Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月2日(2007.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と前記基板の基板表面領域に設けられた第1導電形のチャネル形成半導体領域と、
前記チャネル形成半導体領域を挟んで離間して前記基板表面領域に設けられたソース領域とドレイン領域と、
前記チャネル形成半導体領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記チャネル形成領域と電気的に分離して前記基板表面領域に設けられた単結晶制御領域と、
前記単結晶制御領域上に設けられた制御ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられかつ前記制御ゲート絶縁膜上まで延在して前記単結晶制御領域と電気的に容量結合した浮遊ゲートと、
該浮遊ゲート上に設けられたシールド絶縁膜と、
前記シールド絶縁膜上に設けられ、前記浮遊ゲートと容量結合するシールド導電膜と、からなり、
該シールド絶縁膜は正負電荷がほぼバランスした前駆体が飛来する堆積法で形成された非荷電絶縁膜からなることを特徴とした浮遊ゲート形不揮発性メモリ。
【請求項２】
前記基板が半導体基板であり、前期単結晶制御領域は、前記基板表面領域に逆導電形の領域として前記チャネル形成半導体領域と離間して形成した請求項１記載の浮遊ゲート形不揮発性メモリ。
【請求項３】
前記基板が支持基板とその支持基板から絶縁された半導体層とで構成され、前記半導体層が前記基板表面領域であり、前記チャネル形成半導体領域は前記半導体層の一部に形成され、前記単結晶制御領域は前記チャネル形成半導体領域と絶縁膜で離間された請求項１記載の浮遊ゲート形不揮発性メモリ。
【請求項４】
読出し時に前記シールド導電膜へ規定の電位を供給することにより前記単結晶制御領域から見たゲート閾値電圧を調整する請求項１記載の浮遊ゲート形不揮発性メモリ。
【請求項５】
書きこみ時に前記単結晶制御領域への供給電位と同符号の規定の電位を前記シールド導電膜に供給する請求項１記載の浮遊ゲート形不揮発性メモリ。
【請求項６】
消去時に、前記単結晶制御領域への供給電位と同符号の規定の電位、前記ソース領域への供給電位と逆符号の規定の電位、ドレイン領域への供給電位と逆符号の規定の電位、のうち1つの電位を前記シールド導電膜へ供給する請求項１記載の浮遊ゲート形不揮発性メモリ。
【請求項７】
基板の基板表面領域に第1導電形のチャネル形成半導体領域を形成する工程と、
前記チャネル形成半導体領域を挟んで離間して前記基板表面領域にソース領域とドレイン領域を設ける工程と、
前記チャネル形成領域と電気的に分離して前記基板表面領域に単結晶制御領域を設ける工程と、
前記チャネル形成半導体領域上にゲート絶縁膜を設ける工程と、
前記単結晶制御領域上に制御ゲート絶縁膜を設ける工程と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられかつ前記制御ゲート絶縁膜上まで延在して前記単結晶制御領域上に浮遊ゲートを設ける工程と、
該浮遊ゲート上に正負電荷がほぼバランスした前駆体が飛来する堆積法でシールド絶縁膜を形成する工程と、
前記シールド絶縁膜上で前記浮遊ゲートと容量結合する位置にシールド導電膜を設ける工程と、
からなることを特徴とした浮遊ゲート形不揮発性メモリの製造方法。
【請求項８】
前記シールド絶縁膜を形成する工程は熱CVDであることを特徴とする請求項7記載の浮遊ゲート形不揮発性メモリの製造方法。
【請求項９】
前記シールド絶縁膜を形成する工程はラジカルCVDであることを特徴とする請求項7記載の浮遊ゲート形不揮発性メモリの製造方法。
【請求項１０】
前記シールド絶縁膜を形成する工程は光CVDであることを特徴とする請求項7記載の浮遊ゲート形不揮発性メモリの製造方法。
【請求項１１】
前記シールド絶縁膜を形成する工程はシランないしは有機シランと酸化窒素とを原料ガスとして用いた熱CVDであることを特徴とする請求項7記載の浮遊ゲート形不揮発性メモリの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明では上記の課題を解決するために、
手段１）浮遊ゲート上方にシールド絶縁膜を介してシールド導電層を設ける、
手段２）前記シールド絶縁膜はプラズマCVD等で見られるウエファ表面付近で電子、イオン等の荷電粒子の正負電荷間のバランスを欠いたガス雰囲気がウエファ表面に接触する堆積法ではなく、ウエファ直上には中性分子・原子すなわち、正負電荷がほぼバランスした前駆体が飛来する堆積法、例えば熱CVD、ラジカルCVD、光CVDなどを用いた荷電制御絶縁膜を用いる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
前記シールド絶縁膜は前記浮遊ゲートを含むウエファ直上には中性分子・原子すなわち、正負電荷がほぼバランスした前駆体が飛来する堆積法で形成される必要がある。具体的には熱CVD、ラジカルCVD、触媒CVDなどで形成された荷電制御絶縁膜が用いられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記基板が支持基板とその支持基板から絶縁された半導体層とで構成され、前記半導体層が前記基板表面領域を形成している場合は、前記単結晶制御領域は前記チャネル形成半導体領域と絶縁膜で離間された構造で、かつp形でもｎ形でも機能する。
基板が半導体基板の場合は単結晶制御領域に与えられる電位は基板に対して順方向にならない片方の極性しか許されなかったが、この場合は基板、ソース領域、ドレイン領域に対して与えられる電位の極性の制限はないことが書き込み、消去に有利である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本実施例では単結晶制御領域５００はフィールド絶縁膜４４０によってソース領域２００、ドレイン領域３００、チャネル形成半導体領域（１１１---図示せず）と文字どおり絶縁されている。したがって、単結晶制御領域５００はp形でもｎ形でもよい。さらに、正負両極性の電圧で動作可能であるため、書きこみ、消去が単結晶制御領域の電位主体で実行できる。即ち、チャネル形成半導体領域に関して単結晶制御領域を正電位（例えば１４〜１６Ｖ）として書きこみをおこなった時は、同様の絶対値を有する負電位により消去が可能である。
この他のバイアス関係は実施例１と同様である。前記シールド導電層への規定電位の供給効果は実施例１と同様である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月27日(2007.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
