Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月15日(2007.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層を含む発光ダイオードベアチップと、前記発光ダイオードベアチップの外表面を覆った透光性材料とを備えた発光装置であって、
前記発光装置の表面には示温性材料からなる認識可能マークが設けられ、前記認識可能マークの温度は、前記発光層の温度との間に一定の相関関係を有していることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記相関関係は、前記認識可能マークの温度と前記発光層の温度との１次関数の関係である請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記認識可能マークは、前記発光装置の発光面側に配置された請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記認識可能マークには、透光性材料で被覆がされている請求項１〜３のいずれかに記載の発光装置。
【請求項５】
前記認識可能マークが、温度測定指定部である請求項１〜４のいずれかに記載の発光装置。
【請求項６】
発光層を含む発光ダイオードベアチップと、前記発光ダイオードベアチップの外表面を覆った透光性材料とを備えた発光装置の温度検出方法であって、
前記発光装置の表面に設けられた認識可能マークの温度と前記発光層の温度との間に成立する一定の相関関係に基づいて、前記認識可能マークの温度を測定することにより、前記発光層の温度を検出することを特徴とする発光装置の温度検出方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の発光装置は、発光層を含むＬＥＤベアチップと、前記ＬＥＤベアチップの外表面を覆った透光性材料とを備えた発光装置であって、前記発光装置の表面には示温性材料からなる認識可能マークが設けられ、前記認識可能マークの温度は前記発光層の温度との間に一定の相関関係を有していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の発光装置の温度検出方法は、発光層を含むＬＥＤベアチップと、前記ＬＥＤベアチップの外表面を覆った透光性材料とを備えた発光装置の温度検出方法であって、前記発光装置の表面に設けられた認識可能マークの温度と前記発光層の温度との間に成立する一定の相関関係に基づいて、前記認識可能マークの温度を測定することにより、前記発光層の温度を検出することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月11日(2007.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に複数のトランジスタを隣接して配置し、前記複数のトランジスタのゲートをゲートバーで共通に接続するとともに、前記複数のトランジスタのソースフィンガーを共通に接続するソース配線を前記複数のトランジスタ上に設け、前記ソース配線は前記ゲートバーの一部のみを跨ぐ互いに離間した複数のブリッジ部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ソースフィンガーと前記複数のブリッジ部とは直線状に配置されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ソースフィンガーの延長線上から離間して前記ブリッジ部が形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ソース配線は前記複数のトランジスタ上に位置する開口を有して、前記トランジスタ上の一部を覆う電極部を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ソース配線は、前記複数のトランジスタのソース及びドレイン上の全面を覆う電極部を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体装置は、前記ゲートバーを挟んで前記複数のトランジスタと反対側に前記ソース配線と接続する少なくとも１つのバイアホールを有することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記構成において、前記ソースフィンガーと前記複数のブリッジ部とを直線状に配置することができる。また、前記ソースフィンガーの延長線上から離間して前記ブリッジ部が形成される構成とすることもできる。また、前記ソース配線は前記複数のトランジスタ上に位置する開口を有して、前記トランジスタ上の一部を覆う電極部を有する構成とすることができる。又は、前記ソース配線は、前記複数のトランジスタのソース及びドレイン上の全面を覆う電極部を有する構成としてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記半導体装置は、前記複数のトランジスタと前記ゲートバーを挟んで反対側に前記ソース配線と接続する少なくとも１つのバイアホールを有することが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月26日(2007.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
フリップ実装される固体素子と、
前記固体素子の実装面を素子実装面に対して略同一面化するようにマウントして電力の受供給を行う電力受供給部と、
前記電力受供給部と同等の熱膨張率を有して前記固体素子を封止し前記固体素子と前記電力受供給部との間に回り込まない無機封止材料からなる無機封止部とを有することを特徴とする固体素子デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、上記目的を達成するため、フリップ実装される固体素子と、前記固体素子の実装面を素子実装面に対して略同一面化するようにマウントして電力の受供給を行う電力受供給部と、前記電力受供給部と同等の熱膨張率を有して前記固体素子を封止し前記固体素子と前記電力受供給部との間に回り込まない無機封止材料からなる無機封止部とを有することを特徴とする固体素子デバイスを提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月28日(2007.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結合基板の製造方法であって、
シリコンを含む結合面を有する第１及び第２基板の少なくとも一方を処理する結合面処理工程と、
前記第１基板の結合面と前記第２基板の結合面とを結合させる結合工程とを含み、
前記結合面処理工程は、
