Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月29日(2008.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェブ間に接着剤の不存在下に、ナノファイバーと相容性の材料から紡糸されたナノファイバーより大きい平均直径の繊維を含んでなる第１の支持ウェブに溶剤接合された電気ブローン・ポリマーナノファイバーのウェブを含んでなる複合布。
【請求項２】
ポリマーナノファイバーのウェブおよびそのための溶剤を、前記ナノファイバーポリマーと相容性である材料から紡糸されたより大きい繊維を含んでなる移動中の支持ウェブ上へ電気ブローする工程と、組み合わせられたウェブに約４ｍｍ  Ｈ2Ｏ〜１７０ｍｍ  Ｈ2Ｏの真空圧力をかけてナノファイバーウェブを支持ウェブに溶剤接合する工程とを含んでなる、複合布の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
接着積層された比較例Ｃは、本発明のインライン溶剤接合積層法に従って形成された、実施例１０の同一のＳＮＳ構造体と比べて、低下した効率および増加した圧力降下を実証した。
本発明の好適な実施態様は次のとおりである。
１．  ウェブ間に接着剤の不存在下に、ナノファイバーと相容性の材料から紡糸されたナノファイバーより大きい平均直径の繊維を含んでなる第１の支持ウェブに溶剤接合された電気ブローン・ポリマーナノファイバーのウェブを含んでなる複合布。
２．  ナノファイバーポリマーがポリアミド、ポリエステル、ポリウレタン、ポリフッ化ビニリデンおよびポリビニルアルコールよりなる群から選択され、そして支持ウェブがポリアミド、ポリエステル、ポリウレタン、ポリフッ化ビニリデン、ポリビニルアルコール、天然繊維およびそれらの組み合わせよりなる群から選択される繊維を含んでなる上記１に記載の複合布。
３．  相容性材料がポリマーである上記１に記載の複合布。
４．  ナノファイバーおよび支持ウェブの両方がポリアミドである上記２に記載の複合布。
５．  ナノファイバーポリマーおよび前記支持ウェブのポリマー繊維が異なるポリマーである上記３に記載の複合布。
６．  支持ウェブが異なるポリマー繊維の組み合わせを含んでなる上記３に記載の複合布。
７．  支持ウェブが異なるポリマー繊維の多層を含んでなる上記６に記載の複合布。
８．  支持ウェブが織布または不織ウェブである上記１に記載の複合布。
９．  支持ウェブがスパンボンド繊維、メルトブローン繊維、梳毛繊維、ウェットレイド繊維およびそれらの組み合わせよりなる群から選択される不織ウェブである上記８に記載の複合布。
１０．  ナノファイバーウェブが約２００ｎｍ〜５００ｎｍの平均ファイバー直径を有し、少なくとも約２．５ｇ／ｍ2の坪量を有するポリアミドナノファイバーを含んでなり、そして支持ウェブがスパンボンド繊維の少なくとも１つの層を含んでなる上記１に記載の複合布。
１１．  ナノファイバーウェブが約２００ｎｍ〜５００ｎｍの平均ファイバー直径を有し、少なくとも約２．５ｇ／ｍ2の坪量を有するポリアミドナノファイバーを含んでなり、そして支持ウェブが梳毛ポリアミド繊維と梳毛ポリエステル繊維との二層構造体を含んでなり、かつ、ナノファイバーウェブが梳毛ポリアミド繊維層に溶剤接合される上記１に記載の複合布。
１２．  第１の支持ウェブの反対側で前記ナノファイバーウェブに溶剤接合された、前記ナノファイバーと相容性の材料から紡糸されたナノファイバーより大きい平均直径の繊維を含んでなる第２の支持ウェブをさらに含んでなる上記１に記載の複合布。
１３．  前記第１および第２の支持ウェブが化学的に同じものである上記１２に記載の複合布。
１４．  前記ナノファイバーがポリアミドであり、そして支持ウェブがＰＥＴと天然繊維とのブレンドを含んでなる上記２に記載の複合布。
１５．  前記天然繊維がセルロースである上記１４に記載の複合布。
１６．  前記ナノファイバーがポリアミドであり、そして支持ウェブ繊維がすべて天然繊維である上記２に記載の複合布。
１７．  前記天然繊維がセルロースである上記１６に記載の複合布。
１８．  前記ナノファイバーがポリビニルアルコールであり、そして前記支持ウェブがポリビニルアルコール繊維とレーヨン繊維とのブレンドを含んでなる上記２に記載の複合布。
１９．  ポリマーナノファイバーのウェブおよびそのための溶剤を、前記ナノファイバーポリマーと相容性である材料から紡糸されたより大きい繊維を含んでなる移動中の支持ウェブ上へ電気ブローする工程と、組み合わせられたウェブに約４ｍｍ  Ｈ2Ｏ〜１７０ｍｍ  Ｈ2Ｏの真空圧力をかけてナノファイバーウェブを支持ウェブに溶剤接合する工程とを含んでなる、複合布の形成方法。
２０．  溶剤接合ナノファイバーウェブ／支持ウェブ複合布を形成するために、かけられる真空圧力が約６０ｍｍ  Ｈ2Ｏ〜１７０ｍｍ  Ｈ2Ｏである上記１９に記載の方法。
２１．  かけられた真空圧力が約４ｍｍ  Ｈ2Ｏ〜３０ｍｍ  Ｈ2Ｏであり、そして前記ナノファイバーポリマーと相容性である材料から紡糸されたより大きい繊維を含んでなる第２の支持ウェブを前記ナノファイバーウェブ上に付着させて、支持ウェブ／ナノファイバーウェブ／支持ウェブ複合布を形成する工程と、前記複合布を圧密ニップに通して複合材料を溶剤接合させる工程とをさらに含んでなる上記１９に記載の方法。
２２．  溶剤接合複合布を真空下に乾燥させて溶剤を除去する工程をさらに含んでなる上記２１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月23日(2008.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動車内燃機関の、可変のタービンジオメトリを有するターボチャージャのベーン支承リングであって、ターボチャージャが、可変のタービンジオメトリのために、ベーン支承リング内で調節可能なタービンベーンを有しており、ベーン支承リングが、その支承面での固体潤滑剤作用を達成するための硫黄成分を有するオーステナイト系の鉄マトリックス合金から成っている形式のものにおいて、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、レニウム（Ｒｅ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、ハフニウム（Ｈｆ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）および／または同等の高融点合金元素の単数または複数の合金元素１〜６質量％を有することを特徴とする、内燃機関のターボチャージャのベーン支承リング。
【請求項２】
それぞれ質量％で示す個々の合金元素を有する次の合金組成
Ｃ    ＝０．４〜０．６
Ｃｒ  ＝１８〜２７
Ｎｂ  ＝１．４〜１．８
Ｎｉ  ＝１２〜２２
Ｓ    ＝０．２〜０．５
Ｓｉ  ＝２．９〜３．２
Ｗ    ＝２．４〜２．８
