(57)【要約】  本発明は、カルベン結合を有する特定構造の遷移金属錯体化合物、その製造方法、並びに陽極と陰極間に少なくとも発光層を有する一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記金属カルベン結合を有する遷移金属錯体化合物を含有する有機ＥＬ素子であり、エレクトロルミネッセンス特性を有し、発光効率の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を提供可能な新規なカルベン結合を有する遷移金属錯体化合物及び遷移金属錯体化合物の製造方法を提供する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される金属カルベン結合を有する遷移金属錯体化合物。
【化１】
2007058255.tif 000067
［一般式（１）において、Ｃ（炭素原子）→Ｍは金属カルベン結合を示し、実線（−）で示した結合は共有結合を、矢印（→）で示した結合は配位結合を意味する。Ｍは、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）又はパラジウム（Ｐｄ）の金属原子を示す。Ｌ1及びＬ2は、それぞれ独立に、単座配位子又はＬ1とＬ2が架橋した架橋二座配位子（Ｌ1−Ｌ2）を示す。ｋは１〜３、ｉは０〜２の整数で、ｋ＋ｉは金属Ｍの原子価を示す。ｊは０〜4の整数を示す。ｉ及びｊが複数のときは、Ｌ1及びＬ2は、それぞれ同じあっても異なっていてもよく、隣接するもの同士で架橋していてもよい。
Ｌ1は、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０の１価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の１価の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０の１価のカルボキシル含有基、置換基を有してもよい１価のアミノ基又は水酸基含有炭化水素基、置換基を有してもよい核炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数７〜４０のアラルキル基、及びＬ1とＬ2が架橋した場合には、前記各基の２価の基であり、
Ｌ2は、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の複素環、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のカルボン酸エステル、炭素数１〜３０のカルボン酸アミド、置換基を有してもよいアミン、置換基を有してもよいホスフィン、置換基を有してもよいイソニトリル、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のエーテル、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のチオエーテル、又は置換基を有してもよい炭素数１〜３０の二重結合含有化合物からなる配位子、及びＬ1とＬ2が架橋した場合には、前記各配位子の１価の基である。
Ｚ1は、金属Ｍと共有結合を形成する原子で、炭素、ケイ素、窒素又はリン原子であり、Ｚ2は、置換基Ｒ1と共有結合を形成する原子で、炭素、ケイ素、窒素又はリン原子であり、Ｚ1及びＺ2を含むＡ環、及びＢ環は、置換基を有してもよい核炭素数３〜４０の芳香族炭化水素基又は置換基を有してもよい核原子数３〜４０の複素環基であり、Ｚ3は、窒素原子又はＣＲ2を示し、ＣＲ2が複数のとき、複数のＲ2は同じであっても異なっていてもよい。
Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、チオシアノ基、シアノ基、ニトロ基、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｒ18基、−Ｓ（＝Ｏ）Ｒ18、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい核炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数７〜４０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０のアルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０のアルキルシリル基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールシリル基、炭素数１〜３０のカルボキシル含有基であり、Ｚ3がＣＲ2のとき、Ｒ1及びＲ2は架橋していてもよい。
（Ｒ18は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい核炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数７〜４０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい炭素数３〜３０のアルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換基を有してもよい炭素数３〜３０のアルキルシリル基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールシリル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のカルボキシル含有基である。）
ｋが複数のときは、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｒ1、Ａ環、及びＢ環は、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、隣接するもの同士で架橋していてもよい。］
【請求項２】
前記ＭがＩｒである請求項１記載の金属カルベン結合を有する遷移金属錯体化合物。
【請求項３】
下記一般式（２）で表される請求項１に記載の金属カルベン結合を有する遷移金属錯体化合物。
【化２】
2007058255.tif 000068
［一般式（２）において、Ｃ（炭素原子）→Ｍは金属カルベン結合を示す。Ｒ1、Ｒ2、Ｍ、ｋは、それぞれ前記と同じであり、ｍは０〜２の整数で、ｋ＋ｍは金属Ｍの原子価を示す。
Ｒ3〜Ｒ17は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、チオシアノ基、シアノ基、ニトロ基、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｒ18基、−Ｓ（＝Ｏ）Ｒ18［Ｒ18は前記と同じ］、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい核炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数７〜４０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０のアルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０のアルキルシリル基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールシリル基、炭素数１〜３０のカルボキシル含有基であり、Ｒ3〜Ｒ17は隣接するもので架橋していてもよい。]
【請求項４】
前記ＭがＩｒである請求項３記載の金属カルベン結合を有する遷移金属錯体化合物。
【請求項５】
下記一般式（３）で表される金属カルベン結合を有する遷移金属錯体化合物。
【化３】
2007058255.tif 000069
［一般式（３）において、Ｃ（炭素原子）→Ｍは金属カルベン結合を示し、矢印（→）で示した結合は配位結合を意味する。Ｍは、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）又はパラジウム（Ｐｄ）の金属原子を示す。Ｌ2は、単座配位子を示す。ｊは０〜4の整数を示す。ｊが複数のときは、各Ｌ2は、それぞれ同じあっても異なっていてもよく、架橋していてもよい。
Ｌ2は、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の複素環、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のカルボン酸エステル、炭素数１〜３０のカルボン酸アミド、置換基を有してもよいアミン、置換基を有してもよいホスフィン、置換基を有してもよいイソニトリル、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のエーテル、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のチオエーテル、又は置換基を有してもよい炭素数１〜３０の二重結合含有化合物からなる配位子である。
Ｌ3は、ｐＫａ値が−１０以下である超強酸類、カルボン酸類、アルデヒド類、ケトン類、アルコール類、チオアルコール類、フェノール類、アミン類、アミド類、芳香族類もしくはアルカンの共役塩基、又は水素イオン、ハロゲン化物イオンである。
Ｚ1は、炭素、ケイ素、窒素又はリン原子であり、Ｚ2は、置換基Ｒ1と共有結合を形成する原子で、炭素、ケイ素、窒素又はリン原子であり、Ｚ1及びＺ2を含むＡ環、及びＢ環は、置換基を有してもよい核炭素数３〜４０の芳香族炭化水素基又は置換基を有してもよい核原子数３〜４０の複素環基であり、Ｚ3は、窒素原子又はＣＲ2を示し、ＣＲ2が複数のとき、複数のＲ2は同じであっても異なっていてもよい。
Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、チオシアノ基、シアノ基、ニトロ基、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｒ18基、−Ｓ（＝Ｏ）Ｒ18、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい核炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数７〜４０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０のアルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０のアルキルシリル基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールシリル基、炭素数１〜３０のカルボキシル含有基であり、Ｚ3がＣＲ2のとき、Ｒ1及びＲ2は架橋していてもよい。
（Ｒ18は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい核炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数７〜４０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい炭素数３〜３０のアルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換基を有してもよい炭素数３〜３０のアルキルシリル基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールシリル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のカルボキシル含有基である。）
各２つずつあるＺ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｒ1、Ａ環、及びＢ環は、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、隣接するもの同士で架橋していてもよい。］
【請求項６】
前記ＭがＩｒである請求項５記載の金属カルベン結合を有する遷移金属錯体化合物。
【請求項７】
下記一般式（４）で表される金属カルベン結合を有する遷移金属錯体化合物。
【化４】
2007058255.tif 000070
［一般式（４）において、Ｃ（炭素原子）→Ｍは金属カルベン結合を示し、実線（−）で示した結合は共有結合を、矢印（→）で示した結合は配位結合を意味する。Ｍは、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）又はパラジウム（Ｐｄ）の金属原子を示す。Ｌ2は、単座配位子を示す。ｊは０〜4の整数を示す。ｊが複数のときは、各Ｌ2は、それぞれ同じあっても異なっていてもよく、架橋していてもよい。
Ｌ2は、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の複素環、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のカルボン酸エステル、炭素数１〜３０のカルボン酸アミド、置換基を有してもよいアミン、置換基を有してもよいホスフィン、置換基を有してもよいイソニトリル、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のエーテル、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のチオエーテル、又は置換基を有してもよい炭素数１〜３０の二重結合含有化合物からなる配位子、及びＬ1とＬ2が架橋した場合には、前記各配位子の１価の基である。
Ｌ3は、ｐＫａ値が−１０以下である超強酸類、カルボン酸類、アルデヒド類、ケトン類、アルコール類、チオアルコール類、フェノール類、アミン類、アミド類もしくは芳香族類、アルカンの共役塩基、又は水素イオン、ハロゲン化物イオンである。
Ｚ1は、金属Ｍと共有結合を形成する原子で、炭素、ケイ素、窒素又はリン原子であり、Ｚ2は、置換基Ｒ1と共有結合を形成する原子で、炭素、ケイ素、窒素又はリン原子であり、Ｚ1及びＺ2を含むＡ環、及びＢ環は、置換基を有してもよい核炭素数３〜４０の芳香族炭化水素基又は置換基を有してもよい核原子数３〜４０の複素環基であり、Ｚ3は、窒素原子又はＣＲ2を示し、ＣＲ2が複数のとき、複数のＲ2は同じであっても異なっていてもよい。
Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、チオシアノ基、シアノ基、ニトロ基、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｒ18基、−Ｓ（＝Ｏ）Ｒ18、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい核炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数７〜４０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０のアルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０のアルキルシリル基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールシリル基、炭素数１〜３０のカルボキシル含有基であり、Ｚ3がＣＲ2のとき、Ｒ1及びＲ2は架橋していてもよい。
（Ｒ18は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい核炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数７〜４０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい炭素数３〜３０のアルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換基を有してもよい炭素数３〜３０のアルキルシリル基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールシリル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のカルボキシル含有基である。）
各２つずつあるＺ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｒ1、Ａ環、及びＢ環は、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、隣接するもの同士で架橋していてもよい。］
【請求項８】
前記ＭがＩｒである請求項７記載の金属カルベン結合を有する遷移金属錯体化合物。
【請求項９】
下記一般式（５）で表されるイリジウム化合物及び下記一般式（６）で表されるイミダゾリウム塩を、溶媒及び塩基の存在下で反応させて一般式（７）で表される遷移金属化合物を製造する金属カルベン結合を有する遷移金属化合物の製造方法。
【化５】
2007058255.tif 000071
［一般式（５〜７）において、Ｃ（炭素原子）→Ｉｒ（イリジウム）は金属カルベン結合を示し、実線（−）で示した結合は共有結合を、矢印（→）で示した結合は配位結合を意味する。Ｌ2は、単座配位子を示す。ｊは０〜4の整数を示す。ｊが複数のときは、各Ｌ2は、それぞれ同じあっても異なっていてもよく、架橋していてもよい。
Ｌ2は、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の複素環、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のカルボン酸エステル、炭素数１〜３０のカルボン酸アミド、置換基を有してもよいアミン、置換基を有してもよいホスフィン、置換基を有してもよいイソニトリル、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のエーテル、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のチオエーテル、又は置換基を有してもよい炭素数１〜３０の二重結合含有化合物からなる配位子、及びＬ1とＬ2が架橋した場合には、前記各配位子の１価の基である。
