Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月1日(2007.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】正極と負極の間に発光物質が存在し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素子が下記一般式（１）で表される発光材料を含有することを特徴とする発光素子。
【化１】
2002050481.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、正極と負極の間に発光物質が存在し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素子が下記一般式（１）で表される発光材料を含有することを特徴とする発光素子である。
【化２】
2002050481.tif 000002
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本明において発光材料は、下記一般式（１）で表される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【化３】
2002050481.tif 000003
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【化４】
2002050481.tif 000004
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【化５】
2002050481.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月20日(2007.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板層と、前記基板層に上に形成されたＥＬ層と、を有し、
前記ＥＬ層の陽極層及び陰極層は、光反射性を有し、
前記ＥＬ層の発光層から発した光が、前記陽極層及び前記陰極層で反射した導波光を用いて発光することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
基板層と、前記基板層に上に形成されたＥＬ層と、を有し、
前記基板層と、前記ＥＬ層の陰極層とは、光反射性を有し、
前記ＥＬ層の発光層から発した光が、前記基板層及び前記陰極層で反射した導波光を用いて発光することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
基板層と、前記基板層の表面に形成されたＥＬ層と、前記基板層の裏面に形成された光反射性部材と、を有し、
前記ＥＬ層の陰極層は、光反射性を有し、
前記ＥＬ層の発光層から発した光が、前記陰極層及び前記光反射性部材で反射した導波光を用いて発光することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
基板層と、前記基板層の表面に形成されたＥＬ層と、前記基板層に平行な方向に設けられた前記ＥＬ層から発した光の取り出し口と、を備えたＥＬ素子を有し、
前記ＥＬ素子は、前記光の取り出し口以外の部分が光反射性部材で覆われており、
前記ＥＬ層の発光層から発した光が、前記光反射性部材で反射した導波光を用いて発光することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記基板層はフレキシブルな材料を用いることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記基板層は曲面形状であることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の発光装置を用いたことを特徴とする電気器具。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月26日(2007.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐチャネル型ＴＦＴを有する半導体装置の作製方法において、
結晶質半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に少なくとも１層の導電膜を形成し、
前記導電膜に少なくとも１回のエッチングを行うことにより、テーパー部を有するゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記結晶質半導体膜に第１の不純物元素を導入して第１および第２の不純物領域を形成し、
前記第２の不純物領域に選択的に前記第１の不純物元素を導入して第３の不純物領域を形成し、
前記第１の不純物領域に第２の不純物元素を導入して第４の不純物領域を形成し、
前記第２の不純物領域に前記第２の不純物元素を導入して第５の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。  
【請求項２】
ｐチャネル型ＴＦＴを有する半導体装置の作製方法において、
非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、
加熱処理により前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に少なくとも１層の導電膜を形成し、
前記導電膜に少なくとも１回エッチングを行うことにより、テーパー部を有するゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記結晶質半導体膜に第１の不純物元素を導入して第１および第２の不純物領域を形成し、
前記第２の不純物領域に選択的に前記第１の不純物元素を導入して第３の不純物領域を形成し、
前記第１の不純物領域に第２の不純物元素を導入して第４の不純物領域を形成し、
前記第２の不純物領域に前記第２の不純物元素を導入して第５の不純物領域を形成し、
加熱処理により前記第５の不純物領域に前記金属元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
ｐチャネル型ＴＦＴを有する半導体装置の作製方法において、
結晶質半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の導電膜と、前記第１の導電膜上に第２の導電膜とを形成し、
前記第１の導電膜及び第２の導電膜を第１のエッチングを行うことにより、テーパー部を有するゲート電極を形成し、
前記テーパー部を有するゲート電極に第２のエッチングを行うことにより、前記ゲート電極の第２の導電膜の一部をエッチングし、
前記ゲート電極をマスクとして、前記結晶質半導体膜に第１の不純物元素を導入して第１および第２の不純物領域を形成し、
