Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月30日(2008.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
CD30陽性リンパ腫を処置する方法であって、治療上有効な量の(i)CD30に結合するモノクローナル抗体、および(ii)NF-κB活性を阻害する化合物を、処置する必要がある患者に投与するステップによって処置する方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、当該方法において、前記化合物が、ALLnL (N-アセチル-ロイシニル-ロイシニル-ノルロイシナル、MG101)、LLM (N-アセチル-ロイシニル-ロイシニル-メチオナル)、Z-LLnV (カルボベンゾキシル-ロイシニル-ロイシニル-ノルバリナル、MG115)、Z-LLL(カルボベンゾキシル-ロイシニル-ロイシニル-ロイシナル、MG132)、ラクタシスチン、b-ラクトン、 ボロン酸ペプチド、 ユビキチンリガーゼ阻害物質、シクロスポリンA,、FK506 (タクロリムス)およびデオキシスペルグアリンから選択される、方法。
【請求項３】
CD30陽性リンパ腫を処置する方法であって、治療上有効な量のヒトモノクローナル抗体5F11、またはその低グリコシル化変異体、およびボルテゾミブを、処置する必要がある患者に投与するステップによって処置する方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、当該方法において、患者が、前記化合物投与の前に前記抗体を投与される、方法。
【請求項５】
前述の請求項のいずれか一つに記載の方法であって、当該方法において前記抗体がヒトIgG重鎖およびヒトκ軽鎖を含む、方法。
【請求項６】
請求項1至７の方法であって、当該方法において前記抗体がヒトIgG1またはIgG3重鎖を含む、方法。
【請求項７】
前述の請求項のいずれか一つに記載の方法であって、当該方法において、前記モノクローナル抗体は、FR1、CDR1、FR2、CDR2、FR3、CDR3およびFR4配列を含むヒト重鎖可変領域、およびFR1、CDR1、FR2、CDR2、FR3、CDR3およびFR4配列を含むヒト軽鎖可変領域を含み、
(a)  ヒト重鎖可変領域CDR3配列が、配列番号第18、30、および42、およびその保存的修飾からなるグループから選択され、
(b)  ヒト軽鎖可変領域CDR3配列が、配列番号第24、36、および48、およびその保存的修飾からなるグループから選択され、
(c)  前記抗体が、ヒトCD30と、少なくとも107 M-1の親和定数で結合し、
(d)  前記ヒト抗体が、抗体依存性細胞傷害（ADCC）アッセイにおいてCD30+
腫瘍細胞の溶解を媒介し、
(e)  前記ヒト抗体がin vivoにおいてCD30+腫瘍細胞の成長を阻害する、
方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、当該方法において、前記抗体が、ヒトCD30と、少なくとも108 M-1の親和定数で結合する、方法。
【請求項９】
請求項７に記載の方法であって、当該方法においてヒト重鎖可変領域FR1、FR2、FR3およびFR4配列はヒト重鎖VH4-34 またはVH3-11 生殖細胞系列配列に由来する、方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の方法であって、当該方法においてヒト軽鎖可変領域FR1、FR2、FR3およびFR4配列はヒト軽鎖L15、A27またはL6 生殖細胞系列配列に由来する、方法。
【請求項１１】
前述の請求項のいずれか一つに記載の方法であって、当該方法において前記抗体がヒト重鎖可変領域およびヒト軽鎖可変領域を含み、
(a)  ヒト重鎖可変領域が、配列番号第2、6、および10、ならびに配列番号第2、6、および10に少なくとも80%相同な配列からなるグループから選択されるアミノ酸配列を含み、
(b)  ヒト軽鎖可変領域が、配列番号第4、8、および12、ならびに配列番号第4、8、および12に少なくとも80%相同な配列からなるグループから選択されるアミノ酸配列を含み、
(c)  前記ヒト抗体が、ヒトCD30と、少なくとも107 M-1の親和定数で結合し、
(d)  前記ヒト抗体が、抗体依存性細胞傷害（ADCC）アッセイにおいてCD30+
腫瘍細胞の溶解を媒介し、
(e)  前記ヒト抗体がin vivoにおいてCD30+腫瘍細胞の成長を阻害する、
方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、当該方法において、前記抗体が、ヒトCD30と、少なくとも108 M-1の親和定数で結合する、方法。
【請求項１３】
請求項1乃至16に記載の方法であって、当該方法において前記抗体が、(i配列番号第2および配列番号第4、(ii) 配列番号6および配列番号8、ならびに(iii)
配列番号10および配列番号12、からなるグループから選択されるアミノ酸配列を含むヒト重鎖およびヒト軽鎖可変領域を含む、方法。
【請求項１４】
請求項１乃至９のいずれか一つに記載される方法であって、当該方法において前記抗体が5F11、AC-10、HeFi-1、CD30への5F11、AC-10、HeFi-1の結合と競合する抗体、またはその低グリコシル化変異体から選択される、方法。
【請求項１５】
CD30発現細胞の成長を阻害する方法であって、その細胞の成長を阻害するのに有効な量の(i) CD30に結合するモノクローナル抗体、および(ii)プロテアソーム阻害物質前記細胞と接触させるステップを含む、方法。
【請求項１６】
CD30を発現する腫瘍細胞の成長を特徴とする疾患を処置または予防する方法であって、CD30に結合するモノクローナル抗体およびプロテアソーム阻害物質を、それぞれ、前記疾患を処置または予防するのに有効な量、患者に投与するステップを含む、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、当該方法において、前記疾患が、ホジキン病、未分化大細胞リンパ腫（ALCL）、成人T細胞リンパ腫（ATL）、血管免疫芽球性リンパ節症（AILD）様T細胞リンパ腫、HIV関連体腔性リンパ腫、胎生期癌、鼻咽腔の未分化腫瘍（たとえばシュミンケ腫瘍）、キャッスルマン病、カポジ肉腫、およびその他のT細胞またはB細胞リンパ腫からなるグループから選択される、方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の方法であって、当該方法において前記疾患がホジキン病または未分化大細胞リンパ腫（ALCL）である、方法。
【請求項１９】
請求項１６に記載の方法であって、当該方法において非ホジキンリンパ腫が非ホジキンリンパ腫である、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月1日(2008.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列で流体接続している複数のフィルターカートリッジモジュールを含む疑似移動床装置で溶液混合物から標的分子を連続的に分離する方法であって、各フィルターカートリッジモジュールが、
