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【手続補正書】
【提出日】平成19年5月30日(2007.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに特許文献１記載の天場処理ロータの回転軸は旧畦の延びる方向に対して左右方向に略直交する方向に延びているので、天場処理ロータに設けられた天場処理爪は旧畦の延びる方向と略平行に延びる。このため、天場処理爪によって削られた旧畦の天場部の土はその殆どが天場部上に残り、水田に落下するのは僅かである。このため、天場部には天場処理ロータによって削られた土と前処理ロータから供給される土が堆積することになり、畦塗り体によって整畦される新畦の高さは旧畦のそれより高くなり、新畦の高さを旧畦の高さと同程度や低くしたりする調整がし難いという問題がある。また、特許文献２記載の天場処理ロータは回転軸が旧畦の延びる方向に略平行に配置されるので、天場処理爪は天場処理ロータの進行方向に対して略直交する方向になる。このため、天場処理ロータが回転動しながら進行方向前側に移動した場合、天場処理爪の背面側（天場処理ロータの進行方向前側）には、天場部の土との接触による大きな負荷が作用して、天場処理爪を介して天場処理ロータに振動を発生させるという問題がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明によれば、天場処理部を、その回転中心軸が平面視において整畦部の回転中心軸と交差する方向に延びるように設けることで、整畦部の回転中心軸を旧畦の延びる方向に対して直交する方向に配置すると、天場処理部の回転中心軸は旧畦の延びる方向に対して斜め方向に配置される。この状態で天場処理部による天場処理作業が行われると、天場処理部によって削られた旧畦上部の土の一部は、水田側に飛ばされて旧畦の際の水田内に落下する。このため、天場処理部によって削られた土の全てがそのまま天場部に堆積して残ることはなく、畦塗り体によって整畦される新畦の高さを旧畦のそれと略同じにしたり低めにしたりするような、新畦の高さ調整をし易くすることができる。また天場処理部が進行方向前側に移動する場合、天場処理部の前進移動にともなう天場処理部の天場処理爪にかかる抵抗は、天場処理部の回転中心軸が旧畦の延びる方向と同方向にある場合と比較して、小さくなる。これは、回転中心軸から放射状に延びる天場処理爪の背面部（進行方向前側の天場処理爪の側面部）に受ける力のうちの直交成分の力が小さくなると考えられるからである。このため、天場処理爪を介して天場処理部に発生する振動を抑制することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
作業部３０は、連結部材２３と回転軸ケース３２との間に繋がれた連結機構４０により回動支点Ｏに対して回動可能であるとともに、連結機構４０によりオフセット機構２０の揺動に対して作業部３０の作業方向を示す作業方向軸Ｏ２が走行機体９０の進行方向Ａと平行になるように保持される。連結機構４０は、連結部材２３と伸縮シリンダ４１とを有してなる。伸縮シリンダ４１は連結アーム部材２４の先端部に枢結された固定部４２と回転軸ケース３２の上部との間に枢結されている。このため、伸縮シリンダ４１が伸縮動すると、作業部３０は、連結アーム部材２４を介して回動支点Ｏを回動中心として回動する。なお、作業部３０の回動角度範囲は伸縮シリンダ４１のストロークの大きさに応じて設定される。このため、大きなストロークを有した伸縮シリンダ４１を用いた場合には、作業部３０を走行機体９０の左右両側の一方側から他方側に向きを反転させた状態で移動させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ここで、天場処理ロータ５１の天場処理爪５４の前側部分（背側部分）には、走行機体９０の前進動に伴って旧畦の上部の土を介して後方側へ向く力Ｆが作用するが、天場処理爪５４は斜め方向に傾いているので、その力Ｆの平行成分Ｆｘは天場処理爪５４の延びる方向に沿って作用して、天場処理爪５４に直交する方向の直交成分力Ｆｙを小さくする。つまり、天場処理爪５４に直交する力を小さくすることができる。このため、天場処理爪５４に作用する力Ｆｙによって天場処理ロータ５１に発生する振動を抑制することができる。なお、力Ｆｙの大きさは、天場処理ロータ５１の回転中心軸５３の延びる方向と旧畦Ｋの延びる方向とのなす角度θが大きく成る程小さくなる。実施例では、角度θを２５°程度に設定しているが、天場処理ロータ５１、前処理ロータ６１、多面体ドラム７３等の回転径や大きさによって、最適な角度を設定すればよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
また天場処理ロータ５１はその回転中心軸５３が旧畦Ｋの延びる方向に対して斜め方向に向いて配置されているので、図４（断面図）に示すように、天場処理ロータ５１によって削られた旧畦Ｋの上部の土の一部は水田Ｓ側に向かって飛ばされて、旧畦Ｋの際の水田Ｓ内に落下する。このため、天場処理ロータ５１によって削られた土の全てがそのまま旧畦Ｋの上部に堆積して残ることはなく、前処理ロータ６１によって削られた土の一部が旧畦上部に供給されても、旧畦Ｋの上部に供給される土の量は旧畦上部が削られる前の旧畦上部を形成する土の量よりも多くなることはない。このため、整畦部７０によって整畦された新畦Ｋｓの高さを旧畦Ｋのそれと略同じにしたり低めにしたりするような、新畦Ｋｓの高さ調整をし易くすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月19日(2007.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
列毎に複数種類の図柄の変動表示及び停止表示を行うための図柄表示手段と、図柄表示手段による図柄の変動表示を開始させるための始動操作手段と、図柄変動列に対応して設けられており、図柄表示手段による図柄の変動表示を停止表示させるための複数の停止操作手段と、始動操作手段が操作されるに先立って賭け条件を設定するために操作される賭け条件設定手段と、始動操作手段が操作されることを契機として、役の成立に関する内部抽選を行う役成立抽選手段と、を備えているスロットマシンであって、
このスロットマシンは、
遊技状態がボーナス役の入賞が可能な状態である場合、上記図柄表示手段が停止状態にあることを条件に、当該図柄表示手段による図柄の変動表示を行わせるための図柄変動制御手段を含むことを特徴とするスロットマシン。
【請求項２】
上記図柄変動制御手段は、賭け条件が設定可能な時間帯において上記賭け条件設定手段の操作がなされる前に、図柄を変動させる手段を含むことを特徴とする請求項１に記載のスロットマシン。
【請求項３】
上記図柄変動制御手段は、上記賭け条件設定手段の操作により賭け条件が設定された後であって上記始動操作手段の操作がなされる前に、図柄を変動させる手段を含むことを特徴とする請求項１に記載のスロットマシン。
【請求項４】
上記図柄変動制御手段は、図柄の変動態様に変化を与えるための手段を含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のスロットマシン。
【請求項５】
