Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月10日(2007.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報系列を一時的に記憶する一時記憶手段を備え、順番変更用マトリクスに応じて当該一時記憶手段に対する情報の書き込み順序又は読み出し順序を制御することで、データ順序変更処理を行うデータ順序変更装置において、
前記順番変更用マトリクスの縦方向成分を指定する第１の擬似雑音符号を発生する第１の符号発生手段と、
前記順番変更用マトリクスの横方向成分を指定する第２の擬似雑音符号を発生する第２の符号発生手段と、
を備えることを特徴とするデータ順序変更装置。
【請求項２】
請求項１に記載のデータ順序変更装置において、
前記第１の擬似雑音符号が前記順番変更用マトリクスの縦方向成分の閾値を超えた場合に、前記第１の符号発生手段の内部状態を更新して当該閾値以下の第１の擬似雑音符号を発生させる第１の符号発生制御手段と、
前記第２の擬似雑音符号が前記順番変更用マトリクスの横方向成分の閾値を超えた場合に、前記第２の符号発生手段の内部状態を更新して当該閾値以下の第２の擬似雑音符号を発生させる第２の符号発生制御手段と、
をさらに備える
ことを特徴とするデータ順序変更装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のデータ順序変更装置において、
発生された前記第１の擬似雑音符号と前記第２の擬似雑音符号との組み合わせによって構成される組み合わせ符号が、前記順番変更用マトリクスの縦方向成分と横方向成分との全ての組み合わせを包含しない場合に、前記第１の符号発生手段及び前記第２の符号発生手段の少なくとも一方の内部状態を更新して、前記一時記憶手段に対する情報の書き込み順序又は読み出し順序を制御する更新手段をさらに備える
ことを特徴とするデータ順序変更装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月3日(2007.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板の表面に短冊状の絶縁層を形成し、
前記短冊状の絶縁層上に、前記短冊状の絶縁層と交差するように島状半導体層を形成し、
前記透光性基板の表面側と、裏面側とから、前記島状半導体層にレーザー光を照射して、前記島状半導体層を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
透光性基板の表面に一対の短冊状の絶縁層を形成し、
前記一対の短冊状の絶縁層上に、前記一対の短冊状の絶縁層と交差するように島状半導体層を形成し、
前記透光性基板の表面側と、裏面側とから、前記島状半導体層にレーザー光を照射して、前記島状半導体層を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、
透光性基板の表面に短冊状の絶縁層を形成し、
前記短冊状の絶縁層上に、前記短冊状の絶縁層と交差するように前記薄膜トランジスタとなる島状半導体層を形成し、
前記透光性基板の表面側と、裏面側とから、前記島状半導体層にレーザー光を照射して、前記島状半導体層を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、
透光性基板の表面に一対の短冊状の絶縁層を形成し、
前記一対の短冊状の絶縁層上に、前記一対の短冊状の絶縁層と交差するように前記薄膜トランジスタとなる島状半導体層を形成し、
前記透光性基板の表面側と、裏面側とから、前記島状半導体層にレーザー光を照射して、前記島状半導体層を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、
透光性基板の表面に短冊状の絶縁層を形成し、
前記短冊状の絶縁層上に、前記短冊状の絶縁層とチャネル長方向が交差するように、前記薄膜トランジスタとなる島状半導体層を形成し、
前記透光性基板の表面側と、裏面側とから、前記島状半導体層にレーザー光を照射して、前記島状半導体層を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、
透光性基板の表面に一対の短冊状の絶縁層を形成し、
前記一対の短冊状の絶縁層上に、前記一対の短冊状の絶縁層とチャネル長方向が交差するように、前記薄膜トランジスタとなる島状半導体層を形成し、
前記透光性基板の表面側と、裏面側とから、前記島状半導体層にレーザー光を照射して、前記島状半導体層を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記短冊状の絶縁層を形成する工程と、前記島状半導体層を形成する工程との間に、絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記透光性基板の裏面側から前記島状半導体層に照射するレーザー光は、前記透光性基板を透過し、前記透光性基板の裏面側に配置した反射板によって反射されたレーザー光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記透光性基板の表面側と、前記透光性基板の裏面側とから照射されるレーザー光は、ビームスプリッタで分割されたレーザー光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
透光性基板の表面に、短冊状の絶縁層と、前記短冊状の絶縁層上に設けられた島状半導体層と、を有し、
前記島状半導体層は前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域を形成し、
前記短冊状の絶縁層は、前記島状半導体層のチャネル長方向と交差するように設けられ、
前記島状半導体層に形成される前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、前記短冊状の絶縁層に隣接して形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
透光性基板の表面に、一対の短冊状の絶縁層と、前記短冊状の絶縁層上に設けられた島状半導体層と、を有し、
前記島状半導体層は前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域を形成し、
前記一対の短冊状の絶縁層は、前記島状半導体層のチャネル長方向と交差するように設けられ、
前記島状半導体層に形成される前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、前記一対の短冊状の絶縁層の間に形成されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月26日(2006.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を第１の加熱処理により結晶質半導体膜にし、
