Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月12日(2019.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
免疫応答細胞において、
（ｉ）第二世代キメラ抗原受容体であって、
（ａ）シグナル伝達領域；
（ｂ）共刺激シグナル伝達領域；
（ｃ）膜貫通ドメイン；および
（ｄ）標的抗原上の第１のエピトープと特異的に相互作用する結合エレメント
を含む第二世代キメラ抗原受容体と、
（ｉｉ）キメラ共刺激受容体であって、
（ｅ）（ｂ）の共刺激シグナル伝達領域と異なる共刺激シグナル伝達領域；
（ｆ）膜貫通ドメイン；および
（ｇ）標的抗原上の第２のエピトープと特異的に相互作用する結合エレメント
を含むキメラ共刺激受容体と
を発現することを特徴とする免疫応答細胞。
【請求項２】
請求項１に記載の免疫応答細胞において、Ｔ細胞であることを特徴とする免疫応答細胞。
【請求項３】
請求項１または２に記載の免疫応答細胞において、前記シグナル伝達領域（ａ）は、ヒトＣＤ３［ゼータ］鎖の細胞内ドメインまたはその変異体を含むことを特徴とする免疫応答細胞。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の免疫応答細胞において、（ｂ）および（ｅ）の共刺激シグナル伝達領域は、ＣＤ２８、ＣＤ２７、ＩＣＯＳ、４−１ＢＢ、ＯＸ４０、ＣＤ３０、ＧＩＴＲ、ＨＶＥＭ、ＤＲ３またはＣＤ４０から選択されることを特徴とする免疫応答細胞。
【請求項５】
請求項４に記載の免疫応答細胞において、（ｂ）または（ｅ）の一方はＣＤ２８であり、および他方は４−１ＢＢまたはＯＸ４０であることを特徴とする免疫応答細胞。
【請求項６】
請求項５に記載の免疫応答細胞において、（ｂ）はＣＤ２８であることを特徴とする免疫応答細胞。
【請求項７】
請求項５または６に記載の免疫応答細胞において、（ｅ）は４−１ＢＢまたはＣＤ２７であることを特徴とする免疫応答細胞。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか１項に記載の免疫応答細胞において、（ｃ）および（ｆ）の前記膜貫通ドメインは、ＣＤ８α膜貫通ドメインおよびＣＤ２８膜貫通ドメインから選択されることを特徴とする免疫応答細胞。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか１項に記載の免疫応答細胞において、前記第１および第２のエピトープは、同一の受容体または抗原と関連付けられていることを特徴とする免疫応答細胞。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか１項に記載の免疫応答細胞において、キメラサイトカイン受容体を共発現することを特徴とする免疫応答細胞。
【請求項１１】
請求項１０に記載の免疫応答細胞において、前記キメラサイトカイン受容体は４αβであることを特徴とする免疫応答細胞。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか１項に記載の免疫応答細胞において、結合エレメント（ｄ）または結合エレメント（ｇ）の少なくとも１つは、ＥｒｂＢ２量体のリガンド、コロニー刺激因子−１の受容体（ＣＳＦ−１Ｒ）またはαｖβ６インテグリン特異的結合剤であることを特徴とする免疫応答細胞。
【請求項１３】
請求項１乃至１２の何れか１項に記載の免疫応答細胞において、結合エレメント（ｄ）はＣＳＦ−１を含み、および結合エレメント（ｇ）はＩＬ−３４を含むことを特徴とする免疫応答細胞。
【請求項１４】
請求項１乃至１２の何れか１項に記載の免疫応答細胞において、結合エレメント（ｄ）は、αｖβ６インテグリン特異的結合剤であって、配列モチーフ
ＲＧＤＬＸ５Ｘ６Ｌ（配列番号７）、または
ＲＧＤＬＸ５Ｘ６Ｉ（配列番号８）
を含むペプチドであり、ＬＸ５Ｘ６ＬまたはＬＸ５Ｘ６Ｉは、αヘリックス構造内に含まれ、Ｘ５およびＸ６はヘリックス促進残基である、αｖβ６インテグリン特異的結合剤であり、および結合エレメント（ｇ）はＴＩＥペプチドであることを特徴とする免疫応答細胞。
【請求項１５】
請求項１乃至１４の何れか１項に記載の免疫応答細胞において、結合エレメント（ｄ）の結合親和性は結合エレメント（ｇ）の結合親和性より低いことを特徴とする免疫応答細胞。
【請求項１６】
請求項１乃至１５の何れか１項に記載の免疫応答細胞を調製するための方法において、請求項１に定義された構造（ｉ）のＣＡＲをコードする第１の核酸およびまた請求項１に定義された構造（ｉｉ）のＣＣＲをコードする第２の核酸を細胞に形質導入するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法において、前記免疫応答細胞はキメラサイトカイン受容体を含み、増殖ステップは、サイトカインの存在下で行われることを特徴とする方法。
【請求項１８】
組み合わせにおいて、請求項１に定義された（ｉ）のＣＡＲをコードする第１の核酸と、請求項１に定義された（ｉｉ）のＣＣＲをコードする第２の核酸との組み合わせであることを特徴とする組み合わせ。
【請求項１９】
ベクターまたはベクターの組み合わせにおいて、請求項１８に記載の組み合わせを含むことを特徴とするベクターまたはベクターの組み合わせ。
【請求項２０】
キットにおいて、請求項１８または１９に記載の組み合わせを含むことを特徴とするキット。
【請求項２１】
標的細胞集団に対するＴ細胞性免疫応答の刺激を、それを必要とする患者において行うための、上記のような請求項１乃至１５の何れか１項に記載の免疫応答細胞において、前記結合エレメント（ｄ）および（ｇ）は標的細胞に特異的であることを特徴とする免疫応答細胞。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月10日(2019.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプラントであることが好ましい歯科用部材（２）のための、近位端（１１）、遠位端（１２）及び、力及びトルクの付与を可能にするべく前記遠位端（１２）を前記歯科用部材に連結するための連結機構（２０）を備える配置装置（１）であって、前記連結機構が、
長手方向軸（Ａ１）を有し、前記歯科用部材を係合するために、前記配置装置（１）に対してその長手方向軸（Ａ１）に沿って移動可能である少なくとも１つの可動ピン（２１）と、
前記配置装置（１）の前記遠位端において前記歯科用部材を係合するための、長手方向軸（Ａ２）を有する少なくとも１つの係合部（２８）であって、前記係合部（２８）の前記長手方向軸（Ａ２）が前記可動ピン（２１）の前記長手方向軸（Ａ１）に対して角度（α）で配置される前記係合部と、
を含む、配置装置（１）。
【請求項２】
前記係合部（２８）が前記配置装置（１）の長手方向軸（Ａ３）に沿って整合する、請求項１に記載の配置装置（１）。
【請求項３】
引込み位置と係合位置との間で前記可動ピン（２１）を移動させるための作動手段（３０）を前記連結機構（２０）がさらに備える、請求項１または２に記載の配置装置（１）。
【請求項４】
前記作動手段（３０）が前記可動ピン（２１）に回転を与えるよう適合される、請求項３に記載の配置装置（１）。
【請求項５】
