Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月7日(2008.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー添加剤又はポリマー添加剤混合物の低粉塵顆粒の製造方法であって、顆粒形成ポリマー添加剤をまとめて混合し、混合物を加工可能な塊に変形し、そしてオリフィスを通して加圧し、そして前成形したストランド状の押出された塊を冷却し、そしてまだ加工可能な状態にある間に、圧延、型押、冷却及び微粉砕により顆粒に形成する方法。
【請求項２】
顆粒形成ポリマー添加剤として、式：
【化１】
2007524740.tif 000001
［式中、互いに独立して、Ｒ1及びＲ2のうち１方は水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、フェニル基、（炭素原子数１ないし４のアルキル）１ないし３フェニル基、フェニル−炭素原子数１ないし３のアルキル基、（炭素原子数１ないし４のアルキル）１ないし３フェニル−炭素原子数１ないし３のアルキル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基及び（炭素原子数１ないし４のアルキル）１ないし３炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基又は部分式
【化２】
2007524740.tif 000002
（式中、Ｒａは水素原子又は炭素原子数１ないし４のアルキル基、ハロゲン原子及びスル
ホ基から選ばれた置換基を表す。）で表される基から選ばれた置換基を表し、
及び他方は炭素原子数１ないし１８のアルキル基、フェニル基、（炭素原子数１ないし４のアルキル）１ないし３フェニル基、フェニル−炭素原子数１ないし３のアルキル基、（炭素原子数１ないし４のアルキル）１ないし３フェニル−炭素原子数１ないし３のアルキル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基及び（炭素原子数１ないし４のアルキル）１ないし３炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基又は部分式（Ａ）（ここで、Ｒａは上記で定義された通りである。）で表される基から選ばれる置換基を表し；
Ｒ3は水素原子又はメチル基を表し；
ｍは数ゼロ又は１を表し；及び
ｎは１ないし４の整数を表し；ここで、
ｎが数１を表す場合、
ｍはゼロ又は１を表し、）及び
Ｙは１価の置換基−Ｏ−Ｙ1又は−Ｎ（−Ｙ2）2［式中、
Ｙ1は炭素原子数５ないし４５のアルキル基、少なくとも１つの酸素原子により中断され
た炭素原子数３ないし４５のアルキル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基、炭素原子数２ないし１２のアルケニル基、
部分式
−ＣＨ2−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ2−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒb  （Ｂ）
（式中、Ｒbは水素原子、炭素原子数１ないし８のアルキル基、炭素原子数３ないし５の
アルケニル基又はベンジル基を表す。）で表される置換基、
部分式
−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｏ−Ｒc （Ｃ）
（式中、Ｒcは水素原子、炭素原子数１ないし２４のアルキル基、炭素原子数５ないし１
２のシクロアルキル基又はフェニル基を表す。）で表される置換基、
部分式
−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨＲd−ＣＨＲe−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒf  （Ｄ）
（式中、Ｒd及びＲeのうち１方は水素原子又はメチル基を表し、及び他方はメチル基を表し、及びＲfは水素原子又は炭素原子数１ないし２４のアルキル基を表す。）で表される
置換基、
部分式
【化３】
2007524740.tif 000003
（式中、Ｒ1及びＲ2は上記で定義される通りである。）で表される置換基、
部分式
−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒg  （Ｆ）
（式中、Ｒgは水素原子又は炭素原子数１ないし２４のアルキル基を表す。）を表し］；
及び
Ｙ2はヒドロキシ−炭素原子数２ないし４のアルキル基を表す。］を表し；又は
ｎが数２を表す場合、
ｍはゼロを表し、及びＹは部分式
−Ｏ−ＣxＨ2X−Ｏ−  （Ｇ）
（式中、ｘは２ないし２０の整数を表す。）、
−Ｏ−（ＣＨ2−ＣＨ2−Ｏ）y−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｏ−  （Ｈ）
（式中、ｙは１ないし３０の整数を表す。）、
−Ｏ−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｓ−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｏ−  （Ｉ）、
−Ｏ−ＣＨ2−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ2−Ｏ−  （Ｋ）もしくは
−ＮＨ−（ＣＨ2）z−ＮＨ−  （Ｌ）
（式中、ｚはゼロ又は２ないし１０の整数を表す。）で表される二価基を表し；又は、
ｎが数３を表す場合、ｍはゼロを表し、及びＹは部分式
【化４】
2007524740.tif 000004
（式中、Ｒhは炭素原子数１ないし２４のアルキル基又はフェニル基を表す）もしくは
【化５】
2007524740.tif 000005
で表される三価基を表し；又は
ｎが数４を表す場合、ｍはゼロを表し及びＹは部分式
【化６】
2007524740.tif 000006
で表される四価基を表す。］で表されるフェノール系ポリマー添加剤をまとめて混合する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
顆粒形成ポリマーとして、式：
【化７】
2007524740.tif 000007
［式中、互いに独立して、Ｒ1及びＲ2のうちの１方は、水素原子又は炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し、及び他方は炭素原子数３ないし４のアルキル基を表し；ｘはゼロ（直接結合）又は１ないし３の整数を表し；及びＹは炭素原子数８ないし２２のアルコキシ基又は部分式
【化８】
2007524740.tif 000008
（式中、互いに独立して、Ｒ1’及びＲ2’のうちの１方は、水素原子又は炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し、及び他方は炭素原子数３ないし４のアルキル基を表し；ｘはゼロ（直接結合）又は１ないし３の整数を表し；及びｙは２ないし１０の整数を表し、及びｚは２ないし６の整数を表す。）で表される基を表す。］で表されるフェノール系添加剤をまとめて混合する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