この種のトランスファロボットとしては、たとえば特許文献１に開示されたものがある。この特許文献１に開示されたトランスファロボットは、本願の図１４および図１５に示すように、板状のワークＷを水平に保持するハンド４００と、このハンド４００を所定の水平直線移動行程Ｓに沿って前進・後退させる直線移動機構３００と、この直線移動機構３００に含まれる支持ベース３１０を鉛直方向に昇降させる昇降機構２００とを備えている。直線移動機構３００は、支持ベース３１０のほか、この支持ベース３１０に基端部が連結された第１水平リンクアーム３２０と、この第１水平リンクアーム３２０の先端部に基端部が連結されているとともに、上記ハンド４００を鉛直軸周りに回転可能として先端部に支持する第２水平リンクアーム３３０とを含んで構成されている。昇降機構２００は、固定ベース１００に基端部が連結された第１起立リンクアーム２１０と、この第１起立リンクアーム２１０の先端部に基端部が連結されているとともに、上記支持ベース３００を水平軸周りに回転可能として先端部に支持する第２起立リンクアーム２２０とを含んで構成されている。支持ベース３１０は、第１および第２起立リンクアーム２１０，２２０が水平軸周りに回転することにより、一定姿勢を保ちながら鉛直方向に昇降する。ハンド４００は、第１および第２水平リンクアーム３２０，３３０が鉛直軸周りに回転することにより、一定姿勢を保ちながら水平直線移動行程Ｓに沿って前進・後退する。なお、支持ベース３１０には、鉛直軸周りに回転する回転部材３１１が設けられており、この回転部材３１１を介して支持ベース３１０と第１水平リンクアーム３２０とが連結されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
しかしながら、上記従来のトランスファロボットＸでは、ローラコンベアＢ１の下方からワークＷを持ち上げるようにしてハンド４００上に載せなければならないので、ロボット部Ｒとカセット部Ｃとの間にワークＷを受け渡しするためのバッファ部Ｂを設けなければならない。つまり、バッファ部Ｂの設備やその設置スペースを要するために、トランスファロボットＸを含むワーク搬送システムが大掛かりなものになってしまう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、図１４に示すように、ローラコンベアＢ１，Ｃ２は、カセット部Ｃからバッファ部Ｂへと距離Ｌ０をもってワークＷを搬送しなければならない一方、トランスファロボットＸは、ロボット部Ｒとバッファ部Ｂとの間で距離Ｌ１をもってハンド４００を前進・後退させなければならず、両者ともワークＷやハンド４００について比較的長い距離を移動させなければならない。特に、トランスファロボットＸについては、ハンド４００を移動させる距離Ｌ１が長くなればなるほど、動作時の安定性などを確保する面から大型なものになってしまう難点があった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
ワークＷがローラコンベアＣ２の前端を越えて搬送されてくると、ワークＷの下面が回転する複数のローラ４２に支持された状態となり、ワークＷは、これら複数のローラ４２によってフォーク部４１の後端側へと移動させられる。これらローラ４２の回転は、ローラコンベアＣ２がワークＷの搬送を開始してから所定時間経過後に停止させられる。なお、フォーク部４１の後端にワークＷの移動を規制するストッパを設けておき、ローラ４２の回転を一定時間経過後に停止させるようにしたり、あるいはフォーク部４１の後端にワークＷを検出するセンサを設けておき、このセンサによってワークＷが検出された時点でローラ４２の回転を停止させるようにしてもよい。このようにしてワークＷは、ローラコンベアＣ２上からハンド４Ｂ上に載り移る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
また、本実施形態のトランスファロボットＡ１によれば、ローラコンベアＣ２に対してできる限り近い位置にトランスファロボットＡ１を設置することができ、ハンド４Ａ，４Ｂを移動させる距離Ｌ１’を従来の距離Ｌ１（図１４参照）に比べて相当短くすることができる。そのため、動作時には、ハンド４Ａ，４Ｂを鉛直方向や水平直線移動行程Ｓに沿ってより安定した姿勢で動かすことができる。また、昇降機構２や直線移動機構３Ａ，３Ｂとしては、作動範囲が従来に比べて小さくて済むことから、できる限り小型のものを採用することができ、これによってロボットそのものの小型化を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月10日(2007.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体酸化物型燃料電池セルを用いる発電装置であり、
燃料電池セルの収容室内へ有酸素ガスを導入する有酸素ガス導入経路を備えており、
その有酸素ガス導入経路内に燃焼手段が配置されていることを特徴とする発電装置。
【請求項２】
前記燃焼手段は、空気過剰状態で燃焼するバーナであることを特徴とする請求項１の発電装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は、固体酸化物型燃料電池セルを用いる発電装置に関する。この発電装置は、燃料電池セルの収容室内へ有酸素ガスを導入する有酸素ガス導入経路を備えており、有酸素ガス導入経路内に燃焼手段が配置されていることを特徴としている。
本発明の発電装置では、燃料電池セルの収容室へ有酸素ガスを導入する有酸素ガス導入経路内に燃焼手段を配置している。この構成によれば、発電装置の起動時には、燃焼手段を運転することによって燃焼手段で加熱した有酸素ガスを燃料電池セルに供給することができる。発電装置の起動時に、燃焼手段で加熱した有酸素ガスを燃料電池セルに供給することによって、発電効率が高い温度にまで燃料電池セルを短時間で昇温させることができる。燃料電池セルの収容室内に加熱手段を収容するのでなく、有酸素ガスを導入する経路内に燃焼手段を配置するため、燃料電池セルの収容室が大型化することはなく、熱容量が大きくなることもない。
本発明によると、燃料電池式発電装置の起動時間を効果的に短縮することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の発電装置に備えられる燃焼手段は、空気過剰状態で燃焼するバーナであることが好ましい。
燃料電池セルの酸素極の多くは、ＬＳＭ（ランタンストロンチウム酸化物）等の酸化セラミックから構成されている。酸化セラミックは、還元雰囲気にさらされると破壊してしまうことがある。
本発明では、有酸素ガス導入経路内に配置されたバーナで燃焼させる。この燃焼によって燃焼ガスが発生し、発生した燃焼ガスは有酸素ガスとともに燃料電池セルの収容室内へ導入される。一般に燃焼ガス中の酸素濃度は低く、酸素濃度の低いガスが燃料電池セルの酸素極に供給されると、酸素極が還元されて破壊されてしまうことがある。
