Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月31日(2007.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
特に好ましい成分(B)として、ベンジルアルコール、ベンジルオキシエタノール、プロピレンカーボネート及びポリプロピレングリコール（数平均分子量300〜500、特に400）が挙げられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
【表１】
2006069899.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
実施例２
実施例１で使用したのと同様のセット性評価毛束を、以下に示す毛髪化粧料（本発明品４）を用いて、１回、３回、７回処理を行ったときのセット保持率を、実施例１と同様にして評価した。この結果を表３に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月2日(2007.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上述の様な複列円すいころ軸受３のうち、上記外輪４は、上記軸受箱２に内嵌保持されている。図示の例では、この軸受箱２の内周面の一端（図２０の左端）寄り部分に形成した段部１０と、この軸受箱２の他端部（図２０の右端部）に内嵌固定した図示しない抑え環との間で、上記外輪４を軸方向両側から挟持している。一方、上記各内輪５は、これら両内輪５同士の間に間座１１を挟持した状態で、上記車軸１の一端（図２０の左端）寄り部分に外嵌している。又、上記車軸１の端部で軸方向外側の内輪５よりも突出した部分には、油切りと称される環状部材１２を外嵌している。又、内側の内輪の内端面は、別の環状部材を介して、上記車軸１の中間部に形成した段差面に突き当てている。従って、上記１対の内輪５が図２０の状態よりも上記車軸１の中央寄り（図２０の右寄り）に変位する事はない。そして、上記車軸１の外端部に形成した雄ねじ部１３に螺合したナット１４により、上記環状部材１２を上記外側の内輪５の外端面に向け抑え付けている。更に、上記ナット１４の外端面に、ボルト１５、１５により固定した回り止めリング１６の内周に設けた突起部を上記車軸１の外端部外周面に設けた溝部に係合させて、上記ナット１４の緩み止めを図っている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
又、何れの例（第１〜１０例）の場合でも、前記センサユニット３５ｄを構成するセンサホルダ３３ａから外部に出力信号を取り出す為のハーネスは、出力信号が電圧の変化である場合には、この出力信号を送る為のハーネスと接地線（グランド線）とを１対のペアとして撚り合わせ（ツイストする）てツイストペアとする事が、電磁結合（静電結合、電磁誘導、電磁波による結合）によるノイズの影響を更に低減する面から好ましい。これに対して、出力信号が、信号を電流として出力する電流出力である場合には、この出力信号を送る為のハーネスと電源線とを１対のペアとして撚り合わせてツイストペアとする。何れにしても、１対のハーネスを撚り合わせてツイストペアを構成する事は、主に電磁誘導と電磁波とによるノイズを低減する効果がある。又、上記ツイストペアをシールドすれば、静電結合によるノイズの低減に大きな効果を得られる。尚、この様にツイストペアをシールドする場合に、それぞれが各センサから出力信号を取り出す為のハーネスを含んで構成する複数のツイストペアを束ねて、この複数のツイストペア全体をシールドすれば、外部からのノイズの影響を低減する事ができる。更には、個々のツイストペアを個別にシールドすれば、個々のツイストペアの間で、上記各センサの出力信号を送る為のハーネス同士の間の相互干渉を防止できるので、更に好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月27日(2007.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  煙道内に過熱器と蒸発器と節炭器が配設され、前記過熱器は上部集合管と、下部集合管と、前記上部集合管と下部集合管との間に鉛直方向に沿って多数平行に連結された伝熱管群とで構成され、前記煙道の外部に配置されて前記節炭器および蒸発器で発生した蒸気を一時保留するドラムと、該ドラムと前記過熱器の上部集合管とを連結する連絡管とを具えた排熱回収ボイラにおいて、
前記連絡管に漏斗部を設け、該連絡管内で形成された水滴が前記漏斗部に流入して、前記過熱器の上部集合管に流入しないようにしたことを特徴とする排熱回収ボイラ。
【請求項２】  前記連絡管内で形成された水滴が流下する下端部は、前記ドラムの出口から排熱回収ボイラの取込口にかけて斜めに形成された傾斜部の下端部であることを特徴とする請求項１記載の排熱回収ボイラ。
【請求項３】  前記連絡管内で形成された水滴が流入する前記漏斗部と前記下部集合管との間を連結する補助伝熱管を配設し、前記連絡管内で形成された水滴は専ら前記補助伝熱管側に流下させるようにしたことを特徴とする請求項１又は２に記載の排熱回収ボイラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
高圧ドラム22から供給された給水は高圧降水管24を経て高圧二段蒸発器15に供給され、高圧一段蒸発器14、高圧二段蒸発器15および高圧節炭器16で発生した高圧蒸気は高圧ドラム22に還流する。また、低圧ドラム23から供給された給水は低圧降水管25を経て低圧蒸発器17に供給され、低圧蒸発器17および低圧節炭器18で発生した低圧蒸気は低圧ドラム23に還流する。高圧ドラム22に流入した高圧蒸気はそこで水分と分離され、飽和蒸気となって連絡管21を経て排熱回収ボイラ９内の過熱器13 に流入する。排熱回収ボイラ９の外部の連絡管21は保温材で覆われているが、高温であるため、ある程度の熱放散は避けられず、連絡管21の放熱により内部を通過する飽和蒸気が冷やされて一部が凝集して水滴になる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の第１の手段は、煙道内に過熱器と蒸発器と節炭器が配設され、前記過熱器は上部集合管と、下部集合管と、前記上部集合管と下部集合管との間に鉛直方向に沿って多数平行に連結された伝熱管群とで構成され、前記煙道の外部に配置されて前記節炭器および蒸発器で発生した蒸気を一時保留するドラムと、該ドラムと前記過熱器の上部集合管とを連結する連絡管とを具えた排熱回収ボイラにおいて、前記連絡管に漏斗部を設け、該連絡管内で形成された水滴が前記漏斗部に流入して、前記過熱器の上部集合管に流入しないようにしたことを特徴とするものである。
