Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月23日(2007.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】サブマウント、発光装置および発光装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
Ａｕからなる層を表面に有しており、前記絶縁基板上に設けられた第1の配線層と、
Ａｕ−Ｓｎ合金からなり、前記第1の配線層の前記表面に設けられた第1のロウ材層と、
Ａｕからなる層を表面に有しており、前記絶縁基板上に設けられた第２の配線層と、
Ａｕ−Ｓｎ合金からなり、Ｐｔからなる拡散防止層を介して、前記第2の配線層上に形成された第2のロウ材層とを有することを特徴とするサブマウント。
【請求項２】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成された第1の配線層と、
Ａｕ−Ｓｎ合金からなる第1のロウ材を介して、前記第1の配線層と接合された第1の発光素子と、
前記絶縁基板上に形成された第2の配線層と、
Ａｕ−Ｓｎ合金からなるとともに前記第1のロウ材より高い融点を有する第2のロウ材を介して、前記第2の配線層と接合された第2の発光素子とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
前記第１のロウ材は、前記第２のロウ材よりもＡｕの含有量が多いことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第2のロウ材層と前記第2の配線層との間にＰｔからなる拡散防止層を有することを特徴とする請求項２または３に記載の発光装置。
【請求項５】
Ａｕ−Ｓｎ合金からなる第1のロウ材を表面に有する第1の配線層と、Ａｕ−Ｓｎ合金からなるとともに前記第1のロウ材より融点が高い第2のロウ材を表面に有する第2の配線層とを備えた絶縁基板と、第1の発光素子と、第2の発光素子とを準備する工程と、
前記第２の発光素子を、前記第２のロウ材を介して前記第２の配線層と接合した後、前記第１の発光素子を、前記第１のロウ材を介して前記第１の配線層と接合する工程とを有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記第1の配線層は、Ａｕからなる層を表面に有しており、前記第1の発光素子と前記第1の配線層とを接合する工程において、前記第1の配線層の前記Ａｕが、前記第1のロウ材に拡散することを特徴とする請求項５に記載の発光装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明のサブマウントは、絶縁基板と、Ａｕからなる層を表面に有しており、前記絶縁基板上に設けられた第1の配線層と、Ａｕ−Ｓｎ合金からなり、前記第1の配線層の前記表面に設けられた第1のロウ材層と、Ａｕからなる層を表面に有しており、前記絶縁基板上に設けられた第２の配線層と、Ａｕ−Ｓｎ合金からなり、Ｐｔからなる拡散防止層を介して、前記第2の配線層上に形成された第2のロウ材層とを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の発光装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された第1の配線層と、Ａｕ−Ｓｎ合金からなる第1のロウ材を介して、前記第1の配線層と接合された第1の発光素子と、前記絶縁基板上に形成された第2の配線層と、Ａｕ−Ｓｎ合金からなるとともに前記第1のロウ材より高い融点を有する第2のロウ材を介して、前記第2の配線層と接合された第2の発光素子とを有することを特徴とする。本発明の発光装置の製造方法は、Ａｕ−Ｓｎ合金からなる第1のロウ材を表面に有する第1の配線層と、Ａｕ−Ｓｎ合金からなるとともに前記第1のロウ材より融点が高い第2のロウ材を表面に有する第2の配線層とを備えた絶縁基板と、第1の発光素子と、第2の発光素子とを準備する工程と、前記第２の発光素子を、前記第２のロウ材を介して前記第２の配線層と接合した後、前記第１の発光素子を、前記第１のロウ材を介して前記第１の配線層と接合する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
なお、区別しやすくするため、複数の搭載部のうち、配線層（第1の配線層）の上面にＡｕ−Ｓｎ合金から成るロウ材層４が積層されて成るロウ材層４を第１のロウ材層４ａ、配線層（第2の配線層）の上面に第２の拡散防止層３を介してＡｕ−Ｓｎ合金から成るロウ材層４が積層されて成るロウ材層４を第２のロウ材層４ｂと称して説明する。また、電子部品５は発光素子である場合において、第２のロウ材層４ｂが積層されて成る搭載部に電気的に接続され搭載される電子部品５を第１の発光素子、第１のロウ材層４ａが積層されて成る搭載部に電気的に接続され搭載される電子部品５を第２の発光素子と称して説明する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
次に、第２の発光素子５ｂを第１の発光素子５ａの位置を基準に位置合わせして第１のロウ材層４ａの上面に搭載し、低くなっている第１のロウ材層４ａのＡｕ−Ｓｎ合金の溶融温度まで加熱することで、第１のロウ材層４ａの搭載部に第２の発光素子５ｂを第１の発光素子５ａと相対位置精度のよい状態で接続して搭載することができる。この際、第２のロウ材層４ｂのＡｕ−Ｓｎ合金は溶融温度が高いままなので、溶融することは無く、第１の発光素子５ａは強固に接合されたままとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月18日(2007.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）主面およびその反対面の裏面を持つ半導体ウエハを用意する工程、
（ｂ）前記半導体ウエハの主面に半導体素子を有する半導体チップを形成し、前記半導体チップの周囲に設けられた切断領域にパターンを形成する工程、
（ｃ）テープと、前記テープの外周に貼り付けられた枠体とを有する治具を準備する工程、
（ｄ）前記治具のテープに前記半導体ウエハの主面を貼り付ける工程、
（ｅ）前記治具のテープに前記半導体ウエハの主面を貼り付けた状態で、前記半導体ウエハの裏面を研削する工程、
（ｆ）前記半導体ウエハの主面の切断領域における前記パターンを認識する工程、
（ｇ）第１の水と第２の水とをダイシング装置のダイシング刃に噴射しながら、前記半導体ウエハの切断領域に前記ダイシング刃を当てて前記半導体ウエハを切断し、前記半導体チップに分割する工程、
