【手続補正書】
【提出日】平成20年5月9日(2008.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）下部誘電体スペーサ層と上部膜フィルムとからなるスタックが正面上に形成され、ハードマスクが背面上に配置された正面と背面とを有する基板を用意するステップと、
（ｂ）前記基板の前記正面に接する前記下部誘電体スペーサ層を貫通して延びる複数のバイアを前記上部膜フィルム内に形成するステップと、
（ｃ）前記上部膜フィルム上のある一定の位置に複数の第１の電極を、また一つ以上の前記バイアに第２の電極を形成するステップと、
（ｄ）ダイアフラムと前記ダイアフラムの各辺または各コーナーに隣合う孔あきプレートとを定め、一方の端部において前記ダイアフラムに、他方の端部においてパッドに接続される二つの端部を有する機械的スプリングと、各機械的スプリングを前記下部誘電体スペーサ層にアンカー固定するパッドとを定める開口部を形成するために前記上部膜フィルムをエッチングするステップと、
（ｅ）前記ダイアフラムの下に整列されられる、前記ハードマスクにおける開口部と基板における背面孔とをエッチングするステップと、
（ｆ）前記ダイアフラムと前記背面孔との間にエアギャップを形成するために解放ステップにおいて前記下部誘電体スペーサ層の一部分を除去するステップと、を備える専用バックプレートを有さないマイクロホン検出素子を形成する方法。
【請求項２】
前記基板は低抵抗率を有するシリコンからなり、前記膜フィルムは低抵抗率を有するドープドシリコンまたはドープドポリシリコンからなる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記下部誘電体スペーサ層は、燐珪酸ガラス（ＰＳＧ）、熱酸化物、オルソ珪酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）層、または低温酸化物からなる請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ハードマスクは、熱酸化物層、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）窒化シリコン層からなるか、あるいは前記の層の両方からなる複合層である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１と第２の電極は、Ａｕ／Ｃｒ複合層からなるか、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｕまたは他の金属材料からなる単一層または複合層である請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ダイアフラムは本質的に正方形であり各辺は第１の長さを有し、孔あきプレートは前記第１の長さに等しいか、より小さい長さ方向寸法と前記長さ方向寸法より小さい幅とを有する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記孔あきプレートの前記孔は正方形、矩形または円形の形状を有し、前記上部膜フィルムのエッチング時に形成される請求項１に記載の方法。
【請求項８】
機械的スプリングは上から見て矩形、「Ｕ字形」、または「Ｌ字形」の形状を有する請求項１に記載の方法。
【請求項９】
機械的スプリングは第１の幅を有し、パッドは本質的に正方形の形状と前記第１の幅に等しいか、より大きい幅寸法とを有する請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板に前記背面孔をエッチングするステップは、ＫＯＨエッチングによって実行され、前記背面孔は背面の開口部が正面の開口部より大きな幅を有し、前記正面の開口部が前記ダイアフラム側の長さより小さい幅を有する傾斜した側壁を有する請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記背面孔をエッチングするステップは、深部ＲＩＥ（ＤＲＩＥ）エッチングによって実行され、前記背面孔は垂直な側壁と前記ダイアフラムの辺の長さより小さい幅とを有する請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
第１の電極のある一定の位置はパッド上にある請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
第１のフォトマスクはステップ（ｂ）のために使用され、第２のフォトマスクはステップ（ｃ）のために使用され、第３のフォトマスクはステップ（ｄ）のために使用され、第４のフォトマスクはステップ（ｅ）においてハードマスクに開口部をエッチングするために使用される請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記膜フィルムは平面であり、前記ダイアフラムと機械的スプリングとパッドは共面であり等しい厚さを有する請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
（ａ）正面と背面孔が形成された背面とを有する基板と、
（ｂ）前記基板の正面上に形成された誘電体スペーサ層と、
（ｃ）前記背面孔の上方に整列させられたダイアフラムと、
（ｄ）複数の孔を有し前記ダイアフラムに隣合う複数の孔あきプレートであって、前記基板の上に吊り下げられ、エアギャップによって基板から分離された複数の孔あきプレートと、
