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【手続補正書】
【提出日】平成20年5月2日(2008.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製造後に集積回路デバイスを試験する方法であって、
１群のデバイスを試験して、前記試験に不合格となった不合格グループのデバイスを生成することであって、前記不合格グループ内の前記デバイスが故障のタイプで識別されること、および
再試験が承認されたタイプの欠陥を有する前記不合格グループ内のデバイスのみを再試験すること
を含む方法。
【請求項２】
試験に関連するタイプの欠陥を有するデバイスを再試験することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記再試験プロセスが、再試験が承認された前記タイプの欠陥を有する前記不合格グループ内のデバイスのみを再試験することによって最適化される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
再試験が承認されたタイプの欠陥のリストが、最適化再試験テーブルを含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
再試験が承認された前記タイプの欠陥が、同一のタイプのデバイスの以前の試験の以前に取得した統計に基づく請求項１に記載の方法。
【請求項６】
製造後に集積回路デバイスを試験する方法であって、
初期グループのデバイスを試験して、前記初期グループの前記試験に不合格であった初期不合格グループのデバイスを生成することであって、前記初期不合格グループ内の前記デバイスが、故障のタイプによって識別されること、
前記初期不合格グループ内の前記デバイスを再試験して、前記再試験に合格した再試験合格グループのデバイスを識別すること、
前記再試験合格グループ内の前記デバイスを解析して、不合格デバイスが再試験に合格する尤度に関する統計を故障の前記タイプに従って生成すること、
前記統計を評価して、どのタイプの故障が所定のしきい値より高い再試験合格率を有するかを判定し、再試験を承認されたタイプの欠陥を生成すること、
追加のグループのデバイスを試験して、前記追加のグループの前記試験に不合格であった追加の不合格グループのデバイスを生成すること、および
再試験を承認されたタイプの欠陥のうちの１つを有する前記追加の不合格グループ内のデバイスのみを再試験すること
を含む方法。
【請求項７】
製造後に集積回路デバイスを試験する方法であって、
初期グループのデバイスを試験して、前記初期グループの前記試験に不合格となった初期不合格グループのデバイスを生成することであって、前記不合格グループ内の前記デバイスが故障のタイプで識別されること
前記初期不合格グループ内の前記デバイスを再試験して、前記再試験に合格した再試験合格グループのデバイスを識別すること、
前記再試験合格グループ内の前記デバイスを解析して、不合格デバイスが前記再試験に合格する尤度に関する統計を故障の前記タイプに従って生成すること、
前記統計を評価して、どのタイプの故障が所定のしきい値より高い再試験合格率を有するかを判定し、再試験が承認されたタイプの欠陥を生成すること、
追加のグループのデバイスを試験して、前記追加のグループの前記試験に不合格であった追加の不合格グループのデバイスを生成すること、
所定の低い需要を有するタイプのデバイスを識別すること、および
前記所定の低い需要を有するタイプのデバイスを再試験することなく、再試験が承認された前記タイプの欠陥のうちの１つを有する前記追加の不合格グループ内のデバイスのみを再試験すること
を含む方法。
【請求項８】
試験誤りに関連するタイプの欠陥を、再試験が承認された前記タイプの欠陥に追加することをさらに含む請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
前記試験プロセスがプローブ型試験を含む請求項１、６または７のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記デバイスが集積回路チップを含む請求項１、６または７のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記評価プロセスが、前記追加のグループの前記再試験を最適化する請求項６または７に記載の方法。
【請求項１２】
再試験が承認された前記タイプの欠陥のリストが、最適化再試験テーブルを含む請求項６または７に記載の方法。
【請求項１３】
前記初期グループのデバイスと前記追加のグループのデバイスが、同一のタイプのデバイスを含む請求項６または７に記載の方法。
【請求項１４】
製造後に集積回路デバイスを試験するシステムであって、
デバイスを試験するように適合されたテスタと、
再試験が承認されたタイプの欠陥を含むデータベースであって、再試験が承認された前記タイプの欠陥が、当初試験に不合格となった後にどのタイプの故障が所定のしきい値より高い再試験合格率を有するかについての以前に取得した統計に基づくデータベースと、
前記テスタおよび前記データベースと通信するプロセッサであって、デバイスのグループを試験するように前記テスタに指示し、試験に不合格であった不合格グループのデバイスを生成するように適合されたプロセッサとを備え、
前記プロセッサがさらに、再試験が承認された前記タイプの欠陥のうちの１つを有する前記追加の不合格グループ内のデバイスのみを再試験するように前記テスタに指示するように適合されるシステム。
【請求項１５】
前記データベースが、再試験が承認された前記タイプの欠陥内に、試験誤りに関連するタイプの欠陥を含む請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記プロセッサが、前記テスタを制御するときに前記デバイスの前記再試験を最適化する請求項１４に記載のシステム。
【請求項１７】
前記データベースが最適化再試験テーブルを含む請求項１４に記載のシステム。
【請求項１８】
前記タイプの欠陥の前記統計が、試験されるのと同一のタイプのデバイスに関係する請求項１４に記載のシステム。
【請求項１９】
製造後に集積回路デバイスを試験するシステムであって、
初期グループのデバイスを試験して、初期不合格グループのデバイスを生成する手段であって、前記初期不合格グループ内の前記デバイスが故障のタイプで識別される手段と、
前記初期不合格グループ内の前記デバイスを再試験して、再試験合格グループのデバイスを識別する手段と、
前記再試験合格グループ内の前記デバイスを解析して、不合格デバイスが前記再試験に合格する尤度に関する統計を故障の前記タイプに従って生成する手段と、
