Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月12日(2007.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像手段と、
前記撮像手段より出力された画像データを記録媒体に記録する記録手段と、
前記記録媒体に記録された前記画像データを消去する消去手段と、
前記画像データの前記記録媒体への記録開始を指示する記録指示手段と、
前記記録媒体に記録された前記画像データの消去を指示する消去指示手段と、
前記記録指示手段の記録開始指示に応じて、前記記録媒体に対する前記画像データの記録を実行するよう前記記録手段を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記画像データの記録中における前記消去指示手段の消去指示に応じて、前記記録指示手段の記録開始指示から前記消去指示手段の消去指示までの間に前記記録媒体に記録された前記画像データを消去するよう前記消去手段を制御すると共に、前記消去指示以降に前記撮像手段より出力された画像データを記録するよう前記記録手段を制御することを特徴とする記録装置。
【請求項２】
前記記録手段は前記撮像手段より出力された前記画像データを一時記憶するメモリを有し、
前記記録手段は、所定量の前記画像データが前記メモリに蓄積されるまで前記記録媒体に対する前記画像データの記録を停止し、前記所定量の画像データが前記メモリに蓄積される度に前記メモリから前記画像データを読み出して前記記録媒体に記録し、
前記制御手段は、前記画像データの記録中に前記消去指示手段の消去指示があった場合、前記記録手段が前記画像データを前記記録媒体に記録していない期間に、前記記録開始指示から前記消去指示までの間に前記記録媒体に記録された前記画像データを消去するよう前記消去手段を制御することを特徴とする請求項１記載の記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記録装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、記録装置に関し、特に、記録されたデータを消去可能な記録媒体に動画を記録することができるカメラ一体型ＤＶＤレコーダー（ＤＶＤビデオカメラ）等の記録装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の目的は、撮影中にディスクの記録容量が少なくなった場合でも、撮影チャンスを逃すことなく撮影を継続することができ、快適な撮影を行うことができる記録装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、請求項１記載の記録装置は、撮像手段と、前記撮像手段より出力された画像データを記録媒体に記録する記録手段と、前記記録媒体に記録された前記画像データを消去する消去手段と、前記画像データの前記記録媒体への記録開始を指示する記録指示手段と、前記記録媒体に記録された前記画像データの消去を指示する消去指示手段と、前記記録指示手段の記録開始指示に応じて、前記記録媒体に対する前記画像データの記録を実行するよう前記記録手段を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記画像データの記録中における前記消去指示手段の消去指示に応じて、前記記録指示手段の記録開始指示から前記消去指示手段の消去指示までの間に前記記録媒体に記録された前記画像データを消去するよう前記消去手段を制御すると共に、前記消去指示以降に前記撮像手段より出力された画像データを記録するよう前記記録手段を制御することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の記録装置によれば、記録手段が画像データを所定の倍速で記録媒体に記録するため、記憶手段が画像データを記憶媒体に記録しないときがあり、記録媒体に記録された画像データの消去指示があった場合には、この記録手段が画像データを記録媒体に記録していないときに、消去手段が記憶媒体に記録された画像データを消去するので、記録撮影動作中に不要なコンテンツを同時に消去可能となるため、快適な撮影を行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月1日(2007.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顔料（Ｂ）を含有するビニルポリマー粒子の水分散体、及び水１００ｇに対する溶解量（２０℃）が５ｇ以下である水不溶性有機化合物（ただし、脂肪酸誘導体を除く）（Ａ）を含有する、インクジェット記録用水分散体。
【請求項２】
水不溶性有機化合物（Ａ）が、分子中に、エステル又はエーテル結合を２個以上有する、エステル又はエーテル化合物（ｆ）、及び／又は分子中に、エステル又はエーテル結合を１個以上と、カルボキシ基、スルホン酸基、リン酸残基、カルボニル基、エポキシ基及び水酸基からなる群から選ばれる１種以上の官能基を１個以上有する、エステル又はエーテル化合物（ｇ）である、請求項１に記載のインクジェット記録用水分散体。
【請求項３】
水不溶性有機化合物（Ａ）が、リン酸エステル、脂肪族ジ又はトリカルボン酸エステル及び芳香族カルボン酸エステルからなる群より選ばれる１種以上である請求項１又は２に記載のインクジェット記録用水分散体。
【請求項４】
水不溶性有機化合物（Ａ）の一部が、ビニルポリマー粒子に含有されてなる、請求項１〜３のいずれかに記載の水分散体。
【請求項５】
該水分散体中における、〔水不溶性有機化合物（Ａ）／ビニルポリマー粒子〕の重量比が１／１００〜５／１である、請求項１〜４のいずれかに記載のインクジェット記録用水分散体。
【請求項６】
水分散体中の水不溶性有機化合物（Ａ）の含有量が、０．１１〜１０重量％である請求項１〜５のいずれかに記載のインクジェット記録用水分散体。
【請求項７】
水不溶性有機化合物（Ａ）のＬｏｇＰ値が、−１〜１１である請求項１〜６のいずれかに記載のインクジェット記録用水分散体。
【請求項８】
〔［水不溶性有機化合物（Ａ）のＬｏｇＰ値］−［ビニルポリマーのＬｏｇＰ値］〕の値が、−４〜８である請求項１〜７のいずれかに記載のインクジェット記録用水分散体。
【請求項９】
ビニルポリマーが（ａ）塩生成基含有モノマー、（ｂ）マクロマー及び／又は（ｃ）疎水性モノマーを含むモノマー混合物を共重合させてなる水不溶性ビニルポリマーである請求項１〜８のいずれかに記載のインクジェット記録用水分散体。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の水分散体を含有するインクジェット記録用水系インク。
【請求項１１】
