Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月18日(2008.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  有効量のＣＰＴ-１１とＡｐｏ-２リガンドレセプターアゴニストを含む、哺乳動物細胞においてアポトーシスを増強させるための薬剤であって、Ａｐｏ-２リガンドレセプターアゴニストにさらす約６時間から約７２時間前に、ＣＰＴ-１１にさらす薬剤。
【請求項２】  ＣＰＴ-１１への暴露が、該細胞においてＤＲ４レセプターのアップレギュレーションを誘導する、請求項１に記載の薬剤。
【請求項３】  ＣＰＴ-１１への暴露が、該細胞においてＤＲ５レセプターのアップレギュレーションを誘導する、請求項１に記載の薬剤。
【請求項４】  Ａｐｏ-２リガンドレセプターアゴニストにさらす約２４又は４８時間前に、ＣＰＴ-１１にさらす、請求項１に記載の薬剤。
【請求項５】  前記Ａｐｏ-２リガンドレセプターアゴニストがＡｐｏ２Ｌポリペプチドを含んでなる、請求項１に記載の薬剤。
【請求項６】  前記Ａｐｏ-２リガンドレセプターアゴニストが抗-ＤＲ４レセプター抗体を含んでなる、請求項１に記載の薬剤。
【請求項７】  前記抗-ＤＲ４レセプター抗体がモノクローナル抗体である、請求項６に記載の薬剤。
【請求項８】  前記抗-ＤＲ４レセプターモノクローナル抗体がキメラ抗体を含んでなる、請求項７に記載の薬剤。
【請求項９】  前記抗-ＤＲ４レセプターモノクローナル抗体がヒト抗体を含んでなる、請求項７に記載の薬剤。
【請求項１０】  前記Ａｐｏ-２リガンドレセプターアゴニストが抗-ＤＲ５レセプター抗体を含んでなる、請求項１に記載の薬剤。
【請求項１１】  前記抗-ＤＲ５レセプター抗体がモノクローナル抗体である、請求項１０に記載の薬剤。
【請求項１２】  前記抗-ＤＲ５レセプターモノクローナル抗体がキメラ抗体を含んでなる、請求項１１に記載の薬剤。
【請求項１３】  前記抗-ＤＲ５レセプターモノクローナル抗体がヒト抗体を含んでなる、請求項１１に記載の薬剤。
【請求項１４】  前記Ａｐｏ-２リガンドレセプターアゴニストが、一以上のＡｐｏ-２リガンドレセプターと交差反応する抗-Ａｐｏ-２リガンドレセプター抗体である、請求項１に記載の薬剤。
【請求項１５】  一又は複数の成長阻害剤をさらに含む、請求項１に記載の薬剤。
【請求項１６】  放射線照射との併用のための、請求項１に記載の薬剤。
【請求項１７】  哺乳動物細胞が結腸直腸癌細胞である、請求項１に記載の薬剤。
【請求項１８】  有効量のＣＰＴ-１１及びＡｐｏ-２リガンドレセプターアゴニストを含む、哺乳動物癌細胞におけるアポトーシスを増強するための薬剤であって、(ａ)該哺乳動物癌細胞を、Ａｐｏ-２リガンドレセプターアゴニストにさらす約６時間〜約７２時間前に、ＣＰＴ-１１にさらし、(ｂ)前記Ａｐｏ-２リガンドレセプターアゴニストが、配列番号：１のアミノ酸残基１１４-２８１を含んでなるＡｐｏ-２リガンドポリペプチド、抗-ＤＲ４レセプター抗体及び抗-ＤＲ５レセプター抗体からなる群から選択される薬剤。
【請求項１９】  ＣＰＴ-１１への暴露が、該細胞においてＤＲ４レセプターのアップレギュレーションを誘導する、請求項１８に記載の薬剤。
【請求項２０】  ＣＰＴ-１１への暴露が、該細胞においてＤＲ５レセプターのアップレギュレーションを誘導する、請求項１８に記載の薬剤。
【請求項２１】  前記抗-ＤＲ４レセプター抗体又は抗-ＤＲ５レセプター抗体が、キメラ、ヒト化又はヒト抗体である、請求項１８に記載の薬剤。
【請求項２２】  前記哺乳動物癌細胞が結腸直腸癌細胞である、請求項１８に記載の薬剤。
【請求項２３】  前記Ａｐｏ-２リガンドポリペプチドが配列番号：１のアミノ酸残基１１４-２８１からなる、請求項１８に記載の薬剤。
【請求項２４】  有効量のＣＰＴ-１１及びＡｐｏ-２リガンドレセプターアゴニストを含む哺乳動物の癌の治療のための医薬であって、前記ＣＰＴ-１１を、Ａｐｏ-２リガンドレセプターアゴニストを投与するより約６時間〜７２時間前に投与する医薬。
【請求項２５】  前記Ａｐｏ-２リガンドレセプターアゴニストがＡｐｏ２Ｌポリペプチドを含んでなる、請求項２４に記載の医薬。
【請求項２６】  前記Ａｐｏ-２リガンドレセプターアゴニストが抗-ＤＲ４レセプター抗体を含んでなる、請求項２４に記載の医薬。
【請求項２７】  前記Ａｐｏ-２リガンドレセプターアゴニストが抗-ＤＲ５レセプター抗体を含んでなる、請求項２４に記載の医薬。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月21日(2008.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素吸収カソード材料を有するカソードと、
鉛、水銀またはカドミウムを含まない亜鉛を有するアノードと、
セパレータと、
アルカリ電解液と、
を具備し、前記水素吸収カソード材料は、等価の時間間隔内で電気化学的に製造された二酸化マンガンの等価の量よりも速く水素を吸収し、前記カソードは前記水素吸収カソード材料の８０％から９０％の重量を有することを特徴とする一次アルカリ電池。
【請求項２】
前記亜鉛は、鉛、水銀およびカドミウムを含まないことを特徴とする請求項１に記載の電池。
【請求項３】
前記亜鉛は、インジウムまたはビスマスを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の電池。
【請求項４】
前記亜鉛は、２５ｐｐｍ−１０００ｐｐｍのインジウムまたは２５ｐｐｍ−１０００ｐｐｍのビスマスを含むことを特徴とする請求項３に記載の電池。
【請求項５】
前記亜鉛は、２５ｐｐｍ−１０００ｐｐｍのインジウムおよび２５ｐｐｍ−１０００ｐｐｍのビスマスを含むことを特徴とする請求項３に記載の電池。
【請求項６】
前記水素吸収カソード材料は、ニッケル・オキシヒドロオキサイド、酸化銅、過マンガン酸バリウム、化学的に製造した二酸化マンガン、酸化銀または過マンガン酸銀を含んでいることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の電池。
【請求項７】
前記水素吸収カソード材料は、ニッケル・オキシヒドロオキサイドを含んでいることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の電池。
【請求項８】
前記水素吸収カソード材料は、酸化銀を含んでいることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の電池。
【請求項９】
前記水素吸収カソード材料は、過マンガン酸銀を含んでいることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の電池。
【請求項１０】
前記水素吸収カソード材料は、酸化銅を含んでいることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の電池。
【請求項１１】
前記水素吸収カソード材料は、過マンガン酸バリウムを含んでいることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の電池。
