【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年3月11日(2008.3.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドープトカルコゲニド層を形成する方法において、ネオン及びヘリウムから成るグループから選択された少なくとも１つの成分ガスを含むプラズマの存在中でカルコゲニド材料の層上に金属をスパッタリングするステップと、
前記プラズマのＵＶ成分を用いてカルコゲニド材料中に金属を拡散させるステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記カルコゲニド材料がセレン化ゲルマニウム材料であることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記プラズマが、ネオンの原子量より大きい原子量を有する希ガスをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法において、前記ネオンの原子量より大きい原子量を有する希ガスがアルゴンであることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、前記プラズマを、ネオンから成る供給ガスから発生することを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、前記金属を、アルミニウム、銅、銀及び金から成るグループから選択することを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法において、前記カルコゲニド材料が、酸素、硫黄、セレン、テルル及びポロニウムから成るグループから選択された少なくとも１つの元素と、炭素、シリコン、ゲルマニウム、スズ、鉛、窒素、リン、ヒ素、アンチモン及びビスマスから成るグループから選択された少なくとも１つの元素とを含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法において、前記カルコゲニド材料が、セレン及びテルルから成るグループから選択された少なくとも１つの元素と、ゲルマニウム及びアンチモンから成るグループから選択された少なくとも１つの元素とを含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
カルコゲニド材料の層を形成するステップと、
プラズマの存在中で金属ターゲットから粒子をスパッタするステップであって、前記プラズマが、少なくとも一種の希ガスから発生されたものであるステップと、
前記スパッタされた粒子を前記カルコゲニド材料の層上に蒸着するステップと、
前記プラズマによって発生した光を用いて前記スパッタされた粒子を前記カルコゲニド材料の層中に光によって拡散させるステップとを含み、前記スパッタするステップと前記光によって拡散させるステップをインサイチュで行うことを特徴とする、ドープトカルコゲニド層を形成する方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法において、前記金属ターゲットが、アルミニウム、銅、銀及び金から成るグループから選択された金属を含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法において、前記スパッタされた粒子を前記カルコゲニド材料の層中に拡散させるステップが、前記金属ターゲットから粒子をスパッタするステップと同時に起こることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の方法において、前記プラズマを、ネオンから成る供給ガスから発生することを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項９に記載の方法において、前記プラズマがヘリウムをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項９に記載の方法において、前記プラズマがアルゴンをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項９に記載の方法において、前記プラズマが、ネオンの原子量と異なった原子量を有する少なくとも１つの希ガスをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項９に記載の方法において、
各々が原子量を有するネオンとネオン以外の少なくとも１つの希ガスとを含む前記プラズマ用の成分ガスを選択するステップと、
前記成分ガスの体積割合を調節し、入射イオンあたりに放出されたターゲット原子の数に関し、０．５−１．５の範囲のスパッタリング効率を促進するのに十分な平均原子量を発生するステップとをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項９に記載の方法において、
