【手続補正書】
【提出日】平成20年3月26日(2008.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互接続要素であって、
基板に結合されるべく適合された第１の要素材料であって、他端が基板から解除可能である第１の要素材料と、
第１の要素材料に結合された第２の要素材料と、を含み、
第１及び第２の要素材料のうちの一方は、第１の要素材料の他端が基板から解除される間において相互接続要素が外的刺激の適用前に第１の幾何学的形状を維持しかつ外的刺激の適用に応じて第１の幾何学的形状と異なる第２の幾何学的形状に変化するように、外的刺激に応じて変形可能である、相互接続要素。
【請求項２】
相互接続要素が、半導体デバイスに直接接触するのに適したサイズのものである、請求項１に記載の相互接続要素。
【請求項３】
第１の要素材料及び第２の要素材料のうちの一方の変化が、相互接続要素が第１の幾何学的形状に戻ることがないように永久的である、請求項１に記載の相互接続要素。
【請求項４】
第１及び第２の要素材料のうちの一方に対する外的刺激の適用は、第１及び第２の要素材料のうちの一方の体積を変化させる、請求項１に記載の相互接続要素。
【請求項５】
第１の要素材料及び第２の要素材料は、第２の要素材料が第１の要素材料上に重なり、第２の要素材料の第１の体積が第２の体積よりも大きくなるような構成で配置されている、請求項４に記載の相互接続要素。
【請求項６】
第１の要素材料が熱安定性を有し、第１の体積から第２の体積への第２の要素材料の変化が熱に対する第２の要素材料の露呈の結果である、請求項４に記載の相互接続要素。
【請求項７】
変化が、第１及び第２の要素材料のうちの一方の体積を減少させる、請求項６に記載の相互接続要素。
【請求項８】
第１の要素材料及び第２の要素材料のうちの少なくとも１つが、メッキにより導入される、請求項１に記載の相互接続要素。
【請求項９】
第１の要素材料及び第２の要素材料のうちの少なくとも１つがスパッタリングによって導入される、請求項１に記載の相互接続要素。
【請求項１０】
第１の要素材料及び第２の要素材料のうちの少なくとも１つが無電極メッキにより導入される、請求項１に記載の相互接続要素。
【請求項１１】
第１の要素材料がパラジウム又はその合金を含む、請求項３に記載の相互接続要素。
【請求項１２】
第１の要素材料が、パラジウム／コバルトを含む合金であり、活性化層が銅及びニッケルのうちの１つを含む、請求項４に記載の相互接続要素。
【請求項１３】
第２の要素材料が更にニッケルを含む、請求項１２に記載の相互接続要素。
【請求項１４】
第２の要素材料がニッケル合金を含む、請求項１２に記載の相互接続要素。
【請求項１５】
第１の要素材料及び第２の要素材料のうちの１つが、外的刺激に応じて所定形状に形状を変化させる、請求項１に記載の相互接続要素。
【請求項１６】
第２の要素材料が、第１の要素材料上に重なっており、かつ外的刺激に応じて所定形状に形状を変化させる、請求項１５に記載の相互接続要素。
【請求項１７】
第１の要素材料及び第２の要素材料のうちの１つが固有応力を含み、外的刺激が該固有応力を低減させる、請求項１に記載の相互接続要素。
【請求項１８】
固有応力が引張り応力を含む、請求項１７に記載の相互接続要素。
【請求項１９】
外的刺激が熱である、請求項１８に記載の相互接続要素。
【請求項２０】
固有応力が圧縮応力を含む、請求項１７に記載の相互接続要素。
【請求項２１】
電子コンポーネントであって、
複数の接触ノードを有する基板と、
相互接続要素のベースが接触ノードのうちの対応するノードと電気的に接触するような方法で基板に接続される複数の自立する弾性相互接続要素であって、相互接続要素が基板に結合されるべく適合された第１の要素材料と第１の要素材料に結合される第２の要素材料とを含むものと、を備え、
第１の要素材料及び第２の要素材料のうちの一方が、変化のときに相互接続要素の形状が修正されるような変化可能特性を有する材料を含む、電子コンポーネント。
【請求項２２】
基板と結びつけられた複数の導電性信号ラインを更に含み、
基板に結合された複数の自立する弾力性相互接続要素の中で、相互接続要素のベースが信号ラインのうちの対応する１つ及び相互接続要素と電気的に接触する、請求項２１に記載の電子コンポーネント。
【請求項２３】