顆粒形成ポリマー添加剤の混合物を、加熱可能なコニーダーで加工可能な塊に変形する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
加工可能な塊を、円形ノズル又はスロット形ノズルに通してコニーダーから押出し、そして前形成された、ストランド状の塊に更なる加工を受ける、請求項１記載の方法。
【請求項６】
可塑性の前成形された塊を、滑らかで磨かれた表面を有する圧搾ローラーによって、そして次にエンボス加工ラインを備える成形ローラーによって加工する、請求項１記載の方法。
【請求項７】
成形ローラーが溝を備える、請求項１記載の方法。
【請求項８】
移送及び冷却及び固化が、連続的なスチールベルト上で行われる、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月20日(2008.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Scutellaria baicalensis、S. amoena、S. barbata、S. discolor、S. hypericifolia、S. inbica、S. likiangensis、S. orthocalyx、S. rehderiana、S. scssilifloraおよびS. viscidulaからなる群より選択されるスクテラリア属の種から得られる単一の生薬原薬（ＢＤＳ）または１種以上の植物性成分を含む、ＳＡＲＳ−ＣｏＶ感染症患者の治療用医薬。
【請求項２】
スクテラリア属種の全抽出物である、請求項１記載の医薬。
【請求項３】
１種以上の賦形剤をさらに含む、請求項１または２記載の医薬。
【請求項４】
前記生薬原薬が標準化抽出物である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の医薬。
【請求項５】
前記スクテラリア属種由来の生薬原薬が、バイカリンおよび／またはバイカレインのマーカーに対して標準化されたものである、請求項４記載の医薬。
【請求項６】
前記標準化抽出物がエタノール抽出物を乾燥させたものである、請求項４または５記載の医薬。
【請求項７】
前記標準化抽出物が凍結乾燥抽出物である、請求項４〜６のいずれか一項に記載の医薬。
【請求項８】
植物薬である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の医薬。
【請求項９】
前記植物薬がサッシェに包装されている、請求項８記載の医薬。
【請求項１０】
前記植物薬が投薬容器と共に包装されている、請求項９記載の医薬。
【請求項１１】
前記投薬容器が密封可能な蓋を有する、請求項１０記載の医薬。
【請求項１２】
前記賦形剤が、粒子の１００重量％が６０メッシュ篩を通過し、粒子の９５重量％が８０メッシュ篩を通過し、粒子の７０重量％が２００メッシュ篩を通過するような粒度分布を有する少なくとも１種のキサンタンガムを含む１種以上のゲル化剤または増粘剤と、１種以上の充填剤と、１種以上の湿潤剤または界面活性剤とを含む、請求項３記載の医薬。
【請求項１３】
スクテラリア属の種から得た前記１種以上の植物性成分が植物フラボノイドまたはその合成等価物である、請求項１記載の医薬。
【請求項１４】
前記植物フラボノイドが、バイカレイン、バイカリンおよびオウゴニンからなる群より選択されるものである、請求項１３記載の医薬。
【請求項１５】
スクテラリア属の種から得られる植物性原料（ＢＲＭ）、生薬原薬（ＢＤＳ）または１種以上の植物性成分を含む、抗ウイルス医薬。
【請求項１６】
プラス鎖ＲＮＡウイルス感染症の患者を治療するためのものである、請求項１５記載の抗ウイルス医薬。
【請求項１７】
ＳＡＲＳ−ＣｏＶ感染症患者を治療するためのものである、請求項１５または１６記載の抗ウイルス医薬。
【請求項１８】
スクテラリア属種を含む懸濁剤投与医薬。
【請求項１９】
下記の属の種から得られる１種以上の植物性原料（ＢＲＭ）、１種以上の生薬原薬（ＢＤＳ）または１種以上の植物性成分を含む、ＳＡＲＳ−ＣｏＶを治療するための植物薬（ＢＤ）または栄養補助食品：
ａ）スクテラリア；
ｂ）ロニセラ；
ｃ）レンギョウ；または
ｄ）ヤマハッカ。
【請求項２０】
懸濁剤粉末混合物であって、生薬として
全植物性原料の総重量に対して３０〜７０％の量（重量基準）のレンギョウ、
全植物性原料の総重量に対して１２．５〜３７．５％の量（重量基準）のロニセラ、および
全植物性原料の総重量に対して１２．５〜３７．５％の量（重量基準）のスクテラリア
を含み、賦形剤として
粒子の１００重量％が６０メッシュ篩を通過し、粒子の９５重量％が８０メッシュ篩を通過し、粒子の７０重量％が２００メッシュ篩を通過するような粒度分布を有する少なくとも１種のキサンタンガムを含む１種以上のゲル化剤または増粘剤と、１種以上の充填剤と、１種以上の湿潤剤または界面活性剤
を含む前記懸濁剤粉末混合物。
【請求項２１】
レンギョウ、ロニセラおよびスクテラリア属種の各々の標準化抽出物を含む、請求項２０記載の懸濁剤粉末混合物。
【請求項２２】
レンギョウ属種が、フィリリンのマーカーに対して標準化されたものであり、
スクテラリア属種が、バイカリンおよびバイカレインのいずれか一方または双方のマーカーに対して標準化されたものであり、
ロニセラ属種が、クロロゲン酸および／またはカフェー酸のマーカーに対して標準化されたものである、請求項２１記載の懸濁剤粉末混合物。
【請求項２３】
バイカリン、バイカレイン、クロロゲン酸、forsythiaside、カフェー酸およびフィリリンのうちの１種または複数種を含むＳＡＲＳ−ＣｏＶの治療用医薬。
【請求項２４】
下記の属の種から得られる生薬原薬または植物性成分から本質的になる医薬：
ａ）スクテラリア；
ｂ）ロニセラ；
ｃ）レンギョウ；および
ｄ）ヤマハッカ。
【請求項２５】
ＳＡＲＳ−ＣｏＶの治療用である、請求項１〜１８及び２４のいずれか一項に記載の医薬。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月30日(2008.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＨＡＭＬＥＴ若しくはその生物活性改変体、又はそれらのいずれかの生物活性断片から選択される、α−ラクトアルブミンの生物活性複合体を含有する、ヒトを含む動物の増殖性疾患の治療において使用するための、又は血管新生を阻害するための薬剤。
【請求項２】
ＨＡＭＬＥＴ若しくはその生物活性改変体、又はそれらのいずれかの生物活性断片から選択される、α−ラクトアルブミンの生物活性複合体を含有する、粘膜癌の治療において使用するための薬剤。
【請求項３】
粘膜癌が膀胱癌である、請求項２に記載の薬剤。
【請求項４】
ＨＡＭＬＥＴ若しくはその生物活性改変体、又はそれらのいずれかの生物活性断片から選択される、α−ラクトアルブミンの生物活性複合体を含有する、腫瘍に注入するための薬剤。
【請求項５】
