【手続補正書】
【提出日】平成19年6月1日(2007.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定階層の配線層を、スタンダードセル内の配線およびスタンダードセル間を結ぶ配線のいずれとしても用いることができるスタンダードセルであって、
前記所定階層の配線層を用いて前記スタンダードセル内の配線を行うことにより形成された所定ノードと、
前記所定階層の配線層からなる前記スタンダードセル間を結ぶ配線が、前記所定ノードの近傍に配置されるのを禁止するための禁止手段とを有し、
前記所定ノードと前記禁止手段はともに前記所定階層に配置されることを特徴とするスタンダードセル。
【請求項２】
所定階層の配線層を、スタンダードセル内の配線およびスタンダードセル間を結ぶ配線のいずれとしても用いることができるスタンダードセルであって、
前記所定階層の配線層を用いて前記スタンダードセル内の配線を行うことにより形成された所定ノードと、
前記所定階層の配線層からなる前記スタンダードセル間を結ぶ配線が、前記所定ノードの近傍に配置されるのを禁止するために、前記所定階層の配線層により形成された、前記所定ノードと同時には電位が変化しないシールド配線、前記所定ノードと同時に電位が変化しないシールド領域または前記スタンダードセル間を結ぶ配線の配置が禁止される配線禁止領域と
を有することを特徴とするスタンダードセル。
【請求項３】
請求項２記載のスタンダードセルであって、
前記所定階層の配線により形成された、前記所定ノードと同時に電位が変化しないシールド配線は、電源電位または接地電位に接続されていることを特徴とするスタンダードセル。
【請求項４】
請求項２記載のスタンダードセルであって、
前記所定階層の配線からなる電位が変化しないシールド領域は、スタンダードセルのほぼ全面に形成されることを特徴とするスタンダードセル。
【請求項５】
請求項２記載のスタンダードセルであって、
前記スタンダードセル間を結ぶ配線の配置が禁止される配線禁止領域は、前記所定ノードの位置を中心としてその周囲に、所定の面積をもって設置されることを特徴とするスタンダードセル。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載のスタンダードセルであって、
前記所定ノードは、動作中において一時的に、電位がフローティング状態になる、ダイナミック回路のダイナミックノードであることを特徴とするスタンダードセル。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載のスタンダードセルを用い、自動配置配線方式によりレイアウト設計された、スタンダードセル方式の半導体集積回路装置。
【請求項８】
自動配置配線方式により、請求項１から請求項６のいずれかに記載のスタンダードセルを半導体チップ上に自動的に配置し、かつ、スタンダードセル間を結ぶ配線を、前記特定ノードまたは前記ダイナミックノードの近傍を避けて自動的に配設することを特徴とする、半導体集積回路装置のレイアウト設計方法。
【請求項９】
所定階層の配線層を、スタンダードセル内の配線およびスタンダードセル間を結ぶ配線のいずれとしても用いることができるスタンダードセルであって、
前記所定階層の配線層に形成された所定ノードと、
前記所定階層の配線層において、前記所定ノードに沿って形成された禁止手段とを有し、
前記所定階層の配線層において、前記所定ノードと前記禁止手段との間には、前記スタンダードセル間を結ぶ配線が敷設されていないこと
を特徴とするスタンダードセル。
【請求項１０】
請求項９記載のスタンダードセルであって、
前記禁止手段は、前記所定ノードと同時に電位が変化しないシールド配線であることを特徴とするスタンダードセル。
【請求項１１】
請求項１０記載のスタンダードセルであって、
前記シールド配線は、電源電位または接地電位に接続されていることを特徴とするスタンダードセル。
【請求項１２】
所定階層の配線層を、スタンダードセル内の配線およびスタンダードセル間を結ぶ配線のいずれとしても用いることができるスタンダードセルであって、
前記所定階層の配線層に形成された所定ノードと、
前記所定階層の配線層において、前記所定ノードを取り囲むように設けられた禁止手段とを有し、
前記所定階層の配線層において、前記スタンダードセル間を結ぶ配線は前記所定のノードに隣接していないこと
を特徴とするスタンダードセル。
【請求項１３】
請求項１２記載のスタンダードセルであって、
前記禁止手段は、前記所定ノードと同時に電位が変化しないシールド領域であることを特徴とするスタンダードセル。
【請求項１４】
請求項１３記載のスタンダードセルであって、
