【手続補正書】
【提出日】平成20年8月28日(2008.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）被酸化性化合物を含む供給流を気泡塔型反応器の反応ゾーン中に導入し；
（ｂ）分子状酸素を含む酸化剤流を前記反応ゾーン中に導入し；
（ｃ）前記反応ゾーンに含まれる多相反応媒体の液相中で前記被酸化性化合物の少なくとも一部を酸化させ（ここで、前記被酸化性化合物の少なくとも１０重量％を前記反応媒体中で固体に転化する）；そして
（ｄ）前記反応媒体の少なくとも一部を、前記反応媒体に配設された少なくとも１つのバッフルと接触させる
ことを含んでなる方法。
【請求項２】
前記バッフルが１０〜９０％の範囲の孔面積を有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記バッフルが、前記反応媒体と接触する１つ又はそれ以上の露出外面を提供し、前記露出外面の全上向き表面積の５０％未満を、水平から２０°未満の傾きの、実質的に平面の表面によって形成する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記露出外面が３０，０００ワット／ｍ2未満の平均熱流束を示す請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記露出外面の相当部分がＲＭＳ  １２５ミクロン又はそれ以下の表面仕上げを有する請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記バッフルが２５〜７５％の範囲の孔面積を有し、前記露出外面の全上向き表面積の３５％未満を、水平から２０°未満の傾きの、実質的に平面の表面によって形成する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記方法が、前記反応媒体の少なくとも一部を、前記反応ゾーン中に、垂直方向に間隔をあけて配設された複数のバッフルと接触させることを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記バッフルが横方向に間隔をあけて配置された複数のバッフル部材を含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記バッフル部材のそれぞれが実質的に円筒形の露出外面を提供する請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記バッフル部材のそれぞれが逆Ｖ字形の上向き露出外面を提供する請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記被酸化性化合物がｐ−キシレンであり；前記酸化を、前記反応ゾーンを等容積の３０個の水平スライスに理論的に分割する場合にｐＫ−ｍａｘ水平スライスが前記の３０個全ての水平スライスの最大ｐ−キシレン濃度を有し且つｐＸ−ｍｉｎ水平スライスが前記ｐＸ−ｍａｘ水平スライスの上方に配置された全水平スライスの最小ｐ−キシレン濃度を有するように、実施し；前記ｐ−キシレン濃度を前記反応媒体の液相中で時間平均及び容量平均重量基準で測定し；（前記ｐＫ−ｍａｘ水平スライスのｐ−キシレン濃度）対（前記ｐＸ−ｍｉｎ水平スライスのｐ−キシレン濃度）の比が少なくとも５：１である請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記酸化を、前記反応ゾーンを等容積の３０個の水平スライスに理論的に分割した場合に、Ｏ2−ｍａｘ水平スライスが前記の３０個全ての水平スライスの最大酸素濃度を有し且つＯ2−ｍｉｎ水平スライスが前記Ｏ2−ｍａｘ水平スライスの上方に配置された全水平スライスの最小酸素濃度を有するように、実施し；前記酸素濃度を前記反応媒体の気相中で時間平均及び容積平均モル湿潤基準で測定し；（前記Ｏ2−ｍａｘ水平スライスの酸素濃度）対（前記Ｏ2−ｍｉｎ水平スライスの酸素濃度）の比が少なくとも２：１である請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記被酸化性化合物が芳香族化合物である請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記被酸化性化合物がｐ−キシレンである請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記酸化を、コバルトを含む触媒系の存在下で、実施する請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記触媒系が臭素及びマンガンを更に含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記反応媒体が三相反応媒体である請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記酸化が前記反応媒体中で前記被酸化性化合物の少なくとも５０重量％を固体化させる請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記反応媒体が時間平均及び容積平均基準で５〜４０重量％の範囲の固形分を含む請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記反応媒体が最大高さ（Ｈ）、最大幅（Ｗ）及び少なくとも６：１のＨ：Ｗ比を有する請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記分子状酸素の大部分が、前記反応ゾーンの底部の０．