【誤訳訂正書】
【提出日】令和1年5月24日(2019.5.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一組の間隔を空けて配置された電気伝導体と、
前記間隔を空けて配置された電気伝導体を支える手段と、
一組の電気絶縁体とを備えた複合基板であって、
間隔を空けて配置された電気伝導体の対のそれぞれの間で、前記電気絶縁体の一つが前記電気伝導体の対と接触して配置され、
前記間隔を空けて配置された電気伝導体及び前記間隔を空けて配置された電気伝導体を支える手段が、同じ材料で形成された一体部品であり、
一対の間隔を空けて配置された電気伝導体の間に配置された各電気絶縁体は、細長い片の形状を有し、
前記複合基板の平面が複数の電気絶縁体によって画定され、該電気絶縁体は、複数の間隔を空けて配置された電気伝導体の間にそれぞれ配置され、
前記間隔を空けて配置された電気伝導体の一つと接触しない一つの前記電気絶縁体の一部の上に配置され、前記電気絶縁体の一部の上に中心が位置する能動デバイスをさらに備える、複合基板。
【請求項２】
前記間隔を空けて配置された電気伝導体を支える手段が、前記能動デバイスと前記一つの電気絶縁体との間に配置される、請求項１に記載の複合基板。
【請求項３】
前記能動デバイスが、少なくとも一つのＰＮ接合を有する半導体装置である、請求項１に記載の複合基板。
【請求項４】
前記複合基板の熱膨張係数（ＣＴＥ）と前記能動デバイスのＣＴＥとの比が、０．４〜２である、請求項１に記載の複合基板。
【請求項５】
各電気絶縁体がダイヤモンドからなる、請求項１に記載の複合基板。
【請求項６】
各電気伝導体が金属又は金属合金からなる、請求項１に記載の複合基板。
【請求項７】
各電気伝導体が銅−タングステン（Ｃｕ−Ｗ）合金からなる、請求項６に記載の複合基板。
【請求項８】
前記間隔を空けて配置された電気伝導体を支える手段は、各電気伝導体の一つの端部が連結したシャフト若しくはバック、又は、各電気伝導体の一つの側面が連結したプレートのうち一つを含む、請求項１に記載の複合基板。
【請求項９】
各電気絶縁体が、前記電気絶縁体と接触した前記電気伝導体の対上に直接成長し、前記電気絶縁体と接触した前記電気伝導体の対に結合し、又は、前記電気伝導体の対に直接接触する、請求項１に記載の複合基板。
【請求項１０】
前記電気絶縁体と接触した前記電気伝導体の対上に直接成長する各電気絶縁体を、化学気相成長（ＣＶＤ）によって成長させた、請求項９に記載の複合基板。
【請求項１１】
前記電気絶縁体と接触した前記電気伝導体の対に結合した各電気絶縁体が、接着剤を介して結合される、請求項９に記載の複合基板。
【請求項１２】
前記能動デバイスと、前記一つの電気絶縁体の前記部分及び前記一つの電気伝導体の前記部分のうち一つ又は両方との間に、誘電材料をさらに備える、請求項１に記載の複合基板。
【請求項１３】
前記誘電材料上に、前記能動デバイスの接点へ及び／又は接点から電気信号を伝達するように構成された少なくとも一つの前記電気伝導体をさらに備える、請求項１２に記載の複合基板。
【請求項１４】
ダイヤモンドの細長い片、及び、金属からなる又は金属を含む細長い片の交互パターンを含み、
各金属からなる又は金属を含む細長い片が、１２×１０−６ｍ／ｍ‐Ｋ未満の熱膨張係数（ＣＴＥ）を有し、
前記金属からなる又は金属を含む細長い片が一体部品の一部であり、該一体部品は、前記交互パターンを支える手段をさらに含み、該手段は各金属からなる又は金属を含む細長い片の一つ端部が連結されるシャフト若しくはバック、又は、各金属からなる又は金属を含む細長い片の一つの側面が連結されるプレートのうち一つを含み、
一つのダイヤモンドの細長い片の一部の上に配置され、前記ダイヤモンドの細長い片の一部の上に中心が位置する能動デバイスをさらに含む、複合基板。
