Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月9日(2007.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルを含むメモリセルアレイと、
上記メモリセルアレイに欠陥をもつ欠陥メモリセルがあった場合に、上記欠陥メモリセルを置き換えるための冗長メモリセルと、
上記欠陥メモリセルに基づく救済アドレス情報を記憶するための不揮発性メモリと、
上記不揮発性メモリに記憶された救済アドレス情報により、上記メモリセルアレイからの出力と上記冗長メモリセルからの出力との接続を切り換え制御する救
済デコーダとを有し、
上記不揮発性メモリは、半導体基板の主面に沿って設けられた第１導電型の第１半導体領域及び第２導電型の第２半導体領域と、上記第１及び第２半導体領域と絶縁膜を介して配置されたフローティングゲートとを有し、上記第１半導体領域に配置された第２導電型のソース領域及びドレイン領域と上記第２半導体領域とに所定の電圧を印加することにより消去もしくは書き込み可能であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置において、
リードフレームと接続され、信号を入出力するためのパッドと、
第１のトランジスタを含む論理回路と、
第２のトランジスタを含み、上記パッドに接続され上記信号を入出力するための入出力回路とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体集積回路装置において、
上記不揮発性メモリの絶縁膜は、上記第１のトランジスタのゲート絶縁膜よりも厚い膜厚を有し、上記第２のトランジスタのゲート絶縁膜とほぼ等しい膜厚を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
請求項２記載の半導体集積回路装置において、
上記不揮発性メモリの絶縁膜の膜厚と上記第１のトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚との差は、上記不揮発性メモリの絶縁膜の膜厚と上記第２のトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚との差よりも大きいことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
請求項２記載の半導体集積回路装置において、
上記第１のトランジスタのゲート長は上記不揮発性メモリのゲート長よりも大きいことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項６】
請求項２記載の半導体集積回路装置において、
上記不揮発性メモリは、上記パッド及び上記入出力回路が配置された領域に配置されたことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項７】
請求項２記載の半導体集積回路装置において、
上記パッドの少なくとも一部は上記信号及び上記不揮発性メモリの書き込みを制御する制御信号を選択的に入力可能であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項８】
メモリセルを含むメモリセルアレイと、
上記メモリセルアレイに欠陥をもつ欠陥メモリセルがあった場合に、上記欠陥メモリセルを置き換えるための冗長メモリセルと、
上記欠陥メモリセルに基づく救済アドレス情報を記憶するための不揮発性メモリと、
誤り訂正回路と、
上記不揮発性メモリに記憶された救済アドレス情報により、上記メモリセルアレイからの出力と上記冗長メモリセルからの出力との接続を切り換え制御する救済デコーダとを有し、
上記不揮発性メモリは、第１導電型の第１半導体領域に形成された第１素子と第２導電型の第２半導体領域に形成された第２素子とを含み、上記第１素子は上記第１半導体領域に形成されたソース領域及びドレイン領域及び第１絶縁膜を介して形成された第１ゲートを含み、上記第２素子は上記第２絶縁膜を介して形成され上記第１ゲートと接続された第２ゲートを含み、
上記誤り訂正回路は、上記救済アドレス情報にチェックビットを付して上記不揮発性メモリに記憶させるとともに、上記不揮発性メモリから読み出されたデータに対して誤り訂正処理を行い上記救済デコーダに出力することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体集積回路装置において、
上記誤り訂正回路は、上記救済アドレス情報に対して１ビットの誤りまで訂正可能であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１０】
救済アドレス情報あるいはトリミング情報を記憶するための不揮発性メモリと、
上記不揮発性メモリセルに記憶された救済アドレス情報または上記トリミング情報をデコードするデコーダと
上記デコードに制御されるスイッチ回路を有し、
上記不揮発性メモリは、それぞれが第１導電型の第１半導体領域と第２導電型の第２半導体領域と、上記第１素子は上記第１半導体領域に形成されたソース領域及びドレイン領域及び第１絶縁膜を介して形成された第１ゲートを含み、上記第２素子は上記第２絶縁膜を介して形成され上記第１ゲートと接続された第２ゲートを含み、
上記不揮発性メモリは、それぞれが第１導電型の第１半導体領域と第２導電型の第２半導体領域と、上記第１半導体領域に形成された第２導電型のソース領域及びドレイン領域と、上記第１半導体領域及び上記第２半導体領域とそれぞれ絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有する第１及び第２の不揮発性メモリセルを有し、
上記第１及び第２の不揮発性メモリセルによって１ビット情報を記憶することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体集積回路装置において、
上記第１及び第２の不揮発性メモリセルは同じ情報を記憶し、上記不揮発性メモリセルのそれぞれから出力されたデータの論理和を出力することによって上記１ビット情報を読み出すことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１２】
請求項１０記載の半導体集積回路装置において、
上記第１の不揮発性メモリセルには第１信号を記憶し、上記第２の不揮発性メモリセルには上記第１信号とは相補の関係にある第２信号を記憶し、
上記第１の不揮発性メモリセルのしきい値電圧と上記第２の不揮発性メモリセルのしきい値電圧との差を検出することにより上記１ビット情報を読み出すことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体集積回路装置において、