Ｌ3は、ｐＫａ値が−１０以下である超強酸類、カルボン酸類、アルデヒド類、ケトン類、アルコール類、チオアルコール類、フェノール類、アミン類、アミド類もしくは芳香族類、アルカンの共役塩基、又は水素イオン、ハロゲン化物イオンを示す。
Ｚ1は、金属Ｉｒと共有結合を形成する原子で、炭素、ケイ素、窒素又はリン原子であり、Ｚ2は、置換基Ｒ1と共有結合を形成する原子で、炭素、ケイ素、窒素又はリン原子であり、Ｚ1及びＺ2を含むＡ環、及びＢ環は、置換基を有してもよい核炭素数３〜４０の芳香族炭化水素基又は置換基を有してもよい核原子数３〜４０の複素環基であり、Ｚ3は、窒素原子又はＣＲ2を示し、ＣＲ2が複数のとき、複数のＲ2は同じであっても異なっていてもよい。
Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、チオシアノ基、シアノ基、ニトロ基、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｒ18基、−Ｓ（＝Ｏ）Ｒ18、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい核炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数７〜４０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０のアルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０のアルキルシリル基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールシリル基、炭素数１〜３０のカルボキシル含有基であり、Ｚ3がＣＲ2のとき、Ｒ1及びＲ2は架橋していてもよい。
（Ｒ18は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい核炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数７〜４０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい炭素数３〜３０のアルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換基を有してもよい炭素数３〜３０のアルキルシリル基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールシリル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のカルボキシル含有基である。）
各２つずつあるＺ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｒ1、Ａ環、及びＢ環は、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、隣接するもの同士で架橋していてもよい。］
【請求項１０】
前記溶媒がテトラヒドロフラン誘導体である請求項９記載の金属カルベン結合を有する遷移金属化合物の製造方法。
【請求項１１】
陽極と陰極間に少なくとも発光層を有する一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、請求項１，５又は７に記載の金属カルベン結合を有する遷移金属錯体化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
前記発光層が、前記請求項１，５又は７に記載の金属カルベン結合を有する遷移金属錯体化合物を発光材料として含有する請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１３】
前記発光層が、請求項１，５又は７に記載の金属カルベン結合を有する遷移金属錯体化合物をドーパントとして含有する請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１４】
前記発光層と陰極との間に電子注入層及び／又は電子輸送層を有し、該電子注入層及び／又は電子輸送層がπ電子欠乏性含窒素ヘテロ環誘導体を主成分として含有する請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１５】
陰極と前記有機薄膜層との界面領域に、還元性ドーパントが添加されている請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、遷移金属錯体化合物に関し、特に、発光効率が高い有機エレクトロルミネッセンス素子を提供できるエレクトロルミネッセンス特性を有する遷移金属錯体化合物及び遷移金属化合物の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は、電界を印加することより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。イーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによる積層型素子による低電圧駆動有機ＥＬ素子の報告（C.W. Tang, S.A. Vanslyke, アプライドフィジックスレターズ(Applied Physics Letters),５１巻，９１３頁，１９８７年等）がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機ＥＬ素子に関する研究が盛んに行われている。Ｔａｎｇらは、トリス（８−ヒドロキシキノリノールアルミニウム）を発光層に、トリフェニルジアミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ込めること等が挙げられる。この例のように有機ＥＬ素子の素子構造としては、正孔輸送（注入）層、電子輸送発光層の２層型、又は正孔輸送（注入）層、発光層、電子輸送（注入）層の３層型等がよく知られている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされている。
有機ＥＬ素子の発光材料としてはトリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等の発光材料が知られており、それらからは青色から赤色までの可視領域の発光が得られることが報告されており、カラー表示素子の実現が期待されている（例えば、特許文献１参照）。【０００３】
また、近年、有機ＥＬ素子の発光層に蛍光材料の他に、りん光材料を利用することも提案されている（例えば、非特許文献１，非特許文献２参照) 。このように有機ＥＬ素子の発光層においてりん光材料の励起状態の一重項状態と三重項状態とを利用し、高い発光効率が達成されている。有機ＥＬ素子内で電子と正孔が再結合する際にはスピン多重度の違いから一重項励起子と三重項励起子とが１：３の割合で生成すると考えられているので、りん光性の発光材料を用いれば蛍光のみを使った素子に比べて３〜４倍の発光効率の達成が考えられる。
このような有機ＥＬ素子においては、３重項の励起状態又は３重項の励起子が消光しないように順次、陽極，正孔輸送層，有機発光層，電子輸送層（正孔阻止層），電子輸送層，陰極のように層を積層する構成が用いられ、有機発光層にホスト化合物とりん光発光性の化合物が用いられてきた（例えば、特許文献２，特許文献３参照）。これらの特許文献は赤〜緑色に発光するりん光材料に関する技術である。また、青色系発光色を有する発光材料に関する技術も公開されている（例えば、特許文献４，特許文献５，特許文献６参照）。しかし、これらは素子寿命が非常に短く、特に特許文献５及び６ではＩｒ金属とリン原子が結合した配位子骨格が記載されており、これらは発光色が青色化するものの結合が弱く、耐熱性が著しく乏しい。特許文献７には、同様に酸素原子と窒素原子が中心金属に結合した錯体に関して記載されているが、酸素原子に結合する基の具体的な効果について何ら記載が無く不明である。特許文献８では異なる環構造に含まれる窒素原子が１つずつ中心金属に結合した錯体が開示されており、それを利用した素子は青色発光を示すものの、外部量子効率は５％前後と低いものとなっている。【０００４】
一方、近年、金属カルベン結合を有する遷移金属錯体化合物（以下、カルベン錯体ということがある）について研究がなされている（例えば、特許文献９及び非特許文献３〜１１参照）。
カルベンとは二配位炭素で、ｓｐ2 混成軌道と２ｐ軌道に二つの電子を有するものをいい、その二つの電子が入る軌道とスピンの向きの組み合わせから４種の構造をとり得るが、通常は一重項カルベンとなり、ｓｐ2 混成の被占軌道と空の２ｐ軌道からなる。
従来、カルベン錯体は短寿命・不安定であり、有機合成反応の反応中間体又はオレフィンへの付加といった合成変換試剤として利用されてきたが、１９９１年頃、芳香族複素環構造からなる安定カルベン錯体や、非芳香族環状構造からなる安定カルベン錯体が見出され、さらにその後、窒素とリンにより安定化することで、非環状カルベン錯体が安定に得られるに至った。また、これを配位子として遷移金属と結合させることで触媒性能が向上することから、近年、有機合成における触媒反応では、安定カルベン錯体への期待が高まっている。
特に、オレフィンメタセシス反応では、安定カルベン錯体を添加又は配位させることで顕著な性能向上が見出されている。また、近年は、鈴木カップリング反応の効率化やアルカンの酸化や選択的ヒドロホルミル化反応、また光学活性なカルベン錯体などの研究が展開されており、カルベン錯体の有機合成分野への応用は、注目を集めている。
また、具体的にカルベンイリジウム結合を有する錯体例は、以下の非特許文献１２（非複素環型カルベン配位子からなるトリス（カルベン）イリジウム錯体）及び非特許文献１３（単座配位型モノカルベンイリジウム錯体）に記載があるが、有機ＥＬ素子分野等への応用は記載されていない。
また、特許文献９には、カルベン結合を有するイリジウム錯体の合成とその発光波長ならびに素子性能が開示されているが、エネルギー効率、外部量子効率が低く、しかも発光波長が紫外領域に分布し、視感効率が悪い。従って、有機ＥＬ等の視覚波長域の発光デバイスには適さない。また、分解温度が低い、分子量が高いなどの理由から真空蒸着できず、蒸着時に錯体が分解するため、素子作製時に不純物が混入するという点で問題があった。【０００５】
【特許文献１】特開平８−２３９６５５号公報
【特許文献２】米国特許第６，０９７，１４７号明細書
【特許文献３】国際公開ＷＯ０１／４１５１２号公報
【特許文献４】ＵＳ２００１／００２５１０８号公開公報
【特許文献５】ＵＳ２００２／０１８２４４１号公開公報
【特許文献６】特開２００２−１７０６８４号公報
【特許文献７】特開２００３−１２３９８２号公報
【特許文献８】特開２００３−１３３０７４号公報
【特許文献９】国際公開ＷＯ０５／０１９３７３号公報
【非特許文献１】Ｄ．Ｆ．ＯＢｒｉｅｎ  ａｎｄ  Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ  ｅｔ  ａｌ“Ｉｍｐｒｏｖｅｄ  ｅｎｅｒｇｙ  ｔｒａｎｓｆｅｒｉｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔ  ｄｅｖｉｃｅｓ  ” Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  Ｖｏｌ．７４  Ｎｏ．３，ｐｐ  ４４２‐４４４，Ｊａｎｕａｒｙ１８，１９９９
【非特許文献２】Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ  ｅｔ  ａｌ "Ｖｅｒｙ  ｈｉｇｈ‐ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ  ｇｒｅｅｎ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ‐ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅｓ  ｂａｓｅｄ  ｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ”Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  Ｖｏｌ．７５  Ｎｏ．１，ｐｐ４‐６，Ｊｕｌｙ５，１９９９
【非特許文献３】Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．２０００，１００，ｐ３９
【非特許文献４】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９１，１１３，ｐ３６１
【非特許文献５】Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．，２００２，４１，ｐ１２９０
【非特許文献６】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９９，１２１，ｐ２６７４
【非特許文献７】Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，１９９９，１８，ｐ２３７０
【非特許文献８】Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．，２００２，４１，ｐ１３６３
【非特許文献９】Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．，２００２，４１，ｐ１７４５
【非特許文献１０】Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，２０００，１９，ｐ３４５９
【非特許文献１１】Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ，２００３，１４，ｐ９５１
【非特許文献１２】Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．，１９８２，２３９，Ｃ２６−Ｃ３０
【非特許文献１３】Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２００２，ｐ２５１８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、発光効率が高い有機ＥＬ素子を実現する新規な遷移金属錯体化合物及び遷移金属化合物の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、下記一般式（１）で表される金属カルベン結合を有する特定構造の遷移金属錯体化合物を用いることで、発光効率の高い有機ＥＬ素子が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。【０００８】
すなわち、本発明は、下記一般式（１）、（３）及び（４）で表される金属カルベン結合を有する遷移金属錯体化合物を提供するものである。
【化１】
2007058255.tif 000002
【０００９】
［一般式（１）において、Ｃ（炭素原子）→Ｍは金属カルベン結合を示し、実線（−）で示した結合は共有結合を、矢印（→）で示した結合は配位結合を意味する。Ｍは、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）又はパラジウム（Ｐｄ）の金属原子を示す。Ｌ1及びＬ2は、それぞれ独立に、単座配位子又はＬ1とＬ2が架橋した架橋二座配位子（Ｌ1−Ｌ2）を示す。ｋは１〜３、ｉは０〜２の整数で、ｋ＋ｉは金属Ｍの原子価を示す。ｊは０〜4の整数を示す。ｉ及びｊが複数のときは、Ｌ1及びＬ2は、それぞれ同じあっても異なっていてもよく、隣接するもの同士で架橋していてもよい。
Ｌ1は、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０の１価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の１価の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０の１価のカルボキシル含有基、置換基を有してもよい１価のアミノ基又は水酸基含有炭化水素基、置換基を有してもよい核炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数７〜４０のアラルキル基、及びＬ1とＬ2が架橋した場合には、前記各基の２価の基であり、
Ｌ2は、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の複素環、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のカルボン酸エステル、炭素数１〜３０のカルボン酸アミド、置換基を有してもよいアミン、置換基を有してもよいホスフィン、置換基を有してもよいイソニトリル、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のエーテル、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のチオエーテル、又は置換基を有してもよい炭素数１〜３０の二重結合含有化合物からなる配位子、及びＬ1とＬ2が架橋した場合には、前記各配位子の１価の基である。
Ｚ1は、金属Ｍと共有結合を形成する原子で、炭素、ケイ素、窒素又はリン原子であり、Ｚ2は、置換基Ｒ1と共有結合を形成する原子で、炭素、ケイ素、窒素又はリン原子であり、Ｚ1及びＺ2を含むＡ環、及びＢ環は、置換基を有してもよい核炭素数３〜４０の芳香族炭化水素基又は置換基を有してもよい核原子数３〜４０の複素環基であり、Ｚ3は、窒素原子又はＣＲ2を示し、ＣＲ2が複数のとき、複数のＲ2は同じであっても異なっていてもよい。
Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、チオシアノ基，又はシアノ基，ニトロ基，−Ｓ（＝Ｏ）2Ｒ18基，又は−Ｓ（＝Ｏ）Ｒ18、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい核炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数７〜４０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０のアルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０のアルキルシリル基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールシリル基、炭素数１〜３０のカルボキシル含有基であり、Ｚ3がＣＲ2のとき、Ｒ1及びＲ2は架橋していてもよい。
