Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月11日(2007.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に窒化物半導体からなる層が複数積層されて、活性層をｐ型クラッド層とｎ型クラッド層とで挟み込む構造を有すると共に、ストライプ形状の導波路領域を有する半導体レーザ素子であって、
前記ストライプ形状の導波路領域が、ストライプ形状の第１の凸部と、該第１の凸部における一方の端部に延在した第２の凸部と、第２の凸部に延在する第３の凸部と、を有すると共に、共振器反射面が、前記第１の凸部端部と、第２の凸部側面のうち第１の凸部に離間した外部側面と、に設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記第１の凸部のストライプ幅が、５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記第２の凸部に設けられた共振器反射面と、第１の凸部との距離が、５μｍ以下であることを特徴とする請求項２又は３記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記第１の凸部上面に接して電極が設けられていると共に、該電極が第１の凸部の端部に達しない長さであることを特徴とする請求項１乃至３記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記第３の凸部は、前記第１の凸部を挟む開口部を挟むように形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記第３の凸部は、共振器の外周を囲むように形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
基板上に、ｐ型クラッド層とｎ型クラッド層とで活性層を挟む構造の半導体層が積層され、エッチングにより該半導体層の一部を除去することで形成された第１の凸部にストライプ形状の導波路領域を有するレーザ素子の製造方法であって、
前記基板上に窒化物半導体からなる層を積層した後、エッチングにより前記ストライプ形状の第１の凸部と、第１の凸部から離間する第３の凸部と、を形成するエッチング工程と、エッチング工程の後、第１の凸部上で第１の凸部のストライプ方向にほぼ垂直な面で基板を分割して、共振器反射面を形成する基板分割工程と、を具備してなることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項８】
前記エッチング工程において、第１の凸部の少なくとも一方の端部に第１の凸部のストライプ幅より広い第２の凸部を形成することを特徴とする請求項７に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項９】
前記エッチング工程において、前記積層した半導体層の一部を除去することで露出した第１の表面上に前記第１の凸部と第２の凸部とを形成した後、該第１の表面より深くエッチングし、前記半導体層中に前記第１の凸部に離間して、電極形成面を設けることを特徴とする請求項８に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１０】
前記エッチング工程において、第１の凸部のストライプ方向にほぼ垂直で第１の凸部とは離間した外部側面を、前記第２の凸部に形成して共振器反射面とすることを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１１】
前記エッチング工程において、ほぼ矩形状の開口部を設けることで該開口部に挟まれる第１の凸部を形成することを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第３の凸部は、前記開口部を挟むように形成することを特徴とする請求項１１に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１３】
前記第３の凸部は、第２の凸部に延在するように形成することを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１４】
前記エッチング工程において、エッチングにより前記第１の表面上に、少なくとも第１の凸部と、第１の凸部よりストライプ幅の広い第２の凸部とを、それぞれ複数有するストライプ形状の凸部を形成した後、該ストライプ形状の凸部を分断するようにエッチングして、該前記外部側面を第２の凸部に形成することを特徴とする請求項８乃至１３記載のいずれか１項に半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１５】
前記第３の凸部は、共振器の外周を囲むように形成することを特徴とする請求項８乃至１４のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月4日(2007.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
例えば、基体上に形成されたランドをカメラを用いて光学的に認識し、認識したランドの位置についてのデータを位置データとして用いて、該ランド上に導電性粒子の接合パターンを形成するようにする。ここで、ランドの認識は、カメラによって得た画像を信号化し、該画像中の濃淡（またはコントラスト）あるいは色信号などを、予め設定したランドおよび／または基体本体についてのデータと比較することにより行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月4日(2007.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２６】  転写する手段が、光導電体と基体との間に電界を発生させることにより接合パターンを転写する、請求項１５〜２５のいずれかに記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
例えば、基体上に形成されたランドをカメラを用いて光学的に認識し、認識したランドの位置についてのデータを位置データとして用いて、該ランド上に導電性粒子の接合パターンを形成するようにする。ここで、ランドの認識は、カメラによって得た画像を信号化し、該画像中の濃淡（またはコントラスト）あるいは色信号などを、予め設定したランドおよび／または基体本体についてのデータと比較することにより行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月24日(2007.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ウェハ処理装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  伸びと縮みの動作を行うアーム機構部と、
