【手続補正書】
【提出日】平成20年4月25日(2008.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミクロンまたはサブミクロンサイズの電気化学セルを備え、前記電気化学セルが、
化学吸着された記憶分子の層と電気的に結合された作用電極と、
対向電極と、
化学吸着された酸化還元活性分子の層と電気的に結合された補助対向電極と、
前記作用電極、前記対向電極、および前記補助対向電極に接触する電解質と
を含む分子記憶デバイス。
【請求項２】
ミクロンまたはサブミクロンサイズの電気化学セルを備え、前記電気化学セルが、
作用電極と、
対向電極と、
補助対向電極と、
前記作用電極、前記対向電極、および前記補助対向電極と接触する電解質と、
前記電極のうちの少なくとも１つと電気的に結合された酸化還元活性分子と
を含む分子記憶デバイス。
【請求項３】
前記酸化還元活性分子のうちの少なくともいくつかが、１つまたは複数の化学吸着された層の中にある、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記酸化還元活性分子が、前記電極のうちの少なくとも１つと共有結合している、請求項２に記載のデバイス。
【請求項５】
前記酸化還元活性分子が前記作用電極および前記補助対向電極と電気的に結合している、請求項２に記載のデバイス。
【請求項６】
前記記憶分子が、モノマーポルフィリン、フェロセン誘導体化ポルフィリン、ダイマーポルフィリン、トライマーポルフィリン、ポルフィリン誘導体、ポルフィリンポリマー、またはこれらの組合せである、請求項２に記載のデバイス。
【請求項７】
前記作用電極が、金、アルミニウム、銀、炭素、タングステン、銅、白金、チタン、タンタル、タングステン、多結晶シリコン、ナノ結晶シリコン、窒化チタン、窒化タンタル、チタンタングステン、ＩｒＯ、ＲｕＯ、ＯｓＯ、ＲｈＯ、ＩＴＯ、またはこれらの組合せである、請求項２に記載のデバイス。
【請求項８】
前記補助対向電極が、金、アルミニウム、銀、炭素、タングステン、銅、白金、チタン、タンタル、タングステン、多結晶シリコン、ナノ結晶シリコン、窒化チタン、窒化タンタル、チタンタングステン、ＩｒＯ、ＲｕＯ、ＯｓＯ、ＲｈＯ、ＩＴＯ、またはこれらの組合せである、請求項２に記載のデバイス。
【請求項９】
前記電解質が、ポリマーマトリックスおよびイオン液体、イオン導電ガラスもしくはセラミック、イオン導電遷移金属酸化物、または固体電解質を含む、請求項２に記載のデバイス。
【請求項１０】
ミクロンまたはサブミクロンサイズの電気化学セルと結合されたスイッチングデバイスを備え、前記電気化学セルが、
作用電極と、
対向電極と、
補助対向電極と、
前記作用電極、前記対向電極、および前記補助対向電極と接触する電解質と、
前記電極のうちの少なくとも１つと電気的に結合された酸化還元活性分子と
を含むメモリ素子。
【請求項１１】
スイッチングデバイスと、前記スイッチングデバイスに結合されたビット線及びワード線と、前記スイッチングデバイスに結合されたミクロンまたはサブミクロンサイズの電気化学セルとを備え、前記電気化学セルが、
化学吸着された記憶分子の層と電気的に結合された作用電極と、
対向電極と、
化学吸着された酸化還元活性分子の層と電気的に結合された補助対向電極と、
前記作用電極、前記対向電極、および前記補助対向電極に接触する電解質と
を含むメモリ素子。
【請求項１２】
メモリ素子のアレイを備え、前記メモリ素子の少なくともいくつかが、
ミクロンまたはサブミクロンサイズの電気化学セルと結合されたスイッチングデバイスを備え、前記電気化学セルが、
作用電極と、
対向電極と、
補助対向電極と、
前記作用電極、前記対向電極、および前記補助対向電極と接触する電解質と、
前記電極のうちの少なくとも１つと電気的に結合された酸化還元活性分子と
を含むメモリアレイ。
【請求項１３】
前記アレイが、ミクロンまたはサブミクロンサイズの電気化学セルと結合されたスイッチングデバイスを有する、少なくとも２５００００個のメモリ素子を備える、請求項１２に記載のメモリアレイ。
【請求項１４】
メモリ素子のアレイを含む分子メモリと結合された中央処理ユニットを備え、前記メモリ素子の少なくともいくつかが、
ミクロンまたはサブミクロンサイズの電気化学セルと結合されたスイッチングデバイスを備え、前記電気化学セルが、
作用電極と、
対向電極と、
補助対向電極と、
前記作用電極、前記対向電極、および前記補助対向電極と接触する電解質と、
前記電極のうちの少なくとも１つと電気的に結合された酸化還元活性分子と
を含むコンピューティングデバイス。
【請求項１５】
