【手続補正書】
【提出日】平成20年4月14日(2008.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（２００）上に機能材料をパターン形成する方法において、該方法が、
（ａ）前記基板の少なくとも１つの主要面に機能材料（２２５）の層を付着させる段階と、
（ｂ）前記機能材料（２２５）の層に、前記機能材料が不溶である溶媒に可溶な保護材料（２３０）の層を付着させる段階と、
（ｃ）前記基板の明確に画定された領域における、前記保護材料（２３０）の層および前記機能材料（２２５）の層の両領域を除去する段階と、
（ｄ）残っている露出した前記保護材料（２３０）を、前記溶媒に溶解させることによって前記基板（２００）から除去する段階とを含み、
前記（ｃ）段階の後に、（ｅ）段階が実施され、該（ｅ）段階は、
前記基板上の少なくとも前記明確に画定された領域に第２の機能材料（２４７）を被着させ、
前記第２の機能材料（２４７）に、前記第２の機能材料が不溶である溶媒に可溶な保護材料（２５５）の更なる層を付着させ、
前記明確に画定された領域の縁部上にある前記材料（２４７、２５５）の領域を除去し、
段階（ｄ）の後に、前記保護材料（２３０）の層の残部、および前記明確に画定された領域以外の前記第２の機能材料（２４７）を除去する
段階を含み、
前記明確に画定された領域の前記縁部上にある前記材料（２４７、２５５）の領域を、レーザ・アブレーションによって除去する、機能材料をパターン形成する方法。
【請求項２】
段階（ｃ）において、前記機能材料（２２５）の層および前記保護材料（２３０）の層を、レーザ・アブレーションによって前記明確に画定された領域から除去する、請求項１に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項３】
段階（ｄ）の後に、前記保護材料（２３０、２５５）の層の前記残部、および前記明確に画定された領域以外の前記第２の機能材料（２４７）を、リフト・オフ法を用いて除去する、請求項１又は請求項２に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項４】
前記基板に更なる機能材料（２４９）をパターン形成する更なる段階を含み、該更なる段階が、前記（ｅ）段階を繰り返すことを含む、請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項５】
段階（ｃ）において、前記機能材料（２２５）の層を、前記基板上の前記明確に画定された領域から完全には除去しない、請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項６】
前記基板（２００）がガラスを含む、請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項７】
前記基板（２００）がシリコンを含む、請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項８】
前記基板（２００）がプラスチック材料を含む、請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項９】
前記基板（２００）が電荷注入層（２２０）を含む、請求項１から請求項８までのいずれか１項に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項１０】
前記電荷注入層（２２０）をパターン形成する、請求項９に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項１１】
前記基板（２００）の前記少なくとも１つの主要面を構造化する、請求項１から請求項１０までのいずれか１項に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項１２】
前記基板（２００）の前記少なくとも１つの主要面が、無機材料、有機材料、又は金属材料とすることのできる、隆起した壁構造（２４５）を含む、請求項１１に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項１３】
前記保護材料（２３０）が有機材料を含む、請求項１から請求項１２までのいずれか１項に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項１４】
前記保護材料（２３０）が水溶性ポリマーを含む、請求項１３に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項１５】
前記保護材料（２３０）が、ポリビニルアルコール、ポリメチルエーテル、ポリメチルアクリルアミド、ドープされたポリチオフェン、ポリエチレングリコール、及びドープされたポリアニリンから選択される、請求項１４に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項１６】
前記保護材料（２３０）が、アルコールに可溶なポリマーを含む、請求項１３に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項１７】
前記保護材料（２３０）が、ジメチルホルムアミド若しくはアセトニトリル等の極性溶媒に可溶なポリマー、又はそれらに類似したポリマーを含む、請求項１３に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項１８】
