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【手続補正書】
【提出日】平成20年7月30日(2008.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式：Ｌｕ(2-y)Ｙ(y-z-x)ＣｅxＭzＳｉ(1-v)Ｍ’vＯ5
（式中、
Ｍは、二価のアルカリ土類金属イオンを表し、そしてＭ’は、三価の金属を表し；
（ｚ＋ｖ）は、０．０００１以上、及び０．２以下であり；
ｚは、０以上、及び０．２以下であり；
ｖは、０以上、及び０．２以下であり；
ｘは、０．０００１以上、及び０．１以下であり；そして
ｙは、（ｘ＋ｚ）〜１の範囲にわたる。）
の無機シンチレーター物質。
【請求項２】
（ｚ＋ｖ）が０．０００２以上であることを特徴とする、請求項１に記載の物質。
【請求項３】
（ｚ＋ｖ）が０．０５以下であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の物質。
【請求項４】
（ｚ＋ｖ）が０．０１以下であることを特徴とする、請求項３に記載の物質。
【請求項５】
（ｚ＋ｖ）が０．００１以下であることを特徴とする、請求項４に記載の物質。
【請求項６】
ｘが０．０００１より大きく、そして０．００１未満であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の物質。
【請求項７】
ＭがＣａ、Ｍｇ及びＳｒから選択されることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の物質。
【請求項８】
Ｍ’がＡｌ、Ｉｎ及びＧａから選択されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の物質。
【請求項９】
ｖが０であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の物質。
【請求項１０】
ＭがＣａであることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の物質。
【請求項１１】
ｚが０であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の物質。
【請求項１２】
Ｍ’がＡｌであることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の物質。
【請求項１３】
単結晶物質であることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の物質。
【請求項１４】
チョクラルスキー法により得られることを特徴とする、請求項１３に記載の単結晶のシンチレーター物質の成長方法。
【請求項１５】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の無機シンチレーター物質を含む、シンチレーション検出器。
【請求項１６】
請求項１５に記載の検出器を含む、ＣＴ（コンピュータ断層撮影）スキャナー。
【請求項１７】
特に、産業用途、医療分野及び／又は石油の掘削の探知向けのシンチレーション検出器の成分として、シンチレーター物質の特許請求の範囲のいずれか一項に記載のシンチレーター物質の使用。
【請求項１８】
ＣＴスキャナーの成分、及び／又はＰＥＴ（ポジトロン放出断層撮影）スキャナー、特に飛行時間測定型ＰＥＴスキャナーの成分として、前記シンチレーター物質の特許請求の範囲のいずれか一項に記載のシンチレーター物質の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本件出願人は、ＬＹＳＯ−タイプの組成物に、二価のアルカリ土類金属Ｍ及び／又は三価の金属Ｍ’を加えることにより、残光が、非常に大きく減少することを見出した。特に、ＭはＣａ、Ｍｇ又はＳｒであることができる（二価のカチオンの状態）。特に、Ｍ’は、Ａｌ、Ｇａ又はＩｎであることができる（三価のカチオンの状態）。上記元素Ｍは、Ｙ又はＬｕを置換し、そして上記元素Ｍ’は、Ｓｉを置換する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明に従うシンチレーター物質は、次の式：
Ｌｕ(2-y)Ｙ(y-z-x)ＣｅxＭzＳｉ(1-v)Ｍ’vＯ5  （式Ｉ）
（式中、
Ｍは、二価のアルカリ土類金属、例えば、Ｃａ、Ｍｇ又はＳｒを表し、そしてＭ’は、三価の金属、例えば、Ａｌ、Ｇｅ又はＩｎを表し、
（ｚ＋ｖ）は、０．０００１以上、及び０．２以下であり；
ｚは、０以上、及び０．２以下であり；
ｖは、０以上、及び０．２以下であり；
ｘは、０．０００１、及び０．１以下であり；そして
ｙは、（ｘ＋ｚ）〜１の範囲にわたる。）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本件出願人は、特定の理論に縛られることなく、三価の希土類イオンを置換する二価のアルカリ土類金属イオンＭを導入するか、又は四価のケイ素原子を置換する三価の金属イオンＭ’を導入することにより、残光の原因となる電子トラップを制限する正電荷欠乏が作り出されると推測している。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月11日(2008.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオード（ＬＥＤ）光エンジンを制御する制御装置において、
ＬＥＤ光エンジンにおける温度を感知するように構成されている温度センサと、
ＬＥＤ光エンジンの駆動電流を感知するように構成されている電流センサと、
ＬＥＤ光エンジンのＬＥＤにかかる電圧差を感知するように構成されている電圧センサと、
ＬＥＤ光エンジンの動作時間を監視するように構成されているタイマと、
ＬＥＤ光エンジンが、ＬＥＤ光エンジンの有効寿命中、同一の所望の光出力を出力するように、感知された温度、感知された駆動電流、感知された電圧差、および監視された動作時間に基づいて、ＬＥＤ光エンジンに対する駆動電流を制御するように構成されている制御デバイスとを具備する制御装置。
【請求項２】
制御デバイスは、感知された駆動電流の時間に対する積分に基づいて、ＬＥＤ光エンジンの駆動電流を制御する請求項１記載の制御装置。
【請求項３】
制御デバイスは、強度低下係数をＬＥＤの温度および色と相関させている記憶された強度低下係数データと感知された温度との比較に基づいて、ＬＥＤの光出力を維持するように駆動電流を制御する請求項１記載の制御装置。
【請求項４】
制御デバイスは、強度低下係数を時間と相関させている記憶されたデータと監視された時間との比較に基づいて、ＬＥＤの光出力を維持するように駆動電流を制御する請求項１記載の制御装置。
【請求項５】
制御デバイスは、強度低下係数データが予め定められたしきい値を超えているか否かの表示をさらに出力する請求項１記載の制御装置。
【請求項６】
表示は、ＯＮまたはＯＦＦ状態からのＬＥＤ光エンジンの遷移における予め定められた期間に対するＬＥＤ光エンジンへの駆動電流の強度の変化である請求項５記載の制御装置。
【請求項７】
発光ダイオード(ＬＥＤ)光エンジンを制御する制御装置において、
