(57)【要約】  本発明の課題は、半導体パッケージを曲面基板に実装する場合において、半導体パッケージに加わる応力を抑制可能にすることである。少なくとも一部に曲面を有する曲面基板１０上に半導体パッケージ２０が実装された実装基板１であって、曲面基板１０は、曲面部位のうち半導体パッケージ２０が搭載される部位に配設されるとともに上面が平坦に形成された絶縁材料よりなる台座部１３ａと、台座部１３ａの平坦面上に配設される複数のパッド部１５ａと、を備え、半導体パッケージ２０は、パッド部１５ａ上に搭載されることを特徴とする。
2007058096.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部に曲面を有する曲面基板上に半導体パッケージが実装された実装基板であって、
前記曲面基板は、
曲面部位のうち前記半導体パッケージが搭載される部位に配設されるとともに上面が平坦に形成された絶縁材料よりなる台座部と、
前記台座部の平坦面上に配設される複数のパッド部と、
を備え、
前記半導体パッケージは、前記パッド部上に搭載されることを特徴とする実装基板。
【請求項２】
前記台座部は、前記曲面基板において用いられている絶縁層を成型して構成されたことを特徴とする請求項１記載の実装基板。
【請求項３】
前記絶縁層は、前記台座部と隣接する部位に表面が平坦な肩部を有し、
前記肩部の平坦面は、曲面部位の接線と平行となるよう構成されたことを特徴とする請求項１又は２記載の実装基板。
【請求項４】
前記台座部上の平坦面上に配設される複数の第２パッド部と、
前記第２パッド部上に搭載される電子部品と、
を備えることを特徴とする請求項３記載の実装基板。
【請求項５】
前記台座部は、隣り合う前記パッド部間の領域に凹部を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の実装基板。
【請求項６】
前記台座部は、第２絶縁層を内包して構成されたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載の実装基板。
【請求項７】
前記第２絶縁層は、フィルム状の樹脂を積層した積層体、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂を含有したハイブリッド型樹脂、及び、無機材料のいずれか一つよりなることを特徴とする請求項６記載の実装基板。
【請求項８】
前記台座部は、前記曲面基板において用いられている絶縁層以外の絶縁材料を成型して構成されたことを特徴とする請求項１記載の実装基板。
【請求項９】
前記台座部は、フィラーを含有した樹脂材料よりなることを特徴とする請求項８記載の実装基板。
【請求項１０】
前記台座部の内部に、電子部品が実装されていることを特徴とする請求項８又は９記載の実装基板。
【請求項１１】
少なくとも一部に曲面を有する曲面基板上に半導体パッケージが実装された実装基板であって、
前記曲面基板は、曲面部位のうち前記半導体パッケージが搭載される部位に配設されるとともに絶縁材料よりなる台座部を備え、
前記台座部は、前記曲面基板において用いられている絶縁層以外の絶縁材料を成型して構成され、
前記半導体パッケージは、前記台座部の内部に配され、
前記半導体パッケージの外部端子は、基板面と反対側に配されるとともに、前記台座部から露出し、
少なくとも前記台座部および前記半導体パッケージ上に配設されるとともに、前記曲面基板の配線層と前記半導体パッケージの前記外部端子を電気的に接続する配線パターンを備えることを特徴とする実装基板。
【請求項１２】
前記半導体パッケージの前記外部端子上に前記配線パターンのパッド部を介して搭載された電子部品を備えることを特徴とする請求項１１記載の実装基板。
【請求項１３】
少なくとも一部に曲面を有する曲面基板であって、
曲面部位のうち半導体パッケージが搭載される部位に配設されるとともに上面が平坦に形成された絶縁材料よりなる台座部と、
前記台座部の平坦面上に配設される複数のパッド部と、
を備えることを特徴とする曲面基板。
【請求項１４】
前記台座部は、前記曲面基板において用いられている絶縁層を成型して構成されたことを特徴とする請求項１３記載の曲面基板。
【請求項１５】
前記絶縁層は、前記台座部と隣接する部位に表面が平坦な肩部を有し、
前記肩部の平坦面は、曲面部位の接線と平行となるよう構成されたことを特徴とする請求項１３又は１４記載の曲面基板。
【請求項１６】
前記台座部上の平坦面上に配設される複数の第２パッド部と、
前記第２パッド部上に搭載される電子部品と、
を備えることを特徴とする請求項１５記載の曲面基板。
【請求項１７】
前記台座部は、隣り合う前記パッド部間の領域に凹部を有することを特徴とする請求項１３乃至１６のいずれか一に記載の曲面基板。
【請求項１８】
前記台座部は、第２絶縁層を内包して構成されたことを特徴とする請求項１３乃至１７のいずれか一に記載の曲面基板。
【請求項１９】
前記第２絶縁層は、フィルム状の樹脂を積層した積層体、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂を含有したハイブリッド型樹脂、及び、無機材料のいずれか一つよりなることを特徴とする請求項１８記載の曲面基板。
【請求項２０】
請求項１乃至１２のいずれか一に記載の実装基板を含んで構成されたことを特徴とする電子機器。
