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【手続補正書】
【提出日】平成19年6月12日(2007.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気搬送室と、前記大気搬送室の一側に並列接続される真空気密可能な基板処理モジュールであって前記大気搬送室の一側に連通する前室及び該前室と連通する基板処理室から構成される複数の基板処理モジュールと、前記大気搬送室に備えられ大気搬送室を介して前記基板処理モジュール又は前記基板収納部に対して基板の搬送を行う１台の第１の基板搬送装置と、前記複数の基板処理モジュールを構成する複数の前室にそれぞれ備えられ、前室と基板処理室との間で基板を搬送する第２の基板搬送装置と、前記第１の基板搬送装置、第２の基板搬送装置、及び前記前室の圧力を制御する制御手段とを備えた半導体製造装置において、
前記制御手段は、
複数の基板処理モジュールの中で、基板処理室での処理が済んだ基板処理モジュールの該基板処理室から前記前室に処理済みの基板を搬送するよう前記第２の基板搬送装置を制御し、
前記処理済みの基板が前記前室に搬送されたことを検知すると、前記処理済みの基板が搬送された前室を真空圧から大気圧に復帰させるよう前記前室の圧力を制御するとともに、前記処理済み基板の搬送された前記基板処理モジュールに対して前記基板収納部から次の未処理基板の搬送を開始させるよう前記第１の基板搬送装置を制御するものであることを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月30日(2007.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチを切り換えて利得を制御する可変利得増幅器において、
高周波信号を増幅する増幅器と、
バイアスを供給して前記増幅器の動作を動作状態または非動作状態に設定するバイアス供給回路と、
前記高周波信号が供給される入力端子と前記増幅器の入力端子間に接続された入力整合回路と、
前記増幅器の出力端子に接続された出力整合回路と、
前記増幅器の入力端子と出力端子間に接続されたスイッチと、
前記スイッチに接続され、前記バイアス供給回路から供給されたバイアスにより前記増幅器が非動作時に設定された時、前記スイッチを切り換えて前記入力整合回路と前記出力端子間のインピーダンスの整合をとる整合回路と、
を有する可変利得増幅器。
【請求項２】
前記スイッチは電界効果トランジスタを含み、前記増幅器はバイポーラトランジスタを含む
請求項１記載の可変利得増幅器。
【請求項３】
前記整合回路はＬＰＦ構成のインピーダンス変換器を含む
請求項１記載の可変利得増幅器。
【請求項４】
前記供給バイアス回路からバイアスを供給し前記増幅器を非動作状態にした時、前記スイッチを切り換え、該スイッチを介して前記整合回路を動作させ、前記入力整合回路から入力された高周波信号は前記整合回路を介して前記出力整合回路に出力される
請求項１記載の可変利得増幅器。
【請求項５】
高周波信号が供給される入力端子に接続された入力整合回路と、
前記入力整合回路の出力が接続され、前記高周波信号を増幅する増幅器と、
前記増幅器の入力に接続され、該増幅器にバイアスを供給し、該増幅器を動作状態または非動作状態に設定するバイアス供給回路と、
前記増幅器の入力端子に接続され、前記高周波信号をバイパスさせる第１のスイッチと、
前記第１のスイッチの出力に接続された整合回路と、
前記整合回路の出力と前記増幅器の出力に接続され、前記第１のスイッチと並列的にオンまたはオフ動作する第２のスイッチと
を有する可変利得増幅器。
【請求項６】
前記増幅器をバイポーラトランジスタまたは電界効果トランジスタで構成した
請求項５記載の可変利得増幅器。
【請求項７】
前記第１と第２のスイッチを切り換え、前記バイアス供給回路から供給されたバイアスにより前記増幅器が非動作状態に設定された時、前記整合回路を動作させるようにした
請求項５記載の可変利得増幅器。
【請求項８】
高周波信号を増幅する増幅器と、
前記高周波信号が供給される入力端子と前記増幅器の入力端子間に接続された入力整合回路と、
前記増幅器の入力端子と第１の出力端子間に接続された第１と第２のスイッチと、
前記第１と第２のスイッチ間に接続された整合回路と、
前記増幅器の入力端子にバイアスを供給し、該増幅器を動作状態または非動作状態に設定するバイアス供給回路と、
前記増幅器の第１の出力端子と第１の基準電源間に接続された負荷回路と、
前記増幅器の第１の出力端子に接続され出力信号が取り出される出力整合回路と、
前記増幅器の第２の出力端子と第２の基準電源間に接続された直列帰還回路と
を有する可変利得増幅器。
【請求項９】
前記第１と第２のスイッチをｎ型ＭＯＳトランジスタで構成し、前記バイアス供給回路から供給されたバイアスにより前記増幅器を非動作状態に設定した時、該第１と第２のスイッチが導通する
請求項８記載の可変利得増幅器。
【請求項１０】
前記バイアス供給回路からバイアスを供給し前記増幅器を非動作状態にした時、前記スイッチを切り換え導通して、該スイッチを介して前記整合回路を動作させ、前記入力整合回路から入力された高周波信号を前記整合回路を介して前記出力整合回路に出力する
請求項８記載の可変利得増幅器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の可変利得増幅器は、スイッチを切り換えて利得を制御する可変利得増幅器において、高周波信号を増幅する増幅器と、バイアスを供給して前記増幅器の動作を動作状態または非動作状態に設定するバイアス供給回路と、前記高周波信号が供給される入力端子と前記増幅器の入力端子間に接続された入力整合回路と、前記増幅器の出力端子に接続された出力整合回路と、前記増幅器の入力端子と出力端子間に接続されたスイッチと、前記スイッチに接続され、前記バイアス供給回路から供給されたバイアスにより前記増幅器が非動作時に設定された時、前記スイッチを切り換えて前記入力整合回路と前記出力端子間のインピーダンスの整合をとる整合回路とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の可変利得増幅器は、高周波信号が供給される入力端子に接続された入力整合回路と、前記入力整合回路の出力が接続され、前記高周波信号を増幅する増幅器と、前記増幅器の入力に接続され、該増幅器にバイアスを供給し、該増幅器を動作状態または非動作状態に設定するバイアス供給回路と、前記増幅器の入力端子に接続され、前記高周波信号をバイパスさせる第１のスイッチと、前記第１のスイッチの出力に接続された整合回路と、前記整合回路の出力と前記増幅器の出力に接続され、前記第１のスイッチと並列的にオンまたはオフ動作する第２のスイッチとを有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の可変利得増幅器は、高周波信号を増幅する増幅器と、前記高周波信号が供給される入力端子と前記増幅器の入力端子間に接続された入力整合回路と、前記増幅器の入力端子と第１の出力端子間に接続された第１と第２のスイッチと、前記第１と第２のスイッチ間に接続された整合回路と、前記増幅器の入力端子にバイアスを供給し、該増幅器を動作状態または非動作状態に設定するバイアス供給回路と、前記増幅器の第１の出力端子と第１の基準電源間に接続された負荷回路と、前記増幅器の第１の出力端子に接続され出力信号が取り出される出力整合回路と、前記増幅器の第２の出力端子と第２の基準電源間に接続された直列帰還回路とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月16日(2007.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
