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【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年12月19日(2007.12.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】２つの隣接する脊椎を機械的に接続するための背骨用インプラントであって、
第１の表面及びそれと反対側の第２の表面を有する本体を備え、その第１及び第２の表面は隣接する脊椎に本体を固定するための少なくとも一つの突起部材を含み、
前記本体、第１及び第２の表面並びに各々の前記突起部材は、単一のインプラントを形成する一片の材料から形成されており、
前記インプラントは、脊椎の融合のために十分な引張強さ及びせん断強さを有し、骨移植を要することなく脊椎の融合を達成するのに有効である背骨用インプラント。
【請求項２】本体及び第１及び第２の突起部材の外面が生体活性塗料を含む、請求項１に記載の背骨用インプラント。
【請求項３】突起部材が蟻ほぞの突起の形状である、請求項１に記載の背骨用インプラント。
【請求項４】第１の表面と第２の表面との少なくとも一方が複数の突起部材を含む、請求項１に記載の背骨用インプラント。
【請求項５】前記少なくとも一つの突起部材が、実質的に円筒形状を有する、請求項１に記載の背骨用インプラント。
【請求項６】前記少なくとも一つの突起部材が１対の実質的に円筒形状の突起を含み、この円筒形状突起は、前記少なくとも一つの突起部材を含む前記表面に垂直な平面の両側にあり、この平面は、それが垂直をなす前記表面から最大距離にある少なくとも一つの突起部材上の点を通り、
前記円筒形状突起は、対応表面における各円筒形状突起が、いずれの円筒形状突起よりも表面に近い突起部材の任意の部分の対応表面における突起よりも大きくなるものであり、その結果、少なくとも一つの突起部材が、少なくとも一つの部材を受け入れるために適切に調製された脊椎と係合できるように成形される、請求項１に記載の背骨用インプラント。
【請求項７】少なくとも１の表面が複数の突起部材を含む、請求項６に記載の背骨用インプラント。
【請求項８】各表面が２つの突起部材を含む、請求項６に記載の背骨用インプラント。
【請求項９】前記少なくとも１の突起部材が、実質的に円筒形状を有する、請求項６に記載の背骨用インプラント。
【請求項１０】２つの隣接する脊椎を機械的に接続するための背骨用インプラントであって、
第１の表面及びそれと反対側の第２の表面を有する本体を含んでおり、当該第１及び第２の表面は隣接する脊椎に前記本体を固定するための少なくとも一つの突起部材を含み、
各突起部材は一対の実質的に円筒形状の突起を含み、
前記円筒形状突起は、前記突起部材を含む第１又は第２の表面に垂直な平面の両側にあり、
当該平面は、前記突起部材を含む第１又は第２の表面から最大距離にある少なくとも一つの突起部材上の点を通り、
前記突起部材を含む第１又は第２の表面における各円筒形状突起は、それに対応する第１又は第２の表面により近い前記突起部材の部分よりも大きく、
その結果、少なくとも一つの突起部材が、少なくとも一つの部材を受け入れるために適切に調製された脊椎と噛み合うことができるように成形される、
当該背骨用インプラント。
【請求項１１】各突起部材が、実質的に円筒形状を有する、請求項１０に記載の背骨用インプラント。
【請求項１２】各表面が２つの突起部材を含む、請求項１０に記載の背骨用インプラント。
【請求項１３】インプラントが骨移植を要することなく脊椎の融合を達成するのに有効である、請求項１０に記載の背骨用インプラント。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
上述の実施態様では、実質的に蟻継ぎ形状、又は円筒型／馬蹄型の形状の突起部材を採用するが、本質的には、任意の形状の突起部材が、本発明の生体活性コーティングされたインプラントと共に用いられ得る。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年10月2日(2008.10.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
像点を表す距離情報は、カメラ３０の下方における像点からこのカメラ３０までの距離、カメラ３０に関する該当する像点の相応の角度、また有利には像点の輝度情報（グレー値）を包含する。像点は車両において規定されているデカルトＸＹＺ座標系に変換される。検知された要素／対象からカメラ３０までの距離に依存する種々の像点の密度は、さらなる処理に関して簡単且つカメラまでの距離に依存せずに像点を表せるようにするために補償調整される。この補償調整は画像領域内の体積要素を使用することにより行われる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年3月6日(2008.3.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
発明の利点
請求項１記載の特徴を有する本発明によるマイクロムケカニックス構成素子及び請求項７記載の相応する製造方法は、表面マイクロムケカニックスにおける上部にある単結晶質膜を有する中空室の簡単かつ費用のかからない製造を可能にするという利点を有する。単結晶質膜は、例えば圧力センサのために使用することができる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
本発明が基礎とする思想は、膜の製造のためにまず、局所的に単結晶質被覆層、例えばエピタキシー層により実施されているｎ+又はａはｐ+ドーピング領域の陽極処理（多孔性エッチング）を行うことである。次いで、膜の下に埋め込まれたｎ+又はｐ+ドーピング層の選択的エレクトロポリシングへの時間制御した交番を行う。それにより、中空室を被覆層の下に形成する。必要であれば、最後に、形成された中空室内の規定されたガス圧を封じ込めるために、被覆層内の多孔質ｎ+又はｐ+ドーピング領域の密閉を行う。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
もう１つの有利な実施態様によれば、単結晶層をエピタキシーにより設ける。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
図１ａ〜ｃにおいては、参照番号１はｐ型ドーピングされたシリコン基板、５は埋め込まれたｎ+ドーピングされた層、１０は単結晶層、１５は単結晶層１０内のｎ+ドーピングされた領域、１０ａは後の膜領域並びに２０はマスク及び３０は例えば金属、酸化物、窒化物、ＢＰＳＧ等からなる密閉層を示す。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
