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【手続補正書】
【提出日】平成19年8月30日(2007.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲルマニウム酸窒化物層を本質的に純粋なＧｅ材料の上に生成する方法であって、第一濃度の窒素を前記Ｇｅ材料の第一表面の下にある表面層に組込むステップと、該Ｇｅ材料の前記第一表面を有酸素環境に曝すことにより前記酸窒化物層の成長を誘起するステップと、を含み、組み込まれた前記第一濃度の窒素の積算値が１ｃｍ２当り１Ｅ１４ないし１ｃｍ２当り３Ｅ１５の間であり、前記表面層における該第一濃度の窒素が該酸窒化物層の成長を制御する、方法。    
【請求項２】
前記生成された酸窒化物層が、６ｎｍより薄い等価酸化物厚さ（ＥＯＴ）を有する、請求項１に記載の方法。    
【請求項３】
前記生成された酸窒化物層が、０．５ｎｍないし５ｎｍの間のＥＯＴを有する、請求項２に記載の方法。    
【請求項４】
前記Ｇｅ材料が、本質的にＧｅで構成される、請求項１に記載の方法。    
【請求項５】
前記第一濃度の窒素を組込む前記ステップが、前記第一表面を熱的条件下で窒素含有気体に曝すことによって実行される、請求項１に記載の方法。    
【請求項６】
前記窒素含有気体がＮＨ３であり、前記熱的条件が、１秒ないし３００秒の間に加えられる４５０℃ないし７００℃の間の温度になるように選択される、請求項５に記載の方法。    
【請求項７】
前記第一濃度の窒素を組込む前記ステップが、適用量の窒素を前記第一表面にイオン注入することによって実行される、請求項１に記載の方法。    
【請求項８】
前記イオン注入ステップがスクリーン層を介して実行され、前記適用量の窒素が１ｃｍ２当り１Ｅ１５ないし１ｃｍ２当り２Ｅ１６の間の値になるように選択される、請求項７に記載の方法。    
【請求項９】
前記第一濃度の窒素を組込む前記ステップが、前記第一表面を窒素含有プラズマに曝すことによって実行される、請求項１に記載の方法。    
【請求項１０】
前記有酸素環境に曝す前記ステップが、前記第一表面を熱的条件下で、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、ＮＯ、Ｎ２Ｏからなる群から選択された化学種、及びこれら化学種の組合せに曝すことによって実行される、請求項１に記載の方法。    
【請求項１１】
前記熱的条件が、１分ないし３０分の間に加えられる５００℃ないし７００℃の間の温度になるように選択される、請求項１０に記載の方法。    
【請求項１２】
前記有酸素環境に曝す前記ステップが、前記第一表面を有酸素プラズマに曝すことによって実行される、請求項１に記載の方法。    
【請求項１３】
前記第一濃度の窒素を組込む前記ステップの前に、前記第一表面を洗浄するステップをさらに含み、前記洗浄ステップが、少なくとも一回の酸化及び酸化物除去サイクルを適用するステップを含み、前記酸化がＨ２Ｏ２含有溶液を用いて遂行され、前記酸化物除去が、ＨＦ、ＨＣｌ、又はこれらの混合物である剥離剤により遂行される、請求項１に記載の方法。    
【請求項１４】
前記第一表面が少なくとも二つの位置を有し、前記第一濃度の窒素を組込む前記ステップが、前記少なくとも二つの位置で、異なる第一濃度の組込まれた窒素を生成するように実行されて、該少なくとも二つの位置に生成されたゲルマニウム酸窒化物層が異なるＥＯＴを有する、請求項１に記載の方法。    
【請求項１５】
高性能の本質的に純粋なＧｅ電界効果デバイスを製造する方法であって、前記デバイスがゲルマニウム酸窒化物ゲート誘電体を含み、該ゲルマニウム酸窒化物ゲート誘電体の生成が、第一濃度の窒素を前記Ｇｅ材料の第一表面の下にある表面層に組込むステップと、該Ｇｅ材料の前記第一表面を有酸素環境に曝すことにより前記酸窒化物層の成長を誘起するステップと、を含み、組み込まれた前記第一濃度の窒素の積算値が１ｃｍ２当り１Ｅ１４ないし１ｃｍ２当り３Ｅ１５の間であり、前記表面層における該第一濃度の窒素が該酸窒化物層の成長を制御する、方法。    
【請求項１６】
前記ゲルマニウム酸窒化物ゲート誘電体が０．５ｎｍないし５ｎｍの間のＥＯＴを有する、請求項１５に記載の製造方法。    
【請求項１７】
本質的に純粋なＧｅベース電界効果デバイスであって、６ｎｍより薄いＥＯＴをもつゲルマニウム酸窒化物ゲート誘電体を含む、Ｇｅ電界効果デバイス。    
【請求項１８】
前記ゲルマニウム酸窒化物ゲート誘電体が０．５ｎｍないし５ｎｍの間のＥＯＴを有する、請求項１７に記載のＧｅ電界効果デバイス。    
【請求項１９】
前記ゲルマニウム酸窒化物ゲート誘電体が、電荷のトンネリングに対してＳｉＯ２ゲート誘電体より大きな抵抗を有し、該ゲルマニウム酸窒化物ゲート誘電体の単位面積当りの静電容量は、前記ＳｉＯ２ゲート誘電体の単位面積当りの静電容量と少なくとも同じ程度に大きい、請求項１７に記載のＧｅ電界効果デバイス。    
【請求項２０】
高性能プロセッサであって、少なくとも一つのＧｅ電界効果デバイスを含んだチップを少なくとも一つ含み、前記デバイスが６ｎｍより薄いＥＯＴをもつゲルマニウム酸窒化物ゲート誘電体を含む、高性能プロセッサ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月14日(2007.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁場を検出するための装置であって、
半導体材料（１１）からなる素子に接続された、硬磁性材料からなる少なくとも１つの素子（１２）及び軟磁性材料からなる素子（１３）と、上記半導体材料（１１）に電流（Ｉ）を強制的に流すための手段（１５；４５）とを備えるタイプの装置において、
上記硬磁性材料からなる素子及び上記軟磁性材料からなる素子が、上記半導体材料からなる素子（１１）上に平面的に配置されていることを特徴する磁気検出装置。
【請求項２】
上記硬磁性材料からなる素子（１２）が、上記軟磁性材料からなる素子（１３）に対して離間され、半導体材料の領域（１４；２４；３４）の境界が定められることを特徴とする請求項１記載の磁気検出装置。
【請求項３】
上記半導体材料の領域（２４）が、金属元素若しくは半導体元素のクラスターが組み込まれたポリマー性材料を備えることを特徴とする請求項１又は２記載の磁気検出装置。
【請求項４】
上記ポリマー性材料が、上記基板（１１）の半導体材料領域（２４）上に形成されていることを特徴とする請求項３記載の磁気検出装置。
【請求項５】
硬磁性材料からなる少なくとも２つの素子（１２）を備え、
上記硬磁性材料からなる素子（１２）が、軟磁性材料からなる素子（１３）の周囲に配置され、さらに少なくとも２つの半導体材料の領域（３４）の境界が定められることを特徴とする請求項２記載の磁気検出装置。
【請求項６】
上記硬磁性材料からなる素子（１２）及び／又は上記軟磁性材料からなる素子（１３）が、複数の層を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の磁気検出装置。
【請求項７】
上記硬磁性材料からなる少なくとも１つの素子（１２）、及び軟磁性材料からなる１つの素子（１３）が、上記半導体基板（１１）をエッチングすることにより、ウィンドウダグに形成されることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の磁気検出装置。