２５Ｗ以内において、前記反応ゾーンに入る請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記被酸化性化合物の少なくとも３０重量％が、前記分子状酸素が前記反応ゾーンに入る最低位置の１．５Ｈ以内において、前記反応ゾーン中に入る請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記供給流を複数の供給材料用開口部を経て前記反応ゾーンに導入し、前記供給材料用開口部の少なくとも２つを、互いに垂直方向に少なくとも０．５Ｗの間隔をあけて配置する請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
前記気泡塔型反応器中における前記酸化が前記反応媒体中でテレフタル酸を生成させ、前記方法が、前記テレフタル酸の少なくとも一部を二次酸化反応器中における酸化に供することを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
前記二次酸化反応器中における前記酸化を、前記気泡塔型反応器中における前記酸化よりも少なくとも１０℃高い平均温度において、実施する請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記二次酸化反応器中における前記酸化を、前記気泡塔型反応器の平均温度より２０〜８０℃高い範囲の平均温度において実施し、前記気泡塔型反応器中における前記酸化を１４０〜１８０℃の範囲の平均温度において実施し、前記二次酸化反応器中における前記酸化を１８０〜２２０℃の範囲の平均温度において実施する請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
主に液相の流れと主に気相の流れとを反応させるための気泡塔型反応器において、
細長い反応ゾーンを規定する容器シェル（ここで前記容器シェルは中心シェル軸に沿って細長く、前記反応ゾーンには、軸方向に間隔をあけて配置された常態での（垂直）上端及び常態での（垂直）下端がある）；
前記の主に気相の供給材料を前記反応ゾーン中に導入するための、１つ又はそれ以上の気体用開口部；
前記の主に液相の供給材料を前記反応ゾーン中に導入するための、１つ又はそれ以上の液体用開口部；並びに
一般的に前記気体用開口部の少なくとも１つより上方において前記反応ゾーン中に配設された１つ又はそれ以上のバッフル（ここで前記バッフルは１つ又はそれ以上の露出外面を提供し、前記露出外面の全上向き表面積の５０％未満を、水平から２０°未満の傾きの、実質的に平面の表面によって形成する）
を含んでなる点で改良された気泡塔型反応器。
【請求項２８】
前記バッフルが１０〜９０％の範囲の孔面積を有する請求項２７に記載の気泡塔型反応器。
【請求項２９】
前記バッフルが２５〜７５％の範囲の孔面積を有する請求項２７に記載の気泡塔型反応器。
【請求項３０】
前記露出外面の全上向き表面積の３５％未満を、水平から２０°未満の傾きの、実質的に平面の表面によって形成する請求項２７に記載の気泡塔型反応器。
【請求項３１】
前記バッフルが３５〜６５％の範囲の孔面積を有し、前記露出外面の全上向き表面積の２５％未満が、水平から２０°未満の傾きの、実質的に平面の表面によって形成される請求項２７に記載の気泡塔型反応器。
【請求項３２】
前記バッフルが横方向に間隔をあけて配置された複数のバッフルを含む請求項２７に記載の気泡塔型反応器。
【請求項３３】
前記バッフル部材のそれぞれが実質的に円筒形の露出外面を提供する請求項３２に記載の気泡塔型反応器。
【請求項３４】
前記バッフル部材のそれぞれが逆Ｖ字形の上向き露出外面を提供する請求項３２に記載の気泡塔型反応器。
【請求項３５】
前記反応器が、前記反応ゾーン中に、垂直方向に間隔をあけて配設された複数のバッフルを含む請求項２７に記載の気泡塔型反応器。
【請求項３６】
前記反応ゾーンが最大長さ（Ｌ）、最大直径（Ｄ）及び少なくとも６：１のＬ：Ｄ比を有する請求項２７に記載の気泡塔型反応器。
【請求項３７】
前記Ｌ：Ｄ比が８：１〜２０：１の範囲である請求項３６に記載の気泡塔型反応器。
【請求項３８】
前記気体用開口部の全てによって規定される累積孔面積の大部分を、前記反応ゾーンの常態での下端の０．２５Ｄ以内に配置した請求項３６に記載の気泡塔型反応器。
【請求項３９】
前記液体用開口部の全てによって規定される累積孔面積の少なくとも３０％を、前記の常態での下端に最も近い位置の気体用開口部の１．５以内に配置した請求項３６に記載の気泡塔型反応器。
【請求項４０】
前記液体用開口部の少なくとも２つを、互いに軸方向に少なくとも０．５Ｄの間隔をあけて配置した請求項２７に記載の気泡塔型反応器。
【請求項４１】
前記バッフルを、前記反応器の内容物をほとんど加熱も冷却もしないように構築した請求項２７に記載の気泡塔型反応器。
【請求項４２】
露出外面の相当部分がＲＭＳ  １２５ミクロン又はそれ以下の表面仕上げを有する請求項２７に記載の気泡塔型反応器。