【手続補正書】
【提出日】平成19年11月7日(2007.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して、液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に、液滴吐出法によりマスクを形成し、
前記半導体層を前記マスクを用いてエッチングした後、前記マスクを除去し、
前記エッチングした半導体層の端部を覆うように、液滴吐出法により絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に液滴吐出法により、第１の電極を形成し、
前記半導体層上に、液滴吐出法により前記第１の電極の端部を覆うように配線層を形成し、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成することを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して、液滴吐出法により第１の電極を形成し、
前記絶縁表面を有する基板上に前記光触媒機能を有する物質を介して、液滴吐出法により前記第１の電極の端部を覆うように配線層を形成し、
前記配線層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に、液滴吐出法によりマスクを形成し、
前記半導体層を前記マスクを用いてエッチングした後、前記マスクを除去し、
前記エッチングした半導体層の端部を覆うように、液滴吐出法により絶縁層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成することを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して、液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に、液滴吐出法によりマスクを形成し、
前記半導体層を前記マスクを用いてエッチングした後、前記マスクを除去し、
前記エッチングした半導体層の端部を覆うように、液滴吐出法により絶縁層を形成し、
前記半導体層上に、液滴吐出法により配線層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、液滴吐出法により前記配線層の端部を覆うように第１の電極を形成し、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成することを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に光触媒機能を有する物質を介して、液滴吐出法により配線層を形成し、
前記絶縁表面を有する基板上に前記光触媒機能を有する物質を介して、液滴吐出法により前記配線層の端部を覆うように第１の電極を形成し、
前記配線層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に、液滴吐出法によりマスクを形成し、
前記半導体層を前記マスクを用いてエッチングした後、前記マスクを除去し、
前記エッチングした半導体層の端部を覆うように、液滴吐出法により絶縁層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成することを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、光触媒機能を有する物質として酸化チタンを用いることを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上に高融点金属を含む導電層を形成し、
前記導電層上に液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記ゲート電極と重ならない位置に形成された前記導電層を絶縁化し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に液滴吐出法により、第１の電極を形成し、
前記半導体層上に、液滴吐出法により前記第１の電極の端部を覆うように配線層を形成し、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成することを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板上に高融点金属を含む導電層を形成し、
前記導電層上に液滴吐出法により第１の電極を形成し、
前記第１の電極と重ならない位置に形成された前記導電層を絶縁化し、
前記導電層上に、液滴吐出法により前記第１の電極の端部を覆うように配線層を形成し、
前記配線層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成することを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面を有する基板上に高融点金属を含む導電層を形成し、
前記導電層上に液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記ゲート電極と重ならない位置に形成された前記導電層を絶縁化し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に、液滴吐出法により配線層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、液滴吐出法により前記配線層の端部を覆うように第１の電極を形成し、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成することを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁表面を有する基板上に高融点金属を含む導電層を形成し、
前記導電層上に液滴吐出法により配線層を形成し、
前記配線層と重ならない位置に形成された前記導電層を絶縁化し、
前記導電層上に、液滴吐出法により前記配線層の端部を覆うように第１の電極を形成し、
前記配線層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記第１の電極の端部、及び配線層を覆うように隔壁を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に液滴吐出法により第２の電極を形成することを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一項において、前記高融点金属は、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｃｒ（クロム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｖ（バナジウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｐｄ（鉛）、Ｐｔ（白金）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｏ（コバルト）又はＲｈ（ロジウム）であることを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、前記ゲート電極及び前記配線層を、銀、金、銅又はインジウム錫酸化物を用いて形成することを特徴とする発光表示装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、前記半導体層を、水素とハロゲン元素を含み、結晶構造を含むセミアモルファス半導体を用いて形成することを特徴とする発光表示装置の作製方法。