Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月13日(2007.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケースと、このケースの先端部に設けられた首振り具とから成り、前記ケースの内部に納められたモータの回転軸に、この回転軸の回転運動を往復運動に変換する変換機が取り付けられており、この変換機の出力部に前記首振り具が接続されて前記ケースに対して首振り運動を行い得るように構成されていることを特徴とする、首振り具を備えたマッサージ器。
【請求項２】
前記首振り具が前記ケースに首振り自在に軸止されている、請求項１に記載の首振り具を備えたマッサージ器。
【請求項３】
前記ケースに前記首振り具が複数個設けられている、請求項２に記載の首振り具を備えたマッサージ器。
【請求項４】
前記モータがその回転軸をケースの長手方向の先方に向けるようにしてケースに納められており、前記回転軸はギヤ列を介して、前記ケースを横断するように設けられた回転軸に軸支された回転円板に接続されており、前記変換機は、前記回転円板と、この回転円板の偏心軸にその一端部が係止された往復杆とから成るものであり、この往復杆の他端部がこの変換機の出力部である、請求項１に記載の首振り具を備えたマッサージ器。
【請求項５】
少なくとも前記首振り具の部分に、柔軟な素材から成るカバーが掛けられている、請求項１に記載の首振り具を備えたマッサージ器。
【請求項６】
このマッサージ器にバイブレータが設けられている、請求項１に記載の首振り具を備えたマッサージ器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】  前記クラウンギア４は特殊な形状のものである。すなわち回転軸４０の周りに軸をずらすようにして偏心環４３が形成されている。往復杆３の下端部（図１の下側の端部）には箱体３０が設けられており、この側面部に縦長の円形の開孔部３１が設けられている。そしてこの箱体３０が前記偏心環４３にはめ込まれており、また開孔部３１に前記回転軸４０（ピンである）が収まるように、往復杆３とクラウンギア４とが組み付けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月28日(2007.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タンク収容凹部を側面に有する除湿機本体と、水を貯めるためのものであって前記タンク収容凹部から手前に倒すようにして取り出すことができるタンクとを備える、除湿機。
【請求項２】
除湿機において水を貯めるためのタンクであって、  透明な材料によって形成されたタンク本体を備え、  前記タンク本体は、側面の内側に凹凸パターンが設けられた水位識別領域を有する、タンク。
【請求項３】
除湿機において水を貯めるためのタンクであって、底面に内側に向かって凹んだ位置決め凹部を有する、タンク。
【請求項４】
除湿機において水を貯めるためのタンクであって、  上方に開口部を有するタンク本体と、前記開口部を塞ぐためのタンク蓋とを備え、  前記タンク本体は上から見たときに第１の方向に沿って細長く見えるような扁平な形状をしており、  前記タンク蓋は、前記タンク本体内の前記第１の方向に関する中央に相当する位置において少なくとも一部が略上下に移動できるように配置されたフロートを備える、タンク。
【請求項５】
除湿機において水を貯めるためのタンクであって、  上方に開口部を有するタンク本体と、前記開口部を塞ぐためのタンク蓋と、前記タンク蓋を前記タンク本体に対して固定するために前記タンク本体の側面に取り付けられるタンク蓋固定部材とを備え、  前記タンク蓋は上部に第１ロック部を備え、  前記タンク本体は下部にフック受け部を備え、  前記タンク蓋固定部材は下部にフックを備え、上部に第２ロック部を備え、  前記タンク蓋固定部材は、前記フックを前記フック受け部に掛けてから前記第２ロック部を前記第１ロック部に対して係止させることによって前記タンク蓋を前記タンク本体に対して押さえつける姿勢で固定されるものである、タンク。
【請求項６】
請求項２から５のいずれかに記載のタンクを備える除湿機。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月30日(2007.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部と、該表示部に表示する表示情報を格納する表示情報格納部と、該表示情報格納部に格納された表示情報と関連する関連情報を格納する関連情報格納部と、前記表示情報格納部に格納された表示情報及び前記関連情報格納部に格納された関連情報のうち、所定の鉄道の車両内に存するクライアント端末が要求する情報を該クライアント端末に送信する第１送受信部と、を備え、前記表示情報格納部及び関連情報格納部には、前記表示情報及び関連情報が関連付けられた状態で格納されるよう構成されている情報配信システムが二以上設けられた情報配信ネットワークシステムであって、
前記二以上の情報配信システムは、前記所定の鉄道の車両内に設置され、
前記情報配信システムのうち一の情報配信システムは、前記表示情報格納部に格納する表示情報及び前記関連情報格納部に格納する関連情報を外部端末から受信可能な第２送受信部と、該第２送受信部によって受信された表示情報及び関連情報を他の情報配信システムに送信可能な第３送受信部と、を備え、
前記情報配信システムのうち他の情報配信システムは、前記一の情報配信システムから表示情報及び関連情報を受信可能な第４送受信部を備え、
前記一の情報配信システムは、前記第２送受信部が表示情報及び関連情報を受信すると、受信した表示情報及び関連情報を前記表示情報格納部及び関連情報格納部それぞれに格納し、
前記他の情報配信システムは、前記第４送受信部が表示情報及び関連情報を受信すると、受信した表示情報及び関連情報を前記表示情報格納部及び関連情報格納部それぞれに格納するように構成されていることを特徴とする情報配信ネットワークシステム。
【請求項２】
前記第１送受信部は、前記所定の鉄道の車両内に存するクライアント端末と無線ＬＡＮを形成し、該無線ＬＡＮが形成されたクライアント端末からの要求にのみ応じるように構成されていることを特徴とする請求項１記載の情報配信ネットワークシステム。
【請求項３】
前記第１送受信部は、前記無線ＬＡＮが形成されたクライアント端末に、前記表示情報格納部に格納された表示情報及び前記関連情報格納部に格納された関連情報のうち、送信可能な情報のリストを送信し、そのリストに掲載された情報のうち、特定の情報の送信の要求を前記クライアント端末から受信すると、前記クライアント端末に要求された情報を送信するよう構成されていることを特徴とする請求項２記載の情報配信ネットワークシステム。
【請求項４】