少なくとも前記可動ピン（２１）の引出し及び／または引込みを補助するための駆動機構（４０）を前記作動手段（３０）がさらに備える、請求項３または４に記載の配置装置（１）。
【請求項６】
前記可動ピン（２１）の前記長手方向軸（Ａ１）と前記係合部（２８）の前記長手方向軸（Ａ２）との間の前記角度（α）が、３°から８０°の間であり、２０°と６０°との間であることが好ましく、２５°から５０°との間であることがさらに好ましい、先行請求項のいずれか１項に記載の配置装置（１）。
【請求項７】
前記可動ピン（２１）の前記位置を、その引込み及び／または係合位置においてロックするために配置されるロック機構（５０）をさらに備える 、先行請求項のいずれか１項に記載の配置装置（１）。
【請求項８】
配置装置（１）に、特に請求項１から７のいずれかに記載の前記配置装置（１）に連結するための歯科用部材であって、前記歯科用部材（２）が前記配置装置（１）の界面を構成する近位端（６３）及び遠位端（６４）を備え、
それを通って画定される第１の長手方向軸（Ａ４）を有し、前記配置装置の可動ピンと相互作用するための少なくとも１つの第１の係合部（６１）と、
それを通って画定される第２の長手方向軸（Ａ５）を有し、前記配置装置の係合部と相互作用するための少なくとも１つの第２の係合部（６２）と、
を前記界面が備え、
前記第１の長手方向軸（Ａ４）が前記第２の長手方向軸（Ａ５）に対して角度（α）で配置される、
歯科用部材。
【請求項９】
前記第１の係合部（６１）が前記第２の係合部（６２）内に配置される、請求項８に記載の歯科用部材。
【請求項１０】
請求項１から７のいずれかに記載の配置装置（１）及び、請求項８または９に記載の歯科用部材、特にインプラントを備える移植セット。
【請求項１１】
配置装置、特に請求項１から８のいずれかに記載の前記配置装置（１）を用いた歯科用部材の取り扱い方法（１）であって、
前記配置装置（１）の遠位端（１２）に位置する少なくとも１つの係合部（２８）を前記歯科用部材（２）の第２の係合部（６２）と係合するための第１の軸に沿って、またはその周囲で前記配置装置（１）を移動させ、
前記配置装置（１）の少なくとも１つの可動ピン（２１）を第２の軸に沿って、またはその周囲で、前記歯科用部材の第１の係合部（６１）内に挿入するステップを含み、
前記係合部（Ａ２）の長手方向軸の向きが前記可動ピン（Ａ１）の長手方向軸の向きと異なる、
方法。
【請求項１２】
前記係合部（２８）の前記係合が、前記可動ピン（２１）の運動を可能にするために前記配置装置（１）のロック機構（５０）を分離する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記可動ピン（２１）の前記挿入及び／または引込みが少なくとも駆動機構（４０）によって補助される、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記可動ピン（２１）の前記第１の係合部（６１）内への前記挿入が、前記可動ピン（２１）を引込むために前記駆動機構（４０）を付勢する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
好ましくは前記可動ピン（２１）を前記第１の係合部（６１）から引込むために、前記駆動機構（４０）が作動手段（３０）によって作動する、請求項１３または１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月18日(2019.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単離された抗ＴｆＲ抗体または抗ＴｆＲ抗体の抗原結合部位を有するタンパク質であって、
（ａ）配列番号１のＨＣＤＲ１、配列番号２のＨＣＤＲ２、配列番号３のＨＣＤＲ３を含む可変重鎖ポリペプチド、ならびに配列番号４のＬＣＤＲ１、配列番号５のＬＣＤＲ２および配列番号６のＬＣＤＲ３を含む可変軽鎖ポリペプチド；
（ｂ）配列番号１のＨＣＤＲ１、配列番号２のＨＣＤＲ２、配列番号３のＨＣＤＲ３を含む可変重鎖ポリペプチド、ならびに配列番号４のＬＣＤＲ１、配列番号８のＬＣＤＲ２および配列番号６のＬＣＤＲ３を含む可変軽鎖ポリペプチド；
（ｃ）配列番号１１のＶＨを含む可変重鎖ポリペプチド、および配列番号１３のＶＬを含む可変軽鎖ポリペプチド；
（ｄ）配列番号１１のＶＨを含む可変重鎖ポリペプチド、および配列番号１４のＶＬを含む可変軽鎖ポリペプチド；
（ｅ）配列番号１１のＶＨを含む可変重鎖ポリペプチド、および配列番号１５のＶＬを含む可変軽鎖ポリペプチド；
（ｆ）配列番号１２のＶＨを含む可変重鎖ポリペプチド、および配列番号１３のＶＬを含む可変軽鎖ポリペプチド；
（ｇ）配列番号１２のＶＨを含む可変重鎖ポリペプチド、および配列番号１４のＶＬを含む可変軽鎖ポリペプチド；
（ｈ）配列番号１２のＶＨを含む可変重鎖ポリペプチド、および配列番号１５のＶＬを含む可変軽鎖ポリペプチド
のいずれかを含み、前記抗ＴｆＲ抗体またはタンパク質は、配列番号１６のトランスフェリン受容体（ＴｆＲ）に特異的に結合する、上記単離された抗ＴｆＲ抗体またはタンパク質。
【請求項２】
前記抗体またはタンパク質が、１０ｎＭまたはそれ未満のＫＤで、好ましくは１ｎＭまたはそれ未満のＫＤでトランスフェリン受容体に結合する、請求項１に記載の単離された抗ＴｆＲ抗体またはタンパク質。
【請求項３】
前記抗体またはタンパク質が、配列番号９のＶＨおよび配列番号１０のＶＬを有する対応する参照キメラ抗体の誘導レベルに等しいかまたはそれより優れたレベルに、ＨＬ−６０細胞株のアポトーシスを誘導する、請求項１または２に記載の単離された抗ＴｆＲ抗体またはタンパク質。
【請求項４】
ヒトＩｇＧ４アイソタイプの定常領域、または突然変異したもしくは化学的に改変された定常領域を含み、ここで前記突然変異したまたは化学的に改変された定常領域は、野生型ＩｇＧ１アイソタイプの定常領域を有する対応する抗体と比較した場合、前記抗体にＡＤＣＣ活性を付与しないかまたは減少したＡＤＣＣ活性を付与する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の単離された抗ＴｆＲ抗体またはタンパク質。
【請求項５】
ヒトＩｇＧ１アイソタイプの定常領域、または突然変異したもしくは化学的に改変された定常領域を含み、ここで前記突然変異したまたは化学的に改変された定常領域は、野生型ＩｇＧ１アイソタイプの定常領域を有する対応する抗体と比較した場合、前記抗体に増加したＡＤＣＣ活性を付与する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の単離された抗ＴｆＲ抗体またはタンパク質。
【請求項６】
配列番号１８の重鎖および配列番号１７の軽鎖を含むｍＡｂ１である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の単離された抗ＴｆＲ抗体またはタンパク質。
【請求項７】
（ｉ）医薬としてまたは（ｉｉ）診断剤として使用するための、請求項１〜６のいずれか一項に記載の単離された抗ＴｆＲ抗体またはタンパク質。
【請求項８】
腫瘍、例えば血液系腫瘍、より具体的にはリンパ腫または白血病の処置で使用するための、請求項１〜６のいずれか一項に記載の単離された抗ＴｆＲ抗体またはタンパク質。
【請求項９】