顔料の水分散体を含有するインクジェット記録用水系インクであって、該水系インクの顔料濃度が４〜８重量％であり、インクジェット写真用紙に、インクサイズ３ｐｌ、解像度１４４０ｄｐｉ×７２０ｄｐｉでベタ印刷を行い、その印字面に対して垂直方向からレーザー光を照射したときの反射光量の、印字方向に対して垂直方向の相関距離が４μｍ以上であるインクジェット記録用水系インク。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載の水系インクを、インクジェット記録装置を用いて印字した印字物。
【請求項１３】
下記工程（１）〜（３）を有し、工程（１）〜（３）の少なくともいずれかの工程中又は工程後に、水不溶性有機化合物（ただし、脂肪酸誘導体を除く）を存在させてなる、請求項１〜９のいずれかに記載のインクジェット記録用水分散体の製造方法。
工程（１）：水不溶性ポリマー、有機溶媒、着色剤、及び水を含有する混合物を得る工程
工程（２）：工程（１）で得られた混合物を分散処理する工程
工程（３）：工程（２）得られた分散体から前記有機溶媒を除去して、着色剤を含有する水不溶性ポリマー粒子の水分散体を得る工程
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、次の〔１〕〜〔４〕を提供する。
〔１〕  顔料（Ｂ）を含有するビニルポリマー粒子の水分散体、及び水１００ｇに対する溶解量（２０℃）が５ｇ以下である水不溶性有機化合物（ただし、脂肪酸誘導体を除く）（Ａ）を含有する、インクジェット記録用水分散体。
〔２〕顔料の水分散体を含有するインクジェット記録用水系インクであって、該水系インクの顔料濃度が４〜８重量％であり、インクジェット写真用紙に、インクサイズ３ｐｌ、解像度１４４０ｄｐｉ×７２０ｄｐｉでベタ印刷を行い、その印字面に対して垂直方向からレーザー光を照射したときの反射光量の、印字方向に対して垂直方向の相関距離が４μｍ以上であるインクジェット記録用水系インク。
〔３〕前記水系インクを、インクジェット記録装置を用いて印字した印字物。
〔４〕下記工程（１）〜（３）を有し、工程（１）〜（３）の少なくともいずれかの工程中又は工程後に、水不溶性有機化合物（ただし、脂肪酸誘導体を除く）を存在させてなる、前記インクジェット記録用水分散体の製造方法。
工程（１）：水不溶性ポリマー、有機溶媒、着色剤、及び水を含有する混合物を得る工程
工程（２）：工程（１）で得られた混合物を分散処理する工程
工程（３）：工程（２）得られた分散体から前記有機溶媒を除去して、着色剤を含有する水不溶性ポリマー粒子の水分散体を得る工程
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月2日(2007.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式
【化１】
2007077157.tif 000001
〔式中、Ｒ1はＮＯ2またはＮＯであり、Ｒ2は水素原子、ハロゲン、Ｃ1−Ｃ4アルキル、Ｃ1−Ｃ4ヒドロキシアルキル、チオール、Ｃ1−Ｃ4アルキルチオ、トリフルオロメチルチオ、Ｃ1−Ｃ4チオアシル、ヒドロキシ、Ｃ1−Ｃ4アルコキシ、トリフルオロメトキシ、メタンスルホニルオキシ、トリフルオロメタンスルホニルオキシ、Ｃ1−Ｃ4アシルオキシ、Ｃ1−Ｃ4アミノアルキル、Ｃ1−Ｃ4アルキルアミノ、Ｃ1−Ｃ4ジアルキルアミノ、トリフルオロメチルアミノ、ジトリフルオロメチルアミノ、アミノメタンスルホニル、アミノＣ1−Ｃ4アルキルカルボニル、アミノトリフルオロメチルカルボニル、ホルミルアミノ、ニトロ、ニトロソ、Ｃ1−Ｃ4アルキルジアゾ、Ｃ5−Ｃ6アリールジアゾ、トリフルオロメチル、Ｃ1−Ｃ4ハロアルキル、Ｃ1−Ｃ4シアノアルキル、シアノ、Ｃ1−Ｃ4アルキルオキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ4アルキルカルボニル、フェニル、フェニルカルボニル、ホルミル、Ｃ1−Ｃ4アルコキシメチル、フェノキシメチル、Ｃ2−Ｃ4ビニル、Ｃ2−Ｃ4エチニルおよびＳＯnＲ’（ｎは０、１、２または３であり、Ｒ’は水素原子、Ｃ1−Ｃ4アルキル、アミノまたはフェニルである）からなる群より選ばれる置換基である。〕で表される化合物。
【請求項２】
請求項１記載の化合物および医薬上許容される担体を含有する医薬組成物。
【請求項３】
医薬上許容される担体および式
【化２】
2007077157.tif 000002
〔式中、Ｒは水素原子、ハロゲン、Ｃ1−Ｃ4アルキル、Ｃ1−Ｃ4ヒドロキシアルキル、チオール、Ｃ1−Ｃ4アルキルチオ、トリフルオロメチルチオ、Ｃ1−Ｃ4チオアシル、ヒドロキシ、Ｃ1−Ｃ4アルコキシ、トリフルオロメトキシ、メタンスルホニルオキシ、トリフルオロメタンスルホニルオキシ、Ｃ1−Ｃ4アシルオキシ、アミノ、Ｃ1−Ｃ4アミノアルキル、Ｃ1−Ｃ4アルキルアミノ、Ｃ1−Ｃ4ジアルキルアミノ、トリフルオロメチルアミノ、ジトリフルオロメチルアミノ、アミノメタンスルホニル、アミノＣ1−Ｃ4アルキルカルボニル、アミノトリフルオロメチルカルボニル、ホルミルアミノ、ニトロ、ニトロソ、Ｃ1−Ｃ4アルキルジアゾ、Ｃ5−Ｃ6アリールジアゾ、トリフルオロメチル、Ｃ1−Ｃ4ハロアルキル、シアノメチル、Ｃ1−Ｃ4シアノアルキル、シアノ、Ｃ1−Ｃ4アルキルオキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ4アルキルカルボニル、フェニル、フェニルカルボニル、Ｃ1−Ｃ4アシル、ホルミル、Ｃ1−Ｃ4アルコキシメチル、フェノキシメチル、Ｃ2−Ｃ4ビニル、Ｃ2−Ｃ4エチニルおよびＳＯnＲ1（ｎは０、１、２または３であり、Ｒ1は水素原子、Ｃ1−Ｃ4アルキル、アミノまたはフェニルである）からなる群より選ばれる置換基である。〕で表される化合物を含有する医薬組成物であって、前記の医薬上許容される担体がポリエチレングリコールを含有する医薬組成物。
【請求項４】
式
【化３】
2007077157.tif 000003
〔式中、Ｒは水素原子、ハロゲン、Ｃ1−Ｃ4アルキル、Ｃ1−Ｃ4ヒドロキシアルキル、チオール、Ｃ1−Ｃ4アルキルチオ、トリフルオロメチルチオ、Ｃ1−Ｃ4チオアシル、ヒドロキシ、Ｃ1−Ｃ4アルコキシ、トリフルオロメトキシ、メタンスルホニルオキシ、トリフルオロメタンスルホニルオキシ、Ｃ1−Ｃ4アシルオキシ、アミノ、Ｃ1−Ｃ4アミノアルキル、Ｃ1−Ｃ4アルキルアミノ、Ｃ1−Ｃ4ジアルキルアミノ、トリフルオロメチルアミノ、ジトリフルオロメチルアミノ、アミノメタンスルホニル、アミノＣ1−Ｃ4アルキルカルボニル、アミノトリフルオロメチルカルボニル、ホルミルアミノ、ニトロ、ニトロソ、Ｃ1−Ｃ4アルキルジアゾ、Ｃ5−Ｃ6アリールジアゾ、トリフルオロメチル、Ｃ1−Ｃ4ハロアルキル、シアノメチル、Ｃ1−Ｃ4シアノアルキル、シアノ、Ｃ1−Ｃ4アルキルオキシカルボニル、Ｃ1−Ｃ4アルキルカルボニル、フェニル、フェニルカルボニル、Ｃ1−Ｃ4アシル、ホルミル、Ｃ1−Ｃ4アルコキシメチル、フェノキシメチル、Ｃ2−Ｃ4ビニル、Ｃ2−Ｃ4エチニルおよびＳＯnＲ1（ｎは０、１、２または３であり、Ｒ1は水素原子、Ｃ1−Ｃ4アルキル、アミノまたはフェニルである）からなる群より選ばれる置換基である。〕で表される化合物、および
