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【手続補正書】
【提出日】平成18年11月16日(2006.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
懸濁物質を含んだ被処理水が貯留され、この被処理水をろ過するための浸漬型膜モジュールを備えた浸漬槽と、前記浸漬槽で濃縮された濃縮液を導入して濃縮液中の汚泥を沈降分離する沈降槽とを備え、前記被処理水を外部から前記浸漬槽に導入したのちに前記浸漬型膜モジュールによってろ過して、このろ過によって得たろ過水を前記浸漬槽の外部に引き出すとともに、前記沈降槽に導入した濃縮液から沈降分離した汚泥を沈降槽の下部より外部に引き出し、沈降槽の上澄み液を浸漬槽に返送することを特徴とする膜分離装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１記載の発明は、懸濁物質を含んだ被処理水が貯留され、この被処理水をろ過するための浸漬型膜モジュールを備えた浸漬槽と、前記浸漬槽で濃縮された濃縮液を導入して濃縮液中の汚泥を沈降分離する沈降槽とを備え、前記被処理水を外部から前記浸漬槽に導入したのちに前記浸漬型膜モジュールによってろ過して、このろ過によって得たろ過水を前記浸漬槽の外部に引き出すとともに、前記沈降槽に導入した濃縮液から沈降分離した汚泥を沈降槽の下部より外部に引き出し、沈降槽の上澄み液を浸漬槽に返送することを特徴とする。また、前記膜分離装置においては、浸漬槽は下部に傾斜面を有していることが好ましい。また、前記膜分離装置においては、浸漬槽は下部にスクレーパー、水中ミキサーが備えられていることが好ましい。また、前記膜分離装置においては、沈降槽は下部に傾斜面を有していることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記請求項１記載の発明によれば、浸漬型膜モジュールを備えた浸漬槽内では、懸濁物質の濃度が上昇すると、それに伴って粒子同士が集合し、干渉しながら沈降する干渉沈降が起こり、浸漬槽から沈降槽に、沈降性の高い懸濁物質を多く含んだ濃縮液を導入することができる。そして、沈降槽では、このような濃縮液が導入されるため、短時間で懸濁物
質の濃度が低い上澄み液を得ることができて、これを浸漬槽に返送することができる。従って、浸漬槽内の懸濁物質の濃度を低レベルに保つことができ、浸漬型膜モジュールの目詰まり等の問題を解消して、膜分離装置の、長期間に渡る、安定した運転を可能とする。また、沈降槽内では、浸漬槽内での干渉沈降より速やかな干渉沈降によって効率よく沈降汚泥を引き抜くことができるので、後処理を経て廃棄するコストの削減ができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月28日(2006.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  正極、負極および電解質を有し、上記負極が集電材の少なくとも一方の面に負極合剤層を形成したものからなり、該負極合剤層の充電後と放電後の最大体積変化率が８％以上である非水二次電池において、上記負極の集電材の破断伸び率が５％以上８％以下であることを特徴とする非水二次電池。
【請求項２】  上記負極の集電材の濡れ性が接触角で４０度未満である請求項１記載の非水二次電池。
【請求項３】  電極積層体単位体積当たり通常充電での容量が１３０ｍＡｈ／ｃｍ３以上である請求項１または２記載の非水二次電池。
【請求項４】  液状電解質中に誘電率が３０以上の環状構造エステルが液状電解質の全溶媒中の４０体積％未満含まれている請求項１〜３のいずれかに記載の非水二次電池。
【請求項５】
負極活物質として（００２）面の層間距離ｄ００２が３．５Å以下である炭素材料を用いた請求項１〜４のいずれかに記載の非水二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、正極、負極および電解質を有し、上記負極が集電材の少なくとも一方の面に負極合剤層を形成したものからなり、該負極合剤層の充電後と放電後の最大体積変化率が８％以上である非水二次電池において、負極の集電材として破断伸び率が５％以上８％以下のものを用いることによって、過充電時においても負極の集電材に亀裂、切断などが発生するのを防止し、上記課題を解決したものである。また、負極の集電材として、上記特性に加えて、濡れ性が接触角で４０度未満のものを用いることによって、サイクル特性の劣化をより効率よく防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月15日(2006.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】  前記入力画像は医療画像であり、前記基準画像は、前記入力画像と同一の部位を示すことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この手法の第１段階は、基準画像としての元のＸ線画像（差分する前の画像（両者の平均でも可）又は標準的なＸ線画像のヒストグラム平坦化を行う階調変換テーブル（第３の階調補正条件）を作成し、その逆変換テーブル（第１の階調補正条件）を作成することである（第１の階調補正条件を求める手段）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
次の第２の段階では、入力画像としてのエネルギーサブトラクションされた画像に対して、やはりヒストグラム平坦化を行う階調変換テーブル（第２の階調補正条件）を作成し（第２の階調補正条件を求める手段）、同一の画像に対してその階調変換テーブルを通過させ、階調変換を行う。この段階で、一般の任意の画像のヒストグラムは平坦化される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
次に、原画像であるメモリ７又は８の画像又はそれらを平均した画像のヒストグラムデータから（５）式に従ってヒストグラム平坦化を行うためのＬＵＴデータを作成し、その逆関数を演算した後、ＬＵＴ１５へ記憶する（ステップＳ２）。最終段階で、エネルギーサブトラクションされた画像データを順次メモリ１２から読み出し、ＬＵＴ１４で数値変換した後、変換されたデータをさらにＬＵＴ１５で数値変換する（階調補正を行う手段）。この変換した画像データを階調変換された画像として順次メモリ１３へ格納し、これをメモリ１２の全データについて行う（ステップＳ３〜Ｓ６）。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月29日(2007.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジスト膜を形成するための高分子樹脂と、
