Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月7日(2008.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  式Ｉ
【化１】
2003519686.tif 000001
［式中、
Ｒ１は、ヒドロキシル、１−４Ｃ−アルコキシ、３−７Ｃ−シクロアルコキシ、３−７Ｃ−シクロアルキルメトキシ又は完全にか若しくは主にフッ素置換された１−４Ｃ−アルコキシであり、
Ｒ２は、ヒドロキシル、１−４Ｃ−アルコキシ、３−７Ｃ−シクロアルコキシ、３−７Ｃ−シクロアルキルメトキシ又は完全にか若しくは主にフッ素置換された１−４Ｃ−アルコキシであるか、又は
Ｒ１及びＲ２は一緒に、１−２Ｃ−アルキレンジオキシ基であり、
Ｒ３は、水素又は１−４Ｃ−アルキルであり、
Ｒ３１は、水素又は１−４Ｃ−アルキルであるか、又は
Ｒ３及びＲ３１は一緒に、１−４Ｃ−アルキレン基であり、
Ｒ４は、水素又は１−４Ｃ−アルキルであり、
Ｒ５は、水素であり、
Ｒ５１は、水素であるか、又は
Ｒ５及びＲ５１は一緒に、付加的な結合を表し、
Ｒ６は、Ｒ７及びＲ８で置換されたフェニル基であり、ここで
Ｒ７は、ヒドロキシル、ハロゲン、シアノ、１−４Ｃ−アルキル、１−４Ｃ−アルコキシ、１−４Ｃ−アルキルカルボニルオキシ、トリフルオロメチル、フェニル、フェニル−１−４Ｃ−アルキル、ニトロ、アミノ、完全にか若しくは主にフッ素置換された１−４Ｃ−アルコキシ、ＳＯ2−Ｒ７０又はＮ（Ｒ７１）Ｒ７２であり、
ここで、Ｒ７０は、１−４Ｃ−アルキルであり、
Ｒ７１は、水素、１−４Ｃ−アルキル、ＳＯ2−Ｒ９又はＳＯ2−Ｒ１０であり、かつ
Ｒ７２は、１−４Ｃ−アルキル、１−４Ｃ−アルキルカルボニル又はＳＯ2−Ｒ１０であり、
Ｒ８は、水素、ヒドロキシ、ハロゲン、１−４Ｃ−アルコキシ又は１−４Ｃ−アルキルであり、かつ
Ｒ９及びＲ１０は互いに独立して、１−４Ｃ−アルキル、フェニル、フェニル−１−４Ｃ−アルキル又は１つ若しくはそれ以上の同じか又は異なる置換基により置換されたフェニルであり、その際、置換基は、ニトロ、１−４Ｃ−アルキル、ハロゲン、１−４Ｃ−アルキルカルボニルアミノ、１−４Ｃ−アルコキシ、完全にか若しくは主にフッ素置換された１−４Ｃ−アルコキシ、シアノ、フェニル、ナフチル、トリフルオロメチル又は１−４Ｃ−アルコキシカルボニルからなる群から選択されている］で示される化合物のＮ−オキシド及び上記のＮ−オキシドの塩。
【請求項２】  Ｒ１が、１−２Ｃ−アルコキシ、３−５Ｃ−シクロアルコキシ、３−５Ｃ−シクロアルキルメトキシ又は完全にか若しくは主にフッ素置換された１−２Ｃ−アルコキシであり、
Ｒ２が、１−２Ｃ−アルコキシ、３−５Ｃ−シクロアルコキシ、３−５Ｃ−シクロアルキルメトキシ又は完全にか若しくは主にフッ素置換された１−２Ｃ−アルコキシであり、
Ｒ３が、水素であり、
Ｒ３１が、水素であり、
Ｒ４が、水素又は１−２Ｃ−アルキルであり、
Ｒ５が、水素であり、
Ｒ５１が、水素であるか、又は
Ｒ５及びＲ５１が一緒に、付加的な結合を表し、
Ｒ６が、Ｒ７及びＲ８で置換されたフェニル基であり、ここで
Ｒ７が、ヒドロキシル、ハロゲン、シアノ、１−４Ｃ−アルコキシ、１−４Ｃ−アルキルカルボニルオキシ、トリフルオロメチル、フェニル、フェニル−１−４Ｃ−アルキル、ニトロ、アミノ、完全にか若しくは主にフッ素置換された１−４Ｃ−アルコキシ、ＳＯ2−Ｒ７０又はＮ（Ｒ７１）Ｒ７２であり、
ここで、Ｒ７０が、１−４Ｃ−アルキルであり、
Ｒ７１が、水素、１−４Ｃ−アルキル、ＳＯ2−Ｒ９又はＳＯ2−Ｒ１０であり、かつ
Ｒ７２が、１−４Ｃ−アルキル、１−４Ｃ−アルキルカルボニル又はＳＯ2−Ｒ１０であり、
Ｒ８が、水素、ハロゲン又は１−４Ｃ−アルコキシであり、かつ
Ｒ９及びＲ１０が互いに独立して、１−４Ｃ−アルキル、フェニル又は置換基により置換されたフェニルであり、その際、置換基は、ニトロ、１−４Ｃ−アルキル、１−４Ｃ−アルコキシ、ハロゲン、トリフルオロメチル又は１−４Ｃ−アルコキシカルボニルからなる群から選択されている、
請求項１記載の式Ｉの化合物のＮ−オキシド及び上記のＮ−オキシドの塩。
【請求項３】  Ｒ１が、１−２Ｃ−アルコキシであり、
Ｒ２が、１−２Ｃ−アルコキシであり、
Ｒ３、Ｒ３１、Ｒ４、Ｒ５及びＲ５１が、水素であり、
Ｒ６が、Ｒ７及びＲ８で置換されたフェニル基であり、ここで
Ｒ７が、ヒドロキシル、ハロゲン、１−４Ｃ−アルコキシ、１−４Ｃ−アルキルカルボニルオキシ、フェニル、フェニル−１−４Ｃ−アルキル、ニトロ、アミノ、ＳＯ2−Ｒ７０又はＮ（Ｒ７１）Ｒ７２であり、ここで
Ｒ７０が、１−４Ｃ−アルキルであり、
Ｒ７１が、水素又はＳＯ2−Ｒ１０であり、かつ
Ｒ７２が、１−４Ｃ−アルキル、１−４Ｃ−アルキルカルボニル又はＳＯ2−Ｒ１０であり、
Ｒ８が、水素、ハロゲン又は１−４Ｃ−アルコキシであり、かつ
Ｒ１０が、置換基により置換されたフェニルであり、その際、置換基は、ニトロ、１−４Ｃ−アルキル又は１−４Ｃ−アルコキシカルボニルからなる群から選択されている、
請求項１記載の式Ｉの化合物のＮ−オキシド及び上記のＮ−オキシドの塩。
【請求項４】  Ｒ１が、１−２Ｃ−アルコキシであり、
Ｒ２が、１−２Ｃ−アルコキシであり、
Ｒ３、Ｒ３１、Ｒ４、Ｒ５及びＲ５１が、水素であり、
Ｒ６が、Ｒ７及びＲ８で置換されたフェニル基であり、ここで
Ｒ７が、ＳＯ2−Ｒ７０であり、
Ｒ７０が、１−４Ｃ−アルキルであり、
Ｒ８が、水素である、
請求項１記載の式Ｉの化合物のＮ−オキシド及び上記のＮ−オキシドの塩。
【請求項５】  ４ａ及び１０ｂ位で、化合物（−）−cis−１，２−ジメトキシ−４−（２−アミノシクロヘキシル）ベンゼンと同じ絶対配置を有し、前記化合物はその方では旋光度［α］D20＝−５８．５°（ｃ＝１、エタノール）を有する出発物質として使用されることができる、請求項１から４までのいずれか１項記載の式Ｉの化合物のＮ−オキシド。
【請求項６】  請求項１から５までのいずれか１項記載の１つ又はそれ以上の式Ｉの化合物のＮ−オキシドを、慣用の薬剤学的な助剤及び／又は賦形剤と共に含有している気道障害の処置のための医薬。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月9日(2008.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ケラチノサイトを熟成させ、サイトケラチンの合成を増幅させ、デスモソームプロテインを増加させるディクトヨタル（Dictyotal）科藻類の抽出物をベースとした調製物の化粧用局所薬組成物の製造での使用。
【請求項２】  藻類を抽出し、粗抽出物をＣ18グラフトシリカのＨＰＬＣで精製し、メタノール／水混合物で稀釈し、９〜１２分の保持時間を有する活性分を単離して得られる生成物を有効成分とするディクトヨタル科の藻類の抽出物をベースとする請求項１に記載の調製物の使用。
【請求項３】  有効成分が藻類パディナパボニカ（Padina pavonica）のエタノールまたはアセトン抽出物から得られる請求項１に記載の調製物の使用。
