチング方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（１１）上記（６）〜（９）のいずれかに記載のラジカル発生方法により発生させたＣＦ3ラジカルとＣＦ2ラジカルとを含むラジカルを用いてシリコン酸化膜とレジストとからなる膜をエッチングするエッチング方法であり、ＣＦ3ラジカル密度とＣＦ2ラジカル密度との比（ＣＦ3／ＣＦ2）が１０以下であることを特徴とするエッチング方法。
（１２）印加電極と対向電極とが内設されたチャンバーと、該チャンバーにＦ2ガスま
たはＦ2ガスと不活性ガスとの混合ガスを供給する手段とを有するラジカル発生装置であ
って、
前記印加電極がカーボン材料からなり、かつ該印加電極には高周波電源と低周波電源とを並列に接続した二周波結合マグネトロンが接続され、
前記チャンバーには、赤外吸収分光装置から照射されるＩＲレーザーが前記印加電極と対向電極との間を通過するように、赤外吸収分光装置が接続されていることを特徴とするラジカル発生装置。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（１３）印加電極と基板搭載用電極とが内設されたチャンバーと、該チャンバーにＦ2
ガスまたはＦ2ガスと不活性ガスとの混合ガスを供給する手段とを有するエッチング装置
であって、
前記印加電極がカーボン材料からなり、かつ該印加電極には高周波電源と低周波電源とを並列に接続した二周波結合マグネトロンが接続され、
前記基板搭載用電極にはエッチング基板を搭載することができ、
前記チャンバーには、赤外吸収分光装置から照射されるＩＲレーザーが前記印加電極と基板搭載用電極との間を通過するように、赤外吸収分光装置が接続されていることを特徴とするエッチング装置。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（１４）カーボン材料を内設したチャンバーにＦ2ガスと不活性ガスとの混合ガスを導
入し、該カーボン材料にバイアス電圧を印加することにより該カーボン材料から炭素原子を供給してＣＦ3ラジカルとＣＦ2ラジカルとを含むラジカルを発生させ、該ラジカルを用いてシリコン酸化膜とレジストとからなる膜をエッチングするエッチング方法であって、前記混合ガス中のＦ2ガス濃度が０．１〜４．０体積％の範囲にあることを特徴とするエ
ッチング方法。
（１５）前記Ｆ2ガスが、固体ソースを加熱することによって発生するＦ2ガスを用いることを特徴とする上記（１４）に記載のエッチング方法。