Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月12日(2007.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の所定周波数の一つにおける電磁気信号を検出するための複数の検出要素を備えるデジタイザにおけるノイズ低減の方法であって、
前記検出要素の少なくとも二つの要素を実質的に同時にサンプリングして、前記少なくとも二つの検出要素のそれぞれからの出力を取得することと、
前記少なくとも二つの要素の一つへの出力を、前記少なくとも二つの要素の他の一つへの出力信号に従って減少させることと、
を含む方法。
【請求項２】
前記少なくとも二つの要素の一つがスタイラス信号の候補キャリヤとして選択され、前記少なくとも二つの要素の他の一つが単なるノイズの候補キャリヤとして選択される、請求項１の方法。
【請求項３】
前記一つの所定周波数及び別の任意周波数の、前記要素のそれぞれにおける信号を検出することを含む、請求項２の方法。
【請求項４】
前記任意周波数の前記信号を、前記所定周波数の前記信号におけるノイズ量を推定するために利用することを含む、請求項３の方法。
【請求項５】
前記単なるノイズの候補キャリヤとスタイラス信号の候補キャリヤにおける任意周波数の信号間の比率を判断することと、
前記比率及び前記単なるノイズの候補キャリヤにおける前記所定周波数の前記信号から、前記スタイラス信号の候補キャリヤにおける前記一つの所定周波数におけるノイズ量を判断することと、
前記判断されたノイズ量によって、スタイラス信号の前記候補キャリヤにおける前記一つの所定周波数の信号を減少させることと、
を含む、請求項３の方法。
【請求項６】
前記任意周波数が、比較的高いノイズを有する前もってセットされた検出範囲内の周波数として選択される、請求項３ないし５のいずれかの方法。
【請求項７】
前記デジタイザが接触検出に使用可能でもあり、前記任意周波数が前記接触検出に既に使用されている周波数として選択される、請求項３ないし６のいずれかの方法。
【請求項８】
前記任意周波数におけるノイズを意図的に生成することをさらに含む、請求項３ないし７のいずれかの方法。
【請求項９】
前記所定周波数が、使用中に、新しい周波数に変化し、前記任意周波数を、前記所定周波数に比較的近い周波数から、前記新しい周波数に比較的近い第二の周波数に変化させることを含む、請求項３ないし８のいずれかの方法。
【請求項１０】
前記単なるノイズの候補キャリヤが、しきい値を越える量のノイズを示す要素のグループから、スタイラスの以前に知られている位置から最も離れている前記グループにおける要素として、選択される、請求項２ないし９のいずれかの方法。
【請求項１１】
前記単なるノイズの候補キャリヤが、スタイラスの以前に知られている位置から定められた距離以上である限り、最も強いノイズ信号を示す要素として選択される、請求項２ないし１０のいずれかの方法。
【請求項１２】
前記単なるノイズの候補キャリヤが、選択され、
前記選択が正しいということに基づいて一群の要素に対してノイズ除去が実行され、
前記一群の要素に対する結果の信号パターンが分析され、また、
前記結果の信号パターンが正しい選択を示す場合、前記選択が許容され、さもなければ、単なるノイズの候補キャリヤの新しい選択がなされる、
請求項２ないし１１のいずれかの方法。
【請求項１３】
前記比率が、それぞれのアンテナ間の位相及び大きさの相違の少なくとも一つを補償するために、前記補償中に、複素数比を使用することを含む、請求項５の方法。
【請求項１４】
一群の配列アンテナをサンプリングすること、スタイラスの影響が最小の少なくとも一つのアンテナを選択すること、及び、少なくともいくつか残りのアンテナのそれぞれの出力を前記選択されたアンテナの出力に従って減少することを含む、請求項２ないし１３のいずれかの方法。
【請求項１５】
前記低減を計算するために、複数の任意に選択された周波数の出力信号を検出することを含む、請求項３ないし１３のいずれかの方法。
【請求項１６】
前記低減を計算するために、複数の任意に選択された周波数の出力信号を検出し、前記複数の任意に選択された周波数の前記出力信号に従って平均比率を計算することを含む、請求項５の方法。
【請求項１７】
前記検出要素が、移動可能物体の信号をデジタイズして前記物体の位置を示すための、前記デジタイザに関連した配列に配置された導電性検出器である、請求項１ないし１６のいずれかの方法。
【請求項１８】
前記ノイズが、少なくとも部分的に、指などの身体部分の存在の結果である、請求項１ないし１７のいずれかの方法。
【請求項１９】
前記デジタイザが前記検出要素を運ぶための検出面を備え、さらに前記検出面が接触感知である、請求項１ないし１８のいずれかの方法。
【請求項２０】
前記検出要素が透明な導体である、請求項１ないし１９のいずれかの方法。
【請求項２１】
前記少なくとも二つの要素の一つがゲームピース信号の候補キャリヤとして選択され、前記少なくとも二つの要素の他の一つが単なるノイズの候補キャリヤとして選択される、請求項１ないし２０のいずれかの方法。
【請求項２２】
前記スタイラス信号がスタイラスにより生成される、請求項２ないし１６のいずれかの方法。
【請求項２３】
前記スタイラスが電磁気スタイラスである、請求項２２の方法。
【請求項２４】
前記スタイラスが、能動的発振器及びエネルギーピックアップ回路を備える、請求項２２又は請求項２３の方法。
【請求項２５】
前記スタイラスが、共振回路を備える、請求項２２又は請求項２３の方法。
【請求項２６】
前記検出要素が、グリッド配列状に配置された、請求項１ないし２５のいずれかの方法。
【請求項２７】
前記検出要素が、ループ要素である、請求項１ないし２６のいずれかの方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月18日(2008.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランタイム・セキュリティ保証用の自律型メモリ・チェッカを含む電子装置であって、
制御部と、
前記制御部に接続されたメモリ参照ファイルと、
前記制御部に接続された認証エンジンと、
を備え、メモリ内に格納された情報に対応する実時間参照値をメモリ参照値と比較するという検査をランタイム動作中に行う電子装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電子装置において、前記電子装置のランタイム動作中、前記検査は周期的に行われる、電子装置。
【請求項３】
請求項１に記載の電子装置において、前記電子装置のランタイム動作中、前記検査はランダムな時間に行われる、電子装置。
【請求項４】
ランタイム・セキュリティ保証用の電子装置の動作方法であって、
信頼される情報をメモリ内に格納する段階と、
前記信頼される情報を認証エンジンに提供する段階と、
前記信頼される情報に対応するメモリ参照値を生成する段階と、
前記メモリ参照値をメモリ参照ファイルに格納する段階と、
ランタイム・モードで前記電子装置を動作させる段階と、
