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【手続補正書】
【提出日】平成19年3月1日(2007.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクを吐出する記録ヘッドを用いて記録媒体に記録を行うインクジェット記録装置であって、
前記記録ヘッドからのインクの吐出状態を回復させるための予備吐出を実行する予備吐出手段と、
前記予備吐出を実行したときの前記記録ヘッドからのインクの吐出状態に関する情報を求める検出手段と、
前記情報に基づいて前記予備吐出の実行条件を制御する制御手段と、を備えることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項２】
前記検出手段は、間隔を変化させて前記予備吐出を複数回実行させたとき、前記情報として前記記録ヘッドからのインクの吐出状態が吐出不良であると判定される間隔を求めることを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項３】
前記検出手段は、前記情報として前記予備吐出の実行を指示してからインクが検出されるまでの時間を求めることを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記予備吐出の実行条件として、前記予備吐出を実行する間隔を制御することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記予備吐出の実行条件として、前記予備吐出の際に吐出するインクの量を制御することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項６】
前記予備吐出手段は、記録を実行する際においては記録媒体上にインクを吐出して前記予備吐出を実行し、
前記制御手段は、前記予備吐出の実行条件として、記録媒体上におけるインクの吐出密度を制御することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項７】
前記制御手段は、テーブルに基づいて前記予備吐出手段による前記予備吐出の実行条件を設定することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項８】
前記記録ヘッドを前記記録媒体の搬送方向と交差する方向に走査させて記録を行うことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項９】
インクを吐出する記録ヘッドと、前記記録ヘッドからのインクの吐出状態を回復させるための予備吐出を実行する予備吐出手段と、を備え、前記記録ヘッドを用いて記録媒体に記録を行うインクジェット記録装置における予備吐出制御方法であって、
前記予備吐出手段が前記予備吐出を実行したときの前記記録ヘッドからのインクの吐出状態に関する情報を求める検出工程と、
前記情報に基づいて前記予備吐出の実行条件を制御する制御工程と、を備えることを特徴とする予備吐出制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成する本発明の一態様としてのインクジェット記録装置は、インクを吐出する記録ヘッドを用いて記録媒体に記録を行うインクジェット記録装置であって、
前記記録ヘッドからのインクの吐出状態を回復させるための予備吐出を実行する予備吐出手段と、
前記予備吐出を実行したときの前記記録ヘッドからのインクの吐出状態に関する情報を求める検出手段と、
前記情報に基づいて前記予備吐出の実行条件を制御する制御手段と、を備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
すなわち、本発明では、インクを吐出する記録ヘッドを用いて記録媒体に記録を行うインクジェット記録装置において、記録ヘッドからのインクの吐出状態を回復させるための予備吐出を実行させ、記録ヘッドからのインクの吐出状態に関する情報を求め、求められた情報に基づいて、予備吐出の実行条件（パラメータ）を適切に制御することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月27日(2007.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
原水から懸濁物質を除去する前処理工程と、この前処理工程で得られた処理水からイオン又は非イオン性物質を除去する純水処理工程とを有する純水又は超純水を製造する方法において、
前記前処理工程又は前記純水処理工程において、前記原水又は前記処理水を、ホウ素を除去するためにホウ素選択除去性イオン交換繊維に接触させ、その後さらに、逆浸透膜、限外ろ過膜又は精密ろ過膜を備えた膜装置に接触させることを特徴とする純水又は超純水の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この超純水システムでは、前処理工程で、凝集ろ過処理、吸着除去処理、ろ過処理、脱気処理等を組み合わせて処理が行なわれ、一次純水処理工程で、逆浸透処理、限外ろ過処理、イオン交換処理、紫外線照射処理、脱気処理等を組み合わせた処理が行われ、二次純水処理工程で、逆浸透処理、限外ろ過処理、イオン交換処理、紫外線照射処理等を組み合わせた処理が行なわれている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
ここで、本発明における「前処理手段」とは、原水から懸濁物質を除去するための凝集沈殿、ろ過、マイクロフロックろ過、活性炭ろ過、除濁等の処理を行うことができる装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、「純水処理手段」とは、前処理手段により得られた処理水からイオン又は非イオン性物質を除去するためのイオン交換、逆浸透、電気再生式イオン交換等の処理を行うことができる装置である。この純水処理手段としては、純水を製造するための１次純水処理手段と１次純水処理手段により得られた純水から超純水を製造するための２次純水処理手段とを挙げることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
さらに、ホウ素選択除去性イオン交換繊維を有するイオン交換手段の後段に、紫外線照射装置、逆浸透膜装置等を設けることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
また、図５及び表３に示したように、比較例の装置と比べ実施例１の装置では、逆浸透膜装置の入口において、鉄イオン及び微粒子数を有効に低減して差圧の変化を少なくすることができ、イオン交換繊維が膜装置の負担を有効に軽減できることがわかった。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月19日(2007.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
