Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】令和1年5月10日(2019.5.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水蒸気に関して、試料の透過度を測定するためのアセンブリであって、そこには、波長幅内の電磁放射線の空間分解スペクトル分析のために設けられた複数の検出器が列配置で又は行列配置で配置され、検出器は電子評価部に接続され、広帯域放射線源から出射した電磁放射線が、試料表面で、試料上に形成された層で、若しくは、試料内部の層の表面で反射した後に、又は、電磁放射線を透過する試料に照射した後に、これが検出器に当たるように配置され、
電磁放射線の照射が表面に行われるところ、電磁放射線が反射する表面では、又は電磁放射線が透過する表面では、電磁放射線の強度が横方向に均一で、さらに時間的に均一であり、
試料のあらかじめ設定できる表面上に配置された個々の局所点に関して、空間解像度及び波長解像度を有して検出された検出器の測定信号が波長幅内で検出できるように電子評価部が配置され、その際、複数の位置で検出された測定信号は、検出された表面の各部分領域と関連付けることができ、ここで各試料表面の全ての局所点で波長分解能を有して検出された強度の全体は、波長分解能を有する１つの次元と、空間分解能を有する２つの次元とを備えた３次元データ構造を形成し、
波長解像度を有して検出された検出表面の部分領域の全ての測定信号について、波長スペクトルの主成分分析によるデータの削減を行うことができ、ここで各部分表面の個々の局所点で検出された波長スペクトルは、スペクトル特徴抽出を受けることができ、
これらの選択された特徴を参照し、予め決定され、電子メモリに記録された回帰モデルを用いて、対応する透過度についての計算結果を得ることができ、前記回帰モデルは、他の方法で得られた試料の特徴セットであって、その透過度がより高い測定精度を有する異なる測定方法を用いて測定された試料の特徴セットを用いて準備されたものである、
アセンブリ。
【請求項２】
テクスチャ情報の抽出、平均値形成、標準偏差の決定、及び／又は、それらの組み合わせによる特徴抽出によりさらにデータ削減ができるように、電子評価部が形成される
ことを特徴とする請求項１記載のアセンブリ。
【請求項３】
研究される部分領域は、５００×５００μｍ〜１５００×１５００μｍの範囲の大きさを有する
ことを特徴とする請求項１又は請求項２記載のアセンブリ。
【請求項４】
表面の照射は、試料表面の垂線に対して、０°以上９０°未満の範囲の少なくとも１つの角度で行われる
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のアセンブリ。
【請求項５】
検出及び評価は、入射平面に対して、規定され既知の少なくとも１つの偏光面を有する少なくとも１つの偏光子を用いて行うことができる
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のアセンブリ。
【請求項６】
検出器と試料とは、互いに少なくとも１つの軸に沿って、そして、その際に、互いに一定の間隔で移動可能である
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載のアセンブリ。
【請求項７】
放射線源は電磁放射線を形成する光学要素を有し、又は、放射線源は電磁放射線を表面上に拡散させて出射し、中空体内部に配置され、そして、散乱された電磁放射線の入射を防ぐ絞りが電磁放射線の光学経路中の検出器の前に配置される
ことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載のアセンブリ。
【請求項８】
試料は、異なる材料又は物質から形成された、複数の層で形成された多層構造を有する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載のアセンブリ。
【請求項９】
検出器の行列配置は、ＨＳＩカメラを用いた光学要素及び評価電子装置により形成される
ことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載のアセンブリ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
電磁放射線の光学ビーム経路中の検出器の前に、散乱された電磁放射線の入射を防ぐ絞り（ドイツ語：Blende）を好ましくは配置することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
１．スペクトルの平均値平滑化（smoothing）
測定されたスペクトルからのノイズ除去（ドイツ語：Entfernung von Rauschen）
２．部分領域のハイパーキューブの主成分分析
それにより、重要な情報が失われることなく、データの次元の削減が達成された
３．ありとあらゆる主成分の固有値の、分散、四分位範囲及び平均絶対偏差の算出。結果は異なる特徴のセットである。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月3日(2019.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記相互拡散係数値Ｄｍと前記対応する濃度ｃとの関係Ｄｍ（ｃ）から、前記溶媒内の溶質の拡散相互作用パラメータｋＤを決定する（４００）ことを更に含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記テイラーグラムの継続期間にわたって前記相互拡散係数の値から溶質粒子の凝集の尺度を推定する（６００）ことを更に含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法を実行するように構成されるプロセッサ（５１）を備える装置（４０）。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月7日(2019.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浮遊ゲートと複数の金属層とを含む基板上に形成された電荷蓄積コンポーネントであって、前記複数の金属層は、互いにかつ前記浮遊ゲートに電気的に結合され、フィールド酸化膜の対応する層によって分離され、かつ、初期電荷を保つように、および前記電荷蓄積コンポーネントの温度に応じた速度で電荷を損失するように構成された、電荷蓄積コンポーネントと、
前記浮遊ゲートに近接した少なくとも1つの電界効果トランジスタチャネルを含むセンシングインターフェースであって、前記少なくとも1つの電界効果トランジスタチャネルはゲート酸化膜を介して前記浮遊ゲートに結合された、センシングインターフェースと、
前記センシングインターフェースに結合された読み出し機構であって、前記電荷蓄積コンポーネント上の残留電荷を、前記残留電荷を実質的に変化させることなくセンシングするように構成され、前記残留電荷を示す読み出し値を提供するように構成された、読み出し機構と
を備える、熱イベントセンサ。
【請求項２】
前記浮遊ゲートが、ポリシリコン材料の単一層で形成される、請求項1に記載のセンサ。