前記統計を評価して、どのタイプの故障が所定のしきい値より高い再試験合格率を有するかを判定し、再試験が承認されたタイプの欠陥を生成する手段と、
追加のグループのデバイスを試験して、追加の不合格グループのデバイスを生成する手段と、
再試験が承認された前記タイプの欠陥のうちの１つを有する前記追加の不合格グループ内のデバイスのみを再試験する手段と
を備えるシステム。
【請求項２０】
製造後に集積回路デバイスを試験する各ステップをマシンに実行させるプログラムであって、
１群のデバイスを試験して、前記試験に不合格となった不合格グループのデバイスを生成することであって、前記不合格グループ内の前記デバイスが故障のタイプで識別されるステップ、および
再試験が承認されたタイプの欠陥を有する前記不合格グループ内のデバイスのみを再試験するステップ
を含むプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月12日(2007.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
Ｓｉｎ（Ｏｖ）＝（Σｔｈi・ｓｉｎ２Ｆi）／（ｎ／２）
Ｃｏｓ（Ｏｖ）＝（Σｔｈi・ｃｏｓ２Ｆi）／（ｎ／２）
Ｍｏｄｕｌｕｓ（Ｏｖ）＝√（［Ｓｉｎ（Ｏｖ）］2＋［Ｃｏｓ（Ｏｖ）］2）＝Ｔｈ2F
Ｐｈａｓｅ（Ｏｖ）＝Ａｔｇ［Ｓｉｎ（Ｏｖ）／Ｃｏｓ（Ｏｖ）］＝φ2F
３．厚さの平均値を計算すること
Ｔｈavg＝（Σｔｈi）／ｎ
４．補間された厚さ曲線を計算すること
Ｔｈ＝［ＴｈF・ｓｉｎ（２πｔ＋φF）］＋［Ｔｈ2F・ｓｉｎ（４πｔ＋φ2F）］＋Ｔｈavg
ここで：ｔ＝補間された曲線のサンプリング周期。
II−外径
原理は同じであるが、今回は、偏芯を見つけようとしていないのでサンプルΦiに周期４πが乗算され、その結果、ｎ＝サンプル数ΦIとして、次式が導かれる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
Ｓｉｎ（Ｏｖext）＝（ΣΦI・ｓｉｎ２Ｆi）／（ｎ／２）
Ｃｏｓ（Ｏｖext）＝（ΣΦI・ｃｏｓ２Ｆi）／（ｎ／２）
Ｍｏｄｕｌｕｓ（Ｏｖext）＝√（［Ｓｉｎ（Ｏｖext）］2＋［Ｃｏｓ（Ｏｖext）］2）＝ΦＥｘｔ2F
Ｐｈａｓｅ（Ｏｖext）＝Ａｔｇ［Ｓｉｎ（Ｏｖext）／Ｃｏｓ（Ｏｖext）］＝φＥｘｔ2F
Φavg＝（ΣΦi）／ｎ
Φext＝［ΦＥｘｔ2F・ｓｉｎ（４πｔ＋φＥｘｔ2F）］＋Φavg
ここで：ｔ＝補間された曲線のサンプリング周期。
III−内径の楕円形化
該方法は、厚さ曲線から直接得ることができない内径の楕円形化を抽出することも可能である、というのは、後者が内径および外径の楕円形化のベクトル和を回復するからである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
Ｓｉｎ（Ｏｖint）＝（ΣＴｈｌｎｔi・ｓｉｎ２Ｆi）／（ｎ／２）
Ｃｏｓ（Ｏｖint）＝（ΣＴｈｌｎｔi・ｃｏｓ２Ｆi）／（ｎ／２）
Ｍｏｄｕｌｕｓ（Ｏｖint）＝√（［Ｓｉｎ（Ｏｖint）］2＋［Ｃｏｓ（Ｏｖint）］2）＝ΦＩｎｔ2F
Ｐｈａｓｅ（Ｏｖint）＝Ａｔｇ［Ｓｉｎ（Ｏｖint）／Ｃｏｓ（Ｏｖint）］＝φＩｎｔ2F
モジュラスおよび楕円形化の位相が分かっているので、後者は完全に決定される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月26日(2008.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学要素であって、
低弾性有機層と、
少なくとも部分的に前記低弾性有機層を取り囲む封止要素であって、それ自体または別の要素によって前記有機層を前記光学要素を取り囲む環境から実質的に封止する封止要素と
を含む光学要素。
【請求項２】
前記封止要素は、前記有機層を実質的に封止するべく前記別の要素とともに機能し、前記別の要素は、前記有機層に隣接した基板層であり、前記封止要素は前記基板に対して前記有機層を実質的に封止する、請求項１に記載の光学要素。
【請求項３】
前記封止要素は、前記別の要素とともに機能し、前記別の要素は、第１基板層と第２基板層とを前記有機層に隣接して、かつ、前記有機層の対向する両側に含み、前記封止要素は、前記第１基板層と前記第２基板層とをともに実質的に封止する縁部シールであり、前記封止要素ならびに前記第１基板層および前記第２基板層は前記有機層を実質的に囲んで封止する、請求項１に記載の光学要素。
【請求項４】
光学要素であって、
低弾性有機層と、
前記光学要素を取り囲む環境から、前記低弾性有機層を実質的に封止するための封止要素と
を含む光学要素。
【請求項５】
前記光学要素は基板層をさらに含み、前記封止要素は、前記有機層に隣接した基板層に対して前記有機層を実質的に封止する、請求項４に記載の光学要素。
【請求項６】
前記光学要素は、第１基板層と第２基板層とをさらに含み、前記封止要素は、前記有機層のいずれかの側面上で前記第１基板層と前記第２基板層との間において前記有機層を実質的に封止し、前記封止要素ならびに前記第１基板層および前記第２基板層は、前記有機層を実質的に囲んで封止する、請求項４に記載の光学要素。
【請求項７】
前記基板層は、溶融シリカ、ボロフロートガラス、セラミックガラスおよび光学的に透明なガラスからなる群から選択される、請求項２または５に記載の光学要素。
【請求項８】
前記有機層は分子配向有機層である、請求項１または４に記載の光学要素。
【請求項９】
前記有機層は単層を含む、請求項１または４に記載の光学要素。
【請求項１０】
前記有機層は修飾ポリオレフィンフィルムを含む、請求項１または４に記載の光学要素。
【請求項１１】
前記有機層は２軸延伸される、請求項１または４に記載の光学要素。
【請求項１２】
前記有機層は２つ以上の層を含む、請求項１または４に記載の光学要素。
【請求項１３】
前記有機層は１対のクロス１軸分子配向層を含む、請求項１２に記載の光学要素。
【請求項１４】
前記封止要素は、光学的に透明なシーラント、アクリルシーラントおよび紫外線硬化アクリルシーラントからなる群から選択される材料のバリア層である、請求項１または４に記載の光学要素。
【請求項１５】
前記基板は低複屈折率ポリマーである、請求項２または５に記載の光学要素。
【請求項１６】
前記基板は、入力光の偏光方向に対して直線をなすかまたは対角をなして配向する延伸方向を有する配向ポリマー基板である、請求項２または５に記載の光学要素。
【請求項１７】
前記基板上に形成された付加的バリア層をさらに含み、前記付加的バリア層は、前記光学要素を取り囲む環境に対して付加的な封止を与えること、前記基板を硬化すること、前記基板を入射光に対して非反射的にすること、および前記光学要素を透過する光の光学特性を改善することからなる群から選択される少なくとも一つの付加的機能を果たす、請求項２または５に記載の光学要素。
