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【手続補正書】
【提出日】平成19年10月24日(2007.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体基板の主面上に第１導電型の窒化物半導体層と、活性層と、第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層と、前記第２導電型の窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部とを備えてなる窒化物半導体レーザ素子であって、
前記窒化物半導体基板の第１の主面である（０００１）面上には、窒化物半導体層が形成されており、
前記窒化物半導体基板の第２の主面には、（０００−１）面と、該（０００−１）面以外の傾斜面とが露出しており、
該（０００−１）面以外の傾斜面は、第２の主面の表面積における割合が０．５％以上であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
窒化物半導体基板の主面上に第１導電型の窒化物半導体層と、活性層と、第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層と、前記第２導電型の窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部とを備えてなる窒化物半導体レーザ素子であって、
前記窒化物半導体基板の主面には、基準結晶面に対して、前記ストライプ状のリッジ部に略平行方向にオフ角ａ（θa）と、略垂直方向にオフ角ｂ（θb）とを有し、｜θa｜＞｜θb｜を満たしていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記基準結晶面は、（０００１）面、（１１−２０）面又は（１−１００）面である請求項２に記載の素子。
【請求項４】
前記窒化物半導体基板の主面は、（０００１）面からなる第１の領域と、少なくとも第１の領域と異なる結晶成長面を有する第２の領域とを備えている請求項１又は３に記載の素子。
【請求項５】
前記第２の領域は、（０００−１）面である請求項４に記載の素子。
【請求項６】
前記窒化物半導体基板の主面は、前記第１の領域と前記第２の領域とを略平行に有する請求項４又は５に記載の素子。
【請求項７】
第１の領域が、リッジの直下に配置されてなる請求項１及び４〜６のいずれか１つに記載の素子。
【請求項８】
前記窒化物半導体基板の第１の主面上に窒化物半導体層が形成されており、
前記窒化物半導体基板の第２の主面に、（０００−１）面と、該（０００−１）面以外の傾斜面とが露出しており、
該（０００−１）面以外の傾斜面は、第２の主面の表面積における割合が０．５％以上である請求項２〜７のいずれか１つに記載の素子。
【請求項９】
第１導電型の窒化物半導体層と第２導電型の窒化物半導体層との間に、活性層を含んでコア領域が形成され、
前記第１導電型及び第２導電型窒化物半導体層の少なくとも一方に、前記コア領域の最外層から順に第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とを有しており、
前記コア領域の最外層と前記第１の窒化物半導体層との間及び前記第１の窒化物半導体層と前記第２の窒化物半導体層との間に屈折率差を有する請求項１〜８のいずれか１つに記載の素子。
【請求項１０】
第１の窒化物半導体層は前記コア領域の最外層よりも屈折率が低い請求項９に記載の素子。
【請求項１１】
第２の窒化物半導体層は第１の窒化物半導体層よりも屈折率が低い請求項９又は１０に記載の素子。
【請求項１２】
コア領域の最外層と第１の窒化物半導体層との屈折率差（Δｎ1）及び／又は第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層との屈折率差（Δｎ2）は、０．００４〜０．０３である請求項９〜１１のいずれか１つに記載の素子。
【請求項１３】
ｎ型窒化物半導体層は、コア領域の最外層に接した第１のｎ型窒化物半導体層から順に第ｍ（ｍ≧２）のｎ型窒化物半導体層を有しており、
ｐ型窒化物半導体層は、前記コア領域の最外層に接した第１のｐ型窒化物半導体層を有しており、
第ｍ（ｍ≧２）のｎ型窒化物半導体層の屈折率は、第１のｐ型窒化物半導体層の屈折率より高い請求項９〜１２のいずれか１つに記載の素子。
【請求項１４】
第ｍ（ｍ≧２）のｎ型窒化物半導体層と第１のｐ型窒化物半導体層との屈折率差（Δｎ）は、０．００４〜０．０３である請求項１３に記載の素子。
【請求項１５】
第ｍ（ｍ≧２）のｎ型窒化物半導体層と前記コア領域の最外層との屈折率差（Δｎm）は、０．００７〜０．０５である請求項１３又は１４に記載の素子。
【請求項１６】
窒化物半導体基板の主面上に第１導電型の窒化物半導体層と、活性層と、第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層とを順に備えてなる窒化物半導体素子であって、
前記窒化物半導体基板の主面は、Ｍ面（１−１００）に対して略垂直方向にオフ角ａ（θa）、略平行方向にオフ角ｂ（θb）を有しており、｜θa｜＞｜θb｜の関係を満たすことを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項１７】
０．１°≦｜θa｜≦０．７°を満たす請求項２〜１６のいずれか１つに記載の素子。
【請求項１８】
窒化物半導体基板の主面は、Ｃ面（０００１）からなる第１の領域と、少なくとも第１の領域と異なる結晶成長面を有する第２の領域とを備えている請求項１６又は１７に記載の素子。
【請求項１９】
第１の領域と第２の領域とは、ストライプ状に極性が分断されている請求項１８に記載の素子。
【請求項２０】
第１導電型の窒化物半導体層には、ラテラル成長させたＡｌを含有する窒化物半導体層を有する請求項１〜８及び１６〜１９のいずれか１つに記載の素子。
【請求項２１】
第１導電型の窒化物半導体層と第２導電型の窒化物半導体層との間に、活性層を含んでコア領域が形成され、
前記第１導電型及び第２導電型窒化物半導体層の少なくとも一方に、前記コア領域の最外層から順に第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とを有しており、
前記コア領域の最外層と前記第１の窒化物半導体層との間及び前記第１の窒化物半導体層と前記第２の窒化物半導体層との間に屈折率差を有する請求項１６〜２０のいずれか１つに記載の素子。
【請求項２２】
第１の窒化物半導体層は前記コア領域の最外層よりも屈折率が低い請求項２１に記載の素子。
【請求項２３】
第２の窒化物半導体層は第１の窒化物半導体層よりも屈折率が低い請求項２１又は２２に記載の素子。
【請求項２４】
コア領域の最外層と第１の窒化物半導体層との屈折率差（Δｎ1）及び／又は第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層との屈折率差（Δｎ2）は、０．００４〜０．０３である請求項２１〜２３のいずれか１つに記載の素子。
