【手続補正書】
【提出日】平成19年4月24日(2007.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の主面および第二の主面を有する窒化物半導体の積層体であって、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とで発光層を挟んだｐｎ接合ダイオード構造を、そのｐ型窒化物半導体層側が上記第一の主面側となるように含む積層体と、
上記積層体の第一の主面を覆うように形成された透明導電膜材料からなる透光性の電極とを有し、
上記電極の表面には上記発光層で発生される光を散乱または回折する凹凸が形成された、窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
第一の主面および第二の主面を有する窒化物半導体の積層体であって、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とで発光層を挟んだｐｎ接合ダイオード構造を、そのｐ型窒化物半導体層側が上記第一の主面側となるように含む積層体と、
上記積層体の第一の主面を覆うように形成された透明導電膜材料からなる透光性の電極とを有し、
上記電極の表面には下記（ａ）〜（ｃ）から選ばれる形状の凹凸が形成された、窒化物半導体発光素子。
（ａ）平行なストライプ状の溝と尾根が交互に並んだ形状
（ｂ）平坦な面上にドット状の窪みが分散形成された形状
（ｃ）平坦な面上にドット状の突起が分散形成された形状
【請求項３】
上記凹凸は、高低差が、上記発光層で発生される光の上記透明導電膜材料中における波長の４分の１以上である凹部と凸部を含む、請求項１または２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
上記凹凸の凸部が上記積層体の第一の主面上に連続的に広がったパターンに形成された、請求項１〜３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
上記凸部の厚さが８０ｎｍ以上である請求項４に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
上記凹凸の凹部に上記積層体の第一の主面が露出していない、請求項４または５に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
上記凹凸の凹部における上記電極の厚さが５０ｎｍ以上である、請求項１〜３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項８】
第一の主面および第二の主面を有する窒化物半導体の積層体であって、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とで発光層を挟んだｐｎ接合ダイオード構造を、そのｐ型窒化物半導体層側が上記第一の主面側となるように含む積層体と、
上記積層体の第一の主面を覆うように形成された透明導電膜材料からなる透光性の電極とを有し、
上記電極の表面には凹凸が形成され、
上記発光層で発生される光を反射する反射面を有する反射層が上記凹凸の少なくとも一部を覆うように形成され、
上記反射面には、上記電極の表面に形成された凹凸に沿って、上記発光層で発生された光を乱反射する凹凸が形成された、窒化物半導体発光素子。
【請求項９】
第一の主面および第二の主面を有する窒化物半導体の積層体であって、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とで発光層を挟んだｐｎ接合ダイオード構造を、そのｐ型窒化物半導体層側が上記第一の主面側となるように含む積層体と、
上記積層体の第一の主面を覆うように形成された透明導電膜材料からなる透光性の電極とを有し、
上記電極の表面には下記（ａ）〜（ｃ）から選ばれる形状を有する凹凸が形成され、
上記発光層で発生される光を反射する反射面を有する反射層が上記凹凸の少なくとも一部を覆うように形成され、
上記反射面には、上記電極の表面に形成された凹凸に沿って、凹凸が形成された、窒化物半導体発光素子。
（ａ）平行なストライプ状の溝と尾根が交互に並んだ形状
（ｂ）平坦な面上にドット状の窪みが分散形成された形状
（ｃ）平坦な面上にドット状の突起が分散形成された形状
【請求項１０】
上記反射面に形成された凹凸は、高低差が、上記発光層で発生される光の上記透明導電膜材料中における波長の４分の１以上である凹部と凸部を含む、請求項８または９に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１１】
上記反射面に形成された凹凸の凸部において、上記積層体の第一の主面と上記反射面とが接している、請求項８〜１０のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１２】
上記反射面に形成された凹凸の凸部において、上記積層体の第一の主面と上記反射面とが接していない、請求項８〜１０のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１３】
上記反射層が、Ａｇ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｔから選ばれる少なくともひとつの材料からなり上記反射面を構成する部分であるミラー層と、その上に積層されたＡｕからなる表面層と、を有している請求項８〜１２のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１４】
上記ミラー層と上記表面層との間に介在されたバリア層を有する、請求項１３に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１５】
