【手続補正書】
【提出日】平成19年3月30日(2007.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板に酸素イオン及び／または窒素イオンを所定の深さ注入し、加熱処理することにより前記単結晶半導体基板にＢＯＸ層とＳＯＩ層とを形成するＳＩＭＯＸ基板の製造方法において、
前記ＳＯＩ層の上面にエピタキシャル成長により高結晶性単結晶半導体層を形成することを特徴とするＳＩＭＯＸ基板の製造方法。
【請求項２】
表面にシリコン−ゲルマニウム層を形成した単結晶半導体基板に酸素イオン及び／または窒素イオンを所定の深さ注入し、加熱処理することにより前記単結晶半導体基板にＢＯＸ層と歪印加のシリコン−ゲルマニウム層からなるＳＯＩ層とを形成するＳＩＭＯＸ基板の製造方法において、
前記ＳＯＩ層の上面にエピタキシャル成長により歪シリコン層からなる単結晶半導体層を形成することを特徴とするＳＩＭＯＸ基板の製造方法。
【請求項３】
単結晶半導体基板の所定の深さに酸素イオン及び／または窒素イオンを注入して加熱処理することにより前記単結晶半導体基板にＢＯＸ層とＳＯＩ層とを形成したＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置において、
前記ＳＩＭＯＸ基板には、前記ＳＯＩ層の上面にエピタキシャル成長により高結晶性単結晶半導体層を積層したことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
単結晶半導体基板の所定の深さに酸素イオン及び／または窒素イオンを注入して加熱処理することにより、前記単結晶半導体基板に埋め込み絶縁層となるＢＯＸ層を形成するとともに、このＢＯＸ層の上面に単結晶半導体層のＳＯＩ層を形成して、上方から単結晶半導体層/埋め込み絶縁層/単結晶半導体基板の順に積層構造としたＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置において、
前記ＳＩＭＯＸ基板には、単結晶半導体層からなる前記ＳＯＩ層の上面にエピタキシャル成長により単結晶半導体層をさらに積層して、上方から高結晶性単結晶半導体層/単結晶半導体層/埋め込み絶縁層/単結晶半導体基板の順に積層構造としたことを特徴とするＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置。
【請求項５】
表面にシリコン−ゲルマニウム層を形成した単結晶半導体基板の所定の深さに酸素イオン及び／または窒素イオンを注入して加熱処理することにより、前記単結晶半導体基板に埋め込み絶縁層となるＢＯＸ層を形成するとともに、このＢＯＸ層の上面に歪印加のシリコン−ゲルマニウム層からなる単結晶歪み印加半導体層であるＳＯＩ層を形成して、上方から単結晶歪み印加半導体層/埋め込み絶縁層/単結晶半導体基板の順に積層構造としたＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置において、
前記ＳＩＭＯＸ基板には、単結晶歪み印加半導体層からなる前記ＳＯＩ層の上面にエピタキシャル成長により単結晶歪み半導体層を積層して、上方から単結晶歪み半導体層/単結晶歪み印加半導体層/埋め込み絶縁層/単結晶半導体基板の順に積層構造としたことを特徴とするＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置。
【請求項６】
前記埋め込み絶縁層下に水素イオンを注入して高濃度水素イオン注入層を形成し、この高濃度水素イオン注入層にレーザー照射あるいはレーザーウォータジェット照射を行って歪み部を形成し、この歪み部から単結晶半導体基板を分離して超薄膜化したことを特徴とする請求項４または請求項５に記載のＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置。
【請求項７】
前記歪み部における前記単結晶半導体基板の分離において、前記ＳＩＭＯＸ基板に設けるスクライブライン内のペレット分割予定境界線に沿って少なくとも前記高濃度水素イオン注入層まで刻設した溝を形成したことを特徴とする請求項６記載のＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置。
【請求項８】