【請求項２５】
ｎ型窒化物半導体層は、コア領域の最外層に接した第１のｎ型窒化物半導体層から順に第ｍ（ｍ≧２）のｎ型窒化物半導体層を有しており、
ｐ型窒化物半導体層は、前記コア領域の最外層に接した第１のｐ型窒化物半導体層を有しており、
第ｍ（ｍ≧２）のｎ型窒化物半導体層の屈折率は、第１のｐ型窒化物半導体層の屈折率より高い請求項１６〜２４のいずれか１つに記載の素子。
【請求項２６】
第ｍ（ｍ≧２）のｎ型窒化物半導体層と第１のｐ型窒化物半導体層との屈折率差（Δｎ）は、０．００４〜０．０３である請求項２５に記載の素子。
【請求項２７】
第ｍ（ｍ≧２）のｎ型窒化物半導体層と前記コア領域の最外層との屈折率差（Δｎm）は、０．００７〜０．０５である請求項２５又は２６に記載の素子。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月6日(2007.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体を積層して形成されて発光エリアに対応した層から放射される光を前記基板側の光取り出し面から取り出す固体素子において、
前記発光エリアに対応した層に電流を注入する半導体層にオーミック接触する導電材料の複数の領域を含む電極を有し、前記複数の領域は、前記半導体層の表面に分散状に設けられるとともに、表面を前記電極より前記半導体の熱膨張率に近い他の導電材料で覆われている固体素子。
【請求項２】
前記複数の領域は、隣接する領域が接続されていることを特徴とする請求項１に記載の固体素子。
【請求項３】
前記導電材料は、前記半導体層との合金化拡散がないものであることを特徴とする請求項１または２に記載の固体素子。
【請求項４】
前記半導体層は、ＧａＮ系半導体化合物で構成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の固体素子。
【請求項５】
前記光取り出し面は、前記基板を加工して凹凸を形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の固体素子。
【請求項６】
前記光取り出し面には、凸面部が形成され、前記導電材料は、前記凸面部に対応して配列されている請求項１から５のいずれか１項に記載の固体素子。
【請求項７】
導電性金属酸化物から形成されるコンタクト電極層と、前記コンタクト電極層上に形成される接合部とを有する固体素子と、
前記固体素子を搭載し、前記接合部が接合して前記固体素子と電気的に接続する配線部を有する基板と、
ガラスによって形成され、前記固体素子を封止する無機封止部とを備える固体素子デバイス。
【請求項８】
前記固体素子は、ＧａＮ系半導体化合物で構成される請求項７に記載の固体素子デバイス。
【請求項９】
前記接合部は、前記コンタクト電極に部分的に形成される請求項７または８に記載の固体素子デバイス。
【請求項１０】
前記導電性金属酸化物は、ＩＴＯである請求項７から９のいずれか１項に記載の固体素子デバイス。
【請求項１１】
Ｒｈから形成されるコンタクト電極層と、前記コンタクト電極層上に形成される接合部とを有する固体素子と、
前記固体素子を搭載し、前記接合部が接合して前記固体素子と電気的に接続する配線部を有する基板と、
ガラスによって形成され、前記固体素子を封止する無機封止部とを備える固体素子デバイス。
【請求項１２】
前記固体素子は、ＧａＮ系半導体化合物で構成される請求項１１に記載の固体素子デバイス。
【請求項１３】
前記接合部は、前記コンタクト電極に部分的に形成される請求項１１または１２に記載の固体素子デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、上記の目的を達成するため、基板上に半導体を積層して形成されて発光エリアに対応した層から放射される光を前記基板側の光取り出し面から取り出す固体素子において、前記発光エリアに対応した層に電流を注入する半導体層にオーミック接触する導電材料の複数の領域を含む電極を有し、前記複数の領域は、前記半導体層の表面に分散状に設けられるとともに、表面を前記電極より前記半導体の熱膨張率に近い他の導電材料で覆われている固体素子を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、上記の目的を達成するため、導電性金属酸化物から形成されるコンタクト電極層と、前記コンタクト電極層上に形成される接合部とを有する固体素子と、前記固体素子を搭載し、前記接合部が接合して前記固体素子と電気的に接続する配線部を有する基板と、ガラスによって形成され、前記固体素子を封止する無機封止部とを備える固体素子デバイスを提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、上記の目的を達成するため、Ｒｈから形成されるコンタクト電極層と、前記コンタクト電極層上に形成される接合部とを有する固体素子と、前記固体素子を搭載し、前記接合部が接合して前記固体素子と電気的に接続する配線部を有する基板と、ガラスによって形成され、前記固体素子を封止する無機封止部とを備える固体素子デバイスを提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月12日(2007.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けられた非単結晶半導体膜にエネルギー光を照射して、この非単結晶半導体膜を溶融して結晶化する結晶化用光学系を具備する結晶化装置であって、
前記エネルギー光の光路外に配置され、前記非単結晶半導体膜に測定用の照明光を照射する測定用照明光学系と、
前記非単結晶半導体膜からの測定光を複数の測定光に分割する光学素子と、
前記光学素子により分割された各々の測定光を拡大し、この各々の測定光を光検出器の受光面に前記非単結晶半導体膜の像としてそれぞれ結像するレンズと、
前記光検出器を含み、前記受光面に結像された前記非単結晶半導体膜の像のそれぞれを結晶化情報に変換する複数の計測器と、
前記複数の計測器からの結晶化情報を処理する画像処理装置と
を具備することを特徴とする結晶化装置。
【請求項２】
前記複数の計測器は、
前記非単結晶半導体膜の像を検出して結晶化情報に変換する第１の計測器と、
前記第１の計測器と実質的に異なる方向から前記非単結晶半導体膜の像を検出して結晶化情報に変換する第２の計測器と
を具備することを特徴とする請求項１に記載の結晶化装置。
【請求項３】
前記第１及び第２の計測器は、前記非単結晶半導体膜からの前記測定光の光軸に垂直な平面内で実質的に異なる２方向から前記非単結晶半導体膜の像を検出して結晶化情報に変換することを特徴とする請求項２に記載の結晶化装置。
【請求項４】
前記複数の計測器の各々は、
前記非単結晶半導体膜の像を画像データに変換する撮像素子を備えることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１に記載の結晶化装置。
