【手続補正書】
【提出日】平成20年8月25日(2008.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗器の初期抵抗値を公称抵抗値に変えるべく該抵抗器から抵抗材料を除去するためにレーザー出力を使用する方法であって、前記抵抗材料は電気接点間に位置する表面領域を有し基板上に支持されており、前記抵抗材料に適用されるレーザー出力は、前記抵抗器への適用直後の真のおよび／または定常状態での該抵抗器の抵抗値の正確な測定を妨げるように、前記レーザー出力が無い間に測定される真のおよび／または定常状態での抵抗値から逸脱した誤りのおよび／または一時的な抵抗値を表示させる熱電効果を前記抵抗器に引き起こし、このレーザーによって引き起こされた熱電効果に起因する抵抗値偏差を減少させるための方法が、
単一の抵抗器または一組の抵抗器のそれぞれに接続されるように計測器のプローブを配置すること、
前記計測器からの電流値を基準値または零値に設定すること、
前記単一の抵抗器またはそれぞれの抵抗器の前記表面領域上の異なる各位置に熱を適用すべく各シミュレーション経路に沿って一つ以上の評価パルスのセットを方向付けること、
異なるそれぞれの位置毎で電圧偏差情報を得るべく、評価レーザーパルスの各セットの後で前記単一抵抗器またはそれぞれの抵抗器を横切る電圧値を測定すること、
最小の電圧偏差を表す各抵抗器のそれぞれの表面領域上の好適位置を決定するために電圧偏差情報を用いること、および
前記レーザー出力によって引き起こされる熱電抵抗偏差を減少させるべく、前記単一の抵抗器の前記表面領域上の好適位置および／または前記セットの抵抗器のいくつかまたはそのすべての表面上の好適位置で、前記抵抗器のいくつかまたはすべてから抵抗材料を除去してそれらの初期抵抗値を公称抵抗値に変えるためにレーザー出力のトリミングパルスをトリム経路に沿って方向付けることを含む方法。
【請求項２】
評価パルスの各セットは単一レーザーパルスから成る、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記抵抗材料の前記表面領域上の異なる位置に形成される前記シミュレーション経路はほぼ同一である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記シミュレーション経路は前記単一の抵抗器の前記表面領域の部分的ラスタ走査から成る、請求項１の方法。
【請求項５】
前記評価レーザーパルスは、抵抗材料を大きく除去するに不充分なパラメータを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記トリミングレーザーパルスはトラッキングトリムプロセスに適用され、抵抗測定値は前記各トリミングレーザーパルス後に得られかつ所望の抵抗値に比較され、前記抵抗測定値が前記所望の抵抗値についての予め決められた所定の範囲の中になると、前記トリミングレーザーパルスの適用が停止される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記トリミングレーザーパルスは予測トリムプロセスに適用される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記好適な位置は前記接点間で相対的に熱平衡の位置である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
さらに、それぞれが同様な構成および規格を有する抵抗器から成る複数の行または列を各好適位置で処理することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記熱電効果は抵抗効果の温度係数を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記熱電効果はゼーベック効果またはｅｍｆ効果を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
さらに、前記抵抗器上の前記好適位置を決定した後、トリミングパルスを前記単一の抵抗器および／または任意の各抵抗器に向ける前に前記計測器から適用される電流の値を零でない所望の値に設定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
印加平衡電圧値は、前記評価パルスを前記抵抗器に向ける前に、零または基準値に設定される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記印加平衡電圧値は、前記トリミングパルスを前記単一の抵抗器および／または任意の各抵抗器に向ける前に所望の値に設定される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記評価レーザーパルスは、レーザーによって引き起こされた熱電効果が終息した後、単一の抵抗器および／またはすべてのそれぞれの抵抗器の初期抵抗値に大きな変更をもたらすに不十分なパラメータを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記電圧値は、測定されている抵抗器から離れている前記計測器のプローブの中継を通して測定される、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記各抵抗器はその特定の好適位置毎に独立的に評価される、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記セットの任意の抵抗器がトリミングを受ける前に、各抵抗器は独立して評価される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記各抵抗器は、独立して評価され、また引き続く評価の前にトリミングを受ける、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
