【手続補正書】
【提出日】平成18年11月24日(2006.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光を電荷に変換する光電変換素子と、
前記光電変換素子にバイアス電圧を供給するバイアス供給手段と、
前記バイアス供給手段からのバイアス電圧を切替えて前記光電変換素子へ供給するバイアス切替手段と、
前記バイアス供給手段と前記バイアス切替手段との間に配設され、前記バイアス電圧の帯域周波数を制限する前段の帯域制限手段と、
前記バイアス切替手段と前記光電変換素子との間に配設され、前記バイアス切替手段からのバイアス電圧の帯域周波数を制限する後段の帯域制限手段とを有し、
前記後段の帯域制限手段の帯域周波数と前記前段の帯域制限手段の帯域周波数とは異なることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】  前記後段の帯域制限手段の帯域周波数は前記前段の帯域制限手段の帯域周波数よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】  前記光電変換素子を複数配列したセンサパネルを有することを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項４】  前記各帯域制限手段は、抵抗、キャパシタ、コイルを有する積分回路を含むことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項５】  前記バイアス切替手段は、リレー又はマルチプレクサを含むことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項６】  請求項１に記載の光電変換装置と、放射線を可視光に変換する蛍光体とを有することを特徴とする放射線検出装置。
【請求項７】  光を電荷に変換する光電変換素子と、前記光電変換素子にバイアス電圧を供給するバイアス供給手段とを含む光電変換装置の駆動方法であって、
前記バイアス供給手段からのバイアス電圧を切替えて前記光電変換素子へ供給するに際して、
供給された前記バイアス電圧を切替える前段で当該バイアス電圧の帯域周波数を制限するとともに、前記バイアス電圧を切替えた後段で当該バイアス電圧の帯域周波数を制限し、
前記後段の帯域周波数と前記前段の帯域周波数とを異ならしめることを特徴とする光電変換装置の駆動方法。
【請求項８】  前記後段の帯域周波数は前記前段の帯域周波数よりも高いことを特徴とする請求項７に記載の光電変換装置の駆動方法。
【請求項９】  薄膜電界効果型トランジスタと容量とを含む画素を複数配列して構成され、画像情報を読み取るためのセンサパネルを有する光電変換装置と、
前記センサパネルの撮影面に構成され、放射線を可視光に変換する蛍光体と
を有する撮影装置であって、
前記光電変換装置は、
前記可視光を電荷に変換する光電変換素子を含む前記画素と、
前記光電変換素子にバイアス電圧を供給するバイアス供給手段と、
前記バイアス供給手段からのバイアス電圧を切替えて前記光電変換素子へ供給するバイアス切替手段と、
前記バイアス供給手段と前記バイアス切替手段との間に配設され、前記バイアス電圧の帯域周波数を制限する前段の帯域制限手段と、
前記バイアス切替手段と前記光電変換素子との間に配設され、前記バイアス切替手段からのバイアス電圧の帯域周波数を制限する後段の帯域制限手段とを有し、
前記後段の帯域制限手段の帯域周波数と前記前段の帯域制限手段の帯域周波数とは異なることを特徴とする撮影装置。
【請求項１０】  前記放射線は、Ｘ線であることを特徴とする請求項９に記載の撮影装置。
【請求項１１】  前記後段の帯域制限手段の帯域周波数は前記前段の帯域制限手段の帯域周波数よりも高いことを特徴とする請求項９に記載の撮影装置。
【請求項１２】  前記各帯域制限手段は、抵抗、キャパシタ、コイルを有する積分回路を含むことを特徴とする請求項９に記載の撮影装置。
【請求項１３】  前記バイアス切替手段は、リレー又はマルチプレクサを含むことを特徴とする請求項９に記載の撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図１において、１０４はＶ1を発生する電源、１０５はＶ2を発生する電源であり（Ｖ1＞Ｖ2）、１０３はバイアス供給／切替部、１０６及び１０７は電圧の観察点、１０１及び１０２はセンサ（光電変換素子）容量、１０８は読み出し用ＴＦＴをそれぞれ表している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【課題を解決するための手段】
本発明の光電変換装置は、光を電荷に変換する光電変換素子と、前記光電変換素子にバイアス電圧を供給するバイアス供給手段と、前記バイアス供給手段からのバイアス電圧を切替えて前記光電変換素子へ供給するバイアス切替手段と、前記バイアス供給手段と前記バイアス切替手段との間に配設され、前記バイアス電圧の帯域周波数を制限する前段の帯域制限手段と、前記バイアス切替手段と前記光電変換素子との間に配設され、前記バイアス切替手段からのバイアス電圧の帯域周波数を制限する後段の帯域制限手段とを有し、前記後段の帯域制限手段の帯域周波数と前記前段の帯域制限手段の帯域周波数とは異なることを特徴とするものである。
本発明の光電変換装置の他の態様は、前記後段の帯域制限手段の帯域周波数は前記前段の帯域制限手段の帯域周波数よりも高いことを特徴とするものである。
また、本発明の光電変換装置の更に他の態様は、前記光電変換素子を複数配列したセンサパネルを有することを特徴とするものである。