なお、各種薬剤を可溶化、あるいは乳化分散させるために、界面活性剤を用いることもできる。この界面活性剤としては、例えば、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル系、ポリアルキレンアルキルアミン系、オキシエチレン−オキシプロピレンブロックコポリマー、脂肪酸エステル系、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキル硫酸エステル塩、第４級アンモニウム塩等が挙げられ、これらや単独で、あるいは２種以上を混合して使用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月22日(2007.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を収容する少なくとも一部が押圧変形可能な容器本体と、液体を噴出するノズルと、前記容器本体の先端部に突出して配置された突部とを有する液体収容容器を含むハンディタイプの液体を表面に適用するための器具に用いる吸液パッドであって、前記突部に着脱可能に固定されることを特徴とする吸液パッド。
【請求項２】
液体を吸収保持する吸液部材と、吸液パッドを液体収容容器の先端部に固定する固定部材とからなり、該固定部材は前記突部に嵌入して固定するための開口を有する請求項１に記載の吸液パッド。
【請求項３】
固定部材は、前記突部に嵌入して、前記突部又は前記容器本体の先端部に設けられた当接面に当接する面を有し、前記突部に着脱可能に、かつ前記当接面に当接して固定される請求項１又は２に記載の吸液パッド。
【請求項４】
固定部材の開口に対応する、吸液部材の位置に開口が設けられ、両方の開口が連続して吸液パットの貫通孔を形成する請求項１〜３のいずれかに記載の吸液パット。
【請求項５】
吸液部材表面の形状が、楕円形、ひし形、又は変形三角形である請求項１〜４のいずれかに記載の吸液パッド。
【請求項６】
吸液部材の表面側に、前記形状の長手方向に対して角度を有するひだを設けた請求項１〜５のいずれかに記載の吸液パッド。
【請求項７】
吸液部材のひだは、使用時に倒れて固定部材の開口を覆う長さを有する請求項６に記載の吸液パット。
【請求項８】
吸液部材が連続気孔を有するウレタンフォームからなる請求項１〜７のいずれかに記載の吸液パッド。
【請求項９】
固定部材が独立気泡構造の発泡ポリエチレンからなる請求項１〜７のいずれかに記載の吸液パッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の上記（１）の吸液パッドは、液体の供給と汚れの清掃が片手の操作で十分行うことができるハンディタイプの液体を表面に適用するための器具（以下、単に「液体適用器具」ということがある。）の容器本体の先端部に突出して配置された突部に着脱可能に固定して使用されるものであるから、例えば、液体を表面に適用するための器具を洗浄器具として使用した場合、身の回りの家具、ＯＡ器機、自動車内などの汚れを簡便に洗浄することを支援する。乳児のおしめ交換、病人や老人の介護等においても好適に使用でき、片手で操作して肌に付着した汚れを吸液パッドにより確実に素早く落とすことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2005246191.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2005246191.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月21日(2006.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不飽和カルボン酸もしくはその誘導体で変性した変性ポリプロピレンまたは変性ポリエチレン及び変性エチレン−プロピレンラバーからなる群より選択された１種以上を主成分とし、５％伸張時の引張応力が２５〜５００ＭＰａである変性ポリオレフィン樹脂層と、５％伸張時の引張応力が２５〜５００ＭＰａであるポリオレフィン樹脂層からなることを特徴とする積層体。
【請求項２】
変性ポリオレフィン樹脂層が、変性率が０．０５〜１重量％のマレイン酸変性ポリプロピレン樹脂層であり、ポリオレフィン樹脂層がアイソタクチックポリプロピレンとアタクチックポリプロピレンとを含有するポリプロピレン系樹脂であって、沸騰ヘプタン可溶性成分をポリプロピレン系樹脂全体の１０重量％以上含むことを特徴とする請求項１記載の積層体。
【請求項３】
変性ポリオレフィン樹脂層が、変性率が０．０５〜１重量％のマレイン酸変性ポリプロピレン樹脂層であり、ポリオレフィン樹脂層が、ポリプロピレンを主体とし、結晶性ポリプロピレンと沸騰ｎ−ヘプタン不溶成分が７０重量％以下である非晶質ポリオレフィンを含有してなることを特徴とする請求項１記載の積層体。
【請求項４】
変性ポリオレフィン樹脂層が変性率が、０．０５〜１重量％のマレイン酸変性ポリプロピレン樹脂層であり、ポリオレフィン樹脂層が、ポリプロピレンを主体とし、結晶性ポリプロピレンとオレフィン系エラストマーとを含有してなることを特徴とする請求項１記載の積層体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月5日(2007.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のノズル開口を有するヘッド部材と、
液体の圧力を変動させて当該液体を噴射させる複数の圧力変動手段と、
ヘッド部材を、被液体噴射媒体に対して相対的に主走査方向に移動させる主走査手段と、
ヘッド部材を、被液体噴射媒体に対して相対的に主走査方向と直交する副走査方向に移動させる副走査手段と、
各圧力変動手段に駆動信号を出力する駆動信号出力手段と、
噴射データに基づいて、主走査手段、副走査手段及び駆動信号出力手段を制御して、各ノズル開口から被液体噴射媒体の所望位置に液体を噴射させる制御本体部と、
を備え、
複数のノズル列が副走査方向に延びて形成されており、該複数のノズル列のうち、
少なくとも隣接する第１のノズル列と第２のノズル列には、他のノズル列よりも粘度が高い液体が供給されるようになっており、
前記第２のノズル列の各ノズル開口の位置は、前記第１のノズル列の各ノズル開口の位置に対して、副走査方向にノズル開口の配列ピッチの１／２以下の量だけずれており、
駆動信号出力手段は、複数種類の駆動信号を選択的に出力できるようになっており、
前記第１のノズル列及び前記第２のノズル列のノズル開口に対応する各圧力変動手段に出力される駆動信号の周波数は、他のノズル列のノズル開口に対応する各圧力変動手段に出力される駆動信号の周波数の略２分の１である
ことを特徴とする液体噴射装置。
【請求項２】
前記複数のノズル開口の配列ピッチは、１８０ｄｐｉであり、
前記第２のノズル開口の配列ピッチの１／２以下のずれ量は、７２０ｄｐｉに相当する量である
ことを特徴とする請求項１に記載の液体噴射装置。
【請求項３】
前記圧力変動手段は、縦振動モードの圧電振動子を含んでいる
ことを特徴とする請求項１または２に記載の液体噴射装置。
【請求項４】
前記第１のノズル列及び第２のノズル列に供給される液体は、黒色インクである
