【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年8月17日(2007.8.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に目標パターンをプリントするのに使用するマスクを生成する方法であって、
（ａ）前記マスク内に形成される位相構造を利用して前記基板上に像形成されるフィーチャの最大幅を決定するステップと、
（ｂ）前記最大幅以下の幅を有する前記目標パターンに含まれる全てのフィーチャを識別するステップと、
（ｃ）前記目標パターンから前記最大幅以下の幅を有する全てのフィーチャを抽出するステップと、
（ｄ）ステップ（ｂ）で識別された全てのフィーチャに対応する位相構造を前記マスク内に形成するステップと、
（ｅ）ステップ（ｃ）を行った後に、目標パターン内に残る全てのフィーチャに関して不透明構造を前記マスク内に形成するステップとを含む方法。
【請求項２】
ステップ（ｂ）が、
（ｆ）前記最大幅以下の幅を有する全ての縦フィーチャを識別するステップと、
（ｇ）ステップ（ｆ）で識別された全ての縦フィーチャを抽出するステップと、
（ｈ）前記最大幅以下の幅を有する全ての横フィーチャを識別するステップと、
（ｉ）ステップ（ｈ）で識別された全ての横フィーチャを抽出するステップとを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップ（ｆ）で識別された前記縦フィーチャとステップ（ｈ）で識別された前記横フィーチャとの全ての共通部分を識別するステップと、全ての前記共通部分に対応する不透明構造を前記マスク内に形成するステップとをさらに含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記共通部分が、ステップ（ｇ）で抽出された縦フィーチャと、ステップ（ｉ）で抽出された横フィーチャとの間でブール「ＡＮＤ」演算を行うことによって識別される請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記位相構造が、実質的に１００％の透過および１８０°位相シフトを示す領域によって前記マスク内に形成され、前記不透明構造が、０％透過率を示す領域によって前記マスク内に形成される請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記マスク内に光近接補正フィーチャまたはエッジ・バイアスを含むステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
基板上に目標パターンをプリントするのに使用するマスクを生成するための装置であって、
前記マスク内に形成される位相構造を利用して前記基板上に像形成されるフィーチャの最大幅を決定するための手段と、
前記最大幅以下の幅を有する前記目標パターンに含まれる全てのフィーチャを識別するための手段と、
前記目標パターンから前記最大幅以下の幅を有する全てのフィーチャを抽出するための手段と、
前記最大幅以下の幅を有する全てのフィーチャに対応する位相構造を前記マスク内に形成するための手段と、
前記最大幅よりも大きい幅を有する全てのフィーチャに関して不透明構造を前記マスク内に形成するための手段とを備える装置。
【請求項８】
前記最大幅以下の幅を有する前記目標パターンに含まれる全てのフィーチャを識別するための前記手段が、
前記最大幅以下の幅を有する全ての縦フィーチャを識別するための手段と、
前記最大幅以下の幅を有する全ての縦フィーチャを抽出するための手段と、
前記最大幅以下の幅を有する全ての横フィーチャを識別するための手段と、
前記最大幅以下の幅を有する全ての横フィーチャを抽出するための手段とを備える請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記最大幅以下の幅を有する前記縦フィーチャと、前記最大幅以下の幅を有する前記横フィーチャとの全ての共通部分が識別され、不透明構造が、全ての前記共通部分に対応して前記マスク内に形成される請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記共通部分が、前記最大幅以下の幅を有する全ての縦フィーチャを抽出するための手段によって抽出された縦フィーチャと、前記最大幅以下の幅を有する全ての横フィーチャを抽出するための手段によって抽出された横フィーチャとの間でブール「ＡＮＤ」演算を行うことによって識別される請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記位相構造が、実質的に１００％の透過および１８０°位相シフトを示す領域によって前記マスク内に形成され、前記不透明構造が、０％透過率を示す領域によって前記マスク内に形成される請求項７に記載の装置。
【請求項１２】
前記マスク内に光補正フィーチャまたはエッジ・バイアスを含む手段をさらに備える請求項７に記載の装置。