列毎に複数種類の図柄の変動表示及び停止表示を行うための図柄表示手段と、図柄表示手段による図柄の変動表示を開始させるための始動操作手段と、図柄変動列に対応して設けられており、図柄表示手段による図柄の変動表示を停止表示させるための複数の停止操作手段と、始動操作手段が操作されるに先立って賭け条件を設定するために操作される賭け条件設定手段と、始動操作手段が操作されることを契機として、役の成立に関する内部抽選を行う役成立抽選手段と、を備えているスロットマシンを制御するための方法であって、
この制御方法は、
遊技状態がボーナス役の入賞が可能な状態である場合、上記図柄表示手段が停止状態であることを条件に、当該図柄表示手段による図柄の変動表示を行わせるためのステップを含むことを特徴とするスロットマシンの制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月19日(2007.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
列毎に複数種類の図柄の変動表示及び停止表示を行うための図柄表示手段と、図柄表示手段による図柄の変動表示を開始させるための始動操作手段と、図柄変動列に対応して設けられており、図柄表示手段による図柄の変動表示を停止表示させるための複数の停止操作手段と、始動操作手段が操作されることを契機として、役の成立に関する内部抽選を行う役成立抽選手段と、役成立抽選手段による内部抽選で内部的に成立した役の入賞を示す図柄の組み合わせが有効ライン上に停止表示されたときに入賞と判定する入賞判定手段と、入賞判定手段により入賞と判定されたときにその入賞役に応じた数の遊技媒体を払い出す際にその放出口となる払出口と、投入された遊技媒体及び入賞の発生に伴って払い出される遊技媒体の両者をクレジットとしてストアーするためのクレジット手段とを備えているスロットマシンであって、
このスロットマシンは、
遊技状態がボーナス役の入賞が可能な状態である場合に、遊技中に、上記クレジット手段によりストアーされている遊技媒体を上記払出口から放出させるための払出制御手段を含むことを特徴とするスロットマシン。
【請求項２】
列毎に複数種類の図柄の変動表示及び停止表示を行うための図柄表示手段と、図柄表示手段による図柄の変動表示を開始させるための始動操作手段と、図柄変動列に対応して設けられており、図柄表示手段による図柄の変動表示を停止表示させるための複数の停止操作手段と、始動操作手段が操作されることを契機として、役の成立に関する内部抽選を行う役成立抽選手段と、役成立抽選手段による内部抽選で内部的に成立した役の入賞を示す図柄の組み合わせが有効ライン上に停止表示されたときに入賞と判定する入賞判定手段と、入賞判定手段により入賞と判定されたときにその入賞役に応じた数の遊技媒体を払い出す際にその放出口となる払出口と、投入された遊技媒体及び入賞の発生に伴って払い出される遊技媒体の両者をクレジットとしてストアーするためのクレジット手段とを備えているスロットマシンを制御するための方法であって、
この制御方法は、
遊技状態がボーナス役の入賞が可能な状態である場合に、遊技中に、上記クレジット手段によりストアーされている遊技媒体を上記払出口から放出させるためのステップを含むことを特徴とするスロットマシンの制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月6日(2007.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内視鏡が載置される洗滌槽と、
少なくとも洗浄液が供給される接続管と、
前記洗滌槽の外側に設けられ前記内視鏡のチャンネル口の軸方向に前記接続管がガイドされるガイド部材と、
前記ガイド部材を介して前記接続管を移動させる移動機構と、
前記接続管と前記チャンネル口とをシールするためのシール部材と、
を有することを特徴とする内視鏡洗滌消毒装置。
【請求項２】
前記移動機構と前記接続管の一部とは密閉空間を形成する隔壁内に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の内視鏡洗滌消毒装置。
【請求項３】
前記隔壁内に設けられた水漏れセンサを有することを特徴とする請求項１に記載の内視鏡洗滌消毒装置。
【請求項４】
前記隔壁内を加圧する加圧手段を有することを特徴とする請求項１に記載の内視鏡洗滌消毒装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の内視鏡洗滌消毒装置は、内視鏡が載置される洗滌槽と、少なくとも洗浄液が供給される接続管と、前記洗滌槽の外側に設けられ前記内視鏡のチャンネル口の軸方向に前記接続管がガイドされるガイド部材と、前記ガイド部材を介して前記接続管を移動させる移動機構と、前記接続管と前記チャンネル口とをシールするためのシール部材と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月18日(2007.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の図柄を表示する図柄表示手段と、
遊技者による操作に基づいて単位遊技の開始を指令する信号を出力する開始信号出力手段と、
前記開始信号出力手段により出力された信号に基づいて単位遊技毎に当選役を決定する当選役決定手段と、
前記開始信号出力手段により出力された信号に基づいて前記図柄表示手段により表示される図柄の変動を行う図柄変動手段と、
遊技者による操作に基づいて前記図柄変動手段により行われる図柄の変動の停止を指令する信号を出力する停止信号出力手段と、
前記停止信号出力手段により出力された信号と前記当選役決定手段により決定された当選役とに基づいて、前記図柄変動手段により行われる図柄の変動を停止制御する停止制御手段と、を備えた遊技機において、
数値情報に基づいて所定の制御状態を識別する識別情報を保持する識別情報保持手段と、
前記数値情報を単位遊技毎に更新する数値情報更新手段と、
前記数値情報更新手段により更新される数値情報に基づいて特定の演出を行う特定演出手段と、
抽選の結果に基づいて前記特定の演出を行う抽選演出手段と、を有したことを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月7日(2006.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−３２５０８０号公報
【特許文献２】特開平７−３６９０５号公報
【非特許文献１】学術論文「英文学の定性定量分析」（帝京女子短期大学『紀要』第１７号  １９９７年）
【非特許文献２】学術論文「固有名詞を手がかりとするイメージ分析」（帝京大学『文学部紀要』第２８号［平成８年度］  １９９７年）
【非特許文献３】学術論文「繰り返し現れる語句を手がかりとするイメージ分析」（帝京女子短期大学『紀要』第１８号  １９９８年）
【非特許文献４】学術論文「歴史的手がかりを用いるイメージ分析」（帝京大学文学部『紀要』第２９号［平成９年度］  １９９８年）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
