(57)【要約】  剥離性に優れ、かつ、引火性がなく安全であり、さらに、導電体を腐蝕させない防食性に優れたレジスト剥離剤の提供を目的とする。  レジスト剥離剤は、式（1）で表される化合物を含む構成としてある。【化４】  2007148574.tif 000006  ここで、式（１）において、Ｒ３は炭素数１〜１８のアルキル基であり、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜６のエーテル結合を有してもよい炭化水素基である。
2007148574.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表される化合物を含むことを特徴とするレジスト剥離剤。
【化３】
2007148574.tif 000005
ここで、式（１）において、Ｒ３は炭素数１〜１８のアルキル基であり、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜６のエーテル結合を有してもよい炭化水素基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、さらに、互いに結合して環構造を形成してもよい。
【請求項２】
２０〜１００重量％の前記式（１）で表される化合物と、０〜８０重量％の水とが含まれることを特徴とする請求項１に記載のレジスト剥離剤。
【請求項３】
前記Ｒ１及びＲ２の炭素数を、１〜４としたことを特徴とする請求項１又は２に記載のレジスト剥離剤。
【請求項４】
前記Ｒ１及びＲ２の炭素数を１とし、かつ、前記Ｒ３の炭素数を１〜８としたことを特徴とする請求項１又は２に記載のレジスト剥離剤。
【請求項５】
前記Ｒ１及びＲ２の炭素数を２とし、かつ、前記Ｒ３の炭素数を１〜６としたことを特徴とする請求項１又は２に記載のレジスト剥離剤。
【請求項６】
防食剤、キレート剤、剥離促進剤、還元剤、酸化剤、界面活性剤、緩衝剤及び／又は酸化防止剤が添加されたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のレジスト剥離剤。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト剥離剤に関する。特に、本発明のレジスト剥離剤は、剥離性に優れ、かつ、引火性がなく安全であり、さらに、導電体を腐蝕させない防食性に優れている。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ，ＬＳＩのような集積回路、ＬＣＤ，ＥＬ素子のような表示機器、プリント基板等は、ホトリソグラフィー技術を用いて製造されている。このホトリソグラフィー工程において、不必要となったレジスト（感光剤）は、レジスト剥離剤を用いて除去される。【０００３】
（従来例）
このレジスト剥離工程では、これまで種々のレジスト剥離剤が使用されてきた。しかし、近年、液晶表示パネルや半導体素子のプロセスの微細化や短時間処理に対応するには能力が低く、更なる性能が望まれている。現在では、剥離性に優れたアミン系化合物を含むレジスト剥離剤が主力となっている。
このアミン系剥離剤は溶剤系と水系に分類できる。たとえば、溶剤系剥離剤として、ジメチルスルホキシド（約３０重量％）＋モノエタノールアミン（約７０重量％）や、モノエタノールアミン＋Ｎ−メチルピロリドンなどが使用されている。一方、水系剥離剤として、水（約２０〜３０重量％）＋ジエチレングリコールモノブチルエーテル（約２０〜３０重量％）＋モノエタノールアミン（約３０〜４０重量％）、アルキルベンゼンスルホン酸＋機能水（オゾン水）、酸系（硫酸＋過酸化水素）＋機能水（オゾン水）などが使用されている。【０００４】
近年、水リンスが可能な水系剥離剤の使用が拡大している。この理由は、水系剥離剤が剥離性に優れ、しかも引火性がなく危険物ではないからである。ところで、水系剥離剤は、モノエタノールアミンが添加されている。このため、水系剥離剤は、配線などの導電体への腐食が起こるといった欠点を有している。したがって、実際には剥離性能と腐食性を考慮して、モノエタノールアミンの含有量を調整する必要がある。そして、レジスト剥離性能と導電体へのダメージ（腐食）防止を目的として、様々なレジスト剥離剤が開発されてきた。【０００５】
たとえば、特許文献１には、アルカノールアミンとホルムアルデヒドを反応させた生成物を含有するフォトレジスト剥離剤が開示されている。この生成物は、アルカノールアミンとホルムアルデヒドを、ホルムアルデヒド／アルカノールアミン（モル比）で、０．８以下の割合で反応させることによって、生成される。
また、特許文献２には、アルカノールアミン化合物と、スルホン化合物又はスルホキシド化合物と、ヒドロキシ化合物とからなる、フォトレジスト剥離剤組成物が開示されている。
さらに、特許文献３には、少なくともヒドロキシカルボン酸および水を含む、ｐＨの安定したレジスト剥離剤が開示されている。このレジスト剥離剤は、製造後に含まれるヒドロキシカルボン酸が、二分子以上の縮合体とヒドロキシカルボン酸単量体との比率（すなわち、縮合体／単量体）が１／９以下になるように調整されている。
また、特許文献４には、銅と銀の合金を配線プロセスに使用するためのレジストを剥離する剥離剤が開示されている。このレジスト剥離剤は、ピペラジン類を含んでいる。
さらに、特許文献５には、テトラエチレンペンタミン及びエーテルアルコールを含むレジスト剥離剤が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−２１９４８６号公報
【特許文献２】特開平０５−２８１７５３号公報
【特許文献３】特開２００５−０４９４３８号公報
【特許文献４】特開２００４−２０５６７４号公報
【特許文献５】特開２００４−２０５６７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記各特許文献に記載された技術は、レジスト剥離性能の向上と導電体（銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）などからなる配線など）の防食を目的として開発された。しかしながら、これらの技術では、まだ完全に両目的を満足することができないといった問題があった。【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、剥離性に優れ、かつ、引火性がなく安全であり、さらに、導電体を腐蝕させない防食性に優れたレジスト剥離剤の提供を目的とする。【０００８】
