【手続補正書】
【提出日】平成19年5月16日(2007.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下記一般式［１］
【化１】
2001174982.tif 000001
［式中、Ｒ41は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ42は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基を表し、Ｒ43は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し、ｎは０又は１を表す。］で示される化合物を含んで成る、レジストの基板依存性改善剤。
【請求項２】  一般式［１］で示される化合物がグリコール酸メチル、グリコール酸エチル、グリコール酸n-プロピル、グリコール酸イソピロピル、グリコール酸n-ブチル、グリコール酸イソブチル、グリコール酸 tert-ブチル、グリコール酸n-ペンチル、グリコール酸イソペンチル、グリコール酸n-ヘキシル、グリコール酸シクロヘキシル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-プロピル、乳酸イソプロピル、乳酸n-ブチル、乳酸 tert-ブチル、乳酸n-ペンチル、乳酸イソペンチル、3-ヒドロキシプロピオン酸メチル、3-ヒドロキシプロピオン酸エチル、3-ヒドロキシプロピオン酸n-プロピル、2-ヒドロキシ酪酸メチル、2-ヒドロキシ酪酸エチル、2-ヒドロキシ酪酸n-プロピル、2-ヒドロキシイソ酪酸メチル、2-ヒドロキシイソ酪酸エチル、3-ヒドロキシ酪酸メチル、3-ヒドロキシ酪酸エチル、3-ヒドロキシ吉草酸メチル、3-ヒドロキシ吉草酸エチル、マンデル酸メチル、マンデル酸エチル、マンデル酸n-プロピル、マンデル酸イソプロピルである、請求項１に記載の基板依存性改善剤。
【請求項３】  レジストが化学増幅型レジストである、請求項１に記載の基板依存性改善剤。
【請求項４】  基板が、その上にSiN，TiN，SiON，BPSG又は塩基性有機反射防止膜を有する特殊基板である、請求項１に記載の基板依存性改善剤。
【請求項５】  基板依存性改善剤として下記一般式［１］
【化２】
2001174982.tif 000002
［式中、Ｒ41は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ42は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基を表し、Ｒ43は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し、ｎは０又は１を表す。］で示される化合物を共存させて成る、基板上にSiN，TiN，SiON，BPSG又は塩基性有機反射防止膜を有する特殊基板用の、化学増幅型レジストの基板依存性改善方法。
【請求項６】  一般式［１］で示される化合物の使用量がレジスト全量に対して0.5〜30重量％である、請求項５に記載の基板依存性改善方法。
【請求項７】  一般式［１］で示される化合物の使用量がレジスト全量に対して３〜15重量％である、請求項５に記載の基板依存性改善方法。
【請求項８】  一般式［１］で示される化合物がグリコール酸メチル、グリコール酸エチル、グリコール酸n-プロピル、グリコール酸イソピロピル、グリコール酸n-ブチル、グリコール酸イソブチル、グリコール酸 tert-ブチル、グリコール酸n-ペンチル、グリコール酸イソペンチル、グリコール酸n-ヘキシル、グリコール酸シクロヘキシル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-プロピル、乳酸イソプロピル、乳酸n-ブチル、乳酸 tert-ブチル、乳酸n-ペンチル、乳酸イソペンチル、3-ヒドロキシプロピオン酸メチル、3-ヒドロキシプロピオン酸エチル、3-ヒドロキシプロピオン酸n-プロピル、2-ヒドロキシ酪酸メチル、2-ヒドロキシ酪酸エチル、2-ヒドロキシ酪酸n-プロピル、2-ヒドロキシイソ酪酸メチル、2-ヒドロキシイソ酪酸エチル、3-ヒドロキシ酪酸メチル、3-ヒドロキシ酪酸エチル、3-ヒドロキシ吉草酸メチル、3-ヒドロキシ吉草酸エチル、マンデル酸メチル、マンデル酸エチル、マンデル酸n-プロピル、マンデル酸イソプロピルである、請求項５に記載の基板依存性改善方法。
【請求項９】  レジストが、酸の作用により化学変化を受けてアルカリ現像液に可溶性となる樹脂と、感放射線照射により酸を発生する化合物を含有するものである、請求項５に記載の基板依存性改善方法。
【請求項１０】  レジストが、アルカリ現像液に可溶性の樹脂と、酸の作用により化学変化を受けてアルカリ現像液に可溶性となる化合物又は／及び樹脂と、感放射線照射により酸を発生する化合物とを含有するものである、請求項５に記載の基板依存性改善方法。
【請求項１１】  レジストが、アルカリ現像液に可溶性の樹脂と、感放射線照射により酸を発生する化合物と、酸の作用により化学変化を受けて樹脂をアルカリ現像液に対して難溶化させる架橋性化合物とを含有するものである、請求項５に記載の基板依存性改善方法。
