【手続補正書】
【提出日】平成31年2月15日(2019.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電流信号を受信するように構成された第１の導電モジュールと、
第２の電流信号を受信し、前記第２の電流信号に基づいて電圧信号を生成し、前記第１の導電モジュールに前記電圧信号を印加するように構成された変換モジュールと、ここにおいて、前記変換モジュールによって受信される前記第２の電流信号の量が、前記第１の導電モジュールを通って流れる前記第１の電流信号の量に基づく、
前記電圧信号に基づいて出力電流信号を制御するように構成された第２の導電モジュールと、ここにおいて、前記出力電流信号が、帯域内周波数について前記第１の電流信号の線形複製になるように制御される、を備え、
前記変換モジュールが双二次増幅器を備え、前記第１の導電モジュールが、第１のキャパシタと、第１の抵抗器と、前記双二次増幅器からの前記電圧信号に基づいて動作するように構成された第１のトランジスタとを備える、ベースバンドフィルタを線形化するための装置。
【請求項２】
ここにおいて、前記双二次増幅器の非反転入力が電流源に結合され、
ここにおいて、前記第１のトランジスタのドレインが前記電流源に結合され、前記第１のトランジスタのゲートが前記双二次増幅器の出力に結合され、前記第１のトランジスタのソースが、前記第１のキャパシタの第１のノードと前記第１の抵抗器の第１のノードとに結合され、
ここにおいて、前記第１のキャパシタの第２のノードおよび前記第１の抵抗器の第２のノードが接地ノードに結合された、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１のトランジスタが、前記双二次増幅器からの前記電圧信号に基づいて動作するように構成されたとき、前記第１のトランジスタが、前記第１のキャパシタおよび前記第１の抵抗器に向かって前記第１のトランジスタの前記ドレインから前記ソースへ前記第１の電流信号を流すように構成され、
ここにおいて、前記第１のトランジスタを通って流れる前記第１の電流信号の前記量が、前記第１のキャパシタによって蓄積される前記第１の電流信号に関連するエネルギーの量と、前記第１の抵抗器によって散逸される前記第１の電流信号に関連するエネルギーの量とに基づく、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
最高帯域内周波数よりも高い周波数において、前記第１のトランジスタを通って流れる前記第１の電流信号の前記量が、前記双二次増幅器によって受信される前記第２の電流信号の前記量を低減する、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記第２の導電モジュールが、第２の抵抗器と、第２のキャパシタと、第３の抵抗器と、第２のトランジスタとを備え、
ここにおいて、前記第２の抵抗器の第１のノードが、前記双二次増幅器の前記出力と前記第１のトランジスタの前記ゲートとに結合され、前記第２の抵抗器の第２のノードが、前記第２のキャパシタの第１のノードと前記第２のトランジスタのゲートとに結合され、
ここにおいて、前記第２のキャパシタの前記第１のノードが、前記第２の抵抗器の前記第２のノードと前記第２のトランジスタの前記ゲートとに結合され、前記第２のキャパシタの第２のノードが前記接地ノードに結合され、
ここにおいて、前記第３の抵抗器の第１のノードが前記第２のトランジスタのソースに結合され、前記第３の抵抗器の第２のノードが前記接地ノードに結合され、
ここにおいて、前記第２のトランジスタの前記ソースが前記第３の抵抗器の前記第１のノードに結合され、
ここにおいて、前記出力電流信号が前記第２のトランジスタのドレインを通って流れる、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記出力電流信号は、
前記双二次増幅器が、前記第２のトランジスタの前記ゲートに印加されるように前記第２の抵抗器にわたって前記電圧信号を流すことと、
