【手続補正書】
【提出日】平成19年10月22日(2007.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続された導電層と、
前記導電層の周辺端部と前記薄膜トランジスタとを覆って形成された絶縁層と、
を有し、
前記絶縁層の表面には、一導電型の不純物元素が添加されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続された導電層と、
前記導電層の周辺端部と前記薄膜トランジスタとを覆って形成された絶縁層と、
を有し、
前記導電層と、前記絶縁層の表面とには、一導電型の不純物元素が添加されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆って形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に形成された開口部を介して、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された導電層と、
前記導電層の周辺端部と前記薄膜トランジスタと覆って形成された第２の絶縁層と、
を有し、
前記導電層と、前記第１の絶縁層の前記開口部の側面と、前記第２の絶縁層の表面とには、一導電型の不純物元素が添加されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆って形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に形成された開口部を介して、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された第１の導電層と、
前記導電層の周辺端部と前記薄膜トランジスタと覆って形成された第２の絶縁層と、
前記第１の導電層の上に形成された有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層の上に形成された第２の導電層と、
を有し、
前記第１の導電層と、前記第１の絶縁層の前記開口部の側面と、前記第２の絶縁層の表面とには、一導電型の不純物元素が添加されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆って形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に形成された開口部を介して前記薄膜トランジスタの半導体層と接続された電極と、
前記電極を介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続された第１の導電層と、
前記導電層の周辺端部と前記薄膜トランジスタと覆って形成された第２の絶縁層と、
前記第１の導電層の上に形成された有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層の上に形成された第２の導電層と、
を有し、
前記第１の導電層と、前記第１の絶縁層の前記開口部の側面と、前記第２の絶縁層の表面とには、一導電型の不純物元素が添加されていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記電極が接する前記薄膜トランジスタの半導体層は、高濃度不純物領域であることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６において、
前記第１の導電層は、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物であることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項４乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１の絶縁層、前記第１の導電層、及び前記第２の絶縁層に含まれる前記一導電型の不純物元素は、１×１０１８〜５×１０２１／ｃｍ３の濃度範囲であることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項３乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の絶縁層は、平坦化膜であり、
前記第１の絶縁層の開口部の側面は、テーパー形状であることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項３乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１の絶縁層の外周の側面はテーパー形状であり、
前記第１の絶縁層の外周の側面には、前記一導電型の不純物元素が添加されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項２乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第１の絶縁層、または前記第２の絶縁層は、アルキル基を含む酸化珪素であることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項２乃至請求項１１のいずれか一において、
前記第１の絶縁層、または前記第２の絶縁層は、着色されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
着色されている前記第１の絶縁層、または前記第２の絶縁層を、ブラックマトリクスとすることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記一導電型の不純物元素は周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素であることを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、
前記一導電型の不純物元素は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素であることを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
絶縁表面を有する第１の基板上に、半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタを覆って平坦化膜を形成し、
前記平坦化膜を選択的に除去して、前記半導体層に達する開口部とテーパー形状を有する周辺端部とを形成し、
前記平坦化膜の前記開口部の側面と前記周辺端部、及び前記半導体層に一導電型の不純物元素を添加して、前記半導体層に高濃度不純物領域を形成し、
前記平坦化膜の上に、前記開口部を介して前記半導体層の高濃度不純物領域と接続する電極を形成し、
前記電極に接して、第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層の周辺端部と前記薄膜トランジスタとを覆う第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層の表面と前記第１の導電層とに一導電型の不純物元素を添加し、
前記第１の導電層の上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層の上に第２の導電層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１７】
絶縁表面を有する第１の基板上に、半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタを覆って平坦化膜を形成し、
前記平坦化膜を選択的に除去して、前記半導体層に達する開口部とテーパー形状を有する周辺端部とを形成し、
前記平坦化膜の前記開口部の側面と前記周辺端部、及び前記半導体層に一導電型の不純物元素を添加して、前記半導体層に高濃度不純物領域を形成し、
前記平坦化膜の上に、前記開口部を介して前記半導体層の高濃度不純物領域と接続する電極を形成し、
前記電極に接して、第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層の周辺端部と前記薄膜トランジスタとを覆う第２の絶縁層を形成し、
前記第１の導電層と前記第２の絶縁層とに一導電型の不純物元素を添加し、
前記第１の導電層の上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層の上に第２の導電層を形成し、
前記平坦化膜の周辺端部の外周を囲むシール材で第２の基板を前記第１の基板に貼り合せることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１６または請求項１７において、
前記第１の導電膜、前記第１の導電層、及び前記絶縁層に添加する一導電型の不純物元素の濃度は、１×１０１８〜５×１０２１／ｃｍ３の濃度範囲であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１６乃至請求項１８のいずれか一において、
前記一導電型の不純物元素として、周期律１３族もしくは１５族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を添加することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１６乃至請求項１９のいずれか一において、
前記一導電型の不純物元素として、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を添加することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１６乃至請求項２０のいずれか一において、
前記第１の絶縁層、または前記第２の絶縁層は、塗布法を用いアルキル基を含む酸化珪素膜によって形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１６乃至請求項２１のいずれか一において、
前記第１の導電層は、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物からなるターゲットを用いたスパッタ法で形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１６乃至請求項２２のいずれか一において、
前記第１の絶縁層、または前記第２の絶縁層を着色し、ブラックマトリクスを形成することを特徴とする表示装置の作製方法。