第１の要素材料及び第２の要素材料のうちの一方の変化が不可逆的である、請求項２１に記載の電子コンポーネント。
【請求項２４】
変化可能特性は、第２の要素材料の第１の体積が異なる第２の体積へと変化させられるべく適合されるようなものである、請求項２３に記載の電子コンポーネント。
【請求項２５】
相互接続要素の自由部分が当初基板に固定され、自由部分が基板から解放されたときに自由部分が、第１の体積から第２の体積への第２の要素材料の変化に応えて基板から離れるようにバイアスされるべく適合されている、請求項２４に記載の電子コンポーネント。
【請求項２６】
相互接続要素の第１の要素材料及び第２の要素材料は、第２の要素材料が第１の要素材料上に重なり、第１の体積が第２の体積よりも大きくなるような構成で配置されている、請求項２５に記載の電子コンポーネント。
【請求項２７】
第１の要素材料が熱安定性を有し、第１の体積から第２の体積への第２の要素材料の変化が熱に対する第２の要素材料の露呈の結果である、請求項２６に記載の電子コンポーネント。
【請求項２８】
変化が、第２の要素材料の変化可能な体積変化の少なくとも９０パーセントを構成している請求項２７に記載の電子コンポーネント。
【請求項２９】
第１の要素材料及び第２の要素材料の各々が変化可能特性を有する、請求項２１に記載の電子コンポーネント。
【請求項３０】
第１の要素材料及び第２の要素材料のうちの少なくとも１つが、メッキにより導入される、請求項２１に記載の電子コンポーネント。
【請求項３１】
第１の要素材料及び第２の要素材料のうちの少なくとも１つがスパッタリングによって導入される、請求項２１に記載の電子コンポーネント。
【請求項３２】
第１の要素材料がパラジウムを含む、請求項２１に記載の電子コンポーネント。
【請求項３３】
第２の要素材料が第１の要素材料に重なり、各相互接続要素が更に第２の要素材料に結合されたバネ材料を含み、該バネ材料が相互接続要素の少なくとも約９０パーセントを構成する、請求項２１に記載の電子コンポーネント。
【請求項３４】
バネ材料がニッケル合金を含む、請求項３３に記載の電子コンポーネント。
【請求項３５】
相互接続要素が更に、バネ材料の表面に隣接する接触材料を含む、請求項３３に記載の電子コンポーネント。
【請求項３６】
第１の要素材料及び第２の要素材料のうちの１つが、形状記憶合金を含む、請求項２１に記載の電子コンポーネント。
【請求項３７】
変化可能特性が、１つの応力であり、変化が材料の応力の規模を低減させる、請求項２１に記載の電子コンポーネント。
【請求項３８】
第１の要素材料が、変化可能特性を有する材料を含み、第２の要素材料が引張り応力を有し、変化のときに、変形には第２の要素材料の引張り応力に対する応答が含まれる、請求項３７に記載の電子コンポーネント。
【請求項３９】
第２の要素材料は熱安定性であり、第１の要素材料の変化が、第１の要素材料を熱に露呈したことの結果である、請求項３８に記載の電子コンポーネント。
【請求項４０】
第１の要素材料が変化可能特性を有する材料を含み、第２の要素材料が圧縮応力を有し、変化のときに、変形には第２の要素材料の圧縮応力に対する応答が含まれる、請求項３７に記載の電子コンポーネント。
【請求項４１】
複数の自立する相互接続要素が基板の複数の表面に結合されている、請求項２１に記載の電子コンポーネント。
【請求項４２】
複数のノードが第１の接点を含み、
電子アセンブリが更に、複数のノードのうちの少なくとも１つに結合された少なくとも１つの再分配ラインを含み、
対応する少なくとも１つの相互接続要素が第１の接点とは異なる第２の接点に結合され、第２の接点及び第１の接点は少なくとも１本の再分配ラインを通して結合されている、請求項２１に記載の電子コンポーネント。
【請求項４３】
基板が、半導体、セラミクス、有機物及び金属材料のうちの１つを含む、請求項２１に記載の電子コンポーネント。
【請求項４４】
基板がインタポーザーを含む、請求項２１に記載の電子コンポーネント。
【請求項４５】
基板がプローブカードの１コンポーネントを含む、請求項２１に記載の電子コンポーネント。
【請求項４６】
基板が、電子コンポーネントに対して電子アセンブリを解放可能な形で接続するためのソケットを含む、請求項２１に記載の電子コンポーネント。
【請求項４７】
アセンブリであって、