グアニンのＯ6−位で細胞毒性の損傷を引き起こす抗腫瘍性アルキル化剤を含有する医薬組成物。
【請求項５】
式
【化４】
2007077157.tif 000004
（式中、ＲはＣ1−Ｃ4アルキル、Ｃ1−Ｃ6アルキルカルボニルオキシＣ1−Ｃ4アルキル、Ｃ1−Ｃ4アルキルオキシカルボニルＣ1−Ｃ4アルキル、カルボキシＣ1−Ｃ4アルキル、シアノＣ1−Ｃ4アルキル、アミノカルボニルＣ1−Ｃ4アルキル、ヒドロキシＣ1−Ｃ4アルキルおよびＣ1−Ｃ4アルキルオキシＣ1−Ｃ4アルキルからなる群より選ばれる。）で表される化合物。
【請求項６】
式
【化５】
2007077157.tif 000005
（式中、ＲはＣ1−Ｃ4アルキル、Ｃ1−Ｃ6アルキルカルボニルオキシＣ1−Ｃ4アルキル、Ｃ1−Ｃ4アルキルオキシカルボニルＣ1−Ｃ4アルキル、カルボキシＣ1−Ｃ4アルキル、シアノＣ1−Ｃ4アルキル、アミノカルボニルＣ1−Ｃ4アルキル、ヒドロキシＣ1−Ｃ4アルキルおよびＣ1−Ｃ4アルキルオキシＣ1−Ｃ4アルキルからなる群より選ばれる。）で表される化合物。
【請求項７】
医薬上許容される担体および式
【化６】
2007077157.tif 000006
で表される化合物を含有する医薬組成物であって、前記の医薬上許容される担体がポリエチレングリコールを含有する医薬組成物。
【請求項８】
医薬上許容される担体および式
【化７】
2007077157.tif 000007
で表される化合物を含有する医薬組成物であって、前記の医薬上許容される担体がポリエチレングリコールを含有する医薬組成物。
【請求項９】
式
【化８】
2007077157.tif 000008
で表される化合物、および
グアニンのＯ6−位で細胞毒性の損傷を引き起こす抗腫瘍性アルキル化剤を含有する医薬組成物。
【請求項１０】
式
【化９】
2007077157.tif 000009
で表される化合物、および
グアニンのＯ6−位で細胞毒性の損傷を引き起こす抗腫瘍性アルキル化剤を含有する医薬組成物。
【請求項１１】
請求項１、５および６のいずれかに記載の化合物を含有する、グアニンのＯ6−位で細胞毒性の損傷を引き起こす抗腫瘍性アルキル化剤による哺乳動物における腫瘍細胞の化学療法治療の増強用医薬。
【請求項１２】
Ｏ6−ベンジル−７−（ピバロイルオキシメチル）グアニン。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月23日(2007.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ周波数の異なる複数の周波数のクロック信号を発生するクロック発生源と、
前記クロック発生源から出力される複数の周波数のクロック信号のいずれかを選択する選択手段と、
それぞれが、前記選択手段により選択されたクロック発生源からのクロック信号により動作する複数の処理手段と、
前記複数の処理手段のそれぞれにおける動作状態に応じて、前記選択手段による当該処理手段に対するクロック信号の選択を制御する選択制御手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記複数の処理手段の１つは、
撮像した画像信号を入力する入力手段と、
前記入力手段により入力された画像信号を間引く間引き手段と、
前記間引き手段により間引かれた画像信号を記憶するメモリを有することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記複数の処理手段の１つは、
前記間引き手段により間引かれた画像信号を記憶するメモリと、
前記メモリに記憶された画像信号を補間する補間手段と、
前記補間手段により補間された画像信号に基づいて画像を表示する表示手段とを有することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記複数の処理手段のそれぞれは、処理済み或は処理対象のデータを記憶する記憶手段を有し、前記選択制御手段は、前記記憶手段に記憶されているデータ量に応じて当該処理手段に対するクロック信号を選択するように制御することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記選択制御手段は、前記複数の処理手段のそれぞれのメモリに記憶されている画像データの量に応じて当該処理手段に対するクロック信号を選択するように制御することを特徴とする請求項２又は３に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記選択制御手段は、前記複数の処理手段のそれぞれにおける単位時間に処理すべきデータ量或はデータ転送能力に応じて、当該処理手段に対するクロック信号の周波数を変更するように制御することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
それぞれ周波数の異なる複数の周波数のクロック信号を発生するクロック発生源から出力される複数の周波数のクロック信号のいずれかを選択する選択工程と、
それぞれが、前記選択工程で選択されたクロック発生源からのクロック信号により動作する複数の処理手段のそれぞれにおける動作状態に応じて、当該処理手段に対するクロック信号の選択を制御する選択制御工程と、
を有することを特徴とする情報処理方法。
【請求項８】
前記複数の処理手段のそれぞれは、処理済み或は処理対象のデータを記憶するメモリを有し、前記選択制御工程では、前記メモリに記憶されているデータ量に応じて当該処理手段に対するクロック信号を選択するように制御することを特徴とする請求項７に記載の情報処理方法。
【請求項９】
前記選択制御工程では、前記複数の処理手段のそれぞれのメモリに記憶されている画像データの量に応じて当該処理手段に対するクロック信号を選択するように制御することを特徴とする請求項８に記載の情報処理方法。
【請求項１０】
前記選択制御工程では、前記複数の処理手段のそれぞれにおける単位時間に処理すべきデータ量或はデータ転送能力に応じて、当該処理手段に対するクロック信号の周波数を変更するように制御することを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の情報処理方法。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の情報処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを記憶した、コンピュータにより読取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