【請求項４】  パディナパボニカの抽出物を乾燥蒸発させ、不活性な液体または固体の担体中に分散させ、不活性な液体または固体の担体で稀釈する請求項１または２に記載の調製物の使用。
【請求項５】  パディナパボニカの抽出物をクリーム、懸濁液、乳液、ゲル、軟膏、粉末を含む油性、水性または乾燥した局所薬調製物を作るのに適した担体または賦形剤に混ぜる請求項１または２に記載の調製物の使用。
【請求項６】  パディナパボニカの抽出物を分散剤または界面活性剤を含むポリエチレングリコール溶液に入れ、この溶液にシリコン油を添加して乳液を製造する請求項１または２に記載の調製物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月19日(2007.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  分子に対するＣＤ８+ 細胞傷害性Ｔリンパ球（ＣＴＬ）応答を含む免疫応答を個体に誘導するための医薬の製造における、熱ショックタンパク質に結合した分子または熱ショックタンパク質のアデノシントリホスフェート（ＡＴＰ）結合ドメインまたはその一部に結合した分子の使用。
【請求項２】  個体がＣＤ４+ Ｔ細胞の欠損を有する請求項１記載の使用。
【請求項３】  熱ショックタンパク質が分子に融合している請求項１記載の使用。
【請求項４】  ＡＴＰ結合ドメインが分子に融合している請求項１記載の使用。
【請求項５】  熱ショックタンパク質が分子に共有結合されているか、または化学的に共役されている請求項１記載の使用。
【請求項６】  ＡＴＰ結合ドメインまたはその一部が分子に共有結合されているか、または化学的に共役されている請求項１記載の使用。
【請求項７】  分子がタンパク質、糖タンパク質、炭水化物、脂質、細菌抗原、ウイルス抗原、寄生体抗原または癌細胞関連抗原である請求項１記載の使用。
【請求項８】  ウイルス抗原がヒト免疫不全ウイルスの抗原である請求項７記載の使用。
【請求項９】  熱ショックタンパク質、熱ショックタンパク質のＡＴＰ結合ドメインまたはその一部が、マイコバクテリアタンパク質である請求項１記載の使用。
【請求項１０】  マイコバクテリアタンパク質が、Ｍ．レプレ、Ｍ．ボビス、またはＭ．ツベルクローシスタンパク質である請求項９記載の使用。
【請求項１１】  熱ショックタンパク質、熱ショックタンパク質のＡＴＰ結合ドメインまたはその一部が、ｈｓｐ６５、ｈｓｐ７０またはｈｓｐ９０である請求項１記載の使用。
【請求項１２】  熱ショックタンパク質、熱ショックタンパク質のＡＴＰ結合ドメイン、またはその一部が、哺乳動物タンパク質である請求項１記載の使用。
【請求項１３】  哺乳動物タンパク質がヒトタンパク質である請求項１２記載の使用。
【請求項１４】  ＡＴＰ結合ドメインの一部が約半分のＡＴＰ結合ドメインからなる請求項１記載の使用。
【請求項１５】  ＡＴＰ結合ドメインの一部が、アミノ酸残基の１〜５０％が置換された天然のＡＴＰ結合ドメインの一部である請求項１記載の使用。
【請求項１６】  置換されたアミノ酸残基の少なくとも半分が、保存的アミノ酸置換である請求項１５記載の使用。
【請求項１７】  ＡＴＰ結合ドメインの一部が、マイコバクテリウム・ツベルクローシスｈｓｐ７０のアミノ酸残基１６１〜３７０を含有してなる請求項１記載の使用。
【請求項１８】  個体が後天性免疫不全症候群を有する請求項２記載の使用。
【請求項１９】  分子に対するＣＤ４+ 非依存性細胞傷害性Ｔリンパ球応答を個体に誘導するための医薬の製造における、分子に結合した熱ショックタンパク質のＡＴＰ結合ドメインの一部の使用。
【請求項２０】  分子が、タンパク質、ペプチド、糖タンパク質、炭水化物、ウイルス抗原、真菌抗原、または寄生体抗原である請求項１９記載の使用。
【請求項２１】  熱ショックタンパク質が、ｈｓｐ６５、ｈｓｐ７０、ｈｓｐ９０、細菌、マイコバクテリア、真菌、寄生体または哺乳動物の熱ショックタンパク質である請求項１９記載の使用。
【請求項２２】  異種分子に結合した熱ショックタンパク質またはその一部を含有してなる組成物。
【請求項２３】  熱ショックタンパク質の一部が、熱ショックタンパク質のＡＴＰ結合ドメインの一部である請求項２２記載の組成物。
【請求項２４】  熱ショックタンパク質またはその一部が、異種分子に融合されている請求項２２記載の組成物。
【請求項２５】  分子が、タンパク質、ペプチド、糖タンパク質、炭水化物、ウイルス抗原、真菌抗原、または寄生体抗原である請求項２２記載の組成物。
【請求項２６】  熱ショックタンパク質が、マイコバクテリアまたは哺乳動物の熱ショックタンパク質である請求項２２記載の組成物。
【請求項２７】  マイコバクテリアの熱ショックタンパク質が、マイコバクテリウム・ツベルクローシス、マイコバクテリウム・レプレ、またはマイコバクテリウム・ボビス由来である請求項２６記載の組成物。
【請求項２８】  ＡＴＰ結合ドメインの一部が約半分のＡＴＰ結合ドメインからなる請求項２３記載の組成物。
【請求項２９】  ＡＴＰ結合ドメインの一部が、アミノ酸残基の１〜５０％が置換された天然のＡＴＰ結合ドメインの一部である請求項２３記載の組成物。
【請求項３０】  置換されたアミノ酸残基の少なくとも半分が、保存的アミノ酸置換である請求項２９記載の組成物。
【請求項３１】  ＡＴＰ結合ドメインの一部が、マイコバクテリウム・ツベルクローシスｈｓｐ７０のアミノ酸残基１６１〜３７０を含有してなる請求項２３記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月28日(2008.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  細菌感染の治療のための組成物であって、前記組成物は前記細菌に特 異的なバクテリオファージが遺伝的にコードしている少なくとも一つの溶菌酵素の有効 量を含み、前記溶菌酵素は遺伝子操作を通してキメラ化されているものを含む組成物。
【請求項２】  前記溶菌酵素が、バクテリオファージ由来の酵素をコードする遺伝情 報を導入された細菌から生産される請求項１に記載の組成物。
【請求項３】  前記細菌が、シュードモナス、ストレプトコッカス、スタフィロコッ カス及びクロストリジウムからなる群より選択される請求項１に記載の組成物。
【請求項４】  ホリン酵素をさらに含む請求項１に記載の組成物。
【請求項５】  前記溶菌酵素がシャッフリングによってキメラ化されている請求項１ に記載の組成物。
【請求項６】  ホリン酵素をさらに含む請求項５に記載の組成物。
【請求項７】  前記細菌が、シュードモナス、ストレプトコッカス、スタフィロコッ カス及びクロストリジウムからなる群より選択される請求項５に記載の組成物。
【請求項８】  溶菌酵素の殺菌作用を増強する少なくとも一つの抗生物質をさらに含 む請求項１に記載の組成物。
