Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月6日(2007.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】  聴取希望のプログラムタイプを指定させて、単一のアンサンブルの中からまたは複数のアンサンブルにわたって当該プログラムタイプをサーチする機能を備えたディジタル放送受信機において、  上記サーチの結果、該当の前記プログラムタイプの候補が複数存在するとき、所定の数だけ候補が揃った時点で前記サーチを終了することを特徴とするディジタル放送受信機。    【請求項２】  聴取希望のプログラムタイプを指定させて、単一アンサンブルの中からまたは複数のアンサンブルにわたって当該プログラムタイプをサーチする機能を備えたディジタル放送受信機において、  複数のアンサンブルにわたって前記プログラムタイプをサーチするとき、サーチしたプログラムタイプとそのときの受信レベルとをリンクさせて記憶することを特徴とするディジタル放送受信機。    【請求項３】  聴取希望のプログラムタイプを指定させて、単一アンサンブルの中からまたは複数のアンサンブルにわたって当該プログラムタイプをサーチする機能を備えたディジタル放送受信機において、  サーチした前記プログラムタイプに好適な音場を設定することを特徴とするディジタル放送受信機。    【請求項４】  聴取希望のプログラムタイプを指定させて、単一アンサンブルの中からまたは複数のアンサンブルにわたって当該プログラムタイプをサーチする機能を備えたディジタル放送受信機において、  受信モードにおいて最後に聴取していた前記プログラムタイプを記憶し、  受信モードに復帰するとき、記憶していた最後の前記プログラムタイプをサーチすることを特徴とするディジタル放送受信機。    【請求項５】  聴取希望のプログラムタイプを指定させて、単一アンサンブルの中からまたは複数のアンサンブルにわたって当該プログラムタイプをサーチする機能を備えたディジタル放送受信機において、  前記聴取希望のプログラムタイプをサーチできなかったとき、  そのプログラムタイプを予約してプログラムタイプ自動サーチを実行することを特徴とするディジタル放送受信機。    【請求項６】  聴取希望のプログラムタイプを指定させて、単一アンサンブルの中からまたは複数のアンサンブルにわたって当該プログラムタイプをサーチする機能を備えたディジタル放送受信機において、  ディジタル放送受信機放送受信モード以外のサービスモードから該ディジタル放送受信モードに遷移し、前記聴取希望のプログラムタイプをサーチしたときに当該聴取希望のプログラムタイプが存在しないとき、再び元のディジタル放送受信機放送受信モード以外のサービスモードに戻ることを特徴とするディジタル放送受信機。【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ディジタル放送受信機【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】    【発明の属する技術分野】  本発明はディジタル放送受信機におけるサービス提供方法に関する。  ディジタルオーディオ放送（Digital Audio Broadcasting、以下、ＤＡＢとも称す）は、１つの送信電波（アンサンブル）の中に複数のサービスを同時に含ませてユーザに対し放送する、従来のアナログ放送とは全く異なる形態の放送である。このＤＡＢは欧州においてＥＵＲＥＣＡの名のもとで開発が進められ、仕様も定められて、一部の国では実用段階に入っている。【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】    【発明が解決しようとする課題】  ＤＡＢではユーザが、プログラムタイプを利用して、好みのサービスをいつでも捕捉可能となり、好みの番組の時間が来るまで待つといった従来のアナログ放送にはない新たな受信機能が実現される。  本発明の目的は、ユーザにとって一層便利なしかも高機能なディジタル放送受信機を提案することである。【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】    【発明の効果】  以上説明したように本発明によれば、ディジタル放送受信機において、ユーザにとって一層便利でしかも高機能なサービス提供を実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月14日(2007.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分散型マイクロコントローラ・ネットワークのバスに用いるビット符号化システムであって：
第１および第２ビット値（４０）を規定すべく第１および第２振幅（２１，２２）間で振幅変調される実質的に正弦波状の第１の正弦波形（１０）を供給する手段と、
前記バスのタイミング情報を規定する所定の周期的パラメータの発生時に実質的に前記第１および第２ビット値間を選択的に切り替える手段と、
を備えることを特徴とするビット符号化システム。
【請求項２】
各々適用される前記振幅変調に基づいて前記正弦波形の１サイクル内で１つのビット値（４０）が規定されることを特徴とする請求項１記載のビット符号化システム。
【請求項３】
前記正弦波形の１サイクルの読取枠内で１つのビット値（４０）が読み取られることを特徴とする請求項１又は２記載のビット符号化システム。
【請求項４】
前記所定の周期的パラメータは、前記第１の正弦波形のゼロ交差点であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項記載のビット符号化システム。
【請求項５】
第２バス上に与えられる実質的に正弦波状の第２の正弦波形であって、前記第１の正弦波形に対して逆位相で振幅変調され、前記第２バスのタイミング情報を規定する所定の周期的パラメータを有する第２の正弦波形を更に備えることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項記載のビット符号化システム。
【請求項６】
前記第２の正弦波形の所定の周期的パラメータは、前記第１の正弦波形の所定の周期的パラメータから半波長だけ位相シフトされていることを特徴とする請求項５記載のビット符号化システム。