【請求項１２】
前記水素吸収カソード材料は、化学的に製造された二酸化マンガンを含んでいることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の電池。
【請求項１３】
前記水素吸収カソード材料は、等価の時間間隔内で電気化学的に製造された二酸化マンガンの等価の量より少なくとも２０％以上の水素を吸収することを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載の電池。
【請求項１４】
水素吸収カソード材料を含むカソードと、鉛、水銀またはカドミウムを含まない亜鉛を有するアノードと、セパレータと、アルカリ電解液とを、アルカリ電池を形成するように組み込む工程を具備する一次アルカリ電池の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月30日(2008.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】ワークピースを処理するためにＲＦ電源の供給と共に使用するプラズマリアクタであって、
天井を有し、軸対称を規定する真空チャンバと、
前記チャンバ内のワークピース支持ペデスタルと、
前記天井の少なくとも中間部分上に置かれ、それぞれの同軸ヘリカルソレノイドにおける対称軸の周りに巻かれた第１の複数導体を有する第１のソレノイドのインターリーブされたコイルアンテナと、
を備え、
前記複数導体は、前記対称軸から少なくともほぼ一様に横方向に変位され、前記複数導体は、ほぼ対称軸の方向に互いにオフセットされ、且つ、前記複数導体の各々は、ＲＦソース電源の両端に接続されることを特徴とするプラズマリアクタ。
【請求項２】前記コイルアンテナは、前記対称軸にほぼ垂直な上面と下面の間にあり、各導体によって規定されたヘリカルソレノイドは、前記上面近くの導体の上部点、及び前記下面近くの導体の下部点において終端されており、前記ＲＦ電源は、前記導体の各々の前記上部点及び下部点の両端に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマリアクタ。
【請求項３】前記上部点は、前記ＲＦ電源の出力端子に接続され、且つ前記下部点は、前記天井近くの電位を減少するように接地されていることを特徴とする請求項２に記載のプラズマリアクタ。
【請求項４】前記上部点は、ｎがコイルアンテナの前記複数導体の数である場合に、約３６０/ｎによって互いに角度的に変位されていることを特徴とする請求項２に記載のプラズマリアクタ。
【請求項５】前記下部点は、ｎがコイルアンテナの前記複数導体の数である場合に、約３６０/ｎによって互いに角度的に変位されていることを特徴とする請求項４に記載のプラズマリアクタ。
【請求項６】前記上部点は同一平面にあり、且つ、前記上面にあることを特徴とする請求項５に記載のプラズマリアクタ。
【請求項７】前記下部点は同一平面にあり、且つ、前記下面にあることを特徴とする請求項６に記載のプラズマリアクタ。
【請求項８】さらに、前記天井の上に置かれ、前記第１のソレノイドのインターリーブされた導体コイルアンテナによって囲まれ、且つそれより小さな横の広がりを有する内側コイルアンテナを有し、それにより、前記第１のソレノイドのインターリーブされた導体コイルアンテナは、外側のコイルアンテナとなることを特徴とする請求項１に記載のプラズマリアクタ。
【請求項９】さらに、前記内側のコイルアンテナに接続された第２のＲＦプラズマソース電源を有し、それにより、前記内側と外側アンテナに供給されるそれぞれのＲＦ電力レベルは、前記内側と外側アンテナから供給されたＲＦ磁界の半径方向の分布を制御するために差動的に調整可能であることを特徴とする請求項８に記載のプラズマリアクタ。
【請求項１０】前記第１のＲＦプラズマソース電源は、差動的に調整可能な電力レベルを有する２つのＲＦ出力を有し、前記２つのＲＦ出力の一方は、前記外側アンテナに接続され、その他方は内側アンテナに接続されており、それにより、前記内側と外側アンテナに供給されたそれぞれのＲＦ電力レベルは、内側と外側アンテナから供給されるＲＦ磁界の半径方向の分布を制御するために差動的に調整可能であることを特徴とする請求項８に記載のプラズマリアクタ。
【請求項１１】前記第１の複数導体の数は、前記第２の複数導体の数より大きく、且つ前記第１の複数導体の長さは、それに従って、前記外側アンテナの誘導性リアクタンスを前記内側アンテナの誘導性リアクタンスに少なくとも近づくように短くされることを特徴とする請求項８に記載のプラズマリアクタ。
【請求項１２】前記内側アンテナは、前記天井の上に置かれ、且つ前記外側アンテナの変位より小さい、前記対称軸から少なくともほぼ一様な横に変位した同軸状ヘリカルソレノイドの前記対称軸の周りに巻かれた第２の複数導体を有する第２のソレノイドのインターリーブされた導体コイルアンテナを有し、各ヘリカルソレノイドの導体は、前記対称軸に平行な方向に他のヘリカルソレノイドの導体からオフセットされていることを特徴とする請求項８に記載のプラズマリアクタ。
【請求項１３】前記外側アンテナの前記第１の複数導体の数は、前記内側アンテナの前記第２の複数導体の数より大きいことを特徴とする請求項１２に記載のプラズマリアクタ。
【請求項１４】さらに、差動的に調整可能な電力レベルを有する２つのＲＦ出力のあるＲＦプラズマソース電源を有し、前記２つのＲＦ出力の一方は前記外側アンテナに接続され、且つ他方は内側アンテナに接続され、それにより前記内側と外側アンテナに供給されるそれぞれのＲＦ電力レベルは、前記内側と外側アンテナから供給されるＲＦ磁界の半径方向の分布を制御するために作動的に調整可能であることを特徴とする請求項１３に記載のプラズマリアクタ。
【請求項１５】前記ＲＦプラズマソース電源は、
出力端子と戻り端子を有するＲＦ電力発生器と、
直列キャパシタと、
前記ＲＦ電力発生器の出力端子と前記直列キャパシタの一方の側間に接続されたインピーダンスマッチング素子と、
前記直列キャパシタの他方の側及び前記戻り端子間に接続された可変並列キャパシタと、
前記インピーダンスマッチング素子と前記直列キャパシタ間の接続点に接続された第１の出力ノードと、
前記直列キャパシタと前記可変並列キャパシタ間の接続点に接続された第２の出力ノードと、
を有することを特徴とする請求項１４に記載のプラズマリアクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月18日(2008.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電子デバイスの層のパターン形成方法であって、
受容体基材と熱転写供与体との間に活性プライマーを配置する工程と、
前記電子デバイスの材料成分を含む転写層の一部を前記供与体から前記受容体に選択的に熱転写して、前記電子デバイスの少なくとも一部を形成する工程と、を含み、
前記活性プライマーはバインダー中に分散した電子活性材料を含み、前記バインダーは前記転写層の前記受容体への選択的熱転写を促進するように選択され、前記電子活性材料は前記電子デバイスの操作性が維持されるように選択される方法。