前記アーム機構部の先部に取り付けられ、かつウェハを載置する爪付き把持プレートと、
前記アーム機構部を回転させる回転機構部と、
前記回転機構部および前記アーム機構部を支持するベースと、
前記ベースの上に位置不変の第１および第２の光センサと、
を備えたロボットアームを有し、並びに、
ウェハ処理を行う真空容器を有し、
前記ウェハが第１の位置にあるときにおける、前記第１の光センサによる検出結果と前記第２の光センサによる検出結果との第１の組合せ結果と、
前記ウェハが第２の位置にあるときにおける、前記第１の光センサによる検出結果と前記第２の光センサによる検出結果との第２の組合せ結果と、に基づいて前記ウェハの位置ずれの有無を判定するウェハ位置ずれ検出装置を備えたことを特徴とするウェハ処理装置。
【請求項２】  前記の第１と第２の光センサは共に開口部を持つコ字型形態を有し、前記第１の光センサは前記ロボットアームの伸縮方向に向かって前記開口部を向けて配置され、前記第２の光センサは前記伸縮方向に直交する方向に向かって前記開口部を向けて配置されることを特徴とする請求項２記載のウェハ処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウェハ処理装置に関し、特に、ウェハ処理装置内に設けられたウェハ搬送装置においていかなる方向にウェハ位置ずれが生じてもできるだけ少ない数のセンサで確実に検出し得る装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の目的は、上記の問題を解決しかつ上記要望に応えるものであり、ウェハ処理装置において正常位置に対してどの方向に位置ずれが生じても確実に位置ずれを検出でき、さらに少数の光学的センサを用いて検出できるウェハ位置ずれ検出装置を備えたウェハ処理装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【課題を解決するための手段および作用】
本発明に係るウェハ処理装置は、上記目的を達成するために次のように構成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明に係るウェハ処理装置は、伸びと縮みの動作を行うアーム機構部と、アーム機構部の先部に取り付けられ、かつウェハを載置する爪付き把持プレートと、アーム機構部を回転させる回転機構部と、回転機構部およびアーム機構部を支持するベースと、ベースの上に位置不変の第１および第２の光センサとを備えたロボットアームを有し、並びに、ウェハ処理を行う真空容器を有し、さらに、ウェハが第１の位置にあるときにおける、第１の光センサによる検出結果と第２の光センサによる検出結果との第１の組合せ結果と、ウェハが第２の位置にあるときにおける、第１の光センサによる検出結果と第２の光センサによる検出結果との第２の組合せ結果と、に基づいてウェハの位置ずれの有無を判定するウェハ位置ずれ検出装置を備えたことを特徴とする。
上記の構成において、好ましくは、第１と第２の光センサは共にウェハが入り込む開口部を持つコ字型形態を有し、第１光センサは上記ロボットアームの伸縮方向に向かって上記開口部を向けて配置され、第２光センサは伸縮方向に直交する方向に向かって上記開口部を向けて配置される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月7日(2007.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  抵抗値が温度上昇とともに増大する第一抵抗素子と、前記第一抵抗素子と並列に接続される第一スイッチとを有する第一の抵抗グループと、
前記第一抵抗素子の抵抗値以上の抵抗値を有し、抵抗値が温度上昇とともに増大する第二抵抗素子と、前記第二抵抗素子と並列に接続される第二スイッチとを有し、前記第一の抵抗グループに直列接続される第二の抵抗グループと、
抵抗値が温度上昇とともに減少する第三抵抗素子と、前記第三抵抗素子と並列に接続される第三スイッチとを有し、前記第一の抵抗グループに直列接続される第三の抵抗グループと、
を備え、前記第一〜第三の抵抗グループに電流を流して基準電圧を出力する基準電圧発生回路と、
前記第二スイッチおよび前記第三スイッチのいずれかひとつを導通状態にする制御回路と、
を備えることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】  前記第一抵抗素子と前記第二抵抗素子が、MOSトランジスタのチャネル抵抗であり、
前記第三抵抗素子が、ドレイン電極とゲート電極とが互いに接続されたMOSトランジスタのドレイン電極とソース電極の間の抵抗であることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】  前記基準電圧発生回路が、
抵抗値が温度上昇とともに増大する第四抵抗素子と、前記第四抵抗素子と並列に接続される第四スイッチとを有し、前記第一の抵抗グループに直列接続される第四の抵抗グループと、
前記第一抵抗素子および前記第二抵抗素子の各ゲート電極に、特定電圧又は前記第三抵抗素子のドレイン電圧を印加するための第五スイッチと、
をさらに備え、
前記制御回路が、前記第四スイッチおよび第五スイッチのいずれかひとつを導通状態にすることを特徴とする請求項２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】  特定電圧が印加されるゲート電極を持つ第一のMOSトランジスタと、前記第一のMOSトランジスタと並列に接続される第一スイッチとを備える第一の抵抗グループと、
前記特定電圧が印加されるゲート電極を持ち前記第一のMOSトランジスタ以上のチャネル抵抗を有する第二のMOSトランジスタと、前記第二のMOSトランジスタと並列に接続される第二スイッチとを有し、前記第一の抵抗グループに直列接続される第二の抵抗グループと、
ゲート電極とドレイン電極とが互いに接続された第三のMOSトランジスタと、前記第三のMOSトランジスタと並列に接続される第三スイッチとを有し、前記第一の抵抗グループに直列接続される第三の抵抗グループと、
を備え、前記第一〜第三の抵抗グループに電流を流して基準電圧を出力する基準電圧発生回路と、
前記第二スイッチおよび前記第三スイッチのいずれかひとつを導通状態にする制御回路と、
