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【手続補正書】
【提出日】平成19年10月25日(2007.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央に軸支持部が配された非磁性又は弱磁性体ブラケットと、
このブラケットに添設された印刷配線板からなるステータベースと、
このステータベースに配された単相空心電機子コイルと、
この空心電機子コイルと重畳しないように前記ステータベースに配された駆動回路部材と、
磁性体からなるディテントトルク発生部材とが備えられ、
前記ディテントトルク発生部材の少なくとも一部が前記ステータベースの厚み内に収納されたステータ。
【請求項２】
前記ステータベースの前記空心電機子コイルの内径部と重畳しない位置に、前記ディテントトルク発生部材が収められる透孔が空けられ、前記ディテントトルク発生部材の少なくとも一部が前記ステータベースの厚み内になるように前記透孔に収納された請求項１に記載のステータ。
【請求項３】
前記ステータベースは中央透孔と該中央透孔から径方向外方に延設された少なくとも一本の溝孔とが備えられ、前記ディテントトルク発生部材の一部として径方向に延設した少なくとも一本のディテントトルク部があり、該ディテントトルク部が前記溝孔に格納された請求項１に記載のステータ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のステータと、このステータに軸方向空隙を介して組み合わせたロータを備え、該ロータはロータヨークに固着された複数個の磁極を有する軸方向空隙型マグネットと偏心ウエイトとが備えられ、このロータを覆うように外部ケースが前記ステータに組み付けられた軸方向空隙型ブラシレス振動モータ。
【請求項５】
前記偏心ウエイトは一部が前記ロータヨークと凹凸組み合せで固着されると共に外周の一部が前記ロータヨークから露出されている請求項４に記載の軸方向空隙型ブラシレス振動モータ。
【請求項６】
前記外部ケースの下部は周方向にフランジとして延設され、前記ステータのブラケットと組み合わされ、前記外部ケースの周囲に磁性体が配された請求項４又は５に記載の軸方向空隙型ブラシレス振動モータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記課題を解決するには、請求項１に示すように中央に軸支持部が配された非磁性又は弱磁性体ブラケットと、このブラケットに添設された印刷配線板からなるステータベースと、このステータベースに配された単相空心電機子コイルと、この空心電機子コイルと重畳しないように前記ステータベースに配された駆動回路部材と、磁性体からなるディテントトルク発生部材とが備えられ、前記ディテントトルク発生部材の少なくとも一部が前記ステータベースの厚み内に収納されたステータによって達成できる。
具体的には、請求項２に示すように前記ステータベースの前記空心電機子コイルの内径部と重畳しない位置に、前記ディテントトルク発生部材が収められる透孔が空けられ、前記ディテントトルク発生部材の少なくとも一部が前記ステータベースの厚み内になるように前記透孔に収納されたものにするのがよい。
また、請求項３に示すように前記ステータベースは中央透孔と該中央透孔から径方向外方に延設された少なくとも一本の溝孔とが備えられ、前記ディテントトルク発生部材の一部として径方向に延設した少なくとも一本のディテントトルク部があり、該ディテントトルク部が前記溝孔に格納されたものにするのがよい。
このようなステータを備えて軸方向空隙型モータにするには、請求項４、５に示すように請求項１〜３のいずれか１項に記載のステータと、このステータに軸方向空隙を介して組み合わせたロータを備え、該ロータはロータヨークに固着された複数個の磁極を有する軸方向空隙型マグネットと偏心ウエイトとが備えられ、このロータを覆うように外部ケースが前記ステータに組み付けられたものか、さらに前記偏心ウエイトは一部が前記ロータヨークと凹凸組み合せで固着されると共に外周の一部が前記ロータヨークから露出されているものにするのがよい。
そして、請求項６に示すように前記外部ケースの下部は周方向にフランジとして延設され、前記ステータのブラケットと組み合わされ、前記外部ケースの周囲に磁性体が配されたものにするのがよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項１に示す発明では、ディテントトルク発生部材はその厚みがステータベースに含まれてしまうので、その厚みは完全に無視できる。このため、空心電機子コイルの内径に対して無関係の位置に設定して配することができ、ステータを構成する各部材は重畳しないようになっているので、極めて薄く形成できる。
請求項２に示す発明では、ディテントトルク発生部材を空心電機子コイルの内径に対して無関係の位置に設定して配するため、コイルの巻き数を大きくとれる。
請求項３に示す発明では、ディテントトルク発生部材は、収納が容易にでき、その厚みがステータベースに含まれてしまうので、その厚みは無視できることになる。
請求項４に示す発明では、軸方向空隙型モータとしてディテントトルク発生部材の厚みが無視できる薄い振動モータが得られる。
請求項５に示す発明では、ロータヨークと偏心ウエイトとの固着強度が十分維持でき、ロータヨークのアンバランスも期待できる。
請求項６に示す発明では、電磁音響変換器の中央磁極に利用できる。この場合は、ディテントトルク発生部材のディテント部はカバーから十分隔離されているので、電磁音響変換器の励磁マグネットの磁界の影響を受けなくなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記ステータに軸方向空隙を介して対向させた偏心ロータＲは、軸方向空隙型マグネットＭと、このマグネットＭの外周の一部に配された弧状の偏心ウエイトＷと、これらを固着する厚みが０．１５ｍｍ程度のロータヨークとしてのロータケース６と、該ロータケース６の回転中心に固着された軸７とが備えられたもので、該ロータケース６の回転中心には、軸７が圧入され先端が受け止められる小径部６ａがあるバーリング状の軸保持部６ｂが設けられ、この軸保持部６ｂに続いて補強リブ６ｃが形成される。
このロータケース６は、前記マグネットＭの上部が接着される平坦部６ｄとこれに続いて第１の外径側垂下部６ｅと内径側垂下部６ｆが形成される。
外径側垂下部の一部は延在されて第２の外径垂下部６ｇとなって偏心ウエイトＷの外径の一部を覆うようになっている。