【請求項１２】  基板依存性改善剤として下記一般式［１］
【化３】
2001174982.tif 000003
［式中、Ｒ41は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ42は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基を表し、Ｒ43は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し、ｎは０又は１を表す。］で示される化合物を含んで成る、基板上にSiN，TiN，SiON，BPSG又は塩基性有機反射防止膜を有する特殊基板用の、化学増幅型レジスト組成物。
【請求項１３】  一般式［１］で示される化合物の使用量がレジスト組成物全量に対して0.5〜30重量％である、請求項１２に記載のレジスト組成物。
【請求項１４】  一般式［１］で示される化合物の使用量がレジスト組成物全量に対して３〜15重量％である、請求項１２に記載のレジスト組成物。
【請求項１５】  一般式［１］で示される化合物がグリコール酸メチル、グリコール酸エチル、グリコール酸n-プロピル、グリコール酸イソピロピル、グリコール酸n-ブチル、グリコール酸イソブチル、グリコール酸 tert-ブチル、グリコール酸n-ペンチル、グリコール酸イソペンチル、グリコール酸n-ヘキシル、グリコール酸シクロヘキシル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-プロピル、乳酸イソプロピル、乳酸n-ブチル、乳酸 tert-ブチル、乳酸n-ペンチル、乳酸イソペンチル、3-ヒドロキシプロピオン酸メチル、3-ヒドロキシプロピオン酸エチル、3-ヒドロキシプロピオン酸n-プロピル、2-ヒドロキシ酪酸メチル、2-ヒドロキシ酪酸エチル、2-ヒドロキシ酪酸n-プロピル、2-ヒドロキシイソ酪酸メチル、2-ヒドロキシイソ酪酸エチル、3-ヒドロキシ酪酸メチル、3-ヒドロキシ酪酸エチル、3-ヒドロキシ吉草酸メチル、3-ヒドロキシ吉草酸エチル、マンデル酸メチル、マンデル酸エチル、マンデル酸n-プロピル、マンデル酸イソプロピルである、請求項１２に記載のレジスト組成物。
【請求項１６】  酸の作用により化学変化を受けてアルカリ現像液に可溶性となる樹脂と、感放射線照射により酸を発生する化合物と、基板依存性改善剤として下記一般式［１］
【化４】
2001174982.tif 000004
［式中、Ｒ41は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ42は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基を表し、Ｒ43は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し、ｎは０又は１を表す。］で示される化合物とを含んで成る、基板上にSiN，TiN，SiON，BPSG又は塩基性有機反射防止膜を有する特殊基板用の、化学増幅型レジスト組成物。
【請求項１７】  アルカリ現像液に可溶性の樹脂と、酸の作用により化学変化を受けてアルカリ現像液に可溶性となる化合物又は／及び樹脂と、感放射線照射により酸を発生する化合物と、基板依存性改善剤として下記一般式［１］
【化５】
2001174982.tif 000005
［式中、Ｒ41は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ42は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基を表し、Ｒ43は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し、ｎは０又は１を表す。］で示される化合物とを含んで成る、基板上にSiN，TiN，SiON，BPSG又は塩基性有機反射防止膜を有する特殊基板用の、化学増幅型レジスト組成物。
【請求項１８】  アルカリ現像液に可溶性の樹脂と、酸の作用により化学変化を受けて樹脂をアルカリ現像液に対して難溶化させる架橋性化合物と、感放射線照射により酸を発生する化合物と、基板依存性改善剤として下記一般式［１］
【化６】
2001174982.tif 000006
［式中、Ｒ41は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ42は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基を表し、Ｒ43は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し、ｎは０又は１を表す。］で示される化合物とを含んで成る、基板上にSiN、TiN、SiON、BPSG又は塩基性有機反射防止膜を有する特殊基板用の、化学増幅型レジスト組成物。
【請求項１９】  一般式［１］で示される化合物の使用量がレジスト組成物全量に対して0.5〜30重量％である、請求項１６〜１８のいずれかに記載のレジスト組成物。
