(57)【要約】  本発明は、導電性組成物膜、電子注入電極及び有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子と称する。）に関する。  ＥＬ素子を使用した表示装置の開発が盛んに行われているが、ＥＬ素子の電子注入電極（１４）は、低抵抗で透明性の高いことが要求されている。このような要求を満たす導電性組成物膜として、ＩＴＯ等が考えられているが、ＩＴＯでは発光層（１３）との仕事関数の差が大きい等の問題があった。  本発明は、前記膜を、下記のＡ及びＢ、並びに酸素元素からなり、前記膜に占めるＡの量（ｘ）及びＢの量（ｙ）の合計（ｘ＋ｙ）が、４１ａｔ％より大きく８０ａｔ％より小さい量であり、前記膜に占める酸素元素の元素量が、［１００−（ｘ＋ｙ）］ａｔ％である膜とすること等によって、上記問題の解決を図ったものである。  Ａ：Ｉｎ、Ｓｎ及びＺｎから選択される１つの元素  Ｂ：Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｖ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕから選択される１つ以上の、Ａとは異なる元素【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の元素Ａ及びＢ、並びに酸素元素からなる導電性組成物膜であって、
前記膜に占める元素Ａの元素量（ｘ）及び元素Ｂの元素量（ｙ）の合計（ｘ＋ｙ）が、４１ａｔ％より大きく８０ａｔ％より小さい量であり、
前記膜に占める酸素元素の元素量が、［１００−（ｘ＋ｙ）］ａｔ％である導電性組成物膜。
Ａ：Ｉｎ、Ｓｎ及びＺｎから選択される１つの元素
Ｂ：Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｖ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕから選択される１つ以上の、Ａとは異なる元素
【請求項２】
Ｉｎ、Ｓｎ及びＺｎから選択される少なくとも１つの金属元素、及び酸素元素からなる導電性組成物膜であって、
前記膜に占める金属元素の元素量（ｘ）が、４１ａｔ％より大きく８０ａｔ％より小さい量であり、
前記膜に占める酸素元素の元素量が、（１００−ｘ）ａｔ％である導電性組成物膜。
【請求項３】
Ｉｎ、Ｓｎ及びＺｎから選択される１つの金属元素、及び酸素元素からなる導電性組成物膜であって、
前記膜に占める金属元素の元素量（ｘ）が、４１ａｔ％より大きく８０ａｔ％より小さい量であり、
前記膜に占める酸素元素の元素量が、（１００−ｘ）ａｔ％である導電性組成物膜。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の導電性組成物膜からなる電子注入電極。
【請求項５】
可視領域における光線透過率が２０％以上である請求項４に記載の電子注入電極。
【請求項６】
陽極と陰極との間に有機発光層を含む有機層が介在してなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記陰極が、請求項４又は５に記載の電子注入電極である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
前記陽極が光反射性であり、発光を陰極側から取り出す請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性組成物膜、電子注入電極及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、エレクトロルミネッセンスをＥＬと示すことがある。）は、完全固体素子、自己発光素子であるため、視野角が広く、取り扱いが容易である等の優れた特性を有していることから、ＥＬ素子を使用した表示装置の開発が盛んに行なわれている。
ＥＬ素子を使用した表示装置には、ボトムエミッション構造とトップエミッション構造がある。ＥＬ素子からなる画素を駆動するため、基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成する場合、トップエミッション構造では、ＴＦＴが形成された基板の反対側から光を取り出すため、ＴＦＴによる光の遮断がなく、発光部に対する開口率を向上させることができる。【０００３】