ネオンとネオン以外の少なくとも１つの希ガスとを含む前記プラズマ用の成分ガスを選択するステップと、
前記成分ガスの体積割合を調節し、前記スパッタされた粒子を前記カルコゲニド材料の層中に拡散させるのに十分なＵＶ成分を有する放射スペクトルを有するプラズマを発生するステップとをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法において、前記成分ガスの体積割合を調節し、前記スパッタされた粒子を前記カルコゲニド材料の層中に拡散させるのに十分なＵＶ成分を有する放射スペクトルを有するプラズマを発生するステップが、前記成分ガスの体積割合を調節し、ネオンのみを含むプラズマより高いレベルの可視成分を有する放射スペクトルを有するプラズマを発生するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項９に記載の方法において、
各々がその放射スペクトルのＵＶ成分を有するネオンとネオン以外の少なくとも１つの希ガスとを含む前記プラズマ用の成分ガスを選択するステップと、
前記成分ガスの体積割合を調節し、その放射スペクトルのＵＶ成分の、前記カルコゲニド材料の層中への前記スパッタされた粒子の拡散を生じるのに十分な相対強度を有するプラズマを発生するステップとをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項９に記載の方法において、
各々が原子量とその放射スペクトルのＵＶ成分とを有するネオンとネオン以外の少なくとも１つの希ガスとを含む前記プラズマ用の成分ガスを選択するステップと、
前記カルコゲニド材料の層中への前記スパッタされた粒子の拡散を生じるのに十分な放射スペクトルのＵＶ成分の相対強度を有するプラズマを発生する前記成分ガスの少なくとも２つの組み合わせを決定するステップと、
前記成分ガスの組み合わせのうち、入射イオンあたりに放出されたターゲット原子の数に関し、０．５−１．５の範囲のスパッタリング効率を促進するのに十分な平均原子量に近い平均原子量を持つものを選択するステップとをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項９に記載の方法において、
各々が原子量とその放射スペクトルのＵＶ成分とを有するネオンとネオン以外の少なくとも１つの希ガスとを含む前記プラズマ用の成分ガスを選択するステップと、
入射イオンあたりに放出されたターゲット原子の数に関し、０．５−１．５の範囲のスパッタリング効率を促進するのに十分な平均原子量を有するプラズマを発生する前記成分ガスの少なくとも２つの組み合わせを決定するステップと、
前記成分ガスの組み合わせのうち、前記スパッタされた粒子の前記カルコゲニド材料の層中への拡散を生じるのに十分な放射スペクトルのＵＶ成分の相対強度を有するプラズマを発生するものを選択するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２２】
カルコゲニド材料の層を形成するステップと、
前記カルコゲニド材料の層上に金属をスパッタするステップと、
少なくとも２つの希ガスを含むプラズマによって放射された光を用いて、前記スパッタされた金属を前記カルコゲニド材料の層中に光によって拡散させるステップとを含み、前記プラズマの成分を、入射イオンあたりに放出されたターゲット原子の数に関し、０．５−１．５の範囲のスパッタリング効率を生ずるのに十分な平均原子量を有するように選択することを特徴とする、ドープトカルコゲニド層を形成する方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法において、各々の希ガスを、ヘリウム、ネオン及びアルゴンから成るグループから選択することを特徴とする方法。
【請求項２４】
カルコゲニド材料の層を形成するステップと、
前記カルコゲニド材料の層上に金属をスパッタするステップと、
少なくとも２つの希ガスを含むプラズマによって放射されたＵＶ光を用いて、前記スパッタされた金属を前記カルコゲニド材料の層中に光によって拡散させるステップとを含み、前記プラズマの成分を、放射スペクトルの成分として、前記スパッタされた金属の前記カルコゲニド材料の層中への拡散を生じるのに十分な相対強度の前記ＵＶ光を放射するような前記プラズマが構成されるように選択することを特徴とする、ドープトカルコゲニド層を形成する方法。
【請求項２５】
カルコゲニド材料の層を形成するステップと、
前記カルコゲニド材料の層上に金属をスパッタするステップと、
少なくとも２つの希ガスを含むプラズマによって放射された光を用いて、前記スパッタされた金属を前記カルコゲニド材料の層中に光によって拡散させるステップとを含み、前記プラズマの成分を、前記スパッタされた金属を前記カルコゲニド材料の層中に十分に拡散させるＵＶ成分を有する放射スペクトルを放射するような前記プラズマが構成されるように選択することを特徴とする、ドープトカルコゲニド層を形成する方法。
【請求項２６】
