Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月28日(2019.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
懸濁媒中に分散した少なくとも１のアミノプラストコア・シェルマイクロカプセルを含むカプセル化香料組成物であって、該マイクロカプセルは、シェル中にカプセル化香料含有コアを含み、前記シェルは、架橋アミノプラスト樹脂のネットワークを含み、ここで、該樹脂のうちの７５〜１００ｗｔ％は、５０〜９０ｗｔ％、好ましくは６０〜８５ｗｔ％のターポリマー、および１０〜５０ｗｔ％、好ましくは１０〜２５ｗｔ％のポリマー性安定剤を含み；該ターポリマーは、以下：
（ａ）２０〜３５ｗｔ％、好ましくは２２〜３０ｗｔ％の、少なくとも１のトリアミンから誘導される部分、
（ｂ）３０〜６０ｗｔ％、好ましくは４０〜５５ｗｔ％の、少なくとも１のジアミンから誘導される部分、
（ｃ）２０〜３５ｗｔ％、好ましくは２２〜３０ｗｔ％の、１〜６個のメチレン単位、好ましくは１〜４個のメチレン単位、および最も好ましくは１個のメチレン単位を有するアルキレンおよびアルキレンオキシ部分からなる基から誘導される部分、
を含み、
ここで、部分ａ）、ｂ）およびｃ）を含むターポリマーが、ジアミンで架橋されたアミノ−アルデヒド前縮合体の縮合生成物であり、
マイクロカプセルが二層マイクロカプセルである、
前記カプセル化香料組成物。
【請求項２】
アミノ−アルデヒド前縮合体が、メラミン−ホルムアルデヒド前縮合体である、請求項１に記載のカプセル化香料組成物。
【請求項３】
少なくとも１のジアミンが、ウレアおよび３−置換１，５−ジアミノ−２，４，６−トリアジンからなる群より選択される、請求項１または２に記載のカプセル化香料組成物。
【請求項４】
目視検査により無色であり、CIELABスケールにおいて３以下のΔＥ値を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のカプセル化香料組成物。
【請求項５】
ターポリマーがさらに芳香族ポリオールを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のカプセル化香料組成物。
【請求項６】
芳香族ポリオールが、レゾルシノール、フェノール、３，５−ジヒドロキシトルエン、ビスフェノールＡ、ヒドロキノン、キシレノール、ポリヒドロキシナフタレン、ならびにセルロースおよびフミン酸の分解により生成されるポリフェノールからなる群より選択される、請求項５に記載のカプセル化香料組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項において定義されるとおりのカプセル化香料組成物を形成する方法であって、該方法は、水性連続相中に分散した少なくとも１の香料を含有する油滴を含む水中油型エマルジョンを形成するステップ、ここで、該連続相は、アミノ−アルデヒド前縮合体およびジアミン架橋剤を含む；ならびに、４．６±２のｐＨにおいて、エマルジョンの温度を、上昇させた温度まで上昇させて、アミノ−アルデヒド前縮合体およびジアミンに重縮合および架橋反応を受けさせ、それにより液滴の周囲に架橋アミノプラスト樹脂シェルを形成するステップを含む、前記方法。
【請求項８】
上昇させた温度が８８℃±１℃である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
１時間より長い時間、および特に７５分間をかけて温度を８８℃±１℃まで上昇させる、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１〜６のいずれか一項において定義されるとおりのカプセル化香料組成物を形成する、請求項７〜９のいずれか一項に記載の方法であって、上昇させた温度において、ｐＨを低下させ、さらなるアミノ−アルデヒド前縮合体を添加して、第２の層を形成させる、前記方法。
【請求項１１】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のカプセル化香料組成物を含む、芳香付けされたパーソナルケア、家事、洗浄およびクリーニング製品。
【請求項１２】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のカプセル化香料組成物の調製における、変色を軽減、除去または予防するための、ジアミンの使用。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月9日(2019.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下のステップを含む、可溶性マイクロクロップタンパク質を含む産生物を生成するためのマイクロクロップを含むバイオマスに処理を行う方法：
溶解バイオマスを形成するためにバイオマスを溶解するステップ；
ジュース画分及び固形画分を生成するために溶解バイオマスを分離するステップ、
第１ジュース及び第１ケーキを生成するためにジュース画分を分離するステップ；並びに
第１可溶性タンパク質及び第１リジェクト流を生成するために第１ジュースをろ過するステップであって、溶解バイオマスからシュウ酸塩を沈殿させるステップ、及びジュース画分からシュウ酸塩を沈殿させるステップの少なくとも１つをさらに含み、並びに
第１可溶性タンパク質が約０．６％ＤＭＢ未満のシュウ酸含有量を有する上記ステップ。
【請求項２】
第１可溶性タンパク質が約０．１％ＤＭＢ未満のシュウ酸含有量を有する、又は
第１可溶性タンパク質が約０．０５％ＤＭＢ未満のシュウ酸含有量を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
浸漬バイオマスを形成するためにバイオマスを第２培地中に浸漬するステップであって、第２培地が、約８ｐｐｍ未満のカルシウム源若しくは約４ｐｐｍ未満の窒素源又は両方を含む上記ステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第３培地中で浸漬バイオマスを緩衝するステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ジュース画分からシュウ酸塩を沈殿させるステップ、及び第２可溶性タンパク質及び第２リジェクト流を生成するために第１可溶性タンパク質をろ過するステップの少なくとも１つをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
濃縮タンパク質産生物及び透過物を生成するために第２可溶性タンパク質をろ過するステップをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
乾燥タンパク質濃縮物を生成するために濃縮タンパク質産生物を乾燥させるステップであって、乾燥タンパク質濃縮物が重量で少なくとも約５０％のタンパク質濃度を有する上記ステップ、乾燥タンパク質濃縮物を生成するために濃縮タンパク質産生物を乾燥させるステップであって、乾燥タンパク質濃縮物が少なくとも５０％の溶解度値を有する上記ステップ、及び乾燥タンパク質濃縮物を生成するために濃縮タンパク質産生物を乾燥させるステップであって、乾燥タンパク質濃縮物が少なくとも５０％の分散性値を有する上記ステップの少なくとも1つをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記マイクロクロップがアオウキクサ（Ｌｅｍｎａ）である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
