Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月26日(2007.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心にコアを配し、１次巻線は前記コアを磁心として円筒状に配置された１次ボビンに巻線され、２次巻線は前記１次巻線と同心で円筒状の２次ボビンに複数の層に分割されて巻線され、各層の層間が絶縁体によって絶縁されそれぞれの層に発生する電圧の位相が同じようになるように積層状に構成されており、前記２次巻線に接続されるダイオードおよびコンデンサは前記２次ボビンの円筒の中心線と平行に配置された１つあるいは複数個の部品固定板上に配置され、さらに前記１次ボビンとケースによって前記２次ボビンおよび前記部品固定板は絶縁材によって充填されている構成のフライバックトランスであって、前記部品固定板には前記コンデンサの一端と前記ダイオードを接続する部位に中空の円筒状で囲まれた半田保持部を設け、前記半田保持部にはリード線挿入可能な貫通孔を有することを特徴とするフライバックトランス。
【請求項２】
前記貫通孔に前記コンデンサのリード線のみを挿入したことを特徴とする請求項１に記載のフライバックトランス。
【請求項３】
前記貫通孔に前記コンデンサのリード線および前記ダイオードのリード線および前記ダイオードの別のリード線を挿入したことを特徴とする請求項１に記載のフライバックトランス。
【請求項４】
前記半田保持部の円筒の外壁の一部に３箇所の切欠きを設け、当該３箇所の切欠きの高さがそれぞれ異なることを特徴とする請求項１に記載のフライバックトランス。
【請求項５】
前記半田保持部の円筒の外壁に当該円筒の開放面に向けて斜面を設けたことを特徴とする請求項１に記載のフライバックトランス。
【請求項６】
請求項１に記載のフライバックトランスにおいて、９０度の角度で配置される第１の部品固定板と第２の部品固定板を備え、部品固定板に設けられた多角柱状の突起リブと２次ボビンに設けられた多角柱柱状の孔を有し、その一面が開放された角柱に挿入するかもしくは前記部品固定板に設けられた四角柱の先端を三角形状にし、三角形の一辺を四角柱から１方向に張り出したリブと前記２次ボビンに設けられた四角柱の先端を三角形状にし、三角形の一辺を四角柱から１方向に張り出したリブをお互いにかみ合わせることで前記部品固定板と前記２次ボビンとが固定され、前記第１の部品固定板は四角柱の先端を台形状にし、台形底辺部を四角柱から２方向に張り出した第一の突起リブを有し、前記第２の部品固定板は四角柱の先端を三角形状にし、三角形の一辺を四角柱から１方向に張り出した第二の突起リブを２個有し、前記第一の突起リブの張り出した台形底辺部と前記第二の突起リブの張り出した三角形状の一辺部をかみ合わせることで前記第１の部品固定板と前記第２の部品固定板を固定することを特徴としたフライバックトランス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１について、図１乃至図７を参照しながら説明する。図１は部品固定の構成図を表し、図２から図６は、部品固定板の半田付け部の詳細を表している。また、図７に本発明のフライバックトランスの構成図を表している。これらの図は本発明により固定板２上に設けた中空の円筒状で囲まれた半田保持部２２に貫通孔２３を設け円筒の外壁の一部を切欠いた形状２４の３箇所の高さをそれぞれ変え、さらに円筒の開放面に向けて斜面２５を設けた前記半田保持部２２にリード線端末を挿入し半田接続する構造の説明図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図１乃至図７では、１は２次ボビン、２は部品固定板、４はコア、Ｄｎ１はｎ層目の第１のダイオード、Ｄｎ２はｎ層目の第２のダイオード、Ｃｎはｎ層目のコンデンサ、２２は固定板上の半田保持部、２３は半田保持部に設けられた貫通孔、２４は部品固定板上の半田保持部の円筒の外壁の一部の切欠き、２５は半田保持部の円筒の外壁の円筒の開放部に向けた斜面、８は半田付け部分である。また、図２は本発明の実施例１の半田保持部の拡大図および半田保持部の断面図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（実施の形態２）
図７は本発明によるフライバックトランスの磁心を中心として９０度の角度で配置された部品固定板に設けたリブにて固定する方法の説明図である。すなわち第１の部品固定板２ａに設けられた多角柱状の突起リブ２１と２次ボビン１に設けられた多角柱柱状の孔を有し、その一面が開放された角柱に挿入する空間を持った角柱１３に挿入するか、もしくは前記第１部品固定板２ａに設けられた四角柱の先端を三角形状にし、三角形の一辺を四角柱から１方向に張り出したリブ２７と前記２次ボビン１に設けられた四角柱の先端を三角形状にし、三角形の一辺を四角柱から１方向に張り出したリブ１４をお互いにかみ合わせることで、前記第１の部品固定板と２次ボビン１を固定している。図８は本発明の実施の形態２に係るリブの詳細構成図で、第１の固定板２ａと第２の固定板２ｂの部分の拡大図を表している。第１の部品固定板２ａは四角柱の先端を台形状にし、台形底辺部を四角柱から２方向に張り出した第１のリブ２６ａを有し、第２の部品固定板２ｂは四角柱の先端を三角形状にし、三角形の一辺を四角柱から１方向に張り出した第２のリブ２６ｂを２個有し、第１のリブ２６ａの張り出した台形底辺部と第２のリブ２６ｂの張り出した三角形状の一辺部をかみ合わせることで、第１の部品固定板２ａと第２の部品固定板２ｂを固定している。これにより２個の部品固定板は２次ボビン１に固定されるとともに部品固定板同士で固定される構造となっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【図１】本発明の実施の形態１に係るフライバックトランスの部品固定板の構成図
【図２】本発明の実施の形態１に係る半田保持部の詳細構成図
【図３】本発明の実施の形態１に係る半田接続部の詳細構成図
【図４】本発明の実施の形態１に係る半田接続部の詳細構成図
【図５】本発明の実施の形態１に係る半田保持部の詳細構成図
【図６】本発明の実施の形態１に係る半田保持部の詳細構成図
【図７】本発明の実施の形態１に係るフライバックトランスの構成図
【図８】本発明の実施の形態２に係るリブの詳細構成図
【図９】フライバックトランスの回路図
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月13日(2007.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射することにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上にテーパを有するマスクを形成し、前記マスクを後退させつつ前記導電膜をエッチングしてゲート電極を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記ゲート電極のゲート長が１．０μｍ以下となるように前記導電膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ガラス基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に連続発振型のレーザー光を照射することにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上にテーパを有するレジストからなるマスクを形成し、前記マスクを後退させつつ前記導電膜をエッチングしてゲート電極を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記ゲート電極のゲート長が１．０μｍ以下となるように前記導電膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