残り  ＝鉄
不純物もしくは不特定の合金元素は３質量％まで
を有する、請求項１記載のベーン支承リング。
【請求項３】
それぞれ質量％で示す個々の合金元素を有する次の合金組成
Ｃ    ＝０．４〜０．６
Ｃｒ  ＝１８．５〜２０．５
Ｎｂ  ＝１．４〜１．８
Ｎｉ  ＝１２．５〜１４
Ｓ    ＝０．２５〜０．４５
Ｓｉ  ＝２．９〜３．１５
Ｗ    ＝２．４〜２．８
残り  ＝鉄
不純物もしくは不特定の合金元素は３質量％まで
を有する、請求項２記載のベーン支承リング。
【請求項４】
それぞれ質量％で示す個々の合金元素を有する次の合金組成
Ｃ    ＝０．４〜０．６
Ｃｒ  ＝２４．５〜２６．５
Ｎｂ  ＝１．４〜１．８
Ｎｉ  ＝１９．５〜２１．５
Ｓ    ＝０．２５〜０．４５
Ｓｉ  ＝２．９〜３．１５
Ｗ    ＝２．４〜２．８
残り  ＝鉄
不純物もしくは不特定の合金元素は３質量％まで
を有する、請求項２記載のベーン支承リング。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
欧州特許出願公開第１３９４３６４号明細書から、２つのベーン支承リングを備えるターボチャージャが公知である。製作コストを減じることができるように、少なくとも一方のベーン支承リングは、その面周方向にわたって分配され一体的に成形されたスペーサを有する。これらのスペーサにより、両ベーン支承リングの軸方向の間隔は確保可能である。
欧州特許出願公開第１３９６６２０号明細書から、ベーン支承リングを備える別のターボチャージャが公知である。
最近の高出力エンジンにおいて、耐久的に機能を果たし得るベーン支承リングには、極めて高い材料要求が課される。相応に適した材料は、十分なクリープ抵抗、高温時でもベーン支承リングの熱的なひずみを回避する高い寸法安定性、高い耐摩耗性ならびに十分な耐酸化性を有していなければならない。上位概念部に記載した形式のベーン支承リングのひずみ、クリープまたは強い酸化が生じると、タービンガイドベーンのロック、つまり固着に至り得る。すなわち、ターボチャージャ横断面はもはやガイドベーン調節によりエンジンの運転状態に適合され得ない。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月6日(2008.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性材料で形成され、第１および第２の表面を有する基材層と、
前記基材層の前記第１の表面に画定され、１つ以上の流体チャネルを画定する構造化フローフィールドパターンと、
導電性材料で形成され、前記基材層の前記第１の表面に配置された第１の層と、
前記基材層の前記第２の表面に配置され、可撓性導電性材料で形成された第２の層と、
を含み、
前記第１の層が１つ以上の位置で前記第２の層と接触して、前記第１の層と前記第２の層との間で電気的接続を画定している、可撓性フローフィールドセパレータ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月9日(2008.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池システムの酸化器アセンブリを使用するための方法であって、前記酸化器アセンブリが、前記酸化器アセンブリ中の電解質微粒子を含むアノード排ガスを酸化する酸化器ユニットを有し、
前記酸化器アセンブリから前記電解質微粒子を除去可能にさせるように、前記酸化器アセンブリを調整する調整工程と、
前記電解質微粒子を除去する除去工程と、
を有し、
前記調整工程と前記除去工程とを前記酸化器アセンブリ中に保持されている前記酸化器ユニットで行うことを特徴とする使用方法。
【請求項２】
前記調整工程と前記除去工程とが前記燃料電池システム中に保持されている前記酸化器アセンブリを用いて行なうのを可能にするように、前記燃料電池システムを適合させる適合工程を更に有し、
前記調整工程と前記除去工程とを前記燃料電池システム中に保持された前記酸化器アセンブリを用いて行なうことを特徴とする請求項１に記載の使用方法。
【請求項３】
前記調整工程は、前記酸化器アセンブリ中の前記電解質微粒子が前記酸化器アセンブリから除去可能なように、前記酸化器アセンブリが前記酸化器ユニットに接触させる溶媒を受け入れる受入工程を含み、
前記除去工程は、前記酸化器アセンブリから、前記溶媒と前記除去された電解質微粒子とを排出する排出工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の使用方法。
【請求項４】
前記溶媒は、液体形態および気体形態のうちの１つの形態で導入されることを特徴とする請求項３に記載の使用方法。
【請求項５】
前記酸化器アセンブリは、前記酸化器ユニットの入口に接続されかつ前記酸化器ユニットにガスを供給する混合器ユニットを含み、前記混合器ユニットは、オキシダントガスと前記アノード排ガスとを受け入れかつ混合し、前記混合されたガスを前記酸化器ユニットの前記入口まで供給し、
前記溶媒の前記受入工程は、前記混合器ユニットの開口または前記酸化器ユニットの出口を通して行われ、
前記排出工程は、前記混合器ユニット中の開口を通して行われ、
前記燃料電池システムの前記適合工程は、前記受入工程と排出工程とを実行可能とするように、溶媒供給部とバルブアセンブリと排出部とを提供してかつ作動させる工程を含む、ことを特徴とする請求項４に記載の使用方法。
【請求項６】
前記受入工程は、前記酸化器ユニットの前記出口を通り、
前記燃料電池システムの前記適合工程は、前記受入工程を可能とするように前記溶媒供給部に取り付けられたスプリンクラーを提供する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の使用方法。
【請求項７】
前記電解質微粒子は炭酸塩を含み、
前記溶媒は液体の水であり、
前記接触は、２０分から１２０分の時間範囲の期間で行われ、
前記燃料電池システムの適合工程は、深い熱サイクルモードで前記燃料電池システムを運転する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の使用方法。
【請求項８】
前記電解質微粒子は炭酸塩を含み、
前記溶媒は空気と気化した水を含み、
前記接触は３０分から２４０分の時間範囲の期間で行われ、
前記燃料電池システムの適合工程は、低温で前記燃料電池システムを運転する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の使用方法。
【請求項９】
前記電解質微粒子は炭酸塩を含み、
前記気化した水は約５５℃の温度であり、
前記酸化器アセンブリは約９０℃の温度であることを特徴とする請求項８に記載の使用方法。
【請求項１０】
前記酸化器アセンブリの前記調整工程は、前記酸化器アセンブリが前記電解質微粒子を捕集するのを可能にする工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の使用方法。