【請求項１３】
コンピュータによって可読な記録媒体と、リソグラフィ・イメージング・プロセスで使用するためのマスクに対応する少なくとも１つのファイルを生成するようにコンピュータに命令するための記録媒体に記録された手段とを備えるコンピュータを制御するためのコンピュータ・プログラム製品であって、前記ファイルの前記生成が、
（ａ）前記マスク内に形成される位相構造を利用して前記基板上に像形成されるフィーチャの最大幅を決定するステップと、
（ｂ）前記最大幅以下の幅を有する前記目標パターンに含まれる全てのフィーチャを識別するステップと、
（ｃ）前記目標パターンから前記最大幅以下の幅を有する全てのフィーチャを抽出するステップと、
（ｄ）ステップ（ｂ）で識別された全てのフィーチャに対応する位相構造を前記マスク内に形成するステップと、
（ｅ）ステップ（ｃ）を行った後に、目標パターン内に残る全てのフィーチャに関して不透明構造を前記マスク内に形成するステップとを含むコンピュータ・プログラ
ム製品。
【請求項１４】
ステップ（ｂ）が、
（ｆ）前記最大幅以下の幅を有する全ての縦フィーチャを識別するステップと、
（ｇ）ステップ（ｆ）で識別された全ての縦フィーチャを抽出するステップと、
（ｈ）前記最大幅以下の幅を有する全ての横フィーチャを識別するステップと、
（ｉ）ステップ（ｈ）で識別された全ての横フィーチャを抽出するステップとを含む請求項１３に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１５】
ファイルの生成がさらに、ステップ（ｆ）で識別された前記縦フィーチャとステップ（ｈ）で識別された前記横フィーチャとの全ての共通部分を識別するステップと、全ての前記共通部分に対応する不透明構造を前記マスク内に形成するステップとを含む請求項１４に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１６】
前記共通部分が、ステップ（ｇ）で抽出された縦フィーチャと、ステップ（ｉ）で抽出された横フィーチャとの間でブール「ＡＮＤ」演算を行うことによって識別される請求項１５に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１７】
前記位相構造が、実質的に１００％の透過および１８０°位相シフトを示す領域によって前記マスク内に形成され、前記不透明構造が、０％透過率を示す領域によって前記マスク内に形成される請求項１３に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１８】
ファイルの生成がさらに、前記マスク内に光近接補正フィーチャまたはエッジ・バイアスを含むステップを含む請求項１４に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に、クロムレス相リソグラフィ技法とともに使用するためのマスク・パターンの生成に関し、より詳細には、目標デザインを、クロム技法と位相シフト技法の両方を利用してフィーチャ（ｆｅａｔｕｒｅ）をプリントする対応するマスク・パターンに分解することに関する。さらに、本発明は、放射の投影ビームを提供するための放射システムと、投影ビームをパターン形成するように働く、マスクを保持するためのマスク・テーブルと、基板を保持するための基板テーブルと、基板の目標部分に、パターン形成された投影ビームを投影するための投影システムとを備えるリソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法に関する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
より具体的には、１つの例示実施形態では、本発明は、基板上に目標パターンをプリントするのに使用するマスクを生成する方法に関する。この方法は、（ａ）マスク内に形成される、位相構造を利用して基板上に像形成されるフィーチャの最大幅を決定するステップと、（ｂ）最大幅以下の幅を有する目標パターンに含まれる全てのフィーチャを識別するステップと、（ｃ）目標パターンから最大幅以下の幅を有する全てのフィーチャを抽出するステップと、（ｄ）ステップ（ｂ）で識別された全てのフィーチャに対応する位相構造をマスク内に形成するステップと、（ｅ）ステップ（ｃ）を行った後に、目標パターン内に残る全てのフィーチャに関して不透明構造をマスク内に形成するステップとを含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下により詳細に説明するように、本発明の好ましい実施形態は、ウェハ／基板に像形成し、ウェハ／基板上に目標パターンを生成するために利用することができるマスク・パターン（すなわちレチクル）を生成するように、（ウェハ上にプリントされる）所望の目標パターンを分解するための方法に関する。本発明によれば、生成されるマスク・パターンは、ＣＰＬ技法を利用する。