Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月13日(2007.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光導波路ケーブルであって、光導波路部材を収容するための室（６）を有する基体（４）が設けられている形式のものにおいて、
各室（６）が平滑な表面を有しており、該表面が、各光導波部材にとって不都合な空間周波数領域において粗さの回避に応じるようになっていることを特徴としている、光導波路ケーブル。
【請求項２】  基体（４）が高結晶性ＰＥ、ＰＰ、ＰＢＴ、ＰＡまたはＰＣからなっている、請求項１記載の光導波路ケーブル。
【請求項３】  各室（６）の平滑な表面が、２ｍｍ−１〜２０ｍｍ−１の空間周波数領域においてＲａ＞０．５μｍの表面粗さを生ぜしめないように形成されている、請求項１または２記載の光導波路ケーブル。
【請求項４】  各室（６）の平滑な表面が、同時押出成形された薄いプラスチックコーティング（１２，１４，１６，１８，２０）によって形成されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の光導波路ケーブル。
【請求項５】  前記同時押出成形された薄いプラスチックコーティング（１２，１４，１６，１８，２０）が、ＬＤＰＥから形成されており、前記基体（４）がＨＤＰＥから形成されている、請求項４記載の光導波路ケーブル。
【請求項６】  係数Ｃｍｅｃｈが、基体（４）の室（６）の平滑な壁部の公式ΔαＭｉｋｒｏ＝Ｃｍｅｃｈ＊Ｐｏに基づき、
【数１】
2001091801.tif 000001
の領域にある、請求項１から５までのいずれか１項記載の光導波路ケーブル。
【請求項７】  前記平滑な表面が、０．３より小さい摩擦値（ファイバ束とコーティングとの間の付着摩擦係数および滑り摩擦係数）を有している、請求項１から６までのいずれか１項記載の光導波路ケーブル。
【請求項８】  前記表面にコーティングが設けられており、該コーティングのプラスチックマトリックスに摩擦値を減少させるための滑動手段が混入されている、請求項７記載の光導波路ケーブル。
【請求項９】  前記表面にコーティングが設けられており、該コーティングが吸水性ポリマのような吸水性物質を液体の形で有しており、該吸水性物質が、基体（４）に塗布された後付着するように形成されている、請求項７記載の光導波路ケーブル。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月30日(2007.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱電対（１１２）と、
前記熱電対から延在する複数のリード線（１１４、１１６、１１８、１２０）と、
前記複数のリード線に沿って延在しかつそれらを包囲している絶縁ジャケット（１２２）と、
前記絶縁ジャケットに沿うそしてその中の流体漏れを防止するための前記絶縁ジャケット内の少なくとも一つの内部密封域（１３４）と
からなる熱電対アセンブリ（１１０）。
【請求項２】 
前記の少なくとも一つの内部密封域は、前記絶縁ジャケット（１２２）に沿って長手方向に相隔たる位置にある幾つかの内部密封域（１３４）からなる、請求項１記載のアセンブリ。
【請求項３】 
前記少なくとも一つの内部密封域は、前記絶縁ジャケットに沿ってその中に延在する追加ワイヤ（１３２）の局所的に加熱された後溶融された部分によって形成されている、請求項１記載のアセンブリ。
【請求項４】 
前記内部密封域（１３４）相互間の前記絶縁ジャケット（１２２）の区域（１３６、１３８）が前記内部密封域（１３４）より大きな直径を有する請求項３記載のアセンブリ。
【請求項５】 
前記追加ワイヤ（１３２）はシリコーンワイヤからなる請求項３記載のアセンブリ。
【請求項６】 
前記追加ワイヤ（１３２）はエポキシワイヤからなる請求項３記載のアセンブリ。
【請求項７】 前記の幾つかの内部密封域（１３４）はそれぞれ長さが約１２インチでありそして約２４インチ相隔たっている、請求項２記載のアセンブリ。
【請求項８】 
内部に潤滑剤を有し、またハウジング壁内に装着された熱電対アセンブリ（１１０）を有する機械構成部ハウジングであって、前記熱電対アセンブリは、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の熱電対アセンブリである、機械構成部ハウジング。
【請求項９】
熱電対（１１２）の絶縁ジャケット（１２２）に沿ってそれを通る流体の漏れを防止する方法であって、
ａ）複数のリード線（１１４、１１６、１１８、１２０）を熱電対に取付ける段階と、
ｂ）感熱性疑似ワイヤ（１３２）を前記複数のリード線に沿って延在するように加える段階と、
ｃ）前記リード線（１１４、１１６、１１８、１２０）と前記疑似ワイヤ（１３２）とを絶縁ジャケット（１２２）内に包む段階と、
ｄ）前記絶縁ジャケットの複数の軸方向離間部分を、前記疑似ワイヤ（１３２）を溶融して前記絶縁ジャケットの内面に融着する温度に局所的に加熱する段階と
からなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月9日(2007.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号基板と、信号記録層と、前記信号記録層の上に設けられた厚み１０μｍ以上２００μｍ以下の透明保護層とを有し、直径が１５ｍｍの中心穴を有する光情報記録媒体であって、
情報の記録又は再生は前記透明保護層を通して前記信号記録層に光を照射して行われ、
前記信号記録層が形成された領域に対応する信号領域と前記中心穴との間の領域に保持領域を有し、
前記中心穴と前記保持領域とに挟まれた直径１７．５ｍｍ以上２１．０ｍｍ以下の領域の範囲内の位置に、前記透明保護層の表面よりも突出した突起部を有し、
前記保持領域が直径２２ｍｍ以上３３ｍｍ以下の領域にある、
ことを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の光情報記録媒体から情報を再生する装置であって、
前記保持領域を保持し、前記光情報記録媒体を回転させ、ＤＶＤよりも高い転送レートで情報を再生する再生装置。
【請求項３】
請求項１に記載の光情報記録媒体に情報を記録する装置であって、
前記保持領域を保持し、前記光情報記録媒体を回転させ、ＤＶＤよりも高い転送レートで情報を記録する記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月18日(2007.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気機器または電子機器を覆うケーシングと、前記電気機器または電子機器を構成し前記ケーシングに取り付けられる部材と、前記ケーシングの部材を取り付ける位置の近傍で前記ケーシングを成形する金型の抜取り方向に伸長させて設けた複数個のボスと、前記部材をケーシングの所定の位置に所定の姿勢で位置決めして保持するように複数個のボスに取り付ける固定用部材を備えたことを特徴とする部材の取付け構造。