加えて、文章を読むにあたっては、その文章における単語により読み手は様々な印象をもつわけであるが、単語によっては複数の意味をもつため、読み手は文章の文脈において表れるその単語の意味以外の意味についても認識することが可能である。このため、このような文脈において表れるその単語の意味以外の意味が、読み手の文脈を追う意識とは異なる意識に影響を与えることがあると考えられるが、このような単語の文脈における意味以外の意味が、読み手に与える影響等を分析可能な文章分析技術は、未だ存在していない。
なお、非特許文献１の「英文学の定性定量分析」には、一般に科学的論文で用いられている言葉が一義的であるのに対して文学作品で用いられる言語が極めて多義的であることや、小説の定性定量分析方法におけるイメージ分析の手がかりなどが記載されている。
非特許文献２の「固有名詞を手がかりとするイメージ分析」には、文学作品からその文章に含まれる固有名詞とその関連事項等をリストアップすることで、文章のイメージを浮かび上がらせること、及びその具体例が記載されている。
非特許文献３の「繰り返し現れる語句を手がかりとするイメージ分析」には、文学作品からその文章に含まれる繰り返し現れる語句とその関連事項等をリストアップすることで、文章のイメージを浮かび上がらせること、及びその具体例が記載されている。
非特許文献４の「歴史的手がかりを用いるイメージ分析」には、文学作品からその文章に含まれる歴史的手がかりとその関連事項等をリストアップすることで、文章のイメージを浮かび上がらせること、及びその具体例が記載されている。
しかしながら、これら非特許文献１〜４には、文章を所定の分析単位に分解して、その分析単位ごとに、所定のイメージを表わす単語が含まれているかどうかを確認し、これを分析テーブルに抽出する構成については記載されていない。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月19日(2007.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録に使用される薄膜層構造において、
アモルファス構造を有するCrTiAlのプレシード層と、
前記プレシード層上に形成されたシード層と、
前記シード層上に形成された下地層と、
前記下地層上に形成された磁性層と、
を有することを特徴とする薄膜層構造。
【請求項２】
前記シード層はRuAl層であり、該RuAl層は結晶学的B2構造を有することを特徴とする請求項１記載の薄膜層構造。
【請求項３】
前記プレシード層は約５〜２０原子％のアルミニウムを含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜層構造。
【請求項４】
前記プレシード層は円周テクスチャ処理された非金属基板の上に堆積されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜層構造。
【請求項５】
基板と、
該基板上に堆積されたCrTiAl層と、
該CrTiAl層上に堆積されたRuAl層と、
該RuAl層上に設けられた少なくとも１個の下地層と、
該下地層上に設けられた少なくとも１個の磁性層と、
を有することを特徴とする薄膜磁気記憶媒体。
【請求項６】
前記CrTiAl層は約５〜２０原子％のアルミニウムを含むことを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気記憶媒体。
【請求項７】
前記CrTiAl層は約５〜２０原子％のアルミニウムを含み、残余がほぼ等しい原子百分率
のクロム及びチタンであることを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気記憶媒体。
【請求項８】
前記RuAl層は結晶学的B2構造を有することを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気記憶媒体。
【請求項９】
前記CrTiAl層の厚さは約１０〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気記憶媒体。
【請求項１０】
基板上にCrTiAl層を堆積する工程と、
該CrTiAl層上にRuAl層を堆積する工程と、
該RuAl層上に、少なくとも１個の磁性層を含む複数個の層を堆積する工程と、
を含むことを特徴とする薄膜磁気記憶媒体を製作する方法。
【請求項１１】
前記CrTiAl層は約５〜２０原子％のアルミニウムを含むことを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気記憶媒体を製作する方法。
【請求項１２】
前記CrTiAl層は約５〜２０原子％のアルミニウムを含み、残余がほぼ等しい原子百分率
のクロム及びチタンであることを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気記憶媒体を製作す
る方法。
【請求項１３】
前記RuAlは結晶学的B2構造を有することを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気記憶媒体を製作する方法。
【請求項１４】
前記CrTiAl層は厚さが約１０〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気記憶媒体を製作する方法。
【請求項１５】
読取りおよび書込みヘッドを含む磁気変換器と、
スピンドルと、
該スピンドルに装着された薄膜磁気ディスクと、を有し、
前記薄膜磁気ディスクはCrTiAl層と、前記CrTiAl層上に形成されたRuAl層と、前記RuAl層上に形成された少なくとも１個の磁性層を含むことを特徴とするディスク・ドライブ。
【請求項１６】
前記CrTiAl層は約５〜２０原子％のアルミニウムを含むことを特徴とする請求項１５記載のディスク・ドライブ。
【請求項１７】
前記CrTiAl層は約５〜２０原子％のアルミニウムを含み、残余がほぼ等しい原子百分率
のクロム及びチタンであることを特徴とする請求項１５記載のディスク・ドライブ。
【請求項１８】
前記RuAl層は結晶学的B2構造を有することを特徴とする請求項１５記載のディスク・ドライブ。
【請求項１９】
前記CrTiAl層は厚さが約１０〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項１５記載のディスク・ドライブ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月10日(2007.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介してホストコンピュータに接続されたストレージシステムであって、
前記ホストコンピュータからのライトデータを格納する第１のデータボリュームと、
前記ホストコンピュータからのライトデータを格納する第２のデータボリュームと、
前記第１のデータボリュームのスナップショットと前記第２のデータボリュームのスナップショットとを各々格納するスナップショット格納領域と、
前記第１のデータボリュームヘのライトデータに関するジャーナルエントリを格納する第１のジャーナル格納領域と、
前記第２のデータボリュームヘのライトデータに関するジャーナルエントリを格納する第２のジャーナル格納領域とを有し、
前記第１のジャーナル格納領域は、管埋者からの要求に基づいて容量設定され、第１のデータボリュームのスナップショットと前記第１のジャーナル格納領域に格納されたジャーナルエントリとを用いて、第１の時間範囲内のデータ回復を許容するものであり、