前記送信可能な情報のリストは、所定の時間内に前記表示部に表示された表示情報及びそれに関連する関連情報のいずれか一以上であることを特徴とする請求項３記載の情報配信ネットワークシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報配信ネットワークシステム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電車などの車両内に設置された表示装置などから情報を配信する情報配信ネットワークシステムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、本発明は、表示装置などに表示した情報に関連する詳細な情報をユーザに知らせ、又は表示された表示情報やそれに関連する関連情報をユーザに取得させることが可能な情報配信ネットワークシステムを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
以上のように、本発明によれば、表示装置などに表示した情報に関連する詳細な情報をユーザに知らせ、又は表示された情報及びそれに関連する関連情報をユーザに取得させることが可能な情報配信ネットワークシステムを提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月4日(2007.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データの再書き込みを行う半導体記憶装置であって、
読み出し時に記憶内容が破壊される記憶素子を含むメモリ部と、
第１の信号および第２の信号のいずれか早い方が非活性状態に遷移したときに、起動信号を出力するタイマー制御回路と、
前記起動信号が出力された後、一定時間に亘ってタイマー信号を出力するタイマー回路と、
前記第１の信号が活性状態に遷移したときから前記タイマー信号が出力されなくなるまでの間、前記メモリ部を活性化させるとともに、前記タイマー信号が出力されている間に前記メモリ部に対する再書き込みを行うメモリ部制御回路とを備えた、半導体記憶装置。
【請求項２】
データの再書き込みを行う半導体記憶装置であって、
読み出し時に記憶内容が破壊される記憶素子を含むメモリ部と、
データの読み出し時には、第１の信号が活性状態に遷移したときに、データの書き込み時には、前記第１の信号および第２の信号のいずれか早い方が非活性状態に遷移したときに、起動信号を出力するタイマー制御回路と、
前記起動信号が出力された後、一定時間に亘ってタイマー信号を出力するタイマー回路と、
前記第１の信号が活性状態に遷移したときから前記タイマー信号が出力されなくなるまでの間、前記メモリ部を活性化させるとともに、前記タイマー信号が出力されている間に前記メモリ部に対する再書き込みを行うメモリ部制御回路とを備えた、半導体記憶装置。
【請求項３】
前記タイマー制御回路は、供給された電源電圧検知信号が電源電圧の低下を示すときにも、前記起動信号を出力することを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記第１の信号が外部チップイネーブル信号であり、前記第２の信号が外部ライトイネーブル信号であることを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記タイマー制御回路は、前記タイマー信号が出力されている間、外部からの信号の入力を禁止することを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記第１の信号が活性状態に遷移したときに前記第２の信号を取り込み、取り込んだ前記第２の信号に応じて、データの読み出しを行うか書き込みを行うかを決定する動作制御回路と、
前記動作制御回路により決定された動作に応じて前記メモリ部にアクセスするアクセス回路とをさらに備えた、請求項１または２に記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
前記アクセス回路は、前記第１の信号の遷移から所定の時間後に、前記第２の信号の非活性状態から活性状態への遷移、あるいは、活性状態から非活性状態への遷移のうち、いずれか一方の遷移に応じて前記メモリ部へアクセスすることを特徴とする、請求項６に記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
前記第１の信号が外部チップイネーブル信号であり、前記第２の信号が外部ライトイネーブル信号であることを特徴とする、請求項７に記載の半導体記憶装置。
【請求項９】
前記第１の信号が外部チップイネーブル信号であり、前記第２の信号が外部出力イネーブル信号であることを特徴とする、請求項７に記載の半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記第１の信号が活性状態に遷移してから所定の時間内に前記第２の信号が遷移すると、前記メモリ部に対するアクセスが、内部回路によって発生される信号により制御されることを特徴とする、請求項６に記載の半導体記憶装置。
【請求項１１】
前記第１の信号が活性状態に遷移してから所定の時間以降に前記第２の信号が遷移すると、前記メモリ部に対するアクセスが、外部から入力される信号によって制御されることを特徴とする、請求項６に記載の半導体記憶装置。
【請求項１２】
前記メモリ部は、
前記記憶素子から読み出されたデータを取り込むセンスアンプと、
前記センスアンプと前記記憶素子とを分離するスイッチとを含み、
前記スイッチは、前記記憶素子から読み出されたデータが前記センスアンプに取り込まれた後に閉じることを特徴とする、請求項７に記載の半導体記憶装置。
【請求項１３】
前記タイマー回路は、前記スイッチが閉じられた後に前記タイマー信号を出力することを特徴とする、請求項１２に記載の半導体記憶装置。
【請求項１４】
前記記憶素子は、強誘電体セルを含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体記憶装置。
【請求項１５】
前記記憶素子は、ダイナミック型セルを含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体記憶装置。
【請求項１６】
前記第１の信号の遷移から所定の時間後に、前記第２の信号の非活性状態から活性状態への遷移、あるいは、活性状態から非活性状態への遷移のうち、いずれか一方の遷移に応じて前記メモリ部へアクセスするアクセス回路とをさらに備えた、請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項１７】
前記第１の信号の遷移から所定の時間後に、前記第２の信号の非活性状態から活性状態への遷移、あるいは、活性状態から非活性状態への遷移のうち、いずれか一方の遷移に応じて前記メモリ部へアクセスするアクセス回路とをさらに備えた、請求項２記載の半導体記憶装置。
【請求項１８】
前記第１の信号が外部チップイネーブル信号であり、前記第２の信号が外部ライトイネーブル信号であることを特徴とする、請求項１６または請求項１７に記載の半導体記憶装置。
【請求項１９】
