(57)【要約】  ステージの載置面に被処理基板が載置された状態において、リフトピンの上端と載置面との間に段差が生じないステージ装置を提供し、また、該ステージ装置を電極ステージとして利用して、処理ムラの発生を抑制し得るプラズマ処理装置を提供する。電極ステージ（２）の中央部には、ピン移動方向に弾性を持つバネ式リフトピン（２０）が配されている。バネ式リフトピン（２０）は、収納位置において、ピン上端（２０ａ）が電極ステージ（２）の載置面（１１）よりも上方に突出しており、載置面（１１）に被処理基板（４）が載置されて吸着されることで、被処理基板（４）より受ける荷重にて載置面（１１）と同じ高さにまで押し下げられる。
2007077765.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板が載置される載置面を有するステージと、
上記ステージに設けられると共に上記載置面から出没可能な第１のピンを有し、上記第１のピンが突出することによって上記被処理基板を上記載置面から離脱させるリフトピン機構とを備え、
上記リフトピン機構は、上記ステージに没入した状態の上記第１のピンの上端を、上記載置面上の被処理基板に、該被処理基板を載置面から持ち上げることなく接触させる接触調整手段を備えることを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
上記接触調整手段は、上記第１のピンに対してその移動方向に弾性を持つ機能を付与する弾性機能付与手段よりなり、上記第１のピンは上記弾性機能付与手段より付与される弾性にて当該第１のピンの上端を被処理基板に接触させることを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
上記弾性機能付与手段は、上記第１のピンに備えられた当該第１のピンの移動方向に弾性を有する弾性体であることを特徴とする請求項２に記載のステージ装置。
【請求項４】
上記第１のピンが上記ステージに没入された収納位置において、上記載置面に上記被処理基板が載置されていない状態で上記第１のピンの上端は上記載置面より突出し、上記載置面に上記被処理基板が載置された状態で上記第１のピンの上端は該被処理基板の荷重により上記載置面と同じ高さとなることを特徴とする請求項２に記載のステージ装置。
【請求項５】
上記第１のピンが上記ステージに没入された収納位置において、上記載置面に上記被処理基板が載置されていない状態で上記第１のピンの上端は上記載置面よりも下方に位置し、上記載置面に上記被処理基板が載置された後に上記第１のピンが上昇してその上端が上記被処理基板に接触することを特徴とする請求項２に記載のステージ装置。
【請求項６】
上記ステージに、被処理基板を載置面に吸着保持する吸着機構が設けられていることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載のステージ装置。
【請求項７】
上記吸着機構における吸着力は、上記弾性を持つ機能が付与された上記第１のピンの近傍において他の領域よりも強いことを特徴とする請求項６に記載のステージ装置。
【請求項８】
上記リフトピン機構は、ステージの外周部に、上記載置面から出没可能であって、当該第２のピンの移動方向に弾性を持たない第２のピンを有しており、該第２のピンは、上記ステージに没入した状態において、当該第２のピンの上端を上記載置面よりも下方に位置させていることを特徴とする請求項２に記載のステージ装置。
【請求項９】
大気圧近傍の圧力環境下で、電極ステージと対向電極との間にプラズマを生じさせることにより、上記電極ステージに載置された被処理基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、
上記電極ステージとして、請求項１〜８の何れか１項に記載のステージ装置を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
表示パネルの製造に用いられる表示パネル用基板であって、
請求項９に記載のプラズマ処理装置を用いて表面処理が施されたことを特徴とする表示パネル用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大気圧近傍の圧力環境下でプラズマ処理を行うプラズマ処理装置、及び、該プラズマ処理装置等の処理装置に好適に利用できる被処理基板を載置するステージ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えばガラスやプラスチック等の基板に対し、０．１〜１０Ｔｏｒｒ程度の低圧のグロー放電プラズマによって表面処理を行うことが広く知られており、産業的にも応用されている。処理環境をこのような真空レベルの低圧にすると、放電からアーク放電への移行を防止できるため、基板が耐熱性の低いプラスチック等であっても、表面処理を行うことが可能となる。【０００３】
ところが、低圧のグロー放電プラズマによる表面処理を行う場合には、処理容器として高価な真空チャンバや、真空排気装置が必要となってしまう。また、いわゆる液晶テレビ等の大画面化に代表されるように、基板の大型化が進められている分野もあり、この場合には、より大きな真空チャンバや真空排気装置が必要となる。その結果、装置コストが高くなり、装置のフットプリントが大きくなることも避けられない。また、吸水率の高い基板に表面処理を行う場合には、真空チャンバの内部を真空にするのに長時間を要し、処理コスト自体が高くなってしまうという問題もある。【０００４】
そこで、上記の種々の問題を克服するために、大気圧下でグロー放電プラズマを生じさせて基板の表面処理を行う装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。【０００５】
このようなプラズマ処理装置は、図２４に示すように、被処理基板１０４を保持する電極ステージ１０２と、電極ステージ１０２に対向して配置された対向電極１０３とを備えている。対向電極１０３には、処理ガスが流出するガス供給孔（図示省略）が複数形成され、電圧を印加するための電源部１１０が接続されている。一方、電極ステージ１０２は、被処理基板１０４を突き上げて支持するリフトピン機構１２０と、被処理基板１０４を電極ステージ１０２の表面に吸着させる吸着溝１０６とを備え、接地されている。【０００６】
吸着溝１０６は、被処理基板１０４と電極ステージ１０２との間に空隙部１０８を有するが、その空隙部１０８には内部が低圧であるためにプラズマが容易に生じる。したがって、吸着溝１０６における電圧降下は比較的小さい。【０００７】
等価回路である図２５に示すように、吸着溝１０６の近傍では、電源部１１０と接地部１１２との間において、抵抗１３１と、コンデンサ１３２と、抵抗１３０とが直列に接続された回路構成を考えることができる。抵抗１３１は、対向電極１０３と被処理基板１０４との間に発生したプラズマによる電圧降下を示している。コンデンサ１３２は、被処理基板１０４における電気容量である。また、抵抗１３０は、吸着溝１０６における電圧降下を示している。コンデンサ１３２における電圧降下は比較的大きいが、抵抗１３２，１３０における電圧降下は比較的小さい。このように、吸着溝１０６の空隙部１０８における電圧降下は小さいため、被処理基板１０４に対する処理ムラは実質的に発生しない。【０００８】