（Ｒ18は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい核炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数７〜４０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい炭素数３〜３０のアルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換基を有してもよい炭素数３〜３０のアルキルシリル基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールシリル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のカルボキシル含有基である。）
ｋが複数のときは、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｒ1、Ａ環、及びＢ環は、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、隣接するもの同士で架橋していてもよい。］【００１０】
【化２】
2007058255.tif 000003
【００１１】
［一般式（３）において、Ｃ（炭素原子）→Ｍは金属カルベン結合を示し、矢印（→）で示した結合は配位結合を意味する。Ｍは前記と同じであり、Ｌ2は単座配位子を示す。ｊは前記と同じであり、ｊが複数のときは、各Ｌ2は、それぞれ同じあっても異なっていてもよく、架橋していてもよい。
Ｌ2は、前記と同じ配位子であり、Ｌ3は、ｐＫａ値が−１０以下である超強酸類、カルボン酸類、アルデヒド類、ケトン類、アルコール類、チオアルコール類、フェノール類、アミン類、アミド類、芳香族類もしくはアルカンの共役塩基、又は水素イオン、ハロゲン化物イオンである。
Ｚ1は、炭素、ケイ素、窒素又はリン原子であり、Ｚ2、Ｚ3及びＲ1は、それぞれ前記と同じである。
各２つずつあるＺ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｒ1、Ａ環、及びＢ環は、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、隣接するもの同士で架橋していてもよい。］【００１２】
【化３】
2007058255.tif 000004
【００１３】
［一般式（４）において、Ｃ（炭素原子）→Ｍは金属カルベン結合を示し、実線（−）で示した結合は共有結合を、矢印（→）で示した結合は配位結合を意味する。Ｍは、前記と同じであり、Ｌ2は、単座配位子を示す。ｊは前記と同じであり、ｊが複数のときは、各Ｌ2は、それぞれ同じあっても異なっていてもよく、架橋していてもよい。
Ｌ2は、前記と同じ配位子であり、Ｌ3、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＲ1は、それぞれ前記と同じである。
各２つずつあるＺ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｒ1、Ａ環、及びＢ環は、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、隣接するもの同士で架橋していてもよい。］【００１４】
また、本発明は、下記一般式（５）で表されるイリジウム化合物及び下記一般式（６）で表されるイミダゾリウム塩を、溶媒及び塩基の存在下で反応させて一般式（７）で表される遷移金属化合物を製造する金属カルベン結合を有する遷移金属化合物の製造方法を提供するものである。
【化４】
2007058255.tif 000005
【００１５】
［一般式（５〜７）において、Ｃ（炭素原子）→Ｉｒ（イリジウム）は金属カルベン結合を示し、実線（−）で示した結合は共有結合を、矢印（→）で示した結合は配位結合を意味する。Ｌ2は、単座配位子を示す。ｊは前記と同じであり、ｊが複数のときは、各Ｌ2は、それぞれ同じあっても異なっていてもよく、架橋していてもよい。
Ｌ2は、前記と同じ配位子であり、Ｌ3、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＲ1は、それぞれ前記と同じである。
各２つずつあるＺ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｒ1、Ａ環、及びＢ環は、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、隣接するもの同士で架橋していてもよい。］【００１６】
さらに、本発明は、陽極と陰極間に少なくとも発光層を有する一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記金属カルベン結合を有する遷移金属錯体化合物を含有する有機ＥＬ素子を提供するものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の金属カルベン結合を有する遷移金属錯体化合物は、エレクトロルミネッセンス特性を有し、発光効率が高い有機ＥＬ素子を提供することができる。また、本発明の遷移金属錯体化合物の製造方法によれば、遷移金属錯体化合物を効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施例１において得られた中間体ｃの1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図２】実施例１において得られた中間体ｄの1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図３】実施例１において得られた遷移金属錯体化合物１の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図４】実施例２において得られた遷移金属錯体化合物１の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図５】実施例３において得られた遷移金属錯体化合物１のサイクリックボルタメトリーを示す図である。
【図６】実施例３において得られた遷移金属錯体化合物１のＸ線結晶構造解析を示す図である。
【図７】実施例４において得られた遷移金属錯体化合物２の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図８】実施例４において得られた遷移金属錯体化合物１のサイクリックボルタメトリーを示す図である。
【図９】実施例４において得られた遷移金属錯体化合物２のＸ線結晶構造解析を示す図である。
【図１０】実施例５において得られた遷移金属錯体化合物３の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図１１】実施例６において得られた遷移金属錯体化合物４の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図１２】実施例６において得られた遷移金属錯体化合物４のサイクリックボルタメトリーを示す図である。
【図１３】実施例６において得られた遷移金属錯体化合物４の室温での発光スペクトルを示す図である。
【図１４】実施例６において得られた遷移金属錯体化合物４の７７Ｋでの発光スペクトルを示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の遷移金属錯体化合物は、下記一般式（１）、（３）及び（４）で表される金属カルベン結合を有する遷移金属錯体化合物である。
以下、一般式（１）について説明する。
【化５】
2007058255.tif 000006
【００２０】
一般式（１）において、Ｃ（炭素原子）→Ｍは金属カルベン結合を示し、実線（−）で示した結合は共有結合を、矢印（→）で示した結合は配位結合を意味する。
一般式（１）において、Ｍは、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）又はパラジウム（Ｐｄ）の金属原子を示し、Ｉｒが好ましい。
一般式（１）において、Ｌ1及びＬ2は、それぞれ独立に、単座配位子又はＬ1とＬ2が架橋した架橋二座配位子（Ｌ1−Ｌ2）を示す。ｋは１〜３、ｉは０〜２の整数で、ｋ＋ｉは金属Ｍの原子価を示す。ｊは０〜4の整数を示す。ｉ及びｊが複数のときは、Ｌ1及びＬ2は、それぞれ同じあっても異なっていてもよく、隣接するもの同士で架橋していてもよい。
一般式（１）において、Ｌ1は、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０の１価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の１価の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０の１価のカルボキシル含有基、置換基を有してもよい１価のアミノ基又は水酸基含有炭化水素基、置換基を有してもよい核炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数７〜４０のアラルキル基、及びＬ1とＬ2が架橋した場合には、前記各基の２価の基である。【００２１】
前記芳香族炭化水素基としては、核炭素数６〜１８のものが好ましく、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｏ−クメニル基、ｍ−クメニル基、ｐ−クメニル基、２，３−キシリレニル基、３，４−キシリレニル基、２，５−キシリレニル基、メシチレニル基、パーフルオロフェニル基等及びこれらを２価の基としたものが挙げられる。
これらの中で好ましくは、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−トリル基、３，４−キシリレニル基等及びこれらを２価の基としたものである。【００２２】
前記複素環基としては、核原子数３〜１８のものが好ましく、例えば、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、１−イミダゾリル基、２−イミダゾリル基、１−ピラゾリル基、１−インドリジニル基、２−インドリジニル基、３−インドリジニル基、５−インドリジニル基、６−インドリジニル基、７−インドリジニル基、８−インドリジニル基、２−イミダゾピリジニル基、３−イミダゾピリジニル基、５−イミダゾピリジニル基、６−イミダゾピリジニル基、７−イミダゾピリジニル基、８−イミダゾピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、β−カルボリン−１−イル，β−カルボリン−３−イル，β−カルボリン−４−イル，β−カルボリン−５−イル，β−カルボリン−６−イル，β−カルボリン−７−イル，β−カルボリン−８−イル，β−カルボリン−９−イル，１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナン��ロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基、ピロリジン、ピラゾリジン、ピペラリジン等及びこれらを２価の基としたものが挙げられる。
これらの中で好ましくは、２−ピリジニル基、１−インドリジニル基、２−インドリジニル基、３−インドリジニル基、５−インドリジニル基、６−インドリジニル基、７−インドリジニル基、８−インドリジニル基、２−イミダゾピリジニル基、３−イミダゾピリジニル基、５−イミダゾピリジニル基、６−イミダゾピリジニル基、７−イミダゾピリジニル基、８−イミダゾピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基及びこれらを２価の基としたものである。【００２３】
前記カルボキシル含有基としては、例えば、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−）、メチルエステル、エチルエステル、ブチルエステル等及びこれらを２価の基としたものが挙げられる。
前記シクロアルキル及びシクロアルキレン基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等及びこれらを２価の基としたものが挙げられる。【００２４】
前記アルキル基及びアルキレン基としては、炭素数１〜１０のものが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基，ｎ−デシル基，ｎ−ウンデシル基，ｎ−ドデシル基，ｎ−トリデシル基，ｎ−テトラデシル基，ｎ−ペンタデシル基，ｎ−ヘキサデシル基，ｎ−ヘプタデシル基，ｎ−オクタデシル基，ネオペンチル基，１−メチルペンチル基，２−メチルペンチル基，１−ペンチルヘキシル基，１−ブチルペンチル基，１−ヘプチルオクチル基，３−メチルペンチル基，ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、１，２−ジニトロエチル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、３，５−テトラメチルシクロヘキシル基等及びこれらを２価の基としたものが挙げられる。
これらの中で好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、１−メチルペンチル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ブチルペンチル基、１−ヘプチルオクチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、３，５−テトラメチルシクロヘキシル基及びこれらを２価の基としたものである。【００２５】
前記アルケニル基及びアルケニレン基としては、炭素数２〜１６のものが好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１，３−ブタンジエニル基、１−メチルビニル基、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２−ジフェニルビニル基、１−メチルアリル基、１，１−ジメチルアリル基、２−メチルアリル基、１−フェニルアリル基、２−フェニルアリル基、３−フェニルアリル基、３，３−ジフェニルアリル基、１，２−ジメチルアリル基、１−フェニル−１−ブテニル基、３−フェニル−１−ブテニル基等及びこれらを２価の基としたものが挙げられ、好ましくはスチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２−ジフェニルビニル基及びこれらを２価の基としたものである。【００２６】
前記アラルキル基及びアラルキレン基としては、炭素数７〜１８のものが好ましく、例えば、ベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基等を２価の基としたものが挙げられ、好ましくは、ベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基，１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基及びこれらを２価の基としたものである。
前記アミノ基又は水酸基含有炭化水素基としては、前記Ｌ1の示す各炭化水素基を有するアミノ基、及び前記炭化水素基の水素原子が水酸基で置き換わったものが挙げられる。【００２７】
一般式（１）において、Ｌ2は、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の複素環、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のカルボン酸エステル、炭素数１〜３０のカルボン酸アミド、置換基を有してもよいアミン、置換基を有してもよいホスフィン、置換基を有してもよいイソニトリル、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のエーテル、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のチオエーテル、又は置換基を有してもよい炭素数１〜３０の二重結合含有化合物からなる配位子、及びＬ1とＬ2が架橋した場合には、前記各配位子の１価の基である。【００２８】
前記複素環としては、前記Ｌ1で挙げたものと同様の例の基を０価としたものが挙げられる。
前記カルボン酸エステルとしては、例えば、ギ酸メチル、ギ酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、２−ピリジンカルボン酸メチル、２−ピリジンカルボン酸エチル、３−ピリジンカルボン酸メチル、３−ピリジンカルボン酸エチル、４−ピリジンカルボン酸メチル、４−ピリジンカルボン酸エチル、フェニル酢酸メチル、フェニル酢酸エチル、２−ピリジン酢酸メチル、２−ピリジン酢酸エチル、３−ピリジン酢酸メチル、３−ピリジン酢酸エチル、４−ピリジン酢酸メチル、４−ピリジン酢酸エチル、２−ピロールカルボン酸メチル、３−ピロールカルボン酸メチル、２−チオフェンカルボン酸メチル、３−チオフェンカルボン酸メチル等が挙げられる。【００２９】
