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【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年9月18日(2008.9.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多くの重合触媒から、それらの触媒的性質に基づいて重合触媒を選択する方法であって、
多くの触媒前駆体又は触媒担体を反応器列において並行して重合触媒に転化させる、２５０〜１２００℃における熱処理工程を少なくとも１回含む前処理工程；
それぞれの重合触媒を用いて、少なくとも１種類の出発物質を、所定の重合条件下で少なくとも１種類のポリマー生成物に転化させる重合工程；及び
ポリマー生成物の組成及び／又は選択した性質に関する、ポリマー生成物（単数又は複数種類）の分析
を含む方法。
【請求項２】
重合工程を、反応器列において、多くの触媒前駆体又は触媒担体に関して並行して行なう、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前処理工程と重合工程とを同じ反応器列において行なう、請求項２記載の方法。
【請求項４】
それぞれの反応器における前処理工程及び／又は重合工程の条件が、少なくとも１つの物理的パラメーターにおいて異なる、請求項２記載の方法。
【請求項５】
それぞれの反応器における触媒が、少なくとも１つの化学的性質において異なる、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
重合触媒が無機鉱物性触媒である、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
触媒がフィリップス触媒である、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前処理工程及び／又は重合工程中に、少なくとも１種類のモノマーを含むフィード流がそれぞれの反応器に連続的に供給される、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前処理工程及び／又は重合工程中に、触媒の流動床が形成されるようなやり方で、フィード流をそれぞれの反応器に通過させる、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
ポリマー生成物（単数又は複数種類）が、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリ−１−ブテン、及びそれらのコポリマー及び／又は立体異性体から成る群から選択される、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
ポリマー生成物の選択した性質が、独立的に、密度、モル質量分布Ｍw／Ｍnとそのモーメント、ＩＳＯ１６２８による溶液中の極限粘度数、ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ１１３３による溶融流量、及びコモノマーの割合から成る群から選択される、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
熱処理を３５０〜１０００℃において行なう、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれかに記載の方法を実行するための並列反応器列であって、各反応器が、
（ａ）外側から密封することができ、触媒床を収容するための底部（１０）を備えた下部（３）と、下部（３）に密封式に接続することができる上部（２）を有するハウジング（１）；
（ｂ）流入口（８）を有する、反応器にフィード流を導入するための入口（４）（該流入口が反応器の内部に導かれ、触媒床中に突出し、フィード流が該床を流動化して、触媒の流動床を形成することができるように配置され、ハウジング（１）内には流動床の膨張を制限する内部構造物を有さない）；並びに
（ｃ）反応器からの流出流を放出するための出口（５）；
を有する反応器列。
【請求項１４】
該入口が毛管（４）として形成されている、請求項１３記載の反応器列。
【請求項１５】
毛管（４）が上部（２）を貫通し、毛管と上部との間が封止されている、請求項１４記載の反応器列。
【請求項１６】
各反応器がそれぞれの反応器の温度を制御するのに役立つ第１温度制御ユニットを有し、下部（５）の外表面に位置する加熱及び／又は冷却要素と、流動床（９）中の温度を測定するために及び温度センサー（７）を含む、請求項１３〜１５のいずれかに記載の反応器列。
【請求項１７】
フィード流の温度を制御するのに役立ち、反応器の外側で入口（４）に熱的に接続する第２温度制御ユニットを有する、請求項１３〜１６のいずれかに記載の反応器列。
【請求項１８】
反応器が溶融シリカ製又はステンレス鋼製である、請求項１３〜１７のいずれかに記載の反応器列。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
本発明の他の態様は、本発明の方法を実行するための反応器列である。この場合に、それぞれの反応器は、外部から密封されることができ、触媒床を収容するための底部を含む下部を有し、２５０℃を超える高温に耐えることができるように該下部に好ましくは密封式に(in a sealed manner)接続されることができる上部を備えるハウジングを有する。該シール(seal)の耐熱性は、反応器の加熱位置と、反応器に用いた壁材料の熱伝導性とに依存する。低い熱伝導性を有する材料の場合及び反応器の下部のみが加熱される場合には、該シールは、例えばプラスチックのような、熱安定性の低い材料から製造することができる。該ハウジングは、流動床の膨張を制限する、例えばガス・ディストリビューター・プレート(gas distributor plate)又はフリットのような、内部構造物(internals)を有さない。さらに、それぞれの反応器は、フィード流を反応器中に導入するための入口を有し、流入口(inlet opening)は反応器の内部に導かれ、該流入口は触媒床中に突出して、フィード流が床の流動化を可能にして流動床を形成するように配置される。最後に、反応器は、流出流を放出するための出口を有する。出発物質流がフィード流を形成することが好ましいが、他の不活性流体又は流体混合物をこれに混合することも可能である。流出流が、未反応出発物質及び、流体生成物の場合には、生成物流によって同様に形成されるのが好ましい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