【請求項２】
請求項１に記載の部材の取付け構造であって、前記固定用部材は、前記ボスに取り付けられたとき部材の取付け方向に押圧する弾性を有することを特徴とする部材の取り付け構造。
【請求項３】
請求項１に記載の部材の取付け構造であって、前記固定用部材は、導電性材料からなりマイナス電極として接続することを特徴とする部材の取付け構造。
【請求項４】
請求項１に記載の部材の取付け構造であって、前記ケーシングの部材を取り付ける位置の近傍に前記部材を取り付ける位置及び姿勢で配設するリブを備えたことを特徴とする部材の取付け構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明の部材の取付け構造によれば、部材をケーシングに、所定の位置に所定の姿勢で位置決め保持して固定することができる。部材を取り付けるケーシング部分の姿勢がボスの伸長方向に対して垂直でなくても、部材を取付け固定するための構造を簡素にすることができ、装置全体の組立てにおける部材の取付け作業を簡便にすることができる。また、グランド極を有する機器においてはグランド極の形状や配設の制約を低減することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
この発明を、図１〜図４に示す実施の形態例に基づき詳述する。しかし、この実施の形態例によって、この発明が限定されるものではない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
固定用部材２３は、ビス２４，２５をそれぞれ通孔２６，２７に挿通させ、更に、メネジ部１４，１５に螺合してケーシング３に取付けた場合、板部３３がケーシング３の側への方向（図２の矢印Ｂ方向）に押圧力を作用するものである。
同様に、固定用部材２８は、ビス２９，３０をそれぞれ通孔３１，３２に挿通させ、更に、メネジ部１６，１７に螺合してケーシング３に取付けた場合、板部３４がケーシング３の側への方向（図２の矢印Ｂ方向）に押圧力を作用するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
１ ：部材の取り付け構造
３，３７ｂ ：ケーシング
４ ：ケーシングの内側面
５，６，７，８，９，１０ ：ボス
１１，１２ ：リブ
１３ ：窓部
１８ ：基板
２３，２８ ：固定用部材
３３ ：固定用部材２３の板部（押圧部）
３４ ：固定用部材２８の板部（押圧部）
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2006261496.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2006261496.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月20日(2007.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に直線状に一列に配列される複数のＬＥＤ素子であって、該ＬＥＤ素子はｐ電極及びｎ電極を一面側に有し、その一方の電極がエッチングされた部位に形成され、該一方の電極が、隣接する前記ＬＥＤ素子との間に存在するように配置される、複数のＬＥＤ素子と、
前記複数のＬＥＤ素子を一括して囲繞するように前記基板上に配置されるアルミからなるリフレクタと、を備え、
前記基板上に配列される前記複数のＬＥＤ素子の前記一方の電極は、該複数のＬＥＤ素子の中心を結ぶ仮想軸上に位置し、
前記リフレクタが、前記ＬＥＤ素子が各区画内に一つずつ配置されることになる複数の区画からなり、各区画の端部がそれぞれ前記仮想軸側に突出している、
ことを特徴とするＬＥＤ光源装置。
【請求項２】
前記基板は、窒化アルミからなるセラミック製の基板であることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項３】
前記ＬＥＤ素子がＧａＮ系ＬＥＤ素子であり、前記基板上にフリップチップ実装されていることを特徴とする請求項２に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項４】
前記リフレクタの前記各区画がその中央から端部に向かって前記仮想軸に近づく連続した曲面を有する、請求項１に記載のＬＥＤ光源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は以上の目的の少なくとも一つを達成するために、以下に示すＬＥＤ光源装置を提供する。即ち、
基板と、
前記基板上に直線状に一列に配列される複数のＬＥＤ素子であって、該ＬＥＤ素子はｐ電極及びｎ電極を一面側に有し、その一方の電極がエッチングされた部位に形成され、該一方の電極が、隣接する前記ＬＥＤ素子との間に存在するように配置される、複数のＬＥＤ素子と、
前記複数のＬＥＤ素子を一括して囲繞するように前記基板上に配置されるアルミからなるリフレクタと、を備え、
前記基板上に配列される前記複数のＬＥＤ素子の前記一方の電極は、該複数のＬＥＤ素子の中心を結ぶ仮想軸上に位置し、
前記リフレクタが、前記ＬＥＤ素子が各区画内に一つずつ配置されることになる複数の区画からなり、各区画の端部がそれぞれ前記仮想軸側に突出している、
ことを特徴とするＬＥＤ光源装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明では、リフレクタをＬＥＤ素子毎に設けるのではなく、複数のＬＥＤ素子をまとめて囲繞するようにリフレクタを設ける。これによりＬＥＤ素子の間隔（ピッチ）を小さくすることができる。即ち、高密度にＬＥＤ素子を配置することができ、高輝度化が達成される。さらにリフレクタはＬＥＤ素子から横方向に放出された光を上方へ反射するため、光の取り出し効率が向上する。即ち、ＬＥＤ素子の高密度実装による高輝度化と、リフレクタによる光取り出し効率の向上とが両立され、さらなる高輝度化が実現される。ここで、一面にｐｎ電極を有し、両電極をＬＥＤ素子周辺部に配置した、例えばサファイア基板上のＧａＮ系ＬＥＤ素子は、構造上ｎ電極側から横方向へ放出される光量が少ないという特性を有する。それゆえ、かかるＬＥＤ素子のｎ電極が、隣接するＬＥＤ素子との間に存在するように、ＬＥＤ素子を配置することにより、ＬＥＤ素子から横方向へ放出される光のより多くがリフレクタの方向へ進行する。その結果、光の取り出し効率がさらに向上する。
複数のＬＥＤ素子を、各ＬＥＤ素子のエッチングされた部位に形成される電極が、各ＬＥＤ素子の中心を通る仮想軸上となるように配置する。かかる配置によると、各ＬＥＤ素子から横方向へ進む光のより多くが後述するリフレクタの方向へ進行することとなる。リフレクタはＬＥＤ素子の横方向の光を受光して上方へ反射するため、光の取り出し効率が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月18日(2007.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩｎＰ基板に形成された下側ガイド層と、活性層と、上側ガイド層と、回折格子層のエッチング停止層と、前記回折格子層をパタニングした回折格子と、ｐ型クラッド層とからなる半導体光素子であって、
