【手続補正書】
【提出日】平成19年4月19日(2007.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、液滴吐出法でゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に、ゲート絶縁層、セミアモルファス半導体層、一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層を積層形成し、
前記ゲート電極と重なる位置に、液滴吐出法で第１の導電体層を形成し、
前記第１の導電体層をマスクとして、前記セミアモルファス半導体層と、前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層とをエッチングし、
前記第１の導電体層上に、液滴吐出法でソース配線又はドレイン配線として機能する第２の導電体層を形成し、
前記第２の導電体層をマスクとして、前記第１の導電体層と、前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層とをエッチングし、
前記セミアモルファス半導体層と、前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層は、プラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に、液滴吐出法でゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に、ゲート絶縁層、第１のセミアモルファス半導体層を積層形成し、
前記ゲート電極と重なる位置に、液滴吐出法で第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを用いて、前記第１のセミアモルファス半導体層をエッチングして第２のセミアモルファス半導体層を形成し、
前記第２のセミアモルファス半導体層上に絶縁体層を形成し、
前記絶縁体層上に、液滴吐出法で第２のマスクを形成し、
前記第２のマスクを用いて、前記絶縁体層をエッチングしてチャネル保護層を形成し、
前記第２のセミアモルファス半導体層上に、一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層を形成し、
前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層上に、液滴吐出法でソース配線又はドレイン配線として機能する導電体層を形成し、
前記導電体層をマスクとして、前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層をエッチングし、
前記第１のセミアモルファス半導体層と、前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層は、プラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１の導電体層と前記第２の導電層は、それぞれ、銀、金、又は銅を含む材料を用いて液滴吐出法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
請求項１又は請求項３において、
前記セミアモルファス半導体層と、前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層はそれぞれ、酸素濃度が５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項５】
請求項１又は請求項３において、
前記セミアモルファス半導体層と、前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層はそれぞれ、酸素濃度が１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項６】
請求項１、請求項３乃至請求項５のいずれか一項において、
前記セミアモルファス半導体層と、前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層はそれぞれ、結晶粒が分散した非晶質半導体層であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項７】
請求項１、請求項３乃至請求項５のいずれか一項において、
前記セミアモルファス半導体層と、前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層はそれぞれ、０．５〜２０ｎｍの結晶粒が分散した非晶質半導体層であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
請求項１、請求項３乃至請求項７のいずれか一項において、
前記セミアモルファス半導体層と、前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層はそれぞれ、珪化物気体を用いてプラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
請求項１、請求項３乃至請求項７のいずれか一項において、
前記セミアモルファス半導体層と、前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層はそれぞれ、珪化物気体を希ガス元素で希釈した気体を用いてプラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
請求項１、請求項３乃至請求項７のいずれか一項において、
前記セミアモルファス半導体層と、前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層はそれぞれ、珪化物気体に炭化物気体を混入させた気体を用いてプラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１１】
請求項１、請求項３乃至請求項７のいずれか一項において、
前記セミアモルファス半導体層と、前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層はそれぞれ、珪化物気体にゲルマニウム化気体を混入させた気体を用いてプラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１２】
請求項２において、
前記導電体層は、銀、金、又は銅を含む材料を用いて液滴吐出法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１３】
請求項２又は請求項１２において、
前記第１のセミアモルファス半導体層と、前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層は、酸素濃度が５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１４】
請求項２又は請求項１２において、
前記第１のセミアモルファス半導体層と、前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層は、酸素濃度が１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１５】
請求項２、請求項１２乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記第１のセミアモルファス半導体層と、前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層は、結晶粒が分散した非晶質半導体層であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１６】
請求項２、請求項１２乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記第１のセミアモルファス半導体層と、前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層は、０．５〜２０ｎｍの結晶粒が分散した非晶質半導体層であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１７】
請求項２、請求項１２乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記第１のセミアモルファス半導体層と、前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層はそれぞれ、珪化物気体を用いてプラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１８】
請求項２、請求項１２乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記第１のセミアモルファス半導体層と、前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層はそれぞれ、珪化物気体を希ガス元素で希釈した気体を用いてプラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１９】
請求項２、請求項１２乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記第１のセミアモルファス半導体層と、前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層はそれぞれ、珪化物気体に炭化物気体を混入させた気体を用いてプラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２０】
請求項２、請求項１２乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記第１のセミアモルファス半導体層と、前記一導電型の不純物を含有するセミアモルファス半導体層はそれぞれ、珪化物気体にゲルマニウム化気体を混入させた気体を用いてプラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２１】
請求項８乃至請求項１１、請求項１７乃至請求項２０のいずれか一項において、
前記珪化物気体は、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、又はＳｉＦ４であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２２】
請求項９又は請求項１８において、
前記希ガス元素は、水素、ヘリウム、アルゴン、クリプトン及びネオンから選ばれた１種または複数種であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２３】
請求項１０又は請求項１９において、
前記ゲルマニウム化気体は、ＧｅＨ４又はＧｅＦ４であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２４】
請求項１１又は請求項２０において、
前記炭化物気体は、ＣＨ４又はＣ２Ｈ６であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２５】
請求項１乃至請求項２４のいずれか一項において、
前記ゲート電極は、銀、金、又は銅を含む材料を用いて液滴吐出法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２６】
請求項１乃至請求項２５のいずれか一項において、
前記ゲート絶縁層は、窒化珪素層と、酸化珪素層とを順次積層して形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２７】
請求項１乃至請求項２５のいずれか一項において、
前記ゲート絶縁層は、第１の窒化珪素層と、酸化珪素層と、第２の窒化珪素層とを順次積層して形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。