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液体噴射装置。
【請求項５】
前記第１のノズル列及び第２のノズル列に供給される液体の粘度は、７ｍＰａ・ｓ乃至９ｍＰａ・ｓであり、
前記低粘度の液体の粘度は、３ｍＰａ・ｓ乃至５ｍＰａ・ｓである
ことを特徴とする請求項４に記載の液体噴射装置。
【請求項６】
複数のノズル開口を有するヘッド部材と、
液体の圧力を変動させて当該液体を噴射させる複数の圧力変動手段と、
ヘッド部材を、被液体噴射媒体に対して相対的に主走査方向に移動させる主走査手段と、
ヘッド部材を、被液体噴射媒体に対して相対的に主走査方向と直交する副走査方向に移動させる副走査手段と、
を備え、
複数のノズル列が副走査方向に平行に延びて形成されており、該複数のノズル列のうち
少なくとも隣接する第１のノズル列と第２のノズル列には、他のノズル列よりも粘度が高い液体が供給されるようになっており、
前記第２のノズル列の各ノズル開口の位置は、前記第１のノズル列の各ノズル開口の位置に対して、副走査方向にノズル開口の配列ピッチの１／２以下の量だけずれている
液体噴射装置を制御するための制御装置であって、
各圧力変動手段に駆動信号を出力する駆動信号出力手段と、
噴射データに基づいて、主走査手段、副走査手段及び駆動信号出力手段を制御して、各ノズル開口から被液体噴射媒体の所望位置に液体を噴射させる制御本体部と、
を備え、
駆動信号出力手段は、複数種類の駆動信号を選択的に出力できるようになっており、
前記第１のノズル列及び前記第２のノズル列のノズル開口に対応する各圧力変動手段に出力される駆動信号の周波数は、他のノズル列のノズル開口に対応する各圧力変動手段に出力される駆動信号の周波数の略２分の１である
ことを特徴とする制御装置。
【請求項７】
少なくとも１台のコンピュータを含むコンピュータシステムによって実行されて、前記コンピュータシステムに請求項６に記載の制御装置を実現させるプログラム。
【請求項８】
少なくとも１台のコンピュータを含むコンピュータシステム上で動作する第２のプログラムを制御する命令が含まれており、
前記コンピュータシステムによって実行されて、前記第２のプログラムを制御して、前記コンピュータシステムに請求項６に記載の制御装置を実現させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月20日(2006.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
コプレーナ線路を配置したコプレーナ線路用設置基板と、上記コプレーナ線路の中心導体と接地導体との間に電気的に接続されて自由空間へ延出するループアンテナとを備えたことを特徴とする平面ループアンテナ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
コプレーナ線路を配置したコプレーナ線路用設置基板と、上記コプレーナ線路と電気的に接続されて延出するループアンテナと、このループアンテナを覆う保護体とを備えたことを特徴とする平面ループアンテナ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、平面ループアンテナに係り、特にコプレーナ線路用設置基板から延出して設けられるループアンテナを備える平面ループアンテナに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ループアンテナ３の一端は、コプレーナ線路２の中心導体５と電気的に接続され、このループアンテナ３の他端は、コプレーナ線路２の接地導体６と電気的に接続されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前記目的を達成するために、本発明によれば、コプレーナ線路を配置したコプレーナ線路用設置基板と、上記コプレーナ線路の中心導体と接地導体との間に電気的に接続されて自由空間へ延出するループアンテナとを備えたことを特徴とする平面ループアンテナを提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
コプレーナ線路を配置したコプレーナ線路用設置基板と、上記コプレーナ線路と電気的に接続されて延出するループアンテナと、このループアンテナを覆う保護体とを備えたことを特徴とする平面ループアンテナを提供する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
この平面ループアンテナ２０は、コプレーナ線路２１と、このコプレーナ線路２１を一体的に支持するコプレーナ線路用設置基板２２と、コプレーナ線路２１と電気的に接続されるループアンテナ２３とから構成される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
このように変形可能なループアンテナ２３は、図１に示すように、コプレーナ線路用設置基板２２から自由空間側へ突出して設けられる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、ループアンテナ２３の一端は、コプレーナ線路２１の中心導体２４と電気的に接触され、このループアンテナ２３の他端は、コプレーナ線路２１の接地導体２５と電気的に接続される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月27日(2006.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）主面と、前記主面と反対側の裏面と、前記主面にスクライブラインによって区画された複数のチップ形成領域と、前記複数のチップ形成領域のそれぞれに形成された複数の突起状電極と、前記スクライブライン上に形成された検査用電極パッドを有する半導体ウエハを準備する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハの裏面に第１テープを貼り付ける工程と、
（ｃ）前記第１テープを介して第２テープに前記半導体ウエハを貼り付ける工程と、