前記カルボン酸アミドとしては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル安息香酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−ピリジンカルボン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−ピリジンカルボン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−ピリジンカルボン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−フェニル酢酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−ピリジン酢酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−ピリジン酢酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−ピリジン酢酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−ピロールカルボン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−ピロールカルボン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−チオフェンカルボン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−チオフェンカルボン酸アミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−メチル安息香酸アミド、Ｎ−メチル−２−ピリジンカルボン酸アミド、Ｎ−メチル−３−ピリジンカルボン酸アミド、Ｎ−メチル−４−ピリジンカルボン酸アミド、Ｎ−メチル−フェニル酢酸アミド、Ｎ−メチル−２−ピリジン酢酸アミド、Ｎ−メチル−３−ピリジン酢酸アミド、Ｎ−メチル−４−ピリジン酢酸アミド、Ｎ−メチル−２−ピロールカルボン酸アミド、Ｎ−メチル−３−ピロールカルボン酸アミド、Ｎ−メチル−２−チオフェンカルボン酸アミド、Ｎ−メチル−３−チオフェンカルボン酸アミド、アセトアミド、安息香酸アミド、２−ピリジンカルボン酸アミド、３−ピリジンカルボン酸アミド、４−ピリジンカルボン酸アミド、フェニル酢酸アミド、２−ピリジン酢酸アミド、３−ピリジン酢酸アミド、４−ピリジン酢酸アミド、２−ピロールカルボン酸アミド、３−ピロールカルボン酸アミド、２−チオフェンカルボン酸アミド、３−チオフェンカルボン酸アミド等が挙げられる。【００３０】
前記アミンとしては、例えば、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、ジメチル（２−ピリジン）アミン、ジメチル（３−ピリジン）アミン、ジメチル（４−ピリジン）アミン、メチルビス（２−ピリジン）アミン、メチルビス（３−ピリジン）アミン、メチルビス（４−ピリジン）アミン、トリス（２−ピリジン）アミン、トリス（３−ピリジン）アミン、トリス（４−ピリジン）アミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、Ｎ−メチルアニリン、メチルフェニルアミン、ジフェニルアミン、メチル（２−ピリジン）アミン、メチル（３−ピリジン）アミン、メチル（４−ピリジン）アミン、メチル（２−ピリジン）アミン、メチル（３−ピリジン）アミン、メチル（４−ピリジン）アミン、ビス（２−ピリジン）アミン、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、アニリン、（２−ピリジン）アミン、（３−ピリジン）アミン、（４−ピリジン）アミン、（２−ピリジン）アミン、（３−ピリジン）アミン、（４−ピリジン）アミン、ピリジン、２−メチルピリジン、３−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−トリフルオロメチルピリジン、３−トリフルオロメチルピリジン、４−トリフルオロメチルピリジン、Ｎ−メチルピロール等が挙げられる。【００３１】
前記ホスフィンとしては、例えば、前記アミンの窒素をリンに置き換えたもの等が挙げられる。
前記イソニトリルとしては、例えば、ブチルイソシアニド、イソブチルイソシアニド、ｓｅｃ−ブチルイソシアニド、ｔ−ブチルイソシアニド、フェニルイソシアニド、２−トリルイソシアニド、３−トリルイソシアニド、４−トリルイソシアニド、２−ピリジンイソシアニド、３−ピリジンイソシアニド、４−ピリジンイソシアニド、ベンジルイソシアニド等が挙げられる。
前記エーテルとしては、例えば、ジエチルエーテル、ジ−ｎ−プロピルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジ−ｓｅｃ−ブチルエーテル、ジ−ｔ−ブチルエーテル、アニソール、ジフェニルエーテル、フラン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等が挙げられる。
前記チオエーテルとしては、前記エーテルの酸素を硫黄に置き換えたもの等が挙げられる。
前記炭素数１〜３０の二重結合含有化合物としては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、１−エイコセン、２−ブテン、２−ペンテン、２−ヘキセン、２−ヘプテン、２−オクテン、２−ノネン、２−デセン、２−エイコセン、３−ヘキセン、３−ヘプテン、３−オクテン、３−ノネン、３−デセン、３−エイコセン、イソブテン、スチレン、α−メチルスチレン、β−メチルスチレン、ブタジエン、イソプレン、スチルベン等が挙げられる。【００３２】
一般式（１）において、Ｚ1は、金属Ｍと共有結合を形成する原子で、炭素、ケイ素、窒素又はリン原子であり、Ｚ2は、置換基Ｒ1と共有結合を形成する原子で、炭素、ケイ素、窒素又はリン原子であり、Ｚ1及びＺ2を含むＡ環、及びＢ環は、置換基を有してもよい核炭素数３〜４０の芳香族炭化水素基又は置換基を有してもよい核原子数３〜４０の複素環基である。
この芳香族炭化水素基は前記で挙げたものと同様の例が挙げられ、この芳香族複素環基の例としては、前記複素環基の例のうち芳香族複素環基であるものが挙げられる。【００３３】
それらの中でも、Ｒ1及びＺ1及びＺ2を含むＡ環
【化６】
2007058255.tif 000007
としては、以下で表される構造が好ましい。下記例では、ＭがＩｒとして例示するが、Ｉｒ以外の場合も同様の例が挙げられる。なお、Ｘは、隣接するＢ環を含む環構造を表している。また、ＸとＩｒの結合（→）は略している。【００３４】
【化７】
2007058255.tif 000008
【００３５】
また、Ｚ3及びＢ環を含む構造
【化８】
2007058255.tif 000009
としては、以下で表される構造が好ましい。下記例では、ＭがＩｒとして例示するが、Ｉｒ以外の場合も同様の例が挙げられる。Ｒ1及びＺ1及びＺ2を含むＡ環構造は単にＡ環として略して記載する。また、Ａ環とＩｒの結合（−）は略している。【００３６】
【化９】
2007058255.tif 000010
【００３７】
【化１０】
2007058255.tif 000011
【００３８】
一般式（１）において、Ｚ3は窒素原子又はＣＲ2を示し、ＣＲ2が複数のとき、複数のＲ2は同じであっても異なっていてもよい。
前記Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、チオシアノ基、シアノ基、ニトロ基、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｒ18基、又は−Ｓ（＝Ｏ）Ｒ18、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい核炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数７〜４０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０のアルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０のアルキルシリル基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールシリル基、炭素数１〜３０のカルボキシル含有基であり、Ｚ3がＣＲ2のとき、Ｒ1及びＲ2は架橋していてもよい。
（前記Ｒ18は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい核炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数７〜４０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい炭素数３〜３０のアルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換基を有してもよい炭素数３〜３０のアルキルシリル基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールシリル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のカルボキシル含有基である。）【００３９】
前記アルキル基としては、炭素数１〜１０のものが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基，ｎ−デシル基，ｎ−ウンデシル基，ｎ−ドデシル基，ｎ−トリデシル基，ｎ−テトラデシル基，ｎ−ペンタデシル基，ｎ−ヘキサデシル基，ｎ−ヘプタデシル基，ｎ−オクタデシル基，ネオペンチル基，１−メチルペンチル基，２−メチルペンチル基，１−ペンチルヘキシル基，１−ブチルペンチル基，１−ヘプチルオクチル基，３−メチルペンチル基，ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、１，２−ジニトロエチル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、３，５−テトラメチルシクロヘキシル基等が挙げられる。
これらの中で好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、１−メチルペンチル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ブチルペンチル基、１−ヘプチルオクチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、３，５−テトラメチルシクロヘキシル基である。【００４０】
前記ハロゲン化アルキル基としては、炭素数１〜１０のものが好ましく、例えば、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、フルオロメチル基、１−フルオロメチル基，２−フルオロメチル基、２−フルオロイソブチル基、１，２−ジフロロエチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロイソプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基等が挙げられる。
これらの中で好ましくは、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロイソプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基である。【００４１】
前記芳香族炭化水素基としては、核炭素数６〜１８のものが好ましく、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｏ−クメニル基、ｍ−クメニル基、ｐ−クメニル基、２，３−キシリレニル基、３，４−キシリレニル基、２，５−キシリレニル基、メシチレニル基、パーフルオロフェニル基等が挙げられる。
これらの中で好ましくは、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−トリル基、３，４−キシリレニル基である。【００４２】
前記シクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられる。
前記アラルキル基としては、炭素数７〜１８のものが好ましく、例えば、ベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基等が挙げられ、好ましくは、ベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基，１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基である。【００４３】
前記アルケニル基としては、炭素数２〜１６のものが好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１，３−ブタンジエニル基、１−メチルビニル基、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２−ジフェニルビニル基、１−メチルアリル基、１，１−ジメチルアリル基、２−メチルアリル基、１−フェニルアリル基、２−フェニルアリル基、３−フェニルアリル基、３，３−ジフェニルアリル基、１，２−ジメチルアリル基、１−フェニル−１−ブテニル基、３−フェニル−１−ブテニル基等が挙げられ、好ましくはスチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２−ジフェニルビニル基である。【００４４】
前記複素環基としては、核原子数３〜１８のものが好ましく、例えば、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、１−イミダゾリル基、２−イミダゾリル基、１−ピラゾリル基、１−インドリジニル基、２−インドリジニル基、３−インドリジニル基、５−インドリジニル基、６−インドリジニル基、７−インドリジニル基、８−インドリジニル基、２−イミダゾピリジニル基、３−イミダゾピリジニル基、５−イミダゾピリジニル基、６−イミダゾピリジニル基、７−イミダゾピリジニル基、８−イミダゾピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、β−カルボリン−１−イル，β−カルボリン−３−イル，β−カルボリン−４−イル，β−カルボリン−５−イル，β−カルボリン−６−イル，β−カルボリン−７−イル，β−カルボリン−６−イル，β−カルボリン−９−イル，１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナンスロリン−２−イル基、１，７−フェナンスロリン−３−イル基、１，７−フェナンスロリン−４−イル基、１，７−フェナンスロリン−５−イル基、１，７−フェナンスロリン−６−イル基、１，７−フェナンスロリン−８−イル基、１，７−フェナンスロリン−９−イル基、１，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１，８−フェナンスロリン−２−イル基、１，８−フェナンスロリン−３−イル基、１，８−フェナンスロリン−４−イル基、１，８−フェナンスロリン−５−イル基、１，８−フェナンスロリン−６−イル基、１，８−フェナンスロリン−７−イル基、１，８−フェナンスロリン−９−イル基、１，８−フェナンスロリン−１０−イル基、１，９−フェナン��ロリン−２−イル基、１，９−フェナンスロリン−３−イル基、１，９−フェナンスロリン−４−イル基、１，９−フェナンスロリン−５−イル基、１，９−フェナンスロリン−６−イル基、１，９−フェナンスロリン−７−イル基、１，９−フェナンスロリン−８−イル基、１，９−フェナンスロリン−１０−イル基、１，１０−フェナンスロリン−２−イル基、１，１０−フェナンスロリン−３−イル基、１，１０−フェナンスロリン−４−イル基、１，１０−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−１−イル基、２，９−フェナンスロリン−３−イル基、２，９−フェナンスロリン−４−イル基、２，９−フェナンスロリン−５−イル基、２，９−フェナンスロリン−６−イル基、２，９−フェナンスロリン−７−イル基、２，９−フェナンスロリン−８−イル基、２，９−フェナンスロリン−１０−イル基、２，８−フェナンスロリン−１−イル基、２，８−フェナンスロリン−３−イル基、２，８−フェナンスロリン−４−イル基、２，８−フェナンスロリン−５−イル基、２，８−フェナンスロリン−６−イル基、２，８−フェナンスロリン−７−イル基、２，８−フェナンスロリン−９−イル基、２，８−フェナンスロリン−１０−イル基、２，７−フェナンスロリン−１−イル基、２，７−フェナンスロリン−３−イル基、２，７−フェナンスロリン−４−イル基、２，７−フェナンスロリン−５−イル基、２，７−フェナンスロリン−６−イル基、２，７−フェナンスロリン−８−イル基、２，７−フェナンスロリン−９−イル基、２，７−フェナンスロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基、ピロリジン、ピラゾリジン、ピペラリジン等が挙げられる。
これらの中で好ましくは、２−ピリジニル基、１−インドリジニル基、２−インドリジニル基、３−インドリジニル基、５−インドリジニル基、６−インドリジニル基、７−インドリジニル基、８−インドリジニル基、２−イミダゾピリジニル基、３−イミダゾピリジニル基、５−イミダゾピリジニル基、６−イミダゾピリジニル基、７−イミダゾピリジニル基、８−イミダゾピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基である。【００４５】
前記アルコキシ基及びアリールオキシ基は、−ＯＸ1 で表される基であり、Ｘ1 の例としては、前記アルキル基及びハロゲン化アルキル基及びアリール基で説明したものと同様の例が挙げられる。
前記アルキルアミノ基及びアリールアミノ基は、−ＮＸ1Ｘ2で表される基であり、Ｘ1及びＸ2の例としては、それぞれ前記アルキル基及びハロゲン化アルキル基及びアリール基で説明したものと同様の例が挙げられる。
前記カルボキシル含有基としては、例えば、メチルエステル、エチルエステル、ブチルエステル等が挙げられる。
前記アルキルシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基等が挙げられる。
前記アリールシリル基としては、例えば、トリフェニルシリル基、フェニルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基等が挙げられる。
また、前記Ｒ1とＲ2が架橋して形成する環構造としては、前記複素環基で挙げたものと同様の例が挙げられる。【００４６】