腫瘍が内部器官の固形腫瘍である、請求項４に記載の薬剤。
【請求項６】
内部器官が脳、肝臓、腎臓、前立腺及び卵巣から選択されたものである、請求項５に記載の薬剤。
【請求項７】
内部器官が脳である、請求項６に記載の薬剤。
【請求項８】
脳腫瘍がヒト膠芽細胞腫である、請求項７に記載の薬剤。
【請求項９】
ＨＡＭＬＥＴ若しくはその生物活性改変体、又はそれらのいずれかの生物活性断片から選択される、α−ラクトアルブミンの生物活性複合体を含有する、血管新生の阻害において使用するための薬剤。
【請求項１０】
腫瘍細胞の転移を遅らせるための、請求項９に記載の薬剤。
【請求項１１】
生物活性複合体が、アポフォールディング状態であるα−ラクトアルブミン又はα−ラクトアルブミンの変異体、又はこれらのいずれか一方の断片、及び生物活性形態で複合体を安定化する補助因子を含み、但し、α−ラクトアルブミン又はその変異体のいずれかの断片が、α及びβドメインの間に接点を形成するα−ラクトアルブミンの領域に相当する領域を含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の薬剤。
【請求項１２】
補助因子が、シスＣ１８：１：９又はＣ１８：１：１１脂肪酸又は類似の立体配置を有する異なった脂肪酸である、請求項１１に記載の薬剤。
【請求項１３】
生物活性複合体が、ｐＨ４.６で沈殿したミルクのカゼイン分画からの単離によって、陰イオン交換クロマトグラフィーとゲルクロマトグラフィーの組合せによってか、又はα−ラクトアルブミンを、Ｃ１８：１脂肪酸の特性を示す、ヒトミルクカゼイン由来の補助因子の存在下で、イオン交換クロマトグラフィーにかけることによってのいずれかで得られ得るＨＡＭＬＥＴを含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の薬剤。
【請求項１４】
α−ラクトアルブミンの生物活性複合体が、
（ｉ）シスＣ１８：１：９又はＣ１８：１：１１脂肪酸又は類似の立体配置を有する異なった脂肪酸；及び
（ii）カルシウムイオンが除去されたα−ラクトアルブミン、又はカルシウムイオンが除去されたか又は機能性カルシウム結合部位を有していないα−ラクトアルブミンの変異体；又はこれらのいずれか一つの断片（但し、いずれかの断片が、α及びβドメインの間に接点を形成するα−ラクトアルブミンの領域に相当する領域を含む）；
を含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の薬剤。
【請求項１５】
生物活性複合体が、カルシウム結合部位が改変され、その結果カルシウムに対する親和性が減少しているか、又はそれがもはや機能的でない、α−ラクトアルブミンの変異体を包含する、請求項１４に記載の薬剤。
【請求項１６】
変異が、ウシα−ラクトアルブミンのＫ７９、Ｄ８２、Ｄ８４、Ｄ８７及びＤ８８に相当するアミノ酸の一つで変異を有する、請求項１５に記載の薬剤。
【請求項１７】
改変が、Ｄ８７Ａ又はＤ８７Ｎ変異体を有するα−ラクトアルブミンの変異体を包含するＤ８７においてである、請求項１６に記載の薬剤。
【請求項１８】
生物活性複合体が、α−ラクトアルブミン又はその変異体の断片を含み、その断片が天然のタンパク質のアミノ酸３４〜８６の全領域を包含するものである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の薬剤。
【請求項１９】
α−ラクトアルブミンが、ヒト又はウシα−ラクトアルブミン又はそれらのいずれか一方の変異体である、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の薬剤。
【請求項２０】
α−ラクトアルブミンがヒトα−ラクトアルブミンである、請求項１９に記載の薬剤。
【請求項２１】
α−ラクトアルブミンがＳ７０Ｒ変異を包含する変異体ウシα−ラクトアルブミンである、請求項１９に記載の薬剤。
【請求項２２】
生物活性複合体が膀胱内点滴注入によって投与される、請求項３に記載の薬剤。
【請求項２３】
生物活性複合体が２００ｍｇから１ｇの単回投与単位で投与される、請求項２２に記載
の薬剤。
【請求項２４】
投与単位が少なくとも５日間繰り返される、請求項２３に記載の薬剤。
【請求項２５】
投与単位が連続した日々に行なわれる、請求項２４に記載の薬剤。
【請求項２６】
複合体が担体として生理食塩水を更に含む組成物の形態で投与される、請求項４に記載の薬剤。
【請求項２７】
複合体が、運搬促進送達（CED）を用いて注入される、請求項２６に記載の薬剤。
【請求項２８】
ＨＡＭＬＥＴ若しくはその生物活性改変体、又はそれらのいずれかの生物活性断片から選択される、α−ラクトアルブミンの生物活性複合体を含有する、メラノーマを含む悪性皮膚腫瘍の治療において使用するための薬剤。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月23日(2008.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
割り当てられた光源（１０）の光で、照明視野（７）を照明するためのマイクロリソグラフィ投影露光設備用の照明系であって、前記照明系の少なくとも１つの瞳孔面（２３、６２）には、少なくとも１つの偏光補償器（１１）が配置されており、前記偏光補償器は、前記瞳孔面（２３、６２）において、光分布の偏光状態に位置の関数として影響を与えるための少なくとも１つの偏光変化器（１１ａ、１１ｂ）を有し、かつ、前記照明系の複数の角度依存偏光変化光学素子（５）により引き起こされる複数の偏光変化を部分的に又は十分に補償するように構成されており、前記偏光補償器（１１）は、その光学軸心（１９）に関して、偶数の放射対称性を備えた位置に依存して変化する偏光変化関数を有することを特徴とした照明系。
【請求項２】
前記偏光補償器  （１１）は、その光学軸心（１９）に関して、二重又は四重の放射対称性を有することを特徴とした請求項１記載の照明系。
【請求項３】
前記照明系は、光入射表面（５ａ）及び光出射表面（５ｂ）とを備えた積算ロッド装置（５）を有しており、前記積算ロッド装置（５）は、複数のロッド側面（１７）と複数のロッドコーナー（１６）とを備えた多角形、とくに矩形の横断面を有することを特徴とした請求項１又は２記載の照明系。
【請求項４】
前記偏光補償器（１１）は、前記ロッドコーナー（１６）の数に対応する第１偏光変化作用を備えた複数の第１扇形部（１２）及び前記偏光補償器（１１）の周方向、前記複数の第１扇形部（１２）の間に存在する第２偏光変化作用を備えた前記ロッド側面（１７）の数に対応する複数の第２扇形部（１３）を有しており、前記複数の第１扇形部（１２）は、前記複数のロッドコーナー（１６）に割り当てられた複数の角度部分に存在し、また、前記第２扇形部（１３）は、前記複数のロッド側面（１７）に割り当てられた複数の角度部分に存在し、かつ、前記第１及び第２偏光変化作用とが異なっていることを特徴とした請求項３記載の照明系。
【請求項５】
前記照明系は、瞳孔面（２３）において四極形状光分布を生成するための機器（９、２０）を有しており、前記複数のロッドコーナー（１６）が局存化される複数の角度部分に、前記四極形状光分布の高い光強度の複数の領域が局在化されるように設定され得ることを特徴とした請求項３又は４記載の照明系。