前記補強リブ６ｃは、前記内径側垂下部６ｆまで連結されている。このため、薄いロータケースでも十分強度は確保できる。
ここでは、強度確保のために軸７の先端は、さらにレーザ溶接Ｌされている。
前記マグネットＭの接着に当たっては、内径側垂下部６ｆ、外径側垂下部６ｅによって接着強度が確保され、偏心ウエイトＷはマグネットＭの外径と延在された第２の外径垂下部６ｇとロータケース６の一部にはめ込んだ凹凸接合によって同様に強度は十分確保できる。
この偏心ロータを覆う外部ケース８の開口部は前記ステータ側のブラケット１の外周でレーザスポット溶接で組み付けられる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月13日(2007.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
ここで、図７に示されるコントロールボックス４０の構成と合せて、トレーラ１０のチルトフレーム１６の傾斜角度を変更する手順を説明する。
コントロールボックス４０は、トレーラ１０の右側に取り付けられている（図１参照）。コントロールボックス４０の内部は、チルトシリンダ１８のための油圧回路用電磁弁、エアシリンダ３８用電磁弁及び複数のセンサ４２の検知信号を受信し、必要な表示を行うと共に、作業者の操作を受けてチルトシリンダ１８のための油圧回路用電磁弁、エアシリンダ３８用電磁弁を制御する制御装置（マイクロコンピュータ等）が設けられている。又、ラッチで固定されたコントロールボックス４０の蓋４１を開けることで、操作用のペンダント５４を取り出すことができる。コントロールボックス４０には、制御系の電源をＯＮ−ＯＦＦするための電源スイッチ４０ａ、チルトフレーム１６の傾斜角度を設定する角度設定スイッチ４０ｂ、後方のチルトシリンダ１８の動作を停止する単独操作スイッチ４０ｃ、前方のチルトシリンダ１８の動作を停止する単独操作スイッチ４０ｄ、それを押している間だけ、インターロックが解除されるインターロック解除ボタン４０ｅが設けられている。角度設定スイッチ４０ｂは、チルトフレーム１６の設定角度θを、０°、３３°、４１°、４５°のいずれかの角度に設定することができる。又、この角度は必要に応じ異なる角度を設定することも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月17日(2007.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース上に平行に離間した一対の水平ガイド部材を設け、前部に工具支持ユニットを取り付けた摺動体をこのガイド部材に沿って進退自在に案内し、リニアモータの電磁コイルユニットを前記摺動体の下面に固着すると共に前記リニアモータの永久磁石板ユニットを前記ベースの上面に固着した工作機械における摺動体の案内機構において、前記水平ガイド部材に案内される前記摺動体の案内面はこの摺動体の全長に亘って形成するが、前記電磁コイルユニットは前記工具支持ユニットの直下の領域を除いて前記摺動体の長手方向全長に亘って設けたことを特徴とする工作機械における摺動体の案内装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の他の目的は、リニアモータ駆動式の摺動体の案内機構において、加工抵抗の変動に対しても摺動体の姿勢を安定して維持できるようにすることにある。
本発明の別の目的は、上述したような技術的要求の（１）を満足する研削盤の砥石台のための案内機構を提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項１の発明では、一対の水平ガイド部材上を摺動する摺動体の案内面をこの摺動体の全長に亘って設けるが、工具支持ユニットが取り付けられる摺動体の前部の領域では磁気吸引力が発生しないように摺動体の下面とベースの上面との間に配置されるリニアモータの長手方向の長さを設定した。
工具支持ユニットが取り付けられる摺動体の前部領域では磁気吸引力が発生しないので、摺動体の案内面に作用する負荷はこの前部領域内の任意の位置とこの前部領域以外の領域内の任意の位置とでほぼ均等になり、この前部領域内の案内面がこの領域外の案内面と比較して偏摩耗することが防止される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項１の発明は、工具支持ユニットが取り付けられる摺動体の前部の領域では磁気吸引力が発生しないように摺動体の下面とベースの上面との間に配置されるリニアモータの長手方向の長さを設定したので、摺動体の案内面に作用する負荷はこの前部領域内の各位置とこの前部領域以外の領域内の各位置とでほぼ均等になり、この前部領域内の案内面がこの領域外の案内面と比較して偏摩耗することが防止される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月27日(2007.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  下記一般式（１）
【化１】
2002105169.tif 000001
（式中、Ｒ1はターシャリーオクチル基、Ｒ2は水素原子或いはメチル基、ｎは０〜１０の整数で繰り返し単位数を表す。）
で表されるエポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）とを必須成分とするエポキシ樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
すなわち、本発明は、
１．下記一般式（１）
【化３】
2002105169.tif 000002
（式中、Ｒ1はターシャリーオクチル基、Ｒ2は水素原子或いはメチル基、ｎは０〜１０の整数で繰り返し単位数を表す。）
で表されるエポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）とを必須成分とするエポキシ樹脂組成物、
２．エポキシ樹脂（Ａ）が下記一般式（２）で表されるエポキシ樹脂である前記１記載の組成物、
【化４】
2002105169.tif 000003
（式中、ｎは０〜１０の整数の繰り返し単位数を表す。）
３．前記１または２記載のエポキシ樹脂組成物を硬化してなる硬化物、
を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明の実施の形態】