前記ＳＩＭＯＸ基板の表面、及び前記ペレット分割予定境界線に沿って刻設した前記溝内を樹脂封止し、樹脂表面の光学研磨でバンプ電極を露出させた後に分離を行うことにより片面に封止樹脂によるパッケージを形成して片面樹脂封止型超薄ＣＳＰとしたことを特徴とする請求項７記載のＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置。
【請求項９】
単結晶半導体基板の所定の深さに酸素イオン及び／または窒素イオンを注入して加熱処理することにより、前記単結晶半導体基板に埋め込み絶縁層となるＢＯＸ層を形成するとともに、このＢＯＸ層の上面に単結晶半導体層のＳＯＩ層を形成して、上方から単結晶半導体層/埋め込み絶縁層/単結晶半導体基板の順に積層構造としたＳＩＭＯＸ基板を用いた電気光学表示装置の製造方法において、
単結晶半導体層からなる前記ＳＯＩ層の上面にエピタキシャル成長により単結晶半導体層をさらに積層して、上方から高結晶性単結晶半導体層/単結晶半導体層/埋め込み絶縁層/単結晶半導体基板の順に積層構造を形成し、
前記高結晶性単結晶半導体層に、表示制御を行う複数のトランジスタを形成した表示制御領域と、この表示制御領域の周囲に前記トランジスタを制御する制御回路を形成した周辺回路領域とを設けて電気光学表示基板層を形成していることを特徴とするＳＩＭＯＸ基板を用いた電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１０】
単結晶半導体基板の所定の深さに酸素イオン及び／または窒素イオンを注入して加熱処理することにより、前記単結晶半導体基板に埋め込み絶縁層となるＢＯＸ層を形成するとともに、このＢＯＸ層の上面に単結晶半導体層のＳＯＩ層を形成して、上方から単結晶半導体層/埋め込み絶縁層/単結晶半導体基板の順に積層構造としたＳＩＭＯＸ基板を用いた電気光学表示装置の製造方法において、
単結晶半導体層からなる前記ＳＯＩ層の上面にエピタキシャル成長により単結晶半導体層をさらに積層して、上方から高結晶性単結晶半導体層/単結晶半導体層/埋め込み絶縁層/単結晶半導体基板の順に積層構造を形成し、
前記高結晶性単結晶半導体層部分に、表示制御を行う複数のトランジスタを形成した表示制御領域と、この表示制御領域の周囲に前記トランジスタを制御する制御回路を形成した周辺回路領域とを設けて電気光学表示基板層を形成する場合に、表示制御領域に多結晶半導体層を形成していることを特徴とするＳＩＭＯＸ基板を用いた電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１１】
単結晶半導体基板の所定の深さに酸素イオン及び／または窒素イオンを注入して加熱処理することにより、前記単結晶半導体基板に埋め込み絶縁層となるＢＯＸ層を形成するとともに、このＢＯＸ層の上面に単結晶半導体層のＳＯＩ層を形成して、上方から単結晶半導体層/埋め込み絶縁層/単結晶半導体基板の順に積層構造としたＳＩＭＯＸ基板を用いた電気光学表示装置の製造方法において、
単結晶半導体層からなる前記ＳＯＩ層の上面にエピタキシャル成長により単結晶半導体層をさらに積層して、上方から高結晶性単結晶半導体層/単結晶半導体層/埋め込み絶縁層/単結晶半導体基板の順に積層構造を形成し、
前記高結晶性単結晶半導体層部分に、表示制御を行う複数のトランジスタを形成した表示制御領域と、この表示制御領域の周囲に前記トランジスタを制御する制御回路を形成した周辺回路領域とを設けて電気光学表示基板層を形成する場合に、表示制御領域にアモルファス半導体層を形成していることを特徴とするＳＩＭＯＸ基板を用いた電気光学表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＳＩＭＯＸ基板の製造方法及びＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置及びＳＩＭＯＸ基板を用いた電気光学表示装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ＳＩＭＯＸ（Separation by IMplanted OXygen）基板の製造方法、及びＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置、及びＳＩＭＯＸ基板を用いた電気光学表示装置の製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項１記載のＳＩＭＯＸ基板の製造方法では、単結晶半導体基板に酸素イオン及び／または窒素イオンを所定の深さ注入し、加熱処理することにより単結晶半導体基板にＢＯＸ層とＳＯＩ層とを形成するＳＩＭＯＸ基板の製造方法において、ＳＯＩ層の上面にエピタキシャル成長により高結晶性単結晶半導体層を形成することとした。