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記(ｅ)工程の後に、前記半導体ウエハを研磨することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記研磨する工程は、研磨パッドを用いて行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記研磨する工程は、エッチング法により行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程後の前記半導体ウエハの厚さが１００μｍまたは１００μｍより薄いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記治具の枠体は、前記テープの主面に形成された接着層を介して貼り付けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体ウエハの主面は、前記テープの主面に形成された接着層を介して貼り付けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記第２の水の圧力は、前記第１の水の圧力よりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の水は純水を含み、前記第２の水は薬液を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記第２の水の二酸化炭素濃度は、前記第１の水の二酸化炭素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月24日(2007.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射多層膜を有する複数のミラーを備えた投影光学系において、前記複数のミラーのうち光線の入射角度範囲が最大となるミラーの反射多層膜は非周期膜を有すること、を特徴とする投影光学系。
【請求項２】
請求項１に記載の投影光学系において、前記複数のミラーのうち光線の入射角度範囲が最大となるミラーの反射多層膜は非周期膜と周期膜が積層された構造であること、を特徴とする投影光学系。
【請求項３】
請求項１または２に記載の投影光学系において、前記複数のミラーのうち光線の入射角度範囲が最大となるミラーとは異なるミラーであって、光線の入射角度の平均値が最大となるミラーの反射多層膜は非周期膜を有すること、を特徴とする投影光学系。
【請求項４】
請求項３に記載の投影光学系において、前記複数のミラーのうち光線の入射角度範囲が最大となるミラーとは異なるミラーであって、光線の入射角度の平均値が最大となるミラーの反射多層膜は非周期膜と周期膜が積層された構造であること、を特徴とする投影光学系。
【請求項５】
反射多層膜を有する複数のミラーを備えた投影光学系において、前記複数のミラーのうち光線の入射角度の平均値が最大となるミラーの反射多層膜は非周期膜を有すること、を特徴とする投影光学系。
【請求項６】
請求項５に記載の投影光学系において、前記複数のミラーのうち光線の入射角度の平均値が最大となるミラーの反射多層膜は非周期膜と周期膜が積層された構造であること、を特徴とする投影光学系。
【請求項７】
請求項２、４、６に記載の投影光学系において、前記周期膜は前記非周期膜の表層側に積層されること、を特徴とする投影光学系。
【請求項８】
請求項１乃至７に記載の投影光学系において、前記非周期膜を有する反射多層膜の膜厚分布が１％未満であること、を特徴とする投影光学系。
【請求項９】
請求項１乃至７に記載の投影光学系において、前記非周期膜を有する反射多層膜の膜厚分布が１％以上であること、を特徴とする投影光学系。
【請求項１０】
請求項１乃至９に記載の投影光学系において、前記投影光学系に入射する光線は波長１０ｎｍ〜１５ｎｍのＥＵＶ光であること、を特徴とする投影光学系。
【請求項１１】
請求項１乃至１０に記載の投影光学系と、原版と、前記原版上のパターンが前記投影光学系により転写される基板と、を有することを特徴とする露光装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有するデバイス製造方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の露光装置を用いて露光された被処理体より製造されるデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
請求項７にかかる発明は、請求項２、４、６に記載の投影光学系において、前記周期膜は前記非周期膜の表層側に積層されることを特徴とする。反射多層膜の表層側に周期膜を配置することにより、反射率の平均値を向上することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月22日(2007.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線パターンが形成された第１のインターポーザと、前記第１のインターポーザに搭載されるとともに前記第１の配線パターンと電気的に接続された第１の半導体チップと、を含む第１のパッケージと、
第２の配線パターンが形成された第２のインターポーザと、前記第２のインターポーザに搭載されるとともに前記第２の配線パターンと電気的に接続された第２の半導体チップと、を含む第２のパッケージと、
前記第１及び第２の配線パターンを電気的に接続するコンタクト部と、
樹脂と、
を有し、
前記第２のパッケージは、前記第２のインターポーザが前記第１の半導体チップ及び前記第１のインターポーザの上方にオーバーラップするように配置され、
前記コンタクト部は、前記第１及び第２のインターポーザの間に設けられ、
前記樹脂は、前記第１のインターポーザ及び前記第１の半導体チップと、前記第２のインターポーザと、の間に設けられ、且つ、前記第２のパッケージの側面を被覆している半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記樹脂は、前記第１及び第２のパッケージの間に隙間なく充填されてなる半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂は、前記第２のパッケージの側面にフィレットを形成してなる半導体装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第２の半導体チップを封止するように前記第２のインターポーザに設けられた封止部をさらに有する半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、