【請求項５】
前記複数の計測器の各々は、
前記受光面である光電面に結像された前記非単結晶半導体膜の像により発生した光電子を増倍させて輝度増倍された蛍光像を形成する蛍光面を有する前記光検出器と、
前記光検出器の蛍光面上の像を画像データに変換する撮像素子とを備えることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１に記載の結晶化装置。
【請求項６】
前記複数の計測器の各々は、
前記受光面である光電面に結像された前記非単結晶半導体膜の像により発生した光電子を増倍させて輝度増倍された蛍光像を形成する蛍光面を有する前記光検出器と、
前記光検出器の蛍光像を増倍して蛍光面に結像するイメージインテンシファイアと、
前記イメージインテンシファイアの蛍光面の像を画像データに変換する撮像素子を備えることを特徴とする、請求項１ないし請求項４のいずれか１に記載の結晶化装置。
【請求項７】
前記画像処理装置は、前記複数の計測器で得られた複数の前記結晶化情報を処理して結晶成長方向若しくはこの結晶成長方向における結晶成長速度のいずれか１、あるいは両者を出力することを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１に記載の結晶化装置。
【請求項８】
エネルギー光を射出する工程と、
前記エネルギー光を基板に設けられた非単結晶半導体膜に照射し、この非単結晶半導体膜を溶融して結晶化する工程と、
前記エネルギー光の照射領域を測定用照明光で照明する工程と、
前記非単結晶半導体膜からの測定光を分割する工程と、
前記分割された各々の測定光を検出する工程と、
前記検出された測定光を各々の結晶化情報に変換するする工程と、
前記結晶化情報を処理するする工程とを
具備することを特徴とする結晶化方法。
【請求項９】
前記検出する工程は、前記非単結晶半導体膜からの測定光の光軸に垂直な平面内で実質的に異なる２方向から検出することを特徴とする請求項８に記載の結晶化方法。
【請求項１０】
前記エネルギー光は、エキシマレーザー光であって、
前記エキシマレーザー光は、所定の光強度分布を有する光に位相変調され、
前記非単結晶半導体膜は、前記位相変調されたエキシマレーザー光を照射され、前記光強度分布に対応した温度分布を形成し、
前記検出する工程は、前記非単結晶半導体膜からの前記温度分布に対応した測定光を検出することを特徴とする、請求項８若しくは請求項９に記載の結晶化方法。
【請求項１１】
前記検出する工程は、前記エネルギー光の前記非単結晶半導体膜への照射中及び照射後に前記分割された各々の測定光を同時に検出することを特徴とする請求項８ないし請求項１０のいずれか１に記載の結晶化方法。
【請求項１２】
前記処理する工程は、複数の前記結晶化情報から結晶成長方向若しくはこの結晶成長方向における結晶成長速度のいずれか１、あるいは両者を求める工程を具備することを特徴とする請求項８ないし請求項１１のいずれか１に記載の結晶化方法。
【請求項１３】
パルス発振するエネルギー光を射出する工程と、
前記エネルギー光を光強度分布を有するエネルギー光に変調する工程と、
前記光強度分布を有するエネルギー光を基板に設けられた非単結晶半導体膜にキャップ膜を介して照射し、前記非単結晶半導体膜を溶融し、エネルギー光が遮断されると溶融領域が前記光強度分布の低い部分から凝固する結晶化工程と、
からなる結晶化方法であって、
前記エネルギー光の照射タイミングに合わせて前記エネルギー光の照射領域を測定用照明光で照明する工程と、
前記結晶化工程における溶融した領域の凝固が横方向に進行する様子を前記測定用照明光の前記非単結晶半導体膜からの反射光および透過光の少なくとも一方を測定して観察する観察工程と、
を具備することを特徴とする結晶化方法。
【請求項１４】
前記溶融した領域の凝固が横方向に進行する様子は、前記溶融した領域の平面内で固液界面が移動する様子であることを特徴とする請求項１３に記載の結晶化方法。
【請求項１５】
前記溶融した領域の平面内で固液界面が移動する様子は、ストリーク管を２系統用意し、前記各ストリーク管の光電面に異なる方向にスリットを配置した光学系により観測することを特徴とする請求項１４に記載の結晶化方法。
【請求項１６】
前記光学系により観測した出力は、その時刻における位置情報として記憶部に記憶されることを特徴とする請求項１５に記載の結晶化方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明請求項１ないし１２によれば、半導体膜が溶融して、結晶化する状態をリアルタイムで観察することが可能であり、半導体薄膜の、例えば、成長速度及び成長方向を正確に測定することが可能な結晶化装置及び結晶化方法を提供できる。
本発明請求項２ないし７、９、１３ないし１６によれば、ＸＹ平面で固液界面が移動する様子を観測することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月18日(2007.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層に、リッジストライプ部が設けられ、該リッジストライプ部に沿って両脇に溝部が設けられ、前記リッジストライプ部と対向する、該溝部の脇に丘部が設けられた、窒化物半導体レーザ素子において、
前記溝部の上方に形成された金属膜と該溝部の底部との間に空洞部を有することを特徴とする、窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
空洞部は、リッジストライプ部の側面と溝部の底部と丘部の側面とに囲まれる領域中に存在することを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
溝部の幅が５μｍ〜５０μｍの範囲内であることを特徴とする、請求項１または２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
リッジストライプ部の形状は、略矩形状であるかまたは逆メサ形状であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
溝部の底部上に少なくとも絶縁膜が形成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】
溝部の底部上に第１の絶縁膜が形成され、該第１の絶縁膜上にｐ電極が形成され、該ｐ電極上に第２の絶縁膜が形成されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】
第１の絶縁膜および第２の絶縁膜のうち少なくとも一方は酸化シリコンであることを特徴とする、請求項５または６に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】
リッジストライプ部の上方にさらに金属膜が形成され、該リッジストライプ部と該金属膜との間にさらに空洞部が形成されていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項９】
