(57)【要約】  本発明のＴＦＴ基板の加熱方法は、ＴＦＴ基板の一方の面に抵抗膜パターンを設け、この抵抗膜パターンに電圧を印加して電流を流すことによって熱源とし、この熱源によってＴＦＴ基板を直接に加熱することによって、基板の温度分布を一様とし、基板の加熱効率を高める。また、ＴＦＴ基板の温度測定方法は、ＴＦＴ基板の一方の面に抵抗膜パターンを設け、この抵抗膜パターンに電圧を印加して電流を流し、この印加電圧と抵抗膜パターンに流れる電流を検出し、この抵抗膜パターンの電気抵抗の変化に対する温度変化の関係を表す温度係数との関係に基づいて、この印加電圧と検出電流とから抵抗膜パターンの温度を演算により求め、求めた抵抗膜パターンの温度をＴＦＴ基板の温度として測定する。これによって基板の温度を検出する温度センサを要することなく温度を測定することができる。
2007091299.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＦＴ基板の一方の面に抵抗膜パターンを設け、
この抵抗膜パターンに電圧を印加して電流を流すことによって熱源とし、
この熱源によってＴＦＴ基板を直接に加熱することを特徴とする、ＴＦＴ基板の加熱方法。
【請求項２】
前記抵抗膜パターンは、両端に設けた端部電極と、この端部電極間の所定位置に設けた分割電極とを備え、
前記端部電極および前記分割電極から二つの電極を選択し、選択した電極間の前記抵抗膜パターンに電圧を印加することにより、ＴＦＴ基板の所定領域を加熱することを特徴とする、特許請求の範囲の第１項に記載のＴＦＴ基板の加熱方法。
【請求項３】
前記抵抗膜パターンは、両端に端部電極を設けた複数の分割抵抗膜パターンを備え、
前記複数の分割抵抗膜パターンから少なくとも一つを選択し、選択した分割抵抗膜パターンの端部電極に電圧を印加することにより、ＴＦＴ基板の所定領域毎に加熱することを特徴とする、特許請求の範囲の第１項に記載のＴＦＴ基板の加熱方法。
【請求項４】
前記選択した分割抵抗膜パターンに印加する電圧の大きさをＴＦＴ基板の所定領域毎に定めることを特徴とする、特許請求の範囲の第３項に記載のＴＦＴ基板の加熱方法。
【請求項５】
前記抵抗膜パターンは、加熱処理後にＴＦＴ基板から除去することを特徴とする
特許請求の範囲の第１項から第４項のいずれか一つに記載のＴＦＴ基板の加熱方法。
【請求項６】
ＴＦＴ基板の一方の面に抵抗膜パターンを設け、
この抵抗膜パターンに電圧を印加して電流を流し、
この印加電圧と、抵抗膜パターンに流れる電流を検出し、
この印加電圧と検出電流と、この抵抗膜パターンの電気抵抗の変化に対する温度変化の関係を表す温度係数との関係に基づいて、抵抗膜パターンの温度を演算により求め、
この求めた抵抗膜パターンの温度をＴＦＴ基板の温度として測定することを特徴とする、ＴＦＴ基板の温度測定方法。
【請求項７】
前記温度係数をαTO、ＴＦＴ基板の温度ＴOのときにおいて、電圧ＶOを印加したときの抵抗膜パターンに流れる電流をＩOとしたとき、
抵抗膜パターンの温度Ｔを
Ｔ＝ＴO＋（Ｖ／Ｉ・ＩTO／ＶTO−１）／αTO
の演算によって求め、
この求めた温度ＴをＴＦＴ基板の温度として測定することを特徴とする、特許請求の範囲の第６項に記載のＴＦＴ基板の温度測定方法。
【請求項８】
前記抵抗膜パターンは、両端に設けた端部電極と、この端部電極間の所定位置に設けた分割電極とを備え、
前記端部電極および前記分割電極から二つの電極を選択し、選択した電極間の前記抵抗膜パターンの電圧を測定することにより、ＴＦＴ基板の所定領域の温度を測定することを特徴とする、特許請求の範囲の第６項又は第７項に記載のＴＦＴ基板の温度測定方法。
【請求項９】
前記抵抗膜パターンは、両端に端部電極を設けた複数の分割抵抗膜パターンを備え、
前記複数の分割抵抗膜パターンから少なくとも一つを選択し、選択した分割抵抗膜パターンの端部電極に電圧を印加すると共に、この電圧を測定することにより、ＴＦＴ基板の所定領域の温度を測定することを特徴とする、特許請求の範囲の第６項又は第７項に記載のＴＦＴ基板の温度測定方法。
【請求項１０】
前記抵抗膜パターンは、温度測定後にＴＦＴ基板から除去することを特徴とする
特許請求の範囲の第６項から第９項のいずれか一つに記載のＴＦＴ基板の温度測定方法。
【請求項１１】
ＴＦＴ基板の一方の面に抵抗膜パターンを設け、
この抵抗膜パターンに電圧を印加して電流を流して加熱し、
この印加電圧と、抵抗膜パターンに流れる電流を検出し、
