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【手続補正書】
【提出日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外皮用殺菌剤である塩化ベンゼトニウムを０．０００１〜１０重量％と、２−メタクリロイルオキシエチル−２'−（トリメチルアンモニオ）エチルホスフエートとブチルメタアクリレートのモル含量比が８：２である重量平均分子量１００００〜７０００００の２−メタクリロイルオキシエチル−２'−（トリメチルアンモニオ）エチルホスフエート：ブチルメタアクリレート共重合体を０．００１〜２０重量％と、更に塩酸ジブカインとマレイン酸クロルフェニラミンをそれぞれ０．０００１〜２０重量％含む、水溶液からなる外皮用殺菌剤配合組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】外皮用殺菌剤配合組成物
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
［１］  外皮用殺菌剤である塩化ベンゼトニウムを０．０００１〜１０重量％と、２−メタクリロイルオキシエチル−２'−（トリメチルアンモニオ）エチルホスフエートとブチルメタアクリレートのモル含量比が８：２である重量平均分子量１００００〜７０００００の２−メタクリロイルオキシエチル−２'−（トリメチルアンモニオ）エチルホスフエート：ブチルメタアクリレート共重合体を０．００１〜２０重量％と、更に塩酸ジブカインとマレイン酸クロルフェニラミンをそれぞれ０．０００１〜２０重量％含む、水溶液からなる外皮用殺菌剤配合組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月6日(2007.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メチルメタクリレートの単独、もしくはメチルメタクリレートと、アルキルアクリレート、メチルメタクリレート以外のアルキルメタクリレート及びスチレンから選ばれる少なくとも１種との混合物を、連続管状反応器を用いて塊状重合によって連続製造するメタクリル系重合体の製造方法であり、
前記連続管状反応器が、初期重合のための循環ライン（Ｉ）と、この循環ライン（Ｉ）から続く、サイドラインを有する非循環重合ライン（ＩＩ）とを有する重合装置であって、
前記循環ライン（Ｉ）における反応温度が１１５〜１４０℃であり、
前記循環ライン（Ｉ）を還流する混合溶液の流量Ｆ１（リットル／時間）と前記非循環重合ライン（ＩＩ）へ流出する混合溶液の流量Ｆ２（リットル／時間）との比である還流比Ｒ＝Ｆ１／Ｆ２が６〜１５の範囲であり、
且つ前記サイドラインから連鎖移動剤を反応溶液中に導入することを特徴とするメタクリル系重合体の製造方法。
【請求項２】
前記連続管状反応器が、前記循環ライン（Ｉ）及び前記非循環ライン（ＩＩ）に、それぞれ静的混合用構造部を内部に有する１個以上の管状反応器を組み込んである請求項１記載のメタクリル系重合体の製造方法。
【請求項３】
前記非循環重合ライン（ＩＩ）での反応温度が１４０〜１６０℃である請求項１又は２記載のメタクリル系重合体の製造方法。
【請求項４】
前記連鎖移動剤がメルカプタン系化合物である請求項１〜３の何れか１項記載のメタクリル系重合体の製造方法。
【請求項５】
前記メルカプタン系化合物がｎ−オクチル−３−メルカプトプロピネートである請求項４記載のメタクリル系重合体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
この様な連続塊状重合ラインを用いてメタクリル系重合体を製造する際、一個以上の管状反応器からなる非循環重合ライン（ＩＩ）に流出せずに、管状反応器からなる循環重合ライン（Ｉ）内を還流する混合溶液の流量をＦ１（リットル／時間）とし、循環重合ライン（Ｉ）から非循環重合ライン（ＩＩ）に流出する混合溶液の流量Ｆ２（リットル／時間）とした場合の、還流比（Ｒ＝Ｆ１／Ｆ２）は６〜１５の範囲が好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
次に、上記連続塊状重合ラインを用いたメタクリル系重合体の重合方法を、図１の工程図により説明する。プランジャーポンプ（１）によって、原料モノマーとラジカル開始剤及び溶剤を静的ミキシングエレメントを有する管状反応器（２），（３）および（４）とギアポンプ（５）とを有する循環重合ライン（Ｉ）に送られる。循環重合ライン（Ｉ）内で、重合液は循環しながら重合が進み、その一部の重合液は、次の非循環重合ライン（ＩＩ）へ送られる。ここで、循環重合ライン（Ｉ）内を循環する重合液の流量と、非循環重合ライン（ＩＩ）へ流出する重合液の流量との比、還流比Ｒは、非循環重合ライン（ＩＩ）に流出せずに循環重合ライン（Ｉ）内を還流する混合溶液の流量をＦ１（リットル／時間）とし、循環重合ライン（Ｉ）から非循環重合ライン（ＩＩ）に流出する混合溶液の流量Ｆ２（リットル／時間）とした場合、通常Ｒ＝Ｆ１／Ｆ２が６〜１５の範囲であることが好ましい。また、該循環重合ライン（Ｉ）での重合は、該循環重合ライン（Ｉ）出口での全モノマーの合計の重合転化率が、通常３０〜７０質量％、好ましくは３５〜６５質量％になる様に重合させる。重合温度としては１１５〜１４０℃が適している。さらに、該循環重合ライン（Ｉ）から非循環重合ライン（ＩＩ）に向かう接続部分の位置にあるサイドライン（６）から連鎖移動剤を導入して重合物の分子量を大きく制御させる。非循環重合ライン（ＩＩ）での重合温度は、通常１４０〜１６０℃の重合温度であり、重合転化率６０〜９０質量％となるまで連続的に重合される。
次に、この混合溶液はギアポンプ（１０）により予熱器、次いで脱揮発槽に送られ、減圧下にて未反応単量体および溶剤などを除去した後、ペレット化することにより目的とする重合体が得られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
上記方法で得られた重合体は、揮発分としてのダイマーが１０００ｐｐｍ以下で、残存モノマーが３０００ｐｐｍ以下、残存メルカプタン量が１００ｐｐｍ以下にすることが好ましい。この条件範囲で制御することにより、熱変形温度の低下や成形不良、成形加工時の加熱による着色などを防止することが可能である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
上記方法で得られた重合体の分子量は、機械的強度を低下させることなく、良好な成形
加工性を得るためには、重量平均分子量が６万〜１４万であることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明の重合体は、成形加工性に優れ、また、工業的にも効率良く生産可能である。か
かる重合体を成形する際、高級脂肪酸エステルや高級アルコールなどの滑剤も添加可能で
あり、必要があれば帯電防止剤、着色剤、熱安定剤、紫外線吸収剤なども添加することも
