【手続補正書】
【提出日】平成20年7月31日(2008.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  キラル基質のラセミ混合物またはジアステレオ混合物を動力学的に分割する方法において、
キラル非ラセミ触媒の存在下において、キラル基質のラセミ混合物またはジアステレオ混合物を求核剤と混合する工程であって、該キラル非ラセミ触媒が三級アミン、ホスフィンまたはアルシンあり、該求核剤が該キラル基質に付加することを該キラル非ラセミ触媒が触媒することにより、ひとつのエナンチオマーまたはジアステレオマーに富んだキラル生成物もしくは未反応キラル基質またはそれらの両方が生成するものである工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】  前記動力学的分割が動的であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記求核剤がアルコール、アミンまたはチオールあることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】  前記キラル非ラセミ触媒が三級アミンあることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】  前記キラル非ラセミ触媒がシンコナアルカロイドあることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】  前記キラル非ラセミ触媒が、キニジン、（ＤＨＱ）2ＰＨＡＬ、（ＤＨＱＤ）2ＰＨＡＬ、（ＤＨＱ）2ＰＹＲ、（ＤＨＱＤ）2ＰＹＲ、（ＤＨＱ）2ＡＱＮ、（ＤＨＱＤ）2ＡＱＮ、ＤＨＱ−ＣＬＢ、ＤＨＱＤ−ＣＬＢ、ＤＨＱ−ＭＥＱ、ＤＨＱＤ−ＭＥＱ、ＤＨＱ−ＡＱＮ、ＤＨＱＤ−ＡＱＮ、ＤＨＱ−ＰＨＮまたはＤＨＱＤ−ＰＨＮであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】  前記基質が１個の不斉炭素を有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】  前記求核剤がアルコール、アミンまたはチオールであり；前記キラル非ラセミ触媒が三級アミン、ホスフィンまたはアルシンであり；さらに、前記基質が１個の不斉炭素を有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】  前記求核剤がアルコール、アミンまたはチオールであり；前記キラル非ラセミ触媒が三級アミンであり；さらに、前記基質が１個の不斉炭素を有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】  前記求核剤がアルコール、アミンまたはチオールであり；前記キラル非ラセミ触媒がシンコナアルカロイドであり；さらに、前記基質が１個の不斉炭素を有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１１】  前記求核剤がアルコール、アミンまたはチオールであり；前記キラル非ラセミ触媒が、キニジン、（ＤＨＱ）2ＰＨＡＬ、（ＤＨＱＤ）2ＰＨＡＬ、（ＤＨＱ）2ＰＹＲ、（ＤＨＱＤ）2ＰＹＲ、（ＤＨＱ）2ＡＱＮ、（ＤＨＱＤ）2ＡＱＮ、ＤＨＱ−ＣＬＢ、ＤＨＱＤ−ＣＬＢ、ＤＨＱ−ＭＥＱ、ＤＨＱＤ−ＭＥＱ、ＤＨＱ−ＡＱＮ、ＤＨＱＤ−ＡＱＮ、ＤＨＱ−ＰＨＮまたはＤＨＱＤ−ＰＨＮであり、さらに、前記基質が１個の不斉炭素を有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】  生成物または未反応基質のエナンチオマー過剰率またはジアステレオマー過剰率が約50％以上であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１３】  生成物または未反応基質のエナンチオマー過剰率またはジアステレオマー過剰率が約70％以上であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１４】  生成物または未反応基質のエナンチオマー過剰率またはジアステレオマー過剰率が約90％以上であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１５】  式１で表される動力学的分割法であって、
【化１】
2004505098.tif 000001
このとき、ＸはＮＲ’、ＯまたはＳを表し；
Ｙはそれぞれ独立してＯまたはＳを表し；
ＺはＮＲ’、ＯまたはＳを表し；
