【手続補正書】
【提出日】平成19年12月10日(2007.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小電子機器の製造において、電気的内部配線の微細凹凸を有する基板上にＣｕ電気めっきをする方法であって、該方法は以下の工程からなる；
次の成分を含む電解溶液に基板を含浸させる工程；
基板上で電気的内部配線の微細凹凸内へＣｕを電着させるに十分な量のＣｕイオン供給源であって、ここで、前記電気的内部配線の微細凹凸はその大きさが約１００ｎｍより小さく、アスペクト比（深さ：幅）が約４：１より大であり；
水平方向の成長速度よりも垂直方向の成長速度が実質的に大であることを特徴とする内部配線の微細凹凸にＣｕ沈積を促進する一つまたはそれ以上のスーパー充填剤であり、ここで、前記スーパー充填剤の化合物は促進剤、抑制剤およびこれらの組み合わせからなる群から選択され；および
実質的にスーパー充填に干渉することなしにレベリング効果を奏する置換ピリジルポリマー化合物からなるレベリング剤；
および
電解質溶液に電流を印加して基板上にＣｕを沈積させる工程。
【請求項２】
置換ピリジルポリマー化合物が、ピリジニウム化合物である請求項１の方法。
【請求項３】
置換ピリジルポリマー化合物が、ビニルピリジン誘導体である請求項１の方法。
【請求項４】
置換ピリジルポリマー化合物が、２−ビニルピリジンの誘導体または４−ビニルピリジンの誘導体である請求項１の方法。
【請求項５】
置換ピリジルポリマー化合物が、ビニルピリジンのホモポリマーまたはビニルピリジンの共重合体である請求項１の方法。
【請求項６】
置換ピリジルポリマー化合物が、ビニルピリジンホモポリマーの第４級化塩およびビニルピリジン共重合体の第４級化塩からなる群から選ばれる請求項１の方法。
【請求項７】
置換ピリジルポリマー化合物が、４−ビニルピリジンの反応生成物またはポリ（４−ビニルピリジン）の反応生成物である請求項１の方法。
【請求項８】
置換ピリジルポリマー化合物が、４−ビニルピリジンと硫酸ジメチルとの反応生成物である請求項１の方法。
【請求項９】
置換ピリジルポリマー化合物が、ポリ（４−ビニルピリジン）と硫酸ジメチルとの反応生成物である請求項１の方法。
【請求項１０】
置換ピリジル高分子化合物が、
ポリ（４−ビニルピリジン）と硫酸ジメチルとの反応生成物、ポリ（４−ビニルピリジン）とメチル・トシレートとの反応生成物、４−ビニルピリジンと硫酸ジメチルとの反応生成物、４−ビニルピリジンとメチル・トシレートとの反応生成物、４−ビニルピリジンと２−クロロエタノールとの反応生成物、４−ビニルピリジンと塩化ベンジルとの反応生成物、４−ビニルピリジンと塩化アリルとの反応生成物、４−ビニルピリジンと４−クロロメチルピリジンとの反応生成物、４−ビニルピリジンと１，３−プロパン・サルトンとの反応生成物、４−ビニルピリジンとメチル・トシレートとの反応生成物、４−ビニルピリジンとクロロアセトンとの反応生成物、４−ビニルピリジンと塩化２−メトシキエトキシメチルとの反応生成物、４−ビニルピリジンと２−クロロエチルエーテルとの反応生成物、２−ビニルピリジンとメチル・トシレートとの反応生成物、２−ビニルピリジンと硫酸ジメチルとの反応生成物、ポリ（２−メチル−５−ビニルピリジン）、およびトリフルオロメチルスルホン酸１−メチル−４−ビニルピリジニウム、
からなる群から選ばれる化合物である請求項１の方法。
【請求項１１】