ＥＬ素子の発光を効率よく外部に取り出すため、トップエミッション構造の表示装置では、光取り出し側の電極は、低抵抗であることに加えて透明性が高いことが要求される。このような材料として、例えば、Ｍｇ−Ａｇ合金からなる陰極を用いた有機ＥＬ素子が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
しかしながら、Ｍｇ−Ａｇ合金は不透明であり、発光層で生じた光を反射してしまうため、光を素子の外に取り出すためには、極めて薄い膜（例えば、１０ｎｍ以下）で使用する必要があった。【０００４】
尚、陰極としてＩＴＯ等の透明導電性酸化物を有機層に接して形成することも考えられるが、発光層を含む有機層と、ＩＴＯ等の透明導電性酸化物では、仕事関数の差が大きいため、素子の駆動電圧が高くなるおそれがあった。
【特許文献１】特開２００１−０４３９８０号公報
【０００５】
本発明は上述の問題に鑑みなされたものであり、透明性があり、仕事関数が小さい導電性組成物膜を提供することを目的とする。
【発明の開示】
【０００６】
本発明者は、この課題を解決するために鋭意研究したところ、Ｉｎ、Ｚｎ又はＳｎを含み、さらに酸素元素を含む組成物膜であって、一定の元素比の関係を満たすものが、透明性を有し、また、仕事関数が小さいことを見出し、本発明を完成させた。
本発明によれば、以下の導電性組成物膜、電子注入電極及び有機ＥＬ素子が提供される。
１．下記の元素Ａ及びＢ、並びに酸素元素からなる導電性組成物膜であって、前記膜に占める元素Ａの元素量（ｘ）及び元素Ｂの元素量（ｙ）の合計（ｘ＋ｙ）が、４１ａｔ％より大きく８０ａｔ％より小さい量であり、前記膜に占める酸素元素の元素量が、［１００−（ｘ＋ｙ）］ａｔ％である導電性組成物膜。
Ａ：Ｉｎ、Ｓｎ及びＺｎから選択される１つの元素
Ｂ：Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｖ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕから選択される１つ以上の、Ａとは異なる元素
２．Ｉｎ、Ｓｎ及びＺｎから選択される少なくとも１つの金属元素、及び酸素元素からなる導電性組成物膜であって、前記膜に占める金属元素の元素量（ｘ）が、４１ａｔ％より大きく８０ａｔ％より小さい量であり、前記膜に占める酸素元素の元素量が、（１００−ｘ）ａｔ％である導電性組成物膜。
３．Ｉｎ、Ｓｎ及びＺｎから選択される１つの金属元素、及び酸素元素からなる導電性組成物膜であって、前記膜に占める金属元素の元素量（ｘ）が、４１ａｔ％より大きく８０ａｔ％より小さい量であり、前記膜に占める酸素元素の元素量が、（１００−ｘ）ａｔ％である導電性組成物膜。
４．上記１〜３のいずれかに記載の導電性組成物膜からなる電子注入電極。
５．可視領域における光線透過率が２０％以上である４に記載の電子注入電極。
６．陽極と陰極との間に有機発光層を含む有機層が介在してなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記陰極が、４又は５に記載の電子注入電極である有機エレクトロルミネッセンス素子。
７．前記陽極が光反射性であり、発光を陰極側から取り出す６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【０００７】
本発明の導電性組成物膜は、透明性を有し、また、仕事関数が小さい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子を示す図である。
【図２】本発明の第二実施形態の有機ＥＬ素子を示す図である。
【図３】本発明の第三実施形態の有機ＥＬ素子を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の導電性組成物膜を具体的に説明する。
本発明の導電性組成物膜は、後述する元素Ａ，Ｂ及び酸素元素からなる導電性組成物膜であって、膜に占める元素Ａの元素量（ｘ）及び元素Ｂの元素量（ｙ）の合計（ｘ＋ｙ）が、４１ａｔ％より大きく８０ａｔ％より小さい。【００１０】
Ａは、Ｉｎ、Ｓｎ又はＺｎから選択される１つの元素である。組成物膜に占めるＡの元素量（ａｔ％）を規定するｘは０＜ｘ≦７０ａｔ％であり、好ましくは、４０≦ｘ≦６０ａｔ％である。