【請求項８】
上記半導体材料（１１）に電流（Ｉ）を強制的に流すための手段（１５；４５）が金属端子を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の磁気検出装置。
【請求項９】
上記金属端子（４５）が、上記の硬磁性材料からなる少なくとも１つの素子（１２）及び軟磁性材料からなる１つの素子（１３）により規定される軸に対して実質的に垂直に配置されることを特徴とする請求項８記載の磁気検出装置。
【請求項１０】
上記硬磁性材料からなる少なくとも１つの素子（１２）が、硬フェロ磁性合金、特にＣｏＮｉ８０Ｆｅ２０を含み、上記軟磁性材料からなる素子（１３）がパーマロイを含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の磁気検出装置。
【請求項１１】
上記基板（１１）が、Ｓｉ、Ｇｅ、ＩｎＳｂ、Ｈｇ（Ｃｄ）Ｔｅ、ＩｎＡｓ、ＴｉＣ、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＰ、及びＧａＮからなる群から選択される少なくとも１つの半導体から得られることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の磁気検出装置。
【請求項１２】
上記基板（１１）が、２次元的な境界を有するヘテロ構造、特にＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓヘテロ構造の形態で得られることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の磁気検出装置。
【請求項１３】
永久磁化（ＭＰ）に関連する硬磁性材料からなる少なくとも１つの素子（１２）、及び外部磁場（Ｈ）により誘導される一時磁化（ＭＴ）に関連する軟磁性材料からなる１つの素子（１３）を備えるタイプの磁気検出方法において、
硬磁性材料からなる素子（１２）及び軟磁性材料からなる素子（１３）を、上記一時磁化（ＭＴ）と永久磁化（ＭＰ）のそれぞれが、実質的に１つの平面上に存在するように配置する工程と、
上記硬磁性材料からなる素子（１２）と軟磁性材料からなる素子（１３）との間に配置された、上記平面内の半導体材料領域（１４）に、電流（Ｉ）を強制的に流す工程と、
外部磁場（Ｈ）により概算される値に従って、上記半導体材料領域（１４）における抵抗値を測定する工程とを含むことを特徴とする磁気検出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月13日(2007.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本明細書でより詳細に記述するように、本発明による実施形態は、金属と炭化珪素基板との界面部をアニーリングして、そこに金属−炭化珪素材を形成し、炭化珪素基板上の他の箇所には金属−炭化珪素材が形成されないように、他の部分はアニーリングしないようにする方法を提供する。当然のことながら、金属−炭化珪素材が形成される界面部は、レーザ光が金属と基板とに入射する外側領域境界部または外側領域近傍を含むことができる。例えば、図２４を参照して、本明細書でさらに詳細に記述すると、レーザ光を界面に入射させると、金属−ＳｉＣオーミックコンタクトが形成され、そのオーミックコンタクトには、対向したオーミックコンタクト境界部とその間にある非オーミック領域とが含まれる（（レーザ光が直接入射する場所では、）金属−ＳｉＣ材が界面部に形成される）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
当業者には当然のことながら、本開示内容の利益を考えると、レーザ光１０２５は、好ましくは、上述のように形成される金属−ＳｉＣオーミックコンタクト１１３５ａ〜１１３５ｄの境界部に損傷を与えるべきではない。特に、何らかの処置がなされていない場合は、ＳｉＣ基板１０２５の露出部に入射するレーザ光１０５は、隣接する金属−ＳｉＣオーミックコンタクト１１３５ａ〜１１３５ｄに損傷を与える可能性がある。図２４を参照して記述するように、このオーミックコンタクトは、レーザ光が金属とＳｉＣ基板との界面に入射する場所の外縁近傍、あるいは外縁部にある、対向した金属−ＳｉＣオーミックコンタクト境界部を含むことがある。本発明による一部の実施形態においては、例えば、レーザ光１０２５の出力を金属−ＳｉＣオーミックコンタクト近傍で減少させることによって、この金属−ＳｉＣオーミックコンタクトが消失するのを避けることができる。また、本発明による一部の実施形態においては、レーザ光の波長を変化させて、隣接する金属−ＳｉＣオーミックコンタクトの消失を避けることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
図２５は、素子２２２０の側面に対して傾斜角をなす複数の金属−ＳｉＣオーミックコンタクト２２００を示す簡単な平面図である。当然のことながら、この複数の金属−ＳｉＣオーミックコンタクト２２００に含まれる各ストライプには、例えば、図２４に示すように、対向した金属−ＳｉＣオーミックコンタクト境界部とその間の非オーミックコンタクト領域とが含まれる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
図２６は、ストライプが入った円形パターン２３００を画定する複数の金属−ＳｉＣオーミックコンタクトの簡単な平面図であり、このストライプは、素子２３２０の側面と平行である。当然のことながら、このパターン２３００の各ストライプには、図２４の実施例に示すように、それぞれ対向した金属−ＳｉＣオーミックコンタクト境界部とその間の非オーミックコンタクト領域とが含まれる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月21日(2008.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路の配線構造を製作する方法であって、
誘電材料層内に、各々が側壁と底部とを有する複数のフィーチャを形成するステップと、
前記側壁にスペーサを形成するステップと、
前記スペーサによって前記側壁から分離された導体を前記フィーチャ内に形成するステップと、
前記スペーサを除去することによって、前記導体が空隙によって前記側壁から分離されるように前記側壁のところに前記空隙を形成するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記スペーサを形成する前記ステップは、
各フィーチャの側壁および底部上にスペーサ材料の層を付着させるステップと、
方向性エッチング・プロセスを使用して前記底部から前記スペーサ材料を除去するステップとを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記導体を形成する前記ステップは、前記各スペーサの上部表面部を露出させるステップをさらに含み、
前記スペーサを除去する前記ステップは、前記上面部をエッチング剤に晒すステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記フィーチャは、リソグラフィ寸法を特徴とするリソグラフィ・プロセスを用いて形成され、前記スペーサは前記リソグラフィ寸法未満の水平方向の寸法で形成される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