（ｄ）前記スクライブラインに沿って前記半導体ウエハを第１のダイシングブレードにより切削する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記スクライブラインに沿って前記半導体ウエハを前記第１のダイシングブレードよりも幅が狭い第２のダイシングブレードにより切削することで、前記複数のチップ形成領域を互いに分離する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１のダイシングブレードの幅は前記検査用電極パッドの幅よりも太く、前記第２のダイシングブレードの幅は前記検査用電極パッドの幅よりも狭いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程では、前記半導体ウエハの一部のみ切削し、前記（ｅ）工程では、前記第２テープの一部まで切削することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１テープは、前記半導体ウエハの裏面全面を覆うように貼り付けられることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１テープは保護テープであり、前記第２テープはダイシングテープであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１テープは前記第２テープよりも硬いテープであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記スクライブラインによって区画された前記複数のチップ形成領域のそれぞれの平面形状は、長方形であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の突起状電極は、前記チップ形成領域の第１長辺に沿って配置された複数の第１突起状電極と、前記第１長辺と対向する第２長辺に沿って配置された複数の第２突起状電極を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の第１突起状電極は駆動回路の入力電源用の端子として設けられ、前記複数の第２突起状電極は前記駆動回路の出力電源用の端子として設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の第２突起状電極の数は、前記複数の第１突起状電極の数よりも多いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程の後であり、かつ前記（ｂ）工程の前に、前記検査用電極パッドにプローブ針を圧接して複数のチップ形成領域のそれぞれに形成された駆動回路を電気的に検査することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程の後、前記（ｅ）工程により取得された半導体チップを、前記半導体チップの主面が基板の主面と対向するように接着材を介して前記基板の主面に実装することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ＬＣＤドライバ用チップ１０は、図２（ａ），（ｂ）及び（ｃ）に示すように、互いに反対側に位置する主面（回路形成面，素子形成面）１０ｘ及び裏面１０ｙを有し、主面１０ｘには複数の突起状電極１１が配置され、裏面１０ｙにはその裏面１０ｙを覆うようにして保護テープ１２が貼り付けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月29日(2006.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
前記接続の確認は、基板に設けられているセンサが反応したことを前記メイン基板で検出できるかどうかにより接続を確認することを特徴とする請求項１２又は１３に記載の電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月6日(2006.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
整合器１０７Ａ内には，下部電極１０２側（高周波電圧の出力側）の高周波（ＲＦ）電圧Ｖｐｐを測定する測定器（図示せず）を備える。整合器１０７Ａは具体的には例えば２個の可変コンデンサＣ１，Ｃ２，コンデンサＣ及びコイルＬを内蔵し，可変コンデンサＣ１，Ｃ２を介してインピーダンス整合を取っている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
解析処理装置２００は，計測データ及び処理結果データの入力によりそれぞれのデータが計測データ記憶部２０２及び処理結果データ記憶部２０４で記憶されると，例えば計測データ記憶部２０２及び処理結果データ記憶部２０４の各データ及びプログラム記憶部２０６の多変量解析プログラムを取り出して，解析処理部２０８において計測データ及び処理結果データの多変量解析を行い，その処理結果を解析処理結果記憶部２１０で記憶する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
ここで，計測データとはウエハＷを処理する際のプラズマ処理装置１００に付設された複数の測定器それぞれから得られるセンサデータを意味し，処理結果データとはウエハＷを処理した結果得られるウエハＷに関するプロセス特性データ，処理室１０１内の状態に関する装置状態データを意味する。計測データはウエハＷを処理する間に間欠的に測定し，処理結果データはウエハの処理後にプラズマ処理装置１００の内部に組込まれた計測器又はプラズマ処理装置１００とは別個に設けられる外部計測器により必要に応じて測定する。外部計測器により計測したデータは，例えば直接ネットワークを経由してプラズマ処理装置１００が受取るようにしてもよく，また例えば工場管理コンピュータ（ＥＥＳ：Equipment Engineering System）を経由してプラズマ処理装置１００が受取るようにしてもよい。この場合，プラズマ処理装置１００は外部計測器からのデータを例えばＣＳＶ形式（Comma Separated Value format），ＸＭＬ形式（eXtensible Markup Language format）など所定のフォーマットで受取るようにしてもよい。これらの測定結果はそれぞれの記憶部２０２，２０４に記憶される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
本実施形態において上記解析処理装置２００は，複数種の計測データを説明変量（説明変数）とし，プロセス特性データを被説明変量（目的変量，目的変数）とする下記の（１）式のようなモデル式（相関関係式）を多変量解析プログラムを用いて求める。下記のモデル式（１）において，Ｘは説明変量の行列を意味し，Ｙは被説明変量の行列を意味する。また，Ｋは説明変量の係数からなる回帰行列である。この回帰行列（以下，モデルとも称する。）Ｋは，説明変量Ｘと被説明変量Ｙとの相関関係を表す係数である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
Ｙ＝ＫＸ  …（１）
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
そこで，第１の運転条件として例えば基準とする運転条件をＡとし，第２の運転条件として例えば運転条件Ａのうちの１つの制御パラメータを変えた運転条件をＢとする。そして，第３の運転条件として例えば上記と同じ制御パラメータを変えた新たな運転条件をＰとする。すると，上記運転条件Ａにより予めプラズマ処理を行って第１の計測データとして計測データＸａを取得し，上記運転条件Ｂにより予めプラズマ処理を行って第２の計測データとして計測データＸｂを取得しておけば，新たな運転条件Ｐによりプラズマ処理を行った場合に得られた計測データＸｐは，各計測データＸａ，Ｘｂに重み係数Ｗａ，Ｗｂを乗じたものを加えた重み付計測データとして下記の式（４）で表すことができる。このとき，重み係数Ｗａ，Ｗｂを求めるためのデータ計測は，運転条件Ｐについての計測データのみで足り，直交表などで変化させた条件でのデータを取る必要もなく，またプロセス特性データについてもまったく測定する必要がない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