を備えることを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月1日(2006.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ケース5の底部に直立するごとくコア1が樹脂により固着され、前記ケース5の内部にボビン2が配置され、前記ボビン2の内側に一次コイル3が巻回され、前記ボビン2の外側に設けられた鍔部2aに二次コイル4が巻回され前記二次コイルの先端部はハイテンションコード6に接続され、前記コア1にはヨーク7が接続されたイグニッションコイルにおいて、前記コア1の向かい合う辺部に複数個の切り欠き1aを設け、前記切り欠き1a同士を互い違いに配置した事を特徴とするイグニッションコイル。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月15日(2007.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電子受容型の電荷輸送層と、電子供与型の電荷輸送層と、これらの電荷輸送層間に存在する光吸収層とを少なくとも有する光電変換装置であって、前記電子受容型及び電子供与型の電荷輸送層のいずれか一方が２種類以上の異なった様態もしくは組成の混合物から成る半導体層であり、且つ該混合物の少なくとも１種類が針状結晶であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】  前記針状結晶の直径が１μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】  前記針状結晶の直径に対する長さの比率をアスペクト比とするとき、該アスペクト比が５以上であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】  前記針状結晶の直径に対する前記針状結晶の長さの比率、又は前記針状結晶の横切断面の重心を通る最小長さに対する前記針状結晶の長さの比率をアスペクト比とするとき、該アスペクト比が１０以上であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項５】  前記針状結晶の一端が基板上に設けられた電極に接合しており、該針状結晶の軸方向と該基板の主面とのなす角が６０゜以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】  前記混合物中の針状結晶以外の半導体が直径１００ｎｍ以下の微粒子であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】  前記微粒子が、針状結晶の表面に存在することを特徴とする請求項６に記載の光電変換装置。
【請求項８】  前記光吸収層の材料が色素であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】  前記混合物が金属酸化物であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】  前記混合物の少なくとも１種類が酸化チタンであることを特徴とする請求項９に記載の光電変換装置。
【請求項１１】  前記混合物の少なくとも１種類が酸化亜鉛であることを特徴とする請求項９に記載の光電変換装置。
【請求項１２】  前記混合物の少なくとも１種類が酸化錫であることを特徴とする請求項９に記載の光電変換装置。
【請求項１３】  前記針状結晶の一部が多数の微細孔を有する微細孔層の該微細孔内に存在することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光電変換装置に関し、特に電子受容型の電荷輸送層と、電子供与型の電荷輸送層と、これらの電荷輸送層間に存在する光吸収層とを少なくとも有する光電変換装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は本発明の光電変換装置により解決できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
すなわち、本発明の光電変換装置は、電子受容型の電荷輸送層と、電子供与型の電荷輸送層と、これらの電荷輸送層間に存在する光吸収層とを少なくとも有する光電変換装置であって、前記電子受容型及び電子供与型の電荷輸送層のいずれか一方が２種類以上の異なった様態もしくは組成の混合物から成る半導体層であり、且つ該混合物の少なくとも１種類が針状結晶であることを特徴とするものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月15日(2007.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電子受容型の電荷輸送層と、電子供与型の電荷輸送層と、これらの電荷輸送層間に存在する光吸収層とを少なくとも有する光電変換装置であって、前記電子受容型及び電子供与型の電荷輸送層のいずれか一方が薄片状結晶から成る半導体層を含んでいることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】  電子受容型の電荷輸送層と、電子供与型の電荷輸送層と、これらの電荷輸送層間に存在する光吸収層とを少なくとも有する光電変換装置であって、前記電子受容型及び電子供与型の電荷輸送層のいずれか一方が少なくとも２種類以上の異なった様態もしくは組成の混合物から成る半導体層であり、且つ該混合物の少なくとも１種類が薄片状結晶であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】  前記混合物中の薄片状結晶以外の半導体が直径１００ｎｍ以下の微粒子であることを特徴とする請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】  前記微粒子が、薄片状結晶の表面に存在することを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項５】  前記薄片状結晶の厚みが１００ｎｍ以下であり、且つ厚みに対する面の大きさの比率をアスペクト比とするとき、該アスペクト比が１０以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】  前記薄片状結晶が基板上の電極に対して厚み部位で接合していることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】  前記薄片状結晶の面が平面であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】  前記光吸収層の材料が色素であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】  前記薄片状結晶が金属酸化物であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】  前記金属酸化物が酸化チタンであることを特徴とする請求項９に記載の光電変換装置。
