Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月20日(2018.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムにおけるＳＴＡのアップリンク（ＵＬ：uplink）多重ユーザ（ＭＵ：multi-user）送信方法において、
ＤＬ ＰＰＤＵ（Physical Protocol Data Unit）を受信するステップであって、前記ＤＬ ＰＰＤＵは前記ＳＴＡ（station）のＵＬ ＭＵ送信のための資源割り当て情報を含む、ステップと、
前記ＤＬ ＰＰＤＵに基づいて生成したＵＬ ＭＵ ＰＰＤＵを送信するステップとを含み、
前記ＵＬ ＭＵ ＰＰＤＵは第１のＩＤＦＴ（Inverse Discrete Fourier Transform）／ＤＦＴ（Discrete Fourier Transform）周期を有する第１部分及び前記第１のＩＤＦＴ／ＤＦＴ周期の４倍である第２のＩＤＦＴ／ＤＦＴ周期を有する第２部分を含み、
前記第１部分は前記資源割り当て情報が指示する周波数資源と対応する位置の少なくとも一つの２０ＭＨｚチャンネルを介して送信され、
前記第２部分は前記資源割り当て情報が指示する周波数資源を用いて送信される、ＵＬ ＭＵ送信方法。
【請求項２】
前記第１部分は、
前記第２部分が送信される位置を含む前記少なくとも一つの２０MHｚチャンネルのみを介して送信される、請求項１に記載のＵＬ ＭＵ送信方法。
【請求項３】
前記第１部分が送信される前記少なくとも一つの２０MHｚチャンネルは、前記少なくとも一つの２０MHｚチャンネルがプライマリチャンネルであるかセコンダリチャンネルであるかにかかわりなく前記第２部分が送信される位置に基づいて決定される、請求項２に記載のＵＬ  ＭＵ送信方法。
【請求項４】
前記第２部分が送信される位置を含む前記２０ＭＨｚチャンネルが一つである時、前記第１部分は前記一つの２０ＭＨｚチャンネルのみを介して送信される、請求項２に記載のＵＬ  ＭＵ送信方法。
【請求項５】
前記第２部分が送信される位置を含む前記２０ＭＨｚチャンネルが複数個の場合、
前記第１部分は、２０ＭＨｚ単位で複製されて、前記複数個の２０ＭＨｚチャンネルのみを介して送信される、請求項２に記載のＵＬ ＭＵ送信方法。
【請求項６】
前記第１部分は前記複数個の２０ＭＨｚチャンネルのみを介して送信される時、前記第２部分に利用される前記周波数資源は、
前記２０ＭＨｚチャンネルより大きい、又は、
前記２０ＭＨｚチャンネルより小さく、前記複数個の２０ＭＨｚチャンネルの間の境界に位置する、請求項５に記載のＵＬ ＭＵ送信方法。
【請求項７】
前記第１部分はＬ（Legacy）−ＳＴＦ（Short Training field）、Ｌ−ＬＴＦ（Long Training field）、Ｌ−ＳＩＧ（Signal）フィールド、及びＨＥ（High Efficiency）ＳＩＧ−Ａフィールドを含み、
前記第２部分はＨＥ−ＳＴＦ、ＨＥ−ＬＴＦ、及びデータフィールドを含む、請求項１に記載のＵＬ ＭＵ送信方法。
【請求項８】
前記資源割り当て情報は、前記ＤＬ  ＰＰＤＵのトリガーフレームで受信される、請求項７に記載のＵＬ  ＭＵ送信方法。
【請求項９】
ＷＬＡＮ（Wireless LAN）システムのＳＴＡ（station）装置において、
無線信号を送受信するＲＦユニットと、
前記ＲＦユニットを制御するプロセッサとを含み、
前記プロセッサは、ＤＬ ＰＰＤＵ（Physical Protocol Data Unit）を受信し、前記ＤＬ ＰＰＤＵは前記ＳＴＡ（Station）のアップリンク（ＵＬ：uplink）ＭＵ（ＭＵ：multi-user）送信のための資源割り当て情報を含み、前記ＤＬ ＰＰＤＵに基づいて生成したＵＬ ＭＵ ＰＰＤＵを送信するようにさらに構成され、
前記ＵＬ ＭＵ ＰＰＤＵは第１のＩＤＦＴ（Inverse Discrete Fourier Transform）／ＤＦＴ（Discrete Fourier Transform）周期を有する第１部分及び前記第１のＩＤＦＴ／ＤＦＴ周期の４倍である第２のＩＤＦＴ／ＤＦＴ周期を有する第２部分を含み、
前記第１部分は前記資源割り当て情報が指示する周波数資源と対応する位置の少なくとも一つの２０ＭＨｚチャンネルを介して送信され、
前記第２部分は前記資源割り当て情報が指示する周波数資源を用いて送信される、ＳＴＡ装置。
【請求項１０】
前記第１部分は、
前記第２部分が送信される位置を含む前記少なくとも一つの２０MHｚチャンネルのみを介して送信される、請求項９に記載のＳＴＡ装置。
【請求項１１】
前記第１部分が送信される前記少なくとも一つの２０MHｚチャンネルは、前記少なくとも一つの２０MHｚチャンネルがプライマリチャンネルであるかセコンダリチャンネルであるかにかかわりなく前記第２部分が送信される位置に基づいて決定される、請求項１０に記載のＳＴＡ装置。
【請求項１２】
前記第２部分が送信される位置を含む前記２０ＭＨｚチャンネルが一つである時、前記第１部分は前記一つの２０ＭＨｚチャンネルのみを介して送信される、請求項１０に記載のＳＴＡ装置。
【請求項１３】
前記第２部分が送信される前記位置を含む前記２０ＭＨｚチャンネルが複数個の場合、
前記第１部分は、２０ＭＨｚ単位で複製されて、前記複数個の２０ＭＨｚチャンネルを介して送信される、請求項１０に記載のＳＴＡ装置。
【請求項１４】
前記第１部分は前記複数個の２０ＭＨｚチャンネルのみを介して送信される時、前記第２部分に利用される前記周波数資源は、
前記２０ＭＨｚチャンネルより大きい、又は、
前記２０ＭＨｚチャンネルより小さく、前記複数個の２０ＭＨｚチャンネルの間の境界に位置する、請求項１３に記載のＳＴＡ装置。
【請求項１５】
前記第１部分はＬ（Legacy）−ＳＴＦ（Short Training field）、Ｌ−ＬＴＦ（Long Training field）、Ｌ−ＳＩＧ（Signal）フィールド、及びＨＥ（High Efficiency）ＳＩＧ−Ａフィールドを含み、
前記第２部分はＨＥ−ＳＴＦ、ＨＥ−ＬＴＦ、及びデータフィールドを含み、
前記資源割り当て情報は、前記ＤＬ  ＰＰＤＵのトリガーフレームで受信される、請求項９に記載のＳＴＡ装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和1年8月20日(2019.8.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
