【手続補正書】
【提出日】平成20年7月25日(2008.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法であって、
（ａ）  片持ち梁及び組合わせ部が第一の基板またはウェハ上に定義されるステップと、
（ｂ）  少なくとも１つの接触部及び組合わせ部を第二の基板またはウェハ上に形成し、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補形状をなすステップと、
（ｃ）  前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と対面関係に位置させるステップと、
（ｄ）  前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部に関連する層と、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部に関連する層とをボンディングするステップと、
を具備したことを特徴とするマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
【請求項２】
前記第二の基板またはウェハは、ケイ素から形成される、及び／または、
前記第二の基板またはウェハを形成する前記ケイ素は、単結晶構造を持つ、及び／または、
前記ケイ素の前記結晶構造はＳｉ＜１００＞である、及び／または、
前記ケイ素はｎ型である、及び／または、
前記第一の基板またはウェハは、ケイ素から形成される、及び／または、
前記第一の基板またはウェハを形成する前記ケイ素は、単結晶構造を持つ、及び／または、
前記第一の基板またはウェハ内の前記ケイ素の前記結晶構造はＳｉ＜１００＞である、及び／または、
前記第一の基板またはウェハ内の前記ケイ素はｎ型である、及び／または、
前記２つの基板間に圧力と共に熱が加えられた結果、前記２つの組合わせ部間で共晶ボンディングが起こる請求項１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
【請求項３】
前記片持ち梁は、
（ａ）  前記第一の基板またはウェハ上にケイ素のエピタキシャル層を形成し、前記エピタキシャル層がドープされるステップと、
（ｂ）  前記第一の基板またはウェハ上に配置される片持ち梁を定義するために、ケイ素の前記エピタキシャル層のマスキング及びエッチングを行うステップと、
（ｃ）  前記第一の基板またはウェハをエッチングによって除去するステップと、
によって形成される請求項１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
【請求項４】
一時マスク層内の小穴部を通して金属を溶着することにより、接触部は前記片持ち梁の端部上に形成され、前記金属の溶着工程が進むにつれ、前記金属が溶着されて前記小穴部を被覆していき、それによって前記小穴部を通して溶着される前記接触部が、溶着工程が進むにつれて断面を減少しながら延伸構造を持つことができる程度に前記小穴部が十分小さくなっている、及び／または、
エチレンジアミン・ピロカテコールをエッチング液として、エッチングは行われる、及び／または、
前記エピタキシャル層の抵抗率を０．０５Ω−ｃｍ以下に減少させるために、前記エピタキシャル層は、十分な濃度を有するホウ素によってドープされる、及び／または、
金属層は前記エピタキシャル層上に選択的に溶着され、そして高温で焼結されることにより、前記エピタキシャル層上に第一及び第二のオーム接触部を形成し、また、前記第二のオーム接触部は前記片持ち梁の遠心端の近くに配置され、前記第一のオーム接触部は前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成する、及び／または、
前記金属層は、チタン、プラチナ及び金の個別層から形成される、及び／または、
チタン／プラチナ／金の比較的厚い層が、チタン／プラチナ／金の比較的薄い層に溶着され、それから焼結され、チタン／プラチナ／金の前記比較的厚い層の第一部分は、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成し、また前記第一のオーム接触部を覆っており、チタン／プラチナ／金の前記比較的厚い層の第二部分は、前記第二のオーム接触部に尖状接触部を形成する、及び／または、
更に、前記第二の基板またはウェハ上に、チタン／プラチナ／金の接触部を形成し、前記第二の基板またはウェハ上の前記接触部から少なくとも１つの接触部は、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を定義する、及び／または、
前記ボンディングが共晶的に起こり、共晶ボンディングを形成するための前記層が、前記第二の基板またはウェハ上の前記チタン／プラチナ／金の接触部の上に溶着された金−ケイ素共晶層、及び／または、前記第一の基板またはウェハ上のチタン／プラチナ／金の前記比較的厚い層の第一部分の上に溶着された金−ケイ素共晶層によって提供される請求項３に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
【請求項５】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの構造が、
（ａ）  梁及び組合わせ部が第一の基板またはウェハ上に定義され、
（ｂ）  少なくとも１つの接触部及び組合わせ部が第二の基板またはウェハ上に定義され、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部が、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補的な形状を持ち、
（ｃ）  ボンディング層が、前記第一の基板またはウェハ上に定義された前記組合わせ部を、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部とボンディングするための前記組合わせ部の少なくとも１つの上に配置される構造を持つことを特徴とするマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
【請求項６】
前記構造からマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサが作成でき、前記組合わせ部の少なくとも１つの上に配置された前記ボンディング層が、圧力／熱に敏感であり、前記第二の基板上の前記組合わせ部に前記第一の基板またはウェハ上に定義された組合わせ部をそれらの間で圧力／熱を加えることでボンディングする、及び／または、
前記第二の基板またはウェハは、ケイ素から形成される、及び／または、
第二の基板またはウェハを形成する前記ケイ素は、単結晶構造を持つ、及び／または、
前記第一及び第二の基板またはウェハはそれぞれ、単結晶ケイ素から形成される、及び／または、
前記ケイ素の結晶構造がＳｉ＜１００＞である、及び／または、
前記ケイ素はｎ型である、及び／または、
前記第一の基板またはウェハは、ケイ素から形成される、及び／または、
前記第一の基板またはウェハを形成する前記ケイ素は、単結晶構造を持つ、及び／または、
前記第一の基板またはウェハ内の前記ケイ素の結晶構造はＳｉ＜１００＞である、及び／または、
前記第一の基板またはウェハの前記ケイ素はｎ型のケイ素である、及び／または、