一般式（１）において、ｋが複数のときは、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｒ1、Ａ環、及びＢ環は、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、隣接するもの同士で架橋していてもよい。【００４７】
また、前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（２）で表される金属カルベン結合を有する遷移金属錯体化合物であると好ましい。
【化１１】
2007058255.tif 000012
【００４８】
一般式（２）において、Ｃ（炭素原子）→Ｍは金属カルベン結合を示す。Ｒ1、Ｒ2、Ｍ、ｋは、それぞれ前記と同じであり、ｍは０〜２の整数で、ｋ＋ｍは金属Ｍの原子価を示す。
一般式（２）において、Ｒ3〜Ｒ17は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、チオシアノ基、シアノ基、ニトロ基、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｒ18基、−Ｓ（＝Ｏ）Ｒ18［Ｒ18は前記と同じ］、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい核炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数７〜４０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０のアルケニル基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０の複素環基、置換基を有してもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換基を有してもよい核炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０のアルキルアミノ基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールアミノ基、置換基を有してもよい核原子数３〜３０のアルキルシリル基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリールシリル基、炭素数１〜３０のカルボキシル含有基であり、Ｒ3〜Ｒ17は隣接するもので架橋していてもよい。
これら各基の具体例としては、前記一般式（１）のＲ1 及びＲ2 と同様の例が挙げられる。また、前記ＭがＩｒであると好ましい。【００４９】
次に、一般式（３）について説明する。
【化１２】
2007058255.tif 000013
【００５０】
一般式（３）において、Ｃ（炭素原子）→Ｍは金属カルベン結合を示し、矢印（→）で示した結合は配位結合を意味する。Ｍは前記と同じであり、Ｉｒが好ましい。
一般式（３）において、Ｌ2は単座配位子を示す。ｊは前記と同じであり、ｊが複数のときは、各Ｌ2は、それぞれ同じあっても異なっていてもよく、架橋していてもよい。
一般式（３）において、Ｌ2は、前記と同じ配位子であり、同様の具体例が挙げられる。
一般式（３）において、Ｌ3は、ｐＫａ値が−１０以下である超強酸類、カルボン酸類、アルデヒド類、ケトン類、アルコール類、チオアルコール類、フェノール類、アミン類、アミド類、芳香族類もしくはアルカンの共役塩基、又は水素イオン、ハロゲン化物イオンが挙げられ、ｐＫａ値が−１０以下である超強酸類の共役塩基及びハロゲン化物イオンが好ましい。
前記ｐＫａ値が−１０以下である超強酸類の共役塩基としては、ＳｂＦ6-、ＦＳＯ3-、ＣｌＯ4-、Ｉ-、ＴｆＯ-、Ｔｆ2Ｎ-（Ｔｆ−＝ＣＦ3ＳＯ2−）等が、カルボン酸類の共役塩基としては、ＲＣＯＯ-、ＡｒＣＯＯ-等が、アルデヒド類の共役塩基としてはＲ-ＣＯＨ、ケトン類の共役塩基としては、Ｒ−ＣＯＲ’等が、アルコール類の共役塩基としては、ＲＯ-等が、チオアルコール類の共役塩基としては、ＲＳＯ-等が、フェノール類の共役塩基としては、ＡｒＯ-等が、アミン類の共役塩基としてはＲＲ’Ｎ-等が、アミド類の共役塩基としては、ＲＲ’ＮＣＯＲ''- 等が、芳香族類の共役塩基としては、（置換）シクロペンタジエニルアニオン、Ａｒ-等が、アルカン類の共役塩基としては、Ｍｅ-、ｔＢｕ-（Ｍｅはメタン、Ｂｕはブタン）等が、ハロゲン化物イオンとしては、
Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-が挙げられる。
前記Ｒ、Ｒ’及びＲ''の例としては、前記Ｒ18と同様の例が挙げられる。【００５１】
一般式（３）において、Ｌ3−Ｌ2の具体例（Ｌ3とＬ2が架橋した配位子）としては、例えば、（置換）アセチルアセトン類の共役塩基、βケトイミン類の共役塩基、βジイミン類の共役塩基、（置換）ピコリン酸の共役塩基、（置換）マロン酸ジエステル類の共役塩基、（置換）アセト酢酸エステル類の共役塩基、（置換）アセト酢酸アミド類の共役塩基、（置換）アミジナート類の共役塩基等が挙げられる。
一般式（３）において、Ｚ1は、炭素、ケイ素、窒素又はリン原子であり、Ｚ2、Ｚ3及びＲ1は、それぞれ前記と同じであり、同様の具体例が挙げられる。
一般式（３）において、Ｒ1、Ｚ1及びＺ2を含むＡ環及びＺ3を含むＢ環の具体例としては、前記一般式（１）と同様の例が挙げられる。
また、各２つずつあるＺ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｒ1、Ａ環、及びＢ環は、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、隣接するもの同士で架橋していてもよい。【００５２】
次に、一般式（４）について説明する。
【化１３】
2007058255.tif 000014
【００５３】
一般式（４）において、Ｃ（炭素原子）→Ｍは金属カルベン結合を示し、実線（−）で示した結合は共有結合を、矢印（→）で示した結合は配位結合を意味する。Ｍは、前記と同じであり、Ｌ2は、単座配位子を示す。ｊは前記と同じであり、ｊが複数のときは、各Ｌ2は、それぞれ同じあっても異なっていてもよく、架橋していてもよい。
Ｌ2は、前記と同じ配位子であり、Ｌ3、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＲ1は、それぞれ前記と同じであり、同様の具体例が挙げられる。
一般式（４）において、Ｒ1、Ｚ1及びＺ2を含むＡ環及びＺ3を含むＢ環の具体例としては、前記一般式（１）と同様の例が挙げられる。
また、Ｌ3−Ｌ2の具体例（Ｌ3とＬ2が架橋した配位子）としても同様の例が挙げられる。
また、各２つずつあるＺ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｒ1、Ａ環、及びＢ環は、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、隣接するもの同士で架橋していてもよい。【００５４】
本発明の一般式（７）で表される金属カルベン結合を有する遷移金属化合物の製造方法は、下記一般式（５）で表されるイリジウム化合物及び下記一般式（６）で表されるイミダゾリウム塩を、溶媒及び塩基の存在下で反応させて一般式（７）で表される遷移金属化合物を製造する。【００５５】
【化１４】
2007058255.tif 000015
【００５６】
一般式（５〜７）において、Ｃ（炭素原子）→Ｉｒ（イリジウム）は金属カルベン結合を示し、実線（−）で示した結合は共有結合を、矢印（→）で示した結合は配位結合を意味する。Ｌ2は、単座配位子を示す。ｊは前記と同じであり、ｊが複数のときは、各Ｌ2は、それぞれ同じあっても異なっていてもよく、架橋していてもよい。
Ｌ2は、前記と同じ配位子であり、Ｌ3、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3及びＲ1は、それぞれ前記と同じであり、同様の具体例が挙げられる。
一般式（４）において、Ｒ1、Ｚ1及びＺ2を含むＡ環及びＺ3を含むＢ環の具体例としては、前記一般式（１）と同様の例が挙げられる。
各２つずつあるＺ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｒ1、Ａ環、及びＢ環は、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、隣接するもの同士で架橋していてもよい。【００５７】
また、この製造方法において、前記溶媒としては、（置換）芳香族炭化水素、（置換）ヘテロ原子含有芳香族、（置換）直鎖エーテル類、（置換）環状エーテル類、（置換）環状チオエーテル類、（置換）アルコール類、（置換）脂肪族炭化水素等が挙げられる。具体的には、（置換）芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン等が挙げられ、（置換）ヘテロ原子含有芳香族としては、ピリジン、２−メチルピリジン、３−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２，６−ジメチルピリジン、キノリン、イソキノリン等のビリジン誘導体や、フラン、２−メチルフラン、３−メチルフラン、２，５−ジメチルフラン、ベンゾフラン等のフラン誘導体、チオフェン、２−メチルチオフェン、３−メチルチオフェン、２，５−ジメチルチオフェン、ベンゾチオフェン等のチオフェン誘導体が挙げられ、（置換）直鎖エーテル類としては、ジイソプロピルエーテル、ジ―ｎ―ブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、（置換）環状エーテル類としては、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、３−メチルテトラヒドロフラン、２，５−ジメチルテトラヒドロフラン、２，２，５，５−テトラメチルテトラヒドロフラン等のテトラヒドロフラン誘導体が挙げられ、（置換）環状チオエーテル類としては、テトラヒドロチオフェン、２−メチルテトラヒドロチオフェン、３−メチルテトラヒドロチオフェン、２，５−ジメチルテトラヒドロチオフェン、２，２，５，５−テトラメチルテトラヒドロチオフェン等のテトラヒドロチオフェン誘導体が挙げられ、（置換）アルコール類としては、２−メトキシエタノール、ジエチレングリコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、１，４−ブタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、グリセロール等が挙げられ、（置換）脂肪族炭化水素としては、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン、ｎ−ウンデカン、デカリン等が挙げられる。これらの中でも、（置換）環状エーテル類、（置換）アルコール類、（置換）芳香族炭化水素が好ましく、（置換）環状エーテル類である上記（置換）テトラヒドロフランがさらに好ましい。
前記塩基としては、酸解離定数（ｐＫａ値）が８以上、好ましくは１５以上、さらに好ましくは１５以上４０以下の酸の共役塩基と金属の組合わせからなる化合物、あるいは塩基性酸化物である金属酸化物が挙げられる。酸解離定数（ｐＫａ値）が１５以上４０以下の酸の共役塩基としては、アルコキシドアニオン、酸アミドアニオン、アミド、アルキルアミドアニオン、アリールアミドアニオン等が挙げられる。アルコキシドアニオンの具体例としては、メトキシドアニオン、エトキシドアニオン等があり、酸アミドアニオンの具体例としては、安息香酸アミドアニオン、酢酸アミドアニオン等があり、アルキルアミドアニオンとしては、メチルアミドアニオン、エチルアミドアニオン等があり、アリールアミドアニオンとしては、アニリドアニオンなどが挙げられる。これら共役塩基と組み合せる金属としては、リチウムカチオン、ナトリウムカチオン、カリウムカチオン、マグネシウムカチオンなどが挙げられる。また塩基性酸化物である金属酸化物としては、酸化マグネシウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カルシウム、酸化銅、酸化銀等が挙げられ、酸化銀が好ましい。【００５８】
前記一般式（１）〜（７）における各基の置換基としては、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、アミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基等が挙げられる。
これらの中でも、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数５〜７のシクロアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜７のシクロアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が特に好ましい。【００５９】
本発明の遷移金属錯体化合物の具体例としては、下記一般式（８）において、Ａ環を含む部分及びＢ環を含む部分を、それぞれ前述したものとした例が好ましく挙げられるが、それらに限定されるものではない。
【化１５】
2007058255.tif 000016
【００６０】
次に、本発明の遷移金属錯体化合物の製造方法について、代表例として、前記一般式（２）において、（ｉ）Ｍがイリジウム原子，ｋ＝３，ｍ＝０、（ii）Ｍがイリジウム原子，ｋ＝１，ｍ＝２を製造する場合を以下の合成ルートに示す。
なお、以下合成ルートにおいて、配位子の合成は、参考文献（J. Am. Chem. Soc., 127 (10), 3290 -3291, 2005）に準じて合成したものであり、下記Ｘはハロゲン原子等の脱離基を示す。【００６１】
【化１６】
2007058255.tif 000017
【００６２】
また、一般式（１）の具体例として、以下の遷移金属化合物の合成ルートに示す。
なお、ａｃａｃはアセチルアセトネートである。
【化１７】
2007058255.tif 000018
【００６３】
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極からなる一対の電極間に少なくとも発光層を有する一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、本発明の一般式（１）、（３）及び（４）の少なくとも１種で表される遷移金属錯体化合物を含有するものであり、一般式（３）及び／又は（４）で表される遷移金属錯体化合物を含有する。
前記有機薄膜層中の本発明の金属錯体化合物の含有量としては、発光層全体の質量に対し、通常０．１〜１００重量％であり、１〜３０重量％であると好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子は、前記発光層が、本発明の遷移金属錯体化合物を発光材料又はドーパントとして含有すると好ましい。また、通常、前記発光層は真空蒸着又は塗布により薄膜化するが、塗布の方が製造プロセスを簡略化できることから、本発明の遷移金属錯体化合物を含有する層が、塗布により成膜されてなると好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子において、有機薄膜層が単層型のものとしては有機薄膜層が発光層であり、この発光層が本発明の遷移金属錯体化合物を含有する。また、多層型の有機ＥＬ素子としては、（陽極／正孔注入層（正孔輸送層）／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入層（電子輸送層）／陰極）、（陽極／正孔注入層（正孔輸送層）／発光層／電子注入層（電子輸送層）／陰極）等が挙げられる。【００６４】
本発明の有機ＥＬ素子の陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。陽極の材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、又はこれらの混合物などを用いることができる。陽極の材料の具体例としては、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、又は金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの導電性金属酸化物と金属との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯを用いることが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能である。【００６５】
本発明の有機ＥＬ素子の陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、陰極の材料としては、金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、又はこれらの混合物を用いることができる。陰極の材料の具体例としては、アルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物もしくは酸化物、アルカリ土類金属（例えば、Ｍｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物もしくは酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金もしくはナトリウム−カリウム混合金属、リチウム−アルミニウム合金もしくはリチウム−アルミニウム混合金属、マグネシウム−銀合金もしくはマグネシウム−銀混合金属、又はインジウム、イッテルビウム等の希土類金属等が挙げられる。これらの中でも好ましくは、アルミニウム、リチウム−アルミニウム合金もしくはリチウム−アルミニウム混合金属、マグネシウム−銀合金もしくはマグネシウム−銀混合金属等である。陰極は、前記材料の単層構造であってもよいし、前記材料を含む層の積層構造であってもよい。例えば、アルミニウム／フッ化リチウム、アルミニウム／酸化リチウムの積層構造が好ましい。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能である。【００６６】