また、特許文献２には、プラズマ処理装置に限るものではないが、載置台上に載置されたウエハを載置面から浮かせる複数の昇降ピンの上昇時の高さを独立に制御する技術が開示されている。
【特許文献１】日本国公開特許公報「特開平７−１１８８５７号公報（１９９５年５月９日公開）」
【特許文献２】日本国公開特許公報「特開２００２−６４１３２号公報（２００２年２月２８日公開）」
【発明の開示】
【０００９】
ところで、リフトピン機構１２０の機械的精度には限界があるため、リフトピン機構１２０の降下時におけるピン（リフトピン）の上端１２０ａの位置を、電極ステージ１０２の吸着面１０２ａと同じ高さとなるように設定したとしても、設定通りにはならない。つまり、図２４に示すように、吸着面１０２ａよりも下方に沈んだ状態となったり、図２６に示すように、逆に吸着面１０２ａよりも突出した状態となったりする。
【００１０】
ピンの上端１２０ａが、電極ステージ１０２の吸着面１０２ａよりも低くなると、図２４に示すように、ピンの上端１２０ａと被処理基板１０４との間に段差による空隙部１０９が生じる。また、ピンの上端１２０ａが、電極ステージ１０２の吸着面１０２ａよりも高くなると、図２６に示すように、吸着面１０２ａと被処理基板１０４との間に、段差による空隙部１１１が生じる。
【００１１】
しかしながら、吸着溝１０６の場合とは異なり、これら段差による空隙部１０９・１１１の圧力は大気圧であるので、電圧印加時においてもプラズマが生じない。その結果、空隙部１０９・１１１における電圧降下は大きくなってしまう。
【００１２】
すなわち、等価回路である図２７に示すように、リフトピン機構１２０の近傍では、電源部１１０と接地部１１２との間において、抵抗１３１と、コンデンサ１３２と、コンデンサ１３３とが直列に接続された回路構成を考えることができる。コンデンサ１３３は、リフトピン機構１２０の近傍で生じた、ピンと吸着面１０２ａとの段差による空隙部１０９・１１１の電気容量である。このように、段差による空隙部１０９・１１１では、プラズマが生じないので電圧降下が比較的大きくなることが避けられない。その結果、被処理基板１０４に処理ムラやいわゆる処理抜けが生じてしまう。
【００１３】
本発明は、斯かる課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ステージの載置面に被処理基板が載置された状態において、リフトピン機構のピンの上端と載置面との間に段差が生じないステージ装置を提供し、また、このようなステージ装置を搭載することで処理ムラの発生を抑制し得るプラズマ処理装置を提供することにある。
【００１４】
本発明のステージ装置は、目的を達成すべく、被処理基板が載置される載置面を有するステージと、上記ステージに設けられると共に上記載置面から出没可能な第１のピンを有し、上記第１のピンが突出することによって上記被処理基板を上記載置面から離脱させるリフトピン機構とを備え、上記リフトピン機構は、上記ステージに没入した状態の上記第１のピンの上端を、上記載置面上の被処理基板に、該被処理基板を載置面から持ち上げることなく接触させる接触調整手段を備えることを特徴としている。
【００１５】
また、本発明のプラズマ処理装置は、大気圧近傍の圧力環境下で、電極ステージと対向電極との間にプラズマを生じさせることにより、上記電極ステージに載置された被処理基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、上記電極ステージとして、上記した本発明のステージ装置を備えることを特徴としている。
【００１６】
本発明のステージ装置の構成によれば、リフトピン機構に備えられた接触調整手段が、ステージに没入した状態の第１のピンの上端を、被処理基板を載置面（吸着面に相当）から持ち上げることなく、載置面上の被処理基板に接触させるので、第１のピンの上端と載置面とを、被処理基板を利用して同じ高さとすることができる。
【００１７】
つまり、載置面に被処理基板が載置された状態においては、該被処理基板を利用して、第１のピンの上端と載置面との間に段差のないステージ装置が実現する。
【００１８】
そして、本発明のプラズマ処理装置では、このような本発明のステージ装置を電極ステージにおいて用いているので、第１のピン近傍においても、被処理基板は、載置面と第１のピンとの両方と接触するようになる。
【００１９】
これにより、前述したリフトピン（第１のピン）と載置面との段差による空隙部であって、プラズマが生じず電圧降下の大きい、被処理基板とリフトピン（第１のピン）との間、或いは被処理基板と載置面との間の空隙部、が形成されないので、被処理基板に生じる処理ムラや処理抜けを低減することができる。
【００２０】
それゆえ、載置面に被処理基板が載置された状態において第１のピンの上端と載置面との間に段差が生じないステージ装置、及びプラズマ処理装置を提供できるという効果を奏する。
【００２１】
また、本発明の表示パネル用基板は、表示パネルの製造に用いられる表示パネル用基板であって、処理ムラの発生を効果的に低減することが可能な本発明の上記したプラズマ処理装置を用いて表面処理が施されたことを特徴としているので、このような表示パネル用基板を用いて表示パネルを製造することで、表示ムラのない表示品位の優れた表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の形態を示すものであり、実施の形態１のプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１のプラズマ処理装置に搭載された電極ステージの外観を示す平面図である。
【図３】図２におけるＢ−Ｂ’線断面図である。
【図４】リフトピンが収納位置にあり、電極ステージに被処理基板が載置されていない状態を示す図２におけるＡ−Ａ’線断面図である。
【図５】リフトピンが収納位置にあり、電極ステージに被処理基板が載置された状態を示す図２におけるＡ−Ａ’線断面図である。
【図６】リフトピンが収納位置にあり、電極ステージに載置された被処理基板が吸着された状態を示す図２におけるＡ−Ａ’線断面図である。
【図７】リフトピンが突出位置にあり、被処理基板を電極ステージより離脱させた状態を示す図２におけるＡ−Ａ’線断面図である。
【図８】（ａ）は図１のプラズマ処理装置におけるリフトピン近傍の要部断面模式図であり、（ｂ）はその等価回路を示す回路図である。
【図９】電極ステージの外周部にバネ式リフトピンを配置した場合に生じ得る不具合を説明する図面である。
【図１０】電極ステージの外周に電極面が露出していた場合に生じる異常放電を説明するもので、（ａ）は電極面が露出したプラズマ処理装置の要部断面模式図であり、（ｂ）はその等価回路を示す回路図である。
【図１１】電極ステージの外周部に絶縁部が配されことで異常放電が生じないことを説明するもので、（ａ）は図１のプラズマ処理装置の要部断面模式図であり、（ｂ）はその等価回路を示す回路図である。
【図１２】図１のプラズマ処理装置に搭載することのできる他の電極ステージの外観を示す平面図である。
【図１３】（ａ）〜（ｅ）共に、電極ステージの外周部に配された絶縁部を稼動式とした、本発明のその他の実施の形態のプラズマ処理装置に搭載された電極ステージの構成を示す断面図である。
