Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
航空機に用いるガスタービン組立体（１０）であって、
ファン（１４）と航空機の推力を発生するためのコアエンジン（１１）と前記ファンの出口から前記コアエンジンまで下流方向に延びるバイパスダクト（５０）とを含む推進用ガスタービンエンジンと、
少なくとも１つのタービンと前記ガスタービンエンジンのバイパスダクトに流れ連通状態で連結された入口とを含む補助動力ユニット（１２）と、を含み、
前記ガスタービンエンジンのバイパスダクトに入る空気流の一部（５２）が、前記補助動力ユニットによる使用のために導かれるようにされており、
更に、前記補助動力タービン（１２）の排気口と前記推進用ガスタービンエンジンとに流れ連通状態で連結された混合ダンパ（３４）を含むことを特徴とするガスタービンエンジン組立体（１０）。
【請求項２】
前記補助動力ユニットのタービン（１２）が、前記推進用ガスタービンエンジンへ入る空気流（３０）の圧力及び温度よりも高い圧力及び温度の空気流（５２）を受けることを特徴とする、請求項１に記載のガスタービンエンジン組立体（１０）。
【請求項３】
前記補助動力ユニットのタービン（１２）が、該ガスタービンエンジン組立体の作動時に、前記補助動力タービンにより増大した軸出力の発生を可能にすることを特徴とする、請求項１に記載のガスタービンエンジン組立体（１０）。
【請求項４】
前記補助動力ユニットのタービン（１２）は、該補助動力ユニットのタービンから吐出された排気口が前記ガスタービンのバイパスダクト（５０）に流れ連通状態になるように配置されていることを特徴とする、請求項１に記載のガスタービンエンジン組立体（１０）。
【請求項５】
前記混合ダンパ（３４）は、前記推進用ガスタービンエンジンの排気口に流れ連通状態で連結されていることを特徴とする、請求項１に記載のガスタービンエンジン組立体（１０）。
【請求項６】
前記混合ダンパ（３４）は、前記バイパスダクト（５０）に流れ連通状態で連結されていることを特徴とする、請求項１に記載のガスタービンエンジン組立体（１０）。
【請求項７】
前記混合ダンパ（３４）は、前記補助動力タービン（１２）の排気口と前記バイパスダクト（５０）と前記推進用ガスタービンエンジンの排気口とに流れ連通状態で連結された混合ダンパ（３４）を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載のガスタービンエンジン組立体（１０）。
【請求項８】
入口と、ファン（１４）と、排気口と、前記ファンと前記排気口との間で延びるコアエンジン（１１）と、前記ファンから下流方向に前記排気口に延びるバイパスダクト（５０）とを含む少なくとも１つの推進用ガスタービンエンジンと、
前記推進用ガスタービンエンジンのバイパスダクトに流れ連通状態で連結された入口と、少なくとも１つのタービン（４４）と、排気口とを含む少なくとも１つの補助動力ユニット（１２）と、を含み、
前記推進用ガスタービンエンジンの入口に入る空気流の一部（５２）が、前記補助動力ユニットによる使用のために導かれるようにされており、
更に、前記補助動力ユニットの排気口と前記推進用ガスタービンエンジンの排気口とに流れ連通状態で接続されていることを特徴とする航空機用ガスタービンエンジン組立体（１０）。
【請求項９】
前記補助動力ユニットの入口は、該補助動力ユニットへ導かれる前記空気流（５２）が前記推進用ガスタービンエンジンの入口に入る空気流（３０）よりも高い圧力になるように前記ファン（１４）の下流に連結されていることを特徴とする、請求項８に記載の航空機用ガスタービンエンジン組立体（１０）。
【請求項１０】
前記補助動力ユニットの排気口が、前記コアエンジンの排気口に流れ連通状態で連結されていることを特徴とする、請求項８記載の航空機用ガスタービンエンジン組立体（１０）。
【請求項１１】
前記補助動力ユニットの排気口が、前記バイパスダクト（５０）に流れ連通状態で連結されていることを特徴とする、請求項８に記載の航空機用ガスタービンエンジン組立体（１０）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ガスタービンエンジン組立体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
高度が増すにつれて空気の密度は減少するので、航空機がより高い高度で飛行している時は、低高度でエンジンが発生可能な軸動力と同じ軸動力を発生させるために、エンジンはより激しく仕事をしなくてはならない。増加した仕事の結果として、タービンは高い作動温度で作動されることになり、軸動力を制限するか又は減少させて、エンジンが予め定められた作動限界を越えるのを防止しなければならなくなる。
【特許文献１】米国特許第4192137号明細書
【特許文献２】米国特許第3517509号明細書
【特許文献３】米国特許第4222233号明細書
【特許文献４】米国特許第4631914号明細書
【特許文献５】米国特許第4679394号明細書
【特許文献６】米国特許第5160080号明細書
【特許文献７】米国特許第6415597号明細書
【特許文献８】米国特許第6457305号明細書
【特許文献９】米国特許第6634596号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
時間の経過と共に、連続して高温に曝されることにより、デフレクタプレートに酸化腐食又は熱疲労割れによる損傷が発生する。ドームプレートの効果的な遮蔽を可能にするために、損傷したデフレクタプレートは、交換を必要とする場合がある。少なくとも一部の公知の修理法には、従来通りドーム組立体を機械加工して、損傷したデフレクタプレートを除去することが含まれる。しかしながら、旋回チャンバの取付け機構と比較的近接した位置にあるため、旋回チャンバを損傷させることなく或いは該旋回チャンバを取り外すことなく、従来の機械加工法を実行することはできない。更に、機械加工が成功したとしても、多くの場合、残っている燃焼器ドーム組立体部品間の精密な寸法関係が変わる可能性があり、その結果、再組立の間に特別な治工具が必要になる可能性がある。従って、燃焼器ドーム組立体の一部を交換するのは、時間がかかり費用のかかる工程となる可能性がある。
【特許文献１】米国特許 4485630号明細書
【特許文献２】米国特許 4773227号明細書
【特許文献３】米国特許 4912922号明細書
【特許文献４】米国特許 5117637号明細書
【特許文献５】米国特許 5142871号明細書
【特許文献６】米国特許 5154060号明細書
【特許文献７】米国特許 5181379号明細書
【特許文献８】米国特許 5241827号明細書
【特許文献９】米国特許 5261223号明細書
【特許文献１０】米国特許 5279127号明細書
【特許文献１１】米国特許 5307637号明細書
【特許文献１２】米国特許 5323604号明細書
【特許文献１３】米国特許 5329761号明細書
【特許文献１４】米国特許 5375420号明細書