結合面のＯＨ基を増加させるＯＨ基増加工程と、
ＯＨ基が増加した結合面を５０℃〜２００℃の範囲内の温度で加熱して水分量を低減する水分量低減工程とを含むことを特徴とする結合基板の製造方法。
【請求項２】
前記水分量低減工程では、ＯＨ基が増加した結合面を６０℃〜１７５℃の範囲内の温度で加熱することを特徴とする請求項１に記載の結合基板の製造方法。
【請求項３】
前記水分量低減工程は、大気中、不活性ガス雰囲気中又は減圧雰囲気中で実施されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の結合基板の製造方法。
【請求項４】
前記結合面処理工程は、結合面のＯＨ基が５×１０１３（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）以上、結合面の水分量が５×１０１３（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）以下となるように実施されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の結合基板の製造方法。
【請求項５】
前記ＯＨ基増加工程は、ＯＨ基を増加させる洗浄液によって結合面を洗浄する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の結合基板の製造方法。
【請求項６】
前記ＯＨ基増加工程は、結合面を活性化した後に該結合面に水を提供する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の結合基板の製造方法。
【請求項７】
前記ＯＨ基増加工程は、結合面を活性化させるために該結合面に光又はプラズマを照射する工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の結合基板の製造方法。
【請求項８】
前記結合工程は、前記第１基板と前記第２基板との結合部分が１０ｍｍ／秒以下の速度で広がるように実施されることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の結合基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１基板として、分離層の上にシリコン層、酸化シリコン層を順に有する基板を採用し、前記第２基板として、シリコン基板を採用することを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の結合基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１基板として、分離層の上にシリコン層、酸化シリコン層を順に有する基板を採用し、前記第２基板として、表面に酸化シリコン層を有する基板を採用することを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の結合基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１基板として、表面にシリコン層を有しその下に分離層を有する基板を採用し、前記第２基板として、表面に酸化シリコン層を有する基板を採用することを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の結合基板の製造方法。
【請求項１２】
前記結合工程の後に前記分離層を利用して前記結合基板を分割する工程を更に含むことを特徴とする請求項９乃至請求項１１のいずれか１項に記載の結合基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月16日(2007.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅箔に接合用樹脂が塗布されてフィルム状に形成された銅箔付き樹脂フィルムと、樹脂基板とその両面に貼り付けられた２枚の銅箔とからなるコア銅板とを備え、このコア銅板の上下面に前記銅箔付き樹脂フィルムが接合され、上面の銅箔付き樹脂フィルムに設けられたキャビティに半導体素子が配置されるとともに、上下面の前記銅箔付き樹脂フィルムの銅箔に信号層が形成され、前記コア銅板の２枚の銅箔にそれぞれ電源層及び接地層が形成されたことを特徴とする高放熱型プラスチックパッケージ。
【請求項２】
前記コア銅板を形成する２枚の銅箔の厚さを前記銅箔付き樹脂フィルムを形成する銅箔の略２倍乃至３．５倍とすることを特徴とする請求項１に記載の高放熱型プラスチックパッケージ。
【請求項３】
前記上面の銅箔付き樹脂フィルムの銅箔に前記信号層として導体配線パターンが形成され、前記コア銅板の上面の銅箔に前記接地層が形成され、前記導体配線パターンと前記コア銅板の接地層がキャビティの壁面に設けられる銅メッキ膜を介して電気的導通状態にあることを特徴とする請求項１に記載の高放熱型プラスチックパッケージ。
【請求項４】
前記高放熱型プラスチックパッケージは前記銅箔付き樹脂フィルムの片面に複数の半田ボールを配列したボールグリッドアレイパッケージ（以下、ＢＧＡパッケージと略す。）であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の高放熱型プラスチックパッケージ。
【請求項５】
銅箔に接合用樹脂を塗布してフィルム状に形成した銅箔付き樹脂フィルムの一部に略矩形状の切り欠きを穿設してキャビティとなす工程と、樹脂基板の両面に銅箔を貼り付けてコア銅板となす工程と、このコア銅板を形成する２枚の前記銅箔に導体配線パターンを形成してそれぞれ電源層及び接地層となす工程と、前記銅箔付き樹脂フィルムを前記コア銅板の両面に貼り合わせて積層する工程と、前記銅箔付き樹脂フィルムの銅箔上に導体配線パターンを形成して信号層となす工程とを備えたことを特徴とする高放熱型プラスチックパッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の高放熱型プラスチックパッケージにおいて、コア銅板を形成する２枚の銅箔の厚さを銅箔付き樹脂フィルムを形成する銅箔の略２倍乃至３．５倍とするものである。
上記構成の高放熱型プラスチックパッケージにおいては、請求項１記載の発明と同様の作用を有するとともにコア銅板に貼り付けられた銅箔が放熱板として作用する。また、信号層となる銅箔が薄いため、エッチングによるパターンニングの際に信号ラインがシャープに形成されるという作用を有する。さらに、電源層及び接地層となる銅箔が厚いため、電源電位及び接地電位が変動し難いという作用を有する。
請求項３に記載の発明は、請求項１記載の高放熱型プラスチックパッケージにおいて、上面の銅箔付き樹脂フィルムの銅箔に信号層として導体配線パターンが形成され、コア銅板の上面の銅箔にさきの接地層が形成され、導体配線パターンとコア銅板の接地層がキャビティの壁面に設けられる銅メッキ膜を介して電気的導通状態にあるものである。