【請求項１８】
請求項１または４に記載の封止要素として機能することと、
前記光学要素を取り囲む環境に対して付加的な封止を与えることと、
前記光学要素を硬化することと、
前記基板を入射光に対して非反射的にすることと、
前記光学要素を透過する光の光学特性を改善することと
からなる群から選択される少なくとも一つの付加的機能を果たすバリア層をさらに含む、請求項２または５に記載の光学要素。
【請求項１９】
前記封止要素は、前記有機層に溶接された付加的有機層を含む、請求項１または４に記載の光学要素。
【請求項２０】
前記付加的有機層には偏光機能がなく、前記低弾性有機層は偏光制御機能を有する、請求項１９に記載の光学要素。
【請求項２１】
前記低弾性有機層の前記偏光制御機能は、偏光回転、偏光遅延ならびに波長選択偏光回転および／または遅延からなる群から選択される、請求項２０に記載の光学要素。
【請求項２２】
前記封止要素は、前記低弾性有機層上に形成されたバリア層である、請求項１または４に記載の光学要素。
【請求項２３】
前記バリア層は、液状／真空コーティングによって形成される、請求項２２に記載の光学要素。
【請求項２４】
前記有機層の外側に形成された反射防止コーティングをさらに含む、請求項１または４に記載の光学要素。
【請求項２５】
前記封止要素は、さらに反射防止コーティングとして機能する、請求項１または４に記載の光学要素。
【請求項２６】
前記封止要素は、前記有機層にわたって少なくとも部分的に形成される接着剤を含む、請求項１または４に記載の光学要素。
【請求項２７】
前記接着剤はモノマーを含む、請求項２６に記載の光学要素。
【請求項２８】
少なくとも３０００時間の間にわたり、５０Ｍｌｕｘの環境において、光軸安定性が＜±０．１°および位相差安定性が＜±０．５ｎｍとなる、請求項１または４に記載の光学要素。
【請求項２９】
光学要素であって、
基板層と、
前記基板層に隣接した低弾性分子配向層と、
少なくとも前記基板層に結合された封止要素であって、前記光学要素を取り囲む環境から前記低弾性分子配向層を実質的に封止するべく前記基板層とともに機能する封止要素と
を含む光学要素。
【請求項３０】
前記封止要素は、実質的に前記分子配向層と別の基板層との間にあるバリア層である、請求項２９に記載の光学要素。
【請求項３１】
前記分子配向層に隣接した別の基板層をさらに含み、前記封止要素は、前記基板層と前記別の基板層とをともに実質的に封止する縁部シールであり、前記封止要素および前記複数の基板層は、前記分子配向層を実質的に囲んで封止する、請求項２９に記載の光学要素。
【請求項３２】
前記分子配向層は多層を含む、請求項２９に記載の光学要素。
【請求項３３】
前記分子配向層は修飾ポリオレフィンフィルムである、請求項２９に記載の光学要素。
【請求項３４】
投影光経路を有する光学投影システムであって、
投影光を与えるべく前記投影光経路の始点に配置された光源と、
実質的に前記光学投影システムから光を投影するべく前記投影光経路の終点に配置された投影レンズと、
請求項１から２８までのいずれか１項に記載の光学要素と
を含み、
前記光学要素は、前記投影光経路に配置されて前記投影光に前記投影光経路を透過させる、光学投影システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月12日(2008.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
向流クロマトグラフィー法によって物質混合物を分離する方法であって、
吸着体が充填され、かつ、直列に接続された２つ以上のクロマトグラフィーカラムから成るカラム回路に対して、溶離液と分離される物質混合物とを連続的に供給し、
溶離液と分離される物質混合物とが供給されたカラム回路の箇所とは異なるカラム回路の箇所から、分離された成分を少なくとも１種類含んで成る抽出液ストリームと、その分離された成分とは異なる成分を少なくとも１種類含んで成るラフィネート・ストリームとを連続的に抜き出し、
液体が供給されるカラムおよび液体が抜出されるカラムが順次切り替わるように液体供給箇所および液体抜出箇所を順次開けることによって、物質混合物と溶離液とから成る液体の移動相と固体相の吸着体とを相対的に移動させており、
１つの溶離液供給ポンプおよび溶離液補償容器のみを用いて循環を実施しており、循環ポンプを用いていないことを特徴とする方法。
【請求項２】
向流クロマトグラフィー法での循環に、多くとも４つのポンプを用いることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
抽出液またはラフィネートの抜出しを行う排出ポンプを制御バルブの代わりに少なくとも１つ用いることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
オンライン検出および制御バルブを用いることによって、循環に際して汚染された溶離液を自動的に抜き出すことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
循環に際して戻されるストリームを測定することによって質量流れの制御の精度を向上させており、それゆえ、測定データの収支を用いて冗長化が達成されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
質量流れの制御に際して、溶離液補償容器の充填レベルを制御することによって、全体の物質収支を合わせている、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
バルブハウジングおよび制御ハウジングを有して成るバルブが少なくとも１つ設けられたマスターボードから成るモジュール式バルブシステム（ＭＶＳ）であって、
制御ハウジングが、シールを備えたピストンで下方制御スペースと上方制御スペースとに分けられている空気圧スペースを内部に有し、
閉プレートおよび付加的なシールによって下方制御スペースとバルブハウジングとが隔てられており、
ピストンに設けられたバルブスピンドルが、バルブハウジングを通って、マスターボードの領域に設けられているシールシートにまで延在しており、
バルブハウジングと制御ハウジングとが、シールを備えた中央プレートを介して相互に接続されており、
バルブハウジングが、関連するシールを用いてシールシートによってマスターボードに配置されており、それによって、マスターボードにて横断方向チャンネルを有する供給チャンネルとバルブハウジングおよびシールシートの生成物スペースとが接続され、生成物スペースは生成物が排出される排出チャンネルと連通しているので、供給チャンネルおよび排出チャンネルからフロー・チャンネルが形成されており、