ガラス基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射することにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜をパターニングし、
前記下地膜を窒化し、
前記結晶性半導体膜の表面を洗浄し、
前記結晶性半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上にテーパを有するマスクを形成し、前記マスクを後退させつつ前記導電膜をエッチングしてゲート電極を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記ゲート電極のゲート長が１．０μｍ以下となるように前記導電膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
ガラス基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射することにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上にテーパを有するマスクを形成し、前記マスクを後退させつつ前記導電膜をエッチングしてゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記結晶性半導体膜に不純物元素を添加して不純物領域を形成し、
前記ゲート電極、及び結晶性半導体膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記不純物領域と配線が接続するため、垂直な端部を有するマスクを用いて前記絶縁膜に開口部を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記ゲート電極のゲート長が１．０μｍ以下となるように前記導電膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記導電膜を第１の導電膜及び第２の導電膜の順に積層した構造に形成し、
前記マスクを用いて前記第２の導電膜をエッチングするとき、前記第１の導電膜はエッチングストッパーとして機能することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記導電膜上にレジストを形成し、前記レジストにマスク形状を露光し、焼成することにより、前記導電膜上にテーパを有するマスクを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記レジストは、ポジ型又はネガ型のいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記レジストは、吸光剤が添加されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６において、
前記焼成は、５０〜１２０℃の第１の加熱処理と、前記第１の加熱処理よりも高温での第２の加熱処理によって行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、ドライエッチング法又はウェットエッチング法により前記導電膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記ドライエッチング法は、ＣＦ４、Ｃｌ及びＯ２を用いて行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１０において、
前記ドライエッチング法は、Ｃｌ２を用いて行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記レーザー光を照射する前に、前記非晶質半導体膜上に結晶化を促進させる金属元素を添加し、加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法を用いたＣＰＵの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月21日(2007.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電性材料を含む組成物を選択的に吐出することによって第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、第１の有機樹脂を含む組成物を選択的に吐出することによってパターンを形成し、
前記パターンを用いて前記半導体膜をパターニングすることによって半導体層を形成し、
前記半導体層上に、第２の有機樹脂を含む組成物を選択的に吐出することによって保護層を形成し、
前記保護層をマスクとして前記半導体層に不純物を導入することによってソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域の上面と、前記保護層の側面とに接するように、第２の導電性材料を含む組成物を選択的に吐出することによって第２の導電層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
第１の導電性材料を含む第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に、第１の有機樹脂を含む組成物を選択的に吐出することによって第１のパターンを形成し、
前記第１のパターンを用いて前記第１の導電膜をパターニングすることによって第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に、第１の絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、第２の有機樹脂を含む組成物を選択的に吐出することによって第２のパターンを形成し、
前記第２のパターンを用いて前記半導体膜をパターニングすることによって半導体層を形成し、
前記半導体層上に、第３の有機樹脂を含む組成物を選択的に吐出することによって保護層を形成し、
前記保護層をマスクとして前記半導体層に不純物を導入することによってソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域の上面と、前記保護層の側面とに接するように、第２の導電性材料を含む組成物を選択的に吐出することによって第２の導電層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
第１の導電性材料を含む第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に、第１の有機樹脂を含む組成物を選択的に吐出することによって第１のパターンを形成し、
前記第１のパターンを用いて前記第１の導電膜をパターニングすることによって第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に、第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、第２の有機樹脂を含む組成物を選択的に吐出することによって第２のパターンを形成し、