前記結晶質半導体膜を選択的に除去して島状の結晶質半導体膜を形成し、
前記島状の結晶質半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
ハロゲンを含む酸化雰囲気中で第２の加熱処理を行い、
前記基板上に前記非晶質半導体膜を形成する前に、前記基板の表面をハロゲン元素を含むプラズマ雰囲気に晒すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を含有する層を形成し、
前記非晶質半導体膜を第１の加熱処理により結晶質半導体膜にし、
前記結晶質半導体膜を選択的に除去して島状の結晶質半導体膜を形成し、
前記島状の結晶質半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
ハロゲンを含む酸化雰囲気中で第２の加熱処理を行い、
前記基板上に前記非晶質半導体膜を形成する前に、前記基板の表面をハロゲン元素を含むプラズマ雰囲気に晒すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を含有する層を形成し、
前記非晶質半導体膜を第１の加熱処理により結晶質半導体膜にし、
前記結晶質半導体膜の選択された領域に１５族に属する元素を添加し、
第２の加熱処理を行い、
前記結晶質半導体膜を選択的に除去して島状の結晶質半導体膜を形成し、
前記島状の結晶質半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
ハロゲンを含む酸化雰囲気中で第３の加熱処理を行い、
前記基板上に前記非晶質半導体膜を形成する前に、前記基板の表面をハロゲン元素を含むプラズマ雰囲気に晒すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上に選択的に絶縁膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上及び前記絶縁膜上に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を含有する層を形成し、
前記非晶質半導体膜を第１の加熱処理により結晶質半導体膜にし、
前記絶縁膜を除去し、
前記結晶質半導体膜を選択的に除去して島状の結晶質半導体膜を形成し、
前記島状の結晶質半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
ハロゲンを含む酸化雰囲気中で第２の加熱処理を行い、
前記基板上に前記非晶質半導体膜を形成する前に、前記基板の表面をハロゲン元素を含むプラズマ雰囲気に晒すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上に選択的に絶縁膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上及び前記絶縁膜上に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を含有する層を形成し、
前記非晶質半導体膜を第１の加熱処理により結晶質半導体膜にし、
前記結晶質半導体膜の選択された領域に１５族に属する元素を添加し、
第２の加熱処理を行い、
前記絶縁膜を除去し、
前記結晶質半導体膜を選択的に除去して島状の結晶質半導体膜を形成し、
前記島状の結晶質半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
ハロゲンを含む酸化雰囲気中で第３の加熱処理を行い、
前記基板上に前記非晶質半導体膜を形成する前に、前記基板の表面をハロゲン元素を含むプラズマ雰囲気に晒すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記ハロゲン元素を含むプラズマは、フッ素原子またはフッ素ラジカルを含むプラズマであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記ハロゲン元素を含むプラズマは、四フッ化珪素または三フッ化窒素をプラズマ化したものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を含有する層を形成し、
前記非晶質半導体膜を第１の加熱処理により結晶質半導体膜にし、
前記結晶質半導体膜を選択的に除去して島状の結晶質半導体膜を形成し、
前記島状の結晶質半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
ハロゲンを含む酸化雰囲気中で第２の加熱処理を行い、
前記非晶質半導体膜上に前記結晶化を助長する触媒元素を含有する層を形成する前に、前記非晶質半導体膜の表面から前記基板の表面または前記基板と前記非晶質半導体膜の界面にハロゲン元素を注入することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項２乃至請求項８のいずれか一項において、
前記触媒元素は、ニッケル（Ｎｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、及び金（Ａｕ）から選ばれた一種または複数種の元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記非晶質半導体膜は、ハロゲン元素及び水素を含むガスを用いて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記基板は、石英基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月17日(2007.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】窒化物半導体の成長方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 窒化物半導体基板上に、ＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ≦１）で示される１層以上の窒化物半導体層を形成する工程と、
前記窒化物半導体層上に、窒化物半導体基板のＭ軸方向である＜１−１００＞、＜１０−１０＞及び＜０１−１０＞のいずれかのＭ軸方向より０．１°〜０．７°ずれた方向に、ストライプ形状で形成された保護膜を部分的に形成する工程と、
前記保護膜の形成面上に第２の窒化物半導体層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
【請求項２】 前記窒化物半導体層が、窒化物半導体基板上に、ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０≦ｂ≦１）で示される緩和層を形成し、その上に、ＡｌｅＧａ１−ｅＮ（０≦ｅ＜１）で示される第１の窒化物半導体層を形成した多層構造であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体の成長方法。
