【手続補正書】
【提出日】令和1年6月13日(2019.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノ粒子を基板に堆積させるための装置であって、
各ドロップレットが限定された数のナノ粒子を含むミクロンサイズのドロップレットのエアロゾルを発生させるためのエアロゾル発生器と、
前記エアロゾル発生器から前記ミクロンサイズのドロップレットを受けるための堆積チャンバとを備え、
前記堆積チャンバが、前記エアロゾル中のドロップレットを前記基板に引き付けるための静電界を含み、前記静電界が、前記基板に対して実質的に垂直である、装置。
【請求項２】
堆積基板に対して平行又は直角である１個から数個の開口部を有する噴射ノズルをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
ミクロンサイズのドロップレットそれぞれが、ドロップレット１つ当たり５つ未満のナノ粒子、好ましくはドロップレット１つ当たり１つのナノ粒子を含む、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記静電界が、離間した帯電板によって形成されており、前記基板が、接地した板上に位置付けられている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記帯電板が、前記電界を空間的に調節し、前記基板の特定の場所におけるナノ粒子の堆積を促進するようにパターン形成されている、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記エアロゾルが層流状に流れ、前記基板の特定の場所におけるナノ粒子の堆積をもたらすように空間的に操作されている、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記基板が、少なくとも部分的に導電性又は部分的に誘電性の表面を有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記基板が、８０°以上、好ましくは８５°〜１２０°、約９０°又は１１７°〜１２０°の水接触角をもつ表面を有する、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記表面が、フッ素化ポリマー、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン、ポリヘキサメチレンアジパミド（ナイロン６６）、ナイロン７、ポリ（ドデカノ−１２−ラクタム）（ナイロン１２）、ポリアミド、酢酸セルロース、ポリスルホン、ポリメチルメタクリレート、ポリ酢酸ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリイミド、エポキシ、ポリエチレンテレフタレート、シリコーン、オレフィン（アルケン）、硝酸セルロース、超高分子量ポリエチレン、ポリクロロプレン、ポリ塩化ビニル、ラテックス、ブチルゴム、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ（ｐ−キシリレン）、ポリ（４−ビニルフェノール）系誘電体、ポリテトラフルオロエチレン系誘電体、ポリメチルシルセスキオキサン、ポリテトラフルオロエテン、パーフルオロビニルプロピルエーテル−テトラフルオロエチレンコポリマー、テトラフルオロエテン−パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）コポリマー、ポリ［テトラフルオロエチレン−ｃｏ−パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）］、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）コポリマー、ポリテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテルコポリマー、ポリ（テトラフルオロエチレン−ｃｏ−テトラフルオロ−エチレンパーフルオロプロピルエーテル）、テトラフルオロエテンとの１，１，１，２，２，３，３−ヘプタフルオロ−３−［（トリフルオロエテニル）オキシ］−プロパンポリマー、１，１，１，２，２，３，３−ヘプタフルオロ−３−［（トリフルオロビニル）オキシ］プロパン／テトラフルオロエチレンコポリマー、及びフッ素化ポリ（ｐ−キシリレン）からなる群から選択される、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記ナノ粒子が、単層カーボンナノチューブである、請求項１〜９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
ナノ粒子の薄膜、ダイオード、導電性電極、光起電力セル、物理センサ、又は化学センサの作製、好ましくはナノ粒子の薄膜トランジスタの作製における、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の装置の使用。
【請求項１２】
基板にナノ粒子を堆積させるための方法であって、
各ドロップレットが限定された数のナノ粒子を含むミクロンサイズのドロップレットのエアロゾルを発生させるステップと、
前記エアロゾルを、前記ミクロンサイズのドロップレットを基板に堆積させる静電界にさらすステップと
を含む、方法。
【請求項１３】
ミクロンサイズのドロップレットそれぞれが、ドロップレット１つ当たり５つ未満のナノ粒子、好ましくはドロップレット１つ当たり１つのナノ粒子を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記静電界が、離間した帯電板によって形成されており、前記基板が、接地した帯電板上に位置付けられている、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記帯電板が、前記電界を空間的に調節し、前記基板の特定の場所におけるナノ粒子の堆積を促進するようにパターン形成されている、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記エアロゾルが層流状に流れ、前記基板の特定の場所におけるナノ粒子の堆積をもたらすように空間的に操作されている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記基板が、少なくとも部分的に導電性又は