可能である。
本発明のメタクリル系重合体の用途として、照明機器関連部材や看板、光学材料関連
などあらゆる分野で使用可能である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
（連続塊状重合装置）
本実施例で得られるメタクリル系重合体は、図１に示すように配列された装置により得られる。モノマー及び溶媒などを含む混合溶液を、プランジャーポンプ（１）により循環重合ライン（Ｉ）へ送る。循環重合ライン（Ｉ）は入口から順に内径２．５インチ管状反応器（スイス国ゲブリューター・ズルツァー社製ＳＭＸ型スタティックミキサー・静的ミキシングエレメント３０個内蔵）、（２）、（３）及び（４）と混合溶液を循環させるためのギアポンプ（５）から構成されている。管状反応器（４）とギアポンプ（５）の間には非循環重合ライン（ＩＩ）が連結されており、入口から順に上記と同様の管状反応器（７）、（８）及び（９）とギアポンプ（１０）が直結されている。また循環重合ライン（Ｉ）と非循環重合ライン（ＩＩ）の間にサイドライン（６）が接続されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
【表１】
2005314471.tif 000001
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
表１から、生産性が高く、成形加工性に優れるメタクリル系重合体が効率良くできることが明らかである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月8日(2007.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
以上の各配合成分をモリヤマ製ニーダで混練し、未加硫生地サンプルを得た後、圧縮成形機を用いて、180〜220℃、4〜20分間の条件下で架橋を行い、厚さ2mmのテストシートを成形し、加工性および加硫後表面状態の評価を行った。その後、100〜175℃、0.5〜15時間の二次加硫を実施し、得られた加硫物について耐塩素水性評価および屈曲亀裂発生試験を行った。
加工性：圧縮成形後の金型表面の状態を目視により観察し、問題がないものを○、若干の金型粘着または型汚染がみられるものを△、金型粘着または型汚染がみられるものを×として評価
加硫後表面状態：圧縮成形後のテストシート表面の状態を目視により観察し、問題がないものを○、若干エアが入っているものを△、発砲しているものを×として評価
耐塩素水性：JIS K6258準拠
次亜塩素酸水溶液(関東科学試薬；原液濃度60000ppm)を200ppmに希釈した溶液中に、体積変化率測定用ダンベル形状に打ち抜いたテストピースを浸し、70℃、70時間浸せきした後、硬さ変化、体積変化率(％)および表面外観を以下の基準により評価
硬さ変化(IRHD)：±5以内のものを◎、±5〜10のものを○、±10〜15のものを△、これら以外のものを×とした
体積変化率：±10(％)以内のものを◎、±10〜15(％)のものを○、±15〜25(％)のものを△、これら以外のものを×とした
表面外観：成形品を目視により観察し、問題がないものを○、若干のべたつきおよび表面の荒れがみられるものを△、べたつきおよび表面の荒れがみられるものを×とした
屈曲亀裂発生試験：ASTM D-1434準拠(25℃、5Hz)
60万回以上の屈曲においても亀裂が発生せず、アキュムレーターブラダ材として問題がないものを○、10〜60万回の屈曲において亀裂が発生するものを△、10万回以下で亀裂が発生してしまいアキュムレーターブラダ材として問題があるものを×、デマッチャテストピース成形不可のものを−として評価
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月8日(2007.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
極細繊維の立毛を有するシートにおいて、該立毛中に電気比抵抗が１０５〜１０９Ω・ｃｍである５デシテックス以下の有機導電性繊維の立毛を存在させ、かつ立毛を構成する極細繊維中にカーボンブラックが０．５〜１０質量％添加されていることを特徴とする制電性立毛シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題を達成すべく本発明者等は鋭意研究を重ねた結果、本発明に至った。すなわち、本発明は、極細繊維の立毛を有するシートにおいて、該立毛中に電気比抵抗が１０５〜１０９Ω・ｃｍである５デシテックス以下の有機導電性繊維の立毛を存在させ、かつ立毛を構成する極細繊維中にカーボンブラックが０．５〜１０質量％添加されていることを特徴とする制電性立毛シートである。そして、該制電性立毛シートを少なくとも指先部に使用した手袋である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月8日(2007.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
上記支持体から剥離されたゲルフィルムは、通常回転ロールにより走行速度を規制しながら走行方向に延伸される。機械搬送方向への延伸倍率（ＭＤＸ）は、１４０℃以下の温度で１．０１〜１．９倍、好ましくは１．０５〜１．６倍、さらに好ましくは１．０５〜１．４倍で実施される。搬送方向に延伸されたゲルフィルムは、テンター装置に導入され、テンタークリップに幅方向両端部を把持されて、テンタークリップと共に走行しながら、幅方法へ延伸される。この時フィルムの機械搬送方向（ＭＤ）の延伸倍率に比べ幅方向（ＴＤ）の延伸倍率を高く設定すること、具体的には幅方向の延伸倍率を機械搬送方向の延伸倍率の１．１〜１．５倍に設定することによってフィルムＴＤに配向勝ったフィルムすなわちフィルムＭＤには金属に近似した熱膨張係数を保持しつつ、フィルムＴＤの熱膨張係数を低く抑えたフィルムを得ることができる。これら範囲内にて両者の延伸倍率の調整を行い、フィルムのＴＤの熱膨張係数αＴＤが３〜１０ｐｐｍ／℃、フィルムのＭＤの熱膨張係数αＭＤが１０〜２０ｐｐｍ／℃の範囲にするのが好ましく、αＴＤが３〜７ｐｐｍ／℃、αＭＤが１４〜１８ｐｐｍ／℃の範囲がより好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月24日(2007.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
実施例１〜２
融着法によって製造した下記の表１及び図６〜図７に示したネットを平行平板セル（Ｃ１０−Ｔ；流路幅３５mm、流路長１３５mm）にセットし、純水を流した時の流量と圧力損失を測定した。その結果を図１０に示した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
比較例１〜２