【請求項１１】  前記金属酸化物が酸化亜鉛であることを特徴とする請求項９に記載の光電変換装置。
【請求項１２】  前記金属酸化物が酸化錫であることを特徴とする請求項９に記載の光電変換装置。
【請求項１３】  前記薄片状結晶の一部が多数の微細孔を有する微細孔層の該微細孔内に存在することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光電変換装置に関し、特に電子受容型の電荷輸送層と、電子供与型の電荷輸送層と、これらの電荷輸送層間に存在する光吸収層とを少なくとも有する光電変換装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は本発明の光電変換装置により解決できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
すなわち、本発明の光電変換装置は、電子受容型の電荷輸送層と、電子供与型の電荷輸送層と、これらの電荷輸送層間に存在する光吸収層とを少なくとも有する光電変換装置であって、前記電子受容型及び電子供与型の電荷輸送層のいずれか一方が薄片状結晶から成る半導体層を含んでいることを特徴とするものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、本発明の光電変換装置は、電子受容型の電荷輸送層と、電子供与型の電荷輸送層と、これらの電荷輸送層間に存在する光吸収層とを少なくとも有する光電変換装置であって、前記電子受容型及び電子供与型の電荷輸送層のいずれか一方が少なくとも２種類以上の異なった様態もしくは組成の混合物から成る半導体層であり、且つ該混合物の少なくとも１種類が薄片状結晶であることを特徴とするものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の光電変換装置の構成例を示す図である。図１において、１０は電極付き基板、１１は吸収層修飾薄片状混合結晶層、１２は電荷輸送層、１３は電極付き基板である。電極付き基板１０は例えば透明電極層１５が設けられたガラス基板１４からなり、吸収層修飾薄片状混合結晶層１１は半導体薄片状結晶１７とその表面上に形成された光吸収層１６とからなる。半導体薄片状結晶１７は一方の電荷輸送層となり、この電荷輸送層と電荷輸送層１２との間に光吸収層１６が設けられることになる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月12日(2007.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光起電力素子及びその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基体上に少なくとも第一の透明導電層を積層してなる基板上に、少なくとも一組のｐｉｎ接合を持つシリコン系半導体層、第二の透明導電層を積層してなる光起電力素子において、前記シリコン系半導体層が、第一の導電型を示すアモルファス半導体層及び第一の導電型を示し結晶相を含む半導体層を順次積層してなる下地層、結晶相を含むｉ型半導体層、第二の導電型を示す非単結晶半導体層を順次積層したｐｉｎ接合を含み、前記第一の導電型を示す結晶相を含む半導体層の結晶粒径が、前記結晶相を含んだｉ型半導体層に向かって増大していることを特徴とした光起電力素子。
【請求項２】  前記下地層のアモルファス成分に起因するラマン散乱強度が結晶成分に起因するラマン散乱強度以下であることを特徴とした請求項１に記載の光起電力素子。
【請求項３】  前記下地層のドーパント濃度が前記結晶相を含んだｉ型半導体層に向かって減少することを特徴とする請求項１に記載の光起電力素子。
【請求項４】  前記第一の導電型を示し結晶相を含む半導体層の膜厚をｄ、前記第一の導電型を示し結晶相を含む半導体層に含まれる結晶粒径の最も長い部分の長さをｒとしたときに、ｒ／ｄの値が１００以下であることを特徴とした請求項１に記載の光起電力素子。
【請求項５】  基体上に少なくとも第一の透明導電層を積層してなる基板上に、少なくとも一組のｐｉｎ接合を持つシリコン系半導体層、第二の透明導電層を積層してなる光起電力素子において、前記シリコン系半導体層が、第一の導電型を示すアモルファス半導体層及び第一の導電型を示し結晶相を含む半導体層を順次積層してなる下地層、結晶相を含むｉ型半導体層、第二の導電型を示す非単結晶半導体層を順次積層したｐｉｎ接合を含み、前記第一の導電型を示す結晶相を含む半導体層の結晶粒径が、前記結晶相を含んだｉ型半導体層に向かって増大していることを特徴とした光起電力素子の製造方法であって、
前記下地層を、ドーピングしたアモルファス層、ノンドープのアモルファス層を順次堆積した後に、結晶化手段を用いて一部を結晶化することによって形成したことを特徴とする光起電力素子の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微結晶シリコンｉ型層を含むｐｉｎ型半導体層を少なくとも一構成以上堆積して形成される太陽電池、センサー等の光起電力素子及びその製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、基体上に少なくとも第一の透明導電層を積層してなる基板上に、少なくとも一組のｐｉｎ接合を持つシリコン系半導体層、第二の透明導電層を積層してなる光起電力素子において、前記シリコン系半導体層が、第一の導電型を示すアモルファス半導体層及び第一の導電型を示し結晶相を含む半導体層を順次積層してなる下地層、結晶相を含むｉ型半導体層、第二の導電型を示す非単結晶半導体層を順次積層したｐｉｎ接合を含み、前記第一の導電型を示す結晶相を含む半導体層の結晶粒径が、前記結晶相を含んだｉ型半導体層に向かって増大していることを特徴とした光起電力素子の製造方法であって、前記下地層をドーピングしたアモルファス層、ノンドープのアモルファス層を順次堆積した後に、結晶化手段を用いて一部を結晶化することによって形成したことを特徴とする光起電力素子の製造方法を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記半導体層は、高周波を用いたプラズマＣＶＤ法によって作成することが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記結晶化手段としては、レーザー照射あるいは加熱処理を用いることが好ましい。前記高周波の周波数は１０ＭＨｚ以上１０ＧＨｚ以下であることが好ましい。前記基体は導電性基体であることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、前記第一の導電型を示し結晶相を含む半導体層の膜厚をｄ、前記第一の導電型を示し結晶相を含む半導体層に含まれる結晶粒径の最も長い部分の長さをｒとしたときに、ｒ／ｄの値が１００以下であることを特徴とする光起電力素子を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月12日(2007.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光学系を介して入射する入射光を撮像手段において光電変換し、変換された撮像信号を該撮像手段から読み出して画像データとした後、信号処理を施す撮像装置において、該装置は、