上記第１の不揮発性メモリセルのゲート幅と上記第２の不揮発性メモリセルのゲート幅が異なり、上記不揮発性メモリに情報を書き込む前には定められたデータを出力できることを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月12日(2006.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報記録ディスク装置用ランプ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報記録ディスク装置の記録ディスクに情報を書き込み或いは読み出しするヘッドを保持するサスペンション・アームを、前記記録ディスクから離間させた状態にて保持するランプであって、
それぞれが異なる高分子材料で形成されそれぞれの接続面を有し筐体に螺子を用いて固定する螺子穴が設けられるように高分子材料で成形された取付部と、前記サスペンション・アームを前記記録ディスクから離間させた状態にて保持する格納部及び前記サスペンション・アームを摺動させることによりこのサスペンション・アームが前記格納部へ出入りするガイド部を有して摩擦係数の小さい高分子材料を用いて成形されたアーム保持部とを備えた複数のブロック部品と、
前記それぞれの接続面に形成された掛止手段と、
を備えた情報記録ディスク装置用ランプ。
【請求項２】
前記取付部に用いられる高分子材料としては、前記アーム保持部に用いられる高分子材料よりもクリープ変形が少ない高分子材料を用いる請求項１に記載した情報記録ディスク装置用ランプ。
【請求項３】
前記取付部に用いられる高分子材料としては、前記アーム保持部に用いられる高分子材料よりも熱膨張率が小さい高分子材料を用いる請求項１に記載した情報記録ディスク装置用ランプ。
【請求項４】
前記取付部に用いられる高分子材料として、ポリ・エーテル・イミド（ＰＥＩ）、ポリ・イミド（ＰＩ）、ポリ・カーボネート（ＰＣ）、ポリ・エーテル・サルフォン（ＰＥＳ）、および、ポリ・フェニレン・サルファイド（ＰＰＳ）の内から選択された材料が用いられている請求項１に記載した情報記録ディスク装置用ランプ。
【請求項５】
前記取付部に用いられる高分子材料として、グラス・ファイバあるいはカーボン・ファイバが混入された高分子材料が用いられている請求項１に記載した情報記録ディスク装置用ランプ。
【請求項６】
前記アーム保持部に用いられる摩擦係数の小さい高分子材料として、リキッド・クリスタル・ポリマー（ＬＣＰ）が用いられている請求項１に記載した情報記録ディスク装置用ランプ。
【請求項７】
前記アーム保持部に用いられる摩擦係数の小さい高分子材料として、ポリ・テトラ・フルオロ・エチレン（ＰＴＦＥ）を含有する高分子材料が用いられている請求項１に記載した情報記録ディスク装置用ランプ。
【請求項８】
前記取付部に用いられる高分子材料と前記アーム保持部に用いられる高分子材料には、前記両材料を成形する際の金型に要求される温度条件中に同一温度範囲を有するものを用いる請求項１に記載した情報記録ディスク装置用ランプ。
【請求項９】
前記両高分子材料は、前記同一温度範囲を有する温度条件中に、前記情報記録ディスク装置用ランプが情報記録ディスク装置の設置時或いは使用時に達する最高温度よりも高い温度を有するものを用いる請求項８に記載した情報記録ディスク装置用ランプ。
【請求項１０】
前記アーム保持部は、両面使用型の複数枚の記録ディスク用のサスペンション・アームを保持する請求項１に記載した情報記録ディスク装置用ランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月9日(2007.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数のディスク形の記録媒体を収納可能なマガジンを有するディスク形記録媒体の再生装置において、
記録媒体を装置内に連続して挿入する機能を指示する連続挿入指示手段と、
１つの記録媒体が装置内に挿入され、前記連続挿入指示手段により連続挿入が指示されていないとき、その記録媒体を再生部に搬送して、再生を開始する第１の手段と、
前記連続挿入指示手段により連続挿入が指示されているとき、記録媒体が装置内に挿入されると、それを前記マガジンと前記再生部の所定位置に収納した後に、次の記録媒体の挿入を待つ第２の手段と、
連続挿入するディスクの数を指定する挿入枚数指定手段と、を具備し、
前記第２の手段は、前記挿入枚数指定手段により指定された枚数の記録媒体が装置内に収納されると、前記再生部に所定の記録媒体の再生を開始させる、
ことを特徴とするディスク形記録媒体の再生装置。
【請求項２】  連続挿入するディスクの数として、装置内に収納可能な全数を指定する全数挿入指定手段を具備し、
前記第２の手段は、前記全数挿入指定手段により指定された全数の記録媒体が装置内に収納されると、前記再生部に所定の記録媒体の再生を開始させる、請求項１に記載のディスク形記録媒体の再生装置。
【請求項３】  複数のディスク形の記録媒体を収納可能なマガジンを有するディスク形記録媒体の再生装置において、
記録媒体を装置外に連続して排出する機能を指示する連続排出指示手段と、
記録媒体の排出を指示する信号が入力され、前記連続排出指示手段により連続排出が指示されていなければ、１枚の所定の記録媒体を装置外へ排出して排出処理を終了する第１の手段と、
記録媒体の排出を指示する信号が入力され、前記連続排出指示手段により連続排出が指示されているとき、連続して所定の記録媒体を装置外へ排出する第２の手段と、
を具備することを特徴とするディスク形記録媒体の再生装置。
【請求項４】  連続排出する記録媒体の数を指定する排出枚数指定手段を具備し、
前記第２の手段は、前記排出枚数指定手段により指定された枚数の記録媒体が装置から排出されると、連続排出モードを解除する、請求項３に記載のディスク形記録媒体の再生装置。
【請求項５】  連続排出するディスクの数として、装置内に収納可能な全数を指定する全数排出指定手段を具備し、
前記第２の手段は、前記全数排出指定手段により指定された全数の記録媒体が装置から排出されると、連続排出モードを解除する、請求項３又は４に記載のディスク形記録媒体の再生装置。
【請求項６】  排出する記録媒体を指定する排出記録媒体指定手段を具備し、
前記第１及び第２の手段は、前記排出記録媒体指定手段により指定された記録媒体を排出する、請求項３に記載のディスク形記録媒体の再生装置。
【請求項７】  前記第２の手段は、新たな動作指示信号が入力されたときは、記録媒体の連続排出モードを解除する、請求項３〜６の何れか一項に記載のディスク形記録媒体の再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月29日(2006.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体に対して磁気信号の記録及び／又は再生を行うヘッド素子をｍ個（ｍは２以上の整数）備える記録再生ヘッドが少なくとも１つ配設された回転ドラムと、
上記回転ドラムに対して磁気記録媒体を巻き付けるとともに、この磁気記録媒体を所定の送り速度で送る送り機構とを備え、
上記各ヘッド素子は、薄膜形成技術を用いて作製されてなる薄膜型磁気ヘッドであって、上記各ヘッド素子のトラック幅をＷとしたときに、当該各ヘッド素子同士の間隔Ｔｐと、上記記録再生ヘッドが次回に磁気記録媒体を走査するまでに上記送り機構が送る磁気記録媒体の送り量Ｓとが、
