【手続補正書】
【提出日】平成18年11月7日(2006.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に複数の走査線と、前記複数の走査線に交差する複数のデータ線と、前記各走査線と前記各データ線に接続されたトランジスタと、前記トランジスタに接続された画素電極と蓄積容量とを有する電気光学装置であって、
前記トランジスタのチャネル領域となる半導体層の延在部は前記蓄積容量の電極となる容量線に接続されてなり、
前記延在部と容量線とは、前記延在部上に形成された第１コンタクトホールと前記容量線上に形成された第２コンタクトホールとを介して接続配線により接続されてなり、前記走査線と前記容量線とは同一層により並設されるとともに、前記第１コンタクトホールを回避するように形成された回り込み部を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】  前記接続配線が、前記データ線と同一の層上に形成されていることを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
【請求項３】  前記半導体層のチャネル領域の端部における不純物濃度が、チャネル領域の他の部分の不純物濃度に比べより高くなっていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】  前記走査線が、ポリシリコン層、あるいはポリシリコン層と導電性金属層の少なくとも２層からなることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】  前記基板と前記半導体層との間に遮光層を更に具備することを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項６】  前記遮光層の厚さが、２００ｎｍ〜４００ｎｍであることを特徴とする請求項１から請求項５のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項７】  前記遮光層が前記容量線と電気的に接続されることを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項８】  （ａ）基板上にチャネル領域と、前記チャネル領域の延在部と、蓄積容量の一方の電極となる半導体層を形成する工程と、
（ｂ）前記半導体層上に絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記絶縁膜上に走査線及び前記蓄積容量の他方の電極となる容量線を形成する工程と、
（ｄ）前記延在部と前記容量線とを接続する工程とを有し、
前記延在部と前記容量線とを接続する工程において、前記延在部上に形成された第１コンタクトホールと、前記容量線上に形成された第２コンタクトホールを介して接続配線により前記延在部と前記容量線とを接続するとともに、前記半導体層上に形成された第３コンタクトホールを介して前記半導体層に接続されるようにデータ線を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】  前記工程（ａ）より前に、少なくとも前記半導体層に対応
する基板上の位置に遮光層を形成する工程を更に具備することを特徴とする請求
項８に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】  前記工程（ａ）が、前記基板上に単結晶シリコン基板を貼り合わせる工程と、前記貼り合わされた単結晶シリコン基板から不要部分を除去して単結晶シリコンからなる半導体層を形成する工程とを具備することを特徴とする請求項８または９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】  前記半導体層の厚さが、１００〜１８０ｎｍであることを特徴とする請求項８から請求項１０のうちいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】  前記工程（ｂ）において、前記半導体層のうちＰチャネルについては、前記不純物としてｎ型不純物を１ｅ１１〜４ｅ１１／ｃｍ２だけ、前記半導体層に打ち込むことを特徴とする請求項８から請求項１０のうちいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】  前記Ｐチャネルの半導体層に打ち込むｎ型不純物としてＰ（リン）を用いることを特徴とする請求項８から請求項１２のうちいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】  前記工程（ｂ）において、前記半導体層のうちＮチャネルについては、前記不純物としてｐ型不純物を５ｅ１１〜１５ｅ１１／ｃｍ２だけ、前記半導体層に打ち込むことを特徴とする請求項８から請求項１３のうちいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】  前記Ｎチャネルの半導体層に打ち込むｐ型不純物としてＢ（ボロン）を用いることを特徴とする請求項８から請求項１４のうちいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１６】  前記工程（ｂ）より前に、前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程を具備することを特徴とする請求項８から請求項１５のうちいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１７】  前記工程（ｂ）の後に、前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程を具備することを特徴とする請求項８から請求項１５のうちいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１８】  前記工程（ｂ）の後に、前記半導体層のＰチャネルについてはチャネル領域の端部に対してｎ型不純物をチャネル領域の全体に打ち込んだ不純物の２〜１０倍のドーズ量で打ち込む工程を具備することを特徴とする請求項８から請求項１７のうちいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１９】  前記工程（ｂ）の後に、前記半導体層のＮチャネルについてはチャネル領域の端部に対してｐ型不純物をチャネル領域の全体に打ち込んだ不純物の２〜１０倍のドーズ量で打ち込む工程を具備することを特徴とする請求項８から請求項１８のうちいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２０】  前記Ｎチャネルのチャネル端部に打ち込むｐ型不純物としてＢＦ２を用いることを特徴とする請求項８から請求項１８のうちいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２１】  前記工程（ｃ）において、前記半導体層のうちＰチャネルについては、前記不純物としてｐ型不純物を２ｅ１３〜１ｅ１４／ｃｍ2だけ、前記半導体層に打ち込んでＬＤＤ領域を形成し、さらにｐ型不純物を５ｅ１４〜２ｅ１５／ｃｍ2だけ、前記半導体層に打ち込んでソース・ドレイン領域を形成することを特徴とする請求項８から請求項２０のうちいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２２】  前記工程（ｃ）において、前記半導体層のうちＮチャネルについては、前記不純物としてｎ型不純物を６ｅ１２〜２．５ｅ１３／ｃｍ2だけ、前記半導体層に打ち込んでＬＤＤ領域を形成し、さらにｎ型不純物を１ｅ１５〜４ｅ１５／ｃｍ2だけ、前記半導体層に打ち込んでソース・ドレイン領域を形成することを特徴とする請求項８から請求項２１のうちいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２３】  前記工程（ｃ）の後に、８００℃から９００℃の間の温度で活性化アニール処理を行うことを特徴とする請求項８から請求項２２のうちいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２４】  前記工程（ｅ）が、前記延在部と接続される第１のコンタクト及び前記容量線と接続される第２のコンタクトホールを形成する工程と、前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールとを接続する接続配線を形成する工程を有することを特徴とする請求項８から請求項２２のうちいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２５】  前記接続配線と共にデータ線を形成することを特徴とする請求項２４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２６】  前記基板の半導体層が形成された面と対向するように配置された他の基板と、
これら２枚の基板の間に挟持され、前記半導体層に形成されたトランジスタ素子により駆動される液晶とを更に具備することを特徴とする請求項１から請求項７のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項２７】  光源と、
前記光源から出射される光が入射されて画像情報に対応した変調を施す、請求項２６に記載の電気光学装置と、
前記電気光学装置により変調された光を投射する投射手段と
を具備することを特徴とする電子機器。