フィーチャの形成によって下層の誘電体層内の導電スタッドが露出され、前記フィーチャ内の導体の形成によって前記スタッドへの電気的接続が行われる請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記スペーサは、各導体がその上部が底部よりも広くなるように、前記フィーチャの底部近傍が前記フィーチャの上部近傍よりも大きい水平方向の寸法で形成される請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記誘電材料層と前記導体との上に被さる第２の誘電体層を形成するステップをさらに含み、前記第２の誘電体層は、前記誘電材料層の誘電率よりも低い誘電率を有する請求項１に記載の方法。
【請求項８】
集積回路の配線構造であって、
第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層上に配置され、第２の誘電体層の一部と空隙とによって互いに水平方向に分離された複数の導体であって、各導体が前記第２の誘電体層から前記導体を分離する前記導体に隣接した空隙を有する複数の導体と、
前記導体の上に被さる第３の誘電体層とを含み、
前記各導体は、底部において上部よりも広い断面を有する前記各空隙に従ってその上部が底部よりも広い断面を有する配線構造。
【請求項９】
前記第１の誘電体層および前記第３の誘電体層はそれぞれ前記第２の誘電体層の誘電率よりも低い誘電率を有する請求項８に記載の配線構造。
【請求項１０】
前記第１の誘電体層内にあり、前記導体のうちの１つの導体と接触する導電スタッドをさらに含む請求項８に記載の配線構造。
【請求項１１】
前記第２の誘電体層が二酸化シリコンである請求項９に記載の配線構造。
【請求項１２】
前記各導体の断面が、前記第１の誘電体層と接触する底部と前記第３の誘電体層と接触する上部と、前記空隙のみと接触する側面とを有する請求項９に記載の配線構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】回路の配線構造および集積回路の配線構造の製作方法
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月12日(2008.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物品上におけるタガント粒子のランダム分布パターンを捉えるステップと、
捉えたランダム分布パターンと事前取得済ランダム分布パターンとが少なくとも部分的にマッチしているときマッチ信号を発生させるステップと、
を有する物品真正性確認方法。
【請求項２】
物品上におけるタガント粒子のランダム分布パターンを捉える手段と、
捉えたランダム分布パターンと事前取得済ランダム分布パターンとが少なくとも部分的にマッチしているときにマッチ信号を発生させる手段と、
を備える物品真正性確認装置。
【請求項３】
通常条件下では人間の肉眼で捉えられないタガントをその全体又は一部にランダム分布させることにより物品にタグを付すステップと、
その物品の近傍に検知器を配置してタガントを光学的に検知しその分布に関するデータを作成するステップと、
以前に検知対象とした物品から取得済の前回データと今回のデータとがマッチすることを確認するステップと、
を有する認証方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月2日(2007.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
拡張可能なマークアップ言語（ＸＭＬ）スキーマを発展させるための方法であって、
コンピュータシステムで実行されるスキーマイボルバにおいて、第１のＸＭＬスキーマに行なわれるべき動作を指定する文書を受取るステップを含み、１つ以上の動作を行なうことは第１のＸＭＬスキーマへの１つ以上の変更をもたらし、さらに
前記第１のＸＭＬスキーマおよび前記文書に基づき、前記スキーマイボルバは前記動作を行なうことにより、第２のＸＭＬスキーマを生成するステップと、
前記第２のＸＭＬスキーマに基づき、１つ以上の第１の構造化クエリー言語（ＳＱＬ）ステートメントを生成するステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記第１のＳＱＬステートメントは、実行されると、１つ以上のデータベースオブジェクトタイプを生成させる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のＳＱＬステートメントは、実行されると、１つ以上のデータベースオブジェクトテーブルを生成させる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のＳＱＬステートメントは、実行されると、１つ以上のデータベースオブジェクトタイプを削除させる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のＳＱＬステートメントは、実行されると、１つ以上のデータベースオブジェクトテーブルを削除させる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のＳＱＬステートメントは、実行されると、１つ以上のデータベースオブジェクトタイプを変更させる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のＳＱＬステートメントは、実行されると、１つ以上のデータベースオブジェクトテーブルを変更させる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のＳＱＬステートメントは、実行されると、１つ以上のデータベースオブジェクトインスタンスを変更させる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記１つ以上の変更は、第３のＸＭＬスキーマによって指定される１つ以上のＸＭＬタイプの１つ以上のインスタンスとして表現される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
実行されると、前記１つ以上の第１のＳＱＬステートメントの影響を無効にする、１つ以上の第２のＳＱＬステートメントを生成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記１つ以上の第１のＳＱＬステートメントを実行しながら、エラーが起こったかどうかを判断するステップと、
エラーが起こったという判断に応答して、前記１つ以上の第２のＳＱＬステートメントを１つ以上実行するステップとをさらに含み、前記１つ以上の第２のＳＱＬステートメントは実行されると、実行された前記１つ以上の第１のＳＱＬステートメントの影響を無効にする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記動作を行なう前記ステップは、
前記文書からＸＭＬ要素を読取るステップと、
前記ＸＭＬ要素に指定されるコマンドを判断するステップと、
前記ＸＭＬ要素に指定されるターゲットノードを定めるステップと、
前記ターゲットノードに相関して、前記コマンドに対応する動作を行なうステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
