Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月6日(2007.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  外輪（７）と、内輪（９）と、外輪の軌道面と内輪の軌道面の間に配される少なくとも一列の転動体（１１）と、回転パラメータを検出する組立体とを備え、該組立体が非回転輪（２０）に一体的とされたセンサユニットと回転エンコーダ部材（１６）とを有している装置において、装置の非回転部分が支持体上で最終位置に設定された後は、上記装置の非回転部分を支持体に対し周方向の移動を阻止し、軸方向には装置が支持体に対して移動可能とする手段を有することを特徴とする計測ころがり軸受。
【請求項２】  移動阻止手段は、センサユニットを支持体に対して角度割出しができる手段をも備えていることとする請求項１に記載の計測ころがり軸受。
【請求項３】  センサユニットは周方向移動阻止手段を有していることとする請求項１又は請求項２に記載の計測ころがり軸受。
【請求項４】  センサユニットは、周方向移動阻止手段が配置される少なくとも一つの筒状外周面（２０ａ）を有していることとする請求項１ないし請求項３のうちの一つに記載の計測ころがり軸受。
【請求項５】  周方向移動阻止手段は、筒状外周面から半径方向に突出する突部（２８）を有していることとする請求項４に記載の計測ころがり軸受。
【請求項６】  周方向移動阻止手段は、筒状外周面から半径方向に突出する二つの突部（２８，２９）の間で軸方向に延びて形成された溝（３０）を有することとする請求項５に記載の計測ころがり軸受。
【請求項７】  周方向移動阻止手段は、センサユニットから軸方向に突出する突部を有していることとする請求項１ないし請求項３のうちの一つに記載の計測ころがり軸受。
【請求項８】  周方向移動阻止手段は、筒状外周面（３５）に軸方向に延びるように形成された溝（３７）を有することとする請求項１ないし請求項３のうちの一つに記載の計測ころがり軸受。
【請求項９】  装置の非回転部分は周方向移動阻止手段を補足する手段が設けられた支持体に組み込まれていて、非回転部分が周方向で支持体と一体で、軸方向には該支持体に対して自由であることとする請求項１ないし請求項８のうちの一つに記載の計測ころがり軸受。
【請求項１０】  補足手段は、軸方向ペグ（３２）又はラジアルフィンガを有していることとする請求項９に記載の計測ころがり軸受。
【請求項１１】  補足手段は、支持体に形成された孔又は軸方向溝を有していることとする請求項９に記載の計測ころがり軸受。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月9日(2007.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
堆積チャンバ内に配置された基板上にアモルファスシリコン系膜を形成する方法であって、
シリコン系揮発性物質を堆積チャンバに導入するステップと、
前記堆積チャンバ内に、アモルファスシリコン系膜の導電率を増加させるための成分を一以上含む導電率増加揮発性物質を導入するステップと、
前記堆積チャンバ内に、アモルファスシリコン系膜の導電率を減少させるための成分を一以上含む導電率減少揮発性物質を導入するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記導電率増加揮発性物質及び前記導電率減少揮発性物質が、所望の膜抵抗率を得るために選択した各々の相対流量で堆積チャンバ内に導入されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
相対流量を選択して、約１０3〜１０7ｏｈｍ−ｃｍの膜抵抗率を得ることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記導電率増加揮発性物質がホスフィンから成り、前記導電率減少揮発性物質がアンモニアから成り、該ホスフィン及び該アンモニアが堆積チャンバ内に約１：１０００〜約１：１０（ホスフィン：アンモニア）の範囲の流量比で導入されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記導電率増加揮発性物質がホスフィンから成り、前記導電率減少揮発性物質がメタンから成り、該ホスフィン及び該メタンが堆積チャンバ内に約１：１００〜約１：１（ホスフィン：メタン）の範囲の流量比で導入されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記導電率増加揮発性物質がドーパントを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ドーパントがｎ型ドーパントを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ｎ型ドーパントがリンを含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ドーパントがｐ型ドーパントを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記ｐ型ドーパントがホウ素を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
アモルファスシリコン系膜が、バンドギャップにより特徴付られ、前記導電率減少揮発性物質が、バンドギャップ増加成分以外同じ条件下で形成された膜に対してアモルファスシリコン系膜のバンドギャップを増加させるバンドギャップ増加成分を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記導電率減少揮発性物質が窒素を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記導電率減少揮発性物質がアンモニアを含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記導電率減少揮発性物質がＮ2Ｏを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記導電率減少揮発性物質が炭素を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記導電率減少揮発性物質がメタンを含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記シリコン系膜がシランから成り、前記導電率増加揮発性物質がホスフィンから成り、前記導電率減少揮発性物質がアンモニアから成ることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記シリコン系膜がシランから成り、前記導電率増加揮発性物質がホスフィンから成り、前記導電率減少揮発性物質がメタンから成ることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
