(57)【要約】  本発明が解決しようとする課題は、環状カーボネートとフェノールから、高品質・高性能の芳香族ポリカーボネート製造のために必要な高純度ジフェニルカーボネートを、工業的に大量（例えば、１時間あたり１トン以上）に長期間（例えば、１０００時間以上、好ましくは３０００時間以上、より好ましくは５０００時間以上）、安定的に製造できる具体的な方法を提供することにある。環状カーボネートとフェノールから、高品質・高性能の芳香族ポリカーボネート製造のために必要な高純度ジフェニルカーボネートを製造するにあたり、特定の構造を有する反応蒸留塔を用いてジアルキルカーボネートとジオール類を製造する工程（Ｉ）、特定の構造を有する２基の反応蒸留塔を用いてジフェニルカーボネートを製造する工程（ＩＩ）、これを高沸点物質分離塔Ａとジフェニルカーボネート精製塔Ｂを用いて高純度ジフェニルカーボネートを取得する工程（ＩＩＩ）を含む本発明の方法を実施することによって、上記課題が達成できる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状カーボネートとフェノールから高純度ジフェニルカーボネートを連続的に製造する方法であって、
（Ｉ）環状カーボネートと脂肪族１価アルコールとを触媒が存在する連続多段蒸留塔Ｔ０内に連続的に供給し、該塔内で反応と蒸留を同時に行い、生成するジアルキルカーボネートを含む低沸点反応混合物を塔上部よりガス状で連続的に抜出し、ジオール類を含む高沸点反応混合物を塔下部より液状で連続的に抜出す反応蒸留方式によって、ジアルキルカーボネートとジオール類を連続的に製造する工程（Ｉ）と、
（ＩＩ）該ジアルキルカーボネートとフェノールとを原料とし、この原料を均一系触媒が存在する第１連続多段蒸留塔内に連続的に供給し、該第１塔内で反応と蒸留を同時に行い、生成するアルコール類を含む第１塔低沸点反応混合物を該第１塔上部よりガス状で連続的に抜出し、生成するアルキルフェニルカーボネート類を含む第１塔高沸点反応混合物を該第１塔下部より液状で連続的に抜出し、該第１塔高沸点反応混合物を触媒が存在する第２連続多段蒸留塔内に連続的に供給し、該第２塔内で反応と蒸留を同時に行い、生成するジアルキルカーボネート類を含む第２塔低沸点反応混合物を該第２塔上部よりガス状で連続的に抜出し、生成するジフェニルカーボネート類を含む第２塔高沸点反応混合物を該第２塔下部より液状で連続的に抜出し、一方、ジアルキルカーボネート類を含む第２塔低沸点反応混合物を第１連続多段蒸留塔内に連続的に供給することによって、ジフェニルカーボネートを連続的に製造する工程（ＩＩ）と、
（ＩＩＩ）該ジフェニルカーボネートを含む第２塔高沸点反応混合物を高沸点物質分離塔Ａに連続的に導入し、ジフェニルカーボネートを含む塔頂成分（ＡＴ）と触媒を含む塔底成分（ＡＢ）に連続的に蒸留分離し、次いで該塔頂成分（ＡＴ）を、サイドカット抜き出し口を有するジフェニルカーボネート精製塔Ｂに連続的に導入し、塔頂成分（ＢＴ）、サイドカット成分（ＢＳ）、塔底成分（ＢＢ）の３つの成分に連続的に蒸留分離することによって、サイドカット成分として高純度ジフェニルカーボネートを取得する精製工程（ＩＩＩ）と、を含み、
（ａ）該連続多段蒸留塔Ｔ０が、長さＬ０（ｃｍ）、内径Ｄ０（ｃｍ）の円筒形の胴部を有し、内部に段数ｎ０をもつインターナルを有する構造をしており、塔頂部又はそれに近い塔の上部に内径ｄ０１（ｃｍ）のガス抜出し口、塔底部又はそれに近い塔の下部に内径ｄ０２（ｃｍ）の液抜出し口、該ガス抜出し口より下部であって塔の上部及び／又は中間部に１つ以上の第１の導入口、該液抜出し口より上部であって塔の中間部及び／又は下部に１つ以上の第２の導入口を有するものであって、Ｌ０、Ｄ０、Ｌ０／Ｄ０、ｎ０、Ｄ０／ｄ０１、Ｄ０／ｄ０２  が、それぞれ式（１）〜（６）を満足するものであり、
２１００  ≦  Ｌ０  ≦  ８０００                  式（１）
１８０  ≦  Ｄ０  ≦  ２０００                  式（２）
４  ≦  Ｌ０／Ｄ０  ≦  ４０                式（３）
１０  ≦  ｎ０  ≦    １２０                  式（４）
３  ≦  Ｄ０／ｄ０１  ≦  ２０                式（５）
５  ≦  Ｄ０／ｄ０２  ≦  ３０                式（６）
（ｂ）該第１連続多段蒸留塔が、長さＬ１（ｃｍ）、内径Ｄ１（ｃｍ）の円筒形の胴部を有し、内部に段数ｎ１をもつインターナルを有する構造をしており、塔頂部又はそれに近い塔の上部に内径ｄ１１（ｃｍ）のガス抜出し口、塔底部又はそれに近い塔の下部に内径ｄ１２（ｃｍ）の液抜出し口、該ガス抜出し口より下部であって塔の上部及び／又は中間部に１つ以上の第３の導入口、該液抜出し口より上部であって塔の中間部及び／又は下部に１つ以上の第４の導入口を有するものであって、Ｌ１、Ｄ１、Ｌ１／Ｄ１、ｎ１、Ｄ１／ｄ１１、Ｄ１／ｄ１２  が、それぞれ式（７）〜（１２）を満足するものであり、
１５００  ≦  Ｌ１  ≦  ８０００                  式（７）
１００  ≦  Ｄ１  ≦  ２０００                  式（８）
２  ≦  Ｌ１／Ｄ１  ≦  ４０                 式（９）
２０  ≦  ｎ１  ≦    １２０                  式（１０）
５  ≦  Ｄ１／ｄ１１  ≦  ３０                式（１１）
３  ≦  Ｄ１／ｄ１２  ≦  ２０                式（１２）
（ｃ）該第２連続多段蒸留塔が、長さＬ２（ｃｍ）、内径Ｄ２（ｃｍ）の円筒形の胴部を有し、内部に段数ｎ２をもつインターナルを有する構造をしており、塔頂部またはそれに近い塔の上部に内径ｄ２１（ｃｍ）のガス抜出し口、塔底部又はそれに近い塔の下部に内径ｄ２２（ｃｍ）の液抜出し口、該ガス抜出し口より下部であって塔の上部及び／又は中間部に１つ以上の第５の導入口、該液抜出し口より上部であって塔の中間部及び／又は下部に１つ以上の第６の導入口を有するものであって、Ｌ２、Ｄ２、Ｌ２／Ｄ２、ｎ２、Ｄ２／ｄ２１、Ｄ２／ｄ２２  が、それぞれ式（１３）〜（１８）を満足するものであり、
１５００  ≦  Ｌ２  ≦  ８０００                  式（１３）
１００  ≦  Ｄ２  ≦  ２０００                  式（１４）
２  ≦  Ｌ２／Ｄ２  ≦  ４０                 式（１５）
１０  ≦  ｎ２  ≦  ８０                      式（１６）
２  ≦  Ｄ２／ｄ２１  ≦  1５                式（１７）
５  ≦  Ｄ２／ｄ２２  ≦  ３０                式（１８）
（ｄ）該高沸点物質分離塔Ａが、下記式（１９）〜（２１）を満足する、長さＬＡ（ｃｍ）、内径ＤＡ（ｃｍ）で、内部に段数ｎＡのインターナルを有する連続多段蒸留塔であり、
８００  ≦  ＬＡ  ≦  ３０００                  式（１９）
１００  ≦  ＤＡ  ≦  １０００                  式（２０）
２０  ≦  ｎＡ  ≦    １００                  式（２１）
（ｅ）該ジフェニルカーボネート精製塔Ｂが、下記式（２２）〜（２７）を満足する、長さＬＢ（ｃｍ）、内径ＤＢ（ｃｍ）で、内部にインターナルを有するものであって、塔の中間部に導入口Ｂ１、該導入口Ｂ１と塔底との間にサイドカット抜き出し口Ｂ２を有し、導入口Ｂ１から上部のインターナルの段数がｎＢ１、導入口Ｂ１とサイドカット抜き出し口Ｂ２との間のインターナルの段数がｎＢ２、サイドカット抜き出し口Ｂ２から下部のインターナルの段数がｎＢ３で、段数の合計（ｎＢ１+ｎＢ２+ｎＢ３）がｎＢである連続多段蒸留塔であり、
１０００  ≦  ＬＢ  ≦  ５０００                  式（２２）
１００  ≦  ＤＢ  ≦  １０００                  式（２３）
５  ≦  ｎＢ１  ≦    ２０                   式（２４）
１２  ≦  ｎＢ２  ≦    ４０                   式（２５）
３  ≦  ｎＢ３  ≦    １５                   式（２６）
２０  ≦  ｎＢ  ≦      ７０                  式（２７）
ことを特徴とする高純度ジフェニルカーボネートを工業的規模で製造する方法。
【請求項２】
製造される高純度ジフェニルカーボネートが１時間あたり１トン以上であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（Ｉ）で用いられる該連続多段蒸留塔Ｔ０の該ｄ０１と該ｄ０２が、
１  ≦  ｄ０１／ｄ０２  ≦  ５                  式（２８）
式（２８）を満足することを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
該連続多段蒸留塔Ｔ０のＬ０、Ｄ０、Ｌ０／Ｄ０、ｎ０、Ｄ０／ｄ０１、Ｄ０／ｄ０２  がそれぞれ、  ２３００≦Ｌ０≦６０００、  ２００≦Ｄ０≦１０００、  ５≦Ｌ０／Ｄ０≦３０、  ３０≦ｎ０≦１００、  ４≦Ｄ０／ｄ０１≦１５、  ７≦Ｄ０／ｄ０２≦２５であることを特徴とする請求項１ないし３のうち何れいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
該連続多段蒸留塔Ｔ０のＬ０、Ｄ０、Ｌ０／Ｄ０、ｎ０、Ｄ０／ｄ０１、Ｄ０／ｄ０２  がそれぞれ、  ２５００≦Ｌ０≦５０００、  ２１０≦Ｄ０≦８００、  ７≦Ｌ０／Ｄ０≦２０、  ４０≦ｎ０≦９０、  ５≦Ｄ０／ｄ０１≦１３、  ９≦Ｄ０／ｄ０２≦２０であることを特徴とする請求項１ないし４のうち何れいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
該連続多段蒸留塔Ｔ０が、該インターナルとしてトレイ及び／又は充填物を有する蒸留塔であることを特徴とする請求項１ないし５のうち何れいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
該連続多段蒸留塔Ｔ０が、該インターナルとしてトレイを有する棚段式蒸留塔であることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
該連続多段蒸留塔Ｔ０の該トレイが、多孔板部とダウンカマー部を有する多孔板トレイであることを特徴とする請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
該連続多段蒸留塔Ｔ０の該多孔板トレイが、該多孔板部の面積１ｍ２あたり１００〜１０００個の孔を有するものであることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
該連続多段蒸留塔Ｔ０の該多孔板トレイの孔１個あたりの断面積が、０．５〜５ｃｍ２であることを特徴とする請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
該連続多段蒸留塔Ｔ０の該多孔板トレイの開口比が、１．５〜１５％の範囲であることを特徴とする請求項８ないし１０のうち何れか一項に記載の方法。
【請求項１２】
工程（ＩＩ）で用いられる該第１連続多段蒸留塔の該ｄ１１と該ｄ１２が、
１  ≦  ｄ１２／ｄ１１  ≦  ５                    式（２９）
１  ≦  ｄ２１／ｄ２２  ≦  ６                    式（３０）
式（２９）を満足し、且つ該第２連続多段蒸留塔の該ｄ２１と該ｄ２２が式（３０）を満足することを特徴とする請求項１ないし１１のうち何れか一項に記載の方法。
【請求項１３】
工程（ＩＩ）で用いられる該第１連続多段蒸留塔のＬ１、Ｄ１、Ｌ１／Ｄ１、ｎ１、Ｄ１／ｄ１１、Ｄ１／ｄ１２  がそれぞれ、２０００≦Ｌ１≦６０００、  １５０≦Ｄ１≦１０００、  ３≦Ｌ１／Ｄ１≦３０、  ３０≦ｎ１≦１００、  ８≦Ｄ１／ｄ１１≦２５、  ５≦Ｄ１／ｄ１２≦１８であり、且つ
該第２連続多段蒸留塔のＬ２、Ｄ２、Ｌ２／Ｄ２、ｎ２、Ｄ２／ｄ２１、Ｄ２／ｄ２２  がそれぞれ、２０００≦Ｌ２≦６０００、  １５０≦Ｄ２≦１０００、  ３≦Ｌ２／Ｄ２≦３０、  １５≦ｎ２≦６０、  ２．５≦Ｄ２／ｄ２１≦１２、  ７≦Ｄ２／ｄ２２≦２５であることを特徴とする請求項１ないし１２のうち何れか一項に記載の方法。
【請求項１４】
該第１連続多段蒸留塔のＬ１、Ｄ１、Ｌ１／Ｄ１、ｎ１、Ｄ１／ｄ１１、Ｄ１／ｄ１２  がそれぞれ、２５００≦Ｌ１≦５０００、  ２００≦Ｄ１≦８００、  ５≦Ｌ１／Ｄ１≦１５、  ４０≦ｎ１≦９０、  １０≦Ｄ１／ｄ１１≦２５、  ７≦Ｄ１／ｄ１２≦１５であり、且つ、
該第２連続多段蒸留塔のＬ２、Ｄ２、Ｌ２／Ｄ２、ｎ２、Ｄ２／ｄ２１、Ｄ２／ｄ２２  がそれぞれ、２５００≦Ｌ２≦５０００、  ２００≦Ｄ２≦８００、  ５≦Ｌ２／Ｄ２≦１５、  ２０≦ｎ２≦５０、  ３≦Ｄ２／ｄ２１≦１０、  ９≦Ｄ２／ｄ２２≦２０であることを特徴とする請求項１ないし１３のうち何れか一項に記載の方法。
【請求項１５】
該第１連続多段蒸留塔及び該第２連続多段蒸留塔が、それぞれ該インターナルとしてトレイ及び／又は充填物を有する蒸留塔であることを特徴とする請求項１ないし１４のうち何れか一項に記載の方法。
【請求項１６】
該第１連続多段蒸留塔が、該インターナルとしてトレイを有する棚段式蒸留塔であり、該第２連続多段蒸留塔が、該インターナルとして充填物及びトレイの両方を有する蒸留塔であることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
該第１連続多段蒸留塔及び該第２連続多段蒸留塔の該トレイそれぞれが、多孔板部とダウンカマー部を有する多孔板トレイであることを特徴とする請求項１５又は１６に記載の方法。
【請求項１８】
該第１連続多段蒸留塔及び該第２連続多段蒸留塔の該多孔板トレイが、該多孔板部の面積１ｍ２あたり１００〜１０００個の孔を有するものであることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
該第１連続多段蒸留塔及び該第２連続多段蒸留塔の該多孔板トレイの孔１個あたりの断面積が０．５〜５ｃｍ２であることを特徴とする請求項１７又は１８に記載の方法。
【請求項２０】
該第２連続多段蒸留塔が、該インターナルとして充填物を上部に、トレイを下部に有する蒸留塔であることを特徴とする請求項１５又は１６に記載の方法。
【請求項２１】
該第２連続多段蒸留塔の該インターナルの該充填物が、１基または２基以上の規則充填物であることを特徴とする請求項１５ないし２０のうち何れか一項に記載の方法。
【請求項２２】
該第２連続多段蒸留塔の該規則充填物が、メラパック、ジェムパック、テクノパック、フレキシパック、スルザーパッキング、グッドロールパッキング、グリッチグリッドからなる群から選ばれた少なくとも一種であることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
該高沸点物質分離塔Ａ及び該ジフェニルカーボネート精製塔Ｂが、それぞれ該インターナルとしてトレイ及び／又は充填物を有する蒸留塔であることを特徴とする請求項１ないし２２のうち何れか一項に記載の方法。
【請求項２４】
該高沸点物質分離塔Ａ及び該ジフェニルカーボネート精製塔Ｂのインターナルが、それぞれ充填物であることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
該充填物が、メラパック、ジェムパック、テクノパック、フレキシパック、スルザーパッキング、グッドロールパッキング、グリッチグリッドからなる群から選ばれた少なくとも一種の規則充填物であることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
請求項１ないし２５のうち何れか一項に記載に方法によって、１時間あたり１トン以上製造された高純度ジフェニルカーボネート。
【請求項２７】
ハロゲン含有量が、０．１ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項２６に記載の高純度ジフェニルカーボネート。
【請求項２８】
ハロゲン含有量が、１ｐｐｂ以下であることを特徴とする請求項２６に記載の高純度ジフェニルカーボネート。
【請求項２９】
ジフェニルカーボネートより高沸点の副生物の含有量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項２６ないし２８のうち何れか一項に記載の高純度ジフェニルカーボネート。
【請求項３０】
ハロゲン含有量が１０ｐｐｂ以下で、且つ、ジフェニルカーボネートより高沸点の副生物であるサリチル酸フェニル、キサントン、メトキシ安息香酸フェニル、１−フェノキシカルボニル−２−フェノキシカルボキシ−フェニレンの含有量がそれぞれ、３０ｐｐｍ以下である請求項２９に記載の高純度ジフェニルカーボネート。
【請求項３１】
ジフェニルカーボネートより高沸点の副生物の含有量が５０ｐｐｍ以下である請求項３０に記載の高純度ジフェニルカーボネート。
【請求項３２】
ハロゲン含有量が１ｐｐｂ以下で、且つ、ジフェニルカーボネートより高沸点の副生物の含有量が、１０ｐｐｍ以下である請求項３１に記載の高純度ジフェニルカーボネート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高純度ジフェニルカーボネートの工業的製造法に関する。更に詳しくは、本発明は、環状カーボネートとフェノールから、高品質・高性能の芳香族ポリカーボネート製造のために必要な高純度ジフェニルカーボネートを、工業的規模で長期間安定的に製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エステル交換反応による芳香族ポリカーボネートを工業的規模で製造するためには、高純度ジフェニルカーボネートを工業的規模で大量に入手することが必要である。芳香族ジヒドロキシ化合物、例えば、高純度ビスフェノールＡは、工業的に大量に製造されており、これを入手することは容易であるが、高純度ジフェニルカーボネートを工業的規模で大量に入手することは、不可能である。従って、これを製造する必要がある。【０００３】
ジフェニルカーボネートの製法としては、フェノールとホスゲンとの反応による方法が古くから知られており、最近も種々検討されている。しかしながら、この方法はホスゲン使用の問題に加え、この方法によって製造されたジフェニルカーボネートには分離が困難な塩素系不純物が存在しており、そのままでは芳香族ポリカーボネートの原料として用いることはできない。なぜならば、この塩素系不純物は、極微量の塩基性触媒の存在下で行うエステル交換法芳香族ポリカーボネートの重合反応を著しく阻害し、たとえば、１ｐｐｍでもこのような塩素系不純物が存在すると殆ど重合を進行させることができない。そのため、エステル交換法芳香族ポリカーボネートの原料とするには、希アルカリ水溶液と温水による十分な洗浄と油水分離、蒸留などの多段階の面倒な分離・精製工程が必要であり、さらにこのような分離・精製工程での加水分解ロスや蒸留ロスのため収率が低下するなど、この方法を経済的に見合った工業的規模で実施するには多くの課題がある。【０００４】
一方、ジアルキルカーボネートと芳香族モノヒドロキシ化合物とのエステル交換反応による芳香族カーボネートの製造方法も知られている。しかしながら、これらのエステル交換反応は全て平衡反応であって、しかもその平衡が原系に極端に偏っていることに加えて反応速度が遅いことから、この方法によって芳香族カーボネート類を工業的に大量に製造するのは多大な困難を伴っていた。【０００５】
これを改良するためにいくつかの提案がなされているが、その大部分は、反応速度を高めるための触媒開発に関するものである。このタイプのエステル交換反応用触媒として数多くの金属化合物が提案されている。しかしながら、触媒開発だけでは、不利な平衡の問題を解決できないので、大量生産を目的とする工業的製造法にするためには、反応方式の検討を含め、非常に多くの検討課題がある。【０００６】
一方、反応方式を工夫することによって平衡をできるだけ生成系側にずらし、芳香族カーボネート類の収率を向上させる試みもなされている。例えば、ジメチルカーボネートとフェノールの反応において、副生してくるメタノールを共沸形成剤とともに共沸によって留去する方法（特許文献１）、副生してくるメタノールをモレキュラーシーブで吸着させて除去する方法（特許文献２）が提案されている。また、反応器の上部に蒸留塔を設けた装置によって、反応で副生してくるアルコール類を反応混合物から分離させながら同時に蒸発してくる未反応原料との蒸留分離を行う方法も提案されている（特許文献３）。【０００７】