【請求項３】
前記センシングインターフェースが、前記浮遊ゲートに結合された少なくとも2つの電界効果トランジスタチャネルを含み、前記少なくとも2つの電界効果トランジスタチャネルが、互いに対して横方向の構成に形成される、請求項1に記載のセンサ。
【請求項４】
前記センシングインターフェースが、前記浮遊ゲートに近接した制御ゲートをさらに含む、請求項1に記載のセンサ。
【請求項５】
前記読み出し機構が、前記電界効果トランジスタチャネルに結合された読み出し回路であり、前記読み出し回路が、前記電界効果トランジスタチャネルを通るセンス電流を検出するように構成される、請求項1に記載のセンサ。
【請求項６】
前記センシングインターフェースに結合され、前記電荷蓄積コンポーネント上に初期電荷を置くように構成された帯電機構をさらに備える、請求項1に記載のセンサ。
【請求項７】
前記帯電機構が、ファウラーノルドハイムトンネリングおよびホットキャリア注入のうちの少なくとも1つにより、前記電荷蓄積コンポーネント上に前記初期電荷を置くように構成される、請求項6に記載のセンサ。
【請求項８】
前記帯電機構が、前記電荷蓄積コンポーネント上に前記初期電荷を置いた後、無効にされるように構成される、請求項6に記載のセンサ。
【請求項９】
前記電荷蓄積コンポーネントが、前記初期電荷をトラップすることによって前記初期電荷を保つように構成されたドープ誘電体を含む、請求項1に記載のセンサ。
【請求項１０】
帯電機構により、第1の時間において第1の電荷を電荷蓄積コンポーネント上に提供するステップであって、前記電荷蓄積コンポーネントは、互いに電気的に結合され、かつ、フィールド酸化膜の対応する層によって分離された複数の金属層を含み、前記第1の電荷は前記複数の金属層に電荷を堆積させることによって提供され、前記電荷蓄積コンポーネントは温度に応じた速度で電荷を損失するように構成される、ステップと、
第2の時間において前記電荷蓄積コンポーネント上の残留電荷をセンシングするステップと、
前記センシングした残留電荷を前記第1の電荷と比較するステップと
を含む、熱イベントを検出する方法。
【請求項１１】
前記残留電荷をセンシングするステップが、前記電荷蓄積コンポーネントに近接したトランジスタチャネルの伝導性をセンシングするステップを含み、前記残留電荷が、前記トランジスタチャネルに電界効果を及ぼす、請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
前記比較に基づいて前記電荷蓄積コンポーネントが熱イベントに露出されたかどうかを決定するステップをさらに含む、請求項10に記載の方法。
【請求項１３】
前記第1の電荷を提供した後に前記帯電機構を無効にするステップをさらに含む、請求項10に記載の方法。
【請求項１４】
帯電機構により、第1の時間において第1の電荷を電荷蓄積コンポーネント上に提供するステップであって、前記電荷蓄積コンポーネントは、互いに電気的に結合され、かつ、フィールド酸化膜の対応する層によって分離された複数の金属層を含み、前記第1の電荷は前記複数の金属層に電荷を堆積させることによって提供され、前記電荷蓄積コンポーネントは温度に応じた速度で電荷を損失するように構成される、ステップと、
第2の時間において前記電荷蓄積コンポーネント上に残留している予期される電荷を決定するステップと、
前記第2の時間において前記電荷蓄積コンポーネント上に残留している第2の電荷をセンシングするステップと、
前記第2の電荷を前記予期される電荷と比較するステップと、
前記比較に基づいて前記電荷蓄積コンポーネントが許容範囲外の温度変化に露出されたかどうかを決定するステップと
を含む、温度変化を検出する方法。
【請求項１５】
前記残留電荷をセンシングするステップが、前記電荷蓄積コンポーネントに近接したトランジスタチャネルの伝導性をセンシングするステップを含み、前記残留電荷が、前記トランジスタチャネルに電界効果を及ぼす、請求項14に記載の方法。
【請求項１６】
前記第1の電荷を提供した後に前記帯電機構を無効にするステップをさらに含む、請求項14に記載の方法。
【請求項１７】
互いに電気的に結合された複数の金属層と、初期電荷をトラップすることによって前記初期電荷を保つように構成されたドープ誘電体とを含む基板上に形成された電荷蓄積コンポーネントであって、前記電荷蓄積コンポーネントは、前記電荷蓄積コンポーネントの温度に応じた速度で電荷を損失するように構成された、電荷蓄積コンポーネントと、
前記電荷蓄積コンポーネントに結合されたセンシングインターフェースと、
前記センシングインターフェースに結合された読み出し機構であって、前記電荷蓄積コンポーネント上の残留電荷を、前記残留電荷を実質的に変化させることなくセンシングするように構成され、前記残留電荷を示す読み出し値を提供するように構成された、読み出し機構と
を備える、熱イベントセンサ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月31日(2019.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弱毒四価デングワクチンを調製するプロセスであって、
（ｉ）培養下でベロ細胞を増幅させてベロ細胞のマスター及びワーキングバンクを作製することであって、無血清培地中で増殖するように前記ベロ細胞を適応させ、無血清培地中で増殖させ、２２５ｃｍ２組織培養（ＴＣ）フラスコ、その後Ｃｅｌｌ  Ｆａｃｔｏｒｙ  Ｓｙｓｔｅｍ（商標）（ＣＦＳ）内でこの細胞の非動物起源のトリプシンを使用して継代培養することと；
（ｉｉ）前記マスター又はワーキングバンクから得られたベロ細胞に各ウイルスのシード又はワーキングバンクから得られた弱毒デングウイルス血清型１、２、３、及び４を感染させることであって、無血清培地による個別の培養下で前記ベロ細胞に弱毒デングウイルス血清型１、２、３、及び４を独立して感染させることと；
（ｉｉｉ）各デングウイルスに感染したベロ細胞を含有している２２５ｃｍ２ＴＣフラスコ又はＣｅｌｌ  Ｆａｃｔｏｒｙ  Ｓｙｓｔｅｍ（商標）（ＣＦＳ）を３６．５℃（±１℃）で１０日間〜２０日間インキュベートすることと；
（ｉｖ）各培養物の上清を収集することと；
（ｖ）工程（ｉｖ）で得られた各デングウイルス懸濁液を０．２μｍ多孔質膜で濾過し、前記濾過されたデングウイルスを−８０℃（±５℃）で保存することと；
（ｖｉ）前記血清型１、２、３、及び４のデングウイルスバルクを調製することと；
（ｖｉｉ）一価ワクチンを製剤化することと；
（ｖｉｉｉ）前記一価ワクチンを混合することによって四価ワクチンを製剤化することと；
（ｉｘ）前記四価ワクチンをバイアル瓶に充填することと；
（ｘ）前記バイアル瓶内の前記四価ワクチンを凍結乾燥させることと；
（ｘｉ）前記バイアル瓶内に前記凍結乾燥した四価ワクチンを密封することと；
（ｘｉｉ）凍結乾燥し、密封した製品を２℃〜８℃で保存して、弱毒四価デングワクチンを調製することと
を含むことを特徴とするプロセス。
【請求項２】
前記上清を工程（ｉｖ）で収集し、等体積の無血清培地を前記培養物に添加し、工程（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）を繰り返す請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
