【手続補正書】
【提出日】平成20年4月9日(2008.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空室の内部に装着されるように構成され、ＲＦ（高周波）エネルギーが供給されるシャワーヘッド電極と、
前記シャワーヘッド電極に取り付けられるＲＦ分配部材であって、軸方向に延びて前記真空室の温度制御される上部壁内の開口に入るように構成される第１の部分と前記シャワーヘッド電極を覆って横方向に延びる第２の部分とを含み、前記シャワーヘッド電極全体にわたる複数の接点にＲＦ経路を提供する高周波分配部材と、
前記ＲＦ分配部材に取り付けられ、前記真空室の前記上部壁と前記ＲＦ分配部材の前記第２の部分との間の熱経路の少なくとも一部分を前記シャワーヘッド電極に提供するように構成される熱経路部材と
を備えることを特徴とするシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項２】
前記熱経路部材が、熱伝導性の電気絶縁体を含むことを特徴とする請求項１に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項３】
前記熱経路部材が、窒化物材料を含むことを特徴とする請求項２に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項４】
前記熱経路部材が、窒化アルミニウム又は窒化ホウ素のプレートを含むことを特徴とする請求項２に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項５】
前記真空室の前記温度制御される上部壁と前記シャワーヘッド電極との間の前記熱経路の少なくとも一部分を形成するヒータをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項６】
前記アセンブリが、前記ＲＦ分配部材及び前記シャワーヘッド電極を囲む１つ又は複数の電気絶縁部材をさらに備えることを特徴とする請求項５に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項７】
前記ヒータ及び前記シャワーヘッド電極が、温度制御装置に接続されるように構成されることを特徴とする請求項５に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項８】
前記上部壁に面する前記ヒータの表面上にサーマルチョークをさらに備えることを特徴とする請求項５に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項９】
前記ヒータが、金属体及び抵抗加熱素子を備えることを特徴とする請求項５に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項１０】
前記ヒータが、対向した高分子材料層の間に配置された抵抗加熱される材料を備えることを特徴とする請求項５に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項１１】
前記ヒータが、交流又は直流電力が加えられる加熱エレメントを備えることを特徴とする請求項５に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項１２】
前記ヒータと前記温度制御される上部壁との間の前記熱経路の少なくとも一部分を提供するように構成される複数のサーマルチョークをさらに備えることを特徴とする請求項５に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項１３】
前記熱経路部材が、前記ヒータ及び前記ＲＦ分配部材と接触していることを特徴とする請求項５に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項１４】
請求項１に記載の前記シャワーヘッド電極アセンブリを備える真空室であって、
温度制御装置と、
前記温度制御装置に応答して前記ヒータに電力を供給するように構成される電力供給装置と、
前記温度制御装置に応答して前記温度制御される上部壁に流体を供給するように構成された流体制御装置と、
前記シャワーヘッド電極の１つ又は複数の部分の温度を測定し、前記温度制御装置に情報を提供するように構成される温度センサ装置と
をさらに備えることを特徴とする真空室。
【請求項１５】
前記真空室の前記上部壁が電気的に接地されることを特徴とする請求項１４に記載の真空室。
【請求項１６】
前記ＲＦ分配部材が、前記シャワーヘッド電極の前記裏面にプロセスガスを供給する少なくとも１つのガス通路を備えることを特徴とする請求項１に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項１７】
前記ＲＦ分配部材が、円形の金属プレートと、前記プレートと同軸の軸方向に延びるハブとを含み、前記軸方向に延びるハブが、前記シャワーヘッド電極の前記裏面に面する１つ又は複数のガス出口と連通する前記金属プレート内の１つ又は複数の放射状に延びるガス通路にプロセスガスを供給する、少なくとも１つの軸方向に延びるガス通路を有することを特徴とする請求項１６に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項１８】
前記軸方向に延びるハブの前記少なくとも１つのガス通路が、第１群の前記放射状に延びるガス通路と連通する中央管路にプロセスガスを供給することを特徴とする請求項１７に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項１９】
前記ＲＦ分配部材が、前記シャワーヘッド電極の前記裏面にある分離した中央プレナムと環状プレナムとにプロセスガスを供給するように動作可能な第１及び第２の軸方向に延びるガス通路を含み、前記第１のガス通路が、第１のガス供給装置を前記中央プレナムに接続するように構成され、前記第２のガス通路が、第２のガス供給装置を前記環状プレナムに接続するように構成されることを特徴とする請求項１６に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項２０】
前記ＲＦ分配部材と前記シャワーヘッド電極の間の少なくとも１つのガスシールが、前記環状プレナムから前記中央プレナムを分離することを特徴とする請求項１９に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項２１】
