【手続補正書】
【提出日】平成19年8月20日(2007.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＮベースの多数の層を有する半導体デバイスをエピタキシャル成長によって製造する方法であって、
ＧａＮベースの層（４）を、基板ボディ（１）と介在層（２）とを有する張り合せ基板上に被着し、この場合、基板ボディ（１）の熱膨張係数が、ＧａＮベースの層（４）の熱膨張係数に近似しているか又はＧａＮベースの層（４）の熱膨張係数よりも大きく、かつＧａＮベースの層（４）を介在層（２）上に析出させることを特徴とする、ＧａＮベースの半導体デバイスを製造する方法。
【請求項２】
介在層（２）の厚さは、張り合せ基板の熱膨張係数がおもに基板ボディ（１）によって決定される程度に薄い、請求項１記載の方法。
【請求項３】
基板ボディ（１）が、ＳｉＣ、ポリＳｉＣ、Ｓｉ、ポリＳｉ、サファイア、ＧａＮ、ポリＧａＮ又はＡｌＮを有する、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
介在層（２）が、ＳｉＣ、Ｓｉ、サファイア、ＭｇＯ、ＧａＮ又はＡｌＧａＮを有する、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
介在層（２）が、少なくとも部分領域で単結晶の表面を有する、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
基板ボディ（１）がポリＳｉＣを、介在層（２）が単結晶のＳｉＣを有する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
基板ボディ（１）がポリＳｉを、介在層（２）が単結晶のＳｉを有する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
基板ボディ（１）がポリＧａＮを、介在層（２）が単結晶のＧａＮを有する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
ＧａＮベースの層（４）を、介在層（２）の、Ｓｉ（１１１）表面上に又は少なくとも部分領域で単結晶のＳｉＣ表面上に析出させる、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
介在層（２）を、ボンディング法、特に酸化ボンディング法又はウェハボンディング法によって基板ボディ（１）上に被着する、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
基板ボディ（１）と介在層（２）との間に、固着層（３）を形成する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
固着層（３）が、酸化ケイ素を有する、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
ＧａＮベースの層を張り合せ基板上に被着する前に、エピタキシャル窓を有するマスク層（７）を形成し、その際、エピタキシャル窓の内の張り合せ基板のエピタキシャル表面をカバーされないままにする、請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
ＧａＮベースの層（４）を張り合せ基板上に被着した後、個別の半導体層積層体（５）に構造化する、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
前記方法に、
支持体（６）を半導体層積層体（５）上に被着する段階、及び
張り合せ基板を剥離する段階を続けて行う、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記方法に、
介在支持体を半導体層積層体（５）上に被着する段階、
張り合せ基板を剥離する段階、
支持体（６）を、半導体層積層体（５）の、張り合せ基板が剥離した側に被着する段階、及び
介在支持体を剥離する段階を続けて行う、請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
支持体（６）が、ＧａＡｓ、ゲルマニウム、ケイ素、酸化亜鉛、モリブデン、アルミニウム、銅、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくとも１つの化合物もしくは少なくとも１つの元素を有する、請求項１５又は１６記載の方法。
【請求項１８】
基板ボディがサファイアを、支持体（６）がＧａＡｓ、モリブデン、タングステン又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を有する、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
基板ボディ（１）がＳｉＣを、支持体（６）がケイ素又はＳｉＣを有する、請求項１７記載の方法。
【請求項２０】
支持体（６）の熱膨張係数が、ＧａＮベースの層（４）の熱膨張係数に適合する、請求項１５から１９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２１】
支持体（６）の熱膨張係数が、基板ボディ（１）の熱膨張係数に適合する、請求項１５から２０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２２】
支持体（６）の熱膨張係数が、基板ボディ（１）の熱膨張係数とＧａＮベースの層（４）の熱膨張係数との間にある、請求項１５から２１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２３】
ＧａＮベースの層（４）もしくは半導体層積層体（５）上に、リフレクタ層（９）を形成する、請求項１から２２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２４】
リフレクタ層（９）を、金属層の被着によって形成する、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記金属層が、銀、アルミニウム、又は銀−又はアルミニウム合金を有する、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
リフレクタ層（９）が、同時に接触面としての役割を果たす、請求項２３から２５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２７】
リフレクタ層（９）を、誘電性リフレクタ形成によって形成する、請求項２３記載の方法。
【請求項２８】
半導体層積層体（５）の表面を、少なくとも局部的に粗面化する、請求項１４から２７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２９】
半導体層積層体（５）の表面を、エッチングによって粗面化する、請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
半導体層積層体（５）の表面を、サンドブラスト法によって粗面化する、請求項２８又は２９記載の方法。
【請求項３１】
放射線を発するダイオード、ＬＥＤ及び半導体レーザーを含む、放射線を発する又は放射線を検出する半導体デバイスにおいて、
前記デバイスが多数のＧａＮベースの層（４）を有する半導体層積層体（５）を有し、前記半導体層積層体は支持体（６）上に被着されていて、前記支持体はＧａＮベースの層のエピタキシャル基板とは異なっていて、かつ前記薄層半導体デバイスはＧａＮベースの層のエピタキシャル基板を有していないことを特徴とする、半導体デバイス。
【請求項３２】
支持体と半導体層積層体との間にリフレクタ金属層（９）が設けられている、請求項３１記載の半導体デバイス。
【請求項３３】
金属層が、銀、アルミニウム、又は銀合金又はアルミニウム合金を有する、請求項３２記載の半導体デバイス。
【請求項３４】
リフレクタ層（９）が、同時に接触面としての役割を果たす、請求項３２又は３３記載の半導体デバイス。
【請求項３５】
支持体（６）が、ＧａＡｓ、ゲルマニウム、ケイ素、酸化亜鉛、モリブデン、アルミニウム、銅、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくとも１つの化合物もしくは少なくとも１つの元素を有する、請求項３１から３４までのいずれか１項記載の半導体デバイス。
【請求項３６】
支持体（６）がＧａＡｓ、モリブデン、タングステン又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を有する、請求項３１から３５までのいずれか１項記載の半導体デバイス。
【請求項３７】
支持体（６）がケイ素又はＳｉＣを有する、請求項３１から３５までのいずれか１項記載の半導体デバイス。
【請求項３８】
支持体（６）の熱膨張係数が、ＧａＮベースの層（４）の熱膨張係数に適合している、請求項３１から３７までのいずれか１項記載の半導体デバイス。
【請求項３９】
半導体層積層体（５）の表面が、少なくとも局部的に粗面化されている、請求項３１から３８までのいずれか１項記載の半導体デバイス。