本発明の有機ＥＬ素子の正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであればよい。その具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン誘導体、本発明の遷移金属錯体化合物等が挙げられる。また、前記正孔注入層及び前記正孔輸送層は、前記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。【００６７】
本発明の有機ＥＬ素子の電子注入層及び電子輸送層は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものであればよい。その具体例としては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、本発明の遷移金属錯体化合物等が挙げられる。また、前記電子注入層及び前記電子輸送層は、前記材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。【００６８】
さらに、電子注入層及び電子輸送層に用いる電子輸送材料としては、下記化合物が挙げられる。
【化１８】
2007058255.tif 000019
【００６９】
【化１９】
2007058255.tif 000020
【００７０】
【化２０】
2007058255.tif 000021
【００７１】
本発明の有機ＥＬ素子において、該電子注入層及び／又は電子輸送層がπ電子欠乏性含窒素ヘテロ環誘導体を主成分として含有すると好ましい。
π電子欠乏性含窒素ヘテロ環誘導体としては、ベンツイミダゾール環、ベンズトリアゾール環、ピリジノイミダゾール環、ピリミジノイミダゾール環、ピリダジノイミダゾール環から選ばれた含窒素５員環の誘導体や、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環で構成される含窒素６員環誘導体が好ましい例として挙げられ、含窒素５員環誘導体として下記一般式Ｂ−Ｉ式で表される構造が好ましく挙げられ、含窒素６員環誘導体としては、下記一般式Ｃ−Ｉ、Ｃ−II、Ｃ−III、Ｃ−IV、Ｃ−Ｖ及びＣ−VIで表される構造が好ましく挙げられ、特に好ましくは、一般式Ｃ−Ｉ及びＣ−IIで表される構造である。【００７２】
【化２１】
2007058255.tif 000022
一般式（Ｂ−Ｉ）において、ＬBは二価以上の連結基を表し、好ましくは、炭素、ケイ素、窒素、ホウ素、酸素、硫黄、金属、金属イオンなどで形成される連結基であり、より好ましくは炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、ホウ素原子、酸素原子、硫黄原子、芳香族炭化水素環、芳香族へテロ環であり、さらに好ましくは炭素原子、ケイ素原子、芳香族炭化水素環、芳香族へテロ環である。【００７３】
ＬBは置換基を有していてもよく、置換基として好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、芳香族複素環基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、芳香族複素環基であり、さらに好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、芳香族複素環基であり、特に好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、芳香族複素環基である。【００７４】
ＬBで表される連結基の具体例としては以下のものが挙げられる。
【化２２】
2007058255.tif 000023
【００７５】
一般式（Ｂ−Ｉ）において、ＸB2は、−Ｏ−、−Ｓ−又は＝Ｎ−ＲB2を表す。ＲB2は、水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基を表す。
ＲB2の表す脂肪族炭化水素基は、直鎖、分岐又は環状のアルキル基（好ましくは、炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは、炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８のアルケニル基であり、例えばビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８のアルキニル基であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基等が挙げられる。）であり、より好ましくはアルキル基である。
ＲB2の表すアリール基は、単環又は縮環のアリール基であり、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、さらに好ましくは炭素数６〜１２のアリール基であり、例えば、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等が挙げられる。【００７６】
ＲB2の表すヘテロ環基は、単環又は縮環のヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、更に好ましくは炭素数２〜１０のヘテロ環基）であり、好ましくは窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子の少なくとも一つを含む芳香族へテロ環基であり、例えば、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルフォリン、チオフェン、セレノフェン、フラン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、ピリミジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデン、カルバゾール、アゼピン等が挙げられ、好ましくは、フラン、チオフェン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリンであり、より好ましくはフラン、チオフェン、ピリジン、キノリンであり、さらに好ましくはキノリンである。
ＲB2の表す脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基は置換基を有していてもよく、前記ＬBと同様のものが挙げられる。
ＲB2として好ましくは、アルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基であり、より好ましくはアリール基、芳香族へテロ環基であり、さらに好ましくはアリール基である。【００７７】
ＸB2として好ましくは、−Ｏ−、＝Ｎ−ＲB2であり、より好ましくは＝Ｎ−ＲB2であり、特に好ましくは＝Ｎ−ＡｒB2（ＡｒB2は、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、更に好ましくは炭素数６〜１２のアリール基）、芳香族ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、更に好ましくは炭素数２〜１０の芳香族ヘテロ環基）であり、好ましくはアリール基である。）である。【００７８】
ＺB2は芳香族環を形成するに必要な原子群を表す。ＺB2で形成される芳香族環は芳香族炭化水素環、芳香族ヘテロ環のいずれでもよく、具体例としては、例えばベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、セレノフェン環、テルロフェン環、イミダゾール環、チアゾール環、セレナゾール環、テルラゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環、ピラゾール環などが挙げられ、好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環であり、より好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環であり、さらに好ましくはベンゼン環、ピリジン環であり、特に好ましくはピリジン環である。ＺB2で形成される芳香族環はさらに他の環と縮合環を形成してもよく、また置換基を有していてもよい。置換基として、好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、芳香族へテロ環基であり、特に好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、芳香族へテロ環基である。
ｎB2は、１〜４の整数であり、２〜３であると好ましい。【００７９】
前記一般式（Ｂ−Ｉ）で表される化合物のうち、さらに好ましくは下記一般式（Ｂ−II）で表される化合物である。
【化２３】
2007058255.tif 000024
【００８０】
一般式（Ｂ−II）中、ＲB71、ＲB72及びＲB73は、それぞれ一般式（Ｂ−Ｉ）におけるＲB2と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺB71、ＺB72及びＺB73は、それぞれ一般式（Ｂ−Ｉ）におけるＺB2と同様であり、また好ましい範囲も同様である。
ＬB71、ＬB72及びＬB73は、それぞれ連結基を表し、一般式（Ｂ−Ｉ）におけるＬB の例を二価としたものが挙げられ、好ましくは、単結合、二価の芳香族炭化水素環基、二価の芳香族ヘテロ環基、およびこれらの組み合わせからなる連結基であり、より好ましくは単結合である。ＬB71、ＬB72及びＬB73は置換基を有していてもよく、置換基としては一般式（Ｂ−Ｉ）のＬBと同様のものか挙げられる。
Ｙは、窒素原子、１，３，５−ベンゼントリイル基又は２，４，６−トリアジントリイル基を表す。１，３，５−ベンゼントリイル基は２，４，６−位に置換基を有していてもよく、置換基としては、例えばアルキル基、芳香族炭化水素環基、ハロゲン原子などが挙げられる。【００８１】
一般式（Ｂ−Ｉ）又は（Ｂ−II）で表される含窒素５員環誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。
【化２４】
2007058255.tif 000025
【００８２】
【化２５】
2007058255.tif 000026
【００８３】
（Ｃｚ−）ｎＡ                              （Ｃ−Ｉ）
Ｃｚ（−Ａ）ｍ                              （Ｃ−II）
［式中、Ｃｚは置換もしくは無置換のカルバゾリル基、アリールカルバゾリル基又はカルバゾリルアルキレン基、Ａは下記一般式（Ａ）で表される部位より形成される基である。ｎ，ｍはそれぞれ１〜３の整数である。
（Ｍ）ｐ−（Ｌ）ｑ−（Ｍ'）ｒ              （Ａ）
（Ｍ及びＭ'は、それぞれ独立に、環を形成する炭素数が２〜４０の窒素含有ヘテロ芳香族環であり、環に置換基を有していても有していなくても良い。またＭおよびＭ'は、同一でも異なっていても良い。Ｌは単結合、炭素数６〜３０のアリーレン基、炭素数５〜３０のシクロアルキレン基又は炭素数２〜３０のヘテロ芳香族環であり、環に結合する置換基を有していても有していなくても良い。ｐは０〜２、ｑは１〜２、ｒは０〜２の整数である。ただし、ｐ＋ｒは１以上である。）］【００８４】
前記一般式（Ｃ−Ｉ）及び（Ｃ−II）の結合様式はパラメータｎ，ｍの数により、具体的には以下の表中記載のように表される。
【表１】
2007058255.tif 000027
【００８５】
また、一般式（Ａ）で表される基の結合様式は、パラメータｐ，ｑ，ｒの数により、具体的には以下の表中(1)から(16)に記載された形である。
【表２】
2007058255.tif 000028
【表３】
2007058255.tif 000029
【００８６】
前記一般式（Ｃ−Ｉ）及び（Ｃ−II）において、Ｃｚが、Ａと結合している場合、Ａを表すＭ，Ｌ，Ｍ'のどの部分に結合してもよい。例えば、ｍ＝ｎ＝１であるＣｚ−Ａではｐ＝ｑ＝ｒ＝１（表中(6))の場合、ＡはＭ−Ｌ−Ｍ’となりＣｚ−Ｍ−Ｌ−Ｍ'，Ｍ−Ｌ（−Ｃｚ）−Ｍ' ，Ｍ−Ｌ−Ｍ'−Ｃｚの３つの結合様式として表される。また同様に、例えば一般式（Ｃ−Ｉ）においてｎ＝２であるＣｚ−Ａ−Ｃｚでは、ｐ＝ｑ＝１，ｒ＝２（表中(7))の場合ＡはＭ−Ｌ−Ｍ’−Ｍ’もしくはＭ−Ｌ（−Ｍ’）−Ｍ’となり、下記の結合様式として表される。【００８７】
【化２６】
2007058255.tif 000030
【００８８】
前記一般式（Ｃ−Ｉ）及び（Ｃ−II）で表される具体例としては下記のような構造が挙げられるが、この例に限定されるものではない。
【化２７】
2007058255.tif 000031
【００８９】
【化２８】
2007058255.tif 000032
（式中、Ａｒ11〜Ａｒ13は、それぞれ一般式（Ｂ−Ｉ）のＲB2と同様の基を示し、具体例も同様であり、Ａｒ1〜Ａｒ3は、一般式（Ｂ−Ｉ）のＲB2と同様の基を２価にしたものを示し、具体例も同様である。）
一般式（Ｃ−III)の具体例を以下に示すが、これに限定されない。
【化２９】
2007058255.tif 000033
【００９０】
【化３０】
2007058255.tif 000034
（式中、Ｒ11〜Ｒ14は、それぞれ一般式（Ｂ−Ｉ）のＲB2と同様の基を示し、具体例も同様である。）
一般式（Ｃ−IV）の具体例を以下に示すが、これらに限定されない。
【化３１】
2007058255.tif 000035
【００９１】
【化３２】
2007058255.tif 000036
（式中、Ａｒ1〜Ａｒ3は、それぞれ一般式（Ｂ−Ｉ）のＲB2と同様の基を示し、具体例も同様である。）
一般式（Ｃ−Ｖ）の具体例を以下に示すが、これに限定されない。
【化３３】
2007058255.tif 000037
【００９２】
【化３４】
2007058255.tif 000038
（式中、Ａｒ1〜Ａｒ4は、それぞれ一般式（Ｂ−Ｉ）のＲB2と同様の基を示し、具体例も同様である。）
一般式（Ｃ−VI）の具体例を以下に示すが、これに限定されない。
【化３５】
2007058255.tif 000039
【００９３】
また、本発明の有機ＥＬ素子において、電子注入・輸送層を構成する物質として、絶縁体又は半導体の無機化合物を使用することが好ましい。電子注入・輸送層が絶縁体や半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入・輸送層がこれらのアルカリ金属カルコゲナイド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。
具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ2Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ2Ｓ、Ｎａ2Ｓｅ及びＮａＯが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ及びＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ及びＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ2  、ＢａＦ2、ＳｒＦ2、ＭｇＦ2及びＢｅＦ2といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。【００９４】
また、電子注入・輸送層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
さらに、本発明の有機ＥＬ素子において、電子注入層及び／又は電子輸送層は、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントを含有していてもよい。本発明において、還元性ドーパントは電子注入効率を上昇させる化合物である。【００９５】
また、本発明においては、陰極と有機薄膜層との界面領域に還元性ドーパントが添加されていると好ましく、界面領域に含有される有機層の少なくとも一部を還元しアニオン化する。好ましい還元性ドーパントとしては、アルカリ金属、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物または希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体の群から選ばれる少なくとも一つの化合物である。より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）及びＣｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）及びＢａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶのものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、Ｒｂ又はＣｓであり、最も好ましくは、Ｃｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。【００９６】
前記アルカリ土類金属酸化物としては、例えば、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ及びこれらを混合したＢａxＳｒ1-xＯ（０＜x ＜１）や、ＢａxＣａ1-xＯ（０＜x ＜１）を好ましいものとして挙げることができる。アルカリ酸化物又はアルカリフッ化物としては、ＬｉＦ、Ｌｉ2Ｏ、ＮａＦ等が挙げられる。アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体としては金属イオンとしてアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも一つ含有するものであれば特に限定はない。また配位子としては、例えば、キノリノール、ベンゾキノリノール、アクリジノール、フェナントリジノール、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジアリールオキサジアゾール、ヒドロキシジアリールチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フェナントロリン、フタロシアニン、ポルフィリン、シクロペンタジエン、βージケトン類、アゾメチン類、およびそれらの誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。【００９７】
