【手続補正書】
【提出日】平成20年7月15日(2008.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の懸垂部分を含み、任意選択的に、不溶性遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、カルボキシレート、またはこれらの組み合わせ、および第１の放射性同位体を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェア。
【請求項２】
第２の放射性同位体をさらに含み、ここで、前記第１の放射性同位体の原子番号が前記第２の放射性同位体の原子番号と同一ではない、請求項１に記載のミクロスフェア。
【請求項３】
前記親水性ポリマーが、アクリル、ビニル、アセタール、アリル、セルロシクス（ｃｅｌｌｕｌｏｓｉｃｓ）、メタクリレート、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリイミド、ポリオレフィン、ポリホスフェート、ポリウレタン、シリコーン、スチレニクス（ｓｔｙｒｅｎｉｃｓ）、およびポリサッカリドからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含む、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項４】
前記親水性ポリマーが、架橋ゼラチン、酸化デンプン、アルギネート、ゲラン（ｇｅｌｌａｎ）、アラビアゴム、ガラクタン、アラビノガラクタン、キトサン、ヒアルロナン、コンドロイチン硫酸、ケラタン硫酸、ヘパラン硫酸、デルマタン硫酸、カルボキシメチルセルロース、酸化セルロース、アクリレート、メタクリレート、エチレングリコールメタクリレートホスフェート、ビニルホスホネート、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−メチレン−ビス−アクリルアミド、Ｎ’，Ｎ’−ジアリル−酒石酸ジアミド、およびグリオキサール−ビス−アクリルアミドからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含む、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項５】
前記親水性ポリマーが、架橋ゼラチン、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミド、およびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含む、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項６】
前記親水性ポリマーが、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミドおよびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含む、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項７】
前記懸垂部分が、独立して、ホスホン酸、ホスフェート、ビスホスホン酸、ポリホスフェート、ジホスフェート、トリホスフェート、スルホン酸、スルフェート、カルボン酸、カルバミン酸、ヒドロキサム酸、アシルヒドラジド、チオール、アミン、シリケート、アルミネート、チタネート、ジルコネート、ピリジン、イミダゾール、チオフェン（ｔｈｉｐｈｅｎｅｓ）、チアゾール、フラン、プリン、ピリミジン、およびヒドロキシキノリンからなる群から選択される、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項８】
前記懸垂部分が、独立して、ホスホン酸、ビスホスホン酸、スルホン酸、およびカルボン酸からなる群から選択される、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項９】
前記懸垂部分がホスホン酸である、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項１０】
前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、カルボキシレート、またはこれらの組み合わせが、ジルコニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ハフニウム、チタン、アルミニウム、ケイ素、ガリウム、インジウム、タリウム、ゲルマニウム、スズ、鉛、ビスマス、タングステン、タンタル、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、またはルテチウムの金属酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、カルボキシレート、またはこれらの組み合わせを含む、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項１１】
前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、カルボキシレート、またはこれらの組み合わせが、ジルコニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、チタン、またはハフニウムの金属酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、カルボキシレート、またはこれらの組み合わせを含む、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項１２】
前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、カルボキシレート、またはこれらの組み合わせが、ジルコニウムの酸化物、ポリオキソメタレート、もしくは水酸化物、またはこれらの組み合わせを含む、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項１３】
前記第１の放射性同位体が、９０Ｙ、３２Ｐ、１８Ｆ、１４０Ｌａ、１５３Ｓｍ、１６５Ｄｙ、１６６Ｈｏ、１６９Ｅｒ、１６９Ｙｂ、１７７Ｌｕ、１８６Ｒｅ、１８８Ｒｅ、１０３Ｐｄ、１９８Ａｕ、１９２Ｉｒ、９０Ｓｒ、１１１Ｉｎ、または６７Ｇａである、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項１４】
前記第１の放射性同位体が、３２Ｐ、９０Ｙ、１４０Ｌａ、１６９Ｙｂ、１１１Ｉｎ、または６７Ｇａである、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項１５】
前記第１の放射性同位体が、３２Ｐである、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項１６】
前記第２の放射性同位体が、Ｔｃ−９９ｍ、１１１Ｉｎ、または６７Ｇａである、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項１７】
前記第２の放射性同位体が１１１Ｉｎである、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項１８】
前記第１の放射性同位体が、３２Ｐ、９０Ｙ、１４０Ｌａ、または１６９Ｙｂであり、前記第２の放射性同位体が、Ｔｃ−９９ｍ、１１１Ｉｎ、または６７Ｇａである、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項１９】
前記第１の放射性同位体が３２Ｐであり、前記第２の放射性同位体が１１１Ｉｎである、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項２０】
前記親水性ポリマーが、架橋ゼラチン、酸化デンプン、アルギネート、ゲラン、アラビアゴム、ガラクタン、アラビノガラクタン、キトサン、ヒアルロナン、コンドロイチン硫酸、ケラタン硫酸、ヘパラン硫酸、デルマタン硫酸、カルボキシメチルセルロース、酸化セルロース、アクリレート、メタクリレート、エチレングリコールメタクリレートホスフェート、ビニルホスホネート、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−メチレン−ビス−アクリルアミド、Ｎ’，Ｎ’−ジアリル−酒石酸ジアミド、およびグリオキサール−ビス−アクリルアミドからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含み、前記懸垂部分が、独立して、ホスホン酸、ビスホスホン酸、ホスフェート、ポリホスフェート、ジホスフェート、トリホスフェート、スルホン酸、スルフェート、カルボン酸、カルバミン酸、ヒドロキサム酸、アシルヒドラジド、チオール、アミン、シリケート、アルミネート、チタネート、ジルコネート、ピリジン、イミダゾール、チオフェン、チアゾール、フラン、プリン、ピリミジン、およびヒドロキシキノリンからなる群から選択される、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項２１】