露光によってフォトレジスト膜の溶解度を変化させる感光性化合物と、
溶媒として５０〜７０重量部：５〜１５重量部：２〜１０重量部の割合で混合した３−メトキシブチルアセテート、２−ヘプタノン、４−ブチロラクトンと、
を含むポジティブ型フォトレジスト組成物。
【請求項２】
前記高分子樹脂としてはノボラック樹脂を使用し、前記感光性化合物としてはジアジド系化合物を使用することを特徴とする請求項１に記載のポジティブ型フォトレジスト組成物。
【請求項３】
フォトレジスト組成物全体のうちの高分子樹脂の含量は１０重量％〜２５重量％、感光性化合物は４重量％〜１０重量％であり、溶媒の量は６５重量％〜８５重量％であることを特徴とする請求項１に記載のポジティブ型フォトレジスト組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月10日(2007.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光交差接続スイッチ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ本の入力光ファイバ（12）とＭ本の出力光ファイバ（14）との間で光信号を経路指定するための光交差接続スイッチ（10）において、
Ｎ×Ｍ配列の光学的切換部材（15、16）を設け、それぞれの光学的切換部材（15、16）は、光信号を前記入力光ファイバ（12）の一つから前記出力光ファイバ（14）の一つに送り、それぞれの光学的切換部材（15、16）は、切換材料の層（34）と、前記切換材料の層（34）を被覆する第１および第２の透明な電極（32、35）と、前記切換材料の層（34）に隣接する水素貯蔵材料（33）の層とを含み、前記切換材料は、第１および第２の状態を有し、前記第１の状態において前記光信号に対して透明であるとともに、前記第２の状態において前記光信号を反射し、前記切換材料の前記状態は、前記切換材料中の水素濃度によって定められ、前記水素貯蔵材料は、第１の電位差が前記第１および第２の電極（32、35）に与えられた場合に前記切換材料に水素を供給し、第２の電位差が前記第１および第２の電極（32、35）に与えられた場合に前記切換材料から水素を吸収する、光交差接続スイッチ（10）。
【請求項２】
前記水素貯蔵材料が、ＫＯＨからなる、請求項１に記載の光交差接続スイッチ（10）。
【請求項３】
前記水素貯蔵材料が、水素イオンを埋め込まれた透明な導体からなる、請求項１に記載の光交差接続スイッチ（10）。
【請求項４】
前記切換材料が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびその水素化物のグループから選択された材料からなる、請求項１に記載の光交差接続スイッチ（10）。
【請求項５】
前記光学的切換部材（15、16）は、前記切換材料が前記第２の状態にある場合に前記光信号を反射する平面からなる、請求項１に記載の光交差接続スイッチ（10）。
【請求項６】
前記光学的切換部材（15、16）は、前記切換材料が前記第２の状態にある場合に、対応する入力光ファイバから対応する出力光ファイバに像を結ぶ放物面からなる、請求項１に記載の光交差接続スイッチ（10）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この発明の上述の実施例は、平面状の切換部材を使用している。しかしながら、当該技術に通常の知識を有する者であれば、上述の説明からその他の形状に容易に到達することができよう。例えば、切換部材のそれぞれは、切換部材に関係する対応する入力光ファイバから対応する出力光ファイバに光を伝達するために放物状の反射鏡のような形状に到達することができよう。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月10日(2007.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ライトデータバス、アドレスバスおよび前記複数の構成可能な周辺装置インターフェイスの各々に対するラインを有するモジュールセレクトバスを含む構成バスと、
複数の構成可能な周辺装置インターフェイスであって、各々が前記構成可能な周辺装置の構成を制御するデータを格納する少なくとも１つのメモリマップレジスタを有しかつ対応する周辺装置を接続するように動作することができ、前記複数の構成可能な周辺装置インターフェースは前記構成バスにチェーン接続され、各々が前記モジュールセレクトバスの対応するライン上の第１のデジタル状態の信号に応答して前記構成バスの前記データバス上のデータを読み出し、前記モジュールセレクトバスの前記対応するライン上の前記第１のデジタル状態とは反対の第２のデジタル状態の信号に関して前記構成バスの前記アドレスバス上のアドレスに対応するメモリマップレジスタ内に前記リードデータを格納して前記構成バスの前記データバスおよびアドレスバス上の信号を無視する前記複数の構成可能な周辺装置インターフェイスと、
前記構成バスに接続される構成コントローラであって、前記構成バスのライトデータバスを介して前記複数の構成可能な周辺装置インターフェイスの各々の前記少なくともメモリマップレジスタに構成データを書き込むように動作することができる構成コントローラと、
を含むデータ処理装置。
【請求項２】  請求項１に記載のデータ処理装置であって、
前記構成バスはさらに前記複数の構成可能な周辺装置インターフェイスの各々に対するラインを有するモジュール肯定応答バスを含み、
前記構成バスの前記アドレスバス上のアドレスに対応するメモリマップレジスタ内への前記リードデータの格納が完了したら、前記複数の構成可能な周辺装置インターフェイスの各々が前記モジュール肯定応答バスの対応するライン上に肯定応答信号を発生する、データ処理装置。
【請求項３】  請求項１に記載のデータ処理装置であって、
前記構成バスはさらにアクセスラインを含み、
前記複数の構成可能な周辺装置インターフェイスの各々が前記アクセスライン上の第１のデジタル信号に応答して前記構成バスの前記データバス、前記アドレスバスおよび前記モジュールセレクトバス上の信号を無視し、かつ前記アクセスライン上の前記第１のデジタル信号とは反対の第２のデジタル信号に応答して前記構成バスの前記データバス、前記アドレスバスおよび前記モジュールセレクトバスに応答する、データ処理装置。