ＬＥＤ光エンジンの低下勾配が予め定められたしきい値を超えているか否かを決定するように構成され、低下勾配が予め定められたしきい値を超えていることが決定されたときに、ＯＮまたはＯＦＦ状態からのＬＥＤ光エンジンの遷移における予め定められた期間に対するＬＥＤ光エンジンへの駆動電流の強度を変化させるように構成されている制御デバイスを具備する制御装置。
【請求項８】
発光ダイオード(ＬＥＤ)光エンジンを制御する制御装置において、
ＬＥＤ光エンジンにおける温度を感知する手段と、
ＬＥＤ光エンジンの駆動電流を感知する手段と、
ＬＥＤ光エンジンのＬＥＤにかかる電圧差を感知する手段と、
ＬＥＤ光エンジンの動作時間を監視する手段と、
ＬＥＤ光エンジンが、ＬＥＤ光エンジンの有効寿命中、同一の所望の光出力を出力するように、感知された温度、感知された駆動電流、感知された電圧差、および監視された動作時間に基づいて、ＬＥＤ光エンジンに対する駆動電流を制御する手段とを具備する制御装置。
【請求項９】
制御する手段は、感知された駆動電流の時間に対する積分に基づいて、ＬＥＤ光エンジンの駆動電流を制御する請求項８記載の制御装置。
【請求項１０】
制御する手段は、強度低下係数をＬＥＤの温度および色と相関させている記憶された強度低下係数データと感知された温度との比較に基づいて、ＬＥＤの光出力を維持するように駆動電流を制御する請求項８記載の制御装置。
【請求項１１】
制御する手段は、強度低下係数を時間と相関させている記憶されたデータと監視された時間との比較に基づいて、ＬＥＤの光出力を維持するように駆動電流を制御する請求項８記載の制御装置。
【請求項１２】
制御する手段は、強度低下係数データが予め定められたしきい値を超えているか否かの表示をさらに出力する請求項８記載の制御装置。
【請求項１３】
表示は、ＯＮまたはＯＦＦ状態からのＬＥＤ光エンジンの遷移における予め定められた期間に対するＬＥＤ光エンジンへの駆動電流の強度の変化である請求項１２記載の制御装置。
【請求項１４】
発光ダイオード(ＬＥＤ)光エンジンを制御する制御装置において、
ＬＥＤ光エンジンの低下勾配が予め定められたしきい値を超えているか否かを決定し、低下勾配が予め定められたしきい値を超えていることが決定されたときに、ＯＮまたはＯＦＦ状態からのＬＥＤ光エンジンの遷移における予め定められた期間に対するＬＥＤ光エンジンへの駆動電流の強度を変化させるように制御する手段を具備する制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月1日(2008.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの開口を備えるチェンバと、このチェンバ内に配置された複数のＬＥＤエレメントとを有し、実効的に前記チェンバの全内側表面が、所望の波長領域内の光に対して非吸収的である高反射性表面として実現されている光エンジン。
【請求項２】
請求項１に記載の光エンジンにおいて、前記ＬＥＤエレメントにより放出される光の前記チェンバ内への出力結合を向上させる出力結合手段を有する光エンジン。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の光エンジンにおいて、前記高反射性表面が、前記チェンバの壁の内側表面上に分布される拡散反射性材料により実現される光エンジン。
【請求項４】
請求項３に記載の光エンジンにおいて、前記拡散反射性材料が、透明被覆板と前記チェンバの壁の内側表面との間に封入されている光エンジン。
【請求項５】
請求項３又は請求項４に記載の光エンジンにおいて、前記拡散反射性材料が反射性乾燥粉末を有する光エンジン。
【請求項６】
請求項４又は請求項５に記載の光エンジンにおいて、前記透明被覆板が前記ＬＥＤエレメントを覆い、前記出力結合手段が、各々が対応するＬＥＤエレメントの光放出面から前記透明被覆板まで延びる複数の透明出力結合エレメントを有する光エンジン。
【請求項７】
請求項６に記載の光エンジンにおいて、前記透明出力結合エレメントが、当該透明出力結合エレメントと対応するＬＥＤエレメントとの間の境界におけるよりも当該出力結合エレメントと前記透明被覆板との間の境界において一層広い断面を有する光エンジン。
【請求項８】
請求項１ないし７の何れか一項に記載の光エンジンにおいて、前記出力結合手段が、各々が対応するＬＥＤエレメントの光放出面に光学的に結合された透明なドームを有する光エンジン。
【請求項９】
請求項８に記載の光エンジンにおいて、前記ドームが、前記ＬＥＤエレメントが取り付けられた前記チェンバの壁を被覆する被覆板の孔を介して突出する光エンジン。
【請求項１０】
請求項３ないし９の何れか一項に記載の光エンジンにおいて、前記チェンバの壁の内側表面上に分布された前記反射性材料が、光変換物質を有する光エンジン。
【請求項１１】
請求項１ないし１０の何れか一項に記載の光エンジンにおいて、異なる波長のＬＥＤエレメントが前記チェンバ内に配置されている光エンジン。
【請求項１２】
請求項１ないし１１の何れか一項に記載の光エンジンにおいて、前記チェンバの前記開口に配置された光コリメートエレメントを有する光エンジン。
【請求項１３】
請求項１ないし１２の何れか一項に記載の光エンジンにおいて、前記チェンバが、前記透明被覆板、前記出力結合手段、前記コリメートエレメント、又は前記ＬＥＤエレメントの屈折率に一致する屈折率を有する材料により充填されているような光エンジン。
【請求項１４】
請求項１３に記載の光エンジンにおいて、前記材料が、前記ＬＥＤエレメントの前端冷却にも使用される液体材料である光エンジン。
【請求項１５】
請求項１ないし１４の何れか一項に記載の光エンジンにおいて、前記開口の表面面積を含む当該光エンジンの全内部表面面積に対する前記開口の表面面積の比により定義される開口割合が、０.１５以下である光エンジン。
【請求項１６】
請求項１ないし１５の何れか一項に記載の光エンジンを含む自動車用ライトシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月1日(2008.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
プログラムがマイクロコンピュータまたはマイクロコントローラにロードされた場合に、請求項１ないし９の何れか１つに記載の方法を実行するためのプログラムコード手段を備えるデータ処理の前記プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月4日(2008.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
開口部を有する構造であって、断面図から、前記開口部における前記構造が負傾斜を有し、平面図から、各開口部が有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する構造と、
前記構造の上にあり前記開口部内にある第１の電極であって、前記構造の上にあり前記開口部内にある前記第１の電極の部分が、互いに接続される第１の電極と
を含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
基板と、
前記基板の上にある第１の構造であって、
断面図から、前記第１の構造が負傾斜を有し、
平面図から、前記第１の構造が第１のパターンを有する
第１の構造と、