金属膜は、金メッキ、銅メッキ、銀メッキ、ニッケルメッキ、錫メッキ、錫銅合金メッキであるか、あるいはＮｉ，Ｍｏ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｐｄ，ＰｔまたはＦｅのいずれかよりなる金属膜であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１０】
空洞部は、少なくともリッジストライプ部の側面と溝部の底部とが接する部分を含むことを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１１】
前記金メッキは、シアン系金メッキまたは亜硫酸系金メッキであることを特徴とする、請求項９に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１２】
前記金属膜は、光沢処理されていることを特徴とする、請求項１、８、９または１１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１３】
前記リッジストライプ部の幅は、２μｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子が、サブマウントまたはステムにジャンクションダウンで接合された窒化物半導体レーザ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月28日(2007.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記した点に鑑み、DVD Video Recordingフォーマットに準拠した記録方式によって記録媒体へのコンテンツの記録を行う記録装置若しくは記録再生装置であって、コンテンツ中のタイトルごとに視聴制限をさせることが可能な記録装置若しくは記録再生装置又はこれらを備えた電子装置を提供することを目的とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図３及び図４を参照しつつ、各タイトルに対応するパスワードの設定処理（パスワードテーブルの、ＤＶＤ−ＶＲフォーマットのVR_MANGR.IFOファイル内への構成）について説明する。タイトルに対するパスワードの設定は、タイトルの録画やタイトルの編集（分割など）により新しいタイトルが生成された際にパスワードを設定する場合、若しくは、既存のタイトルに新しくパスワードを設定する場合／パスワードを変更する場合などに行われる。従って、パスワードの設定は、各処理の中（例えば、１番組（入力切替部１３を介してチューナ部１３ａから入力される映像音声信号）をＤＶＤ２３へ録画した際の管理情報の作成処理動作等）で、「タイトル別パスワード設定・変更処理」（図３・４）が起動されて行われるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
「タイトルに対応する」とは、本「タイトル別パスワード設定・変更処理」を呼び出した他の処理中において特定される（作業中の）タイトルであり、例えば、タイトル１・タイトル２の２つを有するＤＶＤのタイトル２を分割したことによりタイトル３が作成され、これに対して新しくパスワードを設定しようとした場合には、編集・分割処理中において「タイトル３」が特定されており、「タイトルに対応した」とはタイトル３に対応するIT_TXTや、IT_TXT_SRP#3を意味する（なお、タイトル３に対応するIT_TXT やIT_TXT_SRP#3は分割作業の際自動的に作成される）。これらの「タイトルに対応するIT_TXTやIT_TXT_SRP」の具体的アドレス（論理アドレス）の求め方は（図６・図７参照）、IT_TXT_SRPの場合、UD_PGCITの終了アドレス（UD_PGCIT_EA）がUD_PGCITに記録されており（これによりUD_PGCIT_EA+1でTXTDT_MGの先頭アドレスが求められる）且つTXTDTI（８バイト）とIT_TXT_SRP（４バイト）のサイズが固定サイズであるため、例えばｘ番目のIT_TXT_SRP#xのアドレスは、｛TXTDT_MGの先頭アドレス+８+４（ｘ−１）｝によって求めることができる。IT_TXTの場合、上記と同様に最初のIT_TXTの先頭アドレスを求めることができ（TXTDT_MGの先頭アドレス+８+４n）、且つ、IT_TXTのサイズは{IDCD（１バイト）+TXT_SZ（１バイト）+ TXTのサイズ}であるため、例えば、TXTのサイズ（パスワードの桁数）を４と固定した場合の、ｘ番目のIT_TXTのアドレスは、｛IT_TXTの先頭アドレス+６（ｘ−１）｝で求めることができる。IT_TXTのサイズを可変（パスワードの桁数を任意）とした場合であっても、{最初のIT_TXTの先頭アドレス+１}で最初のIT_TXTのTXT_SZのアドレスが分かり、このTXT_SZの内容を見ることによって「最初のIT_TXTのサイズ」を算出することができるため、２番目のIT_TXTの先頭アドレスを求めることができ、同様のことを繰り返すことで、ｘ番目のIT_TXTのアドレスを求めることができる。以上のごとく、IT_TXTのサーチポインタであるIT_TXT_SRPを無効（0000h）としても、タイトルに対応するIT_TXTのアドレスを求めることができ、「タイトルに対応するIT_TXT」に対する処理を行うことができる。これは以下の動作説明中における「タイトルに対応した」においても同様の概念である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月4日(2007.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図１は、本発明の第１実施形態の構成を示すブロック図である。
この第１実施形態に係る半導体製造システムは、半導体処理装置として、図１に示すように、被処理物に対して同一のドライエッチング処理を行うことができる、少なくとも２つの同一のドライエッチング装置１、２を備えている。
この各ドライエッチング装置１、２は、チャンバ１１、２１をそれぞれ備え、チャンバ１１、２１内において、被処理物に対してプラズマ発光などを用いてそれぞれ同一のドライエッチング処理ができるようになっている。また、チャンバ１１、２１内は、ドライエッチング処理後などに必要に応じてクリーニング（清掃）ができるようになっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
メモリ８は、データ処理部７がデータ処理を行う際に必要なデータを予め格納するとともに、そのデータ処理の際に一時的にデータを格納するものである。