【請求項３】 前記窒化物半導体基板が、その表面の転位密度が１０１０個／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体の成長方法。
【請求項４】 前記窒化物半導体基板が、５０〜１０００μｍの膜厚を有することを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体の成長方法。
【請求項５】 窒化物半導体基板上に、ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０≦ｂ≦１）で示される緩和層を形成し、その上に、ＡｌｅＧａ１−ｅＮ（０≦ｅ＜１）で示される第１の窒化物半導体層を形成する工程と、
前記第１の窒化物半導体層の表面に、窒化物半導体基板のＭ軸方向である＜１−１００＞、＜１０−１０＞及び＜０１−１０＞のいずれかのＭ軸方向より０．１°〜０．７°ずれた方向に、ストライプ形状の凹凸を形成する工程と、
前記凹凸を形成した第１の窒化物半導体層上に、第２の窒化物半導体層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、下記構成（１）〜（４）により、本発明の目的を達成することができる。
（１） 窒化物半導体基板上に、ＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ≦１）で示される１層以上の窒化物半導体層を形成する工程と、前記窒化物半導体層上に、窒化物半導体基板のＭ軸方向である＜１−１００＞、＜１０−１０＞及び＜０１−１０＞のいずれかのＭ軸方向より０．１°〜０．７°ずれた方向に、ストライプ形状で形成された保護膜を部分的に形成する工程と、前記保護膜の形成面上に第２の窒化物半導体層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
（２） 前記窒化物半導体層が、窒化物半導体基板上に、ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０≦ｂ≦１）で示される緩和層を形成し、その上に、ＡｌｅＧａ１−ｅＮ（０≦ｅ＜１）で示される第１の窒化物半導体層を形成した多層構造であることを特徴とする。
（３） 前記窒化物半導体基板が、その表面の転位密度が１０１０個／ｃｍ２以下であることを特徴とする。
（４） 前記窒化物半導体基板が、５０〜１０００μｍの膜厚を有することを特徴とする。
（５）窒化物半導体基板上に、ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０≦ｂ≦１）で示される緩和層を形成し、その上に、ＡｌｅＧａ１−ｅＮ（０≦ｅ＜１）で示される第１の窒化物半導体層を形成する工程と、前記第１の窒化物半導体層の表面に、窒化物半導体基板のＭ軸方向である＜１−１００＞、＜１０−１０＞及び＜０１−１０＞のいずれかのＭ軸方向より０．１°〜０．７°ずれた方向に、ストライプ形状の凹凸を形成する工程と、前記凹凸を形成した第１の窒化物半導体層上に、第２の窒化物半導体層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月5日(2007.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
これら各共通反射板１０ａ乃至１０ｄの外方には、レドーム１２が、各平面アンテナ２ａ乃至２ｄを包囲するように配置されている。このレドーム１２は、例えば円筒形に形成されており、その内周面に各共通反射板１０ａ乃至１０ｄが結合されている。このようにして、各共通反射板１０ａ乃至１０ｄがレドーム１２を支持している。従って、保持具を別途各誘電体基板４ａ乃至４ｄに設ける必要はなく、これら共通反射板１０ａ乃至１０ｄをレドーム１２の位置決めとして使用できるので、各平面アンテナの特性に影響を与えることもない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
一般に、無指向性アンテナは、例えば建物の屋上等に設けられ、移動体通信用のアンテナとして使用されることがある。建物の屋上等に取り付けられる無指向性アンテナでは、風圧を受けにくい小型のものであることが望ましい。この無指向性アンテナは、小型にできるので、このような用途に適したものとなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2001196847.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月27日(2006.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】  半導体基板の上に絶縁膜と導電層を順次形成する第１工程と、
第２の絶縁膜を形成する第２工程と、
前記第２の絶縁膜の上にレジストパターンを形成する第３工程と、
前記レジストパターンをマスクに用いて、前記第２の絶縁膜と前記導電層をドライエッチングする第４工程と、
前記レジストパターンの表面の変質層と、該レジストパターンの表面より下にある正常な層とをくっつけ、これらを剥がれなくする第５工程と、
前記レジストパターンをマスクに用いて、前記絶縁膜をエッチングする第６工程と、を備えた、半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
請求項１５に係る半導体装置の製造方法においては、まず、半導体基板の上に絶縁膜と導電層を順次形成する（第１工程）。第２の絶縁膜を形成する（第２工程）。上記第２の絶縁膜の上にレジストパターンを形成する（第３工程）。上記レジストパターンをマスクに用いて、上記第２の絶縁膜と上記導電層をドライエッチングする（第４工程）。上記レジストパターンの表面の変質層と、該レジストパターンの表面より下にある正常な層とをくっつけ、これらを剥がれなくする（第５工程）。上記レジストパターンをマスクに用いて、上記絶縁膜をエッチングする（第６工程）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２４】
2001196478.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に形成された無機ＥＬ用の誘電体厚膜であって、
前記誘電体厚膜が、鉛元素を実質的に含有せず且つタングステンブロンズ型材料を含む誘電体材料により形成されている無機ＥＬ用誘電体厚膜。
【請求項２】  前記誘電体材料が相転移点を有し、
この相転移点の温度が２００〜７００℃の間である請求項１の無機ＥＬ用誘電体厚膜。
【請求項３】  前記誘電体材料がタングステンブロンズ型材料である請求項１または２の無機ＥＬ用誘電体厚膜。
【請求項４】  請求項１から３いずれかの無機ＥＬ用誘電体厚膜を有する無機ＥＬ素子。
【請求項５】  基板上に形成された誘電体厚膜であって、
前記誘電体厚膜が鉛元素を実質的に含有しない誘電体材料により形成され、