１つ以上のシーケンスの命令を持つコンピュータ読取可能媒体であって、命令が１つ以上のプロセッサによって実行されると、１つ以上のプロセッサに請求項１〜１２のいずれかに記載の方法を行なわせる、コンピュータ読取可能媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月17日(2007.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
生成するステップは、データの第１の集合のソートを行なうことなく行なわれ、データの第１の集合のソートは、複数の次元のうちの第２の次元の別個の値を見つけるために使用される、請求項１６に記載の、マシンにより実施される方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図２Ａは、区分化されたテーブル２２０のシンタックスのブロック図である。区分化されたテーブル２２０はテーブル参照２２１とコンマ２２４とexpr２２２とを含み、それらは以下の説明で言及される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
ＯＮ句において結合条件が特定されているため、上の表には列Ｃ１が２つ現われている。列Ｃ１の一方はテーブルＴ１に由来し、他方はテーブルＴ２に由来する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
このため、ブランチ２０４において、左から始まって、ユーザはまず、区分化されたテーブル２０６ａかテーブル参照２０６ｂかを特定し、次にユーザはブランチ２０４ｂ上でキーワード「NATURAL」を特定してもよく、または、ユーザはブランチ２０４ａを使用してキーワード「NATURAL」を使用しなくてもよい。次に続くのは、ブランチ２０４ａ上の
外部結合タイプ２１２か、ブランチ２０４ｂ上の外部結合タイプ２１４かを特定するキーワードである。外部結合タイプ２３０は、外部結合タイプ２１２および２１４の一実施例である。外部結合タイプ２１２または外部結合タイプ２１４に続くのは、キーワードJOINである。ブランチ２０４ａ上では、区分化されたテーブル２０８ａかテーブル参照２０８ｂかが、キーワードJOINに続く。ブランチ２０４ｂ上では、区分化されたテーブル２１０ａかテーブル参照２１０ｂかが、キーワードJOINに続く。NATURAL OUTER JOINでは何の条件も適用されていないため、ブランチ２０４ｂ上では、OUTER JOIN句は、区分化されたテーブル２１０ａかテーブル参照２１０ｂかで終了する。区分化されたテーブル２０８ａまたはテーブル参照２０８ｂに続くのは、結合条件を特定するためのキーワード「ＯＮ」、または、結合キーを特定するための「USING」のいずれかである。既存のANSI結合演算子と同様に、PARTITIONED OUTER JOINは複雑な結合条件を可能にし、結合条件２１６（すなわち、キーワード「ＯＮ」に続くjoin_cond）は、任意に複雑なブール式であってもよい。join_condまたは結合条件２１６は、区分化されたテーブルの区分化式における任意の列を含む、結合のいずれかの側からのテーブルの列に適用可能である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４０】
ステップ６０２の説明に戻ると、インデックスが存在する場合、３つの方法はすべて、依然として使用可能であり、方法はステップ６１２へ進む。ステップ６１２で（ステップ６０４と同様に）、非等価結合が存在するかどうか、判断が下される。非等価結合が存在しない場合、方法５００は使用できず、そのため方法６００はステップ６１４へ進み、そこで、方法３００、４００、５００のうちのどれがより効率的であると予想されるか、判断が下される。方法５００がより効率的であると予想される場合、方法６００はステップ６１０へ進む。方法４００がより効率的であると予想される場合、方法６００はステップ６０６へ進む。方法３００がより効率的であると予想される場合、方法６００はステップ６１６へ進み、そこで、方法３００の入れ子ループ外部結合が実施される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５０】
たとえば、コンピュータ装置が４つのプロセッサを有し、SALESテーブルが製品ＩＤ１〜６を有する６つの製品を有する場合、第１のプロセッサは、製品ＩＤ１および２に対応するSALESテーブルの区分を受取ってもよく、第２のプロセッサは、製品ＩＤ３および４に対応する区分のコピーを受取ってもよく、第３のプロセッサは、製品ＩＤ５に対応するSALESテーブルの部分を受取ってもよく、第４のプロセッサは、製品ＩＤ６に対応するSALESテーブルの部分を受取ってもよい。しかしながら、プロセッサ１〜４の各々は、TIMESテーブル全体を受取る。したがって、各スレーブおよび／またはプロセスは、区分化されたテーブルのその切片についてPARTITIONED OUTER JOIN演算を行なうために、それが必要とするターゲットテーブルの区分および次元テーブル全体へのアクセスを有する。第１のプロセッサはまず製品ＩＤ♯１の区分にOUTER JOINしてもよく、次に製品ＩＤ♯２の区分にOUTER JOINしてもよい。第１のプロセスの演算と並行して、第２のプロセッサはまず製品ＩＤ♯３の区分にOUTER JOINしてもよく、次にＩＤ♯４の区分にOUTER JOINしてもよい。同時に、第３のプロセッサは製品ＩＤ♯５区分にOUTER JOINしてもよい。また、並行して、第４のプロセッサは製品ＩＤ♯６区分にOUTER JOINしてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２Ｂ】
2007534035.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2007534035.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月10日(2007.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリと、
前記メモリと電気的に結合されていて、第一のコネクタ標準に準拠する第一のコネクタと、
前記メモリと電気的に結合されていて、第二のコネクタ標準に準拠する第二のコネクタと、
前記メモリを制御し、前記第一のコネクタと前記第二のコネクタを介する出力を制御する１以上のコントローラとを含み、
前記第一のコネクタ標準はホストコンピュータ・コネクタ（ＨＣＣ）標準を含み、前記第二のコネクタ標準は装置通信コネクタ（ＤＣＣ）標準を含み、前記第一のコネクタと前記第二のコネクタの少なくとも一方は、引き出し位置と収納位置とに位置可能である
メモリカード。
【請求項２】
前記第一のコネクタが、当該メモリカードにおいて前記第二のコネクタとは異なる側に配置されている、請求項１に記載のメモリカード。
【請求項３】
前記第一のコネクタが、当該メモリカードにおいて前記第二のコネクタと同じ側に配置されていて、前記第一のコネクタの電気接点端子は前記第二のコネクタの電気接点端子のセットのサブセットを含む、請求項１に記載のメモリカード。
【請求項４】
メモリと、
前記メモリと電気的に結合されていて、第一のコネクタ標準に準拠する第一のコネクタと、
前記メモリと電気的に結合されていて、第二のコネクタ標準に準拠する第二のコネクタと、