前記第２のパターンを用いて前記半導体膜をパターニングすることによって半導体層を形成し、
前記半導体層上に、第３の有機樹脂を含む組成物を選択的に吐出することによって保護層を形成し、
前記保護層をマスクとして前記半導体層に不純物を導入することによってソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域の上面と、前記保護層の側面に接するように、第２の導電性材料を含む組成物からなる第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜上に、第４の有機樹脂を含む組成物を選択的に吐出することによって第４のパターンを形成し、
前記第４のパターンを用いて前記第２の導電膜をパターニングすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記半導体膜は、アモルファス半導体またはセミアモルファス半導体で形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１の導電性材料は、銀、金、銅又はインジウム錫酸化物を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第２の導電性材料は、銀、金、銅又はインジウム錫酸化物を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記保護層は、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミドから選ばれた一種、または複数種を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記不純物は、ｎ型を付与する不純物であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
ゲート電極と、前記ゲート電極上にソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を含む半導体層と、前記チャネル領域に重なる保護層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極及びドレイン電極は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の上面と、前記保護層の側面とに接して形成され、
前記保護層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極よりも高いことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
請求項９において、
前記半導体層は、アモルファス半導体またはセミアモルファス半導体で形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
請求項９または１０において、
前記保護層は、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミドから選ばれた一種、または複数種を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一項において、
前記ソース領域及びドレイン領域は、ｎ型を付与する不純物を有する不純物領域であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月13日(2007.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線金属の除去を制限するための腐食インヒビターと、
酸性ｐＨと、
砥粒と、
式：
【化１】
2005101545.tif 000001
（Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は非置換のアリール、アルキル、アラルキル又はアルカリール基を表わす基であり、Ｒ1は、２〜１５個の炭素原子の炭素鎖長を有する）を用いて形成される有機含有アンモニウム塩と
を含み、
前記有機含有アンモニウム塩が、２１．７kPa未満の少なくとも１つの研磨圧力を用いて、ＴＥＯＳ除去を促進し、かつＳｉＣ、ＳｉＣＮ、Ｓｉ3Ｎ4及びＳｉＣＯからなる群より選択される少なくとも１つのコーティングの除去を減少させる濃度を有する、
水性研磨組成物。
【請求項２】
Ｒ1が２〜１５個の炭素原子の炭素鎖長を有する、請求項１記載の水性研磨組成物。
【請求項３】
アンモニウム塩が、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、ベンジルトリブチルアンモニウム、ベンジルトリメチルアンモニウム、ベンジルトリエチルアンモニウム、ジアリルジメチルアンモニウム、ジエチルアミノエチルメタクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、メタクリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウム、３−（メタクリルアミド）プロピルトリメチルアンモニウム、トリエチレンテトラミン、テトラメチルグアニジン、ヘキシルアミン、及びそれらの混合物から選択される化合物で形成される、請求項１記載の水性研磨組成物。
【請求項４】
砥粒０．０５〜１５重量％と、
酸化剤０〜１０重量％と、
配線金属の除去を制限するための腐食インヒビター０．００２５〜６重量％と、
５未満のｐＨと、
式：
【化２】
2005101545.tif 000002
（Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は非置換のアリール、アルキル、アラルキル又はアルカリール基を表わす基であり、Ｒ1は、２〜１５個の炭素原子の炭素鎖長を有する）を用いて形成される有機含有アンモニウム塩０．００１〜３重量％と
を含み、
前記有機含有アンモニウム塩が、２１．７kPa未満の少なくとも１つの研磨圧力を用いて、ＴＥＯＳ除去を促進し、かつＳｉＣ、ＳｉＣＮ、Ｓｉ3Ｎ4及びＳｉＣＯからなる群より選択される少なくとも１つのコーティングの除去を減少させる濃度を有する、
水性研磨組成物。
【請求項５】
砥粒がシリカを含み、酸化剤が過酸化水素を含み、腐食インヒビターがベンゾトリアゾールを含み、組成物が３未満のｐＨと有機アンモニウムフッ化物塩を有する、請求項４記載の水性研磨組成物。
【請求項６】
研磨組成物が硝酸、硫酸、塩酸、リン酸又はこれらの混合物を用いてｐＨを２〜３に調整されたものである、請求項５記載の水性研磨組成物。
【請求項７】
Ｒ1が２〜５個の炭素原子の炭素鎖長を有する、請求項４記載の水性研磨組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月4日(2007.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水溶性単独重合体と、
水若しくは水と相溶性があり前記水溶性単独重合体が可溶な溶剤と
を含むことを特徴とする非感光性レジスト組成物。
【請求項２】
ポリビニルアルコールと、
水およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、グリセロール、ヘキサメチルホスホトリアミド、ヘキサメチルホスホロアミド、ピペラジン、トリエチレンジアミンの中から選ばれた一または二以上の物質からなる溶剤と
を含むことを特徴とする非感光性レジスト組成物。
