【手続補正書】
【提出日】平成19年3月15日(2007.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体膜にエネルギービームを照射することにより結晶性を改善させ、
前記結晶性を改善させた半導体膜の表面に可視光を照射してその散乱光を撮像し、
前記撮像された画像をデジタル化してデジタル映像とし、
前記デジタル映像の輝度を前記エネルギービームが前記半導体膜上において走査された方向と直角をなす方向にコンピュータにより演算することで前記結晶性を改善させた半導体膜の結晶性の評価を行うことを特徴とする評価方法。
【請求項２】
エネルギービームを照射することにより結晶性を改善させた半導体膜の表面に可視光を照射し、
前記照射された可視光の散乱光を撮像し、
前記撮像された画像をデジタル化してデジタル映像とし、
前記デジタル映像における前記エネルギービームが走査された方向をＹ方向、前記Ｙ方向に直角をなす方向をＸ方向としたとき、
前記デジタル映像をあらかじめ定めた解析範囲内において、前記Ｘ方向においてｍ分割、前記Ｙ方向においてｎ分割してｍ×ｎ個の基本単位を定め、
前記Ｘ方向に並んだｍ個の基本単位の輝度値の総和を、Ｙ方向に並んだｎ列全てについてそれぞれ求め、
前記輝度値の総和と対応するＹ方向における位置との関係における近似直線を求め、
前記近似直線からの前記輝度値の総和の分散により前記結晶性を改善させた半導体膜の結晶性の評価を行うことを特徴とする評価方法。
【請求項３】
エネルギービームを照射することにより結晶性を改善させた半導体膜の表面に可視光を照射し、
前記照射された可視光の散乱光を撮像し、
前記撮像された画像をデジタル化してデジタル映像とし、
前記デジタル映像における前記エネルギービームが走査された方向をＹ方向、前記Ｙ方向に直角をなす方向をＸ方向としたとき、
前記デジタル映像をあらかじめ定めた解析範囲内において、前記Ｘ方向においてｍ分割、前記Ｙ方向においてｎ分割してｍ×ｎ個の基本単位を定め、
前記Ｘ方向に並んだｍ個の基本単位の輝度値の平均を、Ｙ方向に並んだｎ列全てについてそれぞれ求め、
前記輝度値の平均と対応するＹ方向における位置との関係における近似直線を求め、
前記近似直線からの前記輝度値の平均の分散により前記結晶性を改善させた半導体膜の結晶性の評価を行うことを特徴とする評価方法。
【請求項４】
エネルギービームを照射することにより結晶性を改善させた半導体膜の表面に可視光を照射し、
前記照射された可視光の散乱光を撮像し、
前記撮像された画像をデジタル化してデジタル映像とし、
前記デジタル映像における前記エネルギービームが走査された方向をＹ方向、前記Ｙ方向に直角をなす方向をＸ方向としたとき、
前記デジタル映像をあらかじめ定めた解析範囲内において、前記Ｘ方向においてｍ分割、前記Ｙ方向においてｎ分割してｍ×ｎ個の基本単位を定め、
前記Ｙ方向に隣り合った二つの基本単位の輝度より大きい輝度を持つ基本単位が前記Ｘ方向に規定個数連なっている場合に１カウントとし、
画面内のカウント数によって前記結晶性を改善させた半導体膜の結晶性の評価を行うことを特徴とする評価方法。
【請求項５】
エネルギービームを照射することにより結晶性を改善させた半導体膜の表面に可視光を照射し、
前記照射された可視光の散乱光をデジタル映像として撮像し、
前記撮像された画像をデジタル化してデジタル映像とし、
前記デジタル映像における前記エネルギービームが走査された方向をＹ方向、前記Ｙ方向に直角をなす方向をＸ方向としたとき、
前記デジタル映像をあらかじめ定めた解析範囲内において、前記Ｘ方向においてｍ分割、前記Ｙ方向においてｎ分割してｍ×ｎ個の基本単位を定め、
前記Ｙ方向に一定距離だけ離れた二つの基本単位の輝度より大きい輝度を持つ基本単位が前記Ｘ方向に規定個数連なっている場合に１カウントとし、
画面内のカウント数によって前記結晶性を改善させた半導体膜の結晶性の評価を行うことを特徴とする評価方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記輝度に代えて修正彩度を使用することを特徴とする評価方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記デジタル映像面内の平均輝度と合わせて評価することを特徴とする評価方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記デジタル映像面内の平均修正彩度と合わせて評価することを特徴とする評価方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８に記載の評価方法を２つ以上組み合わせて評価することを特徴とする評価方法。