レーダアンテナと複数の無給電素子は、１ＭＨｚから２００ＧＨｚの周波数範囲、好ましくは２０ＧＨｚから１００ＧＨｚの周波数範囲で使用される場合、有利であることが明らかにされている。当該周波数範囲は、特にマイクロストリップラインとの相互作用によって効果的に実現される。特に強調されるべきは、レーダアンテナと前記複数の無給電素子が７０ＧＨｚから８０ＧＨｚの周波数範囲で使用される場合である。レーダアンテナが送信アンテナ、受信アンテナ、あるいは送受信アンテナとして使用される場合、有利であることも明らかにされている。本出願に係るレーダシステムは、物体の位置と速度の少なくとも一方を特定するための使用が有利な適用分野である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１０】
前記レーダアンテナ（１）と前記複数の無給電素子（２）は、１ＭＨｚから２００ＧＨｚの周波数範囲、好ましくは２０ＧＨｚから１００ＧＨｚの周波数範囲で使用される、
請求項１から９のいずれか一項に記載のレーダアンテナ。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１１】
前記レーダアンテナ（１）と前記複数の無給電素子（２）は、好ましくは７０ＧＨｚから８０ＧＨｚの周波数範囲で使用される、
請求項１から１０のいずれか一項に記載のレーダアンテナ。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月29日(2019.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生産施設をセキュアに制御するプロセスの初期化方法であって、
電子データストアから生産工程のための構成データを電子的に受け取るステップと、
製品の生産において使用するパラメータを指定する、前記生産工程のための前記構成データを電子的に記憶するステップと、
前記生産工程のための前記構成データを認可モジュールに送信するステップと、
を含み、
前記認可モジュールにおいて、
前記生産工程が認可されているか否かを判定するステップと、
前記生産工程において構成データを受信し、前記構成データに従って前記生産工程において製品を生産するステップと、
を含み、
前記認可モジュールにおいて、前記生産工程が認可されている場合、セキュリティトークンを生成して該トークンを前記構成データに関連付け、暗号鍵を含む認証済み構成データと、複数の認可済み製品識別子の表現と、前記セキュリティトークンとを生成するステップと、
前記認証済み構成データを署名モジュールに送信するステップと、
前記署名モジュールにおいて、前記構成データを含むデジタル署名を生成して該デジタル署名を前記構成データに関連付けることによって、前記認証済み構成データにデジタル署名するステップと、
を含むことを特徴とし、
生産機械において受信された前記構成データはデジタル署名され、前記デジタル署名は、前記生産機械において受け取られ、
前記方法はさらに、
前記生産機械において、前記デジタル署名された構成データに関連する前記デジタル署名を検証するステップと、
前記デジタル署名された構成データに基づいて、一連のセキュアな製品識別子を算出するステップと、
を含み、
前記製品は、生産工程において、前記デジタル署名された構成データに従って生産され、
前記方法はさらに、
前記デジタル署名された構成データに従って、前記製品上に一連のセキュアな製品識別子を印刷するステップを含む方法。
【請求項２】
前記生産工程が認可されているかどうかを判定するステップは、ライセンスサーバからライセンスデータを取り出すステップをさらに含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記生産施設において生産される製品をセキュアに識別するコードを生成するステップをさらに含み、該ステップは、
識別モジュールにおいて、製品識別子を求める要求を受け取り、該要求に応答して製品識別子を生成するステップと、
前記製品識別子を前記識別モジュールから署名モジュールに送信するステップと、
前記署名モジュールにおいて、前記製品識別子にデジタル署名するステップと、
前記デジタル署名された製品識別子をプリンタモジュールに送信するステップと、
を含む、
請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記要求は、識別子の範囲を求めるものである、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記構成データは、生産すべき製品の範囲を表す、
請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記構成データは、認可される製品の範囲、機械、工場、範囲又は製品量を表す、
請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記生産工程のための前記構成データが認可されているかどうかを、ライセンスマネージャを参照することによって判定するステップをさらに含む、
請求項１から６のいずれか１項の方法。
【請求項８】
製品の範囲のためのセキュリティトークンを生成するステップと、
前記セキュリティトークンを前記製品の範囲に関連付けるステップと、
をさらに含む請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月14日(2018.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信機と受信機とを有するワイヤレス通信デバイスにおいて干渉消去を実行する方法であって、前記方法が、
前記送信機によって送信された干渉信号を表す基準信号を受信することと、
前記基準信号に応答して、前記受信機によって受信されたアナログ無線周波数（ＲＦ）信号に影響を及ぼす複数の干渉タイプからターゲット干渉タイプを選択することと、
前記受信機において前記アナログＲＦ信号に影響を及ぼす第１のターゲット干渉タイプのために、前記受信機によって提供されたフィードバック信号に基づくアナログフィードバックから算出された係数を使用して第１の干渉消去回路中の第１のフィルタを構成することと、ここにおいて、前記第１の干渉回路は、前記送信機によって送信された前記干渉信号の前記基本周波数における干渉を、前記アナログＲＦ信号において、消去するように構成される、
前記受信機において前記アナログＲＦ信号に影響を及ぼす第２のターゲット干渉タイプのために、前記受信機によって提供されたデジタルフィードバックに基づいて算出された係数を使用して第２の干渉消去回路中の第２のフィルタを構成することと、ここにおいて、前記第２の干渉回路は、前記干渉信号からの帯域外干渉を、前記アナログＲＦ信号において、消去するように構成される、を備える、方法。
【請求項２】
前記ターゲット干渉タイプを選択することは、
前記干渉信号の前記基本周波数における干渉があらかじめ定義されたしきい値電力レベルを超えるとき、基本周波数干渉を前記ターゲット干渉タイプとして選択することと、