またデュアルポートＳＲＡＭ２ｂ６は、例えば１２８（ワード）×８（ビット）のデュアルポートＳＲＡＭで、ＤＳＰ２ｃからの書き込み有効信号（write en）が入力されるとＤＳＰクロック（dsp clk）に同期してバス転送データであるWRITE DATAが書き込みアドレス生成（ポインタ生成）回路２ｂ７の生成するメモリアドレスに書き込まれる。このデータ書き込み後、書き込みアドレス生成回路２ｂ７から出力される書き込みポインタはインクリメントされる。また読み出し動作は、バスインターフェース回路２ａからの読み出し有効信号（read en）が入力されるとバスクロック（bus clk）に同期して読み出しアドレス生成（ポインタ生成）回路２ｂ８の生成するポインタの示すメモリアドレスからREAD DATAを出力するので、これを読み出す。このデータの読み出し後、読み出しアドレス生成回路２ｂ８から出力される読み出しポインタがインクリメントされる。ポインタステータス回路２ｂ１１は、これら書き込みポインタと読み出しポインタの差の絶対値を演算することにより、ＦＩＦＯ２ｂのステータスを出力する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
ここで３ｂ０は、例えば１２８（ワード）×８（ビット）のデュアルポートＳＲＡＭであり、バスインターフェース回路３ａよりの書き込み有効信号（write en）が入力されるとバスクロック（bus clk）に同期してバス転送データであるWRITE DATAが書き込みアドレス生成（ポインタ生成）回路３ｂ２の生成するメモリアドレスに書き込まれる。このデータ書き込み後、書き込みアドレス生成回路３ｂ２から出力される書き込みポインタがインクリメントされる。また読み出し動作は、補間回路３ｃからの読み出し有効信号（read en）が入力されると表示クロック（disp clk）に同期して読み出しアドレス生成（ポインタ生成）回路３ｂ４の生成するポインタの示すメモリアドレスからREAD DATAを出力するのでこれを読み出す。このデータの読み出し後、読み出しアドレス生成回路３ｂ４から出力される読み出しポインタがインクリメントされる。ポインタステータス回路３ｂ５は、これら書き込みポインタと読み出しポインタの差の絶対値を演算することにより、ＦＩＦＯ３ｂのステータスを出力する。例えば、差の絶対値が“１２８”の場合はＦＩＦＯ３ｂが一杯であることを示すので「３ｂ：full」信号を出力し、差の絶対値がＦＩＦＯ３ｂの容量（１２８ワード）の２０％以下の場合は、ＦＩＦＯ３ｂの有効データがＦＩＦＯ容量の８０％以上であることを示すので「３ｂ＞８０％」信号を出力する。同様に、ＦＩＦＯ３ｂの有効データが８０％から６０％の間の場合は「３ｂ＜８０％」信号を出力し、６０％から４０％の間の場合は「３ｂ＜６０％」信号を出力し、４０％以下の場合は「３ｂ＜４０％」信号を出力する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月16日(2007.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  透明電極が設けられた透明基板と、前記透明電極上に設けられた有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に設けられた金属電極と、前記透明電極の一部、前記有機ＥＬ層、および、前記金属電極を被覆するように前記透明基板上に配置された保護層と、を備えるとともに、
前記透明基板が２枚のベースフィルムの間に防湿層が挟持された複合フィルムであることを特徴とする有機ＥＬ発光素子。
【請求項２】  前記防湿層が吸水性を有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ発光素子。
【請求項３】  前記防湿層が透明無機膜を含んだことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ発光素子。
【請求項４】  前記透明無機膜の厚みが０．３μm以上であることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月18日(2007.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ受信端末からの再送要求に応じてデータ送信端末がデータ再送を行うタイプのマルチキャスト通信システムであって、
前記データ送信端末が全てのデータ受信端末から応答を受け終えるまでに要する単位データ数ＲＴＦmと前記データ送信端末と各データ受信端末との間のラウンド・トリップ単位データ数ＲＴＦcに基づいて待ち単位データ数ＲＴＦを設定する手段と、
該設定された待ち単位データ数ＲＴＦ以内に届いた再送要求を無視する手段と、
を具備することを特徴とするマルチキャスト通信システム。
【請求項２】
データ送信端末が一度に特定の複数のデータ受信端末にデータ伝送を行うとともに、該データ受信端末からの再送要求に応じて前記データ送信端末がデータ再送を行うタイプのマルチキャスト通信方法であって、
前記データ送信端末が全てのデータ受信端末から応答を受け終えるまでに要する単位データ数ＲＴＦmと前記データ送信端末と各データ受信端末との間のラウンド・トリップ・単位データ数ＲＴＦcに基づいて待ち単位データ数ＲＴＦを設定するステップと、
前記データ送信端末が単位データを送信するステップと、
前記データ受信端末が送信された単位データに対する確認応答又は再送要求を返信するステップと、
前記データ送信端末が該設定された待ち単位データ数ＲＴＦ以内に届いた再送要求を無視するステップと、
を具備することを特徴とするマルチキャスト通信方法。
【請求項３】
データ受信端末からの再送要求に応じて前記データ送信端末がデータ再送を行うタイプのデータ通信装置であって、
送信対象データを所定の単位データ毎に送信する送信手段と、
送信された単位データに対応した確認応答又は再送要求を前記データ受信端末から受信する受信手段と、
該確認応答又は再送要求に従って次に送信すべき単位データを処理するデータ処理手段を具備し、前記データ処理手段は、
全てのデータ受信端末から応答を受け終えるまでに要する単位データ数ＲＴＦmと前記データ送信端末と各データ受信端末との間のラウンド・トリップ単位データ数ＲＴＦcに基づいて待ち単位データ数ＲＴＦを設定するとともに、該設定された待ち単位データ数ＲＴＦ以内に届いた再送要求を無視する、
ことを特徴とするデータ通信装置。
【請求項４】
前記データ処理手段は、ＲＴＦm値とＲＴＦc値とを大小比較して、大きい方を待ち単位データ数ＲＴＦとして設定する、
ことを特徴とする請求項３に記載のデータ通信装置。
【請求項５】
前記データ処理手段は、データ受信端末の総数を１回のタイム・スロットで受信可能な応答単位データ数で除した値をＲＴＦm値とする、
ことを特徴とする請求項３に記載のデータ通信装置。
【請求項６】
前記データ処理手段は、データ受信端末との同期確立ネゴシエーション時にＲＴＦmを算出する、
ことを特徴とする請求項３に記載のデータ通信装置。
【請求項７】
前記データ受信端末との間では、送信確認を得るまでの遅延時間が比較的小さくて済む直接通信を行う、
ことを特徴とする請求項３に記載のデータ通信装置。
【請求項８】