【図１４】図１のプラズマ処理装置の変形例におけるリフトピン近傍の要部断面模式図である。
【図１５】図１のプラズマ処理装置の変形例におけるリフトピン近傍の要部断面模式図である。
【図１６】バネ式リフトピンの昇降手順が異なる、本発明のその他の実施の形態のプラズマ処理装置に搭載された電極ステージの構成を示す断面図である。
【図１７】本発明の他の実施の形態を示すものであり、実施の形態２のプラズマ処理装置に搭載された電極ステージの外観を示す平面図である。
【図１８】リフトピンが収納位置にあり、電極ステージに載置された被処理基板が吸着された状態を示す図１７におけるＣ−Ｃ’線断面図である。
【図１９】図１のプラズマ処理装置に搭載された電極ステージの外観を示す平面図である。
【図２０】リフトピンが収納位置にあり、電極ステージに載置された被処理基板が吸着された状態を示す図１９におけるＤ−Ｄ’線断面図である。
【図２１】（ａ）〜（ｄ）は共に、図１又は図１７のプラズマ処理装置を用いて基板上にカラーフィルタを形成する液晶パネルの一製造工程の手順を示す断面図である。
【図２２】（ａ）（ｂ）  共に、カラーフィルタの形成で使用するブラックマトリクスの形状の一例を示すものであって平面図である。
【図２３】図２１（ｂ）にて示すインク吐出後の状態を示す平面図である。
【図２４】従来のプラズマ処理装置を拡大して示す断面図である。
【図２５】従来のプラズマ処理装置における吸着溝の等価回路を示す回路図である。
【図２６】従来の他のプラズマ処理装置を拡大して示す断面図である。
【図２７】従来のプラズマ処理装置におけるリフトピン近傍における等価回路を示す回路図である。
【符号の説明】
【００２３】
Ｓ      プラズマ処理装置
２      電極ステージ
３      対向電極 
４      被処理基板 
６      吸着機構
６ａ    吸着口
７      リフトピン機構
１１      吸着面
１８ａ    処理有効領域
１８ｂ    処理無効領域
２０      バネ式リフトピン（第１のピン）
２８      固定式リフトピン（第２のピン）
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
〔発明の実施の形態１〕
図１〜図１１は、本発明の実施の形態１を示している。本実施の形態のプラズマ処理装置Ｓは、断面図である図１に示すように、処理容器１の内部に、電極ステージ装置（ステージ装置）３５と対向電極３とを備えている。そして、電極ステージ装置３５における電極ステージ２上に保持されたガラス基板等の被処理基板４に対し、大気圧近傍の圧力環境下でプラズマ処理を施すようになっている。【００２５】
対向電極３は、導電性部材により構成され、電極ステージ２に対向して配置されている。対向電極３には、電源部１０が接続されており、対向電極３は、電極ステージ２との間で放電可能になっている。また、対向電極３は、上記処理容器１内部の上方位置に設置され、電極ステージ２との対向面とは反対側の面に、対向電極３の内部に処理ガスを導入するためのガス導入管９の一端が接続されている。そして、対向電極３には、複数のガス導入孔８…が形成され、ガス導入管９から対向電極３に供給された処理ガスを、各ガス導入孔８を介して被処理基板４側へ供給するようになっている。【００２６】
なお、対向電極３の構成については、上記の構成で限定されるものではなく、対向電極３と電極ステージ２の間に均一にガスが導入される機構であれば良い。【００２７】
上記ガス導入管９の他端側は、処理容器１の外部へ延出され、ガス供給源に接続されている。該処理容器１の底部には、処理容器１の内部の排気ガスを排出するための排気管５が接続されている。【００２８】
電極ステージ装置３５は、電極ステージ２と、該電極ステージ２に設けられた吸着機構６及びリフトピン機構７とを有している。【００２９】
電極ステージ２は、被処理基板４を載置するものであり、板状をなす導電性部材よりなる電極部２ａと、該電極部２ａの周囲に配された絶縁体よりなる絶縁部２ｂとを有する。電極部２ａ及び絶縁部２ｂの上面が、被処理基板４を載置する載置面１１となっている。電極部２ａは接地されている。【００３０】
図２に示すように、載置面１１上の領域は、プラズマ処理を行う処理有効領域１８ａと、プラズマ処理を行わない（或いは行っても所定の品質を呈さない）処理無効領域１８ｂとに分けられる。図２において、一点鎖線にて囲う内側の領域が、処理有効領域１８ａであり、上記絶縁部２ｂを含む一点鎖線より外周側の領域が、処理無効領域１８ｂである。該処理無効領域１８ｂは、載置面１１に載置された被処理基板４における画素無効領域が位置するように設定されている。被処理基板４における画素無効領域の寸法から考慮して、上記絶縁部２ｂの幅は、５mm以上が好ましく、より好ましくは５〜１０ｍｍである。【００３１】
上記絶縁部２ｂは、異常放電防止の機能を有するものである。つまり、被処理基板４と電極ステージ２とが同じサイズであり、電極ステージ２の側端面に電極部２ａが露出していると、図１０（ａ）に示す箇所Ａにおいて、被処理基板４によるコンデンサを介することなく、電極ステージ２と対向電極３との電極剥き出し同士の放電、異常放電が起こる。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の等価回路であり、抵抗３３は対向電極３と電極ステージ２との間での直接の放電による電圧降下を示している。【００３２】
これに対し、本実施の形態のように、絶縁部２ｂを電極ステージ２の周囲に配することで、図１１（ａ）、及びその等価回路である同図（ｂ）に示すように、異常放電は起こらず、被処理基板４によるコンデンサ３２を介した放電（正常放電）となる。なお、抵抗３１は、対向電極３と被処理基板４との間の電圧降下を示している。【００３３】
吸着機構６は、図１に示すように、被処理基板４を電極ステージ２における載置面１１に吸着させるものである。本実施の形態では、吸着機構６は、載置面１１に開口する断面円状の縦孔よりなる、複数の吸着口６ａ…より構成されている。【００３４】
図３に示すように、電極ステージ２の背面側には、複数の排気通路１９が設けられている。各吸着口６ａは、排気通路１９を介して真空ポンプ５０ヘ接続されている。各排気通路１９は、真空ポンプ５０が駆動されることにより内部が減圧され、各吸着口６ａに真空力（負圧）を発生させる。つまり、載置面１１に被処理基板４を載置した状態で真空ポンプ５０を駆動させることで、各吸着口６ａの内部に真空力を発生させて、上記被処理基板４を載置面１１に吸着保持することができる。【００３５】
また、各吸着口６ａは、図２に示すように、電極ステージ２の載置面１１に、均等にマトリクス状に配置されている。吸着口６ａを載置面１１に分散して形成することで、被処理基板４を載置面１１の全体に亘って均一に吸着保持することができる。【００３６】
さらに、ここでは、図３に示すように、吸着口６ａを複数個ずつまとめて１つの排気通路１９に接続しているので、各吸着口６ａそれぞれに排気通路１９を接続する構成よりも、構造の簡素化を図ることができる。【００３７】
