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【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年6月12日(2007.6.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遠紫外線電磁放射線用のプラズマ照射源において、
高電位源に接続され、第１のプラズマ状態が該第１のプラズマ状態と対応の電磁界に誘導された電流によってピンチ容積に圧縮されうるように構成配置された電極と、
高温のプラズマ状態にされて遠紫外電磁放射線を放射する作業流体の供給源と、
前記第１のプラズマ状態を前記ピンチ容積内へ圧縮することによって前記高温のプラズマ状態にされるように前記作業流体を前記ピンチ容積内に排出するように構成配置された一次噴射ノズルと、
二次流体の供給源と、
前記作業流体の排出線に対して平行で、かつそこから離隔して前記二次流体を排出するように構成配置されている二次噴射ノズルとを含むことを特徴とする、
遠紫外線電磁放射線用のプラズマ照射源。
【請求項２】
前記作業流体が液体であることを特徴とする、
請求項１に記載の照射源。
【請求項３】
前記一次噴射ノズルがクラスタ噴射あるいは小滴状噴射として前記作業流体を噴射することを特徴とする、
請求項２に記載の照射源。
【請求項４】
前記作業流体がリチウム蒸気、クリプトン、キセノン、水およびクライオジェニックリキッドからなる群から選択されることを特徴とする、
請求項１から３までのいずれか１項に記載の照射源。
【請求項５】
前記照射源がプラズマ集束源であることを特徴とする、
請求項１から４までのいずれか１項に記載の照射源。
【請求項６】
前記照射源がＺピンチプラズマ源であることを特徴とする、
請求項１から４までのいずれか１項に記載の照射源。
【請求項７】
前記照射源が毛管放電プラズマ源であることを特徴とする、
請求項１から４までのいずれか１項に記載の照射源。
【請求項８】
前記電極が陽極と陰極であって、該陽極と該陰極との間で駆動流体を排出することによってプラズマを形成するように構成配置された陽極と陰極とを含み、前記陰極が開口を有する中空の空洞を含み、前記開口が照射源の中心軸線の周りで概ね環状の形状を有することを特徴とする、
請求項５に記載の照射源。
【請求項９】
前記空洞が照射源の中心軸線の周りに概ね環状の形状を有することを特徴とする、
請求項８に記載の照射源。
【請求項１０】
前記作業流体が前記陽極と陰極との間で前記中心軸線の周りの領域に供給されることを特徴とする、
請求項８または９に記載の照射源。
【請求項１１】
前記作業流体が前記中心軸線に沿って供給されることを特徴とする、
請求項１０に記載の照射源。
【請求項１２】
前記二次噴射ノズルが前記一次噴射ノズルを囲んでいることを特徴とする、
請求項１から１１までのいずれか１項に記載の照射源。
【請求項１３】
前記一次および二次噴射ノズルが共軸であることを特徴とする、
請求項１２に記載の照射源。
【請求項１４】
前記二次流体がヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、メタン、シランおよび水素からなる群から選択された少なくとも１種類のガスからなることを特徴とする、
請求項１から１３までのいずれか１項に記載の照射源。
【請求項１５】
前記一次噴射ノズルが、前記作業流体のパルスを噴射することを特徴とする、
請求項１から１４までのいずれか１項に記載の照射源。
【請求項１６】
前記一次噴射ノズルが超音波噴射ノズルであることを特徴とする、
請求項１から１５までのいずれか１項に記載の照射源。
【請求項１７】
前記遠紫外線が９から１６ｎｍの範囲の波長を有する放射線からなることを特徴とする、
請求項１から１６までのいずれか１項に記載の照射源。
【請求項１８】
マスクのマスクパターンを基板上に像形成する平板投影装置において、
遠紫外線を発生させるように構成配置された照射源と、
前記遠紫外線を受取り、前記遠紫外線の投影ビームを供給するように構成配置された照明系と、
所望のパターンに従って放射線の投影ビームをパターン化するように構成配置されたパターン化手段と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン化されたビームを基板の目標部分上に像形成するように構成配置された投影系とを含み、
照射源が請求項１から１７までのいずれか１項に記載のものであることを特徴とする、
平板投影装置。
【請求項１９】
遠紫外線を発生させるように構成配置された照射源と、
前記遠紫外線を受取り、該遠紫外線の投影ビームを供給するように構成配置された照明系と、
前記放射線の投影ビームを所望のパターンにパターン化するように構成配置されたパターン化手段と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン化されたビームを前記基板の目標部分上に像形成するように構成配置された投影系とを含む平板印刷装置を使用した素子の製造方法において、
前記照射源を使用して放射線の投影ビームを提供する段階と、放射線感応材料の層によって少なくとも部分的に被覆された基板を前記基板テーブルに提供する段階と、
所望のパターンに従って投影ビームの断面をパターン化する段階と、
パターン化したビームを前記基板の前記目標部分上に像形成する段階とを含み、
前記照射源として請求項１から１８までのいずれか１項に記載の照射源を使用することを特徴とする平板装置を使用した、
素子の製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
ＥＵＶ放射線は主として、圧縮放電によって高温の放射線放射状態まで昇温された作業（一次）流体によって放射されるので、作業流体は放電を形成するのに好ましい特性の必要性によって制限されることなく所望の波長でＥＵＶ放射線を放射する上での効率に選択することができる。作業流体は、例えばリチウム蒸気、クリプトン、キセノン、水およびクライオジェニックリキッド（極低温液体）でよい。同時に、電導性で効果的な圧縮媒体を発生させる上で効果的な磁気―流体力学特性に基づき、かつＥＵＶ光学特性、特に対象とする波長における透過性に基づいて選択された駆動流体を放電の形成を助勢するために電極の間の空間に供給できる。従って、プラズマ発生要件と放射要件とは相互作用を断たれ、各要素用の物質の広い範囲の選択を可能にし、かつ供給源の効果、および効率を改良しうる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