この誘電体材料が相転移点を有し、相転移点の温度が２００〜７００℃の間である誘電体厚膜。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（５）のいずれかの構成により達成される。
（１）  基板上に形成された無機ＥＬ用の誘電体厚膜であって、
前記誘電体厚膜が、鉛元素を実質的に含有せず且つタングステンブロンズ型材料を含む誘電体材料により形成されている無機ＥＬ用誘電体厚膜。
（２）  前記誘電体材料が相転移点を有し、
この相転移点の温度が２００〜７００℃の間である上記（１）の無機ＥＬ用誘電体厚膜。
（３）  前記誘電体材料がタングステンブロンズ型材料である上記（１）または（２）の無機ＥＬ用誘電体厚膜。
（４）  請求項１から３いずれかの無機ＥＬ用誘電体厚膜を有する無機ＥＬ素子。
（５）  基板上に形成された誘電体厚膜であって、
前記誘電体厚膜が鉛元素を実質的に含有しない誘電体材料により形成され、
この誘電体材料が相転移点を有し、相転移点の温度が２００〜７００℃の間である誘電体厚膜。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月22日(2007.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明電極と不透明電極との間に挟まれたＥＬ層と、カバー材と、前記透明電極と前記カバー材との間に挟まれたスペーサーと、を有し、
前記ＥＬ層から発生した光は、前記カバー材を通して射出されることを特徴とする自発光装置。
【請求項２】
透明電極と不透明電極との間に挟まれたＥＬ層と、カバー材と、前記透明電極と前記カバー材との間に挟まれたスペーサーと、を有し、
前記透明電極と前記カバー材と前記スペーサーとの間の空間には、不活性ガスが含まれており、
前記ＥＬ層から発生した光は、前記空間と前記カバー材とを通して射出されることを特徴とする自発光装置。
【請求項３】
透明電極と不透明電極との間に挟まれたＥＬ層と、カバー材と、前記透明電極と前記カバー材との間に挟まれたスペーサーと、を有し、
前記ＥＬ層は、発光層を有し、
前記発光層と前記透明電極との間、又は前記発光層と前記不透明電極との間には、バッファー層が形成されており、
前記透明電極と前記カバー材と前記スペーサーとの間の空間には、不活性ガスが含まれており、
前記ＥＬ層から発生した光は、前記空間と前記カバー材とを通して射出されることを特徴とする自発光装置。
【請求項４】
基板上に形成された半導体素子と、前記半導体素子に電気的に接続された不透明電極と、前記不透明電極と透明電極との間に挟まれたＥＬ層と、カバー材と、前記透明電極と前記カバー材との間に挟まれたスペーサーと、を有し、
前記透明電極と前記カバー材と前記スペーサーとの間の空間には、不活性ガス含まれており、
前記ＥＬ層から発生した光は、前記空間と前記カバー材とを通して射出されることを特徴とする自発光装置。
【請求項５】
基板上に形成された半導体素子と、前記半導体素子に電気的に接続された不透明電極と、前記不透明電極と透明電極との間に挟まれたＥＬ層と、カバー材と、前記透明電極と前記カバー材との間に挟まれたスペーサーと、を有し、
前記ＥＬ層は、発光層を有し、
前記発光層と前記透明電極との間、又は前記発光層と前記不透明電極との間には、バッファー層を有し、
前記透明電極と前記カバー材と前記スペーサーとの間の空間には、不活性ガスが含まれており、
前記ＥＬ層から発生した光は、前記空間と前記カバー材とを通して射出されることを特徴とする自発光装置。
【請求項６】
ストライプ状に配列された複数の不透明電極と、前記複数の不透明電極と直交するようにストライプ状に設けられた複数の透明電極と、前記複数の不透明電極と前記複数の透
明電極との間に設けられたＥＬ層と、カバー材と、前記複数の透明電極と前記カバー材との間に挟まれたスペーサーと、を有し、 
前記複数の透明電極と前記カバー材と前記スペーサーとの間の空間には、不活性ガスが含まれており、
前記ＥＬ層から発生した光は、前記空間と前記カバー材とを通して射出されることを特徴とする自発光装置。
【請求項７】
ストライプ状に配列された複数の不透明電極と、前記複数の不透明電極と直交するようにストライプ状に設けられた複数の透明電極と、前記複数の不透明電極と前記複数の透
明電極との間に設けられたＥＬ層と、カバー材と、前記複数の透明電極と前記カバー材との間に挟まれたスペーサーと、を有し、 
前記ＥＬ層は、発光層を有し、
前記発光層と前記透明電極との間、又は前記発光層と前記不透明電極との間には、バッファー層が形成されており、
前記複数の透明電極と前記カバー材と前記スペーサーとの間の空間には、不活性ガスが含まれており、
前記ＥＬ層から発生した光は、前記空間と前記カバー材とを通して射出されることを特徴とする自発光装置。
【請求項８】
請求項２乃至請求項７のいずれか一において、
前記不活性ガスは、前記空間に充填されていることを特徴とする自発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記ＥＬ層の膜厚（ｄ）と、前記発生した光の波長（λ）と、前記ＥＬ層の屈折率（ｎ）とは、ｄ≦λ／（４ｎ）なる関係式が成立することを特徴とする自発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月26日(2007.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  システム制御手段が配された第１の電気回路基板と、
外部入力端子を有すると共に信号処理集積回路が配された第２の電気回路基板と、
前記第１及び第２の電気回路基板の間を電気的に接続するための接続手段とを有する電子機器において、
前記第２の電気回路基板の外部入力端子に外部端子が接続されていることを検出する検出手段を設け、前記検出手段の検出信号を前記信号処理集積回路の出力信号に重畳して、前記第１の電気回路基板のシステム制御手段に伝送するようにしたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明電子機器は、システム制御手段が配された第１の電気回路基板と、外部入力端子を有すると共に信号処理集積回路が配された第２の電気回路基板と、この第１及び第２の電気回路基板の間を電気的に接続するための接続手段とを有する電子機器において、この第２の電気回路基板の外部入力端子に外部端子が接続されていることを検出する検出手段を設け、この検出手段の検出信号をこの信号処理集積回路の出力信号に重畳して、この第１の電気回路基板のシステム制御手段に伝送するようにしたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月25日(2006.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撚線機用引取車及び従動車、及びそれらを用いた撚線機
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