なお、吸着口６ａは、被処理基板４と電極ステージ２との間に空隙部を有するが、前述したように、吸着口６ａ内部は真空引きされることで低圧であるため、プラズマが容易に生じ、電圧降下は比較的小さく、処理ムラの問題は少ない。しかしながら、吸着口６ａの径が大きい場合、たとえ空隙部が負圧であっても、処理ムラが生じる惧がある。したがって、各吸着口６ａの直径は０．５ｍｍ以下であることが望ましい。【００３８】
また、吸着口６ａ同士のピッチであるが、１００ｍｍ以下となると、電極ステージ２及び絶縁部２ｂにおいて複雑な加工が必要となり、コスト高となる。一方、ピッチが広すぎると、被処理基板４を載置面１１に吸着させる能力に影響をきたし、負圧を強める必要がある。そこで、吸着口６ａ同士のピッチは、１００〜２００ｍｍの範囲であることが好ましい。【００３９】
なお、吸着機構６としては、上記以外に、電極ステージ２上に平面視で矩形リング状（方形の枠状）に形成され、同心状に並んで配置された複数の吸着溝よりなる構成としてもよい。その場合は、各吸着溝の底部に形成された排気通路を介して真空ポンプ等に接続すればよい。この場合も吸着溝の溝幅は、０．５ｍｍ以下であることが望ましい。【００４０】
リフトピン機構７は、電極ステージ２の載置面１１より出没可能に構成されたリフトピンを用いて、電極ステージ２上に被処理基板４を設置し、また、電極ステージ２より被処理基板４を離脱させるものである。詳細については後述するが、本実施の形態では、電極ステージ２に没入した状態のリフトピンの上端を、載置面１１上の被処理基板４に、該被処理基板４を載置面１１から持ち上げることなく接触させる接触調整手段を備えており、これにより、プラズマ処理時における前述した処理ムラを低減し得るようになっている。【００４１】
このような構成のプラズマ処理装置Ｓにおいては、対向電極３と電極ステージ２との間に処理ガスが供給された状態で、電源部１０から対向電極３と電極ステージ２との間に例えば１〜数十ｋＶの電圧を印加することにより、対向電極３と電極ステージ２との間にプラズマを生じさせるようになっている。そして、このプラズマによって、被処理基板４がプラズマ処理される。【００４２】
例えば、被処理基板４上に形成されている薄膜（化学的、機械的、光学的又は電気的な特性を有する薄膜）をエッチングする場合には、処理ガスとしてＣＦ４と、Ｈｅ又はＡｒとの混合ガスを適用することが好ましい。また、被処理基板４の表面に撥水性（発液性）を付与するような処理を行う場合には、処理ガスとして、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、及びＳＦ６等のフッ素含有ガスを適用することが可能である。また、被処理基板４の表面にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２等の金属酸化膜の薄膜を形成して、被処理基板４に親水性を付与する場合には、水素化金属ガス、ハロゲン化金属ガス、及び金属アルコラート等の金属有機化合物のガス又は水蒸気を適用することが可能である。【００４３】
次に、プラズマ処理装置Ｓの電極ステージ装置３５に搭載されているリフトピン機構７について、図４〜図７を用いて、詳細に説明する。図４〜図７は、図２におけるＡ−Ａ’線断面図である。【００４４】
上述したように、リフトピン機構７は、電極ステージ２の載置面１１より出没可能に構成されたリフトピンを備えている。ここでは、ピン移動方向に弾性を有するコイルスプリング（弾性体）２３を備えたバネ式リフトピン（第１のピン）２０と、該バネ２３を具備しない固定式リフトピン（第２のピン）２８との２種類を備えている。図２に示すように、バネ式リフトピン２０は電極ステージ２の中央部の電極部２ａに配され、固定式リフトピン２８は電極ステージ２の外周部、ここでは絶縁部２ｂに配されている。【００４５】
バネ式リフトピン２０及び固定式リフトピン２８は共に、図４に示すように、電極ステージ２に形成された、各シリンダ２６内に配設されている。シリンダ２６は、載置面１１に開口された円筒状の穴部より構成されている。バネ式リフトピン２０及び固定式リフトピン２８は、シリンダ２６の長さ方向（つまり上下方向）に移動可能に構成されており、図４に示す収納位置と、図７に示す突出位置との間を移動する。【００４６】
収納位置とは、バネ式リフトピン２０及び固定式リフトピン２８が、その上端２０ａ・２８ａを載置面１１近傍に位置させた位置である。また、突出位置とは、バネ式リフトピン２０及び固定式リフトピン２８が、その上端２０ａ・２８ａを載置面１１よりも上方に突出させた位置であり、載置面１１上にある被処理基板４を、載置面１１より離脱させることができる。これらバネ式リフトピン２０及び固定式リフトピン２８は、電極ステージ２と同様に電気的に接地されている。【００４７】
バネ式リフトピン２０は、シリンダ２６の内壁に沿う形状の円柱状に形成されたピストン部２１と、上面が平坦に形成されたボルト状のピン上部２２とが、コイルスプリング（弾性体）２３にて連結されている。コイルスプリング２３は、上端２０ａを載置面１１上の被処理基板４に、該被処理基板４を載置面１１から持ち上げることなく接触させる接触調整手段であって、また、バネ式リフトピン２０に対してその移動方向に弾性を持つ機能を付与する弾性機能付与手段でもある。バネ式リフトピン２０は、該コイルスプリング２３によて弾性を持つ機能が付与されることで、長さ方向でもあるピン移動方向に弾性を有するものとなっている。【００４８】
つまり、バネ式リフトピン２０をピン移動方向に弾性をもつ構成とすることで、たとえバネ式リフトピン２０を、上端２０ａの位置が載置面１１ａと同じとなる位置で正確に停止させることができなくとも、バネ式リフトピン２０の弾性を利用して、電極ステージ２に没入した状態のバネ式リフトピン２０の上端２０ａを、載置面１１上の被処理基板４に、該被処理基板４を載置面１１から持ち上げることなく接触させることができる。【００４９】
本実施の形態において、バネ式リフトピン２０は、図４に示すように、収納位置にあって、載置面１１に被処理基板４が搭載されておらず、ピン上部２２に対して何ら荷重のかかっていない状態では、バネ式リフトピン２０の上端２０ａが載置面１１よりも若干量、上方に突出している。荷重のかかっていない状態で、バネ式リフトピン２０の上端２０ａが載置面１１より突出している突出量は、被処理基板４の自重がバネ式リフトピン２０のバネ力に打ち勝って、その上端２０ａを、載置面１１と同じ高さにまで押し込むことができる量であり、適宜設定すればよいが、例えば０．３〜０．８ｍｍとすることができる。【００５０】
そして、図６に示すように、バネ式リフトピン２０は、載置面１１に被処理基板４が載置され、吸着機構６の作用で被処理基板４が吸着されることで、シリンダ２６内に完全に押し込まれるようになっている。シリンダ２６内に押し込まれた状態のバネ式リフトピン２０は、コイルスプリング２３の元の状態に戻ろうとする力にて、ピン上端２０ａを被処理基板４に押し当てているため、被処理基板４は、リフトピン近傍においても、載置面１１とリフトピンの両方に接触するようになる。【００５１】
これにより、本実施の形態のプラズマ処理装置Ｓでは、プラズマ処理時において、バネ式リフトピン２０の上端２０ａと載置面１１の高さの違いによる前述した空隙部が生じず、処理ムラを低減することができる。【００５２】
