Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月20日(2008.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体デバイス又はその前駆体の表面を平坦化するための研磨パッドであって、該パッドは該表面を平坦化するための研磨層を有し、該研磨層が、
硬度、１０ラジアン／秒の度数で動的機械分析方法を用いて測定される約１２５〜８５０（１／Ｐａ、４０℃）のエネルギー損失因子ＫＥＬ（ＫＥＬ＝ｔａｎ  δ*１０12／〔Ｅ′*（１＋ｔａｎ  δ2）〕であり、式中、Ｅ′はパスカル単位であり、Ｅ″／Ｅ′＝Ｔａｎδであり、並びにＥ′及びＥ″はそれぞれ貯蔵弾性率及び損失弾性率を表す）、３０℃及び９０℃での１〜４．６の貯蔵弾性率Ｅ′の比率、及び１個以上の溝を有する溝パターンを含むマクロテクスチャで特徴付けられ；該溝パターンが、
７５〜２，５４０μｍの溝深さ、
１２５〜１，２７０μｍの溝幅、及び
５００〜３，６００μｍの溝ピッチを有し、
該溝パターンが、同心、螺旋、クロスハッチ、Ｘ−Ｙ格子、六角形、三角形、フラクタル又はこれらの組み合わせである、研磨パッド。
【請求項２】  研磨パッドが、ポリウレタンである、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項３】  研磨パッドが、円形溝を含む、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項４】  ３０℃及び９０℃での貯蔵弾性率Ｅ′の比率が、１〜３．５である、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項５】  該溝パターンが、
０．０３〜１．０の溝剛性係数ＧＳＱ、及び
０．０３〜０．９の溝フロー係数ＧＦＱを有し；
該研磨表面が、
該溝のランド領域での約１〜９μｍの平均表面粗さ、
４０〜７０ショアＤの硬度、
４０℃での約１００〜２０００MPaの貯蔵弾性率Ｅ′、
１５０〜１０００（１／Pa、４０℃）のエネルギー損失因子ＫＥＬ、並びに
３０℃及び９０℃での１〜４．０の貯蔵弾性率Ｅ′の比率を有する、
請求項１記載の研磨パッド。
【請求項６】  ３０℃及び９０℃での貯蔵弾性率Ｅ′の比率が、１〜３．４である、請求項５記載の研磨パッド。
【請求項７】  半導体ウェハの金属ダマシン構造を研磨する方法であって、該方法は、
該ウェハと研磨パッドの研磨層との間の界面にウェハをバイアスさせること；
該界面に研磨流体を流すこと；及び
加圧下で該ウェハと該研磨パッドとの相対運動を提供して、該ウェハに対する該研磨流体の移動加圧接触の結果、該ウェハの表面から材料を平坦に除去すること；を含み、
該研磨層が、
（１）４０〜７０ショアＤの硬度、
（２）４０℃での１５０〜２，０００MPaの引張弾性率、
（３）１０ラジアン／秒の度数で動的機械分析方法を用いて測定される１００〜１，０００（１／Pa、４０℃）のエネルギー損失因子ＫＥＬ（ＫＥＬ＝ｔａｎ  δ*１０12／〔Ｅ′*（１＋ｔａｎ  δ2）〕であり、式中、Ｅ′はパスカル単位であり、Ｅ″／Ｅ′＝Ｔａｎδであり、並びにＥ′及びＥ″はそれぞれ貯蔵弾性率及び損失弾性率を表す）、並びに
（４）３０℃及び９０℃での１〜４．６の貯蔵弾性率Ｅ′の比率
を有し、
該研磨層が、１個以上の溝を有する溝パターンを含むマクロテクスチャを有し、該溝パターンが、
（ｉ）７５〜２，５４０μｍの溝深さ、
（ii）１２５〜１，２７０μｍの溝幅、及び
（iii）５００〜３，６００μｍの溝ピッチ
を有し、該溝パターンが、同心、螺旋、クロスハッチ、Ｘ−Ｙ格子、六角形、三角形、フラクタル又はこれらの組み合わせである、研磨方法。
【請求項８】  研磨パッドが、ポリウレタンである、請求項７記載の方法。
【請求項９】  研磨パッドが、円形溝を含む、請求項７記載の方法。
【請求項１０】  ３０℃及び９０℃での貯蔵弾性率Ｅ′の比率が、１〜３．５である、請求項７記載の方法。
【請求項１１】  該溝パターンが、
０．０３〜１．０の溝剛性係数ＧＳＱ、及び
０．０３〜０．９の溝フロー係数ＧＦＱを有し；
該研磨表面が、
該溝のランド領域での約１〜９μｍの平均表面粗さ、
４０〜７０ショアＤの硬度、
４０℃での約１００〜２０００MPaの貯蔵弾性率Ｅ′、
１５０〜１０００（１／Pa、４０℃）のエネルギー損失因子ＫＥＬ、並びに
３０℃及び９０℃での１〜４．０の貯蔵弾性率Ｅの比率を有する、請求項７記載の方法。
【請求項１２】  ３０℃及び９０℃での貯蔵弾性率Ｅ′の比率が、１〜３．４である、請求項１１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月30日(2008.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）ラン長が制限されたコードシーケンスの第１の既定位置でのラン長の極性を検出するステップと、ｂ）前記ラン長が制限されたコードシーケンスの第２の既定位置におけるラン長の既定の極性を得るために、検出されたラン長の極性に基づいてラン長が制限された符号化における自由度を反映するパラメータを設定するステップとを有し、前記パラメータはラン長が制限された符号化における自由度を反映して、第２の既定位置に先行し、前記既定の極性は２次的情報信号のバイナリ値に対応する、２次的情報信号をラン長が制限されたコードシーケンスに付加するための方法。
【請求項２】
ａ）ラン長が制限されたコードシーケンスの既定位置でのラン長を取り出すステップと、ｂ）前記取り出されたラン長の極性を検出するステップとを有し、ｃ）前記検出した極性が２次的情報信号のバイナリ値に対応する、２次的情報信号をラン長が制限されたコードシーケンスから取り出すための方法。
【請求項３】
前記２次的情報信号が記録媒体のコピー防止のための隠れたチャネル情報である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記取り出すステップは前記ラン長が制限されたコードシーケンスの検出されたビットストリームを使用することにより実行される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
第１の既定位置がフレーム同期ワードの既定のラン長に対応し、サブコードブロックの第１フレーム内の前記フレーム同期ワードに続いて、第２の既定位置がＣＤのサブコードブロックのＳ０同期パターンの既定のラン長に対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記設定されたマージングビットパターンのＤＣ制御機能をスイッチオフするステップを更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ａ）ラン長が制限されたコードシーケンスの第１の既定位置でのラン長の極性を検出する検出手段と、ｂ）前記ラン長が制限されたコードシーケンスの第２の既定位置におけるラン長の既定の極性を得るために、検出されたラン長の極性に基づいてラン長が制限された符号化における自由度を反映するパラメータを設定する設定手段とを有し、前記パラメータはラン長が制限された符号化における自由度を反映し、例えばＣＤの場合はマージングビットパターンであり、第２の既定位置に先行し、前記既定の極性は２次的情報信号のバイナリ値に対応する、２次的情報信号をラン長が制限されたコードシーケンスに付加するための装置。