【請求項２】  受容体上に複数の有機エレクトロルミネセンス素子をパターン形成する方法であって、
表面に配置された複数のアノードを含む受容体を提供する工程と、
ベース基材と転写層とを含み、前記転写層が有機エレクトロルミネセンス材料を含む熱転写供与体要素を提供する工程と、
前記受容体基材の表面に配置された前記アノードと、前記供与体要素の前記転写層との間に活性プライマーを配置する工程であって、前記活性プライマーはバインダー中に分散した電子活性材料を含み、前記バインダーは前記転写層の前記受容体への熱転写を促進するように選択される工程と、
前記供与体要素から前記受容体に前記転写層を選択的に熱転写して、前記受容体上に有機エレクトロルミネセンス材料のパターンを形成する工程と、
前記有機エレクトロルミネセンス材料の前記パターン上にカソード材料を付着させて、前記受容体上に複数の有機エレクトロルミネセンス素子を形成する工程と、を含み、前記素子のそれぞれは、前記アノードの中の１つ、前記活性プライマーの一部、前記有機エレクトロルミネセンス材料の一部、および前記カソードの一部をこの順序で含む方法。
【請求項３】  ベース基材と、
供与体要素から選択的に熱転写されて、電子デバイスの少なくとも一部を形成することができる熱転写層と、
前記供与体要素の最外層として前記熱転写層上に配置された活性プライマーと、
を含む熱転写供与体要素であって、前記活性プライマーはバインダー中に分散した電子活性材料を含み、前記バインダーは前記転写層の受容体への選択的熱転写を促進するように選択され、前記電子活性材料は前記電子デバイスの操作性が維持されるように選択される、熱転写供与体要素。
【請求項４】  前記ベース基材と前記熱転写層との間に光−熱変換層をさらに有する、請求項３に記載の供与体要素。
【請求項５】  前記光−熱変換層と前記転写層との間に配置された中間層をさらに有する、請求項４に記載の供与体要素。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月10日(2008.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  回路構造を製作する方法であって、
基板上にシリコン構造を形成するステップと、
シリコン構造上に酸化物フィルムを形成するステップと、
酸化物フィルムの第１の部分をマスクし、一方、第２の部分をマスクしないままにしておくステップと、
等方性プラズマエッチングによって酸化物フィルムの第２の部分を除去し、シリコン構造の一部を露出させるステップと、
酸化物フィルムの第１の部分をマスク除去するステップとを含む、方法。
【請求項２】  シリコン構造の一部の上にシリサイドフィルムを形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  シリサイドフィルムを形成するステップは、コバルトを堆積するステップと、基板をアニールしてコバルトをシリコンと反応させるステップとを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  シリサイドフィルムを形成するステップは、コバルトまたはチタンを堆積するステップと、基板をアニールしてコバルトまたはチタンをシリコンと反応させるステップとを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】  シリコン構造を形成するステップは、ポリシリコンを堆積するステップと、ポリシリコンをエッチングによって所望の形状にパターニングするステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  酸化物フィルムを形成するステップは、化学気相成長法によって酸化物を堆積するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】  等方性プラズマエッチングするステップは、ＣＨＦ3を用いてエッチングするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】  基板上に抵抗構造を製作する方法であって、
基板上にポリシリコン構造を形成するステップと、
ポリシリコン構造上に酸化物フィルムを形成するステップと、
酸化物フィルムの第１の部分をマスクし、一方、第２の部分をマスクしないままにしておくステップと、
酸化物フィルムのマスクされていない部分を等方性プラズマエッチングによって除去し、ポリシリコン構造の第１の部分を露出させるステップとを含み、ポリシリコン構造の第
２の部分は酸化物フィルムの第１の部分によって覆われたままで、抵抗構造を規定しており、前記方法はさらに、
ポリシリコン構造の第１の部分の上にシリサイドフィルムを形成するステップを含み、酸化物フィルムの第１の部分はポリシリコン構造の第２の部分上のシリサイド形成を防止する、方法。
【請求項９】  シリサイドフィルムを形成するステップは、コバルトを堆積するステップと、基板をアニールしてコバルトをシリコンと反応させるステップとを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  シリサイドフィルムを形成するステップは、コバルトまたはチタンを堆積するステップと、基板をアニールしてコバルトまたはチタンをシリコンと反応させるステップとを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】  ポリシリコン構造を形成するステップは、ポリシリコンを堆積するステップと、ポリシリコンをエッチングによって所望の形状にパターニングするステップとを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】  酸化物フィルムを形成するステップは、化学気相成長法によって酸化物を堆積するステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】  等方性プラズマエッチングするステップは、ＣＨＦ3を用いてエッチングするステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】  回路構造を製作する方法であって、
シリコン基板上にポリシリコン構造を形成するステップと、
ポリシリコン構造上に酸化物フィルムを形成するステップと、
酸化物フィルムの第１の部分をマスクし、一方、第２の部分をマスクしないままにしておくステップと、
等方性プラズマエッチングによって酸化物フィルムの第２の部分を除去し、ポリシリコン構造の一部を露出させるステップと、
酸化物フィルムの第１の部分をマスク除去するステップとを含む、方法。
