【手続補正書】
【提出日】平成19年5月11日(2007.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】  基板上に半導体膜を形成し、  レーザ発振器からレーザビームを発生させ、  一体型のシリンドリカルアレイレンズにより、前記レーザビームを、該レーザビームの進行方向に対し直角方向に分割し、  分割されたレーザビームを、前記半導体膜表面で１つに合成することを特徴とする半導体装置の作製方法。    【請求項２】  基板上に半導体膜を形成し、  レーザ発振器からレーザビームを発生させ、  一体型のシリンドリカルアレイレンズを含む第１の光学系により、前記レーザビームを、該レーザビームの進行方向に対し直角方向に分割し、  前記第１の光学系によって分割された前記レーザビームを、第２の光学系により前記半導体膜表面で１つに合成し、  第３の光学系により、前記直角方向と直角であり、かつレーザビームの進行方向に対し直角である方向にレーザビームを分割し、  前記第３の光学系によって分割された前記レーザビームを、第４の光学系により前記半導体膜の表面で１つに合成することを特徴とする半導体装置の作製方法。    【請求項３】  基板上に半導体膜を形成し、  レーザ発振器からレーザビームを発生させ、  二つの一体型のシリンドリカルアレイレンズにより、前記レーザビームを、該レーザビームの進行方向に対し直角方向に分割し、  分割されたレーザビームを、前記半導体膜表面で１つに合成することを特徴とする半導体装置の作製方法。    【請求項４】  基板上に半導体膜を形成し、  レーザ発振器からレーザビームを発生させ、  二つの一体型シリンドリカルアレイレンズを含む第１の光学系により、前記レーザビームを、該レーザビームの進行方向に対し直角方向に分割し、  前記第１の光学系によって分割された前記レーザビームを、第２の光学系により前記半導体膜表面で１つに合成し、  第３の光学系により、前記直角方向と直角であり、かつレーザビームの進行方向に対し直角である方向にレーザビームを分割し、  前記第３の光学系によって分割された前記レーザビームを、第４の光学系により前記半導体膜の表面で１つに合成することを特徴とする半導体装置の作製方法。    【請求項５】  基板上に半導体膜を形成し、  レーザ発振器からレーザビームを発生させ、  一体型のシリンドリカルアレイレンズにより、前記レーザビームを、該レーザビームの進行方向に対し直角方向に分割し、  分割されたレーザビームを、前記半導体膜表面で１つに合成することを含む半導体装置の作製方法であって、  前記一体型のシリンドリカルアレイレンズを形成する１つのシリンドリカルレンズの幅と長さに関するアスペクト比が２０以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。    【請求項６】  基板上に半導体膜を形成し、  レーザ発振器からレーザビームを発生させ、  一体型のシリンドリカルアレイレンズを含む第１の光学系により、前記レーザビームを、該レーザビームの進行方向に対し直角方向に分割し、  前記第１の光学系によって分割された前記レーザビームを、第２の光学系により前記半導体膜表面で１つに合成し、  第３の光学系により、前記直角方向と直角であり、かつレーザビームの進行方向に対し直角である方向にレーザビームを分割し、  前記第３の光学系によって分割された前記レーザビームを、第４の光学系���より前記半導体膜の表面で１つに合成することを含む半導体装置の作製方法であって、  前記一体型のシリンドリカルアレイレンズを形成する１つのシリンドリカルレンズの幅と長さに関するアスペクト比が２０以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。    【請求項７】  基板上に半導体膜を形成し、  レーザ発振器から長方形状のレーザビームを発生させ、  一体型のシリンドリカルアレイレンズにより、前記レーザビームを、該レーザビームの進行方向に対し直角方向に分割し、  分割されたレーザビームを、前記半導体膜表面で１つに合成することを含む半導体装置の作製方法であって、  前記一体型のシリンドリカルアレイレンズを形成する１つのシリンドリカルレンズの幅が、前記長方形状のレーザビームの短辺の長さの１／６以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。    【請求項８】  基板上に半導体膜を形成し、  レーザ発振器から長方形状のレーザビームを発生させ、  一体型のシリンドリカルアレイレンズを含む第１の光学系により、前記レーザビームを、該レーザビームの進行方向に対し直角方向に分割し、  前記第１の光学系によって分割された前記レーザビームを、第２の光学系により前記半導体膜表面で１つに合成し、  第３の光学系により、前記直角方向と直角であり、かつレーザビームの進行方向に対し直角である方向にレーザビームを分割し、  前記第３の光学系によって分割された前記レーザビームを、第４の光学系により前記半導体膜の表面で１つに合成することを含む半導体装置の作製方法であって、  前記一体型のシリンドリカルアレイレンズを形成する１つのシリンドリカルレンズの幅が、前記長方形状のレーザビームの短辺の長さの１／６以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。    【請求項９】 基板上に半導体膜を形成し、 レーザ発振器からレーザビームを発生させ、 一体型のシリンドリカルアレイレンズにより、前記レーザビームを、該レーザビームの進行方向に対し直角方向に分割し、 分割されたレーザビームを、ダブレットシリンドリカルレンズを用いて、前記半導体膜表面において集光することを特徴とする半導体装置の作製方法。    【請求項１０】 基板上に半導体膜を形成し、 レーザ発振器からレーザビームを発生させ、 二つの一体型のシリンドリカルアレイレンズにより、前記レーザビームを、該レーザビームの進行方向に対し直角方向に分割し、 分割されたレーザビームを、ダブレットシリンドリカルレンズを用いて、前記半導体膜表面において集光することを特徴とする半導体装置の作製方法。    【請求項１１】 基板上に半導体膜を形成し、 レーザ発振器からレーザビームを発生させ、 一体型のシリンドリカルアレイレンズにより、前記レーザビームを、該レーザビームの進行方向に対し直角方向に分割し、 分割されたレーザビームを、ダブレットシリンドリカルレンズを用いて、前記半導体膜表面において集光することを含む半導体装置の作製方法であって、 前記一体型のシリンドリカルアレイレンズを形成する１つのシリンドリカルレンズの幅と長さに関するアスペクト比が２０以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。    【請求項１２】 基板上に半導体膜を形成し、 レーザ発振器から長方形状のレーザビー��を発生させ、 一体型のシリンドリカルアレイレンズにより、前記レーザビームを、該レーザビームの進行方向に対し直角方向に分割し、 分割されたレーザビームを、ダブレットシリンドリカルレンズを用いて、前記半導体膜表面において集光することを含む半導体装置の作製方法であって、 前記一体型のシリンドリカルアレイレンズを形成する１つのシリンドリカルレンズの幅が、前記長方形状のレーザビームの短辺の長さの１／６以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。    【請求項１３】  請求項７、８及び１２のいずれか一項において、前記長方形状のレーザビームは、該レーザビームのエネルギー面内分布における最大エネルギーの５％以上の領域で定義されており、かつ、  前記長方形状のレーザビームの短辺の長さは、前記領域に入る最大の長方形の短辺の長さで定義されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。    【請求項１４】  請求項１乃至１３のいずれか一項において、前記レーザビームは、前記半導体膜表面において断面形状が線状となることを特徴とする半導体装置の作製方法。    【請求項１５】  請求項１乃至１４のいずれか一項において、前記レーザ発振器はエキシマレーザを発生させるものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。