【請求項８】
ａ）ラン長が制限されたコードシーケンスの既定位置でのラン長を取り出す取り出し手段と、ｂ）前記取り出されたラン長の極性を検出する検出手段とを有し、ｃ）前記検出された極性が２次的情報信号のバイナリ値に対応する、２次的情報信号をラン長が制限されたコードシーケンスから取り出すための装置。
【請求項９】
ラン長が制限されたコードシーケンスの既定位置でのラン長の極性として２次的情報信号を記憶するための隠れたチャネルを有する、ラン長が制限されたコードシーケンス及び２次的情報信号を記憶するための記録媒体。
【請求項１０】
前記記録媒体が光学記録媒体である、請求項９に記載の記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、既定量の情報がＲＬＬチャネルビットストリームの所与の物理的長さに収容され、これにより２次的情報信号のＲＬＬチャネルビットストリームへの実際の付加の事実が物理的検査により観察できず、前記情報が（ｄｋ）表記におけるチャネルビットストリームに基づいてＲＬＬコードの標準復調ステップにおいても検出できないように、２次的情報信号をメインＲＬＬチャネルへ付加するためのシンプルな２次的チャネルを提供することである。この第１の観点は、情報が物理的に目に見えない又は隠れている、すなわちディスク上での位置を特定できないことを意味する。第２の観点は、情報がＲＬＬチャネルビットストリームを復号するための標準復号装置において標準復調ステップに対して隠れていることを意味する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月12日(2008.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】  レールと、
絶縁物と、
絶縁物に固定されたクリップとを含み、
クリップは、
少なくとも１つの、曲げ可能な折り曲げ部材を含み、前記クリップは、前記曲げ可能  な折り曲げ部材を前記レールの周りで曲げることによって前記レールに固定される、レール／クリップアセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】  上下の長辺を含み、各長辺は中央の溝とそこに設けられた２つの側部切り欠きを有し、中央溝は側部切り欠き間に設けられ、
第１および第２の横方向側部を含み、各横方向側部はそこに形成された端部溝を有し、
前後面を含み、各面は中央溝間に配置され、面の対称的な横軸に同心である横方向中央部を有し、各面はさらに端部溝間に配置され、面の対称的な長手軸に同心の長手の中央部を有し、
前記中央の溝は複数の断面形状に係合するような形状である、絶縁体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３５】  端子プレートと、
クロスビームと
少なくとも１つのレールとを含み、レールは一方端で端子プレートに、かつ他方端でクロスビームに取付けられ、
絶縁体を含み、
少なくとも１つのレールに取付けられた少なくとも１つのクリップを含み、クリップは、
本体と、
前記絶縁体を前記本体に取付けるための手段と、
本体から延びる少なくとも１つの曲げ可能な金属折り曲げ部材を含み、前記クリップは前記曲げ可能な折り曲げ部材を前記レールの周りに曲げることによりレールに取付けられる、電気ヒータ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月13日(2008.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ソース電力装置及びバイアス電力装置を有する形式の基板処理チャンバに配置されたシリコン基板を処理する方法であって、
前記基板処理チャンバ内に、基板上に形成されたハードマスク及び前記ハードマスクの一部を露出するように前記ハードマスクの上にあるパターン化されたホトレジストを有する基板を備えるステップと、
前記ハードマスクの下にあるシリコン基板の一部を露出するために、前記ハードマスクの露出した部分をエッチングするステップと、
その後、前記ハードマスクを除去するために第１のプロセスガスから生成された第１のプラズマに前記パターン化したホトレジストを曝すステップと、
その後、前記ソース電力装置からＲＦエネルギーを供給し、前記基板に向けて第２のプラズマをバイアスすることによって、第２のプロセスガスから生成される前記第２のプラズマに前記基板を曝すことによって、前記露出したシリコン基板上にトレンチをエッチングするステップと、
前記基板処理チャンバから外へ前記基板を移送するステップと、
を有し、
前記トレンチの各々は、特定の幅、深さ及び傾斜を有し、前記方法は、更に、
前記処理チャンバの副産物を除去するために、バイアス電力を供給することなく又は最小のバイアス電力を供給して、基板処理チャンバにハロゲンソースを含む第３のプロセスガスから生成される第３のプラズマに前記シリコン基板を曝すステップを有し、前記トレンチの幅、深さ及び傾斜は、前記第３のプロセスガスから点弧されたプラズマによって著しく変えられない
ことを特徴とする方法。
【請求項２】  前記シリコン基板をプラズマに曝すステップは、パターン化されたホトレジストが除去される前に行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記シリコン基板をプラズマに曝すステップは、前記基板がエッチングされた後に行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記パターン化されたホトレジストをプラズマに曝すステップは、
前記第１のプラズマに前記ホトレジストを曝している間、前記処理チャンバを低圧に維持するステップと、
酸素ガスを５００sccm以下で前記処理チャンバに流すステップと、
バイアス電力を前記処理チャンバに供給するステップと、
を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記処理チャンバは、５０ｍＴ以下に保たれ、前記酸素ガスは、１００sccm以下で前記処理チャンバに流され、且つ、約０.１６ワット/ｃｍ2以下のバイアス電力が供給されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】  ソース電力装置及びバイアス電力装置を有する形式の基板処理チャンバに配置されたシリコン基板上にトレンチ絶縁構造を形成する方法であって、
前記基板を前記基板処理チャンバヘ移送するステップを有し、前記基板は、その上に形成されたハードマスク及び前記ハードマスクの上にあるパターン化されたホトレジストを有し、
前記ハードマスクの選択された部分をエッチングして、前記ハードマスクの下にあるシリコン基板の部分を露出するステップと、
