【手続補正書】
【提出日】平成20年7月16日(2008.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二重ダマシン集積構造を製造する方法であって、
基板エッチングストップフィルム層上に多孔質の極めて低いｋ値を有する絶縁フィルム層を形成する工程；
前記多孔質絶縁フィルム層上にハードマスク層を形成する工程；
前記ハードマスク層の上に第一のマスキング材料層を適用する工程；
前記第一のマスキング材料層の中にヴィアパターンを形成する工程；
側壁を露出するとともに１以上のヴィアを形成するために、前記ハードマスク層および前記多孔質絶縁フィルム層を通して第一のマスキング材料層内のヴィアパターンをエッチングストップフィルム層まで転写させる工程；
ガスクラスターイオンビームの照射によって前記多孔質な絶縁フィルム層内の１以上のヴィアの側壁の上に緻密化層を形成する工程；
前記第一マスキング材料層の残部を除去する工程；
１以上の形成されたヴィアを充填し、前記ハードマスク層の上に層を形成するために第二のマスキング材料層を適用する工程；
前記第二のマスキング材料層内にトレンチパターンを形成する工程；
露出された表面と側壁に１以上のトレンチを形成するために、前記ハードマスク層および少なくとも一部の前記多孔質絶縁フィルム層を通して前記第二のマスキング材料層内のトレンチパターンを転写させる工程；
前記第二マスキング材料層の残部を除去する工程；
１以上のトレンチの表面および側壁上に緻密化層を形成する工程；及び
ハードマスク層の一部もしくは全部を除去して、１以上のヴィアを基板エッチングストップ層に開けるためにガスクラスターイオンビームの照射によってエッチングする工程
を含むことを特徴とする、二重ダマシン集積構造を製造する方法。
【請求項２】
前記転写させる工程が、反応イオンエッチングを用いて成される請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記転写させる工程が、ガスクラスターイオンビームの照射エッチングを用いて成される請求項１記載の方法。
【請求項４】
少なくとも一つの転写工程において、酸素およびフッ素を含有するガスのガスクラスターイオンビームを用いる請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記ハードマスク層を形成する工程の前にガスクラスターイオンビームの照射により、多孔質の極めて低いｋ値を有する絶縁フィルム層の表面を緻密化する工程をさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記表面の緻密化に用いられるガスクラスターイオンビームが、酸素、アルゴン、窒素、メタン、およびアルゴンとメタンの混合ガスより選択される一種以上のガスから形成されるガスクラスターイオンである請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記エッチングストップフィルム層がＳｉ３Ｎ４またはＳｉＣＮにより構成される請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記ハードマスク層の材料がＳｉＣＯＨ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２よりなる群から選択される請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記１以上の残部除去工程がガスクラスターイオンビームの照射により成される請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記１以上の残部除去工程に用いられるガスクラスターイオンビームが、酸素、窒素、ヘリウム、水素より選択される一種以上ガスから形成されるガスクラスターイオンである請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記第一、第二マスキング材料層がそれぞれフォトレジスト層よりなる請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記第一、第二マスキング材料層の少なくとも一つが、反射防止被覆材料層をさらに含む請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
多孔質の極めて低いｋ値を有する絶縁フィルム層上の緻密化層が、実質的に閉塞された孔を含む請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記ヴィアパターンの転写工程が、緻密化層形成に用いるガスクラスターイオンビームの照射と同時に進行する請求項１記載の方法。
【請求項１５】
シングルガスクラスターイオンビームの照射工程が酸素を含むガスクラスターイオンビームを用いる請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
二重ダマシン集積構造を製造する方法であって、
基板エッチングストップフィルム層上に多孔質の極めて低いｋ値を有する絶縁フィルム層を形成する工程；
前記多孔質絶縁フィルム層上にハードマスク層を形成する工程；
前記ハードマスク層の上に第一のマスキング材料層を適用する工程；
前記第一のマスキング材料層の中にトレンチパターンを形成する工程；
多孔質絶縁フィルム層の表面を露出するとともに１以上のトレンチ開口を形成するために、前記ハードマスク層を通して、前記第一のマスキング材料層内のトレンチパターンを、少なくとも前記多孔質絶縁フィルム層内に転写させる工程；
