【手続補正書】
【提出日】平成19年10月18日(2007.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．芳香族酸二無水物をジアミン成分と接触させることにより合成されるポリイミドベースポリマーを含む低ガラス転移温度ポリイミド層であって、
前記ジアミン成分が５０から９０モル％の脂肪族ジアミンおよび１０から５０モル％の芳香族ジアミンを含み、
前記ポリイミドベースポリマーが１５０から２００℃までのガラス転移温度を有し、
前記芳香族酸二無水物は、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、４，４’−オキシジフタル酸無水物（ＯＤＰＡ）、２，２−ビス−（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン酸二無水物（６ＦＤＡ）、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、テトラヒドロフランテトラカルボン酸二無水物およびそれらの混合物を含む群から選択され、
前記脂肪族ジアミンは、１，４−テトラメチレンジアミン、１，５−ペンタメチレンジアミン（ＰＭＤ）、１，７−ヘプタメチレンジアミン、１，８−オクタメチレンジアミン、１，９−ノナメチレンジアミン、１，１０−デカメチレンジアミン（ＤＭＤ）、１，１１−ウンデカメチレンジアミン、１，１２−ドデカメチレンジアミン（ＤＤＤ）、１，１６−ヘキサデカメチレンジアミン、およびそれらの混合物を含む群から選択され、
前記芳香族ジアミンは、１，２−ビス−（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス−（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス−（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス−（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１−（４−アミノフェノキシ）−３−（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス−（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス−（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、および（４−アミノフェノキシ）−４−（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２−ビス−（４−［４−アミノフェノキシ］フェニル）プロパン（ＢＡＰＰ）、２，５−ジメチル−１，４−フェニレンジアミン（ＤＰＸ）、およびそれらの混合物を含む群から選択される
低ガラス転移温度ポリイミド層と、
ｂ．前記低ガラス転移温度ポリイミド層より高いガラス転移温度を有する高ガラス転移温度ポリイミド層であって、前記高ガラス転移温度ポリイミド層と前記低ガラス転移温度ポリイミド層との間の積層温度の差異が、１０および２００℃の間（両端を含む）の範囲内にある高ガラス転移温度ポリイミド層と、
ｃ．導電層と
を含み、
前記高ガラス転移温度ポリイミド層は、前記導電層と前記低ガラス転移温度ポリイミド層との間にあり、および
前記低ガラス転移温度ポリイミド層は、ＡＳＴＭ方法ＩＰＣ−６５０  ２．４．４１による１５０ｐｐｍ／℃未満のｚ軸熱膨張係数を有する
ことを特徴とする多層基板。
【請求項２】
導電層と高ガラス転移温度ポリイミド層との間に位置した第２の低ガラス転移温度ポリイミド層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
前記脂肪族ジアミンはヘキサメチレンジアミン（ＨＭＤ）であり、前記芳香族ジアミンは１，３−ビス−（４−アミノフェノキシ）ベンゼンであり、および前記芳香族酸二無水物は、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）と、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）との組み合わせであることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項４】
前記低ガラス転移温度ポリイミド層の１つの表面は、前記高ガラス転移温度ポリイミド層と直接接触していることを特徴とする請求項３に記載の多層基板。
【請求項５】
前記芳香族酸二無水物成分は、７０から９５モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）と、５から３０モル％の３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）とであり、また前記ジアミン成分は、６０から８０モル％のヘキサメチレンジアミン（ＨＭＤ）と、２０から４０モル％の１，３−ビス−（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ−１３４、ＲＯＤＡ）とであることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項６】
前記導電層の１つの表面は、前記高ガラス転移温度ポリイミド層と直接接触していることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項７】
１つまたは複数の追加の導電層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項８】