前記データ処理手段は、さらにデータ受信端末との間では送信確認を得るまでの遅延時間が比較的小さくて済む直接通信を行っているか否かを判別するとともに、直接通信を行っている場合にはＲＴＦm値を待ち単位データ数ＲＴＦとして設定する、
ことを特徴とする請求項３に記載のデータ通信装置。
【請求項９】
データ受信端末からの再送要求に応じて前記データ送信端末がデータ再送を行うタイプのデータ通信方法であって、
送信対象データを所定の単位データ毎に送信する送信ステップと、
送信された単位データに対応した確認応答又は再送要求をデータ受信端末側から受信する受信ステップと、
該確認応答又は再送要求に従って次に送信すべき単位データを処理するデータ処理ステップを具備し、前記データ処理ステップでは、
全てのデータ受信端末から応答を受け終えるまでに要する単位データ数ＲＴＦmと前記データ送信端末と各データ受信端末との間のラウンド・トリップ単位データ数ＲＴＦcに基づいて待ち単位データ数ＲＴＦを設定するとともに、該設定された待ち単位データ数ＲＴＦ以内に届いた再送要求を無視する、
ことを特徴とするデータ通信方法。
【請求項１０】
データ送信端末が一度に特定の複数のデータ受信端末にデータ伝送を行うマルチキャスト通信における待ち単位データ数の設定方法であって、
（ａ）前記データ送信端末が全てのデータ受信端末から応答を受け終えるまでに要する単位データ数ＲＴＦmを算出するステップと、
（ｂ）前記データ送信端末と各データ受信端末との間のラウンド・トリップ単位データＲＴＦc数を測定するステップと、
（ｃ）前記ステップ（ａ）で得られたＲＴＦm値と前記ステップ（ｂ）で得られた及びＲＴＦc値とを大小比較して、大きい方を当該マルチキャスト通信における待ち単位データ数ＲＴＦとして設定するステップと、
を具備することを特徴とするマルチキャスト通信における待ち単位データ数の自動設定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
但し、ストップ・アンド・ウェート方式の再送制御を行う場合、データ伝送の誤りが発生しない場合であっても、データ送信側では、あるＦＦＩのフレームを送出してからその確認応答であるＦＢＩ（＝ＦＦＩ＋１）を受け取るまでの間、次のフレームの送出を開始することができない。図１に示すように、データ受信側からの送達確認に要するラウンド・トリップ・フレーム（ＲＴＦ）数として３フレームを要する場合、２フレーム分だけ同じ（すなわち冗長な）フレームを伝送し続けなければならず、データ送信タイム・スロットを浪費してしまう。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月18日(2007.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ送信端末が一度に特定の複数のデータ受信端末にデータ伝送を行うマルチキャスト通信システムであって、
前記データ送信端末は単位データのシーケンス番号ＦＦＩを付してフレーム送信し、これに対し前記データ受信端末の各々は次に送信要求する単位データのシーケンス番号ＦＢＩを含んだ応答フレームを返信するとともに、
前記データ送信端末は、全てのデータ受信端末から応答フレームが返信されるまで待つことなく、受信したＦＢＩに基づいて次の単位データのＦＦＩを決定してフレーム送信を行うことを特徴とするマルチキャスト通信システム。
【請求項２】
前記データ送信端末は、送信未処理のＦＢＩを古い順に優先順位付けして次のＦＦＩを決定する、
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチキャスト通信システム。
【請求項３】
前記データ受信端末は、正しくフレーム受信できたＦＦＩを１だけ増分した値をＦＢＩとして確認応答するとともに、正しくフレーム受信できなかったＦＦＩをそのままＦＢＩとして再送要求を行う、
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチキャスト通信システム。
【請求項４】
所定数のデータ受信端末を１つの受信グループとして扱い、前記データ送信端末は、１回の受信タイム・スロットでは単一の受信グループからの応答フレームのみを受信する、
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチキャスト通信システム。
【請求項５】
前記データ送信端末及びデータ受信端末の各々は、送信順序を維持したまま複数のフレームを一時的に保管するバッファを具備する、
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチキャスト通信システム。
【請求項６】
前記データ送信端末及び前記特定の複数のデータ受信端末間では無線を用いた直接通信を行う、
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチキャスト通信システム。
【請求項７】
データ送信端末が一度に特定の複数のデータ受信端末にデータ伝送を行うマルチキャスト通信方法であって、
（ａ）前記データ送信端末が、単位データのシーケンス番号ＦＦＩを付してフレーム送信するステップと、
（ｂ）前記データ受信端末の各々が、次に送信要求する単位データのシーケンス番号ＦＢＩを含んだ応答フレームを返信するステップと、
（ｃ）前記データ送信端末が、全てのデータ受信端末から応答フレームが返信されるまで待つことなく、受信したＦＢＩに基づいて次の単位データのＦＦＩを決定するステップと、
を具備することを特徴とするマルチキャスト通信方法。
【請求項８】
一度に特定の複数のデータ受信端末にデータ伝送を行うマルチキャスト通信を行うデータ通信装置であって、
単位データのシーケンス番号ＦＦＩを付してフレームを送信する送信手段と、
次に送信要求する単位データのシーケンス番号ＦＢＩを含んだ応答フレームを受信する受信手段と、
受信したＦＢＩに基づいてＦＦＩを決定して送信フレームを生成するデータ処理手段と、
を具備し、全てのデータ受信端末から応答フレームが返信されるまで待つことなく次の単位データの送信を行う、
ことを特徴とするデータ通信装置。
【請求項９】
一度に特定の複数のデータ受信端末にデータ伝送を行うマルチキャスト通信を行うデータ通信方法であって、
単位データのシーケンス番号ＦＦＩを付してフレームを送信する送信ステップと、
次に送信要求する単位データのシーケンス番号ＦＢＩを含んだ応答フレームを受信する受信ステップと、
受信したＦＢＩに基づいてＦＦＩを決定して送信フレームを生成するデータ処理ステップと、
を具備し、全てのデータ受信端末から応答フレームが返信されるまで待つことなく次の単位データの送信を行う、
ことを特徴とするデータ通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