前記第１の信号が外部チップイネーブル信号であり、前記第２の信号が外部出力イネー
ブル信号であることを特徴とする、請求項１６または請求項１７に記載の半導体記憶装置。
【請求項２０】
前記記憶素子は、強誘電体セルを含むことを特徴とする、請求項１６または１７に記載の半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月26日(2007.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活物質の粒子を含む活物質層を備え、前記活物質層中に含まれる粒子間に導電性材料が浸透していることを特徴とする非水電解液二次電池用負極。
【請求項２】
前記導電性材料が前記活物質層の厚み方向全域に亘って浸透している請求項１記載の非水電解液二次電池用負極。
【請求項３】
前記活物質が、リチウム化合物の形成能の高い元素を含むものである請求項１又は２記載の非水電解液二次電池用負極。
【請求項４】
導電性箔を更に備え、該導電性箔の各面に前記活物質層がそれぞれ形成されている請求項１ないし３の何れかに記載の非水電解液二次電池用負極。
【請求項５】
請求項１に記載の負極を備えることを特徴とする非水電解液二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月15日(2007.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材微粒子の表面が導電性膜で被覆されており、前記導電性膜は表面に隆起した突起を有する導電性微粒子であって、
前記導電性膜の表面の隆起した突起は、軟質の金属粒子と硬質の非金属粒子とをそれぞれ芯物質とし、
軟質の金属粒子の平均粒子径は、硬質の非金属粒子の平均粒子径に対して、１．０５〜６倍であり、軟質の金属粒子のビッカース硬度は５０〜９９９であり、硬質の非金属粒子のビッカース硬度は１０００〜３０００であることを特徴とする導電性微粒子。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月25日(2007.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス供給手段及びガス排気手段を備えた真空処理室と、
該真空処理室内で試料を載置して保持する試料載置電極と、
ガス供給手段及びガス排気手段を備えた搬送室と、
前記真空処理室と搬送室間を連絡する通路を開閉するゲートバルブと、
前記ゲートバルブ開閉時、前記搬送室が前記真空処理室に対して数パスカルないし数十パスカル陽圧になるように圧力制御を行うコンピュータと、
搬送室内に配置した搬送アーム及び該搬送アーム先端に配置した試料保持部を備え、試料を該保持部に保持して前記搬送室から真空処理室に搬送し、処理済みの試料を真空処理室から搬送室に搬送する搬送装置と、
搬送中の試料の搬送位置に連動してガスを噴出する複数のガス噴出口を有するガス吹きつけ手段と、
前記試料載置電極側に設けられたスリットとを備え、該スリットは前記試料載置電極が上昇した処理位置において、前記試料載置電極上の空間と載置電極外周及び下方の空間とを分割し、前記通路よりも上側に位置するようにし、該試料載置電極を、試料の搬送位置まで下げたときは、該スリットが前記搬送アームよりも下に位置するようにした、半導体製造装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体製造装置において、
前記ガス吹きつけ手段は、前記ゲートバルブの開閉時にゲートバルブにガスを吹き付ける、半導体製造装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体製造装置において、
前記真空処理室には処理ガスを供給するためのガス噴出口の他に、試料にガスを噴射するためのガス噴出口を、前記真空処理室内において搬送室と処理室を接続する搬送口と略反対側に備えた、半導体製造装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体製造装置において、
前記搬送装置はガスの吹き出し方向を可変に制御できるガス吹きつけ手段を備えた、半導体製造装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体製造装置において、
前記ガス吹きつけ手段は、前記複数のガス噴出口を、試料の搬送経路に沿って備えた、半導体製造装置。
【請求項６】
ガス供給手段及びガス排気手段を備えた真空処理室と、
該真空処理室内で試料を載置して保持する試料載置電極と、
ガス供給手段及びガス排気手段を備えた搬送室と、
前記真空処理室と搬送室間を連絡する通路を開閉するゲートバルブと、
前記ゲートバルブ開閉時、前記搬送室が前記真空処理室に対して数パスカルないし数十パスカル陽圧になるように圧力制御を行うコンピュータと、
搬送室内に配置した搬送アーム及び該搬送アーム先端に配置した試料保持部を有し、試料を該保持部に保持して前記搬送室から真空処理室に搬送し、処理済みの試料を真空処理室から搬送室に搬送する搬送装置と、
前記試料載置電極側に設けられたスリットとを備え、該スリットは、前記試料載置電極が上昇した処理位置において、前記試料載置電極上の空間と載置電極外周及び下方の空間とを分割し、前記通路よりも上側に位置するようにし、
被処理体の搬送動作に連動して、真空処理室または搬送室のガスの流れを前記コンピュータで制御することにより、異物粒子の試料への飛散を抑制した、半導体製造装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体製造装置において、
前記真空処理室には処理ガスを供給するためのガス噴出口の他に、試料にガスを噴射するためのガス噴出口を、前記真空処理室内において搬送室と処理室を接続する搬送口と略反対側に備えた、半導体製造装置
【請求項８】
請求項６記載の半導体製造装置において、
前記ゲートバルブを開閉する際は前記試料載置電極を上に上げておくように制御する、半導体製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ガス供給手段及びガス排気手段を備えた真空処理室と、該真空処理室内で試料を載置して保持する試料載置電極と、ガス供給手段及びガス排気手段を備えた搬送室と、前記真空処理室と搬送室間を連絡する通路を開閉するゲートバルブと、前記ゲートバルブ開閉時、前記搬送室が前記真空処理室に対して数パスカルないし数十パスカル陽圧になるように圧力制御を行うコンピュータと、搬送室内に配置した搬送アーム及び該搬送アーム先端に配置した試料保持部を備え、試料を該保持部に保持して前記搬送室から真空処理室に搬送し、処理済みの試料を真空処理室から搬送室に搬送する搬送装置と、搬送中の試料の搬送位置に連動してガスを噴出する複数のガス噴出口を有するガス吹きつけ手段と、前記試料載置電極側に設けられたスリットとを備え、該スリットは前記試料載置電極が上昇した処理位置において、前記試料載置電極上の空間と載置電極外周及び下方の空間とを分割し、前記通路よりも上側に位置するようにし、該試料載置電極を、試料の搬送位置まで下げたときは、該スリットが前記搬送アームよりも下に位置するようにした。