Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月6日(2008.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
工業用フィールド装置で用いるためのダイヤフラム診断システムであって、
プロセス流体にフィールド装置を結合するように構成され、複数の層と、複数の層の中の工業用プロセスのプロセス流体に触れる第一の層と、を含むダイヤフラムと、
ダイヤフラムに結合されてダイヤフラムの電気パラメータを監視し、監視された電気パラメータの変化に基づきダイヤフラムの動作状態を応答的に推測する診断回路と、
を含むダイヤフラム診断システム。
【請求項２】
変化が所定の限度を超えた場合、ダイヤフラムの推測された動作状態を示す警告信号を生成するように適合された警告生成機能をさらに含む、請求項１記載のダイヤフラム診断システム。
【請求項３】
電気パラメータがダイヤフラムの静電容量を含む、請求項１記載のダイヤフラム診断システム。
【請求項４】
分離ダイヤフラムを時変信号で掃引するように適合され、電気パラメータがダイヤフラムの複素電気パラメータを含む信号生成器をさらに含む、請求項１記載のダイヤフラム診断システム。
【請求項５】
ダイヤフラムを監視し、時変信号に基づいて、格納された基礎値信号に対する電気パラメータの変化を検出するように適合された複素信号分析システムをさらに含む、請求項４記載のダイヤフラム診断システム。
【請求項６】
複数の層が少なくとも一つの導電層を含む、請求項１記載のダイヤフラム診断。
【請求項７】
複数の層が少なくとも一つの誘電層を含む、請求項１記載のダイヤフラム診断。
【請求項８】
複数の層が、
少なくとも二つの導電層と、
少なくとも二つの導電層を隔てる少なくとも一つの誘電層と、
を含む、請求項１記載のダイヤフラム診断。
【請求項９】
電気パラメータが、少なくとも二つの導電層の容量性電位を含む、請求項８記載のダイヤフラム診断。
【請求項１０】
変化の程度が、第一の導電層の表面領域の変化の程度を示す、請求項１記載のダイヤフラム診断システム。
【請求項１１】
診断回路が、第一の層に対する複数の導電層の一つ以上の電気パラメータを監視するように適合される、請求項１記載のダイヤフラム診断システム。
【請求項１２】
分離ダイヤフラムの動作状態を推測するための方法であって、
複数の層と、複数の層の中のプロセス流体に直接触れる第一の層とを含む分離ダイヤフラムを備えることと、
分離ダイヤフラムに電気信号を与えることと、
与えられた電気信号に対する分離ダイヤフラムの電気パラメータの測定された変化から、分離ダイヤフラムの動作状態を応答的に推測することと、
を含む方法。
【請求項１３】
電気信号が時変要素を有する、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
測定された変化が所定の限度を越えた場合、分離ダイヤフラムの劣化状態を示す警告信号を生成することをさらに含む、請求項１２の方法。
【請求項１５】
ある周波数範囲を含む電気信号を生成することと、
分離ダイヤフラムを経由して周波数範囲を伝送することと、
を適用するステップを含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１６】
分離ダイヤフラムの電気パラメータを監視することと、
格納された基礎測定値に対する監視された電気パラメータの変化を計算することと、
を推測するステップを含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１７】
電気パラメータが分離ダイヤフラムの時定数を含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１８】
電気パラメータが分離ダイヤフラムの複素電気パラメータを含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１９】
工業用フィールド装置で用いるためのダイヤフラム診断システムであって、
プロセス流体にフィールド装置を結合するように構成され、複数の層と、複数の層の中の工業用プロセスのプロセス流体に触れる第一の層とを含む静電容量エレメントと、
静電容量エレメントに結合されて静電容量エレメントの電気パラメータを監視し、監視された電気パラメータの変化に基づき静電容量エレメントの動作状態を応答的に推測する診断回路と、
を含むダイヤフラム診断システム。
【請求項２０】
工業用フィールド装置が、パイプ部内に延びる分岐バーを有する渦流量計を含み、静電容量エレメントがパイプ部の薄肉部を含み、薄肉部を通して、パイプ内の流体流による分岐バーの動きが伝えられる、請求項１９記載のダイヤフラム診断システム。
【請求項２１】
工業用フィールド装置が、パイプ部に結合された圧力センサを含み、静電容量エレメントが、液封された毛細管を通して、遠隔センサに、パイプ部内の流体流からの圧力を伝えるように適合された柔軟な分離ダイヤフラムを含む、請求項１９記載のダイヤフラム診断システム。
【請求項２２】
制御センタへの伝送のための推測された動作状態を示す警告信号を生成するように適合された警告生成機能をさらに含む、請求項１９記載のダイヤフラム診断システム。
【請求項２３】
変化の大きさが、静電容量エレメントの損傷の程度を示す、請求項１９記載のダイヤフラム診断システム。
【請求項２４】
測定された変化が、静電容量エレメントの複素インピーダンスを含む、請求項１９記載のダイヤフラム診断システム。
【請求項２５】
診断回路が、
時変要素を有する電気信号で静電容量エレメントを掃引するように適合された信号生成器と、
静電容量エレメントを監視し、格納された基礎測定値に対する静電容量エレメントの一つ以上の電気パラメータの変化に基づき静電容量エレメントの動作状態を推測するように適合された複素信号分析システムと、
をさらに含む、請求項１９記載のダイヤフラム診断システム。
【請求項２６】
診断回路が、第一の層に対する複数の導電層の一つ以上の電気パラメータを監視するように適合される、請求項１９記載のダイヤフラム診断システム。
【請求項２７】
複数の層が、
少なくとも二つの導電層と、
少なくとも二つの導電層を隔てる少なくとも一つの誘電層と、
を含み、
少なくとも一つの誘電層が多孔質材料を含む、請求項１９記載のダイヤフラム診断。
【請求項２８】
第一の層を通してプロセス流体が漏出している場合、電気パラメータの突然の変化に基づき動作状態が推測される、請求項２７記載のダイヤフラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月8日(2008.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体と捕捉分子との間の相互作用を評価する方法であって、
被検体を含む未加工の液体試料を前記捕捉分子でコーティングされたエバネッセント場センサの検出表面と接触させるステップと、
前記検出表面における屈折率変化を検出するステップとを含み、
前記屈折率における変化は前記被検体が前記捕捉分子と相互作用するか否かを示し、前記未加工の液体試料は培養細胞の溶解物または上清、体液試料及び組織抽出物から成るグループから選択され、前記検体は培養細胞から発現された組み換えタンパク、病原体マーカー、前記病原体マーカーの特異性抗体及び癌細胞マーカーから成るグループから選択されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記エバネッセント場センサが、少なくとも１つの格子結合型の導波路を備えていることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法であって、前記屈折率変化の検出ステップが、