前記親水性ポリマーが、架橋ゼラチン、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミド、およびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含み、前記懸垂部分が、独立して、ホスホン酸、ビスホスホン酸、スルホン酸、およびカルボン酸からなる群から選択される、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項２２】
前記親水性ポリマーが、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミドおよびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含み、前記懸垂部分がホスホン酸である、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項２３】
前記親水性ポリマーが、架橋ゼラチン、酸化デンプン、アルギネート、ゲラン、アラビアゴム、ガラクタン、アラビノガラクタン、キトサン、ヒアルロナン、コンドロイチン硫酸、ケラタン硫酸、ヘパラン硫酸、デルマタン硫酸、カルボキシメチルセルロース、酸化セルロース、アクリレート、メタクリレート、エチレングリコールメタクリレートホスフェート、ビニルホスホネート、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−メチレン−ビス−アクリルアミド、Ｎ’，Ｎ’−ジアリル−酒石酸ジアミド、およびグリオキサール−ビス−アクリルアミドからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含み、前記懸垂部分が、独立して、ホスホン酸、ビスホスホン酸、ホスフェート、ポリホスフェート、ジホスフェート、トリホスフェート、スルホン酸、スルフェート、カルボン酸、カルバミン酸、ヒドロキサム酸、アシルヒドラジド、チオール、アミン、シリケート、アルミネート、チタネート、ジルコネート、ピリジン、イミダゾール、チオフェン、チアゾール、フラン、プリン、ピリミジン、およびヒドロキシキノリンからなる群から選択され、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、カルボキシレート、またはこれらの組み合わせが、ジルコニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ハフニウム、チタン、アルミニウム、ケイ素、ガリウム、インジウム、タリウム、ゲルマニウム、スズ、鉛、ビスマス、タングステン、タンタル、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、またはルテチウムの金属酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、カルボキシレート、またはこれらの組み合わせを含む、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項２４】
前記親水性ポリマーが、架橋ゼラチン、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミド、およびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含み、前記懸垂部分が、独立して、ホスホン酸、ビスホスホン酸、スルホン酸、およびカルボン酸からなる群から選択され、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族酸化物、ポリオキソメタレート、金属水酸化物、またはこれらの組み合わせが、ジルコニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、チタン、またはハフニウムの金属酸化物、ポリオキソメタレート、金属水酸化物、またはこれらの組み合わせを含む、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項２５】
前記親水性ポリマーが、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミドおよびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含み、前記懸垂部分がホスホン酸であり、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、カルボキシレート、またはこれらの組み合わせが、ジルコニウムの酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、もしくはカルボキシレート、またはこれらの組み合わせを含む、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項２６】
前記親水性ポリマーが、架橋ゼラチン、酸化デンプン、アルギネート、ゲラン、アラビアゴム、ガラクタン、アラビノガラクタン、キトサン、ヒアルロナン、コンドロイチン硫酸、ケラタン硫酸、ヘパラン硫酸、デルマタン硫酸、カルボキシメチルセルロース、酸化セルロース、アクリレート、メタクリレート、エチレングリコールメタクリレートホスフェート、ビニルホスホネート、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−メチレン−ビス−アクリルアミド、Ｎ’，Ｎ’−ジアリル−酒石酸ジアミド、およびグリオキサール−ビス−アクリルアミドからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含み、前記懸垂部分が、独立して、ホスホン酸、ビスホスホン酸、ホスフェート、ポリホスフェート、ジホスフェート、トリホスフェート、スルホン酸、スルフェート、カルボン酸、カルバミン酸、ヒドロキサム酸、アシルヒドラジド、チオール、アミン、シリケート、アルミネート、チタネート、ジルコネート、ピリジン、イミダゾール、チオフェン、チアゾール、フラン、プリン、ピリミジン、およびヒドロキシキノリンからなる群から選択され、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、カルボキシレート、またはこれらの組み合わせが、ジルコニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ハフニウム、チタン、アルミニウム、ケイ素、ガリウム、インジウム、タリウム、ゲルマニウム、スズ、鉛、ビスマス、タングステン、タンタル、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、またはルテチウムの金属酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、カルボキシレート、またはこれらの組み合わせを含み、前記第１の放射性同位体が、９０Ｙ、３２Ｐ、１８Ｆ、１４０Ｌａ、１５３Ｓｍ、１６５Ｄｙ、１６６Ｈｏ、１６９Ｅｒ、１６９Ｙｂ、１７７Ｌｕ、１８６Ｒｅ、１８８Ｒｅ、１０３Ｐｄ、１９８Ａｕ、１９２Ｉｒ、９０Ｓｒ、１１１Ｉｎ、または６７Ｇａである、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項２７】
