【手続補正書】
【提出日】平成31年4月15日(2019.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
計測ターゲット設計の方法であって、前記方法は、少なくとも１つのデバイス設計および複数の計測ターゲット設計のパターン配置誤差（ＰＰＥ）のゼルニケ感度を計算するステップと、前記計算されたゼルニケ感度から導出された費用関数の値に従って、最良の計測ターゲット設計を選択するステップであって、前記費用関数が、前記少なくとも１つのデバイス設計と前記複数の計測ターゲット設計との間の前記ゼルニケ感度の類似度を定量化する、選択するステップと、を含み、前記計算するステップおよび前記選択するステップのうちの少なくとも１つが、少なくとも１つのコンピュータプロセッサによって実行されることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記ゼルニケ感度が、ゼルニケ係数Ｚ４．．．Ｚ３６に関して計算されることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、前記ゼルニケ感度が、奇数のゼルニケ係数のみに関して計算されることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、前記ゼルニケ感度が、ゼルニケ係数Ｚ８、Ｚ１１、Ｚ１５、Ｚ２０、Ｚ２４、Ｚ２７、Ｚ３１、およびＺ３５に関してのみ計算されることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記費用関数が、前記少なくとも１つのデバイス設計の前記ＰＰＥゼルニケ感度と前記複数の計測ターゲット設計の前記ＰＰＥゼルニケ感度との間の距離メトリックを含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法によって設計されていることを特徴とする計測ターゲット。
【請求項７】
請求項６に記載の計測ターゲットのターゲット設計ファイル。
【請求項８】
計測モジュールであって、少なくとも１つのデバイス設計、および複数の計測ターゲット設計のパターン配置誤差（ＰＰＥ）のゼルニケ感度を計算し、前記計算されたゼルニケ感度から導出された費用関数の値に従って、最良の計測ターゲット設計を選択するように構成された少なくとも１つのコンピュータプロセッサを備え、前記費用関数が、前記少なくとも１つのデバイス設計と前記複数の計測ターゲット設計との間の前記ゼルニケ感度の類似度を定量化することを特徴とする計測モジュール。
【請求項９】
請求項８に記載の計測モジュールであって、前記ゼルニケ感度が、ゼルニケ係数Ｚ４．．．Ｚ３６に関して計算されることを特徴とする計測モジュール。
【請求項１０】
請求項９に記載の計測モジュールであって、前記ゼルニケ感度が、奇数のゼルニケ係数のみに関して計算されることを特徴とする計測モジュール。
【請求項１１】
請求項１０に記載の計測モジュールであって、前記ゼルニケ感度が、ゼルニケ係数Ｚ８、Ｚ１１、Ｚ１５、Ｚ２０、Ｚ２４、Ｚ２７、Ｚ３１、およびＺ３５に関してのみ計算されることを特徴とする計測モジュール。
【請求項１２】
請求項８に記載の計測モジュールであって、前記費用関数が、前記少なくとも１つのデバイス設計の前記ＰＰＥゼルニケ感度と前記複数の計測ターゲット設計の前記ＰＰＥゼルニケ感度との間の距離メトリックを含むことを特徴とする計測モジュール。
【請求項１３】
請求項８に記載の計測モジュールによって設計されていることを特徴とする計測ターゲット。
【請求項１４】
請求項１３に記載の計測モジュールのターゲット設計ファイル。
【請求項１５】
計測ターゲット設計の方法であって、
少なくとも１つのデバイス設計および複数のターゲット設計候補のそれぞれについて、
複数の実行に対して繰り返し、
複数のゼルニケ多項式Ｚｉのそれぞれに対して複数のＮｉ（Ｎｉ＞５０）個のゼルニケ係数値を生成し、前記値が、指定された範囲にわたって指定された分布に関して擬似ランダムに生成され、
前記ゼルニケ多項式のそれぞれに対してＰＰＥを計算し、
前記実行に対してそれぞれのＰＰＥ尺度を計算する、ステップと
前記計算されたそれぞれのＰＰＥ尺度の分布を導出するステップと、
各ターゲット設計候補についてデバイス対応尺度を生成するために、前記導出されたターゲット設計候補分布のそれぞれを前記少なくとも１つの導出されたデバイス設計分布と相関させるステップと、
前記導出されたデバイス対応尺度に従って、最良の計測ターゲット設計を選択するステップと、
を含み、
前記生成するステップ、前記計算するステップ、前記導出するステップ、前記相関させるステップ、および前記選択するステップのうちの少なくとも１つが、少なくとも１つのコンピュータプロセッサによって実行されることを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、指定されたターゲット設計の分割選択肢を表わすために前記ターゲット設計候補を選択するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、前記デバイス対応尺度を使用して、前記分割選択肢をランク付けするステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載の方法であって、計測シミュレーションプロセスと並行して前記計算段階を実行するステップと、前記デバイス対応尺度を使用して、ランキングを前記計測シミュレーションプロセスから導出されたランキングと統合するステップと、をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１５に記載の方法であって、複数のデバイス設計に対して前記方法を実行するステップと、すべての前記デバイス設計に対して導出された前記デバイス対応尺度に関して前記選択するステップを実行するステップと、をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、前記選択するステップが、前記複数のデバイス対応尺度から導出された堅牢性尺度に関して実行されることを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項１５に記載の方法によって設計されていることを特徴とする計測ターゲット。
【請求項２２】
請求項２１に記載の計測ターゲットのターゲット設計ファイル。
【請求項２３】
計測モジュールであって、少なくとも１つのデバイス設計および複数のターゲット設計候補のそれぞれについて、
複数の実行に対して繰り返し、
複数のゼルニケ多項式Ｚｉのそれぞれに対して複数のＮｉ（Ｎｉ＞１００）個のゼルニケ係数値を生成し、前記値が、指定された範囲にわたって指定された分布に関して擬似ランダムに生成され、
前記ゼルニケ多項式のそれぞれに対してＰＰＥを計算し、
前記実行に対してそれぞれのＰＰＥ尺度を計算し、
前記計算されたそれぞれのＰＰＥ尺度の分布を導出し、
各ターゲット設計候補についてデバイス対応尺度を生成するために、前記導出されたターゲット設計候補分布のそれぞれを前記少なくとも１つの導出されたデバイス設計分布と相関させ、
前記導出されたデバイス対応尺度に従って、最良の計測ターゲット設計を選択する、
ように構成された少なくとも１つのコンピュータプロセッサを備えることを特徴とする計測モジュール。
【請求項２４】
請求項２３に記載の計測モジュールであって、指定されたターゲット設計の分割選択肢を表わすために前記ターゲット設計候補を選択するようにさらに構成されていることを特徴とする計測モジュール。
【請求項２５】
請求項２４に記載の計測モジュールであって、前記デバイス対応尺度を使用して、前記分割選択肢をランク付けするようにさらに構成されていることを特徴とする計測モジュール。
【請求項２６】
請求項２３に記載の計測モジュールであって、計測シミュレーションプロセスと並行して前記計算段階を実行し、前記デバイス対応尺度を使用して、ランキングを前記計測シミュレーションプロセスから導出されたランキングと統合するようにさらに構成されていることを特徴とする計測モジュール。
【請求項２７】
請求項２３に記載の計測モジュールであって、複数のデバイス設計を使用し、すべての前記デバイス設計に対して導出された前記デバイス対応尺度に関して最良のターゲットを選択するようにさらに構成されていることを特徴とする計測モジュール。
【請求項２８】
請求項２７に記載の計測モジュールであって、前記複数のデバイス対応尺度から導出された堅牢性尺度に関して最良のターゲットを選択するようにさらに構成されていることを特徴とする計測モジュール。
【請求項２９】
請求項２３に記載の計測モジュールによって設計されていることを特徴とする計測ターゲット。
【請求項３０】
請求項２９に記載の計測モジュールのターゲット設計ファイル。
【請求項３１】
計測ターゲット設計を最適化する方法であって、前記方法は、計測性能要件に従って決定された最初のターゲット設計から開始し、シミュレーションツールを使用して、
少なくとも２つの方向に関して、前記最初のターゲット設計と少なくとも１つのデバイス設計との間のパターン配置誤差（ＰＰＥ）のゼルニケ感度を比較するステップと、
前記最初のターゲット設計に対してプロセスウィンドウを推定するステップと、
前記ゼルニケ感度の対応を向上させ、前記プロセスウィンドウを増加させるために前記最初のターゲット設計を変更することによって、前記最初のターゲット設計から改善された計測ターゲット設計を導出するステップと、
を含み、
前記比較するステップ、前記推定するステップ、および前記導出するステップのうちの少なくとも１つが、少なくとも１つのコンピュータプロセッサによって実行されることを特徴とする方法。
【請求項３２】
請求項３１に記載の方法であって、前記導出するステップが、連続して導出される改善されたターゲット設計に対して、前記比較するステップおよび前記推定するステップを繰り返すステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項３３】
請求項３１に記載の方法であって、前記少なくとも２つの方向が、ターゲット設計方向および前記ターゲット設計方向に対して垂直な方向を含むことを特徴とする方法。
【請求項３４】
請求項３３に記載の方法であって、前記少なくとも１つのデバイス設計が、前記ターゲット設計方向に対して傾斜していることを特徴とする方法。
【請求項３５】
請求項３１に記載の方法であって、前記改善された計測ターゲット設計のピッチが、前記少なくとも１つのデバイス設計のピッチよりも１０〜３０％大きいことを特徴とする方法。
【請求項３６】
請求項３１に記載の方法によって設計されていることを特徴とする計測ターゲット。
【請求項３７】
請求項３６に記載の計測ターゲットのターゲット設計ファイル。
