(57)【要約】  本発明の情報記録媒体は、基板と、記録層を含む情報層とを備え、前記情報層にレーザ光が照射されることによって情報の記録及び再生が行われる。記録層は、Ｔｅ、Ｏ及びＭ（ただし、Ｍは、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＡｕから選ばれる少なくとも１種の元素）からなる材料を主成分として含んでおり、この材料において、Ｔｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が２０〜７０原子％（好ましくは４０〜７０原子％）、Ｍ原子の含有割合が１１〜７９原子％（好ましくは１１〜５９原子％、より好ましくは３５原子％を超える範囲）である。前記材料は、例えば図１に示すＴｅ−Ｏ−Ｐｄの３元系の組成図において、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄで囲まれた領域であり、好ましくはＣ、Ｄ、Ｅ、Ｆで囲まれた領域であり、より好ましくはＥ、Ｆ、Ｈ、Ｇで囲まれた領域である。
2007123230.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、記録層を含む情報層とを備え、レーザ光が照射されることによって情報の記録及び再生が行われる情報記録媒体であって、
前記記録層が、Ｔｅ、Ｏ及びＭ（Ｍは、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕから選ばれる少なくとも１種の元素）からなる材料を主成分として含み、
前記材料において、Ｔｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が２０〜７０原子％、Ｍ原子の含有割合が１１〜７９原子％である、情報記録媒体。
【請求項２】
前記材料において、Ｔｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が４０〜７０原子％、Ｍ原子の含有割合が１１〜５９原子％である、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記材料において、Ｍ原子の含有割合が３５原子％を超える、請求項２に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記情報層が、前記記録層に隣接して配置された誘電体層をさらに含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記情報層が、前記記録層に対してレーザ光入射側と反対側に配置された反射層をさらに含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記記録層の膜厚が３ｎｍ〜２００ｎｍである、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項７】
前記基板上に、第１情報層〜第ｎ情報層（ｎは２以上の整数）がこの順で分離層を介して互いに積層されており、
前記第１情報層〜前記第ｎ情報層から選ばれる少なくとも１つが前記記録層を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項８】
請求項１に記載の情報記録媒体の製造方法であって、
前記情報層を形成する工程を含み、前記工程において、前記記録層を気相薄膜堆積法によって形成する、情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光を照射することにより記録層が光学的に変化して情報が記録される追記型の情報記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
大容量、高速度での情報の記録再生が可能な媒体として情報記録媒体が知られている。これは、記録材料にレーザ光を局所的に照射した際に生じる熱によって、記録材料が、光学的に区別可能な異なる状態へ変化することを利用して記録を行うものである。この情報記録媒体は、必要に応じてランダムアクセスが可能であり、且つ可搬性にも優れるという大きな利点を有しているため、近年ますますその重要性が高まっている。例えば、コンピュータを通じた個人データ及び映像情報等の記録又は保存、医療分野、学術分野又は家庭用ビデオテープレコーダーの置き換え等、様々な分野での需要が高まっている。【０００３】
現在、相変化形記録媒体について、アプリケーションの高性能化や画像情報の高性能化に伴い、さらに大容量化、高密度化、高速化を達成することが求められている。【０００４】
従来から提案されている媒体の種類としては、多数回の書き換えが可能な書換型媒体、１回のみ書き込み可能な追記型媒体が挙げられる。追記型媒体は、一般に、書換型媒体と比較して層数を少なくできる場合が多いため、製造が容易であり、媒体の低コスト化が可能である。また、書き換えができないことから、ユーザーが破壊されたくないデータを書きこむ際に好都合である。このことから、保存寿命が長く、信頼性の高い追記型媒体は、アーカイバル用途として大きな需要がある。【０００５】
そこで、追記型の記録材料としていくつかの酸化物材料が提案されている。例えば、ＴｅとＴｅＯ2との混合物であるＴｅＯx（０＜ｘ＜２）を主成分とする記録材料がその１つである（特開昭５０−４６３１７号公報参照）。ＴｅＯx記録材料では、記録後に信号が飽和するまでに若干時間を要するといった課題があったが、Ｐｄ等の添加材料を加えることによって改善できることが報告されている（特開昭５８−５４３３８号公報参照）。Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ系記録材料の記録メカニズムは次のように考えられる。成膜後でのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ膜は、ＴｅＯ2の中にＴｅ−Ｐｄ、Ｔｅ、或いはＰｄが微粒子として一様に分散している複合材料である。レーザ光の照射後は、この複合材料が溶融されて、Ｔｅ、Ｔｅ−Ｐｄ及びＰｄがより大きな結晶粒子となって析出するため、光学状態が変化し、その差が信号として検出できる。この記録メカニズムは、組成を変化させることにより、変化することも考えられる。【０００６】
一方、近年、情報の大容量化に伴って、情報記録媒体のさらなる記録密度向上が要求されている。よって、より短波長・高開口数（高ＮＡ）の光学系、特に青紫色レーザ光を用いた高密度記録に対応できる記録媒体を開発することが必要とされている。そこで、上述したＴｅ−Ｏ−Ｐｄ系記録材料を青紫色波長域で用いるために、記録層に誘電体層を併設することによって、情報層における記録−未記録間の反射率差を大きくすることが提案されている（特開２００２−１３３７１２号公報参照）。【０００７】
また、より記録密度を向上させるために、複数の情報層に情報を記録可能な多層の情報記録媒体が提案されている。このような媒体では、光入射面から遠い側に配置された情報層にデータを記録する際、レーザ光が、より光入射面に近い側に配置された情報層を透過する必要がある。よって、光入射面に近い側の情報層は、レーザ光に対する透過率が高いまま、良好な信号品質を確保しなければならない。Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄを主成分とする材料は、ほぼ透明なＴｅＯ2を母材としているため、膜の透過率を高めることが容易であり、片面側から入射されたレーザ光によって多層の情報層に記録可能な多層光学情報媒体の記録材料に適用することができる。【０００８】
２層以上の情報層を含む多層情報記録媒体を実現しようとすると、レーザ光入射側からみて奥に位置する情報層に情報を記録再生する際に、より手前に位置する情報層の影響を受ける可能性がある。【０００９】
即ち、手前に位置する情報層の記録の有無によってこの情報層の透過率が異なる場合、この情報層が記録部か未記録部かによって、より奥側に位置する情報層へ到達するレーザ光量が異なるので、この手前の情報層を透過したレーザ光によって奥側に位置する情報層に対する正確な信号の記録、或いは再生が困難になる。これは、積層する情報層の層数が増すほど大きな課題となってくる。このような課題を解決する手段として、情報層に含まれる誘電体層の材料や膜厚を調節して透過率差を最小限に抑えることが提案されている。しかし、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ記録材料を用いた追記型情報記録媒体では、情報層に含まれる誘電体層の材料や膜厚の調整のみでは透過率差を十分に小さくできないという課題があった。【００１０】
また、特開２００２−１３３７１２号公報に記載された、アモルファス状態から結晶状態への変化を記録原理としているＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録材料を用いた追記型情報記録媒体では、反射率の変化を高レベルから低レベルになるようにするために、記録層の両側に誘電体層を備え、記録層に対してレーザ光入射側と反対側に反射層を設けることが必要となる。また、この情報記録媒体は、情報層に誘電体層及び反射層が含まれる構成とすることにより、良好な信号品質を実現できている。このことは、１つの情報層が少なくとも４つの層を含む必要があることを意味し、結果的に情報記録媒体の製造コストが高くなるという課題もあった。このことも、積層する情報層の層数が増すほど大きな課題となる。【００１１】
このように、正確な信号の記録再生が可能な多層情報記録媒体を実現するために、手前の情報層の透過率差が小さく且つ製造コストが安い情報記録媒体が強く望まれていた。
【発明の開示】
【００１２】
本発明は、記録−未記録間での情報層の透過率差を低減できるとともに、製造コストを低減することができる情報記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１３】
本発明の情報記録媒体は、基板と、記録層を含む情報層とを備え、前記情報層にレーザ光が照射されることによって情報の記録及び再生が行われる情報記録媒体であって、前記記録層が、Ｔｅ、Ｏ及びＭからなる材料を主成分として含み、前記材料において、Ｔｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が２０〜７０原子％、Ｍ原子の含有割合が１１〜７９原子％である。ここで、Ｍは、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＡｕから選ばれる少なくとも１種の元素を示しており、本明細書において以下に示すＭも同様である。なお、本明細書において、「Ｔｅ、Ｏ及びＭからなる材料を主成分として含む」とは、記録層に含まれる全ての原子の合計を１００原子％とした場合に、Ｔｅ、Ｏ及びＭ原子の合計が７０原子％以上、好ましくは８５原子％以上含まれることをいう。
【００１４】
本発明の情報記録媒体の製造方法は、上記の本発明の情報記録媒体を製造する方法であって、前記情報層を形成する工程を含み、前記工程において、前記記録層を気相薄膜堆積法によって形成する方法である。
【００１５】
本発明の情報記録媒体及びその製造方法によれば、情報層における記録−未記録間での透過率差を低減できるとともに、製造コストの低減も可能となる。したがって、本発明によれば、正確な記録再生が可能であって且つ安価な多層情報記録媒体を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の情報記録媒体の記録層に用いられる記録材料の一例であるＴｅ−Ｏ−Ｐｄの組成範囲を示す図である。
【図２】図２は、本発明の情報記録媒体の一構成例を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の情報記録媒体の別の構成例を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の情報記録媒体のさらに別の構成例を示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の情報記録媒体のさらに別の構成例を示す断面図である。
【図６】図６は、本発明の情報記録媒体の記録再生に用いられる記録再生装置の一例について、構成の一部を示す模式図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の情報記録媒体に設けられた情報層に含まれる記録層は、上述したとおり、Ｔｅ、Ｏ及びＭからなる材料を主成分として含んでいる。Ｍは、上述したとおり、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＡｕから選ばれる１種又は複数の元素である。この材料におけるＴｅ原子の含有割合は１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合は２０〜７０原子％、Ｍ原子の含有割合は１１〜７９原子％である。記録層をこのような材料を用いて作製することによって、情報層における記録−未記録間の透過率差の低減と製造コストの低減とを同時に実現することができる。以下、本明細書において、記録層に用いられる前記材料のことを、「本発明におけるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料」という場合がある。【００１８】
情報層における記録−未記録間の透過率差をさらに低減するために、例えば、記録層に用いられるＴｅ、Ｏ及びＭからなる材料において、Ｔｅ原子の含有割合を１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合を４０〜７０原子％、Ｍ原子の含有割合を１１〜５９原子％とすることが好ましい。また、情報層における記録−未記録間の透過率差の十分な低減と、優れた信号品質（例えば良好なＣ／Ｎ比）とを同時に実現するために、さらに、Ｍ原子の含有割合が３５原子％を超えることが好ましい。【００１９】