Ｂは、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｖ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ又はＡｕから選択される１つ以上の、Ａとは異なる元素である。組成物膜に占めるＢの元素量（ａｔ％）を規定するｙは、０＜ｙ≦３０ａｔ％であり、好ましくは、５≦ｙ≦３０ａｔ％である。
組成物膜に占めるＡ元素とＢ元素の合計量（ｘ＋ｙ）は、４１＜ｘ＋ｙ＜８０ａｔ％である。好ましくは、５０≦ｘ＋ｙ＜８０ａｔ％である。
組成物膜に占める酸素元素の元素量は、［１００−（ｘ＋ｙ）］ａｔ％である。
このような組成物膜が、低い仕事関数を有し、また、光線透過率も高くなる。【００１１】
尚、ｘ及びｙは二次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ）を使用して測定できる。また、本発明の組成物膜は、主に、Ａ及び／又はＢの金属元素からなる金属単体と、これら金属元素を含む酸化物の混合体で構成されていると推定している。【００１２】
本発明の組成物膜のうち、ＡがＩｎであり、ＢがＳｎ又はＺｎである場合、又はＡがＩｎであり、ＢがＳｎ又はＺｎと、さらに、Ｖ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ又はＡｕから選択される１つを含むものが好ましい。
尚、Ｉｎ、Ｓｎ及びＺｎから選択される少なくとも１つの金属元素、及び酸素元素からなる導電性組成物膜であって、膜に占める金属元素の元素量（ｘ）が、４１ａｔ％より大きく８０ａｔ％より小さい量であり、膜に占める酸素元素の元素量が、（１００−ｘ）ａｔ％である導電性組成物膜も、低い仕事関数を有し、また、透明性が高い。【００１３】
本発明の導電性組成物膜の製造方法としては、例えば、所望の金属元素を含む酸化物粉体を所定量混合し、さらに必要に応じて金属又は合金の粉体を混合し、焼結したものをターゲットとしてスパッタリングする方法がある。
また、公知の酸化物ターゲットと、配合したい金属や合金の単体からなるワイヤー等を使用して、チャンバ内で同時にスパッタリングすることによって成膜することもできる。即ち、金属と金属酸化物との同時スパッタや、特開２００４−０３０９３４のように金属酸化物の部位と、金属の部位からなるスパッタリングターゲットを用いることができる。
尚、本発明の導電性組成物膜は、公知の方法、例えば、化学蒸着法、ゾルゲル法、イオンプレーティング法等によっても成膜することができる。【００１４】
本発明の導電性組成物膜は、可視領域における光線透過率が高く、かつ仕事関数が小さいため、各種表示装置で使用される電子注入電極として好適である。
尚、可視領域（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）における光線透過率は２０％以上であることが好ましく、特に、５０％以上であることが好ましい。本発明の電子注入電極では、透明性の高い組成物を使用するため、高い光線透過率が得られる。
尚、光線透過率は、膜厚１０ｎｍの膜について測定した値である。【００１５】
続いて、本発明の電子注入電極の適用例として、有機ＥＬ素子に使用した例を説明する。
図１は、本発明の第一実施形態の有機ＥＬ素子を示す図である。
有機ＥＬ素子１は、基板１１上に陽極１２、有機層１３及び陰極１４をこの順に積層した構造をしている。
この素子では、陽極１２と陰極１４の間に電圧を印加することにより、有機層１３に電子及び正孔を注入し、有機層１３が有する有機発光層にて、電子及び正孔を再結合させることによって発光する。この光を透明電極である陰極１４を通して素子の外部に取り出す。【００１６】
本実施形態では、陰極１４に上述した本発明の導電性組成物膜を使用する。これにより、有機層１３と陰極１４の仕事関数の差を小さくすることができるため、素子の駆動電圧を低下することができる。また、陰極１４の透明性が高いので、光を素子の外部に効率よく取り出すことができる。【００１７】
図２は、本発明の第二実施形態の有機ＥＬ素子を示す図である。尚、上述した第一実施形態と同じ箇所には同じ付番を付し、説明を省略する。