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項２記載のＳＩＭＯＸ基板の製造方法では、表面にシリコン−ゲルマニウム層を形成した単結晶半導体基板に酸素イオン及び／または窒素イオンを所定の深さ注入し、加熱処理することにより単結晶半導体基板にＢＯＸ層と歪印加のシリコン−ゲルマニウム層からなるＳＯＩ層とを形成するＳＩＭＯＸ基板の製造方法において、ＳＯＩ層の上面にエピタキシャル成長により歪シリコン層からなる単結晶半導体層を形成することとした。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項３記載の半導体装置では、単結晶半導体基板の所定の深さに酸素イオン及び／または窒素イオンを注入して加熱処理することにより単結晶半導体基板にＢＯＸ層とＳＯＩ層とを形成したＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置において、ＳＩＭＯＸ基板には、ＳＯＩ層の上面にエピタキシャル成長により高結晶性単結晶半導体層を積層した。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項４記載のＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置では、単結晶半導体基板の所定の深さに酸素イオン及び／または窒素イオンを注入して加熱処理することにより、単結晶半導体基板に埋め込み絶縁層となるＢＯＸ層を形成するとともに、このＢＯＸ層の上面に単結晶半導体層のＳＯＩ層を形成して、上方から単結晶半導体層/埋め込み絶縁層/単結晶半導体基板の順に積層構造としたＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置において、ＳＩＭＯＸ基板には、単結晶半導体層からなるＳＯＩ層の上面にエピタキシャル成長により高結晶性単結晶半導体層をさらに積層して、上方から高結晶性単結晶半導体層/単結晶半導体層/埋め込み絶縁層/単結晶半導体基板の順に積層構造とした。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項５記載のＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置では、表面にシリコン−ゲルマニウム層を形成した単結晶半導体基板の所定の深さに酸素イオン及び／または窒素イオンを注入して加熱処理することにより、単結晶半導体基板に埋め込み絶縁層となるＢＯＸ層を形成するとともに、このＢＯＸ層の上面に歪印加のシリコン−ゲルマニウム層からなる単結晶歪み印加半導体層であるＳＯＩ層を形成して、上方から単結晶歪み印加半導体層/埋め込み絶縁層/単結晶半導体基板の順に積層構造としたＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置において、ＳＩＭＯＸ基板には、単結晶歪み印加半導体層からなるＳＯＩ層の上面にエピタキシャル成長により単結晶歪み半導体層を積層して、上方から単結晶歪み半導体層/単結晶歪み印加半導体層/埋め込み絶縁層/単結晶半導体基板の順に積層構造とした。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項６記載のＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置では、請求項４または請求項５に記載のＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置において、埋め込み絶縁層下に水素イオンを注入して高濃度水素イオン注入層を形成し、この高濃度水素イオン注入層にレーザー照射あるいはレーザーウォータジェット照射を行って歪み部を形成し、この歪み部から単結晶半導体基板を分離して超薄膜化した。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項７記載のＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置では、請求項６記載のＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置において、歪み部における単結晶半導体基板の分離において、ＳＩＭＯＸ基板に設けるスクライブライン内のペレット分割予定境界線に沿って少なくとも高濃度水素イオン注入層まで刻設した溝を形成した。