制御部９は、ドライエッチング装置１、２のチャンバ１１、２１において、ドライエッチング処理やクリーニング処理を行う際に、その処理に係る各部（図示せず）の制御を行うものである。ここで、その制御パラメータとしては、ガスの流量、高周波電源の電圧値、圧力、温度などがある。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月18日(2007.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光を発生する発光素子と、
前記発光素子の上方に設けられた光反射層と、
前記光反射層の下方に設けられており、前記光反射層によって反射された前記第１の光に応じて第２の光を放射する蛍光体と、
を備えた発光装置。
【請求項２】
前記発光素子を覆っており、前記光反射層に接している透光性部材をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光素子を囲んでいる枠状部材をさらに備えており、
前記蛍光体が、前記枠状部材の開口部において内周面上に部分的に設けられていることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１の光を前記光反射層の方向へ反射する第１の光反射面と、
前記光反射層によって反射された前記第１の光を上方へ反射する第２の光反射面と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項５】
前記蛍光体が前記第２の光反射面上に設けられていることを特徴とする請求項４記載の発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の発光装置を光源として用いた照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月23日(2007.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記有機高分子樹脂に含まれるヒンダードアミン系光安定化剤の濃度が０．５〜１．０重量％であることを特徴とする請求項１または２に記載の太陽電池モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の太陽電池モジュールにおいては、前記紫外線吸収剤の濃度が０．００１重量％以下であることが好ましい。
また、前記有機高分子樹脂に含まれるヒンダードアミン系光安定化剤の濃度が０．５〜１．０重量％であることが好ましい。
さらに、前記太陽電池素子の非受光面側が有機高分子樹脂とその外側の裏面保護部材とで封止されており、前記非受光面側の有機高分子樹脂に、前記受光面側の有機高分子樹脂よりも高濃度で紫外線吸収剤が含有されていることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月24日(2007.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
絶縁体層の上に配設された半導体層と、
前記半導体層に形成された半導体素子と、
前記半導体素子のボディ領域に接続するように、前記半導体層に接続するボディコンタクトとを備え、
前記ボディコンタクトと前記半導体層との接続は、ショットキー接合を介して成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
絶縁体層の上に配設された半導体層と、
前記半導体層に形成された半導体素子と、
前記半導体素子のボディ領域に接続するように、前記半導体層に接続するボディコンタクトとを備え、
前記ボディコンタクトと前記半導体層との接続部分には、シリサイドが形成されており、
前記シリサイドは、前記絶縁体層にまで達している
ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
絶縁体層の上に配設された半導体層と、
前記半導体層に形成された半導体素子と、
前記半導体素子のボディ領域に接続するように、前記半導体層に接続するボディコンタクトとを備え、
前記ボディコンタクトは、ポリシリコンで形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第１の局面に係る半導体装置は、絶縁体層の上に配設された半導体層と、前記半導体層に形成された半導体素子と、前記半導体素子のボディ領域に接続するように、前記半導体層に接続するボディコンタクトとを備え、前記ボディコンタクトと前記半導体層との接続が、ショットキー接合を介して成されているものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第２の局面に係る半導体装置は、絶縁体層の上に配設された半導体層と、前記半導体層に形成された半導体素子と、前記半導体素子のボディ領域に接続するように、前記半導体層に接続するボディコンタクトとを備え、前記ボディコンタクトと前記半導体層との接続部分には、シリサイドが形成されており、前記シリサイドが、前記絶縁体層にまで達しているものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第３の局面に係る半導体装置は、絶縁体層の上に配設された半導体層と、前記半導体層に形成された半導体素子と、前記半導体素子のボディ領域に接続するように、前記半導体層に接続するボディコンタクトとを備え、前記ボディコンタクトが、ポリシリコンで形成されているものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月14日(2007.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）主面と、前記主面に形成された複数のフリップチップ用端子と、前記主面に形成された複数のワイヤ接続用端子と、前記複数のフリップチップ用端子及び複数のワイヤ接続用端子のそれぞれを露出するように前記主面上に形成された絶縁膜と、前記複数のワイヤ接続用端子よりも内側の領域において前記絶縁膜に形成された複数の溝部とを有する配線基板を準備する工程、
（ｂ）前記主面と、前記主面に形成された複数の電極と、前記複数の電極のそれぞれに形成された複数の突起電極と、前記主面と反対側の裏面とを有する第１半導体チップを準備する工程、
（ｃ）前記配線基板の主面において、中央部に接着剤を配置する工程、
（ｄ）前記第１半導体チップの主面を前記配線基板の主面に対向させて、前記第１半導体チップを前記配線基板に搭載する工程、
（ｅ）前記第１半導体チップの裏面を押圧し、前記配線基板の複数のフリップチップ用端子と前記第１半導体チップの複数の突起電極とを熱圧着によって接続する工程、
（ｆ）前記複数の電極が形成された主面と、前記主面と反対側の裏面とを有する第２半導体チップを準備する工程、
（ｇ）前記第２半導体チップの裏面が前記第１半導体チップの裏面と対向するように、前記第２半導体チップを前記第１半導体チップ上に搭載する工程、