しかしながら、これらの反応方式は基本的にはバッチ方式か、切り替え方式である。触媒開発による反応速度の改良もこれらのエステル交換反応に対しては限度があり、反応速度が遅いことから、連続方式よりもバッチ方式の方が好ましいと考えられていたからである。これらのなかには、連続方式として蒸留塔を反応器の上部に備えた連続攪拌槽型反応器（ＣＳＴＲ）方式も提案されているが、反応速度が遅いことや反応器の気液界面が液容量に対して小さいことから反応率を高くできないなどの問題がある。従って、これらの方法で芳香族カーボネートを連続的に大量に、長期間安定的に製造するという目的を達成することは困難であり、経済的に見合う工業的実施にいたるには、なお多くの解決すべき課題が残されている。【０００８】
本発明者等は、ジアルキルカーボネートと芳香族ヒドロキシ化合物を連続的に多段蒸留塔に供給し、触媒を存在させた該塔内で連続的に反応させ、副生するアルコールを含む低沸点成分を蒸留によって連続的に抜き出すと共に、生成したアルキルアリールカーボネートを含む成分を塔下部より抜き出す反応蒸留法（特許文献４）、アルキルアリールカーボネートを連続的に多段蒸留塔に供給し、触媒を存在させた該塔内で連続的に反応させ、副生するジアルキルカーボネートを含む低沸成分を蒸留によって連続的に抜き出すと共に、生成したジアリールカーボネートを含む成分を塔下部より抜き出す反応蒸留法（特許文献５）、これらの反応を２基の連続多段蒸留塔を用いて行い、副生するジアルキルカーボネートを効率的にリサイクルさせながらジアリールカーボネートを連続的に製造する反応蒸留法（特許文献６）、ジアルキルカーボネートと芳香族ヒドロキシ化合物等を連続的に多段蒸留塔に供給し、塔内を流下する液を蒸留塔の途中段及び／又は最下段に設けられたサイド抜き出し口より抜き出し、蒸留塔の外部に設けられた反応器へ導入して反応させた後に、該抜き出し口のある段よりも上部の段に設けられた循環用導入口へ導入することによって、該反応器内と該蒸留塔内の両方で反応を行う反応蒸留法（特許文献７）等、これらのエステル交換反応を連続多段蒸留塔内で反応と蒸留分離とを同時に行う反応蒸留法を開発し、これらのエステル交換反応に対して反応蒸留方式が有用であることを世界で初めて開示した。【０００９】
本発明者等が提案したこれらの反応蒸留法は、芳香族カーボネート類を効率よく、かつ連続的に製造することを可能とする初めてのものであり、その後これらの開示に基づいて、２基の連続多段蒸留塔を用いてジアルキルカーボネートからジアリールカーボネートを製造する方法が提案されている（特許文献８〜１４）。【００１０】
さらに、本出願人は、反応蒸留方式において、多量の触媒を必要とせずに高純度芳香族カーボネートを長時間、安定に製造できる方法として、触媒成分を含む高沸点物質を作用物質と反応させた上で分離し、触媒成分をリサイクルする方法（特許文献１５）や、反応系内の多価芳香族ヒドロキシ化合物を触媒金属に対して重量比で２．０以下に保ちながら行う方法（特許文献１６）を提案した。本発明者等はさらに、重合工程で副生するフェノールの７０〜９９質量％を原料として用いて、反応蒸留法でジフェニルカーボネートを製造しこれを芳香族ポリカーボネートの重合原料とする方法をも提案した（特許文献１７）。【００１１】
しかしながら、これら反応蒸留法による芳香族カーボネート類の製造を提案する全ての先行文献には、工業的規模の大量生産（例えば、１時間あたり１トン）を可能とする具体的な方法や装置の開示は全くなく、またそれらを示唆する記述もない。例えば、ジメチルカーボネートとフェノールから主としてジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）を製造するために開示された２基の反応蒸留塔の高さ（Ｈ１及びＨ２：ｃｍ）、直径（Ｄ１及びＤ２：ｃｍ）、段数（ｎ１及びｎ２）と反応原料液導入量（Ｑ１及びＱ２：ｋｇ／ｈｒ）に関する記述は、表１のとおりである。【００１２】
【表１】
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【００１３】
すなわち、この反応を反応蒸留方式で実施するにあたり用いられた２基の連続多段蒸留塔の最大のものは、本出願人が特許文献１５、１６において開示したものである。このように、この反応用に開示されている連続多段蒸留塔における各条件の最大値は、Ｈ１＝１２００ｃｍ、Ｈ２＝６００ｃｍ、Ｄ１＝２０ｃｍ、Ｄ２＝２５ｃｍ、ｎ１＝ｎ２＝５０（この条件のみ特許文献１０）、Ｑ１＝８６ｋｇ／ｈｒ、Ｑ２＝３１ｋｇ／ｈｒであり、ジフェニルカーボネートの生産量は約６．７ｋｇ／ｈｒに過ぎず、工業的規模の生産量ではなかった。【００１４】
本発明の工程（ＩＩ）で用いられるジアルキルカーボネートは、工業的規模で製造される必要があり、さらにハロゲンを含有しないことが必要である。芳香族ポリカーボネート原料として、ジアルキルカーボネートが工業的に大量に製造されている唯一の方法は、メタノールを一酸化炭素と酸素と反応させて、ジメチルカーボネートと水を製造する酸化的カルボニル化法によるものである。しかしながら、この酸化的カルボニル化法（特許文献１８）は、大量のＣｕＣｌ−ＨＣｌを触媒として用いるスラリー状態で反応させる必要があり、反応系及び分離・精製系が、非常に腐食性が高いことが問題である。しかも、この方法では一酸化炭素が二酸化炭素に酸化されやすいので、一酸化炭素基準の選択率が８０％程度と低いことも問題である。【００１５】
一方、環状カーボネートと脂肪族１価アルコール類の反応から、ジアルキルカーボネートとジオール類を製造する方法が、いくつかの提案されている。この反応では、ハロゲンを使用せずにジアルキルカーボネートが製造できるので、好ましい方法である。その反応方式として、４つの方式が提案されている。これら４つの反応方式は、最も代表的な反応例であるエチレンカーボネートとメタノールからのジメチルカーボネートとエチレングリコールの製造方法において用いられており、これらは、（１）完全なバッチ反応方式、（２）蒸留塔を上部に設けた反応釜を用いるバッチ反応方式、（３）管式リアクターを用いる液状流通反応方式、（４）本発明者等が初めて開示した反応蒸留方式（特許文献１９〜２７）である。しかしながら、これらの方式では、それぞれ、以下に述べるような問題点があった。【００１６】
すなわち、（１）、（３）の場合には、環状カーボネートの反応率の上限は仕込み組成と温度から決まるため、反応を完全に終結させることはできず、反応率が低い。また、（２）の場合には環状カーボネートの反応率を高めるためには、生成するジアルキルカーボネートを、極めて大量の脂肪族１価アルコールを使用して留去しなければならず、長い反応時間を必要とする。（４）の場合には、（１）、（２）、（３）と比較して、高い反応率で反応を進行させることが可能である。しかしながら、これまで提案されている（４）の方法は、少量のジアルキルカーボネートとジオール類を製造する方法であるか、短期間の製造方法に関するものであり、工業的規模での長期間安定製造に関するものではなかった。すなわち、ジアルキルカーボネートを連続的に大量（例えば、１時間あたり２トン以上）に、長期間（例えば１０００時間以上、好ましくは３０００時間以上、より好ましくは５０００時間以上）安定的に製造するという目的を達成するものではなかった。
例えば、エチレンカーボネートとメタノールからジメチルカーボネート（ＤＭＣ）とエチレングリコール（ＥＧ）を製造するために開示されている実施例における反応蒸留塔の高さ（Ｈ：ｃｍ）、直径（Ｄ：ｃｍ）、段数（ｎ）、ジメチルカーボネートの生産量Ｐ（ｋｇ／ｈｒ）、連続製造時間Ｔ（ｈｒ）に関する最大値を示す記述は、表２のとおりである。【００１７】
【表２】
2007072705.tif 000004
【００１８】
なお、特許文献２６（第００６０段落）には、「本実施例は上記の図１に示した好ましい態様と同様のプロセスフローを採用し、エチレンカーボネートとメタノールの接触転化反応によりエステル交換させてジメチルカーボネート及びエチレングリコールを製造する商業的規模装置の操業を目的になされたものである。なお、本実施例で下記する数値は実装置の操作にも十分適用可能である。」と記載され、その実施例として、３７５０ｋｇ／ｈｒのジメチルカーボネートを具体的に製造したとの記載がなされている。実施例に記載のこの規模は年産３万トン以上に相当するので、特許文献２６の出願当時（２００２年４月９日）としては、この方法による世界一の大規模商業プラントの操業が実施されたことになる。しかしながら、本願出願時においてさえ、このような事実は全くない。また、特許文献２６の実施例では、ジメチルカーボネートの生産量は理論計算値と全く同一の値が記載されているが、エチレングリコールの収率は約８５．６％で、選択率は約８８．４％であり、高収率・高選択率を達成しているとはいい難い。特に選択率が低いことは、この方法が工業的製造法として、致命的な欠点を有していることを表している。なお、特許文献２６は、２００５年７月２６日、未審査請求によるみなし取下処分がなされている。【００１９】
反応蒸留法は、蒸留塔内での反応による組成変化と蒸留による組成変化と、塔内の温度変化と圧力変化等の変動要因が非常に多く、長期間の安定運転の継続させることは困難を伴うことが多く、特に大量を扱う場合にはその困難性はさらに増大する。反応蒸留法によるジアルキルカーボネートとジオール類を高収率・高選択率を維持しつつ、それらの大量生産を長期間安定的に継続させるためには、反応蒸留装置に工夫をすることが必要である。しかしながら、これまでに提案されている反応蒸留法における、長期間の連続安定製造に関する記述は、特許文献１９の４００時間のみであった。【００２０】
一方、ジアルキルカーボネートとフェノールを原料とするエステル交換反応等で製造されたジフェニルカーボネートを含む反応混合物からジフェニルカーボネートを分離・精製する方法として、晶析法、蒸留法等が提案されている。蒸留法としても３つの方式が提案されている。【００２１】
１つの方式として、蒸留塔の塔頂成分としてジフェニルカーボネートを得る方法であり、例えば、
（１）触媒を含む反応混合物をそのままバッチ方式の蒸留塔で蒸留し、塔頂成分としてジフェニルカーボネートを得る方法（特許文献１の実施例、特許文献２８の実施例２）、
（２）触媒を含む反応混合物を蒸発缶等でフラッシュ蒸留し、低沸点物質と大部分の触媒を含む高沸点物質とに分離した後、該低沸点物質を原料回収用の蒸留塔で蒸留し、塔底物質として触媒を含むジフェニルカーボネートを得、これを精製塔で蒸留することによって、ジフェニルカーボネートを塔頂成分として得る方法（特許文献３２、３３）、
（３）触媒を含む反応混合物を蒸留塔（及び蒸発缶）で蒸留し、低沸点物質と大部分の触媒を含む高沸点物質とに分離した後、該低沸点物質を軽沸分離塔、メチルフェニルカーボネート分離塔、ジフェニルカーボネート分離塔の３塔からなる蒸留装置により順次連続蒸留を行い、ジフェニルカーボネートを塔頂成分として得る方法（特許文献２９）等がある。【００２２】
別の方式として、蒸留塔の塔底成分としてジフェニルカーボネートを得る方法であり、例えば、
（４）触媒を含む反応混合物を蒸留塔で蒸留し、低沸点物質と大部分の触媒を含む高沸点物質とに分離した後、該低沸点物質をさらに別の蒸留塔で蒸留し、該蒸留塔の塔底成分としてジフェニルカーボネートを得る方法（特許文献１４、３０）等がある。【００２３】
さらに別の方式として、蒸留塔のサイドカット成分としてジフェニルカーボネートを得る方法であり、例えば、
（５）触媒を含む反応混合物をそのまま第３番目の反応蒸留塔に導入し、さらに反応と蒸留を行い、該反応蒸留塔のサイドカット成分としてジフェニルカーボネートを得る方法（特許文献８、９）、
（６）触媒を含む反応混合物を蒸発缶等でフラッシュ蒸留し、低沸点物質と大部分の触媒を含む高沸点物質とに分離した後、該低沸点物質を蒸留塔に導入し、蒸留を行い、該蒸留塔のサイドカット成分としてジフェニルカーボネートを得る方法（特許文献１６、１７、３４）、
（７）触媒を含む反応混合物を第１精製塔で蒸留し、低沸点物質と触媒を含む高沸点物質とに分離した後、該低沸点物質を第２精製塔に導入し、蒸留を行い、該第２精製塔のサイドカット成分としてジフェニルカーボネートを得る方法（特許文献３５）、
（８）サリチル酸フェニルを含むジフェニルカーボネートを理論段数５〜１５の蒸留塔に導入し、塔底温度１５０℃以上で蒸留し、該蒸留塔のサイドカット成分としてジフェニルカーボネートを得る方法（特許文献３１）等がある。【００２４】
しかしながら、これらの蒸留法によるジフェニルカーボネートの分離・精製法においても種々の課題が残されていることが判明した。すなわち、
（１）の特許文献１の方法で得られるジフェニルカーボネートは純度が低く、またバッチ方式であるので工業的に大量生産するには不適である。
（２）の特許文献３２の方法はバッチ方式であり、特許文献３３の方法で得られるジフェニルカーボネート中には１ｐｐｍ以下とはいえチタン触媒が存在しており、着色の無い高純度のポリカーボネートを製造する原料としては不適である。
（３）の特許文献２９の方法では、ジフェニルカーボネートが軽沸分離塔、メチルフェニルカーボネート分離塔の２基の蒸留塔の塔底部で高温に加熱された後にジフェニルカーボネート分離塔分離塔で高温に曝されるので、ジフェニルカーボネートの変性がおこり、純度の低下と収率の低下をもたらす。
（４）の特許文献１４、３０の塔底部からジフェニルカーボネートを得る方法では、純度が低く目的とするポリカーボネートを製造することはできないので不適である。
（５）の特許文献８、９の方法では、第２反応蒸留塔の底部から触媒や未反応原料や不純物等全てを含む反応混合物が第３反応蒸留塔の上部から導入されており、この塔のサイドからジフェニルカーボネートが抜出されているので触媒や不純物や原料などの蒸気やミストがエントレインされ得られるジフェニルカーボネートの純度は低い。
（６）の方法はジフェニルカーボネートの生産量が６．７ｋｇ／ｈｒ（特許文献１６、実施例３）、３．９ｋｇ／ｈｒ（特許文献１７、実施例１）であり、工業的規模ではない。（７）の方法は好ましい方法であるが、ジフェニルカーボネートの生産量が２ｋｇ／ｈｒ（特許文献３５の実施例８）と少量であって工業的規模ではない。また、第１精製塔の塔頂圧力が２００Ｐａと高真空で実施されているので、工業的に実施しようとすれば高真空を保持できる非常に大きな蒸留塔が必要となり、困難である。
（８）の方法では３０００ｐｐｍのサリチル酸フェニルの含有量を５０ｐｐｍ（特許文献３１の実施例２）まで低下させるとの記載はあるもののそれ以外の不純物についてはまったく記載がない。例えば、この実施例はホスゲン法によって製造され、必ず塩素系不純物を含むジフェニルカーボネートの精製法であるにもかかわらず、塩素系不純物（数１０ｐｐｂの極微量でポリカーボネートの重合および物性に悪影響）に関する記載は全くない。なお、この方法ではこれらの塩素系不純物を分離することは不十分でありポリカーボネート用原料として使用することはできない。このことは、特許文献３１より１年以上も後に出願された特許文献３５の精製方法（アルカリ熱水２回洗浄後、熱水洗浄。次いで蒸留で脱水したジフェニルカーボネートを、固体アルカリ充填カラムを通した後、多段蒸留塔で減圧蒸留）の比較例１（アルカリカラム不使用）に記載のとおりである。【００２５】
さらに、特許文献３１では、蒸留で得られたジフェニルカーボネートの純度評価法として、ビスフェノールＡと反応させ、フェノールが留出し始める温度と時間が示されているが、このテスト方法では重合に適したジフェニルカーボネートの評価はできない。なぜならば、必要な重合度のポリカーボネートを製造できない純度の低いジフェニルカーボネートでも、初期のフェノールを脱離する反応は十分に起こるからである。また、この評価方法では、ビスフェノールＡに対して２．３ｐｐｍもの大量のＮａＯＨを触媒に用いているので、例えば１ｐｐｍの塩素系不純物を含むジフェニルカーボネートであっても高純度であってポリカーボネートの原料として適しているとの誤った評価をすることになる。先述のとおり、１ｐｐｍの塩素系不純物を含むジフェニルカーボネートはポリカーボネートの原料としては全く使用することはできない。通常の重合では、このように大量のアルカリ触媒は使わないのであるから、この評価方法はポリカーボネート用のジフェニルカーボネートの純度評価として不適である。また、特許文献３１には、エステル交換法で得られたジフェニルカーボネートの精製についての具体的な記述は全くない。ホスゲン法で得られたジフェニルカーボネートとエステル交換法で得られたジフェニルカーボネートは、不純物の種類や含有量は異なるから、同じ精製法で同じ純度のジフェニルカーボネートが得られるということはできないのである。すなわち、特許文献３１の方法による精製法では、ポリカーボネートの原料としての必要な純度を有するジフェニルカーボネートを得ているとは到底いえないのである。また、特許文献３１に開示されているジフェニルカーボネートの精製量は、０．５７ｋｇ／ｈｒであり、工業的規模ではない。【００２６】
均一系触媒の存在下、ジアルキルカーボネートとフェノールとを原料とするエステル交換反応で得られる反応混合物中には、通常種々の反応副生物が含まれているが、特に目的とするジフェニルカーボネートよりも沸点の高い、サリチル酸フェニル、キサントン、メトキシ安息香酸フェニル、１−フェノキシカルボニル−２−フェノキシカルボキシ−フェニレン等の高沸点副生物を十分なレベル以下まで低減させていないジフェニルカーボネートをエステル交換法ポリカーボネートの原料として用いれば、着色や物性低下の原因となる。従って、これらの不純物はできるだけ低減させることが好ましい。しかしながら、これらの高沸点副生物は、その分離が困難なこともあり、これまでに提案されている方法では、これらの高沸点副生物を十分なレベル以下まで低減させることができなかった。特に生産量が１トン／ｈｒ以上の工業的規模で、高品質・高性能ポリカーボネートの原料として必要な高純度ジフェニルカーボネートを製造する方法は全く提案されていなかった。【００２７】
【特許文献１】特開昭５４−４８７３２号公報（西独特許公開公報第７３６０６３号明細書、米国特許第４２５２７３７号明細書）
【特許文献２】特開昭５８−１８５５３６号公報（米国特許第４１０４６４号明細書）
【特許文献３】特開昭５６−１２３９４８号公報（米国特許第４１８２７２６号明細書）
【特許文献４】特開平３−２９１２５７号公報
【特許文献５】特開平４−９３５８号公報
【特許文献６】特開平４−２１１０３８号公報（ＷＯ  ９１／０９８３２号公報、欧州特許０４６１２７４号明細書、米国特許第５２１０２６８号明細書）
【特許文献７】特開平４−２３５９５１号公報
【特許文献８】特開平６−１５７４２４号公報（欧州特許０５８２９３１号明細書、米国特許第５３３４７４２号明細書）
【特許文献９】特開平６−１８４０５８号公報（欧州特許０５８２９３０号明細書、米国特許第５３４４９５４号明細書）
【特許文献１０】特開平９−４０６１６号公報
【特許文献１１】特開平９−５９２２５号公報
【特許文献１２】特開平９−１７６０９４号公報
【特許文献１３】ＷＯ  ００／１８７２０公報（米国特許第６０９３８４２号明細書）
【特許文献１４】特開２００１−６４２３５号公報
【特許文献１５】ＷＯ  ９７／１１０４９公報（欧州特許０８５５３８４号明細書、米国特許第５８７２２７５号明細書）
【特許文献１６】特開平１１−９２４２９号公報（欧州特許１０１６６４８号明細書、米国特許第６２６２２１０号明細書）
【特許文献１７】特開平９−２５５７７２号公報（欧州特許０８９２００１号明細書、米国特許第５７４７６０９号明細書）
【特許文献１８】ＷＯ  ０３／０１６２５７号公報
【特許文献１９】特開平４−１９８１４１号公報
【特許文献２０】特開平９−１９４４３５号公報
【特許文献２１】ＷＯ９９／６４３８２号公報（欧州特許第１０８６９４０号明細書、米国特許第６３４６６３８号明細書）
【特許文献２２】ＷＯ００／５１９５４号公報（欧州特許第１１７４４０６号明細書、米国特許第６４７９６８９号明細書）
【特許文献２３】特開平５−２１３８３０号公報（欧州特許第０５３０６１５号明細書、米国特許第５２３１２１２号明細書）
【特許文献２４】特開平６−９５０７号公報（欧州特許第０５６９８１２号明細書、米国特許第５３５９１１８号明細書）
【特許文献２５】特開２００３−１１９１６８号公報（ＷＯ０３／００６４１８号公報）
【特許文献２６】特開２００３−３００９３６号公報
【特許文献２７】特開２００３−３４２２０９号公報
【特許文献２８】特開平６−９５０６号公報（欧州特許０５６０１５９号明細書、米国特許第５２８２９６５号明細書）
【特許文献２９】特開平９−１１０８０５号公報
【特許文献３０】特開２００１−６４２３４号公報
【特許文献３１】特開平９−１９４４３７号公報（欧州特許０７８４０４８号明細書）
【特許文献３２】特開平４−１００８２４号公報、実施例１
【特許文献３３】特開平９−１６９７０４号公報
【特許文献３４】ＷＯ  ９２／１８４５８公報（米国特許第５４２６２０７号明細書）
【特許文献３５】特開平１１−４９７２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
本発明が解決しようとする課題は、環状カーボネートとフェノールから、高品質・高性能の芳香族ポリカーボネート製造のために必要な高純度ジフェニルカーボネートを、工業的に大量（例えば、１時間あたり１トン以上）に長期間（例えば、１０００時間以上、好ましくは３０００時間以上、より好ましくは５０００時間以上）、安定的に製造できる具体的な方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