尖状接触部が前記梁の端部に配置される請求項５に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
【請求項７】
前記組合わせ部が、一方からもう一方まで前記ボンディング層に結合される請求項５に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
【請求項８】
前記梁は、前記第一の基板またはウェハ上のケイ素のエピタキシャル層から形成され、前記エピタキシャル層は、ドーパントでドープされている、及び／または、
前記エピタキシャル層の抵抗率を０．０５Ω−ｃｍ以下に減少させるために、前記エピタキシャル層は、十分な濃度を有するホウ素によってドープされる、及び／または、
さらに、前記エピタキシャル層上に第一及び第二のオーム接触部を持ち、前記第二のオーム接触部が前記梁の遠心端の近くに配置され、前記第一のオーム接触部が前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成する、及び／または、
前記第一及び第二のオーム接触部は、チタン、プラチナ及び金の層から形成されている、及び／または、
比較的厚い金属層が、前記第一及び第二のオーム接触部の上に配置され、前記比較的厚い金属層の第一部分が前記第一のオーム接触部上に配置され、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を提供し、前記比較的厚い金属層の第二部分は、前記第二のオーム接触部上に尖状接触部を形成している、及び／または、
さらに、前記第二の基板またはウェハ上に配置された金属接触部を持ち、前記第二の基板またはウェハ上の前記接触部の少なくとも１つが、前記第二の基板上の前記組合わせ部を定義する、及び／または、
前記ボンディング層が、前記第二の基板またはウェハ上の前記金属接触部上に配置された金−ケイ素共晶層によって、及び／または、前記第一の基板またはウェハ上の前記比較的厚い金属層の前記第一部分上に配置された金−ケイ素共晶層によって提供される請求項５または請求項７に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
【請求項９】
さらに、（ｅ）  前記片持ち梁をリリースするために、前記第一の基板またはウェハの少なくとも一部を除去するステップを具備する請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
【請求項１０】
前記金属はチタン／プラチナ／金である請求項８に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
【請求項１１】
前記梁は片持ち梁である、及び／または、
前記梁はケイ素から構成される、及び／または、
前記梁はケイ素のエピタキシャル領域を具備する、及び／または、
前記第一及び第二の基板またはウェハ上の組合わせ部間に共晶ボンディングを形成するために、圧力／熱に敏感な前記ボンディング層は適用される、及び／または、
圧力／熱に敏感な前記ボンディング層は、金−ケイ素共晶層から構成される請求項５に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
【請求項１２】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法であって、
（ａ）  片持ちケイ素梁及び組合わせ部が第一のケイ素基板またはウェハ上に定義されるステップと、
（ｂ）  少なくとも１つの接触部及び組合わせ部を第二のケイ素基板またはウェハ上に形成し、前記第二のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部を前記第一のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補形状をなすステップと、
（ｃ）  前記第一のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部を、前記第二のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部と対面関係に位置させるステップと、
（ｄ）  前記第一のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部に関連する層と、前記第二のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部に関連する層とをボンディングするステップと、
を具備したことを特徴とするマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
【請求項１３】
前記第一のケイ素基板またはウェハ、及び、前記第二のケイ素基板またはウェハを形成する前記ケイ素は、単結晶構造を持つ、及び／または、
前記ケイ素の前記結晶構造はＳｉ＜１００＞である、及び／または、
前記片持ちケイ素梁はホウ素によってドープされる、及び／または、
前記第一の基板またはウェハはｎ型のケイ素から形成され、前記第二の基板またはウェハはｎ型のケイ素から形成される、及び／または、
前記２つの基板またはウェハ間に圧力と共に熱が加えられた結果、前記２つの組合わせ部間で共晶ボンディングが起こる、及び／または、
一時マスク層内の小穴部を通して金属を溶着することにより、接触部は前記片持ちケイ素梁の端部上に形成され、前記金属の溶着工程が進むにつれ、前記金属が溶着されて前記小穴部を被覆していき、それによって前記小穴部を通して溶着される前記接触部が、溶着工程が進むにつれて断面を減少しながら延伸構造を持つことができる程度に前記小穴部が十分小さくなっている、及び／または、
前記片持ちケイ素梁は、
（ａ）  前記第一のケイ素基板またはウェハ上にケイ素のエピタキシャル層を形成し、前記エピタキシャル層がドープされるステップと、
（ｂ）  前記第一のケイ素基板またはウェハ上に配置される片持ち梁を定義するために、ケイ素の前記エピタキシャル層のマスキング及びエッチングを行うステップと、
（ｃ）  前記第一のケイ素基板またはウェハをエッチングによって除去するステップと、
によって形成される、及び／または、
エチレンジアミン・ピロカテコールをエッチング液として、エッチングは行われる、及び／または、
前記エピタキシャル層の抵抗率を０．０５Ω−ｃｍ以下に減少させるために、前記エピタキシャル層は、十分な濃度を有するホウ素によってドープされる、及び／または、
金属層は前記エピタキシャル層上に選択的に溶着され、そして焼結されることにより、前記エピタキシャル層上に第一及び第二のオーム接触部を形成し、また、前記第二のオーム接触部は前記片持ちケイ素梁の遠心端の近くに配置され、前記第一のオーム接触部は前記第一のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成する、及び／または、
前記金属層は、チタン、プラチナ及び金の個別層から形成される、及び／または、
チタン／プラチナ／金の比較的厚い層が、チタン／プラチナ／金の比較的薄い層に溶着され、それから焼結され、チタン／プラチナ／金の前記比較的厚い層の第一部分は、前記第一のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成し、また前記第一のオーム接触部を覆っており、チタン／プラチナ／金の前記比較的厚い層の第二部分は、前記第二のオーム接触部に尖状接触部を形成する、及び／または、
