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【手続補正書】
【提出日】平成19年10月17日(2007.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、本発明は、調圧弁に異常が生じた場合でも、ブレーキペダルの操作量に応じた出力液圧を出力することができる液圧ブレーキ装置を提供することを目的とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図１に示すように、本実施形態に係る液圧ブレーキ装置１は、液圧Ｐ１を発生する液圧発生源２と、液圧発生源２から出力された液圧を調圧する調圧弁３と、調圧弁３から出力される液圧（出力液圧）により各ブレーキのホイールシリンダ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄに制動力を付与するための液圧（マスターシリンダ圧）を出力するマスターシリンダ５と、ブレーキペダル６を備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
〈通常のブレーキ操作時〉
通常のブレーキ操作時は、図２に示すように、運転者によってブレーキペダル６を踏込むとその踏込み量に応じて調圧弁スプール１６の先端側（図２の左側）が、ばね１７による付勢力に抗して出力液圧室１５の奥側（図２の左側）に摺動する。この状況時では、高圧室１８から連通路１４ｅ、小径中間部１６ｄ、連通路１６ｅおよび液通路１６ｃを通して連通状態にある出力液圧室１５に液圧Ｐ１が出力される。これにより、出力液圧室１５では、入力される液圧Ｐ１がブレーキペダル６の踏込み量に応じた液圧（出力液圧）Ｐ２（Ｐ２＜Ｐ１）に調圧される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
なお、前記ブレーキ操作状態からブレーキペダル６の踏込みが解除されると、ばね１７による付勢力で調圧弁スプール１６が、出力液圧室１５のブレーキペダル６側（図２の右側）に摺動して図１に示す非ブレーキ操作時の位置に戻り、高圧室１８から出力液圧室１５への液圧Ｐ１の出力が遮断される。この状況では、出力液圧室１５は、液通路１６ｃ，連通路１６ｅ、小径中間部１６ｄ、連通路１４ｆ、低圧室２０、液通路１３ｃおよび液管９を通してリザーバ８と連通し、出力液圧室１５内および補助液圧室２６内の作動液は大気圧となっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
そこで、本実施形態では、図２に示したブレーキ操作時に調圧弁３から出力される液圧Ｐ２が所定範囲以下に低下した場合において、制御装置３７は、第１圧力センサ１２から入力される圧力情報により、アキュムレータ１１から調圧弁３の高圧室１８に所定の液圧Ｐ１が出力されていると判定するとともに、第２圧力センサ３２から入力される圧力情報により、出力液圧室１５から出力される液圧Ｐ２が低下して予め設定している所定範囲以下の低圧（以下、検出値という）であると判定し、かつブレーキ操作量検出センサ３８から入力されるブレーキ操作量情報から定まるこのときの基準出力液圧値に対して、前記検出値が所定値以上に低いと判定したときに、調圧弁３に異常が発生したと判断する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
そこで、本実施形態では、図２に示したブレーキ操作時に、制御装置３７は、第２圧力センサ３２から入力される圧力情報により、出力液圧室１５から出力される液圧の値が、ブレーキ操作量検出センサ３８から入力されるブレーキ操作量情報から定まるこのときの基準出力液圧値に対して、所定値以上に高いと判定したときに、出力液圧室１５から出力される液圧Ｐ２に対して減圧不良の異常が発生したと判断する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
制御装置３７は、調圧弁３に減圧不良の異常が発生したと判断すると、第２電磁開閉弁３６に開信号を出力する。なお、第１電磁開閉弁３４は閉状態に保持されている。制御装置３７からの開信号により、第２電磁開閉弁３６が閉状態から開状態になると、出力液圧室１５は、連通路１４ｇ、出力室２１、液通路１３ｉ、出力液管３１、第２電磁開閉弁３６を設けた第２分岐液管３５、液通路１３ｌ、低圧室２０、液通路１３ｃおよび液管９を通してリザーバ８と連通状態となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
そして、制御装置３７は、第２圧力センサ３２から入力される圧力情報に基づいて、ブレーキ操作量検出センサ３８から入力されるブレーキ操作量情報から定まるこのときの基準出力液圧値の液圧が補助液圧室２６に出力されるように、第２電磁開閉弁３６の開閉を制御する。これにより、出力液圧室１５から出力液管３１に出力される液圧の一部が、第２電磁開閉弁３６を設けた第２分岐液管３５側を通してリザーバ８に開放され、調圧弁３での減圧不良が解消される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月12日(2006.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の端子を備える電子部品が、該複数の端子にそれぞれ対向する複数の導電部領域を形成した基板上に搭載されると共に、該電子部品と該基板との間にアンダーフィルが充填される基板の電子部品実装構造において、
各前記導電部領域が、前記アンダーフィルの所定方向からの充填時における該アンダーフィルの流動を円滑にする形状を有することを特徴とする基板の電子部品実装構造。
【請求項２】
前記アンダーフィルの流動を円滑にする各前記導電部領域の形状が、涙滴形、楕円形、ひし形およびその近似形のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の基板の電子部品実装構造。
【請求項３】
各前記端子と、これに対応する各前記導電部領域との間をハンダを介して接続するとき、各該導電部領域はハンダ付け部分をなすランドであって、各該ランドを前記アンダーフィルの所定方向からの流動を円滑にする形状とすることを特徴とする請求項１に記載の基板の電子部品実装構造。
【請求項４】
各前記端子と、これに対応する各前記導電部領域との間をハンダを介して接続するとき、各該導電部領域は、相互にハンダレジストで絶縁された円形の導電体残り部分と、該導電体残り部分上のハンダレジスト非形成部分とからなるランドであって、該ハンダレジスト非形成部分を前記アンダーフィルの所定方向からの流動を円滑にする形状とすることを特徴とする請求項１に記載の基板の電子部品実装構造。
【請求項５】
複数の端子を備える電子部品が、該複数の端子にそれぞれ対向する複数の導電部領域を形成した基板上に搭載されると共に、該電子部品と該基板との間にアンダーフィルが充填される基板の電子部品実装構造において、