【請求項７】
分散型マイクロコントローラ・ネットワークのバスをビット符号化する方法であって：
第１および第２ビット値（４０）を規定すべく、実質的に正弦波状の第１の正弦波形（１０）を第１および第２振幅（２１，２２）間で振幅変調する段階；および
前記バスのタイミング情報を規定する所定の周期的パラメータの発生時に実質的に前記第１および第２ビット値間を選択的に切り替える段階；
を備えることを特徴とする方法。
【請求項８】
前記正弦波形の１サイクルの各振幅変調に基づいて１つのビット値（４０）を規定する段階を更に備えることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記正弦波形の１サイクルの読取枠から１つのビット値（４０）を読み取る段階を更に備えることを特徴とする請求項７又は８記載の方法。
【請求項１０】
前記所定の周期的パラメータは、前記第１の正弦波形のゼロ交差点であることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項１１】
第２バス上に実質的に正弦波状の第２の正弦波形を与える段階であって、前記第１の正弦波形に対して逆位相で振幅変調され、前記第２バスのタイミング情報を規定する所定の周期的パラメータを有する第２の正弦波形を与える段階を更に備えることを特徴とする請求項７乃至１０の何れか一項記載の方法。
【請求項１２】
前記第２の正弦波形の所定の周期的パラメータは、前記第１の正弦波形の所定の周期的パラメータから半波長だけ位相シフトされていることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
マンチェスタ符号化を用いた他の例では、各ビット時間を２部分、即ち、１クロックおよび１データに分割する。この場合、符号化によって、同期が維持され、ＥＭＩ放出は良好に維持され、ビット・カウント毎の平均エッジは約０．７５となるが、帯域幅の損失を伴い、事実上半減する。
欧州特許出願公開第０１１０４２７号明細書（発明者  Ｊｏｓｅｆ  Ｄｉｒｒ（ジョセフ  ディール）は、パルス振幅変調（ＰＡＭ）システムの原理動作を開示している。この明細書によれば、多数の正弦波形がデータを「表現」するのに使用及び合成される。つまり、正弦波形の合成が計算されることによって、受信側で特定のコードが生成及びデコードされる。
モトローラによる英国特許出願公開第２３１４４３２号明細書は、自動車環境で用いられるバスシステムにおいて、ＡＣ信号を試験用フィードバックデータで変調することによりノイズ耐性を改善することを開示している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の態様によれば、分散型マイクロコントローラ・ネットワークのバスに用いるビット符号化システムが提供される。このビット符号化システムは、第１および第２ビット値を規定すべく第１および第２振幅間で振幅変調される実質的に正弦波状の第１の正弦波形を供給する手段と、前記バスのタイミング情報を規定する所定の周期的パラメータの発生時に実質的に前記第１および第２ビット値間を選択的に切り替える手段とを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第２の態様によれば、分散型マイクロコントローラ・ネットワークのバスをビット符号化する方法が提供される。この方法は、第１および第２ビット値を規定すべく、実質的に正弦波状の第１の正弦波形を第１および第２振幅間で振幅変調する段階，および前記バスのタイミング情報を規定する所定の周期的パラメータの発生時に実質的に前記第１および第２ビット値間を選択的に切り替える段階を備える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
好ましくは、所定の周期的パラメータは、第１の正弦波形のゼロ交差点である。好ましくは、所定の周期的パラメータは、正弦波形の負から正へのゼロ交差点である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月5日(2007.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路上に取り付けられたヒートシンクとプリント回路基板の表面との隙間を実質的に囲むように適合され、また、前記ヒートシンクが前記集積回路パッケージ上に取り付けられたときに前記ヒートシンクの外周に合致するように適合され、さらに、前記集積回路パッケージが前記プリント回路基板の前記表面に取り付けられたときにプリント回路基板の前記表面に合致するように適合された、電磁放射を吸収しオーム導電性でないシールド材料で構成された損失性材料の外周、
を備えて成る、電磁放射を閉じ込めるためのシールド。
【請求項２】
プリント回路基板に取り付けられた集積回路パッケージのまわりにオーム導電性でない電磁吸収性材料の外周を備えて成り、前記電磁吸収性材料の外周は、第１の面と第２の面とを有し、前記第１の面は、ヒートシンクの外側面に合致可能であり、前記第２の面は、前記電磁吸収性材料の外周が前記ヒートシンクの前記外側面と前記プリント回路基板との間の隙間をまたぐように、前記プリント回路基板と接触するように合致可能である、電磁シールド。
【請求項３】
第１の実質的に平らな表面を有するプリント回路基板であって、前記第１の実質的に平らな表面の縁は第１の外周により決まるものである、プリント回路基板と、
第２の実質的に平らな表面を有するヒートシンクであって、前記第２の実質的に平らな表面は、前記第１の実質的に平らな表面と前記第２の実質的に平らな表面との隙間を形成するように、前記第１の実質的に平らな表面と平行に配置されている、ヒートシンクと、
囲まれた空洞を形成するように、前記第１の外周と前記第２の実質的に平らな表面とに合致する損失性物質のスカートと
を備えて成る、電磁放射を閉じ込めるためのシールド。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月22日(2006.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板の表面を酸化させることができる溶液中において前記半導体基板を湿式クリーニング及び／又はすすぎプロセスに付して、前記半導体基板の表面における金属汚染を低減する方法であって、