前記撮像手段に対し、前記撮像信号の電子シャッタパルス、および前記撮像信号の読出しパルスを生成するとともに、前記電子シャッタパルスの位置または前記読出しパルスの位置に対応して生じる前記画像データの画素欠陥補正位置を示す欠陥補正パルスを生成するタイミング発生手段と、
該生成した電子シャッタパルスを前記撮像手段の駆動信号に変換する駆動信号生成手段と、
前記画像データに対して補正、および記録用の信号処理を施すとともに、前記電子シャッタパルスまたは前記読出しパルスが、前記撮像信号の有効画像期間内に位置するときに、前記電子シャッタパルス、前記読出しパルス、ならびに前記欠陥補正パルスのいずれかに応じて前記画素データに対する欠陥補正処理を施す信号処理手段と、を含むことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】  光学系を介して入射する入射光を光電変換し、変換された撮像信号を画像データとした後、信号処理を施す撮像装置の駆動方法において、該方法は、
前記撮像信号の撮像期間を決定する電子シャッタパルスおよび前記撮像信号の読出しパルス、ならびに前記電子シャッタパルスの位置または前記読出しパルスの位置に対応して生じる前記画像データの画素欠陥補正位置を示す欠陥補正パルスを生成する第１の工程と、
該生成したパルスに応じて露出し、得られた撮像信号を読み出す第２の工程と、
該読み出した撮像信号を前記画像データに変換する第３の工程と、
前記画像データに対して補正、および記録用の信号処理を施すとともに、前記電子シャッタパルスまたは前記読出しパルスが、前記撮像信号の有効画像期間内に位置するときに、前記電子シャッタパルス、前記読出しパルス、ならび前記欠陥補正パルスのいずれかに応じて画素欠陥の位置の画素データを欠陥補正する第４の工程と、を含むことを特徴とする撮像装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月11日(2007.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技機の制御に関連性をもたせた回路を内包するように封止体にて封止し、封止体には前記回路に接続される導電体の内端側を内包する一方、該導電体の外端側を封止体から露出させ、該導電体の外端側を基板側に接続してなる遊技機において、
前記封止体の前記基板側の面を視認可能とする視認用手段を設けたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記視認用手段は、前記基板における、前記封止体の基板側の面に対向する部位に設けられた透視用窓であり、
前記透視用窓は、基板の表裏方向に貫通する開口によって構成されており、
前記開口は、
基板に四方を囲まれた孔、又は、
基板の側方に開口する切欠きによって形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記基板には、透視用窓を構成する開口を閉塞するように、透明又は半透明の板体を設けたことを特徴とする請求項２に記載の遊技機。
【請求項４】
遊技機の制御に関連性をもたせた回路を内包するように封止体にて封止し、封止体には前記回路に接続される導電体の内端側を内包する一方、該導電体の外端側を封止体から露出させ、該導電体の外端側を基板側に接続してなる遊技機において、
前記封止体の前記基板側の面を視認可能とすべく、当該基板を透明又は半透明に形成したことを特徴とする遊技機。
【請求項５】
前記回路及び導電体の全体を封止体外部より視認可能とすべく、前記封止体を透明又は半透明としたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の遊技機。
【請求項６】
前記封止体は、
前記回路を内包する第一封止部と、
第一封止部により封止される部分以外の導電体部分を内包し、かつ当該導電体を封止体外部より視認可能とすべく透明又は半透明とした第二封止部とを備えていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の遊技機。
【請求項７】
前記回路と導電体とは、導電性を有する線状体によって互いに接続されており、
前記第一封止部は単一の封止部によって構成されるとともに前記線状体を内包するものであることを特徴とする請求項６に記載の遊技機。
【請求項８】
前記第二封止部は透明又は半透明の絶縁性樹脂をモールドすることにより一体成形されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月19日(2007.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板を被包するべく第１被包部材及び第２被包部材を有する基板ボックスと、
前記基板ボックスを封印状態に保持する封印手段とを備え、
当該封印手段は、前記第１被包部材に設けられた第１封印部と、前記第２被包部材に設けられた第２封印部と、前記第１及び第２封印部を連結保持可能とする連結保持部材とを具備する遊技機において、
前記基板ボックス及び前記封印手段の少なくとも一方に、前記封印状態にあっては被覆手段で被覆された状態にて収容されてなる収容物を設けるとともに、
前記基板ボックスが開封される際に、前記収容物の収容状態が解除されることに基づき、該収容物が所定の痕跡を残すよう構成したことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記第１封印部及び第２封印部は、それぞれ、前記連結保持部材で連結保持される主封印部と、当該主封印部及び前記基板ボックス間を連結する連結部とを備えているとともに、
前記連結部を破断することで、前記第１被包部材及び第２被包部材の開放が可能となっており、