前記第２のトランジスタが、前記第２のトランジスタの前記ゲートに印加された前記電圧信号に基づいて動作し、前記第２のトランジスタの前記ドレインと前記ソースとの間に前記出力電流信号を流すことと、によって前記第１の電流信号の前記線形複製になるように制御される、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記第２のトランジスタの前記ゲートにおける前記電圧信号の量が、前記第２の抵抗器によって散逸される前記電圧信号に関連するエネルギーの量と、前記散逸の後に前記第２のキャパシタによって蓄積される前記電圧信号に関連するエネルギーの量とに基づく、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記第２のトランジスタを通って流れる前記出力電流信号の前記量が、前記第３の抵抗器によって散逸される前記出力電流信号に関連するエネルギーの量に基づく、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記第２のトランジスタのサイズが前記第１のトランジスタのサイズのｎ倍であり、ここで、ｎが実数である、請求項５に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１の抵抗器の値が前記第３の抵抗器の値のｎ倍であり、ここにおいて、ｎが実数である、請求項５に記載の装置。
【請求項１１】
第１の導電モジュールを介して第１の電流信号を受信することと、
変換モジュールを介して第２の電流信号を受信することと、
前記変換モジュールを介して、前記第２の電流信号に基づいて電圧信号を生成し、前記第１の導電モジュールに前記電圧信号を印加することと、ここにおいて、前記変換モジュールによって受信される前記第２の電流信号の量が、前記第１の導電モジュールを通って流れる前記第１の電流信号の量に基づく、
第２の導電モジュールを介して、前記電圧信号に基づいて出力電流信号を制御することと、ここにおいて、前記出力電流信号が、帯域内周波数について前記第１の電流信号の線形複製になるように制御される、を備え、
前記変換モジュールが双二次増幅器を備え、前記第１の導電モジュールが、第１のキャパシタと、第１の抵抗器と、前記双二次増幅器からの前記電圧信号に基づいて動作するように構成された第１のトランジスタとを備える、ベースバンドフィルタを線形化するための方法。
【請求項１２】
前記双二次増幅器の非反転入力が電流源に結合され、
ここにおいて、前記第１のトランジスタのドレインが前記電流源に結合され、前記第１のトランジスタのゲートが前記双二次増幅器の出力に結合され、前記第１のトランジスタのソースが、前記第１のキャパシタの第１のノードと前記第１の抵抗器の第１のノードとに結合され、
ここにおいて、前記第１のキャパシタの第２のノードおよび前記第１の抵抗器の第２のノードが接地ノードに結合された、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１のトランジスタが、前記双二次増幅器からの前記電圧信号に基づいて動作するとき、前記第１のトランジスタが、前記第１のキャパシタおよび前記第１の抵抗器に向かって前記第１のトランジスタの前記ドレインから前記ソースへ前記第１の電流信号を、流し、
ここにおいて、前記第１のトランジスタを通って流れる前記第１の電流信号の前記量が、前記第１のキャパシタによって蓄積される前記第１の電流信号に関連するエネルギーの量と、前記第１の抵抗器によって散逸される前記第１の電流信号に関連するエネルギーの量とに基づく、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
最高帯域内周波数よりも高い周波数において、前記第１のトランジスタを通って流れる前記第１の電流信号の前記量が、前記双二次増幅器によって受信される前記第２の電流信号の前記量を低減する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２の導電モジュールが、第２の抵抗器と、第２のキャパシタと、第３の抵抗器と、第２のトランジスタとを備え、