各前記端子と、これに対応する各前記導電部領域との間をハンダを介して接続するとき、各前記導電部領域はハンダ付け部分をなすランドを形成すると共に、各該ランドの並びに沿って相互に平行であってかつ、前記アンダーフィルの所定方向からの充填時における該アンダーフィルの流動に方向性をもたせるようにストライプ状に伸びる複数のハンダレジストを形成することを特徴とする基板の電子部品実装構造。
【請求項６】
前記ストライプ状に伸びる複数のハンダレジストに対して交差する同様の構成のさらなる複数のハンダレジストを、全体として格子模様をなすように、形成することを特徴とする請求項５に記載の基板の電子部品実装構造。
【請求項７】
複数の端子を備える電子部品が、該複数の端子にそれぞれ対向する複数の導電部領域を形成した基板上に搭載されると共に、該電子部品と該基板との間にアンダーフィルが充填される基板の電子部品実装方法において、
各前記導電部領域を、前記アンダーフィルの所定方向からの流動を円滑にする形状に形成することを特徴とする基板の電子部品実装方法。
【請求項８】
複数の端子を備える電子部品が、該複数の端子にそれぞれ対向する複数の導電部領域を形成した基板上に搭載されると共に、該電子部品と該基板との間にアンダーフィルが充填される基板の電子部品実装方法において、
各々が前記アンダーフィルの所定方向からの流動を円滑にする形状に形成された前記導電部領域に対し、該アンダーフィルを該所定方向から充填することを特徴とする基板の電子部品実装方法。
【請求項９】
複数の端子を備える電子部品が、該複数の端子にそれぞれ対向する複数の導電部領域を形成した基板上に搭載されると共に、該電子部品と該基板との間にアンダーフィルが充填される基板の電子部品実装方法において、
ストライプ状に伸びる複数のハンダレジストを、各前記導電部領域の並びに沿ってかつ、前記アンダーフィルの所定方向からの流動に方向性をもたせるように形成することを特徴とする基板の電子部品実装方法。
【請求項１０】
複数の端子を備える電子部品が、該複数の端子にそれぞれ対向する複数の導電部領域を形成した基板上に搭載されると共に、該電子部品と該基板との間にアンダーフィルが充填される基板の電子部品実装方法において、
各前記導電部領域の並びに沿ってストライプ状に伸びかつ、前記アンダーフィルの所定方向からの流動に方向性をもたせるように形成された複数のハンダレジストに対し、該アンダーフィルを該ストライプが伸びる方向に充填することを特徴とする基板の電子部品実装方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
以上の実施例１〜実施例４を通して前述した、（Ａ）銅残り部分２１と（Ｂ）ハンダレジスト（１１，２４，３１／またはハンダレジスト非形成部分２２）との可能な組み合せをまとめると次のとおりである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
（Ａ）                    （Ｂ）
No.１：  Ｔｅａｒ−Ｄｒｏｐ形      レジストなし                （図３）
No.２：  円形                      Ｔｅａｒ−Ｄｒｏｐ形（２２）（図４）
No.３：  Ｔｅａｒ−Ｄｒｏｐ形      Ｔｅａｒ−Ｄｒｏｐ形
No.４：  Ｔｅａｒ−Ｄｒｏｐ形      円形
No.５：  Ｔｅａｒ−Ｄｒｏｐ形      楕円形
No.６：  円形                      楕円形
No.７：  円形                      ひし形
No.８：  円形                      ストライプ                  （図５）
No.９：  Ｔｅａｒ−Ｄｒｏｐ形      ストライプ
No.１０：円形                      格子模様                    （図６）
No.１１：Ｔｅａｒ−Ｄｒｏｐ形      格子模様
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンが形成された半導体基材の上に被加工膜を形成する工程と、
前記被加工膜の上に化学増幅型のレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンに真空紫外光を照射する工程と、
前記真空紫外光を照射した後のレジストパターンをマスクとして前記被加工膜をドライエッチングし前記被加工膜のパターンを形成する工程とを有するパターン形成方法であって、
前記真空紫外光を照射する工程は、真空紫外光の照射による前記レジストパターンのシュリンクによって前記レジストパターンと前記配線パターンとの重なりマージンが小さくなる部分に遮光部を有するマスクを介して選択的に真空紫外光を照射する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記真空紫外光の照度は１０ｍＷ／ｃｍ２以上である請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記真空紫外光の照度は６５ｍＷ／ｃｍ２以上である請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記レジストパターンを形成する工程は、前記被加工膜の上に、アルカリ水溶液に可溶な脂肪族系ベースポリマーの少なくとも一部の官能基に酸不安定基が導入されたアルカリ不溶性ポリマーと、酸発生剤とを含む化学増幅型のレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の所定領域に露光光を照射することによって、露光部で前記酸発生剤から酸を発生させる工程と、
前記レジスト膜に加熱処理を行うことによって、前記露光部における前記アルカリ不溶性ポリマーの前記酸不安定基を前記酸の作用により脱離させてアルカリ可溶性ポリマーにする工程と、
前記レジスト膜に現像処理を行うことによって、前記レジスト膜の未露光部からなるレジストパターンを形成する工程とを有する請求項１〜３のいずれか１に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記レジストパターンを形成する工程は、被加工基膜の上に反射防止膜を形成する工程と、
前記反射防止膜の上に、アルカリ水溶液に可溶な脂肪族系ベースポリマーの少なくとも一部の官能基に酸不安定基が導入されたアルカリ不溶性ポリマーと、酸発生剤とを含む化学増幅型のレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の所定領域に露光光を照射することによって、露光部で前記酸発生剤から酸を発生させる工程と、
前記レジスト膜に加熱処理を行うことによって、前記露光部における前記アルカリ不溶性ポリマーの前記酸不安定基を前記酸の作用により脱離させてアルカリ可溶性ポリマーにする工程と、