照射源の第６の実施例の一次ガスは、純粋の状態で、あるいはその他の（不活性）ガスとの混合物として供給してよいクリプトンあるいはキセノンからなる。例えば、キセノンのプラズマは遠紫外線の大きい部分を放出することが示されている。代替実施例においては、水滴あるいはキャリヤガス中の例えば液状キセノンのようなクライオジェニックリキッド（極低温液体）を一次液体として使用してよい。二次ガスはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、メタン、シランおよび水素からなる群から選択してよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月23日(2007.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  井戸内に設置される水中ポンプと、この水中ポンプに接続された揚水管と、この揚水管に接続された圧力検出装置により前記水中ポンプを起動するとともに前記圧力検出装置および流量検出装置により前記水中ポンプを停止せしめる制御を行う地上部ユニットとを備えた給水ポンプ装置において、地上部ユニット内の流路配管に、前記水中ポンプから揚水された給水の圧力を減圧するための減圧弁を取付けるための減圧弁取付部を設けたことを特徴とする給水ポンプ装置。
【請求項２】  前記減圧弁取付部は、流路配管に取付け座を設けた構造を有し、接続配管を変更することなく、減圧弁を着脱可能であることを特徴とする請求項１記載の給水ポンプ装置。
【請求項３】 ポンプと、このポンプに接続された揚水管とを具備し、この揚水管に接続された圧力検出装置により前記ポンプを起動する給水ポンプ装置において、流路配管に取付け座を設けた構造を有し、接続配管を変更することなく、前記ポンプで揚水された給水の圧力を減圧するための減圧弁を着脱可能に取付けるための減圧弁取付部を設けたことを特徴とする給水ポンプ装置。
【請求項４】  前記減圧弁取付部は、減圧弁を取付けない場合には蓋により閉塞されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の給水ポンプ装置。
【請求項５】  前記減圧弁は、弁箱を有しない構造で、減圧に必要な機能を一体化した構造であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の給水ポンプ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するため、本発明は、井戸内に設置される水中ポンプと、この水中ポンプに接続された揚水管と、この揚水管に接続された圧力検出装置により前記水中ポンプを起動するとともに前記圧力検出装置および流量検出装置により前記水中ポンプを停止せしめる制御を行う地上部ユニットとを備えた給水ポンプ装置において、地上部ユニット内の流路配管に、前記水中ポンプから揚水された給水の圧力を減圧するための減圧弁を取付けるための減圧弁取付部を設けたことを特徴とするものである。
本発明の好ましい態様によれば、前記減圧弁取付部は、流路配管に取付け座を設けた構造を有し、接続配管を変更することなく、減圧弁を着脱可能である。
本発明の他の態様は、ポンプと、このポンプに接続された揚水管とを具備し、この揚水管に接続された圧力検出装置により前記ポンプを起動する給水ポンプ装置において、流路配管に取付け座を設けた構造を有し、接続配管を変更することなく、前記ポンプで揚水された給水の圧力を減圧するための減圧弁を着脱可能に取付けるための減圧弁取付部を設けたことを特徴とするものである。
本発明の好ましい態様によれば、前記減圧弁取付部は、減圧弁を取付けない場合には蓋により閉塞されている。
本発明の好ましい態様によれば、前記減圧弁は、弁箱を有しない構造で、減圧に必要な機能を一体化した構造である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月23日(2007.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一主面側に所定の間隔を置いて形成されたソース拡散層およびドレイン拡散層と、前記ソース拡散層および前記ドレイン拡散層に挟まれた前記半導体基板の領域上に絶縁膜を介して電荷蓄積膜およびゲート電極が積層されてなるゲート部とからなるメモリセルを有し、
消去動作において、ホールが前記ゲート電極から前記電荷蓄積膜へ供給され、前記電荷蓄積膜に保存された電子と、前記ゲート電極から供給されるホールとが結合して消滅し、
前記メモリセルの書換えを行う前に、前記書換えの対象となるメモリセルの書込みを行い、
その後に前記メモリセルの消去を行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板の一主面側に所定の間隔を置いて形成されたソース拡散層およびドレイン拡散層と、前記ソース拡散層および前記ドレイン拡散層に挟まれた前記半導体基板の領域上に絶縁膜を介して電荷蓄積膜およびゲート電極が積層されてなるゲート部とからなるメモリセルが配置されたサブブロックを有する半導体装置において、
前記メモリセルの書換えを行う前に、書換えの対象となる前記サブブロック内の全てのメモリセルに電子を注入することにより書込みを行い、
その後に前記ゲート電極から電極蓄積膜にホールを供給して消去を行い、
前記電荷蓄積膜に保存された電子と、前記ゲート電極から供給されるホールとが結合して消滅することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記メモリセルの各々は、ＭＯＮＯＳ型あるいはＭＮＯＳ型構造を有する電荷トラップ型メモリセルであり、前記半導体基板側から前記絶縁膜を通り、前記電荷トラップ型メモリセルへ電子を注入することにより書込みを行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記メモリセルの各々は、ＭＯＮＯＳ型あるいはＭＮＯＳ型構造を有する電荷トラップ型メモリセルであり、前記半導体基板側から前記絶縁膜を通り、前記電荷トラップ型メモリセルへ電子を注入することにより書込みを行うことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記メモリセルの各々への書込みは、ホットエレクトロンを用いた電子注入によることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記メモリセルの各々への書込みは、ホットエレクトロンを用いた電子注入によることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】
メモリセルの消去において、前記メモリセルのメモリセル読み出し電流が検出され、前記メモリセル読み出し電流が所定値に達した時点で、前記消去が停止することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
メモリセルの消去において、前記メモリセルのメモリセル読み出し電流が検出され、前記メモリセル読み出し電流が所定値に達した時点で、前記消去が停止することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記メモリセルの各々の消去は、前記メモリセルのしきい値を下げることにより行われることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記メモリセルの各々の消去は、前記メモリセルのしきい値を下げることにより行われることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項１１】