【請求項４】  請求項１に記載のデータ処理装置であって、
前記複数の構成可能な周辺装置インターフェイスの少なくとも１つがさらに前記構成バスの前記ライトデータバスを介して前記チェイン内の次に上流の構成可能な周辺装置インターフェイスからライトデータを受信する入力と前記チェイン内の次に下流の構成可能な周辺装置インターフェイスへライトデータを供給する出力とを有するライトデータラッチを含み、前記ライトデータラッチはその中にライトデータを一時的に格納するデータ処理装置。
【請求項５】  請求項１に記載のデータ処理装置であって、
前記複数の構成可能な周辺装置インターフェイスの少なくとも１つはさらに、
前記構成バスの前記ライトデータバスを介して前記チェイン内の次に上流の構成可能な周辺装置インターフェイスからライトデータを受信する入力および前記チェイン内の次に下流の構成可能な周辺装置インターフェイスへライトデータを供給する出力を有し、その中にライトデータを一時的に格納するライトデータラッチと、
前記構成可能な周辺装置インターフェイスの前記メモリマップレジスタからリードデータを受信する第１の入力と、前記チェイン内の次に下流の構成可能な周辺装置インターフェイスからリードデータを受信する第２の入力と、出力と制御入力とを有するマルチプレクサと、
前記マルチプレクサの前記出力に接続されている入力および前記チェイン内の次に上流の構成可能な周辺装置インターフェイスへリードデータを供給する出力を有し、その中にリードデータを一時的に格納するリードデータラッチと、
前記モジュールセレクトラインおよび前記マルチプレクサの前記制御入力に接続されたデコーダであって、前記マルチプレクサを制御して前記モジュールセレクトバスの前記対応するラインが前記第１のデジタル状態を有する場合には前記構成可能な周辺装置インターフェイスの前記メモリマップレジスタから前記リードデータを選択し、前記モジュールセレクトバスの前記対応するラインが前記第２のデジタル状態を有する場合には前記チェイン内の次に下流の前記構成可能な周辺装置インターフェイスから前記リードデータを選択するデコーダと、
を含むデータ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月12日(2007.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １つ以上の外部機器を有する消費者電子機器のための、マイクロホンアレイを用いたボイス制御システムであって、
検出した信号を電気信号に変換する複数のマイクロホンであって、１つ以上のマイクロホンが前記外部機器と一体化された複数のマイクロホンと、
前記複数のマイクロホンに接続された中央信号処理ユニットであって、前記信号処理ユニットは前記複数のマイクロホンから受信した前記電気信号を前記ユーザに対する前記マイクロホンのそれぞれの位置に応じてスケーリングまたは処理し、前記それぞれの位置は伝搬遅延の相違により得られる中央信号処理ユニットと、
前記信号処理ユニットからの前記電気信号を前記消費者電子機器の操作コマンドに変換する中央音声認識ユニットと
を有するシステム。
【請求項２】  上記機器は双方向ネットワークを介して接続される、請求項１記載のシステム。
【請求項３】  上記双方向ネットワークはＩＥＥＥ１３９４バスに基づくことを特徴とする、請求項２記載のシステム。
【請求項４】  １つ以上のマイクロホンが追加的に消費者電子機器に一体化される、請求項１または２記載のシステム。
【請求項５】  前記消費者電子機器はテレビジョンセットであり、前記外部機器は外部スピーカである、請求項１または２記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月28日(2007.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  前記レバーと前記受け部材とはリンク機構で連結されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の機械式駐車装置の安全装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  前記機械式駐車装置は、エレベータ方式の駐車装置であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の機械式駐車装置の安全装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月18日(2007.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このように、前述した従来の技術によっても、冷延鋼板の延性向上効果を安定して得ることはできなかった。
また、これら従来の技術により得られる冷延鋼板は、再結晶集合組織の発達が十分ではないために最良の成形性が得られていない。換言すれば、従来の技術により得られる冷延鋼板には、冷延鋼板の成形性をさらに向上することができる余地がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本実施の形態では、さらに、熱延鋼板の等軸フェライト相の全フェライト粒界のうち大角粒界、すなわち隣接するフェライト結晶粒間の方位差が15°以上であるものの割合が70％未満になると、フェライト相の実質上の細粒化の効果が小さくなる。このため、等軸フェライト相の面積率が90％以上であり、等軸フェライト相の平均結晶粒径が20μm 以下であり、さらに後述するように第２相の平均結晶粒径が20μm 以下であっても、熱延鋼板や冷延鋼板の強度と特性とのバランスを良好に維持することができなくなる。そこで、本実施の形態では、全フェライト粒界のうち隣接するフェライト結晶粒間の方位差が15°以上である粒界の占める割合が70％以上であると限定する。なお、隣接するフェライト結晶粒間の方位差は、例えば、電子線後方散乱法(EBSP)によって測定することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
図２は、この試験で得られた結果のうちで、等軸フェライト相を面積率90％以上を含有する熱延鋼板の強度と延性とのバランスに対する、フェライト相および第２相それぞれの平均結晶粒径の関係を示すグラフである。なお、図２のグラフにおける図中の黒塗り印は、鋼の特性がEL≧22＋(7800/TS）を満足するものであり、白抜き印は、鋼の特性がEL＜22＋（7800/TS)であることを示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