前記親水性ポリマーが、架橋ゼラチン、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミド、およびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含み、前記懸垂部分が、独立して、ホスホン酸、ビスホスホン酸、スルホン酸、およびカルボン酸からなる群から選択され、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、カルボキシレート、またはこれらの組み合わせが、ジルコニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、チタン、またはハフニウムの金属酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、カルボキシレート、またはこれらの組み合わせを含み、前記第１の放射性同位体が、３２Ｐ、９０Ｙ、１４０Ｌａ、１６９Ｙｂ、１１１Ｉｎ、または６７Ｇａである、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項２８】
前記親水性ポリマーが、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミドおよびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含み、前記懸垂部分がホスホン酸であり、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、カルボキシレート、またはこれらの組み合わせが、ジルコニウムの酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、もしくはカルボキシレート、またはこれらの組み合わせを含み、前記第１の放射性同位体が、３２Ｐである、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項２９】
前記親水性ポリマーが、架橋ゼラチン、酸化デンプン、アルギネート、ゲラン、アラビアゴム、ガラクタン、アラビノガラクタン、キトサン、ヒアルロナン、コンドロイチン硫酸、ケラタン硫酸、ヘパラン硫酸、デルマタン硫酸、カルボキシメチルセルロース、酸化セルロース、アクリレート、メタクリレート、エチレングリコールメタクリレートホスフェート、ビニルホスホネート、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−メチレン−ビス−アクリルアミド、Ｎ’，Ｎ’−ジアリル−酒石酸ジアミド、およびグリオキサール−ビス−アクリルアミドからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含み、前記懸垂部分が、独立して、ホスホン酸、ビスホスホン酸、ホスフェート、ポリホスフェート、ジホスフェート、トリホスフェート、スルホン酸、スルフェート、カルボン酸、カルバミン酸、ヒドロキサム酸、アシルヒドラジド、チオール、アミン、シリケート、アルミネート、チタネート、ジルコネート、ピリジン、イミダゾール、チオフェン、チアゾール、フラン、プリン、ピリミジン、およびヒドロキシキノリンからなる群から選択され、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、カルボキシレート、またはこれらの組み合わせが、ジルコニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ハフニウム、チタン、アルミニウム、ケイ素、ガリウム、インジウム、タリウム、ゲルマニウム、スズ、鉛、ビスマス、タングステン、タンタル、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、またはルテチウムの金属酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、カルボキシレート、またはこれらの組み合わせを含み、前記第１の放射性同位体が、９０Ｙ、３２Ｐ、１８Ｆ、１４０Ｌａ、１５３Ｓｍ、１６５Ｄｙ、１６６Ｈｏ、１６９Ｅｒ、１６９Ｙｂ、１７７Ｌｕ、１８６Ｒｅ、１８８Ｒｅ、１０３Ｐｄ、１９８Ａｕ、１９２Ｉｒ、９０Ｓｒ、１１１Ｉｎ、または６７Ｇａであり、前記第２の放射性同位体が、Ｔｃ−９９ｍ、１１１Ｉｎ、または６７Ｇａである、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項３０】
前記親水性ポリマーが、架橋ゼラチン、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミド、およびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含み、前記懸垂部分が、独立して、ホスホン酸、ビスホスホン酸、スルホン酸、およびカルボン酸からなる群から選択され、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、カルボキシレート、またはこれらの組み合わせが、ジルコニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、チタン、またはハフニウムの金属酸化物、ポリオキソメタレート、金属水酸化物、またはこれらの組み合わせを含み、前記第１の放射性同位体が、３２Ｐ、９０Ｙ、１４０Ｌａ、１６９Ｙｂ、１１１Ｉｎ、または６７Ｇａであり、前記第２の放射性同位体が、Ｔｃ−９９ｍ、１１１Ｉｎ、または６７Ｇａである、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項３１】
前記親水性ポリマーが、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミドおよびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含み、前記懸垂部分がホスホン酸であり、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、カルボキシレート、またはこれらの組み合わせが、ジルコニウムの酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、もしくはカルボキシレート、またはこれらの組み合わせを含み、前記第１の放射性同位体が、３２Ｐであり、前記第２の放射性同位体が、Ｔｃ−９９ｍ、１１１Ｉｎ、または６７Ｇａである、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項３２】
前記親水性ポリマーが、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミドおよびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含み、前記懸垂部分がホスホン酸であり、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、カルボキシレート、またはこれらの組み合わせが、ジルコニウムの酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、もしくはカルボキシレート、またはこれらの組み合わせを含み、前記第１の放射性同位体が３２Ｐであり、前記第２の放射性同位体が１１１Ｉｎである、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項３３】
使用時の前記第２の放射性同位体の前記第１の放射性同位体に対する放射活性比が約１：１０〜約１：１０７の範囲である、請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項３４】
使用時の前記第２の放射性同位体の前記第１の放射性同位体に対する放射活性比が約１：１０２〜１：１０６の範囲である、請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項３５】
使用時の前記第２の放射性同位体の前記第１の放射性同位体に対する放射活性比が約１：１０４〜１：１０５の範囲である、請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項３６】
使用時の前記第２の放射性同位体の前記第１の放射性同位体に対する放射活性比が約１：１０〜１：１０３の範囲である、請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項３７】
前記第１の放射性同位体が約３％を超える範囲で前記ミクロスフェアから浸出せず、前記第２の放射性同位体が約３％を超える範囲で前記ミクロスフェアから浸出しない、請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項３８】
前記第１の放射性同位体が約１％を超える範囲で前記ミクロスフェアから浸出せず、前記第２の放射性同位体が約１％を超える範囲で前記ミクロスフェアから浸出しない、請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項３９】