半導体基板の一主面側に所定の間隔を置いて形成された第１不純物導入領域および第２不純物導入領域と、前記第１不純物導入領域および前記第２不純物導入領域に挟まれた前記半導体基板の領域上に絶縁膜を介して電荷蓄積膜および電極が積層されてなるゲート部とからなるメモリセルを有し、
消去動作において、ホールが前記ゲート電極から前記電荷蓄積膜へ供給され、前記電荷蓄積膜に保存された電子と、前記ゲート電極から供給されるホールとが結合して消滅し、
前記メモリセルの消去コマンドの実行は、前記消去の対象となるメモリセルに書込み処理を行った後に行うことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月6日(2006.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図１（Ｅ）および（Ｆ）は、熱伝導率が基板１０１を構成する材料よりも小さい材料で記録補助層１０２を形成したときに、記録補助層１０２の厚さを変化させることによって、感熱材料層１０３の状態変化した部分１０５の断面形状がどのように変わるかを模式的に示している。図１（Ｅ）に示す記録原盤は、記録補助層１０２の厚さがより大きいために、感熱材料層１０３から熱が放出されることをより抑制し、状態変化した部分と状態変化していない部分との間の境界の傾きがより大きくなる。図１（Ｇ）および（Ｈ）は、熱伝導率が基板１０１を構成する材料よりも大きい材料で記録補助層１０２を形成したときに、記録補助層１０２の厚さを変化させることによって、状態変化した部分１０５がどのように変化するかを模式的に示す。記録補助層１０２の熱伝導率を基板１０１の熱伝導率よりも大きくすることによって、記録補助層を設けない場合と比較して、状態変化した部分と状態変化していない部分との境界の傾きがより緩やかになる。また、記録補助層１０２の厚さが大きい程、状態変化した部分と状態変化していない部分との間の境界の傾きがより小さくなる。図１（Ｅ）〜（Ｈ）に示すように、記録補助層１０２の厚さを変化させることによっても、記録時の昇温により状態変化した部分１０５の分布を変化させ得ることが分かる。なお、図１（Ｂ）〜（Ｈ）は、記録補助層の熱伝導率および厚さが、感熱材料層の状態変化した部分の断面形状にどのように影響するかという傾向を表す模式図であることに留意されたい。実際に得られる断面形状は基板を構成する材料の熱伝導率の具体的な数値、この数値と記録補助層を構成する材料の熱伝導率の具体的な数値との差、記録補助層の実際の厚さ等によって決定される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
１０１  基板
１０２  記録補助層
１０３  感熱材料層
１０４  記録原盤
１０５  状態変化した部分
１０６  状態変化していない部分
１０７  金属反射層
２０１  記録原盤
２０２  回転台
２０３  光源
２０４  レンズ
２０５  記録ヘッド
２０６  記録光
３０１  傾斜角
４０１  基板
４０２  感熱材料層
４０３ａ  記録補助層
４０３ｂ  記録補助層
４０４  傾斜角
５０１  基板
５０２  感熱材料層
５０３  記録補助層
５０４  記録原盤
５０５  状態変化した部分
５０６  外部媒質
５０７  状態変化していない部分
６０１  基板
６０２  第一の記録補助層
６０３  感熱材料層
６０４  第二の記録補助層
６０５  記録原盤
６０５ａ  記録原盤
６０６  金属反射層
７０１  感熱材料層
７０２  記録補助層
７０３  下層
７０４ａ  記録原盤
７０４ｂ  記録原盤
８０１  基板
８０２  感熱材料層
８０３  光透過層
８０４  記録補助層
８０５  記録原盤
８０６  接着剤
８０７  真空雰囲気
８０８  開口部
９０１  光情報記録媒体
９０２  基板
９０３  信号層
９０４  保護層
９０５  対物レンズ
９０６  光
１００１  基板
１００２  フォトレジスト
１００３  記録原盤
１００４  潜像
１００５  原盤
１００６  導電膜
１００７  金属層
１０１０  記録光
１１０１  感熱材料層
１１０２  大気
１１０３  基板
１１０４  傾斜角
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月17日(2007.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のアライメントパッドを第１の基板上に配設する第１の配設ステップと、
第２のアライメントパッドを第２の基板上に配設する第２の配設ステップと、
前記第１のアライメントパッドと前記第２のアライメントパッドの少なくとも一方に半田を配設する第３の配設ステップと、
前記第１の基板上にスイッチング流体を配設する第４の配設ステップと、
前記第１と第２のアライメントパッドを整列配置し、前記半田を過熱することによって前記第１の基板と前記第２の基板とを接合させる接合ステップとを有し、前記第１の基板と前記第２の基板が両者間にスイッチング流体を保持するキャビティを画成し、該キャビティを第１の状態と第２の状態の間での前記スイッチング流体の動きを可能にする大きさとすることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記接合ステップ後に、前記第１の基板と前記第２の基板とを密封封止する密封封止ステップをさらに有する、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記密封封止ステップが、前記第１と第２の基板のうちの少なくとも一方の基板上で半田ペーストにエポキシ溶剤を調合するステップと、前記半田ペーストを加熱するステップとを有することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記半田が、前記半田ペーストよりも高融点であることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記接合ステップ前に、前記第１の基板の前記周縁部の少なくとも一部に第１の封止リングを配設するステップと、前記第２の基板の前記周縁部の少なくとも一部に第２の封止リングを配設するステップとを有し、かつ、前記接合ステップ後に、前記第１の封止リングと前記第２の封止リングとを半田付けするステップを、さらに有することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記接合ステップ前に、前記第２の基板に接合する前記第１の基板の表面を平滑化するステップと、前記第１の基板に接合する前記第２の基板の表面を平滑化するステップとを、さらに有することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記第１の基板の表面を平滑化するステップおよび前記第２の基板の表面を平滑化するステップが、ラップ仕上げ、研磨および化学機械研摩のいずれかのステップを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第２の配設ステップの前に、前記第２の基板の第１層を該第２の基板の第２層に陽極接合するステップをさらに有することを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記第２の配設ステップの前に、前記第２の基板の第１層を該第２の基板の第２層に溶融接着するステップをさらに有することを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記第１層および前記第２層が、ガラスで構成されていることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の基板が、セラミックで構成されていることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