前記干渉信号の前記基本周波数中の干渉が前記あらかじめ定義されたしきい値電力レベルを超えないとき、帯域外干渉を前記ターゲット干渉タイプとして選択することとを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ターゲット干渉タイプが前記干渉信号の基本周波数における干渉を含み、
アナログ領域中で前記係数を算出することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ターゲット干渉タイプが帯域外干渉を含み、
好ましくは前記アナログＲＦ信号のベースバンド表現から、デジタル領域中で前記係数を算出することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記係数をアナログ係数に変換することと、
前記アナログＲＦ信号中の前記干渉を消去するために、前記アナログ係数を前記第２の干渉消去回路に適用することとをさらに備える、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ターゲット干渉タイプが前記干渉信号の基本周波数における干渉を含み、
前記第１のフィルタに、前記ＲＦ信号を表すアナログフィードバック信号を提供することをさらに備え、
ここにおいて、前記第１のフィルタの前記出力が、前記アナログフィードバック信号を使用して生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のフィルタが最小２乗平均フィルタを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のフィルタを構成すること、または前記第２のフィルタを構成することが、
前記ターゲット干渉タイプに基づいて１つまたは複数のスイッチを閉じることを備え、
ここにおいて、前記１つまたは複数のスイッチの各々が、前記第１のフィルタまたは前記第２のフィルタへのフィードバックのそれぞれのタイプの提供を制御する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記１つまたは複数のスイッチのうちの第１のスイッチが、前記第１のフィルタへのフィードバックのソースを選択する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記１つまたは複数のスイッチのうちの第２のスイッチが閉じられているとき、デジタル係数が前記第２のフィルタを制御する、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１のフィルタを構成することが、
前記第１のフィルタに、前記係数から生成されたベースバンドフィードバック信号を提供することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のフィルタの出力を使用して前記アナログＲＦ信号中の干渉を消去する間、前記第２のフィルタの出力を使用して前記アナログＲＦ信号中の干渉を消去することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記送信機からベースバンド送信信号を受信することと、
前記ベースバンド送信信号を使用して前記アナログＲＦ信号のベースバンド表現中の干渉を消去することとをさらに備え、ここにおいて、前記ベースバンド送信信号がデジタル信号を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
無線周波数（ＲＦ）受信機に結合された干渉消去回路であって、
前記ＲＦ受信機によって提供されたフィードバック信号に基づいて、アナログフィードバックを使用して、送信機によって送信された干渉信号の基本周波数における干渉を、前記ＲＦ受信機によって受信されたアナログＲＦ信号において、消去するように構成された第１の干渉回路と、
前記ＲＦ受信機によって提供された出力信号に基づいて、デジタルフィードバックを使用して、前記干渉信号から帯域外干渉を、前記アナログＲＦ信号において、消去するように構成された第２の干渉回路と
を備える、干渉消去回路。
【請求項１５】
第１のスイッチがアクティブ化されたとき、前記第１の干渉回路にアナログフィードバックを提供することによって前記第１の干渉回路を制御するように構成された前記第１のスイッチと、ここにおいて、前記第１のスイッチが非アクティブ化されたとき、前記第１の干渉回路の動作が無効にされる、
第２のスイッチがアクティブ化されたとき、デジタル係数を使用して前記第２の干渉回路をステアリングすることによって前記第２の干渉回路を制御するように構成された前記第２のスイッチと、ここにおいて、前記第２のスイッチが非アクティブ化されたとき、前記第２の干渉回路の動作が無効にされる、をさらに備える、請求項１４に記載の干渉消去回路。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月8日(2019.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置及び前記表示装置に放射線画像を描画するようプログラムされた電子データプロセッサを含む画像描画要素と、
前記表示装置、前記少なくとも１つのユーザ入力装置、及び前記少なくとも１つのユーザ入力装置を介した放射線検査レポートの入力及び該入力の間の前記表示装置における前記放射線検査レポートの表示のためにプログラムされた前記電子データプロセッサを含む、放射線検査レポートデータ入力要素と、
前記表示装置、オープンチェックリストアイテムのキューを保存する記憶媒体、及び前記電子データプロセッサを含む、動的チェックリスト要素と、
を有し、前記電子データプロセッサは、
前記キューに保存されたオープンチェックリストアイテムを有するチェックリストを、前記表示装置に表示し、
チェックリスト更新トリガを識別するため、入力の間に前記放射線検査レポートを動的に解析し、
前記識別されたチェックリスト更新トリガに基づいて、前記オープンチェックリストアイテムのキューを更新し、
前記更新されたキューに保存された前記オープンチェックリストアイテムを有するよう、前記表示装置における前記チェックリストの表示を更新する
ようプログラムされた、放射線ワークステーション。
【請求項２】
前記オープンチェックリストアイテムのキューの更新は、前記識別されたチェックリスト更新トリガに基づいて新たなオープンチェックリストアイテムを識別すること、及び電子医療記録保管システムから前記新たなオープンチェックリストアイテムのパラメータについての値を取得することを含み、
前記チェックリストの表示の更新は、前記パラメータについての前記取得された値を含む前記新たなオープンチェックリストアイテムを表示することを含む、
請求項１に記載の放射線ワークステーション。
