(57)【要約】ドライプロセスを用いて、膜厚を高精度に制御しながら、高純度のＬ-イソロイシン結晶を基板上に作製し得る蒸着装置、蒸着方法、光学素子及びキラルセンサを提供する。真空チャンバー４内において所定の基板距離及び基板角度θで基板２を保持し、当該真空チャンバー４内の真空度と、印加手段７からの電圧とを所定値に設定することで、蒸着原料加熱部６によって加熱した蒸着原料10を気化させて、当該気化した蒸着原料10を基板２まで到達させることができ、かくしてドライプロセスを用いて、膜厚を高精度に制御しながら、高純度のＬ-イソロイシン結晶を基板２上に作製し得る。【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバー内を真空にする排気手段と、
前記真空チャンバー内で、蒸着原料加熱部から所定距離だけ離れた位置で基板を保持する保持手段と、
前記蒸着原料加熱部に電圧を印加する印加手段とを備え、
前記真空チャンバー内の真空度と、前記電圧とを所定値に設定することにより、前記蒸着原料加熱部によって蒸着原料を加熱し、前記蒸着原料を気化させて前記基板上にアミノ酸結晶を作製することを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
前記基板と前記蒸着原料加熱部との距離が５ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の蒸着装置。
【請求項３】
前記基板の基板角度が０°以上45°以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の蒸着装置。
【請求項４】
前記真空度が、２×10-４torr以下であることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項記載の蒸着装置。
【請求項５】
排気手段によって真空にした真空チャンバー内で、蒸着原料加熱部から所定距離だけ離れた位置で基板を保持する保持ステップと、
前記蒸着原料加熱部に電圧を印加する印加ステップとを備え、
前記真空チャンバー内の真空度と、前記電圧とを所定値に設定することにより、前記蒸着原料加熱部によって蒸着原料を加熱し、前記蒸着原料を気化させて前記基板上にアミノ酸結晶を作製することを特徴とする蒸着方法。
【請求項６】
前記基板と前記蒸着原料加熱部との距離が５ｃｍ以下であることを特徴とする請求項５記載の蒸着方法。
【請求項７】
前記基板の基板角度が０°以上45°以下であることを特徴とする請求項５又は６記載の蒸着方法。
【請求項８】
前記真空度が、２×10-４torr以下であることを特徴とする請求項５〜７のうちいずれか１項記載の蒸着方法。
【請求項９】
請求項１〜４項記載の蒸着装置によって作製された前記アミノ酸結晶を光学材料として用いていることを特徴とする光学素子。
【請求項１０】
請求項１〜４項記載の蒸着装置によって作製された前記アミノ酸結晶をキラルセンシング材料として用いていることを特徴とするキラルセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着装置、蒸着方法、光学素子及びキラルセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
医薬品等のキラル分割・識別が重要視される中、キラル分子、キラルな構造をもつ物質からなる薄膜はキラルセンサおよび円偏光フィルターなどとして応用が可能である。したがって、キラル薄膜を作製する技術を確立し、その光学的性質を調べることは、上記の応用上、重要な知見を与えると考えられる。特に、キラル分子の中で、生体物質を構成する基本単位であるアミノ酸の薄膜を作製する技術を確立することは重要である。【０００３】
このアミノ酸の薄膜の光学的性質を解析するにあたっては、アミノ酸を高純度化して解析することが必要であり、アミノ酸結晶を作製して解析することが望ましい。ここで結晶とは、多結晶と単結晶を含む概念である。【０００４】
従来、このようなアミノ酸結晶の作製は、溶剤蒸発法や温度下降法等のいわゆるウェットプロセスが一般的であり、真空蒸着法などのドライプロセスでは、アモルファス膜や単分子膜作製の報告はあるものの、結晶が作製された報告はなかった（非特許文献１〜４参照）。
【非特許文献１】K. Nakagawa, T. Mochida, T. Okamoto, S. Saijoh, S. Ueji, T. Amakawa, T. Yamada and H. Onuki, in M. Akaboshi, N. Fujii and R.N. Gonzalez (editors), The role of radiation in the origin and evolution of life, Kyoto University Press, Japan, (2000) p.353-362.