本発明者等は、上記の課題を達成できる具体的な方法を見出すべき検討を重ねた結果、本発明に到達した。すなわち、本発明は、【００３０】
すなわち、本発明の第一の態様では、
１．  環状カーボネートとフェノールから高純度ジフェニルカーボネートを連続的に製造する方法であって、
（Ｉ）環状カーボネートと脂肪族１価アルコールとを触媒が存在する連続多段蒸留塔Ｔ０内に連続的に供給し、該塔内で反応と蒸留を同時に行い、生成するジアルキルカーボネートを含む低沸点反応混合物を塔上部よりガス状で連続的に抜出し、ジオール類を含む高沸点反応混合物を塔下部より液状で連続的に抜出す反応蒸留方式によって、ジアルキルカーボネートとジオール類を連続的に製造する工程（Ｉ）と、
（ＩＩ）該ジアルキルカーボネートとフェノールとを原料とし、この原料を均一系触媒が存在する第１連続多段蒸留塔内に連続的に供給し、該第１塔内で反応と蒸留を同時に行い、生成するアルコール類を含む第１塔低沸点反応混合物を該第１塔上部よりガス状で連続的に抜出し、生成するアルキルフェニルカーボネート類を含む第１塔高沸点反応混合物を該第１塔下部より液状で連続的に抜出し、該第１塔高沸点反応混合物を触媒が存在する第２連続多段蒸留塔内に連続的に供給し、該第２塔内で反応と蒸留を同時に行い、生成するジアルキルカーボネート類を含む第２塔低沸点反応混合物を該第２塔上部よりガス状で連続的に抜出し、生成するジフェニルカーボネート類を含む第２塔高沸点反応混合物を該第２塔下部より液状で連続的に抜出し、一方、ジアルキルカーボネート類を含む第２塔低沸点反応混合物を第１連続多段蒸留塔内に連続的に供給することによって、ジフェニルカーボネートを連続的に製造する工程（ＩＩ）と、
（ＩＩＩ）該ジフェニルカーボネートを含む第２塔高沸点反応混合物を高沸点物質分離塔Ａに連続的に導入し、ジフェニルカーボネートを含む塔頂成分（ＡＴ）と触媒を含む塔底成分（ＡＢ）に連続的に蒸留分離し、次いで該塔頂成分（ＡＴ）を、サイドカット抜き出し口を有するジフェニルカーボネート精製塔Ｂに連続的に導入し、塔頂成分（ＢＴ）、サイドカット成分（ＢＳ）、塔底成分（ＢＢ）の３つの成分に連続的に蒸留分離することによって、サイドカット成分として高純度ジフェニルカーボネートを取得する精製工程（ＩＩＩ）と、を含み、
（ａ）該連続多段蒸留塔Ｔ０が、長さＬ０（ｃｍ）、内径Ｄ０（ｃｍ）の円筒形の胴部を有し、内部に段数ｎ０をもつインターナルを有する構造をしており、塔頂部又はそれに近い塔の上部に内径ｄ０１（ｃｍ）のガス抜出し口、塔底部又はそれに近い塔の下部に内径ｄ０２（ｃｍ）の液抜出し口、該ガス抜出し口より下部であって塔の上部及び／又は中間部に１つ以上の第１の導入口、該液抜出し口より上部であって塔の中間部及び／又は下部に１つ以上の第２の導入口を有するものであって、Ｌ０、Ｄ０、Ｌ０／Ｄ０、ｎ０、Ｄ０／ｄ０１、Ｄ０／ｄ０２  が、それぞれ式（１）〜（６）を満足するものであり、
２１００  ≦  Ｌ０  ≦  ８０００                  式（１）
１８０  ≦  Ｄ０  ≦  ２０００                  式（２）
４  ≦  Ｌ０／Ｄ０  ≦  ４０                式（３）
１０  ≦  ｎ０  ≦    １２０                  式（４）
３  ≦  Ｄ０／ｄ０１  ≦  ２０                式（５）
５  ≦  Ｄ０／ｄ０２  ≦  ３０                式（６）
（ｂ）該第１連続多段蒸留塔が、長さＬ１（ｃｍ）、内径Ｄ１（ｃｍ）の円筒形の胴部を有し、内部に段数ｎ１をもつインターナルを有する構造をしており、塔頂部又はそれに近い塔の上部に内径ｄ１１（ｃｍ）のガス抜出し口、塔底部又はそれに近い塔の下部に内径ｄ１２（ｃｍ）の液抜出し口、該ガス抜出し口より下部であって塔の上部及び／又は中間部に１つ以上の第３の導入口、該液抜出し口より上部であって塔の中間部及び／又は下部に１つ以上の第４の導入口を有するものであって、Ｌ１、Ｄ１、Ｌ１／Ｄ１、ｎ１、Ｄ１／ｄ１１、Ｄ１／ｄ１２  が、それぞれ式（７）〜（１２）を満足するものであり、
１５００  ≦  Ｌ１  ≦  ８０００                  式（７）
１００  ≦  Ｄ１  ≦  ２０００                  式（８）
２  ≦  Ｌ１／Ｄ１  ≦  ４０                 式（９）
２０  ≦  ｎ１  ≦    １２０                  式（１０）
５  ≦  Ｄ１／ｄ１１  ≦  ３０                式（１１）
３  ≦  Ｄ１／ｄ１２  ≦  ２０                式（１２）
（ｃ）該第２連続多段蒸留塔が、長さＬ２（ｃｍ）、内径Ｄ２（ｃｍ）の円筒形の胴部を有し、内部に段数ｎ２をもつインターナルを有する構造をしており、塔頂部またはそれに近い塔の上部に内径ｄ２１（ｃｍ）のガス抜出し口、塔底部又はそれに近い塔の下部に内径ｄ２２（ｃｍ）の液抜出し口、該ガス抜出し口より下部であって塔の上部及び／又は中間部に１つ以上の第５の導入口、該液抜出し口より上部であって塔の中間部及び／又は下部に１つ以上の第６の導入口を有するものであって、Ｌ２、Ｄ２、Ｌ２／Ｄ２、ｎ２、Ｄ２／ｄ２１、Ｄ２／ｄ２２  が、それぞれ式（１３）〜（１８）を満足するものであり、
１５００  ≦  Ｌ２  ≦  ８０００                  式（１３）
１００  ≦  Ｄ２  ≦  ２０００                  式（１４）
２  ≦  Ｌ２／Ｄ２  ≦  ４０                 式（１５）
１０  ≦  ｎ２  ≦  ８０                      式（１６）
２  ≦  Ｄ２／ｄ２１  ≦  1５                式（１７）
５  ≦  Ｄ２／ｄ２２  ≦  ３０                式（１８）
（ｄ）該高沸点物質分離塔Ａが、下記式（１９）〜（２１）を満足する、長さＬＡ（ｃｍ）、内径ＤＡ（ｃｍ）で、内部に段数ｎＡのインターナルを有する連続多段蒸留塔であり、
８００  ≦  ＬＡ  ≦  ３０００                  式（１９）
１００  ≦  ＤＡ  ≦  １０００                  式（２０）
２０  ≦  ｎＡ  ≦    １００                  式（２１）
（ｅ）該ジフェニルカーボネート精製塔Ｂが、下記式（２２）〜（２７）を満足する、長さＬＢ（ｃｍ）、内径ＤＢ（ｃｍ）で、内部にインターナルを有するものであって、塔の中間部に導入口Ｂ１、該導入口Ｂ１と塔底との間にサイドカット抜き出し口Ｂ２を有し、導入口Ｂ１から上部のインターナルの段数がｎＢ１、導入口Ｂ１とサイドカット抜き出し口Ｂ２との間のインターナルの段数がｎＢ２、サイドカット抜き出し口Ｂ２から下部のインターナルの段数がｎＢ３で、段数の合計（ｎＢ１+ｎＢ２+ｎＢ３）がｎＢである連続多段蒸留塔であり、
１０００  ≦  ＬＢ  ≦  ５０００                  式（２２）
１００  ≦  ＤＢ  ≦  １０００                  式（２３）
５  ≦  ｎＢ１  ≦    ２０                   式（２４）
１２  ≦  ｎＢ２  ≦    ４０                   式（２５）
３  ≦  ｎＢ３  ≦    １５                   式（２６）
２０  ≦  ｎＢ  ≦      ７０                  式（２７）
ことを特徴とする高純度ジフェニルカーボネートを工業的規模で製造する方法、
２．  製造される高純度ジフェニルカーボネートが１時間あたり１トン以上であることを特徴とする前項１に記載の方法、
３．  工程（Ｉ）で用いられる該連続多段蒸留塔Ｔ０の該ｄ０１と該ｄ０２が、
１  ≦  ｄ０１／ｄ０２  ≦  ５                  式（２８）
式（２８）を満足することを特徴とする前項１又は２に記載の方法、
４．  該連続多段蒸留塔Ｔ０のＬ０、Ｄ０、Ｌ０／Ｄ０、ｎ０、Ｄ０／ｄ０１、Ｄ０／ｄ０２  がそれぞれ、  ２３００≦Ｌ０≦６０００、  ２００≦Ｄ０≦１０００、  ５≦Ｌ０／Ｄ０≦３０、  ３０≦ｎ０≦１００、  ４≦Ｄ０／ｄ０１≦１５、  ７≦Ｄ０／ｄ０２≦２５であることを特徴とする前項１ないし３のうち何れいずれか一項に記載の方法、
５．  該連続多段蒸留塔Ｔ０のＬ０、Ｄ０、Ｌ０／Ｄ０、ｎ０、Ｄ０／ｄ０１、Ｄ０／ｄ０２  がそれぞれ、  ２５００≦Ｌ０≦５０００、  ２１０≦Ｄ０≦８００、  ７≦Ｌ０／Ｄ０≦２０、  ４０≦ｎ０≦９０、  ５≦Ｄ０／ｄ０１≦１３、  ９≦Ｄ０／ｄ０２≦２０であることを特徴とする前項１ないし４のうち何れいずれか一項に記載の方法、
６．  該連続多段蒸留塔Ｔ０が、該インターナルとしてトレイ及び／又は充填物を有する蒸留塔であることを特徴とする前項１ないし５のうち何れいずれか一項に記載の方法、
７．  該連続多段蒸留塔Ｔ０が、該インターナルとしてトレイを有する棚段式蒸留塔であることを特徴とする前項６に記載の方法、
８．  該連続多段蒸留塔Ｔ０の該トレイが、多孔板部とダウンカマー部を有する多孔板トレイであることを特徴とする前項６又は７に記載の方法、
９．  該連続多段蒸留塔Ｔ０の該多孔板トレイが、該多孔板部の面積１ｍ２あたり１００〜１０００個の孔を有するものであることを特徴とする前項８に記載の方法、
１０．  該連続多段蒸留塔Ｔ０の該多孔板トレイの孔１個あたりの断面積が、０．５〜５ｃｍ２であることを特徴とする前項８又は９に記載の方法、
１１．  該連続多段蒸留塔Ｔ０の該多孔板トレイの開口比が、１．５〜１５％の範囲であることを特徴とする前項８ないし１０のうち何れか一項に記載の方法、
１２．  工程（ＩＩ）で用いられる該第１連続多段蒸留塔の該ｄ１１と該ｄ１２が、
１  ≦  ｄ１２／ｄ１１  ≦  ５                    式（２９）
１  ≦  ｄ２１／ｄ２２  ≦  ６                    式（３０）
式（２９）を満足し、且つ該第２連続多段蒸留塔の該ｄ２１と該ｄ２２が式（３０）を満足することを特徴とする前項１ないし１１のうち何れか一項に記載の方法、
１３．  工程（ＩＩ）で用いられる該第１連続多段蒸留塔のＬ１、Ｄ１、Ｌ１／Ｄ１、ｎ１、Ｄ１／ｄ１１、Ｄ１／ｄ１２  がそれぞれ、２０００≦Ｌ１≦６０００、  １５０≦Ｄ１≦１０００、  ３≦Ｌ１／Ｄ１≦３０、  ３０≦ｎ１≦１００、  ８≦Ｄ１／ｄ１１≦２５、  ５≦Ｄ１／ｄ１２≦１８であり、且つ
該第２連続多段蒸留塔のＬ２、Ｄ２、Ｌ２／Ｄ２、ｎ２、Ｄ２／ｄ２１、Ｄ２／ｄ２２  がそれぞれ、２０００≦Ｌ２≦６０００、  １５０≦Ｄ２≦１０００、  ３≦Ｌ２／Ｄ２≦３０、  １５≦ｎ２≦６０、  ２．５≦Ｄ２／ｄ２１≦１２、  ７≦Ｄ２／ｄ２２≦２５であることを特徴とする前項１ないし１２のうち何れか一項に記載の方法、
１４．  該第１連続多段蒸留塔のＬ１、Ｄ１、Ｌ１／Ｄ１、ｎ１、Ｄ１／ｄ１１、Ｄ１／ｄ１２  がそれぞれ、２５００≦Ｌ１≦５０００、  ２００≦Ｄ１≦８００、  ５≦Ｌ１／Ｄ１≦１５、  ４０≦ｎ１≦９０、  １０≦Ｄ１／ｄ１１≦２５、  ７≦Ｄ１／ｄ１２≦１５であり、且つ、
該第２連続多段蒸留塔のＬ２、Ｄ２、Ｌ２／Ｄ２、ｎ２、Ｄ２／ｄ２１、Ｄ２／ｄ２２  がそれぞれ、２５００≦Ｌ２≦５０００、  ２００≦Ｄ２≦８００、  ５≦Ｌ２／Ｄ２≦１５、  ２０≦ｎ２≦５０、  ３≦Ｄ２／ｄ２１≦１０、  ９≦Ｄ２／ｄ２２≦２０であることを特徴とする前項１ないし１３のうち何れか一項に記載の方法、
１５．  該第１連続多段蒸留塔及び該第２連続多段蒸留塔が、それぞれ該インターナルとしてトレイ及び／又は充填物を有する蒸留塔であることを特徴とする前項１ないし１４のうち何れか一項に記載の方法、
１６．  該第１連続多段蒸留塔が、該インターナルとしてトレイを有する棚段式蒸留塔であり、該第２連続多段蒸留塔が、該インターナルとして充填物及びトレイの両方を有する蒸留塔であることを特徴とする前項１５に記載の方法、
１７．  該第１連続多段蒸留塔及び該第２連続多段蒸留塔の該トレイそれぞれが、多孔板部とダウンカマー部を有する多孔板トレイであることを特徴とする前項１５又は１６に記載の方法、
１８．  該第１連続多段蒸留塔及び該第２連続多段蒸留塔の該多孔板トレイが、該多孔板部の面積１ｍ２あたり１００〜１０００個の孔を有するものであることを特徴とする前項１７に記載の方法、
１９．  該第１連続多段蒸留塔及び該第２連続多段蒸留塔の該多孔板トレイの孔１個あたりの断面積が０．５〜５ｃｍ２であることを特徴とする前項１７又は１８に記載の方法、
２０．  該第２連続多段蒸留塔が、該インターナルとして充填物を上部に、トレイを下部に有する蒸留塔であることを特徴とする前項１５又は１６に記載の方法、
２１．  該第２連続多段蒸留塔の該インターナルの該充填物が、１基または２基以上の規則充填物であることを特徴とする前項１５ないし２０のうち何れか一項に記載の方法、
２２．  該第２連続多段蒸留塔の該規則充填物が、メラパック、ジェムパック、テクノパック、フレキシパック、スルザーパッキング、グッドロールパッキング、グリッチグリッドからなる群から選ばれた少なくとも一種であることを特徴とする前項２１に記載の方法、
２３．  該高沸点物質分離塔Ａ及び該ジフェニルカーボネート精製塔Ｂが、それぞれ該インターナルとしてトレイ及び／又は充填物を有する蒸留塔であることを特徴とする前項１ないし２２のうち何れか一項に記載の方法、
２４．  該高沸点物質分離塔Ａ及び該ジフェニルカーボネート精製塔Ｂのインターナルが、それぞれ充填物であることを特徴とする前項２３に記載の方法、
２５．  該充填物が、メラパック、ジェムパック、テクノパック、フレキシパック、スルザーパッキング、グッドロールパッキング、グリッチグリッドからなる群から選ばれた少なくとも一種の規則充填物であることを特徴とする前項２４に記載の方法、
を提供する。【００３１】
また、本発明に係る製造法の第二の態様では、２６．  前項１ないし２５のうち何れか一項に記載に方法によって、１時間あたり１トン以上製造された高純度ジフェニルカーボネート、
２７．  ハロゲン含有量が、０．１ｐｐｍ以下であることを特徴とする前項２６に記載の高純度ジフェニルカーボネート、
２８．  ハロゲン含有量が、１ｐｐｂ以下であることを特徴とする前項２６に記載の高純度ジフェニルカーボネート、
２９．  ジフェニルカーボネートより高沸点の副生物の含有量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする前項２６ないし２８のうち何れか一項に記載の高純度ジフェニルカーボネート、
３０．  ハロゲン含有量が１０ｐｐｂ以下で、且つ、ジフェニルカーボネートより高沸点の副生物であるサリチル酸フェニル、キサントン、メトキシ安息香酸フェニル、１−フェノキシカルボニル−２−フェノキシカルボキシ−フェニレンの含有量がそれぞれ、３０ｐｐｍ以下である前項２９に記載の高純度ジフェニルカーボネート、
３１．  ジフェニルカーボネートより高沸点の副生物の含有量が５０ｐｐｍ以下である前項３０に記載の高純度ジフェニルカーボネート、
３２．  ハロゲン含有量が１ｐｐｂ以下で、且つ、ジフェニルカーボネートより高沸点の副生物の含有量が、１０ｐｐｍ以下である前項３１に記載の高純度ジフェニルカーボネート、
を提供する。    
【発明の効果】
【００３２】
本発明の方法を実施することによって、環状カーボネートとフェノールから、高品質・高性能の芳香族ポリカーボネートを製造するために必要な高純度ジフェニルカーボネートが、１時間当り１トン以上、好ましくは２トン以上、さらに好ましくは３トン以上の工業的規模で製造できることが見出された。しかもハロゲン含有量が０．１ｐｐｍ以下であり、好ましくは１０ｐｐｂ以下であり、さらに好ましくは１ｐｐｂ以下であり、またジフェニルカーボネートより高沸点の不純物が１００ｐｐｍ以下であり、好ましくは５０ｐｐｍ以下であり、より好ましくは１０ｐｐｍ以下である高純度ジフェニルカーボーネートが、長期間、たとえば２０００時間以上、好ましくは３０００時間以上、さらに好ましくは５０００時間以上、安定的に製造できることも見出された。従って、本発明は高純度ジフェニルカーボネートの工業的製造方法として極めて優れた効果のある方法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明について具体的に説明する。
本発明では、先ず、環状カーボネートと脂肪族１価アルコール類とから、ジアルキルカーボネートとジオール類を工業的規模で連続的に製造する工程（Ｉ）が行われる。工程（Ｉ）の反応は、下記式で表わされる可逆的なエステル交換反応である。【００３４】
【化１】
2007072705.tif 000005
【００３５】
（上式中、Ｒ１は２価の基−（ＣＨ２）m−（ｍは２〜６の整数）を表わし、その１個以上の水素は炭素数１〜１０のアルキル基やアリール基によって置換されていてもよい。また、Ｒ２は炭素数１〜１２の１価の脂肪族基を表わし、その１個以上の水素は炭素数１〜１０のアルキル基やアリール基で置換されていてもよい。）【００３６】
このような環状カーボネートとしては、例えば、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のアルキレンカーボネート類や、１，３−ジオキサシクロヘキサ−２−オン、１，３−ジオキサシクロヘプタ−２−オンなどが好ましく用いられ、エチレンカーボネートおよびプロピレンカーボネートが入手の容易さなどの点から更に好ましく使用され、エチレンカーボネートが特に好ましく使用される。【００３７】
また、脂肪族１価アルコール類としては、生成するジオール類より沸点が低いものが用いられる。したがって、使用する環状カーボネートの種類によっても変わり得るが、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール（各異性体）、アリルアルコール、ブタノール（各異性体）、３−ブテン−１−オール、アミルアルコール（各異性体）、ヘキシルアルコール（各異性体）、ヘプチルアルコール（各異性体）、オクチルアルコール（各異性体）、ノニルアルコール（各異性体）、デシルアルコール（各異性体）、ウンデシルアルコール（各異性体）、ドデシルアルコール（各異性体）、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、シクロヘプタノール、シクロオクタノール、メチルシクロペンタノール（各異性体）、エチルシクロペンタノール（各異性体）、メチルシクロヘキサノール（各異性体）、エチルシクロヘキサノール（各異性体）、ジメチルシクロヘキサノール（各異性体）、ジエチルシクロヘキサノール（各異性体）、フェニルシクロヘキサノール（各異性体）、ベンジルアルコール、フェネチルアルコール（各異性体）、フェニルプロパノール（各異性体）などが挙げられ、さらにこれらの脂肪族１価アルコール類において、ハロゲン、低級アルコキシ基、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、アシロキシ基、ニトロ基等の置換基によって置換されていてもよい。【００３８】
このような脂肪族１価アルコール類の中で、好ましく用いられるのは炭素数１〜６のアルコール類であり、さらに好ましいのはメタノール、エタノール、プロパノール（各異性体）、ブタノール（各異性体）の炭素数１〜４のアルコール類である。環状カーボネートとしてエチレンカーボネートやプロピレンカーボネートを使用する場合に好ましいのはメタノール、エタノールであり、特に好ましいのはメタノールである。【００３９】
工程（Ｉ）の反応蒸留を行うにあたって、反応蒸留塔内に触媒を存在させる方法はどのような方法であってもよいが、例えば、反応条件下で反応液に溶解するような均一系触媒の場合、反応蒸留塔内に連続的に触媒を供給することにより、反応蒸留塔内の液相に触媒を存在させることもできるし、あるいは反応条件下で反応液に溶解しないような不均一系触媒の場合、反応蒸留塔内に固体触媒を配置することにより、反応系に触媒を存在させることもできるし、これらを併用した方法であってもよい。【００４０】
均一系触媒を反応蒸留塔内に連続的に供給する場合には、環状カーボネート及び／又は脂肪族１価アルコールと同時に供給してもよいし、原料とは異なる位置に供給してもよい。該蒸留塔内で実際に反応が進行するのは触媒供給位置から下の領域であることから、塔頂から原料供給位置の少し下部までの間の領域に該触媒を供給することが好ましい。そして該触媒が存在する段は５段以上あることが必要であり、好ましくは７段以上であり、さらに好ましくは１０段以上である。【００４１】
また、不均一系の固体触媒を用いる場合、該触媒の存在する段の段数が５段以上あることが必要であり、好ましくは７段以上であり、さらに好ましくは１０段以上である。蒸留塔の充填物としての効果をも併せ持つ固体触媒を用いることもできる。【００４２】
工程（Ｉ）において用いられる触媒としては、例えば、
リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等のアルカリ金属及びアルカリ土類金属類；
アルカリ金属及びアルカリ土類金属の水素化物、水酸化物、アルコキシド化物類、アリーロキシド化物類、アミド化物類等の塩基性化合物類；
アルカリ金属及びアルカリ土類金属の炭酸塩類、重炭酸塩類、有機酸塩類等の塩基性化合物類；
トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリヘキシルアミン、ベンジルジエチルアミン等の３級アミン類；
Ｎ−アルキルピロール、Ｎ−アルキルインドール、オキサゾール、Ｎ−アルキルイミダゾール、Ｎ−アルキルピラゾール、オキサジアゾール、ピリジン、アルキルピリジン、キノリン、アルキルキノリン、イソキノリン、アルキルイソキノリン、アクリジン、アルキルアクリジン、フェナントロリン、アルキルフェナントロリン、ピリミジン、アルキルピリミジン、ピラジン、アルキルピラジン、トリアジン、アルキルトリアジン等の含窒素複素芳香族化合物類；
ジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）、ジアザビシクロノネン（ＤＢＮ）等の環状アミジン類；
酸化タリウム、ハロゲン化タリウム、水酸化タリウム、炭酸タリウム、硝酸タリウム、硫酸タリウム、タリウムの有機酸塩類等のタリウム化合物類；
トリブチルメトキシ錫、トリブチルエトキシ錫、ジブチルジメトキシ錫、ジエチルジエトキシ錫、ジブチルジエトキシ錫、ジブチルフェノキシ錫、ジフェニルメトキシ錫、酢酸ジブチル錫、塩化トリブチル錫、２−エチルヘキサン酸錫等の錫化合物類；
ジメトキシ亜鉛、ジエトキシ亜鉛、エチレンジオキシ亜鉛、ジブトキシ亜鉛等の亜鉛化合物類；
アルミニウムトリメトキシド、アルミニウムトリイソプロポキシド、アルミニウムトリブトキシド等のアルミニウム化合物類；
テトラメトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトラブトキシチタン、ジクロロジメトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、酢酸チタン、チタンアセチルアセトナート等のチタン化合物類；
トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリブチルメチルホスホニウムハライド、トリオクチルブチルホスホニウムハライド、トリフェニルメチルホスホニウムハライド等のリン化合物類；
ハロゲン化ジルコニウム、ジルコニウムアセチルアセトナート、ジルコニウムアルコキシド、酢酸ジルコニウム等のジルコニウム化合物類；
鉛および鉛を含む化合物類、例えば、ＰｂＯ、ＰｂＯ２、Ｐｂ３Ｏ４などの酸化鉛類；
ＰｂＳ、Ｐｂ２Ｓ３、ＰｂＳ２などの硫化鉛類；
Ｐｂ（ＯＨ）２、Ｐｂ３Ｏ２（ＯＨ）２、Ｐｂ２［ＰｂＯ２（ＯＨ）２］、Ｐｂ２Ｏ（ＯＨ）２などの水酸化鉛類；
Ｎａ２ＰｂＯ２、Ｋ２ＰｂＯ２、ＮａＨＰｂＯ２、ＫＨＰｂＯ２などの亜ナマリ酸塩類；
Ｎａ２ＰｂＯ３、Ｎａ２Ｈ２ＰｂＯ4、Ｋ２ＰｂＯ３、Ｋ２［Ｐｂ（ＯＨ）６］、Ｋ４ＰｂＯ４、Ｃａ２ＰｂＯ４、ＣａＰｂＯ３などの鉛酸塩類；
ＰｂＣＯ３、２ＰｂＣＯ３・Ｐｂ（ＯＨ）２などの鉛の炭酸塩およびその塩基性塩類；
Ｐｂ（ＯＣＨ３）２、（ＣＨ３Ｏ）Ｐｂ（ＯＰｈ）、Ｐｂ（ＯＰｈ）２などのアルコキシ鉛類、アリールオキシ鉛類；
Ｐｂ（ＯＣＯＣＨ３）２、Ｐｂ（ＯＣＯＣＨ３）４、Ｐｂ（ＯＣＯＣＨ３）２・ＰｂＯ・３Ｈ２Ｏなどの有機酸の鉛塩およびその炭酸塩や塩基性塩類；
Ｂｕ４Ｐｂ、Ｐｈ４Ｐｂ、Ｂｕ３ＰｂＣｌ、Ｐｈ３ＰｂＢｒ、Ｐｈ３Ｐｂ（またはＰｈ６Ｐｂ２）、Ｂｕ３ＰｂＯＨ、Ｐｈ２ＰｂＯなどの有機鉛化合物類（Ｂｕはブチル基、Ｐｈはフェニル基を示す）；
Ｐｂ−Ｎａ、Ｐｂ−Ｃａ、Ｐｂ−Ｂａ、Ｐｂ−Ｓｎ、Ｐｂ−Ｓｂなどの鉛の合金類；
ホウエン鉱、センアエン鉱などの鉛鉱物類、およびこれらの鉛化合物の水和物類；
を挙げられる。【００４３】
これらの化合物は、反応原料や、反応混合物、反応副生物などに溶解する場合には、均一系触媒として用いることができるし、溶解しない場合には固体触媒として用いることができる。さらには、これらの化合物を反応原料や、反応混合物、反応副生物などで事前に溶解させたり、あるいは反応させることによって溶解させた混合物を均一系触媒としてもちいることも好ましい方法である。【００４４】
さらに３級アミノ基を有する陰イオン交換樹脂、アミド基を有するイオン交換樹脂、スルホン酸基、カルボン酸基、リン酸基のうちの少なくとも一つの交換基を有するイオン交換樹脂、第４級アンモニウム基を交換基として有する固体強塩基性アニオン交換体等のイオン交換体類；シリカ、シリカ−アルミナ、シリカーマグネシア、アルミノシリケート、ガリウムシリケート、各種ゼオライト類、各種金属交換ゼオライト類、アンモニウム交換ゼオライト類などの固体の無機化合物類等が触媒として用いられる【００４５】
固体触媒として、特に好ましく用いられるのは第４級アンモニウム基を交換基として有する固体強塩基性アニオン交換体であり、このようなものとしては、例えば、第４級アンモニウム基を交換基として有する強塩基性アニオン交換樹脂、第４級アンモニウム基を交換基として有するセルロース強塩基性アニオン交換体、第４級アンモニウム基を交換基として有する無機質担体担持型強塩基性アニオン交換体などが挙げられる。第４級アンモニウム基を交換基として有する強塩基性アニオン交換樹脂としては、例えば、スチレン系強塩基性アニオン交換樹脂などが好ましく用いられる。スチレン系強塩基性アニオン交換樹脂は、スチレンとジビニルベンゼンの共重合体を母体として、交換基に第４級アンモニウム（Ｉ型あるいはＩＩ型）を有する強塩基性アニオン交換樹脂であり、例えば、次式で模式的に示される。【００４６】
【化２】
2007072705.tif 000006
【００４７】
式中、Ｘはアニオンを示し、通常、Ｘとしては、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＨＣＯ３−、ＣＯ３２−、ＣＨ３ＣＯ２−、ＨＣＯ２−、ＩＯ３−、ＢｒＯ３−、ＣｌＯ3−の中から選ばれた少なくとも１種のアニオンが使用され、好ましくはＣｌ−、Ｂｒ−、ＨＣＯ３−、ＣＯ３２−の中から選ばれた少なくとも１種のアニオンが使用される。また、樹脂母体の構造としては、ゲル型、マクロレティキュラー型（ＭＲ型）いずれも使用できるが、耐有機溶媒性が高い点からＭＲ型が特に好ましい。【００４８】
第４級アンモニウム基を交換基として有するセルロース強塩基性アニオン交換体としては、例えば、セルロースの−ＯＨ基の一部または全部をトリアルキルアミノエチル化して得られる、−ＯＣＨ２ＣＨ２ＮＲ３Ｘなる交換基を有するセルロースが挙げられる。ただし、Ｒはアルキル基を示し、通常、メチル、エチル、プロピル、ブチルなどが用いられ、好ましくはメチル、エチルが使用される。また、Ｘは前述のとおりのアニオンを示す。【００４９】
第４級アンモニウム基を交換基として有する無機質担体担持型強塩基性アニオン交換体とは、無機質担体の表面水酸基−ＯＨの一部または全部を修飾することにより、４級アンモニウム基−Ｏ（ＣＨ２）nＮＲ３Ｘを導入したものを意味する。ただし、Ｒ、Ｘは前述のとおりである。ｎは通常１〜６の整数であり、好ましくはｎ＝２である。無機質担体としては、シリカ、アルミナ、シリカアルミナ、チタニア、ゼオライトなどを使用することができ、好ましくはシリカ、アルミナ、シリカアルミナが用いられ、特に好ましくはシリカが使用される。無機質担体の表面水酸基の修飾方法としては、任意の方法を用いることができる。【００５０】
第４級アンモニウム基を交換基として有する固体強塩基性アニオン交換体は、市販のものを使用することもできる。その場合には、前処理として予め所望のアニオン種でイオン交換を行なった後に、エステル交換触媒として使用することもできる。【００５１】
また、少なくとも１個の窒素原子を含む複素環基が結合している巨大網状及びゲルタイプの有機ポリマー、または少くとも１個の窒素原子を含む複素環基が結合している無機質担体から成る固体触媒もエステル交換触媒として好ましく用いられる。また、さらにはこれらの含窒素複素環基の一部または全部が４級塩化された固体触媒も同様に用いられる。なお、イオン交換体などの固体触媒は、充填物としての機能も果たすことができる。【００５２】
工程（Ｉ）で用いられる触媒の量は、使用する触媒の種類によっても異なるが、反応条件下で反応液に溶解するような均一系触媒を連続的に供給する場合には、供給原料である環状カーボネートと脂肪族１価アルコールの合計質量に対する割合で表わして、通常０．０００１〜５０質量％、好ましくは０．００５〜２０質量％、さらに好ましくは０．０１〜１０質量％で使用される。また、固体触媒を該蒸留塔内に設置して使用する場合には、該蒸留塔の空塔容積に対して、０．０１〜７５容積％、好ましくは０．０５〜６０容積％、さらに好ましくは０．１〜６０容積％の触媒量が好ましく用いられる。【００５３】
工程（Ｉ）において反応蒸留塔である連続多段蒸留塔Ｔ０に、原料である環状カーボネートおよび脂肪族１価アルコールを連続的に供給する方法については、特別な限定はなく、それらが該蒸留塔の少なくとも５段以上、好ましくは７段以上、より好ましくは１０段以上の領域において触媒と接触させることができるような供給方法であれば如何なる方法であってもよい。すなわち、該環状カーボネートと該脂肪族１価アルコールは、連続多段蒸留塔の上記の条件を満たす段に必要な数の導入口から連続的に供給することができる。また、該環状カーボネートと該脂肪族１価アルコールは該蒸留塔の同じ段に導入されてもよいし、それぞれ別の段に導入してもよい。【００５４】
原料である環状カーボネートおよび脂肪族１価アルコールは液状、ガス状または液とガスとの混合物として該連続多段蒸留塔Ｔ０に連続的に供給される。このようにして原料を該蒸留塔に供給する以外に、付加的にガス状の原料を該蒸留塔の下部から断続的または連続的に供給することも好ましい方法である。また、環状カーボネートを触媒の存在する段よりも上部の段に液状または気液混合状態で該蒸留塔に連続的に供給し、該蒸留塔の下部に該脂肪族１価アルコールをガス状及び／又は液状で連続的に供給する方法も好ましい方法である。この場合、環状カーボネート中に、脂肪族１価アルコールが含まれていても、もちろん構わない。【００５５】
工程（Ｉ）において、供給原料中に、生成物であるジアルキルカーボネート及び／又はジオール類が含まれていてもよい。その含有量は、ジアルキルカーボネートが、脂肪族１価アルコール／ジアルキルカーボネート混合物中のジアルキルカーボネートの質量％で表わして、通常、０〜４０質量％、好ましくは０〜３０質量％、さらに好ましくは０〜２０質量％であり、ジオール類が環状カーボネート／ジオール混合物中の質量％で表わして、通常、０〜１０質量％、好ましくは０〜７質量％、さらに好ましくは０〜５質量％である。【００５６】
工程（Ｉ）の反応を工業的に実施する場合、新規に反応系に導入される環状カーボネート及び／又は脂肪族１価アルコールに加え、この工程及び／又は他の工程で回収された、環状カーボネート及び／又は脂肪族１価アルコールを主成分とする物質が、これらの原料として使用できることは好ましいことである。本発明はこのことを可能にするものであり、これは本発明の優れた特徴である。他の工程とは、例えば、ジアルキルカーボネートとフェノールからジフェニルカーボネートを製造する工程（ＩＩ）があり、この工程（ＩＩ）では、脂肪族１価アルコールが副生し、回収される。この回収副生脂肪族１価アルコールには、通常ジアルキルカーボネート、フェノール、アルキルアリールエーテルなどが含まれる場合が多く、さらには少量のアルキルアリールカーボネート、ジフェニルカーボネートなどが含まれる場合がある。副生脂肪族１価アルコールはそのままで工程（Ｉ）の原料とすることもできるし、蒸留等により該脂肪族１価アルコールよりも沸点の高い含有物質量を減少させた後に工程（Ｉ）の原料とすることもできる。【００５７】
また、工程（Ｉ）で用いられる好ましい環状カーボネートは、例えば、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、スチレンオキシドなどのアルキレンオキシドと二酸化炭素との反応によって製造されたものであるので、これらの化合物などを少量含む環状カーボネートを、工程（Ｉ）の原料として用いることもできる。【００５８】
工程（Ｉ）において、反応蒸留塔に供給する環状カーボネートと脂肪族１価アルコール類との量比は、エステル交換触媒の種類や量および反応条件によっても異なるが、通常、供給される環状カーボネートに対して、脂肪族１価アルコール類はモル比で０．０１〜１０００倍の範囲で供給することができる。環状カーボネートの反応率を上げるためには脂肪族１価アルコール類を２倍モル以上の過剰量供給することが好ましいが、あまり大過剰に用いると装置を大きくする必要がある。このような意味において、環状カーボネートに対する脂肪族１価アルコール類のモル比は、２〜２０が好ましく、さらに好ましくは３〜１５、さらにより好ましくは５〜１２である。なお、未反応環状カーボネートが多く残存していると、生成物であるジオール類と反応して２量体、３量体などの多量体を副生するので、工業的に実施する場合、未反応環状カーボネートの残存量をできるだけ減少させることが好ましい。本発明の方法では、このモル比が１０以下であっても、環状カーボネートの反応率を９７％以上、好ましくは９８％以上、さらに好ましくは９９％以上にすることが可能である。このことも本発明の特徴のひとつである。【００５９】
工程（Ｉ）においては、好ましくは１時間あたり約０．４トン以上のジアルキルカーボネートを連続的に製造するのであるが、そのために連続的に供給される環状カーボネートの最低量は、製造すべきジアルキルカーボネートの量（Ｐトン／ｈｒ）に対して、通常０．４４Ｐトン／ｈｒ、好ましくは、０．４２Ｐトン／ｈｒ、より好ましくは０．４Ｐトン／ｈｒである。さらに好ましい場合は、０．３９Ｐトン／ｈｒよりも少なくできる。【００６０】
工程（Ｉ）において用いられる連続多段蒸留塔Ｔ０とは、長さＬ０（ｃｍ）、内径Ｄ０（ｃｍ）の円筒形の胴部を有し、内部に段数ｎ０をもつインターナルを有する構造をしており、塔頂部又はそれに近い塔の上部に内径ｄ０１（ｃｍ）のガス抜出し口、塔底部またはそれに近い塔の下部に内径ｄ０２（ｃｍ）の液抜出し口、該ガス抜出し口より下部であって塔の上部及び／又は中間部に１つ以上の第１の導入口、該液抜出し口より上部であって塔の中間部及び／又は下部に１つ以上の第２の導入口を有するものであって、Ｌ０、Ｄ０、Ｌ０／Ｄ０、ｎ０、Ｄ０／ｄ０１、Ｄ０／ｄ０２  が、それぞれ式（１）〜（６）を満足するものであることが必要である：
２１００  ≦  Ｌ０  ≦  ８０００                  式（１）
１８０  ≦  Ｄ０  ≦    ２０００                式（２）
４  ≦  Ｌ０／Ｄ０  ≦  ４０                式（３）
１０  ≦  ｎ０  ≦    １２０                  式（４）
３  ≦  Ｄ０／ｄ０１  ≦  ２０                式（５）
５  ≦  Ｄ０／ｄ０２  ≦  ３０                式（６）。【００６１】
なお、本発明で用いる用語「塔頂部又はそれに近い塔の上部」とは、塔頂部から下方に約０．２５Ｌ０までの部分を意味し、用語「塔底部又はそれに近い塔の下部」とは、塔底部から上方に約０．２５Ｌ０までの部分を意味する。（第１及び第２連続多段蒸留塔においては、それぞれ０．２５Ｌ１及び０．２５Ｌ２であり、高沸点物質分離塔Ａ及びジフェニルカーボネート精製塔Ｂにおいては、それぞれ０．２５ＬＡ及び０．２５ＬＢである。）【００６２】
式（１）、（２）、（３）、（４）、（５）及び（６）を同時に満足する連続多段蒸留塔Ｔ０を用いることによって、環状カーボネートと脂肪族１価アルコール類とから、ジアルキルカーボネートを１時間あたり好ましくは０．４トン以上、及び／又はジオール類を１時間あたり好ましくは０．２６トン以上の工業的規模で、高反応率・高選択率・高生産性で、例えば１０００時間以上、好ましくは３０００時間以上、さらに好ましくは５０００時間以上の長期間、安定的に製造できることが見出されたのである。工程（Ｉ）を実施することによって、このような優れた効果を有する工業的規模でのジアルキルカーボネートとジオール類の製造が可能になった理由は明らかではないが、式（１）〜（６）の条件が組み合わさった時にもたらされる複合効果のためであると推定される。なお、各々の要因の好ましい範囲は下記に示される。【００６３】
Ｌ０（ｃｍ）が２１００より小さいと、反応率が低下するため目的とする生産量を達成できないし、目的の生産量を達成できる反応率を確保しつつ設備費を低下させるには、Ｌ０を８０００以下にすることが必要である。より好ましいＬ０（ｃｍ）の範囲は、２３００≦Ｌ０≦６０００  であり、さらに好ましくは、２５００≦Ｌ０≦５０００  である。【００６４】
Ｄ０（ｃｍ）が１８０よりも小さいと、目的とする生産量を達成できないし、目的の生産量を達成しつつ設備費を低下させるには、Ｄ０を２０００以下にすることが必要である。より好ましいＤ０（ｃｍ）の範囲は、２００≦Ｄ０≦１０００  であり、さらに好ましくは、２１０≦Ｄ０≦８００  である。【００６５】
Ｌ０／Ｄ０が４より小さい時や４０より大きい時は安定運転が困難となり、特に４０より大きいと塔の上下における圧力差が大きくなりすぎるため、長期安定運転が困難となるだけでなく、塔下部での温度を高くしなければならないため、副反応が起こりやすくなり選択率の低下をもたらす。より好ましいＬ０／Ｄ０の範囲は、５≦Ｌ０／Ｄ０≦３０  であり、さらに好ましくは、７≦Ｌ０／Ｄ０≦２０  である。【００６６】
ｎ０が１０より小さいと反応率が低下するため目的とする生産量を達成できないし、目的の生産量を達成できる反応率を確保しつつ設備費を低下させるには、ｎ０を１２０以下にすることが必要である。さらに、ｎ０が１２０よりも大きいと塔の上下における圧力差が大きくなりすぎるため、長期安定運転が困難となるだけでなく、塔下部での温度を高くしなければならないため、副反応が起こりやすくなり選択率の低下をもたらす。より好ましいｎ０の範囲は、３０≦ｎ０≦１００  であり、さらに好ましくは、４０≦ｎ０≦９０  である。【００６７】
Ｄ０／ｄ０１が３より小さいと設備費が高くなるだけでなく大量のガス成分が系外に出やすくなるため、安定運転が困難になり、２０よりも大きいとガス成分の抜出し量が相対的に小さくなり、安定運転が困難になるだけでなく、反応率の低下をもたらす。より好ましいＤ０／ｄ０１の範囲は、４≦Ｄ０／ｄ０１≦１５  であり、さらに好ましくは、５≦Ｄ０／ｄ０１≦１３  である。【００６８】
Ｄ０／ｄ０２が５より小さいと設備費が高くなるだけでなく液抜出し量が相対的に多くなり、安定運転が困難になり、３０よりも大きいと液抜出し口や配管での流速が急激に速くなりエロージョンを起こしやすくなり装置の腐食をもたらす。より好ましいＤ０／ｄ０２の範囲は、７≦Ｄ０／ｄ０２≦２５  であり、さらに好ましくは、９≦Ｄ０／ｄ０２≦２０  である。【００６９】
さらに、工程（Ｉ）で用いられる連続多段蒸留塔Ｔ０の該ｄ０１と該ｄ０２が式（２８）を満足する場合、さらに好ましいことがわかった：
１  ≦  ｄ０１／ｄ０２  ≦  ５                        式（２８）。【００７０】
工程（Ｉ）でいう長期安定運転とは、１０００時間以上、好ましくは３０００時間以上、さらに好ましくは５０００時間以上、フラッディングや、配管のつまりやエロージョンがなく、運転条件に基づいた定常状態で運転が継続でき、高反応率・高選択率・高生産性を維持しながら、所定量のジアルキルカーボネートとジオール類が製造されていることを意味する。【００７１】
工程（Ｉ）でいうジアルキルカーボネート及びジオール類の選択率とは、反応した環状カーボネートに対するものであって、本発明では通常９５％以上の高選択率であり、好ましくは９７％以上、さらに好ましくは９９％以上の高選択率を達成することができる。また、工程（Ｉ）でいう反応率とは、通常、環状カーボネートの反応率を表し、本発明では環状カーボネートの反応率を９５％以上、好ましくは９７％以上、より好ましくは９９％以上、さらに好ましくは９９．５以上、さらにより好ましくは９９．９％以上にすることが可能である。このように高選択率を維持しながら、高反応率を達成できることも工程（Ｉ）の優れた特徴のひとつである。【００７２】
工程（Ｉ）で用いられる連続多段蒸留塔Ｔ０は、インターナルとしてトレイ及び／又は充填物を有する蒸留塔であることが好ましい。なお、本発明でいうインターナルとは、蒸留塔において実際に気液の接触を行わせる部分のことを意味する。このようなトレイとしては、例えば泡鍾トレイ、多孔板トレイ、バルブトレイ、向流トレイ、スーパーフラックトレイ、マックスフラックトレイ等が好ましく、充填物としては、ラシヒリング、レッシングリング、ポールリング、ベルルサドル、インタロックスサドル、ディクソンパッキング、マクマホンパッキング、ヘリパック等の不規則充填物やメラパック、ジェムパック、テクノパック、フレキシパック、スルザーパッキング、グッドロールパッキング、グリッチグリッド等の規則充填物が好ましい。トレイ部と充填物の充填された部分とを合わせ持つ多段蒸留塔も用いることができる。また、本発明でいう用語「インターナルの段数」とは、トレイの場合は、トレイの数を意味し、充填物の場合は、理論段数を意味する。したがって、トレイ部と充填物の充填された部分とを合わせて持つ多段蒸留塔の場合、段数はトレイの数と理論段数の合計である。【００７３】