前記樹脂は、前記封止部の側面を被覆してなる半導体装置。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂は、前記第２のパッケージの側面を全て被覆してなる半導体装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂の熱膨張率は、前記第２の半導体パッケージの熱膨張率よりも大きい半導体装置。
【請求項８】
請求項４記載の半導体装置において、
前記樹脂の熱膨張率は、前記封止部の熱膨張率よりも大きい半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月8日(2007.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面と、前記主面に対向する裏面とを有するＮ型半導体基板と、
前記Ｎ型半導体基板上に形成されたｉ型エピタキシャル層と、
前記ｉ型エピタキシャル層上に形成されたＰ型半導体層と、
前記Ｐ型半導体層の表面から前記ｉ型エピタキシャル層を通して、前記Ｎ型半導体基板に達する分離溝であって、前記Ｐ型半導体層と前記ｉ型エピタキシャル層と前記Ｎ型半導体基板とで形成されるＰｉＮ接合を横切るように形成された分離溝とを有し、
前記Ｐ型半導体層、前記ｉ型エピタキシャル層及び前記Ｎ型半導体基板は、その平面形状が四角形状の半導体チップを構成し、
前記分離溝の平面形状は、前記半導体チップの前記四角形状の主面の各辺とそれぞれ平行に対向するように、環状に形成され、かつ、前記各辺との距離がそれぞれ等距離に形成され、
前記環状の前記分離溝に囲まれた領域に前記ＰｉＮ接合を有するダイオードが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記分離溝が、前記Ｐ型半導体層の主面から連続する第１部と、前記第１部から連続する第２部と、前記第２部から連続する第３部とからなり、
前記第１部、前記第２部及び前記第３部の側壁は、前記Ｐ型半導体層の主面に近づくにつれ幅の広い順テーパー形状に夫々形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記分離溝によって、トレンチ構造またはメサ構造が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記分離溝の平面形状における角部分は、曲線形状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月15日(2007.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜に開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部に導電性材料を堆積させる堆積工程と、
前記基体表面と対向する位置に配置する導電性パッドを用いて、前記導電性パッドをオービタル運動させながら固定された接点を介して前記導電性パッドに通電し、さらに、前記基体表面に通電し、前記導電性材料が堆積した基体表面を電解研磨する研磨工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明の半導体装置の製造方法は、
基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜に開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部に導電性材料を堆積させる堆積工程と、
前記基体表面と対向する位置に配置する導電性パッドを用いて、前記導電性パッドをオービタル運動させながら前記導電性パッドに通電し、さらに、前記基体表面に通電し、前記導電性材料が堆積した基体表面を電解研磨する研磨工程と、
を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月22日(2007.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造装置の処理室の壁暴露部をプラズマから保護する目的で前記処理室内に配置される円筒形状の半導体製造装置用インナーライナーにおいて、円筒形状に湾曲される帯状のライナー素材の径方向に対して傾斜した相補的な傾斜面が形成された両端部を、少なくとも一方の前記傾斜面に深さ方向に加工を施すことで前記円筒形状の軸幅方向に離間して残された複数の凸部を溶着開始領域として前記両傾斜面にて溶着したことから成る半導体製造装置用インナーライナー。
【請求項２】
前記凸部は鋸の目立て状に形成される規則的な鋸刃状凸部であることから成る請求項１に記載の半導体製造装置用インナーライナー。
【請求項３】
前記両端部は、前記傾斜面を正しい位置で溶着するため、互いの位置を決める位置決め手段を備えていることから成る請求項１に記載の半導体製造装置用インナーライナー。
【請求項４】
前記ライナー素材は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンゾイミダゾール等の樹脂素材であることから成る請求項１の半導体製造装置用インナーライナー。
【請求項５】
半導体製造装置の処理室の壁暴露部をプラズマから保護するインナーライナーを円筒形状に成形する成形方法において、円筒形状に湾曲される帯状のライナー素材の両端部に径方向に傾斜した相補的な傾斜面を形成し、少なくとも一方の前記傾斜面に深さ方向に加工を施すことで前記円筒形状の軸幅方向に離間して残された複数の凸部を形成し、前記凸部を溶着開始領域として前記両傾斜面を溶着することから成る半導体製造装置用インナーライナーの成形方法。
【請求項６】
前記凸部は鋸の目立て状に形成される規則的な鋸刃状凸部であることから成る請求項５に記載の半導体製造装置用インナーライナーの成形方法。
【請求項７】
前記両端部の互いの位置を位置決め手段によって位置決めすることにより、前記傾斜面を正しい位置で溶着することから成る請求項５に記載の半導体製造装置用インナーライナーの成形方法。
【請求項８】