更に、前記第二のケイ素基板またはウェハ上に、チタン／プラチナ／金の接触部を形成し、前記第二のケイ素基板またはウェハ上の前記接触部から少なくとも１つの接触部は、前記第二のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部を定義する、及び／または、
前記ボンディングが共晶的に起こり、共晶ボンディングを影響する前記層が、前記第二のケイ素基板またはウェハ上の前記チタン／プラチナ／金の接触部の上に溶着された金−ケイ素共晶層、及び／または、前記第一のケイ素基板またはウェハ上のチタン／プラチナ／金の前記比較的厚い層の第一部分の上に溶着された金−ケイ素共晶層によって提供される、及び／または、
さらに、前記片持ちケイ素梁をリリースするために、前記第一のケイ素基板またはウェハの少なくとも一部を除去するステップを具備する請求項１２に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
【請求項１４】
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの構造が、
（ａ）  ケイ素梁及び組合わせ部が第一のケイ素基板またはウェハ上に定義され、
（ｂ）  少なくとも１つの接触部及び組合わせ部が第二のケイ素基板またはウェハ上に定義され、前記第二のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部が、前記第一のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補的な形状を持ち、
（ｃ）  ボンディング層が、前記第一のケイ素基板またはウェハ上に定義された前記組合わせ部を、前記第二のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部とボンディングするための前記組合わせ部の少なくとも１つの上に配置される構造を持ち、
前記構造からマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサを作成できることを特徴とするマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
【請求項１５】
前記組合わせ部の少なくとも１つの上に配置された前記ボンディング層が、圧力／熱に敏感であり、前記第二のケイ素基板上の前記組合わせ部に前記第一のケイ素基板またはウェハ上に定義された組合わせ部をそれらの間で圧力／熱を加えることでボンディングする、及び／または、
前記第一のケイ素基板またはウェハを形成する前記ケイ素は単結晶構造を持ち、また、前記第二のケイ素基板またはウェハを形成する前記ケイ素は単結晶構造を持つ、及び／または、
前記第一のケイ素基板またはウェハを形成する前記ケイ素はｎ型であり、また、前記第二のケイ素基板またはウェハを形成する前記ケイ素はｎ型である、及び／または、
尖状接触部が前記ケイ素梁の端部に配置される、及び／または、
前記組合わせ部が、一方からもう一方まで前記ボンディング層に結合される、及び／または、
前記ケイ素梁は、前記第一のケイ素基板またはウェハ上のケイ素のエピタキシャル層から形成され、前記エピタキシャル層は、ドーパントでドープされている、及び／または、
前記エピタキシャル層の抵抗率を０．０５Ω−ｃｍ以下に減少させるために、前記エピタキシャル層は、十分な濃度を有するホウ素によってドープされる、及び／または、
さらに、前記エピタキシャル層上に第一及び第二のオーム接触部を持ち、前記第二のオーム接触部が前記ケイ素梁の遠心端の近くに配置され、前記第一のオーム接触部が前記第一のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成する、及び／または、
前記第一及び第二のオーム接触部は、チタン、プラチナ及び金の層から形成されている、及び／または、
比較的厚い金属層が、前記第一及び第二のオーム接触部の上に配置され、前記比較的厚い金属層の第一部分が前記第一のオーム接触部上に配置され、前記第一のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部を提供し、前記比較的厚い金属層の第二部分は、前記第二のオーム接触部上に尖状接触部を形成している、及び／または、
さらに、前記第二のケイ素基板またはウェハ上に配置された金属接触部を持ち、前記第二のケイ素基板またはウェハ上の前記接触部の少なくとも１つが、前記第二のケイ素基板上の前記組合わせ部を定義する、及び／または、
前記ボンディング層が、前記第二のケイ素基板またはウェハ上の前記金属接触部上に配置された金−ケイ素共晶層によって、及び／または、前記第一のケイ素基板またはウェハ上の前記比較的厚い金属層の前記第一部分上に配置された金−ケイ素共晶層によって提供される、及び／または、
さらに、前記エピタキシャル層上に第一及び第二のオーム接触部を持ち、前記第二のオーム接触部が前記梁の遠心端の近くに配置され、前記第一のオーム接触部が前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成する請求項１４に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
最良の形態の実施例について本発明を述べたが、当業者において改良が行われるのを望む。本発明は従属項に記載されたものを除き、前述したものに限定されるものではない。
次のコンセプトは、本発明の開示内容にサポートされる。
［コンセプト１］
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法であって、
（ａ）  片持ち梁及び組合わせ部が第一の基板またはウェハ上に定義されるステップと、
（ｂ）  少なくとも１つの接触部及び組合わせ部を第二の基板またはウェハ上に形成し、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補形状をなすステップと、
（ｃ）  前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と対面関係に位置させるステップと、
（ｄ）  前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部に関連する層と、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部に関連する層とをボンディングするステップと、
を具備したことを特徴とするマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト２］
前記第二の基板またはウェハは、ケイ素から形成されるコンセプト１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト３］
前記第二の基板またはウェハを形成する前記ケイ素は、単結晶構造を持つコンセプト２に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト４］
前記ケイ素の前記結晶構造はＳｉ＜１００＞であるコンセプト３に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト５］
前記ケイ素はｎ型であるコンセプト４に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト６］