更に、バルブスピンドルが、上方制御スペースを通って制御ハウジングの外側にまで延在する一方、バルブハウジングを通ってシールシートにまで延在しており、
バルブスピンドルは、バルブシートに対して封止可能な輪郭形状を有し、閉位置においては、横断方向チャンネルを完全に閉鎖して生成物の流れを止める、
モジュール式バルブシステム。
【請求項８】
六角形状ロッドの形態のマスターボードにて構成されていることを特徴とする、請求項７に記載のモジュール式バルブシステム。
【請求項９】
請求項７に記載のバルブシステムを少なくとも１つ用いる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
生成物の調製方法であって、
反応に起因して得られる生成混合物を、請求項１に記載の方法に対して直接的に供して処理することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月31日(2008.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
発明の要旨
本発明により、少なくとも１つの放射線硬化性結合剤、任意に光開始剤および顔料または着色剤を含む放射線硬化性トナーを提供する。放射性硬化性樹脂は、（メタ）アクリル化ポリエステル樹脂と（メタ）アクリル化ポリウレタン樹脂との混合物を含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明は、基材上にトナー画像を形成する装置も含み、該装置は下記の手段：ｉ）乾燥トナー粒子を供給する手段、ｉｉ）該乾燥トナー粒子を基材に画像的に付着させる手段、ｉｉｉ）該トナー粒子を該基材に融着させる手段、およびｉｖ）本発明の該融着トナー粒子をオフラインまたはインライン放射線硬化する手段、を有して成り、基材はウエブによって供給される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
カラー画像の形成用のトナーは、例えば、フタロシアニン染料、キナクリドン染料、トリアリールメタン染料、硫化染料、アクリジン染料、アゾ染料およびフルオレセイン染料の群の有機染料／顔料を含有しうる。ＴｉＯ２またはＢａＳＯ４を顔料として使用して、白色トナーを製造することができる。着色剤の分光吸収領域において充分な光学濃度を有するトナー粒子を得るために、着色剤は、好ましくは、全トナー組成物に対して少なくとも１ｗｔ％の量で存在する。トナー樹脂における着色剤の分散を向上させるために、純粋着色剤を添加する代わりに、トナー製造中に着色剤のいわゆるマスターバッチを添加することが有利であると考えられる。着色剤のマスターバッチは、放射線硬化性ポリマーであ
る必要はない樹脂、例えばポリエステルに、２０〜５０ｗ
ｔ％の範囲で、純粋顔料またはプレスケーキとして存在する比較的高濃度の着色剤を分散させることによって製造される。同じマスターバッチ法を、電荷制御剤および光開始剤を分散させることにも使用しうる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月14日(2008.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに離間した少なくとも第１および第２の光導波路と、
少なくとも第１および第２のバルジ状マイクロキャビティが形成されているとともに前記第１および第２の光導波路にわたって延在している第１のバルジ状マイクロキャビティ部材と、
それぞれ前記第１および第２のバルジ状マイクロキャビティに関連する光を検出するように配置された少なくとも第１および第２の光検出器と、
を備え、
前記第１のバルジ状マイクロキャビティが、前記第１のバルジ状マイクロキャビティと前記第１の光導波路との間に光を光学的に結合するように前記第１の光導波路に近接して位置するとともに、前記第２のバルジ状マイクロキャビティが、前記第２のバルジ状マイクロキャビティと前記第２の光導波路との間に光を光学的に結合するように前記第２の光導波路に近接して位置する微小共振器アレイ装置。
【請求項２】
出力光を発する光源と、
前記光源からの前記出力光を受け取るように結合された第１の光導波路と、
前記第１の光導波路に光学的に結合するために前記第１の導波路に近接して配置された第１のバルジ状マイクロキャビティと、
を備え、
前記バルジ状キャビティが少なくとも高分子材料外層を有するとともに長軸に沿って細長い本体を有し、前記バルジ状マイクロキャビティが前記第１の光導波路から結合された光に対して１０００より高いＱ値を有するウィスパリングギャラリモードを有し、前記高分子材料が前記出力光の波長で実質的に透明であるバルジ状マイクロキャビティ装置。
【請求項３】
互いに離間した少なくとも第１および第２の光導波路と、
少なくとも第１および第２のバルジ状マイクロキャビティが形成されているとともに前記第１および第２の光導波路にわたって延在している第１のバルジ状マイクロキャビティ部材と、
を備え、
前記第１のバルジ状マイクロキャビティが、前記第１のバルジ状マイクロキャビティと前記第１の光導波路との間に光を光学的に結合するように前記第１の光導波路に近接して位置するとともに、前記第２のバルジ状マイクロキャビティが、前記第２のバルジ状マイクロキャビティと前記第２の光導波路との間に光を光学的に結合するように前記第２の光導波路に近接して位置しており、
前記第１のバルジ状マイクロキャビティ部材がある長さを有する細長い部材として形成されているとともに、前記第１および第２のバルジ状マイクロキャビティが前記第１のバルジ状マイクロキャビティ部材の前記長さに沿って異なる位置に配置されている、微小共振器アレイ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月21日(2008.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器内のレベルを感知する導波管用の試験装置において、
模擬レベルを模擬させるため導波管をブリッジで橋絡する試験位置、および導波管をブリッジで橋絡しない格納位置を有するブリッジと、
前記ブリッジを前記試験位置および格納位置間で移動させるために該ブリッジに接続されたアクチュエータとを備えている試験装置。
【請求項２】
前記アクチュエータが、前記ブリッジに接続された部材を含んでいる請求項１の試験装置。
【請求項３】
前記アクチュエータが、前記部材が摺動可能に装着されている軸受けを含んでいる請求項２の試験装置。
【請求項４】