接合された第１の基板及び第２の基板であって、それぞれ少なくとも一つのアライメントパッドを備え、前記アライメントパッドは互いに半田付けし、両者間にキャビティの少なくとも一部が画成する前記接合された第１及び第２の基板と、１つ以上の前記キャビティ内に露出させた複数の電極と、１つ以上の前記キャビティ内に保持したスイッチング流体であって、前記流体に作用させた力に応答して前記複数の電極のうちの少なくとも一対を開閉する前記スイッチング流体と、１以上の前記キャビティ内に保持され、前記スイッチング流体に対し力を作用する作動流体とを備えることを特徴とするスイッチ。
【請求項１３】
前記第１の基板と第２の基板とが密封されていることとを特徴とする請求項１２記載のスイッチ。
【請求項１４】
前記第１の基板の前記周縁部の少なくとも一部に配設された第１の封止リングと、前記第２の基板の前記周縁部の少なくとも一部に配設された第２の封止リングと、前記第１の封止リングと前記第２の封止リングとを接合する半田とを、さらに備えたことを特徴とする請求項１２または１３に記載のスイッチ。
【請求項１５】
前記半田の少なくとも一部を囲繞するエポキシ溶剤を、さらに備えたことを特徴とする請求項１４に記載のスイッチ。
【請求項１６】
前記第２の基板が第１層と第２層とからなり、前記第１層と前記第２層とが陽極接合されていることを特徴とする請求項１２から１５のいずれかに記載のスイッチ。
【請求項１７】
前記第２の基板が第１層と第２層とからなり、前記第１層と前記第２層とが溶融接着されていることを特徴とする請求項１２から１５のいずれかに記載のスイッチ。
【請求項１８】
接合させた第１の基板及び第２の基板であって、少なくとも一つのアライメントパッドを備え、前記アライメントパッドは互いに半田付けし、両者間にキャビティの少なくとも一部を画成する前記接合された第１及び第２の基板と、１以上の前記キャビティ内に露出した複数の湿潤可能なパッドと、前記パッドを湿潤可能で１以上の前記キャビティ内に保持したスイッチング流体であって、前記スイッチング流体に作用させた力に応答して１以上の前記キャビティを介して光路を解放或いは遮断する前記スイッチング流体と、１以上の前記キャビティ内に保持され、前記スイッチング流体に対し力を作用する作動流体とを備えることを特徴とするスイッチ。
【請求項１９】
前記第１の基板及び第２の基板が密封封止されていることを特徴とする請求項１８記載のスイッチ。
【請求項２０】
前記第１の基板の前記周縁部の少なくとも一部に配設された第１の封止リングと、前記第２の基板の前記周縁部の少なくとも一部に配設された第２の封止リングと、前記第１の封止リングと前記第２の封止リングとを接合する半田とを、さらに備えたことを特徴とする請求項１８または１９に記載のスイッチ。
【請求項２１】
前記半田の少なくとも一部を囲繞するエポキシ溶剤を、さらに備えたことを特徴とする請求項２０に記載のスイッチ。
【請求項２２】
前記第２の基板が第１層と第２層とからなり、前記第１層と前記第２層とが陽極接合されていることを特徴とする請求項１８から２１のいずれかに記載のスイッチ。
【請求項２３】
前記第２の基板が第１層と第２層とからなり、前記第１層と前記第２層とが溶融接着されていることを特徴とする請求項１８から２１のいずれかに記載のスイッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月23日(2007.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次式（Ｉ）のタンタル酸バリウム組成を含む電子放射組成。
（Ｂａ1-x、Ｃａx、Ｓｒp、Ｄq）6（Ｔａ1-y、Ｗy、Ｅt、Ｆu、Ｇv、Ｃａw）2Ｏ(11±sigma) （Ｉ）
式中、δ(sigma)は約０から約６の量であり、Ｄはアルカリ土類金属イオン或いはアルカリ性土類金属イオンの何れかであり、Ｅ、Ｆ及びＧはアルカリ土類金属イオン、アルカリ性土類金属イオン及び／又は遷移金属イオンであり、ｘは最大約０．７の量であり、ｙは、最大約１の量であり、ｐ及びｑは最大約０．３の量であり、ｔは約０．０５から約０．１０の量であり、ｕは最大約０．５の量であり、ｖは最大約０．５の量であり、ｗは最大約０．２５の量である。
【請求項２】
Ｄはマグネシウムであり、Ｅはジルコニウムであり、Ｆはニオブであり、Ｇはチタンであることを特徴とする請求項１に記載の組成。
【請求項３】
ｘは約０．２５から約０．３５の量であり、ｙは約１であり、ｐ、ｑ、ｔ、ｕ、ｖ及びｗはそれぞれ０に等しいことを特徴とする請求項１に記載の組成。
【請求項４】
ｘは約０．２５から約０．３５の量であり、ｙ、ｐ、ｑ、ｔ、ｕ、ｖ及びｗはそれぞれ０に等しいことを特徴とする請求項１に記載の組成。
【請求項５】
前記組成が更に、プロピレン・グリコール・モノメチル・エーテル・アセテートと変性アルコールとの総重量を基準にして、約１から約２重量パーセントの変性アルコールを有するプロピレン・グリコール・モノメチル・エーテル・アセテートを含む溶剤を含むことを特徴とする請求項１に記載の組成。
【請求項６】
次式（Ｉ）：（Ｂａ1-x、Ｃａx、Ｓｒp、Ｄq）6（Ｔａ1-y、Ｗy、Ｅt、Ｆu、Ｇv、Ｃａw）2Ｏ(11±sigma) （式中、δ(sigma)は約０から約６の量であり、Ｄはアルカリ土類金属イオン或いはアルカリ性土類金属イオンの何れかであり、Ｅ、Ｆ及びＧはアルカリ土類金属イオン、アルカリ性土類金属イオン及び／又は遷移金属イオンであり、ｘは最大約０．７の量であり、ｙは、最大約１の量であり、ｐ及びｑは最大約０．３の量であり、ｔは約０．０５から約０．１０の量であり、ｕは最大約０．５の量であり、ｖは最大約０．５の量であり、ｗは最大約０．２５の量）のタンタル酸バリウム組成で得るのに有効な化学量論の状態で金属化合物をブレンドする段階を含む電子放射組成を製造するための方法。
【請求項７】
前記金属化合物は、酸化物、過酸化物、炭酸塩、硝酸塩、カルボン酸塩、硫酸塩、又は、アルカリ土類金属の塩化物、アルカリ性土類金属の塩化物或いは遷移金属の塩化物であることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
Ｄはマグネシウムであり、Ｅはジルコニウムであり、Ｆはニオブであり、Ｇはチタンであることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記ブレンドする段階は更に、前記金属化合物を約０．４から約８ミクロンの粒度に機械的に摩粉する段階を含む請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