その後、前記ホトレジストを前記処理チャンバ内で点弧されたプラズマに曝すことによって、前記ホトレジストを除去するステップと、
その後、前記ソース電力装置からＲＦエネルギーを供給し、前記基板に向けてプラズマをバイアスすることによって第１のエッチャントガスから生成されたプラズマに前記基板を曝すことによって、前記露出されたシリコン基板をエッチンすするステップと、
前記処理チャンバ内の副産物を除去するために、バイアス電力を供給することなく、又は約０.１６ワット/ｃｍ2以下のバイアス電力を供給して、前記基板処理チャンバ内にハロゲンソースを含む第２のエッチャントガスから生成されるプラズマを点呼するステップと、
前記基板処理チャンバから外へ前記基板を移送するステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項７】  基板処理システムであって、
基板処理チャンバと、
ガスを前記基板処理チャンバへ流すように構成されたガス分配装置と、
前記基板処理チャンバ内にあるガスから前記基板の処理チャンバにプラズマを生成するように構成されたプラズマ生成装置と、
バイアス電力をペデスタルに供給するように構成されたバイアス電力発生装置と、
前記基板処理チャンバへ、及び前記基板処理チャンバから前記基板を移送するように構成された基板移送装置と
前記ガス分配装置、プラズマ生成装置、バイアス発生装置、及び基板移送装置を制御するためのコントローラと、
前記コントローラに接続されたメモリと、前記メモリは、前記基板処理システムの動作を指示するためのコンピュータ読取可能媒体に組込まれたコンピュータ読取可能プログラムを有するコンピュータ読取可能媒体を有し、
前記コンピュータ読取可能プログラムは、
（ｉ）基板を前記基板処理チャンバヘ移送するため前記基板移送装置を制御するコンピュータ命令を有し、前記基板は、前記ハードマスクの部分を露出するように基板上に形成されたハードマスク及び前記ハードマスク上にあるパターン化されたホトレジストを有し、。
（ii）前記ハードマスクの露出した部分をエッチングして、前記ハードマスクの下にあるシリコン基板を露出するために、前記プラズマ生成装置を制御するコンピュータ命令と、
（iii）前記パターン化されたホトレジストを第１のプロセスガスから生成される第１のプラズマに曝して、前記ステップ（ii）の後に前記ハードマスクから前記ホトレジストを除去するために、前記プラズマ生成装置を制御するコンピュータ命令と、
（iv）前記ソース電力装置からＲＦエネルギーを供給し、基板に向けて前記プラズマをバイアスすることによって第２のプロセスガスから生成される第２のプラズマに前記基板を曝すことによって、前記露出した基板上にトレンチをエッチングするために、プラズマ生成装置及びバイアス電力発生装置を制御するコンピュータ命令と、
（ｖ）前記基板処理チャンバから外へ前記基板を移送するために前記基板移送装置を制御するコンピュータ命令と、
を有することを特徴とする基板処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月26日(2008.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  頂壁、底壁、および対向する側壁を有する開端ボックス構造を有するビルディングモジュールであって、
相互連結される同軸状の複数のモジュールセグメントを備え、
各セグメントは、複合材料から開端ボックス構造として成形され、
セグメントの少なくとも一つは、対向する側壁間にわたって伸びる補強梁を有することを特徴とするビルディングモジュール。
【請求項２】  梁は、頂壁または底壁のいずれかに連結されることを特徴とする請求項１のビルディングモジュール。
【請求項３】  補強梁は、底壁に連結され、床構造を支持することを特徴とする請求項２のビルディングモジュール。
【請求項４】  頂壁に連結され、天井構造を支持する補強梁が設けられることを特徴とする請求項２又は３のビルディングモジュール。
【請求項５】  梁は、セグメントと一体成形されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のビルディングモジュール。
【請求項６】  各セグメントの梁は、モジュール床の下方あるいはモジュール天井板の上方でサービス用導管を通すためのポートを有することを特徴とする請求項４または５のビルディングモジュール。
【請求項７】  セグメントの少なくとも一つは、モジュールを持上げるための一体フレームを有することを特徴とする請求項１のビルディングモジュール。
【請求項８】  上記少なくとも一つのセグメントは、フレームの周囲に成形されることを特徴とする請求項７のビルディングモジュール。
【請求項９】  セグメントの少なくとも二つは、リフティングフレームを有し、フレーム同士は、複数の細長い支持部材により相互連結されることを特徴とする請求項７または８のビルディングモジュール。
【請求項１０】  細長支持部材は、リフティングフレームの一部を介してセグメントに連結されることを特徴とする請求項９のビルディングモジュール。
【請求項１１】  上記細長支持部材の少なくともいくつかは、モジュールの天井板の上方に配置されることを特徴とする請求項９または１０のビルディングモジュール。
【請求項１２】  上記細長支持部材の少なくともいくつかは、モジュールの床の下方に配置されることを特徴とする請求項９，１０または１１のいずれか一つに記載のビルディングモジュール。
【請求項１３】  モジュールのエンドセグメントは、一体リフティングフレームを有することを特徴とする請求項７〜１１のいずれか一つに記載のビルディングモジュール。
【請求項１４】  中央モジュールセグメントは、一体フレームを有することを特徴とする請求項１３のビルディングモジュール。
【請求項１５】  フレームは、互いに間隔をあけて略鉛直方向に伸びた一対の柱を備え、これら柱は、上部および下部横部材により相互連結されることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一つに記載のビルディングモジュール。
【請求項１６】  柱は、コーナープレート部材により、横部材に連結されることを特徴とする請求項１５のビルディングモジュール。
【請求項１７】  コーナープレート部材は、互いに略直交するように配置された第１および第２のコネクタ部分を備えることを特徴とする請求項１６のビルディングモジュール。
【請求項１８】  第１および第２のコネクタ部分は、柱の一部を収容する中間弓型部分により連結されることを特徴とする請求項１７のビルディングモジュール。
【請求項１９】  柱は、地面に対するモジュールの高さを変更するための調整可能な脚部を有することを特徴とする請求項１５〜１８のいずれか一つに記載のビルディングモジュール。
【請求項２０】  柱の上端は、モジュールを持上げるためのリフティングアタッチメントと嵌合することを特徴とする請求項１５〜１９のいずれか一つに記載のビルディングモジュール。