ここにおいて、前記第２の抵抗器の第１のノードが、前記双二次増幅器の前記出力と前記第１のトランジスタの前記ゲートとに結合され、前記第２の抵抗器の第２のノードが、前記第２のキャパシタの第１のノードと前記第２のトランジスタのゲートとに結合され、
ここにおいて、前記第２のキャパシタの前記第１のノードが、前記第２の抵抗器の前記第２のノードと前記第２のトランジスタの前記ゲートとに結合され、前記第２のキャパシタの第２のノードが前記接地ノードに結合され、
ここにおいて、前記第３の抵抗器の第１のノードが前記第２のトランジスタのソースに結合され、前記第３の抵抗器の第２のノードが前記接地ノードに結合され、
ここにおいて、前記第２のトランジスタの前記ソースが前記第３の抵抗器の前記第１のノードに結合され、
ここにおいて、前記出力電流信号が前記第２のトランジスタのドレインを通って流れる、請求項１２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
[0076]以上の説明は、当業者が本明細書で説明された様々な態様を実施することができるようにするために提供されたものである。これらの態様への様々な変更は当業者には容易に明らかであり、本明細書で定義された一般原理は他の態様に適用され得る。したがって、特許請求の範囲は、本明細書で示された態様に限定されるものではなく、クレーム文言に矛盾しない全範囲を与えられるべきであり、ここにおいて、単数形の要素への言及は、そのように明記されていない限り、「唯一無二の」を意味するものではなく、「１つまたは複数の」を意味するものである。別段に明記されていない限り、「いくつか（some）」という用語は１つまたは複数を指す。当業者に知られている、または後に知られることになる、本開示全体にわたって説明された様々な態様の要素のすべての構造的および機能的均等物は、参照により本明細書に明確に組み込まれ、特許請求の範囲に包含されるものである。その上、本明細書で開示されるいかなることも、そのような開示が特許請求の範囲に明示的に具陳されているかどうかにかかわらず、公に供するものではない。いかなるクレーム要素も、その要素が「のための手段」という語句を使用して明確に具陳されていない限り、ミーンズプラスファンクションとして解釈されるべきではない。
以下に本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］
第１の電流信号を受信するように構成された第１の導電モジュールと、
第２の電流信号を受信し、前記第２の電流信号に基づいて電圧信号を生成し、前記第１の導電モジュールに前記電圧信号を印加するように構成された変換モジュールと、ここにおいて、前記変換モジュールによって受信される前記第２の電流信号の量が、前記第１の導電モジュールを通って流れる前記第１の電流信号の量に基づく、
前記電圧信号に基づいて出力電流信号を制御するように構成された第２の導電モジュールと、ここにおいて、前記出力電流信号が、帯域内周波数について前記第１の電流信号の線形複製になるように制御される、を備える、ベースバンドフィルタを線形化するための装置。
［Ｃ２］
前記変換モジュールが双二次増幅器を備え、前記第１の導電モジュールが、第１のキャパシタと、第１の抵抗器と、前記双二次増幅器からの前記電圧信号に基づいて動作するように構成された第１のトランジスタとを備え、
ここにおいて、前記双二次増幅器の非反転入力が電流源に結合され、
ここにおいて、前記第１のトランジスタのドレインが前記電流源に結合され、前記第１のトランジスタのゲートが前記双二次増幅器の出力に結合され、前記第１のトランジスタのソースが、前記第１のキャパシタの第１のノードと前記第１の抵抗器の第１のノードとに結合され、
ここにおいて、前記第１のキャパシタの第２のノードおよび前記第１の抵抗器の第２のノードが接地ノードに結合された、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ３］