ガスクラスターイオンビームの照射によって、前記多孔質絶縁フィルム層の１以上のトレンチ開口の露出された表面に、緻密化層を形成する工程；
前記第一マスキング材料層の残部を除去する工程；
１以上のトレンチ開口と、前記ハードマスク層の上に第二のマスキング材料層を適用する工程；
前記第二のマスキング材料層内にヴィアパターンを形成する工程；
１以上のヴィア開口を形成するために、少なくとも一部の前記多孔質絶縁フィルム層を通して、前記第二のマスキング材料層内のヴィアパターンを転写させる工程；
前記第二マスキング材料層の残部を除去する工程；
露出された側壁と表面を有する１以上のトレンチを完成するために１以上のトレンチ開口を深くし、露出された側壁を有する１以上のヴィアを完成するために１以上のヴィア開口を深くして、１以上のヴィア内に基板エッチングストップ層を開口することを含む、エッチング工程；
ハードマスク層を除去する工程；及び
露出された前記絶縁フィルム層の全ての表面および側壁上に、ガスクラスターイオンビーム照射により緻密化層を形成する工程；
を含むことを特徴とする、二重ダマシン集積構造を製造する方法。
【請求項１７】
それぞれの転写工程が、反応イオンエッチングを用いて成される請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
それぞれの転写工程が、ガスクラスターイオンビーム照射を用いて成される請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
前記ヴィアパターンの転写工程が、酸素とフッ素を含有する混合ガスのガスクラスターイオンを有するガスクラスターイオンビームを用いて成される請求項１６記載の方法。
【請求項２０】
前記ハードマスク層を形成する工程の前にガスクラスターイオンビームの照射により、多孔質の極めて低いｋ値を有する絶縁フィルム層の表面を緻密化する工程をさらに含む請求項１６記載の方法。
【請求項２１】
前記表面の緻密化に用いられるガスクラスターイオンビームが、酸素、アルゴン、窒素、メタン、およびアルゴンとメタンの混合ガスより選択される一種以上のガスから形成されるガスクラスターイオンである請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記エッチングストップフィルム層がＳｉ３Ｎ４またはＳｉＣＮにより構成される請求項１６記載の方法。
【請求項２３】
前記ハードマスク層の材料がＳｉＣＯＨ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２よりなる群から選択される請求項１６記載の方法。
【請求項２４】
前記１以上の残部除去工程がガスクラスターイオンビームの照射により成される請求項１６記載の方法。
【請求項２５】
前記１以上の残部除去工程に用いられるガスクラスターイオンビームが、酸素、窒素、ヘリウム、水素より選択される一種以上のガスから形成されるガスクラスターイオンである請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
前記第一、第二マスキング材料層がそれぞれフォトレジスト層よりなる請求項１６記載の方法。
【請求項２７】
前記第一、第二マスキング材料層の少なくとも一つが、反射防止被覆材料層をさらに含む請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
前記トレンチパターンの転写工程が、緻密化層形成に用いるガスクラスターイオンビームの照射と同時に進行する請求項１６記載の方法。
【請求項２９】
シングルガスクラスターイオンビームの照射工程が酸素を含むガスクラスターイオンビームを用いる請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
二重ダマシンのトレンチおよびヴィアパターンが、多孔質で極めて低いｋ値を有する絶縁材料層と、基板エッチングストップ材料層とを含み、
前記絶縁材料層が、実質的に緻密化され、実質的に孔が無い表面および側壁を有する、ことを特徴とする二重ダマシン構造。
【請求項３１】
ハードマスク材料が前記多孔質で極めて低いｋ値を有する絶縁材料層の表面を覆う請求項３０記載の二重ダマシン構造。
【請求項３２】
前記ハードマスク材料と前記多孔質で極めて低いｋ値を有する絶縁材料層の境界面が、実質的に緻密化され、実質的に孔の無い絶縁材料である請求項３１記載の二重ダマシン構造。
【請求項３３】
本質的にハードマスク材料が無い、請求項３０記載の二重ダマシン構造。
【請求項３４】
前記ヴィアの側壁が実質的に斜面を有さない請求項３０記載の二重ダマシン構造。
【請求項３５】
多孔質で極めて低いｋ値を有する絶縁材料層を形成する工程；及び
ガスクラスターイオンビームを一部に照射することによって、多孔質で極めて低いｋ値を有する絶縁材料層の少なくとも一部をエッチングする工程；
を含むことを特徴とする処理方法。
【請求項３６】
エッチングする工程が、実質的に斜面ではない側壁を有する少なくとも一つのトレンチまたはヴィアを、前記極めて低いｋ値を有する絶縁材料層に形成する工程である請求項３５記載の方法。
【請求項３７】
所望の構造を形成するためにマスキング材料の適用によってヴィアパターンを転写し、半導体構造から残余のマスキング材料を除去する方法であって、前記残余のマスキング材料にガスクラスターイオンビームを照射する工程を含むことを特徴とする、除去方法。