【手続補正書】
【提出日】平成18年12月20日(2006.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被処理体に対してプラズマ処理を施すための下部電極構造であって、
導電性材料からなる基台と、
この基台上に設けられ、被処理体が載置される誘電体層およびこの誘電体層の下に前記基台とは電気的に絶縁して設けられた電極を有する静電吸着部材と、
前記静電吸着部材の電極に一端が接続された第１の配線と、
第１の配線の他端に接続された直流電源と、
前記基台に一端が接続された第２の配線と、
第２の配線の他端に接続された高周波電源と、
第１の配線と第２の配線とを接続する第３の配線と、
第３の配線上に設けられたキャパシタと、
第２の配線上に設けられ、第２の配線と第３の配線との接続点と、前記基台との間に介在するキャパシタと、
を具備し、
前記第２の配線上に設けられたキャパシタと前記第３の配線上に設けられたキャパシタとは等しい容量を有することを特徴とする下部電極構造。
【請求項２】  前記直流電源と前記第３の配線上に設けられたキャパシタとの間の前記第１の配線上にローパスフィルタをさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の下部電極構造。
【請求項３】  導電性材料からなる基台と、この基台上に設けられ、被処理体が載置される誘電体層およびこの誘電体層の下に前記基台とは電気的に絶縁して設けられた電極とを有する静電吸着部材とを具備し、前記被処理体に対してプラズマ処理を施す装置に用いるための下部電極構造であって、
前記静電吸着部材の前記電極に直流電圧を印加する直流電源を含む第１の電源経路と、
前記基台に高周波電力を供給する電源を含む第２の電源経路と、
前記第１の電源経路と前記第２の電源経路を電気的に繋ぎ、高周波電源側から前記電極へ前記高周波電力を流入させるためのキャパシタを経路上に有する第３の電源経路と
を具備することを特徴とする下部電極構造。
【請求項４】  第２の電源経路上に設けられ、第２の電源経路と第３の電源経路との接続点と、前記基台との間に介在するキャパシタをさらに具備することを特徴とする請求項３に記載の下部電極構造。
【請求項５】  前記第２の電源経路上に設けられたキャパシタと、第３の電源経路上に設けられたキャパシタとは等しい容量を有することを特徴とする請求項３に記載の下部電極構造。
【請求項６】  前記直流電源と前記第３の電源経路に設けられたキャパシタとの間の前記第１の電源経路にローパスフィルタをさらに具備することを特徴とする請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の下部電極構造。
【請求項７】  前記静電吸着部材の誘電体層はセラミックからなることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の下部電極構造。
【請求項８】  前記基台の下方から前記基台および前記静電吸着部材を介して前記誘電体層と被処理体との間に熱伝達ガスを供給するためのガス供給手段を有することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の下部電極構造。
【請求項９】  前記基台を冷却する冷却機構をさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の下部電極構造。
【請求項１０】  気密に保持可能であり、被処理体にプラズマ処理を施すチャンバーと、
前記チャンバー内に収容され、被処理体の載置面を有する下部電極構造と、
前記チャンバー内に前記下部電極構造の載置面に対向するように設けられた上部電極と、
前記チャンバー内を排気する排気手段と、
前記チャンバー内に処理ガスを導入する処理ガス供給手段と
を具備し、
前記高周波電源からの高周波電力によりチャンバー内に処理ガスのプラズマを形成し、このプラズマにより被処理体に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記下部電極構造は、
導電性材料からなる基台と、
この基台上に設けられ、被処理体の載置面を有する誘電体層およびこの誘電体層の下に前記基台とは電気的に絶縁して設けられた電極を有する静電吸着部材と、
前記静電吸着部材の電極に一端が接続された第１の配線と、
第１の配線の他端に接続された直流電源と、
前記基台に一端が接続された第２の配線と、
第２の配線の他端に接続された高周波電源と、
第１の配線と第２の配線とを接続する第３の配線と、
第３の配線上に設けられたキャパシタと、
第２の配線上に設けられ、第２の配線と第３の配線との接続点と、前記基台との間に介在するキャパシタと、
を有し、