前記レジスト膜に現像処理を行うことによって、前記レジスト膜の未露光部からなるレジストパターンを形成する工程とを有する請求項１〜３のいずれか１に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記脂肪族系ベースポリマーはアクリル酸系ポリマーである請求項４または５に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
被加工基板上に形成された化学増幅型のレジストパターンに選択的に真空紫外光を照射するために用いるマスクであって、
前記レジストパターンの線幅方向および該線幅に対して垂直方向に、該線幅の０．５倍以上１．０倍以下の寸法の露光マージンを有する開口部を備え、
前記真空紫外光の照射による前記レジストパターンのシュリンクによって、前記レジストパターンと前記被加工基板の所定領域との重なりマージンが小さくなる部分に遮光部が設けられていることを特徴とするマスク。
【請求項８】
化学増幅型のレジスト膜の所定領域に真空紫外光を照射する露光装置であって、
前記真空紫外光を１０ｍＷ／ｃｍ２以上の照度で前記レジスト膜に照射可能な光源と、
前記レジスト膜が形成された基板を載置するステージと、
前記ステージに近接して設けられ、前記真空紫外光を前記レジスト膜に結像する等倍結像光学系とを有することを特徴とする露光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月11日(2006.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの露光光により原版を照明する照明光学系と、前記照明光学系により照明された前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系とを有する露光装置において、
前記投影光学系の光学素子を加熱する輻射部材と、
前記輻射部材を用いて前記光学素子の温度を制御する制御手段と、
前記投影光学系の収差又は光軸を計測する計測手段とを有し、
前記制御手段は、前記光学素子が前記露光光により露光されていないときに、露光時の定常状態の温度と同じ温度になるように前記光学素子の温度を制御し、前記計測手段は該制御された前記光学素子を含む前記投影光学系の収差又は光軸を計測することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
投影光学系の光学素子を駆動する駆動手段と、
前記光学素子の位置を計測する位置計測手段と、
前記投影光学系の収差又は光軸を計測する計測手段の計測結果に基づいて前記光学素子の駆動量を算出する駆動量算出手段とを有し、
前記駆動量算出手段により算出された駆動量及び前記位置計測手段の情報に応じて、前記駆動手段が前記光学素子を駆動して、前記投影光学系の収差又は光軸を調整することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
光源からの露光光により照明される原版のパターンを、基板に投影する投影光学系の収差又は光軸を計測する計測方法において、
輻射部材が前記投影光学系の光学素子を加熱するステップと、
前記輻射部材を用いて前記光学素子の温度を制御する制御ステップと、
前記投影光学系の収差又は光軸を計測する計測ステップとを備え、
前記制御ステップにおいて、前記光学素子が前記露光光により露光されていないときに、露光時の定常状態の温度と同じ温度になるように前記光学素子の温度を制御し、
前記計測ステップにおいて、該制御された前記光学素子を含む前記投影光学系の収差又は光軸を計測することを特徴とする計測方法。
【請求項４】
投影光学系の収差又は光軸を調整する調整方法において、
前記投影光学系の光学素子の位置を計測する位置計測ステップと、
請求項３に記載の計測方法による計測結果に基づいて、前記光学素子の駆動量を算出する算出ステップと、
前記算出ステップにおいて算出された前記駆動量及び前記位置計測ステップにおける計測結果に基づいて前記光学素子を駆動し、前記投影光学系の収差又は光軸を調整するステップとを備えることを特徴とする調整方法。
【請求項５】
原版のパターンを基板に投影する露光方法において、
光源からの露光光により原版を照明する照明ステップと、
請求項４に記載の調整方法によって調整された投影光学系を用いて、前記原版のパターンを前記基板に投影するステップとを備えることを特徴とする露光方法。
【請求項６】
請求項５に記載の露光方法を用いて基板を露光する露光ステップと、
前記露光ステップにおいて露光された基板を現像するステップとを備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記の課題を解決するため、本発明に係る第１の露光装置は、光源からの露光光により原版を照明する照明光学系と、前記照明光学系により照明された前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系とを有する露光装置において、前記投影光学系の光学素子を加熱する輻射部材と、前記輻射部材を用いて前記光学素子の温度を制御する制御手段と、前記投影光学系の収差又は光軸を計測する計測手段とを有し、前記制御手段は、前記光学素子が前記露光光により露光されていないときに、露光時の定常状態の温度と同じ温度になるように前記光学素子の温度を制御し、前記計測手段は該制御された前記光学素子を含む前記投影光学系の収差又は光軸を計測することを特徴とする。ここで、光学素子は、反射ミラーやレンズ等である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に係る第２の露光装置は、前記第１の露光装置において、投影光学系の光学素子を駆動する駆動手段と、前記光学素子の位置を計測する位置計測手段と、前記投影光学系の収差又は光軸を計測する計測手段の計測結果に基づいて前記光学素子の駆動量を算出する駆動量算出手段とを有し、前記駆動量算出手段により算出された駆動量及び前記位置計測手段の情報に応じて、前記駆動手段が前記光学素子を駆動して、前記投影光学系の収差又は光軸を調整することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明に係る計測方法は、光源からの露光光により照明される原版のパターンを、基板に投影する投影光学系の収差又は光軸を計測する計測方法において、輻射部材が前記投影光学系の光学素子を加熱するステップと、前記輻射部材を用いて前記光学素子の温度を制御する制御ステップと、前記投影光学系の収差又は光軸を計測する計測ステップとを備え、前記制御ステップにおいて、前記光学素子が前記露光光により露光されていないときに、露光時の定常状態の温度と同じ温度になるように前記光学素子の温度を制御し、前記計測ステップにおいて、該制御された前記光学素子を含む前記投影光学系の収差又は光軸を計測することを特徴とする。