なお、本発明者は、上記の状況を鑑み、鋭意検討した。この結果、高い両親媒性をもつ特定の新規なアルコキシアミド系化合物を、レジスト剥離剤として使用した。このレジスト剥離剤は、防食性に優れ、しかも剥離性能にも優れていた。本発明は、このようにして完成したものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明のレジスト剥離剤は、式（1）で表される化合物を含んでいる。
【化１】
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ここで、式（１）において、Ｒ３は炭素数１〜１８のアルキル基である。Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜６のエーテル結合を有してもよい炭化水素基である。Ｒ１とＲ２は、互いに同一であっても異なっていてもよく、さらに、互いに結合して環構造を形成してもよい。
このように、アルコキシアミド系のレジスト剥離剤は、高い剥離性能を有するとともに、銅やアルミに対して防食性に非常に優れている。また、このレジスト剥離剤は、水溶性を有しているので、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）リンスが不要であり、生産性を向上させることができる。【００１０】
また、好ましくは、約２０〜１００重量％の前記式（１）で表される化合物と、約０〜８０重量％の水とが含まれるとよい。
このように、レジスト剥離剤は、水混合系のレジスト剥離剤としても使用することができる。また、レジスト剥離剤は、水混合物とすることにより引火性をなくし、非危険物として取り扱うことができる。また、レジスト剥離剤は、高い水希釈率でも高い剥離性能を有しており、レジスト剥離剤の使用量を低減することができる。さらに、レジスト剥離剤は、水混合物としない場合であっても、アルコキシアミド系化合物自体の引火点が高く、第三石油類であることから、安全性を向上させることができる。【００１１】
また、好ましくは、前記Ｒ１及びＲ２の炭素数を、１〜４とするとよい。
このようにすると、レジスト剥離剤は、水への溶解性が低下するのを抑制することができ、水リンスが可能となる。【００１２】
また、好ましくは、前記Ｒ１及びＲ２の炭素数を１とし、かつ、前記Ｒ３の炭素数を１〜８とするとよい。
このようにすると、レジスト剥離剤は、レジストの剥離性を低下させずに、水への溶解性が低下するのを抑制することができる。【００１３】
また、好ましくは、前記Ｒ１及びＲ２の炭素数を２とし、かつ、前記Ｒ３の炭素数を１〜６とするとよい。
このようにしても、レジスト剥離剤は、レジストの剥離性を低下させずに、水への溶解性が低下するのを抑制することができる。【００１４】
また、好ましくは、防食剤、キレート剤、剥離促進剤、還元剤、酸化剤、界面活性剤、緩衝剤及び／又は酸化防止剤が添加されるとよい。
このように、たとえば、界面活性剤を添加すると、微細隙間への浸透性が向上し、レジストの剥離性を向上させることができる。また、酸化防止剤を添加することにより、レジスト剥離剤は、酸化による性能劣化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、実施例１〜１５に対する、剥離剤種（剥離液の組成）、剥離性能及び防食性能を表した表−１を示している。
【図２】図２は、比較例１〜６に対する、剥離剤種（剥離液の組成）、剥離性能及び防食性能を表した表−２を示している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
[レジスト剥離剤の一実施形態]
本発明のレジスト剥離剤は、液晶表示パネルや半導体素子などの製造時に用いられる。すなわち、ホトリソグラフィー工程において、不必要となったレジスト（感光剤）を、溶解して除去する。
本実施形態のレジスト剥離剤は、式（1）で表されるアルコキシアミド系の化合物を含む構成としてある。
【化２】
2007148574.tif 000004
上記式（１）において、Ｒ３は炭素数１〜１８のアルキル基である。Ｒ１及びＲ２は、それぞれ水素原子、又は、炭素数１〜６のエーテル結合を有してもよい一価の炭化水素基である。【００１７】
ここで、Ｒ３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、各種プロピル基、各種ブチル基、各種ペンチル基、各種ヘキシル基、各種オクチル基などが挙げられる。このアルキル基は、炭素数１〜８のものが好ましく、炭素数１〜６のものが特に好ましい。
また、Ｒ１及びＲ２の炭化水素基としては、直鎖状、分岐状のいずれであってもよいが、飽和炭化水素基が好ましい。その例としては、メチル基、エチル基、各種プロピル基、各種ブチル基、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基などが挙げられ、メチル基が最も一般的である。Ｒ１及びＲ２は、互いに同一であっても異なっていてもよく、さらに、互いに結合して環構造を形成してもよい。この環構造は、窒素をヘテロ原子とする複素環構造であってもよく、また、窒素原子と酸素原子をヘテロ原子とする複素環構造であってもよい。この複素環構造を有する基としては、たとえば、１−ピロリジニル基、ピペジリノ基、モルホリノ基などを挙げることができる。【００１８】
上記アルコキシアミド系の化合物として、たとえば、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、３−ブトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、３―メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオンアミド、３―エトキシ−Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオンアミドなどを挙げることができる。【００１９】
ここで、好ましくは、Ｒ１及びＲ２の炭素数を、１〜４とするとよく、より好ましくは、Ｒ１及びＲ２の炭素数を、１〜２とするとよい。このようにすると、水への溶解性が低下するのを抑制することができ、水リンスが可能となる。【００２０】
また、好ましくは、Ｒ１及びＲ２の炭素数を１としたとき、Ｒ３の炭素数を１〜８とするとよく、より好ましくは、Ｒ３の炭素数を１〜６とするとよい。このようにすると、レジストの剥離性（レジストを溶解する性能を含む。）を低下させずに、水への溶解性を増大させることができる。Ｒ１及びＲ２の炭素数を１としたとき、Ｒ３の炭素数を１〜８とするとよい理由は、Ｒ３の炭素数が大きいほど水への溶解性が低下し、水希釈率が低下するとともに、水リンスが困難となるからである。【００２１】