【特許文献１５】米国特許 5430935号明細書
【特許文献１６】米国特許 5826431号明細書
【特許文献１７】米国特許 5839643号明細書
【特許文献１８】米国特許 6049978号明細書
【特許文献１９】米国特許 6079199号明細書
【特許文献２０】米国特許 6141862号明細書
【特許文献２１】米国特許 6163959号明細書
【特許文献２２】米国特許 6286317号明細書
【特許文献２３】米国特許 6345441号明細書
【特許文献２４】米国特許 6434821号明細書
【特許文献２５】米国特許 6442940号明細書
【特許文献２６】米国特許 6456732号明細書
【特許文献２７】米国特許 6474070号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月17日(2007.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  受口内面に、周方向溝が形成され、該周方向溝内にロックリングを収納し、挿し口突部を有する挿し口を、前記ロックリングを拡径させた上で前記受口内に挿入接続するようにした管継手において、前記周方向溝内側面とロックリング側面の片側のみにテーパ面が設けられ、該テーパ面同士を対面させた場合以外は、前記周方向溝のテーパ面と前記ロックリングのテーパ面以外の外周とが接触して前記周方向溝の奥方までの前記ロックリングの収納が不能とされ、これによって周方向溝からはみ出たロックリングに挿し口突部が係り合って前記挿し口が受口内に挿入不能となるようにされたことを特徴とする管継手。
【請求項２】  管継手のロックリングであって、前記管継手は、受口内面に、周方向溝が形成され、該周方向溝内に前記ロックリングを収納し、挿し口突部を有する挿し口を、前記ロックリングを拡径させた上で前記受口内に挿入接続するようにしたものであり、前記周方向溝内側面とロックリング側面の片側のみにテーパ面が設けられており、前記ロックリングは、このロックリングの内面の軸方向幅をｔ、その外面の軸方向幅をｔ０、その高さをＨ、周方向溝の奥面の軸方向幅をＴ０、テーパ面の傾斜角をθ、周方向溝の深さをＶ、挿し口突部の高さをｈ、受口内面と挿し口外面の隙間をＳとして、
Ｓ＋Ｖ＞Ｈ＋ｈ
Ｈ＞Ｓ
ｔ０＜Ｔ０
ｔ＞Ｔ０
（Ｓ＋Ｖ）−（ｔ−Ｔ０）ｔａｎθ−Ｈ＜ｈ
の関係を有するものであることを特徴とする管継手のロックリング。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】管継手および管継手のロックリング
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、管継手および管継手のロックリングに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の管継手は、受口内面に、周方向溝が形成され、該周方向溝内にロックリングを収納し、挿し口突部を有する挿し口を、前記ロックリングを拡径させた上で前記受口内に挿入接続するようにした管継手において、前記周方向溝内側面とロックリング側面の片側のみにテーパ面が設けられ、該テーパ面同士を対面させた場合以外は、前記周方向溝のテーパ面と前記ロックリングのテーパ面以外の外周とが接触して前記周方向溝の奥方までの前記ロックリングの収納が不能とされ、これによって周方向溝からはみ出たロックリングに挿し口突部が係り合って前記挿し口が受口内に挿入不能となるようにされたことを特徴とするものである。
本発明の管継手のロックリングは、前記管継手が、受口内面に、周方向溝が形成され、該周方向溝内に前記ロックリングを収納し、挿し口突部を有する挿し口を、前記ロックリングを拡径させた上で前記受口内に挿入接続するようにしたものであり、前記周方向溝内側面とロックリング側面の片側のみにテーパ面が設けられ、前記ロックリングは、このロックリングの内面の軸方向幅をｔ、その外面の軸方向幅をｔ０、その高さをＨ、周方向溝の奥面の軸方向幅をＴ０、テーパ面の傾斜角をθ、周方向溝の深さをＶ、挿し口突部の高さをｈ、受口内面と挿し口外面の隙間をＳとして、
Ｓ＋Ｖ＞Ｈ＋ｈ
Ｈ＞Ｓ
ｔ０＜Ｔ０
ｔ＞Ｔ０
（Ｓ＋Ｖ）−（ｔ−Ｔ０）ｔａｎθ−Ｈ＜ｈ
の関係を有するものであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月30日(2007.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ガスタービンにおいては、高温により燃焼器要素、高温ガス経路部品、ロータブレード、及びそれらの類似物に損傷が引き起こされる可能性があるため、排気温度を監視することが望ましい。高温の排気ガス温度はまた、窒素酸化物のような特定の規制された化合物のエミッションレベルを許容限界を超えて上昇させる可能性がある。先行技術のシステムにおいては、例えば熱電対のような温度センサが、タービン燃焼器内の吐出ガス温度を測定するために用いられてきた。温度監視は、タービンの信頼性を高めるのに重要な情報を提供するが、この技術のみでは一般的に、異常状態で作動しているか又は異常状態で作動する危険性がある特定の部品を識別するのに十分でない。
【特許文献１】米国特許 3727400号明細書
【特許文献２】米国特許 4115998号明細書
【特許文献３】米国特許 4283634号明細書
【特許文献４】米国特許 4455820号明細書
【特許文献５】米国特許 5024055号明細書
【特許文献６】米国特許 5148667号明細書
【特許文献７】米国特許 5165223号明細書
【特許文献８】米国特許 6003296号明細書
【特許文献９】米国特許 6460346号明細書
【特許文献１０】米国特許出願公開2002/0123870号明細書
【特許文献１１】特開平07-317566号明細書
【特許文献１２】米国特許出願公開 2002/0150142 A1号明細書
【特許文献１３】米国特許出願公開 2002/0178730 A1号明細書
【特許文献１４】米国特許出願公開 2002/0183916 A1号明細書
【特許文献１５】欧州特許出願 04250458号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月9日(2007.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成形、充填およびシールを行う包装機械の、ピストンとシリンダ壁との間を延在してポンプの製品側端部および被駆動側端部を形成するダイヤフラムを含んでなるピストン形式のポンプにおけるシリンダ内に配置されるピストンのための芯出し支持体であって、
シリンダ壁に接触するようにピストンから外方へ延在する少なくとも三つの半径方向に等しい間隔を有する芯出し部材であり、摩擦の小さい材料から形成され、ピストンとシリンダ壁との間の間隙を定め、ダイヤフラムから間隔を隔てられたピストン上にポンプの被駆動側端部へ向かって配置された芯出し部材を含む芯出し支持体。
【請求項２】
六つの等しく間隔を隔てられた個別の芯出し部材を含む請求項１に記載された芯出し支持体。