工程（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）を１回〜約７回繰り返す請求項２に記載のプロセス。
【請求項４】
使用される前記デングウイルス株が、ｒＤＥＮ１Δ３０−１５４５（配列番号１）又はその変異体；ｒＤＥＮ２／４Δ３０（ＭＥ）−１４９５，７１６３（配列番号２）又はその変異体；ｒＤＥＮ３Δ３０／３１−７１６４（配列番号３）又はその変異体、及びｒＤＥＮ４Δ３０−７１３２，７１６３，８３０８（配列番号４）又はその変異体である請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】
弱毒四価デングワクチンを調製するプロセスであって、
（ｉ）培養下でベロ細胞を増幅させてベロ細胞のマスター及びワーキングバンクを作製することであって、無血清培地中で増殖するように前記ベロ細胞を適応させ、無血清培地中で増殖させ、非動物起源のトリプシンを使用して継代培養することと；
（ｉｉ）前記マスター又はワーキングバンクから得られたベロ細胞に各ウイルスのシード又はワーキングバンクから得られた弱毒デングウイルス血清型１、２、３、及び４を感染させることであって、無血清培地による個別の培養下で前記ベロ細胞に弱毒デングウイルス血清型１、２、３、及び４を独立して感染させることと；
（ｉｉｉ）組織培養フラスコ又はＣｅｌｌ  Ｆａｃｔｏｒｙ  Ｓｙｓｔｅｍ（商標）内で各デングウイルスに感染した前記ベロ細胞を３６．５℃（±１℃）で１０日間〜２０日間インキュベートすることと；
（ｉｖ）各培養物の上清を収集することと；
（ｖ）工程（ｉｖ）で得られた各デングウイルス懸濁液を０．２μｍ多孔質膜で濾過し、前記濾過されたデングウイルスを−８０℃（±５℃）で保存することと；
（ｖｉ）前記血清型１、２、３、及び４のデングウイルスバルクを調製することと；
（ｖｉｉ）一価ワクチンを製剤化することと；及び
（ｖｉｉｉ）前記一価ワクチンを混合することによって四価ワクチンを製剤化することと
を含むことを特徴とするプロセス。
【請求項６】
使用される前記ベロ細胞株が、ＡＴＣＣ  ＣＣＬ−８１．４である請求項５に記載のプロセス。
【請求項７】
前記上清を工程（ｉｖ）で収集し、等体積の無血清培地を前記培養物に添加し、工程（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）を繰り返す請求項５に記載のプロセス。
【請求項８】
工程（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）を１回〜約７回繰り返す請求項７に記載のプロセス。
【請求項９】
使用される前記デングウイルス株が、ｒＤＥＮ１Δ３０−１５４５（配列番号１）又はその変異体；ｒＤＥＮ２／４Δ３０（ＭＥ）−１４９５，７１６３（配列番号２）又はその変異体；ｒＤＥＮ３Δ３０／３１−７１６４（配列番号３）又はその変異体、及びｒＤＥＮ４Δ３０−７１３２，７１６３，８３０８（配列番号４）又はその変異体である請求項５に記載のプロセス。
【請求項１０】
各デング血清型についてのデングウイルス株の感染多重度（ＭＯＩ）が、ＤＥＮＶ１及び４については０．０１〜０．０３、ＤＥＮＶ２については０．０２〜０．０４、並びにＤＥＮＶ３については０．０５〜０．０８である請求項９に記載のプロセス。
【請求項１１】
前記一価ワクチンを同体積比で混合して、前記四価デングワクチン１、２、３、４（弱毒）を得る請求項５に記載のプロセス。
【請求項１２】
前記四価ワクチンをバイアル瓶に充填する工程と；前記バイアル瓶内の前記四価ワクチンを凍結乾燥する工程と；前記バイアル瓶内に前記凍結乾燥した四価ワクチンを密封する工程と；凍結乾燥及び密封された製品を２℃〜８℃で保存する工程とを更に含む請求項５に記載のプロセス。
【請求項１３】
前記凍結乾燥プロセスにおいて使用されるパラメータが、凍結（−３０℃〜−５０℃）、真空（２０μｂａｒ〜１００μｂａｒ）、一次乾燥：−３０℃〜−５０℃（３６時間〜４２時間）及び−５℃〜−１０℃（１８時間〜２４時間）、二次乾燥：２５℃〜２９℃（８時間〜１５時間）である請求項１２に記載のプロセス。
【請求項１４】
被験体に投与するための四価デングワクチンを調製するプロセスであって、０．２Ｍリン酸二水素ナトリウム二水和物、０．２Ｍリン酸水素二ナトリウム七水和物、及び水を含む組成物で、請求項１に記載のプロセスによって生産される前記密封及び凍結乾燥した弱毒四価デングワクチンを再構成する工程を含むことを特徴とするプロセス。
【請求項１５】
前記密封及び凍結乾燥したワクチンを前記組成物５ｍＬで再構成する請求項１４に記載のプロセス。
【請求項１６】
請求項１に記載のプロセスによって生産される弱毒四価デングワクチンと、０．２Ｍリン酸二水素ナトリウム二水和物、０．２Ｍリン酸水素二ナトリウム七水和物、及び水を含む再構成組成物とを含むことを特徴とする四価デングワクチンキット。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月24日(2019.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スピドロイン（ｓｐｉｄｒｏｉｎ）フラグメントと、インテグリンに対する選択性を有する細胞結合モチーフとを含む組換え融合タンパク質であって、前記細胞結合モチーフが、アミノ酸配列
Ｃ１Ｘ１Ｘ２ＲＧＤＸ３Ｘ４Ｘ５Ｃ２
を含み、
ここで
Ｘ１は、Ｓ又はＴであり；
Ｘ２は、Ｇ、Ａ又はＶであり；
Ｘ３は、Ｓ又はＴであり；
Ｘ４は、Ｇ、Ａ、Ｖ又はＰであり；そして
Ｘ５は、Ｇ、Ａ又はＶであり；そして
Ｃ１及びＣ２は、ジスルフィド結合を介して接続されている、
組換え融合タンパク質。
【請求項２】
Ｘ２が、Ｇ又はＡである、請求項１に記載の組換え融合タンパク質。
【請求項３】
Ｘ２が、Ｇである、請求項２に記載の組換え融合タンパク質。
【請求項４】
Ｘ３が、Ｓである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組換え融合タンパク質。
【請求項５】
Ｘ４が、Ｇ又はＰである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の組換え融合タンパク質。
【請求項６】
Ｘ４が、Ｐである、請求項５に記載の組換え融合タンパク質。
【請求項７】
Ｘ５が、Ｇ又はＡである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の組換え融合タンパク質。
【請求項８】
Ｘ５が、Ａである、請求項７に記載の組換え融合タンパク質。
【請求項９】
前記細胞結合モチーフが、アミノ酸配列ＣＴＧＲＧＤＳＰＡＣ（配列番号１０）を含む、請求項１に記載の組換え融合タンパク質。
【請求項１０】
前記細胞結合モチーフが、α５β１インテグリンに対する選択性を有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の組換え融合タンパク質。
【請求項１１】
前記スピドロインフラグメントは、タンパク質部分ＣＴを含み、