【請求項９】  薬剤として製剤し及び使用するための少なくとも一つの化学試薬をさ らに含み、前記化学試薬は還元剤、ジチオトレイトール、金属キレート剤、エチレンジ アミンテトラ酢酸、緩衝液、クエン酸、リン酸、塩化ナトリウム、アルブミン、保存剤 、ｐ−ヒドロキシベンゾエート、デキストロース、マンニトール、ソルビトール、ラク トース、ゼラチン、アルブミン、ジメチルスルホキシド、血管収縮剤及びそれらの組み 合わせからなる群から選択される請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】  細菌の細胞壁を分解するのに有用なキメラファージ溶菌酵素であっ て、前記キメラファージ溶菌酵素は細菌の細胞壁に結合する結合部分及び細胞壁を溶解 する酵素部分を含み、前記結合部分及び前記酵素部分は異なるファージによりコードさ れているキメラファージ溶菌酵素。
【請求項１１】  同じ又は異なる基質分子に独立して作用する少なくとも二つ以上の 酵素活性部位を含む請求項１０に記載のキメラファージ溶菌酵素。
【請求項１２】  ファージライシンのＮ末端の半分をコードする領域と自己溶菌酵素 のＣ末端ドメインをコードする領域とを融合させることにより製造される請求項１０に 記載のキメラファージ溶菌酵素。
【請求項１３】  前記ファージライシンはラクトコッカスファージＴｕｃ２００９由 来であって、前記自己溶菌酵素は主要なニューモコッカス自己溶菌酵素である請求項１ ２に記載のキメラファージ溶菌酵素。
【請求項１４】  前記酵素部分がコリンを含有する細菌の細胞壁を加水分解するグリ コシダーゼポリペプチドを含む請求項１０に記載のキメラファージ溶菌酵素。
【請求項１５】  請求項１０に記載のキメラファージ溶菌酵素及び薬学的に許容され る担体を含む細菌感染の治療のための組成物。
【請求項１６】  細菌の細胞壁に結合するキメラファージ溶菌酵素の前記結合部分が 、シュードモナス、ストレプトコッカス、スタフィロコッカス及びクロストリジウムか らなる群より選択される細菌に感染するファージ由来のものである請求項１５に記載の 組成物。
【請求項１７】  キメラファージ溶菌酵素の殺菌作用を増強する少なくとも一つの抗 生物質をさらに含む請求項１５に記載の組成物。
【請求項１８】  細菌の細胞壁を分解するのに有用なシャッフルド溶菌酵であって、 前記シャッフルド溶菌酵素が少なくとも二つ以上のファージ溶菌酵素の配列を含むシャ ッフルド溶菌酵素。
【請求項１９】  前記シャッフルド溶菌酵素に含まれるそれぞれのファージ溶菌酵素 と比較して、増加した活性と特異性を有する請求項１８に記載のシャッフルド溶菌酵素 。
【請求項２０】  前記ファージ溶菌酵素と比較して増加した安定性を有する請求項１ ８に記載のシャッフルド溶菌酵素。
【請求項２１】  細菌の細胞壁に結合する結合部分を含むシャッフルド溶菌酵素であ って、前記結合部分はシュードモナス、ストレプトコッカス、スタフィロコッカス及び クロストリジウムからなる群より選択される細菌に感染するファージによりコードされ ている請求項１８に記載のシャッフルド溶菌酵素。
【請求項２２】  請求項１８に記載のシャッフルド溶菌酵素及び薬学的に許容される 担体を含む細菌感染の治療に有用な組成物。
【請求項２３】  前記シャッフルド酵素の殺菌作用を増強する少なくとも一つの抗生 物質をさらに含む請求項２２に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月16日(2007.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 制御ユニット及びメモリ手段を有する車両内において，操作手段によって調節可能な，ドライブトレインの装置を制御する方法であって，前記装置及び／又は前記操作手段が各種変数で実施可能であって，少なくとも１つの識別子が前記メモリ手段に格納され，前記識別子が前記車両内に設けられている前記装置及び／又は前記操作手段の各変数を表し，前記装置が各変数に応じた各識別子に従って前記制御ユニットによって制御される，ドライブトレインの装置を制御する方法において，
特に前記操作手段によって前記装置の各変数の各種状態が設定され，可能な各状態に各識別子が対応付けられており，各識別子が制御情報を含んでおり，前記制御ユニットは，前記識別子の前記制御情報を評価し，前記制御情報の評価に従って前記装置の各変数を制御する，ことを特徴とするドライブトレインの装置を制御する方法。
【請求項２】 前記制御情報を含む値セットが各状態に適用可能に対応付けられている，ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  状態の設定及び／又はある状態から他の状態への変化は，前記操作手段，特にトランスミッション操作パネルからの信号，センサ信号，又は他の制御ユニットの信号によって作動される，ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】  少なくとも１つのニュートラル状態，少なくとも１つの冬季状態，少なくとも１つのスポーツ状態，少なくとも１つの経済的状態，少なくとも１つの山地状態，少なくとも１つの快適状態，少なくとも１つのマニュアル状態，少なくとも１つの通常走行状態，及び少なくとも１つの制限状態を含む状態の群から，少なくとも２つの状態が状態として設定される，ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記制御情報は，特性曲線情報，運転者タイプ情報，適応情報，シフト情報，及び優先順位情報を含む情報群から少なくとも２つの情報を有している，ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記状態の数の削減は，同一識別子の統合及び／又は状態テーブルの使用によって実施される，ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】 制御ユニット及びメモリ手段を有する車両内において，装置を調節する操作手段を有する，ドライブトレインの装置を制御する装置であって，前記装置及び／又は前記操作手段が各種変数で実施可能であって，少なくとも１つの識別子が前記メモリ手段に格納され，前記識別子が前記車両内に設けられている前記装置及び／又は前記操作手段の各変数を表し，前記装置が各変数に応じた各識別子に従って前記制御ユニットによって制御される，ドライブトレインの装置を制御する装置において，
特に前記操作手段によって前記装置の各変数の各種状態が設定され，可能な各状態に各識別子が対応付けられており，各識別子が制御情報を含んでおり，前記制御ユニットは，前記識別子の前記制御情報を評価し，前記制御情報の評価に従って前記装置の各変数を制御する，ことを特徴とするドライブトレインの装置を制御する装置。
【請求項８】 前記制御情報を含む値セットを各状態に適用可能に対応付ける手段が設けられている，ことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】 メモリ手段を有する車両内において，操作手段によって調節可能な，ドライブトレインの装置を制御する制御ユニットであって，前記装置及び／又は前記操作手段が各種変数で実施可能であって，少なくとも１つの識別子が前記メモリ手段に格納され，前記識別子が前記車両内に設けられている前記装置及び／又は前記操作手段の各変数を表し，前記装置が各変数に応じた各識別子に従って前記制御ユニットによって制御される，ドライブトレインの装置を制御する制御ユニットにおいて，