フィルターカートリッジモジュール入口と、フィルターカートリッジモジュール出口と、前記フィルターカートリッジモジュール出口および前記フィルターカートリッジモジュール入口を接続するフィルターカートリッジモジュール再循環配管と；
前記フィルターカートリッジモジュール再循環配管におけるフィルターカートリッジモジュールポンプであって、前記フィルターカートリッジモジュールポンプの上流側が、上流のフィルターカートリッジモジュール出口または供給源に更に流体接続可能である、フィルターカートリッジモジュールポンプと；そして
多孔質基材層の上流側に隣接する、ある体積の固定相粒子を含み；
前記方法が、
標的分子を含む溶液混合物を、前記フィルターカートリッジモジュールポンプで前記複数のフィルターカートリッジモジュールに連続的に流すステップであって、各フィルターカートリッジモジュールについて、前記溶液混合物流の再循環部分が、前記フィルターカートリッジモジュール出口から前記フィルターカートリッジモジュール入口へ再循環され、前記溶液混合物の残りの部分が、次のフィルターカートリッジモジュール入口へ、または前記フィルターカートリッジモジュールが最下流モジュールであれば前記疑似移動床装置の出口へ流される、ステップと；
前記標的分子を前記ある体積の固定相粒子に結合させて標的分子固定相粒子生成物を形成するステップと；
前記標的分子固定相粒子生成物を含有する最上流の充填済みフィルターカートリッジモジュールを通過する前記溶液混合物流を止めるステップと；
前記充填済みフィルターカートリッジモジュール中の前記標的分子固定相粒子生成物から前記標的分子を分離して、単離された標的分子生成物と再生済みフィルターカートリッジモジュールとを形成するステップと；
前記再生済みフィルターカートリッジモジュールに前記溶液混合物流を流すステップであって、前記再生済みフィルターカートリッジモジュールが次いで直列で流体接続している前記複数のフィルターカートリッジモジュールの最下流のフィルターカートリッジモジュールを形成する、ステップ
の繰り返しステップを含む、方法。
【請求項２】
溶液混合物から標的分子を連続的に分離するための疑似移動床装置であって：
複数のフィルターカートリッジモジュールを含む捕捉ゾーンであって、各フィルターカートリッジモジュールが、フィルターカートリッジモジュール入口と、フィルターカートリッジモジュール出口と、前記フィルターカートリッジモジュール出口および前記フィルターカートリッジモジュール入口を接続するフィルターカートリッジモジュール再循環配管と、多孔質基材層のモジュール入口向き側に隣接するある体積の固定相粒子を有し、前記固定相粒子が標的分子と結合可能であり、前記複数のフィルターカートリッジモジュールが直列に接続されており、前記フィルターカートリッジモジュールの出口が前記フィルターカートリッジモジュールの再循環配管に接続され、且つ次の下流フィルターカートリッジモジュールのフィルターカートリッジモジュール入口にも接続されており、前記第１の最も充填されたフィルターカートリッジモジュールが溶液混合物供給源に接続されており、前記最終の最も再生されたフィルターカートリッジモジュールが標的分子をほとんど含まない溶液混合物容器に接続されている、捕捉ゾーンと；
充填済みフィルターカートリッジモジュール中の前記標的分子を前記ある体積の固定相粒子から分離して、再生済みフィルターカートリッジモジュールを形成する回収ゾーンであって、少なくとも１つのフィルターカートリッジモジュールを含む、回収ゾーンと；
前記第１のフィルターカートリッジモジュールを前記捕捉ゾーンから前記回収ゾーンへ移し、そして前記回収ゾーンへ戻して前記最終のフィルターカートリッジモジュールを形成するバルブ調節手段と
を含む、疑似移動床装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月24日(2008.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その治療を必要とする患者における急性骨髄性白血病（ＡＭＬ）の治療に使用するためのｍＴＯＲ阻害剤。
【請求項２】
ＡＭＬが１種または２種以上の他の治療法に無反応性である、請求項１記載のｍＴＯＲ阻害剤。
【請求項３】
ＡＭＬが再発したものである、請求項１記載のｍＴＯＲ阻害剤。
【請求項４】
セロリムス（ラパマイシン）、ＡＰ２３５７３、テムシロリムス（ＣＣＩ７７９）、エベロリムス（ＲＡＤ００１）またはＡＢＴ−５７８である、請求項１、２または３記載のｍＴＯＲ阻害剤。
【請求項５】
０.１〜５０ｍｇの用量で週に１回または２回以上投与される、請求項１〜４のいずれかに記載のｍＴＯＲ阻害剤。
【請求項６】
週に３〜７回投与される、請求項１〜５のいずれかに記載のｍＴＯＲ阻害剤。
【請求項７】
静脈内または経口で投与される、請求項１〜６のいずれかに記載のｍＴＯＲ阻害剤。
【請求項８】
腸溶性コーティングを有する固体剤形で経口投与される、請求項１〜５のいずれかに記載のｍＴＯＲ阻害剤。
【請求項９】
寛解導入療法中に投与される、請求項１〜８のいずれかに記載のｍＴＯＲ阻害剤。
【請求項１０】
強化療法中に投与される、請求項１〜８のいずれかに記載のｍＴＯＲ阻害剤。
【請求項１１】
寛解維持療法中に投与される、請求項１〜８のいずれかに記載のｍＴＯＲ阻害剤。
【請求項１２】
他の療法と併用して投与される、請求項１〜１１のいずれかに記載のｍＴＯＲ阻害剤。
【請求項１３】
下記の１種または２種以上の療法と併用して投与される、請求項１２記載の方法：代謝拮抗薬、アントラサイクリン薬、６−チオグアニン、ゲムツズマブ・オゾガマイシン（マイロターグ）、コロニー刺激因子、放射線療法、および幹細胞移植。
【請求項１４】
前記の薬が、シタラビン（ａｒａ−Ｃ）、ダウノルビシン、ドキソルビシン、イダルビシン、Ｇ−ＣＳＦおよびＧＭ−ＣＳＦから選ばれる、請求項１３記載のｍＴＯＲ阻害剤。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月19日(2008.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の不織アラミドシート間に配置されたエラストマーポリエステル樹脂の層を含んでなるラミネート。
【請求項２】
請求項１に記載のラミネートを含有する電気機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
【表１】
2008514471.tif 000001
次に、本発明の好ましい態様を示す。
1.  ２枚の不織アラミドシート間に配置されたエラストマーポリエステル樹脂の層を含んでなるラミネート。
2.  ５〜２５ミル（０．１３〜０．６１ｍｍ）の範囲の全厚さを有する上記１に記載のラミネート。
3.  厚さが７〜１５ミル（０．１８〜０．３８ｍｍ）である上記１に記載のラミネート。
4.  前記ラミネート中の前記ポリエステル樹脂の層の厚さが、前記ラミネート中のいずれの個々の不織シートの厚さよりも厚い上記３に記載のラミネート。
