【手続補正書】
【提出日】平成18年12月1日(2006.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ記憶装置であり、
データ記憶領域と、
前記データ記憶領域に記憶する記憶対象データを構成する単位長データに付加データを追加したエラー訂正コード生成単位データに対するエラー訂正コードを生成するエラー訂正コード処理手段と、
前記エラー訂正コード処理手段の生成したエラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データを含む全構成ビットに占めるビット値［０］または［１］の割合を算出し、前記記憶対象データのデータ記憶処理における電力消費の少ないデータパターンが、前記エラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データの反転データであるか否かを判定するビット値判定手段と、
前記記憶対象データのデータ記憶処理における電力消費の少ないデータパターンが、前記エラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データの反転データであると判定した場合にビット値反転処理を実行する書き込みデータ反転制御手段と、
を有することを特徴とするデータ記憶装置。
【請求項２】
前記付加データは、前記単位長データに対して設定される１ビットデータであり、予め定められたビット値を持つデータであることを特徴とする請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項３】
前記エラー訂正コードは、エラーの発生ビット位置が特定可能なハミングコードであることを特徴とする請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項４】
前記エラー訂正コード処理手段は、
前記データ記憶領域からの読み出しデータのエラー訂正処理、および前記読み出しデータがオリジナルデータの反転データであるか否かの判定処理を実行する構成を有し、
前記データ記憶装置は、さらに、
前記エラー訂正コード処理手段において、前記読み出しデータがオリジナルデータの反転データであると判定された場合に、該読み出しデータの反転処理を実行する読み出しデータ反転制御手段と、
を有することを特徴とする請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項５】
前記エラー訂正コード処理手段は、
前記データ記憶領域からの読み出しデータについてのシンドローム算出処理を実行し、算出したシンドロームに基づくエラー訂正処理を実行する構成であることを特徴とする請求項４に記載のデータ記憶装置。
【請求項６】
前記エラー訂正コード処理手段は、
前記読み出しデータに含まれる付加データのビット値に基づいて、該読み出しデータがオリジナルデータの反転データであるか否かの判定処理を実行する構成であることを特徴とする請求項４に記載のデータ記憶装置。
【請求項７】
前記データ記憶領域は、フローティングゲートを持つＦＬＯＴＯＸ(Floating Gate with Tunnel Oxide)構成を有することを特徴とする請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項８】
前記データ記憶領域は、
ビット値０の格納セルに対してバイアス電圧の印加処理を行なう構成であり、
前記ビット値判定手段は、前記エラー訂正コード処理手段の生成したエラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データの全構成ビットに占めるビット値［０］の割合を算出し、ビット値［０］の割合が少ないデータパターンが前記エラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データの反転データであるか否かを判定する処理を実行する構成であり、
前記書き込みデータ反転制御手段は、ビット値［０］の割合が少ないデータパターンが、前記エラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データの反転データである場合に反転処理を実行する構成であることを特徴とする請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項９】
記憶データ処理方法であり、
データ記憶領域に記憶する記憶対象データを構成する単位長データに付加データを追加したエラー訂正コード生成単位データに対するエラー訂正コードを生成するエラー訂正コード生成処理ステップと、
前記エラー訂正コード生成処理ステップにおいて生成したエラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データを含む全構成ビットに占めるビット値［０］または［１］の割合を算出し、前記記憶対象データのデータ記憶処理における電力消費の少ないデータパターンが、前記エラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データの反転データであるか否かを判定するビット値判定ステップと、
前記記憶対象データのデータ記憶処理における電力消費の少ないデータパターンが、前記エラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データの反転データであると判定した場合にビット値反転処理を実行する書き込みデータ反転制御ステップと、
を有することを特徴とする記憶データ処理方法。
【請求項１０】
前記付加データは、前記単位長データに対して設定される１ビットデータであり、予め定められたビット値を持つデータであることを特徴とする請求項９に記載の記憶データ処理方法。
【請求項１１】
前記エラー訂正コードは、エラーの発生ビット位置が特定可能なハミングコードであることを特徴とする請求項９に記載の記憶データ処理方法。
【請求項１２】
前記記憶データ処理方法は、さらに、
前記データ記憶領域からの読み出しデータのエラー訂正処理を実行するエラー訂正ステップと、
前記読み出しデータがオリジナルデータの反転データであるか否かの判定処理を実行する読み出しデータ判定ステップと、
前記読み出しデータがオリジナルデータの反転データであると判定された場合に、該読み出しデータの反転処理を実行する読み出しデータ反転制御ステップと、
を有することを特徴とする請求項９に記載の記憶データ処理方法。
【請求項１３】
前記エラー訂正ステップは、
前記データ記憶領域からの読み出しデータについてのシンドローム算出処理を実行し、算出したシンドロームに基づくエラー訂正処理を実行するステップであることを特徴とする請求項１２に記載の記憶データ処理方法。
【請求項１４】
前記読み出しデータ判定ステップは、
前記読み出しデータに含まれる付加データのビット値に基づいて、該読み出しデータがオリジナルデータの反転データであるか否かの判定処理を実行するステップであることを特徴とする請求項１２に記載の記憶データ処理方法。
【請求項１５】
前記データ記憶領域は、フローティングゲートを持つＦＬＯＴＯＸ(Floating Gate with Tunnel Oxide)構成であり、ビット値０の格納セルに対してバイアス電圧の印加処理を行なう構成を有し、