さらに、図４および図５には、この鋼組成を有する鋼に熱間圧延を行い、冷延鋼板の引張特性を調査した結果を示す。
図４は、この試験で得られた結果のうち、熱延鋼板が等軸フェライト相を面積率で90％以上含有する場合の冷延鋼板の強度と延性および深絞り性とのバランスに対する熱延鋼板のフェライト相および第２相それぞれの平均結晶粒径の影響を示すグラフである。なお、図４のグラフにおける黒塗り印は、冷延鋼板の特性がEL≧22＋（7800/TS)かつｒm ≧630/TSを満足するものであり、白抜き印は、冷延鋼板の特性がEL＜22＋（7800/TS)またはｒm ＜630 /TS であることを表す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
一方、図５は、この試験で得られた結果のうち、熱延鋼板の等軸フェライト相の平均結晶粒径が0.5 〜20μm 、第２相の平均結晶粒径が0.05〜20μm である鋼の冷延鋼板の強度と延性および深絞り性とのバランスに及ぼす、熱延鋼板の等軸フェライト相および第２相それぞれの面積率の影響を示すグラフである。なお、図中符号は、図２と同様である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
図５に示されているように、熱延鋼板のフェライト相の比率が面積率で90％以上であれば、強度と延性および深絞り性とのバランスともに良好である。なお、図５のグラフから、熱延鋼板のフェライト相の面積率が90％以上であっても、フェライト粒界の70％未満が大角粒界である場合には、強度と延性および深絞り性とのバランスを良好に維持することはできないことがわかる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
本実施例から、本発明で規定する条件を満足するように熱延鋼板の結晶組織を微細化することによって、熱延鋼板の強度と延性とのバランスを向上することができるとともに、このように結晶組織が微細化された熱延鋼板を圧延素材として冷間圧延および焼鈍を行うことによって、焼鈍後の冷延鋼板の強度と延性および深絞り性とのバランスを向上することができることが、わかる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
かかる効果を有する本発明の意義は、極めて大きい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】熱延鋼板の等軸フェライト相の粒界の一例を模式的に示す説明図である。
【図２】等軸フェライト相を面積率90％以上を含有する熱延鋼板の強度と延性とのバランスに対する、フェライト相および第２相それぞれの平均結晶粒径の関係を示すグラフである。
【図３】等軸フェライト相の平均結晶粒径が0.5 〜20μm であって第２相の平均結晶粒径が0.05〜20μm である鋼の強度と延性とのバランスに及ぼす、等軸フェライト相および第２相それぞれの面積率の影響を示すグラフである。
【図４】熱延鋼板が等軸フェライト相を面積率で90％以上含有する場合の冷延鋼板の強度と延性および深絞り性とのバランスに対する熱延鋼板のフェライト相および第２相それぞれの平均結晶粒径の影響を示すグラフである。
【図５】熱延鋼板の等軸フェライト相の平均結晶粒径が0.5 〜20μm 、第２相の平均結晶粒径が0.05〜20μm である鋼の冷延鋼板の強度と延性および深絞り性とのバランスに及ぼす、熱延鋼板の等軸フェライト相および第２相それぞれの面積率の影響を示すグラフである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月20日(2007.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  外部情報処理装置と通信する情報処理装置において、
周辺装置からデバイス情報を取得する取得手段と、
周辺装置のデバイスドライバのインストールを指示する指示手段と、
デバイスドライバのインストール処理を実行するために、外部情報処理装置から設定情報を取得するインストール制御手段と、
を備える情報処理装置。
【請求項２】  所定のユーザインタフェースを表示制御する表示制御手段をさらに備え、
前記指示手段は、前記表示制御手段により表示制御されるユーザインタフェースを介した操作指示により、複数の周辺装置のデバイスドライバをインストール前記指示手段が指示する請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】  前記表示制御手段により表示制御されるユーザインタフェース上のサーバアイコンを選択することにより、前記指示手段は、選択されたサーバアイコンに対応するサーバにより管理される周辺装置のデバイスドライバをインストールする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】  前記指示手段は、前記表示制御手段により表示制御されるユーザインタフェース上の周辺装置を示すアイコンを選択することに応じてインストール指示がなされた場合に、選択された周辺装置のデバイスドライバを前記指示手段がインストール指示する請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項５】  前記インストール制御手段によりインストールされるドライバの設定情報を抽出し、抽出された設定情報を前記外部情報処理装置内に設定情報を登録する登録手段を請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項６】  前記インストール制御手段によるドライバのインストール処理時に、外部情報処理装置から登録済みのドライバの設定情報を取得し、ユーザインタフェース上に表示させるドライバ情報表示制御手段を更に有することを特徴とする請求項５記載の情報処理装置。
【請求項７】  外部情報処理装置と通信する情報処理装置の制御方法において、
周辺装置からデバイス情報を取得する取得工程と、
周辺装置のデバイスドライバのインストールを指示する指示工程と、
デバイスドライバのインストール処理を実行するために、外部情報処理装置から設定情報を取得するインストール制御工程とを備える制御方法。
