【手続補正書】
【提出日】平成20年8月27日(2008.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  研磨装置の研磨面に表面を有した基板を位置決めするための研磨ヘッドであって、研磨工程中に基板を保持するとともに下面を有したキャリアと、キャリアに固定されるとともに前記下面に延びている可撓性部材と、前記可撓性部材と前記下面との間に配置され可撓性部材と下面との間にキャビティを形成するスペーサとを備え、前記キャリアは、加圧流体を前記キャビティに導入するため下面と連通している通路を備え、前記可撓性部材は、研磨工程中に基板を前記研磨面に押圧するように基板に係合するようになっている受入れ面を有し、前記可撓性部材は、所定の厚さを有するとともに圧力を直接に基板に加えるため前記厚さを貫通して前記受入れ面に延びている複数の孔を備えていることを特徴とする研磨ヘッド。
【請求項２】  前記キャリアの下面は前記通路と連通しているポートを備え、該ポートは、研磨工程中に加圧流体を前記キャビティに受け入れるようになっていることを特徴とする請求項１記載の研磨ヘッド。
【請求項３】  前記ポートは、さらに、前記キャビティに真空を引き入れるようになっており、前記可撓性部材と基板は、所定の真空度に到達したときに前記ポートをキャビティから分離するためのバルブとして機能することを特徴とする請求項２記載の研磨ヘッド。
【請求項４】  前記所定の真空度は、前記研磨工程の前後のロード及びアンロード操作中、基板を受入れ面に保持するように選択されることを特徴とする請求項３記載の研磨ヘッド。
【請求項５】  前記ポートに連結される真空スイッチを含み、前記所定の真空度は、基板が前記受入れ面に保持されるときに前記真空スイッチを切り替えるように選択されることを特徴とする請求項３記載の研磨ヘッド。
【請求項６】  研磨面と、下面と該下面に延びている可撓性部材とを有したキャリアとを備えた研磨装置を用いて、表面を有した基板を研磨する方法であって、
前記可撓性部材は、受入れ面と、所定の厚さと、該所定の厚さを貫通して受入れ面まで延びている複数の孔とを備え、前記方法は、可撓性部材が基板に係合し基板の表面が研磨面上に位置するようにキャリアと研磨面との間に基板を位置決めする工程と、基板を前記研磨面に押圧し基板の表面を研磨するために可撓性部材に圧力を加える工程とを備え、前記圧力は前記孔を通して基板に直接に加えられることを特徴とする方法。
【請求項７】  前記キャリアは、さらに、キャビティを形成するため可撓性部材とキャリアの下面との間に配置されたコーナリング片を備え、前記キャリアの下面は、加圧流体をキャビティに導入するようになっているポートを有し、圧力を可撓性部材に加える工程は、加圧流体をポートを介してキャビティに導入する工程を含むことを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】  前記ポートは、真空をキャビティに引き込むようになっており、前記方法は、さらに、基板を受入れ面に保持するためキャビティに真空を引き入れるロード工程を含むことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】  前記キャビティに真空を引き込むローディング工程は、さらに、前記可撓性部材と基板をバルブとして用いて所定の真空度に到達したときに前記ポートをキャビティから分離する工程を備えていることを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】  前記研磨装置は、さらに、ポートに連結された真空スイッチを有し、ロード工程は、所定の真空度に達したとき真空スイッチを切り替えることによって、受入れ面に基板が存在することを検知する工程を含むことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１１】  前記方法は、研磨工程の後のアンロード工程の間に研磨面からキャリアを上昇させる前に基板を受入れ面に保持させるためにキャビティに真空を引き入れる工程を含むことを特徴とする請求項８記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