前記収容物は、前記連結部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記第１封印部及び第２封印部は、相互に当接される当接面を有しており、該当接面の少なくとも一方に開口形成された収容部内に前記収容物を設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記収容物は、所定の液状物により構成されており、前記収容状態が解除されて液状物が漏出することで所定の痕跡が残ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月19日(2007.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技機本体に固定される固定部材と、前記固定部材に対し回動可能に設けられた回動部材とを有し、前記回動部材の回動操作量に応じて遊技媒体の発射態様を調整可能な操作部と、
前記回動部材に遊技者が触れていることを検出し、その検出結果に基づき前記遊技媒体の発射を許容し、前記回動部材の操作に基づき前記遊技媒体を発射する遊技媒体発射手段とを備えた遊技機において、
前記回動部材と前記遊技媒体発射手段とは、電気的に導通可能となるよう所定の接続部材により接続されるとともに、
前記接続部材は、そのすべての電気的接点において、少なくとも前記回動部材の回動に伴って前記電気的接点における各部材の接触量が変化しないように接続されていることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
遊技機本体に固定される固定部材と、前記固定部材に対し回動可能に設けられた回動部材とを有し、前記回動部材の回動操作量に応じて遊技媒体の発射態様を調整可能な操作部と、
前記回動部材に遊技者が触れていることを検出し、その検出結果に基づき前記遊技媒体の発射を許容し、前記回動部材の操作に基づき前記遊技媒体を発射する遊技媒体発射手段とを備えた遊技機において、
一端部を前記回動部材に接続し、他端部を前記遊技媒体発射手段に接続することにより、前記回動部材と前記遊技媒体発射手段とを電気的に導通可能とする接続線を備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項３】
前記回動部材の回動操作量は所定量の範囲内で制限されているとともに、
前記接続線は、前記回動操作量に対応するため弛緩した状態で配設されていることを特徴とする請求項２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記回動部材には、その固定部材側とは反対側に回動軸と略直交する略平面部が形成されているとともに、少なくとも前記接続線の回動部材側端部が前記略平面部に取り付けられていることを特徴とする請求項３に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月24日(2007.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  分級の対象となる粒子が収納される直立する筒状の分級筒と、この分級筒の下端に設けられた分級液を流入させる流入手段と、分級筒の上端に設けられた流出口と、先端部が分級筒の内部に挿入されているとともに分級筒の内部において上下に移動できるように設けられた粒子回収管とを備えた重力による沈降を利用した湿式分級装置であって、
前記分級筒内の分級液上昇速度によらず、コントロールバルブにより前記回収管から流出する流量を調整し、前記回収管内の分級液上昇速度を変更することができる
ことを特徴とする湿式分級装置。
【請求項２】  請求項１記載の湿式分級装置を用い、流入手段から流入する分級液の流量を略一定に保つことにより粉粒体の沈降速度と同速度の上昇流を作り、分級筒内部に粒子径に従う層状構造を形成せしめた後、分級液の流量を略一定に保ちつつ、粒子回収管を上方位置から下方位置へ順次移動させることにより回収管を通じて前記層状構造の上層にある粒子から順に回収する湿式分級方法であって、
前記分級筒内における分級液の上昇速度によらず、コントロールバルブにより前記回収管から流出する流量を調整し、前記回収管内における分級液の上昇速度を変更することができる
ことを特徴とする湿式分級方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この湿式分級装置の一実施形態を図１において示すが、本発明の湿式分級装置の構成はこれに限定されるものではない。
図１に示す本発明の湿式分級装置は、図２に示す分級装置において、流出管１４の他に、分級筒１１の上端１１ｂに、先端部が分級筒の内部に挿入された回収管１６を設けたものである。
分級筒１１の上端部１１ｂに形成された回収管１６の挿入口は、シール部材１９によって密封されている。また、回収管１６は、このシール部材１９に対して摺動できるように設けられており、従って、分級筒１１の内部において上下移動が可能である。また、流出管１４と回収管１６の流出側にはそれぞれコントロールバルブ１８を設け、回収管からの流出量を制御できる構成となっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
流量条件は、一貫して３０ｍｌ／分としたが、コントロールバルブ１８により、流出管１４の流量を２６ｍｌ／分、回収管１６の流量を４ｍｌ／分となるように調整した。
これにより、回収管の先端部での分級液上昇速度（Ａ）は８．１５ｍｍ／分、分級筒の内部での分級液上昇速度（Ｂ）は０．１６６ｍｍ／分となり、上記上昇速度（Ａ）は上昇速度（Ｂ）の４９倍となる。
その後、上記流量条件を保ち、１４日かけて層状構造の生成を待った。この間、回収管１６の先端は、分級筒１１の内壁上端から６０ｍｍだけ下ろされた位置に留めた。次に、回収管１６の先端を、分級筒１１の内壁上端から１６０ｍｍの位置まで下げて、１５時間放置した。続いて、これを１０ｍｍ下げては１時間待つ操作を繰り返した。この１時間毎の期間の流出スラリーを１つの分画とし、２４時間で２４分画のサンプルを得た。サンプルはスラリー状であったが、容器（試薬ビン）に溜めたまま１昼夜放置することにより、容器の底に溜まったケーキ状のものとして得られた。ケーキの総量（見かけ体積）は、９．１リットルであった。
各サンプルの平均粒径の範囲は８．４から９．９μｍであり、各分画の分布幅を示すＣＶ値（変動係数）としては、２．３％から２．５％までに入る良好な値を得た。尚、上記ＣＶ値は、下記計算式（１）を用いて算出した。
ＣＶ値＝粒径の標準偏差／粒径の平均値・・・（１）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
比較例１
流出管１４側のバルブを全閉とし、全ての分級液が回収管１６内を流れるようにした以外は、全て実施例１と同様にして分級を行った。従って、回収管の先端部での分級液上昇速度（Ａ）は６１．１ｍｍ／分となり、分級筒の内部での分級液上昇速度（Ｂ）（０．１６６ｍｍ／分）の３６９倍となる。