前記溶液は５以上のｐＨ値を有しており、並びに、前記溶液は該溶液中で解離及びイオン化する物質を少なくとも約６％含んでおり、前記物質の解離及びイオン化によって溶液中に少なくとも１種の化学種のイオンを所定量で生じさせること、その少なくとも１つのイオン種は、酸化された表面にその化学種のイオンが結合することにより、酸化された表面に結合する金属イオンの量を実質的に減少させることを特徴とする方法。
【請求項２】  溶液が、約ｐＨ８〜約ｐＨ１０の範囲内のｐＨ値に溶液のｐＨを制御又は低下させるのに有効な量のｐＨ低下化学成分及びノニオン界面活性剤の組合せを含まず、溶液は５.５以上のｐＨ値、好ましくは６以上のｐＨ値を有する請求項１記載の方法。
【請求項３】  溶液中において物質の５０％以上が解離してイオンを生じることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】  物質が約１０-5モル／リットル以上の濃度にて存在することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】  ０℃〜５０℃の範囲の温度にて処理を行うことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】  ６０℃以上の温度にて処理を行うことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】  室温にて処理を行うことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】  周囲温度にて処理を行うことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】  溶液がアンモニアを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】  溶液が更に過酸化水素及び水を含むことを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】  溶液が、アンモニア、過酸化水素及び水をおよそ１：１：５の比率で含むことを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】  溶液が、アンモニア、過酸化水素並びにイソプロパノール及び／又はエタノールの混合物を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１３】  −前記物質を含み、基板表面を化学的に酸化させることができる溶液を調製する工程、及び、その後に
−酸化された表面に結合する金属イオンを物質が実質的に減少させるような処理条件を維持しながら、溶液中に基板を浸漬させる工程
を有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１４】  −基板表面に化学的酸化物が生成するように処理条件を維持しながら、酸化剤及び塩基物質を含有する水溶液に前記基板表面をさらす工程、及び
−酸化された表面に結合することができる物質を前記溶液に添加する工程
を含んでなり、一方で、酸化された表面に結合する金属イオンの量を物質が実質的に減少させるような処理条件を維持することを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１５】  イオンが複数のＮＨ4+イオン及び／又はその誘導体及び／又はそれらの化合物を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１６】  物質は、塩化アンモニウムなどの塩化物又は硝酸アンモニウムなどの硝酸塩であることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１７】  溶液は約７又はそれ以上のｐＨ値を有することを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項１８】  本質的に水、酸化剤、塩基物質及びアンモニウムの塩を含んでなる半導体デバイス処理に用いる化学薬品溶液。
【請求項１９】  塩は、ＮＨ4Ｆ、ＮＨ4Ｃｌ、ＮＨ4Ｂｒ、ＮＨ4Ｉ、ＮＨ4ＮＯ3、(ＮＨ4)2ＳＯ4の群のいずれか１種のものであることを特徴とする請求項１８記載の化学薬品溶液。
【請求項２０】  本質的にエタノール及び／又はイソプロパノール、酸化剤、塩基物質及びアンモニウムの塩を含んでなる、半導体デバイス処理に用いる化学薬品溶液。
【請求項２１】  塩は、ＮＨ4Ｆ、ＮＨ4Ｃｌ、ＮＨ4Ｂｒ、ＮＨ4Ｉ、ＮＨ4ＮＯ3、(ＮＨ4)2ＳＯ4の群のいずれか１種のものであることを特徴とする請求項２０記載の化学薬品溶液。
【請求項２２】  水又はエタノール及び／若しくはイソプロパノール、酸化剤、塩基物質及びアンモニウムの塩を含んでなり、アンモニウムの塩の量は基板上の金属汚染物質の存在量を減らすような量である化学薬品溶液の、半導体基板のクリーニング及び／又はすすぎへの使用。
【請求項２３】  半導体デバイス処理のクリーニング及び／又はすすぎ工程において使用するための、水又はエタノール及び／若しくはイソプロパノール及び酸化剤を含んでなる化学薬品溶液を製造する方法であって、少なくとも１の半導体基板を当該溶液中でクリーニングする間に、当該溶液中で酸物質及び塩基物質を混合する工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項２４】  半導体デバイス処理のクリーニング工程において使用するための、水又はエタノール及び／若しくはイソプロパノール及び酸化剤を含んでなる化学薬品溶液を製造する方法であって、半導体基板を溶液にさらす前に、当該溶液中で酸物質及び塩基物質を混合する工程を含んでなることを特徴とする方法。
【請求項２５】  酸物質はＨＣｌ又はＨＢｒ又はＨＮＯ3であり、塩基物質はＮＨ3であることを特徴とする請求項２４記載の方法。