【請求項３】
ポリビニルアルコールと水とを含み、粘度が５〜２０ｍＰａ・ｓであることを特徴とする非感光性レジスト組成物。
【請求項４】
請求項３に記載のレジスト組成物において、前記ポリビニルアルコールは平均重合度５０〜１０００であることを特徴とする非感光性レジスト組成物。
【請求項５】
平均重合度５００のポリビニルアルコールを５〜１０重量％、水を９０〜９５重量％含むことを特徴とする非感光性レジスト組成物。
【請求項６】
描画手段を用いて請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の非感光性レジスト組成物を吐出することにより被処理物上に保護膜を形成し、前記保護膜が形成された非処理基板を加熱処理し、前記保護膜をマスクとして前記被処理物をエッチングした後、水によって前記保護膜を除去する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
描画手段を用いて請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の非感光性レジスト組成物を吐出することにより被処理物上に保護膜を形成し、前記保護膜が形成された前記被処理物を加熱処理し、前記保護膜をマスクとして前記被処理物に不純物を添加した後、水によって前記保護膜を除去する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載の半導体装置の作製方法において、前記加熱処理を減圧下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月28日(2007.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上のデバイスホールが形成され、該デバイスホールの開口内に延在して形成された前記インナーリードが形成されているフレキシブルフィルム配線基板と、該デバイスホール内に収納され、複数の電極パッドを有する半導体素子基板と、前記フレキシブルフィルム配線基板と半導体素子基板とが固定される支持部材とからなり、前記インナーリードと前記電極パッドとが接合されている半導体装置において、
前記インナーリードは、前記インナーリードと電極パッドとの接合部と、前記フレキシブルフィルム配線基板との間の領域内において、他の部分よりも断面積が小さい領域を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記断面積が小さい領域は、前記インナーリードを貫通する少なくとも１つの貫通孔により構成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記断面積が小さい領域は、前記インナーリードに形成された少なくとも１つの凹型の溝部であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記断面積が小さい領域における前記インナーリードの幅は、前記接合部にけるインナーリードの幅よりも細いことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記断面積が小さい領域の線幅中心は、前記接合部におけるインナーリード５の線幅中心から、ずらして形成されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記断積が小さい領域には、切欠部が形成されていることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６の何れか一つに記載の半導体装置を用いたことを特徴とするインクジェット用記録ヘッド。
【請求項８】
１つ以上のデバイスホールが形成され、該デバイスホールの開口内に延在して形成された該インナーリードが形成されているフレキシブルフィルム配線基板と、該デバイスホール内に収納され、複数の電極パッドを有する半導体素子基板と、前記フレキシブルフィルム配線基板と前記半導体素子基板とが固定される支持部材とからなり、前記インナーリードと前記電極パッドとが接合されている半導体装置の製造方法において、
前記インナーリードは、前記インナーリードと電極パッドとの接合部と前記フレキシブルフィルム配線基板との間の領域内において、他の部分よりも断面積が小さい小断面積領域を備えており、
前記支持部材に前記半導体素子基板を接着固定させる工程と、前記フレキシブルフィルム配線基板を各インナーリードの先端部と、前記半導体素子基板の電極パッドを位置決めして配置する工程と、前記フレキシブルフィルム配線基板と半導体素子基板とを加熱し、前記インナーリードと電極パッドと接合する工程と、前記接合状態のまま冷却するとともに、前記インナーリードと電極パッドとの間で発生する応力を、前記インナーリードを変形させることにより解放する工程とを経ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前記目的を達成する為本発明は、１つ以上のデバイスホールが形成され、該デバイスホールの開口内に延在して形成された該インナーリードが形成されているフレキシブルフィルム配線基板に、該デバイスホール内に収納される複数の電極パッドを有する半導体素子基板が、前記デバイスホールの開口内に延在して形成された前記インナーリードと前記電極パッドとを接合することで実装された半導体装置において、前記インナーリードは、前記インナーリードと電極パッドとの接合部と前記フレキシブルフィルム配線基板との間の領域内において、他の部分よりも断面積が小さい領域を備えている半導体素子基板を提案している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また本発明は、前記断面積が小さい領域は、前記インナーリードを貫通する少なくとも１つの貫通孔、もしくは凹型の溝部により構成されていることを提案している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また本発明は、前記断面積が小さい領域における前記インナーリードの幅が前記接合部におけるインナーリードの幅よりも細いことを提案している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また本発明は、前記断面積が小さい領域の線幅中心は、前記接合部におけるインナーリード５の線幅中心からずれて形成されていることを提案している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また本発明は、１つ以上のデバイスホールが形成され、該デバイスホールの開口内に延在して形成された該インナーリードが形成されているフレキシブルフィルム配線基板と、該デバイスホール内に収納され、複数の電極パッドを有する半導体素子基板と、前記フレキシブルフィルム配線基板と半導体素子基板とが固定される支持部材とからなり、前記デバイスホールの開口内に延在して形成された前記インナーリードと前記電極パッドとが接合されている半導体装置の製造方法において、前記インナーリードは、前記インナーリードと電極パッドとの接合部と前記フレキシブルフィルム配線基板との間の領域内において、他の部分よりも断面積が小さい領域を備えており、前記支持部材に前記半導体素子基板を接着固定させる工程と、前記フレキシブルフィルム配線基板の各インナーリードの先端部と、前記半導体素子基板の電極パッドを位置決めして配置する工程と、前記フレキシブルフィルム配線基板と半導体素子基板と加熱し、前記インナーリードと電極パッドを接合する工程と、前記接合状態のまま冷却するとともに、前記インナーリードと電極パッドとの間で発生する応力を、前記インナーリードを変形させることにより解放する工程とを経る半導体装置の製造方法を提供している。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月11日(2007.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面及び第２の面を有する基板と、