液体コントロール試料を前記検出表面と接触させるステップと、
前記検出表面における屈折率のベースライン変化を検出するステップと、
前記未加工液体試料によって生成される前記屈折率変化と前記ベースライン変化とを比較するステップとを含み、前記液体コントロール試料は前記組み換えタンパクを発現しない培養細胞の溶解物または上清であることを特徴とする、かまたは、
光ビームを前記格子結合型の導波路内に配向し、前記光ビームが回折して前記検出表面を越えて広がるエバネッセントテール（Ｔａｉｌ）を生ずるステップと、
前記格子結合型の導波路から反射してくる光ビームを受信するステップと、
前記被検体が前記捕捉分子と結合しているか否かを示す共振状態を検出するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
分子間相互作用を評価する方法であって、
複数の未加工液体試料をエバネッセント場センサの検出表面の各々と接触させるステップと、
前記検出表面の各々における屈折率の変化を検出するステップとを含み、
前記未加工液体試料の各々は被検体を含み、前記検出表面の各々は捕捉分子によってコーティングされ、前記未加工液体試料の各々との接触後の前記検出表面の各々における屈折率の変化が前記未加工液体試料の前記被検体と前記検出表面の各々にコーティングされた前記捕捉分子が相互作用しているか否かを示し、
前記未加工液体試料は培養細胞の溶解物または上清、体液試料及び組織抽出物から成るグループから選択され、前記検体は前記培養細胞から発現された組み換えタンパク、病原体マーカー、前記病原体マーカーの特異性抗体及び癌細胞マーカーから成るグループから選択されることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項４記載の方法であって、
前記エバネッセント場センサは複数のウェルを含むマイクロプレートを含み、各々のウェルは少なくとも１つの検出表面を含む格子結合型導波路を含み、
各々のウェル内の前記格子結合型導波路は１．５以下の屈折率を有する基材と、回折格子と、1つの検出表面を含む導波路フィルムとを含み、
前記導波路フィルムは前記基材よりも高い屈折率を有することを特徴とする方法。
【請求項６】
未加工液体試料内の被検体の存在または不存在を検出する方法であって
前記未加工試料を前記被検体と結合可能な捕捉分子でコーティングされたエバネッセント場センサの検出表面と接触させるステップと、
前記検出表面における屈折率の変化を検出するステップとを含み、
当該接触後の屈折率の前記変化は前記未加工液体試料内の被検体の存在または不存在を示し、前記未加工液体試料は培養細胞の溶解物または上清、体液試料、食品試料、飲料試料、環境試料及び組織抽出物から成るグループから選択され、前記検体は前記培養細胞から発現された組み換えタンパク、毒素、病原体、病原体マーカー、前記病原体マーカーの特異性抗体及び癌細胞マーカーから成るグループから選択されることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項６記載の方法であって、
前記エバネッセント場センサは少なくとも1つの格子結合型導波路を含み、
前記格子結合型導波路は１．５以下の屈折率を有する基材と、回折格子と、前記検出表面を含む導波路フィルムとを含み、
前記導波路フィルムは前記基材よりも高い屈折率を有することを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項６記載の方法であって、前記抗体は病原体のエピトープの特異性抗体であり、前記捕捉分子は前記エピトープを含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項８記載の方法であって、前記病原体はウイルスまたは細菌であることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項６記載の方法であって、前記検体は癌細胞マーカーであり、前記捕捉分子は癌細胞マーカーの特異性抗体であることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月9日(2008.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記のステップ：
ａ）少なくとも１つのゾル／ゲル形成成分を、ゾル／ゲル形成成分と反応することができる適当なリンカー基での官能化によって化学的に修飾された少なくとも１つの炭素ナノ粒子と反応させることによりゾル／ゲルを形成すること（ここで、該ゾル／ゲル内の炭素基材ナノ粒子は、少なくとも１つのゾル／ゲル形成成分と共有結合している。）；
ｂ）そのように形成されたゾル／ゲルに、有機ポリマー物質を添加すること；
ｃ）得られた混合物を、固体複合材料に変換すること
を含む複合材料の製造方法。
【請求項２】
炭素ナノ粒子が、フラーレン分子、特に、Ｃ36−、Ｃ60−、Ｃ70−、Ｃ76−、Ｃ80−、Ｃ86−、Ｃ112−フラーレンまたはそれらの任意混合物；ナノチューブ、特に、ＭＷＮＴ、ＳＷＮＴ、ＤＷＮＴ；ランダム配列ナノチューブ、およびフラーレンオニオンもしくはメタロ−フラーレン、炭素繊維、すす粒子またはグラファイト粒子；ならびにそれらの組合せからなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
リンカー基が、第一級、第二級または第三級アミノ基、直鎖または分岐鎖、置換または非置換アルキル−、アルケニル−、アルキニル−、シクロアルキル−、シクロアルケニル−、シクロアルキニル−、アリール−、アルキルアリール−、アリールアルキル−、アルケニルアリール−、アリールアルケニル−、アルキニルアリール−、アリールアルキニル−基；アルキル−金属アルコキシド、ハロゲン、芳香族または脂肪族アルコール基、ピロリジン基、フタロシアニン基、カルボキシル、カルボキシレート、エステル、エーテルなどからなる群より選択される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
ナノ粒子が、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、６−アミノ−１−ヘキサノール、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、シクロヘキシルアミン、酪酸コレステリルエステル（ＰＣＢＣＲ）、１−（３−メトキシカルボニル）プロピル）−１−フェニルエステルまたはそれらの組合せの１つとの反応により官能化されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
ナノ粒子が、化学修飾前に、０．５ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは０．５ｎｍ〜１００ｎｍ、より好ましくは０．７ｎｍ〜５０ｎｍの平均粒度を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１つのゾル／ゲル形成成分が、アルコキシド、金属アルコキシド、金属酸化物、金属酢酸塩、金属硝酸塩、金属ハロゲン化物およびそれらの組合せからなる群より選択される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