Ｒはそれぞれ独立して、水素、または随意に置換されたアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキルもしくはヘテロアラルキルを表し；
Ｒ’はそれぞれ独立して、Ｒ、ホルミル、アシル、スルホニル、−ＣＯ2Ｒまたは−Ｃ（Ｏ）ＮＲ2を表し；
基質および生成物はキラルであり；
ＮｕＨはアルコール、チオール、アミン、β−ケトエステル、マロネートまたはそれらのうちの任意のものの共役塩基を表し；
キラル非ラセミ触媒はキラル非ラセミ三級アミン、ホスフィンまたはアルシンであり；
ｎは１または２であり；さらに、
該反応が完了または中断したときには、未反応基質のエナンチオマー過剰率もしくはジアステレオマー過剰率が動力学的分割前の基質におけるそれよりも大きい、生成物のエナンチオマー過剰率もしくはジアステレオマー過剰率が０より大きい、またはそれらの両方である
ことを特徴とする方法。
【請求項１６】  ＸがＯであることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１７】  ＹがＯであることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１８】  ＮｕＨがアルコール、チオールまたはアミンを表すことを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１９】  ＮｕＨがアルコールを表すことを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項２０】  前記キラル非ラセミ触媒がキラル非ラセミ三級アミンであることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項２１】  前記キラル非ラセミ触媒がシンコナアルカロイドであることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項２２】  前記キラル非ラセミ触媒が、キニジン、（ＤＨＱ）2ＰＨＡＬ、（ＤＨＱＤ）2ＰＨＡＬ、（ＤＨＱ）2ＰＹＲ、（ＤＨＱＤ）2ＰＹＲ、（ＤＨＱ）2ＡＱＮ、（ＤＨＱＤ）2ＡＱＮ、ＤＨＱ−ＣＬＢ、ＤＨＱＤ−ＣＬＢ、ＤＨＱ−ＭＥＱ、ＤＨＱＤ−ＭＥＱ、ＤＨＱ−ＡＱＮ、ＤＨＱＤ−ＡＱＮ、ＤＨＱ−ＰＨＮまたはＤＨＱＤ−ＰＨＮであることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項２３】  ＸがＯであり；さらに、ＹがＯであることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項２４】  ＸがＯであり；ＹがＯであり；さらに、ＮｕＨがアルコール、チオールまたはアミンを表すことを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項２５】  ＸがＯであり；ＹがＯであり；さらに、ＮｕＨがアルコールを表すことを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項２６】  ＸがＯであり；ＹがＯであり；さらに、前記キラル非ラセミ触媒がキラル非ラセミ三級アミンであることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項２７】  ＸがＯであり；ＹがＯであり；さらに、前記キラル非ラセミ触媒がシンコナアルカロイドであることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項２８】  ＸがＯであり；ＹがＯであり；さらに、前記キラル非ラセミ触媒が、キニジン、（ＤＨＱ）2ＰＨＡＬ、（ＤＨＱＤ）2ＰＨＡＬ、（ＤＨＱ）2ＰＹＲ、（ＤＨＱＤ）2ＰＹＲ、（ＤＨＱ）2ＡＱＮ、（ＤＨＱＤ）2ＡＱＮ、ＤＨＱ−ＣＬＢ、ＤＨＱＤ−ＣＬＢ、ＤＨＱ−ＭＥＱ、ＤＨＱＤ−ＭＥＱ、ＤＨＱ−ＡＱＮ、ＤＨＱＤ−ＡＱＮ、ＤＨＱ−ＰＨＮまたはＤＨＱＤ−ＰＨＮであることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項２９】  ＸがＯであり；ＹがＯであり；ＮｕＨがアルコールであり；さらに、前記キラル非ラセミ触媒が三級アミンであることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項３０】  ＸがＯであり；ＹがＯであり；ＮｕＨがアルコールであり；さらに、前記キラル非ラセミ触媒がシンコナアルカロイドであることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項３１】  