式（１）で表されるエポキシ樹脂は、例えば、下記一般式（３）
【化５】
2002105169.tif 000004
（式中、Ｒ1はターシャリーオクチル基を表す。）
で表されるジアルキル基置換ジヒドロキシベンゼン類とエピハロヒドリンとを反応させて得ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に用いるエポキシ樹脂（Ａ）は、ターシャリーオクチル基を２個結合されたジヒドロキシベンゼン類にエピハロヒドリンを反応させることによって得られる。ターシャリーオクチル基は、具体的には、下記構造式（４）
【化６】
2002105169.tif 000005
で表されるものである。またベースのジヒドロキシベンゼン類としては、ハイドロキノン、レゾルシン、カテコール類があるが、反応性が良いことからハイドロキノンが特に好ましい。つまりは本発明のエポキシ樹脂の原料としては下記構造式（５）
【化７】
2002105169.tif 000006
で表される２，５−ジターシャリーオクチルハイドロキノンが特に好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月4日(2007.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基布
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】単糸繊度１００デニール以下、起毛長１〜１０ｍｍ、起毛密度４００〜２５０００本／ｃｍ２の起毛を有する片面又は両面起毛布の少なくとも起毛面に、乾燥後の重量が３０〜１００ｇ／ｍ２、且つ発泡前の粘度がＢＭ型粘度計のＮｏ．４ロータ×６ｒｐｍでの測定で１００００〜１８０００ｍＰａ・ｓの範囲である発泡アクリル系樹脂エマルジョンによる層を形成してなることを特徴とする基布。
【請求項２】発泡アクリル系樹脂エマルジョンの発泡度合いが１．５〜６．０倍であることを特徴とする請求項１に記載の基布。
【請求項３】発泡アクリル系樹脂エマルジョン層を有する起毛面において、起毛の少なくとも半数が、その根元から先端までを発泡アクリル系樹脂エマルジョン層で被覆されており、
この被覆された起毛のうちの少なくとも半数が、少なくともその先端部において横臥してなることを特徴とする請求項１または２に記載の基布。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明の概要】本発明の基布は、上記目的を達成するために、単糸繊度１００デニール以下、起毛長１〜１０ｍｍ、起毛密度４００〜２５０００本／ｃｍ２の起毛を有する片面又は両面起毛布の少なくとも起毛面に、乾燥後の重量が３０〜１００ｇ／ｍ２、且つ発泡前の粘度がＢＭ型粘度計のＮｏ．４ロータ×６ｒｐｍでの測定で１００００〜１８０００ｍＰａ・ｓの範囲である発泡アクリル系樹脂エマルジョンによる層を形成してなることを特徴とする。
また、前記発泡アクリル系樹脂エマルジョンの発泡度合いは１．５〜６．０倍であることが好ましい。
さらに、発泡アクリル系樹脂エマルジョン層を有する起毛面において、起毛の少なくとも半数が、その根元から先端までを発泡アクリル系樹脂エマルジョン層で被覆されており、この被覆された起毛のうちの少なくとも半数が、少なくともその先端部において横臥していることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月6日(2007.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のアルミニウム合金は、上記合金成分の他、不可逆的不純物を含有するが、必要に応じて他の特性改善、例えば強度向上、耐食性改善等のために添加される成分を含んでいても良い。この成分のとしては、例えばＣｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｉｎ等が挙げられるが、これらの成分は熱伝導性を低下させるおそれがあるので、１．０ｗｔ以下とすることが必要である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月21日(2007.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリエステルを５５００ｍ／分以上で紡糸するに際し、重合触媒としてチタン錯体をチタン原子の量で０．１〜３００ｐｐｍ、アンチモン金属量として３０ｐｐｍ以下のアンチモン化合物を用いて得たポリエステルを用いることを特徴とするポリエステル繊維の製造方法
【請求項２】
ポリエステルが実質的にアンチモン金属を含有しないことを特徴とする請求項１記載のポリエステル繊維の製造方法
【請求項３】
チタン錯体を形成する錯化剤が１分子中に２個以上のカルボン酸を有する含窒素化合物であることを特徴とする請求項１または２記載のポリエステル繊維の製造方法
【請求項４】
チタン錯体がチタン原子、リン原子及び含窒素化合物からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載のポリエステル繊維の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ここでチタン化合物としては、チタン錯体化合物であることが必須である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
実施例１〜５及び比較例１〜２
平均粒子径０．３５μｍの二酸化チタン粒子１２部にリン酸０．４部、トリエチルアミン０．４部、エチレングリコ―ル１００部および粒子径１００μｍのガラスビ―ズ１５０部を、タ―ビン翼を備えた撹拌装置に仕込み、２５００ｒｐｍで３時間３０分撹拌した。撹拌終了後、４００メッシュの金網でガラスビ―ズを分離除去して二酸化チタン粒子のエチレングリコ―ルをスラリ−を得た。スラリ―中の二酸化チタン粒子の平均径は０．４μｍであった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