前記第２の不純物領域に選択的に前記第１の不純物元素を導入して第３の不純物領域を形成し、
前記第１の不純物領域に第２の不純物元素を導入して第４の不純物領域を形成し、
前記第２の不純物領域に前記第２の不純物元素を導入して第５の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。  
【請求項４】
ｐチャネル型ＴＦＴを有する半導体装置の作製方法において、
非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、
加熱処理により前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の導電膜と、前記第１の導電膜上に第２の導電膜とを形成し、
前記第１の導電膜及び第２の導電膜を第１のエッチングを行うことにより、テーパー部を有するゲート電極を形成し、
前記テーパー部を有するゲート電極に第２のエッチングを行うことにより、前記ゲート電極の第２の導電膜の一部をエッチングし、
前記ゲート電極をマスクとして、前記結晶質半導体膜に第１の不純物元素を導入して第１および第２の不純物領域を形成し、
前記第２の不純物領域に選択的に前記第１の不純物元素を導入して第３の不純物領域を形成し、
前記第１の不純物領域に第２の不純物元素を導入して第４の不純物領域を形成し、
前記第２の不純物領域に前記第２の不純物元素を導入して第５の不純物領域を形成し、
加熱処理により前記第５の不純物領域に前記金属元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記第１の不純物元素は１５族に属する元素のうち少なくとも１つの元素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記第２の不純物元素は１３族に属する元素のうち少なくとも１つの元素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記第１および第２の不純物領域の前記第１の不純物元素の濃度は１×１０１７〜５×１０２０／ｃｍ３であること特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記第３の不純物領域の前記第１の不純物元素の濃度は１×１０２０〜５×１０２１／ｃｍ３であること特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、前記第４の不純物領域の前記第２の不純物元素の濃度は１×１０１８〜５×１０２１／ｃｍ３であること特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、前記第５の不純物領域の前記第２の不純物元素の濃度は１×１０２０〜５×１０２２／ｃｍ３であること特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月27日(2007.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの端面とそれに直交する他の端面を有し、少なくともこの２つの端面より入射した照明光を、その内部を伝搬させながら出射面より出射するようにしてなる導光板において、
前記出射面と対向する面には、
前記１つの端面から離れるにつれて前記出射面と対向する面に近づくように稜線を形成して交わる少なくとも１対の斜面を有する突起が、前記稜線の延長線が前記１つの端面にほぼ直交するように複数形成されると共に、
前記他の端面にほぼ平行に延長する斜面が、前記１つの端面に沿って繰り返し形成された
ことを特徴とする導光板。
【請求項２】
前記突起が、四角錐形状である
ことを特徴とする請求項１に記載の導光板。
【請求項３】
１対の斜面による突条の繰り返しの配置により、前記他の端面にほぼ平行に延長する斜面が、前記１つの端面に沿って繰り返し形成された
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の導光板。
【請求項４】
請求項１、請求項２又は請求項３に記載の導光板を使用した
ことを特徴とする面光源装置。
【請求項５】
請求項４に記載の面光源装置により液晶表示パネルを照明する
ことを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月6日(2007.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  シリコン基板上の同一絶縁膜中に形成された複数のコンタクトホールと、上記各コンタクトホール内に形成された導電膜とを備え、  
上記各コンタクトホールのうち、単位面積当たりの上記コンタクトホール数の少ない領域に形成されたコンタクトホールは、その上部に面取り部を備え、単位面積当たりの上記コンタクトホール数の多い領域に形成されたコンタクトホールは、その上部に上記面取り部を備えないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  シリコン基板上の同一絶縁膜中に形成された上部に面取り部を有する複数のコンタクトホールと、上記各コンタクトホール内に形成された導電膜とを備え、
上記各コンタクトホールのうち、単位面積当たりの上記コンタクトホール数の多い領域に形成されたコンタクトホールは、単位面積当たりの上記コンタクトホール数の少ない領域に形成されたコンタクトホールよりも小さな面取り部を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】  単位面積当たりのコンタクトホール数の多い領域に形成された導電膜を有するコンタクトホールにおいて、上記導電膜上に上部導電膜を設け、上記導電膜がバリアメタルとタングステン膜とから成り、上記上部導電膜が多結晶シリコン膜から成り、上記コンタクトホール内に、上記バリアメタルと上記タングステン膜と上記多結晶シリコン膜との三層を備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】  単位面積当たりのコンタクトホール数の多い領域に形成された導電膜を有するコンタクトホールにおいて、上記導電膜上に上部導電膜を設け、上記導電膜および上記上部導電膜がともにバリアメタルとタングステン膜とから成り、上記コンタクトホール内に、上記バリアメタルと上記タングステン膜と上記バリアメタルと上記タングステン膜との四層を備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】  コンタクトホールの導電膜上に上部配線を備えたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】  シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、上記絶縁膜中に単位面積当たりの数が異なる複数のコンタクトホールを形成する工程と、上記コンタクトホールの上部に面取り部を形成する工程と、上記コンタクトホール内及び前記絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、ＣＭＰを施して、上記絶縁膜上の上記導電膜を除去して上記コンタクトホール内に上記導電膜を残す工程とを備えた半導体装置の製造方法において、
