(57)【要約】基板検査・修正装置は、ＴＦＴアレイが形成される基板の欠陥検査を行う検査部と、欠陥アレイを修正する修正部とを備え、検査部と修正部とによって同一チャンバ内において基板の欠陥検査と欠陥修正とを行う構成とする。これにより、基板の移動に係わる工程を簡易化し、また、装置と中央のシステムサーバとの間で行うデータの送受信の工程を簡略化する。より詳細には、第１の検査部によって、欠陥部位の画素座標データと、欠陥部位の欠陥種の欠陥種データを出力し、修正部は第１の検査部が検出した欠陥部位の画素座標データ、および確認した欠陥種の欠陥種データに基づいて、その欠陥部位を修正する。第２の検査部は、基板の画素単位のＴＦＴアレイの駆動状態を検査してＴＦＴアレイの駆動状態データを出力し、修正後の状態を再検査する。
2008015738.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＦＴアレイが形成される基板の欠陥検査を行う検査部と、
欠陥アレイを修正する修正部とを備え、
前記検査部と前記修正部は、同一チャンバ内において基板の欠陥検査と欠陥修正とを行うことを特徴とする、基板検査・修正装置。
【請求項２】
前記検査部は、
基板の所定領域内の欠陥部位を検出して欠陥部位の画素座標データを出力し、当該欠陥部位の欠陥種を分類して欠陥種データを出力する第１の検査部と、
基板の画素単位のＴＦＴアレイの駆動状態を検査してＴＦＴアレイの駆動状態データを出力する第２の検査部とを備えることを特徴とする、請求項１に記載の基板検査・修正装置。
【請求項３】
前記第１の検査部は、
基板の所定領域に電子ビーム又は励起光の照射によって基板の欠陥部位を検出し欠陥部位の画素座標データを出力し欠陥検出部と、
前記欠陥検出部で検出した欠陥部位の光学的観察によって欠陥部位の欠陥種の分類を確認して欠陥種データを出力する欠陥種確認部とを備えることを特徴とする、請求項２に記載の基板検査・修正装置。
【請求項４】
前記第１の検査部の励起光は、フェムト秒レーザ又は半導体波長可変レーザであることを特徴とする、請求項３に記載の基板検査・修正装置。
【請求項５】
前記第２の検査部は、基板の画素と接触し、その画素の電位を検出する接触型プローブとを備え、前記修正部で修正した部位の画素座標データに基づいて基板の画素に接触型プローブを接触させることを特徴とする、請求項２に記載の基板検査・修正装置。
【請求項６】
前記修正部はレーザ光源を備え、当該レーザ光源が照射するレーザ光により前記第１の検査部が検出した画素座標データおよび確認した欠陥種データに基づいて、欠陥部位において切断又は局所成膜、あるいはその両方を行うことを特徴とする、請求項２に記載の基板検査・修正装置。
【請求項７】
前記請求項１から請求項６の何れかひとつの基板検査・修正装置を備え、
前記第１の検査部で得られる欠陥部位の画素座標データおよび欠陥種データ、前記修正部による修正画素の画素座標データおよび修正内容データ、および第２の検査部で得られる修正結果データを、複数の基板について統計処理して得られる基板の製造ラインの評価データを製造ラインにフィードバックすることを特徴とする、基板評価システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶、有機ＥＬ等に用いられるＴＦＴアレイ基板の製造工程・検査工程に関わり、基板の欠陥検査、欠陥検査で検出された欠陥を修正する装置、およびこの基板欠陥の検査・修正で得られた欠陥データや検査データに基づいて基板を評価し、さらに、これら欠陥データや検査データに基づいて基板の製造工程にフィードバックする基板評価システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴアレイは、例えば液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置の画素電極を選択するスイッチング素子として用いられる。【０００３】
液晶基板や有機ＥＬ基板等のＴＦＴアレイが形成された半導体基板の製造過程では、図４に示すように、製造過程中において、基板のＴＦＴアレイ等を検査する検査工程（Ｓ１００）、検査工程で見つかった基板欠陥を修正する工程（Ｓ２００）、さらには、修正した欠陥を再検査する工程（Ｓ３００）を含んでいる。【０００４】
