【手続補正書】
【提出日】平成19年11月7日(2007.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
2005225862.tif 000001
［ここで、ｍは、１〜５の整数を示し、
Ａｒは、１，４−フェニレン及び２，７−フルオレニレンから成る群から選択される基であって、場合により、各々について、直鎖状又は枝分かれ状のＣ１〜Ｃ２０アルキル残基及び少なくとも一つのＯ原子によって中断された直鎖状のＣ１〜Ｃ２０アルキル残基から成る群から選択される基で置換されていてもよい基を示し、
Ｒ１は、Ｈ、直鎖状又は枝分かれ状Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基、少なくとも一つのＯ原子によって中断された直鎖状のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、少なくとも一つのＳ原子、シリレン基、ホスホノイル基、ホスホリル基によって中断された直鎖状のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、及びＣ３〜Ｃ２０アルケニル基から成る群から選択される基を示し、
ＲＡ及びＲＢは、互いに独立して、また、各ｎに対しても独立して、Ｈ、直鎖状又は枝分かれ状Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基、１〜１０のＯ原子によって中断された直鎖状又は枝分かれ状Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基、Ｃ１〜Ｃ２０アルコキシ基から成る群から各々選択され、及び一体となってＣ１〜Ｃ６ジオキシアルキレン環を形成し、並びに
ｎは、２、３、又は４を示す］
によって示される化合物の製造方法であって、
一般式（ＩＩ）
【化２】
2005225862.tif 000002
［ここで、ｎ、Ｒ１、ＲＡ及びＲＢの各々は、一般式（Ｉ）で記載した通りである］
によって示される化合物と、
一般式（ＩＩＩ）
【化３】
2005225862.tif 000003
［ここで、ｍ及びＡｒの各々は、一般式（Ｉ）で記載した通りであり、
Ｙは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ及びＯ−ＳＯ２−ＲＣから成る群から選択される基であって、
ＲＣは、フェニル、トリル、メチル又はトリフルオロメチルを示す］
によって示される化合物を反応させることを含んでなる製造方法であり、
場合により、触媒の存在下、
場合により、溶液中で、及び
場合により、高温で
該反応を行う一般式（Ｉ）で示される化合物の製造方法。
【請求項２】
該製造方法によって製造される化合物が、
一般式（Ｉ−ａ）
【化４】
2005225862.tif 000004
［ここで、ｎ、Ｒ１、ＲＡ及びＲＢは、請求項１に記載した意味を有する］
によって示される化合物であって、
該製造方法は、一般式（ＩＩ）によって示される化合物と、
一般式（ＩＩＩ−ａ）
【化５】
2005225862.tif 000005
で示される化合物を反応させることを含んで成る請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
ＲＡ及びＲＢの各々が、Ｈを示す請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
該化合物（ＩＩ）は、
一般式（ＩＶ）
【化６】
2005225862.tif 000006
［ここで、Ｒ２は、直鎖状又は枝分かれ状のＣ１〜Ｃ２０アルキル残基を示す］
によって示される化合物と
一般式（Ｖ）
【化７】
2005225862.tif 000007
［ここで、ＲＡ、ＲＢ、Ｒ１及びｎは、式（ＩＩ）に記載した通りであり、
Ｍは、ＬｉＸ又はＭｇＸであって、Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩを示す］
によって示される化合物を反応させることを含んで成る製造方法によって製造される請求項１に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
融解挙動は、メトラーＴＡ−４０００サーモシステムＤＳＣ（示差走査熱量計）を用いて、１０Ｋ／分の走査速度で測定した。