前記基板の上にある第２の構造であって、
断面図から、前記第２の構造が負傾斜を有し、
平面図から、前記第２の構造が、前記第１のパターンと異なった第２のパターンを有し、
前記第１の構造が、前記第２の構造と接触する部分を有する
第２の構造と
を含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項３】
電子デバイスを形成するための方法であって、
負傾斜と開口部とを有する構造を形成する工程であって、平面図から、各開口部が、有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する工程と、
有機活性層を前記開口部内に堆積させる工程であって、前記有機活性層が液体組成物を有する工程と、
前記構造および前記有機活性層の上にあり、前記開口部内にある第１の電極を形成する工程であって、前記構造の上にあり、前記開口部内にある前記第１の電極の部分が、互いに接続される工程と
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
利益、他の利点、および問題の解決策を、特定の実施形態に関して上述した。しかし、利益、利点、問題の解決策、および、いかなる利益、利点、または解決策が生じるかより顕著になることを引起し得るいかなる要素も、特許請求の範囲のいずれかまたはすべての、重要な、必要な、または本質的な特徴または要素と解釈されるべきでない。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  基板と、
開口部を有する構造であって、断面図から、前記開口部における前記構造が負傾斜を有
し、平面図から、各開口部が有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する構
造と、
前記構造の上にあり前記開口部内にある第１の電極であって、前記構造の上にあり前記
開口部内にある前記第１の電極の部分が、互いに接続される第１の電極と
を含むことを特徴とする電子デバイス。
［２］  前記有機電子構成要素が、有機活性層を含むことを特徴とする［１］に記載の電子デバイス。
［３］  前記構造の表面が、疎水性であることを特徴とする［２］に記載の電子デバイス。
［４］  前記基板と前記構造との間にある第２の電極をさらに含むことを特徴とする［１］に記載の電子デバイス。
［５］  前記第２の電極が、親水性である表面を有することを特徴とする［４］に記載の電子デバイス。
［６］  前記基板が、前記有機電子構成要素に結合されたドライバ回路を含むことを特徴とする［１］に記載の電子デバイス。
［７］  基板と、
前記基板の上にある第１の構造であって、
断面図から、前記第１の構造が負傾斜を有し、
平面図から、前記第１の構造が第１のパターンを有する
第１の構造と、
前記基板の上にある第２の構造であって、
断面図から、前記第２の構造が負傾斜を有し、
平面図から、前記第２の構造が、前記第１のパターンと異なった第２のパターンを有
し、
前記第１の構造が、前記第２の構造と接触する部分を有する
第２の構造と
を含むことを特徴とする電子デバイス。
［８］  前記第１の構造が開口部を含み、平面図から、各開口部が、有機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有することを特徴とする［７］に記載の電子デバイス。
［９］  少なくとも前記第１の構造および前記第２の構造の部分の上にある電極をさらに含むことを特徴とする［８］に記載の電子デバイス。
［１０］  前記電極が、前記開口部内にあり、前記開口部間で連続していることを特徴とする［９］に記載の電子デバイス。
［１１］  前記有機電子構成要素が、有機活性層を含むことを特徴とする［８］に記載の電子デバイス。
［１２］  前記第２の構造が、前記第１の構造の厚さより少なくとも１．５倍大きい厚さを有することを特徴とする［７］に記載の電子デバイス。
［１３］  前記第１の構造が、約３マイクロメートル以下の厚さを有することを特徴とする［７］に記載の電子デバイス。
［１４］  前記第２の構造が、少なくとも約３マイクロメートルの厚さを有することを特徴とする［７］に記載の電子デバイス。
［１５］  前記基板と前記第１の構造との間の電極をさらに含むことを特徴とする［７］に記載の電子デバイス。
［１６］  前記電極が、親水性である表面を有することを特徴とする［１５］に記載の電子デバイス。
［１７］  前記電子デバイスが、パッシブマトリックスディスプレイを含むことを特徴とする［７］に記載の電子デバイス。
［１８］  前記第１の構造および前記第２の構造が、疎水性である表面を有することを特徴とする［７］に記載の電子デバイス。
［１９］  電子デバイスを形成するための方法であって、
負傾斜と開口部とを有する構造を形成する工程であって、平面図から、各開口部が、有
機電子構成要素の周囲に実質的に対応する周囲を有する工程と、
有機活性層を前記開口部内に堆積させる工程であって、前記有機活性層が液体組成物を
有する工程と、
前記構造および前記有機活性層の上にあり、前記開口部内にある第１の電極を形成する
工程であって、前記構造の上にあり、前記開口部内にある前記第１の電極の部分が、互い
に接続される工程と
を含むことを特徴とする方法。
［２０］  前記構造を形成する前に第２の電極を形成する工程をさらに含み、前記構造を形成した後、前記第２の電極の部分が前記開口部の底部に沿って露出されることを特徴とする［１９］に記載の方法。
［２１］  前記液体組成物が、９０度未満の濡れ角で前記第２の電極と接触することを特徴とする［２０］に記載の方法。
［２２］  前記液体組成物が、少なくとも４５度の濡れ角で前記構造と接触することを特徴とする［２０］に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月17日(2008.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影対物レンズの物体面上に配置されたパターンを投影対物レンズの像面に縮小結像尺度で結像するために構成された投影対物レンズであって、複数の光学素子を有し、複数の光学素子が投影対物レンズの光軸に沿って配置されていて、投影対物レンズに対して凸状に湾曲した物体面が平面的な像面に結像されるように投影対物レンズの限定像視野湾曲が設定されるように、複数の光学素子が構成されている投影対物レンズ。
【請求項２】
物体面が湾曲していて、光軸に対して垂直な少なくとも一方向の有効物体面湾曲が、マスクの重力に左右されるマスク曲がりから生じる表面湾曲に実質的に対応するようになっている、請求項１に記載の投影対物レンズ。
【請求項３】
有効物体面湾曲が、実質的に円筒形のマスクの重力に左右される曲がりに対応する、請求項２に記載の投影対物レンズ。
【請求項４】
投影対物レンズが、走査方向に移動されるマスクと使用するように構成されており、物体面が湾曲していて、走査方向でスキャナ組み込み式の物体面湾曲がマスクの重力に左右される曲がりによって生じる表面湾曲に対応するようになっている、請求項１に記載の投影対物レンズ。
【請求項５】
投影対物レンズの少なくとも１つの光学素子が、少なくとも１つの非回転対称面を支持する、請求項１に記載の投影対物レンズ。
【請求項６】