前記コンピューティングデバイスが、ラップトップコンピュータ、携帯情報端末、携帯電話、デジタルカメラ、デジタルカムコーダ、またはエンベデッドコンピュータである、請求項１２に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項１６】
前記スイッチングデバイスがトランジスタである、請求項１４に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項１７】
分子メモリデバイスの読出しを行う方法であって、
ビット線を電気化学セルと結合することを含み、前記電気化学セルが、
記憶分子と電気的に結合された作用電極と、
対向電極と、
補助対向電極と、
前記作用電極、前記対向電極、および前記補助対向電極と接触する電解質とを含み、
前記記憶分子の酸化状態を示す電位の変化について前記ビット線を監視すること
を含む方法。
【請求項１８】
前記補助対向電極が酸化還元活性分子と電気的に結合されている、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記電気化学セルがミクロンまたはサブミクロンサイズである、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
分子メモリデバイスの読出しを行う方法であって、
ビット線を所定電位にプリチャージすること、および
前記ビット線を電気化学セルと結合することを含み、前記電気化学セルが、
記憶分子と電気的に結合された作用電極と、
対向電極と、
補助対向電極と、
前記作用電極、前記対向電極、および前記補助対向電極と接触する電解質とを含み、
前記記憶分子の酸化状態を示す電位の変化について前記ビット線を監視すること
を含む方法。
【請求項２１】
分子メモリデバイスの書込みを行う方法であって、
ビット線を電気化学セルと結合することを含み、前記電気化学セルが、
記憶分子と電気的に結合された作用電極と、
対向電極と、
補助対向電極と、
前記作用電極、前記対向電極、および前記補助対向電極と接触する電解質とを含み、
前記記憶分子の酸化状態をセットするために前記ビット線に電圧を印加すること
を含む方法。
【請求項２２】
前記補助対向電極が酸化還元活性分子と電気的に結合されている、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記電気化学セルがミクロンまたはサブミクロンサイズである、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
一部製造された半導体ウェハの上で、分子記憶デバイスのアレイを作成することを、
作用電極のアレイを形成すること、
分子記憶デバイスの前記アレイに用いる１つまたは複数の補助対向電極を形成すること、
前記作用電極に記憶分子を付着させること、
分子記憶デバイスの前記アレイに用いる１つまたは複数の電解質を形成すること、および、
分子記憶デバイスの前記アレイに用いる１つまたは複数の対向電極を形成することによって行うこと
を含む方法。
【請求項２５】
前記１つまたは複数の補助対向電極に酸化還元活性分子を付着させることを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記１つまたは複数の対向電極を形成することが、前記分子を分解するであろう放射線に対する前記酸化還元活性分子の露出を減らすかなくすように行われる、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
第１のプロセス環境において、一部製造された半導体ウェハの表面に酸化還元活性分子を物理的に堆積させること、
前記第１のプロセス環境においてウェハおよび酸素ガスを監視すること、
第２のプロセス環境において、前記ウェハ上の複数の作用電極の表面にいくつかの前記酸化還元活性分子を化学的に付着させること、
前記第２のプロセス環境においてウェハおよび酸素ガスを監視すること、
化学的に付着していない酸化還元活性分子を前記ウェハから除去すること、
前記ウェハ上に電解質を形成すること、および、
前記電解質上に導体を堆積させること
を含む方法。
【請求項２８】
前記付着した酸化還元活性分子のうちの少なくともいくつかが、１つまたは複数の化学吸着された層の中にある、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
電解質上に前記導体を堆積させることが、前記分子を分解するであろう放射線に対する前記酸化還元活性分子の露出を減らすかなくすように行われる、請求項２７に記載の方法。