図１ａによれば、埋め込まれたｎ+ドーピングされた層５をｎドーピングされた単結晶層の下のｐシリコン基板１内に標準処理工程、例えばインプランテーションにより形成する。付加的に、選択した位置に、例えば点状又はストリップもしくはリング状にｎ+ドーピングされた領域１５を単結晶層１０内に導入し、埋め込まれたｎ+層５に対する表面のｎ+ドーピングされた結合部を形成する。場合により、単結晶層１０上に単数又は複数のマスク層２０（例えば窒化物からなる）を堆積させかつ構造化することができる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
図１ｂに示されているように、ｎ+ドーピングされた領域１５をフッ化水素酸含有媒体中での電気化学的エッチング（陽極処理）により陽極処理条件（フッ化水素酸濃度、電流密度……）に依存して多孔質ｎ+領域に変換するか又は完全に溶解することができる。陽極処理速度は、強度にシリコンのドーピングに依存する。低濃度でドーピングされたｎ−シリコン（単結晶層）は殆ど侵食されず、それに対してｎ+ドーピングされたシリコンは極めて良好に侵食される。この選択性は、この実施例の範囲内で利用される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
第１の、時間制御される陽極処理ステップにおいて、単結晶層１０内のｎ+ドーピングされた領域１５を程度の差こそあれ完全に多孔質にエッチングする。この場合、多孔率は有利には５０％より高い。陽極処理条件の変換により、埋め込まれたｎ+ドーピングされた層５を溶出させる。ｎ+領域５からｐドーピング基板１までの移行領域に、陽極処理境界部として作用する弱くｎドーピングされた領域が存在する。埋め込まれたｎ+ドーピングされた層５の形により、溶出する領域を規定する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
図１ｃに示されているように、マスク２０の除去後に引き続いてのプロセスステップにおいて多孔質領域１５０を、所望であれば、極めて簡単に密閉することができる。それというのも、該領域は、極めて小さい孔を有するに過ぎない殆ど平坦な表面を有するからである。このことは、大抵μｍよりも大きい直径を有する孔を密閉しなければならない、標準的な表面マイクロメカニックス製造方法に比較して明らかに有利である。密閉は、例えば金属層３０又は複数の層（酸化物、窒化物、金属、ＢＰＳＧ、……）の析出又は酸化により行うことができる。析出の際のプロセス圧は、中空室５０内のガス内圧を規定する。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
この実施例では、ｐ基板１に埋め込まれた層５’ためにＰ+ドーピングを導入する。更に、単結晶層１０を成長させかつＰ+貫通接触部１５’を設ける。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
図２ｂに示すように、Ｐ+ドーピング領域１５’を、多孔質Ｐ+ドーピング領域１５０’を形成するために、選択的に陽極酸化する。この場合、単結晶層１０は侵食されず、ｐ基板１は容易に侵食される。それというのも、Ｐ+の陽極酸化速度はｐ及びｎよりも明らかに高いからである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月7日(2008.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  回転可能な蝶番に一端部で取り付け可能な負荷支承デッキを備える可動傾斜路であって、前記負荷支承デッキが、上方および下方金属プレートと、前記金属プレート間にせん断力を伝達するように、前記金属プレートに結合されたプラスチック材料の中間層とを有するサンドイッチ構造を備え、負荷支承デッキの遠位端部分の厚みが先細になっている可動傾斜路。
【請求項２】  前記上方プレートが前記下方プレートの少なくとも一部より厚い、請求項１に記載の可動傾斜路。
【請求項３】  前記上方プレートの上面は、前記上面上を通過する車両の牽引力を改善するように、表面仕上げ、輪郭形成された表面、または被覆が設けられた、請求項１または２に記載の可動傾斜路。
【請求項４】  前記上方プレートが４ｍｍから２０ｍｍの範囲の厚みを有し、前記下方プレートが３ｍｍから２０ｍｍの範囲の厚みを有し、かつ前記中間層が２０ｍｍから２００ｍｍの範囲の厚みを有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の可動傾斜路。
【請求項５】  前記先細りが中間層で調整される、請求項１から４のいずれか一項に記載の可動傾斜路。
【請求項６】  前記下方プレートが、前記遠位端部分に増大された厚みを有する、請求項５に記載の可動傾斜路。
【請求項７】  前記中間層が密なエラストマを含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の可動傾斜路。
【請求項８】  前記中間層が、フォームおよび前記プラスチック材料を含み、前記プラスチック材料が、前記フォームによって占められていない前記上方および下方金属プレート間の空間に配置される、請求項１から６のいずれか一項に記載の可動傾斜路。
【請求項９】  添付の図面を参照して本明細書に記載されるように実質的に構成される可動傾斜路。
【請求項１０】  請求項１から９のいずれか一項に記載の少なくとも１つの可動傾斜路を有する船。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月30日(2008.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  サンプル処理アセンブリにおいて、
第２側に取り付けられた第１側を備える本体と、
前記第１側と前記第２側との間に形成される複数のプロセスアレイであって、各々が、装填構造体、長さを有する主導管、該主導管に沿って分布した複数のプロセスチャンバ、および該装填構造体と該複数のプロセスチャンバとの間に配置された変形可能なシールを備え、該主導管が該装填構造体および該複数のプロセスチャンバに流体連通している複数のプロセスアレイと、
を備えるサンプル処理装置と、
前記サンプル処理装置に取り付けられるキャリアであって、
前記サンプル処理装置に対向する第１表面および前記サンプル処理装置から離背する第２表面と、
前記第１表面に近接した複数の主導管支持レールであって、前記複数のプロセスアレイの各々の前記主導管が１つの主導管支持レールに対し整列配置されるようになっている複数の主導管支持レールと、
前記第１表面および前記第２表面を通して形成された複数の開口部であって、各々が前記複数のプロセスチャンバの１つに対し整列配置されるようになっている複数の開口部と、
を備えるキャリアと、
を具備することを特徴とするサンプル処理アセンブリ。
【請求項２】  サンプル材料を処理する方法において、