【請求項２６】  半導体基板は、単一のタンク、タンク又は湿式ベンチにおいて同時に処理されるウェーハのバッチの１つであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２７】  半導体基板は、単一のウェーハクリーニングツールにおける単一のウェーハであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２８】  クリーニングプロセスが、半導体基板の片側表面又は両側表面をクリーニング及び／又はエッチングする工程を含んでなることを特徴とする請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月15日(2006.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の外部機器から提供された第１の表示情報を表示器に表示し、第２の外部機器から提供された第２の表示情報を前記表示器に表示する表示装置であって、
前記第１の表示情報を入力し、前記第２の表示情報を入力する入力手段と、
前記第１の表示情報に関する情報を出力する出力手段と、
前記第２の表示情報が前記第２の外部機器から提供される前に前記第１の表示情報を前記表示器に表示している場合は、前記第２の表示情報が前記第２の外部機器から提供される前に前記第１の表示情報に関する情報を前記出力手段を介して出力するように制御する制御手段とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】  前記第１の表示情報に関する情報は、前記第２の表示情報を前記第２の外部機器から前記表示装置に提供できるか否かを決定するのに用いられる情報であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】  前記第１の表示情報に関する情報は、前記第２の表示情報を表示する位置、前記第２の表示情報を表示するサイズ、前記第２の表示情報を表示する期間、前記第２の表示情報の表示を開始する時間、前記第２の表示情報に他の表示情報を重ねることができるか否かのうちの少なくとも１つを決定するのに用いられる情報であることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】  前記第１の表示情報に関する情報は、前記第１の表示情報を表示する位置、前記第１の表示情報を表示するサイズ、前記第１の表示情報を表示する期間、前記第１の表示情報の表示を開始する時間、前記第１の表示情報に他の表示情報を重ねることができるか否かのうちの少なくとも１つを示す情報であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】  前記第１の表示情報は、前記第１の外部機器を遠隔制御するのに用いられる表示情報であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】  前記第２の表示情報は、前記第２の外部機器を遠隔制御するのに用いられる表示情報であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】  前記表示装置は、ディジタルテレビジョンであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】  前記出力手段は、前記第１の表示情報に関する情報とともに、前記表示器の表示能力に関する情報を出力することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】  前記表示器の表示能力に関する情報は、前記第２の表示情報の解像度を決定するのに用いられる情報であることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報供給源と表示装置とを含むネットワークにおいて、各情報供給源の有する表示情報を少なくとも１つの表示装置に描画する技術に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る表示装置は、例えば、第１の外部機器から提供された第１の表示情報を表示器に表示し、第２の外部機器から提供された第２の表示情報を前記表示器に表示する表示装置であって、前記第１の表示情報を入力し、前記第２の表示情報を入力する入力手段と、前記第１の表示情報に関する情報を出力する出力手段と、前記第２の表示情報が前記第２の外部機器から提供される前に前記第１の表示情報を前記表示器に表示している場合は、前記第２の表示情報が前記第２の外部機器から提供される前に前記第１の表示情報に関する情報を前記出力手段を介して出力するように制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月22日(2007.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層上に水素を含有する第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜に接して第２の絶縁膜を形成した後、
水素雰囲気中またはプラズマ化することにより生成された水素を含む雰囲気中で加熱処理を施し、
前記第２の絶縁膜に接して水素を含有する第３の絶縁膜を形成した後、
水素または窒素を含む雰囲気中で加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
半導体層上に水素を含有する第１の絶縁膜を形成した後、
水素雰囲気中またはプラズマ化することにより生成された水素を含む雰囲気中で加熱処理を施し、
前記第１の絶縁膜に接して第２の絶縁膜を形成した後、
水素雰囲気中またはプラズマ化することにより生成された水素を含む雰囲気中で加熱処理を施し、
前記第２の絶縁膜に接して水素を含有する第３の絶縁膜を形成した後、