本発明に係る調整方法は、投影光学系の収差又は光軸を調整する調整方法において、前記投影光学系の光学素子の位置を計測する位置計測ステップと、上記の計測方法による計測結果に基づいて、前記光学素子の駆動量を算出する算出ステップと、前記算出ステップにおいて算出された前記駆動量及び前記位置計測ステップにおける計測結果に基づいて前記光学素子を駆動し、前記投影光学系の収差又は光軸を調整するステップとを備えることを特徴とする。
本発明に係る露光方法は、原版のパターンを基板に投影する露光方法において、光源からの露光光により原版を照明する照明ステップと、上記の調整方法によって調整された投影光学系を用いて、前記原版のパターンを前記基板に投影するステップとを備えることを特徴とする。
本発明に係るデバイス製造方法は、上記の露光方法を用いて基板を露光する露光ステップと、前記露光ステップにおいて露光された基板を現像するステップとを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月1日(2006.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素ガス、水およびアンモニアのうちから選ばれた少なくとも一種類のガスを含む処理ガスのプラズマを用いて基板の被処理面を処理するプラズマ処理方法であって、前記基板は前記被処理面の背面を前記処理ガスの上流方向に向けてチャンバ内で処理されることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
前記基板は、前記チャンバ内に設けられた基板保持手段にて、前記被処理面を前記基板保持手段側に向けて保持され、前記プラズマ処理が行われることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
前記基板は、少なくとも一部が窒素または炭素を含む物質を構成成分とする材料からなることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】
前記基板は、少なくとも一部が元素の周期表におけるIVＡ族元素またはVIII族元素を含む物質を構成成分とする材料からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
【請求項５】
前記基板は、少なくとも一部が金属酸化物を構成成分とする材料からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
前記チャンバは、前記被処理基板を所定の温度に加熱するために前記チャンバ中に備えられた基板加熱機構と、前記チャンバに電界を導入するために備えられ前記チャンバの気密構造をなす壁の少なくとも一部を構成する誘電体窓とを備えていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】
前記誘電体窓は、基板保持手段と平行に設けられていることを特徴とする請求項６に記載のプラズマ処理方法。
【請求項８】
前記誘電体窓を介してマイクロ波を導入することにより前記誘電体窓の表面に表面波電界を発生させ、該電界で前記処理ガスを電離させて得られる１×１０１１ｃｍ−３以上の密度のプラズマによって処理を行うことを特徴とする請求項６または７に記載のプラズマ処理方法。
【請求項９】
前記誘電体窓と基板保持手段との距離が２０ｍｍ以上２００ｍｍ以下であることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
【請求項１０】
前記誘電体窓は、熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする請求項６〜９のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
【請求項１１】
前記処理は、基板保持手段の温度が４００℃以下の状態で行うことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
【請求項１２】
前記処理は、圧力が１３Ｐａ以上６６５Ｐａ以下の状態で行うことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
【請求項１３】
前記処理は、処理圧力よりも高い圧力でプラズマを着火し、その後所定の処理圧力へ移行することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
【請求項１４】
前記処理を行うに当たって少なくともプラズマ着火時に希ガスが添加されることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。
【請求項１５】
基板の被処理面の背面を処理ガスの上流方向に向けて保持する基板保持手段を有し、請求項１〜１４のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法を用いて該被処理基板の処理を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
［実施態様１１］前記誘電体窓を介してマイクロ波を導入することにより前記誘電体窓の表面に表面波電界を発生させ、該電界で前記処理ガスを電離させて得られる１×１０１１ｃｍ−３以上の密度のプラズマによって処理を行うことを特徴とする実施態様９または１０に記載のプラズマ処理方法または装置。
［実施態様１２］ 前記誘電体窓と基板保持手段との距離が２０ｍｍ以上２００ｍｍ以下であることを特徴とする実施態様９〜１１のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法または装置。
［実施態様１３］ 前記誘電体窓は、熱伝導率が７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする実施態様９〜１２のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法または装置。
［実施態様１４］ 前記誘電体窓へのマイクロ波の導入が、少なくとも１本以上のスロットを有するアンテナを介して行われることを特徴とする実施態様９〜１３のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法または装置。
［実施態様１５］ 前記処理は、基板保持手段の温度が４００℃以下の状態で行うことを特徴とする実施態様１〜１４のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法または装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月11日(2006.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と第２の主面とを有する窒化物半導体基板において、
前記窒化物半導体基板の第１の主面には、ｎ型不純物を含有している第１の領域と、前記第１の領域とは異なるｎ型不純物を含有している第２の領域とを有することを特徴とする窒化物半導体基板。
【請求項２】