隣接しない前記抵抗器が逐次評価される、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
それぞれの抵抗器の前記セットは、そのいくつかのまたはすべてが接続された抵抗器の１セットを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
抵抗器の初期抵抗値を公称抵抗値に変えるべく該抵抗器から抵抗材料を除去するためにレーザー出力を使用する方法であって、抵抗材料は電気接点間に位置する表面を有し基板上に支持されており、前記抵抗材料に適用されるレーザー出力は、前記抵抗器への適用直後の真のおよび／または定常状態での該抵抗器の抵抗値の正確な測定を妨げるように、前記レーザー出力が無い間に測定される真のおよび／または定常状態での抵抗値から逸脱した誤りのおよび／または一時的な抵抗値を表示させる熱電効果を前記抵抗器に引き起こし、このレーザーによって引き起こされた熱電効果に起因する抵抗値偏差を減少させるための方法が、
抵抗器に接続されるように計測器のプローブを配置すること、
前記計測器からの電流値を基準値または零値に設定すること、
前記抵抗器の前記表面上の複数の位置に逐次熱を適用すべくシミュレーション経路に沿ってレーザー低出力パルスを方向付けること、
前記多数の位置のいくつかまたはそのすべての位置毎で電圧偏差情報を得るべく、レーザーパルスのそれぞれの連続したセットの後で前記抵抗器を横切る電圧値を繰り返し測定すること、
最小の電圧偏差を表す前記抵抗器の前記表面上の好適位置を決定するために電圧偏差情報を用いること、および
前記抵抗器の前記表面上の好適位置で、または同一基板上または同一バッチからの各抵抗器の好適な位置で、該各抵抗器から抵抗材料を除去してその初期抵抗値を公称抵抗値に変えるために前記レーザー出力によって引き起こされた熱電気の抵抗偏差を減少させるべく、レーザー出力の高出力パルスをトリム経路に沿って方向付けることを含む方法。
【請求項２３】
抵抗器の初期抵抗値を公称抵抗値に変えるべく該抵抗器から抵抗材料を除去するためにレーザー出力を使用する方法であって、抵抗材料は電気接点間に位置する表面を有し基板上に支持されており、前記抵抗材料に適用されるレーザー出力は、前記抵抗器への適用直後の真のおよび／または定常状態での該抵抗器の抵抗値の正確な測定を妨げるように、前記レーザー出力が無い間に測定される真のおよび／または定常状態での抵抗値から逸脱した誤りのおよび／または一時的な抵抗値を表示させる熱電効果を前記抵抗器に引き起こし、このレーザーによって引き起こされた熱電効果に起因する抵抗値偏差を減少させるための方法が、
抵抗器に接続されるように計測器のプローブを配置すること、
前記計測器から前記抵抗への電流値を基準値または零値に設定すること、
前記抵抗器を横切って第１のプレパルス電圧値を測定すること、
レーザー出力の1つ以上のパルスを前記抵抗器の前記抵抗材料に向けること、
前記抵抗器を横切ってポストパルス電圧値を測定すること、
前記抵抗器を横切って第２のプレパルス電圧値を測定すること、
前記熱電偏差情報を求めるためにポストパルス電圧値を第１および第２のプレパルス電圧値の関数と比較すること、および
熱電偏差を補正すべく抵抗値測定を調整するために前記熱電偏差情報を用いることを含む方法。
【請求項２４】
さらに、ポストパルス電圧値を測定した後に前記計測器から適用される電流の値を零でない所望の値に設定すること、適用された電流下で前記抵抗器の抵抗値を測定すること、第２のプレパルス電圧値を測定する前に前記計測器から適用される電流の値を零または基準値にリセットすること、および調整された抵抗測定値が所望の抵抗値の予め決められた範囲中にあるか否かを決定するために、調整された抵抗測定値を所望の抵抗値と比較することを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
パルスおよび測定のサイクルは、前記計測器から前記抵抗器へ適用される電流の値を零または基準値に設定すること、前記抵抗器を横切ってプレパルス電圧値を測定すること、レーザー出力パルスを前記抵抗器の前記抵抗材料に向けること、前記抵抗器を横切ってポストパルス電圧値を測定すること、前記計測器から適用される電流の値を零でない所望の値に設定すること、適用された電流下で前記抵抗器の抵抗値を測定すること、熱電偏差情報を求めるためにポストパルス電圧値をプレパルス電圧値および先のプレパルス電圧値の関数と比較すること、熱電偏差を補正すべく抵抗値測定を調整するために前記熱電偏差情報を用いること、および調整された抵抗測定値が所望の抵抗値の予め決められた範囲中にあるか否かを決定するために調整された抵抗測定値を所望の抵抗値と比較することを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
パルスおよび測定のサイクルは、このパルスおよび測定のサイクルのために前記抵抗器を横切ってプレパルス電圧値を測定すること、レーザー出力パルスを前記抵抗器の抵抗材料に向けること、前記抵抗器を横切ってポストパルス電圧値を測定すること、前記計測器から零でない所望の値に適用された電流値を設定すること、適用された電流下で前記抵抗器の抵抗値を測定すること、前記計測器から前記抵抗器に適用された電流の値を零または基準値に設定すること、その後のパルスおよび測定のサイクルのために、前記抵抗器を横切ってプレパルス電圧値を測定すること、熱電偏差情報を求めるために、ポストパルス電圧値をプレパルス電圧の関数と比較すること、熱電偏差を補正すべく抵抗値測定を調整するために前記熱電偏差情報を用いること、および調整された抵抗測定値が所望の抵抗値の予め決められた範囲中にあるか否かを決定するために、調整された抵抗測定値を所望の抵抗値と比較することを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