上記構成の高放熱型プラスチックパッケージにおいては、請求項１に記載の発明と同様の作用を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の高放熱型プラスチックパッケージにおいて、銅箔付き樹脂フィルムの片面に複数の半田ボールを配列したＢＧＡパッケージとするものである。
上記構成の高放熱型プラスチックパッケージにおいては、請求項１乃至請求項３に記載の発明と同様の作用を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項５に記載の高放熱型プラスチックパッケージの製造方法は、銅箔に接合用樹脂を塗布してフィルム状に形成した銅箔付き樹脂フィルムの一部に略矩形状の切り欠きを穿設してキャビティとなす工程と、樹脂基板の両面に銅箔を貼り付けてコア銅板となす工程と、このコア銅板を形成する２枚の銅箔に導体配線パターンを形成してそれぞれ電源層及び接地層となす工程と、銅箔付き樹脂フィルムをコア銅板の両面に貼り合わせて積層する工程と、銅箔付き樹脂フィルムの銅箔上に導体配線パターンを形成して信号層となす工程とを備えるものである。
上記製造方法によれば、プリプレグと銅板から構成される積層板を表層に使用する場合と異なり、キャビティ加工時にドリル等による穴あけ作業を行う必要がなく、銅箔の打ち抜きを行うのみで良いため、加工工程が単純化されるという作用を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の請求項２に記載の高放熱型プラスチックパッケージにおいては、請求項１に記載の発明と同様の効果を奏するとともに、半導体素子で発生した熱をコア銅板の銅箔により周囲へ放散することができる。また、信号ラインのファインピッチによるパターンニングが可能となるため、パッケージの小型化を図ることができるとともに伝送中の信号波形に生ずる歪みを小さく抑えることができる。これにより、半導体素子の動作特性が安定する。
本発明の請求項３に記載の高放熱型プラスチックパッケージにおいては、請求項１に記載の発明と同様の効果を奏する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の請求項４に記載の高放熱型プラスチックパッケージにおいては、請求項１乃至請求項３に記載の発明と同様の効果を奏する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の請求項５に記載の高放熱型プラスチックパッケージの製造方法によれば、製造コストを低減させることが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月29日(2007.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力されてくる映像信号を基に映像データを生成する映像信号処理部と、
前記映像信号処理部からの映像データをライン毎に一時記憶し、有効と無効に切り替えながら出力するラインメモリと、
前記映像データに所定のデジタル処理を施して出力するロジック部と、
前記ロジック部からの前記映像データを外部へ出力する出力パッドと、
無効期間の前記映像データを前記ロジック部の入力または出力においてダミーデータに置き換えるデータ置換部と
を備えた映像信号処理回路。
【請求項２】
前記データ置換部は、
前記ダミーデータを発生するダミーデータ発生部と、
前記ラインメモリからの前記映像データと前記ダミーデータ発生部からの前記ダミーデータとのいずれか一方を選択して前記ロジック部へ出力するセレクタと
から構成されている請求項１に記載の映像信号処理回路。
【請求項３】
前記データ置換部は、
前記ダミーデータを発生するダミーデータ発生部と、
前記ロジック部からの前記映像データと前記ダミーデータ発生部からの前記ダミーデータとのいずれか一方を選択して前記出力パッドへ出力するセレクタと
から構成されている請求項１に記載の映像信号処理回路。
【請求項４】
前記データ置換部は、
前記ダミーデータを発生するダミーデータ発生部と、
前記ラインメモリからの前記映像データと前記ダミーデータ発生部からの前記ダミーデータとのいずれか一方を選択して前記ロジック部へ出力する第１のセレクタと、
前記ロジック部からの前記映像データと前記ダミーデータ発生部からの前記ダミーデータとのいずれか一方を選択して前記出力パッドへ出力する第２のセレクタと
から構成されている請求項１に記載の映像信号処理回路。
【請求項５】
前記データ置換部は、無効ラインで隣接する有効ラインのデータを補間するように前記ラインメモリを制御するラインメモリ制御回路を備える請求項１から請求項４までのいずれかに記載の映像信号処理回路。
【請求項６】
前記ダミーデータ発生部は、
ランダムパターンを発生するランダムパターン発生回路と、
順次インクリメントまたはデクリメントするカウンタと、
前記ランダムパターン発生回路からの出力と前記カウンタからの出力のいずれか一方を選択するセレクタと
を含む請求項１から請求項４までのいずれかに記載の映像信号処理回路。
【請求項７】
前記ロジック部または前記出力パッドから出力されるデジタル処理映像データは、有効無効識別フラグを伴っている請求項１から請求項６までのいずれかに記載の映像信号処理回路。
【請求項８】
前記ロジック部は、そのデジタル処理としてズーム処理の機能を備えている請求項１から請求項７までのいずれかに記載の映像信号処理回路。
【請求項９】
前記映像信号の有効データおよび無効データに対する処理に加えて、前記映像信号のブランキング期間に対しても同様に処理を行うように構成されている請求項１から請求項８までのいずれかに記載の映像信号処理回路。
【請求項１０】
入力されてくる映像信号を基に映像データを生成する映像信号処理部と、
前記映像信号処理部から出力され、所定のライン間隔毎に有効と無効に切り替えられた前記映像データに、所定のデジタル処理を施して出力するロジック部と、
前記ロジック部からの前記映像データを外部へ出力する出力パッドとを備え、
前記ロジック部の入力または出力において、前記映像データの前記無効ラインにダミーデータが付加される映像信号処理回路。
【請求項１１】