微小電子機器の製造で電気的内部配線微細凹凸を有する基板上にＣｕを電気めっきする方法であって、該方法は以下の工程からなる：
基板を、以下を含む電解溶液に浸漬する工程；
基板上で電気的内部配線微細凹凸内へＣｕを電着するに十分な量のＣｕイオン供給源；および
水平方向の成長速度よりも垂直方向の成長速度が実質的に大であることを特徴とする内部配線の微細凹凸にＣｕ沈積を促進する一つまたはそれ以上のスーパー充填剤であり、ここで、前記スーパー充填剤の化合物は促進剤、抑制剤およびこれらの組み合わせからなる群から選択され；および
実質的にスーパー充填に干渉することなしにレベリング効果を奏する置換ピリジルポリマー化合物からなるレベリング剤であり、ここで前記置換ピリジルポリマー化合物は、４−ビニルピリジンの誘導体であり；
および
電解質溶液に電流を印加して基板上にＣｕを沈積させる工程。
【請求項１２】
置換ピリジルポリマー化合物が、４−ビニルピリジンの反応生成物またはポリ（４−ビニルピリジン）の反応生成物である請求項１１の方法。
【請求項１３】
置換ピリジルポリマー化合物が、４−ビニルピリジンと硫酸ジメチルの反応生成物である請求項１１の方法。
【請求項１４】
置換ピリジルポリマー化合物が、ポリ（４−ビニルピリジン）と硫酸ジメチルの反応生成物である請求項１１の方法。
【請求項１５】
置換ピリジルポリマー化合物が、４−ビニルピリジンを以下の式１の化合物と反応させて得られる反応生成物である請求項１１の方法。
2007517140.tif 000001
ここで、Ｒ１はアルキル、アルケニル、アラルキル、複素アリールアルキル、置換アルキル、置換アルケニル、置換アラルキルまたは置換複素アリールアルキルであり、そして、
Ｌは脱離基である。
【請求項１６】
微小電子機器の製造で電気的内部配線微細凹凸を有する基板上にＣｕを電気めっきする方法であって、該方法は以下の工程からなる：
基板を、以下を含む電解溶液に浸漬する工程；
基板上で電気的内部配線微細凹凸内へＣｕを電着するに十分な量のＣｕイオン供給源；および
水平方向の成長速度よりも垂直方向の成長速度が実質的に大であることを特徴とする内部配線の微細凹凸にＣｕ沈積を促進する一つまたはそれ以上のスーパー充填剤であり、ここで、前記スーパー充填剤の化合物は促進剤、抑制剤およびこれらの組み合わせからなる群から選択され；および
実質的にスーパー充填に干渉することなしにレベリング効果を奏する置換ピリジルポリマー化合物からなるレベリング剤であり、ここで前記置換ピリジルポリマー化合物は、ポリ（４−ビニルピリジン）と硫酸ジメチルとの反応生成物、ポリ（４−ビニルピリジン）とメチル・トシレートとの反応生成物、４−ビニルピリジンと硫酸ジメチルとの反応生成物、４−ビニルピリジンとメチル・トシレートとの反応生成物、４−ビニルピリジンと２−クロロエタノールとの反応生成物、４−ビニルピリジンと塩化ベンジルとの反応生成物、４−ビニルピリジンと塩化アリルとの反応生成物、４−ビニルピリジンと４−クロロメチルピリジンとの反応生成物、４−ビニルピリジンと１，３−プロパン・サルトンとの反応生成物、４−ビニルピリジンとメチル・トシレートとの反応生成物、４−ビニルピリジンとクロロアセトンとの反応生成物、４−ビニルピリジンと塩化２−メトシキエトキシメチルとの反応生成物、４−ビニルピリジンと２−クロロエチルエーテルとの反応生成物、２−ビニルピリジンとメチル・トシレートとの反応生成物、２−ビニルピリジンと硫酸ジメチルとの反応生成物、ポリ（２−メチル−５−ビニルピリジン）、およびトリフルオロメチルスルホン酸１−メチルー４−ビニルピリジニウム、