パケットを入力する入力回線と、
パケットを出力する複数の出力回線と、
宛先アドレスのビット毎に一致条件を指定した宛先アドレス条件と、宛先アドレス条件毎に転送情報を設定した経路エントリを複数備えて、前記入力回線へ入力されたパケットの宛先アドレスに対応する前記宛先アドレス条件を検索し、前記宛先アドレス条件に一致したパケットの転送先を、当該宛先アドレス条件に対応する転送情報に設定する経路テーブル検索部と、
前記転送情報に対応する前記複数の出力回線のいずれかに前記パケットを転送するパケット転送部と、
を備えたパケット転送装置において、
前記経路テーブル検索部は、
前記宛先アドレス条件の上位ビットを設定する第１のＴＣＡＭエントリを有するＴＣＡＭと、
前記入力されたパケットの宛先アドレスの上位ビットと、前記第１のＴＣＡＭエントリとを比較して、一致する宛先アドレス条件を検索する第１の検索処理部と、
前記検索の結果から前記パケットの宛先アドレス上位ビットに対応する宛先アドレス条件が一意に定まらない場合には、前記パケットの宛先アドレス下位ビットに基づいて一致する宛先アドレス条件を検索する第２の検索処理部と、
前記第１の検索処理部または第２の検索処理部で検索した前記パケットの宛先アドレスと一意に対応する宛先アドレス条件に基づいて、前記パケットの転送情報を設定する転送情報設定部と、
を備えたことを特徴とするパケット転送装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
パケットを入力する入力回線と、
パケットを出力する複数の出力回線と、
宛先アドレスのビット毎に一致条件を指定した宛先アドレス条件と、宛先アドレス条件毎に転送情報を設定した経路エントリを複数備えて、前記入力回線へ入力されたパケットの宛先アドレスに対応する前記宛先アドレス条件を検索し、前記宛先アドレス条件に一致したパケットの転送先を、当該宛先アドレス条件に対応する転送情報に設定する経路テーブル検索部と、
前記転送情報に対応する前記複数の出力回線のいずれかに前記パケットを転送するパケット転送部と、
を備えたパケット転送装置において、
前記経路テーブル検索部は、
前記宛先アドレス条件の上位ビットを順次設定する第１のＴＣＡＭエントリと、前記宛先アドレス条件の下位ビットを所定の長さでＭ−１個に分割して設定する第２〜第ＭのＴＣＡＭエントリと、を含む複数の領域を有するＴＣＡＭと、
前記入力されたパケットの宛先アドレスの上位ビットと、前記第１のＴＣＡＭエントリとを比較して、一致する宛先アドレス条件を検索する第１の検索処理部と、
前記検索の結果から前記パケットの宛先アドレス上位ビットに対応する宛先アドレス条件が一意に定まらない場合には、前記パケットの宛先アドレス下位ビットと前記第２〜ＭのＴＣＡＭエントリとを順次比較して、一致する宛先アドレス条件を検索する第２の検索処理部と、
前記第１の検索処理部または第２の検索処理部で検索した前記パケットの宛先アドレスと一意に対応する宛先アドレス条件に基づいて、前記転送情報を前記パケットに設定する転送情報設定部と、
を備えたことを特徴とするパケット転送装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月13日(2007.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
まず、一つのＯＲＬＢ１１に属する各光再構成ビット素子について、図１３のように符号Ｐ１〜Ｐ４０を付す。ここでは、光再構成ビット素子Ｐ１の書込状態検査を行う。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2006005809.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2006005809.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2006005809.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2006005809.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月20日(2007.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信ネットワークにおける通信を管理する管理装置、及び当該管理装置の管理下で通信を行う被管理装置のいずれの役割にも切換え可能な通信装置において、
前記通信ネットワーク内での自装置の役割情報と関連装置に関する装置情報とを記憶する記憶手段と、
前記記憶された役割情報及び装置情報に応じて前記役割を決定する決定手段とを備えることを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記決定手段による決定に応じて、前記通信ネットワーク内での自装置の役割を他の通信装置と交代する要求を行う要求手段を有することを特徴とする請求項１記載の通信装置。
【請求項３】
前記装置情報は、機器種別、使用プロトコル、又は前記自装置とペアリングしているか否か、占有モードであるか否かのいずれかの情報を含むことを特徴とする請求項１記載の通信装置。
【請求項４】
前記決定手段は、前記通信ネットワークの構成の変化に応じて、前記決定を行うことを特徴とする請求項１記載の通信装置。
【請求項５】
前記役割情報及び装置情報の更新状態を監視する監視手段と、
前記更新された役割情報及び装置情報が所定の判定条件に適合するか否かを判別する
判別手段とを備え、
前記決定手段は、前記更新された役割情報及び装置情報が適合する判定条件に応じて、前記役割を決定することを特徴とする請求項１記載の通信装置。
【請求項６】
前記通信ネットワーク内での自装置の役割が管理装置であり、且つ関連装置が１台であり、且つ自装置と前記関連装置とがペアリングしている場合は、自装置が被管理装置となると共に前記関連装置が管理装置になるように前記決定手段は決定することを特徴とする請求項５記載の通信装置。
【請求項７】
前記通信ネットワーク内での自装置の役割が管理装置であり、且つ関連装置が１台であり、且つ前記関連装置が自装置と複数接続不可な機種種別である場合は、自装置が被管理装置となると共に前記関連装置が管理装置となるように前記決定手段は決定することを特徴とする請求項５記載の通信装置。