非回転対称面が、像視野湾曲に影響を与えるように構成された円環状面である、請求項５に記載の投影対物レンズ。
【請求項７】
投影対物レンズが、像視野湾曲を除いたすべての視野依存像エラーに関して実質的に補正される、請求項１に記載の投影対物レンズ。
【請求項８】
投影対物レンズが、像視野湾曲を除いたすべての像エラーに関して実質的に補正される、請求項１に記載の投影対物レンズ。
【請求項９】
投影対物レンズが、像側開口数ＮＡ＞０．８を有する、請求項１に記載の投影対物レンズ。
【請求項１０】
｜ＲＰ｜がペッツヴァル和の大きさであり、かつ、ＤＯＦが投影対物レンズの焦点深度であるとき、｜ＲＰ｜≧０．１ＤＯＦが当てはまる、請求項１に記載の投影対物レンズ。
【請求項１１】
投影対物レンズの物体面上に配置されたパターンを投影対物レンズの像面に縮小結像尺度で結像するために構成された投影対物レンズであって、複数の光学素子を有し、複数の光学素子が投影対物レンズの光軸に沿って配置されていて、投影対物レンズに対して凸状に湾曲した物体面が平面的な像面に結像されるように投影対物レンズの限定像視野湾曲が設定されるように、複数の光学素子が構成されていて、物体面が湾曲していて、光軸に対して垂直な少なくとも一方向の有効物体面湾曲が、マスクの重力に左右されるマスク曲がりから生じる表面湾曲に実質的に対応するようになっており、｜ＲＰ｜がペッツヴァル和の大きさであり、かつ、ＤＯＦが投影対物レンズの焦点深度であるとき、｜ＲＰ｜≧０．１ＤＯＦが当てはまる、投影対物レンズ。
【請求項１２】
有効物体面湾曲が、実質的に円筒形のマスクの重力に左右される曲がりに対応する、請求項１１に記載の投影対物レンズ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月1日(2008.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイポーラトランジスタ（３０２）と、単一の集積回路ダイとして構成され且つ入力ノード（３０６）、出力ノード（３０４）、及び前記入力ノード（３０６）と前記出力ノード（３０７）の間に電流経路を形成できるようにするための制御ノード（３０５）を有する半導体パワースイッチ（３０１）と、を備えている半導体スイッチ装置（３００）において、前記バイポーラトランジスタ（３０２）は、静電放電パルスを受け取ると、前記バイポーラトランジスタ（３０２）が、前記入力ノード（３０６）から前記制御ノード（３０５）に電流を流せるようにし、前記入力ノード（３０６）での電圧が所定の電圧を超えると、制御ノード（３０５）が、前記入力ノード（３０６）から前記出力ノード（３０７）に電流を流せるようにするように、前記入力ノード（３０６）と前記制御ノード（３０５）の間に接続されていることを特徴とし、前記単一の集積回路ダイは、Ｎ−埋め込み層（５０１）と、前記半導体パワースイッチ（３０１）のドレインの下に、前記Ｎ−埋め込み層（５０１）と接触しないように配置されているＮ−領域と、を備えていることを特徴とする、半導体スイッチ装置（３００）。
【請求項２】
ＥＳＤパルスを受けることにより、前記バイポーラトランジスタ（３０２）のクランプ電圧に等しい電圧が前記半導体スイッチ３００に掛かり、それによって、半導体スイッチ（３０１）がオンに切り替わる、請求項１に記載の半導体スイッチ装置（３００）。
【請求項３】
前記バイポーラトランジスタ（３０１）は、前記半導体スイッチが静電放電パルスを受け取って、バイポーラトランジスタとして動作するように整えられるまでは、ダイオードとして動作する、請求項１又は２に記載の半導体スイッチ装置（３００）。
【請求項４】
前記半導体パワースイッチ（３０１）のゲート電圧は、第２のバイポーラトランジスタ装置（４１２）によってクランプされている、請求項１乃至３の何れか一項に記載の半導体スイッチ装置（３００）。
【請求項５】
前記バイポーラトランジスタ（３０２）のベースに接触させるために、Ｐ＋ドーピング（５１０）が使用されている、請求項１乃至４の何れか一項に記載の半導体スイッチ装置（３００）。
【請求項６】
前記バイポーラトランジスタ（３０２）の前記ベースのＰ＋領域（５１０、５１６）は、前記エミッタ（５１１）の両側に配置されている、請求項１乃至５の何れか一項に記載の半導体スイッチ装置（３００）。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の半導体スイッチ装置（３００）を有している電子素子において、前記半導体スイッチ装置（３００）は、前記半導体スイッチ（３０１）の前記制御ノード（３０５）に印加される制御信号により、負荷（３０３）を通る電流の通過を制御するように配置されており、前記半導体スイッチ（３０１）の前記入力ノード（３０６）に、前記所定電圧を超える電圧が発生した場合には、前記入力ノード（３０６）から前記制御ノード（３０５）への電流の流れが、前記負荷（３０３）によって生成される電流を前記入力ノード（３０６）から前記出力ノード（３０７）に流れるようにする、電子素子。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月2日(2008.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にＳｉＧｅ層を形成するための方法であって、
第１の堆積ステップにおいて、Ｓｉ及びＧｅの一方の第１の層を堆積するステップと、
第２の堆積ステップにおいて、Ｓｉ及びＧｅの他方の第２の層を堆積するステップと、
前記第１の堆積ステップと前記第２の堆積ステップを繰り返して、複数のＳｉ層及び複数のＧｅ層を有する複合ＳｉＧｅ層を形成するステップと、
を含み、
前記Ｓｉ層及び前記Ｇｅ層のそれぞれの厚さが、前記複合ＳｉＧｅ層の望ましい構成比によるものであり、前記複合ＳｉＧｅ層（５０）が、Ｓｉ及びＧｅのランダム合金のものより大きい熱伝導率を有するＳｉ及びＧｅのデジタル合金として特徴付けられる、
方法。
【請求項２】
前記Ｓｉ層及び前記Ｇｅ層のが、歪み緩和転位が形成されない厚さを有する、請求項１に記載の方法、
【請求項３】
Ｓｉ層を前記複合ＳｉＧｅ層上に堆積するステップ、
をさらに含み、前記複合ＳｉＧｅ層が緩和ＳｉＧｅ層としてさらに特徴付けられ、前記Ｓｉ層が歪みＳｉ層である、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記基板がＳｉ基板の上に重なるＳｉＧｅ層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基板が上方層を有し、前記第１の堆積ステップの前に、前記上方層を研磨してその厚さを減少させるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の層及び前記第２の層の少なくとも一方が、本質的に単一の同位体で構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
半導体デバイスを製造する方法であって、
ＳｉＧｅのデジタル合金の層を基板上に形成するステップと、
Ｓｉ層を前記ＳｉＧｅのデジタル合金上に形成するステップと、
を含み、
前記ＳｉＧｅのデジタル合金が、Ｓｉ及びＧｅのランダム合金のものより大きい熱伝導率を有する、
方法。
【請求項８】