【請求項６】
二次元ラスタ構造を備えた回析光学ラスタ素子又は屈折光学ラスタ素子（８）は、前記照明系の瞳孔面（２３）又はその近傍、とくに前記積算ロッド装置の光入射表面（５ａ）上流の光路に配置されており、前記偏光補償器（１１）は、前記瞳孔面（２３）又はその近傍に位置していることを特徴とした請求項１〜５の何れか１つに記載の照明系。
【請求項７】
前記照明系は、前記積算ロッド装置（５）の視野面、とくに前記光出射表面（５ｂ）を照明視野（７）上に結像するための結像対物レンズ（６）を有しており、前記偏光補償器（１１）は、前記結像対物レンズ（６）の瞳孔面（６２）又はその近傍に位置していることを特徴とした請求項１〜６の何れか１つに記載の照明系。
【請求項８】
前記偏光変化器として、前記偏光補償器（１１）は、異なる厚み及び／又は異なる結晶配向の複屈折材料からなる複数の要素（１８）、及び／又は複数の異なる複屈折構造を備えた複数の要素を二次元配置したラスタ素子（１１ａ）を有することを特徴とした請求項１〜７の何れか１つに記載の照明系。
【請求項９】
前記偏光変化器として、前記偏光補償器（１１）は、種々の厚さの複屈折材料からなる高さプロファイル（３０）を有する板（１１ｂ）を含んでいることを特徴とした請求項１〜８の何れか１つに記載の照明系。
【請求項１０】
照明系へ導入するための偏光補償器（１１）の製造方法であって、少なくとも１つの角度依存偏光変化光学素子（５）によって引き起こされる前記照明系での角度依存偏光変化を決定する工程と；前記角度依存偏光変化を補償するために、瞳孔面（２３、６２）で、位置の関数として変化する偏光変化を計算する工程と；位置依存偏光変化が、角度依存偏光変化の少なくとも部分的な補償に適するように、前記偏光補償器（１１）を製造する工程と；所望の補償作用が生じるように、前記照明系の瞳孔面（２３、６２）又はその近傍に、前記偏光補償器（１１）を配置する工程とを有しており、前記偏光補償器は、その光学軸心に関して、偶数の放射対称性を備える位置依存偏光変化を生成するように製造されることを特徴とした製造方法。
【請求項１１】
複屈折材料からなる要素（１８）又は複数の異なる複屈折構造を備えた要素を二次元配置したラスタ素子（１１ａ）として、前記偏光補償器（１１）は製造されており、その厚み及び／又は結晶軸心配向は、位置依存偏光変化が角度依存偏光変化を補償するのに適するような位置の関数として予め定められていることを特徴とした請求項１０記載の製造方法。
【請求項１２】
前記照明系は、光入射表面（５ａ）及び光出射表面（５ｂ）を備えた積算ロッド装置（５）を有しており、また、前記積算ロッド装置（５）は、複数のロッド側面（１７）と複数のロッドコーナー（１５）とを備えた多角形の横断面を有しており、更に、前記偏光補償器（１１）は、前記複数のロッドコーナー（１６）の数に対応する第１偏光変化作用を備えた複数の第１扇形部（１２）と前記複数のロッド側面の数に対応し、前記偏光補償器（１１）の周方向、前記複数の第１扇形部間に存在する、第２偏光変化作用を備えた複数の第２扇形部(１３)とを有しており、前記第１扇形部(１２)は、前記複数のロッドコーナー(１６)に割り当てられた複数の角度部分に存在し、また、前記第２扇形部(１３)は、前記複数のロッド側面(１７)に割り当てられた複数の角度部分に存在し、前記第１及び第２偏光変化作用が異なっていることを特徴とした請求項１０又は１１記載の製造方法。
【請求項１３】
位置依存偏光変化の計算を目的として、前記偏光補償器（１１）配置用の瞳孔面（２３、６２）にフーリエ交換で関連付けられる視野面（５ａ）の全地点について平均化が行われることを特徴とした請求項１０から１２の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１４】
照明系と投影対物レンズを有するマイクロリソグラフィ投影露光設備であって、照明系が、請求項１〜９の何れか１つに記載の構成になっているマイクロリソグラフィ投影露光設備。
【請求項１５】
投影対物レンズが、偏光選択的ビームスプリッタ表面を備えた物理ビームスプリッタを有することを特徴とした請求項１４に記載のマイクロリソグラフィ投影露光設備。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月6日(2008.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
能動光学部品（２）を有するウエハー（１）を提供する段階で、各能動光学部品は光学能動表面を有する段階と、
光学能動表面によって放射される電磁放射、および／もしくは、前記光学能動表面に影響を与える電磁放射に影響を与えるよう機能する能動光学部品に割り当てられた光学構造（１２，１３，１２３）を提供する段階と、から構成される集積光学システムを製造する方法であり、前記光学構造は、
保護層（５１）を前記ウエハーに加え、前記保護層は前記ウエハーの表面を部分的に覆うことと、
液体もしくは塑性変形可能な状態で、透明な物質を少なくとも前記能動光学部品のいくつかに配置することと、
前記光学構造を複製ツール（３３）によって、整列された方法で、前記透明な物質の表面に複製することで、複製プロセスにおいて複製ツールは保護層（５１）もしくはその突起（７２）に当接することと、
保護層（５１）を除去することとによって提供されることを特徴とし、
前記方法はさらに、前記光学構造を有する半導体ウエハーを少なくとも１つの能動光学部品および少なくとも１つの光学構造を含む部分に分離する段階を含む、集積光学システムを製造する方法。
【請求項２】
前記透明な物質は、透明な物質の少なくとも２つの層を含み、前記能動光学部品を覆う前記２つの層の第１の層（１０９）は、前記少なくとも２つの層の最も外側の層（１１０）よりも厚いことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の層が前記能動光学部品の上に成型され、前記最も外側の層が第１の層の上もしくは潜在的な中間層の上に配置され、前記光学構造が最も外側の層にエンボス加工されることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記複製ツールは、前記複製ツールがフラットな表面に置かれたときに空洞（４１）を形成する溝状の形状を含み、前記複製ツール内の構造は前記溝状の形状であることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記透明な物質が、液体もしくは塑性変形可能な状態で、前記光学構造があるべき場所に局所的に配置され、前記溝状の形状が、複製プロセスの間、限定された領域の外に透明な物質が溢れることを防ぐことを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記複製ツールが、前記空洞（４１）に接続されたチャネル（４３）をさらに含むことを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記透明な物質が、液体もしくは塑性変形可能な状態で、前記複製ツールの上の前記溝状の形状に配置され、これが硬化の前と後とに前記ウエハーに取り付けられることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記透明な物質が、前記保護層のくぼみにより形成された溝に配置され、もしくは前記保護層を含む前記ウエハー上に広域にわたり配置されることを特徴とする、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