本発明では、空気過剰状態でバーナを燃焼させるので、燃焼ガス中の酸素濃度が高く、燃焼ガスにさらされた酸素極が還元されてしまう事態の発生を防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月20日(2007.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
通常運転中は、逆変換器４の出力電圧が第2の電圧基準設定値８６の出力より低いので、第2の差分回路８７の出力は負の値となる、従って第2の電圧制御器８８の出力も負の値を取ろうとするが、第2の電圧制御器８８には負の値と成らないように出力下限値が０に設定されているため、第2の電圧制御器８８の出力は0となる。加算器８４には第１の電圧制御器８３と第２の電圧制御器８８の出力が入力されるが、第２の電圧制御器８８の出力が０であるため、加算器８４の出力は第１の電圧制御器８３の出力と等しくなり。順変換器２は第１の電圧制御器８３の信号で制御されることになる。第２の電圧制御器８８の出力は０であるので、逆変換器４の出力に影響を与えず、安定に運転できる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月30日(2007.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記光学系制御手段は、前記撮像手段で取得した基準機能パターンのうちの二つの画像データを用いて、各画像データの論理和を取ることにより前記無欠陥の基準機能パターン画像を生成することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記光学系制御手段は、前記撮像手段で取得した基準機能パターンの画像データにて隣同士の基準機能パターンの画像データを用いて、各画像データの論理和を取ることにより無欠陥の基準機能パターン画像を生成することを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前記光学系制御手段は、前記撮像手段で取得した基準機能パターンのうちの二つの画像データを用いて、各画像データの論理和を取ることにより前記無欠陥の基準機能パターン画像を生成するものである。これにより、撮像手段で取得した基準機能パターンのうちの二つの画像データを用いて、光学系制御手段で各画像データの論理和を取り、無欠陥の基準機能パターン画像を生成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
さらにまた、前記光学系制御手段は、前記撮像手段で取得した基準機能パターンの画像データにて隣同士の基準機能パターンの画像データを用いて、各画像データの論理和を取ることにより無欠陥の基準機能パターン画像を生成するものである。これにより、撮像手段で取得した基準機能パターンの画像データにて、隣同士の基準機能パターンの画像データを用いて、光学系制御手段で各画像データの論理和を取り、無欠陥の基準機能パターン画像を生成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、請求項２及び３に係る発明によれば、撮像手段で取得した一つ前の基準機能パターンの画像データと新たに取得した基準機能パターンの画像データとを用いて、被露光体の移動方向の前後にて互いに同位置にある各画像データの論理和を取り、無欠陥の基準機能パターン画像を生成するようにしたことにより、被露光体を載置するステージ上に付着した異物等の欠陥がある場合にも該欠陥を取除くことができる。したがって、上記欠陥を基準位置と誤認して露光することを防止することができ、所定の機能パターンの露光精度を向上することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
さらに、請求項２及び４に係る発明によれば、撮像手段で取得した基準機能パターンの画像データにて隣同士の基準機能パターンの画像データを用いて、各画像データの論理和を取り、無欠陥の基準機能パターン画像を生成するようにしたことにより、最後列の光ビームの走査領域内に欠陥があるときにも、隣同士の機能パターンを比較して欠陥を取除くことができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
上記搬送手段４の上方にて矢印Ａで示す搬送方向の上記レーザビームの走査位置手前側には、撮像手段５が設けられている。この撮像手段５は、ガラス基板８に予め形成された露光の基準となる基準機能パターンとしてのブラックマトリクスのピクセルを撮像するものであり、受光素子が一列状に配列された例えばラインＣＣＤである。ここで、図３に示すように、上記撮像手段５の撮像位置Ｅと上記レーザビームの走査位置Ｆとの距離Ｄは、ブラックマトリクス２１のピクセル２２の搬送方向配列ピッチＰの整数倍（ｎ倍）となるように設定される。これにより、ガラス基板８が搬送されて上記ピクセル２２の中心とレーザビームの走査位置とが一致したときにレーザビームが走査を開始するように走査タイミングを合わせることができる。また、上記距離Ｄは、小さい程よい。これにより、ガラス基板８の移動誤差を少なくすることができ、レーザビームの走査位置を上記ピクセル２２に対してより正確に位置決めすることができる。なお、図１には、撮像手段５を三台設置した例を示しているが、レーザビームの走査範囲が一台の撮像手段５の画像処理領域より狭いときには、撮像手段５は一台でよく、上記走査範囲が一台の撮像手段５の画像処理領域より広いときには、それに応じて複数台の撮像手段を設置するとよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
ステップＳ３では、ガラス基板８の移動方向における露光位置が検出される。ここで、図３に示すように、レーザビームの走査位置Ｆと撮像手段５の撮像位置Ｅ間の距離Ｄは、上記ピクセル２２の移動方向への配列ピッチＰの整数倍（ｎ倍）に設定されているため、レーザビームの走査周期をカウントすることによって上記露光位置を割り出すことができる。例えば、図１３に示すように、レーザビームの走査位置と撮像手段５の撮像位置との間の距離Ｄがピクセル２２の配列ピッチＰの例えば３倍に設定されている場合に、ステップＳ２においてピクセル２２の端部に第１及び第２の基準位置を検出した後（同図（ａ）参照）、ガラス基板８が移動してピクセル列中心線が撮像手段５の撮像位置に達したとき（同図（ｂ）参照）、レーザビームの走査開始タイミングと一致する。ここで、レーザビームが周期Ｔで走査している場合、ガラス基板８の搬送速度は、レーザビームの周期Ｔに同期してピクセル２２の１ピッチ分だけ移動するように制御される。したがって、次の１Ｔ間にピクセル２２は同図（ｃ）に示す位置に移動する。さらに、２Ｔ後には、ピクセル２２は同図（ｄ）に示す位置まで移動する。そして、３Ｔ後には、同図（ｅ）に示すように、ピクセル２２の列中心線がレーザビームの走査位置に達することになる。こうして、露光位置が検出される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図１５は、第２の発明による露光装置の実施形態を示す概念図である。なお、ここでは、図１に示す露光装置と異なる部分について説明する。この第２の発明は、レーザビームの走査範囲よりも狭い画像処理領域を有する撮像手段５を一台だけ備えたものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2005317800.tif 000001