第２側に取り付けられた第１側を備える本体と、前記第１側と前記第２側との間に形成される複数のプロセスアレイであって、各々が、装填構造体、長さを有する主導管、該主導管に沿って分布した複数のプロセスチャンバを備え、該主導管が該装填構造体および該複数のプロセスチャンバに流体連通している複数のプロセスアレイと、を備えるサンプル処理装置と、前記サンプル処理装置に取り付けられるキャリアであって、前記サンプル処理装置に対向する第１表面および前記サンプル処理装置から離背する第２表面と、前記第１表面および前記第２表面を通して形成された複数の開口部であって、各々が前記複数のプロセスチャンバの１つに対し整列配置されるようになっている複数の開口部と、を備えるキャリアと、を具備するサンプル処理アセンブリを用意することと、
前記複数のプロセスアレイの各々の前記主導管を通して、前記複数のプロセスアレイの各々における前記プロセスチャンバの少なくともいくつかにサンプル材料を分配することと、
前記サンプル処理装置の前記第２側を熱ブロックに接触させて配置することと、
前記複数のプロセスチャンバの各々に近接して、前記キャリアと前記熱ブロックとの間で、前記サンプル処理装置の前記第１側と前記第２側とを共に選択的に圧縮することと、
前記サンプル処理装置が前記熱ブロックに接触している間に前記熱ブロックの温度を制御することと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】  サンプル処理アセンブリにおいて、
第２側に取り付けられた第１側を備える本体と、
前記第１側と前記第２側との間に形成される複数のプロセスアレイであって、各々が、装填構造体、長さを有する主導管、該主導管に沿って分布した複数のプロセスチャンバを備え、該主導管が該装填構造体および該複数のプロセスチャンバに流体連通している複数のプロセスアレイと、
を備えるサンプル処理装置と、
前記サンプル処理装置に取り付けられるキャリアであって、
前記サンプル処理装置に対向する第１表面および前記サンプル処理装置から離背する第２表面と、
前記第１表面および前記第２表面を通して形成された複数の開口部であって、各々が前記複数のプロセスチャンバの１つに対し整列配置されるようになっている複数の開口部と、
前記第１表面に近接した複数の圧縮構造体であって、各々が前記複数のプロセスチャンバの１つに近接している複数の圧縮構造体と、
を備えるキャリアと、
を具備することを特徴とするサンプル処理アセンブリ。
【請求項４】  第１側と第２側との間に形成される複数のプロセスアレイであって、各々が、装填構造体、長さを有する主導管、該主導管に沿って分布した複数のプロセスチャンバを備え、該主導管が該装填構造体および該複数のプロセスチャンバに流体連通している複数のプロセスアレイと、１つの該プロセスアレイにおける該装填構造体と該複数のプロセスチャンバとの間に各々が配置される複数の変形可能なシールとを備えるサンプル処理装置の、該変形可能なシールを閉鎖するための装置において、
前記サンプル処理装置を受容するようになっているキャビティを備える基部と、
前記基部に動作可能に取り付けられるブリッジであって、前記キャビティに受容されたサンプル処理装置を第１方向に沿って横断できるブリッジと、
前記ブリッジに装着される複数のシール構造体であって、各々が、前記サンプル処理装置の一部分を変形して前記変形可能なシールの１つを閉鎖するようになっている複数のシール構造体と、
を具備し、
前記複数のシール構造体は、前記第１方向に沿って整列し、前記複数のシール構造体によって各主導管が順次変形されるようになっていること、
を特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月16日(2008.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の位置に位置決め可能な物体を追跡するシステムにおいて、
（ａ）複数の位置の間で物体を移動させる輸送乗物と、
（ｂ）前記物体に関連付けられる物体マーカであって、前記物体の同一性を示す情報を格納する物体マーカと、
（ｃ）複数の位置マーカであって、各々が、複数の位置のうちの１つに位置決めされるとともに該位置マーカの位置を示す情報を格納する複数の位置マーカと、
（ｄ）前記乗物に搭載され、前記物体の同一性を示す前記情報を前記物体マーカから受信するとともに、前記複数の位置マーカの位置を示す前記情報を前記複数の位置マーカから受信する少なくとも１つの呼掛け装置であって、前記物体マーカおよび前記位置マーカのいずれかに格納されるべき情報を送信する少なくとも１つの高周波送信装置と、少なくとも１つの高周波受信装置とを備える呼掛け装置と、
（ｅ）前記呼掛け装置に作用的に接続されて前記乗物に搭載される処理装置であって、前記物体の同一性を示す前記情報から前記物体の前記同一性を決定し、前記位置マーカの位置を示す前記情報から少なくとも１つの前記位置マーカの前記位置を決定し、前記物体と前記位置との間の空間的関係を決定する処理装置と、
を具備することを特徴とするシステム。
【請求項２】  前記高周波送信装置は、１つ以上の呼掛け信号を送信し、
前記複数の位置マーカの各々は、高周波識別タグを備え、前記１つ以上の呼掛け信号のうちの１つに応答して、前記位置マーカの位置を示す前記情報により符号化されている信号を送信し、
前記物体マーカは、高周波識別タグを備え、前記１つ以上の呼掛け信号のうちの１つに応答して、前記物体の同一性を示す前記情報により符号化されている信号を送信し、
前記高周波受信装置は、前記位置マーカからの前記信号を受信するとともに前記物体マーカからの前記信号を受信する、
請求項１に記載のシステム。
【請求項３】  高周波識別システムにおいて、
（ａ）呼掛け信号を送信する呼掛け装置と、
（ｂ）前記呼掛け信号を受信し、次いで応答信号を送信する高周波識別タグ組立体であって、第１の側および第２の側を規定する平面に関連付けられている高周波識別タグ組立体と、
（ｃ）前記呼掛け装置に作用的に取り付けられている処理装置とを具備し、
前記第１の側と前記第２の側とはＲＦ遮蔽体によって分離され、
前記呼掛け装置は前記応答信号を受信し、
前記処理装置は、前記応答信号に基づいて、前記呼掛け装置が前記平面の前記第１の側および前記第２の側のいずれにあるかを決定するとともに、物体と前記平面の前記第１の側又は前記第２の側との空間的関係を決定すること、
を特徴とする高周波識別システム。
【請求項４】  トラフィック支持面上の複数の位置で位置決め可能な物体を追跡するシステムにおいて、
（ａ）複数の位置の間で物体を移動させる輸送乗物と、
（ｂ）前記物体に関連付けられる物体マーカであって、前記物体の同一性を示す情報を格納する物体マーカと、
（ｃ）トラフィック支持面に関連付けられている帯状の磁気テープであって、複数のセグメントを有し、それらセグメントの各々は、該セグメントの位置を示す情報により符号化されており、該セグメントの各々が、該セグメントの位置を示す該情報により符号化された磁気信号を生成する磁気テープと、
（ｄ）前記乗物に搭載され、前記物体の同一性を示す前記情報を前記物体マーカから受信する呼掛け装置と、