【請求項２１】  柱の上端は、鉛直方向に隣接するモジュールを相互連結するモジュール間コネクタと嵌合することを特徴とする請求項１５〜１９のいずれか一つに記載のビルディングモジュール。
【請求項２２】  モジュールの側壁の少なくとも一つは、サービス用導管を通すためのポートを有することを特徴とする請求項１〜２１のいずれか一つに記載のビルディングモジュール。
【請求項２３】  ポートは、モジュールの長手方向に規則的な間隔で配置されることを特徴とする請求項２２のビルディングモジュール。
【請求項２４】  セグメントが単一構造であることを特徴とする請求項１〜２３のいずれか一つに記載のビルディングモジュール。
【請求項２５】  モジュールの側壁および／または端壁は、弾性フレキシブル材料を収容するための少なくとも一つの溝を有することを特徴とする請求項１〜２４のいずれか一つに記載のビルディングモジュール。
【請求項２６】  セグメントの少なくとも一つは、壁の少なくとも一つ内に配置された補強メッシュ材料を有することを特徴とする請求項１〜２５のいずれか一つに記載のビルディングモジュール。
【請求項２７】  セグメント同士が接合されることを特徴とする請求項１〜２６のいずれか一つに記載のビルディングモジュール。
【請求項２８】  セグメント同士がさねはぎ継ぎで互いに連結されることを特徴とする請求項１〜２７のいずれか一つに記載のビルディングモジュール。
【請求項２９】  セグメントの少なくとも一つは、モジュールの端部で、端壁と嵌合することを特徴とする請求項１〜２８のいずれか一つに記載のビルディングモジュール。
【請求項３０】  少なくとも一つのセグメントの少なくとも一つの側壁は、サービス用の内部導管を有することを特徴とする請求項１〜２９のいずれか一つに記載のビルディングモジュール。
【請求項３１】  上記内部導管は、セグメントの成形中に形成されることを特徴とする請求項３０のビルディングモジュール。
【請求項３２】  請求項１〜３１のいずれか一つに記載の複数のビルディングモジュールを相互連結したビルディング構造体。
【請求項３３】  相互連結した開端ボックス構造を有する複数のビルディングモジュールを有し、少なくとも２つのモジュールの隣接する壁の間に弾性変形可能な材料を挟み込むことを特徴とするビルディング構造体。
【請求項３４】  少なくとも一つのモジュールの壁は、ストリップ状の上記材料を収容するための溝を有することを特徴とする請求項３３のビルディング構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月10日(2008.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  エアアシスト燃料噴射器であって：
第１端と、前記第１端に相対して配置された第２端と、前記第１端と前記第２端との間に伸長するコンジットとを有し、前記コンジットの少なくとも一部分が円錐形であるアーマチュアと、
ソレノイドが付勢されたときに前記アーマチュアを動かすためのソレノイドと、
前記ソレノイドが付勢されたときに作動するポペットであって、液体燃料とガスの混合物を移送するための通路を有するポペットであって、前記通路が入口および出口を有し、前記通路の前記入口が前記エアアシスト燃料噴射器内の前記混合物の流れの方向に対して前記第１端の下流に配置されて成るポペットと、
を備えているエアアシスト燃料噴射器。
【請求項２】  エアアシスト燃料噴射器であって：
第１端と、前記第１端に相対して配置された第２端と、前記第１端と前記第２端との間に伸長するコンジットとを有するアーマチュアと、
ソレノイドが付勢されたときに前記アーマチュアを動かすためのソレノイドと、
前記ソレノイドが付勢されたときに作動するポペットであって、液体燃料とガスの混合物を移送するための通路を有するポペットであって、前記通路が液体燃料とガスの前記混合物を受け取るための入口を有し、前記コンジットが前記ポペットの端部分を受容し、前記通路の前記入口が前記コンジット内に配置されて成るポペットと、
前記混合物の流れの方向に対して前記第一端の上流の領域と前記流れの方向に対して前記第２端の下流の領域との間の流路であって、前記コンジットの表面における少なくとも１つの凹所および前記ポペットの外面における凹所を含む流路と、
を備えているエアアシスト燃料噴射器。
【請求項３】  エアアシスト燃料噴射器であって：
第１端と、前記第１端に相対して配置された第２端と、前記第１端と前記第２端との間に伸長するコンジットとを有するアーマチュアと、
ソレノイドが付勢されたときに前記アーマチュアを動かすためのソレノイドと、
前記アーマチュアを受容する通路を有するアーマチュアガイドと、
前記ソレノイドが付勢されたときに作動するポペットであって、液体燃料とガスの混合物を移送するための通路を有するポペットであって、前記通路が液体燃料とガスの前記混合物を受け取るための入口を有し、前記通路の前記入口が前記アーマチュアの前記第１端の下流に配置されて成るポペットと、
前記アーマチュアの外面における少なくとも１つの凹所および前記アーマチュアガイドの前記通路の表面における凹所を含む流路であって、前記アーマチュアの前記外面における前記凹所が前記混合物の流れの方向に対して前記第１端の上流の領域と前記流れの方向に対して前記第２端の下流の領域との間に伸長し、前記アーマチュアガイドの前記通路の前記表面における前記凹所が前記混合物の前記流れの方向に対して前記第１端の前記上流の領域と前記流れの方向に対して前記第２端の前記下流の領域との間に伸長する流路と、
を備えているエアアシスト燃料噴射器。
【請求項４】  前記アーマチュアに隣接して配置され、前記液体燃料およびガスを前記アーマチュアの前記コンジットに給送するための複数のチャネルを有するキャップをさらに備えている請求項１、２または３のエアアシスト燃料噴射器。
【請求項５】  前記複数のチャネルが、前記混合物の前記ガスの大部分を移送するための少なくとも１つのガスチャネルと、前記混合物の前記液体燃料の大部分を移送するための少なくとも１つの液体燃料チャネルとを含む請求項４のエアアシスト燃料噴射器。
【請求項６】  前記複数のチャネルの各々が混合物の流れの方向に対してアーマチュアの第１端の上流に配置される請求項４または５のエアアシスト燃料噴射器。
【請求項７】  前記複数のチャネルの出口がいずれも前記コンジットの前記入口の周縁の半径方向に内側に配置される請求項４，５または６のいずれか一項のエアアシスト燃料噴射器。
【請求項８】  前記少なくとも１つの液体燃料チャネルが前記キャップの中心軸上に配置され、前記少なくとも２つのガスチャネルが前記液体燃料チャネルの周りに均等に周方向に間隔をおいて配置される請求項４から６のいずれか一項のエアアシスト燃料噴射器。
【請求項９】  前記コンジットの少なくとも一部分が円錐形であり、および／または前記コンジットの少なくとも一部分が円筒形である請求項１から８のいずれか一項のエアアシスト燃料噴射器。
【請求項１０】  前記コンジットの前記円錐形部分が前記混合物の前記流れの方向に対して前記円筒形部分の上流に配置される請求項９のエアアシスト燃料噴射器。