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2005317800.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月2日(2007.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一連の接続端子を有する制御素子と、該制御素子と平行に配置されて同制御素子の各接続端子にそれぞれダンパ抵抗を介して接続される一連の接続端子を有するメモリ素子と、該メモリ素子と平行に配置されて同メモリ素子の各接続端子に接続される一連の終端抵抗とを実装したプリント配線基板を備えた電子装置において、
前記制御素子の中央側に位置する接続端子に接続される前記ダンパ抵抗を前記一連の終端抵抗の前記メモリ素子とは反対側に配置し、前記制御素子の中央側から両側に離間して置する接続端子に接続される前記ダンパ抵抗を前記メモリ素子の前記制御素子側に配置して、前記制御素子の接続端子を前記ダンパ抵抗を介して前記メモリ素子の接続端子に実質的に同じ長さの配線によって接続したことを特徴とする電子装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この要請に応えるには、メモリコントローラ２０とメモリモジュール３０との間の信号伝送時間が、各ダンパー抵抗４０毎に接続した各配線部系統の間において、相互に等しくなることが必要である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
一方、上記電子装置では、メモリコントローラ２０の一連の接続ピン２１は、一連のダンパ抵抗４０と共に、プリント配線板１０上において図２にて示すごとく、上下方向に一列に配列されている。このため、プリント配線板１０上において、例えば、配線部Ａｍとの接続関係にあるメモリコントローラ２０の接続ピン２１とダンパ抵抗４０との間の距離は、配線部Ａ１或いはＡｎとの接続関係にあるメモリコントローラ２０の接続ピン２１とダンパ抵抗４０との間の距離に比べて短い。換言すれば、互いに対応する接続ピン２１とダンパ抵抗４０との間の距離は、図２にて配線部Ａｍを中心にして図示上下方向にかけて順に長くなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、上記の課題に対処するため、一連の接続端子（２１）を有する制御素子（２０）と、該制御素子と平行に配置されて同制御素子の各接続端子にそれぞれダンパ抵抗（４０）を介して接続される一連の接続端子（３１）を有するメモリ素子（３０）と、該メモリ素子と平行に配置されて同メモリ素子の各接続端子に接続される一連の終端抵抗（５０）とを実装したプリント配線基板（１０）を備えた電子装置において、前記制御素子（２０）の中央側に位置する接続端子（２１）に接続される前記ダンパ抵抗（４０）を前記一連の終端抵抗（５０）の前記メモリ素子（３０）とは反対側に配置し、前記制御素子の中央側から両側に離間して置する接続端子（２１）に接続される前記ダンパ抵抗（４０）を前記メモリ素子（３０）の前記制御素子側に配置して、前記制御素子（２０）の接続端子（２１）を前記ダンパ抵抗（４０）を介して前記メモリ素子（３０）の接続端子（３１）に実質的に同じ長さの配線によって接続したことを特徴とする電子装置を提供するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記のように構成した本発明による電子装置においては、一連のダンパ抵抗の実装位置に工夫を凝らし、上記一連の配線を互いに実質的に同じ長さにするように、当該一連のダンパ抵抗をメモリ素子の制御素子側と一連の終端抵抗のメモリ素子側とは反対側にてプリント配線上に実装するようにした。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
従って、上記中央側配線部群のうちの配線部Ｄｍ以外の各配線部も、配線部Ｄ１或いはＤｎと実質的に等長に形成され得る。このため、上記中央側配線部群のメモリコントローラ２０とメモリモジュール３０との間における配線スペースは、上記従来装置に比べて大幅に減少し得る。換言すれば、メモリコントローラ２０とメモリモジュール３０との間の間隔が上記従来装置に比べて大幅に狭くできる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
なお、本発明の実施にあたり、上記実施形態に限ることなく、以下のような種々の変形例が挙げられる。
１．メモリコントローラ２０は、図１にて示す実装位置に限ることなく、メモリモジュール３０の長手方向に並行な位置であれば、適宜変更して実装してもよい。これに伴い、一連のダンパ抵抗４０のうち一連の終端抵抗５０のメモリモジュール３０とは反対側に実装するダンパ抵抗の位置及び数は、メモリコントローラ２０の実装変更位置にあわせて変更すればよい。なお、変更するダンパ抵抗の数は一連のダンパ抵抗４０の数のうちの３０（％）〜７０（％）の程度にするとよい。
２．メモリコントローラ２０は、超集積回路に限ることなく、例えば、単なる集積回路であってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容して処理する処理室と、前記基板を保持して前記処理室に搬入するボートと、前記ボートによって前記処理室に搬入された前記基板の主面に対して水平方向に冷却ガスを噴き出す冷却ガス噴出口と、前記冷却ガス噴出口から噴き出された前記冷却ガスを排気する排気口とを備えており、  
前記冷却ガス噴出口と前記排気口との間には前記冷却ガスの流れの流路を狭める絞り部が形成されていることを特徴とする基板処理装置。  
【請求項２】
前記絞り部が、前記処理室の内周と前記ボートに保持された前記基板の外周との間に設置された塞ぎ板によって形成されていることを特徴とする請求項１の基板処理装置。
【請求項３】
前記絞り部が、前記処理室の側壁自体が変形されて形成されていることを特徴とする請求項１の基板処理装置。
【請求項４】
基板を収容して処理する処理室と、前記基板を保持して前記処理室に搬入するボートと、前記ボートによって前記処理室に搬入された前記基板の主面に対して水平方向に冷却ガスを噴き出す冷却ガス噴出口と、前記冷却ガス噴出口から噴き出された前記冷却ガスを排気する排気口とを備えており、