前記第１の面上に、レーザビームの照射により形成された結晶性を有する半導体膜とを有し、
前記基板の厚さをｄとすると、前記レーザビームに対する前記基板の吸収係数αは、α≧ｌｎ１０／２ｄを満たし、
前記基板は、前記半導体膜を透過した前記レーザビームを吸収する特性を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の面及び第２の面を有する基板と、
前記第１の面上に、レーザビームの照射により形成された結晶性を有する半導体膜とを有し、
前記基板の厚さをｄとすると、前記レーザビームに対する前記基板の吸収係数αは、α≧ｌｎ１０／２ｄを満たし、
前記基板は、前記半導体膜を透過した前記レーザビームの一部を吸収し、一部を前記第１の面で反射する特性を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記レーザビームに対する前記基板の吸収係数αは１／ｍｍ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の面及び第２の面を有する基板と、
前記第１の面上に、レーザビームの照射により形成された結晶性を有する半導体膜とを有し、
前記基板は、前記半導体膜を透過して前記第１の面に達した前記レーザビームを、前記第１の面で反射する特性を有し、
前記第２の面で反射される前記レーザビームの反射率は０．４％以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記半導体膜は、一方向に延びた結晶粒を有し、その長手方向の長さが６００ｎｍ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記基板は、前記レーザビームに対して不透明であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記基板は、可視光に対して不透明であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記基板は、色付きガラス基板またはセラミックス基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
基板上に半導体膜を形成する工程と、
強度分布の均一なレーザビームを前記半導体膜に対して垂直に照射する工程とを有し、
前記基板は、前記半導体膜を透過した前記レーザビームを吸収する特性を有し
前記基板の厚さをｄとすると、前記レーザビームに対する前記基板の吸収係数αは、α≧ｌｎ１０／２ｄの条件を満たし、
前記基板に対して前記レーザビームを相対的に往復走査させて照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
第１の面及び第２の面を有する基板において、当該第１の面上に半導体膜を形成する工程と、
強度分布の均一なレーザビームを前記半導体膜に対して垂直に照射する工程とを有し、
前記基板は、前記半導体膜を透過した前記レーザビームの一部を吸収し、一部を前記第１の面で反射する特性を有し、
前記基板の厚さをｄとすると、前記レーザビームに対する前記基板の吸収係数αは、α≧ｌｎ１０／２ｄの条件を満たし、
前記基板に対して前記レーザビームを相対的に往復走査させて照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９または１０において、前記レーザビームに対する前記基板の吸収係数αは１／ｍｍ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
第１の面及び第２の面を有する基板において、当該第１の面上に半導体膜を形成する工程と、
強度分布の均一なレーザビームを前記半導体膜に対して垂直に照射する工程とを有し、
前記基板は、前記半導体膜を透過して前記第１の面に達した前記レーザビームを、前記第１の面で反射する特性を有し、
前記第２の面で反射される前記レーザビームの反射率は０．４％以下であり、
前記基板に対して前記レーザビームを相対的に往復走査させて照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項９乃至１２のいずれか一において、前記基板は、前記レーザビームに対して不透明であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項９乃至１２のいずれか一において、前記基板は、可視光に対して不透明であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項９乃至１２のいずれか一において、前記基板は、色付きガラス基板またはセラミックス基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項９乃至１５のいずれか一において、前記レーザビームを射出するレーザ発振器として、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、Ａｒレーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ガラスレーザのいずれか一種、あるいは複数種の組み合わせを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月1日(2007.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
計測器による測定のために、半導体ウエハの表面から１以上の汚染物質を脱着する方法であって；
（ａ）ウエハを加熱板との離間した平行関係に位置決めするステップと；
（ｂ）前記加熱板で加熱された気体による対流で前記ウエハを所定時間加熱して前記ウエハ表面から汚染物質を除去するステップと；
（ｃ）ステップ（ｂ）で加熱される間に占めている位置から前記ウエハを移動させるステップと；
（ｄ）ステップ（ｃ）の次に、前記ウエハに気体を吹き付けることによって前記ウエハを冷却するステップと；
（ｅ）ステップ（ｂ）の前記所定時間の完了後所定時間に、電気刺激を前記ウエハに与えることによって、前記ウエハの少なくとも１つの特性を、計測器により測定するステップとを含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
計測器による測定のために、半導体ウエハを準備する方法であって；
（ａ）ウエハを平面加熱要素との離間した平行関係に位置決めするステップと；
（ｂ）前記加熱要素で加熱された気体による対流で前記ウエハを所定加熱時間の間加熱して前記ウエハ表面から汚染物質を除去するステップと；
（ｃ）ステップ（ｂ）で加熱される間に占めている位置から前記ウエハを移動させるステップと；
（ｄ）ステップ（ｃ）の次に、動いている気体の流れを所定冷却時間の間前記ウエハの表面を通過させ、それにより前記ウエハを冷却するステップと；
（ｅ）前記ウエハを前記計測器に対して有効な関係に位置決めするステップと；
