【誤訳訂正書】
【提出日】令和1年5月14日(2019.5.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の温度で非構造化された基本ブロックコポリマーから得られ、スチレンを含む少なくとも一つのブロックと、メタクリル酸メチルを含む少なくとも一つの他のブロックとを有する、前記所定の温度でナノドメインにナノ構造化されるブロックコポリマーフィルムであって、以下の改変された化学式：
（Ａα（ｉ）−ｃｏ−Ｃγ）ｎ−ｂ−（Ｂβ（ｋ）−ｃｏ−Ｄδ）ｎ−１ （Ｉ）
(ここで、
「ｎ」は、該ブロックコポリマーのブロックの数を表し、２≦ｎ≦３であり、
「Ａ」はスチレン、「Ｂ」はメタクリル酸メチル、又は逆を表し、
「Ｃ」及び「Ｄ」はそれぞれ、該ブロックコポリマーの各ブロックに組み込まれたコモノマー又はコモノマーの混合物を表し、「Ｃ」及び「Ｄ」は、それぞれオレフィン性モノマー及びメタクリレートモノマーであり、スチレンブロックに組み込まれたコモノマー又はコモノマーの混合物は、メタクリル酸メチルブロックに組み込まれたコモノマー又はコモノマーの混合物とは異なっており、
各ブロックに組み込まれる各コモノマー又はコモノマーの混合物のモノマー単位の相対比率が、共重合するコモノマーに対して５から４９％であり、
下付き文字α（ｉ）及びβ（ｋ）は、該ブロックコポリマーの各ブロックに含まれるスチレン又はメタクリル酸メチルのモノマー単位の数を表し、すべてが互いに独立しており、
下付き文字γ及びδは、所与のブロック中のコモノマー単位の数を表し、すべてが互いに独立しており、
下付き文字α（ｉ）、β（ｋ）、γ及びδは、すべて１以上且つ５０００以下であり、
各ブロックの分子量が５００から２０００００であり、分散度指数が２以下である。)
を有することを特徴とするブロックコポリマーフィルム。
【請求項２】
各ブロックに組み込まれる前記コモノマー又はコモノマーの混合物のすべてが化学的及び／又は構造的に互いに異なることを特徴とする、請求項１に記載のブロックコポリマーフィルム。
【請求項３】
各ブロックの分子量が５００から２０００００であり、分散度指数が１．０２から１．７０であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のブロックコポリマーフィルム。
【請求項４】
ブロックコポリマーの総体積に対する各ブロックの体積分率が５から９５％まで幅があることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載のブロックコポリマーフィルム。
【請求項５】
ブロックコポリマーの総体積に対する各ブロックの体積分率が１５から８５％まで幅があることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載のブロックコポリマーフィルム。
【請求項６】
各コポリマーブロックのコモノマーがランダム型又はグラジエント型の配置を有することを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載のブロックコポリマーフィルム。
【請求項７】
所定の温度で非構造化された基本ブロックコポリマーから、スチレンを含む少なくとも一つのブロックと、メタクリル酸メチルを含む少なくとも一つの他のブロックとを有するブロックコポリマーフィルムをナノドメインにナノ構造化するための方法であって、以下の工程：
−  前記基本ブロックコポリマーの各ブロックに少なくとも一つのコモノマーを組み込むことによる前記ブロックコポリマーの合成であって、その結果前記ブロックコポリマーが以下の改変された式（Ｉ）：
（Ａα（ｉ）−ｃｏ−Ｃγ）ｎ−ｂ−（Ｂβ（ｋ）−ｃｏ−Ｄδ）ｎ−１ （Ｉ）
(ここで、
「ｎ」は、該ブロックコポリマーのブロックの数を表し、２≦ｎ≦３であり、
「Ａ」はスチレン、「Ｂ」はメタクリル酸メチル、又は逆を表し、
「Ｃ」及び「Ｄ」はそれぞれ、該ブロックコポリマーの各ブロックに組み込まれたコモノマー又はコモノマーの混合物を表し、「Ｃ」及び「Ｄ」は、それぞれオレフィン性モノマー及びメタクリレートモノマーであり、スチレンブロックに組み込まれたコモノマー又はコモノマーの混合物は、メタクリル酸メチルブロックに組み込まれたコモノマー又はコモノマーの混合物とは異なっており、
各ブロックに組み込まれる各コモノマー又はコモノマーの混合物のモノマー単位の相対比率が、共重合するコモノマーに対して５から４９％であり、