請求項１乃至１０記載の信号処理回路と、イメージセンサと、モニターとを少なくとも備えた撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】映像信号処理回路および撮像装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、イメージセンサ等による撮像信号を入力として映像データの信号処理を行い、外部のモニター等へ映像データを出力する映像信号処理回路に関する。また、前記映像信号処理回路、前記イメージセンサ等、前記モニター等を備える撮像装置に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月4日(2007.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ところで、上述した特許文献１に開示されたヘリカル・ループ型面界輻射アンテナは、ロッドアンテナ等に比べると小型化されているが、例えば携帯電話のような携帯機器に内蔵される受信機に用いる場合には比較的大きな占有スペースを確保する必要があって、小型化が不十分であるという問題があった。また、比較的大きな設置スペースが必要であることから、設置場所の変更が容易ではなく、アンテナ設置の自由度が少ないという問題があった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2006080620.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月4日(2007.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電振動片とこの圧電振動片を発振させる回路を有する半導体素子とをパッケージに搭載した圧電発振器であって、
前記パッケージには貫通孔が形成され、
前記貫通孔は導電性の封止材によって閉塞されており、
前記封止材と前記半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする圧電発振器。
【請求項２】
前記封止材は、前記貫通孔に形成された導電膜と導通されており、
前記導電膜と前記半導体素子との間を電気的に接続する電気的接続手段が前記パッケージに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器。
【請求項３】
前記パッケージは内部に前記圧電振動片を収容する空間を有し、
前記貫通孔が前記封止材によって閉塞されることにより前記空間が気密に封止されていることを特徴とする請求項１または２に記載の圧電発振器。
【請求項４】
前記貫通孔は、信号の入力および出力の少なくともいずれか一方を行う入出力電極であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電発振器。
【請求項５】
前記貫通孔は、前記パッケージに形成された外部電極と同じ面に形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の圧電発振器。
【請求項６】
前記貫通孔は、前記外部電極に隣接して配置されたことを特徴とする請求項５に記載の圧電発振器。
【請求項７】
前記外部電極は、凹部を備えたことを特徴とする請求項５または６に記載の圧電発振器。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の圧電発振器を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項９】
圧電振動片とこの圧電振動片を発振させる回路を有する半導体素子とをパッケージに搭載した圧電発振器の製造方法であって、
前記パッケージに形成された貫通孔を導電性の封止材で封止し、前記半導体素子と前記封止材とを電気的に接続する工程と、
封止後の前記貫通孔を用いて、発振周波数調整用データを前記半導体素子に書き込む書き込み工程と、
を備えたことを特徴とする圧電発振器の製造方法。
【請求項１０】
前記書き込み工程は、前記貫通孔を封止している前記導電性の封止材に対してプローブを接触させて行うことを特徴とする請求項９に記載の圧電発振器の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧電発振器、電子機器および圧電発振器の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は圧電発振器、電子機器および圧電発振器の製造方法に係り、特に小型の圧電発振器の周波数調整方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、データの書き込み時においてプローブを確実に電極に接触させる圧電発振器およびこの圧電発振器を搭載した電子機器を提供することを目的とする。
また圧電発振器の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明に係る圧電発振器の製造方法は、圧電振動片とこの圧電振動片を発振させる回路を有する半導体素子とをパッケージに搭載した圧電発振器の製造方法であって、前記パッケージに形成された貫通孔を導電性の封止材で封止し、前記半導体素子と前記封止材とを電気的に接続する工程と、封止後の前記貫通孔を用いて、発振周波数調整用データを前記半導体素子に書き込む書き込み工程と、を備えたことを特徴としている。
また、前記書き込み工程は、前記貫通孔を封止している前記導電性の封止材に対してプローブを接触させて行うことを特徴としている。
これによりパッケージを封止材で気密封止した後に、貫通孔を用いて周波数調整用のデータを回路に書き込むことができるので、高精度な圧電発振器を得ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また本発明に係る圧電発振器は、圧電振動片とこの圧電振動片を発振させる回路を有する半導体素子とをパッケージに搭載した圧電発振器であって、前記パッケージには貫通孔が形成され、前記貫通孔は導電性の封止材によって閉塞されており、前記封止材と前記半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴としている。また、前記封止材は、前記貫通孔に形成された導電膜と導通されており、前記導電膜と前記半導体素子との間を電気的に接続する電気的接続手段が前記パッケージに形成されていることを特徴としている。
この場合、前記パッケージは内部に前記圧電振動片を収容する空間を有し、前記貫通孔が前記封止材によって閉塞されることにより前記空間が気密に封止されている構成にすることができる。また前記貫通孔は、信号の入力および出力の少なくともいずれか一方を行う入出力電極である構成にできる。
これにより貫通孔は、パッケージ内の気密封止に用いることができるとともに、書き込み用プローブが接触する電極として利用できるので、貫通孔の有効活用を図ることができる。したがってデータ書き込み用の電極を新たに設ける必要がないので、パッケージを小型化することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