更に、前記堆積チャンバ内に第二の導電率減少揮発性物質を導入することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記シリコン系膜がシランから成り、前記導電率増加揮発性物質がホスフィンから成り、第一の導電率減少揮発性物質がアンモニアから成り、第二の導電率減少揮発性物質がメタンから成ることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
請求項１に基づいて形成されたアモルファスシリコン系膜を有する電界放出表示装置。
【請求項２２】
請求項１に基づいて形成されたアモルファスシリコン系膜を有する電子装置。
【請求項２３】
請求項１に基づいて形成されたアモルファスシリコン系膜を有するフラットパネルディスプレイ装置。
【請求項２４】
堆積チャンバ内に配置された基板上にアモルファスシリコン系膜を形成する方法であって、シリコン系揮発性物質を前記堆積チャンバ内に導入するステップと、ホスフィンを前記堆積チャンバ内に導入するステップと、窒素含有揮発性物質を前記堆積チャンバ内に導入するステップと、を備えることを特徴とする方法。
【請求項２５】
請求項２４に基づいて形成されたアモルファスシリコン系膜を有する電界放出表示装置。
【請求項２６】
請求項２４に基づいて形成されたアモルファスシリコン系膜を有する電子装置。
【請求項２７】
請求項２４に基づいて形成されたアモルファスシリコン系膜を有するフラットパネルディスプレイ装置。
【請求項２８】
堆積チャンバ内に配置された基板上にアモルファスシリコン系膜を形成する方法であって、シリコン系揮発性物質を前記堆積チャンバ内に導入するステップと、ホスフィンを前記堆積チャンバ内に導入するステップと、炭素含有揮発性物質を前記堆積チャンバ内に導入するステップと、を備えることを特徴とする方法。
【請求項２９】
請求項２８に基づいて形成されたアモルファスシリコン系膜を有する電界放出表示装置。
【請求項３０】
請求項２８に基づいて形成されたアモルファスシリコン系膜を有する電子装置。
【請求項３１】
請求項２８に基づいて形成されたアモルファスシリコン系膜を有するフラットパネルディスプレイ装置。
【請求項３２】
前記導電率減少揮発性物質が炭素を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項３３】
前記ｐ型ドーパントがホウ素であることを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記導電率減少揮発性物質がメタンであることを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
請求項３２に基づいて形成されたアモルファスシリコン系膜を備えた電子装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月8日(2007.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  オキシ塩素化でガス状の反応物を不活性なキャリヤガスと共に断熱反応区域に供給し、そのガスを断熱反応区域内で形成されたガス状の反応生成物の一部と共に断熱反応区域の上部に配置されている冷却された反応区域に導き、この区域内で反応物の残りの転化を行い、両方の反応区域が一つの纏まった渦層に配置され、この渦層でガスが液化され、その中で渦層の材料の反応が触媒作用で行われ、反応生成物とキャリヤガスが渦層からガス状に上に引き出され、冷却された反応区域が垂直軸でガスを形成する冷却棒の束から完全に貫通され、冷却棒が互いにほぼ等間隔を有し、冷却された反応区域内に配置さている渦床の一部が冷却棒の熱を排出する表面にほぼ全空間で曝されていて、熱を排出する冷却棒の表面の間のガス内で液化された渦の材料とガスが熱を排出して案内される、塩化ビニールモノマーを作製する方法において、
渦層の平均ガス気泡直径に対するガス通路断面を特徴付ける等価な直径の間の比が値１〜６であることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
計量されたＨＣl の収支でＶＣＭを製造する方法（以下、簡単に「計量されたＶＣＭ方法」と呼ぶ）は、
−エチレンＣ2Ｈ4 と塩素Ｃl2から必要な中間製品１，２−ジクロルエタンＥＤＣの一  部を発生する直接塩素化、
−エチレン、塩化水素ＨＣｌおよび酸素Ｏ2 から必要な中間製品１，２−ジクロルエタン  ＥＤＣの一  部を発生するオキシ塩素化、
−ＥＤＣ中間製品の両方の一部を分溜分から再循環された戻しＥＤＣと共に酸化塩素化で  形成される、またはＥＤＣ熱分解で形成される副産物から自由になり、熱分解に使用す  るのに適した所謂分解ＥＤＣを得るＥＤＣの浄化、
−分解ＥＤＣを熱分解し、収穫物として実質上分解ガス中に材料ＶＣＭ，ＨＣl および変  換していないＥＤＣが付随するが、未だ付加的な付随材料が分解ガス中に含まれている  ＥＤＣの熱分解、
−製品として望ましい純粋なＶＣＭを分解ガスから分離し、他の重要な分解ガス成分ＨＣ  l と変換していないＥＤＣとを材料として個別に回収し、計量されたＶＣＭ方法で戻り  ＨＣl あるいは戻りＥＤＣである再利用可能なものとして再循環させる分溜
を含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
米国特許第 3,488,398号明細書（ハープリング等、Harpring et al.)により、銅ハロゲン化物の形の触媒活性な銅含浸物であるが、好ましくは塩化銅を使用することが分かる。銅の含有量が３重量％〜 12 重量％の範囲で実用的であるが、12重要％以上の銅の含有量も使用できることが開示されている。しかし、これは合理的でない。何故なら、これにより反応の収支が上昇しないし、触媒作用の渦層の材料がオキシ塩素化反応容器で焼き付きの形成を増大させる傾向があるからである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は、この発明により、オキシ塩素化でガス状の反応物を不活性なキャリヤガスと共に断熱反応区域に供給し、そのガスを断熱反応区域内で形成されたガス状の反応生成物の一部と共に断熱反応区域の上部に配置されている冷却された反応区域に導き、この区域内で反応物の残りの転化を行い、両方の反応区域が一つの纏まった渦層に配置され、この渦層でガスが液化され、その中で渦層の材料の反応が触媒作用で行われ、反応生成物とキャリヤガスが渦層から上にガス状に引き出され、冷却された反応区域が垂直軸でガスを形成する冷却棒の束から完全に貫通され、冷却棒が互いにほぼ等間隔を有し、冷却された反応区域内に配置さている渦床の一部が冷却棒の熱を排出する表面にほぼ全空間で曝されていて、熱を排出する冷却棒の表面の間のガス内で液化された渦の材料とガスが熱を排出して案内される、ＶＣＭを作製する方法にあって、渦層の平均ガス気泡直径に対するガス通路断面を特徴付ける等価な直径の間の比が値１〜６であることによって解決されている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月20日(2007.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  Ｉ)  式：      CH2=CH-CO-O-R2 (ａ)