このような反応器の列は、２５０℃を超える温度及び固体生成物を形成する反応の使用を包含する、広範囲な前処理及び重合条件下での前処理及び重合が可能になるので、特に安価で、簡単なやり方で上記方法の実行を可能にする。その上、フィード流を触媒床中に直接吹き入れることによって、触媒の流動床が形成されること、及び反応器内で触媒床の膨張を制限するフリットもその他の内部構造物も用いられないことが保証される。フリットは、それらが限定された熱安定性を有し、容易に閉塞され、反応器内に熱応力をもたらし、反応器の温度制御を困難にするという点で、問題がある。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月19日(2008.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
修飾シリカ充填剤を調製する方法であって、ここで、シリカ表面が、有機シリコン化合物を含有する組成物と接触させられ、該方法は、該組成物により該シリカ表面を処理することを含み、ここで、該組成物中の該有機シリコン化合物は、モノマージクロロシランおよびトリアルコキシシランタイプの構造を有する群だけであり、これは、
（ｉ）アルキル基およびアリール基含有ジクロロシラン、ならびにトリアルコキシシランの混合物もしくは配合物；ならびに
（ｉｉ）トリアルコキシシラン、ならびにシリカ表面と反応性の炭化水素基もしくは有機官能基のない置換アルキル基および置換アリール基含有ジクロロシランの混合物もしくは配合物
を含み、これらの混合物および配合物が、それぞれ１：０．１〜１：２の重量比で、該ジクロロシランと該トリアルコキシシランとを含有する方法。
【請求項２】
前記重量比が１：０．３〜１：１である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記混合物および配合物が、ｔ−ブチルフェニルジクロロシラン、クロロフェニルメチルジクロロシラン、フェニルエチルジクロロシラン、フェニルメチルジクロロシラン（メチルフェニルジクロロシラン）、およびｐ−トリルメチルジクロロシランからなる群から選択されるアルキル基およびアリール基含有ジクロロシランを含有する、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年10月21日(2008.10.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１１】
コントローラと、
該コントローラに応答可能なメモリデバイスと、
複数のストライプに配置された複数のプロセッシングエレメントと、
ストライプ内のプロセッシングエレメントを接続するための複数のイントラストライプ接続と、
１つのストライプの出力を、他のストライプに接続するための複数のローカル・インターストライプ接続と、
複数の物理ストライプのうち１以上であるが全部よりは少ない数の物理ストライプをメモリに接続するための複数のグローバル・インターストライプ接続と、
各々が１以上の物理ストライプに接続された入力バス及び出力バスと、
を具えているリコンフィギュラブルデバイス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
＜発明の要旨＞
本発明は、物理ストライプがパイプライン又はリング構造に接続される方式のデバイスにおいて、仮想ストライプと物理ストライプを連繋する(associating)方法を対象とするものである。本発明の方法は、第１の仮想ストライプ群を２以上の物理ストライプの任意の１つに連繋し、第１の仮想ストライプ群とは異なる第２の仮想ストライプ群を、２以上の追加の物理ストライプの任意の１つに連繋することを含んでいる。本発明はまた、グローバルより少ないが純粋なローカルではないアソシエーションに基づいて、複数のプロセッシングエレメントをコンフィギュアする方法を対象とするものである。本発明のコンフィギュレーション方法は、複数のプロセッシングエレメントの複数のストライプに配置されたデバイスの中で実施され、リング又はパイプライン式に相互連結されることができる。本発明の方法は、第１の仮想ストライプ群からのストライプで２以上の物理ストライプのどちらかをコンフィギュアし、第１の仮想ストライプ群とは繋がっていない(disjoint)第２の仮想ストライプ群からのストライプで２以上の追加の物理ストライプのどちらかをコンフィギュアすることを含んでいる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
本発明の方法及び装置は、軽い負荷の(lightly loaded)、部分的グローバルバスで、メモリの効率的な使用を提供するものであり、仮想ストライプを物理ストライプに連繋するだけでなく、入力バス、出力バス及びリストアバスを用いて効率を向上させることのできるスケーラブルなアーキテクチャを提供するものである。これら及びその他の利点及び利益については、以下に記載する発明の詳細な説明から明らかであろう。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
＜発明の詳細な説明＞
図５は、本発明の実施例に係るハイブリッド・アソシエーションのオプションを示している。図５において、仮想ストライプ０、１、４、５は、物理ストライプ(10)(12)の中でコンフィギュアされることを示している。より具体的には、仮想ストライプ０と４は、物理ストライプ(10)の中でコンフィギュアされ、一方、仮想ストライプ１と５は、物理ストライプ(12)の中でコンフィギュアされる。部分的グローバルバス(13)を用いて、仮想ストライプで物理ストライプをコンフィギュアするのに必要な情報が送信される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
同じように、部分的グローバルバス(17)を通じて、物理ストライプ(14)は、仮想ストライプ２と６でコンフィギュアされ、一方、物理ストライプ(16)は、仮想ストライプ３と７でコンフィギュアされる。図５に示されるように、本発明の方法は、第１の仮想ストライプ群０、１、４、５が２以上の物理ストライプ(10)(12)に連繋され、第２の仮想ストライプ群２、３、６、７が２以上の追加の物理ストライプ(14)(16)に連繋される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
図５に示されるように、パスレジスタライン(19)が、物理ストライプ(10)と(12)の間で、ローカルなインターストライプ接続として供され、パスレジスタライン(21)が、物理ストライプ(14)と(16)の間で、ローカルなインターストライプ接続として供される。パスレジスタライン(23)は、物理ストライプ(12)と(14)の間で、ローカルなインターストライプ接続として供され、パスレジスタライン(25)は、物理ストライプ(16)と(10)の間で、ローカルなインターストライプ接続として供される。本発明のアソシエーション方法では、４つの物理ストライプと、８つの仮想ストライプが示されているが、当該分野の専門家であれば、本発明の方法は、部分的グローバルバスを用いるという概念を包含する、もっと大きなシステムにも適用できることは理解し得るであろう。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