固形腫瘍、または炎症性疾患または移植片対宿主病の処置で使用するための、請求項１〜６のいずれか一項に記載の単離された抗ＴｆＲ抗体またはタンパク質。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の抗ＴｆＲ抗体またはタンパク質を、医薬的に許容される賦形剤、希釈剤または担体の１つまたはそれより多くと組み合わせて含み、任意選択で他の活性成分を含む、医薬組成物。
【請求項１１】
例えば、細胞毒素、薬物または放射性毒素である治療成分にコンジュゲートされた、請求項１〜６のいずれか一項に記載の抗ＴｆＲ抗体。
【請求項１２】
宿主細胞における請求項１〜６のいずれか一項に記載の抗ＴｆＲ抗体の組換え生産のための、前記抗ＴｆＲ抗体をコードする少なくとも１つの核酸を含むクローニングまたは発現ベクター。
【請求項１３】
請求項６に記載のｍＡｂ１をコードする核酸の少なくとも１つを含む、請求項１２に記載のクローニングまたは発現ベクター。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載のクローニングまたは発現ベクターを含む宿主細胞。
【請求項１５】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の抗ＴｆＲ抗体またはタンパク質を生産するためのプロセスであって、（ｉ）宿主細胞によって前記抗体またはタンパク質を発現させるために、請求項１４に記載の宿主細胞を培養すること；任意選択で（ｉｉ）前記抗体またはタンパク質を精製すること；および（ｉｉｉ）前記抗体またはタンパク質を回収することを含む、プロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月10日(2019.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光学的要素と、
前記光学的要素を通る処置パルス光路に沿って処置パルスを生成するよう構成され、更に、前記光学的要素を通って延在するプローブパルス光路に沿ってプローブパルスを生成するよう構成された、パルス生成構成と、
前記光学的要素を通る前記プローブパルス光路に沿って通過した前記プローブパルスの光学的特性を示す情報を生成するよう構成された、センサと、
前記センサにより生成された前記情報に依存して、前記処置パルス光路に沿って前記処置パルスを選択的に発するよう、前記パルス生成構成を制御するよう構成された、コントローラと、
を有し、前記センサにより生成される情報は、前記処置パルス光路における障害物を示す、する光学系。
【請求項２】
前記障害物は汚れ又は皮膚表面である、請求項１に記載の光学系。
【請求項３】
前記パルス生成構成は、前記プローブパルスのパルスエネルギーよりも大きなパルスエネルギーを持つ処置パルスを生成するよう構成された、請求項１又は２に記載の光学系。
【請求項４】
前記プローブパルス光路は、前記処置パルス光路の少なくとも一部と一致するよう構成された、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光学系。
【請求項５】
前記パルス生成構成は、前記処置パルスを生成するよう構成された処置パルス生成器と、前記プローブパルスを生成するよう構成されたプローブパルス生成器と、を有する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光学系。
【請求項６】
前記パルス生成構成は、前記プローブパルスの１０ｍｓ以内に前記処置パルスを生成するよう構成された、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の光学系。
【請求項７】
前記パルス生成構成は、１０ｍｓよりも短い時間間隔で連続するプローブパルスを生成するよう構成された、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の光学系。
【請求項８】
前記コントローラは、前記センサにより測定された特性を所定の値と比較し、感知された特性が前記所定の値に合致する場合に前記処置パルスを発するよう構成された、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の光学系。
【請求項９】
前記コントローラは、前記センサにより測定された特性を所定の範囲と比較し、感知された特性が前記所定の範囲内である場合に前記処置パルスを発するよう構成された、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の光学系。
【請求項１０】
前記センサは、前記光路の端にある、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の光学系。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の光学系を有する、レーザ処置装置。
【請求項１２】
前記処置パルス光路の一部が、前記レーザ処置装置における凹部に亘り、皮膚係合面が存する前記凹部に沿って延在する面に平行であり、任意に前記面から離隔された、請求項１１に記載のレーザ処置装置。
【請求項１３】
毛が延在する凹部を持つレーザ処置装置を用いて毛を切断するための方法であって、前記方法は、
複数の光学的要素を通って延在するプローブパルス光路に沿ってプローブパルスを向けるよう光学系を動作させるステップと、
前記プローブパルス光路に沿ったセンサを用いて前記プローブパルスの特性を測定することにより、前記光学的要素を通って延在する処置パルス光路の状態を示す情報を生成するステップと、
前記プローブパルスの特性を示す情報を、所定の範囲と比較するステップと、
前記プローブパルスの特性を示す情報が、前記所定の範囲内である場合に、前記凹部のなかに延在する毛を切断するため、前記光学的要素を通る前記処置パルス光路に沿って、処置パルスを発するステップと、
を有する方法。
【請求項１４】
少なくとも１つのプロセッサにより実行されるときに、請求項１３に記載の方法が実行されるようにする命令を有する、コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月2日(2019.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザの乳房から母乳を抽出するための母乳抽出システムであって、
前記システムの動作中に前記システムにおいて少なくとも１つの測定値を生成し、かつ前記システムにおける前記少なくとも１つの測定値から、前記システムの動作中に前記システムにおける真空レベルを決定するように構成された圧力測定構成要素であって、圧力スイッチ、２個の設定圧力スイッチ、相対圧力センサ、絶対圧力センサ、及び少なくとも２個の圧力センサの少なくとも１つを備える圧力測定構成要素と、
メモリと、
前記圧力測定構成要素及び前記メモリとインターフェースで接続された比較回路であって、実質的に連続的に、前記システムの動作中に前記システムにおける真空レベルと前記システムにおける予想真空レベルとを比較して比較結果を得、前記比較結果が少なくとも閾値を満たすときに、母乳又は空気が前記システムに流入する又は前記システムから流出することを示す漏れが前記システムにあると決定し、そして漏れの大きさを推定するように構成された比較回路と、