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月21日(2007.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この基板１０は、図２に示したように、低欠陥領域１００Ａ中に、高欠陥領域１００Ｂが規則的（周期的）に、例えば横方向に数百μｍ程度の周期で配列されたＧａＮ基板１００の一部を切り出した部材により構成されている。この高欠陥領域１００Ｂは、ＧａＮ基板１００表面において軸方向に延在する連続帯状となっており、ＧａＮ基板１００を軸方向および縦方向に貫通する平面形状となっている。なお、このＧａＮ基板１００の低欠陥領域１００Ａにおける平均転位密度は、例えば５x １０5 ｃｍ-2であり、高欠陥領域１００Ｂにおける平均転位密度は例えば２x １０8 ｃｍ-2である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、ｐ型クラッド層１６の一部およびｐ型コンタクト層１７には、後述のようにｐ型クラッド層１６まで形成したのち選択的にエッチングすることにより、軸方向に延在する帯状のリッジ部（突条部）１８が複数設けられている。このリッジ部１８は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層３０の各低欠陥領域３０Ａに形成されており、活性層１４のうちリッジ部１８に対応する領域に電流注入領域（発光領域）が形成されるようになっている。なお、リッジ部１８は、活性層１４の電流注入領域の大きさを制限すると共に、横方向の光モードを基本（０次）モードに安定に制御し、軸方向に導波させる機能を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図３〜図５はその製造方法を工程順に表したものである。２ビーム型半導体レーザ素子１を製造するためには、ＧａＮ基板１００（図２参照）上のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層３０を、例えば、ＭＯＣＶＤ法により形成する。この際、ＧａＮ系化合物半導体の原料としては、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、アンモニア (ＮＨ3)を用い、ドナー不純物の原料としては、例えばセレン化水素（Ｈ2 Ｓｅ）を用い、アクセプタ不純物の原料としては、例えばジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）を用いる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月14日(2007.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材とその上に形成された紫外線硬化型粘着剤層とからなり、
該紫外線硬化型粘着剤層の紫外線硬化前の粘着力が１０，０００ｍＮ／２５ｍｍ以上であり、
該紫外線硬化型粘着剤層の粘着力において、被着体に未貼付状態で紫外線硬化した後被着体に貼付して測定した粘着力が１００〜１，０００ｍＮ／２５ｍｍであり、
該紫外線硬化型粘着剤層の紫外線硬化後の２３℃における貯蔵弾性率が１．０×１０8
Ｐａ以上であるダイシングシート。
【請求項２】
請求項１のダイシングシートを、高低差１００μｍ以上のバンプを有する電子部品集合体のバンプ形成面に貼付し、個別の電子部品にダイシングを行う電子部品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記した課題を解決するための手段は以下のとおりである。
（１）  基材とその上に形成された紫外線硬化型粘着剤層とからなり、該紫外線硬化型粘着剤層の紫外線硬化前の粘着力が１０，０００ｍＮ／２５ｍｍ以上であり、該紫外線硬化型粘着剤層の粘着力において、被着体に未貼付状態で紫外線硬化した後被着体に貼付して測定した粘着力が１００〜１，０００ｍＮ／２５ｍｍであり、該紫外線硬化型粘着剤層の紫外線硬化後の２３℃における貯蔵弾性率が１．０×１０8Ｐａ以上であるダイシング
シート。
（２）  （１）のダイシングシートを、高低差１００μｍ以上のバンプを有する電子部品集合体のバンプ形成面に貼付し、個別の電子部品にダイシングを行う電子部品の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
紫外線硬化型粘着剤層の粘着力において、被着体に未貼付状態で紫外線硬化した後被着体に貼付して測定した粘着力（β）は１００〜１，０００ｍＮ／２５ｍｍであり、好ましくは３００〜８００ｍＮ／２５ｍｍ、特に好ましくは４００〜６００ｍＮ／２５ｍｍである。また、紫外線硬化型粘着剤層の紫外線硬化後の２３℃における貯蔵弾性率は１．０×１０8Ｐａ以上であり、好ましくは１．０×１０8〜１．０×１０9Ｐａ、特に好ましくは
２．０×１０8〜５．０×１０8Ｐａである。このような特定の測定方法による紫外線硬化後の粘着力および貯蔵弾性率を有する紫外線硬化型粘着剤層であれば、ダイシングによって個片化された電子部品のバンプ周辺などに、粘着剤が付着したまま残存してしまうことがない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
【表１】
2006216773.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月23日(2007.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ異なる一定電位にされる対の平面電極を対向して備え、
該対の平面電極間に空隙を有する領域を設け、
該領域における前記対の平面電極間に、該平面電極より導電率が小さい柱状の抵抗体を挟持させて配設したことを特徴とするプリント配線基板。
【請求項２】
請求項１記載のプリント配線基板において、
前記領域に前記空隙を挟んで対向する対の絶縁板を設け、該対の絶縁板の各外表面に前記平面電極を形成し、前記柱状の抵抗体が前記対の絶縁板をそれぞれ貫通して前記対の平面電極に接触していることを特徴とするプリント配線基板。
【請求項３】
請求項１又は２記載のプリント配線基板において、
前記空隙が、真空又は真空に近い状態であることを特徴とするプリント配線基板。
【請求項４】
請求項１又は２記載のプリント配線基板において、