引取車と従動車を有する撚線機に用いる引取車であって、
前記引取車を、引取車軸と同回転するブロックと、同一軸ながら回転方向が左右両回転に自在となるブロックを組み合わせた構造としたことを特徴とする撚線機用引取車。
【請求項２】
引取車と従動車を有する撚線機に用いる従動車であって、
前記従動車を、同一軸ながら回転方向が左右両回転に自在となる複数のブロックを組み合わせた構造としたことを特徴とする撚線機用従動車。
【請求項３】
引取車と従動車を有する撚線機であって、
前記引取車を、引取車軸と同回転するブロックと、同一軸ながら回転方向が左右両回転に自在となるブロックを組み合わせた構造とし、
前記従動車を、同一軸ながら回転方向が左右両回転に自在となる複数のブロックを組み合わせた構造としたことを特徴とする撚線機。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記点に鑑みなされたもので、撚線加工を施しながら、撚癖であるうねりを軽減すると共に、真円性の優れた撚線を提供する為の撚線機用引取車及び従動車、及びそれらを用いた撚線機である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するもので、請求項１の発明は、引取車と従動車を有する撚線機に用いる引取車であって、
前記引取車を、引取車軸と同回転するブロックと、同一軸ながら回転方向が左右両回転に自在となるブロックを組み合わせた構造としたことを特徴とする撚線機用引取車である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項２の発明は、引取車と従動車を有する撚線機に用いる従動車であって、
前記従動車を、同一軸ながら回転方向が左右両回転に自在となる複数のブロックを組み合わせた構造としたことを特徴とする撚線機用従動車である。
請求項３の発明は、引取車と従動車を有する撚線機であって、
前記引取車を、引取車軸と同回転するブロックと、同一軸ながら回転方向が左右両回転に自在となるブロックを組み合わせた構造とし、
前記従動車を、同一軸ながら回転方向が左右両回転に自在となる複数のブロックを組み合わせた構造としたことを特徴とする撚線機である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の実施の形態】
先ず、本発明の引取車である引取キャプスタンホイール、及び従動車である従動キャプスタンホイールについて、図１及び図２を用いて説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月12日(2007.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】電導体の表面に、螺旋状の溝又は螺旋状の突起を形成したことを特徴とする螺旋形成電導体。
【請求項２】 互いに逆方向の２つの螺旋状の溝又は螺旋状の突起が形成されていることを特徴とする請求項１記載の螺旋形成電導体。
【請求項３】 前記螺旋状の溝又は螺旋状の突起が黄金角をもって形成されていることを特徴とする請求項１記載の螺旋形成電導体。
【請求項４】 螺旋形成電導体の一端に電気的負荷を接続したことを特徴とする請求項１，２又は３記載の螺旋形成電導体。
【請求項５】 電導体の表面に螺旋状の溝又は螺旋状の突起を形成した第１の電導体と、この第１の電導体の外側にコイル状に配置した第２の電導体と、該第２の電導体の外側に配置された筒状金属板と、前記筒状金属板の外側に配置された被覆部材と、を備えることを特徴とする螺旋形成電導体装置。
【請求項６】 第２の電導体の表面に螺旋状の溝又は螺旋状の突起を形成したことを特徴とする請求項５記載の螺旋形成電導体装置。
【請求項７】 前記第１の電導体又は第２の電導体の一方又は両方の螺旋状の溝又は螺旋状の突起が黄金角をもって形成されていることを特徴とする請求項５記載の螺旋形成電導体装置。
【請求項８】 上記螺旋形成電導体装置の一端に電気的負荷を接続したことを特徴とする請求項５記載の螺旋形成電導体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
そしてまた、（７）、前記第１の電導体又は第２の電導体の一方又は両方の螺旋状の溝又は螺旋状の突起が黄金角をもって形成されている螺旋形成電導体装置に存する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
第２の電導体の両端は、第１の電導体の両端と電気的に接続されている。
ここで第２の電導体１５にも、図１〜図５の螺旋形成電導体１〜５に示すような螺旋状の溝又は突起を形成することがより好ましい。
この第２の電導体の外側には筒状金属板１６が配置される。
この筒状金属板１６は、第２の電導体１５の外周を覆うようにされており、その材質は、特殊金属板、例えば、アモルファス金属板が採用される。
更に、この特殊金属板の外側は、被覆材１７により被覆されている。
被覆材１７としては、例えば合成樹脂が採用され、具体的には、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、無機質粉末（トルマリン、蛇紋石粉末等）が使用されることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月17日(2007.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体の上方のＴＦＴと、
前記ＴＦＴと電気的に接続される第一の電極と、
前記第一の電極の上方のＥＬ層と、
前記ＥＬ層の上方の第二の電極と、を有し、
前記絶縁体の前記第一の電極を有する側と反対側の面に光散乱体を有することを特徴とする自発光装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第一の電極は陽極であり、前記第二の電極は陰極であることを特徴とする自発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第一の電極は透光性の材料を有し、前記第二の電極は遮光性の材料を有することを特徴とする自発光装置。
【請求項４】
絶縁体の上方の第一の電極と、
前記第一の電極の上方のＥＬ層と、
前記ＥＬ層の上方の第二の電極と、を有し、
前記絶縁体の前記第一の電極を有する側と反対側の面に光散乱体を有することを特徴とする自発光装置。
【請求項５】
請求項４において、前記第一の電極は陽極であり、前記第二の電極は陰極であることを特徴とする自発光装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、前記第一の電極は透光性の材料を有し、前記第二の電極は遮光性の材料を有することを特徴とする自発光装置。
【請求項７】
ＴＦＴと、
前記ＴＦＴと電気的に接続される第一の電極と、
前記第一の電極の上方のＥＬ層と、
前記ＥＬ層の上方の第二の電極と、
前記第２の電極の上方の絶縁体と、を有し、
前記絶縁体の上方に光散乱体を有することを特徴とする自発光装置。