ＴＦＴアレイ基板の検査は、ＴＦＴアレイ基板の製造工程の後にＴＦＴアレイ基板検査工程として単独で設けられる他、製造工程内に組み込まれて行われる場合もある。このＴＦＴアレイ基板検査では、ＴＦＴアレイ基板に生成されたＴＦＴアレイに、例えば短絡や断線や付着物等の欠陥について、その有無、位置、欠陥種類等を判定し分類することが行われている。【０００５】
ＴＦＴアレイの欠陥検出は、液晶や有機ＥＬの表示状態を観察することによって行うことができるが、表示状態を観察することによってＴＦＴアレイを検査する場合には、例えば液晶パネルでは、ＴＦＴアレイ基板と対向電極との間に液晶層を挟んだ液晶表示装置の状態において検査する必要がある。【０００６】
また、液晶表示装置に至らない半製品の状態で検査するには、液晶層と対向電極を備えた検査治具をＴＦＴアレイ基板に取り付け、ＴＦＴアレイに欠陥検出用の駆動信号を入力し、そのときの電圧状態を正常状態の信号と比較するなどのデータ処理によって、欠陥の位置座標や欠陥状態を表す欠陥データを求める。【０００７】
このＴＦＴアレイにおいて、走査線（ゲートライン）や信号線（ソースライン）の断線、走査線（ゲートライン）と信号線（ソースライン）の短絡、画素を駆動するＴＦＴの特性不良による画素欠陥等の欠陥検査は、例えば、対向電極を接地し、ゲートラインの全部あるいは一部に、例えば、−１５Ｖ〜＋１５Ｖの直流電圧を所定間隔で印加し、ソースラインの全部あるいは一部に検査信号を印加することによって行っている。（例えば、特許文献１の従来技術。）【０００８】
欠陥検出で取得した欠陥データは、各基板の欠陥検出に用いる他、欠陥データを解析することによって、その欠陥の原因を解明し、基板の製造過程にフィードバックされる。【０００９】
ＴＦＴアレイの欠陥検出として電子線を用いるものが知られている。この電子線を用いたＴＦＴアレイ検査では、検査パターンによって、ＴＦＴアレイを駆動しながらピクセル（ＩＴＯ電極）に対して電子線を照射し、この電子線照射によって放出される二次電子を検出することによって、ピクセル（ＩＴＯ電極）に印加された電圧波形を二次電子波形に変えて信号をよるイメージ化し、これによってＴＦＴアレイの電気的検査を行う。【００１０】
これら各工程は、欠陥検査装置、欠陥修正装置等の独立した装置によって行われ、基板の生産ライン上で行う際には、これらの各装置を工程順に配置し、基板をラインに沿って搬送することで行う。【００１１】
図５は、従来の基板検査における装置構成を説明するための概略構成図である。【００１２】
図５において、基板ラインの上流から下流に向かって、アレイ検査装置２０と修正装置３０が配置され、各装置はホストサーバ５０との間でデータの送受信が行われる。【００１３】
前工程でアレイが形成された基板１００を、はじめにアレイ検査装置２０に投入する。アレイ検査装置２０はホストサーバ５０から取得して基板に関する位置データを用いてアライメントを行った後、アレイ検査を行う。アレイ検査は、例えば、電子ビーム等の入力プローブを用いて基板面を走査し、得られた検出信号に基づいて欠陥検査を行い、欠陥検査の結果をホストサーバ５０にデータ送信し、基板１００を搬出する。【００１４】
アレイ検査装置２０から搬出された基板１００を、次に修正装置３０に投入する。修正装置３０は、ホストサーバ５０から欠陥検査の結果を取得し、その検査データに基づいて欠陥部位を修正し、修正結果をホストサーバ５０にデータ送信し、基板１００を搬出する。【００１５】
修正装置３０から搬出された基板１００を、再度アレイ検査装置２０に投入し、欠陥部分の修正状態を確認する。
【特許文献１】特開平５−３０７１９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
従来、アレイ検査装置および修正装置をそれぞれ独立した装置で構成されているため、基板の各装置への搬出入や、装置内での基板のアライメント等の基板移動に係わる点、各装置と中央に設置したシステムサーバとの間で行うデータの送受信に係わる点で問題がある。【００１７】