ところで、吸着機構６にて吸着された被処理基板４がピン上部２２に加える力（荷重）にて、バネ式リフトピン２０をシリンダ２６内に完全に押し込むには、被処理基板４がピン上部２２に加える力（荷重）とコイルスプリング２３の元の状態に戻ろうとする力とが釣り合った状態での上端２０ａの位置が、載置面１１よりも下方にある必要がある。吸着機構６による吸着作用を利用する場合、被処理基板より受ける荷重を大きくできるので、このような設計が容易である。【００５３】
しかしながら、もちろん、吸着機構６による吸着作用を考慮することなく、被処理基板４の自重にてかかる荷重のみを基に設計することもできる。但し、１つのバネ式リフトピン２０にかかる荷重は、被処理基板４の重さやバネ式リフトピン２０の配置数、その他、基板の反り等によっても変化する。そのため、被処理基板４による荷重とコイルスプリング２３の元の状態に戻ろうとする力とが釣り合った状態での上端２０ａの位置は、コイルスプリング２３のバネ力を同じとした場合、被処理基板４からの荷重にて変化してしまい、荷重が小さい載置面１１の外周部においては、載置面１１よりも上にくる惧れがある。釣り合った状態での上端２０ａが、載置面１１よりも上にくると、載置面１１に被処理基板４を載置しても、バネ式リフトピン２０の上端２０ａが載置面１１よりも突出したままとなる。【００５４】
これに対し、本実施の形態のように、被処理基板４が載置面１１に吸着保持される構成とすることで、被処理基板４の自重が小さくとも、確実に被処理基板４を載置面１１に接触させることができる。また、被処理基板４が吸着された状態でピン上部２２にかかる荷重を基にコイルスプリング２３のバネ力を設定することができるので、被処理基板４の自重による荷重のみに基づく場合よりもバネ力よりも強くできるので、コイルスプリング２３の設計が容易になり、また、コイルスプリング２３の寿命も長くできる。【００５５】
また、バネ式リフトピン２０においては、ピストン部２１とピン上部２２との間には、コイルスプリング２３を囲うように、円筒部材２４が設けられている。該円筒部材２４の下端はピストン部２１に固定され、上端は開放されている。また、ピン上部２２の軸部には、該円筒部材２４と当接する、鍔状の係止片２５が設けられている。【００５６】
円筒部材２４と係止片２５とは、コイルスプリング２３の収縮を規制するものである。つまり、ピン上部２２が押圧されることでピン上部２２は下方に移動し、コイルスプリング２３は収縮するが、係止片２５が円筒部材２４に当接することで、コイルスプリング２３は、これ以上収縮することはない。【００５７】
コイルスプリング２３の収縮がこのようにして規制されることで、バネ式リフトピン２０の最短寸法が規定され、コイルスプリング２３に必要以上の圧力が加わることなく、コイルスプリング２３の劣化を抑制できる。また、被処理基板４の電極ステージ２からの離脱工程時において、コイルスプリング２３の部分が、円筒部材２４と係止片２５とによって、円柱状の部材のように機能するので、被処理基板４を離脱させる動作時、固定式リフトピン２８と同等に機能し、被処理基板４を安定して離脱させることが可能となる。【００５８】
但し、コイルスプリング２３は、バネ式リフトピン２０の上端２０ａが載置面１１と同一の高さまで収縮する必要があるので、円筒部材２４と係止片２５との離間距離、つまり、係止片２５が円筒部材２４に当接するまでに移動する距離は、収納位置で上端２０ａが載置面１１より突出している量よりも長く設定しておく必要がある。【００５９】
一方、固定式リフトピン２８は、シリンダ２６の内壁に沿う形状の円柱状に形成されており、電極ステージ２の背面側（図４で下側）で、載置面１１側（図４で上側）の径よりも大きく形成されている。そして、固定式リフトピン２８は、図４〜図６に示すように、下方の収納位置に移動した状態で、その上端が載置面１１よりも下方に配置され、図７に示すように、突出位置にある状態で、その上端２８ａの高さ位置が、被処理基板４を持ち上げたバネ式リフトピン２０の上端２０ａと揃うように設計されている。【００６０】
なお、固定式リフトピン２８の上端を載置面１１よりも下方に配置することで、固定式リフトピン２８の上端２８ａと被処理基板１０４との間に空隙部４９を有することとなり、電圧降下を生じる。しかしながら、固定式リフトピン２８が配置されている領域は、処理無効領域１８ｂであるので、被処理基板４に対して処理品質の問題はない。【００６１】
次に、上記プラズマ処理装置Ｓによる被処理基板４のプラズマ処理方法について説明する。【００６２】
まず、基板吸着工程では、図４のように、リフトピン機構７は、バネ式リフトピン２０及び固定式リフトピン２８をそれぞれ、収納位置へ移動させた状態で、被処理基板４を電極ステージ２に載置する。載置した状態では、図５に示すように、バネ式リフトピン２０の上端２０ａが載置面１１よりも突出しているため、被処理基板４は電極ステージ２の中央部において、電極ステージ２に対して若干浮いた状態となっている。【００６３】
続いて、真空ポンプ５０を駆動して複数の吸着口６ａ…を減圧し、図６に示すように、被処理基板４を載置面１１に吸着保持する。このとき、バネ式リフトピン２０の上端２０ａはシリンダ２６内に完全に押し込まれ、これにより、被処理基板４が電極ステージ２と接触する。また、バネ式リフトピン２０のバネ力にて、上端２０ａが被処理基板４と接触する。【００６４】
次に、プラズマ発生工程では、対向電極３の内部に処理ガスを導入し、その処理ガスを、対向電極３の各ガス導入孔８から、対向電極３と電極ステージ２との間の空間に均一に供給する。その状態で、電源部１０から対向電極３へ所定の電圧を印加して、対向電極３と電極ステージ２上の被処理基板４との間に、大気圧近傍の圧力環境下でプラズマを発生させる。このプラズマによって、例えばエッチング等のプラズマ処理を被処理基板４に施す。尚、処理容器１の内部の排気ガスは、排気管５を介して排気される。【００６５】
次に、基板離脱工程では、プラズマ処理が施された後、電源部１０からの電圧印加およびガス導入管９からのガス供給を停止させる。その後、真空ポンプ５０の駆動を停止させ、リフトピン機構７におけるバネ式リフトピン２０、及び固定式リフトピン２８をそれぞれ収納位置から上昇させて突出位置へ移動させる。これにより、被処理基板４を載置面１１から離脱させて搬出する。【００６６】
このような一連の工程によって、上記プラズマ処理装置Ｓによる被処理基板４のプラズマ処理が行われる。【００６７】
このように、本実施の形態によると、プラズマ処理時、電極ステージ２の載置面１１と、リフトピン機構７におけるバネ式リフトピン２０の上端２０ａとを同じ高さとすることができ、被処理基板４を、電極ステージ２とバネ式リフトピン２０との両方ともに接触させることができる構成である。したがって、バネ式リフトピン２０の近傍において、被処理基板４と電極ステージ２との間、或いは被処理基板４とバネ式リフトピン２０の上端２０ａとの間に空隙部が形成されることはなく、プラズマが発生する。その結果、空隙部による電圧降下を抑制して、被処理基板４全面にムラなく、均一なプラズマ処理を施すことが可能となり、大気圧近傍の圧力環境下におけるプラズマ処理の処理ムラや処理抜けを低減することができる。【００６８】
図８（ａ）は、上記プラズマ処理装置Ｓにおける要部断面模式図、及び同図（ｂ）は、その等価回路を示している。図８（ｂ）において、バネ式リフトピン２０の近傍では、電源部１０と接地部１２との間において、抵抗３１と、コンデンサ３２とが直列に接続された回路構成を考えることができる。抵抗３１は、対向電極３と被処理基板４との間に発生したプラズマ１４による電圧降下を示している。コンデンサ３２は、被処理基板４における電気容量である。【００６９】