図６及び図７を比較して判るように、図７に示す従来方式によれば、同じ送受信タイム・スロット数を費やして、図６に示す場合の半分程度のデータ・フレームしか送信することができない（但し、エラー発生率が同じとする）。言い換えれば、送受信オペレーションは冗長でありネットワーク負荷を徒に増大させてしまうものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月21日(2007.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  チップの内部に少なくとも１つのＩ／Ｏセルを配置する半導体集積回路装置であって、
前記チップの周縁部に設けられたＥＳＤ保護回路配置領域に前記Ｉ／Ｏセルから分離されて配置されたＥＳＤ保護回路と、
前記ＥＳＤ保護回路配置領域よりも前記チップの中央部寄りに配置された前記Ｉ／Ｏセルと、
前記Ｉ／Ｏセルと前記ＥＳＤ保護回路とを接続する配線とを備えていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】  前記Ｉ／Ｏセルは入力セル又は電源セルであって、
前記ＥＳＤ保護回路の全てが、前記Ｉ／Ｏセルから分離されて前記ＥＳＤ保護回路配置領域に配置されていると共に前記配線によって前記Ｉ／Ｏセルと接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】  前記Ｉ／Ｏセルは出力セルであって、
前記ＥＳＤ保護回路のうちの出力バッファとして動作しない部分であるＥＳＤ保護専用回路のみが、前記Ｉ／Ｏセルから分離されて前記ＥＳＤ保護回路配置領域に配置されていると共に前記配線によって前記Ｉ／Ｏセルと接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】  内部回路セルをさらに備えていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】  前記Ｉ／Ｏセルは前記内部回路セル間に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体集積回路装置。
【請求項６】  前記内部回路セルはスタンダードセルであることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体集積回路装置。
【請求項７】  前記配線は最上層の配線層の配線のみからなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項８】  セル間配線のみが配置される純配線領域をさらに備えていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項９】  前記Ｉ／Ｏセルから分離された他のＥＳＤ保護回路が前記純配線領域に配置されていることを特徴とする請求項８に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１０】  チップの内部に少なくとも１つのＩ／Ｏセルを配置する半導体集積回路装置の設計方法であって、
前記Ｉ／Ｏセル、及び少なくとも１つの内部回路セルを前記チップの内部に配置する第１の配置工程と、
前記第１の配置工程において配置された、前記内部回路セル同士又は前記内部回路セルと前記Ｉ／Ｏセルとをセル間配線により接続する第１の配線工程と、
前記Ｉ／Ｏセルから分離されたＥＳＤ保護回路を、前記チップの周縁部に設けられたＥＳＤ保護回路配置領域に配置する第２の配置工程と、
前記第１の配置工程において配置された前記Ｉ／Ｏセルと前記第２の配置工程において配置された前記ＥＳＤ保護回路とをＥＳＤ保護配線により接続する第２の配線工程とを備え、
前記第１の配置工程は、前記Ｉ／Ｏセルを前記ＥＳＤ保護回路配置領域よりも前記チップの中央部寄りに配置する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の設計方法。
【請求項１１】  前記第１の配線工程と前記第２の配置工程との間に、
前記第１の配置工程において配置された全ての前記Ｉ／Ｏセルを取り囲む包括線、及び前記Ｉ／Ｏセル同士又は前記Ｉ／Ｏセルと前記包括線とを結ぶ格子線を作成すると共に、前記格子線を通過することができる前記ＥＳＤ保護配線の数である容量を定義するレイアウト抽象化工程と、
全ての前記Ｉ／Ｏセルについて該Ｉ／Ｏセルと前記包括線上の一点とを結ぶＩ／Ｏセル割り当て線を、該Ｉ／Ｏセル割り当て線同士が交差しないように且つ前記格子線を通過する前記Ｉ／Ｏセル割り当て線の数が前記容量を超えないように作成するＩ／Ｏセル割り当て工程とをさらに備え、
前記第２の配置工程は、前記Ｉ／Ｏセル割り当て線により前記包括線上に割り当てられた前記Ｉ／Ｏセルの順番に従って、前記ＥＳＤ保護回路を配置する工程を含み、
前記第２の配線工程は、前記ＥＳＤ保護配線を単一の配線層のみに設ける工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の半導体集積回路装置の設計方法。
【請求項１２】  前記第１の配線工程は、前記チップの内部に前記セル間配線のみが配置される純配線領域を設ける工程を含み、
前記第１の配線工程と前記第２の配置工程との間に、前記第１の配線工程において設けられた前記純配線領域を検出する純配線領域検出工程をさらに備え、
前記第２の配置工程は、前記ＥＳＤ保護回路を、前記純配線領域検出工程において検出された前記純配線領域に配置する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の半導体集積回路装置の設計方法。
【請求項１３】  半導体集積回路の外部に対して信号の入出力を行なうＩ／Ｏセルの集合であるＩ／Ｏセルライブラリが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
少なくとも１つの前記Ｉ／Ｏセルから分離されたＥＳＤ保護回路を前記Ｉ／Ｏセルとは異なるセルとして有していることを特徴とするＩ／Ｏセルライブラリが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項１４】  半導体集積回路の外部に対して信号の入出力を行なうＩ／Ｏセルの集合であるＩ／Ｏセルライブラリを用いた半導体集積回路の設計方法であって、