ゾル／ゲル形成成分が、シリコンアルコキシド、シリコンアルコキシドのオリゴマー形態；アルキルアルコキシシラン；アリールトリアルコキシシランおよびフェニルトリブトキシシラン；フェニル−トリ−（３−グリシジルオキシ）−シラン−オキシド（ＴＧＰＳＯ）、アミノアルキルシラン；３−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、ビスフェノール−Ａ−グリシジルシラン；（メタ）アクリルシラン、フェニルシラン、オリゴマーまたはポリマーシラン、エポキシシラン；フルオロアルキルシラン、ならびにそれらの任意混合物からなる群より選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ゾル／ゲル形成成分が、金属ハロゲン化物から選択され、かつ、アルコキシド−、エーテル−、エステル−、アルコール−またはアセテート−官能化炭素ナノ粒子から選択される酸素官能化炭素ナノ粒子と反応したものである、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
ゾル／ゲルが水を含み、該水とゾル／ゲル形成成分とのモル比が０．００１〜１００の範囲である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
ゾル／ゲルが有機溶剤の存在下に形成され、かつ、ゾル／ゲルの溶剤含有量が０．１％〜９０％である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
形成されたゾル／ゲルに添加される有機ポリマー物質が、脂肪族または芳香族ポリオレフィン、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリイソブテン、ポリペンテンの、ホモポリマーまたはコポリマー；ポリブタジエン；ポリカーボネート；ボリノルボルニレン、ポリアルキン、ポリジメチルシロキサン、ポリエチレンテレフタレート、ナイロン、ポリビニル、例えば、ポリ塩化ビニルまたはポリビニルアルコール；ポリ（メタ）アクリル酸、ポリアクリロニトリル、ポリアミド、ポリエステル、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ワックス、パラフィンワックス、フィッシャー・トロプシュ・ワックス；パラシクロファン、アルキド樹脂、フッ化ゴム、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、アミン樹脂、タール、タール様物質、タールピッチ、ビチューメン、デンプン、セルロース、シェラック、再生可能原材料の有機物質、ならびにこれらの任意物質の混合物、コポリマーおよび組合せから選択される、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
ゾル／ゲルおよび有機ポリマー物質の混合物の、固体複合材料への変換を、乾燥により行う、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
乾燥が、場合により減圧または真空下における、−２００℃〜３５００℃の範囲での熱処理を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
少なくとも１つの架橋剤を、ゾル／ゲルおよび有機ポリマー物質の混合物に添加することをさらに含み、かつ、前記架橋剤が、イソシアネート、シラン、（メタ）アクリレート、またはそれらの任意物質の混合物から選択される、前記請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも１つの充填剤を、ゾル／ゲルおよび有機ポリマー物質の混合物に添加することをさらに含み、かつ、前記充填剤が、ゾル／ゲルの他の成分と反応しない成分からなる群より選択される、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
充填剤がポリマー封入炭素ナノ粒子である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
得られた固体複合材料から充填剤を少なくとも部分的に除去することをさらに含む、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
有機ポリマー物質および／または充填剤または他の添加剤を、ゾル／ゲルの形成工程中、ゾル／ゲルの形成後、または部分的にゾル／ゲルの形成中および形成後に添加する、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
ゾル／ゲルネットワークに組み込まれた炭素ナノ粒子および少なくとも１つの有機ポリマー物質を含み、該炭素ナノ粒子がゾル／ゲル形成成分と共有結合している、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法により得られる複合材料。
【請求項２０】
コーティングされた形態のものである、請求項１９に記載の固体複合材料。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月30日(2008.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属材料のリボン（１）を用意する工程と、該リボンの側縁に沿って溶融状態の低融点合金の形態の活性物質の少なくとも一つのストリップ（１３）を堆積する工程とを含む、少なくとも一つの活性物質を担持する装置（２１、２１’、・・・）を大量生産する方法であって、該リボン（１）が、不働態表面層を除去するために前処理された金属ネットまたは穴あき金属バンドから形成されることを特徴とする方法。
【請求項２】
金属材料の前記リボンは０．２０〜０．５０ｍｍの厚さを有し、穴は内包できる円の直径が０．４５ｍｍ未満である寸法を有し、かつ、横列または縦列で隣接する穴の中心距離が０．５５〜１．１０ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記低融点合金が８０重量％以上のインジウムを含む２元または３元のインジウム基合金であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記低融点合金が５０重量％以上のビスマスを含む２元または３元のビスマス基合金であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
堆積工程（３）に続いて、リボン（１’）を長手方向に直角の平行線に沿って切断することにより、活性物質を担持する個々の前記装置（２１、２１’、・・・）を得ることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月30日(2008.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