１０００ｍｌ四つ口フラスコにチタンイソプロピレート１３２ｇと９２ｇのイソプロピルアルコールを仕込み、撹拌しながらリン酸２２．８ｇをゆっくり滴下し、６０℃で１時間攪拌したものに、セリン−Ｎ、Ｎ−二酢酸５１．３ｇを滴下し、さらに６０℃で２時間撹拌させた後冷却し、透明液（Ａ）を得た。テレフタル酸ジメチル１００部とエチレングリコ―ル５０．２部に酢酸マンガン４水塩０．０３５部を添加し、常法によりエステル交換反応を行なった。次いで得られた生成物にリン酸を０．００９部加えた後（Ｐとして２９ｐｐｍ）、透明液（Ａ）を含有するエチレングリコールスラリーを得られるポリマに対するチタン原子換算の含有量が２０ｐｐｍとなるように加えて、重合温度２９０℃で３時間５分重合反応を行なった。得られたポリマの固有粘度は０．６６、ジエチレングリコ―ル量０．８ｗｔ％であった。また、得られたポリマ中のチタン量は２０ｐｐｍ、リン量は２０ｐｐｍであった。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
実施例２
実施例１の透明液（Ａ）の調製段階でリン酸を添加せずに調製を行い、透明液（Ｂ）を得た。透明液（Ａ）の変わりに（Ｂ）を用いる以外は、実施例１と同様にしてポリマを製造、さらに高速紡糸、レースカーテンを得た。結果を表１に示した。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
実施例３
実施例１において透明液（Ａ）の変わりにチタンイソプロピレートと乳酸の加熱処理で得た反応物を用いる以外は、実施例１と同様にしてポリマを製造、さらに高速紡糸、レースカーテンを得た。結果を表１に示した。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
実施例４
実施例１において透明液（Ａ）の変わりにテトラブチルチタネートを用いる以外は、実施例１と同様にしてポリマを製造、さらに高速紡糸、レースカーテンを得た。結果を表１に示した。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
実施例５
実施例１において透明液（Ａ）の変わりにテトラブチルチタネート及び三酸化アンチモンを用いる以外は、実施例１と同様にしてポリマを製造、さらに高速紡糸、レースカーテンを得た。結果を表１に示した。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
比較例１
実施例１において透明液（Ａ）の変わりにチタン／ケイ素複合酸化物（モル比Ｔｉ／Ｓｉ＝９０／１０）を用いる以外は、実施例１と同様にしてポリマを製造し、紡糸速度を変更して紡糸を行い、レースカーテンを得た。結果を表１に示した。
比較例２
実施例１において透明液（Ａ）の変わりに重合触媒として三酸化アンチモンを単独で用いる以外は、実施例１と同様にしてポリマを製造、さらに高速紡糸、レースカーテンを得た。結果を表１に示した。表１から明らかなように触媒組成、添加量などが本発明の範囲内にある場合には良好な製糸性、良好な品質の繊維を得ることが出来たが、本発明の範囲外では製糸性が低下したり、収縮特性などの糸品質に劣る結果となった。一方、紡糸速度が５５００ｍ／分に満たない条件では、収縮率が高く得られるカ―テン外観は、繊維が収縮してしまうため、模様が崩れる結果となった。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
【表１】
2002105753.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月16日(2007.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 ２−アルキル−２−アダマンタノールとカルボン酸化合物とを酸触媒、及び乾燥した状態で常温において固体である酸性或いは中性の無機化合物又は乾燥した状態で常温において固形物である酸性或いは中性の吸水性高分子化合物からなる乾燥剤の存在下で反応させることを特徴とする２−アルキル−２−アダマンチルエステルの製造方法。
【請求項２】 交換基としてスルホン酸基を有する陽イオン性イオン交換樹脂を酸触媒として用いることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】 乾燥剤として、硫酸マグネシウム、硫酸カルシウム、モレキュラーシーブ、シリカゲル、五酸化リン、及び交換基としてスルホン酸基を有する陽イオン性イオン交換樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる請求項１又は請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】２−アルキル−２−アダマンタノールが２−メチル−２−アダマンタノールである請求項１乃至３の何れかに記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
なお、エステル化合物の一般的な製造方法としては、アルコール化合物とカルボン酸化合物とを酸触媒を用いて、副生する水を共沸脱水しながら反応させる方法（共沸脱水法ともいう。）が知られている（オーガニックシンセシス１９７３年Ｖ巻７６２ページ等）。該方法は、操作が簡単であることから、アルコール化合物またはカルボン酸化合物が安価である場合には、工業的なエステル化合物の製造方法として特に有用である。しかし、この方法は原料のアルコール化合物として２−アルキル−２−アダマンタノールのような３級アルコールを使用した場合には、後述する比較例（比較例６）に示されるように、アルコールの脱水反応が優先して起こってしまうために、アルキルアダマンチルエステルの収率が著しく低くなってしまうという問題点がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は、２−アルキル−２−アダマンタノールから、酸ハロゲン化物のような高価な化合物を用いることなく、効率的に高純度の２−アルキル−２−アダマンチルエステルを製造する方法を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月10日(2007.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】  スパッタリング装置のスパッタ源において、ターゲットを支え、かつこのターゲットを冷却させる冷却機構を備えたバッキングプレートの外周部近傍に少なくとも１以上の溝を設けたことを特徴とするターゲット用バッキングプレートを備えたスパッタリング装置。    【請求項２】 前記溝をバッキングプレートのターゲットを支える面と同じ側に設けたことを特徴とするターゲット用バッキングプレートを備えた請求項１記載のスパッタリング装置。