前記電子装置のランタイム動作中、前記信頼される情報を前記認証エンジンに格納したメモリ位置に対応するメモリ内容を提供する段階と、
実時間参照値を生成する段階と、
前記実時間参照値を前記メモリ参照値と比較する段階と、
を備える方法。
【請求項５】
ランタイム・セキュリティ保証用の電子装置の動作方法であって、
メモリ内に格納された信頼される情報をハッシュするために、ブートモード中に自律型メモリ・チェッカに提供する段階と、
前記自律型メモリ・チェッカに命令して、前記ブートモード中に前記信頼される情報をハッシュする段階と、
前記信頼される情報から参照ハッシュ値を生成する段階と、
前記自律型メモリ・チェッカ内のメモリ参照ファイルに前記参照ハッシュ値を格納する段階と、
前記自律型メモリ・チェッカによってハッシュするために、ランタイム中にメモリから前記信頼される情報をフェッチする段階と、
ランタイム中に取得した前記信頼される情報を用いて、ランタイム・ハッシュ値を生成する段階と、
前記参照ハッシュ値を前記ランタイム・ハッシュ値と比較する段階と、
前記参照ハッシュ値が前記ランタイム・ハッシュ値と異なる場合、エラーを知らせ、前記信頼される情報が修正されたことを示す段階と
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月8日(2008.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポータブル・デバイスに取り付けられた加速度計を使用して前記ポータブル・デバイスの移動を検出するステップと、
前記ポータブル・デバイスの前記移動の検出に応答して、１つまたは複数の所定のユーザ構成可能なアクションを実行するために機械実行可能コードを実行するステップと
から成ることを特徴とする加速度計に基づいてポータブルデバイスを操作する方法。
【請求項２】
プロセッサと、
前記プロセッサに結合され、内部に命令を保管されたメモリと、
ポータブル・デバイスの移動を検出するための、前記プロセッサと前記メモリに結合された加速度計であって、前記プロセッサが、前記ポータブル・デバイスの前記移動の検出に応答して１つまたは複数の所定のユーザ構成可能なアクションを実行するために前記メモリから命令を実行する、加速度計と
から構成されることを特徴とするポータブル・デバイス。
【請求項３】
ポータブル・デバイスに取り付けられた加速度計を使用して前記ポータブル・デバイスの移動を検出するステップと、
前記ポータブル・デバイスの前記移動の検出に応答して、１つまたは複数の所定のユーザ構成可能なアクションを実行するために機械実行可能コードを実行するステップと
とから成る方法を機械に実行させる実行可能コードを有することを特徴とする機械可読媒体。
【請求項４】
ポータブル・デバイスに取り付けられた加速度計を使用して前記ポータブル・デバイスの移動を検出する手段と、
前記ポータブル・デバイスの前記移動の検出に応答して、１つまたは複数の所定のユーザ構成可能なアクションを実行するために機械実行可能コードを実行する手段と
から成ることを特徴とする加速度計に基づいてポータブル・デバイスを操作する装置。
【請求項５】
ポータブル・デバイスに取り付けられた加速度計を使用して前記ポータブル・デバイスの移動を検出するステップと、
前記加速度計によって供給される移動データに基づいて、前記移動の後の前記ポータブル・デバイスの向きを判定するステップと、
前記移動の前のイメージの向きと相対的に同一の向きに一致させて前記ポータブル・デバイスのディスプレイに前記イメージを表示するステップと
から成ることを特徴とする加速度計に基づいてポータブル・デバイスを操作する方法。
【請求項６】
ポータブル・デバイスのディスプレイに文書の第１ページを表示するステップと、
前記ポータブル・デバイスに取り付けられた加速度計を使用して前記ポータブル・デバイスの移動を検出するステップと、
前記移動の検出に応答して、前記第１ページと異なる前記文書の第２ページを表示するステップと
から成ることを特徴とする加速度計に基づいてポータブル・デバイスを操作する方法。
【請求項７】
ポータブル・デバイスのディスプレイに文書ページの第１部分を表示するステップと、
前記ポータブル・デバイスに取り付けられた加速度計を使用して前記ポータブル・デバイスの移動を検出するステップと、
前記検出に応答して、前記ポータブル・デバイスの前記ディスプレイに前記第１部分と異なる前記文書ページの第２部分を表示するステップと
から成ることを特徴とする加速度計に基づいてポータブル・デバイスを操作する方法。
【請求項８】
ユーザの観点から第１シーンから第２シーンへの方向に向かって推移するイメージのシーケンスをポータブル・デバイスのディスプレイに表示するステップと、
前記ポータブル・デバイスに取り付けられた加速度計を使用して、前記ポータブル・デバイスの移動を検出するステップと、
前記検出された移動が前記ユーザの観点からの前記推移の前記方向に関連する方向に従っていない場合に、所定のオペレーションを実行するステップと
から成ることを特徴とする加速度計に基づいてポータブル・デバイスを操作する方法。
【請求項９】
ポータブル・デバイスに取り付けられた加速度計を使用して、前記ポータブル・デバイスの移動を検出するステップと、
前記加速度計によって供給される移動データに基づいて、前記移動の後の前記ポータブル・デバイスの向きを判定するステップと、
前記判定された向きを与えられて最も適する前記ポータブル・デバイスの少なくとも１つのインターフェースをアクティブ化するステップと
から成ることを特徴とする加速度計に基づいてポータブル・デバイスを操作する方法。
【請求項１０】
加速度計を使用して、ポータブル・デバイスの移動が反復移動であるかどうかを判定するステップと、
前記加速度計によって供給される移動データに基づいて、前記移動の反復レートを判定するステップと、
前記移動の判定された反復レートに基づいて、前記ポータブル・デバイスを介してマルチメディア・コンテンツを再生するステップと
から成ることを特徴とする加速度計に基づいてポータブル・デバイスを操作する方法。
【請求項１１】
ポータブル・デバイスに取り付けられた加速度計を使用して、前記ポータブル・デバイスが移動しているかどうかを検出するステップと、
前記ポータブル・デバイスの動作状態を判定するステップであって、前記動作状態が、インアクティブ状態とアクティブ状態のうちの１つを含む、判定するステップと、
前記ポータブル・デバイスが移動している場合に、前記判定された動作状態に基づいて前記ポータブル・デバイスを所定の電力モードに構成するステップと
から成ることを特徴とする加速度計に基づいてポータブル・デバイスを操作する方法。
【請求項１２】
ポータブル・デバイスに取り付けられた加速度計を使用して、前記ポータブル・デバイスの移動を検出するステップと、
前記加速度計によって供給される移動データに基づいて前記ポータブル・デバイスの移動方向を判定するステップと、
前記ポータブル・デバイスのディスプレイに表示されるオブジェクトが前記ポータブル・デバイスのユーザに関して相対的に同一位置のままになるように、前記ポータブル・デバイスの前記移動を補償するために前記表示されるオブジェクトの位置を調整するステップと