【請求項１１】  通路が流れの方向に対して円錐形部分の下流に配置される請求項９のエアアシスト燃料噴射器。
【請求項１２】  前記コンジットの前記円錐形部分が前記円錐形部分の中心軸に対してある角度を取る表面を含み、前記角度が１０度から４５度の間であり、好ましくは１０度から３５度の間であり、より好ましくは１５度から２５度の間であり、最も好ましくは１６度である請求項９，１０または１１のいずれか一項のエアアシスト燃料噴射器。
【請求項１３】  前記アーマチュアを誘導するためのアーマチュアガイドであって、前記アーマチュアの上流の位置から前記アーマチュアの下流の位置まで伸長するアーマチュアガイドをさらに備えている請求項１から１２のいずれか一項のエアアシスト燃料噴射器。
【請求項１４】  前記流路が少なくとも１つの螺旋を描く溝または少なくとも１つの直線状の溝を含む請求項２または３のエアアシスト燃料噴射器。
【請求項１５】  前記混合物の流れの方向に対して前記第１端の上流の領域と前記流れの方向に対して前記第２端の下流の領域との間の流路をさらに備える請求項１のエアアシスト燃料噴射器。
【請求項１６】  エアアシスト燃料噴射器であって：
液体燃料とガスの混合物を給送するための複数のチャネルを有するキャップであって、前記複数のチャネルの各々が入口および出口を有し、かつ相互に間隔をおいて配置されるキャップと、
第１端と、前記第１端に相対して配置された第２端と、前記第１端と前記第２端との間に伸長するコンジットとを有するアーマチュアであって、前記コンジットが入口を有し、前記複数のチャネルの前記出口の全てが全部前記コンジットの前記入口の周縁の半径方向に内側に配置されるアーマチュアと、
ソレノイドが付勢されたときに前記アーマチュアを動かすためのソレノイドと、
前記ソレノイドが付勢されたときに作動するように前記アーマチュアに取り付けられるポペットであって、液体燃料とガスの混合物を移送するための通路を有するポペットであって、前記通路が液体燃料とガスの前記混合物を受け取るための入口を有し、前記通路の前記入口が前記混合物の流れの方向に対して前記第１端の下流に配置されて成るポペットと、
を備えているエアアシスト燃料噴射器。
【請求項１７】  前記ソレノイドが付勢されたときに前記ポペットが外側に開いている請求項１から１６のいずれか一項のエアアシスト燃料噴射器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月30日(2008.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  成層燃焼運転を可能とし、かつ、少なくとも一時的に均質燃焼モードで運転される火花点火内燃機関の燃料直接噴射の制御方法であって、
少なくとも１個のピストン（１２）がシリンダー（１０）内で上死点（ＯＴ）と下死点（ＬＩＴ）の間を上下運動し、ピストン（１２）の運動がクランクシャフト（４０）の回転に変換され、
均質燃焼モードにおいて、燃料噴射が吸入行程のピストン下降運動中に所定の噴射時期に行われ、この噴射時期（ＥＺＰ）を内燃機関の温度に応じて制御し、低温のときに、噴射時期（ＥＺＰ）をより遅い時期に遅らせることを特徴とする火花点火内燃機関の燃料直接噴射の制御方法。
【請求項２】  前記内燃機関の温度としてピストンヘッド温度及び／又は燃焼室温度及び／又は冷却剤温度が制御に関与することを特徴とする請求項１に記載の火花点火内燃機関の燃料直接噴射の制御方法。
【請求項３】  特に内燃機関の冷間始動の後に、前記内燃機関の温度が所定の温度しきい値を下回るときは、前記噴射時期（ＥＺＰ）を遅らせることを特徴とする請求項１又は２に記載の火花点火内燃機関の燃料直接噴射の制御方法。
【請求項４】  前記温度しきい値が内燃機関の下流に配置された触媒の最低使用温度に関連することを特徴とする請求項３に記載の火花点火内燃機関の燃料直接噴射の制御方法。
【請求項５】  前記噴射時期（ＥＺＰ）が上死点（ＯＴ）からクランク軸角７０°ないし１３０°の後、特に上死点（ＯＴ）から８０°ないし１１０°の後に現われることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の火花点火内燃機関の燃料直接噴射の制御方法。
【請求項６】  燃料の噴射圧力を前記噴射時期（ＥＺＰ）に応じて変更し、該噴射時期（ＥＺＰ）の遅れとともに前記噴射圧力を増加することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の火花点火内燃機関の燃料直接噴射の制御方法。
【請求項７】  前記上死点（ＯＴ）からクランク軸角１３０°の後の前記噴射時期（ＥＺＰ）の場合、ホットランニング状態の同じエンジン動作点に比して前記噴射圧力を係数１．３ないし１．７だけ増加することを特徴とする請求項６に記載の火花点火内燃機関の燃料直接噴射の制御方法。
【請求項８】  前記内燃機関の温度を冷却剤温度センサ又は内燃機関の下流で排気ガス中に配設された温度センサにより決定又は算定することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の火花点火内燃機関の燃料直接噴射の制御方法。
【請求項９】  前記内燃機関の温度を記憶した特性図表の運転パラメータに基づいて決定又は算定することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の火花点火内燃機関の燃料直接噴射の制御方法。
【請求項１０】  内燃機関の始動後、所定の運転時間又は所定の走行距離のあいだ前記噴射時期を遅らせることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の火花点火内燃機関の燃料直接噴射の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月29日(2008.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
間に空間を形成する複数の面の密閉または構造的補強に適した膨張性事前形成プラグにおいて、
外面を有する、実質的に非圧縮の、ポリマーベースの膨張性内核と、
前記内核を実質的に包み、壁厚を有する、膨張可能な外皮とからなり、
外部から刺激を与えたときに、前記内核が元の容積の少なくとも１０００パーセントにまで膨張し、それに同調して、前記外皮の少なくとも一部が前記空間を形成している面の一部と接触するまで前記外皮を移動させるとともに、前記外皮はその移動後は非多孔性であり、前記壁厚は前記内核の膨張によって薄くなる、プラグ。
【請求項２】
前記内核は、エチレンコポリマ、エチレンターポリマ、ポリマを生成するのに使用するモノマ、およびエポキシベースの構造発泡材からなる群から選択した、熱によって活性化される熱膨張性ベース材料を用いて合成され、前記内核は室温において不活性であり、前記外皮は前記プラグの約１重量パーセントから約３０重量パーセントの範囲であり、前記内核は自動車の組み立て工程、または車体および塗装工程、もしくはその両方において遭遇しうる温度において活性化することを特徴とする、請求項１に記載のプラグ。
