【手続補正書】
【提出日】平成31年1月31日(2019.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板から金属を除去する方法であって、該方法は、
１つ以上の処理ガスを、前記基板の上に配置された金属と第１の温度で化学反応を起こさせ、除去できる化合物を形成するステップであって、該除去できる化合物は昇華温度で昇華し、前記第１の温度は前記昇華温度より低い、ステップと、
前記除去できる化合物がガス状になるように、前記除去できる化合物を昇華するステップであって、前記１つ以上の処理ガスと前記基板の上に配置された前記金属との間に更に化学反応は起きず、前記昇華するステップの温度は前記昇華温度より高い第２の温度である、ステップと、
前記基板の表面から前記ガス状の除去できる化合物を分離する、ステップと、
を有する方法。
【請求項２】
金属の所望の量を前記基板から除去するまで、前記化学反応を起こさせるテップと、前記昇華するステップと、前記分離するステップと、を、複数回、繰り返すステップを、更に有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記金属はプラチナを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記１つ以上の処理ガスは、塩素及び一酸化炭素を含み、前記除去できる化合物は、塩化カルボニルプラチナを含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】
基板から金属を除去する方法であって、該方法は、
前記基板の上に配置された金属を、第１の処理ガスと第１の温度で化学反応を起こさせ、除去できる化合物の前駆体を形成するステップであって、前記除去できる化合物は昇華温度で昇華し、前記第１の温度は前記昇華温度より低い、ステップと、
前記前駆体を、第２の処理ガスと第２の温度で化学反応を起こさせ、除去できる化合物を形成するステップであって、前記第１の処理ガスと前記基板の上に配置された前記金属との間に更に化学反応は起きない、ステップと、
前記除去できる化合物がガス状になるように、前記除去できる化合物を昇華するステップと、
前記ガス状の除去できる化合物を前記基板の表面から分離するステップと、
を有する方法。
【請求項６】
金属の所望の量を前記基板から除去するまで、前記第１の処理ガスと前記化学反応を起こさせるテップと、前記第２の処理ガスと前記化学反応を起こさせるステップと、前記昇華するステップと、前記分離するステップと、を、複数回、繰り返すステップを、更に有する、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記金属はプラチナを含む、請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記第１の処理ガスは塩素を含み、前記第２の処理ガスは一酸化炭素を含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記除去できる化合物は、塩化カルボニルプラチナを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記前駆体は、塩化プラチナを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
ワークピース処理システムであって、該システムは、
１つ以上のガス注入口及び少なくとも１つの排気口と、
ヒーターと、
少なくとも１つの処理ガスを含むガス貯蔵コンテナと、
該ガス貯蔵コンテナと前記ガス注入口の内の１つとの間に配置されるバルブと、
前記排気口と連通する少なくとも１つの排気ポンプと、
コントローラと、を備え、
該コントローラは、
前記バルブを作動させ、前記少なくとも１つの処理ガスを基板の表面の上に配置される金属に隣接して流し、
前記バルブを作動させ、前記少なくとも１つの処理ガスの流れを、第１の残存時間の間、停止し、前記基板の前記表面の上に配置された前記金属を、前記少なくとも１つの第１の処理ガスと第１の温度で化学反応を起こさせ、
前記ヒーターを作動させ、除去できる化合物がガス状になり、前記基板の前記表面から分離するように、前記基板の前記表面の上に配置された前記金属の前記化学反応により製造された、前記除去できる化合物を昇華し、前記少なくとも１つの処理ガスと前記基板の前記表面の上に配置された前記金属との間に更に化学反応は起きず、前記昇華する温度は前記第１の温度より高い第２の温度であり、
前記少なくとも１つの排気ポンプの内の１つを作動させ、前記排気口を通って、前記ガス状の除去できる化合物を除去する、システム。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの処理ガスは、塩素及び一酸化炭素を含む、請求項１１記載のワークピース処理システム。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの処理ガスは塩素を含み、
前記システムは、さらに、
第２のガス貯蔵コンテナと、
該第２のガス貯蔵コンテナと前記ガス注入口との間に配置される第２のバルブと、を備え、
一酸化炭素は、前記第２のガス貯蔵コンテナの中に配置される、請求項１１記載のワークピース処理システム。
【請求項１４】
前記コントローラは、
前記第２のバルブを作動させ、一酸化炭素を前記基板の前記表面の上に配置される前記金属に隣接して流し、
前記ヒーターを作動させる前に、前記第２のバルブを作動させ、一酸化炭素の前記チャンバの中への流れを停止する、請求項１３記載のワークピース処理システム。
【請求項１５】
ワークピース処理システムであって、該システムは、
１つ以上のガス注入口及び少なくとも１つの排気口と、
ヒーターと、
第１の処理ガスを含む第１のガス貯蔵コンテナと、
第２の処理ガスを含む第２のガス貯蔵コンテナと、
前記第１のガス貯蔵コンテナと前記ガス注入口の内の１つとの間に配置される第１のバルブと、
前記第２のガス貯蔵コンテナと前記ガス注入口の内の１つとの間に配置される第２のバルブと、
前記排気口と連通する少なくとも１つの排気ポンプと、
コントローラと、を備え、
該コントローラは、
前記第１のバルブを作動させ、前記第１の処理ガスを基板の表面に隣接して流し、
前記第１のバルブを作動させ、前記第１の処理ガスの流れを、第１の残存時間の間、停止し、前記基板の前記表面の上に配置された金属に、前記第１の処理ガスと化学反応を起こさせることを可能にし、除去できる化合物の前駆体を製造し、