第１電極と、第２電極と、前記第１電極と第２電極との間に置かれたドープトカルコゲニド層とを有するカルコゲニドメモリ素子を形成する方法において、
前記第１電極上にカルコゲニド層を形成するステップと、
ネオン及びヘリウムから成るグループから選択された少なくとも１つの成分ガスを含む第１プラズマを使用して前記カルコゲニド層上に金属をスパッタし、これによって前記ドープトカルコゲニド層を形成するステップであって、前記第１プラズマが、前記カルコゲニド層中への前記スパッタされた金属の拡散を生じさせるのに十分なＵＶ成分を放射するステップと、
ネオンの原子量より大きい原子量を有する少なくとも１つの成分ガスを含む第２プラズマを使用して前記ドープトカルコゲニド層上に金属をスパッタし、これによって前記第２電極を形成するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２７】
請求項２６に記載の方法において、前記ネオンの原子量より大きい原子量を有する少なくとも１つの成分ガスがアルゴンであることを特徴とする方法。
【請求項２８】
請求項２６に記載の方法において、前記カルコゲニド層を形成するステップが、セレン化ゲルマニウム材料の層を形成するステップをさらに含み、前記第１プラズマを使用して前記カルコゲニド層上に金属をスパッタするステップが、銀をスパッタするステップをさらに含み、前記第２プラズマを使用して前記ドープトカルコゲニド層上に金属をスパッタするステップが、銀をスパッタするステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２９】
請求項２６に記載の方法において、前記第１プラズマ及び第２プラズマが同じプラズマであることを特徴とする方法。
【請求項３０】
請求項２６に記載の方法において、前記第２電極が前記第１電極と異なる仕事関数（φｍ）を有することを特徴とする方法。
【請求項３１】
第１電極と、第２電極と、前記第１電極と第２電極との間に置かれたドープトカルコゲニド層とを有するカルコゲニドメモリ素子を形成する方法において、
前記第１電極上にカルコゲニド層を形成するステップと、
ネオン及びヘリウムから成るグループから選択された少なくとも１つの成分ガスを含む第１プラズマを使用して前記カルコゲニド層上に金属をスパッタして、前記プラズマのＵＶ成分を用いて前記カルコゲニド層中に前記金属を拡散させ、これによって前記ドープトカルコゲニド層を形成するステップと、
少なくともアルゴンを含む第２プラズマを使用して前記ドープトカルコゲニド層上に金属をスパッタし、これによって前記第２電極を形成するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項３２】
第１電極と、第２電極と、前記第１電極と第２電極との間に置かれたドープトカルコゲニド層とを有するカルコゲニドメモリ素子を形成する方法において、
前記第１電極上にカルコゲニド層を形成するステップと、
ネオン及びヘリウムから成るグループから選択された少なくとも１つの成分ガスを含むプラズマを使用して前記カルコゲニド層上に金属をスパッタして、前記プラズマのＵＶ成分を用いてカルコゲニド層中に前記金属を拡散させ、これによって前記ドープトカルコゲニド層を形成するステップと、
前記プラズマを使用して前記ドープトカルコゲニド層上に金属をスパッタし、これによって前記第２電極を形成するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項３３】
第１電極と、第２電極と、前記第１電極と第２電極との間に置かれたドープトカルコゲニド層とを有するカルコゲニドメモリ素子を形成する方法において、
前記第１電極上にカルコゲニド層を形成するステップと、
ネオン及びヘリウムから成るグループから選択された少なくとも１つの成分ガスを含む供給ガスから初期に発生されたプラズマを使用して前記カルコゲニド層上に金属をスパッタして、前記プラズマのＵＶ成分を用いてカルコゲニド層中に前記金属を拡散させ、これによって前記ドープトカルコゲニド層を形成するステップと、
前記プラズマを発生させるのに使用した前記供給ガスの平均原子量を前記供給ガスに含まれる各成分ガスの体積比率を調整することによって増加させるステップと、
前記増加された平均原子量を有する供給ガスから発生されたプラズマを使用して前記ドープトカルコゲニド層上に金属をスパッタし、これによって前記第２電極を形成するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項３４】
請求項３３に記載の方法において、前記プラズマを発生させるのに使用した前記供給ガスの平均原子量を増加させるステップが、前記ドープトカルコゲニド層を形成した後に前記供給ガスを排気するステップと、前記増加した平均原子量を有する供給ガスを使用して前記第２電極を形成するのに使用するプラズマを発生するステップとをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項３５】