前記第１の領域と第２の領域とは、交互にストライプ形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体基板。
【請求項３】
前記第１の領域に含有されているｎ型不純物は、酸素であることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体基板。
【請求項４】
前記第２の領域に含有されているｎ型不純物は、ケイ素であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の窒化物半導体基板。
【請求項５】
第１の主面と第２の主面とを有する窒化物半導体基板と、前記窒化物半導体基板の第１の主面上に積層された窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層にストライプ状のリッジ導波路とを備えた窒化物半導体レーザ素子において、
前記窒化物半導体基板の第１の主面には、ｎ型不純物を含有している第１の領域と、前記第１の領域とは異なるｎ型不純物を含有している第２の領域とを有し、少なくとも前記第１の領域又は第２の領域の上部に光導波路を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記第１の領域と第２の領域とは、交互にストライプ形成されていることを特徴とする請求項５に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記第１の領域に含有されているｎ型不純物は、酸素であることを特徴とする請求項５又は６に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記第２の領域に含有されているｎ型不純物は、ケイ素であることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記光導波路は、前記第１の領域及び第２の領域の上部にあることを特徴とする請求項５に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１０】
第１の主面と第２の主面とを有する窒化物半導体基板と、前記窒化物半導体基板の第１の主面上に積層された窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層にストライプ状のリッジ導波路とを備えた窒化物半導体レーザ素子において、
前記窒化物半導体基板の第１の主面には凹凸部を有し、該凹部を埋め込み層で被覆しており、前記凹部領域の埋め込み層と凸部領域とは異なるｎ型不純物を含有しており、且つ前記凹部領域又は凸部領域の上部に光導波路を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１１】
前記凹部領域の埋め込み層は凸部領域よりもｎ型不純物の濃度が高いことを特徴とする請求項１０に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１２】
前記凹部領域である埋め込み層と凸部領域とは、交互にストライプ形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１３】
前記凸部領域に含有されているｎ型不純物は、酸素であることを特徴とする請求項１０に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１４】
前記凹部領域である埋め込み層のストライプ幅は、１〜１００μｍであることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１５】
前記凹部領域である埋め込み層の深さは、０．２μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１６】
前記凹部領域である埋め込み層に含有されているｎ型不純物は、ケイ素であることを特徴とする請求項１０乃至１５のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１７】
前記光導波路は、前記第１の領域及び第２の領域の上部にあることを特徴とする請求項１０に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１８】
前記窒化物半導体基板における第２の主面には電極を有することを特徴とする請求項５又は１０に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１９】
第１の主面と第２の主面とを有する窒化物半導体基板と、前記窒化物半導体基板の第１の主面上に積層された窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層にストライプ状のリッジ導波路とを備えた窒化物半導体レーザ素子において、
前記窒化物半導体基板の第１の主面には、光吸収作用を有する第１の領域と、前記第１の領域よりも転位が少ない第２の領域とを有し、少なくとも前記第１の領域又は第２の領域の上部に光導波路を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２０】
第１の主面と第２の主面とを有する窒化物半導体基板と、前記窒化物半導体基板の第１の主面上に積層された窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層にストライプ状のリッジ導波路とを備えた窒化物半導体レーザ素子の製造方法において、
前記窒化物半導体基板にはｎ型不純物を含有するものを準備し、該窒化物半導体基板の第１の主面に凹凸部を形成する工程と、
前記窒化物半導体基板に含有されているｎ型不純物とは異なるｎ型不純物を含有する埋め込み層で前記凹部を被覆する工程と、
前記凹部領域又は凸部領域の上部に前記リッジ導波路を形成する工程と、を備えていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】窒化物半導体基板および窒化物半導体レーザ素子と、その製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月8日(2006.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を有する半導体装置であって、前記発光素子は少なくとも表面に反射率が１５％以上の部材を有するセラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板に搭載され、前記焼結体は（ａ）平均表面粗さが２０００ｎｍ以下、（ｂ）相対密度が９５％以上、（ｃ）空孔の大きさが平均１μｍ以下、あるいは（ｄ）平均粒子径が０．５μｍ以上、の少なくともいずれかであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記基板は、発光素子が１又は２以上搭載されることを特徴とする請求項１に記載された半導体装置。
【請求項３】