以下のステップを含む工程によって産生される、マイクロクロップを含むバイオマス由来可溶性タンパク質産生物：
バイオマスを形成するために第１培地中でマイクロクロップを培養するステップ；
バイオマスを収集するステップ；
溶解バイオマスを形成するためにバイオマスを溶解するステップ；
ジュース画分及び固形画分を生成するために溶解バイオマスを分離するステップ；
第１ジュース及び第１ケーキを生成するためにジュース画分を分離するステップ；並びに
第１可溶性タンパク質及び第１リジェクト流を生成するために第１ジュースをろ過するステップ、
該方法は溶解バイオマスからシュウ酸塩を沈殿させるステップ及びジュース画分からシュウ酸塩を沈殿させるステップの少なくとも１つをさらに含み、並びに
第１可溶性タンパク質が０．６％ＤＭＢ未満のシュウ酸含有量を有する。
【請求項１０】
前記工程が、バイオマスを第２培地中に浸漬するステップであって、第２培地が：約８ｐｐｍ未満のカルシウム源若しくは約４ｐｐｍ未満の窒素源又は両方を含む上記ステップ、及び第３培地中でバイオマスを緩衝するステップの少なくとも１つをさらに含む、請求項９に記載の可溶性タンパク質産生物。
【請求項１１】
第１可溶性タンパク質が０．１％ＤＭＢ未満のシュウ酸含有量を有する、又は
第１可溶性タンパク質が０．０５％ＤＭＢ未満のシュウ酸含有量を有する、請求項９に記載の可溶性タンパク質産生物。
【請求項１２】
前記工程が、第２可溶性タンパク質及び第２リジェクト流を生成するために第１可溶性タンパク質をろ過するステップをさらに含む、請求項９に記載の可溶性タンパク質産生物。
【請求項１３】
前記工程が、濃縮タンパク質産生物及び透過物を生成するために第２可溶性タンパク質をろ過するステップをさらに含む、請求項１２に記載の可溶性タンパク質産生物。
【請求項１４】
前記工程が、乾燥タンパク質濃縮物を生成するために濃縮タンパク質産生物を乾燥させるステップであって、乾燥タンパク質濃縮物が重量で少なくとも約５０％のタンパク質濃度を有する上記ステップ、乾燥タンパク質濃縮物を生成するために濃縮タンパク質産生物を乾燥させるステップであって、乾燥タンパク質濃縮物が少なくとも５０％の溶解度値を有する上記ステップ、及び乾燥タンパク質濃縮物を生成するために濃縮タンパク質産生物を乾燥させるステップであって、乾燥タンパク質濃縮物が少なくとも５０％の分散性値を有する上記ステップの少なくとも１つをさらに含む、請求項１３に記載の可溶性タンパク質産生物。
【請求項１５】
前記マイクロクロップがアオウキクサ（Ｌｅｍｎａ）である、請求項９に記載の可溶性タンパク質産生物。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月26日(2019.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トレッドが、少なくとも１種の補強用充填剤；架橋系；並びに、下記：
・15〜75phr (エラストマー100質量部当りの質量部)のイソプレンエラストマー、および・25〜85phrのスズ官能化されたブタジエンとスチレンのコポリマー、
を含むエラストマーマトリックスをベースとする組成物を含み、
イソプレンエラストマーとスズ官能化されたブタジエンとスチレンとのコポリマーとの総含有量が45〜100phrの範囲内であり、
前記スズ官能化されたブタジエンとスチレンとのコポリマーが、低スチレン含有量を有するスズ官能化されたブタジエンとスチレンとのコポリマーであって、前記スチレン含有量が10%〜19%の範囲内であることを特徴とする航空機タイヤ。
【請求項２】
イソプレンエラストマーの含有量が、20〜65phrの範囲内である、請求項１記載のタイヤ。
【請求項３】
スズ官能化されたブタジエンとスチレンとのコポリマーの含有量が、35〜80phrの範囲内である、請求項１〜２のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項４】
イソプレンエラストマーとスズ官能化されたブタジエンとスチレンとのコポリマーの総含有量が、100phrである、請求項１〜３のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項５】
前記エラストマーマトリックスが、0よりも多く55phrまでの他のジエンエラストマーを含む、請求項１〜３のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項６】
前記他のジエンエラストマーが、スズで官能化されていないブタジエンとスチレンのコポリマー、ポリブタジエンおよびこれらの混合物からなる群から選ばれる、請求項５記載のタイヤ。
【請求項７】
前記他のジエンエラストマーが、主として、ポリブタジエンを含む、請求項５または６記載のタイヤ。
【請求項８】
前記他のジエンエラストマーが、シス−1,4−ポリブタジエンマトリックス中に5%〜25%のシンジオタクチック1,2−ポリブタジエンを含む複合ポリブタジエンを主として含む、請求項５または６記載のタイヤ。
【請求項９】
前記補強用充填剤が、カーボンブラックおよび/または補強用無機充填剤を含む、請求項１〜８のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項１０】
前記補強用充填剤が、主として、カーボンブラックを含む、請求項９記載のタイヤ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、着陸中に発生する摩耗に対する航空機タイヤの抵抗性を改良するための、航空機タイヤトレッドにおける本明細書において説明する組成物の使用にも関する。上記タイヤの耐摩耗性、特に、着陸中に発生する摩耗に対する航空機タイヤの抵抗性を改良するための、本発明に従うタイヤの使用も開示する。
本発明の好ましい態様は以下のとおりである。
（１）  トレッドが、少なくとも１種の補強用充填剤；架橋系；並びに、下記：
・15〜75phr (エラストマー100質量部当りの質量部)のイソプレンエラストマー、および・25〜85phrのスズ官能化されたブタジエンとスチレンのコポリマー、
を含むエラストマーマトリックスをベースとする組成物を含み、イソプレンエラストマーとスズ官能化されたブタジエンとスチレンとのコポリマーとの総含有量が45〜100phrの範囲内であることを特徴とする航空機タイヤ。
（２）  イソプレンエラストマーの含有量が、20〜65phr、好ましくは25〜60phrの範囲内である、（１）記載のタイヤ。
（３）  前記イソプレンエラストマーが、天然ゴム、合成ポリイソプレンおよびこれらのコポリマーからなる群から選ばれる、（１）または（２）記載のタイヤ。
（４）  前記イソプレンエラストマーが、天然ゴムである、（１）または（２）記載のタイヤ。
（５）  スズ官能化されたブタジエンとスチレンとのコポリマーの含有量が、35〜80phr、好ましくは40〜75phrの範囲内である、（１）〜（４）のいずれか１記載のタイヤ。