前記第２のジャーナル格納領域は、管埋者からの要求に基づいて容量設定され、第２のデータボリュームのスナップショットと前記第２のジャーナル格納領域に格納されたジャーナルエントリとを用いて、第２の時間範囲内のデータ回復を許容するものであり、
前記第１又は第２の時間範囲内の時刻を指定したデータ回復要求を受けて、前記時刻のデータ回復を実行することを特徴とするストレージシステム。
【請求項２】
請求項１記載のストレージシステムであって、
第１のジャーナル格納領域と前記第２のジャーナル格納領域に対する容量設定の値が異なることを特徴とするストレージシステム。
【請求項３】
請求項１記載のストレージシステムであって、前記ストレージシステムは前記第１及び第２のジャーナル格納領域に格納されたジャーナルエントリを各々の容量設定の値に応じて開放することを特徴とするストレージシステム。
【請求項４】
請求項１記載のストレージシステムであって、
前記データ回復要求は前記ホストコンピュータから発行されることを特徴とするストレージシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月5日(2007.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
割込みが検知された場合に、不正アクセス防止処理として、前記実行用メモリ空間上に配置済みの部分プログラムを消去する不正アクセス防止手段をさらに有すること、
を特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の暗号化データ復号装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
割込みが検知された場合に、意図的に発生させられた割込みか否かを判定し、意図的に発生させられた割込みではない場合に、不正アクセス防止処理として、前記実行用メモリ空間上に配置済みの部分プログラムを消去する不正アクセス防止手段をさらに有すること、
を特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の暗号化データ復号装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
前記部分プログラムの復号処理に用いられる情報は、他の部分プログラムの復号処理に用いられる暗号鍵の一部または全部であること、
を特徴とする請求項１８に記載の暗号化プログラム生成装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
前記部分プログラムの復号処理に用いられる情報は、他の部分プログラムの復号処理に用いられる暗号鍵の一部または全部を生成するための暗号鍵生成プログラムであること、
を特徴とする請求項１８に記載の暗号化プログラム生成装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
前記部分プログラムの復号処理に用いられる情報は、他の部分プログラムの復号処理に用いられる暗号鍵を復号するための鍵用暗号鍵であって、
部分プログラムの復号処理は、それ以前に復号されて前記実行用メモリ空間に配置されている他の部分プログラムから取得される鍵用暗号鍵を用いて復号された暗号鍵を用いて行われること、
を特徴とする請求項１８に記載の暗号化プログラム生成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月15日(2007.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザによりオペレータ制御システムを制御する方法であって、
第１の制御要素が示される第１の作動モードにおいてグラフィカル・ユーザ・インターフェースを与え、
前記第１の制御要素の機能性に対する要求を表すユーザによる呼び出しを受け取り、
前記制御要素の現在のステータス条件を判断し、
前記制御要素の前記現在のステータスが所定の複数のステータス条件中の対応の第１のステータス条件であるときにおける制御要素の機能性の呼び出しに応答して、前記グラフィカル・ユーザ・インターフェースを、文脈依存ヘルプ情報が前記グラフィカル・ユーザ・インターフェースに与えられる第２の作動モードに変化させ、
ユーザが自動化手順を選択できるように動作する第２の制御要素にプロンプトを与えて前記制御要素の前記現在のステータスを前記所定の複数のステータス条件の中の第２のステータスに変化できるようにし、
前記自動化手順の呼び出しの受け取りに応答して、前記制御要素の前記ステータスが第２のステータス条件に変化させられるように前記自動化手順を実行し、
前記自動化手順の完了に応答して、前記グラフィカル・ユーザ・インターフェースを、前記第１の制御要素の要求された機能性がユーザに利用可能になる第３の作動モードに変化させる、
ことからなることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記第１のステータス条件が非アクティブな制御要素の条件であり、前記第２のステータスがアクティブな制御要素の条件であることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記制御要素の利用可能な機能性に対して、該制御要素について現在設定されたステータスを反映するように、該制御要素の少なくとも一部の外観を変更する段階をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、前記文脈依存ヘルプが、前記制御要素の前記第１のステータス条件についての基礎を表示することを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、前記プロンプトを拒否して前記グラフィカル・ーザ・インターフェースが前記第１の作動モードに戻るようにするための、ユーザにより作動可能な第３の制御要素を与える段階をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、前記制御要素の機能性の呼び出しが、カーソル・ベースの入力システム及びタッチスクリーン入力システムの少なくとも１つの作動により実行されることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月22日(2007.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アプリケーションプログラミングインタフェース（ＡＰＩ）を使用してアプリケーションとやりとりする方法であって、前記方法はコンピュータシステムにおいて実行し、前記ＡＰＩの方法は、
前記システムが前記アプリケーションから、複数の入力問い合わせをＸＭＬ中間言語表現に変換するために１つまたは複数のコンパイルパラメータおよびコマンドを設定するよう求める１つまたは複数の呼び出しを受け取るステップであって、前記ＸＭＬ中間言語表現は前記複数の入力問い合わせの複合物であり、前記複数の入力問い合わせの意味の明示的な表現であり、かつグラフ構造を有する、呼び出しを受け取るステップと、