【請求項８】  コンピュータを、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の情報処理装置として機能させる制御プログラムを前記情報処理装置に実行させる制御プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月9日(2007.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  燃料電池と、過渡応答に対応する電気エネルギーバッファとを備え、負荷電流に要求される値を示す要求負荷信号と前記電気エネルギーバッファの充電状態とに基づいて前記燃料電池に対する燃料の供給量が制御される燃料電池システムにおいて、
前記燃料電池の出力電圧が前記電気エネルギーバッファの無負荷時の出力電圧よりも低くなる高負荷領域では、該燃料電池の目標発電量は該電気エネルギーバッファに対する充電電力が除かれていることを特徴とする燃料電池システム。
【請求項２】 燃料ガスを供給されて発電する燃料電池と、電力を蓄える電気エネルギーバッファと、前記電気エネルギーバッファの残容量に応じて発電の制御を実行する制御装置とを備える燃料電池システムであって、
前記制御装置は、
前記残容量が所定値よりも低下すると、前記電気エネルギーバッファを充電する充電用の発電量を加味して目標発電量を算出する制御と、
前記残容量が所定値よりも低下した場合であっても、前記燃料電池の出力が所定の出力を超えるときは、前記燃料電池による前記電気エネルギーバッファへの充電用の発電量を制限して目標発電量を算出する制御とを実行することを特徴とする燃料電池システム。
【請求項３】 前記制御装置は、
前記電気エネルギーバッファを充電する場合は、前記負荷が必要とする電力量と、前記設定した充電電力量とを合算して目標発電量を算出する制御を実行することを特徴とする請求項２に記載の燃料電池システム。
【請求項４】 前記制御装置は、
前記燃料電池に供給する燃料ガスの量を、前記目標発電量に基づいて設定する制御を実行することを特徴とする請求項２または請求項３に記載の燃料電池システム。
【請求項５】 前記制御装置は、
前記燃料電池から取り出す電流の量を、前記目標発電量に基づいて設定する制御を実行することを特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれか１項に記載の燃料電池システム。
【請求項６】 前記燃料電池の所定の出力は、前記燃料電池のＩＶ特性と、電気エネルギーバッファの開放電圧とに基づいて設定されることを特徴とする請求項２ないし請求項５のいずれか１項に記載の燃料電池システム。
【請求項７】 前記電気エネルギーバッファの残容量と前記燃料電池の出力と前記充電用の発電量の制限値との対応関係を定義した制限情報を記憶した記憶手段を備え、
前記制御装置は、
前記記憶手段に記憶された制限情報を参照して、前記残容量と前記燃料電池の出力とから、前記充電用の発電量の制限値を設定することで、前記電気エネルギーバッファへの充電用の発電量を制限して目標発電量を算出する制御を実行することを特徴とする請求項２に記載の燃料電池システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、請求項１に係る発明は、燃料電池と、過渡応答に対応する電気エネルギーバッファとを備え、負荷電流に要求される値を示す要求負荷信号と前記電気エネルギーバッファの充電状態とに基づいて前記燃料電池に対する燃料の供給量が制御される燃料電池システムにおいて、前記燃料電池の出力電圧が前記電気エネルギーバッファの無負荷時の出力電圧よりも低くなる高負荷領域では、該燃料電池の目標発電量は該電気エネルギーバッファに対する充電電力が除かれていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２に係る発明は、燃料ガスを供給されて発電する燃料電池と、電力を蓄える電気エネルギーバッファと、前記電気エネルギーバッファの残容量に応じて発電の制御を実行する制御装置とを備える燃料電池システムであり、前記制御装置は、前記残容量が所定値よりも低下すると、前記電気エネルギーバッファを充電する充電用の発電量を加味して目標発電量を算出する制御と、前記残容量が所定値よりも低下した場合であっても、前記燃料電池の出力が所定の出力を超えるときは、前記燃料電池による前記電気エネルギーバッファへの充電用の発電量を制限して目標発電量を算出する制御とを実行することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３に係る発明は、前記制御装置は、前記電気エネルギーバッファを充電する場合は、前記負荷が必要とする電力量と、前記設定した充電電力量とを合算して目標発電量を算出する制御を実行することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項４に係る発明は、前記制御装置は、前記燃料電池に供給する燃料ガスの量を、前記目標発電量に基づいて設定する制御を実行することを特徴とする。
請求項５に係る発明は、前記制御装置は、前記燃料電池から取り出す電流の量を、前記目標発電量に基づいて設定する制御を実行することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項６に係る発明は、前記燃料電池の所定の出力は、前記燃料電池のＩＶ特性と、電気エネルギーバッファの開放電圧とに基づいて設定されることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項７に係る発明は、前記電気エネルギーバッファの残容量と前記燃料電池の出力と前記充電用の発電量の制限値との対応関係を定義した制限情報を記憶した記憶手段を備え、前記制御装置は、前記記憶手段に記憶された制限情報を参照して、前記残容量と前記燃料電池の出力とから、前記充電用の発電量の制限値を設定することで、前記電気エネルギーバッファへの充電用の発電量を制限して目標発電量を算出する制御を実行することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月15日(2007.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 無電極ランプの安定器に設けられて、前記無電極ランプの選択的な調光の為に直流−交流変換器の出力を減らす調光回路に於て、第１の調光用スイッチと、前記第１の調光用スイッチと直列に接続された第２の調光用スイッチと、前記第１の調光用スイッチに接続された第１の端及び前記第２の調光用スイッチに接続された第２の端を持つ電圧源と、前記第１及び第２の調光用スイッチに供給される変調信号を発生するように構成された信号源とを有し、前記変調信号を受取ったときに、前記第１及び第２の調光用スイッチが作動開始して、前記第１及び第２の調光用スイッチに電流が流れ、これによって前記直流−交流変換器の出力が減少することを特徴とする調光回路。