図６は、図５に示されたアソシエーション法に基づいて相互接続された４つの物理ストライプ(10)(12)(14)(16)を有するリコンフィギュラブルファブリック又はデバイスの概要を示している。コンフィギュレーションストア(メモリデバイス)(28)は、仮想ストライプ０、１、４、５を格納し、部分的グローバルバス(13)を通じて物理ストライプ(10)(12)をコンフィギュアするために供される。仮想ストライプが、パスレジスタファイルの中のレジスタに格納され、ファブリックの中にコンフィギュアされた最後の仮想ストライプからリストアされた幾つかの状態値を有しなければならないかもしれないことは、演算又はアプリケーションによっては可能性がある。その場合、ＲＯストア(メモリデバイス)(30)は、最後のインスタンスから必要な値を格納し、その値を、バス(31)を通じて、物理ストライプの次のインスタンスへ供給するために提供される。同じように、コンフィギュレーションストア(32)は、部分的にグローバルなバス(17)を通じて、仮想ストライプ２、３、６、７で、物理ストライプ(14)(16)をコンフィギュアする。ＲＯストア(34)は、所望により、ＲＯバス(35)を通じて、物理ストライプ(14)(16)へ前記値を供給する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年11月30日(2007.11.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラグ構造上にキャパシタを形成する方法であって、
上部にコンタクト領域と層間絶縁膜（５３０）とを有する基板（５０５）を提供する工程と、
前記層間絶縁膜（５３０）内にプラグ開口部（５７８）を形成して、コンタクト領域を露出する工程と、
前記基板（５０５）上に導電性プラグ材料（５７２）を堆積させて、プラグ開口部（５７８）と層間絶縁膜（５３０）の表面とを充填する工程と、
前記導電性プラグ材料（５７２）上にキャパシタ層（７６１，７６２，７６５）を堆積させる工程とを含む工程において、
キャパシタ層（７６１，７６２，７６５）を堆積させる工程に先立って、化学的機械研磨により導電性プラグ材料（５７２）の一部分を除去して、層間絶縁膜（５３０）の表面から導電性プラグ材料を除去することなく、導電性プラグ材料の表面を平坦化する工程をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラグ構造上にキャパシタを形成する方法であって、
前記化学的機械研磨工程の後、該化学的機械研磨により発生した導電性プラグ材料（７５２）の表面上の酸化物をウエットエッチにより除去する工程をさらに含む方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプラグ構造上にキャパシタを形成する方法であって、
前記キャパシタ層（７６１，７６２，７６５）を堆積させる工程に先立って、導電性プラグ材料（７５２）の表面上に第一金属層（７８１）を形成して、該第一金属層（７８１）を熱シリサイド化処置によりシリサイド化する工程をさらに含む方法。
【請求項４】
請求項３に記載のプラグ構造上にキャパシタを形成する方法であって、
前記第一金属層（７８１）をシリサイド化する工程の後、化学的ウエットエッチ処置を実行して、該第一金属層（７８１）から未反応の金属を除去する工程をさらに含む方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のプラグ構造上にキャパシタを形成する方法であって、
キャパシタ層（７６１，７６２，７６５）と平坦化された導電性プラグ材料（５７２）とを、パターン化、及びエッチングしてキャパシタを形成し、導電性プラグ材料（５７２）をオーバーエッチングして層間絶縁膜（５３０）の一部分を除去する工程をさらに含む方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のプラグ構造上にキャパシタを形成する方法であって、
プラグ開口部（５７８）を充填するに先立って、該プラグ開口部（５７８）上に酸素バリア層（９８９）を堆積させ、プラグ開口部の底部から酸素バリア層（９８９）を除去する工程をさらに含む方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載のプラグ構造上にキャパシタを形成する方法であって、前記キャパシタ層と、平坦化された導電性プラグ材料とをパターン化して、一連のメモリアーキテクチャを構成しているキャパシタ対の第一キャパシタ、及び第二キャパシタを形成する工程をさらに含み、前記キャパシタ対は、共通の底部電極を共有する方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載のプラグ構造上にキャパシタを形成する方法であって、前記プラグ構造上のキャパシタは、複数のメモリセルを有するメモリアレイを形成するために使用されるメモリセルの一部である方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載のプラグ構造上にキャパシタを形成する方法であって、前記プラグ材料はポリシリコンを含む方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載のプラグ構造上にキャパシタを形成する方法であって、前記キャパシタ層は強誘電体キャパシタを形成するために使用される方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
一実施形態にて、キャパシタは、電極間に強誘電体層を有する強誘電体キャパシタを備える。強誘電体層は、例えばＰＺＴを有する。第一キャパシタ電極と、プラグ材料との間に、バリア層が配置され得る。バリア層は、プラグ材料の酸化を防止する。上部分と下部分とを有し、上部分は第一電極の表面積と等しい表面積を有するプラグを提供することによって、プラグ構造上の従来のキャパシタ内の、プラグとＩＬＤ層間の段差の形成が有利に回避される。それによって、段差のキャパシタ特定に対する影響が低減、又は排除される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
シリサイド層の形成後、基板上に様々なキャパシタ層が堆積される。一実施形態にて、キャパシタ層は、強誘電体キャパシタを形成する層からなる。これに代わって、キャパシタ層を用いてダイナミック・ランダムアクセスメモリ・キャパシタを形成してもよい。他
の種類のキャパシタも形成され得る。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
