【手続補正書】
【提出日】平成20年1月8日(2008.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  製造方法であって、
ワークピースを加工するステップと、
加工に特有のパラメータを測定するステップと、
測定された特徴パラメータを部分最小２乗トランジスタモデルへの入力として用いることによって測定された特徴パラメータに対応する出力信号を形成するステップと、
出力信号に基づいてウェハ電気テスト（ＷＥＴ）結果値を予測するステップと、
予測されたＷＥＴ結果値に基づいて欠陥のある加工を検出するステップと、
欠陥のある加工を訂正するステップとを含む、方法。
【請求項２】  測定された特徴パラメータを部分最小２乗トランジスタモデルへの入力として用いるステップは、部分最小２乗トランジスタモデルを用いてインラインプロセス計測法の入力値のセットをＷＥＴ測定出力値のセットにマッピングするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  部分最小２乗トランジスタモデルを用いてインラインプロセス計測法の入力値のセットをＷＥＴ測定出力値のセットにマッピングするステップは、部分最小２乗トランジスタモデルを用いて、ＷＥＴ測定出力値の少なくともあるサブセットに大きな影響を与える、インラインプロセス計測法の入力値の少なくともあるサブセットを規定するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  欠陥のある加工を訂正するステップは、トランジスタモデルを反転して、後続の予測されるＷＥＴ結果値を仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、加工での変更を規定するステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】  トランジスタモデルを反転して加工での変更を規定するステップは、後続の予測されるＷＥＴ結果値を仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、加工で形成されるフィーチャの臨界寸法の変更を規定するステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】  加工で形成されるフィーチャの臨界寸法の変更を規定するステップは、ＭＯＳトランジスタのポリゲートラインの幅、およびスペーサの幅のうちの少なくとも１つの臨界寸法の変更を規定するステップを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】  加工で形成されるフィーチャの臨界寸法の変更を規定するステップは、ＭＯＳトランジスタのポリゲートラインの厚み、ゲート誘電体の厚み、およびシリサイド層の厚みのうちの少なくとも１つの臨界寸法の変更を規定するステップを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】  トランジスタモデルを反転して加工での変更を規定するステップは、後続の予測されるＷＥＴ結果値を仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、加工で形成されるフィーチャのドーピングレベルの変更を規定するステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項９】  加工で形成されるフィーチャのドーピングレベルの変更を規定するステップは、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域のドーピングレベルの変更を規定するステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  加工で形成されるフィーチャのドーピングレベルの変更を規定するステップは、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン拡張（ＳＤＥ）領域のドーピングレベルの変更を規定するステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】  欠陥のある加工を訂正するステップは、トランジスタモデルを反転して、後続の予測されるＷＥＴ結果値を仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、加工での変更を規定するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１２】  トランジスタモデルを反転して加工での変更を規定するステップは、後続の予測されるＷＥＴ結果値を仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、加工で形成されるフィーチャの臨界寸法の変更を規定するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  加工で形成されるフィーチャの臨界寸法の変更を規定するステップは、ＭＯＳトランジスタのポリゲートラインの幅、およびスペーサの幅のうちの少なくとも１つの臨界寸法の変更を規定するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  加工で形成されるフィーチャの臨界寸法の変更を規定するステップは、ＭＯＳトランジスタのポリゲートラインの厚み、ゲート誘電体の厚み、およびシリサイド層の厚みのうちの少なくとも１つの臨界寸法の変更を規定するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】  トランジスタモデルを反転して加工での変更を規定するステップは、後続の予測されるＷＥＴ結果値を仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、加工で形成されるフィーチャのドーピングレベルの変更を規定するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】  