好ましくは、前記再循環流は、反応器１６０に戻され、気体分配板１９５を通って流動床に戻される。ポリマー粒子が沈降して凝集して固体塊になるのを防止するため及び反応器底部に液体が蓄積するのを防止するため、そしてさらに循環気体流中に液体を含有するプロセスと該液体を含有しないプロセスとの間の容易な移行（双方向）を促進するために、反応器の入口に気体逸らせ板１９６を設置するのが好ましい。この目的のために好適な逸らせ板の例は米国特許第４９３３１４９号及び同第６６２７７１３号の両明細書に記載されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
反応器１６０からの粒状ポリマー生成物の排出時に、生成物から流体を分離してこの流体を再循環管１４９に戻すのが望ましく、好ましい。この分離を達成するためには、当技術分野において周知のいくつもの方法がある。１つ以上の具体例において、反応器１６０から出てきた流体及び生成物は、弁１７７（これは、開いた時の流れを最小限に制限するように設計されたボール弁であることができる）を通って生成物排出タンク１７５（１つ図示した）に入れられる。生成物排出タンク１７５の上及び下に、慣用の弁１７８及び１７９が配置される。弁１７９により、生成物が生成物サージタンク１８０（１つだけ図示した）中に送られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
典型的な運転態様においては、弁１７７を開放状態にし、弁１７８、１７９を閉鎖状態にする。生成物及び流体が生成物排出タンク１７５に入れられると、弁１７７が閉じられ、生成物が生成物排出タンク１７５中で沈降せしめられる。次いで弁１７８が開かれて、生成物排出タンク１７５から反応器１６２に流体が流れ込めるようになる。次いで弁１７８が閉じられ、弁１７９が開かれ、生成物排出タンク１７５中の生成物はいずれも生成物サージタンク１８０中に流れ込む。次いで弁１７９が閉じられる。次いで、生成物が生成物サージタンク１８０から弁１８４を通って排出される。生成物はさらに残留炭化水素を除去するためにパージすることができ、貯蔵所又は配合工程に搬送される。弁１７７、１７８、１７９及び１８４の特定的なタイミングの順序は、当技術分野においてよく知られた慣用のプログラム可能制御装置を用いることによって達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月20日(2008.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子文書に署名情報を追加するための方法であって、
前記電子文書に対応する署名データ・フィールド・テンプレート内に前記署名情報を追加するステップと、
前記追加された署名情報を含む前記署名データ・フィールド・テンプレートを画像ファイルに変換するステップと、
前記画像ファイルを前記電子文書上に重畳して署名済みの電子文書を生成するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記署名データ・フィールド・テンプレートおよび前記追加された署名情報がテキスト・フォーマットである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記署名データ・フィールド・テンプレートが、前記電子文書における署名データ・フィールドの位置に対応する位置に配置された少なくとも１つの空の署名データ・フィールドを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記署名データ・フィールド・テンプレートが、
前記電子文書を検索し、
前記電子文書の少なくとも１つの特性に従ってテンプレートを生成し、
前記テンプレート内に前記少なくとも１つの空の署名データ・フィールドを生成する、
ことによって発生される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記電子文書がテキストまたは画像フォーマットである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記画像ファイルの重畳の前に、前記電子文書から少なくとも１つのセキュリティ設定を解除するステップと、
前記画像ファイルの重畳の後に、前記電子文書に前記少なくとも１つのセキュリティ設定を復元するステップと、
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記署名情報が、少なくとも一人の署名者の名前、前記少なくとも一人の署名者が代表する会社、前記少なくとも一人の署名者が署名を与えた日付、前記署名のタイムスタンプ、デジタル・インク、前記署名が与えられたシステムのユニフォーム・リソース・ロケータ、前記少なくとも一人の署名者の指紋、前記少なくとも一人の署名者の目の色素細胞、および前記少なくとも一人の署名者が署名する際の手の動きの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記署名情報が署名データ・ファイルに記録され、前記署名データ・ファイルが、
前記署名をユーザ・インタフェースによって受信し、
前記署名から前記署名情報を捕捉し、
前記捕捉した署名情報に従って前記署名データ・ファイルを発生する、
ことによって発生される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ユーザ・インタフェースが、署名ボタン、タッチ・センサ・パッド、クローズアップ・カメラ、および手書きパッドの少なくとも１つを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記署名情報を追加する前に、複数の署名データ・フィールド・テンプレートから前記対応する署名データ・フィールド・テンプレートを選択するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記選択が前記電子文書の特性の少なくとも一部に基づく、請求項１０に記載の方法。    
【請求項１２】
前記電子文書の前記特性が、電子文書の種類、電子文書の向き、前記電子文書に必要な署名の数、必要な各署名の種類、必要な各署名ごとの署名フィールドの数、前記電子文書に含まれる各署名フィールドのページ番号、および前記電子文書の各ページ上の各署名フィールドの位置の少なくとも１つを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記電子文書の前記特性が前記電子文書のプロファイルに記録され、前記プロファイルが、
前記電子文書を検索し、
前記電子文書の前記特性をパースし、
前記電子文書の前記パースした特性を前記プロファイルにストアする、
ことによって発生される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記電子文書の特性に従って前記対応する署名データ・フィールド・テンプレートを動的に発生させるステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
電子文書に署名情報を追加するための実行可能プログラムを含むコンピュータ読み取り可能媒体であって、前記プログラムが、
前記電子文書に対応する署名データ・フィールド・テンプレート内に前記署名情報を追加するステップと、
前記追加された署名情報を含む前記署名データ・フィールド・テンプレートを画像ファイルに変換するステップと、
前記画像ファイルを前記電子文書上に重畳して署名済みの電子文書を生成するステップと、
を実行する、コンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項１６】