【請求項１５】  ポリシリコン構造の一部の上にシリサイドフィルムを形成するステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】  シリサイドフィルムを形成するステップは、コバルトを堆積するステップと、基板をアニールしてコバルトをシリコンと反応させるステップとを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】  シリサイドフィルムを形成するステップは、コバルトまたはチタンを堆積するステップと、基板をアニールしてコバルトまたはチタンをシリコンと反応させるステップとを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】  ポリシリコン構造を形成するステップは、ポリシリコンを堆積するステップと、ポリシリコンをエッチングによって所望の形状にパターニングするステップとを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】  酸化物フィルムを形成するステップは、化学気相成長法によって酸化物を堆積するステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】  等方性プラズマエッチングするステップは、ＣＨＦ3を用いてエッチングするステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月10日(2008.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１のワークピース上に導体構造を製作する方法であって、
第１のワークピース上にシリコン膜を形成するステップと、
シリコン膜上に反射防止コーティングを形成するステップと、
反射防止コーティングの第１の部分上にマスクを形成し、第２の部分はマスクせずに残すステップと、
反射防止コーティングの第２の部分およびシリコン膜をエッチングするステップと、
マスクを除去するステップと、
等方性プラズマエッチングにより反射防止コーティングを除去するステップと、
エッチングされたシリコン膜の幅を測定するステップと、
測定幅を予測幅と比較するステップと、
測定幅と予測幅との間の差を減ずるよう、第２のワークピースのために等方性プラズマエッチングを適合させるステップとを含む、方法。
【請求項２】  シリコン膜は多結晶シリコンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  反射防止コーティングはシリコンオキシナイトライドを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  反射防止コーティングの第２の部分とシリコン膜とのエッチングは、異方性プラズマエッチングによるものである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  等方性プラズマエッチングはフルオロ種で行なわれる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  第１のワークピース上に導体構造を製作する方法であって、
第１のワークピース上にポリシリコン膜を形成するステップと、
ポリシリコン膜上に反射防止コーティングを形成するステップと、
反射防止コーティングの第１の部分上にフォトレジストマスクを形成し、第２の部分はマスクせずに残すステップと、
反射防止コーティングの第２の部分およびポリシリコン膜をエッチングするステップと、
等方性プラズマエッチングによりフォトレジストマスクおよび反射防止コーティングを除去するステップと、
エッチングされたポリシリコン膜の幅を測定するステップと、
測定幅を予測幅と比較するステップと、
測定幅と予測幅との間の差を減ずるよう、第２のワークピースのために等方性プラズマエッチングを適合させるステップとを含む、方法。
【請求項７】  反射防止コーティングはシリコンオキシナイトライドを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】  反射防止コーティングの第２の部分とポリシリコン膜とのエッチングは、異方性プラズマエッチングによるものである、請求項６に記載の方法。
【請求項９】  等方性プラズマエッチングはフルオロ種で行なわれる、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】  第１のワークピース上に導体構造を製作する方法であって、
第１のワークピース上にポリシリコン膜を形成するステップと、
ポリシリコン膜上にシリコンオキシナイトライド反射防止コーティングを形成するステップと、
シリコンオキシナイトライド反射防止コーティングの第１の部分上にフォトレジストマスクを形成し、第２の部分はマスクせずに残すステップと、
シリコンオキシナイトライド反射防止コーティングの第２の部分およびポリシリコン膜をエッチングするステップと、
フォトレジストマスクを除去するステップと、
等方性プラズマエッチングによりシリコンオキシナイトライド反射防止コーティングを除去するステップと、
エッチングされたポリシリコン膜の幅を測定し、測定幅を予測幅と比較し、測定幅と予測幅との間の差を減ずるよう、第２のワークピースのために等方性プラズマエッチングを適合させるステップとを含む、方法。
【請求項１１】  反射防止コーティングの第２の部分およびポリシリコン膜のエッチングは異方性プラズマエッチングによるものである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  等方性プラズマエッチングはフルオロ種で行なわれる、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月26日(2008.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カスタムルールを作成するカスタムルールシステムにおいて、
プロセッサと、
共に前記プロセッサに動作結合されているメモリ及び表示装置と、
前記メモリ内に格納されている複数のルールステップと、
前記メモリ内に格納されている前記複数のステップを前記表示装置に１つの配列として図形表現する手段と、
前記表示装置で目視によりカスタムルールを作成するために、前記配列から前記図形表現されたルールステップのうちの少なくとも１つを選択する手段とを組み合わせて具備するシステム。
【請求項２】
カスタムルールを作成するカスタムルールシステムにおいて、
各々がそれに関連する特定の実行可能コードを有する多数のルールステップから構成されているデータベースと、
前記データベースに動作結合され、前記ルールステップを１つのアレイとして図形表現し且つグラフィカルウィンドウを提供する表示装置を含むコンピュータと、
図形表現のために前記アレイから前記図形表現されているルールステップを選択し且つ配置するために前記アレイとインタフェースする手段と、
カスタムルールを作成するために、前記グラフィカルウィンドウ内部で前記図形表現されているルールステップを互いに結合する手段とを組み合わせて具備するシステム。
【請求項３】
カスタムルールを作成するカスタムルールシステムにおいて、
各々がそれに関連するアセンブルドコードを有し且つデータベース内に格納されている複数の図形表現されたルールステップから成る配列と、
前記配列から前記図形表現されたルールステップを個別に選択し、前記選択されたルールがほぼ縦列をなすフォーマットで配列されるように、前記選択されたルールをグラフィカルウィンドウ内に配置する手段と、
前記グラフィカルウィンドウ内に配置された前記選択されたルールステップを図形により互いに結合する手段と、