【請求項２１】
請求項１３乃至１９のいずれか一に記載の曲面基板を含んで構成されたされたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に電子部品を実装した実装基板および電子機器に関し、特に、曲面化された配線基板を有する実装基板および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話に代表される携帯機器が活況を呈しており、その高機能化、高性能化とともに機器のデザイン性が重要視されてきており、使い勝手や見栄えを向上させる目的で筐体形状に曲面が多用されつつある。【０００３】
しかしながら、携帯機器の筐体内に実装される従来の実装基板は、半導体パッケージ等の電子部品が平坦な基板上に搭載されて構成されていることから、多様な曲面で構成された筐体内に効率よく配置することは困難であった。そのため、デザインを優先すると、機器サイズが大きくなる等の課題があることから、必然的にデザイン面で妥協せざるを得ないことが多々発生しており、筐体内の部品配置効率に優れている筐体の曲面に合わせた曲面を有する基板の実用化が強く望まれている。【０００４】
一方、小型化が要求される携帯機器に適した半導体パッケージとしては、例えば、特許文献１に記載されているようなＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＣＳＰ（Chip Size Package）、あるいはＷＬ-ＣＳＰ（Wafer Level Chip Size Package ）と呼ばれるパッケージの底面に接続端子として格子状にはんだボールを配した図１７に示すような半導体パッケージ（半導体装置）が挙げられ、狭占有エリアで、より多くの端子が配置できるという理由から広く使われている。【０００５】
これら半導体パッケージの基板への実装方法としては、メタルマスクを使用して、基板のパッド上にクリームはんだを印刷し、半導体パッケージを搭載した後、リフローによりはんだを溶融させて機械的かつ電気的な接続を得る方法が採用されている。【０００６】
【特許文献１】特許第３３９５１６４号明細書（図１）
【特許文献２】特開２００３−３１８２１８号公報（図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、これら平坦な基板への搭載を前提とした半導体パッケージを、曲面で構成された基板上に実装する際には、半導体パッケージのサイズ、あるいは曲面の曲率に応じて、はんだ接続不良が発生するという課題を有している。【０００８】
例えば、図１８に示したような凸曲面の基板２０３上への実装では、半導体パッケージ２０１の外周部ではんだボール２０２と基板２０３のパッド２０４との距離が大きくなる。また、図１９に示したような凹曲面への実装では、半導体パッケージ２０１の中心部でのはんだボール２０２と基板２０３との距離が大きくなる。図１８および図１９のように、何れの方向に曲率を持った基板２０３においても、その基板２０３の曲率が大きいほど、また半導体パッケージ２０１のサイズが大きいほど、はんだボール２０２と基板２０３のパッド２０４が接触しない端子が発生しやすくなり、はんだ接続不良に至る。【０００９】
このように、従来の半導体パッケージを曲面基板へ実装する場合においては、半導体パッケージのはんだボールと基板のパッドとが接触しないことに起因したはんだ接続不良が発生することから、曲面で構成された基板に半導体パッケージを実装することはできなかった。【００１０】
そこで、特許文献１のような半導体パッケージを実装する際に発生する接続不良の課題を解決する手段として、チップを基板の曲率に合わせて湾曲させ、曲面に倣わせたまま、接合することで接続不良の発生を防止する方法が特許文献２において提案されている（図２０参照）。【００１１】
しかしながら、このようにチップを湾曲させた場合、チップの回路面に歪が生じることから、チップ表面に構成された微細回路が破壊される、あるいは電気特性が変化するという課題がある。特に、アナログ回路では、微小な歪によっても電気特性が大きく変化し、この電気特性変化はシステム全体の性能に影響を及ぼすことから、チップの回路面に加わる応力を最小限とすることが強く望まれている。【００１２】
更に、近年では、高速化を目的とした脆弱な絶縁膜（low-k膜等）が採用されており、一般的な平面パッケージにおいても、より低応力な封止材料、あるいは構造等が検討されており、如何に低応力化を図るかが重要な課題となっている。例えば、半導体パッケージの実装工程においても、基板に実装する際に加わるリフロー熱負荷時に、如何に半導体パッケージの反りを抑制し、実装後の半導体パッケージ内のチップへ加わる応力を最小化するかといった工夫が必要とされている。【００１３】
以上のように、チップを湾曲させる特許文献２に提案されている方法においては、チップに加わる応力の抑制が要求される電気的な特性変化が大きいアナログ回路や、高速動作を目的として脆弱な絶縁膜で構成された半導体パッケージ、あるいは半導体チップには適用できないという課題があった。【００１４】