ｍＷ／２ ＜ Ｔｐ ＜ ２ｍＷ
ｎＴｐ−Ｗ ＜ Ｓ ＜ ｎＴｐ＋Ｗ （ただし、ｎは整数）
なる関係を満たすように設定されていることを特徴とする記録再生装置。
【請求項２】
上記各ヘッド素子同士の間隔Ｔｐは、５μｍ以上とされていることを特徴とする請求項１記載の記録再生装置。
【請求項３】
上記各ヘッド素子のうち、磁気記録媒体の走査方向に対して最も後方に位置するヘッド素子のトラック幅を基準トラック幅Ｗとしたときに、他のヘッド素子のトラック幅が基準トラック幅Ｗよりもやや大とされていることを特徴とする請求項１記載の記録再生装置。
【請求項４】
上記記録再生ヘッドは、隣り合う上記ヘッド素子同士のアジマス角を異とされていることを特徴とする請求項１記載の記録再生装置。
【請求項５】
上記各ヘッド素子は、磁気記録媒体に記録された磁気信号を検出する磁気抵抗効果素子を備えていることを特徴とする請求項１記載の記録再生装置。
【請求項６】
少なくとも１つの記録再生ヘッドが配設された回転ドラムを備える記録再生装置により、磁気記録媒体に対してヘリカルスキャン方式により記録及び／又は再生を行う際に、
上記記録再生ヘッドとして、薄膜形成技術を用いて作製されてなる薄膜型磁気ヘッドであって、トラック幅がＷであるヘッド素子をｍ個（ｍは２以上の整数）備え、当該各ヘッド素子同士の間隔Ｔｐが、
ｍＷ／２＜Ｔｐ＜ ２ｍＷ
なる関係を満たす磁気ヘッドを用いるとともに、
上記記録再生ヘッドが次回に磁気記録媒体を走査するまでに送る当該磁気記録媒体の送り量Ｓを、
ｎＴｐ−Ｗ ＜ Ｓ ＜ ｎＴｐ＋Ｗ （ただし、ｎは整数）
とすることを特徴とする記録再生方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る記録再生装置は、磁気記録媒体に対して磁気信号の記録及び／又は再生を行うヘッド素子をｍ個（ｍは２以上の整数）備える記録再生ヘッドが少なくとも１つ配設された回転ドラムと、上記回転ドラムに対して磁気記録媒体を巻き付けるとともに、この磁気記録媒体を所定の送り速度で送る送り機構とを備える。そして、上記各ヘッド素子は、薄膜形成技術を用いて作製されてなる薄膜型磁気ヘッドであって、上記各ヘッド素子のトラック幅をＷとしたときに、当該各ヘッド素子同士の間隔Ｔｐと、上記記録再生ヘッドが次回に磁気記録媒体を走査するまでに上記送り機構が送る磁気記録媒体の送り量Ｓとが、以下の式１及び式２に示す関係を満たすように設定されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明に係る記録再生方法は、少なくとも１つの記録再生ヘッドが配設された回転ドラムを備える記録再生装置により、磁気記録媒体に対してヘリカルスキャン方式により記録及び／又は再生を行う方法である。そして、上記記録再生ヘッドとして、薄膜形成技術を用いて作製されてなる薄膜型磁気ヘッドであって、トラック幅がＷであるヘッド素子をｍ個（ｍは２以上の整数）備え、当該各ヘッド素子同士の間隔Ｔｐが、以下の式３に示す関係を満たす磁気ヘッドを用いるとともに、上記記録再生ヘッドが次回に磁気記録媒体を走査するまでに送る当該磁気記録媒体の送り量Ｓを、以下の式４に示す関係を満たすようにして記録及び／又は再生を行う。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
回転ドラム部３は、モータ４によって所定の回転速度で回転駆動されるドラムである。回転ドラム部３は、固定ドラム部２と略同径の円筒状に形成されてなり、固定ドラム部２と中心軸が一致するように配設されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
記録再生ヘッド５ａ，５ｂ（以下、まとめて記録再生ヘッド５という。）には、図２に示すように、それぞれ、複数の磁気ヘッド素子７ａ，７ｂが配設されている。なお、図２は、記録再生ヘッド５の磁気テープ６に対向する側の面、すなわち記録再生を行う側の面を拡大して示す概略平面図である。また、本実施の形態においては、図２に示すように、記録再生ヘッド５ａ，５ｂにそれぞれ、磁気ヘッド素子７ａ，７ｂが３つずつ備えられているとする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月15日(2007.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  広告手段に表示されたキーワードからウェブページを検索するコンピュータであり、
キーワードとウェブページのアドレスとからなる情報レコードを複数記憶する情報レコードファイル記憶手段、前記情報レコードファイルに含まれ且つ前記広告手段に表示された前記キーワードを入力する入力手段、入力されたキーワードに一致するキーワードを有する情報レコードを前記情報レコードファイルの中から検索するデータ検索手段、検索した情報レコードのアドレスが示すウェブページの内容又はそのウェブページにアクセス可能な情報を表示する表示手段を備えることを特徴とするウェブページ検索のためのコンピュータ。
【請求項２】前記広告手段にはデータ検索手段が表示されており、
前記検索処理は前記広告手段に表示されたデータ検索手段により行われることを特徴とする請求項１記載のウェブページ検索のためのコンピュータ。
【請求項３】  ウェブページのアドレスに関連づけられたキーワードと、そのキーワードを検索エンジンに入力して検索すべき指示が表示されていることを特徴とする広告。
【請求項４】  ウェブページのアドレスに関連づけられたキーワードと、そのキーワードが利用できる検索エンジンの名称と、前記検索エンジンにおいて前記キーワードを入力して検索すべき指示が表示されていることを特徴とする広告。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は次の手段を備えるコンピュータと広告である。
（１）  広告手段に表示されたキーワードからウェブページを検索するコンピュータであり、
キーワードとウェブページのアドレスとからなる情報レコードを複数記憶する情報レコードファイル記憶手段、前記情報レコードファイルに含まれ且つ前記広告手段に表示された前記キーワードを入力する入力手段、入力されたキーワードに一致するキーワードを有する情報レコードを前記情報レコードファイルの中から検索するデータ検索手段、検索した情報レコードのアドレスが示すウェブページの内容又はそのウェブページにアクセス可能な情報を表示する表示手段を備えることを特徴とするウェブページ検索のためのコンピュータ。
（２）前記広告手段にはデータ検索手段が表示されており、
前記検索処理は前記広告手段に表示されたデータ検索手段により行われることを特徴とする請求項１記載のウェブページ検索のためのコンピュータ。
（３）  ウェブページのアドレスに関連づけられたキーワードと、そのキーワードを検索エンジンに入力して検索すべき指示が表示されていることを特徴とする広告。