水素または窒素を含む雰囲気中で加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第１の絶縁膜が、窒酸化シリコン膜から形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記第１の絶縁膜は、シラン、亜酸化窒素、及びアンモニアから形成されること特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記第２の絶縁膜が、窒酸化シリコン膜から形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、前記第２の絶縁膜は、シラン、及び亜酸化窒素から形成されること特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記第３の絶縁膜が、窒酸化シリコン膜または窒化シリコン膜から形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記第３の絶縁膜は、シラン、亜酸化窒素、及びアンモニア、またはシラン、窒素、及びアンモニアから形成されること特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、第３の絶縁膜は、それぞれの含有炭素濃度が２×１０１９ｃｍ−３以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、前記第１の絶縁膜の膜厚は１００〜５００ｎｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記第２の絶縁膜の膜厚は１００〜５００ｎｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、前記半導体層は、非晶質半導体膜をレーザ結晶化法、熱結晶化法、または触媒元素を用いた結晶化法で結晶化した結晶質半導体膜を用いて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月2日(2007.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも基層、中間層及び表層を有する多層構成のフィルムもしくはベルト形状を有するトナー像の定着に用いられる定着部材において、該基層が、該基層の背面側に該定着部材と非接触で配置される輻射源からの輻射を透過する輻射透過性を有する材料で形成されており、
該表層もしくは該中間層が輻射吸収性を有する材料で形成されていることを特徴とする定着部材。
【請求項２】  該表層が、離型性を有する材料で形成されている請求項１に記載の定着部材。
【請求項３】  該中間層が弾性及び輻射透過性及び断熱性を有する材料で形成されている請求項１又は２に記載の定着部材。
【請求項４】  該基層が、ポリイミド、ポリアミド、及びアラミド樹脂の少なくともいずれかを含む材料で形成されている請求項１乃至３のいずれかに記載の定着部材。
【請求項５】  輻射源から少なくとも波長０．７〜５μｍの赤外光が輻射されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の定着部材。
【請求項６】  該基層が波長０．７から５μｍの赤外光に対して３０％以上の輻射透過性を有する事を特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の定着部材。
【請求項７】  該基層が波長０．７から５μｍの赤外光に対して５０％以上の輻射透過性を有する事を特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の定着部材。
【請求項８】  該基層が波長０．７から５μｍの赤外光に対して８０％以上の輻射透過性を有する事を特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の定着部材。
【請求項９】  該基層が厚さ０．０１〜０．５ｍｍのシームレスチューブである事を特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の定着部材。
【請求項１０】  該表層が、輻射吸収性を有する材料が添加されているフッ素樹脂で形成されている請求項１乃至９のいずれかに記載の定着部材。
【請求項１１】  該中間層が、シリコーンゴムで形成されている請求項１乃至１０のいずれかに記載の定着部材。
【請求項１２】  該多層構成のフィルムもしくはベルト形状を有するトナー像の定着に用いられる定着部材が、少なくとも輻射透過性を有する基層、輻射透過性を有する中間層、輻射吸収層及び離型性を有する表層より成ることを特徴とする請求項１に記載の定着部材。
【請求項１３】  該基層の熱伝導率が０．５Ｗ／ｍ・Ｋ未満であることを特徴とした請求項１から１２のいずれかに記載の定着部材。
【請求項１４】  該基層および該中間層の熱伝導率が０．５Ｗ／ｍ・Ｋ未満であることを特徴とした請求項１から１３のいずれかに記載の定着部材。
【請求項１５】  該表層の熱伝導率が０．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とした請求項１乃至１４のいずれかに記載の定着部材。
【請求項１６】  該表層の熱伝導率が、該基層の熱伝導率よりも大きいことを特徴とした請求項１乃至１５に記載の定着部材。
【請求項１７】  該輻射吸収層の熱伝導率が、該輻射透過性を有する中間層及び該輻射透過性を有する基層よりも大きいことを特徴とする請求項１２に記載の定着部材。
【請求項１８】  該輻射源がハロゲンランプ、カーボンランプ、キセノンランプからなる群のうちの一つであることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれかに記載の定着部材。
【請求項１９】  該表層が、耐熱性及び離型性を有するＦＥＰのフッ素樹脂中に、輻射吸収性を有する平均粒径が０．１μｍ以下のカーボン粒子を分散したコート剤を用いてコートされたことを特徴とする請求項１乃至１８のいずれかに記載の定着部材。
【請求項２０】  該表層の熱伝導率が、該中間層の熱伝導率よりも０．４Ｗ／ｍ・Ｋ以上大きいことを特徴とする請求項１乃至１９のいずれかに記載の定着部材。
【請求項２１】  該輻射吸収層の熱伝導率が、該中間層の熱伝導率よりも０．７Ｗ／ｍ・Ｋ以上大きいことを特徴とする請求項１乃至１９のいずれかに記載の定着部材。
【請求項２２】  少なくとも基層、中間層及び表層を有する定着部材と、該定着部材と対向して配置された加圧部材とを有するトナー像を被定着部材に定着するための定着装置であって、
該定着部材の基層の背面側に輻射源が配置され、該輻射源からの輻射によって定着部材の表層又は表層近傍が、定着部材と加圧部材との間に形成される定着ニップ部を被定着部材が通過する際に加熱及び加圧され、