前記ライナー素材は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンゾイミダゾール等の樹脂素材であることから成る請求項５に記載の半導体製造装置用インナーライナーの成形方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この半導体製造装置用インナーライナー及びその成形方法において、前記凸部を鋸の目立て状に形成した規則的な鋸刃状凸部とすることが好ましい。溶着開始領域としての凸部を規則的な鋸刃状凸部とすることで、溶着開始領域が等間隔に規則正しく並んだ幅狭い凸部となり、溶着を合わせ面の全領域において均等に且つ確実に行うことができる。また成形の点からも溶着開始領域となる鋸刃状凸部の加工を鋸の目立てを行うのと同様に機械的に容易に且つ均一に行うことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この半導体製造装置用インナーライナー及びその成形方法において、前記両端部には、前記傾斜面を正しい位置で溶着するため、互いの位置を決める位置決め手段を備えることができる。ライナー素材の両端部に互いの位置を決める位置決め手段を備えることにより、溶着時に両傾斜面が正しい位置で溶着され、製作されたインナーライナーにおいては、正しく円筒形状に製作されたインナーライナーとなる。また、成形方法としても、ライナー素材の両端部の互いの位置を位置決め手段によって位置決めすることで、傾斜面同士を正しい位置で溶着することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月30日(2007.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１３のセグメントに分割された伝送帯域幅を有し、その内の１セグメントを占有する１セグメント放送と、他の１２セグメントを占有する１２セグメント放送とを受信する受信手段と、
前記受信手段により受信される１２セグメント放送および１セグメント放送から１２セグメント放送の映像データ、１セグメント放送の映像データおよび１セグメント放送の音声データを記録する記録手段と
を具備することを特徴とする放送記録装置。
【請求項２】
前記記録手段は、１２セグメント放送の音声データと１セグメント放送の音声データとが同一のデータ形式である場合には、１２セグメント放送の映像データ、１セグメント放送の映像データおよび１セグメント放送の音声データを記録することを特徴とする請求項１記載の放送記録装置。
【請求項３】
前記記録手段にて記録された１２セグメント放送を再生する場合には、１２セグメント放送の映像データと１セグメント放送の音声データとを再生する再生手段を具備することを特徴とする請求項１記載の放送記録装置。
【請求項４】
１３のセグメントに分割された伝送帯域幅を有し、その内の１セグメントを占有する１セグメント放送と、他の１２セグメントを占有する１２セグメント放送とを受信する受信処理と、
前記受信処理にて受信される１２セグメント放送および１セグメント放送から１２セグメント放送の映像データ、１セグメント放送の映像データおよび１セグメント放送の音声データを記録する記録処理と
をコンピュータで実行させることを特徴とする放送記録処理プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】放送記録装置および放送記録処理プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、地上デジタル放送を記録する放送記録装置および放送記録処理プログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、１２セグメント放送と１セグメント放送とを記録する際の記録データ量を削減することができる放送記録装置および放送記録処理プログラムを提供することを目的としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、１３のセグメントに分割された伝送帯域幅を有し、その内の１セグメントを占有する１セグメント放送と、他の１２セグメントを占有する１２セグメント放送とを受信する受信手段と、前記受信手段により受信される１２セグメント放送および１セグメント放送から１２セグメント放送の映像データ、１セグメント放送の映像データおよび１セグメント放送の音声データを記録する記録手段とを具備することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記請求項１に従属する請求項２に記載の発明では、前記記録手段は、１２セグメント放送の音声データと１セグメント放送の音声データとが同一のデータ形式である場合には、１２セグメント放送の映像データ、１セグメント放送の映像データおよび１セグメント放送の音声データを記録することを特徴とする
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記請求項１に従属する請求項３に記載の発明では、前記記録手段にて記録された１２セグメント放送を再生する場合には、１２セグメント放送の映像データと１セグメント放送の音声データとを再生する再生手段を具備することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項４に記載の発明では、１３のセグメントに分割された伝送帯域幅を有し、その内の１セグメントを占有する１セグメント放送と、他の１２セグメントを占有する１２セグメント放送とを受信する受信処理と、前記受信処理にて受信される１２セグメント放送および１セグメント放送から１２セグメント放送の映像データ、１セグメント放送の映像データおよび１セグメント放送の音声データを記録する記録処理とをコンピュータで実行させることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、１２セグメント放送と１セグメント放送とを記録する際の記録データ量を削減することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月18日(2007.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
一方、上述したように、半導体装置は小さくなってきており、それに伴い、リードフレームと樹脂とは、点接触に近い状態で封止されることになる。かかる状態でダイシングを行うと、振動などによってリードフレームから樹脂が剥離して不良品となってしまう。そこで、図８及び図９に示すように、半導体パッケージの露出面において、リードフレーム１０００の一部の領域（図中斜線領域）に、厚さがリードフレーム１０００の板厚の半分程度の薄肉部１６００を形成し、樹脂１５００を露出面に周り込ませて、リードフレーム１０００と樹脂１５００との剥離を防止することが提案されている。なお、一般に、薄肉部１６００の形成には、エッチング（ハーフエッチング）が利用されているが、他の薄肉部形成技術としては従来から幾つか提案されている（例えば、特許文献１乃至３参照。）。
【特許文献１】特公平７−２２１９２号公報
【特許文献２】特開２００３−３０３９３５号公報
【特許文献３】特許第２５０４８６０号
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は上記の事情に鑑みて為されたもので、例えば輝線スペクトルを有するような波長依存性の高い光源を用いた場合であっても、試料（ミラー等の光学素子）の分光光学特性を高精度に計測することができる方法及びそのシステムを提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