前記シールド領域は、スタンダードセルのほぼ全面に形成されることを特徴とするスタンダードセル。
【請求項１５】
所定階層の配線層を、スタンダードセル内の配線およびスタンダードセル間を結ぶ配線のいずれとしても用いることができるスタンダードセルであって、
前記所定階層の配線層に形成された所定ノードと、
前記所定階層の配線層において、配線禁止領域とを有し、
前記配線禁止領域には、前記スタンダードセル間を結ぶ配線が敷設されていないこと
を特徴とするスタンダードセル。
【請求項１６】
請求項１５記載のスタンダードセルであって、
前記配線禁止領域は、前記所定ノードの位置を中心としてその周囲に、所定の面積をもって設置されることを特徴とするスタンダードセル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図５は、ダイナミック回路の一例としての２入力ＡＮＤ回路の構成を示す回路図である。図５において、Ａ、Ｂが入力信号であり、ＣＬＫがクロック信号、Ｑが出力信号である。また、参照符号１０１（図中、太線で示される）はダイナミックノードである。ダイナミックノードは、通常の回路動作中において、その電位が、一時的にフローティング状態になり、他の配線の電位変動の影響を受けやすいノードである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
クロック信号ＣＬＫがローレベルの時、ＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ１）がオン状態となり、ダイナミックノード１０１はハイレベルになる、これをプリチャージと呼ぶ。このとき出力信号Ｑはローレベルとなる。クロック信号がハイレベルに変化すると、入力信号Ａ、Ｂの状態によって、次のように変化する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
まず、入力信号Ａ、Ｂがともにハイレベルの時は、クロック信号ＣＬＫが与えられるＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ３）、入力信号Ａ、Ｂが与えられるＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ１，Ｎ２）が全てオン状態になる。ダイナミックノード１０１は、ローレベルに変化する。よって、出力信号Ｑはハイレベルに変化する。また、入力信号Ａ、Ｂの少なくとも一方がハイレベルのときは、ダイナミックノード１０１はハイレベルのまま維持される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のスタンダードセルは、所定階層の配線層を、スタンダードセル内の配線およびスタンダードセル間を結ぶ配線のいずれとしても用いることができるスタンダードセルであって、前記所定階層の配線層を用いて前記スタンダードセル内の配線を行うことにより形成された所定ノードと、前記所定階層の配線層からなる前記スタンダードセル間を結ぶ配線が、前記所定ノードの近傍に配置されるのを禁止するための禁止手段とを有し、前記所定ノードと前記禁止手段はともに前記所定階層に配置される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明のスタンダードセルは、所定階層の配線層を、スタンダードセル内の配線およびスタンダードセル間を結ぶ配線のいずれとしても用いることができるスタンダードセルであって、前記所定階層の配線層を用いて前記スタンダードセル内の配線を行うことにより形成された所定ノードと、前記所定階層の配線層からなる前記スタンダードセル間を結ぶ配線が、前記所定ノードの近傍に配置されるのを禁止するために、前記所定階層の配線層により形成された、前記所定ノードと同時には電位が変化しないシールド配線、前記所定ノードと同時に電位が変化しないシールド領域または前記スタンダードセル間を結ぶ配線の配置が禁止される配線禁止領域とを有する。所定ノードの近傍に、スタンダードセル間を結ぶ配線が配設されるのを禁止するために、シールド配線、シールド領域あるいは配線禁止領域のいずれかを、スタンダードセルに設けるものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の半導体集積回路装置のレイアウト設計方法では、自動配置配線方式により、本
発明のスタンダードセルを半導体チップ上に自動的に配置し、かつ、スタンダードセル間
を結ぶ配線を、前記特定ノードまたは前記ダイナミックノードの近傍を避けて自動的に配
設する。スタンダードセル自体が、所定ノードの電位を安定化させる点に配慮して設計さ
れているため、スタンダードセル間を結ぶ配線を、特定ノードまたはダイナミックノード