【請求項８】
第一の電極と、
前記第一の電極の上方のＥＬ層と、
前記ＥＬ層の上方の第二の電極と、
前記第２の電極の上方の絶縁体と、を有し、
前記絶縁体の上方に光散乱体を有することを特徴とする自発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、前記光散乱体は、透光性の材料を有することを特徴とする自発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、前記光散乱体は、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、酸化インジウム、酸化スズまたは酸化亜鉛の少なくともいずれか一つを有することを特徴とする自発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記光散乱体の膜厚（Ｈ）は、前記光散乱体のピッチ（Ｗ１）に対して、Ｈ≧Ｗ１の関係を有することを特徴とする自発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、画素ピッチが前記光散乱体のピッチの２倍以上であることを特徴とする自発光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、前記光散乱体と前記絶縁体とのなす内角は、６０°以上１８０°未満であることを特徴とする自発光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一に記載の自発光装置を用いたことを特徴とする電気器具。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月4日(2007.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】映像信号処理装置及びその制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被写体に対して照明光を発光させる発光手段と、
前記発光手段により照明光が発光された被写体の画像信号を取得する撮像手段と、
前記撮像手段により得られた２フィールドの画像信号を演算して１フレームの画像を得る信号処理手段とを有し、
前記発光手段は、連続した２フィールドにおいて照明光を発光させ、
前記信号処理手段は、前記２フィールドの画像信号の何れか一方に基づいて被写体の色信号成分を取得して１フレームの画像を得ることを特徴とする映像信号処理装置。
【請求項２】  前記信号処理手段は、前記２フィールドの画像信号に基づいて被写体の輝度信号成分を取得して１フレームの画像を得ることを特徴とする請求項１に記載の映像信号処理装置。
【請求項３】  被写体の明るさを取得する取得手段を更に有し、
前記発光手段は、前記取得手段により得られた被写体の明るさに応じた発光量の照明光を発光させることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の映像信号処理装置。
【請求項４】  連続した２フィールドにおいて被写体に対して照明光を発光させる発光手段と、前記発光手段により照明光が発光された被写体の画像信号を取得する撮像手段とを有する映像処理装置の制御方法であって、
前記撮像手段により得られた２フィールドの画像信号の何れか一方に基づいて被写体の色信号成分を取得して１フレームの画像を得ることを特徴とする映像信号処理装置の制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、被写体の色情報については色フリッカの無い安定した静止画像を得ることができる映像信号処理装置及びその制御方法を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の発明特定事項としては、被写体に対して照明光を発光させる発光手段と、前記発光手段により照明光が発光された被写体の画像信号を取得する撮像手段と、前記撮像手段により得られた２フィールドの画像信号を演算して１フレームの画像を得る信号処理手段とを有し、前記発光手段は、連続した２フィールドにおいて照明光を発光させ、前記信号処理手段は、前記２フィールドの画像信号の何れか一方に基づいて被写体の色信号成分を取得して１フレームの画像を得ることを特徴とする。
また、他の本発明の発明特定事項としては、連続した２フィールドにおいて被写体に対して照明光を発光させる発光手段と、前記発光手段により照明光が発光された被写体の画像信号を取得する撮像手段とを有する映像処理装置の制御方法であって、前記撮像手段により得られた２フィールドの画像信号の何れか一方に基づいて被写体の色信号成分を取得して１フレームの画像を得ることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
【発明の効果】
本発明によれば、被写体の色情報については色フリッカの無い安定した静止画像を得ることができるという効果が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月10日(2007.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  発光ダイオードチップと、この発光ダイオードチップが出射する光が通過する凸レンズを有する発光ダイオードランプにおいて、
上記発光ダイオードチップの発光面もしくはこの発光面の延長面に直交し、かつ、上記発光面の中心を通らない平面に関して、上記凸レンズの一方の側の曲面と上記凸レンズの他方の側の曲面とは、レンズ曲率が上記平面に関して非対称であることを特徴とする発光ダイオードランプ。
【請求項２】  発光ダイオードチップと、この発光ダイオードチップが出射する光が通過する凸レンズを有する発光ダイオードランプにおいて、
上記発光ダイオードチップの発光面もしくはこの発光面の延長面に直交し、かつ、上記発光面の中心を通らない平面に関して、上記凸レンズの一方の側の曲面の曲率と上記凸レンズの他方の側の曲面の曲率は、異なっていることを特徴とする発光ダイオードランプ。
【請求項３】  請求項１または２に記載の発光ダイオードランプにおいて、
上記発光面の延長面となる平面で切断した断面が、
上記発光面の中心を通らない平面に平行であると共に上記発光面の中心を通る直線に関して非対称な形状であることを特徴とする発光ダイオードランプ。
【請求項４】  請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の発光ダイオードランプにおいて、
上記発光面の延長面となる平面で切断した断面が、所定の中心線に対して軸対称な形状であることを特徴とする発光ダイオードランプ。
【請求項５】  請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の発光ダイオードランプにおいて、