また、好ましくは、Ｒ１及びＲ２の炭素数を２としたとき、Ｒ３の炭素数を１〜６とするとよく、より好ましくは、Ｒ３の炭素数を１〜３とするとよい。このようにすると、レジストの剥離性を低下させずに、水への溶解性を増大させることができる。Ｒ１及びＲ２の炭素数を２としたとき、Ｒ３の炭素数を１〜６とするとよい理由は、Ｒ３の炭素数が大きいほど水への溶解性が低下し、水希釈率が低下するとともに、水リンスが困難となるからである。【００２２】
上記式（1）で表されるアルコキシアミド系の化合物は、通常、水と混合され水混合系のレジスト剥離剤として使用される。このレジスト剥離剤は、水混合物とすることにより引火性がないので、非危険物として取り扱うことができる。また、このレジスト剥離剤は、高い水希釈率でも高い剥離性能を有しており、レジスト剥離剤の使用量を低減することができる。さらに、水混合物としない場合であっても、レジスト剥離剤として使用することができる。また、アルコキシアミド系化合物自体の引火点が高く、第三石油類であることから、安全性を向上させることができる。【００２３】
ここで、好ましくは、レジスト剥離剤に、約２０〜１００重量％の式（１）で表される化合物と、約０〜８０重量％の水とが含まれるとよい。より好ましくは、約２５〜１００重量％の式（１）で表される化合物と、約０〜７５重量％の水とが含まれるとよく、さらに好ましくは、約４０〜１００重量％の式（１）で表される化合物と、０〜６０重量％の水とが含まれるとよい。このようにすると、レジスト剥離剤の剥離性能を良好に発揮することができる。【００２４】
たとえば、式（１）で表される化合物として、Ｎ，Ｎ−ジメチル体を使用する場合、水添加量は、約５〜８０重量％とするとよく、好ましくは、約２０〜６０重量％とするとよい。すなわち、式（１）で表される化合物が、約４０重量％未満であったり、あるいは、約８０重量％を超えると、式（１）で表される化合物によっては、レジストに対する剥離性能が低下する心配があるからである。また、式（１）で表される化合物として、Ｎ，Ｎ−ジエチル体を使用する場合、水添加量は、約０〜８０重量％とするとよく、好ましくは、約０〜４０重量％とするとよい。このようにすると、レジストに対する剥離性能が低下するといった不具合を防止することができる。【００２５】
また、本実施形態のレジスト剥離剤は、好ましくは、防食剤、キレート剤、剥離促進剤、還元剤、酸化剤、界面活性剤、緩衝剤及び／又は酸化防止剤などが添加されるとよい。このように、たとえば、界面活性剤を添加すると、微細隙間への浸透性が向上し、レジストの剥離性を向上させることができる。また、必要に応じて、酸化防止剤を添加することにより、酸化による性能劣化を抑制することができる。上記防食剤、キレート剤、剥離促進剤、還元剤、酸化剤、界面活性剤、酸化防止剤は、単独でも使用でき、また、２種以上を組み合わせても使用できる。【００２６】
防食剤、あるいは、キレート剤として、芳香族ヒドロキシ化合物、アセチレンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物及びその無水物、トリアゾール化合物、糖類及びオキシム系化合物などが挙げられる。上記各防食剤、あるいは、キレート剤は、単独でも使用でき、また、２種以上を組み合わせても使用できる。【００２７】
芳香族ヒドロキシ化合物として、フェノール、クレゾール、キシレノール、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール、１，２，４−ベンゼントリオール、サリチルアルコール、ｐ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｏ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｐ−ヒドロキシフェネチルアルコール、ｐ−アミノフェノール、ｍ−アミノフェノール、ジアミノフェノール、アミノレゾルシノール、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸等を挙げることができる。【００２８】
アセチレンアルコールとして、２−ブチン−１，４−ジオール、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、２−メチル−３−ブチン−２−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、３，６−ジメチル−４−オクチン−３，６−ジオール、２，４，７，９−テトラメチル−５−デシン−４，７−オール、２，５−ジメチル−３−ヘキシン−２，５−ジオール等を挙げることができる。【００２９】
カルボキシル基含有有機化合物及びその無水物として、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、１，２，３−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸、無水酢酸、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、サリチル酸、酒石酸、アクリル酸、γ―リノレン酸等を挙げることができる。【００３０】
トリアゾール化合物としては、ベンゾトリアゾール、ｏ−トリルトリアゾール、ｍ−トリルトリアゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、ニトロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール、アミノトリアゾール等を挙げることができる。  
また、糖類として、ソルビトール、キシリトール、パラチニット、アラビトール、マンニトール、蔗糖、澱粉等を挙げることができる。
また、オキシム系化合物としては、ジメチルグリオキシム、ジフェニルグリオキシム等を挙げることができる。
上記防食剤、あるいは、キレート剤は、単独またはそれらの混合物のいずれで用いてもよい。【００３１】
剥離促進剤として、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、フェノールスルホン酸、あるいはメチル、プロピル、ヘプチル、オクチル、デシル、ドデシル等のアルキルベンゼンスルホン酸などが挙げられる。