[R2は、水素、又はヘテロ原子(好ましくはCl、Ｏ、Ｎ)もしくは１以上の官能基(好ましくはOH、COOH、エポキシド、エステルもしくはエーテル)を任意に含有していてもよいC1〜C20の飽和もしくは不飽和の炭化水素基]のアクリルモノマーで改質されたテトラフルオロエチレン(TFE)及び/又はクロロトリフルオロエチレン(CTFE)とのエチレンの熱加工性コポリマー；
II）１以上の架橋剤；
III)  １以上の任意成分
からなる架橋性ポリマー組成物を電離線に付して得られる架橋ポリマー組成物。
【請求項２】  成分Ｉ)の熱加工性コポリマーが、10〜70モル％、好ましくは35〜55モル％のエチレン、30〜90モル％、好ましくは45〜65モル％のテトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンもしくはその混合物から選択されるフッ素化モノマー、0.1〜30モル％、好ましくは１〜15モル％のコモノマー(ａ)からなる請求項１に記載の組成物。
【請求項３】  成分Ｉ)のフッ素化モノマーがクロロトリフルオロエチレンである請求項２に記載の組成物。
【請求項４】  式(ａ)のアクリルモノマーがn-ブチルアクリレートである請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項５】  架橋剤が、トリアリルイソシアヌレート(TAIC)、トリアリルシアヌレート(TAC)、ジアリルイソフタレート、ジアリルテレフタレート、フェニルインデンエステル、アリールポリカルボン酸のトリアリルエステル、ビス-オレフィンから選択される請求項１〜４のいずれか１つに記載の組成物。
【請求項６】  架橋剤がトリアリルイソシアヌレートである請求項５に記載の組成物。
【請求項７】  架橋剤の量が、架橋に付される組成物の0.1〜10.0重量％、好ましくは0.3〜5.0重量％、より好ましくは0.5〜2.0重量％の範囲である請求項１〜６のいずれか１つに記載の組成物。
【請求項８】  任意成分が充填剤、煙抑制剤、滑剤、顔料、難燃剤、膨張剤、可塑剤、金属酸化物、熱安定剤から選択される請求項１〜７のいずれか１つに記載の組成物。
【請求項９】  任意成分の最大全量が、架橋に付される組成物の30.0重量％である請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】  請求項１〜９のいずれか１つに規定の架橋性組成物を、ｘ線、γ線、電子ビーム、ジュウテロン、α粒子又はその組み合わせから選択される電離線に付すことによる架橋法。
【請求項１１】  線量が0.1〜10Mrad、好ましくは0.2〜５Mrad、より好ましくは0.5〜２Mradの範囲である請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  請求項１〜９のいずれか１つに記載の組成物から得られる製品。
【請求項１３】  製品がケーブルである請求項１２に記載の製品。
【請求項１４】  水素化ポリマーと請求項１〜９のいずれか１つに規定の架橋性ポリマー組成物を電離線に付すことからなる多層製品。
【請求項１５】  水素化ポリマーが、
−  セルロースポリマー、ポリアミド、ポリアミドコポリマー、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートのようなポリエステル、ポリエステルコポリマー、ポリオレフィン、オレフィンコポリマー、ポリイミド、ポリスチレン、ポリウレタン、塩化ポリビニル(PVC)、ポリスルホン、エチレン/ビニルアセテートコポリマー、ポリアクリルブタジエンスチレン(ABS)から選択される熱可塑性水素化ポリマー；
−  アクリルゴム、ニトリルゴム(NBR)、エチレン-プロピレンゴム(EPM)、エチレン-プロピレン-ジエンゴム(EPDM)、NVCゴム(PVCと混合したニトリルNBRゴム)、エピクロロヒドリンゴム(CO及びECO)から選択される水素化エラストマー
である請求項１４に記載の多層製品。
【請求項１６】  熱可塑性水素化ポリマーがポリアミドであり、水素化エラストマーがエピクロロヒドリン及びニトリルゴム(NBR)である請求項１５に記載の多層製品。
【請求項１７】  製品が燃料ラインと燃料ホースである請求項１４〜１６のいずれか１つに記載の多層製品。
【請求項１８】  燃料ラインと燃料ホースを製造するための請求項１４〜１７のいずれか１つに記載の組成物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月5日(2007.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  分子内にカルボン酸基を実質的に含まないアクリル系粘着性ポリマーと、芳香族化合物とを含有する接着剤組成物において、
上記芳香族化合物が、安息香酸誘導体から選ばれる芳香族カルボン酸化合物であることを特徴とする、接着剤組成物。
【請求項２】  前記安息香酸誘導体は、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、メチル安息香酸、フタル酸及びアミノ安息香酸からなる群より選ばれる、請求項１に記載の接着剤組成物。
【請求項３】  支持体と、その支持体の一方の主要面に配置された接着層とを含んでなる接着シートにおいて、その接着層が、請求項１又は２の接着剤組成物からなることを特徴とする、接着シート。
【請求項４】  （ａ）金属表面を有する被着体と、（ｂ）その金属表面に、前記接着層を介して接着された請求項３の接着シート、とを含んでなる接着構造。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月4日(2007.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
観察点から探索対象に取り付けたＲＦＩＤタグまでの距離と方向を検知する検知手段と、
前記ＲＦＩＤタグ内の記憶部に書き込まれている前記探索対象の少なくとも外形情報を含む属性情報を読み取る読取手段と、
前記検知手段で検知した距離と方向に基づいて前記ＲＦＩＤタグの配置関係を該ＲＦＩＤタグの３次元グラフィックスで表示するとともに、そのＲＦＩＤタグの３次元グラフィックス表示位置に、前記読取手段で読み取った前記探索対象の外形情報から推定される該探索対象の外観の３次元グラフィックスを合成して表示する画像処理手段と、