【請求項８】
前記通信ネットワーク内での自装置の役割が管理装置であり、且つ関連装置が１台であり、且つ前記関連装置が占有モードである場合は、自装置が被管理装置となると共に前記関連装置が管理装置となるように前記決定手段は決定することを特徴とする請求項５記載の通信装置。
【請求項９】
前記通信ネットワーク内での自装置の役割が管理装置であり、且つ関連装置が１台であり、且つ前記関連装置が自装置と複数接続不可なプロトコルで接続している場合は、自装置が被管理装置となると共に前記関連装置が管理装置になるように前記決定手段は決定することを特徴とする請求項５記載の通信装置。
【請求項１０】
前記通信ネットワーク内での自装置の役割が被管理装置であり、且つ関連装置が自装置と複数接続可能な機器種別である場合は、自装置が管理装置となると共に前記関連装置が被管理装置となるように前記決定手段は決定することを特徴とする請求項５記載の通信装置。 
【請求項１１】
前記通信ネットワーク内での自装置の役割が被管理装置であり、且つ関連装置が自装置と複数接続可能なプロトコルで接続している場合は、自装置が管理装置となると共に前記関連装置が被管理装置となるように前記決定手段は決定することを特徴とする請求項５記載の通信装置。
【請求項１２】
前記通信ネットワーク内での自装置の役割が被管理装置であり、且つ自装置と前記関連装置がペアリングされておらず、前記関連装置が占有モードでない場合は、自装置が管理装置となると共に前記関連装置が被管理装置となるように前記決定手段は決定することを特徴とする請求項５記載の通信装置。
【請求項１３】
通信装置の通信方法において、
前記通信ネットワーク内での自装置の役割情報と自装置の管理下又は管理元の装置に関する装置情報とに応じて、通信ネットワーク内での管理装置及び被管理装置としての役割を決定し、管理装置及び被管理装置との間で前記役割を交代することを特徴とする通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の通信装置は、通信ネットワークにおける通信を管理する管理装置、及び当該管理装置の管理下で通信を行う被管理装置のいずれの役割にも切換え可能な通信装置において、前記通信ネットワーク内での自装置の役割情報と関連装置に関する装置情報とを記憶する記憶手段と、前記記憶された役割情報及び装置情報に応じて前記役割を決定する決定手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月28日(2007.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記第１の係合突起の一つと前記第２の係合突起の一つとが互いに近接配置されて組をなし、該組が、各側板部につき少なくとも２組ずつ設けられていることを特徴とする請求項１記載の絶縁フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月12日(2007.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
比誘電率が３以下の層間絶縁膜と、
半導体チップの回路形成領域を囲むように前記半導体チップのエッジ部近傍の前記層間絶縁膜内に形成されたシールリング部と
を備える半導体装置であって、
前記半導体チップのダイシング領域において、前記層間絶縁膜内に前記シールリング部を囲うように形成されたダミーパターン
を備え、
前記ダミーパターンは、平面視で複数の列に沿って配置され、隣り合う列に配置された前記ダミーパターンは、交互に配置されることにより千鳥配置となっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ダミーパターンがビア状に形成されたダミービアであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ダイシング領域の前記層間絶縁膜内に前記シールリング部を囲うように、スリット状に形成されたダミースリットビアをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ダミースリットビアの線幅が最小寸法の５倍から２０倍であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ダミーパターン上に形成されたダミーメタルをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明に係る半導体装置は、比誘電率が３以下の層間絶縁膜と、半導体チップの回路形成領域を囲むように前記半導体チップのエッジ部近傍の前記層間絶縁膜内に形成されたシールリング部とを備える半導体装置であって、前記半導体チップのダイシング領域側において、前記層間絶縁膜内に前記シールリング部を囲うように形成されたダミーパターンを備え、前記ダミーパターンは、平面視で複数の列に沿って配置され、隣り合う列に配置された前記ダミーパターンは、交互に配置されることにより千鳥配置となっていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、半導体チップのダイシング領域側において、シールリング部を囲うようにダミーパターンを形成している。そのため、ダイシング時にクラックが発生しても、ダミーパターンによってクラックの進行が阻まれ、クラックがシールリング部に到達するのを抑制することができる。また、ダミーパターンは、平面視で複数の列に沿って配置され、隣り合う列に配置されたダミーパターンは、交互に配置されることにより千鳥配置となっているので、クラックがダミーパターン間を伝わる可能性が低くなる。その結果、ダイシング時に発生するクラックの伝播をより抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月12日(2007.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理室内に設けられた基板載置台に基板を載置しないで、前記基板処理室に少なくとも窒素ガスを含むガスを供給しつつ排気してプラズマ放電し、その後、前記基板載置台に基板を載置して、該基板を処理することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
基板の生産処理に移行する前に、基板処理室に少なくとも窒素ガスを含むガスを供給しつつ排気してプラズマ放電し、その後基板の生産処理移行時に、プラズマ酸化またはプラズマ窒化を行う基板処理方法であって、前記生産処理移行後のプラズマ処理の圧力は、前記生産処理移行前のプラズマ処理する際の圧力よりも低くしたことを特徴とする基板処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月30日(2007.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイポーラトランジスタを有し、
（ａ）第１導電型の半導体基板と、