融着法によって製造した下記の表１及び図８〜図９に示したネットを平行平板セル（Ｃ１０−Ｔ；流路幅３５mm、流路長１３５mm）にセットし、純水を流した時の流量と圧力損失を測定した。その際、表１に示すように、比較例１としては比（Ｘ／Ｙ）が１より小さいものを使用し、比較例２としてはネット構成糸の太さがほぼ一定のため空間の面積率が小さいものを使用した。その結果を図１０に示した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図１０の結果が示すように、実施例１〜２のネットでは、厚み、糸間隔、交点角度は同じであるが、Ｘ／Ｙが１．１以上で、交点部分の空隙率が３５％以上であるため、流路材の圧力損失は２０％以上低くなった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
試験例１
実施例１、比較例２に示したネットを用いて、膜面積３３．９m２のスパイラルエレメントを製作し、圧力容器に装填した状態で純水を流したときの流量と圧損を測定した。その結果を図１１に示した。Ｃ１０−Ｔで確認された圧損の低下は実際のエレメントでも確認できた。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月18日(2007.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体に対して超音波の送受信を行う振動子を有し、受信信号に基づき超音波画像を得る
超音波診断装置において、
生体内にて反射し第１の振動子に達した反射波が第１の振動子表面で反射して再度生体に送信される再送信波を打ち消す打消し送信波を、第２の振動子より送出する、
超音波診断装置。
【請求項２】
生体に対して超音波の送受信を行う振動子を備えた探触子を有し、受信信号に基づき超音波画像を得る超音波診断装置であって、
生体内にて反射し第１の振動子に達した反射波の受信信号に基づき、前記反射波が探触子表面で反射して再度生体に送信される再送信波を打ち消すための打消し波形信号を作成する打消し波形作成回路と、
前記打消し波形信号に従って、打消し送信波を送出する第２の振動子と、
を有する、超音波診断装置。
【請求項３】
請求項２に記載の超音波診断装置において、打消し波形作成回路は、第１の振動子に達した反射波の受信信号を反転させた信号に基づき打消し波形信号を作成する、超音波診断装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月8日(2007.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
以下、この発明に係る折畳み式物干器の一実施形態について、図面を参照して具体的に説明する。図１は同折畳み式物干器（Ａ）の全体斜視図、図２は要部の拡大斜視図、図３は折畳み状態の正面図、図４は同側面図を示すものである。なお。以下の説明においては、発明の理解を容易にするために、原則として、図３の折畳み状態における縦方向を前後方向、横方向を左右方向と呼ぶものとする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
このように一対の枠体（１１）（１１）が略々重なり合うため、嵩張らずコンパクトな状態に折り畳むことができ、効率良く収納することができる上、更に良好な外嵌体裁を得ることができる。
また本体枠（１０）が折り畳まれた状態において、ピンチ吊持部材（５０）やピンチ（４０）が整列されて絡み付きが防止されるため、本体枠（１０）を開く際に、一対の枠体（１１）（１１）間において、ピンチ吊持部材（５０）やピンチ（４０）がスムーズに離別し、本体枠（１０）の開き操作を不具合なく容易に行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月2日(2007.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電歪高分子に電極を配し、前記電極間に電圧が印加されると、前記電歪高分子が伸縮駆動される第１及び第２のアクチュエータと、
前記第１及び第２のアクチュエータ間に介在される固定部材と、
前記固定部材に支持され、前記第１及び第２のアクチュエータの伸縮駆動に連動して超音波振動して治療部位を処置する処置部と、
前記第１及び第２のアクチュエータの電極間に電圧を印加して一方を収縮駆動して他方を伸展駆動し、前記処置部を前記固定部材を介して超音波振動させる電源手段と、
を具備することを特徴とする超音波治療装置。
【請求項２】
超音波振動により治療部位を処置する超音波治療装置において、
電歪高分子と２つ以上の電極を有し、前記電極間に電圧が印加されると、前記電歪高分子が伸縮駆動される第１及び第２の電歪高分子アクチュエータと、
前記第１及び第２の電歪高分子アクチュエータ間に介在される固定部材と、
前記固定部材に支持され、前記第１及び第２の電歪高分子アクチュエータの伸縮駆動に連動して超音波振動して治療部位を処置するブレードと、
前記第１及び第２の電歪高分子アクチュエータの各電極間に交流電圧を印加して一方を収縮駆動し、他方を伸展駆動して前記ブレードを前記固定部材を介して超音波振動させる電源と、
を具備することを特徴とする超音波治療装置。
【請求項３】
前記電源は、前記第１及び第２の電歪高分子アクチュエータの電極間に対して１８０°の位相差を有する電圧を同期して印加することを特徴とする請求項２記載の超音波治療装置。
【請求項４】
内視鏡観察下で超音波振動により治療部位を処置する超音波治療装置において、
電歪高分子と２つ以上の電極を有し、前記電極間に電圧が印加されると、前記電歪高分子が伸縮駆動される第１及び第２の電歪高分子アクチュエータと、
前記第１及び第２の電歪高分子アクチュエータ間に介在される固定部材と、
前記固定部材に支持され、前記第１及び第２の電歪高分子アクチュエータの伸縮駆動に連動して超音波振動して治療部位を処置するブレードと、
前記第１及び第２の電歪高分子アクチュエータの電極間に交流電圧を印加して一方を収縮駆動し、他方を伸展駆動して前記ブレードを前記固定部材を介して超音波振動させる電源と、
前記第１及び第２の電歪高分子アクチュエータを支持する可撓性を有したシースと、
前記シースの基端部に配され、前記電源を制御して第１及び第２の電歪高分子アクチュエータを動作制御する操作部と、
を具備することを特徴とする超音波治療装置。
【請求項５】
内視鏡観察下で超音波振動により治療部位を処置する超音波治療装置において、
電歪高分子と２つ以上の電極を有し、前記電極間に電圧が印加されると、前記電歪高分子が伸縮駆動される第１及び第２の電歪高分子アクチュエータと、
前記第１及び第２の電歪高分子アクチュエータ間に介在される固定部材と、
前記固定部材に支持され、前記第１及び第２の電歪高分子アクチュエータの伸縮駆動に連動して超音波振動して治療部位を処置するブレードと、
