【手続補正書】
【提出日】平成19年6月13日(2007.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に、
マトリクス状に配設され、放射線を電荷に変換する複数個の半導体変換素子と、
当該半導体変換素子に接続されたスイッチ素子と、
前記半導体変換素子にバイアスを印加するバイアス線（Ｖｓ線）と、
前記スイッチ素子に駆動信号を供給するゲート線（Ｖｇ線）と、
前記半導体変換素子にて変換された電荷を読み出す信号線（Ｓｉｇ線）とから成る画素エリアを備える放射線撮像用基板において、
前記絶縁基板上の前記画素エリア外に配置された光電変換層を有する接続配線を有し、
前記接続配線は、前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線の同種配線の複数本を接続し、かつ、前記バイアス線と前記信号線とを接続することを特徴とする放射線撮像用基板。
【請求項２】
前記接続配線は、前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線のすべてを接続することを特徴とする請求項１記載の放射線撮像用基板。
【請求項３】
前記接続配線は、少なくともホールブロッキング層又はオーミック半導体層を備えており、Ｖｓ線の配線抵抗Ｒａ、Ｖｇ線の配線抵抗Ｒｂ、Ｓｉｇ線の配線抵抗Ｒｃ、前記接続配線における光が入射した場合の光電変換層の配線抵抗Ｒｐ、光が入射しない場合の光電変換層の配線抵抗Ｒｄ、ホールブロッキング層の配線抵抗Ｒｅ、オーミック半導体層の配線抵抗Ｒｆの関係が、
Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ＜Ｒｅ，Ｒｆ＜Ｒｄ
Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ＜Ｒｅ，Ｒｆ≦Ｒｐ又はＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ≦Ｒｐ＜Ｒｅ，Ｒｆ
であることを特徴とする請求項１又は２記載の放射線撮像用基板。
【請求項４】
絶縁基板上に、
マトリクス状に配設され、放射線を電荷に変換する複数個の半導体変換素子と、
当該半導体変換素子に接続されたスイッチ素子と、
前記半導体変換素子にバイアスを印加するバイアス線（Ｖｓ線）と、
前記スイッチ素子に駆動信号を供給するゲート線（Ｖｇ線）と、
前記半導体変換素子にて変換された電荷を読み出す信号線（Ｓｉｇ線）とから成る画素エリアを備える放射線撮像用基板において、
前記絶縁基板上の前記画素エリア周辺に配置された光電変換層を有するガードリングを有し、前記ガードリングは、前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線の同種配線の複数本を接続し、かつ、前記バイアス配線と前記信号線とを接続し、
前記画素エリアと前記ガードリングとの間に前記絶縁基板の切断部が設けられることを特徴とする放射線撮像用基板。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項記載の放射線撮像用基板を備えることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項６】
請求項５記載の放射線撮像装置を備えることを特徴とする放射線撮像システム。
【請求項７】
絶縁基板上に、
マトリクス状に配設され、放射線を電荷に変換する複数個の半導体変換素子と、
当該半導体変換素子に接続されたスイッチ素子と、
前記半導体変換素子にバイアスを印加するバイアス線（Ｖｓ線）と、
前記スイッチ素子に駆動信号を供給するゲート線（Ｖｇ線）と、
前記半導体変換素子にて変換された電荷を読み出す信号線（Ｓｉｇ線）とから成る画素エリアを備える放射線撮像用基板の製造方法において、
前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線の同種配線の複数本を接続し、前記バイアス線と前記信号線とを接続する光電変換層を有する接続配線を、前記絶縁基板上の前記画素エリア外に形成する工程を含むことを特徴とする放射線撮像用基板の製造方法。
【請求項８】
前記接続配線を形成する工程は、前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線のすべてを接続することを特徴とする請求項７記載の放射線撮像用基板の製造方法。
【請求項９】
前記接続配線が少なくともホールブロッキング層又はオーミック半導体層を備えており、Ｖｓ線の配線抵抗Ｒａ、Ｖｇ線の配線抵抗Ｒｂ、Ｓｉｇ線の配線抵抗Ｒｃ、前記接続配線における光が入射した場合の光電変換層の配線抵抗Ｒｐ、光が入射しない場合の光電変換層の配線抵抗Ｒｄ、ホールブロッキング層の配線抵抗Ｒｅ、オーミック半導体層の配線抵抗Ｒｆの関係が、
Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ＜Ｒｅ，Ｒｆ＜Ｒｄ
Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ＜Ｒｅ，Ｒｆ≦Ｒｐ又はＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ≦Ｒｐ＜Ｒｅ，Ｒｆ
であることを特徴とする請求項７又は８記載の放射線撮像用基板の製造方法。
【請求項１０】
絶縁基板上に、
マトリクス状に配設され、放射線を電荷に変換する複数個の半導体変換素子と、
当該半導体変換素子に接続されたスイッチ素子と、
前記半導体変換素子にバイアスを印加するバイアス線（Ｖｓ線）と、
前記スイッチ素子に駆動信号を供給するゲート線（Ｖｇ線）と、
前記半導体変換素子にて変換された電荷を読み出す信号線（Ｓｉｇ線）とから成る画素エリアを備える放射線撮像用基板の製造方法において、
前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線のうち少なくとも同種配線の複数本を接続するガードリングを、光電変換層を有するように、前記画素エリア周辺に形成する工程を含むことを特徴とする放射線撮像用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記接続配線と前記画素エリアの間で切断する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１０記載の放射線撮像用基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、上記課題を解決するための手段として、絶縁基板上に、マトリクス状に配設され、放射線を電荷に変換する複数個の半導体変換素子と、当該半導体変換素子に接続されたスイッチ素子と、前記半導体変換素子にバイアスを印加するバイアス線（Ｖｓ線）と、前記スイッチ素子に駆動信号を供給するゲート線（Ｖｇ線）と、前記半導体変換素子にて変換された電荷を読み出す信号線（Ｓｉｇ線）とから成る画素エリアを備える放射線撮像用基板において、前記絶縁基板上の前記画素エリア外に配置された光電変換層を有する接続配線を有し、前記接続配線は、前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線の同種配線の複数本を接続し、かつ、前記バイアス線と前記信号線とを接続することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明は、絶縁基板上に、マトリクス状に配設され、放射線を電荷に変換する複数個の半導体変換素子と、当該半導体変換素子に接続されたスイッチ素子と、前記半導体変換素子にバイアスを印加するバイアス線（Ｖｓ線）と、前記スイッチ素子に駆動信号を供給するゲート線（Ｖｇ線）と、前記半導体変換素子にて変換された電荷を読み出す信号線（Ｓｉｇ線）とから成る画素エリアを備える放射線撮像用基板において、前記絶縁基板上の前記画素エリア周辺に配置された光電変換層を有するガードリングを有し、前記ガードリングは、前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線の同種配線の複数本を接続し、かつ、前記バイアス配線と前記信号線とを接続し、前記画素エリアと前記ガードリングとの間に前記絶縁基板の切断部が設けられることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明は、絶縁基板上に、マトリクス状に配設され、放射線を電荷に変換する複数個の半導体変換素子と、当該半導体変換素子に接続されたスイッチ素子と、前記半導体変換素子にバイアスを印加するバイアス線（Ｖｓ線）と、前記スイッチ素子に駆動信号を供給するゲート線（Ｖｇ線）と、前記半導体変換素子にて変換された電荷を読み出す信号線（Ｓｉｇ線）とから成る画素エリアを備える放射線撮像用基板の製造方法において、前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線の同種配線の複数本を接続し、前記バイアス線と前記信号線とを接続する光電変換層を有する接続配線を、前記絶縁基板上の前記画素エリア外に形成する工程を含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明は、前記接続配線を形成する工程は、前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線のすべてを接続することを特徴とする。