請求項３３に記載の方法において、前記プラズマの平均原子量を増加するステップが、金属をスパッタする間に前記プラズマへの成分ガスの供給レートを変化させるステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項３６】
第１電極と、第２電極と、前記第１電極と第２電極との間に置かれたドープトカルコゲニド層とを有するカルコゲニドメモリ素子を形成する方法において、
前記第１電極上にカルコゲニド層を形成するステップと、
蒸着チャンバ中で第１プラズマを使用して前記カルコゲニド層上に金属をスパッタして、前記第１プラズマのＵＶ成分を用いてカルコゲニド層中に前記金属を拡散させ、これによって前記ドープトカルコゲニド層を形成するステップであって、前記第１プラズマを、ネオン及びヘリウムから成るグループから選択された少なくとも１つの成分ガスを使用して発生する、ステップと、
前記蒸着チャンバ中で第２プラズマを使用して前記ドープトカルコゲニド層上に金属をスパッタし、前記第２電極を形成するステップであって、前記第２プラズマを、ネオンの原子量より大きい原子量を有する少なくとも１つの成分ガスを使用して発生する、ステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項３７】
請求項３６に記載の方法において、前記第１プラズマを発生するのに使用する少なくとも１つの成分ガスがネオンから成ることを特徴とする方法。
【請求項３８】
請求項３６に記載の方法において、前記第２プラズマを発生するのに使用する少なくとも１つの成分ガスがアルゴンから成ることを特徴とする方法。
【請求項３９】
請求項３８に記載の方法において、前記第２プラズマを少なくともアルゴンを使用して発生することを特徴とする方法。
【請求項４０】
請求項３６に記載の方法において、前記ドープトカルコゲニド層上に金属をスパッタして前記第２電極を形成するステップを、前記カルコゲニド層上に金属をスパッタして前記ドープトカルコゲニド層を形成するステップと同じ場所で行うことを特徴とする方法。
【請求項４１】
請求項３６に記載の方法において、前記カルコゲニド層上に金属をスパッタして前記ドープトカルコゲニド層を形成するステップが、金属ターゲットからスパッタするステップをさらに含み、前記ドープトカルコゲニド層上に金属をスパッタして前記第２電極を形成するステップが、同じ金属ターゲットからスパッタするステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項４２】
請求項４１に記載の方法において、前記金属ターゲットが銀であり、前記カルコゲニド層がセレン化ゲルマニウム材料を含むことを特徴とする方法。
【請求項４３】
請求項３６に記載の方法において、前記第１プラズマ及び第２プラズマが、各々、ネオン及びヘリウムから成るグループから選択された少なくとも１つの成分ガスと、ネオンの原子量より大きい原子量を有する少なくとも１つの成分ガスとを含むことを特徴とする方法。
【請求項４４】
請求項４３に記載の方法において、前記第１プラズマ及び第２プラズマが同じ成分を有することを特徴とする方法。
【請求項４５】
第１電極と、第２電極と、前記第１電極と第２電極との間に置かれたドープトカルコゲニド層とを有するカルコゲニドメモリ素子を形成する方法において、
前記第１電極上にカルコゲニド層を形成するステップと、
ネオンから成る供給ガスから発生された第１プラズマを使用して前記カルコゲニド層上に銀をスパッタして、前記第１プラズマのＵＶ成分を用いてカルコゲニド層中に前記銀を拡散させ、これによって前記ドープトカルコゲニド層を形成するステップと、
アルゴンから成る供給ガスから発生された第２プラズマを使用して前記ドープトカルコゲニド層上に金属をスパッタし、これによって前記第２電極を形成するステップとを含み、前記第２電極が前記第１電極と異なる仕事関数（φｍ）を有することを特徴とする方法。
【請求項４６】
第１電極と、第２電極と、前記第１電極と第２電極との間に置かれたドープトカルコゲニド層とを有するカルコゲニドメモリ素子を形成する方法において、
前記第１電極上にカルコゲニド層を形成するステップと、
ネオンから成る供給ガスから発生された第１プラズマを使用して前記カルコゲニド層上に銀をスパッタして、前記第１プラズマのＵＶ成分を用いてカルコゲニド層中に前記銀を拡散させ、これによって前記ドープトカルコゲニド層を形成するステップと、
アルゴンから成る供給ガスから発生された第２プラズマを使用して前記ドープトカルコゲニド層上に銀をスパッタし、これによって前記第２電極を形成するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項４７】
請求項４６に記載の方法において、前記カルコゲニド層がセレン化ゲルマニウム材料であることを特徴とする方法。
【請求項４８】
不揮発性メモリ装置を形成する方法において、
ワードラインを形成するステップと、
前記ワードラインに結合した第１電極を形成するステップであって、各々のワードラインを２つ以上の第１電極に結合するステップと、
