【手続補正書】
【提出日】平成19年11月8日(2007.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶化を促進する元素を用いて結晶化した結晶質ケイ素膜上に第１の酸化ケイ素膜を形成し、
前記第１の酸化ケイ素膜上に非晶質ケイ素膜を形成し、
加熱処理を行い、
前記加熱処理により前記非晶質ケイ素膜の表面に形成された第２の酸化ケイ素膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
結晶化を促進する元素を用いて結晶化した結晶質ケイ素膜上に酸化ケイ素膜を形成し、
前記酸化ケイ素膜上に非晶質ケイ素膜を形成し、
加熱処理を行い、
前記非晶質ケイ素膜を除去し、
前記結晶質ケイ素膜上に形成した前記酸化ケイ素膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
結晶化を促進する元素を用いて結晶化した結晶質ケイ素膜にレーザー光を照射し、
前記レーザー光を照射することにより前記結晶質ケイ素膜の表面に形成された第１の酸化ケイ素膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去し、
前記結晶質ケイ素膜上に第２の酸化ケイ素膜を形成し、
前記第２の酸化ケイ素膜上に非晶質ケイ素膜を形成し、
加熱処理を行い、
前記加熱処理により前記非晶質ケイ素膜の表面に形成された第３の酸化ケイ素膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
結晶化を促進する元素を用いて結晶化した結晶質ケイ素膜にレーザー光を照射し、
前記レーザー光を照射することにより前記結晶質ケイ素膜の表面に形成された第１の酸化ケイ素膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去し、
前記結晶質ケイ素膜上に第２の酸化ケイ素膜を形成し、
前記第２の酸化ケイ素膜上に非晶質ケイ素膜を形成し、
加熱処理を行い、
前記非晶質ケイ素膜を除去し、
前記結晶質ケイ素膜上に形成した前記第２の酸化ケイ素膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
結晶化を促進する元素を用いて結晶化した結晶質ケイ素膜上に第１の酸化ケイ素膜を形成し、
前記第１の酸化ケイ素膜上に非晶質ケイ素膜を形成し、
加熱処理を行い、
前記加熱処理により前記非晶質ケイ素膜の表面に形成された第２の酸化ケイ素膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去し、
前記非晶質ケイ素膜を除去し、
前記結晶質ケイ素膜上に形成した前記第１の酸化ケイ素膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
結晶化を促進する元素を用いて結晶化した結晶質ケイ素膜にレーザー光を照射し、
前記レーザー光を照射することにより前記結晶質ケイ素膜の表面に形成された第１の酸化ケイ素膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去し、
結晶質ケイ素膜上に第２の酸化ケイ素膜を形成し、
前記第２の酸化ケイ素膜上に非晶質ケイ素膜を形成し、
加熱処理を行い、
前記加熱処理により前記非晶質ケイ素膜の表面に形成された第３の酸化ケイ素膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去し、
前記非晶質ケイ素膜を除去し、
前記結晶質ケイ素膜上に形成した前記第２の酸化ケイ素膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
結晶化を促進する元素を用いて結晶化した結晶質ケイ素膜をパターニングして所望の形状の結晶質ケイ素膜とし、
前記結晶質ケイ素膜の表面に形成された酸化ケイ素膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去し、
前記結晶質ケイ素膜を覆ってゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
結晶化を促進する元素を用いて結晶化した結晶質ケイ素膜の表面に形成された第１の酸化ケイ素膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去し、
前記結晶質ケイ素膜の表面に第２の酸化ケイ素膜を形成し、
前記結晶質ケイ素膜を用いて形成される薄膜トランジスタの閾値を制御するための不純物の導入を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
結晶化を促進する元素を用いて結晶化した結晶質ケイ素膜を覆う絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホール内における前記結晶質ケイ素膜の表面に形成された酸化ケイ素膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去し、
前記結晶質ケイ素膜に接続する金属配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
結晶化を促進する元素を用いて結晶化した結晶質ケイ素膜上に第１のケイ素と酸素を主成分とする膜を形成し、
前記第１のケイ素と酸素を主成分とする膜上に非晶質ケイ素膜を形成し、
加熱処理を行い、
前記加熱処理により前記非晶質ケイ素膜の表面に形成された第２のケイ素と酸素を主成分とする膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
結晶化を促進する元素を用いて結晶化した結晶質ケイ素膜上にケイ素と酸素を主成分とする膜を形成し、
前記ケイ素と酸素を主成分とする膜上に非晶質ケイ素膜を形成し、
加熱処理を行い、
前記非晶質ケイ素膜を除去し、
