【手続補正書】
【提出日】平成20年1月30日(2008.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面堆積物を除去するための方法であって、
（ａ）酸素とフルオロカーボンとのモル比が少なくとも１：３である、酸素と、フルオロカーボンと、窒素源とを含むガス混合物を、前記ガス混合物が少なくとも約３，０００Ｋの中性温度に達するように十分な時間の間十分な電力を使用して、遠隔チャンバ内で活性化して、活性化ガス混合物を形成する工程と、その後、
（ｂ）前記活性化ガス混合物を前記表面堆積物と接触させ、それにより、前記表面堆積物の少なくともいくつかを除去する工程と
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
表面堆積物を除去するための方法であって、前記表面堆積物が、シリコン、ドープされたシリコン、タングステン、二酸化ケイ素、炭化ケイ素、および低Ｋ材料と呼ばれるさまざまなケイ素酸素化合物からなる群から選択され、前記方法が、
（ａ）酸素とフルオロカーボンとのモル比が少なくとも１：３である、酸素と、フルオロカーボンと、窒素源とを含むガス混合物を、遠隔チャンバ内で活性化する工程と、その後、
（ｂ）前記活性化ガス混合物を前記表面堆積物と接触させ、それにより、前記表面堆積物の少なくともいくつかを除去する工程と
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
表面堆積物を除去するための方法であって、
（ａ）窒素源を含む前処理ガス混合物を遠隔チャンバ内で活性化する工程と、その後、
（ｂ）前記活性化前処理ガス混合物を、前記遠隔チャンバから前記表面堆積物までの経路の内面の少なくとも一部と接触させる工程と、
（ｃ）酸素とフルオロカーボンとのモル比が少なくとも１：３である、酸素と、フルオロカーボンとを含むクリーニングガス混合物を、前記遠隔チャンバ内で活性化する工程と、その後、
（ｄ）前記活性化クリーニングガス混合物を前記経路に通過させる工程と、
（ｅ）前記活性化クリーニングガス混合物を前記表面堆積物と接触させ、それにより、前記表面堆積物の少なくともいくつかを除去する工程と
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
（実施例４）
前処理ガス混合物は、１００ｓｃｃｍのＮ２と、２０００ｓｃｃｍのＡｒとから構成された。それを４００ＫＨｚ  ＲＦ電力によって活性化し、中性温度は約２０００Ｋであった。１００秒に始まり３秒間続け、活性化ガスを、遠隔チャンバから、温度が１００℃に制御された、ＳｉＯ２表面堆積物が取付台上にあるプロセスチャンバまで通過させた。次に、１７５０ｓｃｃｍのＯ２と、２５０ｓｃｃｍのザイロン（登録商標）８０２０（Ｃ４Ｆ８）とから構成されるガス混合物を加えた。クリーニングガス混合物を４００ＫＨｚ  ＲＦ電力によって活性化し、中性温度は約５５００Ｋであった。プロセスチャンバ圧力は２トルであった。上にＳｉＯ２表面堆積物がある取付台を、１００℃に制御した。Ｃ４Ｆ８、ＣＯ、ＣＯ２、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、ＣＦ４、ＣＯＦ２、Ｎ２Ｏ、ＮＦ３、およびＳｉＦ４の放出ガスは、ＦＴＩＲによって監視し、図７ａに示された。前処理後、図７ｂに示されているように、エッチング速度は高レベルで開始し、ＣＯＦ２放出は低かった。Ｎ２を含有するクリーニングガス混合物で、システムを高エッチング速度状態に保った。約５００秒の時間に、Ｎ２をクリーニングガス混合物から除去し、エッチング速度がゆっくり降下し、ＣＯＦ２放出がゆっくり増加することを引起した。１８５０秒の時間に、１００ｓｃｃｍのＮ２をクリーニングガス混合物に再び加えた。結果として、エッチング速度は急上昇し、ＣＯＦ２放出は降下し、ＣＯ２放出はすぐに増加した。電力を３１６０秒にオフにした。
本発明は、以下の態様を包含する。
（態様１）