強誘電体キャパシタを形成する際には、導電性バリア７８８、第一電極７６１、強誘電体層７６５、及び第二電極７６２が連続して基板上に堆積される。一実施形態にて、電極材料は、白金等の貴金属を含み、強誘電体材料は、ジルコンチタン酸鉛（ＰＺＴ）を含み、バリア層は、イリジウム等の対酸素導電性バリア材料を含む。他の導電性、強誘電体、又はバリア材料も使用し得る。例えば、タンタル酸ストロンチウムビスマス（ＳＢＴ）を用いて強誘電体層を形成してもよい。必要であれば、バリア層の底部に接着層を塗布して、基板とバリア層との接着を向上させてもよい。接着層は、例えば、チタンを含む。窒化チタン（ＴｉＮ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化ケイ素タンタル（ＴａＳｉＮ）、及び窒化アルニミウムタンタル（ＴｉＡＬＮ）等の他の種類の接着促進材料を使用することも可能である。ＰＶＤ、ＣＶＤ、スピンオン等の従来の堆積方法を用いて、これらの様々な層が堆積され得る。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月9日(2008.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  III-Ｖ材料から作られ、量子の障壁と井戸との連続を構成する多層スタックを有し、かつ、該スタック内に分布する複数の再結合中心を有する可飽和吸収構造であって、その特徴が、
該再結合中心が、該スタックの該井戸のバンドギャップの略中央に位置している単一の不連続の再結合エネルギーレベルを規定する鉄原子であることである、
前記可飽和吸収構造。
【請求項２】  再結合中心が、１０16／ｃｍ3と１０18／ｃｍ3との間の濃度において分布していることを特徴とする、請求項１に記載の可飽和吸収構造。
【請求項３】  スタックが、Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ／ＩｎＰ連続体を含むことを特徴とする、上記請求項のいずれかに記載の可飽和吸収構造。
【請求項４】  請求項１〜３の１つに記載の可飽和吸収多重量子井戸構造を得る方法であって、
スタックの層がエピタキシーによって成長されること、および再結合中心が該スタックの層のエピタキシャル成長の間にドーピングによって導入されることを特徴とする、前記方法。
【請求項５】  請求項１〜３の１つに記載の可飽和吸収構造を有することを特徴とする、光学コンポーネント。
【請求項６】  請求項５に記載のコンポーネントからなることを特徴とする、光学信号再生光学コンポーネント。
【請求項７】  伝送ラインと、該ラインによって伝送される光学信号を発生しかつ受け取るための手段とを有する光ファイバー伝送系であって、
該伝送ライン中に請求項５に記載の再生光学コンポーネントを少なくとも１つ含むことを特徴とする、前記光ファイバー伝送系。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月11日(2007.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  順に、
a)親水性表面を有する基板と、
b)前記親水性表面上の、第１のポリマー材料および光熱変換材料を含む下地層であって画像形成赤外線を吸収することができる下地層と、
c)前記下地層の上の、第２のポリマー材料を含むトップ層であって画像形成赤外線を実質的に吸収しないトップ層と
を含む熱画像形成エレメントであって、
前記トップ層はインク受容性であり、
前記トップ層は水性アルカリ現像液に不溶性であり、
前記トップ層は少なくとも１つの溶解抑制成分を含み、
前記下地層は水性アルカリ現像液に可溶性であり、かつ
前記第２のポリマー材料は水性アルカリ現像液に可溶性である、
熱画像形成エレメント。
【請求項２】  前記下地層がネガ型塩基可溶性感光性組成物を含む、請求項１に記載の熱画像形成エレメント。
【請求項３】  前記下地層に含まれる光熱変換材料が赤外線吸収染料（ＩＲ染料）である、請求項１又は２に記載の熱画像形成エレメント。
【請求項４】  前記第２のポリマー材料が、前記第１のポリマーが不溶性である少なくとも１種の有機溶媒に可溶性である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の熱画像形成エレメント。
【請求項５】  前記第２のポリマー材料がフェノール性ヒドロキシル基を含有し、かつ、前記溶解抑制成分が溶解阻害化合物である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の熱画像形成エレメント。
【請求項６】  前記溶解抑制成分が、o-ジアゾナフトキノン部分を含む化合物、アンモニウム化合物、トリアリールメタン染料およびスルホン酸エステル類からなる群より選択され、
前記第２のポリマー材料が、ノボラック樹脂、極性基を官能基とするノボラック樹脂又はこれらの混合物であり、かつ
前記第１のポリマー材料が、カルボン酸、N-置換環状イミドおよびアミドからなる群より選ばれた少なくとも１つの官能基を含有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の熱画像形成エレメント。
【請求項７】  （１）請求項１〜６のいずれか１項に記載の画像形成エレメントに熱画像形成処理を施して、画像化されたエレメントを形成し、
（２）該画像化されたエレメントを水性アルカリ現像液で現像して、画像化され現像された画像を含むエレメントを形成する、
ことを特徴とする画像形成方法。
【請求項８】  請求項７に記載の方法で形成された、画像化され現像されたエレメント。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月30日(2008.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】複数の周辺装置インタフェイスと、
第１のメモリと、
同第１のメモリと該複数の周辺装置インタフェイスのそれぞれとを接続しているプログラマブル直接メモリアクセスモジュールであって、該プログラマブル直接メモリアクセスモジュールは、該第１のメモリと該複数の周辺装置インタフェイスのそれぞれとの間で選択的プログラマブル直接メモリアクセスデータチャネルを構成するプログラマブル直接メモリアクセスモジュールと、
第１のプロセッサと第１のメモリの両方をプログラマブル直接メモリアクセスモジュールに接続する第１の共有バスを介して、前記プログラマブル直接メモリアクセスモジュールに接続され、かつ前記第１のメモリに接続されている第１のプロセッサと、
前記プログラマブル直接メモリアクセスモジュールに接続されている第２のメモリであって、前記第２のメモリと前記複数の周辺装置インタフェイスのそれぞれとの間で前記選択的プログラマブル直接メモリアクセスデータチャネルを構成する第２のメモリと、
第２のプロセッサと第２のメモリの両方をプログラマブル直接メモリアクセスモジュールに接続する第１共有バスとは別の第２の共有バスを介して、前記プログラマブル直接メモリアクセスモジュールに接続され、かつ前記第２のメモリに接続されている第２のプロセッサと、
を備えたデータ転送システム。
【請求項２】前記選択的プログラマブル直接メモリアクセスデータチャネルが、前記第１のメモリと前記第２のメモリとの間で構成される請求項１記載のデータ転送システム。
【請求項３】前記プログラマブル直接メモリアクセスモジュールがプログラマブルプロセッサを含む請求項１記載のデータ転送システム。