前記結晶質ケイ素膜上に形成した前記ケイ素と酸素を主成分とする膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
結晶化を促進する元素を用いて結晶化した結晶質ケイ素膜にレーザー光を照射し、
前記レーザー光を照射することにより前記結晶質ケイ素膜の表面に形成された第１のケイ素と酸素を主成分とする膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去し、
前記結晶質ケイ素膜上に第２のケイ素と酸素を主成分とする膜を形成し、
前記第２のケイ素と酸素を主成分とする膜上に非晶質ケイ素膜を形成し、
加熱処理を行い、
前記加熱処理により前記非晶質ケイ素膜の表面に形成された第３のケイ素と酸素を主成分とする膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
結晶化を促進する元素を用いて結晶化した結晶質ケイ素膜にレーザー光を照射し、
前記レーザー光を照射することにより前記結晶質ケイ素膜の表面に形成された第１のケイ素と酸素を主成分とする膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去し、
前記結晶質ケイ素膜上に第２のケイ素と酸素を主成分とする膜を形成し、
前記第２のケイ素と酸素を主成分とする膜上に非晶質ケイ素膜を形成し、
加熱処理を行い、
前記非晶質ケイ素膜を除去し、
前記結晶質ケイ素膜上に形成した前記第２のケイ素と酸素を主成分とする膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
結晶化を促進する元素を用いて結晶化した結晶質ケイ素膜上に第１のケイ素と酸素を主成分とする膜を形成し、
前記第１のケイ素と酸素を主成分とする膜上に非晶質ケイ素膜を形成し、
加熱処理を行い、
前記加熱処理により前記非晶質ケイ素膜の表面に形成された第２のケイ素と酸素を主成分とする膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去し、
前記非晶質ケイ素膜を除去し、
前記結晶質ケイ素膜上に形成した前記第１のケイ素と酸素を主成分とする膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
結晶化を促進する元素を用いて結晶化した結晶質ケイ素膜にレーザー光を照射し、
前記レーザー光を照射することにより前記結晶質ケイ素膜の表面に形成された第１のケイ素と酸素を主成分とする膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去し、
結晶質ケイ素膜上に第２のケイ素と酸素を主成分とする膜を形成し、
前記第２のケイ素と酸素を主成分とする膜上に非晶質ケイ素膜を形成し、
加熱処理を行い、
前記加熱処理により前記非晶質ケイ素膜の表面に形成された第３のケイ素と酸素を主成分とする膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去し、
前記非晶質ケイ素膜を除去し、
前記結晶質ケイ素膜上に形成した前記第２のケイ素と酸素を主成分とする膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
結晶化を促進する元素を用いて結晶化した結晶質ケイ素膜をパターニングして所望の形状の結晶質ケイ素膜とし、
前記結晶質ケイ素膜の表面に形成されたケイ素と酸素を主成分とする膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去し、
前記結晶質ケイ素膜を覆ってゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
結晶化を促進する元素を用いて結晶化した結晶質ケイ素膜の表面に形成された第１のケイ素と酸素を主成分とする膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去し、
前記結晶質ケイ素膜の表面に第２のケイ素と酸素を主成分とする膜を形成し、
前記結晶質ケイ素膜を用いて形成される薄膜トランジスタの閾値を制御するための不純物の導入を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
結晶化を促進する元素を用いて結晶化した結晶質ケイ素膜を覆う絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホール内における前記結晶質ケイ素膜の表面に形成されたケイ素と酸素を主成分とする膜をフッ素と界面活性を示す物質を含む液により除去し、
前記結晶質ケイ素膜に接続する金属配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一項において、
前記フッ素と界面活性を示す物質を含む液に含まれる界面活性を示す物質とは、有機溶剤、有機酸及び界面活性剤のうちいずれか一つもしくは複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項１９のいずれか一項において、
前記フッ素と界面活性を示す物質を含む液には少なくともフッ酸が含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１乃至請求項１９のいずれか一項において、
前記フッ素と界面活性を示す物質を含む液には少なくともフッ酸とフッ化アンモニウムが含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一項において、
前記フッ素と界面活性を示す物質を含む液は、界面活性を示す物質として界面活性剤を含み、
前記フッ素と界面活性を示す物質を含む液のｐＨが５以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項２２において、
前記フッ素と界面活性を示す物質を含む液のｐＨが５．５以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。