また、還元性ドーパントの好ましい形態としては、層状または島状に形成する。層状に用いる際の好ましい膜厚としては０．０５〜８ｎｍである。
還元性ドーパントを含む電子注入・輸送層の形成手法としては、抵抗加熱蒸着法により還元性ドーパントを蒸着しながら、界面領域を形成する発光材料または電子注入材料である有機物を同時に蒸着させ、有機物中に還元性ドーパントを分散する方法が好ましい。分散濃度としてはモル比として100：1〜1：100、好ましくは5：1〜1：5である。還元性ドーパントを層状に形成する際は、界面の有機層である発光材料または電子注入材料を層状に形成した後に、還元性ドーパントを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは膜厚0.5nｍ〜15nｍで形成する。還元性ドーパントを島状に形成する際は、界面の有機層である発光材料又は電子注入材料を形成した後に、還元性ドーパントを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは膜厚0.05〜1nｍで形成する。【００９８】
本発明の有機ＥＬ素子の発光層は、電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能、注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能、電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能を有するものである。本発明の有機ＥＬ素子の発光層は、少なくとも本発明の遷移金属錯体化合物を含有すると好ましく、この遷移金属錯体化合物をゲスト材料とするホスト材料を含有させてもよい。前記ホスト材料としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するもの等が挙げられる。前記ホスト材料のＴ1 （最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は、ゲスト材料のＴ1 レベルより大きいことが好ましい。前記ホスト材料は低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。また、前記ホスト材料と前記遷移金属錯体化合物等の発光材料とを共蒸着等することによって、前記発光材料が前記ホスト材料にドープされた発光層を形成することができる。【００９９】
本発明の有機ＥＬ素子において、前記各層の形成方法としては、特に限定されるものではないが、真空蒸着法、ＬＢ法、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム法、スパッタリング法、分子積層法、コーティング法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法などの種々の方法を利用することができ、本発明においては塗布法であるコーティング法が好ましい。
また、本発明の遷移金属錯体化合物を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるいは溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。
前記コーティング法では、本発明の遷移金属錯体化合物を溶媒に溶解して塗布液を調製し、該塗布液を所望の層（あるいは電極）上に、塗布・乾燥することによって形成することができる。塗布液中には樹脂を含有させてもよく、樹脂は溶媒に溶解状態とすることも、分散状態とすることもできる。前記樹脂としては、非共役系高分子（例えば、ポリビニルカルバゾール）、共役系高分子（例えば、ポリオレフィン系高分子）を使用することができる。より具体的には、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等が挙げられる。
また、本発明の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。
【実施例】
【０１００】
次に、実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明する。
実施例１（遷移金属錯体化合物１の合成）
（ｉ）化合物ａの合成
以下の反応工程にて、参考文献（Chem.Pharm.Bull., 1965, 13, 1135）記載の方法に準じて化合物ａを合成した。
【化３６】
2007058255.tif 000040
【０１０１】
ナスフラスコ中、２−ピリジンメタノール ２５．６ｇ（０．２３９モル）、アニリン２０．３ミリリットル（０．２１４モル）、及び水酸化カリウム１．９２ｇ（０．０３４１モル）を、１５０℃にて１２時間加熱攪拌させた。その結果、淡黄色オイル状態から、淡黄色懸濁状態へと変化した。これを室温まで冷却し、水２００ミリリットルを加え、希塩酸にてｐＨ７〜８程度になるまで中和した。次に、この反応溶液に塩化メチレン５００ミリリットルを加え、分液ロートを用い有機層を抽出した。さらに塩化メチレン１００ミリリットルで４回、抽出を行なった。この溶液を炭酸カリウムにより脱水し、固体成分をろ別し、減圧下溶媒を留去することで、黄褐色のペースト状固体を得た。このペースト状固体から減圧蒸留することで、赤橙色オイル７．７０ｇ（０．０４１７モル、収率１８％）を得た。蒸留温度は、１ｍｍＨｇにて１１５℃であった。この赤橙色オイルの1Ｈ−ＮＭＲを測定した結果、主成分は目的化合物ａであることがわかった。
1Ｈ−ＮＭＲ（装置：＜装置名Varian MERCURY 300＞３００ＭＨｚ、溶媒：重クロロホルム、内部基準：ＴＭＳ０．００ｐｐｍ、温度：３５℃）：δ４．４５（ｓ，２Ｈ，ＣＨ2）、δ４．７３（ｂｒ，１Ｈ，ＮＨ）、δ６．６５−７．２４（ｍ，５Ｈ，ベンゼン環）、δ７．１８−８．５８（ｍ，４Ｈ，ピリジン環）【０１０２】
（ii）化合物ｂの合成
以下の反応工程にて、化合物ｂを合成した。
【化３７】
2007058255.tif 000041
【０１０３】
上記（ｉ）で合成した化合物ａを用いて、化合物ｂの合成を行なった。モレッキュラーシーブス存在下、化合物ａを２．８２ｇ（０．０１５３モル）、ギ酸を２．９０ミリリットル（０．０７６５モル、５当量）加え、９５℃にて４時間攪拌を行なった。これを室温に冷却し、水１００ミリリットルを加え、塩化メチレンにて抽出を行なった（５０ミリリットルずつ５回）。この溶液に硫酸マグネシウムを入れ脱水し、固体成分をろ別後、減圧下溶媒を留去し、褐色のオイルを得た。次に、これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１／１）にて精製した結果、暗赤褐色オイルで２．０６ｇ得た（収率６３％、Ｒｆ値０．７）。これの1Ｈ−ＮＭＲを測定した結果、目的化合物ｂであることがわかった。
1Ｈ−ＮＭＲ（装置：＜装置名Varian MERCURY 300＞３００ＭＨｚ、溶媒：重クロロホルム、内部基準：ＴＭＳ０．００ｐｐｍ、温度：３５℃）：δ５．１８（ｓ，２Ｈ，ＣＨ2）、δ７．１４−７．３８（ｍ，５Ｈ，ベンゼン環）、δ７．１４−８．５４（ｍ，４Ｈ，ピリジン環）、δ８．６５（ｓ，１Ｈ，アルデヒド）【０１０４】
(iii)化合物ｃの合成
以下の反応工程にて、化合物ｃを合成した。
【化３８】
2007058255.tif 000042
【０１０５】
上記（ii）で合成した化合物ｂを用いて、化合物ｃの合成を行なった。ナスフラスコに、化合物ｂを１．０３ｇ（４．８５ミリモル）、オキシ塩化リン０．５０ミリリットル（５．３４ミリモル）、トルエン１０ミリリットルを入れ、８０℃にて１２時間、加熱攪拌を行なった（２層に分離した）。この溶液を減圧下にて留去し、粗生成物として緑灰色固体を１．９７ｇ得た。この粗生成物０．６０２ｇに塩化メチレン４０ミリリットルを加え、充分攪拌の後、遠心分離機を用いて固体成分を除去し、緑褐色溶液を得た。これを溶液量で５ミリリットルまで濃縮し、攪拌しながらジエチルエーテル５０ミリリットルを加えたところ、淡緑色沈殿が生じ、これを分離し、乾燥させた。1Ｈ−ＮＭＲ及びＨ−Ｈ  ＣＯＳＹによりピーク帰属を行ない、これが目的生成物ｃであることがわかった（０．２８７ｇ 収率８３％）。1Ｈ−ＮＭＲの測定結果を図１に示す。【０１０６】
1Ｈ−ＮＭＲ（装置：＜装置名Varian MERCURY 300＞３００ＭＨｚ、溶媒：重クロロホルム、内部基準：ＴＭＳ０．００ｐｐｍ、温度：３５℃）：δ７．０７（ｄｄ，Ｊ＝７．１，６．６Ｈｚ，１Ｈ，Ｈc）、７．２４（ｄｄ，Ｊ＝９．３，６．６Ｈｚ，１Ｈ，Ｈd）、７．５６−７．８４（ｍ，５Ｈ，Ｈg,h,i）、７．７０（ｄ，Ｊ＝９．３Ｈｚ，１Ｈ，Ｈe）、８．０９（ｓ，１Ｈ，Ｈf）、９．１４（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ，Ｈb）、１１．３８（ｓ，１Ｈ，Ｈa）
【化３９】
2007058255.tif 000043
【０１０７】
(iv)化合物ｄの合成
以下の反応工程にて、化合物ｄを合成した。
【化４０】
2007058255.tif 000044
【０１０８】
アルゴン気流下で、２０ミリリットルのシュレンク管に [（ＣＯＤ）ＩｒＣｌ]2（（シクロオクタジエン）イリジウムクロリド・ダイマー））を０．１５４ｇ（０．２２９ミリモル）、ＫＯｔ−Ｂｕ（ターシャリーブトキシカリウム）０．１５４ｇ（１．３７ミリモル）、溶媒エタノール５．０ミリリットルを入れ、室温で５時間攪拌した。次に化合物ｃを０．２１１ｇ（０．９１５ミリモル）入れ、室温で２時間攪拌した。次に、減圧下で溶媒を留去し、得られた赤橙色固体を塩化メチレンに溶かし、白色固体をろ別し、塩化メチレン可溶部から減圧下で溶媒を留去することで目的生成物（赤橙色固体）を０．２９０ｇ（収率８７％）得た。1Ｈ−ＮＭＲの測定結果を図２に示す。【０１０９】
（ｖ）遷移金属錯体（化合物１）の合成
以下の反応工程にて、化合物１を合成した。
【化４１】
2007058255.tif 000045
【０１１０】
アルゴン雰囲気下で化合物ｄを２０２ミリグラム（０．２７８ミリモル）、脱気２−エトキシエタノール１５．０ミリリットルをシュレンクに入れ、還流管をつけオイルバスで２時間還流を行った。溶液は赤橙色から褐色けん濁液へと変わった。
室温まで冷まし、カリウムターシャリーブトキシドを１８７ミリグラム（１．６７ミリモル）加え、３時間室温で撹拌を行った後、化合物Ｃを１２８ミリグラム（０．５５５ミリモル）加え、還流管を付けてオイルバスで２時間還流を行った。溶液はやや赤みがかった褐色けん濁液となった。
減圧下に溶媒留去した後、空気雰囲気下でカラムクロマトグラフィー（展開液塩化メチレン：Ｒｆ値０．９１）を行い、減圧下に溶媒留去、乾固し淡黄緑色固体の粗精製物３５．２ミリグラム（収率１６．４％）を得た。
この粗精製物から、さらに溶媒留去し、アルゴン雰囲気下で脱気溶媒（塩化メチレン：ヘキサン＝１：１）を用い、カラムクロマトグラフィーにて精製した結果、淡黄色固体を８．２ミリグラム（収率３．８％）で得た。1Ｈ−ＮＭＲの測定結果を図３に示す。【０１１１】
得られた化合物について実施例１と同様の条件で下記（１）〜（３）を測定した。
＜各種測定結果＞
（１）ＥＩ−ＭＳ測定（電子イオン化質量分析）：最大ピーク値は７７２で計算値（Ｍ+）と一致した（計算値  Ｍ+＝７７２）。
（２）1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ）スペクトル測定：図３参照
装置：Varian MERCURY 300
測定溶媒：溶媒ＣＤ2Ｃｌ2（重水素化塩化メチレン）、基準５．３２ｐｐｍ
上記（１）及び（２）の結果から、化合物１の構造が同定された。
また、化合物１の発光スペクトルを測定したところ（装置：分光蛍光光度計 日立Ｆ−４５００、測定溶媒：塩化メチレン）、３８８nm、４０９nm、４３５nmに極大発光波長が観測された。【０１１２】
実施例２（遷移金属錯体化合物１の合成）
（ｉ）化合物ｅの合成
以下の反応工程にて、化合物ｅを合成した。
【化４２】
2007058255.tif 000046
【０１１３】
ナスフラスコにトルエン５０ミリリットル、２−ピリジンカルボキシアルデヒト９．５５ミリリットル（０．１００ｍｏｌ，１．０ｅｑ）、アニリン９．１３ミリリットル（０．１００ｍｏｌ，１．０ｅｑ）を入れ、撹拌を始めるとすぐに淡黄色固体を生じた。さらに撹拌を続けると固体はすべて溶解し、無色の溶液となった。２４時間室温で撹拌した後減圧下で溶媒留去し、淡黄色オイル状の化合物ｅを定量的に得た。1Ｈ−ＮＭＲの測定結果を示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣｌ3，内部基準：ＴＭＳ０．００ｐｐｍ，３００ＭＨｚ，温度：３５℃）：δ７．２８−７．４５（ｍ，５Ｈ，ＨPh），７．３７（ｄｄｄ，Ｊ＝７．７，４．７，１．１Ｈｚ，１Ｈ，Ｈb），７．８２（ｄｄｄ，Ｊ＝７．７，７．７，１．９Ｈｚ，１Ｈ，Ｈc），８．２１（ｄｄ，Ｊ＝７．７，１．９  Ｈｚ，１Ｈ，Ｈd），８．６２（ｓ，１Ｈ，Ｈe），８．７２（ｄｄ，Ｊ＝７．７，１．１Ｈｚ，１Ｈ，Ｈa）．
【化４３】
2007058255.tif 000047
【０１１４】
（ii）化合物ｃの合成
以下の反応工程にて、化合物ｃを合成した。
【化４４】
2007058255.tif 000048
【０１１５】
Ａｒ雰囲気下、ナスフラスコに化合物ｅ１．８２ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、予め細かく砕いた粒状パラホルムアルデヒド（（ＣＨ2Ｏ）n、９１％含有）０．３２８ｇ（１２．０ｍｍｏｌ）、トルエン５０ミリリットルを入れ、室温で２４時間撹拌し、（ＣＨ2Ｏ）nを完全にトルエンに溶解させた。その後、塩酸（４Ｍ，１，４−ジオキサン溶液）２．８ミリリットル（１１．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１日間撹拌した。塩酸溶液を加えた瞬間から黄色固体が析出し始めた。
減圧下に溶媒を留去して得られる橙褐色の固体をＣＨ2Ｃｌ2でセライトろ過し、ろ液を減圧乾固して黄色固体の粗生成物を得た。これを熱アセトンから再結晶することで淡黄褐色化合物ｃを精製した（０．４１１ｇ，収率１８％）。
これの1Ｈ−ＮＭＲ及びＭＳ（ＦＡＢ+）（ＦＡＢ−ＭＳ：高速電子衝撃法質量スペクトル、装置：FAB-MS: JEOL JMS-700 Mass spectrometer (using 3-nitrobenzylalcohol as a matrix)）を測定した結果、目的化合物ｅであることがわかった。
化合物ｃ  1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，３００ＭＨｚ，３５℃）：
δ７．０７（ｄｄ，Ｊ＝７．１，６．６Ｈｚ，１Ｈ，Ｈc，），７．２４（ｄｄ，  Ｊ＝９．３，６．６Ｈｚ，１Ｈ，Ｈd），７．５６−７．８４（ｍ，５Ｈ，ＨPh），  ７．７０（ｄ，Ｊ＝９．３Ｈｚ，１Ｈ，Ｈe），８．０９（ｓ，１Ｈ，Ｈf），９．１４（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ，Ｈb），１１．３８（ｓ，１Ｈ，Ｈa）．
ＭＳ（ＦＡＢ+）：ｍ／ｚ＝１９５．１（Ｍ−Ｃｌ-）
【化４５】
2007058255.tif 000049
【０１１６】
(iii)化合物ｆの合成
以下の反応工程にて、化合物ｆを合成した。
【化４６】
2007058255.tif 000050
【０１１７】
アルゴン雰囲気下で［（ＣＯＤ）ＩｒＣｌ］2６７２ｍｇ（１．００ｍｍｏｌ）、ＮａＯＭｅ４３２ｍｇ（８．００ｍｍｏｌ）、脱気２−エトキシエタノール５０ミリリットルをシュレンクに入れ、室温で２時間撹拌した後（黄色溶液）、配位子前駆体化合物ｃ９２３ｍｇ（４．００ｍｍｏｌ）を加えて還流管をつけ、オイルバスで３時間還流を行った。溶液は赤橙色から褐色けん濁液へと変わった。
減圧下に溶媒留去した後、脱気溶媒（ＣＨ2Ｃｌ2）・シリカゲルを用いてカラムクロマトグラフィーで精製を行った。黄色固体の生成物６７６ｍｇ（０．５５０ｍｍｏｌ，  収率５５．０％）を得た。
これの1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ及びＭＳ（ＦＡＢ+）（ＦＡＢ−ＭＳ：高速電子衝撃法質量スペクトル）を測定した結果、目的化合物ｆであることがわかった。【０１１８】
化合物ｆ  1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2，３００ＭＨｚ，２５℃）：
ＴＭ５．８４（ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，１Ｈ，Ｈi），５．８６（ｄｄ，Ｊ＝
７．１，  ６．８Ｈｚ，１Ｈ，Ｈb），６．３８（ｄｄ，Ｊ＝７．４，７．０，１Ｈ，Ｈh），  ６．６０（ｄｄ，Ｊ＝８．８，６．８Ｈｚ，１Ｈ，Ｈc），６．７８（ｄｄ，Ｊ＝７．４，７．０Ｈｚ，１Ｈ，Ｈg），７．２１（ｄ，Ｊ＝８．８，Ｈｚ，１Ｈ，Ｈf），７．２１（ｄ，Ｊ＝７．４，Ｈｚ，１Ｈ，Ｈd），７．８２（ｓ，１Ｈ，Ｈe），９．１８（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ，Ｈa）．
化合物ｆ  13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2，７５ＭＨｚ，２５℃）：
ＴＭ１０４．２，１１１．１，１１１．９，１１６．９，１２０．８，１２
１．４，１２５．２，１２５．３，１２９．７，１３０．７，１３６．４，１４６．０，１６５．４
ＭＳ（ＦＡＢ+）：ｍ／ｚ＝１２２８．２（Ｍ+）
バイルシュタインテスト：陽性
（バイルシュタインテスト：塩素を含む化合物に熱した銅線をプラスチックにつけると塩化銅ができ、青緑色の炎色反応が確認できる。）【０１１９】
(iv)遷移金属錯体（化合物１）の合成
以下の反応工程にて、化合物１を合成した。
【化４７】
2007058255.tif 000051
【０１２０】