【請求項４】前記プログラマブル直接メモリアクセスモジュールが前記プログラマブルプロセッサに接続されている直接メモリアクセスコントローラを更に含み、該プログラマブルプロセッサが、該直接メモリアクセスコントローラの専用直接メモリアクセスデータ転送チャネルを介して、前記第１のメモリと前記複数の周辺装置インタフェイスのそれぞれとの間で選択的プログラマブル直接メモリアクセスデータチャネルを構成する請求項３記載のデータ転送システム。
【請求項５】前記プログラマブル直接メモリアクセスモジュールが、前記それぞれの選択的プログラマブル直接メモリアクセスデータチャネルによるデータ転送の優先順位を決めるためのプログラマブルスケジューラを備える請求項１記載のデータ転送システム。
【請求項６】第１のメモリに接続する第１のインタフェイスと、複数のノードに接続する第２のインタフェイスと、第２のメモリに接続する第３のインタフェイスとを有する直接メモリアクセスコントローラを備えた直接メモリアクセスシステムにおいて直接メモリアクセスを行う方法であって、 
直接メモリアクセスデータ転送に対する要求を受信する工程と、
前記第２のインタフェイスを介して前記要求が指定したノードと、前記直接メモリアクセスコントローラの第１のインタフェイスと第３のインタフェイスのうちの少なくとも一方を介して前記第１のメモリと前記第２のメモリのうちの少なくとも一方との間に直接メモリアクセスデータ転送チャネルを形成するためのコードを構成する工程と、前記コードを構成する工程は複数のノードの各々と、前記第１のインタフェイスを介して第１のメモリおよび第３のインタフェイスを介して第２のメモリの各々との間の直接メモリアクセスデータ転送を選択的に確立可能であることと、
該直接メモリアクセスデータ転送チャネルによって該ノードと該直接メモリアクセスコントローラとの間でデータを転送する工程とからなる直接メモリアクセスを行う方法。
【請求項７】前記受信工程が、直接メモリアクセスデータ転送のための時間設定された要求を受信する工程を含む請求項６記載の方法。
【請求項８】前記直接メモリアクセスデータ転送チャネルを介して転送されるデータに優先順位をつける工程を更に含む請求項６記載の方法。
【請求項９】より高い優先順位の直接メモリアクセスデータ転送が要求された場合に、データの転送を中断する工程を含む請求項８記載の方法。
【請求項１０】より高い優先順位の直接メモリアクセスデータ転送が終了したときに、前記中断されたデータの転送を再開する工程を含む請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月13日(2008.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １）光反応性組成物と、
２）前記光反応性組成物が少なくとも２つの光子を同時に吸収するのに十分な光の供給源と、
３）少なくとも１つの回折性光学要素、
又は屈折性マイクロ光学素子の少なくとも１つのアレイ、
又は第１の波面形状を有する第１の光源と該大の波面形状と実質的に異なる第２の波面形状を有する第２の光源、
又は各々の光ビームが他の光ビームの波面形状と同じであるか実質的に異なる波面形状を有する３つ以上の光ビーム、
を含む露光システムとを含み、
前記露光システムが画像状の多光子吸収を誘起することができ、前記露光システムが非ランダム３次元光パターンを発生させることができ、さらに前記露光システムが前記非ランダム３次元光パターンに対応して物質の一部を少なくとも部分的に反応させることができる、光反応性組成物を反応させるための装置。
【請求項２】  前記光源がパルスレーザーを含む、請求項１記載の装置。
【請求項３】  光反応性組成物内で少なくとも部分的に反応した物質の領域を作り出す方法において、
請求項１又は２に記載の装置を提供するステップと、
前記露光システムによって非ランダム３次元光パターンを発生させるステップと、
前記露光システムによって発生された前記３次元光パターンに前記光反応性組成物を露光させて少なくとも部分的に前記物質の一部分をそこに入射される前記非ランダム３次元光パターンに対応して反応させるステップを含み、
前記露光システムが２つ以上の光ビームを含む場合、前記光パターン発生ステップは光ビーム間の光学干渉を用いる露光システムを用いて非ランダム３次元光パターンを発生する、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月13日(2008.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  多光子吸収プロセスの効率を増大させる方法において、
光反応性組成物を提供するステップと、
前記光反応性組成物による少なくとも２つの光子の同時吸収に十分な光源を提供するステップと、
前記光源からの少なくとも光の第１のトランジットに前記光反応性組成物を露光させるステップと、
前記光の第１のトランジットの少なくとも一部分を少なくとも１つの光学素子を用いて前記光反応性組成物に向けるステップとを含み、
前記第１のトランジットで吸収されなかった複数の光子が次のトランジットで前記光反応性組成物を露光させるのに使用される方法。
【請求項２】  多光子吸収プロセスの効率を増大させる方法において、
光反応性組成物を提供するステップと、
前記光反応性組成物による少なくとも２つの光子の同時吸収に十分な光源を提供するステップと、
前記光反応性組成物内の第１の焦点に光を集光させるステップと、
前記光の第２の部分を前記光反応性組成物内に第2の焦点に集光させるステップとを含み、
光の第１の部分が前記光反応性組成物によって吸収され、光の第２の部分が前記光反応性組成物を通過する方法。
【請求項３】  多光子吸収のための装置において、
光反応性組成物と、
前記光反応性組成物による少なくとも２つの光子の同時吸収に十分な光を提供するための光源と、
複数の光学素子とを含み、
前記光反応性組成物が前記複数の光学素子の少なくとも２つの間に配置され、
前記複数の光学素子の少なくとも１つが集光を伴わずに前記光反応性組成物を通じて前記光を選択的に反射させることができ、
さらに前記複数の光学素子の少なくとも１つが前記光反応性組成物内の焦点に前記光を選択的に集光させることができる装置。
【請求項４】  多光子吸収プロセスの効率を増大させる方法において、
反射性基板上に配置された光反応性組成物を提供するステップと、
前記光反応性組成物による少なくとも２つの光子の同時吸収に十分な光源を提供するステップと、
前記光反応性組成物を第１の焦点の光源からの前記光に露光させるステップと、
前記光を前記反射性基板によって前記光反応性組成物内に反射して戻すステップとを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月5日(2008.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  前方の表示方向に面した機械的に再構成可能なディスプレイ表面と、