前記空隙に、前記対の平面電極間の電位差以上の絶縁耐圧を有する絶縁体が充填されていることを特徴とするプリント配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明によるプリント配線基板は、上記の目的を達成するため、それぞれ異なる一定電位にされる対の平面電極を対向して備え、その対の平面電極間に空隙を有する領域を設け、その領域における上記対の平面電極間に、該平面電極より導電率が小さい柱状の抵抗体を挟持させて配設したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記領域に上記空隙を挟んで対向する対の絶縁板を設け、その対の絶縁板の各外表面に上記平面電極を形成し、上記柱状の抵抗体がその対の絶縁板をそれぞれ貫通して上記対の平面電極に接触するようにしてもよい。
上記空隙を真空又は真空に近い状態にするのが望ましい。
あるすは、上記空隙に、上記対の平面電極間の電位差以上の絶縁耐圧を有する絶縁体を充填してもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
抵抗体１５は、図１及び図２に示したように角柱状にするか、あるいは円柱状にすると、平面電極１１，１２を支持し易く、実装時などの強度的にも強い。また、空気もしくは真空領域を確保するために空隙１３が必要であるが、その間隔を十分に小さくすることによって容量を上げることが出来る。
抵抗体の均一性を確保し、プリント配線板の強度も増すために、平面電極間に配設する抵抗体として従来使用されていた、均一な形状の貫通孔が多数形成された抵抗材からなるシート状抵抗体の例を図３に示す。（ａ）は縦横格子状、（ｂ）は網目状もしくは蜂の巣（ハニカム）状、（ｃ）はたこ焼き器状に、それぞれ多数の孔が隣接して形成されたシート状抵抗体１６，１７，１８を示し、黒い部分がカーボン等の抵抗体で、白抜き部分が孔である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
次に、この発明によるプリント配線基板の他の実施形態を図７及び図８によって簡単に説明する。図７及び図８は発明によるプリント配線基板の他の異なる実施形態を示す図１と同様な要部断面図であり、図１と同じ部分には同一の符号を付してあり、それらの説明は省略する。
図７に示すプリント配線基板２では、図２に示した領域１４に相当する部分に、空隙１３を形成するためのスペーサ２３挟んで対向する対のガラス等の対の絶縁板２１，２２を設け、その絶縁板２１，２２の各外表面に平面電極１１，１２を形成し、各柱状の抵抗体１５が対の絶縁板２１，２２をそれぞれ貫通して対の平面電極１１，１２に接触している。このようにすれば、平面電極１１，１２間の絶縁性と支持強度を高めることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【図１】図２のＸ−Ｘ線に沿う要部断面図である。
【図２】この発明によるプリント配線基板の一実施形態の要部平面図である。
【図３】従来使用されていたシート状抵抗体の例を示す部分的な平面図である。
【図４】この実施形態による入射波と伝送波の関係を説明するための説明図である。
【図５】この実施形態によるＴ型フィルタ回路を構成する部分の等価回路図である。
【図６】この実施形態によるＴ型フィルタ回路を構成する部分の等価回路図である。。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月3日(2007.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を製造するために基板に対して処理を行うように構成され、装置の状態に影響を与える因子である監視対象の監視結果に基づいて装置の異常を検出する半導体製造装置において、
複数の監視対象を夫々監視する複数の監視手段と、
これら複数の監視手段の少なくとも一つの監視手段の監視結果に基づいて装置の異常を検出する異常検出手段と、
複数の監視対象の監視結果の組み合わせに基づいたデータのモデルと異常原因とを対応付けた異常判別データを記憶する記憶部と、  
前記異常検出手段により装置の異常が検出されたときに、前記複数の監視対象の中から選択された、その異常に関連する少なくとも２つの監視対象の監視結果の組み合わせに基づいた異常データを作成するための異常データ作成手段と、
この異常データ作成手段で作成された異常データに対し、対応する監視対象について前記記憶部内の前記異常判別データのモデルの中で一致しているモデルの有無を検索し、一致しているモデルが存在したときにはそのモデルに対応する異常原因を読み出して知らせる検索手段と、を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記一致しているモデルは、異常に関連する少なくとも２つの監視対象の監視結果の組み合わせに基づいたデータに対し、予め定められた度合いよりも類似しているデータのモデルであることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項３】
予め定められた度合いよりも類似しているデータのモデルは、予め数値化された類似度合いよりも類似しているデータのモデルであることを特徴とする請求項２記載の半導体製造装置。
【請求項４】
監視対象の監視結果の組み合わせに基づいたデータは、監視結果の組み合わせパターンであることを特徴とする請求項１または２記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記異常データ作成手段は、異常検出手段により装置の異常が検出されたときに、その異常に関連する少なくとも２つの監視対象の監視結果である検出値の各々を標準化し、標準化された値に基づいて当該監視結果の組み合わせに基づくデータを作成することを特徴とする請求項１、２または４に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
少なくとも２つの監視対象の監視結果の組み合わせに基づくデータは、各監視対象の監視結果である検出値を標準化した値の組み合わせに基づくデータであることを特徴とする請求項５記載の半導体製造装置。
【請求項７】
少なくとも２つの監視対象の監視結果の組み合わせに基づくデータは、各監視対象の監視結果である検出値を標準化した値を更に閾値により評価し、その評価結果の組み合わせであることを特徴とする請求項５記載の半導体製造装置。
【請求項８】
前記異常検出手段により装置の異常が検出されたときに、前記複数の監視対象の中からその異常に関連する少なくとも２つの監視対象を選択して監視結果の組み合わせを得るための選択手段を備えたことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一つに記載の半導体製造装置。
【請求項９】
選択手段は、表示画面を用いてオペレータが監視対象を選択できるように構成されていることを特徴とする請求項８記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
前記記憶部は、複数の監視対象の監視結果の組み合わせパターンに基づくデータのモデルと異常原因とその異常に関連するデータとを対応付けた異常判別データを記憶していることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一つに記載の半導体製造装置。
