【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年7月16日(2008.7.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体面を均一に照明するためにＥＵＶ放射源からのＥＵＶ放射を物体面へ配向する結像光学系と、物体面に配置された第１の格子と、第１の格子の像を焦点面へ投影する投影光学系と、焦点面に配置された第２の格子と、第２の格子によって形成された干渉縞を受信する検出器とを有しており、
第１の格子のピッチは、１／２×投影光学系の倍率×第２の格子のピッチ、であり、
さらに、
前記第１の格子は、７０ｎｍ〜１２０ｎｍの径を有する複数の反射ドットにより形成される複数の反射線を含み、
前記複数の反射線は、２つの直線格子として、互いに直交する２つの方向に配置される
ことを特徴とする波面測定装置。
【請求項２】
干渉縞は０次／１次の干渉縞を有さない、請求項１記載の装置。
【請求項３】
反射ドットは波長の複数倍の標準偏差を含むランダムな高さを有する、請求項１記載の装置。
【請求項４】
反射ドットは各反射線内でランダムなパターンで配置されている、請求項１記載の装置。
【請求項５】
反射ドットは各反射線内で規則的なパターンで配置されている、請求項１記載の装置。
【請求項６】
反射ドットは投影光学系の開口数をオーバフィルする照明を形成する、請求項１記載の装置。
【請求項７】
反射ドットは放射源に起因する不規則性を有さない照明を形成する、請求項１記載の装置。
【請求項８】
第１の格子の複数の反射線は干渉縞の強度および鮮明度が最大化されるように配置されている、請求項１記載の装置。
【請求項９】
第１の格子の複数の反射線は第２の格子に対して４５°に配向されている、請求項１記載の装置。
【請求項１０】
第１の格子はレチクルステージに取り付けられている、請求項１記載の装置。
【請求項１１】
第２の格子はウェハステージに取り付けられている、請求項１記載の装置。
【請求項１２】
ＥＵＶ放射源からのＥＵＶ放射を物体面へ集束させる結像光学系と、物体面に配置された第１の格子と、第１の格子の像を焦点面へ投影する投影光学系と、焦点面に配置された第２の格子と、第２の格子によって形成された干渉縞を受信する検出器とを有しており、
干渉縞は０次／１次の干渉縞を有さず、
さらに、
前記第１の格子は、７０ｎｍ〜１２０ｎｍの径を有する複数の反射ドットにより形成される複数の反射線を含み、
前記複数の反射線は、２つの直線格子として、互いに直交する２つの方向に配置される
ことを特徴とする波面測定装置。
【請求項１３】
第１の格子のピッチは
１／２×投影光学系の倍率×第２の格子のピッチ
である、請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
反射ドットは波長の複数倍の標準偏差を含むランダムな高さを有する、請求項１２記載の装置。
【請求項１５】
反射ドットは各反射線内でランダムなパターンで配置されている、請求項１２記載の装置。
【請求項１６】
ＥＵＶ放射源からのＥＵＶ放射を物体面へ集束させる結像光学系と、焦点面に回折パターンを形成するためにレチクルステージに配置された第１の格子と、第１の格子の像を焦点面へ投影する投影光学系と、第１の格子の回折パターンを受信するために焦点面に配置された第２の格子と、第２の格子を介して第１の格子の像を受信する検出器とを有しており、
第１の格子のピッチは、１／２×投影光学系の倍率×第２の格子のピッチ、であり、
さらに、
前記第１の格子は、７０ｎｍ〜１２０ｎｍの径を有する複数の反射ドットにより形成される複数の反射線を含み、
前記複数の反射線は、２つの直線格子として、互いに直交する２つの方向に配置される
ことを特徴とする波面測定装置。
【請求項１７】
ＥＵＶ放射を放出するＥＵＶ放射源と、ＥＵＶ放射により物体面を照明する結像光学系と、物体面内でレチクルを支持するレチクルステージと、ＥＵＶ放射源からの物体面の照明を調整するためにレチクルステージに配置された第１の格子と、焦点面と物体面とを光学的に結合する投影光学系と、焦点面内でウェハステージ上に配置された第２の格子と、第１の格子の像を受信する第２の格子の後方でウェハステージ上に配置された検出器とを有しており、
第１の格子のピッチは、１／２×投影光学系の倍率×第２の格子のピッチ、であり、
さらに、
前記第１の格子は、７０ｎｍ〜１２０ｎｍの径を有する複数の反射ドットにより形成される複数の反射線を含み、
前記複数の反射線は、２つの直線格子として、互いに直交する２つの方向に配置される
ことを特徴とするＥＵＶフォトリソグラフィシステム。
【請求項１８】
ＥＵＶ放射源でＥＵＶ放射を形成し、
該電磁放射を光学系の物体面へ集束させ、
第１の格子を光学系の光路内に位置決めして物体面での電磁放射を調整し、
焦点面と物体面とを結合し、
検出器を焦点面の下方に位置決めし、さらに第２の格子を焦点面に位置決めし、
放射源の像を第２の格子を介して受信し、
像から波面パラメータを計算し、
ここで第１の格子のピッチは、１／２×投影光学系の倍率×第２の格子のピッチ、であり、
さらに、
前記第１の格子は、７０ｎｍ〜１２０ｎｍの径を有する複数の反射ドットにより形成される複数の反射線を含み、
前記複数の反射線は、２つの直線格子として、互いに直交する２つの方向に配置される
ことを特徴とする光学系の波面測定方法。
【請求項１９】
さらに第１の格子をラテラル方向にステップさせることにより干渉縞を位相シフトさせ、各フレームを検出器により読み出す、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