【請求項１１】
前記酸化器アセンブリは、前記酸化器ユニットの入口に接続されかつ前記酸化器ユニットの入口にガスを供給する混合器ユニットを含み、前記混合器ユニットは、オキシダントガスと前記アノード排ガスとを受け入れて混合し、前記混合したガスを前記酸化器ユニットの前記入口まで供給し、
前記酸化器アセンブリが前記電解質微粒子を捕集するのを可能にする工程は、前記混合器ユニット中の前記混合されたガス通路中にフィルタを提供する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の使用方法。
【請求項１２】
前記電解質微粒子の除去工程は、前記フィルタからろ過された電解質微粒子を前記混合器ユニット中の開口を通して排出する排出工程を含み、
前記燃料電池システムの適合工程は、前記ろ過された電解質の前記排出の実行を可能とするために排出部とバルブアセンブリとを提供して作動させる工程を含むことを特徴とする請求項１１に記載の使用方法。
【請求項１３】
前記酸化器アセンブリの調整工程は、前記酸化器アセンブリを加熱して前記酸化器アセンブリ上の電解質微粒子を剥がすことを可能にする加熱工程を含み、
前記除去工程は、前記剥がされた電解質微粒子を気化するようになっている前記酸化器アセンブリの前記加熱工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の使用方法。
【請求項１４】
前記電解質微粒子は炭酸塩を含み、
前記酸化器アセンブリの前記加熱工程は７９０℃から８４０℃の範囲の温度であることを特徴とする請求項１３に記載の使用方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載の使用方法を実行するための酸化器アセンブリを含み、
前記酸化器アセンブリが、前記酸化器アセンブリ中の電解質微粒子を含むアノード排ガスを酸化する酸化器ユニットを有することを特徴とするアセンブリ。
【請求項１６】
請求項１１に記載の使用方法を実行するための酸化器アセンブリを含み、
前記フィルタは、複数の離れて配置された板を含むベーンフィルタであることを特徴とする請求項１５に記載のアセンブリ。
【請求項１７】
請求項１１に記載の使用方法を実行するための酸化器アセンブリを含み、
前記混合器ユニットは、前記フィルタに連結する出口であって、前記フィルタから前記捕集された電解質微粒子を通過させる前記出口を有することを特徴とする請求項１５に記載のアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月4日(2008.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトロルミネセンスデバイスの製造方法であって、
基材上にエレクトロルミネセンス素子を形成する工程と、
光学スペーサーを前記エレクトロルミネセンス素子へと選択的に熱転写し、光学キャビティの少なくとも一部を形成する工程と、
を含んでなる方法。
【請求項２】
前記光学スペーサーが色フィルターである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記光学スペーサーを選択的に熱転写する工程が、
ベース層、光熱変換層および１つ以上の転写層を含んでなるドナーシートを提供する工程と、
前記１つ以上の転写層が前記エレクトロルミネセンス素子に近接するように前記ドナーシートを位置決めする工程と、
前記ドナーシートの部分を選択的に照射し、前記１つ以上の転写層の部分を前記ドナーシートから前記エレクトロルミネセンス素子へと熱転写する工程と
を含んでなる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
色フィルターを前記エレクトロルミネセンス素子へと選択的に熱転写する工程をさらに含んでなる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記色フィルターを選択的に熱転写する工程が、
ベース層、光熱変換層および１つ以上の転写層を含んでなるドナーシートを提供する工程と、
前記１つ以上の転写層が前記光学スペーサーに近接するように前記ドナーシートを位置決めする工程と、
前記ドナーシートの部分を選択的に照射し、前記１つ以上の転写層の部分を前記ドナーシートから前記光学スペーサーへと熱転写する工程と
を含んでなる請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記エレクトロルミネセンス素子上にブラックマトリックスを形成する工程をさらに含んでなる請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ブラックマトリックスを形成する工程が、前記ブラックマトリックスを前記エレクトロルミネセンス素子に選択的に熱転写する工程を含んでなる請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記光学スペーサーの屈折率が、前記光学スペーサーが転写される前記エレクトロルミネセンス素子の表面の屈折率と実質的に適合する請求項１に記載の方法。
【請求項９】
複数の光学スペーサーを前記エレクトロルミネセンス素子へと選択的に熱転写し、複数の光学キャビティの各光学キャビティの少なくとも一部を形成する工程をさらに含んでなり、前記複数の光学キャビティの少なくとも１つの光学キャビティが赤色光を通過させるように同調され、前記複数の光学キャビティの少なくとも１つの光学キャビティが緑色光を通過させるように同調され、そして前記複数の光学キャビティの少なくとも１つの光学キャビティが青色光を通過させるように同調される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
複数の光学スペーサーを前記エレクトロルミネセンス素子へと選択的に熱転写し、複数の光学キャビティの各光学キャビティの少なくとも一部を形成する工程をさらに含んでなり、前記複数の光学キャビティの少なくとも１つの光学キャビティが赤色光を発光するように同調され、前記複数の光学キャビティの少なくとも１つの光学キャビティが緑色光を発光するように同調され、そして前記複数の光学キャビティの少なくとも１つの光学キャビティが青色光を発光するように同調される、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月7日(2008.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号４、配列番号５のアミノ酸配列をコードするポリヌクレオチド配列、配列番号１７のアミノ酸配列をコードするポリヌクレオチド配列、この相補的なポリヌクレオチド配列、およびこの保存的改変体からなる群より選択される核酸配列を有するアミノアシルｔＲＮＡシンテターゼ（ＲＳ）を含む組成物。
【請求項２】