【請求項１１】
異常に関連するデータは、異常に対する対策を含み、
前記検索手段は、一致しているモデルが存在したときにはそのモデルに対応する異常原因に加えて対策を読み出して知らせることを特徴とする請求項１０記載の半導体製造装置。
【請求項１２】
装置の異常が検出されたときに一致しているモデルが存在しないときには、異常データを新たなパターンに基づくデータのモデルとして異常原因と対応付けて記憶部に登録するための登録手段を備えたことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか一つに記載の半導体製造装置。
【請求項１３】
半導体装置を製造するために基板に対して処理を行うように構成された半導体製造装置に用いられるコンピュータプログラムであって、
装置の状態に影響を与える因子である複数の監視対象を夫々監視する複数の監視手段のうちの、少なくとも一つの監視手段の監視結果に基づいて装置の異常を検出するステップと、
装置の異常が検出されたときに、その異常に関連する少なくとも２つの監視対象の監視結果の組み合わせに基づく異常データを作成するステップと、
このステップで作成された異常データに対して、複数の監視対象の監視結果の組み合わせに基づくデータのモデルと異常原因とを対応付けた異常判別データを記憶する記憶部を参照し、対応する監視対象について監視結果の組み合わせに基づくデータのモデルの中で一致しているモデルの有無を検索するステップと、
一致しているモデルが存在したときにはそのモデルに対応する異常原因を読み出して知らせるステップと、
を実行するように構成されたことを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１４】
監視対象の監視結果の組み合わせに基づいたデータは、監視結果の組み合わせパターンであることを特徴とする請求項１３記載のコンピュータプログラム。
【請求項１５】
装置の異常が検出されたときに、その異常に関連する少なくとも２つの監視対象の検出値の各々を標準化し、標準化された値に基づいて当該監視結果の組み合わせに基づく異常データを作成するステップを更に含むことを特徴とする請求項１３記載のコンピュータプログラム。
【請求項１６】
装置の異常が検出されたときに一致しているモデルが存在しないときには、検索の対象となった組み合わせに基づく異常データを新たな異常判別データにおけるモデルとして異常原因と対応付けて記憶部に登録するステップを更に含むことを特徴とする請求項１３ないし１５のいずれか一つに記載のコンピュータプログラム
【請求項１７】
請求項１３ないし１６のいずれか一つに記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とする記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月22日(2007.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル配線基板を所定の部材に固定するフレキシブル配線基板の固定構造において、
前記部材側の所定位置に凸部を設け、
前記フレキシブル配線基板の前記凸部に対応する位置に該凸部を挿通させる切り込みを設け、
前記切り込みは、円形形状の切り込みであるとともに、リング体を備え、
前記凸部は、前記リング体を撓ませつつ挿通する起立筒状、または起立柱状の凸部であり、
前記フレキシブル配線基板の前記切り込み内に前記部材側の前記凸部を挿通させることで、前記フレキシブル配線基板を前記部材に固定することを特徴とするフレキシブル配線基板の固定構造。
【請求項２】
前記凸部の側面に、該凸部の抜け止め用の返し部を有することを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル配線基板の固定構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、フレキシブル配線基板を所定の部材に固定するフレキシブル配線基板の固定構造において、前記部材側の所定位置に凸部を設け、前記フレキシブル配線基板の前記凸部に対応する位置に該凸部を挿通させる切り込みを設け、前記切り込みは、円形形状の切り込みであるとともに、リング体を備え、前記凸部は、前記リング体を撓ませつつ挿通する起立筒状、または起立柱状の凸部であり、前記フレキシブル配線基板の前記切り込み内に前記部材側の前記凸部を挿通させることで、前記フレキシブル配線基板を前記部材に固定することを特徴とするフレキシブル配線基板の固定構造である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記凸部の側面に、該凸部の抜け止め用の返し部を有することを特徴とするフレキシブル配線基板の固定構造である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月8日(2006.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  唇及び瞼のメーキャップ器具であって、該器具が、適用されるべき化粧料の入っている容器、アプリケータ要素を含むアプリケータ、及び拭い取り要素であってアプリケータ要素が拭い取り要素を通って容器から抜き出されるようになってものを含み、少なくともアプリケータ要素（3,11,15,22,42）が拭い取り要素（Ｅ）を通過している間、アプリケータ要素と拭い取り要素は、拭い取り要素がアプリケータ要素の側面全てに拭い取り状態で接触しないよう互いに異なる断面を備え、アプリケータ要素が拭い取り要素を通過した後、幾分かの化粧料がアプリケータ要素上に残ったままであり、また、アプリケータ要素の自由端の全体形状は、プラスチック材料を成形することにより得られることを特徴とする前記器具。
【請求項２】  アプリケータ要素の側面は、円筒形ではないことを特徴とする請求項１記載の器具。
【請求項３】  拭い取り要素は、半径方向内縁が円形である環状リップで構成されていることを特徴とする請求項１記載の器具。
【請求項４】  アプリケータ要素の側面は、横断面で見て、出張りが拭い取り要素の半径方向内縁で構成された葉状部を含む輪郭を備えていることを特徴とする請求項３に記載の器具。
【請求項５】  拭い取り要素は、フォームの塊から成ることを特徴とする請求項１又は２記載の器具。
【請求項６】  アプリケータ要素の側面は、少なくとも一つの凹み（6,12,16,23,43,52,62,63,73,74）を有することを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の器具。
【請求項７】  前記凹みは比較的浅く、その深さは好ましくは、アプリケータ要素の外径の１／４以下であることを特徴とする請求項６に記載の器具。
【請求項８】  アプリケータ要素の自由端は、尖端又は面取り部の形をしていることを特徴とする請求項１〜７のうち何れか１項に記載の器具。