１つの実施形態においては、サブキャリアの下面は、加圧流体をキャビティに導入するためのポートと、加圧流体をキャビティ全体に分配する流路とを備えている。ポートは、研磨工程の前後のロード及びアンロード操作の間、基板を受入れ面に保持するため、キャビティを真空にするために使用できる。そして、研磨装置は、さらに、基板が受入れ面に保持されたことを検知するため、ポートに連結された真空スイッチを備えている。真空スイッチは、所定の真空度に達したとき、開から閉又は閉から開へ切り替わるように構成されている。本実施形態の変形例においては、可撓性部材、基板及びポートは、所定の真空度に達したとき、ポートをキャビティから分離するためのバルブとして機能するようになっている。真空がキャビティに形成されるとき、孔は基板によってシールされ、該可撓性部材がサブキャリアの下面のポートに接触しシールするまで、可撓性部材は内側に引き込まれる。ポートはシールを容易とするための突出したリップを有してもよいし、有さなくてもよい。このデザインは、真空度、それゆえ、可撓性部材と基板が変形する度合いが基板へ加わる応力（ストレス）を最小化するように制御することが可能である。
前記可撓性部材は、受入れ面の基板によってシールされ、前記キャリアの下面と可撓性部材と基板によって形成されるチャンバを形成するようになっており、前記キャビティは加圧可能である。
前記キャリアは、前記キャリアによって支持されたサブキャリアを備え、前記可撓性部材は該サブキャリアに固定されるとともに前記サブキャリアの下面に延びている。
前記研磨装置は、さらに、研磨工程中に前記キャリアを回転させる駆動機構を備え、前記複数の孔の数及びサイズは、基板に回転エネルギを付与するため前記可撓性部材の受入れ面と基板との間に充分な摩擦力を提供するように選択される。
前記キャリアの下面は、加圧流体を前記ポートから前記キャビティ全体に分配するようになっている少なくとも１つの通路を備えている。
研磨ヘッドを備えた化学的機械研磨装置は、さらに、研磨面と、研磨工程中にスラリーを前記研磨面に分配するようになっているスラリー分配機構とを備えている。
研磨ヘッドを有した化学的機械研磨装置は、さらに、固定砥粒を有した研磨面と、研磨工程中に化学物質を前記研磨面に分配するようになっている化学物質分配機構とを備えている。
研磨装置は、さらに、研磨工程中にキャリアを回転させる駆動機構を備え、前記研磨方法は、さらに、可撓性部材を介して基板にトルクを与える工程を含む。
前記可撓性部材の厚さを貫通する複数の孔の数及びサイズは、研磨工程中に基板に回転エネルギを付与するため前記可撓性部材の受入れ面と基板との間に充分な摩擦力を提供するように選択される。
基板を研磨するための研磨装置は、研磨面と、基板を研磨面に位置させるようになっているキャリアと、研磨工程中にキャリアを回転させるようになっている駆動機構と、加圧流体を基板に直接に加え基板を研磨面に押圧するようになっている手段と、研磨工程中にキャリアから回転エネルギを基板に伝達するための手段とを備えている。
基板に加圧流体を直接に加えるための手段は、研磨工程の間に基板が保持されるキャリアの下面に取り付けられた可撓性部材を含み、該可撓性部材は、基板に係合するようになっている受入れ面と、所定の厚さと、基板に直接に圧力を加えるため厚さを貫通して受入れ面まで延びている複数の孔とを備えている。
前記キャリアから基板に回転エネルギを伝達するための手段は、可撓性部材の受入れ面を含み、複数の孔の数及びサイズは、回転エネルギを基板に与えるために受入れ面と基板との間に充分な摩擦力を提供するように選択される。
研磨装置の研磨面に表面を有した基板を位置決めするための研磨ヘッドは、下面を有するとともに研磨工程中に基板を保持するようになっているキャリアと、キャリアに固定されるとともに下面に延びている可撓性部材とを備え、該可撓性部材は基板に係合する受入れ面を有し、キャリアは、吸引力を供給するための下面に延びているポートを備え、スペーサがポートの近傍で可撓性部材と下面との間に配置され、可撓性部材は所定の厚さを有するとともに該厚さを貫通して受入れ面まで延びる少なくとも１つの孔を備え、該孔の位置はポートの位置に実質的に合っており、可撓性部材は、可撓性部材がポートの近傍で下面から離間している第１位置と、可撓性部材がポートの周りの下面に係合しかつ少なくとも１つの孔が少なくとも部分的にポートと位置が合っている第２位置との間で可動であり、それによって、研磨工程の少なくとも一部の間、吸引力がポートに供給され、基板を受入れ面に保持することができ、スペーサが実質的に吸引力の適用を基板の一部のみに制限し、基板の残りの部分への好ましくないストレスを最小とする。
前記可撓性部材は、受入れ面上の基板でシールされ、真空をキャビティへ引き込むことを可能としている。