前記回折格子と前記ｐ型クラッド層との間に前記ｐ型クラッド層のドーパントが前記活性層の方向への熱拡散することを抑制する拡散防止層を有することを特徴とする半導体光素子。
【請求項２】
ＩｎＰ基板に形成された下側ガイド層と、活性層と、上側ガイド層と、回折格子層のエッチング停止層と、前記回折格子層をパタニングした回折格子と、ｐ型クラッド層とからなる半導体光素子であって、
前記回折格子と前記ｐ型クラッド層との間に前記回折格子層と組成が概ね等しい薄膜層を有することを特徴とする半導体光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体光素子であって、
前記活性層はＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＧａＡｌＡｓであることを特徴とする半導体光素子。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の半導体光素子であって、
前記回折格子層はＩｎｘＧａ(１−ｘ)ＡｓｙＰ(１−ｙ)（ただし０≦ｘ≦1、０≦ｙ≦1）
であることを特徴とする半導体光素子。
【請求項５】
ＩｎＰ基板に形成されたｎ型ＩｎＡｌＡｓ下側ガイド層と、ＩｎＧａＡｌＡｓ活性層と、ｐ型ＩｎＡｌＡｓ上側ガイド層と、ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層のＩｎＰエッチング停止層と、前記回折格子層をパタニングした回折格子と、ＩｎＧａＡｓＰ薄膜層と、ｐ型ＩｎＰクラッド層とからなる半導体光素子であって、
前記ｐ型ＩｎＰクラッド層は前記ＩｎＧａＡｓＰ薄膜層までエッチングされたリッジ型導波路を有することを特徴とする半導体光素子。
【請求項６】
ＩｎＰ基板に形成された下側ガイド層と、活性層と、上側ガイド層と、回折格子層のエッチング停止層と、前記回折格子層をパタニングした回折格子と、ｐ型クラッド層とを有し、前記回折格子と前記ｐ型クラッド層との間に前記ｐ型クラッド層のドーパントが前記活性層の方向へ熱拡散することを抑制する拡散防止層を有する半導体光素子と、
前記半導体光素子からの光を伝送する光ファイバと、
前記半導体光素子と、前記光ファイバの一端とを収容する筐体とから構成される光モジュール。
【請求項７】
ＩｎＰ基板に、下側ガイド層と活性層と上側ガイド層とＩｎＰエッチング停止層と回折格子層とを成長するステップと、
導波路の形成部の前記回折格子層に回折格子を加工するステップと、
前記回折格子上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層のドーパントが前記活性層の方向へ熱拡散することを抑制する拡散防止層と、前記ｐ型ＩｎＰクラッド層とを成長するステップとを含む半導体光素子の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記導波路の両側の前記ｐ型ＩｎＰクラッド層を、前記拡散防止層までエッチングするステップをさらに含む半導体光素子の製造方法。
【請求項９】
ＩｎＰ基板に、ＩｎＡｌＡｓ下側ガイド層とＩｎＧａＡｌＡｓ活性層とＩｎＡｌＡｓ上側ガイド層とＩｎＰエッチング停止層と回折格子層とを成長するステップと、
導波路の形成部の前記回折格子層に回折格子を加工するステップと、
前記回折格子上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層のドーパントが前記活性層の方向への熱拡散することを抑制する拡散防止層と、前記ｐ型ＩｎＰクラッド層とを成長するステップと、
前記導波路の両側の前記ｐ型ＩｎＰクラッド層を、前記拡散防止層までエッチングするステップとを含む半導体光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図１および図２を参照しながら、半導体光素子１００の製造プロセスを説明する。まず、ＩｎＰ基板１に、下側ガイド層２、ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸活性層４、ＩｎＧａＡｓＰ上側ガイド層３、ＩｎＰエッチング停止層５、回折格子となるＩｎＧａＡｓＰ層６、ＩｎＧａＡｓＰ層６の保護層であるＩｎＰキャップ層（図示せず）の順に多層構造を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により形成する。次に、ＩｎＰキャップ層を除去後、レジストを塗布し、干渉露光装置により回折格子層６上に約２００ｎｍ周期のレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとし、ウェットエッチングによりＩｎＧａＡｓＰ層６を選択的にエッチングし周期的段差（回折格子）を形成する。この際、エッチングは回折格子層６の下部にあるＩｎＰエッチング停止層５にて停止する。このため、レーザの発振波長を決める要因の一つである回折格子Ｄｕｔｙ（回折格子間隔／回折格子周期）およびレーザ出力を決める要因の一つである格子深さの制御が容易である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この後、この周期的段差を埋込むようにＭＯＣＶＤ法により、ＩｎＧａＡｓＰ層６と略同一組成のＩｎＧａＡｓＰ薄膜層１６とｐ型ＩｎＰクラッド層８とコンタクト層９をエピタキシャル成長する。
エピタキシャル成長工程では、基板全体が約６００℃に加熱されるため、ｐ型ＩｎＰクラッド層８からのドーパントの熱拡散が起こる。しかし、活性層上の全領域にドーパントの固溶濃度が高いＩｎＧａＡｓＰ層３が存在するので、ドーパントの熱拡散量が回折格子の有無や開口幅に依存しない。この結果、安定した光出力、閾値電流、スロープ効率を得ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
その後、この周期的段差を埋込むようにＭＯＣＶＤ法により、回折格子層と屈折率がほぼ同じＩｎＧａＡｓＰ薄膜層１６とｐ型ＩｎＰクラッド層８とコンタクト層９をエピタキシャル成長する。
エピタキシャル成長工程では、基板全体が約６００℃に加熱されるため、ｐ型ＩｎＰクラッド層８からのドーパントの熱拡散が起こる。しかし、活性層上の全領域にドーパントの固溶濃度が高いＩｎＡｌＡｓ層１９が存在するので、ドーパントの熱拡散量が回折格子の有無や開口幅に依存しない。この結果、安定した光出力、閾値電流、スロープ効率を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月12日(2007.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の送信信号をそれぞれ異なる光波の波長で強度変調して送信光信号に変換すると共に分波された複数の受信光信号を高周波の受信信号にそれぞれ変換する複数の第一の光変復調手段と、前記複数の第一の光変復調手段を介して供給される複数の送信光信号を合波して多重化された複数の送信光信号を送出すると共に、多重化された複数の受信光信号を受信して分波し分波された複数の受信光信号を前記複数の第一の光変復調手段に送出する第一の光合分波器とを有する励振受信機と、