前記ＲＳが優先的にｔＲＮＡをアミノアシル化する、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記ｔＲＮＡが天然にはコードされないアミノ酸でアミノアシル化される、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記天然にはコードされないアミノ酸がパラ−アセチルフェニルアラニンである、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
請求項１に記載のＲＳおよびｔＲＮＡを含む組成物であり、前記ｔＲＮＡが化学的にアミノアシル化される、組成物。
【請求項６】
請求項１に記載のＲＳおよびｔＲＮＡを含む組成物であり、前記ｔＲＮＡが酵素的にアミノアシル化される、組成物。
【請求項７】
前記ｔＲＮＡがＲＳによって酵素的にアミノアシル化される、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記ｔＲＮＡがリボザイムによって酵素的にアミノアシル化される、請求項６に記載の組成物。
【請求項９】
ｔＲＮＡをさらに含み、前記ｔＲＮＡがＲＳによってアミノ酸でアミノアシル化される、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記アミノ酸が、天然にはコードされないアミノ酸である、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
前記天然にはコードされないアミノ酸がパラアセチルフェニルアラニンである、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
前記ｔＲＮＡが古細菌ｔＲＮＡ由来である、請求項９に記載の組成物。
【請求項１３】
前記ｔＲＮＡがＭ．ｊａｎｎｅｓｃｈｉｉ由来である、請求項９に記載の組成物。
【請求項１４】
翻訳系をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１５】
前記翻訳系が無細胞翻訳系である、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１６】
前記翻訳系が細胞溶解物である、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１７】
前記翻訳系が再構成された系である、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１８】
前記翻訳系が細胞翻訳系である、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１９】
翻訳系を含む細胞であり、前記翻訳系が、請求項１に記載のＲＳを含む、細胞。
【請求項２０】
細胞が真核生物細胞である、請求項１９に記載の細胞。
【請求項２１】
真核生物細胞が酵母細胞である、請求項２０に記載の細胞。
【請求項２２】
真核生物細胞が真菌細胞である、請求項２０に記載の細胞。
【請求項２３】
真核生物細胞が哺乳動物細胞である、請求項２０に記載の細胞。
【請求項２４】
真核生物細胞が昆虫細胞である、請求項２０に記載の細胞。
【請求項２５】
真核生物細胞が植物細胞である、請求項２０に記載の細胞。
【請求項２６】
細胞が非真核生物細胞である、請求項１９に記載の細胞。
【請求項２７】
非真核生物細胞がＥ．ｃｏｌｉ細胞である、請求項２６に記載の細胞。
【請求項２８】
ＲＳによってアミノアシル化されるｔＲＮＡおよび目的のポリペプチドをコードするポリヌクレオチドをさらに含み、前記ポリヌクレオチドが、ｔＲＮＡによって認識されるセレクターコドンを含む、請求項１９に記載の細胞。
【請求項２９】
前記目的のポリペプチドがヒト成長ホルモンである、請求項２８に記載の細胞。
【請求項３０】
請求項１に記載のＲＳを含むＥ．ｃｏｌｉ細胞。
【請求項３１】
請求項１に記載のＲＳを含む酵母細胞。
【請求項３２】
請求項１に記載のＲＳを含む真菌細胞。
【請求項３３】
請求項１に記載のＲＳを含む哺乳動物細胞。
【請求項３４】
請求項１に記載のＲＳを含む昆虫細胞。
【請求項３５】
請求項１に記載のＲＳを含む植物細胞。
【請求項３６】
配列番号４、配列番号５のアミノ酸配列をコードするポリヌクレオチド配列、配列番号１７のアミノ酸配列をコードするポリヌクレオチド配列、この相補的なポリヌクレオチド配列、およびこの保存的改変体からなる群より選択される核酸配列を有するＲＳをコードするポリヌクレオチドを含むベクター。
【請求項３７】
ベクターが、プラスミド、コスミド、ファージまたはウイルスを含む、請求項３６に記載のベクター。
【請求項３８】
ベクターが発現ベクターである、請求項３６に記載のベクター。
【請求項３９】
請求項３６に記載のベクターを含む細胞。
【請求項４０】
特定の位置で選択されたアミノ酸を用いて細胞中でポリペプチドを産生する方法であって、前記方法は、
適切な培地中で細胞を増殖させる工程であって、前記細胞が少なくとも１つのセレクターコドンを含み、および、あるポリペプチドをコードする核酸を含む工程と；および
前記選択されたアミノ酸を提供する工程と、を含み；
前記細胞がさらに、
前記細胞中で機能する請求項１に記載の直交性ＲＳ（Ｏ−ＲＳ）であって、前記ＲＳが配列番号５、配列番号１７、この相補的なポリヌクレオチド配列、およびこの保存的な改変体からなる群より選択されるアミノ酸配列を有する、ＲＳと；および
セレクターコドンを認識する直交性ｔＲＮＡ（Ｏ−ｔＲＮＡ）であって、前記Ｏ−ＲＳが選択されたアミノ酸でＯ−ｔＲＮＡをアミノアシル化する、ｔＲＮＡと；
を含む、方法。
【請求項４１】
前記選択されたアミノ酸がパラ−アセチルフェニルアラニンである、請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
請求項４０に記載の方法によって生成されるポリペプチド。
【請求項４３】
前記選択されたアミノ酸がパラ−アセチルフェニルアラニンである、請求項４２に記載のポリペプチド。
【請求項４４】
前記ポリペプチドがヒト成長ホルモンである、請求項４０に記載の方法。
【請求項４５】
配列番号４、配列番号５のアミノ酸配列をコードするポリヌクレオチド配列、配列番号１７のアミノ酸配列をコードするポリヌクレオチド配列、この相補的なポリヌクレオチド配列、およびこの保存的改変体からなる群より選択される核酸配列を有するポリヌクレオチド。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月29日(2008.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