前記ミクロスフェアが生物活性成分をさらに含む、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項４０】
前記ミクロスフェアが造影剤をさらに含む、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項４１】
前記造影剤が、放射線不透過物質、常磁性物質、重原子、遷移金属、ランタニド、アクチニド、および色素からなる群から選択される、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項４２】
前記ミクロスフェアの直径が、約１〜２０００μｍの範囲である、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項４３】
前記ミクロスフェアの直径が、約１〜１０００μｍの範囲である、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項４４】
前記ミクロスフェアの直径が、約１〜５００μｍの範囲である、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項４５】
前記ミクロスフェアの直径が、約１〜１００μｍの範囲である、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項４６】
前記ミクロスフェアの直径が、約１０〜４０μｍの範囲である、請求項１または請求項２に記載のミクロスフェア。
【請求項４７】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項４８】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程であって、ここで、前記親水性ポリマーが、架橋ゼラチン、酸化デンプン、アルギネート、ゲラン、アラビアゴム、ガラクタン、アラビノガラクタン、キトサン、ヒアルロナン、コンドロイチン硫酸、ケラタン硫酸、ヘパラン硫酸、デルマタン硫酸、カルボキシメチルセルロース、酸化セルロース、アクリレート、メタクリレート、エチレングリコールメタクリレートホスフェート、ビニルホスホネート、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−メチレン−ビス−アクリルアミド、Ｎ’，Ｎ’−ジアリル−酒石酸ジアミド、およびグリオキサール−ビス−アクリルアミドからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含む工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項４９】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程であって、ここで、前記懸垂部分が、独立して、ホスホン酸、ビスホスホン酸、ホスフェート、ポリホスフェート、ジホスフェート、トリホスフェート、スルホン酸、スルフェート、カルボン酸、カルバミン酸、ヒドロキサム酸、アシルヒドラジド、チオール、アミン、シリケート、アルミネート、チタネート、ジルコネート、ピリジン、イミダゾール、チオフェン、チアゾール、フラン、プリン、ピリミジン、およびヒドロキシキノリンからなる群から選択される工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項５０】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程であって、ここで、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせが、ジルコニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ハフニウム、チタン、アルミニウム、ケイ素、ガリウム、インジウム、タリウム、ゲルマニウム、スズ、鉛、ビスマス、タングステン、タンタル、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、またはルテチウムの金属またはこれらの組み合わせを含む工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項５１】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、ここで、前記第１の放射性同位体が、９０Ｙ、３２Ｐ、１８Ｆ、１４０Ｌａ、１５３Ｓｍ、１６５Ｄｙ、１６６Ｈｏ、１６９Ｅｒ、１６９Ｙｂ、１７７Ｌｕ、１８６Ｒｅ、１８８Ｒｅ、１０３Ｐｄ、１９８Ａｕ、１９２Ｉｒ、９０Ｓｒ、１１１Ｉｎ、または６７Ｇａであり、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項５２】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程であって、ここで、前記親水性ポリマーが、架橋ゼラチン、酸化デンプン、アルギネート、ゲラン、アラビアゴム、ガラクタン、アラビノガラクタン、キトサン、ヒアルロナン、コンドロイチン硫酸、ケラタン硫酸、ヘパラン硫酸、デルマタン硫酸、カルボキシメチルセルロース、酸化セルロース、アクリレート、メタクリレート、エチレングリコールメタクリレートホスフェート、ビニルホスホネート、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−メチレン−ビス−アクリルアミド、Ｎ’，Ｎ’−ジアリル−酒石酸ジアミド、およびグリオキサール−ビス−アクリルアミドからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含み、前記懸垂部分が、独立して、ホスホン酸、ホスフェート、ポリホスフェート、ジホスフェート、トリホスフェート、スルホン酸、スルフェート、カルボン酸、カルバミン酸、ヒドロキサム酸、アシルヒドラジド、チオール、アミン、シリケート、アルミネート、チタネート、ジルコネート、ピリジン、イミダゾール、チオフェン、チアゾール、フラン、プリン、ピリミジン、およびヒドロキシキノリンからなる群から選択され、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４金属、またはこれらの組み合わせが、ジルコニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ハフニウム、チタン、アルミニウム、ケイ素、ガリウム、インジウム、タリウム、ゲルマニウム、スズ、鉛、ビスマス、タングステン、タンタル、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、またはルテチウムの金属またはこれらの組み合わせを含む工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、ここで、前記第１の放射性同位体が、９０Ｙ、３２Ｐ、１８Ｆ、１４０Ｌａ、１５３Ｓｍ、１６５Ｄｙ、１６６Ｈｏ、１６９Ｅｒ、１６９Ｙｂ、１７７Ｌｕ、１８６Ｒｅ、１８８Ｒｅ、１０３Ｐｄ、１９８Ａｕ、１９２Ｉｒ、９０Ｓｒ、１１１Ｉｎ、または６７Ｇａであり、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項５３】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程であって、ここで、前記親水性ポリマーが、架橋ゼラチン、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミド、およびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含む工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項５４】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程であって、ここで、前記懸垂部分が、独立して、ホスホン酸、ビスホスホン酸、スルホン酸、およびカルボン酸からなる群から選択される工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、または水酸化物に変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項５５】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程であって、