前記第１のトランジスタが、前記双二次増幅器からの前記電圧信号に基づいて動作するように構成されたとき、前記第１のトランジスタが、前記第１のキャパシタおよび前記第１の抵抗器に向かって前記第１のトランジスタの前記ドレインから前記ソースへ前記第１の電流信号を流すように構成され、
ここにおいて、前記第１のトランジスタを通って流れる前記第１の電流信号の前記量が、前記第１のキャパシタによって蓄積される前記第１の電流信号に関連するエネルギーの量と、前記第１の抵抗器によって散逸される前記第１の電流信号に関連するエネルギーの量とに基づく、Ｃ２に記載の装置。
［Ｃ４］
最高帯域内周波数よりも高い周波数において、前記第１のトランジスタを通って流れる前記第１の電流信号の前記量が、前記双二次増幅器によって受信される前記第２の電流信号の前記量を低減する、Ｃ３に記載の装置。
［Ｃ５］
前記第２の導電モジュールが、第２の抵抗器と、第２のキャパシタと、第３の抵抗器と、第２のトランジスタとを備え、
ここにおいて、前記第２の抵抗器の第１のノードが、前記双二次増幅器の前記出力と前記第１のトランジスタの前記ゲートとに結合され、前記第２の抵抗器の第２のノードが、前記第２のキャパシタの第１のノードと前記第２のトランジスタのゲートとに結合され、
ここにおいて、前記第２のキャパシタの前記第１のノードが、前記第２の抵抗器の前記第２のノードと前記第２のトランジスタの前記ゲートとに結合され、前記第２のキャパシタの第２のノードが前記接地ノードに結合され、
ここにおいて、前記第３の抵抗器の第１のノードが前記第２のトランジスタのソースに結合され、前記第３の抵抗器の第２のノードが前記接地ノードに結合され、
ここにおいて、前記第２のトランジスタの前記ソースが前記第３の抵抗器の前記第１のノードに結合され、
ここにおいて、前記出力電流信号が前記第２のトランジスタのドレインを通って流れる、Ｃ２に記載の装置。
［Ｃ６］
前記出力電流信号は、
前記双二次増幅器が、前記第２のトランジスタの前記ゲートに印加されるように前記第２の抵抗器にわたって前記電圧信号を流すことと、
前記第２のトランジスタが、前記第２のトランジスタの前記ゲートに印加された前記電圧信号に基づいて動作し、前記第２のトランジスタの前記ドレインと前記ソースとの間に前記出力電流信号を流すことと、によって前記第１の電流信号の前記線形複製になるように制御される、Ｃ５に記載の装置。
［Ｃ７］
前記第２のトランジスタの前記ゲートにおける前記電圧信号の量が、前記第２の抵抗器によって散逸される前記電圧信号に関連するエネルギーの量と、前記散逸の後に前記第２のキャパシタによって蓄積される前記電圧信号に関連するエネルギーの量とに基づく、Ｃ６に記載の装置。
［Ｃ８］
前記第２のトランジスタを通って流れる前記出力電流信号の前記量が、前記第３の抵抗器によって散逸される前記出力電流信号に関連するエネルギーの量に基づく、Ｃ６に記載の装置。
［Ｃ９］
前記第２のトランジスタのサイズが前記第１のトランジスタのサイズのｎ倍であり、ここで、ｎが実数である、Ｃ５に記載の装置。
［Ｃ１０］
前記第１の抵抗器の値が前記第３の抵抗器の値のｎ倍であり、ここにおいて、ｎが実数である、Ｃ５に記載の装置。
［Ｃ１１］
第１の導電モジュールを介して第１の電流信号を受信することと、
変換モジュールを介して第２の電流信号を受信することと、
前記変換モジュールを介して、前記第２の電流信号に基づいて電圧信号を生成し、前記第１の導電モジュールに前記電圧信号を印加することと、ここにおいて、前記変換モジュールによって受信される前記第２の電流信号の量が、前記第１の導電モジュールを通って流れる前記第１の電流信号の量に基づく、
第２の導電モジュールを介して、前記電圧信号に基づいて出力電流信号を制御することと、ここにおいて、前記出力電流信号が、帯域内周波数について前記第１の電流信号の線形複製になるように制御される、を備える、ベースバンドフィルタを線形化するための方法。
［Ｃ１２］
前記変換モジュールが双二次増幅器を備え、前記第１の導電モジュールが、第１のキャパシタと、第１の抵抗器と、前記双二次増幅器からの前記電圧信号に基づいて動作するように構成された第１のトランジスタとを備え、
ここにおいて、前記双二次増幅器の非反転入力が電流源に結合され、
