【手続補正書】
【提出日】平成19年12月7日(2007.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コントローラと不揮発性メモリとを含むメモリシステムを操作する方法であって、不揮発性メモリは複数の消去単位で構成される方法において、
各々が複数の消去単位で構成され、それによってコントローラが不揮発性メモリにアクセスする、メタブロック・リンキングのセットを確立するステップと、
前記メタブロック・リンキングの記録を不揮発性メモリに格納するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記記録は、消去単位の観点からのリンキングのセットの完全な規格である請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記リンキングのセットは、規則に従って形成され、記録は、その規則に対する例外であるリンキングから成る請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記メタブロック・リンキングの第１のメタブロック・リンキング中の１つの消去単位が欠陥であることを決定するステップと、
前記欠陥消去単位をもはや含まないように第１のメタブロック・リンキングを更新するステップと、
更新されたリンキングの記録を不揮発性メモリに格納するステップと、
をさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記更新するステップは、欠陥消去単位を前記消去単位の別の１つと置き換えるステップを含む請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記消去単位の別の１つは、リンクされていない消去単位のリストから選ばれる請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記リンクされていない消去単位のリストは、不揮発性メモリ中に保持される請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記欠陥消去単位を前記消去単位の別の１つで置き換えるステップに後続して、リンクされていない消去単位の前記リストを更新するステップをさらに含む請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記消去単位の別の１つは、以前別のリンキングに属していた消去単位から選ばれる請
求項５記載の方法。
【請求項１０】
リンクされていない消去単位のリストを保持するステップと、
前記メタブロック・リンキングの第１のメタブロック・リンキング中の１つ以上の消去単位が欠陥であることを決定するステップと、
第１のメタブロック中の非欠陥消去単位を、リンクされていない消去単位のリストに加えるステップと、
をさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記メタブロック・リンキングの第１のメタブロック・リンキング中の１つの消去単位が欠陥であることを決定するステップと、
その欠陥消去単位について１つの代替の消去単位が利用可能であるかどうかを決定するステップと、
１つの代替の消去単位が利用可能でないという決定に応答して、第１のメタブロックをメタブロック・リンキングのセットから除去するステップと、
をさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記不揮発性メモリは、複数の準独立アレイを含み、前記メタブロック・リンキングの任意の１つの中の複数の消去単位の各々は、前記準独立アレイのうちの異なる１つからのものである請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記不揮発性メモリは、複数の準独立アレイを含み、前記メタブロック・リンキングの任意の１つの中の複数の消去単位は、同じ準独立アレイからの対の消去単位で構成され、各々の対は、前記準独立アレイのうちの異なる１つからのものである請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記準独立アレイは、別個のチップ上にある請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記メタブロック・リンキングの前記記録は、不揮発性メモリの、ユーザデータ用に割り当てられた部分以外の部分に格納される請求項１記載の方法。
【請求項１６】
前記消去単位の各々は、複数のセクタで構成され、セクタの各々は、データ領域およびオーバーヘッド領域を含み、データを含んでいる消去単位についての記録情報は、それらのオーバーヘッド領域中に保持される請求項１記載の方法。
【請求項１７】
データのない消去単位についての記録情報は、不揮発性メモリの、ユーザデータ用に割り当てられた部分以外の部分に格納される請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
コントローラと不揮発性メモリとを含むメモリシステムを操作する方法であって、メモリは、少なくとも２つの独立してアクセス可能なサブアレイを含み、個々のサブアレイは、複数の重ならない物理構造に分割され、前記サブアレイの個々の１つからの少なくとも１つの物理構造が、複合論理構造を形成するためにリンクされ、それによってコントローラは、複合論理構造の構成要素を一緒に１つの単位としてアクセスする方法において、
前記複合論理構造中の１つの物理構造が欠陥であることを決定するステップと、