これらの実験により、１２５ａａを有するＢＣＭＡの短い形態（スプライス変異体）が単離された。ＢＣＭＡのヒト遺伝子は３つのエキソンとカノニカルなスプライス部位を有する[Laabi et al 1994 (PDF)]。新規変異体（ＢＣＭＡ＿ショート）はエキソン１とエキソン３のみを保持する（図１）。図２に表されているように、この新規なタンパク質は膜貫通ドメインを欠いているが、６個のシステインリッチドメイン（例えば、ＢＣＭＡ＿ショート：QCSQNEYFDSLLHACIPCQLRCSSNTPPLTCQRYC（配列番号１０））及びＮＦ−κＢを活性化させるフラグメント（例えば、ＢＣＭＡ＿ショート：LEYTVEECTCEDCIKSKPKVDSDHC（配列番号１１））を保持している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
コントロールの反応においては、以下のカップルプライマーを用いて、２つのＰＣＲ連続反応を実施した：
【化２】
2008525002.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月30日(2008.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチゾーン靴ひも結びシステムを備える履物であって、
靴底と、
アッパーと、
少なくとも第１の部位および第２の部位を持つ細長い靴ひも結びゾーンにより分離された、前記アッパー上の第１および第２の側面と、
前記靴ひも結びゾーンの前記第１の部位を横切って伸び、第１の靴ひも引き込み装置を備える第１の靴ひもと、
前記靴ひも結びゾーンの前記第２の部位を横切って伸び、第２の靴ひも引き込み装置を備える第２の靴ひもとを備える、マルチゾーン靴ひも結びシステムを備える履物。
【請求項２】
前記第１の部位および前記第２の部位は、重なり合う請求項１に記載のマルチゾーン靴ひも結びシステムを備える履物。
【請求項３】
少なくとも前記第１の靴ひも引き込み装置は、回転可能なリールを備える請求項１に記載のマルチゾーン靴ひも結びシステムを備える履物。
【請求項４】
前記第１の靴ひも引き込み装置および前記第２の靴ひも引き込み装置の各々は、回転可能なリールを備える請求項１に記載のマルチゾーン靴ひも結びシステムを備える履物。
【請求項５】
履物の中の靴ひもに張力を掛けるためのシステムであって、第１の靴ひも結びゾーン、第２の靴ひも結びゾーン、第３の靴ひも結びゾーン、前記第１のゾーン内で前記靴ひもに張力を掛けるための第１の締め付けシステム、前記第２のゾーン内で前記靴ひもを締め付けるための第２の締め付けシステムとを備え、前記第３のゾーン内の靴ひも張力は、前記第１および第２のゾーン内の前記靴ひも張力のきつい方に応じて自動的に設定される、履物の中の靴ひもに張力を掛けるためのシステム。
【請求項６】
物品の開閉システムであって、
第１の側面と第２の側面を含む物品と、
前記第１および第２の側面の間に伸びるケーブル経路を定める、少なくとも前記第１の側面の第１のケーブルガイドおよび前記第２の側面の第２のケーブルガイドと、
前記ガイド部材により誘導され、前記第１と第２の側面の間に伸びるケーブルであって、前記ケーブルの少なくとも約１４インチ分を保持するように構成されたスプールの周りで回転可能なケーブルと、
前記スプールに連結された締め付け機構であって、前記スプールの周りに前記ケーブルを巻き付け前記第１の側面を前記第２の側面に引き寄せる制御装置を備える締め付け機構とを備え、ケーブルの少なくとも約１４インチ分を含む前記実効スプール直径は、前記制御装置の直径の約７５％未満である物品の開閉システム。
【請求項７】
前記制御装置は、１本の軸を持ち、その軸の周りに回転可能である請求項６に記載の開閉システム。
【請求項８】
前記制御装置は、一方の方向に前記制御装置を回転させると前記スプールが回転するが、前記制御装置を反対方向に回転させても前記スプールは回転しないように前記スプールに連結される請求項７に記載の開閉システム。
【請求項９】
前記制御装置は、一方向にのみ回転可能である請求項７に記載の開閉システム。
【請求項１０】
前記ガイド部材は、１つの管を含む請求項６に記載の開閉システム。
【請求項１１】
さらに、リールの周りのケーブルの弛みを自動的に巻くように構成されたバネを備える請求項６に記載の開閉システム。
【請求項１２】
前記ケーブルは、前記スプールを取り外さずに履物ひも結びシステムから取り外せるように前記スプールに取り外し可能なように接続される請求項６に記載の開閉システム。
【請求項１３】
前記ケーブルは、複数の撚り線を含む請求項６に記載の開閉システム。
【請求項１４】
前記撚り線は、第１の端部と第２の端部のそれぞれに一緒に固定される請求項１３に記載の開閉システム。
【請求項１５】
開閉システムは、複数の靴ひも結びゾーンを備える請求項６に記載の開閉システム。
【請求項１６】
前記締め付け機構は、第１の締め付け機構であり、前記システムは、さらに、第２の締め付け機構を備える請求項１５に記載の開閉システム。
【請求項１７】
１つの靴ひも結びゾーンは、前記第１の締め付け機構により操作され、第２の靴ひも結びゾーンは、前記第２の締め付け機構により操作される請求項１６に記載の開閉システム。
【請求項１８】
前記第１および前記第２の締め付け機構は、両方とも、第３の靴ひも結びゾーンを操作する請求項１７に記載の開閉システム。
【請求項１９】
前記物品は、１つのブーツである請求項１７に記載の開閉システム。
【請求項２０】
履物ひも結びシステムであって、
スロットを含む第１の靴ひもガイドと、
履物の上の前記第１の靴ひもガイドの反対側に位置する、フックを備える第２の靴ひもガイドと、
靴ひも締め付け機構とを備える履物ひも結びシステム。
【請求項２１】
履物ひもを締め付ける方法であって、
靴ひもを掴み、第１の靴ひもガイド内のスロットを通して靴ひもを引っ張ることと、
第２の靴ひもガイドから伸びているフックに前記靴ひもをループにして掛けることと、
前記靴ひもを締め付け機構により締め付けることとを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月28日(2008.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  短波長および低減衰のための伝送線路システムであって、
伝送線路として動作するワイヤ（４４０）であって、短波長による波を当該ワイヤ付近に閉じこめ、伝送線路損失が所要間隔でリピーター（１９，２１３−２１９）によって補償される、ワイヤ（４４０）を備え、
前記リピーターが、導電性の前記ワイヤが結合構造（１４１，１４２）を用いることを中断させないようにしている
ことを特徴とする伝送線路システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月6日(2008.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力を有するロジック回路であって、
ソース、ドレイン、およびゲートを有する第１の極性の第１のトランジスタ（１５４）であって、前記第１のトランジスタ（１５４）のソースが電源電圧（１６０）に結合され、前記第１のトランジスタ（１５４）のドレインが前記ロジック回路の出力（１６２）に結合され、前記第１のトランジスタ（１５４）のゲートが第１の入力信号に結合される、第１のトランジスタ（１５４）と、