前記デジタル合金層が緩和ＳｉＧｅ層として特徴付けられ、前記Ｓｉ層が歪みＳｉ層である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記デジタル合金層が、Ｓｉ及びＧｅの複数の交互の副層を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１０】
前記副層が、前記ＳｉＧｅのデジタル合金の望ましい構成比による厚さで形成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記副層のが、歪み緩和転位が形成されない厚さで形成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記副層のが、本質的に単一の同位体で構成される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
Ｓｉの副層が前記基板上に配置される、請求項９に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月13日(2008.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このため、ワイヤーボンディングツールを上下に移動させて従来のワイヤーボンディング機械に関する特定の短所を克服する機構を含むワイヤーボンディング機械を提供することが望ましい。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
【特許文献１】米国特許第号７，３０６，１３２明細書
【特許文献２】米国特許第号６，８６３，２０６明細書
【特許文献３】米国特許第号６，６２３，２３５明細書
【特許文献４】米国特許第号６，１７６，４１４明細書
【特許文献５】米国特許第号６，１６４，５１４明細書
【特許文献６】米国特許第号５，８９３，５０９明細書
【特許文献７】米国特許第号５，８７１，１３６明細書
【特許文献８】米国特許第号５，１９３，３３０明細書
【特許文献９】米国特許第号５，１７４，４８９明細書
【特許文献１０】米国特許第号５，１５０，０４０明細書
【特許文献１１】米国特許第号５，１１４，３０２明細書
【特許文献１２】米国特許第号４，５９８，８５３明細書
【特許文献１３】米国特許第号４，９７６，３９２明細書
【特許文献１４】米国特許第号４，４４４，３４９明細書
【特許文献１５】米国特許第号４，３２６，１１５明細書
【特許文献１６】米国特許第号４，３４０，１６６明細書
【特許文献１７】米国特許第号３，９３８，７９７明細書
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月21日(2008.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オーディオチャンネルを結合する処理であって、
前記オーディオチャンネルを結合し結合されたオーディオチャンネルを生成するステップと、
前記オーディオチャンネル又は前記結合されたオーディオチャンネル又は前記オーディオチャンネルと前記結合されたオーディオチャンネルの両方に、時間、位相、及び振幅又はパワー調整のうちの１つ以上を動的に適用するステップであって、前記１つ以上の調整は、聴覚イベントの期間中は調整を実質的に一定に保ち、聴覚イベントの境界又は境界近傍で調整の変更を許容するように、少なくとも一部は、１以上の前記オーディオチャンネル及び／又は前記結合されたオーディオチャンネルにおける聴覚イベントの指標により制御されることを特徴とするステップと、
を具備し、
各聴覚イベントの境界は、閾値を越えたチャンネルにおける時間に関する信号特性の変化に応答して、該チャンネルに対して１組の聴覚イベントの境界が得られるように特定され、連続する境界間にあるチャンネルにおけるオーディオセグメントが聴覚イベントを定めることを特徴とする処理。
【請求項２】
Ｐ個のオーディオチャンネルをＱ個のオーディオチャンネルにダウンミックスする処理であって、ＰはＱより大きく、前記Ｑ個のオーディオチャンネルのうちの少なくとも１つは、請求項１に記載の処理により取得されることを特徴とする処理。
【請求項３】
３個の入力オーディオチャンネルα、β、及びδを２個の出力オーディオチャンネルα”及びδ”にダウンミックスする処理であって、前記３個の入力オーディオチャンネルは、順番に、連続する空間方向α、β、及びδを表し、前記２個の出力オーディオチャンネルα”及びδ”は、連続しない空間方向α及びδを表し、
方向α及びδを表す２個の入力チャンネルから共通する信号成分を抽出し３個の中間チャンネルを生成するステップであって、
前記方向αを表すチャンネルαを修正した、チャンネルα'は、チャンネルαから入力チャンネルα及びδに共通する成分を実質的に除去したチャンネルαの信号成分からなり、
前記方向δを表すチャンネルδを修正した、チャンネルδ’は、チャンネルδから入力チャンネルα及びδに共通する成分を実質的に除去したチャンネルδの信号成分からなり、
前記方向βを表す新しいチャンネルβ’は、入力チャンネルα及びδに共通する信号成分からなることを特徴とするステップと、
中間チャンネルα'，中間チャンネルβ’，及び入力チャンネルβを結合し、出力チャンネルα”を作るステップと、
中間チャンネルδ’，中間チャンネルβ’，及び入力チャンネルβを結合し、出力チャンネルδ”を作るステップと、
を具備することを特徴とする処理。
【請求項４】
時間、位相、及び振幅又はパワー調整のうちの１つ以上を、前記中間チャンネルα'，β’，及びδ’のうちの１個以上、及び、入力チャンネルβ、及び／又は、前記結合された出力チャンネルα”とδ”のうちの１個又は両方、に動的に適用するステップをさらに具備することを特徴とする請求項３に記載の処理。
【請求項５】
前記調整のうちの１つ以上は、聴覚イベントの期間中は調整を実質的に一定に保ち、聴覚イベントの境界又は境界近傍で調整の変更を許容するように、少なくとも一部は、前記入力チャンネル、前記中間チャンネルのうちの１以上のオーディオチャンネル及び／又は前記結合された出力チャンネルにおける聴覚イベントの指標により制御されることを特徴とするステップと、
を具備し、
各聴覚イベントの境界は、閾値を越えたチャンネルにおける時間に関する信号特性の変化に応答して、該チャンネルに対して１組の聴覚イベントの境界が得られるように特定され、連続する境界間にあるチャンネルにおけるオーディオセグメントが聴覚イベントを定めることを特徴とする請求項４に記載の処理。
【請求項６】
前記連続する空間方向α、β、及びδは、
左，中央，及び右、と
左，左中央，及び中央、と
中央，右中央，及び右、と
右，右中間，右サラウンド、と
右サラウンド，中央後，及び左サラウンド、と
左サラウンド，左中間，及び左、と
のうちのいずれか１組であることを特徴とする請求項３に記載の処理。
【請求項７】
請求項１、請求項３、及び請求項５のいずれか１項に記載の方法を実施するための装置。
【請求項８】
前記請求項１、請求項３、及び請求項５のいずれか１項に記載の方法をコンピュータに実行させるための、コンピュータが読み取り可能な媒体に記憶させた、コンピュータプログラム。
【請求項９】
前記信号特性は、（ａ）スペクトル内容、又は（ｂ）スペクトル内容及び振幅内容のうちの１つであることを特徴とする、請求項１に記載の処理。
【請求項１０】