ここで前記ＣＴは、７０〜１２０アミノ酸残基のフラグメントであり、配列番号３及び２９〜５９のいずれか１つに対して少なくとも７０％の同一性を有する、
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の組換え融合タンパク質。
【請求項１２】
前記ＣＴは、配列番号３及び２９〜５９のいずれか１つに対して少なくとも８０％の同一性を有する、請求項１１に記載の組換え融合タンパク質。
【請求項１３】
前記ＣＴは、配列番号３に対して少なくとも８０％の同一性を有する、請求項１１に記載の組換え融合タンパク質。
【請求項１４】
前記スピドロインフラグメントは、さらに、タンパク質部分ＲＥＰを含み、
ここで、ＲＥＰは、Ｌ（ＡＧ）ｎＬ、Ｌ（ＡＧ）ｎＡＬ、Ｌ（ＧＡ）ｎＬ及びＬ（ＧＡ）ｎＧＬからなる群から選択される７０〜３００アミノ酸残基の反復フラグメントであり、
ここで、ｎは２〜１０の整数であり；
各個々のＡセグメントは、８〜１８アミノ酸残基のアミノ酸配列であり、ここで、０〜３個のアミノ酸残基はＡｌａではなく、残りのアミノ酸残基はＡｌａであり；
各個々のＧセグメントは、１２〜３０アミノ酸残基のアミノ酸配列であり、ここでアミノ酸残基の少なくとも４０％がＧｌｙであり；そして
各個々のＬセグメントは、０〜３０アミノ酸残基のリンカーアミノ酸配列である、
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の組換え融合タンパク質。
【請求項１５】
反復単位として、スピドロイン（ｓｐｉｄｒｏｉｎ）フラグメントと、インテグリンに対する選択性を有する細胞結合モチーフとを含む組換え融合タンパク質を含むタンパク質ポリマーを含む細胞足場材料であって、前記細胞結合モチーフが、アミノ酸配列
Ｃ１Ｘ１Ｘ２ＲＧＤＸ３Ｘ４Ｘ５Ｃ２
を含み、
ここで
Ｘ１は、Ｓ又はＴであり；
Ｘ２は、Ｇ、Ａ又はＶであり；
Ｘ３は、Ｓ又はＴであり；
Ｘ４は、Ｇ、Ａ、Ｖ又はＰであり；そして
Ｘ５は、Ｇ、Ａ又はＶであり；そして
Ｃ１及びＣ２は、ジスルフィド結合を介して接続されている、
細胞足場材料。
【請求項１６】
前記タンパク質ポリマーが、フィルム、コーティング、発泡体、繊維及び繊維メッシュからなる群から選択される物理的形態である、請求項１５に記載の細胞足場材料。
【請求項１７】
前記タンパク質ポリマーが、自立型マトリックス（ｆｒｅｅ−ｓｔａｎｄｉｎｇ  ｍａｔｒｉｘ）の物理的形態である、請求項１５〜１６のいずれか一項に記載の細胞足場材料。
【請求項１８】
細胞の培養方法であって、以下：
−細胞のサンプルを提供する工程；
−前記サンプルを、細胞足場材料に適用する工程；及び
−適用された前記細胞を有する前記細胞足場材料を、細胞培養に適した条件下で維持する工程；
を含み、
ここで
前記細胞足場材料は、請求項１５〜１７のいずれか一項に定義されるものである、
前記方法。
【請求項１９】
前記細胞が、その細胞表面上にα５β１インテグリンを提示しているものであって；ここで、前記組換え融合タンパク質の前記細胞結合モチーフは、α５β１インテグリンに対する選択性を有する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記細胞が、骨格筋細胞、内皮細胞、幹細胞、線維芽細胞、ケラチノサイト及び細胞株から選択される、請求項１８〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月19日(2019.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に金属パターンを形成する方法であって、
無機活性化剤を含む化学的表面活性化水溶液を前記基板に結合された前記金属層の表面上に適用するステップであって、前記無機活性化剤は、前記金属層を化学的に活性化させて、前記表面において前記金属層から金属のイオンを形成する、ステップと、
前記金属層を化学的に活性化させた後に、前記金属層の前記表面上にエッチレジストインクをノンインパクト印刷して、所定のパターンに従ってエッチレジストマスクを生成するステップであって、前記エッチレジストインクの液滴が前記金属層の前記表面に当たるときに、前記エッチレジストインク中の少なくとも１つのインク成分が、前記金属層と化学反応を起こして前記エッチレジストインクの液滴を固定化する、該ステップと、
前記金属層の、前記エッチレジストマスクで覆われていない部分を除去するエッチングプロセスを行うステップと、
前記エッチレジストマスクを除去して前記金属パターンを形成するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記エッチングプロセスを行うステップによって形成される前記金属パターンは、５０μｍ未満の幅を有する複数の金属線を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記ノンインパクト印刷から生成される前記エッチレジストマスクは、５０μｍ未満の幅を有する複数の線を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記エッチングプロセスを行うステップによって形成される前記金属パターンは、３０μｍ未満の幅を有する複数の金属線を含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記ノンインパクト印刷から生成される前記エッチレジストマスクは、３０μｍ未満の幅を有する線を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
印刷する前に、溶媒を用いて、前記金属層の活性化された前記表面から前記化学的表面活性化水溶液を除去するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記化学反応を起こす前記インク成分はアニオン成分であることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
前記金属層の活性化された前記表面との化学反応を起こす前記インク成分は、アクリレート、ホスフェート、スルホネートまたはそれらの任意の組み合わせを含むポリマー成分であることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記無機活性化剤は、銅塩、第二鉄塩、クロム硫酸、過硫酸塩、亜塩素酸ナトリウムおよび過酸化水素の少なくとも１つまたはそれらの混合物を含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
前記化学的表面活性化水溶液を適用するステップは、約１０〜約６０秒間、前記化学的表面活性化水溶液を含む槽に前記金属表面を浸漬するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、
前記化学的表面活性化水溶液を適用するステップは、前記化学的表面活性化水溶液を前記金属表面の上にスプレーするステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、