表面堆積物を除去するための方法であって、
（ａ）酸素とフルオロカーボンとのモル比が少なくとも１：３である、酸素と、フルオロカーボンと、窒素源とを含むガス混合物を、前記ガス混合物が少なくとも約３，０００Ｋの中性温度に達するように十分な時間の間十分な電力を使用して、遠隔チャンバ内で活性化して、活性化ガス混合物を形成する工程と、その後、
（ｂ）前記活性化ガス混合物を前記表面堆積物と接触させ、それにより、前記表面堆積物の少なくともいくつかを除去する工程と
を含むことを特徴とする方法。
（態様２）
前記表面堆積物が、電子デバイスを製造する際に使用される堆積チャンバの内部から除去されることを特徴とする上記態様１に記載の方法。
（態様３）
前記電力が、ＲＦ源、ＤＣ源、またはマイクロ波源によって発生されることを特徴とする上記態様１に記載の方法。
（態様４）
前記窒素源が、窒素ガス、ＮＦ３、または窒素酸化物であることを特徴とする上記態様１に記載の方法。
（態様５）
前記フルオロカーボンがペルフルオロカーボン化合物であることを特徴とする上記態様１に記載の方法。
（態様６）
前記ペルフルオロカーボン化合物が、テトラフルオロメタン、ヘキサフルオロエタン、オクタフルオロプロパン、オクタフルオロシクロブタン、フッ化カルボニル、ペルフルオロテトラヒドロフランからなる群から選択されることを特徴とする上記態様５に記載の方法。
（態様７）
前記ガス混合物がキャリヤガスをさらに含むことを特徴とする上記態様１に記載の方法。
（態様８）
前記キャリヤガスが、アルゴンおよびヘリウムからなるガスの群から選択される少なくとも１つのガスであることを特徴とする上記態様７に記載の方法。
（態様９）
前記遠隔チャンバ内の圧力が０．０１トルから２０トルであることを特徴とする上記態様１に記載の方法。
（態様１０）
前記表面堆積物が、シリコン、ドープされたシリコン、窒化ケイ素、タングステン、二酸化ケイ素、シリコンオキシナイトライド、炭化ケイ素、および低Ｋ材料と呼ばれるさまざまなケイ素酸素化合物からなる群から選択されることを特徴とする上記態様１に記載の方法。
（態様１１）
酸素とフルオロカーボンとのモル比が少なくとも約２：１から約２０：１であることを特徴とする上記態様１に記載の方法。
（態様１２）
表面堆積物を除去するための方法であって、前記表面堆積物が、シリコン、ドープされたシリコン、タングステン、二酸化ケイ素、炭化ケイ素、および低Ｋ材料と呼ばれるさまざまなケイ素酸素化合物からなる群から選択され、前記方法が、
（ａ）酸素とフルオロカーボンとのモル比が少なくとも１：３である、酸素と、フルオロカーボンと、窒素源とを含むガス混合物を、遠隔チャンバ内で活性化する工程と、その後、
（ｂ）前記活性化ガス混合物を前記表面堆積物と接触させ、それにより、前記表面堆積物の少なくともいくつかを除去する工程と
を含むことを特徴とする方法。
（態様１３）
前記表面堆積物が、電子デバイスを製造する際に使用される堆積チャンバの内部から除去されることを特徴とする上記態様１２に記載の方法。
（態様１４）
前記窒素源が、窒素ガス、ＮＦ３、または窒素酸化物であることを特徴とする上記態様１２に記載の方法。
（態様１５）
前記フルオロカーボンがペルフルオロカーボン化合物であることを特徴とする上記態様１２に記載の方法。
（態様１６）
表面堆積物を除去するための方法であって、
（ａ）窒素源を含む前処理ガス混合物を遠隔チャンバ内で活性化する工程と、その後、
（ｂ）前記活性化前処理ガス混合物を、前記遠隔チャンバから前記表面堆積物までの経路の内面の少なくとも一部と接触させる工程と、
（ｃ）酸素とフルオロカーボンとのモル比が少なくとも１：３である、酸素と、フルオロカーボンとを含むクリーニングガス混合物を、前記遠隔チャンバ内で活性化する工程と、その後、
（ｄ）前記活性化クリーニングガス混合物を前記経路に通過させる工程と、
（ｅ）前記活性化クリーニングガス混合物を前記表面堆積物と接触させ、それにより、前記表面堆積物の少なくともいくつかを除去する工程と
を含むことを特徴とする方法。