【手続補正書】
【提出日】平成20年9月25日(2008.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解溶液に半導体集積回路基板を浸漬することによりメッキ表面とサブミクロン径の内部配線凹凸を有する半導体集積回路基板上にＣｕを電気分解メッキするための電気分解めっき組成物であって、以下からなる組成物：
基板上で電気内部配線凹凸内へ電気分解的にＣｕを沈積するに十分な量のＣｕの供給源；および
以下の群から選ばれる化合物からなる抑制剤：
（ｉ）プロピレンオキサイド（ＰＯ）繰り返し単位とエチレンオキサイド（ＥＯ）繰り返し単位とをＰＯ：ＥＯ比で約１：９と約９：１の間の割合による組み合わせからなり、含窒素基に結合している第１の抑制剤化合物で、該第１の抑制剤の分子量は約１０００と約３６００ｇ／ｍｏｌの間にあるものである。
（ｉｉ）プロピレンオキサイド（ＰＯ）繰り返し単位とエチレンオキサイド（ＥＯ）繰り返し単位とをＰＯ：ＥＯ比で約１：９と約９：１の間の割合による組み合わせからなり、含窒素基に結合している第２の抑制剤化合物で、分子量は約１０００と約３０，０００ｇ／ｍｏｌの間にあり、ここで、該第２の抑制剤はアルキル基およびプロピレンオキサイド繰り返し単位を含むブロック共重合体からなる群から選ばれる末端封止部分を含むものである。
（ｉｉｉ）プロピレンオキサイド（ＰＯ）繰り返し単位とエチレンオキサイド（ＥＯ）繰り返し単位とをＰＯ：ＥＯ比で約１：９と約９：１の間の割合による組み合わせからなり、アルキルエーテルアミンである含窒素基に結合している第３の抑制剤化合物で、該第３の抑制剤の分子量は約１０００と約３０，０００ｇ／ｍｏｌの間にあるものである。
（ｉｖ）含窒素基に結合したポリエーテル基からなり、前記ポリエーテル基はプロピレンオキサイド（ＰＯ）繰り返し単位とエチレンオキサイド（ＥＯ）繰り返し単位とをＰＯ：ＥＯ比で約１：９と約９：１の間の割合による組み合わせからなる第４の抑制剤化合物で、該第４の抑制剤の分子量は約１０００と約３０，０００ｇ／ｍｏｌの間にあるものであり、含窒素基の窒素が第四級アミンであるもの。
（ｖ）含窒素基に結合したポリエーテル基からなり、前記ポリエーテル基はプロピレンオキサイド（ＰＯ）繰り返し単位とエチレンオキサイド（ＥＯ）繰り返し単位とをＰＯ：ＥＯ比で約１：９と約９：１の間の割合による組み合わせからなる第５の抑制剤化合物で、該第５の抑制剤の分子量は約１０００と約３０，０００ｇ／ｍｏｌの間にあるものであり、該第５の抑制剤化合物が選択されたときに該組成物が約３０ｇ／Ｌ未満の酸を含むものであるもの。
（ｖｉ）含窒素基に結合したポリエーテル基からなり、前記ポリエーテル基はプロピレンオキサイド（ＰＯ）繰り返し単位とエチレンオキサイド（ＥＯ）繰り返し単位とをＰＯ：ＥＯ比で約１：９と約９：１の間の割合による組み合わせからなる第６の抑制剤化合物で、該第６の抑制剤の分子量は約１０００と約３０，０００ｇ／ｍｏｌの間にあるものであり、該第６の抑制剤化合物が選択されたときに該組成物が約４ｇ／Ｌと約３０ｇ／Ｌの間にある銅イオンを含むものであるもの。
（ｖｉｉ）前記（ｉ）〜（ｖｉ）の組合せ
【請求項２】
プロピレンオキサイド（ＰＯ）繰り返し単位とエチレンオキサイド（ＥＯ）繰り返し単位とをＰＯ：ＥＯ比で約２：３と約３：２の間の割合で組み合わせてなる請求項１の電気分解めっき組成物。
【請求項３】
窒素含有基が少なくとも一つのアミン官能基を含む請求項１または２の電気分解めっき組成物。
【請求項４】
窒素含有基が二つと五つの間のアミン官能基を含む請求項１乃至３のいずれかの電気分解めっき組成物。
【請求項５】
窒素含有基がジアミンからなる請求項１乃至４のいずれかの電気分解めっき組成物。
【請求項６】
窒素含有基がエチレンジアミンとトリエチレングリコールジアミンからなる群から選ばれる基である請求項１乃至５の電気分解めっき組成物。
【請求項７】
抑制剤化合物が以下の構造からなる群から選ばれる構造からなる請求項１または２の電気分解めっき組成物。
2008519908.tif 000001
およびこれらの組み合わせであり、ここで、
Ｒ１は置換または無置換のアルキル基であり；
Ｒ２は、水素原子及びアルキル基からなる群から選択され；
Ｒ３は、プロピレンオキサイド（ＰＯ）繰り返し単位およびエチレンオキサイド（ＥＯ）繰り返し単位をＰＯ：ＥＯ比で約１：９〜約９：１の割合で組み合わせてなり、含窒素基が結合されるポリエーテル基であり；そして
Ｒ４は、水素原子、置換または無置換アルキル基、アリール基、アラルキル基または複素原子含有アリール基からなる群から選択されるものである。
【請求項８】
Ｒ１は炭素数１と８の間のアルキル基であり、そしてＲ１はポリエーテル基が共有結合する他のアミノ基で置換されており、ポリエーテル基はＥＯ繰り返し単位、ＰＯ繰り返し単位及びその組み合わせからなり、その配列はランダム、交互またはブロック配列である請求項７の電気分解メッキ組成物。