（ｆ）前記ウエハの少なくとも１つの特性を、電気刺激を前記ウエハに与えることによって前記計測器で測定するステップとを含む方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
半導体ウエハを処理する方法であって；
（ａ）加熱された気体を半導体ウエハの一の表面の、全てではなく、一部に向けることにより、対流により少なくとも１の汚染物質を脱着するステップと；
（ｂ）前記加熱された気体がない状態で、冷却気体の流れを前記半導体ウエハの前記一部に向けて、前記半導体ウエハの前記一部を冷却するステップと；
（ｃ）計測器により前記半導体ウエハに電気刺激を与え、前記半導体ウエハの前記一部を測定し、前記半導体ウエハの前記一部の少なくとも１つの特性を判定するステップとを含む方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図３を参照するとともに、引続き図１および２を参照すると、ロボットアームアセンブリ４は次に、気体４２、好ましくは窒素の流れを通って半導体ウエハ６を移動させるように制御されるが、気体４２の流れは適切な気体源４６から前記気体を受入れるマニホルド４４によって分配される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
特に図２を参照すると、通常の大気、すなわち空気を、脱着ステーション１０にある半導体ウエハ６の対流加熱に利用できる。しかし、所望すれば、半導体ウエハ６を、脱着ステーション１０での半導体ウエハ６の脱着中に窒素などの所望の気体雰囲気へ曝露することができる。このために、脱着ステーション１０は、脱着ステーション１０に収容された半導体ウエハ６へ、前記気体の適切な供給源、例えば気体源４６から適切な気体を配送するマニホルド４８を含んでもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月12日(2007.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の領域及び第２の領域に非結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の領域にマスクとして屈折率ｎ１である第１の材料と、ｎ１＜ｎ２を満たす屈折率ｎ２である第２の材料とを前記非結晶性半導体膜から順に積層して積層膜を形成し、
前記マスクを用いて前記非結晶性半導体膜にレーザ光を照射して、前記第２の領域の非結晶性半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の領域に前記非結晶性半導体膜を有する第１の薄膜トランジスタを形成し、前記第２の領域に前記結晶性半導体膜を有する第２の薄膜トランジスタを形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の領域及び第２の領域に非結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の領域にマスクとして屈折率ｎ１である第１の材料と、ｎ１＜ｎ２を満たす屈折率ｎ２である第２の材料とを前記非結晶性半導体膜から順に積層して積層膜を形成し、
前記マスクを用いて前記非結晶性半導体膜にレーザ光を照射して、前記第２の領域の非結晶性半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の領域に前記非結晶性半導体膜を有するｎチャネル型の第１の薄膜トランジスタを形成し、前記第２の領域に前記結晶性半導体膜を有するｎチャネル型の第２の薄膜トランジスタ及びｐチャネル型の第３の薄膜トランジスタを形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の領域及び第２の領域に非結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の領域にマスクとして屈折率ｎ１である第１の材料と、ｎ１＜ｎ２を満たす屈折率ｎ２である第２の材料とを前記非結晶性半導体膜から順に積層して積層膜を形成し、且つ前記第２の領域に前記積層膜の一つを形成し、
前記マスクを用いて前記非結晶性半導体膜にレーザ光を照射して、前記第２の領域の非結晶性半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の領域に前記非結晶性半導体膜を有するｎチャネル型の第１の薄膜トランジスタを形成し、前記第２の領域に前記結晶性半導体膜を有するｎチャネル型の第２の薄膜トランジスタ及びｐチャネル型の第３の薄膜トランジスタを形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上の第１の領域及び第２の領域に非結晶性半導体膜を形成し、
前記基板の他方の面であって、第１の領域にマスクとして屈折率ｎ１である第１の材料と、ｎ１＜ｎ２を満たす屈折率ｎ２である第２の材料とを前記非結晶性半導体膜から順に積層して積層膜を形成し、
前記マスクを用いて前記非結晶性半導体膜に前記基板の他方の面からレーザ光を照射して、前記第２の領域の非結晶性半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の領域に前記非結晶性半導体膜を有するｎチャネル型の第１の薄膜トランジスタを形成し、前記第２の領域に前記結晶性半導体膜を有するｎチャネル型の第２の薄膜トランジスタ及びｐチャネル型の第３の薄膜トランジスタを形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上の第１の領域及び第２の領域に非結晶性半導体膜を形成し、
前記基板の他方の面であって、第１の領域にマスクとして屈折率ｎ１である第１の材料と、ｎ１＜ｎ２を満たす屈折率ｎ２である第２の材料とを前記非結晶性半導体膜から順に積層して積層膜を形成し、且つ前記第２の領域に前記積層膜の一つを形成し、
前記マスクを用いて前記非結晶性半導体膜に前記基板の他方の面からレーザ光を照射して、前記第２の領域の非結晶性半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の領域に前記非結晶性半導体膜を有するｎチャネル型の第１の薄膜トランジスタを形成し、前記第２の領域に前記結晶性半導体膜を有するｎチャネル型の第２の薄膜トランジスタ及びｐチャネル型の第３の薄膜トランジスタを形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の領域を画素部とし、前記第２の領域を駆動回路部とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記非結晶性半導体膜へ照射するレーザ光の波長をλとすると、
前記第１の材料の膜厚が（λ／４）×ｎ１を満たし、
前記第２の材料の膜厚が（λ／４）×ｎ２を満たすように前記積層膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