該定着部材が請求項１乃至２１のいずれかに記載の定着部材であることを特徴とする定着装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、以下の本発明によって達成される。即ち、本発明は、少なくとも基層、中間層及び表層を有する多層構成のフィルムもしくはベルト形状を有するトナー像の定着に用いられる定着部材において、該基層が、該基層の背面側に該定着部材と非接触で配置される輻射源からの輻射を透過する輻射透過性を有する材料で形成されており、該表層もしくは該中間層が輻射吸収性を有する材料で形成されていることを特徴とする定着部材である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月30日(2007.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  導電性支持体と、該導電性支持体上に設けられた、エピクロルヒドリンゴムを主成分とし少なくともイオン導電剤を含有する導電性弾性体基層と、ラクトン変性アクリルポリオールを、少なくともイソホロンジイソシアネートを含む２種類以上のイソシアネートで架橋したウレタン樹脂を主成分とする表層とを少なくとも有することを特徴とする帯電部材。
【請求項２】  前記表層にシリカ粉体を含有する請求項１に記載の帯電部材。
【請求項３】  前記表層に導電性粉体を含有する請求項１又は２に記載の帯電部材。
【請求項４】  前記導電性粉体が酸化スズにアンチモンをドープした導電性酸化スズである請求項３に記載の帯電部材。
【請求項５】  前記導電性酸化スズが、表面をシランカップリング剤でカップリング剤処理された酸化スズである請求項４に記載の帯電部材。
【請求項６】  前記２種類以上のイソシアネートがイソホロンジイソシアネートとヘキサメチレンジイソシアネートである請求項１〜５のいずれかに記載の帯電部材。
【請求項７】  前記イソホロンジイソシアネートと前記ヘキサメチレンジイソシアネートとのモル比がイソホロンジイソシアネート：ヘキサメチレンジイソシアネート＝２：１〜１：２である請求項６に記載の帯電部材。
【請求項８】  前記イソホロンジイソシアネートと前記ヘキサメチレンジイソシアネートとがイソシアヌレートタイプの３量体である請求項６又は７に記載の帯電部材。
【請求項９】  前記イソホロンジイソシアネートと前記ヘキサメチレンジイソシアネートとがオキシムブロックタイプのイソシアネートである請求項６〜８のいずれかに記載の帯電部材。
【請求項１０】  前記表層の樹脂のガラス転移温度が４５℃以上である請求項１〜９のいずれかに記載の帯電部材。
【請求項１１】  表面が十点平均粗さＲｚ１０μｍ以下である請求項１〜１０のいずれかに記載の帯電部材。
【請求項１２】  帯電部材を画像形成装置に用いた場合の使用状態と同様の応力で、感光体と同じ曲率の円相形金属に当接させて、使用状態と同様の回転速度で円柱形金属を回転させながら直流電圧−２５０Ｖを印加したときの帯電部材の電気抵抗が、３０℃／８０％ＲＨの高温高湿環境中では１×１０6Ω以上であり、１５℃／１０％ＲＨの低温低湿環境中では１×１０8Ω以下である請求項１〜１１のいずれかに記載の帯電部材。
【請求項１３】  帯電部材がローラ形状の帯電ローラである請求項１〜１２のいずれかに記載の帯電部材。
【請求項１４】  像担持体と、
該像担持体を所定の電位に帯電させる、該像担持体に接触して配置されている帯電部材と、
該帯電部材に直流電圧のみを印加する電源と、
該像担持体の帯電面に静電潜像を形成する露光手段と、
該像担持体上に形成された静電潜像にトナーを転移させて可視化しトナー像を形成させる現像手段と、
該トナー像を被転写部材に転写させる転写手段とを備えた画像形成装置において、
該帯電部材が、請求項１〜１３のいずれかに記載の帯電部材であることを特徴とする画像形成装置。
【請求項１５】  前記現像手段が、前記像担持体に対してトナーの薄層を介して接触した状態で静電潜像を現像をする接触現像手段である請求項１４に記載の画像形成装置。
【請求項１６】  被帯電体を帯電手段で帯電させる帯電方法において、該帯電手段が請求項１〜１３のいずれかに記載の帯電部材であり、該帯電部材に直流電圧のみを印加して被帯電体を帯電させることを特徴とする帯電方法。
【請求項１７】  像担持体上に形成された静電潜像をトナーを転移させて可視化してトナー像を形成し、該トナー像を被転写部材に転写することにより画像を形成する画像形成装置から着脱自在に構成されているプロセスカートリッジにおいて、
像担持体と、該像担持体上に形成された静電潜像にトナーを転移させて可視化しトナー像を形成させる現像手段と、前記被転写部材にトナー像が転写された後に該像担持体上に残留したトナーを除去するクリーニング手段とから選ばれる１つ又は２つ以上と、請求項１〜１３のいずれかに記載の帯電部材とが一体に支持されていることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明に従って、像担持体と、
該像担持体を所定の電位に帯電させる、該像担持体に接触して配置されている帯電部材と、
該帯電部材に直流電圧のみを印加する電源と、
該像担持体の帯電面に静電潜像を形成する露光手段と、
該像担持体上に形成された静電潜像にトナーを転移させて可視化しトナー像を形成させる現像手段と、
該トナー像を被転写部材に転写させる転写手段とを備えた画像形成装置において、
該帯電部材が、上記帯電部材であることを特徴とする画像形成装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
更に、本発明に従って、像担持体上に形成された静電潜像をトナーを転移させて可視化してトナー像を形成し、該トナー像を被転写部材に転写することにより画像を形成する画像形成装置から着脱自在に構成されているプロセスカートリッジにおいて、
像担持体と、該像担持体上に形成された静電潜像にトナーを転移させて可視化しトナー像を形成させる現像手段と、前記被転写部材にトナー像が転写された後に該像担持体上に残留したトナーを除去するクリーニング手段とから選ばれる１つ又は２つ以上と、上記帯電部材とが一体に支持されていることを特徴とするプロセスカートリッジが提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月31日(2007.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