チャンネル中の聴覚イベントを特定するステップには、前記オーディオ信号を時間ブロックに分割するステップと、各ブロック中のデータを周波数領域に変換するステップと、前記チャンネル中の前記オーディオ信号の連続する時間ブロック間での（ａ）スペクトル内容、又は（ｂ）スペクトル内容及び振幅内容の変化を検出するステップが含まれることを特徴とする、請求項９に記載の処理。
【請求項１１】
連続する時間ブロック中のオーディオデータは、係数で表現され、チャンネル中の聴覚イベントを特定するステップには、ブロック中の係数を隣接するブロックの対応する係数と比較するステップが含まれることを特徴とする、請求項１０に記載の処理。
【請求項１２】
単一の差異の指標は、現ブロックのスペクトルの対応する対数値で表現したスペクトル値と、１つ前のブロックのスペクトルの対応する対数値で表現したスペクトル値との差の絶対値を加算することで計算されることを特徴とする、請求項１１に記載の処理。
【請求項１３】
聴覚イベントの境界は、前記加算した振幅が前記閾値を越えたときで特定されることを特徴とする、請求項１２に記載の処理。
【請求項１４】
前記信号特性は、（ａ）スペクトル内容、又は（ｂ）スペクトル内容及び振幅内容のうちの１つであることを特徴とする、請求項５に記載の処理。
【請求項１５】
チャンネル中の聴覚イベントを特定するステップには、前記オーディオ信号を時間ブロックに分割するステップと、各ブロック中のデータを周波数領域に変換するステップと、前記チャンネル中の前記オーディオ信号の連続する時間ブロック間での（ａ）スペクトル内容、又は（ｂ）スペクトル内容及び振幅内容の変化を検出するステップが含まれることを特徴とする、請求項１４に記載の処理。
【請求項１６】
連続する時間ブロック中のオーディオデータは、係数で表現され、チャンネル中の聴覚イベントを特定するステップには、ブロック中の係数を隣接するブロックの対応する係数と比較するステップが含まれることを特徴とする、請求項１５に記載の処理。
【請求項１７】
単一の差異の指標は、現ブロックのスペクトルの対応する対数値で表現したスペクトル値と、１つ前のブロックのスペクトルの対応する対数値で表現したスペクトル値との差の絶対値を加算することで計算されることを特徴とする、請求項１６に記載の処理。
【請求項１８】
聴覚イベントの境界は、前記加算した振幅が前記閾値を越えたときに特定されることを特徴とする、請求項１７に記載の処理。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月23日(2008.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１，３−ジブロモ−５，５−ジメチルヒダントインとＮ，Ｎ’−ブロモクロロ−５，５−ジメチルヒダントインで主に構成されている混合物を製造する方法であって、反応ゾーンへの（ｉ）個別および／または任意組み合わせ１種または２種以上で供給する水と無機塩基と５，５−ジメチルヒダントインと（ｉｉ）臭素化剤の個別供給材料と（ｉｉｉ）塩素化剤の個別供給材料の同時供給を、この同時供給を行っている間の全時間または実質的に全時間に渡って５，５−ジメチルヒダントインのハロゲン置換が起こりそしてその結果として生じたハロゲン置換生成物が水性反応混合物の液相中で沈澱を起こしかつ前記液相のｐＨが前記同時供給を行っている間の全時間または実質的に全時間に渡って連続的または実質的に連続的に約５以下に維持されるような比率で行うことを含んで成る方法。
【請求項２】
（ｉｉ）が臭素でありそしてこれを前記反応混合物の液相の表面下に供給しそして（ｉｉｉ）が塩素でありそしてこれを前記反応混合物の液相の表面下に供給する請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記水性反応混合物の温度を約３０から約７０℃の範囲内にする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記水性反応混合物の温度を約４０から約６０℃の範囲内にする請求項１記載の方法。
【請求項５】
供給する水と無機塩基と５，５−ジメチルヒダントインの比率を、
Ａ）前記無機塩基が一価カチオンを有する場合には、水１リットル当たりに５，５−ジメチルヒダントインが約０．５から約２．５モルおよび前記塩基が約１．０から約５．０モル存在し、そして
Ｂ）前記塩基が二価カチオンを有する場合には、水１リットル当たりに５，５−ジメチルヒダントインが約０．５から約２．５モルおよび前記塩基が約０．５から約２．５モル存在する、
ような比率にする請求項１記載の方法。
【請求項６】
供給する水と無機塩基と５，５−ジメチルヒダントインの比率を、
Ａ）前記無機塩基が一価カチオンを有する場合には、水１リットル当たりに５，５−ジメチルヒダントインが約１．０から約１．５モルおよび前記塩基が約２．０から約３．０モル存在し、そして
Ｂ）前記塩基が二価カチオンを有する場合には、水１リットル当たりに５，５−ジメチルヒダントインが約１．０から約１．５モルおよび前記塩基が約１．０から約１．５モル存在する、
ような比率にする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記水性反応混合物の温度を約３０から約７０℃の範囲内にし、そしてもし前記温度が前記臭素の沸点より高い時には前記臭素を前記反応混合物の液相の表面下に供給する請求項６記載の方法。
【請求項８】
（ｉｉ）が臭素であり、前記塩基が水酸化ナトリウムであり、前記ｐＨを約６．８から約７．２の範囲内にし、前記水性反応混合物の温度を約４０から約６０℃の範囲内にし、そしてもし前記温度が前記臭素の沸点より高い時には前記臭素を前記反応混合物の液相の表面下に供給する請求項６記載の方法。
【請求項９】
（ｉ）の水と無機塩基と５，５−ジメチルヒダントインの導入を５，５−ジメチルヒダントインと無機塩基の水溶液を混合してそれらの３者全部から生じさせた供給材料溶液として行う請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記供給材料溶液を生じさせる時に用いた無機塩基がアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の水溶性の塩基性塩もしくは酸化物である請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記供給材料溶液を生じさせる時に用いた無機塩基が酸化ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム、酸化カリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、重炭酸カリウム、酸化カルシウム、水酸化カルシウムまたはこれらのいずれか２種以上の混合物から本質的に成り、そして前記塩基の量を前記供給材料溶液を生じさせる時に用いた５，５−ジメチルヒダントインを完全に脱プロトン化するに理論的に必要な化学量論的量にするか或は実質的に化学量論的量にする請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記方法を（ａ）生じさせるべき１，３−ジハロ−５，５−ジメチルヒダントインをもたらした先行する反応で生じた反応混合物の固体含有ヒールまたは（ｂ）生じさせるべき１，３−ジブロモ−５，５−ジメチルヒダントインとＮ，Ｎ’−ブロモクロロ−５，５−ジメチルヒダントインで主に構成されている混合物をもたらした先行する反応で生じた反応混合物の固体を含まない母液を入れておいた反応槽への（ｉ）と（ｉｉ）の同時供給を開始し、そして（ｉ）と（ｉｉ）の同時供給を前記反応槽が所望レベルにまで満たされた時点で中止することによるバッチ様式で実施する請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記方法を（ａ）生じさせるべき１，３−ジハロ−５，５−ジメチルヒダントインをもたらした先行する反応で生じた反応混合物の固体含有ヒールまたは（ｂ）生じさせるべき１，３−ジハロ−５，５−ジメチルヒダントインをもたらした先行する反応で生じた反応混合物の固体を含まない母液を入れておいた反応槽への（ｉ）と（ｉｉ）の同時供給を開始し、そして（ｉ）と（ｉｉ）の同時供給を前記反応槽が所望レベルにまで満たされた時点で中止することによるバッチ様式で実施する請求項９記載の方法。