上記反射層が上記電極に対するボンディング用の電極を兼用する、請求項８〜１４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明に係る窒化物半導体発光素子は、以下の特徴を有する。
（１）第一の主面および第二の主面を有する窒化物半導体の積層体であって、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とで発光層を挟んだｐｎ接合ダイオード構造を、そのｐ型窒化物半導体層側が上記第一の主面側となるように含む積層体と、上記積層体の第一の主面を覆うように形成された透明導電膜材料からなる透光性の電極とを有し、上記電極の表面には上記発光層で発生される光を散乱または回折する凹凸が形成された、窒化物半導体発光素子。
（２）第一の主面および第二の主面を有する窒化物半導体の積層体であって、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とで発光層を挟んだｐｎ接合ダイオード構造を、そのｐ型窒化物半導体層側が上記第一の主面側となるように含む積層体と、上記積層体の第一の主面を覆うように形成された透明導電膜材料からなる透光性の電極とを有し、上記電極の表面には下記（ａ）〜（ｃ）から選ばれる形状の凹凸が形成された、窒化物半導体発光素子。
（ａ）平行なストライプ状の溝と尾根が交互に並んだ形状
（ｂ）平坦な面上にドット状の窪みが分散形成された形状
（ｃ）平坦な面上にドット状の突起が分散形成された形状
（３）上記凹凸は、高低差が、上記発光層で発生される光の上記透明導電膜材料中における波長の４分の１以上である凹部と凸部を含む、上記（１）または（２）に記載の窒化物半導体発光素子。
（４）上記凹凸の凸部が上記積層体の第一の主面上に連続的に広がったパターンに形成された、上記（１）〜（３）のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
（５）上記凸部の厚さが８０ｎｍ以上である上記（４）に記載の窒化物半導体発光素子。
（６）上記凹凸の凹部に上記積層体の第一の主面が露出していない、上記（４）または（５）に記載の窒化物半導体発光素子。
（７）上記凹凸の凹部における上記電極の厚さが５０ｎｍ以上である、上記（１）〜（３）のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
（８）第一の主面および第二の主面を有する窒化物半導体の積層体であって、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とで発光層を挟んだｐｎ接合ダイオード構造を、そのｐ型窒化物半導体層側が上記第一の主面側となるように含む積層体と、上記積層体の第一の主面を覆うように形成された透明導電膜材料からなる透光性の電極とを有し、上記電極の表面には凹凸が形成され、上記発光層で発生される光を反射する反射面を有する反射層が上記凹凸の少なくとも一部を覆うように形成され、上記反射面には、上記電極の表面に形成された凹凸に沿って、上記発光層で発生された光を乱反射する凹凸が形成された、窒化物半導体発光素子。
（９）第一の主面および第二の主面を有する窒化物半導体の積層体であって、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とで発光層を挟んだｐｎ接合ダイオード構造を、そのｐ型窒化物半導体層側が上記第一の主面側となるように含む積層体と、上記積層体の第一の主面を覆うように形成された透明導電膜材料からなる透光性の電極とを有し、上記電極の表面には下記（ａ）〜（ｃ）から選ばれる形状を有する凹凸が形成され、上記発光層で発生される光を反射する反射面を有する反射層が上記凹凸の少なくとも一部を覆うように形成され、上記反射面には、上記電極の表面に形成された凹凸に沿って、凹凸が形成された、窒化物半導体発光素子。
（ａ）平行なストライプ状の溝と尾根が交互に並んだ形状
（ｂ）平坦な面上にドット状の窪みが分散形成された形状
（ｃ）平坦な面上にドット状の突起が分散形成された形状
（１０）上記反射面に形成された凹凸は、高低差が、上記発光層で発生される光の上記透明導電膜材料中における波長の４分の１以上である凹部と凸部を含む、上記（８）または（９）に記載の窒化物半導体発光素子。
（１１）上記反射面に形成された凹凸の凸部において、上記積層体の第一の主面と上記反射面とが接している、上記（８）〜（１０）のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
（１２）上記反射面に形成された凹凸の凸部において、上記積層体の第一の主面と上記反射面とが接していない、上記（８）〜（１０）のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
（１３）上記反射層が、Ａｇ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｔから選ばれる少なくともひとつの材料からなり上記反射面を構成する部分であるミラー層と、その上に積層されたＡｕからなる表面層と、を有している上記（８）〜（１２）のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
（１４）上記ミラー層と上記表面層との間に介在されたバリア層を有する、上記（１３）に記載の窒化物半導体発光素子。
（１５）上記反射層が上記電極に対するボンディング用の電極を兼用する、上記（８）〜（１４）のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。