本発明の第２の手段は前記第１の手段において、前記連絡管内で形成された水滴が流下する下端部は、前記ドラムの出口から排熱回収ボイラの取込口にかけて斜めに形成された傾斜部の下端部であることを特徴とするものである。
本発明の第３の手段は前記第１または第２の手段において、前記連絡管内で形成された水滴が流入する前記漏斗部と前記下部集合管との間を連結する補助伝熱管を配設し、前記連絡管内で形成された水滴は専ら前記補助伝熱管側に流下させるようにしたことを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。図１は本発明の実施例に係る排熱回収ボイラ内の過熱器を模式的に示す正面図である。従来例と同一または同一とみなせる箇所には同一の符号を附して重複する説明を省略する。同図に示すように、本実施例では連絡管21の傾斜部分の下端部の下側に連通する漏斗部27 を設け、この漏斗部27 の下端と排熱回収ボイラ９内の下部集合管133との間を取込口92を経て補助伝熱管28で連結している。そして、この補助伝熱管28の下端部に屈曲部28aを形成し、伝熱管132の最下部には従来技術における図４の屈曲部１３２ａを形成していない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このように、本実施例では全ての伝熱管132には従来技術における図４の屈曲部１３２ａを設けていないので、過熱器13 の幅を小さくでき、排熱回収ボイラ９の長さも短くできると共に、過熱器13 の制作費および組立費を低減することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、排熱回収ボイラの外部の連絡管内で形成された水滴が流下する漏斗部を設けたこと、または前記漏斗部と下部集合管との間を連結する補助伝熱管を配設し、連絡管内で形成された水滴は漏斗部または漏斗部から補助伝熱管側に流下させるようにしたので、水滴は過熱器の伝熱管側に流下することはないから、過熱器の全ての伝熱管を従来技術における図４の屈曲部を設ける必要が無く、従って過熱器の幅を小さくでき、排熱回収ボイラの長さも短くできると共に、過熱器の制作費および組立費を低減することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の実施例に係る排熱回収ボイラ内の過熱器を模式的に示す正面図である。
【図２】
従来例に係る複合発電設備の概略を示す系統図である。
【図３】
従来例に係る排熱回収ボイラの内部構成を示す構成図である。
【図４】
その排熱回収ボイラ内の過熱器を模式的に示した正面図である。
【図５】
その排熱回収ボイラ内の過熱器を模式的に示した側面図である。
【符号の説明】
９  排熱回収ボイラ
13  過熱器
14  高圧一段蒸発器
15  高圧二段蒸発器
16  高圧節炭器
17  低圧蒸発器
18  低圧節炭器
19  脱硝装置
21  連絡管
22  高圧ドラム
24  高圧降水管
27  漏斗部
28  補助伝熱管
28a,132a  屈曲部
91,92  取込口
131  上部集合管
132  伝熱管
133  下部集合管
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月19日(2007.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
一方、ひずみゲージをブリッジ回路に組み込むためのリード線の影響を排除して、ひずみ測定を行う処理を自動的に効率よく行うシステムが既に特許文献１（特開平１１−１８３１１２号公報）にて提案されている。
即ち、この特許文献１に記載されたひずみ測定システムは、ひずみゲージ１のひずみを生じていない状態におけるブリッジ８の出力電圧ｅｏ及びリード線３の電圧ｅｒ２と、抵抗体７を有する辺の電圧Ｖ４と、ひずみ測定時のブリッジ回路８の出力電圧ｅとを電圧検出手段３５を介して検出する。ブリッジ回路８の出力電圧ｅ（又はｅ,ｅｏ）から把握されるひずみ測定値に、電圧ｅｒ２の検出値を用いた次式により求まる補正係数ｘを乗算してなる値をリード線２,３の抵抗値の影響を排除したひずみ測定値として求めるものである。
ｘ＝（Ｖ−Ｖ４＋ｅｏ）／（Ｖ−Ｖ４＋ｅｏ−ｅｒ２）
特に多チャンネルのひずみ測定の場合には、測定点毎に延長ケーブルリード線の長さが異なるため、各測定点毎にゲージ抵抗Ｒｇとリード線抵抗ＲＬを測定するのは、かなり煩雑な作業となる。このため、延長したケーブルリード線による感度低下の補正作業を簡易にするため、全計測点のリード線長さを最長のリード線に合わせて配線し、単一の補正係数で処理するなどといった苦肉の策がとられることもある。
また、ケーブルリード線による延長が必要な場合に、定電流ブリッジ電源を用いる定電流１２０Ω４アクティブゲージ法（４ＧＩ−１２０）および定電流３５０Ω４アクティブゲージ法（４ＧＩ−３５０）等の４ゲージ定電流測定モードを採用すれば、ケーブルリード線の抵抗が増加しても電流を一定に保つために、変換器のブリッジに加わる電圧が常に一定となり、ケーブルリード線の延長による影響があらわれない。しかしながら、このような定電流励振方式の場合には、ブリッジ抵抗の誤差を次式により補正する必要がある。次式においては、測定ひずみ量εｉ、使用センサの入力ゲージ抵抗Ｒｇおよび公称ブリッジ抵抗Ｒを用いて真のひずみ値εをあらわしている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月14日(2007.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
一部の実施例では、擬似フランジは、その外径に形成した大きな材料質量と薄い中間部分とを備えた鼓形になっている。しかしながら、このような擬似フランジを製作することは、費用もかかりかつ時間もかかることになる。
【特許文献１】米国特許第 4840026号明細書
【特許文献２】米国特許第 6089821号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月10日(2007.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
一定半径のフィレットの使用によって応力は減少したが、翼形部と先端シュラウドとの間のフィレット内及びその周りの様々な位置又は点（Point）においてフィレット領域内の高い応力が局所的に生じ、そのような局所応力によりバケット寿命の大きな低下を招くことが発見された。従って、一定半径のフィレットを設けることによって応力は減少したが、重要部位における高い局所応力は、依然として存在していた。これらの応力は、先端シュラウドのクリープ寿命を低下させ、それによってバケットの早期破損を招くおそれがあった。１つのバケットの破損が修理のためにタービンの使用を中止する原因となることも分かるであろう。これは多大な時間を要しかつ費用のかかる機械停止であり、顧客及びタービン製造者が、非生産性、労力、部品修理、機械停止時間及び交換に起因するより大きい出費を被る原因となる。