前記システムが前記アプリケーションから、前記ＸＭＬ中間言語表現を、少なくとも１つの問い合わせであって、実行されたときに、異なるデータモデルを有する複数のデータソースに亘って問い合わせるよう前記システムに指示する少なくとも１つの問い合わせに変換するよう求める１つまたは複数の呼び出しを受け取るステップと
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記アプリケーションが前記システムから、イベント状況、進捗状況、中間結果、最終結果、エラーメッセージ、警告およびヘルプメッセージからなるグループのうちの１つまたは複数を受け取るステップをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
１つまたは複数の環境、コンパイルパラメータおよびコンパイルコマンドを設定するよう求める前記１つまたは複数の呼び出しは、前記システムからのメッセージオブジェクト受け取りを可能にするステップ、問い合わせ許可および実行制限を指定するステップ、前記入力問い合わせおよびコンパイラ型を選択するステップ、および評価コンテキストを確立するステップのうち１つまたは複数を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記コンパイラ型はＸＰａｔｈ、ＸＳＬＴおよびＸＱｕｅｒｙ言語コンパイラを含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ＸＭＬ中間言語表現は入力問い合わせの意味論的表現であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ＸＭＬ中間言語を前記実行可能な問い合わせに変換するステップは、ターゲット問い合わせ実行エンジンでの直接実行のために前記ＸＭＬ中間言語を準備するステップを含み、直接実行は、前記ターゲット実行エンジンに対するコンパイラの使用を回避することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ＸＭＬ中間言語を前記実行可能な問い合わせに変換するステップは、ターゲットジェネレータを使用して前記ＸＭＬ中間言語をターゲット表現に変換するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ターゲット表現は、ＸＭＬ言語ターゲット、ＳＱＬ言語ターゲットおよび中間言語ターゲットからなるグループのうち１つまたは複数であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
問い合わせ結果を生成する入力問い合わせのコンパイルおよび実行のためのシステムであって、
複数の入力問い合わせを受け取る複数の入力装置と、
前記複数の入力問い合わせから複合ＸＭＬ中間言語表現がコンパイルされる１つまたは複数の中間言語コンパイラであって、前記ＸＭＬ中間言語表現は前記複数の入力問い合わせの意味の明示的な表現でありかつグラフ構造を有する中間言語コンパイラと、
前記ＸＭＬ中間言語表現が複数のターゲット問い合わせに変形される複数のターゲットジェネレータと、
問い合わせ先である複数のデータソースと、
前記問い合わせ結果を生成するために前記複数のターゲット問い合わせが前記複数のデータソースに亘って実行される複数の実行エンジンと
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項１０】
前記複数の入力問い合わせは、ＸＰａｔｈ、ＸＳＬＴ、およびＸＱｕｅｒｙ言語のうちの１つまたは複数から形成された問い合わせを含むことを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記ＸＭＬ中間言語表現は前記入力問い合わせの意味を表すことを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記複数のターゲットジェネレータは、ＸＭＬ言語ジェネレータ、ＳＱＬ言語ジェネれータおよび中間言語ジェネレータのうちの１つまたは複数を含むことを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】
前記複数のデータソースは、１つまたは複数の関係データソースおよび非関係データソースを含むことを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１４】
非関係データソースはスプレッドシートおよびワード処理文書を含むことを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月11日(2007.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オペレーティングシステムおよびアプリケーションを実行するプロセッサと、該オペレーティングシステムおよびアプリケーションに利用可能なメモリとを有する第１のコンピュータデバイスにおいて低メモリを管理する方法であって、該第１のコンピュータデバイスは、ワイヤレスネットワーク内のモバイルデバイスと電子メッセージを交換するためのインターフェースであり、該方法は、
（ａ）解放されるまで、該アプリケーション用の第１のリザーブバッファおよび第２のリザーブバッファであって、該アプリケーションに利用可能でない第１のリザーブバッファおよび第２のリザーブバッファをメモリブロック内にリザーブするステップと、
（ｂ）該アプリケーションによるメモリの使用量が第１の閾値に達したと決定すると、該アプリケーションによって用いるために該第１のリザーブバッファを解放するステップと、
（ｃ）該メモリの使用量が該第１の閾値に達したと決定した後、第１の警告を生成し、該第１の警告が生成されると、ネットワークを介して該第１のコンピュータデバイスから別のコンピュータデバイスに該第１の警告を送信するステップと、
（ｄ）該第１の警告を検出すると、該第１のコンピュータデバイスから離れて、該第１のコンピュータデバイスと共通のネットワークに接続される少なくとも１つのさらなるコンピュータデバイスへと電子メッセージを再ルーティングするステップと、
（ｅ）該第１のリザーブバッファが開放された後において該アプリケーションによるメモリの使用量が第２の閾値に達したと決定し、該第１のリザーブバッファが開放された後において該アプリケーションによるメモリの使用量が該第２の閾値に達した場合、該アプリケーションによって用いるために該第２のリザーブバッファを開放し、第２の警告を発するステップと、
（ｆ）該第２の警告を検出すると、該メモリブロックから選択された情報を永久記憶装置に格納することを含む自動アプリケーションシャットダウンルーチンを開始するステップと
を包含する、方法。
【請求項２】
前記メモリの使用量が前記閾値に達したと決定することに続いて、前記メモリブロックから選択された情報を前記永久記憶装置に格納するステップを包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップ（ｂ）において、前記オペレーティングシステムによって前記アプリケーションに関してメモリ不足例外が生成された場合、前記メモリの使用量が前記第１の閾値を超過したという決定がなされ、