【非特許文献２】M. Tanaka, Y. Kodama, K. Nakagawa, Enantiomer 7, 185 (2002).
【非特許文献３】X.Zhao, H. Wang, R.G. Zhao, W.S. Yang, Mater. Sci. Eng. C, 16, 41(2001)
【非特許文献４】J.-H. Kang, R.L. Toomes, M. Polcik, M. Kittel, J.-T. Hoeft, V. Efstathiou, D.P. Woodruff, A.M. Bradshaw, J. Chem. Phys., 118, 6059(2003).
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、アミノ酸の結晶を作製する方法が望まれているが、溶剤蒸発法や温度下降法等のいわゆるウェットプロセスを用いて作製した場合は、膜厚の制御が困難であるため薄い結晶は作製できないという問題があった。【０００６】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、ドライプロセスを用いて、膜厚を高精度に制御しながら、高純度のアミノ酸結晶膜を作製し得る蒸着装置及び蒸着方法、このアミノ酸結晶膜を用いた光学素子及びキラルセンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を鑑みて鋭意検討した結果、典型的なドライプロセスである蒸着法において、特定の生成条件を用いることでアミノ酸の結晶が作製可能であることを見出した。すなわち、本発明は、以下の通りである。【０００８】
本発明の請求項１記載の蒸着装置は、真空チャンバー内を真空にする排気手段と、前記真空チャンバー内で、蒸着原料加熱部から所定距離だけ離れた位置で基板を保持する保持手段と、前記蒸着原料加熱部に電圧を印加する印加手段とを備え、前記真空チャンバー内の真空度と、前記電圧とを所定値に設定することにより、前記蒸着原料加熱部によって蒸着原料を加熱し、前記蒸着原料を気化させて前記基板上にアミノ酸結晶を作製することを特徴とするものである。【０００９】
本発明の請求項２記載の蒸着装置及び請求項６記載の蒸着方法は、前記基板と前記蒸着原料加熱部との距離が５ｃｍ以下であることを特徴とするものである。【００１０】
本発明の請求項３記載の蒸着装置及び請求項７記載の蒸着方法は、前記基板の基板角度が０°以上45°以下であることを特徴とするものである。【００１１】
本発明の請求項４記載の蒸着装置及び請求項８記載の蒸着方法は、前記真空度が、２×10-４torr以下であることを特徴とするものである。【００１２】
本発明の請求項５記載の蒸着方法は、排気手段によって真空にした真空チャンバー内で、蒸着原料加熱部から所定距離だけ離れた位置で基板を保持する保持ステップと、前記蒸着原料加熱部に電圧を印加する印加ステップとを備え、前記真空チャンバー内の真空度と、前記電圧とを所定値に設定することにより、前記蒸着原料加熱部によって蒸着原料を加熱し、前記蒸着原料を気化させて前記基板上にアミノ酸結晶を作製することを特徴とするものである。【００１３】
本発明の請求項９記載の光学素子は、請求項１〜４項記載の蒸着装置によって作製された前記アミノ酸結晶を光学材料として用いていることを特徴とするものである。【００１４】
本発明の請求項９記載のキラルセンサは、請求項１〜４項記載の蒸着装置によって作製された前記アミノ酸結晶をキラルセンシング材料として用いていることを特徴とするとするものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、蒸着原料加熱部によって加熱した蒸着原料を気化させて、当該気化した蒸着原料を基板まで到達させることができ、かくしてドライプロセスを用いて、膜厚を高精度に制御しながら、高純度のアミノ酸結晶膜を基板上に作製し得る。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明による実施の形態で用いたアミノ酸結晶蒸着装置の全体構成を示す概略図である。