前記メモリを制御し前記第一のコネクタと前記第二のコネクタを介する出力を制御する１以上のコントローラとを含み、
前記第一のコネクタ標準はホストコンピュータ・コネクタ（ＨＣＣ）標準を含み、前記第二のコネクタ標準は装置通信コネクタ（ＤＣＣ）標準を含み、前記第一のコネクタと前記第二のコネクタは、当該メモリカードの共通の側に配置され、前記第二のコネクタの電気接点は前記第一のコネクタの電気接点のサブセットである、
メモリカード。
【請求項５】
前記第二のコネクタは、引き出し位置と収納位置とに位置可能である収納可能なコネクタであり、
前記第二のコネクタが引き出し位置にあるとき、前記第二のコネクタの電気接点は、前記第二のコネクタを構成する可動接点を有し、前記第二のコネクタが収納位置にあるとき、前記第二のコネクタの電気接点は、前記第一のコネクタの電気接点のサブセットを有する
メモリカード。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月28日(2008.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a)  キャリア・シート上に配置された画像形成性材料を含むフィルムを用意すること；
(b)  該画像形成性材料の露光済領域と未露光領域とを生成することにより、該キャリア・シート上にマスク画像を形成すること；
(c)  該マスク画像を硬化用輻射線に対して感光する感光性材料に、該画像形成材料が該キャリア・シートに対するよりも該感光性材料に対してより接着するように、転写すること；
(d)  該感光性材料を、該マスク画像を通過する該硬化用輻射線に暴露して、画像形成された物品を形成すること、ここで、該マスク画像は、該硬化用輻射線に対して実質的に不透明である；そして
(e)  該画像形成された物品を現像して、該レリーフ画像を形成すること
を含んで成るレリーフ画像の形成方法。
【請求項２】
該マスク画像を形成する工程が、該画像形成性材料を赤外線に対して像様露光することを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
該キャリア・シート上に該マスク画像を形成する工程が、該画像形成性材料の該露光済領域を除去することを含む、請求項1又は2に記載の方法。
【請求項４】
該フィルムが、該画像形成性材料と接触した受理体シートをさらに含み、そして該画像形成性材料の該露光済領域を除去する工程が：
(i)  該受理体シートに該画像形成性材料の該露光済領域を転写すること；そして
(ii)  該フィルムから該受理体シート及び該画像形成性材料の該露光済領域を除去すること
を含む、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
該感光性材料がフレキソグラフィ前駆体を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
(a)  キャリア・シート上に配置された画像形成性材料を含むフィルムを用意すること；
(b)  該画像形成性材料を受理体シートと接触させること；
(c)  該画像形成性材料の露光済領域を該受理体シートに転写することにより、該受理体シート上にマスク画像を形成すること；
(d)  該マスク画像から該キャリア・シートを除去すること；
(e)  該マスク画像を、硬化用輻射線に対して感光する感光性材料に転写すること；
(f)  該感光性材料を、該マスク画像を通過する該硬化用輻射線に暴露して、画像形成された物品を形成すること、ここで、該マスク画像は、該硬化用輻射線に対して実質的に不透明である；及び
(g)  該画像形成された物品を現像して、レリーフ画像を形成すること
を含んで成るレリーフ画像の形成方法。
【請求項７】
(a)  フィルムの露光済領域と未露光領域とを生成することにより、該キャリア・シート上にマスク画像を形成すること、ここで、該フィルムは、該キャリア・シート上に配置された画像形成性材料を含む；
(b)  該マスク画像を硬化用輻射線に対して感光する感光性材料に、該画像形成材料が該キャリア・シートに対するよりも該感光性材料に対してより接着するように、転写すること；
(c)  該感光性材料を、該マスク画像を通過する該硬化用輻射線に暴露して、画像形成された物品を形成すること、ここで、該マスク画像は、該硬化用輻射線に対して実質的に不透明である；そして
(d)  該画像形成された物品を現像して、該レリーフ画像を形成すること
を含んで成るレリーフ画像の形成方法。
【請求項８】
(a)  キャリア・シート上に配置された画像形成性材料を含むフィルムを用意すること；
(b)  該画像形成性材料の露光済領域と未露光領域とを生成することにより、該キャリア・シート上にマスク画像を形成すること；
(c)  該マスク画像を、硬化用輻射線に対して感光する感光性材料に転写すること；
(d)  該マスク画像から該キャリア・シートを除去すること；
(e)  該感光性材料を、該マスク画像を通過する該硬化用輻射線に暴露して、画像形成された物品を形成すること、ここで、該マスク画像は、該硬化用輻射線に対して実質的に不透明である；そして
(f)  該画像形成された物品を現像して、該レリーフ画像を形成すること
を含んで成るレリーフ画像の形成方法。
【請求項９】
(a)  キャリア・シートと、該キャリア・シート上に配置されたリリース層と、該リリース層上に配置された画像形成性材料とを含むフィルムを用意すること、ここで、該画像形成性材料は熱接着バインダーを含む；
(b)  該画像形成性材料の露光済領域と未露光領域とを生成することにより、該キャリア・シート上にマスク画像を形成すること；
(c)  該マスク画像を硬化用輻射線に対して感光する感光性材料に、該画像形成材料が該キャリア・シートに対するよりも該感光性材料に対してより接着するように、転写すること；
(d)  該感光性材料を、該キャリア・シート及び該マスク画像を通過する該硬化用輻射線に暴露して、画像形成された物品を形成すること、ここで、該マスク画像は、該硬化用輻射線に対して実質的に不透明であり、そして該露光工程は真空圧なしで行われる；
(e)  該マスク画像から該キャリア・シートを除去すること；そして
(f)  該マスク画像及び該画像形成された物品を現像して、該レリーフ画像を形成すること
を含んで成るレリーフ画像の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月23日(2008.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面と第２の表面とを有する半透過反射板本体を備え、前記第２の表面が第１のファセットと第２のファセットとを有する複数のプリズム状構造を備える構造化表面であり、前記第１のファセットが前記第２のファセットに対して７０度以下の角度をなし、
反射モードでは、前記第１の表面に反射入射角で入射する光が、前記第１の表面により屈折し、第１のプリズム状構造の前記第１のファセットで反射され、第２のプリズム状構造の前記第２のファセットで反射され、さらに前記第１の表面により最大強度でほぼ反射出射角で屈折し、そして
透過モードでは、前記第２の表面に透過入射角で入射する光が、プリズム状構造により前記第１の表面に指向されるとともに、前記第１の表面により最大強度でほぼ透過出射角で屈折する、半透過反射板。
【請求項２】