から成ることを特徴とする加速度計に基づいてポータブル・デバイスを操作する方法。
【請求項１３】
ポータブル・デバイスに印加される力に応答して、前記ポータブル・デバイスに取り付けられた加速度計を使用して前記ポータブル・デバイスの移動を検出するステップと、
前記加速度計によって供給される加速度情報に基づいて、前記力の大きさおよび方向を計算するステップと、
表示されるオブジェクトを前記ポータブル・デバイスのディスプレイ上の第１位置から第２位置へ移動させるステップであって、前記第１位置と前記第２位置との間の方向および距離が、前記力の前記計算された大きさおよび方向に基づいて判定され、移動させるステップと
から成ることを特徴とする加速度計に基づいてポータブル・デバイスを操作する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月16日(2008.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
a)  処理されていないか又は前処理されている基板、及び
b)  (i)水性アルカリ性現像剤中に可溶性又は膨潤性の1種以上の高分子バインダー；
(ii)1つ以上の非芳香族C-C二重結合と1つ以上のSH基とを分子中に含む1種以上のラジカル重合可能モノマー及び/又はオリゴマー；及び
(iii)ラジカル重合のための輻射線感受性開始剤又は開始剤系
を含む輻射線感受性塗膜
を含んで成る平版印刷版前駆体であって、
成分(ii)が下記式(I)：
HS-Z-(Z1-CR1a＝CR1bR1c)c            (I)
［上記式中、各R1a、R1b、及びR1cは独立して、H、C1-C6アルキル、C2-C8アルケニル、アリール、ハロゲン、CN及びCOOR1dから選択され、ここでR1dは、H、C1-C18アルキル、C2-C8アルケニル、C2-C8アルキニル、又はアリールであり；そして、
Zは脂肪族、複素環式又は複素芳香族スペーサー、又はこれらのうち2つ又は3つ以上の組み合わせであり、Zは随意選択的に、1つもしくは2つ以上の追加のSH基、及び/又は1つもしくは2つ以上の追加の非芳香族C-C二重結合を含むことができ；そして、各Z1は独立して、単結合、
【化１】
2007525701.tif 000001
から選択される
（上記式中、R2a、R2b、及びR2cは独立して、H、C1-C6アルキル、及びアリールから選択され、
Z2は、単結合、O、S及びNR2cから選択され、
Z3は、Zに結合された単結合であり、
bは、整数1〜10であり、そして
cは、整数1〜3である）］
を有する平版印刷版前駆体。
【請求項２】
該輻射線感受性塗膜が、SH基を含まない1種以上のラジカル重合可能モノマー及び/又はオリゴマーをさらに含む、請求項1に記載の平版印刷版前駆体。
【請求項３】
該塗膜が、波長750超〜1,200 nmの輻射線を吸収することができる1種以上のIR吸収剤、並びに、ポリハロゲンアルキル置換型化合物、オニウム化合物、及びポリハロゲンアルキル置換型化合物とオニウム化合物との混合物から選択された1種以上の共開始剤を含む開始剤系を含む、請求項1又は2に記載の平版印刷版前駆体。
【請求項４】
a)  処理されていないか又は前処理されている基板を用意すること、
b)  (i)水性アルカリ性現像剤中に可溶性又は膨潤性の1種以上の高分子バインダー；
(ii)1つ以上の非芳香族C-C二重結合と1つ以上のSH基とを分子中に含む1種以上のラジカル重合可能モノマー及び/又はオリゴマー；及び
(iii)ラジカル重合のための輻射線感受性開始剤又は開始剤系
を含む輻射線感受性塗膜を塗布すること、
ここで成分(ii)は下記式(I)を有する：
HS-Z-(Z1-CR1a＝CR1bR1c)c              (I)
［上記式中、各R1a、R1b、及びR1cは独立して、H、C1-C6アルキル、C2-C8アルケニル、アリール、ハロゲン、CN及びCOOR1dから選択され、ここでR1dは、H、C1-C18アルキル、C2-C8アルケニル、C2-C8アルキニル、又はアリールであり；そして、
Zは脂肪族、複素環式又は複素芳香族スペーサー、又はこれらのうち2つ又は3つ以上の組み合わせであり、Zは随意選択的に、1つもしくは2つ以上の追加のSH基、及び/又は1つもしくは2つ以上の追加の非芳香族C-C二重結合を含むことができ；そして、各Z1は独立して、単結合、
【化２】
2007525701.tif 000002
から選択される
（上記式中、R2a、R2b、及びR2cは独立して、H、C1-C6アルキル、及びアリールから選択され、
Z2は、単結合、O、S及びNR2cから選択され、
Z3は、Zに結合された単結合であり、
bは、整数1〜10であり、そして
cは、整数1〜3である）］
(c)  乾燥させること、及び
(d)  随意選択的に、酸素不透過性オーバーコートを塗布し、そして乾燥させる
ことを含んで成る、請求項1から3までのいずれか1項に記載の平版印刷版前駆体の製造方法。
【請求項５】
(a)  請求項1から3までのいずれか1項に記載の平版印刷版前駆体を用意し、
(b)  該前駆体内で使用された該開始剤又は該開始剤系に適した波長の輻射線で、該前駆体に像様露光を施し、そして
(c)  続いて、工程(b)で得られた該露光済前駆体を水性アルカリ性現像剤で現像する
ことを含む、平版印刷フォームを提供する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月29日(2008.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
a）基板と；
b）該基板上に形成された第1の電極と、該第1の電極の上に位置する1つ以上のOLED発光層と、該OLED発光層の上に位置する第2の電極とを備える1つ以上のOLED発光素子と；
c）該第2の電極の上方に位置する封止用カバーと；
d）該封止用カバーまたは該基板の外面上に延在しそこに熱伝導性接着剤で接着された実質的に平坦な熱伝導性背面プレートとを含んでなり、該背面プレートの熱伝導率が該基板または該カバーの熱伝導率よりも大きく、かつ、該熱伝導性接着剤の熱伝導率が0.2W/mKよりも大きいことを特徴とするOLEDディスプレイ。
【請求項２】
上記熱伝導性背面プレートが金属でできている、請求項1に記載のOLEDディスプレイ。
【請求項３】
上記熱伝導性背面プレートが、上記封止用カバーおよび／または上記基板の側部に延びている、請求項1に記載のOLEDディスプレイ。
【請求項４】
上記接着剤が、上記熱伝導性背面プレートを、上記封止用カバーおよび／または上記基板の側部に接着させる、請求項3に記載のOLEDディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月8日(2008.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