前記処理室内には、前記処理室内の前記ボートに保持された前記基板が配置される範囲であって、前記基板の主面に対して水平方向の前記基板との間の距離が前記冷却ガスの流れ方向に従って小さくなる絞り部が、形成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
基板を収容して処理する処理室と、前記基板を保持して前記処理室に搬入するボートと、前記ボートによって前記処理室に搬入された前記基板の主面に対して水平方向に冷却ガスを噴き出す冷却ガス噴出口と、前記冷却ガス噴出口から噴き出された前記冷却ガスを排気する排気口とを備えており、前記冷却ガス噴出口と前記排気口との間には前記冷却ガスの流れの流路を狭める絞り部が形成されている基板処理装置を用いて前記基板を処理する半導体装置の製造方法において、
前記処理室に前記ボートを搬入するステップと、
前記冷却ガス噴出口から冷却ガスを噴き出して前記絞り部及び前記基板の間を流通させて前記基板に接触させ、前記排気管によって排気するステップと、
を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月9日(2007.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
実施例１〜８、比較例１〜８
（接着剤シートの作成）
下記の熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂およびその他添加剤を、それぞれ表１に示した組成比となるように配合し、これを固形分濃度が２８重量％となるようにジメチルホルムアルデヒド（ＤＭＦ）／モノクロルベンゼン（ＣＢ）／メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）混合溶媒に配合して４０℃の温度で攪拌、溶解して、接着剤溶液を作製した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
【表２】
2005317613.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月18日(2007.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法、除去方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
形状化されたマスクを表面に有する導電層を、前記導電層の側壁に垂直方向に延びるように反応生成物を付着させながら第１のエッチングをし、
液体組成物を用いて処理し、前記マスクを除去すると共に、前記反応生成物を水平方向若しくは斜め方向に倒し、
酸素ガスとハロゲン化物ガスとをプロセスガスとして用いた第２のエッチングによって前記反応生成物を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
形状化されたマスクを表面に有する導電層を、前記導電層の側壁に垂直方向に延びるように反応生成物を付着させながら第１のエッチングし、
液体組成物を用いた処理と、音波エネルギーの印加を伴った溶液処理とによって、前記マスクを除去すると共に、前記反応生成物を水平方向若しくは斜め方向に倒し、
酸素ガスとハロゲン化物ガスとをプロセスガスとして用いた第２のエッチングによって前記反応生成物を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
形状化されたマスクを表面に有する導電層を、前記導電層の側壁に垂直方向に延びるように反応生成物を付着させながら第１のエッチングし、
液体組成物を用いた処理と、超音波若しくはメガソニックの印加を伴った溶液処理とによって、前記マスクを除去すると共に、前記反応生成物を水平方向若しくは斜め方向に倒し、
酸素ガスとハロゲン化物ガスとをプロセスガスとして用いた第２のエッチングによって前記反応生成物を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記マスクは感光性樹脂であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記ハロゲン化物ガスは、塩素ガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記第２のエッチングは、誘導結合型プラズマ方式で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
導電膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電膜に第１のエッチングをすることによって導電層を形成する際に、前記マスク及び前記導電層の側壁に付着する反応生成物の除去方法であって、
前記マスクと前記導電層と前記反応生成物とが形成された状態において、液体組成物を用いて前記マスクを除去し、
前記液体組成物を洗浄する処理を行い、
酸素ガスとハロゲン化物ガスとをプロセスガスとして用いた第２のエッチングを行うことによって、前記反応生成物を除去することを特徴とする除去方法。
【請求項８】
導電膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電膜に第１のエッチングをすることによって導電層を形成する際に、前記マスク及び前記導電層の側壁に付着する反応生成物の除去方法であって、
前記マスクと前記導電層と前記反応生成物とが形成された状態において、液体組成物を用いて前記マスクを除去し、
前記液体組成物を洗浄する処理を行い、
超音波若しくはメガソニックの印加を伴う溶液処理を行い、
酸素ガスとハロゲン化物ガスとをプロセスガスとして用いた第２のエッチングを行うことによって、前記反応生成物を除去することを特徴とする除去方法。
【請求項９】
請求項７又は請求項８に記載の除去方法を用いた工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月18日(2007.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に接し、前記第１の基板と第２の基板との間に配置された複数の発光素子と、
隣合う前記発光素子の間に配置された遮光材料からなる隔壁と、を有し、
前記発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に発光層を含む層が挟まれた構造を有し、
前記第１及び第２の基板と、前記第１及び第２の電極と、は透光性を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の基板上に接し、前記第１の基板と第２の基板との間に配置された複数の発光素子と、
隣合う前記発光素子の間に配置された遮光材料からなる第１の隔壁と、前記第１の隔壁上に配置された逆テーパー形状の第２の隔壁と、を有し、