【表１】
2003107034.tif 000001
＊は第１発明の範囲外であることを示し、＊＊は第２発明の範囲外であることを示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
【表２】
2003107034.tif 000002
＊は第１発明の範囲外であることを示し、＊＊は第２発明の範囲外であることを示す。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月6日(2006.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項】
半導体素子の信号パッド（241）を介して信号を駆動する可変インピーダンス出力ドライバ（200）であって、
電気的に並列に接続された複数のｐチャネル電界効果トランジスタ（ＰＦＥＴ）（210）であって、該複数のＰＦＥＴ（211〜219）のそれぞれのソースノードが互いに電気的に接続され、前記複数のＰＦＥＴ（211〜219）のそれぞれのドレインノードが互いに電気的に接続される、前記複数のｐチャネル電界効果トランジスタ（ＰＦＥＴ）（210）と、
電気的に並列に接続された複数のｎチャネル電界効果トランジスタ（ＮＦＥＴ）（220）であって、該複数のＮＦＥＴ（221〜229）のそれぞれのソースノードが互いに電気的に接続され、前記複数のＮＦＥＴ（221〜229）のそれぞれのドレインノードが電気的に接続されており、前記複数のＰＦＥＴ（211〜219）のそれぞれのドレインノードが、前記複数のＮＦＥＴ（221〜229）のそれぞれのソースノードに電気的に接続されて、更に信号パッド（241）に電気的に接続されている、前記複数のｎチャネル電界効果トランジスタ（ＮＦＥＴ）（220）とが含まれており、
前記複数のＰＦＥＴ（211〜219）の第１のＰＦＥＴ（211）が、プルアッププリドライバ回路（232）の出力によって駆動されるゲートノードを備えており、前記複数のＮＦＥＴ（221〜229）の第１のＮＦＥＴ（221）が、プルダウンプリドライバ回路（234）の出力によって駆動されるゲートノードを備えており、残りのＰＦＥＴ及びＮＦＥＴが、それぞれ、制御回路（250）によって生成される較正ワードによって制御されるに従って、前記プルアップ及びプルダウンプリドライバ回路（232,234）によって駆動されるゲートノードを備えている、
ドライバ。
【請求項２】
前記複数のＰＦＥＴ（211〜219）のサイズが可変である請求項１のドライバ。
【請求項３】
前記複数のＰＦＥＴ（211〜219）のサイズは、前記第１のＰＦＥＴ（211）を除いて幅寸法が漸進的に小さくなるようになっている請求項２のドライバ。
【請求項４】
前記複数のＰＦＥＴ（211〜219）のサイズは、前記第１のＰＦＥＴ（211）を除いて幅寸法が漸進的に１／２に変化する請求項２のドライバ。
【請求項５】
前記複数のＮＦＥＴ（221〜229）のサイズが可変である請求項１のドライバ。
【請求項６】
前記複数のＮＦＥＴ（221〜229）のサイズは、前記第１のＮＦＥＴ（221）を除いて幅寸法が漸進的に小さくなるようになっている請求項５のドライバ。
【請求項７】
前記複数のＮＦＥＴ（221〜229）のサイズは、前記第１のＮＦＥＴ（221）を除いて幅寸法が漸進的に１／２に変化する請求項６のドライバ。
【請求項８】
前記信号パッドと、前記複数のＰＦＥＴ（211〜219）のドレインノード及び前記複数のＮＦＥＴ（221〜229）のソースノードの共通接続部との間に、電気的に直列に配置された抵抗器（242）を更に含む請求項１のドライバ。
【請求項９】
半導体素子の信号パッド（241）を介して信号を駆動する可変インピーダンス出力ドライバ（200）であって、
前記信号パッド（241）に対する出力信号を低状態から高状態に駆動するように構成されたプルアッププリドライバ回路（232）と、
前記信号パッド（241）に対する出力信号を高状態から低状態に駆動するように構成されたプルダウンプリドライバ回路（234）と、
前記信号パッド（241）と、前記プルアッププリドライバ回路（232）及び前記プルダウンプリドライバ回路（234）の両方との間に挿入された電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）回路網と、
前記ＦＥＴ回路網に入力される複数の出力信号（208a,208b）を有するインピーダンス制御回路（250）とが含まれており、それによって前記インピーダンス制御回路の出力信号（208a,208b）が、前記出力ドライバ（200）の出力インピーダンスを制御可能に変化させる働きをする、
ドライバ。
【請求項１０】
前記ＦＥＴ回路網に、電気的に並列に接続された複数のｐチャネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（210）が含まれており、前記複数のＰＦＥＴ（211〜219）のそれぞれのソースノードが、互いに電気的に接続され、前記複数のＰＦＥＴ（211〜219）のそれぞれのドレインノードが、互いに電気的に接続されている請求項９のドライバ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月11日(2007.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】以下のステップを設け、ＩＥＥＥ１３９４規格バスを使用してイニシエータ装置とターゲット装置との間で画像データを転送する方法。
前記イニシエータ装置がＩＥＥＥ１３９４規格の読み出しを使用してＲＯＭ空間のターゲットコンフィギュレーションを読み出すステップ。
前記イニシエータ装置が非同期ＳＢＰ−２ログイン及びログインＯＲＢを送信し、前記ターゲット装置がログイン応答ＯＲＢで応答して、前記イニシエータ装置と前記ターゲット装置との間で接続を確立し、前記イニシエータ装置とターゲット装置の各々は前記送信と応答の各々を行っている間にデータグラム待ち行列アドレスを送信するステップ。