前記ＲＦ分配部材が、金属プレートを含み、前記金属プレートが少なくとも１つのガス管路を含み、前記ガス管路は少なくとも１つのガス通路にプロセスガスを供給し、前記ガス通路は少なくとも１つのガス出口にプロセスガスをかわるがわる供給することを特徴とする請求項１６に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項２２】
前記ＲＦ分配部材が、ＲＦ電力入力接続部及び少なくとも１つのプロセスガス入口を含むことを特徴とする請求項１６に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項２３】
前記ＲＦ分配部材が、ガス管路と、放射状に延びるガス通路と、軸方向に延びるガス出口とを含むことを特徴とする請求項１６に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項２４】
前記シャワーヘッド電極が、単一のＲＦ電力源によって電力を供給されるように構成されることを特徴とする請求項１に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項２５】
前記シャワーヘッド電極は、その一方の側がガス出口であり、したがって他方の側が前記ＲＦ分配部材と接触するシリコンカーバイド又は黒鉛のバッキング部材にエラストマー接合される、シリコン電極プレートを含むことを特徴とする請求項１に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
【請求項２６】
シャワーヘッド電極を介してプラズマエッチング室にプロセスガスを供給するステップであって、前記プロセスガスが、前記シャワーヘッド電極と半導体基板がその上に支持される下部電極との間のギャップに流入するステップと、
ＲＦ電力を前記シャワーヘッド電極に印加し、かつ前記プロセスガスをプラズマ状態に励起することによって前記プラズマエッチング室内の半導体基板をエッチングするステップであって、前記ＲＦ電力及び前記プロセスガスが、前記プラズマエッチング室の他の部分から電気的に絶縁されたガス分配部材によって前記シャワーヘッド電極に供給されるステップと
を含むことを特徴とするプラズマエッチングを制御する方法。
【請求項２７】
前記シャワーヘッド電極を、少なくとも８０℃の温度で加熱するステップをさらに含むことを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記シャワーヘッド電極を前記加熱するステップが、前記シャワーヘッド電極の少なくとも一部分を少なくとも１００℃の温度に加熱し、維持することを含むことを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記シャワーヘッド電極を加熱する前記ステップが、前記シャワーヘッド電極の少なくとも一部分を少なくとも１５０℃の温度に加熱し、維持することを含むことを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
前記シャワーヘッド電極を加熱する前記ステップが、前記半導体基板をエッチングする前記ステップの前に行われることを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項３１】
エッチングする前記ステップが、前記半導体基板上の酸化物層内の開口をエッチングすることを含み、前記開口が、パターン化されたフォトレジストによって画定されていることを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項３２】
前記プロセスガスが、フルオロカーボンガス及び／又はハイドロフルオロカーボンガスを含み、前記シャワーヘッド電極を加熱する前記ステップが、前記プロセスガス中のフッ素ラジカル密度を制御することによって、前記半導体基板上のフォトレジスト上の線条を低減させることを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項３３】
前記エッチングするステップが、酸化シリコン層内に高アスペクト比接触開口を形成することを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項３４】
前記シャワーヘッド電極から前記ガス分配部材、熱経路部材、ヒータ、１つ又は複数のサーマルチョークに延び、上部壁に至る熱経路に沿って熱を伝導することによって前記シャワーヘッド電極を冷却するステップをさらに含むことを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項３５】
前記シャワーヘッド電極に電力を印加する前記ステップが、前記プラズマエッチング室の外部のＲＦ源から、前記ガス分配部材を介し、前記ガス分配部材と前記シャワーヘッド電極との間の複数の接点を介して、前記ガス分配部材上に配置されたＲＦ入力口にＲＦ電力を供給することを含むことを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項３６】
ガスを供給する前記ステップが、前記ガス分配部材から前記シャワーヘッド電極の前記裏面にある１つ又は複数のプレナムにガスを供給することを含むことを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項３７】
ガスを供給する前記ステップが、前記基板と前記シャワーヘッド電極との間の前記ギャップ内の中央領域に第１の混合ガスを供給すること、前記中央領域を囲む前記ギャップ内の環状領域に第２の混合ガスを供給することを含み、前記第２の混合ガスが前記第１の混合ガスとは異なり、又は、前記第２の混合ガスが前記第１の混合ガスと同じものであるが前記第１の混合ガスとは異なる流量で供給されることを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項３８】
前記プラズマエッチング室内で１バッチ分のウエハを１枚ずつエッチングするステップを含み、前記シャワーヘッド電極が、前記１バッチ分のウエハを処理する間、実質的に均一な温度に維持されることを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項３９】
前記シャワーヘッド電極を加熱する前記ステップが、前記シャワーヘッド電極の中心部と縁部との間の温度差が５０℃未満となるように、前記シャワーヘッド電極の前記中心部及び前記縁部を加熱することを含むことを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項４０】
前記シャワーヘッド電極を加熱する前記ステップが、前記シャワーヘッド電極の中心部と縁部との間の温度差が２５℃未満となるように、前記シャワーヘッド電極の前記中心部及び前記縁部を加熱することを含むことを特徴とする請求項２７に記載の方法。