5.  前記樹脂が、前記２枚の不織アラミドシートと接触している上記１に記載のラミネート。
6.  前記２枚の不織アラミドシートがそれぞれ、前記エラストマーポリエステル樹脂の層のいずれかの側に隣接して取り付けられている上記５に記載のラミネート。
7.  前記不織アラミドシートがアラミド紙を含んでなる上記１に記載のラミネート。
8.  前記アラミド紙が、温度差をつけてカレンダ加工された（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌｌｙ  ｃａｌｅｎｄｅｒｅｄ）紙である上記７に記載のラミネート。
9.  前記アラミド紙がアラミド繊維およびフィブリッドを含んでなる上記７に記載のラミネート。
10.  前記アラミド紙がメタフェニレンイソフタルアミドフロックを含む上記７に記載のラミネート。
11.  前記エラストマーポリエステルが、ポリエステルの実質的に連続した相と、低モジュラスのポリマーの実質的に不連続な相とを含んでなる樹脂である上記１に記載のラミネート。
12.  前記エラストマーポリエステル樹脂が、
ａ）コポリエステルが、
ｉ）テレフタル酸、イソフタル酸、ナフタレンジカルボン酸およびこれらの混合物よりなる群からの芳香族二酸、および
ｉｉ）１００モルパーセントのジオールを基準として６０〜約９８モルパーセントのエチレングリコールと残部のジエチレングリコール
から誘導された、多相組成物１００重量パーセントを基準として５５〜９８重量パーセントのコポリエステルの連続相であって、コポリエステルが二酸と、ジオールと、二酸１００モル当たり０〜２モルの分岐剤とからのみ誘導されたコポリエステルの連続相と、
ｂ）低モジュラスエチレンコポリマーを含んでなる、多相組成物の重量を基準として２〜４５重量パーセントの実質的に不連続な相と
を含んでなる多相組成物である上記１に記載のラミネート。
13.  前記コポリエステルが、トリメリト酸、ペンタエリスリトール、グリセロール、トリメチロールプロパン、トリエチロールプロパンおよびこれらの混合物よりなる群の一員である分岐剤を含んでなる上記１２に記載のラミネート。
14.  上記１に記載のラミネートを含有する電気機器。
15.  上記６に記載のラミネートを含有する電気機器。
16.  上記１２に記載のラミネートを含有する電気機器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月24日(2008.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タイヤであって、補強要素で作られていて、前記タイヤの各側でビードに繋留された少なくとも１つのカーカスタイプの補強構造体を有し、前記ビードのベースが、リム受座に取り付けられるようになっており、外部に向かう各ビードの半径方向延長部としてサイドウォールが設けられ、前記サイドウォールが、外部に向かってトレッドに半径方向に接合され、前記ビード、前記サイドウォール及び前記トレッドが、部分的にゴム配合物で作られているタイヤにおいて、前記タイヤは、前記トレッドのゴム配合物の内部温度を測定する少なくとも１つの装置を有し、前記装置は、前記トレッドの前記ゴム配合物内に固定されている、タイヤ。
【請求項２】
前記装置は、前記装置の締結箇所の温度を表す信号を出す、請求項１記載のタイヤ。
【請求項３】
前記装置は、例えば無線波による問い合わせを受けることができるワイヤレス温度センサである、請求項１又は２記載のタイヤ。
【請求項４】
前記装置は、前記装置の前記締結箇所の前記温度を表す信号を送信する回転ハブに接続されている、請求項１記載のタイヤ。
【請求項５】
前記タイヤは、前記トレッドの前記ゴム配合物の内部温度を測定する少なくとも３つの装置を有する、請求項１〜４のうちいずれか一に記載のタイヤ。
【請求項６】
タイヤのグリップ特性を推定する方法であって、前記タイヤのトレッドのゴム配合物内に締結された少なくとも１つの温度測定装置で前記トレッドの内部温度を測定するステップを有する、方法。
【請求項７】
タイヤ／ホイール取り付け型組立体を有する車両の運転支援方法であって、前記タイヤは、トレッドのゴム配合物内に固定されていて、前記トレッドの前記ゴム配合物の内部温度を測定する少なくとも１つの装置を有し、前記装置の締結箇所の温度を表す信号をオペレータ側の装置に送信し、前記オペレータ側装置は、運転手に通知すると共に／或いは前記車両の出力及び／又はトルク及び／又は速度を調整する、運転支援方法。
【請求項８】
前記装置の前記締結箇所の前記温度を表す前記信号は、ワイヤレス温度センサによって送信され、前記ワイヤレス温度センサは、例えば、無線波による問い合わせを受けることができ、前記ワイヤレス温度センサは、前記ゴム配合物内に設けられた無線アンテナ及び前記車両に設けられた無線アンテナと関連している、請求項７記載の車両用運転支援方法。
【請求項９】
前記装置の前記締結箇所の前記温度を表す前記信号は、回転ハブによる接続によって送信される、請求項７記載の車両用運転支援方法。
【請求項１０】
前記温度測定、前記信号送信及び前記通知及び／又は調整は、前記車両の走行開始前に行われる、請求項７〜９のうちいずれか一に記載の車両用運転支援方法。
【請求項１１】
前記温度測定、前記信号送信及び前記通知及び／又は調整は、前記車両が走行している間に行われる、請求項７〜１０のうちいずれか一に記載の車両用運転支援方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月11日(2008.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細孔を有する担持貴金属酸化物触媒を、エクス−シチュで還元および乾式不動態化する方法であって、
（ａ）前記触媒を水素および不活性ガスの混合物の存在下に還元して、還元触媒を製造する工程；および
（ｂ）前記還元触媒の乾燥および易流動性が保持されるように、
前記還元触媒を不活性雰囲気下で冷却する工程、および
前記還元触媒の細孔に、過剰液体の非存在下に油を満たす工程
を含む方法により、前記還元触媒を不動態化する工程
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記不活性雰囲気は、窒素であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記オイルは、ホワイトオイルであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記オイルは、パラフィン系オイルであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記オイルは、低硫黄留出物であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記触媒は、ＭＣＭ−４１に担持されたパラジウムおよび白金であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記貴金属は、パラジウムおよび白金であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記触媒の担体は、メソポーラスもしくはゼオライト系マトリックスであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