前記可撓性部材と基板は、所定の真空度が達成されたときにポートをキャビティから隔離するためのバルブとして機能し、それによって、可撓性部材の変形と受入れ面に保持された基板へのストレスが減らされる。
前記可撓性部材とキャリアの下面との間に配置されたコーナリング片をさらに備え、該コーナリング片は真空がキャビティに引き入れられるとき可撓性部材の変形をさらに減らすように選択された厚さを有し、それによって、受入れ面に保持された基板に加わるストレスが減らされる。
前記研磨装置は、さらに、ポートに連結された真空スイッチを備え、受入れ面の基板の存在は、所定の真空度が真空スイッチのスイッチングによって達せられたときに検知される。
前記研磨装置は、研磨工程の間、キャリアを回転させるための駆動機構を含み、少なくとも１つの孔のサイズは回転エネルギを基板に与えるために可撓性部材の受入れ面と基板との間に充分な摩擦力を提供するように選択される。複数の孔が可撓性部材の厚さを貫通して受入れ面まで延びている。
前記キャリアは、さらに、研磨工程の間、加圧流体をキャビティに導入するためのポートと連通している通路を含み、複数の孔は、研磨工程の間、基板を研磨面に押圧するための複数の孔を通して加圧流体を基板に直接に加えることを可能にするようになっている。
前記研磨装置は、さらに、研磨工程中に前記キャリアを回転させる駆動機構を備え、前記複数の孔の数及びサイズは、基板に回転エネルギを付与するため前記可撓性部材の受入れ面と基板との間に充分な摩擦力を提供するように選択される。
研磨装置を用いて表面を有した基板を研磨する方法は、前記研磨装置が、研磨面と、下面を有するとともに研磨工程中に基板を保持するようになっているキャリアと、キャリアに固定されるとともに下面に延びている可撓性部材と、可撓性部材と下面との間にキャビティを形成するために可撓性部材と下面との間に配置されたスペーサとを備え、キャリアの下面はキャビティに真空を引き入れるようになっているポートを備え、可撓性部材は基板を受け入れるようになっている受入れ面を有し、可撓性部材は、所定の厚さと、その厚さを貫通して受入れ面まで延びている少なくとも１つの孔とを備え、前記方法は、受入れ面に基板を受け入れる工程と、基板をキャリアに保持するためキャビティに真空を引き込む工程と、基板の表面を研磨面に位置決めする工程とを備えている。
前記キャビティに真空を引き込む工程は、可撓性部材と基板をバルブとして用いて所定の真空度に到達したときにポートをキャビティから分離（隔離）する工程を含む。研磨装置が、さらに、ポートに連結された真空スイッチを含み、前記研磨方法は、所定の真空度に到達したとき真空スイッチを切り替えることによって受入れ面に基板が存在することを検知する工程を含む。
前記基板は半導体ウエハからなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
別の実施態様においては、キャリアは、リテーナリングの上面と対面する関係で、かつリテーナリングとはベアリングによって分離されているバッキングリングを含んでいる。バッキングリングは、研磨操作中にリテーナリングに圧力を加えるようになっている。ベアリングは、例えば、ボールベアリング、流体軸受、ローラベアリング、又はテーパベアリングからなることができる。リテーナリングは、さらに、キャリアが研磨面から上昇されるとき、リテーナリングをバッキングリングに連結するため、バッキングリングの第２リップと係合する第１リップを含んでもよい。
研磨装置の研磨面に表面を有した基板を位置決めするための研磨ヘッドは、キャリアと、キャリアにより支持されるとともに研磨工程中に基板を保持するようになっているサブキャリアと、サブキャリアの周りに回転可能に配置されたリテーナリングとを備え、リテーナリングは、研磨工程中に、基板の表面と実質的に同一面上に位置するとともに研磨面と接触するようになっている下面を備え、リテーナリングは、基板の表面の非平坦な研磨を抑制するためにサブキャリアに保持された基板に対して回転可能になっている。
前記サブキャリアは、研磨工程中にサブキャリアに保持された基板を回転させることが可能であり、前記リテーナリングは、サブキャリアに保持された基板とは異なった速度で回転可能である。
前記リテーナリングの上面と対面する関係にあり、ベアリングによってリテーナリングから分離されているバッキングリングをさらに備え、前記バッキングリングは、研磨工程中にリテーナリングに圧力を加えるようになっている。
前記ベアリングは、ボールベアリング、流体軸受、ローラベアリング、及びテーパベアリングからなるグループから選択される。