例えば，基準とする運転条件Ａのうち，１つの制御パラメータを変化させた運転条件を１つの運転条件とした場合に，新たな運転条件Ｐのうち基準とする運転条件Ａから変更した複数の制御パラメータと同じ制御パラメータを変更した運転条件をＸａ〜Ｘｎとすると，新たな運転条件Ｐによる計測データＸｐは下記（６）式で表すことができ，新たな運転条件ＰによるモデルＫｐは下記（７）式で表すことができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
そこで，先ず，運転条件ＰによるモデルＫｐを求める方法について説明する。本実施形態では，このモデルＫｐを新たな多変量解析を行わずに求める。ここでは，運転条件Ｐとしては，例えば運転条件Ａを基準としたときに，運転条件Ａに対して電極（下部電極又は上部電極）に印加する高周波電力，処理室内圧力，処理ガスの流量比の３つの制御パラメータを変えたものとする。各制御パラメータメータを変えた運転条件Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄによる計測データをＸａ，Ｘｂ，Ｘｃ，Ｘｄとし，モデルをＫａ，Ｋｂ，Ｋｃ，Ｋｄとすると，上記（６）式，（７）式における重み係数Ｗｅ〜Ｗｎを０にしたものに相当するので，Ｘｐは下記の（１１）式，（１２）式のように表すことができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
続いて，解析処理部２０８により運転条件Ｐによる計測データＸｐ，各運転条件Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄにより得られた計測データＸａ〜Ｘｄを（１１）式に当てはめることにより，重み係数Ｗａ〜Ｗｄを求める。次いで，求めた重み係数Ｗａ〜Ｗｄと各運転条件Ａ〜Ｄにより求められた各モデルＫａ〜Ｋｄを（１２）式に当てはめてモデルＫｐを求める。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月26日(2006.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置製造用の基板を処理するための、冷却される装置構成部材を備えた半導体製造装置において、
ミストを発生させるためのミスト発生手段と、
このミスト発生手段で発生したミストを通流させるためのキャリアガスを供給するガス供給部と、
前記キャリアガスによってミストを流して前記装置構成部材を冷却するためのミスト流路と、
前記装置構成部材の温度を検出する温度検出部と、
この温度検出部の検出温度に基づいて、前記ミスト発生手段及び前記ガス供給部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記温度検出部の検出温度が設定値以下のときには、前記ガス供給部からのキャリアガスの供給を継続しつつ前記ミスト発生手段からのミストの供給を停止する制御を行う、ことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記装置構成部材は、基板を処理するための処理容器であることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記処理容器内で基板に対して行われる処理は、プラズマによる処理であることを特徴とする請求項２記載の半導体製造装置。
【請求項４】
少なくともプラズマが発生していないときに前記装置構成部材を加熱するためのヒータを備えたことを特徴とする請求項３記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記処理容器を収納する加熱炉をさらに備え、
前記ミスト流路は、前記処理容器と前記加熱炉との間の隙間により形成されていることを特徴とする請求項２記載の半導体製造装置。
【請求項６】
半導体装置製造用の基板を処理するための、冷却される装置構成部材を備えた半導体製造装置において、
ミストを発生させるためのミスト発生手段と、
このミスト発生手段で発生したミストを通流させるためのキャリアガスを供給するガス供給部と、
前記キャリアガスによってミストを流して前記装置構成部材を冷却するためのミスト流路と、
このミスト流路を通流したミストをキャリアガスから分離して液体として回収するミスト回収部と、を備え、
前記ミスト発生手段は、前記ミスト回収部で回収された液体からミストを発生させることを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の半導体製造装置は、半導体装置製造用の基板を処理するための、冷却される装置構成部材を備えた半導体製造装置において、ミストを発生させるためのミスト発生手段と、このミスト発生手段で発生したミストを通流させるためのキャリアガスを供給するガス供給部と、前記キャリアガスによってミストを流して前記装置構成部材を冷却するためのミスト流路と、前記装置構成部材の温度を検出する温度検出部と、この温度検出部の検出温度に基づいて、前記ミスト発生手段及び前記ガス供給部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記温度検出部の検出温度が設定値以下のときには、前記ガス供給部からのキャリアガスの供給を継続しつつ前記ミスト発生手段からのミストの供給を停止する制御を行う、ことを特徴とする。前記装置構成部材は例えば基板を処理するための処理容器である。この場合、処理容器内で基板に対して行われる処理は、例えばプラズマによる処理である。本発明がプラズマ処理装置である場合、前記ミスト流路により冷却される部位を加熱するためのヒータを備え、このヒータは、少なくともプラズマが発生していないときにはオンになっている構成とすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また本発明の半導体製造装置は、半導体装置製造用の基板を処理するための、冷却される装置構成部材を備えた半導体製造装置において、ミストを発生されるためのミスト発生手段と、このミスト発生手段で発生したミストを通流させるためのキャリアガスを供給するガス供給部と、前記キャリアガスによってミストを流して前記装置構成部材を冷却するためのミスト流路と、このミスト流路を通流したミストをキャリアガスから分離して液体として回収するミスト回収部と、を備え、前記ミスト発生手段は、前記ミスト回収部で回収された液体からミストを発生させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月27日(2006.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池容器に第１の注液量の電解液を注液する電解液注液装置において、
注液前の上記電池容器の重量を計測する前秤量部と、
上記第１の注液量より少ない量の電解液を大容量ポンプにより上記電池容器に注液する第１次注液部と、