ＥＵＶ放射源からのＥＵＶ放射を物体面へ集束させる結像光学系と、物体面に配置された第１の格子と、第１の格子の像を焦点面へ投影する投影光学系と、焦点面に配置された第２の格子と、第２の格子によって形成された干渉縞を受信する検出器とを有しており、
さらに、
前記第１の格子は、７０ｎｍ〜１２０ｎｍの径を有する複数の反射ドットにより形成される複数の反射線を含み、
前記複数の反射線は、２つの直線格子として、互いに直交する２つの方向に配置される
ことを特徴とする波面測定装置。
【請求項２１】
反射ドットは波長の複数倍の標準偏差を含むランダムな高さを有する、請求項２０記載の装置。
【請求項２２】
反射ドットは各反射線内でランダムなパターンで配置されている、請求項２０記載の装置。
【請求項２３】
反射ドットは各反射線内で規則的なパターンで配置されている、請求項２０記載の装置。
【請求項２４】
反射ドットは投影光学系の開口数をオーバフィルする照明を形成する、請求項２０記載の装置。
【請求項２５】
反射ドットは放射源に起因する不規則性を有さない照明を形成する、請求項２０記載の装置。
【請求項２６】
第１の格子の複数の反射線は干渉縞の強度および鮮明度が最大化されるように配置されている、請求項２０記載の装置。
【請求項２７】
第１の格子の複数の反射線は第２の格子に対して４５°に配向されている、請求項２０記載の装置。
【請求項２８】
第１の格子のピッチは
１／２×投影光学系の倍率×第２の格子のピッチ
である、請求項２０記載の装置。
【請求項２９】
ＥＵＶ放射源でＥＵＶ放射を形成し、
該電磁放射を光学系の物体面へ集束させ、
第１の格子を光学系の光路内に位置決めして物体面での電磁放射を調整し、
焦点面と物体面とを結合し、
検出器を焦点面の下方に位置決めし、さらに第２の格子を焦点面に位置決めし、
放射源の像を第２の格子を介して受信し、
像から波面パラメータを計算し、
さらに、
前記第１の格子は、７０ｎｍ〜１２０ｎｍの径を有する複数の反射ドットにより形成される複数の反射線を含み、
前記複数の反射線は、２つの直線格子として、互いに直交する２つの方向に配置される
ことを特徴とする光学系の波面測定方法。
【請求項３０】
物体面を均一に照明するためにＥＵＶ放射源からのＥＵＶ放射を物体面へ配向する結像光学系と、物体面に配置された第１の格子と、第１の格子の像を焦点面へ投影する投影光学系と、焦点面に配置された第２の格子と、第２の格子によって形成された干渉縞を受信する検出器とを有しており、
第１の格子のピッチは、１×投影光学系の倍率×第２の格子のピッチ、であり、
さらに、
前記第１の格子は、７０ｎｍ〜１２０ｎｍの径を有する複数の反射ドットにより形成される複数の反射線を含み、
前記複数の反射線は、２つの直線格子として、互いに直交する２つの方向に配置される
ことを特徴とする波面測定装置。
【請求項３１】
ＥＵＶ放射を放出するＥＵＶ放射源と、ＥＵＶ放射により物体面を照明する結像光学系と、物体面内でレチクルを支持するレチクルステージと、ＥＵＶ放射源からの物体面の照明を調整するためにレチクルステージに配置された第１の格子と、焦点面と物体面とを光学的に結合する投影光学系と、焦点面内でウェハステージ上に配置された第２の格子と、第１の格子の像を受信する第２の格子の後方でウェハステージ上に配置された検出器とを有しており、
第１の格子のピッチは、１×投影光学系の倍率×第２の格子のピッチ、であり、
さらに、
前記第１の格子は、７０ｎｍ〜１２０ｎｍの径を有する複数の反射ドットにより形成される複数の反射線を含み、
前記複数の反射線は、２つの直線格子として、互いに直交する２つの方向に配置される
ことを特徴とするＥＵＶフォトリソグラフィシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
本発明は関連技術の１つまたは複数の問題点および欠点を回避できるＥＵＶ波面センサのための透過型せん断格子およびチェッカボード格子のコンフィグレーションに関連している。本発明はまたＥＵＶ波面センサＷＦＳを用いたシアリング干渉計のパフォーマンスを改善し、物体面の照明を調整してＷＦＳの色収差を補正する手段に関連している。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明の１つの実施形態は、電磁放射源を有する波面測定装置から成る。結像系は電磁放射を物体面へ配向し、これを均一に照明する。第１の格子は投影光学系ＰＯのＮＡ入射瞳面に達する照明光の調整のために物体面内に配置されている。第１の格子は複数の反射線を有しており、これらの反射線はそれぞれ複数の反射ドットから成っている。投影光学系は第１の格子の像を焦点面へ投影する。第２の格子は焦点面に配置されている。検出器は干渉縞面に配置されており、第２の格子を介して第１の格子の像を受け取る。本発明の実施形態では、第１の格子のピッチは
１／２（または１）×投影光学系の倍率×第２の格子のピッチ
である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
図５には本発明の波面測定装置が示されており、物体面すなわちレチクル１０２の面（図中の番号なし）内に設置されたソースモジュール１０３と投影光学系１０４とが見て取れる。像せん断格子２０３はウェハステージに設置されており、複数の波面を発生させる。これらの波面はセンサモジュール１０６において検出される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
格子線は、既に述べたように、第２の格子の線と直接の関係を有するように選定される。これにより物体面照明は最大限まで利用され、検出器における干渉縞の鮮明度が維持され、＋１次および−１次干渉縞が消去される。