さらに、調整された抵抗測定値が所望の抵抗値の所望の範囲中になくそれより小さいとき、付加のパルスおよび測定のサイクルを適用すること、および調整された抵抗測定値が所望の抵抗値の所望の範囲より大きいかあるいはその範囲中にあるとき、付加のパルスおよび測定のサイクルを妨げることを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２８】
適用された前記電流の値が零または基準値に設定されるとき、印加平衡電圧値は零または基準値に設定される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２９】
適用された前記電流の値が零でない所望の値に設定されるとき、印加平衡電圧値は零でない所望の値に設定される、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記電圧値は、前記抵抗器から離れている前記計測器のプローブの中継を通して測定される、請求項２３に記載の方法。
【請求項３１】
隣接しない前記抵抗器が逐次トリミングを受ける、請求項２３に記載の方法。
【請求項３２】
それぞれが同様の抵抗器からなる行または列中の抵抗器の初期抵抗値を公称抵抗値に変えるべく該抵抗器から抵抗材料をから除去するためにレーザー出力を用いる方法であって、前記抵抗材料が電気接点の間に位置する表面を有し基板上に支持されており、前記抵抗材料に適用されるレーザー出力は、長期の時間、近くの前記抵抗器に、該抵抗器に適用されたレーザー出力が長期の時間周期の間に真のおよび／または定常状態での近くの抵抗器の抵抗値の正確な測定を妨げるように、レーザー出力がない状態および長期の時間間隔の後に測定されたそれらの真のおよび／または定常状態で測定される抵抗値から逸脱した誤りのおよび／または一時的な抵抗値を表させる熱電効果を引き起こし、このレーザーによって引き起こされた熱電効果に起因する抵抗値偏差を減少させるための方法が、
前記抵抗器の１つ以上の行または列に接続されるように計測器のプローブを配置すること、
第１の抵抗器の初期抵抗値を公称抵抗値に変えるべく該抵抗器から抵抗材料を除去するレーザー出力を方向付けること、および
前記第１の抵抗器に適用されたレーザー出力によって引き起こされる熱電気抵抗偏差を低減すべく、前記第１の抵抗器に隣接しない第２の抵抗器から材料を除去するために前記長期の時間内で出力されたレーザー出力のパルスを方向付けることを含む方法。
【請求項３３】
前記第１および第２の抵抗器は同一行または列中にある、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
行または列中の前記抵抗器は空間的に離れている抵抗器で構成されるセットにグループ化されており、該セットは逐次トリミングを受ける、請求項３２に記載の方法。
【請求項３５】
各セットは少なくとも３個の抵抗器を含む、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記３つの抵抗器は、行または列のそれぞれの最初、中間および終わりの各部分からの抵抗器を含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
最初のセットにおける最初の抵抗器は第２のセットにおける最初の抵抗器と隣接している、請求項３２に記載の方法。
【請求項３８】
前記単一のレーザーパルス、複数のレーザーパルスまたはレーザー出力は、プランジカットプロファイル、Lカットプロファイル、蛇行カットプロファイルまたは表面除去プロファイルから成るトリム経路に沿って適用される、請求項１ないし３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記レーザーパルスはトラッキングトリムプロセスに適用され、抵抗測定値は前記各レーザーパルス後に得られかつ所望の抵抗値に比較され、前記抵抗測定値が前記所望の抵抗値についての予め決められた所定の範囲の中になると、前記レーザーパルスの適用が停止される、請求項３２に記載の方法。
【請求項４０】
前記レーザーパルスは予測トリムプロセスに適用される、請求項３２に記載の方法。
【請求項４１】
前記抵抗器はチップＲ抵抗器から成る、請求項１ないし４０に記載の方法。
【請求項４２】
前記抵抗器は、０４０２または０２０１のチップ抵抗器から成る、請求項１ないし４０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４３】
前記基板はセラミック材料から成る、請求項１ないし４０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４４】
前記抵抗材料は、酸化ルテニウムを含む厚膜抵抗材料から成る、請求項１ないし４０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４５】
前記抵抗材料は、ニッケルクロム合成物またはタンタル窒化合成物を含む、請求項１ないし４０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４６】
前記抵抗器は低オーム抵抗器から成る、請求項１ないし４０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４７】
前記抵抗器は０．１オーム以下の所望の抵抗値を有する、請求項１ないし４０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４８】
前記抵抗器は４本のリード線を含む、請求項１ないし４７に記載の方法。
【請求項４９】
前記計測器はケルビン測定法を用いる、請求項１ないし４８に記載の方法。
【請求項５０】
真の抵抗値は所望の抵抗値の０．１％以内にある、請求項１ないし４９に記載の方法。
【請求項５１】
前記レーザー出力は２００ｎｍおよび２０００ｎｍ間の波長で生成される、請求項１ないし５０に記載の方法。
【請求項５２】
前記抵抗器は前記基板に予め成形されたスクライブラインによって分離される、請求項１ないし５１に記載の方法。