ソース、ドレイン、およびゲートを有する前記第１の極性の第２のトランジスタ（１５６）であって、前記第２のトランジスタ（１５６）のソースが前記電源電圧（１６０）に結合され、前記第２のトランジスタ（１５６）のドレインが前記ロジック回路の前記出力（１６２）に結合され、前記第２のトランジスタ（１５６）のゲートが第２の入力信号に結合される、第２のトランジスタ（１５６）と、
ソース、ドレイン、およびゲートを有する第２の極性の第３のトランジスタ（１５８）であって、前記第３のトランジスタ（１５８）のソースが第３の入力信号に結合され、前記第３のトランジスタ（１５８）のドレインが前記ロジック回路の前記出力（１６２）に結合され、前記第３のトランジスタ（１５８）のゲートが前記第１の入力信号に結合される、第３のトランジスタ（１５８）と
を備え、
ソースが前記第１の入力信号の補数に結合され、ドレインが前記ロジック回路の前記出力に結合され、ゲートが前記第２の入力信号に結合される、前記ソース、前記ドレイン、および前記ゲートを有する第４のトランジスタを、前記ロジック回路は有さないものであり、
前記第３の入力信号が前記第２の入力信号の補数であり、
前記第１のトランジスタ（１５４）がＮ型の極性を有する、
ロジック回路。
【請求項２】
出力を有するロジック回路であって、
ソース、ドレイン、およびゲートを有する第１の極性の第１のトランジスタ（１５４）であって、前記第１のトランジスタ（１５４）のソースが電源電圧（１６０）に結合され、前記第１のトランジスタ（１５４）のドレインが前記ロジック回路の出力（１６２）に結合され、前記第１のトランジスタ（１５４）のゲートが第１の入力信号に結合される、第１のトランジスタ（１５４）と、
ソース、ドレイン、およびゲートを有する前記第１の極性の第２のトランジスタ（１５６）であって、前記第２のトランジスタ（１５６）のソースが前記電源電圧（１６０）に結合され、前記第２のトランジスタ（１５６）のドレインが前記ロジック回路の前記出力（１６２）に結合され、前記第２のトランジスタ（１５６）のゲートが第２の入力信号に結合される、第２のトランジスタ（１５６）と、
ソース、ドレイン、およびゲートを有する第２の極性の第３のトランジスタ（１５８）であって、前記第３のトランジスタ（１５８）のソースが第３の入力信号に結合され、前記第３のトランジスタ（１５８）のドレインが前記ロジック回路の前記出力（１６２）に結合され、前記第３のトランジスタ（１５８）のゲートが前記第１の入力信号に結合される、第３のトランジスタ（１５８）と
を備え、
ソースが前記第１の入力信号の補数に結合され、ドレインが前記ロジック回路の前記出力に結合され、ゲートが前記第２の入力信号に結合される、前記ソース、前記ドレイン、および前記ゲートを有する第４のトランジスタを、前記ロジック回路は有さないものであり、
前記第３の入力信号が前記第２の入力信号の補数であり、
前記第３のトランジスタ（１５８）のソースが、前記第２の極性の型の１以上の他のトランジスタ（２２０）を介して前記第３の入力信号に結合される、
ロジック回路。
【請求項３】
出力を有するロジック回路であって、
ソース、ドレイン、およびゲートを有する第１の極性の第１のトランジスタ（２１６）であって、前記第１のトランジスタ（２１６）のソースが電源電圧に結合され、前記第１のトランジスタ（２１６）のドレインが前記ロジック回路の出力（２２４）に結合され、前記第１のトランジスタ（２１６）のゲートが第１の入力信号に結合される、第１のトランジスタ（２１６）と、
ソース、ドレイン、およびゲートを有する前記第１の極性の第２のトランジスタ（２１４）であって、前記第２のトランジスタ（２１４）のソースが前記電源電圧に結合され、前記第２のトランジスタ（２１４）のドレインが前記ロジック回路の前記出力（２２４）に結合され、前記第２のトランジスタ（２１４）のゲートが第２の入力信号に結合される、第２のトランジスタ（２１４）と、
ソース、ドレイン、およびゲートを有する前記第１の極性の第３のトランジスタ（２１２）であって、前記第３のトランジスタ（２１２）のソースが前記電源電圧に結合され、前記第３のトランジスタ（２１２）のドレインが前記ロジック回路の前記出力（２２４）に結合され、前記第３のトランジスタ（２１２）のゲートが第３の入力信号に結合される、第３のトランジスタ（２１２）と、
ソース、ドレイン、およびゲートを有する第２の極性の第４のトランジスタ（２１８）であって、前記第４のトランジスタ（２１８）のドレインが前記ロジック回路の前記出力（２２４）に結合され、前記第４のトランジスタ（２１８）のゲートが前記第２の入力信号に結合される、第４のトランジスタ（２１８）と、
ソース、ドレイン、およびゲートを有する前記第２の極性の第５のトランジスタ（２２０）であって、前記第５のトランジスタ（２２０）のソースが第４の入力信号に結合され、前記第５のトランジスタ（２２０）のドレインが前記第４のトランジスタ（２１８）の前記ソースに結合され、前記第５のトランジスタ（２２０）のゲートが前記第１の入力信号に結合される、第５のトランジスタ（２２０）と
を備え、
ソースが前記第１または第２の入力信号の補数に結合され、ドレインが前記ロジック回路の前記出力に結合され、ゲートが前記第１、第２、または第３の入力信号に結合される、前記ソース、前記ドレイン、および前記ゲートを有する第６のトランジスタを、前記ロジック回路は有さないものである、
ロジック回路。
【請求項４】
請求項３に記載のロジック回路であって、前記第４の入力信号が前記第３の入力信号の補数である、ロジック回路。
【請求項５】
請求項４に記載のロジック回路であって、前記第１のトランジスタ（２１６）、前記第２のトランジスタ（２１４）、および前記第３のトランジスタ（２１２）がＮ型の極性を有する、ロジック回路。
【請求項６】
１以上の入力信号にロジック機能を行う方法であって、
第１の入力信号と第２の入力信号との何れかが第１のロジック状態にあるときに、出力端子（１６２）を電源電圧（１６０）へ選択的に結合するステップと、
前記第１の入力信号が第２のロジック状態にあるときに、前記出力端子（１６２）を第３の入力信号（１６４）へ選択的に結合するステップであって、前記第３の入力信号（１６４）は前記第２の入力信号の補数である、ステップと、
前記第２の入力信号が前記第２のロジック状態であるときに、前記出力端子を第４の入力信号へ選択的に結合しないステップであって、前記第４の入力信号は前記第１の入力信号の補数である、ステップと
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月28日(2008.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁放射用のカメラ・システムであって、当該カメラ・システムが、固体基板内に集積されているイメージング・センサ内にピクセルの構成を有し、本質的に前記ピクセルの各々が、