【請求項９】  アプリケータ要素の側面は、複数の長手方向に延びる凹み（6,12,16,23,43）を有していることを特徴とする請求項１〜８のうち何れか１項に記載の器具。
【請求項１０】  アプリケータ要素の側面は、十字の形を有していることを特徴とする請求項１〜９のうち何れか１項に記載の器具。
【請求項１１】  アプリケータ要素の側面は、リング状の凹み（52）を有していることを特徴とする請求項１〜１０のうち何れか１項に記載の器具。
【請求項１２】  アプリケータ要素の側面は、その自由端に向かって開口した少なくとも１つの凹み（6,12,23）を有していることを特徴とする請求項１〜１１のうち何れか１項に記載の器具。
【請求項１３】  アプリケータ要素の側面は、その自由端から距離を置いて終わっている少なくとも１つの凹み（16）を有し、この距離は、好ましくは少なくとも１mmであることを特徴とする請求項１〜１２のうち何れか１項に記載の器具。
【請求項１４】  アプリケータ要素の側面は、長手方向に延びるリブで分離された複数の凹みを有し、これらリブは、横断面が好ましくは丸く且つ外に凸である輪郭を備えていることを特徴とする請求項１〜１３のうち何れか１項に記載の器具。
【請求項１５】  アプリケータ要素の側面は、横断面が丸く且つ外に凹である輪郭を備えた少なくとも１つの凹みを有していることを特徴とする請求項１〜１４のうち何れか１項に記載の器具。
【請求項１６】  アプリケータ要素の側面は、軸対称を保つように配置された複数の凹み、好ましくは２つ、４つ又は６つの凹みを有していることを特徴とする請求項１〜１５のうち何れか１項に記載の器具。
【請求項１７】  アプリケータ要素の自由端は、形状が面取りされたものであり、該自由端は好ましくは、アプリケータの長手方向軸線と１５°〜４５°の角度をなしていることを特徴とする請求項１〜１６のうち何れか１項に記載の器具。
【請求項１８】  アプリケータ要素の側面は、少なくとも２つのリブによって分離された少なくとも２つの凹みを有し、これらリブの出張りは、アプリケータの長手方向軸線及びアプリケータ要素の自由端の前縁を含む平面内に位置していることを特徴とする請求項１７記載の器具。
【請求項１９】  アプリケータ要素の側面は、嵌合部品に設けられた少なくとも１つの凹み（43）を有し、この嵌合部品は、好ましくはスリーブ（42）で構成されることを特徴とする請求項１〜１８のうち何れか１項に記載の器具。
【請求項２０】  アプリケータ要素の最大横方向寸法は、２mm〜６mmの範囲にあり、好ましくは約３mmであることを特徴とする請求項１〜１９のうち何れか１項に記載の器具。
【請求項２１】  アプリケータ要素の側面には、フロックが施されていることを特徴とする請求項１〜２０のうち何れか１項に記載の器具。
【請求項２２】  アプリケータ要素の側面には、繊維の組み合わせから成るフロックが施されていることを特徴とする請求項２１のうち何れか１項に記載の器具。
【請求項２３】  アプリケータ要素の自由端は、尖端となっており、尖端は、ピラミッド形又は円錐形、或いは２つの面取り部又は切頭円錐形の形態をなしていることを特徴とする請求項８に記載の器具。
【請求項２４】  アプリケータが、長手方向軸線Ｘを有しかつアプリケータ要素３により延長されている末端を有する茎状部（2）を含むこと、及びアプリケータ要素の側面が軸線Ｘの周りに筒形になっていることを特徴とする請求項１〜２３のうちの何れか１項に記載の器具。
【請求項２５】  アプリケータ要素の自由端が面取り部の形態をなしていること、及び葉状部の出張りが、長軸Ｙが面取り端（19）の前縁を含む対称面内に位置した実質的に楕円形の曲線により構成されていることを特徴とする請求項４に記載の器具。
【請求項２６】  アプリケータ要素の自由端が面取り部の形態をなしていること、及び該端部が外に向かって凹又は凸であることを特徴とする請求項８に記載の器具。
【請求項２７】  繊維が異なる長さを有することを特徴とする請求項２２に記載の器具。
【請求項２８】  請求項１〜２７のうち何れか１項に記載のメーキャップ器具のアプリケータ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月5日(2007.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する一対の開口、および、前記一対の開口を介して外部と連通したプロセス室を有する筐体と、少なくとも１自由度で移動可能であって、前記プロセス室をシールしつつ前記一対の開口を貫通する導入軸とを備えてなる位置決め装置。
【請求項２】
前記筐体の開口は長孔であり、前記筐体に対して移動可能に支持された一対のステージが設けられ、前記導入軸は、前記筐体の開口及び前記ステージの開口に挿通されており、前記ステージと共に移動可能であると共に、前記ステージに対して移動可能となっていることを特徴とする請求項１に記載の位置決め装置。
【請求項３】
前記導入軸には、支柱を介してテーブルが取り付けられており、前記プロセス室の形状は、前記テーブルに対応する部位よりも、前記支柱に対応する部位の方が狭いことを特徴とする請求項１又は２に記載の位置決め装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月6日(2007.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
希釈孔の最も上流に位置する第１の列５２は、ライナ２４の有効軸方向長さＬのほぼ中間の軸方向共通位置においてライナ２４を貫通する。図示した燃焼器では、孔は、第６のルーバＬ6に相当する、約０．４５８即ち４５．８％の長さ部分（ｌｅｎｇｔｈ  ｆｒａｃｔｉｏｎ）においてライナを貫通する。孔の数及び寸法は、希釈空気噴流が、ライナ中心線２８まで実質的に達するように選択される。図示した燃焼カン１８では、ルーバＬ6は、直径約７．０インチ（約１７．８ｃｍ）であり、孔の第１の列５２は、約０．６４０インチ（１．６３ｃｍ）である共通の第１の直径を有する円状の孔を１２個含む。これらの１２個の孔は、ライナ２４の周方向に沿って等角に配列されており、１つの孔は、カン１８の外側端部３８に配置される。燃焼領域５０に流入する希釈空気の４３％が、第１の列の孔５２を通って入る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
希釈孔の最も下流に位置する第３の列５６は、第１の列５２から既定距離Ｄ1-3だけ後方の共通軸方向位置においてライナ２４を貫通する。既定距離Ｄ1-3は、所定距離Ｄ1-2よりも長くなっており、孔の第３の列５６は、孔の第１及び第２の列５２，５４から軸方向で離れて設けられている。図示した燃焼器では、第３の列の孔５６は、約８４．３％の長さ部分でライナを貫通している。第３の列の孔５６は、その軸方向位置により第１０のルーバＬ10、即ち孔の第２の列５４が貫通するルーバに軸方向で隣接しないルーバに位置する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