前記ビット値判定ステップは、前記エラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データの全構成ビットに占めるビット値［０］の割合を算出し、ビット値［０］の割合が少ないデータパターンが前記エラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データの反転データであるか否かを判定する処理を実行するステップであり、
前記書き込みデータ反転制御ステップは、ビット値［０］の割合が少ないデータパターンが、前記エラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データの反転データである場合に反転処理を実行するステップであることを特徴とする請求項９に記載の記憶データ処理方法。
【請求項１６】
情報処理装置において、メモリに対するデータ記憶処理を実行させるコンピュータ・プログラムであり、
エラー訂正コード生成手段に、
データ記憶領域に記憶する記憶対象データを構成する単位長データに付加データを追加したエラー訂正コード生成単位データに対するエラー訂正コードを生成させるエラー訂正コード生成処理ステップと、
ビット値判定手段に、
前記エラー訂正コード生成処理ステップにおいて生成したエラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データを含む全構成ビットに占めるビット値［０］または［１］の割合を算出させ、前記記憶対象データのデータ記憶処理における電力消費の少ないデータパターンが、前記エラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データの反転データであるか否かを判定させるビット値判定ステップと、
前記記憶対象データのデータ記憶処理における電力消費の少ないデータパターンが、前記エラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データの反転データであると判定した場合、データ反転制御手段に、ビット値反転処理を実行させる書き込みデータ反転制御ステップと、
を実行させることを特徴とするコンピュータ・プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明の第１の側面は、
データ記憶装置であり、
データ記憶領域と、
前記データ記憶領域に記憶する記憶対象データを構成する単位長データに付加データを追加したエラー訂正コード生成単位データに対するエラー訂正コードを生成するエラー訂正コード処理手段と、
前記エラー訂正コード処理手段の生成したエラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データを含む全構成ビットに占めるビット値［０］または［１］の割合を算出し、前記記憶対象データのデータ記憶処理における電力消費の少ないデータパターンが、前記エラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データの反転データであるか否かを判定するビット値判定手段と、
前記記憶対象データのデータ記憶処理における電力消費の少ないデータパターンが、前記エラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データの反転データであると判定した場合にビット値反転処理を実行する書き込みデータ反転制御手段と、
を有することを特徴とするデータ記憶装置にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明の第２の側面は、
記憶データ処理方法であり、
データ記憶領域に記憶する記憶対象データを構成する単位長データに付加データを追加したエラー訂正コード生成単位データに対するエラー訂正コードを生成するエラー訂正コード生成処理ステップと、
前記エラー訂正コード生成処理ステップにおいて生成したエラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データを含む全構成ビットに占めるビット値［０］または［１］の割合を算出し、前記記憶対象データのデータ記憶処理における電力消費の少ないデータパターンが、前記エラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データの反転データであるか否かを判定するビット値判定ステップと、
前記記憶対象データのデータ記憶処理における電力消費の少ないデータパターンが、前記エラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データの反転データであると判定した場合にビット値反転処理を実行する書き込みデータ反転制御ステップと、
を有することを特徴とする記憶データ処理方法にある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
さらに、本発明の記憶データ処理方法の一実施態様において、前記データ記憶領域は、フローティングゲートを持つＦＬＯＴＯＸ(Floating Gate with Tunnel Oxide)構成であり、ビット値０の格納セルに対してバイアス電圧の印加処理を行なう構成を有し、前記ビット値判定ステップは、前記エラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データの全構成ビットに占めるビット値［０］の割合を算出し、ビット値［０］の割合が少ないデータパターンが前記エラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データの反転データであるか否かを判定する処理を実行するステップであり、前記書き込みデータ反転制御ステップは、ビット値［０］の割合が少ないデータパターンが、前記エラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データの反転データである場合に反転処理を実行するステップであることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
本発明の第３の側面は、
情報処理装置において、メモリに対するデータ記憶処理を実行させるコンピュータ・プログラムであり、
エラー訂正コード生成手段に、
データ記憶領域に記憶する記憶対象データを構成する単位長データに付加データを追加したエラー訂正コード生成単位データに対するエラー訂正コードを生成させるエラー訂正コード生成処理ステップと、
ビット値判定手段に、
前記エラー訂正コード生成処理ステップにおいて生成したエラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データを含む全構成ビットに占めるビット値［０］または［１］の割合を算出させ、前記記憶対象データのデータ記憶処理における電力消費の少ないデータパターンが、前記エラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データの反転データであるか否かを判定させるビット値判定ステップと、
前記記憶対象データのデータ記憶処理における電力消費の少ないデータパターンが、前記エラー訂正コードおよび前記エラー訂正コード生成単位データの反転データであると判定した場合、データ反転制御手段に、ビット値反転処理を実行させる書き込みデータ反転制御ステップと、
を実行させることを特徴とするコンピュータ・プログラムにある。