前記第一の基板またはウェハは、ケイ素から形成されるコンセプト１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト７］
前記第一の基板またはウェハを形成する前記ケイ素は、単結晶構造を持つコンセプト６に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト８］
前記第一の基板またはウェハ内の前記ケイ素の前記結晶構造はＳｉ＜１００＞であるコンセプト７に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト９］
前記第一の基板またはウェハ内の前記ケイ素はｎ型であるコンセプト８に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト１０］
前記２つの基板間に圧力と共に熱が加えられた結果、前記２つの組合わせ部間で共晶ボンディングが起こるコンセプト１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト１１］
前記片持ち梁は、
（ａ）  前記第一の基板またはウェハ上にケイ素のエピタキシャル層を形成し、前記エピタキシャル層がドープされるステップと、
（ｂ）  前記第一の基板またはウェハ上に配置される片持ち梁を定義するために、ケイ素の前記エピタキシャル層のマスキング及びエッチングを行うステップと、
（ｃ）  前記第一の基板またはウェハをエッチングによって除去するステップと、
によって形成されるコンセプト１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト１２］
一時マスク層内の小穴部を通して金属を溶着することにより、接触部は前記片持ち梁の端部上に形成され、前記金属の溶着工程が進むにつれ、前記金属が溶着されて前記小穴部を被覆していき、それによって前記小穴部を通して溶着される前記接触部が、溶着工程が進むにつれて断面を減少しながら延伸構造を持つことができる程度に前記小穴部が十分小さくなっているコンセプト１１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト１３］
エチレンジアミン・ピロカテコールをエッチング液として、エッチングは行われるコンセプト１１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト１４］
前記エピタキシャル層の抵抗率を０．０５Ω−ｃｍ以下に減少させるために、前記エピタキシャル層は、十分な濃度を有するホウ素によってドープされるコンセプト１１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト１５］
金属層は前記エピタキシャル層上に選択的に溶着され、そして高温で焼結されることにより、前記エピタキシャル層上に第一及び第二のオーム接触部を形成し、また、前記第二のオーム接触部は前記片持ち梁の遠心端の近くに配置され、前記第一のオーム接触部は前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成するコンセプト１４に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト１６］
前記金属層は、チタン、プラチナ及び金の個別層から形成されるコンセプト１５に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト１７］
チタン／プラチナ／金の比較的厚い層が、チタン／プラチナ／金の比較的薄い層に溶着され、それから焼結され、チタン／プラチナ／金の前記比較的厚い層の第一部分は、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成し、また前記第一のオーム接触部を覆っており、チタン／プラチナ／金の前記比較的厚い層の第二部分は、前記第二のオーム接触部に尖状接触部を形成するコンセプト１６に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト１８］
更に、前記第二の基板またはウェハ上に、チタン／プラチナ／金の接触部を形成し、前記第二の基板またはウェハ上の前記接触部から少なくとも１つの接触部は、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を定義するコンセプト１７に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト１９］
前記ボンディングが共晶的に起こり、共晶ボンディングを形成するための前記層が、前記第二の基板またはウェハ上の前記チタン／プラチナ／金の接触部の上に溶着された金−ケイ素共晶層、及び／または、前記第一の基板またはウェハ上のチタン／プラチナ／金の前記比較的厚い層の第一部分の上に溶着された金−ケイ素共晶層によって提供されるコンセプト１８に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト２０］
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの構造が、
（ａ）  梁及び組合わせ部が第一の基板またはウェハ上に定義され、
（ｂ）  少なくとも１つの接触部及び組合わせ部が第二の基板またはウェハ上に定義され、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部が、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補的な形状を持ち、
（ｃ）  ボンディング層が、前記第一の基板またはウェハ上に定義された前記組合わせ部を、前記第二の基板またはウェハ上の前記組合わせ部とボンディングするための前記組合わせ部の少なくとも１つの上に配置される構造を持つことを特徴とするマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト２１］
前記構造からマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサが作成でき、前記組合わせ部の少なくとも１つの上に配置された前記ボンディング層が、圧力／熱に敏感であり、前記第二の基板上の前記組合わせ部に前記第一の基板またはウェハ上に定義された組合わせ部をそれらの間で圧力／熱を加えることでボンディングするコンセプト２０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト２２］
前記第二の基板またはウェハは、ケイ素から形成されるコンセプト２０またはコンセプト２１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト２３］
第二の基板またはウェハを形成する前記ケイ素は、単結晶構造を持つコンセプト２２に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト２４］
前記第一及び第二の基板またはウェハはそれぞれ、単結晶ケイ素から形成されるコンセプト２０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト２５］
