【手続補正書】
【提出日】平成19年7月26日(2007.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に洗浄処理と乾燥処理とを施す半導体基板の洗浄工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記洗浄工程は、半導体基板に洗浄処理を施した後乾燥処理を施す前に、前記半導体基板の表面に残る液滴へ大気中の酸素が拡散するのを抑制する所定のガスを溶解させた洗浄液を前記半導体基板に供給する工程を備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
所定の前記ガスとして、還元性ガスおよび不活性ガスの少なくともいずれかのガスを用いる、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
洗浄液に溶解させる所定の前記ガスの溶解度は、溶解させる前記ガスの洗浄液に対する飽和溶解度の少なくとも４０％以上である、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
洗浄液に溶解させる所定の前記ガスの溶解度は、溶解させる前記ガスの洗浄液に対する飽和溶解度の６０％以上である、請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
洗浄液に溶解させる所定の前記ガスの溶解度は、溶解させる前記ガスの洗浄液に対する飽和溶解度の８０％以上である、請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板に洗浄処理と乾燥処理とを施す機能を含む半導体基板処理装置であって、
洗浄処理を施した後に半導体基板の表面に残る液滴へ大気中の酸素が拡散するのを抑制するための所定のガスを洗浄液に溶解させるガス溶解部と、
前記ガス溶解部によって所定のガスが溶解した洗浄液を、洗浄処理の後乾燥処理の前に半導体基板に供給する機能を有する制御部と
を備えた、半導体基板処理装置。
【請求項７】
半導体基板に所定の研磨処理を施すための第１処理部と
前記第１処理部で研磨処理が施された半導体基板に洗浄処理と乾燥処理とを施すための第２処理部と
を有し、
前記ガス溶解部によって所定のガスが溶解した洗浄液は前記第２処理部に供給される、請求項６記載の半導体基板処理装置。
【請求項８】
前記第１処理部は、半導体基板に銅配線を形成するための研磨処理を施す処理部である、請求項７記載の半導体基板処理装置。
【請求項９】
半導体基板の表面に化学的機械研磨処理を施すことにより、前記半導体基板の表面に所定の銅配線を形成する工程と、
前記銅配線が形成された前記半導体基板の表面にスクラブ洗浄を施す工程と、
還元性ガスおよび不活性ガスの少なくともいずれかのガスを溶解させた洗浄液を、前記スクラブ洗浄が施された前記半導体基板の表面に供給する工程と、
前記半導体基板に前記洗浄液が供給された後、前記半導体基板を乾燥させる工程と
を備えた、半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法およびそれに用いられる半導体基板処理装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法およびそれに用いられる半導体基板処理装置に関し、特に、化学的機械研磨処理を施した後に行われる半導体基板の洗浄工程を含む半導体装置の製造方法と、そのような半導体装置の製造方法に用いられる半導体基板処理装置とに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、一つの目的は半導体基板の表面にシミを発生させず、しかも、金属配線を溶出させることのない半導体装置の製造方法を提供することであり、他の目的は、そのような製造に使用される半導体基板処理装置を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板に洗浄処理と乾燥処理とを施す半導体基板の洗浄工程を含む半導体装置の製造方法であって、洗浄処理を施した後乾燥処理を施す前に、半導体基板の表面に残る液滴へ大気中の酸素が拡散するのを抑制する所定のガスを溶解させた洗浄液を半導体基板に供給する工程を備えている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る半導体基板処理装置は、半導体基板に洗浄処理と乾燥処理とを施す機能を含む半導体基板処理装置であって、ガス溶解部と制御部とを備えている。ガス溶解部は、洗浄処理を施した後に半導体基板の表面に残る液滴へ大気中の酸素が拡散するのを抑制するための所定のガスを洗浄液に溶解させる。制御部は、ガス溶解部によって所定のガスが溶解した洗浄液を、洗浄処理の後乾燥処理の前に半導体基板に供給する機能を有している。
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。半導体基板の表面に化学的機械研磨処理を施すことにより、半導体基板の表面に所定の銅配線を形成する。銅配線が形成された半導体基板の表面にスクラブ洗浄を施す。還元性ガスおよび不活性ガスの少なくともいずれかのガスを溶解させた洗浄液を、スクラブ洗浄が施された半導体基板の表面に供給する。半導体基板に洗浄液が供給された後、半導体基板を乾燥させる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、洗浄処理を施した後乾燥処理を施す前に所定のガスを溶解させた洗浄液を半導体基板へ供給することで、乾燥処理の際にまたは乾燥後に半導体基板に残った液滴へ大気中の酸素が拡散するのを抑制して、半導体基板の表面にシミが形成されたり、金属配線が溶出するのを防止することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に係る半導体基板処理装置によれば、ガス溶解部により所定のガスを溶解させた洗浄液を、制御部により洗浄処理を施した後乾燥処理を施す前に半導体基板へ供給することで、乾燥処理の際にまたは乾燥後に半導体基板に残った液滴へ大気中の酸素が拡散するのを抑制して、半導体基板の表面にシミが形成されたり、金属配線が溶出するのを防止することができる。
本発明に係る他の半導体装置の製造方法によれば、銅配線が形成されてスクラブ処理が施された半導体基板の表面に、還元性ガスおよび不活性ガスの少なくともいずれかのガスを溶解させた洗浄液を供給することで、乾燥処理の際にまたは乾燥後に半導体基板に残った液滴へ大気中の酸素が拡散するのを抑制して、半導体基板の表面にシミが形成されたり、銅配線が溶出するのを防止することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図２および図４に示すように、溶存ガスを含まない洗浄液および酸素ガスを溶解させた洗浄液の場合では、半導体基板表面にウォーターマークが多数形成されていることがわかった。一方、図３に示すように、窒素ガスを溶解させた洗浄液の場合では、半導体基板の中心部に多少のウォーターマークの形成が認められるものの、溶存ガスを含まない洗浄液および酸素ガスを溶解させた洗浄液の場合と比較すると、明らかにウォーターマークの数は少ないことがわかった。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
なお、ここでは、ＣＭＰ処理室７と洗浄処理室２との２つの処理室を備えた半導体基板処理装置１を例に挙げて説明したが、この態様の半導体基板処理装置では、ＣＭＰ処理室がメインの処理室となり洗浄処理室はその付帯的な処理室となる場合が多い。つまり、ＣＭＰ処理室に洗浄機能が付加された態様になる。