該図８（ｂ）と、課題の項で既に説明した、図２５に示す、従来の構成のプラズマ処理装置における等価回路とを比較すると明らかなように、本実施の形態１の構成では、リフトピン機構のリフトピンと載置面１１との段差による空隙部の電気容量が存在せず、これによる電圧降下を抑制できる。【００７０】
また、本実施の形態では、電極ステージ２の外周部には、固定式リフトピン２８を配置し、かつ、収納位置での固定式リフトピン２８の上端２８ａを、載置面１１よりも下方となる構成としたが、電極ステージ２の外周部を含め、全てのリフトピンをバネ式リフトピン２０とする構成も、もちろん可能である。【００７１】
但し、図９に示すように、載置面１１の中央部に配されたバネ式リフトピン２０では、被処理基板４の自重による荷重が大きいため、所望の箇所まで下降するものの、載置面１１の外周部に配されたバネ式リフトピン２０の場合、被処理基板４の自重による荷重が弱く、被処理基板４が電極ステージ２に接しないといった事態を招来する惧がある。吸着機構６による吸引力を利用することで、ある程度改善されると考えられるが、バネ式リフトピン２０のもつバネ力が大きい場合、吸引力を利用しても、被処理基板４を電極ステージ２に接触させることができないこともあり得る。したがって、本実施の形態で採用したように、電極ステージ２の外周部に配置するリフトピンは、固定式リフトピン２８とすることが好ましい。電極ステージ２の外周部は、通常、処理無効領域１８ｂであり、被処理基板４における表示領域外の画素無効領域が載置されるので、リフトピン近傍において処理ムラが発生しても、あまり問題とはならない。【００７２】
また、本実施の形態では、図２に示すように、固定式リフトピン２８を処理無効領域１８ｂにおける絶縁部２ｂに設けたが、図１２に示すように、処理無効領域１８ｂにおける電極部２ａに設けた構成としてもよい。要は、固定式リフトピン１６が処理無効領域１８ｂにあり、処理有効領域１８ａにあるリフトピンが全てバネ式リフトピン２０であればよい。【００７３】
また、本実施の形態では、電極ステージ２における絶縁部２ｂに固定式リフトピン２８を配置し、また、絶縁部２ｂにシリンダ２６を形成した。しかしながら、絶縁部２ｂにシリンダ２６となる穴加工等が困難な場合には、図１３（ａ）〜（ｅ）に示すように、絶縁部２ｂを絶縁部３９として、電極ステージ２に対して絶縁部３９を離脱させる機構を別途設ける構成としてもよい。これにおいては、固定式リフトピン２８は、絶縁部３９の下方に設けられており、固定式リフトピン２８の上昇時には、絶縁部３９が固定式リフトピン２８の上方より退避して、被処理基板４の受け渡しを行うようになっている。この場合、固定式リフトピン２８がその内側を移動するシリンダ３０は、別途形成される。【００７４】
また、本実施の形態では、図８（ａ）に要部断面模式図を示すように、処理有効領域１８ａにあるバネ式リフトピン２０の近傍においては、バネ式リフトピン２０の上端２０ａと載置面１１との段差による、被処理基板４と電極ステージ２、及び被処理基板４とバネ式リフトピン２０との間に生じる空隙部を無くすることが可能となる。しかしながら、電極ステージ２に形成されたシリンダ２６とバネ式リフトピン２０との間には、僅かな空隙部１５が残る。【００７５】
そこで、この僅かな空隙部１５によるムラがプラズマ処理後に検出されるような場合には、図１４に示すように、バネ式リフトピン２０の上端２０ａに、或いは、図１５に示すように、バネ式リフトピン２０近傍の電極ステージ２の表面に、誘電率の異なる膜３４を形成する構成とすることがより好ましい。これにより、バネ式リフトピン２０の配置位置に応じたムラの視認性を悪くして、目立たなくすることができる。なお、図１４，１５において、参照符号１４で示すものは、対向電極３と被処理基板４との間に生じているプラズマである。【００７６】
また、本実施の形態では、バネ式リフトピン２０は、載置面１１に没入した状態である収納位置において、被処理基板４が載置面１１に載置されていない状態で上端２０ａを載置面１１よりも突出させており、この状態で待機していた。【００７７】
しかしながら、バネ式リフトピン２０における収納位置での待機位置は、このような載置面１１よりも上端２０ａを突出させた状態にかぎるものではなく、図１６（ａ）に示すように、上端２０ａが載置面１１よりも下方にくる位置であってもよい。この場合は、図１６（ｂ）に示すように、被処理基板４が載置面１１に載置された後に、バネ式リフトピン２０が、被処理基板４を載置面よりも浮き上がらせることのない位置にまで上昇することとなる。【００７８】
このような構成においても、バネ式リフトピン２０に付与されたピン移動方向の弾性を利用することで、リフトピンの停止位置のばらつきを補って、被処理基板４の全面に均一なプラズマ処理を施すことができ、大気圧近傍の圧力環境下におけるプラズマ処理の処理ムラやいわゆる処理抜けを低減することができる。【００７９】
なお、図２に示す構成では、載置面１１の中央部に、８個のバネ式リフトピン２０を配置しているが、バネ式リフトピン２０の配置数、及び配置間隔は、被処理基板４の離脱に支障がないように設定すればよい。電極ステージ２の外周部に配置した固定式リフトピン２８についても同様である。【００８０】
また、本実施の形態では、弾性機能付与手段として、バネ式リフトピン２０の一部をなすコイルスプリング２３を例示したが、要は、リフトピンに対してその移動方向に弾性を持つ機能を付与するものであればよく、例えば、固定式リフトピン２８のような移動方向に弾性を持たないリフトピンを、リフトピンとは別体に設けられたコイルスプリングや、板バネ、或いはゴム部材にて支持して、移動方向に弾性を持つ機能を付与することもできる。【００８１】
〔発明の実施の形態２〕
図１７〜図２０は、本発明の実施の形態２を示している。尚、以降の各実施の形態では、説明の便宜上、実施の形態１で用いた部材と同じ機能を有する部材には同じ符号を付して説明を省略する。【００８２】
本実施の形態２では、図１７に示すように、プラズマ処理装置Ｓにおける電極ステージ２の載置面１１に形成された吸着機構６を構成する複数の吸着口６ａ…の配置が、図２に示した実施の形態１の装置とは異なっている。【００８３】
つまり、図１９に示すように、各吸着口６ａが電極ステージ２の載置面１１に、均等に配置されている構成では、図２０に示すように、バネ式リフトピン２０におけるコイルスプリング２３のバネ力によっては、吸着機構６の吸引力を利用しても被処理基板４を電極ステージ２へと引き寄せて吸着させることができない可能性がある。なお、図２０は、図１９におけるＤ−Ｄ’線断面図である。また、均等に配する場合においても、吸着口６ａのピッチを小さくさせることで、吸着力は増加し、バネ式リフトピン２０におけるコイルスプリング２３のバネ力に負けることは回避できるが、コスト高となることは避けられない。【００８４】