ダイシング段階が、硬化段階の後に、前記保護層の除去前に行われ、前記ダイシング段階は、前記透明な物質の溝を、前記保護層に接する場所でカットすることを含むことを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記複製ツール（３３）はくぼみ（７１）を含み、複製される構造は、前記複製ツールの最も外側の表面（７３）に対してずれることを特徴とする、請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
前記保護層（５１）は、少なくともその縁の部分から突出する当接突起（７２）を含むことを特徴とする、請求項８から１０のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月26日(2007.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面実装型電気部品（２）を有するプリント回路（１）における記録密度を増加させる配列であって、
プリント回路（１）は、２つのフィルム（３ｘ、３ｙ）により形成され、これらのフィルム（３ｘ、３ｙ）は互いに押圧され、これらのフィルム（３ｘ、３ｙ）の間に誘電体（４）が形成され、
フィルム（３ｘ、３ｙ）における少なくとも１つの互いに対向する面（３ａ、３ｂ）が、表面実装型電気部品（２）に接合するようになっており、
プリント回路（１）の中に、２つのフィルム（３ｘ、３ｙ）を接続させるための複数のビアホール（６ｂ）が設けられており、各ビアホール（６ｂ）は、フィルム（３ｘ、３ｙ）の互いに対向する面（３ａ、３ｂ）の間で接続されており、
更なる表面実装型電気部品（２）が、フィルム（３ｘ、３ｙ）の互いに対向する面（３ｃ、３ｄ）に形成されており、表面実装型電気部品（２）は互いに対向していることを特徴とする配列。
【請求項２】
更なる表面実装型電気部品（２）が、互いに対向しないフィルム（３ｘ、３ｙ）の面（３ｃ、３ｄ）に形成されていることを特徴とする請求項１記載の配列。
【請求項３】
誘電体（４）の更なる層および更なるフィルム（３ｚ）が、プリント回路（１）の少なくとも１つの面（３ｃ、３ｄ）に設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の配列。
【請求項４】
フィルム（３ｘ、３ｙ、３ｚ）は銅を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配列。
【請求項５】
プリント回路（１）は、当該プリント回路（１）の少なくとも１つの面（３ｃ、３ｄ）に形成された第１の接点（６ａ）を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配列。
【請求項６】
圧縮されたフィルム（３ｘ、３ｙ）と、更なるフィルム（３ｚ）との間にビアホール（６ｃ）が形成されていることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか一項に記載の配列。
【請求項７】
前記表面実装型電気部品（２）は、レジスタ、コイルまたはコンデンサであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配列。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載のプリント回路（１）を、互いに重ね合わせるようにして複数備えた積層体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月15日(2008.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
人間が知覚することを意図するコンテントを伝えるソース信号を表す情報を処理する方法であって：
前記ソース信号に第１解析フィルタバンクを適用して生成した第１スペクトル成分を受け; 
前記第１解析フィルタバンクの逆の合成フィルタバンクと、該合成フィルタバンクに結合された第２解析フィルタバンクの組合せ効果に関連する仮定フィルタの１つ以上の衝撃応答の部分により、２つ以上のセグメントにおける前記第１スペクトル成分の少なくともいくつかから引き出されたもののたたみこみから第２スペクトル成分を得;
前記第１スペクトル成分と前記第２スペクトル成分を使用して強度又は位相の推定測度を得；
前記強度又は位相の推定測度に応答する適応過程を前記第１スペクトル成分に適用して処理済情報を生成する：
ことを含んでなる方法。
【請求項２】
請求項１の方法であって：前記第１スペクトル成分は、前記ソース信号の１つ以上のセグメントに１つ以上の変換を与えることによって生成された１つ以上のブロックの変換係数として配置された変換係数であり；かつ、前記１つ以上のインパルス応答の前記少なくとも一部は前記１つ以上の変換の周波数応答特性に基づく；方法。
【請求項３】
請求項２の方法であって、前記１つ以上の変換の前記周波数応答特性は、前記１つ以上の変換と共にソース信号の前記１つ以上のセグメントに適用された１つ以上の解析ウィンドウ関数の特性に依存する方法。
【請求項４】
請求項３の方法であって、 前記１つ以上の変換の前記少なくともいくつかは、時間領域エイリアシングを持つ前記第１スペクトル成分を生成する解析フィルタバンクを実行する方法。
【請求項５】
請求項３の方法であって、 前記１つ以上の変換の前記少なくともいくつかは実数値を含む第１スペクトル成分を生成し、かつ、前記第２スペクトル値が虚数値を含む方法。
【請求項６】
請求項５の方法であって、前記実数値を有する前記第１スペクトル成分を生成する前記変換は離散コサイン変換又は修正型離散コサイン変換である方法。
【請求項７】
請求項１の方法であって：前記１つ以上の第１スペクトル成分の少なくともいくつかから引き出された１つ以上の第３スペクトル成分を使用して強度又は位相の推定測度を得ることをさらに含む方法。
【請求項８】
請求項７の方法であって：
第１スペクトル成分は、前記ソース信号の１つ以上のセグメントに１つ以上の変換を適用して生成した１つ以上のブロックの変換係数として配置された変換係数であり；
前記第３スペクトル成分は２つ以上の前記第１スペクトル成分の組合せから引き出され；
前記ソース信号のそれぞれのセグメントの強度又は位相の推定測度は、前記第３スペクトル成分、又は、前記第１スペクトル成分及び前記第２スペクトル成分のいずれか一方を用いて適応的に得られる；
方法。
【請求項９】
請求項７の方法であって：
第１スペクトル成分は、前記ソース信号の１つ以上のセグメントに１つ以上の変換を適用して生成した１つ以上のブロックの変換係数として配置された変換係数であり；