【請求項３】
前記内核の膨張は、熱、放射、熱エネルギ、圧力、化学薬品、及び水分からなる群から選択される外部からの刺激によって開始され、前記内核は、ポリオレフィン材、少なくともひとつのモノマタイプのアルファオレフィンを有する共重合体やターポリマ、フェノール/ホルムアルデヒド材、フェノキシ材及びポリウレタン材からなる群から選択されるベース材料を用いて構成され、前記外皮は前記プラグの約１重量パーセントから約３０重量パーセントの範囲である、請求項１または２に記載のプラグ。
【請求項４】
熱が加えられることによって、前記内核の膨張に続いて、前記プラグの容積が前記内核の膨張前の前記プラグの容積の少なくとも２倍になり、それによって、前記内核の膨張に伴って前記外皮は前記内核と同調して拡張し、または移動し、もしくは拡張および移動し、前記内核は膨張の際に外向きに膨張し、前記空間を形成している面に付着し、または接着し、もしくはその両方となって、前記空間をふさぎ、補強し、抑制し、または封止し、もしくはそれらの組み合わせを行い、前記外皮は接着剤を含むとともに、前記内核を完全に包み、前記外皮による前記内核の包みはサンドイッチ射出成形プロセス、またはコインジェクションプロセス、もしくはその両方によって達成されることを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載のプラグ。
【請求項５】
前記外皮とは異なる材料から形成される少なくとも一つの拡張部をさらに有し、前記少なくとも一つの拡張部は前記内核の膨張後も実質的に硬いままの材料を含み、前記拡張部は、その間に空間を定義する複数の面の一部を機械的に係合させて、前記内核の膨張に先立って前記空間を定義する複数の面の間に前記プラグを配置するのを助けるように設計されている、請求項１乃至４いずれか１項に記載のプラグ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月13日(2008.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  非還元末端の位置に少なくとも1のフコース単位を含む13糖単位未満のオリゴ糖を含み、かつ、微生物種クレブシエラ・ニューモニエ亜種ニューモニエからの多糖の分解のための少なくとも1のステップを含む方法を用いて得られることを特徴とする非硫酸化フコース・ベースのオリゴ糖混合物。
【請求項２】  前記混合物の総重量に対して少なくとも15重量%の、非還元末端の位置に少なくとも1のフコース単位を含む13糖単位未満のオリゴ糖を含むことを特徴とする、請求項1に記載のオリゴ糖混合物。
【請求項３】  前記混合物の総重量に対して20〜50重量%の、非還元末端の位置に少なくとも1のフコース単位を含む13糖単位未満のオリゴ糖を含むことを特徴とする、請求項1又は2に記載のオリゴ糖混合物。
【請求項４】  前記混合物の総重量に対して25〜45重量%の、非還元末端の位置に少なくとも1のフコース単位を含む13〜24糖単位を有するオリゴ糖をさらに含むことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載のオリゴ糖混合物。
【請求項５】  前記混合物の総重量に対して15〜35重量%の、非還元末端の位置に少なくとも1のフコース単位を含む54糖単位超のオリゴ糖をさらに含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のオリゴ糖混合物。
【請求項６】  前記オリゴ糖が、フコース-ガラクトース-ガラクツロン酸反復モチーフを少なくとも一部として含むことを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載のオリゴ糖混合物。
【請求項７】  以下のステップ：
a)  微生物種クレブシエラ・ニューモニエ亜種ニューモニエを生じさせ、糖質の同化可能な源の好気性醗酵により水性の栄養培地中で培養し；
b)  醗酵に必須なものから、形成された多糖を回収し；
c)  上記形成された多糖を適度な加水分解に供し；
d)  ステップc)の加水分解産物を酵素的加水分解に供し；そして
e)  オリゴ糖混合物を回収した後に上記酵素を不活化することにより形成する、
を含む方法によりそれを得ることができることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載のオリゴ糖混合物。
【請求項８】  前記微生物種クレブシエラ・ニューモニエ亜種ニューモニエが、番号l-1507の下にCollection National de Cultures de Microorganismesに寄託された微生物又はそれらの突然変異体であることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載のオリゴ糖混合物。
【請求項９】  前記の適度な加水分解を、ガンマ線を用いた処理、プロトリシス処理、及びこれらの処理の組み合わせから成る群から選ばれる処理により実施することを特徴とする、請求項7又は8に記載のオリゴ糖混合物。
【請求項１０】  前記酵素加水分解を、少なくとも1のエンドフコシダーゼを用いて実施することを特徴とする、請求項7〜9のいずれか1項に記載のオリゴ糖混合物。
【請求項１１】  前記エンドフコシダーゼが、Fermizyme HCPであることを特徴とする、請求項10に記載のオリゴ糖混合物。
【請求項１２】  化粧用又は医薬として活性な物質として、請求項1〜11のいずれか1項に記載のオリゴ糖混合物の少なくとも1つ、及び化粧用又は医薬として許容される賦形剤の少なくとも1つを含むことを特徴とする化粧用又は医薬組成物。
【請求項１３】  皮膚病学的な組成物であることを特徴とする、請求項12に記載の組成物。
【請求項１４】  前記オリゴ糖混合物が、前記組成物の総重量に基づき、約0.001〜約20重量%の比率で存在することを特徴とする、請求項12又は13に記載の組成物。
【請求項１５】  皮膚の細胞間の細胞情報伝達を刺激するように意図されることを特徴とする、請求項12〜14のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項１６】  皮膚のケラチノサイトの細胞増殖を刺激するように意図されることを特徴とする、請求項12〜14のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項１７】  皮膚の線維芽細胞の細胞増殖を刺激するように意図されることを特徴とする、請求項12〜14のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項１８】  皮膚の線維芽細胞によるエラスターゼ型プロテアーゼの合成を抑制するように意図されることを特徴とする、請求項12〜14のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項１９】  ヒアルロナンによって誘発されたプロテアーゼ、MMP-2及びMMP-9の過剰発現を抑制するように意図されることを特徴とする、請求項12〜14のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項２０】  皮膚の線維芽細胞によりプロテアーゼ、MMP-2及びMMP-9の合成を抑制するように意図されることを特徴とする、請求項18又は19に記載の組成物。