前記グラフィカルウィンドウ内に配置され、図形により互いに結合された選択されたルールステップをエキスパートシステムにおける意思決定のために採用されるべきカスタムルールとして格納する手段とを組み合わせて具備するシステム。
【請求項４】
データベースと、
前記データベース内に格納されている複数のルールステップと、
前記データベース内に格納され、各々が少なくとも１つのフィールドを含む少なくとも１つのレコードを有している複数のテーブルと、
前記複数のテーブルのうちの少なくとも１つのテーブルに格納され、各々が前記データベース内に格納されている前記ルールステップのうちの少なくとも１つと関連している複数のステップ参照と、
前記複数のテーブルのうちの少なくとも１つのテーブルに格納され、各々が前記データベース内に格納されている前記ルールステップ参照のうちの少なくとも１つと関連している複数のルール参照とを組み合わせて具備し、
同じルール参照と関連している全てのステップ参照は、個々のユーザ作成カスタムルールに含まれるそれぞれ個別のルールステップを定義するカスタムルールシステム。
【請求項５】
データベースと、
前記データベース内に実行可能コードとして格納されている複数のルールステップと、
前記データベース内に格納され、各々が複数のフィールドを含む少なくとも１つのレコードを有している複数のテーブルと、
カスタムルールを定義するために前記データベース内に格納されている個々のルールステップを参照するステップ参照を含む複数の前記フィールドとを組み合わせて具備するカスタムルールシステム。
【請求項６】
カスタムルールを作成するカスタムルールシステムにおいて、
コンピュータに結合されたデータベース内に格納されている複数の個別のルールステップと、
前記コンピュータの表示装置に前記ルールステップを図形表現する手段と、
前記表示装置のグラフィカルウィンドウで目視によりカスタムルールを形成するために、前記図形表現されたルールステップのうちの複数のルールステップを選択し、それらを互いに結合する手段とを組み合わせて具備するシステム。
【請求項７】
表示装置を有するコンピュータでカスタムルールを作成するカスタムルールシステムにおいて、
前記表示装置に表示される複数の図形表現ルールステップから成り、入力又は出力のいずれか、あるいは入力と出力の双方を有する配列と、
カスタムルールを目視により作成するために、前記図形表現ルールステップの出力を前記図形表現ルールステップの入力に結合する手段とを組み合わせて具備するシステム。
【請求項８】
カスタムルールを作成する方法において、
実行可能コードから構成される複数の個別のルールステップをコンピュータに結合されたデータベース内に格納する過程と、
前記ルールステップを前記コンピュータの表示装置にアイコンの図形配列として表現する過程と、
前記アイコンの図形配列とインタフェースすることによりカスタムルールを作成する過程とから成る方法。
【請求項９】
カスタムルールを作成する方法において、
カスタムルールに対する資産を選択する過程と、
各々が少なくとも１つの出力を含む、カスタムルールで使用されるべき複数の入力値ステップを定義する過程と、
前記入力値ステップをコンピュータのグラフィカルユーザインタフェースのグラフィカルウィンドウに表現する過程と、
各々がそれと関連するアセンブルドルールステップコードを有し且つ前記コンピュータに結合されたデータベース内に格納されている複数の図形表現ルールステップから成る行列を前記グラフィカルユーザインタフェースに表現する過程と、
前記図形表現ルールステップから成る行列から少なくとも１つの入力を含む１つの結果ステップを選択し、前記結果ステップを前記グラフィカルウィンドウ内に配置する過程と、
前記選択された結果ステップに対する入力が真である場合に作成されるであろう結果を定義する過程と、
前記図形表現ルールステップから成る行列から少なくとも１つの入力及び少なくとも１つの出力を有する少なくとも１つの演算ステップを選択し、前記少なくとも１つの演算ステップを前記グラフィカルウィンドウの、前記入力値ステップと前記結果ステップとの間に位置する場所に配置する過程と、
前記入力値ステップの各々の前記少なくとも１つの出力を前記演算ステップの前記少なくとも１つの入力に結合する過程と、
カスタムルールを作成するために、前記演算ステップの前記少なくとも１つの出力を前記結果ステップの前記少なくとも１つの入力に結合する過程とから成る方法。
【請求項１０】
データベースと、
前記データベース内に格納されている多数のテキスト識別子番号と、
前記多数のテキスト識別子番号と関連するテキストから構成されるテーブルを格納する手段と、
前記データベースを前記多数のテキスト識別子番号として書き込み且つ格納することができるように、要求に応じて、前記データベース内に格納されている前記多数のテキスト識別子番号の各々について前記テーブルからカスタムルールシステムにテキストを戻す手段とを組み合わせて具備するカスタムルールシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月29日(2008.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  水平面に固定されて該水平面から平行移動式に出し入れされるセンターマウント式ブラケット機構と共に使用するための調整式キーボードトレーにおいて、
高分子材料から作製される天板と、
高分子材料から作製され、前記天板に固定される底板と、
前記調整式キーボードトレーを前記ブラケット機構に固定する取付板とを具備し、
前記取付板が、凹状取付領域内で前記底板に固定されて、前記底板に沿って実質的に平滑な外面を維持すること、
を特徴とする調整式キーボードトレー。
【請求項２】  前記底板が前記天板に超音波溶接で固定される、請求項１に記載の調整式キーボードトレー。
【請求項３】  水平面に固定されて該水平面から平行移動式に出し入れされるブラケット機構と共に使用するための調整式キーボードトレーにおいて、
高分子材料から作製される天板と、
高分子材料から作製され、前記天板に固定される底板と、
前記天板と前記底板との間の空洞と、
前記天板と前記底板とからそれらの対向面に沿って張り出して、前記調整式キーボードトレーの側面に沿って内ポケットを形成する一連の内壁と、
前記調整式キーボードトレーの側面に沿って設けられ、前記内ポケットに位置合わせされて前記内ポケットへのアクセスを提供する開口部と、
マウス台を支持するマウスブラケットであって、前記開口部に挿入され、前記内ポケットに受容されて固定されるマウスブラケットと、
前記調整式キーボードトレーを前記ブラケット機構に固定する取付板と、
を具備することを特徴とする調整式キーボードトレー。
【請求項４】  水平面に固定されて該水平面から平行移動式に出し入れされるセンターマウント式ブラケット機構と共に使用するための調整式キーボードトレーにおいて、
高分子材料から作製される天板と、
高分子材料から作製され、前記天板に固定される底板と、
前記底板に固定される保持ブラケットであって、該保持ブラケットと前記底板との間に溝を形成する保持ブラケットと、
前記保持ブラケットに設けられる中央開口部と、
前記保持ブラケットと前記底板との間で前記溝に固定される取付板とを具備し、