（ｈ）前記第２半導体チップの複数の電極と前記配線基板の複数のワイヤ接続用端子とをそれぞれ複数のワイヤで電気的に接続する工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ａ）工程では、平面形状が、互いに対向する第１辺と、前記第１辺と交差する方向に延在し、互いに対向する第２辺を有する四角形から成り、主面と、前記第１辺に沿って前記主面に形成された前記複数のフリップチップ用端子と、前記第２辺に沿って前記主面に形成された前記複数のワイヤ接続用端子と、前記複数のフリップチップ用端子及び複数のワイヤ接続用端子のそれぞれを露出するように前記主面上に形成された絶縁膜と、前記複数のワイヤ接続用端子よりも内側の領域において前記第２辺に沿って前記絶縁膜に形成された前記複数の溝部とを有する配線基板を準備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｃ）工程では、前記配線基板の主面において、前記複数のフリップチップ用端子及び複数の溝部に囲まれた領域にペースト状の接着剤を配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記複数のフリップチップ用端子及び前記複数の溝部よりも外側で、前記複数のワイヤ接続用端子よりも内側には第２溝部が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｂ）工程では、平面形状が、互いに対向する第３辺と、前記第３辺と交差する方向に延在し、互いに対向する第４辺を有する四角形から成り、主面と、前記第３辺に沿って前記主面に形成された前記複数の電極と、前記複数の電極のそれぞれに形成された前記複数の突起電極と、前記主面と反対側の裏面とを有する前記第１半導体チップを準備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程では、前記第１半導体チップの第４辺が前記溝部と平面的に重なるように、前記第１半導体チップの主面を前記配線基板の主面に対向させて、前記第１半導体チップを前記配線基板に搭載することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｈ）工程の後、前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ、前記複数のワイヤを封止用樹脂により封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板の主面は、前記複数の溝部のそれぞれから露出していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち、本発明は、（ａ）主面と、前記主面に形成された複数のフリップチップ用端子と、前記主面に形成された複数のワイヤ接続用端子と、前記複数のフリップチップ用端子及び複数のワイヤ接続用端子のそれぞれを露出するように前記主面上に形成された絶縁膜と、前記複数のワイヤ接続用端子よりも内側の領域において前記絶縁膜に形成された複数の溝部とを有する配線基板を準備する工程、（ｂ）前記主面と、前記主面に形成された複数の電極と、前記複数の電極のそれぞれに形成された複数の突起電極と、前記主面と反対側の裏面とを有する第１半導体チップを準備する工程、（ｃ）前記配線基板の主面において、中央部に接着剤を配置する工程、（ｄ）前記第１半導体チップの主面を前記配線基板の主面に対向させて、前記第１半導体チップを前記配線基板に搭載する工程、（ｅ）前記第１半導体チップの裏面を押圧し、前記配線基板の複数のフリップチップ用端子と前記第１半導体チップの複数の突起電極とを熱圧着によって接続する工程、（ｆ）前記複数の電極が形成された主面と、前記主面と反対側の裏面とを有する第２半導体チップを準備する工程、（ｇ）前記第２半導体チップの裏面が前記第１半導体チップの裏面と対向するように、前記第２半導体チップを前記第１半導体チップ上に搭載する工程、（ｈ）前記第２半導体チップの複数の電極と前記配線基板の複数のワイヤ接続用端子とをそれぞれ複数のワイヤで電気的に接続する工程、を含むものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月9日(2007.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
表面に表面電極及び集電電極を備え、裏面に裏面電極を備えた太陽電池素子をタブリード線の半田付けにより電気的に接続するに際し、前記タブリード線上を、半田を溶融させるための加熱と、溶融した半田を固化させるための冷却とからなる単位操作を繰り返しながら移動させ、前記タブリード線の半田の局部的な溶融、固化を連続して形成することにより、連続的又は断続的に接続することを特徴とする太陽電池素子の接続方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
表面に表面電極及び集電電極を備え、裏面に裏面電極を備えた太陽電池素子をタブリード線の半田付けにより電気的に接続するに際し、前記タブリード線を全長に亘って一度に加熱して半田を溶融させた後、溶融した半田を固化させるための冷却操作を繰り返しながら前記タブリード線上を移動させ、前記タブリード線の半田の局部的な固化を連続して形成することにより、連続的又は断続的に接続することを特徴とする太陽電池素子の接続方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の請求項１は、表面に表面電極及び集電電極を備え、裏面に裏面電極を備えた太陽電池素子をタブリード線の半田付けにより電気的に接続するに際し、前記タブリード線上を、半田を溶融させるための加熱と、溶融した半田を固化させるための冷却とからなる単位操作を繰り返しながら移動させ、前記タブリード線の半田の局部的な溶融、固化を連続して形成することにより、連続的又は断続的に接続することを特徴とする太陽電池素子の接続方法を内容とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の請求項１１は、表面に表面電極及び集電電極を備え、裏面に裏面電極を備えた太陽電池素子をタブリード線の半田付けにより電気的に接続するに際し、前記タブリード線を全長に亘って一度に加熱して半田を溶融させた後、溶融した半田を固化させるための冷却操作を繰り返しながら前記タブリード線上を移動させ、前記タブリード線の半田の局部的な固化を連続して形成することにより、連続的又は断続的に接続することを特徴とする太陽電池素子の接続方法を内容とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明は、太陽電池のモジュールを形成するに際し、一方の太陽電池素子表面の集電電極と、これに隣接する他方の素子の裏面電極とをタブリード線の半田付けにより、加熱と冷却とからなる単位操作を繰り返しながら移動させ、前記タブリード線の半田の局部的な溶融、固化を連続して形成することにより溶着・接続することによって、素子に不要な熱ストレスの発生を防止し、素子の割れや反りを防止して歩留まりを大巾に向上させることができる。