（４）  ウェブページのアドレスに関連づけられたキーワードと、そのキーワードが利用できる検索エンジンの名称と、前記検索エンジンにおいて前記キーワードを入力して検索すべき指示が表示されていることを特徴とする広告。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月2日(2007.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）メディア番組記憶サービスのリクエストをクライアントから受信するステップと、
Ｂ）前記リクエストに応答して、クライアントが使用可能な所定量の記憶容量を前記クライアントへ割り当てるステップと、
Ｃ）識別されたメディア番組の記憶のリクエストを前記クライアントから受信するステップと、
Ｄ）前記識別されたメディア番組を記憶し、前記識別された番組を記憶した後に残る、クライアントが使用可能な記憶容量を決定するステップと、
を含んでいることを特徴とする記憶容量の割当て方法。
【請求項２】
Ｅ）クライアントが使用可能な残余記憶容量をクライアントへ知らせるステップを含んでいることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
Ｆ）追加記憶のリクエストをクライアントから受信するステップと、
Ｇ）前記リクエストに応答して、追加記憶容量をクライアントへ割り当てるステップと、を含んでいることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
記憶されたメディア番組について満了日が設定され、前記識別されたメディア番組を記憶するために使用される記憶容量が、前記満了日の経過後にクライアントにより再使用可能になることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
Ｈ）前記満了日が経過する前に、クライアントに前記満了日を知らせるステップを含んでいることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
Ｉ）クライアントにより識別されたメディア番組を記憶するのに必要な記憶容量を決定するステップと、
Ｊ）前記必要な記憶容量が、クライアントが使用可能な記憶容量を超えた場合、記憶を拒否するステップと、
を含んでいることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項７】
所定の複数のメディア番組信号を受信し、記憶する複数の記憶装置であって、異なる地理的位置に配置された記憶装置と、
ネットワーク接続されたクライアントからの識別されたメディア番組信号の記憶リクエストを受信し、クライアントからのリクエストに応答して、前記複数の記憶装置の一つに対し、前記識別されたメディア番組信号を受信して、記憶するように知らせるネットワーク・アクセス可能なサーバーと、
を含んでおり、
前記記憶装置が、識別された番組を受信し、記憶する前記ネットワーク・アクセス可能なサーバーからの通知に応答し、かつ、記憶されたメディア番組を探索するためのネットワークアドレスを、前記リクエストを送信したクライアントに知らせる装置を含んでいること、
を特徴とするメディア番組記憶装置。
【請求項８】
ネットワークを介したクライアントからの配信リクエストに応答して、記憶されたメディア番組をネットワークを介してクライアントへ配信する装置を含んでいることを特徴とする請求項７記載のメディア番組記憶装置。
【請求項９】
前記ネットワーク・アクセス可能なサーバーが、クライアントが使用可能な記憶容量を識別する値を記憶することを特徴とする請求項７記載のメディア番組記憶装置。
【請求項１０】
前記ネットワーク・アクセス可能なサーバーが、クライアントによるアクセスのための望まれたメディア番組リストを記憶することを特徴とする請求項７記載のメディア番組記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月6日(2007.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  重量平均分子量５０万以上のポリオレフィン（Ａ）又は当該ポリオレフィンを含有するポリオレフィン組成物（Ｂ）からなり、透気度が１２００秒／１００ｃｃを超え２０００秒／１００ｃｃ以下、かつ、ＴＤ方向の熱収縮率が２．０％以下であることを特徴とするポリオレフィン微多孔膜。
【請求項２】  ＭＤ方向の熱収縮率が６％以下である請求項１に記載のポリオレフィン微多孔膜。
【請求項３】  引張強度が１００ＭＰａ以上、突刺強度が５５００ｍＮ／２５μｍ以上である請求項１または２に記載のポリオレフィン微多孔膜。
【請求項４】  重量平均分子量５０万以上のポリオレフィン（Ａ）又は当該ポリオレフィンを含有するポリオレフィン組成物（Ｂ）と溶剤とからなる溶液を溶融混練して押出し、冷却して得られたゲル状成形物を延伸し、得られた延伸物から溶剤を除去し、乾燥後に３段以上の多段による熱セットを行うことを特徴とするポリオレフィン微多孔膜の製造方法であって、第１段の熱セット工程では、（Ｃ）ＭＤ、ＴＤの両方向の固定を行いながらＭＤ、ＴＤの少なくとも一方向に収縮させ、第１段及び最終段以外のいずれかの熱セット工程では、（Ｄ）ＭＤ、ＴＤの少なくとも一方向に収縮させ、最終段の熱セット工程では、（Ｅ）収縮させない工程とし、かつ熱セット工程全体ではＭＤ、ＴＤのいずれかの方向を１０％以上５０％以下収縮させることを特徴とするポリオレフィン微多孔膜の製造方法。
【請求項５】  請求項１に記載のポリオレフィン微多孔膜を用いた電池用セパレータ。
【請求項６】  請求項１に記載のポリオレフィン微多孔膜を電池用セパレータとして用いた電池。
【請求項７】  請求項１に記載のポリオレフィン微多孔膜を用いたフィルター。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月4日(2007.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
階層構造のコンピュータシステムにおけるデータ転送方法であって、
項目と属性情報とが対応付けられた管理情報を備え、前記属性情報は自システム管理項目を示す属性情報と対応付けられており、
少なくとも１つの項目を有する第１のデータを上位システムから受信し、
受信した前記第１のデータの項目が、前記管理情報の項目に存在する場合は、前記管理情報の中の前記存在した項目の属性情報を、前記自システム管理項目を示す属性情報から、共通項目を示す属性情報に変更し、
受信した前記第１のデータの項目が、前記管理情報の項目に存在しない場合は、前記管理情報に、前記存在しない項目を追加し、
前記第１のデータを下位システムに送信する
ことを特徴とするデータ転送方法。
【請求項２】
請求項１に記載のデータ転送方法であって、
前記追加された項目は、前記管理情報の中で前記上位システム管理項目を示す属性情報に対応付けられている
ことを特徴とするデータ転送方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のデータ転送方法であって、
前記管理情報の項目が、受信した前記第１のデータの項目に存在しない場合は、前記第１のデータに前記存在しない項目を追加することにより前記第１のデータを更新し、
更新された前記第１のデータを前記下位システムに送信する