ここにおいて、前記第１のトランジスタのドレインが前記電流源に結合され、前記第１のトランジスタのゲートが前記双二次増幅器の出力に結合され、前記第１のトランジスタのソースが、前記第１のキャパシタの第１のノードと前記第１の抵抗器の第１のノードとに結合され、
ここにおいて、前記第１のキャパシタの第２のノードおよび前記第１の抵抗器の第２のノードが接地ノードに結合された、Ｃ１１に記載の方法。
［Ｃ１３］
前記第１のトランジスタが、前記双二次増幅器からの前記電圧信号に基づいて動作するとき、前記第１のトランジスタが、前記第１のキャパシタおよび前記第１の抵抗器に向かって前記第１のトランジスタの前記ドレインから前記ソースへ前記第１の電流信号を、流し、
ここにおいて、前記第１のトランジスタを通って流れる前記第１の電流信号の前記量が、前記第１のキャパシタによって蓄積される前記第１の電流信号に関連するエネルギーの量と、前記第１の抵抗器によって散逸される前記第１の電流信号に関連するエネルギーの量とに基づく、Ｃ１２に記載の方法。
［Ｃ１４］
最高帯域内周波数よりも高い周波数において、前記第１のトランジスタを通って流れる前記第１の電流信号の前記量が、前記双二次増幅器によって受信される前記第２の電流信号の前記量を低減する、Ｃ１３に記載の方法。
［Ｃ１５］
前記第２の導電モジュールが、第２の抵抗器と、第２のキャパシタと、第３の抵抗器と、第２のトランジスタとを備え、
ここにおいて、前記第２の抵抗器の第１のノードが、前記双二次増幅器の前記出力と前記第１のトランジスタの前記ゲートとに結合され、前記第２の抵抗器の第２のノードが、前記第２のキャパシタの第１のノードと前記第２のトランジスタのゲートとに結合され、
ここにおいて、前記第２のキャパシタの前記第１のノードが、前記第２の抵抗器の前記第２のノードと前記第２のトランジスタの前記ゲートとに結合され、前記第２のキャパシタの第２のノードが前記接地ノードに結合され、
ここにおいて、前記第３の抵抗器の第１のノードが前記第２のトランジスタのソースに結合され、前記第３の抵抗器の第２のノードが前記接地ノードに結合され、
ここにおいて、前記第２のトランジスタの前記ソースが前記第３の抵抗器の前記第１のノードに結合され、
ここにおいて、前記出力電流信号が前記第２のトランジスタのドレインを通って流れる、Ｃ１２に記載の方法。
［Ｃ１６］
前記出力電流信号が、
前記第２のトランジスタの前記ゲートに印加されるように前記双二次増幅器から前記第２の抵抗器にわたって前記電圧信号を流すことと、
前記第２のトランジスタの前記ゲートに印加された前記電圧信号に基づいて前記第２のトランジスタを動作させ、前記第２のトランジスタの前記ドレインと前記ソースとの間に前記出力電流信号を流すことと、によって前記第１の電流信号の前記線形複製になるように制御される、Ｃ１５に記載の方法。
［Ｃ１７］
前記第２のトランジスタの前記ゲートにおける前記電圧信号の量が、前記第２の抵抗器によって散逸される前記電圧信号に関連するエネルギーの量と、前記散逸の後に前記第２のキャパシタによって蓄積される前記電圧信号に関連するエネルギーの量とに基づく、Ｃ１６に記載の方法。
［Ｃ１８］
前記第２のトランジスタを通って流れる前記出力電流信号の前記量が、前記第３の抵抗器によって散逸される前記出力電流信号に関連するエネルギーの量に基づく、Ｃ１６に記載の方法。
［Ｃ１９］
前記第２のトランジスタのサイズが前記第１のトランジスタのサイズのｎ倍であり、ここで、ｎが実数である、Ｃ１５に記載の方法。
［Ｃ２０］
前記第１の抵抗器の値が前記第３の抵抗器の値のｎ倍であり、ここで、ｎが実数である、Ｃ１５に記載の方法。
［Ｃ２１］
第１の電流信号を受信するための第１の導電手段と、
第２の電流信号を受信し、前記第２の電流信号に基づいて電圧信号を生成し、前記第１の導電手段に前記電圧信号を印加するための変換手段と、ここにおいて、前記変換手段によって受信される前記第２の電流信号の量が、前記第１の導電手段を通って流れる前記第１の電流信号の量に基づく、