前記導波管が、一対のほぼ平行な導体からなり、前記ブリッジが前記導体を前記試験位置で橋絡する棒からなる請求項１の試験装置。
【請求項５】
手動で駆動できるように前記部材に接続されたハンドルをさらに備えている請求項２の試験装置。
【請求項６】
前記アクチュエータが、前記試験位置および格納位置間で移動するように遠隔で作動される請求項１の試験装置。
【請求項７】
前記容器の外側に置かれ、試験位置への移動を示す指示器をさらに備えている請求項１の試験装置。
【請求項８】
模擬レベルが感知レベルよりも高い請求項１の試験装置。
【請求項９】
前記軸受けがスリーブ状軸受けからなる請求項３の試験装置。
【請求項１０】
前記軸受けが、孔を有するブロックからなり、前記部材が前記孔を貫通する軸からなる請求項３の試験装置。
【請求項１１】
前記軸が、垂直方向の長手軸を有している請求項１０の試験装置。
【請求項１２】
前記軸が前記ブロック内で摺動可能である請求項１０の試験装置。
【請求項１３】
前記ブロックが容器の一部からなる請求項１０の試験装置。
【請求項１４】
前記ブロックがレベル送信機フランジを備えている請求項１０の試験装置。
【請求項１５】
前記導波管に接続されてレベル出力を提供するレベル送信機をさらに備えている請求項１の試験装置。
【請求項１６】
前記模擬レベルが、容器内の感知レベルのレベル信号特性と異なる第１のレベル信号特性を備えており、
前記レベル送信機が、前記第１のレベル信号特性を感知し、該レベル出力が模擬レベル出力か感知されたレベル出力であるかを示す診断出力を提供する請求項１５の試験装置。
【請求項１７】
容器内のレベルを感知する導波管用の試験装置において、
模擬レベルを模擬させるために導波管をブリッジで橋絡する試験位置、および導波管をブリッジで橋絡しない格納位置を有するブリッジと、
前記ブリッジを支持する支持手段と、
前記ブリッジを前記試験位置および格納位置間で移動させるため該ブリッジを駆動する駆動手段とを備えている試験装置。
【請求項１８】
前記模擬レベルが、前記感知されたレベルより高い請求項１７の試験装置。
【請求項１９】
前記支持手段が孔を有するブロックからなり、前記孔を貫通する軸からなる部材をさらに備えている請求項１７の試験装置。
【請求項２０】
前記軸が前記ブロック内を摺動可能である請求項１９の試験装置。
【請求項２１】
前記導波管に接続されてレベル出力を提供するレベル送信機をさらに備え、
前記模擬レベルが、容器内の感知レベルのレベル信号特性と異なる第１のレベル信号特性を備えており、前記レベル送信機が前記第１のレベル信号特性を感知し、前記レベル出力が模擬レベル出力か感知されたレベル出力であるかを示す診断出力を提供する請求項１７記載の試験装置。
【請求項２２】
容器内のレベルを感知する導波管の試験方法において、
模擬レベルを模擬するためにブリッジが導波管を橋絡する試験位置と、ブリッジが導波管を橋絡しない格納位置との間で移動可能なブリッジを提供し、
前記ブリッジを前記試験位置および格納位置の間で移動させるために部材を駆動させる試験方法。
【請求項２３】
前記ブリッジを、軸受け、および該軸受けに対して移動可能に装着された部材で支持する請求項２２の試験装置。
【請求項２４】
前記部材を作動させるための手動アクチュエータを提供する請求項２２の試験装置。
【請求項２５】
前記部材を作動させるための遠隔アクチュエータを提供する請求項２２の試験装置。
【請求項２６】
前記容器の外側に指示器を配置して前記試験位置への移動を指示する請求項２２の試験装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月15日(2008.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数が自由スペクトル領域（ＦＳＲ）により分離される赤道ウィスパリングギャラリモード（ＥＷＧＭ）を規定する微小空洞共振器、であって、前記ＥＷＧＭが微小空洞共振器軸に垂直な平面にあり、
光を前記微小空洞共振器内に入射するように光学的に結合された光源であって、前記光源が帯域がＥＷＧＭのＦＳＲとほぼ等しいかまたはそれを超える出力スペクトルを有する出力光を生成し、
前記微小空洞共振器からの光を検出するように配置された第１の光検出器と、
前記微小空洞共振器に結合する蛍光物質によって生成される蛍光光を検出する第２の光検出器と、
を有することを特徴とする微小共振器蛍光センサ装置。
【請求項２】
励起光を第１の微小空洞共振器内に結合し、前記第１の微小空洞共振器が赤道ウィスパリングギャラリモード（ＥＷＧＭ）を規定し且つ前記励起光が少なくとも２つの隣接ＥＷＧＭ内に結合可能であるように十分に広い帯域を有するものであり、
前記第１の微小空洞共振器内に結合された前記励起光を用いて１つまたは複数の蛍光物質を励起し、
前記１つまたは複数の蛍光物質の蛍光発光から生じる蛍光信号を検出する、
ことを有する蛍光測定方法。
【請求項３】
複数の共振モードを支持することが可能な微小空洞共振器と、
前記微小空洞共振器と光学的に結合され、前記複数の共振モードと同時に励起可能な光源と、
前記微小空洞共振器と光学的に結合された蛍光物質と、
前記微小空洞共振器からの光を検出するように配置された第１の検出器と、
前記蛍光物質によって生成される蛍光光を検出する第２の光検出器と、
を有することを特徴とする微小共振器装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月26日(2008.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前炎症性サイトカインの発現を抑える制御をするコラーゲン−ポリビニルピロリドン生体複合体。
【請求項２】
前炎症性細胞接着分子の発現を抑える制御をする請求項１に記載のコラーゲン−ポリビニルピロリドン。
【請求項３】
コラーゲン代謝を調節する請求項１に記載のコラーゲン−ポリビニルピロリドン。
【請求項４】
アポトーシスを促進させる制御をする請求項１に記載のコラーゲン−ポリビニルピロリドン。
【請求項５】
免疫寛容を誘導して末梢免疫応答を調節する分子として作用する請求項１に記載のコラーゲン−ポリビニルピロリドン。
【請求項６】
慢性再発性炎症を調節する請求項１に記載のコラーゲン−ポリビニルピロリドン。
【請求項７】
短期ＲＡ療法のために有効である請求項１に記載のコラーゲン−ポリビニルピロリドン。
【請求項８】
ＲＡ患者の生活の質を改善する請求項１に記載のコラーゲン−ポリビニルピロリドン。
【請求項９】
請求項１〜８に記載のコラーゲン−ポリビニルピロリドン生体複合体を含む骨関節症を治療するための医薬組成物。
【請求項１０】
コラーゲン−ポリビニルピロリドン生体複合体を用いて骨関節症を治療するための薬剤を調製する方法。
【請求項１１】