本発明の主な課題は、半導体パッケージを曲面基板に実装する場合において、半導体パッケージに加わる応力を抑制可能にすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１の視点においては、少なくとも一部に曲面を有する曲面基板上に半導体パッケージが実装された実装基板であって、前記曲面基板は、曲面部位のうち前記半導体パッケージが搭載される部位に配設されるとともに上面が平坦に形成された絶縁材料よりなる台座部と、前記台座部の平坦面上に配設される複数のパッド部と、を備え、前記半導体パッケージは、前記パッド部上に搭載されることを特徴とする。【００１６】
本発明の第２の視点においては、少なくとも一部に曲面を有する曲面基板上に半導体パッケージが実装された実装基板であって、前記曲面基板は、曲面部位のうち前記半導体パッケージが搭載される部位に配設されるとともに絶縁材料よりなる台座部を備え、前記台座部は、前記曲面基板において用いられている絶縁層以外の絶縁材料を成型して構成され、前記半導体パッケージは、前記台座部の内部に配され、前記半導体パッケージの外部端子は、基板面と反対側に配されるとともに、前記台座部から露出し、少なくとも前記台座部および前記半導体パッケージ上に配設されるとともに、前記曲面基板の配線層と前記半導体パッケージの前記外部端子を電気的に接続する配線パターンを備えることを特徴とする。【００１７】
本発明の第３の視点においては、少なくとも一部に曲面を有する曲面基板であって、曲面部位のうち半導体パッケージが搭載される部位に配設されるとともに上面が平坦に形成された絶縁材料よりなる台座部と、前記台座部の平坦面上に配設される複数のパッド部と、を備えることを特徴とする。【００１８】
本発明の第４の視点においては、電子機器において、前記実装基板または前記曲面基板を含んで構成されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明（請求項１−２１）によれば、半導体パッケージと接続される基板上のパッド部を平面状に構成した局所的な平坦部を有する曲面基板としたことにより、半導体パッケージの曲面基板上への実装を、一般的な平面状の基板に実装する場合と同様に、平面状に配されたパッドに実装することが可能となる。そのため、図１８、１９に示したような、ＢＧＡに代表される従来の一般的な半導体パッケージを曲面基板に実装する際に発生するはんだ接続不良を抑制できる。また、半導体チップを湾曲させて実装する必要もないことから、半導体パッケージ内に内包された半導体チップへの応力が発生しない曲面基板への半導体パッケージの実装が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態１に係る実装基板の構成を模式的に示した断面図である。
【図２】本発明の実施形態１に係る実装基板における曲面基板の構成を模式的に示した断面図である。
【図３】本発明の実施形態１に係る実装基板における基材の第１の曲面形状を模式的に示した（Ａ）上面図、（Ｂ）Ｘ−Ｘ´間の断面図、（Ｃ）Ｙ−Ｙ´間の断面図である。
【図４】本発明の実施形態１に係る実装基板における基材の第２の曲面形状を模式的に示した（Ａ）上面図、（Ｂ）Ｘ−Ｘ´間の断面図、（Ｃ）Ｙ−Ｙ´間の断面図である。
【図５】本発明の実施形態１に係る実装基板の第１の製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図６】本発明の実施形態１に係る実装基板の第２の製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図７】本発明の実施形態２に係る実装基板の構成を模式的に示した断面図である。
【図８】本発明の実施形態２に係る実装基板の製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図９】本発明の実施形態３に係る実装基板の構成を模式的に示した断面図である。
【図１０】本発明の実施形態３に係る実装基板の製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図１１】本発明の実施形態４に係る実装基板の構成を模式的に示した断面図である。
【図１２】本発明の実施形態４に係る実装基板の製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【図１３】本発明の実施形態５に係る実装基板の構成を模式的に示した断面図であり、（Ａ）は凸面側に半導体パッケージを実装した実装基板、（Ｂ）は凹面側に半導体パッケージを実装した実装基板に関するものである。
【図１４】本発明の実施形態６に係る実装基板の構成を模式的に示した断面図であり、（Ａ）は凸面側に半導体パッケージを実装した実装基板、（Ｂ）は凹面側に半導体パッケージを実装した実装基板に関するものである。
【図１５】本発明の実施形態７に係る実装基板の構成を模式的に示した断面図であり、（Ａ）は凸面側に半導体パッケージを実装した実装基板、（Ｂ）は凹面側に半導体パッケージを実装した実装基板に関するものである。
【図１６】本発明の実施形態８に係る実装基板の構成を模式的に示した断面図であり、（Ａ）は凸面側に半導体パッケージを実装した実装基板、（Ｂ）は凹面側に半導体パッケージを実装した実装基板に関するものである。
【図１７】従来例１に係る半導体パッケージの構成を模式的に示した断面図である。
【図１８】従来例２に係る実装基板であって曲面基板の凸面側に半導体パッケージを実装したときの断面図である。