そこで、本実施の形態２の装置では、図１７に示したように、載置面１１の中央部であって、リフトピン機構７におけるバネ式リフトピン２０が配置されている領域において、他の領域よりも吸着口６ａが密集するように配置している。吸着口６ａ同士のピッチは、バネ式リフトピン２０が配置されている領域において、２０〜１００ｍｍが望ましく、バネ式リフトピン２０が配置される領域以外においては、吸着力に支障のない範囲で設定すればよい。ここでは、吸着口６ａ同士のピッチを、密集部分では１００ｍｍに、その他の部分では２００ｍｍに設計している。【００８５】
電極ステージ２をこのような構成とすることで、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができることに加え、図１８に示すように、バネ式リフトピン２０におけるコイルスプリング２３のバネ力が強くとも、被処理基板４を電極ステージ２側へと確実に引き寄せて吸着させ、被処理基板４と電極ステージ２とを接触させることができる。すなわち、吸着口６ａのピッチを載置面１１におけるリフトピン機構７におけるリフトピンの種類に応じて変えることで、コストアップを抑えて、処理ムラを改善し得るプラズマ処理装置となる。図１８は、図１７におけるＣ−Ｃ’線断面図である。【００８６】
なお、実施の形態１，２では、リフトピン近傍において、被処理基板４と電極ステージ２と間、及び被処理基板４とリフトピンの上端との間に、空隙部を生じさせない構成として、移動方向に弾性を有するバネ式リフトピン２０を配置したが、リフトピン近傍において、被処理基板４が電極ステージ２とリフトピンとの両方に接する構造にあれば、これに限らず、他の構造でも良い。【００８７】
次に、図２１〜図２３を用いて、実施の形態１，２で説明した本発明のプラズマ処理装置を用いて、基板表面をプラズマ処理してカラーフィルタを基板に形成する液晶パネルの一製造工程の手順について説明する。【００８８】
まず、図２１（ａ）に示すように、基板４０にブラックマトリクス４１を形成し、凹部４２を形成する。【００８９】
基板４０としては、ガラス基板やプラスチック基板が好適に用いられるが、カラーフィルタとしての透明性、機械的強度等の必要特性を有するものであれば、特に限定されない。また、一般的に、ブラックマトリクス４１のパターン形状は、図２２（ａ）に示す、マトリクス形状と、同図（ｂ）に示すストライプ形状等が挙げられるが、特に限定されるものではない。ここでは、図２２（ａ）のマトリクス形状を例にとって説明する。【００９０】
ブラックマトリクス４１は、インクを受けるための凹部４２を形成し、また、隣接する凹部４２間で異なる色のインクの混合を防止するための、隔壁（仕切り）として機能する。ここで、ブラックマトリクス４１の形成方法は特に限定されず、公知の方法を用いればよく、例えば、黒色の樹脂をフォトリソグラフィ法等を用いてパターニングすることで形成することができる。ブラックマトリクスは、０．５〜３．０μｍの厚さに形成されることが好ましく、特に１．０〜２．０μｍの厚さが好ましい。【００９１】
次に、このようにブラックマトリクス４１を形成した基板４０を、上記した実施の形態１、２のプラズマ処理装置Ｓの電極ステージ２に搭載し、ブラックマトリクス４１に撥水処理を施す（撥水性工程）。【００９２】
処理ガスとしては、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、及びＳＦ６等のフッ素含有ガスを適用することが好ましい。しかし、処理ガスは上記に限定されるものではなく、ブラックマトリクス４１にインクの混色が防止できる撥水性を有することができるガスであれば良い。【００９３】
また、凹部４２の親水性を向上させる必要がある場合には、ＵＶ処理やＡｒ、Ｈｅ、Ｏ２を処理ガスに用いたプラズマ処理を上記の撥水処理を施す前に追加しても良い（親水性工程）。【００９４】
次に、図２１（ｂ）に示すように、インクジェット装置を用いてノズル４３からインク４４の吐出を行う（インク吐出工程）。【００９５】
インク４４の吐出は、ブラックマトリクス４１を乗り越えながら、ブラックマトリクス４１間の凹部４２のみに選択的に行う。吐出するインク４４は、顔料を分散させた熱硬化型のインクが好適に用いられる。なお、インク４４の吐出は公知の方法を利用することができる。【００９６】
インク４４を吐出させた状態のカラーフィルタを基板４０上方から見た平面図を図２３に示す。図２３において、インク４４、４５、４６は、それぞれ、赤、青、緑の顔料が分散されたインクであるとする。なお、図２１は断面図であるため、インク４４は、赤１色のみが見えているものとしている。【００９７】
その後、インク４４を乾燥させて、着色層４８を形成する。例えば、溶媒を蒸発させ、その後、焼成を行い、インク４４の熱重合を行うことで、着色層４８を形成することができる。なお、上記インクの溶媒の蒸発の方法、焼成の方法は、公知の方法をインク４４や基板４０等の状態に合わせて適宜利用すればよい。【００９８】
上記の製造方法により製造されたカラーフィルタは、プラズマ処理装置のリフトピン付近のムラを改善した、全面ムラなく、表示品位の良好なカラーフィルタを製造することができる。そして、このようにして製造されたカラーフィルタを有する液晶表示装置は、高性能、高品質の表示を行い、ユーザに快適な観賞環境を適用することができる。【００９９】
ここで、実施の形態１，２で説明した本発明のプラズマ処理装置を用いて、基板表面をプラズマ処理してカラーフィルタを基板に形成する液晶パネルの一製造工程の手順を、実施例を挙げてより具体的に説明する。本実施例についても図２１を参照して説明する。【０１００】
初めに、図２１（ａ）に示すように、基板４０にブラックマトリクス４１を形成し、凹形状の凹部４２を形成した。本実施例では、基板４０には０．７ｍｍのガラス基板を用いた。また、ブラックマトリクス４１は、樹脂ブラックを用い、スピンコート、フォトプロセスを用いて１．５μｍの厚さに形成した。【０１０１】
次に、ブラックマトリクス４１を形成した基板４０上に、本実施例では、ＵＶ処理により、凹部４２の親水処理を施した。次に、本実施例では、フッ素含有ガスを用いて、上記した実施の形態１、２のプラズマ処理装置Ｓを用いて、プラズマ処理を行い、ブラックマトリクス４１上の撥水処理を施した。本実施例では、親水化された凹部４２の純水に対する接触角は１０°程度、ブラックマトリクス４１上の純水に対する接触角は９０〜１００°程度となった。【０１０２】
次に、図２１（ｂ）に示すように、ノズル４３からインク４４の吐出を行った。インク４４の吐出は、図２３のように、ブラックマトリクス４１を乗り越えながら、ブラックマトリクス４１間の凹部４２のみに選択的に行った。本実施例では、インク吐出は、インクジェット装置を用いて、２５℃の環境下で、インク一滴あたり５ｐｌで、（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の３色を同時に行った。吐出後のインク４４（インク４５、インク４６も同様）の状態は、図２１（ｃ）に示すように凹部４２で凸状に盛り上がった形状となっていた。【０１０３】
次に、ホットプレートを用い、１００℃、１０分間で溶媒を蒸発させ、オーブンで２２０℃、３０分間焼成を行うことで、インク４４の熱重合を行った。以上により、図２１（ｄ）に示すように、着色層４８を形成することができた。【０１０４】