（６）  前記スズ官能化されたブタジエンとスチレンとのコポリマーが、低スチレン含有量を含むスズ官能化されたブタジエンとスチレンとのコポリマーであって、そのスチレン含有量が5%〜25%、好ましくは5%〜20%、さらに好ましくは10%〜19%の範囲内である、（１）〜（５）のいずれか１記載のタイヤ。
（７）  前記スズ官能化されたブタジエンとスチレンとのコポリマーが、ランダムスズ官能化ブタジエン/スチレンコポリマーである、（１）〜（６）のいずれか１記載のタイヤ。
（８）  イソプレンエラストマーとスズ官能化されたブタジエンとスチレンとのコポリマーの総含有量が、100phrである、（１）〜（７）のいずれか１記載のタイヤ。
（９）  前記エラストマーマトリックスが、0よりも多く55phrまで、好ましくは0よりも多く50phrまでの他のジエンエラストマーを含む、（１）〜（７）のいずれか１記載のタイヤ。
（１０）  前記他のジエンエラストマーが、スズで官能化されていないブタジエンとスチレンのコポリマー、ポリブタジエンおよびこれらの混合物からなる群から選ばれる、（９）記載のタイヤ。
（１１）  前記他のジエンエラストマーが、主として、ポリブタジエンを含む、（９）または（１０）記載のタイヤ。
（１２）  前記他のジエンエラストマーが、主として、シス−1,4−結合を主として含むポリブタジエンを含む、（９）または（１０）記載のタイヤ。
（１３）  前記他のジエンエラストマーの含有量が、10〜30phr、好ましくは15〜25phrの範囲内である、（１１）または（１２）記載のタイヤ。
（１４）  前記他のジエンエラストマーが、主として、シス−1,4−ポリブタジエンマトリックス中に5%〜25%のシンジオタクチック1,2−ポリブタジエンを含む複合ポリブタジエンを含む、（９）または（１０）記載のタイヤ。
（１５）  前記他のジエンエラストマーの含有量が、10〜55phr、好ましくは40〜55phrの範囲内である、（１４）記載のタイヤ。
（１６）  前記補強用充填剤が、カーボンブラックおよび/または補強用無機充填剤を含む、（１）〜（１５）のいずれか１記載のタイヤ。
（１７）  前記無機充填剤が、シリカである、（１６）記載のタイヤ。
（１８）  前記補強用充填剤が、主として、カーボンブラックを含む、（１６）記載のタイヤ。
（１９）  カーカス層の数が、2〜12層、好ましくは5〜10層である、（１）〜（１８）のいずれか１記載のタイヤ。
（２０）  サイズが、45.72cm (18インチ)以上、好ましくは50.8〜58.42cm (20〜23インチ)である、（１）〜（１９）のいずれか１記載のタイヤ。
（２１）  着陸中に発生する摩耗に対する航空機タイヤの抵抗性を改良するための、航空機タイヤトレッドにおける（１）〜（１８）のいずれか１記載の組成物の使用。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月18日(2019.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｚ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンをＥ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンに異性化する方法であって、
（ａ）Ｚ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンを含む出発物質を提供する工程と、
（ｂ）反応ゾーンにおいて前記出発物質を好適な触媒と接触させて、Ｅ−ＨＦＯ−１３３６ｍｚｚを生成する工程と、任意追加的に、
（ｃ）前記Ｅ−ＨＦＯ−１３３６ｍｚｚを回収する工程と、を含む、方法であって、
前記接触工程が気相中で行われるとき、前記触媒は、クロムと４０重量％未満のアルミナを含有し、
前記接触工程が液相中で行われるとき、前記触媒は、ハロゲン化アルミニウム、ハロゲン化アンチモン、ハロゲン化スズ、ハロゲン化タンタル、ハロゲン化チタン、ハロゲン化ニオビウム、ハロゲン化モリブデン、ハロゲン化鉄、フッ化クロムハロゲン化物、又はこれらの組合せである金属ハロゲン化物を含む、方法。
【請求項２】
前記接触工程が、気相で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記接触工程が、液相で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記Ｅ−ＨＦＯ−１３３６ｍｚｚを回収する工程を更に含む、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
好適な触媒が、オキシフッ化クロムを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
好適な触媒が、ＳｂＣｌ5、ＳｂＣｌ3、ＳｂＦ5、ＳｎＣｌ4、ＴａＣｌ5、ＴｉＣｌ4、ＮｂＣｌ5、ＭｏＣｌ6、ＦｅＣｌ3、ＳｂＣｌ5のフッ化種、ＳｂＣｌ3のフッ化種、ＳｎＣｌ4のフッ化種、ＴａＣｌ5のフッ化種、ＴｉＣｌ4のフッ化種、ＮｂＣｌ5のフッ化種、ＭｏＣｌ6のフッ化種、ＦｅＣｌ3のフッ化種、又はこれらの組合せを含有する、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
好適な触媒が、ＭＣｌ5-nＦn（式中、Ｍ＝Ｓｂ又はＴａであり、ｎ＝０〜５である）を含有する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
好適な触媒が、ＡｌＺ3（式中、Ｚは、Ｂｒ、Ｆ、又はＣｌのうちの１つ以上であるが、ただし、Ｚは、全てがＦではあり得ない）を含有する、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
生成物中に未反応が存在し、このような未反応Ｚ−１３３６ｍｚｚが、生成物から分離され、前記反応ゾーンに再利用される、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月8日(2019.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．１５〜５０部のテトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレートコポリマー、
ｂ．２５〜５０部のエポキシ樹脂成分、
ｃ．５〜１５部の液体ポリエーテルポリオール、及び
ｄ．１０〜２５部のヒドロキシ官能性フィルム形成ポリマーを含み、
ａ）〜ｄ）の合計は、１００重量部であり、
ｅ．ａ）〜ｄ）１００部に対して、０．１〜１部のカチオン性光開始剤を更に含む、硬化性組成物。
【請求項２】
前記テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレートコポリマーが、
ａ）４０〜６０重量％のテトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレートモノマー、
ｂ）４０〜６０重量％のＣ１〜Ｃ８アルキル（メタ）アクリレートエステルモノマー、
ｃ）０〜１０重量％のカチオン反応性の官能性（メタ）アクリレートエステルモノマーを含み、
ａ）〜ｃ）の合計は１００重量％である、請求項１に記載の硬化性組成物。
【請求項３】
エポキシ樹脂のアクリレートポリマーに対する重量比が、１．１：１〜５：１である、請求項１又は２に記載の硬化性組成物。
【請求項４】