【請求項２１】  刺激に対する皮膚の感受性を低下させるように意図されることを特徴とする、請求項19又は20に記載の組成物。
【請求項２２】  真皮のコラーゲン線維の堆積を刺激するように意図されることを特徴とする、請求項12〜14のいずれか1項に記載の組成物。
【請求項２３】  請求項1〜11のいずれか1項に記載のオリゴ糖混合物の少なくとも1つを含む化粧用組成物を皮膚に適用することを特徴とする化粧による処置方法。
【請求項２４】  前記化粧用組成物が、化粧用として許容される賦形剤をさらに含むことを特徴とする、請求項23に記載の化粧による処置方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月28日(2008.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １７〜２３重量％のクロム、１９〜２３重量％のニッケル、及び１〜６重量％のモリブデンを含む、オーステナイト系ステンレス鋼。
【請求項２】  ２〜４重量％のモリブデンを更に含む、請求項１記載のオーステナイト系ステンレス鋼。
【請求項３】  ０〜０．１重量％の炭素、０〜１．５重量％のマンガン、０〜０．０５重量％のリン、０〜０．０２重量％の硫黄、及び０〜１．０重量％のケイ素を更に含む、請求項１記載のオーステナイト系ステンレス鋼。
【請求項４】  ２〜４重量％のモリブデン、０.１５〜０．６重量％のチタン、及び０．１５〜０．６重量％のアルミニウムを更に含む、請求項１記載のオーステナイト系ステンレス鋼。
【請求項５】  ０〜０．１重量％の炭素、０〜１．５重量％のマンガン、０〜０．０５重量％のリン、０〜０．０２重量％の硫黄、及び０〜１．０重量％のケイ素を更に含む、請求項４記載のオーステナイト系ステンレス鋼。
【請求項６】  １９〜２３重量％のクロム、１９〜２３重量％のニッケル、１〜６重量％のモリブデン、０〜０．１重量％の炭素、０〜１．５重量％のマンガン、０〜０．０５重量％のリン、０〜０．０２重量％の硫黄、０〜１．０重量％のケイ素、０.１５〜０．６重量％のチタン、０．１５〜０．６重量％のアルミニウム、０〜０．７５重量％の銅、鉄、及び付随不純物から実質的に成る、オーステナイト系ステンレス鋼。
【請求項７】  １９〜２３重量％のクロム、１９〜２３重量％のニッケル、２〜４重量％のモリブデン、０〜０．１重量％の炭素、０〜１．５重量％のマンガン、０〜０．０５重量％のリン、０〜０．０２重量％の硫黄、０〜１．０重量％のケイ素、０.１５〜０．６重量％のチタン、０．１５〜０．６重量％のアルミニウム、０〜０．７５重量％の銅、鉄、及び付随不純物から実質的に成る、オーステナイト系ステンレス鋼。
【請求項８】  １７〜２３重量％のクロム、１９〜２３重量％のニッケル、及び１〜６重量％のモリブデンを含む、オーステナイト系ステンレス鋼を含む製品。
【請求項９】  前記オーステナイト系ステンレス鋼は２〜４重量％のモリブデンを含む、請求項８記載の製品。
【請求項１０】  前記オーステナイト系ステンレス鋼は０〜０．１重量％の炭素、０〜１．５重量％のマンガン、０〜０．０５重量％のリン、０〜０．０２重量％の硫黄、及び０〜１．０重量％のケイ素を更に含む、請求項８記載の製品。
【請求項１１】  前記オーステナイト系ステンレス鋼は２〜４重量％のモリブデン、０.１５〜０．６重量％のチタン、及び０．１５〜０．６重量％のアルミニウムを更に含む、請求項８記載の製品。
【請求項１２】  １９〜２３重量％のクロム、１９〜２３重量％のニッケル、１〜６重量％のモリブデン、０〜０．１重量％の炭素、０〜１．５重量％のマンガン、０〜０．０５重量％のリン、０〜０．０２重量％の硫黄、０〜１．０重量％のケイ素、０.１５〜０．６重量％のチタン、０．１５〜０．６重量％のアルミニウム、０〜０．７５重量％の銅、鉄、及び付随不純物から実質的に成るオーステナイト系ステンレス鋼を含む製品。
【請求項１３】  １７〜２３重量％のクロム、１９〜２３重量％のニッケル、２〜４重量％のモリブデン、０〜０．１重量％の炭素、０〜１．５重量％のマンガン、０〜０．０５重量％のリン、０〜０．０２重量％の硫黄、０〜１．０重量％のケイ素、０.１５〜０．６重量％のチタン、０．１５〜０．６重量％のアルミニウム、０〜０．７５重量％の銅、鉄、及び付随不純物から実質的に成るオーステナイト系ステンレス鋼を含む製品。
【請求項１４】  前記製品は自動車、自動車排気装置の構成部品、フレキシブルコネクター、発熱体シース及びガスケットから選ばれる、請求項８〜１３のいずれかに記載の製品。
【請求項１５】  製品を提供する方法であって、この方法は、１７〜２３重量％のクロム、１９〜２３重量％のニッケル、及び１〜６重量％のモリブデンを含むオーステナイト系ステンレス鋼を用意し、前記オーステナイト系ステンレス鋼から製品を作製することを含む、前記方法。
【請求項１６】  前記製品は自動車排気装置の構成部品、フレキシブルコネクター、及びガスケットから選ばれる、請求項１５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月4日(2008.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
特に、モータ７のシャフト７ａは、第１の減速ステージ９ａの太陽歯車を構成する歯車１１ａの中央孔にキー結合されている。歯車１１ａの歯は、複数の遊星歯車１３ａにかみ合っており、これら遊星歯車はさらにケーシング３に固定されたリング歯車１５ａの内歯にかみ合っている。遊星歯車１３ａのシャフトは遊星キャリア１７ａに支持されている。遊星キャリアは、第二減速ステージ９ｂの太陽歯車を構成する歯付管状アペンディクス１１ｂを有する。管状アペンディクス１１ｂの歯は、複数の遊星歯車１３ｂの歯とかみ合っている。遊星歯車はさらに、ケーシング３に固定されたリング歯車１５ｂの内歯とかみ合っている。遊星歯車１３ｂのシャフトは、ボールベアリング１９によってケーシング３に対して回転可能に設けられた遊星キャリア１７ｂに支持されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
リングナット２５は、例えばねじ付きカップリングによって、壁５ｃ側でナットスクリュー２３と壁５ｃの端部に向けて軸方向に接続されている。リングナット２５は、径方向に対向する両側に、一対のフォーク状軸シート部２７を有する。これらのシート部はそれぞれ、横方向ピン２９の拡大ヘッド部２９を収容するように配置されている。また、ピン２９は、軸Ａと直交する軸Ｂと同軸上にある。ヘッド部２９から離れた各ピン２９の端部は、頂上壁５ａと底壁５ｂにそれぞれ形成した真っ直ぐな溝３２に係合しており、ナットスクリュー２３・リングナット２５・それぞれのピン２９で構成されたユニットがスクリュー２１の回転によって軸Ａに沿って軸方向に単独で移動するようになっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