前記保護材料（２３０）が、ポリスチレン、ポリメタクリル酸メチル又はポリエチレンオキシドから選択される、請求項１７に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項１９】
前記保護材料（２３０）が無機材料を含む、請求項１から請求項１２までのいずれか１項に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項２０】
前記保護材料（２３０）が、シリコン、窒化シリコン、及び酸化シリコンから選択される、請求項１９に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項２１】
前記機能材料（２２５）を、スピン・コーティング、蒸着、スパッタリング、及び印刷から選択された方法によって被着させる、請求項１から請求項２０までのいずれか１項に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項２２】
前記保護材料（２３０）を、スピン・コーティング、溶射、蒸着、印刷、及びスパッタリングから選択された方法によって被着させる、請求項１から請求項２１までのいずれか１項に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項２３】
前記機能材料（２２５）が、電気光学的に活性な有機材料を含む、請求項１から請求項２２までのいずれか１項に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【請求項２４】
前記機能材料（２２５）が、生化学的又は生物学的試薬を含む、請求項１から請求項２０までのいずれか１項に記載された機能材料をパターン形成する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
エキシマ・レーザによるパターン形成によってフルカラー表示装置を得る別の工程が、国際公開ＷＯ９９／０３１５７号に記載されている。この工程は、基本的に以下の段階を含む。
Ｉ．第１の１つ（又は複数）の有機発光材料を、好ましくは透明な正孔搬送層で覆われた基板上に被着させる。
ＩＩ．前記第１の有機層上に、電子注入材料（ＭｇＡｇ）を被着させる。
ＩＩＩ．基板の望ましくない領域から、電子注入材料と、第１の有機発光材料との両方をレーザによって選択的にアブレートして、第１の色の光を発する画素を得る。
ＩＶ．前記基板上に、第２の１つ（又は複数）の発光材料を被着させる。
Ｖ．前記第２の有機層上に電子注入材料（ＭｇＡｇ）を被着させる。
ＶＩ．基板の望ましくない領域から、電子注入材料と、第２の有機発光材料との両方をレーザによって選択的にアブレートして、第１の色の光を発する画素を保持すると共に、第２の色の光を発する画素を形成する。
ＶＩＩ．上述と同じ工程段階を繰り返して、第３の色の光を発する画素を得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明によれば、請求項１に記載の、基板上に機能材料をパターン形成する方法が提供される。本発明の好ましい、又は任意選択による特徴が、従属請求項に定義されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
この工程の最終段階は、基板から犠牲有機層（ＰＶＡ）を除去することである。この除去は、リフト・オフ（ｌｉｆｔ  ｏｆｆ）工程を用いて行うことが可能であり、ここでは、第１のＰＶＡ層を溶解させ、次いで、基板の後続層を全てリフト・オフすることによって、基板上に第１及び第２のエレクトロルミネセント材料だけを残す。しかし、有機エレクトロルミネセント材料は、基板上のどんな層も含めて基板の全領域を覆う薄い保護膜を形成する傾向がある。第２のＰＬＥＤ膜の共形性（ｃｏｎｆｏｒｍｉｔｙ）、及び画素の側壁もまた前記第２のＰＬＥＤ膜によって覆われているという事実のため、保護材料（ＰＶＡ）の第１の層を溶解可能な溶媒が、ＰＶＡの第１の層中に浸透することができない。リフト・オフ法を作用させるためには、第２のエレクトロルミネセント材料の保護膜を穿刺するか、又は基板の明確に画定された領域から除去して、第１の保護有機材料（ＰＶＡ）に対する溶媒が、この層中に浸透して溶解できるようにしなければならない。この除去工程は、第２のエレクトロルミネセント材料の明確に画定された領域をアブレートし除去することによって実現できる。前記アブレーション工程の後、基板を、有機材料（ＰＶＡ）の第１の層を溶解可能な溶媒に露出させると、後続の層全てのリフト・オフ工程が実現される。この工程により、基板上に第１及び第２のエレクトロルミネセント材料の領域が残る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
【図１】本発明の方法に従って光電子デバイスを製造する連続した段階の１つを示す概略断面図。
【図２】本発明の方法に従って光電子デバイスを製造する連続した段階の１つを示す概略断面図。
【図３】本発明の方法に従って光電子デバイスを製造する連続した段階の１つを示す概略断面図。
【図４】本発明の方法に従って光電子デバイスを製造する連続した段階の１つを示す概略断面図。
【図５】本発明の方法に従って光電子デバイスを製造する連続した段階の１つを示す概略断面図。
【図６】本発明の方法に従って光電子デバイスを製造する連続した段階の１つを示す概略断面図。
【図７】本発明の方法に従って光電子デバイスを製造する連続した段階の１つを示す概略断面図。
【図８】本発明の方法によるＰＬＥＤの一例を示す概略断面図。