前記エポキシ樹脂が、カチオン反応性（メタ）アクリレートエステル官能性モノマーを０．１〜５重量％の量で含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の硬化性組成物。
【請求項５】
基材と、該基材の表面上にある、請求項１〜４のいずれか一項に記載の硬化性組成物の層とを含む、接着剤物品。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月14日(2019.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオデータを復号する方法であって、
現在ブロックについての１つまたは複数の再構成された空間的に隣接するサンプルを決定することと、ここにおいて、前記現在ブロックは、コーディングユニット（ＣＵ）、予測ユニット（ＰＵ）、およびサブ予測ユニット（サブＰＵ）のうちの１つまたは複数を含む、
前記１つまたは複数の再構成された空間的に隣接するサンプルのうちの少なくとも１つに基づいて、前記現在ブロックについての１つまたは複数の照明補償パラメータを決定することと、ここにおいて、前記１つまたは複数の照明補償パラメータは、前記現在ブロックと少なくとも１つの予測ブロックとの間の照明の変動を補償し、前記１つまたは複数の照明補償パラメータは、双方向時間予測モードの各予測方向について決定され、前記双方向時間予測モードの各予測方向は、それぞれの参照ピクチャリストを使用する予測に対応し、各参照ピクチャリストは、前記現在ブロックに対する異なる時間ロケーション中にある参照ピクチャを備える、
前記１つまたは複数の照明補償パラメータを使用して符号化ビットストリームの一部として前記現在ブロックを復号することと、
を備える、方法。
【請求項２】
前記照明補償パラメータは、前記現在ブロックに関連する動き情報によって識別される参照ピクチャ中の前記現在ブロックの前記１つまたは複数の再構成された空間的に隣接するサンプルに対する１つまたは複数の対応するサンプルにさらに基づいて決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記現在ブロックは、サブＰＵである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ビデオデータを符号化する方法であって、
現在ブロックについての１つまたは複数の再構成された空間的に隣接するサンプルを決定することと、ここにおいて、前記現在ブロックは、コーディングユニット（ＣＵ）、予測ユニット（ＰＵ）、およびサブ予測ユニット（サブＰＵ）のうちの１つまたは複数を含む、
前記１つまたは複数の再構成された空間的に隣接するサンプルのうちの少なくとも１つに基づいて、前記現在ブロックについての１つまたは複数の照明補償パラメータを決定することと、ここにおいて、前記１つまたは複数の照明補償パラメータは、前記現在ブロックと少なくとも１つの予測ブロックとの間の照明の変動を補償し、前記１つまたは複数の照明補償パラメータは、双方向時間予測モードの各予測方向について決定され、前記双方向時間予測モードの各予測方向は、それぞれの参照ピクチャリストを使用する予測に対応し、各参照ピクチャリストは、前記現在ブロックに対する異なる時間ロケーション中にある参照ピクチャを備える、
前記１つまたは複数の照明補償パラメータを使用して符号化ビットストリームの一部として前記現在ブロックを符号化することと、
を備える、方法。
【請求項５】
前記照明補償パラメータは、前記現在ブロックに関連する動き情報によって識別される参照ピクチャ中の前記現在ブロックの前記１つまたは複数の再構成された空間的に隣接するサンプルに対する１つまたは複数の対応するサンプルにさらに基づいて決定される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記現在ブロックは、サブＰＵである、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
ビデオデータを記憶するように構成されたメモリと、
プロセッサと、を備え、前記プロセッサは、
現在ブロックについての１つまたは複数の再構成された空間的に隣接するサンプルを決定することと、ここにおいて、前記現在ブロックは、コーディングユニット（ＣＵ）、予測ユニット（ＰＵ）、およびサブ予測ユニット（サブＰＵ）のうちの１つまたは複数を含む、
前記１つまたは複数の再構成された空間的に隣接するサンプルのうちの少なくとも１つに基づいて、前記現在ブロックについての１つまたは複数の照明補償パラメータを決定することと、ここにおいて、前記１つまたは複数の照明補償パラメータは、前記現在ブロックと少なくとも１つの予測ブロックとの間の照明の変動を補償し、前記１つまたは複数の照明補償パラメータは、双方向時間予測モードの各予測方向について決定され、前記双方向時間予測モードの各予測方向は、それぞれの参照ピクチャリストを使用する予測に対応し、各参照ピクチャリストは、前記現在ブロックに対する異なる時間ロケーション中にある参照ピクチャを備える、
前記１つまたは複数の照明補償パラメータを使用して符号化ビットストリームの一部として前記現在ブロックを復号することと、
を行うように構成された、装置。
【請求項８】
前記照明補償パラメータは、前記現在ブロックに関連する動き情報によって識別される参照ピクチャ中の前記現在ブロックの前記１つまたは複数の再構成された空間的に隣接するサンプルに対する１つまたは複数の対応するサンプルにさらに基づいて決定される、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記現在ブロックは、サブＰＵである、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
ビデオデータを記憶するように構成されたメモリと、
プロセッサと、を備え、前記プロセッサは、
現在ブロックについての１つまたは複数の再構成された空間的に隣接するサンプルを決定することと、ここにおいて、前記現在ブロックは、コーディングユニット（ＣＵ）、予測ユニット（ＰＵ）、およびサブ予測ユニット（サブＰＵ）のうちの１つまたは複数を含む、
前記１つまたは複数の再構成された空間的に隣接するサンプルのうちの少なくとも１つに基づいて、前記現在ブロックについての１つまたは複数の照明補償パラメータを決定することと、ここにおいて、前記１つまたは複数の照明補償パラメータは、前記現在ブロックと少なくとも１つの予測ブロックとの間の照明の変動を補償し、前記１つまたは複数の照明補償パラメータは、双方向時間予測モードの各予測方向について決定され、前記双方向時間予測モードの各予測方向は、それぞれの参照ピクチャリストを使用する予測に対応し、各参照ピクチャリストは、前記現在ブロックに対する異なる時間ロケーション中にある参照ピクチャを備える、
前記１つまたは複数の照明補償パラメータを使用して符号化ビットストリームの一部として前記現在ブロックを符号化することと、
を行うように構成された、装置。
【請求項１１】
前記照明補償パラメータは、前記現在ブロックに関連する動き情報によって識別される参照ピクチャ中の前記現在ブロックの前記１つまたは複数の再構成された空間的に隣接するサンプルに対する１つまたは複数の対応するサンプルにさらに基づいて決定される、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記現在ブロックは、サブＰＵである、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