信号品質を向上させるために、例えば、記録層に隣接して配置される少なくとも１つの誘電体層をさらに含む構成や、記録層に対してレーザ光入射側と反対側に配置される反射層をさらに含む構成とすることも可能である。信号品質向上のために、記録層の膜厚を３ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内に設定することも可能である。【００２０】
本発明の情報記録媒体は、複数の情報層が積層された多層情報記録媒体とすることも可能である。この場合は、基板上に、第１情報層〜第ｎ情報層（ｎは２以上の整数）がこの順で分離層を介して互いに積層されており、前記第１情報層〜前記第ｎ情報層から選ばれる少なくとも１つが前記記録層を含む構成とする。すなわち、第１情報層〜第ｎ情報層の少なくとも１つが、上記の本発明におけるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料を含む記録層を備えた構成とすればよい。このような構成によれば、正確な情報の記録再生が実現でき、更に製造コストも安い、多層情報記録媒体を実現できる。【００２１】
なお、本発明の情報記録媒体は、基板及び情報層を備えており、さらにその情報層が少なくとも記録層を含み、且つ当該記録層が上記に説明したＴｅ−Ｏ−Ｍからなる材料を主成分として含むものであればよいため、情報層の層構成等は特に限定されない。【００２２】
以下に、本発明の情報記録媒体及びその製造方法の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は一例であり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。また、以下の実施の形態では、同一の部材については同一の符号を付して、重複する説明を省略する場合がある。【００２３】
図１は、本発明の情報記録媒体の記録層に用いられるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料の一例を説明するための図である。詳細は後述するが、図１は、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄの３元系の組成図であり、本発明の情報記録媒体に用いられる記録材料の組成範囲を示している。【００２４】
図２、図３、図４及び図５には、それぞれ、本発明の情報記録媒体の構成例が示されている。【００２５】
図２に示された情報記録媒体１は、基板２上に記録層３からなる情報層が設けられており、この情報層の上に光透明層４がさらに設けられている。記録層３と光透明層４、及び／又は、記録層３と基板２の間には、情報層での効果的な光吸収を可能にする光学特性の調節のために、誘電体層、さらには合金材料等からなる反射層を適宜挿入してもよい。このような誘電体層や反射層が設けられた情報記録媒体の例が、図３に示されている。図３に示す情報記録媒体６には、基板７上に記録層１０を含む情報層１３が設けられており、情報層１３には、記録層１０に隣接して配置された第１の誘電体層９及び第２の誘電体層１１と、記録層１０に対してレーザ光入射側と反対側に配置される反射層８とが設けられている。すなわち、情報記録媒体６に設けられた情報層１３は、記録層１０、第１の誘電体層９、第２の誘電体層１１及び反射層８によって形成されている。これらの情報記録媒体１、６の情報層に対し、光透明層４、１２の側からレーザ光５を照射することによって、情報の記録再生が行われる。【００２６】
図４に示す情報記録媒体１４では、２個の情報層が分離層である中間層２１を介して互いに積層されている。すなわち、情報記録媒体１４は、本発明の一例として上述したｎ個の情報層を含む多層情報記録媒体においてｎ＝２の場合の例である。情報記録媒体１４には、基板１５上に第１情報層２０、第２情報層２５及び光透明層２６がこの順に設けられて構成されている。第１情報層２０と第２情報層２５との間に中間層２１を介在させることによって、第１情報層２０と第２情報層２５とを光学的に分離して不要な光学干渉を排除する。この情報記録媒体１４に対し、光透明層２６の側からレーザ光５を照射することによって、情報の記録再生が行われる。第１情報層２０は、高反射率と高信号品質とを両立するために、反射層１６、第１の誘電体層１７、記録層１８及び第２の誘電体層１９が順次積層された構成を有している。第２情報層２５は、高透過率と高信号品質とを両立するために、第１の誘電体層２２、記録層２３及び第２の誘電体層２４が順次積層された構成を有している。第２情報層２５に、記録層に対してレーザ光入射側と反対側、具体的には第１の誘電体層２２と中間層２１との間に配置される、合金材料等からなる反射層をさらに設けることもできる。また、第２情報層２５において各誘電体層を省くこともできる。【００２７】
図５に示す情報記録媒体２８は、基板２９上に、第１情報層３４、第２情報層３９、…、第ｎ情報層４４のｎ個の情報層がこの順に積層された構成を有している。ただし、図５に示すこの例においては、ｎは３以上の整数である。各情報層の間に中間層３５、４０、…を介在させることによって、各情報層を互いに光学的に分離して不要な光学干渉を排除する。この情報記録媒体２８に対し、光透明層４５の側からレーザ光５を照射することによって、情報の記録再生を行う。第１情報層３４は、高反射率と高信号品質を両立するために、反射層３０、第１の誘電体層３１、記録層３２及び第２の誘電体層３３が順次積層された構成を有している。第２情報層３９〜第ｎ情報層４４（ｎ≧３）は、高透過率と高信号品質とを両立するために、第１の誘電体層３６，４１，…、記録層３７，４２，…、第２の誘電体層３８，４３，…から構成されている。第２情報層３９〜第ｎ情報層４４には、記録層に対してレーザ光入射側と反対側、具体的には第１の誘電体層と中間層との間に配置される、合金材料等からなる反射層を設けることもできる。また、第２情報層３９〜第ｎ情報層４４において、各誘電体層を省くこともできる。【００２８】
本発明の情報記録媒体に複数の情報層が設けられる場合には、そのうちの少なくとも１つの情報層が、本発明におけるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料を主成分として含む記録層を備えていればよく、このような材料にて形成された記録層を含まない情報層がさらに設けられていてもよい。例えば、追記型ではなく、書き換え型又は再生専用型の情報層を、任意の位置に追加することができる。【００２９】
また、情報層は、基板の一面上に形成されていてもよいし、例えば、基板上に１又は複数の情報層を形成した情報記録媒体２枚を、それぞれの基板側を対向させて貼り合わせ、両面構造とするなどして、基板の表裏二面上に形成されていてもよい。これにより、媒体１枚あたりに蓄積できる情報量をさらに増加させることができる。【００３０】
図２〜図５に示した基板２、７、１５、２９（以下、単に基板と記載する。）の材料としては、透明なポリカーボネイト樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を用いることができる。その厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１．５ｍｍ程度が適している。その形状も特に限定されないが、円盤状が適している。【００３１】
図２〜図５に示した光透明層４、１２、２６、４５（以下、単に光透明層と記載する。）の材料としては、使用するレーザ光の波長に対して光吸収が小さく、短波長域において光学的に複屈折率が小さいことが好ましく、透明なポリカーボネイト樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を用いることができる。また、光透明層の厚さは特に限定されないが、０．０１〜１．５ｍｍ程度のものを用いることができる。その形状も特に限定されないが、例えば円盤状のものを使用できる。【００３２】
記録及び再生に用いられる対物レンズの開口数が０．７５〜０．９５の場合、情報記録媒体製造時の強度を保つために基板の厚さは１．００〜１．２０ｍｍの範囲内であり、チルトに対する許容幅を小さくするために光透明層の厚さは０．０３ｍｍ〜０．２０ｍｍの範囲内であることが好ましい。【００３３】
一方、対物レンズの開口数が０．５５〜０．７５の場合、基板の厚さは０．５０〜０．７０ｍｍの範囲内であり、光透明層の厚さは０．５０ｍｍ〜０．７０ｍｍの範囲内であることが好ましい。【００３４】
図２〜図５に示した中間層２１、３５、４０（以下、単に中間層と記載する。）の材料としては、基板と同様の材料を用いることができる。その厚さは、図４に示す情報記録媒体１４の場合には第１情報層２０と第２情報層２５との間のクロストークが小さくなるように、図５に示す情報記録媒体の場合には第１情報層〜第ｎ情報層のいずれか１つを再生する際に他の情報層からのクロストークが小さくなるように、少なくとも対物レンズの開口数とレーザ光の波長λとにより決定される焦点深度以上の厚さであることが必要である。また、記録再生ピックアップヘッドが特定の基材厚みｔで収差が最小となるように設計されているときは、記録再生時に信号品質に与える影響が許容範囲内となるように、全ての情報層が特定の範囲内に収まる厚みであることも必要である。３層以上の情報層を積層する場合は、それぞれの中間層の厚みを異なる厚みとすることが好ましい。なぜなら、中間層が同じ厚みの場合、情報層の位置が等間隔となり、レーザ光入射側からｎ番目の情報層（第ｎ情報層）の記録再生を行う際に（ｎ−２）番目の情報層（第ｎ−２情報層）を有する場合、ｎ番目の情報層の焦点とは異なる別の焦点が（ｎ−２）番目の情報層にも結像し、（ｎ−２）番目の情報層の情報がｎ番目の情報層の情報にノイズとなって影響するからである。【００３５】
基板、光透明層、中間層の少なくともいずれかには、レーザ光を導くための案内溝又はピットが、情報層の位置する側に形成されていることが好ましい。【００３６】
図２及び図３に示した記録層３、１０は、光学特性が異なる２つ以上の状態間をとりうる材料から構成される。この記録層３、１０の材料は、この異なる状態間を非可逆的に変化しうるものが好ましく、Ｔｅ、Ｏ及びＭからなる材料であって、当該材料に含有されるＴｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が２０〜７０原子％、Ｍ原子の含有割合が１１〜７９％の組成範囲内を満たす、本発明におけるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料が用いられる。図１に示すＴｅ−Ｏ−Ｐｄの例では、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄで囲まれる領域の組成に相当する。この組成範囲を満たす材料を主成分とする記録層を備えた情報層は、記録−未記録間での透過率差を低減できるとともに、情報層を構成する層の数を減らすことも可能であることから製造コストを低減することができる。【００３７】
多層情報記録媒体である図４に示した情報記録媒体１４の記録層１８、２３の少なくとも何れか一方が、本発明におけるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料を主成分として含む。また、図５に示す情報記録媒体２８の記録層３２、３７、４２も同様に、少なくとも何れか１つの記録層が、本発明におけるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料を主成分として含む。【００３８】
本発明におけるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料では、透過率を確保するとともに記録層の熱伝導率を適切な範囲に保つ観点から、Ｏ原子の含有割合が２０〜７０原子％程度である。さらに、レーザ光照射時に十分な光学特性の変化を確保し、適当なＣ／Ｎ比を得るという観点から、１〜１９原子％のＴｅ原子、さらに１１〜７９％のＭ原子が含まれる。【００３９】
また、本発明におけるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料において、Ｔｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が４０〜７０原子％、Ｍ原子の含有割合が１１〜５９％の組成範囲にあることがより好ましい。なお、この組成範囲は、図１に示すＴｅ−Ｏ−Ｐｄの例ではＣ、Ｄ、Ｅ、Ｆで囲まれる領域に相当する。これにより、記録−未記録間での透過率差をより低減できる情報記録媒体を実現できる。さらに、情報層における記録−未記録間の透過率差の十分な低減と、優れた信号品質（例えば良好なＣ／Ｎ比）とを同時に実現するために、例えば、Ｍ原子の含有割合が３５原子％を超えることが好ましい。なお、この組成範囲は、図１に示すＴｅ−Ｏ−Ｐｄの例ではＥ、Ｆ、Ｇ、Ｈで囲まれる領域（ただし、Ｇ−Ｈ線上は含まない）に相当する。【００４０】
なお、記録層は、本発明におけるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料のみから形成されていてもよいし、Ｔｅ、Ｏ及びＭ以外の元素を含んでいてもよい。例えば、熱伝導率や光学定数の調整、耐熱性・環境信頼性の向上等を目的として、Ｓ、Ｎ、Ｆ、Ｂ及びＣから選ばれる少なくとも１種の元素が添加されていてもよい。これらの添加元素は、記録層全体の２０原子％以内とすることが好ましい。【００４１】
元素Ｍとしては、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＡｕから選ばれる１つまたは複数の元素が考えられる。特に、元素ＭとしてＰｄを選んだ場合には良好な信号品質が得られるが、その他の元素においても同様の信号品質を確保することができる。【００４２】
記録層の膜厚は、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましい。このような厚み範囲内とすることによって、記録再生特性において十分なＣ／Ｎ比が得やすく、記録層の薄膜面内の熱拡散を適当な値に調整して、高密度記録においてＣ／Ｎ比が低くなることを防止できるからである。特に、十分な反射率及び反射率変化を得てＣ／Ｎ比を高めるためには、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下がより好ましい。【００４３】