（ｅ）前記乗物に搭載され、前記磁気テープにより生成される前記信号を検出する磁気信号読取装置と、
（ｆ）前記呼掛け装置および前記磁気信号読取装置に作用的に接続される処理装置であって、前記物体の同一性を示す前記情報から前記物体の前記同一性を決定し、前記磁気テープの少なくとも１つの前記セグメントの位置を決定し、前記物体と前記位置との間の空間的関係を決定する処理装置と、
を具備することを特徴とするシステム。
【請求項５】  請求項３に記載の高周波識別システムにおいて、前記高周波識別タグ組立体は、
（ａ）第１の同一性を有する第１の高周波識別タグであって、前記高周波呼掛け信号に応答して該第１の同一性を示す信号を送信する第１の高周波識別タグと、
（ｂ）第２の同一性を有する第２の高周波識別タグであって、前記高周波呼掛け信号に応答して該第２の同一性を示す信号を送信する第２の高周波識別タグと、
（ｃ）前記第１の高周波識別タグと前記第２の高周波識別タグとの間の高周波信号遮蔽体とを具備し、
前記高周波信号遮蔽体は、前記第１の高周波識別タグと前記第２の高周波識別タグとを分離する平面を規定し、
前記高周波信号遮蔽体は、前記呼掛け信号の発生源が前記平面の前記第１の高周波識別タグと同じ側にあるときに該第１の高周波識別タグのみが前記呼掛け信号に応答できるようにするとともに、前記呼掛け信号の発生源が前記平面の前記第２の高周波識別タグと同じ側にあるときに該第２の高周波識別タグのみが前記呼掛け信号に応答できるようにする、
請求項３に記載の高周波識別システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月1日(2008.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  加工物表面を改質する方法であって、
（ａ）前記加工物表面を研磨物品と接触させるステップであって、前記研磨物品が、
（ｉ）バインダ内に分散した複数の研磨粒子を有し、放射線に少なくとも部分的に透明な基材に接着されたテクスチャー加工された研磨コーティングと、
（ｉｉ）前記基材を含む監視要素とを備えるステップと、
（ｂ）前記研磨物品を前記加工物表面に対して移動させて前記加工物表面を改質するステップと、
（ｃ）表面改質度を決定するステップであって、
（ｉ）前記監視要素を介して前記加工物表面からの第１の放射線レベルを測定することにより表面改質度を決定するステップと、
を含む方法。
【請求項２】  前記加工物表面を研磨物品と接触させる前記ステップが、
（ａ）前記加工物表面を研磨物品と接触させるステップであって、前記研磨物品が、
（ｉ）研磨複合材料のない領域である、放射線を通過させるための監視要素を備えるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記加工物表面を研磨物品と接触させる前記ステップが、
（ａ）前記加工物表面を研磨物品と接触させるステップであって、前記研磨物品が、
（ｉ）薄肉研磨コーティングを有する領域である、放射線を透過させるための監視要素を備えるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記加工物表面を研磨物品と接触させる前記ステップが、
（ａ）前記加工物表面を研磨物品と接触させるステップであって、前記研磨物品が、
（ｉ）前記研磨物品の前記研磨コーティング内の個別領域である、放射線を通過させるための監視要素を備えるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  ウエハを平坦化するための研磨物品を作製する方法であって、
（ａ）研磨コーティング組成物を設けるステップと、
（ｂ）前記第１の主表面を有する基材を設けるステップであって、前記第１の主表面が第１の部分および第２の部分を有し、前記基材が放射線に少なくとも部分的に透明であるステップと、
（ｃ）前記研磨コーティング組成物が実質的に前記基材の第１の部分のみに付着するように前記基材を前記研磨コーティング組成物と接触させるステップと、
（ｄ）前記研磨コーティング組成物を少なくとも部分的に硬化させるステップと、
を含む方法。
【請求項６】  前記第１の部分および第２の部分を有する第１の主表面を有する基材を設けるステップが、
（ａ）前記基材の前記第１の主表面の第２の部分に剥離要素を備える第１の主表面を有する基材を設けるステップと、
（ｂ）前記基材の前記第１の主表面の第２の部分に除去可能な細長片を備える第１の主表面を有する基材を設けるステップと、
を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】  ウエハを平坦化するための研磨物品を作製する方法であって、
（ａ）複数のキャビテイを有する製造工具を設けるステップと、
（ｂ）前記製造工具の第１の部分のキャビテイが実質的に研磨コーティング組成物で満たされ、前記製造工具の第２の部分の前記キャビテイが実質的に研磨コーティング組成物フリーであるように研磨コーティング組成物を前記複数のキャビテイに適用するステップと、
を含む方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
広域同期−符号分割多元接続（ＬＡＳ−ＣＤＭＡ）送信で、スペクトラム拡散変調のためにＬＳ符号を使用する送信に適応する通信システムにおいて：
マルチパス伝播遅延のプロフィールに基づいて干渉のない窓（ＩＦＷ）のサイズを決定すること；
各部分集合がＩＦＷの前記決定されたサイズの関数として多数のＬＳ符号を含む、ＬＳ符号の複数の集合を計算
すること；
複数の部分集合の中の第１のものを第一のセルへ割当てること；及び
複数の部分集合の中の第２のものを第一のセルに隣接する第二のセルへ割当てることを含む方法。
【請求項２】
計算はさらに：
第一のセルおよび第二のセルに適用するためにいくつかの部分集合を決定すること；
相互に関してゼロの相互相関を持つＬＳ符号の第一の部分集合を決定すること；及び
相互に関してゼロの相互相関を持つＬＳ符号の第二の部分集合を決定することを含む請求項１の方法。
【請求項３】
複数の部分集合の中の第１のものからＬＳ符号を持つ第一のセル内の移動局を識別すること；及び
複数の部分集合の中の第２のものからＬＳ符号を持つ第一のセルに隣接する第二のセル内の移動局
を識別することをさらに含む請求項１の方法。
【請求項４】
複数の部分集合の中の第１と第２のものの内のＬＳ符号の相互相関がＩＦＷ内でゼロである、請求項１の方法。
【請求項５】
ＩＦＷのサイズがＬＳ符号長に対応し、複数の部分集合を計算することが：
（Ｃ１：Ｓ１）；及び
（Ｃ２：Ｓ２）
として与えられる種の対を生成すること；
（Ｃ１   Ｃ２；Ｓ１   Ｓ２）
（Ｃ１ −Ｃ２；Ｓ１ −Ｓ２）
（Ｃ２   Ｃ１；Ｓ２   Ｓ１）
（Ｃ２ −Ｃ１；Ｓ２ −Ｓ１）、
として与えられる式の適用によるＬＳ符号長の複数のＬＳ符号を生成し、負記号が元の要素の二値補数である、請求項１の方法。