前記第１及び第２の電歪高分子アクチュエータの電極間に交流電圧を印加して一方を収縮駆動し、他方を伸展駆動して前記ブレードを前記固定部材を介して超音波振動させる電源と、
前記第１及び第２の電歪高分子アクチュエータを支持する可撓性を有したシースと、
前記シースの基端部に配され、前記電源を制御して第１及び第２の電歪高分子アクチュエータを動作制御する操作部と、
前記シース内部を通り前記ブレードの内径部に連通されるチューブと、
前記チューブの基端に接続されたポンプと、
を具備することを特徴とする超音波治療装置。
【請求項６】
内視鏡観察下で超音波振動により治療部位を処置する超音波治療装置において、
電歪高分子と２つ以上の電極を有し、前記電極間に電圧が印加されると、前記電歪高分子が伸縮駆動される第１及び第２の電歪高分子アクチュエータと、
前記第１及び第２の電歪高分子アクチュエータが直線上に並設されて内挿され、該第１及び第２の電歪高分子アクチュエータの伸縮に連動して超音波振動して治療部位を処置するブレードと、
前記第１及び第２の電歪高分子アクチュエータの電極間に交流電圧を印加して一方を収縮駆動し、他方を伸展駆動して前記ブレードを超音波振動させる電源と、
前記第１及び第２の電歪高分子アクチュエータを支持する可撓性を有したシースと、
前記シースの基端部に配され、前記電源を制御して第１及び第２の電歪高分子アクチュエータを動作制御する操作部と、
前記第１及び第２の電歪高分子アクチュエータを伸縮駆動自在に支持するもので、前記ブレードに対して選択的に係合される鉗子片を開閉自在に支持する先端カバー部材と、
前記鉗子片を開閉操作して選択的に前記ブレードに係合させる操作ワイヤと、
を具備することを特徴とする超音波治療装置。
【請求項７】
前記ブレードは、筒状の内周部に挿通孔を有する隔壁が設けられ、この隔壁を挟んで前記第１及び第２の電歪高分子アクチュエータを対向配置し、前記先端カバー部材に設けた連結部を第１及び第２の電歪高分子アクチュエータ、前記隔壁の挿通孔に挿通させて前記第１及び第２の電歪高分子アクチュエータを前記先端カバー部材に組付けたことを特徴とする請求項６記載の超音波治療装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月3日(2007.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電歪高分子に電極を配し、前記電極間に電圧が印加されると、前記電歪高分子が伸縮駆動されるアクチュエータと、
前記アクチュエータの電歪高分子の伸縮駆動に連動して超音波振動し、治療部位を処置する処置部と、
前記アクチュエータの電極に電圧を供給して前記電歪高分子を伸縮駆動する電源手段と、
を具備することを特徴とする超音波治療装置。
【請求項２】
超音波振動により治療部位を処置する超音波治療装置において、
電歪高分子と２つ以上の電極を有し、前記電極間に電圧が印加されると、前記電歪高分子が伸縮駆動される電歪高分子アクチュエータと、
前記電歪高分子アクチュエータに接合され、前記電歪高分子アクチュエータの伸縮駆動に連動して超音波振動し、前記治療部位を処置するブレードと、
電歪高分子アクチュエータの電極間に交流電圧を供給する電源と、
を具備することを特徴とする超音波治療装置。
【請求項３】
内視鏡観察下で超音波振動により治療部位を処置する超音波治療装置において、
電歪高分子と２つ以上の電極を有し、前記電極間に電圧が印加されると、前記電歪高分子が伸縮駆動される電歪高分子アクチュエータと、
前記電歪高分子アクチュエータに接合され、前記電歪高分子アクチュエータの伸縮駆動に連動して超音波振動し、前記治療部位を処置するブレードと、
電歪高分子アクチュエータの電極間に交流電圧を供給する電源と、
前記電歪高分子アクチュエータを支持する可撓性を有したシースと、
前記シースの基端部に配され、前記電源を制御して電歪高分子アクチュエータを動作制御する操作部と、
を具備することを特徴とする超音波治療装置。
【請求項４】
内視鏡観察下で超音波振動により治療部位を処置する超音波治療装置において、
電歪高分子と２つ以上の電極を有し、前記電極間に電圧が印加されると、前記電歪高分子が伸縮駆動される電歪高分子アクチュエータと、
前記電歪高分子アクチュエータに接合され、前記電歪高分子アクチュエータの伸縮駆動に連動して超音波振動し、前記治療部位を処置する中空状のブレードと、
電歪高分子アクチュエータの電極間に交流電圧を供給する電源と、
前記電歪高分子アクチュエータを支持する可撓性を有したシースと、
前記シースの基端部に配され、前記電源を制御して電歪高分子アクチュエータを動作制御する操作部と、
前記シース内部を通り前記ブレードの内径部に連通されるチューブと、
前記チューブの基端に接続されたポンプと、
を具備することを特徴とする超音波治療装置。
【請求項５】
前記電歪高分子アクチュエータから前記電源への配線は、前記シース内側かつ前記チューブ外側に配したことを特徴とする請求項３又は４記載の超音波治療装置。
【請求項６】
内視鏡観察下で超音波振動により治療部位を処置する超音波治療装置において、
電歪高分子と２つ以上の電極を有し、前記電極間に電圧が印加されると、前記電歪高分子が伸縮駆動される電歪高分子アクチュエータと、
前記電歪高分子アクチュエータに接合され、前記電歪高分子アクチュエータの伸縮駆動に連動して超音波振動し、前記治療部位を処置するブレードと、
電歪高分子アクチュエータの電極間に交流電圧を供給する電源と、
前記電歪高分子アクチュエータを支持する可撓性を有したシースと、
前記シースの基端部に配され、前記電源を制御して電歪高分子アクチュエータを動作制御する操作部と、
前記電歪高分子アクチュエータに接続され、前記ブレードに対して選択的に係合される鉗子片を開閉自在に支持する先端カバー部材と、
前記鉗子片を開閉操作して選択的に前記ブレードに係合させる操作ワイヤと、
を具備することを特徴とする超音波治療装置。
【請求項７】
前記ブレードを有底筒状に形成し、且つ前記電歪高分子アクチュエータの電歪高分子を内周面及び外周面に電極を形成したチューブ状に形成し、前記ブレード内に前記電歪高分子アクチュエータの電歪高分子を内挿して、その端部を前記ブレードに固定配置したことを特徴とする請求項６記載の超音波治療装置。
【請求項８】
前記電歪高分子アクチュエータはチューブ状の電歪高分子の内周面と外周面に電極を配置し、外周面の電極は前記電歪高分子内側に引き出し、該電歪高分子内部から前記先端カバー部材内部と前記シース内部を通して前記電源まで配線したことを特徴とする請求項６又は７記載の超音波治療装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月19日(2007.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
把手を備えた鞄において、前記把手（３０）は、鞄の長手方向に対して概略垂直方向に配置されるとともに、Ｔ字乃至Ｙ字をなすよう鞄本体の一方の側面に対してふたつの端を、他方の側面に対してひとつの端（３２）を有し、少なくとも、このひとつの端（３２）の部分が鞄本体に対して着脱可能に構成されたことを特徴とする鞄。