前記取付板は、前記保持ブラケットの前記中央開口部を通して前記調整式キーボードトレーを前記ブラケット機構に固定し、
前記取付板は、前記調整式キーボードトレーが前記ブラケット機構による平行移動の方向に対し実質的に直交する横方向へ摺動できるように、前記溝に沿って摺動すること、
を特徴とする調整式キーボードトレー。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月9日(2008.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）少なくとも一種のエチレン性不飽和モノマーまたはオリゴマーと、
ｂ１）構造要素：
【化１】
2004509989.tif 000001
［式中、Ｘは少なくとも一つの炭素原子を有する基を表し、そしてＸから誘導された遊離ラジカルＸ・はエチレン性不飽和モノマーの重合を開始できる。］を有する少なくとも一種のニトロキシルエーテル、または
ｂ２）少なくとも一種の安定な遊離ニトロキシルラジカル：
【化２】
2004509989.tif 000002
および遊離ラジカル開始剤と、
ｃ）メルカプタン、チオエーテルおよびジスルフィドからなる群より選択される連鎖移動剤とを含む重合性組成物（但し、安定な遊離ニトロキシルラジカルが存在する場合、連鎖移動剤はジスルフィドでない。）。
【請求項２】
ａ）ニトロキシルラジカルまたはニトロキシルエーテルの存在下でのラジカル重合により生成され、かつオリゴマー／ポリマー骨格に結合されて構造要素：
【化３】
2004509989.tif 000003
を持つニトロキシル基を有するオリゴマーまたはポリマーである高分子性開始剤と、
ｂ）エチレン性不飽和モノマーまたはオリゴマーと、
ｃ）メルカプタン、チオエーテルおよびジスルフィドからなる群より選択される連鎖移動剤とを含む重合性組成物。
【請求項３】
少なくとも一種のエチレン性不飽和モノマーまたはオリゴマーの遊離ラジカル重合によりオリゴマー、コオリゴマー、ポリマーまたはコポリマー（ブロック型、ランダム型またはグラフト型）を生成する方法であって、モノマーまたはモノマー／オリゴマーを、
ｂ１）Ｏ−Ｘ結合の分断を為して二つの遊離ラジカルを形成でき、ラジカルＸ・は重合を開始できる反応条件下で構造要素：
【化４】
2004509989.tif 000004
を有する少なくとも一種のニトロキシルエーテル、または
ｂ２）少なくとも一種の安定な遊離ニトロキシルラジカル：
【化５】
2004509989.tif 000005
および遊離ラジカル開始剤と、
ｃ）メルカプタン、チオエーテルおよびジスルフィドからなる群より選択される連鎖移動剤との存在下で（共）重合することからなる方法（但し、安定な遊離ニトロキシルラジカルが存在する場合、連鎖移動剤はジスルフィドでない。）。
【請求項４】
遊離ラジカル重合によりブロック（コ）ポリマーを生成する方法であって、
ａ）ニトロキシルラジカルまたはニトロキシルエーテルの存在下でのラジカル重合により生成され、かつオリゴマー／ポリマー骨格に結合されて構造要素：
【化６】
2004509989.tif 000006
を持つニトロキシル基を有するオリゴマーまたはポリマーである高分子性開始剤と、
ｂ）エチレン性不飽和モノマーまたはオリゴマーとを、
ｃ）メルカプタン、チオエーテルおよびジスルフィドからなる群より選択される連鎖移動剤の存在下、Ｏ−ポリマー結合の分断を為して二つの遊離ラジカルを形成でき、ポリマーラジカル（高分子性開始剤）が重合を開始できる反応条件下で（共）重合することからなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月9日(2008.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下式（Ｉ）の脂肪酸類似体またはその塩、プロドラッグもしくは複合体を含んでなる、増殖性皮膚疾患の予防および／または治療を目的とした医薬組成物：
Ｒ１−［ｘｉ−ＣＨ２］ｎ−ＣＯＯＲ２              （Ｉ）
［式中、Ｒ１は、
１以上の二重結合を有する、かつ／または１以上の三重結合を有するＣ１−Ｃ２４アルケン、および／または
Ｃ１−Ｃ２４アルキン、および／または
Ｃ１−Ｃ２４アルキル、または、１個もしくは数個の位置にてフッ素、塩素、ヒドロキシ、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ、Ｃ２−Ｃ５アシルオキシ、もしくはＣ１−Ｃ４アルキルからなる群より選択される１以上の基で置換されたＣ１−Ｃ２４アルキル
であり、
Ｒ２は、水素またはＣ１−Ｃ４アルキルを表し、
ｎは、１〜１２の整数であり、
ｉは、奇数であって、ＣＯＯＲ２に関する位置を示し、
ｘｉは、互いに独立してＯ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ２、ＳｅおよびＣＨ２からなる群より選択され、
ただし、ｘｉの少なくとも１つはＣＨ２でなく、かつ、
Ｒ１がアルキンまたはアルケンであるとき、炭素−炭素三重結合または二重結合は、（ω−１）炭素と（ω−２）炭素の間、（ω−２）炭素と（ω−３）炭素の間、または（ω−３）炭素と（ω−４）炭素の間に位置する］。
【請求項２】
増殖性皮膚疾患が、乾癬、アトピー性皮膚炎、非特異性皮膚炎、原発性刺激性接触皮膚炎、アレルギー性接触皮膚炎、層状魚鱗癬、表皮剥離性角化症、前癌性日光角化症、および脂漏からなる群より選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
増殖性皮膚疾患が乾癬である、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
Ｒ１がアルキルである、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
Ｒ１がアルケンである、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
化合物がテトラデシルチオ酢酸である、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
化合物がテトラデシルセレノ酢酸である、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
局所投写される、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
下式（Ｉ）の脂肪酸類似体またはその塩、プロドラッグもしくは複合体を含んでなる、増殖阻害および／またはケラチノサイト分化の誘導を目的とした医薬組成物：
Ｒ１−［ｘｉ−ＣＨ２］ｎ−ＣＯＯＲ２            （Ｉ）
［式中、Ｒ１は、
１以上の二重結合を有する、かつ／または１以上の三重結合を有するＣ１−Ｃ２４アルケン、および／または
Ｃ１−Ｃ２４アルキン、および／または
Ｃ１−Ｃ２４アルキル、または、１個もしくは数個の位置にてフッ素、塩素、ヒドロキシ、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ、Ｃ２−Ｃ５アシルオキシ、もしくはＣ１−Ｃ４アルキルからなる群より選択される１以上の基で置換されたＣ１−Ｃ２４アルキル
であり、