を備えることを特徴とする可搬型情報処理端末装置。
【請求項２】
前記探索対象は、物流過程における荷物であること
を特徴とする請求項１に記載の可搬型情報処理端末装置。
【請求項３】
前記読取手段は、
前記ＲＦＩＤタグに向けて主搬送波を送信し、その主搬送波に応じて前記ＲＦＩＤタグから送信される副搬送波から前記探索対象の外形情報を読み取るものであること
を特徴とする請求項１に記載の可搬型情報処理端末装置。
【請求項４】
前記検知手段は、
前記ＲＦＩＤタグから送信される副搬送波を基に前記距離と方向を検知するものであること
を特徴とする請求項１に記載の可搬型情報処理端末装置。
【請求項５】
前記探索対象の外形情報は、探索対象の形状名とその寸法からなること
を特徴とする請求項１に記載の可搬型情報処理端末装置。
【請求項６】
前記ＲＦＩＤタグ内の記憶部には、更に、このＲＦＩＤタグを取り付けた前記探索対象のＩＤも書き込まれてなり、
前記読取手段は、更に、前記ＩＤも情報として読み取り、
前記可搬型情報処理端末装置は、更に、探索支援手段を有し、
前記探索支援手段は、
前記ＩＤを検索キーとして入力する入力手段と、
前記入力手段で入力された前記ＩＤを検索キーとして、前記読取手段で読み取った情報を検索し、その情報の中に前記検索キーが含まれている場合は、その検索キーとして用いた前記ＩＤで指定される探索対象の外観の３次元グラフィックスを強調して表示するように、前記画像処理手段に指示する検索・指示手段と、
を備えてなることを特徴とする請求項１に記載の可搬型情報処理端末装置。
【請求項７】
前記ＲＦＩＤタグ内の記憶部には、更に、このＲＦＩＤタグを取り付けた前記探索対象の内容情報も書き込まれてなり、
前記読取手段は、更に、前記内容情報も情報として読み取り、
前記可搬型情報処理端末装置は、更に、探索支援手段を有し、
前記探索支援手段は、
前記内容情報を検索キーとして入力する入力手段と、
前記入力手段で入力された前記内容情報を検索キーとして、前記読取手段で読み取った情報を検索し、その情報の中に前記検索キーが含まれている場合は、その検索キーとして用いた前記内容情報で特定される探索対象の外観の３次元グラフィックスを強調して表示するように、前記画像処理手段に指示する検索・指示手段と、
を備えてなることを特徴とする請求項１に記載の可搬型情報処理端末装置。
【請求項８】
前記表示の強調は、
前記検索キーとして用いた前記ＩＤで指定される探索対象の外観の３次元グラフィックスを特別にハイライト表示する、あるいは、その探索対象の外観の３次元グラフィックスだけを他の探索対象の外観の３次元グラフィックスとは別の表示色で表示するものであること
を特徴とする請求項６または７のいずれかに記載の可搬型情報処理端末装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】可搬型情報処理端末装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ＲＦＩＤタグを利用して荷物等の探索対象を効率よく探すことを可能とした可搬型情報処理端末装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は前記問題点を解決するためになされたもので、その目的とするところは、ＲＦＩＤタグを利用して荷物等の探索対象を効率よく探すことを可能とした可搬型情報処理端末装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る可搬型情報処理端末装置には、ハンディターミナルが含まれる。「３次元グラフィックス」とは、ＩＴ用語辞典ｅ−Ｗｏｒｄｓ（http://e-words.jp）でも定義されている通り、空間や立体など３次元の存在を、コンピュータの画面に投影して描画した画像や映像である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明に係る可搬型情報処理端末装置は、更に以下の構成を追加採用することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
前記ＲＦＩＤタグ内の記憶部には、更に、このＲＦＩＤタグを取り付けた前記探索対象のＩＤも書き込まれてなり、前記読取手段は、更に、前記ＩＤも情報として読み取るものとする。そして、前記可搬型情報処理端末装置は、更に、探索支援手段を有し、前記探索支援手段は、前記ＩＤを検索キーとして入力する入力手段と、前記入力手段で入力された前記ＩＤを検索キーとして、前記読取手段で読み取った情報を検索し、その情報の中に前記検索キーが含まれている場合は、その検索キーとして用いた前記ＩＤで指定される探索対象の外観の３次元グラフィックスを強調して表示するように、前記画像処理手段に指示する検索・指示手段とを備えるように構成される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記ＲＦＩＤタグ内の記憶部には、更に、このＲＦＩＤタグを取り付けた前記探索対象の内容情報も書き込まれてなり、前記読取手段は、更に、前記内容情報も情報として読み取り、前記可搬型情報処理端末装置は、更に、探索支援手段を有し、前記探索支援手段は、前記内容情報を検索キーとして入力する入力手段と、前記入力手段で入力された前記内容情報を検索キーとして、前記読取手段で読み取った情報を検索し、その情報の中に前記検索キーが含まれている場合は、その検索キーとして用いた前記内容情報で特定される探索対象の外観の３次元グラフィックスを強調して表示するように、前記画像処理手段に指示する検索・指示手段とを備えるように構成される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
１  ＲＦＩＤタグ
２  ハンディターミナル（可搬型情報処理端末装置）
３  検知手段
４  読取手段
５  画像処理手段
６  アンテナ
７  送受信部
８  タグ情報取得部
９  荷物大きさ計算部
１０  タグ位置検知部
１１  ３次元座標計算部
１２  ３次元グラフィックス生成部
１３  表示部
１４  探索支援手段
１５  入力ボタン部
１６  検索ボタン
１７  検索・指示部
Ｍ、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３  荷物
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月17日(2007.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