複数の開口分割アンテナからなる開口共用アンテナ装置と、
前記開口共用アンテナ装置の各開口分割アンテナからの受信信号をそれぞれ異なる光波の波長で強度変調して受信光信号に変換すると共に供給される複数の送信光信号を検波して送信信号に変換し前記開口共用アンテナ装置の各開口分割アンテナにそれぞれ供給する複数の第二の光変復調手段と、
前記複数の第二の光変復調手段を介して供給される複数の受信光信号を合波して多重化された複数の受信光信号を前記励振受信機に光ファイバを介して送出すると共に、前記光ファイバを介して前記励振受信機から供給される多重化された複数の送信光信号を受信して分波し分波された複数の送信光信号を前記複数の第二の光変復調手段に送出する第二の光合分波器と
を備えた光伝送アンテナ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光伝送アンテナ装置において、
前記開口共用アンテナ装置を、複数の分散アンテナ装置でなる分散配置アンテナ装置に代え、各分散アンテナ装置と対応する各第二の光変復調手段とを接続する構成とした
ことを特徴とする光伝送アンテナ装置。
【請求項３】
複数の送信信号をそれぞれ異なる光波の波長で強度変調して送信光信号に変換する複数の光変調手段と、前記複数の光変調手段から供給される複数の送信光信号を合波して多重化された複数の送信光信号を送出する光合波器とを有する励振機（あるいは励振手段）と、
前記励振機（あるいは励振手段）から供給される多重化された複数の送信光信号を光ファイバを介して受信して分波し分波された複数の送信光信号を送出する光分波器と、
前記光分波器から供給される複数の送信光信号を検波して高周波の送信信号に変換する複数の光復調手段と、
前記複数の光復調手段から供給された送信信号を電磁波として放射する複数の開口分割アンテナからなる開口共用アンテナ装置と
を備えた光伝送アンテナ装置。
【請求項４】
到来する電磁波を受信して高周波の受信信号として送出する複数の開口分割アンテナからなる開口共用アンテナ装置と、
前記開口共用アンテナ装置の各開口分割アンテナからの受信信号をそれぞれ異なる光波の波長で強度変調して受信光信号に変換する複数の光変調手段と、
前記複数の光変調手段から供給される複数の受信光信号を合波して多重化された複数の受信光信号を送出する光合波器と、
前記多重化された複数の受信光信号を光ファイバを介して受信して分波し分波された複数の受信光信号を送出する光分波器と、前記光分波器により分波された複数の受信光信号を高周波の受信信号にそれぞれ変換する複数の光復調手段とを有する励振機（あるいは励振手段）と
を備えた光伝送アンテナ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明に係る光伝送アンテナ装置は、複数の送信信号をそれぞれ異なる光波の波長で強度変調して送信光信号に変換すると共に分波された複数の受信光信号を高周波の受信信号にそれぞれ変換する複数の第一の光変復調手段と、前記複数の第一の光変復調手段を介して供給される複数の送信光信号を合波して多重化された複数の送信光信号を送出すると共に、多重化された複数の受信光信号を受信して分波し分波された複数の受信光信号を前記複数の第一の光変復調手段に送出する第一の光合分波器とを有する励振受信機と、複数の開口分割アンテナからなる開口共用アンテナ装置と、前記開口共用アンテナ装置の各開口分割アンテナからの受信信号をそれぞれ異なる光波の波長で強度変調して受信光信号に変換すると共に供給される複数の送信光信号を検波して送信信号に変換し前記開口共用アンテナ装置の各開口分割アンテナにそれぞれ供給する複数の第二の光変復調手段と、前記複数の第二の光変復調手段を介して供給される複数の受信光信号を合波して多重化された複数の受信光信号を前記励振受信機に光ファイバを介して送出すると共に、前記光ファイバを介して前記励振受信機から供給される多重化された複数の送信光信号を受信して分波し分波された複数の送信光信号を前記複数の第二の光変復調手段に送出する第二の光合分波器とを備えたものである。
また、複数の送信信号をそれぞれ異なる光波の波長で強度変調して送信光信号に変換する複数の光変調手段と、前記複数の光変調手段から供給される複数の送信光信号を合波して多重化された複数の送信光信号を送出する光合波器とを有する励振機（あるいは励振手段）と、前記励振機（あるいは励振手段）から供給される多重化された複数の送信光信号を光ファイバを介して受信して分波し分波された複数の送信光信号を送出する光分波器と、前記光分波器から供給される複数の送信光信号を検波して高周波の送信信号に変換する複数の光復調手段と、前記複数の光復調手段から供給された送信信号を電磁波として放射する複数の開口分割アンテナからなる開口共用アンテナ装置とを備えたものである。
さらに、到来する電磁波を受信して高周波の受信信号として送出する複数の開口分割アンテナからなる開口共用アンテナ装置と、前記開口共用アンテナ装置の各開口分割アンテナからの受信信号をそれぞれ異なる光波の波長で強度変調して受信光信号に変換する複数の光変調手段と、前記複数の光変調手段から供給される複数の受信光信号を合波して多重化された複数の受信光信号を送出する光合波器と、前記多重化された複数の受信光信号を光ファイバを介して受信して分波し分波された複数の受信光信号を送出する光分波器と、前記光分波器により分波された複数の受信光信号を高周波の受信信号にそれぞれ変換する複数の光復調手段とを有する励振機（あるいは励振手段）とを備えたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月17日(2007.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウム二次電池用正極活物質の製造方法であって、
コバルト酸リチウム複合酸化物を製造する工程と、
前記コバルト酸リチウム複合酸化物とＡｌ２Ｏ３とを混合する工程と、
を有することを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項２】
前記コバルト酸リチウム複合酸化物と前記Ａｌ２Ｏ３との混合物を加熱処理することを特徴とする請求項１に記載のリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項３】
前記Ａｌ２Ｏ３の混合量は、前記コバルト酸リチウム複合酸化物１００重量部に対し、０．０５〜１０重量部であることを特徴とする請求項１又は２に記載のリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項４】