前記電圧信号に基づいて出力電流信号を制御するための第２の導電手段と、ここにおいて、前記出力電流信号が、帯域内周波数について前記第１の電流信号の線形複製になるように制御される、を備える、ベースバンドフィルタを線形化するための装置。
［Ｃ２２］
前記変換手段が双二次増幅器を備え、前記第１の導電手段が、第１のキャパシタと、第１の抵抗器と、前記双二次増幅器からの前記電圧信号に基づいて動作するように構成された第１のトランジスタとを備え、
ここにおいて、前記双二次増幅器の非反転入力が電流源に結合され、
ここにおいて、前記第１のトランジスタのドレインが前記電流源に結合され、前記第１のトランジスタのゲートが前記双二次増幅器の出力に結合され、前記第１のトランジスタのソースが、前記第１のキャパシタの第１のノードと前記第１の抵抗器の第１のノードとに結合され、
ここにおいて、前記第１のキャパシタの第２のノードおよび前記第１の抵抗器の第２のノードが接地ノードに結合された、Ｃ２１に記載の装置。
［Ｃ２３］
前記第１のトランジスタが、前記双二次増幅器からの前記電圧信号に基づいて動作するとき、前記第１のトランジスタが、前記第１のキャパシタおよび前記第１の抵抗器に向かって前記第１のトランジスタの前記ドレインから前記ソースへ前記第１の電流信号を流すように構成され、
ここにおいて、前記第１のトランジスタを通って流れる前記第１の電流信号の前記量が、前記第１のキャパシタによって蓄積される前記第１の電流信号に関連するエネルギーの量と、前記第１の抵抗器によって散逸される前記第１の電流信号に関連するエネルギーの量とに基づく、Ｃ２２に記載の装置。
［Ｃ２４］
最高帯域内周波数よりも高い周波数において、前記第１のトランジスタを通って流れる前記第１の電流信号の前記量が、前記双二次増幅器によって受信される前記第２の電流信号の前記量を低減する、Ｃ２３に記載の装置。
［Ｃ２５］
前記第２の導電手段が、第２の抵抗器と、第２のキャパシタと、第３の抵抗器と、第２のトランジスタとを備え、
ここにおいて、前記第２の抵抗器の第１のノードが、前記双二次増幅器の前記出力と前記第１のトランジスタの前記ゲートとに結合され、前記第２の抵抗器の第２のノードが、前記第２のキャパシタの第１のノードと前記第２のトランジスタのゲートとに結合され、
ここにおいて、前記第２のキャパシタの前記第１のノードが、前記第２の抵抗器の前記第２のノードと前記第２のトランジスタの前記ゲートとに結合され、前記第２のキャパシタの第２のノードが前記接地ノードに結合され、
ここにおいて、前記第３の抵抗器の第１のノードが前記第２のトランジスタのソースに結合され、前記第３の抵抗器の第２のノードが前記接地ノードに結合され、
ここにおいて、前記第２のトランジスタの前記ソースが前記第３の抵抗器の前記第１のノードに結合され、
ここにおいて、前記出力電流信号が前記第２のトランジスタのドレインを通って流れる、Ｃ２２に記載の装置。
［Ｃ２６］
前記出力電流信号は、
前記双二次増幅器が、前記第２のトランジスタの前記ゲートに印加されるように前記第２の抵抗器にわたって前記電圧信号を流すことと、
前記第２のトランジスタが、前記第２のトランジスタの前記ゲートに印加された前記電圧信号に基づいて動作し、前記第２のトランジスタの前記ドレインと前記ソースとの間に前記出力電流信号を流すことと、によって前記第１の電流信号の前記線形複製になるように制御される、Ｃ２５に記載の装置。
［Ｃ２７］
前記第２のトランジスタの前記ゲートにおける前記電圧信号の量が、前記第２の抵抗器によって散逸される前記電圧信号に関連するエネルギーの量と、前記散逸の後に前記第２のキャパシタによって蓄積される前記電圧信号に関連するエネルギーの量とに基づく、Ｃ２６に記載の装置。
［Ｃ２８］
前記第２のトランジスタを通って流れる前記出力電流信号の前記量が、前記第３の抵抗器によって散逸される前記出力電流信号に関連するエネルギーの量に基づく、Ｃ２６に記載の装置。
［Ｃ２９］
前記第２のトランジスタのサイズが前記第１のトランジスタのサイズのｎ倍であり、ここで、ｎが実数である、Ｃ２５に記載の装置。
［Ｃ３０］
前記第１の抵抗器の値が前記第３の抵抗器の値のｎ倍であり、ここで、ｎが実数である、Ｃ２５に記載の装置。