下付き文字α（ｉ）及びβ（ｋ）は、該ブロックコポリマーの各ブロックに含まれるスチレン又はメタクリル酸メチルのモノマー単位の数を表し、すべてが互いに独立しており、
下付き文字γ及びδは、所与のブロック中のコモノマー単位の数を表し、すべてが互いに独立しており、
下付き文字α（ｉ）、β（ｋ）、γ及びδは、すべて１以上且つ５０００以下であり、
各ブロックの分子量が５００から２０００００であり、分散度指数が２以下である。)
を満たす工程
−  前記ブロックコポリマーの溶液を表面にフィルム状に塗布する工程
−  該溶液から溶媒を蒸発させ、前記所定の温度でアニーリングする工程
を含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
合成が制御ラジカル重合により実施されることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
合成がアニオン重合により実施されることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
成長種と組み込まれるコモノマー又はコモノマーの混合物との間のｐＫａの差異が１２以下であることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
成長種と組み込まれるコモノマー又はコモノマーの混合物との間のｐＫａの差異が１０以下であることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
アニーリング工程が、前記表面に沈着するブロックコポリマーフィルムのナノ構造化を可能にし、２９３°Ｋから６７３°Ｋの温度Ｔで実施される、請求項７から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
ブロックコポリマーフィルムのナノ構造化を可能にするアニーリング工程が、溶媒雰囲気中又は熱的に、又はこれらの両方の方法の組み合わせを介して実施されることを特徴とする、請求項７から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
アニーリング工程時に、コポリマーブロックが５分以下の速度でナノドメインに自己組織化することを特徴とする、請求項７から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
アニーリング工程時に、コポリマーブロックが２分以下の速度でナノドメインに自己組織化することを特徴とする、請求項７から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
請求項７から１５のいずれか一項に記載の方法に従ってエッチングされる表面に沈着する、請求項１から６のいずれか一項に記載のブロックコポリマーフィルムから得られるナノリソグラフィマスクであって、前記コポリマーフィルムがエッチングされる表面に対して垂直に配向しているナノドメインを含むマスク。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
より具体的には、本発明は、およそ数ナノメートルの高度な相分離及び小さなサイズのナノドメインを有するスチレンとメタクリル酸メチルのブロックコポリマーフィルムに関する。本発明はさらに、所定の温度で非構造化された基本ブロックコポリマーからブロックコポリマーフィルムをナノ構造化するための方法に関する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
米国特許第８３０４４９３号及び同第８４５０４１８号は、高い相互作用パラメータχを有する基本ブロックコポリマーを修飾するための方法、及び修飾ブロックコポリマーを記載している。このようなブロックコポリマーは、相対的に速い速度で小さいサイズのナノドメインに自己集合することができるように、フローリー・ハギンズの相互作用パラメータχの値を低減させるために修飾される。より具体的には、これらの文献では、沈着する表面に対して平行に配向しているナノドメインを有するＰＳ-ｂ-ＰＤＭＳブロックコポリマー（ポリスチレン-ブロック-ポリ（ジメチルシロキサン））のフローリー・ハギンズのパラメータχを低減しようとしている。しかし、これらの文献に記載されているブロックコポリマーの集合速度は、数時間、通常は最大４時間まで持続することがあるため、極めて遅いままである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