前記Ａｌ２Ｏ３の平均粒子径は、０．０１μｍ〜０．２５μｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項５】
前記コバルト酸リチウム複合酸化物は、組成式がＬｉｘＣｏＯ２（但し、ｘは、０．９６≦ｘ≦１．２０を満たす）で表され、Ｃｏ以外の遷移金属をさらに含有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項６】
前記コバルト酸リチウム複合酸化物は、組成式がＬｉｘＣｏＯ２で表され、ｘの値が、１．０５≦ｘ≦１．１０を満たすことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項７】
コバルト酸リチウム複合酸化物を有するリチウム二次電池用正極活物質であって、
前記コバルト酸リチウム複合酸化物は、その粒子表面がＡｌ２Ｏ３によって被覆されており、
前記コバルト酸リチウム複合酸化物は、組成式がＬｉｘＣｏＯ２で表され、ｘの値が、１．０５≦ｘ≦１．１０を満たすことを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項８】
前記Ａｌ２Ｏ３の被覆量は、前記コバルト酸リチウム複合酸化物１００重量部に対し、０．０５〜１０重量部であることを特徴とする請求項７に記載のリチウム二次電池用正極活物質。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記コバルト酸リチウム複合酸化物と前記Ａｌ２Ｏ３との混合物を加熱処理することが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
前記コバルト酸リチウム複合酸化物を製造する工程において、前記コバルト酸リチウム複合酸化物は、組成式がＬｉｘＣｏＯ２（但し、ｘは、０．９６≦ｘ≦１．２０を満たす）で表され、Ｃｏ以外の遷移金属をさらに含有することが好ましい。また、前記コバルト酸リチウム複合酸化物は、組成式がＬｉｘＣｏＯ２で表され、ｘの値が、１．０５≦ｘ≦１．１０を満たすことが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明のリチウム二次電池用正極活物質は、コバルト酸リチウム複合酸化物の粒子表面がＡｌ２Ｏ３によって被覆されており、前記コバルト酸リチウム複合酸化物は、組成式がＬｉｘＣｏＯ２で表され、ｘの値が、１．０５≦ｘ≦１．１０を満たす。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月10日(2007.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録液の液滴を吐出して多値のドットを形成可能なインクジェット記録装置で印刷出力する印刷画像データを生成する画像処理方法であって、原稿となる画像に画像処理を行って前記インクジェット記録装置で出力可能な多値のドットに応じた原稿画像データに変換し、この原稿画像データと複写を禁止する文書であることを示す画像パターンの多値のドットに応じたデータとを重ね合わせて前記インクジェット記録装置で印刷出力可能な多値のドットに応じた印刷画像データを生成することを特徴とする画像処理方法。
【請求項２】
記録液の液滴を吐出して多値のドットを形成可能なインクジェット記録装置で印刷出力する印刷画像データを生成する画像処理方法であって、原稿となる画像と複写を禁止する文書であることを示す画像パターンとを合成し、この合成した画像に画像処理を行って前記インクジェット記録装置で出力可能な多値のドットに応じた印刷画像データを生成することを特徴とする画像処理方法。
【請求項３】
請求項２に記載の画像処理方法において、前記画像パターンは前記原稿画像の背景側のみに形成されるように合成することを特徴とする画像処理方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の画像処理方法において、前記画像パターンは、印刷出力で使用されるドットが原稿を複写する複写装置が再現できる画像濃度又はドットサイズであるパターンであることを特徴とする画像処理方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の画像処理方法において、前記画像パターンは、印刷出力時に少なくとも２つの異なるドットサイズで形成されるパターンであることを特徴する画像処理方法。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれかに記載の画像処理方法において、前記画像パターンは、印刷出力時に少なくとも２つの異なるドットサイズ及び配列密度で形成されるパターンであることを特徴する画像処理方法。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の画像処理方法において、前記画像パターンは、印刷出力時に一色の少なくとも２つの異なるドットサイズのドットで形成されるパターンであることを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
記録液の液滴を吐出して多値のドットを形成可能なインクジェット記録装置で印刷出力する印刷画像データを生成する処理をコンピュータに実行させるプログラムであって、前記請求項１ないし７のいずれかに記載の画像処理方法に係る手順をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項９】
記録液の液滴を吐出して多値のドットを形成可能なインクジェット記録装置で印刷出力する印刷画像データを生成する処理をする画像処理装置であって、請求項１ないし７のいずれかに記載の画像処理方法を行なう手段又は請求項８に記載のプログラムを搭載していることを特徴とする画像処理装置。
【請求項１０】
記録液の液滴を吐出して多値のドットを形成可能なインクジェット記録装置において、入力された原稿となる画像と複写を禁止する文書であることを示す画像パターンとを合成する手段と、この合成した画像に画像処理を行って多値のドットに応じた印刷画像データを生成する手段とを備えていることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載のインクジェット記録装置において、前記画像パターンは前記原稿画像の背景側のみに形成されるように合成することを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載のインクジェット記録装置において、前記画像パターンは、印刷出力で使用されるドットが原稿を複写する複写装置が再現できる画像濃度又はドットサイズであるパターンであることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項１３】
