【手続補正書】
【提出日】平成30年12月10日(2018.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハンドルウエハと、シリコン層と、前記ハンドルウエハと前記シリコン層との間の誘電体層と、を含み、前記シリコン層が構造の外面を形成する劈開面を有する、シリコン・オン・インシュレータ構造を加工する方法であって、
前記シリコン・オン・インシュレータ構造の前記シリコン層についての所望の除去マッププロファイルを決定するステップと、
前記所望の除去マッププロファイルに基づいてエピタキシャルスムージング加工の中で使用するための加工パラメータセットを決定するステップと、
決定された加工パラメータセットを使用して前記劈開面上にエピタキシャルスムージング加工を実行することによって、前記除去マッププロファイルに従って前記シリコン層から材料を選択的に除去するステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記シリコン層は、初期厚さプロファイルを有し、
所望の除去マッププロファイルを決定するステップは、前記シリコン層の前記初期厚さプロファイルを補完する除去マッププロファイルを決定するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記エピタキシャルスムージング加工は、前記劈開面をガスエッチャントに接触させるステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記決定された加工パラメータセットは、ガスエッチャント流量を含み、
前記シリコン層から材料を選択的に除去するステップは、前記決定された加工パラメータセットに従って前記ガスエッチャントの流量を制御するステップを含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記決定された加工パラメータセットは、水素ガス流量を含み、
前記シリコン層から材料を選択的に除去するステップは、前記決定された加工パラメータセットに従って水素ガスの流量を制御するステップを含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ガスエッチャントは、塩化水素である請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記エピタキシャルスムージング加工は、ウエハ加工装置内の回転可能なサセプタ上に前記シリコン・オン・インシュレータ構造を配置するステップを含み、
前記決定された加工パラメータセットは、サセプタの回転速度を含み、
前記シリコン層から材料を選択的に除去するステップは、前記決定された加工パラメータセットに従って前記サセプタの回転速度を制御するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記決定された加工パラメータセットは、前記サセプタの回転軸に対する前記シリコン・オン・インシュレータ構造の位置を含み、
前記回転可能なサセプタ上に前記シリコン・オン・インシュレータ構造を配置するステップは、前記位置に前記シリコン・オン・インシュレータ構造を配置するステップを含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記エピタキシャルスムージング加工は、複数のガス噴射流路を形成するガスマニホールドを含むウエハ加工装置内に前記シリコン・オン・インシュレータ構造を配置するステップを含み、
前記シリコン層から材料を選択的に除去するステップは、前記決定された加工パラメータセットに従って前記ガス噴射流路のそれぞれを通る相対的なガス流量を制御するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
加工パラメータセットを決定するステップは、前記所望の除去マッププロファイルに基づいて、それぞれの所定の加工パラメータセットが所定の除去マッププロファイルに関連付けられた複数の所定の加工パラメータセットから、加工パラメータセットを選択するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記シリコン・オン・インシュレータ構造の実際の除去マッププロファイルと、前記エピタキシャルスムージング加工中に使用される選択された加工パラメータセットに関連付けられた所定の除去マッププロファイルと、を比較して、前記実際の除去マッププロファイルと前記所定の除去マッププロファイルとの間の差を決定するステップと、
前記実際の除去マッププロファイルと前記所定の除去マッププロファイルとの間の差が閾値限界を超えた場合、前記エピタキシャルスムージング加工中に使用される前記選択された加工パラメータセットに関連付けられた前記所定の除去マッププロファイルを更新するステップと、を更に含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
加工パラメータセットを決定するステップは、
前記エピタキシャルスムージング加工の第１部分についての第１加工パラメータセットを決定するステップと、