基板移動に係わる点では、例えば、アレイ検査装置および修正装置はそれぞれ独立した装置であるため、装置ごとに基板の搬入と搬出を行う必要があり、各装置がチャンバ内を真空にする操作を要する場合には、真空排気するための時間および大気に戻すための時間がそれぞれ必要となるため、処理時間が長時間化するという問題がある。【００１８】
また、上記した基板の搬出入に係わる問題の他に、各装置は搬入した基板をアライメントする必要があり、例えば、修正装置では、アレイ検査装置における基板上の位置座標と修正装置上の位置座標を合わせる必要があるというアライメントに係わる問題もある。【００１９】
また、データの送受信に係わる点では、各装置で取得したデータを利用するには、各装置と独立して用意したデータ管理を行う装置に対してデータのアップロードおよびダウンロードを装置ごとに行う必要があり、データの送受信を行う回路を各装置に設ける必要があるという問題がある。【００２０】
例えば、アレイ検査装置は欠陥結果を予めホストサーバにアップロードしておき、修正装置は、このアップロードしておいた欠陥結果のデータを中央システムサーバ（ホストサーバ）からダウンロードし、この欠陥結果のデータから取得した基板の欠陥位置や欠陥種に基づいて修正を行う必要がある。【００２１】
また、上記した問題点の他、基板に対して検査、欠陥分類、光学観察、修正、および再検査という基板に要する一連処理について、従来構成では、検査、欠陥分類、および光学観察の処理を検査装置で行い、その後の修正を修正装置で行い、再検査を再び検査装置で行うというように３つの処理によって行う必要があり、画素座標やＴＦＴ駆動状態といった各処理で共通して扱うことができるデータについても、各装置に固有に設定されたデータ形態間でデータの変換を行う必要があるという問題もある。【００２２】
上記したように、従来の構成では、基板移動に係わる問題、各装置と中央に設置したシステムサーバとの間で行うデータ送受信に係わる問題といった、一連の処理を個々に独立した装置で行うことにより生じる問題を含む。これらの問題は、作業量の増大、タクトタイムの超過、フットプリント量（稼働時のメモリ使用量）の増大、ひいてはコスト増大を招くことになる。【００２３】
特に、液晶パネルや有機ＥＬパネルに使用するＴＦＴアレイの基板が、表示装置の大型化に伴って大型化し、また、駆動ドライバ用のＩＣが基板に搭載されるなど新たなデバイスが開発され、欠陥検査や欠陥修正で得られる情報の種類が複雑化し、データ量も増大することが予想されるため、上記した問題点の重要性が増すものと想定される。【００２４】
そこで、本発明は上記課題を解決して、基板の移動に係わる工程を簡易化し、また、装置と中央のシステムサーバとの間で行うデータの送受信の工程を簡易化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
本発明の基板検査・修正装置は、ＴＦＴアレイが形成される基板の欠陥検査を行う検査部と、欠陥アレイを修正する修正部とを備え、検査部と修正部とによって同一チャンバ内において基板の欠陥検査と欠陥修正とを行う構成とすることで、基板の移動に係わる工程を簡易化し、また、装置と中央のシステムサーバとの間で行うデータの送受信の工程を簡略化する。【００２６】
より詳細には、本発明の検査部は、基板の所定領域内の欠陥部位を検出して欠陥部位の画素座標データを出力し、この欠陥部位の欠陥種を分類して欠陥種データを出力する第１の検査部と、基板の画素単位のＴＦＴアレイの駆動状態を検査してＴＦＴアレイの駆動状態データを出力する第２の検査部とを備える。【００２７】
本発明の第１の検査部は、基板の欠陥部位を検出して欠陥部位の画素座標データを出力し欠陥検出部と、欠陥検出部で検出した欠陥部位を光学的に観察することによって欠陥部位の欠陥種の分類を確認して欠陥種データを出力する欠陥種確認部とを有し、導入された未修正の基板について検査を行って、その基板に存在する欠陥部位の画素座標データと欠陥種データとを取得する。【００２８】
なお、この第１の検査部による基板の欠陥部位の検出は、基板の所定領域に照射した電子ビームによって基板から放出される二次電子を検出する形態や、フェムト秒レーザ又は半導体波長可変レーザ等の励起光を基板に照射して基板を励起し、この励起によって得られる基板状態の変化を検出する形態等、種々の検出形態を適用することができる。【００２９】