【請求項３】
前記オープンチェックリストアイテムのキューの更新は、前記識別されたチェックリスト更新トリガに基づいて、前記キューからオープンチェックリストアイテムを消去すること又は完了したものとマークすることを含む、請求項１又は２に記載の放射線ワークステーション。
【請求項４】
前記チェックリスト更新トリガを識別するため、入力の間に前記放射線検査レポートを動的に解析することは、前記放射線検査レポートにおけるキーワードを識別することを有する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の放射線ワークステーション。
【請求項５】
前記チェックリスト更新トリガを識別するため、入力の間に前記放射線検査レポートを動的に解析することは、自然言語処理を用いて前記放射線検査レポートを解析することを有する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の放射線ワークステーション。
【請求項６】
前記放射線検査レポートは、１つ以上の自由形式の入力フィールドを含み、制約されたユーザ対話フィールドを含まない、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の放射線ワークステーション。
【請求項７】
前記表示装置におけるチェックリストの表示は、チェックリスト窓において行われ、前記入力の間の前記表示装置における前記放射線検査レポートの表示は、前記チェックリスト窓とは異なる検査レポート窓において行われる、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の放射線ワークステーション。
【請求項８】
前記チェックリストは、前記放射線検査レポートは別個のものであり、前記放射線検査レポートには含まれない、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の放射線ワークステーション。
【請求項９】
前記動的チェックリスト要素は、前記放射線検査レポートの内容を追加、消去又は修正しない、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の放射線ワークステーション。
【請求項１０】
前記放射線検査レポートデータ入力要素は、前記放射線ワークステーションにより受信された放射線検査順序に基づいて選択されたレポート形式に、前記放射線検査レポートを初期化するようプログラムされた電子データプロセッサを含む、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の放射線ワークステーション。
【請求項１１】
表示装置に放射線画像を描画するステップと、
少なくとも１つのユーザ入力装置を介して、放射線検査レポートの入力を受信するステップと、
前記入力の間に前記表示装置に前記放射線検査レポートを表示するステップと、
前記表示装置に、キューに保存されたオープンチェックリストアイテムを有するチェックリストを表示するステップと、
チェックリスト更新トリガを識別するため、前記入力の間に前記放射線検査レポートを動的に解析するステップと、
前記識別されたチェックリスト更新トリガに基づいて、前記オープンチェックリストアイテムのキューを更新するステップと、
前記更新されたキューに保存された前記オープンチェックリストアイテムを有するよう、前記表示装置における前記チェックリストの表示を更新するステップと、
を有する放射線検査レポート生成方法。
【請求項１２】
前記動的に解析するステップは、前記放射線検査レポートにおけるキーワードを識別するステップ、及び自然言語処理を用いて前記放射線検査レポートを解析するステップ、の少なくとも一方を含む、請求項１１に記載の放射線検査レポート生成方法。
【請求項１３】
前記放射線検査レポートを表示するステップは、検査レポート窓において前記放射線検査レポートを表示するステップを有し、
前記チェックリストを表示するステップは、前記検査レポート窓とは異なるチェックリスト窓において前記チェックリストを表示するステップを有する、
請求項１１又は１２に記載の放射線検査レポート生成方法。
【請求項１４】
前記放射線検査レポートの入力の後に、
記憶媒体に前記放射線検査レポートを保存するステップと、
前記キューを保存することなく前記チェックリストを破棄するステップと、
を更に有する、請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の放射線検査レポート生成方法。
【請求項１５】
第１の窓において表示装置に放射線画像を描画するステップと、
少なくとも１つのユーザ入力装置を介して、放射線検査レポートの入力を受信するステップと、
前記入力の間に第２の窓において前記表示装置に前記放射線検査レポートを表示するステップと、
前記第２の窓とは異なる第３の窓において前記表示装置にチェックリストを表示するステップであって、前記チェックリストはキューに保存されたオープンチェックリストアイテムを有するステップと、
前記入力の間に前記放射線検査レポートを動的に解析し、チェックリスト更新トリガを識別するステップと、
前記識別されたチェックリスト更新トリガに基づいて、前記オープンチェックリストアイテムのキューを更新するステップと、
前記更新されたキューに保存された前記オープンチェックリストアイテムを有するよう、前記第３の窓における前記表示装置における前記チェックリストの表示を更新するステップと、
を有する、放射線検査レポート生成方法を実行するための、電子データプロセッサにより実行可能な命令を保存する、持続性記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月21日(2018.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラグコネクタと、少なくとも１つの内部導体および前記内部導体を囲繞する外部導体を包含して前記プラグコネクタに接続されるケーブルとを包含し、前記ケーブルの前記外部導体が前記プラグコネクタの外部導体ハウジングに電気的に接続される、プラグコネクタ構成において、前記ケーブルの前記外部導体とほぼ同じ内径（Ｄ）を有し、前記外部導体の軸方向前端部（Ａ）に隣接し、前記内部導体のシールドをケーブル前端部の方向に連続させる、前記内部導体を囲繞するスリーブ部品と、前記スリーブ部品の前記プラグコネクタとは反対に向く側で前記内部導体を囲繞する支持スリーブとをさらに包含し、前記外部導体が前記支持スリーブの上に折り返され、前記外部導体ハウジングが前記ケーブルの端部を受容するスリーブ区分を含み、前記スリーブ区分の壁部が径方向に前記スリーブ部品および前記支持スリーブの外側に位置する、プラグコネクタ構成であって、前記スリーブ部品の位置および前記支持スリーブの位置における前記外部導体ハウジングの前記スリーブ区分と前記ケーブルとの間のいくつかの圧着接続を包含するプラグコネクタ構成。