次式（Ｉ）：（Ｂａ1-x、Ｃａx、Ｓｒp、Ｄq）6（Ｔａ1-y、Ｗy、Ｅt、Ｆu、Ｇv、Ｃａw）2Ｏ(11±sigma) （式中、式中、δ(sigma)は約０から約６の量であり、Ｄはアルカリ土類金属イオン或いはアルカリ性土類金属イオンの何れかであり、Ｅ、Ｆ及びＧはアルカリ土類金属イオン、アルカリ性土類金属イオン及び／又は遷移金属イオンであり、ｘは最大約０．７の量であり、ｙは、最大約１の量であり、ｐ及びｑは最大約０．３の量であり、ｔは約０．０５から約０．１０の量であり、ｕは最大約０．５の量であり、ｖは最大約０．５の量であり、ｗは最大約０．２５の量）のタンタル酸バリウム組成を結合剤とブレンドする段階と、
前記結合剤を有する前記タンタル酸バリウムを約１０００℃から約１７００℃の温度で焼結する段階と、
を含む電子放射組成を製造するための方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
市販の蛍光ランプの電極の大部分で現行使用されている標準的な電子放射被覆は、酸化バリウム、酸化カルシウム、及び酸化ストロンチウムの混合体（「三重酸化物放出混合体」）を含む。これらの酸化物は、周囲の二酸化炭素及び水に対して極めて敏感であることから、これらは一般に、最初は結合剤と溶剤とを含む炭酸バリウム、炭酸カルシウム及び炭酸ストロンチウムの湿潤性混合体懸濁液としてランプ電極上に置かれる。次いで、湿潤性混合体懸濁液は、製造工程の間に、炭酸塩が分解するまで電極を抵抗加熱し、二酸化炭素と一部の一酸化炭素とを放出し、電極上に三重酸化物混合体を残すことによって、ランプ組立体内部で「活性化」される。
【特許文献１】米国特許第５７４７９２６号
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月11日(2007.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サーバ装置が、実行可能なコードで構成されるアプリケーションサービスオブジェクトに係る、アプリケーション実行機能属性情報とクライアント実行機能属性情報とサーバ実行機能属性情報とを取得するステップと、
前記サーバ装置が、クライアント装置に対し、前記クライアント実行機能属性情報と前記サーバ実行機能属性情報と前記アプリケーション実行機能属性情報とに基づいて、少なくとも一のアプリケーションサービスオブジェクトのレプリケーションの実行を許可する旨の実行指示を送信するステップと、
前記クライアント装置が、前記実行指示に基づいて、前記少なくとも一のアプリケーションサービスオブジェクトのレプリケーションを実行するステップと
を有するレプリケーション実行方法。
【請求項２】
コンピュータに、
アプリケーション実行機能属性情報とクライアント実行機能属性情報とサーバ実行機能属性情報とを取得する機能と、
前記クライアント実行機能属性情報と前記サーバ実行機能属性情報と前記アプリケーション実行機能属性情報とに基づいて、実行可能なコードで構成される少なくとも一のアプリケーションサービスオブジェクトのレプリケーションの実行を許可する旨の実行指示をクライアント装置に送信する機能と
を実現させるためのプログラム。
【請求項３】
一または複数のクライアント装置と通信を行うための通信インタフェースと、
アプリケーション実行機能属性情報とクライアント実行機能属性情報とサーバ実行機能属性情報とを取得する手段と、
前記クライアント実行機能属性情報と前記サーバ実行機能属性情報と前記アプリケーション実行機能属性情報とに基づいて、実行可能なコードで構成される少なくとも一のアプリケーションサービスオブジェクトのレプリケーションの実行を許可する旨の実行指示を、前記一または複数のクライアント装置に送信する手段と、
を有するサーバ装置。
【請求項４】
サーバ装置と通信を行うための通信インタフェースと、
アプリケーション実行機能属性情報とクライアント実行機能属性情報とサーバ実行機能属性情報とを取得する手段と、
前記クライアント実行機能属性情報と前記サーバ実行機能属性情報と前記アプリケーション実行機能属性情報とに基づいて、実行可能なコードで構成される少なくとも一のアプリケーションサービスオブジェクトのレプリケーションについての実行許可の要求を、前記サーバ装置に送信する手段と
を有するクライアント装置。
【請求項５】
属性マネージャと、
機能プロファイラと、
前記属性マネージャから提供される属性管理情報と前記機能プロファイラから提供される機能管理情報とを用いて、サーバ装置に導入されたレプリケーション可能なサービスの一部であって、実行可能なコードで構成される、レプリケーション可能なアプリケーションサービスオブジェクトのレプリケーションを、クライアント装置に指示するレプリケーションマネージャと
を有し、
前記レプリケーション可能なアプリケーションサービスオブジェクトは、前記クライアント装置からの一または複数の要求を処理し、前記一または複数の要求に応じて一または複数の結果を生成し、
前記レプリケーション可能なアプリケーションサービスオブジェクトは、複数のレプリカにより構成される
ことを特徴とするレプリケーションシステム。
【請求項６】
サーバ装置が、実行可能なコードで構成される、レプリケーション可能なアプリケーションサービスオブジェクトのレプリケーションを実行するためのクライアント装置を、前記アプリケーションサービスオブジェクトを有する、クライアント装置および当該サーバ装置についての機能属性情報に基づいて、選択するステップと、
前記サーバ装置が、該選択されたクライアント装置にクライアント固有データを提供するステップと、
前記サーバ装置が、前記サーバ装置宛のサービス要求を処理するための適切なレプリカを選択するステップと
を有するレプリケーション方法。
【請求項７】
前記クライアント装置の無線接続状態に応じて、該選択されたクライアントレプリカの起動を指示するステップを更に備える
ことを特徴とする請求項６に記載のレプリケーション方法。
【請求項８】
前記無線接続状態が回復したとき、当該クライアントレプリカを終了してオーナレプリカを起動させる指示を行うステップを更に有する
ことを特徴とする請求項７に記載のレプリケーション方法。
【請求項９】
一または複数のクライアント装置と通信を行うための通信インタフェースと、
属性インタフェースと機能インタフェ−スとレプリケーションマネージャとを有するレプリケーションシステムと
を有するサーバであって、
前記レプリケーションマネージャは、
実行可能なコードで構成される、レプリケーション可能なアプリケーションサービスオブジェクトのレプリケーションを実行するためのクライアント装置を、前記属性インタフェースと前記機能インタフェースとを介し、前記アプリケーションサービスオブジェクトを有する、クライアント装置およびサーバ装置に係る機能属性情報に基づいて、選択し、
前記通信インタフェースを介してクライアント固有データを送信することにより、前記クライアント装置に前記クライアントデータを提供し、
前記サーバ装置宛のサービス要求を処理するための適切なレプリカを選択する
ことを特徴とするサーバ装置。
【請求項１０】
前記クライアント装置の無線接続状態に応じて、該選択されたクライアントレプリカの起動を指示する
ことを特徴とする請求項９に記載のサーバ装置。
【請求項１１】