前記基板が、パッケージング構成物の少なくともｉ．構成部品、またはii．前駆体であり、前記パッケージング構成物がチップオンリード（「ＣＯＬ））パッケージ、チップオンフレックス（「ＣＯＦ））パッケージ、リードオンチップ（「ＬＯＣ））パッケージ、マルチ−チップモジュール（「ＭＣＭ」）パッケージ、ボールグリッドアレイ（「ＢＧＡ」もしくは「μ−ＢＧＡ」）パッケージ、チップスケールパッケージ（「ＣＳＰ」）、テープオートメーテッドボンディング（「ＴＡＢ」）パッケージ、またはミクロバイアおよび導電性通路を備えるパッケージであり、前記導電性通路が、ワイヤボンド、導体金属、およびハンダバンプからなる群の１つまたは複数の部材の少なくとも一部分であることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項９】
アルミナ、シリカ、窒化ホウ素、炭化ケイ素、粘土、ダイヤモンド、リン酸二カルシウム、窒化アルミニウム、二酸化チタン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリジアルキルフルオレン、カーボンブラック、および黒鉛からなる群から選択される充填材材料をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項１０】
シーケンシャルビルドアップ（ＳＢＵ）ミクロバイア集積回路パッケージング基板であって、
ａ）芳香族酸二無水物をジアミン成分と接触させることにより合成されるポリイミドベースポリマーを含む低ガラス転移温度ポリイミド層を含み、前記ジアミン成分が５０から９０モル％の脂肪族ジアミンおよび１０から５０モル％の芳香族ジアミンを含み、前記ポリイミドベースポリマーが１５０から２００℃までのガラス転移温度を有する第１の層と、
ｂ）前記低ガラス転移温度ポリイミド層を超えるガラス転移温度を有する高ガラス転移温度ポリイミド層を含む第２の層と、
ｃ）直径１０〜１００μｍを有する、複数のレーザにより誘導されるミクロバイアを有する予め回路構成された有機コア材料と
を含み、
前記コア材料の少なくとも１つの表面は、第１の層または第２の層いずれかの少なくとも１つの表面に接着され、前記ミクロバイアは前記コア材料から前記第１の層または第２の層中に、または前記第１の層または第２の層を貫通して延びていることを特徴とする基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
得られた硬化フィルムを高Ｔｇ層に接触させて配置し、それを次には１オンスのＲＡ銅箔の片側に加熱（溶融）結合することにより銅積層体を製造することができる。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  ａ．芳香族酸二無水物をジアミン成分と接触させることにより合成されるポリイミドベースポリマーを含み、前記ジアミン成分が約５０から約９０モル％の脂肪族ジアミンおよび約１０から約５０モル％の芳香族ジアミンを含み、前記ポリイミドベースポリマーが約１５０、１６０、１７０、１８０または１８５から約１９０、１９５、１９７または２００℃までのガラス転移温度を有する低ガラス転移温度ポリイミド層と、
ｂ．前記低ガラス転移温度ポリイミド層より高いガラス転移温度を有する高ガラス転移温度ポリイミド層と、
ｃ．導電層と
を含み、
前記高ガラス転移温度ポリイミド層は、導電層と低ガラス転移温度ポリイミド層との間にあることを特徴とする多層基板。
［２］  導電層と高ガラス転移温度ポリイミド層との間に位置した第２の低ガラス転移温度ポリイミド層をさらに含むことを特徴とする［１］に記載の多層基板。
［３］  導電層は第１および第２の低ガラス転移温度ポリイミド層の間にあり、１つの高ガラス転移温度ポリイミド層は前記第１の低ガラス転移温度ポリイミド層に隣接し、および１つの高ガラス転移温度ポリイミド層は前記第２の低ガラス転移温度ポリイミド層に隣接することを特徴とする［１］に記載の多層基板。
［４］  ｉ．前記脂肪族ジアミンは、構造式Ｈ２Ｎ−Ｒ１−ＮＨ２（式中、Ｒ１は、置換もしくは未置換のＣ４からＣ１６までの炭化水素である）を有し、および
ii．前記ポリイミドベースポリマーは、ＡＳＴＭ方法ＩＰＣ−６５０  ２．４．４１により８０、８５、９０、９５、１００、１０５、１１０、１１５、１２０、１２５、１３０、１３５、１４０、１４５または１５０ｐｐｍ／℃未満のｚ軸熱膨張係数を有するものとしてさらに定義されることを特徴とする［１］に記載の多層基板。
［５］  前記脂肪族ジアミンは、構造式Ｈ２Ｎ−Ｒ２−ＮＨ２（式中、Ｒ２は、Ｃ６からＣ８までの炭化水素である）を有することを特徴とする［１］に記載の多層基板。
［６］  前記脂肪族ジアミンは、１，４−テトラメチレンジアミン、１，５−ペンタメチレンジアミン（ＰＭＤ）、１，７−ヘプタメチレンジアミン、１，８−オクタメチレンジアミン、１，９−ノナメチレンジアミン、１，１０−デカメチレンジアミン（ＤＭＤ）、１，１１−ウンデカメチレンジアミン、１，１２−ドデカメチレンジアミン（ＤＤＤ）、および１，１６−ヘキサデカメチレンジアミンを含む群から選択されることを特徴とする［１］に記載の多層基板。
［７］  前記芳香族ジアミンは、１，２−ビス−（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス−（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス−（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス−（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１−（４−アミノフェノキシ）−３−（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス−（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス−（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、および（４−アミノフェノキシ）−４−（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２−ビス−（４−［４−アミノフェノキシ］フェニル）プロパン（ＢＡＰＰ）、ならびに２，５−ジメチル−１，４−フェニレンジアミン（ＤＰＸ）を含む群から選択されることを特徴とする［１］に記載の多層基板。