（ｂ）前記半導体基板上に形成されたコレクタ用の第２導電型の第１半導体層と、
（ｃ）前記第１半導体層上に形成され、前記第１半導体層より不純物濃度が低いコレクタ用の第２導電型の第２半導体層と、
（ｄ）前記第２半導体層内に形成され、前記第１半導体層と前記第２半導体層とを電気的に接続し、前記第２半導体層より不純物濃度が高い第３半導体層と、
（ｅ）前記第２半導体層上に形成されたベース用の第１導電型の第４半導体層と、
（ｆ）前記第４半導体層内に形成されたエミッタ用の第２導電型の第５半導体層と、
（ｇ）前記第４半導体層および前記第５半導体層より上層に形成された第１配線層と、
（ｈ）前記第１配線層より上層に形成され、前記第１半導体層および前記第２半導体層と電気的に接続されたコレクタ用の第１電極と、
（ｉ）前記第１配線層より上層に形成され、前記第４半導体層と電気的に接続されたベース用の第２電極と、
（ｊ）前記第１配線層より上層に形成され、前記第５半導体層と電気的に接続されたエミッタ用の第３電極とを備え、
前記第１配線層に含まれ、前記第１電極下および前記第２電極下のうちの選択された１つ以上に配置された第１配線は、基準電位と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１配線は、前記第５半導体層および前記第３電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記第５半導体層および前記第３電極は、前記半導体基板に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、
通信機器のフロントエンド部における低ノイズ増幅器、低ノイズ増幅器バッファ、ドライバおよび電力増幅器のうちの１つ以上に用いることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、
前記低ノイズ増幅器および低ノイズ増幅器バッファは、１つの半導体チップ内に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４記載の半導体装置において、
前記ドライバおよび前記電力増幅器は、１つの半導体チップ内に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項４記載の半導体装置において、
前記通信機器の信号の周波数帯は、５ＧＨｚ帯または２ＧＨｚ帯であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置において、
前記半導体基板上には複数層の配線層が形成され、
前記第１配線層は最下層の配線層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置において、
前記第１配線層は金属を主成分とすることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置において、
前記半導体基板上には複数層の配線層が形成され、
前記第１配線層は最上層の配線層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１配線は、前記第１電極下にのみ配置され、
前記バイポーラトランジスタの出力は１Ｗ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
バイポーラトランジスタを有し、
（ａ）第１導電型の半導体基板と、
（ｂ）前記半導体基板上に形成されたコレクタ用の第２導電型の第１半導体層と、
（ｃ）前記第１半導体層上に形成され、前記第１半導体層より不純物濃度が低いコレクタ用の第２導電型の第２半導体層と、
（ｄ）前記第２半導体層内に形成され、前記第１半導体層と前記第２半導体層とを電気的に接続し、前記第２半導体層より不純物濃度が高い第３半導体層と、
（ｅ）前記第２半導体層上に形成されたベース用の第１導電型の第４半導体層と、
（ｆ）前記第４半導体層内に形成されたエミッタ用の第２導電型の第５半導体層と、
（ｇ）前記第４半導体層および前記第５半導体層より上層に形成された第１導電体層と、
（ｈ）前記第１導電体層より上層に形成され、前記第１半導体層および前記第２半導体層と電気的に接続されたコレクタ用の第１電極と、
（ｉ）前記第１導電体層より上層に形成され、前記第４半導体層と電気的に接続されたベース用の第２電極と、
（ｊ）前記第１導電体層より上層に形成され、前記第５半導体層と電気的に接続されたエミッタ用の第３電極とを備え、
前記第１導電体層は、前記第４半導体層と電気的に接続された第１導電体片と、前記第１電極下および前記第２電極下のうちの選択された１つ以上に配置された第２導電体片とを含み、
前記第２導電体片は、基準電位と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置において、
前記第２導電体片は、前記第５半導体層および前記第３電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置において、
前記第５半導体層および前記第３電極は、前記半導体基板に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１２記載の半導体装置において、
前記第１導電体層は、シリコンを主成分とし、表面に前記シリコンと金属との化合物層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１２記載の半導体装置において、
前記第２導電体片は、前記第１電極下にのみ配置され、
前記バイポーラトランジスタの出力は１Ｗ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
エミッタ接地型バイポーラトランジスタを有し、
ｐ型半導体基板と、
前記ｐ型半導体基板の主面の第１領域上に選択的に形成されたコレクタ用ｎ型半導体層と、
前記コレクタ用ｎ型半導体層の表面に形成されたベース用ｐ型半導体層と、
前記ベース用ｐ型半導体層の表面に形成されたエミッタ用ｎ型半導体層と、
前記第１領域を囲むように前記ｐ型半導体基板の主面の第２領域上に形成されたアイソレーション用ｐ型半導体層と、
前記アイソレーション用ｐ型半導体層の表面に形成されたアイソレーション用絶縁膜と、
前記エミッタ用ｎ型半導体層、前記ベース用ｐ型半導体層および前記コレクタ用ｎ型半導体層のそれぞれに電気的に接続されたエミッタ電極、ベース電極およびコレクタ電極と、
前記エミッタ電極、前記ベース電極および前記コレクタ電極のそれぞれに電気的に接続され、前記アイソレーション用絶縁膜上に配置されたワイヤ接続用のエミッタパッド電極、ベースパッド電極およびコレクタパッド電極とを有し、
前記ｐ型半導体基板と前記エミッタパッド電極とには、接地電位が供給され、
前記ｐ型半導体基板の厚さ方向において、前記ベースパッド電極と前記アイソレーション用絶縁膜との間には、前記ベースパッド電極を構成する導電膜とは別層の導電膜が配置され、
