【手続補正書】
【提出日】平成18年11月13日(2006.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート絶縁膜に接して形成された第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極を覆い且つ前記ゲート絶縁膜に接して形成された第２のゲート電極と、
前記第１のゲート電極と重なる第１のチャネル形成領域と、
前記第２のゲート電極と重なる第１の不純物領域と、
前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極と重ならず、前記第１の不純物領域よりも導電型を付与する不純物元素の濃度が高い第２の不純物領域と、
を有する第１の半導体素子と、
前記ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート絶縁膜に接して形成された第３のゲート電極と、
前記第３のゲート電極と重なる第２のチャネル形成領域と、
前記第３のゲート電極と重ならず、前記第２のチャネル形成領域と接して設けられた第３の不純物領域と、
前記第３のゲート電極と重ならず、前記第３の不純物領域と接して設けられ、前記第３の不純物領域よりも導電型を付与する不純物元素の濃度が高い第４の不純物領域と、
を有する第２の半導体素子とを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート絶縁膜に接して形成された第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極を覆い、且つ前記ゲート絶縁膜に接して形成された第２のゲート電極と、
前記第１のゲート電極と重なる第１のチャネル形成領域と、
前記第２のゲート電極と重なる第１の不純物領域と、
前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極と重ならず、前記第１の不純物領域よりもｎ型を付与する不純物元素の濃度が高い第２の不純物領域と、
を有するｎチャネル型トランジスタと、
前記ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート絶縁膜に接して形成された第３のゲート電極と、
前記第３のゲート電極と重なる第２のチャネル形成領域と、
前記第３のゲート電極と重ならず、前記第２のチャネル形成領域と接して設けられた第３の不純物領域と、
前記第３のゲート電極と重ならず、前記第３の不純物領域と接して設けられ、前記第３の不純物領域よりもｐ型を付与する不純物元素の濃度が高い第４の不純物領域と、
を有するｐチャネル型トランジスタとを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
画素部と、前記画素部に信号を入力する駆動回路とを有し、
前記第１の半導体素子は前記駆動回路が有するｎチャネル型トランジスタであり、
前記第２の半導体素子は前記画素部が有するｎチャネル型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１のゲート電極及び前記第３のゲート電極は、
タンタル、窒化タンタル、チタン、クロム、タングステン、モリブデン、シリコン、アルミニウムまたは銅の単体金属層、
タンタル、窒化タンタル、チタン、クロム、タングステン、モリブデン、シリコン、アルミニウムまたは銅を主成分とする合金層、
或いは前記単体金属層や前記合金層の積層構造からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２のゲート電極の材料は、前記第１のゲート電極及び前記第３のゲート電極の材料と異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記半導体装置とは液晶表示装置またはＥＬ表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記半導体装置とは、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、パーソナルコンピュータ、または携帯情報端末であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
絶縁表面上に第１の半導体層と第２の半導体層とを形成し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、前記第１の半導体層と重なり且つ前記ゲート絶縁膜に接する第１のゲート電極と、前記第２の半導体層と重なり且つ前記ゲート絶縁膜に接する第２のゲート電極とを形成し、
前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極をマスクとして、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に一導電型を付与する不純物元素を添加した後、
前記第１のゲート電極を覆い且つ前記ゲート絶縁膜に接する第３のゲート電極と、前記第２のゲート電極を覆い且つ前記ゲート絶縁膜に接する第４のゲート電極とを形成し、
前記第３のゲート電極及び前記第４のゲート電極をマスクとして、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に一導電型を付与する不純物元素を添加した後、
前記第４のゲート電極を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁表面上に第１の半導体層と第２の半導体層とを形成し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、前記第１の半導体層と重なり且つ前記ゲート絶縁膜に接する第１のゲート電極と、前記第２の半導体層と重なり且つ前記ゲート絶縁膜に接する第２のゲート電極とを形成し、
前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極をマスクとして、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に一導電型を付与する不純物元素を添加した後、
前記第１のゲート電極を覆い且つ前記ゲート絶縁膜に接する第３のゲート電極と、前記第２のゲート電極を覆い且つ前記ゲート絶縁膜に接する第４のゲート電極とを形成し、
前記第３のゲート電極及び前記第４のゲート電極をマスクとして、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に一導電型を付与する不純物元素を添加した後、
前記第３のゲート電極の端部を除去して前記第３のゲート電極と前記ゲート絶縁膜の接する面積を小さくし、且つ前記第４のゲート電極を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面上に第１の半導体層と第２の半導体層とを形成し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、前記第１の半導体層と重なり且つ前記ゲート絶縁膜に接する第１のゲート電極と、前記第２の半導体層と重なり且つ前記ゲート絶縁膜に接する第２のゲート電極とを形成し、
前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極をマスクとして、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に一導電型を付与する不純物元素を添加した後、
前記第１のゲート電極を覆い且つ前記ゲート絶縁膜に接する第３のゲート電極と、前記第２のゲート電極を覆い且つ前記ゲート絶縁膜に接する第４のゲート電極とを形成し、
前記第３のゲート電極及び前記第４のゲート電極をマスクとして、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に一導電型を付与する不純物元素を添加した後、
前記第３のゲート電極の端部を除去して前記第３のゲート電極と前記ゲート絶縁膜の接する面積を小さくすると同時に、前記第４のゲート電極を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、
タンタル、窒化タンタル、チタン、クロム、タングステン、モリブデン、シリコン、アルミニウムまたは銅の単体金属層、
タンタル、窒化タンタル、チタン、クロム、タングステン、モリブデン、シリコン、アルミニウムまたは銅を主成分とする合金層、
或いは前記単体金属層や前記合金層の積層構造からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一において、
前記第３のゲート電極及び前記第４のゲート電極の材料は、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極の材料と異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。