【請求項３】
入口と、出口と、入口および出口の間のポンピング・チャンバとを有する形式のピストン・ポンプであって、
シリンダと、
シリンダ内を往復移動できるように配置されたピストンと、
ピストンからシリンダへ延在し、シールを形成し、ポンピング・チャンバの反対側のポンプの駆動側端部を定めるダイヤフラムと、
ポンプの駆動側端部にてピストンに作動連結され、ピストンに往復移動を行わせる駆動装置と、
ピストンに配置された少なくとも三つの芯出し部材であって、摩擦の小さい材料から形成され、いずれか二つの隣接する芯出し部材の間に形成される円弧が１８０°未満となるように配置された芯出し部材とを含むピストン・ポンプ。
【請求項４】
芯出し部材がポンプの駆動側端部にてピストンに配置されている請求項３に記載されたピストン・ポンプ。
【請求項５】
芯出し支持体と駆動装置との間に配置された第二のダイヤフラムを含む請求項４に記載されたピストン・ポンプ。
【請求項６】
製品供給部から製品を受入れる入口と、所要の測定した製品量を移送するための出口とを有するピストン・ポンプを備えた製品供給および充填部を有する形式の成形、充填およびシールを行う包装機械において、ピストン・ポンプが、
入口および出口の間に配置されたシリンダと、
シリンダの内部を往復移動できるように配置されたピストンと、
ピストンからシリンダへ延在し、シールを形成してポンピング・チャンバと反対側のポンプの駆動側端部を定めるダイヤフラムと、
ポンプの駆動側端部にてピストンに作動連結され、ピストンに往復移動を行わせる駆動装置と、
ピストンに配置された少なくとも三つの芯出し部材であって、摩擦の小さい材料から形成され、いずれか二つの隣接する芯出し部材の間に形成される円弧が１８０°未満となるように配置された芯出し部材とを含む成形、充填およびシールを行う包装機械。
【請求項７】
円周方向に等間隔に配置された六つの芯出し部材を含む請求項６に記載された成形、充填およびシールを行う包装機械。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月22日(2006.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
発電に使用されるガスタービン及び蒸気タービンは、重要なタービンパラメータ及び関連する構成要素、例えば、振動データ、動作温度、動作速度、動作圧力、弁及びアクチュエータの設定、燃料需要、発電量、動作設定百分率、警報、並びに動作状態及び動作条件を監視する複数のセンサを含む。センサにより発生される信号は、通常、予め設定された時間間隔でプラント内部の監視システムへ送信される。少なくともいくつかの周知の監視システムはローカルイントラネットに結合されており、プラント内にいるユーザは収集されたデータを見ることができる。
【特許文献１】米国特許 5329465号明細書
【特許文献２】米国特許 5428555号明細書
【特許文献３】米国特許 5548528号明細書
【特許文献４】米国特許 5631825号明細書
【特許文献５】米国特許 5634039号明細書
【特許文献６】米国特許 5838588号明細書
【特許文献７】米国特許 5854749号明細書
【特許文献８】米国特許 5930315号明細書
【特許文献９】米国特許 5995916号明細書
【特許文献１０】米国特許 5999894号明細書
【特許文献１１】米国特許 6029092号明細書
【特許文献１２】米国特許 6108616号明細書
【特許文献１３】米国特許 6125312号明細書
【特許文献１４】米国特許 6147601号明細書
【特許文献１５】米国特許 6199018号明細書
【特許文献１６】米国特許 6223098号明細書
【特許文献１７】米国特許 6263255号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月24日(2007.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブレーキパッド（１３１）と、パッドリテーナ（１２６）と、ブレーキキャリパ（１１５）と、パッドばね（１２４）とを備え、パッドリテーナが、パッドばねの平坦領域（１８０）と係合してパッドの半径方向への動きを制止するように関連するブレーキディスクの回転軸線（Ｐ）から第一の半径（Ｒ１）にて配置された平坦領域（１２７）を有し、パッドリテーナが、前記軸線（Ｐ）から第二の半径（Ｐ２）にてキャリパの外側部（１８９）に固定されており且つ、平坦領域に隣接して屈曲部（１２６Ａ）を有し、第二の半径が第一の半径よりも小さくなることを許容するディスクブレーキ組立体（１２９）において、パッドリテーナの平坦領域と係合するパッドばねの部分が屈曲部に隣接する丸味を付けた縁部を有する、ディスクブレーキ組立体。
【請求項２】
請求項１に記載のディスクブレーキ組立体において、パッドリテーナの平坦領域と係合するパッドばねの前記部分が屈曲部から離れた別の丸味を付けた縁部（１７１）を有する、ディスクブレーキ組立体。
【請求項３】
請求項１に記載のディスクブレーキ組立体において、パッドばねが対称性である、ディスクブレーキ組立体。
【請求項４】
請求項３に記載のディスクブレーキ組立体において、前記ブレーキバッド及び別のブレーキパッドによって画定される一対のブレーキバッド、並びに前記パッドばね及び別のパッドばねによって画定される一対のパッドばねを備える、ディスクブレーキ組立体。
【請求項５】
請求項１ないし４の何れか１つに記載のディスクブレーキ組立体において、丸味を付けた縁部がプレス工程の部分で形成される、ディスクブレーキ組立体。
【請求項６】
請求項１ないし５の何れか１つに記載のディスクブレーキ組立体において、パッドばねが、ある長さ（Ｌ）及びある幅によって画成されて実質的に長く、パッドばねの平坦領域が、好ましくは、パッドばねの中央部分（１４８）に配置され、中央部分が、パッドばねの長さの実質的に中間に配置され、好ましくは、中央部分は、パッドばねの最大幅（Ｗ）を画成し、パッドばねの残りの部分が縮小した幅（Ｗ１）を有する、ディスクブレーキ組立体。
【請求項７】
請求項１から６の何れか１つに記載のディスクブレーキ組立体において、パッドばねが、長さ方向に湾曲した輪郭形状を有する、ディスクブレーキ組立体。
【請求項８】
請求項１から７の何れか１つに記載のディスクブレーキ組立体において、ばねが、パッドばねをバックプレートにて半径方向に保持し得るように半径方向に湾曲した端部（１４２）を有する、ディスクブレーキ組立体。
【請求項９】
請求項８に記載のディスクブレーキ組立体において、バックプレートが、ばねの湾曲した端部と当接する相補的な湾曲面（１４０）を有する、ディスクブレーキ組立体。
【請求項１０】
請求項１から９の何れか１つに記載のディスクブレーキ組立体において、ばねが開口（１５２）を有し、バックプレートが、ばねとバックプレートとの間の軸方向の移動を防止し得るように開口内に位置する突出部（１５０）を有する、ディスクブレーキ組立体。
【請求項１１】