前記ケイ素の結晶構造がＳｉ＜１００＞であるコンセプト２３またはコンセプト２４に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト２６］
前記ケイ素はｎ型であるコンセプト２５に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト２７］
前記第一の基板またはウェハは、ケイ素から形成されるコンセプト２０またはコンセプト２１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト２８］
前記第一の基板またはウェハを形成する前記ケイ素は、単結晶構造を持つコンセプト２７に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト２９］
前記第一の基板またはウェハ内の前記ケイ素の結晶構造はＳｉ＜１００＞であるコンセプト２８に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト３０］
前記第一の基板またはウェハの前記ケイ素はｎ型のケイ素であるコンセプト２９に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト３１］
尖状接触部が前記梁の端部に配置されるコンセプト２０またはコンセプト２１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト３２］
前記組合わせ部が、一方からもう一方まで前記ボンディング層に結合されるコンセプト２０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト３３］
前記梁は、前記第一の基板またはウェハ上のケイ素のエピタキシャル層から形成され、前記エピタキシャル層は、ドーパントでドープされているコンセプト２０、コンセプト２１またはコンセプト３２に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト３４］
前記エピタキシャル層の抵抗率を０．０５Ω−ｃｍ以下に減少させるために、前記エピタキシャル層は、十分な濃度を有するホウ素によってドープされるコンセプト３１またはコンセプト３３に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト３５］
さらに、前記エピタキシャル層上に第一及び第二のオーム接触部を持ち、前記第二のオーム接触部が前記梁の遠心端の近くに配置され、前記第一のオーム接触部が前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成するコンセプト３３またはコンセプト３４に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト３６］
前記第一及び第二のオーム接触部は、チタン、プラチナ及び金の層から形成されているコンセプト３３に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト３７］
比較的厚い金属層が、前記第一及び第二のオーム接触部の上に配置され、前記比較的厚い金属層の第一部分が前記第一のオーム接触部上に配置され、前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を提供し、前記比較的厚い金属層の第二部分は、前記第二のオーム接触部上に尖状接触部を形成しているコンセプト３５に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト３８］
さらに、前記第二の基板またはウェハ上に配置された金属接触部を持ち、前記第二の基板またはウェハ上の前記接触部の少なくとも１つが、前記第二の基板上の前記組合わせ部を定義するコンセプト３７に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト３９］
前記ボンディング層が、前記第二の基板またはウェハ上の前記金属接触部上に配置された金−ケイ素共晶層によって、及び／または、前記第一の基板またはウェハ上の前記比較的厚い金属層の前記第一部分上に配置された金−ケイ素共晶層によって提供されるコンセプト３８に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト４０］
さらに、（ｅ）  前記片持ち梁をリリースするために、前記第一の基板またはウェハの少なくとも一部を除去するステップを具備するコンセプト１乃至コンセプト１９のいずれかに記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト４１］
前記金属はチタン／プラチナ／金であるコンセプト３７、コンセプト３８、またはコンセプト３９に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト４２］
前記梁は片持ち梁であるコンセプト２０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト４３］
前記梁はケイ素から構成されるコンセプト２０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト４４］
前記梁はケイ素のエピタキシャル領域を具備するコンセプト２０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト４５］
前記第一及び第二の基板またはウェハ上の組合わせ部間に共晶ボンディングを形成するために、圧力／熱に敏感な前記ボンディング層は適用されるコンセプト２０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト４６］
圧力／熱に敏感な前記ボンディング層は、金−ケイ素共晶層から構成されるコンセプト２０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト４７］
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法であって、
（ａ）  片持ちケイ素梁及び組合わせ部が第一のケイ素基板またはウェハ上に定義されるステップと、
（ｂ）  少なくとも１つの接触部及び組合わせ部を第二のケイ素基板またはウェハ上に形成し、前記第二のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部を前記第一のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補形状をなすステップと、
（ｃ）  前記第一のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部を、前記第二のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部と対面関係に位置させるステップと、
（ｄ）  前記第一のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部に関連する層と、前記第二のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部に関連する層とをボンディングするステップと、
を具備したことを特徴とするマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト４８］