細孔を有する担持貴金属酸化物触媒を、エクス−シチュで還元および乾式不動態化する方法であって、
（ａ）前記触媒を水素および不活性ガスの混合物の存在下に還元して、還元触媒を製造する工程；および
（ｂ）前記還元触媒の乾燥および易流動性が保持されるように、
前記還元触媒を不活性雰囲気下で冷却する工程、および
前記還元触媒を空気に曝露する工程
を含む方法により、前記還元触媒を不動態化する工程
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記貴金属は、パラジウムおよび白金であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記触媒の担体は、メソポーラスもしくはゼオライト系マトリックスであることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記触媒は、ＭＣＭ−４１に担持されたパラジウムおよび白金であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月21日(2008.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式ＩＩＩ
【化１】
2008514418.tif 000001
（式中、ｐは０または１の整数であり、
Ｒ1およびＲ2は独立してアルキル、ヘテロアルキル、アリール、アラルキルから選択されるか、またはＲ1およびＲ2は、Ｒ1およびＲ2が結合されている炭素原子と合一して炭素環を形成させる）
のアズラクトン官能性基材を提供する工程と、
前記基材上のアズラクトン基と、ヒドロキシル基、第一アミノ基、第二アミノ基またはそれらの組み合わせから選択された多求核性基を有する第１の求核性化合物とを反応させて、少なくとも１個の求核性末端基を有する基材−結合求核性化合物を形成させる工程と、
前記基材−結合求核性化合物の求核性末端基と多アズラクトン基を有する第１のアズラクトン化合物とを反応させて、アズラクトン末端基を有する第１の樹枝状構造体を形成させる工程と
を含む物品を製造する方法であって、前記第１の求核性化合物が少なくとも３個の求核性基を有するか、前記第１のアズラクトン化合物が少なくとも３個のアズラクトン基を有するか、またはその組み合わせであることを特徴とする方法。
【請求項２】
ヒドロキシル基、第一アミノ基、第二アミノ基またはそれらの組み合わせから選択された求核性基を結合させた基材を提供する工程と、
前記基材に結合された求核性基と多アズラクトン基を有する第１のアズラクトン化合物とを反応させて、少なくとも１個のアズラクトン末端基を有する基材−結合アズラクトン化合物を形成させる工程と、
前記基材−結合アズラクトン化合物の前記アズラクトン末端基と多求核性基を有する第１の求核性化合物とを反応させて、求核性末端基を有する第１の樹枝状構造体を形成させる工程と
を含む物品を製造する方法であって、前記第１のアズラクトン化合物が少なくとも３個のアズラクトン基を有するか、前記第１の求核性化合物が少なくとも３個の求核性基を有するか、またはその組み合わせであることを特徴とする方法。
【請求項３】
物品を製造する方法であって、式ＩＩＩ
【化２】
2008514418.tif 000002
（式中、ｐは０または１の整数であり、
Ｒ1およびＲ2は独立してアルキル、ヘテロアルキル、アリール、アラルキルから選択されるか、またはＲ1およびＲ2は、Ｒ1およびＲ2が結合されている炭素原子と合一して炭素環を形成させる）
のアズラクトン官能性基材を提供する工程と、
前記基材に結合されたアズラクトン基と、ヒドロキシル基、第一アミノ基、第二アミノ基またはそれらの組み合わせから選択された求核性基を有する樹枝状材料とを反応させる工程と
を含む方法。
【請求項４】
ａ）基材と、
ｂ）前記基材に樹枝状材料を接続させる結合基と、
ｃ）２〜６の整数に等しい原子価を有する延長基を含む前記樹枝状材料であって、前記延長基が式ＸＸＶ
【化３】
2008514418.tif 000003
（式中、
ｎは少なくとも２の整数であり、
ｐは０または１の整数であり、
ＴはオキシまたはＮＲbであり（但し、Ｒbは水素、アルキル、ヘテロアルキル、アリールまたはアラルキルから選択される）、
Ｒ1およびＲ2は独立してアルキル、ヘテロアルキル、アリール、アラルキルから選択されるか、またはＲ1およびＲ2は、Ｒ1およびＲ2が結合されている炭素原子と合一して炭素環を形成させ、
Ｄはｎに等しい原子価を有する連結基であって、少なくとも１個の炭素原子を含む連結基である）
の基である樹枝状材料と
を含む物品。
【請求項５】
ａ）基材と、
ｂ）樹枝状材料と、
ｃ）前記基材に前記樹枝状材料を接続させる二価結合基であって、式ＩＩ
【化４】
2008514418.tif 000004
（式中、
ｐは０または１の整数であり、
Ｒ1およびＲ2は独立してアルキル、ヘテロアルキル、アリール、アラルキルから選択されるか、またはＲ1およびＲ2は、Ｒ1およびＲ2が結合されている炭素原子と合一して炭素環を形成させる）
の基である二価結合基と、
を含む物品。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月19日(2008.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種の光安定剤をポリマー材料に取入れる方法であって、
塗布したときに光安定剤が少なくとも０．２g/m2含まれるコヒーレントコーティング層をポリマー基材上に保持するため、十分な粘度または膜形成能を有するよう配合させた非反応性担体に懸濁させた、紫外線吸収剤およびヒンダードアミン光安定剤からなる群から選択される光安定剤を少なくとも１種含む除去可能なコーティング組成物を、ポリマー基材に塗布するステップと、
光安定剤をポリマー基材に拡散させておくステップと、
を含む方法。
【請求項２】
１分間あたり２０回転の＃４スピンドルを用いたBrookfield Viscometerで測定したとき、コーティング組成物が、５００〜１０，０００ｃｐｓの粘度を有する液体である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記紫外線吸収剤が、ベンゾトリアゾール、オルトヒドロキシベンゾフェノン、トリフェニルトリアジン、ベンジリデンマロナート、シアノアクリラートおよびオキサニリドからなる群から選択される、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記ヒンダートアミン光安定剤が、
ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジン−４−イル）セバカート、