Ｒ２は、水素またはＣ１−Ｃ４アルキルを表し、
ｎは、１〜１２の整数であり、
ｉは、奇数であって、ＣＯＯＲ２に関する位置を示し、
ｘｉは、互いに独立してＯ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ２、ＳｅおよびＣＨ２からなる群より選択され、
ただし、ｘｉの少なくとも１つはＣＨ２でなく、かつ、
Ｒ１がアルキンまたはアルケンであるとき、炭素−炭素三重結合または二重結合は、（ω−１）炭素と（ω−２）炭素の間、（ω−２）炭素と（ω−３）炭素の間、または（ω−３）炭素と（ω−４）炭素の間に位置する］。
【請求項１０】
化合物がテトラデシルチオ酢酸である、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
化合物がテトラデシルセレノ酢酸である、請求項９に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月26日(2008.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  次の式
【化１】
2004509954.tif 000001
［式中、R1aはＨ、NR9R10、-OR9、
【化２】
2004509954.tif 000002
であり、
R1bおよびR1cは独立してＨまたは-OR9であるか、またはR1bおよびR1cは一緒になって＝O、＝CH2または-OCH2CH2O-であり、
R2はＨ、オキソ、-OR9または-CH3であり、
R3、R4、R5およびR6は、Ｈ、シアノ、ニトロ、トリフルオロメトキシ、トリフルオロメチル、C1-6アルキルスルホニル、ハロ、-OR9、-OCH2O-、C1-6アルキル、C2-6アルケニル、C2-6アルキニル、-C(＝O)OR9、-C(＝O)NR9R10、-OC(＝O)R9、-NR9C(＝O)R10、アミノスルホニルおよび上記の任意の置換基で置換されたC1-6アルキルからそれぞれ独立して選択され；ここでR3、R4、R5およびR6の少なくとも１つがＨであり、
R9およびR10はそれぞれ独立してＨまたはC1-6アルキルであり、
R11は、C1-6アルキルチオ、C1-6アルキルスルフィニル、C1-6アルキルスルホニル、トリフルオロメチルチオ、トリフルオロメチルスルフィニル、C1-6アルカンスルホンアミド、C1-6アルカノイル、C1-6アルコキシ−カルボニル、スクシンアミド、カルバモイル、C1-6アルキルカルバモイル、ジ−C1-6アルキルカルバモイル、C1-6アルコキシ−C1-6アルキルカルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、C1-6アルカノイルアミノ、ウレイド、C1-6ウレイド、ジ−C1-6アルキルウレイド、アミノ、C1-6アルキルアミノ、またはジ−C1-6アルキルアミノによって少なくともオルト位で置換されたフェニルであり、
R12は、水素、ヒドロキシ、C1-6アルコキシ、C1-6アルカノイルオキシ、C1-6アルカノイル、C1-6アルコキシカルボニル、C1-6アルカノイルアミノ、C1-6アルキル、カルバモイル、C1-6アルキルカルバモイルおよびビス（C1-6アルキル）カルバモイルから選択され、
R13は、-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-または-CH2CH2CH2CH2-であり、
R14は、水素、ヒドロキシ、C1-6アルコキシ、C1-6アルカノイルオキシ、C1-6アルカノイル、C1-6アルコキシカルボニル、C1-6アルカノイルアミノ、C1-6アルキル、カルバモイル、C1-6アルキルカルバモイルまたはジ−C1-6アルキルカルバモイルであり、
Ｍは、-C(＝O)-または-S(＝O)2-であり、
Ｌは、-NH-または-CH2-であり、
X1およびX2は独立してＨまたはハロゲンであり；ここでX1およびX2の少なくとも１つはハロゲンであり、
ＹおよびＺは、CH2またはＯであり；ここでＹはＺと等しくなく；
ｎは０または１である］
を有する化合物および任意のその製薬上許容され得る塩。
【請求項２】  R3、R4、R5およびR6は、Ｈ、シアノ、ニトロ、-S(＝O)C1-6アルキル、ハロ、-OR9、-OCH2O-、C1-6アルキル、C2-6アルケニル、C2-6アルキニル、-C(＝O)OR9、-C(＝O)NR9R10、-OC(＝O)R9、-NR9C(＝O)R10、アミノスルホニルおよび-C1-6アルキルシアノから選択され、ここでR3、R4、R5およびR6の少なくとも２つがＨである、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】  R3、R4、R5およびR6がＨ、シアノ、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、フルオロ、ブロモ、クロロ、ヨード、ニトロ、シアノメチル、カルボキシ、カルバモイル、エチニル、メチル、エチル、ジメチルカルバモイル、メチルスルホニル、アミノスルホニル、プロパ−２−エニル、アセチルおよびアセチルアミノから選択され、ここでR3、R4、R5およびR6の少なくとも２つがＨである請求項１に記載の化合物。
【請求項４】  R3、R4、R5およびR6がＨ、シアノ、メトキシ、エチル、フルオロおよびニトロから選択され；ここでR3、R4、R5およびR6の少なくとも２つがＨである請求項１に記載の化合物。
【請求項５】  R1aは
【化３】
2004509954.tif 000003
であり、
R1bはＨであり、そして
R1cはＨである請求項１〜４のいずれかに記載の化合物。
【請求項６】  R1aは、
【化４】
2004509954.tif 000004
であり、
R1bはＨであり、そして
R1cはＨである請求項１〜４のいずれかに記載の化合物。
【請求項７】  R1aはＨ、NR9R10または-OR9である請求項１〜４のいずれかに記載の化合物。
【請求項８】  R2が-OR5または-CH3である請求項１〜７のいずれかに記載の化合物。
【請求項９】  請求項１〜８のいずれかに記載の治療上有効量の化合物を含有する医薬組成物。
【請求項１０】  請求項１〜８のいずれかに記載の化合物を含む、大うつ病、重症不安障害、ストレス性障害、不安を伴う大うつ病、摂食障害、双極性障害、薬物使用異常症、精神分裂病、精神病、運動障害、認識障害、うつ病または不安症、躁病または軽躁病、攻撃性行動、肥満、嘔吐、慢性関節リウマチ、アルツハイマー病、がん、浮腫、アレルギー性鼻炎、偏頭痛、膀胱運動機能亢進症、または蕁麻疹の治療に使用するＮＫ１アンタゴニスト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明の詳述】