特に前記操作手段によって前記装置の各変数の各種状態が設定され，可能な各状態に各識別子を対応付ける手段が設けられており，各識別子が制御情報を含んでおり，前記制御ユニットは，前記識別子の前記制御情報を評価し，前記制御情報の評価に従って前記装置の各変数を制御する，ことを特徴とするドライブトレインの装置を制御する制御ユニット。
【請求項１０】 前記制御情報を含む値セットを各状態に適用可能に対応付ける手段が設けられている，ことを特徴とする請求項９に記載の制御ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月6日(2007.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリンダ（１）と、
該シリンダ（１）内を前後動するよう配されて、端部（３）が隣接するシリンダ（１）端部と協同して前部シリンダ空間（４０）を限定し、シリンダ（１）に対し軸線方向前方に動くことにより前記前部シリンダ空間（４０）の容積が減少して前部シリンダ空間（４０）からの圧力流体送給が引起こされる、ピストン（２）と、
流体溜め（６１）と、
前記シリンダ（１）、ピストン（２）間の環状部に取付けられて前記前部シリンダ空間（４０）から環状部を経て流体流が流出するのを防ぐよう構成され、底部（１１）を介し相互接続されて底部（１１）から前方の相反方向に突出する第１及び第２脚（１２，１３）を有し、第１脚（１２）が逆止弁と同様にばねシールするよう作用して、流体溜め（６１）に連通する通路（３０）の出口開口（４３）を、前部シリンダ空間（４０）の流体圧力が流体溜め（６１）の流体圧力より大きい場合にはシールするが小さい場合には開くよう構成された、断面Ｖ字形のシール（１０）と
から成る圧力流体供給装置において、シール（１０）がピストン（２）の、前方を向き半径方向外方に延びる面（６）に載り、シール（１０）の第１脚（１２）が半径方向内方に傾斜突出してピストン（２）の軸線方向に延びる部分（３）に当接するよう配され、シール（１０）の第２脚（１３）が半径方向外方に傾斜突出し、シリンダ表面（１４）上を摺動してシリンダ表面（１４）上に常に当接するよう配されていることを特徴とする圧力流体供給装置。
【請求項２】  第１脚（１２）が第２脚（１３）よりも大きな弾性を有することを特徴とする、請求項１に記載の圧力流体供給装置。
【請求項３】  軸線方向でシール（２）後方に位置するピストン（２）の部分（４）と隣接するシリンダ部分とが協同して後部シリンダ空間（４１）を形成し、該後部シリンダ空間（４１）が流体溜め（６ｌ）と常に連通すること、及び、通路（３０）を介し出口開口（４３）が前記後部シリンダ空間（４１）と連通することを特徴とする、請求項１又は２に記載の圧力流体供給装置。
【請求項４】  通路（３０）がピストン（２）内に設けられていることを特徴とする、請求項３に記載の圧力流体供給装置。
【請求項５】  通路（３０）が、シール内部の開放溝（５０，５１）と該溝上方に位置したピストン部分（３，５）とにより形成され、開放溝（５０，５１）がシール底部付近からシール底部に隣接配置した第１脚の部分付近へと延びることを特徴とする、請求項３に記載の圧力流体供給装置。
【請求項６】  溝（６３）がピストン内（２）をほぼ螺旋状に、シールの第１脚（１２）に面するよう配置される箇所からシール底部支持部分の半径方向外端へと延びることを特徴とする、請求項５に記載の圧力流体供給装置 。
【請求項７】  ピストン（２）に固定接続される保持素子（２０）が、シール底部前面に当接するよう配された部分（２２）を有することを特徴とする、請求項１乃至６のいずれかに記載の圧力流体供給装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ピストン２が休止位置にあり、それを前方又は後方に移動させようとする力がない場合、前部シリンダ空間４０の流体圧力は後部シリンダ空間４１の流体圧力と等しい、即ち、シール全体にわたり差圧ゼロである。その場合、シールの第１脚１２はピストンの前端部３にわずかに軽く当接し、その生来の弾力又は初期張力により開口４３を覆っているのみである。しかしながら、シールの第２脚１３はこの脚の初期高張力によりシリンダ壁１４に対し比較的強く当接する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
ピストンに、第１溝部３１及び第３溝部３３を有する溝３０を設ける替わりに、２つの相応するシール溝部５０，５１をシールに設けることができる。図４に示すように，これらのシール溝部５０，５１は、例えば、これらを設けない場合に第１及び第２ピストン溝部３１，３３が設けられる位置の付近を延びる。それにより、流体溜めをシールの第１脚１２付近で通路開口４３に接続する上記した通路に対応する通路を得ることができる。ピストンには、溝３０の替わりに、前部フランジ面６及びピストン前部３の円筒面を延びる螺旋溝６３を設けることができる。螺旋溝の利点は旋盤で容易に造ることができることである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2003519346.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月5日(2007.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
弁ハウジング４６の左手端には弾性フード５７が取付られて、生来の弾性により弁ハウジング４６の左手円形端又は座５８にシール当接することとなり、第６腔４７の延長部を成す端空間６０を閉じようとする。座５８の半径方向外側に位置したフード５７の部分には孔１７が設けられて、第３シリンダ空間２６から流入し主ピストンへエネルギを供給した圧縮空気の出口を形成する。端空間６０内に位置する空気の圧力がブースタ１０を囲む空気の圧力より大きい場合、フード中央部は左へ凸に変形でき、その結果、図５に示したようにもはや座５８に当接しなくなる。それによりハウジング１１の外側の空間が孔１７、座５８とフード５７との間の通路を介し端空間６０に連通できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
温度上昇等が原因の、スレーブシリンダ４とブースタ３との間の流体圧ラインの、不具合な昇圧の発生はそれにより防がれる。同様に、スレーブシリンダ付近から作動流体が漏出してもマスタシリンダに接続された流体溜め（図示せず）から作動流体を供給することにより補うことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図３に示すように、弁ピストン２８は今や弁体４８の右手端に当接することとなり、それにより第２通路５６をシールする。それによって、第４シリンダ空間６１からの空気はフード５７の孔を介しブースタ３の外側の空間へと流出できない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