からなる群から選ばれる化合物であり；
および
電解質溶液に電流を印加して基板上にＣｕを沈積させる工程。
【請求項１７】
置換ピリジルポリマー化合物からなるレベリング剤が、０．０１ｍｇ／Ｌと１００ｍｇ／Ｌの間の濃度で存在する請求項１乃至１６のいずれかの方法。
【請求項１８】
置換ピリジルポリマー化合物からなるレベリング剤が、０．１ｍｇ／Ｌと２５ｍｇ／Ｌの間の濃度で存在する請求項１乃至１６のいずれかの方法。
【請求項１９】
微小電子機器の製造で電気的内部配線微細凹凸を有する基板上にＣｕを電気めっきするための組成物であって、該組成物は以下を含む：
基板上で電気的内部配線微細凹凸内へＣｕを電着するに十分な量のＣｕイオン供給源；および
第四級化ピリジニウム塩からなるレベリング剤であって、前記第四級化ピリジニウム塩はポリ（４−ビニルピリジン）の反応生成物である。
【請求項２０】
第４級化ピリジニウム塩が、４−ビニルピリジンと硫酸メチルの反応生成物である請求項１９の組成物。
【請求項２１】
第４級化ピリジニウム塩が、ポリ（４−ビニルピリジン）と硫酸メチルの反応生成物である請求項１９の組成物。
【請求項２２】
第４級化ピリジニウム塩が、４−ビニルピリジンを以下の式１の化合物と反応させて得られる反応生成物である請求項１９の組成物。
2007517140.tif 000002
ここで、Ｒ１はアルキル、アルケニル、アラルキル、複素アリールアルキル、置換アルキル、置換アルケニル、置換アラルキルまたは置換複素アリールアルキルであり、そして、
Ｌは脱離基である。
【請求項２３】
第４級化ピリジニウム塩が、
ポリ（４−ビニルピリジン）と硫酸ジメチルとの反応生成物、ポリ（４−ビニルピリジン）とメチル・トシレートとの反応生成物、４−ビニルピリジンと硫酸ジメチルとの反応生成物、４−ビニルピリジンとメチル・トシレートとの反応生成物、４−ビニルピリジンと２−クロロエタノールとの反応生成物、４−ビニルピリジンと塩化ベンジルとの反応生成物、４−ビニルピリジンと塩化アリルとの反応生成物、４−ビニルピリジンと４−クロロメチルピリジンとの反応生成物、４−ビニルピリジンと１，３−プロパン・サルトンとの反応生成物、４−ビニルピリジンとメチル・トシレートとの反応生成物、４−ビニルピリジンとクロロアセトンとの反応生成物、４−ビニルピリジンと塩化２−メトシキエトキシメチルとの反応生成物、４−ビニルピリジンと２−クロロエチルエーテルとの反応生成物、２−ビニルピリジンとメチル・トシレートとの反応生成物、２−ビニルピリジンと硫酸ジメチルとの反応生成物、ポリ（２−メチル−５−ビニルピリジン）、およびトリフルオロメチルスルホン酸１−メチル−４−ビニルピリジニウム、
からなる群から選ばれる化合物である請求項１９の組成物。
【請求項２４】
組成物が、水平方向の成長速度よりも垂直方向の成長速度が実質的に大であることを特徴とする内部配線の微細凹凸にＣｕ沈積を促進する一つまたはそれ以上のスーパー充填剤をさらに含むものであり、ここで、前記スーパー充填剤の化合物は促進剤、抑制剤およびこれらの組み合わせからなる群から選択されるものである、請求項１９乃至２３のいずれか一つの組成物。
【請求項２５】
置換ピリジルポリマー化合物からなるレベリング剤が、０．１ｍｇ／Ｌと２５ｍｇ／Ｌの間の濃度で存在する請求項１９乃至２４のいずれかの組成物。