環状カーボネートと脂肪族１価アルコール類とを反応させる工程（Ｉ）において、インターナルが所定の段数を有するトレイ及び／又は充填物からなる棚段式連続多段蒸留塔及び／又は充填塔式連続多段蒸留塔のいずれを用いても、高反応率・高選択率・高生産性を達成することができるが、インターナルがトレイである棚段式蒸留塔がより好ましいことが見出された。さらに、該トレイが多孔板部とダウンカマー部を有する多孔板トレイが機能と設備費との関係で特に優れていることが見出された。そして、該多孔板トレイが該多孔板部の面積１ｍ２あたり１００〜１０００個の孔を有していることが好ましいことも見出された。より好ましい孔数は該面積１ｍ２あたり１２０〜９００個であり、さらに好ましくは、１５０〜８００個である。また、該多孔板トレイの孔１個あたりの断面積が０．５〜５ｃｍ２であることが好ましいことも見出された。より好ましい孔１個あたりの断面積は、０．７〜４ｃｍ２であり、さらに好ましくは０．９〜３ｃｍ２である。さらには、該多孔板トレイが該多孔板部の面積１ｍ２あたり１００〜１０００個の孔を有しており、かつ、孔１個あたりの断面積が０．５〜５ｃｍ２である場合、特に好ましいことが見出された。【００７４】
さらに、該多孔板トレイの開口率が１．５〜１５％であることが好ましいことが見出された。より好ましい該開口率は、１．７〜１３％であり、さらに好ましくは１．９〜１１％である。ここで、多孔板トレイの開口率とは、該多孔板部の面積（全孔断面積を含む）に対する該多孔板に存在する孔全部の断面積（全孔断面積）の割合を表す。各多孔板トレイにおいて、多孔板部の面積及び／又は全孔断面積が異なる場合があるが、この場合においても各多孔板トレイの開口率が上記の範囲であることが好ましい。なお、該多孔板部の孔数は、全ての多孔板において同じであってもよいし、異なるものであってもよい。連続多段蒸留塔Ｔ０に上記の条件を付加することによって、工程（Ｉ）における課題が、より容易に達成されることが判明したのである。【００７５】
工程（Ｉ）を実施する場合、原料である環状カーボネートと脂肪族１価アルコール類とを触媒が存在する連続多段蒸留塔内に連続的に供給し、該塔内で反応と蒸留を同時に行い、生成するジアルキルカーボネートを含む低沸点反応混合物を塔上部よりガス状で連続的に抜出し、ジオール類を含む高沸点反応混合物を塔下部より液状で連続的に抜出すことによりジアルキルカーボネートとジオール類が連続的に製造される。【００７６】
また、工程（Ｉ）において、原料である環状カーボネートと脂肪族１価アルコール類を連続多段蒸留塔Ｔ０内に連続的に供給するには、蒸留塔の上部のガス抜出し口よりも下部であるが塔の上部または中間部に設置された１箇所または数箇所の導入口から、原料混合物として、またはそれぞれ別々に、液状及び／又はガス状で供給してもよいし、環状カーボネートまたはそれを多く含む原料を蒸留塔の上部または中間部の導入口から液状で供給し、脂肪族１価アルコール類又はそれを多く含む原料を蒸留塔の下部の液抜出し口よりも上部であって塔の中間部または下部に設置された導入口からガス状で供給することも好ましい方法である。【００７７】
工程（Ｉ）で行われるエステル交換反応の反応時間は連続多段蒸留塔Ｔ０内での反応液の平均滞留時間に相当すると考えられるが、これは蒸留塔のインターナルの形状や段数、原料供給量、触媒の種類や量、反応条件などによって異なるが、通常０．１〜２０時間、好ましくは０．５〜１５時間、より好ましくは１〜１０時間である。【００７８】
工程（Ｉ）の反応温度は、用いる原料化合物の種類や触媒の種類や量によって異なるが、通常、３０〜３００℃である。反応速度を高めるためには反応温度を高くすることが好ましいが、反応温度が高いと副反応も起こりやすくなる。好ましい反応温度は４０〜２５０℃、より好ましくは５０〜２００℃、さらに好ましくは、６０〜１５０℃の範囲である。本発明においては、塔底温度として１５０℃以下、好ましくは１３０℃以下、より好ましくは１１０℃以下、さらにより好ましくは１００℃以下にして反応蒸留を実施することが可能である。このような低い塔底温度であっても高反応率・高選択率・高生産性を達成できることは、工程（Ｉ）の優れた特徴のひとつである。また、反応圧力は、用いる原料化合物の種類や組成、反応温度などにより異なるが、減圧、常圧、加圧のいずれであってもよく、通常１Ｐａ〜２×１０７Ｐａ、好ましくは、１０３Ｐａ〜１０７Ｐａ、より好ましくは１０４Ｐａ〜５×１０６Ｐａの範囲で行われる。【００７９】
また、工程（Ｉ）の連続多段蒸留塔Ｔ０の還流比は、通常０〜１０が用いられ、好ましくは０．０１〜５が、さらに好ましくは０．０５〜３が用いられる。【００８０】
工程（Ｉ）で用いられる連続多段蒸留塔Ｔ０を構成する材料は、主に炭素鋼、ステンレススチールなどの金属材料であるが、製造するジアルキルカーボネートとジオール類の品質の面からは、ステンレススチールが好ましい。【００８１】
本発明では、続いて、工程（Ｉ）で製造されたジアルキルカーボネートとフェノールとからジフェニルカーボネートを工業的規模で連続的に製造する工程（ＩＩ）が行われる。工程（ＩＩ）で用いられるジアルキルカーボネートとは、化１に記載の下式で表されるものである。
Ｒ２ＯＣＯＯＲ２
ここで、Ｒ２は前記のとおりである。【００８２】
このようなＲ２を有するジアルキルカーボネートとしては、例えば、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジプロピルカーボネート（各異性体）、ジアリルカーボネート、ジブテニルカーボネート（各異性体）、ジブチルカーボネート（各異性体）、ジペンチルカーボネート（各異性体）、ジヘキシルカーボネート（各異性体）、ジヘプチルカーボネート（各異性体）、ジオクチルカーボネート（各異性体）、ジノニルカーボネート（各異性体）、ジデシルカーボネート（各異性体）、ジシクロペンチルカーボネート、ジシクロヘキシルカーボネート、ジシクロヘプチルカーボネート、ジベンジルカーボネート、ジフェネチルカーボネート（各異性体）、ジ（フェニルプロピル）カーボネート（各異性体）、ジ（フェニルブチル）カーボネート（各異性体）ジ（クロロベンジル）カーボネート（各異性体）、ジ（メトキシベンジル）カーボネート（各異性体）、ジ（メトキシメチル）カーボネート、ジ（メトキシエチル）カーボネート（各異性体）、ジ（クロロエチル）カーボネート（各異性体）、ジ（シアノエチル）カーボネート（各異性体）等が挙げられる。【００８３】
これらの中で、本発明において好ましく用いられるのは、Ｒ２がハロゲンを含まない炭素数４以下のアルキル基からなるジアルキルカーボネートであり、特に好ましいのはジメチルカーボネートである。また、好ましいジアルキルカーボネートのなかで、さらに好ましいのは、ハロゲンを実質的に含まない状態で製造されたジアルキルカーボネートであって、例えばハロゲンを実質的に含まないアルキレンカーボネートとハロゲンを実質的に含まないアルコールから製造されたものである。【００８４】
工程（ＩＩ）で用いられるフェノールとは、下記一般式で表されるものであり、フェニル基（Ｐｈ）に直接ヒドロキシル基が結合している化合物であるが、場合によっては、フェニル基が低級アルキル基又は低級アルコキシ基で置換された置換フェノールを用いることもできる：
ＰｈＯＨ【００８５】
本発明において好ましく用いられるのは、ハロゲンを実質的に含まないフェノールである。したがって、本発明でいうジフェニルカーボネートとは、下記一般式で表されるものである：
ＰｈＯＣＯＯＰｈ【００８６】
工程（ＩＩ）で原料として用いられるジアルキルカーボネートのフェノールに対するモル比は、０．１〜１０であることが好ましい。この範囲外では、目的とするジフェニルカーボネートの所定生産量に対して、残存する未反応の原料が多くなり、効率的でないし、またそれらを回収するために多くのエネルギーを要する。この意味で、このモル比は、０．５〜５がより好ましく、より好ましくは０．８〜３であり、さらに好ましくは、１〜２である。【００８７】
本発明においては、１時間あたり１トン以上の高純度ジフェニルカーボネートを連続的に製造する必要がある。【００８８】
したがって、工程（ＩＩ）において、連続的に供給されるフェノールの最低量は、製造すべき高純度ジフェニルカーボネートの量（Ｑトン／ｈｒ）に対して、通常１５Ｑトン／ｈｒであり、好ましくは、１３Ｑトン／ｈｒ、より好ましくは１０Ｑトン／ｈｒである。さらに好ましい場合は、８Ｑトン／ｈｒよりも少なくできる。【００８９】
なお、工程（ＩＩ）において原料として用いられるジアルキルカーボネートとフェノールはそれぞれ純度の高いものであってもいいが、他の化合物を含むものであってもよく、例えば、第１連続多段蒸留塔及び／又は第２連続多段蒸留塔で生成する化合物や反応副生物を含むものであってもよい。工業的に実施する場合、これらの原料として、新規に反応系に導入されるジアルキルカーボネートとフェノールに加え、第１連続多段蒸留塔及び／又は第２連続多段蒸留塔から回収されたものをも使用することが好ましい。本発明の方法では、第２連続多段蒸留塔での低沸点反応混合物である塔頂成分が第１連続多段蒸留塔に供給される。この場合、第２塔低沸点反応混合物はそのままで第１連続多段蒸留塔に供給してもよいし、成分の一部を分離した後に供給してもよい。【００９０】
したがって、工業的に実施する本発明においては、第１連続多段蒸留塔に供給される原料中には、アルコール類、アルキルフェニルカーボネート、ジフェニルカーボネート、アルキルフェニルエーテルなどが含まれているものが好ましく、さらには生成物であるフェニルカーボネートやジフェニルカーボネートのフリース転移生成物やその誘導体などの高沸点副生物を少量含むものであっても好ましく用いられる。本発明において、例えば、ジアルキルカーボネートとしてジメチルカーボネートを、フェノールとして非置換フェノールを原料にして、メチルフェニルカーボネート及びジフェニルカーボネートを製造する場合、その原料中に反応生成物であるメチルアルコールや、メチルフェニルカーボネートおよびジフェニルカーボネートを含んでいることが好ましく、さらには反応副生物であるアニソールやサリチル酸フェニル、サリチル酸メチルやこれらから誘導される高沸点副生物を少量含んでいてもよい。【００９１】
なお、本発明の高純度ジフェニルカーボネートは芳香族ジヒドロキシ化合物との重合反応によって芳香族ポリカーボネートを製造するのに好ましく使用されるが、この重合工程ではフェノールが大量に副生し回収される。この副生フェノールは、本発明の工程（ＩＩ）の原料として用いることは好ましい方法である。【００９２】
工程（ＩＩ）において製造されるジフェニルカーボネートは、ジアルキルカーボネートとフェノールとのエステル交換反応によって得られるが、このエステル交換反応には、ジアルキルカーボネートの１つ又は２つのアルコキシ基がフェノールのフェノキシ基と交換されアルコール類を離脱する反応と、生成したアルキルフェニルカーボネート２分子間のエステル交換反応である不均化反応によってジフェニルカーボネートとジアルキルカーボネートに変換される反応が含まれている。工程（ＩＩ）の第１連続多段蒸留塔においては主としてアルキルフェニルカーボネートが得られ、第２連続多段蒸留塔においては主としてこのアルキルフェニルカーボネートの不均化反応よって、ジフェニルカーボネートとジアルキルカーボネートが得られる。工程（ＩＩ）で得られたジフェニルカーボネートは、ハロゲンを全く含まないため、本発明の芳香族ポリカーボネートを工業的に製造するときの原料として重要である。なぜならば、重合原料中にハロゲンがたとえば１ｐｐｍよりも少ない量であっても存在しておれば、重合反応を阻害するし、芳香族ポリカーボネートの安定製造を阻害するし、しかも生成した芳香族ポリカーボネートの物性低下や、着色の原因となるからである。【００９３】
工程（ＩＩ）の第１連続多段蒸留塔及び／又は第２連続多段蒸留塔で使用される触媒としては、例えば下記の化合物から選択される：
＜鉛化合物＞
ＰｂＯ、ＰｂＯ2、Ｐｂ3Ｏ4等の酸化鉛類；
ＰｂＳ、Ｐｂ2Ｓ等の硫化鉛類；
Ｐｂ（ＯＨ）2、Ｐｂ2Ｏ2（ＯＨ）2等の水酸化鉛類；
Ｎａ2ＰｂＯ2、Ｋ2ＰｂＯ2、ＮａＨＰｂＯ2、ＫＨＰｂＯ2等の亜ナマリ酸塩類；
Ｎａ2ＰｂＯ3、Ｎａ2Ｈ2ＰｂＯ4、Ｋ2ＰｂＯ3、Ｋ2［Ｐｂ（ＯＨ）6］、Ｋ4ＰｂＯ4、Ｃａ2ＰｂＯ4、ＣａＰｂＯ3等の鉛酸塩類；
ＰｂＣＯ3、２ＰｂＣＯ3・Ｐｂ（ＯＨ）2等の鉛の炭酸塩及びその塩基性塩類；
Ｐｂ（ＯＣＯＣＨ3）2、Ｐｂ（ＯＣＯＣＨ3）4、Ｐｂ（ＯＣＯＣＨ3）2・ＰｂＯ・３Ｈ2Ｏ等の有機酸の鉛塩及びその炭酸塩や塩基性塩類；
Ｂｕ4Ｐｂ、Ｐｈ4Ｐｂ、Ｂｕ3ＰｂＣｌ、Ｐｈ3ＰｂＢｒ、Ｐｈ3Ｐｂ（又はＰｈ6Ｐｂ2）、Ｂｕ3ＰｂＯＨ、Ｐｈ3ＰｂＯ等の有機鉛化合物類（Ｂｕはブチル基、Ｐｈはフェニル基を示す。）；
Ｐｂ（ＯＣＨ3）2、（ＣＨ3Ｏ）Ｐｂ（ＯＰｈ）、Ｐｂ（ＯＰｈ）2等のアルコキシ鉛類、アリールオキシ鉛類；
Ｐｂ−Ｎａ、Ｐｂ−Ｃａ、Ｐｂ−Ｂａ、Ｐｂ−Ｓｎ、Ｐｂ−Ｓｂ等の鉛の合金類；
ホウエン鉱、センアエン鉱等の鉛鉱物類、及びこれらの鉛化合物の水和物；
＜銅族金属の化合物＞
ＣｕＣｌ、ＣｕＣｌ2、ＣｕＢｒ、ＣｕＢｒ2、ＣｕＩ、ＣｕＩ2、Ｃｕ（ＯＡｃ）2、Ｃｕ（ａｃａｃ）2、オレイン酸銅、Ｂｕ2Ｃｕ、（ＣＨ3Ｏ）2Ｃｕ、ＡｇＮＯ3、ＡｇＢｒ、ピクリン酸銀、ＡｇＣ6Ｈ6ＣｌＯ4、［ＡｕＣ≡Ｃ−Ｃ（ＣＨ3）3］n、［Ｃｕ（Ｃ7Ｈ8）Ｃｌ］4等の銅族金属の塩及び錯体（ａｃａｃはアセチルアセトンキレート配位子を表す。）；
＜アルカリ金属の錯体＞
Ｌｉ（ａｃａｃ）、ＬｉＮ（Ｃ4Ｈ9）2等のアルカリ金属の錯体；
＜亜鉛の錯体＞
Ｚｎ（ａｃａｃ）2等の亜鉛の錯体；
＜カドミウムの錯体＞
Ｃｄ（ａｃａｃ）2等のカドミウムの錯体；
＜鉄族金属の化合物＞
Ｆｅ（Ｃ10Ｈ8）（ＣＯ）5、Ｆｅ（ＣＯ）5、Ｆｅ（Ｃ4Ｈ6）（ＣＯ）3、Ｃｏ（メシチレン）2（ＰＥｔ2Ｐｈ）2、ＣｏＣ5Ｆ5（ＣＯ）7、Ｎｉ−π−Ｃ5Ｈ5ＮＯ、フェロセン等の鉄族金属の錯体；
＜ジルコニウム錯体＞
Ｚｒ（ａｃａｃ）4，ジルコノセン等のジルコニウムの錯体；
＜ルイス酸類化合物＞
ＡｌＸ3、ＴｉＸ3，ＴｉＸ4、ＶＯＸ3、ＶＸ5、ＺｎＸ2、ＦｅＸ3、ＳｎＸ4 （ここで、Ｘはハロゲン、アセトキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基である。）等のルイス酸及びルイス酸を発生する遷移金属化合物；
＜有機スズ化合物＞
（ＣＨ3）3ＳｎＯＣＯＣＨ3、（Ｃ2Ｈ5）3ＳｎＯＣＯＣ6Ｈ5、Ｂｕ3ＳｎＯＣＯＣＨ3、Ｐｈ3ＳｎＯＣＯＣＨ3、Ｂｕ2Ｓｎ（ＯＣＯＣＨ3）2、Ｂｕ2Ｓｎ（ＯＣＯＣ11Ｈ23）2、Ｐｈ3ＳｎＯＣＨ3、（Ｃ2Ｈ5）3ＳｎＯＰｈ、Ｂｕ2Ｓｎ（ＯＣＨ3）2、Ｂｕ2Ｓｎ（ＯＣ2Ｈ5）2、Ｂｕ2Ｓｎ（ＯＰｈ）2、Ｐｈ2Ｓｎ（ＯＣＨ3）2、（Ｃ2Ｈ5）3ＳｎＯＨ、Ｐｈ3ＳｎＯＨ、Ｂｕ2ＳｎＯ、（Ｃ8Ｈ17）2ＳｎＯ、Ｂｕ2ＳｎＣｌ2、ＢｕＳｎＯ（ＯＨ）等の有機スズ化合物；
等の金属含有化合物が触媒として用いられる。【００９４】
本発明において用いられる触媒は、Ｐｂ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｓｎ等の金属を含有するものが好ましく、反応系に溶解する均一系触媒である。従って、これらの金属成分が有機基と結合した触媒種が好ましく用いられる。もちろん、これらの触媒成分が反応系中に存在する有機化合物、例えば、脂肪族アルコール類、フェノール類、アルキルフェニルカーボネート類、ジフェニルカーボネート類、ジアルキルカーボネート類等と反応したものであってもよいし、反応に先立って原料や生成物で加熱処理されたものであってもよい。本発明で用いられる触媒は、反応条件において反応液への溶解度の高いものであることが好ましい。この意味で好ましい触媒としては、例えば、ＰｂＯ、Ｐｂ（ＯＨ）2、Ｐｂ（ＯＰｈ）2；ＴｉＣｌ4、Ｔｉ（ＯＭｅ）４、（ＭｅＯ）Ｔｉ（ＯＰｈ）３、（ＭｅＯ）２Ｔｉ（ＯＰｈ）２、（ＭｅＯ）３Ｔｉ（ＯＰｈ）、Ｔｉ（ＯＰｈ）4；ＳｎＣｌ4、Ｓｎ（ＯＰｈ）4、Ｂｕ2ＳｎＯ、Ｂｕ2Ｓｎ（ＯＰｈ）2；ＦｅＣｌ3、Ｆｅ（ＯＨ）3、Ｆｅ（ＯＰｈ）3等、又はこれらをフェノール又は反応液等で処理したもの等が挙げられる。第１連続多段蒸留塔で用いられる触媒と第２連続多段蒸留塔で用いられる触媒は同じ種類であっても、異なる種類のものであってもよい。【００９５】
本発明では、ハロゲンを含まない原料と触媒を使用することが特に好ましく、この場合、製造されるジフェニルカーボネートは、ハロゲンを全く含まないため、エステル交換法でポリカーボネートを工業的に製造するときの原料として重要である。なぜならば、重合原料中にハロゲンがたとえば１ｐｐｍよりも少ない量であっても存在しておれば、重合反応を阻害したり、生成したポリカーボネートの物性を低下させたり着色の原因となるからである。【００９６】
工程（ＩＩ）において用いられる該第１連続多段蒸留塔とは、長さＬ１（ｃｍ）、内径Ｄ１（ｃｍ）の円筒形の胴部を有し、内部に段数ｎ１をもつインターナルを有する構造をしており、塔頂部又はそれに近い塔の上部に内径ｄ１１（ｃｍ）のガス抜出し口、塔底部又はそれに近い塔の下部に内径ｄ１２（ｃｍ）の液抜出し口、該ガス抜出し口より下部であって塔の上部及び／又は中間部に１つ以上の第３の導入口、該液抜出し口より上部であって塔の中間部及び／又は下部に１つ以上の第４の導入口を有するものであって、Ｌ１、Ｄ１、Ｌ１／Ｄ１、ｎ１、Ｄ１／ｄ１１、Ｄ１／ｄ１２  が、それぞれ式（７）〜（１２）を満足するものであることが必要である：
１５００  ≦  Ｌ１  ≦  ８０００                  式（７）
１００  ≦  Ｄ１  ≦  ２０００                  式（８）
２  ≦  Ｌ１／Ｄ１  ≦  ４０                 式（９）
２０  ≦  ｎ１  ≦    １２０                  式（１０）
５  ≦  Ｄ１／ｄ１１  ≦  ３０                式（１１）
３  ≦  Ｄ１／ｄ１２  ≦  ２０                式（１２）。【００９７】
また、工程（ＩＩ）において用いられる第２連続多段蒸留塔とは、長さＬ２（ｃｍ）、内径Ｄ２（ｃｍ）の円筒形の胴部を有し、内部に段数ｎ２をもつインターナルを有する構造をしており、塔頂部又はそれに近い塔の上部に内径ｄ２１（ｃｍ）のガス抜出し口、塔底部又はそれに近い塔の下部に内径ｄ２２（ｃｍ）の液抜出し口、該ガス抜出し口より下部であって塔の上部及び／又は中間部に１つ以上の第５の導入口、該液抜出し口より上部であって塔の中間部及び／又は下部に１つ以上の第６の導入口を有するものであって、Ｌ２、Ｄ２、Ｌ２／Ｄ２、ｎ２、Ｄ２／ｄ２１、Ｄ２／ｄ２２  が、それぞれ式（１３）〜（１８）を満足するものであることが必要である：
１５００  ≦  Ｌ２  ≦  ８０００                  式（１３）
１００  ≦  Ｄ２  ≦    ２０００                式（１４）
２  ≦  Ｌ２／Ｄ２  ≦  ４０                 式（１５）
１０  ≦  ｎ２  ≦  ８０                      式（１６）
２  ≦  Ｄ２／ｄ２１  ≦  1５                式（１７）
５  ≦  Ｄ２／ｄ２２  ≦  ３０                式（１８）。【００９８】
式（７）〜（１８）の全てを同時に満足する第１連続多段蒸留塔及び第２連続多段蒸留塔を用いることによって、ジアルキルカーボネートとフェノールとから、ジフェニルカーボネートを１時間あたり約０．８５トン以上、好ましくは１トン以上の工業的規模で、高選択率・高生産性で、例えば２０００時間以上、好ましくは３０００時間以上、さらに好ましくは５０００時間以上の長期間、安定的に製造できることが見出されたのである。本発明の方法を実施することによって、このような優れた効果を有する工業的規模での芳香族カーボネートの製造が可能になった理由は明らかではないが、式（７）〜（１８）の条件が組み合わさった時にもたらされる複合効果のためであると推定される。なお、工程（ＩＩ）で用いる連続多段蒸留塔を構成する各々の要因の好ましい範囲は下記に示される。【００９９】
Ｌ１（ｃｍ）及びＬ２（ｃｍ）がそれぞれ１５００より小さいと、反応率が低下するため目的とする生産量を達成できないし、目的の生産量を達成できる反応率を確保しつつ設備費を低下させるには、Ｌ１及びＬ２をそれぞれ８０００以下にすることが必要である。より好ましいＬ１（ｃｍ）およびＬ２（ｃｍ）の範囲は、それぞれ、２０００≦Ｌ１  ≦６０００  および２０００≦Ｌ２≦６０００  であり、さらに好ましくは、２５００≦Ｌ１≦５０００  および２５００≦Ｌ２≦５０００  である。【０１００】