【請求項１４】
ハロゲン置換５−アルキルヒダントインおよび／またはハロゲン置換５，５−ジアルキルヒダントインを含んで成る組成物であって、それが前記ハロゲン置換ヒダントインの１，３−ジブロモ−、１，３−ジクロロ−および／またはＮ，Ｎ’−ブロモクロロ−種の混合物である組成物。
【請求項１５】
各アルキル基が独立して炭素原子を約６個以下の数で含有する請求項１４記載の組成物。
【請求項１６】
各アルキル基が独立して炭素原子を３個以下の数で含有する請求項１４記載の組成物。
【請求項１７】
前記ハロゲン置換５−アルキルヒダントインおよび／またはハロゲン置換５，５−ジアルキルヒダントインがハロゲン置換５，５−ジメチルヒダントインである請求項１４記載の組成物。
【請求項１８】
前記１，３−ジブロモ−またはＮ，Ｎ’−ブロモクロロ−種が主に存在する請求項１４記載の組成物。
【請求項１９】
前記Ｎ，Ｎ’−ブロモクロロ−種が主に存在する請求項１８記載の組成物。
【請求項２０】
前記Ｎ，Ｎ’−ブロモクロロ−種が主に存在しかつ前記ハロゲン置換５−アルキルヒダントインおよび／またはハロゲン置換５，５−ジアルキルヒダントインがハロゲン置換５，５−ジメチルヒダントインである請求項１８記載の組成物。
【請求項２１】
前記１，３−ジブロモ−種が主に存在する請求項１８記載の組成物。
【請求項２２】
前記１，３−ジブロモ−種が主に存在しかつ前記ハロゲン置換５−アルキルヒダントインおよび／またはハロゲン置換５，５−ジアルキルヒダントインがハロゲン置換５，５−ジメチルヒダントインである請求項１８記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月8日(2008.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィトステロール療法を必要とする対象における、循環親油性ビタミン類、親油性薬剤、親油性栄養素または任意の親油性医薬有効成分の少なくとも１つのバイオアベイラビリティーおよび／または血中レベルを維持する食用組成物の調製における、食用油もしくは脂肪に任意選択で溶解または分散したフィトステロールエステル（ＰＳ−Ｅ）および１，３−ジグリセリド（ＤＡＧ）の混合物の使用。
【請求項２】
フィトステロール療法を必要とする対象における、循環親油性ビタミン類、親油性薬剤、親油性栄養素または任意の親油性医薬有効成分の少なくとも１つのバイオアベイラビリティーおよび／または血漿濃度を増加させる食用組成物の調製における、食用油もしくは脂肪に任意選択で溶解または分散したフィトステロールエステル（ＰＳ−Ｅ）および１，３−ジグリセリド（ＤＡＧ）の混合物の使用。
【請求項３】
フィトステロール療法を必要とする前記対象は癌、良性前立腺肥大症、潰瘍、前立腺炎、心臓血管障害（ＣＶＤ）、冠状動脈性心疾患（ＣＨＤ）、アテローム性動脈硬化症、肺結核、ヒト免疫不全ウイルス（ＨＩＶ）、ストレス誘発性免疫抑制、関節リウマチおよびアレルギー性鼻炎／副鼻腔炎からなる群から選択される状態を患う、請求項１または２に記載の使用。
【請求項４】
前記親油性ビタミンはカロテノイドおよびトコフェロール、特にビタミンＡおよびビタミンＥである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の使用。
【請求項５】
前記親油性有効成分はフィトステロールである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の使用。
【請求項６】
体重管理を向上させるおよび／または過体重をもたらす代謝状態を治療するための食用組成物の調製における、食用油もしくは脂肪に任意選択で溶解または分散したフィトステロールエステル（ＰＳ−Ｅ）および１，３−ジグリセリド（ＤＡＧ）の混合物の使用。
【請求項７】
前記状態は肥満である、請求項６に記載の使用。
【請求項８】
前記食用油は、オリーブ油、魚油、カノーラ油、ダイズ油、ヒマワリ油、ベニバナ油、パーム油、アボカド油、ゴマ油、アマニ油およびルリヂサ油からなる群から選択することができる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の使用。
【請求項９】
前記食用脂肪は任意の天然脂肪であり、バター脂肪、無水乳脂、カカオ脂およびラードからなる群から選択することができる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１０】
前記ＰＳ−ＥおよびＤＡＧの脂肪酸残基は、それが由来する油の脂肪酸残基、例えばオレイン酸、パルミチン酸、パルミトレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレン酸、エイコサン酸、ドコサヘキサエン酸（ＤＨＡ）およびエイコサペンタエン酸残基に任意選択で対応する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１１】
前記フィトステロールエステルはスチグマステロール、シトステロール、β−シトステロール、ブラシカステロール、カンペステロールおよび／または５−アベナステロールの脂肪酸エステルならびにその異性体および誘導体であり、前記フィトスタノールエステルはβ−シトスタノール、カンペスタノールおよび／またはスチグマスタノールの脂肪酸エステルならびにその異性体および誘導体である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１２】
前記混合物は従来の栄養組成物成分をさらに含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１３】
前記混合物中のフィトステロールおよび／またはフィトスタノールエステルとジアシルグリセロールとの間の重量比は約１５：１から１：１、好ましくは約１０：１から約１：１、より好ましくは５：１から１：１、特に約２：１である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１４】
前記混合物中のジアシルグリセロールの量は少なくとも１重量％である、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１５】