電子文書に署名情報を追加するための装置であって、
前記電子文書に対応する署名データ・フィールド・テンプレート内に前記署名情報を追加するための手段と、
前記追加された署名情報を含む前記署名データ・フィールド・テンプレートを画像ファイルに変換するための手段と、
前記画像ファイルを前記電子文書上に重畳して署名済みの電子文書を生成するための手段と、
を含む、装置。
【請求項１７】
前期装置がウェブ・アプリケーションおよびスタンドアロンのシステムの少なくとも１つである。請求項１６に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月27日(2008.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のマスクを形成する方法であって、
１つ又は複数の位置合せフィーチャを含む参照テンプレートを作成するステップと、
リソグラフィを用いて、前記参照テンプレートの少なくとも１つのコピーを、所与のチップ・セットの複数のマスク・ブランクの全部の上にプリントするステップと、
前記複数のマスク・ブランクの各々の上にサブ・パターンをプリントして、前記サブ・パターンを前記少なくとも１つの参照テンプレート位置合せマークに位置合せするステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記作成するステップは、電子ビーム・リソグラフィを用いて参照テンプレートを作成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記コピーは、参照テンプレートを１つ又は複数のマスク・ブランクにコピーするためにインプリント・リソグラフィを用いる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
複数の位置合せマークが用意される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記サブ・パターンをプリントするステップは、電子ビーム・リソグラフィ及びインプリント・リソグラフィの内の少なくとも１つを用いるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記チップ・セットの前記マスクの各々に対して同じ参照テンプレートが用いられる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記マスクのフィーチャは、前記チップ上にプリントされるべきフィーチャと同じサイズ及び同じ位置を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つの参照テンプレート・マークは、光学的位置合せマークのためか、或いは前記マスク・パターンを作り上げるサブ・アレイ構成部分のためのものである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つの参照テンプレート・マークは、電子ビーム位置合せのためか、或いは前記マスク・パターンを作り上げるサブ・アレイ構成部分のためのものである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの参照テンプレート・マークは、直接刻み込み光学的位置合せのためか、或いは前記マスク・パターンを作り上げるサブ・アレイ構成部分のためのものである、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの参照テンプレート・マークは、任意の四角形及びクロスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記参照テンプレートは、ナノ・インプリント・リソグラフィのための、ガラス製金型、石英製金型、サファイア製金型及びシリコン製金型の内の１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記テンプレートの前記少なくとも１つのマークを、各層の前記マスク基板に伝達するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記伝達するステップは、ナノ・プリント・リソグラフィを実施するステップを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記各層は、サブ・アレイにグループ化されるパターンを含み、
前記パターンは、光学リソグラフィ、電子ビーム・リソグラフィ、及びナノ・インプリント・リソグラフィの内の少なくとも１つを用いて、前記位置合せマークを含む各マスク上に形成され、
前記位置合せマークは、前記各サブ・アレイの精密な位置合せを可能にし、
前記位置合せマークの配置は各レベルのマスク上で同一である、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
複数のマスクを形成するためのシステムであって、
１つ又は複数の位置合せフィーチャを含む参照テンプレートを構築するための構築ユニットと、
前記参照テンプレートの少なくとも１つのコピーを、所与のチップ・セットに関する複数のマスク・ブランクの全部の上にプリントするためのリソグラフィ・システムと、
前記複数のマスク・ブランクの各々の上にサブ・パターンをプリントして、前記サブ・パターンを前記少なくとも１つの参照テンプレート位置合せマークに位置合せするプリンタと
を備えるシステム。
【請求項１７】
前記各層は、サブ・アレイにグループ化されるパターンを含み、
前記パターンは、光学リソグラフィ、電子ビーム・リソグラフィ、及びナノ・インプリント・リソグラフィの内の少なくとも１つを用いて、前記位置合せマークを含む各マスク上に形成され、
前記位置合せマークは、前記各サブ・アレイの精密な位置合せを可能にし、
前記位置合せマークの配置は各レベルのマスク上で同一である、請求項１６に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月22日(2008.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互接続構造を製造する方法であって、
誘電層に相互接続部を設けるステップと、
前記相互接続部の一部が前記誘電層の上面よりも上に延出するように前記誘電層をくぼませるステップと、
前記相互接続部の前記延出した部分の上に被覆キャップを堆積するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記被覆キャップの上に層間誘電層を堆積するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記層間誘電層にトレンチまたはバイアを形成して、前記トレンチまたは前記バイアの底面が前記被覆キャップの上に位置するようにするステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
相互接続構造を製造する方法であって、
誘電層に相互接続ラインを設けるステップと、
前記相互接続ラインの一部が前記誘電層の上面よりも上に延出するように、前記相互接ラインに隣接する領域において前記誘電層をくぼませるステップと、
前記相互接続ラインの前記延出した部分の上に被覆キャップを堆積するステップと、
前記被覆キャップの上に層間誘電層を堆積するステップと、