前記第３スペクトル成分は２つ以上の前記第１スペクトル成分の組合せから引き出され；
前記ソース信号のそれぞれのセグメントの少なくともいくつかのスペクトルコンテントの強度又は位相の推定測度は前記第３スペクトル成分を用いて得られ、かつ、前記ソース信号のそれぞれのセグメントの少なくともいくつかのスペクトルコンテントの強度又は位相の推定測度は前記第１及び第２スペクトル成分を用いて得られる；
方法。
【請求項１０】
請求項７又は９の方法であって、前記第３スペクトル成分、又は、前記第１スペクトル成分及び前記第２スペクトル成分のいずれか一方を用いて強度又は位相の測度を適応的に得ることを含む方法。
【請求項１１】
請求項１の方法であって、スペクトル成分重みの測度に応答して、前記１つ以上の衝撃応答の前記部分を適応させることを含む方法。
【請求項１２】
請求項１の方法であって、前記スペクトル成分重みの測度は、前記ソース信号の前記スペクトルコンテントの知覚重みを評価する知覚モデルによって与えられる方法。
【請求項１３】
請求項１の方法であって、前記スペクトル成分重みの測度は１つ以上のスペクトル成分の周波数の孤立を反映する方法。
【請求項１４】
請求項１の方法であって：
前記第１スペクトル成分は、前記ソース信号の１つ以上のセグメントに１つ以上の変換を適用して生成した１つ以上のブロックの変換係数として配置された第１変換係数であり、前記各ブロックは第１数の第１変換係数を含み；
前記第２スペクトル成分は第２変換係数であり；
第２数の第２変換係数が引き出されて前記各ブロックにおける前記第１変換係数のいくつかによって表されるスペクトルコンテントを表し；
前記第２数は前記第１数より少ない；
方法。
【請求項１５】
請求項１、２、８、９または１１のいずれか１つに記載の方法であって、前記第１スペクトル成分に適応過程を適用して合成スペクトル成分を生成することを含む方法。
【請求項１６】
請求項１５の方法であって、 前記合成スペクトル成分の少なくともいくつかをスペクトル成分再生によって生成する方法。
【請求項１７】
請求項１６の方法であって、前記合成スペクトル成分の少なくともいくつかは第１スペクトル成分及び/又は複数のソース信号のスペクトルコンテントの複合を表す第２スペクトル成分の分解によって生成される方法。
【請求項１８】
請求項１５の方法であって、前記合成スペクトル成分の少なくともいくつかは、第１スペクトル成分及び/又は第２スペクトル成分を結合することによって生成され、複数のソース信号のスペクトルコンテントの複合表示を提供する方法。
【請求項１９】
請求項１、２、８、９、または１１のいずれか１つに記載の方法であって、
前記ソース信号に前記解析フィルタバンクを適用することによって前記第１スペクトル成分を生成し；
前記第１スペクトル成分に前記適応過程を適用して、前記第１スペクトル成分の少なくともいくつかを表すコード化された情報を生成し；
前記コード化された情報を伝える出力信号を生成する；
ことを含んでなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月5日(2008.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）構造物を作製するための方法であって、
半導体基板の上に配置される複数のポリＳｉゲートを準備する工程であって、各ポリＳｉゲートは、その上部表面上に配置される誘電体キャップを備える工程、
前記半導体基板中にシリサイド化ソース／ドレイン領域を形成する工程、
前記半導体基板上に平坦化誘電体スタックを形成する工程、
エッチングプロセスを実行して前記誘電体キャップをポリＳｉに対して選択除去し、それによって、各ポリＳｉゲートの上部表面を露出させる工程であって、前記エッチングプロセスは前記ポリＳｉゲートをエッチングせず、これによって、前記エッチングプロセスによって形成される前記露出されるポリＳｉゲートは実質的に同じ高さを有する工程、および
各ポリＳｉゲートを金属シリサイドゲートに変換するサリサイドプロセスを実行する工程
を含み、同じポリＳｉイオン注入条件の場合に、各金属シリサイドゲートは、実質的に同じ高さを有し、同じシリサイド相で構成され、実質的に同じ仕事関数を有する方法。
【請求項２】
前記複数のポリＳｉゲートは、ゲート誘電体の上に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数のポリＳｉゲートは、堆積法、リソグラフィー法およびエッチング法によって形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記誘電体キャップはＳｉ３Ｎ４を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記複数のポリＳｉゲートを準備する工程は、前記ポリＳｉゲートの各露出側壁上の少なくとも一つのスペーサの形成を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも一つのスペーサは、第一のスペーサおよび第二のスペーサを含み、前記第一のスペーサは、前記第二のスペーサより狭い厚さを有する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
シリサイド化ソース／ドレイン領域を形成する工程は、前記半導体基板の上に金属を堆積すること、およびサリサイドプロセスを実行することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記金属は、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄまたはそれらの合金を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記金属は、Ｃｏ、ＮｉまたはＰｔである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記サリサイドプロセスは、第一のアニール、選択エッチング工程、およびオプションとして第二のアニールを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
金属堆積の前に、前記半導体基板の上にシリコンの層を形成することをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
平坦化誘電体スタックを形成する前記工程は、堆積および平坦化を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