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項８記載のＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置では、請求項７記載のＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置において、ＳＩＭＯＸ基板の表面、及びペレット分割予定境界線に沿って刻設した溝内を樹脂封止し、樹脂表面の光学研磨でバンプ電極を露出させた後に分離を行うことにより片面に封止樹脂によるパッケージを形成して片面樹脂封止型超薄ＣＳＰとした。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項９記載のＳＩＭＯＸ基板を用いた電気光学表示装置の製造方法では、単結晶半導体基板の所定の深さに酸素イオン及び／または窒素イオンを注入して加熱処理することにより、単結晶半導体基板に埋め込み絶縁層となるＢＯＸ層を形成するとともに、このＢＯＸ層の上面に単結晶半導体層のＳＯＩ層を形成して、上方から単結晶半導体層/埋め込み絶縁層/単結晶半導体基板の順に積層構造としたＳＩＭＯＸ基板を用いた電気光学表示装置の製造方法において、単結晶半導体層からなるＳＯＩ層の上面にエピタキシャル成長により単結晶半導体層をさらに積層して、上方から高結晶性単結晶半導体層/単結晶半導体層/埋め込み絶縁層/単結晶半導体基板の順に積層構造を形成し、高結晶性単結晶半導体層に、表示制御を行う複数のトランジスタを形成した表示制御領域と、この表示制御領域の周囲に前記トランジスタを制御する制御回路を形成した周辺回路領域とを設けて電気光学表示基板層を形成することとした。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
請求項１０記載のＳＩＭＯＸ基板を用いた電気光学表示装置の製造方法では、単結晶半導体基板の所定の深さに酸素イオン及び／または窒素イオンを注入して加熱処理することにより、単結晶半導体基板に埋め込み絶縁層となるＢＯＸ層を形成するとともに、このＢＯＸ層の上面に単結晶半導体層のＳＯＩ層を形成して、上方から単結晶半導体層/埋め込み絶縁層/単結晶半導体基板の順に積層構造としたＳＩＭＯＸ基板を用いた電気光学表示装置の製造方法において、単結晶半導体層からなるＳＯＩ層の上面にエピタキシャル成長により単結晶半導体層をさらに積層して、上方から高結晶性単結晶半導体層/単結晶半導体層/埋め込み絶縁層/単結晶半導体基板の順に積層構造を形成し、高結晶性単結晶半導体層部分に、表示制御を行う複数のトランジスタを形成した表示制御領域と、この表示制御領域の周囲にトランジスタを制御する制御回路を形成した周辺回路領域とを設けて電気光学表示基板層を形成する場合に、表示制御領域に多結晶半導体層を形成することとした。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
請求項１１記載のＳＩＭＯＸ基板を用いた電気光学表示装置の製造方法では、単結晶半導体基板の所定の深さに酸素イオン及び／または窒素イオンを注入して加熱処理することにより、単結晶半導体基板に埋め込み絶縁層となるＢＯＸ層を形成するとともに、このＢＯＸ層の上面に単結晶半導体層のＳＯＩ層を形成して、上方から単結晶半導体層/埋め込み絶縁層/単結晶半導体基板の順に積層構造としたＳＩＭＯＸ基板を用いた電気光学表示装置の製造方法において、単結晶半導体層からなるＳＯＩ層の上面にエピタキシャル成長により単結晶半導体層をさらに積層して、上方から高結晶性単結晶半導体層/単結晶半導体層/埋め込み絶縁層/単結晶半導体基板の順に積層構造を形成し、高結晶性単結晶半導体層部分に、表示制御を行う複数のトランジスタを形成した表示制御領域と、この表示制御領域の周囲に前記トランジスタを制御する制御回路を形成した周辺回路領域とを設けて電気光学表示基板層を形成する場合に、表示制御領域にアモルファス半導体層を形成することとした。
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
