【手続補正書】
【提出日】平成19年5月28日(2007.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられたトランジスタと、
前記トランジスタ上に設けられた第１のパッシベーション膜と、
前記第１のパッシベーション膜上に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられた第２のパッシベーション膜と、
前記第２のパッシベーション膜上に接して設けられたＥＬ素子と、を有し、
前記第１のパッシベーション膜及び前記第２のパッシベーション膜は、ホウ素、炭素、窒素から選ばれた少なくとも一つの元素と、アルミニウム、珪素、リンから選ばれた少なくとも一つの元素と、を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
基板上に設けられたトランジスタと、
前記トランジスタ上に設けられた第１のパッシベーション膜と、
前記第１のパッシベーション膜上に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられた第２のパッシベーション膜と、
前記第２のパッシベーション膜上に接して設けられたＥＬ素子と、を有し、
前記第１のパッシベーション膜及び前記第２のパッシベーション膜は、アルミニウムの窒化物、珪素の炭化物、珪素の窒化物、ホウ素の窒化物、ホウ素のリン化物、及びアルミニウムの酸化物のいずれかを含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
基板上に設けられたトランジスタと、
前記トランジスタ上に設けられた第１のパッシベーション膜と、
前記第１のパッシベーション膜上に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられた第２のパッシベーション膜と、
前記第２のパッシベーション膜上に接して設けられたＥＬ素子と、を有し、
前記第１のパッシベーション膜及び前記第２のパッシベーション膜は、珪素、アルミニウム、窒素、酸素、及び希土類元素を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
基板上に設けられたトランジスタと、
前記トランジスタ上に設けられた第１のパッシベーション膜と、
前記第１のパッシベーション膜上に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられた第２のパッシベーション膜と、
前記第２のパッシベーション膜上に接して設けられたＥＬ素子と、を有し、
前記第１のパッシベーション膜及び前記第２のパッシベーション膜は、炭素膜であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記炭素膜は、ダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記ＥＬ素子を覆うように設けられた第３のパッシベーション膜を有し、
前記第３のパッシベーション膜は、ホウ素、炭素、窒素から選ばれた少なくとも一つの元素と、アルミニウム、珪素、リンから選ばれた少なくとも一つの元素と、を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記ＥＬ素子を覆うように設けられた第３のパッシベーション膜を有し、
前記第３のパッシベーション膜は、アルミニウムの窒化物、珪素の炭化物、珪素の窒化物、ホウ素の窒化物、ホウ素のリン化物、及びアルミニウムの酸化物のいずれかを含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記ＥＬ素子を覆うように設けられた第３のパッシベーション膜を有し、
前記第３のパッシベーション膜は、珪素、アルミニウム、窒素、酸素、及び希土類元素を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記ＥＬ素子を覆うように設けられた第３のパッシベーション膜を有し、
前記第３のパッシベーション膜は、炭素膜であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記炭素膜は、ダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第１のパッシベーション膜又は前記第２のパッシベーション膜に積層して設けられた酸化珪素膜、窒化珪素膜又は窒化酸化珪素膜を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記層間絶縁膜は、樹脂膜であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一に記載された電気光学装置を有することを特徴とする電子装置。
【請求項１４】
基板上にトランジスタを形成し、
前記トランジスタを覆うように第１のパッシベーション膜を形成し、
前記第１のパッシベーション膜上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に第２のパッシベーション膜を形成し、
前記第２のパッシベーション膜上にＥＬ素子を形成し、
前記第１のパッシベーション膜及び前記第２のパッシベーション膜は、ホウ素、炭素、窒素から選ばれた少なくとも一つの元素と、アルミニウム、珪素、リンから選ばれた少なくとも一つの元素と、を含むことを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項１５】
基板上にトランジスタを形成し、
前記トランジスタを覆うように第１のパッシベーション膜を形成し、
前記第１のパッシベーション膜上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に第２のパッシベーション膜を形成し、
前記第２のパッシベーション膜上にＥＬ素子を形成し、
前記第１のパッシベーション膜及び前記第２のパッシベーション膜は、アルミニウムの窒化物、珪素の炭化物、珪素の窒化物、ホウ素の窒化物、ホウ素のリン化物、及びアルミニウムの酸化物のいずれかを含むことを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項１６】
基板上にトランジスタを形成し、
前記トランジスタを覆うように第１のパッシベーション膜を形成し、
前記第１のパッシベーション膜上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に第２のパッシベーション膜を形成し、
前記第２のパッシベーション膜上にＥＬ素子を形成し、
前記第１のパッシベーション膜及び前記第２のパッシベーション膜は、珪素、アルミニウム、窒素、酸素、及び希土類元素を含むことを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項１７】
基板上にトランジスタを形成し、
前記トランジスタを覆うように第１のパッシベーション膜を形成し、
前記第１のパッシベーション膜上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に第２のパッシベーション膜を形成し、
前記第２のパッシベーション膜上にＥＬ素子を形成し、
前記第１のパッシベーション膜及び前記第２のパッシベーション膜は、炭素膜であることを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記炭素膜は、ダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜を含むことを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１４乃至請求項１８のいずれか一において、
前記ＥＬ素子を覆うように第３のパッシベーション膜を形成し、
前記第３のパッシベーション膜は、ホウ素、炭素、窒素から選ばれた少なくとも一つの元素と、アルミニウム、珪素、リンから選ばれた少なくとも一つの元素と、を含み、
前記第２のパッシベーション膜及び前記第３のパッシベーション膜によって前記ＥＬ素子を囲むことを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１４乃至請求項１８のいずれか一において、
前記ＥＬ素子を覆うように第３のパッシベーション膜を形成し、
前記第３のパッシベーション膜は、アルミニウムの窒化物、珪素の炭化物、珪素の窒化物、ホウ素の窒化物、ホウ素のリン化物、及びアルミニウムの酸化物のいずれかを含み、
前記第２のパッシベーション膜及び前記第３のパッシベーション膜によって前記ＥＬ素子を囲むことを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１４乃至請求項１８のいずれか一において、
前記ＥＬ素子を覆うように第３のパッシベーション膜を形成し、
前記第３のパッシベーション膜は、珪素、アルミニウム、窒素、酸素、及び希土類元素を含み、
前記第２のパッシベーション膜及び前記第３のパッシベーション膜によって前記ＥＬ素子を囲むことを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１４乃至請求項１８のいずれか一において、
前記ＥＬ素子を覆うように第３のパッシベーション膜を形成し、
前記第３のパッシベーション膜は、炭素膜であり、
前記第２のパッシベーション膜及び前記第３のパッシベーション膜によって前記ＥＬ素子を囲むことを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項２２において、
前記炭素膜は、ダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜を含むことを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１４乃至請求項２３のいずれか一において、
前記層間絶縁膜は、樹脂膜であることを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項１４乃至請求項２４のいずれか一において、
前記第１のパッシベーション膜又は前記第２のパッシベーション膜上に酸化珪素膜、窒化珪素膜又は窒化酸化珪素膜を形成することを特徴とする電気光学装置の作製方法。