上記剥離促進剤は、単独またはそれらの混合物のいずれで用いてもよい。【００３２】
還元剤としては、次亜硫酸、硫酸塩系還元剤、アミン系還元剤、あるいは、その他の還元剤が挙げられる。  
上記次亜硫酸、硫酸塩系還元剤として、チオ硫酸ナトリウム、亜二チオン酸ナトリウム、ピロ亜硫酸ナトリウム、メタ重亜硫酸ナトリウムなどが挙げられる。
アミン系還元剤として、ヒドロキシルアミン、モノエタノールアミン、トリプトファン、ヒシチジン、メチオニン、フェニルアラニンなどが挙げられる。
その他の還元剤として、アスコルビン酸、ブチンジオ−ル類、不飽和ケトン類、尿酸、テトラアミソ−ル、ヒドラジン類、及びその誘導体類であって、カルバゼ−ト類、オキシム類、ヒドロキノン、ピロガロ−ル、没食子酸、2,4,5-トリヒドロキシブチロフェノン、トコフェロ−ル、6-ヒドロキシ-2,5,7,8-テトラメチルクロマン-2-カルボン酸、ブチル化ヒドロキシトルエン(BHT)、ブチル化ヒドロキシアニソ−ル(BHA)、2,6-ジ-第三ブチル-4-ヒドロキシメチルフェノ−ル、チオ−ル類、サリチルアルデヒド、4-ヒドロキシベンズアルデヒド及びグリコ−ルアルデヒドジアルキルアセタ−ル類及びそれらの混合物などが挙げられる。
上記還元剤は、単独またはそれらの混合物のいずれで用いてもよい。【００３３】
酸化剤として、オゾン、過酸化水素、次亜塩素酸または次亜塩素酸塩、亜塩素酸または亜塩素酸塩、過塩素酸または過塩素酸塩、次亜臭素酸または次亜臭素酸塩、亜臭素酸または亜臭素酸塩、過臭素酸または過臭素酸塩、次亜ヨウ素酸または次亜ヨウ素酸塩、亜ヨウ素酸または亜ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸または過ヨウ素酸塩、過硫酸または過硫酸塩、過酢酸または過酢酸塩、過プロピオン酸または過プロピオン酸塩、過安息香酸または過安息香酸塩、ｔｅｒｔ−ブチルハイドロパーオキシド、エチルベンゼンハイドロパーオキシド、キュメンハイドロパーオキシドなどが挙げられる。
上記酸化剤は、単独またはそれらの混合物のいずれで用いてもよい。【００３４】
界面活性剤として、カチオン系、アニオン系、非イオン系、あるいは、フッ素系などの界面活性剤が挙げられる。
カチオン系界面活性剤として、アルキルトリメチルアンモニウム塩系、アルキルアミドアミン系、アルキルジメチルベンジルアンモニウム塩系、ポリエチレンポリアミン系カチオン樹脂、セチルトリメチルアンモニウムクロライド、第４級アンモニウム塩などの界面活性剤が挙げられる。
ノニオン系界面活性剤として、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル系、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル系、ポリオキシアルキレングリコール脂肪酸エステル系、ポリオキシアルキレンソルビット脂肪酸エステル系、ソルビタン脂肪酸エステル系、ポリオキシアルキレンソルビタン脂肪酸エステル系などの界面活性剤が挙げられる。
アニオン系界面活性剤として、水中でアニオン性を示す基であって、スルホン酸を形成する基（以下、スルホン酸基と記す。）、硫酸エステルを形成する基（以下、硫酸エステル基と記す。）、リン酸エステルを形成する基（以下、リン酸エステル基と記す。）、カルボン酸を形成する基（以下、カルボン酸基と記す。）などが挙げられる。【００３５】
上記スルホン酸基を有する化合物として、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、アルキレンジスルホン酸、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物、フェノールスルホン酸ホルマリン縮合物、フェニルフェノールスルホン酸ホルマリン縮合物等の分子構造中にアニオン系官能基を２つ以上有する化合物、アルキルベンゼンスルホン酸、ジアルキルサクシネートスルホン酸、モノアルキルサクシネートスルホン酸、アルキルフェノキシエトキシエチルスルホン酸等の化合物又はその塩などが挙げられる。
硫酸エステル基を有する化合物として、アルキルメチルタウリン、アシルメチルタウリン、脂肪酸メチルタウリンなどのメチルタウリン類、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル、ポリオキシアルキレン多環フェニルエーテル硫酸エステル、ポリオキシアルキレンアリールエーテル硫酸エステル等の化合物又はその塩などが挙げられる。
リン酸エステル基を有する化合物として、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルリン酸などの化合物またはその塩などが挙げられる。
カルボン酸基を有する化合物として、アシルサルコシン、脂肪酸サルコシンなどのサルコシン類化合物、やし油、オレイン酸、アクリル酸、γ―リノレン酸などの脂肪酸類化合物またはその塩などが挙げられる。
さらに、分子構造中に異なった２つのアニオン系官能基を有する化合物として、スルホン酸基及びカルボン酸基を有する化合物であるアルキルスルホコハク酸、ポリオキシアルキレンアルキルスルホコハク酸などの化合物またはその塩などが挙げられる。【００３６】
フッ素系界面活性剤として、パーフルオロアルキルエチレンオキシド付加物、パーフルオロアルキルりん酸エステル、パーフルオロアルキルフェニルグリシンなどが挙げられる。
上記界面活性剤は、単独またはそれらの混合物のいずれで用いてもよい。【００３７】
緩衝剤としては、無機酸塩系や有機酸塩系などが挙げられる。
例えば、緩衝系で有用な有機酸として、限定しないが、ギ酸、トリフルオロ酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ヘプタン酸、乳酸、シュウ酸、リンゴ酸、マロン酸、コハク酸、フマル酸、アジピン酸、安息香酸、フタル酸およびクエン酸などが挙げられる。
また、本発明の緩衝系において有用な共役塩基として、有機酸の塩、アンモニア、テトラメチルアンモニウム水酸化物、テトラアルキルアンモニウム水酸化物、２−（メチルアミノ）エタノール、モノイソプロパノールアミン、ジグリコールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−（２−アミノエトキシ）エタノール、１−（２−アミノエチル）ピペリジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、１−（３−アミノプロピル）−イミダゾール、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、Ｎ．Ｎ．Ｎ’−トリメチルアミノエタノールアミン、ペンタメチルジエチレントリアミン、エチルモルホリン、ヒドロキシモルホリン、アミノプロピロンモルホリン、トリエタノールアミンおよびメチルジエタノールアミンなどが挙げられる。また、有用な共役塩基は、上記例示に限定されない。【００３８】