前記複合論理構造中の１つの物理構造が欠陥であることを決定するステップに応答して、前記複合論理構造中の前記欠陥物理構造を代替の物理構造で置き換える一方で、前記複合論理構造を形成するためにリンクされた物理構造のうちの非欠陥物理構造を保持するステップと、
を含む方法。
【請求項１９】
前記物理構造は、物理ブロックである請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記サブアレイは、同じチップ上に形成される請求項１８記載の方法。
【請求項２１】
前記サブアレイの全部未満は、同じチップ上に形成される請求項１８記載の方法。
【請求項２２】
複合論理構造を形成するための物理構造のリンキングの記録は、前記メモリ中に保持され、前記記録は、前記置き換えを反映するために更新される請求項１８記載の方法。
【請求項２３】
前記リンキングは、アルゴリズムに従って形成され、前記記録は、アルゴリズムからの逸脱を記述する請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
前記記録は、リンキング中のすべての物理構造の物理アドレスを記述する請求項２２記載の方法。
【請求項２５】
前記複合論理構造中の物理構造が欠陥であることを決定するステップに先行して、前記複合論理構造を形成するために物理構造の初期リンキングを形成するステップをさらに含み、前記置き換えるステップは、前記リンキングを更新するステップを含む請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
前記初期リンキングを形成するステップは、複合論理構造を形成する物理構造を、利用可能な物理構造のプールから選ぶステップを含む請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
前記初期リンキングを形成するステップは、アルゴリズムに従って複合論理構造を形成
するステップを含む請求項２５記載の方法。
【請求項２８】
コントローラと不揮発性メモリとを含むメモリシステムにおいて、前記不揮発性メモリは、複数の消去単位で構成され、前記コントローラは、各々が複数の消去単位で構成されるメタブロック・リンキングのセットに従って前記不揮発性メモリにアクセスし、前記コントローラは、メタブロック・リンキングのセットを決定論的方法で確立するメモリシステム。
【請求項２９】
前記メタブロック・リンキングのセットは、アルゴリズムに従って確立される請求項２８記載のメモリシステム。
【請求項３０】
規則に従って形成されないメタブロック・リンキングは、フラグにより示される請求項２９記載のメモリシステム。
【請求項３１】
前記フラグは、前記コントローラ中に保持される請求項３０記載のメモリシステム。
【請求項３２】
前記フラグは、前記不揮発性メモリ中に保持される請求項３０記載のメモリシステム。
【請求項３３】
前記アルゴリズムは、前記不揮発性メモリ中の欠陥ブロックのパターンに従ってリンキングのセットを最適化する請求項２９記載のメモリシステム。
【請求項３４】
前記コントローラは、不揮発性メモリの走査に基づいて不揮発性メモリ中の欠陥ブロックのパターンを決定する請求項２９記載のメモリシステム。
【請求項３５】
前記メタブロック・リンキングのセットは、ランダム割り当てに基づいて確立される請求項２８記載のメモリシステム。
【請求項３６】
前記メタブロック・リンキングのセットは、欠陥に応答して、リンキング中の欠陥ブロックを、１つ以上の非欠陥ブロックのリストからの非欠陥ブロックで置き換えることにより更新される請求項２８記載のメモリシステム。
【請求項３７】
１つ以上の非欠陥ブロックのリストの記録は、前記不揮発性メモリ中に保持される請求項３６記載のメモリシステム。
【請求項３８】
１つ以上の非欠陥ブロックのリストの記録は、前記コントローラにより前記コントローラの揮発性メモリ中にキャッシュされる請求項３７記載のメモリシステム。
【請求項３９】
メタブロック・リンキングのセットの記録は、不揮発性メモリ中に保持される請求項２
８記載のメモリシステム。
【請求項４０】
メタブロック・リンキングのセットの記録は、前記コントローラにより前記コントローラの揮発性メモリ中にキャッシュされる請求項３９記載のメモリシステム。
【請求項４１】
メタブロック・リンキングの初期セットは、アルゴリズムに従って確立され、メタブロック・リンキングのセットの記録は、アルゴリズムに適合しないリンキングのみをリスト化する請求項３９記載のメモリシステム。
【請求項４２】
メタブロック・リンキングのセットの記録は、アルゴリズムに適合しない消去単位のみをリスト化する請求項４１記載のメモリシステム。
【請求項４３】
少なくとも２つのプレーンに編成されたメモリ記憶素子のアレイを有する不揮発性メモリシステムを操作する方法であって、個々のプレーンは、複数の重ならない記憶素子のブロックに分割され、１つのブロックは、一緒に消去可能なメモリ記憶素子の最小グループを含み、個々のブロックは、記憶素子の複数のページに分割され、１つのページは、一緒にプログラム可能なメモリ記憶素子の最小グループである方法において、
メタブロック構成要素が１つの単位として一緒に消去されるメタブロックを形成するために、前記少なくとも２つのプレーンのうちの個々のプレーンからの少なくとも１つのブロックをリンクするステップと、
同じプレーン中で１つの予備物理ブロックが利用可能であれば、欠陥物理ブロックに関連付けられたメタブロック構成要素ブロックを、同じプレーン中の予備物理ブロックへ再指向するステップと、
同じプレーン中に利用可能な予備物理ブロックが皆無であれば、欠陥物理ブロックに関連付けられていないメタブロック構成要素を、予備ブロック領域に割り当てるステップと、
メタブロックに対応するエントリを含む欠陥マップ構造を更新するステップと、
を含む方法。