ビス（１−オクチルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル）セバカート、
ビス（２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル）セバカート、
７−オキサ−３，２０−ジアザジスピロ〔５．１．１１．２〕ヘンエイコサン−２０−プロピオン酸，２，２，４，４−テトラメチル−２１−オキソ−，ドデシルエステル、
３−ドデシル−１−（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジニル）−２，５−ピロリジンジオン、
１−アセチル−４−（３−ドデシル−２，５−ジオキソ−１−ピロリジニル）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、および
２，４−ビス〔Ｎ−ブチル−Ｎ−（１−シクロヘキシルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル）アミノ〕−６−（２−ヒドロキシエチルアミン）−１，３，５−トリアジン、
からなる群から選択される、請求項１記載の方法。
【請求項５】
コーティング組成物が、更に、抗酸化剤、染料、蛍光増白剤、流れ調整剤（flow-control agent）、静電防止剤、防腐剤および殺生物剤からなる群から選択される添加剤を１種以上含む、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月10日(2008.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シェル構造であって、
第１のパネル部分を含み、前記第１のパネル部分は、
第１の被覆部材と、
前記第１の被覆部材に取付けられた第１の補強材とを含み、前記シェル構造はさらに、
前記第１のパネル部分に隣接して位置付けられた第２のパネル部分を含み、前記第２のパネル部分は、
第２の被覆部材と、
前記第２の被覆部材に取付けられた第２の補強材とを含み、前記シェル構造はさらに、
前記第１のパネル部分の第１のエッジ領域および前記第２のパネル部分の第２のエッジ領域にわたって延在する取付具を含み、前記第１のパネル部分を前記第２のパネル部分に接合するように前記取付具の第１の端部部分は前記第１の補強材および前記第１の被覆部材に取付けられ、前記取付具の第２の端部部分は前記第２の補強材および前記第２の被覆部材に取付けられる、シェル構造。
【請求項２】
前記第１の補強材は前記第１の被覆部材に取付けられた第１のフランジ部分および前記第１被覆部材から突出する第１の一段高い部分を含み、前記第２の補強材は前記第２の被覆部材に取付けられた第２のフランジ部分および前記第２の被覆部材から突出する第２の一段高い部分を含み、前記取付具の前記第１の端部部分は前記第１の補強材の前記第１のフランジ部分の上に重ねて取付けられ、前記取付具の前記第２の端部部分は前記第２の補強材の前記第２のフランジ部分の上に重ねて取付けられる、請求項１に記載のシェル構造。
【請求項３】
前記第１の補強材は前記第２の補強材と縦方向に位置合わせされる、請求項１に記載のシェル構造。
【請求項４】
前記第１の被覆部材は前記第２の被覆部材とエッジで位置合わせして位置付けられる、請求項１に記載のシェル構造。
【請求項５】
前記第１の被覆部材を前記第２の被覆部材に継ぐように前記第１の被覆部材の第１のエッジ領域および前記第２の被覆部材の第２のエッジ領域に取付けられたストラップをさらに含む、請求項１に記載のシェル構造。
【請求項６】
前記第１の被覆部材を前記第２の被覆部材に継ぐように前記第１の被覆部材の第１のエッジ領域および前記第２の被覆部材の第２のエッジ領域に取付けられたストラップをさらに含み、前記ストラップの少なくとも一部分は前記取付具および前記第１の被覆部材の前記第１のエッジ領域ならびに前記第２の被覆部材の前記第２のエッジ領域の間に挟まれる、請求項１に記載のシェル構造。
【請求項７】
前記第１の被覆部材は航空機胴体の第１の複合被覆部材であり、前記第２の被覆部材は前記航空機胴体の第２の複合被覆部材である、請求項１に記載のシェル構造。
【請求項８】
シェル構造を製造するための方法であって、
第１の複合被覆部材を第２の複合被覆部材とエッジで位置合わせして位置付けるステップと、
取付具の第１の端部を前記第１の複合被覆部材および前記第１の複合被覆部材上の第１の補強材に取付けるステップと、
前記取付具の第２の端部を前記第２の複合被覆部材および前記第２の複合被覆部材上の第２の補強材に取付けるステップとを含む、方法。
【請求項９】
前記取付具が取付けられた前に前記第１および第２の複合被覆部材を継ぎ合わせるようにストラップを前記第１の複合被覆部材の第１のエッジ領域および前記第２の複合被覆部材の第２のエッジ領域に取付けるステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記取付具が取付けられた前に前記第１および第２の複合被覆部材を継ぎ合わせるようにストラップを前記第１の複合被覆部材の第１のエッジ領域および前記第２の複合被覆部材の第２のエッジ領域に取付けるステップをさらに含み、前記取付具を取付けるステップは前記ストラップの一部分を前記取付具および前記第１の複合被覆部材の前記第１のエッジ領域ならびに前記第２の複合被覆部材の前記第２のエッジ領域の間に挟むステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の複合被覆部材は第１の軸の周りに３６０度延在し、前記第２の複合被覆部材は第２の軸の周りに３６０度延在する、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
取付具の第１の端部を前記第１の補強材に取付け、かつ前記取付具の第２の端部を前記第２の補強材に取付けるステップは液体の排出のために前記第１および第２の補強材の端部部分を開いたままにするステップを含む、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月24日(2008.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一層の多孔性繊維状濾過層と、標的分子と結合可能な少なくとも一層の固定相微粒子とを含むフィルターエレメントを含む複合フィルター媒体であって、前記固定相微粒子が５０マイクロメートル未満の平均直径を有する粒子、軟質ポリマー粒子および破砕モノリシックポリマー粒子の群から選択される複合フィルター媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の複合濾過媒体を含むフィルターエレメントを含むフィルターカートリッジ。
【請求項３】
請求項２に記載のフィルターカートリッジと、溶質として少なくとも一種の標的生体高分子を含む溶液混合物を収容する貯蔵器と、前記少なくとも一種の生体高分子を固定相微粒子に結合して標的分子：固定相微粒子生成物を形成するためにフィルターカートリッジを通して溶液混合物をポンピングするためのポンプおよび関連チューブとを含む生体高分子の大規模分離用の分離系。
【請求項４】