請求項１から８の何れか１つに記載のディスクブレーキ組立体において、ばねが、ばねとバックプレートとの間の軸方向の移動を防止し得るようにバックプレートの周りに位置する突出部を有する、ディスクブレーキ組立体。
【請求項１２】
請求項１から１１の何れか１つに記載のディスクブレーキ組立体において、屈曲部が、第二の半径（Ｒ２）が第一の半径（Ｒ１）よりも小さいことを許容する屈曲半径（Ｔ）を有し、屈曲半径が、屈曲部に隣接するパッドばねの丸味を付けた縁部の半径（Ｑ）と実質的に等しいようにした、ディスクブレーキ組立体。
【請求項１３】
請求項１２に記載のディスクブレーキ組立体において、屈曲半径が、４ｍｍから８ｍｍの範囲、好ましくは、５ｍｍから７ｍｍの範囲、より好ましくは、５．２５から６．７５ｍｍの範囲にあるようにした、ディスクブレーキ組立体。
【請求項１４】
ブレーキパッド（１３１）と、パッドリテーナ（１２６）と、ブレーキキャリパ（１１５）と、パッドばね（１２４）とを備え、パッドリテーナが、パッドばねの平坦領域（１８０）と係合してパッドの半径方向への動きを制止するように関連するブレーキディスクの回転軸線（Ｐ）から第一の半径（Ｒ１）にて配置された平坦領域（１２７）を有し、パッドリテーナが、前記軸線（Ｐ）から第二の半径（Ｐ２）にてキャリパの外側部（１８９）に固定されており且つ、平坦領域に隣接して屈曲部（１２６Ａ）を有し、第二の半径が第一の半径よりも小さくなることを許容し、パッドリテーナの平坦領域と係合するパッドばねの部分が屈曲部に隣接する丸味を付けた縁部を有する、ディスクブレーキ組立体の製造方法において、
薄板金属からパッドばねのブランクを押し抜く工程と、
必須の最終的形状を形成するようにプレスを行う工程であって、前記丸味を有する縁部がプレス工程の部分で形成される工程と、
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月6日(2007.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともバインダー樹脂と着色剤を溶融混練し、冷却したのち粉砕により粉体とし、該粉体が熱気流中の浮遊状態における加熱処理により平均円形度０.９３０〜０.９８０になるまで球形化して、分級により粗粒子と微粒子を除去し、外添剤として、真円度１.００〜１.３０、平均一次粒子径０.０５〜０.４５μｍ、一次粒子径の標準偏差／平均値の比０.２５以下のチタン酸バリウム微粒子を添加することを特徴とする静電荷像現像用トナーの製造方法。
【請求項２】
チタン酸バリウム微粒子がアルコキシド法チタン酸バリウム微粒子である請求項１記載の静電荷像現像用トナーの製造方法。
【請求項３】
チタン酸バリウム微粒子とともに、疎水性シリカ／該無機微粒子の重量比０.８以下で、疎水性シリカを添加する請求項１又は２記載の静電荷像現像用トナーの製造方法。
【請求項４】
非磁性１成分トナーである請求項１又は２記載の静電荷像現像用トナーの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】静電荷像現像用トナーの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、トナー粒子に真円度１.００〜１.３０、平均一次粒子径０.０５〜０.４５μｍ、一次粒子径の標準偏差／平均値の比０.２５以下の無機微粒子を外添剤として添加することにより、効果的に帯電ローラの汚染とカブリの発生を抑制することができ、特に加熱処理により球形化したトナー粒子に該無機微粒子を添加し、かつ該無機微粒子のみを添加するか、あるいは、少ない量の疎水性シリカとともに該無機微粒子を添加することが有効であることを見いだし、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、
（１）少なくともバインダー樹脂と着色剤を溶融混練し、冷却したのち粉砕により粉体とし、該粉体が熱気流中の浮遊状態における加熱処理により平均円形度０.９３０〜０.９８０になるまで球形化して、分級により粗粒子と微粒子を除去し、外添剤として、真円度１.００〜１.３０、平均一次粒子径０.０５〜０.４５μｍ、一次粒子径の標準偏差／平均値の比０.２５以下のチタン酸バリウム微粒子を添加することを特徴とする静電荷像現像用トナーの製造方法、
（２）チタン酸バリウム微粒子がアルコキシド法チタン酸バリウム微粒子である(１)記載の静電荷像現像用トナーの製造方法、
（３）チタン酸バリウム微粒子とともに、疎水性シリカ／該無機微粒子の重量比０.８以下で、疎水性シリカを添加する(１)又は(２)記載の静電荷像現像用トナーの製造方法、及び、
（４）非磁性１成分トナーである(１)又は(２)記載の静電荷像現像用トナーの製造方法、
を提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月21日(2007.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜形成装置において、波長分割多重光伝送用の所定の帯域幅を有するバンドパスフィルタである光学多層膜構造体を製造する方法において、
ｎ層からなる、前記光学多層膜構造体のサブアッセンブリについて、少なくとも所定の光波長帯域内の光透過率又は光反射率の分光特性のシミュレーション理論値を記憶し、
前記サブアッセンブリのｎ番目層を形成している際中に、所定のくり返し周期で前記光波長帯域内の複数の異なる波長における前記サブアッセンブリの光透過率又は光反射率の値を実測し、
前記くり返し周期毎に、前記記憶していた分光特性の理論値と前記複数の異なる波長での前記実測した光透過率又は光反射率の値とを対比させて前記くり返し周期毎の該ｎ番目の膜厚を推定し、前記実測した値が該ｎ番目層の目標膜厚のシミュレーション理論値になったときに、薄膜形成装置での前記ｎ番目の層の形成を停止する指示を出力することとからなり、
前記光透過率又は光反射率の値の実測は該光学多層膜構造体へ照射する光を発する光源と該光学多層膜構造体からの光を光電変換する装置で行なわれ、
前記光学多層膜構造体はファブリペロー構造のフィルタを結合層を介して複数段接続したマルチキャビティー構成を有し、
前記ｎ番目層は前記光学多層膜構造体の結合層における層であることを特徴とする光学多層膜構造体を製造する方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
ｍ層からなる、前記光学多層膜構造体のサブアッセンブリのｍ番目層を形成している際中に、前記所定の帯域幅の中心波長λである固定波長で形成中の前記ｍ層のサブアッセンブリの光透過率又は光反射率の実測値を所定の時間間隔で得ており、
前記時間間隔毎の前記ｍ層のサブアッセンブリの光透過率又は光反射率の実測値に基づいて該実測値の変化量を前記時間間隔毎に得て、該実測値の変化の推移における極値を検出したとき薄膜形成装置での前記ｍ番目層の形成を停止する指示を出力しており、
前記サブアッセンブリのｍ番目の層は、ファブリペロー構造における層であることを特徴とする光学多層膜構造体を製造する方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記ｎ番目層は前記結合層と前記光学多層膜構造体の最終層であることを特徴とする光学多層膜構造体を製造する方法。