Ｄ１（ｃｍ）及びＤ２（ｃｍ）が、それぞれ１００よりも小さいと、目的とする生産量を達成できないし、目的の生産量を達成しつつ設備費を低下させるには、Ｄ１及びＤ２をそれぞれ２０００以下にすることが必要である。より好ましいＤ１（ｃｍ）及びＤ２（ｃｍ）の範囲は、それぞれ１５０≦Ｄ１≦１０００  及び１５０≦Ｄ２≦１０００  であり、さらに好ましくは、それぞれ２００≦Ｄ１≦８００  及び２００≦Ｄ２≦８００である。【０１０１】
なお、第１連続多段蒸留塔及び第２連続多段蒸留塔において、Ｄ１及びＤ２  が上記の範囲にある限り、塔の上部から下部までそれぞれ同じ内径であってもよいし、部分的に内径が異なっていてもよい。例えば、これらの連続多段蒸留塔において、塔上部の内径が塔下部の内径よりも小さくてもよいし、大きくてもよい。【０１０２】
Ｌ１／Ｄ１  及び  Ｌ２／Ｄ２  がそれぞれ２より小さい時や４０より大きい時は安定運転が困難となり、特に４０より大きいと塔の上下における圧力差が大きくなりすぎるため、長期安定運転が困難となるだけでなく、塔下部での温度を高くしなければならないため、副反応が起こりやすくなり選択率の低下をもたらす。より好ましいＬ１／Ｄ１  及びＬ２／Ｄ２  の範囲は、それぞれ、３≦Ｌ１／Ｄ１≦３０  及び３≦Ｌ２／Ｄ２≦３０  であり、さらに好ましくは、５≦Ｌ１／Ｄ１≦１５  及び５≦Ｌ２／Ｄ２≦１５である。【０１０３】
ｎ１が２０より小さいと反応率が低下するため第１連続多段蒸留塔での目的とする生産量を達成できないし、目的の生産量を達成できる反応率を確保しつつ設備費を低下させるには、ｎ１を１２０以下にすることが必要である。さらにｎ１が１２０よりも大きいと塔の上下における圧力差が大きくなりすぎるため、第１連続多段蒸留塔の長期安定運転が困難となるだけでなく、塔下部での温度を高くしなければならないため、副反応が起こりやすくなり選択率の低下をもたらす。より好ましいｎ１の範囲は、３０≦ｎ１≦１００  であり、さらに好ましくは、４０≦ｎ１≦９０  である。【０１０４】
また、ｎ２が１０より小さいと反応率が低下するため第２連続多段蒸留塔での目的とする生産量を達成できないし、目的の生産量を達成できる反応率を確保しつつ設備費を低下させるには、ｎ２を８０以下にすることが必要である。さらにｎ２が８０よりも大きいと塔の上下における圧力差が大きくなりすぎるため、第２連続多段蒸留塔の長期安定運転が困難となるだけでなく、塔下部での温度を高くしなければならないため、副反応が起こりやすくなり選択率の低下をもたらす。より好ましいｎ２の範囲は、１５≦ｎ２≦６０  であり、さらに好ましくは、２０≦ｎ２≦５０  である。【０１０５】
Ｄ１／ｄ１１が５より小さいと第１連続多段蒸留塔の設備費が高くなるだけでなく大量のガス成分が系外に出やすくなるため、第１連続多段蒸留塔の安定運転が困難になり、３０よりも大きいとガス成分の抜出し量が相対的に小さくなり、安定運転が困難になるだけでなく、反応率の低下をもたらす。より好ましい  Ｄ１／ｄ１１の範囲は、８≦Ｄ１／ｄ１１≦２５  であり、さらに好ましくは、１０≦Ｄ１／ｄ１１≦２０  である。また、Ｄ２／ｄ２１が２より小さいと第２連続多段蒸留塔の設備費が高くなるだけでなく大量のガス成分が系外に出やすくなるため、第２連続多段蒸留塔の安定運転が困難になり、１５よりも大きいとガス成分の抜出し量が相対的に小さくなり、安定運転が困難になるだけでなく、反応率の低下をもたらす。より好ましい  Ｄ２／ｄ２１の範囲は、５≦Ｄ２／ｄ２１≦１２  であり、さらに好ましくは、３≦Ｄ２／ｄ２１≦１０  である。【０１０６】
Ｄ１／ｄ１２が３より小さいと第１連続多段蒸留塔の設備費が高くなるだけでなく液抜出し量が相対的に多くなり、第１連続多段蒸留塔の安定運転が困難になり、２０よりも大きいと液抜出し口や配管での流速が急激に速くなりエロ−ジョンを起こしやすくなり装置の腐食をもたらす。より好ましいＤ１／ｄ１２の範囲は、５≦Ｄ１／ｄ１２≦１８  であり、さらに好ましくは、７≦Ｄ１／ｄ１２≦１５  である。また、Ｄ２／ｄ２２が５より小さいと第２連続多段蒸留塔の設備費が高くなるだけでなく液抜出し量が相対的に多くなり、第２連続多段蒸留塔の安定運転が困難になり、３０よりも大きいと液抜出し口や配管での流速が急激に速くなりエロ−ジョンを起こしやすくなり装置の腐食をもたらす。より好ましいＤ２／ｄ２２の範囲は、７≦Ｄ２／ｄ２２≦２５  であり、さらに好ましくは、９≦Ｄ２／ｄ２２≦２０  である。【０１０７】
さらに、工程（ＩＩ）では、該ｄ１１と該ｄ１２が式（２９）を満足し、且つ該ｄ２１と該ｄ２２が式（３０）を満足する場合、さらに好ましいことがわかった：
１≦ｄ１２／ｄ１１≦５                    式（２９）
１≦ｄ２１／ｄ２２≦６                    式（３０）。【０１０８】
工程（ＩＩ）でいう長期安定運転とは、１０００時間以上、好ましくは３０００時間以上、さらに好ましくは５０００時間以上、フラッディングやウィーピングや、配管のつまりやエロージョンなどがなく、運転条件に基づいた定常状態で運転が継続でき、高選択率を維持しながら、所定量のジフェニルカーボネートが製造されていることを意味する。【０１０９】
工程（ＩＩ）では、１時間あたり好ましくは１トン以上の高生産性でジフェニルカーボネートを高選択率で長期間安定的に生産することを特徴としているが、より好ましくは１時間あたり２トン以上、さらに好ましくは１時間あたり３トン以上のジフェニルカーボネートを生産することにある。また、工程（ＩＩ）では、第１連続多段蒸留塔のＬ１、Ｄ１、Ｌ１／Ｄ１、ｎ１、Ｄ１／ｄ１１、Ｄ１／ｄ１２  がそれぞれ、２０００≦Ｌ１≦６０００、  １５０≦Ｄ１≦１０００、  ３≦Ｌ１／Ｄ１≦３０、  ３０≦ｎ１≦１００、  ８≦Ｄ１／ｄ１１≦２５、  ５≦Ｄ１／ｄ１２≦１８であって、第２連続多段蒸留塔のＬ２、Ｄ２、Ｌ２／Ｄ２、ｎ２、Ｄ２／ｄ２１、Ｄ２／ｄ２２  がそれぞれ、２０００≦Ｌ２≦６０００、  １５０≦Ｄ２≦１０００、  ３≦Ｌ２／Ｄ２≦３０、  １５≦ｎ２≦６０、  ２．５≦Ｄ２／ｄ２１≦１２、  ７≦Ｄ２／ｄ２２≦２５の場合は、１時間あたり２トン以上、好ましくは１時間あたり２．５トン以上、さらに好ましくは１時間あたり３トン以上のジフェニルカーボネートを製造することを特徴とするものである。【０１１０】
さらに、工程（ＩＩ）では、第１連続多段蒸留塔のＬ１、Ｄ１、Ｌ１／Ｄ１、ｎ１、Ｄ１／ｄ１１、Ｄ１／ｄ１２  がそれぞれ、２５００≦Ｌ１≦５０００、  ２００≦Ｄ１≦８００、  ５≦Ｌ１／Ｄ１≦１５、  ４０≦ｎ１≦９０、  １０≦Ｄ１／ｄ１１≦２５、  ７≦Ｄ１／ｄ１２≦１５であって、第２連続多段蒸留塔のＬ２、Ｄ２、Ｌ２／Ｄ２、ｎ２、Ｄ２／ｄ２１、Ｄ２／ｄ２２  がそれぞれ、２５００≦Ｌ２≦５０００、  ２００≦Ｄ２≦８００、  ５≦Ｌ２／Ｄ２≦１０、  ２０≦ｎ２≦５０、  ３≦Ｄ２／ｄ２１≦１０、  ９≦Ｄ２／ｄ２２≦２０の場合は、１時間あたり３トン以上、好ましくは１時間あたり３．５トン以上、さらに好ましくは１時間あたり４トン以上のジフェニルカーボネートを製造することを特徴とするものである。【０１１１】
工程（ＩＩ）でいうジフェニルカーボネートの選択率とは、反応したフェノールに対するものであって、工程（ＩＩ）では通常９５％以上の高選択率であり、好ましくは９７％以上、さらに好ましくは９８％以上の高選択率を達成することができる。【０１１２】
工程（ＩＩ）で用いられる第１連続多段蒸留塔及び第２連続多段蒸留塔は、インターナルとしてトレイ及び／又は充填物を有する蒸留塔であることが好ましい。本発明でいうインターナルとは、蒸留塔において実際に気液の接触を行わせる部分のことを意味する。このようなトレイとしては、工程（Ｉ）の項に記載のものが好ましい。また、「インターナルの段数」とは、前記のとおりである。【０１１３】
工程（ＩＩ）の第１連続多段蒸留塔においては、主としてジアルキルカーボネートとフェノールからアルキルフェニルカーボネートを生成させる反応が行われるが、この反応は平衡定数が極端に小さく、しかも反応速度が遅いので、反応蒸留に用いる第１連続多段蒸留塔としては、インターナルがトレイである棚段式蒸留塔がより好ましいことが見出された。また、第２連続多段蒸留塔においては主として、該アルキルフェニルカーボネートを不均化させる反応が行われるが、この反応も平衡定数が小さく、しかも反応速度が遅い。しかしながら、反応蒸留に用いる第２連続多段蒸留塔としては、インターナルが充填物およびトレイの両方を有する蒸留塔がより好ましいことが見出された。さらに第２連続多段蒸留塔としては、上部に充填物、下部にトレイを設置したものが好ましいことも見出された。第２連続多段蒸留塔の該充填物は規則充填物が好ましく、規則充填物のなかでもメラパックが特に好ましいことも見出された。【０１１４】
さらに、第１連続多段蒸留塔及び第２連続多段蒸留塔にそれぞれ設置される該トレイが多孔板部とダウンカマー部を有する多孔板トレイが機能と設備費との関係で特に優れていることが見出された。  そして、該多孔板トレイが該多孔板部の面積１ｍ２あたり１００〜１０００個の孔を有していることが好ましいことも見出された。より好ましい孔数は該面積１ｍ２あたり１２０〜９００個であり、さらに好ましくは、１５０〜８００個である。【０１１５】
また、該多孔板トレイの孔１個あたりの断面積が０．５〜５ｃｍ２であることが好ましいことも見出された。より好ましい孔１個あたりの断面積は、０．７〜４ｃｍ２であり、さらに好ましくは０．９〜３ｃｍ２である。さらには、該多孔板トレイが該多孔板部の面積１ｍ２あたり１００〜１０００個の孔を有しており、且つ、孔１個あたりの断面積が０．５〜５ｃｍ２である場合、特に好ましいことが見出された。連続多段蒸留塔に上記の条件を付加することによって、本発明の課題が、より容易に達成されることが判明したのである。【０１１６】
工程（ＩＩ）を実施する場合、原料であるジアルキルカーボネートとフェノールとを触媒が存在する第１連続多段蒸留塔内に連続的に供給し、該第１塔内で反応と蒸留を同時に行い、生成するアルコール類を含む第１塔低沸点反応混合物を該第１塔上部よりガス状で連続的に抜出し、生成するアルキルフェニルカーボネート類を含む第１塔高沸点反応混合物を該第１塔下部より液状で連続的に抜出し、該第１塔高沸点反応混合物を触媒が存在する第２連続多段蒸留塔内に連続的に供給し、該第２塔内で反応と蒸留を同時に行い、生成するジアルキルカーボネート類を含む第２塔低沸点反応混合物を該第２塔上部よりガス状で連続的に抜出し、生成するジフェニルカーボネート類を含む第２塔高沸点反応混合物を該第２塔下部より液状で連続的に抜出し、一方、ジアルキルカーボネート類を含む第２塔低沸点反応混合物を第１連続多段蒸留塔内に連続的に供給することによって、ジフェニルカーボネートが連続的に製造される。【０１１７】
この原料中には、反応生成物であるアルコール類、アルキルフェニルカーボネート、ジフェニルカーボネートやアルキルフェニルエーテルや高沸点化合物などの反応副生物が含まれていてもいいことは前述のとおりである。他の工程での分離・精製にかかる設備、費用のことを考慮すれば、実際に工業的に実施する本発明の場合は、これらの化合物を少量含んでいることが好ましい。【０１１８】
工程（ＩＩ）の第１連続多段蒸留塔の塔頂成分は、反応で生成するアルコール類に加え、通常、ジアルキルカーボネート、フェノール、アルキルアリールエーテルなどが含まれる場合が多く、さらには少量のアルキルアリールカーボネート、ジフェニルカーボネートなどが含まれる場合がある。この第１連続多段蒸留塔の塔頂成分は、そのままで工程（Ｉ）の脂肪族１価アルコールとして使用することもできるが、蒸留等により生成したアルコールよりも沸点の高い含有物質量を減少させた後に工程（Ｉ）の原料とすることが好ましい。該アルコールとジアルキルカーボネートの混合物が、工程（Ｉ）の脂肪族１価アルコールとして使用されることが特に好ましい。【０１１９】
工程（ＩＩ）において、原料であるジアルキルカーボネートとフェノールを第１連続多段蒸留塔内に連続的に供給するには、該第１蒸留塔の上部のガス抜出し口よりも下部であるが塔の上部または中間部に設置された１箇所または数箇所の導入口から、液状及び／又はガス状で供給してもよいし、フェノールを多く含む原料を該第１蒸留塔の上部の導入口から液状で供給し、ジアルキルカーボネートを多く含む原料を該第１蒸留塔の下部の液抜出し口よりも上部であって塔の下部に設置された導入口からガス状で供給することも好ましい方法である。【０１２０】
また、工程（ＩＩ）においては、第１連続多段蒸留塔下部より連続的に抜き出されるアルキルフェニルカーボネート類を含む第１塔高沸点反応混合物が第２連続多段蒸留塔に連続的に供給されるが、その供給位置は第２蒸留塔の上部のガス抜出し口よりも下部であるが塔の上部または中間部に設置された１箇所または数箇所の導入口から、液状及び／又はガス状で供給することが好ましい。また、本発明の好ましい実施態様である上部に充填物部、下部にトレイ部を有する蒸留塔を第２蒸留塔として用いる場合、導入口の少なくとも１箇所は充填物部とトレイ部との間に設置されることが好ましい。また、充填物が２基以上の複数の規則充填物からなっている場合は、これらの複数の規則充填物を構成する間隔に導入口を設置することも好ましい方法である。【０１２１】
また、工程（ＩＩ）において第１連続多段蒸留塔及び第２連続多段蒸留塔の塔頂ガス抜き出し成分をそれぞれ凝縮した後、その一部をそれぞれの蒸留塔上部にもどす還流操作を実施することも好ましい方法である。この場合、第１連続多段蒸留塔の還流比は０〜１０、であり、第２連続多段蒸留塔の還流比は０．０１〜１０の範囲、好ましくは０．０８〜５、さらに好ましくは、０．１〜２の範囲である。第１連続多段蒸留塔では還流操作をしない還流比０も好ましい実施態様である。【０１２２】
工程（ＩＩ）において、第１連続多段蒸留塔内に均一系触媒を存在させる方法はどのようなものであってもよいが、該第１蒸留塔の中間部より上部の位置から蒸留塔内に供給することが好ましい。また、該第１蒸留塔の少なくとも７段以上、好ましくは１０段以上、より好ましくは１５段以上の領域において反応液が触媒と接触するように触媒を供給することが好ましい。この場合、原料又は反応液に溶解させた触媒液を原料と一緒に導入してもよいし、原料とは別の導入口からこの触媒液を導入してもよい。本発明の第１連続多段蒸留塔で用いる触媒の量は、使用する触媒の種類、原料の種類やその量比、反応温度並びに反応圧力などの反応条件の違いによっても異なるが、原料の合計質量に対する割合で表して、通常０．０００１〜３０質量％、好ましくは０．０００５〜１０質量％、より好ましくは０．００１〜１質量％で使用される。【０１２３】
また、工程（ＩＩ）において、第２連続多段蒸留塔内に均一系触媒を存在させる方法はどのようなものであってもよいが、該第２蒸留塔の中間部より上部の位置から蒸留塔内に供給することが好ましい。この場合、原料又は反応液に溶解させた触媒液を原料と一緒に導入してもよいし、原料とは別の導入口からこの触媒液を導入してもよい。本発明の第２連続多段蒸留塔で用いる触媒の量は、使用する触媒の種類、原料の種類やその量比、反応温度並びに反応圧力などの反応条件の違いによっても異なるが、原料の合計質量に対する割合で表して、通常０．０００１〜３０質量％、好ましくは０．０００５〜１０質量％、より好ましくは０．００１〜１質量％で使用される。【０１２４】
工程（ＩＩ）においては、第１連続多段蒸留塔で用いる触媒と第２連続多段蒸留塔で用いる触媒は、同じ種類のものであってもよいし、異なる種類のものであってもよいが、好ましくは、同じ種類の触媒を用いることである。さらに好ましいのは、同じ種類であって、両方の反応液に溶解することのできる触媒である。この場合、触媒は通常第１連続多段蒸留塔の高沸点反応混合物中に溶解した状態で、アルキルフェニルカーボネート等とともに該第１蒸留塔の下部から抜き出され、そのまま第２連続多段蒸留塔に供給されるので、好ましい実施態様である。なお、必要に応じて第２連続多段蒸留塔に新たに触媒を追加することも可能である。【０１２５】
工程（ＩＩ）で行われるエステル交換反応の反応時間は第１連続多段蒸留塔内及び第２連続多段蒸留塔内でのそれぞれの反応液の平均滞留時間に相当すると考えられるが、これはそれぞれの該蒸留塔のインターナルの形状や段数、原料供給量、触媒の種類や量、反応条件などによって異なるが、第１連続多段蒸留塔内及び第２連続多段蒸留塔内のそれぞれにおいて、通常０．０１〜１０時間、好ましくは０．０５〜５時間、より好ましくは０．１〜３時間である。【０１２６】
第１連続多段蒸留塔の反応温度は、用いる原料化合物の種類や触媒の種類や量によって異なるが、通常１００〜３５０℃の範囲である。反応速度を高めるためには反応温度を高くすることが好ましいが、反応温度が高いと副反応も起こりやすくなり、例えば、アルキルフェニルエーテルなどの副生が増えるので好ましくない。このような意味で、第１連続多段蒸留塔での好ましい反応温度は１３０〜２８０℃、より好ましくは１５０〜２６０℃、さらに好ましくは、１８０〜２５０℃の範囲である。【０１２７】
第２連続多段蒸留塔の反応温度は、用いる原料化合物の種類や触媒の種類や量によって異なるが、通常１００〜３５０℃の範囲である。反応速度を高めるためには反応温度を高くすることが好ましいが、反応温度が高いと副反応も起こりやすくなり、例えば、アルキルフェニルエーテルや、原料や生成物であるアルキルフェニルカーボネートやジフェニルカーボネートのフリース転移反応生成物やその誘導体などの副生が増えるので好ましくない。このような意味で、第２連続多段蒸留塔での好ましい反応温度は１３０〜２８０℃、より好ましくは１５０〜２６０℃、さらに好ましくは、１８０〜２５０℃の範囲である。【０１２８】
また、第１連続多段蒸留塔の反応圧力は、用いる原料化合物の種類や組成、反応温度などにより異なるが、第１連続多段蒸留塔では減圧、常圧、加圧のいずれであってもよく、通常塔頂圧力が０．１Ｐａ〜２×１０７Ｐａ、好ましくは、１０５Ｐａ〜１０７Ｐａ、より好ましくは２×１０５Ｐａ〜５×１０６Ｐａの範囲で行われる。【０１２９】
第２連続多段蒸留塔の反応圧力は、用いる原料化合物の種類や組成、反応温度などにより異なるが、減圧、常圧、加圧のいずれであってもよく、通常塔頂圧力が０．１Ｐａ〜２×１０７Ｐａ、好ましくは、１０３Ｐａ〜１０６Ｐａ、より好ましくは５×１０３Ｐａ〜１０５Ｐａの範囲で行われる。【０１３０】
なお、工程（ＩＩ）における第１連続多段蒸留塔として、２基以上の蒸留塔を用いることもできる。この場合、２基以上の蒸留塔を直列に連結することも、並列に連結することも、さらに直列と並列を組み合わせて連結することも可能である。また、工程（ＩＩ）における第２連続多段蒸留塔として、２基以上の蒸留塔を用いることもできる。この場合、２基以上の蒸留塔を直列に連結することも、並列に連結することも、さらに直列と並列を組み合わせて連結することも可能である。【０１３１】
工程（ＩＩ）で用いられる第１連続多段蒸留塔及び第２連続多段蒸留塔を構成する材料は、主に炭素鋼、ステンレススチールなどの金属材料であるが、製造する芳香族カーボネートの品質の面からは、ステンレススチールが好ましい。【０１３２】
工程（ＩＩ）の第２連続多段蒸留塔の塔下部より液状で連続的に抜出された第２塔高沸点反応混合物は、ジフェニルカーボネートが主成分であるが、通常、未反応アルキルフェニルカーボネート、少量の未反応原料、少量の高沸点副生物および触媒成分も含まれている。したがって、第２塔高沸点反応混合物から、高純度ジフェニルカーボネートを取得するための精製工程（ＩＩＩ）を実施することが必要である。工程（ＩＩＩ）では、２基の蒸留塔（高沸点物質分離塔Ａ、サイドカット抜き出し口を有するジフェニルカーボネート精製塔Ｂ）を用い、該高沸点物質分離塔Ａにおいて、未反応アルキルフェニルカーボネート、少量の未反応原料、ジフェニルカーボネートを主成分とする塔頂成分（ＡＴ）と、少量の高沸点副生物等及び／又は触媒成分を主成分とする塔底成分（ＡＢ）とに連続的に分離するとともに、該高沸点物質分離塔の塔頂成分（ＡＴ）をジフェニルカーボネート精製塔Ｂに連続的に供給し、該ジフェニルカーボネート精製塔Ｂにおいて、塔頂成分（ＢＴ）、サイドカット成分（ＢＳ）、および塔底成分（ＢＢ）の３つの成分に連続的に分離し、サイドカット成分（ＢＳ）として高純度ジフェニルカーボネートを取得する。【０１３３】
工程（ＩＩＩ）において、該高沸点物質分離塔Ａは、下記式（１９）〜（２１）を満足する、長さＬＡ（ｃｍ）、内径ＤＡ（ｃｍ）で、内部に段数ｎＡのインターナルを有する連続多段蒸留塔であることが必要である：
８００  ≦  ＬＡ  ≦  ３０００                  式（１９）
１００  ≦  ＤＡ  ≦  １０００                  式（２０）
２０  ≦  ｎＡ  ≦    １００                  式（２１）。【０１３４】
該ジフェニルカーボネート精製塔Ｂは、下記式（２２）〜（２７）を満足する、長さＬＢ（ｃｍ）、内径ＤＢ（ｃｍ）で、内部にインターナルを有するものであって、塔の中間部に導入口Ｂ１、該導入口Ｂ１と塔底との間にサイドカット抜き出し口Ｂ２を有し、導入口Ｂ１から上部のインターナルの段数がｎＢ１、導入口Ｂ１とサイドカット抜き出し口Ｂ２との間のインターナルの段数がｎＢ２、サイドカット抜き出し口Ｂ２から下部のインターナルの段数がｎＢ３で、段数の合計（ｎＢ１+ｎＢ２+ｎＢ３）がｎＢである連続多段蒸留塔であることが必要である：