有機ＥＬ素子２では、陰極１４を電子注入陰極層１４−１と導電層１４−２からなる積層陰極１４’とした他は、上記の第一実施形態と同じである。
この素子では、有機層１３と導電層１４−２の間に、本発明の導電性組成物膜からなる電子注入陰極層１４−１を形成している。本発明の導電性組成物膜は、有機層１３より大きく、導電層１４−２より小さい仕事関数を有する。従って、このような構成にすることで、有機層１３と導電層１４−２の仕事関数によるエネルギー障壁を緩和することができる。
尚、導電層を形成する材料については後述する。【００１８】
図３は、本発明の第三実施形態の有機ＥＬ素子を示す図である。尚、上述した第一実施形態と同じ箇所には同じ付番を付し、説明を省略する。
有機ＥＬ素子３は、有機層１３と陰極１４の間に光反射層１５を形成した他は、上記の第一実施形態と同じである。光反射層１５は、有機層１３で発生した光を一部を反射し、透過する層である。
この素子は、陽極１１と光反射層１５の間を共振部とする共振器構造を有している。共振器構造を有する素子では、有機層１３で発生した光は、二つの光反射面（陽極１１と光反射層１５）の間で反射を繰り返し、下記式を満たす波長付近の光が強められ、結果として他の波長の光よりも強調されて素子の外に放出される。
（２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
（Ｌは光学的距離、λは取り出したい光の波長、ｍは整数、Φは光反射導電層１２、光反射層１４での位相シフトである。）
尚、光学的距離Ｌは、光の通過する媒体の屈折率ｎと実際の距離ＬＲとの積（ｎＬＲ）である。【００１９】
尚、図１〜図３に示した各有機ＥＬ素子は、光を基板１１の反対側である陰極１４（１４’）側から取り出すトップエミッションタイプであるが、光を基板１１側から取り出すボトムエミッションタイプとしてもよい。また、基板１１及び陰極１４（１４’）の両側から光を取り出してもよい。
本発明の有機ＥＬ素子の構成部材については、陰極として上述した本発明の導電性組成物膜からなる電子注入電極を使用する他は特に制限はなく、公知のものが使用できる。以下、一例を示し具体的に説明する。【００２０】
（１）基板
基板としては、ガラス、ポリエステル等の樹脂板やフィルム及びアモルファスシリコン等を使用できる。【００２１】
（２）陽極
陽極としては、仕事関数が４．８ｅＶ以上の導電性を示すものであれば特に制限はない。仕事関数が４．８ｅＶ以上の金属又は透明導電膜（導電性酸化物膜）又はこれらを組み合わせたものが好ましい。陽極は、必ずしも透明である必要はなく、黒色のカーボン層等をコーティングしてもよい。
好適な金属としては、例えば、Ａｕ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｐｄを挙げることができ、導電性酸化物としては、例えば、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ，Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ，ＺｎＯ−Ａｌ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏを挙げることができる。また、積層体としては、例えば、ＡｕとＩｎ−Ｚｎ−Ｏの積層体、ＰｔとＩｎ−Ｚｎ−Ｏの積層体、Ｉｎ−Ｓｎ−ＯとＰｔの積層体を挙げることができる。【００２２】
また、陽極は、有機層との界面が仕事関数４．８ｅＶ以上であればよいため、陽極を２層とし、有機層と接しない側に仕事関数４．８ｅＶ以下の導電性膜を用いてもよい。この場合、Ａｌ，Ｔａ，Ｗ等の金属やＡｌ合金、Ｔａ−Ｗ合金等の合金等を用いることができる。また、ドープされたポリアニリンやドープされたポリフェニレンビニレン等のドープされた導電性高分子や、α−Ｓｉ，α−ＳｉＣ、α−Ｃ等の非晶質半導体、μＣ−Ｓｉ，μＣ−ＳｉＣ等の微結晶等も好ましく用いることができる。更には、黒色の半導性の酸化物であるＣｒ２Ｏ３，Ｐｒ２Ｏ５，ＮｉＯ，Ｍｎ２Ｏ５，ＭｎＯ２等を用いることができる。【００２３】
尚、光を陰極側から取り出す場合、陽極は、光反射性を有することが好ましい。具体的には、光反射率は、２０％以上であることが好ましく、３０％以上であることがより好ましい。これにより、発光層で生じた光を素子外部に効率よく取り出すことができる。光反射性を有する陽極としては、上述の金属が好ましく使用できる。【００２４】