の近傍を避けて自動的に配設することができる。よって、回路の誤動作が発生しない。
また、本発明のスタンダードセルは、所定階層の配線層を、スタンダードセル内の配線およびスタンダードセル間を結ぶ配線のいずれとしても用いることができるスタンダードセルであって、前記所定階層の配線層に形成された所定ノードと、前記所定階層の配線層において、前記所定ノードに沿って形成された禁止手段とを有し、前記所定階層の配線層において、前記所定ノードと前記禁止手段との間には、前記スタンダードセル間を結ぶ配線が敷設されていない。
また、本発明のスタンダードセルの一態様では、前記禁止手段は、前記所定ノードと同時に電位が変化しないシールド配線である。
また、本発明のスタンダードセルの他の態様では、前記シールド配線は、電源電位または接地電位に接続されている。
また、本発明のスタンダードセルは、所定階層の配線層を、スタンダードセル内の配線およびスタンダードセル間を結ぶ配線のいずれとしても用いることができるスタンダードセルであって、前記所定階層の配線層に形成された所定ノードと、前記所定階層の配線層において、前記所定ノードを取り囲むように設けられた禁止手段とを有し、前記所定階層の配線層において、前記スタンダードセル間を結ぶ配線は前記所定のノードに隣接していない。
また、本発明のスタンダードセルの一態様では、前記禁止手段は、前記所定ノードと同時に電位が変化しないシールド領域である。
また、本発明のスタンダードセルの他の態様では、前記シールド領域は、スタンダードセルのほぼ全面に形成される。
また、本発明のスタンダードセルは、所定階層の配線層を、スタンダードセル内の配線およびスタンダードセル間を結ぶ配線のいずれとしても用いることができるスタンダードセルであって、前記所定階層の配線層に形成された所定ノードと、前記所定階層の配線層において、配線禁止領域とを有し、前記配線禁止領域には、前記スタンダードセル間を結ぶ配線が敷設されていない。
また、本発明のスタンダードセルの一態様では、前記配線禁止領域は、前記所定ノードの位置を中心としてその周囲に、所定の面積をもって設置される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、第１層メタル配線層Ｌ１〜Ｌ７が設けられている。さらに、第２層メタル配線層（１０１，１０２ａ，１０２ｂ）が設けられている。ここで、第２層メタル配線層１０１が、ダイナミックノード（図５において、太線で示される部分）を構成する。第２層メタル配線層１０２ａ，１０２ｂはＶＳＳ電位（低レベル側電源電位）に接続された、シールド配線である。この第２層メタル配線層１０２ａ，１０２ｂは、自動配置配線時に、ダイナミックノード（第２層メタル配線層）１０１の近傍にスタンダードセル間配線が配設されてしまうのを禁止するための手段として機能する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
次に、図６に示される比較例を参照して、シールド配線の効果について説明する。図６は、比較例（セル内にシールド配線を設けない例）における、ダイナミック２入力ＡＮＤ回路が形成されたスタンダードセルのレイアウト構成を示すレイアウト図である。図６のスタンダードセルにおいては、スタンダードセル内の配線に用いられる配線層として、ポリシリコン層と第１メタル配線層とその上層の第２メタル配線層を備えている。また、第２メタル配線層は、スタンダードセル間の配線にも用いられる。この点は、図１と同様である。使用する参照符号も、図１と同様である。また、図６では、第３層配線２００も示されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
本実施形態でも、前掲の実施形態と同様に、自動配置配線時において、スタンダードセル間配線がダイナミックノード１０１に隣接して通ることがなくなり、サイドカップリング容量を除去できる。したがって、ダイナミック回路の誤動作を確実に防止することができる。また、ほぼ全面に設けられたシールド領域２５０は電磁遮蔽手段としても機能するため、ダイナミックノード１０１の電位安定化のために積極的に役立つ。なお、シールド領域２５０をＶＳＳ配線１０４に接続しても、同様の効果が得られる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005347591.tif 000001
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2005347591.tif 000002
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2005347591.tif 000003