照射するレーザ光の波長に対する消衰係数が０．０１以下である前記第１の材料、及び消衰係数が０．０１以下である前記第２の材料を用いて前記積層膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記第１の材料は酸化窒化珪素であり、前記第２の材料は窒化酸化珪素又は窒化珪素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記第１の材料、及び前記第２の材料はＣＶＤ法、又はスパッタリング法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記レーザ光を照射する前に、前記非結晶性半導体膜に結晶化を促進させる金属元素を選択的に添加し加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法を用いて前記画素部に形成された第１の薄膜トランジスタの一方の電極に、発光素子の陰極を形成し、前記陰極上に発光層を形成し、前記発光層を覆って前記発光素子の陽極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月27日(2007.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のパターン上に、導電性材料を含む組成物を局所的に吐出して、ピラーとして機能する導電体層を形成し、
前記導電体層が覆われるように、絶縁体層を形成し、
前記導電体層の一部が露出するように、前記絶縁体層をエッチングし、
露出した前記導電体層上に、第２のパターンを形成することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項２】
第１のパターン上に、導電性材料を含む組成物を局所的に吐出して、ピラーとして機能する導電体層を形成し、
前記導電体層が覆われるように、樹脂を含む組成物を吐出して、絶縁体層を形成し、
前記導電体層の一部が露出するように、エッチバック法又はＣＭＰ法で、前記絶縁体層をエッチングし、
露出した前記導電体層上に、第２のパターンを形成することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記導電性材料を含む組成物は、銀、金、銅又はインジウム錫酸化物を含むことを特徴とする配線の作製方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記第１のパターン及び前記第２のパターンの一方又は両方は、導電性材料を含む第２の組成物を吐出して形成することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２において、
前記第１のパターン及び前記第２のパターンの一方又は両方は、フォトリソグラフィ工程を用いて形成することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項６】
請求項１または請求項２において、
前記第１のパターンは、半導体層であり、
前記導電体層は、前記半導体層の不純物領域上形成されることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項７】
第１のパターン上に、一導電型の不純物を含む半導体層と、半導体層と、第１の絶縁体層とを積層形成し、
前記第１の絶縁体層上に、組成物を吐出して第２のパターンを形成し、
前記第２のパターンをマスクとして、前記第１のパターンが露出するように、前記一導電型の不純物を含む半導体層と、前記半導体層と、前記第１の絶縁体層とを同時にパターニングし、
前記第２のパターンを除去し、
前記第１のパターン上に、導電性材料を含む組成物を局所的に吐出して、ピラーとして機能する導電体層を形成し、
前記導電体層が覆われるように、第２の絶縁体層を形成し、
前記導電体層の一部が露出するように、前記第２の絶縁体層をエッチングし、
露出した前記導電体層上に、第３のパターンを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
半導体層上に形成された第１の絶縁体層上に、第１のパターンを形成し、
前記第１のパターンをマスクとして、前記半導体層に不純物を添加して不純物領域を形成し、
前記不純物領域上に、導電性材料を含む組成物を局所的に吐出して、ピラーとして機能する導電体層を形成し、
前記導電体層が覆われるように、第２の絶縁体層を形成し、
前記導電体層の一部が露出するように、前記第２の絶縁体層をエッチングし、
露出した前記導電体層上に、第２のパターンを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、
前記導電性材料を含む組成物は、銀、金、銅又はインジウム錫酸化物を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項７または請求項８において、
エッチバック法又はＣＭＰ法で、前記第２の絶縁体層をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項７または請求項８において、
前記第２の絶縁体層は、樹脂を含む組成物を吐出して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月27日(2007.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され、一般式がＩｎxＧａ1-xＮ（但し、ｘは０≦ｘ≦１である。）からなる第１の化合物層と、
前記第１の化合物層の上に形成され、一般式がＩｎyＡｌzＧａ1-y-zＮ（但し、ｙ及びｚは０≦ｙ≦１、０＜ｚ≦１である。）からなる第２の化合物層と、
前記第２の化合物層の上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極と接続された抵抗器とを備えていることを特徴とするスイッチ用半導体装置。
【請求項２】
前記基板と前記第１の化合物層との間に形成され、一般式がＡｌuＧａ1-uＮ（但し、ｕは０＜ｕ≦１である。）からなる第３の化合物層をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載のスイッチ用半導体装置。
【請求項３】
前記基板は、炭化シリコン、サファイア、シリコン又は窒化アルミニウムからなることを特徴とする請求項１又は２に記載のスイッチ用半導体装置。
【請求項４】
前記第２の化合物層の上に形成されたオーミック電極をさらに備え、
前記第２の化合物層における前記オーミック電極の下側の領域には、ｎ型不純物がドープされていることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載のスイッチ用半導体装置。
【請求項５】
前記第２の化合物層の上に形成されたオーミック電極をさらに備え、
前記第２の化合物層における前記オーミック電極と界面及びその近傍には、ｎ型不純物がドープされていることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載のスイッチ用半導体装置。
【請求項６】
前記ｎ型不純物はシリコンであることを特徴とする請求項４又は５に記載のスイッチ用半導体装置。
【請求項７】
前記ゲート電極のゲート幅をＷg とし、前記ゲート電極における単位ゲート幅当たりのチャネル遮断時のドレイン・ソース間容量をＣoff とし、単位ゲート幅当たりの最大ドレイン電流をＩmax とし、耐圧をＶb とし、系の特性インピーダンスをＺo とし、動作周波数をｆとするとき、ゲート幅Ｗg は、
Ｖb ／（Ｉmax ・Ｚo ）≦Ｗg ≦１／（２π・ｆ・Ｃoff ・Ｚo ）
となる関係を有していることを特徴とする請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載のスイッチ用半導体装置。
【請求項８】
前記ゲート電極は、単一のゲート電極からなり、
