【手続補正書】
【提出日】平成20年5月8日(2008.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  単相六方結晶構造に導入されたときに、ｎが少なくとも４の整数である式Ｍｎ＋で表される多価イオンを生成する少なくとも１種類の金属によってドープされた前記単相六方結晶構造を有する硬質磁気材料から成る静電潜像の現像に用いられるキャリア粒子。
【請求項２】  単相六方結晶構造を有し、かつ、下記式
ＰＦｅ１２−ｘＭｘＯ１９
ここで、Ｐは、ストロンチウム、バリウムまたは鉛から選択され、
Ｍは、アンチモン、ヒ素、ゲルマニウム、ハフニウム、モリブデン、ニオブ、ケイ素、タンタル、テルル、スズ、チタン、タングステン、バナジウム、ジルコニウムおよびこれらの混合物から選択される少なくとも１種類の金属であり、そして、
ｘは、約０．６よりも小さい、
によって表される硬質磁気フェライト材料から成る静電潜像の現像に用いられるキャリア粒子。
【請求項３】  帯電したトナー粒子および逆の極性に帯電したキャリア粒子との混合物からなる静電潜像の現像に用いられる静電乾式現像剤組成物であって、前記キャリア粒子は、単相六方結晶構造に導入されたときに、ｎが少なくとも４の整数である式Ｍｎ＋で表される多価イオンを生成する少なくとも１種類の金属によってドープされた前記単相六法結晶構造を有する硬質磁気材料からなる、前記現像剤組成物。
【請求項４】  帯電したトナー粒子および逆の極性に帯電したキャリア粒子との混合物からなる静電潜像の現像に用いられる静電２成分型乾式現像剤組成物であって、前記キャリア粒子は、単相六方結晶構造を有し、かつ、下記式
ＰＦｅ１２−ｘＭｘＯ１９
ここで、Ｐは、ストロンチウム、バリウムまたは鉛から選択され、
Ｍは、アンチモン、ヒ素、ゲルマニウム、ハフニウム、モリブデン、ニオブ、ケイ素、タンタル、テルル、スズ、チタン、タングステン、バナジウム、ジルコニウムおよびこれらの混合物から選択される少なくとも１種類の金属であり、そして、
ｘは、約０．６よりも小さい、
によって表される硬質磁気フェライト材料から成る、前記組成物。
【請求項５】  バインダーと、単相六方結晶構造中に導入されたときに、ｎが少なくとも４の整数である式Ｍｎ＋で表される多価イオンを生成する少なくとも１種類の金属によってドープされた前記結晶構造を有する硬質磁気材料との複合物から成る、静電潜像の現像に用いられる静電単成分型乾式現像剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
好ましい実施態様を詳細に検討しながら本発明をかなり詳しく説明してきたが、このような実施態様に、本発明の適用範囲内で、変更および修正を加えることができることは理解されるべきである。
本発明の好ましい態様をまとめて示せば次のとおりである。
１．  単相六方結晶構造に導入されたときに、ｎが少なくとも４の整数である式Ｍｎ＋で表される多価イオンを生成する少なくとも１種類の金属によってドープされた前記単相六方結晶構造を有する硬質磁気材料から成る静電潜像の現像に用いられるキャリア粒子。
２．  磁気的に飽和したときに少なくとも約３００エルステッドの飽和保磁力と、１，０００エルステッドの印加フィールドにおいて少なくとも約２０ＥＭＵ／ｇｍキャリアの誘導磁気モーメントとを示す、上記１に記載のキャリア粒子。
３．  樹脂層で表面が覆われている、上記１に記載のキャリア粒子。
４．  前記層が不連続である、上記３に記載のキャリア粒子。
５．  前記樹脂が、ポリフッ化ビニリデンとポリメチルメタクリレートの混合物である、上記３に記載のキャリア粒子。
６．  前記樹脂がシリコーン樹脂である、上記３に記載のキャリア粒子。
７．  前記硬質磁気材料が、ストロンチウムフェライト、バリウムフェライトおよび鉛フェライトからなる群から選択される硬質磁気フェライトである、上記１に記載のキャリア粒子。
８．  前記硬質磁気材料がストロンチウムフェライトである、上記１に記載のキャリア粒子。
９．  ｎが４または５である、上記１に記載のキャリア粒子。
１０．  ｎが４である、上記１に記載のキャリア粒子。
１１．  前記少なくとも１種類の金属が、アンチモン、ヒ素、ゲルマニウム、ハフニウム、モリブデン、ニオブ、ケイ素、タンタル、テルル、スズ、チタン、タングステン、バナジウム、ジルコニウムおよびこれらの混合物からなる群から選択される、上記１に記載のキャリア粒子。