文献  国際公開第２０１３／０１９６７９号には、基本ブロックコポリマーの該ブロックのうちの少なくとも一つが修飾される可能性を記載している。該ブロックコポリマーの少なくとも一つのブロックの修飾は、ナノドメインの表面エネルギー及び界面エネルギーに影響し、該ブロックコポリマー中のナノドメインの形態及び配向性の改変を伴う。この文献は、修飾ブロックコポリマーの組織化速度については触れず、所与の温度で非構造化されたブロックコポリマーのナノ構造化を可能にするように相互作用パラメータχの値を改変することを模索していない。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
技術的問題
したがって、本発明の目的は、先行技術の欠点の少なくとも一つを克服することである。本発明は特に、所定の温度で非構造化された基本ブロックコポリマーから出発し、スチレンを含む少なくとも一つのブロックとメタクリル酸メチルを含む少なくとももう一つのブロックとを有するブロックコポリマーフィルムを１０ｎｍ未満のサイズのナノドメインにナノ構造化するための方法を提案することを企図している。この目的のために、該ブロックコポリマーは、生成物χＮが７以上、好ましくは１０以上となってナノドメイン間の良好な相分離を可能にし、およそ１ナノメートルの分解能を得るように、修飾される。該ナノ構造化法はまた、およそ数分の組織化速度で、ブロックコポリマーの極めて迅速な組織化を可能にする必要がある。好ましくは、およそ数分の組織化速度を得るために、生成物χＮは５００以下、好ましくは２００以下である必要がある。本発明はまた、所定の温度で非構造化された基本ブロックコポリマーから得られ、スチレンを含む少なくとも一つのブロックとメタクリル酸メチルを含む少なくとももう一つのブロックとを有する、前記所定の温度で１０ｎｍ未満のサイズのナノドメインにナノ構造化されたブロックコポリマーフィルムを提案することを企図しており、前記コポリマーは、該ブロックの迅速な組織化速度を有するナノドメインに自己ナノ構造化するように修飾される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
驚くべきことに、所定の温度で非構造化された基本ブロックコポリマーから得られ、スチレンを含む少なくとも一つのブロックとメタクリル酸メチルを含む少なくとももう一つのブロックとを有する、前記所定の温度でナノドメインにナノ構造化されたブロックコポリマーフィルムは発見されており、以下の改変された化学式を有することを特徴する。
（Ａα（ｉ）-ｃｏ-Ｃγ）ｎ-ｂ-（Ｂβ（ｋ）-ｃｏ-Ｄδ）ｎ-１-ｂ-（Ａα（ｉ＋１）-ｃｏ-Ｅε）ｎ-２-ｂ-（Ｂβ（ｋ＋１）-ｃｏ-Ｆζ）ｎ-３-ｂ-…-ｂ-（Ｂβ（ｋ＋ｘ）-ｃｏ-Ｗω）ｎ-ｐ （Ｉ）
(ここで、
「ｎ」は、該ブロックコポリマーのブロックの数を表し、
「Ａ」はスチレン、「Ｂ」はメタクリル酸メチル、又は逆を表し、
「Ｃ」、「Ｄ」、「Ｅ」、「Ｆ」、…、「Ｗ」はそれぞれ、該ブロックコポリマーの各ブロックに組み込まれたコモノマー又はコモノマーの混合物を表し、スチレン系のブロックに組み込まれたコモノマー又はコモノマーの混合物は、メタクリル酸メチル系のブロックに組み込まれたコモノマー又はコモノマーの混合物とは異なっており、
下付き文字αｉ及びβｋは、該ブロックコポリマーの各ブロックに含まれるスチレン又はメタクリル酸メチルのモノマー単位の数を表し、
下付き文字γ、δ、ε、ζ…、及びωは、所与のブロック中のコモノマー単位の数を表し、すべては互いに独立しており、
下付き文字αｉ、βｋ、γ、δ、ε、ζ…、及びωは、すべて１以上であり、
χＮ値は所望の範囲で得られ、基本ＰＳ-ｂ-ＰＭＭＡ、すなわち修飾されていないブロックコポリマーの組織化速度と同程度、典型的にはおよそ数分から数十分の適切な組織化速度及び欠陥低減速度を保持ししつ、典型的には１０ｎｍ未満の小さいサイズのナノドメインが得られる。)
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
本発明はさらに、所定の温度で非構造化された基本ブロックコポリマーから出発し、スチレンを含む少なくとも一つのブロックとメタクリル酸メチルを含む少なくとももう一つのブロックとを有するブロックコポリマーフィルムをナノドメインにナノ構造化するための方法であって、以下の工程：
−  前記基本ブロックコポリマーの各ブロックに少なくとも一つのコモノマーを組み込むことによる前記ブロックコポリマーの合成であって、その結果前記ブロックコポリマーが次の改変された式（Ｉ）： 