ことを特徴とするデータ転送方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のデータ転送方法であって、
前記項目の追加と削除のうち少なくとも１の編集要求を受け付け、
前記項目の編集要求に応じて、前記管理情報の項目と属性情報を変更する
ことを特徴とするデータ転送方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のデータ転送方法であって、
前記項目と結果情報とが対応付けられた第２の情報を下位システムから受信し、
前記第２の情報の項目が、自システム管理項目を示す属性情報または共通項目を示す属性情報のどちらかに対応付けられていた場合に、自システムのＤＢを当該対応付けられていた項目の前記結果情報に基づいて更新する
ことを特徴とするデータ転送方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のデータ転送方法であって、
前記項目と結果情報とが対応付けられた第２の情報を下位システムから受信し、
前記第２の情報の項目が、上位システム管理項目を示す属性情報または共通項目を示す属性情報に対応付けられていた場合に、前記対応付けられていた項目及び前記結果情報を上位システムに送信する
ことを特徴とするデータ転送方法。
【請求項７】
階層構造のコンピュータシステムにおけるデータ転送システムであって、
項目と属性情報とが対応付けられており、前記属性情報は自システム管理項目を示す属性情報と対応付けられている、管理情報を格納する手段と、
少なくとも１つの項目を有する第１のデータを上位システムから受信する手段と、
受信した前記第１のデータの項目が、前記管理情報の項目に存在する場合は、前記管理情報の中の前記存在した項目の属性情報を、前記自システム管理項目を示す属性情報から、共通項目を示す属性情報に変更する手段と、
受信した前記第１のデータの項目が、前記管理情報の項目に存在しない場合は、前記管理情報に、前記存在しない項目を追加する手段と、
前記第１のデータを下位システムに送信する手段と
を有することを特徴とするデータ転送システム。
【請求項８】
請求項７に記載のデータ転送システムであって、
前記追加された項目は、前記管理情報の中で前記上位システム管理項目を示す属性情報に対応付けられている
ことを特徴とするデータ転送システム。
【請求項９】
請求項７または８に記載のデータ転送システムであって、
前記管理情報の項目が、受信した前記第１のデータの項目に存在しない場合は、前記第１のデータに前記存在しない項目を追加することにより前記第１のデータを更新する手段をさらに有し、
前記送信する手段は、更新された前記第１のデータを前記下位システムに送信する
ことを特徴とするデータ転送システム。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれか１項に記載のデータ転送システムであって、
前記項目の追加と削除のうち少なくとも１の編集要求を受け付ける手段と、
前記項目の編集要求に応じて、前記管理情報の項目と属性情報を変更する手段と、
を有することを特徴とするデータ転送システム。
【請求項１１】
請求項７〜１０のいずれか１項に記載のデータ転送システムであって、
前記項目と結果情報とが対応付けられた第２の情報を下位システムから受信する手段と、
前記第２の情報の項目が、自システム管理項目を示す属性情報または共通項目を示す属性情報のどちらかに対応付けられていた場合に、自システムのＤＢを当該対応付けられていた項目の前記結果情報に基づいて更新する手段と、
を有することを特徴とするデータ転送システム。
【請求項１２】
請求項７〜１１のいずれか１項に記載のデータ転送システムであって、
前記項目と結果情報とが対応付けられた第２の情報を下位システムから受信する手段と、
前記第２の情報の項目が、上位システム管理項目を示す属性情報または共通項目を示す属性情報に対応付けられていた場合に、前記対応付けられていた項目及び前記結果情報を上位システムに送信する手段と、
を有することを特徴とするデータ転送システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月18日(2007.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
さらにエッジ方向処理部１５は、このようにして計算される注目画素Ｐｃのエッジ方向ｖｃより、注目画素Ｐｃのサンプリング点からエッジ方向ｖｃの直線上に、画像データＤ１のサンプリングピッチによるサンプリング点Ｐ−２、Ｐ−１、Ｐ１、Ｐ２を所定個数だけ設定する。さらにこのサンプリング点Ｐ−２、Ｐ−１、Ｐ１、Ｐ２と注目画素Ｐｃとについて、画像データＤ１の画素値を用いた補間演算処理によりそれぞれ画素値を計算し、これによりエッジ検出部１２の検出結果に基づいて、出力画像データＤ２の各画素毎に、エッジ方向ｖｃに延長する直線上に、入力画像データＤ１の内挿処理によるエッジ方向の内挿画像データを生成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
さらに信頼度計算部１８は、破線により示すように、注目画素、この注目画素のエッジ方向ｖ２の前後のサンプリング点Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ、Ｐｄの画素について、それぞれエッジ勾配方向ｖ１の前後のサブサンプリング点の画素値との間で加算値Σ１〜Σ５を計算する。ここでこの注目画素において、エッジの延長する方向にはっきりとしたエッジが形成されている場合、このようにして計算される加算値Σ１〜Σ５にあっては、ほぼ等しい値が得られる。しかしながらこの注目画素において、エッジ方向ｖ２のエッジがはっきりとしたものではない場合、これらの加算値Σ１〜Σ５にあっては、ばらつきが大きくなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
【数１６】
2006221403.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
さらに次式により示すように、このようにして計算される水平方向、垂直方向の総合の差分値ｄｉｆｆh 、ｄｉｆｆv から値の大きい側を選択して信頼度計算用のパラメータｄｉｆｆを求める。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
ここで図１５は、この重み付け係数γ０〜γ４の設定の１例を示す特性曲線図である。この図１５の例は、対称的に微分演算子が設定された２組の画像処理部についての重み付け係数の設定を示すものであり、レイヤ統合部４は、この対称的に微分演算子が設定された画像処理部の組毎に、所定の範囲で、相補的に値が変化するように重み付け係数を設定する。これによりこの図１５の例では、重み付け係数γ０及びγｎ、γ１及びγｎ−１がそれぞれ組を形成するようになされている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月24日(2007.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的情報記録媒体に情報を記録する記録条件を設定するための試し書き方法であって、
