【手続補正書】
【提出日】平成31年4月12日(2019.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの光学的に仕上げられた表面を含み、
ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の最大寸法を前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の厚さで割ったアスペクト比が１００以上であり、
ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の厚さが１５０ミクロン以上である、ダイヤモンドフィルム、基板又は窓。
【請求項２】
４００ミクロン以下（０．４ｍｍ以下）の厚さ、及び、２５ｍｍ以上の前記最大寸法を有する、請求項１に記載のダイヤモンドフィルム、基板又は窓。
【請求項３】
少なくとも一つの光学的に仕上げられた表面が、５０ｎｍ以下の表面粗さ（Ｒａ）を有する、請求項１又は２に記載のダイヤモンドフィルム、基板又は窓。
【請求項４】
前記最大寸法が４０ｍｍ以上である、請求項１〜３のうちいずれか一つに記載のダイヤモンドフィルム、基板又は窓。
【請求項５】
前記厚さが、３５０ミクロン以下である、請求項１〜４のうちいずれか一つに記載のダイヤモンドフィルム、基板又は窓。
【請求項６】
前記アスペクト比が、１２５以上である、請求項１〜５のうちいずれか一つに記載のダイヤモンドフィルム、基板又は窓。
【請求項７】
前記最大寸法が、前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の直径である、請求項１〜６のうちいずれか一つに記載のダイヤモンドフィルム、基板又は窓。
【請求項８】
遮蔽レンズから３４ｃｍの距離で測定される１．０６ミクロン光散乱係数が、２０／ｃｍ以下である、請求項１〜７のうちいずれか一つに記載のダイヤモンドフィルム、基板又は窓。
【請求項９】
ダイヤモンド核生成密度が、１．０×１０５／ｃｍ２以上である、請求項１〜８のうちいずれか一つに記載のダイヤモンドフィルム、基板又は窓。
【請求項１０】
（ａ）シリコン基板を提供する工程と、
（ｂ）前記シリコン基板の表面上に、１００以上のアスペクト比を有し、厚さが１５０ミクロン以上であるダイヤモンドフィルム、基板又は窓をＣＶＤ成長させる工程であって、前記アスペクト比が、ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の最大寸法を前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の厚さで割った比である工程と、
を含む、ダイヤモンドフィルム、基板又は窓を形成する方法。
【請求項１１】
前記シリコン基板が、２ｍｍ以上の厚さを有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
さらに、工程（ｂ）の前に、２０ｎｍ以下の表面粗さ（Ｒａ）を有する光学的仕上げまで前記シリコン基板表面を研磨する工程を含む、請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の核生成側は、前記シリコン基板の研磨された表面のＲａよりも大きいＲａを有し、
前記シリコン基板の研磨された表面のＲａが２０ｎｍ以下である場合には、ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の核生成側のＲａが、５０ｎｍ以下である、請求項１０〜１２のうちいずれか一つに記載の方法。
【請求項１４】
前記シリコン基板表面、及び、ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の核生成側は、それぞれ７５０ｎｍ以上の表面粗さ（Ｒａ）を有する、請求項１０〜１３のうちいずれか一つに記載の方法。
【請求項１５】
さらに、前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓がまだ前記シリコン基板上にある間に、前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の成長表面を５０ｎｍ以下の表面粗さ（Ｒａ）まで研磨する工程を含む、請求項１０〜１４のうちいずれか一つに記載の方法。
【請求項１６】
前記シリコン基板の表面、及び、ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の核生成側は非平面であり、
ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の核生成側の形状は、前記シリコン基板の表面形状に適合する反転形状である、請求項１０〜１５のうちいずれか一つに記載の方法。
【請求項１７】
ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の核生成側は、ドーム、コーン、ピラミッド、非球面、放物線及び双曲線の形状のうちいずれか一つを有する、請求項１０〜１６のうちいずれか一つに記載の方法。
【請求項１８】
さらに、ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓から前記シリコン基板を化学的又は機械的に除去する工程を含む、請求項１０〜１７のうちいずれか一つに記載の方法。
【請求項１９】
ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の成長側は、ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の核生成側よりも大きな熱伝導率を有する、請求項１０〜１８のうちいずれか一つに記載の方法。
【請求項２０】