【請求項２】 前記安定器回路が負荷回路を含み、該負荷回路が前記無電極ランプを含むと共に、共振インダクタンス、共振静電容量及び無線周波インダクタを含み、前記直流−交流変換器が該負荷回路に交流電流を誘起するために該負荷回路に結合されており、前記直流−交流変換器は、（ａ）直流電圧を持つ母線導体と基準導体との間に直列に接続されると共に、共通接続点で一緒に接続され、該接続点に前記交流負荷電流が流れる第１及び第２のスイッチと、（ｂ）前記第１及び第２のスイッチを前記共通接続点以外の場所で接続する制御接続点とを有し、この制御接続点と前記共通接続点との間の電圧により前記スイッチの導電状態が決定され、更に前記安定器回路が、前記第１及び第２のスイッチを再生的に制御するゲート駆動装置を有し、該ゲート駆動装置は、（ａ）前記共通接続点及び前記制御接続点の間に接続されていて、前記交流負荷電流の瞬時変化率に比例する電圧がその中に誘起されるように前記共振インダクタに相互結合された駆動用インダクタと、（ｂ）該駆動用インダクタに直列接続されていて、直列接続された前記駆動用インダクタ及び当該第２のインダクタが前記共通接続点及び前記制御接続点の間に接続され、当該第２のインダクタが、その中に電圧が誘起されるように前記電圧源に相互結合されている第２のインダクタと、（ｃ）前記共通接続点及び前記制御接続点の間に接続されて、前記共通接続点に対する前記制御接続点の電圧の正及び負の振れを制限する両方向電圧クランプとを有している、請求項１記載の調光回路。
【請求項３】 前記第１の調光用スイッチ及び前記第２の調光用スイッチがＭＯＳＦＥＴである、請求項１記載の調光回路。
【請求項４】 前記ＭＯＳＦＥＴが真性ダイオードを含んでいる、請求項３記載の調光回路。
【請求項５】 前記電圧源が、調光回路のインダクタに誘導結合された直流−交流変換器のインダクタである、請求項１記載の調光回路。
【請求項６】 無電極ランプを含むと共に、共振インダクタンス、共振静電容量及び無線周波インダクタを含む共振負荷回路と、前記共振負荷回路に結合されていて、前記共振負荷回路に交流電流を誘起する直流−交流変換器回路であって、当該直流−交流変換器の電圧がその両端に発生されるインダクタを含む直流−交流変換器回路と、前記直流−交流変換器回路の動作を制御する駆動装置と、前記直流−交流変換器回路の電圧出力を制限する調光回路とを有し、前記調光回路は、（ａ）第１の調光用スイッチ、（ｂ）該第１の調光用スイッチと直列に接続された第２の調光用スイッチ、（ｃ）前記第１の調光用スイッチに接続された第１の端及び前記第２の調光用スイッチに接続された第２の端を持つ電圧源、及び（ｄ）前記第１及び第２の調光用スイッチに供給される変調信号を発生するように構成された信号源で構成されており、前記変調信号を受取ったときに、前記第１及び第２の調光用スイッチの作動が開始されて、前記第１及び第２の調光用スイッチを通って電流が流れることにより、前記直流−交流変換器の出力が低下することを特徴とする、無電極ランプ用の安定器回路。
【請求項７】 無電極蛍光ランプを付勢する無線周波インダクタに対する電圧を発生する直流−交流変換器を持つ安定器によって付勢される無電極蛍光ランプを調光する方法に於て、無線周波インダクタに供給された電圧に比例する電圧源を形成し、信号源からスイッチング回路に変調信号を供給し、前記変調信号が前記スイッチング回路に供給されたときに、選ばれたデューティ・サイクルの間、前記スイッチング回路をターンオンする各工程を含み、前記スイッチング回路が作動されているときに、前記スイッチング回路に電流が流れて、前記安定器のスイッチング周波数を増加させることにより、無線周波インダクタに供給される電圧を低下させ、前記スイッチング回路の反復的な作動及び不作動によってランプのルーメン出力を変更させて、無電極ランプの出力の知覚し得る調光を行うことを特徴とする調光方法。
【請求項８】 前記スイッチング回路のデューティ・サイクルが、前記変調信号の１サイクルの２０％乃至１００％の間、前記無電極ランプをオン状態にするように調節自在である、請求項７記載の方法。
【請求項９】 前記変調信号が２ｋＨｚである、請求項７又は８記載の方法。
【請求項１０】 前記変調信号が前記安定器回路より遠隔の場所から制御される、請求項７乃至９のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子的にアクセス可能なリソースの記述方法であって、
記述スキームを読み込むステップであって、前記記述スキームが、リソースに関する記述中に記述子要素の定義を含む宣言型記述定義言語を使用し、リソース属性をその属性を表す表現値と関連付けるように前記記述子要素の各々を定義し、少なくとも１つの前記記述子要素の定義が、リソースに関する記述中の関連する記述子要素のインスタンス生成を行うための処理用コードの参照を前記記述子要素の定義と関連付けるように成されるステップと、
前記処理用コードを実行することによって前記リソースに関する記述を生成するステップと、を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記記述は、人間と機械の双方によって解釈することができることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記電子的にアクセス可能なリソースがデジタル・コンテンツから成るマルチメディア・アイテムであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記電子的にアクセス可能なリソースがワールド・ワイド・ウェブで入手可能な電子文書またはリソースであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記電子的にアクセス可能なリソースが電子装置であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記記述子のインスタンス生成のための処理用コードが、関連する記述子ハンドラによって与えられることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記記述子が前記処理用コードによってオプションとしてインスタンス生成されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