第１の基板上に形成された複数の第１の接触ノード及び相互接続要素のベースが第１の接触ノードのうちの対応する１つと電気的に接触するような形で基板に対し結合された複数の自立する弾力性相互接続要素を有する第１の基板と、
複数の第２の接触ノードを有する第２の基板と、を備え、
相互接続要素が、基板に結合されるべく適合された第１の要素材料と第１の要素材料に結合された第２の要素材料とを含み、第１の要素材料と第２の要素材料のうちの一方が、変化のときに相互接続要素の形状が修正されるような変化可能特性を有する材料を含むものであり、
相互接続要素の一部分は、相互接続要素が第２の接触ノードと接触状態となる第１の位置まで移動する能力を有している、アセンブリ。
【請求項４８】
アセンブリがプローブカードアセンブリの一部である、請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項４９】
アセンブリがウェーハレベルのテストアセンブリの一部分である、請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項５０】
第２の基板が回路板である、請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項５１】
アセンブリがソケットの一部であり、第２の接触ノードが外部接点である、請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項５２】
複数の第３の接触ノードを有する回路板の第３の基板を更に含み、
外部接続がパッケージを第３の基板に結合するべく第３の接触ノードと整列している、請求項５１に記載のアセンブリ。
【請求項５３】
第１の基板上に配置され第１の位置を規定するストッパ構造を更に含む、請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項５４】
第１の要素材料及び第２の要素材料のうちの一方の変化が不可逆的である、請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項５５】
変化可能特性は、材料の第１の体積が異なる第２の体積へと変化させられるべく適合されるようなものである、請求項５４に記載のアセンブリ。
【請求項５６】
相互接続要素の自由部分が当初第１の基板に固定され、自由部分が第１の基板から解放されたときに自由部分が、第１の体積から第２の体積への第２の要素材料の変化に応じて第１の基板から離れるようにバイアスされるべく適合されている、請求項５５に記載のアセンブリ。
【請求項５７】
相互接続要素の第１の要素材料及び第２の要素材料は、第２の要素材料が第１の要素材料上に重なり、第１の体積が第２の体積よりも大きくなるような構成で配置されている、請求項５６に記載のアセンブリ。
【請求項５８】
第１の要素材料が熱安定性を有し、第１の体積から第２の体積への第２の要素材料の変化が熱に対する第２の要素材料の露呈の結果である、請求項５７に記載のアセンブリ。
【請求項５９】
変化が、第２の要素材料の変化可能な体積変化の少なくとも約９０パーセントを構成している請求項５８に記載のアセンブリ。
【請求項６０】
第１の要素材料及び第２の要素材料の各々が変化可能特性を有する、請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項６１】
第１の要素材料及び第２の要素材料のうちの少なくとも１つが、メッキにより導入される、請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項６２】
第１の要素材料及び第２の要素材料のうちの少なくとも１つがスパッタリングによって導入される、請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項６３】
第１の要素材料がパラジウムを含む、請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項６４】
第２の要素材料が第１の要素材料に重なり、相互接続要素が更に第２の要素材料に結合されたバネ材料を含み、該バネ材料が相互接続要素の少なくとも約９０パーセントを構成する、請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項６５】
バネ材料がニッケル合金を含む、請求項６４に記載のアセンブリ。
【請求項６６】