各々の第１電極上にカルコゲニド層を形成するステップと、
ネオン及びヘリウムから成るグループから選択された少なくとも１つの成分ガスを含む第１プラズマを使用して各々のカルコゲニド層上に金属をスパッタして、前記第１プラズマのＵＶ成分を用いてカルコゲニド層中に前記金属を拡散させ、これによってドープトカルコゲニド層を形成するステップと、
ネオンの原子量より大きい原子量を有する少なくとも１つの成分ガスを含む第２プラズマを使用して各々のドープトカルコゲニド層上に金属をスパッタし、これによって第２電極を形成するステップと、
前記第２電極に結合したビットラインを形成するステップであって、各々のビットラインを２つ以上の第２電極に結合するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項４９】
請求項４８に記載の方法において、
ダイオードを形成するステップであって、各々のダイオードを、第２電極とビットラインとの間に挟まれ、各々の第２電極がビットラインにダイオードを経て結合されるようにする位置と、第１電極とワードラインとの間に挟まれ、各々の第１電極がワードラインにダイオードを経て結合されるようにする位置とから成るグループから選択された位置において形成するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項５０】
不揮発性メモリ装置を形成する方法において、
ワードラインを形成するステップと、
前記ワードラインに結合した第１電極を形成するステップであって、各々のワードラインを２つ以上の第１電極に結合するステップと、
各々の第１電極上にカルコゲニド層を形成するステップと、
ネオン及びヘリウムから成るグループから選択された少なくとも１つの成分ガスを含む第１プラズマを使用して各々のカルコゲニド層上に金属をスパッタして、前記第１プラズマのＵＶ成分を用いてカルコゲニド層中に前記金属を拡散させ、これによってドープトカルコゲニド層を形成するステップと、
ネオンの原子量より大きい原子量を有する少なくとも１つの成分ガスを含む第２プラズマを使用して各々のドープトカルコゲニド層上に金属をスパッタし、これによって第２電極を形成するステップと、
各々の第２電極に結合したダイオードを形成するステップと、
前記ダイオードに結合したビットラインを形成するステップであって、各々のビットラインを２つ以上のダイオードに結合するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項５１】
不揮発性メモリ装置を形成する方法において、
ワードラインを形成するステップと、
前記ワードラインに結合したダイオードを形成するステップであって、各々のワードラインを２つ以上のダイオードに結合するステップと、
各々のダイオードに結合した第１電極を形成するステップと、
各々の第１電極上にカルコゲニド層を形成するステップと、
ネオン及びヘリウムから成るグループから選択された少なくとも１つの成分ガスを含む第１プラズマを使用して各々のカルコゲニド層上に金属をスパッタして、前記第１プラズマのＵＶ成分を用いてカルコゲニド層中に前記金属を拡散させ、これによってドープトカルコゲニド層を形成するステップと、
ネオンの原子量より大きい原子量を有する少なくとも１つの成分ガスを含む第２プラズマを使用して各々のドープトカルコゲニド層上に金属をスパッタし、これによって第２電極を形成するステップと、
前記第２電極に結合したビットラインを形成するステップであって、各々のビットラインを２つ以上の第２電極に結合するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項５２】
不揮発性メモリ装置を形成する方法において、
ワードラインを形成するステップと、
前記ワードラインに結合した第１電極を形成するステップであって、各々のワードラインを２つ以上の第１電極に結合するステップと、
各々の第１電極上にカルコゲニド層を形成するステップと、
ネオンから成る第１プラズマを使用して各々のカルコゲニド層上に銀をスパッタして、前記第１プラズマのＵＶ成分を用いてカルコゲニド層中に前記銀を拡散させ、これによってドープトカルコゲニド層を形成するステップと、
アルゴンから成る第２プラズマを使用して各々のドープトカルコゲニド層上に金属をスパッタし、これによって第２電極を形成するステップであって、前記金属が前記第１電極と異なる仕事関数（φｍ）を有するステップと、
前記第２電極に結合したビットラインを形成するステップであって、各々のビットラインを２つ以上の第２電極に結合するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項５３】
不揮発性メモリ装置を形成する方法において、
ワードラインを形成するステップと、
前記ワードラインに結合した第１電極を形成するステップであって、各々のワードラインを２つ以上の第１電極に結合するステップと、