第１の表面と第２の表面とを有する半透過反射板本体を備え、前記第２の表面が第１のファセットと第２のファセットとを有する複数のプリズム状構造を備える構造化表面であり、前記第１の表面への垂線に対して各第１のファセットが第１の角度をなすとともに各第２のファセットが第２の角度をなし、さらに前記第１の角度の絶対値が前記第２の角度の絶対値とは異なり、
反射モードでは、前記第１の表面に反射入射角で入射する光が、前記第１の表面により屈折し、第１のプリズム状構造の前記第１のファセットで反射され、第２のプリズム状構造の前記第２のファセットで反射され、さらに前記第１の表面により最大強度でほぼ反射出射角で屈折し、そして
透過モードでは、前記第２の表面に透過入射角で入射する光が、プリズム状構造により前記第１の表面に指向されるとともに、前記第１の表面により最大強度でほぼ透過出射角で屈折する、半透過反射板。
【請求項３】
屈折率と、第１の表面と第２の表面とを有する半透過反射板本体を備え、前記第２の表面が第１のファセットと第２のファセットとを有する複数のプリズム状構造を備える構造化表面であり、前記第１の表面への垂線に対して各第１のファセットが第１の角度をなすとともに各第２のファセットが第２の角度をなし、
前記半透過反射板本体の前記屈折率と、前記第１の角度と前記第２の角度とが透過出射角と反射出射角とにより特徴付けられる半透過反射動作用に構成されており、
反射モードでは、前記第１の表面に反射入射角で入射する光が、前記第１の表面により屈折し、第１のプリズム状構造の前記第１のファセットで反射され、第２のプリズム状構造の前記第２のファセットで反射され、さらに前記第１の表面により最大強度でほぼ前記反射出射角で屈折し、そして
透過モードでは、前記第２の表面に透過入射角で入射する光が、プリズム状構造により前記第１の表面に指向されるとともに、前記第１の表面により最大強度でほぼ前記透過出射角で屈折するようになっている、半透過反射板。
【請求項４】
透過型画像形成装置と、
バックライトと、
請求項１，２又は３に記載の半透過反射板とを備える、ディスプレイモジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半透過反射板及びディスプレイモジュール
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月27日(2007.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のアナログ入力から選択された、選択入力およびアナログ出力のシーケンスを有するマルチプレクサと、
第１のリファレンスを供給するリファレンスソースと、
アナログ出力のシーケンスおよび第１のリファレンスを受信し、デジタル出力のシーケンスを供給するアナログ・デジタル変換器と、
選択入力を始動させてアナログ出力のシーケンスを選択する制御回路であって、デジタル出力のシーケンスと、デジタル出力と対応する格納された正常範囲のシーケンスとを比較し、少なくとも一つのデジタル出力がその正常範囲にない場合、エラー出力を供給する制御回路と、
を含む回路。
【請求項２】
少なくとも二つの正常範囲が重複しない、請求項１記載の回路。
【請求項３】
複数のアナログ入力のうちの二つが短絡することにより、デジタル出力の少なくとも一つがそれに対応する正常範囲を超えることが生じる、請求項２記載の回路。
【請求項４】
デジタル出力のシーケンスが一連のビットを有するデジタルワードを含み、一つのビットがスタックすることにより、デジタル出力の少なくとも一つが、それに対応する正常範囲を超えることが生じる、請求項２記載の回路。
【請求項５】
それぞれの正常範囲が異なり、他の正常範囲と重複しない、請求項１記載の回路。
【請求項６】
正常範囲が奇数範囲および偶数範囲を含み、
奇数に番号付けされたアナログ入力が、奇数範囲内にあるデジタル出力を生成し、偶数に番号付けされたアナログ入力が、偶数範囲内にあるデジタル出力を生成するように番号付けされたシーケンスで、複数のアナログ入力がマルチプレクサに繋がれる、請求項１記載の回路。
【請求項７】
エラーを検出する方法であって、
選択入力の関数として、複数のアナログ入力から選択されたアナログ出力のシーケンスを生成することと、
第１のリファレンスを供給することと、
アナログ出力のシーケンスおよび第１のリファレンスを受信し、アナログ出力のシーケンスを表現するデジタル出力のシーケンスを供給することと、
アナログ出力のシーケンスを選択するために、選択入力を作動させることと、
デジタル出力に対応する格納された正常範囲のシーケンスに対するデジタル出力のシーケンスを比較して、デジタル出力の少なくとも一つがその正常範囲内にない場合、エラー出力を供給することを含む方法。
【請求項８】
少なくとも二つの正常範囲が互いに重複しない、請求項７記載の方法。
【請求項９】
複数のアナログ入力の二つが互いに短絡する場合、アナログ入力の少なくとも一つがそれに対応する正常範囲を超える、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
デジタル出力のうち一つの出力ビットがスタックする場合、デジタル出力の少なくとも一つがそれに対応する正常範囲を超える、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
それぞれの正常範囲がその他の正常範囲と異なり、他の正常範囲と重複しない、請求項７記載の方法。
【請求項１２】
奇数範囲および偶数範囲として正常範囲を備えることと、
奇数に番号付けされたアナログ入力が、奇数範囲にあるデジタル出力を生成し、偶数に番号付けされたアナログ入力が、偶数範囲にあるデジタル出力を生成するように番号付けされたシーケンスで、複数のアナログ入力がマルチプレクサに繋がることとをさらに含む、請求項７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月18日(2008.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
キャパシタは、電荷を該キャパシタにサンプリングするための回路配線に結合されており；
熱雑音の電力スペクトル密度を支配する回路配線の一部分は、ＺＮＳＤの有効インピーダンスを有し、熱雑音の帯域幅を支配する回路配線の一部分は、ＺＢＷの有効インピーダンスＺＢＷを有し；さらに
独立に制御する行為は、前記熱雑音の電力スペクトル密度を支配する回路の部分の有効インピーダンスと、前記熱雑音の帯域幅を支配する回路の部分の有効インピーダンスの少なくとも一方を制御して、ＺＮＳＤがＺＢＷよりも小さくなるようにすることを含む、請求項１９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２４】
サンプリングキャパシタが、回路の入力と増幅器との間に結合される、請求項２３に記載の回路。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2007534280.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月10日(2007.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記支持バーは、
前記外部部材の一端に配置されたスプリングクリップが、前記支持バーと前記筐体との間を通過可能となるように、前記筐体から間隔を空けられて配置されることを特徴とする請求項３に記載のモバイルデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２４】