（３）有機層
有機層は、有機発光層を含んでいればよく、例えば、以下の構成が挙げられる。
（ｉ）有機発光層単層
（ii）正孔注入輸送層／有機発光層
（iii）正孔注入輸送層／有機発光層／電子注入輸送層
尚、これら各層は、それぞれ単層であってもよく、また、２層以上の積層体であってもよい。また、有機層は無機化合物層を介在していてもよい。【００２５】
有機発光層は、ホスト化合物とドーパントからなるものが好ましい。ホスト化合物は、電子又は正孔の少なくとも一方の電荷を輸送する。ホスト化合物の好ましい例として、公知のカルバゾール誘導体、窒素原子を有する縮合ヘテロ環骨格を有する化合物等を挙げることができる。ホスト化合物は高分子化合物であってもよい。ホストになる高分子化合物としては、カルバゾールを含むモノマー、ダイマー、トリマー等のオリゴマー、カルバゾール基を有する高分子化合物等を挙げることができる。【００２６】
正孔注入輸送層には、公知のもの、例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン、ポリチオフェン、ポリメチルフェニルシラン、ポリアニリン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、カルバゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポルフィリン誘導体（フタロシアニン等）、芳香族三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ブタジエン化合物、ベンジジン誘導体、ポリスチレン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンゼン誘導体、スターバーストポリアミン誘導体等が使用できる。【００２７】
電子注入輸送層には、公知のオキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ニトロ置換フルオレノン誘導体、トピランジオキサイド誘導体、ジフェニルキノン誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、ペリレン誘導体、オキシン誘導体、キノリン錯体誘導体等が使用できる。【００２８】
（４）光反射層
図３に示す光反射層は、有機発光層で発生した光を反射・透過し、上述した陽極とともに光共振部を形成することのできるものを使用する。具体的には、金属膜や誘電体多層膜が使用できる。
金属としては、Ａｇ，Ｍｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｌｉ，Ｍｎ，Ｃａ，Ｙｂ，Ｔｉ，Ｉｒ，Ｂｅ，Ｈｆ，Ｅｕ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｓ，Ｎａ及びＫ等の金属又はこれら金属からなる合金を挙げることができる。これらのうちで、Ａｌ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｃｅ，Ｎａ，Ｋ，Ｃｓ，Ｌｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃａ及びＢａが好ましい。
誘電体多層膜は、低屈折材料と高屈折材料を、それぞれの光学膜厚（屈折率と膜厚の積）が光の波長の４分の１となるように多層積層した膜である。低屈折材料の具体例としては、ＳｉＯｘ，ＮａＦ，ＬｉＦ，ＣａＦｘ，ＡｌＦｘ，ＭｇＦｘを挙げることができる。高屈折材料の具体例としては、ＡｌＯｘ，ＭｇＯｘ，ＮｄＯｘ，ＴｉＯｘ，ＣｅＯｘ，ＰｂＯｘ，ＺｎＳ，ＣｄＳ，ＺｎＳｅを挙げることができる。【００２９】
（５）導電層
図２に示す積層陰極の導電層としては、酸化インジウム−酸化錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、金、銀、白金、銅等が使用できる。この中で、ＩＺＯは室温で成膜できること、非結晶性が高いので剥離等が起きにくいことから特に好ましい。【００３０】
尚、上述した各層は公知の方法により形成できる。また、膜厚等もこの分野において公知の範囲内で適宜設定できる。
［実施例］【００３１】