前記無線接続状態が回復したとき、当該クライアントレプリカを終了してオーナレプリカを起動させる
ことを特徴とする請求項１０に記載のサーバ装置。
【請求項１２】
当該クライアントレプリカの起動中は前記無線接続状態が切断されなかったものとみなして以後の処理を行うことを特徴とする請求項１１に記載のサーバ装置。
【請求項１３】
サーバ装置のコンピュータに、
実行可能なコードで構成される、レプリケーション可能なアプリケーションサービスオブジェクトのレプリケーションを実行するためのクライアント装置を、前記アプリケーションサービスオブジェクトを有する、クライアント装置および前記サーバ装置についての機能属性情報に基づいて、選択する機能と、
前記クライアント装置にクライアント固有データを提供する機能と、
前記サーバ装置宛のサービス要求を処理するための適切なレプリカを選択する機能と
を実現させるためのプログラム。
【請求項１４】
前記クライアント装置の無線接続状態に応じて、該選択されたクライアントレプリカの起動を指示する機能を更に実現させる
ことを特徴とする請求項１３に記載のプログラム。
【請求項１５】
前記無線接続状態が回復したとき、当該クライアントレプリカを終了してオーナレプリカを起動させる指示を行う機能を更に実現させる
ことを特徴とする請求項１４に記載のプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月18日(2007.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オブジェクトモデルをデバッグするための方法であって、
実行環境のデバッグインターフェースを介してブレークポイントのセットを実現させる工程と、
ここで、前記ブレークポイントのセット内の１つのブレークポイントは、前記実行環境によって作成されたプラグ可能構成要素を構成するオブジェクトと関連付けされ、該プラグ可能構成要素は、前記ブレークポイントの記述を前記実行環境に伝達し、
所定の期間で前記ブレークポイントの状況をチェックする工程と
中断および再開の要求に応答する工程と
を具えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
パッケージ配置構成要素とプラグ可能構成要素との間で通信する工程をさらに具えたことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記デバッグインターフェースによって処理するために入力を受け取る工程をさらに具え、
前記入力はパッケージを実行または配置するための命令を示すものであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
少なくとも１つのタスクにおいて、前記ブレークポイントを設定する工程をさらに具えたことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記タスク実行中に、該タスクによって設定された前記ブレークポイントに遭遇することをさらに具えたことを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記ブレークポイントを前記デバッグインターフェースに伝達する工程をさらに具えたことを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記設定されたブレークポイントに遭遇する前に、前記タスクの状態を前記デバッグインターフェースによって分析する工程をさらに具えたことを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記デバッグインターフェースによって前記タスクを再開する工程をさらに具えたことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
コンピュータに指示するための命令を有するコンピュータ読取り可能媒体であって、
実行環境のデバッグインターフェースを介してブレークポイントのセットを実現させる工程と、
ここで、前記ブレークポイントのセット内の１つのブレークポイントは、前記実行環境によって作成されたプラグ可能構成要素を構成するオブジェクトと関連付けされ、該プラグ可能構成要素は、前記ブレークポイントの記述を前記実行環境に伝達し、
所定の期間で前記ブレークポイントのセットの状況をチェックする工程と、
中断および再開の要求に応答する工程と
を具えたことを特徴とするコンピュータ読取り可能媒体。
【請求項１０】
オブジェクトモデルをデバッグするための方法であって、
ブレークポイントのセット内の１つのブレークポイントの記述を提供するために、オブジェクトモデルの１つまたは複数の構成要素と通信するインターフェースマネージャを提供する工程と、
ここで、前記ブレークポイントは、実行環境によって作成されたプラグ可能構成要素を構成するオブジェクトと関連付けされ、
前記ブレークポイントの場所を決定する工程と、
前記ブレークポイントに遭遇するようにランタイムを実行する工程と
を具えたことを特徴とする方法。
【請求項１１】
パッケージを実行する工程をさらに具えたことを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記パッケージの実行の結果として、少なくとも１つのタスクを実行する工程をさらに具えたことを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記決定するステップは、前記インターフェースマネージャによってブレークポイントを設定する工程を具えたことを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
ブレークポイントに遭遇すると、前記ブレークポイントを含むオブジェクトモデル構成要素を中断する工程をさらに具えたことを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１５】
ランタイムの問題が存在するかどうかを判別するために、中断中に前記オブジェクトモデル構成要素を分析する工程をさらに具えたことを特徴とする請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
中断されたオブジェクトモデル構成要素を再開する工程をさらに具えたことを特徴とする請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
コンピュータに指示するためのコンピュータ読取り可能命令を有するコンピュータ読取り可能媒体であって、
オブジェクトモデルの１つまたは複数の構成要素と通信するインターフェースマネージャを提供する工程と、
ブレークポイントの場所を決定する工程と、
ここで、前記ブレークポイントは、実行環境によって作成されたプラグ可能構成要素を構成するオブジェクトと関連付けされ、該プラグ可能構成要素は、前記ブレークポイントの記述を前記実行環境に伝達し、
前記ブレークポイントに遭遇するようにランタイムを実行する工程と
を具えたことを特徴とするコンピュータ読取り可能媒体。
【請求項１８】
プラグ可能構成要素においてブレークポイントをデバッグするためのシステムであって、