１２．  前記少なくとも１種類の金属が、ケイ素、ジルコニウム、スズ、チタンおよびこれらの混合物からなる群から選択される、上記１に記載のキャリア粒子。
１３．  前記少なくとも１種類の金属が、前記キャリア粒子の総重量に対して最大で約１０重量％の量で存在する、上記１に記載のキャリア粒子。
１４．  帯電したトナー粒子と、それとは逆の極性に帯電した上記１のキャリア粒子とからなる２成分乾式現像剤組成物を静電像に接触させてなる前記像を現像するための方法。
１５．  単相六方結晶構造を有し、かつ、下記式
ＰＦｅ１２−ｘＭｘＯ１９
ここで、Ｐは、ストロンチウム、バリウムまたは鉛から選択され、
Ｍは、アンチモン、ヒ素、ゲルマニウム、ハフニウム、モリブデン、ニオブ、ケイ素、タンタル、テルル、スズ、チタン、タングステン、バナジウム、ジルコニウムおよびこれらの混合物から選択される少なくとも１種類の金属であり、そして、
ｘは、約０．６よりも小さい、
によって表される硬質磁気フェライト材料から成る静電潜像の現像に用いられるキャリア粒子。
１６．  磁気的に飽和したときに少なくとも約３００エルステッドの飽和保磁力と、１，０００エルステッドの印加フィールドにおいて少なくとも約２０ＥＭＵ／ｇｍの誘導磁気モーメントとを示す、上記１５に記載のキャリア粒子。
１７．  樹脂層で表面が覆われている、上記１５に記載の粒子。
１８．  前記層が不連続である、上記１７に記載のキャリア粒子。
１９．  前記樹脂が、ポリフッ化ビニリデンとポリメチルメタクリレートの混合物である、上記１７に記載のキャリア粒子。
２０．  前記樹脂がシリコーン樹脂である、上記１７に記載のキャリア粒子。
２１．  Ｐがストロンチウムである、上記１５に記載のキャリア粒子。
２２．  ｘが約０．３よりも小さい、上記１５に記載のキャリア粒子。
２３．  前記少なくとも１種類の金属が、ケイ素、ジルコニウム、スズ、チタンおよびこれらの混合物からなる群から選択される、上記１５に記載のキャリア粒子。
２４．  帯電したトナー粒子と、それとは逆の極性に帯電した上記１５のキャリア粒子とからなる２成分乾式現像剤組成物を静電像に接触させて前記像を現像するための方法。
２５．  帯電したトナー粒子および逆の極性に帯電したキャリア粒子との混合物からなる静電潜像の現像に用いられる静電乾式現像剤組成物であって、前記キャリア粒子は、単相六方結晶構造に導入されたときに、ｎが少なくとも４の整数である式Ｍｎ＋で表される多価イオンを生成する少なくとも１種類の金属によってドープされた前記単相六法結晶構造を有する硬質磁気材料からなる、前記現像剤組成物。
２６．  前記キャリア粒子が、磁気的に飽和したときに少なくとも約３００エルステッドの飽和保磁力と、１，０００エルステッドの印加フィールドにおいて少なくとも約２０ＥＭＵ／ｇｍキャリアの誘導磁気モーメントとを示す、上記２５に記載の現像剤。
２７．  前記キャリア粒子の表面が樹脂層で覆われている、上記２５に記載の現像剤。
２８．  前記層が不連続である、上記２７に記載の現像剤。
２９．  前記樹脂が、ポリフッ化ビニリデンとポリメチルメタクリレートの混合物である、上記２７に記載の現像剤。
３０．  前記樹脂がシリコーン樹脂である、上記２７に記載の現像剤。
３１．  前記硬質磁気材料が、ストロンチウムフェライト、バリウムフェライトおよび鉛フェライトからなる群から選択される硬質磁気フェライトである、上記２５に記載の現像剤。
３２．  前記硬質磁気材料がストロンチウムフェライトである、上記２５に記載の現像剤。
３３．  ｎが４または５である、上記２５に記載の現像剤。
３４．  ｎが４である、上記２５に記載の現像剤。
３５．  前記少なくとも１種類の金属が、アンチモン、ヒ素、ゲルマニウム、ハフニウム、モリブデン、ニオブ、ケイ素、タンタル、テルル、スズ、チタン、タングステン、バナジウム、ジルコニウムおよびこれらの混合物からなる群から選択される、上記２５に記載の現像剤。
３６．  前記少なくとも１種類の金属が、ケイ素、ジルコニウム、スズ、チタンおよびこれらの混合物からなる群から選択される、上記２５に記載の現像剤。
３７．  前記少なくとも１種類の金属が、前記キャリア粒子の総重量に対して最大で約１０重量％の量で存在する、上記２５に記載の現像剤。
３８．  帯電したトナー粒子と、それとは逆の極性に帯電した上記２５のキャリア粒子とからなる２成分乾式現像液組成物を静電像に接触させてなる前記像を現像するための方法。