該システムにおける漏れの存在を前記ユーザに選択的に示すように構成された少なくとも１個のフィードバック構成要素と
を備える母乳抽出システム。
【請求項２】
前記圧力測定構成要素が前記システムの動作中に前記システムにおける圧力レベルを得るようにさらに構成され、
前記比較回路は、
前記圧力レベルと予想圧力レベルとを比較し、
前記比較に基づいて、前記システム内の母乳の流量を推定する
ようにさらに構成される、請求項１に記載の母乳抽出システム。
【請求項３】
前記比較結果が少なくとも閾値を満たすときに、前記比較回路は、
前記比較結果に基づいて、システム内の漏れに対処するためにとる少なくとも１つの動作を決定し、
前記少なくとも１つの動作を実行する
ようにさらに構成される、請求項１に記載の母乳抽出システム。
【請求項４】
前記圧力測定構成要素は、
前記システムの動作中の第１の時点で第１圧力レベルを取得し、
前記システムの動作中の第２の時点で第２圧力レベルを取得し、
前記第１圧力レベルから前記第２圧力レベルまで前記システムにおける真空レベルを決定する
ようにさらに構成される、請求項１に記載の母乳抽出システム。
【請求項５】
前記圧力測定構成要素は、前記システムの動作中に前記システムにおける圧力レベルを取得するようにさらに構成され、
前記比較回路は、前記圧力レベルと予想圧力レベルとを比較することによって母乳流搾乳容積推定値を算出するようにさらに構成され、
前記システムは、前記母乳流搾乳容積推定値に基づいて母乳流量、母乳搾乳容積及び射乳反射（ＭＥＲ）の少なくとも１つを示す母乳出力データを生成するように構成された出力モジュールをさらに備える、請求項１に記載の母乳抽出システム。
【請求項６】
電子装置からユーザ構成設定のセットを受信するように構成されたトランシーバと、
少なくとも前記トランシーバとインターフェースで接続し、前記ユーザ構成設定のセットから前記システムの動作設定のセットを決定し、前記動作設定の前記セットに従って前記システムを構成するように構成されたハードウェアコントローラと
をさらに備える、請求項１に記載の母乳抽出システム。
【請求項７】
前記トランシーバは、前記電子装置から前記電子装置のセンサのセットに関連するセンサデータを受信するようにさらに構成され、
前記ハードウェアコントローラは、前記センサデータから前記システムの動作設定のセットをさらに決定する、
請求項６に記載の母乳抽出システム。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月31日(2019.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号１のアミノ酸配列で構成されたヘキスロン酸Ｃ４−エピメラーゼ（Ｈｅｘｕｒｏｎａｔｅ  Ｃ４−ｅｐｉｍｅｒａｓｅ）のＮ−末端から１２５番セリン（Ｓ）のアミノ酸残基、１８５番セリン（Ｓ）のアミノ酸残基、２６７番バリン（Ｖ）のアミノ酸残基、２６８番セリン（Ｓ）のアミノ酸残基、２７２番スレオニン（Ｔ）のアミノ酸残基、３０６番トリプトファン（Ｗ）のアミノ酸残基と３８６番アルギニン（Ｒ）のアミノ酸残基が変異され、４０３番チロシン（Ｙ）のアミノ酸残基が変異されていないヘキスロン酸Ｃ４−エピメラーゼ変異体。
【請求項２】
請求項１に記載のヘキスロン酸Ｃ４−エピメラーゼ変異体をコードする核酸。
【請求項３】
請求項２に記載の核酸を含む形質転換体。
【請求項４】
請求項１に記載のヘキスロン酸Ｃ４−エピメラーゼ変異体を含む、タガトース生産用の組成物。
【請求項５】
請求項１に記載のヘキスロン酸Ｃ４−エピメラーゼ変異体、請求項３に記載の形質転換体、または請求項４に記載のＤ−タガトース生産用の組成物とＤ−フルクトース（Ｄ−ｆｒｕｃｔｏｓｅ）を反応させて前記Ｄ−フルクトースをエピマー化（ｅｐｉｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）する工程を備える、Ｄ−タガトースの製造方法。
【請求項６】
前記エピマー化する工程は、金属塩が存在する条件で行われることを特徴とする、請求項５に記載のＤ−タガトースの製造方法。
【請求項７】
前記エピマー化する工程の前に、砂糖を酵素で加水分解してＤ−フルクトースを得る工程またはブドウ糖を酵素で異性化する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項５に記載のＤ−タガトースの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月13日(2019.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種の金属含有触媒成分と、少なくとも１種のリン含有触媒成分と、を含む、担持された触媒であって、前記金属含有触媒成分中の金属は、元素周期表の第ＶＩＢ族から選択される少なくとも１種、元素周期表の第ＶＩＩＩ族から選択される少なくとも１種の別の金属であり、そして前記触媒成分は有孔担体上に担持されており、前記触媒が、
（ａ）０．６０：１未満の第ＶＩＩＩ族金属成分対リン成分のモル比、
（ｂ）０．４５：１未満の第ＶＩＩＩ族金属成分対第ＶＩＢ族金属成分のモル比、
（ｃ）約０．６５：１〜約０．９０：１のリン成分対第ＶＩＢ族金属成分のモル比、及び
（ｄ）約８０Å〜約９０Åのメディアン孔径、を有することを特徴とし、
前記担体の総細孔容積は約０．６５〜約０．９ｃｃ／ｇである、
触媒。
【請求項２】
（ａ）前記第ＶＩＩＩ族金属成分対リン成分のモル比が、約０．０５：１〜約０．５９：１であり、
（ｂ）前記第ＶＩＩＩ族金属成分対第ＶＩＢ族金属成分のモル比が、約０．０５〜約０．４４：１であり、
（ｃ）前記リン成分対第ＶＩＢ族金属成分のモル比が、約０．６５：１〜約０．９０：１であり、
（ｄ）前記担体がアルミナを含む、請求項１に記載の触媒。
【請求項３】
（ａ）前記第ＶＩＩＩ族金属が、コバルト、ニッケル及びこれらの混合物から選択され、そして
（ｂ）前記第ＶＩＢ族金属が、クロム、タングステン及びモリブデン、並びにこれらの混合物から選択される、請求項２に記載の触媒。
【請求項４】
前記触媒の表面積が、約１５０〜約３５０ｍ２／ｇである、請求項１に記載の触媒。
【請求項５】
１５２％以上の水素化脱窒素（ＨＤＮ）選択性と５０％以上の相対金属耐性との組合せを示し、ここでＨＤＮ選択性は、水素化脱窒素の速度定数の水素化脱硫（ＨＤＳ）の速度定数に対する比（ｋＨＤＮ／ｋＨＤＳ）として計算され、そして相対金属耐性は、ＨＤＳ活性が、初期活性の２０％まで低下するのに要した時間として計算される、請求項１に記載の触媒。
【請求項６】
供給原料の水素処理中に高い水素化脱窒素（ＨＤＮ）選択性を有する触媒の調製方法であって、有孔担体を、少なくとも１種の金属含有触媒成分と、少なくとも１種のリン含有触媒成分と、を含有する水溶液で含浸することであって、前記金属含有触媒成分中の金属は、元素周期表の第ＶＩＢ族から選択される少なくとも１種であり、前記金属含有触媒成分中の少なくとも１種の別の金属は、元素周期表の第ＶＩＩＩ族から選択され、前記成分は金属酸化物に熱分解可能である、ことと、その後、得られた前記含浸した担体を乾燥して焼成し、担持された触媒をもたらすことと、を含み、前記担持された触媒が、
（ａ）０．６０未満の第ＶＩＩＩ族金属成分対リン成分のモル比、
（ｂ）０．４５未満の第ＶＩＩＩ族金属成分対第ＶＩＢ族金属成分のモル比、