また、カルボン酸塩、硫酸塩、スルホン酸塩、ホスホン酸塩、硝酸塩、塩酸塩および硼酸塩からなる群より選ばれる１種以上の塩であることが望ましい。具体的には、酢酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウム、スルホコハク酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、メタンスルホン酸アンモニウム、ホスホン酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、塩化アンモニウム、四硼酸アンモニウム、アクリル酸アンモニウムなどが挙げられる。陽イオンに注目するとアンモニウム塩以外にもアミン塩でも第四級アンモニウム塩でもよい。
アミンとしては、ヒドロキシルアミンやジエチルヒドロキシルアミンなどのヒドロキシルアミン類、エチルアミン、プロパンジアミン、ジブチルアミン、トリメチルアミンなどのアルキルアミン類、モノエタノールアミン、メチルエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジグリコールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−（２−アミノエトキシ）エタノールなどのアルカノールアミン類、アニリン、ベンジルアミンなどの芳香族アミン類、エチルモルホリン、ヒドロキシモルホリン、アミノプロピロンモルホリンなどのモルフォリン類、１−（２−アミノエチル）ピペリジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、１−（３−アミノプロピル）−イミダゾール、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ−７−ｅｎｅ、Ｎ．Ｎ．Ｎ’−トリメチルアミノエタノールアミン、ペンタメチルジエチレントリアミンなどが挙げられる。また、上記アミンは、塩基性を示すものであればよく、特に限定されるものではない。
第四級アンモニウム塩を形成する第四級アンモニウムイオンとして、テトラメチルアンモニウムイオン、テトラエチルアンモニウムイオン、トリエチルメチルアンモニウムイオン、ラウリルトリメチルアンモニウムイオン、ベンジルトリメチルアンモニウムイオンなどが挙げられる。
上記緩衝剤は、単独またはそれらの混合物のいずれで用いてもよい。【００３９】
上記酸化防止剤として、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキノン、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−α−ジメチルアミノ−ｐ−クレゾール等のモノフェノール系化合物を挙げることができる。また、４，４’−ビス（２,６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４’−メチレン−ビス（２,６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４’−メチレン−ビス（２,６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデン−ビス （３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）等のビスフェノール化合物を挙げることができる。また、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−チオビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−ｏ−クレゾール）、２，２’−チオビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）等のチオビスフェノール系化合物を挙げることができる。また、テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチル−フェノール）ブタン等のトリスフェノール系化合物を挙げることができる。また、トリフェニルフォスファイト、トリスノニルフェニルフォスファイト、トリス（モノ及びジ−ノニルフェニル）ホスファイト等のホスファイト系酸化防止剤を挙げることができる。また、ジラウリルジプロピオネート、ジステアリルチオジプロピオネート等の硫黄系酸化防止剤を挙げることができる。
上記酸化防止剤は単独またはそれらの混合物のいずれで用いてもよい。また、酸化防止剤の使用量は、レジスト剥離剤に対して約０．０１〜１．０重量％の添加が好ましい。【００４０】
このように本実施形態にかかるレジスト剥離剤は、式（１）で表されるアルコキシアミド系の化合物を用いることにより、高い剥離性能を有するとともに、銅やアルミなどに対する防食性に非常に優れている。また、水系剥離剤とすることにより、引火性がなく安全であり、さらに、水溶性を有しているので、水リンスが可能であり、かつ、ＩＰＡリンスが不要なので、生産性を向上させることができる。
次に、上記レジスト剥離剤の実施例及び比較例について、図１の表−１及び図２の表−２を参照して説明する。
【実施例１】
【００４１】
図１は、実施例１〜１５に対する、剥離剤種（剥離液の組成）、剥離性能及び防食性能を表した表−１を示している。
また、図２は、比較例１〜６に対する、剥離剤種（剥離液の組成）、剥離性能及び防食性能を表した表−２を示している。
まず、実施例１〜１５と比較例１〜６に対する、共通のレジスト剥離性能評価法（レジスト基板、剥離試験及び腐蝕試験）などについて説明する。【００４２】
＜レジスト基板＞  
基板：日立金属株式会社製の成膜ガラス（サイズ約１００ｍｍ×１００ｍｍ）を使用した。
レジスト：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ(株)のＨＰＲ２０４（ナフトキノンジアジド／ノボルトラック樹脂）を塗布し、所定の温度にて約１５分間オーブン中でベーキングしたものを使用した。すなわち、実施例１、２、３、５〜８、１０〜１５、及び、比較例１、３〜６は、約１３０℃にて約１５分間オーブン中でベーキングしたものを使用した。また、実施例４、９、及び、比較例２は、約１５０℃にて約１５分間オーブン中でベーキングしたものを使用した。