前記ディスプレイ表面の後に配置され、前方および後方に向かって動き前記ディスプレイ表面を変形させ、視認可能な動的三次元表面効果を示す構成を有するように動作することができる機械的アクチュエータのアレイと、
を備えるディスプレイ装置。
【請求項２】  前記アクチュエータは、前記ディスプレイ表面の後の静的支持構造に接続された後端と、前記ディスプレイ表面にフレキシブルに接続された前端と、を有する請求項１記載のディスプレイ装置。
【請求項３】  前記アクチュエータの前記後端は、前記支持構造に接合される請求項２記載のディスプレイ装置。
【請求項４】  前記ディスプレイ表面は、可動ディスプレイ要素のアレイを含む請求項１ないし３のいずれかに記載のディスプレイ装置。
【請求項５】  前記可動ディスプレイ要素は、フレキシブルに相互に接続された小平面である請求項４記載のディスプレイ装置。
【請求項６】  前記小平面間の前記接続は、接続ノードのアレイを規定し、前記アクチュエータは前記接続ノードに接続されている請求項５記載のディスプレイ装置。
【請求項７】  アクチュエータの数は接続ノードの数より少ない請求項６記載のディスプレイ装置。
【請求項８】  アクチュエータの数は接続ノードの数の半分以下である請求項６記載のディスプレイ装置。
【請求項９】  アクチュエータの数は接続ノードの数の３分の１以下である請求項６記載のディスプレイ装置。
【請求項１０】  接続ノードの前記アレイの直交軸に沿って、１つおきの接続ノードで前記アクチュエータへの接続が存在する請求項６記載のディスプレイ装置。
【請求項１１】  前記接続ノードへの前記アクチュエータの前記接続は、正方形グリッドセルのグリッドを規定し、各グリッドセルは、各角にあり前記小平面の８つに接続されたアクチュエータのうちの１つを有する請求項１０記載のディスプレイ装置。
【請求項１２】  各アクチュエータの前記前端は、個々の小平面に接続されたフレキシブルな足を有する接続装置を保持する請求項６ないし１１のいずれか１つに記載のディスプレイ装置。
【請求項１３】  前記フレキシブルな足は、並んで配置され、前記個々の小平面の角に接続され、前記アクチュエータが前方に移動すると広がるように配列されている請求項１２記載のディスプレイ装置。
【請求項１４】  前記小平面は概して多角形である請求項５ないし１３のいずれか１つに記載のディスプレイ装置。
【請求項１５】  前記小平面は概三角形である請求項１４記載のディスプレイ装置。
【請求項１６】  前記小平面の対向する縁はわずかに長軸方向に凸状であり、前記小平面の連結部を収容する請求項５ないし１５のいずれか１つに記載のディスプレイ装置。
【請求項１７】  前記小平面は前記小平面間のフレキシブルな接続に対し剛性である請求項５ないし１６のいずれか１つに記載のディスプレイ装置。
【請求項１８】  前記ディスプレイ表面はディスプレイ壁である請求項１ないし１７のいずれかに記載のディスプレイ装置。
【請求項１９】  前記ディスプレイ表面は、前記アクチュエータの端により保持され、弾性相互接続器により共に接続され一体とされたスクリーン要素のアレイを備え、前記弾性相互接続器は、前記スクリーン要素を共に引っ張るようにバイアスされるが、アクチュエータの動作に応答して拡張し、前記スクリーン要素が横方向に離れて動くことができるようにするものである請求項１ないし１８のいずれかに記載のディスプレイ装置。
【請求項２０】  前記ディスプレイスクリーンは、予め決められた厚さのモールド弾性層であり、前記層の厚さ内に延在するひだが存在し前記スクリーン要素は離れて動くことができる請求項１９記載のディスプレイ装置。
【請求項２１】  前記アクチュエータは気圧ピストンまたは水力ピストンである上記いずれかの請求項に記載のディスプレイ装置。
【請求項２２】  機械的に再構成可能なディスプレイ表面と前記ディスプレイ表面の後に配置され前方および後方に向かって移動し前記ディスプレイ表面を変形させ視認可能な動的三次元表面効果を示す一連の構成を採用するように動作できる機械的アクチュエータのアレイとを有するディスプレイ装置を制御するための制御システムであって、この制御システムは、
前記アクチュエータが前記ディスプレイ表面の前記一連の構成を作成するように出力コマンドを決定するためのコンピュータ手段と、
前記コマンドを出力するための出力手段と、
を備える制御システム。
【請求項２３】  前記コンピュータ手段は、データファイルから予め計算されたコマンドとして前記出力コマンドを読み取り、または新しい出力コマンドを計算するように配列されている請求項２２記載の制御システム。
【請求項２４】  前記コンピュータ手段は、また視認可能な静的三次元表面効果を示すディスプレイ表面の構成を作成するためのコマンドを計算することができる請求項２２または２３記載の制御システム。
【請求項２５】  入力手段は、局所的な動き、光条件または音などの周囲状況を検出し、前記コンピュータ手段により決定される前記出力コマンドに影響を与える請求項２２ないし２４のいずれか１つに記載の制御システム。
【請求項２６】  前記コマンドにより作成される前記動きの大きさは、前記検出された周囲状況の大きさの増大に伴い増大する請求項２５記載の制御システム。
【請求項２７】  さらに、前記ディスプレイ表面および／またはアクチュエータに関連する位置データを前記コンピュータ手段にフィードバックし、その表面効果の正確さを改善するためのフィードバック手段を備える請求項２２ないし２６のいずれか１つに記載の制御システム。
【請求項２８】  請求項１ないし２１のいずれか１つにかかるディスプレイ装置と、請求項２２ないし２７のいずれか１つにかかる制御システムと、を備えるディスプレイシステム。
【請求項２９】  機械的に再構成可能なディスプレイ表面と、前記ディスプレイ表面の後に配置され、前方および後方に向かって動き前記ディスプレイ表面を変形させるように動作することができる機械的アクチュエータのアレイとを有するディスプレイ装置を制御する方法であって、この方法は、
前記ディスプレイ表面を変形させ、視認可能な動的三次元表面効果を示す構成を有するように前記アクチュエータを動作させるためのコマンドを計算する工程と、
前記コマンドを前記アクチュエータに出力する工程と、
を含む方法。
【請求項３０】  前記コマンドの前記計算は検出された周囲状況に影響される請求項２９記載の方法。
【請求項３１】  コンピュータ上で実行される場合請求項２９または３０の方法の少なくとも計算工程を実行するための１以上のソフトウエア部分を備える、デジタルコンピュータのメモリにロード可能なコンピュータプログラム製品。
【請求項３２】  保存された請求項３１記載のコンピュータプログラム製品を有するコンピュータ使用可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月7日(2008.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  焦点を通る同一の第１波長の光を放射する少なくとも２つの第１光源と、及び