前記リテーナリングは、さらに、キャリアが研磨面から上昇されたときにリテーナリングをバッキングリングに連結するため、バッキングリングの第２リップと係合する第１リップを備えている。
前記第１リップは複数のボルトからなり、該ボルトの各々は、軸部と、前記キャリアが研磨面から上昇されるときバッキングリングの第２リップと係合するために軸部から半径方向外側に突出している面を有した頭部とを備えている。前記リテーナリングに連結された駆動機構は、リテーナリングを研磨工程中にサブキャリアに対して回転させる。
前記リテーナリングと研磨面との間の摩擦力は、リテーナリングを研磨工程中にサブキャリアに対して回転させる。
研磨ヘッドを備えた化学的機械研磨装置は、研磨面と、研磨工程中に研磨面にスラリーを分配するようになっているスラリー分配機構とをさらに備えている。
研磨ヘッドを備えた化学的機械研磨装置は、固定砥粒を有した研磨面と、研磨工程中に研磨面に化学物質を分配するようになっている化学物質分配機構とをさらに備えている。
研磨面と、サブキャリアを備えたキャリアと、サブキャリアの周りに配置されるとともに下面を備えたリテーナリングとを備えた研磨装置を用いて表面を有した基板を研磨する方法であって、前記方法は、基板の表面がリテーナリングの下面と実質的に同一面であるようにサブキャリアに基板を位置決めする工程と、基板の表面を研磨するため基板の表面とリテーナリングの下面とを研磨面に押圧する工程と、基板の表面の非平坦な研磨を抑制するためサブキャリアに対してリテーナリングを回転させる工程とを備えている。
研磨方法は、研磨工程中にサブキャリアに保持された基板を回転する工程をさらに備え、リテーナリングを回転する工程は、サブキャリアに保持された基板の速度とは異なった速度でリテーナリングを回転させる工程からなる。
前記リテーナリングを回転させる工程は、研磨面によってリテーナリングの下面に加えられる摩擦力によってリテーナリングを回転させる工程からなる。
前記研磨装置は、さらに、リテーナリングに連結された駆動機構を備え、前記リテーナリングを回転させる工程は、リテーナリングを回転させるために前記駆動機構を操作する工程からなる。
前記基板は半導体基板である。
研磨装置の研磨面に表面を有した基板を位置決めするための研磨ヘッドは、キャリアと、キャリアにより支持されるとともに研磨工程中に基板を保持するようになっているサブキャリアと、サブキャリアの周りに回転可能に配置されたリテーナリングと、リテーナリングをサブキャリアに対して回転可能とし、これゆえ基板の研磨を抑制するように、リテーナリングをキャリアに回転可能に装着する手段とを備え、リテーナリングは、研磨工程中に、基板の表面と実質的に同一面上に位置するとともに研磨面と接触するようになっている下面を備えている。
前記サブキャリアは、研磨工程中にサブキャリアに保持された基板を回転させることが可能であり、リテーナリングを回転可能とする手段は、サブキャリアに保持された基板とは異なった速度でリテーナリングを回転させることが可能である。
前記キャリアは、研磨工程中にリテーナリングに圧力を加えるためリテーナリングの上面と対面する関係にあるバッキングリングを備え、リテーナリングを基板に対して回転可能とする手段は、バッキングリングをリテーナリングから分離しているベアリングからなる。
研磨ヘッドは、研磨工程中、サブキャリアに保持された基板に対してリテーナリングを回転させるためのリテーナリングに連結された駆動機構をさらに備えている。
前記リテーナリングと研磨面との間の摩擦力は、研磨工程中にサブキャリアに対してリテーナリングを回転させる。
前記基板は、半導体ウエハからなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
別の実施態様においては、ポートは、さらに、メンテナンス操作中、リテーナリングとサブキャリア間の環状空間を洗浄するようになっている。本実施形態においては、ＣＭＰ装置は、スラリーを複数のポートに供給することが可能なスラリー供給部と、複数のポートに洗浄用流体を供給することができる洗浄用流体供給部と、スラリー供給部と洗浄用流体供給部間を切り替えるバルブとを備えている。
研磨装置の研磨面に表面を有した基板を位置決めするための研磨ヘッドは、底面を有したキャリアを備え、該底面は、研磨工程中に基板を保持するようになっている下面を含み、キャリアは、研磨工程中に研磨物質を研磨面に分配するために下面の周りの底面を貫通して延びている複数のポートを備えている。