ステップ（ｅ）において、前記第１のリザーブバッファが解放されている間に、該オペレーティングシステムによって該アプリケーションに関して第２のメモリ不足例外が生成された場合、該メモリの使用量が前記第２の閾値を超過したという決定がなされる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２のリザーブバッファのサイズは、前記第１のリザーブバッファのサイズよりも小さい、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ステップ（ｂ）の後、前記アプリケーションによる前記メモリの使用量が閾値未満に低下した場合、前記第１のリザーブバッファを前記メモリブロック内に再リザーブするステップを包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のコンピュータデバイスは、前記ワイヤレスネットワークを介して前記モバイルデバイスに送信される出力電子メッセージを前記メモリブロックに格納し、
該メモリブロックから選択された情報を前記永久記憶装置に格納することは、該格納された出力電子メッセージのうちの少なくとも一部を該永久記憶装置に格納することを包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ブロックメモリに格納された前記格納された出力電子メッセージが、選択されたモバイルデバイスを該選択されたモバイルデバイスから送信される電子メッセージの状態に関して不正確または不明瞭な情報を有しているままにしておくのを避けるために該選択されたモバイルデバイスに送信する必要のある重要なメッセージを含み、該格納された出力電子メッセージのうちの少なくとも一部を永久記憶装置に格納するステップは、ワイヤレスモバイルデバイスに送信する必要のある該重要なメッセージを該格納された出力電子メッセージから選択するステップと、該選択された重要なメッセージを該永久記憶装置に格納するように試みるステップとを包含する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記メモリブロックが、前記アプリケーションの起動のときに該アプリケーションのために予約され、前記第１および第２のリザーブバッファは、該アプリケーションの起動のときに該メモリブロックにリザーブされる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
第１のコンピュータデバイス上で低メモリを管理するシステムであって、該第１のコンピュータデバイスは、ワイヤレスネットワーク内のモバイルデバイスと電子メッセージを交換するためのインターフェースであり、該第１のコンピュータデバイスは、プロセッサと、メモリと、オペレーティングシステムと、アプリケーションとを有し、該システムは、
低メモリマネージャであって、
該低メモリマネージャは、
該低メモリマネージャによって解放されるまで、該アプリケーションに利用可能でない第１のリザーブバッファをメモリブロック内にリザーブし、
該アプリケーションに関して、該オペレーティングシステムによって生成された第１のメモリ不足例外を検出すると、該アプリケーションによる使用のための該第１のリザーブバッファを解放し、
該第１のコンピュータデバイスは、
該ワイヤレスネットワークを介してワイヤレスモバイルデバイスに送信される出力電子メッセージを該メモリに格納し、
該低メモリマネージャは、
該第１のリザーブバッファに加えて、該低メモリマネージャによって解放されるまで、該アプリケーションに利用可能でない第２のリザーブバッファを該メモリブロック内にリザーブし、
該アプリケーションに関して、該オペレーティングシステムによって生成された該第１のメモリ不足例外を検出した後、第１の警告を生成し、
該アプリケーションに関して、該オペレーティングシステムによって生成されたさらなるメモリ不足例外を検出すると、第２の警告を生成し、該アプリケーションによる使用のための該第２のリザーブバッファを解放する
ように構成されている、低メモリマネージャと、
該第２の警告の検出に続いて、該メモリブロックから該格納された出力電子メッセージデータのうちの少なくとも一部を永久記憶装置に格納するシャットダウンマネージャと、
ネットワークを介して警報信号を受信する別のコンピュータデバイスであって、該第１のコンピュータデバイスから離れて、該第１のコンピュータデバイスと共通のネットワークに接続される少なくとも１つのさらなるコンピュータデバイスへと電子メッセージを再ルーティングする別のコンピュータデバイスと
を備える、システム。
【請求項１０】
前記さらなるメモリ不足例外が生成されたときに、前記第１のリザーブバッファがまだ解放されている場合にのみ、前記第２のリザーブバッファが解放される、請求項９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月24日(2007.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テレ端からワイド端まで駆動されるズームレンズと、
前記ズームレンズの駆動範囲を前記テレ端より内側の第１の駆動端又は／及び前記ワイド端より内側の第２の駆動端に制限する駆動範囲制限機能の有効及び無効を切換える駆動範囲切換手段と、を有し、
前記駆動範囲切換手段で前記駆動範囲制限機能が有効に切換わった際、前記ズームレンズを自動的に第１の駆動端又は第２の駆動端に駆動することを特徴とするレンズ装置。
【請求項２】
前記駆動範囲切換手段で前記駆動範囲制限機能が有効に切換わった際、前記ズームレンズの位置する領域に応じて、前記ズームレンズを自動的に移動する駆動端を決定することを特徴とする請求項１のレンズ装置。
【請求項３】
前記駆動範囲切換手段で前記駆動範囲制限機能が有効に切換わった際、前記ズームレンズを自動的に第1の駆動端または第２の駆動端のうち決められたいずれか一方の駆動端に駆動することを特徴とする請求項１のレンズ装置。
【請求項４】
テレ端からワイド端まで駆動されるズームレンズと、
前記ズームレンズの駆動範囲を前記テレ端より内側の第１の駆動端又は／及び前記ワイド端より内側の第２の駆動端に制限する駆動範囲制限機能の有効及び無効を切換える駆動範囲切換手段と、を有し、
前記駆動範囲切換手段で前記駆動範囲制限機能が無効に切換わった際、前記ズームレンズを自動的に第１の駆動端又は第２の駆動端に駆動することを特徴とするレンズ装置。
【請求項５】
前記駆動範囲切換手段で前記駆動範囲制限機能が無効に切換わった際、前記ズームレンズの位置する領域に応じて前記ズームレンズを自動的に移動する駆動端を決定することを特徴とする請求項４のレンズ装置。
【請求項６】
前記駆動範囲切換手段で前記駆動範囲制限機能が無効に切換わった際、前記ズームレンズを自動的に第1の駆動端または第２の駆動端のうち決められたいずれか一方の駆動端に駆動することを特徴とする請求項４のレンズ装置。
【請求項７】
前記ズームレンズの駆動位置の記憶を指示するメモリ手段と、
アイリスと、
前記アイリスを自動制御に切換えるアイリス自動切換手段と、を有し、
前記メモリ手段と前記アイリス自動切換手段を操作することで前記ズームレンズの駆動範囲を前記テレ端より内側の第１の駆動端又は／及び前記ワイド端より内側の第２の駆動端に設定することを特徴とする請求項１から６のレンズ装置。
【請求項８】
前記メモリ手段と前記アイリス自動切換手段を操作する時間に応じて、前記ズームレンズの駆動端位置を前記第1または第２の駆動端から選択できることを特徴とする請求項７のレンズ装置。