相互接続要素が更に、バネ材料の表面に隣接する接触材料を含む、請求項６４に記載のアセンブリ。
【請求項６７】
第１の要素材料及び第２の要素材料のうちの１つが、形状記憶合金を含む、請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項６８】
変化可能特性が、圧縮応力であり、変化が材料の圧縮応力の規模を低減させる、請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項６９】
第１の要素材料が、変化可能特性を有する材料を含み、第２の要素材料が引張り応力を有し、変化のときに、変形が第２の要素材料の引張り応力に対する応答を含む、請求項６８に記載のアセンブリ。
【請求項７０】
第２の要素材料は熱安定性であり、第１の要素材料の変化が、第１の要素材料を熱に露呈したことの結果である、請求項６９に記載のアセンブリ。
【請求項７１】
第１の要素材料が変化可能特性を有する材料を含み、第２の要素材料が圧縮応力を有し、変化のときに、変形が第２の要素材料の圧縮応力に対する応答を含む、請求項６８に記載のアセンブリ。
【請求項７２】
複数の自立する相互接続要素が基板の複数の表面に結合されている、請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項７３】
第１の基板上の複数の第１の接触ノードの各々が第１の接点で終端し、電子アセンブリが更に、複数の第１の接触ノードのうちの少なくとも１つに結合された少なくとも１つの再分配ラインを含み、
対応する少なくとも１つの相互接続要素が第１の接点とは異なる第２の接点に結合され、第２の接点及び第１の接点は少なくとも１本の再分配ラインを通して結合されている、請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項７４】
第１の基板が、半導体、セラミクス、有機物質及び金属材料のうちの１つを含む、請求項４７に記載のアセンブリ。
【請求項７５】
アセンブリを含む電子デバイスを接触させるためのシステムであって、
第１の基板上に形成された複数の第１の接触ノード及び相互接続要素のベースが第１の接触ノードのうちの対応する１つと電気的に接触するような形で基板に対し結合された複数の自立する弾力性相互接続要素を有する第１の基板と、
複数の第２の接触ノードを有する第２の基板と、を備え、
相互接続要素が、基板に結合されるべく適合された第１の要素材料と第１の要素材料に結合された第２の要素材料を含み、第１の要素材料と第２の要素材料のうちの一方が、変化のときに相互接続要素の形状が修正されるような変化可能特性を有する材料を含むものであり、
相互接続要素の一部分は、相互接続要素が第２の接触ノードと接触状態となる第１の位置まで移動する能力を有している、システム。
【請求項７６】
集積回路テストシステムを含み、アセンブリがプローブカードアセンブリの一部である、請求項７５に記載のシステム。
【請求項７７】
基板取付システムである、請求項７５に記載のシステム。
【請求項７８】
第２の基板が回路板である、請求項７７に記載のシステム。
【請求項７９】
アセンブリがソケットの一部であり、第２の接触ノードが外部接点である、請求項７７に記載のシステム。
【請求項８０】
複数の第３の接触ノードを有する回路板の第３の基板を更に含み、 外部接続がパッケージを第３の基板に結合するべく第３の接触ノードと整列している、請求項７９に記載のシステム。
【請求項８１】
第１の基板上に配置され第１の位置を規定するストッパ構造を更に含む、請求項７５に記載のシステム。
【請求項８２】
基板に結合され、第１の要素材料及び第２の要素材料を含む相互接続要素を導入する過程、
片端で基板から相互接続要素を解放する過程、及び
相互接続要素の形状を修正するべく第１の要素材料及び第２の要素材料のうちの１つの要素材料の特性を変化させる過程、を含む方法。
【請求項８３】
変化過程には、第１の要素材料及び第２の要素材料の各々の特性を変化させることが含まれる、請求項８２に記載の方法。
【請求項８４】
相互接続要素が、変化以前に基板から解放される、請求項８２に記載の方法。
【請求項８５】
変化過程には、相互接続要素を加熱することが含まれる、請求項８２に記載の方法。
【請求項８６】
変化過程には、第１の要素材料及び第２の要素材料のうちの一方の体積を変更することが含まれる、請求項８２に記載の方法。