1つ以上の支持体を互いに接着させて、物品を入れるための柔軟な包装を形成するための水基体コールドシール粘着性の塗料であって、該粘着性の塗料が、以下の成分：
約25重量%〜約90重量%の天然ゴムラテックスエマルジョン；
約10重量%〜約75重量%の非自己架橋性のアクリル系エマルジョン；
約0.01重量%〜約10重量%の水；および、
消泡剤、アンモニア、界面活性剤、粘着防止剤、不活性充填剤および状態調節剤から選択される1つ以上の成分；
からなり；
前記粘着性の塗料の成分の合計が100重量%となるよう組み合わせた粘着性の塗料。
【請求項２】
前記消泡剤が、乳化させたシリコーン、鉱油基体の製品およびグリコールエステル/ポリオールからなる群より選択される、請求項1に記載の粘着性塗料。
【請求項３】
前記消泡剤が、グリコールエステル/ポリオールである、請求項1または２に記載の粘着性塗料。
【請求項４】
前記アンモニアが、水酸化アンモニウムおよびアンモニア水溶液からなる群より選択される、請求項1〜３のいずれか１項に記載の粘着性塗料。
【請求項５】
前記界面活性剤が、脂肪酸エステル、非イオン性エトキシレートおよびアニオン性スルホスクシネートからなる群より選択される、請求項1〜４のいずれか１項に記載の粘着性塗料。
【請求項６】
前記界面活性剤が、アニオン性スルホスクシネートである、請求項1〜５のいずれか１項に記載の粘着性塗料。
【請求項７】
前記粘着防止剤が、フュームドシリカ、粘土および炭酸カルシウムからなる群より選択される、請求項1〜６のいずれか１項に記載の粘着性塗料。
【請求項８】
前記粘着防止剤が、フュームドシリカである、請求項1〜７のいずれか１項に記載の粘着性塗料。
【請求項９】
前記塗料が、約0.01重量%〜約5重量%の消泡剤を含有する、請求項1〜８のいずれか１項に記載の粘着性塗料。
【請求項１０】
前記塗料が、約0.01重量%〜約5重量%のアンモニアを含有する、請求項1〜９のいずれか１項に記載の粘着性塗料。
【請求項１１】
前記塗料が、約0.01重量%〜約5重量%の界面活性剤を含有する、請求項1〜１０のいずれか１項に記載の粘着性塗料。
【請求項１２】
前記塗料が、約0.01重量%〜約5重量%の粘着防止剤を含有する、請求項1〜１１のいずれか１項に記載の粘着性塗料。
【請求項１３】
前記非自己架橋性のアクリル系エマルジョンが、スチレンアクリル系、ニトリルアクリル系および全アクリル系からなる群より選択される、請求項1〜１２のいずれか１項に記載の粘着性塗料。
【請求項１４】
前記非自己架橋性のアクリル系エマルジョンが、スチレン-アクリル系エマルジョンである、請求項1〜１３のいずれか１項に記載の粘着性塗料。
【請求項１５】
食品を入れるための柔軟な包装材料であって、
対向する長手方向の縁を有する材料の柔軟なシートの形の支持体；および、
前記長手方向の縁の少なくとも1つに配された、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の水基体のコールドシール粘着性塗料；を含む、前記柔軟な包装材料。
【請求項１６】
前記支持体が、ポリエステルフィルム、高密度ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、箔、下塗りした箔および下塗りしたポリオレフィンフィルムからなる群より選択される、請求項１５に記載の柔軟な包装材料。
【請求項１７】
コールドシール柔軟性包装を製造するための方法であって、
材料の柔軟性シート形の支持体の一方の側の選択された面積に請求項1〜１４のいずれか１項に従うコールドシール粘着性塗料を塗り；
前記支持体を包装に形成し；
前記包装に対する前記選択された面積に圧力を印加する；
各工程を含む方法。
【請求項１８】
前記支持体を包装に形成する工程が、前記支持体の前記選択された面積の異なる部分上の粘着性塗料が相互に接触するように、前記支持体を折畳む工程を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記支持体を包装に形成する工程が、粘着性塗料の前記選択された面積の異なる部分を別個の支持体と接触させる工程を含む、請求項１７または１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月28日(2008.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
間質性膀胱炎の治療又は予防に使用するための、
式（ＸＩＩ）によって規定される化合物：
【化１】
2007525533.tif 000001
（式中、Ａ１は、単結合又は二重結合であり；
Ａ２は、単結合、二重結合、又は三重結合であり；
Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立に、Ｈ又は＝ＣＨ２であり、但し、Ｘ１及びＸ２は双方ともには＝ＣＨ２でなく；
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に、ＯＣ（Ｏ）Ｃ１〜Ｃ４アルキル、ＯＣ（Ｏ）Ｃ１〜Ｃ４ヒドロキシアルキル、又はＯＣ（Ｏ）Ｃ１〜Ｃ４ハロアルキルであり；
Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５はそれぞれ独立に、水素、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４ヒドロキシアルキル、又はＣ１〜Ｃ４ハロアルキルであり、或いはＲ３及びＲ４はＣ２０と一緒になって、Ｃ３〜Ｃ６シクロアルキルを形成し；
Ｒ６及びＲ７はそれぞれ独立に、ハロアルキルであり；且つ
Ｒ８は、Ｈ、Ｃ（Ｏ）Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ（Ｏ）Ｃ１〜Ｃ４ヒドロキシアルキル、又はＣ（Ｏ）Ｃ１〜Ｃ４ハロアルキルである。）；又は
式（ＸＶＩ）によって規定される化合物：
【化２】
2007525533.tif 000002
（式中、Ｘは、Ｈ又は＝ＣＨ２であり；
Ｒ１は、水素、ヒドロキシ、又はフッ素であり；
Ｒ２は、水素又はメチルであり；
Ｒ３は、水素又はメチルであり、但し、Ｒ２及びＲ３は双方ともにはメチルでなく、かつＲ２及びＲ３は双方ともには水素でなく；
Ｒ４は、メチル、エチル、又はトリフルオロメチルであり；
Ｒ５は、メチル、エチル、又はトリフルオロメチルであり；
Ａは、単結合又は二重結合であり；
Ｂは、単結合、Ｅ−二重結合、Ｚ−二重結合、又は三重結合である。）；又は
式（ＸＶＩＩ）によって規定される化合物：
【化３】
2007525533.tif 000003
（式中、Ｂは、単結合、二重結合、又は三重結合であり；
Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立に、Ｈ又は＝ＣＨ２であり、但し、Ｘ１及びＸ２は双方ともには＝ＣＨ２でなく；且つ
Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立に、Ｃ１〜Ｃ４アルキル又はＣ１〜Ｃ４ハロアルキルである。）；又は
式（ＶＩ）によって規定される化合物：
【化４】