大気を通る同一の第１波長の光の出力を合計するため、上記焦点を通った同一の第１波長の光を受け取り、コリメートする非結像素子とより成り、
上記非結像素子が、
入力面と、
上記入力面に隣接する放物面と、
上記放物面に隣接する円錐面と、及び
上記円錐面に隣接する、上記入力面に対して反対側の楕円面とを有する
大気を通る光を結合し、コリメートする装置。
【請求項２】  上記少なくとも２つの第１光源が、光ファイバー源と、光学ファイバーと、階調インデックスレンズ集光システムと、ファイバーレーザと、及びレーザダイオードとの少なくとも１つを有する請求項１記載の装置。
【請求項３】  上記放物面が全内部反射面を有する請求項１記載の装置。
【請求項４】  焦点を通る同一の第２波長の光を放射する少なくとも２つの第２光源を更に有し、上記非結像素子が大気を通る同一の第２波長の光の出力を合計するため上記焦点を通った同一の第２波長の光を更に受け取り、コリメートする請求項１記載の装置。
【請求項５】  上記少なくとも２つの第１光源の少なくとも１つに結合した光源制御器と、
この光源制御器に結合した大気条件感知器とを更に有する請求項１記載の装置。
【請求項６】  上記光源制御器が、大気条件感知器によって感知した大気条件をベースとして上記少なくとも２つの第１光源の少なくとも１つによって放射された光を制御する請求項５記載の装置。
【請求項７】  上記大気条件感知器が、大気によって容易に光を伝達できることを感知したとき上記光源制御器が、上記少なくとも２つの第１光源の少なくとも１つによる光の放射を停止せしめる請求項６記載の装置。
【請求項８】  上記大気条件感知器が、大気によって容易に光を伝達できないことを感知したとき上記光源制御器が、上記少なくとも２つの第１光源の少なくとも１つにより光を放射せしめる請求項６記載の装置。
【請求項９】  上記大気条件感知器がレーザレーダを有する請求項５記載の装置。
【請求項１０】  上記光源制御器が、上記大気条件感知器によって感知した大気をベースとして大気を通る光の出力の増大、維持及び低下の少なくとも１つを行なう請求項５記載の装置。
【請求項１１】  上記大気条件感知器が、大気を通る同一の第１波長の光ビーム内の大気条件を感知する請求項５記載の装置。
【請求項１２】  請求項１記載の装置を有する製版器。
【請求項１３】  請求項１記載の装置を有する、対象物を標的とするための標的指示システム。
【請求項１４】  上記入力面が少なくとも２つの第１光源にその中心を合わせた球状入力面である請求項１記載の装置。
【請求項１５】  焦点を通る同一の第１波長の光を放射する少なくとも２つの第１光源と、
上記焦点を通る同一の第２波長の光を放射する少なくとも２つの第２光源と、
大気を通る同一の第１波長の光の出力を合計するため、上記焦点を通った同一の第１波長の光を受け取り、コリメートし、及び
大気を通る同一の第２波長の光の出力を合計するため、上記焦点を通った同一の第２波長の光を受け取り、コリメートする非結像素子と、
を含む第１の大気光学データノードと、
第２の大気光学データノードと
より成る大気光学ネットワーク。
【請求項１６】  大気から上記同一の第１波長光と同一の第２波長光を受け取るレシーバを更に有する請求項１５記載のネットワーク。
【請求項１７】  上記レシーバが、光を結合し、コリメートするための装置から略10キロメータ離れている請求項１６記載のネットワーク。
【請求項１８】  上記レシーバが、同一の第２波長の光から同一の第１波長の光を分解する波長分割デマルチプレクサを有する請求項１６記載のネットワーク。
【請求項１９】  上記レシーバが、加／減マルチプレクサを有する請求項１６記載のネットワーク。
【請求項２０】  コリメートした光を大気を通して反射する反射器を更に有する請求項１５記載のネットワーク。
【請求項２１】  コリメートした光を第１及び第２レシーバに向って屈折する屈折器を更に有する請求項１５記載のネットワーク。
【請求項２２】  上記少なくとも２つの第１光源の少なくとも１つに結合した光源と、
上記光源制御器に結合した大気条件感知器と、
を更に有する請求項１５記載のネットワーク。
【請求項２３】  上記光源制御器が、上記大気条件感知器によって感知した大気条件をベースとして上記少なくとも２つの第１光源の少なくとも１つによって放射された光を制御する請求項２２記載のネットワーク。
【請求項２４】  上記大気条件感知器が大気によって容易に光を伝達できることを感知したとき上記光源制御器が、上記少なくとも２つの第１光源の少なくとも１つによる光の放射を停止せしめる請求項２３記載のネットワーク。
【請求項２５】  上記大気条件感知器が大気によって容易に光を伝達できないことを感知したとき上記光源制御器が、上記少なくとも２つの第１光源の少なくとも１つにより光を放射せしめる請求項２３記載のネットワーク。
【請求項２６】  上記大気条件感知器がレーザレーダを有する請求項２１記載のネットワーク。
【請求項２７】  上記光源制御器が、上記大気条件感知器によって感知した大気をベースとして大気を通る光の出力の増大、維持及び低下の少なくとも１つを行なう請求項２２記載のネットワーク。
【請求項２８】  上記大気条件感知器が、大気を通る同一の第１波長の光ビーム内の大気条件を感知する請求項２２記載のネットワーク。
【請求項２９】  焦点を通る同一の第１波長の光を放射する少なくとも２つの第１光源と、
焦点を通る同一の第２波長の光を放射する少なくとも２つの第２光源と、及び
大気を通る同一の第１波長の光の出力を合計するため、上記焦点を通った同一の第１波長の光を受け取り、コリメートし、大気を通る同一の第２波長の光の出力を合計するため、上記焦点を通った同一の第２波長の光を受け取り、コリメートする非結像素子と
より成る大気光学データノード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
図１３においては、傾斜放物線ＡＢのため全内面反射を点Ｃから始める。大きな全内面反射角ｋにもかかわらず、角θはＮＩＢＣＣの小さな楕円部分を支持するに十分な大きさである（光ＰＤは下降し、点ＤはＦに近づく）。この例では楕円はふくらまない。始めのθがθ＝90°−２ｋであればθ＝90−２ｋ＋（90−α／２）が得られる。楕円部分がデザインで十分に小さくてもＮＩＢＣＣにおける収差の主因となる。従って、光ファイバー照明アセンブリはＮＩＢＣＣの許容できる角度に対応する必要がある。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月18日(2008.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】  段階a)の第二の架橋剤が2,6-ジヒドロキシメチル-4-(1,1,3,3-テトラメチルブチル) フェノールである、請求項７の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】  段階a)の光酸発生体がオキシムスルホネートである、請求項７の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【本発明の要約】