構成要素の挙動を観察するためおよび構成要素を制御するために、ランタイム中に前記プラグ可能構成要素と通信することが可能なデバッグインターフェースと、
ここで、前記プラグ可能構成要素は前記実行環境によって作成されたオブジェクトを構成し、該プラグ可能構成要素は前記ブレークポイントと関連付けされ、該プラグ可能構成要素は前記ブレークポイントの記述を前記実行環境に伝達し、
ランタイム時にブレークポイントに遭遇すると、前記デバッグインターフェースが、プラグ可能構成要素のオペレーションを観察するために、前記プラグ可能構成要素のオペレーションを中断および／または再開することが可能であるように、前記プラグ可能構成要素内に設定されるブレークポイントと
を具えたことを特徴とするシステム。
【請求項１９】
前記デバッグインターフェースは、前記プラグ可能構成要素内に前記ブレークポイントを設定することを特徴とする請求項１８記載のシステム。
【請求項２０】
前記デバッグインターフェースは、ランタイム時および中断時に前記プラグ可能構成要素の状態を表示することを特徴とする請求項１９記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月21日(2007.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンポーネントを展開する方法であって、
それ自体の依存関係を協働インタフェースに公開するコンポーネントにより依存関係を定義するステップと、
定義された依存関係のリストを生成するステップと、
前記定義された依存関係に関連付けられたファイルを特定するステップと、
展開可能バンドルを生成するために前記依存関係のリストと特定されたファイルを処理するステップと
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記展開可能バンドルを協働環境に伝達するステップ
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記展開可能バンドルを生成するために、前記依存関係リスト、前記特定されたファイル、およびデフォルトのコンポーネント要素をマージするステップ
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
デフォルトの要素およびデフォルトでない要素を特定するために前記コンポーネントをスキャンするステップ
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記展開可能バンドルに含めるためにインストーラコンポーネントを提供するステップ
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記展開可能バンドルをコンピューティング環境にインストールすることにより前記展開可能バンドルを確認するステップ
をさらに備えることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記展開可能バンドルに含めるために構成ファイルを提供するステップ
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記処理するステップは、前記展開可能バンドルを生成するために前記依存関係リスト、前記特定されたファイル、およびデフォルトのコンポーネント要素をマージするステップをさらに含む
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記展開可能バンドルを生成するために前記依存関係リスト、前記特定されたファイル、およびデフォルトのコンポーネント要素の前記マージを実行するためのマージモジュールを提供するステップ
をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
それ自体の依存関係を協働インタフェースに公開するコンポーネントにより依存関係を定義し、
定義された依存関係のリストを生成し、
前記定義された依存関係に関連付けられたファイルを特定し、
展開可能バンドルを生成するために前記依存関係のリストと特定されたファイルを処理する
ためのコンピュータ可読命令を有する
ことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項１１】
展開用パッケージの作成に使用するためのデータ構造が記録されたコンピュータ読取可能な記録媒体であって、
パッケージのコンポーネントを表すデータを含んでいるデータフィールドと、
前記パッケージコンポーネントが依存するアイテムを特定するために第１のフィールドをスキャンすることによって前記パッケージの前記コンポーネントを表す前記データを含んでいる前記フィールドから導いた依存関係データを含んでいるデータフィールドと、
前記データ構造の終わりを区切るよう機能するフィールドと
を備えたことを特徴とするデータ構造が記録されたコンピュータ読取可能な記録媒体。
【請求項１２】
前記パッケージコンポーネントを表すデータと前記コンポーネントの依存関係をマージすることによって依存関係を含んでいる前記データフィールドから導いたフィールド
をさらに備えたことを特徴とする請求項１１に記載のデータ構造が記録されたコンピュータ読取可能な記録媒体。
【請求項１３】
前記マージしたデータを含んでいる前記フィールドは、前記パッケージを展開する方法に関する構成情報を表すデータを含んでいる
ことを特徴とする請求項１２に記載のデータ構造が記録されたコンピュータ読取可能な記録媒体。
【請求項１４】
前記パッケージをインストールするためのインストールプログラムを命令するためのフィールド
をさらに備えたことを特徴とする請求項１１に記載のデータ構造が記録されたコンピュータ読取可能な記録媒体。
【請求項１５】
依存関係を有するパッケージを展開するシステムであって、
前記パッケージのコンポーネントの前記依存関係を表す依存関係データと、
展開可能バンドルを生成するために前記依存関係データを前記パッケージの前記コンポーネントとマージするよう動作するマージモジュールと
を備えたことを特徴とするシステム。
【請求項１６】
前記展開可能バンドルを生成するために前記マージモジュールによってマージされているインストーラ
をさらに備えたことを特徴とする請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記展開可能バンドルを生成するために前記マージモジュールによってマージされている構成情報
をさらに備えたことを特徴とする請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記展開可能バンドルを生成するために前記マージモジュールによってマージされているデフォルトパッケージコンポーネント
をさらに備えたことを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記展開可能バンドルを協働コンピューティング環境の伝達に使用するための通信手段
をさらに備えたことを特徴とする請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記パッケージの前記適切な展開を確認するための確認手段