以下に、本発明の主な態様を記載した。
１．
一般式（Ｉ）
【化１９】
2005225862.tif 000008
［ここで、ｍは、１〜５の整数を示し、
Ａｒは、１，４−フェニレン及び２，７−フルオレニレンから成る群から選択される基であって、場合により、各々について、直鎖状又は枝分かれ状のＣ１〜Ｃ２０アルキル残基及び少なくとも一つのＯ原子によって中断された直鎖状のＣ１〜Ｃ２０アルキル残基から成る群から選択される基で置換されていてもよい基を示し、
Ｒ１は、Ｈ、直鎖状又は枝分かれ状Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基、少なくとも一つのＯ原子によって中断された直鎖状のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、少なくとも一つのＳ原子、シリレン基、ホスホノイル基、ホスホリル基によって中断された直鎖状のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、及びＣ３〜Ｃ２０アルケニル基から成る群から選択される基を示し、
ＲＡ及びＲＢは、互いに独立して、また、各ｎに対しても独立して、Ｈ、直鎖状又は枝分かれ状Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基、１〜１０のＯ原子によって中断された直鎖状又は枝分かれ状Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基、Ｃ１〜Ｃ２０アルコキシ基から成る群から各々選択され、及び一体となってＣ１〜Ｃ６ジオキシアルキレン環を形成し、並びに
ｎは、２、３、又は４を示す］
によって示される化合物の製造方法であって、
一般式（ＩＩ）
【化２０】
2005225862.tif 000009
［ここで、ｎ、Ｒ１、ＲＡ及びＲＢの各々は、一般式（Ｉ）で記載した通りである］
によって示される化合物と、
一般式（ＩＩＩ）
【化２１】
2005225862.tif 000010
［ここで、ｍ及びＡｒの各々は、一般式（Ｉ）で記載した通りであり、
Ｙは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ及びＯ−ＳＯ２−ＲＣから成る群から選択される基であって、
ＲＣは、フェニル、トリル、メチル又はトリフルオロメチルを示す］
によって示される化合物を反応させることを含んでなる製造方法であり、
場合により、触媒の存在下、
場合により、溶液中で、及び
場合により、高温で
該反応を行う一般式（Ｉ）で示される化合物の製造方法。
２．
該製造方法によって製造される化合物が、
一般式（Ｉ−ａ）
【化２２】
2005225862.tif 000011
［ここで、ｎ、Ｒ１、ＲＡ及びＲＢは、上記１に記載した意味を有する］
によって示される化合物であって、
該製造方法は、一般式（ＩＩ）によって示される化合物と、
一般式（ＩＩＩ−ａ）
【化２３】
2005225862.tif 000012
で示される化合物を反応させることを含んで成る上記１に記載の製造方法。
３．
式（Ｉａ）によって示される化合物が、５−アルキル−５’−［４−（５’−アルキル−２，２’−ビチエン−５−イル）フェニル］−２，２”−ビチオフェン及び５−アルキル−５”−［４−（５”−アルキル−２，２’：５’，２”−ターチエン−５−イル）フェニル］−２，２’：５’，２”−ターチオフェンから成る群から選択され、特に、５−デシル−５”−［４−（５”−デシル−２，２’：５’，２”−ターチエン−５−イル）フェニル］−２，２’：５’，２”−ターチオフェン、５−ヘキシル−５”−［４−（５”−ヘキシル−２，２’：５’，２”−ターチエン−５−イル）フェニル］−２，２’：５’，２”−ターチオフェン、５−エチル−５”−［４−（５”−エチル−２，２’：５’，２”−ターチエン−５−イル）フェニル］−２，２’：５’，２”−ターチオフェン、５−デシル−５’−［４−（５’−デシル−２，２’−ビチエン−５−イル）フェニル］−２，２”−ビチオフェン、５−ヘキシル−５’−［４−（５’−ヘキシル−２，２’−ビチエン−５−イル）フェニル］−２，２”−ビチオフェン及び５−エチル−５’−［４−（５’−エチル−２，２’−ビチエン−５−イル）フェニル］−２，２”−ビチオフェンから成る群から選択される上記２に記載の製造方法。
４．