プロセッサによって実行されたとき、前記プロセッサに、請求項１〜６のうちのいずれか一項に従った方法を行わせる命令を記憶したコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月2日(2019.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高電圧用の電気装置において、
第１リード端子および第２リード端子に接続した電気素子と、
上面とこれに対向する底面、正面とこれに対向する背面、左側面とこれに対向する右側面とを有する成形体と、
を備え、
前記成形体は、リブの付いていない第１領域およびリブの付いていない第２領域を有し、且つ、前記リブの付いていない前記第１領域と前記リブの付いていない前記第２領域との間に延在するリブの付いているリブ付き部位を設けてあり、
さらに、前記成形体は、前記電気素子の周囲と前記第１リード端子および第２リード端子の一部の周囲とを形成し、且つ、前記第１リード端子および前記第２リード端子に露出部位を設けて形成してあり、
表面実装用の第１リード端子として用いるために、この成形体の第１側面から延在する前記第１リード端子の露出部位がリブの付いていない前記第１領域の前記底面に沿うように曲がり、および、
表面実装用の第２リード端子として用いるために、この成形体の第２側面から延在する前記第２リード端子の露出部位がリブの付いていない前記第２領域の前記底面に沿うように曲がり、
そして
前記リブ付き部位は前記底面、正面および背面の中から選ぶ面上に構成されて、且つ、前記上面が全体として平坦であることを特徴とする高電圧用の電気装置。
【請求項２】
前記リブの少なくとも一部は、前記底面、正面または背面を画定する上壁を有し、そして、
前記上面はいずれの前記リブの上壁を含まない請求項１に記載の電気装置。
【請求項３】
さらに、前記電気素子の前記第２リード端子と同じ側で、第３リード端子を前記電気素子に接続する請求項１に記載の電気装置。
【請求項４】
前記第１リード端子が前記左側面から延在し、そして前記第２リード端子および第３リード端子が前記右側面から延在する請求項３に記載の電気装置。
【請求項５】
前記底面の少なくとも一部が、前記リブの付いていない第１の部位および前記リブの付いていない第２の部位の間に複数のリブを有する請求項２に記載の電気装置。
【請求項６】
前記正面の少なくとも一部が、前記リブの付いていない第１の部位および前記リブの付いていない第２の部位の間に複数のリブを有する請求項５に記載の電気装置。
【請求項７】
前記背面の少なくとも一部が、前記リブの付いていない第１の部位および前記リブの付いていない第２の部位の間に複数のリブを有する請求項６に記載の電気装置。
【請求項８】
前記リブのうちの少なくとも一部が、前記正面、底面および背面に沿って延在する請求項７に記載の電気装置。
【請求項９】
チャネルを形成する凹みが前記リブ付き部位の少なくとも２つの隣接リブ間の表面に構成されて、そして、前記上面が前記凹みを含まない請求項１に記載の電気装置。
【請求項１０】
前記電気装置が受動素子あるいは能動素子である請求項１に記載の電気装置。
【請求項１１】
前記電気装置が、抵抗器、インダクタ、キャパシタまたはチップデバイダーを有する受動素子である請求項１０に記載の電気装置。
【請求項１２】
前記電気装置がダイオード、半導体、整流器、トランジスタまたは集積回路を有する能動素子である請求項１０に記載の電気装置。
【請求項１３】
前記リブ付き部位は、前記第１リード端子と前記第２リード端子間の表面距離を増やすために構成される請求項１に記載の電気装置。
【請求項１４】
前記成形体が、前記第１側面に隣接する表面実装用第１部位および前記第２側面に隣接する表面実装用第２部位を有し、これら表面実装用第１および第２部位がリブを含まない請求項１に記載の電気装置。
【請求項１５】
少なくとも第１リード端子および第２リード端子を有するリードフレームに前記電気素子を設けた請求項１０に記載の電気装置。
【請求項１６】
前記リード端子の少なくとも一部を露出させた状態で、前記成形体内に前記電気素子およびリードフレームを実装する請求項１５に記載の電気装置。
【請求項１７】
前記リブの付いた成形体を比較トラッキング指数（ＣＴＩ）が６００Ｖの材料で構成する請求項１に記載の電気装置。
【請求項１８】
前記電気素子が、少なくとも２つのリード端子を有する請求項１に記載の電気装置。
【請求項１９】
前記成形体内に、前記リブ付き部位の少なくとも一部に隣接して形成したステップ段差をさらに有する請求項６に記載の電気装置。
【請求項２０】
高電圧用の電気装置を製造する方法において、
第１リード端子および第２リード端子を有するリードフレームに電気素子を接続するステップ、
上面とこれに対向する底面、正面とこれに対向する背面、左側面とこれに対向する右側面とを有する成形体であって、さらに、リブの付いていない第１領域およびリブの付いていない第２領域を有する前記成形体であり且つ前記リブの付いていない前記第１領域と前記リブの付いていない前記第２領域との間に延在するリブの付いているリブ付き部位を有する前記成形体であって、この形成体が前記電気素子の周囲と前記第１リード端子および第２リード端子の一部の周囲とを形成して且つ前記第１リード端子および前記第２リード端子の露出部位を残すように形成するステップ、
表面実装用の第１リード端子を形成するために、この成形体の第１側面から第１リード端子の露出部位を延ばして、リブの付いていない前記第１領域の前記底面に沿うように前記第１リード端子の前記露出部位を曲げるステップ、
表面実装用の第２リード端子を形成するために、この成形体の第２側面から第２リード端子の露出部位を延ばして、リブの付いていない前記第２領域の前記底面に沿うように前記第２リード端子の前記露出部位を曲げるステップ、
を有し、そして、
前記リブ付き部位は前記底面、正面および背面の中から選ぶ面上に構成されて、且つ、前記上面が全体として平坦であることを特徴とする高電圧用の電気装置の製造方法。
【請求項２１】
さらに、前記電気素子の一部に湿気バリヤを設層してから、前記電気素子の周囲に前記リブの付いた成形体を成形するステップを有する請求項２０に記載の製造方法。
【請求項２２】
さらに、前記リブの付いた成形体の一部にマークを印すステップを有する請求項２１に記載の製造方法。
【請求項２３】
さらに、前記リードフレームをトリミングするステップを有する請求項２２に記載の製造方法。
【請求項２４】
さらに、前記電気装置をテストするステップを有する請求項２３に記載の製造方法。
【請求項２５】
前記リブの少なくとも一部が、前記成形体の複数の面に沿って延在する請求項２３に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月5日(2019.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ機器（ＵＥ）によるワイヤレス通信のための方法であって、
トリガ条件を検出したことに応答して、前記ＵＥにおいて基地局（ＢＳ）から受信される送信のフローレートを調整するために、前記ＢＳに与えられるフィードバックを調整するという提案を決定することと、