【特許文献１】米国特許第4259037  号明細書
【特許文献２】米国特許第 5244345  号明細書
【特許文献３】米国特許第 5397215  号明細書
【特許文献４】米国特許第 6017186  号明細書
【特許文献５】米国特許第 6283713  号明細書
【特許文献６】米国特許第 6524070  号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月14日(2007.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも部分的に安定化されたジルコニアと１〜４モル％の濃度で存在する１種以上の五価酸化物ドーパントを含むセラミック母材とを含んでなる組成物。
【請求項２】
１種以上の五価酸化物ドーパントが１．３〜１．８９モル％の濃度で存在する、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
少なくとも部分的に安定化されたジルコニアが４〜８％のイットリアを含む、請求項１記載の組成物。
【請求項４】
五価酸化物が酸化タンタル、酸化ニオブ及びこれらの組合せから選択される、請求項１記載の組成物。
【請求項５】
超合金基材、
超合金基材上に設けられたボンドコート、
ボンドコート上に設けられたセラミック界面、並びに
イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）及び１〜４モル％の濃度で存在する五価酸化物ドーパントを含む、セラミック界面上に設けられた遮熱コーティング
を含んでなる被覆物品。
【請求項６】
五価酸化物がＴａ2Ｏ5（酸化タンタル）、Ｎｂ2Ｏ5（酸化ニオブ）及びこれらの組合せから選択され、五価酸化物が１．３〜１．９モル％存在する、請求項５記載の被覆物品。
【請求項７】
超合金を含むタービン動翼基材、及び
タービン動翼基材上のタービン動翼コーティング
を含んでなる被覆タービン動翼であって、コーティングがイットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）母材及び約１〜約４モル％の濃度で存在する五価酸化物ドーパントを含む組成物である、被覆タービン動翼。
【請求項８】
タービン動翼コーティングがアルミニウムを含むボンドコートを含み、五価酸化物ドーパントが１．３〜１．９モル％のタンタラを含む、請求項７記載の被覆タービン動翼。
【請求項９】
タービン動翼コーティングがアルミニウムを含むボンドコートを含み、五価酸化物ドーパントが約１．３〜約１．９モル％のニオビアを含む、請求項７記載の被覆タービン動翼。
【請求項１０】
ガスタービン、及びガスタービン内のタービン動翼を含んでなるシステムであって、タービン動翼が
超合金基材、
超合金基材上に設けられたボンドコート、
ボンドコート上に設けられたセラミック界面、並びに
イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）及び約１〜約４モル％の濃度で存在する五価酸化物ドーパントを含む、セラミック界面上に設けられた遮熱コーティング
を含む、システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
要望されているのは、従来技術に存在した問題の少なくとも一部を回避するＴＢＣである。
【特許文献１】米国特許第5975852 号明細書
【特許文献２】米国特許第 5981088号明細書
【特許文献３】米国特許第 5998003号明細書
【特許文献４】米国特許第 6025078号明細書
【特許文献５】米国特許第 6280908号明細書
【特許文献６】米国特許第 6352788号明細書
【特許文献７】米国特許第 6858334号明細書
【特許文献８】米国特許第 6686060号明細書
【特許文献９】米国特許出願公開第2003/0224200A1号明細書
【特許文献１０】米国特許出願公開第2005/0064225A1号明細書
【特許文献１１】米国特許出願公開第2005/0112412A1号明細書
【非特許文献１】Raghavan, Srinivasan他、”Ta2O5/Nb2O5 and Y2O3 Co-doped Zirconias for Thermal Barrier Coatings”, Journal of the American Ceramic Society, Vol. 87, No.3 (2004年3月), p431-437
【非特許文献２】Raghavan,他、”Thermal properties of zirconia co doped with trivalent and pentavalent oxides”, 2001年1月, p169-179
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】広告配信装置、携帯通信装置および広告配信方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  広告情報を保持する記憶手段と、外部の携帯通信装置からのアクセス信号を受信するアクセス受信手段と、前記アクセス信号に応じて前記広告情報を前記携帯通信装置に近距離無線送信する広告送信手段とを備えることを特徴とする広告配信装置。
【請求項２】  コード化された広告情報を読み込んで復号するロード手段を備え、前記広告送信手段は、前記アクセス信号に応じて前記ロード手段で復号された広告情報を前記携帯通信装置に近距離無線送信することを特徴とする請求項１に記載の広告配信装置。
【請求項３】  所定の広告掲載紙を保持する保持手段を備え、前記ロード手段は前記広告掲載紙に保持された前記コード化された広告情報を読み込んで復号することを特徴とする請求項２に記載の広告配信装置。
【請求項４】  広告情報を配信する広告配信装置にアクセス信号を近距離無線送信する無線送信手段と、前記広告配信装置が近距離無線送信した前記広告情報を受信する無線受信手段と、前記広告情報を保持する記憶手段と、前記広告情報を表示する表示手段とを備えることを特徴とする携帯通信装置。
【請求項５】  インターネットに接続する接続手段を備え、前記表示手段は、前記広告情報に含まれるインターネットアドレス情報の示すサーバ装置から所定の提供情報を取得して前記表示手段に表示することを特徴とする請求項４に記載の携帯通信装置。
【請求項６】  前記広告情報に含まれる音声情報を再生する再生手段を備えることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の携帯通信装置。