【請求項２】
前記スリーブ部品がシリンダバレル形スリーブである、請求項１に記載のプラグコネクタ構成。
【請求項３】
前記スリーブ部品のケーブル側端部が前記外部導体の軸方向端部（Ａ）に直接的に当接し、および／または、前記スリーブ部品のプラグコネクタ側端部が前記外部導体ハウジングの軸方向リミット停止部に直接的に当接し、前記軸方向リミット停止部で前記外部導体ハウジングが前記ケーブルの前記外部導体と実質的に同じ内径（Ｄ）を有する、請求項１または２に記載のプラグコネクタ構成。
【請求項４】
前記外部導体が編組体の形態であり、および／または、前記内部導体が誘電体または１つ以上の絶縁ワイヤにより囲繞されるコアの形態である、請求項１から３のいずれかに記載のプラグコネクタ構成。
【請求項５】
前記外部導体がワイヤ編組体の形態である、請求項４に記載のプラグコネクタ構成。
【請求項６】
前記ケーブルが同軸ケーブル、シールド付きツイストペアケーブル、シールド付きスターカッドケーブルまたは同等物である、請求項１から５のいずれかに記載のプラグコネクタ構成。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月25日(2019.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶媒と、
電解質塩と、
以下の一般式Ｉ：
［（ＦｎＡ）ｘ−Ｌ］  （Ｉ）
［式中、Ａはホウ素又はリンであり、
Ｆはフッ素であり、
Ｌは非プロトン性有機アミンであり、
ｎは３又は５であり、
ｎ＝３の場合、Ａはホウ素であり、ｎ＝５の場合、Ａはリンであり、
ｘは１〜３の整数であり
前記非プロトン性有機アミンＬの少なくとも１つのＮ原子はＡに直接結合している。］で表されるＬＡ：ＬＢ複合物と、を含み、
前記ＬＡ：ＬＢ複合物の溶液中での存在量が、電解質溶液の総重量に基づき、０．０１〜５．０重量％である、
電解質溶液。
【請求項２】
溶媒と、
電解質塩と、
以下の一般式：
［（ＦｎＡ）ｘ−Ｌ］
［式中、Ａはホウ素又はリンであり、
Ｆはフッ素であり、
Ｌは非プロトン性ヘテロ芳香族アミンであり、
ｎは３又は５であり、
ｎ＝３の場合、Ａはホウ素であり、ｎ＝５の場合、Ａはリンであり、
ｘは１〜３の整数であり、
前記非プロトン性ヘテロ芳香族アミンＬの少なくとも１つのＮ原子はＡに直接結合している。］
で表されるＬＡ：ＬＢ複合物と、
を含む、電解質溶液。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月21日(2019.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カラーオーバポジション光源のためのコリメータを有する照明デバイスであって、前記コリメータは、
焦点、
前記焦点を含む光軸、
前記光軸を中心として又は前記光軸上に配設される結像素子であって、前記光源の少なくとも１つの像を形成するよう構成される、結像素子、及び
第１の組の光スプレッダ素子及び第２の組の光スプレッダ素子を含み、前記第１の組の光スプレッダ素子は、前記第２の組の光スプレッダ素子よりも前記光軸及び前記光源から遠くに位置する、複数の光スプレッダ素子であって、前記結像素子からの前記少なくとも１つの像を受けるよう前記光軸を中心として配設される複数の光スプレッダ素子、
を含み、
前記結像素子は、第１の像を前記第１の組の光スプレッダ素子上に生成し、第２の像を前記第２の組の光スプレッダ素子上に生成し、前記第１の像は、前記光軸に対してθ０よりも小さな角度で前記光源から発せられる光により形成され、前記第２の像は、θ０よりも大きな角度で発せられる光により形成され、
前記複数の光スプレッダ素子は、異なる光ビーム広がり特性を持ち、各光スプレッダ素子の光ビーム広がり特性は、前記焦点に対する当該光スプレッダ素子の位置に依存し、前記光スプレッダ素子は、ビーム広がり特性により前記第１の像及び前記第２の像が実質的に等しい角度θ１に広がるように前記光軸を含む第１の平面において前記第１の組の光スプレッダ素子及び前記第２の組の光スプレッダ素子に当たる光を広げるよう構成され、
当該照明デバイスは、前記カラーオーバポジション光源を有し、該カラーオーバポジション光源は、該光源からの光が前記コリメータにより受けられるように該コリメータの前記焦点に配設される、照明デバイス。
【請求項２】
前記結像素子は、一次元結像用に構成される、請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項３】
前記結像素子は、二次元結像用に構成される、請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項４】
各光スプレッダ素子の光ビーム広がり特性は、前記焦点から当該光スプレッダ素子まで測られる光路長に依存する、請求項１、２又は３に記載の照明デバイス。
【請求項５】
各光スプレッダ素子の光ビーム広がり特性は、前記光軸から当該光スプレッダ素子までの直交距離に依存する、請求項１乃至４の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項６】
前記光スプレッダ素子は、前記第１の平面及び第２の平面の両方において当該光スプレッダ素子に当たる光を広げるよう構成され、前記第２の平面は、前記第１の平面に直交し、前記光軸に直交する法線を持つ、請求項１乃至５の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項７】
前記光スプレッダ素子は、マイクロレンズ又はファセットである、請求項１乃至６の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項８】
前記光スプレッダ素子は、異なる光スプレッダ素子に当たった光ビームが空間内で等しく広がるように当該光スプレッダ素子に当たる光を広げるよう構成される、請求項１乃至７の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項９】
前記光スプレッダ素子は、前記コリメータの光リダイレクト面に設けられる、請求項１乃至８の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項１０】
前記光スプレッダ素子は、前記コリメータの光出射面に設けられる、請求項１乃至８の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項１１】