なお、剥離性を評価する場合は、上記レジスト基板を約１０ｍｍ×５ｍｍに切断した試験片を用いた。【００４３】
＜剥離試験＞  
剥離性能は下記の２つの評価法で評価した。
レジスト剥離性−１：約３０ｍｌのサンプル瓶に、剥離剤約５ｍｌと上記作製したレジスト基板の試験片を１枚入れ、所定の温度で攪拌しながら液中のガラス基板が無色透明になるまでの時間を測定し、下記のように判断した。
○  ：透明になるまでの時間が４０sec未満。
×  ：透明になるまでの時間が４０sec以上。
なお、実施例１、２、３、５〜８、１０〜１５、及び、比較例１、３〜６は、撹拌する際の上記所定の温度を室温（たとえば、０〜３０℃であり、通常、２０〜２５℃）とした。また、実施例４、９、及び、比較例２は、撹拌する際の上記所定の温度を約４０℃とした。【００４４】
レジスト剥離性−２：約３０ｍｌのサンプル瓶に、剥離剤約５ｍｌと上記作製したレジスト基板の試験片を１枚入れ、所定の温度で約６０sec間攪拌し、剥離させた後、レジスト基板を取り出し即アセトンリンス後、約５０℃下にて約３０分乾燥後の表面を観察し、下記のように判断した。
○  ：ガラス基板表面に全く曇り部分がなくレジストが完全に洗浄剥離されている。
△  ：ガラス基板表面に僅かに曇り部分があり、ほぼレジストが洗浄剥離されている。
×  ：ガラス基板表面の半分以上に曇りがあり、洗浄剥離が不十分で、かなりレジストが残存している。
なお、実施例１、２、３、５〜８、１０〜１５、及び、比較例１、３〜６は、約６０sec間撹拌する際の上記所定の温度を室温（たとえば、０〜３０℃であり、通常、２０〜２５℃）とした。また、実施例４、９、及び、比較例２は、約６０sec間撹拌する際の上記所定の温度を約４０℃とした。【００４５】
＜腐食試験＞  
防食性能は下記の２つの評価法で評価した。
防食性−１：約３０ｍｌのサンプル瓶に、剥離剤を入れ、その中に直径約０．５ｍｍの銅線約１００ｍｍを丸めて浸漬させ、１週間後の着色度合いを観察し、下記のように判断した。
○  ：全く変色無し。
△  ：僅かに淡青色に変色。
×  ：明らかに青色に変色。
防食性−２：Ｍｏ（モリブデン）／Ａｌ／Ｍｏの積層配線基板を作製し、この試験片（約１０ｍｍ×５ｍｍ）を約３０ｍｌのサンプル瓶に入れ、剥離剤約５ｍｌを添加し、約４０℃にて約５分間浸漬させた。浸漬・腐食操作後、下記の手順で観察し、下記のように判断した。
手順１として、ＩＰＡリンスを行い、手順２として、アセトンリンスを行い、手順３として、約５０℃にて約３０分乾燥し、ＳＥＭ(走査電子顕微鏡)でＡｌの腐食具合を観察した。
○  ：全く変化なし。
△  ：僅かにＡｌが溶出し、腐食が観察された。
×  ：明らかにＡｌが溶出し、激しい腐食が観察された。
なお、実施例１〜１５と比較例１〜１０に対する結果を表−１及び表−２に示した。【００４６】
実施例１にかかる剥離剤として、約８０重量％の３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド（適宜、ＭＤＭＰＡと略称する。）と約２０重量％の水とからなるレジスト剥離剤を用意した。続いて、上記剥離試験及び腐蝕試験を行った。
試験結果は、表−１に示すように、
レジスト剥離性−１：○（基板が透明になるまでの時間は、３８秒であった。）
レジスト剥離性−２：○
防食性−１：○
防食性−２：○
であった。このレジスト剥離剤は、剥離性能及び防食性能に優れていた。
【実施例２】
【００４７】
実施例２にかかる剥離剤として、約６０重量％の３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドと約４０重量％の水とからなるレジスト剥離剤を用意した。続いて、上記剥離試験及び腐蝕試験を行った。
試験結果は、表−１に示すように、
レジスト剥離性−１：○（基板が透明になるまでの時間は、３９秒であった。）
レジスト剥離性−２：△
防食性−１：○
防食性−２：○
であった。このレジスト剥離剤は、レジスト剥離性−２において、ガラス基板表面に僅かに曇り部分があり、ほぼレジストが洗浄剥離されている（微量のレジスト残渣が認められる）。また、このレジスト剥離剤は、他の試験においては、剥離性能及び防食性能に優れていた。
【実施例３】
【００４８】
実施例３にかかる剥離剤として、約１００重量％の３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドからなるレジスト剥離剤を用意した。続いて、上記剥離試験及び腐蝕試験を行った。
試験結果は、表−１に示すように、
レジスト剥離性−１：○（基板が透明になるまでの時間は、３２秒であった。）
レジスト剥離性−２：○
防食性−１：○
防食性−２：○
であった。このレジスト剥離剤は、剥離性能及び防食性能に優れていた。
【実施例４】
【００４９】
実施例４にかかる剥離剤として、約１００重量％の３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドからなるレジスト剥離剤を用意した。続いて、上記剥離試験及び腐蝕試験を行った。
試験結果は、表−１に示すように、
レジスト剥離性−１：○（基板が透明になるまでの時間は、３５秒であった。）
レジスト剥離性−２：○
防食性−１：○
防食性−２：○
であった。このレジスト剥離剤は、剥離性能及び防食性能に優れていた。
【実施例５】
【００５０】
実施例５にかかる剥離剤として、約１００重量％の３−ブトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド（適宜、ＢＤＭＰＡと略称する。）からなるレジスト剥離剤を用意した。続いて、上記剥離試験及び腐蝕試験を行った。
試験結果は、表−１に示すように、
レジスト剥離性−１：○（基板が透明になるまでの時間は、３１秒であった。）
レジスト剥離性−２：△
防食性−１：○
防食性−２：○
であった。このレジスト剥離剤は、レジスト剥離性−２において、ガラス基板表面に僅かに曇り部分があり、ほぼレジストが洗浄剥離されている（微量のレジスト残渣が認められる）。また、このレジスト剥離剤は、他の試験においては、剥離性能及び防食性能に優れていた。
【実施例６】
【００５１】