１０００  ≦  ＬＢ  ≦  ５０００                  式（２２）
１００  ≦  ＤＢ  ≦  １０００                  式（２３）
５  ≦  ｎＢ１  ≦    ２０                    式（２４）
１２  ≦  ｎＢ２  ≦    ４０                    式（２５）
３  ≦  ｎＢ３  ≦    １５                    式（２６）
２０  ≦  ｎＢ  ≦      ７０                  式（２７）。【０１３５】
これらの条件の全てを同時に満足させることによって、工程（ＩＩ）で得られたジフェニルカーボネートを含む第２塔高沸点反応混合物から高純度ジフェニルカーボネートを、１時間あたり１トン以上の工業的規模で、例えば２０００時間以上、好ましくは３０００時間以上、さらに好ましくは５０００時間以上の長期間、安定的に製造できることが見出されたのである。本発明の方法を実施することによって、このような優れた効果を有する工業的規模での高純度ジフェニルカーボネートの製造が可能になった理由は明らかではないが、式（１９）〜（２７）の条件を満足する高沸点物質分離塔Ａと該ジフェニルカーボネート精製塔Ｂが組み合わさった時にもたらされる効果であると推定される。なお、各々の要因の好ましい範囲は下記に示される。【０１３６】
ＬＡ（ｃｍ）が８００より小さいと、高沸点物質分離塔Ａの内部に設置できるインターナルの高さに制限ができるため分離効率が低下するため好ましくないし、目的の分離効率を達成しつつ設備費を低下させるには、ＬＡを３０００以下にすることが必要である。より好ましいＬＡ（ｃｍ）の範囲は、１０００≦ＬＡ≦２５００  であり、さらに好ましくは、１２００≦ＬＡ≦２０００  である。【０１３７】
ＤＡ（ｃｍ）が１００よりも小さいと、目的とする生産量を達成できないし、目的の生産量を達成しつつ設備費を低下させるには、ＤＡを１０００以下にすることが必要である。より好ましいＤＡ（ｃｍ）の範囲は、２００≦ＤＡ≦６００  であり、さらに好ましくは、２５０≦ＤＡ≦４５０  である。【０１３８】
ｎＡが２０より小さいと分離効率が低下するため目的とする高純度を達成できないし、目的の分離効率を達成しつつ設備費を低下させるには、ｎＡを１００以下にすることが必要である。さらに、ｎＡが１００よりも大きいと塔の上下における圧力差が大きくなりすぎるため、高沸点物質分離塔Ａの長期安定運転が困難となるだけでなく、塔下部での温度を高くしなければならないため、副反応が起こりやすくなるので好ましくない。より好ましいｎＡの範囲は、３０≦ｎＡ≦７０  であり、さらに好ましくは、３５≦ｎＡ≦６０  である。【０１３９】
ＬＢ（ｃｍ）が１０００より小さいと、ジフェニルカーボネート精製塔Ｂの内部に設置できるインターナルの高さに制限ができるため分離効率が低下するため好ましくないし、目的の分離効率を達成しつつ設備費を低下させるには、ＬＢを５０００以下にすることが必要である。より好ましいＬＢ（ｃｍ）の範囲は、１５００≦ＬＢ≦３０００  であり、さらに好ましくは、１７００≦ＬＢ≦２５００  である。【０１４０】
ＤＢ（ｃｍ）が１００よりも小さいと、目的とする生産量を達成できないし、目的の生産量を達成しつつ設備費を低下させるには、ＤＢを１０００以下にすることが必要である。より好ましいＤＢ（ｃｍ）の範囲は、１５０≦ＤＢ≦５００  であり、さらに好ましくは、２００≦ＤＢ≦４００  である。【０１４１】
ｎＢが２０より小さいと塔全体としての分離効率が低下するため目的とする高純度を達成できないし、目的の分離効率を達成しつつ設備費を低下させるには、ｎＢを７０以下にすることが必要である。さらにｎＢが７０よりも大きいと塔の上下における圧力差が大きくなり、ジフェニルカーボネート精製塔Ｂの長期安定運転が困難となるだけでなく、塔下部での温度を高くしなければならないため、副反応が起こりやすくなるので好ましくない。より好ましいｎＢの範囲は、２５≦ｎＢ≦５５  であり、さらに好ましくは、３０≦ｎＢ≦５０  である。さらに、目的とする高純度のジフェニルカーボネートを長時間安定的に得るためには、ｎＢ1、ｎＢ２、ｎＢ３  がそれぞれ、５≦ｎＢ１≦２０、  １２≦ｎＢ２≦４０、  ３≦ｎＢ３≦１５  の範囲にあることが必要であることが判明した。より好ましい範囲は、  ７≦ｎＢ１≦１５、  １２≦ｎＢ２≦３０、  ３≦ｎＢ３≦１０  である。【０１４２】
なお、本発明を実施する際、該高沸点物質分離塔Ａが、塔底温度（ＴＡ）１８５〜２８０℃、塔頂圧力（ＰＡ）１０００〜２００００Ｐａで操作され、該ジフェニルカーボネート精製塔Ｂが、塔底温度（ＴＢ）１８５〜２８０℃、塔頂圧力（ＰＢ）１０００〜２００００Ｐａで操作されることが好ましい。【０１４３】
ＴＡが１８５度よりも低いと塔頂圧力をより低くしなければならないため高真空を保持する設備にしなければならないし、また設備が大きくなるので好ましくなく、２８０℃より高くすると蒸留時に高沸点副生物が生成するので好ましくない。より好ましいＴＡは１９０〜２４０℃、であり、さらに好ましくは１９５〜２３０℃の範囲である。【０１４４】
ＰＡが１０００Ｐａよりも低いと高真空を保持できる大きな設備となり好ましくなく、２００００Ｐａより高いと蒸留温度が高くなり副生物が増加するので好ましくない。より好ましいＰＡは２０００〜１５０００Ｐａであり、さらに好ましくは３０００〜１３０００Ｐａの範囲である。【０１４５】
ＴＢが１８５度よりも低いと塔頂圧力をより低くしなければならないため高真空を保持する設備にしなければならないし、また設備が大きくなるので好ましくなく、２８０℃より高くすると蒸留時に高沸点副生物が生成するので好ましくない。より好ましいＴＢは１９０〜２４０℃、であり、さらに好ましくは１９５〜２３０℃の範囲である。【０１４６】
ＰＢが１０００Ｐａよりも低いと高真空を保持できる大きな設備となり好ましくなく、２００００Ｐａより高いと蒸留温度が高くなり副生物が増加するので好ましくない。より好ましいＰＢは２０００〜１５０００Ｐａであり、さらに好ましくは３０００〜１３０００Ｐａの範囲である。【０１４７】
なお、高沸点物質分離塔Ａとジフェニルカーボネート精製塔Ｂにおいて、ＤＡ及びＤＢ  が上記の範囲にある限り、塔の上部から下部までそれぞれ同じ内径であってもよいし、部分的に内径が異なっていてもよい。例えば、これらの連続多段蒸留塔において、塔上部の内径が塔下部の内径よりも小さくてもよいし、大きくてもよい。【０１４８】
工程（ＩＩＩ）で用いる高沸点物質分離塔Ａとジフェニルカーボネート精製塔Ｂは、それぞれインターナルとしてトレイ及び／又は充填物を有する蒸留塔である。本発明でいうインターナルとは、蒸留塔において実際に気液の接触を行わせる部分のことを意味する。このようなトレイとしては、工程（Ｉ）の項に記載のものが好ましい。また、「インターナルの段数」とは、前記のとおりである。【０１４９】
工程（ＩＩＩ）の高沸点物質分離塔Ａはインターナルとして充填物を有するものが好ましく、さらに充填物として規則充填物が好ましいことも判明した。また、ジフェニルカーボネート精製塔Ｂはインターナルとして充填物であることが好ましく、さらに１基又は２基以上の規則充填物が好ましいことが見出された。【０１５０】
工程（ＩＩ）の第２反応蒸留塔の塔底から連続的に抜出される高沸点反応混合物には、通常、ジアルキルカーボネートが、０．０５〜２質量％、フェノールが１〜２０質量％、アルキルフェニルエーテルが０．０５〜２質量％、アルキルフェニルカーボネートが１０〜４５質量％、ジフェニルカーボネートが５０〜８０質量％、高沸点副生物が０．１〜５質量％、触媒が０．００１〜５質量％含まれているので、この連続的に抜出された塔底液を、そのまま工程（ＩＩＩ）の高沸点分離塔Ａに連続的に供給することが好ましい。【０１５１】
該反応混合物の組成は、ジアルキルカーボネートとフェノールとのエステル交換反応の条件、触媒の種類と量等によって変化するが、一定の条件下でエステル交換反応が行われる限り、ほぼ一定の組成の反応混合物が製造できるので、高沸点物質分離塔Ａに供給される反応混合物の組成はほぼ一定である。しかしながら、工程（ＩＩＩ）においては、反応混合物の組成が上記の範囲内であれば、それが変動しても、ほぼ同様の分離効率で分離できる。このことは本発明の工程（ＩＩＩ）の特徴の１つである。【０１５２】
工程（ＩＩＩ）において、工程（ＩＩ）の第２反応蒸留塔の塔底液を高沸点物質分離塔Ａ内に連続的に供給するには、該分離塔Ａの中間部より下部に設置された１箇所又は数箇所の導入口から、液状で供給してもよいし、該分離塔Ａのリボイラーの下部に設けた配管からリボイラーを経て塔内に供給することも好ましい方法である。高沸点物質分離塔Ａに供給される第２反応蒸留塔の塔底液の量は、製造すべき高純度ジフェニルカーボネートの生産量、該反応混合物中のジフェニルカーボネートの濃度、該分離塔Ａの分離条件等によって変化するが、通常約２トン／ｈｒ以上、好ましくは約６トン／ｈｒ以上、さらに好ましくは約１０トン／ｈｒ以上である。【０１５３】
高沸点物質分離塔Ａに連続的に供給された第２反応蒸留塔の高沸点反応混合物は、ジフェニルカーボネートの大部分と未反応原料、アルキルフェニルエーテル、アルキルフェニルカーボネート等のジフェニルカーボネートよりも沸点の低い化合物の大部分からなる塔頂成分（ＡＴ）と、少量のジフェニルカーボネートと触媒と高沸点副生物とを含む塔底成分（ＡＢ）に分離される。塔底成分（ＡＢ）中には少量のアルキルフェニルカーボネートが含まれていてもよい。塔底成分中のこれらの有機物は触媒成分を溶解させ液状に保つのに役立っている。この塔底成分（ＡＢ）の、全量または一部はエステル交換反応の触媒成分として、通常そのままで工程（ＩＩ）の第１反応蒸留塔及び／又は第２反応蒸留塔に循環再使用されるが、場合によっては触媒回収工程で有機物と分離した後、触媒として再生され、循環再使用される。【０１５４】
工程（ＩＩＩ）においては、サリチル酸フェニル、キサントン、メトキシ安息香酸フェニル、１−フェノキシカルボニル−２−フェノキシカルボキシ−フェニレン等のジフェニルカーボネートより高沸点の副生物と触媒成分は、この高沸点物質分離塔Ａで、ほぼ完全に塔底成分（ＡＢ）として分離され、塔頂成分（ＡＴ）中の含有量を通常２００ｐｐｍ以下、好ましくは１００ｐｐｍ以下、より好ましくは５０ｐｐｍ以下にすることが容易にできるのが工程（ＩＩＩ）の特徴の１つである。塔頂成分（ＡＴ）中にこれらの高沸点副生物を殆ど含ませないで、しかも、導入された反応混合物中のジフェニルカーボネートの大部分を塔頂から抜き出すことができることも工程（ＩＩＩ）の特徴の１つである。工程（ＩＩＩ）においては、高沸点物質分離塔Ａに連続的に供給された反応混合物中のジフェニルカーボネートの９５％以上、好ましくは９６％以上、さらに好ましくは９８％以上を塔頂から抜出すことができる。また、工程（ＩＩＩ）においては、該分離塔Ａに供給される第２反応蒸留塔の高沸点反応混合物の組成に依存することではあるが、連続的に供給された液の通常、９０〜９７質量％が塔頂成分（ＡＴ）として塔頂から連続的に抜出され、１０〜３質量％が塔底成分（ＡＢ）として塔底から連続的に抜出される。塔頂成分（ＡＴ）の組成は、通常、ジアルキルカーボネートが、０．０５〜１質量％、フェノールが１〜１０質量％、アルキルフェニルエーテルが０．０５〜０．５質量％、アルキルフェニルカーボネートが２０〜４０質量％、ジフェニルカーボネートが５０〜８０質量％であり、高沸点副生物の含有量は通常２００ｐｐｍ以下、好ましくは１００ｐｐｍ以下、より好ましくは５０ｐｐｍである。【０１５５】
工程（ＩＩＩ）においては、高沸点物質分離塔Ａの還流比は０．０１〜１０の範囲であり、好ましくは０．０８〜５、さらに好ましくは、０．１から３の範囲である。【０１５６】
高沸点物質分離塔Ａの塔頂から連続的に抜出される塔頂成分（ＡＴ）の量は、前記のとおり該分離塔Ａに供給された第２反応蒸留塔の高沸点反応混合物の通常約９０〜９７％であるが、これがそのままジフェニルカーボネート精製塔Ｂの中間部に設けられた導入口Ｂ１から該精製塔Ｂに連続的に供給され、塔頂成分（ＢＴ）、サイドカット成分（ＢＳ）、塔底成分（ＢＢ）の３成分に連続的に分離される。該精製塔Ｂに供給された該分離塔Ａの塔頂成分（ＡＴ）に含まれていたジフェニルカーボネートよりも低沸点の成分は全て塔頂成分（ＢＴ）として塔頂から連続的に抜出され、塔底からは、少量の液体が連続的に抜出される。塔頂成分（ＢＴ）中には、少量のジフェニルカーボネートが含まれ、その量は供給されたジフェニルカーボネートに対して、通常、１〜９％、好ましくは３〜８％である。この塔頂成分（ＢＴ）中のジフェニルカーボネートは、塔頂成分（ＢＴ）を分離する別の蒸留塔で分離され、回収されるが、この別の蒸留塔の塔底成分として分離し、それを高沸点物質分離塔Ａ及び／又はジフェニルカーボネート精製塔Ｂに戻すことによって回収することも好ましい方法である。【０１５７】
塔底成分（ＢＢ）はジフェニルカーボネートと、数％程度に濃縮された少量の高沸点副生物からなっている。塔底から抜出される塔底成分（ＢＢ）の中のジフェニルカーボネートの量が非常に少なくてすむことも本発明の特徴の１つであり、その量は供給されたジフェニルカーボネートに対して、通常、０．０５〜０．５％である。【０１５８】
サイドカット抜き出し口Ｂ２からは、高純度ジフェニルカーボネートが通常通常１トン／ｈｒ以上、好ましくは３トン／ｈｒ以上、さらに好ましくは５トン／以上の流量で連続的に抜出され、この量は該精製塔Ｂに供給されたジフェニルカーボネートの通常、約９０〜９６％に相当する。【０１５９】
工程（ＩＩＩ）でサイドカット成分（ＢＳ）として得られるジフェニルカーボネートの純度は、通常９９．９％以上であり、好ましくは９９．９９％以上で、より好ましくは９９．９９９％以上である。ジメチルカーボネートとフェノールを原料として工程（ＩＩ）および工程（ＩＩＩ）を実施した時に得られる高純度ジフェニルカーボネート中の高沸点不純物の含有量は、サリチル酸フェニルが、３０ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１ｐｐｍ以下であり、キサントンが３０ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１ｐｐｍ以下であり、メトキシ安息香酸フェニルが３０ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１ｐｐｍ以下であり、１−フェノキシカルボニル−２−フェノキシカルボキシ−フェニレンが３０ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは５ｐｐｍ以下である。そして、これら高沸点副生物の合計含有量は１００ｐｐｍ以下、好ましくは５０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１０ｐｐｍ以下である。【０１６０】
また、本発明では通常ハロゲンを含まない原料と触媒を使用するので、得られるジフェニルカーボネートのハロゲン含有量は０．１ｐｐｍ以下であり、好ましくは１０ｐｐｂ以下であり、さらに好ましくは１ｐｐｂ以下（イオンクロマトグラフ法での検出限界外）である。【０１６１】
工程（ＩＩＩ）においては、ジフェニルカーボネート精製塔Ｂの還流比は０．０１〜１０の範囲であり、好ましくは０．１〜８、さらに好ましくは、０．５から５の範囲である。【０１６２】
本発明で用いられる高沸点物質分離塔Ａとジフェニルカーボネート精製塔Ｂ及び接液部を構成する材料は、主に炭素鋼、ステンレススチールなどの金属材料であるが、製造するジフェニルカーボネートの品質の面からは、ステンレススチールが好ましい。【０１６３】
実施例
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
ハロゲンはイオンクロマト法でそれぞれ測定された。【０１６４】
実施例１
（１）ジメチルカーボネートとエチレングリコールを連続的に製造する工程（Ｉ）
＜連続多段蒸留塔Ｔ０＞
図１に示されるようなＬ０＝３３００ｃｍ、Ｄ０＝３００ｃｍ、Ｌ０／Ｄ０＝１１、ｎ０＝６０、Ｄ０／ｄ０１＝７．５、Ｄ０／ｄ０２＝１２  である連続多段蒸留塔を用いた。なお、この実施例では、インターナルとして、多孔板部の孔１個あたりの断面積＝約１．３ｃｍ２、孔数＝約１８０〜３２０個／ｍ２を有する多孔板トレイを用いた。
＜反応蒸留＞
液状のエチレンカーボネート３．２７トン／ｈｒが下から５５段目に設置された導入口（３−ａ）から蒸留塔Ｔ０に連続的に導入された。ガス状のメタノール（ジメチルカーボネートを８．９６質量％含む）３．２３８トン／ｈｒと液状のメタノール（ジメチルカーボネートを６．６６質量％含む）７．４８９トン／ｈｒが、下から３１段目に設置された導入口（３−ｂおよび３−ｃ）から蒸留塔Ｔ０に連続的に導入された。蒸留塔Ｔ０に導入された原料のモル比は、メタノール／エチレンカーボネート＝８．３６であった。
触媒はＫＯＨ（４８質量％の水溶液）２．５トンにエチレングリコール４．８トンを加え、約１３０℃に加熱し、徐々に減圧にし、約１３００Ｐａで約３時間加熱処理し、均一溶液にしたものを用いた。この触媒溶液を、下から５４段目に設けられた導入口（３−ｅ）から、蒸留塔Ｔ０に連続的に導入した（Ｋ濃度：供給エチレンカーボネートに対して０．１質量％）。塔底部の温度が９８℃で、塔頂部の圧力が約１．１１８×１０５Ｐａ、還流比が０．４２の条件下で連続的に反応蒸留が行われた。
２４時間後には安定的な定常運転が達成できた。塔頂部１からガス状で抜き出された低沸点反応混合物は熱交換器で冷却され液体にされた。蒸留塔から１０．６７８トン／ｈｒで連続的に抜き出された液状の低沸点反応混合物中のジメチルカーボネートは４．１２９トン／ｈｒで、メタノールは６．５４９トン／ｈｒであった。塔底部２から３．３８２トン／ｈｒで連続的に抜出された液中の、エチレングリコールは、２．３５６トン／ｈｒで、メタノールは１．０１４トン／ｈｒ、未反応エチレンカーボネート４ｋｇ/ｈｒであった。原料に含まれるジメチルカーボネートを除いた、ジメチルカーボネートの１時間あたりの実質生産量は３．３４０トン、触媒溶液に含まれるエチレングリコールを除いた、エチレングリコールの１時間あたりの実質生産量は２．３０１トンであった。エチレンカーボネートの反応率は９９．８８％で、ジメチルカーボネートの選択率は９９．９９％以上で、エチレングリコールの選択率は９９．９９％以上であった。
この条件で長期間の連続運転を行った。５００時間後、２０００時間後、４０００時間後、５０００時間後、６０００時間後の１時間あたりの実質生産量は、ジメチルカーボネートが３．３４０トン、３．３４０トン、３．３４０トン、３．３４０トン、３．３４０トン、エチレングリコールが、２．３０１トン、２．３０１トン、２．３０１トン、２．３０１トン、２．３０１トンであり、エチレンカーボネートの反応率は９９．９０％、９９．８９％、９９．８９％、９９．８８％、９９．８８％、で、ジメチルカーボネートの選択率は９９．９９％以上、９９．９９％以上、９９．９９％以上、９９．９９％以上、９９．９９％以上で、エチレングリコールの選択率は９９．９９％以上、９９．９９％以上、９９．９９％以上、９９．９９％以上、９９．９９％以上であった。【０１６５】
（２）ジフェニルカーボネートを連続的に製造する工程（ＩＩ）
＜第１連続多段蒸留塔１０１＞
図２に示されるようなＬ１＝３３００ｃｍ、Ｄ１＝５００ｃｍ、Ｌ１／Ｄ１＝６．６、ｎ１＝８０、Ｄ１／ｄ１１＝１７、Ｄ１／ｄ１２＝９  である連続多段蒸留塔を用いた。なお、この実施例では、インターナルとして、孔１個あたりの断面積＝約１．５ｃｍ２、孔数＝約２５０個／ｍ２  を有する多孔板トレイを用いた。
＜第２連続多段蒸留塔２０１＞
図３に示されるようなＬ２＝３１００ｃｍ、Ｄ２＝５００ｃｍ、Ｌ２／Ｄ２＝６．２、ｎ２＝３０、Ｄ２／ｄ２１＝３．８５、Ｄ２／ｄ２２＝１１．１  である連続多段蒸留塔を用いた。なお、この実施例では、インターナルとして、上部にメラパック２基（合計理論段数１１段）を設置し、下部に孔１個あたりの断面積＝約１．３ｃｍ２、孔数＝約２５０個／ｍ２  を有する多孔板トレイを用いた。
＜反応蒸留＞
図４に示されるような第１連続多段蒸留塔１０１と第２連続多段蒸留塔２０１が接続された装置を用いて反応蒸留を行い、ジフェニルカーボネートを製造した。
フェノール／ジメチルカーボネート＝１．９（質量比）からなる原料１を第１連続多段蒸留塔１０１の上部導入口１１から液状で５０トン／ｈｒの流量で連続的に導入した。一方、ジメチルカーボネート／フェノール＝３．６（質量比）からなる原料２を第１連続多段蒸留塔１０１の下部導入口１２からガス状で５０トン／ｈｒの流量で連続的に導入した。第１連続多段蒸留塔１０１に導入された原料のモル比は、ジメチルカーボネート／フェノール＝１．３５であった。この原料にはハロゲンは実質的に含まれていなかった（イオンクロマトグラフィーでの検出限界外で１ｐｐｂ以下）。触媒はＰｂ（ＯＰｈ）２として、反応液中に約１００ｐｐｍとなるように第１連続多段蒸留塔１０１の上部導入口１１から導入された。第１連続多段蒸留塔１０１では塔底部の温度が２２５℃で、塔頂部の圧力が７×１０５Ｐａ、還流比が０の条件下で連続的に反応蒸留が行われた。メチルアルコール、ジメチルカーボネート、フェノール等を含む第１塔低沸点反応混合物を第１塔の塔頂部１３よりガス状で連続的に抜き出し、熱交換器１４を経て、抜出し口１６から３４トン／ｈｒの流量で抜出した。一方、メチルフェニルカーボネート、ジメチルカーボネート、フェノール、ジフェニルカーボネート、触媒等を含む第１塔高沸点反応混合物を第１塔底部１７を経て２１より液状で連続的に抜き出した。