【図２】基板を傾けたときの様子を示す概略図である。
【図３】基板上に作製された膜をＸ線回折装置で検証したデータ結果を示すグラフである。
【図４】Ｌ-イソロイシン結晶膜を利用した光学素子の構成を示す概略図である。
【図５】Ｌ-イソロイシン結晶膜を利用したキラルセンサーの構成を示す概略図である。
【図６】蒸着条件と、実験結果である膜の異方性及び結晶の塊の有無とをまとめた表である。
【図７】本発明の実施例１で作製したL-イソロイシン膜を偏光顕微鏡で観察した結果（１）を示す。
【図８】本発明の実施例１で作製したL-イソロイシン膜を偏光顕微鏡で観察した結果（２）を示す。
【図９】本発明の実施例１で作製したL-イソロイシン膜を偏光顕微鏡で観察した結果（３）を示す。
【図１０】本発明の実施例１で作製したL-イソロイシン膜を偏光顕微鏡で観察した結果（４）を示す。
【図１１】L-イソロイシン膜に形成された大きな結晶の塊を偏光顕微鏡で観察した結果を示す。
【図１２】L-イソロイシン膜に形成された小さな結晶の塊を偏光顕微鏡で観察した結果を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明について詳細に説明する。【００１８】
図１において、１は本発明による蒸着装置としてのアミノ酸結晶蒸着装置を示し、このアミノ酸結晶蒸着装置１は、蒸着法によって真空中の基板２上にアミノ酸結晶膜を形成し得るようになされている。【００１９】
実際上、このアミノ酸結晶蒸着装置１は、所定サイズの真空チャンバー４内に保持手段５を介して基板２が保持され、当該保持手段５の下方に印加手段７が接続された蒸着原料加熱部６が設けられている。【００２０】
印加手段７は、蒸着原料加熱部６に所定の電圧を印加して電流を流し、蒸着原料加熱部６によって当該蒸着原料加熱部６内の蒸着原料10を加熱し得るようになされている。【００２１】
保持手段５は、支持部11が伸縮自在に構成されており、例えば図示しないモータ等の駆動手段により当該支持部11が伸張することにより基板２を蒸着原料加熱部６に近づける方向に移動させ、一方、支持部11が縮退することにより基板２を蒸着原料加熱部６から遠ざける方向に移動させ得るようになされている。【００２２】
実際上、この実施の形態の場合、基板２は、支持部11が所定範囲で伸縮することによって、蒸着原料加熱部６の上端面からの距離（以下、これを基板距離と呼ぶ）が１〜10cmの範囲内で上下動し、所定の高さ位置で保持され得る。【００２３】
また、この保持手段５は、支持部11の先端に回動部12を備えており、図２に示すように、当該回動部12を介して水平線に対し基板を所定角度θに傾け得るようになされている。【００２４】
実際上、この実施の形態の場合、基板２は、回動部12が所定角度θで回動することにより、水平線との角度θ（以下、これを基板角度と呼ぶ）が０〜45°の範囲内で回動し、所定の基板角度θで保持され得る。なお、基板角度θを45°以下としたのは、45°を超えると生産性が低下するためである。【００２５】
真空チャンバー４は、例えばその底面近くの側壁に設けられた排気管15を介して排気ポンプ16が取り付けられており、これにより真空チャンバー４内を排気して例えば0.7〜2.0×10-−4Torr（１torr＝133.32Pa）のうち所定の真空度に保持するようになされている。【００２６】
因みに、真空度を2.0×10-−4Torr以下としたのは、真空度が上がったほうが基板２上の不純物濃度が下がり、当該基板２上に蒸着原料10を均一に蒸着させることができるからである。【００２７】
かかる構成に加えて、これら保持手段５、排気ポンプ16及び印加手段７にはアミノ酸結晶蒸着装置１を統括的に制御する制御手段20が接続されている。この制御手段20は、図示しない操作部の操作に基づいて各種条件が設定されると、当該条件に基づいて保持手段５を介して所定の基板距離及び基板角度θに基板２を移動させるとともに、排気ポンプ16を制御して真空チャンバー４内を所定の真空度にし得、真空チャンバー４内を所望の蒸着条件に設定し得るようになされている。【００２８】