上記発光面の中心を通らない平面は、上記発光ダイオードチップの発光面の延長面に直交し、上記発光ダイオードチップと交わらないことを特徴とする発光ダイオードランプ。
【請求項６】  請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の発光ダイオードランプにおいて、
上記発光ダイオードチップを複数個有し、この複数個の発光ダイオードチップは、一方向に配列され、かつ、この配列方向が各発光ダイオードチップの発光面に垂直な平面と平行であることを特徴とする発光ダイオードランプ。
【請求項７】  請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の発光ダイオードランプにおいて、
上記凸レンズの上記一方の側の曲面または上記他方の側の曲面の少なくとも一方の曲面は、形状が異なる複数の曲面を有することを特徴とする発光ダイオードランプ。
【請求項８】  請求項７に記載の発光ダイオードランプにおいて、
上記発光面の延長面に直交すると共に上記発光面の中心を通らない平面と上記複数の曲面とがなす角度は、上記発光ダイオードチップから遠い曲面の方が小さいことを特徴とする発光ダイオードランプ。
【請求項９】  請求項８に記載の発光ダイオードランプにおいて、
上記発光面の延長面に直交すると共に上記発光面の中心を通らない平面と平行、かつ、上記複数の曲面の境界を通る境界面は、上記発光ダイオードチップを挟んで、上記発光面の延長面に直交すると共に上記発光面の中心を通らない平面と対面する位置にあることを特徴とする発光ダイオードランプ。
【請求項１０】  請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載の発光ダイオードランプにおいて、
上記複数の曲面は、
上記発光ダイオードチップの発光面の延長面に直交すると共に上記発光ダイオードチップと交わらない平面に関して、一方の側の曲面と他方の側の曲面とを含むことを特徴とする発光ダイオードランプ。
【請求項１１】  請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載の発光ダイオードランプにおいて、
複数個の上記発光ダイオードチップを有し、この複数個の発光ダイオードチップは、一方向に配列されていることを特徴とする発光ダイオードランプ。
【請求項１２】  請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載の発光ダイオードランプにおいて、
上記発光ダイオードチップは、
上記発光ダイオードチップが出射する光の複数の波長ピーク以外の波長において、光吸収帯を有する樹脂でモールドされており、この樹脂が上記凸レンズを構成していることを特徴とする発光ダイオードランプ。
【請求項１３】  請求項１または９に記載の発光ダイオードランプにおいて、
上記発光ダイオードチップは、黒色表面処理がなされたリードフレームに装着されていることを特徴とする発光ダイオードランプ。
【請求項１４】  請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載の発光ダイオードランプにおいて、
上記発光ダイオードチップの周囲の少なくとも一部を取り囲む反射カップを備え、この反射カップの内周面は黒色表面処理がなされていることを特徴とする発光ダイオードランプ。
【請求項１５】  請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載の発光ダイオードランプにおいて、
上記発光ダイオードチップを搭載するリードフレームに装着した黒色の樹脂を有し、
上記黒色の樹脂は、上記発光ダイオードチップの発光面側から上記発光ダイオードチップを搭載する上記リードフレームの搭載面を見たときに、上記搭載面の背後および上記搭載面の周縁よりも外方に位置していることを特徴とする発光ダイオードランプ。
【請求項１６】  請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載の発光ダイオードランプを備えた発光ダイオード表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の発光ダイオードランプは、発光ダイオードチップと、この発光ダイオードチップが出射する光が通過する凸レンズを有する発光ダイオードランプにおいて、
上記発光ダイオードチップの発光面もしくはこの発光面の延長面に直交し、かつ、上記発光面の中心を通らない平面に関して、上記凸レンズの一方の側の曲面と上記凸レンズの他方の側の曲面とは、レンズ曲率が上記平面に関して非対称である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、一実施形態の発光ダイオードランプは、上記発光ダイオードチップの周囲の少なくとも一部を取り囲む反射カップを備え、この反射カップの内周面は黒色表面処理がなされている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、一実施形態の発光ダイオードランプでは、上記発光ダイオードチップを搭載するリードフレームに装着した黒色の樹脂を有し、
上記黒色の樹脂は、上記発光ダイオードチップの発光面側から上記発光ダイオードチップを搭載する上記リードフレームの搭載面を見たときに、上記搭載面の背後および上記搭載面の周縁よりも外方に位置している。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月26日(2007.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶媒体アクセス装置及び記憶媒体アクセス制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データ及び前記画像データに係る印刷設定データを記憶した記憶媒体にアクセスする装置であって、
前記記憶媒体の前記画像データ及び前記印刷設定データにアクセスするアクセス手段と、
前記記憶媒体が誤消去防止状態に設定されているか否かを検出する誤消去防止検知手段と、
前記誤消去防止検知手段により、前記記憶媒体が誤消去防止状態であると検出された場合に、前記記憶媒体に記憶された画像データの変更及び消去を禁止するよう前記アクセス手段を制御するアクセス制御手段とを有し、
前記アクセス制御手段は、前記記憶媒体が誤消去防止状態であるか否かにかかわらず前記印刷設定データの変更をするよう前記アクセス手段を制御することを特徴とする記憶媒体アクセス装置。
【請求項２】
前記誤消去防止検出手段により、前記記憶媒体が誤消去防止状態であると検出された場合に、前記アクセス手段が前記印刷設定データを変更する前に、警告をする警告手段を有することを特徴とする請求項１に記載の記憶媒体アクセス装置。
【請求項３】
前記印刷設定データは、前記記憶媒体に記憶されている個々の画像データに対し、対応する画像の印刷可否又は画像の印刷枚数を指定する情報を含むことを特徴とする請求項１に記載の記憶媒体アクセス装置。
【請求項４】