【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】真空中におけるスパッタリング現象を利用して薄膜を得るいわゆるスパッタリング装置は、スパッタ源のターゲットとアース電位の真空槽外壁との間に高電圧を印加して放電させ、放電プラズマ中のイオンに叩かれて、ターゲットからターゲット材が飛翔し、対向する位置に置かれた基材に堆積して薄膜を形成する。 この時ターゲットが十分に冷却されていないと、放電プラズマから受けるイオン衝撃で激しく昇温し、ターゲット材自身が組成変化を起したり、スパッタ源およびこれをとりまく近傍の真空槽外壁が昇温して不純物ガスを放出し放電が不安定になるなどして、所期の目的であるスパッタ膜を得ることが出来ないばかりではなく、スパッタ源及びスパッタリング装置自身の破損に至ることになる。そこで、ターゲットは常に常温近くを保てるように冷却されている。  このターゲットの冷却方法としては、ターゲットに直接水を流す機構を設けて冷却する方法や、冷却機構を備えたあて板（バッキングプレート）を使用する方法がある。  従来のバッキングプレートの使用例を図９、図１０及び図１１を用いて説明する。図９において、ターゲット１はバッキングプレート２ｆと接触面５において接合される。この接合は、ハンダ・接着剤等でされる場合や、ターゲット１は消耗品であることから、その寿命が尽きたときに新しいターゲットと交換し易いように接触部分５に可撓性伝熱シート材（図示せず）を介在させてバッキングプレート２ｆに締結にて行なわれる場合がある。また、バッキングプレート２ｆは、ターゲット１を冷却するために水冷機構４で水冷却されており、アース電位の真空槽（図示せず）外壁と高電圧絶縁されつつ外端部３で固定されている。（固定機構は図示せず）【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】狭いスペースという構造上の制約から、放電プラズマに大電力を供給した場合には、ターゲット１がプラズマから受けるイオン衝撃エネルギーとバランスする熱交換ができる冷却面積及び冷却水量を確保出来ず、バッキングプレート２ｆの冷却能力を超えて、バッキングプレート２ｆ自体がターゲット１との接触部分５を中心に昇温する場合がある。このような場合には、バッキングプレート２ｆの外端部３が常温に固定されているので、図１０及び図１１に示すように、中央部から熱膨張による変形が生じて、ターゲット１とバッキングプレート２ｆの接触部分５には間隙６が出来、この間隙６の間は真空中であることも加わって、ターゲット１はさらに冷却され難くなる。一方、バッキングプレート２ｆの大気側９には、ターゲット表面１０の上でマグネトロン放電を起させるためのマグネット機構（図示せず）があり、安定した放電を維持するために、このマグネット機構の磁極とターゲット表面１０との間隔を常に一定に保つ必要がある。上述のごとく、放電プラズマに大電力を供給して、バッキングプレート２ｆの冷却能力を超えてターゲット１とともにバッキングプレート２ｆもそり返る場合には、前記マグネット機構の磁極とターゲット表面１０との間隔も広がり、ターゲット表面１０上に生じるマグネトロン磁界が弱くなることから、放電不安定の要因になる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月30日(2007.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】（Ａ）反応性シリル基を有し、ガラス転移温度（以下「Ｔｇ」という。）が−２０〜１０℃である合成樹脂エマルション、（Ｂ）片末端が−ＯＨ基であるポリオキシアルキレン鎖を側鎖及び／または末端に有し、下記式に示す構造の何れか一方または両方を有するものであり、水酸基価が５〜１５０ＫＯＨｍｇ／ｇであるポリシロキサン化合物
【化１】
Ｒ１
│
─Ｓｉ─Ｏ─
│
Ｒ３
│
（ＯＲ４）ｎ─ＯＨ
【化２】
Ｒ１
│
─Ｏ─Ｓｉ─Ｒ３─（ＯＲ４）ｎ─ＯＨ
│
Ｒ２
（Ｒ１、Ｒ２はアルキル基またはフェニル基、Ｒ３はアルキレン基またはフェニレン基、Ｒ４は炭素数１〜４のアルキレン基で、炭素数は同一でも異なってもよい。ｎは１以上の整数。）、
を主成分とし、（Ａ）の固形分１００重量部に対し、（Ｂ）を０．１〜８．０重量部含有し、標準圧力で沸点が２５０℃以下の揮発性有機化合物（以下「ＶＯＣ」という。）が１％以下であることを特徴とする低ＶＯＣ水性塗料組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち本発明は、（Ａ）反応性シリル基を有し、ガラス転移温度（以下「Ｔｇ」という。）が−２０〜１０℃である合成樹脂エマルション、（Ｂ）片末端が−ＯＨ基であるポリオキシアルキレン鎖を側鎖及び／または末端に有し、下記式に示す構造の何れか一方または両方を有するものであり、水酸基価が５〜１５０ＫＯＨｍｇ／ｇであるポリシロキサン化合物
【化３】
Ｒ１
│
─Ｓｉ─Ｏ─
│
Ｒ３
│
（ＯＲ４）ｎ─ＯＨ
【化４】
Ｒ１
│
─Ｏ─Ｓｉ─Ｒ３─（ＯＲ４）ｎ─ＯＨ
│
Ｒ２
（Ｒ１、Ｒ２はアルキル基またはフェニル基、Ｒ３はアルキレン基またはフェニレン基、Ｒ４は炭素数１〜４のアルキレン基で、炭素数は同一でも異なってもよい。ｎは１以上の整数。）、
を主成分とし、（Ａ）の固形分１００重量部に対し、（Ｂ）を０．１〜８．０重量部含有し、標準圧力で沸点が２５０℃以下の揮発性有機化合物（以下「ＶＯＣ」という。）が１％以下であることを特徴とする低ＶＯＣ水性塗料組成物である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月13日(2007.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【表１】
表１
2002105301.tif 000001
＊１： 用いたゴム変性（メタ）アクリル系重合体１００部あたりの部数
＊２： ○：色差５以下（良好）  △：色差５超〜１０未満
×：色差１０超（不良）
＊３： ○：分子量差３２００以下（良好）   ×：分子量差３２００超（不良）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【表２】
表２
2002105301.tif 000002
＊１： 用いたゴム変性（メタ）アクリル系重合体１００部あたりの部数
＊２： ○：色差５以下（良好）  △：色差５超〜１０未満
×：色差１０超（不良）