以下、本発明を実施例によってさらに具体的に説明する。
実施例１
（１）導電性組成物膜の成膜
４インチのＩＺＯターゲット（Ｉｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝８９．３：１０．７ｗｔ％、フルウチ化学社製）を用意し、スパッタリング装置に装填した。ターゲット上にＩｎワイヤー（φ１ｍｍ×１０ｍｍ）を１００本置き、２×１０−４Ｐａまで脱気した後、スパッタ圧力０．１Ｐａ、アルゴン１００％、スパッタ出力０．１Ｗ／ｃｍ２、スパッタ時間３０秒の条件でガラス上に成膜を行った。
このようにして得られた導電性組成物膜の膜厚は１０ｎｍ、比抵抗は２×１０−３Ω・ｃｍ、可視光透過率は８０％であった。
尚、可視光透過率は、島津製作所のＵＶ−３１００よって測定した。
また、この膜の仕事関数をＡＣ−１（理研計器）で測定したところ、４．２ｅＶであった。また、膜におけるＩｎ、Ｚｎ、Ｏの元素比を二次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ）で測定したところ、Ｉｎ：Ｚｎ：Ｏ＝５５：１０：３５であった。【００３２】
（２）有機ＥＬ素子の作製
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１ｍｍのガラス基板上に、ＩＴＯを１００ｎｍの膜厚で製膜したもの（ジオマティックス社製）を、基板上に陽極が成膜してあるものとして使用した。
この基板をイソプロピルアルコール中に浸漬し、超音波洗浄を行った後、サムコインターナショナル製の紫外線照射機ＵＶ−３００を用いて、紫外線とオゾンとを併用して３０分間洗浄した。
次いで、この基板を、真空一貫で真空蒸着とスパッタリングができる装置の中に入れ、この装置に設置されている基板ホルダーに取り付け、真空槽を５×１０−４Ｐａまで減圧した。【００３３】
尚、あらかじめ真空蒸着装置の抵抗加熱ボートには、Ｃｕ配位のフタロシアニン（以下、ＣｕＰｃと略記する。）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（以下、ＴＰＤと略記する。）及び８−キノリノールアルミニウム錯体（アルミニウムトリスオキシン、以下、Ａｌｑと略記する。）をそれぞれ２００ｍｇずつ入れ、また、抵抗加熱フィラメントにはアルミニウム−リチウム合金（Ｌｉ含量：２重量％）を入れておいた。これらのボート及びフィラメントを順次加熱することにより、それぞれの成分を蒸着した。【００３４】
まず、正孔注入輸送層としてＣｕＰｃをガラス基板のＩＴＯ薄膜上に２５ｎｍ蒸着し、その上に、第２の正孔注入輸送層としてＴＰＤを４０ｎｍ蒸着し、さらに有機発光層としてＡｌｑを６０ｎｍ蒸着した。
次に、上記真空蒸着装置に連結されている第２の真空槽の基板ホルダーに基板を移送しセットした。尚、この間、真空度は保たれたままである。第２の真空槽はＤＣマグネトロンスパッタリングにより酸化物導電膜を形成できるように設備されている。第２の真空層には、ＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝８９．３：１０．７ｗｔ％）を装着し、この上にＩｎワイヤー（１ｍｍφ×１０ｍｍ）を１００本をセットしておいた。第一の真空槽で形成された積層体の上にマスクを設置し、スパッタリングを行って７ｎｍの電子注入電極層を形成した。
次に、第２の真空槽に連結されている第３の真空槽の基板ホルダーに基板を移送しセットした。この間真空度は保たれたままである。第３の真空槽もＤＣマグネトロンスパッタリングにより酸化物導電膜を形成できるように設備されている。第３の真空層にはＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝８９．３：１０．７ｗｔ％）を装着した。この真空槽のアルゴンガスと酸素ガスの混合ガス（体積比で１０００：２．８）を３×１０−１Ｐａとなるまで導入し、スパッタリング出力を２０Ｗ、基板温度を室温に設定して膜厚２００ｎｍの透明導電膜を形成し、図２に示す有機ＥＬ素子を作製した。【００３５】
（３）有機ＥＬ素子の評価