【請求項６】
さらに部分集合の数が少なくとも３である、請求項５の方法。
【請求項７】
広域同期−符号分割多元接続無線通信システムにおいて、
第一のセル内の第一の交信情報であって、ＬＳ符号の第一の部分集合内の第一のＬＳ符号によって第一のセル内の少なくとも一つの移動局を識別する第一の交信情報を送信すること；及び
第二のセル内の第二の交信情報であって、ＬＳ符号の第二の部分集合内の第二のＬＳ符号によって第二のセル内の少なくとも一つの移動局を識別する第二の交信情報を送信することを含み、
ここで、第一の部分集合内のどの二つのＬＳ符号間の相互相関も干渉のない窓内でゼロであり、第二の部分集合内のどの二つのＬＳ符号間の相互相関も干渉のない窓内でゼロである方法。
【請求項８】
ＬＳ符号の第一及び第二の部分集合が干渉のない窓によって定義されたＬＳ符号の集合の一部である、請求項７の方法。
【請求項９】
１２８符号を含むＬＳ符号の集合について、［−１、＋１］に等しい干渉のない窓は部分集合を形成するために６４の利用可能な符号に対応する、請求項８の方法。
【請求項１０】
干渉のない窓と部分集合を形成するための利用可能な符号の数の間の対応は樹枝構造に基づいている、請求項８の方法。
【請求項１１】
広域同期−符号分割多元接続無線通信システムにおける制御器において、
近隣のセル間の交信のため干渉のない窓を決定するための命令の第一の集合；及び
干渉のない窓、第一のセル中の移動局を識別するための第一の集合及び近隣のセル中の移動局を識別するための第二の集合に基づいてＬＳ符号の少なくとも二つの集合を決定するための命令の第二の集合を含み、
ここに、ＬＳ符号の二つの集合内のＬＳ符号は干渉のない窓内でゼロの相互相関を有する制御器。
【請求項１２】
ＬＳ符号の第一の集合を第一のセルにおける交信に割当てるための命令の第三の集合；及び
ＬＳ符号の第二の集合を第二のセルにおける交信に割当てるための命令の第四の集合をさらに含む請求項１１の制御器。
【請求項１３】
ＬＡＳ−ＣＤＭＡプロトコルを組込む無線通信システムにおいて、第一のセルが：
第一のＬＳ符号の集合であって、所定の第一の長さの複数のＬＳ符号を有し、第一のＬＳ符号の集合中の複数のＬＳ符号の各々は第一のＬＳ符号の集合において各々他のＬＳ符号に関してゼロの相関を有する、第一のＬＳ符号の集合を受信するのに適応したコンピュータ可読命令の第一の集合；及び
搬送波上でデータ信号を生成するのに適応したコンピュータ可読命令の第二の集合を含み、データ信号が：
第一のセル内の第一の移動ユーザに送信のためのヘッダ情報を含む第一の部分；及び
第一の移動ユーザに対応する第一のＬＳ符号で、第一のＬＳ符号の集合の一部である第一のＬＳ符号を含む第二の部分を含む第一のセル。
【請求項１４】
請求項１３の第一のセルによる動作に適応した無線装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
一実施例では、システム１０は移動ユーザのマルチパス伝播遅延のプロフィールに基づいてＩＦＷを選択する。ＩＦＷ内のＭＡＩ及びＩＳＩは低減できることに注目する。窓の外のＭＡＩ及びＩＳＩを除去、もしくは排除することはさらに難しい。ＩＦＷのサイズが増大するにつれて、ＩＦＷを維持するＬＳ符号の数は減少する。しかしながら、ＬＳ符号の部分集合の数は増加する。例えば、上で論じたように、１２８ビットのＬＳ符号長では、ＩＦＷ＝［−１、＋１］は６４ＬＳ符号の部分集合サイズとなる。合計では１２８の符合があるので、これは６４ＬＳ符号の二つの部分集合を可能にする。ＩＦＷ＝［−３、＋３］では、ＬＳ符号の部分集合サイズは結果として３２になり、従って１２８のＬＳ符号から形成される４個の部分集合がある。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年10月31日(2008.10.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｙスプリッタの複数の枝間に嵌合して挿入損失を減少させる光導波路であって、
第１の端部において第１の厚みを有し、第２の端部における第２の厚みへ減少する第１の区分と、
前記第１の区分に一体化した、前記第２の厚みに等しい実質的に一定の厚みを有する第２の区分と
を備え、
前記第２の区分が、前記第１の区分へ向けてバックテーパ化された複数の側壁を有する切り欠きを備え、
前記第２の区分の終端部が垂直な断面を有する光導波路。
【請求項２】
前記切り欠きの頂端が、形状が三角形、曲線的、および平坦のうちの１つである、請求項１に記載の光導波路。
【請求項３】
前記第１の区分の前記第１の厚みが、前記第２の厚みに向けて線形、放物線状、および指数関数的のうちの１つのように減少する、請求項１に記載の光導波路。
【請求項４】
前記第２の区分の前記複数の側壁が、線形、放物線状、および指数関数的なテーパのうちの１つを備える、請求項１に記載の光導波路。
【請求項５】
前記第１および前記第２の区分が、シリコンオンインシュレータ、シリカ、シリコンオキシナイトライド、リン化インジウム、および族ＩＩＩ−ＶおよびＩＩ−ＶＩからの他のいかなる化合物半導体材料のうちの１つを備える、請求項１に記載の光導波路。
【請求項６】
前記第２の厚みが、フォトレジストの最小限の破壊厚みである請求項１に記載の光導波路。
【請求項７】
光導波路の複数の指状構造の間の挿入損失を減少させるための方法であって、
導波路の複数の指状構造の間のスラブに対向し、前記スラブに最も近く、前記スラブの高さにほぼ等しく、第１の厚みから第２の厚みへ減少する、第１の区分を設ける段階と、
前記第１の区分と一体化して前記導波路の前記複数の指状構造の間に、前記第２の厚みに等しい実質的に一定の厚みを有する第２の区分を設ける段階と、
前記第２の区分内に、１つの中心軸に沿って、前記第１の区分へ向けてバックテーパ化された複数のテーパ側壁を備える切り欠きを設ける段階と
を備え、
前記第２の区分の終端部が垂直な断面を有する、
挿入損失を減少させるための方法。
【請求項８】
前記第１の区分の前記第１の厚みを、線形、放物線状、および指数関数的のうちの１つで前記第２の厚みに減少させる段階を更に備える、請求項７に記載の挿入損失を減少させるための方法。
【請求項９】
前記切り欠きの前記複数の側壁を、前記第１の区分に向けて、線形、放物線状、および指数関数的のうちの１つでバックテーパ化させる段階を更に備える、請求項８に記載の挿入損失を減少させるための方法。
【請求項１０】
前記切り欠きの頂端を、三角形状、曲線状、および平坦のうちの１つに形成する段階を更に備える、請求項８に記載の挿入損失を減少させるための方法。
【請求項１１】
前記第１および前記第２の区分を、シリコンオンインシュレータ、シリカ、シリコンオキシナイトライド、リン化インジウム、および族ＩＩＩ−ＶおよびＩＩ−ＶＩから成る他の任意の化合物半導体材料のうちの１つから形成する段階を更に備える、請求項７に記載の挿入損失を減少させるための方法。
【請求項１２】