図３〜図５に示された第１の誘電体層９、１７、２２、３１、３６、４１（以下、単に第１の誘電体層と記載する。）、第２の誘電体層１１、１９、２４、３３、３８、４３（以下、単に第２の誘電体層と記載する。）は、記録材料の保護、情報層での効果的な光吸収を可能にする等の光学特性の調節を主な目的として設けられる。【００４４】
第１の誘電体層、第２の誘電体層の材料としては、ＺｎＳ等の硫化物、ＺｎＳｅ等のセレン化物、Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｏ、Ｚｒ−Ｏ、Ｃｒ−Ｏ等の酸化物、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｍｏ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ等の窒化物、Ｇｅ−Ｏ−Ｎ、Ｃｒ−Ｏ−Ｎ、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ａｌ−Ｏ−Ｎ、Ｎｂ−Ｏ−Ｎ、Ｍｏ−Ｏ−Ｎ、Ｔｉ−Ｏ−Ｎ、Ｚｒ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｏ−Ｎ等の窒酸化物、Ｇｅ−Ｃ、Ｃｒ−Ｃ、Ｓｉ−Ｃ、Ａｌ−Ｃ、Ｔｉ−Ｃ、Ｚｒ−Ｃ、Ｔａ−Ｃ等の炭化物、Ｓｉ−Ｆ、Ａｌ−Ｆ、Ｃａ−Ｆ、Ｌａ−Ｆ等の弗化物又はこれらの適当な組み合わせ（例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等）等が用いられる。第１の誘電体層の膜厚は、１ｎｍ以上６０ｎｍ以下が好ましい。記録再生特性において十分なＣ／Ｎ比を得やすいためである。【００４５】
図３〜図５に示された反射層８、１６、３０（以下、単に反射層と記載する。）は、放熱効果や記録層での効果的な光吸収等の光学的効果を得るために設けられることが好ましい。反射層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の金属又は適宜選択された金属の合金より形成することができる。その膜厚は１ｎｍ以上であることが好ましい。膜を均一層とし、熱的、光学的な効果を確保するためである。なお、図３〜５に示した情報記録媒体は反射層を有する構成であるが、反射層を有さない構成であってもよい。図４では第１情報層２０のみ反射層１６を有する構成であるが、第２情報層２５が反射層を有していてもよいし、第１情報層２０が反射層１６を有さない構成であってもよい。一般に、反射層を設けると情報層の透過率は低下するが、上記で述べた放熱効果や光学的効果により、高い信号品質を容易に得ることができる。このため、レーザ光の入射側に位置する情報層（図４に示す形態の場合は第２情報層２５）については、反射層を設けるかどうか適宜設計を行うことが必要であり、反射層を設けた場合は、その厚さを例えば１０ｎｍ以下の薄膜にすることにより、情報層の高い透過率に保つことができる。【００４６】
本発明の情報記録媒体を製造する方法の一例として、情報層を形成する工程において、本発明におけるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料を主成分とする記録層を気相薄膜堆積法を用いて形成する方法が挙げられる。また、本発明の情報記録媒体を構成する上記の各薄膜も、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法等の気相薄膜堆積法によって形成することができる。【００４７】
例えば図３に示す情報記録媒体６の場合、基板７上に、反射層８、第１の誘電体層９、記録層１０及び第２の誘電体層１１を気相薄膜堆積法を用いて順次成膜し、さらにその上に光透明層１２を形成する。光透明層１２の形成方法は、第２の誘電体層１１まで作製した媒体と、接着樹脂を片面に有する基材とを貼り合わせることによって形成してもよく、第２の誘電体層１１まで作製した媒体とシート状の基材とを紫外線硬化性樹脂によって貼り合わせることにより形成してもよく、さらに第２の誘電体層１１まで作製した媒体上に紫外線硬化樹脂を塗布することによって形成してもよい。図２、図４及び図５に示す情報記録媒体に関しても、同様に、情報層を構成する各層の成膜工程と、中間層及び光透明層の形成工程を設けることによって作製することができる。【００４８】
次に、本発明の情報記録媒体の記録再生方法の一例について述べる。【００４９】
図６に、情報記録媒体が光ディスクである場合に、記録再生に用いる装置の一例の概略を示す。信号の記録再生に用いられる装置４７には、レーザ光源５１及び対物レンズ５０を搭載した光学ヘッド（図示省略）と、レーザ光４９を照射する位置を所定の位置へと導くための駆動装置（図示省略）と、トラック方向及び膜面に垂直な方向の位置を制御するためのトラッキング制御装置及びフォーカシング制御装置（図示省略）と、レーザパワーを変調するためのレーザ駆動装置（図示省略）と、媒体４８を回転させるためのスピンドルモータ５３と、媒体４８からの信号を読み取る光検出器５２と、が設けられている。【００５０】
信号の記録及び再生は、まず媒体４８をスピンドルモータ５３により回転させ、光学系によりレーザ光を微小スポットに絞りこんで、媒体４８へレーザ光４９を照射することにより行う。信号の再生の際には、信号の記録を行うパワーレベルよりも低く、そのパワーレベルでのレーザ光照射によって記録マークの光学的な状態が影響を受けず、且つその照射によって媒体から記録マークの再生のために十分な光量が得られるパワーのレーザビームを照射し、得られる媒体からの信号を光検出器５２で読みとることによって行うことができる。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、以下の実施例は本発明を限定するものではない。【００５２】
（実施例１）
実施例１では、図３に示した情報記録媒体６から反射層を省いた層構成を有する情報記録媒体を作製した。【００５３】
本実施例においては、元素ＭとしてＰｄを用いたＴｅ−Ｏ−Ｐｄ材料からなる記録層を用いた例について検討した。【００５４】
ポリカーボネイト樹脂からなる厚さ１．２ｍｍ、溝ピッチ０．３２μｍのレーザ案内用溝の設けられた透明基板上に、スパッタリング法によって、ＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ｔｅ−Ｐｄからなるターゲットを用いて、スパッタガスＡｒ（０〜５０ｓｃｃｍ）及びＯ2（５〜５０ｓｃｃｍ）の雰囲気中で、１０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ材料からなる記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットを用いて膜厚３０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、の各層をこの順に成膜した。【００５５】
この表面上に、レーザ光に対して透明な紫外線硬化性樹脂により、厚さ１００μｍの光透明層を形成した。ターゲット組成及びスパッタガス中のＯ2量を変化させることにより記録層の組成が異なるサンプルディスクを計１４種類（ディスク１〜１４）作製した。これらは記録層組成の依存性を調べるために作製したディスクであり、表１に各ディスクの記録層のＸ線マイクロアナライザにおける元素分析結果を示す。【００５６】
ディスク１〜１４に対し、波長４０５ｎｍ、開口数ＮＡ０．８５の光学系を用い、線速度４．９ｍ／ｓで回転させながら、ランダム信号の信号品質において支配的である１２．２ＭＨｚの単一信号を記録した。未記録のトラックに１回だけ記録を行い、その信号のＣ／Ｎ比をスペクトラムアナライザで測定した。ここで、４３ｄＢより大きいＣ／Ｎ比が得られれば良好な信号品質を得ることが可能であることから◎、３８〜４３ｄＢの場合には使用可能な信号品質であることから○、３８ｄＢ未満の場合には信号品質が優れていないことから×と判定した。【００５７】
また、情報を記録したディスク１〜１４を、温度９０℃、相対湿度８０％の環境下において５０時間にわたり保持することによって、加速試験を実行した。加速試験後のディスク１〜１４に記録された情報を再生し、加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量を測定した。ここで、Ｃ／Ｎ比の劣化量が２ｄＢ未満であれば媒体の信頼性に優れていることから○、２ｄＢ以上の場合には媒体の信頼性が優れていないことから×と判定した。【００５８】
さらに、各ディスクの未記録・記録部の透過率を以下の方法で測定した。具体的には、未記録部の透過率を分光器により測定し、次に評価装置においてその部分にランダム信号を記録した。信号を記録した部分の透過率を分光器で測定し、記録−未記録間の透過率変化を算出した。ここで、透過率の変化量が２％未満であれば透過率バランスに優れていることから◎、２〜５％の場合には使用可能な程度の透過率バランスが得られることから○、５％より大きい場合には透過率バランスの点で不適当であるため×と判定した。【００５９】
【表１】
2007123230.tif 000003
【００６０】
表１によると、記録層中のＴｅ量が１原子％未満の範囲ではＰｄ−Ｏが支配的であり、加速試験中にＰｄ−Ｏが変質しＣ／Ｎ比が劣化するため、実用上問題があった。【００６１】
また、記録層中のＯ量が７０原子％より大きい範囲では記録層中のＯ量が過大であり、加速試験中にＰｄ−Ｏが変質しＣ／Ｎ比が劣化するため、実用上問題があった。【００６２】
これに対し、記録層中のＯ量が２０原子％未満の範囲では、Ｏ量が少ないために光学変化の元であるＰｄ−Ｏの結合が過少であるので初期のＣ／Ｎ比が低く、実用上問題があった。また、記録層中のＴｅ量が１９原子％より大きい範囲では、Ｔｅ量が過大であるため、成膜の際にＴｅ−Ｏの結合が支配的になる。その結果、光学変化の元であるＰｄ−Ｏの結合が過少になるため初期のＣ／Ｎ比が低く、実用上問題があった。【００６３】
したがって、初期のＣ／Ｎ比と加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量を考慮に入れると、記録層中のＴｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が２０〜７０原子％、Ｐｄ原子の含有割合が１１〜７９％の組成範囲が適していると考えられる。この組成範囲は、図１の組成図に、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄで囲まれた領域として示されている。【００６４】
また、記録層中のＯ量が４０原子％より小さい領域では記録−未記録間での透過率の変化量が大きくなる場合があるため、多層情報記録媒体のレーザ入射側の層（たとえば図４における第２情報層、図５における第２情報層から第ｎの情報層）に用いると実用上問題になる場合もある。【００６５】
したがって、初期のＣ／Ｎ比、加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量、そして透過率の変化量についてより良好な特性を得るために、記録層中のＴｅ原子の割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の割合が４０原子％以上７０原子％以下の組成範囲が好ましい。この組成範囲は、図１の組成図に、Ｅ、Ｆ、Ｃ、Ｄで囲まれた領域として示されている。【００６６】
また、記録層中のＯ原子の含有割合が４０原子％以上であり、Ｐｄ原子の含有割合が３５原子％を超えており、Ｔｅ原子の含有割合が１９原子％以下である範囲では、より高い初期のＣ／Ｎ比が実現できる。【００６７】
したがって、初期のＣ／Ｎ比、加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量、そして透過率の変化量についてさらに良好な特性を得るために、記録層中のＴｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が４０原子％以上、Ｐｄ原子の割合が３５原子％を超える組成範囲が好ましい。この組成範囲は、図１の組成図に、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈで囲まれた領域として示されている。【００６８】
以上のことから、図１の組成図においてＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄで囲まれた領域は図２〜図５に示された全ての情報層の記録材料として使用可能であるが、その中でもＣ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、で囲まれた領域とＥ、Ｆ、Ｇ、Ｈで囲まれた領域との組成範囲が特に適していることがわかった。また、情報層が１つだけ設けられている情報記録媒体（図２及び図３参照）や、複数の情報層のうちレーザ光入射側からみて最も奥に配置された情報層（図４及び図５に示した第１情報層）のように、記録−未記録間の透過率の変化が問題にならない情報層に用いられる記録材料としては、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄで囲まれた領域の組成を好適に使用できることがわかる。【００６９】
本実施例によれば、記録層の組成としてＴｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が２０〜７０原子％、Ｐｄ原子の含有割合が１１〜７９原子％の組成範囲を満たす材料を選択することによって、良好な記録特性が得られることを確認できた。【００７０】
さらに、記録層の組成として、Ｔｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の割合が４０〜７０原子％の組成範囲を満たす材料を選択することによって、記録−未記録間での透過率差をより低減でき、良好な初期Ｃ／Ｎ比を得ることが可能であることも確認できた。【００７１】