この有機ＥＬ素子のＩＴＯ薄膜を陽極とし、ＩＺＯ膜を陰極として、電圧を８Ｖ印加したところ、５．１ｍＡ／ｃｍ２の電流密度となり、ＩＺＯ電極膜側より輝度を観測したところ、８０ｃｄ／ｍ２であった。発光は、Ａｌｑより生じた緑色発光であった。尚、電流密度（Ｊ）は、ＫＥＩＴＨＬＥＹ社の６４８７型によって測定した。また、輝度（Ｌ）はＴＯＰＣＯＮ社のＢＭ−９によって測定した。【００３６】
実施例２
（１）導電性組成物膜の成膜
４インチのＩＴＯターゲット（Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ＝９０：１０ｗｔ％、フルウチ化学社製）を用意し、スパッタリング装置に装填した。ターゲット上にＳｎワイヤー（φ１ｍｍ×１０ｍｍ）を１００本置き、２×１０−４Ｐａまで脱気した後、スパッタ圧力０．１Ｐａ、アルゴン１００％、スパッタ出力０．１Ｗ／ｃｍ２、スパッタ時間３０秒の条件でガラス上に成膜を行った。
この導電膜の膜厚は１０ｎｍ、比抵抗は１．２×１０−３Ω・ｃｍであった。このようにして得られたＩＺＯの仕事関数をＡＣ−１（理研計器）で測定したところ、４．１ｅＶであった。光線透過率を測定したところ、６０％であった。また、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏの比をＳＩＭＳで測定したところ、５５：１５：３０（原子％）であった。【００３７】
（２）有機ＥＬ素子の作製
第２の真空槽において、Ｓｎワイヤー１００本を置いたＩＴＯターゲットを使用して、上記（１）で作製した導電性組成物膜からなる電子注入電極層を形成した他は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を得た。【００３８】
（３）有機ＥＬ素子の評価
ＩＴＯ薄膜を陽極とし、ＩＺＯ膜を陰極として、電圧を８Ｖ印加したところ、５．０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度となり、ＩＺＯ電極膜側の発光の輝度を観測したところ、７７ｃｄ／ｍ２であった。発光は、Ａｌｑより生じた緑色発光であった。【００３９】
実施例３〜実施例１３
表１に示すターゲット及びワイヤーを使用した他は、実施例１又は２と同様にして導電性組成物膜を成膜した。また、この導電性組成物膜からなる電子注入電極層を形成した他は、実施例１又は２と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。尚、実施例１３のＩＯターゲットは酸化インジウムからなるターゲットである。
導電性組成物膜の光線透過率、仕事関数、有機ＥＬ素子の電流密度及び輝度の測定結果を表１に示す。【００４０】
【表１】
2007029457.tif 000002
【００４１】
比較例１
Ｉｎワイヤーを使用しなかった以外は、実施例１と同様にして導電性組成物膜を成膜した。また、この導電性組成物膜からなる電子注入電極層を形成した他は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１に示す。【００４２】
比較例２
Ｉｎワイヤーを５本とした以外は、実施例１と同様にして導電性組成物膜を成膜した。また、この導電性組成物膜からなる電子注入電極層を形成した他は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１に示す。【００４３】
比較例３
Ｚｎワイヤーを１８０本とした以外は、実施例１と同様にして導電性組成物膜を成膜した。また、この導電性組成物膜からなる電子注入電極層を形成した他は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１に示す。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明の導電性組成物膜は、仕事関数が小さく、透明性が高いので、透明性が要求される分野の電子注入電極として好適に使用できる。具体的には、有機ＥＬ表示装置、液晶表示装置等の各種表示装置等の透明導電膜として好適である。
【図１】
2007029457.tif 000003
【図２】
2007029457.tif 000004
【図３】
2007029457.tif 000005
【国際調査報告】
2007029457.tif 000006
2007029457.tif 000007
2007029457.tif 000008
2007029457.tif 000009