平坦化誘電体スタックを形成する前記工程は、エッチング停止層を形成すること、中間層誘電体を形成すること、および前記中間層誘電体を平坦化することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記エッチングプロセスは、反応性イオンエッチング工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記サリサイドプロセスは、各ポリＳｉゲートの前記少なくとも露出された上部表面の上にブランケットシリサイド金属層を堆積すること、第一のアニールを実行して前記ポリＳｉゲートの全部または一部を消費させること、未反応シリサイド金属を選択エッチングすること、およびオプションとして第二のアニールを実行することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記シリサイド金属は、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄまたはそれらの合金を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記シリサイド金属は、Ｃｏ、ＮｉまたはＰｔである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第一のアニールは、３５０℃から５５０℃の温度で実行される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記オプションの第二のアニールは、６００℃から８００℃の温度で実行される、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
シリサイド接点を有するＣＭＯＳ構造物を形成する方法であって、
半導体基板の上に配置される複数のポリＳｉゲートを備える構造物を準備する工程、
前記ポリＳｉゲートおよび前記半導体基板を備える前記構造物の上にシリサイド金属を堆積する工程、
各ポリＳｉゲートの間に凹形のリフロー材料を形成する工程、
エッチングプロセスを用いて前記ポリＳｉゲートのそれぞれの上からシリサイド金属を選択除去して前記ポリＳｉゲートのそれぞれの上部表面を露出させる工程であって、前記エッチングプロセスは前記ポリＳｉゲートをエッチングせず、これによって、前記エッチングプロセスによって形成される前記露出されるポリＳｉゲートは実質的に同じ高さを有する工程、
前記凹形のリフロー材料を除去する工程、および
前記構造物をアニールし、これによって、前記ポリＳｉゲートのそれぞれの間にシリサイド接点領域を形成する工程
を含む方法。
【請求項２１】
前記凹形のリフロー材料は、反射防止コーティングまたはスピンオン誘電体を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記凹形のリフロー材料を形成する工程は、堆積およびオプションのエッチングを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記シリサイド金属を除去する工程は、硫酸／過酸化水素溶液を用いるウェットエッチングプロセスを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
ＳｉＯ２およびＳｉ３Ｎ４を含むキャッピング二層を堆積し、平坦化させることによって金属シリサイドゲートを形成する工程、オプションのウェットエッチングプロセスを実行してＳｉＯ２を除去する工程、選択ＲＩＥプロセスを実行して前記ゲートの上のＳｉ３Ｎ４を除去する工程、前記ゲート上にシリサイド金属を形成する工程、およびサリサイドプロセスを実行する工程をさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】
シリサイド接点を有するＣＭＯＳ構造物を形成する方法であって、
半導体基板の上に配置される複数のポリＳｉゲートを備える構造物を準備する工程、
前記ポリＳｉゲートおよび前記半導体基板を備える前記構造物の上に金属層およびキャッピング層を備える二層を形成する工程、
前記半導体基板上に平坦化材料を形成する工程、
各ポリＳｉゲートの上で前記金属層を露出させる工程、
エッチングプロセスを利用することによって、各ポリＳｉゲートの上から前記金属層を選択除去して前記ポリＳｉゲートのそれぞれの上部表面を露出させる工程であって、前記エッチングプロセスは前記ポリＳｉゲートをエッチングせず、これによって、前記エッチングプロセスによって形成される前記ポリＳｉゲートは実質的に同じ高さを有する工程、
前記平坦化材料を除去する工程、および
前記構造物をアニールし、これによって、前記ポリＳｉゲートのそれぞれの間にシリサイド接点領域を形成する工程
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月18日(2008.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光性ビス(アジニル)メテンホウ素錯体化合物を含有する発光層を含むOLEDデバイスであって、該錯体化合物が、縮合した少なくとも5個の環からなる錯体系を含み、かつ、少なくとも1つの環炭素上または環窒素上に、酢酸エチル溶媒中の濃度を10-3 M未満にして測定したときに最大発光波長が520nm未満になるような置換基を有することを特徴とするOLEDデバイス。
【請求項２】
上記発光層が、ホストと、ビス(アジニル)メテンホウ素錯体化合物ドーパントとを含んでおり、ドーパントがホストの10質量％以下で存在している、請求項1に記載のデバイス。
【請求項３】
上記ホウ素錯体化合物がビス(ピリジニル)メテンホウ素錯体基を含む、請求項1に記載のデバイス。
【請求項４】
上記ホウ素錯体化合物がビス(キノリニル)メテンホウ素錯体基を含む、請求項1に記載のデバイス。
【請求項５】
上記ホストがキレート化オキシノイド化合物またはアントラセン化合物を含む、請求項2に記載のデバイス。
【請求項６】
上記ビス(アジニル)メテンホウ素錯体化合物が、縮合した5個または6個の環からなる環系を含む、請求項1に記載のデバイス。
【請求項７】
一般式（1）：
【化１】
2007524238.tif 000001
で表わされる発光性ビス(アジニル)メテンホウ素錯体化合物を含有する発光層を含むOLEDデバイスであって、
上記式（1）において、
AとA'は、独立に、少なくとも1個の窒素を含む6員の芳香族環系に対応するアジン環基系を表わし；
XaとXbはそれぞれ、独立に選択した置換基であり、そのうちの2つが合わさってAまたはA'との縮合環を形成していてもよく、AまたはA'はさらに縮合環置換を含んでいてもよく；
mとnは、独立に、0〜4であり；
Yは、Hまたは置換基であり；
ZaとZbは、独立に選択した置換基であり；
1、2、3、4、1'、2'、3'、4'は、独立に選択した炭素原子または窒素原子であり；
XaとXbを、さらに置換されているものも含めてそれぞれ選択することにより、縮合した少なくとも5個の環からなる縮合環系になり；
さらに、上記縮合環系上に、EtOAc中の濃度を10-3 M未満にして測定したときに最大発光波長が520nm未満になるような少なくとも1個の置換基が存在していることを特徴とするOLEDデバイス。
【請求項８】
1、2、3、4、1'、2'、3'、4'がすべて炭素原子である、請求項7に記載のデバイス。
【請求項９】
Yがシアノである、請求項7に記載のデバイス。
【請求項１０】
上記ホウ素錯体化合物の選択を以下のもの：
【化２】
2007524238.tif 000002
【化３】
2007524238.tif 000003
【化４】
2007524238.tif 000004
