【手続補正書】
【提出日】平成19年12月13日(2007.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  或る反復率の波長を有しているレーザーを利用して、各パルスが所定の形状を有しているレーザーパルス列を発生し、増幅されたパルス列を得るようにパルス列を光増幅し、そして増幅されたパルス列の少なくとも一部を標的材料(２５）上の１点に搬送且つ合焦するレーザーベースの方法であって、
前記増幅されたパルスは各々が実質的に方形の時間出力密度分布と、急峻な立上がり時間と、パルス持続時間と、パルス降下時間とを有しており、前記方法が、エネルギー効率がよく、且つ、標的材料を包囲している材料（３２）の電気特性と物理特性の望ましくない変化を引き起こすこと無しに、微細領域において特定寸法を有している標的材料を処理するのに好適であることを特徴とする、前記方法。
【請求項２】  前記標的材料として微細構造体が挙げられる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記微細構造体は導電線である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記導電線は金属線であり、前記パルス持続時間は金属線の特定部分を効果的に加熱気化させるのに十分な長さである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】  前記標的材料は半導体装置の一部である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記半導体装置は半導体メモリである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】  前記メモリは、少なくとも16メガビットから256メガビットまでの密度を有している、請求項６に記載の方法。
【請求項８】  前記標的材料を包囲している材料の少なくとも一部は基板である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】  前記基板は半導体基板である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  前記標的材料は超小型電子装置の一部である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】  前記半導体は超小型電気機械装置である、請求項５に記載の方法。
【請求項１２】  前記実質的に方形の時間出力密度分布は、前記標的材料を実質的に完全に融除するのに十分である、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】  前記立上がり時間は１ナノ秒よりも短い、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】  前記立上がり時間は0.5ナノ秒よりも短い、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】  前記パルス持続時間は10ナノ秒よりも短い、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】  前記パルス持続時間は５ナノ秒よりも短い、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】  前記降下時間は２ナノ秒よりも短い、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】  前記標的材料を処理するのに、１個の増幅パルスで十分である、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】  前記標的材料は、前記増幅パルスに対して反射性を有しており、増幅パルスの出力密度は、増幅パルスに対する標的材料の反射率を低減するとともにレーザーエネルギーを標的材料に効率的に結合させるのに十分なだけの高さである、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】  各増幅パルスは、パルス持続時間全体で、比較的均一な出力密度分布を有している、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】  各パルスは、時間出力密度分布がパルス持続時間の10パーセントの範囲内まで均一である、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】  前記標的材料を包囲している材料は、光特性と熱拡散特性が、標的材料のこれらに対応する諸特性とは異なっている、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】  前記光特性としては吸収率が挙げられる、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】  前記光特性としては偏光感度が挙げられる、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】  前記反復率は少なくとも1000パルス／秒である、請求項１に記載の方法。