前記別層の導電膜には、前記接地電位が供給されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１７記載の半導体装置において、
前記エミッタパッド電極、前記ベースパッド電極および前記コレクタパッド電極は、最上層の導電膜により形成され、
前記別層の導電膜は、前記最上層の導電膜より下層の導電膜により形成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月16日(2007.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
２２は、被写体からの光束を焦点検出手段７又は撮像手段２７（フィルム等の感光部材や光を電気に変換するＣＣＤやＣ−ＭＯＳ等の光電変換素子等）に入射するのを選択的に制御するメインミラーであり、矢印２１ａの方向に回転（ある軸を中心とした回転移動）可能と成っており、このメインミラーが回動することにより、被写体から撮影レンズを経た光束が焦点検出手段に入射するか、撮像手段に入射するかが決定される。交換レンズLBを通過した被写体からの光束の一部はメインミラー２２によって反射し、ピント板２３に被写体像を形成する。ピント板２３上の被写体像はペンタミラー２４、接眼レンズ２５を介して観察者によって観察される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月9日(2007.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
支持部と、該支持部から伸びるレバー部と、該レバー部の自由端近傍もしくは自由端先端に形成される突起状探針とからなるＳＰＭカンチレバーにおいて、前記探針の先端部に、該探針先端部から成長形成される一本の細線を備えていることを特徴とするＳＰＭカンチレバー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、支持部と、該支持部から伸びるレバー部と、該レバー部の自由端近傍もしくは自由端先端に形成される突起状探針とからなるＳＰＭカンチレバーにおいて、前記探針の先端部に、該探針先端部から成長形成される一本の細線を備えていることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月20日(2007.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
アクチュエータ１１４は基板１１２の変形モードに応じて配置している。例えば、反射鏡全面で一周期長のモードの変位までを基板１１２の変形で補正しようとすれば、最低４個のアクチュエータで良いが、それより高次の変形モードを補正しようとするならば、その分多くのアクチュエータを配置するのが良い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
多層膜１１７は、ＭｏＳｉ多層膜（一層対６．９９ｎｍ）を６０層程度積層している。これは十分な反射率が得られる４０層に追加して２０層をcoating millingのために予め成膜するためである。即ち削除する膜層は１以上２０以下としている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月27日(2007.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
上記検出信号の変動に結び付く、前記各検出面と前記各被検出面との距離変動のうち、上記ポケット隙間に基づく変動を解消若しくは低減する事は、潤滑性確保を考慮すると難しい。これに対して、モーメント荷重に基づく距離変動は、上記各公転速度検出用センサ２３ａ、２３ｂの設置位置を工夫する事で解消若しくは低減できるものと考えられる。例えば、特許文献４〜６には、ハブの回転速度を検出する構造で、回転速度センサの設置位置を、水平方向等、鉛直方向から外れた方向に設置する構造が記載されている。但し、上記特許文献４〜６に記載された従来構造は、何れもハブの回転速度を検出する事のみを考慮したものであって、車輪支持用転がり軸受ユニットに加わる荷重を測定する為に、この車輪支持用転がり軸受ユニットを構成する転動体の公転速度を測定する事を意図しているものではない。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月13日(2007.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
その上、凸部は軸部１１に螺入されるねじの螺入回転方向側の端面２４が凹部２０の底面に対して直立したあるいはそれに近い面構造となっているので、被締結物をボス部材上にねじ、ボルトあるいはナット等で取り付ける際に空回りすることが確実に阻止される。しかも、凹部は軸線に沿う断面において底面側が狭く開放側が広くなるように形成された側壁２１を有しているので、ワークの取付穴の肉が凹部へ入り込むのが容易になる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、この軸部１１と頭部１２との間の首部には軸部１１より小径で頭部１２の厚さの約１／２程度の幅を有するとともに軸部外周に沿う外周溝形状の凹部２０が形成してあり、この凹部２０は軸線に沿う断面において、底面側が狭く開放側が広くなるよう断面が円弧形状、若しくは側壁２１の少なくとも一方あるいは両側が傾斜した形状となっている。この凹部２０は図３に示すように、金属板等のワーク１の取付穴２にボス部材１０が加圧入固定された時、ワーク１の取付穴２の肉が嵌り込む溝であり、これにより、ワーク１に対して抜け止め構造となっている。この凹部２０にはこれの外周上に等間隔をおいて複数の凸部２２が凹部２０の底から突出して形成してあり、図４に示すように、この凸部２２の頂面２３は前記軸部１１の表面と同一面かこれより低く形成されている。前記凸部２２はその一端、即ち、軸部１１に螺入されるねじの螺入回転方向側の端面２４が凹部２０の底面に対して直立あるいはそれに近い面構造となっており、他方は特にこれと同様の形状ではなく、傾斜した形状となっている。この端面形状は両方とも凹部２０の底面から直立したあるいはそれに近い面形状であってもよく、特に限定されるものではない。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月12日(2007.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
更に、内輪は、二つで、その中間に間座があるので、車軸が荷重による撓みを発生しながら回転している時に、軸受と嵌め合う処の車軸の表面は、内輪の内径面の面取接点部との軸方向の微小摺動によるフレッチング傷の発生の可能性がある（図６に丸印で示す２箇所）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