以下に、本発明に係る圧電発振器、電子機器および圧電発振器の製造方法についての最良の実施形態について説明する。まず第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態に係る圧電発振器の説明図であり、図１（ａ）は断面図、図１（ｂ）は平面図を示す。なお図１（ｂ）では、リッドを省略した形態で記載している。また図２は圧電発振器にデータを書き込むときの説明図である。第１の実施形態に係る圧電発振器１０は、圧電振動片１２とこの圧電振動片１２を発振させる回路をパッケージ１３内に収容した構成である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月29日(2007.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂材料を含む電気絶縁基材と、前記電気絶縁基材に形成され、発光素子を収容するための貫通孔とを有する照明装置用反射板であって、
前記貫通孔は、第１開口と、前記第１開口より一回り小さい第２開口とを有し、
前記貫通孔の内壁面は、前記第１開口から前記第２開口に向けて狭まるすり鉢状に形成され、かつ一部がめっき膜で覆われており、
前記照明装置用反射板の前記第２開口側の主面及び前記第２開口のエッジは、前記電気絶縁基材の構成材料が露出していることを特徴とする照明装置用反射板。
【請求項２】
すり鉢状に形成された貫通孔の内壁面における前記めっき膜の厚さが第１開口部側から、第２開口部側に向けて薄くなり、且つ第２開口部のエッジにおいては、めっき膜を有しない請求項１に記載の照明装置用反射板。
【請求項３】
主面及びすり鉢状に形成された有底穴における内壁面を覆っためっき膜を、当該有底穴の径以上の直径を有するパンチを用いたプレス加工を当該すり鉢状の有底穴部に施すことによって、反射板に貫通孔を形成させて第２開口部を得た請求項２に記載の照明装置用反射板。
【請求項４】
前記貫通孔の内壁面を覆う前記めっき膜のうち前記第２開口のエッジに最も近い端部と、前記第２開口のエッジの稜線との距離は、１００μｍ以上である請求項１に記載の照明装置用反射板。
【請求項５】
前記貫通孔の内壁面は、前記第１開口側に位置し、前記めっき膜で覆われている第１傾斜面と、前記第２開口側に位置し、前記電気絶縁基材の構成材料が露出している第２傾斜面とからなり、
前記照明装置用反射板の前記第２開口側の主面に対する前記第２傾斜面の傾斜角度は、前記主面に対する前記第１傾斜面の傾斜角度よりも大きい請求項１に記載の照明装置用反射板。
【請求項６】
前記樹脂材料は、溶融型液晶ポリマー及びポリフタルアミド樹脂から選ばれる少なくとも１つを含む請求項１に記載の照明装置用反射板。
【請求項７】
前記めっき膜は、無電解銅めっき膜及び無電解ニッケルめっき膜から選ばれる少なくとも１つを含む請求項１に記載の照明装置用反射板。
【請求項８】
ベース層と前記ベース層上に積層された樹脂材料を含む電気絶縁層と前記電気絶縁層上に形成された配線パターンとを含む基板と、前記配線パターン上に実装された発光素子と、請求項１に記載の照明装置用反射板とを含み、
前記照明装置用反射板は、前記貫通孔内に前記発光素子が収容され、かつ前記第２開口側の主面が前記基板側に位置するように前記基板上に貼り合わされている照明装置。
【請求項９】
樹脂材料を含む電気絶縁基材の一主面に、当該有底穴の径以上の直径を有するパンチを用いたプレス加工を当該すり鉢状の有底穴部に施すことによって、開口から底部に向けて狭まるすり鉢状の有底穴を形成し、
前記有底穴の内壁面をめっき膜で覆い、
前記有底穴の前記底部を貫通して発光素子を収容するための貫通孔を形成する照明装置用反射板の製造方法。
【請求項１０】
ベース層と前記ベース層上に積層された樹脂材料を含む電気絶縁層と前記電気絶縁層上に形成された配線パターンとを含む基板の前記配線パターン上に発光素子を実装し、
請求項１に記載の照明装置用反射板の前記貫通孔内に前記発光素子が収容され、かつ前記照明装置用反射板の前記第２開口側の主面が前記基板側に位置するように前記基板上に前記照明装置用反射板を貼り合わす照明装置の製造方法。
【請求項１１】
樹脂材料を含む電気絶縁基材の一主面に、開口から底部に向けて狭まるすり鉢状の有底穴を形成し、
前記有底穴の内壁面をめっき膜で覆い、
前記電気絶縁基材の前記一主面に対する裏面に接着シートを貼り合わせ、
前記有底穴の前記底部と前記底部に面する接着シートとを貫通して発光素子を収容するための貫通孔を形成することによって、照明装置用反射板と前記接着シートとが貼り合わされた積層体を形成し、
別に、ベース層と前記ベース層上に積層された樹脂材料を含む電気絶縁層と前記電気絶縁層上に形成された配線パターンとを含む基板の前記配線パターン上に発光素子を実装し、
前記照明装置用反射板の前記貫通孔内に前記発光素子が収容され、かつ前記接着シートが前記基板側に位置するように前記基板上に前記積層体を貼り合わす照明装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月1日(2007.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体ベアチップを搭載する基材と、該基材に搭載した半導体ベアチップとを備えた半導体装置のパッケージ構造において、
マウントすべき半導体ベアチップの電極端子を接続する内部電極と、半導体ベアチップマウント後の試験時に試験装置の端子が接続される試験用電極と、半導体ベアチップをマウントしたのち前記基材に実装される時に他の部品に接続される実装用電極とを設けた半導体チップマウントサブ基板と、
前記半導体チップマウントサブ基板を、前記基材に搭載した半導体ベアチップの上部に配置するスペーサと、を備え、
前記半導体チップマウントサブ基板と前記基材に搭載された半導体ベアチップを前記基材とともに樹脂封止したことを特徴とする半導体装置のパッケージ構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明は、複数の半導体ベアチップを搭載する基材と、該基材に搭載した半導体ベアチップとを備えた半導体装置のパッケージ構造において、
マウントすべき半導体ベアチップの電極端子を接続する内部電極と、半導体ベアチップマウント後の試験時に試験装置の端子が接続される試験用電極と、半導体ベアチップをマウントしたのち前記基材に実装される時に他の部品に接続される実装用電極とを設けた半導体チップマウントサブ基板と、
前記半導体チップマウントサブ基板を、前記基材に搭載した半導体ベアチップの上部に配置するスペーサと、を備え、
前記半導体チップマウントサブ基板と前記基材に搭載された半導体ベアチップを前記基材とともに樹脂封止したことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月11日(2007.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