（ｃ）約０．６５：１〜約０．９０：１のリン成分対第ＶＩＢ族金属成分のモル比、及び
（ｄ）約８０Å〜約９０Åのメディアン孔径、を有することを特徴とし、
前記担体の総細孔容積は約０．６５〜約０．９ｃｃ／ｇである、
方法。
【請求項７】
（ａ）前記第ＶＩＩＩ族金属成分対リン成分のモル比が、約０．０５：１〜約０．５９：１であり、
（ｂ）前記第ＶＩＩＩ族金属成分対第ＶＩＢ族金属成分のモル比が、約０．０５〜約０．４４：１であり、
（ｃ）前記リン成分対第ＶＩＢ族金属成分のモル比が、約０．６５：１〜約０．９０：１であり、そして
（ｄ）前記担体がアルミナを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
（ａ）前記第ＶＩＩＩ族金属が、コバルト、ニッケル及びこれらの混合物から選択され、そして
（ｂ）前記第ＶＩＢ族金属が、クロム、タングステン及びモリブデン、並びにこれらの混合物から選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記供給原料の水素処理中に高い水素化脱窒素（ＨＤＮ）選択性を有する触媒が１５２％以上の水素化脱窒素（ＨＤＮ）選択性と５０％以上の相対金属耐性との組合せを示し、ここでＨＤＮ選択性は、水素化脱窒素の速度定数の水素化脱硫（ＨＤＳ）の速度定数に対する比（ｋＨＤＮ／ｋＨＤＳ）として計算され、そして相対金属耐性は、ＨＤＳ活性が、初期活性の２０％まで低下するのに要した時間として計算される、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも１種の金属含有触媒成分と、少なくとも１種のリン含有触媒成分と、を含む、担持された触媒であって、前記金属含有触媒成分中の少なくとも１種の金属は、クロム、タングステン及びモリブデンから選択される、元素周期表の第ＶＩＢ族であり、前記金属含有触媒成分中の少なくとも１種の別の金属は、コバルト及びニッケルから選択される元素周期表の第ＶＩＩＩ族であり、そして前記触媒成分は小孔担体上に担持されており、前記触媒が、
（ａ）約０．０５：１〜約０．５９：１の第ＶＩＩＩ族金属成分対リン成分のモル比、
（ｂ）約０．０５：１〜約０．４４：１の第ＶＩＩＩ族金属成分対第ＶＩＢ族金属成分のモル比、
（ｃ）約０．６５：１〜約０．９０：１のリン成分対第ＶＩＢ族金属成分のモル比、
（ｄ）約８０Å〜約９０Åのメディアン孔径、及び、
（ｅ）アルミナを含む担体、を有することを特徴とし、そして
（１）前記触媒の表面積が、約１５０〜約３５０ｍ２／ｇであり、かつ
（２）前記担体の総細孔容積が、約０．６５〜約０．９ｃｃ／ｇである、触媒。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
[0092]  触媒の表面積が、約１５０〜約３５０ｍ２／ｇであり、そして担体の総細孔容積が、約０．５〜約１．１ｃｃ／ｇである、段落[0084]の実施形態に記載の触媒。
少なくとも１種の金属含有触媒成分と、少なくとも１種のリン含有触媒成分と、を含む、担持された触媒であって、前記金属含有触媒成分中の少なくとも１種の金属は、クロム、タングステン及びモリブデンから選択される、元素周期表の第ＶＩＢ族であり、前記金属含有触媒成分中の少なくとも１種の別の金属は、コバルト及びニッケルから選択される元素周期表の第ＶＩＩＩ族であり、そして前記触媒成分は小孔担体上に担持されており、前記触媒が、
（ａ）約０．０５：１〜約０．５９：１の第ＶＩＩＩ族金属成分対リン成分のモル比、
（ｂ）約０．０５：１〜約０．４４：１の第ＶＩＩＩ族金属成分対第ＶＩＢ族金属成分のモル比、
（ｃ）約０．２４：１〜約０．９５：１のリン成分対第ＶＩＢ族金属成分のモル比、
（ｄ）約７８〜約９２Åのメディアン孔径、及び、
（ｅ）アルミナを含む担体、を有することを特徴とし、そして
（１）前記触媒の表面積が、約１５０〜約３５０ｍ２／ｇであり、かつ
（２）前記担体の総細孔容積が、約０．５〜約１．１ｃｃ／ｇである、触媒。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月9日(2019.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンベヤにおいて、
搬送路に沿ってベルトの進行方向に前進するベルトコンベヤであって、前記ベルトの進行方向に対して横断する横方向に回転可能な複数のローラを有するベルトコンベヤと、
領域入口から領域出口へと前記搬送路に沿って延在するローラ作動領域内で前記ベルトコンベヤに隣接するリニアステータとを具えており、
前記ローラのそれぞれが、ロータとして作用し、前記リニアステータと共にローラ作動領域内で前記ローラを前記横方向に回転させる定トルクリニア誘導モータ（ＬＩＭ）を構成し、これにより前記ベルトコンベヤ上を搬送される物体が前記ローラの回転により推進され、前記物体の重さに反比例する前記横方向に平行な速度で前記ローラ作動領域を出て行くことを特徴とするコンベヤ。
【請求項２】
請求項１に記載のコンベヤにおいて、更に、測定値を物体の重さに変換するため、前記ローラ作動領域の領域入口の下流の前記搬送路に沿ったセンサ位置で、前記搬送される物体の前記横方向の加速度、速度、または変位を測定するセンサを具えることを特徴とするコンベヤ。
【請求項３】
請求項１に記載のコンベヤにおいて、前記ローラは、前記ローラ作動領域を出ると作動が停止され、惰走できることを特徴とするコンベヤ。
【請求項４】
請求項１に記載のコンベヤにおいて、更に、前記コンベヤの側部から物体を外側へ移動する、前記搬送路に沿って離れて位置する１またはそれ以上の排出箇所を具えており、前記物体がその重さにより選別されることを特徴とするコンベヤ。
【請求項５】
請求項４に記載のコンベヤにおいて、２またはそれ以上の排出箇所を具えており、より軽い物体がより重い物体の上流で選別排出されることを特徴とするコンベヤ。
【請求項６】
請求項４に記載のコンベヤにおいて、前記搬送路上の最も重い物体の前記横方向の変位が、前記最も重い物体を前記コンベヤの側部の外側へ移動させるほど十分に大きくないことを特徴とするコンベヤ。
【請求項７】
請求項１に記載のコンベヤにおいて、前記搬送路に沿って一連のローラ作動領域を画定する一連のリニアステータを具えることを特徴とするコンベヤ。
【請求項８】
請求項１に記載のコンベヤにおいて、前記ローラが前記搬送される物体と直接接触することを特徴とするコンベヤ。
【請求項９】
請求項１に記載のコンベヤにおいて、前記ベルトコンベヤが更に、前記回転するローラによって回転される物体支持ローラを有することを特徴とするコンベヤ。
【請求項１０】
請求項１に記載のコンベヤにおいて、前記横方向は前記ベルトの進行方向に対して垂直であることを特徴とするコンベヤ。
【請求項１１】
コンベヤにおいて、
搬送路に沿ってベルトの進行方向に前進するベルトコンベヤであって、前記ベルトの進行方向に対して横断する横方向に回転可能な複数のローラを有するベルトコンベヤと、
前記ベルトコンベヤに隣接するリニアモータステータであって、領域入口から領域出口へと前記搬送路に沿って延在するローラ作動領域で前記ベルトコンベヤに沿って前記ベルトの進行方向に対して直交する方向に移動する走行電磁束波を生成するリニアモータステータとを具えており、