前記層間誘電層にバイアを形成して、前記バイアの底面が前記被覆キャップの上に位置るようにするステップと、
を含む、方法。
【請求項５】
誘電層に配置された相互接続部を含み、前記相互接続部の一部が前記誘電層の表面よりも上に延出し、前記相互接続部の前記延出した部分が被覆キャップによって覆われている、相互接続構造。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月30日(2008.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱源からヒート・シンクへの熱伝達を支援するための熱インタフェースであって、該熱インタフェースは、
メッシュと、
該メッシュ中に配置された液体とを含み、前記メッシュおよび前記液体は、前記熱源と前記ヒート・シンクとの間に配置された場合に、前記熱源および前記ヒート・シンクの両方に接触する、
熱インタフェース。
【請求項２】
前記液体は、液体金属を含む、請求項１に記載の熱インタフェース。
【請求項３】
前記液体は、ガリウム、水銀、ガリウム／インジウムおよび水銀／金のうちの少なくとも１種を含む、請求項２に記載の熱インタフェース。
【請求項４】
前記液体は、ガリウム／インジウム／錫合金を含む、請求項２に記載の熱インタフェース。
【請求項５】
前記メッシュは、織られたウェブ、織られていないウェブ、スクリーン、多孔質またはスポンジ状固体、およびワイヤ、フィラメント、ストランド、繊維、または粒子のマトリックスのうちの少なくとも１種を含む、請求項１に記載の熱インタフェース。
【請求項６】
前記メッシュは、銅、クロム、鉄、モリブデン、ニッケル、タンタル、チタン、およびタングステンのうちの少なくとも１種を含む、請求項１に記載の熱インタフェース。
【請求項７】
前記メッシュは、線および粒子を含む、請求項６に記載の熱インタフェース。
【請求項８】
前記メッシュは、銅線および銅粒子のうちの少なくとも１種を含む、請求項１に記載の熱インタフェース。
【請求項９】
前記銅は、クロムで被覆される、請求項８に記載の熱インタフェース。
【請求項１０】
前記メッシュは、ガラス繊維およびガラス粒子のうちの少なくとも１種を含む、請求項１に記載の熱インタフェース。
【請求項１１】
前記メッシュは、タングステン線およびタングステン粒子のうちの少なくとも１種を含む、請求項１に記載の熱インタフェース。
【請求項１２】
前記メッシュは、銅ウール、多孔質黒鉛、機械加工黒鉛、カーボン・ナノチューブ、および電鋳ニッケルのうちの少なくとも１種を含む、請求項１に記載の熱インタフェース。
【請求項１３】
前記メッシュを覆って形成された被覆をさらに含む、
請求項１に記載の熱インタフェース。
【請求項１４】
前記被覆は、クロムを含む、請求項１３に記載の熱インタフェース。
【請求項１５】
前記被覆は、前記液体と共存できる材料を含む、請求項１３に記載の熱インタフェース。
【請求項１６】
前記メッシュの周囲に配置され、前記熱インタフェースが前記ヒート・シンクと前記熱源との間に配置された場合に、前記ヒート・シンクおよび前記熱源に接触するガスケットをさらに含む、
請求項１に記載の熱インタフェース。
【請求項１７】
前記メッシュは、タングステン線およびタングステン粒子を含み、前記液体は、ガリウム／インジウム／錫合金を含む、請求項１に記載の熱インタフェース。
【請求項１８】
ヒート・シンクにより熱源を冷却する方法であって、
メッシュおよび該メッシュ中に配置された液体を有する熱インタフェースを準備するステップと、
前記メッシュおよび前記液体が前記熱インタフェースの第１の側で前記熱源と接触し、前記熱インタフェースの第２の側で前記ヒート・シンクと接触するように、前記熱源と前記ヒート・シンクの間に熱インタフェースを置くステップとを含む、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月20日(2008.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｐ−半導体デバイス及びＮ−半導体デバイス内に異なる量の歪みをもつ、Ｐ−半導体デバイス及びＮ−半導体デバイスを有する半導体構造体を製造する方法であって、
基板上にＰ−半導体デバイス及びＮ−半導体デバイスを形成するステップと、
前記Ｐ−半導体デバイス及び前記Ｎ−半導体デバイスの上に、元の厚さを有し、前記Ｐ−半導体デバイス及び前記Ｎ−半導体デバイス内に歪みをもたらす歪み誘起コーティングを形成するステップと、
前記歪み誘起コーティングが施されたＰ−半導体デバイス及び歪み誘起コーティングが施されたＮ−半導体デバイスのうちの一方を保護し、前記歪み誘起コーティングが施された半導体デバイスの他方を露出されたままにするステップと、
前記露出された半導体デバイス内の歪みを緩和させるために、前記露出された誘起コーティングをエッチングして前記歪み誘起コーティングの厚さを減少させ、前記保護された半導体デバイス内の歪みが変わらないままにするように、前記保護された半導体デバイスの上の前記歪み誘起コーティングを保護されたままにするステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記エッチングするステップに続いて、前記露出された半導体デバイス内の前記歪みをさらに緩和するために、前記露出された半導体デバイス内に歪み減少ドーパントを注入するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
Ｐ−半導体デバイス及びＮ−半導体デバイス内に異なる量の歪みをもつ、Ｐ−半導体デバイス及びＮ−半導体デバイスを含む半導体構造体であって、
前記半導体構造体は、基板上に形成されたＰ−半導体デバイス及びＮ−半導体デバイスを含み、
前記Ｐ−半導体デバイス及び前記Ｎ−半導体デバイスのうちの一方の上に形成された、元の完全な厚さを有し、前記一方の半導体デバイス内に最適化された十分な歪みをもたらす歪み誘起コーティングと、
前記Ｐ−半導体デバイス及び前記Ｎ−半導体デバイスのうちの他方の上に形成された、前記完全な厚さより薄い、エッチングされた減少した厚さを有する歪み誘起コーティングであって、前記減少した厚さの歪み誘起コーティングは、前記一方の半導体デバイス内に比べて、前記他方の半導体デバイス内でより少ない歪みを緩和し、前記他方の半導体デバイス内により少ない歪みをもたらす、歪み誘起コーティングと
を備える、半導体構造体。
【請求項４】
前記他方の半導体デバイス内の歪みをさらに緩和するために、注入された歪み減少ドーパントを有する、請求項３に記載の半導体構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月12日(2008.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク用通信デバイス（１００）のための、前記ネットワーク用通信デバイス（１００）と第２のネットワーク用通信デバイス（３００，３５０，４００）との間の通信を可能にするメディアクライアント（２００）であって、
前記ネットワーク用通信デバイス（１００）内のマルチメディアアプリケーション（１５０）と通信するユーザエージェント（２０２）と、
前記ユーザエージェント（２０２）が前記マルチメディアアプリケーション（１５０）から離れて配置されることを可能にするように、前記ユーザエージェント（２０２）と前記マルチメディアアプリケーション（１５０）との間のネットワーク通信を可能にする第１のネットワークインタフェース（２０８）と、