前記提案と追加の条件とに基づいて、前記フィードバックを調整することと、ここにおいて、前記フィードバックを調整することが、前記基地局によって適用されたチャネル品質インジケータ（ＣＱＩ）オフセットの前記ＵＥによる決定に基づいて、前記フィードバックを調整することを備える、
前記調整されたフィードバックを前記ＢＳに送信することと
を備える、方法。
【請求項２】
前記トリガ条件が、ＵＥプロセッサ使用量、ＵＥメモリ使用量、ＵＥ温度、またはＵＥバス使用量のうちの少なくとも１つに関連する過負荷またはほぼ過負荷に基づく、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記調整されたフィードバックを送信することが、実際に測定されたチャネル品質インジケータ（ＣＱＩ）よりも低い、少なくとも１つのＣＱＩを送信することを備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
将来のダウンリンク（ＤＬ）送信の前記フローレートを回復するために、前記ＵＥによって報告されるＣＱＩを実際に測定されたＣＱＩまで徐々に増加させることをさらに備える、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記フィードバックを調整することが、
前記基地局に前に送信された第１のＣＱＩと、前記第１のＣＱＩを送信した後に前記基地局から受信された前記ＤＬ送信とに基づいて、前記基地局によって使用された前記ＣＱＩオフセットを決定することと、
前記決定されたＣＱＩオフセットを補償した後に前記基地局に送信されるべき第２のＣＱＩを決定することと
を備え、
ここにおいて、前記調整されたフィードバックを送信することが、前記第２のＣＱＩを前記基地局に送信することを備える、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ＣＱＩオフセットを決定することが、
前記基地局から受信された前記ＤＬ送信のために使用された変調およびコーディング方式（ＭＣＳ）を決定することと、
前記決定されたＭＣＳを関連するＣＱＩに変換することと、
前記変換されたＣＱＩから前記第１のＣＱＩを減算することによって、前記ＣＱＩオフセットを決定することと
を備える、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記トリガ条件は、前記受信されたＤＬ送信に対応する瞬時スループットが、所望のスループットに基づくしきい値に等しいかまたはそれよりも高いことを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記提案を決定することが、前記ＵＥにおいて受信された少なくとも１つのトランスポートブロックのハイブリッド自動再送要求（ＨＡＲＱ）フィードバックを否定応答メッセージ（ＮＡＣＫ）オーバーライドすることに関する提案を決定することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記フィードバックを調整することは、
前記少なくとも１つのトランスポートブロックが前記ＵＥにおいて正確に受信されたかどうかを含む前記追加の条件と前記提案とに基づいて、前記ＵＥにおいて受信された前記少なくとも１つのトランスポートブロックについての肯定応答（ＡＣＫ）メッセージを生成すること
を備え、
ここにおいて、前記調整されたフィードバックを送信することが、前記生成されたＡＣＫメッセージを送信することを備える、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＨＡＲＱフィードバックをＮＡＣＫオーバーライドすることに関する前記提案を決定することが、
ＤＬ送信に対応する瞬時スループットを所望のスループットしきい値と比較することと、
前記比較の結果に基づいて前記提案を決定することと
を備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記決定された提案は、
前記瞬時スループットが前記所望のしきい値の第１の構成可能な割合に等しいかまたはそれを上回る場合に、前記少なくとも１つのトランスポートブロックの前記ＨＡＲＱフィードバックをＮＡＣＫオーバーライドするという提案、
前記瞬時スループットが前記所望のしきい値の第２の構成可能な割合に等しいかまたはそれを下回る場合に、前記少なくとも１つのトランスポートブロックの前記ＨＡＲＱフィードバックをオーバーライドしないという提案、または
前記瞬時スループットが前記所望のしきい値の前記第１の割合と前記第２の割合との間である場合に、前記少なくとも１つのトランスポートブロックの前記ＨＡＲＱフィードバックを選択的にＮＡＣＫオーバーライドするという提案
のうちの少なくとも１つを備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
ユーザ機器（ＵＥ）によるワイヤレス通信のための装置であって、
トリガ条件を検出したことに応答して、前記ＵＥにおいて基地局（ＢＳ）から受信される送信のフローレートを調整するために、前記ＢＳに与えられるフィードバックを調整するという提案を決定するための手段と、
前記提案と追加の条件とに基づいて、前記フィードバックを調整するための手段と、ここにおいて、前記フィードバックを調整することが、前記基地局によって適用されたチャネル品質インジケータ（ＣＱＩ）オフセットの前記ＵＥによる決定に基づいて、前記フィードバックを調整することを備える、
前記調整されたフィードバックを前記ＢＳに送信するための手段と
を備える、装置。
【請求項１３】
ユーザ機器（ＵＥ）によるワイヤレス通信のための方法であって、
前記ＵＥにおいて基地局（ＢＳ）から受信される送信のフローレートを調整するために、所望のスループットと比較される、受信されたダウンリンク（ＤＬ）送信に対応する瞬時スループットの比較に基づいて、および前記基地局によって適用されたチャネル品質インジケータ（ＣＱＩ）オフセットの前記ＵＥによる決定に基づいて、前記ＢＳに与えられるフィードバックを調整することと、
前記調整されたフィードバックを前記ＢＳに送信することと
を備える、方法。
【請求項１４】
フィードバックを調整することが、ＵＥプロセッサ使用量、ＵＥメモリ使用量、ＵＥ温度、またはＵＥバス使用量のうちの少なくとも１つに基づくトリガ条件に応答して、フィードバックを調整することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ユーザ機器（ＵＥ）によるワイヤレス通信のための装置であって、
前記ＵＥにおいて基地局（ＢＳ）から受信される送信のフローレートを調整するために、所望のスループットと比較される、受信されたダウンリンク（ＤＬ）送信に対応する瞬時スループットの比較に基づいて、および前記基地局によって適用されたチャネル品質インジケータ（ＣＱＩ）オフセットの前記ＵＥによる決定に基づいて、前記ＢＳに与えられるフィードバックを調整するための手段と、
前記調整されたフィードバックを前記ＢＳに送信するための手段と