加工で形成されるフィーチャのドーピングレベルの変更を規定するステップは、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域のドーピングレベルの変更を規定するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】  加工で形成されるフィーチャのドーピングレベルの変更を規定するステップは、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン拡張（ＳＤＥ）領域のドーピングレベルの変更を規定するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】  欠陥のある加工を訂正するステップは、トランジスタモデルを反転して、後続の予測されるＷＥＴ結果値を仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、加工での変更を規定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】  トランジスタモデルを反転して加工での変更を規定するステップは、後続の予測されるＷＥＴ結果値を仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、加工で形成されるフィーチャの臨界寸法の変更を規定するステップを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】  加工で形成されるフィーチャの臨界寸法の変更を規定するステップは、ＭＯＳトランジスタのポリゲートラインの幅、およびスペーサの幅のうちの少なくとも１つの臨界寸法の変更を規定するステップを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】  加工で形成されるフィーチャの臨界寸法の変更を規定するステップは、ＭＯＳトランジスタのポリゲートラインの厚み、ゲート誘電体の厚み、およびシリサイド層の厚みのうちの少なくとも１つの臨界寸法の変更を規定するステップを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】  トランジスタモデルを反転して加工での変更を規定するステップは、後続の予測されるＷＥＴ結果値を仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、加工で形成
されるフィーチャのドーピングレベルの変更を規定するステップを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】  加工で形成されるフィーチャのドーピングレベルの変更を規定するステップは、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域のドーピングレベルの変更を規定するステップを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】  加工で形成されるフィーチャのドーピングレベルの変更を規定するステップは、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン拡張（ＳＤＥ）領域のドーピングレベルの変更を規定するステップを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】  コンピュータによって実行されるとき、ワークピースを製造するための方法を実行する命令でエンコードされるコンピュータ読出可能プログラム記憶デバイスであって、前記方法は、
ワークピースを加工するステップと、
ワークピース上で行なわれる加工に特有のパラメータを測定するステップと、
測定された特徴パラメータを部分最小２乗トランジスタモデルへの入力として用いることによって、測定された特徴パラメータに対応する出力信号を形成するステップと、
出力信号に基づいてウェハ電気テスト（ＷＥＴ）結果値を予測するステップと、
予測されたＷＥＴ結果値に基づいて欠陥のある加工を検出するステップと、
欠陥のある加工を訂正するステップとを含む、コンピュータ読出可能プログラム記憶デバイス。
【請求項２６】  測定された特徴パラメータを部分最小２乗トランジスタモデルへの入力として用いるステップは、部分最小２乗トランジスタモデルを用いてインラインプロセス計測法の入力値のセットをＷＥＴ測定出力値のセットにマッピングするステップを含む、請求項２５に記載のコンピュータ読出可能プログラム記憶デバイス。
【請求項２７】  部分最小２乗トランジスタモデルを用いてインラインプロセス計測法の入力値のセットをＷＥＴ測定出力値のセットにマッピングするステップは、部分最小２乗トランジスタモデルを用いて、ＷＥＴ測定出力値の少なくともあるサブセットに大きな影響を与える、インラインプロセス計測法の入力値の少なくともあるサブセットを規定するステップを含む、請求項２６に記載のコンピュータ読出可能プログラム記憶デバイス。
【請求項２８】  欠陥のある加工を訂正するステップは、トランジスタモデルを反転して、後続の予測されるＷＥＴ結果値を仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、加工での変更を規定するステップを含む、請求項２７に記載のコンピュータ読出可能プログラム記憶デバイス。
【請求項２９】  欠陥のある加工を訂正するステップは、トランジスタモデルを反転して、後続の予測されるＷＥＴ結果値を仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、加工での変更を規定するステップを含む、請求項２６に記載のコンピュータ読出可能プログラム記憶デバイス。
【請求項３０】  欠陥のある加工を訂正するステップは、トランジスタモデルを反転して、後続の予測されるＷＥＴ結果値を仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、加工での変更を規定するステップを含む、請求項２５に記載のコンピュータ読出可能プログラム記憶デバイス。