２４時間後には安定した定常状態に達したので、第１塔高沸点反応混合物をそのまま第２連続多段蒸留塔２０１のメラパックと多孔板トレイとの間に設置されている原料導入口２１から、６６トン／ｈｒの流量で連続的に供給した。第２連続多段蒸留塔２０１に供給された液には、メチルフェニルカーボネートが１８．２重量％、ジフェニルカーボネートが０．８重量％含まれていた。第２連続多段蒸留塔２０１では塔底部の温度が２１０℃で、塔頂部の圧力が３×１０４Ｐａ、還流比が０．３の条件下で連続的に反応蒸留が行われた。２４時間後には安定的な定常運転が達成できた。第２塔塔頂部２３からジメチルカーボネート３５重量％、フェノール５６重量％を含む第２塔低沸点反応混合物が連続的に抜き出され、抜出し口２６での流量は５５．６トン／ｈｒで、第２塔塔底部２７からはメチルフェニルカーボネート３８．４質量％、ジフェニルカーボネート５５．６質量％を含む第２塔高沸点反応混合物が連続的に抜出された。第２塔低沸点反応混合物は、導入口１１から第１連続多段蒸留塔１０１に連続的に供給された。この際、新規に供給されるジメチルカーボネートとフェノールの量は、第２塔低沸点反応混合物の組成、量を勘案した上で、上記原料１および原料２の組成、量を維持するように調整した。ジフェニルカーボネートの生産量は１時間あたり５．７４トンであることがわかった。反応したフェノールに対して、ジフェニルカーボネートの選択率は９８％であった。
この条件で長期間の連続運転を行った。５００時間後、２０００時間後、４０００時間後、５０００時間後、６０００時間後のジフェニルカーボネートの生産量（原料中に含まれるジフェニルカーボネートを除く）は、１時間あたり５．７４トン、５．７５トン、５．７４トン、５．７４トン、５．７５トンであり、選択率は９８％、９８％、９８％、９８％、９８％、であり、非常に安定していた。また、製造された芳香族カーボネートには、ハロゲンは実質的に含まれていなかった（１ｐｐｂ以下）。【０１６６】
（３）高純度ジフェニルカーボネートを取得する工程（ＩＩＩ）
＜高沸点物質分離塔Ａ＞
図５に示されるようなＬＡ＝１７００ｃｍ、ＤＡ＝３４０ｃｍで、インターナルとして、ｎＡ＝３０のメラパックを設置した連続多段蒸留塔を該分離塔Ａとして用いた。
＜ジフェニルカーボネート精製塔Ｂ＞
図５に示されるようなＬＢ＝２２００ｃｍ、ＤＢ＝２８０ｃｍ、インターナルとして、ｎＢ１＝１２、ｎＢ２＝１８、ｎＢ３＝５である３基のメラパックを設置した連続多段蒸留塔を該精製塔Ｂとして用いた。
図５に示される高沸点物質分離塔Ａとジフェニルカーボネート精製塔Ｂからなる装置を用いて、上記の工程（ＩＩ）で得られた第２反応蒸留塔の高沸点反応混合物を導入口Ａ１から該分離塔Ａに１３．１トン／ｈｒで連続的に導入した。該分離塔Ａにおいて塔底部の温度（ＴＡ）を２０６℃、塔頂部の圧力（ＰＡ）を３８００Ｐａとし、還流比０．６で連続的に蒸留を行い、導管１６を通して塔頂成分（ＡＴ）を１２．５トン／ｈｒで連続的に抜き出し、導管１１を通して塔底成分（ＡＢ）を０．６トン／ｈｒで連続的に抜き出した。該塔頂成分（ＡＴ）は、そのまま導入口Ｂ１から該精製塔Ｂに連続的に導入された。該精製塔Ｂにおいて塔底部の温度（ＴＢ）を２１３℃、塔頂部の圧力（ＰＢ）を５０００Ｐａとし、還流比１．５で連続的に蒸留を行い、導管２６を通して塔頂成分（ＢＴ）を５．３トン／ｈｒで連続的に抜き出し、導管３１を通して塔底成分（ＢＢ）を０．０３トン／ｈｒで連続的に抜き出し、導管３３を通してサイドカット成分（ＢＳ）を７．１７トン／ｈｒで連続的に抜き出した。
系が完全に安定した２４時間後の各成分の組成は次のとおりであった。
ＡＴ：メチルフェニルカーボネートより低沸点物質６．８質量％（ジメチルカーボネート：０．１質量％、アニソール：０．１質量％、フェノール：６．６質量％）、メチルフェニルカーボネート３３．８質量％、ジフェニルカーボネート５９．４質量％。
ＡＢ：ジフェニルカーボネート４１．０質量％、サリチル酸フェニル、キサントン、メトキシ安息香酸フェニル、１−フェノキシカルボニル−２−フェノキシカルボキシ−フェニレン等のジフェニルカーボネートより高沸点の副生物および、触媒成分を含む高沸点物質５９．０質量％。
ＢＴ：ジメチルカーボネート０．２５質量％、アニソール０．２５質量％、フェノール１５．６質量％、メチルフェニルカーボネート７９．６質量％、ジフェニルカーボネート４．３質量％。
ＢＢ：ジフェニルカーボネート９５．０質量％、高沸点物質５．０質量％。
サイドカット成分中のサリチル酸フェニル、キサントン、メトキシ安息香酸フェニルの含有量はいずれも１ｐｐｍ以下であり、１−フェノキシカルボニル−２−フェノキシカルボキシ−フェニレンは４ｐｐｍであった。また、ハロゲンの含有量は１ｐｐｂ以下であった。このことから、サイドカットから得られたジフェニルカーボネートの純度は９９．９９９％以上であることがわかった。また、この高純度ジフェニルカーボネートの生産量は、１時間あたり７．１７トンであった。
この条件で長期間の連続運転を行った。５００時間後、２０００時間後、４０００時間後、５０００時間後、６０００時間後のジフェニルカーボネートの生産量および純度は実質的に全く変わっていなかった。【０１６７】
実施例２
（１）ジメチルカーボネートとエチレングリコールを連続的に製造する工程（Ｉ）
実施例１と同じ連続多段蒸留塔を用いて、下記の条件で反応蒸留を行った。
液状のエチレンカーボネート２．６１トン／ｈｒが下から５５段目に設置された導入口（３−ａ）から蒸留塔に連続的に導入された。ガス状のメタノール（ジメチルカーボネートを２．４１質量％含む）４．２３３トン／ｈｒと液状のメタノール（ジメチルカーボネートを１．４６質量％含む）４．２２７トン／ｈｒが、下から３１段目に設置された導入口（３−ｂおよび３−ｃ）から蒸留塔に連続的に導入された。蒸留塔に導入された原料のモル比は、メタノール／エチレンカーボネート＝８．７３であった。触媒は実施例１と同様にして、蒸留塔に連続的に供給された。塔底部の温度が９３℃で、塔頂部の圧力が約１．０４６×１０５Ｐａ、還流比が０．４８の条件下で連続的に反応蒸留が行われた。
２４時間後には安定的な定常運転が達成できた。塔頂部１からガス状で抜き出された低沸点反応混合物は熱交換器で冷却され液体にされた。蒸留塔から８．１７トン／ｈｒで連続的に抜き出された液状の低沸点反応混合物中のジメチルカーボネートは２．８４トン／ｈｒで、メタノールは５．３３トン／ｈｒであった。塔底部２から２．９３７トン／ｈｒで連続的に抜出された液中の、エチレングリコールは、１．８６５トン／ｈｒで、メタノールは１．０６２トン／ｈｒ、未反応エチレンカーボネート０．２ｋｇ/ｈｒであった。原料に含まれるジメチルカーボネートを除いた、ジメチルカーボネートの１時間あたりの実質生産量は２．６６９トン、触媒溶液に含まれるエチレングリコールを除いた、エチレングリコールの１時間あたりの実質生産量は１．８３９トンであった。エチレンカーボネートの反応率は９９．９９％で、ジメチルカーボネートの選択率は９９．９９％以上で、エチレングリコールの選択率は９９．９９％以上であった。
この条件で長期間の連続運転を行った。１０００時間後、２０００時間後、３０００時間後、５０００時間後の１時間あたりの実質生産量は、ジメチルカーボネートが２．６６９トン、２．６６９トン、２．６６９トン、２．６６９トンであり、エチレングリコールが、１．８３９トン、１．８３９トン、１．８３９トン、１．８３９トンであり、エチレンカーボネートの反応率は９９．９９％、９９．９９％、９９．９９％、９９．９９％で、ジメチルカーボネートの選択率は９９．９９％以上、９９．９９％以上、９９．９９％以上、９９．９９％以上で、エチレングリコールの選択率は９９．９９％以上、９９．９９％以上、９９．９９％以上、９９．９９％以上であった。【０１６８】
（２）ジフェニルカーボネートを連続的に製造する工程（ＩＩ）
実施例１と同じ装置を用いて、下記の条件で反応蒸留を行った。
フェノール／ジメチルカーボネート＝１．１（質量比）からなる原料１を第１連続多段蒸留塔１０１の上部導入口１１から液状で４０トン／ｈｒの流量で連続的に導入した。一方、ジメチルカーボネート／フェノール＝３．９（質量比）からなる原料２を第１連続多段蒸留塔１０１の下部導入口１２からガス状で４３トン／ｈｒの流量で連続的に導入した。第１連続多段蒸留塔１０１に導入された原料のモル比は、ジメチルカーボネート／フェノール＝１．８７であった。この原料にはハロゲンは実質的に含まれていなかった（イオンクロマトグラフィーでの検出限界外で１ｐｐｂ以下）。触媒はＰｂ（ＯＰｈ）２として、反応液中に約２５０ｐｐｍとなるように第１連続多段蒸留塔１０１の上部導入口１１から導入された。第１連続多段蒸留塔１０１では塔底部の温度が２３５℃で、塔頂部の圧力が９×１０５Ｐａ、還流比が０の条件下で連続的に反応蒸留が行われた。メチルアルコール、ジメチルカーボネート、フェノール等を含む第１塔低沸点反応混合物を第１塔の塔頂部１３よりガス状で連続的に抜き出し、熱交換器１４を経て、抜出し口１６から４３トン／ｈｒの流量で抜出した。一方、メチルフェニルカーボネート、ジメチルカーボネート、フェノール、ジフェニルカーボネート、触媒等を含む第１塔高沸点反応混合物を第１塔底部１７を経て２１より液状で連続的に抜き出した。
２４時間後には安定した定常状態に達したので、第１塔高沸点反応混合物をそのまま第２連続多段蒸留塔２０１のメラパックと多孔板トレイとの間に設置されている原料導入口２１から、４０トン／ｈｒの流量で連続的に供給した。第２連続多段蒸留塔２０１に供給された液には、メチルフェニルカーボネートが２０．７質量％、ジフェニルカーボネートが１．０質量％含まれていた。第２連続多段蒸留塔２０１では塔底部の温度が２０５℃で、塔頂部の圧力が２×１０４Ｐａ、還流比が０．５の条件下で連続的に反応蒸留が行われた。２４時間後には安定的な定常運転が達成できた。第２塔塔頂部２３から第２塔低沸点反応混合物が連続的に抜き出され、第２塔塔底部２７からはメチルフェニルカーボネート３６．２質量％、ジフェニルカーボネート６０．８質量％を含む第２塔高沸点反応混合物が連続的に抜出された。第２塔低沸点反応混合物は、導入口１１から第１連続多段蒸留塔１０１に連続的に供給された。この際、新規に供給されるジメチルカーボネートとフェノールの量は、第２塔低沸点反応混合物の組成、量を勘案した上で、上記原料１および原料２の組成、量を維持するように調整した。ジフェニルカーボネートの生産量は１時間あたり４．０３トンであることがわかった。反応したフェノールに対して、ジフェニルカーボネートの選択率は９７％であった。
この条件で長期間の連続運転を行った。５００時間後、１０００時間後、２０００時間後のジフェニルカーボネートの１時間あたりの生産量は４．０３トン、４．０３トン、４．０４トンであり、反応したフェノールに対して選択率は９７％、９７％、９７％であり、非常に安定していた。また、製造されたジフェニルカーボネートには、ハロゲンは実質的に含まれていなかった（１ｐｐｂ以下）。【０１６９】
（３）高純度ジフェニルカーボネートを取得する工程（ＩＩＩ）
実施例１と同様な方法で行われた。【０１７０】
実施例３
（１）ジメチルカーボネートとエチレングリコールを連続的に製造する工程（Ｉ）
図１に示されるようなＬ０＝３３００ｃｍ、Ｄ０＝３００ｃｍ、Ｌ０／Ｄ０＝１１、ｎ０＝６０、Ｄ０／ｄ０１＝７．５、Ｄ０／ｄ０２＝１２  である連続多段蒸留塔を用いた。なお、この実施例では、インターナルとして、多孔板部の孔１個あたりの断面積＝約１．３ｃｍ２、孔数＝約２２０〜３４０個／ｍ２を有する多孔板トレイを用いた。
液状のエチレンカーボネート３．７７３トン／ｈｒが下から５５段目に設置された導入口（３−ａ）から蒸留塔に連続的に導入された。ガス状のメタノール（ジメチルカーボネートを８．９７質量％含む）３．７３６トン／ｈｒと液状のメタノール（ジメチルカーボネートを６．６５質量％含む）８．６４１トン／ｈｒが、下から３１段目に設置された導入口（３−ｂおよび３−ｃ）から蒸留塔に連続的に導入された。蒸留塔に導入された原料のモル比は、メタノール／エチレンカーボネート＝８．７３であった。触媒は実施例１と同様にして、蒸留塔に連続的に供給された。塔底部の温度が９８℃で、塔頂部の圧力が約１．１１８×１０５Ｐａ、還流比が０．４２の条件下で連続的に反応蒸留が行われた。
２４時間後には安定的な定常運転が達成できた。塔頂部からガス状で抜き出された低沸点反応混合物は熱交換器で冷却され液体にされた。蒸留塔から１２．３２トン／ｈｒで連続的に抜き出された液状の低沸点反応混合物中のジメチルカーボネートは４．７６４トン／ｈｒで、メタノールは７．５５６トン／ｈｒであった。塔底部から３．９０２トン／ｈｒで連続的に抜出された液中の、エチレングリコールは、２．７１８トン／ｈｒで、メタノールは１．１７トン／ｈｒ、未反応エチレンカーボネート４．６ｋｇ／ｈｒであった。原料に含まれるジメチルカーボネートを除いた、ジメチルカーボネートの１時間あたりの実質生産量は３．８５４トン、触媒溶液に含まれるエチレングリコールを除いた、エチレングリコールの１時間あたりの実質生産量は２．６５５トンであった。エチレンカーボネートの反応率は９９．８８％で、ジメチルカーボネートの選択率は９９．９９％以上で、エチレングリコールの選択率は９９．９９％以上であった。
この条件で長期間の連続運転を行った。１０００時間後、２０００時間後、３０００時間後、５０００時間後の１時間あたりの実質生産量は、ジメチルカーボネートが３．８５４トン、３．８５４トン、３．８５４トン、３．８５４トンであり、エチレングリコールが、２．６５５トン、２．６５５トン、２．６５５トン、２．６５５トンであり、エチレンカーボネートの反応率は９９．９９％、９９．９９％、９９．９９％、９９．９９％で、ジメチルカーボネートの選択率は９９．９９％以上、９９．９９％以上、９９．９９％以上、９９．９９％以上で、エチレングリコールの選択率は９９．９９％以上、９９．９９％以上、９９．９９％以上、９９．９９％以上であった。【０１７１】
（２）ジフェニルカーボネートを連続的に製造する工程（ＩＩ）
第２連続多段蒸留塔２０１における多孔板トレイの孔１個あたりの断面積＝約１．８ｃｍ２とする以外は実施例１と同じ装置を用いて、下記の条件で反応蒸留を行った。
フェノール／ジメチルカーボネート＝１．７（質量比）からなる原料１を第１連続多段蒸留塔１０１の上部導入口１１から液状で８６トン／ｈｒの流量で連続的に導入した。一方、ジメチルカーボネート／フェノール＝３．５（質量比）からなる原料２を第１連続多段蒸留塔１０１の下部導入口１２からガス状で９０トン／ｈｒの流量で連続的に導入した。第１連続多段蒸留塔１０１に導入された原料のモル比は、ジメチルカーボネート／フェノール＝１．４４であった。この原料にはハロゲンは実質的に含まれていなかった（イオンクロマトグラフィーでの検出限界外で１ｐｐｂ以下）。触媒はＰｂ（ＯＰｈ）２として、反応液中に約１５０ｐｐｍとなるように第１連続多段蒸留塔１０１の上部導入口１１から導入された。第１連続多段蒸留塔１０１では塔底部の温度が２２０℃で、塔頂部の圧力が８×１０５Ｐａ、還流比が０の条件下で連続的に反応蒸留が行われた。メチルアルコール、ジメチルカーボネート、フェノール等を含む第１塔低沸点反応混合物を第１塔の塔頂部１３よりガス状で連続的に抜き出し、熱交換器１４を経て、抜出し口１６から８２トン／ｈｒの流量で抜出した。一方、メチルフェニルカーボネート、ジメチルカーボネート、フェノール、ジフェニルカーボネート、触媒等を含む第１塔高沸点反応混合物を第１塔底部１７を経て２１より液状で連続的に抜き出した。
２４時間後には安定した定常状態に達したので、第１塔高沸点反応混合物をそのまま第２連続多段蒸留塔２０１のメラパックと多孔板トレイとの間に設置されている原料導入口２１から、９４トン／ｈｒの流量で連続的に供給した。第２連続多段蒸留塔２０１に供給された液には、メチルフェニルカーボネートが１６．０質量％、ジフェニルカーボネートが０．５質量％含まれていた。第２連続多段蒸留塔２０１では塔底部の温度が２１５℃で、塔頂部の圧力が２．５×１０４Ｐａ、還流比が０．４の条件下で連続的に反応蒸留が行われた。２４時間後には安定的な定常運転が達成できた。第２塔塔頂部２３から第２塔低沸点反応混合物が連続的に抜き出され、第２塔塔底部２７からはメチルフェニルカーボネート３５．５質量％、ジフェニルカーボネート５９．５質量％を含む第２塔高沸点反応混合物が連続的に抜出された。第２塔低沸点反応混合物は、導入口１１から第１連続多段蒸留塔１０１に連続的に供給された。この際、新規に供給されるジメチルカーボネートとフェノールの量は、第２塔低沸点反応混合物の組成、量を勘案した上で、上記原料１および原料２の組成、量を維持するように調整した。ジフェニルカーボネートの生産量は１時間あたり７．２８トンであることがわかった。反応したフェノールに対して、ジフェニルカーボネートの選択率は９８％であった。
この条件で長期間の連続運転を行った。５００時間後、１０００時間後、２０００時間後のジフェニルカーボネートの１時間あたりの生産量は７．２８トン、７．２９トン、７．２９トンであり、反応したフェノールに対して選択率は９８％、９８％、９８％であり、非常に安定していた。また、製造された芳香族カーボネートには、ハロゲンは実質的に含まれていなかった（１ｐｐｂ以下）。【０１７２】
（３）高純度ジフェニルカーボネートを取得する工程（ＩＩＩ）
実施例１と同様な方法で行われた。
【産業上の利用可能性】
【０１７３】
本発明の方法を実施することによって、環状カーボネートとフェノールから、高品質・高性能の芳香族ポリカーボネートを製造するために必要な高純度ジフェニルカーボネートが、１時間当り１トン以上、好ましくは２トン以上、さらに好ましくは３トン以上の工業的規模で製造できることが見出された。しかもハロゲン含有量が０．１ｐｐｍ以下であり、好ましくは１０ｐｐｂ以下であり、さらに好ましくは１ｐｐｂ以下であり、またジフェニルカーボネートより高沸点の不純物が１００ｐｐｍ以下であり、好ましくは５０ｐｐｍ以下であり、より好ましくは１０ｐｐｍ以下である高純度ジフェニルカーボーネートが、長期間、たとえば２０００時間以上、好ましくは３０００時間以上、さらに好ましくは５０００時間以上、安定的に製造できることも見出された。従って、本発明は高純度ジフェニルカーボネートの工業的製造方法として極めて優れた効果のある方法である。
【図面の簡単な説明】
【０１７４】
【図１】本発明を実施するのに好ましい連続反応蒸留塔Ｔ０の一例を示す概略図である。胴部内部には多孔板トレイからなるインターナルが設置されている。
【図２】本発明を実施するのに好ましい第１連続反応蒸留塔の一例を示す概略図である。胴部内部にはインターナルが設置されている。
【図３】本発明を実施するのに好ましい第２連続反応蒸留塔の一例を示す概略図である。胴部内部には上部に規則充填物、下部に多孔板トレイからなるインターナルが設置されている。
【図４】本発明を実施するのに好ましい、第１連続反応蒸留塔と第２連続反応蒸留塔とを連結した装置の一例を示す概略図である。
【図５】本発明を実施するのに好ましい、高沸点物質分離塔Ａとジフェニルカーボネート精製塔Ｂとを連結した装置の一例を示す概略図である。  なお、各図で使用した符号の説明は、以下のとおりである：（図１）１：ガス抜出し口、２：液抜出し口、３−ａから３−ｅ：導入口、４−ａから４−ｂ：導入口、５：鏡板部、６：インターナル、７：胴体部分、１０：連続多段蒸留塔、Ｌ０：胴部長さ（ｃｍ）、Ｄ０：胴部内径（ｃｍ）、ｄ０１：ガス抜出し口の内径（ｃｍ）、ｄ０２：液抜出し口の内径（ｃｍ）（図２、図３および図４）１：ガス抜出し口、２：液抜出し口、３：導入口、４：導入口、５：鏡板部、Ｌ１及びＬ２：胴部長さ（ｃｍ）、Ｄ１及びＤ１：胴部内径（ｃｍ）、ｄ１１及びｄ２１：ガス抜出し口内径（ｃｍ）、ｄ１２及びｄ２２：液抜出し口内径（ｃｍ）、１０１：第１連続多段蒸留塔、２０１：第２連続多段蒸留塔、１１、１２、２１：導入口、１３、２３：塔頂ガス抜出し口、１４、２４、１８，２８：熱交換器、１７、２７：塔底液抜出し口、１６、２６：塔頂成分抜出し口、３１：第２連続多段蒸留塔塔底成分抜出し口（図５）Ａ１、Ｂ１：導入口、Ｂ２：抜出し口、１１：高沸点物質分離塔Ａの塔底成分抜出し口、１３、２３：塔頂ガス抜出し口、１４、２４、１８、２８、３８：熱交換器、１５、２５：還流液導入口、１６：高沸点物質分離塔Ａの塔頂成分抜出し口、１７、２７：塔底液抜出し口、２６：ジフェニルカーボネート精製塔Ｂの塔頂成分抜出し口、３１：ジフェニルカーボネート精製塔Ｂの塔底成分抜出し口、３３：ジフェニルカーボネート精製塔Ｂのサイドカット成分抜出し口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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