上記第１次注液部により電解液が注液された上記電池容器の重量を測定する中間秤量部と、
この中間秤量部での測定結果に基づいて、上記大容量ポンプにより注液された第２の注液量を求め、上記第１の注液量との差分である第３の注液量を算出する注液量算出部と、
この注液量算出部で算出された第３の注液量の電解液を精密ポンプにより上記電池容器に注液する第２の注液部とを備えていることを特徴とする電解液注液装置。
【請求項２】
上記第１の注液部は、減圧チャンバによって減圧されていることを特徴とする請求項１に記載の電解液注液装置。
【請求項３】
上記減圧チャンバは、上記電解液の飽和蒸気圧より低い気圧で減圧されることを特徴とする請求項２に記載の電解液注液装置。
【請求項４】
上記第１注液部での注液前の電解液を減圧状態にさらして脱泡を行う減圧脱泡漕をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の電解液注液装置。
【請求項５】
上記第１次注液部による注液の前に、上記電池容器の重量を計測する前秤量部と、
上記第２次注液部による注液の後に、上記電池容器の重量を計測する後秤量部とを備え、
上記大容量ポンプによる注液量は、上記前秤量部、後秤量部及び中間秤量部における計測結果に基づいて調整されるものであることを特徴とする請求項１に記載の電解液注液装置。
【請求項６】
請求項１乃至５いずれか１項に記載の電解液注液装置によって電池容器に電解液を注入する工程を有することを特徴とする電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電解液注液装置及び電池の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電池容器に電解液を注液する電解液注液装置及び電池の製造方法に関し、特に大容量の電池容器に精度の高い注液を短時間で行うことができるものに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そこで本発明は、大容積の電池容器に対して電解液を注入する場合において、注液量が多くても精度良く、かつ、効率的に注液することができる電解液注液装置及び電池の製造方法を提供することを目的としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題を解決し目的を達成するために、本発明の電解液注液装置及び電池の製造方法は次のように構成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（５）上記（１）に記載された電解液注液装置であって、上記第１次注液部による注液の前に、上記電池容器の重量を計測する前秤量部と、上記第２次注液部による注液の後に、上記電池容器の重量を計測する後秤量部とを備え、上記第２の注液量は、上記前秤量部、後秤量部及び中間秤量部における計測結果に基づいて調整されるものであることを特徴とする。
（６）上記（１）〜（５）のいずれか１項に記載の電解液注液装置によって電池容器に電解液を注入する工程を有することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本発明によれば、大容積の電池容器に対して電解液を注入する場合であっても、注液量が多くても精度良く、かつ、効率的に注液することが可能な電解液注液装置及び電池の製造方法が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月9日(2007.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
図１は、有機ＥＬ層などの形成に用いられる蒸着マスクの一例を示す平面図である。また、図２は、図１における蒸着マスクのＡ−Ａ’線での断面図である。
図１、及び図２に示すように、有機ＥＬ層などの形成に用いられる蒸着マスク（１０）は、例えば、インバー材など金属製の本枠（１１）の上面に、インバーなど金属製のメタルマスク（１２）がテンションをかけて貼り付けされたものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
具体的には、例えば、厚さ（ｃ）０．１０〜０．１５ｍｍ程度のインバーを用いた場合、貫通線（２７）の巾（ａ）は２００μｍ程度、保持部（２９）の長さ（ｂ）は２ｍｍ程度のものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月28日(2007.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の第１の態様に係る光学装置若しくは画像生成装置にあっては、光学素子と支持部材とは、実装用基板内部に設けられた伝熱手段によって熱的に接続されているが、具体的には、光学素子と伝熱手段の一端とが直接的に、あるいは、間接的に接触しており、支持部材と伝熱手段の他端とが直接的に、あるいは、間接的に接触している状態を指す。ここで、実装用基板の他方の面に取り付けられている光学素子の部分の面積（実装用基板の他方の面と直接的に、あるいは、間接的に接触している光学素子の部分の面積）をＳ0、光学素子と支持部材とを熱的に接続する伝熱手段の実装用基板表面と平行な面に沿った断面積をＳ1としたとき（伝熱手段は複数設けられている場合には、複数の伝熱手段の断面積総合計をＳ1とする）、０．０１×Ｓ0≦Ｓ1≦０．５×Ｓ0を満足することが望ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
本発明において、冷却／放熱部材として、ヒートシンクやペルチェ素子、水や冷媒を循環させて冷却する冷却装置、強制送風のためのファンを挙げることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
実施例１の光学装置（回折格子−光変調装置組立体）に対して熱抵抗値を算出した結果、各部の熱抵抗値（単位：゜Ｃ／Ｗ）は以下の表３に示すとおりとなった。また、図１３に示した従来例に対して熱抵抗値を算出した結果を、表３に比較例１として示す。更には、実施例１に示した構造において、伝熱用ビヤホール５１を設けない場合の熱抵抗値を算出した結果を、表３に比較例２として示す。尚、Ｓ1＝０．１×Ｓ0の関係にある。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月11日(2007.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の少なくとも一方の面に刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層が形成された両面粘着テープを介してウエハを支持板に固定する工程１と、
前記両面粘着テープを介して前記支持板に固定した状態で前記ウエハを研削する工程２と、
刺激を与えて、前記両面粘着テープの支持板側の粘着剤層を基材から剥離させることにより支持板とウエハとを分離する工程３とを有するＩＣチップの製造方法であって、