また、この制御手段20は、印加手段７を制御することにより蒸着原料加熱部６に所定の電圧を印加し得るようになされており、蒸着原料10を蒸発させるために必要な電流を流して蒸着原料加熱部６を温度で加熱し得るようになされている。かくして制御手段20は、蒸着原料加熱部６を所望の蒸着条件に設定して蒸着原料10を蒸発させ、気体となった蒸着原料10を基板２の表面に蒸着させ得るようになされている。【００２９】
以上の構成において、アミノ酸結晶蒸着装置１を用いてアミノ酸結晶としてのＬ-イソロイシン結晶膜を作製する場合、作製者は以下の手順を取ることが必要となる。【００３０】
まず、作製者は市販されているＬ-イソロイシンの微粉末でなる蒸着原料10を蒸着原料加熱部６に入れ、所定の基板距離及び基板角度θに予め設定した保持手段５に基板２を保持させる。【００３１】
次いで、アミノ酸結晶蒸着装置１では、予め設定した蒸着条件に基づいて制御手段20によって排気ポンプ16を制御し、真空チャンバー４内を所定の真空度にした後、制御手段20によって印加手段７を制御し、所定の電圧を蒸着原料加熱部６に印加する。【００３２】
これにより、アミノ酸結晶作成装置１では、蒸着原料加熱部６を加熱することにより蒸着原料10が蒸発し、その結果、所定高さで水平状又は所定角度θに保持された基板２の表面に蒸着原料10を蒸着させることができる。【００３３】
ここでアミノ酸結晶蒸着装置１において、例えば保持手段５での基板角度θを０°、基板距離を１cm、蒸着原料10となる市販されているＬ-イソロイシンの微粉末を５mgとて、以上の手順により基板２上に膜を作製した。そして、この蒸着条件で基板２に作製された膜についてＸ線回折装置（XRD）のデータを検証した。【００３４】
この場合、図３に示すように、（００１）面、（００２）面及び（００４）面の強いピークが得られ、作製された膜はこの波形からＬ-イソロイシンの単結晶構造の膜（すなわちＬ-イソロイシン結晶膜）であることが確認できた。【００３５】
このようにアミノ酸結晶蒸着装置１では、蒸着原料10の量や真空チャンバー４内の真空度、基板距離、基板角度θ、蒸着原料加熱部６へ印加する電圧等の各種蒸着条件を適宜選定することによって、高純度のＬ-イソロイシン結晶膜を損傷が少ない状態で基板２の表面に作製できる。【００３６】
そして、このようにして作製されたＬ-イソロイシン結晶膜は、円二色性フィルターなどの光学素子材料、特にマイクロオプティカルデバイスに搭載される光学材料として利用でき有用である。また、作製されたＬ-イソロイシン結晶膜は、キラルセンシング材料、特に、キラル分子認識材料としても利用でき有用である。【００３７】
例えば、Ｌ-イソロイシン結晶膜は、図４に示すように、入射された直線偏光ＬＰを円偏光ＣＬに変えることができる光学素子25として用いることができる。また、このＬ-イソロイシン結晶膜は、図５に示すように、キラルセンサ30として用いることもできる。このようなキラルセンサ30を用いれば、Ｄ体の分子31及びＬ体の分子32のうち、当該Ｌ体の分子32のみを選択的に吸着することができ、かくしてキラル分子認識材料として利用できる。【００３８】
さらに、本発明のアミノ酸結晶作成装置１によるアミノ酸結晶蒸着方法では、異種アミノ酸複合結晶作製の基礎技術、ドライプロセスを用いたタンパク質結晶作製の基盤技術として重要かつ有用である。【００３９】
因みに、このアミノ酸結晶作成装置１では、真空度、基板距離、基板角度θ、印加手段による蒸着原料加熱部６への電圧等の各種蒸着条件を適宜調節できるようにしたことにより、蒸着原料の量を変更した場合でも、当該量に応じて各種蒸着条件を適宜変更することで基板の表面にＬ-イソロイシン結晶膜を容易に作製できる。【００４０】
以上の構成によれば、真空チャンバー４内において所定の基板距離及び基板角度θで基板２を保持し、当該真空チャンバー４内の真空度と、印加手段７からの電圧とを所定値に設定することで、蒸着原料加熱部６によって加熱した蒸着原料10を気化させて、当該気化した蒸着原料10を基板２まで到達させることができ、かくしてドライプロセスを用いて、膜厚を高精度に制御しながら、高純度のＬ-イソロイシン結晶を基板２上に作製し得る。【００４１】