第１の発明に係る情報記録方法は、ビデオタイトルセット情報が記録されたデータ領域を、未記録領域に設定する未記録領域設定ステップを備えることが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
図１に示されるデジタルビデオレコーディング装置に、ディスクが装填されると、システム制御部１０３は、まず、このディスクが未記録か否かの確認を行う（ステップＳ４００）。装填されたディスクが未記録である場合（ステップＳ４００のＹｅｓ）、ユーザは、ＵＩ部１０２を通して、記録フォーマットを指示する。ユーザによりＤＶＤ−Ｖｉｄｅｏフォーマットによる番組の録画が選択されると（ステップＳ４０１およびＳ４０２のＹｅｓ）、システム制御部１０３は、後述するデータ長算出処理により、ボリューム先頭に予約する領域のデータ長を算出し（ステップＳ４０３）、このデータ領域を予約する（ステップＳ４０４）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
ユーザからＵＩ部１０２を介してフォーマット変更が指示されると（ステップＳ４１０のＹｅｓ）、システム制御部１０３は、後述するフォーマット変更処理により、ＤＶＤ−ＶｉｄｅｏフォーマットからＤＶＤ−ＶＲフォーマットへのフォーマット変更を開始する（ステップＳ４１１）。なお、フォーマットの変更は、ＤＶＤ−ＶＲフォーマットのみで記録可能な、例えば、コピーワンス番組や二ヶ国語音声番組などを録画する際には、システム制御部１０３において自動的に行ってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月22日(2007.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基板に、高さが減少する塑性変形過程で接合に寄与する部分であって導体部と電気接続している電極バンプ、高さが減少する塑性変形過程で接合に寄与する部分であって絶縁体部上に形成されている補強バンプ、前記電極バンプと補強バンプより低いストッパーバンプを形成し、第二の基板に、対応する前記電極バンプに当接して両者の原子間相互作用を起こさせて接合に寄与する部分であって導体部と電気接続している電極パッド、対応する前記補強バンプに当接して両者の原子間相互作用を起こさせて接合に寄与する部分であって絶縁体部上に形成されている補強パッド、対応する前記ストッパーバンプに当接して第一の基板と第二の基板間の接合間隔を規定するストッパーパッドを形成し、この後、前記両基板を相対向し、前記電極バンプと電極パッド、前記補強バンプと補強パッド及び前記ストッパーバンプとストッパーパッドをそれぞれ互いに重ね合わせて整合して、荷重を印加しながら電極バンプ及び補強バンプを変形して行き、ストッパーバンプとストッパーパッドが互いに接触し、当接し、そして互いに押圧力を受けるまで電極バンプ及び補強バンプを変形することにより前記電極バンプと電極パッド及び前記補強バンプと補強パッドを接合させ、該接合により両基板間の電極同士を接合することを特徴とする基板間の電極間接合方法。
【請求項２】
前記第一の基板と第二の基板の接合面を清浄化する請求項1記載の基板間の電極間接合方法。
【請求項３】
接合する必要のないバンプとパッド間の接合を回避するために、予め該バンプを無機能化処理する請求項1または2記載の基板間の電極間接合方法。
【請求項４】
高さが減少する塑性変形過程で接合に寄与する部分であって導体部と電気接続している電極バンプ、高さが減少する塑性変形過程で接合に寄与する部分であって絶縁体部上に形成されている補強バンプ、前記電極バンプと補強バンプより低いストッパーバンプを形成した第一の基板と、対応する前記電極バンプに当接して両者の原子間相互作用を起こさせて接合に寄与する部分であって導体部と電気接続している電極パッド、対応する前記補強バンプに当接して両者の原子間相互作用を起こさせて接合に寄与する部分であって絶縁体部上に形成されている補強パッド、対応する前記ストッパーバンプに当接して第一の基板と第二の基板間の接合間隔を規定するストッパーパッドを形成した第二の基板が、前記対応する電極バンプと電極パッド及び前記対応する補強バンプと補強パッドをそれぞれ互いに重ね合わせて整合して接合させることで、接合され、前記両基板間の接合間隔が、前記対応するストッパーバンプとストッパーパッドを互いに接触して当接させることで、規定され、前記接合により両基板間の電極同士を接合していることを特徴とする基板間の電極間接合構造体。
【請求項５】
前記ストッパーバンプの一個当たりの平面における断面積は、電極バンプ及び補強バンプのそれよりも大きい請求項4記載の基板間の電極間接合構造体。
【請求項６】
前記バンプ及びパッドは面心立方晶を有する金属材料で形成されている請求項4または5記載の基板間の電極間接合構造体。
【請求項７】
前記バンプ及びパッドは低融点金属で形成されている請求項4または5記載の基板間の電極間接合構造体。
【請求項８】
前記第一の基板と第二の基板はそれぞれSi基板である請求項4乃至7のいずれかに記載の基板間の電極間接合構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月5日(2006.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
冷媒流路を形成したプレート本体と、上記冷媒流路内に、プレス成形型を不等ピッチにすることにより形成される熱交換フィンコアにより構成されるオフセットフィンを具備し、上記オフセットフィンは、上記冷媒流路の長手方向のオフセットピッチが不等ピッチとなるようにカスケード状流路を形成したことを特徴とするコールドプレート。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月17日(2007.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路と、前記半導体集積回路の出力電圧を決める設定値が記憶される不揮発性メモリとがモノリシックで形成された半導体部品の設計方法であって、
前記設定値が仮の値に調整された前記半導体部品を試作する第１の手順と、
前記半導体部品の試作品に記憶されている前記設定値の調整および前記出力電圧の評価を、前記出力電圧の供給を受けるべき負荷回路に前記半導体部品を接続させた状態で行う第２の手順と、
前記評価の結果に基づいて前記設定値を決定する第３の手順と、
を有することを特徴とする半導体部品の設計方法。
【請求項２】
前記第２の手順と並行して、前記半導体部品の製造ラインにおいて前記半導体部品の設定を行う第４の手順を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体部品の設計方法。
【請求項３】
前記半導体集積回路は、不揮発性メモリによって選択される複数の可変抵抗器を備え、前記第２の手順では前記複数の可変抵抗器の組み合わせを選択し、前記第４の手順では前記可変抵抗器のボリュームを調整する