さらに、記録層の組成として、Ｔｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が４０原子％以上、Ｐｄ原子の割合が３５原子％を超える組成範囲を選択することによって、記録−未記録間での透過率差を低減でき、より良好な初期Ｃ／Ｎ比を得ることができることも確認できた。【００７２】
（実施例２）
実施例２では、図３に示した情報記録媒体６から反射層を省いた層構成を有する情報記録媒体を作製した。記録層の作製に用いられるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料には、元素Ｍとして、実施例１で用いたＰｄ以外のＲｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＡｕを用いたものを使用した。【００７３】
ポリカーボネイト樹脂からなる厚さ１．２ｍｍ、溝ピッチが０．３２μｍのレーザ案内用溝が設けられた透明基板上に、スパッタリング法により、ＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ｔｅ−Ｍ（本実施例におけるＭは、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕの何れかである。）からなるターゲットを用いて、スパッタガスＡｒ（０〜５０ｓｃｃｍ）及びＯ2（５〜５０ｓｃｃｍ）の雰囲気中で、１０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｍからなる記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットを用いて膜厚３０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、の各層をこの順に成膜した。【００７４】
この表面上に、レーザ光に対して透明な紫外線硬化性樹脂により、厚さ１００μｍの光透明層を形成した。ターゲットの組成を変化させることによって記録層の組成が互いに異なるディスクサンプルを計８種類（ディスク１５〜２２）作製した。作製した各ディスクの記録層組成をＸ線マイクロアナライザによって確認したところ、Ｔｅ：Ｏ：Ｍの比がいずれも５：５８：３７（原子％）であった。【００７５】
上記のように作製された各ディスクに対し、実施例１と同様に初期Ｃ／Ｎ比、加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量、透過率の変化量を評価した。結果は、表２に示すとおりである。【００７６】
【表２】
2007123230.tif 000004
【００７７】
表２に示すように、元素ＭとしてＲｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＡｕの何れの元素を用いた場合でも、初期のＣ／Ｎ比が十分に高く、加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量が小さく、記録前後の透過率の変化量も十分に小さい情報層を実現できることが確認された。これにより、元素ＭとしてＲｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＡｕの何れの元素を用いた場合でも、Ｐｄを用いた場合と同様に、初期Ｃ／Ｎ比、信頼性及び透過率バランスの点で優れた特性を実現できることが確認できた。【００７８】
（実施例３）
実施例３では、図２に示した情報記録媒体１と同様の層構成を有する情報記録媒体を作製した。【００７９】
ポリカーボネイト樹脂からなる厚さ１．２ｍｍ、溝ピッチ０．３２μｍのレーザ光案内用溝の設けられた透明基板上に、Ｔｅ−Ｐｄからなるターゲットを用いて、スパッタガスＡｒ及びＯ2の雰囲気中で、スパッタリング法にて２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄからなる記録層を成膜した。この表面上に、レーザ光に対して透明な紫外線硬化樹脂を用いて、厚さ１００μｍの光透明層を形成した（ディスク２３）。記録層の組成は実施例１のディスク６と同一とした。【００８０】
ディスク２３に対し、実施例１と同様に、初期のＣ／Ｎ比、加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量、透過率の変化量を評価した。【００８１】
【表３】
2007123230.tif 000005
【００８２】
表３によると、ディスク２３では、ディスク６と同様に、初期のＣ／Ｎ比、加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量、透過率の変化量の点で良好であることがわかる。【００８３】
本実施例においても、実施例１で確認された記録材料の良好な組成条件、すなわちＴｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が２０〜７０原子％、Ｐｄ原子の含有割合が１１〜７９％の組成範囲を満たす材料からなる記録層を気相薄膜堆積法によって形成したところ、良好な特性のディスクを得ることができた。【００８４】
（実施例４）
実施例４では、４個の情報層が積層された情報記録媒体、すなわち、図５に示した情報記録媒体２８においてｎ＝４の場合の情報記録媒体を作製した。各情報層における記録層の材料としてＴｅ−Ｏ−Ｐｄを用い、作製されたサンプルディスクについて実施例１と同様の方法で初期のＣ／Ｎ比と環境信頼性（加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量）とを調べた。【００８５】
基板としては、ポリカーボネイト樹脂を用いた。基板の直径を１２ｃｍ、厚さを１．１ｍｍ、レーザ光案内用溝の溝ピッチを０．３２μｍ、溝の深さを２０ｎｍとした。【００８６】
基板の案内溝が形成された側の表面上に、第１情報層として、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（Ａｇ：Ｐｄ：Ｃｕ＝９８．１：０．９：１．０（重量比））ターゲットを用いて膜厚８０ｎｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ反射層、ＺｎＯターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＯ誘電体層、Ｔｅ−Ｐｄからなるターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄからなる記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８０：２０（分子数比））ターゲットを用いて膜厚３０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に成膜した。このように作製された第１情報層上（具体的にはＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層上）に、紫外線硬化性樹脂を用いて、基板と同じ溝パターンが転写形成された厚さ約１３．５μｍの中間層を形成した。【００８７】
以上のように第１情報層上に形成された中間層の表面上に、第２情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚１５ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｐｄターゲットを用いて膜厚１１ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄからなる記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８０：２０（分子数比））ターゲットを用いて膜厚２２ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に成膜した。このように作製された第２情報層上（具体的にはＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層上）に、紫外線硬化性樹脂を用いて、基板と同じ溝パターンが転写形成された厚さ約１７．５μｍの中間層を形成した。【００８８】
第２情報層上に形成された中間層の表面上に、第３情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｐｄターゲットを用いて膜厚７ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄからなる記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８０：２０（分子数比））ターゲットを用いて膜厚３４ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に成膜した。このように作製された第３情報層上（具体的にはＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層上）に、紫外線硬化性樹脂を用いて、基板と同じ溝パターンが転写形成された厚さ約９．５μｍの中間層を形成した。【００８９】
第３情報層上に形成された中間層の表面上に、第４情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｐｄターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄからなる記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８０：２０（分子数比））ターゲットを用いて膜厚４５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に成膜した。このように作製された第４情報層上（具体的にはＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層上）に、紫外線硬化性樹脂を用いて厚さ約５９．５μｍの光透明層を形成した。【００９０】
各層の成膜は、何れも、直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍ程度のターゲットを用い、反射層はＤＣ電源２００Ｗ、誘電体層はＲＦ電源３００Ｗ、記録層はＲＦ電源１００Ｗで成膜した。また、反射層の形成には４．２×１０-7ｍ3／Ｓ（２５ｓｃｃｍ）のＡｒガスを、記録層の形成には４．２×１０-7ｍ3／Ｓ（２５ｓｃｃｍ）のＡｒガスと適量の酸素ガスとの混合ガスを、誘電体層の形成には４．２×１０-7ｍ3／Ｓ（２５ｓｃｃｍ）のＡｒガスを、何れもガス圧約０．１３Ｐａに保った雰囲気で成膜した。【００９１】
本実施例において作製した各情報層における記録層の組成比は、表４に示すように、第１情報層及び第２情報層がＴｅ：Ｏ：Ｐｄ＝５：４５：５０（原子％）、第３情報層及び第４情報層がＴｅ：Ｏ：Ｐｄ＝５：５８：３７（原子％）であった。【００９２】
以上のように作製したサンプルディスク２４に対し、実施例１と同様に、初期のＣ／Ｎ比と、加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量とを評価した。ただし、本実施例では４つの情報層を備えており、各情報層を評価する際に他の情報層に情報を記録しなかった。たとえば、第１情報層のＣ／Ｎ比を評価する際には、第２情報層、第３情報層及び第４情報層には情報を記録しなかった。【００９３】
本実施例では、初期のＣ／Ｎ比は３８ｄＢ以上であれば良好な信号品質を得ることが可能であるため○、３８ｄＢ未満の場合には信号品質が優れていないことから×と判定した。また、加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量は、２ｄＢ未満であれば媒体の信頼性に優れていることから○、２ｄＢ以上の場合には媒体の信頼性が優れていないことから×と判定した。【００９４】
【表４】
2007123230.tif 000006
【００９５】
表４に示されるように、本実施例のディスク２４によれば、良好な初期Ｃ／Ｎ比と再生耐久性とを実現できることが確認された。なお、本実施例では、本発明の情報記録媒体における記録層に用いられる材料として、Ｔｅ：Ｏ：Ｐｄ＝５：４５：５０（原子％）、Ｔｅ：Ｏ：Ｐｄ＝５：５８：３７（原子％）の組成比を有する材料を例に挙げて本発明の効果を検討したが、図１に示す組成図のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄによって囲まれた領域内の他の組成についても、ディスク２４と同様に良好な特性が得られることを確認している。【００９６】
以上の結果から、記録層の材料として、Ｔｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が２０〜７０原子％、Ｍ原子の含有割合が１１〜７９原子％の組成範囲を満たす材料を選択することによって、良好な信号品質を示す４層の情報記録媒体を実現できることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００９７】
本発明の情報記録媒体及びその製造方法によれば、情報層における記録−未記録間での透過率差を低減でき、さらに情報層を製造するコストを低減できるので、記録再生特性が良好な情報記録媒体、特に多層情報記録媒体を低コストで得るために有用である。
【図１】
2007123230.tif 000007
【図２】
2007123230.tif 000008
【図３】
2007123230.tif 000009
【図４】
2007123230.tif 000010
【図５】
2007123230.tif 000011
【図６】
2007123230.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月10日(2007.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、記録層を含む情報層とを備え、レーザ光が照射されることによって情報の記録及び再生が行われる情報記録媒体であって、