［８］  前記芳香族酸二無水物は、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、４，４’−オキシジフタル酸無水物（ＯＤＰＡ）、２，２−ビス−（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン酸二無水物（６ＦＤＡ）、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、およびテトラヒドロフランテトラカルボン酸二無水物を含む群から選択されることを特徴とする［１］に記載の多層基板。
［９］  前記脂肪族ジアミンはヘキサメチレンジアミン（ＨＭＤ）であり、前記芳香族ジアミンは１，３−ビス−（４−アミノフェノキシ）ベンゼンであり、および前記芳香族酸二無水物は、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）と、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）との組み合わせであることを特徴とする［１］に記載の多層基板。
［１０］  前記芳香族酸二無水物成分は、７０から９５モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）と、５から３０モル％の３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）とであり、また前記ジアミン成分は、６０から８０モル％のヘキサメチレンジアミン（ＨＭＤ）と、２０から４０モル％の１，３−ビス−（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ−１３４、ＲＯＤＡ）とであることを特徴とする［１］に記載の多層基板。
［１１］  前記導電層の１つの表面は、前記高ガラス転移温度ポリイミド層と直接接触していることを特徴とする［１］に記載の多層基板。
［１２］  前記低ガラス転移温度ポリイミド層の１つの表面は、前記高ガラス転移温度ポリイミド層と直接接触していることを特徴とする［９］に記載の多層基板。
［１３］  １つまたは複数の追加の導電層をさらに含むことを特徴とする［１］に記載の多層基板。
［１４］  第１および第２の外側層を有し、少なくとも１つの前記追加の導電層は、多層基板の内部で、第１および第２の外側層の間に位置しており、および少なくとも１つの前記ポリイミド層を貫通して延びている導電性通路に接触していることを特徴とする［１１］に記載の多層基板。
［１５］  前記基板が、パッケージング構成物の少なくともｉ．構成部品、またはii．前駆体であり、前記パッケージング構成物がチップオンリード（「ＣＯＬ））パッケージ、チップオンフレックス（「ＣＯＦ））パッケージ、リードオンチップ（「ＬＯＣ））パッケージ、マルチ−チップモジュール（「ＭＣＭ」）パッケージ、ボールグリッドアレイ（「ＢＧＡ」もしくは「μ−ＢＧＡ」）パッケージ、チップスケールパッケージ（「ＣＳＰ」）、テープオートメーテッドボンディング（「ＴＡＢ」）パッケージ、またはミクロバイアを備えるパッケージであることを特徴とする［１］に記載の多層基板。
［１６］  前記基板が、導電性通路を備えるウエハ段階の集積回路パッケージングの構成部品であり、前記導電性通路が、ワイヤボンド、導体金属、およびハンダバンプからなる群の１つまたは複数の部材の少なくとも一部分であることを特徴とする［１］に記載の多層基板。
［１７］  アルミナ、シリカ、窒化ホウ素、炭化ケイ素、粘土、ダイヤモンド、リン酸二カルシウム、窒化アルミニウム、二酸化チタン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリジアルキルフルオレン、カーボンブラック、および黒鉛からなる群から選択される充填材材料をさらに含むことを特徴とする［１］に記載の多層基板。
［１８］  前記高Ｔｇポリイミド層と低Ｔｇポリイミド層との間の積層温度の差異が、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、７５、１００、１２５、１５０、１７５、および２００℃のいずれか２つの間（両端を含む）にあることを特徴とする［１］に記載の多層基板。
［１９］  シーケンシャルビルドアップ（ＳＢＵ）ミクロバイア集積回路パッケージング基板であって、
ａ）芳香族酸二無水物をジアミン成分と接触させることにより合成されるポリイミドベースポリマーを含む低ガラス転移温度ポリイミド層を含み、前記ジアミン成分が約５０から約９０モル％の脂肪族ジアミンおよび約１０から約５０モル％の芳香族ジアミンを含み、前記ポリイミドベースポリマーが約１５０、１６０、１７０、１８０または１８５から約１９０、１９５、１９７または２００℃までのガラス転移温度を有する第１の層と、
ｂ）前記低ガラス転移温度ポリイミド層を超えるガラス転移温度を有する高ガラス転移温度ポリイミド層を含む第２の層と、
ｃ）直径１０〜１００μｍを有する、複数のレーザにより誘導されるミクロバイアを有する予め回路構成された有機コア材料と
を含み、
前記コア材料の少なくとも１つの表面は、第１の層または第２の層いずれかの少なくとも１つの表面に接着され、前記ミクロバイアは前記コア材料から前記第１の層または第２の層中に、または前記第１の層または第２の層を貫通して延びていることを特徴とする基板。