前記印刷設定データは、ＤＰＯＦのファイル形式で記述されることを特徴とする請求項１に記載の記憶媒体アクセス装置。
【請求項５】
前記アクセス手段は、前記印刷設定データの変更を許可するか否かを示す変更許可情報を前記記憶手段から読み出し、
前記変更許可情報が印刷設定データの変更を許可する場合に、前記アクセス制御手段は、前記記憶媒体が誤消去防止状態であるか否かに関わらず前記印刷設定データの変更をするよう前記アクセス手段を制御し、
前記変更許可情報が印刷設定データの変更を非許可であることを示し、なおかつ、前記誤消去防止検知手段により、前記記憶媒体が誤消去防止状態であると検出された場合に、前記アクセス制御手段は前記印刷設定データの変更を禁止するよう前記アクセス手段を制御する
請求項１に記載の記憶媒体アクセス装置。
【請求項６】
画像データ及び前記画像データに係る印刷設定データを記憶した記憶媒体へのアクセスを制御する方法であって、
前記記憶媒体が誤消去防止状態に設定されているか否かを検出し、
前記記憶媒体が誤消去防止状態であると検出された場合に、前記記憶媒体に記憶された画像データの変更及び消去を禁止し、
前記記憶媒体が誤消去防止状態であるか否かにかかわらず前記印刷設定データを変更可能とする
ことを特徴とする記憶媒体アクセス制御方法。
【請求項７】
前記記憶媒体が誤消去防止状態であると検出された場合に、前記印刷設定データの変更前に警告をすることを特徴とする請求項６に記載の記憶媒体アクセス制御方法。
【請求項８】
前記印刷設定データは、前記記憶媒体に記憶されている個々の画像データに対し、対応する画像の印刷可否又は画像の印刷枚数を指定する情報を含むことを特徴とする請求項６に記載の記憶媒体アクセス制御方法。
【請求項９】
前記印刷設定データは、ＤＰＯＦのファイル形式で記述されることを特徴とする請求項６に記載の記憶媒体アクセス制御方法。
【請求項１０】
前記印刷設定データの変更を許可するか否かを示す変更許可情報を前記記憶手段から読み出し、
前記変更許可情報が印刷設定データの変更を許可する場合に、前記記憶媒体が誤消去防止状態であるか否かに関わらず前記印刷設定データの変更可能とし、
前記変更許可情報が印刷設定データの変更を非許可であることを示し、なおかつ、前記記憶媒体が誤消去防止状態であると検出された場合に、前記印刷設定データの変更を禁止する
ことを特徴とする請求項６に記載の記憶媒体アクセス制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、誤消去防止手段を具備する記憶媒体の記録情報にアクセスする記憶媒体アクセス装置及び記憶媒体アクセス制御方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る記憶媒体アクセス装置は、画像データ及び前記画像データに係る印刷設定データを記憶した記憶媒体にアクセスする装置であって、前記記憶媒体の前記画像データ及び前記印刷設定データにアクセスするアクセス手段と、前記記憶媒体が誤消去防止状態に設定されているか否かを検出する誤消去防止検知手段と、前記誤消去防止検知手段により、前記記憶媒体が誤消去防止状態であると検出された場合に、前記記憶媒体に記憶された画像データの変更及び消去を禁止するよう前記アクセス手段を制御するアクセス制御手段とを有し、前記アクセス制御手段は、前記記憶媒体が誤消去防止状態であるか否かにかかわらず前記印刷設定データの変更をするよう前記アクセス手段を制御することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る記憶媒体アクセス制御方法は、画像データ及び前記画像データに係る印刷設定データを記憶した記憶媒体へのアクセスを制御する方法であって、前記記憶媒体が誤消去防止状態に設定されているか否かを検出し、前記記憶媒体が誤消去防止状態であると検出された場合に、前記記憶媒体に記憶された画像データの変更及び消去を禁止し、前記記憶媒体が誤消去防止状態であるか否かにかかわらず前記印刷設定データを変更可能とすることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月16日(2006.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも、色分解フィルタを形成した画素と、色分解フィルタを形成していない画素とを有する撮像装置であって、前記色分解フィルタを形成した画素の光電変換領域を、前記色分解フィルタを形成していない画素の光電変換領域よりも大きくしていることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】  前記色分解フィルタを形成した画素からの電気信号に基づいて画像を形成し、前記色分解フィルタを形成していない画素からの電気信号に基づいて焦点検出を行うことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】  前記色分解フィルタを形成していない画素の光電変換領域は複数に分割されており、当該各光電変換部から選択的に電気信号を出力することによって輝度調整を行うことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項４】  前記色分解フィルタを形成していない画素の光電変換領域は、少なくとも２種類の大きさがあり、互いに異なる大きさの光電変換領域から出力される電気信号に基づいて画像の輝度調整を行うことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項５】  前記色分解フィルタを形成していない画素側に前記電気信号の転送先のフローティングディフュージョン領域を形成していることを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項６】  前記各画素の形状は矩形又は六角形であることを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項７】  前記色分解フィルタは、赤色透過フィルタ、青色透過フィルタ、緑色透過フィルタの組み合わせであり、前記赤色透過フィルタを形成した画素と前記青色透過フィルタを形成した画素とを対角状に配列し、前記緑色透過フィルタを形成した画素と前記色分解フィルタを形成していない画素とを対角状に配列することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項８】  請求項１〜７のいずれか１項に記載の撮像装置と、前記撮像装置からの電気信号を読み出して画像を形成する画像形成装置とを備えることを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、少なくとも、色分解フィルタを形成した画素と、色分解フィルタを形成していない画素とを有する撮像装置であって、前記色分解フィルタを形成した画素の光電変換領域を、前記色分解フィルタを形成していない画素の光電変換領域よりも大きくしている。