前記記録層が、Ｔｅ、Ｏ及びＭ（Ｍは、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕから選ばれる少なくとも１種の元素）からなる材料を主成分として含み、
前記材料において、Ｔｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が４０〜７０原子％、Ｍ原子の含有割合が３５原子％を超え、５９原子％以下である、情報記録媒体。
【請求項２】
（削除）
【請求項３】
（削除）
【請求項４】
前記情報層が、前記記録層に隣接して配置された誘電体層をさらに含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記情報層が、前記記録層に対してレーザ光入射側と反対側に配置された反射層をさらに含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記記録層の膜厚が３ｎｍ〜２００ｎｍである、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項７】
前記基板上に、第１情報層〜第ｎ情報層（ｎは２以上の整数）がこの順で分離層を介して互いに積層されており、
前記第１情報層〜前記第ｎ情報層から選ばれる少なくとも１つが前記記録層を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項８】
請求項１に記載の情報記録媒体の製造方法であって、
前記情報層を形成する工程を含み、前記工程において、前記記録層を気相薄膜堆積法によって形成する、情報記録媒体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月14日(2008.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、記録層を含む情報層とを備え、レーザ光が照射されることによって情報の記録及び再生が行われる情報記録媒体であって、
前記記録層が、Ｔｅ、Ｏ及びＭ（Ｍは、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕから選ばれる少なくとも１種の元素）からなる材料を主成分として含み、
前記材料において、Ｔｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が４０〜７０原子％、Ｍ原子の含有割合が３５原子％を超え、５９原子％以下である、情報記録媒体。
【請求項２】
前記情報層が、前記記録層に隣接して配置された誘電体層をさらに含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記情報層が、前記記録層に対してレーザ光入射側と反対側に配置された反射層をさらに含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記記録層の膜厚が３ｎｍ〜２００ｎｍである、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記基板上に、第１情報層〜第ｎ情報層（ｎは２以上の整数）がこの順で分離層を介して互いに積層されており、
前記第１情報層〜前記第ｎ情報層から選ばれる少なくとも１つが前記記録層を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
請求項１に記載の情報記録媒体の製造方法であって、
前記情報層を形成する工程を含み、前記工程において、前記記録層を気相薄膜堆積法によって形成する、情報記録媒体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光を照射することにより記録層が光学的に変化して情報が記録される追記型の情報記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
大容量、高速度での情報の記録再生が可能な媒体として情報記録媒体が知られている。これは、記録材料にレーザ光を局所的に照射した際に生じる熱によって、記録材料が、光学的に区別可能な異なる状態へ変化することを利用して記録を行うものである。この情報記録媒体は、必要に応じてランダムアクセスが可能であり、且つ可搬性にも優れるという大きな利点を有しているため、近年ますますその重要性が高まっている。例えば、コンピュータを通じた個人データ及び映像情報等の記録又は保存、医療分野、学術分野又は家庭用ビデオテープレコーダーの置き換え等、様々な分野での需要が高まっている。
【０００３】
現在、相変化形記録媒体について、アプリケーションの高性能化や画像情報の高性能化に伴い、さらに大容量化、高密度化、高速化を達成することが求められている。
【０００４】
従来から提案されている媒体の種類としては、多数回の書き換えが可能な書換型媒体、１回のみ書き込み可能な追記型媒体が挙げられる。追記型媒体は、一般に、書換型媒体と比較して層数を少なくできる場合が多いため、製造が容易であり、媒体の低コスト化が可能である。また、書き換えができないことから、ユーザーが破壊されたくないデータを書きこむ際に好都合である。このことから、保存寿命が長く、信頼性の高い追記型媒体は、アーカイバル用途として大きな需要がある。
【０００５】
そこで、追記型の記録材料としていくつかの酸化物材料が提案されている。例えば、ＴｅとＴｅＯ2との混合物であるＴｅＯx（０＜ｘ＜２）を主成分とする記録材料がその１つである（特開昭５０−４６３１７号公報参照）。ＴｅＯx記録材料では、記録後に信号が飽和するまでに若干時間を要するといった課題があったが、Ｐｄ等の添加材料を加えることによって改善できることが報告されている（特開昭５８−５４３３８号公報参照）。Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ系記録材料の記録メカニズムは次のように考えられる。成膜後でのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ膜は、ＴｅＯ2の中にＴｅ−Ｐｄ、Ｔｅ、或いはＰｄが微粒子として一様に分散している複合材料である。レーザ光の照射後は、この複合材料が溶融されて、Ｔｅ、Ｔｅ−Ｐｄ及びＰｄがより大きな結晶粒子となって析出するため、光学状態が変化し、その差が信号として検出できる。この記録メカニズムは、組成を変化させることにより、変化することも考えられる。
【０００６】
一方、近年、情報の大容量化に伴って、情報記録媒体のさらなる記録密度向上が要求されている。よって、より短波長・高開口数（高ＮＡ）の光学系、特に青紫色レーザ光を用いた高密度記録に対応できる記録媒体を開発することが必要とされている。そこで、上述したＴｅ−Ｏ−Ｐｄ系記録材料を青紫色波長域で用いるために、記録層に誘電体層を併設することによって、情報層における記録−未記録間の反射率差を大きくすることが提案されている（特開２００２−１３３７１２号公報参照）。
【０００７】
また、より記録密度を向上させるために、複数の情報層に情報を記録可能な多層の情報記録媒体が提案されている。このような媒体では、光入射面から遠い側に配置された情報層にデータを記録する際、レーザ光が、より光入射面に近い側に配置された情報層を透過する必要がある。よって、光入射面に近い側の情報層は、レーザ光に対する透過率が高いまま、良好な信号品質を確保しなければならない。Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄを主成分とする材料は、ほぼ透明なＴｅＯ2を母材としているため、膜の透過率を高めることが容易であり、片面側から入射されたレーザ光によって多層の情報層に記録可能な多層光学情報媒体の記録材料に適用することができる。
【０００８】
２層以上の情報層を含む多層情報記録媒体を実現しようとすると、レーザ光入射側からみて奥に位置する情報層に情報を記録再生する際に、より手前に位置する情報層の影響を受ける可能性がある。
【０００９】
即ち、手前に位置する情報層の記録の有無によってこの情報層の透過率が異なる場合、この情報層が記録部か未記録部かによって、より奥側に位置する情報層へ到達するレーザ光量が異なるので、この手前の情報層を透過したレーザ光によって奥側に位置する情報層に対する正確な信号の記録、或いは再生が困難になる。これは、積層する情報層の層数が増すほど大きな課題となってくる。このような課題を解決する手段として、情報層に含まれる誘電体層の材料や膜厚を調節して透過率差を最小限に抑えることが提案されている。しかし、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄ記録材料を用いた追記型情報記録媒体では、情報層に含まれる誘電体層の材料や膜厚の調整のみでは透過率差を十分に小さくできないという課題があった。
【００１０】
また、特開２００２−１３３７１２号公報に記載された、アモルファス状態から結晶状態への変化を記録原理としているＴｅ−Ｏ−Ｐｄ記録材料を用いた追記型情報記録媒体では、反射率の変化を高レベルから低レベルになるようにするために、記録層の両側に誘電体層を備え、記録層に対してレーザ光入射側と反対側に反射層を設けることが必要となる。また、この情報記録媒体は、情報層に誘電体層及び反射層が含まれる構成とすることにより、良好な信号品質を実現できている。このことは、１つの情報層が少なくとも４つの層を含む必要があることを意味し、結果的に情報記録媒体の製造コストが高くなるという課題もあった。このことも、積層する情報層の層数が増すほど大きな課題となる。
【００１１】
このように、正確な信号の記録再生が可能な多層情報記録媒体を実現するために、手前の情報層の透過率差が小さく且つ製造コストが安い情報記録媒体が強く望まれていた。
【発明の開示】
【００１２】
本発明は、記録−未記録間での情報層の透過率差を低減できるとともに、製造コストを低減することができる情報記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１３】
本発明の情報記録媒体は、基板と、記録層を含む情報層とを備え、前記情報層にレーザ光が照射されることによって情報の記録及び再生が行われる情報記録媒体であって、前記記録層が、Ｔｅ、Ｏ及びＭからなる材料を主成分として含み、前記材料において、Ｔｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が４０〜７０原子％、Ｍ原子の含有割合が３５原子％を超え、５９原子％以下である。ここで、Ｍは、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＡｕから選ばれる少なくとも１種の元素を示しており、本明細書において以下に示すＭも同様である。なお、本明細書において、「Ｔｅ、Ｏ及びＭからなる材料を主成分として含む」とは、記録層に含まれる全ての原子の合計を１００原子％とした場合に、Ｔｅ、Ｏ及びＭ原子の合計が７０原子％以上、好ましくは８５原子％以上含まれることをいう。
【００１４】
本発明の情報記録媒体の製造方法は、上記の本発明の情報記録媒体を製造する方法であって、前記情報層を形成する工程を含み、前記工程において、前記記録層を気相薄膜堆積法によって形成する方法である。
【００１５】
本発明の情報記録媒体及びその製造方法によれば、情報層における記録−未記録間での透過率差を低減できるとともに、製造コストの低減も可能となる。したがって、本発明によれば、正確な記録再生が可能であって且つ安価な多層情報記録媒体を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の情報記録媒体に設けられた情報層に含まれる記録層は、上述したとおり、Ｔｅ、Ｏ及びＭからなる材料を主成分として含んでいる。Ｍは、上述したとおり、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＡｕから選ばれる１種又は複数の元素である。この材料におけるＴｅ原子の含有割合は１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合は２０〜７０原子％、Ｍ原子の含有割合は１１〜７９原子％である。記録層をこのような材料を用いて作製することによって、情報層における記録−未記録間の透過率差の低減と製造コストの低減とを同時に実現することができる。以下、本明細書において、記録層に用いられる前記材料のことを、「本発明におけるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料」という場合がある。
【００１７】
情報層における記録−未記録間の透過率差をさらに低減するために、例えば、記録層に用いられるＴｅ、Ｏ及びＭからなる材料において、Ｔｅ原子の含有割合を１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合を４０〜７０原子％、Ｍ原子の含有割合を１１〜５９原子％とすることが好ましい。また、情報層における記録−未記録間の透過率差の十分な低減と、優れた信号品質（例えば良好なＣ／Ｎ比）とを同時に実現するために、さらに、Ｍ原子の含有割合が３５原子％を超えることが好ましい。
【００１８】
信号品質を向上させるために、例えば、記録層に隣接して配置される少なくとも１つの誘電体層をさらに含む構成や、記録層に対してレーザ光入射側と反対側に配置される反射層をさらに含む構成とすることも可能である。信号品質向上のために、記録層の膜厚を３ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内に設定することも可能である。
【００１９】
本発明の情報記録媒体は、複数の情報層が積層された多層情報記録媒体とすることも可能である。この場合は、基板上に、第１情報層〜第ｎ情報層（ｎは２以上の整数）がこの順で分離層を介して互いに積層されており、前記第１情報層〜前記第ｎ情報層から選ばれる少なくとも１つが前記記録層を含む構成とする。すなわち、第１情報層〜第ｎ情報層の少なくとも１つが、上記の本発明におけるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料を含む記録層を備えた構成とすればよい。このような構成によれば、正確な情報の記録再生が実現でき、更に製造コストも安い、多層情報記録媒体を実現できる。