前記工程１において、前記両面粘着テープの刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層と前記支持板とを貼り合わせ、かつ、前記工程１において、両面粘着テープを解してウエハを支持板に固定したときに、前記支持板と前記両面粘着テープの支持板側の粘着剤層との界面における接着強度が、前記両面粘着テープの支持板側の粘着剤層と基材との界面における接着強度よりも高い
ことを特徴とするＩＣチップの製造方法。
【請求項２】
工程３において、刺激を与える直前の前記支持板と前記両面粘着テープの支持板側の粘着剤層との界面における接着強度が、前記両面粘着テープの支持板側の粘着剤層と基材との界面における接着強度よりも高いことを特徴とする請求項１記載のＩＣチップの製造方法。
【請求項３】
工程３において、支持板とウエハとを分離する際の前記支持板と前記両面粘着テープの支持板側の粘着剤層との界面における接着強度が、前記両面粘着テープの支持板側の粘着剤層と基材との界面における接着強度よりも高いことを特徴とする請求項１又は２記載のＩＣチップの製造方法。
【請求項４】
支持板の表面に接着性向上処理が施されている及び／又は基材の支持板と接着する側の面に離型処理が施されていることを特徴とする請求項１、２又は３記載のＩＣチップの
製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月25日(2006.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）半導体基板上に層間絶縁膜を介して複数層の配線を形成する工程、
（ｂ）前記複数層の配線のうち、最上層の配線を形成する工程に先立って、前記半導体基板の上層にヒューズを形成する工程、
（ｃ）前記最上層の配線の上層を酸化シリコン膜とシリコンリッチオキサイド膜とを含む第１絶縁膜で覆う工程、
（ｄ）前記第１絶縁膜をエッチングすることによって、前記最上層の配線の一部を露出させてボンディングパッドを形成し、前記ヒューズの上層に開口を形成する工程。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記シリコンリッチオキサイド膜は、前記第１絶縁膜の最下層に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記ヒューズは、前記最上層の配線よりも下層の配線のいずれかを形成する工程で同時に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記工程（ｄ）において、前記第１絶縁膜をエッチングする際に、前記酸化シリコン膜をエッチングする条件と前記シリコンリッチオキサイド膜をエッチングする条件は異なることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）半導体基板上に第１層の複数の配線を形成する工程、
（ｂ）前記第１層の複数の配線上に第１絶縁膜を介して第２層の複数の配線を形成する工程、
（ｃ）前記第２層の複数の配線上に第２絶縁膜を形成する工程、
（ｄ）前記第２絶縁膜を選択的にエッチングすることによって、前記第２層の複数の配線のうち一部の配線の上部および前記第１層の複数の配線のうち一部の配線の上層に開口部を形成する工程、
を有し、
前記第２絶縁膜の下層は、前記第２絶縁膜の上層よりもシリコン組成比が高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１層の一部の配線はヒューズとして機能することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１絶縁膜は、同一装置内で連続して形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５記載の半導体装置の製造方法であって、前記工程（ｄ）において、前記第２絶縁膜をエッチングする際に、前記第２絶縁膜の下層をエッチングする条件と前記第２絶縁膜の上層をエッチングする条件は異なることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）半導体基板上に第１絶縁膜を形成し、前記第１絶縁膜上にシリコンリッチオキサイド膜を形成する工程、
（ｂ）前記シリコンリッチオキサイド膜上に第１配線を形成し、前記第１配線の上層に酸化シリコン膜を含む層間絶縁膜を形成する工程、
（ｃ）前記層間絶縁膜をエッチングすることによって、前記第１配線に達するスルーホールを形成する工程、
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記層間絶縁膜上に第２配線を形成し、前記スルーホールを介して前記第２配線と前記第１配線とを電気的に接続する工程。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１絶縁膜は、酸化シリコン膜を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）半導体基板上に第１絶縁膜を形成し、前記第１絶縁膜上に第１配線を形成する工程、
（ｂ）前記第１配線の上層に酸化シリコン膜とシリコンリッチオキサイド膜とを含む層間絶縁膜を形成する工程、
（ｃ）前記層間絶縁膜をエッチングすることによって、前記第１配線に達するスルーホールを形成する工程、
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記層間絶縁膜上に第２配線を形成し、前記スルーホールを介して前記第２配線と前記第１配線とを電気的に接続する工程。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法であって、前記シリコンリッチオキサイド膜は、前記層間絶縁膜の最下層に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法であって、前記第１絶縁膜は、酸化シリコン膜を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月29日(2007.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一導電型の不純物領域と複数の第二導電型の不純物領域とを含んで構成される光電変換素子が第一導電型の半導体基板に配された光電変換装置であって、
前記複数の第二導電型の不純物領域は、前記第一導電型の不純物領域の下部に配され、且つ、少なくとも第１の不純物領域と、該第１の不純物領域と前記第一導電型の不純物領域との間に配された第２の不純物領域と、該第２の不純物領域と前記第一導電型の不純物領域との間に配された第３の不純物領域と、を含み、
前記第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と、前記第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２と、前記第３の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３とが、
Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ１