前記ゲート電極に電源電圧を昇圧した昇圧電圧を印加する昇圧回路をさらに備えていることを特徴とする請求項１〜７のうちのいずれか１項に記載のスイッチ用半導体装置。
【請求項９】
前記ゲート電極と前記第２の化合物層との間にゲート絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜８のうちのいずれか１項に記載のスイッチ用半導体装置。
【請求項１０】
前記ゲート絶縁膜は、酸化ガリウム、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムからなることを特徴とする請求項９に記載のスイッチ用半導体装置。
【請求項１１】
入力端子と出力端子との間に直列に接続された第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタにシャント接続された第２のトランジスタとを備え、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは、同一の基板上に形成され、それぞれ、一般式がＩｎxＧａ1-xＮ（但し、ｘは０≦ｘ≦１である。）からなる第１の化合物層と、前記第１の化合物層の上に形成され、一般式がＩｎyＡｌzＧａ1-y-zＮ（但し、ｙ及
びｚは０≦ｙ≦１、０＜ｚ≦１である。）からなる第２の化合物層と、前記第２の化合物層の上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極と接続された抵抗器とを有していることを特徴とするスイッチ回路。
【請求項１２】
それぞれが前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを含む第１のスイッチ回路及び第２のスイッチ回路を備え、
前記第１のスイッチ回路における前記第１のトランジスタと、前記第２のスイッチ回路における前記第１のトランジスタとは直列に接続されていることを特徴とする請求項１１に記載のスイッチ回路。
【請求項１３】
前記基板と前記各第１の化合物層との間に形成され、一般式がＡｌuＧａ1-uＮ（但し、ｕは０＜ｕ≦１である。）からなる第３の化合物層をさらに備えていることを特徴とする請求項１１に記載のスイッチ回路。
【請求項１４】
前記基板は、炭化シリコン、サファイア、シリコン又は窒化アルミニウムからなることを特徴とする請求項１１〜１３のうちのいずれか１項に記載のスイッチ回路。
【請求項１５】
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは、それぞれ、前記第２の化合物層の上に形成されたオーミック電極をさらに備え、
前記各第２の化合物層における前記オーミック電極の下側の領域には、それぞれｎ型不純物がドープされていることを特徴とする請求項１１〜１４のうちのいずれか１項に記載のスイッチ回路。
【請求項１６】
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは、それぞれ、前記第２の化合物層の上に形成されたオーミック電極を有し、
前記各第２の化合物層における前記オーミック電極との界面及びその近傍には、それぞれｎ型不純物がドープされていることを特徴とする請求項１１〜１４のうちのいずれか１項に記載のスイッチ回路。
【請求項１７】
前記ｎ型不純物はシリコンであることを特徴とする請求項１５又は１６に記載のスイッチ回路。
【請求項１８】
前記各ゲート電極のゲート幅をＷg とし、前記各ゲート電極における単位ゲート幅当たりのチャネル遮断時のドレイン・ソース間容量をＣoff とし、単位ゲート幅当たりの各最大ドレイン電流をＩmax とし、各耐圧をＶb とし、系の特性インピーダンスをＺo とし、動作周波数をｆとするとき、各ゲート幅Ｗg は、それぞれ、
Ｖb ／（Ｉmax ・Ｚo ）≦Ｗg ≦１／（２π・ｆ・Ｃoff ・Ｚo ）
となる関係を有していることを特徴とする請求項１１〜１７のうちのいずれか１項に記載のスイッチ回路。
【請求項１９】
前記第１のトランジスタにおける前記ゲート電極のゲート幅は、１．０ｍｍよりも大きく且つ３．０ｍｍよりも小さく、
前記第２のトランジスタにおける前記ゲート電極のゲート幅は、０よりも大きく且つ２．０ｍｍよりも小さいことを特徴とする請求項１１〜１８のうちのいずれか１項に記載のスイッチ回路。
【請求項２０】
前記各ゲート電極は、それぞれ単一のゲート電極からなり、
前記各ゲート電極に電源電圧を昇圧した昇圧電圧を印加する昇圧回路をさらに備えていることを特徴とする請求項１１〜１９のうちのいずれか１項に記載のスイッチ回路。
【請求項２１】
前記各ゲート電極と前記各第２の化合物層との間にはそれぞれゲート絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１１〜２０のうちのいずれか１項に記載のスイッチ回路。
【請求項２２】
前記ゲート絶縁膜は、酸化ガリウム、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムからなることを特徴とする請求項２１に記載のスイッチ回路。
【請求項２３】
前記抵抗器は、ニッケル（Ｎｉ）とクロム（Ｃｒ）との合金又は珪化窒化タングステン（ＷＳｉＮ）からなることを特徴とする請求項１〜１０のうちのいずれか１項に記載のスイッチ用半導体装置。
【請求項２４】
前記抵抗器は、ニッケル（Ｎｉ）とクロム（Ｃｒ）との合金又は珪化窒化タングステン（ＷＳｉＮ）からなることを特徴とする請求項１１〜２２のうちのいずれか１項に記載のスイッチ回路。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月26日(2007.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端面にはフランジ部及び複数個の端子台を配設する二次コイルボビンの外周に絶縁フィルムと２次コイルが交互に複数回巻回され、前記絶縁フィルムの端面が前記胴体部の平らな面に溶着される構成のフライバックトランスにおいて、前記二次コイルボビンの両端面のフランジ部から胴体部の表面に設けた８ｍｍ以下の平らな面に複数個の溝を二次コイルボビンに設けてなるフライバックトランス。
【請求項２】
前記二次コイルボビンの両端面の平らな面でかつ高圧端子台部の近傍に設けている複数個の溝の近傍の平らな表面を、なし地状あるいは細かな凹凸面にしたことを特徴とする請求項１に記載のフライバックトランス。
【請求項３】
前記二次コイルボビンの両端面のフランジ部から胴体部の表面に設けた８ｍｍ以下の平らな面になし地状あるいは細かな凹凸面を設けてなるフライバックトランス。
【請求項４】
両端面に配設された端子台と角度が９０度の角度を持つ方向に配設された端子台を持つ二次コイルボビンの高圧端子台の近傍で平らな面に軸心方向の溝および軸心方向と垂直な方向の溝を設けたことを特徴とする請求項１に記載のフライバックトランス。
【請求項５】
両端面に配設された端子台と角度が９０度の角度を持つ方向に配設された端子台を持ち、二次コイルボビンの高圧端子台の近傍で平らな面に軸心方向の溝と軸心方向と垂直な方向の溝が繋がったことを特徴とする請求項１に記載のフライバックトランス。
【請求項６】
両端面に配設された端子台と角度が９０度の角度を持つ方向に配設された端子台の間に、略角柱状のリブを設けてなる請求項１に記載のフライバックトランス。
【請求項７】
両端面に配設された端子台と角度が９０度の角度を持つ方向に配設された端子台の間に、略角柱状のリブを設け、略角柱状の側面に沿って溝を設けてなる請求項１に記載のフライバックトランス。