一対のピン２９には、回転可能な部材３３が支持されている。この部材３３は一対の突出部３１を備えており、そこには孔３１ａが形成されている。部材３３が軸Ｂを中心に回転するように、この孔にはピン２９が挿入可能である。部材３３は、一対の成形プレート３５（すなわち、上プレートと下プレート）を有する。これらのプレートは、軸Ｂに平行で且つスクリュー２１と緩衝しないように配置された一対の横方向部分３６で相互に連結されている。２組の一直線上に整列された孔３７が軸Ａと軸Ｂの両方から離れて設けてあり、これによりプレート３５は一対の孔３７が設けられた一対のアームを構成している。同一の成形プレート３５（例えば、図１との図５における上プレート）の孔３７は共に、整列された対の孔３７に終端バレル３９を挿入するために斜め開口部３７ａを有する。このバレル３９は、孔３７の径に対応する径を有し、フレキシブルなケーブル４１の一端に固定されている。一方、ケーブルの他端は、公知の方法で、乗物の車輪の可動ブレーキ部材に接続されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月20日(2008.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２．５乃至６．５分の半結晶化時間（ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ  ｈａｌｆ  ｔｉｍｅ）を有し、立体的欠陥が１０００ユニット当り５０未満である反応器グレードのポリプロピレンを含む繊維。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月14日(2008.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  前記１つまたは複数の時間測度パラメータは、ＳＭＰＴＥタイムコードパラメータで定義されることを特徴とする請求項１に記載のデータ構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  前記１つまたは複数の時間測度パラメータは、ＳＭＰＴＥ ＮＴＳＣ非ドロップタイムコードまたはドロップフレームタイムコードを含むことを特徴とする請求項１に記載のデータ構造。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  前記１つまたは複数の時間測度パラメータは、
パラメータ：時、分、秒、およびフレーム、あるいは同等に、秒およびフレーム
を含むことを特徴とする請求項１に記載のデータ構造。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】  前記１つまたは複数の時間測度パラメータは、
パラメータ：時、分、秒、およびフィールド、あるいは同等に、秒およびフィールド
を含むことを特徴とする請求項１に記載のデータ構造。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  前記１つまたは複数の時間測度パラメータは、
パラメータ：時、分、秒、フレーム、およびフィールド、あるいは同等に、秒、フレーム、およびフィールド
を含むことを特徴とする請求項１に記載のデータ構造。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】  前記１つまたは複数の時間測度パラメータは、メディアサンプルフレームを含む１つまたは複数のフィールドに関連するフィールドパラメータを少なくとも含むことを特徴とする請求項１に記載のデータ構造。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】  特定のメディアサンプルと別の特定の隣接するサンプルとの間の境界に、不連続が存在するかどうかを指定するように構成される不連続パラメータをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載のデータ構造。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月19日(2007.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ２１℃の気温で５０％の湿度の周囲条件に平衡後に測定したとき、１２．８ＧＨｚでの誘電損失が０．００９以下であるポリイミドを含み、そのポリイミドが３７５以上のイミド当量を有し、またフルオレニルペンダント基を含む、１〜１００ＧＨｚの周波数範囲の放射線または電子信号に使用するために実装された電子デバイスの素子。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月23日(2008.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光トランスミッタと光ファイバとを含む光伝送システムであって、
前記光トランスミッタは、等間隔の波長グリッド上に配置された複数の光チャネルを前記ファイバに沿ってそれぞれ異なる波長で伝送するために配置され、
前記光チャネルは、３つのグループに構成され、その各々は、中の１つが使用されない４つの隣接グリッド位置に配置され、隣接グループが２つ以上の空きグリッド位置により間隔をあけられている
ことを特徴とする光伝送システム。
【請求項２】  ３つの光チャネルの各グループにおける前記使用されないグリッド位置が全てのグループについて第２グリッド位置である
ことを特徴とする請求項１記載の光伝送システム。
【請求項３】  ３つの光チャネルの各グループにおける前記使用されないグリッド位置が全てのグループについて第３グリッド位置である
ことを特徴とする請求項１記載の光伝送システム。
【請求項４】  全ての隣接グループが２つの空きグリッド位置により間隔を空けられている
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の光伝送システム。
【請求項５】  グリッド間隔が０．４ｎｍである
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の光伝送システム。
【請求項６】  グリッド間隔が０．８ｎｍである
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の光伝送システム。
【請求項７】  １６以上の光チャネルが備えられている
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の光伝送システム。
【請求項８】  前記ファイバが非ゼロ分散ファイバである
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載の光伝送システム。