第二導電型の領域によって少なくとも部分的に囲まれていて、これによって検出接合の領域を形成する第一導電型の領域を有し、かつ
当該検出接合の少なくとも一部が、当該検出接合より上の前記基板の表面の平面に対して実質的に直交している、
カメラ・システム。
【請求項２】
当該第二導電型の前記領域上のエリア部分内に集積されている少なくとも一つの動作トランジスタを更に有する、請求項1に記載のカメラ・システム。
【請求項３】
前記第一導電型の前記領域が、少なくとも一つのコンタクトエリアを含み、かつ当該カメラ・システムが、少なくとも当該第一導電型の当該領域および当該検出接合の当該領域の当該基板上に入射する放射によって生成される電荷担体を、当該コンタクトエリア内に収集するための手段を有する、請求項1に記載のカメラ・システム。
【請求項４】
前記第二導電型の前記領域が、前記第一導電型の前記領域をその側面に沿って囲んでいる、請求項1に記載のカメラ・システム。
【請求項５】
前記第二導電型の前記領域が、少なくとも二つの隣接するピクセル間で共有され、かつ当該第二導電型の当該領域が、接地されている、請求項1に記載のカメラ・システム。
【請求項６】
当該第一領域が、不活性化層によって少なくとも部分的におおわれていて、オプションとして、当該不活性化層が、前記第一領域との滑らかなインタフェースを、規定している、請求項1に記載のカメラ・システム。
【請求項７】
前記コンタクトエリアが、前記不活性化層を含む層をさえぎる前記基板の盛り上がり部分にある、請求項6に記載のカメラ・システム。
【請求項８】
当該イメージング・センサ上に入射する前記放射を、当該第一導電型の当該領域内および当該接合領域内に、向けるためのマイクロレンズ・システムを更に有し、かつ前記入射する放射の特性を感知するフィルタを有する、請求項1に記載のカメラ・システム。
【請求項９】
当該センサが、STIオプションを含む0.18μm以下のゲート長のCMOSプロセスに従ってシリコン基板内に集積されている、請求項1に記載のカメラ・システム。
【請求項１０】
固体基板内の集積回路であって、当該固体基板に集積されている電磁放射用の検出器を有し、当該基板が、第一導電率の第一領域および第二導電率の第二領域を有し、当該第一領域が、当該第二領域と隣接し、かつ当該第一および第二領域が、検出接合を形成し、当該検出接合の少なくとも一部が当該検出接合の上の前記基板の表面の平面に対して実質的に直交している、集積回路。
【請求項１１】
当該第一領域および当該第二領域が、前記基板の前記表面層内に位置し、かつ当該第一領域の少なくとも一部が、不活性化層でおおわれている、請求項10に記載の集積回路。
【請求項１２】
当該不活性化層が、前記基板材料の少なくとも一つの盛り上がり部分によってさえぎられ、コンタクトエリアが前記盛り上がり部分の範囲内にある、請求項11に記載の集積回路。
【請求項１３】
当該第二領域が、当該第一領域を囲んでおり、かつ当該第二領域が、接地されている、請求項12に記載の集積回路。
【請求項１４】
当該検出器が、電磁放射用のイメージング・センサの一部であり、当該センサが、ピクセルの構成を有し、かつ少なくとも一つのピクセルが、感光素子として、ｐ型導電率で、約1015〜1017/cm3の範囲のドーピンング・レベルの第二領域と、ｎ型導電率で、約1015〜1017/cm3の範囲のドーピンング・レベルの 第一領域との接合を含み、少なくとも当該第一領域が、約0.3〜1.5μmの範囲の深さを有する、請求項10に記載の集積回路。
【請求項１５】
電磁放射用のカメラ・システムを製作する方法であって、当該カメラ・システムが、第二導電型の固体基板内に集積されているイメージング・センサ内にピクセルの構成を有し、前記方法が、
当該基板内に第一導電型の領域を規定するステップと、
当該基板の当該第一導電型の当該領域と隣接する第二導電型の領域を規定し、これによって接合領域を形成するステップと、
前記第一導電型の前記領域の前記基板の少なくとも一部をエッチングし、これによって当該基板にトレンチを形成するステップと、
前記エッチングされたトレンチに不活性化材料を充填するステップと、
前記第一導電型の前記領域を接触させるのための、かつ少なくとも当該第一導電型の当該領域および当該接合領域の当該基板に入射する放射によって生成される電荷担体を、前記第一導電型の前記領域を接触させるための当該手段に、収集するための手段を、設けるステップとを有する方法。
【請求項１６】
電磁放射用のカメラ・システムを動作する方法であって、当該カメラ・システムが、固体基板内に集積されているイメージング・センサ内にピクセルの構成を有し、本質的に、前記ピクセルの各々が、第二導電型の領域によって少なくとも部分的に囲まれ、これによって接合領域を形成する、第一導電型の領域を有し、かつ前記第一導電型の前記領域が、少なくとも一つのコンタクトエリアを含み、前記方法が、少なくとも当該第一導電型の当該領域および当該接合領域の当該基板に入射する放射によって生成されている電荷担体を、当該コンタクトエリア内に収集するように、前記第一導電型の前記領域および前記第二導電型の前記領域を構成するステップを有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月13日(2008.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 基板と、
前記基板上に配設されるフォトダイオードのアレイと、
前記基板上に直接配設される少なくとも１本のデータ線と、
前記少なくとも１本のデータ線と前記フォトダイオードのアレイとの間に結合される複数のスイッチング素子であって、前記複数のスイッチング素子は、電界効果トランジスタを含み、前記電界効果トランジスタのためのソース電極が、前記少なくとも１本のデータ線上に延在し、前記イメージャは、前記電界効果トランジスタのゲートと前記電界効果トランジスタのソース／ドレイン対との間に結合される半導体アイランドを更に含み、前記半導体アイランドは、前記ソースと前記少なくとも１本のデータ線との間に延在する、複数のスイッチング素子と、
前記ゲートに結合される少なくとも１本の走査線とを含むイメージャ。
【請求項２】 前記少なくとも１本のデータ線は、約１ミクロンの太さである請求項１記載のイメージャ。
【請求項３】 前記トランジスタは、薄膜トランジスタである請求項１記載のイメージャ。
【請求項４】 前記半導体アイランドは、ほぼ真性のシリコンから成る請求項１記載のイメージャ。
【請求項５】 前記半導体アイランドは、Ｎ＋不純物添加シリコンから成る請求項１記載のイメージャ。
【請求項６】 前記少なくとも１本のデータ線は、傾斜した側部を有する請求項１記載のイメージャ。
【請求項７】 前記少なくとも１本のデータ線と前記ゲートとの間に位置する絶縁層と、 前記絶縁層のビアを介して前記少なくとも１本のデータ線と前記ソースとを電気的に結合する導電性材料とを更に含む請求項１記載のイメージャ。
