【手続補正書】
【提出日】平成19年3月1日(2007.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦化膜上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極の表面の少なくとも一部に形成された酸化膜と、
前記酸化膜の少なくとも一部を覆って形成された第２の電極と、からなる容量を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
有機樹脂膜上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極の表面の少なくとも一部に形成された酸化膜と、
前記酸化膜の少なくとも一部を覆って形成された第２の電極と、からなる容量を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
平坦化膜上に形成された無機膜と、
前記無機膜上に形成された第１の電極と
前記第１の電極の表面の少なくとも一部に形成された酸化膜と、
前記酸化膜の少なくとも一部を覆って形成された第２の電極と、からなる容量を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
有機樹脂膜上に形成された無機膜と、
前記無機膜上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極の表面の少なくとも一部に形成された酸化膜と、
前記酸化膜の少なくとも一部を覆って形成された第２の電極と、からなる容量を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記無機膜はスパッタ法により形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の電極は陽極酸化可能な材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の電極の端部における酸化膜の廻り込み量Ｘが０．５μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の電極の端部における酸化膜の廻り込み量Ｘが０．１μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
基板上に画素マトリクス回路を少なくとも含む半導体装置において、
前記画素マトリクス回路の保持容量は、有機樹脂膜の上に設けられた遮蔽膜と、前記遮蔽膜の酸化膜と、前記酸化膜の上に設けられた画素電極とで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
同一基板上に画素マトリクス回路とドライバー回路とを少なくとも含む半導体装置において、
前記ドライバー回路を形成するｎチャネル型ＴＦＴのＬＤＤ領域は、少なくとも一部または全部が、前記ｎチャネル型ＴＦＴのゲート配線と重なるように配置され、
前記画素マトリクス回路を形成する画素ＴＦＴのＬＤＤ領域は、前記画素ＴＦＴのゲート配線と重ならないように配置され、
前記画素マトリクス回路の保持容量は有機樹脂膜の上に設けられた遮蔽膜と、前記遮蔽膜の酸化膜と、画素電極とで形成されており、
前記ドライバー回路を形成するｎチャネル型ＴＦＴのＬＤＤ領域には、前記画素ＴＦＴのＬＤＤ領域よりも高い濃度でｎ型を付与する不純物元素が含まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、
前記遮蔽膜は陽極酸化可能な材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一において、
前記遮蔽膜の端部において、酸化膜の廻り込み量Ｘが０．５μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一において、
前記画素マトリクス回路は、カラーフィルターで平坦化されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項９乃至請求項１３のいずれか一において、
前記画素電極は透明導電膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項９乃至請求項１４のいずれか一において、
前記画素電極は反射性を有する材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一に記載された半導体装置とは、
アクティブマトリクス型液晶ディスプレイ、アクティブマトリクス型ＥＬディスプレイまたはアクティブマトリクス型ＥＣディスプレイであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一に記載された半導体装置とは、
ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
ＴＦＴの上方に平坦化膜を形成し、
前記平坦化膜上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極の酸化膜を形成し、
前記酸化膜の少なくとも一部を覆って第２の電極を形成し、
前記第１の電極と、前記第１の電極の酸化膜と、前記第２の電極とで、容量が形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
ＴＦＴの上方に樹脂膜を形成し、
前記樹脂膜上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極の酸化膜を形成し、
前記酸化膜の少なくとも一部を覆って第２の電極を形成し、
前記第１の電極と、前記第１の電極の酸化膜と、前記第２の電極とで、容量が形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
ＴＦＴの上方に平坦化膜を形成し、
前記平坦化膜上に無機膜を形成し、
前記無機膜上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極の酸化膜を形成し、
前記酸化膜の少なくとも一部を覆って第２の電極を形成し、
前記第１の電極と、前記第１の電極の酸化膜と、前記第２の電極とで、容量が形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
ＴＦＴの上方に樹脂膜を形成し、
前記樹脂膜上に無機膜を形成し、
前記無機膜上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極の酸化膜を形成し、
前記酸化膜の少なくとも一部を覆って第２の電極を形成し、
前記第１の電極と、前記第１の電極の酸化膜と、前記第２の電極とで、容量が形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項２０または請求項２１において、
前記無機膜はスパッタ法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１８乃至請求項２２のいずれか一において、
前記第１の電極の酸化膜は、印加電圧／給電時間が１１Ｖ／ｍｉｎ以上とする陽極酸化で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
同一基板上に画素マトリクス回路とドライバー回路とを少なくとも含む半導体装置の作製方法において、
前記ドライバー回路を形成するｎチャネル型ＴＦＴの活性層に、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域、および、前記チャネル形成領域と前記ソース領域または前記ドレイン領域とに挟まれたＬＤＤ領域、を形成し、
前記ドライバー回路を形成するｐチャネル型ＴＦＴの活性層に、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を形成し、
前記画素マトリクス回路を形成する画素ＴＦＴの活性層に、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域および、前記チャネル形成領域と前記ソース領域または前記ドレイン領域とに挟まれたＬＤＤ領域、を形成し、
前記ドライバー回路を形成するｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴ並びに前記画素マトリクス回路を形成する画素ＴＦＴの上方に有機樹脂膜でなる層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に遮蔽膜を形成し、
前記遮蔽膜の表面に該遮蔽膜の酸化膜を形成し、
前記遮蔽膜の酸化膜に接し、且つ前記遮蔽膜に重なるようにして画素電極を形成し、
前記ドライバー回路を形成するｎチャネル型ＴＦＴのＬＤＤ領域は、少なくとも一部または全部が、前記ｎチャネル型ＴＦＴのゲート配線に重なって配置され、
前記画素ＴＦＴのＬＤＤ領域は、前記画素ＴＦＴのゲート配線に重ならないように配置され、
前記ドライバー回路を形成するｎチャネル型ＴＦＴのＬＤＤ領域には、前記画素ＴＦＴのＬＤＤ領域よりも高い濃度でｎ型を付与する不純物元素が添加されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項２４において、前記遮蔽膜の酸化膜は、印加電圧／給電時間が１１Ｖ／ｍｉｎ以上とする陽極酸化で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
基板上に画素マトリクス回路を少なくとも含む半導体装置において、
前記画素マトリクス回路は、カラーフィルターで平坦化されていることを特徴とする半導体装置。