３９．  帯電したトナー粒子および逆の極性に帯電したキャリア粒子との混合物からなる静電潜像の現像に用いられる静電２成分型乾式現像剤組成物であって、前記キャリア粒子は、単相六方結晶構造を有し、かつ、下記式
ＰＦｅ１２−ｘＭｘＯ１９
ここで、Ｐは、ストロンチウム、バリウムまたは鉛から選択され、
Ｍは、アンチモン、ヒ素、ゲルマニウム、ハフニウム、モリブデン、ニオブ、ケイ素、タンタル、テルル、スズ、チタン、タングステン、バナジウム、ジルコニウムおよびこれらの混合物から選択される少なくとも１種類の金属であり、そして、
ｘは、約０．６よりも小さい、
によって表される硬質磁気フェライト材料から成る、前記組成物。
４０．  前記キャリア粒子が、磁気的に飽和したときに少なくとも約３００エルステッドの飽和保磁力と、１，０００エルステッドの印加フィールドにおいて少なくとも約２０ＥＭＵ／ｇｍキャリアの誘導磁気モーメントとを示す、上記３９に記載の現像剤。
４１．  樹脂層で表面が覆われている、上記３９に記載の現像剤。
４２．  前記層が不連続である、上記４１に記載の現像剤。
４３．  前記樹脂が、ポリフッ化ビニリデンとポリメチルメタクリレートの混合物である、上記４１に記載の現像剤。
４４．  前記樹脂がシリコーン樹脂である、上記４１に記載の現像剤。
４５．  Ｐがストロンチウムである、上記３９に記載の現像剤。
４６．  ｘが約０．３よりも小さい、上記３９に記載の現像剤。
４７．  前記少なくとも１種類の金属が、ケイ素、ジルコニウム、スズ、チタンおよびこれらの混合物からなる群から選択される、上記３９に記載の現像剤。
４８．  帯電したトナー粒子およびそれとは逆の極性に帯電した上記３９のキャリア粒子とからなる２成分乾式現像液組成物を静電像に接触させて前記像を現像するための方法。
４９．  バインダーと、単相六方結晶構造中に導入されたときに、ｎが少なくとも４の整数である式Ｍｎ＋で表される多価イオンを生成する少なくとも１種類の金属によってドープされた前記結晶構造を有する硬質磁気材料との複合物から成る、静電潜像の現像に用いられる静電単成分型乾式現像剤。
５０．  前記磁気材料が、磁気的に飽和したときに少なくとも約３００エルステッドの飽和保磁力と、１，０００エルステッドの印加フィールドにおいて少なくとも約２０ＥＭＵ／ｇｍの誘導磁気モーメントとを示す、上記４９に記載の現像剤。
５１．  前記硬質磁気材料がストロンチウムフェライトである、上記４９に記載の現像剤。
５２．  前記少なくとも１種類の金属が、アンチモン、ヒ素、ゲルマニウム、ハフニウム、モリブデン、ニオブ、ケイ素、タンタル、テルル、スズ、チタン、タングステン、バナジウム、ジルコニウムおよびこれらの混合物からなる群から選択される、上記４９に記載の現像剤。
５３．  前記少なくとも１種類の金属が、ケイ素、ジルコニウム、スズ、チタンおよびこれらの混合物からなる群から選択される、上記４９に記載の現像剤。
５４．  ｎが４または５である、上記４９に記載の現像剤。
５５．  ｎが４である、上記４９に記載の現像剤。
５６．  帯電したトナー粒子と、それとは逆の極性に帯電した上記４９のキャリア粒子とからなる単成分乾式現像液組成物を静電像に接触させて前記像を現像するための方法。
５７．  バインダーと、単相六方結晶構造を有し、かつ、下記式
ＰＦｅ１２−ｘＭｘＯ１９
ここで、Ｐは、ストロンチウム、バリウムまたは鉛から選択され、
Ｍは、アンチモン、ヒ素、ゲルマニウム、ハフニウム、モリブデン、ニオブ、ケイ素、タンタル、テルル、スズ、チタン、タングステン、バナジウム、ジルコニウムおよびこれらの混合物から選択される少なくとも１種類の金属であり、そして、
ｘは、約０．６よりも小さい、
によって表される硬質磁気材料との複合物から成る、静電潜像の現像に用いられる静電単成分型乾式現像剤。
５８．  前記磁気材料が、磁気的に飽和したときに少なくとも約３００エルステッドの飽和保磁力と、１，０００エルステッドの印加フィールドにおいて少なくとも約２０ＥＭＵ／ｇｍキャリアの誘導磁気モーメントとを示す、上記５７に記載の現像剤。
５９．  前記硬質磁気材料がストロンチウムフェライトである、上記５７に記載の現像剤。
６０．  ｘが約０．３よりも小さい、上記５７に記載の現像剤。
６１．  前記少なくとも１種類の金属が、ケイ素、ジルコニウム、スズ、チタンおよびこれらの混合物からなる群から選択される、上記５７に記載の現像剤。
６２．  帯電したトナー粒子およびそれとは逆の極性に帯電した上記５７のキャリア粒子とからなる単成分乾式現像剤組成物を静電像に接触させて前記像を現像するための方法。