モバイルデバイスであって、
筐体と、
前記筐体に少なくとも部分的に形成された一体化ポートとを含み、
前記一体化ポートは、
前記モバイルデバイスからの可聴音信号を出力するための出力手段と、
前記モバイルデバイスに外部部材を取り付けるための取り付け手段とを含み、
前記取り付け手段は、前記一体化ポートに渡された取り付け部材を含む
ことを特徴とするモバイルデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月12日(2007.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルラー通信ネットワークから無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）へ無線送信／受信装置（ＷＴＲＵ）のハンドオーバーを円滑にするための、該無線送信／受信装置（ＷＴＲＵ）において実行される方法であって、
前記セルラー通信ネットワークの基地局から隣接セルリストを受信する工程と、
ここで、前記隣接セルリストは、複数のＷＬＡＮパラメータを含み、該隣接セルリストは、前記基地局のカバーエリア内における少なくとも１つの無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）の存在を、前記無線送信／受信装置（ＷＴＲＵ）に知らせ、
前記受信したＷＬＡＮパラメータを用いて、前記無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）のうちの１つを選択する工程と、
前記選択した無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）に関するハンドオーバー手順を開始する工程と
を具えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記無線送信／受信装置（ＷＴＲＵ）がアイドルモードのとき、前記受信したＷＬＡＮパラメータを用いて、前記選択した無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）に関する新たな通信セッションを開始する工程
をさらに具えたことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記隣接セルリストは、ブロードキャストチャネルを介して受信されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記隣接セルリストは、専用チャネルを介して受信されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
マルチモード無線送信／受信装置（ＷＴＲＵ）によってシステム間ハンドオーバーを円滑にするために、セルを提供する基地局（ＢＳ）内で実行される方法であって、
前記基地局のカバーエリア内で、無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）のホットスポットを検出する工程と、
前記基地局の前記カバーエリア内でのホットスポットの存在を示すメッセージを生成する工程と、
前記メッセージを、前記基地局に関連する全てのマルチモード無線送信／受信装置（ＷＴＲＵ）に送信する工程と
を具えたことを特徴とする方法。
【請求項６】
前記メッセージを、ブロードキャストチャネルを介して送信する工程をさらに具えたことを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記メッセージを、前記マルチモード無線送信／受信装置（ＷＴＲＵ）に専用の専用チャネルを介して送信することを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記基地局は、前記セルに配置された前記マルチモード無線送信／受信装置（ＷＴＲＵ）のサブセットにメッセージを送信することを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項９】
前記メッセージは、隣接セルリストに含まれることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項１０】
前記メッセージは、前記ホットスポットの場所、識別、周波数帯域、セキュリティレベルの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項１１】
１つの無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）から複数の信号を受信する工程と、
前記無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）から受信した前記複数の信号に基づいて該無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）の存在を決定する工程と
をさらに具えたことを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項１２】
前記基地局は、１つのセルラー通信ネットワークから、該基地局のカバーエリア内での前記無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）の位置に関するメッセージを受信することを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項１３】
前記基地局は、ＷＬＡＮ位置情報を備えて手動で構成されたことを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項１４】
セルラー通信ネットワークから無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）へ当該無線送信／受信装置（ＷＴＲＵ）のハンドオーバーを円滑にするための、無線送信／受信装置（ＷＴＲＵ）であって、
前記セルラー通信ネットワークの基地局から隣接セルリストを受信するように構成された受信機と、
ここで、前記隣接セルリストは、複数のＷＬＡＮパラメータを含み、かつ、前記基地局のカバーエリア内における１つの無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）の存在を示し、
前記受信したＷＬＡＮパラメータを用いて、前記無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）に関するハンドオーバー手順を開始するように構成されたプロセッサと
を具えたことを特徴とする無線送信／受信装置（ＷＴＲＵ）。
【請求項１５】
ホットスポットから送信されたメッセージについて物理測定を実行するように構成された回路と、
前記測定の結果が所定の基準を満たすか否かを決定するように構成された回路と、
前記所定の基準が満たされる場合、前記ホットスポットへの接続を確立するように構成された回路と
をさらに具えたことを特徴とする請求項１４記載の無線送信／受信装置（ＷＴＲＵ）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月18日(2008.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特定のクライアントサポートされた電力状態を、デジタル伝送リンク内のホストへ通信する方法であって、