そこで、本発明は、このような従来の課題を解決し、高品位の半導体装置を短い時間、且つ、比較的低コストで製造することを可能とし、製造の高速化と効率化を達成するリードフレーム及び半導体装置の製造方法を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一側面としてのリードフレームは、半導体装置を形成する形成領域を複数有するリードフレームであって、前記形成領域は、半導体チップを載置するダイパッドと、前記ダイパッドと前記リードフレームとを接続し、第１のスリットを有する吊りリードとを有し、前記吊りリードの外側の隣接する前記形成領域の間に、第２のスリットを有することを特徴とする。かかるリードフレームは、第１のスリット及び第２のスリットにより、ダイパッドの平坦度を維持すると共に、形成領域の変形が隣接する形成領域に伝播することを防止することができる。前記吊りリードは、階段状の形状を有することが好ましい。前記第１のスリットは、Ｔ字形状であることが好ましい。前記第１のスリットと前記第２のスリットとは、接続している。これにより、吊りリードを分割し、各々独立させることができる。前記第１のスリット及び前記第２のスリットは、Ｖ字形状又はＵ字形状の切り欠き部を有する。これにより、第２のスリットは、より効果的にパターンの変形を吸収することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月11日(2007.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に、略一直線状に配列形成された複数のアンテナエレメントと、
該複数のアンテナエレメントに、配列方向に対して垂直な辺からそれぞれ接続する複数の子給電ラインと、該複数の子給電ラインを並列的に接続する親給電ラインとを備えたアレイアンテナにおいて、
前記親給電ラインの途中点に位相反転分配器を接続するとともに、
前記複数のアンテナエレメントのそれぞれの子給電ライン接続点が各アンテナエレメントの前記位相反転分配器側であり、
前記複数のアンテナエレメントは、前記位相反転分配器の略中央を通り前記配列方向に垂直な基準線に対して線対称に配列され、且つアンテナエレメントの配列間隔の全ては均等ではないことを特徴とするアレイアンテナ。
【請求項２】
前記親給電ラインおよび前記子給電ラインは、前記基準線に対して線対称に配置されている請求項１に記載のアレイアンテナ。
【請求項３】
前記位相反転分配器は、前記基準線に垂直で且つ前記アンテナエレメントの前記基準線に平行な辺の中点を通る第２基準線と前記基準線との交点に配置され、
前記親給電ラインおよび前記子給電ラインは、前記交点に対して点対称に配置されている請求項１に記載のアレイアンテナ。
【請求項４】
前記位相反転分配器と前記基準線の片側に存在する各アンテナエレメントとの間の給電ラインはそれぞれ異なるインピーダンスで形成されている請求項１〜請求項３のいずれかに記載のアレイアンテナ。
【請求項５】
前記アンテナエレメントの配列間隔は、前記位相反転分配器に近接するアンテナエレメント間の間隔のみ他のアンテナエレメント間の間隔と異なる請求項１〜請求項４のいずれかに記載のアレイアンテナ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
アンテナエレメント２ａ〜２ｉは基板１の長辺方向を配列方向として、略直線状に所定の等間隔で配列形成されており、各アンテナエレメント２ａ〜２ｉは各子給電ライン３ａ〜３ｉに、配列方向に垂直な辺で、且つアンテナエレメント２ａ〜２ｉに対して同じ方向、図６で示せばアンテナエレメント２ａ〜２ｉの右側の辺で接続されている。これは、各アンテナエレメントに同じ方向の電界を発生するとともに、子給電ラインに所定のインピーダンスを備えるためである。そして、アンテナエレメント２ａ〜２ｉの形成間隔は、アンテナエレメント２ａ〜２ｉから放射される電波の位相を同期させることと電波の放射パターンを最適化するため、通常、放射電波の波長の整数倍に設定されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明は、基板表面に、略一直線状に配列形成された複数のアンテナエレメントと、該複数のアンテナエレメントに、配列方向に対して垂直な辺からそれぞれ接続する複数の子給電ラインと、該複数の子給電ラインを並列的に接続する親給電ラインとを備えたアレイアンテナにおいて、親給電ラインの途中点に位相反転分配器を接続するとともに、複数のアンテナエレメントのそれぞれの子給電ライン接続点を各アンテナエレメントの位相反転分配器側とし、複数のアンテナエレメントを、位相反転分配器の略中央を通り配列方向に垂直な基準線に対して線対称に配列し、且つアンテナエレメントの配列間隔の全ては均等ではないようにしたことを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、この発明は、位相反転分配器から基準線の片側に存在する各アンテナエレメントまでの給電ラインをそれぞれ異なるインピーダンスで形成することを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
これにより、各アンテナエレメント２ａ〜２ｔに発生される電界Ｅａ〜Ｅｔの方向が図２に示すように一致する。図２、は本実施形態のアンテナエレメントに発生される電界の向きを示す概念図である。
この結果、位相反転分配器６を通りアンテナエレメント２ａ〜２ｔの配列方向に垂直な基準線（図１中の１点鎖線）に対して対称な位置に配置されたアンテナエレメント同士から放射される電波の相殺が防止されて、アレイアンテナから所定の指向性を有する電波が放射される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
表１は、各アンテナエレメント間の長さＬab〜Ｌstの設定値を示しており、表２は位相反転分配器６から各アンテナエレメント２ａ〜２ｔまでの親給電ライン４および各子給電ライン３ａ〜３ｔによる減衰量を示している。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
表３は本実施形態のアレイアンテナのアンテナエレメントの配列間隔を示し、表４は本実施形態のアレイアンテナの位相反転分配器６から各アンテナエレメント２ａ〜２ｔまでの親給電ライン４および各子給電ライン３ａ〜３ｔによる減衰量を示している。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月2日(2007.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介して端末及び他の通信装置に接続され、