このように構成される本発明の車軸用組合せ転がり軸受は、ころ端面と内・外輪又は鍔輪の鍔面との接触部には、アキシアル荷重を負荷しなければならない従来の鉄道車両車軸用円筒ころ軸受とは違って、合成荷重を負荷した時に両側列の円筒ころの両端面は、内輪或は外輪のどっちの鍔面と接触しないことにより、両側列の円筒ころは、単にラジアル荷重だけを負荷し、中央列の玉或は、三点或は四点接触の玉は、ラジアル荷重をも負荷しながら、主に、アキシアル荷重を負荷する。この為、アキシアル荷重によるころのテイルト（Ｔｉｌｔ）モーメントがなくなり、このモーメントによる内・外輪軌道面のエッジロードは、発生しないし、内・外輪又は鍔輪の鍔焼きも、発生する心配はない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の車軸用組合せ転がり軸受は、上述の様に構成されて作用する為、内・外輪及び鍔輪の鍔面と、ころ両端面との当接部の耐焼付き性が飛躍的に向上できる。而も、運転時に軸受と嵌め合う処の車軸表面は、内輪内径面の面取接点部との軸方向の微小摺動によるフレッチング傷の発生も十分に抑制できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
両側列の円筒ころ６は、アキシアル荷重を負荷しないことにより、アキシアル荷重によるころのテイルト（Ｔｉｌｔ）モーメントがなくなり、このモーメントによる内・外輪軌道面のエッジロードは、発生しないし、内・外輪又は鍔輪の鍔焼きも発生する心配はない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
両側列の円筒ころ６は、アキシアル荷重を負荷しないことにより、アキシアル荷重によるころのテイルト（Ｔｉｌｔ）モーメントがなくなり、このモーメントによる内・外輪軌道面のエッジロードは、発生しないし、内・外輪又は鍔輪の鍔焼きも発生する心配はない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
両側列の円筒ころ６は、アキシアル荷重を負荷しないことにより、アキシアル荷重によるころのテイルト（Ｔｉｌｔ）モーメントがなくなり、このモーメントによる内・外輪軌道面のエッジロードは、発生しないし、内・外輪又は鍔輪の鍔焼きも発生する心配はない。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月22日(2007.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
図２に示すように、エアチラーの冷凍サイクルユニットは、モータにより駆動されるコンプレッサ装置２０を備え、冷媒を圧縮してコンデンサ３０側へ送り出す。コンデンサ３０は、熱交換器３００を有し、気相の冷媒を液相冷媒に交換する。液相の冷媒は、熱交換器に隣接してレシーバドライヤ３１０内に貯溜される。レシーバドライヤ３１０の液相冷媒は、配管を介して筐体１０の壁で区画された空気冷却室内の蒸発機（エバポレータ）４０に送られる。液相冷媒は、エバポレータ４０に付設された膨張弁４１０を通って蒸発機の熱交換器４００へ送られる。冷媒は、熱交換器４００内で蒸発し、熱交換器４００を通過する空気を冷却する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図４に示すように、区画部材１１０にはブロワ装置用の丸穴１４２が設けられる。また、空気冷却室の底面には、エバポレータに結露する水滴を受けるドレンパン１５０が取付けられる。このドレンパン１５０には、ドレンバルブ１６０が設けられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2005308369.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月30日(2006.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図１は、例えば、測定ユニット内においてすぐ近くに配置された、チューナブル光源２、光パワー検出器４、評価ユニット２０、光結合器６、及び光終端器８、並びに遠隔の光学素子１０を含む測定機構を示す。光結合器６は、４つのコネクタを有し、この場合、第１のコネクタは、第１の光ファイバを介してチューナブル光源２に接続され、第２のコネクタは、第２の光ファイバを介してパワー検出器４に接続され、第３のコネクタは、第３の光ファイバを介して光学素子１０に接続され、第４のコネクタは、第４の光ファイバを介して終端器８に接続される。終端器８は、任意の他の無反射ファイバ端として実現され得る。第４のポートからの光は、例えば、光源２のパワー又は波長、或いはそれらの両方の測定といった、他の目的に使用され得る。さらに、評価ユニット２０は、チューナブル光源２及び光検出器４の両方と、及び場合によっては、終端器８とも接続されて、チューナブル光源２からの第１の情報とも呼ばれる、経時波長信号λ（ｔ）と、光検出器４からの第２の情報とも呼ばれる、検出器４及び終端器８からの信号によって求められる経時パワー信号Ｐ（ｔ）又はパワー比Ｐ（ｔ）を受信する。評価ユニット２０は、処理ユニット２２と記憶ユニット２４を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月6日(2007.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒト及び／又は動物の腎糸球体の機能把握の為に、ヒト及び／又は動物の腎糸球体由来のタイプＩＶコラーゲン三本鎖螺旋領域又はそのペプタイド（以下腎タイプＩＶ）を抗原として、免疫反応により、試料中の抗腎タイプＩＶ抗体を検出する方法
【請求項２】
腎タイプＩＶを標準として、抗腎タイプＩＶ抗体を用い、免疫反応により、試料中の腎タイプＩＶコラーゲンを検出する方法
【請求項３】
腎タイプＩＶと免疫反応をするが、ヒト及び／又は動物の胎盤由来のタイプＩＶコラーゲン三本鎖螺旋領域又はそのペプタイド（以下胎盤タイプＩＶ）とは免疫反応をしない抗腎タイプＩＶモノクロ−ナル抗体を用いた腎疾患薬
【請求項４】
免疫反応により、腎タイプＩＶ及び又は腎タイプＩＶ抗体を取り除く糸球体腎炎改善器具
【請求項５】
腎タイプＩＶ又は抗腎タイプＩＶ抗体を用いて惹起した腎疾患モデル動物
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月4日(2007.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定信号から得られる少なくとも２つの位相信号に対して相関処理またはクロススペクトラム処理を施すことにより被測定信号の位相雑音を測定する装置であって、
前記測定信号を少なくとも２つに分配するための分配器と、
第一の位相検出手段と、
第二の位相検出手段と、
前記分配器と前記第一の位相検出手段との接続経路を開放するための第一の端子対と、
前記分配器と前記第二の位相検出手段との接続経路を開放するための第二の端子対と、
を備え、
前記第一の端子対および前記第二の端子対が、ともに短絡されるか、それぞれ別個の外部信号処理手段がともに接続される、
ことを特徴とする位相雑音測定装置。