ＲＡ及びＲＢの各々が、Ｈを示す上記１に記載の製造方法。
５．
周期表のＶＩＩＩ族から成る群から選択される金属を含む少なくとも一種の触媒の存在下で、反応が行われる上記１に記載の製造方法。
６．
該反応は、少なくとも一種の塩基の存在下で行われる上記１に記載の製造方法。
７．
該反応は、少なくとも一種の有機溶媒の存在下で行われる上記１に記載の製造方法。
８．
一般式（ＩＩ）
【化２４】
2005225862.tif 000013
［ここで、Ｒ１は、Ｈ、直鎖状又は枝分かれ状Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基、少なくとも一つのＯ原子によって中断された直鎖状のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、少なくとも一つのＳ原子、シリレン基、ホスホノイル基、ホスホリル基によって中断された直鎖状のＣ１〜Ｃ２０アルキル基、及びＣ３〜Ｃ２０アルケニル基から成る群から選択される基を示し、
ＲＡ及びＲＢは、互いに独立して、また、各ｎに対しても独立して、Ｈ、直鎖状又は枝分かれ状Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基、１〜１０のＯ原子によって中断された直鎖状又は枝分かれ状Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基、Ｃ１〜Ｃ２０アルコキシ基から成る群から各々選択され、及び一体となってＣ１〜Ｃ６ジオキシアルキレン環を形成し、並びに
ｎは、２、３、又は４を示す］
によって示される化合物の製造方法であって、
一般式（ＩＶ）
【化２５】
2005225862.tif 000014
［ここで、Ｒ２は、直鎖状又は枝分かれ状のＣ１〜Ｃ２０アルキル残基を示す］
によって示される化合物と
一般式（Ｖ）
【化２６】
2005225862.tif 000015
［ここで、ＲＡ、ＲＢ、Ｒ１及びｎは、式（ＩＩ）に記載した通りであり、
Ｍは、ＬｉＸ又はＭｇＸであって、Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩを示す］
によって示される化合物を反応させることを含んで成る製造方法。
９．
式（ＩＩ）によって示される化合物は、４，４，５，５−テトラメチル−２−［５’−（１０−ウンデセニル）−２，２’−ビチエン−５−イル］−１，３，２−ジオキサボロラン（ＩＩ−ａ）、２−（５”−デシル−２，２’：５’，２”−ターチエン−５−イル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（ＩＩ−ｂ）、４，４，５，５−テトラメチル−２−［５’−ヘキシル−２，２’−ビチエン−５−イル］−１，３，２−ジオキサボロラン（ＩＩ−ｃ）、及び２−（５”−ヘキシル−２，２’：５’，２”−ターチエン−５−イル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（ＩＩ−ｄ）から成る群から選択される上記８に記載の製造方法。
１０．
該化合物（ＩＩ）が、上記８に記載の製造方法によって製造される上記１に記載の製造方法。
１１．
上記１に記載の製造方法によって製造される化合物（Ｉ）を含んで成る半導性コーティング。
１２．
上記１に記載の化合物（Ｉ）を含んで成る少なくとも一つのコーティング層を含んで成る製造物品であって、該製造物品は、アクティブ電子部品、発光電子部品、電界効果トランジスタ、有機発光ダイオード、光電池、レーザー及びセンサーから成る群から選択される製造物品。
１３．
基材を準備すること、及び
上記１に記載の化合物（Ｉ）を含んで成るコーティング組成物を、該基材に適用すること
を含んで成る上記１２に記載の製造物品の製造方法。
１４．
該コーティング組成物は、更に溶媒を含んで成り、
該製造方法は、該組成物を該基材に適用した後、該コーティング組成物から溶媒を蒸発させることを、更に含んで成る上記１３に記載の製造方法。
１５．
該コーティング組成物を気相に転化すること、及び気相のコーティング組成物を該基材に凝縮させることを、更に含んで成る上記１３に記載の製造方法。
１６．
適用工程は、該コーティング組成物を該基材上にスパッタリングすることを含んで成り、該製造方法は、スパッタリングしたコーティング組成物を該基材上に凝縮させることを、更に含んで成る上記１３に記載の製造方法。