ここで、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせが、ジルコニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、チタン、またはハフニウムの金属またはこれらの組み合わせを含む工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項５６】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、ここで、前記第１の放射性同位体が、３２Ｐ、９０Ｙ、１４０Ｌａ、１６９Ｙｂ、１８Ｆ、１１１Ｉｎ、または６７Ｇａであり、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項５７】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程であって、ここで、前記親水性ポリマーが、架橋ゼラチン、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミド、およびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含み、前記懸垂部分が、独立して、ホスホン酸、ビスホスホン酸、スルホン酸、およびカルボン酸からなる群から選択され、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４金属、またはこれらの組み合わせが、ジルコニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、チタン、またはハフニウムの金属またはこれらの組み合わせを含む工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、ここで、前記第１の放射性同位体が、３２Ｐ、９０Ｙ、１４０Ｌａ、１６９Ｙｂ、１８Ｆ、１１１Ｉｎ、または６７Ｇａであり、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項５８】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程であって、ここで、前記親水性ポリマーが、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミドおよびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含む工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項５９】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程であって、ここで、前記懸垂部分がホスホン酸である工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項６０】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程であって、ここで、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属がジルコニウムである工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項６１】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、ここで、前記第１の放射性同位体が３２Ｐであり、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項６２】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程であって、ここで、前記親水性ポリマーが、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミドおよびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含み、前記懸垂部分がホスホン酸であり、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属がジルコニウムである工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、ここで、前記第１の放射性同位体が３２Ｐであり、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項６３】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、もしくはカルボキシレート、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項６４】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、もしくはカルボキシレート、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程であって、ここで、前記親水性ポリマーが、架橋ゼラチン、酸化デンプン、アルギネート、ゲラン、アラビアゴム、ガラクタン、アラビノガラクタン、キトサン、ヒアルロナン、コンドロイチン硫酸、ケラタン硫酸、ヘパラン硫酸、デルマタン硫酸、カルボキシメチルセルロース、酸化セルロース、アクリレート、メタクリレート、エチレングリコールメタクリレートホスフェート、ビニルホスホネート、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−メチレン−ビス−アクリルアミド、Ｎ’，Ｎ’−ジアリル−酒石酸ジアミド、およびグリオキサール−ビス−アクリルアミドからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含む工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項６５】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属酸化物、ポリオキソメタレート、もしくは水酸化物、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程であって、ここで、前記懸垂部分が、独立して、ホスホン酸、ビスホスホン酸、ホスフェート、ポリホスフェート、ジホスフェート、トリホスフェート、スルホン酸、スルフェート、カルボン酸、カルバミン酸、ヒドロキサム酸、アシルヒドラジド、チオール、アミン、シリケート、アルミネート、チタネート、ジルコネート、ピリジン、イミダゾール、チオフェン、チアゾール、フラン、プリン、ピリミジン、およびヒドロキシキノリンからなる群から選択される工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項６６】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、もしくはカルボキシレート、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程であって、ここで、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属酸化物、ポリオキソメタレート、金属水酸化物、またはこれらの組み合わせが、ジルコニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ハフニウム、チタン、アルミニウム、ケイ素、ガリウム、インジウム、タリウム、ゲルマニウム、スズ、鉛、ビスマス、タングステン、タンタル、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、またはルテチウムの金属酸化物、ポリオキソメタレート、金属水酸化物、またはこれらの組み合わせを含む工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項６７】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、もしくはカルボキシレート、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、ここで、９０Ｙ、３２Ｐ、１８Ｆ、１４０Ｌａ、１５３Ｓｍ、１６５Ｄｙ、１６６Ｈｏ、１６９Ｅｒ、１６９Ｙｂ、１７７Ｌｕ、１８６Ｒｅ、１８８Ｒｅ、１０３Ｐｄ、１９８Ａｕ、１９