記述子要素のインスタンス生成のための前記処理用コードがデジタル信号処理技術を用いて前記電子的にアクセス可能なリソースを解釈することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
クロス・プラットフォーム計算言語を用いて前記記述子ハンドラが実行されることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項１０】
記述子ハンドラによって所定のプログラミング用インターフェースが達成されることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項１１】
所定のプログラミング用インターフェースが前記記述スキームで指定されることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
所定のプログラミング用インターフェースが前記記述スキームで参照されることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
前記記述子ハンドラがオブジェクト指向プログラミング言語によって定義されるクラスであることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項１４】
前記関連する記述スキームと同じ記憶場所に記述子ハンドラが格納されることを特徴とする請求項６記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、電子的にアクセス可能なリソースについて記述する方法が提供される。前記方法は、記述スキームを読み込むステップであって、前記記述スキームが、リソースに関する記述中に記述子要素の定義を含む宣言型記述定義言語を使用し、リソース属性をその属性を表す表現値と関連付けるように前記記述子要素の各々を定義し、少なくとも１つの前記記述子要素の定義が、リソースに関する記述中の関連する記述子要素のインスタンス生成を行うための処理用コードの参照を前記記述子要素の定義と関連付けるように成されるステップと、前記処理用コードを実行することによって前記リソースに関する記述を生成するステップと、を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月23日(2007.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を２次元コード・パターンに符号化する２次元コード・パターン生成方法であって、
符号化すべき情報を入力するステップと、
入力された前記情報を符号化する１つ以上の位相螺旋を利用して位相摂動パターンを生成するステップと、
前記位相摂動パターンを用いて２次元空間搬送波を位相変調することにより人工２次元コード・パターンを生成するステップと、
を含むことを特徴とする２次元コード・パターン生成方法。
【請求項２】
前記２次元コード・パターンｆ（ｘ，ｙ）が次の式で表わされ、
ｆ（ｘ，ｙ）＝ａ（ｘ，ｙ）＋ｂ（ｘ，ｙ）ｃｏｓ（φ（ｘ，ｙ））
上式でａ（ｘ，ｙ）はバックグラウンド強度レベルであり、ｂ（ｘ，ｙ）は振幅変調期間であり、φ（ｘ，ｙ）が位相変調された前記２次元空間搬送波の位相であることを特徴とする請求項１に記載の２次元コード・パターン生成方法。
【請求項３】
前記位相が前記位相摂動パターンの２次元多項式関数であることを特徴とする請求項２に記載の２次元コード・パターン生成方法。
【請求項４】
前記位相φ（ｘ，ｙ）が次の式で表わされ、
φ（ｘ，ｙ）＝２πｗOr + ψ（ｘ，ｙ）
ｒ2＝ｘ2＋ｙ2
上式でψ（ｘ，ｙ）が前記位相摂動パターンであることを特徴とする請求項２に記載の２次元コード・パターン生成方法。
【請求項５】
前記位相摂動パターンψ（ｘ，ｙ）が次の式で表わされ、
ψ（ｘ，ｙ）＝ΣnＳnｔａｎ-1[(ｙ−ｙn)/(ｘ−ｘn)]
上式でＳｎが螺旋電荷であり、また（ｘｎ，ｙｎ）が前記位相摂動パターンでの螺旋位置であることを特徴とする請求項４に記載の２次元コード・パターン生成方法。
【請求項６】
人工２次元コード・パターンから情報を復号する２次元コード・パターン復号方法であって、
前記２次元コード・パターンを生成するために用いられたものと一致するものとして知られた２次元空間搬送波を用意するステップと、
前記２次元コード・パターン内で、１つ以上の位相螺旋を含む前記２次元空間搬送波の位相摂動を検出するステップと、
前記位相螺旋から前記情報を復号するステップと、
を含むことを特徴とする２次元コード・パターン復号方法。
【請求項７】
前記２次元コード・パターンが次の式で表わされ、
ｆ（ｘ，ｙ）＝ａ（ｘ，ｙ）＋ｂ（ｘ，ｙ）ｃｏｓ（φ（ｘ，ｙ））＋ｎ（ｘ，ｙ）
上式でｎ（ｘ，ｙ）がランダムな雑音であり、
ａ（ｘ，ｙ）がバックグラウンド強度レベルであり、
ｂ（ｘ，ｙ）が振幅変調項であり、
φ（ｘ，ｙ）が摂動を伴う搬送波パターンの位相であることを特徴とする請求項６に記載の２次元コード・パターン復号方法。
【請求項８】
情報を２次元コード・パターンに符号化するための２次元コード・パターン生成装置であって、
符号化すべき情報を入力する手段と、
入力された前記情報を符号化する１つ以上の位相螺旋を利用して位相摂動パターンを生成する手段と、
前記位相摂動パターンを用いて２次元空間搬送波を位相変調することにより人工２次元コード・パターンを生成するための手段と、
を含むことを特徴とする２次元コード・パターン生成装置。
【請求項９】
前記２次元コード・パターンｆ（ｘ，ｙ）が次の式で表わされ、
ｆ（ｘ，ｙ）＝ａ（ｘ，ｙ）＋ｂ（ｘ，ｙ）ｃｏｓ（φ（ｘ，ｙ））
上式でａ（ｘ，ｙ）はバックグラウンド強度レベルであり、ｂ（ｘ，ｙ）は振幅変調期間であり、φ（ｘ，ｙ）が位相変調された前記２次元空間搬送波の位相であることを特徴とする請求項８に記載の２次元コード・パターン生成装置。
【請求項１０】
人工２次元コード・パターンから整数のシーケンスを復号するための２次元コード・パターン復号装置であって、
前記２次元コード・パターンを生成するために用いられたものと一致するものとして知られた２次元空間搬送波を用意する手段と、
前記２次元コード・パターン内で、１つ以上の位相螺旋を含む、前記２次元空間搬送波の位相摂動を検出するための手段と、
前記位相螺旋から前記情報を復号するための手段と、
を含むことを特徴とする２次元コード・パターン復号装置。
【請求項１１】