【図１９】従来例３に係る実装基板であって曲面基板の凹面側に半導体パッケージを実装したときの断面図である。
【図２０】従来例４に係る半導体パッケージの製造方法を模式的に示した工程断面図である。
【符号の説明】
【００２１】
１  実装基板
１０  曲面基板（配線基板）
１１  基材
１２  配線層
１３  絶縁層
１３ａ  台座部
１３ｂ  肩部
１３ｃ  凹部
１４  ビア
１５  配線層
１５ａ、１５ｂ  パッド部
１６  第２絶縁層
２０  半導体パッケージ
２１  外部端子
３０  はんだボール
４０、４１、４２、４３、４４  プレス型
５０  電子部品
６０  曲面基板
６１  配線基板
６１ａ  絶縁層
６１ｂ  配線層
６１ｃ  ビア
６１ｄ  配線層
６２  台座部
６３  配線層（配線パターン）
６３ａ  パッド部
１１０  半導体装置
１１２  基板
１１４  半導体チップ
１１６  バンプ
１１８  構造物
１２０  接着剤
１２２  アンダーフィル
１２４  ボールバンプ
１２６  凹陥部
１２８  隙間
２０１  半導体パッケージ
２０２  はんだボール
２０３  基板
２０４  パッド
３０１  曲面基板
３０２  チップ
３０２ａ  電極
３０３  半田バンプ
３０３ａ  チップバンプ
３０３ｂ  基板バンプ
３０４  アンダーフィル樹脂
３０５  加熱冷却ヘッド
３０６  吸着穴
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（実施形態１）
本発明の実施形態１に係る実装基板について図面を用いて説明する。図１は、本発明の実施形態１に係る実装基板の構成を模式的に示した断面図である。図２は、本発明の実施形態１に係る実装基板における曲面基板の構成を模式的に示した断面図である。図３は、本発明の実施形態１に係る実装基板における基材の第１の曲面形状を模式的に示した（Ａ）上面図、（Ｂ）Ｘ−Ｘ´間の断面図、（Ｃ）Ｙ−Ｙ´間の断面図である。図４は、本発明の実施形態１に係る実装基板における基材の第２の曲面形状を模式的に示した（Ａ）上面図、（Ｂ）Ｘ−Ｘ´間の断面図、（Ｃ）Ｙ−Ｙ´間の断面図である。【００２３】
図１を参照すると、実装基板１は、半導体パッケージ２０等の電子部品が曲面基板１０上に実装されたものである。【００２４】
曲面基板１０は、少なくとも一部に曲面を有する配線基板である。曲面基板１０は、基材１１と、配線層１２と、絶縁層１３と、ビア１４と、配線層１５と、を有する。【００２５】
基材１１は、絶縁材料よりなる曲面を有する基材である。基材１１は、図３に示すような一方向のみに湾曲（図３の場合は、Ｘ−Ｘ´方向のみに湾曲）した曲面を有する基材と、図４に示すような２方向に湾曲（図４の場合は、Ｘ−Ｘ´及びＹ−Ｙ´の双方向に湾曲）した曲面を有する基材とに大別でき、さらにそれぞれの曲面は一定曲率ばかりでなく自由曲線で構成された自由曲面を有するものでもよく、これらの何れかの曲面を一部又は全体に有していればよい。基材１１には、ガラスクロスに樹脂を含浸させた一般的なガラスエポキシ樹脂を用いることができるが、ガラスエポキシ樹脂に限定されるものではなく、ガラスクロスの代わりにアラミド不織布を使用してもよい。さらに、基材１１は、曲面加工性が良好な材料としてもよく、加熱により容易に軟化変形し、その形状を確保しやすい熱可塑性樹脂、例えば、液晶ポリマー等の樹脂を用いることができる。【００２６】
配線層１２は、基材１１上に形成された導電層である。配線層１２には、一般的な配線材料と同様に電気抵抗の小さいＣｕの低抵抗材料を用いることができる。【００２７】
絶縁層１３は、基材１１および配線層１２上に形成された絶縁層である。絶縁層１３は、所定の位置に配線層１２に通ずるビア穴を有する。絶縁層１３は、曲面部位のうち半導体パッケージ２０が搭載される部位に上面が平坦な台座部１３ａを有する。絶縁層１３には、ビルドアップ基板に一般的に使用されている半硬化状態のシート状プリプレグを用いることができ、材料には基材１１と同様に、一般的なガラスエポキシ樹脂を用いることができるが、ガラスエポキシ樹脂に限定されるものではなく、ガラスクロスの代わりにアラミド不織布を用いてもよい。台座部１３ａは、絶縁層１３を成型して構成される。台座部１３ａの厚さは、高密度実装の観点やビアの形成性の観点等から薄いほど望ましく、特にビアが形成される箇所では、その形成性から１５０μｍ以下であることが望ましい。なお、下層の配線層１２と上層の配線層１５との距離が近くなると、絶縁性やインピーダンス特性などの電気的な特性が劣化する可能性があることから、絶縁性やインピーダンス特性などの電気的な特性の観点からは最薄部においても１５μｍ以上であることが望ましい。絶縁層１３の表面（露出面）は、実装される半導体パッケージ２０の端子ピッチが狭く、はんだショート等が懸念される場合には、ソルダーレジストを形成してもよい。【００２８】
ビア１４は、配線層１２と配線層１５を電気的に接続する導電部である。ビア１４には、銅等の低抵抗材料を用いることができる。【００２９】