【００２０】
なお、本発明の情報記録媒体は、基板及び情報層を備えており、さらにその情報層が少なくとも記録層を含み、且つ当該記録層が上記に説明したＴｅ−Ｏ−Ｍからなる材料を主成分として含むものであればよいため、情報層の層構成等は特に限定されない。
【００２１】
以下に、本発明の情報記録媒体及びその製造方法の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は一例であり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。また、以下の実施の形態では、同一の部材については同一の符号を付して、重複する説明を省略する場合がある。
【００２２】
図１は、本発明の情報記録媒体の記録層に用いられるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料の一例を説明するための図である。詳細は後述するが、図１は、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄの３元系の組成図であり、本発明の情報記録媒体に用いられる記録材料の組成範囲を示している。
【００２３】
図２、図３、図４及び図５には、それぞれ、本発明の情報記録媒体の構成例が示されている。
【００２４】
図２に示された情報記録媒体１は、基板２上に記録層３からなる情報層が設けられており、この情報層の上に光透明層４がさらに設けられている。記録層３と光透明層４、及び／又は、記録層３と基板２の間には、情報層での効果的な光吸収を可能にする光学特性の調節のために、誘電体層、さらには合金材料等からなる反射層を適宜挿入してもよい。このような誘電体層や反射層が設けられた情報記録媒体の例が、図３に示されている。図３に示す情報記録媒体６には、基板７上に記録層１０を含む情報層１３が設けられており、情報層１３には、記録層１０に隣接して配置された第１の誘電体層９及び第２の誘電体層１１と、記録層１０に対してレーザ光入射側と反対側に配置される反射層８とが設けられている。すなわち、情報記録媒体６に設けられた情報層１３は、記録層１０、第１の誘電体層９、第２の誘電体層１１及び反射層８によって形成されている。これらの情報記録媒体１、６の情報層に対し、光透明層４、１２の側からレーザ光５を照射することによって、情報の記録再生が行われる。
【００２５】
図４に示す情報記録媒体１４では、２個の情報層が分離層である中間層２１を介して互いに積層されている。すなわち、情報記録媒体１４は、本発明の一例として上述したｎ個の情報層を含む多層情報記録媒体においてｎ＝２の場合の例である。情報記録媒体１４には、基板１５上に第１情報層２０、第２情報層２５及び光透明層２６がこの順に設けられて構成されている。第１情報層２０と第２情報層２５との間に中間層２１を介在させることによって、第１情報層２０と第２情報層２５とを光学的に分離して不要な光学干渉を排除する。この情報記録媒体１４に対し、光透明層２６の側からレーザ光５を照射することによって、情報の記録再生が行われる。第１情報層２０は、高反射率と高信号品質とを両立するために、反射層１６、第１の誘電体層１７、記録層１８及び第２の誘電体層１９が順次積層された構成を有している。第２情報層２５は、高透過率と高信号品質とを両立するために、第１の誘電体層２２、記録層２３及び第２の誘電体層２４が順次積層された構成を有している。第２情報層２５に、記録層に対してレーザ光入射側と反対側、具体的には第１の誘電体層２２と中間層２１との間に配置される、合金材料等からなる反射層をさらに設けることもできる。また、第２情報層２５において各誘電体層を省くこともできる。
【００２６】
図５に示す情報記録媒体２８は、基板２９上に、第１情報層３４、第２情報層３９、…、第ｎ情報層４４のｎ個の情報層がこの順に積層された構成を有している。ただし、図５に示すこの例においては、ｎは３以上の整数である。各情報層の間に中間層３５、４０、…を介在させることによって、各情報層を互いに光学的に分離して不要な光学干渉を排除する。この情報記録媒体２８に対し、光透明層４５の側からレーザ光５を照射することによって、情報の記録再生を行う。第１情報層３４は、高反射率と高信号品質を両立するために、反射層３０、第１の誘電体層３１、記録層３２及び第２の誘電体層３３が順次積層された構成を有している。第２情報層３９〜第ｎ情報層４４（ｎ≧３）は、高透過率と高信号品質とを両立するために、第１の誘電体層３６，４１，…、記録層３７，４２，…、第２の誘電体層３８，４３，…から構成されている。第２情報層３９〜第ｎ情報層４４には、記録層に対してレーザ光入射側と反対側、具体的には第１の誘電体層と中間層との間に配置される、合金材料等からなる反射層を設けることもできる。また、第２情報層３９〜第ｎ情報層４４において、各誘電体層を省くこともできる。
【００２７】
本発明の情報記録媒体に複数の情報層が設けられる場合には、そのうちの少なくとも１つの情報層が、本発明におけるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料を主成分として含む記録層を備えていればよく、このような材料にて形成された記録層を含まない情報層がさらに設けられていてもよい。例えば、追記型ではなく、書き換え型又は再生専用型の情報層を、任意の位置に追加することができる。
【００２８】
また、情報層は、基板の一面上に形成されていてもよいし、例えば、基板上に１又は複数の情報層を形成した情報記録媒体２枚を、それぞれの基板側を対向させて貼り合わせ、両面構造とするなどして、基板の表裏二面上に形成されていてもよい。これにより、媒体１枚あたりに蓄積できる情報量をさらに増加させることができる。
【００２９】
図２〜図５に示した基板２、７、１５、２９（以下、単に基板と記載する。）の材料としては、透明なポリカーボネイト樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を用いることができる。その厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１．５ｍｍ程度が適している。その形状も特に限定されないが、円盤状が適している。
【００３０】
図２〜図５に示した光透明層４、１２、２６、４５（以下、単に光透明層と記載する。）の材料としては、使用するレーザ光の波長に対して光吸収が小さく、短波長域において光学的に複屈折率が小さいことが好ましく、透明なポリカーボネイト樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を用いることができる。また、光透明層の厚さは特に限定されないが、０．０１〜１．５ｍｍ程度のものを用いることができる。その形状も特に限定されないが、例えば円盤状のものを使用できる。
【００３１】
記録及び再生に用いられる対物レンズの開口数が０．７５〜０．９５の場合、情報記録媒体製造時の強度を保つために基板の厚さは１．００〜１．２０ｍｍの範囲内であり、チルトに対する許容幅を小さくするために光透明層の厚さは０．０３ｍｍ〜０．２０ｍｍの範囲内であることが好ましい。
【００３２】
一方、対物レンズの開口数が０．５５〜０．７５の場合、基板の厚さは０．５０〜０．７０ｍｍの範囲内であり、光透明層の厚さは０．５０ｍｍ〜０．７０ｍｍの範囲内であることが好ましい。
【００３３】
図２〜図５に示した中間層２１、３５、４０（以下、単に中間層と記載する。）の材料としては、基板と同様の材料を用いることができる。その厚さは、図４に示す情報記録媒体１４の場合には第１情報層２０と第２情報層２５との間のクロストークが小さくなるように、図５に示す情報記録媒体の場合には第１情報層〜第ｎ情報層のいずれか１つを再生する際に他の情報層からのクロストークが小さくなるように、少なくとも対物レンズの開口数とレーザ光の波長λとにより決定される焦点深度以上の厚さであることが必要である。また、記録再生ピックアップヘッドが特定の基材厚みｔで収差が最小となるように設計されているときは、記録再生時に信号品質に与える影響が許容範囲内となるように、全ての情報層が特定の範囲内に収まる厚みであることも必要である。３層以上の情報層を積層する場合は、それぞれの中間層の厚みを異なる厚みとすることが好ましい。なぜなら、中間層が同じ厚みの場合、情報層の位置が等間隔となり、レーザ光入射側からｎ番目の情報層（第ｎ情報層）の記録再生を行う際に（ｎ−２）番目の情報層（第ｎ−２情報層）を有する場合、ｎ番目の焦点とは異なる別の焦点が（ｎ−２）番目の情報層にも結像し、（ｎ−２）番目の情報がｎ番目の情報にノイズとなって影響するからである。
【００３４】
基板、光透明層、中間層の少なくともいずれかには、レーザ光を導くための案内溝又はピットが、情報層の位置する側に形成されていることが好ましい。
【００３５】
図２及び図３に示した記録層３、１０は、光学特性が異なる２つ以上の状態間をとりうる材料から構成される。この記録層３、１０の材料は、この異なる状態間を非可逆的に変化しうるものが好ましく、Ｔｅ、Ｏ及びＭからなる材料であって、当該材料に含有されるＴｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が２０〜７０原子％、Ｍ原子の含有割合が１１〜７９％の組成範囲内を満たす、本発明におけるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料が用いられる。図１に示すＴｅ−Ｏ−Ｐｄの例では、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄで囲まれる領域の組成に相当する。この組成範囲を満たす材料を主成分とする記録層を備えた情報層は、記録−未記録間での透過率差を低減できるとともに、情報層を構成する層の数を減らすことも可能であることから製造コストを低減することができる。
【００３６】
多層情報記録媒体である図４に示した情報記録媒体１４の記録層１８、２３の少なくとも何れか一方が、本発明におけるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料を主成分として含む。また、図５に示す情報記録媒体２８の記録層３２、３７、４２も同様に、少なくとも何れか１つの記録層が、本発明におけるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料を主成分として含む。
【００３７】
本発明におけるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料では、透過率を確保するとともに記録層の熱伝導率を適切な範囲に保つ観点から、Ｏ原子の含有割合が２０〜７０原子％程度である。さらに、レーザ光照射時に十分な光学特性の変化を確保し、適当なＣ／Ｎ比を得るという観点から、１〜１９原子％のＴｅ原子、さらに１１〜７９％のＭ原子が含まれる。
【００３８】
また、本発明におけるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料において、Ｔｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が４０〜７０原子％、Ｍ原子の含有割合が１１〜５９％の組成範囲にあることがより好ましい。なお、この組成範囲は、図１に示すＴｅ−Ｏ−Ｐｄの例ではＣ、Ｄ、Ｅ、Ｆで囲まれる領域に相当する。これにより、記録−未記録間での透過率差をより低減できる情報記録媒体を実現できる。さらに、情報層における記録−未記録間の透過率差の十分な低減と、優れた信号品質（例えば良好なＣ／Ｎ比）とを同時に実現するために、例えば、Ｍ原子の含有割合が３５原子％を超えることが好ましい。なお、この組成範囲は、図１に示すＴｅ−Ｏ−Ｐｄの例ではＥ、Ｆ、Ｇ、Ｈで囲まれる領域（ただし、Ｇ−Ｈ線上は含まない）に相当する。
【００３９】
なお、記録層は、本発明におけるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料のみから形成されていてもよいし、Ｔｅ、Ｏ及びＭ以外の元素を含んでいてもよい。例えば、熱伝導率や光学定数の調整、耐熱性・環境信頼性の向上等を目的として、Ｓ、Ｎ、Ｆ、Ｂ及びＣから選ばれる少なくとも１種の元素が添加されていてもよい。これらの添加元素は、記録層全体の２０原子％以内とすることが好ましい。
【００４０】
元素Ｍとしては、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＡｕから選ばれる１つまたは複数の元素が考えられる。特に、元素ＭとしてＰｄを選んだ場合には良好な信号品質が得られるが、その他の元素においても同様の信号品質を確保することができる。
【００４１】
記録層の膜厚は、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましい。このような厚み範囲内とすることによって、記録再生特性において十分なＣ／Ｎ比が得やすく、記録層の薄膜面内の熱拡散を適当な値に調整して、高密度記録においてＣ／Ｎ比が低くなることを防止できるからである。特に、十分な反射率及び反射率変化を得てＣ／Ｎ比を高めるためには、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下がより好ましい。
【００４２】
図２〜図５に示された第１の誘電体層９、１７、２２、３１、３６、４１（以下、単に第１の誘電体層と記載する。）、第２の誘電体層１１、１９、２４、３３、３８、４３（以下、単に第２の誘電体層と記載する。）は、記録材料の保護、情報層での効果的な光吸収を可能にする等の光学特性の調節を主な目的として設けられる。
【００４３】