【請求項２０】  一般式［１］で示される化合物の使用量がレジスト組成物全量に対して３〜15重量％である、請求項１６〜１８のいずれかに記載のレジスト組成物。
【請求項２１】下記１）〜３）を含有するレジスト組成物を、基板上にSiN，TiN，SiON，BPSG又は塩基性有機反射防止膜を有する特殊基板に塗布した、半導体基板。
１）下記一般式［１］
【化２９】
2001174982.tif 000007
［式中、Ｒ41は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ42は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基を表し、Ｒ43は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し、ｎは０又は１を表す。］で示される化合物
２）酸の作用により化学変化を受けてアルカリ現像液に可溶性となる樹脂
３）感放射線照射により酸を発生する化合物
【請求項２２】  下記１）〜４）を含有するレジスト組成物を、基板上にSiN，TiN，SiON，BPSG又は塩基性有機反射防止膜を有する特殊基板に塗布した、半導体基板。
１）下記一般式［１］
【化３０】
2001174982.tif 000008
［式中、Ｒ41は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ42は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基を表し、Ｒ43は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し、ｎは０又は１を表す。］で示される化合物
２）アルカリ現像液に可溶性の樹脂
３）酸の作用により化学変化を受けてアルカリ現像液に可溶性となる化合物又は／及び樹脂
４）感放射線照射により酸を発生する化合物
【請求項２３】  下記１）〜４）を含有するレジスト組成物を、基板上にSiN，TiN，SiON，BPSG又は塩基性有機反射防止膜を有する特殊基板に塗布した、半導体基板。
１）下記一般式［１］
【化３１】
2001174982.tif 000009
［式中、Ｒ41は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ42は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基を表し、Ｒ43は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し、ｎは０又は１を表す。］で示される化合物
２）アルカリ現像液に可溶性の樹脂
３）酸の作用により化学変化を受けて樹脂をアルカリ現像液に対して難溶化させる架橋性化合物
４）感放射線照射により酸を発生する化合物
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（式中、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43及びｎは前記と同じ。）で示される化合物を共存させて成る、基板上にSiN，TiN，SiON，BPSG又は塩基性有機反射防止膜を有する特殊基板用の、化学増幅型レジストの基板依存性改善方法。
(３)基板依存性改善剤として下記一般式［１］
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（式中、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43及びｎは前記と同じ。）で示される化合物を含んで成る、基板上にSiN，TiN，SiON，BPSG又は塩基性有機反射防止膜を有する特殊基板用の、化学増幅型レジスト組成物。
(４)酸の作用により化学変化を受けてアルカリ現像液に可溶性となる樹脂と、感放射線照射により酸を発生する化合物と、基板依存性改善剤として下記一般式［１］
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（式中、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43及びｎは前記と同じ。）で示される化合物とを含んで成る、基板上にSiN，TiN，SiON，BPSG又は塩基性有機反射防止膜を有する特殊基板用の、化学増幅型レジスト組成物（以下、本発明に係るレジスト組成物−１と略記する）。
(５)アルカリ現像液に可溶性の樹脂と、酸の作用により化学変化を受けてアルカリ現像液に可溶性となる化合物又は／及び樹脂と、感放射線照射により酸を発生する化合物と、基板依存性改善剤として下記一般式［１］
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（式中、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43及びｎは前記と同じ。）で示される化合物とを含んで成る、基板上にSiN，TiN，SiON，BPSG又は塩基性有機反射防止膜を有する特殊基板用の、化学増幅型レジスト組成物（以下、本発明に係るレジスト組成物−２と略記する。）。