請求項１に記載のコラーゲン−ポリビニルピロリドン生体複合体を用いて関節リウマチを治療するための薬剤を調製する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月14日(2008.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
2008500308.tif 000001
（式中、
Ｔは、Ｈ又はＲを表わし；
Ｒは、独立して、Ｒ1、−ＣＯ−Ｒ2、−ＣＯ−Ｒ3−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯ−Ｒ4又はＲ5を
表わし；
Ｒ1は、独立して、
【化２】
2008500308.tif 000002
を表わし；
Ｒ2は、独立して、炭素原子数３ないし２０のアルケニル基、炭素原子数２ないし２０の
アルキニル基、炭素原子数４ないし１０のシクロアルキル基、炭素原子数８ないし１６のアラルケニル基又は炭素原子数８ないし１６のアラルキニル基を表わし；ここで、これらの基の各々は、未置換であるか又は１つ以上のヒドロキシ基、チオール基、カルボキシル基、炭素原子数２ないし５のアルコキシカルボニル基又は炭素原子数２ないし５のアルカノイルオキシ基によって置換されるか；又は、
Ｒ2は、独立して、
【化３】
2008500308.tif 000003
、ポリ（テトラヒドロフラン）残基、ポリ（フェニレンエーテル）残基又はペルフルオロ化炭素原子数１ないし２０のアルキル基を表わし；
Ｒ3及びＲ6は、独立して、炭素原子数４ないし２０のアルケニレン基又は炭素原子数２ないし２０のアルキニレン基を表わし；ここで、これらの基の各々は、未置換であるか又は１つ以上の塩素原子、臭素原子又は炭素原子数１ないし４のアルキル基によって置換されるか；又は、
Ｒ3は、独立して、
【化４】
2008500308.tif 000004
、ポリ（テトラヒドロフラン）残基、ポリ（フェニレンエーテル）残基又はペルフルオロ化炭素原子数１ないし２０のアルキル基を表わし；
Ｒ4は、独立して、炭素原子数１ないし２０のアルキル基、炭素原子数６ないし１４のア
リール基、炭素原子数７ないし１６のアラルキル基、炭素原子数２ないし２０のアルケニル基、炭素原子数２ないし２０のアルキニル基、炭素原子数４ないし１０のシクロアルキル基、炭素原子数８ないし１６のアラルケニル基又は炭素原子数８ないし１６のアラルキニル基を表わし；ここで、これらの基の各々は、未置換であるか又は１つ以上のヒドロキシ基、チオール基、カルボキシル基、炭素原子数２ないし５のアルコキシカルボニル基又は炭素原子数２ないし５のアルカノイルオキシ基によって置換されるか；又は、
Ｒ4は、独立して、
【化５】
2008500308.tif 000005
、ポリ（テトラヒドロフラン）残基、ポリ（フェニレンエーテル）残基又はペルフルオロ化炭素原子数１ないし２０のアルキル基を表わし；
Ｒ5は、独立して、炭素原子数１ないし２０のアルキル基、炭素原子数６ないし１４のア
リール基、炭素原子数７ないし１６のアラルキル基、炭素原子数２ないし２０のアルケニル基、炭素原子数２ないし２０のアルキニル基、炭素原子数４ないし１０のシクロアルキル基、炭素原子数８ないし１６のアラルケニル基又は炭素原子数８ないし１６のアラルキニル基を表わし；ここで、これらの基の各々は、未置換であるか又は１つ以上のヒドロキシ基、チオール基、カルボキシル基、炭素原子数２ないし５のアルコキシカルボニル基又は炭素原子数２ないし５のアルカノイルオキシ基によって置換されるか；又は、
Ｒ5は、独立して、
【化６】
2008500308.tif 000006
、ポリ（テトラヒドロフラン）残基、ポリ（フェニレンエーテル）残基又はペルフルオロ
化炭素原子数１ないし２０のアルキル基を表わし；
Ｒ7は、独立して、直接結合、炭素原子数１ないし６のアルキレン基、２ないし６個の炭
素原子を有するアルキレンオキシアルキレン基、２ないし６個の炭素原子を有するアルキレンチオアルキレン基、炭素原子数１ないし６のアルキレンオキシ基、２ないし６個の炭素原子を有するアルケニレンオキシアルキレン基、３ないし９個の炭素原子を有するアルキレンチオアルキレンオキシアルキレン基；アルキレン部分が１ないし６個の炭素原子を含み、かつアミド窒素が未置換であるか又は炭素原子数１ないし５のアルキル基で更に置換されるところのカルボンアミドアルキレン基、アルキレン部分が１ないし６個の炭素原子を含み、かつアミド窒素が未置換であるか又は炭素原子数１ないし５のアルキル基で更に置換されるところのスルホンアミドアルキレン基、カルボンアミドアルキレン部分が上記で定義した通りであり、かつチオアルキレン部分が１ないし６個の炭素原子を含むところのカルボンアミドアルキレンチオアルキレン基、又はスルホンアミドアルキレン部分が上記で定義した通りであり、かつチオアルキレン部分が１ないし６個の炭素原子を含むところのスルホンアミドアルキレンチオアルキレン基を表わすが、但し、ｇが１又は２を表わす場合、Ｒ7はチオ基を含まず；
Ｒx、Ｒy及びＲzは、互いに独立して、炭素原子数１ないし５のアルキル基又は水素原子
を表わし；
ｈは、１又は２を表わし；
ｇは、０、１又は２を表わすが、但し、ｈが２を表わす場合、ｇは０を表わし；
ｄは、０又は１を表わし、
Ｄは、炭素原子数２ないし１０のアルキレン基、４ないし１０個の炭素原子を有するアルキレンオキシアルキレン基、ペンタエリトリチルジアセテート基又はペンタエリトリチルジプロピオネート基を表わし；
ｎは、１又は２０を表わし；
ｍは、２又は４を表わし；
ｐは、２又は３０を表わし；
ｑは、１又は２を表わし；及び、
Ｒfは、独立して、３ないし２０個の完全にフッ素化された炭素原子を有するペルフルオ
ロ化アルキル基、アルケニル基又はシクロアルキル基を表わす。）で表わされる化合物。
【請求項２】
式（ＩＩ）
【化７】
2008500308.tif 000007
（式中、Ｒ7、Ｒx、Ｒy、Ｒz、ｈ、ｇ、ｄ、Ｄ及びＲfは請求項１で定義した通りである
。）で表わされる化合物と、Ｒ2−ＣＯＯＨ、Ｒ2−ＣＯＣｌ、Ｒ2−ＣＯＯＲ9、ＨＯＯＣ−Ｒ3−ＣＯＯＨ、ＣｌＯＣ−Ｒ3−ＣＯＣｌ、Ｒ9ＯＯＣ−Ｒ3−ＣＯＯＲ9、ＨＯＯＣ−
Ｒ6−ＣＯＯＨ、ＣｌＯＣ−Ｒ6−ＣＯＣｌ、Ｒ9ＯＯＣ−Ｒ6−ＣＯＯＲ9、Ｒ4−Ｏ−ＣＯＣｌ、Ｒ5−Ｃｌ、Ｒ5−Ｂｒ及びＲ5−Ｉ（式中、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は請求項１で定義した通りであり、Ｒ9は炭素原子数１ないし５のアルキル基を表わす。）からなる群
から選択される少なくとも１種の化合物を反応させることによって得られる化合物。
【請求項３】
ａ）天然、合成又は半合成材料、及び、
ｂ）請求項１に記載の式（Ｉ）で表わされる少なくとも１種の化合物