ＸがＯであり；ＹがＯであり；ＮｕＨがアルコールであり；さらに、前記キラル非ラセミ触媒が、キニジン、（ＤＨＱ）2ＰＨＡＬ、（ＤＨＱＤ）2ＰＨＡＬ、（ＤＨＱ）2ＰＹＲ、（ＤＨＱＤ）2ＰＹＲ、（ＤＨＱ）2ＡＱＮ、（ＤＨＱＤ）2ＡＱＮ、ＤＨＱ−ＣＬＢ、ＤＨＱＤ−ＣＬＢ、ＤＨＱ−ＭＥＱ、ＤＨＱＤ−ＭＥＱ、ＤＨＱ−ＡＱＮ、ＤＨＱＤ−ＡＱＮ、ＤＨＱ−ＰＨＮまたはＤＨＱＤ−ＰＨＮであることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項３２】  生成物または未反応基質のエナンチオマー過剰率またはジアステレオマー過剰率が約50％以上であることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項３３】  生成物または未反応基質のエナンチオマー過剰率またはジアステレオマー過剰率が約70％以上であることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項３４】  生成物または未反応基質のエナンチオマー過剰率またはジアステレオマー過剰率が約90％以上であることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項３５】  式２で表される動力学的分割法であって、
【化２】
2004505098.tif 000002
このとき、ＸはＮＲ’、ＯまたはＳを表し；
ＺはＮＲ’、ＯまたはＳを表し；
ＲおよびＲ２は、それぞれ独立して、水素、または随意に置換されたアルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキルもしくはヘテロアラルキルを表し、ＲとＲ２とは同一ではなく；
Ｒ’はそれぞれ独立して、Ｒ、ホルミル、アシル、スルホニル、−ＣＯ2Ｒまたは−Ｃ（Ｏ）ＮＲ2を表し；
キラル非ラセミ触媒は、キラル非ラセミ三級アミン、ホスフィンまたはアルシンであり；さらに、
該反応が完了または中断したときには、未反応基質のエナンチオマー過剰率もしくはジアステレオマー過剰率が動力学的分割前の基質におけるそれよりも大きい、生成物のエナンチオマー過剰率もしくはジアステレオマー過剰率が０より大きい、またはそれらの両方である
ことを特徴とする方法。
【請求項３６】  ＸがＯを表すことを特徴とする請求項３５記載の方法。
【請求項３７】  ＺがＮＲ’またはＯを表すことを特徴とする請求項３５記載の方法。
【請求項３８】  前記キラル非ラセミ触媒がキラル非ラセミ三級アミンであることを特徴とする請求項３５記載の方法。
【請求項３９】  前記キラル非ラセミ触媒がシンコナアルカロイドであることを特徴とする請求項３５記載の方法。
【請求項４０】  前記キラル非ラセミ触媒が、キニジン、（ＤＨＱ）2ＰＨＡＬ、（ＤＨＱＤ）2ＰＨＡＬ、（ＤＨＱ）2ＰＹＲ、（ＤＨＱＤ）2ＰＹＲ、（ＤＨＱ）2ＡＱＮ、（ＤＨＱＤ）2ＡＱＮ、ＤＨＱ−ＣＬＢ、ＤＨＱＤ−ＣＬＢ、ＤＨＱ−ＭＥＱ、ＤＨＱＤ−ＭＥＱ、ＤＨＱ−ＡＱＮ、ＤＨＱＤ−ＡＱＮ、ＤＨＱ−ＰＨＮまたはＤＨＱＤ−ＰＨＮであることを特徴とする請求項３５記載の方法。
【請求項４１】  ＸがＯを表し；さらに、ＺがＮＲ’またはＯを表すことを特徴とする請求項３５記載の方法。
【請求項４２】  ＸがＯを表し；ＺがＮＲ’またはＯを表し；さらに、前記キラル非ラセミ触媒がキラル非ラセミ三級アミンであることを特徴とする請求項３５記載の方法。
【請求項４３】  ＸがＯを表し；ＺがＮＲ’またはＯを表し；さらに、前記キラル非ラセミ触媒がシンコナアルカロイドであることを特徴とする請求項３５記載の方法。
【請求項４４】  ＸがＯを表し；ＺがＮＲ’またはＯを表し；さらに、前記キラル非ラセミ触媒が、キニジン、（ＤＨＱ）2ＰＨＡＬ、（ＤＨＱＤ）2ＰＨＡＬ、（ＤＨＱ）2ＰＹＲ、（ＤＨＱＤ）2ＰＹＲ、（ＤＨＱ）2ＡＱＮ、（ＤＨＱＤ）2ＡＱＮ、ＤＨＱ−ＣＬＢ、ＤＨＱＤ−ＣＬＢ、ＤＨＱ−ＭＥＱ、ＤＨＱＤ−ＭＥＱ、ＤＨＱ−ＡＱＮ、ＤＨＱＤ−ＡＱＮ、ＤＨＱ−ＰＨＮまたはＤＨＱＤ−ＰＨＮであることを特徴とする請求項３５記載の方法。
【請求項４５】   生成物または未反応基質のエナンチオマー過剰率またはジアステレオマー過剰率が約50％以上であることを特徴とする請求項３５記載の方法。
【請求項４６】  生成物または未反応基質のエナンチオマー過剰率またはジアステレオマー過剰率が約70％以上であることを特徴とする請求項３５記載の方法。
【請求項４７】  生成物または未反応基質のエナンチオマー過剰率またはジアステレオマー過剰率が約90％以上であることを特徴とする請求項３５記載の方法。