【請求項４】
請求項１の製造方法において、前記光学多層膜構造体のバンドパスフィルタとしての２５ｄＢ帯域幅が０．６ｎｍ以下である光学多層膜構造体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月23日(2007.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
さらにＣＰＵ２は、対象とするネットワークに含まれる全てのリンクに沿道状況区分を付与するまで、ステップＳ３、Ｓ４の処理を繰り返す（ステップＳ５）。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月22日(2007.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｍＨｚで入力されるデータを、（ｍ・２−ｙ）Ｈｚのデータに変換し出力する回路を有する半導体装置であって（ｍは正数、ｙは自然数）、
前記回路は（ｍ／２）Ｈｚ以下の複数のクロック信号によって動作することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ｍＨｚで入力されるデータを、２ｙ個の（ｍ・２−ｙ）Ｈｚのデータに変換し出力する回路を有する半導体装置であって（ｍは正数、ｙは自然数）、
前記回路は（ｍ／２）Ｈｚ以下（ｍ・２−ｙ）Ｈｚ以上の複数のクロック信号によって動作することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ｍＨｚで入力されるｘビットデジタルデータの各ビットデジタルデータを、２ｙ個の（ｍ・２−ｙ）Ｈｚのデジタルデータに変換し出力する回路を有する半導体装置であって（ｍは正数、ｘおよびｙは自然数）、
前記回路は、ｘビットデジタルデータの各ビットデジタルデータが入力されるｘ個のＳＰＣ／ｂｉｔ回路を有しており、
前記ＳＰＣ／ｂｉｔ回路は、第１乃至第ｙステージ回路を有しており、
前記第ｙステージ回路は、２ｙ−１個のデジタルデータの周波数を１／２にし、かつ前記２ｙ個のデジタルデータに変換することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ｍＨｚで入力されるｘビットデジタルデータの各ビットデジタルデータを、２ｙ個の（ｍ・２−ｙ）Ｈｚのデジタルデータに変換し出力する回路を有する半導体装置であって（ｍは正数、ｘおよびｙは自然数）、
前記回路は、ｘビットデジタルデータの各ビットデジタルデータが入力されるｘ個のＳＰＣ／ｂｉｔ回路を有しており、
前記ＳＰＣ／ｂｉｔ回路は、第１乃至第ｙステージ回路を有しており、
前記第ｙステージ回路は、（ｍ・２−ｙ）Ｈｚのクロック信号を用いて、２ｙ−１個のデジタルデータの周波数を１／２にし、かつ前記２ｙ個のデジタルデータに変換することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
ｍＨｚで入力されるｘビットデジタルデータの各ビットデジタルデータを、２ｙ個の（ｍ・２−ｙ）Ｈｚのデジタルデータに変換し出力する回路を有する半導体装置であって（ｍは正数、ｘおよびｙは自然数）、
前記回路は、ｘビットデジタルデータの各ビットデジタルデータが入力されるｘ個のＳＰＣ／ｂｉｔ回路を有しており、
前記ＳＰＣ／ｂｉｔ回路は、下記数式で表される個数の基本ユニットを有しており、
前記基本ユニットはそれぞれ、入力されるデジタルデータの周波数を１／２にし、かつ２個のデジタルデータに変換することを特徴とする半導体装置。
【数１】
2000338920.tif 000001
【請求項６】
ｍＨｚで入力されるデータを、（ｍ・２−ｙ）Ｈｚのデータに変換し出力する回路を有する半導体装置であって（ｍは正数、ｙは自然数）、
前記回路は、
クロック信号がＨｉの時に入力される信号をラッチして出力する第１のＤラッチ回路と、
クロック信号がＬｏの時に入力される信号をラッチして出力する第２のＤラッチ回路と、を有し、
前記第１のラッチ回路の入力と、前記第２のラッチ回路の入力は電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
ｍＨｚで入力されるデータを、２ｙ個の（ｍ・２−ｙ）Ｈｚのデータに変換し出力する回路を有する半導体装置であって（ｍは正数、ｙは自然数）、
前記回路は、
クロック信号がＨｉの時に入力される信号をラッチして出力する第１のＤラッチ回路と、
クロック信号がＬｏの時に入力される信号をラッチして出力する第２のＤラッチ回路と、を有し、
前記第１のラッチ回路の入力と、前記第２のラッチ回路の入力は電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記クロック信号の周波数は、（ｍ／２）Ｈｚ以下（ｍ・２−ｙ）Ｈｚ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
入力されるデータの周波数を１／２にする回路を有する半導体装置であって、
前記回路は、
クロック信号がＨｉの時に入力される信号をラッチして出力する第１のＤラッチ回路と、
クロック信号がＬｏの時に入力される信号をラッチして出力する第２のＤラッチ回路と、を有し、
前記第１のラッチ回路の入力と、前記第２のラッチ回路の入力は電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
入力されるデータの周波数を１／２にし、かつ２個のデータに変換する回路を有する半導体装置であって、
前記回路は、
クロック信号がＨｉの時に入力される信号をラッチして出力する第１のＤラッチ回路と、
クロック信号がＬｏの時に入力される信号をラッチして出力する第２のＤラッチ回路と、を有し、
前記第１のラッチ回路の入力と、前記第２のラッチ回路の入力は電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９又は１０において、
前記クロック信号の周波数は、前記入力されるデータの周波数の１／２であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項６乃至１１のいずれか一において、
前記第１のＤラッチ回路の出力は、クロック信号がＬｏの時に入力される信号をラッチして出力する第３のＤラッチ回路の入力と電気的に接続され、
前記第２のＤラッチ回路の出力は、クロック信号がＨｉの時に入力される信号をラッチして出力する第４のＤラッチ回路の入力と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月12日(2006.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光束を供給する光源ユニットと、
前記光源ユニットからの光束を被検基板へ導く照明光学系と、
前記被検基板からの回折光を受光する受光ユニットと、