【請求項７】  携帯通信装置が広告情報を保持する広告配信装置に前記広告情報を取得するためのアクセス信号を近距離無線送信するステップと、広告配信装置が前記アクセス信号に応じて前記広告情報を前記携帯通信装置に近距離無線送信するステップと、前記携帯通信装置が前記広告情報を受信して表示するステップとからなる広告配信方法。
【請求項８】  前記広告配信装置がコード化された広告情報を読み込んで復号するステップを備えることを特徴とする請求項７に記載の広告配信方法。
【請求項９】  前記広告配信装置が広告掲載紙に保持された前記コード化された広告情報を読み込んで復号するステップを備えることを特徴とする請求項８に記載の広告配信方法。
【請求項１０】  前記携帯通信装置が前記広告情報に含まれるインターネットアドレス情報の示すサーバ装置から所定の提供情報を取得して表示するステップを備えることを特徴とする請求項７から請求項９のいずれかに記載の広告配信方法。
【請求項１１】  前記携帯通信装置が前記広告情報に含まれる音声情報を再生するステップを備えることを特徴とする請求項７から請求項１０のいずれかに記載の広告配信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月6日(2007.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光源と、
光源からの出射光を平行光に変換するコリメータレンズと、
上記平行光を情報記録媒体の媒体面に集光させ、該集光が上記媒体面上で反射した第１の反射光と上記媒体面上に形成された光透過層の表面で反射した第２の反射光とを集める第１の対物レンズと、
上記集められた第１の反射光と第２の反射光とを集束する集束レンズと、
上記集束された第１の反射光を受光して上記媒体面との焦点誤差を検出する第１の検出手段と、
上記集束分割された第２の反射光を受光して上記光透過層の表面との焦点誤差を検出する第２の検出手段と
該第２の検出手段からの検出に対応して、上記コリメータレンズを移動させる移動手段とを有することを特徴とする光ヘッド装置。
【請求項２】  上記第１の検出手段を情報記録媒体の情報記録及び／又は再生に用いる請求項１に記載の光ヘッド装置。
【請求項３】  上記集束された第１の反射光と第２の反射光とをそれぞれ第１の検出手段と第２の検出手段とに分割する分割手段を有することを特徴とする請求項１に記載の光ヘッド装置。
【請求項４】  上記分割手段がホログラム素子であることを特徴とする請求項３に記載の光ヘッド装置。
【請求項５】  上記第１の検出手段の受光手段が上記媒体面における第１の反射光が集束する位置に配置され、
上記第２の検出手段の受光手段が上記光透過層の表面における第２の反射光が集束する位置に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の光ヘッド装置。
【請求項６】  上記分割手段と上記第１の検出手段との間、または上記分割手段と上記第２の検出手段との間の少なくとも一方に、球面収差を補正する補正手段を備えたことを特徴とする請求項３に記載の光ヘッド装置。
【請求項７】  光源と、
光源からの出射光を平行光に変換するコリメータレンズと、
上記平行光を情報記録媒体の媒体面に集光させ、該集光が上記媒体面上で反射した第１の反射光と上記媒体面上に形成された光透過層の表面で反射した第２の反射光とを集める第１の対物レンズと、
上記集められた第１の反射光と第２の反射光とを集束する集束レンズと、
上記集束された第１の反射光を受光して上記媒体面との焦点誤差を検出する第１の検出手段と、
上記集束された第２の反射光を受光して上記光透過層の表面との焦点誤差を検出する第２の検出手段と、
該第２の検出手段からの検出に対応して、上記コリメータレンズを移動させる移動手段を備えた光ヘッド装置と、
該第１の検出手段によって、上記媒体面の焦点誤差を検出して上記対物レンズの位置を制御する第１の制御手段と、
該第２の検出手段によって、上記光透過層の表面との焦点誤差を検出し、上記移動手段を制御して上記コリメータレンズにより球面収差を補正する第２の制御手段とを具備することを特徴とする記録及び／又は再生装置。
【請求項８】  光源と、光源からの出射光を平行光に変換するコリメータレンズと、上記平行光を情報記録媒体の媒体面に集光させ、該集光が上記媒体面上で反射した第１の反射光と上記媒体面上に形成された光透過層の表面で反射した第２の反射光とを集める第１の対物レンズと、上記集められた第１の反射光と第２の反射光とを集束する集束レンズと、上記集束された第１の反射光を受光する第１の検出手段と、上記集束された第２の反射光を受光する第２の検出手段と、上記コリメータレンズを移動させる移動手段とを備えた光ヘッド装置と、
該第１の検出手段によって、上記対物レンズの位置を制御する第１の制御手段と、
該第２の検出手段によって、上記移動手段を制御する第２の制御手段とを具備することを特徴とする記録及び／又は再生装置において、
上記第１の反射光の焦点誤差を検出する第１の検出工程と、
上記第１の反射光の焦点誤差を補正するように上記対物レンズを移動させる工程と、
上記第２の反射光の焦点誤差を検出する第２の検出工程と、
該第２の検出工程の出力に対応して球面収差を補正するように上記移動手段によって上記コリメータレンズを移動させる工程とを備えた記録及び／又は再生方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
また、第１の検出手段を情報記録媒体の情報記録及び／又は再生に用いることにより、記録再生を行っている箇所の光透過層の厚さを検出し、記録再生の精度を向上させる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月27日(2006.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】      
【請求項１】  文書画像の特徴量に基づいて、文書書式識別のための文書書式データを作成する作成手段と、
前記文書書式データを保存する保存手段と、
文書書式を識別すべき文書の画像について前記作成手段を用いて文書書式データを得て、これを前記保存手段で保存した文書書式データと比較し、相似関係があるか否かを判断する判断手段と、
前記判断手段にて相似関係があると判断された場合に、前記識別すべき文書と、前記保存手段で保存した文書との相似状態を表す相似情報を抽出する相似情報抽出手段と、
前記相似情報抽出手段にて抽出した相似情報及び前記文書書式データに基づいて文書書式の類似度を計算し、前記識別すべき文書の文書書式を識別する識別手段と
を備えることを特徴とする文書書式識別装置。
【請求項２】  前記識別手段は、前記相似情報に基づいて、前記類似度の計算に用いる文書書式データを補正し、類似度の計算を行うことを特徴とする請求項１記載の文書書式識別装置。