【請求項２】
把手を備えた鞄において、前記把手（７０，１５０）は、鞄の長手方向に対し少なくとも概略垂直方向と概略水平方向の二方向において安定する機構（７２，１５２）によって鞄本体に固定され、これにより、握られる際の向きを前記の二方向から選択可能に構成されたことを特徴とする鞄。
【請求項３】
請求項２に記載の鞄において、前記機構（７２，１５２）は前記把手と鞄本体を緊着せしめる方向に付勢されており、ユーザがこの付勢力に抗して前記把手を引いたとき、前記二方向の間で回動可能に支持されていることを特徴とする鞄。
【請求項４】
把手を備えた鞄において、前記把手（１６６，２１０，２１２）は第１連接材（１６４，２１４）および第２連接材（１６８，２１６）によって鞄の長手方向と概略水平に取り付けられるとともに、前記把手と前記第１連接材と前記第２連接材と鞄本体とはそれぞれ支点機構で連接され、利用者が前記把手を持って歩行したとき、歩行に応じて前記鞄本体が前後方向に可動とされたことを特徴とする鞄。
【請求項５】
把手（４００）を備えた鞄において、鞄本体の両側面にそれぞれ固定された複数の取付部材（４１０，４１２，４１４，４１６，４１８，４２０，４２２，４２４）を備え、前記把手（４００）は、鞄本体の一側面と他側面とを渡すように鞄本体に取り付けられ、その際、各側面において選択的に前記複数の取付部材（４１０，４１２，４１４，４１６，４１８，４２０，４２２，４２４）のうちの一部に着脱可能に取り付けられることを特徴とする鞄。
【請求項６】
請求項５に記載の鞄において、前記把手（４００）を鞄本体に取り付けたとき、前記把手が鞄の長手方向に対して概略垂直方向に配置されるよう、前記取付部材（４１０，４１２，４１４，４１６，４１８，４２０，４２２，４２４）のうちの一部が鞄本体の側面に固定される位置が定められることを特徴とする鞄。
【請求項７】
請求項５に記載の鞄において、前記把手（４００）を鞄本体に取り付けたとき、前記把手が鞄の長手方向に対して概略４５度の角度をもって配置されるよう、前記取付部材（４１０，４１２，４１４，４１６，４１８，４２０，４２２，４２４）のうちの一部が鞄本体の側面に固定される位置が定められることを特徴とする鞄。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の鞄において、ユーザが前記把手を握ったとき、手のひらの略中央部分に当たる個所に小さな突起（２８）を形成したことを特徴とする鞄。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月10日(2007.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生活排水や産業排水を排水処理設備で処理した際に発生する余剰汚泥（Ｓ）を連続的に処理する設備であって、少なくとも、余剰汚泥を一時的に貯留し，内部に，散気装置（１１）およびタイマー（１３）で作動する送入ポンプ（１２）を備える汚泥貯留槽（１０）と、前記汚泥貯留槽の余剰汚泥が，前記送入ポンプによって自動的に供給され，内部である消化分解槽（２１）に，濾過膜群（２２）と上昇気泡の一部が該濾過膜群に接触する超微細気泡装置（２３）を備えた消化分解装置（２０）と、前記消化分解装置の消化分解槽にオゾンを，ブロワー（３２）から供給される空気と共に供給するオゾン発生機（３０）と、前記濾過膜群を通過した処理水（Ｗ）を，内部に設けた殺菌処理装置（４１）を通して一時的に貯留した後，放流する処理水貯留槽（４０）と、前記消化分解槽で溶解しなかった排オゾンを，規定濃度以下に処理して放出する排オゾン除去装置（５０）と、を備えてなる余剰汚泥減量化設備。
【請求項２】
生活排水や産業排水を排水処理設備で処理した際に発生する余剰汚泥（Ｓ）を連続的に処理する設備であって、少なくとも、余剰汚泥を一時的に貯留し，内部に，散気装置（１１）およびタイマー（１３）で作動する送入ポンプ（１２）を備える汚泥貯留槽（１０）と、前記汚泥貯留槽の余剰汚泥が，前記送入ポンプによって自動的に供給され，内部である消化分解槽（２１）に，濾過膜群（２２）と上昇気泡の一部が該濾過膜群に接触する超微細気泡装置（２３）を備えた消化分解装置（２０）と、前記消化分解装置の消化分解槽にオゾンを，ブロワー（３２）から供給される空気と共に供給するオゾン発生機（３０）と、前記濾過膜群を通過した処理水（Ｗ）を，内部に設けた殺菌処理装置（４１）を通して一時的に貯留した後，放流する処理水貯留槽（４０）と、前記消化分解槽で溶解しなかった排オゾンを，規定濃度以下に処理して放出する排オゾン除去装置（５０）と、前記濾過膜群閉塞時に、該濾過膜群に強力洗浄用次亜塩素を供給する膜洗浄管（６０）と、を備えてなる余剰汚泥減量化設備。
【請求項３】
濾過膜群（２２）を、ゼノン膜，浸漬型平膜、エレメント型セラミック膜、および浸漬型セラミック膜中の少なくともいずれか１つを含む膜で構成してなる請求項１または２に記載の余剰汚泥減量化設備
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月27日(2006.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
光検出器１７により、反射光は電気信号に変換される。当該検出信号は、誤差検出回路２１に供給され、フォーカスエラー信号（ＦＥ）、トラッキングエラー信号（ＴＥ）、チルトエラー信号（ＣＥ）等の誤差信号が生成される。これら誤差信号（ＦＥ、ＴＥ、ＣＥ等）はサーボ制御部２３に供給され、位相補償等がなされる。サーボ制御部２３からの制御信号とコントローラ３１から供給される外乱信号等とが加算器２４を経てアクチュエータドライバ２５に供給される。アクチュエータドライバ２５は、光ピックアップ１２に設けられたアクチュエータ（図示しない）に駆動信号を送出し、光ピックアップ１２を駆動する。すなわち、サーボ制御部２３は、上記誤差信号によりアクチュエータを作動せしめ、対物レンズ１４及び光ピックアップ１２を駆動することによって、フォーカシング、トラッキング及びチルト制御等のサーボループが形成され、サーボ制御が実行される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月4日(2007.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】  前記電気／光変換部は、互いに光波長の異なる複数の光信号であって前記信号分解部から出力される前記複数の部分信号にそれぞれ相当する複数の光信号を生成し、
前記光伝送路は、
前記光送信装置から前記複数の光信号を受け取り、前記複数の光信号を多重化することにより波長分割多重信号を生成する光合波器と、
前記波長分割多重信号を伝送する光ファイバと、
前記光ファイバで伝送された前記波長分割多重信号を受け取り、前記波長分割多重信号を互いに光波長の異なる複数の光信号に分離して前記光受信装置に出力する光分波器と、