本発明の修正部はレーザ光源を備え、このレーザ光源が照射するレーザ光により第１の検査部が検出した欠陥部位の画素座標データ、および確認した欠陥種の欠陥種データに基づいて、その欠陥部位において切断又は局所成膜、あるいはその両方を行う。【００３０】
さらに、本発明の第２の検査部は、修正部で修正した後の基板について、その修正部分を再検査するものであり、基板の画素と接触し、その画素の電位を検出する接触型プローブとを備え、前記修正部で修正した部位の画素座標データに基づいて基板の画素に接触型プローブを接触させることで修正した画素の電位を検出し、修正の両不良を判定する。【００３１】
また、本発明の基板評価システムは、上述した基板検査・修正装置を備え、第１の検査部で得られる欠陥部位の画素座標データおよび欠陥種データ、修正部による修正画素の画素座標データおよび修正内容データ、および第２の検査部で得られる修正結果データを、複数の基板について統計処理して得られる基板の製造ラインの評価データを製造ラインにフィードバックする。【００３２】
本発明の基板検査・修正装置の態様によれば、修正した後のＴＦＴ駆動状態の再検査を、修正装置から修正済みの基板を取り出し、再度、検査装置に導入するといった基板の移動や、検査装置内に再導入した後のアライメントや検査部位の位置合わせといった操作が不要であり、同一のチャンバ内において、基板を搬出入させる移動を要することなく検査、修正装、再検査の一連の処理を一括して行うことができる。【００３３】
また、本発明の基板検査・修正装置の態様によれば、検査装置で得られた評価結果について、中央のシステムサーバとの間におけるアップロードおよびダウンロードを行うことなく、評価結果を直接参照することができるため、作業量の低減、タクトタイムの低減を見込むことができる。【００３４】
また、修正前基板を検査する第１の検査部、基板の修正部、および修正後基板を再検査する第２の検査部とを、一チャンバ内に設けることで、基板の導入および搬出に要するゲートの開閉、およびチャンバの吸排気に要する時間を短縮してタクトタイムを短縮する他、各部でデータを共有することで、フットプリントを短縮することができる。また、オペレータの人員についても削減することができる。【００３５】
従来の構成によって基板評価を行う場合には、個々の装置によって、検査工程、修正工程、再検査工程を個別に行っているため、各装置に固有のデータ形態や操作処理のために対応する必要があるが、本発明の基板評価システムによれば、各工程における画素座標データやＴＦＴ駆動状態を一括して統計評価することができるため、検査工程よりの前の工程に対するフィードバックに要する時間を短縮することができる。このフィードバックの時間を短縮することで、基板評価を前工程に反映させて改善に要する時間を縮めることができ、基板の歩留まりを向上させることができる。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、基板の移動に係わる工程を簡易化し、また、装置と中央のシステムサーバとの間で行うデータの送受信の工程を簡易化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の基板検査・修正装置、および本発明の基板評価システムの構成を説明するための概略図である。
【図２】本発明の基板検査・修正装置１の処理動作を説明するためのフローチャートである。
【図３】本発明の基板検査・修正装置と従来構成とのタクトタイム等の処理を比較するための図である。
【図４】半導体基板の製造過程を説明するためのフローチャートである。
【図５】従来の基板検査における装置構成を説明するための概略構成図である。
【符号の説明】
【００３８】
１…基板検査・修正装置、２…検査部、２Ａ…第１の検査部２、２A1…欠陥検出部、２A2…欠陥種確認部、２Ｂ…第２の検査部、２ａ…電子ビーム源、２ｂ…フェムト秒レーザ、２ｃ…半導体波長可変レーザ、２ｄ…欠陥部、２ｅ…顕微ＣＣＤカメラ、２ｆ…接触型マイクロプローブ、２ｇ…電圧印加部、３…修正部、３Ａ…切断、局所成膜部、３ａ…レーザ光源、４…チャンバ、５…ホストサーバ、６…前工程、１０…基板評価システム。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。【００４０】