実施例６にかかる剥離剤として、約８０重量％の３−ブトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドと約２０重量％の水とからなるレジスト剥離剤を用意した。続いて、上記剥離試験及び腐蝕試験を行った。
試験結果は、表−１に示すように、
レジスト剥離性−１：○（基板が透明になるまでの時間は、２４秒であった。）
レジスト剥離性−２：△
防食性−１：○
防食性−２：○
であった。このレジスト剥離剤は、レジスト剥離性−２において、ガラス基板表面に僅かに曇り部分があり、ほぼレジストが洗浄剥離されている（微量のレジスト残渣が認められる）。また、このレジスト剥離剤は、他の試験においては、剥離性能及び防食性能に優れていた。
【実施例７】
【００５２】
実施例７にかかる剥離剤として、約６０重量％の３−ブトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドと約４０重量％の水とからなるレジスト剥離剤を用意した。続いて、上記剥離試験及び腐蝕試験を行った。
試験結果は、表−１に示すように、
レジスト剥離性−１：○（基板が透明になるまでの時間は、２９秒であった。）
レジスト剥離性−２：○
防食性−１：○
防食性−２：○
であった。このレジスト剥離剤は、剥離性能及び防食性能に優れていた。
【実施例８】
【００５３】
実施例８にかかる剥離剤として、約４０重量％の３−ブトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドと約６０重量％の水とからなるレジスト剥離剤を用意した。続いて、上記剥離試験及び腐蝕試験を行った。
試験結果は、表−１に示すように、
レジスト剥離性−１：○（基板が透明になるまでの時間は、２４秒であった。）
レジスト剥離性−２：○
防食性−１：○
防食性−２：○
であった。このレジスト剥離剤は、剥離性能及び防食性能に優れていた。
【実施例９】
【００５４】
実施例９にかかる剥離剤として、約６０重量％の３−ブトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドと約４０重量％の水とからなるレジスト剥離剤を用意した。続いて、上記剥離試験及び腐蝕試験を行った。
試験結果は、表−１に示すように、
レジスト剥離性−１：○（基板が透明になるまでの時間は、３９秒であった。）
レジスト剥離性−２：△
防食性−１：○
防食性−２：○
であった。このレジスト剥離剤は、レジスト剥離性−２において、ガラス基板表面に僅かに曇り部分があり、ほぼレジストが洗浄剥離されている（微量のレジスト残渣が認められる）。また、このレジスト剥離剤は、他の試験においては、剥離性能及び防食性能に優れていた。
【実施例１０】
【００５５】
実施例１０にかかる剥離剤として、約１００重量％の３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオンアミド（適宜、ＭＤＥＰＡと略称する。）からなるレジスト剥離剤を用意した。続いて、上記剥離試験及び腐蝕試験を行った。
試験結果は、表−１に示すように、
レジスト剥離性−１：○（基板が透明になるまでの時間は、３０秒であった。）
レジスト剥離性−２：○
防食性−１：○
防食性−２：○
であった。このレジスト剥離剤は、剥離性能及び防食性能に優れていた。
【実施例１１】
【００５６】
実施例１１にかかる剥離剤として、約８０重量％の３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオンアミドと約２０重量％の水とからなるレジスト剥離剤を用意した。続いて、上記剥離試験及び腐蝕試験を行った。
試験結果は、表−１に示すように、
レジスト剥離性−１：○（基板が透明になるまでの時間は、１８秒であった。）
レジスト剥離性−２：○
防食性−１：○
防食性−２：○
であった。このレジスト剥離剤は、剥離性能及び防食性能に優れていた。
【実施例１２】
【００５７】
実施例１２にかかる剥離剤として、約６０重量％の３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオンアミドと約４０重量％の水とからなるレジスト剥離剤を用意した。続いて、上記剥離試験及び腐蝕試験を行った。
試験結果は、表−１に示すように、
レジスト剥離性−１：○（基板が透明になるまでの時間は、２８秒であった。）
レジスト剥離性−２：○
防食性−１：○
防食性−２：○
であった。このレジスト剥離剤は、剥離性能及び防食性能に優れていた。
【実施例１３】
【００５８】
実施例１３にかかる剥離剤として、約１００重量％の３−エトキシ−Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオンアミド（適宜、ＥＤＥＰＡと略称する。）からなるレジスト剥離剤を用意した。続いて、上記剥離試験及び腐蝕試験を行った。
試験結果は、表−１に示すように、
レジスト剥離性−１：○（基板が透明になるまでの時間は、１９秒であった。）
レジスト剥離性−２：△
防食性−１：○
防食性−２：○
であった。このレジスト剥離剤は、レジスト剥離性−２において、ガラス基板表面に僅かに曇り部分があり、ほぼレジストが洗浄剥離されている（微量のレジスト残渣が認められる）。また、このレジスト剥離剤は、他の試験においては、剥離性能及び防食性能に優れていた。
【実施例１４】
【００５９】
実施例１４にかかる剥離剤として、約８０重量％の３−エトキシ−Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオンアミドと約２０重量％の水とからなるレジスト剥離剤を用意した。続いて、上記剥離試験及び腐蝕試験を行った。
試験結果は、表−１に示すように、
レジスト剥離性−１：○（基板が透明になるまでの時間は、１９秒であった。）
レジスト剥離性−２：○
防食性−１：○
防食性−２：○
であった。このレジスト剥離剤は、剥離性能及び防食性能に優れていた。
【実施例１５】
【００６０】
実施例１５にかかる剥離剤として、約６０重量％の３−エトキシ−Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオンアミドと約４０重量％の水とからなるレジスト剥離剤を用意した。続いて、上記剥離試験及び腐蝕試験を行った。
試験結果は、表−１に示すように、
レジスト剥離性−１：○（基板が透明になるまでの時間は、２９秒であった。）
レジスト剥離性−２：△
防食性−１：○
防食性−２：○
であった。このレジスト剥離剤は、レジスト剥離性−２において、ガラス基板表面に僅かに曇り部分があり、ほぼレジストが洗浄剥離されている（微量のレジスト残渣が認められる）。また、このレジスト剥離剤は、他の試験においては、剥離性能及び防食性能に優れていた。