前記エピタキシャルスムージング加工の第２部分についての第２加工パラメータセットを決定するステップと、を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記シリコン層から材料を選択的に除去するステップは、前記エピタキシャルスムージング加工の前記第１部分についての前記第１加工パラメータセットと、前記エピタキシャルスムージング加工の第２部分についての第２加工パラメータセットと、を使用して、前記劈開面上に前記エピタキシャルスムージング加工を実行するステップを含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ハンドルウエハと、シリコン層と、前記ハンドルウエハと前記シリコン層との間の誘電体層と、を含み、前記シリコン層が構造の外面を形成する劈開面を有する、シリコン・オン・インシュレータ構造を加工するシステムであって、
前記シリコン層の厚さプロファイルを測定するように構成されたウエハ測定装置と、
ウエハ加工装置と、
厚さ測定装置に通信可能に接続された演算装置であって、
前記シリコン層の前記厚さプロファイルに基づいて、前記シリコン・オン・インシュレータ構造の前記シリコン層についての所望の除去マッププロファイルを決定し、
前記所望の除去マッププロファイルに基づいて、エピタキシャルスムージング加工の中で使用するための加工パラメータセットを決定する、
ように構成された演算装置と、を含み、
前記ウエハ加工装置は、決定された加工パラメータセットを使用して前記劈開面上にエピタキシャルスムージング加工を実行することによって、前記除去マッププロファイルに従って前記シリコン層から材料を選択的に除去するように構成されているシステム。
【請求項１５】
前記ウエハ加工装置は、ガスエッチャント源に流体連通して接続されたガス噴射口を含み、前記ＳＯＩウエハの前記劈開面を前記ガスエッチャントに接触させることによって前記エピタキシャルスムージング加工を実行するように構成されている請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記ガスエッチャントは、塩化水素である請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記決定された加工パラメータセットは、ガスエッチャント流量を含み、
前記ウエハ加工装置は、前記決定された加工パラメータセットに従って前記ガスエッチャントの流量を制御して、前記シリコン層から材料を選択的に除去するように構成されている請求項１５に記載のシステム。
【請求項１８】
前記決定された加工パラメータセットは、水素ガス流量を含み、
前記ウエハ加工装置は、水素ガス源に流体的に接続され、前記決定された加工パラメータセットに従って前記水素ガスの流量を制御して、前記シリコン層から材料を選択的に除去するように構成されている請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記ウエハ加工装置は、回転可能なサセプタを含み、
前記決定された加工パラメータセットは、サセプタの回転速度を含み、
前記ウエハ加工装置は、前記決定された加工パラメータセットに従って前記サセプタの回転速度を制御するように構成されている請求項１４に記載のシステム。
【請求項２０】
前記ウエハ加工装置は、複数のガス噴射流路を形成するガスマニホールドを含み、前記決定された加工パラメータセットに従って前記ガス噴射流路のそれぞれを通る相対的なガス流量を制御するように構成されている請求項１４に記載のシステム。
【請求項２１】
前記演算装置に通信可能に接続された除去マッププロファイルライブラリを更に含むシステムであって、
前記除去マッププロファイルライブラリは、複数の所定の除去マッププロファイルと、複数の所定の加工パラメータセットと、を含み、
それぞれの所定の除去マッププロファイルは、前記所定の加工パラメータセットの１つに関連付けられている請求項１４に記載のシステム。
【請求項２２】
前記演算装置は、前記所望の除去マッププロファイルに基づいて、前記複数の所定の加工パラメータセットから加工パラメータセットを選択するように構成されている請求項２１に記載のシステム。
【請求項２３】
前記演算装置は、
前記シリコン・オン・インシュレータ構造の実際の除去マッププロファイルと、前記エピタキシャルスムージング加工中に使用される選択された加工パラメータセットに関連付けられた所定の除去マッププロファイルと、を比較して、前記実際の除去マッププロファイルと前記所定の除去マッププロファイルとの間の差を決定し、
前記実際の除去マッププロファイルと前記所定の除去マッププロファイルとの間の差が閾値限界を超えた場合、更新イベントを開始する、
ように構成されている請求項２２に記載のシステム。
【請求項２４】
前記演算装置は、前記実際の除去マッププロファイルと前記所定の除去マッププロファイルとの間の前記差が前記閾値限界を超えたことを示す通知を出力することによって、更新イベントを開始するように構成されている請求項２３に記載のシステム。
【請求項２５】
前記演算装置は、前記除去マッププロファイルライブラリの中に前記実際の除去マッププロファイルを記憶することによって、前記除去マッププロファイルライブラリを更新し、前記実際の除去マッププロファイルが選択された加工パラメータセットに関連付けられるように構成されている請求項２３に記載のシステム。
【請求項２６】
前記演算装置は、