2007525533.tif 000004
（式中、Ｘ１は、Ｈ又は＝ＣＨ２であり；
Ａ２は、単結合、二重結合、又は三重結合であり；
Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４ヒドロキシアルキル、又はＣ１〜Ｃ４ハロアルキルであり；
Ｒ４は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ１〜Ｃ４ヒドロキシアルキル、又はＣ１〜Ｃ４ハロアルキルであり；
且つ、Ｃ２０の立体配置は、Ｒ又はＳである。）；或いは
前記化合物のうちのいずれかの、医薬として許容し得るエステル又は塩。
【請求項２】
前記化合物が式（ＸＩＩ）の化合物である、請求項１記載の化合物、或いはその医薬として許容し得るエステル又は塩。
【請求項３】
前記化合物が式（ＸＩＶ）の化合物である、請求項２記載の化合物：
【化５】
2007525533.tif 000005
或いはその医薬として許容し得るエステル又は塩。
【請求項４】
前記化合物が、１，３−ジ−Ｏ−アセチル−１，２５−ジヒドロキシ−１６−エン−１９−ノル−コレカルシフェロール（「化合物Ｃ」）である、請求項３記載の化合物。
【請求項５】
前記化合物が式（ＸＶ）の化合物である、請求項２記載の化合物：
【化６】
2007525533.tif 000006
或いはその医薬として許容し得るエステル又は塩。
【請求項６】
前記化合物が、１，３−ジ−Ｏ−アセチル−１，２５−ジヒドロキシ−２０−シクロプロピル−２３Ｅ−エン−２６，２７−ヘキサフルオロ−１９−ノル−コレカルシフェロール（「化合物Ｅ」）である、請求項５記載の化合物：
【化７】
2007525533.tif 000007
。
【請求項７】
前記化合物が、１，３−ジ−Ｏ−アセチル−１，２５−ジヒドロキシ−２０−シクロプロピル−コレカルシフェロール（「化合物Ｆ」）である、請求項５記載の化合物。
【請求項８】
前記化合物が、１，３−ジ−Ｏ−アセチル−１，２５−ジヒドロキシ−１６，２３Ｚ−ジエン−２６，２７−ヘキサフルオロ−１９−ノル−コレカルシフェロール（「化合物Ａ」）である、請求項２記載の化合物：
【化８】
2007525533.tif 000008
。
【請求項９】
前記化合物が式（ＸＶＩ）の化合物である、請求項１記載の化合物、或いはその医薬として許容し得るエステル又は塩。
【請求項１０】
Ｒ４及びＲ５のそれぞれが、メチル又はエチルである、請求項９記載の化合物、或いはその医薬として許容し得るエステル又は塩。
【請求項１１】
前記化合物が、１−α−フルオロ−２５−ヒドロキシ−１６，２３Ｅ−ジエン−２６，２７−ビスホモ−２０−エピ−コレカルシフェロール（「化合物Ｂ」）である、請求項１０記載の化合物：
【化９】
2007525533.tif 000009
。
【請求項１２】
前記化合物が式（ＸＶＩＩ）の化合物である、請求項１記載の化合物、或いはその医薬として許容し得るエステル又は塩。
【請求項１３】
前記化合物が、１，２５−ジヒドロキシ−１６−エン−２０−シクロプロピル−コレカルシフェロール（「化合物Ｈ」）である、請求項１２記載の化合物：
【化１０】
2007525533.tif 000010
。
【請求項１４】
前記化合物が式（ＶＩ）の化合物である、請求項１記載の化合物、又はその医薬として許容し得る塩。
【請求項１５】
前記化合物が、１，２５−ジヒドロキシ−２１−（３−ヒドロキシ−３−メチルブチル）−１９−ノル−コレカルシフェロール（「化合物Ｉ」）である、請求項１４記載の化合物：
【化１１】
2007525533.tif 000011
。
【請求項１６】
前記間質性膀胱炎が、膀胱機能不全及び膀胱炎症の症状の存在を特徴とする、請求項１から１５のいずれか一項記載の化合物。
【請求項１７】
前記化合物を、間質性膀胱炎治療用の第２の医薬品と、個別又は組合せの製剤で、別々に、連続して、又は同時に投与する、請求項１から１６のいずれか一項記載の化合物。
【請求項１８】
請求項１から１７のいずれか一項に規定される化合物、及び医薬として許容し得る担体を含む、間質性膀胱炎の予防及び／又は治療に使用するための製剤。
【請求項１９】
説明書とともに包装され、請求項１から１７のいずれか一項に規定される化合物、及び医薬として許容し得る担体を含む、間質性膀胱炎の予防及び／又は治療に使用するための製剤。
【請求項２０】
請求項１から１７のいずれか一項に規定される化合物を、間質性膀胱炎の治療及び／又は予防を必要とする患者に該化合物を投与して、該患者における間質性膀胱炎を治療及び／又は予防することを指示する説明書とともに含むキット。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月22日(2008.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体から１種以上の抗体を精製する方法であって、マルチモーダルリガンドを固定化した担体からなる第一のクロマトグラフィー樹脂に上記液体を接触させて抗体を該樹脂に吸着させる段階であって、各マルチモーダルリガンドが１以上の陽イオン交換基及び１以上の芳香族又は複素芳香族環系を含む段階、該樹脂から抗体を遊離させるための溶出剤を添加する段階、並びに得られた溶出液を第二のクロマトグラフィー樹脂に接触させる段階を含んでなる方法。
【請求項２】
マルチモーダルクロマトグラフィー樹脂に接触させる液体が細胞培養液又は発酵ブロスである、請求項１記載の方法。
【請求項３】
マルチモーダルリガンドの芳香族又は複素芳香族環系の環形成原子が炭素（Ｃ）、硫黄（Ｓ）及び酸素（Ｏ）原子からなる群から選択される、請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項４】
第二のクロマトグラフィー段階が、イオン交換クロマトグラフィー、疎水性相互作用クロマトグラフィー（ＨＩＣ）、固定化金属アフィニティークロマトグラフィー（ＩＭＡＣ）及びアフィニティークロマトグラフィーからなる群から選択される、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
第二のクロマトグラフィー段階がイオン交換クロマトグラフィーである、請求項４記載の方法。
【請求項６】
第二のクロマトグラフィー段階がマルチモーダル陰イオン交換クロマトグラフィーである、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
抗体が第二のクロマトグラフィー樹脂の通過液から回収される、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
抗体及び／又は不純物が第二のクロマトグラフィー樹脂から溶出される、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
抗体がモノクローナル抗体である、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