請求項１０ないし１２のいずれかに記載のインクジェット記録装置において、前記画像パターンは、印刷出力時に少なくとも２つの異なるドットサイズで形成されるパターンであることを特徴するインクジェット記録装置。
【請求項１４】
請求項１０ないし１２のいずれかに記載のインクジェット記録装置において、前記画像パターンは、印刷出力時に少なくとも２つの異なるドットサイズ及び配列密度で形成されるパターンであることを特徴するインクジェット記録装置。
【請求項１５】
請求項１３又は１４に記載のインクジェット記録装置において、前記画像パターンは、印刷出力時に一色の少なくとも２つの異なるドットサイズのドットで形成されるパターンであることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項１６】
請求項８に記載のプログラムを記憶していることを特徴とする記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理方法、プログラム、画像処理装置、インクジェット記録装置、記憶媒体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は画像処理方法、プログラム、画像処理装置、インクジェット記録装置、記憶媒体に関し、特に複写されたときに複写物であることが判別可能となる印刷出力を行なうための画像処理方法、プログラム、画像処理装置、インクジェット記録装置、記憶媒体に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、インクジェット記録装置を用いて複写されたときに複写物であることが判別可能になる印刷出力を行なえるようにすることを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明に係るプログラムは、記録液の液滴を吐出して多値のドットを形成可能なインクジェット記録装置で印刷出力する印刷画像データを生成する処理をコンピュータに実行させるプログラムであって、本発明に係る画像処理方法に係る手順をコンピュータに実行させる構成とした。
本発明に係る記憶媒体は、本発明に係るプログラムを記憶したものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明に係るプログラムによれば、本発明に係る画像処理方法に係る手順をコンピュータに実行させ、また、本発明に係る画像処理装置によれば、本発明に係る画像処理方法を実行する手段又は本発明に係るプログラムを搭載しているので、インクジェット記録装置を用いて複写されたときに複写物であることを判別可能な印刷出力を行なうことができるようになる。本発明に係る記録媒体によれば、本発明に係るプログラムを記憶しているので、本発明に係るプログラムを提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月15日(2007.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
電荷保持部とこの電荷保持部に隣接する絶縁部とを有すると共に上記電荷保持部に電荷を保持させることによって情報を記憶する半導体不揮発性メモリと、
上記半導体不揮発性メモリに対してアニール処理を行うアニール部とを備え、
上記アニール部は上記半導体不揮発性メモリの近傍に設置されていることを特徴とする半導体不揮発性メモリ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記課題を解決するため、この発明の半導体不揮発性メモリ装置は、電荷保持部とこの電荷保持部に隣接する絶縁部とを有すると共に上記電荷保持部に電荷を保持させることによって情報を記憶する半導体不揮発性メモリと、
上記半導体不揮発性メモリに対してアニール処理を行うアニール部とを備え、
上記アニール部は上記半導体不揮発性メモリの近傍に設置されていることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月5日(2007.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置及びテレビ受像機
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光色がそれぞれ異なる発光素子を複数含み、
前記発光素子の少なくとも一は、一対の電極間にｎ（ｎ≧２の自然数）層の発光層を有し、
前記ｎ層の発光層のなかで少なくとも一層は三重項励起状態からの発光を呈する物質を含み、
前記発光素子からの発光を組み合わせて表示を行うことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
発光色がそれぞれ異なる発光素子を複数含み、
前記発光素子の少なくとも一は、一対の電極間にｎ（ｎ≧２の自然数）層の発光層を有し、
前記ｎ層の発光層において、ｍ（ｍはｎより小さい自然数）層目の発光層と（ｍ＋１）層目の発光層との間には、前記ｍ番目の発光層におけるイオン化ポテンシャルよりも大きいイオン化ポテンシャルを有すると共に、前記（ｍ＋１）層目の発光層における電子親和力よりも小さい電子親和力を有する層が設けられ、
前記発光素子からの発光を組み合わせて表示を行うことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
発光色がそれぞれ異なる発光素子を複数含み、
前記発光素子の少なくとも一は、一対の電極間にｎ（ｎ≧２の自然数）層の発光層を有し、
前記ｎ層の発光層のなかで少なくとも一層は三重項励起状態からの発光を呈する物質を含み、
前記ｎ層の発光層において、ｍ（ｍはｎより小さい自然数）層目の発光層と（ｍ＋１）層目の発光層との間には、前記ｍ番目の発光層におけるイオン化ポテンシャルよりも大きいイオン化ポテンシャルを有すると共に、前記（ｍ＋１）層目の発光層における電子親和力よりも小さい電子親和力を有する層が設けられ、
前記発光素子からの発光を組み合わせて表示を行うことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
発光色がそれぞれ異なる発光素子を複数含み、
前記発光素子の少なくとも一は、一対の電極間にｎ（ｎ≧２の自然数）層の発光層を有し、
前記ｎ層の発光層において、ｍ（ｍはｎより小さい自然数）層目の発光層と（ｍ＋１）層目の発光層との間には、４族乃至８族のいずれかに属する金属原子を含む金属酸化物と共に、芳香族アミン系化合物を含む層が設けられ、
前記発光素子からの発光を組み合わせて表示を行うことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
発光色がそれぞれ異なる発光素子を複数含み、
前記発光素子の少なくとも一は、一対の電極間にｎ（ｎ≧２の自然数）層の発光層を有し、
前記ｎ層の発光層のなかで少なくとも一層は三重項励起状態からの発光を呈する物質を含み、
前記ｎ層の発光層において、ｍ（ｍはｎより小さい自然数）層目の発光層と（ｍ＋１）層目の発光層との間には、４族乃至８族のいずれかに属する金属原子を含む金属酸化物と共に、芳香族アミン系化合物を含む層が設けられ、