前記第２の厚みが、フォトレジストの最小限の破壊厚みである請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
光導波路であって、
スラブと、
前記スラブから延びる少なくとも２つの指状構造と、
前記指状構造の間の挿入損失を低減させる垂直テーパ部と、
を備え、
前記垂直テーパ部が、
第１の端部において第１の厚みを有し、第２の端部における第２の厚みへと減少する第１の区分と、
前記第１の区分に一体化した、前記第２の厚みに等しい実質的に一定の厚みを有する第２の区分とを有し、
前記第２の区分が、前記第１の区分へ向けてバックテーパー化された複数の側壁を有する切り欠きを有し、
前記第２の区分の終端部が垂直な断面を有する光導波路。
【請求項１４】
前記切り欠きの頂端が、形状が三角形、曲線的、および平坦のうちの１つである、請求項１３に記載の光導波路。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
波長分割多重（ＷＤＭ）は、単一のファイバを１つの高性能情報管に変貌させた。この変貌を生じさせた数多くのデバイスのうち、アレイ導波路格子（ＡＷＧ）は、重要な構成要素の一つであった。複数のＡＷＧは、数多くの互いに異なる周波数チャンネルを１つの単一のファイバ上に同時に多重化および多重分離化することが可能な、非常に汎用性のあるデバイスである。複数の他の平面光波デバイスと共に一体化すると、ＡＷＧは、光交差接続および光アド／ドロップ多重化などの、数多くの極めて重要な機能を行いうる。複数のＡＷＧの性能を向上させる継続的な動きがある。ＡＷＧの挿入損失は、システム内の電力了を決定する複数の重要な性能要素の１つである。
なお、本出願に対応する外国の特許出願においては下記の文献が発見または提出されている。
【特許文献１】米国特許第６５８７６０４号明細書
【特許文献２】特開平９−０６１６５２号公報
【特許文献３】米国特許出願公開第２００３／０２２３７１９号明細書
【特許文献４】欧州特許出願公開第０８８１５１２号明細書
【特許文献５】英国特許出願公開第２２７８５４号明細書
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年8月27日(2008.8.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
ポリマーブレンドまたはモノマーユニットのブロックを含むブロックコポリマーを成形すること、大気圧を超える圧力で前記ポリマーブレンドまたはブロックコポリマーに発泡ガスを供給すること、前記発泡ガスが供給されたポリマーブレンドまたはブロックコポリマーを、臨界ガス濃度を超える前記ポリマーブレンドまたはブロックコポリマー内のガス濃度でおよび臨界温度を下回るがポリマー／ガス混合物またはブロックコポリマー／ガス混合物のガラス転移温度を超える温度で発泡させること、および最終的に、発泡体構造を前記ポリマーブレンド／ガス混合物またはブロックコポリマー／ガス混合物のガラス転移温度を下回る温度まで冷却して安定化させることにより製造され得る膜であって、前記ポリマーブレンドとして少なくとも１種の親水性および少なくとも１種の疎水性ポリマーを含む均質ポリマーブレンド、および／または親水性および疎水性モノマーユニットの交互ブロックからなるブロックコポリマーが用いられ、前記ポリマーブレンドとブロックコポリマーの両方が使用した発泡ガスに対して臨界ガス濃度を超える溶解性を有することを特徴とする膜。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５】
成形後のポリマーブレンドまたはブロックコポリマーにポリマーブレンド／ガス混合物またはブロックコポリマー／ガス混合物のガラス転移温度を下回る温度で発泡ガスを供給し、次いで、ポリマーブレンド／ガス混合物またはブロックコポリマー／ガス混合物のガラス転移温度を超えるが、ポリマーブレンド／ガス混合物またはブロックコポリマー／ガス混合物の臨界温度を下回る温度に温度を上昇させることにより発泡させることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項記載の膜。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項６】
成形後、ポリマーブレンド／ガス混合物またはブロックコポリマー／ガス混合物のガラス転移温度を超えるが、ポリマーブレンド／ガス混合物またはブロックコポリマー／ガス混合物の臨界温度を下回る温度で、混合物に発泡ガスを供給し、その後、圧力減少により発泡させることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項記載の膜。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年8月26日(2008.8.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
身体サンプル中の疾患関連細胞を検出するための方法であって、該身体サンプルの細胞が、以下の構成要素：
ａ）細胞中の病理学的変化に起因する変更された活性を示す転写因子に結合するための、少なくとも１つのＤＮＡ部位を含むプロモーターエレメント、および
ｂ）病的な細胞を検出可能であり、次いでトランスフェクトされた細胞を検出するレポーター遺伝子、
を含む核酸構築物でトランスフェクトされる方法であって、該核酸構築物がウイルスベクターを用いて該身体サンプルの細胞に導入されることを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記核酸構築物が、ＴＣＦ／ＬＥＦ−１、ｊｕｎ、ｆｏｓ、ｍｙｃ、ｍａｘ、ｍｙｂ、Ｅ２Ｆ、ＤＰ１、ＣＲＥＢ、ｐ５３、ＮＦｋＢ、ＮＦＡＴ、ＰＰＡＲ、ＥＳＴ、ＥＬＫ１、ＡＴＦ、ＤＰＣ、ＳＭＡＤ、ＣＨＯＰ、ＭＥＦ、ＭＡＤＨ４、ＧＲ、ＥＲ、ＳＴＡＴ、ＳＲＦ、ＩＳＲＥ、ＳＲＥ、ＨＳＥ、ＡＰ１およびＣＲＥ、の群由来の、転写因子または応答エレメントに結合するための部位を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記レポーター遺伝子が、その酵素の性質、蛍光の性質または構造の性質に基づいて検出され得ることを特徴とする、請求項１〜２に記載の方法。
【請求項４】
前記レポーター遺伝子が、酵素のカスケードの活性化または阻害に基づいて検出され得ることを特徴とする、請求項１〜２に記載の方法。
【請求項５】
単離された細胞を、増殖、分化、アポトーシス、運動性および代謝活性に関して細胞の活動を変更し得る物質と接触させることを特徴とする、請求項１〜４に記載の方法。
【請求項６】
前記身体サンプルが、癌性に変更された細胞を含むことを特徴とする、請求項１〜５に記載の方法。
【請求項７】