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体部品の設計方法。
【請求項４】
半導体集積回路と、前記半導体集積回路の出力電圧を決める設定値が記憶される不揮発性メモリとがモノリシックで形成された半導体部品であって、
前記出力電圧の供給を受けるべき負荷回路に前記半導体部品を接続させた状態で行われる調整および評価の結果に基づいて前記設定値が決定されている
ことを特徴とする半導体部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の半導体部品の設計方法は、半導体集積回路と、前記半導体集積回路の出力電圧を決める設定値が記憶される不揮発性メモリとがモノリシックで形成された半導体部品の設計方法であって、前記設定値が仮の値に調整された前記半導体部品を試作する第１の手順と、前記半導体部品の試作品に記憶されている前記設定値の調整および前記出力電圧の評価を、前記出力電圧の供給を受けるべき負荷回路に前記半導体部品を接続させた状態で行う第２の手順と、前記評価の結果に基づいて前記設定値を決定する第３の手順と、を有することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、本発明の半導体部品は、半導体集積回路と、前記半導体集積回路の出力電圧を決める設定値が記憶される不揮発性メモリとがモノリシックで形成された半導体部品であって、前記出力電圧の供給を受けるべき負荷回路に前記半導体部品を接続させた状態で行われる調整および評価の結果に基づいて前記設定値が決定されていることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
具体的に、製造者は半導体製造装置で半導体部品を製造する。使用者は、製造者から半導体部品の供給を受け、その半導体部品を電子機器の一部品としてあるいは単品で使用する。そして、製造者は半導体部品の試作品を使用者に供給する。ここで、試作品においては、不揮発性メモリに記憶された設定値及びこの設定値によって決まる出力電圧は仮の値に調整され、必ずしもこの値に決定されて商品として出荷されるとは限らない。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月16日(2007.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線層がＣｕを含む合金材料によって形成される半導体装置において、
同一配線層内における配線で、配線の幅に応じてＣｕと合金を形成する添加材料の割合を変化させたＣｕ合金材料によって前記配線が形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記配線は、配線の幅が太くなるほどＣｕと合金を形成する添加材料の割合が低くなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
所定の形状にパターニングされたＣｕからなる配線を有する第１の配線層と、
前記第１の配線層上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層上に、所定の形状にパターニングされたＣｕからなる配線を有する第２の配線層と、
Ｃｕと合金を形成する添加材料からなり、前記第１の配線層の配線と前記第２の配線層の配線とを電気的に接続するために前記絶縁層に形成されるプラグと、
を備え、前記プラグと、前記第１と前記第２の配線層の前記プラグと接触する付近の配線は、Ｃｕと前記添加材料との合金材料によって形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記第１または前記第２の配線層の配線の太さに応じて、前記配線間に設けるプラグの数を変化させることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
配線層を有する半導体装置の製造方法であって、
基板の絶縁層上の所定の位置に第１および第２の配線溝を形成する工程と、
前記配線溝の側壁部と底部に、Ｃｕと添加材料とを含有する第１の導電性材料からなるシード層を形成する工程と、
前記シード層上にＣｕを含む第２の導電性材料からなる配線を電解メッキ法によって形成する工程と、
アニール処理して前記シード層と前記配線を互いに拡散させて前記第１および第２の配線溝内に配線材料層を形成する工程と、
を含み、
前記第１の配線溝の配線幅は前記第２の配線溝の配線幅よりも太く、前記第１の配線溝内の前記配線材料層の前記添加材料の含有率は、前記第２の配線溝内の前記配線材料層の前記添加材料の含有率よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記添加材料はＡｌ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｉｎ、ランタノイド系金属、アクチノイド系金属から選ばれたいずれかの材料であり、前記第２の導電性材料はＣｕ金属であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記シード層は、Ｃｕと合金を形成する材料からなる添加金属膜と、この添加金属膜上に形成されるＣｕ金属膜との２層で構成され、
前記第２の導電性材料は、Ｃｕ金属であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
配線層を有する半導体装置の製造方法であって、
基板の絶縁層上の所定の位置にＣｕ金属からなる下層配線を有する第１の配線層を形成する工程と、
前記第１の配線層上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の所定の位置に前記下層配線と接続するためのプラグを埋め込む接続孔と、第２の配線層を構成する上層配線を埋め込むための配線溝を形成する工程と、
前記接続孔の側壁部と前記配線溝の側壁部と底部にのみバリアメタル層を形成する工程と、
前記接続孔にＣｕと合金を形成する添加元素からなる添加金属層を形成する工程と、
前記配線溝に電解メッキ法によってＣｕ金属膜を形成する工程と、
前記接続孔と、前記接続孔との接続部付近の第１と第２の配線層のみがＣｕと前記添加元素とのＣｕ合金となるようにアニール処理する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記添加材料はＡｌ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｉｎ、ランタノイド系金属、アクチノイド系金属から選ばれたいずれかの材料であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月13日(2007.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化水素基のうち少なくとも１つが炭素原子８〜４０個を含有する同一または異なる炭化水素基を有するカルボン酸、および
