【手続補正書】
【提出日】平成19年2月13日(2007.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）炭素薄膜選択成長領域が表面に形成された導電体層、及び、
（ｂ）炭素薄膜選択成長領域上に形成された炭素薄膜から成る電子放出部、
から構成されていることを特徴とする電子放出装置。
【請求項２】
（ａ）支持体上に形成されたカソード電極、及び、
（ｂ）カソード電極の上方に形成され、開口部を有するゲート電極、
から成り、
（ｃ）開口部の底部に位置するカソード電極の部分の表面に形成された炭素薄膜から成る電子放出部、
を更に備えていることを特徴とする冷陰極電界電子放出素子。
【請求項３】
カソード電極は、銅、銀又は金から構成されていることを特徴とする請求項２に記載の冷陰極電界電子放出素子。
【請求項４】
支持体及びカソード電極上には絶縁層が形成されており、
ゲート電極に設けられた開口部に連通した第２の開口部が絶縁層に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の冷陰極電界電子放出素子。
【請求項５】
（ａ）支持体上に形成されたカソード電極、及び、
（ｂ）カソード電極の上方に形成され、開口部を有するゲート電極、
から成り、
（ｃ）少なくとも、開口部の底部に位置するカソード電極の部分の表面に形成された炭素薄膜選択成長領域、及び、
（ｄ）炭素薄膜選択成長領域上に形成された炭素薄膜から成る電子放出部、
を更に備えていることを特徴とする冷陰極電界電子放出素子。
【請求項６】
炭素薄膜選択成長領域は、表面に金属粒子が付着したカソード電極の部分、あるいは、表面に金属薄膜又は有機金属化合物薄膜が形成されたカソード電極の部分であることを特徴とする請求項５に記載の冷陰極電界電子放出素子。
【請求項７】
支持体及びカソード電極上には絶縁層が形成されており、
ゲート電極に設けられた開口部に連通した第２の開口部が絶縁層に設けられており、
第２の開口部の底部に炭素薄膜が位置することを特徴とする請求項５に記載の冷陰極電界電子放出素子。
【請求項８】
（Ａ）支持体上にカソード電極を形成する工程と、
（Ｂ）支持体及びカソード電極上に絶縁層を形成する工程と、
（Ｃ）絶縁層上に開口部を有するゲート電極を形成する工程と、
（Ｄ）ゲート電極に形成された開口部に連通する第２の開口部を絶縁層に形成する工程と、
（Ｅ）第２の開口部の底部に位置するカソード電極の部分の表面に炭素薄膜選択成長領域を形成する、炭素薄膜選択成長領域形成工程と、
（Ｆ）炭素薄膜選択成長領域上に炭素薄膜を形成する工程、
から成ることを特徴とする冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項９】
炭素薄膜選択成長領域形成工程は、第２の開口部の底部の中央部にカソード電極の表面が露出したマスク層を形成した後、露出したカソード電極の表面を含むマスク層上に、金属粒子を付着させ、若しくは、金属薄膜又は有機金属化合物薄膜を形成する工程から成ることを特徴とする請求項８に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項１０】
炭素薄膜選択成長領域形成工程は、炭素薄膜選択成長領域を形成すべきカソード電極の部分の表面に、金属粒子を付着させ、若しくは、金属薄膜又は有機金属化合物薄膜を形成する工程から成り、以て、表面に金属粒子が付着し、若しくは、表面に金属薄膜又は有機金属化合物薄膜が形成されたカソード電極の部分から成る炭素薄膜選択成長領域を得ることを特徴とする請求項８に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項１１】
（Ａ）支持体上にカソード電極を形成する工程と、
（Ｂ）カソード電極の表面に炭素薄膜選択成長領域を形成する、炭素薄膜選択成長領域形成工程と、
（Ｃ）炭素薄膜選択成長領域上に炭素薄膜を形成する工程と、
（Ｄ）炭素薄膜の上方に、開口部を有するゲート電極を設ける工程、
から成ることを特徴とする冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項１２】
前記工程（Ｃ）に引き続き、全面に絶縁層を形成し、
前記工程（Ｄ）に引き続き、ゲート電極に設けられた開口部に連通する第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に炭素薄膜を露出させることを特徴とする請求項１１に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項１３】
炭素薄膜選択成長領域形成工程は、炭素薄膜選択成長領域を形成すべきカソード電極の部分の表面に、金属粒子を付着させ、若しくは、金属薄膜又は有機金属化合物薄膜を形成する工程から成り、以て、表面に金属粒子が付着し、若しくは、表面に金属薄膜又は有機金属化合物薄膜が形成されたカソード電極の部分から成る炭素薄膜選択成長領域を得ることを特徴とする請求項１１に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項１４】
（Ａ）支持体上にカソード電極を形成する工程と、
（Ｂ）カソード電極の表面に炭素薄膜選択成長領域を形成する、炭素薄膜選択成長領域形成工程と、
（Ｃ）炭素薄膜選択成長領域の上方に、開口部を有するゲート電極を設ける工程と、
（Ｄ）炭素薄膜選択成長領域上に炭素薄膜を形成する工程、
から成ることを特徴とする冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項１５】