２Ｉｒ、９０Ｓｒ、１１１Ｉｎ、または６７Ｇａ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項６８】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、もしくはカルボキシレート、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程であって、ここで、前記親水性ポリマーが、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミドおよびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含む工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項６９】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、もしくはカルボキシレート、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程であって、ここで、前記懸垂部分がホスホン酸である工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項７０】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、もしくはカルボキシレート、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程であって、ここで、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属酸化物、ポリオキソメタレート、金属水酸化物、またはこれらの組み合わせが、ジルコニウムの酸化物、ポリオキソメタレート、もしくは水酸化物、またはこれらの組み合わせを含む工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項７１】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、もしくはカルボキシレート、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、ここで、前記第１の放射性同位体が、３２Ｐであり、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項７２】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、もしくはカルボキシレート、またはこれらの組み合わせを、複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアと組み合わせ、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程であって、ここで、前記親水性ポリマーが、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミドおよびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含み、前記懸垂部分がホスホン酸であり、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、もしくはカルボキシレート、またはこれらの組み合わせが、ジルコニウムの酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、もしくはカルボキシレート、またはこれらの組み合わせを含む工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、ここで、前記第１の放射性同位体が、３２Ｐであり、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項７３】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせの存在下で複数の懸垂部分を含むポリマーからミクロスフェアを形成し、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項７４】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせの存在下で複数の懸垂部分を含むポリマーからミクロスフェアを形成し、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程であって、ここで、前記親水性ポリマーが、架橋ゼラチン、酸化デンプン、アルギネート、ゲラン、アラビアゴム、ガラクタン、アラビノガラクタン、キトサン、ヒアルロナン、コンドロイチン硫酸、ケラタン硫酸、ヘパラン硫酸、デルマタン硫酸、カルボキシメチルセルロース、酸化セルロース、アクリレート、メタクリレート、エチレングリコールメタクリレートホスフェート、ビニルホスホネート、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−メチレン−ビス−アクリルアミド、Ｎ’，Ｎ’−ジアリル−酒石酸ジアミド、およびグリオキサール−ビス−アクリルアミドからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含む工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、または水酸化物に変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項７５】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせの存在下で複数の懸垂部分を含むポリマーからミクロスフェアを形成し、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程であって、ここで、前記懸垂部分が、独立して、ホスホン酸、ビスホスホン酸、ホスフェート、ポリホスフェート、ジホスフェート、トリホスフェート、スルホン酸、スルフェート、カルボン酸、カルバミン酸、ヒドロキサム酸、アシルヒドラジド、チオール、アミン、シリケート、アルミネート、チタネート、ジルコネート、ピリジン、イミダゾール、チオフェン、チアゾール、フラン、プリン、ピリミジン、およびヒドロキシキノリンからなる群から選択される工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項７６】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせの存在下で複数の懸垂部分を含むポリマーからミクロスフェアを形成し、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程であって、ここで、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせが、ジルコニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ハフニウム、チタン、アルミニウム、ケイ素、ガリウム、インジウム、タリウム、ゲルマニウム、スズ、鉛、ビスマス、タングステン、タンタル、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、またはルテチウムの金属またはこれらの組み合わせを含む工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項７７】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせの存在下で複数の懸垂部分を含むポリマーからミクロスフェアを形成し、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、ここで、前記第１の放射性同位体が、９０Ｙ、３２Ｐ、１８Ｆ、１４０Ｌａ、１５３Ｓｍ、１６５Ｄｙ、１６６Ｈｏ、１６９Ｅｒ、１６９Ｙｂ、１７７Ｌｕ、１８６Ｒｅ、１８８Ｒｅ、１０３Ｐｄ、１９８Ａｕ、１９２Ｉｒ、９０Ｓｒ、１１１Ｉｎ、または６７Ｇａであり、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項７８】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせの存在下で複数の懸垂部分を含むポリマーからミクロスフェアを形成し、