記録符号列中のマーク長を、検出窓幅の自然数ｎ倍長のマークに対して、ｎを２以上の整数定数で除算した剰余にしたがって分類される記録パターンを生成し、
前記記録パターンのうち任意の記録パターンＡを選択し、所定の方法により前記記録パターンＡの記録パワーＰｗ（Ａ）を設定し、前記記録パターンＡを前記記録パワーＰｗ（Ａ）で、かつ、その他の記録パターンの記録パワーを、Ｐｗ（Ａ）を含めた一定の範囲で変化させ試し書きを行って、その他の記録パターンの記録パワーを設定することを特徴とする試し書き方法。
【請求項２】
前記一定の範囲は、ａ×Ｐｗ（Ａ）≦Ｐｗ≦ｂ×Ｐｗ（Ａ）であり、０．８≦ａ≦１．０であり、１．０≦ｂ≦１．２であることを特徴とする請求項１記載の試し書き方法。
【請求項３】
前記所定の方法は、前記記録パターンＡについて、記録パワーを変えて記録再生し、変調度と記録パワーの関係から変調度が０となる記録パワーＰ０（Ａ）を求め、Ｐ０（Ａ）に定数ｐを乗じた値を、記録パターンの記録パワーＰｗ（Ａ）として設定する方法であることを特徴とする請求項１記載の試し書き方法。
【請求項４】
前記記録パターンＡの前記記録パワーＰｗ（Ａ）における変調度を算出し、
前記その他の記録パターンの、前記記録パワーＰｗ（Ａ）を適用したときの変調度を算出し、
前記Ｐｗ（Ａ）における変調度と、前記その他の記録パターンの変調度とを比較し、
前記比較結果に応じて、記録パワーの変化させる範囲を異ならせて試し書きを行うことを特徴とする請求項１記載の試し書き方法。
【請求項５】
前記その他の記録パターンの記録パワーを設定し、更に、前記その他の記録パターンのパルス幅も調整することを特徴とする請求項１記載の試し書き方法。
【請求項６】
光学的情報記録媒体に情報を記録する記録条件を設定するための試し書き方法であって、
記録符号列中のマーク長を、検出窓幅の自然数ｎ倍長のマークに対して、ｎを２以上の整数定数で除算した剰余にしたがって分類される記録パターンを生成し、
前記記録パターンのうち任意の記録パターンＡを用いて試し書きを行って、記録パワーを求め、その記録パワーに定数ｑを乗じるあるいは定数ｒを加えて他方の記録パターンの記録パワーを求めることを特徴とする試し書き方法。
【請求項７】
記録パワーを決定するための試し書きパターンを記録媒体に記録する試し書きパターン記録手段と、
記録された前記試し書きパターンを検出する検出回路と、
記録された前記試し書きパターンを再生する再生回路と、
前記試し書きパターンの再生特性を判定する判定回路と、
前記判定回路にて記録不可能と判定された場合にライトエラーを表示するための回路と、
前記判定回路にて記録可能と判定された場合、前記検出回路からの信号に基づいて、記録パワーを調整する記録パワー調整回路を有し、
前記試し書きパターン記録手段は、記録符号列中のマーク長を、検出窓幅の自然数ｎ倍長のマークに対して、ｎを２以上の整数定数で除算した剰余にしたがって分類される記録パターンを、記録する手段であり、
前記記録パワー調整回路は、前記分類される記録パターン毎に記録パワーを設定するものであることを特徴とする情報記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデータ対線と、
複数のワード線と、
高電位側の給電ノードである第１給電ノードと、低電位側の給電ノードである第２給電ノードと、転送トランジスタと、ゲートとドレインとが互いに交差結合されたＭＯＳトランジスタとを含む複数のスタティックメモリセルと、
前記複数のスタティックメモリセルの前記第１給電ノードが接続される複数の給電線と、
所定の電位を与える電位点と、
前記複数の給電線に含まれる第１給電線と前記電位点との間にソース・ドレイン経路を有する第１ＭＯＳトランジスタと、
前記複数の給電線に含まれる第２給電線と前記電位点との間にソース・ドレイン経路を有する第２ＭＯＳトランジスタとを有し、
前記スタティックメモリセルは、前記ワード線によって制御される前記転送トランジスタを介して前記複数のデータ対線のいずれかと接続され、
前記複数のスタティックメモリセルの前記第２給電ノードには基準電位が供給され、
前記第１給電線に接続されるスタティックメモリセルが選択状態とされた場合、前記第１ＭＯＳトランジスタは導通状態から非導通状態に制御され、前記第２ＭＯＳトランジスタは導通状態に維持される半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２給電線に接続されるスタティックメモリセルが選択状態とされた場合、前記第２ＭＯＳトランジスタは導通状態から非導通状態に制御され、前記第１ＭＯＳトランジスタは導通状態に維持される半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記スタティックメモリセルの読み出しまたは書き込みのための周辺回路を有し、
前記周辺回路に用いられるＭＯＳトランジスタのしきい値電圧の絶対値は、前記スタティックメモリセルの前記交差結合されたＭＯＳトランジスタのしきい値電圧の絶対値よりも小さい半導体装置。
【請求項４】
請求項１または２において、
前記選択状態とされたスタティックメモリセルに対して書き込みが行われる半導体装置。
【請求項５】
請求項１または２において、
前記複数の給電線は、前記ワード線の延伸する方向に延伸する半導体装置。
【請求項６】
請求項１または２において、
前記複数の給電線は、前記ワード線の延伸する第１の方向と交差する第２の方向に延伸する半導体装置。
【請求項７】
第１及び第２のメモリアレイと、
給電線と、
グローバルワード線と、
制御回路とを有し、
前記第１及び第２のメモリアレイのそれぞれは、
複数のデータ対線と、
複数のサブワード線と、
高電位側の給電ノードである第１給電ノードと、低電位側の給電ノードである第２給電ノードと、転送トランジスタと、ゲートとドレインとが互いに交差結合されたＭＯＳトランジスタとを含む複数のスタティックメモリセルと、
前記複数のスタティックメモリセルの前記第１給電ノードが接続される複数のサブ給電線とを有し、
前記スタティックメモリセルは、前記サブワード線によって制御される前記転送トランジスタを介して前記複数のデータ対線のいずれかと接続され、
前記複数のスタティックメモリセルの前記第２給電ノードには基準電位が供給されており、
前記グローバルワード線は、第１選択回路を介して前記第１メモリアレイのサブワード線に接続され、
前記グローバルワード線は、第２選択回路を介して前記第２メモリアレイのサブワード線に接続され、
前記給電線は、第１ＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン経路を介して前記第１メモリアレイのサブ給電線に接続され、
前記給電線は、第２ＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン経路を介して前記第２メモリアレイのサブ給電線に接続され、