【請求項９】
請求項１〜８のレンズ装置と、前記レンズ装置に装着されたカメラ装置を備えた撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するために本発明は、テレ端からワイド端まで駆動するズームレンズと、前記ズームレンズの駆動範囲を前記テレ端より内側の第１の駆動端又は／及び前記ワイド端より内側の第２の駆動端に制限する駆動範囲制限機能の有効及び無効を切換える駆動範囲切換手段と、を有し、前記駆動範囲切換手段で前記駆動範囲制限機能が有効に切換わった際、前記ズームレンズを自動的に第１の駆動端又は第２の駆動端に駆動することを特徴とする構成とした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月24日(2007.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カートリッジを電子写真画像形成装置本体に装着する際、取り除く部分が分解性プラスチックを有することを特徴とする電子写真画像形成装置のカートリッジ。
【請求項２】
前記取り除く部材が、前記カートリッジの梱包材であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真画像形成装置のカートリッジ。
【請求項３】
前記カートリッジの梱包材が、前記カートリッジを収納するための袋又は緩衝材であることを特徴とする請求項２に記載の電子写真画像形成装置のカートリッジ。
【請求項４】
現像に用いる現像剤を収納する現像剤収納容器ユニットにおいて、開口部を有し、前記開口部はシール部材により封止されており、前記シール部材及び／又はシール部材と一体なったシール引き抜き部材が分解性プラスチックを有することを特徴とする現像剤収納容器ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子写真画像形成装置のカートリッジ及び現像剤収納容器ユニット
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、レーザープリンタや複写機等の電子写真方式を採用する電子写真画像形成装置本体に着脱自在なカートリッジにおいて、前記カートリッジを電子写真画像形成装置本体に装着する際、取り除く部材に分解性プラスチックを用いたカートリッジ及び現像剤収納容器ユニットに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
従って、本発明の目的は、カートリッジの品質を損なうことなく、環境負荷の低減を達成することであり、具体的にはカートリッジを電子写真画像形成装置本体に装着する際、取り除く部材（例えば、カートリッジの梱包材やシール部材等）が、焼却における燃焼カロリーが少なく、焼却処理に優れ、万が一自然界に放置されたとしても半永久的に放置された状態になることはない材料を用いたカートリッジ及び現像剤収納容器ユニットを提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明においては、カートリッジを電子写真画像形成装置本体に装着する際、取り除く部材が、カートリッジの梱包材である前記（１）のカートリッジ（２）、前記カートリッジの梱包材が、梱包用袋又は緩衝材料である前記（２）のカートリッジ（３）であることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
以上説明したように本発明によると、カートリッジの品質を損なうことなく、環境負荷の低減を達成することであり、具体的にはカートリッジを電子写真画像形成装置本体に装着する際、取り除く部材、前記カートリッジの梱包材に、焼却における燃焼カロリーが少なく、焼却処理に優れ、万が一自然界に放置されたとしても半永久的に放置された状態になることはない材料を使用した電子写真画像形成装置本体に着脱自在なカートリッジ及び現像剤収納容器ユニットを提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月22日(2006.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の室温洗浄装置と、洗浄後の半導体基板を処理する処理装置とを、隣接するように配置したことを特徴とする半導体製造システム。
【請求項２】
前記半導体基板の洗浄装置並びに洗浄後の半導体基板を処理する処理装置が、略々プロセス順に配置された請求項１に記載の半導体製造システム。
【請求項３】
フォトリソグラフィ装置及び室温洗浄装置を分散配置することにより、半導体基板の搬送距離を略々最短ならしめたことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体製造システム。
【請求項４】
前記フォトリソグラフィ装置、前記室温洗浄装置及び前記処理装置の間をクリーンＮ2あるいはクリーンＮ2／Ｏ2雰囲気搬送装置で接続したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体製造システム。
【請求項５】
前記処理装置は、不純物導入装置、酸化・拡散装置、ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置、スパッタ装置、ＲＩＥ装置のいずれかであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体製造システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月19日(2007.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅又は銅合金の配線を含む半導体基材のタンタル含有バリア材料を研磨するのに有用な研磨液であって、
イミン化合物
【化１】
2005136388.tif 000001
（イミン化合物は、グアニジン又はホルムアミジンを含む）
及びヒドラジン化合物Ｒ3Ｒ4Ｎ−ＮＲ5Ｒ6  （II）
（式中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は、独立して、−Ｈ、炭化水素基、アミノ基、カルボニル基、イミド基、アゾ基、シアノ基、チオ基、セレノ基及び−ＯＲ7（ここで、Ｒ7は炭化水素基を含む）からなる群より選択される置換基を含む）
からなる群より選択される式の化合物の少なくとも一種を含む、少なくとも２個の窒素原子を有する窒素含有化合物０．１〜１０重量％、
ベンゾトリアゾール０．００２５〜２重量％
を含み、ｐＨが８〜１１であり、砥粒を含まず、かつ半導体基材の表面からタンタル含有バリア材料を除去することができる研磨液。
【請求項２】
窒素含有化合物がイミン化合物を含む、請求項１記載の研磨液。
【請求項３】
窒素含有化合物がヒドラジン化合物を含む、請求項１記載の研磨液。
【請求項４】
銅又は銅合金の配線を含む半導体基材のタンタル含有バリア材料を研磨するのに有用な研磨液であって、
銅又は銅合金の配線の除去を減らすためのベンゾトリアゾール０．００２５〜２重量％、
酸化剤０〜２５重量％、
錯化剤０〜１５重量％ならびに
イミン化合物
【化２】
2005136388.tif 000002