ａ）標的分子と結合可能な請求項１に記載の複合フィルター媒体を含むフィルターカートリッジと、溶質として少なくとも一種の標的分子を含む溶液混合物を収容する貯蔵器と、ポンプおよび関連チューブとを含有する分離系を提供する工程と、
ｂ）前記少なくとも一種の生体高分子を固定相微粒子に結合して標的分子：固定相微粒子生成物を形成するために最大３４４．７ｋＰａ（５０ｐｓｉ）の圧力でフィルターカートリッジを通して溶液混合物をポンピングする工程と
を含む溶液混合物からの標的分子の分離方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月3日(2008.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
前記手順において、ツールパート２、３を、マンドレル８に向かって互いに同調させて移動させた。しかしながら、代替品（ここに図示せず）によれば、本発明の範囲内で、マンドレル８とツールパート２，３の相対位置において、オープンシーム形材Ｓｒを形成するために必要な変更を実施して、マンドレル８の方向にツールパートを交互に相次いで移動させることも可能である。こうしてシートメタルブランクＢの適切な保持を確保するために、マンドレル８をシートメタルブランクＢに対してしっかりと押しつけて、成形中の滑りを確実に回避することができる。形状付与間のシートメタルブランクＢの確実な保持は、ピン形態の形状付与されたエレメントをベースプレートＧ上に設けるという事実により、更に支援される。ここで、前記ピン形態の形状付与されたエレメントが、シートメタルブランクＢの相当する窪みにかみ合うことにより、シートメタルブランクＢのノンポジティブ保持だけでなくポジティブ保持も保証される。次に、ツールパート２を第１工程においてマンドレル８の方向に移動して、オープンシーム形材Ｓｒの第１半分を形成することができる。次いで第２のツールパート３をマンドレル８の方向に移動して、更にオープンシーム形材Ｓｒの第２半分を製造する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2008514429.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月22日(2008.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも薄肉プライからなる第１層と薄肉プライからなる隣接する第２層とを含み、前記薄肉プライは０．０６ｍｍ未満の厚さを有する複合材料であって、前記第１層の薄肉プライは第１の方向に配向し、前記第２層の薄肉プライは第１の方向に対してある角度で第２の方向に配向し、前記第１層と第２層の境界の界面にあるプライは接触している複合材料。
【請求項２】
材料は少なくとも０．１２ｍｍの厚さを持つ通常のプライと、０．０８ｍｍ未満の厚さを持つ薄肉プライの組み合わせを含む、請求項１記載の材料。
【請求項３】
材料は薄肉プライのサブラミネートモジュールの組み合わせを含む、請求項１記載の材料。
【請求項４】
材料は薄肉プライのサブラミネートモジュールと、通常のプライのサブラミネートモジュールを含む、請求項２記載の材料。
【請求項５】
材料は薄肉プライと通常のプライからなるサブラミネートモジュールを含む、請求項２記載の材料。
【請求項６】
薄肉プライを織り交ぜるか、または編み込む、請求項１、請求項２、請求項３、請求項４または請求項５記載の材料。
【請求項７】
材料を樹脂トランスファー成形を用いて形成する、請求項１、請求項２、請求項３、請求項４または請求項５記載の材料。
【請求項８】
薄肉プライを接着剤で結合して、複合材および/または金属部品を接着継手で接合するための強化結合材料を与える、請求項１、請求項２、請求項３、請求項４または請求項５記載の材料。
【請求項９】
薄肉プライを接着剤で結合して、ハニカムまたはサンドイッチ構造を有する複合部品のための強化結合材料を与える、請求項１、請求項２、請求項３、請求項４または請求項５記載の材料。
【請求項１０】
請求項１、請求項２、請求項３、請求項４または請求項５記載の材料を含む製品であって、薄肉プライを熱硬化性または熱可塑性テープに組み込み、製品をテーププレースメント法またはテープワインディング法によって成形し、テープを硬化した製品。
【請求項１１】
請求項１、請求項２、請求項３、請求項４または請求項５記載の材料と、金属シートとを含む、薄肉プライ−金属複合材料。
【請求項１２】
金属シートを表面層としてのみ敷設した、請求項１１記載の複合材料。
【請求項１３】
金属シートを同一の方向を有する薄肉プライの層の間に敷設した、請求項１１記載の複合材料。
【請求項１４】
薄肉プライがグラファイトプライを含む、請求項１１、請求項１２または請求項１３記載のマトリクス複合材料。
【請求項１５】
金属をチタンおよび銅からなる群より選択した、請求項１４記載のマトリクス複合材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７Ｂ】
2008514458.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月21日(2008.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン・ウェーハと素子シリコン層との間に埋設された絶縁体層を含んだＳＯＩウェーハを提供する工程と、
素子層と層間絶縁膜を形成し、大容量ＣＭＯＳプロセス・フローにより前記素子シリコン層を処理することにより、複数のフォトダイオードを形成する工程と、
前記シリコン・ウェーハを除去して、前記絶縁体層を露出させる工程と、
前記露出させた絶縁体層を処理して、前記素子シリコン層の上に、光検出器の量子効率（ＱＥ）を維持しつつ暗電流を下げるように構成された不活性化層を形成する工程と、
前記フォトダイオードに対応して配置されるようにして、前記不活性化層の上に、マイクロレンズを提供する工程とからなる、
ことを特徴とする、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ；silicon-on-insulator）プロセスとＣＭＯＳプロセスとを組み合わせて、ウェーハ上に光検出器アレイを形成するプロセス。
【請求項２】
前記素子シリコン層は、約３μｍ〜約１０μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記素子シリコン層のドーピング濃度は、前記素子シリコン層の空乏領域の厚さに反比例することを特徴とする請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項４】
前記撮像素子がＬＯＣＯＳまたはＳＴＩ構造によって互いに分離されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項５】
前記ウェーハが、撮像素子アレイを含む撮像領域と、ＣＭＯＳ信号処理回路を含む信号処理領域とを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のプロセス。