従来技術の解決策の１つは、光学式ペンを用いてユーザ定義コマンドを認識し、そのコマンドを用いてペンの特定の機能を引き起こす（例えば、ＰＣＴ出願公開０１／４８５９０Ａ１。）例えば、ユーザの記述は、（例えば、リアルタイムで）認識され、光学式ペンに対するコマンドとして解釈され得る。この解決策の欠点は、ペンの機能の相互作用及び制御が、ユーザの手書きが（例えば、ユーザが紙上にコマンドを筆記するにつれて）リアルタイムで認識されることを必要とすることを伴う。この解決策は、光学式ペンのより複雑な機能との相互作用が、ユーザが１つ又は複数のコマンドを繰り返し筆記してペンによって備えられる種々の選択、オプション又は機能をアクセスすることを必要とすることが理由で、満足なものでない。更に、記述の認識を必要とすることは、計算量的に集約的であり、かなりの電力資源を消費し得る。更に、認識は、既知の文字にのみ適用可能であり、画像、作図や他の認識不能な記号には利用可能でない。
【特許文献１】米国特許出願第２００４／００２２４５４号明細書
【特許文献２】欧州特許第１２５６０９１号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月6日(2007.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
現行のパーソナル・コンピューティング装置は、ユーザ・インタフェースを介してこうしたインタアクティブなアプリケーションへのアクセスを備える。通常のコンピューティング装置は、モニタやディスプレイの画面などの表示装置を用いて情報をユーザに呈示し、かつ、マウス、キーボード、ジョイスティックやスタイラスなどの入力装置を用いてユーザから情報を受信する画面上グラフィカル・インタフェースを有する。
【特許文献１】米国特許出願第２００５／０１３４９２６号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月23日(2007.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の情報処理方法をコンピュータに実行させるための制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の情報処理方法をコンピュータに実行させるための制御プログラムを格納した記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月19日(2007.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー分子末端に酸分解性基を有するコアシェル型ハイパーブランチポリマーを包含することを特徴とするレジスト組成物。
【請求項２】
前記コアシェル型ハイパーブランチポリマーは、スチレン誘導体をリビングラジカル重合反応させて得られることを特徴とする請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項３】
前記コアシェル型ハイパーブランチポリマーにおけるコア部が、下記式（１）で表されるモノマーの重合物であることを特徴とする請求項１に記載のレジスト組成物。
【化１】
2007128104.tif 000001
【請求項４】
前記コアシェル型ハイパーブランチポリマーにおけるコア部が、下記式（１）で表されるモノマーの単独重合物であることを特徴とする請求項３に記載のレジスト組成物。
【化２】
2007128104.tif 000002
【請求項５】
前記コアシェル型ハイパーブランチポリマーにおけるコア部が、下記式（１）で表されるモノマーと下記（２）〜（５）から選ばれる少なくとも１種のモノマーとの共重合物であることを特徴とする請求項３に記載のレジスト組成物。
【化３】
2007128104.tif 000003
（式（１）において、Ｙは、ヒドロキシル基又はカルボキシル基を含んでいてもよい炭素数１〜１０のアルキレン基を表す。Ｚは、ハロゲン原子を示す。）
【化４】
2007128104.tif 000004
（式（２）〜（５）において、Ｒ1は水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基を表わす。Ｒ2、Ｒ3は水素原子、炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を表わし、Ｒ2、Ｒ3は互いに同一でも異なっていても良い。Ｒ4は水素原子；炭素数１〜４０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基；トリアルキルシリル基（ここで、各アルキル基の炭素数は１〜６である）；オキソアルキル基（ここで、アルキル基の炭素数は４〜２０である）；又は下記式（６）で表される基（ただし、Ｒ5は直鎖状、分岐鎖状、もしくは環状の炭素数１〜１０のアルキル基、Ｒ6、Ｒ7は互いに独立して水素原子、直鎖状、分岐鎖状又は環状の炭素数１〜１０のアルキル基を示すか、或いはＲ6、Ｒ7が直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜１０のアルキル基を表すとき、互いに一緒になって環を形成しても良い）を表す。ｎは０から１０の整数を示す。）
【化５】
2007128104.tif 000005
【請求項６】
前記コアシェル型ハイパーブランチポリマーにおける酸分解性基が、下記式（Ｉ）〜（
ＩＶ）からなる群から選ばれる少なくとも１種の基であることを特徴とする請求項１に記載のレジスト組成物。
【化６】
2007128104.tif 000006
（式（I）〜（IV）において、Ｒ1'及びＲ2'はそれぞれＲ1及びＲ2について定義したのと同じであり、Ｒ8は水素原子；炭素数３〜４０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基；トリアルキルシリル基（ここで、各アルキル基の炭素数は１〜６である）；オキソアルキル基（ここで、アルキル基の炭素数は４〜２０である）；又は上記式（６）で表される基を示す。Ｒ9及びＲ10は、水素原子；直鎖状、分岐鎖状もしくは環状の炭素数１〜１０のアルキル基；又は炭素数６〜３０のアリール基を示し、Ｒ9及びＲ10は互いに同一でも異なっていても良く、Ｒ9、Ｒ10は互いに一緒になって環を形成しても良い。Ｇはハロゲン原子；水素原子；直鎖状、分岐鎖状もしくは環状の炭素数１〜１０のアルキル基；炭素数６〜３０のアリール基；アルキルカルボニルオキシ基（ここで、アルキル基の炭素数は１〜１０である）、アルキルオキシ基（ここで、アルキル基の炭素数は１〜１０である）、フェニルオキシ基、チオエーテル基、アミノ基又はシアノ基を示す。ｍは０から１０の整数を示し、ａ、ｂ、ｃ及びｄはそれぞれ１以上の整数を示す。）
【請求項７】
前記コアシェル型ハイパーブランチポリマーにおける酸分解性基が、下記式（７）の基を含むことを特徴とする請求項１に記載のレジスト組成物。
−Ｘ−Ｗ                    （７）