（Ａα（ｉ）−ｃｏ−Ｃγ）ｎ−ｂ−（Ｂβ（ｋ）−ｃｏ−Ｄδ）ｎ−１−ｂ−（Ａα（ｉ＋１）−ｃｏ−Ｅε）ｎ−２−ｂ−（Ｂβ（ｋ＋１）−ｃｏ−Ｆζ）ｎ−３−ｂ−…−ｂ−（Ｂβ（ｋ＋ｘ）−ｃｏ−Ｗω）ｎ−ｐ （Ｉ）
（ここで、
「ｎ」は、該ブロックコポリマーのブロックの数を表し、
「Ａ」はスチレン、「Ｂ」はメタクリル酸メチル、又は逆を表し、
「Ｃ」、「Ｄ」、「Ｅ」、「Ｆ」、…、「Ｗ」はそれぞれ、該ブロックコポリマーの各ブロックに組み込まれたコモノマー又はコモノマーの混合物を表し、スチレン系のブロックに組み込まれたコモノマー又はコモノマーの混合物は、メタクリル酸メチル系のブロックに組み込まれたコモノマー又はコモノマーの混合物とは異なっており、
下付き文字αｉ及びβｋは、該ブロックコポリマーの各ブロックに含まれるスチレン又はメタクリル酸メチルのモノマー単位の数を表し、すべては互いに独立しており、
下付き文字γ、δ、ε、ζ…、及びωは、所与のブロック中のコモノマー単位の数を表し、すべては互いに独立しており、
下付き文字αｉ、βｋ、γ、δ、ε、ζ…、及びωは、すべて１以上である。）
を満たす工程；
−  前記ブロックコポリマーの溶液を表面にフィルム状に塗布する工程；
−  該溶液の溶媒を蒸発させ、前記所定の温度でアニーリングする工程
を含むことを特徴とする方法に関する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
本発明の原理は、各ブロック中のスチレン及びメタクリル酸メチルの反復単位を保持しつつ、各ブロックの重合反応の時点でコモノマーを組み込むことにより基本ＰＳ-ｂ-ＰＭＭＡブロックコポリマーの化学的骨格を改変することである。各ブロックへのこのコモノマーの組み込みは、骨格改変の大きさの関数である、ＰＳ系及びＰＭＭＡ系ブロックコポリマーのフローリー・ハギンズ相互作用パラメータχの緩やかなモジュレーションを可能にする。したがって、前記改変によって、およそ１分から数分の極めて迅速な組織化速度を保持しつつ、生成物χＮを増加させて１０を超えるようにすること、該ブロックコポリマーを１０ｎｍ未満、好ましくは１から数ナノメートルのサイズのナノドメインにナノ構造化することが可能になる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
各ブロックにコモノマーを組み込むことにより改変された化学的骨格を有する前記ＰＳ系及びＰＭＭＡ系ブロックコポリマーは、基本ブロックコポリマーの化学的性質、すなわち高いガラス転移温度（Ｔｇ）、優れた耐熱性、及びＵＶ下でのＰＭＭＡ含有ブロックの脱重合に関する特性等を保持しつつ、およそ１ナノメートルから数ナノメートルの小さいサイズのパターンを生成することが可能であり、一方で、例えば基板内への転写に対する得られるマスクの向上した耐性、所与の放射線に対する一又は複数のブロックの改善された感受性、発光特性、電子／正孔輸送特性などの新たな特性を修飾ブロックコポリマーに加えることもできる。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
本発明はまた、ＰＳ-ＰＭＭＡの基本ブロックコポリマーから出発し、所定の温度で非構造化された、１０ｎｍ未満のサイズのナノドメインへのブロックコポリマーフィルムのナノ構造化法にも関する。前記方法は、改変された化学構造を有する本ブロックコポリマーのコポリマーブロック間の相分離（χＮ）の制御を提供する。この目的のために、ブロックコポリマーは合成された後に溶液中で、フィルムを形成するために表面に塗布される。次いで、該溶液の溶媒を蒸発させ、フィルムを熱処理に供する。この熱処理すなわちアニーリングにより、ブロックコポリマーは正しく自己組織化する（すなわち、特にナノドメイン間の相分離、ドメインの配向、及び欠陥数の削減を得る）ことが可能になる。この熱処理の温度Ｔは、好ましくは２９３°Ｋ≦Ｔ≦６７３°Ｋ程度である。得られるブロックコポリマーフィルムは所与の総重合度に対して規則構造を有する一方、化学的に修飾されていないＰＳ-ｂ-ＰＭＭＡフィルムは、同じ重合度に対して規則構造を全く有さない。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
有利には、１０を超えるχＮ値を有する前記の修飾ブロックコポリマーは、基本ブロックコポリマー（ＰＳ-ｂ-ＰＭＭＡ）と同程度、すなわちおよそ数分の組織化速度での自己ナノ構造化を可能にする。該組織化速度は、好ましくは５分以下、さらに好ましくは２分以下である。