前記発光素子からの発光を組み合わせて表示を行うことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記ｎ層の発光層のそれぞれに含まれている発光物質は、それぞれ発光色が異なることを特徴する発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記発光素子と、回路基板とを含むモジュールが筐体に組み込まれていることを特徴とするテレビ受像機。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月5日(2007.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
光媒体は便利で可搬の記憶手段を提供するが、光媒体のユーザが直面する１つの問題は、任意の所定の光媒体を情報処理システム中に挿入してその内容を読出す必要なしに、この媒体上の内容を追跡することである。映画またはアルバムのような読出し専用媒体はしばしば、光媒体の非記憶面上に貼られた、あるいは塗られたラベルを含んでいる。しかしながら、このようなマーキングは一般に、光媒体が標準化ディスクドライブによって受取られるようにその光媒体の物理的寸法を変化させる厚さを有することができない。さらに、製造段階での永続的なマーキングは、種々の情報を記憶する書込み可能および読出し可能な媒体に対してエンドユーザが実施する可能性のあるマークづけの解決方法を提供するものではない。この問題を解決するために、レーザと化学被覆との相互作用によって光媒体の非記憶面ラベル上にラベルを書込む光媒体ラベルづけ方法が出現した。しかしながら、レーザによるラベル書込みはしばしば時間を要する。さらに一般的ではあるが、精密さと簡潔さの点で劣る解決方法は、ラベルを永久マーカにより非記憶面上に書込むことである。
【特許文献１】ＷＯ  ２００４／０１２１９３  Ａ１号明細書
【特許文献２】ＥＰ  １５４８７３８  Ａ１号明細書
【特許文献３】ＥＰ  ０７６２４０７  Ａ２号明細書
【特許文献４】ＵＳ  ５７６６４９５号明細書
【特許文献５】ＷＯ  ９４／１０６８４  Ａ１号明細書
【特許文献６】ＵＳ  ５５３３００２  Ａ号明細書
【特許文献７】ＥＰ  ０９０８８７５  Ａ２号明細書
【特許文献８】ＫＲ  ２００４−９２４７０号明細書
【特許文献９】ＫＲ  １９９９−０２６７６２号明細書[発明の開示][発明が解決しようとする課題]
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月25日(2007.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
InP半導体基板上に形成された第1の導電型を有する第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上に形成された多重量子井戸構造と、
前記多重量子井戸構造上に形成された前記第1の導電型と異なる導電型である第２の導電型を有する第２の半導体層とを備え、
前記多重量子井戸構造は、前記InP半導体基板とは異なる格子定数を有するInGaAlAsからなる井戸層と、前記InP半導体基板および前記InGaAlAs層のそれぞれに対して異なる格子定数を有するInGaAlAsSbからなる障壁層とが交互に積層されてなり、
前記井戸層は前記InP半導体基板に対して第１の歪を有し、前記障壁層は前記InP半導体基板に対して第２の歪を有し、前記第１の歪の符号と前記第２の歪の符号とは異なることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記第１の半導体層は、第１のクラッド層と第１の光閉じ込め層が積層された積層構造を有し、
前記第２の半導体層は、第２のクラッド層と第２の光閉じ込め層が積層された積層構造を有し、
前記多重量子井戸構造は、前記第１の光閉じ込め層と前記第２の光閉じ込め層にそれぞれ隣接して設けられていることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の光半導体装置が半導体レーザであることを特徴とする光半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の光半導体装置が電界吸収型光変調器であることを特徴とする光半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体レーザと請求項５に記載の電界吸収型光変調器とを集積化した光集積デバイスであることを特徴とする光半導体装置。
【請求項６】
InP半導体基板上に形成された多重量子井戸構造と、
前記多重量子井戸構造に電圧の印加、或いは電流の注入を行う第１の半導体層および第２の半導体層と、
前記第１の半導体層と電気的に接続された第１の電極と、
前記第２の半導体層と電気的に接続された第２の電極とを備え、
前記多重量子井戸構造は、前記InP半導体基板とは異なる格子定数を有するInGaAlAsからなる井戸層と、前記InP半導体基板および前記InGaAlAs層のそれぞれに対して異なる格子定数を有するInGaAlAsSbからなる障壁層とが交互に積層されてなり、
前記井戸層は前記InP半導体基板に対して第１の歪を有し、前記障壁層は前記InP半導体基板に対して第２の歪を有し、前記第１の歪の符号と前記第２の歪の符号とは異なることを特徴とする光半導体装置。
【請求項７】
前記第１の半導体層は、第１の導電型を有し少なくとも１層からなり、
前記第２の半導体層は、前記第１の導電型とは反対の導電型である第２の導電型を有し少なくとも１層からなることを特徴とする請求項６記載の光半導体装置。
【請求項８】
InP半導体基板上に形成された第1の導電型を有する第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上に形成された多重量子井戸構造と、
前記多重量子井戸構造上に形成された前記第1の導電型と異なる導電型である第２の導電型を有する第２の半導体層とを備え、
前記多重量子井戸構造は、前記InP半導体基板とは異なる格子定数を有するInGaAlAsからなる井戸層と、前記InP半導体基板および前記InGaAlAs層のそれぞれに対して異なる格子定数を有するInGaAlAsSbからなる第１の障壁層と、前記第１の障壁層を構成するInGaAlAsSbと異なる組成比を有する第１のInGaAlAsSbの中間層と、前記第１の障壁層と同一の組成比を有する第２の障壁層からなり、
前記第１の障壁層、井戸層、第１の中間層、第２の障壁層の順に積層されている量子井戸構造を少なくとも１層有し、
前記井戸層は前記InP半導体基板に対して第１の歪を有し、前記第１、２の障壁層は前記InP半導体基板に対して第２の歪を有し、
前記第１の歪の符号と前記第２の歪とは異なる符号を有することを特徴とする光半導体装置。
【請求項９】