【請求項２６】  前記増幅パルスは各々が少なくとも0.1マイクロジュールから３マイクロジュールまでのエネルギーを有している、請求項１に記載の方法。
【請求項２７】  光増幅させる前記工程は少なくとも20dBの利得を供与する、請求項１に記載の方法。
【請求項２８】  前記立上がり時間と前記降下時間の両方が前記パルス持続時間の２分の１よりも短く、増幅パルスごとのピーク出力が立上がり時間と降下時間の間で実質的に一定である、請求項１に記載の方法。
【請求項２９】  前記増幅パルスは各々が末尾を有しており、上記方法はまた、増幅パルスの末尾でレーザーエネルギーを減衰させて、増幅パルスの降下時間を低減させると同時に、パルスの出力量を実質的に維持するようにした工程を更に含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項３０】  前記末尾の前記減衰されたレーザーエネルギーは、パルス持続時間の1.5倍の範囲内では少なくとも20ｄB分だけ減衰される、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】  前記パルス持続時間は前記特定寸法の関数である、請求項１に記載の方法。
【請求項３２】  前記特定寸法は前記レーザー波長よりも短い、請求項１に記載の方法。
【請求項３３】  前記レーザーは高速半導体レーザーダイオードである、請求項１に記載の方法。
【請求項３４】  前記レーザーダイオードは波長が約２μmよりも短い、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】  前記点は約１μmから４μmの範囲の寸法を有している、請求項１に記載の方法。
【請求項３６】  前記レーザーダイオードは多元モードダイオードレーザーである、請求項３３に記載の方法。
【請求項３７】  前記レーザーダイオードは、分散ブラッグ反射器（DBR）、分散フィードバック（DFB）、または、外部空洞設計を利用した単一周波数のレーザーダイオードである、請求項３３に記載の方法。
【請求項３８】  レーザーパルス列を或る反復率で発生させる波長を有しており、各パルスが所定の形状を有するように変調される、利得スイッチ制御のパルス式シードレーザー、パルス列を光増幅させて増幅されたパルス列を得るレーザー増幅器（１０）、及び増幅されたパルス列の少なくとも一部を標的材料(２５）上の一点に搬送且つ合焦するビーム搬送／合焦サブシステム（１２）とを備えるシステムであり、
処理制御信号を発生させる制御装置（３３）と、前記処理制御信号に基づいて変調駆動波形を発生させる信号発生装置とを備え、前記波形はサブナノ秒の立上がり時間を有しており、前記増幅されたパルスの各々が方形の時間出力密度分布と、急峻な立上がり時間と、パルス持続時間と、パルス降下時間とを有しており、前記システムは、エネルギー効率に優れており、且つ標的材料を包囲している材料（３２）の電気特性または物理特性の望ましくない変化を引き起こさずに、微細領域において特定寸法を有している標的材料を処理するために好適な、前記システム。
【請求項３９】  前記システムは、材料または基板上の微細構造体を処理するのに好適である、請求項３８に記載のシステム。
【請求項４０】  前記システムは、導電線を処理するのに好適である、請求項３９に記載のシステム。
【請求項４１】  前記システムは、金属線を処理するのに好適である、前記パルス持続時間は金属線の特定部分を効果的に加熱気化させるのに十分な長さである、請求項４０に記載のシステム。
【請求項４２】  前記システムは、半導体装置の一部を処理するのに好適である、請求項３８に記載のシステム。
【請求項４３】  前記システムは、半導体メモリを処理するのに好適である、請求項４２に記載のシステム。
【請求項４４】  前記システムは、少なくとも16メガビットから256メガビットまでの密度を有しているメモリを処理するのに好適である、請求項４３に記載のシステム。
【請求項４５】  前記システムは、基板上の標的材料を処理するのに好適である、請求項３８に記載のシステム。
【請求項４６】  前記基板は半導体基板である、請求項４５に記載のシステム。
【請求項４７】  前記システムは、超小型電気機械装置を処理するのに好適である、 請求項４２に記載のシステム。
【請求項４８】  前記システムは、前記標的材料は超小型電子装置の一部を処理するのに好適である、請求項３８に記載のシステム。
【請求項４９】  前記実質的に方形の時間出力密度分布は、前記標的材料を実質的に完全に融除するのに十分である、請求項３８に記載のシステム。
【請求項５０】  前記立上がり時間は１ナノ秒よりも短い、請求項３８に記載のシステム。
【請求項５１】  前記立上がり時間は0.5ナノ秒よりも短い、請求項５０に記載のシステム。
【請求項５２】  前記パルス持続時間は10ナノ秒よりも短い、請求項３８に記載のシステム。