ＣＰＵと、
上記端末の位置情報を格納するメモリと、
上記端末から該端末の位置情報を受信し、該位置情報を上記他の通信装置へ送信する送受信部とを備えた通信装置。
【請求項２】
上記位置情報は、MobileIPのバインディング情報であることを特徴とする請求項１記載の通信装置。
【請求項３】
上記通信装置は、上記他の通信装置からの情報通知要求を受信して、上記端末の位置情報を返信することを特徴とする請求項１記載の通信装置。
【請求項４】
ネットワークを介して端末と、該端末の位置情報を管理するサーバに接続され、
ＣＰＵと、
上記サーバから上記端末の位置情報を受信する送受信部と、
受信した上記端末の位置情報を、該端末の他の状態情報とともに格納するメモリを備えた状態情報管理装置。
【請求項５】
端末と接続され、端末位置情報管理サーバ、プレゼンスサーバ、及びサービス用サーバを備えた通信システムであって、
上記端末位置情報管理サーバは、
上記端末から該端末の位置情報を受信し、該位置情報をプレゼンスサーバに送信する送受信部を備え、
上記プレゼンスサーバは、
上記端末位置情報管理サーバから上記位置情報を受信し、上記サービス用サーバに送信する送受信部を備え、
上記サービス用サーバは、
上記プレゼンスサーバから上記位置情報を受信し、該位置情報に応じたデータを上記端末に送信する送受信部を備えたことを特徴とする通信システム。
【請求項６】
上記端末位置情報管理サーバの送受信部は、
上記プレゼンスサーバからの情報通知要求を受信し、上記端末の位置情報を返信することを特徴とする請求項５記載の通信システム。
【請求項７】
上記プレゼンスサーバの送受信部は、
上記サービス用サーバから情報参照要求を受信し、上記端末の位置情報を返信することを特徴とする請求項５記載の通信システム。
【請求項８】
ネットワークを介して端末とプレゼンスサーバとに接続され、
ＣＰＵと、
上記プレゼンスサーバから上記端末の位置情報を受信し、上記位置情報に応じたデータを上記端末に送信する送受信部と、
上記端末の位置情報と該位置情報に応じた上記データの対応関係を格納するメモリを備えたサービス用サーバ。
【請求項９】
ネットワークを介して、端末、端末情報管理装置、及び端末状態情報管理装置に接続された通信制御装置であって、
上記端末情報管理装置から上記端末状態情報管理装置に向けて送信された上記端末の位置情報を受信し、該位置情報を上記端末状態情報管理装置に送信する送受信部と、
上記位置情報と、上記位置情報に対応した通信制御情報を格納するメモリを備えた通信制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月14日(2007.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パケットを受信する入力インタフェースと、パケットを送信する出力インタフェースと、
前記入力インタフェースで受信したパケットのヘッダを解析する手段と、前記入力インタフェースと出力インタフェースとの接続を装置内部で切り替えるスイッチ部と、
自装置が属するネットワークのトポロジ情報により定まる上流・下流を区別する識別子と、自装置以外のノード装置に配布するためのアドレスとを対応させて格納するデータベースと、当該データベースに格納される情報を読み出す手段とを備え、
前記下流側に属するノード装置に対しては、前記下流を示す識別子に対応するアドレスを配布することを特徴とするパケット中継装置。
【請求項２】
複数の入力ポートを有しデータパケットを受信する入力処理部と、
複数の出力ポートを有し前記受信したデータパケットを送出する出力処理部と、
前記データパケットの経路を装置内部で切り替えるスイッチ部と、
経路制御部と、ネットワークの接続形態であるトポロジ情報を管理するトポロジ情報処理部と、ネットワークアドレスを含む識別情報を管理する識別情報制御部とを有し、
前記入力処理部は、前記受信したデータパケットのヘッダ情報に含まれる転送情報を抽出する手段と、前記抽出した転送情報を前記経路制御部に通知する手段と、前記受信したデータパケットをスイッチ部に送る手段とを有し、
前記経路制御部は、自装置から到達可能な宛先を算出する手段と、前記宛先情報を保持する手段と、前記データパケットのヘッダ情報及び宛先情報に基づいて該データパケットの送信先から、送出するインタフェースを決定する手段と、前記インタフェース情報を前記スイッチ部へ通知する手段とを有し、
前記スイッチ部は、前記スイッチ切り替え情報に基づいて、前記入力ポートと前記出力ポートの接続を切り替える手段を有し、
前記トポロジ情報処理部は、自装置及びその接続対象であるネットワークのトポロジ情報を収集する手段と、前記トポロジ情報に基づいて自装置と周囲の装置との接続状態及びネットワーク構成を認識する手段と、前記接続情報及び階層情報を保持する手段とを有し、
前記識別情報制御部は、自装置及びその接続対象である中継装置及びネットワークに関する識別情報を収集する手段と、前記収集した識別情報を保持する手段とを有することを特徴とするパケット中継装置。
【請求項３】
請求項２に記載のパケット中継装置において、
前記トポロジ情報処理部は、ネットワーク間、装置間、もしくはインタフェース間における相互の依存関係を認識する手段を有することを特徴とするパケット中継装置。
【請求項４】
請求項２に記載のパケット中継装置において、
前記トポロジ情報処理部は、ネットワークを構成する複数の中継装置について、相互の相対的な階層関係を判断もしくは決定する手段を有することを特徴とするパケット中継装置。
【請求項５】
請求項２に記載のパケット中継装置において、
前記識別情報処理部は、自装置の管理下にあるネットワーク及び該ネットワークに属する装置において使用可能なアドレス情報を含むネットワーク構成情報を判定もしくは決定する手段を有することを特徴とするパケット中継装置。
【請求項６】
請求項２に記載のパケット中継装置において、
前記識別情報処理部は、自装置の管理下にあるネットワーク及び該ネットワークに属する装置に対し、該ネットワーク及び装置に使用可能なアドレス情報を含むネットワーク構成情報を通知する手段を有することを特徴とする、請求項１もしくは２に記載のパケット中継装置。
【請求項７】
請求項２に記載のパケット中継装置において、
前記トポロジ情報処理部は、前期トポロジ情報を装置間で相互に通知する手段と、
他の中継装置から受信した前記トポロジ情報を前記トポロジ情報処理部に保持する手段とを有することを特徴とするパケット中継装置。
【請求項８】
請求項２に記載のパケット中継装置において、
前記識別情報処理部は、前記ネットワーク構成（トポロジ）の変動に基づいて、装置内に保持される前期識別情報の利用状況を更新する手段を有することを特徴とするパケット中継装置。
