【手続補正書】
【提出日】平成18年5月11日(2006.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に、第１導電型の第１の窒化物半導体よりなる第１のクラッド層を形成する第１のクラッド層形成工程と、
前記第１のクラッド層の上に第２の窒化物半導体よりなる活性層を形成する活性層形成工程と、
前記活性層の上に第２導電型の窒化物半導体よりなるエッチング停止層を形成するエッチング停止層形成工程と、
前記エッチング停止層の上に第２導電型の窒化物半導体よりなり前記エッチング停止層よりも蒸気圧が低いダメージ緩和層を形成する工程と、
前記ダメージ緩和層の上に薄膜部材を堆積した後、前記薄膜部材にストライプ状の開口部をエッチングによって形成することにより、前記開口部を持つ薄膜部材よりなり、前記活性層に注入されるキャリアの流れを規制するキャリアブロック層を形成するキャリアブロック層形成工程と、
前記キャリアブロック層の上に第２導電型の第３の窒化物半導体よりなる第２のクラッド層を形成する第２のクラッド層形成工程と
を備えていることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記キャリアブロック層形成工程は、前記キャリアブロック層の開口部をウェットエッチングによって形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング停止層はアルミニウムを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記キャリアブロック層形成工程よりも後に、前記ダメージ緩和層における前記キャリアブロック層の開口部に露出する領域を熱処理によって蒸発させることにより、前記ダメージ緩和層に前記キャリアブロック層の開口部と連続する開口部を形成する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記ダメージ緩和層はインジウムを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２のクラッド層形成工程は、前記第２のクラッド層を、前記キャリアブロック層上における前記開口部の周縁部にも広がるように成長させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２のクラッド層形成工程は、前記第２のクラッド層を、前記キャリアブロック層における前記開口部の上に基板面に垂直で且つ前記開口部が延びる方向に垂直な方向の断面形状が方形状又は台形状となるように成長させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項８】
基板の上に第１導電型の窒化物半導体よりなるエッチング停止層を形成するエッチング停止層形成工程と、
前記エッチング停止層の上に第１導電型の窒化物半導体よりなり前記エッチング停止層よりも蒸気圧が相対的に低いダメージ緩和層を形成する工程と、
前記ダメージ緩和層の上に薄膜部材を堆積した後、前記薄膜部材にストライプ状の開口部をエッチングによって形成することにより、前記開口部を持つ薄膜部材よりなり、キャリアの流れを規制するキャリアブロック層を形成するキャリアブロック層形成工程と、
前記キャリアブロック層の上に、第１導電型の第１の窒化物半導体よりなる第１のクラッド層を形成する第１のクラッド層形成工程と、
前記第１のクラッド層の上に第２の窒化物半導体よりなる活性層を形成する活性層形成工程と、
前記活性層の上に第２導電型の第３の窒化物半導体よりなる第２のクラッド層を形成する第２のクラッド層形成工程と
を備えていることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記キャリアブロック層形成工程は、前記キャリアブロック層の開口部をウェットエッチングによって形成する工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記エッチング停止層はアルミニウムを含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記キャリアブロック層形成工程よりも後に、前記キャリアブロック層の開口部に露出する領域を熱処理により蒸発させることにより、前記ダメージ緩和層に前記キャリアブロック層の開口部と連続する開口部を形成する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記ダメージ緩和層はインジウムを含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１のクラッド層形成工程は、前記第１のクラッド層を、前記キャリアブロック層上における前記開口部の周縁部に広がるように成長させる工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１４】
前記活性層形成工程と前記第２のクラッド層形成工程との間に、前記活性層の上に薄膜部材を堆積し、堆積した薄膜部材に対して選択的に#エッチングを行なうことにより、前記キャリアブロック層の開口部とほぼ対向する位置に開口部を持ち、前記活性層に注入されるキャリアの流れを規制する前記薄膜部材よりなる上部キャリアブロック層を形成する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記キャリアブロック層はシリコンを含む絶縁膜よりなることを特徴とする請求項１又は８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１６】
前記キャリアブロック層は窒化物半導体よりなることを特徴とする請求項１又は８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１７】
前記キャリアブロック層は前記活性層よりも屈折率が小さいことを特徴とする請求項１又は８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１８】
前記キャリアブロック層は導電膜よりなることを特徴とする請求項１又は８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１９】
前記キャリアブロック層形成工程は、前記薄膜部材に互いに間隔をおき且つほぼ平行に延びる複数の開口部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１又は８に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項２０】
基板と、
前記基板上に形成され、第１導電型の窒化物半導体よりなる第１のクラッド層と、
前記第１のクラッド層の上に形成され、窒化物半導体よりなる活性層と、
前記活性層の上に形成され、第２導電型の窒化物半導体よりなるエッチング停止層と、
前記エッチング停止層の上に形成され、第２導電型の窒化物半導体よりなり前記エッチング停止層よりも蒸気圧が低く且つストライプ状の開口部を有するダメージ緩和層と、
前記ダメージ緩和層の上に形成され、前記ストライプ状の開口部に連続するストライプ状の開口部を有し、前記活性層に注入されるキャリアの流れを規制するキャリアブロック層と、
前記キャリアブロック層の上及び前記エッチング停止層の上に形成され、第２導電型の窒化物半導体よりなる第２のクラッド層と、
を備えていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２１】
基板と、
前記基板上に形成され、第１導電型の窒化物半導体よりなるエッチング停止層と、
前記エッチング停止層の上に形成され、第１導電型の窒化物半導体よりなり前記エッチング停止層よりも蒸気圧が低く且つストライプ状の開口部を有するダメージ緩和層と、
前記ダメージ緩和層の上に形成され、前記ストライプ状の開口部に連続するストライプ状の開口部を有し、
前記活性層に注入されるキャリアの流れを規制するキャリアブロック層と、
前記キャリアブロック層の上及び前記エッチング停止層の上に形成され、第１導電型の窒化物半導体よりなる第１のクラッド層と、
前記第１のクラッド層の上に形成され、窒化物半導体よりなる活性層と、
前記活性層の上に形成され、第２導電型の窒化物半導体よりなる第２のクラッド層と、
を備えていることを特徴とする半導体発光装置。