また、本発明の光電変換装置の更に他の態様は、前記各帯域制限手段は、抵抗、キャパシタ、コイルを有する積分回路を含むことを特徴とするものである。
また、本発明の光電変換装置の更に他の態様は、前記バイアス切替手段は、リレー又はマルチプレクサを含むことを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明の放射線検出装置は、前記に記載の光電変換装置と、放射線を可視光に変換する蛍光体とを有することを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明の光電変換装置の駆動方法は、光を電荷に変換する光電変換素子と、前記光電変換素子にバイアス電圧を供給するバイアス供給手段とを含む光電変換装置の駆動方法であって、前記バイアス供給手段からのバイアス電圧を切替えて前記光電変換素子へ供給するに際して、供給された前記バイアス電圧を切替える前段で当該バイアス電圧の帯域周波数を制限するとともに、前記バイアス電圧を切替えた後段で当該バイアス電圧の帯域周波数を制限し、前記後段の帯域周波数と前記前段の帯域周波数とを異ならしめることを特徴とするものである。
本発明の光電変換装置の駆動方法の他の態様は、前記後段の帯域周波数は前記前段の帯域周波数よりも高いことを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明の撮影装置は、薄膜電界効果型トランジスタと容量とを含む画素を複数配列して構成され、画像情報を読み取るためのセンサパネルを有する光電変換装置と、前記センサパネルの撮影面に構成され、放射線を可視光に変換する蛍光体とを有する撮影装置であって、前記光電変換装置は、前記可視光を電荷に変換する光電変換素子を含む前記画素と、前記光電変換素子にバイアス電圧を供給するバイアス供給手段と、前記バイアス供給手段からのバイアス電圧を切替えて前記光電変換素子へ供給するバイアス切替手段と、前記バイアス供給手段と前記バイアス切替手段との間に配設され、前記バイアス電圧の帯域周波数を制限する前段の帯域制限手段と、前記バイアス切替手段と前記光電変換素子との間に配設され、前記バイアス切替手段からのバイアス電圧の帯域周波数を制限する後段の帯域制限手段とを有し、前記後段の帯域制限手段の帯域周波数と前記前段の帯域制限手段の帯域周波数とは異なることを特徴とするものである。
本発明の撮影装置の他の態様は、前記放射線は、Ｘ線であることを特徴とするものである。
また、本発明の撮影装置の更に他の態様は、前記後段の帯域制限手段の帯域周波数は前記前段の帯域制限手段の帯域周波数よりも高いことを特徴とするものである。
また、本発明の撮影装置の更に他の態様は、前記各帯域制限手段は、抵抗、キャパシタ、コイルを有する積分回路を含むことを特徴とするものである。
また、本発明の撮影装置の更に他の態様は、前記バイアス切替手段は、リレー又はマルチプレクサを含むことを特徴とするものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図４において、４０１はひとつのセンサセルを表しており、４０２はそのセンサセル４０１内の（光電変換素子）容量部を、４０５はそのセンサセル４０１内のＴＦＴスイッチ部を、４０４はそのセンサセル４０１からの出力ラインを示している。このセンサセル４０１を、ガラスまたは半導体基板上に複数配列し作製したものがセンサパネルである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
まず、撮影モード時においては、センサセル４０１に吸収された光によってフォトキャリア（電荷）が生成され、容量部４０２に蓄積される。そこで蓄積されたフォトキャリアは、ＴＦＴ駆動回路４０８によりＴＦＴスイッチ部４０５をＯＮすることで、出力ライン４０４、出力処理回路４０７を介して画像情報として取り出される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図５において、５０１はＶ1（バイアス電圧Ｖ1）を発生するバイアス供給部、５０２はＶ2（バイアス電圧Ｖ2）を発生するバイアス供給部であり（Ｖ1＞Ｖ2）、また各々は、前述のバイアス供給部２０１、２０２と同様に、ダイオードやトランジスタなどの半導体素子や、キャパシタや抵抗などの受動素子、あるいはそれらを集積したオペアンプやレギュレータなどの半導体集積回路素子などにより構成することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
また、電圧の測定ポイント５０６、５０７では、それぞれＬＰＦ部（前段の帯域制限手段）５０９、ＬＰＦ部（前段の帯域制限手段）５１０による帯域制限がかかり、低周波ノイズは減衰されている。ただし、ここでの立ち上がりの遅延は電源投入後初期のものであり、センサの駆動中に発生するものではないため、カットオフ周波数ｆｃ（前）は十分に低く設定しても実使用上は問題になることは少ない。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
次に、電圧の測定ポイント５０８では、バイアス切替部５０３のスイッチング後に、さらにＬＰＦ部（後段の帯域制限手段）５１１による帯域制限がかかり、スイッチングに起因するノイズは減衰されているが、カットオフ周波数ｆｃ（後）はＬＰＦ部５０９、５１０のカットオフ周波数ｆｃ（前）に比べると十分高く設定されており、時定数τをセンサの駆動時間に影響を与えない程度に短くすることが可能である。