【請求項２】
被測定信号から得られる少なくとも２つの位相信号に対して相関処理またはクロススペクトラム処理を施すことにより被測定信号の位相雑音を測定する装置であって、
前記測定信号を少なくとも２つに分配するための分配器と、
第一の位相検出手段と、
第二の位相検出手段と、
第一の外部信号処理手段を接続するための第一の端子対と、
第二の外部信号処理手段を接続するための第二の端子対と、
前記分配器と前記第一の位相検出手段との間を短絡するか、前記分配器と前記第一の位相検出手段との間に前記第一の外部信号処理手段を挿入するように動作する第一のスイッチと、
前記分配器と前記第二の位相検出手段との間を短絡するか、前記分配器と前記第二の位相検出手段との間に前記第二の外部信号処理手段を挿入するように動作する第二のスイッチと、
を備え、
前記第一のスイッチおよび前記第二のスイッチが、ともに短絡動作するか、ともに挿入動作する、
ことを特徴とする位相雑音測定装置。
【請求項３】
信号処理装置と位相雑音測定装置とを備え、被測定信号の位相雑音を測定するシステムであって、
前記信号処理装置が、
前記被測定信号を少なくとも２つに分配するための分配器と、
前記分配器から出力される第一の分配信号に選択的に第一の信号処理を施して第一の中間信号を生成する手段と、
前記分配器から出力される第二の分配信号に選択的に第二の信号処理を施して第二の中間信号を生成する手段と、
を具備し、
前記位相雑音測定装置が、
前記第一の中間信号を受信するための第一の入力端子と、
前記第二の中間信号を受信するための第二の入力端子と、
を具備し、
前記位相雑音測定装置が、前記第一の入力端子および前記第二の入力端子で受信する中間信号から、相関処理またはクロススペクトラム処理を用いて前記被測定信号の位相雑音を得る、
ことを特徴とする位相雑音測定システム。
【請求項４】
信号処理装置と位相雑音測定装置とを備え、被測定信号の位相雑音を測定するシステムであって、
前記信号処理装置が、
前記被測定信号を少なくとも２つに分配するための分配器と、
前記分配器から出力される第一の分配信号に第一の信号処理を施して第一の中間信号を生成する手段と、
前記分配器から出力される第二の分配信号に第二の信号処理を施して第二の中間信号を生成する手段と、
を具備し、
前記位相雑音測定装置が、
前記測定信号を受信するための第一の入力端子と、
前記第一の中間信号を受信するための第二の入力端子と、
前記第二の中間信号を受信するための第三の入力端子と、
を具備し、
前記位相雑音測定装置が、前記第一の入力端子で受信する前記被測定信号、または、前記第二の入力端子および前記第三の入力端子で受信する中間信号を選択し、相関処理またはクロススペクトラム処理を用いて前記被測定信号の位相雑音を測定する、
ことを特徴とする位相雑音測定システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月9日(2007.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定信号の位相雑音を測定する方法であって、
前記被測定信号から分配された第一の分配信号の位相を表す第一の位相信号を生成するステップと、
前記被測定信号から分配された第二の分配信号の位相を表す第二の位相信号を生成するステップと、
前記第一の位相信号と前記第二の位相信号とのクロススペクトラムを少なくとも所定回数求めるステップと、
前記所定数の前記クロススペクトラムのベクトル平均を求めるステップと、
を備えることを特徴とする位相雑音測定方法。
【請求項２】
被測定信号の位相雑音を測定する方法であって、
前記被測定信号から分配された第一の分配信号から、第一の信号処理手段により第一の中間信号を生成するステップと、
前記被測定信号から分配された第二の分配信号から、前記第一の信号処理手段とは別個の第二の信号処理手段により第二の中間信号を生成するステップと、
前記第一の中間信号の位相を表す第一の位相信号を生成するステップと、
前記第二の中間信号の位相を表す第二の位相信号を生成するステップと、
前記第一の位相信号と前記第二の位相信号とのクロススペクトラムを少なくとも所定回数求めるステップと、
前記所定数の前記クロススペクトラムのベクトル平均を求めるステップと、
を備えることを特徴とする位相雑音測定方法。
【請求項３】
前記第一の信号処理手段および前記第二の信号処理手段が、周波数変換手段であることを特徴とする請求項２に記載の位相雑音測定方法。
【請求項４】
前記クロススペクトラムを求めるステップが、
互いに異なる周波数帯域を有する複数の周波数領域のそれぞれにおいて、前記第一の位相信号と前記第二の位相信号との前記クロススペクトラムを求めるステップと、
前記周波数領域のそれぞれにおける前記クロススペクトラムを組み合わせて１つのクロススペクトラムを得るステップと、
を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の位相雑音測定方法。
【請求項５】
前記クロススペクトラムを求めるステップが、
互いに異なる周波数帯域を有する複数の周波数領域のそれぞれにおいて、前記第一の位相信号と前記第二の位相信号との前記クロススペクトラムを、同一時間内で繰り返し求めるステップと、
前記周波数領域のそれぞれにおいて前記時間内に２以上の前記クロススペクトラムが求められた場合、前記周波数領域毎に、求められた２以上の前記クロススペクトラムに対して時間方向のベクトル平均を施すステップと、
を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の位相雑音測定方法。
【請求項６】
前記クロススペクトラムを求めるステップが、
互いに異なる周波数帯域を有する複数の周波数領域のそれぞれにおいて、前記第一の位相信号と前記第二の位相信号との前記クロススペクトラムを、同一時間内で繰り返し求めるステップと、
前記周波数領域のそれぞれにおいて前記時間内に２以上の前記クロススペクトラムが求められた場合、前記周波数領域毎に、求められた２以上の前記クロススペクトラムに対して時間方向のベクトル平均を施して、１つの前記クロススペクトラムを求めるステップと、
前記周波数領域のそれぞれにおける前記クロススペクトラムを組み合わせて１つのクロススペクトラムを得るステップと、
を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の位相雑音測定方法。
【請求項７】
被測定信号の位相雑音を測定する方法であって、
前記被測定信号から分配された第一の分配信号から、第一の信号処理手段により第一の中間信号を生成するステップと、
前記被測定信号から分配された第二の分配信号から、前記第一の信号処理手段とは別個の第二の信号処理手段により第二の中間信号を生成するステップと、
前記第一の中間信号の位相を表す第一の位相信号を生成するステップと、
前記第二の中間信号の位相を表す第二の位相信号を生成するステップと、
前記第一の位相信号と前記第二の位相信号との相互相関を求めるステップと、