得られた各サンプルの平均粒径の範囲は８．４から１０．２μｍであり、各分画の分布幅をホすＣＶ値（変動係数）としては、２．３％から２．７％までに入る値であった。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月4日(2007.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 触媒表面に有孔性陽イオン交換樹脂を備えたことを特徴とする複合触媒。
【請求項２】  有孔性陽イオン交換樹脂を備えた複合触媒を製膜することによって触媒層を製作することを特徴とする燃料電池用触媒層の製造法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による第一の発明は、複合触媒が、触媒表面に有孔性陽イオン交換樹脂を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明による第二の発明は、前記複合触媒において、触媒重量に対する有孔性陽イオン交換樹脂量が１．０〜１００ｗｔ％であること特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明による第三の発明は、前記複合触媒の製造方法において、陽イオン交換樹脂を溶媒に溶解した溶液を触媒の表面に付着させた後、前記陽イオン交換樹脂を相分離させることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明による第四の発明は、前記複合触媒の製造方法において、陽イオン交換樹脂を第１の溶媒に溶解した溶液を触媒の表面に付着させた後、前記陽イオン交換樹脂に対して不溶性でかつ第１の溶媒と相溶性の第２の溶媒により、溶液中の第１の溶媒を抽出することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明による第五の発明は、燃料電池用電極が前記複合触媒を含むことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明による第六の発明は、燃料電池用電極の製造方法において、複合触媒を含む混合物をプレスする工程を経て触媒層を形成することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月18日(2007.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  酸化物担体と酸化物担体の重量に対して０．１〜１０重量％の金属活性種から本質的になる担持触媒であって、細孔容積−細孔直径分布曲線において細孔直径が１０ｎｍ以上の領域に細孔容積のピークが存在する細孔分布を有し、メジアン径変化率が４％以下であること、前記酸化物担体が、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、シリカ・アルミナ複合酸化物、シリカ・チタニア複合酸化物、シリカ・アルミナ・チタニア複合酸化物及びこれらの物理的混合物からなる群より選ばれた少なくとも一の酸化物であり、かつ０．２〜２．０ｍｌ／ｇの全細孔容積を有すること、および、前記金属活性種が、ルテニウム化合物、ロジウム化合物、パラジウム化合物及び白金化合物からなる群より選ばれた少なくとも一の白金族金属化合物由来であることを特徴とする特徴とするアントラキノン類の水素化触媒。
【請求項２】  細孔直径が１０〜８０ｎｍの領域に前記細孔容積のピークが存在することを特徴とする請求項１記載のアントラキノン類の水素化触媒。
【請求項３】  前記細孔容積−細孔直径分布曲線において、細孔直径が１０ｎｍ以上である領域の全領域に対する面積割合が７５％以上であることを特徴とする請求項１又は２記載のアントラキノン類の水素化触媒。
【請求項４】  前記酸化物担体が、少なくとも無定形シリカを含み、かつ０．２〜２．０ｍｌ／ｇの全細孔容積を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のアントラキノン類の水素化触媒。
【請求項５】  酸化物担体と酸化物担体の重量に対して０．１〜１０重量％の金属から本質的になるアントラキノン類の水素化触媒を製造する方法であり、金属化合物を酸化物担体に担持するのと同時に、又は、担持した後に、酸化物担体を水媒体で接触処理してｐＨ６．０〜１１．０の水媒体を酸化物担体に存在させる工程と、これに引き続く５０℃以上の乾燥温度、酸化物担体の重量に対して０．５５ｍｌ／（ｇ・ｈ）以下の平均蒸発速度で酸化物担体中に残存する水媒体を蒸発させる乾燥処理工程を含むこと、前記酸化物担体が、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、シリカ・アルミナ複合酸化物、シリカ・チタニア複合酸化物、シリカ・アルミナ・チタニア複合酸化物及びこれらの物理的混合物からなる群より選ばれた少なくとも一の酸化物であり、かつ０．２〜２．０ｍｌ／ｇの全細孔容積を有すること、および、前記金属化合物が、ルテニウム化合物、ロジウム化合物、パラジウム化合物及び白金化合物からなる群より選ばれた少なくとも一の白金族金属化合物であることを特徴とするアントラキノン類の水素化触媒の製造方法。
【請求項６】  担持触媒製造時に平均細孔直径を変化させることを特徴とする請求項５記載の製造方法。
【請求項７】  平均細孔直径変化率が２０％以上であることを特徴とする請求項６記載の製造方法。
【請求項８】  前記酸化物担体が、少なくとも無定形シリカを含み、かつ０．２〜２．０ｍｌ／ｇの全細孔容積を有することを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の製造方法。
【請求項９】  前記残存する水媒体のｐＨを、７．０〜１０．５にすることを特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１０】  前記乾燥温度が８０℃〜１５０℃であることを特徴とする請求項５〜９のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１１】  前記残存する水媒体の量が、酸化物担体の全細孔容積に対して０．５〜１．５倍であることを特徴とする請求項５〜１０のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１２】  アントラキノン法による過酸化水素の製造方法であって、請求項１〜４のいずれかに記載の水素化触媒、又は、請求項５〜１１のいずれかに記載の製造方法により製造した水素化触媒の存在下でアントラキノン類の水素化反応を行うことを特徴とする過酸化水素の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月18日(2007.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  酸化物担体と酸化物担体の重量に対して０．１〜１０重量％の金属活性種から本質的になる担持触媒であって、細孔容積−細孔直径分布曲線において細孔直径が１０ｎｍ以上の領域に細孔容積のピークが存在する細孔分布を有すること、前記酸化物担体が、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、シリカ・アルミナ複合酸化物、シリカ・チタニア複合酸化物、シリカ・アルミナ・チタニア複合酸化物及びこれらの物理的混合物からなる群より選ばれた少なくとも一の酸化物であり、かつ０．２〜２．０ｍｌ／ｇの全細孔容積を有すること、および、前記金属活性種が、ルテニウム化合物、ロジウム化合物、パラジウム化合物及び白金化合物からなる群より選ばれた少なくとも一の白金族金属化合物由来であることを特徴とする特徴とするアントラキノン類の水素化触媒。