弁ピストン２８を右に更に動かすと、そのフランジ４３が肩部４４に当接することとなる。同時に、第２通路５６が弁ステム４９を介し開かれ、第３シリンダ空間２６と端空間６０との間の連通が、チャネル又は第３通路６２、弁ハウジング４６の右手端壁５４と弁ピストン２８の左手端との間の開口を介し得られる。次いで、第３シリンダ空間２６の高空気圧が端空間６０へ伝播し、従って、フード５７をその座５８から離させ、第３シリンダ空間２６とブースタ３外側空間との連通を提供する（図５参照）。それにより、第３シリンダ空間２６内の圧力が減少される。従って、主ピストン２２は今やクラッチの伸縮バネ（図示せず）の力の支配のもとに左へ動かされ、この伸縮バネはクラッチを掛かり位置へ戻し、スレーブシリンダピストンを対応位置へ戻す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
主ピストンの小端部７９がハウジング１１’と共に第２シリンダ空間２７’を限定し、第２シリンダ空間２７’は出口１５’と連通するように配されており、更に出口１５’はスレーブシリンダ４と連通するように配されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2003519340.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2003519340.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月19日(2008.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ケミカルメカニカルポリシング（化学機械研磨）中に基板上の層の特性を測定する方法であって、
窓を有するポリシングパッドに基板の表面を接触させるステップと、
基板とポリシングパッドの間に相対運動を生じさせるステップと、
窓を介して光ビームを向け、基板に対するポリシングパッドの相対運動により基板表面を亘る経路の中で光ビームを運動させるステップと、
基板から反射する光ビームによって生成される干渉信号をモニタするステップと、
複数の強度測定値を前記干渉信号から抽出するステップであって、各強度測定値が前記基板表面に亘る経路にあるサンプリング領域に対応する、ステップと、
各サンプリング領域に対して半径方向位置を決定するステップと、
強度測定値を、半径方向位置に従って複数の半径方向幅に分けるステップと、
半径方向幅毎の特性を、当該半径方向幅に関する強度測定値より計算するステップと
を有する方法。
【請求項２】  該特性が、研磨速度である請求項１に記載の方法。
【請求項３】  該特性が、基板層の初期厚さである請求項１に記載の方法。
【請求項４】  該特性が、基板層の初期厚さと最終厚さの差である請求項１に記載の方法。
【請求項５】  該特性が、基板層の残りの厚さである請求項１に記載の方法。
【請求項６】  研磨の均一性測定値を、半径方向幅毎の測定特性から算出するステップを更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項７】  特性を計算する該ステップが、各半径方向幅に対してモデル関数を決定するステップを有する請求項１に記載の方法。
【請求項８】  モデル関数が、正弦関数である請求項７に記載の方法。
【請求項９】  正弦関数が、周期と位相のずれにより記述される請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  周期と位相のずれが、関連する半径方向幅内の強度測定値に対するモデル関数の最小自乗法により計算される請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  特性の計算が、次式
【数１】
2003519361.tif 000001
（ΔＴは正弦関数の周期、λは光ビームの波長、α’は層内の光ビームの角度、ｎは層の屈折率）
より研磨速度Ｐを得るステップを有する請求項９に記載の方法。
【請求項１２】  特性の計算が、次式
【数２】
2003519361.tif 000002
（λは光ビームの波長、α’は層の中の光ビームの角度、ｎは層の屈折率、φは位相差、Ｍは自然数）
により基板層の初期厚さを決定するステップを有する請求項９に記載の方法。
【請求項１３】  強度測定値が、一連のサンプリング時間にわたって干渉信号を積分することにより抽出される請求項１に記載の方法。
【請求項１４】  各サンプリング領域が、対応するサンプリング時間に光ビームが移動する基板の部分に対応する請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】  半径方向位置を決定するステップが、窓が基板の中心線を横切る時間を決定するステップを有する請求項１に記載の方法。
【請求項１６】  半径方向位置を決定するステップが、ポリシングパッドの位置を、強度測定がなされた時間と窓が基板の中心線を横切る時間の差より決定するステップを有する請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】  支持リングを有するキャリアヘッドにより、基板がポリシングパッド上に配置され、窓が基板の中心線を横切る時間の決定が、窓が支持リングの下を通過する第１の時間と第２の時間を決定するステップを有する請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】  支持リングが、反射する低位置表面を有する請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】  半径方向位置を決定するステップが、キャリアヘッド掃引輪郭からキャリアヘッドの位置を決定するステップを更に有する請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】  窓が基板の中心線を横切る時間を決定するステップが、窓が支持リングの下を通過する複数の第１の時間と複数の第２の時間を決定するステップと、複数の第１の時間及び複数の第２の時間から、窓が基板の中心線を横切る時間を与えるモデル関数を発生させるステップを有する請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】  窓が基板の中心線を横切る時間を決定するステップが、ポリシングパッドの位置をモニタする位置センサから信号を受け取るステップを有する請求項１に記載の方法。
【請求項２２】  所定の半径よりも長い半径方向位置のサンプリング領域からの強度測定値を捨てるステップを更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項２３】  ポリシングパッドが、プラテンの上に配置され、プラテンが回転して、基板とポリシングパッドの間に相対運動が生じる請求項１に記載の方法。