配線層１５は、絶縁層１３上に形成された導電層である。配線層１５は、台座部１３ａの平坦面上の所定の位置にパッド部１５ａを有する。パッド部１５ａは、はんだボール３０を介して、半導体パッケージ２０の対応する外部端子（図示せず）と電気的に接続されている。配線層１５には、銅等の低抵抗材料を用いることができ、絶縁層１３の台座部１３ａを含めた曲面や凹凸形状へ追従させる際の配線層１５への応力を勘案すると、クラック耐性の高い電解めっき法で形成された電解Ｃｕなどの配線材料が好適である。配線層１５は、ビア１４と一体に構成されていてもよく、ビア１４と別々に構成されていてもよい。【００３０】
なお、ここでは、はんだボール３０が格子状に配列された一般的な半導体パッケージ２０を例としているが、モールド封止等でパッケージングされた半導体パッケージに限るものではなく、パッケージングされていない半導体チップや、外部端子としてガルウイングリードを備えたＱＦＰ（Quad Flat Package ）などのように、これまで一般的な平面状の基板に実装されている全ての電子部品に適用することが可能である。【００３１】
次に、実施形態１に係る実装基板の第１の製造方法について図面を用いて説明する。図５は、本発明の実施形態１に係る実装基板の第１の製造方法を模式的に示した工程断面図である。【００３２】
まず、基材１１上に配線層１２を形成する（図５（Ａ）参照）。ここで、配線層１２は、基材１１上に形成されたＣｕ箔やＣｕメッキの余剰部をエッチングすることによって配線パターンを形成するサブトラクティブ法や、配線形成箇所以外を絶縁樹脂でマスクした後、配線層１２をめっきで形成するアディティブ法あるいはセミアディティブ法でパターニングすることができる。【００３３】
次に、基材１１および配線層１２上にシート状の絶縁層１３を形成する（図５（Ｂ）参照）。【００３４】
次に、プレス加工により、絶縁層１３の台座部１３ａの成型と、基板の曲面成型とを一括で行う（図５（Ｃ）参照）。ここで、この工程での成型および硬化は、所望形状に加工されたプレス型４０によって加熱、加圧することで、絶縁層１３は、プレス型内を軟化流動し、プレス型の形状に充填された後、硬化に至るとともに、この加熱、加圧によって、基材１１も軟化変形し、所望の曲面形状が得られると同時に、絶縁層１３が硬化して局所的に平坦な面を有する台座部１３ａが形成される。この際の加熱温度は、絶縁層１３の硬化可能温度以上である必要があり、ここではプリプレグの硬化条件である１２０℃以上を適用しているが、プリプレグ材料によって最適温度は異なることから、材料に合わせた条件とする。また、金型での成型性、すなわち金型内に一様にプリプレグ内の樹脂材料が流動して充填されるためには、プリプレグの樹脂材料に流動性の高い材料を選定することが好適である。【００３５】
次に、絶縁層１３にビア穴を形成し、その後、ビア１４および配線層１５を形成する（図５（Ｄ）参照）。ここで、ビア穴の形成は、硬化した絶縁層１３にレーザあるいはエッチング法によって、配線層１２が表れるまで開口する。絶縁層１３が厚いほど、ビア穴の加工性が低下することから、絶縁層１３は電気特性に影響しない範囲で薄く形成されていることが望ましい。また、ビア１４および配線層１５の形成は、絶縁層１３の上層にアディティブ法やセミアディティブ法等を用いてパターニングにより行う。ビア１４および配線層１５の形成では、Ｃｕメッキでビア穴にメッキが充填されることで配線層１２と配線層１５の電気的接続が得られることとなる。この際には、配線層１５と絶縁層１３の密着力を向上させる目的で、デスミア処理等により絶縁層１３の表面を荒らしておくことが望ましい。また、ビア１４と配線層１２との密着力を向上させるために、配線層１２のメッキが施される箇所も、絶縁層１３と同様にデスミア処理等により表面を荒らしておくことが望ましい。なお、実装される半導体パッケージ２０の端子ピッチが狭く、はんだショート等が懸念される場合には、配線層１５を形成した後に、絶縁層１３の表面にソルダーレジストを形成してもよい。【００３６】
以上により、曲面基板１０ができる。その後、曲面基板１０上にはんだボール３０を介して半導体パッケージ２０を実装することで、実装基板１ができる（図５（Ｅ）参照）。【００３７】
なお、ここでは、簡略化のため配線層１２、１５の２層構造の例を示しているが、図５（Ａ）の工程において、基材１１にビルドアップ工法や一括積層工法等によって積層された多層配線基板を用いることができ、多層配線基板への展開も容易に実現できる。さらに、絶縁層１３からなる台座部１３ａは基材１１の両面に同時に形成してもよく、その際には半導体パッケージ２０のパッドが平坦となるように基材１１の両面に台座部１３ａを配することができ、半導体パッケージ２０の両面実装も可能である。【００３８】
次に、実施形態１に係る実装基板の第２の製造方法について図面を用いて説明する。図６は、本発明の実施形態１に係る実装基板の第２の製造方法を模式的に示した工程断面図である。【００３９】
図５の第１の製造方法では、台座部１３ａを有する絶縁層１３の成型と、基板全体の曲面化とを一括で行う製造方法であったが、図６の第２の製造方法では、台座部１３ａの成型と、基板全体の曲面化とを分けている。以下、第２の製造方法について説明する。【００４０】
まず、基材１１上に配線層１２を形成する（図６（Ａ）参照）。次に、基材１１および配線層１２上にシート状の絶縁層１３を形成する（図６（Ｂ）参照）。なお、ここまでは図５（Ａ）、（Ｂ）と同様である。【００４１】
次に、プレス加工により、絶縁層１３の台座部１３ａの成型を行う（図６（Ｃ）参照）。ここで、半導体パッケージ２０が実装される台座部１３ａは、後工程の基板の曲面化時にパッドが平坦に配されるような曲率を持たせた形に成型される。【００４２】