前記基板は、発光素子が２以上搭載され、前記発光素子は波長の異なるものがそれぞれ少なくとも１以上搭載されることを特徴とする請求項１に記載された半導体装置。
【請求項４】
前記反射率が１５％以上の部材は、金属、合金、元素単体、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、及び金属珪素化物から選ばれた少なくともいずれかを主成分とするものであることを特徴とする請求項１記載された半導体装置。
【請求項５】
前記基板は、金属、合金、ガラス、樹脂及びセラミック材料を主成分とする焼結体から選ばれた少なくともいずれかを主成分とする枠体を有するものであることを特徴とする請求項１記載された半導体装置。
【請求項６】
前記枠体は、少なくとも表面に反射率が１５％以上の部材を有するセラミック材料を主成分とする焼結体であることを特徴とする請求項５記載された半導体装置。
【請求項７】
前記基板は、サーマルビアを有するものであることを特徴とする請求項１記載された半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月31日(2007.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路内にインダクタを形成するための方法であって、
メタライゼーション層に導電線を形成する工程と、
導電線に重ねて第１の誘電体層を形成する工程と、
第１の誘電体層に導電性構造を形成する工程と、
導電性構造のうちの１つおよび導電線の端子端部の上に被さり、かつ電気的に連絡している導電性パッドを形成する工程と、
第１の誘電体層および導電性パッドの上に被さる第２の誘電体層を形成する工程と、
第２の誘電体層にトレンチを形成する工程と、
トレンチ内に導電性のランナを形成する工程とを含み、導電性ランナが導電性構造を通じて導電線と導電連絡しており、導電線と導電性ランナが誘導効果を作り出すように協働する方法。
【請求項２】
導電線を形成する工程がさらに、
アルミニウムからなる導電層を形成する工程と、
銅からなる導電線を形成するように導電層の複数領域を除去する工程とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
誘電体層にトレンチを形成する工程がさらに、導電線と垂直方向に位置合わせしてトレンチを形成する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第２の誘電体層内で導電性パッドへと延びる開口部を形成する工程と、
開口部に導電性構造を形成する工程とをさらに含み、導電性構造がインダクタの端子を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
導電性構造を形成する工程がさらに、ハンダ・バンプを形成する工程を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
内部にインダクタを含む集積回路であって、
基板と、
基板の上に被さる複数の材料層と、
第１のメタライゼーション層内に配置された導電線と、
第１のメタライゼーション層の上の第２のメタライゼーション層内に配置され、導電線に実質的に垂直方向に位置合わせされ、かつ導電線と物理的に接触する導電性のランナとを含み、導電線と導電性ランナが誘導効果を作り出すように協働する集積回路。
【請求項７】
導電線の材料がアルミニウムからなり、導電性ランナの材料が銅からなる、請求項１９に記載の集積回路。
【請求項８】
基板が上面を有し、その上面と平行な平面内で導電線および導電性ランナが渦巻き形状を有する、請求項６に記載の集積回路。
【請求項９】
第１のメタライゼーション層の上に被さる誘電体層をさらに含み、導電性ランナが誘電体層内に形成される、請求項６に記載の集積回路。
【請求項１０】
誘電体層が少なくとも１つの開口部を中に規定し、開口部が導電線の端子端部領域へと延び、集積回路が開口部内に配置されてかつ端子端部領域と電気的に接触している導電性構造をさらに含む、請求項９に記載の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月14日(2007.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化ケイ素、炭窒化ケイ素及び絶縁体を含む半導体基板から、少なくとも一つのコーティング層を除去するための研磨方法であって、
炭窒化ケイ素の除去速度を抑制する非イオン性界面活性剤を含む水性組成物であり、非イオン性界面活性剤が、親水基と、３より大きい炭素鎖長を有する疎水基とを有し、アルカノアミド、アルキルポリエチレンオキシド、アルキルフェノールポリエチレンオキシド、およびそれらの混合物からなる群より選ばれ、かつウェーハに対して垂直方向に計測して１３．８kPaの微細多孔性ポリウレタンの研磨パッド圧力で測定したとき、炭窒化ケイ素の除去速度を、窒化ケイ素の除去速度の減少よりも少なくとも１００オングストローム／分だけ大きく抑制するものである、水性組成物で研磨して、窒化ケイ素を除去し、炭窒化ケイ素層上で停止させる工程を含む、方法。
【請求項２】
非イオン性界面活性剤が、アルカノアミド、アルキルポリエチレンオキシド、アルキルフェノールポリエチレンオキシド、ポリオキシエチレン化アルキルアミンオキシド、ポリオキシエチレン化ポリオキシプロピレングリコール、アルキルポリグルコシド、カルボン酸アルキルエステル、ポリオキシエチレン化メルカプタン、アルキルジグリセリド、ポリオキシエチレン化アルカノールアミン、ポリアルコキシル化アミド、第三級アセチレン性グリコール、およびそれらの混合物からなる群より選ばれる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
水性組成物が、砥粒０〜３０重量％、非鉄金属用インヒビター０〜１５重量％、酸化剤０〜２５重量％、ホルムアミジン、ホルムアミジン塩、ホルムアミジン誘導体、グアニジン誘導体、グアニジン塩、およびそれらの混合物からなる群より選ばれるタンタル除去剤０〜１０重量％、ならびに非イオン性界面活性剤０．００１〜５重量％を含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
非イオン性界面活性剤が、ジエタノールアミン、モノエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、モノイソプロパノールアミン、エタノイソプロパノールアミン、およびそれらの混合物からなる群より選ばれるアルカノールアミンであって、疎水基が、少なくとも６個の炭素原子の炭素鎖長を有する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
タンタル除去剤が、塩酸グアニジン、硫酸グアニジン、塩酸アミノグアニジン、酢酸グアニジン、炭酸グアニジン、硝酸グアニジン、ホルムアミジン、ホルムアミジンスルフィン酸、およびそれらの混合物からなる群から選ばれ、タンタル除去剤が、０．２〜６重量％であり、水性組成物がｐＨ７〜１０を有する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