前記工程（Ｂ）に引き続き、全面に絶縁層を形成し、
前記工程（Ｃ）に引き続き、ゲート電極に設けられた開口部に連通する第２の開口部を絶縁層に形成し、第２の開口部の底部に炭素薄膜選択成長領域を露出させることを特徴とする請求項１４に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項１６】
炭素薄膜選択成長領域形成工程は、炭素薄膜選択成長領域を形成すべきカソード電極の部分の表面に、金属粒子を付着させ、若しくは、金属薄膜又は有機金属化合物薄膜を形成する工程から成り、以て、表面に金属粒子が付着し、若しくは、表面に金属薄膜又は有機金属化合物薄膜が形成されたカソード電極の部分から成る炭素薄膜選択成長領域を得ることを特徴とする請求項１４に記載の冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
【請求項１７】
複数の画素から構成され、
各画素は、冷陰極電界電子放出素子と、冷陰極電界電子放出素子に対向して基板上に設けられたアノード電極及び蛍光体層から構成され、
冷陰極電界電子放出素子は、
（ａ）炭素薄膜選択成長領域が表面に形成された導電体層、及び、
（ｂ）炭素薄膜選択成長領域上に形成された炭素薄膜から成る電子放出部、
を備えていることを特徴とする冷陰極電界電子放出表示装置。
【請求項１８】
複数の画素から構成され、
各画素は、冷陰極電界電子放出素子と、冷陰極電界電子放出素子に対向して基板上に設けられたアノード電極及び蛍光体層から構成され、
冷陰極電界電子放出素子は、
（ａ）支持体上に形成されたカソード電極、及び、
（ｂ）カソード電極の上方に形成され、開口部を有するゲート電極、
から成り、
（ｃ）開口部の底部に位置するカソード電極の部分の表面に形成された炭素薄膜から成る電子放出部、
を備えていることを特徴とする冷陰極電界電子放出表示装置。
【請求項１９】
複数の画素から構成され、
各画素は、冷陰極電界電子放出素子と、冷陰極電界電子放出素子に対向して基板上に設けられたアノード電極及び蛍光体層から構成され、
冷陰極電界電子放出素子は、
（ａ）支持体上に形成されたカソード電極、
（ｂ）カソード電極の上方に形成され、開口部を有するゲート電極、
（ｃ）少なくとも、開口部の底部に位置するカソード電極の部分の表面に形成された炭素薄膜選択成長領域、及び、
（ｄ）炭素薄膜選択成長領域上に形成された炭素薄膜から成る電子放出部、
を備えていることを特徴とする冷陰極電界電子放出表示装置。
【請求項２０】
アノード電極及び蛍光体層が形成された基板と、冷陰極電界電子放出素子が形成された支持体とを、蛍光体層と冷陰極電界電子放出素子とが対向するように配置し、基板と支持体とを周縁部において接合する冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法であって、
冷陰極電界電子放出素子を、
（Ａ）支持体上にカソード電極を形成する工程と、
（Ｂ）支持体及びカソード電極上に絶縁層を形成する工程と、
（Ｃ）絶縁層上に開口部を有するゲート電極を形成する工程と、
（Ｄ）ゲート電極に形成された開口部に連通する第２の開口部を絶縁層に形成する工程と、
（Ｅ）第２の開口部の底部に位置するカソード電極の部分の表面に炭素薄膜選択成長領域を形成する、炭素薄膜選択成長領域形成工程と、
（Ｆ）炭素薄膜選択成長領域上に炭素薄膜を形成する工程、
に基づき形成することを特徴とする冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法。
【請求項２１】
アノード電極及び蛍光体層が形成された基板と、冷陰極電界電子放出素子が形成された支持体とを、蛍光体層と冷陰極電界電子放出素子とが対向するように配置し、基板と支持体とを周縁部において接合する冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法であって、
冷陰極電界電子放出素子を、
（Ａ）支持体上にカソード電極を形成する工程と、
（Ｂ）カソード電極の表面に炭素薄膜選択成長領域を形成する、炭素薄膜選択成長領域形成工程と、
（Ｃ）炭素薄膜選択成長領域上に炭素薄膜を形成する工程と、
（Ｄ）炭素薄膜の上方に、開口部を有するゲート電極を設ける工程、
に基づき形成することを特徴とする冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法。
【請求項２２】
アノード電極及び蛍光体層が形成された基板と、冷陰極電界電子放出素子が形成された支持体とを、蛍光体層と冷陰極電界電子放出素子とが対向するように配置し、基板と支持体とを周縁部において接合する冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法であって、
冷陰極電界電子放出素子を、
（Ａ）支持体上にカソード電極を形成する工程と、
（Ｂ）カソード電極の表面に炭素薄膜選択成長領域を形成する、炭素薄膜選択成長領域形成工程と、
（Ｃ）炭素薄膜選択成長領域の上方に、開口部を有するゲート電極を設ける工程、
（Ｄ）炭素薄膜選択成長領域上に炭素薄膜を形成する工程、
に基づき形成することを特徴とする冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2002197965.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2002197965.tif 000002