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程であって、ここで、前記親水性ポリマーが、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミドおよびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含む工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項７９】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせの存在下で複数の懸垂部分を含むポリマーからミクロスフェアを形成し、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程であって、ここで、前記懸垂部分が、独立して、ホスホン酸、ビスホスホン酸、ホスフェート、ポリホスフェート、ジホスフェート、トリホスフェート、スルホン酸、スルフェート、カルボン酸、カルバミン酸、ヒドロキサム酸、アシルヒドラジド、チオール、アミン、シリケート、アルミネート、チタネート、ジルコネート、ピリジン、イミダゾール、チオフェン、チアゾール、フラン、プリン、ピリミジン、およびヒドロキシキノリンからなる群から選択される工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項８０】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせの存在下で複数の懸垂部分を含むポリマーからミクロスフェアを形成し、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程であって、ここで、遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属がジルコニウムである工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項８１】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせの存在下で複数の懸垂部分を含むポリマーからミクロスフェアを形成し、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、ここで、前記第１の放射性同位体が、３２Ｐであり、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項８２】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせの存在下で複数の懸垂部分を含むポリマーからミクロスフェアを形成し、それにより、ミクロスフェア−金属複合体を形成する工程であって、ここで、前記親水性ポリマーが、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミドおよびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含み、前記懸垂部分がホスホン酸であり、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属がジルコニウムである工程と、
前記ミクロスフェア−金属複合体中の前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属、またはこれらの組み合わせをその酸化物、ポリオキソメタレート、水酸化物、アルコキシド、またはカルボキシレートに変換し、それにより、金属標識ミクロスフェアを形成する工程と、
前記金属標識ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、ここで、前記第１の放射性同位体が、３２Ｐであり、それにより、放射性金属標識ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項８３】
前記ミクロスフェアが、治療部位で第１の放射性同位体と組み合わせて処理するのに適している、請求項４７〜請求項８２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８４】
前記ミクロスフェアを第２の放射性同位体と組み合わせ、ここで、前記第１の放射性同位体の原子番号が前記第２の放射性同位体の原子番号と同一ではない、請求項４７〜請求項８２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８５】
前記ミクロスフェアが、治療部位で第１の放射性同位体と組み合わせて処理するのに適している、請求項８４に記載の方法。
【請求項８６】
前記ミクロスフェアが、治療部位で第２の放射性同位体と組み合わせて処理するのに適している、請求項８４または請求項８５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８７】
前記ミクロスフェアが、カテーテルまたはシリンジを使用して投与するのに適している、請求項４７〜請求項８６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８８】
前記ミクロスフェアが、カテーテルによって投与するのに適している、請求項４７〜請求項８６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８９】
頭部障害、頸部障害、胸部障害、および腹部障害、骨盤障害、癌、慢性（ｃｒｏｎｉｃ）血友病性滑膜炎、または関節炎を罹患した哺乳動物を治療するための組成物であって、放射性金属標識ミクロスフェアを含んでおり、ここで、前記親水性ポリマーが、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミドおよびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含んでおり、前記懸垂部分がホスホン酸であり、前記遷移金属、ランタニドもしくは１３〜１４族金属がジルコニウムであり、前記第１の放射性同位体が、３２Ｐである、組成物。
【請求項９０】
前記ミクロスフェアが、癌、滑膜切除、または関節炎の治療で使用するのに適している、請求項４７〜請求項８９のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項９１】
前記ミクロスフェアが、癌の治療で使用するのに適している、請求項４７〜請求項８９のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項９２】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアを形成する工程と、
前記ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項９３】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアを形成する工程であって、ここで、前記親水性ポリマーが、架橋ゼラチン、酸化デンプン、アルギネート、ゲラン、アラビアゴム、ガラクタン、アラビノガラクタン、キトサン、ヒアルロナン、コンドロイチン硫酸、ケラタン硫酸、ヘパラン硫酸、デルマタン硫酸、カルボキシメチルセルロース、酸化セルロース、アクリレート、メタクリレート、エチレングリコールメタクリレートホスフェート、ビニルホスホネート、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−メチレン−ビス−アクリルアミド、Ｎ’，Ｎ’−ジアリル−酒石酸ジアミド、およびグリオキサール−ビス−アクリルアミドからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含む工程と、
前記ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項９４】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアを形成する工程であって、ここで、前記懸垂部分が、独立して、ホスホン酸、ビスホスホン酸、ホスフェート、ポリホスフェート、ジホスフェート、トリホスフェート、スルホン酸、スルフェート、カルボン酸、カルバミン酸、ヒドロキサム酸、アシルヒドラジド、チオール、アミン、シリケート、アルミネート、チタネート、ジルコネート、ピリジン、イミダゾール、チオフェン、チアゾール、フラン、プリン、ピリミジン、およびヒドロキシキノリンからなる群から選択される工程と、