【請求項２４】  光源が、プラテンに接続され、プラテンとともに回転する請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】  光源がレーザーである請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】  ケミカルメカニカルポリシング中に基板上の層の特性を測定する方法であって、
ポリシングパッドに基板の表面を接触させるステップと、
ポリシングパッドの窓を介して基板上へと光ビームを向けるステップと、
光ビームを基板表面の経路で移動させるステップと、
基板からの光ビームの反射によって作られる複数の強度測定値を発生させるステップと、
強度測定中に強度測定値を基板上の光ビームの半径方向位置に従って複数の半径方向幅に分けるステップと、
半径方向幅に関する特性を強度測定値から半径方向幅毎に計算するステップと
を有する方法。
【請求項２７】  ケミカルメカニカルポリシング中に基板上の層の特性を測定する方法であって、
窓を有するポリシングパッドに基板の表面を接触させるステップと、
基板とポリシングパッドとの間に相対運動を生じさせるステップと、
ポリッシングパッドを介して基板表面に接触するように光ビームを向けるステップと、
基板表面を亘る経路を追跡するように光ビームを生じさせるステップと、
基板からの光ビームの反射によって作られる複数の強度測定値を発生させるステップと、
強度測定値毎について基板の中心に対する半径方向位置を計算するステップと、
強度測定値を半径方向位置に従って複数の半径方向幅に分けるステップと、
複数の半径方向幅毎の少なくとも二つの特性を、当該半径方向幅に関する強度測定値より計算するステップと
を有する方法。
【請求項２８】  ケミカルメカニカルポリシング中に基板上の層の特性を測定する方法であって、
窓を有するポリシングパッドに基板の表面を接触させるステップと、
基板とポリシングパッドとの間に相対運動を生じさせるステップと、
ポリッシングパッドを介して基板表面に接触するように光ビームを向けるステップと、
基板表面を亘る経路を追跡するように光ビームを生じさせるステップと、
基板からの光ビームの反射によって作られる複数の強度測定値を発生させるステップと、
強度測定値毎について基板の中心からの半径方向距離を計算するステップと、
強度測定値を半径方向距離に従って複数の半径方向幅に分けるステップと、
複数の半径方向幅毎の少なくとも二つの特性を、当該半径方向幅に関する強度測定値より計算するステップと
を有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月19日(2007.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】第１タンパク質で細胞の表面をコートする工程と、前記細胞を第２タンパク質と接触させる工程とを含み、
前記第１タンパク質は、脂質化タンパク質であり、
前記第２タンパク質は、前記第１タンパク質に対して親和性を有する第１ドメインと、ペプチド、タンパク質、又はその誘導体或いはフラグメントからなり、
トランスシグナリング及び/又は接着作用を有する第２ドメインとを具えている融合タンパク質である、細胞にタンパク質を移送する方法。
【請求項２】前記第１タンパク質又は前記第２タンパク質の少なくともいずれか一方は、細胞外ドメインである請求項１に記載の方法。
【請求項３】前記第２タンパク質は、免疫制御作用を有する請求項１に記載の方法。
【請求項４】前記細胞に移送されるタンパク質の量は、接触工程において用いた第２タンパク質の量で決定される請求項１に記載の方法。
【請求項５】前記第１タンパク質は、Ｃ１２乃至Ｃ２２脂質で脂質化されている請求項１に記載の方法。
【請求項６】前記脂質は、Ｃ１６である請求項５に記載の方法。
【請求項７】前記第１タンパク質は、脂質化タンパク質Ａ及び脂質化タンパク質Ｇからなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項８】前記第１タンパク質は、パルミチン酸タンパク質Ａである請求項７に記載の方法。
【請求項９】前記第１ドメインは、前記第２タンパク質のアミノ末端に繋がる請求項１に記載の方法。
【請求項１０】前記第１ドメインは、前記第２タンパク質のカルボキシル末端に繋がる請求項１に記載の方法。
【請求項１１】前記第２ドメインは、タイプI細胞膜タンパク質の一部をエンコードする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】前記第２ドメインは、タイプII細胞膜タンパク質の一部をエンコードする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】前記第２ドメインは、共刺激物質をエンコードする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】前記第２ドメインは、共阻害物質をエンコードする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】前記共刺激物質は、Ｂ７−１、Ｂ７−２、ＩＣＡＭ−１、ＩＣＡＭ−２、ＩＣＡＭ−３、ＣＤ４８、ＬＦＡ−３、４−１ＢＢリガンド、ＣＤ３０リガンド、ＣＤ４０リガンド、及び熱安定性抗原からなる群から選択される請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】前記第２タンパク質は、Ｂ７−１・Ｆｃγ1である請求項１に記載の方法。
【請求項１７】前記共阻害物質は、ＣＤ８、Ｆａｓリガンド、及び免疫グロブリンの単鎖Ｆｖ誘導体からなる群から選択される請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】前記コートされた細胞は、２以上のタイプの第２タンパク質と接触し、第２タンパク質の各タイプは夫々異なっている請求項１に記載の方法。
【請求項１９】前記第２タンパク質は、予め定められた比率で導入される請求項１に記載の方法。
【請求項２０】前記コート工程及び前記接触工程は生体内で行われる請求項１に記載の方法。
【請求項２１】前記コート工程及び前記接触工程は生体外で行われる請求項１に記載の方法。
【請求項２２】前記接触した細胞を患者に注入する工程をさらに含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】請求項１の方法により生成された細胞。
【請求項２４】ａ）複数の細胞の表面を第１タンパク質でコートする工程と、
ｂ）前記細胞を第２タンパク質と接触させる工程と、
ｃ）工程ｂの接触した細胞をＴ細胞と混合する工程と、
ｄ）Ｔ細胞増殖のレベルを決定する工程とを含み、
前記第１タンパク質は、脂質化タンパク質であり、
前記第２タンパク質は、前記第１タンパク質に対して親和性を有する第１ドメインと、共刺激物質の第２ドメインとを具えている融合タンパク質である、Ｔ細胞内の共刺激物質活性の閾値を決定する方法。
【請求項２５】ｅ）サイトカイン分泌レベルを決定する工程をさらに含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】請求項１に記載の方法で、生成された細胞を、適当な担体の中に含む癌ワクチン。