を含むことを特徴とする、請求項１に記載の光伝送システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第８の発明は、第１の発明において、
前記電気／光変換部は、互いに光波長の異なる複数の光信号であって前記信号分解部から出力される前記複数の部分信号にそれぞれ相当する複数の光信号を生成し、
前記光伝送路は、
前記光送信装置から前記複数の光信号を受け取り、前記複数の光信号を多重化することにより波長分割多重信号を生成する光合波器と、
前記波長分割多重信号を伝送する光ファイバと、
前記光ファイバで伝送された前記波長分割多重信号を受け取り、前記波長分割多重信号を互いに光波長の異なる複数の光信号に分離して前記光受信装置に出力する光分波器と、
を含むことを特徴とする。
上記第８の発明によれば、入力信号を構成する複数の部分信号に相当する複数の光信号が多重化されるので、１本の光ファイバーで光送信装置から光受信装置へと入力信号を伝送することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
光送信装置１０１への入力信号Ｓａは、第１の信号分解器１１１において、第１の電気／光変換器１２１に含まれる半導体レーザでクリッピングが生じないように振幅の制限された電気信号である第１の制限部分信号Ｓb1と、入力信号Ｓａとその制限部分信号Ｓb1との差である第１の余剰部分信号Ｓc1とに、分解される。すなわち、図９に示す入力信号Ｓａは、図１０に示す第１の制限部分信号Ｓb1と、図１１に示す第１の余剰部分信号Ｓc1とに分解される。第１の余剰部分信号Ｓc1は、第２の信号分解器１１２に入力され、そこで、図１２に示す第２の制限信号Ｓ2bと図１３に示す第２の余剰部分信号Ｓ2cとに分解される。このようにして入力信号Ｓａに対する信号分解がＮ回行われ、Ｎ＋１個の部分信号Ｓb1〜ＳbN，ＳcNが生成される。これらのうち第１の制限部分信号Ｓb1〜第Ｎの制限部分信号ＳbNの振幅は、各電気／光変換器１２１〜１２Ｎ内の半導体レーザによってクリッピングが生じないような振幅となっており、また、信号分解器の段数Ｎを適切に設定することにより、第Ｎの余剰部分信号ＳcNの振幅も電気／光変換器１２Ｎ+1内の半導体レーザによってクリッピングが生じないような振幅となる（以下では、信号分解器の段数Ｎがこのような適切な値に設定されているものとする）。このようにして、入力信号Ｓａは、各電気／光変換器１２１〜１２Ｎ+1内の半導体レーザによってクリッピングが生じないようなＮ＋１個の部分信号Ｓb1〜ＳbN，ＳcNに分解され、これらの部分信号Ｓb1〜ＳbN，ＳcNは、電気／光変換器１２１〜１２Ｎ+1における半導体レーザでそれぞれ直接強度変調されることにより、光信号Ｓp1〜ＳpN+1にそれぞれ変換される。これらの光信号Ｓp1〜ＳpN+1は、それぞれ、光伝送路１３１を構成するＮ＋１本の光ファイバ５３１および５３Ｎ+1によって光受信装置１０２へと伝送される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図１６は、本実施形態における光受信装置の構成を示すブロック図である。この光受信装置は、第２の実施形態と同様にＮ＋１個の光／電気変換器１４１〜１４Ｎ+1を備える他、Ｎ＋１個の同期搬送波再生回路３５１〜３５Ｎ+1と位相比較回路３６１とＮ＋１個の遅延回路３７１〜３７Ｎ+1とからなる位相調整手段、および、合波器３８１を備えている。光伝送路１３１によって伝送されたＮ＋１個の光信号Ｓｐp1〜ＳｐpN+1は光受信装置で受信されると、まず、光／電気変換器１４１〜１４Ｎ+1にそれぞれ入力され、そこで、電気信号Ｓｐe1〜ＳｐeN+1にそれぞれ変換される。同期搬送波再生回路３５１〜３５Ｎ+1は、電気信号Ｓｐe1〜ＳｐeN+1からそれらに含まれるパイロット信号Ｓｐl1〜ＳｐlN+1をそれぞれ再生する。位相比較回路３６１は、これらのパイロット信号Ｓｐl1〜ＳｐlN+1のそれぞれの間の位相関係を求め、その位相関係に基づく制御信号Ｓcon1〜ＳconN+1を生成する。ここで、制御信号Ｓconjは、上記のパイロット信号Ｓｐl1〜ＳｐlN+1を互いに同相とするために上記のパイロット信号Ｓｐl1〜ＳｐlN+1のそれぞれをどの程度遅延させるべきかを示す信号であり、遅延回路３７ｊに入力される（ｊ＝１，２，…，Ｎ＋１）。遅延回路３７１〜３７Ｎ+1は、それぞれに入力される制御信号Ｓcon1〜ＳconN+1に基づき、電気信号Ｓｐe1〜ＳｐeN+1をそれぞれ遅延させる。これによりパイロット信号Ｓｐl1〜ＳｐlN+1の位相が揃えられるので、電気信号Ｓｐe1〜ＳｐeN+1の位相も揃うことになる。このようにして遅延回路３７１〜３７Ｎ+1から互いに同相の電気信号Ｓｄe1〜ＳｄeN+1が出力され、これらは、信号加算手段としての合波器３８１に入力される。合波器３８１は、これらの電気信号Ｓｄe1〜ＳｄeN+1を足し合わせることにより、本実施形態の光伝送システムへの入力信号Ｓａを復元する。このようにして復元された入力信号は、受信信号Ｓｒとして光受信装置２から出力される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月3日(2007.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
可変波長光変調部１００３は、その出力光波長を変更することができる可変波長光源によって構成され、アドレス抽出部１０１０によって抽出され、あるいは入力されたアドレス情報に対応して一意に定められた所定の光波長になるように出力光波長を設定し、かつ前述のデータ情報を含む信号に基づく光変調を施した後、主光伝送路１００４へ送出する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月2日(2007.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
更に、リセットスイッチ104 が開く瞬間に、リセットスイッチ104 の制御端子114 と信号入力端子101 との間に存在する寄生容量成分に存在する電荷と、リセットスイッチ104 のチャネルを形成する電荷とが、リセット動作に伴い信号入力端子101 に押し出されることになる。これはフィードスルー現象と称されるもので、この現象により、等価的にオフセット電荷が発生するため、信号入力端子101 のリセット時の初期電位が、比較回路としての釣り合い点（ＶＲＥＦ）からずれてしまうという問題がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