（ｅ）前記ダイアフラムに取り付けられた複数の機械的スプリングであって、一方の端部が前記ダイアフラムに取り付けられ第２の端部がパッドに接続された二つの端部を有する複数の機械的スプリングと、
（ｆ）前記誘電体スペーサ層上に形成されたそれぞれのパッドであって、複数の前記機械的スプリングのそれぞれをアンカー固定するために役立つそれぞれのパッドと、
を備え、
（ｇ）音響信号に応答して、前記ダイアフラムと前記孔あきプレートとが基板に対して垂直に上下振動するとき、前記孔あきプレートと前記基板とによって容量性の検出素子が形成される、専用バックプレート部品を有さないマイクロホン検出素子。
【請求項１６】
一つ以上のパッド上に形成された第１の電極と、前記基板上に形成された一つ以上の第２の電極とを更に備えており、前記第１の電極と前記第２の電極のうちの１つは可変キャパシタ回路を形成するように接続される請求項１５に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項１７】
前記第１の電極と前記第２の電極はＡｕ／Ｃｒ複合層からなるか、あるいはＡｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｕまたは他の金属材料からなる単一層または複合層である請求項１６に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項１８】
前記ダイアフラムと機械的スプリングとパッドと孔あきプレートは共面であり、シリコン、ポリシリコン、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉまたは他の金属材料からなる請求項１５に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項１９】
前記背面孔は前記基板の正面に前記ダイアフラムの長さより小さい第１の幅を有する開口部を有し、また前記背面孔は前記基板の背面に前記第１の幅に等しいか、より大きい第２の幅を有する開口部を有する請求項１５に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項２０】
それぞれの機械的スプリングは矩形、「Ｕ字形」または「Ｌ字形」の形状と、前記ダイアフラムの中心と１コーナーとを通る平面に沿った長さ方向とを有する請求項１５に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項２１】
１つ以上の機械的スプリングは、前記パッドのうちの１つの１辺に取り付けられる請求項１５に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項２２】
前記ダイアフラムは正方形または矩形の形状を有する請求項１５に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項２３】
前記誘電体スペーサ層は熱酸化物層、低温酸化物層、ＴＥＯＳ層またはＰＳＧ層からなる請求項１５に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項２４】
前記基板は低抵抗率を有するドープドシリコン、または上に導電層が形成されたガラスのいずれかからなる請求項１５に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項２５】
（ａ）正面と背面孔が形成された背面とを有する基板と、
（ｂ）前記基板の正面上に形成された誘電体スペーサスタックと、
（ｃ）第１の厚さと中心と４コーナーとある長さを有する４辺と底面とを有し、前記背面孔の上方に整列させられるダイアフラムと、
（ｄ）第１の厚さと複数の孔とを有し前記ダイアフラムの各辺または各コーナーに隣合う矩形の孔あきプレートであって、長さ方向と幅方向の寸法を有し、前記誘電体スペーサ層に形成されたエアギャップの上に吊り下げられる矩形の孔あきプレートと、
（ｅ）前記ダイアフラムの各コーナーまたは各辺に取り付けられた機械的スプリングであって、各機械的スプリングは第１の厚さと、長さと、幅と、一方の端部が前記基板の上方の第１の距離において前記ダイアフラムに取り付けられ、第２の端部が前記基板の上方で前記第１の距離より大きい第２の距離においてパッドに接続される二つの端部と、を有する機械的スプリングと、
（ｆ）半導体層の硬い垂直セクションによって支持される各機械的スプリングに接続された、前記半導体層の水平セクションからなるパッドであって、前記パッドは第１の厚さと４辺と長さと第１の幅とを有し、前記垂直セクションはある深さと第２の幅とを有するパッドと、を備える専用バックプレートを有さないマイクロホン検出素子。
【請求項２６】
前記ダイアフラムと孔あきプレートと機械的スプリングと半導体層は、ドープドポリシリコン層からなる、請求項２５に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項２７】
前記背面上の熱酸化物層と熱酸化物層上に形成されたＬＰＣＶＤ窒化シリコン層とからなる誘電体スタックを更に備えており、前記正面上に形成された前記誘電体スペーサスタックは下部熱酸化物層と中間ＬＰＣＶＤ窒化シリコン層と上部酸化物層とからなる請求項２５に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項２８】