＊３： ○：分子量差３２００以下（良好）   ×：分子量差３２００超（不良）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【表３】
表３
2002105301.tif 000003
＊１： 用いたゴム変性（メタ）アクリル系重合体１００部あたりの部数
＊２： ○：色差５以下（良好）  △：色差５超〜１０未満
×：色差１０超（不良）
＊３： ○：分子量差３２００以下（良好）   ×：分子量差３２００超（不良）
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月31日(2007.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （Ａ）ポリフェニレンエーテル系樹脂３０〜９９重量部と、（Ｂ）液晶ポリエステル１〜７０重量部とからなる樹脂成分１００重量部に対して、（Ｃ）オルガノポリシロキサンを０．１〜１０重量部の割合で含有し、（Ｃ）オルガノポリシロキサンのＳｉに結合した全炭化水素基のうち少なくとも３０モル％がフェニル基であり、かつ（Ｃ）オルガノポリシロキサンの末端基が、アミノ基を含有することを特徴とするポリフェニレンエーテル系樹脂組成物。
【請求項２】  （Ｃ）オルガノポリシロキサンが、Ｓｉに結合した全炭化水素基のうち少なくとも６０モル％がフェニル基であることを特徴とする請求項１に記載のポリフェニレンエーテル系樹脂組成物。
【請求項３】  （Ｃ）オルガノポリシロキサンが、Ｓｉに結合した全炭化水素基のうち３０〜９０モル％がフェニル基であることを特徴とする請求項１に記載のポリフェニレンエーテル系樹脂組成物。
【請求項４】  （Ｃ）オルガノポリシロキサンが、全結合構造単位の中、式ＲＳｉＯ1.5（Ｔ単位）で示されるシロキサン単位を６０モル％以上有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポリフェニレンエーテル系樹脂組成物。
【請求項５】  （Ｃ）オルガノポリシロキサンが、全結合構造単位の中、式ＲＳｉＯ1.5（Ｔ単位）で示されるシロキサン単位を９０モル％以上有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポリフェニレンエーテル系樹脂組成物。
【請求項６】  （Ｃ）オルガノポリシロキサンが、全ての結合構造単位が式ＲＳｉＯ1.5（Ｔ単位）で示されるシロキサン単位からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポリフェニレンエーテル系樹脂組成物。
【請求項７】  （Ｃ）オルガノポリシロキサンが、全ての結合構造単位が式Ｒ2ＳｉＯ1.0（Ｄ単位）で示されるシロキサン単位からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポリフェニレンエーテル系樹脂組成物。
【請求項８】  （Ｃ）オルガノポリシロキサンの重量平均分子量が１，５００〜１５，０００であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のポリフェニレンエーテル系樹脂組成物。
【請求項９】  請求項１〜８のいずれかに記載のポリフェニレンエーテル系樹脂組成物を射出成形することにより得られる成形体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち本発明は、
１．（Ａ）ポリフェニレンエーテル系樹脂３０〜９９重量部と、（Ｂ）液晶ポリエステル１〜７０重量部とからなる樹脂成分１００重量部に対して、（Ｃ）オルガノポリシロキサンを０．１〜１０重量部の割合で含有し、（Ｃ）オルガノポリシロキサンのＳｉに結合した全炭化水素基のうち少なくとも３０モル％がフェニル基であり、かつ（Ｃ）オルガノポリシロキサンの末端基が、アミノ基を含有することを特徴とするポリフェニレンエーテル系樹脂組成物、
２．（Ｃ）オルガノポリシロキサンが、Ｓｉに結合した全炭化水素基のうち少なくとも６０モル％がフェニル基であることを特徴とする上記１．に記載のポリフェニレンエーテル系樹脂組成物、
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
３．（Ｃ）オルガノポリシロキサンが、Ｓｉに結合した全炭化水素基のうち３０〜９０モル％がフェニル基であることを特徴とする上記１．に記載のポリフェニレンエーテル系樹脂組成物、
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
４．（Ｃ）オルガノポリシロキサンが、全結合構造単位の中、式ＲＳｉＯ1.5（Ｔ単位）で示されるシロキサン単位を６０モル％以上有することを特徴とする上記１．〜３．のいずれかに記載のポリフェニレンエーテル系樹脂組成物、
５．（Ｃ）オルガノポリシロキサンが、全結合構造単位の中、式ＲＳｉＯ1.5（Ｔ単位）で示されるシロキサン単位を９０モル％以上有することを特徴とする上記１．〜３．のいずれかに記載のポリフェニレンエーテル系樹脂組成物、
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
６．（Ｃ）オルガノポリシロキサンが、全ての結合構造単位が式ＲＳｉＯ1.5（Ｔ単位）で示されるシロキサン単位からなることを特徴とする上記１．〜３．のいずれかに記載のポリフェニレンエーテル系樹脂組成物、
７．（Ｃ）オルガノポリシロキサンが、全ての結合構造単位が式Ｒ2ＳｉＯ1.0（Ｄ単位）で示されるシロキサン単位からなることを特徴とする上記１．〜３．のいずれかに記載のポリフェニレンエーテル系樹脂組成物、
８．（Ｃ）オルガノポリシロキサンの重量平均分子量が１，５００〜１５，０００であることを特徴とする上記１．〜７．のいずれかに記載のポリフェニレンエーテル系樹脂組成物、
９．上記１．〜８．のいずれかに記載のポリフェニレンエーテル系樹脂組成物を射出成
形することにより得られる成形体、を提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月18日(2007.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子の発光に基づいて生じる第１の光を波長変換して、前記第１の光と異なる波長領域の第２の光を外部放射させる発光装置において、
第１の光として青色光を放射するＬＥＤ素子と、