（１）半導体基板の所定の深さに酸素イオン及び／または窒素イオンを注入して加熱処理することにより半導体基板にＢＯＸ層とＳＯＩ層とを形成したＳＩＭＯＸ基板の製造方法において、ＳＯＩ層の上面にエピタキシャル成長により半導体層を積層したことによって、ＳＩＭＯＸ基板の上面における半導体層の結晶性を容易に整えて高結晶性の単結晶半導体層を形成することができ、イオン注入のダメージをほぼ解消したＳＩＭＯＸ基板を形成することができるＳＩＭＯＸ基板の製造方法を提供する。
【手続補正４５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
（２）表面にシリコン−ゲルマニウム層を形成した半導体基板の所定の深さに酸素イオン及び／または窒素イオンを注入して加熱処理することにより半導体基板にＢＯＸ層とＳＯＩ層とを形成したＳＩＭＯＸ基板の製造方法において、ＳＯＩ層の上面にエピタキシャル成長によりシリコン層からなる半導体層を積層したことによって、シリコン層からなる半導体層を歪みシリコン層とすることができる。この歪みシリコン層は、無歪みのシリコン層と比較して約１．７６倍の電子移動度を有するようにすることができるので、イオン注入のダメージをほぼ解消するだけでなく、電気特性を向上させたＳＩＭＯＸ基板を形成することができるＳＩＭＯＸ基板の製造方法を提供する。
【手続補正４６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
（３）上記のＳＩＭＯＸ基板を用いて半導体装置、特に電気光学表示装置を形成することにより、所要の特性の半導体装置及び電気光学表示装置、具体的には、高い電子・正孔移動度を有した超薄型ＳＯＩ構造の高結晶性単結晶半導体層あるいは単結晶歪み半導体層であって、超薄型ＳＯＩ構造の高結晶性単結晶半導体層あるいは単結晶歪み半導体層を電気光学表示装置とすることにより、高輝度、高精細かつ高機能な超薄型電気光学表示装置を、歩留良く、高い生産性で安価に製造することができる。
【手続補正４７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
（４）レーザー照射或いはレーザーウォータジェット照射などにより高濃度イオン注入層に歪み発生させて分離させることにより、あるいは超薄膜加工することにより、容易に薄膜化することができる。
【手続補正４８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
（１１）超薄型とした電気光学表示基板の表示制御領域の画素開口部の高結晶性単結晶半導体層及び単結晶半導体層を除去した後、絶縁膜および遮光性金属膜をそれぞれ順に形成してから光透過性材料を埋め込み表面平坦化することによって、遮光性金属膜の遮光作用により、特に黒色系金属膜の場合にはその低反射性によって、強い入射光による表示素子への漏れ光によるリーク電流を防止できるため、画質を向上させることができる。このとき、各画素開口部内壁の遮光性金属膜をアース電位にしておくことで、強い入射光による各部のチャージアップを防止できるので、更に表示素子のリーク電流が防止され、高輝度、高精細、高機能な超薄型電気光学表示基板による電気光学表示装置が実現できる。
【手続補正５３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
（１２）超薄型電気光学表示基板の表示領域の高結晶性単結晶半導体層の画素開口部に透明樹脂、ガラス、SiO2などの高透過率で紫外線耐光性の透光性材料を埋め込んでいるため、光透過率の高い紫外線耐光性の超薄型電気光学表示基板による電気光学表示装置が実現できる。
【手続補正５４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
（１６）上記のように得られた直視型で超薄型の電気光学表示装置の透過型ＬＣＤ、反射型ＬＣＤ、半透過型ＬＣＤ、上面発光型有機ＥＬ、下面発光型有機ＥＬなどを用いることで、腕時計、名刺、カード、眼鏡、切手やヘッドマウントタイプの超薄型電気光学表示装置と、これによる超薄型デジタルスチルカメラ、超薄型デジタルムービーカメラ、超薄型カムコーダー、超薄型音響機器(ＣＤ、ＭＤなど)、超薄型携帯電話、超薄型携帯テレビ、超薄型テレビモニターなどの超薄型、超小型、超軽量のエレクトロニクス製品が実現可能となる。さらに、高輝度、高精細、高機能で超薄型の透過型あるいは反射型ＬＣＤにより超薄型、超小型、超軽量のデータ／ＡＶ（Audio Visual）用プロジェクタＬＣＤ製品が実現可能となる。