【請求項３】  前記相似情報は、前記識別すべき文書と前記保存手段で保存した文書との変倍率を含み、前記識別手段は、該変倍率を類似度の計算に用いる文書書式データに乗算することを特徴とする請求項２記載の文書書式識別装置。
【請求項４】  前記相似情報は、前記識別すべき文書と前記保存手段で保存した文書との原点ずれ量を含み、前記識別手段は、該原点ずれ量を類似度の計算に用いる文書書式データに加算することを特徴とする請求項３記載の文書書式識別装置。
【請求項５】  前記相似情報は、前記変倍率に基づいて算出したペナルティを含み、前記識別手段は、該ペナルティを類似度の計算に加算することを特徴とする請求項２記載の文書書式識別装置。
【請求項６】  前記相似情報抽出手段は、
前記識別すべき文書を構成する構成要素と前記保存手段で保存した文書を構成する構成要素とが互いに対応するように配列する配列手段と、
前記配列手段によって配列した前記構成要素の個数が互いに等しく、かつ予め定められた数以上の場合に、前記各構成要素の各文書上の特定位置座標に基づいて相関係数を算出し、該相関係数によって得られる回帰直線に基づいて文書画像の変倍率をもとめる変倍率算出手段と、
前記変倍率算出手段によりもとめた変倍率から類似度の計算に加算するペナルティを算出するペナルティ算出手段と
を備えることを特徴とする請求項２記載の文書書式識別装置。
【請求項７】  前記相似情報抽出手段は、前記変倍率算出手段によりもとめた変倍率の適正を判定する判定手段を更に備え、
前記判別手段は、前記判定手段にて変倍率が不適正であると判定した場合、前記相似情報を用いずに前記類似度計算を行うことを特徴とする請求項６記載の文書書式識別装置。
【請求項８】  前記相似情報抽出手段は、
前記変倍率算出手段によって算出された前記相関係数に基づく前記回帰直線のＹ軸切片を前記各文書上の原点位置のずれ量とするずれ量算出手段を更に備えることを特徴とする請求項６記載の文書書式識別装置。
【請求項９】  文書書式識別装置における文書書式識別方法であって、
作成手段が、文書画像の特徴量に基づいて、文書書式識別のための文書書式データを作成する作成工程と、
保存手段が、前記文書書式データを保存する保存工程と、
判断手段が、文書書式を識別すべき文書の画像について前記作成工程を用いて文書書式データを得て、これを前記保存工程で保存した文書書式データと比較し、相似関係があるか否かを判断する判断工程と、
相似情報抽出手段が、前記判断工程にて相似と判断された場合に、前記識別すべき文書と、前記保存工程で保存した文書との相似状態を表す相似情報を抽出する相似情報抽出工程と、
識別手段が、前記相似情報抽出工程にて抽出した相似情報及び前記文書書式データに基づいて文書書式の類似度を計算し、前記識別すべき文書の文書書式を識別する識別工程と
を備えることを特徴とする文書書式識別方法。
【請求項１０】  前記識別工程は、前記相似情報に基づいて、前記類似度の計算に用いる文書書式データを補正し、類似度の計算を行うことを特徴とする請求項９記載の文書書式識別方法。
【請求項１１】  前記相似情報は、前記識別すべき文書と前記保存工程で保存した文書との変倍率を含み、前記識別工程は、該変倍率を類似度の計算に用いる文書書式データに乗算することを特徴とする請求項１０記載の文書書式識別方法。
【請求項１２】  前記相似情報は、前記識別すべき文書と前記保存工程で保存した文書との原点ずれ量を含み、前記識別工程は、該原点ずれ量を類似度の計算に用いる文書書式データに加算することを特徴とする請求項１１記載の文書書式識別方法。
【請求項１３】  前記相似情報は、前記変倍率に基づいて算出したペナルティを含み、前記識別工程は、該ペナルティを類似度の計算に加算することを特徴とする請求項１０記載の文書書式識別方法。
【請求項１４】  前記相似情報抽出工程は、
配列手段が、前記識別すべき文書を構成する構成要素と前記保存工程で保存した文書を構成する構成要素とが互いに対応するように配列する配列工程と、
変倍率算出手段が、前記配列工程によって配列した前記構成要素の個数が互いに等しく、かつ予め定められた数以上の場合に、前記各構成要素の各文書上の特定位置座標に基づいて相関係数を算出し、該相関係数によって得られる回帰直線に基づいて文書画像の変倍率をもとめる変倍率算出工程と、
ペナルティ算出手段が、前記変倍率算出工程によりもとめた変倍率から類似度の計算に加算するペナルティを算出するペナルティ算出工程と
を備えることを特徴とする請求項１０記載の文書書式識別方法。
【請求項１５】  前記相似情報抽出工程は、判定手段が、前記変倍率算出工程によりもとめた変倍率の適正を判定する判定工程を更に備え、
前記判別工程は、前記判定工程にて変倍率が不適正であると判定した場合、前記相似情報を用いずに前記類似度計算を行うことを特徴とする請求項１４記載の文書書式識別方法。
【請求項１６】  前記相似情報抽出工程は、
ずれ量算出手段が、前記変倍率算出工程によって算出された前記相関係数に基づく前記回帰直線のＹ軸切片を前記各文書上の原点位置のずれ量とするずれ量算出工程を更に備えることを特徴とする請求項１４記載の文書書式識別方法。
【請求項１７】  請求項９乃至１６のいずれか１つに記載の文書書式識別方法をコンピュータによって実行させるための制御プログラムを格納する記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月27日(2007.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にＩＣチップとアンテナ回路とが実装されてなるＩＣモジュールが、少なくとも一対の外装フィルムで挟み込まれてなるＩＣカードであって、
上記ＩＣチップは、樹脂によってその外側が封止されるとともに、当該樹脂上に配された、ＩＣチップの最長尺寸法値よりも大きな補強材によって補強されており、上記補強材の表面における形状の高低変化量が２０μｍ以下の範囲であることを特徴とする非接触ＩＣカード。
【請求項２】
上記補強材は、金属板からなることを特徴とする請求項１記載の非接触ＩＣカード。
【請求項３】
上記補強材は、ビッカース硬度が２００以上、５８０未満の範囲であることを特徴とする請求項１記載の非接触ＩＣカード。
【請求項４】
上記補強材は、ビッカース硬度が２００以上、５８０未満の範囲であり、かつ、厚みが５０μｍ以上、１００μｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項３記載の非接触ＩＣカード。
【請求項５】
上記補強材は、ビッカース硬度が３００以上、５８０未満の範囲であり、かつ、厚みが３０μｍ以上、１００μｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項３記載の非接触ＩＣカード。
【請求項６】