前記第一のケイ素基板またはウェハ、及び、前記第二のケイ素基板またはウェハを形成する前記ケイ素は、単結晶構造を持つコンセプト４７に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト４９］
前記ケイ素の前記結晶構造はＳｉ＜１００＞であるコンセプト４８に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト５０］
前記片持ちケイ素梁はホウ素によってドープされるコンセプト４７に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト５１］
前記第一の基板またはウェハはｎ型のケイ素から形成され、前記第二の基板またはウェハはｎ型のケイ素から形成されるコンセプト５０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト５２］
前記２つの基板またはウェハ間に圧力と共に熱が加えられた結果、前記２つの組合わせ部間で共晶ボンディングが起こるコンセプト４７に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト５３］
一時マスク層内の小穴部を通して金属を溶着することにより、接触部は前記片持ちケイ素梁の端部上に形成され、前記金属の溶着工程が進むにつれ、前記金属が溶着されて前記小穴部を被覆していき、それによって前記小穴部を通して溶着される前記接触部が、溶着工程が進むにつれて断面を減少しながら延伸構造を持つことができる程度に前記小穴部が十分小さくなっているコンセプト４７に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト５４］
前記片持ちケイ素梁は、
（ａ）  前記第一のケイ素基板またはウェハ上にケイ素のエピタキシャル層を形成し、前記エピタキシャル層がドープされるステップと、
（ｂ）  前記第一のケイ素基板またはウェハ上に配置される片持ち梁を定義するために、ケイ素の前記エピタキシャル層のマスキング及びエッチングを行うステップと、
（ｃ）  前記第一のケイ素基板またはウェハをエッチングによって除去するステップと、
によって形成されるコンセプト４７に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト５５］
エチレンジアミン・ピロカテコールをエッチング液として、エッチングは行われるコンセプト５４に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト５６］
前記エピタキシャル層の抵抗率を０．０５Ω−ｃｍ以下に減少させるために、前記エピタキシャル層は、十分な濃度を有するホウ素によってドープされるコンセプト５４に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト５７］
金属層は前記エピタキシャル層上に選択的に溶着され、そして焼結されることにより、前記エピタキシャル層上に第一及び第二のオーム接触部を形成し、また、前記第二のオーム接触部は前記片持ちケイ素梁の遠心端の近くに配置され、前記第一のオーム接触部は前記第一のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成するコンセプト５４に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト５８］
前記金属層は、チタン、プラチナ及び金の個別層から形成されるコンセプト５７に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト５９］
チタン／プラチナ／金の比較的厚い層が、チタン／プラチナ／金の比較的薄い層に溶着され、それから焼結され、チタン／プラチナ／金の前記比較的厚い層の第一部分は、前記第一のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成し、また前記第一のオーム接触部を覆っており、チタン／プラチナ／金の前記比較的厚い層の第二部分は、前記第二のオーム接触部に尖状接触部を形成するコンセプト５８に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト６０］
更に、前記第二のケイ素基板またはウェハ上に、チタン／プラチナ／金の接触部を形成し、前記第二のケイ素基板またはウェハ上の前記接触部から少なくとも１つの接触部は、前記第二のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部を定義するコンセプト５９に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト６１］
前記ボンディングが共晶的に起こり、共晶ボンディングを影響する前記層が、前記第二のケイ素基板またはウェハ上の前記チタン／プラチナ／金の接触部の上に溶着された金−ケイ素共晶層、及び／または、前記第一のケイ素基板またはウェハ上のチタン／プラチナ／金の前記比較的厚い層の第一部分の上に溶着された金−ケイ素共晶層によって提供されるコンセプト６０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト６２］
さらに、前記片持ちケイ素梁をリリースするために、前記第一のケイ素基板またはウェハの少なくとも一部を除去するステップを具備するコンセプト４７に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
［コンセプト６３］
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの構造が、
（ａ）  ケイ素梁及び組合わせ部が第一のケイ素基板またはウェハ上に定義され、
（ｂ）  少なくとも１つの接触部及び組合わせ部が第二のケイ素基板またはウェハ上に定義され、前記第二のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部が、前記第一のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部と相補的な形状を持ち、
（ｃ）  ボンディング層が、前記第一のケイ素基板またはウェハ上に定義された前記組合わせ部を、前記第二のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部とボンディングするための前記組合わせ部の少なくとも１つの上に配置される構造を持ち、
前記構造からマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサを作成できることを特徴とするマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト６４］
前記組合わせ部の少なくとも１つの上に配置された前記ボンディング層が、圧力／熱に敏感であり、前記第二のケイ素基板上の前記組合わせ部に前記第一のケイ素基板またはウェハ上に定義された組合わせ部をそれらの間で圧力／熱を加えることでボンディングするコンセプト６３に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト６５］
前記第一のケイ素基板またはウェハを形成する前記ケイ素は単結晶構造を持ち、また、前記第二のケイ素基板またはウェハを形成する前記ケイ素は単結晶構造を持つコンセプト６４に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト６６］