次に、本実施の形態の特徴について説明する。図７に示した従来の比較回路では、蓄積容量Ｃ10に対してリセット雑音が発生するため、（１）式で示した（ｋＴ／Ｃ10）1/2 なるリセット雑音電圧が信号入力端子のリセット時に発生するが、本実施の形態では、時刻ｔ2 で発生したノイズ電圧を帰還回路を利用して補正し、その後に帰還系を開けることにより、（４）式に示す値までリセット時のノイズ揺らぎを抑圧することが可能になる。したがって、抑圧比は、（４）式／（２）式から、次式（５）により表現される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月5日(2007.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
第２の実施形態と同様にしてＭＯＣＶＤ法により製造した多層構造を有するウェーハについて、第２の実施形態と同様の方法で表面にＣｏ薄膜を形成し、酸素を含む窒素ガス雰囲気中で１０分間の熱処理を施すことでＡｌＧａＮ層中のＭｇを活性化するとともに、Ｃｏ薄膜を除去し、ＡｌＧａＮからなるｐ型層を製造した。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月27日(2007.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  主面を有する第１導電型の半導体基体と、
前記半導体基体に形成された第２導電型の第１半導体領域と、
前記半導体基体に、前記第１半導体領域から離間して形成された第２導電型の第２半導体領域と、
前記第１半導体領域に形成された第１導電型の第３半導体領域と、
前記半導体基体の主面上に形成された、前記第１、第３半導体領域それぞれに電気的に接続される第１主電極と、
前記半導体基体の主面上に形成された、前記第２半導体領域に電気的に接続される第２主電極と、
前記半導体基体の主面上に形成された絶縁膜と、
少なくとも前記半導体基体の主面上、および前記半導体基体と前記第３半導体領域との間の前記第１半導体領域上に、前記絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の端部領域下の前記第１、第２半導体領域間の前記半導体基体に形成された、第２導電型の第４半導体領域と
を具備し、
前記半導体基体をベース、前記第２半導体領域をコレクタ、および前記第３半導体領域をエミッタとして有する横型絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを含むことを特徴とする横型半導体装置。
【請求項２】  主面を有する第１導電型の半導体基体と、
前記半導体基体に形成された第２導電型の第１半導体領域と、
前記半導体基体に、前記第１半導体領域から離間して形成された第１導電型の第２半導体領域と、
前記第１半導体領域に形成された第１導電型の第３半導体領域と、
前記半導体基体の主面上に形成された、前記第１、第３半導体領域それぞれに電気的に接続される第１主電極と、
前記半導体基体の主面上に形成された、前記第２半導体領域に電気的に接続される第２主電極と、
前記半導体基体の主面上に形成された絶縁膜と、
少なくとも前記半導体基体の主面上、および前記半導体基体と前記第３半導体領域との間の前記第１半導体領域上に、前記絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の端部領域下の前記第１、第２半導体領域間の前記半導体基体に形成された、第２導電型の第４半導体領域と
を具備し、
前記半導体基体と前記第２半導体領域とをドレイン、前記第１半導体領域をバックゲート、および前記第３半導体領域をソースとして有する横型ＭＯＳＦＥＴを含むことを特徴とする横型半導体装置。
【請求項３】  前記絶縁膜は、ゲート絶縁膜部分と、このゲート絶縁膜部分よりも厚いフィールド絶縁膜部分とを有し、
前記ゲート電極の端部領域は、前記ゲート絶縁膜部分上に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の横型半導体装置。
【請求項４】  前記絶縁膜は、ゲート絶縁膜部分と、このゲート絶縁膜部分よりも厚いフィールド絶縁膜部分とを有し、
前記ゲート電極の端部領域は、前記フィールド絶縁膜部分上に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の横型半導体装置。
【請求項５】  前記半導体基体は、誘電体分離基板に形成された島領域であることを特徴とする請求項１乃至請求項４いずれか一項に記載の横型半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本願発明の一態様によれば、主面を有する第１導電型の半導体基体と、前記半導体基体に形成された第２導電型の第１半導体領域と、前記半導体基体に、前記第１半導体領域から離間して形成された第２導電型の第２半導体領域と、前記第１半導体領域に形成された第１導電型の第３半導体領域と、前記半導体基体の主面上に形成された、前記第１、第３半導体領域それぞれに電気的に接続される第１主電極と、前記半導体基体の主面上に形成された、前記第２半導体領域に電気的に接続される第２主電極と、前記半導体基体の主面上に形成された絶縁膜と、少なくとも前記半導体基体の主面上、および前記半導体基体と前記第３半導体領域との間の前記第１半導体領域上に、前記絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の端部領域下の前記第１、第２半導体領域間の前記半導体基体に形成された、第２導電型の第４半導体領域とを具備し、前記半導体基体をベース、前記第２半導体領域をコレクタ、および前記第３半導体領域をエミッタとして有する横型絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを含むことを特徴とする横型半導体装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本願発明の一態様によれば、主面を有する第１導電型の半導体基体と、前記半導体基体に形成された第２導電型の第１半導体領域と、前記半導体基体に、前記第１半導体領域から離間して形成された第１導電型の第２半導体領域と、前記第１半導体領域に形成された第１導電型の第３半導体領域と、前記半導体基体の主面上に形成された、前記第１、第３半導体領域それぞれに電気的に接続される第１主電極と、前記半導体基体の主面上に形成された、前記第２半導体領域に電気的に接続される第２主電極と、前記半導体基体の主面上に形成された絶縁膜と、少なくとも前記半導体基体の主面上、および前記半導体基体と前記第３半導体領域との間の前記第１半導体領域上に、前記絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の端部領域下の前記第１、第２半導体領域間の前記半導体基体に形成された、第２導電型の第４半導体領域とを具備し、前記半導体基体と前記第２半導体領域とをドレイン、前記第１半導体領域をバックゲート、および前記第３半導体領域をソースとして有する横型ＭＯＳＦＥＴを含むことを特徴とする横型半導体装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月7日(2007.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