アルゴン雰囲気下、シュレンクに化合物ｆ ６１．４ｍｇ（０．０５００ｍｍｏｌ）、酸化銀（Ｉ）（Ａｇ2Ｏ（Ｉ））１３９ｍｇ（０．６００ｍｍｏｌ）、化合物ｃ２３．１ｍｇ（０．１００ｍｍｏｌ）、２−メトキシエタノール（脱気溶媒）２０ミリリットルを入れ、アルミホイルで遮光して１２０℃で２４時間撹拌した。得られた茶褐色けん濁液をアルゴン雰囲気下でセライトろ過（ＣＨ2Ｃｌ2）して残留Ａｇ2Ｏ、塩化銀（ＡｇＣｌ）を除き、さらに脱気溶媒（塩化メチレン（ＣＨ2Ｃｌ2）：ヘキサン＝１：１）・シリカゲルを用いてカラムクロマトグラフィーで精製を行った。減圧下に溶媒留去して、淡黄色固体５．１ｍｇ（０．００６６ｍｍｏｌ，収率６．６％）を得た。
1Ｈ−ＮＭＲを測定した結果を図４に示す。ピーク分裂パターンと積分強度比から生成物はｍｅｒ体が主生成物であると考えられる。【０１２１】
実施例３（遷移金属錯体化合物１の合成）
以下の反応工程にて、化合物１を合成した。
【化４８】
2007058255.tif 000052
【０１２２】
アルゴン雰囲気下、シュレンクに化合物ｆ １２３ｍｇ（０．１００ｍｍｏｌ）、酸化銀（Ｉ）（Ａｇ2Ｏ（Ｉ））２７８ｍｇ（１．２０ｍｍｏｌ）、化合物ｃ５０．７ｍｇ（０．２２０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ、脱気溶媒）２０ミリリットルを入れ、アルミホイルで遮光して還流下２４時間撹拌した。反応溶液から溶媒成分を減圧留去し、これを脱気溶媒（ＣＨ2Ｃｌ2：ヘキサン＝２：１）を用いシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。その結果、淡黄色固体８２．１ｍｇ（０．１１４ｍｍｏｌ，収率５７．０％）を得た。
サイクリックボルタメトリーの結果（図５参照）及びＸ線結晶構造解析（図６参照）の結果を以下に示す。
［ＦＡＢ−ＭＳ測定結果］
ＭＳ（ＦＡＢ+）：ｍ／ｚ＝７７２（Ｍ+），５７９（Ｍ+−（Ｌｉｇａｎｄ））
［サイクリックボルタメトリー測定結果（ｖｓ  Ａｇ+／Ａｇ  ｉｎ  ＣＨ2Ｃｌ2、装置：HOKUTO DENKO HSV-100）］
ＥOX＝０．３５，ＥRED＝−１．３３（Ｖ）【０１２３】
実施例４（遷移金属錯体化合物２の合成）
以下の反応工程にて、化合物２を合成した。
【化４９】
2007058255.tif 000053
【０１２４】
アルゴン雰囲気下、シュレンク管に化合物ｆ １２３ｍｇ（０．１００ｍｍｏｌ）、ＮａＯＭｅ２１．６ｍｇ（０．４００ｍｍｏｌ）、アセチルアセトン（ａｃａｃＨ）０．０４ミリリットル（０．４０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ、脱気溶媒）２０ミリリットルを入れ、還流下１４時間撹拌した。反応溶液から溶媒成分を減圧留去し粗生成物（黄色固体）を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した（展開溶媒：脱気塩化メチレン）。その結果、黄褐色固体８６．２ｍｇ（０．１１４ｍｍｏｌ，収率６３．９％）を得た。1Ｈ−ＮＭＲの結果を以下に示す。【０１２５】
化合物ｆ  1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，３００ＭＨｚ，３５℃）：
δ１．７５（ｓ，６Ｈ，ＣＨ3），５．２０（ｓ，１Ｈ，ＣＯＣＨＣＯ），
６．１４（ｄｄ，Ｊ＝７．４，１．４Ｈｚ，２Ｈ，Ｈi），
６．４２（ｄｄｄ，Ｊ＝７．４，６．３，１．１Ｈｚ，２Ｈ，Ｈh），
６．４８（ｄｄｄ，Ｊ＝７．４，７．４，１．０Ｈｚ，２Ｈ，Ｈb），
６．７５（ｄｄｄ，Ｊ＝７．７，７．４，１．１Ｈｚ，２Ｈ，Ｈc），
６．７８（ｄｄｄ，Ｊ＝９．６，６．３，１．４，Ｈｚ，２Ｈ，Ｈg），
７．１７（ｄｄ，Ｊ＝７．７，１．０Ｈｚ，２Ｈ，Ｈd），
７．３４（ｄ，Ｊ＝９．６，１．１Ｈｚ，２Ｈ，Ｈf），７．７３（ｓ，２    Ｈ，  Ｈe），
８．２６（ｄｄ，Ｊ＝７．４，１．１Ｈｚ，２Ｈ，Ｈa）．
【化５０】
2007058255.tif 000054
【０１２６】
［ＥＩ−ＭＳ測定結果］
ＭＳ（ＥＩ+）：ｍ／ｚ＝６７８．３（Ｍ+），５７９．２（Ｍ+−（ａｃａｃ））
［サイクリックボルタメトリー測定結果（ｖｓ  Ａｇ+／Ａｇ  ｉｎ  ＣＨ2Ｃｌ2）］
ＥOX＝０．４９，ＥRED＝−１．２５（Ｖ）
［赤外吸収スペクトル測定結果］
ＩＲ（ＫＢｒ  ｄｉｓｃ）：ν(C=C)＋ν(C=O)＝１５８１，ν(C=C)＋ν(C=O)＝１５１８ｃｍ-1（装置：Jasco FT/IR-410）
1Ｈ−ＮＭＲの結果（図７参照）、サイクリックボルタメトリーの結果（図８参照）及びＸ線結晶構造解析（図９参照）の結果を示す。【０１２７】
実施例５（遷移金属錯体化合物３の合成）
以下の反応工程にて、化合物３を合成した。
（ｉ）化合物ｇの合成
【化５１】
2007058255.tif 000055
【０１２８】
ナスフラスコにトルエン５０ミリリットル，２−ピリジンカルボキシアルデヒド９．５５ミリリットル（０．１００ｍｏｌ，１．０ｅｑ），４−メトキシアニリン１２．３２ｇ（０．１００ｍｏｌ，１．０ｅｑ）を入れ、２４時間室温で撹拌した。次に、減圧下にて溶媒を留去し、化合物ｇを定量的に得た。1Ｈ−ＮＭＲの測定結果を以下に示す。
化合物ｇ  1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，３００ＭＨｚ，３５℃）：δ３．８４（ｓ，３Ｈ，−ＯＣＨ3），６．９３−７．３５（ｍ，４Ｈ，ＨPh），７．３７（ｄｄ，Ｊ＝７．７，４．８Ｈｚ，１Ｈ，Ｈb），７．８２（ｄｄｄ，Ｊ＝７．７，７．７，１．６Ｈｚ，１Ｈ，Ｈc），８．２１（ｄｄ，Ｊ＝７．７，１．６Ｈｚ，１Ｈ，Ｈd），８．６３（ｓ，１Ｈ，Ｈe），８．７０（ｄ，Ｊ＝４．８，１Ｈ，Ｈa）．
【化５２】
2007058255.tif 000056
【０１２９】
（ii）化合物ｈの合成
【化５３】
2007058255.tif 000057
【０１３０】
アルゴン雰囲気下、シュレンク管に化合物ｇ  １．０６ｇ（５０．０ｍｍｏｌ）、粒状パラホルムアルデヒド（（ＣＨ2Ｏ）n）０．１９７ｇ（６０．０ｍｍｏｌ）、トルエン６０ミリリットルを入れ、１００℃で３時間加熱撹拌した。（ＣＨ2Ｏ）nが完全にトルエンに溶解するまで過熱撹拌する。（ＣＨ2Ｏ）nが完全にトルエンに溶解したら、ＨＣｌ（４Ｍ，１，４−ジオキサン溶液）１．３８ミリリットル（５５．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で２日間撹拌した。ＨＣｌ溶液を加えた瞬間から黄色固体が析出し始めた。
減圧下に溶媒を留去し、黄色固体の粗生成物１２．３１ｇ（９４．４％）を得た。これを再結晶することで純粋な化合物ｈを得た。1Ｈ−ＮＭＲ及び質量分析（ＭＳ）の測定結果を以下に示す。
化合物ｈ  1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，３００ＭＨｚ，３５℃）：δ３．８８（ｓ，３Ｈ，−ＯＣＨ3），７．０３−７．７６（ｍ，４Ｈ，ＨPh），７．２２−９．４２（４Ｈ，Ｈb,c,d,e），７．８８（ｓ，１Ｈ，Ｈf），１２．０２（ｓ，１Ｈ，Ｈa）．
ＭＳ（ＦＡＢ+）：ｍ／ｚ＝２２４．８（Ｍ+）
【化５４】
2007058255.tif 000058
【０１３１】
(iii) 遷移金属錯体（化合物３）の合成
【化５５】
2007058255.tif 000059
【０１３２】
アルゴン雰囲気下で［（ＣＯＤ）ＩｒＣｌ］2  ７０ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ），ＮａＯＭｅ  ５８ｍｇ（１．１０ｍｍｏｌ）、脱気２−エトキシエタノール４５ミリリットルをシュレンクに入れ、室温で２．５時間撹拌した後、化合物ｈ  １５９ｍｇ（０．６１０  ｍｍｏｌ）を加えて還流管をつけ、オイルバスで５時間還流を行った。
減圧下に溶媒留去した後、脱気溶媒（ＣＨ2Ｃｌ2）・シリカゲルを用いてカラムクロマトグラフィーで精製を行った。黄色固体の生成物（化合物３）を５１ｍｇ（０．０５９  ｍｍｏｌ，収率２８％）を得た。同定は1Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム，図１０参照）で行った。また、ＥＩ−ＭＳの測定結果を以下に示す。
ＭＳ（ＥＩ+）：ｍ／ｚ＝８６２．１（Ｍ+）【０１３３】
実施例６（遷移金属錯体化合物４の合成）
以下の反応工程にて、化合物４を合成した。
（ｉ）化合物ｉの合成
【化５６】
2007058255.tif 000060
【０１３４】
１００ミリリットルフラスコに、２−ピリジンカルボキシアルデヒド（０．５５６ミリリットル，６２４．１ｍｇ，５．８２６ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、３−アミノ−２−メトキシジベンゾフラン（１．３４７ｇ，５．８２６ｍｍｏｌ）及びトルエン（５０ミリリットル）入れ、Ｄｅａｎ−Ｓｔａｒｋ  ｔｒａｐを水を除去するために取り付けた。この溶液を、約１３０℃で一晩還流した。溶媒除去後、粗生成物としてオイル状生成物を得た（１．８０１ｇ（収率１０３．５％））。これをカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン＝１／２）にて精製した結果、目的化合物ｉを１．０８ｇを得た（収率６１．１％）。1Ｈ−ＮＭＲの測定結果を以下に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，３５℃）：δ４．０２（ｓ，３Ｈ，ＣＨ3），７．３５（ｍ，２Ｈ），７．３９（ｄｄｄ，Ｊ＝１．０，２．４，７．５Ｈｚ，  １Ｈ），７．４５（ｄｄ，Ｊ＝０．９，７．６Ｈｚ，１Ｈ），７．４８（ｓ，１Ｈ），  ７．５５（ｄ，Ｊ＝８．１，１Ｈ），７．８３（ｄｄｄ，Ｊ＝０．９，１．７，７．９  Ｈｚ，１Ｈ），７．９１（ｍ，１Ｈ），８．３１（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ），８．７２（ｍ，１Ｈ），８．７３（ｓ，１Ｈ）【０１３５】
（ii）化合物ｊの合成
【化５７】
2007058255.tif 000061
【０１３６】
１００ミリリットルフラスコに、化合物ｉ（１．０８０ｇ，３．５７ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、９１％パラホルムアルデヒド（１１７．０ｍｇ，３．５７ｍｍｏｌ，１．０  ｅｑ．）及びトルエン（５０ミリリットル）を入れ、室温で１日攪拌し、約６０℃まで８時間加熱され、パラホルムアルデヒドが溶解した。その後、塩酸（４Ｍ，ジオキサン溶液）（１．２５ミリリットル，６ｍｍｏｌ，１．７ｅｑ．）をゆっくりと滴下したところ、赤褐色の懸濁液となり、室温で１４時間撹拌した。この懸濁液を、トルエン（２０ミリリットル×１），ＴＨＦ（２０ミリリットル×３）で遠心分離器により洗浄し、淡い褐色の固体として、化合物ｊを０．９６７ｇ得た（収率７７．２％）。1Ｈ−ＮＭＲの測定結果を以下に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ6，３５℃）：δ４．０３（ｓ，３Ｈ，ＣＨ3），７．２９（ｄｔ，Ｊ＝１．２，６．８，１Ｈ，Ｈ2），７．３６（ｍ，ｔ−ｌｉｋｅ，１Ｈ，Ｈ3），７．５０（ｍ，ｔ−ｌｉｋｅ，１Ｈ，Ｈ11），７．６３（ｍ，ｔ−ｌｉｋｅ，１Ｈ，Ｈ10），７．７９（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，１Ｈ，Ｈ9），７．９５  （ｄ，Ｊ＝９．２Ｈｚ，１Ｈ，Ｈ4），８．２２（ｓ，１Ｈ，Ｈ8），８．２７（ｓ，  １Ｈ，Ｈ7），８．３１（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ，Ｈ12），８．６１（ｓ，１Ｈ，  Ｈ5），８．６８（ｄｄ，Ｊ＝０．９，７．０Ｈｚ，１Ｈ，Ｈ1），１０．２３（ｄ−ｌｉｋｅ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，１Ｈ，Ｈ6）
【化５８】
2007058255.tif 000062
【０１３７】
（iii）化合物ｋの合成
【化５９】
2007058255.tif 000063
【０１３８】
アルゴン気流下で、３０ミリリットルのシュレンク管に［（ＣＯＤ）ＩｒＣｌ］2（４９．５ｍｇ，０．０７ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、溶媒エタノール５．０ミリリットル、ｔ−ＢｕＯＫ（ターシャリーブトキシカリウム）（４９．６ｍｇ，０．４４ｍｍｏｌ，６．０ｅｑ．）、を入れ、室温で３時間攪拌した。次に化合物ｊ（１０３．４ｍｇ，０．２９ｍｍｏｌ，４．０ｅｑ）を入れ、室温で一晩攪拌した。次に、減圧下で溶媒を留去し固体残渣を得た。
その固体を、溶媒としてメタノール／ＣＨ2Ｃｌ2＝１／１０を用い、薄層クロマトグラフィーで精製し、赤橙色固体として化合物ｋを５１．６ｍｇ得た（収率３６．３％）。1Ｈ及び13Ｃ−ＮＭＲとＦＡＢ−ＭＳの測定結果を以下に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，３５℃）：δ１．５０−１．６５（ｍ，２Ｈ，  ＨCOD），１．９３−２．０４（ｍ，２Ｈ，ＨCOD），２．３５（ｍ，４Ｈ，ＨCOD），  ３．３８（ｍ，２Ｈ，ＨCOD），３．７６（ｓ，３Ｈ，Ｍｅ），４．６９−４．７４  （ｍ，２Ｈ，ＨCOD），５．３８（ｄｔ，Ｊ＝１．２，６．９Ｈｚ，２Ｈ），６．３９  （ｄｄ，Ｊ＝６．５，９．２Ｈｚ，２Ｈ），７．００（ｓ，２Ｈ），７．３７−７．５０  （ｍ，１０Ｈ），７．５８（ｓ，２Ｈ），７．５９（ｓ，２Ｈ），８．０５（ｔｄ，Ｊ  ＝１．０，７．６Ｈｚ，２Ｈ）
13Ｃ−ＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，３５℃）：δ２７．１１，３５．９１，５６．５９，７２．８３，８１．５４，１０２．９０，１１１．０２，１１１．８９，１１２．０９，１１４．９４，１１８．０７，１２１．２７，１２２．１９，１２３．３５，１２３．４８，１２６．４４，１２６．７９，１２８．２８，１３０．６４，１４８．６６，  １５０．２４，１５７．０８，１６８．９９．（ＰＳ：Ｌａｃｋ  ｏｆ  ｏｎｅ  13Ｃ  ｓｉｇｎａｌ）
ＦＡＢ−ＭＳ：ｍ／ｚ＝８２９．１（［Ｍ］+−Ｃｌ）【０１３９】
（iv）化合物ｌ (又は化合物ｌ’)の合成
【化６０】
2007058255.tif 000064
【０１４０】
３０ミリリットルのシュレンク管に化合物ｋ（５０．０ｍｇ，０．０５２ｍｍｏｌ）と２−エトキシエタノール（５ミリリットル）を入れ、２時間還流したところ、その溶液は赤橙色から黄色の懸濁液に変色した。減圧下、溶媒を除去し得られた固体をＣＨ2Ｃｌ2（３ミリリットル），ＭｅＯＨ（３ミリリットル），ＥｔＯＨ（３ミリリットル），ＴＨＦ（３ミリリットル）及びＣＨ3ＣＮ（３ミリリットル）で洗浄したところ、明黄色の固体として、化合物ｌ又は化合物ｌ’を４４．３ｍｇ（収率８２．２％）得た。1Ｈ−ＮＭＲの測定結果を以下に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ6，３５℃）：δ３．８９（ｄ，Ｊ＝１．４  Ｈｚ，１２Ｈ，Ｍｅ），６．４７（ｄｄ，Ｊ＝７．９，３３．８Ｈｚ，４Ｈ），６．７２  （ｄｄ，Ｊ＝７．１，１４．３Ｈｚ，４Ｈ），７．０４−７．２５（ｍ，１２Ｈ），７．３４（ｓ，４Ｈ），７．７９−７．９３（ｍ，８Ｈ），８．９９（ｄ，Ｊ＝９．２Ｈｚ，  ４Ｈ），９．７９（ｄｄ，Ｊ＝７．１，２２．６Ｈｚ，４Ｈ）．
ＦＡＢ−ＭＳ：ｍ／ｚ  ８１９．ＦＡＢ−ＭＳにおいてｍ／ｚ＝１７０８．３でのｐａｒｅｎｔ  ｐｅａｋは無かった。
【化６１】
2007058255.tif 000065
【０１４１】
（ｖ）遷移金属錯体（化合物４）の合成
【化６２】
2007058255.tif 000066
【０１４２】
アルゴン気流下で、３０ミリリットルのシュレンク管に、化合物ｌ又は化合物ｌ’  （７４．３ｍｇ，０．０８７ｍｍｏｌ，１．０ｅｑ．）、化合物ｊ（３３．６ｍｇ，０．０９６ｍｍｏｌ，１．１ｅｑ）、Ａｇ2Ｏ（１２０．９ｍｇ，０．５２２ｍｍｏｌ，６．０ｅｑ）及び２−エトキシエタノール（８ミリリットル）を入れ、アルミホイルで遮光して１３５℃で２４時間還流した。得られた黄褐色けん濁液は管表面に銀塩と共に析出した。溶媒としてＣＨ2Ｃｌ2を用い、セライト／シリカゲルでフラッシュカラムクロマトグラフィーで精製を行い、明黄色固体の化合物４（ｍｅｒ．体、７３．４ｍｇ，収率７４．５％）を得た。以下、化合物４の分析結果を示す。【０１４３】
化合物４のＦＤ−ＭＳ：最大ピーク値は１１３２で計算値と一致した（計算値M+＜分子イオンピーク＞＝１１３２）。
ＦＤ−ＭＳ測定（電界脱離イオン化質量分析法）の測定条件は以下のようにした。
装置：ＨＸ１１０（日本電子社製）
条件：加速電圧  ８ｋＶ
スキャンレンジ  ｍ／ｚ＝５０〜１５００
エミッタ種    カーボン
エミッタ電流  ０ｍＡ→２ｍＡ／分→４０ｍＡ（１０分保持）
化合物４の1Ｈ−ＮＭＲを図１１に示す。
サイクリックボルタメトリーの測定を以下の条件で行った。
装置：ＨＶＳ−１００  ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  （Ｈｏｋｕｔｏ  Ｄｅｎｋｏ  ｃｏｒｐ．）、１００ｍＶ／ｓのスキャン速度で０．００１Ｍの化合物４及び０．１Ｍ  ＴＢＡＰＦ6［ヘキサフルオロリン酸テトラブチルアンモニウム］（ＣＨ2Ｃｌ2中）溶液で測定した。
参照電極：炭素電極
対極：Ｐｔ
参照電極：Ａｇ／ＡｇＮＯ3
＜測定結果＞
ＥRed1（ｉｒｒ）＝−１．５２Ｖ（ｏｒ−１．２１Ｖ），ＥOx1（ｉｒｒ）＝０．２７  Ｖ，ＥOx2（ｉｒｒ）＝０．７５Ｖ
化合物４のサイクリックボルタメトリー測定を図１２に示す。
化合物４の室温における発光スペクトルを図１３に示す（溶媒：塩化メチレン）。
化合物４の７７Kにおける発光スペクトルを図１４に示す（溶媒：塩化メチレン）。
【産業上の利用可能性】
【０１４４】
以上詳細に説明したように、本発明の金属カルベン結合を有する遷移金属錯体化合物はエレクトロルミネッセンス特性を有し、発光効率が高い有機ＥＬ素子を提供できる。また、本発明の遷移金属錯体化合物の製造方法によれば、遷移金属錯体化合物を効率よく製造することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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