したがって、マスク・パターンは、約１００％の透過およびゼロ位相シフトの領域と、約１００％の透過および１８０°位相シフトの領域と、約０％の透過の領域とを含む。典型的なマスクの複雑さとともに、ＣＰＬ技法を使用するときにフィーチャをプリントするために利用されるこれら様々な異なる種類の領域により、マスクデザインは、複雑で時間のかかる作業となる場合がある。以下に詳細に説明するように、本発明は、目標パターンからマスク・パターンを直接生成するために利用することができる単純な分解方法を提供することによって、マスク生成に必要な時間を短縮する。さらに、以下の説明に従って動作するようにプログラムされた標準のＣＡＤシステム（上述のものなど）を利用して本発明の方法を実施することができることに留意されたい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
図１は、本発明のマスク生成プロセスを一般的に示す流れ図である。上述したように、ＣＰＬ技法を利用するとき、得られるマスクは、例えば、マスク・レチクルに形成される位相シフトまたは相エッジ（すなわちクロムなし（ｎｏ−ｃｈｒｏｍｅ））を利用してフィーチャをプリントすることができ、かつマスクに含まれる、少なくとも一部がクロムの構造を利用してフィーチャをプリントすることができる。図１を参照すると、プロセスでの第１のステップ（ステップ１１）は、位相構造（すなわちクロムなし）を利用してプリントすることができるフィーチャの最大幅を決定することである。すなわち、ウェハ上にフィーチャを正確に複写するためにクロムの使用を取り入れることが必要となるフィーチャ幅を定義する必要がある。限定はしないが波長、開口数、照明およびウェハ・ステッパ条件などのイメージング・システム・パラメータに基いて決定することができるこの最大幅は、空間イメージ・シミュレータの使用など知られている方法によって容易に決定することができる。具体的には、空間イメージ・シミュレータを利用することによって、位相構造のどの幅で像が劣化し始めるかを求めることができる。最大幅は、この劣化点よりも小さく設定される。最大幅はまた、最小フィーチャ・サイズ、最小ピッチ、および最大デューティ・サイクルなど所望のパターン内の臨界フィーチャの定義に基いて決定することもできる。臨界フィーチャに基いて最大幅を決定するために、最大相サイズは、全ての臨界最小フィーチャが相領域内に入るように設定される。次いで、この幅を利用して、この相サイズ幅に関して受入れ可能な像形成結果を提供する照明設定が決定される。これはまた、空間イメージ・シミュレータによっても行われる。すなわち、照明が固定されて、最大幅が決定される、または臨界幾何形状から最大幅が固定され、次いで必要な照明が決定される。したがって、ステップ１１で、位相シフト技法を利用してプリントすることができるフィーチャの最大幅が決定される。この幅を超えるフィーチャは、ウェハ上に適切に像形成するためにクロムを利用しなければならない。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
次に、ステップ１２で、目標パターンが検査され、最大幅以下の全ての縦構成要素／フィーチャが元のデザインから識別され、抽出される。図２ａ〜図２ｃは、３つの例示パターン、およびパターンからその後抽出される縦フィーチャの識別を例示する。図２ａ〜図２ｃそれぞれに示されるように、縦フィーチャ２１は、ステップ１１で決定された最大幅以下の縦フィーチャに対応し、したがって、元のデザイン（すなわち目標パターン）から抽出され、パターンＡと呼ばれる個別パターンになる。図２ｂに示されるように、最大幅を超える縦フィーチャ（例えば縦フィーチャ２３を参照）は抽出されない。抽出され、パターンＡとして配置されたフィーチャは位相構造を利用してプリントすることが可能であることに留意されたい。さらに、識別後、縦フィーチャ２１を、一般的に知られているブール演算を利用して目標パターンから抽出することができることに留意されたい。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
同様に、ステップ１３で、最大幅以下の全ての横構成要素／フィーチャが、目標パターンから識別され、抽出される。図３ａ〜図３ｃは、それぞれ図２ａ〜２ｃに例示されるパターンに対応する。図３ｂ〜図３ｃそれぞれに示されるように、横フィーチャ３１は、ステップ１１で決定された最大幅以下の横フィーチャに対応し、したがって、元のデザインから抽出され、パターンＢと呼ばれる個別パターンになる。図３ａ〜図３ｃに示されるように、最大幅を超える横フィーチャ（例えば横フィーチャ３３を参照）は抽出されない。抽出され、パターンＢとして配置されたフィーチャは位相構造を利用してプリントすることが可能であることに留意されたい。さらに、識別後、横フィーチャ３１を、一般に知られているブール演算を利用して元のパターンから抽出することができることに留意されたい。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