上記ＣＭＰを施して、上記絶縁膜上の上記導電膜を除去して上記コンタクトホール内に上記導電膜を残す工程が、単位面積当たりのコンタクトホール数の少ない領域の上記コンタクトホール上部の上記面取り部の大きさより、単位面積当たりのコンタクトホール数の多い領域の上記コンタクトホール上部の上記面取り部の大きさを小さくまたは除去するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】  単位面積当たりのコンタクトホール数の多い領域の導電膜を埋込んだコンタクトホール上部の面取り部を除去した場合、この除去を行なった後に、上記単位面積当たりのコンタクトホール数の多い領域の導電膜を埋込んだコンタクトホール内及び前記絶縁膜上に、上部導電膜を堆積する工程と、前記絶縁膜上の上記上部導電膜を除去して、上記単位面積当たりのコンタクトホール数の多い領域の導電膜を埋込んだコンタクトホール内に、上記上部導電膜を埋込む工程とを備えた事を特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】  単位面積当たりのコンタクトホール数の多い領域の導電膜を埋込んだコンタクトホール上部の面取り部を除去した場合、この除去を行なった後に、単位面積当たりのコンタクトホール数の多い領域の導電膜を埋込んだコンタクトホール内及び前記絶縁膜上に、上部導電膜を堆積する工程と、上記上部導電膜をパターニングして、上記導電膜上に上部配線を形成する工程とを備えたことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】 シリコン基板と、
前記シリコン基板上の絶縁膜と、
前記絶縁膜内に形成された複数のコンタクトホールと、
前記複数のコンタクトホールそれぞれの内部に形成された導電膜とを有し、
単位面積当たりの前記コンタクトホールの数が少ない領域の前記コンタクトホールの上部には、第一の大きさの面取り部が存在し、
単位面積当たりの前記コンタクトホールの数が多い領域の前記コンタクトホールの上部には、第一の大きさよりも小さい第二の大きさの面取り部が存在する、または面取り部が存在しない半導体装置。
【請求項１０】 前記導電膜と前記絶縁膜との間、および前記導電膜と前記半導体基板の間にはバリアメタルが存在し、
前記導電膜はタングステン、アルミ合金、高融点金属、高融点金属の第一シリサイドのいずれかであり、
前記バリアメタルはTiN、TaN、WNのいずれかである請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】 前記導電膜と前記半導体基板の間の前記バリアメタルと、前記半導体基板の間には、第二シリサイドが形成されており、
前記第二シリサイドはTiSi、CoSiのいずれかである請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】 半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜内部に前記半導体基板に達する複数のコンタクトホールを形成する工程と、
前記複数のコンタクトホール上部のそれぞれに、面取り部を形成する工程と、
前記複数のコンタクトホール内部及び前記絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、
CMPで研磨することにより前記絶縁膜上の導電膜及び前記絶縁膜の一部を削り、前記コンタクトホール内それぞれに前記導電膜を有するプラグを形成する工程とを有し、
前記CMPによる処理により、単位面積当たりの前記コンタクトホールの数が少ない領域の前記コンタクトホールの上部には、第一の大きさで前記面取り部が残され、
前記CMPによる処理により、単位面積当たりの前記コンタクトホールの数が多い領域の前記コンタクトホールの上部には、第一の大きさよりも小さい第二の大きさで前記面取り部が残される、または前記面取り部が除去される半導体装置の製造方法。
【請求項１３】 前記面取り部を形成する工程は、アルゴンによってスパッタエッチングを行う工程であり、
前記面取り部を形成する工程により前記コンタクトホール底部の自然酸化膜を除去することを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】 前記面取り部を形成する工程と、前記導電膜を形成する工程の間に前記コンタクトホール内部及び前記絶縁膜上部にバリアメタルを形成する工程を更に有する請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】 前記導電膜はタングステン、アルミ合金、高融点金属、高融点金属のシリサイドいずれかであり、
前記バリアメタルはTiN、WN、TaNのいずれかである請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月24日(2007.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光源からの光でレチクルを照明する照明光学系と前記レチクルのパターンをウエハ上に投影する投影光学系とを有し、前記投影光学系側に防塵用の膜又は板を設けた前記レチクルが設置可能である投影露光装置において、
前記防塵用の膜又は板の厚みを測定する測定装置と、
その測定装置の測定結果に基いて前記防塵用の膜又は板で生じる収差を補正する補正手段と、
を有することを特徴とする投影露光装置。
【請求項２】  前記厚み検出手段はレチクル搬送系の内部に在ることを特徴とする請求項１に記載の投影露光装置。
【請求項３】  前記補正手段は、前記防塵用の膜又は板の厚みに応じて前記投影光学系の一つ又は複数のレンズを光軸方向に移動させる手段を有することを特徴とする請求項１に記載の投影露光装置。
【請求項４】  前記補正手段は、前記防塵用の膜又は板の厚みに応じて前記投影光学系の光路中に着脱させる透明な板を有することを特徴とする請求項１に記載の投影露光装置。
【請求項５】  前記補正手段は、前記防塵用の膜又は板の厚みが所定の厚みより薄い場合あるいは前記防塵用の膜又は板が無い場合に、前記所定の厚みとの差分だけ厚みを持った透明な板を前記防塵用の膜又は板と前記投影光学系の間に挿入できる互いに厚さが異なる複数の透明板を有することを特徴とする請求項４に記載の投影露光装置。