前記制御回路は、前記第１選択回路に入力される第１制御信号と、前記第１ＭＯＳトランジスタを制御する第２制御信号と、前記第２選択回路に入力される第３制御信号と、前記第２ＭＯＳトランジスタを制御する第４制御信号とを出力し、
前記第１制御信号により前記第１メモリアレイのサブワード線が選択された場合、前記第２制御信号により前記第１ＭＯＳトランジスタは導通状態から非導通状態に制御され、前記第３制御信号により前記第２メモリアレイのサブワード線は非選択状態に維持され、前記第４制御信号により前記第２ＭＯＳトランジスタは導通状態に維持される半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第３制御信号により前記第２メモリアレイのサブワード線が選択された場合、前記第４制御信号により前記第２ＭＯＳトランジスタは導通状態から非導通状態に制御され、前記第１制御信号により前記第１メモリアレイのサブワード線は非選択状態に維持され、前記第２制御信号により前記第１ＭＯＳトランジスタは導通状態に維持される半導体装置。
【請求項９】
請求項７または８において、
前記スタティックメモリセルの読み出しまたは書き込みのための周辺回路を有し、
前記周辺回路に用いられるＭＯＳトランジスタのしきい値電圧の絶対値は、前記スタティックメモリセルの前記交差結合されたＭＯＳトランジスタのしきい値電圧の絶対値よりも小さい半導体装置。
【請求項１０】
請求項７または８において、
前記選択されたサブワード線に接続されるスタティックメモリセルに対して書き込みが行われる半導体装置。
【請求項１１】
請求項７または８において、
前記複数のサブ給電線は、前記サブワード線の延伸する方向に延伸する半導体装置。
【請求項１２】
請求項７または８において、
前記複数のサブ給電線は、前記サブワード線の延伸する第１の方向と交差する第２の方向に延伸する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月26日(2007.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリイオンを含有するガラス基板に化学強化処理を施して磁気ディスク用ガラス基板を製造する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
前記ガラス基板に含有されるアルカリイオンのうち最も小さなイオン半径を有するものよりも、大きなイオン半径を有する第１のアルカリイオンを用いて前記ガラス基板を化学強化処理することにより、前記ガラス基板の表面に圧縮応力を形成するとともに前記ガラス基板の深部に引張り応力を形成し、その後、
前記第１のアルカリイオンよりも、大きなイオン半径を有する第２のアルカリイオンを用いて、前記ガラス基板の表面の前記圧縮応力がさらに大きくなるように且つ前記ガラス基板の深部の前記引張り応力は緩和するように、前記ガラス基板を化学強化処理することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
前記第１のアルカリイオンを供給する処理剤として、硝酸ナトリウムを含む溶融塩を用い、
前記第２のアルカリイオンを供給する処理剤として、硝酸カリウムを含む溶融塩を用いることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
前記磁気ディスク用ガラス基板として、ＳｉＯ２ ：５８〜７５重量％と、Ａｌ２ Ｏ３：５〜２３重量％と、Ｌｉ２ Ｏ：３〜１０重量％と、Ｎａ２ Ｏ：４〜１３重量％とを、含むガラスを用いることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法で
あって、
前記ガラス基板として、板厚が０．６mm以下のものを用いることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の製造方法により製造された磁気ディスク用ガラ
ス基板上に、少なくとも磁性層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月20日(2007.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２６】
液晶表示装置の反射部は、位相差がλ／２と、λ／４との２層の組み合わせによる広帯域であることを特徴とする請求項２３記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月6日(2007.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
現在位置を示す現在位置情報を取得する現在位置取得手段と、
電子マネーの使用可能な位置を示す使用位置情報と、当該位置にて使用可能な電子マネーの種別を示す電子マネー種別情報と、が関連付けて記憶される使用位置記憶手段と、
前記現在位置取得手段により取得された現在位置情報が、前記使用位置記憶手段に記憶される使用位置情報のいずれかと同一であるかを判別する判別手段と、
前記現在位置情報が、前記使用位置記憶手段に記憶される使用位置情報のいずれかと同一であると判別された場合、当該現在位置情報と同一である使用位置情報に対応する電子マネー種別情報を前記使用位置記憶手段から読み出す手段と、
前記読み出された電子マネー種別情報を表示する表示手段と、
を備えることを特徴とする電子マネー処理装置。
【請求項２】
電子マネーの残高情報を電子マネーの種別毎に記憶する電子マネー記憶手段と、
前記読み出された電子マネー種別情報に対応する残高情報を前記電子マネー記憶手段から読み出す手段と、を備え、
前記表示手段は、前記電子マネー種別情報と共に、前記読み出された残高情報を表示する、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子マネー処理装置。
【請求項３】
店舗にて電子マネーを使用したとき、その使用された電子マネーの電子マネー種別情報と、前記現在位置情報と同一の使用位置情報と、を関連付けて前記使用位置記憶手段に登録する手段と、
を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子マネー処理装置。
【請求項４】
前記判別手段は、
前記現在位置情報が示す位置と前記使用位置情報が示す位置との間の距離が所定範囲内であるかを判別し、所定範囲内であれば前記現在位置情報と前記使用位置情報が同一であると判別する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子マネー処理装置。
【請求項５】
コンピュータを、
現在位置を示す現在位置情報を取得する現在位置取得手段、
電子マネーの使用可能な位置を示す使用位置情報と、当該位置にて使用可能な電子マネーの種別を示す電子マネー種別情報と、が関連付けて記憶される使用位置記憶手段、
前記現在位置取得手段により取得された現在位置情報が、前記使用位置記憶手段に記憶される使用位置情報のいずれかと同一であるかを判別する判別手段、
前記現在位置情報が、前記使用位置記憶手段に記憶される使用位置情報のいずれかと同一であると判別された場合、当該現在位置情報と同一である使用位置情報に対応する電子マネー種別情報を前記使用位置記憶手段から読み出す手段、