前記プロモーター領域が、ＷｎｔまたはＲａｓシグナル形質導入カスケードの変更された活性ならびに転写因子ｍｙｃおよびｐ５３によって影響されることを特徴とする、請求項１〜６に記載の方法。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法を実施するための試薬を含むキット。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
（詳細な説明）
本発明は、細胞特異的な様式で、身体サンプル中でレポーター遺伝子を発現する核酸構築物に関する。レポーター遺伝子構築物は、以下の成分：ａ）それらの細胞特異的活性またはＤＮＡ結合部位の鎖状配置もしくは特定の組み合わせに起因して、特定の細胞中で過剰に活性である転写因子と結合するための、少なくとも１つ（しかし、好ましくは、いくつか）のＤＮＡ部位、または、標的領域への核酸構築物の挿入または組み込みに影響を及ぼす組換え的に関係する領域を含む、プロモーターエレメント、ｂ）これらの特異的な細胞を検出することを可能にするレポーター遺伝子、を含む。その細胞は、好ましくは、血液中に存在する細胞がレポーター遺伝子構築物で効率的にトランスフェクトされ得るウイルス発現系を用いてトランスフェクトされる。これに関連して、特定の優先性が、それらのトランスフェクション系に与えられる。それらの細胞型の優先性に起因して、レポーター遺伝子の発現にさらなる特異性をもたらす。レポーター遺伝子が発現するレベルは、その後、手動でかまたは自動的方法を用いて決定され得る。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月8日(2008.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノード・アクティビティに基づいて臨時ワイヤレス・ネットワーク内の通信を制御するための方法において，
アルゴリズムを使用して，あるノードでのアクティビティ・レベルを決定するステップであって，前記ノードが前記ネットワーク内の少なくとも１つの他の隣接ノードに情報を送信する際の情報交換率を前記ノードが有する，前記決定するステップと，
前記アクティビティ・レベルの変化に応答して前記情報交換率を変更するステップとを含み，
前記アルゴリズムが
合計＝新しい宛先＋新しい次のホップ＋新しい経路指定長＋削除された宛先
という式に応じて前記アクティビティ・レベルを決定し，
ここで，合計は前の情報更新からの１つまたは複数の偏差の合計を表わし，「新しい宛先」は前記ノードが到達可能な新しい宛先の数を表し，「新しい次のホップ」は前記ノードが実現可能な経路変更の数を表し，「新しい経路指定長」は前記ノードからの経路のうち，その長さが変化した経路の数を表し，「削除された宛先」は前記ノードがもはや到達不能な宛先の数を表す，方法。
【請求項２】
前記アクティビティ・レベルが，
前記ノードが他のノードおよび／または他のネットワークと通信する際の周波数によって定義される第１の成分と，
前記ネットワーク内で前記ノードの位置が変化する際の率によって定義される第２の成分を含む，請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ノードがデータ・パケットの形で前記情報を送信する，請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記情報が前記ノードに関する経路指定情報を含む，請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記変更ステップが，それぞれ前記アクティビティの増加または減少に応答して前記情報交換率を増加または減少する，請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記アクティビティ・レベルが最低であるときに前記情報交換率が最小値を有する，請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ノードが，センサ，モバイル・デバイス，ルータ，またはインテリジェント・アクセス・ポイントを含む，請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ノード・アクティビティに基づいてその通信を制御するように動作する臨時通信ネットワーク内のノードにおいて，前記ノードが，
アルゴリズムを使用して，前記ノードでのアクティビティ・レベルを決定するコントローラであって，前記ノードが前記ネットワーク内の少なくとも１つの他の隣接ノードに情報を送信する際の情報交換率を前記ノードが有するコントローラを含み，
前記コントローラが，前記アクティビティ・レベルの変化に応答して前記情報交換率をさらに変更する，前記ノードであって，
前記アルゴリズムが
合計＝新しい宛先＋新しい次のホップ＋新しい経路指定長＋削除された宛先
という式に応じて前記アクティビティ・レベルを決定し，
ここで，合計は前の情報更新からの１つまたは複数の偏差の合計を表わし，「新しい宛先」は前記ノードが到達可能な新しい宛先の数を表し，「新しい次のホップ」は前記ノードが実現可能な経路変更の数を表し，「新しい経路指定長」は前記ノードからの経路のうち，その長さが変化した経路の数を表し，「削除された宛先」は前記ノードがもはや到達不能な宛先の数を表す，ノード。
【請求項９】
前記アクティビティ・レベルが，
前記ノードが他のノードおよび／または他のネットワークと通信する際の周波数によって定義される第１の成分と，
前記ネットワーク内で前記ノードの位置が変化する際の率によって定義される第２の成分を含む，請求項８に記載のノード。
【請求項１０】
データ・パケットの形で前記情報を送信するように適合された送信機をさらに含む，請求項８に記載のノード。
【請求項１１】
前記情報が前記ノードに関する経路指定情報を含む，請求項８に記載のノード。
【請求項１２】
前記コントローラが，それぞれ前記アクティビティの増加または減少に応答して前記情報交換率を増加または減少する，請求項８に記載のノード。
【請求項１３】
前記アクティビティ・レベルが最低であるときに前記情報交換率が最小値を有する，請求項８に記載のノード。
【請求項１４】
前記ノードが，センサ，モバイル・デバイス，ルータ，またはインテリジェント・アクセス・ポイントを含む，請求項８に記載のノード。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年8月19日(2008.8.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
前記ＨＴＳ材料は、円、矩形、多角形及びそれらと同等なものであって伝送ラインによって相互に接続されている如何なる適切な形の共振構造を形成するために、前記誘電体基板に提供されることが好ましい。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
