【手続補正書】
【提出日】平成19年1月23日(2007.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記パワーモジュールは、前記主表面上に形成された突起部を備え、
前記制御基板は前記突起部上に接合され、
前記シールド板及び前記パワーモジュールはそれらを連通する孔を備え、前記シールド板は、前記孔に嵌入されるネジにより前記パワーモジュールに接合されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記パワーモジュールは、前記パワー半導体素子に接続されたバスバー電極をさらに備え、
前記パワー半導体素子と前記バスバー電極とをまとめて樹脂封止したことを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記パワーモジュールは、前記バスバー電極に接続される周辺部品をさらに備え、
前記パワー半導体素子と、前記バスバー電極と、前記周辺部品とをまとめて樹脂封止したことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、
（ａ）前記シールド板を前記パワーモジュール上に実装する工程と、
（ｂ）前記制御基板を前記パワーモジュール上に実装する工程と、
（ｃ）前記シールド板及び前記制御基板が実装された前記パワーモジュールに対し機能検査をする工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また制御ピン３２の端は、制御基板５０に設けられた孔を通って、制御基板５０の上面に突出し、制御基板５０と半田付けされる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本実施の形態に係る半導体装置に用いられるトランスファモールド型パワーモジュールは、４隅に突起部３５を備えている。さらに、シールド板４０を固定するためのネジ孔３１を備えている。そのため、制御基板５０、シールド板４０をトランスファモールド型パワーモジュール上に実装できる構造になっている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
制御基板５０及びシールド板４０を実装した状態でパワーモジュールをユーザに提供できるので、ユーザは冷却フィンに取り付ける工程のみで半導体装置を完成することができる。その結果、ＴＰＭ３６を用いることによってユーザ側の組み立て工程数増加の問題を解消できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
なお、本実施の形態では、突起部３５により制御基板５０を実装するように構成したが、制御基板５０を実装できる構成であればどのような構成であってもよい。例えば、突起部３５の数を増してもよい。さらに、ＴＰＭ３６の上面に矩形環状の突起部３５を形成してもよい。このように形成することで、突起部３５とＴＰＭ３６の接合部を強くできる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
＜実施の形態２＞
図４は、本実施の形態に係る半導体装置を形成するトランスファモールド型パワーモジュール６０の構成を示す図である。本実施の形態に係るＴＰＭ６０は、電極３３，３４の形成されていない対向する側面に第１嵌合部６１と第２嵌合部６２が夫々形成されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
以上のように構成された半導体装置の組み立て方法について説明する。まず、４つのＴＰＭ６０を第１嵌合部６１及び第２嵌合部６２を嵌合することで結合する。次にシールド板４０をＴＰＭ６０の上面に接合する。この時、ネジ４１をネジ孔４２及びネジ孔３１を通して、ＴＰＭ６０の裏面で仮固定部材４３により仮止めする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
ＩＧＢＴ９１，９２で一の２ｉｎ１のパワーモジュールを構成し、ＩＧＢＴ９３，９４で別の２ｉｎ１のパワーモジュールを構成している。また、ＩＧＢＴ９１〜９４のエミッタ端子−コレクタ端子間に還流ダイオード１１がそれぞれ逆並列に接続されている。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
本実施の形態では、図５に示すように、それぞれのＴＰＭ６０が第１嵌合部６１、第２嵌合部６２を備えているので、４個のＴＰＭ６０を嵌合して一つの固まりにすることができる。４つのＴＰＭ６０が嵌合され一つの固まりとなっているので、冷却フィン等に固定しなくても制御基板５０、シールド板４０をＴＰＭ６０上に実装し易く、半導体装置を容易に組み立てることができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
そしてＴＰＭ９０の長手方向に沿った側面から複数の電極１１１が引き出されている。ＴＰＭ９０の電極１１１に対向する側面から制御ピン３２が引き出されている。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
＜実施の形態４＞
図１２は、本実施の形態に係る半導体装置を構成するトランスファモールド型パワーモジュール２００の構成を示す図である。本実施の形態に係るＴＰＭ２００は、バスバー電極１２０をＴＰＭ２００内部のパワー半導体素子（図示せず）とワイヤーボンドで結合した後、バスバー電極１２０とＴＰＭ２００内部のパワー半導体素子とをまとめてトランスファモールド法により樹脂封止したパワーモジュールである。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
制御基板５０が実装されているので、この段階でパワーモジュールの機能検査を行うことができる。機能検査を行った後、図１５に示すように冷却フィン５００に取り付ける。冷却フィン５００には、ＴＰＭ２００に設けられたネジ孔３１に対応する位置に、図示しないネジ孔が設けられている。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
ＴＰＭ２００を冷却フィン５００に取り付ける際には、まず仮固定部材４３を取り外す。そして、冷却フィン５００のネジ孔にネジ４１が入るようにＴＰＭ２００を設置する。制御基板５０に設けられた貫通孔５３を介して、適当な工具によりネジ４１をネジ締めすることよりＴＰＭ２００に冷却フィン５００を取り付ける。この時、シールド板４０により押さえ付けられ、ＴＰＭ２００が冷却フィン５００に密着する。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
本実施の形態に係る半導体装置は、以上のように構成されているので、バスバー電極１２０とＴＰＭ２００内部のパワー半導体素子とをまとめてモールドすることにより、モジュール側電極端子が不要になり、部品点数の削減ができる。また、ＴＰＭ側の電極とバスバー電極１２０のモジュール側電極端子との接合部分が不要になるので、その部分だけバスバー電極１２０の配線長が短縮され、寄生インダクタンスの削減が可能になる。