次に、絶縁層１３にビア穴を形成し、その後、ビア１４および配線層１５を形成する（図６（Ｄ）参照）。なお、この工程は、図５（Ｄ）と同様である。【００４３】
次に、プレス型（図示せず）を用いて、加熱・加圧によって基板全体を曲面化する（図６（Ｅ）参照）。この工程で用いられるプレス型は、図５（Ｃ）に示されたプレス型４０と同様なものを用いることができる。【００４４】
以上により、曲面基板１０ができる。その後、曲面基板１０上にはんだボール３０を介して半導体パッケージ２０を実装することで、実装基板１ができる（図６（Ｆ）参照）。【００４５】
このように、絶縁層１３の成型工程と、基板全体の曲面化工程とを分けることは、曲面基板１０の曲率が非常に大きい場合や基板の面積が非常に大きい場合に有用である。例えば、曲面基板１０の曲率あるいは、基板面積が非常に大きい場合、図５（Ｄ）のように曲面基板１０上に配線層１５を形成する工程において、配線層１５や、ビア１４を形成するための設備（例えば、配線露光器、配線用フォトマスク、ビアの穴開けのためのレーザ装置、また配線を形成するためのエッチング層等の本工程の関連設備）や治工具が、その曲率あるいは面積に対応している必要があるが、設備や治工具の複雑化・大型化が懸念される。一方、プリプレグの成型工程と、基板全体の曲面化工程を分ければ、配線層１５やビア１４の形成に関連する設備は、半導体パッケージ実装範囲の曲率のみに対応するだけでよく、従来設備での対応が容易であるというメリットを有している。【００４６】
実施形態１によれば、はんだボール３０が格子状に配列された一般的な半導体パッケージ２０を実装する場合においても、従来の曲面基板のように曲面上に形成されたパッド部上で実装する際に生じる半導体パッケージとパッド部との間隙バラツキを抑制することができ、平面基板へ実装する際と同等のはんだ付け品質を確保できる。また、曲面基板１０の曲面に合わせて半導体パッケージ２０を湾曲させる必要もないことから、半導体チップ２０の歪による電気的な特性劣化の懸念もない。【００４７】
（実施形態２）
本発明の実施形態２に係る実装基板について図面を用いて説明する。図７は、本発明の実施形態２に係る実装基板の構成を模式的に示した断面図である。【００４８】
実施形態２に係る実装基板１は、絶縁層１３において台座部１３ａと隣接する部位に表面が平坦な肩部１３ｂを有し、肩部１３ｂ上の配線層１５において電子部品５０を実装するためのパッド部１５ｂが形成されており、パッド部１５ｂ上に電子部品５０が実装されている。肩部１３ｂの平坦面は、曲面部位の接線と平行である。その他の構成については実施形態１と同様である。電子部品５０として、例えば、抵抗、コンデンサ、コイル等のチップ部品を用いることができ、抵抗、コンデンサ、コイル等のチップ部品以外にも、ＢＧＡ、ＣＳＰ及びＱＦＰに代表されるような他の半導体パッケージも実装可能である。【００４９】
次に、実施形態２に係る実装基板の製造方法について図面を用いて説明する。図８は、本発明の実施形態２に係る実装基板の製造方法を模式的に示した工程断面図である。【００５０】
まず、基材１１上に配線層１２を形成する（図８（Ａ）参照）。次に、基材１１および配線層１２上にシート状の絶縁層１３を形成する（図８（Ｂ）参照）。なお、ここまでは図５（Ａ）、（Ｂ）と同様である。【００５１】
次に、プレス加工により、絶縁層１３の台座部１３ａおよび肩部１３ｂの成型と、基板の曲面成型とを一括で行い、硬化する（図８（Ｃ）参照）。ここで、肩部１３ｂの表面を基材１１の曲面への接線に近い直線を得るために、プレス型４２の形状が図５（Ｃ）のプレス型４０とは異なっている。【００５２】
次に、絶縁層１３にビア穴を形成し、その後、ビア１４および配線層１５を形成する（図８（Ｄ）参照）。なお、配線層１５の形成では、半導体パッケージ用のパッド部１５ａ、および、電子部品用のパッド部１５ｂが形成される。【００５３】
以上により、曲面基板１０ができる。その後、曲面基板１０上にはんだボール３０を介して半導体パッケージ２０を実装するとともに、電子部品５０を実装することで、実装基板１ができる（図８（Ｅ）参照）。【００５４】
実施形態２によれば、実装基板１において、台座部１３ａの形状を図７に示したように肩部１３ｂの表面を平坦にすることで、肩部１３ｂ上にも電子部品５０を実装することができ、実装密度の高密度化を図ることができる。特に、コンデンサやコイルは電気特性への影響が大きいため、可能な限り半導体パッケージ２０の近傍に配置することが望まれており、実施形態２に係る実装基板１の構造を採用すれば、電気特性、製品の性能が向上する。また、肩部１３ｂの形状は、曲面への接線に近い直線であるほど平坦部の面積を広く確保でき、実装面積を最大現に活用できる。【００５５】
（実施形態３）
本発明の実施形態３に係る実装基板について図面を用いて説明する。図９は、本発明の実施形態３に係る実装基板の構成を模式的に示した断面図である。【００５６】
実施形態３に係る実装基板１では、絶縁層１３において台座部１３ａに凹部１３ｃが形成されており、台座部の上面が平坦化されているかいないかを問わず、パッド部１５ａが平坦に形成されている。つまり、実施形態１、２では台座部を平坦化することでパッド部の平坦化を図っているが、実施形態３ではパッド部１５ａの上面が平坦に配されていれば台座部１３ａは必ずしも平坦である必要はない。その他の構成については実施形態１と同様である。【００５７】