前記２次元コード・パターンｆ（ｘ，ｙ）が次の式で表わされ、
ｆ（ｘ，ｙ）＝ａ（ｘ，ｙ）＋ｂ（ｘ，ｙ）ｃｏｓ（φ（ｘ，ｙ））＋ｎ（ｘ，ｙ）
上式でｎ（ｘ，ｙ）がランダムな雑音であり、
ａ（ｘ，ｙ）がバックグラウンド強度レベルであり、
ｂ（ｘ，ｙ）が振幅変調項であり、
φ（ｘ，ｙ）が摂動を伴う搬送波パターンの位相であることを特徴とする請求項１０に記載の２次元コード・パターン復号装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の態様に係る２次元コード・パターン生成方法は、情報を２次元コード・パターンに符号化する２次元コード・パターン生成方法であって、符号化すべき情報を入力するステップと、入力された情報を符号化する１つ以上の位相螺旋を利用して位相摂動パターンを生成するステップと、位相摂動パターンを用いて２次元空間搬送波を位相変調することにより人工２次元コード・パターンを生成するステップと、を含むことを特徴とする。
本発明の第２の態様に係る２次元コード・パターン復号方法は、人工２次元コード・パターンから情報を復号する２次元コード・パターン復号方法であって、２次元コード・パターンを生成するために用いられたものと一致するものとして知られた２次元空間搬送波を用意するステップと、２次元コード・パターン内で、１つ以上の位相螺旋を含む２次元空間搬送波の位相摂動を検出するステップと、位相螺旋から情報を復号するステップと、を含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の第３の態様に係る２次元コード・パターン生成装置は、情報を２次元コード・パターンに符号化するための２次元コード・パターン生成装置であって、符号化すべき情報を入力する手段と、入力された情報を符号化する１つ以上の位相螺旋を利用して位相摂動パターンを生成する手段と、位相摂動パターンを用いて２次元空間搬送波を位相変調することにより人工２次元コード・パターンを生成するための手段と、を含むことを特徴とする。
本発明の第４の態様に係る２次元コード・パターン復号装置は、人工２次元コード・パターンから整数のシーケンスを復号するための２次元コード・パターン復号装置であって、２次元コード・パターンを生成するために用いられたものと一致するものとして知られた２次元空間搬送波を用意する手段と、２次元コード・パターン内で、１つ以上の位相螺旋を含む、２次元空間搬送波の位相摂動を検出するための手段と、位相螺旋から情報を復号するための手段と、を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月2日(2007.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気光学装置および電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体上に設けられた活性層と、前記活性層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを有し、
前記活性層は、ソース領域と、ドレイン領域と、複数のチャネル形成領域と、前記複数のチャネル形成領域の間に設けられた不純物領域とを有し、
前記複数のチャネル形成領域と前記不純物領域とは、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なるように設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
絶縁体上に設けられた複数の活性層と、前記複数の活性層それぞれの上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜それぞれの上に設けられたゲート電極とを有し、
前記複数の活性層の少なくとも１つは、ソース領域と、ドレイン領域と、複数のチャネル形成領域と、前記複数のチャネル形成領域の間に設けられた不純物領域とを有し、
前記複数のチャネル形成領域と前記不純物領域とは、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なるように設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記不純物領域には、５×１０１９〜３×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度で１５族に属する元素が含まれていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
絶縁体上に画素部と駆動回路部とを有し、
前記画素部と前記駆動回路部はＴＦＴを有し、
前記画素部に形成されるＴＦＴは、活性層と、前記活性層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを有し、
前記活性層は、ソース領域と、ドレイン領域と、複数のチャネル形成領域と、前記複数のチャネル形成領域の間に低濃度不純物領域と高濃度不純物領域とを有し、
前記複数のチャネル形成領域と前記低濃度不純物領域と前記高濃度不純物領域とは、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なるように設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記低濃度不純物領域には２×１０１６〜５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度で１５族に属する元素が含まれ、前記高濃度不純物領域には５×１０１９〜３×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度で前記元素が含まれていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記駆動回路部に形成されるＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚は、前記画素部に形成されるＴＦＴの前記ゲート絶縁膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一において、
前記駆動回路部に形成されるＴＦＴのゲート絶縁膜と前記画素部に形成される保持容量の誘電体とは同一材料からなり、且つ、膜厚が同一であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の電気光学装置を表示部として備えたことを特徴とする電子機器。