前記多重量子井戸構造において、伝導帯側の量子井戸層の幅と価電子帯側の量子井戸層の幅が異なることを特徴とする請求項８に記載の光半導体装置。
【請求項１０】
前記多重量子井戸構造において、価電子帯側の量子井戸層の幅が伝導帯側に比べて広いことを特徴とする請求項８に記載の光半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月19日(2007.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極タブの極性を交互にして複数の電池が積層されてなる組電池であって、
すべての電池を積層したときに組となる電池同士を直列に接続するための前記電極タブの接合部が前記組電池の複数の位置に分かれており、それぞれの前記接合部を接合することによってすべての電池が電気的に直列に接続される構造を有していることを特徴とする組電池。
【請求項２】
前記電池のいずれかは、その＋側または−側の少なくとも一方の電極タブの長さが他方の電極タブの長さとは異なっており、前記電極タブの接合部は前記電池の長さ方向で複数の位置に分かれていることを特徴とする請求項１に記載の組電池。
【請求項３】
前記電池のいずれかまたはすべては、その＋側または−側の少なくとも一方の電極タブがＬ字形を呈しており、前記電極タブの接合部は前記電池の積層方向に対して垂直な方向で複数の位置に分かれていることを特徴とする請求項１または２に記載の組電池。
【請求項４】
前記電池は積層方向から見た形状が円形または多角形であり、一方の電極タブは他方の電極タブに対し当該他方の電極タブを基点とする直径からオフセットされるように所定の中心角を持って配置されていることを特徴とする請求項１に記載の組電池。
【請求項５】
前記すべての電池の内の少なくとも一部の電池は、前記電極タブを有さない辺同士が隣接する電池に連なって接続されていることを特徴とする請求項１に記載の組電池。
【請求項６】
前記電池の相互間には、組となる電池の電極タブを他の電極タブから絶縁するための絶縁手段が介在されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の組電池。
【請求項７】
前記絶縁手段の片側には前記電池の電圧を検出するための電圧検出端子が取り付けられていることを特徴とする請求項６に記載の組電池。
【請求項８】
組となる電池の相互間に絶縁体を介在させ、電池の電極タブ同士を接合してユニットを複数作成する段階と、
前記ユニット、電池単体および絶縁体を交えて電池と絶縁体とが交互に積層されるように、かつすべての電池を積層したときに組となる電池同士を直列に接続するための前記電極タブの接合部が異なる位置に分かれるように前記電池と前記絶縁体とを積層する段階と、
異なる位置に分かれている接合部を接合する段階と、
を含むことを特徴とする組電池の製造方法。
【請求項９】
組となる電池の電極タブ同士を接合して第１ユニットを複数作成する段階と、
前記第１ユニット同士を、前記第１ユニットの接合されていない電極タブ同士を前記第１ユニットを作成したときとは異なる位置を接合することによって第２ユニットを作成する段階と、
前記第２ユニット同士を、前記第２ユニットの接合されていない電極タブ同士を前記第１ユニットおよび第２ユニットを作成したときとは異なる位置を接合することによって組電池を作成する段階と、
を含むことを特徴とする組電池の製造方法。
【請求項１０】
前記電池のいずれかは、その＋側または−側の少なくとも一方の電極タブの長さが他方の電極タブの長さとは異なることを特徴とする請求項８または９に記載の組電池の製造方法。
【請求項１１】
前記電池のいずれかまたはすべては、その＋側または−側の少なくとも一方の電極タブがＬ字形を呈していることを特徴とする請求項８から１０のいずれかに記載の組電池の製造方法。
【請求項１２】
一方の電極タブが他方の電極タブに対し当該他方の電極タブを基点とする直径からオフセットされるように所定の中心角を持って配置されている、積層方向から見た形状が円形または多角形の複数の電池を、それぞれの電池の＋側の電極タブとその上に積層される電池の−側の電極タブとが重なるように積層する段階と、
積層された結果、電池の外周部の異なる位置から分かれて突出している組となる電極タブを順番に接合する段階と、
を含むことを特徴とする組電池の製造方法。
【請求項１３】
電極タブを有さない辺同士が隣接する電池に次々と連なって接続されており、それぞれの電池の異なる位置から電極タブが引き出されている一連の電池を、ジグザグ状に折りたたむことによって、または、ロール状に巻き付けることによって積層する段階と、
積層された結果、異なる位置に分かれて突出している組となる電極タブを順番に接合する段階と、
を含むことを特徴とする組電池の製造方法。
【請求項１４】
正極および負極の２つの電極タブを有する複数の電池を積層し、積層方向に隣り合う電池の電極タブ同士を接合した組電池であって、
前記積層方向に隣り合う少なくとも一対の電池間で、各電池の一方の電極タブ同士を接合する第１接合位置と、
前記一対の電池のうち、一方の電池における他方の電極タブを他の電極に接合する第２接合位置と、
前記一対の電池のうち、他方の電池における他方の電極タブをさらに他の電極に接合する第３接合位置と、を、前記積層方向から見て異なる位置に配置したことを特徴とする組電池。
【請求項１５】
前記一対の電池のうち一方の電池の正極の電極タブと他方の電池の負極の電極タブとが前記第１接合位置で接合され、
前記一方の電池の負極の電極タブと他の電極とが前記第２接合位置で接合され、
前記他方の電池の正極の電極タブとさらに他の電極とが第３接合位置で接合されていることを特徴とする請求項１４に記載の組電池。
【請求項１６】
前記電池は、外形形状が矩形の扁平型電池であり、
前記電極タブの接合位置は、前記扁平型電池の長手方向および短手方向の少なくとも一方向で異なる位置に配置されていることを特徴とする請求項１４または１５に記載の組電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するための本発明に係る組電池は、電極タブの極性を交互にして複数の電池が積層されてなる組電池であって、すべての電池を積層したときに組となる電池同士を直列に接続するための前記電極タブの接合部が前記組電池の複数の位置に分かれており、それぞれの前記接合部を接合することによってすべての電池が電気的に直列に接続される構造を有していることを特徴とする。
また、上記目的を達成するための本発明に係る組電池は、正極および負極の２つの電極タブを有する複数の電池を積層し、積層方向に隣り合う電池の電極タブ同士を接合した組電池であって、前記積層方向に隣り合う少なくとも一対の電池間で、各電池の一方の電極タブ同士を接合する第１接合位置と、前記一対の電池のうち、一方の電池における他方の電極タブを他の電極に接合する第２接合位置と、前記一対の電池のうち、他方の電池における他方の電極タブをさらに他の電極に接合する第３接合位置と、を、前記積層方向から見て異なる位置に配置したことを特徴とする。