【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年6月17日(2008.6.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミクロ電子基板を処理する方法において、
ミクロ電子基板の導電物質に隣接して電解流体を配置し、導電物質は第１平面に第１表面、およびこの第１表面に凹部を有しており、凹部は第２平面における第２表面により境界決めされており、導電物質は更に第１表面と第２表面との間に角部を有しており、
第１および第２電極を電解流体に流体連通して位置決めし、電極のうちの少なくとも一方を電位源に結合することによって角部から導電物質の少なくとも一部を除去することを特徴とするミクロ電子基板を処理する方法。
【請求項２】
ミクロ電子基板は表面を有しており、凹部は表面に対して概ね横方向に延びており、更に導電物質の少なくとも一部の除去は２つの電極を表面の方に向くように位置決めし、電極のうちの少なくとも一方を電位源に結合し、表面と電極との間に電解質を配置することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ミクロ電子基板から間隔を隔てた第１および第２電極から電気信号を発信することを更に含み、
前記角部から導電物質の少なくとも一部を除去することは、
導電物質の角部のところで電気信号を受信し、
電気信号を導電物質に通すことにより角部のところの導電物質の少なくとも一部を酸化し、
導電物質の酸化部分を化学エッチング剤にさらすことを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
導電物質の第１表面は概ね非導電性の物質に近接して位置決めされ、概ね非導電性の物質は第１表面と電極のうちの少なくとも一方との間に位置決めされ、角部からの導電物質の少なくとも一部の除去は概ね非導電性の物質と係合された導電物質を除去することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記導電物質上に概ね非導電性の層を配置し、
角部から導電物質の少なくとも一部を除去する前に概ね非導電性の層の少なくとも一部を除去して導電物質の角部を露出させることを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記導電物質上に酸化物層を配置し、
前記酸化物層上に窒化物層を配置し、
角部から導電物質を除去する前に窒化物層の少なくとも一部および酸化物層の一部を除去して導電物質の角部を露出させることを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
導電物質の除去は導電物質の少なくとも一部をこれに電流を通すことによって酸化し、この部分をエッチング剤にさらすことを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
水と塩酸および弗化水素酸のうちの少なくとも一方とを含むように電解流体を選択することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
導電物質の少なくとも一部の除去は１ミリアンペア/ｃｍ2から５００ミリアンペア/ｃｍ2までの割合で電流を導電物質に通すことを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
導電物質の少なくとも一部の除去は１５ボルトｒｍｓを導電物質に供給するように電位源を選択することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
導電物質の少なくとも一部の除去は６０Ｈｚで変化するように導電物質を通る電流を選択することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
導電物質の少なくとも一部の除去は導電物質を通る電流を交流電流であるように選択することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
水と、塩酸と、弗化水素酸とを５００：１：１の比で含むように電解流体を選択することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
ドープされたシリコンを含むように導電物質を選択することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
白金、タンタルおよびグラファイトのうちの少なくとも１つを含むように第１および第２電極の少なくとも一方を選択することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
第１および第２電極の少なくとも一方をミクロ電子基板から１ミリメートルから２ミリメートルまでの距離を隔てて位置決めすることを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
角部から物質を除去した後、絶縁層を凹部の壁部に配置することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
誘電体を凹部に配置することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
導電物質の少なくとも一部の除去は角部を丸くすることによって導電物質を角部から除去する速度を減じることを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
ミクロ電子基板を処理する方法において、
ミクロ電子基板の導電物質に隣接して概ね非導電性の物質を配置し、
概ね非導電性の物質を通って導電物質の中へ延びる凹部を形成し、この凹部は導電物質と概ね非導電性の物質との間の界面に少なくとも隣接して角部を構成しており、
角部を電位に露出させることによって角部から導電物質の少なくとも一部を除去して角部を少なくとも部分的に鈍くすることを含むことを特徴とするミクロ電子基板を処理する方法。
【請求項２１】
導電物質の少なくとも一部の除去はミクロ電子基板に近接し且つそこから間隔を隔てて第１電極および第２電極を位置決めし、これらの電極のうちの少なくとも一方を電位源に結合し、電流を電極のうちの少なくとも一方から角部へ通して角部のところの導電物質を酸化し、角部のところの酸化された導電物質をエッチング剤にさらすことを含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
ミクロ電子基板から間隔を隔てた電極から電気信号を発信し、
導電物質の角部のところで電気信号を受信し、
電気信号を導電物質に通すことにより角部のところの導電物質の少なくとも一部を酸化し、
導電物質の酸化された部分を化学エッチング剤にさらすことを更に含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
角部からの導電物質の少なくとも一部の除去は概ね非導電性の物質と係合された導電物質を除去することを含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
角部から導電物質の少なくとも一部を除去する前に概ね非導電性の物質の少なくとも一部を除去して導電物質の角部を露出させることを更に含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】
前記導電物質上に酸化物層を配置し、
前記酸化物層上に窒化物層を配置し、
角部から導電物質の少なくとも一部を除去する前に窒化物層の少なくとも一部および酸化物層の一部を除去して導電物質の角部を露出させることを更に含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２６】
導電物質の除去は導電物質の少なくとも一部をこれに電流を通すことによって酸化し、この部分をエッチング剤にさらすことを含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２７】