前記エピタキシャルスムージング加工の第１部分の間に使用するために、複数の所定の加工パラメータセットから第１加工パラメータセットを選択し、
前記エピタキシャルスムージング加工の第２部分の間に使用するために、複数の所定の加工パラメータセットから第２加工パラメータセットを選択する、
ように構成されている請求項２１に記載のシステム。
【請求項２７】
前記ウエハ加工装置は、前記シリコン層から材料を選択的に除去するステップは、前記エピタキシャルスムージング加工の前記第１部分についての前記第１加工パラメータセットと、前記エピタキシャルスムージング加工の第２部分についての第２加工パラメータセットと、を使用して、前記劈開面上に前記エピタキシャルスムージング加工を実行するように構成されている請求項２６に記載のシステム。
【請求項２８】
外面を形成する半導体デバイス層を含む半導体構造を加工する方法であって、
前記半導体構造の前記デバイス層についての所望の除去マッププロファイルを決定するステップと、
前記所望の除去マッププロファイルに基づいてエピタキシャルスムージング加工の中で使用するための加工パラメータセットを決定するステップと、
決定された加工パラメータセットを使用して前記外面上にエピタキシャルスムージング加工を実行することによって、前記除去マッププロファイルに従って前記デバイス層から材料を選択的に除去するステップと、を含む方法。
【請求項２９】
前記デバイス層は、初期厚さプロファイルを有し、
所望の除去マッププロファイルを決定するステップは、前記デバイス層の前記初期厚さプロファイルを補完する除去マッププロファイルを決定するステップを含む請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記エピタキシャルスムージング加工は、前記デバイス層の前記外面をガスエッチャントに接触させることを含む請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
前記決定された加工パラメータセットは、ガスエッチャント流量を含み、
前記デバイス層から材料を選択的に除去するステップは、前記決定された加工パラメータセットに従って前記ガスエッチャントの流量を制御するステップを含む請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記エピタキシャルスムージング加工は、ウエハ加工装置内の回転可能なサセプタ上に前記半導体構造を配置するステップを含み、
前記決定された加工パラメータセットは、サセプタの回転速度を含み、
前記デバイス層から材料を選択的に除去するステップは、前記決定された加工パラメータセットに従って前記サセプタの回転速度を制御するステップを含む請求項２８に記載の方法。
【請求項３３】
前記決定された加工パラメータセットは、前記サセプタの回転軸に対する前記半導体構造の位置を含み、
前記回転可能なサセプタ上に前記半導体構造を配置するステップは、前記位置に前記半導体構造を配置するステップを含む請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記エピタキシャルスムージング加工は、複数のガス噴射流路を形成するガスマニホールドを含むウエハ加工装置内に前記半導体構造を配置するステップを含み、
前記デバイス層から材料を選択的に除去するステップは、前記決定された加工パラメータセットに従って前記ガス噴射流路のそれぞれを通る相対的なガス流量を制御するステップを含む請求項２８に記載の方法。
【請求項３５】
加工パラメータセットを決定するステップは、前記所望の除去マッププロファイルに基づいて、それぞれの所定の加工パラメータセットが所定の除去マッププロファイルに関連付けられた複数の所定の加工パラメータセットから、加工パラメータセットを選択するステップを含む請求項２８に記載の方法。
【請求項３６】
前記半導体構造の実際の除去マッププロファイルと、前記エピタキシャルスムージング加工中に使用される選択された加工パラメータセットに関連付けられた所定の除去マッププロファイルと、を比較して、前記実際の除去マッププロファイルと前記所定の除去マッププロファイルとの間の差を決定するステップと、
前記実際の除去マッププロファイルと前記所定の除去マッププロファイルとの間の差が閾値限界を超えた場合、前記エピタキシャルスムージング加工中に使用される前記選択された加工パラメータセットに関連付けられた前記所定の除去マッププロファイルを更新するステップと、を更に含む請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
加工パラメータセットを決定するステップは、
前記エピタキシャルスムージング加工の第１部分についての第１加工パラメータセットを決定するステップと、
前記エピタキシャルスムージング加工の第２部分についての第２加工パラメータセットを決定するステップと、を含む請求項２８に記載の方法。
【請求項３８】
前記デバイス層から材料を選択的に除去するステップは、前記エピタキシャルスムージング加工の前記第１部分についての前記第１加工パラメータセットと、前記エピタキシャルスムージング加工の第２部分についての第２加工パラメータセットと、を使用して、前記外面上に前記エピタキシャルスムージング加工を実行するステップを含む請求項３７に記載の方法。