前記発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に発光層を含む層が挟まれた構造を有し、
前記第１及び第２の基板と、前記第１及び第２の電極と、は透光性を有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１及び第２の基板に、偏光板、円偏光板、又は位相差板を有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
第１の基板上に接し、前記第１の基板と第２の基板との間に配置された複数の発光素子と、
隣合う前記発光素子の間に配置された遮光材料からなる隔壁と、を有し、
前記発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に発光層を含む層が挟まれた構造を有し、
前記第１の電極は、前記第１の基板と接して形成されており、
前記第２の基板と、前記第２の電極と、は透光性を有することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
第１の基板上に接し、前記第１の基板と第２の基板との間に配置された複数の発光素子と、
隣合う前記発光素子の間に配置された遮光材料からなる第１の隔壁と、前記第１の隔壁上に配置された逆テーパー形状の第２の隔壁と、を有し、
前記発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に発光層を含む層が挟まれた構造を有し、
前記第２の基板と、前記第２の電極と、は透光性を有することを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項３又は請求項４において、
前記第１の電極は、炭素及びニッケルを含むアルミニウム合金からなることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項３又は請求項４において、
前記第１の電極は、炭素及びニッケルを含むアルミニウム合金上からなる第１の導電膜上に透光性を有する第２の導電膜が積層された構造を有することを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項４乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第２の基板に、偏光板、円偏光板、又は位相差板を有することを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月19日(2006.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
設定可能なＰＣＩエクスプレススイッチを制御する方法であって、
ＰＣＩ構成空間レジストリを読むステップと、
複数のダウンストリームＰＣＩ−ｔｏ−ＰＣＩブリッジの１つを発見するステップと、
複数のアップストリームＰＣＩ−ｔｏ−ＰＣＩブリッジの１つに関連づけられたバス用の制御インターフェイスを発見するステップと、
前記バス上で発見されたデバイスを列挙するステップを含み、
第１のＣＰＵが、第２のＣＰＵ上に列挙されたデバイスへのアクセスを要求した場合、コントローラは、前記デバイスが接続されているダウンストリームポートを解放させる要求を前記第２のＣＰＵに対して開始し、
前記要求が認められた場合、前記第２のＣＰＵは前記デバイスを黙認し、前記ダウンストリームポートの解放を求める許可を前記コントローラに対して開始することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質膜、アノード側反応室、およびカソード側反応室を有するとともに、前記アノード側反応室に供給される燃料と前記カソード側反応室に供給される酸素とを反応させて電気エネルギを得る燃料電池と、前記燃料電池に供給される前記燃料の水溶液を収納するとともに、前記燃料の水溶液を前記アノード側反応室に供給する燃料供給手段と、前記アノード側反応室内の前記燃料の濃度を検出する燃料濃度検出手段と、前記燃料濃度検出手段からの濃度検出信号に基づいて、前記燃料供給手段の動作を制御する供給制御手段とを備え、前記燃料の水溶液の濃度は、前記アノード側反応室内の前記燃料の設定濃度よりも高濃度であることを特徴とする燃料電池システム。
【請求項２】
前記供給制御手段は、前記燃料濃度検出手段からの濃度検出信号が所定範囲下限未満となったときに、前記燃料供給手段から前記アノード側反応室に前記燃料の水溶液を供給し、前記濃度検出信号が所定範囲上限より大きくなったときに、前記燃料供給手段からの前記燃料の水溶液の供給を停止する構成とされていることを特徴とする請求項１に記載の燃料電池システム。
【請求項３】
前記燃料供給手段は、前記アノード側反応室における前記燃料の反応により生じる圧力変化を用いて前記燃料の水溶液を供給することを特徴とする請求項１または２に記載の燃料電池システム。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の燃料電池システムを備えたことを特徴とする機器。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月25日(2007.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクのＵＴＯＣ領域からの情報に基づいて該ディスクが未記録か否かを判別する制御装置において、
前記制御装置は、前記読取り情報が得られない場合、前記ディスクの読取り条件の調整指示を出力することを特徴とする制御装置。
【請求項２】
前記調整指示は、前記ディスクの回転を制御する回転制御手段、または前記読取り情報を信号処理する信号処理手段の調整を指示するものであることを特徴とする請求項１記載の制御装置。
【請求項３】
前記制御装置は、前記読取り条件の調整指示の出力後に、前記読取り情報が得られない場合、前記ＵＴＯＣ領域の他のクラスタの読取り指示を出力することを特徴とする請求項１又は２記載の制御装置。
【請求項４】
ディスクのＵＴＯＣ領域からの情報に基づいて該ディスクが未記録か否かを判別する制御手段と、
前記ディスクの読取り条件を調整する調整手段と、を備え、
前記制御手段は、前記読取り情報が得られない場合、前記調整手段の前記ディスクの読取り条件を調整することを特徴とする制御装置。
【請求項５】
ディスクに記録された情報を読取る信号検出手段と、
前記信号検出手段により読取られた前記ディスクのＵＴＯＣ領域の読取り信号に基づいて該ディスクが未記録か否かを判別する制御手段と、
前記ディスクの読取り条件を調整する調整手段と、を備え、
前記制御手段は、前記読取り情報が得られない場合、前記調整手段によって前記ディスクの読取り条件を調整するように制御することを特徴とするディスク再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述の目的を達成するため、本発明に係る制御装置（１）は、