導電物質の少なくとも一部の除去は１００ミリアンペアの割合で電流を導電物質に通すことを含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２８】
導電物質の少なくとも一部の除去は１５ボルトｒｍｓの電位で電流を導電物質の中へ通すことを含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２９】
導電物質の少なくとも一部の除去は６０Ｈｚの周波数で電流を導電物質の中へ通すことを含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項３０】
導電物質を通る電流を交流電流であるように選択することを含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項３１】
ドープされたシリコンを含むように導電物質を選択することを更に含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項３２】
導電物質の少なくとも一部の除去は第１および第２電極を角部と流体連通して位置決めし、電極のうちの少なくとも一方を電位源に結合し、白金、タンタルおよびグラファイトのうちの少なくとも１つを含むように第１および第２電極の少なくとも一方を選択することを更に含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項３３】
角部から物質を除去した後、絶縁層を凹部の壁部に配置することを更に含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項３４】
トランジスタゲートを凹部に配置することを更に含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項３５】
ミクロ電子基板は表面を有しており、凹部は表面に対して概ね横方向に延びており、更に導電物質の少なくとも一部の除去は２つの電極を表面の方に向くように位置決めし、電極のうちの少なくとも一方を電位源に結合し、表面と電極との間に電解質を配置することを含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項３６】
角部を丸くすることによって角部から物質を除去する速度を減じることを更に含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項３７】
ミクロ電子基板を処理する方法において、
ミクロ電子基板のドープされたシリコン物質上に酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に窒化物層を配置し、
窒化物層および酸化物層を通って導電物質の中へ延びる凹部をエッチングし、
凹部に近接した窒化物層および酸化物層の一部を除去して導電物質の角部を露出させ、  導電物質の角部に隣接して電解流体を配置し、
ミクロ電子基板に近接し且つそこから間隔を隔てて第１電極および第２電極を位置決めし、これらの電極のうちの少なくとも一方を電位源に結合することによって角部のところの導電物質の少なくとも一部を酸化し、
酸化された物質をエッチング剤にさらすことによって酸化された物質の少なくとも一部を除去し、
角部を丸くすることによって物質を角部から除去する速度を減じて少なくとも一方の電極から角部までの電流の流れを減少させることを含むことを特徴とするミクロ電子基板を処理する方法。
【請求項３８】
凹部に近接した窒化物層および酸化物層の一部の除去は第１速度で窒化物層から物質を除去し、第２速度で酸化物層から物質を除去することを含み、第１速度は第２速度にほぼ等しいことを特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
酸化された物質の少なくとも一部を除去した後、エッチング剤で酸化物層および窒化物層を除去することを更に含むことを特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項４０】
凹部に近接した窒化物層および酸化物層の一部の除去は窒化物層および酸化物層に隣接してエッチング剤を配置することを含み、エッチング剤は電解流体の化学組成とほぼ同じ化学組成を有していることを特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項４１】
ミクロ電子基板を処理する方法において、
ミクロ電子基板の導電物質に凹部を形成し、この凹部は孔と導電物質の平面との交差点に角部を構成しており、
凹部に導電性ミクロ電子特徴を形成し、
凹部により構成される角部を丸くすることによって導電性ミクロ電子特徴からの電磁放射を制御し、角部を丸くすることは電位源を角部に電気的に結合して導電物質を酸化し、酸化された物質をエッチング剤にさらすことによって角部から酸化された物質を除去することを含むことを特徴とするミクロ電子基板を処理する方法。
【請求項４２】
導電物質における凹部の形成は半導体物質に凹部を形成することを含むことを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
角部を丸くすることは第１電極および第２電極をミクロ電子基板に近接して且つそこから間隔を隔てて位置決めし、第１および第２電極のうちの少なくとも一方を電位源に結合し、電流を第１および第２電極のうちの少なくとも一方から電解流体を通して角部まで通して角部のところの導電物質を酸化し、角部のところの酸化された導電物質をエッチング剤にさらすことを含むことを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項４４】
ミクロ電子基板から間隔を隔てた電極から電気信号を発信し、
導電物質の角部のところで電気信号を受信し、
電気信号を導電物質に通すことによって角部のところの導電物質の少なくとも一部を酸化し、
導電物質の酸化された部分を化学エッチング剤にさらすことを更に含むことを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項４５】
導電物質は概ね非導電性の物質に近接して位置決めされ、概ね非導電性の物質は導電物質の平面と少なくとも一方の電極との間に位置決めされ、角部からの導電物質の少なくとも一部の除去は概ね非導電性の物質と係合された導電物質を除去することを含むことを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項４６】
導電物質に非導電層を配置し、
角部から導電物質の少なくとも一部を除去する前に、非導電層の少なくとも一部を除去して導電物質の角部を露出されることを更に含むことを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項４７】
前記導電物質上に酸化物層を配置し、
前記酸化物層上に窒化物層を配置し、
角部から導電物質の少なくとも一部を除去する前に、窒化物層の少なくとも一部および酸化物層の一部を除去して導電物質の角部を露出させることを更に含むことを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項４８】
ドープされたシリコンを含むように導電物質を選択することを更に含むことを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項４９】
角部を丸くした後に絶縁層を凹部の壁部上に配置することを更に含むことを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項５０】
トランジスタゲートを凹部に形成することを更に含むことを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項５１】
ミクロ電子基板は表面を有しており、凹部は表面に対して概ね横方向に延びており、更に角部を丸くすることは２つの電極を表面の方に向くように位置決めし、電極のうちの少なくとも一方を電位源に結合し、表面と電極との間に電解質を配置することを含むことを特徴とする請求項４１に記載の方法。