【請求項１０】
非晶質半導体膜が形成された基板に１パルスのエネルギービームを照射し、
前記基板の表面に可視光を照射し、その散乱光を撮像し、
前記撮像された画像をデジタル化してデジタル映像とし、
前記デジタル映像の輝度を前記エネルギービームが前記半導体膜上において走査された方向と直角をなす方向にコンピュータにより演算することで前記エネルギービームのプロファイル評価を行うことを特徴とするビームプロファイル評価方法。
【請求項１１】
非晶質半導体膜が形成された基板に１パルスのエネルギービームを照射し、
前記基板の表面に可視光を照射し、その散乱光を撮像し、
前記撮像された画像をデジタル化してデジタル映像とし、
前記デジタル映像における前記エネルギービームの短軸方向をＹ方向、長軸方向をＸ方向としたとき、
前記デジタル映像をあらかじめ定めた解析範囲内において、前記Ｘ方向においてｍ分割、前記Ｙ方向においてｎ分割してｍ×ｎ個の基本単位を定め、
前記Ｘ方向に並んだｍ個の基本単位の輝度値の総和を、Ｙ方向に並んだｎ列全てについてそれぞれ求め、
前記輝度値の総和と、対応するＹ方向における位置の関係から前記エネルギービームのプロファイル評価を行うことを特徴とするビームプロファイル評価方法。
【請求項１２】
非晶質半導体膜が形成された基板に１パルスのエネルギービームを照射し、
前記基板の表面に可視光を照射し、その散乱光を撮像し、
前記撮像された画像をデジタル化してデジタル映像とし、
前記デジタル映像における前記エネルギービームの短軸方向をＹ方向、長軸方向をＸ方向としたとき、
前記デジタル映像をあらかじめ定めた解析範囲内において、前記Ｘ方向においてｍ分割、前記Ｙ方向においてｎ分割してｍ×ｎ個の基本単位を定め、
前記Ｘ方向に並んだｍ個の基本単位の輝度値の平均を、Ｙ方向に並んだｎ列全てについてそれぞれ求め、
前記輝度値の平均と対応するＹ方向における位置の関係から前記エネルギービームのプロファイル評価を行うことを特徴とするビームプロファイル評価方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか１項において、
前記輝度に代えて修正彩度を使用することを特徴とする評価方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項において、
前記エネルギービームはレーザ光であることを特徴とする評価方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか１項において、
前記可視光はメタルハライドランプ、ハロゲンランプ、タングステンランプ、キセノンランプ、発光ダイオード、蛍光灯を光源とすることを特徴とする評価方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか１項において、
前記可視光の前記半導体膜の表面における照度は１万ルクス以上であることを特徴とする評価方法。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記照度は２万ルクス以上１０万ルクス以下であることを特徴とする評価方法。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか１項に記載の評価方法により評価した半導体膜を使用したことを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１８のいずれか１項に記載の評価方法により異なるエネルギー密度のエネルギービームで結晶化された複数の半導体膜を各々評価し、
前記評価結果から照射エネルギー密度を決定して結晶化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記散乱光を撮像する手段を、結晶化装置内に設置することを特徴とする半導体装置の作製方法。