前記コリメータは、第１のレンズ及び第２のレンズを有し、前記結像素子は、前記第１のレンズにより形成され、前記光スプレッダ素子は、前記第２のレンズに設けられる、請求項１乃至８の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項１２】
前記結像素子は、第１の組の前記光スプレッダ素子上に生成される第１の像及び第２の組の前記光スプレッダ素子上に生成される第２の像を含む、前記光源の少なくとも２つの拡大像を形成するよう構成され、前記第１の組の光スプレッダ素子は、前記第２の組の光スプレッダ素子よりも前記光軸及び前記光源から遠くに位置する、請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項１３】
カラーオーバポジション光源からの光をコリメートする方法であって、
コリメータであって、焦点、前記焦点を含む光軸、前記光軸を中心として又は前記光軸上に配設される結像素子であって、前記光源の少なくとも１つの像を形成するよう構成される、結像素子、及び第１の組の光スプレッダ素子及び第２の組の光スプレッダ素子を含み、前記第１の組の光スプレッダ素子は、前記第２の組の光スプレッダ素子よりも前記光軸及び前記光源から遠くに位置する、複数の光スプレッダ素子であって、前記結像素子からの前記少なくとも１つの像を受けるよう前記光軸を中心として配設される複数の光スプレッダ素子を含むコリメータであり、  前記結像素子は、第１の像を前記第１の組の光スプレッダ素子上に生成し、第２の像を前記第２の組の光スプレッダ素子上に生成し、前記第１の像は、前記光軸に対してθ０よりも小さな角度で前記光源から発せられる光により形成され、前記第２の像は、θ０よりも大きな角度で発せられる光により形成され、前記複数の光スプレッダ素子は、異なる光ビーム広がり特性を持ち、各光スプレッダ素子の光ビーム広がり特性は、前記焦点に対する当該光スプレッダ素子の位置に依存し、前記光スプレッダ素子は、ビーム広がり特性により前記第１の像及び前記第２の像が実質的に等しい角度θ１に広がるように前記光軸を含む第１の平面において前記第１の組の光スプレッダ素子及び前記第２の組の光スプレッダ素子に当たる光を広げるよう構成される、コリメータを設けるステップ、
前記コリメータの前記焦点に光源を配設するステップ、及び
前記光源を動作させるステップ、
を有し、
前記光スプレッダ素子は、前記結像素子からの前記光源の前記少なくとも１つの像を受け、前記光スプレッダ素子に当たる光が、前記光軸を含む第１の平面において広がる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月29日(2018.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のメインサイド（２０）上の第１のメイン電極（２）と、前記第１のメインサイド（２０）とは反対側の第２のメインサイド（２７）上の第２のメイン電極を有する逆導通ＭＯＳ装置（１）であって、装置は活性セル領域（１０）と前記活性セル領域（１０）を前記装置の縁部（１４）まで横方向に取り囲む終端領域（１２）とを有し、
前記活性セル領域（１０）は複数のＭＯＳセル（１１）を備え、ＭＯＳセルはそれぞれ前記第１および第２のメインサイド（２０、２７）の間に、第１の導電型のソース層（３）、前記第１の導電型とは異なる第２の導電型のベース層（４）、前記第１の導電型のドリフト層（５）および前記ドリフト層（５）よりも高くドープされた前記第１の導電型の第１の層（５０）を備え、それぞれの前記ＭＯＳセル（１１）内に前記第１のメインサイド（２０）上にゲート電極（６）が配置され、
前記第１のメインサイド（２０）上に、前記ベース層（４）よりも高い最大ドーピング濃度を有する第２導電型のバー領域（８）が前記活性セル領域（１０）と前記終端領域（１２）との間に配置され、前記第１のメインサイド（２０）に平行な平面で前記活性セル領域（１０）を取り囲み、前記バー領域は前記第１のメイン電極（２）に電気的に接続され、
前記第１のメインサイド（２０）上で前記終端領域（１２）内で前記第２の導電型の可変横方向ドーピング層（７）が配置され、前記可変横方向ドーピング層のすべての深さにおいてドーピング濃度は前記装置の前記縁部（１４）に向かって減少し、前記可変横方向ドーピング層（７）は前記バー領域に接続され、前記第１のメインサイド（２０）上で前記第２の導電型の保護層（９）が前記可変横方向ドーピング層（７）内に配置され、前記保護層（９）は、前記保護層（９）に接続された領域において前記可変横方向ドーピング層の最大ドーピング濃度よりも大きい最大ドーピング濃度を有することを特徴とする、逆導通ＭＯＳ装置（１）。
【請求項２】
前記バー領域（８）は、前記バー領域（８）の最大面積の最大１０％であるバー接触エリアにおいて前記ベース層（４）を介してまたは直接に、前記第１のメイン電極（２）と電気的に接続することを特徴とする、請求項１に記載の逆導通ＭＯＳ装置（１）。
【請求項３】
前記保護層（９）は前記活性セル領域（１０）を取り囲む少なくとも１つのリング形状領域（９０）を備えることを特徴とする、請求項１または２に記載の逆導通ＭＯＳ装置（１）。
【請求項４】
前記保護層（９）は、前記保護層（９）に接続された領域において前記可変横方向ドーピング層の最大ドーピング濃度よりも少なくとも１０倍、１００倍、あるいは１０００倍高い最大ドーピング濃度を有することを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載の逆導通ＭＯＳ装置（１）。
【請求項５】
前記保護層（９）は最大５×１０１８ｃｍ−３または５×１０１６ｃｍ−３または５×１０１５ｃｍ−３の最大ドーピング濃度を有することを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載の逆導通ＭＯＳ装置（１）。
【請求項６】
前記バー領域（８）および前記保護層（９）は同一の最大ドーピング濃度と同一の厚みの少なくとも１つを有することを特徴とする、請求項１から５のいずれか１項に記載の逆導通ＭＯＳ装置（１）。
【請求項７】
前記バー領域（８）は１０から２００μｍの間の幅を有することを特徴とする、請求項１から６のいずれか１項に記載の逆導通ＭＯＳ装置（１）。
【請求項８】
前記保護層（９）は最大２０μｍの幅を有することを特徴とする、請求項１から７のいずれか１項に記載の逆導通ＭＯＳ装置（１）。
【請求項９】
前記保護層（９）は、特に２つの隣接する保護ゾーン（９２）の間の距離が最大５０μｍまたは最大２０μｍであるよう、前記活性セル領域（１０）を取り囲む複数の保護ゾーン（９２）を備えることを特徴とする、請求項１から８のいずれか１項に記載の逆導通ＭＯＳ装置（１）。
【請求項１０】
前記保護層（９）は、前記保護層（９）のすべての深さにおいて前記装置の縁部（１４）に向かって前記ドーピング濃度が減少する、可変横方向ドーピング層であることを特徴とする、請求項１から７のいずれか１項に記載の逆導通ＭＯＳ装置（１）。