前記ローラが前記ローラ作動領域を通過する際に前記走行電磁束波によって渦電流が誘導される導電性材料を含み、前記渦電流は前記走行磁束波と相互作用する反作用電磁場を生成してローラ内に前記横方向に回転させるトルクを生成し、
前記トルクは、前記ベルト上で物体を前記横方向と平行に動かすのに十分な一定の角加速度で前記ローラ作動領域内の前記ローラを加速させるのに十分に一定であり、
搬送される前記物体の前記横方向の加速度、速度および変位が、搬送される前記物体の重さに反比例することを特徴とするコンベヤ。
【請求項１２】
請求項１１に記載のコンベヤにおいて、更に、前記横方向の加速度、速度または変位を物体の重さに変換するため、前記ローラ作動領域の前記領域入口の下流の前記搬送路に沿った所定の位置において、搬送される前記物体の前記横方向の変位を測定するセンサを具えることを特徴とするコンベヤ。
【請求項１３】
請求項１１に記載のコンベヤにおいて、前記ローラは、前記ローラ作動領域を出ると一定速度で前記横方向に回転することを特徴とするコンベヤ。
【請求項１４】
請求項１１に記載のコンベヤにおいて、更に、前記コンベヤの側部から物体を外側へ移動する、前記搬送路に沿って離れて位置する１またはそれ以上の排出箇所を具えており、前記物体がその重さにより選別されることを特徴とするコンベヤ。
【請求項１５】
請求項１４に記載のコンベヤにおいて、前記搬送路上の最も重い物体の前記横方向の変位が、前記最も重い物体を前記コンベヤの側部の外側へ移動させるほど十分に大きくないことを特徴とするコンベヤ。
【請求項１６】
請求項１１に記載のコンベヤにおいて、前記搬送路に沿って一連のローラ作動領域を画定する一連のリニアモータステータを具えることを特徴とするコンベヤ。
【請求項１７】
請求項１１に記載のコンベヤにおいて、前記ベルトコンベヤが更に、前記回転するローラによって駆動される物体支持ローラを有することを特徴とするコンベヤ。
【請求項１８】
物体を搬送するための方法において、
ベルトの進行方向に前進するベルトコンベヤ上のローラの上の物体を搬送するステップと、
前記ローラを、ローラ作動領域を通過する際にリニア誘導によって作動させ、前記ベルトの進行方向に対して直交する方向に回転させることで、前記物体の重さに依存する軌跡に沿って各物体を移動させるステップとを具えることを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法において、更に、各物体の重さをその軌跡から特定するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１８に記載の方法において、更に、重さによって前記ベルトコンベヤの側部の外側へと物体を選別排出するステップを具えており、より軽い物体がより重い物体よりも上流側で選別排出されることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月4日(2019.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィードガスを精製するための圧力スイング吸着システムであって、
フィードポート、生成物ポート、および該フィードガスからの１種またはそれより多くの不純物を吸着して生成物ガスを生産するように設計された吸着材料をそれぞれ有する、第１の吸着床および第２の吸着床、
該フィードガスを該吸着床の該フィードポートへと導くように設計され、該生成物ガスを、該吸着床の該生成物ポートへと、および該吸着床の該生成物ポートから外へと導くように設計され、圧力均等化工程およびパージ工程中に、第１の吸着床と第２の吸着床との間でガスを移動させるように設計された、配管ネットワーク、
該フィードガスおよび該生成物ガスの流れを該配管ネットワークへと導くように設計された第１の回転弁アセンブリ、
圧力均等化工程の間に、第１の吸着床と第２の吸着床との間でガスの流速を決定するように設計された第１のオリフィス、ならびに
パージ工程の間に、第１の吸着床と第２の吸着床との間を流れるガスの流速を決定するように設計された第２のオリフィス
を含む、圧力スイング吸着システム。
【請求項２】
第１のオリフィスが、固定された流量制限となるように設計されている、請求項１に記載の圧力スイング吸着システム。
【請求項３】
第１のオリフィスの穴のサイズが、システム工学の設計計算に基づき試運転前に決定される、請求項１に記載の圧力スイング吸着システム。
【請求項４】
第２のオリフィスが、固定された流量制限となるように設計されている、請求項１に記載の圧力スイング吸着システム。
【請求項５】
第１のオリフィスが、第１の回転弁に統合されている、請求項５に記載の圧力スイング吸着システム。
【請求項６】
前記第１及び第２の吸着床が、定置型である、請求項１に記載の圧力スイング吸着システム。
【請求項７】
前記均等化工程および前記パージ工程の少なくとも１つの間における第１の吸着床と第２の吸着床との間の前記ガスの流速を調整することができない、請求項１に記載の圧力スイング吸着システム。
【請求項８】
制御器をさらに含み、該制御器は、第１の回転弁と連通し、第１の回転弁の位置を調整するように設計されている、請求項１に記載の圧力スイング吸着システム。
【請求項９】
フィードガスを精製するための圧力スイング吸着システムであって、
フィードポート、生成物ポート、および該フィードガスからの１種またはそれより多くの不純物を吸着して生成物ガスを生産するように設計された吸着材料をそれぞれ有する、第１の吸着床および第２の吸着床、
該フィードガスを該吸着床の該フィードポートへと導くように設計され、該生成物ガスを、該吸着床の該生成物ポートへと、および該吸着床の該生成物ポートから外へと導くように設計され、均等化工程およびパージ工程中に、第１の吸着床と第２の吸着床との間でガスを移動させるように設計された、配管ネットワーク、
該フィードガス流および生成物ガス流の流れを該配管ネットワークへと導くように設計された第１の回転弁、
該フィードガス流および生成物ガス流の流れを該配管ネットワークへと導くように設計された第２の回転弁、
均等化工程の間に、第１の吸着床と第２の吸着床との間のガスの流速を規制するように設計された第１のオリフィス、ならびに
パージ工程の間に、第１の吸着床と第２の吸着床との間を流れるガスの流速を規制するように設計された第２のオリフィス
を含む、圧力スイング吸着システム。
【請求項１０】
第１の吸着床および第２の吸着床が、第１の回転弁および第２の回転弁のローターと共に回転する、請求項９に記載の圧力スイング吸着システム。
【請求項１１】
フィードガス流を精製するための、第１の吸着床および第２の吸着床を有する圧力スイング吸着システムを作動させる方法であって、
第１の吸着床および第２の吸着床の少なくとも一方を吸着モードで作動させること；
第１の吸着床および第２の吸着床の少なくとも一方を再生モードで作動させること；
均等化工程の間に、第１の吸着床と第２の吸着床との間でガスを移動させること、ここで該ガスの流速は、第１のオリフィスを通じて規制される；および、
パージ工程の間に、第１の吸着床と第２の吸着床との間で生成物ガスを移動させること、ここですべての生成物ガスの流速は、第２のオリフィスを通じて規制される、
を含む、方法。
【請求項１２】
制御器により第１及び第２の回転弁を制御すること、及び制御器により第１及び第２の回転弁の位置を調整すること、をさらに含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】