【請求項６】
前記不活性化層と前記マイクロレンズとの間に反射防止コーティングを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項７】
前記不活性化層と前記マイクロレンズとの間にカラーフィルタを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項８】
前記反射防止コーティングと前記マイクロレンズとの間にカラーフィルタを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載のプロセス。
【請求項９】
前記複数のフォトダイオードの各々は、フォトダイオードの下に位置して対応するＭＯＳゲートに接続されていることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項１０】
シリコン・ウェーハと素子シリコン層との間に埋設された絶縁体層を含んだＳＯＩウェーハを提供する工程と、
素子層と層間絶縁膜を形成し、大容量ＣＭＯＳプロセス・フローにより前記素子シリコン層を処理することにより、複数のフォトダイオードを形成する工程と、
前記シリコン・ウェーハを除去して、前記絶縁体層を露出させる工程と、
前記露出させた絶縁体層を処理して、前記素子シリコン層の上に、光検出器の量子効率（ＱＥ）を維持しつつ暗電流を下げるように構成された不活性化層を形成する工程と、
前記フォトダイオードに対応して配置されるようにして、前記不活性化層の上に、カラーフィルタを提供する工程とからなる、
ことを特徴とする、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ；silicon-on-insulator）プロセスとＣＭＯＳプロセスとを組み合わせて、ウェーハ上に光検出器アレイを形成するプロセス。
【請求項１１】
前記不活性化層と前記カラーフィルタとの間に反射防止コーティングを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載のプロセス。
【請求項１２】
前記カラーフィルタの上にマイクロレンズを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載のプロセス。
【請求項１３】
前記複数のフォトダイオードの各々は、フォトダイオードの下にあって対応するＭＯＳゲートに接続されていることを特徴とする請求項１０に記載のプロセス。
【請求項１４】
シリコン・ウェーハと素子シリコン層との間に埋設された絶縁体層を含んだＳＯＩウェーハを提供する工程と、
素子層と層間絶縁膜を形成し、大容量ＣＭＯＳプロセス・フローにより前記素子シリコン層を処理することにより、複数のフォトダイオードを形成する工程と、
前記シリコン・ウェーハを除去して、前記絶縁体層を露出させる工程と、
前記露出させた絶縁体層を処理して、前記素子シリコン層の上に、光検出器の量子効率（ＱＥ）を維持しつつ暗電流を下げるように構成された不活性化層を形成する工程と、
前記フォトダイオードに対応して配置されるようにして、前記不活性化層の上に、光学撮像素子を提供する工程とからなる、
ことを特徴とする、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ；silicon-on-insulator）プロセスとＣＭＯＳプロセスとを組み合わせて、ウェーハ上に光検出器アレイを形成するプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月16日(2008.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口端を有するキャビティを取り囲む導電壁を有するハウジングと、
キャビティ内部に嵌るよう適合された電子機器アセンブリと、
電子機器アセンブリに連結された電子機器に適合された回路カードアセンブリであって、電子機器アセンブリを電磁干渉からシールドし、電子機器アセンブリに環境保護を提供するために、パススルー電気接続部を有する多層プリント配線板と、ハウジングに電気的に連結された埋め込みグランド面とを含む回路カードアセンブリと、
を含むフィールド工業用デバイス。
【請求項２】
回路カードアセンブリが、回路カードアセンブリの縁に配置され、多層プリント配線板の縁を通り水分の侵入を防止するように適合された導電層をさらに含む、請求項１記載の工業用デバイス。
【請求項３】
導電層が埋め込みグランド面に電気的に連結され、
回路カードアセンブリがハウジングの導電壁を縁に接触させるサイズにされて、埋め込みグランド面をハウジングに電気的に連結する、請求項２記載の工業用デバイス。
【請求項４】
回路カードアセンブリに連結されて、ラインの導電干渉から電子機器アセンブリを保護する無線周波数干渉フィルタをさらに含む、請求項１記載の工業用デバイス。
【請求項５】
回路カードアセンブリが、
２つ以上のプリント配線板と、
２つ以上のプリント配線板の間に配置された埋め込みグランド面と、
２つ以上のプリント配線板の縁およびグランド面の上に配置された導電縁層と、
を含み、
２つ以上のプリント配線板が、表面に形成されたバイアおよび金属トレースを有する絶縁材料から形成されて電気的相互接続を提供する、請求項１記載の工業用デバイス。
【請求項６】
グランド面が、回路カードアセンブリの全直径に実質的に延びる導電層を含む、請求項１記載の工業用デバイス。
【請求項７】
工業用デバイスが、回路カードアセンブリと、ハウジングの導電壁との間に配置されたシールをさらに含み、
シールが、回路カードアセンブリをハウジングから電気的に隔離するよう適合された電気絶縁シールを含む、請求項１記載の工業用デバイス。
【請求項８】
シールが、埋め込みグランド面をハウジングに電気的に連結するよう適合された導電シールを含む、請求項７記載の工業用デバイス。
【請求項９】
シールおよび回路カードアセンブリが、ハウジングを有するハーメチックシールを形成して、電子機器アセンブリに環境保護を提供する、請求項７記載の工業用デバイス。
【請求項１０】
開口端を覆い、ハウジングに着脱可能に固定するように適合された外カバーをさらに含み、
外カバーが導電性であり、
グランド面がハウジングを、ハウジング内部の電子機器を電磁干渉から隔離するために十分な２つのファラデーケージに分割する、請求項１記載の工業用デバイス。
【請求項１１】
ハウジングの一部分で、工業用プロセス制御システムまたはモニタにデバイスを連結するためのフィールド配線を収容するようなサイズにされたワイヤ開口部をさらに含み、
フィールド配線が回路カードアセンブリに電気的に接続される、請求項１記載の工業用デバイス。
【請求項１２】
電子機器アセンブリが、
工業プロセスを監視するように適合されたプロセスセンサと、
プロセスセンサに連結された回路と、
を含む、請求項１記載の工業用デバイス。
【請求項１３】
工業用プロセス環境に配置されたフィールド工業用デバイスのための回路カードアセンブリであって、
デバイスハウジングのキャビティ内に嵌るようなサイズにされたパススルー電気接続部を有する多層プリント配線板と、