次に、実施形態３に係る実装基板の製造方法について図面を用いて説明する。図１０は、本発明の実施形態３に係る実装基板の製造方法を模式的に示した工程断面図である。【００５８】
まず、基材１１上に配線層１２を形成する（図１０（Ａ）参照）。次に、基材１１および配線層１２上にシート状の絶縁層１３を形成する（図１０（Ｂ）参照）。なお、ここまでは図５（Ａ）、（Ｂ）と同様である。【００５９】
次に、プレス加工により、絶縁層１３の台座部１３ａおよび凹部１３ｃの成型と、基板の曲面成型とを一括で行う（図１０（Ｃ）参照）。ここで、プレス型４３には予め所望の凹凸形状が形成されている。【００６０】
次に、絶縁層１３にビア穴を形成し、その後、ビア１４および配線層１５を形成する（図１０（Ｄ）参照）。以上により、曲面基板１０ができる。その後、曲面基板１０上にはんだボール３０を介して半導体パッケージ２０を実装することで、実装基板１ができる（図１０（Ｅ）参照）。【００６１】
実施形態３によれば、プレス型４３の形状変更という非常に簡易な手段によって、パッド部１５ａ間の台座部１３ａに凹部１３ｃを有する構造を実現できる。そして、凹部１３ｃを有することにより、温度サイクル等の環境負荷によって、電気的接続部、例えば、はんだ、はんだとパッドとの界面等に発生する半導体パッケージ２０と曲面基板１０の熱膨張係数差に起因する応力の緩和効果が期待でき、より信頼性の高い実装構造を得ることができる。【００６２】
（実施形態４）
本発明の実施形態４に係る実装基板について図面を用いて説明する。図１１は、本発明の実施形態４に係る実装基板の構成を模式的に示した断面図である。【００６３】
実施形態４に係る実装基板１では、絶縁層１３の補助材料として第２絶縁層１６を台座部１３ａと基材１１の間に配設したものである。その他の構成については実施形態１と同様である。【００６４】
第２絶縁層１６は、絶縁材料であれば特に材料は限定されるものではなく、熱硬化性の樹脂フィルム等が適用できる。また、フィルム材料の場合、第２絶縁層１６には、所望の供給量となるようフィルムを積層した積層体をもちいてもよい。第２絶縁層１６に用いられるより好適な材料として、熱可塑性樹脂が挙げられる。絶縁層１３の成型時の温度域で、軟化の程度が高い熱可塑性樹脂を用いることで、台座部１３ａの成型性や基板の曲面成型性の向上が期待できる。さらに、第２絶縁層１６には、加熱により溶融し、プリプレグと混じり合う材料を用いてもよく、複数の材料（例えば、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂を含有したハイブリッド型樹脂）で構成されていてもよい。また、剛性が要求される場合には、第２絶縁層１６には無機材料を用いてもよい。【００６５】
次に、実施形態４に係る実装基板の製造方法について図面を用いて説明する。図１２は、本発明の実施形態４に係る実装基板の製造方法を模式的に示した工程断面図である。【００６６】
まず、基材１１上に配線層１２を形成する（図１２（Ａ）参照）。次に、基材１１および配線層１２上であって台座部（図１２（Ｃ）の１３ａ）と対応する位置に第２絶縁層１６を形成し、基材１１、配線層１２および第２絶縁層１６上にシート状の絶縁層１３を形成する（図１２（Ｂ）参照）。次に、プレス加工により、絶縁層１３の台座部１３ａの成型を行う（図１２（Ｃ）参照）。次に、絶縁層１３（及び位置に応じて第２絶縁層１６）にビア穴を形成し、その後、ビア１４および配線層１５を形成する（図１２（Ｄ）参照）。次に、プレス型（図示せず）を用いて、加熱・加圧によって基板全体を曲面化する（図１２（Ｅ）参照）。その後、曲面基板１０上にはんだボール３０を介して半導体パッケージ２０を実装することで、実装基板１ができる（図１２（Ｆ）参照）。【００６７】
実施形態４によれば、台座部１３ａと基材１１の間に第２絶縁層１６を配設することで、曲面基板１０の曲率が大きい場合や、実装される半導体パッケージ２０のサイズが大きい場合であって、絶縁層１３のみでは台座部１３ａを形成するのに十分な量を確保できない場合に対応することができる。【００６８】
（実施形態５）
本発明の実施形態５に係る実装基板について図面を用いて説明する。図１３は、本発明の実施形態５に係る実装基板の構成を模式的に示した断面図であり、（Ａ）は凸面側に半導体パッケージを実装した実装基板、（Ｂ）は凹面側に半導体パッケージを実装した実装基板に関するものである。【００６９】
実施形態１〜４では曲面基板（配線基板）の製造工程内で絶縁層を利用して台座部を形成しているが、実施形態５では配線基板６１の製造とは別に、絶縁層６１ａ以外の絶縁材料によって台座部６２を形成したものである。実施形態５に係る実装基板１は、曲面を有する配線基板６１上に、台座部６２が配され、台座部６２上に配線基板６１の配線層６１ｄと電気的に接続する配線層６３が形成され、台座部６２の平坦面にて配線層６３に通ずるパッド部６３ａが形成されている。【００７０】
ここで、配線基板６１は、一般的な製造方法によって形成された平面状の配線基板を熱プレス等の方法によって曲面加工したものを用いることができる。配線基板６１は、絶縁層６１ａ中に配線層６１ｂを有し、絶縁層６１ａ上に配線層６１ｄを有する。配線層６１ｄは、ビア６１ｃを介して配線層６１ｂと電気的に接続されている。【００７１】