【請求項９】
複数の入力ポートを含む入力処理部と、複数の出力ポートを含む出力処理部と、前記入力ポートと前記出力ポートとを接続し、装置内部での通信経路を生成すると共に、前期入力ポート及び出力ポートとの対応を切り替えるスイッチ部と、経路制御部と、を備え、さらにネットワークの接続形態であるトポロジ情報を管理するトポロジ情報処理部と、ネットワークアドレスを含む識別情報を管理する識別情報制御部と、のいずれかもしくは両方を備える、一つもしくは複数のパケット中継装置で構成され、階層構造を有することを特徴とするネットワークにおいて、
ネットワークを構成する一つもしくは複数の装置、及び各装置に備えられた一つもしくは複数のインタフェースに対して、ネットワークを介して通信するための識別子、及びネットワーク構成情報を設定するネットワーク構成方法であって、
前記階層構成を、コアネットワーク側を上流、ユーザ端末側を下流と表現した場合に、前記中継装置が、該装置よりも下流側のインタフェースを通じて該装置に接続された中継装置に対して、該下流の中継装置において利用可能な前記識別情報を決定するステップと、
前記決定した識別情報を通知するステップと、該下流の中継装置が、さらに下流の中継装置に対して配布可能な前記識別情報を、該下流の中継装置に対して通知するステップとを有し、
前記下流の中継装置は、通知された前記識別情報に基づいて、自装置のインタフェースに識別情報を設定するステップと、下流側で使用可能なアドレスを決定し、必要な場合に通知するステップと、を含むことを特徴とするネットワーク構成方法。
【請求項１０】
複数のサブネットにより構成されるネットワークであって、
当該サブネットは、少なくとも１つのパケット中継装置を備え、
当該パケット中継装置は、複数の入力ポートを含む入力処理部と、複数の出力ポートを含む出力処理部と、前記入力ポートと前記出力ポートとを接続し、装置内部での通信経路を生成すると共に、前期入力ポート及び出力ポートとの対応を切り替えるスイッチ部と、経路制御部とを備え、
更に、ネットワークの接続形態であるトポロジ情報を管理するトポロジ情報処理部と、ネットワークアドレスを含む識別情報を管理する識別情報制御部とのいずれかを少なくとも備え、
前記各中継装置は、自装置の管理するネットワークの情報を、前記識別情報制御部に保持する手段と、自装置及び自装置の属するネットワーク、さらに自装置を管理する装置及びネットワークと、自装置の管理下にある装置及びネットワークについての依存関係と、
各装置の接続状況とを前記トポロジ情報処理部に保持する手段とを有することを特徴とするネットワーク。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月22日(2007.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）複数の配線、および前記複数の配線のそれぞれを露出する絶縁膜が形成された主面を有する半導体ウエハを準備する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハの主面に複数のバンプ電極を形成する工程と、
（ｃ）気体と液体の混合物を前記複数のバンプ電極に噴射する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハの主面の外観を検査する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハをダイシングして個々の半導体チップに分割する工程と、
（ｆ）前記半導体チップをトレイへ格納し、出荷する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体ウエハの主面には、複数の電界効果トランジスタが形成されており、前記複数の配線は、前記複数の電界効果トランジスタとそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記複数のバンプ電極のそれぞれは、前記複数の配線のそれぞれにスパッタエッチングを施し、前記半導体ウエハの主面に導電膜を形成し、前記導電膜上にレジスト膜を塗布し、前記複数の配線のそれぞれと平面的に重なる領域の前記レジスト膜を除去することで前記導電膜の一部を前記レジスト膜から露出させ、前記レジスト膜が除去された領域を埋め込むように前記導電膜上に金膜を形成し、前記レジスト膜を除去することで、前記半導体ウエハの主面に形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記金膜は、電解めっき法により形成されることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体ウエハの主面に前記複数のバンプ電極を形成した後、平面的に前記複数のバンプ電極のそれぞれから露出する前記導電膜をエッチングにより除去することを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記導電膜は、パラジウム膜とチタン膜の積層膜、あるいはチタンタングステン膜と金膜の積層膜から形成されていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体ウエハの主面に前記複数のバンプ電極を形成した後、前記複数のバンプ電極が形成された半導体ウエハに熱処理を施すことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体ウエハの主面の外観を検査した後、前記複数のバンプ電極にプローブを接触させ、検査することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体ウエハの主面の外観を検査した後、前記半導体ウエハの主面と反対側の裏面を研削することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体ウエハの裏面は、前記半導体ウエハの主面に粘着性のシートを貼り付けた状態で研削されることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記半導体ウエハをダイシングして個々の半導体チップに分割する前に、前記半導体ウエハの主面から前記シートを剥離することを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記トレイへ格納される半導体チップは、前記半導体ウエハの主面の外観を検査する工程において前記複数のバンプ電極が形成されていることを確認された半導体チップであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記気体には窒素ガスを、前記液体には水を使用することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月18日(2007.