前記イニシエータ装置がＩＥＥＥ１３９４規格の等時性データ転送プロトコルを使用して画像データを前記データグラム待ち行列アドレスへ送信するステップ。
前記イニシエータ装置とターゲットが非同期ＳＢＰ−２データ転送プロトコルを使用してそれぞれ要求及び応答制御データを前記データグラム待ち行列アドレスに送信してコマンドを交換し、またジョブを終了させるステップ。
非同期ＳＢＰ−２ログアウトプロトコルを使用して前記接続を終了させるステップ。
【請求項２】前記等時性データ転送の動作は以下のステップを含む請求項１の方法。
要求及び応答制御データを前記データグラム待ち行列アドレスに送信して、ページを開始するコマンドを交換するステップ。
ＩＥＥＥ１３９４規格の等時性データ転送プロトコルによりデータのページを転送するステップ。
要求及び応答制御データを前記データグラム待ち行列アドレスへ送信してページを終了させるコマンドを交換するステップ。
前記一連のステップをジョブの終了まで繰り返すステップ。
【請求項３】以下のステップを設け、ＩＥＥＥ１３９４バスを使用してイニシエータ装置とターゲット装置の間で予め選択されたデータを転送する方法。
(a) 前記イニシエータ装置がＩＥＥＥ１３９４規格の読み出しを用いてＲＯＭ空間のターゲットコンフィギュレーションを読み出すステップ。
(b) 前記イニシエータ装置が非同期ＳＢＰ−２ログイン及びログインＯＲＢを送信し、前記ターゲット装置がログイン応答ＯＲＢで応答して、前記イニシエータ装置と前記ターゲット装置との間で接続を確立し、前記イニシエータ装置とターゲット装置の各々は前記送信と応答の各々を行っている間にデータグラム待ち行列アドレスを送信するステップ。
(c) 前記イニシエータ装置と前記ターゲット装置がジョブを開始するプリンタジョブ言語コマンドを交換するステップ。
(d) 前記イニシエータ装置と前記ターゲット装置が要求及び応答制御データを前記データグラム待ち行列アドレスへ送信してページを開始するコマンドを交換するステップ。
(e) 前記イニシエータ装置はＩＥＥＥ１３９４規格の等時性データ転送プロトコルを用いてデータのページを前記データグラム待ち行列アドレスへ転送するステップ。
(f) 前記イニシエータ装置と前記ターゲット装置は各要求及び応答制御データを前記アドレスへ送信してページを終了させるコマンドを交換するステップ。
(g) 前記予め選択されたデータが転送されるまでステップ(d)、(e)及び(f)を繰り返すステップ。
(h) 前記イニシエータ装置とターゲット装置は要求及び応答制御データをデータグラム待ち行列アドレスへ送信してジョブを終了させるコマンドを交換するステップ。
(i) 非同期ＳＢＰ−２ログインプロトコルを用いて前記接続を終了させるステップ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月26日(2007.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  試料中の細菌を検出するための方法であって、
前記細菌に特異的に結合し前記細菌内において増殖するバクテリオファージの内部に、グリーンフルオレセントプロテイン（ＧＦＰ）を発現する遺伝子を導入することにより、改変されたバクテリオファージを得る工程；
前記試料と前記改変されたバクテリオファージとを混合することにより、前記試料中の前記細菌に、前記改変されたバクテリオファージを結合させる工程；
前記細菌内において前記改変されたバクテリオファージが増殖し、かつ前記細菌の内部で前記遺伝子の産物である前記グリーンフルオレセントプロテインが産生される工程；
前記試料の外部から励起光を照射することにより、前記試料中に存在する前記細菌のみを特異的に発光させる工程；および
前記発光を測定することにより、前記試料中の前記細菌を検出する工程、
を包含し、
前記細菌が、サルモネラ菌、シュードモナス及び大腸菌からなる群から選択され、
前記細菌がサルモネラ菌である場合は、前記バクテリオファージがＦＥＬＩＸ０１であり、
前記細菌がシュードモナスである場合は、前記バクテリオファージがφ６またはＰＭ２であり、
前記細菌が大腸菌である場合は、前記バクテリオファージがＴ４、Ｐ２、Ｔ２、Ｔ７、λ、φＸ１７４、およびＭＳ２からなる群から選択される、方法。
【請求項２】  前記細菌がサルモネラ菌であり、前記バクテリオファージがＦＥＬＩＸ０１である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記細菌がシュードモナスであり、前記バクテリオファージがφ６またはＰＭ２である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記細菌が大腸菌であり、前記バクテリオファージがＴ４、Ｐ２、Ｔ２、Ｔ７、λ、φＸ１７４、およびＭＳ２からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明により、試料中の細菌を検出するための方法が提供される。この方法は、以下の工程を包含する：上記細菌に特異的に結合し前記細菌内において増殖するバクテリオファージの内部に、グリーンフルオレセントプロテイン（ＧＦＰ）を発現する遺伝子を導入することにより、改変されたバクテリオファージを得る工程；
前記試料と前記改変されたバクテリオファージとを混合することにより、前記試料中の前記細菌に、前記改変されたバクテリオファージを結合させる工程；
前記細菌内において前記改変されたバクテリオファージが増殖し、かつ前記細菌の内部で上記遺伝子の産物である前記グリーンフルオレセントプロテインが産生される工程；
前記試料の外部から励起光を照射することにより、前記試料中に存在する上記細菌のみを特異的に発光させる工程；および
前記発光を測定することにより、前記試料中の前記細菌を検出する工程である。
ここで、前記細菌が、サルモネラ菌、シュードモナス及び大腸菌からなる群から選択され、前記細菌がサルモネラ菌である場合は、前記バクテリオファージがＦＥＬＩＸ０１であり、前記細菌がシュードモナスである場合は、前記バクテリオファージがφ６またはＰＭ２であり、前記細菌が大腸菌である場合は、前記バクテリオファージがＴ４、Ｐ２、Ｔ２、Ｔ７、λ、φＸ１７４、およびＭＳ２からなる群から選択される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】