部分的に誘電性の表面を有する、請求項１２〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記基板が、８０°以上、好ましくは８５°〜１２０°、約９０°又は１１７°〜１２０°の水接触角をもつ表面を有する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記表面が、フッ素化ポリマー、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン、ポリヘキサメチレンアジパミド（ナイロン６６）、ナイロン７、ポリ（ドデカノ−１２−ラクタム）（ナイロン１２）、ポリアミド、酢酸セルロース、ポリスルホン、ポリメチルメタクリレート、ポリ酢酸ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリイミド、エポキシ、ポリエチレンテレフタレート、シリコーン、オレフィン（アルケン）、硝酸セルロース、超高分子量ポリエチレン、ポリクロロプレン、ポリ塩化ビニル、ラテックス、ブチルゴム、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ（ｐ−キシリレン）、ポリ（４−ビニルフェノール）系誘電体、ポリテトラフルオロエチレン系誘電体、ポリメチルシルセスキオキサン、ポリテトラフルオロエテン、パーフルオロビニルプロピルエーテル−テトラフルオロエチレンコポリマー、テトラフルオロエテン−パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）コポリマー、ポリ［テトラフルオロエチレン−ｃｏ−パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）］、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）コポリマー、ポリテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテルコポリマー、ポリ（テトラフルオロエチレン−ｃｏ−テトラフルオロ−エチレンパーフルオロプロピルエーテル）、テトラフルオロエテンとの１，１，１，２，２，３，３−ヘプタフルオロ−３−［（トリフルオロエテニル）オキシ］−プロパンポリマー、１，１，１，２，２，３，３−ヘプタフルオロ−３−［（トリフルオロビニル）オキシ］プロパン／テトラフルオロエチレンコポリマー、及びフッ素化ポリ（ｐ−キシリレン）からなる群から選択される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記ナノ粒子が、単層カーボンナノチューブである、請求項１２〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
８０°以上の水接触角をもつ表面と、前記表面に接着した少なくとも１つのナノ粒子とを備える材料。
【請求項２２】
前記水接触角が８５°〜１２０°、好ましくは約９０°又は１１７°〜１２０°である、請求項２１に記載の材料。
【請求項２３】
前記ナノ粒子が、単層カーボンナノチューブである、請求項２１又は２２に記載の材料。
【請求項２４】
複数のカーボンナノチューブがネットワーク状に形成されている、請求項２１に記載の材料。
【請求項２５】
前記表面が、フッ素化ポリマー、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン、ポリヘキサメチレンアジパミド（ナイロン６６）、ナイロン７、ポリ（ドデカノ−１２−ラクタム）（ナイロン１２）、ポリアミド、酢酸セルロース、ポリスルホン、ポリメチルメタクリレート、ポリ酢酸ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリイミド、エポキシ、ポリエチレンテレフタレート、シリコーン、オレフィン（アルケン）、硝酸セルロース、超高分子量ポリエチレン、ポリクロロプレン、ポリ塩化ビニル、ラテックス、ブチルゴム、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ（ｐ−キシリレン）、ポリ（４−ビニルフェノール）系誘電体、ポリテトラフルオロエチレン系誘電体、ポリメチルシルセスキオキサン、ポリテトラフルオロエテン、パーフルオロビニルプロピルエーテル−テトラフルオロエチレンコポリマー、テトラフルオロエテン−パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）コポリマー、ポリ［テトラフルオロエチレン−ｃｏ−パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）］、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）コポリマー、ポリテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテルコポリマー、ポリ（テトラフルオロエチレン−ｃｏ−テトラフルオロ−エチレンパーフルオロプロピルエーテル）、テトラフルオロエテンとの１，１，１，２，２，３，３−ヘプタフルオロ−３−［（トリフルオロエテニル）オキシ］−プロパンポリマー、１，１，１，２，２，３，３−ヘプタフルオロ−３−［（トリフルオロビニル）オキシ］プロパン／テトラフルオロエチレンコポリマー、及びフッ素化ポリ（ｐ−キシリレン）からなる群から選択される、請求項２１に記載の材料。
【請求項２６】
ナノチューブの薄膜、ダイオード、導電性電極、光起電力セル、物理センサ、又は化学センサ、好ましくはナノチューブの薄膜トランジスタの半導体チャネルにおける使用のための、請求項２１〜２５のいずれか一項に記載の材料。
【請求項２７】
封入層を有しない曝気型トランジスタのゲート誘電体としての使用のための、請求項２１〜２６のいずれか一項に記載の材料。
【請求項２８】
ポリマー及びカーボンナノチューブを含む材料であって、
カーボンナノチューブが請求項１〜１０のいずれか一項に記載の装置によって、又は請求項１２〜２０のいずれか一項に記載の方法を使用することによって基板に堆積されている、材料。
【請求項２９】
ボトムゲート型トランジスタの誘電体としての使用のために、前記カーボンナノチューブが前記ポリマー上に位置付けられており、前記トランジスタが０〜１ＭＶ／ｍの印加ゲート電界からのヒステリシスなしの伝達特性を有する、請求項２８に記載の材料。