図１は、本発明の基板検査・修正装置、および本発明の基板評価システムの構成を説明するための概略図である。図１において、本発明の基板検査・修正装置１は、チャンバ４内に検査部２と修正部３とを備える構成であり、本発明の基板評価システム１０はこの基板検査・修正装置１で得られたデータを前工程にフィードバックする構成を備えるものである。【００４１】
液晶表示パネルに用いられる液晶基板や、有機ＥＬ表示パネルに用いられる有機ＥＬ基板等の半導体基板において、これら基板上には、液晶表示や有機ＥＬ表示に要する構成要素や、これら要素を駆動するためのＴＦＴアレイが設けられる。ＴＦＴアレイは、各画素のピクセルを単位として設けられるＴＦＴと、このＴＦＴを駆動するための各種ライン（例えば、ゲートライン、ソースライン、コモンライン等）が設けられる。【００４２】
本発明において、ライン生産によって基板を製造する場合には、図中の前工程６において基板上にこれらの各要素やＴＦＴアレイを形成し、基板検査・修正装置１によって基板に形成されたＴＦＴアレイ等の欠陥検査を行うと共に、検出した欠陥部位を修正し、さらにその修正部分を再検査して修正を確認して後、次の工程の処理を行う。【００４３】
この基板検査・修正装置１で検出される欠陥は、前工程６に起因すると想定される。そこで、本発明の基板評価システム１０は、基板検査・修正装置１で検出した基板上の欠陥の座標位置を表す位置データや、欠陥の種類を表す欠陥種データ等の欠陥データを、複数の基板の各検査結果から統計的に求め、この欠陥データから前工程６内における欠陥の要因を評価し、前工程６にフィードバックする。【００４４】
以下、本発明の基板検査・修正装置１が、チャンバ４内に備える検査部２および修正部３について説明する。【００４５】
本発明の検査部２は、第１の検査部２Ａと第２の検査部２Ｂを備える。第１の検査部２Ａは、前工程６からチャンバ４内に投入された基板１００に含まれる欠陥を検査し、その欠陥部位の位置と欠陥の種類を検出する部分であり、欠陥部位の位置を検出する欠陥検出部２A1と、欠陥の種類を確認する欠陥種確認部２A2とを備える。【００４６】
欠陥検出部２A1は種々の形態を用いることができる。ここで、欠陥検出部２A1か検出する欠陥の種類として、例えば線欠陥や点欠陥がある。この内、線欠陥としては、例えば、ソース線がオープンの状態（切断）、ゲート線がオープンの状態（切断）、ソース線とゲート線がショートの状態（短絡）等がある。また、点欠陥としては、例えば、ドレイン線がオープンの状態（切断）、ソース線とコモン線がショートの状態（短絡）、ドレイン線とコモン線がショートの状態（短絡）等がある。なお、これらのオープンの状態やショートの状態は、必ずしも、完全に切断された状態や完全に短絡して状態に限らず、切断と接続との中間状態を含む場合も含まれる。【００４７】
基板１００上のどの位置に欠陥が存在するかは通常不明であり、欠陥の存在位置が予め予想される場合であっても、その位置は広がりを持つと予想される。そこで、このため、第１の検査部２Ａでは、基板上の全領域あるいはある程度の広がりを持つ領域について走査を行って欠陥部位を検出する必要がある。そこで、欠陥検出部２A1は、基板１００上の領域内の存在する欠陥について、その欠陥位置と欠陥種を検出する。【００４８】
非接触により基板の欠陥を検出する欠陥検出部２A1の一形態として、基板に対する入力プローブとして電子ビーム源２ａから電子ビームを照射し、この電子ビームの照射によって基板から放出される二次電子を検出器２ｄで検出する構成がある。【００４９】
電子ビームの照射によって放出される二次電子は基板のＴＦＴの電位によって定まるため、検出される二次電子量と正常状態での二次電子量とを比較することによって欠陥に有無を判定することができ、電子ビームの照射位置から基板の欠陥部位の位置を求めることができ、また、ＴＦＴアレイに印加する信号パターンを選択することによって、欠陥の種類を求めることができる。【００５０】