を含む組成物。
【請求項４】
成分ａ）及びｂ）に加えて、更なる添加剤を含む請求項３に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月11日(2008.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
4-(1-｛(2S)-3-[(6-クロロナフタレン-2-イル)スルホニル]-2-ヒドロキシプロパノイル｝ピペリジン-4-イル)モルホリン-3-オン、
1-(4-｛(2S)-3-[(6-クロロナフタレン-2-イル)スルホニル]-2-ヒドロキシプロパノイル｝ピペラジン-1-イル)ピペリジン-2-オン、
1-(1-｛(2S)-3-[(6-クロロナフタレン-2-イル)スルホニル]-2-ヒドロキシプロパノイル｝ピペリジン-4-イル)テトラヒドロピリミジン-2(1H)-オン、
1-(4-｛(2S)-3-[(6-クロロナフタレン-2-イル)スルホニル]-2-ヒドロキシプロパノイル｝ピペラジン-1-イル)テトラヒドロピリミジン-2(1H)-オン、
1-(1-｛3-[(6-クロロナフタレン-2-イル)スルホニル]プロパノイル｝ピペラジン-4-イル)テトラヒドロピリミジン-2(1H)-オン、
(2S)-3-[(6-クロロナフタレン-2-イル)スルホニル]-1-(2-イミノ-1,4'-ビピペリジン-1'-イル)-1-オキソプロパン-2-オール、
1'-｛(2S)-3-[(6-クロロナフタレン-2-イル)スルホニル]-2-ヒドロキシプロパノイル｝-1,4'-ビピペリジン-2-オン、および
2-(1-｛(2S)-3-[(6-クロロナフタレン-2-イル)スルホニル]-2-ヒドロキシプロパノイル｝ピペリジン-4-イル)イソインドリン-1-オンからなる群から選ばれる化合物またはその塩。
【請求項２】
4-(1-｛(2S)-3-[(6-クロロナフタレン-2-イル)スルホニル]-2-ヒドロキシプロパノイル｝ピペリジン-4-イル)モルホリン-3-オンまたはその塩である請求項１記載の化合物またはその塩。
【請求項３】
1-(1-｛(2S)-3-[(6-クロロナフタレン-2-イル)スルホニル]-2-ヒドロキシプロパノイル｝ピペリジン-4-イル)テトラヒドロピリミジン-2(1H)-オンまたはその塩である請求項１記載の化合物またはその塩。
【請求項４】
1'-｛(2S)-3-[(6-クロロナフタレン-2-イル)スルホニル]-2-ヒドロキシプロパノイル｝-1,4'-ビピペリジン-2-オンまたはその塩である請求項１記載の化合物またはその塩。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月16日(2008.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学式（Ｉ）の化合物を有する第一の化合物と、
【化１】
2008500390.tif 000001
睡眠誘発作用薬又はその薬学的に許容可能な塩を有する第二の化合物と
を含む医薬組成物。
【請求項２】
前記睡眠誘発作用薬が、バルビツール酸、ベンゾジアゼピン、直接的ＧＡＢＡ作動薬、ＧＡＢＡ受容体の正のアロステリック調節剤、及びベータカルボリンからなる群から選択される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記睡眠誘発作用薬が、アルプラゾラム、クロルジアゼポキシド、クロラゼペイト、エスタゾラム、フルラゼパム、ヒドロキシジン、ロラゼパム、ペントバルビタール、クアゼパム、セコバルビタール、テマゼパム、トリアゾラム、ベイリウム、ザレプロン、ゾルピデム、ゾピクロン、エスゾピクロン、ザレプロン、ガボキサドール、インディプロン及びアベカルニルからなる群より選択される、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
患者の不眠症を治療するための、請求項１から３の何れか一項に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月21日(2008.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
運動ニューロン疾患を処置するための、ＶＥＧＦを含有する医薬品であって、該ＶＥＧＦが０．０１〜０．６μg/kg/日の範囲内の用量で発症の場所に連続的に投与される、医薬品。
【請求項２】
該ＶＥＧＦが０．０１〜０．２μg/kg/日の範囲内の用量で投与される、請求項１記載の医薬品。
【請求項３】
該ＶＥＧＦが０．０１〜０．１μg/kg/日の範囲内の用量で投与される、請求項１記載の医薬品。
【請求項４】
該ＶＥＧＦが０．０１〜０．０８μg/kg/日の範囲内の用量で投与される、請求項１記載の医薬品。
【請求項５】
該ＶＥＧＦが０．０１〜０．０６μg/kg/日の範囲内の用量で投与される、請求項１記載の医薬品。
【請求項６】
投与がくも膜下腔内である、請求項１〜５のいずれか１項記載の医薬品。
【請求項７】
投与が脳室内である、請求項１〜５のいずれか１項記載の医薬品。
【請求項８】
ＶＥＧＦの連続的な投与が、埋め込まれた浸透圧ミニポンプを介して行われる、請求項１〜７のいずれか１項記載の医薬品。
【請求項９】
運動ニューロン疾患が筋萎縮性側索硬化症である、請求項１〜８のいずれか１項記載の医薬品。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月2日(2008.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（ＶＩＩＩ）の化合物：
【化１】
2008500316.tif 000001
を式（ＶＩＩ）の化合物：
【化２】
2008500316.tif 000002
（式中、それぞれのＸは独立してＨまたはＦであり、そしてＲは水素、ハロゲン、シアノ、メチル、シアノメチル、フロオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチルおよび−Ｓｉ［（１〜４Ｃ）アルキル］３から選択される）から形成するための方法であって、式（ＶＩＩ）の化合物の溶液を臭素で処理することを含む前記方法。
【請求項２】
臭素がin situで臭素酸塩、臭化物および酸から生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
請求項１で定義した式（ＶＩＩ）の化合物から請求項１で定義した式（ＶＩＩＩ）の化合物を製造するための方法であって、式（ＶＩＩ）の化合物の溶液を臭素酸塩、臭化物及び酸で処理することを含む前記方法。
【請求項４】
臭素酸塩が臭素酸アルカリ金属塩である、請求項２または請求項３に記載の方法。
【請求項５】
