【手続補正書】
【提出日】平成19年8月21日(2007.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チエニレン−アリーレンポリマーを含む電子デバイスであって、
前記チエニレン−アリーレンポリマーは、少なくとも１つの（Ｉ）または（ＩＩ）の２，５−チエニレンセグメントと、
少なくとも１つの（ＩＩＩａ）、（ＩＩＩｂ）または（ＩＩＩｃ）のアリーレンセグメントと、を含む繰り返しセグメントを有し、
【化１】
2005072592.tif 000001
上記式において、各Ｒは独立して、アルキルまたはアルコキシ側鎖であり、
Ｒ’はハロゲン、アルキル、またはアルコキシであり、
ａおよびｂは、Ｒのセグメントまたは基の数を表し、
前記アリーレンセグメント（ＩＩＩａ）、（ＩＩＩｂ）、および（ＩＩＩｃ）の数は約１から約３であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記アリーレンが、ビス（ペンチルオキシ）フェニレンと、ビス（ヘキシルオキシ）フェニレンと、ビス（ヘプチルオキシ）フェニレンと、ビス（オクチルオキシ）フェニレンと、ビス（ノニルオキシ）フェニレンと、ビス（デシルオキシ）フェニレンと、ビス（ウンデシルオキシ）フェニレンと、ビス（ドデシルオキシ）フェニレンと、ビス（トリデシルオキシ）フェニレンと、ビス（テトラデシルオキシ）フェニレンと、およびビス（ペンタデシルオキシ）フェニレンと、からなる群より選択される、
ジアルコキシフェニレンであることを特徴とするデバイス。
【請求項３】
基板と、
ゲート電極と、
ゲート絶縁層と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、
半導体層と、を有する薄膜トランジスタであって、
前記半導体層は、請求項１に記載のチエニレン−アリーレンポリマーを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
基板と、
ゲート電極と、
ゲート絶縁層と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、
半導体層と、を有する薄膜トランジスタであって、
前記半導体層は、式（ＩＶ−ａ）または（ＩＶ−ｂ）で表されるポリマーを有し、
【化２】
2005072592.tif 000002
（ＩＶ−ａ）
【化３】
2005072592.tif 000003
（ＩＶ−ｂ）
上記各式において、Ｒは約５から約２５の炭素原子を含むアルキルまたはアルコキシであり、
Ｒ’はハロゲンまたはそれぞれ約１から約３０個の炭素原子を持つ、アルキルまたはアルコキシであり、
ｘおよびｙはセグメントの数を表し、任意に０から約１０であるが、前記ｘとｙとの合計は少なくとも１に等しく、
ｚは約１から約５であり、
ｎは重合度または前記ポリマー中の繰り返しセグメントの数であり、前記ｎは任意に約５から約５００であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項４に記載の薄膜トランジスタであって、
前記ポリマー（ＩＶ−ａ）または（ＩＶ−ｂ）は、下記（１）から（２０）に示すチエニレン−アリーレン半導体ポリマーから選択され、
【化４】
2005072592.tif 000004
（１）
【化５】
2005072592.tif 000005
（２）
【化６】
2005072592.tif 000006
（３）
【化７】
2005072592.tif 000007
（４）
【化８】
2005072592.tif 000008
（５）
【化９】
2005072592.tif 000009
（６）
【化１０】
2005072592.tif 000010
（７）
【化１１】
2005072592.tif 000011
（８）
【化１２】
2005072592.tif 000012
（９）
【化１３】
2005072592.tif 000013
（１０）
【化１４】
2005072592.tif 000014
（１１）
【化１５】
2005072592.tif 000015
（１２）
【化１６】
2005072592.tif 000016
（１３）
【化１７】
2005072592.tif 000017
（１４）
【化１８】
2005072592.tif 000018
（１５）
【化１９】
2005072592.tif 000019
（１６）
【化２０】
2005072592.tif 000020
（１７）
【化２１】
2005072592.tif 000021
（１８）
【化２２】
2005072592.tif 000022
（１９）
【化２３】
2005072592.tif 000023
（２０）
上記式中、ｎは約５から約５００であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項６】
請求項４に記載の薄膜トランジスタであって、
前記ポリマーは、下記（１）から（１５）から選択されるチエニレン−アリーレン半導体であり、
【化２４】
2005072592.tif 000024
（１）
【化２５】
2005072592.tif 000025
（２）
【化２６】
2005072592.tif 000026
（３）
【化２７】
2005072592.tif 000027
（４）
【化２８】
2005072592.tif 000028
（５）
【化２９】
2005072592.tif 000029
（６）
【化３０】
2005072592.tif 000030
（７）
【化３１】
2005072592.tif 000031
（８）
【化３２】
2005072592.tif 000032
（９）
【化３３】
2005072592.tif 000033
（１０）
【化３４】
2005072592.tif 000034
（１１）
【化３５】
2005072592.tif 000035
（１２）
【化３６】
2005072592.tif 000036
（１３）
【化３７】
2005072592.tif 000037
（１４）
【化３８】
2005072592.tif 000038
（１５）
上記式中、ｎは約５から約２００であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項７】
請求項４に記載の薄膜トランジスタであって、
前記基板は、ポリエステルと、ポリカーボネートと、ポリイミドと、のいずれかのプラスチックシートであり、
前記ゲート、ソースおよびドレイン電極は、それぞれ独立して、金と、ニッケルと、アルミニウムと、白金と、インジウムチタン酸化物と、導電性ポリマーと、分散媒中に導電性粒子の分散体を有する導電性インクまたはペーストと、のいずれかを有し、
前記ゲート絶縁層は、窒化ケイ素と、酸化ケイ素と、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリ（メタクリレート）、ポリ（ビニルフェノール）、ポリスチレン、ポリイミド、エポキシ樹脂に代表される絶縁性ポリマーと、ポリマー、ポリイミド、またはエポキシ樹脂中にナノサイズの金属酸化物粒子を分散させた無機・有機複合材料と、のいずれかを有し、
前記ソース／ドレイン電極および前記ゲート絶縁層は前記半導体層と接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項８】
請求項４に記載の薄膜トランジスタであって、
前記ポリマーは、スピンコート法、スタンプ印刷法、スクリーン印刷法、またはジェット印刷法の溶液プロセスにより形成されたチエニレン−アリーレン半導体層であり、
前記ソース／ドレイン電極および前記ゲート絶縁層は前記半導体層と接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
チエニレン−アリーレンポリマー（８）を用いたＴＦＴデバイスは、初期の電流オンオフ比が大きく（１．５×１０６）、そして時間が経過しても電流オンオフ比が徐々にしか低下しないことから、（８）はＰ３ＨＴに比較して、環境上の酸素による化学的なドーピングに対し、かなり高い空気安定性を有していることが証明される。
＜付記＞
（１）請求項１に記載のデバイスであって、前記ａおよびｂが１または２である、デバイス。
（２）請求項４に記載の薄膜トランジスタデバイスであって、ｎは約５０〜約５００、または約１００〜約３５０である、薄膜トランジスタデバイス。
（３）請求項１に記載のデバイスであって、前記チエニレン−アリーレンポリマーは、約１から約１００の（Ｉ）または（ＩＩ）の２，５−チエニレンセグメントと、約１から約１００の（ＩＩＩａ）、（ＩＩＩｂ）または（ＩＩＩｃ）のアリーレンセグメントと、を含む繰り返しセグメントを有する、デバイス。