炭素ドーピング酸化物層上で研磨を停止させる、請求項１記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
場合により、組成物は、タンタル含有材料の除去速度をさらに上昇させるか、または、炭窒化ケイ素に対する窒化タンタルの選択比を強化する、０〜１０重量％のタンタル除去剤を含む。溶液は、タンタルバリア材料を選択的に除去することを、ホルムアミジン、ホルムアミジン塩、ホルムアミジン誘導体、たとえばグアニジン、グアニジン誘導体、グアニジン塩、およびそれらの混合物からなる群より選ばれるタンタルバリア除去剤に依拠する。特に有効なグアニジン誘導体および塩は、塩酸グアニジン、硫酸グアニジン、塩酸アミノグアニジン、酢酸グアニジン、炭酸グアニジン、硝酸グアニジン、ホルムアミジン、ホルムアミジンスルフィン酸、およびそれらの混合物を包含する。タンタルおよび窒化タンタルを場合により除去するには、組成物は、最も有利には、０．２〜６重量％のタンタル除去剤を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月29日(2007.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、前記半導体素子に電気的に接続される第１の接続端子とが形成された第１の基板と、
側面から表面及び裏面に延在するように第２の接続端子が形成された第２の基板と、
第３の接続端子が形成された第３の基板とを有し、
前記半導体素子と前記第２の基板が第１の接着部材で接着され、前記第１の接着部材によって前記第１の接続端子と前記第２の接続端子が電気的に接続され、
前記第２の基板は第２の接着部材で接着され、前記第２の接着部材によって前記第２の接続端子と前記第３の接続端子が電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の接着部材は、異方性導電接着剤または異方性導電膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２の接着部材は、導電性ペーストであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記第２の接着部材は、異方性導電接着剤または異方性導電膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の基板は、フィルム状の基板、又はシート状の基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の基板は、絶縁性を有する基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の基板は、ガラス基板、プラスチック基板、又は有機樹脂で形成される基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記半導体素子は、薄膜トランジスタ、又はダイオードを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記半導体装置は、光センサ、光電変換装置、又は太陽電池であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月23日(2007.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ１０００ミクロンより小さい無機電気絶縁コーティングを提供する金属基盤と、
金属溶滴接続と互換性がある組成の端末である、回線中に発光素子を配置するための端末および伝導経路を提供し、焼き付けによって前記の無機電気絶縁コーティングに接着され、内部に無機誘電体及び金属を有する多数の回線トレースと、
金属溶滴で前記の端末に接着されたリードをもち、所定の領域の平坦なセクションを有する熱伝導性ベースを提供する多数の発光素子と、
焼き付けによって無機絶縁コーティングに接着され、内部に無機誘電体及び金属を有する、半田接着可能な熱導体と、から成り、
前記の熱導体が、前記回線トレースから間隔をあけ且つ電気的に絶縁され、少なくともいくつかの前記発光素子の前記ベースの平坦なセクションは、熱導体と密な熱交換関係にあることにより前記の基板と伝導性熱伝導関係にあることを特徴とする、
発光アセンブリ。
【請求項２】
前記の金属基板が、本質的にアルミニウム、アルミ合金、マグネシウム、マグネシウム合金のグループより選別され、かつ、前記の電気絶縁コーティングが陽極層であることを特徴とする、請求項１に記載の発光アセンブリ。
【請求項３】
前記の無機電気絶縁コーティングが、硬化された厚フィルムコーティングであることを特徴とする、請求項１に記載の発光アセンブリ。
【請求項４】
前記の無機電気絶縁コーティングが、琺瑯であることを特徴とする、請求項１に記載の発光アセンブリ。
【請求項５】
前記の無機電気絶縁コーティングが、プラズマ適用のコーティングであることを特徴とする、請求項１に記載の発光アセンブリ。
【請求項６】
前記の熱導体が、前記の基板から離れた前記の発光素子からの光を反射する光沢のある金属パッチを提供し、それにより前記のアセンブリの反射性を上げ、そのアセンブリからの発光量を増やすことを特徴とする、請求項１に記載の発光アセンブリ。
【請求項７】
前記の発光素子が平坦な金属の下方表面を含み、その平坦な金属の下方表面が前記の熱電体と密な熱接触関係にあることを特徴とする、請求項１に記載の発光アセンブリ。
【請求項８】
前記の回線トレースと前記の熱導体が、同種の材質であることを特徴とする、請求項１に記載の発光アセンブリ。
【請求項９】
前記の回線トレースと前記の熱導体がシルバーから成ることを特徴とする、請求項８に記載の発光アセンブリ。
【請求項１０】
前記の熱導体の面をクリア仕上げし、それにより前記のシルバーの変色を低下させることを特徴とする、請求項９に記載の発光アセンブリ。
【請求項１１】
前記の回線トレースと前記の熱導体がシルバーとガラスの混合物であることを特徴とする、請求項９に記載の発光アセンブリ。
【請求項１２】
前記の回線トレースが、薄フィルムトレースであることを特徴とする、請求項１に記載の発光アセンブリ。
【請求項１３】
前記の回線トレースが、厚フィルムトレースであることを特徴とする、請求項１に記載の発光アセンブリ。
【請求項１４】
前記の金属溶滴が、半田接続であることを特徴とする、請求項１に記載の発光アセンブリ。
【請求項１５】
前記の金属溶滴が、ワイヤ接着された接続であることを特徴とする、請求項１に記載の発光アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月12日(2006.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルが載置された第１ステージと基板が載置された第２ステージとを相対的に駆動させながらレチクルに形成されたパターンを投影光学系を介して基板上に露光する投影露光装置の前記投影光学系の光学特性の計測方法であって、