前記ユーザエージェント（２０２）の制御下で、前記ネットワーク用通信デバイス（１００）内の前記マルチメディアアプリケーションと前記第２のネットワーク用通信デバイス（３００，３５０，４００）との間の通信セッションを確立して終了するシグナリング操作を実行するシグナリングエージェント（２０４）と、
前記ユーザエージェント（２０２）の制御下で、前記リモートデバイス（３００，３５０，４００）へマルチメディアメッセージを送信し、前記第２のネットワーク用通信デバイス（３００，３５０，４００）からマルチメディアメッセージを受信するメディアエージェント（２０６）と、
を備えることを特徴とするメディアクライアント（２００）。
【請求項２】
前記ユーザエージェント（２０２）、前記シグナリングエージェント（２０４）、及び前記メディアエージェント（２０６）は、通信ネットワーク（１０）に接続されたネットワークサーバ（４０）内に配置され、
前記マルチメディアアプリケーション（１５０）は前記第１のネットワークインタフェース（２０８）を介して前記ユーザエージェント（２０２）にリモートアクセスするように構成される
ことを特徴とする請求項１に記載のメディアクライアント（２００）。
【請求項３】
前記シグナリングエージェント（２０４）が前記ユーザエージェント（２０２）から離れて配置されることを可能にするように、通信ネットワーク（１０）を介した前記ユーザエージェント（２０２）と前記シグナリングエージェント（２０４）との間の通信を可能にする第２のネットワークインタフェース（２１０）を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のメディアクライアント（２００）。
【請求項４】
前記ユーザエージェント（２０２）は前記ネットワーク用通信デバイス（１００）内に配置され、
前記シグナリングエージェントは前記通信ネットワーク（１０）に接続されたリモートデバイス内に配置される
ことを特徴とする請求項３に記載のメディアクライアント（２００）。
【請求項５】
前記リモートデバイスは、前記通信ネットワーク（１０）に接続されたネットワークサーバであることを特徴とする請求項４に記載のメディアクライアント（２００）。
【請求項６】
前記メディアエージェント（２０６）が前記ユーザエージェント（２０２）から離れて配置されることを可能にするように、前記通信ネットワーク（１０）を介した前記ユーザエージェント（２０２）と前記メディアエージェント（２０６）との間のネットワーク通信を可能にする第３のネットワークインタフェース（２１２）を更に備えることを特徴とする請求項３に記載のメディアクライアント（２００）。
【請求項７】
前記ユーザエージェント（２０２）は前記ネットワーク用通信デバイス（１００）内に配置され、
前記メディアエージェント（２０６）は前記通信ネットワーク（１０）に接続されたリモートデバイス内に配置される
ことを特徴とする請求項６に記載のメディアクライアント（２００）。
【請求項８】
前記リモートデバイスは、前記通信ネットワーク（１０）に接続された第２のネットワーク用通信デバイス（３００，３５０，４００）であることを特徴とする請求項７に記載のメディアクライアント（２００）。
【請求項９】
前記リモートデバイスは、前記通信ネットワーク（１０）に接続されたネットワークサーバであることを特徴とする請求項７に記載のメディアクライアント（２００）。
【請求項１０】
前記ユーザエージェント（２０２）は前記ネットワーク用通信デバイス（１００）内に配置され、
前記シグナリングエージェント（２０４）及び前記メディアエージェント（２０６）は前記通信ネットワーク（１０）に接続された１以上のリモートデバイス内に配置される
ことを特徴とする請求項６に記載のメディアクライアント（２００）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月20日(2008.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線構造体であって、
側壁を有する絶縁マンドレルと、
前記絶縁マンドレルの前記側壁上の金属シード材料と、
前記金属シード材料及び前記絶縁マンドレルの前記側壁上のめっき配線と、
を含む、配線構造体。
【請求項２】
配線構造体を形成する方法であって、
絶縁マンドレルをパターン付けするステップと、
前記絶縁マンドレルの前記側壁上に金属シード材料を形成するステップと、
前記絶縁マンドレルをトリミングするステップと、
前記絶縁マンドレルの前記側壁上に前記配線を形成するように、前記金属シード材料上に金属をめっきするステップと、
を含む方法。
【請求項３】
前記金属シード材料を形成する前記プロセスが、
前記絶縁マンドレルの前記側壁を活性化するステップと、
前記絶縁マンドレルの前記側壁に金属イオンを付着させるステップと、
前記金属シード材料を形成するように前記金属イオンを還元するステップと、
を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
配線構造体を形成する方法であって、
絶縁マンドレルをパターン付けするステップと、
前記絶縁マンドレルの側壁を活性化させるステップと、
前記絶縁マンドレルの前記側壁に金属イオンを付着させるステップと、
金属シード材料を形成するように前記金属イオンを還元するステップと、
前記絶縁マンドレルをトリミングするステップと、
前記絶縁マンドレルの前記側壁上に配線を形成するように前記金属シード材料をめっきするステップと、
を含む方法。
【請求項５】
配線構造体を形成する方法であって、
絶縁マンドレルを基板上に形成するステップと、
前記絶縁マンドレルの側壁をめっき配線でめっきするステップと、
前記絶縁マンドレル及び前記めっき配線を絶縁体で覆うステップと、
前記絶縁マンドレルと前記絶縁体との間に開口部を残すように前記めっき配線を取り除くステップと、
前記開口部をダマシン導体で充填するステップと、
を含む方法。
【請求項６】
配線構造体を形成する方法であって、
絶縁マンドレルを基板上に形成するステップと、
前記絶縁マンドレルの側壁をめっき配線でめっきするステップと、
前記絶縁マンドレル及び前記めっき配線を第１のキャップ材料で覆うステップと、
前記絶縁マンドレル間の空間を絶縁体で充填するステップと、
前記絶縁マンドレルが露出するように前記配線構造体を平坦化するステップと、
前記絶縁マンドレル及び前記絶縁体の上に犠牲材料を形成するステップと、
前記犠牲材料の上に第２のキャップ材料をパターン付けするステップと、
前記第２のキャップ材料内の開口部を通して前記犠牲材料をパターン付けするステップと、
前記犠牲材料内の開口部に導体を堆積させるステップと、
前記第２のキャップ材料内に付加的な開口部を形成するステップと、
前記付加的な開口部を通して前記犠牲材料及び前記マンドレルを取り除くステップと、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月20日(2008.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの高温プロセスを含むＦＥＴデバイスの製造プロセスにおいて、基板（１）上にゲート誘電体（２）を有するシリサイド化ゲート構造体（１００）を形成するための方法であって、