【請求項９】
ポリエーテル抑制剤が以下の構造からなる請求項１又は２の電気分解メッキ組成物、
2008519908.tif 000002
ここで、ｎは１と約３０の間にあり、ｍは１と約３０の間にある。
【請求項１０】
ポリエーテル抑制剤が以下の構造からなる請求項１又は２の電気分解メッキ組成物、
2008519908.tif 000003
ここで、ｎは１と約３０の間にあり、ｍは１と約３０の間にある。
【請求項１１】
ポリエーテル抑制剤が、約５０ｍｇ／Ｌと約２００ｍｇ／Ｌの間の濃度で存在する請求項１乃至１０の電気分解メッキ組成物。
【請求項１２】
ＥＰとＰＯ繰り返し単位が、ブロック共重合体で配列している請求項１乃至１１のいずれかの電気分解メッキ組成物。
【請求項１３】
底、側壁および上部開口を有するサブミクロン径の電気内部配線凹凸を備える半導体集積回路機器基板上に電気分解メッキで銅沈積をする方法であって、該方法は以下からなる：
請求項１乃至１２の電気分解メッキ組成物に、底、側壁および上部開口を有するサブミクロン径の電気内部配線凹凸を備える半導体集積回路機器基板を浸漬し、ここで、前記サブミクロン径の凹凸が少なくとも約３：１のアスペクト比を有する高アスペクト比凹凸を有するような次元の高アスペクト比凹凸を含むものであり、
；そして
電気分解メッキ組成物に通電して基板上にＣｕを沈積して、水平方向の成長速度よりも大なる垂直方向の成長速度で急速ボトムアップ沈積することによりサブミクロン径の凹凸を超充填する。
【請求項１４】
底、側壁および上部開口を有するサブミクロン径の電気内部配線凹凸を備える半導体集積回路機器基板上に電気分解メッキで銅沈積をする方法であって、該方法は以下からなる：
基板上でかつ電気内部配線凹凸上へ電気分解でメッキするに十分な量の銅を供給する供給源およびポリエーテル抑制剤化合物を含み、該化合物はプロピレンオキサイド（ＰＯ）繰り返し単位とエチレンオキサイド（ＥＯ）繰り返し単位とをＰＯ：ＥＯ比で約１：９と約９：１の間の割合による組み合わせからなり、アルキルエーテルアミンである含窒素基に結合しており、該抑制剤の分子量は約１０００と約３０，０００ｇ／ｍｏｌの間にあるものである電気分解メッキ組成物に、底、側壁および上部開口を有するサブミクロン径の電気内部配線凹凸を備える半導体集積回路機器基板を浸漬し、ここで、前記サブミクロン径の凹凸が少なくとも約３：１のアスペクト比を有する高アスペクト比凹凸を有するような次元の高アスペクト比凹凸を含むものであり；そして
電気分解メッキ組成物に通電して基板上にＣｕを沈積して、水平方向の成長速度よりも大なる垂直方向の成長速度で急速ボトムアップ沈積することによりサブミクロン径の凹凸を超充填する。
【請求項１５】
プロピレンオキサイド（ＰＯ）繰り返し単位とエチレンオキサイド（ＥＯ）繰り返し単位とがＰＯ：ＥＯ比で約２：３と約３：２の間の割合で存在する請求項１４の方法。
【請求項１６】
窒素含有基が二つと五つの間のアミン官能基を含む請求項１４または１５の方法。
【請求項１７】
窒素含有基がジアミンからなる請求項１４または１５の方法。
【請求項１８】
窒素含有基がエチレンジアミンとトリエチレングリコールジアミンからなる群から選ばれる基である請求項１４または１５の方法。
【請求項１９】
抑制剤化合物が以下の構造からなる群から選ばれる構造からなる請求項１４または１５の方法。
2008519908.tif 000004
およびこれらの組み合わせであり、ここで、
Ｒ１は置換または無置換のアルキル基であり；
Ｒ２は、水素原子及びアルキル基からなる群から選択され；
Ｒ３は、エチレンオキサイド繰り返し単位、プロピレンオキサイド繰り返し単位及びその組み合わせから選択される繰りかえり単位を具備するポリエーテル基であり；そして
Ｒ４は、水素原子、置換または無置換アルキル基、アリール基、アラルキル基または複素原子含有アリール基からなる群から選択される。
【請求項２０】
Ｒ１は炭素数１と８の間のアルキル基であり、そしてＲ１はポリエーテル基が共有結合する他のアミノ基で置換されており、ポリエーテル基はＥＯ繰り返し単位、ＰＯ繰り返し単位及びその組み合わせからなり、その配列はランダム、交互またはブロック配列である請求項１９の方法。
【請求項２１】
ポリエーテル抑制剤が以下の構造からなる請求項１４または１５の方法、
2008519908.tif 000005
ここで、ｎは１と約３０の間にあり、ｍは１と約３０の間にある。
【請求項２２】
ポリエーテル抑制剤が以下の構造からなる請求項１４または１５の方法、
2008519908.tif 000006
ここで、ｎは１と約３０の間にあり、ｍは１と約３０の間にある。
【請求項２３】
ＥＰとＰＯ繰り返し単位が、ブロック共重合体で配列している請求項１４乃至２２のいずれかの方法。
【請求項２４】
ポリエーテル抑制剤が、約５０ｍｇ／Ｌと約２００ｍｇ／Ｌの間の濃度で存在する請求項１４乃至２３のいずれかの方法。