前記第１と第２ステージを相対的に駆動させながら前記レチクルあるいは基準プレート上のテストパターンを投影光学系を介し基板面上に結像させ、結像させた該パターン像の位置ずれ量に基づき、前記投影光学系の光学特性を測定すると共に、前記テストパターンからの光が通過する前記投影光学系の瞳領域は、特定のゼルニケ項の係数が前記位置ずれ量から１：１の関係で求められる形状であることを特徴とする光学特性の計測方法。
【請求項２】
前記テストパターンを露光装置のスキャン方向に複数セット配置させることにより、該露光装置のスキャン方向のフォーカス変化を計測することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記テストパターンを露光装置のスキャン方向および前記投影光学系の像面方向に複数セット配置させることにより、該露光装置のスキャン方向のチルト変化を計測することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記投影光学系の瞳領域は、前記投影光学系の瞳位置と共役な照明系位置に配置した絞りにより形成することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記投影光学系の瞳領域は、前記テストパターンに対向する面に配置した開口により形成することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
被検光学系の光学性能を測定するための計測装置であって、
所定方向に並んだ複数のテストパターンと、各テストパターンに対応して設けられた複数の開口を有するテストレチクルを照明する照明光学系と、
照明光に対して前記テストレチクルを前記所定方向にスキャンする駆動部と、
各テストパターン及びそれに対応する開口を経た光を前記被検光学系に導光して前記被検光学系が結像したテストパターンの空中像又は感光基板上における転写像の位置を、前記スキャンの範囲に亘って測定する測定部とを有することを特徴とする計測装置。
【請求項７】
被検光学系の光学性能を測定するための計測方法であって、
所定方向に並んだ複数のテストパターンと、各テストパターンに対応して設けられた複数の開口を有するテストレチクルを照明するステップと、
照明光に対して該テストレチクルを前記所定方向にスキャンするステップと、
各テストパターン及びそれに対応する開口を経た光を前記被検光学系に導光して前記被検光学系が結像したテストパターンの空中像又は感光基板上における転写像の位置の情報を、前記スキャンの範囲に亘って取得するステップと、
前記情報から前記被検光学系の光学性能を算出するステップとを有することを特徴とする計測方法。
【請求項８】
請求項７記載の測定方法を利用して算出された前記被検光学系としての投影光学系の光学性能に基づいて前記投影光学系を調節するステップと、
前記調節された前記投影光学系を使用して被露光体を露光するステップとを有することを特徴とする露光方法。
【請求項９】
光束を用いてレチクルに形成されたパターンを被露光体にステップアンドスキャン方式で露光する露光装置であって、
前記パターンを前記被露光体に投影する投影光学系と、
前記投影光学系の光学性能を計測する請求項６記載の計測装置とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
請求項９記載の露光装置を利用して被露光体を露光するステップと、
前記露光された前記被露光体を現像するステップとを有するデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一側面としての計測方法は、レチクルが載置された第１ステージと基板が載置された第２ステージとを相対的に駆動させながらレチクルに形成されたパターンを投影光学系を介して基板上に露光する投影露光装置の前記投影光学系の光学特性の計測方法であって、前記第１と第２ステージを相対的に駆動させながら前記レチクルあるいは基準プレート上のテストパターンを投影光学系を介し基板面上に結像させ、結像させた該パターン像の位置ずれ量に基づき、前記投影光学系の光学特性を測定すると共に、前記テストパターンからの光が通過する前記投影光学系の瞳領域は、特定のゼルニケ項の係数が前記位置ずれ量から１：１の関係で求められる形状であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記テストパターンを露光装置のスキャン方向に複数セット配置させることにより、該露光装置のスキャン方向のフォーカス変化を計測してもよい。前記テストパターンを露光装置のスキャン方向および前記投影光学系の像面方向に複数セット配置させることにより、該露光装置のスキャン方向のチルト変化を計測してもよい。前記投影光学系の瞳領域は、前記投影光学系の瞳位置と共役な照明系位置に配置した絞りにより形成してもよい。前記投影光学系の瞳領域は、前記テストパターンに対向する面に配置した開口により形成してもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の別の側面としての計測装置は、被検光学系の光学性能を測定するための計測装置であって、所定方向に並んだ複数のテストパターンと、各テストパターンに対応して設けられた複数の開口を有するテストレチクルを照明する照明光学系と、照明光に対して前記テストレチクルを前記所定方向にスキャンする駆動部と、各テストパターン及びそれに対応する開口を経た光を前記被検光学系に導光して前記被検光学系が結像したテストパターンの空中像又は感光基板上における転写像の位置を、前記スキャンの範囲に亘って測定する測定部とを有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の別の側面としての計測方法は、被検光学系の光学性能を測定するための計測方法であって、所定方向に並んだ複数のテストパターンと、各テストパターンに対応して設けられた複数の開口を有するテストレチクルを照明するステップと、照明光に対して該テストレチクルを前記所定方向にスキャンするステップと、各テストパターン及びそれに対応する開口を経た光を前記被検光学系に導光して前記被検光学系が結像したテストパターンの空中像又は感光基板上における転写像の位置の情報を、前記スキャンの範囲に亘って取得するステップと、前記情報から前記被検光学系の光学性能を算出するステップとを有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の別の側面としての露光方法は、上述の測定方法を利用して算出された前記被検光学系としての投影光学系の光学性能に基づいて前記投影光学系を調節するステップと、前記調節された前記投影光学系を使用して被露光体を露光するステップとを有することを特徴とする。