表および図から明らかなようにガイジチャエキス及びオンジエキスはシュークロース負荷による血糖値の上昇を有意に抑制する作用を示し、ガイジチャ及びオンジがα−グルコシダーゼ阻害作用に基づき食後高血糖を改善し、糖尿病・肥満に対して予防あるいは改善作用を有することが明らかになった。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月7日(2007.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
生薬のセキナンヨウ（石南葉）はバラ科のオオカナメモチ（Photinia serrulata）の葉、または、ツツジ科シャクナゲ属（Rhododendron spp.）などの葉を乾燥したものであり、シャクナゲ属の葉には血圧降下作用、催吐作用、腸運動亢進作用などの薬理作用が知られているが、バラ科のオオカナメモチの薬理学的な報告はほとんどない。また、セキナンヨウは鎮痛、利尿、強壮薬として、痛風やリュウマチの痛み、腎疾患などにも応用されることが知られている。（非特許文献１）。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月30日(2006.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
ズーミングの指令は、操作者が操作する図示しないズーム設定手段（第１設定手段）から送られてくる設定値ｚｏｏｍによって行われる。ズーム設定値ｚｏｏｍは端子１０から供給され、フォーカスレンズを含むズームレンズ１、アイリス２，ＣＣＤの読み出し制御パルスを発生するタイミングジェネレータ（ＴＧ）１２、メモリ制御手段１３、拡大縮小処理回路９を制御するマイコン１１に入力される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
マイコン１１は図４のような制御をズームレンズ、ＴＧ１２、メモリ制御手段１３に命令する。まず、図６−Ａ1のように、ズーム設定値ｚｏｏｍがズームレンズで対応できる拡大率であれば（ステップＳ４１）、マイコン１１はズームレンズ１にズーミングの指令を出して光学的に結像する画像を拡大し、ＴＧ１２は通常の読み出し方法を取り、ＣＣＤ３（撮像手段）からは図６−Ａ2に示される全ての画素情報が読み出される。この処理は、出力制御手段の処理に対応する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
図６−Ｃ1のように、ズーム設定値ｚｏｏｍがズーム閾値Ｘ（所定の拡大率）を超えた（上回った）場合は（ステップＳ４２）、マイコン１１は、ズームレンズ１にフルズーミンクの指令を出して光学的に結像する画像を最大限に拡大するとともに、ＴＧ１２にＣＣＤ３の垂直転送の有効範囲をズーム閾値Ｘから求めて指令し（ステップＳ４６）、ＣＣＤ３からは図６−Ｃ2に示されるような範囲の画素情報が読み出される。このときＴＧ１２は、指示された垂直転送範囲に限りＣＣＤ３から画素信号を読み出し、範囲外の画素信号は、映像信号の規格（例えばＮＴＳＣ）で定められる垂直ブランキング期間に高速に捨て去る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
メモリ制御手段１３は、フィールドメモリ８にカメラ信号処理回路７から出力された、図６−Ｃ2に示される全てのディジタル画像信号を書き込むようにフィールドメモリ８を制御し（ステップＳ４７）、且つ、図６−Ｃ3に示されるように、書き込まれたディジタル画像信号のうちズーム設定値ｚｏｏｍに見合う範囲のみを順次読み出すようにフィールドメモリ８（記録手段）を制御する（ステップＳ４８、読出手段）。拡大縮小処理回路９（画像処理手段）はこの画像を拡大し、結果として、出力されるディジタル画像信号は、図６−Ｃ4に示されるようなものとなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
本実施形態で行われるＡＦ評価値抽出手段１６は、マイコン１１から受け取った測定範囲に従って、測定範囲内にある画素からフォーカスの位置の元となる情報を算出する。この計算には、例えばバンドパスフィルタをかけたＧ信号を累積加算するといったことが行われる。そして、得られたフォーカスの位置の元となる情報はマイコン１１に戻され、マイコン１１は、バンドパスフィルタをかけたＧ信号の累算値を元にしてフォーカス位置を算出し、ズームレンズ１内部のフォーカスレンズをフォーカス位置になるように駆動する。この処理は、焦点制御手段の処理に対応する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
また、本実施形態で行われるＡＥ評価値抽出手段１７は、マイコン１１から受け取った測定範囲に従って、測定範囲内にある画素から適正絞りの元となる情報を算出する。この計算には、例えばローパスフィルタをかけたＧ信号を累積加算するといったことが行われる。そして、得られた適正絞りの元となる情報はマイコン１１に戻され、マイコン１１は、ローパスフィルタをかけたＧ信号の累算値を元にしてフォーカス位置を算出し、アイリス２の絞りを適正絞りになるように駆動する。この処理は、光量制御手段の処理に対応する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
さらに、本実施形態で行われるＡＷＢ評価値抽出手段１８は、マイコン１１から受け取った測定範囲に従って、測定範囲内にある画素からホワイトバランス係数の光となる情報を算出する。この計算には、例えばローパスフィルタをかけたＲＧＢ信号をそれぞれ累積加算するといったことが行われる。そして、得られたＲＧＢそれぞれのホワイトバランス情報はマイコン１１に戻され、マイコン１１は、ローパスフィルタをかけたＧ信号とＲ，Ｂ信号それぞれの累算値を元にしてホワイトバランス係数を算出し、オートホワイトバランス回路１５に入力する。オートホワイトバランス回路１５は、マイコン１１から受け取ったゲイン係数をＲ，Ｂ信号に乗じて出力するとともに、それらのＲＧＢ信号をＡＷＢ評価値抽出手段１８に入力する。この処理は、ホワイトバランス制御手段に処理に対応する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
本実施形態では、使用されている撮像素子は、記録フォーマットの例であるＤＶフォーマット以上の画素数を持つ単板のカラーＣＣＤとしたが、これはＤＶフォーマット相当の画素数を持つＣＣＤを用いてもよく、その場合は、拡大縮小処理回路９は拡大処理のみを行うようにメモリ制御手段１３がフィールドメモリ８を制御し、マイコンの持つ閾値Ｘを拡大率の高い側に設定する。この処理は、第２設定手段の処理に対応する。