前記均等化工程中に、第１の吸着床と第２の吸着床との間を移動する前記ガスの流速を、調整することができない、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記パージ工程中に、第１の吸着床および第２の吸着床の少なくとも一方へと導かれる前記生成物ガスの流速を、調整することができない、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記フィードガスが、不純物を含有する水素である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１のオリフィスが、前記第１の回転弁及び第２の回転弁の少なくとも１つの通路に統合されている、請求項９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月16日(2019.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベンチュリーデバイスをポストモールド処理するための方法であって、前記方法は、
収束原動通路の出口端部と開拡排出通路の入口端部との間にベンチュリーギャップを画定する本体を有する成形されたベンチュリーデバイスを提供するステップであって、前記出口端部は半径方向内向きに延在するバリを有する原動出口を画定し、かつ、前記入口端部は半径方向内向きに延在するバリを有する排出入口を画定する、ステップと、
前記収束原動通路の入口端部をブラスティングノズルに対向させて前記成形されたベンチュリーデバイスを位置決めするステップと、
前記原動出口および前記排出入口における前記バリを除去すると共に、０．０５ｍｍないし１ｍｍの範囲内にあるコーナー半径を形成するために前記排出入口の内面を修正するために、６ないし８秒間、前記ベンチュリーデバイスの原動入口内にブラスティング媒体を送り込むステップと
を具備する方法。
【請求項２】
前記原動入口は円形に形成され、かつ、前記原動出口は楕円形に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ブラスティング媒体の送り込み中に、前記原動入口、前記原動出口、前記ベンチュリーギャップおよび前記排出入口を通って延びる中心長手方向軸線の周りで前記ベンチュリーデバイスを回転させるステップをさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ブラスティングノズルは連続供給ブラスティングシステムの一部であり、かつ、前記ベンチュリーデバイスの位置決めステップは、予め選択された距離だけ前記ブラスティングノズルから離れて前記原動入口を配置することを含み、実質的に全てのブラスティング媒体が前記収束原動通路内に受け入れられる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記連続供給ブラスティングシステムは、ブラスティング媒体のリザーバと、１５０粒度未満の粒子のための集塵器と、を備える、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ブラスティングノズルは、前記ベンチュリーデバイスに向かって広がる、開拡コーンを有するノズル出口を画定する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ブラスティングノズルは閉じられた供給媒体ブラスティングシステムの一部であり、かつ、位置決めステップは、前記ブラスティングノズルのノズル出口を前記ベンチュリーデバイスの前記原動入口内に挿入することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記本体の吸入ポートに面する二次ブラスティングノズルを位置決めするステップと、前記吸入ポートを介して前記ベンチュリーデバイス内にブラスティング媒体を送り込むステップと、をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ブラスティング媒体を送り込むステップは、最初に原動入口を介し、それに続いて前記吸入ポートを介してなされる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ブラスティング媒体を送り込むステップは、前記原動入口および前記吸入ポートを介して同時になされる、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記ブラスティング媒体が金属酸化物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記金属酸化物が酸化アルミニウムである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ブラスティング媒体が、ガラス、金属、セラミック、ポリマー、植物物質、氷または固体二酸化炭素のうちの一つ以上を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記コーナー半径が０．１ｍｍないし０．３５ｍｍの範囲内にある、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記コーナー半径はコーナー半径全体を一緒に形成する複数の湾曲領域を有し、第１の領域は、前記排出入口を画定する前記開口に最も近接して配置され、かつ、第２の領域は、前記開拡排出通路内へと前記中心長手方向軸線Ａに対して、さらに内側に配置され、前記第１の領域の第１の長さは前記第２の領域の第２の長さよりも小さく、かつ、前記第１の領域の曲率半径は前記第２の領域の曲率半径よりも大きい、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記ブラスティング媒体を送り込むステップでは、１５０粒度以下のブラスティング媒体が６３ｐｓｉの圧力で使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記ブラスティング媒体を送り込むステップでは、０．７５インチの外径を有するノズルが使用される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
ベンチュリーデバイスをポストモールド処理するための方法であって、前記方法は、
収束原動通路の出口端部と開拡排出通路の入口端部との間にベンチュリーギャップを画定する本体を有する成形されたベンチュリーデバイスを提供するステップであって、前記出口端部は半径方向内向きに延在するバリを有する原動出口を画定し、かつ、前記入口端部は半径方向内向きに延在するバリを有する排出入口を画定する、ステップと、
前記開拡排出通路の出口端部をブラスティングノズルに対向させて前記成形されたベンチュリーデバイスを位置決めするステップと、
前記排出入口および前記原動出口からバリを除去すると共に、０．０５ｍｍないし１ｍｍの範囲内にあるコーナー半径を形成するために前記排出入口の内面を修正する、ある速度の媒体流で、６ないし８秒間、前記収束原動通路によって画定された原動入口内にブラスティング媒体を送り込むステップと、
前記排出入口および前記原動出口における前記バリを除去するために、前記開拡排出通路の前記出口端部によって画定される排出出口内にブラスティング媒体を送り込むステップと