以下、具体的な実施例について説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。例えば支持部が予め所定長さに選定されていたり、基板が予め所定角度に設定されていても良い。【００４２】
また、上述した実施の形態においては、アミノ酸結晶膜として、Ｌ-イソロイシン結晶膜を作製するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、Ｄ-イソロイシン結晶膜やＬ-ロイシン結晶膜、Ｌ-バリン結晶膜等この他種々のアミノ酸結晶膜を作製するようにしても良い。
【実施例１】
【００４３】
（１）L-イソロイシン結晶膜作製について
この実験では、図１のアミノ酸結晶蒸着装置を用い、蒸着条件を変化させ、各蒸着条件毎に基板の表面に作製された膜の異方性及び結晶の塊の有無について検証を行なった。なお、膜の異方性がある場合には、単結晶が基板の表面に作成されたことを示し、膜の異方性がない場合には、単結晶が基板の表面に作製されていないことを表している。【００４４】
ここでこの実験では、真空チャンバー内に設置される基板として、異方性のないSiO2ガラスを用い、蒸着前に予めエタノールで基板表面を洗浄した。【００４５】
またこの実験では、図６に示すように、蒸着条件を保持手段による基板距離、基板角度θ、サンプル量（蒸着原料10の量）、真空度、印加手段での電圧及び電流とし、これら蒸着条件を適宜変化させ、このときの膜の異方性及び結晶の塊の有無について偏光顕微鏡で観察して比較検証を行なった。【００４６】
ここで、Ｌ-イソロイシンの単結晶は、単斜晶系P21型の結晶構造を有することが知られているが、この２軸性結晶を偏光顕微鏡で観察した場合、まず最も明るく見える（偏光を通す）状態にした後、結晶を回転するとある位置で真っ暗（偏光を通さない状態）になる。これを消光と呼ぶが、結晶の回転により消光は90度ごとに繰り返し、45度の位置で明るさが最大になる。すなわち、少なくとも２軸性結晶であるなら消光が起こるかどうかで、それが単結晶であるかどうかを知ることができる。【００４７】
そこでこれを基に、図６の各蒸着条件により作製した各サンプルの結晶性を偏光顕微鏡で確認した。ここで蒸着条件を例えば基板角度30°、基板距離５cm、サンプル量20mg、真空度1.6×10-−4Torr、電圧1.3Ｖ及び電流13.1〜15.7Ａとしたとき、図７（Ａ）に示す消光位を基準（０°）として45°回転させた対角位（45°）では、図７（Ｂ）に示すように、波長板を用いなくとも、消光位よりも明るい色（青系色）になることが確認できた。すなわち膜の異方性が確認され、単結晶が作製されていることが分かった。【００４８】
また、波長板を用いた場合、対角位（45°）を示す図７（Ｃ）では黄色領域Ｙとなり、対角位（135°）を示す図７（Ｄ）では青系色領域Ｂとなり、当該対角位（45°）と対角位（135°）とでは色の変化が非常に大きいものとなった。【００４９】
このことから基板角度30°、基板距離５cm、サンプル量20mg、真空度1.6×10-−4Torr、電圧1.3Ｖ及び電流13.1〜15.7Ａの蒸着条件で作製されたサンプルには、膜の異方性があることが確認できた。【００５０】
なお、図６においては、このように消光位及び対角位における明るさの変化と、異なる対角位における色の変化とが非常に大きい場合（膜の異方性が容易に確認できたもの）について◎で示している。【００５１】
次に、蒸着条件を基板角度０°、基板距離１cm、サンプル量１mg、真空度1.0×10-−4Torr、電圧1.3Ｖ及び電流28.4Ａとしたとき、図８（Ａ）に示す消光位を基準（０°）として45°回転させた対角位（45°）では、図８（Ｂ）に示すように、明るさの変化が波長板を用いずに確認できた。【００５２】
また、波長板を用いた場合、対角位（45°）を示す図８（Ｃ）は赤色領域Ｒとなり、対角位（135°）を示す図８（Ｄ）はオレンジ色領域Ｏとなり、当該対角位（45°）と対角位（135°）とでは色の変化が確認できた。すなわち膜の異方性が確認され、単結晶が作製されていることが分かった。【００５３】