(６)アルカリ現像液に可溶性の樹脂と、酸の作用により化学変化を受けて樹脂をアルカリ現像液に対して難溶化させる架橋性化合物と、感放射線照射により酸を発生する化合物と、基板依存性改善剤として下記一般式［１］
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（式中、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43及びｎは前記と同じ。）で示される化合物とを含んで成る、基板上にSiN，TiN，SiON，BPSG又は塩基性有機反射防止膜を有する特殊基板用の、化学増幅型レジスト組成物（以下本発明に係るレジスト組成物−３と略記する。）。
（７）下記１）〜３）を含有するレジスト組成物を、基板上にSiN，TiN，SiON，BPSG又は塩基性有機反射防止膜を有する特殊基板に塗布した、半導体基板。
１）下記一般式［１］
【化３２】
2001174982.tif 000010
［式中、Ｒ41は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ42は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基を表し、Ｒ43は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し、ｎは０又は１を表す。］で示される化合物、
２）酸の作用により化学変化を受けてアルカリ現像液に可溶性となる樹脂、
３）感放射線照射により酸を発生する化合物。
（８）  下記１）〜４）を含有するレジスト組成物を、基板上にSiN，TiN，SiON，BPSG又は塩基性有機反射防止膜を有する特殊基板に塗布した半導体基板。
１）下記一般式［１］
【化３３】
2001174982.tif 000011
［式中、Ｒ41は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ42は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基を表し、Ｒ43は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し、ｎは０又は１を表す。］で示される化合物、
２）アルカリ現像液に可溶性の樹脂、
３）酸の作用により化学変化を受けてアルカリ現像液に可溶性となる化合物又は／及び樹脂、
４）感放射線照射により酸を発生する化合物。
（９）  下記１）〜４）を含有するレジスト組成物を、基板上にSiN，TiN，SiON，BPSG又は塩基性有機反射防止膜を有する特殊基板に塗布した、半導体基板。
１）下記一般式［１］
【化３４】
2001174982.tif 000012
［式中、Ｒ41は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ42は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基を表し、Ｒ43は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し、ｎは０又は１を表す。］で示される化合物、
２）アルカリ現像液に可溶性の樹脂、
３）酸の作用により化学変化を受けて樹脂をアルカリ現像液に対して難溶化させる架橋性化合物、
４）感放射線照射により酸を発生する化合物。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
本発明に係るレジスト組成物−３に用いられる、架橋剤の具体例としては例えば2,4,6-トリス（メトキシメチル）アミノ−1,3,5-s-トリアジン、2,4,6-トリス（エトキシメチル）アミノ−1,3,5-s-トリアジン、テトラメトキシメチルグリコール尿素、テトラキスメトキシメチル尿素、1,3,5-トリス（メトキシメトキシ)ベンゼン、1,3,5−トリス（イソプロポキシメトキシ)ベンゼン、α,α,α'−トリス（イソプロポキシメトキシフェニル）−1-エチル−4-イソプロピルベンゼン、α,α,α'−トリス（メトキシメトキシフェニル）−1-エチル−4-イソプロピルベンゼン、CY-179（チバガイギー（株)商品名）等が挙げられる。これら化合物は、単独で用いても、適宜２種以上組合せて用いてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