をさらに備えたことを特徴とする請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
依存関係を有するコンポーネントの展開に使用するためのシステムであって、
コンポーネントの前記依存関係を判定するための手段であって、該コンポーネントによって前記依存関係を公開される手段と、
展開可能バンドルを生成するために前記コンポーネントの前記依存関係を前記コンポーネントとマージするための手段と
を備えたことを特徴とするシステム。
【請求項２２】
前記展開可能バンドルをインストールするための前記マージする手段と協働するインストール手段
をさらに備えたことを特徴とする請求項２１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月20日(2006.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、トランジスタ１１は、画素に対するビデオ信号の入力を制御するものであり、トランジスタ１１がオンして、画素内にビデオ信号が入力されると、容量素子にそのビデオ信号が保持される。なお、ビデオ信号を保持する容量としてゲート容量を用いているため、容量素子を設けていない構成を示すが、本発明はこれに限定されず、図１（Ａ）（Ｂ）に示すように、明示的に容量素子を設けてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005011974.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月20日(2006.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基層および基層の少なくとも片面に設けた表面層を有する多層紙において、該基層はセルロースパルプより得られた繊維を主体として構成され、該表面層はセルロースパルプより得られた繊維を主体として構成され、且つ、該表面層のみにベーマイト構造を有するアルミナ水和物が内添されていることを特徴とする被記録媒体。
【請求項２】  前記被記録媒体の基層と表面層は抄き合わせで形成されることを特徴とする請求項１に記載の被記録媒体。
【請求項３】  前記被記録媒体におけるベーマイト構造のアルミナ水和物の添加量は表面層の２〜３０重量％であることを特徴とする請求項１または２に記載の被記録媒体。
【請求項４】  前記基層は前記表面層よりも液体吸収性が大きいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の被記録媒体。
【請求項５】  前記表面層は微細フィブリル化セルロースを含有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の被記録媒体。
【請求項６】  前記表面層は広葉樹または針葉樹を原料とする硫酸塩パルプ、亜硫酸塩パルプ、ソーダパルプを含有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の被記録媒体。
【請求項７】  前記基層は前記表面層よりも叩解度の低いセルロースパルプを含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の被記録媒体。
【請求項８】  前記基層は吸収性材料を１種類以上含有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の被記録媒体。
【請求項９】  前記基層はマンセル化セルロース、フラッフ化セルロース、嵩高性セルロースの中から選ばれた１種類以上を含有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の被記録媒体。
【請求項１０】  前記基層は無サイズであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の被記録媒体。
【請求項１１】  前記被記録媒体の動的走査吸液計による吸収曲線から求められる濡れ時間が１５ミリ秒以下であり、かつ吸収係数が５ｍｌ／ｍ２ｓ−１／２以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の被記録媒体。
【請求項１２】  インクの小滴を微細孔から吐出させ、被記録媒体に付与して印字を行なう画像形成方法において、被記録媒体として請求項１乃至１１のいずれかの被記録媒体を用いることを特徴とする画像形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的は、以下の本発明によって達成される。すなわち、本発明は基層および基層の少なくとも片面に設けた表面層を有する多層紙において、該基層はセルロースパルプより得られた繊維を主体として構成され、該表面層はセルロースパルプより得られた繊維を主体として構成され、且つ、該表面層のみにベーマイト構造を有するアルミナ水和物が内添されていることを特徴とする被記録媒体である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明でアルミナ水和物を表面層に内添する方法は、アルミナ水和物の水分散液をセルロースパルプ分散液と混合して抄紙又は塗工する方法を用いることが出来る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の表面層、基層、裏面層に用いるセルロースパルプとしては特に制限はない。例えば、広葉樹材および針葉樹材から得られるサルファイトパルプ（ＳＰ）、アルカリパルプ（ＡＰ）、クラフトパルプ（ＫＰ）等の化学パルプ、セミケミカルパルプ、セミメカニカルパルプ、機械パルプ等、脱墨された二次繊維である古紙パルプが使用可能である。また、パルプは未漂白パルプ、漂白パルプの区別及び叩解、未叩解の区別なく使用可能である。また、セルロースパルプとしては、非木材パルプである草、葉、靱皮、種毛等の繊維、例えば、わら、竹、麻、バガス、ケナフ、みつまた、コットンリンター等のパルプも使用できる。更に、親水性繊維であれば、レーヨン等の再生繊維、セルロース誘導体繊維やポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド等の親水性合成高分子繊維も使用可能である。必要に応じて一般的な填料を加えることも可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
（実施例１７）
実施例１と同じ表面層の原料パルプと基層の原料パルプを用いて、実施例１と同じ多層抄紙機を用いて表面層の坪量が２０ｇ／ｍ２、基層の坪量が６０ｇ／ｍ２となるように二層抄紙を行った。抄紙機のワイヤーに透かし模様のパターンを入れたスクリーンを設置して、ワイヤー部が被記録媒体の裏面になるようにして抄紙した。乾燥後に線圧２０Ｋｇ／ｃｍとなるようにカレンダー処理を行って坪量８０ｇ／ｍ２のアルミナ内添多層紙を得た。さらに実施例１と同じように表面をカレンダー処理を行って、坪量８０ｇ／ｍ２のアルミナ内添多層紙を得た。裏面には目視で観察できる透かし模様が入っていた。手触りは普通紙と変わらなかった。被記録媒体の物性値は実施例１〜１６と変わらなかった。