【化５】
2007524238.tif 000005
【化６】
2007524238.tif 000006
【化７】
2007524238.tif 000007
の中から行なう、請求項1に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月8日(2008.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ケーブル導入口装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明はケーブル導入口装置に関し、この装置は、ケーブル導入口を挿入する材料の孔にこのケーブル導入口を固定するためのコアを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケーブル導入口装置（１００、５００、６００）であって、被覆（２００、５１０、６２０）を支持するためのコア（１１０、１５０）を含み、このコアが、フランジ（１１２、１５２）に結合した少なくとも一つの軸方向に伸びる中間部（１１１、１５１ａ、１５１ｂ）と、コアを周囲材料の孔へ挿入したときに該コアを直ちに周囲材料に固定するための戻り止めを含むロック手段（１１２、１１３ａ、１１３ｂ、１５２、１５３ａ、１５３ｂ）とを備え、前記戻り止めが前記被覆の切り口から外に延在する、ケーブル導入口装置。
【請求項２】
請求項１によるケーブル導入口装置において、前記フランジ（１１２、１５２）および戻り止め（１１３ａ、１１３ｂ、１５３ａ、１５３ｂ）が対向する支持面（１５６ａ、１５６ｂ、１５７）を有する、ケーブル導入口装置。
【請求項３】
請求項３によるケーブル導入口装置において、前記フランジ（１５２）および戻り止め（１５３ａ、１５３ｂ）の支持面（１５６ａ、１５６ｂ、１５７）が平行である、ケーブル導入口装置。
【請求項４】
請求項１から３の何れかによるケーブル導入口装置であって、前記中間部（１５１ａ、１５１ｂ）の第１端から第２端の方へ伸びる柔軟部（１５４ａ、１５４ｂ）を有し、前記戻り止め（１５３ａ、１５３ｂ）がこの柔軟部の第２端に設けてある、ケーブル導入口装置。
【請求項５】
請求項４によるケーブル導入口装置において、前記柔軟部（１５４ａ、１５４ｂ）の基部（１５８）での厚さがこの柔軟部の残りの部分の厚さより薄い、ケーブル導入口装置。
【請求項６】
請求項１または２によるケーブル導入口装置において、前記フランジ（１１２、１５２）が中間部の第１端に結合してあり、前記戻り止め（１１３ａ、１１３ｂ）が中間部（１１１）第２端に結合してあり、前記戻り止めがフランジ（１１２）の周辺の方へ外方に伸びる、ケーブル導入口装置。
【請求項７】
請求項１から６の何れかによるケーブル導入口装置コアであって、歪み軽減をもたらすための手段（１１４、６４０）を有する、ケーブル導入口装置。
【請求項８】
請求項７によるケーブル導入口装置において、前記歪み軽減をもたらすための手段がコアの中心の方へ半径方向に、そしてケーブルをコアに挿入する方向に伸びる柔軟な舌片（１１４、６４０）を含む、ケーブル導入口装置。
【請求項９】
請求項８によるケーブル導入口装置であって、前記舌片（１１４、６４０）の長さが交互する、ケーブル導入口装置。
【請求項１０】
請求項８または９によるケーブル導入口装置において、前記歪み軽減をもたらすための手段（１１４）が中間部の内周に結合してある、ケーブル導入口装置コア。
【請求項１１】
請求項７から９の何れかによるケーブル導入口装置において、前記歪み軽減をもたらすための手段（６４０）がコアに着脱式に結合してある、ケーブル導入口装置。
【請求項１２】
請求項１から１１の何れかによるケーブル導入口装置において、少なくとも前記中間部（１１１、１５１ａ、１５１ｂ）が柔軟な被覆（２００、５１０、６２０）で囲まれている、ケーブル導入口装置。
【請求項１３】
請求項１２によるケーブル導入口装置コアにおいて、前記被覆（２００、５１０、６２０）が柔軟部（１５４ａ、１５４ｂ）を囲む、ケーブル導入口装置。
【請求項１４】
請求項１２または１３によるケーブル導入口装置において、前記柔軟な被覆（２００）が歪み軽減をもたらすための手段（１１４）を囲むためのリップ（２４６）を含む、ケーブル導入口装置。
【請求項１５】
請求項１０または１１によるケーブル導入口装置において、前記被覆（５１０）が導入口を含み、この導入口は、該導入口を通してケーブルを挿入したときに該ケーブルへ当接するためにコア（１５０）の縦方向へ延在する内面（５６０）を有し、圧縮されたときこの導入口をコア（１５０）が支持する、ケーブル導入口装置。
【請求項１６】
請求項１から１５までの何れかによるケーブル導入口装置において、前記被覆（４００、５１０、６２０）（５００、６００）は、ケーブル（１）と周囲材料の間のスペースを封止するために配置され、この被覆は、被覆の外周に窪み（４１０）によって作り、間に上記材料を受けるための第１および第２封止部材（４２０、４３０）を含み、この被覆が、ケーブル導入口装置を周囲材料の孔に挿入する間、第２封止部材を一時的に受けるための手段（４４０、４４１、４４２）を含む、ケーブル導入口装置。
【請求項１７】
請求項１６によるケーブル導入口装置において、前記第２封止部材を一時的に受けるための手段が、第２封止部材（４３０）の厚さの相当する深さを有する被覆の窪みを含む、ケーブル導入口装置。
【請求項１８】
請求項１６または１７によるケーブル導入口装置において、前記封止部材を一時的に受けるための手段が第１および第２部分（４４１、４４２）を有する被覆の不規則面（４４０）を含み、前記第１部分が、この装置の寸法が合わせてある、孔の直径に相当する直径を有し、前記第２部分の直径プラス第２封止部材（４３０）の厚さの２倍が上記孔の直径に相当する、ケーブル導入口装置。
【請求項１９】
請求項１８によるケーブル導入口装置において、前記第２部分（４４２）が孔に挿入されたとき少なくとも部分的に該孔を貫通する、ケーブル導入口装置。
【請求項２０】
請求項１６から１９の何れかによるケーブル導入口装置において、前記第１および第２封止部材（４２０、４３０）が被覆に柔軟に結合してある、ケーブル導入口装置。
【請求項２１】
請求項１６から２０の何れかによるケーブル導入口装置において、前記第１封止部材（４２０）の自由端での直径が第２封止部材（４３０）の自由端の直径より小さい、ケーブル導入口装置。
【請求項２２】
請求項１６から２１の何れかによるケーブル導入口装置において、前記第１封止部材（４２０）が被覆の第１端から第２封止部材の方へ外方に伸び、前記第２封止部材（４３０）が被覆の第２端から第１封止部材の方へ外方に伸びる、ケーブル導入口装置。
【請求項２３】
請求項１６から２２の何れかによるケーブル導入口装置において、前記第１封止部材が周囲材料の孔に挿入されたとき、被覆にバイアス力を加える、ケーブル導入口装置。
【請求項２４】
請求項１６から２３の何れかによるケーブル導入口装置において、前記第１および第２封止部材の自由端（２２０、２３０、４２０、４３０）は、ケーブル導入口装置を周囲材料の孔に挿入したとき、それぞれ、周囲材料の第１および第２側に当接する、ケーブル導入口装置。