前記青色光の放射に基づいて励起されて前記青色光と異なる発光波長領域を有する第２の光を放射する黄色蛍光体と、前記青色光の放射に基づいて励起されて前記青色光と異なる４８０〜５３０ｎｍの発光波長領域を有する第３の光を放射する緑色蛍光体とを含む波長変換部とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記黄色蛍光体は、ガーネット構造蛍光体のＹＡＧ蛍光体であり、５５０〜５７０ｎｍの発光波長領域を有する請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記緑色蛍光体は、Ｍ’ａＭ’’ｂＭ’’’ｃＯｄの一般式で表され、Ｍ’はＭｇ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｓｒ、ＣｄおよびＢａの少なくとも１種である２価の金属元素から選択され、Ｍ’’はＡｌ、Ｓｃ、Ｇａ、Ｙ、Ｉｎ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕの少なくとも１種である３価の金属元素から選択され、Ｍ’’’はＳｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｓｎ、およびＨｆの少なくとも１種である４価の金属元素から選択される化合物を母体とする蛍光体である請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記緑色蛍光体は、Ｍ’ａＭ’’ｂＳ４の一般式で表され、Ｍ’はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒの少なくとも１種である２価の元素から選択され、Ｍ’’はＡｌ、Ｇａ、Ｙの少なくとも１種である３価の元素から選択される化合物を母体とする蛍光体である請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記ＬＥＤ素子の前記青色光は、発光波長領域４５０〜４６０ｎｍである請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記波長変換部は、フリップチップ型ＬＥＤ素子の基板側に前記黄色蛍光体を含む第１の蛍光体層と、第１の蛍光体層に積層される前記緑色蛍光体を含む第２の蛍光体層とを積層して設けられ、前記第２の蛍光体層が実装面に実装されている請求項１に記載の発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上記目的を達成するため、発光素子の発光に基づいて生じる第１の光を波長変換して、前記第１の光と異なる波長領域の第２の光を外部放射させる発光装置において、第１の光として青色光を放射するＬＥＤ素子と、前記青色光の放射に基づいて励起されて前記青色光と異なる発光波長領域を有する第２の光を放射する黄色蛍光体と、前記青色光の放射に基づいて励起されて前記青色光と異なる４８０〜５３０ｎｍの発光波長領域を有する第３の光を放射する緑色蛍光体とを含む波長変換部とを有することを特徴とする発光装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月12日(2007.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワー用半導体素子が形成されたパワー用半導体素子チップと、
前記パワー用半導体素子を制御する制御用ＩＣ（Integrated Circuit）が形成された制御用ＩＣチップと、
前記パワー用半導体素子チップおよび前記制御用ＩＣチップを封止したモールド樹脂パッケージと
を備え、
前記モールド樹脂パッケージには、
前記制御用ＩＣチップを封止する第１のモールド樹脂と、
前記パワー用半導体素子チップを封止する第２のモールド樹脂と
が含まれ、
前記第１のモールド樹脂と、前記第２のモールド樹脂は、同種のエポキシ樹脂で構成されており、
前記第２のモールド樹脂の熱伝導率は、前記第１のモールド樹脂の熱伝導率よりも高い
半導体装置。
【請求項２】
前記第１のモールド樹脂と、前記第２のモールド樹脂は、主たる充填材が同種であり、
前記第２のモールド樹脂の前記充填材の充填率が、前記第１のモールド樹脂の前記充填材の充填率よりも大きいこと
を特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
（ａ）パワー用半導体素子が形成されたパワー用半導体素子チップ、および、前記パワー用半導体素子を制御する制御用ＩＣ（Integrated Circuit）が形成された制御用ＩＣチップを、リードフレーム上にダイボンディングする工程と、
（ｂ）前記パワー用半導体素子チップと前記リードフレームと、および、前記制御用ＩＣチップと前記リードフレームと、をそれぞれワイヤボンディングする工程と、
（ｃ）ワイヤボンディングされた前記パワー用半導体素子チップ、前記制御用ＩＣチップおよび前記リードフレームを、金型内の樹脂注入空間に配置する工程と、
（ｄ）第１のモールド樹脂を前記樹脂注入空間に注入して、前記制御用ＩＣチップを前記第１のモールド樹脂により封止する工程と、
（ｅ）前記第１のモールド樹脂と同種のエポキシ樹脂で構成される第２のモールド樹脂を前記樹脂注入空間に注入して、前記パワー用半導体素子チップを前記第２のモールド樹脂により封止する工程と
を備え、
工程（ｄ）の注入時における前記第１のモールド樹脂の粘度は、工程（ｅ）の注入時における前記第２のモールド樹脂の粘度よりも低く、
前記第２のモールド樹脂の熱伝導率は、前記第１のモールド樹脂の熱伝導率よりも高い
半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法であって、工程（ｄ）および（ｅ）の前に、
（ｆ）前記樹脂注入空間に注入口を介して連結可能なチャンバ内に、前記第１のモールド樹脂の原料となる第１タブレットと前記第２のモールド樹脂の原料となる第２タブレットとを並べて配置する工程と、
（ｇ）前記チャンバ内を加熱して前記第１及び第２タブレットを溶解させる工程と
を備え、
前記注入口から見た前記第１及び第２タブレットの配置が、前記樹脂注入空間内での前記制御用ＩＣチップおよび前記パワー用半導体素子チップの配置に対応した
半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法であって、
（ｈ）第３のモールド樹脂を前記樹脂注入空間に注入して、樹脂注入空間のうち前記制御用ＩＣチップおよび前記パワー用半導体素子チップ以外の他の部分を前記第３のモールド樹脂により封止する工程