少なくとも１つのクライアントサポートされた電力状態を備えるクライアント電力状態機能フィールドを備えるクライアント機能パケットを準備することと、
前記ホストによる要求後、前記クライアント機能パケットを、クライアントによって前記ホストへ送ることと、
前記ホストによって、前記少なくとも１つのクライアントサポートされた電力状態から、前記特定のクライアントサポートされた電力状態を選択することと、
前記選択された特定のクライアントサポートされた電力状態を備える電力状態パケットを、前記ホストから前記クライアントへ送ることと
の各ステップを備える方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つのクライアントサポートされた電力状態は、低電力状態を備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ディスプレイを照明せず、フレームバッファの内容を保持しないステップを更に備える請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ディスプレイは代替ディスプレイを備える請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ディスプレイを照明せず、フレームバッファの内容を保持するステップを更に備える請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記ディスプレイは、代替ディスプレイを備える請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つのクライアントサポートされた電力状態は、高電力状態を備える請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ディスプレイを照明し、フレームバッファから前記ディスプレイをリフレッシュするステップを更に備える請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ディスプレイは、代替ディスプレイを備える請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
特定のクライアントサポートされた電力状態を、デジタル伝送リンク内のホストへ通信するシステムであって、
少なくとも１つのクライアントサポートされた電力状態を備えるクライアント電力状態機能フィールドを備えるクライアント機能パケットを準備する手段と、
前記ホストによる要求後、前記クライアント機能パケットを、クライアントによって前記ホストへ送る手段と、
前記ホストによって、前記少なくとも１つのクライアントサポートされた電力状態から、前記特定のクライアントサポートされた電力状態を選択する手段と、
前記選択された特定のクライアントサポートされた電力状態を備える電力状態パケットを、前記ホストから前記クライアントへ送る手段と
を備えるシステム。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのクライアントサポートされた電力状態は、低電力状態を備える請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
ディスプレイを照明しない手段と、
フレームバッファの内容を保持しない手段と
を更に備える請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記ディスプレイは代替ディスプレイを備える請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
ディスプレイを照明しない手段と、
フレームバッファの内容を保持する手段と
を更に備える請求項１１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記ディスプレイは代替ディスプレイを備える請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記少なくとも１つのクライアントサポートされた電力状態は、高電力状態を備える請求項１０に記載のシステム。
【請求項１７】
ディスプレイを照明する手段と、
フレームバッファから前記ディスプレイをリフレッシュする手段と
を更に備える請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記ディスプレイは代替ディスプレイを備える請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
コンピュータプログラム製品であって、
特定のクライアントサポートされた電力状態の、デジタル伝送リンク内のホストへの通信を引き起こすコンピュータコードを備えるコンピュータ読取可能媒体を備え、
前記コンピュータコードは、
少なくとも１つのクライアントサポートされた電力状態を備えるクライアント電力状態機能フィールドを備えるクライアント機能パケットが準備されるようにするコードと、
前記ホストによる要求後、前記クライアント機能パケットを、クライアントによって前記ホストへ送られるようにするコードと、
前記ホストによって、前記少なくとも１つのクライアントサポートされた電力状態から、前記特定のクライアントサポートされた電力状態が選択されるようにするコードと、
前記選択された特定のクライアントサポートされた電力状態を備える電力状態パケットが、前記ホストから前記クライアントへ送られるようにするコードと
を備えるコンピュータプログラム製品。
【請求項２０】
前記少なくとも１つのクライアントサポートされた電力状態は、低電力状態を備える請求項１９に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項２１】
ディスプレイが照明されないようにするコードと、
フレームバッファの内容が、保持されないようにするコードと
を更に備える請求項２０に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項２２】
前記ディスプレイは代替ディスプレイを備える請求項２１に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項２３】
ディスプレイが照明されないようにするコードと、
フレームバッファの内容が、保持されないようにするコードと
を更に備える請求項２０に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項２４】
前記ディスプレイは代替ディスプレイを備える請求項２３に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項２５】
前記少なくとも１つのクライアントサポートされた電力状態は、高電力状態を備える請求項１９に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項２６】
ディスプレイが照明されるようにするコードと、
フレームバッファから前記ディスプレイがリフレッシュされるようにするコードと
を更に備える請求項２５に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項２７】
前記ディスプレイは代替ディスプレイを備える請求項２６に記載のコンピュータプログラム製品。