【請求項１１】
前記保護層（９）は少なくとも２つのリング形状領域（９０）を備え、２つの隣接するリング形状領域（９０）の間の距離は１から３０μｍの間にあることを特徴とする、請求項１から８のいずれか１項に記載の逆導通ＭＯＳ装置（１）。
【請求項１２】
引き続くリング形状領域（９０）の幅は前記装置の前記縁部（１４）に向かう方向に減少することを特徴とする、請求項１１に記載の逆導通ＭＯＳ装置（１）。
【請求項１３】
前記保護層（９）は少なくとも３つのリング形状領域（９０）を備え、引き続くリング形状領域（９０）の間の距離は前記装置の前記縁部（１４）に向かう方向に増加することを特徴とする、請求項１から１２のいずれか１項に記載の逆導通ＭＯＳ装置（１）。
【請求項１４】
前記終端領域（１２）は半絶縁層（６９）によって覆われることを特徴とする、請求項１から１３のいずれか１項に記載の逆導通ＭＯＳ装置（１）。
【請求項１５】
前記装置はＭＯＳＦＥＴ（１００）または逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（１５０）またはバイモード絶縁ゲートトランジスタであることを特徴とする、請求項１から１４のいずれか１項に記載の逆導通ＭＯＳ装置（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月12日(2018.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
広範な温度作動範囲を有する対数応答マトリクスアレイセンサであって、
各々がソーラーセルモードで作動するフォトダイオード（ＰＤ）によって規定された複数のアクティブ画素を含み、
前記フォトダイオードは、基板（１１）内の半導体接合部によって形成され、逆バイアス接合部（２０）が、前記基板内の電荷キャリアの拡散距離よりも短い、前記フォトダイオードの接合部からの距離（Ｄ）に存在し、前記センサは、基準電圧を生成するのに使用されて前記アクティブ画素の応答における温度関連変動を補償するように作用する１又は２以上の基準画素を含み、前記基準画素は、入射光からマスクされて、前記フォトダイオードの接合部に電流を注入することによって、実質的に、所定の照明状態のもとに配置される、センサ。
【請求項２】
前記フォトダイオードが受け入れる照度を表す電圧の読み出しの前に、前記フォトダイオード（ＰＤ）に電荷を注入して前記フォトダイオードに順バイアスをかけるためのキャパシタンス（４０）を含む、請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
前記電流は、前記フォトダイオード（ＰＤ）によって生成される光電電流と同じ方向での電流を生成する電源（３０）に接続された電気抵抗（３１）を介して前記基準画素のフォトダイオードに注入される、請求項１に記載のセンサ。
【請求項４】
前記電流は、前記フォトダイオードによって生成される光電電流と同じ方向での電流を生成するランプ電源に接続されたキャパシタンス（３３）を介して前記基準画素のフォトダイオードに注入される、請求項１に記載のセンサ。
【請求項５】
前記基板（１１）は、Ｐ型半導体、具体的にはＰ型シリコンであり、前記フォトダイオード（ＰＤ）は、Ｎ+型領域を含む、請求項１から４のいずれかに記載のセンサ。
【請求項６】
前記逆バイアス接合部（２０）は、Ｎ+型領域によって生成される、請求項１から５のいずれかに記載のセンサ。
【請求項７】
前記逆バイアス接合部（２０）のＮ+型領域は、前記フォトダイオードの電圧を読み取るためのＰＭＯＳトランジスタのＮドープウェルによって規定される、請求項１から６のいずれかに記載のセンサ。
【請求項８】
前記画素の各々に対して、オン状態にある場合に、所定の電圧を前記フォトダイオードに印加し、前記フォトダイオード（ＰＤ）をリセットするためのトランジスタ（１０）を含む、請求項１から７のいずれかに記載のセンサ。
【請求項９】
前記電圧の読み出し前に前記フォトダイオード（ＰＤ）に電荷を注入して前記フォトダイオードに順バイアスをかけるための前記キャパシタンス（４０）は、前記リセットトランジスタ（１０）の寄生容量である、請求項１から８のいずれかに記載のセンサ。
【請求項１０】
前記電圧の読み出し前に前記フォトダイオードに電荷を注入して前記フォトダイオードに順バイアスをかけるための前記キャパシタンス（４０）は、特定の目的で作られたキャパシタンスである、請求項１から８のいずれかに記載のセンサ。
【請求項１１】
前記キャパシタンスによる電荷注入の後の前記フォトダイオード（ＰＤ）の初期バイアス電圧は、０．１Ｖから０．２Ｖの間である、請求項１から１０のいずれかに記載のセンサ。
【請求項１２】
前記逆バイアス接合部（２０）は、前記フォトダイオード（ＰＤ）の接合部の下に広がる、請求項１から１１のいずれかに記載のセンサ。
【請求項１３】
前記逆バイアス接合部（２０）は、前記フォトダイオードの接合部の両側の少なくとも２つの反対側に広がり、さらに適切には、前記フォトダイオードの周りであらゆる向きに広がる、請求項１から１２のいずれかに記載のセンサ。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれかに記載のセンサ等のセンサを作動させるための方法であって、該方法は、リセットトランジスタ（１０）を閉じることによって前記ダイオード（ＰＤ）をリセットする段階と、前記フォトダイオードが受け入れた光を測定するフェーズの開始時に、前記フォトダイオードに電荷を注入して前記フォトダイオードに順バイアスをかける段階と、広範な温度範囲の作動範囲の対数応答を取得する段階と、を含む方法。
【請求項１５】
前記温度範囲は、少なくとも−１５°Ｃから６０°Ｃまでの範囲を包含する、請求項１４に記載のセンサ。
【請求項１６】
前記温度範囲は、少なくとも−５０°Ｃから１００°Ｃまでの範囲を包含する、請求項１４に記載のセンサ。
【請求項１７】
アクティブ画素の前記フォトダイオードの電圧は、基準画素から読み取った電圧によって補正され、前記アクティブ画素が受け入れた照度を表しかつ前記作動範囲での前記温度に依存しない信号が生成される、請求項１、１４、又は１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記ランプは、前記リセットトランジスタの制御信号の立ち下がり前面で構成される、請求項４又は８及び請求項１４から１６のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月17日(2018.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
局によるワイヤレス通信の方法であって、