【請求項２】  細孔直径が１０〜８０ｎｍの領域に前記細孔容積のピークが存在することを特徴とする請求項１記載のアントラキノン類の水素化触媒。
【請求項３】  前記細孔容積−細孔直径分布曲線において、細孔直径が１０ｎｍ以上である領域の全領域に対する面積割合が７５％以上であることを特徴とする請求項１又は２記載のアントラキノン類の水素化触媒。
【請求項４】  前記酸化物担体が、少なくとも無定形シリカを含み、かつ０．２〜２．０ｍｌ／ｇの全細孔容積を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のアントラキノン類の水素化触媒。
【請求項５】  酸化物担体と酸化物担体の重量に対して０．１〜１０重量％の金属から本質的になるアントラキノン類の水素化触媒を製造する方法であり、金属化合物を担持した後に酸化物担体を８０〜２２０℃の水媒体と接触させる処理工程を含むこと、前記酸化物担体が、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、シリカ・アルミナ複合酸化物、シリカ・チタニア複合酸化物、シリカ・アルミナ・チタニア複合酸化物及びこれらの物理的混合物からなる群より選ばれた少なくとも一の酸化物であり、かつ０．２〜２．０ｍｌ／ｇの全細孔容積を有すること、および、前記金属化合物が、ルテニウム化合物、ロジウム化合物、パラジウム化合物及び白金化合物からなる群より選ばれた少なくとも一の白金族金属化合物であることを特徴とするアントラキノン類の水素化触媒の製造方法。
【請求項６】  前記酸化物担体が、少なくとも無定形シリカを含み、かつ０．２〜２．０ｍｌ／ｇの全細孔容積を有することを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】  前記接触処理のｐＨが６．０〜１１．０であることを特徴とする請求項５又は６に記載の製造方法。
【請求項８】  アントラキノン法による過酸化水素の製造方法であって、請求項１〜４のいずれかに記載の水素化触媒、又は、請求項５〜７のいずれかに記載の製造方法により製造した水素化触媒の存在下でアントラキノン類の水素化反応を行うことを特徴とする過酸化水素の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月19日(2007.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】物品表面の洗浄方法と洗浄装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】物品の表面にイオン化された気体を照射することで静電気を除去する静電気除去工程と、前記物品の表面にレーザー光を照射することで前記物品の表面の汚染物質を除去する汚染物質除去工程と、を同時に行なうことを特徴とする物品表面の洗浄方法。
【請求項２】前記物品が、光学素子であることを特徴とする請求項１に記載の物品表面の洗浄方法。
【請求項３】前記気体は、オゾンを混合した気体であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の物品表面の洗浄方法。
【請求項４】物品の表面にイオン化された気体を照射することで静電気を除去する静電気除去手段と、前記物品の表面にレーザーを照射することで汚染物質を除去する汚染物質除去手段と、を有し、
前記静電気除去手段と前記汚染物質除去手段とによって、前記静電気除去と汚染物質除去とが同時に行なわれるように構成されていることを特徴とする物品表面の洗浄装置。
【請求項５】前記物品が、光学素子であることを特徴とする請求項４に記載の物品表面の洗浄装置。
【請求項６】前記気体は、オゾンを混合した気体であることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の物品表面の洗浄装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、物品表面の洗浄方法と洗浄装置に関し、例えば、高機能が要求される用途に用いられるレンズ、特に口径が非常に大きくかつ高精度な光学素子等を洗浄する方法およびそこで使用する洗浄機に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、本発明は、上記従来技術の課題を解決し、大口径のレンズにおいてもコンパクトで溶剤等の洗浄液を殆ど使用することなく、紫外領域においてきわめて良好な光学特性を得る洗浄が可能となる物品表面の洗浄方法と洗浄装置を提供することを目的とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を達成するため、つぎの（１）〜（６）のように構成した物品表面の洗浄方法と洗浄装置を提供するものである。
（１）物品の表面にイオン化された気体を照射することで静電気を除去する静電気除去工程と、前記物品の表面にレーザー光を照射することで前記物品の表面の汚染物質を除去する汚染物質除去工程と、を同時に行なうことを特徴とする物品表面の洗浄方法。
（２）前記物品が、光学素子であることを特徴とする上記（１）に記載の物品表面の洗浄方法。
（３）前記気体は、オゾンを混合した気体であることを特徴とする上記（１）または上記（２）に記載の物品表面の洗浄方法。
（４）物品の表面にイオン化された気体を照射することで静電気を除去する静電気除去手段と、前記物品の表面にレーザーを照射することで汚染物質を除去する汚染物質除去手段と、を有し、
前記静電気除去手段と前記汚染物質除去手段とによって、前記静電気除去と汚染物質除去とが同時に行なわれるように構成されていることを特徴とする物品表面の洗浄装置。
（５）前記物品が、光学素子であることを特徴とする上記（４）に記載の物品表面の洗浄装置。
（６）前記気体は、オゾンを混合した気体であることを特徴とする上記（４）または上記（５）に記載の物品表面の洗浄装置。