上記基板の、ＩＣチップが封止された面と反対側の面であって、当該ＩＣチップに対応する部分も、樹脂によって封止されるとともに、当該樹脂上に補強材が配されていることを特徴とする請求項１記載の非接触ＩＣカード。
【請求項７】
少なくとも一方の上記外装フィルム上に接着層を介して可逆性感熱記録シートが配されており、
上記可逆性感熱記録シートは、プラスチックシートと、上記プラスチックシート上に形成され可視情報の書き換えが可能な可逆性感熱記録層と、上記可逆性感熱記録層上に形成された透明な保護層とを備えることを特徴とする請求項１記載の非接触ＩＣカード。
【請求項８】
上記外装フィルムは、非塩素含有材料からなることを特徴とする請求項１記載の非接触ＩＣカード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の非接触ＩＣカードは、基板上にＩＣチップとアンテナ回路とが実装されてなるＩＣモジュールが、少なくとも一対の外装フィルムで挟み込まれてなるＩＣカードであって、上記ＩＣチップは、樹脂によってその外側が封止されるとともに、当該樹脂上に配された、ＩＣチップの最長尺寸法値よりも大きな補強材によって補強されており、上記補強材の表面における形状の高低変化量が２０μｍ以下の範囲であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月20日(2007.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  半導体ウェハの周縁部の各微小マーク形成領域を光学的に検出し、同領域に形成された微小マークを光学的に読み取る方法であって、
半導体ウェハの周縁部にマーク読取り光学系を対峙させること、
照明手段により前記半導体ウェハの周縁をマーク読取り時よりも高い照明強度をもって照明すること、
前記半導体ウェハを、その中心軸線を中心に回転させること、
回転する前記半導体ウェハの周縁の反射光を、前記マーク読取り光学系にて検出すること、
その検出の間に、反射光の強度変化に基づき検出される一部の連続する高輝度領域をマーク形成領域であると判断すること、及び
この判断時に、同ウェハの回転を停止させること、
を含んでなることを特徴とする半導体ウェハの周縁微小領域におけるマーク読取方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項１に係る発明は、半導体ウェハの周縁部の各微小マーク形成領域を光学的に検出し、同領域に形成された微小マークを光学的に読み取る方法であって、半導体ウェハの周縁部にマーク読取り光学系を対峙させること、照明手段により前記半導体ウェハの周縁をマーク読取り時よりも高い照明強度をもって照明すること、前記半導体ウェハを、その中心軸線を中心に回転させること、回転する前記半導体ウェハの周縁の反射光を、前記マーク読取り光学系にて検出すること、その検出の間に、反射光の強度変化に基づき検出される一部の連続する高輝度領域をマーク形成領域であると判断すること、及びこの判断時に、同ウェハの回転を停止させること、を含んでなることを特徴とする半導体ウェハの周縁微小領域におけるマーク読取方法にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明における特徴は、従来のごとく半導体ウェハのマーク形成領域の近傍に配するマーク形成領域を検出するための投受光器を配し、単一の読取り光学系と単一の照射手段とをマーク形成領域の近傍に配するようにしている。つまり、本発明では、マーク形成領域の照明には単一の照明手段を採用すると共に、単一のマーク読取り光学系に本来のマーク読取り機能と、前記照明手段及びマーク読取り光学系にマーク形成領域を検出するための投受光器としての機能をももたせて、半導体ウェハの周辺に配される機器の点数を少なくする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月29日(2007.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
より具体的には、データ書込みにおいては、上述のように、ビット線ＢＬと書込みワード線ＲＷＬとに電流を流して合成磁界を生成させるが、この合成磁界の大きさがアステロイド曲線の少し外側となるように設定し、この合成磁界の半分程度を、それぞれ、ビット線ＢＬ及び書込みワード線ＲＷＬによって生成させる。尚、このような状態を「半選択」状態と呼ぶ。このような「半選択」状態とすることで、電流が流されているビット線ＢＬと電流が流されている書込みワード線ＲＷＬとの交点に位置するトンネル磁気抵抗素子ＴＭＪにはデータが書き込まれる。一方、電流が流されているビット線ＢＬと電流が流されていない書込みワード線ＲＷＬとの交点に位置するトンネル磁気抵抗素子ＴＭＪ、あるいは、電流が流されていないビット線ＢＬと電流が流されている書込みワード線ＲＷＬとの交点に位置するトンネル磁気抵抗素子ＴＭＪにはデータが書き込まれない。尚、このようなトンネル磁気抵抗素子ＴＭＪを、便宜上、非選択トンネル磁気抵抗素子ＴＭＪと呼ぶ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月21日(2007.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装部材の実装面に接着剤あるいは半田によって実装される接着面を備えた半導体素子であって、
前記半導体素子は、発熱部を有し、
前記半導体素子の側面のいずれかと略平行な方向に延在する溝が前記接着面に設けられ、
前記溝は、前記発熱部の下においては実質的に設けられていないことを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記溝は、前記接着面に格子状に設けられたことを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項３】
前記溝は、前記接着面の端部にも設けられたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体素子。
【請求項４】
実装面を有する実装部材と、
前記実装面に対して接着剤あるいは半田によって実装された半導体素子であって、前記半導体素子の側面のいずれかと略平行な方向に延在する溝が前記接着面に設けられた半導体素子と、
を備え、
前記半導体素子は、発熱部を有し、
前記溝は、前記発熱部の下においては実質的に設けられていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記溝の一部は、前記接着剤あるいは半田により埋められ、