本発明の好ましい実施例によると、直径２０ミクロンから５ｍｍの毛管経路が、ＨＴＳ材料が形成された基板内に形成されてもよい。もう一つの方法として、後述のとおり、ナノチューブ毛管を用いてもよい。このように、基板が平面フィルターの誘電体プレートの形をしている時、ナノチューブの毛管が用いられてもよい。もう一つの方法として、基板が共振型フィルターの毛管を形成するチューブ又はブロックである場合、上述したように使われてもよい。何れの場合であっても、フィルターの活性層又はフィルターの機能上の構成要素を形成しているＨＴＳ層又はＨＴＳリブに接する毛管経路を通って、連続した冷媒
の流れが通過する。もう一つの方法として、基板は、透過性材料からなるようにしもよく、冷媒は、その透過性材料の隙間を通って通過する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
図１０及び図１１に示される他の実施例のように、プレート４９Ａは、セラミック材料のような適切な透過性材料によって形成されてもよい。この配置において、図１１によって最もよく示されているように、ガス状の冷媒６１が連結管の排気口５６から入り、連結管６０の排気口５７を通って出る前に、プレート４９Ａの透過性材料中に広がる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月9日(2008.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノパーティクルのエマルジョンを含む組成物であって、
前記ナノパーティクルは、脂質／界面活性剤でコーティングされた液体ペルフルオロカーボンのコアから構成されること、
前記ナノパーティクルは、以下の式：
2005525319.tif 000001
からなるαｖβ３特異的リガンドに結合されること、
前記ナノパーティクルと前記リガンドとの結合は、前記脂質／界面活性剤コーティングの成分とのスペーサーを介した共有結合であること、及び
前記ナノパーティクルは、少なくとも１つの生理活性剤及び／又は少なくとも１つのイメージング剤を含むこと
を特徴とする組成物。
【請求項２】
前記残基（リガンド）は、ホスファチジルリピドである脂質／界面活性剤コーティングの成分とスペーサーを介して結合すること
を特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記脂質／界面活性剤コーティングの成分に結合するリガンドは、以下の式
2005525319.tif 000002
からなること
を特徴とする請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記生理活性剤は、ホルモン又は医薬であること
を特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の組成物。
【請求項５】
前記医薬は、抗腫瘍薬、ホルモン、鎮痛薬、麻酔薬、神経筋遮断薬、抗菌剤、駆虫薬、抗ウイルス薬、インターフェロン、抗糖尿病薬、抗ヒスタミン薬、鎮咳薬、抗凝血薬又は抗増殖薬であること
を特徴とする請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記医薬は、抗増殖薬であること
を特徴とする請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記医薬は、パクリタキセル又はラパマイシンであること
を特徴とする請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記イメージング剤は、少なくとも１つの核磁気共鳴造影法（ＭＲＩ）用造影剤であること
を特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の組成物。
【請求項９】
前記ＭＲＩ用造影剤は、キレート化された常磁性イオンであること
を特徴とする請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
前記常磁性イオンは、ガドリニウムイオンであること
を特徴とする請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
αｖβ３を発現する組織を標的とするナノパーティクルのエマルジョンの調製用キットであって、
該キットは、以下の式
2005525319.tif 000003
からなるαｖβ３特異的リガンドと結合するための結合成分を含むナノパーティクルを含む少なくとも１つのコンテナを含むこと、
少なくとも１つのコンテナは、前記リガンドを含むこと、及び
前記ナノパーティクルは、脂質／界面活性剤でコーティングされた液体ペルフルオロカーボンのコアから構成されること
を特徴とするキット。
【請求項１２】
以下の式
2005525319.tif 000004
からなるリガンドがスペーサーを介して脂質／界面活性剤に共有結合してなる複合体。
【請求項１３】
前記液体／界面活性剤は、リン脂質であること
を特徴とする請求項１２に記載の複合体。
【請求項１４】
前記スペーサーは、ポリアルキレングリコール及び／又はペプチドを含むこと
を特徴とする請求項１２に記載の複合体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
好ましいエマルジョンは、コアとしての高沸点ペルフルオロカーボンと、１又は２以上の所望の成分の多数のコピーをナノパーティクルに結合するための媒体を提供する脂質／界面活性剤混合物である外被を含むナノパーティクルシステムである。基礎パーティクルの構築及び該パーティクルを含むエマルジョンの形成は、外表面に結合する成分に関わらず、上掲米国特許ないし特許出願第5,690,907号及び同第5,780,010号；及び娘出願に発行された米国特許第5,989,520号及び同第5,958,371号に記載されている。これら文献は、引用を以って本書に繰り込み、ここに記載されているものとする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
脂質／界面活性剤被覆ナノパーティクルは、典型的には、コアを形成するフルオロカーボン脂質と、エマルジョンを形成するための水性媒体中の浮遊物（分散質）の外層を形成する脂質／界面活性剤混合物との混合物のマイクロ流動化（microfluidizing）によって形成される。この方法では、脂質／界面活性剤は、ナノパーティクルを被覆する前に付加的リガンドと結合していてもよく、又は単に後のカップリングのための活性基を含んでいてもよい。或いは、脂質／界面活性剤層に含有されるべき成分は、補助材料（物質）の溶解特性によって、当該層に単に溶解するだけでもよい。水性媒体中の脂質／界面活性剤の浮遊物を得るために、超音波処理及び他の技術が必要となることもある。典型的には、脂質／界面活性剤外層中の複数の材料の少なくとも１つは、所望の付加的成分と結合するのに有用なリンカー又は官能基を含み、又は当該成分は、エマルジョンが調製されるときには既に当該材料と結合していてもよい。