【請求項５３】  前記パルス持続時間は５ナノ秒よりも短い、請求項５２に記載のシステム。
【請求項５４】  前記降下時間は２ナノ秒よりも短い、請求項３８に記載のシステム。
【請求項５５】  前記標的材料を処理するのに、１個の増幅パルスで十分である、請求項３８に記載のシステム。
【請求項５６】  前記標的材料は、前記増幅パルスに対して反射性を有しており、増幅パルスの出力密度は、増幅パルスに対する標的材料の反射率を低減するとともにレーザーエネルギーを標的材料に効率的に結合させるのに十分なだけの高さである、請求項３８に記載のシステム。
【請求項５７】  各増幅パルスは、パルス持続時間全体で、比較的均一な出力密度分布を有している、請求項３８に記載のシステム。
【請求項５８】  前記標的材料を包囲している材料は、光特性と熱拡散特性が、標的材料のこれらに対応する諸特性とは異なっている、請求項３８に記載のシステム。
【請求項５９】  前記光特性としては吸収率が挙げられる、請求項５８に記載のシステム。
【請求項６０】  前記光特性としては偏光感度が挙げられる、請求項５８に記載のシステム。
【請求項６１】  前記反復率は少なくとも1000パルス／秒である、請求項３８に記載のシステム。
【請求項６２】  前記増幅パルスは各々が少なくとも0.1マイクロジュールから３マイクロジュールまでのエネルギーを有している、請求項３８に記載のシステム。
【請求項６３】  光増幅させる前記工程は少なくとも20dBの利得を供与する、請求項３８に記載のシステム。
【請求項６４】  前記立上がり時間と前記降下時間の両方が前記パルス持続時間の２分の１よりも短く、増幅パルスごとのピーク出力が立上がり時間と降下時間の間で実質的に一定である、請求項３８に記載のシステム。
【請求項６５】  前記レーザー増幅器は光ファイバーと光ファイバーをポンピングするポンプとを備えており、ポンプはシードレーザーとは性質が異なっている、請求項３８に記載のシステム。
【請求項６６】  前記ポンプはレーザーダイオードである、請求項６５に記載のシステム。
【請求項６７】  前記シードレーザーはレーザーダイオードを含んでいる、請求項３８に記載のシステム。
【請求項６８】  各パルスは、時間出力密度分布がパルス持続時間の10パーセントの範囲内まで均一である、請求項３８に記載のシステム。
【請求項６９】  前記増幅パルスは各々が末尾を有しており、上記方法はまた、増幅パルスの末尾でレーザーエネルギーを減衰させて、増幅パルスの降下時間を低減させると同時に、パルスの出力量を実質的に維持するようにした工程を更に含んでいる、請求項３８に記載のシステム。
【請求項７０】  前記末尾の前記減衰されたレーザーエネルギーは、パルス持続時間の1.5倍の範囲内では少なくとも10ｄB分だけ減衰される、請求項６９に記載のシステム。
【請求項７１】  前記パルス持続時間は前記特定寸法の関数である、請求項３８に記載のシステム。
【請求項７２】  前記特定寸法は前記波長よりも短い、請求項３８に記載のシステム。
【請求項７３】  前記レーザーダイオードは波長が約２μmよりも短い、請求項６７に記載のシステム。
【請求項７４】  前記点は約１μmから４μmの範囲の寸法を有している、請求項３８に記載のシステム。
【請求項７５】  前記レーザーダイオードは多元モードダイオードレーザーである、請求項６７に記載のシステム。
【請求項７６】  前記レーザーダイオードは、分散ブラッグ反射器（DBR）、分散フィードバック（DFB）、または、外部空洞設計を利用した単一周波数のレーザーダイオードである、請求項６７に記載のシステム。
【請求項７７】  前記ポンプは利得スイッチ制御式レーザーダイオードである、請求項６５に記載のシステム。
【請求項７８】  光スイッチと、光スイッチに連結されたコンピュータと、パルス列の材料処理パルスを選択して、前記標的材料に対する選択されたパルスの位置を制御するサブシステムとを更に備えている、請求項３８に記載のシステム。
【請求項７９】  前記光ファイバーは一元モードの光ファイバーであり、前記ポンプはポンプダイオードである、請求項６５に記載のシステム。
【請求項８０】  前記標的材料が金属接合部であり、この金属接合部を囲む材料が、少なくとも１つのパシベーション層である、請求項１記載の方法。
【請求項８１】  前記金属接合部は、それを覆う頂面パシベーション層と下に位置する底面パシベーション層とに埋設されており、パルス持続時間は頂面パシベーション層にひび割れを入れるには十分であるが、底面パシベーション層にはひび割れを入れない程度の長さである、請求項８０に記載の方法。
【請求項８２】  前記標的材料が金属接合部であり、この金属接合部を囲む材料が、少なくとも１つのパシベーション層である、請求項３８記載の方法。
【請求項８３】  前記金属接合部は、それを覆う頂面パシベーション層と下に位置する底面パシベーション層とに埋設されており、パルス持続時間は頂面パシベーション層にひび割れを入れるには十分であるが、底面パシベーション層にはひび割れを入れない程度の長さである、請求項８２に記載のシステム。