【請求項６】  前記補正手段は、前記防塵用の膜又は板の厚みに応じて前記投影光学系の所定のレンズとレンズの間の空間の気体の圧力を変える手段を有することを特徴とする請求項１に記載の投影露光装置。
【請求項７】  前記補正手段は、前記防塵用の膜又は板の厚みに応じて前記光源からの光の波長を変える手段を有することを特徴とする請求項１に記載の投影露光装置。
【請求項８】  前記補正手段は、前記防塵用の膜又は板の厚みに応じて光軸と直交する方向に互いに逆向きに変位する一対の非球面板を有することを特徴とする請求項１に記載の投影露光装置。
【請求項９】  前記補正手段は、レンズの屈折面の形状を変える手段を有することを特徴とする請求項１に記載の投影露光装置。
【請求項１０】  請求項１〜９のいずれか１項記載の投影露光装置によりデバイスパターンでウエハを露光する段階と、該露光したウエハを現像する段階を含むデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面としての投影露光装置は、光源からの光でレチクルを照明する照明光学系と前記レチクルのパターンをウエハ上に投影する投影光学系とを有し、前記投影光学系側に防塵用の膜又は板を設けた前記レチクルが設置可能である投影露光装置において、前記防塵用の膜又は板の厚みを測定する測定装置と、その測定装置の測定結果に基いて前記防塵用の膜又は板で生じる収差を補正する補正手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月17日(2006.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】衝撃吸収構造および電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 ねじ孔が形成された第１部品の該ねじ孔に対応する位置に取付孔が形成され、前記ねじ孔と前記取付孔に挿通されるねじにより前記第１部品と締結される第２部品の衝撃吸収構造において、
前記ねじにより締結された前記第１部品または第２部品のいずれかに所定の締結力を越える衝撃が加わった際に、該ねじが移動可能な予備孔が前記取付孔に隣接して設けられていることを特徴とする衝撃吸収構造。
【請求項２】 前記予備孔は、前記取付孔の両側に設けられていることを特徴とする請求項１記載の衝撃吸収構造。
【請求項３】 前記取付孔と予備孔の間には、該取付孔側が円弧状の突出部が形成されていることを特徴とする請求項１記載の衝撃吸収構造。
【請求項４】 前記予備孔は、前記取付孔の周縁に複数設けられていることを特徴とする請求項１記載の衝撃吸収構造。
【請求項５】 前記予備孔は、前記取付孔の外周部の近傍に円弧状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の衝撃吸収構造。
【請求項６】 前記予備孔は、前記取付孔の外周部の近傍に該取付孔を略囲うように円弧状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の衝撃吸収構造。
【請求項７】 前記予備孔は、前記取付孔の近傍の衝撃が加わる可能性の高い方向に方形状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の締結部の衝撃吸収構造。
【請求項８】 表示部と、ネジで固定するためのネジ孔を有する前面ユニットと、
前記ネジ孔と共にネジが挿通されるネジ挿通孔と、前記ネジ挿通孔に隣接に形成される予備孔と、を有するシャーシと、を備え、
前記前面ユニットと前記シャーシとが前記ネジ孔とネジ挿通孔を介してネジで固定された状態で前記前面ユニットに衝撃が加わると、前記前面ユニットが前記予備孔方向に移動可能であることを特徴とする電子機器。
【請求項９】 前記ネジ挿通孔と、前記予備孔とが連結して形成されていることを特徴とする請求項８記載の電子機器。
【請求項１０】 前記ネジ挿通孔と、前記予備孔とが離間して形成されていることを特徴とする請求項８記載の電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の目的を達成するもので、ねじ孔が形成された第１部品の該ねじ孔に対応する位置に取付孔が形成され、前記ねじ孔と前記取付孔に挿通されるねじにより前記第１部品と締結される第２部品の衝撃吸収構造において、前記ねじにより締結された前記第１部品または第２部品のいずれかに所定の締結力を越える衝撃が加わった際に、該ねじが移動可能な予備孔が前記取付孔に隣接して設けられていることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、前記予備孔は、前記取付孔の近傍の衝撃が加わる可能性の高い方向に方形状に形成されていることを特徴とするものである。
また、表示部と、ネジで固定するためのネジ孔を有する前面ユニットと、
前記ネジ孔と共にネジが挿通されるネジ挿通孔と、前記ネジ挿通孔に隣接に形成される予備孔と、を有するシャーシと、を備え、
前記前面ユニットと前記シャーシとが前記ネジ孔とネジ挿通孔を介してネジで固定された状態で前記前面ユニットに衝撃が加わると、前記前面ユニットが前記予備孔方向に移動可能であることを特徴とするものである。
また、前記ネジ挿通孔と、前記予備孔とが連結して形成されていることを特徴とするものである。
また、前記ネジ挿通孔と、前記予備孔とが離間して形成されていることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月26日(2006.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  凸領域と凹領域とが隣接して形成された第１導電型の基板と、
前記基板の凸領域に、第１導電型のクラッド層、活性層、第２導電型のクラッド層の順に形成される機能層と、
前記基板の凹領域に、前記機能層と同じ構成で、その凹領域を埋めるよう形成される埋め込み層と、
前記機能層および前記埋め込み層の上に形成される第２導電型の第１コンタクト層と、
前記埋め込み層上に形成された第１コンタクト層の上で少なくとも前記活性層の端部全域にわたり接するよう形成される第１導電型の電流ブロック層と
を備えることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】  前記電流ブロック層上には、前記機能層上の第１コンタクト層とほぼ同じ位置に、第２導電型の第２コンタクト層が形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項３】  前記電流ブロック層と前記第２コンタクト層との間に高さ調整層が設けられている
ことを特徴とする請求項２記載の半導体レーザ。