【請求項８】 前記複数のスイッチング素子は、電界効果トランジスタを含み、前記電界効果トランジスタのためのソース電極が、前記少なくとも１本のデータ線と前記少なくとも１本の走査線が重複する領域を除いた前記少なくとも１本のデータ線上に延在する請求項１記載のイメージャ。
【請求項９】 イメージャを形成する方法において、
基板を用意することと、
前記基板上に直接配設される少なくとも１本のデータ線を形成することと、
前記基板上に配設されるフォトダイオードのアレイを形成することと、
前記少なくとも１本のデータ線と前記フォトダイオードのアレイとの間に結合される複数のスイッチング素子を形成することであって、
前記複数のスイッチング素子を形成することは、ゲートのソース／ドレインを含む電界効果トランジスタを形成することと、前記基板上に少なくとも１本の走査線を形成することと、前記ソースを前記少なくとも１本のデータ線上に延在させることとから成り、前記方法は、半導体アイランドを形成することと、前記ゲートと前記ソース／ドレインとの間に前記半導体アイランドを結合することと、前記半導体アイランドを前記ソースと前記少なくとも１本のデータ線との間に延在させることを更に含む、前記複数のスイッチング素子を形成することと、
前記少なくとも１本の走査線を前記ゲートに結合することと、
から成る方法。
【請求項１０】 前記少なくとも１本のデータ線を形成することは、前記少なくとも１本のデータ線が約１ミクロンの太さを有するように形成することから成る請求項９記載の方法。
【請求項１１】 前記電界効果トランジスタが、薄膜トランジスタである請求項９記載の方法。
【請求項１２】 前記半導体アイランドを形成することは、前記基板上に配設されるほぼ真性のシリコンの層を形成することと、 前記ほぼ真性のシリコンの層に不純物を添加することとから成る請求項９記載の方法。
【請求項１３】 前記ほぼ真性のシリコンの層に不純物を添加することは、Ｎ＋の導電性を有するように不純物を添加することから成る請求項１２記載の方法。
【請求項１４】 前記少なくとも１本のデータ線を形成することは、傾斜した側部を有する前記少なくとも１本のデータ線を形成することから成る請求項９記載の方法。
【請求項１５】 前記複数のスイッチング素子を形成することは、ソースを含む電界効果トランジスタを形成することと、前記ソースを前記少なくとも１本のデータ線と前記少なくとも１本の走査線が重複する領域を除いた前記少なくとも１本のデータ線上に延在させることとから成る請求項９記載の方法。
【請求項１６】 前記少なくとも１本のデータ線と前記ゲートとの間に絶縁層を配置することと、
前記絶縁層のビアを介して導電性材料を前記少なくとも１本のデータ線と前記ソースとに電気的に結合することとを更に含む請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月4日(2007.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板内に形成されたＰ型ウエルと、
前記Ｐ型ウエルの上に形成された酸化物層と、前記酸化物層の上に形成された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲートの上に形成された分離層と、前記分離層上に形成された制御ゲートと、を含むメモリ・セルと、
前記Ｐ型ウエルの上に形成された酸化物層と、前記酸化物層の上方に形成された制御ゲートと、を含む選択トランジスタと、
前記メモリ・セルの前記制御ゲートと前記選択トランジスタの前記制御ゲートとの間の前記Ｐ型ウエル内に形成され、前記メモリ・セルと前記選択トランジスタとに共用されるＮ型のソース／ドレイン領域と、
を具備し、
前記メモリ・セルの前記酸化物層と前記選択トランジスタの前記酸化物層との厚さは同じであり、
前記ソース／ドレイン領域は、１０１３〜１０１４／ｃｍ２の濃度にドープされていることを特徴とするＮＡＮＤフラッシュ・メモリ。
【請求項２】
前記ソース／ドレイン領域は、砒素が１０１３〜１０１４／ｃｍ２の濃度にドープされていることを特徴とする請求項１記載のＮＡＮＤフラッシュ・メモリ。
【請求項３】
前記酸化物層は、前記メモリ・セルと前記選択トランジスタとの間の前記ソース／ドレイン領域上で分離していることを特徴とする請求項１または２記載のＮＡＮＤフラッシュ・メモリ。
【請求項４】
前記酸化物層の厚さは８５Å〜１０５Åであることを特徴とする請求項１から３記載のＮＡＮＤフラッシュ・メモリ。
【請求項５】
前記選択トランジスタは、前記酸化物層の上に形成された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲートの上に形成された分離層と、を有し、前記制御ゲートは前記分離層上に形成され、前記制御ゲートと前記浮遊ゲートとは短絡されていることを特徴とする請求項１から４の何れか一項記載のＮＡＮＤフラッシュ・メモリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＮＡＮＤフラッシュ・メモリ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
本発明は、一般に、集積回路及びそのような回路に関し、より詳しくは、ＮＡＮＤフラッシュ・メモリに関する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月19日(2008.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体ウェーハを化学機械研磨するための研磨パッドであって、
研磨中第一の磨耗速度を有する研磨面と、
研磨パッドに形成され、研磨面と同じ高さに形成された窓表面を有する窓部と、を含み、
窓表面が、第一の磨耗速度よりも大きい研磨中第二の磨耗速度を有する
ことを特徴とする研磨パッド。
【請求項２】  ウェーハを研磨する装置であって、
表面と研磨中第一の磨耗速度とを有する研磨パッドと、
研磨パッドに形成され、研磨パッド表面と同じ高さに形成された表面を有する窓部と、を含み、
窓部が、第一の磨耗速度に等しいかそれよりも大きい研磨中第二の磨耗速度を有して、窓表面が、研磨中の研磨パッド表面と同じ高さを維持し、
第二の磨耗速度が第一の磨耗速度より５％から２５％大きい
ことを特徴とする装置。
【請求項３】  ウェーハを研磨する装置であって、
表面と研磨中第一の磨耗速度とを有する研磨パッドと、
研磨パッドに形成され、研磨パッド表面と同じ高さに形成された表面を有する窓部と、を含み、
窓部が、第一の磨耗速度に等しいかそれよりも大きい研磨中第二の磨耗速度を有して、窓表面が、研磨中の研磨パッド表面と同じ高さを維持し、
窓部が、光を有意に散乱することなくポリマーマトリックスの磨耗速度を高める働きをする、窓に形成された不連続部を有するポリマーマトリックスを含む、
ことを特徴とする装置。
【請求項４】  不連続部が、固体粒子、流体、ガス及び不混和性のポリマーからなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項３記載の装置。