前記溝の他の一部は、空隙であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の一態様によれば、実装部材の実装面に接着剤あるいは半田によって実装される接着面を備えた半導体素子であって、前記半導体素子は、発熱部を有し、前記半導体素子の側面のいずれかと略平行な方向に延在する溝が前記接着面に設けられ、前記溝は、前記発熱部の下においては実質的に設けられていないことを特徴とする半導体素子が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の他の態様によれば、実装面を有する実装部材と、前記実装面に対して接着剤あるいは半田によって実装された半導体素子であって、前記半導体素子の側面のいずれかと略平行な方向に延在する溝が前記接着面に設けられた半導体素子と、を備え、前記半導体素子は、発熱部を有し、前記溝は、前記発熱部の下においては実質的に設けられていないことを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月23日(2007.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮木材からなる外装材を有する電子機器において、
前記外装材は、少なくとも２つの構成部分が接合部において接合されて形成されており、
前記接合部のみが炭化処理されていることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記外装材は、その厚さ方向に貫通する孔を有しており、
前記孔の周面が炭化処理されていることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、請求項１に係る電子機器は、圧縮木材からなる外装材を有する電子機器において、前記外装材は、少なくとも２つの構成部分が接合部において接合されて形成されており、前記接合部のみが炭化処理されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月11日(2007.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティと電極及び配線パターンとをそれぞれ有する複数のベースを備えかつ一方の面に前記各キャビティを開放したベース板の前記各ベースの前記キャビティ内に電子部品を固定しかつ電気的に接続する工程と、
複数のリッドの外形を画定する多数の細溝を形成しかつ一方の面に金属ろう材を付着させた金属製のリッド板の前記一方の面を前記ベース板の前記一方の面に、前記各ベースと前記各リッドとの位置を整合させて重ね合わせ、押圧しつつ、前記金属ろう材を溶融させて前記各ベースに前記各リッドを気密に接合封止する工程と、
前記ベース板及びリッド板を前記ベース及びリッドの外形に沿って切断し、電子デバイスを個片化する工程とを有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
キャビティと電極及び配線パターンとを有しかつ前記キャビティが一方の面に開放された複数のベースの前記各キャビティ内にそれぞれ電子部品を固定しかつ電気的に接続する工程と、
金属製のリッド板の金属ろう材を付着させた一方の面に前記各ベースの前記一方の面を重ね合わせ、押圧しつつ、前記金属ろう材を溶融させて前記各ベースに前記リッド板を気密に接合封止する工程と、
前記リッド板を切断して電子デバイスを個片化する工程とを有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記各ベースに前記リッドを気密に接合封止する前記工程において、前記各リッドをそれぞれ対応する前記ベースに押圧しつつ、前記金属ろう材を溶融させることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記各ベースに前記リッドを気密に接合封止する前記工程において、前記各リッドをそれぞれ対応する前記ベースに押圧しつつ、前記金属ろう材を溶融させることを特徴とする請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
レーザビーム、電子ビーム又はシーム溶接により、前記金属ろう材を溶融させて前記各ベースに前記リッドを気密に接合封止することを特徴とする請求項１又は３に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
レーザビーム、電子ビーム又はシーム溶接により、前記金属ろう材を溶融させて前記各ベースに前記リッドを気密に接合封止することを特徴とする請求項２又は４に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
レーザビームにより前記リッド板を切断することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記電子部品が圧電振動片であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、上記目的を達成するために、キャビティと電極及び配線パターンとをそれぞれ有する複数のベースを備えかつ一方の面に前記各キャビティを開放したベース板の前記各ベースの前記キャビティ内に電子部品を固定しかつ電気的に接続する工程と、複数のリッドの外形を画定する多数の細溝を形成しかつ一方の面に金属ろう材を付着させた金属製のリッド板の前記一方の面を前記ベース板の前記一方の面に、前記各ベースと前記各リッドとの位置を整合させて重ね合わせ、押圧しつつ、前記金属ろう材を溶融させて前記各ベースに前記各リッドを気密に接合封止する工程と、前記ベース板及びリッド板を前記ベース及びリッドの外形に沿って切断し、電子デバイスを個片化する工程とを有する電子デバイスの製造方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の別の側面によれば、キャビティと電極及び配線パターンとを有しかつ前記キャビティが一方の面に開放された複数のベースの前記各キャビティ内にそれぞれ電子部品を固定しかつ電気的に接続する工程と、金属製のリッド板の金属ろう材を付着させた一方の面に前記各ベースの前記一方の面を重ね合わせ、押圧しつつ、前記金属ろう材を溶融させて前記各ベースに前記リッド板を気密に接合封止する工程と、前記リッド板を切断して電子デバイスを個片化する工程とを有する電子デバイスの製造方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このように複数のリッドからなるリッド板を用いることによって、同様に部品点数が少なくなりかつ部品コストを低減できると共に、リッド板に個々のベースを位置合わせして重ね合わせることによって、一括して封止できるので、個々のベースとリッドとを個別に位置合わせする必要が無くなり、ベース及びリッドの取り扱い、並びに封止作業が簡単になる。そのため、生産性を向上させかつ製造コストを低減することができる。特にレーザビームを用いる場合には、従来のように専用の仮付け装置を用いる必要がなくなるので、封止工程がより簡単になりかつその作業性が向上し、製造コストがより一層低減する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