前記受光ユニットからの出力に基づいて前記被検基板の表面状態を検出する処理ユニットとを有し、
前記光源ユニットは、可視光と紫外光とを同時に供給することを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項２】
前記紫外光に起因して生ずる前記照明光学系と前記受光ユニットとの少なくとも一方の曇りを除去するための曇り除去ユニットをさらに有することを特徴とする請求項１記載の欠陥検査装置。
【請求項３】
少なくとも前記光源ユニット近傍を密閉するチャンバー部をさらに有することを特徴とする請求項１または２記載の欠陥検査装置。
【請求項４】
異なるピッチパターンが形成された被検基板に可視光と紫外光とを照射する照射工程と、
前記被検基板からの回折光を受光する受光工程と、
前記受光工程にて受光された回折光を光電変換して、該光電変換された出力情報に基づいて前記被検基板の表面状態を検出する処理工程とを有することを特徴とする検査方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
規則的なパターンから回折光が発生した時には以下の条件式（１）が満たされている。
（１）  sinθd−sinθｉ＝ｍλ／ｐ
ここで、θiは入射角、θdは回折角、ｍは回折次数、λは波長、ｐはピッチをそれぞれ表している。上式から明らかなように、同一の角度条件においてより小さなピッチのパターンから回折光を発生させようとすると、次数と波長を小さくすれば良い事が分かる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する為に、本発明は、光束を供給する光源ユニットと、前記光源ユニットからの光束を被検基板へ導く照明光学系と、前記被検基板からの回折光を受光する受光ユニットと、前記受光ユニットからの出力に基づいて前記被検基板の表面状態を検出する処理ユニットとを有し、前記光源ユニットは、可視光と紫外光とを同時に供給することを特徴とする欠陥検査装置を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、異なるピッチパターンが形成された被検基板に可視光と紫外光とを照射する照射工程と、前記被検基板からの回折光を受光する受光工程と、前記受光工程にて受光された回折光を光電変換して、該光電変換された出力情報に基づいて前記被検基板の表面状態を検出する処理工程とを有することを特徴とする検査方法を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、基板４１は球面反射鏡３１の焦点面にほぼ一致するように配置されている。さらに、照明光学系１では光源１１が照明光学系１の焦点面に配置され、受光光学系２ではカメラレンズ６１の入射瞳面が球面反射鏡３２の焦点面に配置されている。かかる配置により本実施形態の装置の光学系はテレセントリックな系を構成している。テレセントリックな光学系では、撮像素子７１で取り込んだ画像の見え方を基板全面に渡って同じにすることができる。非テレセントリックな光学系では、基板上の位置に依存して上式（２）における基板への入射角θｉ＋θｔと、回折角θｄ−θｔとがそれぞれ異なる。このため、回折光の強度は入射光の入射角に依存して変化するため、同じ欠陥でも基板上の位置により見え方が異なる場合がある。本実施形態にかかる欠陥検査装置（図１）は、テレセントリックな光学系を有しているので、基板全面にわたって入射角θｉ＋θｔと、回折角θｄ−θｔとをそれぞれ一定にすることができる。したがって、基板上の欠陥部分の位置にかかわらず同じ欠陥であれば見え方が同じになるので検出感度が等しくなり、欠陥部分をより迅速かつ正確に特定することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、上記第２実施形態〜第９実施形態にかかる欠陥検査装置において、第１０実施形態と同様に、光学系を筐体１０１で囲い不活性ガスをその内部に供給することで、光源光の短波長化による光学部品表面の曇りの発生を低減できることは言うまでもない。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月12日(2007.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒドロキシカルボン酸水溶液を晶析により精製し、生成したヒドロキシカルボン酸結晶を母液と分離後、洗浄により更に精製するに際して、洗浄液として原料ヒドロキシカルボン酸水溶液を用い、ヒドロキシカルボン酸結晶の洗浄後の排液の一部を系外に排出し、残部を晶析に付されるヒドロキシカルボン酸水溶液としてリサイクルすることを特徴とするヒドロキシカルボン酸の連続精製方法。
【請求項２】
洗浄工程を洗浄機能付固液分離機を用いて実施する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
固液分離機が遠心分離機である請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ヒドロキシカルボン酸水溶液を冷却してから、晶析に付す請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】
ヒドロキシカルボン酸水溶液中のヒドロキシカルボン酸濃度が８０重量％以下である請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
ヒドロキシカルボン酸水溶液中のヒドロキシカルボン酸濃度が６５〜７５重量％である請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ヒドロキシカルボン酸がグリコール酸である請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
ヒドロキシカルボン酸水溶液を晶析工程に付すに先立って、ヒドロキシカルボン酸濃度８０重量％以下まで濃縮する工程を含む請求項５〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の方法により精製したヒドロキシカルボン酸を縮重合してヒドロキシカルボン酸のオリゴマーを形成し、該オリゴマーを解重合して、ヒドロキシカルボン酸の二量体からなる環状エステルを形成することを特徴とする環状エステルの製造方法。
【請求項１０】
精製したヒドロキシカルボン酸の水溶液を濃縮してから縮重合してヒドロキシカルボン酸のオリゴマーを形成する請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
ヒドロキシカルボン酸がグリコール酸であり、環状エステルがグリコリドである請求項９または１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
請求項９または１０に記載の方法により製造された環状エステルを開環重合することを特徴とするポリヒドロキシカルボン酸の製造方法。
【請求項１３】