前記第一のケイ素基板またはウェハを形成する前記ケイ素はｎ型であり、また、前記第二のケイ素基板またはウェハを形成する前記ケイ素はｎ型であるコンセプト６５に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト６７］
尖状接触部が前記ケイ素梁の端部に配置されるコンセプト６４に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト６８］
前記組合わせ部が、一方からもう一方まで前記ボンディング層に結合されるコンセプト６４に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト６９］
前記ケイ素梁は、前記第一のケイ素基板またはウェハ上のケイ素のエピタキシャル層から形成され、前記エピタキシャル層は、ドーパントでドープされているコンセプト６４に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト７０］
前記エピタキシャル層の抵抗率を０．０５Ω−ｃｍ以下に減少させるために、前記エピタキシャル層は、十分な濃度を有するホウ素によってドープされるコンセプト６９に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト７１］
さらに、前記エピタキシャル層上に第一及び第二のオーム接触部を持ち、前記第二のオーム接触部が前記ケイ素梁の遠心端の近くに配置され、前記第一のオーム接触部が前記第一のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成するコンセプト７０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト７２］
前記第一及び第二のオーム接触部は、チタン、プラチナ及び金の層から形成されているコンセプト６９に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト７３］
比較的厚い金属層が、前記第一及び第二のオーム接触部の上に配置され、前記比較的厚い金属層の第一部分が前記第一のオーム接触部上に配置され、前記第一のケイ素基板またはウェハ上の前記組合わせ部を提供し、前記比較的厚い金属層の第二部分は、前記第二のオーム接触部上に尖状接触部を形成しているコンセプト７１に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト７４］
さらに、前記第二のケイ素基板またはウェハ上に配置された金属接触部を持ち、前記第二のケイ素基板またはウェハ上の前記接触部の少なくとも１つが、前記第二のケイ素基板上の前記組合わせ部を定義するコンセプト７３に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト７５］
前記ボンディング層が、前記第二のケイ素基板またはウェハ上の前記金属接触部上に配置された金−ケイ素共晶層によって、及び／または、前記第一のケイ素基板またはウェハ上の前記比較的厚い金属層の前記第一部分上に配置された金−ケイ素共晶層によって提供されるコンセプト７４に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
［コンセプト７６］
さらに、前記エピタキシャル層上に第一及び第二のオーム接触部を持ち、前記第二のオーム接触部が前記梁の遠心端の近くに配置され、前記第一のオーム接触部が前記第一の基板またはウェハ上の前記組合わせ部を形成するコンセプト７０に記載のマイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。

【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図１Ｂ】
本発明に係る、図１Ａに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図２Ａ】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図２Ｂ】
本発明に係る、図２Ａに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図３Ａ】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図３Ｂ】
本発明に係る、図３Ａに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図４Ａ】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図４Ｂ】
本発明に係る、図４Ａに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図５Ａ】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図５Ｂ】
本発明に係る、図５Ａに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図６Ａ】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁ビームの形成部分に関する第一実施例の構成図である。
【図６Ｂ】
本発明に係る、図６Ａに対応する片持ち梁ビームの形成部分に関する形成時の一段階を示す平面図である。
【図７Ａ】
本発明に係る、第一実施例のトンネリング・センサの基板部分の構成工程における切断図である。
【図７Ｂ】
本発明に係る、図７Ａに対応する基板部分の構成工程における平面図である。
【図８Ａ】
本発明に係る、第一実施例のトンネリング・センサの基板部分の構成工程における切断図である。
【図８Ｂ】
本発明に係る、図８Ａに対応する基板部分の構成工程における平面図である。
【図９Ａ】
本発明に係る、第一実施例のトンネリング・センサの基板部分の構成工程における切断図である。
【図９Ｂ】
本発明に係る、図９Ａに対応する基板部分の構成工程における平面図である。
【図１０】
本発明に係る、片持ち梁ビーム形成部と基板部分とを組合わせ、望ましい共晶ボンディングを利用して互いのボンディングが行われた図である。
【図１１】
本発明に係る、片持ち梁ビーム形成部と基板部分とを組合わせ、望ましい共晶ボンディングを利用して互いのボンディングが行われた図である。
【図１２Ａ】
本発明に係る、第一の実施例に関する完成したトンネリング・センサの切断図である。
【図１２Ｂ】
本発明に係る、第一の実施例に関する完成したトンネリング・センサの平面図である。
【図１３Ａ】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁の第二の実施例に関する組立工程の切断図である。
【図１３Ｂ】
本発明に係る、片持ち梁の平面図である。
【図１４Ａ】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁の第二の実施例に関する組立工程の切断図である。
【図１４Ｂ】
本発明に係る、片持ち梁の平面図である。
【図１５Ａ】
本発明に係る、トンネリング・センサの第二の実施例の基板組立に関する切断図である。
【図１５Ｂ】
本発明に係る、ウェハの第二の実施例に関する組立工程に関する平面図である。