前記金属層の活性化された前記表面上に前記エッチレジストインクをノンインパクト印刷するステップが、インクジェット印刷を含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明の特定の特徴を本明細書および図面において説明されてきたが、当業者であれば多くの改変態様、要素の置換および変更、および均等物を容易に想到されよう。従って、添付の特許請求の範囲は、本発明の精神の範囲に含まれる、あらゆるそのような修正および変更を含むことが意図されていることを理解されたい。
本発明は、例えば、以下を提供する：
（項目１）
基板上に金属パターンを形成する方法であって、
金属表面を化学的に活性化させる活性化剤を有する化学的表面活性化溶液を前記基板に結合された前記金属表面上に適用するステップと、
活性化された前記金属表面上にエッチレジストインクをノンインパクト印刷して、所定のパターンに従ってエッチレジストマスクを生成するステップであって、前記エッチレジストインク中の少なくとも１つのインク成分が、活性化された前記金属表面と化学反応を起こして前記エッチレジストインクの液滴を固定化する、該ステップと、
前記エッチレジストマスクで覆われていない非マスクの金属部分を除去するエッチングプロセスを行うステップと、
前記エッチレジストマスクを除去するステップとを含むことを特徴とする方法。
（項目２）
項目１に記載の方法であって、
前記金属パターンは、５０μｍ未満の幅を有する金属線を含むことを特徴とする方法。
（項目３）
項目１に記載の方法であって、
前記エッチレジストマスクは、５０μｍ未満の幅を有する線を含むことを特徴とする方法。
（項目４）
項目１に記載の方法であって、
前記金属パターンは、３０μｍ未満の幅を有する金属線を含むことを特徴とする方法。
（項目５）
項目１に記載の方法であって、
前記エッチレジストマスクは、３０μｍ未満の幅を有する線を含むことを特徴とする方法。
（項目６）
項目１に記載の方法であって、
印刷する前に、溶媒を用いて前記金属表面から前記化学的表面活性化溶液を除去するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
（項目７）
項目１に記載の方法であって、
前記化学反応を起こす前記インク成分はアニオン成分であることを特徴とする方法。
（項目８）
項目１に記載の方法であって、
活性化された前記金属表面との化学反応を起こす前記インク成分は、アクリレート、ホスフェート、スルホネートまたはそれらの混合物から選択されるポリマー成分であることを特徴とする方法。
（項目９）
項目１に記載の方法であって、
前記活性化剤は、銅塩、第二鉄塩、クロム硫酸、過硫酸塩、亜塩素酸ナトリウムおよび過酸化水素の少なくとも１つまたはそれらの混合物を含むことを特徴とする方法。
（項目１０）
項目１に記載の方法であって、
前記適用するステップは、約１０〜６０秒間、前記化学的表面活性化溶液を含む槽に前記金属表面を浸漬するステップを含むことを特徴とする方法。
（項目１１）
項目１に記載の方法であって、
前記適用するステップは、前記化学的表面活性化溶液を前記金属表面の上にスプレーするステップを含むことを特徴とする方法。
（項目１２）
項目１に記載の方法であって、
前記ノンインパクト印刷が、インクジェット印刷を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月21日(2019.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本項は、本開示の一般的な概要を提供し、本開示の全範囲又はその特徴の全ての包括的な開示ではない。
本発明の態様として、以下の態様を挙げることができる：
《態様１》
膨張性シール材のための組成物であって、
低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＰＤＥ）、エチレン−酢酸ビニル（ＥＶＡ）、エチレン−メタクリレート（ＥＭＡ）及びエチレン−アクリル酸ブチル（ＥｎＢＡ）からなる群から選択される少なくとも１種の高分子材料と、
化学的発泡剤と
を含み、架橋剤を実質的に含まない、膨張性シール材のための組成物。
《態様２》
前記高分子材料は、７５重量パーセント〜９０重量パーセントの範囲の量のＬＤＰＥである、態様１に記載の組成物。
《態様３》
前記化学的発泡剤は、４，４’−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）又は炭酸水素ナトリウムである、態様２に記載の組成物。
《態様４》
前記高分子材料は、ＥＭＡを７５重量パーセント〜９０重量パーセントの範囲の量で含む、態様１に記載の組成物。
《態様５》
前記化学的発泡剤は、４，４’−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）である、態様４に記載の組成物。
《態様６》
前記高分子材料は、ＥＶＡを７５重量パーセント〜９２重量パーセントの範囲の量で含む、態様１に記載の組成物。
《態様７》
前記化学的発泡剤は、４，４’−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）である、態様６に記載の組成物。
《態様８》
前記高分子材料のゼロ剪断粘度は、１００Ｐａ−ｓ〜５００００Ｐａ−ｓの範囲である、態様１に記載の組成物。
《態様９》
製造作業中に所定の高温に曝される空洞を閉塞し、そしてそのための遮音材を提供するための膨張性シール材及び遮断材構成部品であって、
低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＰＤＥ）、エチレン−酢酸ビニル（ＥＶＡ）、エチレン−メタクリレート（ＥＭＡ）、エチレン−アクリル酸ブチル（ＥｎＢＡ）及びこれらの混合物からなる群から選択される高分子材料と、
４，４’−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）及び炭酸水素ナトリウムからなる群から選択される化学的発泡剤と、
随意の担体要素と
を含み、架橋剤を実質的に含まない、膨張性シール材及び遮断材構成部品。
《態様１０》
前記高分子材料は、７５重量パーセント〜９０重量パーセントの範囲の量のＬＤＰＥである、態様９に記載の構成部品。
《態様１１》
前記高分子材料は、７５重量パーセント〜９０重量パーセントの範囲の量のＥＭＡである、態様９に記載の構成部品。
《態様１２》
前記高分子材料は、７５重量パーセント〜９２重量パーセントの範囲の量のＥＶＡである、態様９に記載の構成部品。
《態様１３》
前記高分子材料は、３０〜４５重量パーセントのＥＶＡ及び３０〜４５重量パーセントのＥｎＢＡである、態様９に記載の構成部品。
《態様１４》
前記高分子材料のゼロ剪断粘度は、１００Ｐａ−ｓ〜５００００Ｐａ−ｓの範囲である、態様９に記載の構成部品。
《態様１５》
陸上車両、船艇若しくは航空機の空洞若しくは中空構造及び／又は建物の空洞を、雑音、振動、湿気及び／若しくは熱の伝搬が低減され、かつ／又は前記空洞を囲む物体が機械的に強化されるように閉塞、遮断又は補強するための、態様９に記載のシール材又は遮断材構成部品の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膨張性シール材のための組成物であって、