能力情報をアクセスポイントから受信するステップであって、前記能力情報は、前記アクセスポイントがストリーム識別子（ID）を使用した干渉情報処理が可能であるかどうかを示す情報を含む、ステップと、
少なくとも1つのトラフィックストリームに関連付けられる干渉情報を識別するステップと、
メッセージを前記アクセスポイントに送信するステップであって、前記メッセージが、ストリームIDを含み、前記ストリームIDが、前記干渉情報と、前記少なくとも1つのトラフィックストリームとに関連付けられ、前記メッセージが前記干渉情報を含み、前記干渉情報がオフセット値と間隔/持続時間値とを含む、ステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記メッセージが、前記ストリームIDに関連付けられる長さフィールド、タイプフィールド、およびベンダーIDのうちの少なくとも1つをさらに含む、
請求項1に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも2つの非周期的トラフィックストリームを識別するステップと、
前記少なくとも2つの非周期的トラフィックストリームに基づいて前記間隔/持続時間値を決定するステップであって、前記メッセージ内で送信される前記ストリームIDが前記少なくとも2つの非周期的トラフィックストリームに関連付けられる、ステップと、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記ストリームIDが予約された値を有し、前記予約された値が、前記メッセージが非周期的トラフィックに関連付けられることを示す、
請求項1に記載の方法。
【請求項５】
ワイヤレス通信のための局であって、
能力情報をアクセスポイントから受信するための手段であって、前記能力情報は、前記アクセスポイントがストリーム識別子(ID)を使用した干渉情報処理が可能であるかどうかを示す情報を含む、手段と、
少なくとも1つのトラフィックストリームに関連付けられる干渉情報を識別するための手段と、
メッセージを前記アクセスポイントに送信するための手段であって、前記メッセージが、ストリームIDを含み、前記ストリームIDが、前記干渉情報と、前記少なくとも1つのトラフィックストリームとに関連付けられ、前記メッセージが前記干渉情報を含み、前記干渉情報がオフセット値と間隔/持続時間値とを含む、手段と、
を備える、局。
【請求項６】
前記メッセージが、前記ストリームIDに関連付けられる長さフィールド、タイプフィールド、およびベンダーIDのうちの少なくとも1つをさらに含む、
請求項5に記載の局。
【請求項７】
少なくとも2つの非周期的トラフィックストリームを識別するための手段と、
前記少なくとも2つの非周期的トラフィックストリームに基づいて前記間隔/持続時間値を決定するための手段であって、前記メッセージ内で送信される前記ストリームIDが前記少なくとも2つの非周期的トラフィックストリームに関連付けられる、手段と、
をさらに備える、請求項5に記載の局。
【請求項８】
アクセスポイントによるワイヤレス通信の方法であって、
能力情報を局に送信するステップであって、前記能力情報は、前記アクセスポイントがストリーム識別子(ID)を使用した干渉情報処理が可能であるかどうかを示す、ステップと、
前記局から少なくとも1つのメッセージを受信するステップであって、前記少なくとも1つのメッセージが、ストリームIDを含み、前記ストリームIDが、干渉情報と、前記少なくとも1つのトラフィックストリームとに関連付けられ、前記少なくとも1つのメッセージが、前記干渉情報を含み、前記干渉情報が、オフセット値と間隔/持続時間値を含む、ステップと、
前記少なくとも1つのメッセージが、前記ストリームIDに関連付けられる長さフィールド、タイプフィールド、ベンダーID、またはストリームIDのうちの少なくとも1つを含むかどうかを決定するステップと、
を含む、方法。
【請求項９】
前記局からトリガメッセージを受信するステップと、
前記トリガメッセージと、前記受信された少なくとも1つのメッセージの各々の中の前記オフセット値または前記間隔/持続時間値のうちの少なくとも1つとに基づいて、データを前記局に送信するステップと、
をさらに含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
前記データを前記局に送信する前記送信するステップが、
前記受信された少なくとも1つのメッセージの各々の中の前記オフセット値または前記間隔/持続時間値のうちの前記少なくとも1つに基づいて、送信時間窓を決定するステップを含む、
請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記送信時間窓を決定するステップが、前記受信された少なくとも1つのメッセージの各々の中の前記オフセット値または前記間隔/持続時間値に基づいて決定された将来の干渉と重複しない送信時間窓サイズを選択するステップを含む、
請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
ワイヤレス通信のためのアクセスポイントであって、
能力情報を局に送信するための手段であって、前記能力情報は、前記アクセスポイントがストリーム識別子(ID)を使用した干渉情報処理が可能であるかどうかを示す、手段と、
前記局から少なくとも1つのメッセージを受信するための手段であって、前記少なくとも1つのメッセージが、ストリームIDを含み、前記ストリームIDが、干渉情報と、前記少なくとも1つのトラフィックストリームとに関連付けられ、前記少なくとも1つのメッセージが前記干渉情報を含み、前記干渉情報がオフセット値と間隔/持続時間値を含む、手段と、
前記少なくとも1つのメッセージが、前記ストリームIDに関連付けられる長さフィールド、タイプフィールド、ベンダーID、またはストリームIDのうちの少なくとも1つを含むかどうかを決定するための手段と、
を備える、アクセスポイント。
【請求項１３】
前記局からトリガメッセージを受信するための手段と、
前記トリガメッセージと、前記受信された少なくとも1つのメッセージの各々の中の前記オフセット値または前記間隔/持続時間値のうちの少なくとも1つとに基づいて、データを前記局に送信するための手段と、
をさらに備える、請求項12に記載のアクセスポイント。
【請求項１４】
前記データを前記局に送信するための手段が、
前記受信された少なくとも1つのメッセージの各々の中の前記オフセット値または前記間隔/持続時間値のうちの前記少なくとも1つに基づいて、送信時間窓を決定する、
ように構成される、請求項13に記載のアクセスポイント。
【請求項１５】
請求項1から4または8から11のいずれか一項に記載の方法を、コンピュータに実行させるための命令を含む、コンピュータプログラム。