前記ヒーターを作動させ、前記除去できる化合物の前記前駆体を、前記除去できる化合物の昇華温度より高い温度に加熱し、前記第１の処理ガスと前記基板の前記表面の上に配置された前記金属との間に更に化学反応は起きず、
前記第２のバルブを作動させ、前記第２の処理ガスを前記基板の前記表面に隣接して流し、前記除去できる化合物の前記前駆体に、前記第２の処理ガスと化学反応を起こさせることを可能にし、ガス状になる前記除去できる化合物を製造し、
前記少なくとも１つの排気ポンプの内の１つを作動させ、前記排気口を通って、前記ガス状の除去できる化合物を除去する、システム。
【請求項１６】
前記第１の処理ガスは塩素を含み、前記第２の処理ガスは一酸化炭素を含む、請求項１５記載のワークピース処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板から金属を除去する方法及びワークピース処理システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
一実施形態において、制御される方法で基板から金属を除去するための方法が開示される。その方法は、基板から金属を除去する方法であって、１つ以上の処理ガスを第１の温度のチャンバの中に導入するステップであって、基板は前記チャンバの中に配置される、ステップと、前記１つ以上の処理ガスを、前記基板の上に配置された金属と化学反応を起こさせ、除去できる化合物を形成するステップであって、該除去できる化合物は昇華温度で昇華し、前記第１の温度は前記昇華温度より低い、ステップと、前記化学反応を起こさせるステップの後に、前記１つ以上の処理ガスを、前記チャンバから排出するステップと、該排出するステップの後に、前記除去できる化合物がガス状になるように、前記チャンバ内の温度を前記昇華温度より高い第２の温度へ上昇させるステップと、前記ガス状の除去できる化合物を前記チャンバから除去するステップと、を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
別の実施形態において、制御される方法で基板から金属を除去するための方法が開示される。その方法は、第１の処理ガスをチャンバの中に導入するステップであって、基板は第１の温度の前記チャンバの中に配置される、ステップと、前記第１の処理ガスを、前記基板の上に配置された金属と化学反応を起こさせ、除去できる化合物の前駆体を形成するステップであって、前記除去できる化合物は昇華温度で昇華し、前記第１の温度は前記昇華温度より低い、ステップと、前記化学反応を起こさせるステップの後に、前記第１の処理ガスを、前記チャンバから排出するステップと、該排出するステップの後に、前記チャンバ内の温度を前記昇華温度より高い第２の温度へ上昇させるステップと、第２の処理ガスが前記前駆体と反応して前記除去できる化合物を形成するように、前記排出するステップの後に、前記第２の処理ガスを前記チャンバの中に導入するステップであって、前記除去できる化合物がガス状になるステップと、前記ガス状の除去できる化合物を前記チャンバから除去するステップと、
を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
どちらの実施形態においても、基板は、次いで、プラテン１７０の上に配置され、プロセス２１０に示すように、処理ガスはチャンバ１１０の中へ導入される。上記のように、各処理ガスは、それぞれのガス貯蔵コンテナ１２５及び第２のガス貯蔵コンテナ１２５ｂに格納することができ、対応するバルブ１２３及び第２のバルブ１２３ｂの作動により、チャンバ１１０へ導入することができる。例えば、コントローラ１８０は、バルブ１２３及び第２のバルブ１２３ｂへ制御信号を発生することができ、バルブ１２３及び第２のバルブ１２３ｂに作動させ、ガス注入口１２０を通って、ガス貯蔵コンテナ１２５及び第２のガス貯蔵コンテナ１２５ｂから、チャンバ１１０への処理ガスの流れを可能にする。処理ガスは、任意の適切な流速で、チャンバ１１０へ導入することができる。特定の実施形態において、１つのガス貯蔵コンテナ１２５のみ及び１つのバルブ１２３のみが用いられる。本実施形態において、処理ガスの全てが１つのガス貯蔵コンテナ１２５に格納され、処理ガスの全てがバルブ１２３を通って流れる。したがって、多数の処理ガスの導入は、図１に示すように、２つ以上のガス貯蔵コンテナ及びそれぞれのバルブの使用により、達成することができ、又は、単一のガス貯蔵コンテナ１２５に処理ガスの全てを格納することにより、達成することができる。特定の実施形態において、他の流速も可能であるけれども、２００sccmの流速が用いられる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
チャンバ１１０が第１の温度の時に、これらの処理ガスが導入される。これらの処理ガスは、次いで、プロセス２２０で示すように、第１の残存時間の間に、チャンバ１１０内に残存することができる。この第１の残存時間は、処理ガスに、基板の上に配置された金属層と反応させるのに十分に長くすることができる。特定の実施形態において、第１の残存時間は３０秒以上にすることができる。バルブ１２３及び第２のバルブ１２３ｂは、第１の残存時間の全体にわたって、開くことができ、又は、第１の残存時間の終了の前に、閉じることができる。処理ガスは、金属と反応し、除去できる化合物を形成する。一実施形態において、金属がプラチナであり、処理ガスが一酸化炭素及び塩素である場合、除去できる化合物は、塩化ジカルボニルプラチナ（Pt(CO)2Cl2）としても知られる、塩化カルボニルプラチナである。除去できる化合物は、処理ガスにアクセスできるそれらの金属原子と共にのみ形成する。言い換えれば、処理ガスは、特定の深さまでの蒸着金属と反応するだけである。より深く配置される金属原子は、この化学反応に関与しない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
コントローラ１８０は、処理ガスがチャンバ１１０の中にいる経過時間をモニターすることができる。第１の残存時間の終了後に、プロセス２３０に示すように、処理ガスはチャンバ１１０から排出することができる。コントローラ１８０は、制御信号を排出ポンプ１５０へ出力することができ、排出ポンプ１５０を作動し、処理ガスを、チャンバ１１０から除去させることができる。バルブ１２３及び第２のバルブ１２３ｂは、排出ポンプ１５０の作動の前に、両方共閉じられる。