【手続補正書】
【提出日】平成20年6月30日(2008.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光デバイスを製造する方法であって、
溶媒内に懸濁された蛍光物質粒子を含む懸濁液を、半導体発光素子の少なくとも一部の発光面上に配置すること、
制御蒸発のために、前記懸濁液を少なくとも一部の前記発光面上に限定すること、及び、
少なくとも一部の前記溶媒を蒸発させ、前記蛍光物質粒子を、少なくとも一部の前記発光面上に堆積させ、その上に前記蛍光物質粒子を含むコーティングを形成して、前記発光素子からの光の放射を高めること
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記懸濁液は、前記発光面上のキャビティ内に閉じ込められ、前記配置することは、前記キャビティ内に、溶媒内に懸濁された蛍光物質粒子を含む前記懸濁液を配置することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記配置すること、及び／または、前記蒸発させることを実施している間に、溶媒内に懸濁された蛍光物質粒子を含む前記懸濁液を撹拌すること
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記蒸発させることは、少なくとも一部の前記溶媒を蒸発させ、前記蛍光物質粒子を、少なくとも一部の前記発光面上に均一に堆積させ、その上に前記蛍光物質粒子を含むコーティングを形成することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記蒸発させることは、基本的に全ての前記溶媒を蒸発させ、前記蛍光物質粒子を、少なくとも一部の前記発光面上に堆積させ、その上に前記蛍光物質粒子を含むコーティングを形成することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記配置することは、溶媒内に懸濁された蛍光物質粒子を含む懸濁液及び結合剤を、半導体発光素子の少なくとも一部の発光面上に配置することを含み、
前記蒸発させることは、少なくとも一部の前記溶媒を蒸発させ、前記蛍光物質粒子及び前記結合剤を、前記少なくとも一部の前記発光面上に堆積させ、その上に前記蛍光物質粒子及び前記結合剤を含むコーティングを形成することを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記配置することは、溶媒内に懸濁された蛍光物質粒子及び光散乱粒子を含む懸濁液を、半導体発光素子の少なくとも一部の発光面上に配置することを含み、
前記蒸発させることは、少なくとも一部の前記溶媒を蒸発させ、前記蛍光物質粒子及び前記光散乱粒子を、前記少なくとも一部の前記発光面上に堆積させ、その上に前記蛍光物質粒子及び前記光散乱粒子を含むコーティングを形成することを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記配置することの前に
その中にキャビティを含む半導体発光デバイス用の実装基板を提供すること、及び、
前記キャビティ内に前記半導体発光素子を実装すること
を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項９】
前記キャビティはキャビティフロアを含み、前記発光素子は前記キャビティフロア上にあり、前記発光面は前記キャビティフロアから離れて突き出ており、前記蒸発させることは、
少なくとも一部の前記溶媒を蒸発させ、前記蛍光物質粒子を、前記キャビティフロアから離れて突き出ている少なくとも一部の前記発光面上、及び、少なくとも一部の前記キャビティフロア上に堆積させ、その上に前記蛍光物質粒子を含むコーティングを形成すること
を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
前記キャビティはキャビティフロアを含み、前記発光素子は前記キャビティフロア上にあり、前記発光面は前記キャビティフロアから離れて突き出ており、前記蒸発させることは、
少なくとも一部の前記溶媒を蒸発させ、前記蛍光物質粒子を、前記キャビティフロアから離れて突き出ている少なくとも一部の前記発光面上、及び、少なくとも一部の前記キャビティフロア上に均一に堆積させ、そうすることによって、その上に前記蛍光物質粒子を含むコーティングを形成すること
を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項１１】
前記蒸発させることは、基本的に全ての前記溶媒を蒸発させ、前記蛍光物質粒子を、全ての前記発光面上に均一に堆積させ、その上に前記蛍光物質粒子を含むコーティングを形成すること
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記溶媒は、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アルコール、トルエン、及び／または、酢酸アミルを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記結合剤は、セルロースを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１４】
前記光散乱粒子は、ＳｉＯ２粒子を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
前記発光面（surface）は、面（face）、及び前記面から延びる側壁を含み、前記蒸発させることは、基本的に前記溶媒の全てを蒸発させ、前記蛍光物質粒子を、全ての前記面上、及び全ての前記側壁上を含む全ての前記発光面上に均一に堆積させ、その上に前記蛍光物質粒子を含むコーティングを形成することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記キャビティはキャビティフロアを含み、前記発光面は、前記キャビティフロアから離れた面、及び、前記面から前記キャビティフロアへ延びる側壁を含み、前記蒸発させることは、基本的に全ての前記溶媒を蒸発させ、前記蛍光物質粒子を、全ての前記面上、及び全ての前記側壁上を含む全ての前記発光面上に均一に堆積させ、その上に前記蛍光物質粒子を含むコーティングを形成することを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項１７】
前記蛍光物質は、前記半導体発光デバイスから現れる光が白色光として現れるように、前記発光面から放出される少なくとも一部の光を変換するように構成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
半導体発光デバイスを製造する方法であって、
溶媒内に懸濁された粒子を含む懸濁液を、半導体発光素子の少なくとも一部の発光面上に配置すること、
制御蒸発のために、前記懸濁液を少なくとも一部の前記発光面上に限定すること、及び、
少なくとも一部の前記溶媒を蒸発させ、前記粒子を、前記少なくとも一部の前記発光面上に堆積させ、その上に前記粒子を含むコーティングを形成して、前記発光素子からの光の放射を高めること