【請求項４】  前記凸領域が所定のピッチで複数設けられ、各凸領域に対応して前記機能層が各々設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項５】  前記基板はＧａＡｓ系基板である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項６】  第１導電型の基板に凸領域と凹領域とを隣接して形成する工程と、
前記基板に第１導電型のクラッド層、活性層、第２導電型のクラッド層を順に積層し、前記凸領域上に機能層、前記凹領域内に埋め込み層を同時に構成する工程と、
機能層および前記埋め込み層の上に第２導電型の第１コンタクト層を形成する工程と、
前記第１コンタクト層の上に第１導電型の電流ブロック層を形成し、前記埋め込み層上に形成された第１コンタクト層の上において、その電流ブロック層が少なくとも前記活性層の端部全域にわたり接する状態にする工程と、
前記電流ブロック層の上に第２導電型の第２コンタクト層を形成する工程と、
前記凸領域上で前記第１コンタクト層より上に形成された層を除去する工程と
を備えることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月9日(2007.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  圧電振動素子と共に発振回路を構成する電子部品と、該電子部品が実装される配線パターンと、該配線パターンと電気的に接続した電極を有する配線基板と、枠体と、を備え、
前記枠体の内壁には突出部を有し、該突出部の段差面に段差面電極を有し、
前記配線基板を前記枠体の空洞内部の段差面上に支持すると共に、前記電極と前記段差面電極とを電気的に接続したことを特徴とする圧電発振器。
【請求項２】  パッケージ化された圧電振動子と、この圧電振動子の外部に配置される発振回路を構成する電子部品と、該圧電振動子と電子部品を夫々支持する枠体と、前記電子部品を搭載する配線パターンを備えた平板状の配線基板と、を備えた表面実装型圧電発振器であって、
前記圧電振動子は、パッケージ内に圧電振動素子を気密封止すると共に、該圧電振動素子上の励振電極と接続された外部電極をパッケージ外底面に備え、
前記枠体は、環状の枠体であり、枠体の上面には前記パッケージ外面の外部電極と接続される上面電極を備えるとともに、該枠体の内壁には段差面及び該段差面上に形成した段差面電極を備え、
前記配線基板は、前記枠体の内部の前記段差面上に着座して支持されると共に、該段差面電極と電気的に接続される底部電極を備えていることを特徴とする圧電発振器。
【請求項３】  パッケージ化された圧電振動子と、この圧電振動子の外部に配置される発振回路を構成する電子部品と、該圧電振動子を支持する枠体と、を備えた表面実装型圧電発振器であって、
前記圧電振動子は、パッケージ内に圧電振動素子を気密封止すると共に、パッケージ外底面には、外部電極と、電子部品を実装するための配線パターンを備え、
前記枠体は、環状の枠体であり、その内壁に段差面及び該段差面上に形成した段差面電極を備え、
前記圧電振動子は、前記枠体の内部の前記段差面上に支持されると共に、パッケージ底面の外部電極と該段差面電極とを電気的に接続されることを特徴とする圧電発振器。
【請求項４】 前記配線基板の表裏面に夫々前記電子部品を搭載したことを特徴とする請求項１乃至３に記載の圧電発振器。
【請求項５】  前記突出部が前記枠体内壁に沿って断続的に配置されたものであることを特徴とする請求項１乃至４に記載の圧電発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、圧電振動素子と共に発振回路を構成する電子部品と、該電子部品が実装される配線パターンと該配線パターンと電気的に接続した電極とを有する配線基板と、枠体とを備え、前記枠体の内壁には突出部を有し、該突出部の段差面に段差面電極を有し、前記配線基板を前記枠体の空洞内部の段差面上に支持すると共に、前記電極と前記段差面電極とを電気的に接続した構成を備えている。
本発明は、パッケージ化された圧電振動子と、この圧電振動子の外部に配置される発振回路を構成する電子部品と、該圧電振動子と電子部品を夫々支持する枠体と、前記電子部品を搭載する配線パターンを備えた平板状の配線基板と、を備えた表面実装型圧電発振器であって、前記圧電振動子は、パッケージ内に圧電振動素子を気密封止すると共に、該圧電振動素子上の励振電極と接続された外部電極をパッケージ外底面に備え、前記枠体は、環状の枠体であり、枠体の上面には前記パッケージ外面の外部電極と接続される上面電極を備えるとともに、該枠体の内壁には段差面及び該段差面上に形成した段差面電極を備え、前記配線基板は、前記枠体の内部の前記段差面上に着座して支持されると共に、該段差面電極と電気的に接続される底部電極を備えている。
本発明は、パッケージ化された圧電振動子と、この圧電振動子の外部に配置される発振回路を構成する電子部品と、該圧電振動子を支持する枠体と、を備えた表面実装型圧電発振器であって、前記圧電振動子は、パッケージ内に圧電振動素子を気密封止すると共に、パッケージ外底面には、外部電極と、電子部品を実装するための配線パターンを備え、前記枠体は、環状の枠体であり、その内壁に段差面及び該段差面上に形成した段差面電極を備え、前記圧電振動子は、前記枠体の内部の前記段差面上に支持されると共に、パッケージ底面の外部電極と該段差面電極とを電気的に接続されることを特徴とする。
本発明は、前記配線基板の表裏面に夫々前記電子部品を搭載した構成を備えたものである。
本発明は、前記突出部が前記枠体内壁に沿って断続的に配置した構成を備えたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
次に、図２(a) 及び(b) は本発明の他の実施形態であり、この実施形態の水晶発振器６１は、矩形環状の枠体６２の空洞部内に水晶振動子２２を嵌合してその段差面６３上に着座固定させ、更に水晶振動子２２の底面に形成した配線パターン３０上に電子部品５５を半田により搭載した構成が特徴的である。
即ち、水晶振動子２２は、図１に示した水晶振動素子２５を収容したセラミック製パッケージ本体２３と蓋２４とから成り、セラミックパッケージ本体２３の底面には外部電極２６の他に配線パターン３０が形成されている。この配線パターン３０上にスクリーン印刷によってクリーム半田を塗布しておくことにより、電子部品５の実装が容易に行われることとなる。
枠体６２は、セラミック積層体から成る矩形環状体であり、その空洞部の内壁には段差面６３が形成され、段差面６３上には夫々段差面電極６４が形成されている。水晶振動子２２を空洞部内に嵌合して外部電極２６と段差面電極６４とを導電性接着剤等によって固定することにより、枠体６２と水晶振動子２２との固定と、電気的接続がなされる。枠体６２の底面の底面電極（実装用電極）は図示しない導体を介して段差面電極６４と導通している。