また、タブリード線を全長に亘って一度に加熱して半田を溶融させた後、溶融した半田を固化させるために、冷却操作を繰り返しながらタブリード線上を移動させ、前記タブリード線の半田の局部的な固化を連続して形成することにより連続的又は断続的に接続することによっても、上記方法よりも若干効果は低下するが、同様の効果を得ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明により、かかる効果が奏される理由については、従来技術のようにリード線全長に亘って同時に加熱、冷却するのではなく、半田を局部的に加熱溶融した後、速やかに局部的に冷却溶着する操作の結果、加熱によって一度膨張しかけたリード線部分が直ちに冷却されることで収縮に転じ局部的に膨張収縮がバランスを保ち、これがリード線全長に亘って連続的又は断続的に形成されるので、リード線が室温まで冷却されても熱ストレスが抑制又は緩和され、割れや反りが減少するものと考えられる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明は、素子基板の表面に表面電極と該表面電極に直交し集電するために設けられた集電電極と、裏面に裏面電極を設けて一つの太陽電池素子とし、隣接する素子の一方の集電電極と、他方の裏面電極とをタブリード線の半田付けにより電気的に接続して太陽電池のモジュールを形成するに際し、タブリード線全長に亘って同時に加熱及び冷却するのではなく、タブリード線上を、半田を溶融させるための加熱と、溶融した半田を固化させるための冷却とからなる単位操作を繰り返しながら移動させ、前記タブリード線の半田の局部的な溶融、固化を連続して形成することにより、連続的又は断続的に接続することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、本発明は、表面に表面電極及び集電電極を備え、裏面に裏面電極を備えた太陽電池素子をタブリード線の半田付けにより電気的に接続するに際し、前記タブリード線を全長に亘って一度に加熱して半田を溶融させた後、溶融した半田を固化させるために、冷却操作を繰り返しながらタブリード線上を移動させ、前記タブリード線の半田の局部的な固化を連続して形成することにより、連続的又は断続的に接続することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明において、タブリード線の全長に亘って（断続的に接続する場合は、溶着するスポットを）一度に加熱し、次いで、冷却操作をタブリード線上を連続的又は断続的に繰り返しながら移動せしめ、前記タブリード線の半田の局部的な固化を連続して形成することにより連続的又は断続的に溶着させることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月9日(2007.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
液冷媒が流れる冷媒流路を有すると共に、発熱体に熱的に接触するように設けられる受熱部と、冷媒流路を有する放熱部と、冷媒流路を介して前記受熱部及び放熱部に接続され、液冷媒を前記冷媒流路を通して循環させる循環用ポンプと、連絡路を介して前記冷媒流路に接続され、液冷媒を貯留すると共に、その貯留した液冷媒を前記連絡路を通して前記冷媒流路へ補充するリザーブタンクとを備え、前記受熱部において前記液冷媒により前記発熱体から熱を奪い、その奪った熱を前記放熱部において放出させる構成の冷却システムであって、
前記リザーブタンクは当該リザーブタンクの内外を連通させる注液口を有し、そのリザーブタンクを前記注液口が上向きとなる状態とした状態で、当該リザーブタンクの内壁面の上部が、前記注液口に向けて上昇するように傾斜していることを特徴とする冷却システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、上記した第２の目的を達成するために、本発明の第２の冷却システムは、液冷媒が流れる冷媒流路を有すると共に、発熱体に熱的に接触するように設けられる受熱部と、冷媒流路を有する放熱部と、冷媒流路を介して前記受熱部及び放熱部に接続され、液冷媒を前記冷媒流路を通して循環させる循環用ポンプと、連絡路を介して前記冷媒流路に接続され、液冷媒を貯留すると共に、その貯留した液冷媒を前記連絡路を通して前記冷媒流路へ補充するリザーブタンクとを備え、前記受熱部において前記液冷媒により前記発熱体から熱を奪い、その奪った熱を前記放熱部において放出させる構成の冷却システムであって、前記リザーブタンクは当該リザーブタンクの内外を連通させる注液口を有し、そのリザーブタンクを前記注液口が上向きとなる状態とした状態で、当該リザーブタンクの内壁面の上部が、前記注液口に向けて上昇するように傾斜していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の第２の冷却システムによれば、リザーブタンクの注液口から液冷媒を注入した際に、リザーブタンク内の空気は、リザーブタンク内を上昇した後、傾斜した内壁面に沿って注液口へ流れ易くなり、その注液口から外部へ排出され易くなる。このため、リザーブタンク内に空気が多量に残留してしまうことを防止でき、リザーブタンクの内容積のほぼすべてに液冷媒を満たすことができるようになる。これに伴い、補充用の液冷媒の量、すなわち、リザーブタンクの内容積を小さくすることが可能になり、リザーブタンク、ひいては、リザーブタンクを含む冷却システムの小型化が可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
リザーブタンク１５は、扁平な矩形容器状をなしていて、図１の上部に位置させて、リザーブタンク１５内と外部とを連通させる第１の注液口１７が設けられている。第１の注液口１７は、上方へ突出する筒部１８を有している。このリザーブタンク１５の第１の注液口１７を上にした図１の状態で、リザーブタンク１５における上部の内面１９（内壁面の上部に相当）は、図２にも示すように、第１の注液口１７に向けて上昇するように傾斜している。この場合、リザーブタンク１５は、左右方向の幅寸法Ｌ１が、奥行き寸法Ｌ２よりも十分大きいため、長辺側となる左右両側の内面１９のみ傾斜させている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図５（ａ）〜（ｄ）は、リザーブタンク１５における第１の注液口１７部分の第１〜４の変形例を示していて、上記した実施形態とは次の点が異なっている。
すなわち、（ａ）の第１の変形例は、第１の注液口１７を上にした状態で、リザーブタンク１５の上部の内面３５（内壁面の上部に相当）は、上側へ円弧状に窪む傾斜面となっている。
（ｂ）の第２の変形例は、第１の注液口１７を上にした状態で、リザーブタンク１５の上部の内面３６（内壁面の上部に相当）は、リザーブタンク１５の内方側へ突出するような円弧状となる傾斜面となっている。
（ｃ）の第３の変形例では、第１の注液口１７は、リザーブタンク１５の左角部に配置され、リザーブタンク１５の上部の内面のうち右側の内面３７（内壁面の上部に相当）が、第１の注液口１７へ向かって上昇するような傾斜面となっている。