プリント配線板内部に埋め込まれ、多層プリント配線板の範囲全体に実質的に延びるグランド面であって、デバイスハウジング内部の電子機器を電磁干渉からシールドし、電子機器に環境保護を提供するために、デバイスハウジングに電気的に連結されたグランド面と、
を含む回路カードアセンブリ。
【請求項１４】
多層プリント配線板の縁に配置され、多層プリント配線板の縁を通り水分の侵入を防止するように適合された導電層をさらに含み、
導電層が埋め込みグランド面およびデバイスハウジングに電気的に連結される、請求項１３記載の回路カードアセンブリ。
【請求項１５】
多層プリント配線板に形成され、少なくとも１つの層を通り多層プリント配線板内に延び、導電層により被覆された壁を有する開口部を画定するバイアをさらに含み、
バイアが耐水材料で塞がれる、請求項１３記載の回路カードアセンブリ。
【請求項１６】
グランド面が、デバイスハウジングを通りグランド接続に電気的に連結された導電層を含む、請求項１３記載の回路カードアセンブリ。
【請求項１７】
開口端を有するキャビティを取り囲む導電壁を有するハウジングと、
キャビティ内部に嵌るように適合された電子機器アセンブリと、
電子機器アセンブリに連結された電子機器に適合された回路カードアセンブリであって、電子機器アセンブリを電磁干渉からシールドし、電子機器アセンブリに環境保護を提供するために、パススルー電気接続部を有する多層プリント配線板と、ハウジングに連結された埋め込みグランド面とを含む回路カードアセンブリと、
を含む、工業用プロセスにおける使用のためのトランスミッタ。
【請求項１８】
開口端を覆い、ハウジングに着脱可能に固定するように適合された外カバーをさらに含む、請求項１７記載のトランスミッタ。
【請求項１９】
回路カードアセンブリに連結されて、電子機器アセンブリをラインの導電干渉から保護する無線周波数干渉（ＲＦＩ）フィルタをさらに含む、請求項１７記載のトランスミッタ。
【請求項２０】
多層プリント配線板が、
２つ以上のプリント配線板と、
２つ以上のプリント配線板の間に配置された埋め込みグランド面と、
２つ以上のプリント配線板の縁およびグランド面の上に配置された導電縁層と、
を含み、
２つ以上のプリント配線板が、表面に形成されたバイアおよび金属トレースを有する絶縁材料から形成されて電気的相互接続を提供する、請求項１７記載のトランスミッタ。
【請求項２１】
グランド面が、回路カードアセンブリの範囲全体に実質的に延びる導電層を含む、請求項１７記載のトランスミッタ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月10日(2008.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともサブコレクタを含む基板と、
前記サブコレクタ上に位置する埋め込み高融点金属シリサイド層と、
前記埋め込み高融点金属シリサイド層の表面上に位置するシャロー・トレンチ分離領域とを有する、ヘテロバイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴ）。
【請求項２】
前記高融点金属シリサイド層が前記シャロー・トレンチ分離領域の縁端部から突出して、前記高融点金属シリサイド層の一部がアンダーカット領域内に存在するようになされている、請求項１に記載のＨＢＴ。
【請求項３】
前記サブコレクタを含む前記基板上に位置するＳｉＧｅベースおよびポリＳｉエミッタをさらに有する、請求項１に記載のＨＢＴ。
【請求項４】
サブコレクタを含む基板内に、第１のトレンチ誘電体を含む少なくとも１つのシャロー・トレンチ分離領域を形成するステップと、
前記少なくとも１つのシャロー・トレンチ分離領域から前記第１のトレンチ誘電体を除去して、前記サブコレクタを含む前記基板の一部を露出する開口部を形成するステップと、
前記基板の前記露出部上の前記開口部の一部内に、前記開口部の上方に突出しない高融点金属シリサイド層を形成するステップと、
前記開口部内の前記高融点金属シリサイド層上に、前記開口部の上方に突出しない第２のトレンチ誘電体を形成するステップとを有する、
ヘテロバイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴ）を製作する方法。
【請求項５】
前記第１のトレンチ誘電体を除去するステップと前記高融点金属シリサイドを形成するステップとの間に、窒化物スペーサまたは酸窒化物スペーサを形成するステップをさらに有する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のトレンチ誘電体を前記除去するステップが、前記少なくとも１つのシャロー・トレンチ分離領域の一部を保護するパターン化したフォトレジストを形成するステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
横方向エッチング・プロセスを用いて、アンダーカット領域を形成するステップをさらに有する、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月22日(2008.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を形成する方法であって、
半導体基板を提供するステップと、
前記半導体基板上に誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層上に金属層を形成するステップと、
フッ素を含む第１化学物質と、約３０ワットよりも小さいバイアス電力とにより前記金属層をエッチングするステップと、
塩素を含む第２化学物質により前記金属層をエッチングするステップと
を備える方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法は、更に
前記金属層上に導電層を形成するステップと、
前記導電層の大部分をエッチングすると共に前記金属層と接触している部分を残存させるステップと、
前記金属層に対し選択的である化学物質を用いて前記金属層と接触している部分をエッチングするステップと
を備える方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、
前記導電層はシリコンからなる方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、
前記フッ素を含む化学物質は塩素を含まない方法。
【請求項５】
半導体素子を形成する方法であって、
半導体基板を提供するステップと、
前記半導体基板上に金属酸化物を形成するステップと、
前記金属酸化物上に金属層を形成するステップと、
前記金属層の所定の限界寸法を決定するステップと、
前記金属層を前記金属酸化物に至るまで下方へとエッチングすると共に前記金属層の側壁にフーティングを形成するため第１エッチングを実施するステップと、
前記所定の限界寸法を狙って前記フーティングを除去するための第２エッチングを実施するステップであって、前記第２エッチングは前記金属酸化物に対して選択的であるステップと
を備える方法。