（式（７）において、Ｘは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐鎖状アルキレン基、又は原子間結合を表わし、Ｗは、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基；フェニル基；炭素数７〜２０のアルコキシフェニル基、炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基、又は下記式（８）で表される基を示す。
−Ｒ11−ＣＯＯ−Ｒ8'        （８）
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一つに記載のレジスト組成物によってパターンを形成されることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一つに記載のレジスト組成物を用いてパターンを形成することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月4日(2007.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を載置する試料台と；
前記試料から摘出された微小試料を支持できるマニピュレータと；
前記微小試料を固定できる第２試料台と；
前記試料台、及び前記第２試料台が配置された試料室と；
イオンビームを照射できる第１の集束イオンビーム光学系と；
イオンビームを照射できる第２の集束イオンビーム光学系と
電子ビームを照射できる電子ビーム光学系と；
を備える荷電粒子線装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかの有機発光層（３６１、３６３、３６５）を含む画素領域（３６１、３６３、３６５）と非画素領域とを備えた絶縁基板（３０５）と、
前記各画素領域（３６１、３６３、３６５）に配列された各第１電極（３４１、３４３、３４５）と、
前記各画素領域（３６１、３６３、３６５）及び非画素領域に形成された第２電極（３９０）と、
前記各画素領域（３６１、３６３、３６５）の各第１電極（３４１、３４３、３４５）と第２電極（３９０）との間に形成された、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかの有機発光層（３６１、３６３、３６５）及び電荷輸送層（３８１、３８３、３８５）と、
前記基板上部に形成された電極ライン（３７１、３７３、３７５）とを含み、
前記電極ライン（３７１、３７３、３７５）と前記第２電極（３９０）は非画素領域で電気的にコンタクトされることを特徴とする平板表示装置。
【請求項２】
前記非発光領域の少なくとも一部に位置する電極ライン（３７１、３７３、３７５）は、外部光を吸収する物質であり、導電性を有する物質であることを特徴とする請求項１記載の平板表示装置。
【請求項３】
前記電極ライン（３７１、３７３、３７５）のうち、画素領域（３６１、３６３、３６５）に配列された部分は、ストライプ状またはマトリックス状を有することを特徴とする請求項１記載の平板表示装置。
【請求項４】
前記電荷輸送層（３８１、３８３、３８５）は、画素領域（３６１、３６３、３６５）に全面的に形成されたことを特徴とする請求項１記載の平板表示装置。
【請求項５】
前記電極ライン（３７１、３７３、３７５）は、第２電極（３９０）と同一の極性を有する電圧の電流が流れることを特徴とする請求項１記載の平板表示装置。
【請求項６】
前記電極ライン（３７１、３７３、３７５）は、第２電極（３９０）の補助電極であることを特徴とする請求項１記載の平板表示装置。
【請求項７】
前記電極ライン（３７１、３７３、３７５）は、非画素領域のうち、少なくとも一部分に形成されて前記非画素領域で前記電極ライン（３７１、３７３、３７５）が前記第２電極（３９０）と電気的にコンタクトされることを特徴とする請求項１記載の平板表示装置。
【請求項８】
前記電極ライン（３７１、３７３、３７５）は、非画素領域で前記画素領域（３６１、３６３、３６５）の外郭部に沿って形成され、前記電極ライン（３７１、３７３、３７５）が前記第２電極（３９０）と電気的にコンタクトされることを特徴とする請求項７記載の平板表示装置。
【請求項９】
Ｒ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層（３６１、３６３、３６５）を含む画素領域（３６１、３６３、３６５）と非画素領域とを備えた絶縁基板（３０５）を提供するステップと、
前記絶縁基板（３０５）の各画素領域（３６１、３６３、３６５）上に各第１電極（３４１、３４３、３４５）を形成するステップと、
前記各第１電極（３４１、３４３、３４５）上にＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層（３６１、３６３、３６５）と電荷輸送層（３８１、３８３、３８５）を形成するステップと、
前記各画素領域（３６１、３６３、３６５）及び非画素領域に電極ライン（３７１、３７３、３７５）を形成するステップと、
前記各画素領域（３６１、３６３、３６５）及び非画素領域に第２電極（３９０）を形成するステップとを含み、
前記電極ライン（３７１、３７３、３７５）と前記第２電極（３９０）は、非画素領域内で電気的にコンタクトされることを特徴とする平板表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記電極ライン（３７１、３７３、３７５）のうち、画素領域（３６１、３６３、３６５）に配列された部分は、ストライプ状またはマトリックス状を有することを特徴とする請求項９記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記電極ライン（３７１、３７３、３７５）は、第２電極（３９０）と同一の極性を有する電圧の電流が流れることを特徴とする請求項９記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記電極ライン（３７１、３７３、３７５）は、第２電極（３９０）の補助電極であることを特徴とする請求項９記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１３】
Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層のいずれか一つを含む画素領域（３６１、３６３、３６５）と非画素領域とを備えた絶縁基板（３０５）と、
前記各画素領域（３６１、３６３、３６５）に配列された各第１電極（３４１、３４３、３４５）と、
前記各画素領域（３６１、３６３、３６５）及び非画素領域に形成された第２電極（３９０）と、
前記各第１電極（３４１、３４３、３４５）の一部分が露出されるよう形成された画素分離膜（３５０）と、
前記画素分離膜（３５０）上に形成された電極ライン（３７１、３７３、３７５）と、