抗体がポリクローナル抗体である、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月25日(2008.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インターロイキン−１βの生物学的利用能を低下させる１種もしくはそれ以上の活性作用物質を有効成分として含んでなる若年性特発性関節炎の全身発症を伴う関節を処置するための製薬学的製剤。
【請求項２】
活性作用物質がインターロイキン−１β遺伝子の転写又は翻訳を改変するものである、請求項１記載の製剤。
【請求項３】
活性作用物質が、インターロイキン−１βの発現を低下させるように設計された一本鎖ＲＮＡ分子、二本鎖ＲＮＡ分子、アンチセンスＲＮＡ分子、低分子量阻害ＲＮＡ（ｓｉＲＮＡ）分子、または阻害ＲＮＡ分子（ＲＮＡｉ）を含んでなる、請求項１記載の製剤。
【請求項４】
活性作用物質がＩＬ−１β受容体を遮断するものである、請求項１記載の製剤。
【請求項５】
活性作用物質が、ＩＬ−１βとＩＬ−１β受容体との間の相互作用を遮断するインターロイキン−１受容体アンタゴニストタンパク質を含んでなる、請求項１記載の製剤。
【請求項６】
活性作用物質が、ＩＬ−１βの放出を改変するものである、請求項１記載の製剤。
【請求項７】
活性作用物質が、ＩＬ−１βを低下または中和するためにＩＬ−１βに対する抗体を含んでなる、請求項１記載の製剤。
【請求項８】
活性作用物質が、ＩＬ−１β受容体を遮断する抗体を含んでなる、請求項１記載の製剤。
【請求項９】
活性作用物質が、約１〜２５０ｍｇ／日で供与される天然に存在するＩＬ−１受容体アンタゴニストの組換え形態物を含んでなる、請求項１記載の製剤。
【請求項１０】
活性作用物質が、インターロイキン−１β受容体の発現を低下させるように設計された一本鎖ＲＮＡ分子、二本鎖ＲＮＡ分子、アンチセンスＲＮＡ分子、低分子量阻害ＲＮＡ（ｓｉＲＮＡ）分子、または阻害ＲＮＡ分子（ＲＮＡｉ）を含んでなる、請求項１記載の製剤。
【請求項１１】
活性作用物質が、ＩＬ−１βの放出を阻害する陰イオン輸送阻害因子、リポキシン、およびアルファ−トコフェロールを含んでなる、請求項１記載の製剤。
【請求項１２】
活性作用物質が、不活性ＩＬ−１β前駆体をその成熟した活性形態物に変換するタンパク質分解酵素を阻害するオピオイドを含んでなる、請求項１記載の製剤。
【請求項１３】
活性作用物質が、ＩＬ−１βの生物学的機能を中和する抗体を含んでなる、請求項１記載の製剤。
【請求項１４】
インターロイキン−１βの生物学的利用能を低下または遮断できる少なくとも１種の作用物質を有効成分として含んでなる、若年性特発性関節炎の全身発症を患う患者を処置するための製薬学的製剤。
【請求項１５】
インターロイキン−１β受容体の生物学的利用能を低下または遮断できる少なくとも１種の作用物質を有効成分として含んでなる、若年性特発性関節炎の全身発症を患う患者を処置するための製薬学的製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月28日(2007.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
[082]  上記に述べた特異的な反応は、抗原が、高選択性にその対応する抗体と反応し、そして他の抗原によって惹起されることが可能な多数の他の抗体とは反応しないであろうことを示すことになる。本発明の抗ＴＮＦ抗体の抗体、断片および領域と結合する好ましい抗原には、ｈＴＮＦ−αのアミノ酸残基８７〜１０８、あるいは残基５９〜８０および８〜１０８の両方、のうち少なくとも一つを含む、少なくとも５アミノ酸が含まれる。本発明の抗ＴＮＦ抗体の抗体、断片および領域と結合する好ましい抗原は、ｈＴＮＦ−αのアミノ酸１１〜１３、３７〜４２、４９〜５７または１５５〜１５７のアミノ酸を含まない。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月30日(2008.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
眼科障害の治療又は予防のための薬剤の製剤におけるフェンレチニド（ｆｅｎｒｅｔｉｎｉｄｅ）又はその薬学的に受容される塩を包含する薬物の使用。
【請求項２】
フェンレチニド（ｆｅｎｒｅｔｉｎｉｄｅ）が、杆状体光受容体細胞のディスクの外側で生じる視覚サイクルの段階で前記視覚サイクルを、阻害するか、拮抗するか又は短絡する、請求項１記載の使用。
【請求項３】
前記眼科障害が黄班変性症である、請求項１記載の使用。
【請求項４】
前記眼科障害がスターガード（Ｓｔａｒｇａｒｄｔ）病である、請求項１記載の使用。
【請求項５】
前記眼科障害がリポフスチン（ｌｉｐｏｆｕｓｃｉｎ）の蓄積である、請求項１記載の使用。
【請求項６】
フェンレチニド（ｆｅｎｒｅｔｉｎｉｄｅ）が、１１−ｃｉｓ−レチナールが全ｔｒａｎｓ−レチナールに異性化される速度を増大する；網膜色素上皮における視覚サイクルを阻害するか、拮抗するか又は短絡する；レシチン  レチノール  アシルトランスフェラーゼ、イソメロヒドロラーゼ及び１１−ｃｉｓ−レチノール  デヒドロゲナーゼの少なくとも一つを阻害するか、又はＲＰＥ６５への結合を阻害する、前記のいずれかの請求項に記載の使用。
【請求項７】
第二の薬剤が、薬剤の製剤に含まれる、請求項１乃至請求項６のいずれか一つに記載の使用。
【請求項８】
前記第二の薬剤が、杆状体光受容体細胞のディスクの外側で生じる視覚サイクルのステップで前記視覚サイクルを、阻害するか、拮抗するか又は短絡する、請求項７記載の使用。
【請求項９】
フェンレチニド（ｆｅｎｒｅｔｉｎｉｄｅ）及び前記第二の薬剤の両者が、杆状体光受容体細胞のディスクの外側で生じる視覚サイクルのステップを、阻害するか、又は拮抗する、請求項７記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月25日(2008.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ中の複数の互いに噛み合わされた形状の輪郭をディープエッチングする工程と、  前記複数の互いに噛み合わされた形状を前記半導体ウェハから除去して、不規則な輪郭を有する複数の半導体装置を生成する工程とを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記複数の互いに噛み合わされた形状の輪郭のパターンがフォトマスクのパターンに対応する、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体ウェハにフォトレジストを適用する工程と、  複数の互いに噛み合わされた形状がその上に形成された前記フォトマスクを使用して、前記フォトレジストを選択的に露出させる工程と、  前記半導体ウェハからフォトマスク材料を選択的に除去する工程とをさらに含む、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体ウェハに金属化層を適用する工程をさらに含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記金属化層が、少なくとも、前記ウェハからの除去前に前記複数の互いに噛み合わされた形状を適所に保持するのを助けるように働く、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