をさらに備え、
工程（ｈ）の注入時における前記第３のモールド樹脂の粘度は、工程（ｅ）の注入時における前記第２のモールド樹脂の粘度よりも低い
半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂注入空間のうち前記制御用ＩＣチップの下方には、前記金型の凸部が設けられた
半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項１に記載の発明は、パワー用半導体素子が形成されたパワー用半導体素子チップと、前記パワー用半導体素子を制御する制御用ＩＣ（Integrated Circuit）が形成された制御用ＩＣチップと、前記パワー用半導体素子チップおよび前記制御用ＩＣチップを封止したモールド樹脂パッケージとを備え、前記モールド樹脂パッケージには、前記制御用ＩＣチップを封止する第１のモールド樹脂と、前記パワー用半導体素子チップを封止する第２のモールド樹脂とが含まれ、前記第１のモールド樹脂と、前記第２のモールド樹脂は、同種のエポキシ樹脂で構成されており、前記第２のモールド樹脂の熱伝導率は、前記第１のモールド樹脂の熱伝導率よりも高い半導体装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項３に記載の発明は、（ａ）パワー用半導体素子が形成されたパワー用半導体素子チップ、および、前記パワー用半導体素子を制御する制御用ＩＣ（Integrated Circuit）が形成された制御用ＩＣチップを、リードフレーム上にダイボンディングする工程と、（ｂ）前記パワー用半導体素子チップと前記リードフレームと、および、前記制御用ＩＣチップと前記リードフレームと、をそれぞれワイヤボンディングする工程と、（ｃ）ワイヤボンディングされた前記パワー用半導体素子チップ、前記制御用ＩＣチップおよび前記リードフレームを、金型内の樹脂注入空間に配置する工程と、（ｄ）第１のモールド樹脂を前記樹脂注入空間に注入して、前記制御用ＩＣチップを前記第１のモールド樹脂により封止する工程と、（ｅ）前記第１のモールド樹脂と同種のエポキシ樹脂で構成される第２のモールド樹脂を前記樹脂注入空間に注入して、前記パワー用半導体素子チップを前記第２のモールド樹脂により封止する工程とを備え、工程（ｄ）の注入時における前記第１のモールド樹脂の粘度は、工程（ｅ）の注入時における前記第２のモールド樹脂の粘度よりも低く、前記第２のモールド樹脂の熱伝導率は、前記第１のモールド樹脂の熱伝導率よりも高い半導体装置の製造方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項３に記載の発明によれば、注入時における第１のモールド樹脂の粘度は、注入時における第２のモールド樹脂の粘度よりも低い。よって、制御用ＩＣチップとリードフレームとを、径が細い金線ボンディングワイヤで接続した場合であっても、第１のモールド樹脂の粘度が低いために金線ボンディングワイヤの押し流しを発生しにくくすることができる。これにより、不良品発生率を低減でき、歩留まりの向上が見込める。また、パワー用半導体素子チップを封止する第２のモールド樹脂の熱伝導率は、制御用ＩＣチップを封止する第１のモールド樹脂の熱伝導率よりも高い。よって、大電流の流れるパワー用半導体素子チップから発生する熱を、高熱伝導の第２のモールド樹脂から有効に放熱することが可能な、請求項１に記載の半導体装置を製造することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月9日(2007.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
変調信号を増幅する入力系統と、
上記入力系統が出力する上記変調信号を、複数の無線周波数の送信信号から選択された１送信信号に変換する変調器であって、上記複数の送信信号は互いに周波数が異なる上記変調器と、
上記変調器が出力する送信信号毎に設けられ、上記送信信号を増幅する複数の出力増幅器と、
上記変調器に、送信信号毎に周波数が異なる局発信号を供給する局発信号発生回路とを具備して成り、
上記局発信号発生回路は、発振信号を生成する電圧制御発振器と、上記電圧制御発振器が出力する発振信号を分周する分周回路と、上記分周回路の出力信号から、上記変調器への上記局発信号を生成する信号分配回路とを具備し、
上記電圧制御発振器は、
差動出力用の第１の端子及び第２の端子を有する差動型の負性コンダクタンス発生回路と、
容量値が電圧制御によって制御される可変容量とインダクタンスとが並列接続された差動型の共振回路であって、上記第１の端子及び第２の端子の間に接続された上記共振回路と、
上記第１の端子及び第２の端子の間に接続された差動型の負性インピーダンス回路とを具備して成り、
上記第１の端子及び上記第２の端子の間に生じている固定容量の容量値が上記負性インピーダンス回路が呈する負性インピーダンスによって低減されることを特徴とする無線通信機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
負性のインピーダンスを発生させるには、図２の交流電圧ｖｉと交流電流ｉｏｂが同じノードで発生するように結線すればよい。このとき、ｉｏ−ｉｚ＝０，ｉｏｂ＋ｉｚ＝０，ｖｉ＝−ｖｉｂ＝ｖｅ＝−ｖｅｂ，ｉｚ＝（ｖｅ−ｖｅｂ）／Ｚとなり、これにより、
Ｚｎｅｇ＝ｖｉ／ｉｏｂ＝ｖｉ／（−ｉｚ）＝−Ｚ／２  ・・・（５）
の負性インピーダンスＺｎｅｇを正相端子＋と接地の間（同様に、逆相端子−と接地の間）に発生することができる。言い換えると、正相端子＋と逆相端子−の間に２Ｚｎｅｇを発生することができる。負性容量を発生させるためには、インピーダンスＺに容量Ｃを配置すれば良い。その場合、式（５）は以下のようになり、正相端子＋と接地の間（同様に、逆相端子−と接地の間）に−２Ｃの負性容量が得られる。
Ｚｎｅｇ＝−（1／（ｊωＣ・２））＝１／（ｊω・（−２Ｃ））  ・・・（６）
この−２Ｃの負性容量によって、共振ノードＯＵＴ，ＯＵＴＢのそれぞれに生じている固定容量の容量値が等価的に減少される。言い換えると、正相端子＋と逆相端子−の間に−Ｃの負性容量が得られ、これによって、共振ノードＯＵＴと共振ノードＯＵＴＢの間の固定容量の容量値が等価的に減少される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2006324953.tif 000001