（イミン化合物は、グアニジン又はホルムアミジンを含む）
及びヒドラジン化合物Ｒ3Ｒ4Ｎ−ＮＲ5Ｒ6  （II）
（式中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は、独立して、−Ｈ、炭化水素基、アミノ基、カルボニル基、イミド基、アゾ基、シアノ基、チオ基、セレノ基及び−ＯＲ7（ここで、Ｒ7は炭化水素基を含む）からなる群より選択される置換基を含む）
からなる群より選択される式の化合物の少なくとも一種を含む、少なくとも２個の窒素原子を有し、電子供与性置換基を有する窒素含有化合物０．１〜１０重量％
を含み、ｐＨが８〜１１であり、砥粒を含まず、かつ半導体基材の表面からタンタル含有バリア材料を除去することができる研磨液。
【請求項５】
窒素含有化合物がイミン化合物を含み、イミン化合物が、１，３−ジフェニルグアニジン、塩酸グアニジン、テトラメチルグアニジン、酢酸ホルムアミジン及び塩酸アセトアミジンからなる群から選択される少なくとも一種を含む、請求項４記載の研磨液。
【請求項６】
窒素含有化合物がヒドラジン化合物を含み、ヒドラジン化合物が、カルボヒドラジド、酢酸ヒドラジド、塩酸セミカルバジド及びギ酸ヒドラジドからなる群から選択される少なくとも一種を含む、請求項４記載の研磨液。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、基板、有機半導体、ゲート絶縁膜、導電体から成る有機半導体素子において、ゲート絶縁膜とは別に、高分子層が有機半導体に接して設けられており、該高分子層がメタクリル酸メチルとジビニルベンゼンの共重合体を含有することを特徴とする有機半導体素子。
【請求項２】
メタクリル酸メチル（Ａ）とジビニルベンゼン（Ｂ）の共重合体が、モノマーユニット比率でＡ：Ｂ＝１：０．００１〜０．０４であることを特徴とする請求項１に記載の有機半導体素子。
【請求項３】
前記高分子層の厚さが５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機半導体素子。
【請求項４】
前記高分子層が有機半導体とゲート絶縁膜の間に設けられており、該高分子層と接するゲート絶縁膜の表面粗さＲａが５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の有機半導体素子。
【請求項５】
基板に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、高分子層、有機半導体、およびソース電極／ドレイン電極をこの順に有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の有機半導体素子。
【請求項６】
基板に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、高分子層、ソース電極／ドレイン電極、および有機半導体層をこの順に有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の有機半導体素子。
【請求項７】
基板に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極／ドレイン電極、高分子層および有機半導体層をこの順に有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の有機半導体素子。
【請求項８】
基板に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極／ドレイン電極のいずれか一方、有機半導体、およびソース電極／ドレイン電極の他方、をこの順に有する有機半導体素子において、前記有機半導体に接して、高分子層を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の有機半導体素子。
【請求項９】
基板に、ソース電極／ドレイン電極、高分子層、有機半導体層、ゲート絶縁膜およびゲート電極をこの順に有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の有機半導体素子。
【請求項１０】
基板に、高分子層、ソース電極／ドレイン電極、有機半導体層、ゲート絶縁膜およびゲート電極をこの順に有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の有機半導体素子。
【請求項１１】
基板に、高分子層、ソース電極／ドレイン電極、有機半導体層、ゲート絶縁膜およびゲート電極をこの順に有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の有機半導体素子。
【請求項１２】
基板に、ソース電極／ドレイン電極のいずれか一方、有機半導体、およびソース電極／ドレイン電極の他方、ゲート絶縁膜、ゲート電極、をこの順に有する有機半導体素子において、前記有機半導体に接して、高分子層を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の有機半導体素子。
【請求項１３】
前記高分子層がスピンコート法、スプレー塗布法、ディップコート法のいずれかにより形成されていることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の有機半導体素子。
【請求項１４】
電界効果トランジスターであることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載の有機半導体素子。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれかに記載の有機半導体素子を用いた有機半導体装置。
【請求項１６】
少なくとも表面の一部が導電性を有する基板上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上にメタクリル酸メチルとジビニルベンゼンとの共重合体からなる高分子層を形成する工程と、該高分子層上に有機半導体層を形成する工程とを少なくとも有することを特徴とする有機半導体素子の製造方法。
【請求項１７】
前記高分子層上の一部に、少なくとも一対の互いに離間した電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項１６に記載の有機半導体素子の製造方法。
【請求項１８】
前記有機半導体層上の一部に、少なくとも一対の互いに離間した電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項１６に記載の有機半導体素子の製造方法。
【請求項１９】
前記高分子層をスピンコート法、スプレー塗布法、ディップコート法のいずれかにより形成することを特徴とする請求項１６乃至１８のいずれかに記載の有機半導体素子の製造方法。
【請求項２０】
基板上にメタクリル酸メチルとジビニルベンゼンとの共重合体からなる高分子層を形成する工程と、該高分子層上に有機半導体層を形成する工程と、該有機半導体層上に絶縁膜を形成する工程とを少なくとも有することを特徴とする有機半導体素子の製造方法。
【請求項２１】
前記高分子層をスピンコート法、スプレー塗布法、ディップコート法のいずれかにより形成することを特徴とする請求項２０に記載の有機半導体素子の製造方法。