前記混合物中のフィトステロールおよび／またはフィトスタノールエステルの量は少なくとも１重量％である、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１６】
前記混合物中のジアシルグリセロールの量は約１から約９９重量％、好ましくは約４から約７０重量％、特に約７から約４８重量％、より特定すると約１０から約２２重量％であり、前記混合物中のフィトステロールおよび／またはフィトスタノールエステルの量は約１から約９９重量％、好ましくは約５から約７０重量％、より特定すると約７から約６０重量％、具体的には約１０から約６０重量％、より特定すると約７から約３５重量％、より具体的には約２０から約３５重量％である、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１７】
前記混合物は、オリーブ油、カノーラ油および魚油の１つに溶解または分散した１５重量％のＤＡＧ、主に１，３−ＤＡＧおよび２５重量％の総ＰＳ−Ｅからなる、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１８】
前記食用油は魚油である、請求項１７に記載の使用。
【請求項１９】
前記食用組成物は栄養補助食品にさらに組み込まれる、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月6日(2008.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ：
【化１】
2008509967.tif 000001
（式中、
Ｒ1、Ｒ2およびＲ10は、互いに独立して、Ｃ1〜Ｃ20アルキル、フェニル、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルまたはフェニル−Ｃ1〜Ｃ6アルキルであり；
Ｒ3およびＲ4は、互いに独立して、水素、Ｃ1〜Ｃ20アルキル、ＮＲ6Ｒ7またはＳＲ8であるが、ただしＲ3とＲ4の少なくとも１つは、ＮＲ6Ｒ7またはＳＲ8であり；
Ｒ5は、水素またはＣ1〜Ｃ20アルキルであり；
Ｒ6およびＲ7は、互いに独立して、Ｃ1〜Ｃ20アルキルであるか、またはＲ6およびＲ7は、それらが結合しているＮ原子と一緒になって、５員環もしくは６員環を形成し、それはＯ、ＳもしくはＮＲ9で場合により中断されており、かつ１以上のＣ1〜Ｃ4アルキルで場合によりさらに置換されており；
Ｒ8は、フェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントリルまたはフェナントリルであり、それらのすべては、１以上のＣ1〜Ｃ4アルキルで場合により置換されており；
Ｒ9は、水素、Ｃ1〜Ｃ20アルキル、Ｃ2〜Ｃ４ヒドロキシアルキルまたはフェニルである）
の化合物。
【請求項２】
Ｒ1およびＲ2が、互いに独立して、Ｃ1〜Ｃ12アルキルであり；
Ｒ3およびＲ4が、互いに独立して、水素、ＮＲ6Ｒ7またはＳＲ8であるが、ただしＲ3とＲ4の少なくとも１つが、ＮＲ6Ｒ7またはＳＲ8であり；
Ｒ5が、水素であり；
Ｒ6およびＲ7が、互いに独立して、Ｃ1〜Ｃ12アルキルであるか、またはＲ6およびＲ7が、それらが結合しているＮ原子と一緒になって、５員環もしくは６員環を形成し、それはＯで場合により中断されており、かつ１以上のＣ1〜Ｃ4アルキルで場合によりさらに置換されており；
Ｒ8が、フェニルであり；
Ｒ10が、メチルである、
請求項１記載の式Ｉの化合物。
【請求項３】
（ａ）少なくとも１種のエチレン性不飽和光重合性化合物および
（ｂ）光開始剤として、少なくとも１種の請求項１記載の式Ｉの化合物
を含む光重合性組成物。
【請求項４】
光開始剤（ｂ）に加えて、少なくとも１種のさらなる光開始剤（ｃ）および／または他の添加剤（ｄ）を含む、請求項３記載の光重合性組成物。
【請求項５】
組成物を基準にして、０．０５〜２５重量％の光開始剤（ｂ）または光開始剤（ｂ）および（ｃ）を含む、請求項３〜４いずれか１項記載の光重合性組成物。
【請求項６】
さらなる添加剤（ｄ）として、光増感剤を含む、請求項３〜５いずれか１項記載の光重合性組成物。
【請求項７】
さらに、結合剤ポリマー（ｅ）を含む、請求項３〜６いずれか１項記載の光重合性組成物。
【請求項８】
エチレン性不飽和二重結合を含有する化合物の光重合方法であって、請求項３〜７いずれか１項記載の組成物に、１５０〜６００nmの範囲の電磁放射線、または電子ビームもしくはＸ線を照射することを含む方法。
【請求項９】
請求項１記載の式Ｉの化合物の製造方法であって、式II：
【化２】
2008509967.tif 000002
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、請求項１に定義されたとおりである）
のオキシム化合物を、塩基の存在下で、式IIIもしくはIV：
【化３】
2008509967.tif 000003
（式中、Halは、ハロゲン原子を意味し、Ｒ10は、請求項１に定義されたとおりである）
のハロゲン化アシルまたは無水物と反応させることによる製造方法。
【請求項１０】
着色および非着色塗料およびワニス、粉末コーティング、印刷インキ、印刷板、接着剤、歯科用組成物、ゲルコート、電子工学用フォトレジスト、例えば電気メッキ用レジスト、エッチングレジスト、液体およびドライ双方のフィルム、はんだレジスト、多様なディスプレイ用途のためのカラーフィルターを製造するための、またはプラズマディスプレイパネル、エレクトロルミネセンスディスプレイおよびＬＣＤの製造工程において構造を形成するためのレジスト、ＬＣＤ用、ホログラフィックデータ保存（ＨＤＳ）用のスペーサーの生産のための、電気部品および電子部品の封止のための組成物としての、磁気記録材料、微小機械部品、導波路、光スイッチ、メッキ用マスク、エッチングマスク、色校正系、ガラス繊維ケーブルのコーティング、スクリーン印刷用ステンシルの生産のための、ステレオリトグラフィーによる三次元物体の生産のための、ならびにホログラフィック記録用の画像記録材料としての、マイクロ電子回路、脱色材料、画像記録材料用の脱色材料のための、マイクロカプセルを用いる画像記録材料のための、紫外および可視レーザー直接画像化系用のフォトレジスト材料としての、プリント回路基板の逐次的ビルドアップ層における誘電体層の形成に用いられるフォトレジスト材料としての、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
請求項３記載の組成物で少なくとも１つの表面がコーティングされた被覆基材。
【請求項１２】
請求項１１記載の被覆基材を画像どおりの露光に付し、次いで非露光部分を現像液で除去する、レリーフ像の写真的製造方法。
【請求項１３】
感光性樹脂および顔料のすべてを透明基材の上に含む、赤色、緑色および青色の画像素子と黒色のマトリックスとを準備し、そしてその基材表面またはカラーフィルター層の表面のいずれかに透明な電極を準備することによって製造されるカラーフィルターであって、前記感光性樹脂が、多官能性アクリレートモノマー、有機ポリマー結合剤および請求項１記載の式Ｉの光重合開始剤を含んでいる、カラーフィルター。
【請求項１４】
式II：
【化４】
2008509967.tif 000004
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、請求項１に定義されたとおりである）
の化合物。