【請求項８７】
変化過程には、第１の位置から、基板の表面から更に大きな距離にある第２の位置まで相互接続要素の片端をバイアスさせることが含まれる、請求項８２に記載の方法。
【請求項８８】
相互接続要素の端部の変化バイアスを制限する過程を更に含む、請求項８７に記載の方法。
【請求項８９】
変化可能特性には応力が含まれ、変化過程には、応力の規模を低減させることが含まれる、請求項８７に記載の方法。
【請求項９０】
相互接続要素上に弾性特性を有する第３の要素材料を導入する過程、を更に含む、請求項８７に記載の方法。
【請求項９１】
相互接続要素が基板の表面に結合され、第３の要素材料が基板表面と反対側の相互接続要素の表面全体にわたり導入され、第３の要素材料を導入する方法には、
基板全体にわたりマスキング材料をパターン化して、相互接続要素の表面を露呈する開口部が得られるようにする過程と、
第３の要素材料を相互接続要素の露呈された表面に導入する過程と、が含まれる、請求項９０に記載の方法。
【請求項９２】
第３の材料が電気泳動レジスト材料である、請求項９１に記載の方法。
【請求項９３】
バネ要素材料が、メッキ方法により導入される、請求項９１に記載の方法。
【請求項９４】
第２の要素材料が基板の反対側で第１の要素材料に結合され、第２の要素材料が変化可能特性を含み、更に、特性を変化させた後、第２の要素材料を除去する過程を含む、請求項８６に記載の方法。
【請求項９５】
第２の要素材料が形状記憶合金を含み、相互接続要素を作り上げる過程には、第２の要素材料をマルテンサイト状態で導入することが含まれ、第２の要素材料の特性を変化させる過程には、第２の要素材料を記憶状態に変化させることが含まれ、第２の要素材料は、そのマルテンサイト状態における体積とは異なるものであるその記憶状態での体積を有する、請求項９４に記載の方法。
【請求項９６】
特性を変化させた後、更に、相互接続要素を焼きもどしする過程を含む請求項９５に記載の方法。
【請求項９７】
変化させた後、相互接続要素の解除された端部で電子コンポーネント上の接触ノードに基板を結合させる過程を更に含む、請求項８２に記載の方法。
【請求項９８】
結合後、基板及び電子コンポーネントのうちの一方をテストする過程、を更に含む、請求項９７に記載の方法。
【請求項９９】
電子コンポーネントがダイを含み、相互接続要素の解放された端部がダイのボンドパッドに結合される、請求項９８に記載の方法。
【請求項１００】
基板上に形成された接触ノードに対する開口部を有する基板全体にわたりマスキング材料をパターン化する過程と、
接触ノードに結合されたベース及びマスキング材料の一部分全体にわたり延びる自由端部を有し、第１の要素材料と第２の要素材料を含む相互接続要素を作り上げる過程と、
マスキング材料を除去する過程と、
相互接続要素の形状を修正するべく相互接続要素の第１の要素材料及び第２の要素材料のうちの１つの特性を変化させる過程と、を含む方法。
【請求項１０１】
変化過程には、第１の要素材料と第２の要素材料の各々を変化させることが含まれる、請求項１００に記載の方法。
【請求項１０２】
変化過程には、相互接続要素を一定の温度まで加熱することが含まれる、請求項１００に記載の方法。
【請求項１０３】
変化過程が、第１の要素材料及び第２の要素材料のうちの１つにおける体積変化を生み出す、請求項１００に記載の方法。
【請求項１０４】
変化可能特性には応力が含まれ、変化過程には応力の規模を修正することが含まれる、請求項１００に記載の方法。
【請求項１０５】
変化が、相互接続要素の自由端部を第１の位置から、基板の表面から更に大きい距離のところにある第２の位置までバイアスさせる、請求項１００に記載の方法。
【請求項１０６】
相互接続要素の自由端部の変化バイアスを制限する過程を更に含む、請求項１０５に記載の方法。
【請求項１０７】
相互接続要素上に弾性特性を有する第３の要素材料を導入する過程、を更に含む、請求項１００に記載の方法。
【請求項１０８】
第３の要素材料の導入には導電性合金を電気メッキすることが含まれる、請求項１０７に記載の方法。
【請求項１０９】
相互接続要素が基板の表面に結合され、第３の要素材料が基板表面と反対側の相互接続要素の表面全体にわたり導入され、第３の要素材料を導入する方法には、