本発明は、
a)  環に結合したヒドロキシル基を有するフェノール性成膜性ポリマー性バインダー樹脂；
b)  前記成膜性バインダー樹脂の架橋を開始させるのに十分な量の、露光時に酸を発生する光酸発生体；
c)  エーテル化されたアミノプラストポリマーもしくはオリゴマーからなりそして露光によって発生した段階b)からの酸に曝された際にカルボニウムイオンを生成する、架橋剤；d)  1)ヒドロキシが置換したC1-C12アルキルフェノールまたは2)ヒドロキシC1-C4-アルキルが置換したC1-C12アルキルフェノールのいずれかからなりそして露光によって発生した段階b)からの酸に曝された際にカルボニウムイオンを生成する、第二の架橋剤、なおここで、段階c)及びd)の架橋剤の全量は、架橋有効量であり；  及び
e)  フォトレジスト溶剤、
を含んでなる、アルカリ性媒体中で現像可能な化学増幅型のネガ型感放射線性フォトレジスト組成物に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月16日(2008.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  多層画像化可能物品であって、前記物品が、多光子画像化可能組成物を含む少なくとも２層を含み、前記組成物が、
染料および染料前駆物質の少なくとも１つと、
多光子感光性光活性系と、
を含み、前記光活性系が、
少なくとも２光子を同時に吸収することができる多光子増感剤と、
少なくとも２光子の吸収に続いて多光子増感剤と相互に作用して染料活性化種に変わることができる電子受容体と、
任意に、電子供与体と、
を含む、多層画像化可能物品。
【請求項２】  （ａ）多層画像化可能物品を提供するステップであって、前記物品の少なくとも２層が、
染料または染料前駆物質の少なくとも１つと、
少なくとも２光子を同時に吸収することができる多光子増感剤と、少なくとも２光子の吸収に続いて多光子増感剤と相互に作用して染料活性化種に変わることができる電子受容体と、任意に、電子供与体を含む、多光子感光性光活性系と、
を含むステップと、
（ｂ）少なくとも１層を画像化して、光活性系を活性化し、マルチカラー画像を形成するステップと、
を含む、マルチカラー画像を作成する方法。
【請求項３】  多光子画像化可能組成物であって、前記組成物が、少なくとも２光子を同時に吸収することができる少なくとも１つの多光子増感剤；少なくとも２光子の吸収に続いて多光子増感剤と相互に作用して染料活性化種に変わることができる電子受容体；染料および染料前駆物質の少なくとも１つ；および、任意に、電子供与体を含む、多光子画像化可能組成物。
【請求項４】  （ａ）少なくとも１つの光源および少なくとも１つ光学要素を含む露光システムと、
（ｂ）多光子画像化可能組成物を含む少なくとも２層であって、前記画像化可能組成物が、染料および染料前駆物質の少なくとも１つと、多光子感光性光活性系とを含み、前記光活性系が、
少なくとも２光子を同時に吸収することができる多光子増感剤と、
少なくとも２光子の吸収に続いて多光子増感剤と相互に作用して染料活性化種に変わることができる電子受容体と、
任意に、電子供与体と、
を含む、２層を有する多層画像化可能物品と
を含む、多光子画像化システム。
【請求項５】  多層画像化可能物品を提供するステップであって、前記物品が、多光子画像化可能組成物を含む少なくとも２層を含み、前記画像化可能組成物が、染料および染料前駆物質の少なくとも１つおよび多光子感光性光活性系を含み、前記光活性系が、
少なくとも２光子を同時に吸収することができる多光子増感剤と、
少なくとも２光子の吸収に続いて多光子増感剤と相互に作用して染料活性化種に変わることができる電子受容体と、
任意に、電子供与体と、
を含む、ステップを含む、マルチカラープルーフを作製する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月13日(2008.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  封入光学素子の加工方法であって、
（ａ）（ｉ）光重合した時にポリマー母材を形成し、硬化した母材が屈折率を有する、拡散種を含む光重合性前駆物質と、
（ｉｉ）前記硬化した母材の前記屈折率より低い屈折率を有すると共に前記光重合性前駆物質と混和性である実質的に非拡散性の結合剤成分と、
（ｉｉｉ）多光子光開始剤系と、を含む本体を提供する工程と、
（ｂ）３次元光学素子を形成するために有効なパターンでポリマー前駆物質を多光子光重合するのに有効な条件下で前記本体の少なくとも一部分をエネルギーに画像の通り露光する工程と、
（ｃ）前記本体を画像の通り露光した後に、前記本体の少なくとも一部分を光重合誘導エネルギーに画像の通りではなく露光する工程と、を含む、方法。
【請求項２】  第１の光デバイスを第２の光デバイスに連結する方法であって、
（ａ）光硬化性官能価を含む成分中に少なくとも部分的に封入された、部分的に形成された第１の光学素子を備える第１の光デバイスを提供する工程であって、前記部分的に形成された第１の光学素子が、光硬化性材料を含む領域によって前記第１の光デバイスの境界から隔置されている端部を有する、工程と、
（ｂ）前記第１の光学素子の前記端部が、第２の光デバイスに組み込まれた第２の光学素子の端部と整列して少なくとも略並置されるように、前記第１の光デバイスを前記第２の光デバイスに隣接して配置し、光硬化性材料を含有する領域が前記端部の間に配置される工程と、
（ｃ）前記第１及び第２の光学素子の前記端部が相互に光学的に連結される条件下で前記領域の少なくとも一部分を光硬化する工程と、を含む方法。
【請求項３】  第１の光デバイスを第２の光デバイスに連結する方法であって、
（ａ）結合剤、光硬化性母材前駆物質、及び多光子光開始剤系を含む成分中に少なくとも部分的に封入された、部分的に形成された第１の光学素子を備える第１の光学素子デバイスを提供する工程であって、前記部分的に形成された光学素子が、本体の境界から隔置されている端部を有し、多光子光硬化性領域が前記端部と前記境界との間に並置される工程と、
（ｂ）前記第１の光学素子に連結される端部を有する第２の光学素子を備える第２の光学素子デバイスを提供する工程と、
（ｃ）前記第１の光学素子デバイスを前記第２の光学素子デバイスに隣接して配置して、前記第１及び第２の光学素子の前記端部を互いに整列して少なくとも略並置し、前記多光子光硬化性領域が前記端部の間に配置される工程と、
（ｄ）前記第１及び第２の光学素子の前記端部が相互に光学的に連結される条件下で前記領域の少なくとも一部分を光硬化する工程と、を含む方法。
【請求項４】  ３次元光学素子の少なくとも一部分と、
前記素子の少なくとも一部分を封入する高分子母材と、を含む光デバイスであって、
前記光学素子が、実質的に非拡散性の結合剤と、拡散種を含む光硬化性前駆物質と、多光子光開始剤系と、を含む本体の画像の通りの多光子重合を引き起こす工程を含む方法によって形成された、光硬化エネルギーフルエンスでブランケット照射されている光デバイス。