【比較例１】
【００６１】
比較例１にかかる剥離剤として、約３０重量％のジメチルスルホキシド（適宜、ＤＭＳＯと略称する。）と、約７０重量％のモノエタノールアミン（適宜、ＭＥＡと略称する。）とからなるレジスト剥離剤を用意した。続いて、上記剥離試験及び腐蝕試験を行った。
試験結果は、表−２に示すように、
レジスト剥離性−１：×（基板が透明になるまでの時間は、４５秒であった。）
レジスト剥離性−２：△
防食性−１：△
防食性−２：△
であった。このレジスト剥離剤は、レジスト剥離性−１において、剥離に長い時間を必要とし、さらに、レジスト剥離性−２において、微量のレジスト残渣が認められた。また、このレジスト剥離剤は、防食性−１において、僅かに淡青色に変色し、さらに、防食性−２において、僅かにＡｌが溶出し、腐食が観察された。
【比較例２】
【００６２】
比較例２にかかる剥離剤として、約３０重量％のジメチルスルホキシド（適宜、ＤＭＳＯと略称する。）と、約７０重量％のモノエタノールアミン（適宜、ＭＥＡと略称する。）とからなるレジスト剥離剤を用意した。続いて、上記剥離試験及び腐蝕試験を行った。
試験結果は、表−２に示すように、
レジスト剥離性−１：×（基板が透明になるまでの時間は、５０秒であった。）
レジスト剥離性−２：△
防食性−１：△
防食性−２：△
であった。このレジスト剥離剤は、レジスト剥離性−１において、剥離に長い時間を必要とし、さらに、レジスト剥離性−２において、微量のレジスト残渣が認められた。また、このレジスト剥離剤は、防食性−１において、僅かに淡青色に変色し、さらに、防食性−２において、僅かにＡｌが溶出し、腐食が観察された。
【比較例３】
【００６３】
比較例３にかかる剥離剤として、約３４重量％のジエチレングリコールモノブチルエーテルと、約４６重量％のモノエタノールアミンと、約２０重量％の水とからなるレジスト剥離剤を用意した。続いて、上記剥離試験及び腐蝕試験を行った。
試験結果は、表−２に示すように、
レジスト剥離性−１：×（基板が透明になるまでの時間は、５６秒であった。）
レジスト剥離性−２：×
防食性−１：△
防食性−２：△
であった。このレジスト剥離剤は、レジスト剥離性−１において、剥離に長い時間を必要とし、さらに、レジスト剥離性−２において、ガラス基板表面の半分以上に曇りがあり、洗浄剥離が不十分で、かなりレジストが残存していた。また、このレジスト剥離剤は、防食性−１において、僅かに淡青色に変色し、さらに、防食性−２において、僅かにＡｌが溶出し、腐食が観察された。
【比較例４】
【００６４】
比較例４にかかる剥離剤として、約２６重量％のジエチレングリコールモノブチルエーテルと、約３４重量％のモノエタノールアミンと、約４０重量％の水とからなるレジスト剥離剤を用意した。続いて、上記剥離試験及び腐蝕試験を行った。
試験結果は、表−２に示すように、
レジスト剥離性−１：○（基板が透明になるまでの時間は、３８秒であった。）
レジスト剥離性−２：△
防食性−１：×
防食性−２：×
であった。このレジスト剥離剤は、レジスト剥離性−１において、剥離性が優れていたものの、レジスト剥離性−２において、微量のレジスト残渣が認められた。また、このレジスト剥離剤は、防食性−１において、明らかに青色に変色し、さらに、防食性−２において、明らかにＡｌが溶出し、激しい腐食が観察された。
【比較例５】
【００６５】
比較例５にかかる剥離剤として、約１７重量％のジエチレングリコールモノブチルエーテルと、約２３重量％のモノエタノールアミンと、約６０重量％の水とからなるレジスト剥離剤を用意した。続いて、上記剥離試験及び腐蝕試験を行った。
試験結果は、表−２に示すように、
レジスト剥離性−１：○（基板が透明になるまでの時間は、２４秒であった。）
レジスト剥離性−２：○
防食性−１：×
防食性−２：×
であった。このレジスト剥離剤は、剥離性が優れていた。また、このレジスト剥離剤は、防食性−１において、明らかに青色に変色し、さらに、防食性−２において、明らかにＡｌが溶出し、激しい腐食が観察された。
【比較例６】
【００６６】
比較例６にかかる剥離剤として、約９重量％のジエチレングリコールモノブチルエーテルと、約１１重量％のモノエタノールアミンと、約８０重量％の水とからなるレジスト剥離剤を用意した。続いて、上記剥離試験及び腐蝕試験を行った。
試験結果は、表−２に示すように、
レジスト剥離性−１：○（基板が透明になるまでの時間は、２９秒であった。）
レジスト剥離性−２：△
防食性−１：×
防食性−２：×
であった。このレジスト剥離剤は、レジスト剥離性−１において、剥離性が優れていたものの、レジスト剥離性−２において、微量のレジスト残渣が認められた。また、このレジスト剥離剤は、防食性−１において、明らかに青色に変色し、さらに、防食性−２において、明らかにＡｌが溶出し、激しい腐食が観察された。
【００６７】
上記各実施例の試験結果から、全ての実施例において、防食性能が優れていることを確認できた。また、剥離性能においては、実施例２，５，６，９，１３，１５において、微量のレジスト残渣が認められたものの、他の実施例においては、剥離性能も優れていることを確認できた。
また、上記各比較例の試験結果から、全ての比較例において、剥離性能及び防食性能の両方を満足することができなかった。
【００６８】
以上、本発明のレジスト剥離剤について、好ましい実施形態を示して説明したが、本発明に係るレジスト剥離剤は、上述した実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の範囲で種々の変更実施が可能であることは言うまでもない。
例えば、レジスト剥離剤に含まれる式（１）で表される化合物は、一種類に限定されるものではなく、たとえば、式（１）で表される二以上の化合物が含まれたレジスト剥離剤であってもよい。
また、本発明の用途としては、液晶・半導体用レジスト剥離剤に限定されるものではなく、たとえば、プリント基板用剥離剤、レジスト現像液、フラックス洗浄剤、樹脂溶剤（たとえば、ポリイミド樹脂用溶剤、ポリアミド樹脂用溶剤）などとしても用いられる。
【図１】
2007148574.tif 000007
【図２】
2007148574.tif 000008
【国際調査報告】
2007148574.tif 000009
2007148574.tif 000010
2007148574.tif 000011
2007148574.tif 000012