各々の第１電極上にカルコゲニド層を形成するステップと、
ネオンから成る第１プラズマを使用して各々のカルコゲニド層上に銀をスパッタして、前記第１プラズマのＵＶ成分を用いてカルコゲニド層中に前記銀を拡散させ、これによってドープトカルコゲニド層を形成するステップと、
アルゴンから成る第２プラズマを使用して各々のドープトカルコゲニド層上に銀をスパッタし、これによって第２電極を形成するステップと、
前記第２電極に結合したビットラインを形成するステップであって、各々のビットラインを２つ以上の第２電極に結合するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項５４】
請求項５３に記載の方法において、
ダイオードを形成するステップであって、各々のダイオードを、第２電極とビットラインとの間に挟まれ、各々の第２電極がビットラインにダイオードを経て結合されるようにする位置と、第１電極とワードラインとの間に挟まれ、各々の第１電極がワードラインにダイオードを経て結合されるようにする位置とから成るグループから選択された位置において形成するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
電気的にプログラム可能かつ消去可能な材料、すなわち、一般に抵抗状態と一般に導通状態との間で電気的に切り替えることができる材料は、当該技術分野においてよく知られている。カルコゲニド材料は、半導体産業において、特に不揮発性メモリ装置の製造において使用が見られるこのような材料の例の１つのクラスである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
上述した理由と、本明細書を読み、理解する当業者には明らかになる後述する他の理由とのため、当該技術分野においてカルコゲニドメモリ素子を製造する代わりの方法に対して必要性がある。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
金属ドープトカルコゲニド層と、このようなドープトカルコゲニド層を含む装置とを形成する方法をここで説明する。本方法は、プラズマを使用し、金属蒸着と同時に金属をカルコゲニド層中に拡散させるステップを含む。前記プラズマは、ネオン又はヘリウムのような低い原子量の少なくとも１つの希ガスを含む。前記プラズマは、金属ターゲットをスパッタするのに十分なスパッタ発生量と、スパッタされた金属を前記カルコゲニド層中に拡散させるのに十分な放射スペクトルのＵＶ成分とを有する。このような方法を使用し、導電層を前記ドープトカルコゲニド層上にインサイチュで形成することができる。不揮発性カルコゲニドメモリ装置のような集積回路装置において、金属蒸着と同時のカルコゲニド層のドーピングと、前記カルコゲニド層のドーピングによるインサイチュでの導電層の形成とは、前記装置基板をツールからツールへ移動する結果として生じる汚染と物理的損傷とを減らし、したがって、改善された装置の信頼性を促進させる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
図２Ｃを参照し、上部又は第２電極２５０をドープトカルコゲニド層２３０上に形成する。第２電極２５０は、一般に、第１電極２１０と同じガイドラインにしたがう。したがって、第２電極２５０は導電材料を含む。例は、導電性にドープされたポリシリコンと、炭素と、金属（耐火金属を含む）、合金、金属珪化物、導電性金属窒化物及び導電性金属酸化物を含む。第２電極２５０は、２つ以上の導電材料をさらに含んでもよい。加えて、第２電極２５０は、下に重なる又は上に重なる層と隣接した１つ以上の粘着層又はバリア層を含んでもよい。任意の粘着層又はバリア層を、カルコゲニドメモリ素子２００のプログラミングに干渉しないようにするため、好適には導電性とする。一実施例に関して、第２電極２５０は銀を含む。他の実施例に関して、第２電極２５０を銀の層とする。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
金属ドープトカルコゲニド層を形成する方法と、このようなドープトカルコゲニド層を含む装置を形成する方法とを説明した。これらの方法は、プラズマを使用し、金属蒸着と同時に金属をカルコゲニド層中に拡散させるステップを含む。前記プラズマは、ネオン又はヘリウムのような低い原子量の少なくとも１つの希ガスを含む。前記プラズマは、金属ターゲットをスパッタするのに十分なスパッタ発生量と、スパッタされた金属を前記カルコゲニド層中に拡散させるのに十分な放射スペクトルのＵＶ成分とを有する。このような方法を使用し、導電層を前記ドープトカルコゲニド層上にインサイチュで形成することができる。不揮発性カルコゲニドメモリ装置のような集積回路装置において、金属蒸着と同時のカルコゲニド層のドーピングと、前記カルコゲニド層のドーピングによるインサイチュでの導電層の形成とは、前記装置基板をツールからツールへ移動する結果として生じる汚染と物理的損傷とを減らし、したがって、改善された装置の信頼性を促進させる。