第１の誘電体層、第２の誘電体層の材料としては、ＺｎＳ等の硫化物、ＺｎＳｅ等のセレン化物、Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ｔｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｏ、Ｚｒ−Ｏ、Ｃｒ−Ｏ等の酸化物、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｍｏ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ等の窒化物、Ｇｅ−Ｏ−Ｎ、Ｃｒ−Ｏ−Ｎ、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ａｌ−Ｏ−Ｎ、Ｎｂ−Ｏ−Ｎ、Ｍｏ−Ｏ−Ｎ、Ｔｉ−Ｏ−Ｎ、Ｚｒ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｏ−Ｎ等の窒酸化物、Ｇｅ−Ｃ、Ｃｒ−Ｃ、Ｓｉ−Ｃ、Ａｌ−Ｃ、Ｔｉ−Ｃ、Ｚｒ−Ｃ、Ｔａ−Ｃ等の炭化物、Ｓｉ−Ｆ、Ａｌ−Ｆ、Ｃａ−Ｆ、Ｌａ−Ｆ等の弗化物又はこれらの適当な組み合わせ（例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等）等が用いられる。第１の誘電体層の膜厚は、１ｎｍ以上６０ｎｍ以下が好ましい。記録再生特性において十分なＣ／Ｎ比を得やすいためである。
【００４４】
図３〜図５に示された反射層８、１６、３０（以下、単に反射層と記載する。）は、放熱効果や記録層での効果的な光吸収等の光学的効果を得るために設けられることが好ましい。反射層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の金属又は適宜選択された金属の合金より形成することができる。その膜厚は１ｎｍ以上であることが好ましい。膜を均一層とし、熱的、光学的な効果を確保するためである。なお、図３〜５に示した情報記録媒体は反射層を有する構成であるが、反射層を有さない構成であってもよい。図４では第１情報層２０のみ反射層１６を有する構成であるが、第２情報層２５が反射層を有していてもよいし、第１情報層２０が反射層１６を有さない構成であってもよい。一般に、反射層を設けると情報層の透過率は低下するが、上記で述べた放熱効果や光学的効果により、高い信号品質を容易に得ることができる。このため、レーザ光の入射側に位置する情報層（図４に示す形態の場合は第２情報層２５）については、反射層を設けるかどうか適宜設計を行うことが必要であり、反射層を設けた場合は、その厚さを例えば１０ｎｍ以下の薄膜にすることにより、情報層の高い透過率に保つことができる。
【００４５】
本発明の情報記録媒体を製造する方法の一例として、情報層を形成する工程において、本発明におけるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料を主成分とする記録層を気相薄膜堆積法を用いて形成する方法が挙げられる。また、本発明の情報記録媒体を構成する上記の各薄膜も、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法等の気相薄膜堆積法によって形成することができる。
【００４６】
例えば図３に示す情報記録媒体６の場合、基板７上に、反射層８、第１の誘電体層９、記録層１０及び第２の誘電体層１１を気相薄膜堆積法を用いて順次成膜し、さらにその上に光透明層１２を形成する。光透明層１２の形成方法は、第２の誘電体層１１まで作製した媒体と、接着樹脂を片面に有する基材とを貼り合わせることによって形成してもよく、第２の誘電体層１１まで作製した媒体とシート状の基材とを紫外線硬化性樹脂によって貼り合わせることにより形成してもよく、さらに第２の誘電体層１１まで作製した媒体上に紫外線硬化樹脂を塗布することによって形成してもよい。図２、図４及び図５に示す情報記録媒体に関しても、同様に、情報層を構成する各層の成膜工程と、中間層及び光透明層の形成工程を設けることによって作製することができる。
【００４７】
次に、本発明の情報記録媒体の記録再生方法の一例について述べる。
【００４８】
図６に、情報記録媒体が光ディスクである場合に、記録再生に用いる装置の一例の概略を示す。信号の記録再生に用いられる装置には、レーザ光源５１及び対物レンズ５０を搭載した光学ヘッド（図示省略）と、レーザ光を照射する位置を所定の位置へと導くための駆動装置（図示省略）と、トラック方向及び膜面に垂直な方向の位置を制御するためのトラッキング制御装置及びフォーカシング制御装置（図示省略）と、レーザパワーを変調するためのレーザ駆動装置（図示省略）と、媒体を回転させるためのスピンドルモータ５３と、媒体からの信号を読み取る光検出器５２と、が設けられている。
【００４９】
信号の記録及び再生は、まず媒体をスピンドルモータ５３により回転させ、光学系によりレーザ光を微小スポットに絞りこんで、媒体へレーザ光を照射することにより行う。信号の再生の際には、信号の記録を行うパワーレベルよりも低く、そのパワーレベルでのレーザ光照射によって記録マークの光学的な状態が影響を受けず、且つその照射によって媒体から記録マークの再生のために十分な光量が得られるパワーのレーザビームを照射し、得られる媒体からの信号を光検出器５２で読みとることによって行うことができる。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、以下の実施例は本発明を限定するものではない。
【００５１】
（実施例１）
実施例１では、図３に示した情報記録媒体６から反射層を省いた層構成を有する情報記録媒体を作製した。
【００５２】
本実施例においては、元素ＭとしてＰｄを用いたＴｅ−Ｏ−Ｐｄ材料からなる記録層を用いた例について検討した。
【００５３】
ポリカーボネイト樹脂からなる厚さ１．２ｍｍ、溝ピッチ０．３２μｍのレーザ案内用溝の設けられた透明基板上に、スパッタリング法によって、ＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ｔｅ−Ｐｄからなるターゲットを用いて、スパッタガスＡｒ（０〜５０ｓｃｃｍ）及びＯ2（５〜５０ｓｃｃｍ）の雰囲気中で、１０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄ材料からなる記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットを用いて膜厚３０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、の各層をこの順に成膜した。
【００５４】
この表面上に、レーザ光に対して透明な紫外線硬化性樹脂により、厚さ１００μｍの光透明層を形成した。ターゲット組成及びスパッタガス中のＯ2量を変化させることにより記録層の組成が異なるサンプルディスクを計１４種類（ディスク１〜１４）作製した。これらは記録層組成の依存性を調べるために作製したディスクであり、表１に各ディスクの記録層のＸ線マイクロアナライザにおける元素分析結果を示す。
【００５５】
ディスク１〜１４に対し、波長４０５ｎｍ、開口数ＮＡ０．８５の光学系を用い、線速度４．９ｍ／ｓで回転させながら、ランダム信号の信号品質において支配的である１２．２ＭＨｚの単一信号を記録した。未記録のトラックに１回だけ記録を行い、その信号のＣ／Ｎ比をスペクトラムアナライザで測定した。ここで、４３ｄＢより大きいＣ／Ｎ比が得られれば良好な信号品質を得ることが可能であることから◎、３８〜４３ｄＢの場合には使用可能な信号品質であることから○、３８ｄＢ未満の場合には信号品質が優れていないことから×と判定した。
【００５６】
また、情報を記録したディスク１〜１４を、温度９０℃、相対湿度８０％の環境下において５０時間にわたり保持することによって、加速試験を実行した。加速試験後のディスク１〜１４に記録された情報を再生し、加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量を測定した。ここで、Ｃ／Ｎ比の劣化量が２ｄＢ未満であれば媒体の信頼性に優れていることから○、２ｄＢ以上の場合には媒体の信頼性が優れていないことから×と判定した。
【００５７】
さらに、各ディスクの未記録・記録部の透過率を以下の方法で測定した。具体的には、未記録部の透過率を分光器により測定し、次に評価装置においてその部分にランダム信号を記録した。信号を記録した部分の透過率を分光器で測定し、記録−未記録間の透過率変化を算出した。ここで、透過率の変化量が２％未満であれば透過率バランスに優れていることから◎、２〜５％の場合には使用可能な程度の透過率バランスが得られることから○、５％より大きい場合には透過率バランスの点で不適当であるため×と判定した。
【００５８】
【表１】
2007123230.tif 000013
【００５９】
表１によると、記録層中のＴｅ量が１原子％未満の範囲ではＰｄ−Ｏが支配的であり、加速試験中にＰｄ−Ｏが変質しＣ／Ｎ比が劣化するため、実用上問題があった。
【００６０】
また、記録層中のＯ量が７０原子％より大きい範囲では記録層中のＯ量が過大であり、加速試験中にＰｄ−Ｏが変質しＣ／Ｎ比が劣化するため、実用上問題があった。
【００６１】
これに対し、記録層中のＯ量が２０原子％未満の範囲では、Ｏ量が少ないために光学変化の元であるＰｄ−Ｏの結合が過少であるので初期のＣ／Ｎ比が低く、実用上問題があった。また、記録層中のＴｅ量が１９原子％より大きい範囲では、Ｔｅ量が過大であるため、成膜の際にＴｅ−Ｏの結合が支配的になる。その結果、光学変化の元であるＰｄ−Ｏの結合が過少になるため初期のＣ／Ｎ比が低く、実用上問題があった。
【００６２】
したがって、初期のＣ／Ｎ比と加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量を考慮に入れると、記録層中のＴｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が２０〜７０原子％、Ｐｄ原子の含有割合が１１〜７９％の組成範囲が適していると考えられる。この組成範囲は、図１の組成図に、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄで囲まれた領域として示されている。
【００６３】
また、記録層中のＯ量が４０原子％より小さい領域では記録−未記録間での透過率の変化量が大きくなる場合があるため、多層情報記録媒体のレーザ入射側の層（たとえば図４における第２情報層、図５における第２情報層から第ｎの情報層）に用いると実用上問題になる場合もある。
【００６４】
したがって、初期のＣ／Ｎ比、加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量、そして透過率の変化量についてより良好な特性を得るために、記録層中のＴｅ原子の割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の割合が４０原子％以上７０原子％以下の組成範囲が好ましい。この組成範囲は、図１の組成図に、Ｅ、Ｆ、Ｃ、Ｄで囲まれた領域として示されている。
【００６５】
また、記録層中のＯ原子の含有割合が４０原子％以上であり、Ｐｄ原子の含有割合が３５原子％を超えており、Ｔｅ原子の含有割合が１９原子％以下である範囲では、より高い初期のＣ／Ｎ比が実現できる。
【００６６】
したがって、初期のＣ／Ｎ比、加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量、そして透過率の変化量についてさらに良好な特性を得るために、記録層中のＴｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が４０原子％以上、Ｐｄ原子の割合が３５原子％を超える組成範囲が好ましい。この組成範囲は、図１の組成図に、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈで囲まれた領域として示されている。
【００６７】
以上のことから、図１の組成図においてＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄで囲まれた領域は図２〜図５に示された全ての情報層の記録材料として使用可能であるが、その中でもＣ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、で囲まれた領域とＥ、Ｆ、Ｇ、Ｈで囲まれた領域との組成範囲が特に適していることがわかった。また、情報層が１つだけ設けられている情報記録媒体（図２及び図３参照）や、複数の情報層のうちレーザ光入射側からみて最も奥に配置された情報層（図４及び図５に示した第１情報層）のように、記録−未記録間の透過率の変化が問題にならない情報層に用いられる記録材料としては、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄで囲まれた領域の組成を好適に使用できることがわかる。
【００６８】
本実施例によれば、記録層の組成としてＴｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が２０〜７０原子％、Ｐｄ原子の含有割合が１１〜７９原子％の組成範囲を満たす材料を選択することによって、良好な記録特性が得られることを確認できた。
【００６９】
さらに、記録層の組成として、Ｔｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の割合が４０〜７０原子％の組成範囲を満たす材料を選択することによって、記録−未記録間での透過率差をより低減でき、良好な初期Ｃ／Ｎ比を得ることが可能であることも確認できた。
【００７０】
さらに、記録層の組成として、Ｔｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が４０原子％以上、Ｐｄ原子の割合が３５原子％を超える組成範囲を選択することによって、記録−未記録間での透過率差を低減でき、より良好な初期Ｃ／Ｎ比を得ることができることも確認できた。
【００７１】
（実施例２）
実施例２では、図３に示した情報記録媒体６から反射層を省いた層構成を有する情報記録媒体を作製した。記録層の作製に用いられるＴｅ−Ｏ−Ｍ材料には、元素Ｍとして、実施例１で用いたＰｄ以外のＲｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＡｕを用いたものを使用した。