【請求項２７】前記第１タンパク質は、脂質化タンパク質Ａ及び脂質化タンパク質Ｇからなる群から選択される請求項２６に記載の癌ワクチン。
【請求項２８】前記第１タンパク質は、パルミチン酸タンパク質Ａである請求項２６に記載の癌ワクチン。
【請求項２９】前記第１ドメインは、前記第２タンパク質のアミノ末端に繋がる請求項２６に記載の癌ワクチン。
【請求項３０】前記第１ドメインは、前記第２タンパク質のカルボキシル末端に繋がる請求項２６に記載の癌ワクチン。
【請求項３１】前記第２ドメインは、タイプI細胞膜タンパク質の一部をエンコードする請求項２６に記載の癌ワクチン。
【請求項３２】前記第２ドメインは、タイプII細胞膜タンパク質の一部をエンコードする請求項２６に記載の癌ワクチン。
【請求項３３】前記第２ドメインは、共刺激物質をエンコードする請求項２６に記載の癌ワクチン。
【請求項３４】前記第２ドメインは、共阻害物質をエンコードする請求項２６に記載の癌ワクチン。
【請求項３５】前記共刺激物質は、Ｂ７−１、Ｂ７−２、ＩＣＡＭ−１、ＩＣＡＭ−２、ＩＣＡＭ−３、ＣＤ４８、ＬＦＡ−３、４−１ＢＢリガンド、ＣＤ３０リガンド、ＣＤ４０リガンド、及び熱安定性抗原からなる群から選択される請求項３３に記載の癌ワクチン。
【請求項３６】前記第２タンパク質は、Ｂ７−１・Ｆｃγ1である請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】前記共阻害物質は、ＣＤ８、Ｆａｓリガンド、及び免疫グロブリンの単鎖Ｆｖ誘導体からなる群から選択される請求項３４に記載の癌ワクチン。
【請求項３８】前記ワクチンは、２以上の第２タンパク質を含む請求項２６に記載の癌ワクチン。
【請求項３９】前記ワクチンは、２以上の細胞型を含み、各細胞型はそこに移送された夫々異なる融合タンパク質を有する請求項２６に記載の癌ワクチン。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月27日(2007.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ゴム組成物を含むタイヤであって、前記ゴム組成物が、ジエンエラストマー、補強白色フィラー、及び“Ｙ”と“Ｘ”で示される官能を持っている（白色フィラー／エラストマー）カップリング剤であって、該カップリング剤が、一方で前記Ｙ官能によって前記補強白色フィラーに結合することができ、かつ他方で前記Ｘ官能によって前記ジエンエラストマーに結合することができるカップリング剤をベースとし、前記Ｘ官能が、そのγ位にカルボニル基を持っている不飽和α-β酸のエステル官能であり、かつ下記一般式（Ｘ）を有することを特徴とするゴム組成物。
2003519271.tif 000001
（式中、Ｒ、Ｒ1及びＲ2は、同一又は異なってよく、Ｒは、一価の炭化水素基を表し、及びＲ1とＲ2は、それぞれ一価の炭化水素基又は水素原子を表す。）
【請求項２】  前記ジエンエラストマーが、天然ゴム、合成ポリイソプレン、イソプレンのコポリマー、及びこれらの混合物から成る群より選択される、請求項１に記載のタイヤ。
【請求項３】  前記ジエンエラストマーが、天然ゴム又は合成ポリイソプレンである、請求項２に記載のタイヤ。
【請求項４】  前記カップリング剤Ｘ官能が下記一般式(Ｉ)を有するマレアミド−エステル官能：
2003519271.tif 000002
又は下記一般式(II)を有するフマルアミド−エステル官能：
2003519271.tif 000003
である、請求項１に記載のタイヤ。
（式中：Ｒ3は、１〜10個の炭素原子を有する二価の直鎖若しくは分岐アルキレン基であり；
Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は、同一又は相互に異なってよく、各Ｒ4、Ｒ5及びＲ6はそれぞれ水素原子又は、１〜６個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、１〜６個の炭素原子を有する分岐アルキル基、及びフェニル基からなる群から選択される一価の炭化水素基を表し；及び
Ｒ7は、１〜６個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、１〜６個の炭素原子を有する分岐アルキル基、及びフェニル基からなる群から選択される一価の炭化水素基である。）
【請求項５】  前記カップリング剤が、下記一般式（III）を有するアルコキシシランである、請求項１に記載のタイヤ。
2003519271.tif 000004
（式中：基Ｒ'は、同一又は相互に異なってよく、該基Ｒ'はそれぞれ、１〜４個の炭素原子を有する直鎖若しくは分岐アルキル、２〜６個の炭素原子を有する直鎖若しくは分岐アルコキシアルキル、５〜８個の炭素原子を有するシクロアルキル、及びフェニル基からなる群から選択される一価の炭化水素基を表し；
基Ｒ''は、同一又は相互に異なってよく、該基Ｒ''は、１〜６個の炭素原子を有する直鎖若しくは分岐アルキル、５〜８個の炭素原子を有するシクロアルキル、及びフェニル基からなる群から選択される一価の炭化水素基を表し；
Ｚ＝-Ｌ-Ｘ；ここでＬは、ケイ素原子に結合しており、１〜16個の炭素原子を有する直鎖若しくは分岐二価結合基であり、及び適宜Ｓ、Ｏ及びＮからなる群から選択される１つ以上のヘテロ原子を含み；
Ｘは、カップリング剤Ｘ官能を表し；及び
ａは、１、２又は３に等しい。）
【請求項６】  アルコキシシランが、下記式(III-1)を有することを特徴とする請求項５に記載のタイヤ。
2003519271.tif 000005
（式中：Ｌ＝-Ｒ3-ＮＲ4-であり、ここでＲ3は、１〜10個の炭素原子を有する二価の直鎖若しくは分岐アルキレン基であり、Ｒ4は、水素原子又は、１〜６個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、１〜６個の炭素原子を有する分岐アルキル基、及びフェニル基からなる群から選択される一価の炭化水素基を表し；
Ｘは、カップリング剤Ｘ官能を表す。）
【請求項７】  前記アルコキシシランが、下記式(III-2)：
2003519271.tif 000006
を有するＮ[γ-プロピル(メチル-ジエトキシ)シラン]マレアミド酸のメチルエステルであることを特徴とする請求項６に記載のタイヤ。
【請求項８】  前記アルコキシシランが、下記式(III-3)：
2003519271.tif 000007
を有するＮ[γ-プロピル(メチル-ジエトキシ)シラン]フマルアミド酸のメチルエステルであることを特徴とする請求項６に記載のタイヤ。
【請求項９】  前記補強白色フィラーが、シリカを含む、請求項１に記載のタイヤ。