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】
前記懸濁液は、前記発光面上のキャビティ内に閉じ込められ、前記配置することは、溶媒内に懸濁された粒子を含む前記懸濁液を、前記キャビティ内に配置することを含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記配置すること、及び／または、前記蒸発させることを実施している間に、溶媒内に懸濁された粒子を含む前記懸濁液を撹拌すること
をさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記蒸発させることは、少なくとも一部の前記溶媒を蒸発させ、前記粒子を、少なくとも一部の前記発光面上に均一に堆積させ、その上に前記粒子を含むコーティングを形成することを含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記粒子は、蛍光物質粒子、光散乱粒子、導電性粒子、及び／または、ナノ粒子を含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
半導体発光デバイスを製造する方法であって、
溶媒内に溶けた溶質を含む溶液を、半導体発光素子の少なくとも一部の発光面上に配置すること、
制御蒸発のために、前記溶液を少なくとも一部の前記発光面上に限定すること、及び、
少なくとも一部の前記溶媒を蒸発させ、前記溶質を、前記少なくとも一部の前記発光面上に堆積させ、その上に前記溶質を含むコーティングを形成して、前記発光素子からの光の放射を高めること
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２４】
前記溶液は、前記発光面上のキャビティ内に閉じ込められ、前記配置することは、溶媒内に溶けた溶質を含む溶液を、前記キャビティ内に配置することを含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記溶質は、無機化合物、及び／または、有機ポリマーを含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第６，２５２，２５４号
【特許文献２】米国特許第６，０６９，４４０号
【特許文献３】米国特許第５，８５８，２７８号
【特許文献４】米国特許第５，８１３，７５３号
【特許文献５】米国特許第５，２７７，８４０号
【特許文献６】米国特許第５，９５９，３１６号
【特許文献７】米国特許出願公開第２００４／００５６２６０Ａ１号
【特許文献８】米国特許第６，２０１，２６２号
【特許文献９】米国特許第６，１８７，６０６号
【特許文献１０】米国特許第６，１２０，６００号
【特許文献１１】米国特許第５，９１２，４７７号
【特許文献１２】米国特許第５，７３９，５５４号
【特許文献１３】米国特許第５，６３１，１９０号
【特許文献１４】米国特許第５，６０４，１３５号
【特許文献１５】米国特許第５，５２３，５８９号
【特許文献１６】米国特許第５，４１６，３４２号
【特許文献１７】米国特許第５，３９３，９９３号
【特許文献１８】米国特許第５，３３８，９４４号
【特許文献１９】米国特許第５，２１０，０５１号
【特許文献２０】米国特許第５，０２７，１６８号
【特許文献２１】米国特許第５，０２７，１６８号
【特許文献２２】米国特許第４，９６６，８６２号
【特許文献２３】米国特許第４，９１８，４９７号
【特許文献２４】米国特許出願公開第２００３／０００６４１８Ａ１号
【特許文献２５】米国特許出願公開第２００２／０１２３１６４Ａ１号
【特許文献２６】米国特許出願公開第２００４／００４１２２２Ａ１号
【特許文献２７】米国特許出願第１０／６５９，１０８号
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
例えば、本発明のいくつかの実施形態に係る発光デバイスは、本件特許出願人により製造販売されているデバイスなどの、窒化ガリウムベースのＬＥＤなどの構造、及び／または、シリコンカーバイド基板上に作成されたレーザ構造とすることができる。本発明は、複数の特許文献で説明されているようなアクティブ領域を提供するＬＥＤ及び／またはレーザ構造とともに使用するのに適していると思われる（開示全体が本明細書内で全部述べられているかのように参照により本明細書に組み込まれている特許文献８〜２３を参照）。その他の好適なＬＥＤ及び／またはレーザ構造も、その他の特許文献に開示されている（開示全体が本明細書内で全部述べられているかのように参照により本明細書に組み込まれている２００３年１月９日に公開された「Group III Nitride Based Light Emitting Diode Structures With a Quantum Well and Superlattice, Group III Nitride Based Quantum Well Structures and Group III Nitride Based Superlattice Structures」という表題の特許文献２４、並びに「Light Emitting Diodes Including Modifications for Light Extraction and Manufacturing Methods Therefor」という表題の特許文献２５を参照）。さらに、別の特許文献に開示されているようなＬＥＤも、本発明の実施形態における使用に適していると思われる（開示全体が本明細書内で全部述べられているかのように参照により本明細書に組み込まれている２００４年３月２５日に公開された「Phosphor-Coated Light Emitting Diodes Including Tapered Sidewalls, and Fabrication Methods Therefor」という表題の特許文献７を参照）。ＬＥＤ及び／またはレーザは、光の放射が基板を介して生じるように動作するように構成されることができる。そのような実施形態では、基板は、デバイスの光出力を高めるようにパターン形成される（特許文献２５を参照）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
多くの実装基板２１０を、本発明に係る様々な実施形態において使用することができる。いくつかの実施形態では、実装基板２１０は、半導体発光デバイス用のツーピースパッケージ（two-piece package）であり、半導体発光デバイスは、アルミナ、窒化アルミニウム、及び／または、その他の材料を含み、その上に電気配線備える基板上に実装され、半導体発光デバイス用の外部接続を提供する。銀メッキされた銅を含むことができる第２の基板は、例えば接着剤を使用して第１の基板上に実装され、半導体発光デバイスを取り囲む。レンズは、半導体発光デバイスを覆うように第２の基板上に配置されることができる。上述したようなツーピースパッケージを有する発光ダイオードは、別の特許文献に開示されている（開示全体が本明細書内で全部述べられているかのように参照により本明細書に組み込まれている２００４年３月４日に公開された「Power Surface Mount Light Emitting Die Package」という表題の特許文献２６を参照）。