一般式［９］に於て、Ｒ11で示されるアルキル基及びハロアルキル基のアルキル基としては、直鎖状又は分枝状の何れにてもよく、好ましくは炭素数が１〜５である、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、tert−ペンチル基、1-メチルペンチル基等が挙げられ、Ｒ11で示されるハロゲン原子若しくはハロアルキル基のハロゲンとしては、塩素、臭素、フッ素、ヨウ素等が挙げられる。Ｒ11で示されるアルコキシ基としては、直鎖状又は分枝状の何れにてもよく、好ましくは炭素数１〜５である、例えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基、sec-ブトキシ基、ｎ-ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基等が挙げられる。Ｒ12で示されるアルキル基及びハロアルキル基のアルキル基としては、直鎖状、分枝状又は環状の何れにてもよく、好ましくは炭素数が１〜10である、例えばメチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、tert-ペンチル基、シクロペンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられ、ハロアルキル基のハロゲンとしては、塩素、臭素、フッ素、ヨウ素等が挙げられる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
一般式［１０］に於て、Ｒ13で示されるアルキル基及びハロアルキル基のアルキル基としては、直鎖状又は分枝状の何れにてもよく、好ましくは炭素数が１〜６である、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、tert−ペンチル基、1-メチルペンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基等が挙げられる。Ｒ13で示されるアルコキシ基としては、直鎖状又は分枝状の何れにてもよく、好ましくは炭素数１〜６である、例えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基、sec-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基が挙げられ、Ｒ13で示されるハロゲン原子若しくはハロアルキル基のハロゲンとしては、塩素、臭素、フッ素、ヨウ素等が挙げられる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
本発明に使用されるアルカリ現像液としては、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムの0.5乃至５重量％の希薄水溶液が使用される。また、アルカリ現像液中にはレジストとの親和性を良好にするために界面活性剤やアルコール化合物を添加することも可能である。
本発明の半導体基板としては、例えば以下のものが挙げられる。
（１）下記１）〜３）を含有するレジスト組成物を、基板上にSiN，TiN，SiON，BPSG又は塩基性有機反射防止膜を有する特殊基板に塗布した、半導体基板、
１）下記一般式［１］
【化３５】
2001174982.tif 000013
［式中、Ｒ41は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ42は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基を表し、Ｒ43は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し、ｎは０又は１を表す。］で示される化合物、
２）酸の作用により化学変化を受けてアルカリ現像液に可溶性となる樹脂、
３）感放射線照射により酸を発生する化合物。
（２）下記１）〜４）を含有するレジスト組成物を、基板上にSiN，TiN，SiON，BPSG又は塩基性有機反射防止膜を有する特殊基板に塗布した、半導体基板、
１）下記一般式［１］
【化３６】
2001174982.tif 000014
［式中、Ｒ41は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ42は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基を表し、Ｒ43は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し、ｎは０又は１を表す。］で示される化合物、
２）アルカリ現像液に可溶性の樹脂、
３）酸の作用により化学変化を受けてアルカリ現像液に可溶性となる化合物又は／及び樹脂、
４）感放射線照射により酸を発生する化合物。
（３）下記１）〜４）を含有するレジスト組成物を、基板上にSiN，TiN，SiON，BPSG又は塩基性有機反射防止膜を有する特殊基板に塗布した、半導体基板、
１）下記一般式［１］
【化３７】
2001174982.tif 000015
［式中、Ｒ41は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ42は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基を表し、Ｒ43は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し、ｎは０又は１を表す。］で示される化合物、
２）アルカリ現像液に可溶性の樹脂、
３）酸の作用により化学変化を受けて樹脂をアルカリ現像液に対して難溶化させる架橋性化合物、
４）感放射線照射により酸を発生する化合物。
上記半導体基板を構成する各成分の好ましい具体例および濃度は、それぞれ前記した通りである。