また、非接触により基板の欠陥を検出する欠陥検出部２A1の他の形態として、励起源によって基板を励起し、この励起状態を検出器２ｄで検出する構成がある。なお、図１では、検出器として同じ検出器２ｄを示しているが、二次電子を検出する検出器と励起状態を検出する検出器は必ずしも同一の検出器ではなく、各検出態様に応じた検出器を備えるものである。基板１００を励起する励起源としては、例えば、フェムト秒レーザ２ｂや半導体波長可変レーザ２ｃを用いることができる。【００５１】
基板１００上の欠陥部位と正常部位は異なる励起状態となる。この異なる励起状態を検出することで欠陥部位の位置と欠陥の種類を求める。なお、基板において、励起状態を表す物理特性としては温度、屈折率等種々あり、必要に応じて適宜選択することができる。【００５２】
欠陥種確認部２A2は、欠陥検出部２A1で検出し、分類して欠陥種について、その欠陥の種類を確認する。欠陥検出部２A1による欠陥種の分類は、例えば、検出信号の強度やＴＦＴアレイに印加する信号パターンによって判断されるものであるため、誤差を含む場合があり、誤った欠陥種として判定される場合がある。そこで、修正部３で欠陥部位を修正する前に、欠陥種確認部２A2によって確認を行う。この欠陥種の確認は、例えば、顕微ＣＣＤカメラ２ｅ等の光学観察系でとらえた画像によって光学的に観察することで行う。この光学的観察は、撮像画像を目視で行うことができる。【００５３】
修正部３は、第１の検査部２Ａで検出した欠陥部位の位置データに基づいて欠陥部位を特定し、同じく第１の検査部２Ａで検出した欠陥部位の欠陥種データに基づいて欠陥種に基づいた修正を行う。修正部３としては、例えば、切断・局所成膜部３Ａを用いることができる。切断・局所成膜部３Ａは、例えば、オープン状態の欠陥である場合には、その部位について成膜を行い、ショート状態の欠陥である場合には、その部位について切断を行うことによって欠陥を修正する。この切断・局所成膜部３Ａとしては、例えば、レーザ光源３ａを用いることができる。【００５４】
次に、第１の検査部２Ｂは、修正部３で修正した欠陥部位を再検査し、その修正状態を検証する。この第１の検査部２Ｂでは、その欠陥部位の修正を検証することが目的であるため、画素単位で検査を行う再検査部２B1を備える。この再検査部２B1は、例えば、接触型マイクロプローブ２ｆを用いることができる。接触型マイクロプローブ２ｆは、検査対象の１画素を単位として、その画素の電位信号を直接検出することによって、ＴＦＴの駆動状態を検査する。【００５５】
なお、欠陥検出部２A1および再検査部２B1においてＴＦＴの駆動状態を検査する場合、ＴＦＴアレイに所定の検査パターンの信号を印加する必要がある。そこで、この検査部２は、電圧印加部２ｇを備え、これによってＴＦＴアレイに所定の検査パターンの信号を印加する。【００５６】
上記構成において、チャンバ４内に搬入された基板１００は、例えば、ステージ（図示していない）に載置された状態のままで、第１の検査部２Ａによる欠陥部位の検出、修正部３による検出された欠陥部位の修正、および第２の検査部による修正部分の検証を行うことができるため、基板１００のチャンバ４からの搬出やチャンバ４への再搬入を不要とすることができる。【００５７】
また、欠陥種確認部２A2において、欠陥部位の欠陥種を光学観察する際の欠陥部位の位置座標は、欠陥検出部２A1で検出した欠陥部位の座標データをそのまま用いることができるため、この段階での外部のホストサーバ５へのデータ転送を不要とすることができる。【００５８】
また、修正部３において、欠陥部位の欠陥を修正する際の欠陥部位の位置座標、および欠陥の種類は、第１の検査部２Ａで検出した欠陥部位の座標データと欠陥種データをそのまま用いることができるため、この段階での外部のホストサーバ５へのデータ転送を不要とすることができる。【００５９】
ホストサーバ５へのデータ転送は、第１の検査部２Ａ、修正部３、および第２の検査部２Ｂの各処理が終了した後の一回のみとすることができる。【００６０】
図２は、本発明の基板検査・修正装置１の処理動作を説明するためのフローチャートである。【００６１】