なお、図６においては、このように消光位及び対角位における明るさの変化と、異なる対角位における色の変化とが上述の「◎」ほどではないが確認できた場合（膜の異方性が確認できたもの）について○で示している。【００５４】
次に、蒸着条件を基板角度０°、基板距離５cm、サンプル量20mg、真空度1.4×10-−4Torr、電圧1.3Ｖ及び電流13.2〜14.7Ａとしたとき、図９（Ａ）に示す消光位を基準（０°）として45°回転させた対角位（45°）では、図９（Ｂ）に示すように、波長板を用いてない場合、明るさの変化が確認し難いものとなった。【００５５】
しかしながら、波長板を用いた場合、対角位（45°）を示す図９（Ｃ）は桃色領域Ｐとなり、対角位（135°）を示す図９（Ｄ）は赤紫色領域ＲＲとなり、当該対角位（45°）と対角位（135°）とでは僅かな色の変化が確認できた。すなわち膜の異方性が僅かに確認され、単結晶が僅かに作製されていることが分かった。【００５６】
なお、図６においては、このように消光位と対角位で明るさの変化は確認し難いが、異なる対角位で僅かな色の変化が確認できた場合（膜の異方性が僅かに確認できたもの）について△で示している。【００５７】
一方、蒸着条件を基板角度０°、基板距離10cm、サンプル量50mg、真空度0.8×10-−4Torr、電圧1.5Ｖ及び電流39.7Ａとしたとき、波長板を用いてない図１０（Ａ）及び（Ｂ）間での明るさの変化と、波長板を用いた図１０（Ｃ）及び（Ｄ）間での色の変化とが確認できず、膜の異方性が全くないことが確認された。すなわち単結晶が全く作製されていないことが分かった。【００５８】
なお、図６においては、このように消光位及び対角位における明るさの変化と、異なる対角位における色の変化とが確認ができない場合（膜の異方性が全くないことが確認できたもの）について×で示している。【００５９】
この実験から膜の異方性が僅かでも確認できるためには、基板距離が５cm以下であることが好ましく、基板角度θが０°のときでは２cm以下であることが好ましいことが分かる。【００６０】
また、図６から基板角度θが０°で、所定の蒸着条件下（例えば基板距離が５cm以上のとき）でＬ-イソロイシン結晶膜が基板２上に作製されない場合でも、基板角度θを30°以上に設定することによりＬ-イソロイシン結晶膜が基板２上に作製できることが確認できた。従って、この場合、基板角度θが30°以上45°以下であることが好ましい。【００６１】
次に、各蒸着条件で作製したサンプルに結晶の塊があるか否かの検証を行った。図６においては、図１１に示すように、サンプルに大きな結晶の塊40が形成された場合について結晶の塊の欄を○で示し、図１２に示すように、サンプルに細かい結晶の塊41の集まり等がある場合について結晶の塊の欄を△で示し、サンプルに結晶の塊がない場合について結晶の塊を×で示した。【００６２】
ここで、基板の表面に結晶の塊がないほうが、Ｌ-イソロイシン結晶膜が均一に作製されることになるのでより好ましい。【００６３】
このことから図６中においては、膜の異方性の欄が◎又は○であり、かつ結晶の塊の欄が×である組み合わせとなる蒸着条件が最適であることが分かる。
【実施例２】
【００６４】
（２）Ｌ-ロイシン結晶膜作製について
上述したＬ-イソロイシンの場合と同様な条件で、Ｌ-ロイシン膜を作製した。実際上、ここでの実験については、蒸着条件を基板角度45°、基板距離５cm、サンプル量10mg、真空度1.0×10-−4Torr、電圧1.5Ｖ及び電流16.0Ａとしたとき、Ｌ-ロイシンの単結晶が作製されることが確認できた。
【実施例３】
【００６５】
（３）L-バリン結晶膜作製について
上述したL-イソロイシンの場合と同様な条件で、L-バリン膜を作製した。
実際上、ここでの実験については、蒸着条件を基板角度45°、基板距離５cm、サンプル量10mg、真空度1.4×10-−4Torr、電圧1.5Ｖ及び電流23.6Ａとしたとき、L-バリンの単結晶が作製されることが確認できた。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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