前記各画素領域（３６１、３６３、３６５）の各第１電極（３４１、３４３、３４５）と第２電極（３９０）との間に形成された、Ｒ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層（３６１、３６３、３６５）及び電荷輸送層（３８１、３８３、３８５）とを含み、
前記非画素領域内で前記電極ライン（３７１、３７３、３７５）と第２電極（３９０）が電気的に直接コンタクトされることを特徴とする平板表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月6日(2007.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(1)生物試料をジチオスレイトールの存在下、逆転写反応に供し、RNA-DNA複合体を調製し、
(2)得られたRNA-DNA複合体のDNA鎖の3'端にポリN(NはGまたはCを示す)を形成するテーリング反応を、RNA-DNA複合体を希釈すること無しにマグネシウムイオンを含有するTris-HClバッファー中で行い、
(3)ポリNを形成したRNA-DNA複合体のDNA鎖を鋳型とし、かつオリゴ-dNアダプター(dNのNはGまたはCを示し、オリゴ-dNアダプターは、オリゴ-dN部と(4)におけるPCRのプライマーの少なくとも一部と同一の配列を有するアダプター部とを含む)を一方のプライマーとして2本鎖DNA合成を行い、
(4)得られた2本鎖DNA 中のオリゴ-dNアダプターを含んでいる1本鎖DNAを鋳型とし、かつ上記アダプターに含まれる配列を一方のプライマーとしてさらにPCRを行う
ことを含む、生物試料に含まれる目的遺伝子を増幅する方法であって、
生物試料が、1つの細胞であること、
(1)において調製したRNA-DNA複合体を、逆転写反応の基質と分離することを含む精製をすることなしに(2)においてテーリング反応を行い、かつ
(2)におけるテーリング反応は、
ポリ鎖がポリGであり、反応液中のdGTP濃度をdATP、dCTP及びdTTPの濃度より２倍以上高くする、または
ポリ鎖がポリCであり、反応液中のdCTP濃度をdATP、dGTP、及びdTTPの濃度より２倍以上高くする、
ことを特徴とする前記方法。
【請求項２】
(1)〜(3)の反応は、1つの容器で、反応用試薬及び酵素を前記容器に順次追加することで行う、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
(3)における2本鎖DNA合成は、ポリ鎖を形成したdNTPの濃度を、それ以外のdNTPの濃度の10倍以下にして行う請求項1または2に記載の方法。
【請求項４】
(4)におけるPCRは、ポリ鎖を形成したdNTPの濃度を、それ以外のdNTPの濃度の5倍以下にして行う請求項1〜3のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
(4)のPCRの後に、(5)ネステッドPCRを行う請求項1〜4のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
(1)〜(4)または(1)〜(5)の反応をマグネシウムイオンの存在下で行う請求項1〜5のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
(1)における逆転写反応の反応溶液の容量を1〜5μｌの範囲とし、
(3)における2本鎖DNA合成の反応溶液の容量を25〜100μｌの範囲とする請求項1〜6のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
生物試料がB細胞であり、目的遺伝子が抗体遺伝子である請求項1〜7のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
生物試料がT細胞であり、目的遺伝子が抗原受容体遺伝子である請求項1〜7のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月19日(2007.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内視鏡に設けられた光学的観察手段による光学的観察のために照明を行う内視鏡照明装置において、
赤の波長帯域で発光する第1の発光領域と、緑の波長帯域で発光する第２の発光領域と、青の波長帯域内の第１の狭帯域で発光する第３の発光領域と、前記第１の狭帯域とは異なる青の波長帯域内の第２の狭帯域で発光する第４の発光領域との４色を有する発光ダイオードと、
前記４色発光ダイオードの発光を制御し、可視光帯域観察用の照明と、蛍光もしくは狭帯域観察用の照明とを選択的に行う照明制御手段と、
を具備したことを特徴とする内視鏡照明装置。
【請求項２】
前記４色発光ダイオードは、内視鏡の内部に設けられることを特徴とする請求項１に記載の内視鏡照明装置。
【請求項３】
前記照明制御手段は、前記第１の発光領域、第２の発光領域及び第３の発光領域、或いは第４の発光領域を順次或いは同時に発光させる制御を行うと共に、前記第２の発光領域及び第３の発光領域、或いは第４の発光領域を順次或いは同時に発光させる制御とを行うことを特徴とする請求項１に記載の内視鏡照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の内視鏡照明装置は、内視鏡に設けられた光学的観察手段による光学的観察のために照明を行う内視鏡照明装置において、
赤の波長帯域で発光する第1の発光領域と、緑の波長帯域で発光する第２の発光領域と、青の波長帯域内の第１の狭帯域で発光する第３の発光領域と、前記第１の狭帯域とは異なる青の波長帯域内の第２の狭帯域で発光する第４の発光領域との４色を有する発光ダイオードと、
前記４色発光ダイオードの発光を制御し、可視光帯域観察用の照明と、蛍光もしくは狭帯域観察用の照明とを選択的に行う照明制御手段と、
を具備したことを特徴とする。
上記構成により、４色発光ダイオードを用いて可視光帯域観察用の照明と、蛍光もしくは狭帯域観察用の照明とを選択的に行えると共に、ランプの場合よりも小型化し易いようにしている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月24日(2007.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
造血幹細胞及び内皮前駆細胞の幹細胞集団を含み、前記幹細胞集団から得られる細胞が、治療上有用な、ヒトトリプトファニルｔＲＮＡ合成酵素（ＴｒｐＲＳ）の抗血管新生タンパク質断片を発現する、形質移入された、系統陰性の造血幹細胞集団。
【請求項２】
前記ＴｒｐＲＳの断片が、Ｔ２−ＴｒｐＲＳ（配列番号３）及びＴ２ＴｒｐＲＳ−ＧＤ（配列番号４）からなる群から選択される、請求項１に記載の、形質移入された幹細胞集団。