低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＰＤＥ）、エチレン−酢酸ビニル（ＥＶＡ）、エチレン−メタクリレート（ＥＭＡ）及びエチレン−アクリル酸ブチル（ＥｎＢＡ）からなる群から選択される少なくとも１種の高分子材料と、
４，４’−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）又は炭酸水素ナトリウムである化学的発泡剤と
を含み、架橋剤を実質的に含まない、膨張性シール材のための組成物。
【請求項２】
前記高分子材料は、７５重量パーセント〜９０重量パーセントの範囲の量のＬＤＰＥである、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記高分子材料は、ＥＭＡを７５重量パーセント〜９０重量パーセントの範囲の量で含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記高分子材料は、ＥＶＡを７５重量パーセント〜９２重量パーセントの範囲の量で含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記化学的発泡剤は、４，４’−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
前記高分子材料のゼロ剪断粘度は、１００Ｐａ−ｓ〜５００００Ｐａ−ｓの範囲である、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
製造作業中に所定の高温に曝される空洞を閉塞し、そしてそのための遮音材を提供するための膨張性シール材及び遮断材構成部品であって、
低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＰＤＥ）、エチレン−酢酸ビニル（ＥＶＡ）、エチレン−メタクリレート（ＥＭＡ）、エチレン−アクリル酸ブチル（ＥｎＢＡ）及びこれらの混合物からなる群から選択される高分子材料と、
４，４’−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）及び炭酸水素ナトリウムからなる群から選択される化学的発泡剤と、
随意の担体要素と
を含み、架橋剤を実質的に含まない、膨張性シール材及び遮断材構成部品。
【請求項８】
前記高分子材料は、７５重量パーセント〜９０重量パーセントの範囲の量のＬＤＰＥである、請求項７に記載の構成部品。
【請求項９】
前記高分子材料は、７５重量パーセント〜９０重量パーセントの範囲の量のＥＭＡである、請求項７に記載の構成部品。
【請求項１０】
前記高分子材料は、７５重量パーセント〜９２重量パーセントの範囲の量のＥＶＡである、請求項７に記載の構成部品。
【請求項１１】
前記高分子材料は、３０〜４５重量パーセントのＥＶＡ及び３０〜４５重量パーセントのＥｎＢＡである、請求項７に記載の構成部品。
【請求項１２】
前記高分子材料のゼロ剪断粘度は、１００Ｐａ−ｓ〜５００００Ｐａ−ｓの範囲である、請求項７に記載の構成部品。
【請求項１３】
陸上車両、船艇若しくは航空機の空洞若しくは中空構造及び／又は建物の空洞を、雑音、振動、湿気及び／若しくは熱の伝搬が低減され、かつ／又は前記空洞を囲む物体が機械的に強化されるように閉塞、遮断又は補強するための、請求項７に記載のシール材又は遮断材構成部品の使用。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月21日(2019.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０８】
本発明の好ましい実施態様を本明細書で図示して説明してきたが、当業者には、このような実施態様が単なる例として示されることは明らかであろう。以下の特許請求の範囲は本発明の範囲を規定し、これらの特許請求の範囲内の方法及び構造並びにそれらの等価物は本発明に包含されるものする。
本件出願は、以下の構成の発明を提供する。
（構成１）
横糸及びスパンを有する間欠エアジェット製織機を運転して織物を製造する方法であって：エネルギーを堆積させて、該横糸が該スパンを通過するための低密度誘導経路を形成するステップを含む、前記方法。
（構成２）
エネルギーを堆積させるステップが、直径1 mmの横糸につき誘導経路10 cm当たり5〜50 mJを堆積させることを含む、構成1記載の方法。
（構成３）
前記横糸が、0.1〜1 mmの直径を有する、構成1又は2記載の方法。
（構成４）
前記横糸が、100〜500 m/秒の速度で前記誘導経路を通過する、構成1〜3のいずれか一項記載の方法。
（構成５）
前記織物が、500〜60,000ピック/分のレートで形成される、構成1〜4のいずれか一項記載の方法。
（構成６）
前記誘導経路が円筒である、構成1〜5のいずれか一項記載の方法。
（構成７）
前記横糸を、高圧空気の噴流によって前記低密度誘導経路内を前進させるステップを更に含む、構成1〜6のいずれか一項記載の方法。
（構成８）
前記高圧空気の噴流が、前記エネルギー堆積と同期される、構成7記載の方法。
（構成９）
前記低密度誘導経路が、前記高圧空気の噴流の下流に形成される、構成7又は8記載の方法。
（構成１０）
エネルギーの更なる部分が、ブースター空気の供給の下流に堆積されて更なる低密度誘導経路が形成される、構成1〜9のいずれか一項記載の方法。
（構成１１）
前記横糸が、多量の水で湿潤される、構成1〜10のいずれか一項記載の方法。
（構成１２）
前記多量の水の少なくとも一部が、前記低密度誘導経路で気化される、構成11記載の方法。
（構成１３）
織物を製造するように構成された間欠エアジェット製織機であって：
（i）スレーに取り付けられた複数の変形おさを備え、経糸杼口を形成するように構成された装置；
（ii）前記経糸杼口にわたって低密度誘導経路を形成するように構成された指向性エネルギー堆積アセンブリ；及び
（iii）横糸の一部を前記低密度誘導経路内を前進させるように構成された、加圧空気の供給に連通した横糸ノズルを備える、前記製織機。
（構成１４）
前記経糸杼口が、3〜30 mの長さである、構成13記載の製織機。
（構成１５）
エア織機を改良する方法であって：指向性エネルギー堆積サブアセンブリを装着するステップを含み、該サブアセンブリが、該織機のヤーンディスペンスノズルを該織機の反対側に配置された電極に接続し、かつ複数の変形おさの外形部を通過する経路にエネルギーを堆積させるように構成されている、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月24日(2019.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コポリマーであって、独立して、式
【化１】
2018527420.tif 000001
［式中、Ｒ１は、独立して、水素又はメチル基であり、
Ｖは、Ｏ又はＮＨであり、
Ｘは結合、アルキレン基、又はアルキレンオキシ基であり、ここで、前記アルキレン基又はアルキレンオキシ基は、１〜１０個の炭素原子を有し、任意に１個以上の−Ｏ−基が介在しており、任意にヒドロキシル基によって置換されている、