前記ゲート誘電体（２）の上に第１のシリコン材料層（３）を形成するステップと、
前記第１のシリコン材料層（３）の上に金属層（４）を形成するステップと、
前記金属層（４）の上に第２のシリコン材料層（５）を形成するステップと、
前記形成ステップの後で前記高温プロセスを実施するステップと、
を含み、前記高温プロセスが、前記金属を前記第１のシリコン材料層（３）における前記シリコン材料と反応させることにより、前記ゲート誘電体（２）に接触する第１のシリサイド層（３０）を形成するのに有効であり、前記第１のシリコン材料層（３）における前記シリコン材料が、前記第１のシリサイド層（３０）におけるシリサイド材料で置き換えられる、方法。
【請求項２】
前記第１のシリコン材料層（３）、前記金属層（４）及び前記第２のシリコン材料層（５）の厚さが、前記高温プロセスの結果として、前記第１のシリコン材料層（３）の実質的にすべて及び前記第２のシリコン材料層（５）の少なくとも一部が前記金属層（４）と反応して、前記シリサイド層（３０）を形成するように、形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記高温プロセスが前記ＦＥＴデバイスのソース及びドレイン部分（４０）のアニール・プロセスである、請求項１に記載の方法。  
【請求項４】
前記高温プロセスが第１の高温プロセス及び第２の高温プロセスを含んでおり、前記第２の高温プロセスが前記第１の高温処理ステップの後で実施され、
前記第２の高温プロセスが、前記第２のシリコン材料層（５）における前記シリコン材料から第２のシリサイド層（５０）を形成するのに有効であり、前記第２のシリサイド層（５０）が前記第１のシリサイド層（３０）の上に重なり、それと接触している、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の高温プロセスが、前記ＦＥＴデバイスのソース及びドレイン部分（４０）のシリサイド化プロセスであり、前記ソース及びドレイン部分（４０）に形成されたシリサイドが前記第２のシリサイド層（５０）における材料と同じである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の高温プロセス及び前記第２の高温プロセスが、前記第１のシリコン材料層（３）及び前記第２のシリコン材料層（５）における前記シリコン材料の実質的にすべてをシリサイド材料で置き換える、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記高温プロセスが第１の高温プロセス及び第２の高温プロセスを含んでおり、前記第２の高温プロセスが前記第１の高温処理ステップの後で実施され、
前記第２の高温プロセスが、前記第２のシリコン材料層（５）における前記シリコン材料から第２のシリサイド層（５０）を形成するのに有効であり、前記第２のシリサイド層（５０）が前記第２のシリコン材料層（５）の残存部分（５５）の上に重なる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２の高温プロセスが前記ＦＥＴデバイスのソース及びドレイン部分（４０）のシリサイド化プロセスであり、シリサイド化されたソース及びドレイン部分（４１）に形成されたシリサイドが前記第２のシリサイド層（５０）における材料と同じである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ＦＥＴデバイスの製造プロセスにおいて、基板上（１）にゲート誘電体（２）を有するシリサイド化ゲート構造体（１００）を形成するための方法であって、
前記ゲート誘電体（２）の上に第１のシリコン材料層（３）を形成するステップと、
前記第１のシリコン材料層（３）の上に金属層（４）を形成するステップと、
前記金属層（４）の上に第２のシリコン材料層（５）を形成するステップと、
前記金属層（４）を前記第１のシリコン材料層における前記シリコン材料と反応させることにより、第１のシリサイド層（３０）を前記ゲート誘電体（２）の上に形成するように第１の高温プロセスを実施するステップと、
前記第１のシリサイド層（３０）の上に第２のシリサイド層（５０）を形成するように第２の高温プロセス・ステップを実施するステップと、
を含み、前記第１のシリコン材料の層（３）及び前記第２のシリコン材料の層（５）の実質的にすべてが、前記第１及び第２の高温プロセスの結果として反応して、シリサイド化ゲート構造体（１００）を形成する、方法。
【請求項１０】
前記第２の高温プロセスが前記ＦＥＴデバイスのソース及びドレイン部分（４１）のシリサイド化プロセスである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の高温プロセスの結果として、シリサイド層（３１）が前記ゲート誘電体（２）と接触するシリコン材料の残存層（３３）の上に重なり、
前記第２の高温プロセスの結果として、前記シリコン材料が反応して、前記ゲート誘電体（２）と接触するシリサイド層（３０）を形成する、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
ＦＥＴデバイスのゲート構造体であって、
基板（１）の上のゲート誘電体（２）と、
前記ゲート誘電体（２）の上に重なり、それと接触する第１のシリサイド層（３０）と、
前記第１のシリサイド層（３０）の上に重なる第２のシリサイド層（５０）と、
を含み、
前記第２の層（５０）が前記ＦＥＴデバイスのソース及びドレイン領域（４１）におけるシリサイドと同じ材料であり、
前記第１のシリサイドが金属シリサイドであり、前記金属シリサイドの金属がＷ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ及びＭｏから構成される群から選択される、
ＦＥＴデバイスのゲート化構造体（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月20日(2008.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一部分上に配置されたゲート構造と、前記一部分にチャネル領域を形成するために、前記一部分に隣接して配置されたソース領域およびドレイン領域と、前記ソース領域およびドレイン領域に直接隣接して配置されたトレンチ分離領域とを含み、前記トレンチ分離領域の少なくとも一部分が応力材料を含み、その結果、前記応力材料が前記チャネル領域内に剪断応力を発生させる、半導体デバイス構造。
【請求項２】
前記応力材料には圧縮力がある、請求項１に記載の半導体デバイス構造。
【請求項３】
前記応力材料には引張力がある、請求項１に記載の半導体デバイス構造。
【請求項４】
基板の結晶方位が、Ｘ＝（１００）、Ｙ＝（０１０）、Ｚ＝（００１）となるように回転される、請求項１に記載の半導体デバイス構造。
【請求項５】
基板の結晶方位が、Ｘ＝（１１０）、Ｙ＝（００１）、Ｚ＝（１−１０）である、請求項１に記載の半導体デバイス構造。
【請求項６】
ソース領域およびドレイン領域と、それらの間のチャネル領域とを有するＰＦＥＴを含み、さらに
前記ソース領域、ドレイン領域、およびチャネル領域が間に配置されたトレンチ分離領域を含み、前記トレンチ分離領域の少なくとも一部分が応力材料を含み、その結果、前記材料が前記チャネル領域に剪断応力を発生させる、半導体デバイス構造。
【請求項７】
前記剪断応力が、反時計方向のトルクＴを与える、請求項６に記載の半導体デバイス構造。