を備える、装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月5日(2019.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1の差動入力部に電気的に接続される制御端子と、第1の差動出力部に電気的に接続される出力端子とを有する第1のトランジスタを備える差動段であって、第2の差動入力部に電気的に接続される制御端子と、第2の差動出力部に電気的に接続される出力端子とを有する第2のトランジスタをさらに備える、差動段と、
前記第1のトランジスタの前記制御端子に電気的に接続される出力端子を有する第1のバイアストランジスタと、
前記第2のトランジスタの前記制御端子に電気的に接続される出力端子を有する第2のバイアストランジスタと、
前記第1のバイアストランジスタの制御端子と前記出力端子との間に電気的に接続される第1のフィードバックネットワークと、
前記第2のバイアストランジスタの制御端子と前記出力端子との間に電気的に接続される第2のフィードバックネットワークと
を備え、
前記第1および第2のフィードバックネットワークが、各々容量性フィードバック回路を含む、回路。
【請求項２】
前記第1および第2のフィードバックネットワークが前記第1および第2のバイアストランジスタのそれぞれの相互コンダクタンスを変える、請求項1に記載の回路。
【請求項３】
前記第1および第2のフィードバックネットワークが前記第1および第2のバイアストランジスタの前記それぞれの相互コンダクタンスを低減する、請求項2に記載の回路。
【請求項４】
前記第1および第2のトランジスタはN型トランジスタデバイスであり、前記第1および第2のトランジスタの前記出力端子が前記第1および第2のトランジスタのソース端子である、請求項1に記載の回路。
【請求項５】
前記第1および第2のフィードバックネットワークの前記容量性フィードバック回路が、各々可変キャパシタを含む、請求項1に記載の回路。
【請求項６】
前記第1のフィードバックネットワークが前記第1のバイアストランジスタの寄生容量を含み、前記第2のフィードバックネットワークが前記第2のバイアストランジスタの寄生容量を含む、請求項1に記載の回路。
【請求項７】
前記第1のフィードバックネットワークは、前記第1のバイアストランジスタの前記制御端子と出力端子との間に電気的に接続されるキャパシタを含み、前記第1のトランジスタの相互コンダクタンスが倍数C/Cparだけ増加し、Cはキャパシタの容量であり、Cparは前記第1のトランジスタの寄生容量である、請求項1に記載の回路。
【請求項８】
前記第1および第2の差動入力部に電気的に接続されるミキサ回路と、前記第1および第2の差動出力部に電気的に接続される電力増幅器とをさらに備える、請求項1に記載の回路。
【請求項９】
前記第1のトランジスタのDC動作点を設定するように構成される第1の電流源と、前記第2のトランジスタのDC動作点を設定するように構成される第2の電流源とをさらに備える、請求項1に記載の回路。
【請求項１０】
回路における方法であって、
差動段の第1および第2のトランジスタのそれぞれの制御端子において第1および第2の入力信号を受け取るステップと、
前記第1および第2のトランジスタのそれぞれの出力端子において第1および第2の出力信号を提供するステップと、
第1のバイアストランジスタを使用して前記第1のトランジスタをバイアスするステップと、
第2のバイアストランジスタを使用して前記第2のトランジスタをバイアスするステップと、
容量性フィードバックネットワークを使用して、前記第1のバイアストランジスタの前記出力端子と前記バイアストランジスタの制御端子との間にフィードバック信号を提供するステップと、
前記差動段のゲイン特性を向上させるために、前記フィードバック信号に基づいて、前記第1のバイアストランジスタの相互コンダクタンスと、前記第2のバイアストランジスタの相互コンダクタンスとを低減するステップと
を備える、方法。
【請求項１１】
前記容量性フィードバックネットワークは、前記第1のバイアストランジスタの制御端子と出力端子との間に電気的に接続されるキャパシタを備え、前記第1のトランジスタの相互コンダクタンスが倍数C/Cparだけ増加し、Cは前記キャパシタの容量であり、Cparは前記第1のトランジスタの寄生容量である、ステップを含む、請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
前記キャパシタが可変キャパシタである、請求項11に記載の方法。
【請求項１３】
ミキサ回路から前記第1および第2の入力信号を受け取るステップと、電力増幅器に前記第1および第2の出力信号を提供するステップとをさらに備える、請求項10に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月24日(2019.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ機器であって、
サイドリンク送信に使用される第１のリソースプール群の設定に使用される第１のパラメータと、前記サイドリンク送信に使用される第２のリソースプール群の設定に使用される第２のパラメータとを含んだ情報を取得する処理部を備え、
前記第１のリソースプール群は、前記第２のリソースプール群と追加のリソースプール群から構成され、
前記処理部は、前記第１のリソースプール群に設定されている優先度に基づいて前記第１のリソースプール群から特定のリソースプールを選択した後に、前記特定のリソースプールから特定のリソースをランダムに選択するように構成されたものであり、
前記情報に基づいて、前記特定のリソースを用いて物理サイドリンク共有チャネルで送信する送信部を備え、
前記第２のリソースプール群を構成するリソースプールの総数が前記第２のリソースプール群に対して規定された最大数を超えないように、前記第２のリソースプール群が設定される、
ユーザ機器。
【請求項２】
ユーザ機器によって実行される方法であって、
サイドリンク送信に使用される第１のリソースプール群の設定に使用される第１のパラメータと、前記サイドリンク送信に使用される第２のリソースプール群の設定に使用される第２のパラメータとを含んだ情報を取得し、
前記第１のリソースプール群は、前記第２のリソースプール群と追加のリソースプール群から構成され、
前記第１のリソースプール群に設定されている優先度に基づいて前記第１のリソースプール群から特定のリソースプールを選択した後に、前記特定のリソースプールから特定のリソースをランダムに選択し、
前記情報に基づいて、前記特定のリソースを用いて物理サイドリンク共有チャネルで送信し、
前記第２のリソースプール群を構成するリソースプールの総数が前記第２のリソースプール群に対して規定された最大数を超えないように、前記第２のリソースプール群が設定される、
方法。
【請求項３】
請求項１に記載のユーザ機器であって、
前記優先度に基づいて前記特定のリソースプールを選択する処理、及び、前記特定のリソースプールから前記特定のリソースをランダムに選択する処理は、前記ユーザ機器が前記サイドリンク送信に使用される周波数のカバレージ内にある場合であって、前記ユーザ機器がＲＲＣ  ＣＯＮＮＥＣＴＥＤ状態にある場合であって、尚且つ、前記サイドリンク送信に使用されるセルがＰＣｅｌｌである場合に、前記処理部が行う処理である、
ユーザ機器。
【請求項４】
請求項１又は３に記載のユーザ機器であって、