次に図７および図８を参照すると、燃料インジェクタ２０は、インジェクタを燃焼器モジュール１０の外側ケース１４に固定するためのインジェクタ支持具６０を含む。一次及び二次燃料供給管路６２，６４がインジェクタ２０に燃料を供給するために支持具６０を通って延在する。燃料インジェクタ中心線６８を中心として配置された圧力噴霧コアノズル６６が、支持具６０のボアを通って軸方向に延びる。コアノズル６６は、バレル７０を有し、バレル７０は、一次燃料供給管路６２を介して一次燃料の供給源と連通する一次燃料流路７２を含む。コアノズル６６は、更に、バレル７０の後方端部に固定されたスワラ要素７６を有する。このスワラ要素７６は、らせん状の流路７８と一次燃料吐出オリフィス８０とを含む。熱遮蔽キャップ８２が一次燃料流路７２への熱伝達を防止するためにコアノズル６６の前方端部を覆っている。運転時には、一次燃料の高圧の流れＦPが一次燃料流路７２を通ってスワラ７６へと流れ、スワラにおいて一次燃料の流れＦPに渦巻き運動が与えられる。続いて、一次燃料の渦流は、吐出オリフィス８０から吐出されて、燃焼器モジュール１０の燃焼領域５０に流入する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月24日(2006.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  少なくとも第１の方向（Ｘ）沿うエンジン（１）の変位を制限するために、車両のシャシ（２）にエンジン（１）を連結するためのトルク減衰防振装置であって、該防振装置は、
一方はエンジン（１）に、他方はシャシ（２）に、取り付けられる第１と第２の剛性のアーマチュア（９、１１）であって、第２のアーマチュア（１１）は、第１の方向（Ｘ）にある程度の遊びを有し、そして互いに垂直で、かつ前記第１の方向にも垂直である第２および第３の方向（Ｚ、Ｙ１）にもある程度の遊びを有するように、第１のアーマチュア（９）を収容している中空の内部空間（１２）を限定している、第１と第２の剛性のアーマチュア（９、１１）と、
エンジン（１）が駆動力を発生しているとき、該エンジン（１）が受ける変位に対応する第１の向き（４）に依存して、第１の方向（Ｘ）への前記第１および第２のアーマチュアの相対変位を制限するために、前記第２のアーマチュア（１１）に密着しそして前記第１および第２のアーマチュア間に配置されているエラストマ製の制限体（１５）であって、前記第２のアーマチュアの内部空間（１２）において、第１の方向（Ｘ）にそって測定された第１のエラストマ厚さ（Ｌ１）を有する第１の制限体（１５）と、
そして前記第１の向きに逆向きの第２の向き（５）に依存して、そしてエンジン（１）が減速しているとき、該エンジン（１）が受ける変位に対応する第１の方向への第１および第２のアーマチュア（９、１１）の相対変位を制限するために、第２のアーマチュア（１１）に密着しそして前記第１および第２のアーマチュア（９、１１）間に配置されているエラストマ製の制限体（１６）であって、前記第２のアーマチュアの内部空間（１２）において、第１の方向（Ｘ）にそって測定された第２のエラストマ厚さ（Ｌ２）を有するエラストマ製の第２の制限体（１６）とを有するトルク減衰防振装置において、
第１のアーマチュア（９）は第２および第３の方向（Ｚ、Ｙ１）においてほぼ平坦な形状を表し、
第１のアーマチュア（９）は、該第１のアーマチュア（９）と前記第１および第２の制限体（１５、１６）との間の接着をせずに、前記エラストマ製の第１および第２の制限体の間に簡単に挿入され、
そして、第１のエラストマ厚さ（Ｌ１）は第２のエラストマ厚さ（Ｌ２）より大きい、ことを特徴とする、トルク減衰防振装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  第２の制限体（１６）は、第１のボス（１５）の反対側において、第１の方向（Ｘ）に平行に、前記第２のアーマチュアの内部空間（１２）に突出しているエラストマ製の第２および第３のボス（２０）を有し、前記第２および第３のボスはそれぞれ前記第１のボスの中央の軸（Ｘ０）の両側に配置されており、そして第１のアーマチュア（９）は前記第１のボスに向いた凹形をもつ湾曲した瓦状をなしている請求項５に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月5日(2007.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  半導体基板にイオンビームを照射して当該半導体基板の表面にＭＯＳ形電界効果トランジスタを形成するイオン注入装置に用いられるものであって、前記イオンビームと交差する面に配列されていて前記イオンビームを受ける複数の測定用導体と、この各測定用導体にそれぞれ接続されていて前記ＭＯＳ形電界効果トランジスタのゲート酸化膜の耐圧に実質的に等しい降伏電圧を有する複数の双方向定電圧素子と、この各双方向定電圧素子を通して流れる電流の極性および大きさをそれぞれ測定する電流測定器とを備えることを特徴とするチャージアップ測定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  半導体基板にイオンビームを照射して当該半導体基板の表面にＭＯＳ形電界効果トランジスタを形成するイオン注入装置に用いられるものであって、前記イオンビームと交差する面に配列されていて前記イオンビームを受ける複数の測定用導体と、この各測定用導体にそれぞれ接続されていて前記ＭＯＳ形電界効果トランジスタのゲート酸化膜の耐圧に実質的に等しい降伏電圧を有する複数の双方向定電圧素子と、この各双方向定電圧素子を通して流れる正および負の電荷量をそれぞれ測定する電荷量測定器とを備えることを特徴とするチャージアップ測定装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この発明に係るチャージアップ測定装置を、半導体基板の表面にイオン注入によってＭＯＳ形電界効果トランジスタを形成するイオン注入装置に用いる場合は、上記各双方向定電圧素子の降伏電圧は、当該ＭＯＳ形電界効果トランジスタのゲート酸化膜の耐圧にほぼ等しく、即ち実質的に等しくするのが好ましい（請求項３）。それによって、各測定用導体の最大チャージアップ電圧を、基板表面のＭＯＳ形電界効果トランジスタの最大チャージアップ電圧にほぼ等しくすることができるので、そのチャージアップを模擬的に、しかもより高精度で測定することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
請求項３記載の発明によれば、各双方向定電圧素子の降伏電圧を、半導体基板の表面に形成するＭＯＳ形電界効果トランジスタのゲート酸化膜の耐圧に実質的に等しくしているので、各測定用導体の最大チャージアップ電圧を、基板表面のＭＯＳ形電界効果トランジスタの最大チャージアップ電圧にほぼ等しくすることができる。従って、基板表面のＭＯＳ形電界効果トランジスタのチャージアップを模擬的に、しかもより高精度で測定することができる。