ディープエッチング後に前記半導体ウェハから前記金属化層を除去する工程をさらに含む、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記金属化層がミラーに対応するパターンで適用される、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体装置がＭＥＭＳスキャナである。請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記互いに噛み合わされた形状の互いに噛み合わされた部分が取付パッドを含む、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
各ＭＥＭＳスキャナが、前記半導体ウェハの厚さにほぼ等しい実質的に一定の厚さで形成される、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記半導体装置が、前記ウェハをダイシングすることなく前記ウェハから除去される、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記複数の互いに噛み合わされた形状の前記エッチングされた輪郭が、それを横切る複数の半導体ブリッジをそれぞれ含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記複数の互いに噛み合わされた形状を前記半導体ウェハから除去して、不規則な輪郭を有する複数の半導体装置を生成する工程が、前記ブリッジに亀裂を入れることを含む、請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
半導体ウェハ中の複数の互いに噛み合わされた形状の輪郭をディープエッチングする工程が、深掘反応性イオンエッチングを含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
半導体ウェハ中の複数の互いに噛み合わされた形状の輪郭をディープエッチングする工程が、前記半導体ウェハを完全に貫通してエッチングすることを含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方。
【請求項１６】
ディープエッチングの前に前記半導体ウェハに絶縁体層を接合する工程をさらに含み、  前記複数の互いに噛み合わされた形状を除去する工程が、前記絶縁体層の少なくとも一部分を除去することを含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月19日(2007.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電場発光デバイスであって、
ａ）アノードと、
ｂ）前記アノードの上に配置された正孔輸送層と、
ｃ）前記正孔輸送層の上に配置され、正孔−電子の再結合に応答して光を生じる発光層と、
ｄ）前記発光層の上に配置された電子輸送層と、
ｅ）前記電子輸送層中に組み込まれた、前記電子輸送層が動作中結晶化するのを防止する結晶化抑制材料と、
ｆ）前記電子輸送層の上に配置されたカソードとを備える有機電場発光デバイス。
【請求項２】
前記結晶化抑制材料が、７０℃より高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有する有機材料を含む、請求項１に記載の有機電場発光デバイス。
【請求項３】
前記結晶化抑制材料が、１００℃より高い融点を有する無機材料を含む、請求項１に記載の有機電場発光デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月5日(2008.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された複数の能動デバイスと、前記複数の能動デバイスに対する電気的接続を行うための１つ又はそれ以上の導電体層内の複数の導電体と、複数の導電体ビアと、を備え、前記導電体ビアの各々が、誘電体層の各空洞部内に形成され、前記ビアの各々が、第１導電体層のそれぞれの内の第１導電体を、（ａ）それぞれが誘電体層によって前記各第１導電体層から分離されている、第２導電体層のそれぞれの内の第２導電体と、（ｂ）前記基板上に形成され、誘電体層によって前記第１導電体層から分離された前記複数の能動デバイスのそれぞれと、からなる組のうちの少なくとも１つに電気的に接続しており、前記導電体ビアの各々が、導電性金属の中に埋め込まれ、前記空洞部を実質的に埋める複数のカーボンナノチューブを備える、集積回路チップ。
【請求項２】
前記複数のカーボンナノチューブが前記第１導電体層に対して実質的に垂直に配向されている、請求項１に記載の集積回路チップ。
【請求項３】
前記導電性金属が銅である、請求項１又は請求項２に記載の集積回路チップ。
【請求項４】
前記導電体ビアの各々が、（ａ）導電体、及び、（ｂ）能動デバイス、のうちの少なくとも１つの上に形成された触媒を更に備え、前記導電体ビア内の前記複数のカーボンナノチューブが前記触媒から成長させられたものである、請求項１に記載の集積回路チップ。
【請求項５】
前記触媒が、ニッケル、鉄、コバルト、又は触媒金属と非触媒金属との複合材、のうちの少なくとも１つからなる、請求項４に記載の集積回路チップ。
【請求項６】
前記触媒が断片化されてカーボンナノチューブ形成の密度を減らすようにされた、請求項４又は請求項５に記載の集積回路チップ。
【請求項７】
集積回路チップを製造する方法であって、第２チップ層の導電体に結合するための複数の電気的接触部を有する第１チップ層を提供するステップと、前記第１チップ層の上に、前記第１のチップ層内の前記複数の電気的接触部のそれぞれの電気的接触部に対応する複数の空洞部を有する誘電体層を形成するステップと、前記複数の空洞部の各々の内に複数のカーボンナノチューブを成長させ、前記空洞部の各々の内において前記カーボンナノチューブの間に空隙を残すステップと、前記空洞部を導電性金属で実質的に埋めて導電体ビアを形成するステップと、前記導電体ビアが前記電気的接触部を前記導電体に結合するように、前記誘電体層の上に前記第２チップ層を形成するステップと、を含む方法。
【請求項８】
前記空隙の少なくとも一部を前記導電性金属で埋めるステップが、（ａ）前記空隙中にシード層を堆積するステップと、（ｂ）前記シード層の上に前記導電性金属を堆積するステップと、を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記誘電体層の前記空隙の壁の上に障壁層を堆積するステップを更に含み、前記障壁層を堆積するステップは、前記空隙の少なくとも一部を前記導電性金属で埋めるステップの前に実施される、請求項７又は請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記障壁層が、窒化チタン及び窒化タンタルからなる組のうちの少なくとも１つからなる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