前記基板は低抵抗率を有するドープドシリコンからなるか、あるいは上に導電層が形成されたガラスである請求項２５に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項２９】
前記基板から前記第２の距離にある一つ以上のパッド上に形成された第１の電極と、前記基板から前記第１の距離に形成されたポリシリコン層の一つ以上の水平セクション上に配置された第２の電極とを更に備える請求項２５に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項３０】
第１の電極と第２の電極は本質的に正方形の形状を有し、またＡｕ／Ｃｒ複合層からなるか、あるいはＡｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｕまたは他の金属材料からなる単一層または複合層である請求項２９に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項３１】
前記背面孔は前記誘電体スペーサスタックを貫通して延びる第１の幅を有する正面開口部と前記誘電体スタックを貫通して延びる、前記第１の幅に等しいか、より大きい第２の幅を有する背面開口部とを有する請求項２７に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項３２】
機械的スプリングは矩形、「Ｕ字形」または「Ｌ字形」の形状を有し、前記ダイアフラムの中心を通る平面に沿った長さ方向を有する請求項２５に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項３３】
前記半導体層の前記垂直セクションは充填されたリング状のトレンチからなり、第１のトレンチは前記第１の電極の下の誘電体スペーサスタックを取り囲み第１の領域の上部ポリシリコン層と下部熱酸化物層とからなるスタック上に形成され、第２のトレンチは第２の電極の下の誘電体スペーサスタックを取り囲み前記基板に接触する請求項２９に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項３４】
前記第１の領域の前記ポリシリコン／熱酸化物スタックは、前記パッドと前記基板との間の寄生キャパシタンスを減らすために前記ポリシリコン／熱酸化物スタックと共に役立つ酸化物充填トレンチを有する前記基板の一部分の上に形成される請求項３３に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項３５】
前記ダイアフラムと同じ材料からなる前記ダイアフラムの底面に取り付けられた補強部を更に備える請求項２５に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項３６】
（ａ）正面と背面孔が形成された背面とを有する基板と、
（ｂ）前記基板の正面上に形成された誘電体スペーサスタックと、
（ｃ）第１の厚さと中心と４つのコーナーとある長さを有する４つの辺と底面とを有し、前記背面孔の上方に整列させられるダイアフラムと、
（ｄ）第１の厚さと複数の孔を有し前記ダイアフラムの各辺または各コーナーに隣合う矩形の孔あきプレートであって、長さ方向と幅方向の寸法を有し、前記誘電体スペーサスタックに形成されたエアギャップの上に吊り下げられる矩形の孔あきプレートと、
（ｅ）前記ダイアフラムの各コーナーに取り付けられた機械的スプリングであって、各機械的スプリングは第１の厚さと、長さと、第１の幅と、一方の端部が前記ダイアフラムに取り付けられ、第２の端部が電気的接続点として役立つパッドに接続される二つの端部と、を有する機械的スプリングと、
（ｆ）第１の厚さと４辺と長さと第１の幅とを有するパッドであって、各機械的スプリングに接続され、硬いベース要素によって支持されるパッドと、
（ｇ）４個の充填されたトレンチからなる連続壁の形をしたベース要素であって、各充填されたトレンチは長さ方向および幅方向の寸法と厚さと最上部と底部とを有し、前記底部は前記基板に接触し、前記最上部はパッドに接続し、前記ベース要素は各パッドの下の誘電体スペーサスタックを取り囲んでいるベース要素と、を備える専用バックプレートを有さないマイクロホン検出素子。
【請求項３７】
前記ダイアフラムと孔あきプレートと機械的スプリングとパッドは共面でありポリシリコンからなる請求項３６に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項３８】
前記ダイアフラムの底面上に形成されたポリシリコンの補強部を更に備える請求項３７に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項３９】
前記基板は低抵抗率を有するドープドシリコンからなる請求項３６に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項４０】
前記背面上の熱酸化物層と前記熱酸化物層上のＬＰＣＶＤ窒化シリコン層とからなる誘電体スタックを更に備えており、前記誘電体スペーサスタックは下部熱酸化物層と前記熱酸化物層上のＬＰＣＶＤ窒化シリコン層と前記ＬＰＣＶＤ窒化シリコン層上のＰＳＧ層とからなる請求項３６に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項４１】