或る実施例では、各ベースにリッドを気密に接合封止する工程において、リッド板の各リッドをそれぞれ対応するベースに押圧し、概ね一様に接触させた状態で、金属ろう材を溶融させることができる。
別の実施例では、レーザビームによりリッド板を切断することにより、その母材が露出した切断面をレーザビームの高熱で酸化できるので、防錆効果を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月8日(2007.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タブとインナーリードとを一組の単位フレームとし、これが複数のマトリックス状に配列されたリードフレームを準備する工程と、
上下で一対となる金型であり、前記単位フレーム毎の樹脂封止領域となるキャビティ部の型と、各キャビティ部の型に対応して設けられた複数のゲート部の型と、前記複数のゲート部に接続されるランナ部の型と、前記ランナ部の型より上下金型の空間の高さが薄く、前記ランナ部の型に接続されるサブランナ部の型とを有する、前記一対の金型を準備する工程と、
前記リードフレームに対して前記金型を設置し、前記サブランナ部の型と前記ランナ部の型と前記ゲート部の型を介して前記キャビティ部の型に樹脂を流入する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
タブとインナーリードを含む領域となるキャビティ部と、前記キャビティ部に接続する領域となるゲート部と、前記ゲート部に接続する領域となり、所定の外力によって破断することが可能な形状を備えたランナ部とを有するリードフレームを準備する工程と、
前記キャビティ部を樹脂で封止する際の治具であり、前記キャビティ部と前記ゲート部と前記ランナ部にそれぞれ対応する樹脂の流入経路の型と、樹脂の供給源となるカル部の型と、前記カル部と前記ランナ部の間の樹脂の流入経路に対応し、前記ランナ部との接続部分に縊れ形状を備えたサブランナ部の型とを有する金型を準備する工程と、
前記リードフレームに対して前記金型を設置し、前記カル部の型から前記キャビティ部の型に向けて樹脂を流入する工程と、
前記リードフレームから前記金型を取り外した際に、前記リードフレームの前記ランナ部の残存樹脂に連結されている前記サブランナ部および前記カル部の残存樹脂を、前記サブランナ部の残存樹脂に形成された前記縊れ形状の位置で除去する工程と、
前記ランナ部の残存樹脂を含むリードフレームを、切断装置に搬送する工程と、
前記切断装置を用いて、前記ランナ部の残存樹脂と前記ゲート部の残存樹脂を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月11日(2007.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層中に層の面に垂直な方向に対向して設けられた第１の磁性体および第２の磁性体が、接続部で接続され、前記第１の磁性体及び前記第２の磁性体は、遷移金属元素の中から選ばれる少なくとも１種類の元素を含み、
前記接続部の前記第１の磁性体と前記第２の磁性体との接触面の面積が、少なくとも前記第１の磁性体および前記第２の磁性体の前記接続部を形成する平面に平行な断面積よりも小さく、
前記第１の磁性体および前記第２の磁性体の磁性体の磁化方向がなす角度によって電気抵抗が異なることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
【請求項２】
前記第１の磁性体および前記第２の磁性体はともに前記絶縁体膜の膜面内方向の長さよりも膜面垂直方向の長さが長いことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項３】
前記磁性膜は前記絶縁膜の膜面垂直方向に磁化容易軸を有することを特徴とする請求項１または２に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項４】
前記第１の磁性体および前記第２の磁性体のうち少なくとも一方は、希土類から選ばれる少なくとも１種類の元素と遷移金属から選ばれる少なくとも１種類の元素の合金であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項５】
前記第１の磁性体あるいは前記第２の磁性体のいずれか一方が一方向異方性を有する反強磁性体と交換結合していることを特徴とする請求項１から４に記載のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項６】
前記第１の磁性体あるいは前記第２の磁性体のいずれか一方が前記第１の磁性体および前記第２の磁性体の保磁力よりも大きな保磁力を有する第３の磁性体と交換結合していることを特徴とする請求項１から４に記載のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項７】
前記第１の磁性体と前記第２の磁性体の接合部が共晶薄膜であることを特徴とする、請求項１から６のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項８】
前記第１の磁性体と前記第２の磁性体が膜平面方向でずれて形成され、前記第１の磁性体の上端部と前記第２の磁性体の下端部が結合していることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子をメモリ素子とし、該メモリ素子の磁化方向を、記録する情報に対応する方向に向ける記録手段と、前記メモリ素子に電流を流すことにより前記メモリ素子の磁化方向を検出する検出手段を有するメモリ。
【請求項１０】
請求項９に記載の記録手段が、導線の記録する情報に対応する方向に、電流を流し、発生する磁界をメモリ素子に印加し、前記磁界により、メモリ素子の磁化方向を前記記録する情報に対応する方向に向け記録を行う機構であることを特徴とするメモリ。
【請求項１１】
請求項９に記載の記録手段が、電流をスピン偏極させる部位を有し、記録する情報に対応するスピン偏極した電流を該メモリ素子に流し、該メモリ素子の磁化方向を前記記録する情報に対応する方向に向け記録を行うことを特徴とするメモリ。
【請求項１２】
前記電流をスピン偏極させる部位が非磁性膜と磁性膜の多層膜からなることを特徴とする請求項１１に記載のメモリ。
【請求項１３】
前記電流をスピン偏極させる機構が半導体と該半導体に電場を印加する機構からなる請求項１１に記載のメモリ。