Ｒは、１〜４個の炭素原子を有するアルキル基であり、
ｎは、０又は１であり、
Ｚは、４，６−ビスフェニル［１，３，５］トリアジン−２−イル基であり、各フェニル基が１個以上のアルキル基又はアルコキシ基で任意に独立して置換されている］
で表される第１の２価の単位、式
【化２】
2018527420.tif 000002
で表される第２の２価の単位、及び、式
【化３】
2018527420.tif 000003
［式中、各Ｒ１は、独立して、水素又はメチル基であり、
Ｒ２は、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖又は分枝鎖のアルキル基であり、
Ｖは、Ｏ又はＮＨであり、
Ｗは、１〜１０個の炭素原子を有するアルキレン基であり、
各Ｒ’は、独立して、１〜６個の炭素原子を有するアルキル基である］
で表される第３の２価の単位、
を含む、コポリマー。
【請求項２】
独立して、式
【化４】
2018527420.tif 000004
［式中、Ｒ１は、独立して、水素又はメチル基であり、
Ｖは、Ｏ又はＮＨであり、
Ｘは結合、アルキレン基、又はアルキレンオキシ基であり、ここで、前記アルキレン基又はアルキレンオキシ基は、１〜１０個の炭素原子を有し、任意に１個以上の−Ｏ−基が介在しており、任意にヒドロキシル基によって置換されている、
Ｒは、１〜４個の炭素原子を有するアルキル基であり、
ｎは、０又は１であり、
Ｚは、ヒドロキシル基、アルキル基、ハロゲン、又はヒドロキシル基で任意に置換されているベンゾイル基、又は、１個以上のハロゲンで任意に置換されている２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル基である］
で表される第１の２価の単位をさらに含む、請求項１に記載のコポリマー。
【請求項３】
Ｒ２が、４〜２０個の炭素原子を有する、直鎖又は分枝鎖のアルキル基である、請求項１又は２に記載のコポリマー。
【請求項４】
感圧接着剤と、請求項３に記載のコポリマーとのブレンドを含む組成物。
【請求項５】
前記感圧接着剤が、前記第２の２価の単位を含むアクリル感圧接着剤である、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記感圧接着剤が、ペンダントカルボン酸基を含む第４の２価の単位を更に含む、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記組成物が、前記第１、第２、及び第３の２価の単位を前記ブレンド中に含む、第２の異なるコポリマーを含み、前記第１の２価の単位が、前記コポリマー中、及び前記第２の異なるコポリマー中に、異なるペンダント紫外線吸収基を含む、請求項４〜６のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項８】
請求項４〜７のいずれか一項に記載の組成物を含む物品であって、前記組成物が前記物品の少なくとも表面に配置されており、前記物品が、光起電力デバイス、車両用ラッピングフィルム、グラフィックスフィルム、落書き防止フィルム、建造物用フィルム、又は窓用フィルムである、物品。
【請求項９】
アセンブリであって、
第１の表面、及び前記第１の表面の反対側の第２の表面を有する、第１のポリマーフィルム基材、
前記第１のポリマーフィルム基材の前記第１の表面上に配置されたバリアフィルム、
第１の表面、及び前記第１の表面の反対側の第２の表面を有する感圧接着剤層であって、前記感圧接着剤層の前記第１の表面が、前記第１のポリマーフィルム基材の反対側の前記バリアフィルム上に配置されており、前記感圧接着剤組成物が、請求項４〜７のいずれか一項に記載の組成物を含む、感圧接着剤層、並びに
前記感圧接着剤層の前記第２の表面上に配置された第２のポリマーフィルム基材、
を含む、アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月26日(2019.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）５ミクロン以下のＭＶ粒度を有する粒子の形態にある半結晶質フッ素化ポリマー；及び
ｂ）核剤
を含む、ブレンド。
【請求項２】
前記核剤及び前記半結晶質フッ素化ポリマーの総重量に対して０．０１〜１０重量％の前記核剤を含む、請求項１に記載のブレンド。
【請求項３】
前記半結晶質フッ素化ポリマーが二フッ素化ビニリデンのホモポリマー、二フッ素化ビニリデンと、フッ素化エチレン系モノマー、非フッ素化エチレン系モノマー及び非フッ素化ジエンから成る群より選択される少なくとも１種のコモノマーとのコポリマーである、請求項１又は２に記載のブレンド。
【請求項４】
アクリル系ポリマーを更に含む、請求項１〜３のいずれかに記載のブレンド。
【請求項５】
前記アクリル系ポリマーが（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル及び（メタ）アクリル酸ブチルから成る群より選択される１種以上のモノマーを含むモノマーのポリマーである、請求項４に記載のブレンド。
【請求項６】
前記粒子が４ミクロン以下のＭＶ粒度を有する、請求項１〜５のいずれかに記載のブレンド。
【請求項７】
前記核剤がテトラフルオロエチレンホモポリマー、又はテトラフルオロエチレンと少なくとも１種のフッ素化エチレン系モノマーとのコポリマーである、請求項１〜６のいずれかに記載のブレンド。
【請求項８】
前記核剤が前記半結晶質フッ素化ポリマーの融点より高い融点を有する、請求項１〜７のいずれかに記載のブレンド。
【請求項９】
前記核剤が５ミクロン以下のＭＶ粒度を有する粒子の形態にある、請求項１〜８のいずれかに記載のブレンド。
【請求項１０】
前記半結晶質フッ素化ポリマーが、２３２℃でＡＳＴＭ  Ｄ３８２５により測定して１００ｓ-1において少なくとも７Ｋｐｓの溶融粘度を有する、請求項１〜９のいずれかに記載のブレンド。
【請求項１１】
ａ）５ミクロン以下のＭＶ粒度を有する粒子の形態にある半結晶質フッ素化ポリマー；
ｂ）核剤；及び
ｃ）随意としてのアクリル系ポリマー
を含む、コーティング組成物。
【請求項１２】
前記半結晶質フッ素化ポリマー用の少なくとも１種の潜在性溶剤を更に含む、請求項１１に記載のコーティング組成物。
【請求項１３】
乾燥した自由流動性粉体の形態にある、請求項１１に記載のコーティング組成物。
【請求項１４】
水性ラテックスの形態にある、請求項１１に記載のコーティング組成物。
【請求項１５】
少なくとも１種の顔料を更に含む、請求項１１〜１４のいずれかに記載のコーティング組成物。
【請求項１６】
前記核剤及び前記半結晶質フッ素化ポリマーの総重量に対して０．０１〜１０重量％の前記核剤を含む、請求項１１〜１５のいずれかに記載のコーティング組成物。
【請求項１７】
前記半結晶質フッ素化ポリマーが、二フッ素化ビニリデンのホモポリマー、又は二フッ素化ビニリデンと、フッ素化エチレン系モノマー、非フッ素化エチレン系モノマー及び非フッ素化ジエンから成る群より選択される少なくとも一種のコモノマーとのコポリマーである、請求項１１〜１６のいずれかに記載のコーティング組成物。
【請求項１８】
