【手続補正書】
【提出日】平成20年4月28日(2008.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶質物質のウェーハでカッティングデバイスを製造する方法であって、
前記結晶質物質の前記ウェーハにおいて結晶質物質における第１の面に、ブレードの少
なくとも１つのブレードプロファイルを含む溝を形成し、
少なくとも前記結晶質物質の前記第１の面を等方性エッチングし、少なくとも１つのブレードプロファイルの少なくとも一部分を含む少なくとも１つの刃先を形成することを含む製造方法。
【請求項２】
前記結晶質物質内に前記ブレードの少なくとも１つのサイドエッジを形成することをさ
らに含み、
少なくとも前記結晶質物質の前記第１の面の前記エッチングは、前記少なくとも１つの
サイドエッジをエッチングすることを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つのサイドエッジは、非直線部分を含む請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記非直線部分は、馬蹄形である請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記溝の前記形成は、第１のベベルを含む第１のパターンを形成することを含み、
少なくとも前記結晶質物質の前記第１の面の前記エッチングは、前記第１のベベルをエ
ッチングして、前記少なくとも１つの刃先の少なくとも第１の部分を形成することを含む
請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
前記溝の前記形成は、第２のベベルを含む第２のパターンを形成することを含み、
少なくとも前記結晶質物質の前記第１の面の前記エッチングは、前記第２のベベルをエ
ッチングして、第２の刃先の少なくとも第２の部分を形成することを含む請求項５に記載
の製造方法。
【請求項７】
前記第１のパターンおよび前記第２のパターンは前記結晶質物質の前記第１の面に配置
され、それによって、前記第１のベベルと前記第２のベベルとは、間隔を置いて配置され
る請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記第１および第２のパターンのうちの少なくとも一方は、前記結晶質物質の前記第１
の面に雪片パターンで形成された複数のベベルを含む請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記結晶質物質内に、前記ブレードの非刃先の少なくとも一部分を含む少なくとも１つ
の溝穴を形成することをさらに含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの溝穴の前記形成は、前記ブレードの前記非刃先の長さを最大にす
ることを含む請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記エッチングステップは、
少なくとも１つのブレードプロファイルを含む結晶質物質の前記ウェーハをウェーハボ
ート上に置き、
前記ウェーハボートおよび少なくとも１つのブレードプロファイルを含む結晶質物質の
前記ウェーハを等方性酸浴に浸し、ならびに
露出した表面で前記結晶質物質が均等に除去され、それによって、前記少なくとも１つ
のブレードプロファイルの形状の鋭利なカッティングデバイスエッジがエッチングされる
ように、前記結晶質物質を均等にエッチングすることを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記等方性酸浴は、フッ化水素酸、硝酸および酢酸の混合物を含む請求項１１に記載の
製造方法。
【請求項１３】
前記等方性酸浴は、フッ化水素酸、硝酸および水の混合物を含む請求項１１に記載の製
造方法。
【請求項１４】
前記エッチングステップは、
少なくとも１つのブレードプロファイルを含む結晶質物質の前記ウェーハをウェーハボ
ート内に置き、
前記ウェーハボートおよび少なくとも１つのブレードプロファイルを含む結晶質物質の
前記ウェーハに、吹付けエッチング液を吹き付け、ならびに
露出した表面で前記結晶質物質が均等に除去され、それによって、前記少なくとも１つ
のブレードプロファイルの形状の鋭利なカッティングデバイスエッジがエッチングされる
ように、前記結晶質物質を前記吹付けエッチング液で均等にエッチングすることを含む請
求項１に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記エッチングステップは、
少なくとも１つのブレードプロファイルを含む結晶質物質の前記ウェーハをウェーハボ
ート上に置き、
前記ウェーハボートおよび少なくとも１つのブレードプロファイルを含む結晶質物質の
前記ウェーハを、等方性二フッ化キセノン、六フッ化硫黄または同様のフッ素化ガス環境
に浸し、ならびに
露出した表面で前記結晶質物質が均等に除去され、それによって、前記少なくとも１つ
のブレードプロファイルの形状の鋭利なカッティングデバイスエッジがエッチングされる
ように、前記結晶質物質を、前記等方性二フッ化キセノン、六フッ化硫黄または同様のフ
ッ素化ガス環境で均等にエッチングすることを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記エッチングステップは、
少なくとも１つのブレードプロファイルを含む結晶質物質の前記ウェーハをウェーハボ
ート内に置き、
前記ウェーハボートおよび少なくとも１つのブレードプロファイルを含む結晶質物質の
前記ウェーハを電解浴に浸し、ならびに
露出した表面で前記結晶質物質が均等に除去され、それによって、前記少なくとも１つ
のブレードプロファイルの形状の鋭利なカッティングデバイスエッジがエッチングされる
ように、前記結晶質物質を前記電解浴で均等にエッチングすることを含む請求項１に記載
の製造方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１つのサイドエッジの前記形成は、エキシマレーザーまたはレーザーウ
ォータジェットからのレーザービームによって前記結晶質物質にエネルギーを送出するこ
とを含む請求項２に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１つの溝穴の前記形成は、エキシマレーザーまたはレーザーウォータジ
ェットからのレーザービームによって前記結晶質物質にエネルギーを送出することを含む
