【手続補正書】
【提出日】平成19年8月29日(2007.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部が誘電体で形成されたプラズマ発生室にガスを導入し、当該ガスを励起させてプラズマを生起し、前記ガスプラズマによってＬｏｗ−Ｋ膜を用いた被処理対象物のプラズマ処理を行うアッシング方法において、
前記プラズマ発生室に対してＨ2を１〜２０％の割合で添加した不活性ガスを導入し、
この不活性ガスを励起させてプラズマを生成させ、発生した水素ラジカルによって前記被処理対象物上のレジストを除去することを特徴とするアッシング方法。
【請求項２】
前記Ｈ2を添加した不活性ガスにＨ2Ｏを添加し、
この混合ガスによるプラズマを生成させ、発生した水素ラジカルによって前記被処理対象物上のレジストを除去することを特徴とする請求項１に記載のアッシング方法。
【請求項３】
前記不活性ガスには、Ｈ2Ｏを０．１％〜５％の割合で添加することを特徴とする請求項２記載のアッシング方法。
【請求項４】
前記Ｈ2を添加した不活性ガスにＯ2を添加し、
この不活性ガスによるプラズマを生成させ、発生した水素ラジカルによって前記被処理対象物上のレジストを除去することを特徴とする請求項１に記載のアッシング方法。
【請求項５】
前記不活性ガスには、Ｏ2を０．０１％〜０．１％の割合で添加することを特徴とする請求項４記載のアッシング方法。
【請求項６】
少なくとも一部が誘電体で形成されたプラズマ発生室にガスを導入し、当該ガスを励起させてプラズマを生起し、前記ガスプラズマによってＬｏｗ−Ｋ膜を用いた被処理対象物のプラズマ処理を行うアッシング装置であって、
前記プラズマ発生室に対して導入されるガスは、Ｈ2を１〜２０％の割合で添加した不活性ガスであることを特徴とするアッシング装置。
【請求項７】
前記Ｈ2を添加した不活性ガスに、さらにＨ2Ｏが添加されていることを特徴とする請求項６記載のアッシング装置。
【請求項８】
前記添加されるＨ2Ｏは、０．１％〜５％の割合であることを特徴とする請求項７記載のアッシング装置。
【請求項９】
前記Ｈ2を添加した不活性ガスに、さらにＯ2が添加されていることを特徴とする請求項６記載のアッシング装置。
【請求項１０】
前記添加されるＯ2は、０．０１％〜０．１％の割合であることを特徴とする請求項９記載のアッシング装置。
【請求項１１】
前記不活性ガスは、Ｈｅからなることを特徴とする請求項６〜１０のいずれか１項に記載のアッシング装置。
【請求項１２】
前記プラズマに含まれる紫外線光が、前記プラズマ発生室から被処理物上に直接照射されることがないように前記被処理物と前記プラズマ発生室との位置関係を直線的に照射されない配置としたことを特徴とする請求項６〜１１のいずれか１項に記載のアッシング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１記載のアッシング方法は、少なくとも一部が誘電体で形成されたプラズマ発生室にガスを導入し、当該ガスを励起させてプラズマを生起し、前記ガスプラズマによってＬｏｗ−Ｋ膜を用いた被処理対象物のプラズマ処理を行うアッシング方法において、前記プラズマ発生室に対してＨ2を１〜２０％の割合で添加した不活性ガスを導入し、この不活性ガスを励起させてプラズマを生成させ、発生した水素ラジカルによって前記被処理対象物上のレジストを除去することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、請求項６記載のアッシング装置は、少なくとも一部が誘電体で形成されたプラズマ発生室にガスを導入し、当該ガスを励起させてプラズマを生起し、前記ガスプラズマによってＬｏｗ−Ｋ膜を用いた被処理対象物のプラズマ処理を行うアッシング装置であって、前記プラズマ発生室に対して導入されるガスは、Ｈ2を１〜２０％の割合で添加した不活性ガスであることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、不活性ガスに添加するＨ2の割合が１〜２０％の領域では、Ｈ2変化に対するアッシングレートの変化が処理能力上の許容範囲内であり、安定したアッシング処理を行うことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項２記載の発明は、請求項１に記載のアッシング方法において、前記Ｈ2を添加した不活性ガスにＨ2Ｏを添加し、この混合ガスによるプラズマを生成させ、発生した水素ラジカルによって前記被処理対象物上のレジストを除去することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項７記載の発明は、請求項６記載のアッシング装置において、前記Ｈ2を添加した不活性ガスに、さらにＨ2Ｏが添加されていることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項３記載の発明は、請求項２記載のアッシング方法において、前記不活性ガスには、Ｈ2Ｏを０．１％〜５％の割合で添加することを特徴とする。
請求項８記載の発明は、請求項７記載のアッシング装置において、前記添加されるＨ2Ｏは、０．１％〜５％の割合であることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項４記載の発明は、請求項１に記載のアッシング方法において、前記Ｈ2を添加した不活性ガスにＯ2を添加し、この不活性ガスによるプラズマを生成させ、発生した水素ラジカルによって前記被処理対象物上のレジストを除去することを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項９記載の発明は、請求項６記載のアッシング装置において、前記Ｈ2を添加した不活性ガスに、さらにＯ2が添加されていることを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項５記載の発明は、請求項４記載のアッシング方法において、前記不活性ガスには、Ｏ2を０．０１％〜０．１％の割合で添加することを特徴とする。
請求項１０記載の発明は、請求項９記載のアッシング装置において、前記添加されるＯ2は、０．０１％〜０．１％の割合であることを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項１１記載の発明は、請求項６〜１０のいずれか１項に記載のアッシング装置において、前記不活性ガスは、Ｈｅからなることを特徴とする。
以上のような態様では、Ｈｅは、準安定状態のエネルギーが高いことに起因して、例えば、Ｈ2を微量添加した場合においても、アッシングレートの立ち上がりが早い。また、ＨｅはＨ2とほぼ同質量をもつ原子であるため、ガスの拡散において望ましく、ウェーハ面内のアッシング処理分布の均一化が期待できる。したがって、安定した処理作業を実行することができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項１２記載の発明は、請求項６〜１１のいずれか１項に記載のアッシング装置において、前記プラズマに含まれる紫外線光が、前記プラズマ発生室から被処理物上に直接照射されることがないように前記被処理物と前記プラズマ発生室との位置関係を直線的に照射されない配置としたことを特徴とする。
以上のような態様では、プラズマ発生室の内部で生成されたプラズマに含まれる紫外線光は、被処理物に到達する前に除去され、ラジカルのみが被処理物表面に供給される。これにより、被処理物に対して紫外線光が当たることによる被処理物の誘電率の上昇を抑えることができるようになる。