前記ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項９５】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアを形成する工程と、
前記ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、ここで、前記第１の放射性同位体が、９０Ｙ、３２Ｐ、１８Ｆ、１４０Ｌａ、１５３Ｓｍ、１６５Ｄｙ、１６６Ｈｏ、１６９Ｅｒ、１６９Ｙｂ、１７７Ｌｕ、１８６Ｒｅ、１８８Ｒｅ、１０３Ｐｄ、１９８Ａｕ、１９２Ｉｒ、９０Ｓｒ、１１１Ｉｎ、または６７Ｇａであり、それにより、放射性ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項９６】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアを形成する工程であって、ここで、前記親水性ポリマーが、架橋ゼラチン、酸化デンプン、アルギネート、ゲラン、アラビアゴム、ガラクタン、アラビノガラクタン、キトサン、ヒアルロナン、コンドロイチン硫酸、ケラタン硫酸、ヘパラン硫酸、デルマタン硫酸、カルボキシメチルセルロース、酸化セルロース、アクリレート、メタクリレート、エチレングリコールメタクリレートホスフェート、ビニルホスホネート、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−メチレン−ビス−アクリルアミド、Ｎ’，Ｎ’−ジアリル−酒石酸ジアミド、およびグリオキサール−ビス−アクリルアミドからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含み、前記懸垂部分が、独立して、ホスホン酸、ビスホスホン酸、ホスフェート、ポリホスフェート、ジホスフェート、トリホスフェート、スルホン酸、スルフェート、カルボン酸、カルバミン酸、ヒドロキサム酸、アシルヒドラジド、チオール、アミン、シリケート、アルミネート、チタネート、ジルコネート、ピリジン、イミダゾール、チオフェン、チアゾール、フラン、プリン、ピリミジン、およびヒドロキシキノリンからなる群から選択される工程と、
前記ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、ここで、前記第１の放射性同位体が、９０Ｙ、３２Ｐ、１８Ｆ、１４０Ｌａ、１５３Ｓｍ、１６５Ｄｙ、１６６Ｈｏ、１６９Ｅｒ、１６９Ｙｂ、１７７Ｌｕ、１８６Ｒｅ、１８８Ｒｅ、１０３Ｐｄ、１９８Ａｕ、１９２Ｉｒ、９０Ｓｒ、１１１Ｉｎ、または６７Ｇａであり、それにより、放射性ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項９７】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアを形成する工程であって、ここで、前記親水性ポリマーが、架橋ゼラチン、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミド、およびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含む工程と、
前記ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項９８】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアを形成する工程であって、ここで、前記懸垂部分が、独立して、ホスホン酸、ビスホスホン酸、スルホン酸、およびカルボン酸からなる群から選択される工程と、
前記ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項９９】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアを形成する工程と、
前記ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、ここで、前記第１の放射性同位体が、９０Ｙ、１４０Ｌａ、１６９Ｙｂ、１１１Ｉｎ、または６７Ｇａであり、それにより、放射性ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項１００】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアを形成する工程であって、ここで、前記親水性ポリマーが、架橋ゼラチン、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミド、およびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含み、前記懸垂部分が、独立して、ホスホン酸、ビスホスホン酸、スルホン酸、およびカルボン酸からなる群から選択される工程と、
前記ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、ここで、前記第１の放射性同位体が、９０Ｙ、１４０Ｌａ、１６９Ｙｂ、１１１Ｉｎ、または６７Ｇａであり、それにより、放射性ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項１０１】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアを形成する工程であって、ここで、前記懸垂部分がホスホン酸である工程と、
前記ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、それにより、放射性ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項１０２】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアを形成する工程と、
前記ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、ここで、前記第１の放射性同位体が、９０Ｙ、１１１Ｉｎ、または１６６Ｈｏであり、それにより、放射性ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項１０３】
放射性ミクロスフェアの調製方法であって、
複数の懸垂部分を含む親水性ポリマーを含むミクロスフェアを形成する工程であって、ここで、前記親水性ポリマーが、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）メチル］アクリルアミドおよびビニルホスホネートからなる群から選択される１つまたは複数の重合モノマーを含み、前記懸垂部分がホスホン酸である工程と、
前記ミクロスフェアを第１の放射性同位体と組み合わせ、ここで、前記第１の放射性同位体が、９０Ｙ、１１１Ｉｎ、または１６６Ｈｏであり、それにより、放射性ミクロスフェアを形成する工程と
を含む、方法。
【請求項１０４】
前記ミクロスフェアが、治療部位で第１の放射性同位体と組み合わせて処理するのに適している、請求項９２〜請求項１０３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０５】
前記ミクロスフェアを第２の放射性同位体と組み合わせ、ここで、前記第１の放射性同位体の原子番号が前記第２の放射性同位体の原子番号と同一ではない、請求項９２〜請求項１０４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０６】
前記ミクロスフェアが、治療部位で第２の放射性同位体と組み合わせて処理するのに適している、請求項１０４または請求項１０５に記載の方法。
【請求項１０７】
前記ミクロスフェアが、カテーテルまたはシリンジを使用して投与するのに適している、請求項９２〜請求項１０６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０８】
前記ミクロスフェアが、カテーテルによって投与するのに適している、請求項９２〜請求項１０６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０９】
前記ミクロスフェアが、癌、滑膜切除、または関節炎の治療で使用するのに適している、請求項９２〜請求項１０８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１０】
前記ミクロスフェアが、癌の治療で使用するのに適している、請求項９２〜請求項１０８のいずれか１項に記載の方法。