前記第２の配線上に設けられたキャパシタと前記第３の配線上に設けられたキャパシタとは等しい容量を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１１】  前記静電吸着部材の誘電体層はセラミックからなることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】  前記基台の下方から前記基台および前記静電吸着部材を介して前記誘電体層と被処理体との間に熱伝達ガスを供給するためのガス供給手段を有することを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】  前記基台を冷却する冷却機構をさらに具備することを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】  前記直流電源と前記第３の配線上に設けられたキャパシタとの間の前記第１の配線上にローパスフィルタをさらに具備することを特徴とする請求項１０から請求項１３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】  前記対向電極に高周波電力を供給する高周波電源をさらに具備することを特徴とする請求項１０から請求項１４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の観点によれば、被処理体に対してプラズマ処理を施すための下部電極構造であって、
導電性材料からなる基台と、
この基台上に設けられ、被処理体が載置される誘電体層およびこの誘電体層の下に前記基台とは電気的に絶縁して設けられた電極を有する静電吸着部材と、
前記静電吸着部材の電極に一端が接続された第１の配線と、
第１の配線の他端に接続された直流電源と、
前記基台に一端が接続された第２の配線と、
第２の配線の他端に接続された高周波電源と、
第１の配線と第２の配線とを接続する第３の配線と、
第３の配線上に設けられたキャパシタと、
第２の配線上に設けられ、第２の配線と第３の配線との接続点と、前記基台との間に介在するキャパシタと、
を具備し、
前記第２の配線上に設けられたキャパシタと前記第３の配線上に設けられたキャパシタとは等しい容量を有することを特徴とする下部電極構造が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の第３の観点によれば、気密に保持可能であり、被処理体にプラズマ処理を施すチャンバーと、
前記チャンバー内に収容され、被処理体の載置面を有する下部電極構造と、
前記チャンバー内に前記下部電極構造の載置面に対向するように設けられた上部電極と、
前記チャンバー内を排気する排気手段と、
前記チャンバー内に処理ガスを導入する処理ガス供給手段と
を具備し、
前記高周波電源からの高周波電力によりチャンバー内に処理ガスのプラズマを形成し、このプラズマにより被処理体に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記下部電極構造は、
導電性材料からなる基台と、
この基台上に設けられ、被処理体の載置面を有する誘電体層およびこの誘電体層の下に前記基台とは電気的に絶縁して設けられた電極を有する静電吸着部材と、
前記静電吸着部材の電極に一端が接続された第１の配線と、
第１の配線の他端に接続された直流電源と、
前記基台に一端が接続された第２の配線と、
第２の配線の他端に接続された高周波電源と、
第１の配線と第２の配線とを接続する第３の配線と、
第３の配線上に設けられたキャパシタと、
第２の配線上に設けられ、第２の配線と第３の配線との接続点と、前記基台との間に介在するキャパシタと、
を有し、
前記第２の配線上に設けられたキャパシタと前記第３の配線上に設けられたキャパシタとは等しい容量を有することを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、第２の配線上に、第２の配線と第３の配線との接続点と、前記基台との間に介在するキャパシタが設けられているので、静電吸着部材の電極に印加される高周波と基台に印加される高周波の位相を調節することができ、これらの位相差を極力小さくして異常放電を防止することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
さらに、この場合に、第２の配線に設けるキャパシタおよび第３の配線に設けるキャパシタとして容量が等しいものを使用することにより、第２の配線と第３の配線との接続点から平面電極までのインピーダンスと、この接続点から基台までのインピーダンスとを等しくすることができ、静電吸着部材の電極に印加される高周波と基台に印加される高周波の位相を一致させることができるので、異常放電を最も有効に防止することができる。