【請求項１０】  前記ゴム組成物が、さらにカーボンブラックを含む、請求項１に記載のタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月18日(2007.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  触媒の存在下にｏ−キシレンを酸化することにより無水フタル酸（ＰＳＡ）を、場合により主反応装置および後反応装置中で２工程で製造する方法であって、この際ｏ−キシレンと空気とを含有する主反応装置からの熱反応ガスを分離装置中への所定の入口温度に冷却する無水フタル酸の製法において、冷媒が貫流する熱交換装置を分離装置の前に配置し、かつ熱反応ガスを冷媒との相互作用のために熱交換装置を通して導通し、ガス状の冷媒を使用し、冷媒が空気であり、反応ガスとの相互作用により加熱された冷媒を化学反応のための反応成分の１つとして反応装置中に導入することを特徴とする、無水フタル酸の製法。
【請求項２】  熱交換装置中への反応ガスの入口温度が２５０〜４００℃であり、後反応装置を有さないＰＳＡ−装置においては有利に３５０〜３８０℃、後反応装置を有するＰＳＡ−装置においては有利に２８０〜３２０℃であり、かつその熱交換装置からの出口温度は１３０〜１８０℃、有利には約１６０℃である、請求項１記載の製法。
【請求項３】  反応ガスの冷却を１工程で実施する、請求項１または２記載の製法。
【請求項４】  熱交換装置中への冷媒の入口温度が１００℃を下回り、かつ熱交換装置からの出口温度が３００〜３５０℃、有利に約３３０℃である、請求項１から３までのいずれか１項記載の製法。
【請求項５】  触媒の存在下にｏ−キシレンを酸化することにより無水フタル酸（ＰＳＡ）を、場合により主反応装置および後反応装置中で２工程で製造する方法であって、この際ｏ−キシレンと空気とを含有する主反応装置からの熱反応ガスを分離装置中への所定の入口温度に冷却する無水フタル酸の製法において、冷媒が貫流する熱交換装置を分離装置の前に配置し、かつ熱反応ガスを冷媒との相互作用のために熱交換装置を通して導通し、熱交換装置中への反応ガスの入口温度が２５０〜４００℃であり、後反応装置を有さないＰＳＡ−装置においては有利に３５０〜３８０℃、後反応装置を有するＰＳＡ−装置においては有利に２８０〜３２０℃であり、かつその熱交換装置からの出口温度は１３０〜１８０℃、有利には約１６０℃であり、熱交換装置中への冷媒の入口温度が１００℃を下回り、かつ熱交換装置からの出口温度が３００〜３５０℃、有利に約３３０℃であり、かつ反応ガスとの相互作用により加熱された冷媒を化学反応のための反応成分の１つとして反応装置中に導入することを特徴とする、無水フタル酸の製法。
【請求項６】  反応ガスの冷却を１工程で実施する、請求項５記載の製法。
【請求項７】  ガス状の冷媒を使用し、冷媒が空気である請求項５または６記載の製法。
【請求項８】  主反応装置および場合によりその後に配置した後反応装置中で先行する反応の後に、分離装置への所定の入口温度に熱反応ガスを冷却するための装置であって、
ａ）主反応を実施するための装置（１１３、２１３）、
ｂ）熱交換用装置（１２７、２２７）、
ｃ）場合により装置（ｂ）の前に配置された、中間冷却用装置（２４３）を場合により有する後反応装置（２４１）、
ｄ）反応生成物の分離用装置（１２１、２２１）、および
装置（ａ）〜（ｄ）への、および装置（ａ）〜（ｄ）間の連結管を包含する装置。
【請求項９】  装置（ｃ）が一体でまたは複数の部分から構成されている、請求項８記載の装置。
【請求項１０】  装置（ｂ）からバイパス（２５０）が出ており、これが場合により温度制御（２５１）されている請求項８または９記載の装置。
【請求項１１】  装置（ｂ）および／または中間冷却装置（２４３）がガス／ガスプレート型熱交換装置である、請求項８から１０までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１２】  請求項８から１１までのいずれか１項記載の装置を無水フタル酸の製法に使用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月12日(2007.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  スルーホール穴を含む表面に対する導電性コーティングの付着性及び被覆率を改善するためのコンディショニング組成物であって、コンディショニング剤と、ｐＨ緩衝液、結合剤、アニオン分散剤及びそれらの組合せから選択されるさらなる成分とを含んで成るコンディショニング組成物。
【請求項２】  前記さらなる成分が、炭酸塩−重炭酸塩緩衝液である、請求項１記載の組成物。
【請求項３】  前記炭酸塩−重炭酸塩緩衝液がカリウムカチオンを含む、請求項２記載の組成物。
【請求項４】  前記組成物がさらに表面活性剤を含む、請求項１記載の組成物。
【請求項５】  前記コンディショニング剤がアニオン分散助剤である、請求項１記載の組成物。
【請求項６】  前記アニオン分散助剤が、約１０００未満の分子量をもつアクリル酸ラテックスである、請求項５記載の組成物。
【請求項７】  前記コンディショニング剤が結合剤である、請求項１記載の組成物。
【請求項８】  前記結合剤がカルボキシメチルセルロースである、請求項７記載の組成物。
【請求項９】  実質的にブローホールのないはんだ付け表面を提供するための方法であって、
（ａ）  コンディショニングの施された表面を提供するべく表面をコンディショニング組成物と接触させる工程であって該コンディショニング組成物がコンディショニング剤と、緩衝液、アニオン分散剤及び粘結剤のうちの少なくとも１つとを含んで成る工程、
（ｂ）  炭素コーティングの施された表面を提供するべく前記コンディショニングされた表面を導電性炭素コーティングと接触させる工程、
（ｃ）  電気メッキされた表面を提供するべく前記炭素コーティングされた表面を電気メッキする工程、及び
（ｄ）  実質的にブローホールのないはんだ付け表面を提供するべく前記電気メッキされた表面をはんだ付けする工程、
を含むはんだ付け表面を提供するための方法。
【請求項１０】  前記コンディショニング組成物がアニオン分散助剤を含む、請求項９記載の方法。
【請求項１１】  前記コンディショニング剤が粘結剤を含む、請求項９記載の方法。
【請求項１２】  前記コンディショニング組成物がナトリウムカルボキシメチルセルロースを含む、請求項１１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月12日(2007.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ８４〜９７．９質量％のテトラフルオロエチレンから誘導される繰り返し単位と、２〜１０質量％の第１ビニルエーテルモノマーから誘導される繰り返し単位と、０．１〜６質量％の第２ビニルエーテルモノマーから誘導される繰り返し単位と、を含む熱可塑性半晶質パーフルオロポリマーであって、前記第１ビニルエーテルは、パーフルオロエチルビニルエーテル、パーフルオロｎ−プロピルビニルエーテル及びパーフルオロｎ−ブチルビニルエーテルからなる群より選ばれるパーフルオロ−ｎ−アルキルビニルエーテルであり、前記第２ビニルエーテルは、以下の化学式
【化１】
2003519260.tif 000001
（式中、Ｒは、１〜４の炭素原子を有する直鎖パーフルオロアルキル基を表す。）を有するパーフルオロビニルエーテルである、熱可塑性半晶質パーフルオロポリマー。