環状エステルがグリコリドであり、ポリグリコール酸を製造する請求項１２に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ヒドロキシカルボン酸の連続精製方法、環状エステルの製造方法およびポリヒドロキシカルボン酸の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ポリヒドロキシカルボン酸の製造原料として適したヒドロキシカルボン酸の連続精製方法、これを含む環状エステルの製造方法ならびにポリヒドロキシカルボン酸の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
従って、本発明の主要な目的は、ポリヒドロキシカルボン酸の製造原料としてヒドロキシカルボン酸の工業的に合理的な連続精製方法、これを含む環状エステルの製造方法ならびにポリヒドロキシカルボン酸の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明者らは、上述の目的で研究し、各種実験を繰返した結果、ポリヒドロキシカルボン酸の製造原料としての純度への精製であれば、ヒドロキシカルボン酸への熱負荷の小さい晶析によって工業的に妥当な高収率でのヒドロキシカルボン酸の精製（製造）が可能であるとの知見を得た。本発明のヒドロキシカルボン酸の連続精製方法は、このような知見に基づくものであり、より詳しくは、ヒドロキシカルボン酸水溶液を晶析により精製し、生成したヒドロキシカルボン酸結晶を母液と分離後、洗浄により更に精製するに際して洗浄液としヒドロキシカルボン酸水溶液を用い、ヒドロキシカルボン酸結晶の洗浄後の排液の一部を系外に排出し、残部を晶析に付されるヒドロキシカルボン酸水溶液としてリサイクルすることを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（ヒドロキシカルボン酸の精製方法）
図１は、本発明のヒドロキシカルボン酸の連続精製方法を実施するに適した装置系の配置図である。ここでは、不純物の代表例としてジグリコール酸（以下、しばしば「ｄｉ−ＧＡ」と略記）を１重量％の濃度で含む工業的等級のグリコール酸（以下、しばしば「ＧＡ」と略記）の７０％水溶液を原料液として、連続的に処理する例を説明する。ｄｉ−ＧＡを不純物の代表例として選ぶ理由は、晶析の特性として、より少量成分の不純物は優先的に除去され、またグリコール酸二量体は、ポリグリコール酸の製造のために有害性が少ないからである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月15日(2007.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
断熱遮音材の層と平板状の真空断熱材とが積層されてなり、前記真空断熱材は、断熱性を有する板状の芯材をシート状の封止材により包んで減圧し、該封止材の周縁部を熱溶着により封止して形成され、該周縁部に他の前記真空断熱材の周縁部が接続されてなる断熱遮音構造体。
【請求項２】
前記周縁部で接続された複数の前記真空断熱材が前記断熱遮音材の層の延在方向に列設されてなることを特徴とする請求項１に記載の断熱遮音構造体。
【請求項３】
前記列設された複数の前記真空断熱材が前記断熱遮音材の層厚方向に複数層設けられてなり、該真空断熱材は、前記芯材を他の層の周縁部に位置させて配置されてなることを特徴とする請求項２に記載の断熱遮音構造体。
【請求項４】
前記断熱遮音材は、断熱性を有する不織布からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の断熱遮音構造体。
【請求項５】
外殻の一部を構成する構造部材の側面に、請求項１乃至４のいずれかに記載の断熱遮音構造体を設けてなる構造体。
【請求項６】
外殻の一部を構成する構造部材の側面に、請求項１乃至４のいずれかに記載の断熱遮音構造体を設けてなり、前記真空断熱材は、前記構造部材の長手方向に前記芯材が列設されてなる構造体。
【請求項７】
前記断熱遮音構造体の内装側の側面に、内装パネルが装着され、該内装パネルは前記外殻の内装側の側面から突出する突条に支持されてなる請求項５又は６に記載の構造体。
【請求項８】
ロール状に折り曲げて形成される請求項１乃至３のいずれかに記載の断熱遮音構造体を、外殻の一部を構成する構造部材の側面に、前記断熱遮音構造体のロールを解きながら該断熱遮音構造体を貼り付けることを特徴とする構造体の施工方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
（第２の実施形態）
次に、本発明の断熱遮音構造体２０を適用した構造体の第２の実施形態について説明する。図６は、本発明に係る構造体１の一例を示す断面図である。なお、以下の実施形態において、第１の実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月12日(2007.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｒ２＋イオン、Ｃａ２＋イオン、Ｂａ２＋イオン、Ｚｎ２＋イオン、及びＰｂ２＋イオンから選択される少なくとも１種の金属イオンを含む金属イオン源の液中で、炭酸源を反応させてアスペクト比が１より大きい形状を有する炭酸塩を製造する方法が、炭酸塩粒子数を増加させる炭酸塩粒子数増加工程と、該炭酸塩粒子の体積のみを増加させる炭酸塩粒子体積増加工程とを含み、かつ、該炭酸塩粒子数増加工程、及び炭酸塩粒子体積増加工程のそれぞれにおいて、前記炭酸源の添加速度及び添加時間を制御して反応させることを特徴とする炭酸塩の製造方法。
【請求項２】
炭酸塩粒子数増加工程における炭酸源の添加速度及び添加時間が、それぞれ３００〜２０００ｍｌ／ｍｉｎ、１０秒〜３０分間であり、かつ、炭酸塩粒子体積増加工程における添加速度及び添加時間が、それぞれ３００ｍｌ／ｍｉｎ未満、０．５時間以上である請求項１に記載の炭酸塩の製造方法。
【請求項３】
炭酸源が炭酸ガスである請求項１から２のいずれかに記載の炭酸塩の製造方法。
【請求項４】
炭酸塩粒子数増加工程において、金属イオン源の液を−１０℃〜４０℃に保持する請求項１から３のいずれかに記載の炭酸塩の製造方法。
【請求項５】
炭酸塩粒子体積増加工程における反応温度が、炭酸塩粒子数増加工程における反応温度以上である請求項１から４のいずれかに記載の炭酸塩の製造方法。
【請求項６】
金属イオン源が、金属水酸化物である請求項１から５のいずれかに記載の炭酸塩の製造方法。
【請求項７】
金属イオン源が、ＮＯ３−、Ｃｌ−、及びＯＨ−の少なくともいずれかを含む請求項１から５のいずれかに記載の炭酸塩の製造方法。
【請求項８】
金属イオン源の液中に水を含む請求項１から７のいずれかに記載の炭酸塩の製造方法。
【請求項９】
液中に溶剤を含む請求項１から８のいずれかに記載の炭酸塩の製造方法。
【請求項１０】