一つ以上のベース要素上に形成された第１の電極と前記基板上に配置された一つ以上の第２の電極とを更に備えており、第１の電極はパッドの隣合う領域の上に部分的に重ねられる請求項３６に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項４２】
第１の電極と第２の電極はＡｕ／Ｃｒ複合層からなるか、あるいはＡｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｕまたは他の金属材料からなる単一層または複合層である請求項４１に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項４３】
前記ベース要素はシリコンリッチ窒化シリコン（ＳＲＮ）層からなる請求項３６に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項４４】
前記背面孔は前記正面上の前記熱酸化物層とＬＰＣＶＤ窒化シリコン層とを貫通して延びる第１の幅を有する正面開口部と前記誘電体スタックを貫通して延びる背面開口部であって、ダイアフラムの辺の長さより小さい前記第１の幅に等しいか、より大きい第２の幅を有する背面開口部とを有する請求項４０に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項４５】
機械的スプリングは矩形、「Ｕ字形」または「Ｌ字形」の形状を有し、前記ダイアフラムの中心と１コーナーとを通る平面に沿った長さ方向を有する請求項３６に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項４６】
（ａ）正面と背面孔が形成された背面とを有する基板であって、前記背面孔は４つのセクションを有し、一つのセクションは互いに垂直で、且つ前記基板に垂直である第１および第２の平面によって分割された各象限に形成される基板と、
（ｂ）第１の厚さと中心とエッジと４つのコーナーとある長さを有する４つの辺と底面とを有するダイアフラムであって、前記象限の各々にある背面孔の上方と、前記底面と前記基板との間に形成されたエアギャップの上に形成されるダイアフラムと、
（ｃ）前記基板の正面上と前記ダイアフラムの中心の下に形成された、ある厚さと幅とを有する誘電体スペーサ層と、
（ｄ）第１の厚さと複数の孔とを有し前記ダイアフラムの各辺に隣合う矩形の孔あきプレートであって、前記基板の上にあるエアギャップの上に吊り下げられる矩形の孔あきプレートと、
（ｅ）前記第１の平面に沿って形成された長さ方向寸法を有する二つの辺と二つの端部とを有する第１の１対の機械的スプリングであって、前記機械的スプリングは前記ダイアフラムと共面であり各辺に沿ったスロットによって前記ダイアフラムから分離されており、一方の端部は前記誘電体スペーサ層上に形成され、第２の端部は前記ダイアフラムのエッジに取り付けられる第１の１対の機械的スプリングと、
（ｆ）前記第２の平面に沿って形成された長さ方向寸法を有する二つの辺と二つの端部とを有する第２の１対の機械的スプリングであって、前記機械的スプリングは前記ダイアフラムと共面であり各辺に沿ったスロットによって前記ダイアフラムから分離されており、一方の端部は前記誘電体スペーサ層上に形成され、第２の端部は前記ダイアフラムのエッジに取り付けられており、前記誘電体スペーサ層上の前記端部は前記誘電体スペーサ層上に前記第１の１対の機械的スプリングの端部とのオーバーラップ領域を形成する第２の１対の機械的スプリングと、を備える専用バックプレートを有さないマイクロホン検出素子。
【請求項４７】
前記基板は低抵抗率を有するドープドシリコンまたは上に導電層が形成されたガラスからなり、前記ダイアフラムと機械的スプリングと孔あきプレートはドープドシリコン、ドープドポリシリコンまたは他の半導体材料からなる請求項４６に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項４８】
前記誘電体スペーサ層の上方の前記機械的スプリングのオーバーラップ領域上に形成された第１の電極と前記孔あきプレートまたはダイアフラムの外側の基板上に形成された第２の電極とを更に備える請求項４６に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項４９】
前記機械的スプリングは前記背面孔セクションの上には形成されない請求項４６に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項５０】
前記エアギャップは前記誘電体スペーサ層の厚さによって定められる厚さを有する請求項４６に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項５１】
前記第１の電極と第２の電極はＡｕ／Ｃｒ複合層からなるか、あるいはＡｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｕまたは他の金属材料からなる単一層または複合層である請求項４６に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項５２】
前記誘電体スペーサ層は酸化物、窒化シリコンまたは他の誘電体材料からなる単一層または複合層である請求項４６に記載のマイクロホン検出素子。
【請求項５３】
前記ダイアフラムは基本的に正方形または矩形であり、孔あきプレートは前記ダイアフラムの長さに等しいか、より小さい長さ方向寸法と前記長さ方向寸法より小さい幅とを有する請求項４６に記載のマイクロホン検出素子。