台座部６２は、曲面化された配線基板６１上に形成される。台座部６２は、絶縁材料であれば、有機材料である樹脂材料、ガラス等の無機材料、又はフィラーを含有した樹脂材料を用いることができ、予め図１３のような形状に樹脂成型や切削成型などの方法によって加工されたものを接着させてもよく、ペースト状あるいは液状の材料を印刷して硬化、あるいはモールディング方法等により硬化させて形成してもよい。【００７２】
配線層６３は、パッド部６３ａを有し、配線基板６１の配線層６１ｄと電気的に接続されるよう台座部６２上に形成される。パッド部６３ａは、台座部６２の平坦面上に形成される。配線層６３の形成は、導電性ペーストを印刷やインクジェット方式によって描画させたのち、硬化させるという方法を用いることができる。パッド部６３ａは、はんだボール３０を介して半導体パッケージ２０の外部端子２１と電気的に接続される。【００７３】
実施形態５によれば、配線基板６１の製造工程において曲面状態で配線形成や積層を行う必要がないことから、配線基板６１製造工程については従来設備や従来方法によって製造した平面状の配線基板を流用できる。【００７４】
（実施形態６）
本発明の実施形態６に係る実装基板について図面を用いて説明する。図１４は、本発明の実施形態６に係る実装基板の構成を模式的に示した断面図であり、（Ａ）は凸面側に半導体パッケージを実装した実装基板、（Ｂ）は凹面側に半導体パッケージを実装した実装基板に関するものである。【００７５】
実施形態６に係る実装基板１では、台座部６２内に電子部品５０を内蔵されている。その他の構成は実施形態５と同様である。台座部６２は、曲面化された配線基板６１上に予め他の電子部品５０（例えば、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップコイルなど）を実装しておき、後加工によって形成される。【００７６】
実施形態６によれば、台座部６２内に電子部品５０を内蔵することで、部品実装の高密度化が図れ、最終製品の小型化、薄型化に貢献できる。また、特に半導体パッケージ２０のノイズ除去目的で必要となるコンデンサは、半導体パッケージに電気的な距離が近ければ近いほど、その効果が大きくなることから、電気的な特性面でも大幅な性能向上が期待でき、高速な半導体アプリケーションなどへの適用範囲が広がるという効果も得られる。【００７７】
（実施形態７）
本発明の実施形態７に係る実装基板について図面を用いて説明する。図１５は、本発明の実施形態７に係る実装基板の構成を模式的に示した断面図であり、（Ａ）は凸面側に半導体パッケージを実装した実装基板、（Ｂ）は凹面側に半導体パッケージを実装した実装基板に関するものである。【００７８】
実施形態７に係る実装基板１では、台座部６２内に半導体パッケージ２０を実装している。製造方法としては、曲面化された配線基板６１上に半導体パッケージ２０の外部端子２１が基板面と反対側になるようにして配置しておき、ペースト状あるいは液状の絶縁材料を印刷して硬化させて台座部６２を形成し、半導体パッケージ２０および台座部６２上に導電性ペーストを印刷やインクジェット方式によって配線層６３を形成して硬化させて形成する。なお、配線層６３は、配線基板６１の配線層６１ｄ、及び、半導体パッケージ２０の外部端子２１と電気的に接続されるよう台座部６２および半導体パッケージ２０上に形成される。【００７９】
このように、台座部６２内に半導体パッケージ２０を内蔵した構成にすることで、半導体パッケージ２０の実装占有体積の最小化が図れ、最終製品の小型化、薄型化に大きく貢献できる。【００８０】
（実施形態８）
本発明の実施形態８に係る実装基板について図面を用いて説明する。図１６は、本発明の実施形態８に係る実装基板の構成を模式的に示した断面図であり、（Ａ）は凸面側に半導体パッケージを実装した実装基板、（Ｂ）は凹面側に半導体パッケージを実装した実装基板に関するものである。【００８１】
実施形態８に係る実装基板１では、半導体パッケージ２０が台座部６２内に配置され、半導体パッケージ２０の外部端子２１上に配線層６３を介して電子部品５０が実装されている。その他の構成は実施形態７と同様である。【００８２】
実施形態８によれば、より実装エリアを有効活用した高密度実装構造を得ることができる。【００８３】
以上説明した通り、曲面で構成された電子機器の筐体内の部品配置効率に優れる筐体曲面に合わせた曲面基板の実装構造が実現できることから、デザイン性が重要視される電子機器への本構造の適用によって製品の付加価値を高めることができる。特に小型・薄型化が要求される携帯電話、デジタルスチルカメラ、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）、ノート型パーソナルコンピュータ等の携帯機器への適用が有用である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【国際調査報告】
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2007058096.tif 000024
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