アクリル系ポリマーが存在し、前記アクリル系ポリマーが（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル及び（メタ）アクリル酸ブチルから成る群より選択される１種以上のモノマーを含むモノマーのポリマーである、請求項１１〜１７のいずれかに記載のコーティング組成物。
【請求項１９】
前記粒子が４ミクロン以下のＭＶ粒度を有する、請求項１１〜１８のいずれかに記載のコーティング組成物。
【請求項２０】
前記核剤がテトラフルオロエチレンと少なくとも１種のフッ素化エチレン性モノマーとのコポリマー、又はテトラフルオロエチレンホモポリマーである、請求項１１〜１９のいずれかに記載のコーティング組成物。
【請求項２１】
前記核剤が前記半結晶質フッ素化ポリマーの融点より高い融点を有する、請求項１１〜２０のいずれかに記載のコーティング組成物。
【請求項２２】
前記半結晶質フッ素化ポリマーが、２３２℃でＡＳＴＭ  Ｄ３８２５により測定して１００ｓ-1において少なくとも７Ｋｐｓの溶融粘度を有する、請求項１１〜２１のいずれかに記載のコーティング組成物。
【請求項２３】
前記核剤が５ミクロン以下のＭＶ粒度を有する粒子の形態にある、請求項１１〜２２のいずれかに記載のコーティング組成物。
【請求項２４】
基材上のコーティングであって、請求項１１〜２３のいずれかに記載の前記コーティング組成物から形成している、前記コーティング。
【請求項２５】
コーティング組成物を製造する方法であって、
半結晶質フッ素化ポリマーのラテックスと核剤のラテックスとを混合してブレンドを得る工程、
前記ブレンドを凝固させて凝固ブレンドを得る工程、
前記凝固ブレンドを乾燥させて粉体を得る工程、
前記粉体を粉砕して５ミクロン以下のＭＶ粒度を有する粒子を得る工程、及び
随意に、前記粉砕粒子とアクリル系ポリマーとを混合する工程
を含む、前記方法。
【請求項２６】
前記粉砕粒子を更に前記半結晶質フッ素化ポリマー用の潜在性溶剤とブレンドする、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
基材上にコーティングを製造する方法であって、
請求項１１〜２３のいずれかに記載の前記コーティング組成物で被覆した基材を焼成する工程を含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月3日(2019.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
工程ａ）で提供される第１の混合物（Ｍ１）は、任意成分としての、少なくとも１種の触媒（成分（Ｂ））と少なくとも１種のラクタム（成分（Ａ））との反応の反応生成物以外のさらなる成分を含まないことが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
工程ａ）で提供される第１の混合物（Ｍ１）は、所望の量の成分（Ａ）及び（Ｂ）を含むことができる。好ましくは、第１の混合物（Ｍ１）は、成分（Ａ）及び（Ｂ）の質量パーセンテージの合計に基づいて、好ましくは第１の混合物（Ｍ１）の総質量に基づいて、５０〜９９．９質量％、特に７０〜９９質量％、特に８０〜９９質量％の成分（Ａ）を含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
通常、成分（Ａ）、（Ｃ）及び（Ｄ）、並びに任意のさらなる成分の質量パーセンテージは、合計で１００％となる。第２の混合物（Ｍ２）中にさらなる成分が含まれない場合、成分（Ａ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の質量パーセンテージは通常、合計で１００％となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
使用されるジイソシアネートは、脂肪族ジイソシアネート、又は芳香族ジイソシアネートであり得る。脂肪族ジイソシアネートの中の例には、ブチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、オクタメチレンジイソシアネート、デカメチレンジイソシアネート、ウンドデカメチレンジイソシアネート、ドデカメチレンジイソシアネート、４，４’−メチレンビス（シクロヘキシルイソシアネート）及びイソホロンジイソシアネートがある。芳香族ジイソシアネートの例は、トリレンジイソシアネート、及び４，４’−メチレンビス（フェニルイソシアネート）である。ポリイソシアネートの例は、ヘキサメチレンジイソシアネート（Ｂａｓｏｎａｔ ＨＩ １００／ＢＡＳＦ ＳＥ）のイソシアネートである。適切なアロファネートの例は、エチルアロファネートである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
少なくとも１種の活性剤として適している他の製品の例は、Ｂｒｕｅｇｇｏｌｅｎ（登録商標）Ｃ２０、すなわち、Ｂｒｕｅｇｇｅｍａｎｎ，ＤＥ製の、カプロラクタム中の８０％のカプロラクタムでブロックされたヘキサメチレン１，６−ジイソシアネートである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
工程ｃ）で得られる重合可能な混合物（ｐＭ）中に含まれる成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）、並びに、任意のさらなる成分は、工程ａ）で提供される第１の混合物（Ｍ１）及び工程ｂ）で提供される第２の混合物（Ｍ２）中に含まれていたものであることは、当業者にとって自明である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
重合可能な混合物（ｐＭ）を重合させる容器は、例えば、第１の混合物（Ｍ１）を第２の混合物（Ｍ２）と混合することにより当該重合可能な混合物（ｐＭ）が得られる容器であり得る。同様に、工程ｃ）の後及び工程ｄ）の前に、重合可能な混合物（ｐＭ）を別の容器中に移し、そこでその後に重合可能な混合物（ｐＭ）を重合させることも可能である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
重合可能な混合物（ｐＭ）が例えば、工程ｃ）において鋳型中で得られる場合、工程ｄ）において、鋳型中で該重合可能な混合物（ｐＭ）を重合させることができる。対照的に、重合可能な混合物（ｐＭ）が、工程ｃ）において混合装置中で得られる場合、重合可能な混合物（ｐＭ）を、鋳型中に移して、次いで工程ｄ）で、鋳型中で重合させることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
これにより、図1に示す曲線が得られる。秒で表示する時間ｔ（ｓ）をｘ軸にプロットし、重合可能な混合物の温度Ｔ（℃）をｙ軸にプロットする。０は開始点ｔ開始を示す。開始点ｔ開始から開始して、重合可能な混合物（ｐＭ）の温度は、最初に増加する。重合可能な混合物（ｐＭ）に対して、工程ｄ）において重合可能な混合物（ｐＭ）の重合が生ずる温度まで加熱するからである。この温度に至るとすぐに、期間ｔ不変の間に、温度はほとんど変わらないままである。「ほとんど変わらない」という表現は、最大＋／−１０℃、好ましくは最大＋／−７℃、特に好ましくは最大＋／−５℃の温度変化を意味する。