以上のように、本発明のステージ装置は、被処理基板が載置される載置面を有するステージと、上記ステージに設けられると共に上記載置面から出没可能な第１のピンを有し、上記第１のピンが突出することによって上記被処理基板を上記載置面から離脱させるリフトピン機構とを備え、上記リフトピン機構は、上記ステージに没入した状態の上記第１のピンの上端を、上記載置面上の被処理基板に、該被処理基板を載置面から持ち上げることなく接触させる接触調整手段を備えることを特徴としている。【０１０５】
また、本発明のプラズマ処理装置は、大気圧近傍の圧力環境下で、電極ステージと対向電極との間にプラズマを生じさせることにより、上記電極ステージに載置された被処理基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、上記電極ステージとして、上記した本発明のステージ装置を備えることを特徴としている。【０１０６】
本発明のステージ装置の構成によれば、リフトピン機構に備えられた接触調整手段が、ステージに没入した状態の第１のピンの上端を、被処理基板を載置面（吸着面に相当）から持ち上げることなく、載置面上の被処理基板に接触させるので、第１のピンの上端と載置面とを、被処理基板を利用して同じ高さとすることができる。【０１０７】
つまり、載置面に被処理基板が載置された状態においては、該被処理基板を利用して、第１のピンの上端と載置面との間に段差のないステージ装置が実現する。【０１０８】
そして、本発明のプラズマ処理装置では、このような本発明のステージ装置を電極ステージにおいて用いているので、第１のピン近傍においても、被処理基板は、載置面と第１のピンとの両方と接触するようになる。【０１０９】
これにより、前述したリフトピン（第１のピン）と載置面との段差による空隙部であって、プラズマが生じず電圧降下の大きい、被処理基板とリフトピン（第１のピン）との間、或いは被処理基板と載置面との間の空隙部、が形成されないので、被処理基板に生じる処理ムラや処理抜けを低減することができる。【０１１０】
本発明のステージ装置、本発明のプラズマ処理装置において、上記接触調整手段は、上記第１のピンに対してその移動方向に弾性を持つ機能を付与する弾性機能付与手段よりなり、上記第１のピンは上記弾性機能付与手段より付与される弾性にて当該第１のピンの上端を被処理基板に接触させる構成とすることができる。【０１１１】
これによれば、接触調整手段は、第１のピンに対してその移動方向に弾性を持つ機能を付与する弾性機能付与手段よりなり、第１のピンは弾性機能付与手段より付与される弾性にて当該第１のピンの上端を被処理基板に接触させるようになっている。つまり、リフトピン機構の機械的精度の限界ゆえに、第１のピンをその上端が載置面と同じ高さとなる位置で停止させられなくとも、弾性を利用する簡単な構成にてこれを補い、被処理基板を載置面より浮き上がらせることなく、第１のピンの上端を被処理基板に接触させることができる。【０１１２】
上記弾性機能付与手段は、例えば、上記第１のピンに備えられた第１のピンの移動方向に弾性を有する弾性体にて構成することができる。【０１１３】
また、本発明のステージ装置及びプラズマ処理装置において、上記第１のピンが上記ステージに没入された収納位置において、上記載置面に上記被処理基板が載置されていない状態で上記第１のピンの上端は上記載置面より突出し、上記載置面に上記被処理基板が載置された状態で上記第１のピンの上端は該被処理基板の荷重により上記載置面と同じ高さとなる構成とすることができる。【０１１４】
また、本発明のステージ装置及びプラズマ処理装置において、上記第１のピンが上記ステージに没入された収納位置において、上記載置面に上記被処理基板が載置されていない状態で上記第１のピンの上端は上記載置面よりも下方に位置し、上記載置面に上記被処理基板が載置された後に上記第１のピンが上昇してその上端が上記被処理基板に接触する構成とすることもできる。【０１１５】
また、本発明のステージ装置及びプラズマ処理装置においては、上記ステージに、被処理基板を載置面に吸着保持する吸着機構が設けられている構成とすることが好ましい。【０１１６】
吸着機構を設けることで、被処理基板が載置面に吸着保持されるようになり、単なる載置に比して、被処理基板をしっかりと固定できる。しかも、第１のピンにかかる荷重は、被処理基板の自重のみによる場合よりも強くなるので、第１のピンの移動方向の弾性をもつ機能を付与して、被処理基板を載置面から持ち上げることなく第１のピンの上端を被処理基板に接触させるといったことが、容易に行えるようになる。【０１１７】
つまり、第１のピンのもつ弾性を利用して載置面より被処理基板を浮き上がらせることなく第１のピンの上端を被処理基板に接触させるには、載置された被処理基板から受ける荷重と該荷重にて生じた変形が元の状態に戻ろうとする力とが釣り合った状態での第１のピンの上端の位置を、載置面よりも下方にする必要がある。【０１１８】
このような構成とすることで、被処理基板から受ける荷重と戻ろうとする力とが釣り合った状態での第１のピンの上端の位置を載置面よりも下方にするといった設計が容易に行える。【０１１９】
そして、この場合、吸着機構における吸着力は、上記弾性を持つ機能が付与された上記第１のピンの近傍において他の領域よりも強くすることが好ましい。これにより、吸着力を利用したことによる上記作用を、より一層効果的に得ることができる。【０１２０】
さらに、本発明のステージ装置及びプラズマ処理装置において、上記リフトピン機構は、ステージの外周部に、上記載置面から出没可能であって、当該第２のピンの移動方向に弾性を持たない第２のピンを有しており、該第２のピンは、上記ステージに没入した状態において、当該第２のピンの上端を上記載置面よりも下方に位置させている構成とすることができる。【０１２１】
上述したように、第１のピンのもつ弾性を利用して載置面より被処理基板を浮き上がらせることなく第１のピンの上端を被処理基板に接触させるには、被処理基板から受ける荷重と戻ろうとする力とが釣り合った状態での第１のピンの上端の位置を、載置面よりも下方にする必要がある。しかしながら、ステージの外周部では、被処理基板からの荷重が小さいため、両方の力が釣り合った状態での第１のピンの上端の位置が載置面よりも上になり、被処理基板が浮き上がってしまう惧がある。【０１２２】
これに対し、上記構成のように、ステージの外周部には、載置面から出没可能であって、当該第２のピンの移動方向に弾性を持たない第２のピンを配置し、該第２のピンは、上記ステージに没入した状態において、当該第２のピンの上端を上記載置面よりも下方に位置させておくことで、このようなステージの外周側での被処理基板の浮き上がりを防止することができる。【０１２３】
本発明の表示パネル用基板は、表示パネルの製造に用いられる表示パネル用基板であって、処理ムラの発生を効果的に低減することが可能な本発明の上記したプラズマ処理装置を用いて表面処理が施されたことを特徴としているので、このような表示パネル用基板を用いて表示パネルを製造することで、表示ムラのない表示品位の優れた表示装置を提供することができる。
【産業上の利用の可能性】
【０１２４】
例えば、表示パネル用基板等を製造に適用できる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【国際調査報告】
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