プロセスでの次のステップ（ステップ１４）は、位相構造を利用してプリントされた縦フィーチャ２１と横フィーチャ３１の共通部分を識別することに関わる。以下にさらに説明するように、共通部分に適用されるクロムのサイズを、他のパターンへのクロムの適用とは独立して制御することができるように、そのような共通部分を識別することが時として必要である。プロセスでの任意のステップであるステップ１４は、時として、共通部分が基板上に正確にプリントされる（すなわち線に破断がない）ことを保証するのに必要である。共通部分の識別は以下のように行われる。第１に、パターンＡに含まれる縦フィーチャが、各フィーチャの両端で縦方向に沿って長さを増大される。第２に、パターンＢに含まれる横フィーチャが、各フィーチャの両端で横方向に沿って長さを増大される。パターンＡおよびＢに含まれる縦および横フィーチャのサイズの増大は、共通部分が適切に識別されることを保証するために必要である。例えば、「Ｌ」形フィーチャを仮定すると、このフィーチャの縦部分（または横部分）を抽出するとき、共通部分の一部も形成する縦フィーチャの部分が失われる（すなわち抽出されない）。縦フィーチャの長さをある所定の量だけ延ばすことによって、共通部分に位置する縦フィーチャの部分が再捕捉される。前述したことは、横フィーチャに関しても同じである。縦フィーチャと横フィーチャの両方が、好ましくは同じ量だけ延ばされることに留意されたい。さらに、増大の量に関する通則は最大相幅の２倍であることに留意されたい。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
続いて、パターンＡでの縦フィーチャおよびパターンＢでの横フィーチャが延ばされた後、パターンＡおよびパターンＢを利用してブール「ＡＮＤ」演算が行われ、その結果（パターンＣと呼ばれる）が、位相構造を利用してプリントされた縦フィーチャと横フィーチャとの共通部分を識別する。図２ａ〜図２ｃおよび図３ａ〜図３ｃに記載した例示パターンに関するこの演算の結果が、それぞれ図４ａ〜図４ｃに示されている。より具体的には、図４ａを参照すると、図３ａに記載した対応する横パターンは、位相構造を利用してプリントされる横フィーチャを有さなかったので、識別される共通部分はない。図４ｂおよび図４ｃの参照番号４１は、それぞれ図２ｂおよび図３ｂ、ならびに図２ｃおよび図３ｃで識別された縦フィーチャと横フィーチャの共通部分を示す。目標パターンの残りから共通部分を分離した後に、サイジングなど追加の処理をクロム共通部分パターンに適用することができることに留意されたい。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
次に、前述のプロセスが行われた後、次のステップ（ステップ１５）は、パターンを相領域（例えば１００％透過率および１８０°位相シフト）と不透明領域（例えばゼロ透過）に分解することに関わる。相領域に関する前述の要件は単なる例であり、位相構造をプリントするのに適した他の条件を利用することもできることに留意されたい。例えば、この方法は、２５％透過率または５０％透過率を利用することができ、あるいはフォトマスク上に複数の透過率を提供することができる。分解に関して、まず、パターンＡおよびパターンＢのブール「ＯＲ」演算を行うことによって、相パターンが定義される。この「ＯＲ」演算の結果（パターンＤと呼ばれる）は、位相構造（すなわちクロムなし）のみを利用してプリントされた縦フィーチャと横フィーチャの両方を含むパターンである。第２に、位相構造を利用してプリントされておらず、かつ縦位相構造と横位相構造の共通部分でない元のパターンの部分が、元のパターンからパターンＤおよびパターンＣを差し引くことによって識別される。得られる、パターンＥと呼ばれるパターンは、ブール演算：パターンＥ＝「元のパターン」−（パターンＣ「ＯＲ」パターンＤ）を行うことによって得ることができる。したがって、パターンＥは、マスク上の、ゼロ透過フィーチャ（すなわちクロム・フィーチャ）を利用してプリントされるパターンの部分を表す。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
したがって、前述のステップが完了した後、以下の３つの異なるマスク部分が定義されている。（１）パターンＤ−位相構造を利用してプリントされる縦および横フィーチャ。（２）パターンＣ−不透明構造（すなわちゼロ透過構造）を利用してプリントされる縦フィーチャと横フィーチャの共通部分。（３）パターンＥ−パターンＣまたはＤに含まれない元のデザインパターン内に含まれる他の全てのフィーチャ。パターンＣとパターンＥは、各パターンに含まれる全てのフィーチャが不透明フィーチャ（すなわちゼロ透過）を用いてプリントされるので、単一パターンに組み合わせることができることに留意されたい。パターンＣとＥの組合せをパターンＦと呼ぶ。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