前記複数のポートは研磨剤を含有するスラリーを研磨面に分配するようになっている。
前記研磨面は固定砥粒を有し、複数のポートは、研磨工程中に水を研磨面に分配するようになっている。
前記複数のポートはリテーナリング内に配置されている。
前記キャリアは、研磨工程中に基板が保持される受入れ面を有したサブキャリアを備え、リテーナリングはサブキャリアの周りに回転可能に配置されるとともに環状空間によってサブキャリアから分離されるようになっている。
前記複数のポートは、リテーナリングとサブキャリア間の環状空間内に配置されている。
前記複数のポートは、リテーナリングとサブキャリア間の環状空間の周りに均等な間隔で配置されている。
前記複数のポートは、２〜３０個のポートからなる。
前記複数のポートは、さらに、メンテナンス操作中にリテーナリングとサブキャリア間の環状空間を洗浄するようになっている。
研磨ヘッドを備えた化学的機械研磨装置は、研磨面と、研磨工程中、研磨面上に研磨剤を含むスラリーを分配するようになっている複数のポートとを備えている。
研磨ヘッドを備えた化学的機械研磨装置は、固定砥粒を有した研磨面と、研磨工程中に研磨面に水を分配するようになっている複数のポートとを備えている。
研磨面と、研磨工程中に基板を保持するようになっている下面を含む底面を有したキャリアとを備えた研磨装置を用いて表面を有した基板を研磨する方法であって、前記方法は、基板をキャリアの下面に位置決めする工程と、基板の表面を研磨面に押圧するようにキャリアを研磨面に付勢する工程と、キャリアの底面を通して研磨物質を研磨面に分配する工程とを備えている。
前記研磨面は固定砥粒を有し、化学物質を研磨面に分配する工程は、水を研磨面に分配する工程を含む。
研磨装置はスラリーを複数のポートに供給することができるスラリー供給部を備え、化学物質を研磨面に分配する工程は、スラリーを研磨面に分配する工程からなる。
前記研磨装置は、洗浄用流体を複数のポートに供給することができる洗浄用流体供給部と、スラリー供給部と洗浄用流体供給部との間を切り替えるバルブとを備えており、前記方法は、さらに、基板の研磨の後、複数のポートを洗浄する工程を含む。
研磨装置の研磨面に表面を有した基板を位置決めする研磨ヘッドは、研磨工程中に基板を保持するようになっているキャリアと、キャリアから吊下されているリテーナリングと、研磨工程中に研磨ヘッドから化学物質を研磨面に分配する手段とを備え、リテーナリングはキャリアに保持された基板の周りに配置されている。
研磨ヘッドから化学物質を分配する手段は、研磨剤を含有するスラリーを研磨面に分配する手段からなる。
前記研磨面は固定砥粒を有し、研磨ヘッドから化学物質を分配する手段は、研磨工程中に水を研磨面に分配する手段からなる。
前記研磨ヘッドから化学物質を分配する手段は、リテーナリング内に配置されている複数のポートからなる。
前記キャリアは、さらに、研磨工程中に基板が保持される受入れ面を有したサブキャリアを備え、リテーナリングはサブキャリアの周りに回転可能に配置されるとともに環状空間によってサブキャリアから分離されている。
前記複数のポートは、リテーナリングとサブキャリア間の環状空間内に配置されている。
前記基板は半導体ウエハからなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
別の態様においては、本発明は、基板の表面から材料を除去するための研磨装置に関するものである。研磨装置は、研磨工程中に基板を保持するようになっている研磨ヘッドと、基板と研磨面との間に相対運動があるとき、研磨ヘッドに保持された基板と研磨面との間に化学物質を分配するための多数の凹部を有した研磨面とを備えている。多数の凹部は、研磨面から材料を除去する可変の研磨速度を提供するため、研磨面に不均一な間隔を有して設けられている。研磨面の凹部の間隔は、第１領域と第２領域との間で研磨速度の差を提供するように、第１領域から第２領域まで変化する。一般的に、第１領域が第２領域におけるよりも１インチあたりの凹部がより密集している場合、第１領域は第２領域よりも低い研磨速度を有している。１つの実施形態においては、多数の凹部は、研磨面に不均一なサイズ又は不均一な半径方向の間隔の溝からなっている。また、凹部は研磨面に多数の開放したキャビティ又はくぼみを有し、キャビティ又はくぼみのサイズ及び／又は密度は研磨面上で変化する。
前記複数の凹部は研磨面で半径方向に不均一な間隔の溝からなる。
前記複数の凹部は不均一な切断面を有した溝からなる。