基板全体にわたりマスキング材料をパターン化して、相互接続要素の表面を露呈する開口部が得られるようにする過程と、
第３の要素材料を相互接続要素の露呈された表面に導入する過程と、が含まれる、請求項１０７に記載の方法。
【請求項１１０】
第３の材料が電気泳動レジスト材料である、請求項１０９に記載の方法。
【請求項１１１】
第３の要素材料が、電気メッキにより導入される、請求項１０９に記載の方法。
【請求項１１２】
第２の要素材料が基板の反対側で第１の要素材料に結合され、第２の要素材料が変化可能特性を含み、更に、特性を変化させた後、第２の要素材料を除去する過程を含む、請求項１００に記載の方法。
【請求項１１３】
第２の要素材料が形状記憶合金を含み、相互接続要素を作り上げる過程には、第２の要素材料をマルテンサイト状態で導入することが含まれ、第２の要素材料の特性を変化させる過程には、第２の要素材料を記憶状態に変化させることが含まれ、第２の要素材料は、そのマルテンサイト状態における体積とは異なるものであるその記憶状態での体積を有する、請求項１１２に記載の方法。
【請求項１１４】
特性を変化させた後、更に、相互接続要素を焼きもどしする過程を含む請求項１１３に記載の方法。
【請求項１１５】
相互接続要素を作り上げる前に、基板上の第１の接点から基板上の第２の接点まで接触ノードを再分配し、相互接続を作り上げる過程には第２の接点でベースに結合させる過程が含まれる、請求項１００に記載の方法。
【請求項１１６】
変化させた後、相互接続要素の解放された端部で電子コンポーネント上の接触ノードに基板を結合させる過程を更に含む、請求項１００に記載の方法。
【請求項１１７】
結合後、基板及び電子コンポーネントのうちの一方をテストする過程、を更に含む、請求項１１６に記載の方法。
【請求項１１８】
電子コンポーネントがダイを含み、相互接続要素の解放された端部がダイのボンドパッドに結合される、請求項１１７に記載の方法。
【請求項１１９】
第１の要素材料及び第２の要素材料及び第１の基板上の接触ノードに結合されたベース端部及び自由端部を含む相互接続要素を第１の基板の表面上に形成する過程と、
相互接続要素の形状を修正するべく第１の要素材料と第２の要素材料のうちの一方の特性を変化させる過程と、
自由端部にある相互接続要素を第２の基板上の接触ノードに結合させる過程と、を含む方法。
【請求項１２０】
相互接続要素を形成する過程には、第１の基板上の対応する接触ノードに結合された複数の相互接続要素を形成する過程が含まれ、相互接続要素を結合する過程には、第２の基板上の対応する接触ノードに対し複数の相互接続要素を結合させる過程が含まれる、請求項１１９に記載の方法。
【請求項１２１】
結合には、圧力接続を行なうべく充分な接触力で複数の相互接続要素の自由端部を対応する接触ノードと合わせるようにすることが含まれている、請求項１２０に記載の方法。
【請求項１２２】
複数の相互接続要素が、第１の基板の第１の表面上の対応する第１の接触ノードに結合された第１の相互接続要素及び第１の基板の第２の表面上で対応する第２の接触ノードに結合された第２の相互接続要素を含み、
第１の相互接続要素が第２の基板上の接触ノードに結合されている、請求項１２０に記載の方法。
【請求項１２３】
インタポーザーアプリケーションにおいて第３の基板の対応する接触ノードに第２の相互接続要素を結合する過程を更に含む、請求項１２２に記載の方法。
【請求項１２４】
第２の基板をテストする過程を更に含む、請求項１２０に記載の方法。
【請求項１２５】
第２の基板が回路板である、請求項１２０に記載の方法。
【請求項１２６】
第２の基板の接触ノードが、外部接続点を含み、更に、
第３の基板に対応する接触ノードに対し第２の基板の外部接続点を結合させる過程、を含む、請求項１２０に記載の方法。
【請求項１２７】
結合過程には、第２の基板に対する一時的接続が含まれる、請求項１２０に記載の方法。
【請求項１２８】
結合過程には、第２の基板に対する永久接続が含まれる、請求項１２０に記載の方法。
【請求項１２９】
結合過程には、第２の基板の対応する接触ノードに対し相互接続要素の自由端部をハンダ付けする過程が含まれる、請求項１２８に記載の方法。
【請求項１３０】
第２の基板がシステムの一部分である、請求項１２０に記載の方法。
【請求項１３１】
システムが、集積回路テストシステム及び基板システムのうちの少なくとも１つを含む、請求項１３０に記載の方法。