（ｄ）の第４の変形例では、第１の注液口１７に筒部１８がない構成となっている。この場合、第１の注液口１７は、図示しない封止栓によって封止される。
これら第１〜第４の変形例においても、上記した実施形態の場合と同様な作用効果を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月24日(2006.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に、第１埋め込み酸化膜、第１単結晶シリコン層、第２埋め込み酸化膜、及び第２単結晶シリコン層が順に積層された２重ＳＯＩ基板を用意する工程と、
前記２重ＳＯＩ基板のバイポーラトランジスタ被形成領域を画成する領域に対して、前記第２単結晶シリコン層の表面から前記第１埋め込み酸化膜の表面が露出する深さにまでエッチングを行って、ディープトレンチを形成する工程と、
前記２重ＳＯＩ基板上に、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を順に積層して、前記ディープトレンチを埋め込む工程と、
前記バイポーラトランジスタ被形成領域に、第２埋め込み酸化膜の表面が露出する深さにまでエッチングを行って開口部を設ける工程と、
前記バイポーラトランジスタ被形成領域内の前記第２埋め込み酸化膜を、ウェットエッチングにより除去して空孔部を設ける工程と、
前記開口部及び前記空孔部に多結晶シリコン層を堆積する工程と、
前記バイポーラトランジスタ被形成領域の第２単結晶シリコン層上にバイポーラトランジスタを形成する工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記多結晶シリコン層を堆積する工程の後、
前記第２単結晶シリコン層の、前記バイポーラトランジスタ被形成領域及び前記ディープトレンチが形成された領域以外の領域に、ＭＯＳＦＥＴ被形成領域を画成する素子分離酸化膜を形成する工程と、
前記ＭＯＳＦＥＴ被形成領域にＭＯＳＦＥＴを形成する工程と
を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
支持基板上に、第１埋め込み酸化膜、第１単結晶シリコン層、第２埋め込み酸化膜、及び第２単結晶シリコン層が順に積層された２重ＳＯＩ基板を用意する工程と、
前記２重ＳＯＩ基板のバイポーラトランジスタ被形成領域を画成する領域に対して、前記第２単結晶シリコン層の表面から前記第１埋め込み酸化膜の表面が露出する深さにまでエッチングを行って、ディープトレンチを形成する工程と、
前記２重ＳＯＩ基板上に、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を順に積層して、前記ディープトレンチを埋め込む工程と、
前記バイポーラトランジスタ被形成領域に、第２埋め込み酸化膜の表面が露出する深さにまでエッチングを行って開口部を設ける工程と、
前記バイポーラトランジスタ被形成領域内の前記第２埋め込み酸化膜を、ウェットエッチングにより除去して空孔部を設ける工程と、
前記空孔部を多結晶シリコン層で埋め込む工程と、
前記開口部をメタルで埋め込む工程と、
前記バイポーラトランジスタ被形成領域の第２単結晶シリコン層上にバイポーラトランジスタを形成する工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
支持基板上に、第１埋め込み酸化膜、第１単結晶シリコン層、第２埋め込み酸化膜、第２単結晶シリコン層を順に積層して構成される２重ＳＯＩ基板に形成されていて、前記第１埋め込み酸化膜に達するディープトレンチで画成された領域に形成されたバイポーラトランジスタを備える半導体装置であって、
前記バイポーラトランジスタは、
前記第２単結晶シリコン層に設けられた開口部、及び、前記第２埋め込み酸化膜が除去された空孔部に形成された、多結晶シリコン層と、
前記多結晶シリコン層と電気的に接続するように形成されたコレクタ電極と、
前記第２単結晶シリコン層と電気的に接続するように形成されたベース電極と、
前記ベース電極と前記第２単結晶シリコン層を介して電気的に接続するように形成されたエミッタ電極と
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
支持基板上に、第１埋め込み酸化膜、第１単結晶シリコン層、第２埋め込み酸化膜、第２単結晶シリコン層を順に積層して構成される２重ＳＯＩ基板に形成されていて、前記第１埋め込み酸化膜に達するディープトレンチで画成された領域に形成されたバイポーラトランジスタを備える半導体装置であって、
前記バイポーラトランジスタは、
前記第２単結晶シリコン層に設けられた開口部を埋め込んでいるメタルと、
前記第２埋め込み酸化膜が除去された空孔部に形成された多結晶シリコン層と、
前記多結晶シリコン層と電気的に接続するように形成されたコレクタ電極と、
前記第２単結晶シリコン層と電気的に接続するように形成されたベース電極と、
前記ベース電極と前記第２単結晶シリコン層を介して電気的に接続するように形成されたエミッタ電極と
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記ディープトレンチが形成された領域、及び、前記ディープトレンチで画成された領域以外の前記第２単結晶シリコン層の領域部分に形成された素子分離酸化膜と、
前記素子分離酸化膜で画成された領域に形成されたＭＯＳＦＥＴと
を備えることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月13日(2007.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸素を還元する正極触媒層を備えた正極と、メタノールを酸化する負極触媒層を備えた負極と、前記正極触媒層と前記負極触媒層との間に配置された固体電解質膜とを含む発電素子を備え、
前記発電素子は、前記固体電解質膜と前記正極触媒層との間に配置された酸化層を含み、
前記酸化層は、前記メタノールを酸化する触媒が電子絶縁性材料によって担持された複合材と、プロトン伝導性材料とを含み、多孔質構造を有することを特徴とする直接メタノール型燃料電池。
【請求項２】
前記電子絶縁性材料は、粒子である請求項１に記載の直接メタノール型燃料電池。
【請求項３】
前記酸化層に含まれる前記触媒は、白金を含む請求項１に記載の直接メタノール型燃料電池。
【請求項４】
前記プロトン伝導性材料は、スルホン酸基を有する樹脂を含む請求項１に記載の直接メタノール型燃料電池。
【請求項５】
前記酸化層の厚みは、１μｍ〜２００μｍである請求項１に記載の直接メタノール型燃料電池。
【請求項６】
前記電子絶縁性材料１００重量部に対する前記触媒の重量比が、５〜４００重量部である請求項１に記載の直接メタノール型燃料電池。
【請求項７】
前記電子絶縁性材料のＢＥＴ比表面積が１０〜２０００ｍ2／ｇである請求項２に記載の直接メタノール型燃料電池。