さらに、ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の成長表面に光管理コーティングを付与する工程、及び、ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓から前記シリコン基板を除去した後に、ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の核生成側に前記光管理コーティングを付与する工程のうち少なくとも一つを含む、請求項１０〜１９のうちいずれか一つに記載の方法。
【請求項２１】
さらに、シリコン基板表面上で成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓を有する前記シリコン基板を一又は複数の片に切断する工程を含む、請求項１０〜２０のうちいずれか一つに記載の方法。
【請求項２２】
工程（ｂ）は、酸素、一酸化炭素、二酸化炭素、窒素及びホウ素のうち少なくとも一つを含む雰囲気下で、前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓をＣＶＤ成長させる工程を含む、請求項１０〜２１のうちいずれか一つに記載の方法。
【請求項２３】
工程（ｂ）の前に、前記シリコン基板の表面にダイヤモンド粒子を播種する、請求項１０〜２２のうちいずれか一つに記載の方法。
【請求項２４】
（１）液体懸濁液中のサブミクロン又はミクロンサイズのダイヤモンド粉末から構成される超音波浴中における前記シリコン基板の超音波処理、及び、
（２）液体懸濁液中の平均粒子径が１００ｎｍ未満のナノ結晶ダイヤモンド粉末から構成される超音波浴中における前記シリコン基板の超音波処理、
のうち少なくとも一つを経て、前記シリコン基板にダイヤモンド粒子を播種する、請求項１０〜２３のうちいずれか一つに記載の方法。
【請求項２５】
前記液体懸濁液は、水、アルコール、炭化水素及び有機溶媒のうち一又は複数を含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
（１）含水ダイヤモンドスラリー又は有機ダイヤモンドスラリー浴中の前記シリコン基板の超音波処理、
（２）ダイヤモンド粉末を用いた前記シリコン基板の研磨、又は、
（３）前記シリコン基板のダイヤモンド切削、
のプロセスのうち少なくとも一つを経て、前記シリコン基板にダイヤモンド粒子を播種する、請求項１０〜２５のうちいずれか一つに記載の方法。
【請求項２７】
前記シリコン基板の最大寸法が、３０ｍｍ以上である、請求項１０〜２６のうちいずれか一つに記載の方法。
【請求項２８】
前記シリコン基板の最大寸法が、前記シリコン基板の直径である、請求項１０〜２７のうちいずれか一つに記載の方法。
【請求項２９】
シリコン基板上にＣＶＤ成長したダイヤモンドフィルム、基板又は窓を含み、
ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の厚さが１５０ミクロン以上であり、
２００ミクロン以上の全厚さを有し、
直径が２０ｍｍ以上である、ダイヤモンド−シリコン複合基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第１項：少なくとも一つの光学的に仕上げられた表面を含み、ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の最大寸法をダイヤモンドフィルム、基板又は窓の厚さで割ったアスペクト比が１００以上であり、ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の厚さが１５０ミクロン以上である、ダイヤモンドフィルム、基板又は窓。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第３項：少なくとも一つの光学的に仕上げられた表面が、５０ｎｍ以下の表面粗さ（Ｒａ）を有する、第１項又は第２項に記載のダイヤモンドフィルム、基板又は窓。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
第４項：前記最大寸法が４０ｍｍ以上である、第１項〜第３項のうちいずれか一つに記載のダイヤモンドフィルム、基板又は窓。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
第５項：前記厚さが、３５０ミクロン以下である、第１項〜第４項のうちいずれか一つに記載のダイヤモンドフィルム、基板又は窓。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
第６項：前記アスペクト比が、１２５以上である、第１項〜第５項のうちいずれか一つに記載のダイヤモンドフィルム、基板又は窓。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
第８項：遮蔽レンズから３４ｃｍの距離における１．０６ミクロン光散乱係数が、２０／ｃｍ以下である、第１項〜第７項のうちいずれか一つに記載のダイヤモンドフィルム、基板又は窓。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
第９項：ダイヤモンド核生成密度が、１．０×１０５／ｃｍ２以上である、第１項〜第８項のうちいずれか一つに記載のダイヤモンドフィルム、基板又は窓。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