なお、必要に応じて枠体６２と水晶振動子２２との機械的固定力を高める為に接着剤６６を使用して両者の適所を接着固定してもよい。
この実施形態の水晶発振器においては、断面形状がＨ型の枠体を使用しないので、枠体の焼成時に平板部が変形したままで硬化するという不具合がなくなり、更に水晶振動子のパッケージ本体底面に設けた配線パターン上に電子部品を実装するので、スクリーン印刷によるクリーム半田の塗布が可能となり、電子部品の搭載作業を効率化することができる。その結果、水晶発振器の組立、製造工程を効率化し、生産性を高めてコストダウンを図ることができる。
なお、上記実施形態では水晶発振器を中心として説明したが、本発明は水晶発振器以外の圧電発振器に対しても適用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月19日(2006.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
ΣＩsj≒ΣＩdj≒ＩD , ＶthL ≒Ｖdd／2 の場合、（１２）式と同様に、
ΔＶdd／（Ｖdd／2）≒（ΣΔＩsj＋ΣΔＩdj）／ＩD
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2002050945.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2002050945.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月24日(2007.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
通常のトグル式型締装置は、図１０に示すように、型置盤１０１と圧受盤１０２とにわたり架設した四隅部のタイバー１０３と、四隅部にタイバーを挿通して型置盤１０１と圧受盤１０２との間に設けた可動盤１０４と、その可動盤１０４と圧受盤１０２とにわたり連結した型締用のトグル機構１０５とからなり、そのトグル機構１０５の上下一対のリンク１０５ａ，１０５ｂの屈伸動作により可動盤１０４を型置盤１０１に対し進退移動して、型置盤１０１と可動盤１０４に取付けた固定型１０６と可動型１０７の型閉と型締を行っている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このトグル機構１０５では、上下一対のリンク１０５ａ，１０５ｂを伸長して型締力をかけずにおくと、該リンクが自重により下方（黒矢印）に下がる傾向にある。これにより上側のリンク１０５ａが下側にわずかに屈曲した状態となり、また下側のリンク１０５ｂは伸びきった状態となる。この特性は可動盤１０４にも影響を及ぼし、可動盤１０４はわずかではあるがリンク１０５ａによる引張力とリンク１０５ｂによる押圧力とを受けて上側が開く方向に傾斜する傾向にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
次表はトルク（回動量）、可動盤高さ変位量、ローラ軸回動角度、偏肉（天地差）の各数値を示すものである。また図８は可動盤の高さ変位量に対応したディスク基板の偏肉をグラフに示したものである（但し、固定型温度１１９℃、可動型温度１１０℃、  Ｌ＝０．３５ｍｍ）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
【図１】この発明に係わるディスク基板の射出圧縮成形方法を実施し得るトグル式型締装置の要部側面図である。
【図２】支持装置のローラ部位の縦断正面図である。
【図３】偏心ローラ軸の回動による高さ調整下限（Ａ）と高さ調整上限（Ｂ）を示す説明図である。
【図４】サーボモータを備えた支持装置のローラ部位の縦断正面図である。
【図５】高さ検出用のロードセルを備えた支持装置と可動盤下部の一部縦断側面図である。
【図６】リンク機構を備えた支持装置のローラ部位の側面図である。
【図７】偏心ローラ軸を回動したときのトルク変化に伴うパーティング面間の天地開き量の変化をグラフで示す説明図である。
【図８】可動盤高さ変位と偏肉の関連をグラフで示す説明図である。
【図９】自動偏肉調整のフローチャートである。
【図１０】トグル式型締装置の側面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月13日(2007.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
３軸ヘルムホルツコイルの係数ＮをそれぞれＮｘ，Ｎｙ，Ｎｚとすると、コイルに流す電流Ｉｘ(ｔ)，Ｉｙ(ｔ)，Ｉｚ(ｔ)は、
［式４］
2007260423.tif 000001
で表せる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月21日(2007.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主電源が入っている状態では、接続されたコネクタから電圧が供給される扉異常信号出力
装置により筐体に設けられた扉の開閉監視を行なって、前記扉が開かれた場合には、前記
コネクタの出力ピンを介して前記扉異常信号出力装置から出力された異常信号によって警
告を発生させる遊技機において、
前記扉異常信号出力装置は、前記主電源が切られた状態において、副電源から供給される
電力によって駆動され、前記主電源断時の扉の開閉及び前記コネクタが抜かれたことを検
出し、前記コネクタの出力ピンから前記異常信号を出力すること、
を特徴とする遊技機。
【請求項２】
主電源が入っている状態では、接続されたコネクタから電圧が供給されることにより、筐体に設けられた扉の開閉監視を行なって、前記扉が開かれた場合には、前記コネクタの出力ピンを介して異常信号を出力する扉異常信号出力装置において、
前記主電源が切られた状態では、副電源から供給される電力によって駆動され、前記主電源断時の扉の開閉及び前記コネクタが抜かれたことを検出し、前記コネクタの出力ピンから前記異常信号を出力すること、
を特徴とする扉異常信号出力装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項１に係る本発明の遊技機は、上記の目的を達成する為に、主電源が入っている状
態では、接続されたコネクタから電圧が供給される扉異常信号出力装置により筐体に設け
られた扉の開閉監視を行なって、前記扉が開かれた場合には、前記コネクタの出力ピンを
介して前記扉異常信号出力装置から出力された異常信号によって警告を発生させる遊技機
において、前記扉異常信号出力装置は、前記主電源が切られた状態において、副電源から
供給される電力によって駆動され、前記主電源断時の扉の開閉及び前記コネクタが抜かれ
たことを検出し、前記コネクタの出力ピンから前記異常信号を出力することを特徴とする