前記Ｉ／Ｏセルライブラリは、少なくとも１つの前記Ｉ／Ｏセルから分離されたＥＳＤ保護回路を前記Ｉ／Ｏセルとは異なるセルとして有していることを特徴とする半導体集積回路の設計方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明は、以上の知見に基づきなされたものであって、具体的には、本発明に係る半導体集積回路装置は、チップの内部に少なくとも１つのＩ／Ｏセルを配置する半導体集積回路装置を前提とし、チップの周縁部に設けられたＥＳＤ保護回路配置領域にＩ／Ｏセルから分離されて配置されたＥＳＤ保護回路と、ＥＳＤ保護回路配置領域よりもチップの中央部寄りに配置されたＩ／Ｏセルと、Ｉ／ＯセルとＥＳＤ保護回路とを接続する配線とを備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明に係る半導体集積回路装置の設計方法は、チップの内部に少なくとも１つのＩ／Ｏセルを配置する半導体集積回路装置の設計方法を前提とし、Ｉ／Ｏセル及び少なくとも１つの内部回路セルをチップの内部に配置する第１の配置工程と、第１の配置工程において配置された、内部回路セル同士又は内部回路セルとＩ／Ｏセルとをセル間配線により接続する第１の配線工程と、Ｉ／Ｏセルから分離されたＥＳＤ保護回路を、チップの周縁部に設けられたＥＳＤ保護回路配置領域に配置する第２の配置工程と、第１の配置工程において配置されたＩ／Ｏセルと第２の配置工程において配置されたＥＳＤ保護回路とをＥＳＤ保護配線により接続する第２の配線工程とを備え、第１の配置工程は、Ｉ／ＯセルをＥＳＤ保護回路配置領域よりもチップの中央部寄りに配置する工程を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月20日(2006.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板への接合面を含む一部が、強磁性体又はフェリ磁性体から構成されていることを特徴とする半導体チップ。
【請求項２】
半導体チップは、半導体素子、及び、該半導体素子を上面に搭載した支持材から構成されており、
支持材の下面の一部が、基板への接合面に相当することを特徴とする請求項１に記載の半導体チップ。
【請求項３】
支持材の下面には、磁気的ソフト材から成る強磁性体の層を介して、磁気的ソフト材よりも保磁力が強い磁気的ハード材から成る強磁性体が埋設されており、
磁気的ソフト材から成る強磁性体の層、及び、磁気的ハード材から成る強磁性体は、露出していることを特徴とする請求項２に記載の半導体チップ。
【請求項４】
磁気的ハード材から成る強磁性体は、楕円形状の鉄粒子が光硬化樹脂中に分散された構造を有することを特徴とする請求項３に記載の半導体チップ。
【請求項５】
楕円形状の鉄粒子の長軸は、支持材の上面に対して垂直に配向していることを特徴とする請求項４に記載の半導体チップ。
【請求項６】
発光素子は発光ダイオードから成ることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップ。
【請求項７】
基板への接合面を含む一部が、強磁性体又はフェリ磁性体から構成されている半導体チップ、及び、
強磁性体から成る電極を備えた基板、
を備え、
半導体チップの接合面が基板の電極に磁気的に吸着し、以て、半導体チップが基板に実装されていることを特徴とする半導体チップ実装品。
【請求項８】
基板の表面に形成された強磁性体から成る電極に半導体チップを接合する半導体チップの実装方法であって、
基板への接合面を含む一部が強磁性体又はフェリ磁性体から構成されている半導体チップの接合面を、基板の表面に形成された電極に磁気的に吸着させて、半導体チップを基板に実装することを特徴とする半導体チップの実装方法。
【請求項９】
複数の半導体チップを流体が循環する循環経路中に分散させ、循環経路中に基板を配置することにより、流体の循環に伴い循環経路を循環する半導体チップの接合面を、基板の表面に形成された電極に磁気的に吸着させて、半導体チップを基板に実装することを特徴とする請求項８に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項１０】
支持材を構成する材料は高い親水性を有し、
流体は、極性溶媒、又は、極性を有していない溶媒から成ることを特徴とする請求項９に記載の半導体チップの実装方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
ハード材強磁性体５は、図２に示すように、表面酸化処理が施された長軸３００ｎｍ、短軸１００ｎｍの楕円形状の鉄（Ｆｅ）粒子６が光硬化樹脂７中に分散された構造である。この鉄粒子６は、単磁区構造をとり、長軸方向に磁化している。鉄粒子６の長軸は支持材３の表面に垂直に配向しているため、ハード材強磁性体５全体としては、支持材表面に垂直方向（上下方向）が磁化容易軸となる。鉄以外でも他の強磁性体又はフェリ磁性体で構成してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
続いて、光硬化樹脂中に前述の鉄粉を分散して、ｎ−ヘキサンで適度な粘度に調整し、支持材裏面の溝１１内に塗布した後、１０ｋＯｅの磁場中で光硬化させて、（Ｄ）に示すように、ハード材強磁性体５を形成する。その後、壁開により各ＬＥＤ素子間を分割する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月14日(2007.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】位置検出装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  物体上のアライメントマークの位置を検出する位置検出装置に於いて、
光源手段側に開口部を有し、該開口部の一部となる第１開口部を通過した光を前記物体面上に斜め方向から照射且つ該第１開口部を該物体上に略結像する照明光学系と、
該物体面上からの反射光束を受光して該第１開口部像の位置変化を検出する検出手段とを備え、
該開口部の該第１開口部以外である第２開口部を通過した光を該照明光学系内に設けた反射部材により、該物体側に導光する事無く、該検出手段に導光し、
該検出手段で得られた該第１開口部像位置と該第２開口部像位置との情報に基づいて、前記アライメントマークにピントを合わせる事を特徴とする位置検出装置。
【請求項２】  前記光源手段からの光束を限定する複数の開口部の前記第１開口部と前記第２開口部が同一基板上に構成されている事を特徴とする請求項１に記載の位置検出装置。
【請求項３】  前記第１開口部像が前記検出手段で検出される第１信号強度に比べ、前記第２開口部像が該検出手段で検出される第２信号強度を、予め小さく設定した事を特徴とする請求項１に記載の位置検出装置。
【請求項４】  前記第１開口部を前記第２開口部で挟み込む様に配置した事を特徴とする請求項１に記載の位置検出装置。
【請求項５】  前記第２開口部像の位置を前記検出手段で検出する際に、前記物体を該検出手段の検出範囲から退避させる事を特徴とした請求項１に記載の位置検出装置。
【請求項６】  前記第１開口部を照明する光源と前記第２開口部を照明する光源を別個に持っている事を特徴とする請求項１に記載の位置検出装置。
【請求項７】  前記反射部材は、前記第２開口部と略共役な位置に配置された事を特徴とする請求項１に記載の位置検出装置。
【請求項８】  請求項１〜７のいずれかに記載の位置検出装置を備える事を特徴とする露光装置。