溶剤が、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、及び２−アミノエタノールから選択される少なくとも１種である請求項９に記載の炭酸塩の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、本発明者の前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  Ｓｒ２＋イオン、Ｃａ２＋イオン、Ｂａ２＋イオン、Ｚｎ２＋イオン、及びＰｂ２＋イオンから選択される少なくとも１種の金属イオンを含む金属イオン源の液中で、炭酸ガスを反応させてアスペクト比が１より大きい形状を有する炭酸塩を製造する方法が、炭酸塩粒子数を増加させる炭酸塩粒子数増加工程と、該炭酸塩粒子の体積のみを増加させる炭酸塩粒子体積増加工程とを含み、かつ、該炭酸塩粒子数増加工程、及び炭酸塩粒子体積増加工程のそれぞれにおいて、前記炭酸源の添加速度及び添加時間を制御して反応させることを特徴とする炭酸塩の製造方法である。
本発明の炭酸塩の製造方法により得られる炭酸塩は、多目的、多用途に使用可能であり、非複屈折光学樹脂材料への応用も可能である。
＜２＞  炭酸塩粒子数増加工程における炭酸源の添加速度及び添加時間が、それぞれ３００〜２０００ｍｌ／ｍｉｎ、１０秒〜３０分間であり、かつ、炭酸塩粒子体積増加工程における添加速度及び添加時間が、それぞれ３００ｍｌ／ｍｉｎ未満、０．５時間以上である前記＜１＞に記載の炭酸塩の製造方法である。
＜３＞  炭酸源が炭酸ガスである前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の炭酸塩の製造方法である。
＜４＞  炭酸塩粒子数増加工程において、金属イオン源の液を−１０℃〜４０℃に保持する前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の炭酸塩の製造方法である。
＜５＞  炭酸塩粒子体積増加工程における反応温度が、炭酸塩粒子数増加工程における反応温度以上である前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の炭酸塩の製造方法である。
＜６＞  金属イオン源が、金属水酸化物である前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の炭酸塩の製造方法である。
＜７＞  金属イオン源が、ＮＯ３−、Ｃｌ−、及びＯＨ−の少なくともいずれかを含む前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の炭酸塩の製造方法である。
＜８＞  金属イオン源の液中に水を含む前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の炭酸塩の製造方法である。
＜９＞  液中に溶剤を含む前記＜１＞から＜８＞いずれかに記載の炭酸塩の製造方法である。
＜１０＞  溶剤が、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、及び２−アミノエタノールから選択される少なくとも１種である前記＜９＞に記載の炭酸塩の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月5日(2007.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
（実施例１）
図１に示した単結晶の製造装置に直径５５ｃｍのルツボを装備して、ＣＺ法を用いて直径２０ｃｍのシリコン単結晶を育成するため、まず、ルツボへシリコン多結晶原料を１２０ｋｇチャージし、育成するシリコン単結晶の窒素濃度が３×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３となるように窒素をドープした。そして、シリコン多結晶原料をヒーター加熱により溶融し、直胴部が１００ｃｍで直径が２０ｃｍであるシリコン単結晶を育成した。次いで、１本目の引上げ単結晶と同重量の原料多結晶をルツボに追加チャージしてマルチプリング法により、同一品種の結晶の引上げを繰り返した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
その結果、図３に示すようにパターン１（１本目）、パターン２（２本目）、パターン３（３本目）のどの場合にも単結晶の長さ方向に均質な表面近傍欠陥の密度が得られ、さらに、これらのヒストグラムを図４に示すが、表面近傍欠陥の密度の平均値が３．８５／ｃｍ２、ばらつきの標準偏差σは平均値の５７％であった。このように、本発明によって、シリコン単結晶の引上げの操業開始からの経過時間にかかわらず、引き上げたシリコン単結晶から得られるウェーハ製品の表面近傍における表面近傍欠陥の密度のばらつきを低減し、規格内に正確に制御することが可能となった。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月12日(2007.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次冷媒を用いる一次冷却手段、二次冷媒を用いる二次循環冷却手段、および一次冷媒と二次冷媒との熱交換を行う熱交換手段を備える二次循環冷却システムであって、二次冷媒として、１，１，２，２−テトラフルオロエチル−２，２，２−トリフルオロエチルエーテル（以下、ＨＦＥ−３４７という。）を含有する組成物を用いることを特徴とする二次循環冷却システム。
【請求項２】
上記組成物におけるＨＦＥ−３４７の含有割合が６０質量％以上である請求項１に記載の二次循環冷却システム。
【請求項３】
ＨＦＥ−３４７を含有する組成物が、さらにＨＦＥ−３４７以外のフッ化エーテルを含有する請求項１または２に記載の二次循環冷却システム。
【請求項４】
上記組成物におけるＨＦＥ−３４７以外のフッ化エーテルの含有割合が５〜４０質量％である請求項３に記載の二次循環冷却システム。
【請求項５】
ＨＦＥ−３４７以外のフッ化エーテルが、パーフルオロプロピルメチルエーテル、パーフルオロブチルメチルエーテル、またはパーフルオロブチルエチルエーテルである請求項３または４に記載の二次循環冷却システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月30日(2007.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
１    ホイール
２    ロータ
３    ナックル
４    支持孔
５、５ａ  車輪支持用ハブユニット
６    外輪
７    ボルト
８、８ａ  ハブ
９    スタッド
１０    ナット
１１ａ、１１ｂ  外輪軌道
１２    結合フランジ
１３、１３ａ  ハブ本体
１４、１４ａ  内輪
１５    取付フランジ
１６    円筒部
１７ａ、１７ｂ  内輪軌道
１８    小径段部
１９    かしめ部
２０    転動体
２１ａ、２１ｂ  シールリング
２２    スプライン孔
２３    等速ジョイント用外輪
２４    スプライン軸
２５    ナット
２６    硬化層
２７    塗装膜
２８    セラミックヒータ
２９、２９ａ  クーラ