臭化物が臭化水素酸によって提供される、請求項２〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
臭化水素酸が臭化物および酸を提供する、請求項２〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
請求項１で定義した式（ＶＩＩ）の化合物から請求項１で定義した式（ＶＩＩＩ）の化合物を形成するための方法であって、式（ＶＩＩ）の化合物の溶液を臭素酸アルカリ金属塩および臭化水素酸で処理することを含む前記方法。
【請求項８】
ａ）水と適切な有機溶媒の混合物中の式（ＶＩＩ）の化合物の溶液の臭化水素酸水溶液による処理；および
ｂ）臭素酸アルカリ金属塩水溶液の添加、
を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
メタ亜硫酸水素ナトリウム溶液を添加してすべての過剰な臭素と反応させるための付加的な工程（ｃ）を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
式（ＶＩＩＩ）の生成化合物単離の付加的な工程（ｄ）を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
式（ＶＩＩＩ）の生成化合物を単離する工程が、すべての固体が溶解するまで請求項９の工程（ｃ）に由来する混合物を加熱し、そして式（ＶＩＩＩ）の化合物が結晶化するまで溶液を冷却することにより行われる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
式（ＶＩＩＩ）の化合物：
【化３】
2008500316.tif 000003
（式中、それぞれのＸは独立してＨまたはＦであり、そしてＲは水素、ハロゲン、シアノ、メチル、シアノメチル、フロオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチルおよび−Ｓｉ［（１〜４Ｃ）アルキル］３から選択される）。
【請求項１３】
Ｒが水素、ハロゲン、またはメチルから選択される、請求項１２に記載の化合物。
【請求項１４】
Ｒが水素である、請求項１２または請求項１３に記載の化合物。
【請求項１５】
少なくとも１つのＸがＦである、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１６】
両方のＸがＦである、請求項１５に記載の化合物。
【請求項１７】
１つのＸがＨであり、他のＸがＦであり、そしてＲが水素である、請求項１２に記載の化合物。
【請求項１８】
式（ＩＩ）の化合物を用いた殺菌方法。
【化４】
2008500316.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月2日(2008.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
請求項１に記載の式（I）の化合物、またはその医薬的に許容可能な塩若しくはin-vivo加水分解可能なエステルの製造プロセスであって、プロセス(a)〜(m)の一つを含み、その後、必要により：
i)  全ての保護基を除去する；
ii)  プロドラッグ（たとえばin-vivo加水分解可能なエステル）を形成する；及び／または
iii)  医薬的に許容可能な塩を形成する；
ここで前記プロセス(a)〜(m)は以下の通りである(他に記載しない限り、変数は請求項１の定義通りである)：
a)  本発明のもうひとつの化合物の置換基を変形するか、またはこれに置換基を導入する；
b)  ピリジル-フェニル結合がフェニル-Xとピリジル-X結合を置き換えるように、式（II）の化合物(式中、Xはパラジウム[0]カップリングで有用な離脱基である)の一部と、離脱基Xをもつ式IIaの化合物の一部とを反応させる；
【化３】
2008500317.tif 000001
前記離脱基Xは、二つの分子（II）と(IIa)で同一でも異なっていてもよい；
【化４】
2008500317.tif 000002
c)  ピリジル-フェニルカルバメート誘導体(III)と、好適に置換したオキシランとを反応させてオキサゾリジノン環を形成するか；
【化５】
2008500317.tif 000003
または、前記カルバメートをイソシアネート若しくはアミンで置き換えるか、及び／または前記オキシランを等価試薬：X-CH2CH(場合によりO-保護化)CH2トリアゾール-R1（式中、Xは置換可能な基である）により置き換える変形；
【化６】
2008500317.tif 000004
(d)-COR5としてのR4の場合には、式(IV)：
【化７】
2008500317.tif 000005
（式中、Xは置換可能な置換基であり、
Yはハロまたは
【化８】
2008500317.tif 000006
である）の化合物とアシル化剤との反応；
【化９】
2008500317.tif 000007
e)  -COR5としてのR4に関しては、求核試薬との反応によりアルファハロケトン誘導体から式(IIa)の化合物の形成、続く式(II)の化合物との反応：
【化１０】
2008500317.tif 000008
f)  -COR5としてのR4に関しては、アルコール誘導体の酸化による；
【化１１】
2008500317.tif 000009
g)  オキシムとしてのR4に関しては、アルデヒドまたはケトンと、ヒドロキシルアミンまたはO-アルキル化ヒドロキシルアミン誘導体との反応：
【化１２】
2008500317.tif 000010
h)  -COR5としてのR4に関しては、ピリジル-2-シアノ誘導体(V)と、グリニヤール試薬または同様の金属アルキル試薬との反応、続く加水分解；
【化１３】
2008500317.tif 000011
i)  -COR5としてのR4に関しては、式(IV)のピリジル-2-カルボキシレート誘導体（式中、Xはカルボキシレート誘導体であり、Yはハロである）のアルキル化、続く式(II)の化合物との反応：
【化１４】
2008500317.tif 000012
j)  好適に官能基化した中間体からのトリアゾール環（式中、R4-ピリジル-フェニル環系は既に形成されている）の形成：
【化１５】
2008500317.tif 000013
k)  アジドを経るアセチレンへの付加環化；
【化１６】
2008500317.tif 000014
l)  アミノメチルオキサゾリジノンと、1,1-ジハロケトンスルホニルヒドラゾンとの反応；
【化１７】
2008500317.tif 000015
m)  4-ハロとしてのR1に関しては、アジドメチルオキサゾリジノンとハロビニルスルホニルクロリドとの反応。
【化１８】
2008500317.tif 000016