を具備し、
前記ブラスティング媒体を前記排出出口内に送り込むステップは、前記ブラスティング媒体を前記原動入口内に送り込む前あるいは後に実施される方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月12日(2019.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
当業者であれば、本発明の概念から逸脱することなく、上述した本発明を様々に変更及び修正できることが理解されよう。したがって本発明の範囲は、本願に記載の構造に限定されるべきものではなく、特許請求の範囲の文言により述べられる構造及びそうした構造の等価物によってのみ限定されるものである。
［付記］
（付記１）
ｙ軸と、前記ｙ軸に対し横軸のｘ軸と、前記ｙ軸及びｘ軸に直交するｚ軸とを有する研磨物品であって、複数の研磨粒子を備え、前記研磨粒子の少なくとも一部分のｚ軸を中心とする回転配向が、規定の範囲内でランダムに異なり、前記研磨粒子の間隔が前記ｙ軸に沿ってランダムに異なる、研磨物品。
（付記２）
前記研磨粒子の前記ｘ軸方向の間隔がランダムである、付記１に記載の研磨物品。
（付記３）
前記研磨粒子の間隔は、前記ｘ軸方向が前記ｙ軸方向よりも均一である、付記２に記載の研磨物品。
（付記４）
前記ｘ軸方向の前記研磨粒子の前記間隔が規定の範囲内で異なる、付記３に記載の研磨物品。
（付記５）
前記研磨粒子が複数の列に並べられ、更に、１つの列の中の研磨粒子の位置の平均偏差が前記研磨粒子の厚さのプラス又はマイナス（±）約４倍以内でランダムに異なる、付記４に記載の研磨物品。
（付記６）
前記研磨粒子の少なくとも一部分が、長手方向軸を有する列に並べられ、各研磨粒子が長手方向軸を有し、前記研磨粒子の少なくとも一部分の前記長手方向軸が、前記列の長手方向軸に対して規定の範囲内にある、付記１に記載の研磨物品。
（付記７）
前記列の前記長手方向軸が概ね、前記研磨物品ｙ軸である第１の軸と平行である、付記６に記載の研磨物品。
（付記８）
前記列の前記長手方向軸が、前記研磨物品ｙ軸からある角度でオフセットされる、付記６に記載の研磨物品。
（付記９）
前記研磨粒子が概ね弓形の経路内に設けられ、前記ｙ軸が前記弓形経路に一点で接する、付記１に記載の研磨物品。
（付記１０）
前記研磨粒子の少なくとも約５５パーセントの前記ｚ方向回転配向が、平均粒子ｚ方向回転配向の約±４５度以内である、付記１に記載の研磨物品。
（付記１１）
前記研磨粒子の少なくとも一部分が細長く、細長いスロットを通過させることによって、直立の姿勢で配向されるように構成される、付記１に記載の研磨物品。
（付記１２）
前記研磨粒子の少なくとも一部分が、ある長さ、幅、厚さ、及び細長い縁部を有し、更に、幅及び長さが前記厚さを超える、付記１に記載の研磨物品。
（付記１３）
前記研磨粒子の少なくとも一部分が概ね板様の形を有する、付記１に記載の研磨物品。
（付記１４）
前記研磨粒子の少なくとも一部分が、破砕研磨粒子、成形研磨粒子、及びこれらの組合せを含む、付記１に記載の研磨物品。
（付記１５）
前記研磨粒子が、板様の形を有する塊からなる、付記１に記載の研磨物品。
（付記１６）
前記研磨物品が、概ね均一なサイズ及び形状を有する第１の部分と、概ね均一なサイズ及び不均一な形状を有する第２の部分とを含む研磨粒子の混合物を含む、付記１に記載の研磨物品。
（付記１７）
前記研磨粒子の約８０〜９０パーセントが、前記ｘ軸及びｙ軸によって画定された平面から少なくとも約４５度の角度で傾斜している、付記１に記載の研磨物品。
（付記１８）
被覆研磨物品であって、
ａ）互いに反対側にある第１及び第２の主面、長手方向軸、並びに横軸を有するバッキングと、
ｂ）前記第１及び第２の主面の一方の少なくとも一部分の上のメイク被覆と、
ｃ）前記バッキングに前記メイク被覆によって固定された複数の研磨粒子とを含み、各研磨粒子が、前記バッキングの前記長手方向軸の方向に延びるｙ方向軸と、前記バッキングの前記長手方向軸に直交するｚ方向軸とを含み、
前記研磨粒子の大部分の、前記ｚ軸を中心とする前記回転配向が規定の範囲内でランダムに異なり、更に、前記研磨粒子のｙ方向の間隔がランダムに異なる、被覆研磨物品。
（付記１９）
研磨ディスクであって、
ａ）互いに反対側にある第１及び第２の主面、環状経路、並びに第１及び第２の主面のうちの少なくとも一方と直交するｚ軸を有するバッキングと、
ｂ）前記第１及び第２の主面のうちの少なくとも一方の上のメイク被覆と、
ｃ）前記バッキングに前記メイク被覆によって固定された複数の研磨粒子とを含み、
前記研磨粒子の大部分の、前記第２の軸を中心とする回転配向が、規定の範囲内でランダムに異なり、更に、前記環状経路に沿った前記研磨粒子の間隔がランダムに異なる、研磨ディスク。
（付記２０）
付記１８に記載の研磨物品を連続ベルトの形状で提供するステップと、研磨ベルトを前記金属と接触させるステップとを含む、金属を研削する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｙ軸と、前記ｙ軸に対し横軸のｘ軸と、前記ｙ軸及びｘ軸に直交するｚ軸とを有する研磨物品であって、複数の研磨粒子を備え、前記研磨粒子の少なくとも一部分のｚ軸を中心とする回転配向が、規定の範囲内でランダムに異なり、前記研磨粒子の間隔が前記ｙ軸に沿ってランダムに異なる、研磨物品。
【請求項２】
前記研磨粒子の前記ｘ軸方向の間隔がランダムである、請求項１に記載の研磨物品。
【請求項３】
前記研磨粒子の間隔は、前記ｘ軸方向が前記ｙ軸方向よりも均一である、請求項２に記載の研磨物品。
【請求項４】
前記ｘ軸方向の前記研磨粒子の前記間隔が規定の範囲内で異なる、請求項３に記載の研磨物品。
【請求項５】
前記研磨粒子の少なくとも一部分が細長く、細長いスロットを通過させることによって、直立の姿勢で配向されるように構成される、請求項１に記載の研磨物品。
【請求項６】
前記研磨粒子の約８０〜９０パーセントが、前記ｘ軸及びｙ軸によって画定された平面から少なくとも約４５度の角度で傾斜している、請求項１に記載の研磨物品。
【請求項７】
被覆研磨物品であって、
ａ）互いに反対側にある第１及び第２の主面、長手方向軸、並びに横軸を有するバッキングと、
ｂ）前記第１及び第２の主面の一方の少なくとも一部分の上のメイク被覆と、
ｃ）前記バッキングに前記メイク被覆によって固定された複数の研磨粒子とを含み、各研磨粒子が、前記バッキングの前記長手方向軸の方向に延びるｙ方向軸と、前記バッキングの前記長手方向軸に直交するｚ方向軸とを含み、
前記研磨粒子の大部分の、前記ｚ軸を中心とする前記回転配向が規定の範囲内でランダムに異なり、更に、前記研磨粒子のｙ方向の間隔がランダムに異なる、被覆研磨物品。
【請求項８】
研磨ディスクであって、
ａ）互いに反対側にある第１及び第２の主面、環状経路、並びに第１及び第２の主面のうちの少なくとも一方と直交するｚ軸を有するバッキングと、
ｂ）前記第１及び第２の主面のうちの少なくとも一方の上のメイク被覆と、
ｃ）前記バッキングに前記メイク被覆によって固定された複数の研磨粒子とを含み、
前記研磨粒子の大部分の、前記第２の軸を中心とする回転配向が、規定の範囲内でランダムに異なり、更に、前記環状経路に沿った前記研磨粒子の間隔がランダムに異なる、研磨ディスク。