。
請求項２に係る本発明の扉異常信号出力装置は、主電源が入っている状態では、接続されたコネクタから電圧が供給されることにより、筐体に設けられた扉の開閉監視を行なって、前記扉が開かれた場合には、前記コネクタの出力ピンを介して異常信号を出力する扉異常信号出力装置において、前記主電源が切られた状態では、副電源から供給される電力によって駆動され、前記主電源断時の扉の開閉及び前記コネクタが抜かれたことを検出し、前記コネクタの出力ピンから前記異常信号を出力することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月14日(2007.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端がユーザの両手によってそれぞれ把持されることができ、横長形状の筐体と、
前記筐体表面に嵌め込まれた表示手段と、
前記表示手段が嵌め込まれた面の背面側の略中央に配置されたディスクドライブ装置であって、一端が固定され面外方向に回動するように開く構造の蓋を有する、脱着可能な光学ディスクを載置するためのディスクドライブ装置と、
前記筐体表面に前記表示手段を挟んで両側にそれぞれ配置された操作手段と、を備え、
前記筐体表面の一方の側に配置された操作手段は、３６０度の方向指示を連続的に与えることができるアナログデバイスであることを特徴とする携帯型電子装置。
【請求項２】
前記筐体表面の両端には、該筐体を把持するユーザの手により把持される領域であって前記操作手段が配置される右手領域と左手領域が配置されており、筐体背面の右手領域と左手領域の裏側に相当する領域に挟まれた部分が前記ディスクドライブ装置の蓋となっていることを特徴とする請求項１に記載の携帯型電子装置。
【請求項３】
前記筐体背面の右手領域および左手領域の裏側に相当する領域に、筐体を把持するユーザの指が形作る曲線に沿うような断面円弧形状の膨らみが略左右対称に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の携帯型電子装置。
【請求項４】
筐体背面に設けられた２つの膨らみの間で膨らみの頂部よりも低い位置に平面領域が設けられ、その平面領域の一部が前記ディスクドライブ装置の蓋となっていることを特徴とする請求項３に記載の携帯型電子装置。
【請求項５】
前記筐体の両端の外縁が、該筐体を把持したユーザの手の平が形作る曲線に沿うように円弧状に形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の携帯型電子装置。
【請求項６】
前記操作手段は、筐体表面上で前記アナログデバイスと同じ側に配置され複数の操作方向にそれぞれ対応する複数の押圧面を有する方向指示キーと、もう一方の側に配置されそれぞれが単一の指示を出力する複数のボタンキーとをさらに含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の携帯型電子装置。
【請求項７】
断面が背面と略垂直になるように前記筐体を長手方向に沿って切断したときの断面が、該筐体の中央から両端に向けて厚さが次第に減少するような形状を有していることを特徴とする請求項６に記載の携帯型電子装置。
【請求項８】
前記方向指示キーと前記複数のボタンキーが、前記断面の厚さが減少する部分に筐体の外方に傾斜するように配置されていることを特徴とする請求項７に記載の携帯型電子装置。
【請求項９】
前記方向指示キーの中心と前記複数のボタンキーの中央とが、前記筐体の中心線よりもユーザから見て奥側に位置していることを特徴とする請求項６ないし８のいずれかに記載の携帯型電子装置。
【請求項１０】
前記アナログデバイスは、前記方向指示キーよりもユーザの手前側に位置し、かつ該方向指示キーの中心よりも内側にその中心が来るように配置されることを特徴とする請求項６ないし９のいずれかに記載の携帯型電子装置。
【請求項１１】
前記表示手段が嵌め込まれていない面が下向きになるように前記筐体を水平面に置いたときに、前記方向指示キーの頂部と、前記複数のボタンキーのいずれかひとつの頂部とが、前記筐体の最大高さよりも高いことを特徴とする請求項６ないし９のいずれかに記載の携帯型電子装置。
【請求項１２】
前記方向指示キーの各押圧面間の間隔と、前記複数のボタンキーの各ボタン間の間隔とが異なることを特徴とする請求項６ないし９のいずれかに記載の携帯型電子装置。
【請求項１３】
前記筐体の表面は少なくとも２つの面から構成されており、
前記方向指示キーと前記複数のボタンキーは第１の面に配置され、
前記表示手段に表示されるゲームの進行中に使用されない少なくともひとつのサブ操作ボタンが第２の面に配置され、
前記表示手段が嵌め込まれていない面が下向きになるように前記筐体を水平面に置いたときに、前記水平面から計測した前記第１の面の高さと前記第２の面の高さが異なることを特徴とする請求項６ないし９のいずれかに記載の携帯型電子装置。
【請求項１４】
前記第２の面が前記第１の面から隆起していることを特徴とする請求項１３に記載の携帯型電子装置。
【請求項１５】
前記筐体の表面は樹脂成型部品であり、
前記樹脂成型部品は、前記表示手段を視認可能な透光窓部と、透光窓部以外の枠部とからなり、前記透光窓部は透明の第１樹脂から形成され、前記枠部は色付きの第２樹脂から形成され、第１樹脂と第２樹脂は二色成型により一体的に成型されることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれかに記載の携帯型電子装置。
【請求項１６】
前記第１樹脂が前記枠部の表面全体を覆うように成型されていることを特徴とする請求項１５に記載の携帯型電子装置。
【請求項１７】
前記筐体の内部にスピーカーを備え、
前記筐体の底面に前記スピーカーから発生される音声が通過する貫通穴が形成されており、該貫通穴には前記筐体の表面寄りに角度が付けられていることを特徴とする請求項１ないし１６のいずれかに記載の携帯型電子装置。
【請求項１８】
前記筐体の表面に第２の貫通穴が形成されており、
前記スピーカーから発生される音声を第２の貫通穴に導く空間が前記筐体の内部に形成されていることを特徴とする請求項１７に記載の携帯型電子装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月20日(2006.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電気二重層コンデンサが放電状態にある時に、前記電気二重層コンデンサの端子間電圧が所定の下限電圧以下になったことを検知した時、電気二重層コンデンサの放電を停止し、該放電を停止してから所定時間の間に、前記電気二重層コンデンサの端子電圧が前記下限電圧より高い所定の劣化検知電圧以上に復帰した時に、前記電気二重層コンデンサが劣化状態にあると判定することを特徴とする電気二重層コンデンサの劣化検知装置。