炭化水素基のうち少なくとも１つが炭素原子８〜４０個を含有する同一または異なる炭化水素基を有するカルボン酸およびポリカルボン酸のポリ無水物
から選択された少なくとも１種の成分（Ｘ）の０〜１００重量％を含有する表面用離型剤で金型を前処理し；
反応成分、助剤物質および添加剤の成形品の形成に必要な量を、成分（Ｘ）２５重量％以下を含む少なくとも１種のイソシアネート成分と共に前処理済みの金型へ導入し、次いで；
成形品を形成し、かつ金型から成形品を除去することを包含するポリウレタンプラスチック成形品の製造方法において、該表面用離型剤が要すれば少なくとも１種の成分（Ｘ）を含有するポリウレタンプラスチック成形品の製造方法。
【請求項２】
炭化水素基のうち少なくとも１つが炭素原子８〜４０個を含有する同一または異なる炭化水素基を有するカルボン酸、および
炭化水素基のうち少なくとも１つが炭素原子８〜４０個を含有する同一または異なる炭化水素基を有するカルボン酸およびポリカルボン酸のポリ無水物
から選択された表面用離型剤。
【請求項３】
炭化水素基のうち少なくとも１つが炭素原子８〜４０個を含有する同一または異なる炭化水素基を有するカルボン酸、および
炭化水素基のうち少なくとも１つが炭素原子８〜４０個を含有する同一または異なる炭化水素基を有するカルボン酸およびポリカルボン酸のポリ無水物
から選択された少なくとも１種の成分（Ｘ）を表面用離型剤およびイソシアネート成分に対する添加剤として包含することを改良とするポリウレタン成形品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月6日(2007.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板表面と第２の基板表面とを有する基板に、形態的特徴部を形成することと、
前記形成することと組み合わせて前記基板を貫くスロットを形成するのに十分な基板材料を除去するために、前記基板に沿って粒子噴射ノズルを移動させることと、
を含み、
前記形成することおよび前記移動させることは、前記第２の表面における前記スロットを、互いに略対向する第１および第２の端領域のほうが中央領域よりも幅が大きいよう構成することを特徴とするスロット形成方法。
【請求項２】
前記形成する作業は、前記第１の基板表面に前記形態的特徴部を形成することを含み、前記移動させる作業は、前記第２の基板表面に沿って前記ノズルを移動させることを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記移動させる作業は、前記ノズルを可変速度で移動させることを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記形成する作業は、テーパ状の縦断面を有する形態的特徴部を形成することを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記形成する作業および前記移動させる作業は、前記スロットの短軸と略平行に測定して、前記第１の表面において略均一の幅を有する前記スロットを構成することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
プリントカートリッジであって、請求項１に記載の方法に従って作成される基板を組み込んだことを特徴とするプリントカートリッジ。
【請求項７】
プリントヘッドであって、第１の表面と、第一の表面と略対向する第２の表面との間に画定された厚さを有する基板と、
長軸と短軸とを画定し、前記第１の表面と前記第２の表面との間に延びるスロットであって、少なくとも部分的に、前記基板に研磨粒子を送る間に粒子噴射ノズルを前記基板の上方で移動させることによって形成される、スロットと
を備え、
前記スロットは、該スロットを前記短軸と略平行に横切って延びる１つまたは複数のリブを有することを特徴とするプリントヘッド。
【請求項８】
プリントカートリッジであって、請求項７に記載のプリントヘッドを組み込んだことを特徴とするプリントカートリッジ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月24日(2007.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位置検出器及びマーキング装置を備えるプリントヘッド・アセンブリであって、前記位置検出器は印刷媒体の端部の画像を形成する為の撮像装置を備え、前記印刷媒体は上端部、両側端部及び下端部を有する、プリントヘッド・アセンブリと、
前記印刷媒体に対して前記プリントヘッド・アセンブリを所定方向へと移動させる為のアクチュエータと、
前記印刷媒体の前記端部の位置を、前記形成した画像から判定する為のコントローラと
を具備することを特徴とする印刷機構。
【請求項２】
前記コントローラが、前記画像から前記印刷媒体の明るさに関する値を判定するものであることを特徴とする請求項１に記載の印刷機構。
【請求項３】
前記コントローラが、前記画像から、前記印刷媒体の前記上端部の位置を判定するものであることを特徴とする請求項１に記載の印刷機構。
【請求項４】
前記コントローラが、前記印刷媒体が前記印刷機構中で正しくアライメントされているかを、前記印刷媒体の前記上端部から異なる距離において測定された複数の端部位置を比較することにより判定することを特徴とする請求項１に記載の印刷機構。
【請求項５】
上端部、両側端部及び下端部を有する印刷媒体上に印刷をする方法であって、
前記印刷媒体の端部の一部を画像化することと、
前記画像化された端部の画像に基づき、前記印刷媒体の端部位置を求めることと
を有することを特徴とする方法。
【請求項６】
前記画像化された端部が前記両側端部の１つであることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記画像化された端部が前記上端部であることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記印刷媒体の明るさに関する値を判定することを更に有することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記印刷機構における前記印刷媒体のアライメントを、前記印刷媒体の前記端部の複数の部分画像を比較することにより判定することを更に有することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
前記印刷媒体の寸法を前記端部の複数の部分画像から判定することを更に有することを特徴とする請求項５に記載の方法。