前記優先度に基づいて前記特定のリソースプールを選択する処理、及び、前記特定のリソースプールから前記特定のリソースをランダムに選択する処理は、前記ユーザ機器が前記サイドリンク送信に使用される周波数のカバレージ内にある場合であって、前記サイドリンク送信に使用されるセルがＰＣｅｌｌ以外のセルである場合に、前記処理部が行う処理である、
ユーザ機器。
【請求項５】
請求項１、３又は４に記載のユーザ機器であって、
前記優先度に基づいて前記特定のリソースプールを選択する処理、及び、前記特定のリソースプールから前記特定のリソースをランダムに選択する処理は、前記ユーザ機器が前記サイドリンク送信に使用される周波数のカバレージ外にある場合に、前記処理部が行う処理である、
ユーザ機器。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月10日(2019.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繰り返し送信に対する初期受信目標電力を受信する受信部と、
前記繰り返し送信に対する初期受信目標電力に基づき、電力ランピングによって、初期アクセス信号を繰り返し送信するための送信電力を決定する処理部と、
決定された送信電力で、初期アクセス信号を繰り返し送信する送信部と、
を備える端末装置。
【請求項２】
前記初期アクセス信号は、プリアンブルである、請求項１に記載の端末装置。
【請求項３】
繰り返し送信に対する初期受信目標電力を受信することと、
前記繰り返し送信に対する初期受信目標電力に基づき、電力ランピングによって、初期アクセス信号を繰り返し送信するための送信電力を決定することと、
決定された送信電力で、初期アクセス信号を繰り返し送信することと、
を含む信号送信方法。
【請求項４】
前記初期アクセス信号は、プリアンブルである、請求項３に記載の信号送信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月15日(2019.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信中のスループット低下を軽減する方法であって、
ユーザ機器(UE)がデュアル加入者識別モジュールデュアルアクティブ(DSDA)をサポートし、インクリメンタル冗長を伴うハイブリッド自動再送要求(HARQ)において動作中であるとき、第1の送信信号が送信(TX)ブランキングのためにネットワークエンティティにおける復号に失敗すると決定するステップと、
前記第1の送信信号のための第1の再送信信号が、前記ネットワークエンティティにおける復号に失敗するか否かを決定するステップと、
前記第1の送信信号のための前記第1の再送信信号が、前記ネットワークエンティティにおける復号に失敗するとの決定が行われるとき、前記第1の送信信号を新規送信信号として再送信するステップであって、前記新規送信信号は、前記新規送信信号が新規送信であり、再送信ではないことを示す、拡張専用物理制御チャネル(E-DPCCH)上のビットに対応するシステマティックビットを含む、ステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記第1の送信信号を新規送信信号として再送信するステップが、前記第1の送信信号のための前記第1の再送信信号が、前記ネットワークエンティティにおける復号に失敗するとの前記決定が行われるとき、前記第1の再送信信号の後、いかなる追加の再送信信号の送信をも防止するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記新規送信信号が、次のHARQオケージョンにおいて送信される、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
TXブランキングが、第2のDSDAサブスクリプションの送信中の時間期間の間に、第1のDSDAサブスクリプションの送信を無効にするステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記第1のDSDAサブスクリプションが、広帯域符号分割多元接続(WCDMA)ネットワークに関連付けられ、前記第2のDSDAサブスクリプションが、モバイル通信用グローバルシステム(GSM)ネットワークに関連付けられる、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
インクリメンタル冗長が、各後続の再送信において異なるコード化ビットのセットを送信するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記第1の送信信号が、HARQ上の第1の拡張専用チャネル(EDCH)送信信号に対応する、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記第1の送信信号が前記ネットワークエンティティにおける復号に失敗すると決定するステップが、前記第1のEDCH送信信号の送信に応答して、前記ネットワークエンティティから否定応答(NACK)を受信するステップをさらに含む、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
ワイヤレス通信中のスループット低下を軽減するための装置であって、
ユーザ機器(UE)がデュアル加入者識別モジュールデュアルアクティブ(DSDA)をサポートし、インクリメンタル冗長を伴うハイブリッド自動再送要求(HARQ)において動作中であるとき、第1の送信信号が送信(TX)ブランキングのためにネットワークエンティティにおける復号に失敗すると決定するための手段と、
前記第1の送信信号のための第1の再送信信号が、前記ネットワークエンティティにおける復号に失敗するか否かを決定するための手段と、
前記第1の送信信号のための前記第1の再送信信号が、前記ネットワークエンティティにおける復号に失敗するとの決定が行われるとき、前記第1の送信信号を新規送信信号として再送信するための手段であって、前記新規送信信号は、前記新規送信信号が新規送信であり、再送信ではないことを示す、拡張専用物理制御チャネル(E-DPCCH)上のビットに対応するシステマティックビットを含む、手段と
を備える、装置。
【請求項１０】
前記第1の送信信号を新規送信信号として再送信するための前記手段が、前記第1の送信信号のための前記第1の再送信信号が、前記ネットワークエンティティにおける復号に失敗するとの前記決定が行われるとき、前記第1の再送信信号の後、いかなる追加の再送信信号の送信をも防止するための手段を備える、請求項9に記載の装置。
【請求項１１】
前記新規送信信号が、次のHARQオケージョンにおいて送信される、請求項9に記載の装置。
【請求項１２】
TXブランキングが、第2のDSDAサブスクリプションの送信中の時間期間の間に、第1のDSDAサブスクリプションの送信を無効にすることを含む、請求項9に記載の装置。
【請求項１３】
前記第1のDSDAサブスクリプションが、広帯域符号分割多元接続(WCDMA)ネットワークに関連付けられ、前記第2のDSDAサブスクリプションが、モバイル通信用グローバルシステム(GSM)ネットワークに関連付けられる、請求項12に記載の装置。
【請求項１４】
ワイヤレス通信中のスループット低下を軽減するためのコンピュータ実行可能コードを記憶するコンピュータ可読記憶媒体であって、請求項１から8のいずれか一項に記載の方法を実行するためのコードを備える、コンピュータ可読記憶媒体。