【請求項３８】
計測モジュールであって、計測性能要件に従って決定された最初のターゲット設計から開始し、シミュレーションツールを使用して、
少なくとも２つの方向に関して、前記最初のターゲット設計と少なくとも１つのデバイス設計との間のパターン配置誤差（ＰＰＥ）のゼルニケ感度を比較し、
前記最初のターゲット設計に対してプロセスウィンドウを推定し、
前記ゼルニケ感度の対応を向上させ、前記プロセスウィンドウを増加させるために前記最初のターゲット設計を変更することによって、前記最初のターゲット設計から改善された計測ターゲット設計を導出する、
ように構成されている少なくとも１つのコンピュータプロセッサを備えることを特徴とする計測モジュール。
【請求項３９】
請求項３８に記載の計測モジュールであって、連続して導出される改善されたターゲット設計に対して、前記比較するステップおよび前記推定するステップを繰り返すようにさらに構成されていることを特徴とする計測モジュール。
【請求項４０】
請求項３８に記載の計測モジュールであって、前記少なくとも２つの方向が、ターゲット設計方向および前記ターゲット設計方向に対して垂直な方向を含むことを特徴とする計測モジュール。
【請求項４１】
請求項４０に記載の計測モジュールであって、前記少なくとも１つのデバイス設計が、前記ターゲット設計方向に対して傾斜していることを特徴とする計測モジュール。
【請求項４２】
請求項３８に記載の計測モジュールであって、前記改善された計測ターゲット設計のピッチが、前記少なくとも１つのデバイス設計のピッチよりも１０〜３０％大きいことを特徴とする計測モジュール。
【請求項４３】
請求項３８に記載の計測モジュールによって設計されていることを特徴とする計測ターゲット。
【請求項４４】
請求項４３に記載の計測モジュールのターゲット設計ファイル。
【請求項４５】
デバイス設計に対してターゲット設計を決定する方法であって、
最初のターゲット設計および前記デバイス設計の０次および１次の回折次数信号の瞳面位置をシミュレートするステップと、
改善されたターゲット設計を生成するために前記最初のターゲット設計の少なくとも１つのパラメータを変更するステップであり、前記変更が、前記デバイス設計の０次と１次の回折次数信号の前記瞳面位置間の関係に対応した、前記改善されたターゲットの０次と１次の回折次数信号の前記瞳面位置間の関係を提供するように実行される、変更するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項４６】
請求項４５に記載の方法であって、前記関係の前記対応が、少なくとも１つのゼルニケ多項式に関して評価されることを特徴とする方法。
【請求項４７】
請求項４６に記載の方法であって、前記少なくとも１つのゼルニケ多項式が、前記最初のターゲットの分割方向に関して非対称であることを特徴とする方法。
【請求項４８】
請求項４５に記載の方法であって、前記決定するステップが、前記デバイス設計に対してターゲット分割を決定するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項４９】
請求項４５に記載の方法によって設計されていることを特徴とする計測ターゲット。
【請求項５０】
請求項４９に記載の計測ターゲットのターゲット設計ファイル。
【請求項５１】
最初のターゲット設計ならびに前記デバイス設計の０次および１次の回折次数信号の瞳面位置をシミュレートするステップと、
改善されたターゲット設計を生成するために前記最初のターゲット設計の少なくとも１つのパラメータを変更するステップであって、前記変更が、前記デバイス設計の０次と１次の回折次数信号の前記瞳面位置間の関係に対応した、前記改善されたターゲットの０次と１次の回折次数信号の前記瞳面位置間の関係を提供するように実行される、変更するステップと、
によって、デバイス設計に対してターゲット設計を決定するように構成された少なくとも１つのコンピュータプロセッサを備えることを特徴とする計測モジュール。
【請求項５２】
請求項５１に記載の計測モジュールであって、少なくとも１つのゼルニケ多項式に関して前記関係の前記対応を評価するようにさらに構成されていることを特徴とする計測モジュール。
【請求項５３】
請求項５２に記載の計測モジュールであって、前記少なくとも１つのゼルニケ多項式が、前記最初のターゲットの分割方向に関して非対称であることを特徴とする計測モジュール。
【請求項５４】
請求項５１に記載の計測モジュールであって、前記デバイス設計に対してターゲット分割を決定するようにさらに構成されていることを特徴とする計測モジュール。
【請求項５５】
請求項５１に記載の計測モジュールによって設計されていることを特徴とする計測ターゲット。
【請求項５６】
請求項５５に記載の計測モジュールのターゲット設計ファイル。
【請求項５７】
ターゲット方向に対して傾斜した計測ターゲットの要素の少なくとも１つおよび計測ターゲットの要素分割を有する計測ターゲットであって、前記傾斜が、傾斜デバイスに対応するように選択されていることを特徴とする計測ターゲット。
【請求項５８】
請求項５７に記載の計測ターゲットであって、そのラインエッジに関して前記傾斜ターゲットの生成精度を改善するように構成されたＳＲＡＦ（サブ解像度補助機構）をさらに含むことを特徴とする計測ターゲット。
【請求項５９】
請求項５７に記載の計測ターゲットのターゲット設計ファイル。