ディスクのＵＴＯＣ領域からの情報に基づいて該ディスクが未記録か否かを判別する制御装置において、
前記制御装置は、前記読取り情報が得られない場合、前記ディスクの読取り条件の調整指示を出力することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明に係る制御装置（２）は、制御装置（１）において、
前記調整指示は、前記ディスクの回転を制御する回転制御手段、または前記読取り情報を信号処理する信号処理手段の調整を指示するものであることを特徴とし、
本発明に係る制御装置（３）は、制御装置（１）又は（２）において、
前記制御装置は、前記読取り条件の調整指示の出力後に、前記読取り情報が得られない場合、前記ＵＴＯＣ領域の他のクラスタの読取り指示を出力することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらに、本発明に係る制御装置（４）は、
ディスクのＵＴＯＣ領域からの情報に基づいて該ディスクが未記録か否かを判別する制御手段と、
前記ディスクの読取り条件を調整する調整手段と、を備え、
前記制御手段は、前記読取り情報が得られない場合、前記調整手段の前記ディスクの読取り条件を調整することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明に係るディスク再生装置（１）は、
ディスクに記録された情報を読取る信号検出手段と、
前記信号検出手段により読取られた前記ディスクのＵＴＯＣ領域の読取り信号に基づいて該ディスクが未記録か否かを判別する制御手段と、
前記ディスクの読取り条件を調整する調整手段と、を備え、
前記制御手段は、前記読取り情報が得られない場合、前記調整手段によって前記ディスクの読取り条件を調整するように制御することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る制御装置（１）、（２）、（４）、ディスク再生装置（１）によれば、実際にはディスクにデータが書き込まれているにもかかわらず、ジッタ等の影響でデータ読取りエラーが多く、データが読めない場合でも、ディスクの回転制御や信号処理手段の読取り条件を変更して再度ＵＴＯＣ領域に記録された目録情報が読まれるので、「記録済ディスク」を誤って「未記録ディスク」であると判断する可能性を減少させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明に係る制御装置（３）によれば、情報の読取り条件を変更してもディスクのＵＴＯＣ領域に記録された目録情報を読み出せないとき、ＵＴＯＣ領域の他のクラスタに記録された目録情報が読まれるので、「記録済ディスク」を誤って「未記録ディスク」であると判断する可能性をさらに減少させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月24日(2007.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクから読み出されたデータを一時的に格納するメモリと、
サーボ制御回路の調整を行う制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記メモリの状況に応じて調整項目を決定することを特徴とするディスク再生装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記メモリに格納されているデータの量に応じて調整項目を決定する請求項１記載のディスク再生装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記メモリに格納されているデータの圧縮形式に応じて調整項目を決定する請求項１記載のディスク再生装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記メモリに格納されているデータの量と圧縮形式の組み合わせに応じて調整項目を決定する請求項１記載のディスク再生装置。
【請求項５】
ディスクの再生時で前記メモリ内のデータ量がゼロとなったとき、全ての調整項目についてサーバ制御回路の調整を行う手段をさらに具備する請求項１〜４のいずれか１項記載のディスク再生装置。
【請求項６】
ディスクの再生時で前記メモリ内のデータ量がゼロになったとき、システムの初期化を行う手段をさらに具備する請求項５記載のディスク再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月10日(2007.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サブピクチャメニューの有無情報および再生中のユーザの操作制限情報が記録された情報記録媒体から記録情報を再生する情報再生装置において、
前記サブピクチャメニューまたはサブピクチャを切り替えるための切替え画面を呼び出すための共通の指令を入力させる指令入力部と、
前記サブピクチャメニューの有無情報および前記ユーザの操作制限情報をそれぞれ検出する検出部と、
前記サブピクチャメニューの再生と前記サブピクチャを切替えるためのサブピクチャ再生選択機能の起動との優先関係を設定する設定部と、
前記指令入力部より前記指令が入力されたとき、前記設定部により設定された前記優先関係と前記検出部の検出結果に基づいて、前記サブピクチャメニュー再生とサブピクチャの切替え画面の表示のうち優先させて実行させる処理を選択する処理選択部と
を具備することを特徴とする情報再生装置。
【請求項２】
サブピクチャメニューの有無情報および再生中のユーザの操作制限情報が記録された情報記録媒体から記録情報を再生する情報再生方法において、
前記サブピクチャメニューの再生と前記サブピクチャを切替えるためのサブピクチャ再生選択機能の起動との優先関係を設定しておき、
前記サブピクチャメニューまたはサブピクチャを切り替えるための切替え画面を呼び出すための共通の指令が入力されたとき、前記サブピクチャメニューの有無情報および前記ユーザの操作制限情報をそれぞれ検出し、この検出結果と、前記設定された優先関係に基づいて、前記サブピクチャメニュー再生と前記サブピクチャの切替え画面の表示のうち優先させて実行させる処理を選択することを特徴とする情報再生方法。
【請求項３】
オーディオメニューの有無情報および再生中のユーザの操作制限情報が記録された情報記録媒体から記録情報を再生する情報再生装置において、
前記オーディオメニューまたはオーディオを切り替えるための切替え画面を呼び出すための共通の指令を入力させる指令入力部と、
前記オーディオメニューの有無情報および前記ユーザの操作制限情報をそれぞれ検出する検出部と、
前記オーディオメニューの再生と前記オーディオを切替えるためのオーディオ再生選択機能の起動との優先関係を設定する設定部と、
