【手続補正書】
【提出日】平成19年2月8日(2007.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内の載置台に載置された被処理基板に対して、処理ガスのプラズマにより処理を行うプラズマ処理装置において、
前記載置台上の被処理基板を取り囲むように設けられた絶縁材からなるリング部材と、
このリング部材内に設けられた電極と、
前記リング部材上方のプラズマのシース領域を調整するために前記電極に直流電圧を印加する直流電源と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
被処理基板に対して第１のプロセスを行うときにはリング部材内の電極に第１の直流電圧を印加し、被処理基板に対して第２のプロセスを行うときにはリング部材内の電極に第２の直流電圧を印加するように印加電圧を切り替えるための手段と、を備えたことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
第１のプロセスは薄膜をエッチングする処理であり、第２のプロセスは前記薄膜とは異なる種類の薄膜をエッチングする処理であることを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
リング部材内の電極は径方向に複数設けられ、これら複数の電極に印加する直流電圧を各々独立して調整できることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
処理容器内の載置台に載置された被処理基板に対して、処理ガスのプラズマにより処理を行うプラズマ処理装置の当該載置台上の被処理基板を取り囲むように設けられる絶縁材からなるリング部材において、
このリング部材の上方のプラズマのシース領域を調整するために直流電圧が印加される電極を内部に備えたことを特徴とするリング部材。
【請求項６】
被処理基板に対して第１のプロセスを行うときには前記電極に第１の直流電圧が印加され、被処理基板に対して第２のプロセスを行うときには前記電極に第２の直流電圧が印加されることを特徴とする請求項５記載のリング部材。
【請求項７】
第１のプロセスは薄膜をエッチングする処理であり、第２のプロセスは前記薄膜とは異なる種類の薄膜をエッチングする処理であることを特徴とする請求項６記載のリング部材。
【請求項８】
リング部材内の電極は径方向に複数設けられ、これら複数の電極に印加する直流電圧を各々独立して調整できることを特徴とする請求項５記載のリング部材。
【請求項９】
処理容器内の載置台に被処理基板を載置する工程と、
前記載置台上の被処理基板を取り囲むように設けられた絶縁材からなるリング部材内に設けられたプラズマシース領域調整用の電極に第１の直流電圧を印加した状態で、処理容器内にプラズマを発生させて被処理基板に第１のプロセスを行う工程と、
次いで前記プラズマシース領域調整用の電極に第２の直流電圧を印加した状態で、処理容器内にプラズマを発生させて被処理基板に第２のプロセスを行う工程と、を含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１０】
基材と、その表面にセラミックスの溶射によって形成された被膜とを有し、
前記被膜を構成するセラミックスは、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔａ、ＣｅおよびＮｄからなる群から選択された少なくとも１種の元素を含み、その少なくとも一部分が樹脂によって封孔処理されていることを特徴とする請求項５記載のリング部材。
【請求項１１】
基材と、その表面にセラミックスの溶射によって形成された被膜とを有し、
前記被膜は、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔａ、ＣｅおよびＮｄからなる群から選択された少なくとも１種の元素を含むセラミックスからなる第１セラミックス層と、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔａ、ＣｅおよびＮｄからなる群から選択された少なくとも１種の元素を含むセラミックスからなる第２セラミックス層とを有し、前記第１および第２のセラミックス層の少なくとも一方の少なくとも一部分が樹脂によって封孔処理されていることを特徴とする請求項５記載のリング部材。
【請求項１２】
基材と、その表面にセラミックスの溶射によって形成された被膜とを有し、
前記被膜を構成するセラミックスは、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔａ、ＣｅおよびＮｄからなる群から選択された少なくとも１種の元素を含み、その少なくとも一部分がゾルゲル法によって封孔処理されていることを特徴とする請求項５記載のリング部材。
【請求項１３】
基材と、その表面にセラミックスの溶射によって形成された被膜とを有し、
前記被膜は、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔａ、ＣｅおよびＮｄからなる群から選択された少なくとも１種の元素を含むセラミックスからなる第１セラミックス層と、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔａ、ＣｅおよびＮｄからなる群から選択された少なくとも１種の元素を含むセラミックスからなる第２セラミックス層とを有し、前記第１および第２のセラミックス層の少なくとも一方の少なくとも一部分がゾルゲル法によって封孔処理されていることを特徴とする請求項５記載のリング部材。
【請求項１４】
基材と、その表面に形成された被膜とを有し、
前記被膜は、セラミックスの溶射によって形成された主層と、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔａ、ＣｅおよびＮｄからなる群から選択された元素を含むセラミックスからなるバリアコート層とを有することを特徴とする請求項５記載のリング部材。
【請求項１５】
基材と、その表面に形成された被膜とを有し、
前記被膜は、セラミックスの溶射によって形成された主層と、前記基材と前記主層との間に形成されたエンジニアリングプラスチックからなるバリアコート層とを有することを特徴とする請求項５記載のリング部材。
【請求項１６】
基材と、その表面に形成された被膜とを有し、
前記被膜は、周期律表第３ａ族に属する少なくとも１種の元素を含むセラミックスからなり、前記被膜の少なくとも一部分が蒸気または高温水によって水化処理されていることを特徴とする請求項５記載のリング部材。
【請求項１７】
基材と、その表面に形成された被膜とを有し、
前記被膜は、周期律表第３ａ族に属する少なくとも１種の元素を含むセラミックスからなる第１セラミックス層と、周期律表第３ａ族に属する少なくとも１種の元素を含むセラミックスからなる第２セラミックス層とを有し、前記第１および第２のセラミックス層の少なくとも一方の少なくとも一部分が蒸気または高温水によって水化処理されていることを特徴とする請求項５記載のリング部材。
【請求項１８】
基材と、その表面に形成された被膜とを有し、
前記被膜は、周期律表第３ａ族に属する少なくとも１種の元素を含むセラミックスからなる第１セラミックス層と、セラミックスの溶射で形成された第２セラミックス層とを有し、前記第１セラミックス層の少なくとも一部分が蒸気または高温水によって水化処理されていることを特徴とする請求項５記載のリング部材。
【請求項１９】
基材と、その表面に形成された被膜とを有し、
前記被膜は、周期律表第３ａ族に属する少なくとも１種の元素を含む水酸化物からなる水酸化物層を有することを特徴とする請求項５記載のリング部材。
【請求項２０】
周期律表第３ａ族に属する少なくとも１種の元素を含むセラミックス焼結体からなり、その少なくとも一部が蒸気または高温水によって水化処理されていることを特徴とする請求項５記載のリング部材。
【請求項２１】
周期律表第３ａ族に属する少なくとも１種の元素を含む水酸化物を含むセラミックス焼結体からなることを特徴とする請求項５記載のリング部材。