【請求項３１】  製造の方法を行うようにプログラムされるコンピュータであって、前記方法は、
ワークピースを加工するステップと、
ワークピース上で行なわれる加工に特有のパラメータを測定するステップと、
測定された特徴パラメータを部分最小２乗トランジスタモデルへの入力として用いることによって、測定された特徴パラメータに対応する出力信号を形成するステップと、
出力信号に基づいてウェハ電気テスト（ＷＥＴ）結果値を予測するステップと、
予測されたＷＥＴ結果値に基づいて欠陥のある加工を検出するステップと、
欠陥のある加工を訂正するステップとを含む、コンピュータ。
【請求項３２】  測定された特徴パラメータを部分最小２乗トランジスタモデルへの入力として用いるステップは、部分最小２乗トランジスタモデルを用いてインラインプロセス計測法の入力値のセットをＷＥＴ測定出力値のセットにマッピングするステップを含む、請求項３１に記載のコンピュータ。
【請求項３３】  部分最小２乗トランジスタモデルを用いてインラインプロセス計測法の入力値のセットをＷＥＴ測定出力値のセットにマッピングするステップは、部分最小２乗トランジスタモデルを用いて、ＷＥＴ測定出力値の少なくともあるサブセットに大きな影響を与える、インラインプロセス計測法の入力値の少なくともあるサブセットを規定するステップを含む、請求項３２に記載のコンピュータ。
【請求項３４】  欠陥のある加工を訂正するステップは、トランジスタモデルを反転して、後続の予測されるＷＥＴ結果値を仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、加工での変更を規定するステップを含む、請求項３３に記載のコンピュータ。
【請求項３５】  欠陥のある加工を訂正するステップは、トランジスタモデルを反転して、後続の予測されるＷＥＴ結果値を仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、加工での変更を規定するステップを含む、請求項３２に記載のコンピュータ。
【請求項３６】  欠陥のある加工を訂正するステップは、トランジスタモデルを反転して、後続の予測されるＷＥＴ結果値を仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、加工での変更を規定するステップを含む、請求項３１に記載のコンピュータ。
【請求項３７】  製造方法であって、
加工ステップにおいて少なくとも１つの入力値を有するインラインプロセス計測法ツールを用いてワークピース上に複数の構造を形成するステップと、
複数の構造に特有のパラメータを測定するステップと、
測定された特徴パラメータおよび少なくとも１つの入力値を部分最小２乗トランジスタモデルへの入力として用いて出力信号を形成するステップと、
出力信号に基づいてウェハ電気テスト（ＷＥＴ）結果値を予測するステップと、
予測されたＷＥＴ結果値に基づいて加工ステップにおいて欠陥のある加工を検出するステップと、
欠陥のある加工を訂正するステップとを含む、方法。
【請求項３８】  出力信号を形成するステップは、部分最小２乗トランジスタモデルを用いて入力値をＷＥＴ測定出力値のセットにマッピングするステップを含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】  部分最小２乗トランジスタモデルを用いて入力値をＷＥＴ測定出力値のセットにマッピングするステップは、部分最小２乗トランジスタモデルを用いて、ＷＥＴ測定出力値の少なくともあるサブセットに大きな影響を与える、入力値の少なくともあるサブセットを規定するステップを含む、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】  欠陥のある加工を訂正するステップは、部分最小２乗トランジスタモデルを反転して、後続の予測されるＷＥＴ結果値を仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、加工ステップでの変更を規定するステップを含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項４１】  部分最小２乗トランジスタモデルを反転して加工ステップでの変更を規定するステップは、後続の予測されるＷＥＴ結果値を仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、加工ステップで形成されるフィーチャの臨界寸法の変更を規定するステップを含む、請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】  加工ステップで形成されるフィーチャの臨界寸法の変更を規定するステップは、ＭＯＳトランジスタのポリゲートラインの幅、スペーサの幅、ＭＯＳトランジスタのポリゲートラインの厚み、ゲート誘電体の厚み、およびシリサイド層の厚みのうちの少なくとも１つの臨界寸法の変更を規定するステップを含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】  部分最小２乗トランジスタモデルを反転して加工ステップでの変更を規定するステップは、後続の予測されるＷＥＴ結果値を仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、加工ステップで形成されるフィーチャのドーピングレベルの変更を規定するス
テップを含む、請求項４０に記載の方法。
【請求項４４】  加工ステップで形成されるフィーチャのドーピングレベルの変更を規定するステップは、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域またはＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン拡張（ＳＤＥ）領域のドーピングレベルの変更を規定するステップを含む、請求項４３に記載の方法。