【請求項２】  電気二重層コンデンサが充電状態にある時に、前記電気二重層コンデンサの端子間電圧が所定の上限電圧以上になったことを検知した時、電気二重層コンデンサの充電を停止し、該充電を停止してから所定時間の間に、前記電気二重層コンデンサの端子電圧が前記上限電圧より高い所定の劣化検知電圧以下まで低下した時に、前記電気二重層コンデンサが劣化状態にあると判定する
を特徴とする電気二重層コンデンサの劣化検知装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、電気二重層コンデンサが放電状態にある時に、前記電気二重層コンデンサの端子間電圧が所定の下限電圧以下になったことを検知した時、電気二重層コンデンサの放電を停止し、該放電を停止してから所定時間の間に、前記電気二重層コンデンサの端子電圧が前記下限電圧より高い所定の劣化検知電圧以上に復帰した時に、前記電気二重層コンデンサが劣化状態にあると判定することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１に記載の電気二重層コンデンサの劣化検知装置によれば、電気二重層コンデンサが放電状態にある時に、前記電気二重層コンデンサの端子間電圧が所定の下限電圧以下になったことを検知した時、電気二重層コンデンサの放電を停止し、該放電を停止してから所定時間の間に、前記電気二重層コンデンサの端子電圧が前記下限電圧より高い所定の劣化検知電圧以上に復帰した時に、前記電気二重層コンデンサが劣化状態にあると判定するようにしたので、放電停止時に生じる跳ね返り電圧のレベルに基づいて電気二重層コンデンサの劣化状態を判定できるという効果が有る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、請求項２に記載の発明は、電気二重層コンデンサが充電状態にある時に、前記電気二重層コンデンサの端子間電圧が所定の上限電圧以上になったことを検知した時、電気二重層コンデンサの充電を停止し、該充電を停止してから所定時間の間に、前記電気二重層コンデンサの端子電圧が前記上限電圧より高い所定の劣化検知電圧以下まで低下した時に、前記電気二重層コンデンサが劣化状態にあると判定することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２に記載の電気二重層コンデンサの劣化検知装置によれば、電気二重層コンデンサが充電状態にある時に、前記電気二重層コンデンサの端子間電圧が所定の上限電圧以上になったことを検知した時、電気二重層コンデンサの充電を停止し、該充電を停止してから所定時間の間に、前記電気二重層コンデンサの端子電圧が前記上限電圧より高い所定の劣化検知電圧以下まで低下した時に、前記電気二重層コンデンサが劣化状態にあると判定するようにしたので、、充電停止時に生じる跳ね返り電圧のレベルに基づいて電気二重層コンデンサの劣化状態を判定できるという効果が有る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図２において、図示してないハイブリッド車両に搭載されたアシスト用モータによりエンジン出力の駆動補助がなされることにより、電気二重層コンデンサ１０が放電状態にある。まず、コンパレータ１８において、電気二重層コンデンサ１０の端子間電圧ＶCと下限検知基準電源２０より供給される下限検知基準電圧ＶLLとが比較される（ステップ１００）。ＶC≦ＶLLである場合、すなわち電気二重層コンデンサ１０の端子間電圧ＶCが下限検知基準電圧ＶLLに達した場合には、コンパレータ１８よりフォトカプラ２２を介して時刻ｔ１でハイレベルからローレベルに変化する下限検知信号（図３（Ａ））が制御回路２８に出力される（ステップ１０１）。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【発明の効果】
請求項１に記載の電気二重層コンデンサの劣化検知装置によれば、、電気二重層コンデンサが放電状態にある時に、前記電気二重層コンデンサの端子間電圧が所定の下限電圧以下になったことを検知した時、電気二重層コンデンサの放電を停止し、該放電を停止してから所定時間の間に、前記電気二重層コンデンサの端子電圧が前記下限電圧より高い所定の劣化検知電圧以上に復帰した時に、前記電気二重層コンデンサが劣化状態にあると判定するようにしたので、放電停止時に生じる跳ね返り電圧のレベルに基づいて電気二重層コンデンサの劣化状態を判定できるという効果が有る。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
請求項２に記載の電気二重層コンデンサの劣化検知装置によれば、電気二重層コンデンサが充電状態にある時に、前記電気二重層コンデンサの端子間電圧が所定の上限電圧以上になったことを検知した時、電気二重層コンデンサの充電を停止し、該充電を停止してから所定時間の間に、前記電気二重層コンデンサの端子電圧が前記上限電圧より高い所定の劣化検知電圧以下まで低下した時に、前記電気二重層コンデンサが劣化状態にあると判定するようにしたので、、充電停止時に生じる跳ね返り電圧のレベルに基づいて電気二重層コンデンサの劣化状態を判定できるという効果が有る。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月12日(2007.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】  ユーザ情報が登録された記憶手段を有し、インターネット網を介して、ユーザからの発注に応じて物品の提供を仲介する受注システムを備え、前記受注システムを介して前記ユーザに対してサービス提供がなされた際に決済を行うことを特徴とする取引システム。    【請求項２】  前記受注システムは、ユーザからアンケートを介してユーザ情報を収集することを特徴とする請求項１記載の取引システム。    【請求項３】  前記受注システムは、複数の業者からサービスに関する情報を提供されることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の取引システム。    【請求項４】  ユーザ情報を受注システムに登録する工程と、前記受注システムがインターネット網を介して、ユーザからの発注に応じて物品の提供を仲介する工程と、前記受注システムを介して前記ユーザに対してサービス提供がなされた際に決済を行う工程と、を具備することを特徴とする取引方法。    【請求項５】  前記受注システムにおいて、ユーザからアンケートを介してユーザ情報を収集することを特徴とする請求項４記載の取引方法。    【請求項６】  前記受注システムに対して、複数の業者からサービスに関する情報を提供されることを特徴とする請求項４又は請求項５記載の取引方法。