触媒パッドのそれぞれを形成して、前記第１層の前記複数の各電気的接触部の上にカーボンナノチューブを成長させるステップを更に含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記空隙の体積の少なくとも一部を前記導電性金属で埋めるステップが、前記第２チップ層の導電体のための複数のトレンチを前記導電性金属で埋めるのと同時に実施される、請求項７から１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
複数の能動デバイスと、前記複数の能動デバイスに対する電気的接続を行うための複数の導電体とを備え、前記導電体の各々が誘電体内のそれぞれの空洞部に形成され、前記導電体の少なくとも幾つかが、前記空洞部のそれぞれの内の複数の細長いカーボンナノチューブと導電性金属との複合材からなり、前記細長いカーボンナノチューブが、前記カーボンナノチューブの各々が存在している導電体を通る電流の向きと実質的に平行な、それらの各縦軸方向に配向されている、集積回路チップ。
【請求項１４】
複数の細長いカーボンナノチューブと導電性金属との複合材からなる前記導電体の少なくとも幾つかが、前記集積回路チップの層の間に延びる導電体である、請求項１３に記載の集積回路チップ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月16日(2008.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホウ素錯体を含む発光層を含んでなるエレクトロルミネッセンス・デバイスであって、該ホウ素が、6員複素芳香族環基の窒素原子と、5員複素芳香族環基の窒素原子とに結合しており、その5員複素芳香族環基と6員複素芳香族環基はさらにメテン架橋により連結されて6員環を形成し、該5員複素芳香族環基は、二価または三価の少なくとも1つの追加ヘテロ原子を含有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス・デバイス。
【請求項２】
上記追加ヘテロ原子が、N原子、O原子又はS原子である、請求項1に記載のデバイス。
【請求項３】
上記5員環が追加の芳香族環基と縮合している、請求項1に記載のデバイス。
【請求項４】
上記5員環が追加の芳香族環基と縮合していて、上記6員環が追加の芳香族環基と縮合している、請求項1に記載のデバイス。
【請求項５】
上記ホウ素錯体が、一般式（1）：
【化１】
2007525024.tif 000001
で表わされる（ただし
Ar1は、6員の複素芳香族環基を形成するのに必要な原子群であり；
Ar2は、二価または三価の少なくとも1つの追加ヘテロ原子を含む5員の複素芳香族環基を形成するのに必要な原子群であり；
L1とL2は、独立に選択した置換基を表わし；
Yは、水素または置換基を表わす）、請求項1に記載のデバイス。
【請求項６】
Ar1が、ピリジン環基を形成するのに必要な原子群である、請求項5に記載のデバイス。
【請求項７】
Ar2が、イミダゾール環基、オキサゾール環基、チアゾール環基又はセレナゾール環基を形成するのに必要な原子群である、請求項5に記載のデバイス。
【請求項８】
L1とL2がフルオロ置換基を表わす、請求項5に記載のデバイス。
【請求項９】
上記ホウ素錯体が、一般式（2）：
【化２】
2007525024.tif 000002
で表わされる（ただし
Wは、O、S、Se又はN-Raであり（ただしRaは置換基である）；
V1とV2は、独立に、水素または独立に選択した置換基を表わし、ただしV1とV2は、互いに結合して環基を形成することも可能であり；
Ar1は、6員の複素芳香族環基を形成するのに必要な原子群であり；
L1とL2は、独立に選択した置換基を表わし；
Yは、水素または置換基を表わす）、請求項1に記載のデバイス。
【請求項１０】
上記ホウ素錯体が、一般式（3）：
【化３】
2007525024.tif 000003
で表わされる（ただし
Wは、O、S、Se又はN-Raであり（ただしRaは置換基である）；
V3〜V10は、独立に、水素または独立に選択した置換基を表わし、ただし隣接する置換基同士が結合して環基を形成することも可能であり；
L1とL2は、独立に選択した置換基を表わし；
Yは、水素または置換基を表わす）請求項1に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月11日(2007.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のブリッジトランスデューサ（１１０）と、
前記第１のブリッジトランスデューサと電源（１２０）に直列に結合された第２のブリッジトランスデューサ（１１５）と、
前記第１のブリッジトランスデューサに結合された入力を有する、第１の差動増幅器（１４０、１４１）と、
前記第２のブリッジトランスデューサに結合された入力を有する、第２の差動増幅器（１４５、１４６、２４５、２４６）と、
を備え、
前記第１および第２の差動増幅器はそれぞれ１対の出力を有し、それぞれの出力が、検出されたパラメータを表す２つの回路出力（１５０、１５５）をもたらすように結合されている、
回路（１００、２００、３００）。
【請求項２】
前記２つの出力（１５０、１５５）と、前記第１および第２のブリッジトランスデューサが結合されるポイントとの間に結合された負荷（１６０、１６５）と、
前記第２の差動増幅器に結合された１対の電流ミラー（２１０、２１５および２２０、２２５）と、
前記第１の差動増幅器と前記第２のブリッジトランスデューサの間に結合された１対のレベルシフトトランジスタ（３１０、３１５）と、をさらに含み、
各前記差動増幅器（１４０、１４１および１４５、１４６、２４５、２４６）は１対のｎｐｎトランジスタを含み、前記第２の差動増幅器の各ｎｐｎトランジスタは、ベースは前記第２のブリッジトランスデューサ（１１５）の向かい合う隅に結合され、コレクタは前記電流ミラーに結合され、エミッタはグラウンドへ電流を吸い込む電源（１２０）に結合され、前記第１の差動増幅器の各ｎｐｎトランジスタは、ベースは前記レベルシフトトランジスタを介して前記第１のブリッジトランスデューサ（１１０）の向かい合う隅に結合され、エミッタは電流源（３２０および３２５）に結合されている、
請求項１に記載の回路。
【請求項３】
第１のホール効果トランスデューサ（１１０）によって磁界を検出するステップと、
前記第１のホール効果トランスデューサおよび電源（１２０）に結合された第２のホール効果トランスデューサ（１１５）によって磁界を検出するステップと、
プッシュプル構成で互いに結びつけられた出力（１５０、１５５）を有する１対の差動増幅器（１４０、１４１および１４５、１４６、２４５、２４６）によって、検出された磁界を増幅するステップと、
を含む方法。