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極板と負極板のうち少なくとも一方の極板と外部端子を接続する回路に、蓄電池内部の圧力が所定の値以下のときに前記回路を導通状態とし、前記圧力が所定の値を超えているときに前記回路を切断状態とする圧力スイッチ機能を備える密閉形蓄電池において、電槽缶の開放端に金属製の封口板を配置、前記封口板の外側に一方の外部端子を配置し、前記封口板と前記一方の極板がリード部材を介して電気的に接続されており、前記封口板と前記外部端子の間には電気絶縁層が配置され、常時は、前記外部端子と前記封口板が金属製のバネと接続部材を介して電気的に接続されており、前記封口板に設けた透孔を電気絶縁性の弁体で気密に封止しており、前記弁体は前記透孔の壁面に沿って摺動可能であり、前記接続部材は前記弁体が摺動することによって位置を変え、蓄電池内部の圧力が所定の値を超えたときに前記弁体が摺動し、前記摺動に伴い前記接続部材と封口板との電気的接点が封口板から離れることによって極板と外部端子を接続する回路を切断する機能を備え、前記弁体は、さらに上方向に移動したときに蓄電池内部とキャップ内空間とを連通する切り欠きを備えたことを特徴とする密閉形蓄電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、密閉形蓄電池の構成を以下の構成とすることによって前記の目的を達成する
ものである。
本発明に係る密閉形蓄電池は、正極板と負極板のうち少なくとも一方の極板と外部端子を接続する回路に、蓄電池内部の圧力が所定の値以下のときに前記回路を導通状態とし、前記圧力が所定の値を超えているときに前記回路を切断状態とする圧力スイッチ機能を備える密閉形蓄電池において、電槽缶の開放端に金属製の封口板を配置、前記封口板の外側に一方の外部端子を配置し、前記封口板と前記一方の極板がリード部材を介して電気的に接続されており、前記封口板と前記外部端子の間には電気絶縁層が配置され、常時は、前記外部端子と前記封口板が金属製のバネと接続部材を介して電気的に接続されており、前記封口板に設けた透孔を電気絶縁性の弁体で気密に封止しており、前記弁体は前記透孔の壁面に沿って摺動可能であり、前記接続部材は前記弁体が摺動することによって位置を変え、蓄電池内部の圧力が所定の値を超えたときに前記弁体が摺動し、前記摺動に伴い前記接続部材と封口板との電気的接点が封口板から離れることによって極板と外部端子を接続する回路を切断する機能を備え、前記弁体は、さらに上方向に移動したときに蓄電池内部とキャップ内空間とを連通する切り欠きを備えたことを特徴とする密閉形蓄電池である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、圧力スイッチ機能を備えない従来形の密閉形蓄電池に比べて有効な内容積を減少させることなく急速充電が可能な密閉形蓄電池を提供することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図１の（ハ）は、図１の（ロ）に比べてさらに蓄電池内部の圧力が上昇したときの状態を示す図であって、図１の（ロ）に比べて弁体４がさらに上方向に移動し、弁体４の側面に設けた切り欠き４Ａによって電池内部の空間（図の封口板１の下側の空間）とキャップ内空間（封口板１とキャップ３によって仕切られた空間）との間の気密が破れ、蓄電池内部の空間に蓄積されたガスが前記切り欠き４Ａを通ってキャップ内空間に移動し、さらに、外部端子３に設けた排気孔３Ａを通って外部に放出される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（第３の実施形態）
図４は、参考例を示す図であって、この参考例の実施形態において蓄電池内部の圧力が所定の値を超えて上昇しているときの状態を示す図である。本実施形態においては、弁体５が伸縮可能なシートであり、弁体５の周縁部分は封口板１に固着されており、封口板１に設けた透孔１Ａを気密に封止している。蓄電池内部の圧力が上昇して所定の値を超えると、弁体５が伸び、図に示すように上向きに撓む。該撓みが生じたことによって接続体が上方向に移動して接続部材５の封口板１との接点５Ａが封口板１から離れてスイッチがオンからオフに切り替わる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
（第４の実施形態）
図５は、参考例を示す図であって、この参考例の実施形態において蓄電池内部の圧力が所定の値を超えて上昇しているときの状態を示す図である。本実施形態においては、弁体５は、前記第３の実施形態同様伸縮可能なシートであり、弁体５の周縁部分は封口板１に固着されており、封口板１に設けた透孔１Ａを気密に封止している。蓄電池内部の圧力が上昇して所定の値を超えると、弁体５が伸び、図に示すように、上向きに撓む。該撓みが生じたことによって接続部材５がその一端に取り付けた電気絶縁性のヒンジ１２を支点として開き、他端に設けた封口板との接点が封口板から離れスイッチがオフの状態になる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【図１】本発明の第１の実施形態を示す密閉形蓄電池の要部断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態を示す密閉形蓄電池の要部断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態を示す密閉形蓄電池の要部断面図である。
【図４】参考例の実施形態を示す密閉形蓄電池の要部断面図である。
【図５】参考例の実施形態を示す密閉形蓄電池の要部断面図である。
【図６】従来提案に係る圧力スイッチ内蔵形の密閉形蓄電池の要部断面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月12日(2007.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、特許文献１に記載の転落防止用梯子においては、ボルト・ナット等を使用しており、部品点数が多いため、生産効率が悪く、製造コストが高くなるという問題があった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2006233691.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2006233691.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2006233691.tif 000003