の関係を満たすことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記光電変換素子は、更に、前記第一導電型の不純物領域の基板表面側に接して形成された第二導電型の第４の不純物領域を有することを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と前記第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２との関係が、３×Ｃ２≦Ｃ１であることを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と前記第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２との関係が、５×Ｃ２≦Ｃ１であることを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第１、第２、第３の不純物領域の間の少なくとも一つに第一導電型の不純物領域が配され、
該第一導電型の不純物領域は、ビルトインポテンシャルにより空乏化していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１が１×１０16ｃｍ-3＜Ｃ１＜１×１０18ｃｍ-3であり、
前記第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２が１×１０15ｃｍ-3＜Ｃ２＜５×１０16ｃｍ-3であり、
前記第３の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３が２×１０15ｃｍ-3＜Ｃ３＜２×１０17ｃｍ-3であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
第一導電型の不純物領域と、
前記第一導電型の不純物領域の下に配された、複数の第二導電型の不純物領域と、を備えた光電変換素子が第一導電型の半導体基板に配された光電変換装置であって、
前記複数の第二導電型の不純物領域のそれぞれは、前記第一導電型の下部から前記光電変換素子に隣接した素子分離部の下部まで連続して配されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項８】
前記光電変換素子は、更に、前記第一導電型の不純物領域の基板表面側に接して形成された第二導電型の不純物領域を有することを特徴とする請求項７に記載の光電変換装置。
【請求項９】
第一導電型の不純物領域と、第二導電型の不純物領域と、を含んで構成される光電変換素子が第一導電型の半導体基板に配された光電変換装置であって、
前記第二導電型の不純物領域は、前記第一導電型の不純物領域の下部に配され、且つ、前記第一導電型の不純物領域の下部から前記半導体基板の深部に向かって順に位置する第１の不純物濃度ピークと、第２の不純物濃度ピークと、第３の不純物濃度ピークとを少なくとも有し、
前記第１の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と、前記第２の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２と、前記第３の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３とが、
Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ１
の関係を満たすことを特徴とする光電変換装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
該光電変換装置へ光を結像する光学系と、
該光電変換装置からの信号を処理する信号処理回路とを有することを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置及び撮像システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、光電変換装置及び撮像システム、特に、ＣＭＯＳエリアセンサ及び撮像システムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、フォトダイオードの感度をはじめとする諸特性を向上させるＣＭＯＳエリアセンサに代表される光電変換装置及び撮像システムを提供するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の特徴とする構成は、第一導電型の不純物領域と、複数の第二導電型の不純物領域とを含んで構成される光電変換素子が第一導電型の半導体基板に配された光電変換装置であって、前記複数の第二導電型の不純物領域は、前記第一導電型の不純物領域の下部に配され、且つ、少なくとも第１の不純物領域と、該第１の不純物領域と前記第一導電型の不純物領域との間に配された第２の不純物領域と、該第２の不純物領域と前記第一導電型の不純物領域との間に配された第３の不純物領域と、を含み、前記第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と、前記第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２と、前記第３の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３とが、
Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ１
の関係を満たすことである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また本発明の別の態様によれば、第一導電型の不純物領域と、前記第一導電型の不純物領域の下に配された、複数の第二導電型の不純物領域と、を備えた光電変換素子が第一導電型の半導体基板に配された光電変換装置であって、前記複数の第二導電型の不純物領域のそれぞれは、前記第一導電型の下部から前記光電変換素子に隣接した素子分離部の下部まで連続して配されていることである。
更に本発明の別の態様によれば、第一導電型の不純物領域と、第二導電型の不純物領域と、を含んで構成される光電変換素子が第一導電型の半導体基板に配された光電変換装置であって、前記第二導電型の不純物領域は、前記第一導電型の不純物領域の下部に配され、且つ、前記第一導電型の不純物領域の下部から前記半導体基板の深部に向かって順に位置する第１の不純物濃度ピークと、第２の不純物濃度ピークと、第３の不純物濃度ピークとを少なくとも有し、前記第１の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と、前記第２の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２と、前記第３の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３とが、
Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ１
の関係を満たすことである。