を備えることを特徴とする位相雑音測定方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の方法により、被測定信号の位相雑音を測定する装置。
【請求項９】
被測定信号の位相雑音を測定する装置であって、
前記被測定信号から分配された第一の分配信号の位相を検出する第一の位相検出手段と、
前記被測定信号から分配された第二の分配信号の位相を検出する、第一の位相検出手段とは別個の第二の位相検出手段と、
担当する周波数帯域が異なる複数のクロススペクトラム生成手段と、
を備え、
前記クロススペクトラム生成手段のそれぞれが、個々に担当する周波数帯域における、前記第一の位相検出手段の出力信号と前記第二の位相検出手段の出力信号とのクロススペクトラムを求める、
ことを特徴とする位相雑音測定装置。
【請求項１０】
被測定信号の位相雑音を測定する装置であって、
前記被測定信号から分配された第一の分配信号から第一の中間信号を生成する第一の信号処理手段と、
前記被測定信号から分配された第二の分配信号から第二の中間信号を生成する、前記第一の信号処理手段とは別個の第二の信号処理手段と、
前記第一の中間信号の位相を検出する第一の位相検出手段と、
前記第二の中間信号の位相を検出する、前記第一の位相検出手段とは別個の第二の位相検出手段と、
担当する周波数帯域が異なる複数のクロススペクトラム生成手段と、
を備え、
前記クロススペクトラム生成手段のそれぞれが、個々に担当する周波数帯域における、第一の位相検出手段の出力信号と第二の位相検出手段の出力信号とのクロススペクトラムを求める、
ことを特徴とする位相雑音測定装置。
【請求項１１】
前記クロススペクトラム生成手段のそれぞれが、前記第一の位相検出手段の出力信号と前記第二の位相検出手段の出力信号とのクロススペクトラムを同一時間内において繰り返し求め、前記時間内に２以上の前記クロススペクトラムが求められた場合、求められた２以上の前記クロススペクトラムに時間方向のベクトル平均を施す、
ことを特徴とする請求項９または１０に記載の位相雑音測定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月6日(2007.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基準信号を参照して生成される第一の局部信号を用いて、被測定信号の位相を表す第一の位相信号を生成するステップと、
前記第一の基準信号とは異なる周波数を有する第二の基準信号を参照して生成される第二の局部信号を用いて、前記被測定信号の位相を表す第二の位相信号を生成するステップと、
前記第一の位相信号と前記第二の位相信号との相互相関またはクロススペクトラムを求めるステップと、
を含む位相雑音測定方法。
【請求項２】
前記第一の基準信号と前記第二の基準信号との周波数差が、前記相互相関または前記クロススペクトラムの処理対象時間の逆数で表される周波数以上である、
ことを特徴とする請求項１に記載の位相雑音測定方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２のいずれかに記載の方法により、被測定信号の位相雑音を測定する装置。
【請求項４】
相互相関処理またはクロススペクトラム処理を用いて被測定信号の位相雑音を測定する装置であって、複数の信号源を備える位相雑音測定装置において、
前記信号源のそれぞれが、互いに異なる周波数を有する基準信号を参照する、
ことを特徴とする位相雑音測定装置。
【請求項５】
被測定信号の位相雑音を測定する装置であって、前記被測定信号の位相を検出する第一の位相検出手段と、前記被測定信号の位相を検出する第二の位相検出手段と、前記第一の位相検出手段が検出した位相信号と前記第二の位相検出手段が検出した位相信号との相互相関またはクロススペクトラムを求める相互相関手段とを備える位相雑音測定装置において、
前記第一の位相検出手段が、位相検出のための第一の信号源を具備し、
前記第二の位相検出手段が、位相検出のための第二の信号源を具備し、
前記第一の信号源と前記第二の信号源が、互いに異なる周波数の基準信号を参照する、
ことを特徴とする位相雑音測定装置。
【請求項６】
さらに、
第三の信号源を具備する第一の信号処理手段を前記第一の位相検出手段の前段に備え、
第四の信号源を具備する第二の信号処理手段を前記第二の位相検出手段の前段に備え、
前記第一の信号源と前記第二の信号源と前記第三の信号源と前記第四の信号源が、互いに異なる周波数の基準信号を参照する、
ことを特徴とする請求項５に記載の位相雑音測定装置。
【請求項７】
前記基準信号間の周波数差が、前記相互相関または前記クロススペクトラムの処理対象時間の逆数で表される周波数以上である、
ことを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれかに記載の位相雑音測定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月9日(2007.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定装置において、被測定信号から得られるスペクトラムであって線形的に等間隔な周波数に対応するスペクトラムを、対数的に等間隔な周波数に対応させる方法であって、以下の（ａ）、（ｂ）または（ｃ）のいずれかのステップを含むことを特徴とするスペクトラム処理方法。
（ａ）線形的に等間隔な周波数に対応する前記スペクトラムから選択した前記スペクトラムに対してベクトル平均を施すステップ。
（ｂ）線形的に等間隔な周波数に対応する前記スペクトラムから、対数的に等間隔な周波数から所定の周波数範囲に含まれる前記スペクトラムを選択し、選択した前記スペクトラムに対してベクトル平均を施すステップ。
（ｃ）線形的に等間隔な周波数に対応する前記スペクトラムに対して、周波数が高くなるにつれて平均対象を対数的に増加させながら周波数方向のベクトル平均を施すステップ。
【請求項２】
前記スペクトラムが、被測定信号から分配された信号から得られるクロススペクトラムであることを特徴とする請求項１に記載のスペクトラム方法。
【請求項３】
被測定信号から得られるスペクトラムであって線形的に等間隔な周波数に対応するスペクトラムを、対数的に等間隔な周波数に対応させる測定装置であって、以下の（ａ）、（ｂ）または（ｃ）のいずれかの手段を備えることを特徴とする測定装置。
（ａ）線形的に等間隔な周波数に対応する前記スペクトラムから選択した前記スペクトラムに対してベクトル平均を施す手段。
（ｂ）線形的に等間隔な周波数に対応する前記スペクトラムから、対数的に等間隔な周波数から所定の周波数範囲に含まれる前記スペクトラムを選択し、選択した前記スペクトラムに対してベクトル平均を施す手段。
（ｃ）線形的に等間隔な周波数に対応する前記スペクトラムに対して、周波数が高くなるにつれて平均対象を対数的に増加させながら周波数方向のベクトル平均を施す手段。
【請求項４】
前記スペクトラムが、被測定信号から分配された信号から得られるクロススペクトラムであることを特徴とする請求項３に記載の測定装置。