請求項９に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記結晶質物質は、シリコンを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項２０】
前記溝の前記形成は、
前記結晶質物質の前記第１の面にフォトレジスト層を形成し、
前記フォトレジスト層にパターンを形成し、それによって、前記結晶質物質の前記第１
の面の少なくとも第１の部分から前記フォトレジスト層の少なくとも一部分を除去し、
前記結晶質物質の前記第１の面の前記第１の部分を部分的にエッチングして前記溝を形
成し、および
少なくとも前記結晶質物質の前記第１の面の前記エッチングの前に、前記フォトレジスト層を除去することを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項２１】
前記部分的エッチングは、前記結晶質物質の前記第１の部分の等方性反応性イオンエッ
チングと、前記結晶質物質の前記第１の部分の異方性反応性イオンエッチングのうちの少
なくとも一方を含む請求項２０に記載の製造方法。
【請求項２２】
結晶質物質のウェーハでカッティングデバイスを製造する方法であって、
第１の物質のウェーハで少なくとも１つのブレードプロファイルを作り、
少なくとも１つのブレードプロファイルを含む少なくとも１つのブレードを形成するように前記ウェーハを等方性エッチングし、
前記少なくとも１つのブレードプロファイルの作製は、
前記結晶質物質の前記第１の面にフォトレジスト層を形成し、
前記フォトレジスト層にパターンを形成し、それによって、前記結晶質物質の前記第１
の面の少なくとも第１の部分から前記フォトレジスト層の少なくとも一部分を除去し、
前記結晶質物質の前記第１の面の前記第１の部分を部分的にエッチングして前記少なくとも１つのブレードプロファイルを形成し、および
前記ウェーハの等方性エッチング以前に、前記フォトレジスト層を除去することを含む製造方法。
【請求項２３】
前記部分的エッチングは、前記結晶質物質の前記第１の部分の等方性反応性イオンエッ
チングと、前記結晶質物質の前記第１の部分の異方性反応性イオンエッチングのうちの少
なくとも一方を含む請求項２２に記載の製造方法。
【請求項２４】
前記等方性エッチングは、
少なくとも１つのブレードプロファイルを含む前記ウェーハをウェーハボート上に置き、
前記ウェーハボートおよび少なくとも１つのブレードプロファイルを含む前記ウェーハを等方性酸浴に浸し、
前記ウェーハの第１の物質がいずれかの露出した表面で除去され、それによって、鋭利な刃先が前記少なくとも１つのブレードプロファイルの形状でエッチングされるように、前記ウェーハをエッチングすることを含む請求項２２に記載の製造方法。
【請求項２５】
前記等方性酸浴は、フッ化水素酸、および、硝酸のうちの少なくとも一方を含む請求項２４に記載の製造方法。
【請求項２６】
前記等方性酸浴は、さらに酢酸および水のうちの少なくとも一方を含む請求項２５記載の製造方法。
【請求項２７】
前記等方性エッチングは、
少なくとも１つのブレードプロファイルを含む前記ウェーハをウェーハボート内に置き、
前記ウェーハボートおよび少なくとも１つのブレードプロファイルを含む前記ウェーハに向かって、吹付けエッチング液を吹き付け、
前記ウェーハの第１の物質がいずれかの露出した表面で除去され、それによって、前記少なくとも１つのブレードプロファイルの形状で、鋭利な刃先がエッチングされるように、前記ウェーハを前記吹付けエッチング液でエッチングすることを含む請求項２２に記載の製造方法。
【請求項２８】
さらに、少なくとも１つのブレードにシンギュレーティング（個片化）することを含む請求項２２記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
図３２Ａにおいて、可変ダブルベベルブレード７０２が、上面透視図で示される。可変ダブルベベルブレード７０２は、本明細書に記載の方法に従って製造可能とされる。ブレードの先端で角度θ３は、鈍角で始まり、次いで肩部へ向かうにつれてより鋭角となり、角度θ４となる。この設計は、可変ダブルベベルブレード７０２の鋭利な先端を強くする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
可変ダブルベベルブレード７０２において示されるベベルは、上述のいずれかの溝形成法によって製造することができる。例えば、レーザービーム９０４は、可変ダブルベベルブレード７０２においてベベルを形成するように溝を機械加工するために使用可能とされる。レーザービーム９０４は、ソフトウェアプログラム制御に従って結晶質物質を機械加工することにより可変ベベルを製作するように調整することができる。同様に、第１のマルチプルベベルブレード７０２も、図１３に関してより詳細に説明される熱間鍛造法によって製造することもできる。さらに、溝を機械加工するための上述のいずれの方法も、図３２Ａ〜３２Ｃに示されるような可変ダブルベベルブレード７０２を形成するように複数の溝を機械加工するために使用可能とされる。図３２Ｂおよび３２Ｃは、可変ダブルベベルブレード７０２の２つの側面透視図を示し、先端からの距離によって可変ダブルベベルブレード７０２のベベル角度Φ３およびΦ４がどのように変化するのかを示している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
紫外光５４２での露光およびその後の現象の結果、フォトレジスト層５４０は、パターン形成されたフォトレジスト層５４１となり、パターン形成されたフォトマスク５４４のパターンは、パターン形成されたフォトレジスト層５４１中に複製される。ポジ型フォトレジスト材料では、ｘ線、紫外線または他の放射によって露光したフォトレジスト材料の部分が、現象中に除去される部分である。ネガ型フォトレジスト材料では、これが反対になる。図５５Ａは、フォトレジスト層５４０の上に配置されたパターン形成された第１のフォトマスク５４４Ａが紫外光５４２によって露出されている図５４のウェーハ２０２の断面図を示し、図５５Ｂは、紫外線での露光が完了し、フォトレジスト層５４０を現像してパターン形成されたフォトレジスト層５４１を形成し、パターン形成された第１のフォトマスク５４４Ａを除去した後の図５５Ａのウェーハ２０２の断面図を示す。図５６Ａおよび図５６Ｂは、図５５Ａおよび５５Ｂに示した例に類似した、パターン形成された第２のフォトマスク５４４Ｂの配置、紫外光での露光および現象の他の例を示す。ダブルベベルブレードが所望の場合には、ウェーハ２０２のもう一方の面に対してステップ２０００および２００２を繰り返すことができる。