前記指令入力部より前記指令が入力されたとき、前記設定部により設定された前記優先関係と前記検出部の検出結果に基づいて、前記オーディオメニュー再生とオーディオの切替え画面の表示のうち優先させて実行させる処理を選択する処理選択部と
を具備することを特徴とする情報再生装置。
【請求項４】
オーディオメニューの有無情報および再生中のユーザの操作制限情報が記録された情報記録媒体から記録情報を再生する情報再生方法において、
前記オーディオメニューの再生と前記オーディオを切替えるためのオーディオ再生選択機能の起動との優先関係を設定しておき、
前記オーディオメニューまたはオーディオを切り替えるための切替え画面を呼び出すための共通の指令が入力されたとき、前記オーディオメニューの有無情報および前記ユーザの操作制限情報をそれぞれ検出し、この検出結果と、前記設定された優先関係に基づいて、前記オーディオメニュー再生とオーディオの切替え画面の表示のうち優先させて実行させる処理を選択する
ことを特徴とする情報再生方法。
【請求項５】
アングルメニューの有無情報および再生中のユーザの操作制限情報が記録された情報記録媒体から記録情報を再生する情報再生装置において、
前記アングルメニューまたはアングルを切り替えるための切替え画面を呼び出すための共通の指令を入力させる指令入力部と、
前記アングルメニューの有無情報および前記ユーザの操作制限情報をそれぞれ検出する検出部と、
前記アングルメニューの再生と前記アングルを切替えるためのアングル再生選択機能の起動との優先関係を設定する設定部と、
前記指令入力部より前記指令が入力されたとき、前記設定部により設定された前記優先関係と前記検出部の検出結果に基づいて、前記アングルメニュー再生とアングルの切替え画面の表示のうち優先させて実行させる処理を選択する処理選択部と
を具備することを特徴とする情報再生装置。
【請求項６】
アングルメニューの有無情報および再生中のユーザの操作制限情報が記録された情報記録媒体から記録情報を再生する情報再生方法において、
前記アングルメニューの再生と前記アングルを切替えるためのアングル再生選択機能の起動との優先関係を設定しておき、
前記アングルメニューまたはアングルを切り替えるための切替え画面を呼び出すための共通の指令が入力されたとき、前記アングルメニューの有無情報および前記ユーザの操作制限情報をそれぞれ検出し、この検出結果と、前記設定された優先関係に基づいて、前記アングルメニュー再生とアングルの切替え画面の表示のうち優先させて実行させる処理を選択する
ことを特徴とする情報再生方法。
【請求項７】
チャプターメニューの有無情報および再生中のユーザの操作制限情報が記録された情報記録媒体から記録情報を再生する情報再生装置において、
前記チャプターメニューまたはチャプターを切り替えるための切替え画面を呼び出すための共通の指令を入力させる指令入力部と、
前記チャプターメニューの有無情報および前記ユーザの操作制限情報をそれぞれ検出する検出部と、
前記チャプターメニューの再生と前記チャプターを切替えるためのチャプター再生選択機能の起動との優先関係を設定する設定部と、
前記指令入力部より前記指令が入力されたとき、前記設定部により設定された前記優先関係と前記検出部の検出結果に基づいて、前記チャプターメニュー再生とチャプターの切替え画面の表示のうち優先させて実行させる処理を選択する処理選択部と
を具備することを特徴とする情報再生装置。
【請求項８】
チャプターメニューの有無情報および再生中のユーザの操作制限情報が記録された情報記録媒体から記録情報を再生する情報再生方法において、
前記チャプターメニューの再生と前記チャプターを切替えるためのチャプター再生選択機能の起動との優先関係を設定しておき、
前記チャプターメニューまたはチャプターを切り替えるための切替え画面を呼び出すための共通の指令が入力されたとき、前記チャプターメニューの有無情報および前記ユーザの操作制限情報をそれぞれ検出し、この検出結果と、前記設定された優先関係に基づいて、前記チャプターメニュー再生とチャプターの切替え画面の表示のうち優先させて実行させる処理を選択する
ことを特徴とする情報再生方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ピックアップを掃引することによりディスクの表面層から最初の記録層までの層間隔を計測する層間隔計測手段と、
前記層間隔が所定の範囲であるとき、ディスクを所定時間回転させた後、該層間隔計測手段による層間隔の計測を再度実行させる再測定手段と、該再測定手段によって計測された層間隔によりディスクの種類を判定する判定手段と、を有するディスク再生装置。
【請求項２】
前記層間隔が所定の範囲であるとき、ディスクの半径方向における光ピックアップの位置決め動作を実行する手段をさらに有する請求項１記載のディスク再生装置。
【請求項３】
前記層間隔が所定の範囲であるとき、前記層間隔計測手段による計測後所定の制限時間内で第２の記録層の検出を行う記録層検出手段をさらに有する請求項１〜２のいずれか１項記載のディスク再生装置。
【請求項４】
前記制限時間は、前記層間隔に応じて定められる時間である請求項３記載のディスク再生装置。
【請求項５】
前記所定の範囲はディスクの種類ごとの層間隔計測結果に応じて定められる請求項１〜４のいずれか１項記載のディスク再生装置。
【請求項６】
前記所定の範囲はディスクの種類ごとの複数の層間隔計測結果の平均値に応じて定められる請求項１〜４のいずれか１項記載のディスク再生装置。
【請求項７】
光ピックアップを掃引することによりディスクの表面層から第１の記録層までの層間隔を計測する層間隔計測手段と、
該層間隔計測手段が計測した層間隔が所定値以下であるとき、該層間隔計測手段による計測後所定の制限時間内で第２の記録層の検出を行う手段とを具備するディスク判別装置を有するディスク再生装置。
【請求項８】
前記制限時間は、前記層間隔に応じて定められる時間である請求項７記載のディスク再生装置。
【請求項９】
前記所定の範囲はディスクの種類ごとの層間隔計測結果に応じて定められる請求項７または８記載のディスク再生装置。
【請求項１０】
前記所定の範囲はディスクの種類ごとの複数の層間隔計測結果の平均値に応じて定められる請求項７または８記載のディスク再生装置。
【請求項１１】
光ピックアップをディスク方向に掃引することによりディスクの表面層または記録層の数を検出する層数検出手段と、
該層数検出手段が３つの層を検出するかまたは１つの層の検出から所定時間経過したら、層数検出手段による検出を停止する手段とを有するディスク再生装置。
【請求項１２】
光ピックアップを掃引することによりディスクの記録層からの反射光量を検出する手段と、
検出された反射光量を判別閾値と比較することによりディスクの種類を判別する手段と、検出された反射光量が判別閾値以下であるとき、ディスクを所定時間回転させた後、反射光量の検出を再度試みる手段とを具備するディスク再生装置。