はじめに、前工程６でアレイが形成された基板１００を、基板検査・修正装置１のチャンバ４内に投入する（Ｓ１）。アライメント操作によってチャンバ４内の基準位置に対する位置合わせを行う。このアライメントは、ホストサーバ５から、基板の寸法や基板上に形成されたピクセルの位置や寸法等の基板データを取得し（Ｓ２）、取得した基板データに基づいて基板１００と検査走査系の基準位置に対して位置合わせを行う（Ｓ３）。【００６２】
アライメントの後、基板面を走査し検出信号を取得する。この走査は、ＴＦＴアレイに検査の信号パターンを印加したときの電位状態の検出で行うことができる。電位状態の検出は、例えば、入力プローブとして電子ビームを用いる場合には、この電子ビームの走査と、基板を支持するステージ（図示していない）の移動によって、基板上に照射する電子ビームの位置を変更することで行うことができる。この基板走査は、上記したような非接触型電子ビーム２ａの他、フェムト秒レーザ２ｂや半導体波長可変レーザ２ｃ等の励起源を用いることができる（Ｓ４）。【００６３】
基板走査によって得られた検出信号を解析して基板の欠陥を評価し（Ｓ５）、基板上に欠陥が存在する場合には、その欠陥種を分類し（Ｓ６）、顕微ＣＣＤカメラ２ｅ等の光学観察系によってその欠陥種を確認する（Ｓ７）。【００６４】
欠陥種を確認し（Ｓ８）、その欠陥が修正可能であると判断される場合には、レーザ光源３ａ等を用いて、ショート状態であれば切断処理、オープン状態であれば成膜処理等の欠陥修正を実施する（Ｓ９）。【００６５】
欠陥を修正した後、ＴＦＴアレイに検査の信号パターンを印加し、修正部分に接触型マイクロプローブ２ｆさせて、その部位の電位を検出することによって再検査を行う（Ｓ１０）。【００６６】
Ｓ８において修正が不可と判断された場合、およびＳ１０の再検査が終了した後、これらの修正に係わるデータや、欠陥部位の座標位置データや、欠陥種データ等について、統計処理のデータ処理を行い（Ｓ１１）、データをホストサーバ５に転送して後（Ｓ１２）、基板１００をチャンバ４から搬出する（Ｓ１３）。本発明の構成によれば、第２の検査部２Ｂで再検査が終了しているため、従来のように、再度検査を行うために基板の搬入を行う必要はなく、次の工程に進ませることができる【００６７】
図３は、本発明の基板検査・修正装置と従来構成とのタクトタイム等の処理を比較するための図である。図３（ａ）は従来構成による処理の流れを示し、図３（ｂ）は本発明の基板検査・修正装置による処理の流れを示している。【００６８】
図３（ａ）に示す従来構成では、基板をアレイ装置、修正装置、および再検査装置に投入するための投入工程が３回必要であり、また各装置から基板を搬出するための搬出工程が３回必要である。また、各装置に基板を投入した後、各装置の基準位置に対して位置合わせを行うためにアライメントが３回必要となる。【００６９】
これに対して、図３（ｂ）に示す本発明の基板検査・修正装置１では、基板は一チャンバに投入するだけであるため投入工程および搬出工程は共に１回にみで済ませることができる。また、各装置に基板を投入した後、各装置の基準位置に対して位置合わせを行うためのアライメントも１回で良いため、タクトタイムを短縮させることができる。【００７０】
また、ホストサーバとの間で行う、基板に係わるデータ取得と、装置で取得したデータの伝送についても、従来構成では各装置について行う必要があるため計３回行われるのに対して、本発明の基板検査・修正装置はそれぞれ１回のみとすることができ、データ処理に要するフットプリント量（稼働時のメモリ使用量）を削減することができる。【００７１】
なお、上記した例では、基板検査に、非接触型電子ビーム、フェムト秒レーザや半導体波長可変レーザ等の励起源を用いているが、この例に限らず別の検査手段を用いても良い。また、修正についても、レーザ光源に限らず他の修正手段を用いても良い。【００７２】
また、再検査においても、接触型マイクロプローブに限らず、電磁波を用いた検出手段を用いても良い。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明は、液晶基板や有機ＥＬ基板に限らず、半導体基板に適用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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