【請求項３】
前記細胞の少なくとも約２０％が表面抗原ＣＤ３１を発現する、請求項１に記載の形質移入された幹細胞集団。
【請求項４】
前記細胞の少なくとも約５０％が表面抗原ＣＤ３１を発現する、請求項１に記載の形質移入された幹細胞集団。
【請求項５】
前記細胞の少なくとも約７５％が表面抗原ＣＤ３１を発現する、請求項１に記載の形質移入された幹細胞集団。
【請求項６】
前記細胞の少なくとも約５０％が、インテグリンα６に関する表面抗原を発現する、請求項１に記載の形質移入された幹細胞集団。
【請求項７】
前記細胞が、成体骨髄由来である、請求項１に記載の形質移入された幹細胞集団。
【請求項８】
前記細胞が、マウスの細胞である、請求項１に記載の形質移入された幹細胞集団。
【請求項９】
前記細胞の少なくとも約５０％が表面抗原ＣＤ３１を発現し、前記細胞の少なくとも約５０％が表面抗原ＣＤ１１７を発現する、請求項８に記載の形質移入された幹細胞集団。
【請求項１０】
前記細胞の少なくとも約６５％が表面抗原ＣＤ１１７を発現する、請求項８に記載の形質移入された幹細胞集団。
【請求項１１】
前記細胞の少なくとも約８０％が表面抗原ＣＤ３１を発現し、前記細胞の少なくとも約７０％が表面抗原ＣＤ１１７を発現する、請求項８に記載の形質移入された幹細胞集団。
【請求項１２】
前記細胞がヒトの細胞である、請求項１に記載の形質移入された幹細胞集団。
【請求項１３】
前記細胞がＣＤ１３３陰性であり、前記細胞の少なくとも約５０％がインテグリンα６に関する表面抗原を発現し、前記細胞の少なくとも約５０％が表面抗原ＣＤ３１を発現する、請求項１２に記載の形質移入された幹細胞集団。
【請求項１４】
前記細胞がＣＤ１３３陽性であり、前記細胞の約３０％未満がインテグリンα６に関する表面抗原を発現し、前記細胞の約３０％未満が表面抗原ＣＤ３１を発現する、請求項１２に記載の形質移入された幹細胞集団。
【請求項１５】
細胞培養培地をさらに含む、請求項１に記載の形質移入された幹細胞集団。
【請求項１６】
前記細胞集団が、神経栄養性物質を操作可能にコードするＤＮＡでさらに形質移入されている、請求項１に記載の形質移入された幹細胞集団。
【請求項１７】
前記神経栄養性物質が、神経成長因子、ニューロトロフィン３、ニューロトロフィン４、ニューロトロフィン５、毛様体神経栄養因子、網膜色素上皮由来神経栄養因子、インスリン様成長因子、グリア細胞系列由来神経栄養因子及び脳由来神経栄養因子からなる群から選択される、請求項１６に記載の形質移入された幹細胞集団。
【請求項１８】
（ａ）眼疾患に罹患している哺乳動物から骨髄を抽出することと、
（ｂ）前記骨髄から複数の単球を分離することと、
（ｃ）ＣＤ２、ＣＤ３、ＣＤ４、ＣＤ１１、ＣＤ１１ａ、Ｍａｃ−１、ＣＤ１４、ＣＤ１６、ＣＤ１９、ＣＤ２４、ＣＤ３３、ＣＤ３６、ＣＤ３８、ＣＤ４５、Ｌｙ−６Ｇ、ＴＥＲ−１１９、ＣＤ４５ＲＡ、ＣＤ５６、ＣＤ６４、ＣＤ６８、ＣＤ８６、ＣＤ６６ｂ、ＨＬＡ−ＤＲ及びＣＤ２３５ａからなる群から選択される１つ又は複数の系統表面抗原に対するビオチン結合系統パネル抗体で前記単球を標識することと、
（ｄ）前記複数の単球から前記１つ又は複数の系統表面抗原に関して陽性である単球を分離して、内皮前駆細胞を含有する系統陰性の造血幹細胞集団を回収することと、
（ｅ）段階（ｄ）の回収された細胞集団に、ヒトトリプトファニルｔＲＮＡ合成酵素（ＴｒｐＲＳ）の抗血管新生タンパク質断片を操作可能にコードする遺伝子を形質移入することと、及び
（ｆ）続いて前記疾患の影響を改善するのに十分な量の、前記形質移入された細胞集団から得られる前記細胞を前記哺乳動物の眼の硝子体内に注入することと、
によって、内皮前駆細胞を含む、系統陰性の造血幹細胞集団を、前記哺乳動物の骨髄から単離することを含む、前記哺乳動物における眼疾患を治療する方法。
【請求項１９】
前記ＴｒｐＲＳの断片が、Ｔ２−ＴｒｐＲＳ（配列番号３）及びＴ２−ＴｒｐＲＳ−ＧＤ（配列番号４）からなる群から選択される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記疾患が、網膜変性疾患、網膜血管変性疾患、虚血性網膜症、血管からの出血、血管からの漏出、脈絡膜症、加齢黄斑変性、糖尿病性網膜症、推定眼ヒストプラスマ症、未熟児網膜症、鎌状赤血球貧血及び色素性網膜炎からなる群から選択される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
請求項１に記載の、形質移入された系統陰性の造血幹細胞集団を哺乳動物の眼に硝子体内注入することを含む、前記哺乳動物の網膜脈管構造に導入遺伝子を送達する方法。
【請求項２２】
前記形質移入された幹細胞集団が、Ｔ２−ＴｒｐＲＳ（配列番号３）及びＴ２−ＴｒｐＲＳ−ＧＤ（配列番号４）からなる群から選択されるＴｒｐＲＳの断片を発現する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
請求項１に記載の、形質移入された系統陰性の造血幹細胞集団を哺乳動物の眼に硝子体内注入することを含む、前記哺乳動物の眼において神経ネットワークを救出する方法。
【請求項２４】
前記形質移入された幹細胞集団が、Ｔ２−ＴｒｐＲＳ（配列番号３）及びＴ２−ＴｒｐＲＳ−ＧＤ（配列番号４）からなる群から選択されるＴｒｐＲＳの断片を発現する、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
請求項１に記載の、形質移入された系統陰性の造血幹細胞集団を哺乳動物の眼に硝子体内注入することを含む、前記哺乳動物の眼において血管を救出する方法。
【請求項２６】
前記形質移入された幹細胞集団が、Ｔ２−ＴｒｐＲＳ（配列番号３）、Ｔ２−ＴｒｐＲＳ−ＧＤ（配列番号４）、ミニ−ＴｒｐＲＳ（配列番号５）及びＴ１−ＴｒｐＲＳ（配列番号６）からなる群から選択されるＴｒｐＲＳの断片を発現する、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
請求項１に記載の、系統陰性の造血幹細胞集団を哺乳動物の眼に硝子体内注入することを含む、前記哺乳動物の眼において抗アポトーシス遺伝子の上方制御を刺激する方法。
【請求項２８】
前記形質移入された幹細胞集団が、Ｔ２−ＴｒｐＲＳ（配列番号３）及びＴ２−ＴｒｐＲＳ−ＧＤ（配列番号４）からなる群から選択されるＴｒｐＲＳの断片を発現する、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
請求項１に記載の、系統陰性の造血幹細胞集団を哺乳動物の眼に硝子体内注入することを含む、前記哺乳動物の眼における星状細胞を標的として、ＴｒｐＲＳの抗血管新生タンパク質断片を送達する方法。
【請求項３０】
前記形質移入された幹細胞集団が、Ｔ２−ＴｒｐＲＳ（配列番号３）及びＴ２−ＴｒｐＲＳ−ＧＤ（配列番号４）からなる群から選択されるＴｒｐＲＳの断片を発現する、請求項２９に記載の方法。