本発明は、分子内で環化されたベンズアミド化合物、このような化合物を含む医薬化合物、並びにそれらの使用および製造方法に関する。これらの化合物は、ニューロキニン１（NK1）受容体の薬理学的作用を拮抗する。これらの化合物は、このような拮抗が所望される場合にはいつでも有用である。従って、このような化合物は、例えば大うつ病、重症不安障害、ストレス性疾患、不安を伴う大うつ病、摂食障害、双極性障害、薬物使用異常症、精神分裂病、精神病、運動障害、認識障害、うつ病および／または不安症、躁病または軽躁病、攻撃性行動、肥満、嘔吐、慢性関節リウマチ、アルツハイマー病、がん、浮腫、アレルギー性鼻炎、炎症、疼痛、胃腸機能亢進症、ハンチントン病、慢性閉塞性肺疾患（COPD）、高血圧、偏頭痛、膀胱運動機能亢進症または蕁麻疹の治療においてサブスタンスＰが関連しているこのような疾患の治療において重要である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月11日(2008.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ニトリル基を含む硬化部位モノマーから誘導される共重合単位を含むフルオロポリマーと、任意にペルフルオロアルキルビニルエーテルとペルフルオロアルコキシビニルエーテルとから選択されるペルフルオロビニルエーテルから誘導される共重合単位と、任意にペルフルオロオレフィン、オレフィン、フッ化ビニリデン、およびそれらの組み合わせからなる群から選択されるモノマーから誘導される共重合単位と、
（ｂ）式、Ｒ1Ｃ（ＯＲ2）＝ＮＨ（式中、Ｒ1およびＲ2は独立して、置換されたまたは未置換のアルキル、アリール、アラルキル、またはアルケニル基である。）を有する化合物およびそれらの塩を含む触媒組成物と、
（ｃ）任意にポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン‐ペルフルオロプロピルビニルエーテル共重合体、テトラフルオロエチレン‐ヘキサフルオロプロペン共重合体、およびそれらの組み合わせからなる群から選択されるフルオロポリマー充填剤と、
（ｄ）任意に追加的硬化剤、および任意に架橋助剤と
を含む組成物。
【請求項２】
（ａ）（ｉ）ペルフルオロビニルエーテルと、（ｉｉ）ニトリル基を含む硬化部位モノマーと、（ｉｉｉ）ペルフルオロオレフィン、オレフィン、フッ化ビニリデン、およびそれらの組み合わせから成る群より選択されるモノマーとから誘導される共重合単位を含むフルオロエラストマーガムと、
（ｂ）式、Ｒ1Ｃ（ＯＲ2）＝ＮＨ（式中、Ｒ1はペルフルオロアルキル基であり、Ｒ2は置換されたまたは未置換のアルキル、アリール、アラルキル、またはアルケニル基である。）を有する化合物、およびそれらの塩を含む触媒組成物と、
（ｃ）任意にオニウム塩と、
（ｄ）任意にアルコールと
を含む組成物。
【請求項３】
式、Ｒ1Ｃ（ＯＲ2）＝ＮＨ（式中、Ｒ1およびＲ2は独立して、置換されたまたは未置換のアルキル、アリール、アラルキル、またはアルケニル基である。）を有する化合物およびそれらの塩を含む触媒組成物の存在下で、フルオロポリマーを硬化する工程を含み、前記フルオロポリマーが、ニトリル基を含む硬化部位モノマーから誘導される共重合単位と、任意にペルフルオロビニルエーテルから誘導される共重合単位と、任意にペルフルオロオレフィン、オレフィン、フッ化ビニリデンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択されるモノマーから誘導される共重合単位とを含む組成物を硬化する方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法に従って調製される光学的に透明な硬化物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
適切な完全フッ素化された（過フッ素化された）(perfluorinated)ビニルエーテルとしては、式、
ＣＦ2＝ＣＦＯ（Ｒ'fＯ）a（Ｒ''fＯ）bＲf  （１）
（式中、Ｒ'fおよびＲ''fは炭素原子１〜６個の同一または異なる直鎖または分枝鎖ペルフルオロアルキレン基であり、ａおよびｂは独立して、０または１〜１０の整数であり、Ｒfは炭素原子１〜６個のペルフルオロアルキル基である。）のものが挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月11日(2008.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）ニトリル基を含む硬化部位モノマーから誘導される共重合単位を含むフルオロポリマーであって、該フルオロポリマーがフッ素樹脂およびフルオロエラストマーゴムから選択される、フルオロポリマーと、
（ｂ）式：
【化１】
2004509994.tif 000001
（式中、Ｍは、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、コバルト、鉛、鉄、スズ、カドミウム、およびカルシウムからなる群より選択される２価金属であり、Ｘは、ハロゲン化物、ヒドロキシレート、アルコキシレート、カルボキシレート、フェノキシド、スルホネート、サルフェート、サルフィット、カーボネート、およびニトレートからなる群より選択される陰イオン基であり、ｎは２〜６である）を有する２価金属アミン錯体化合物を含む触媒組成物と、
（ｃ）任意に追加の硬化剤と、任意に架橋助剤と、
を含む組成物。
【請求項２】  （ａ）（ｉ）ペルフルオロビニルエーテルと、（ｉｉ）ニトリル基を含む硬化部位モノマーと、（ｉｉｉ）ペルフルオロレフィン、オレフィン、フッ化ビニリデン、およびそれらの組合せからなる群より選択されるモノマーと、から誘導される共重合単位を含むフルオロエラストマーゴムと、
（ｂ）式：
【化２】
2004509994.tif 000002
（式中、Ｍは２価金属であり、Ｘは陰イオン基であり、ｎは３または５である。）を有する２価金属アミン錯体化合物を含む触媒組成物と、
（ｃ）任意にオニウム塩と、
（ｄ）任意にアルコールと、
（ｅ）任意にフルオロポリマー充填剤、カーボンブラック、およびそれらの組合せから選択される充填剤であって、該充填剤が、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−ペルフルオロプロピルビニルエーテルコポリマー、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロペンコポリマー、およびそれらの組合せからなる群より選択される、充填剤と、
を含む組成物。
【請求項３】  式：
【化３】
2004509994.tif 000003
（式中、Ｍは２価金属であり、Ｘは陰イオン基であり、ｎは２〜６である。）を有する化合物を含む触媒組成物の存在下で、ニトリル基を含む硬化部位モノマーから誘導される共重合単位を含むフルオロポリマーを硬化させる工程を含む組成物の硬化方法。
【請求項４】  請求項３に記載の方法により調製された硬化物品であって、該物品が、Ｏリング、ガスケット、チュービング、およびシールからなる群より選択される、物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
好適な完全フッ素化（過フッ素化）(perfluorinated)ビニルエーテルとしては、式：
ＣＦ2＝ＣＦＯ（Ｒ’fＯ）a（Ｒ”fＯ）bＲf  （１）
の過フッ素化ビニルエーテルが挙げられ、式中、Ｒ’fおよびＲ”fは同一または異なる１〜６個の炭素原子を有する直線または分岐鎖ペルフルオロアルキレン基であり、ａおよびｂは独立に０または１〜１０の整数であり、Ｒfは１〜６個の炭素原子を有するペルフルオロアルキル基である。