最終ステップで、前述のパターンを利用して、基板上に所望のパターンを像形成するために利用されるマスクを生成する。より具体的には、パターンＤとパターンＦを組み合わせて単一のマスクを形成し、これは、ブール「ＡＤＤ」演算を利用して達成することができる。それぞれ図２ａ、図３ａ、および図４ａ；図２ｂ、図３ｂ、および図４ｂ；図２ｃ、図３ｃ、および図４ｃに記載した対応するパターンに関する対応する最終マスクデザインを表す図５ａ〜図５ｃを参照すると、最終マスクは、位相構造を用いてプリントするのに適した幅を有する縦および横構成要素をプリントするための位相構造５１と、位相構造を用いてプリントするのに適さない構成要素をプリントするための不透明構造５３と、不透明構造を用いてプリントされる横構成要素と縦構成要素の共通部分とを含む。例示実施形態では、図５のマスクに含まれる背景領域５５は、１００％透過率および０°位相シフトと定義され、位相構造５１は、１００％透過率および１８０°位相シフトと定義され、不透明構造５３は、０％透過率と定義される。パターンＤとして記載した縦および横構成要素をプリントするためには、位相構造５１に関連してマスクの背景部分が作用することに留意されたい。さらに、本発明の前述の方法は、上述した特定の透過および位相シフト特性に限定されるものとは意図されていないことに留意されたい。前述したことからの変形形態も可能であることは明らかである。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
上述したように、目標パターンをプリントするために利用されるマスクを定義／生成するために目標パターンを位相構造と不透明構造に分解する前述の方法は、マスクデザインに必要な時間を短縮し、それと同時に、ウェハ上にプリントされるデザインの精度を改善する、目標パターンをマスク・パターンに変換する単純で体系的な方法を提供する。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
図６ａを参照する第１の方法によれば、分解能以下不透明パターンが、デザインのオープン領域（例えば、パターン幾何形状から２００ｎｍ以上離れた領域）に対応する部分でマスク・パターンに追加される。図に示されるように、オープン空間を２５％だけ埋めるクロム・フィーチャ６１のチェッカーボード・パターンは、電場領域の強度を入射強度の約８２％に低減する働きをする。第２の方法では、図６ｂに示されるように、オープン空間を２５％だけ埋める１８０°位相シフトフィーチャ６３のチェッカーボード・パターンが、オープン領域に追加される。このパターンは、電場領域の強度を入射強度の約３５％に低減する働きをする。第３の方法では、図６ｃに示されるように、オープン空間を２５％だけ埋める１２０°位相シフトフィーチャ６５のチェッカーボード・パターンが、オープン領域に追加される。このパターンは、電場領域の強度を入射強度の約７５％に低減する働きをする。大きな電場領域でのエネルギーの強度は、フレア低減パターン内の充填のパーセンテージに直接依存することに留意されたい。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
図７は、クロム分解能以下パターンと、１８０°位相構造からなる同じパターンとの透過率の関係を例示する。図示されるように、クロム・パターンが入射光の５０％を透過するとき、１８０°位相シフト、１００％透過率フィーチャの同じパターンはゼロ強度を有する。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
さらに、前述のチェッカーボード・パターンおよび位相シフトの量、またはクロムの使用は単なる例にすぎないことに留意されたい。所望の量のフレア低減が得られるまで、前述のことの変形形態を行うこともできる。例えば、取り得るパターンは、線／空間パターン、長方形チェッカーボード、交互横および縦線、適合する線／空間パターンなどを含むことができ、しかしこれらに限定されない。重要な局面は、フレア低減パターンに含まれるフィーチャが分解能以下に保たれることである。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】符号の説明
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【符号の説明】
ＬＡ  放射源
Ｅｘ  ビーム拡大器
ＩＬ  照明装置
Ｅｘ、ＩＬ  放射システム
ＡＭ  調整手段
ＩＮ  積分器
ＣＯ  集光器
ＰＬ  投影システム
ＭＡ  マスク（レチクル）
ＭＴ  第１の物体テーブル（マスク・テーブル）
Ｃ  目標部分
ＰＢ  投影ビーム
Ｗ  基板（ウェハ）
ＷＴ  第２の物体テーブル（基板テーブル）
２１、２３  縦フィーチャ
３１、３３  横フィーチャ
４１  共通部分
５１  位相構造
５３  不透明構造
５５  背景領域
５７  スキャッタ・バー
６１  クロム・フィーチャ
６３  １８０°位相シフトフィーチャ
６５  １２０°位相シフトフィーチャ