前記複数の凹部は実質的に均一な深さと実質的に均一な幅を有している。
研磨面の複数の凹部の間隔は、第１領域と第２領域との間で研磨速度の差を提供するように、第１領域から第２領域まで変化する。
研磨面の複数の凹部の間隔は、第１領域と第２領域とは変わっており、第１領域と第２領域との間で少なくとも５％の研磨速度の差を提供するように、第１領域から第２領域まで変化する。
前記複数の凹部は、第２領域よりも第１領域においてより密集しており、第１領域は第２領域よりも低い研磨速度を提供する。前記複数の凹部は複数のキャビティからなる。
前記複数の凹部は複数の溝からなる。研磨面の複数の溝の間隔は、第１領域における１インチあたり２０個の溝から第２領域における１インチあたり２つの溝まで変化する。
複数の溝は実質的に均一な深さと実質的に均一な幅を有している。第１領域における１インチあたりの溝は、第２領域における１インチあたりの溝よりも多く、かつ第１領域は第２領域よりも低い研磨速度を提供する。
前記複数の凹部は、平行な溝、同心状の円形状の溝、同心状の楕円形状の溝、可変のピッチを有した複数の螺旋溝、可変のピッチを有した単一の螺旋溝、同一サイズの穴の同心状のパターン、及び同一サイズの突出した領域の同心状のパターンからなるグループから選択される。
前記研磨面は固定砥粒を有し、複数の凹部は、研磨工程中に研磨ヘッドに保持された基板と研磨面との間に水を分配するようになっている。
前記複数の凹部は、研磨工程中に研磨ヘッドに保持された基板と研磨面との間に研磨剤を含有するスラリーを分配するようになっている。
前記研磨面は回転可能な研磨面からなる。
材料を基板の表面から除去する研磨装置は、研磨工程中に基板を保持するようになっている研磨ヘッドと、基板と研磨面との間に相対運動があるときに研磨ヘッドに保持された基板と研磨面との間に化学物質を分配するための複数の凹部を有した研磨面とを備え、複数の凹部は、第１領域と第２領域の研磨面に材料を除去する可変の研磨速度を提供するため、第１領域から第２領域まで変化する不均一なサイズを有している。
前記複数の凹部は、研磨面に所定の深さを有した複数のキャビティからなり、複数のキャビティの深さは、第１領域と第２領域との間で研磨速度の差を提供するため、第１領域から第２領域まで変化する。前記複数の凹部は、研磨面に複数のキャビティを有し、キャビティの各々は研磨面と平行な切断面を有しており、複数のキャビティの各々の切断面は、第１領域と第２領域との間で研磨速度の差を提供するため、第１領域から第２領域まで変化する。
前記複数の凹部は、研磨面に所定の深さを有した複数の溝からなり、複数の溝の深さは、第１領域と第２領域との間で研磨速度の差を提供するため、第１領域から第２領域まで変化する。
前記複数の凹部は、研磨面の複数の溝からなり、複数の溝の各々の幅は、第１領域と第２領域との間で研磨速度の差を提供するため、第１領域から第２領域まで変化する。
研磨工程中、基板を保持するようになっている研磨ヘッドと、基板と研磨面との間に相対運動があるときに研磨ヘッドに保持された基板と研磨面との間に化学物質を分配するための複数の凹部を有した研磨面とを備えた研磨装置を用いて基板の表面から材料を除去する方法は、前記複数の凹部が、材料を除去する可変の研磨速度を提供するため、研磨面に不均一な間隔を有し、前記方法は、研磨ヘッドに基板を位置決めする工程と、基板の表面を研磨面に押圧する工程と、研磨面に化学物質を分配する工程と、研磨面にわたって変化する速度で基板の表面から材料を除去するため基板と研磨面との間に相対運動を提供する工程とを含む。
前記研磨面の複数の凹部の間隔は、第１領域から第２領域まで変化し、基板の表面から材料を除去するため基板と研磨面との間に相対運動を提供する工程は、第１領域と第２領域との間で研磨速度の差を提供する工程を含む。
前記複数の凹部は、実質的に均一な深さと実質的に均一な幅を有した複数の溝からなる。
前記複数の凹部は、複数のキャビティからなり、複数のキャビティの各々は、実質的に均一な深さと、研磨面と平行な実質的に均一な切断面を有している。
前記基板は半導体ウエハからなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004518270.tif 000001
【図２】
2004518270.tif 000002
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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