【請求項１５】
前記能動デバイスはＰＮ接合を有する、請求項１４に記載の複合基板。
【請求項１６】
前記複合基板の熱膨張係数（ＣＴＥ）と前記能動デバイスのＣＴＥとの比が、０．４〜２である、請求項１５に記載の複合基板。
【請求項１７】
ダイヤモンドの細長い片、及び、金属からなる又は金属を含む細長い片の前記交互パターンがサブマウントを規定し、
前記能動デバイスと前記サブマウントの少なくとも一つとの間の誘電層と、前記誘電層上に形成された伝導体とをさらに含み、前記伝導体が前記能動デバイスの接点に導通する、請求項１５に記載の複合基板。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
本明細書に記載されたサブマウント基板６２を用いると、一又は複数の能動デバイス１０のＣＴＥ及びサブマウント基板６２の全体的なＣＴＥをほぼ一致させることができる。したがって、「スマイル」問題は、δ値が０．４〜２．０の場合に最小化することができ、又は、δ値が１の場合に回避することができる。加えて、温度上昇プラトー及び温度振動は、一又は複数のダイヤモンド部分４と一又は複数の金属部分６との交互パターンによって最小化することができ、この場合、特に、能動デバイス１０（レーザーダイオード等）がダイヤモンド部分４上（ダイヤモンド部分４上に中心が位置する）に接して直接取り付けられる際、各ダイヤモンド部分４が、金属部分６よりも速い吸熱及び拡散を容易にする。各ダイヤモンド部分４の幅は、温度プラトーを可能な限り平坦にするよう調整してもよい。これを達成する一つの方法は、端部（隣り合う金属部分６）に沿ってより狭いダイヤモンド部分４を有し、中央部（隣り合う金属部分６の中間）により広いダイヤモンド部分４を有することである。これにより、ダイヤモンド部分４の中央部と比較して、ダイヤモンド部分４の端部で冷却を遅くすることができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
加えて、各ダイヤモンド部分４が金属部分６よりも速く熱を吸収し、拡散することを可能にする場合、特に、各能動デバイス１０（レーザーダイオード等）が、例えば、ダイヤモンド部分４上（ダイヤモンド部分４上に中心が位置する）に直接取り付けることができるとすれば、三次元温度プラトー及び温度プラトー上の温度振動は、一又は複数のダイヤモンド部分４と一又は複数の金属部分６との交互パターンによって最小化することができる。各ダイヤモンド部分４の幅は、温度プラトーを可能な限り平坦にするよう調整してもよい。これを達成する一つの方法は、隣り合う金属部分６に沿った端部ではより狭いダイヤモンド部分４を有し、ダイヤモンド部分の中心ではより広いダイヤモンド部分４を有することであり、これにより中心部での冷却に比べて、端部での冷却を意図的に遅くする。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
一例では、サブマウント基板６２が１５×１５の二次元ＶＣＳＥＬアレイに対して、１５個のダイヤモンド部分４（Ｘ方向）及び１６個の金属部分６（Ｙ方向）を有し、ＶＣＳＥＬアレイにおける各能動デバイス（レーザーダイオード）は、一つのダイヤモンド部分４上（ダイヤモンド部分４上に中心が位置する）に直接取り付けることができる。これにより、１５個のＶＣＳＥＬが単一のダイヤモンド部分４の上方に取り付けられる。これらのレーザーダイオードによって生成された熱は、ダイヤモンド部分４を介して素早く吸収又は拡散し、水冷経路を備える下層（図示せず）を通って取り除かれる。これにより、ＶＣＳＥＬがより低い温度、より高い出力（同じ温度で）又はその両方で動作することを可能にする。