前記読み出された電子マネー種別情報を表示する表示手段、
として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子マネー処理装置及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電子マネーの処理を行う電子マネー処理装置及びプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたものであり、現在位置において使用可能な電子マネーに関する情報の確認が可能な電子マネー処理装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の電子マネー処理装置は、
現在位置を示す現在位置情報を取得する現在位置取得手段と、
電子マネー使用可能な位置を示す使用位置情報と、当該位置にて使用可能な電子マネーの種別を示す電子マネー種別情報と、が関連付けて記憶される使用位置記憶手段と、
前記現在位置取得手段により取得された現在位置情報が、前記使用位置記憶手段に記憶される使用位置情報のいずれかと同一であるかを判別する判別手段と、
前記現在位置情報が、前記使用位置記憶手段に記憶される使用位置情報のいずれかと同一であると判別された場合、当該現在位置情報と同一である使用位置情報に対応する電子マネー種別情報を前記使用位置記憶手段から読み出す手段と、
前記読み出された電子マネー種別情報を表示する表示手段と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
なお、上述した本発明に係わる電子マネー処理装置において、電子マネーの残高情報を電子マネー種別毎に記憶する電子マネー記憶手段と、前記読み出された電子マネー種別情報に対応する残高情報を前記電子マネー記憶手段から読み出す手段と、を備え、前記表示手段は、前記電子マネー種別情報と共に、前記読み出された残高情報を表示するようにしてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、上述した本発明に係わる電子マネー処理装置において、店舗にて電子マネーを使用したとき、その使用された電子マネーの電子マネー種別情報と、前記現在位置情報と同一の使用位置情報と、を関連付けて前記使用位置記憶手段に登録する手段と、を備えてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
更に、上述した本発明に係わる電子マネー処理装置において、前記判別手段は、
前記現在位置情報が示す位置と前記使用位置情報が示す位置との間の距離が所定範囲内であるかを判別し、所定範囲内であれば前記現在位置情報と前記使用位置情報が同一であるとみなしてもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前述した本発明に係る電子マネー処理装置の構成に相当する処理をコンピュータに行わせるためのプログラムであっても、そのプログラムをコンピュータに読み込ませて実行させることによって、前述した本発明に係る電子マネー処理装置と同様の作用・効果が得られ、前述した課題が解決される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、現在位置において使用可能な電子マネーに関する情報の確認を容易に行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月15日(2007.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影された画像がカメラから入力され、各種情報を記憶する記憶部から情報を取得する監視装置において、
前記記憶部は、前記カメラが過去に撮影した画像に関する情報を含む過去情報と、前記カメラが撮影する領域情報を含む地理情報と、を記憶し、
前記入力された画像から顔画像を抽出し、前記過去情報に基づいて前記抽出した顔画像に対応する人物を推定する顔識別部と、
前記地理情報に基づいて、前記顔識別部が推定した人物の中から、前記抽出した顔画像に対応する人物を決定する判定部と、を備えることを特徴とする監視装置。
【請求項２】
前記過去情報は、前記監視装置が過去に抽出した顔画像の特徴を示す特徴量を含み、
前記顔識別部は、
前記抽出した顔画像から、該顔画像の特徴を示す特徴量を求め、
前記過去情報に含まれる特徴量と前記求めた特徴量とを比較することによって、前記抽出した顔画像に対応する人物を推定することを特徴とする請求項１に記載の監視装置。
【請求項３】
前記地理情報は、前記カメラが撮影する領域を人物が移動する時間を含み、
前記過去情報は、前記監視装置が過去に抽出した前記顔画像が撮影された時刻を含み、
前記判定部は、
前記推定した人物が直前に撮影された顔画像を前記過去情報から検索し、
前記検索した顔画像が撮影された時刻を前記過去情報から取得し、
前記抽出した顔画像が撮影された時刻から、前記取得した時刻を減算し、
前記減算した時刻差と前記地理情報に含まれる移動時間とを比較することによって、前記顔識別部が推定した人物の中から、前記抽出した顔画像に対応する人物を決定することを特徴とする請求項１に記載の監視装置。
【請求項４】
一台以上のカメラと、各種情報を記憶する記憶装置と、撮影された画像がカメラから入力され、前記記憶装置から情報を取得する監視サーバと、を備え、施設を監視する監視システムにおいて、
前記記憶装置は、前記カメラが過去に撮影した画像に関する情報を含む過去情報と、前記カメラが撮影する領域情報を含む地理情報と、を記憶し、
前記監視サーバは、
前記入力された画像から顔画像を抽出し、前記過去情報に基づいて前記抽出した顔画像に対応する人物を推定する顔識別部と、
前記地理情報に基づいて、前記推定した人物の中から、前記抽出した顔画像に対応する人物を決定する判定部と、を備えることを特徴とする監視システム。
【請求項５】
監視システムは、施設の出入口の開閉を制御する入退室制御装置を備え、
前記記憶装置は、人物が施設への入場を許可されているか否かの情報を含む認証情報を記憶し、
前記判定部は、前記認証情報に基づいて、前記決定した人物が入場を許可されているか否かを判定し、
前記入退制御装置は、前記判定部が入場を許可されている人物と判定すると、施設の出入口を開くように制御することを特徴とする請求項４に記載の監視システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月26日(2007.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
静電潜像担持体上に形成された静電潜像を、前記静電潜像担持体と一定間隔を保った現像剤担持体に直流電圧を重畳した交流電圧を印加することによって、該現像剤担持体上の非磁性一成分現像剤により現像する画像形成方法であって、前記非磁性一成分現像剤に、請求項１または２に記載の非磁性一成分現像剤の少なくとも1つを使用することを特徴と
するフルカラーの画像形成方法。