【図１６Ａ】
本発明に係る、トンネリング・センサの第二の実施例の基板組立に関する切断図である。
【図１６Ｂ】
本発明に係る、ウェハの第二の実施例に関する組立工程に関する平面図である。
【図１７Ａ】
本発明に係る、トンネリング・センサの第二の実施例の基板組立に関する切断図である。
【図１７Ｂ】
本発明に係る、ウェハの第二の実施例に関する組立工程に関する平面図である。
【図１８Ａ】
本発明に係る、トンネリング・センサの第二の実施例の基板組立に関する切断図である。
【図１８Ｂ】
本発明に係る、ウェハの第二の実施例に関する組立工程に関する平面図である。
【図１９Ａ】
本発明に係る、トンネリング・センサの第二の実施例の基板組立に関する切断図である。
【図１９Ｂ】
本発明に係る、ウェハの第二の実施例に関する組立工程に関する平面図である。
【図２０】
本発明に係る、片持ち梁及び基板をお互いにそろえ、お互いを好ましくは共晶ボンディングによってボンディングする側方図である。
【図２１】
本発明に係る、片持ち梁及び基板をお互いにそろえ、お互いを好ましくは共晶ボンディングによってボンディングする際の切断図である。
【図２２Ａ】
本発明に係る、第二実施例によって完成したマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの切断図である。
【図２２Ｂ】
本発明に係る、第二実施例によって完成したマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの正面図である。
【図２３】
本発明に係る、第二実施例によって完成したマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの切断図である。
【図２４Ａ】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁の第一及び第二の実施例の改良に関する切断図である。
【図２４Ｂ】
本発明に係る、改良の組立工程を表わす平面図である。
【図２５Ａ】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁の第一及び第二の実施例の改良に関する切断図である。
【図２５Ｂ】
本発明に係る、改良の組立工程を表わす平面図である。
【図２６Ａ】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁の第一及び第二の実施例の改良に関する切断図である。
【図２６Ｂ】
本発明に係る、改良の組立工程を表わす平面図である。
【図２７Ａ】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁の第一及び第二の実施例の改良に関する切断図である。
【図２７Ｂ】
本発明に係る、改良の組立工程を表わす平面図である。
【図２８Ａ】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁の第一及び第二の実施例の改良に関する切断図である。
【図２８Ｂ】
本発明に係る、改良の組立工程を表わす平面図である。
【図２９Ａ】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサの片持ち梁の第一及び第二の実施例の改良に関する切断図である。
【図２９Ｂ】
本発明に係る、改良の組立工程を表わす平面図である。
【図３０】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのもう１つの実施例の側面図であり、この実施例では柱の中央部に好ましい共晶ボンディングが施されている。
【図３１】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのまたもう１つのの実施例の側面図であり、この実施例では片持ち梁１２に隣接した部分に好ましい共晶ボンディングが施されている。
【図３２】
本発明に係る、図３０に示された実施例の柱補助の中央部内に好ましい共晶ボンディングを持つマイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのもう１つの実施例の側面図であり、また片持ち梁ビーム構造物上に紐状導体を有する。
【図３３】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのもう１つの実施例の側面図であり、この実施例では図３１に示された実施例における片持ち梁ビームの隣接部に好ましい共晶ボンディングが施されており、また片持ち梁ビーム構造物上に紐状導体を有する。
【図３４】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのもう１つの実施例の側面図であり、この実施例では片持ち梁ビームの隣接部に好ましい共晶ボンディングが施されており、また、柱補助構造部を形成するケイ素突部を持つ基板を利用している。
【図３５】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのまたもう１つの実施例の側面図であり、この実施例では片持ち梁の隣接部に好ましい共晶ボンディングが施され、図３４の実施例に示した柱補助構造物を形成しているケイ素突部を持つ基板を利用し、片持ち梁ビーム構造物上に紐状導体を有している。
【図３６】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのもう１つの実施例の側面図であり、図３０の実施例で示された柱補助部の中央部内に好ましい共晶ボンディングが施され、柱補助構造部を形成するケイ素突部を持つ基板が利用されている。
【図３７】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・センサのもう１つの実施例の側面図であり、図３６に示されたようにこの実施例では柱補助部の中央部内に好ましい共晶ボンディングが施され、柱補助構造部を形成するケイ素突部を持つ基板を利用し、片持ち梁ビーム構造物上に紐状導体を有している。
【図３８】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・スイッチの実施例の側面図であり、この実施例は図３２に示したセンサの実施例に類似しており、片持ち梁ビームに電気力を負荷してスイッチを閉じるのに利用される付加羽度が取り付けられている。
【図３９】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・スイッチのもう１つの実施例の側面図であり、この実施例は図３８に示したスイッチの実施例に類似しており、柱補助部の中央部において好ましい共晶ボンディングが施されているのに対して、片持ち梁ビームの隣接部において施されている。
【図４０】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・スイッチのまたもう１つの実施例の側面図であり、この実施例は図３９に示したスイッチの実施例と類似しており、片持ち梁ビームに対する柱補助構造部を形成するケイ素突部を持つ基板が利用されている。
【図４１】
本発明に係る、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・スイッチのまたもう１つの実施例の側面図であり、この実施例は図４０に示したスイッチの実施例と類似しており、紐状導体と片持ち梁ビームのケイ素との間に二酸化ケイ素層を含む。