第１０項：（ａ）シリコン基板を提供する工程と、（ｂ）前記シリコン基板の表面上に、１００以上のアスペクト比を有し、厚さが１５０ミクロン以上であるダイヤモンドフィルム、基板又は窓をＣＶＤ成長させる工程であって、前記アスペクト比が、ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の最大寸法を前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の厚さで割った比である工程と、を含む、ダイヤモンドフィルム、基板又は窓を形成する方法。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
第１１項：前記シリコン基板が、２ｍｍ以上の厚さを有する、第１０項に記載の方法。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
第１２項：さらに、工程（ｂ）の前に、２０ｎｍ以下の表面粗さ（Ｒａ）を有する光学的仕上げまでシリコン基板表面を研磨する工程を含む、第１０項又は第１１項に記載の方法。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
第１３項：ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の核生成側は、前記シリコン基板の研磨された表面のＲａよりも大きいＲａを有し、前記シリコン基板の研磨された表面のＲａが２０ｎｍ以下である場合には、ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の核生成側のＲａが、５０ｎｍ以下である、第１０項〜第１２項のうちいずれか一つに記載の方法。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
第１４項：前記シリコン基板表面、及び、ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の核生成側は、それぞれ７５０ｎｍ以上の表面粗さ（Ｒａ）を有する、第１０項〜第１３項のうちいずれか一つに記載の方法。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
第１５項：さらに、前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓がまだ前記シリコン基板上にある間に、前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の成長表面を５０ｎｍ以下の表面粗さ（Ｒａ）まで研磨する工程を含む、第１０項〜第１４項のうちいずれか一つに記載の方法。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
第１６項：前記シリコン基板の表面、及び、ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の核生成側は非平面であり、ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の核生成側の形状は、前記シリコン基板の表面形状に適合する反転形状である、第１０項〜第１５項のうちいずれか一つに記載の方法。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
第１７項：ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の核生成側は、ドーム、コーン、ピラミッド、非球面、放物線及び双曲線の形状のうちいずれか一つを有する、第１０項〜第１６項のうちいずれか一つに記載の方法。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
第１８項：さらに、ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓から前記シリコン基板を化学的又は機械的に除去する工程を含む、第１０項〜第１７項のうちいずれか一つに記載の方法。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
第１９項：ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の成長側は、ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の核生成側よりも大きな熱伝導率を有する、第１０項〜第１８項のうちいずれか一つに記載の方法。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
第２０項：さらに、ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の成長表面に光管理コーティングを適用する工程、及び／又は、ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓から前記シリコン基板を除去した後に、ＣＶＤ成長した前記ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の核生成側に前記光管理コーティングを適用する工程のうち少なくとも一つを含む、第１０項〜第１９項のうちいずれか一つに記載の方法。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
第２６項：前記シリコン基板の最大寸法が、３０ｍｍ以上である、第１０項〜第２５項のうちいずれか一つに記載の方法。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
第２８項：シリコン基板上にＣＶＤ成長したダイヤモンドフィルム、基板又は窓を含み、ダイヤモンドフィルム、基板又は窓の厚さが１５０ミクロン以上であり、２００ミクロン以上の全厚さを有し、直径が２０ｍｍ以上である、ダイヤモンド−シリコン複合基板。