【００７２】
ポリカーボネイト樹脂からなる厚さ１．２ｍｍ、溝ピッチが０．３２μｍのレーザ案内用溝が設けられた透明基板上に、スパッタリング法により、ＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、Ｔｅ−Ｍ（本実施例におけるＭは、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕの何れかである。）からなるターゲットを用いて、スパッタガスＡｒ（０〜５０ｓｃｃｍ）及びＯ2（５〜５０ｓｃｃｍ）の雰囲気中で、１０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｍからなる記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットを用いて膜厚３０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、の各層をこの順に成膜した。
【００７３】
この表面上に、レーザ光に対して透明な紫外線硬化性樹脂により、厚さ１００μｍの光透明層を形成した。ターゲットの組成を変化させることによって記録層の組成が互いに異なるディスクサンプルを計８種類（ディスク１５〜２２）作製した。作製した各ディスクの記録層組成をＸ線マイクロアナライザによって確認したところ、Ｔｅ：Ｏ：Ｍの比がいずれも５：５８：３７（原子％）であった。
【００７４】
上記のように作製された各ディスクに対し、実施例１と同様に初期Ｃ／Ｎ比、加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量、透過率の変化量を評価した。結果は、表２に示すとおりである。
【００７５】
【表２】
2007123230.tif 000014
【００７６】
表２に示すように、元素ＭとしてＲｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＡｕの何れの元素を用いた場合でも、初期のＣ／Ｎ比が十分に高く、加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量が小さく、記録前後の透過率の変化量も十分に小さい情報層を実現できることが確認された。これにより、元素ＭとしてＲｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＡｕの何れの元素を用いた場合でも、Ｐｄを用いた場合と同様に、初期Ｃ／Ｎ比、信頼性及び透過率バランスの点で優れた特性を実現できることが確認できた。
【００７７】
（実施例３）
実施例３では、図２に示した情報記録媒体１と同様の層構成を有する情報記録媒体を作製した。
【００７８】
ポリカーボネイト樹脂からなる厚さ１．２ｍｍ、溝ピッチ０．３２μｍのレーザ光案内用溝の設けられた透明基板上に、Ｔｅ−Ｐｄからなるターゲットを用いて、スパッタガスＡｒ及びＯ2の雰囲気中で、スパッタリング法にて２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄからなる記録層を成膜した。この表面上に、レーザ光に対して透明な紫外線硬化樹脂を用いて、厚さ１００μｍの光透明層を形成した（ディスク２３）。記録層の組成は実施例１のディスク６と同一とした。
【００７９】
ディスク２３に対し、実施例１と同様に、初期のＣ／Ｎ比、加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量、透過率の変化量を評価した。
【００８０】
【表３】
2007123230.tif 000015
【００８１】
表３によると、ディスク２３では、ディスク６と同様に、初期のＣ／Ｎ比、加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量、透過率の変化量の点で良好であることがわかる。
【００８２】
本実施例においても、実施例１で確認された記録材料の良好な組成条件、すなわちＴｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が２０〜７０原子％、Ｐｄ原子の含有割合が１１〜７９％の組成範囲を満たす材料からなる記録層を気相薄膜堆積法によって形成したところ、良好な特性のディスクを得ることができた。
【００８３】
（実施例４）
実施例４では、４個の情報層が積層された情報記録媒体、すなわち、図５に示した情報記録媒体２８においてｎ＝４の場合の情報記録媒体を作製した。各情報層における記録層の材料としてＴｅ−Ｏ−Ｐｄを用い、作製されたサンプルディスクについて実施例１と同様の方法で初期のＣ／Ｎ比と環境信頼性（加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量）とを調べた。
【００８４】
基板としては、ポリカーボネイト樹脂を用いた。基板の直径を１２ｃｍ、厚さを１．１ｍｍ、レーザ光案内用溝の溝ピッチを０．３２μｍ、溝の深さを２０ｎｍとした。
【００８５】
基板の案内溝が形成された側の表面上に、第１情報層として、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（Ａｇ：Ｐｄ：Ｃｕ＝９８．１：０．９：１．０（重量比））ターゲットを用いて膜厚８０ｎｍのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ反射層、ＺｎＯターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＺｎＯ誘電体層、Ｔｅ−Ｐｄからなるターゲットを用いて膜厚２０ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄからなる記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８０：２０（分子数比））ターゲットを用いて膜厚３０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に成膜した。このように作製された第１情報層上（具体的にはＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層上）に、紫外線硬化性樹脂を用いて、基板と同じ溝パターンが転写形成された厚さ約１３．５μｍの中間層を形成した。
【００８６】
以上のように第１情報層上に形成された中間層の表面上に、第２情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚１５ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｐｄターゲットを用いて膜厚１１ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄからなる記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８０：２０（分子数比））ターゲットを用いて膜厚２２ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に成膜した。このように作製された第２情報層上（具体的にはＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層上）に、紫外線硬化性樹脂を用いて、基板と同じ溝パターンが転写形成された厚さ約１７．５μｍの中間層を形成した。
【００８７】
第２情報層上に形成された中間層の表面上に、第３情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｐｄターゲットを用いて膜厚７ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄからなる記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８０：２０（分子数比））ターゲットを用いて膜厚３４ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に成膜した。このように作製された第３情報層上（具体的にはＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層上）に、紫外線硬化性樹脂を用いて、基板と同じ溝パターンが転写形成された厚さ約９．５μｍの中間層を形成した。
【００８８】
第３情報層上に形成された中間層の表面上に、第４情報層として、ＡｌＮターゲットを用いて膜厚１０ｎｍのＡｌＮ誘電体層、Ｔｅ−Ｐｄターゲットを用いて膜厚６ｎｍのＴｅ−Ｏ−Ｐｄからなる記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８０：２０（分子数比））ターゲットを用いて膜厚４５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層、の各層をスパッタリング法によりこの順に成膜した。このように作製された第４情報層上（具体的にはＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体層上）に、紫外線硬化性樹脂を用いて厚さ約５９．５μｍの光透明層を形成した。
【００８９】
各層の成膜は、何れも、直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍ程度のターゲットを用い、反射層はＤＣ電源２００Ｗ、誘電体層はＲＦ電源３００Ｗ、記録層はＲＦ電源１００Ｗで成膜した。また、反射層の形成には４．２×１０-7ｍ3／ｓ（２５ｓｃｃｍ）のＡｒガスを、記録層の形成には４．２×１０-7ｍ3／ｓ（２５ｓｃｃｍ）のＡｒガスと適量の酸素ガスとの混合ガスを、誘電体層の形成には４．２×１０-7ｍ3／ｓ（２５ｓｃｃｍ）のＡｒガスを、何れもガス圧約０．１３Ｐａに保った雰囲気で成膜した。
【００９０】
本実施例において作製した各情報層における記録層の組成比は、表４に示すように、第１情報層及び第２情報層がＴｅ：Ｏ：Ｐｄ＝５：４５：５０（原子％）、第３情報層及び第４情報層がＴｅ：Ｏ：Ｐｄ＝５：５８：３７（原子％）であった。
【００９１】
以上のように作製したサンプルディスク２４に対し、実施例１と同様に、初期のＣ／Ｎ比と、加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量とを評価した。ただし、本実施例では４つの情報層を備えており、各情報層を評価する際に他の情報層に情報を記録しなかった。たとえば、第１情報層のＣ／Ｎ比を評価する際には、第２情報層、第３情報層及び第４情報層には情報を記録しなかった。
【００９２】
本実施例では、初期のＣ／Ｎ比は３８ｄＢ以上であれば良好な信号品質を得ることが可能であるため○、３８ｄＢ未満の場合には信号品質が優れていないことから×と判定した。また、加速試験後のＣ／Ｎ比劣化量は、２ｄＢ未満であれば媒体の信頼性に優れていることから○、２ｄＢ以上の場合には媒体の信頼性が優れていないことから×と判定した。
【００９３】
【表４】
2007123230.tif 000016
【００９４】
表４に示されるように、本実施例のディスク２４によれば、良好な初期Ｃ／Ｎ比と再生耐久性とを実現できることが確認された。なお、本実施例では、本発明の情報記録媒体における記録層に用いられる材料として、Ｔｅ：Ｏ：Ｐｄ＝５：４５：５０（原子％）、Ｔｅ：Ｏ：Ｐｄ＝５：５８：３７（原子％）の組成比を有する材料を例に挙げて本発明の効果を検討したが、図１に示す組成図のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄによって囲まれた領域内の他の組成についても、ディスク２４と同様に良好な特性が得られることを確認している。
【００９５】
以上の結果から、記録層の材料として、Ｔｅ原子の含有割合が１〜１９原子％、Ｏ原子の含有割合が２０〜７０原子％、Ｍ原子の含有割合が１１〜７９原子％の組成範囲を満たす材料を選択することによって、良好な信号品質を示す４層の情報記録媒体を実現できることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００９６】
本発明の情報記録媒体及びその製造方法によれば、情報層における記録−未記録間での透過率差を低減でき、さらに情報層を製造するコストを低減できるので、記録再生特性が良好な情報記録媒体、特に多層情報記録媒体を低コストで得るために有用である。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の情報記録媒体の記録層に用いられる記録材料の一例であるＴｅ−Ｏ−Ｐｄの組成範囲を示す図である。
【図２】本発明の情報記録媒体の一構成例を示す断面図である。
【図３】本発明の情報記録媒体の別の構成例を示す断面図である。
【図４】本発明の情報記録媒体のさらに別の構成例を示す断面図である。
【図５】本発明の情報記録媒体のさらに別の構成例を示す断面図である。
【図６】本発明の情報記録媒体の記録再生に用いられる記録再生装置の一例について、構成の一部を示す模式図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2007123230.tif 000017
【図２】
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【図３】
2007123230.tif 000019
【図４】
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【図５】
2007123230.tif 000021
【図６】
2007123230.tif 000022
【国際調査報告】
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2007123230.tif 000024
2007123230.tif 000025
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