【請求項９】  請求項８に記載の露光装置を用いてデバイスを製造する事を特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被検出物体上の位置合わせマークを検出する装置或いは、所謂光学顕微鏡に於いて、被検出物体のフォーカス方向の距離を精度良く計測する事が出来る位置検出装置に関する。また、本発明は、その安定性を保証した位置検出装置に関するものであり、特に半導体ＩＣ、ＬＳＩ、ＣＣＤ、液晶パネル、磁気ヘッド等の各種のデバイスを製造する投影露光装置のようにウエハ等の物体の位置を該物体の像を観察して高精度に検出し、該検出情報に基づいて物体の位置合わせを行う際に好適なものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明は上記の問題に鑑み、こうしたＡＦ系の変動要因を極力除去し、且つ従来の基準光専用の光学系を構成する事なく、安定したフォーカス計測をもつ位置検出装置を提供する事を目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【課題を解決するための手段および作用】
上記目的を達成するために、本発明は、物体上のアライメントマークの位置を検出する位置検出装置に於いて、光源手段側に開口部を有し、該開口部の一部となる第１開口部を通過した光を前記物体面上に斜め方向から照射且つ該第１開口部を該物体上に略結像する照明光学系と、該物体面上からの反射光束を受光して該第１開口部像の位置変化を検出する検出手段とを備え、該開口部の該第１開口部以外である第２開口部を通過した光を該照明光学系内に設けた反射部材により、該物体側に導光する事無く、該検出手段に導光し、該検出手段で得られた該第１開口部像位置と該第２開口部像位置との情報に基づいて、前記アライメントマークにピントを合わせる事を特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
上記の様に、ウエハ６（観察物体）上に向かい反射して来た検出光及び、部分反射ミラーから戻って来た基準光の両方を検出する。従って、光電検出された基準光と検出光の差分より焦点位置を検出する（基準光の位置を基準に検出光の位置を検出する）為、スリット自体の変動、光電変換素子、及び光学系の変動による計測誤差を除去する事ができる。また、基準光を形成する光学系が不要になる為、よりコンパクトに構成する事が出来、装置全体としての拡大化を防ぐ事が可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月13日(2007.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  反射屈折型の投影光学系を備える露光装置において、前記投影光学系は、該投影光学系の往復光路部分に配置された光学素子を有し、前記光学素子は、前記投影光学系の対称性収差を調整するために移動可能に構成されていることを特徴とする露光装置。
【請求項２】  前記光学素子を前記投影光学系の光軸方向に移動させることにより、前記投影光学系の球面収差、非点収差、及び像面湾曲収差のうち少なくとも一つを補正することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】  前記投影光学系は、ミラーを有し、前記光学素子を出射した光は、前記ミラーで反射され、再度前記光学素子に入射することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項４】  前記ミラーは、凹面鏡であることを特徴とする請求項３記載の露光装置。
【請求項５】  前記投影光学系は、該投影光学系の片道光路部分に配置された光学素子を有し、前記片道光路部分に配置された光学素子を移動させることにより、前記投影光学系の非対称収差であるコマ収差及び歪曲収差を補正することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の露光装置。
【請求項６】  光源にＡｒＦレーザを用いることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の露光装置。
【請求項７】  請求項１乃至６のいずれか１項記載の露光装置を使用して、デバイスパターンでウエハを露光し、露光された該ウエハを現像することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
又、図８は、公知の反射屈折型投影光学系（特開平１０−２０１９５号公報の実施例１）を示したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、反射屈折型の投影光学系を備える露光装置において、前記投影光学系は、該投影光学系の往復光路部分に配置された光学素子を有し、前記光学素子は、前記投影光学系の対称性収差を調整するために移動可能に構成されていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項２の発明は、前記光学素子を前記投影光学系の光軸方向に移動させることにより、前記投影光学系の球面収差、非点収差、及び像面湾曲収差のうち少なくとも一つを補正することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項３の発明は、前記投影光学系は、ミラーを有し、前記光学素子を出射した光は、前記ミラーで反射され、再度前記光学素子に入射することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項４の発明は、前記ミラーは、凹面鏡であることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項５の発明は、前記投影光学系は、該投影光学系の片道光路部分に配置された光学素子を有し、前記片道光路部分に配置された光学素子を移動させることにより、前記投影光学系の非対称収差であるコマ収差及び歪曲収差を補正することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項６の発明は、光源にＡｒＦレーザを用いることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項７の発明は、上述した露光装置を使用するデバイス製造方法であって、デバイスパターンでウエハを露光し、露光された該ウエハを現像することを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
凹面ミラーＭＲ１は、開口絞りの位置と等価な位置（光学的に共役な位置を含む）にある。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
光学系のＮＡが大きい場合には、レンズ９の移動により対称性収差が若干変化する。次に第２レンズ群ＬＧ２の中のレンズ３を光軸方向に移動させることによって、非対称性収差を殆ど変えずに対称性収差を補正することができる。以上の手順によって、本実施形態では、非対称性収差と対称性収差の双方を、補正する。このような双方の収差を補正する技術は実施形態２，３の光学系にも適用できる。