印加電圧と抵抗膜パターンに流れる電流との比を一定に制御することによって、抵抗膜パターンの温度を一定温度に制御し、ＴＦＴ基板を一定温度に制御することを特徴とする、ＴＦＴ基板の温度制御方法。
【請求項１２】
前記抵抗膜パターンは、両端に設けた端部電極と、この端部電極間の所定位置に設けた分割電極とを備え、
前記端部電極および前記分割電極から二つの電極を選択し、選択した電極間の選択抵抗膜パターンに電圧を印加して電流を流し、
この印加電圧と、選択抵抗膜パターンに流れる電流を検出し、
印加電圧と選択抵抗膜パターンに流れる電流との比を一定に制御することによって、選択抵抗膜パターンの温度を一定温度に制御し、ＴＦＴ基板の所定領域を一定温度に制御することを特徴とする、特許請求の範囲の第１１項に記載のＴＦＴ基板の温度制御方法。
【請求項１３】
前記抵抗膜パターンは、両端に端部電極を設けた複数の分割抵抗膜パターンを備え、
前記複数の分割抵抗膜パターンから少なくとも一つを選択し、選択した分割抵抗膜パターンの端部電極に電圧を印加して電流を流して加熱し、
この印加電圧と、選択抵抗膜パターンに流れる電流を検出し、
印加電圧と分割抵抗膜パターンに流れる電流との比を一定に制御することによって、分割抵抗膜パターンの温度を一定温度に制御し、ＴＦＴ基板の所定領域を一定温度に制御することを特徴とする、特許請求の範囲の第１１項に記載のＴＦＴ基板の温度制御方法。
【請求項１４】
前記選択した分割抵抗膜パターンに印加する電圧の大きさをＴＦＴ基板の所定領域毎に定めることを特徴とする、特許請求の範囲の第１３項に記載のＴＦＴ基板の温度制御方法。
【請求項１５】
前記抵抗膜パターンは、温度測定後にＴＦＴ基板から除去することを特徴とする
特許請求の範囲の第１１項から第１４項のいずれか一つに記載のＴＦＴ基板の温度制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＦＴ基板の製造、検査、および分析等の工程において行われるＴＦＴ基板を加熱に関し、ＴＦＴ基板を加熱する方法、加熱時においてＴＦＴ基板の温度を測定する方法、および加熱時においてＴＦＴ基板の温度を制御する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶基板や半導体ウエハ等の基板製造は、製造工程、検査工程、分析工程等の各工程を含んでいる。  【０００３】
これらの液晶基板や半導体ウエハ（以下、液晶基板および半導体ウエハを基板という）の各工程において、基板を所定の温度状態で行う場合があり、各工程では、基板を所定温度とするために、その工程に適した温度に基板を加熱する。【０００４】
従来、基板の加熱は、ランプや抵抗線ヒータ等の熱源によって間接的に行っている。【０００５】
図１６は、ＴＦＴ基板の従来の加熱方法を説明するための図である。基板の製造、検査、分析は、大気中、真空中、あるいは加圧雰囲気中で行われる。加熱装置１０２は、ランプや抵抗線ヒータ等の熱源１０２ａ〜１０２ｄを備える。熱源１０２ａ〜１０２ｄは、電源１１１によって駆動される。熱源１０２ａ〜１０２ｄで発生された熱は、熱伝導や熱輻射によって基板１０１に伝わり、基板１０１を間接的に加熱する。【０００６】
基板１０１は温度センサ１０３を備え、検出信号を温度検出回路１１２に出力する。温度検出回路１１２は、温度センサ１０３の検出信号を入力し、温度を検出する。制御回路１１３は、温度検出回路１１２の温度信号を入力し、所定温度となるように電源１１１を制御する。熱源１０２ａ〜１０２ｄが発生する熱量は、電源１１１の制御によって調整され、これによって基板１０１の温度制御が行われる。【０００７】
しかしながら、従来の加熱方法は、以下に示すような課題を有している。【０００８】
第１の課題は基板の温度分布が一様でないという課題である。従来の基板の加熱方法は、基板の大きさが熱源に対して十分に小さく、かつ、基板と熱源との距離が極めて近い場合には、基板の温度をほぼ均一にすることができる。しかしながら、基板の面積が大きい場合や、基板と熱源との距離が大きい場合には、基板の温度分布は一様とならず、基板内に温度差が生じる。【０００９】
第２の課題は真空中における加熱の効率が低いという課題である。真空中において熱が伝わる効率は低い。そのため、基板と熱源が真空中に設置された場合には、熱源の熱エネルギーを被加熱体に高い効率で伝えるためには、熱源を被加熱体に近づけて設置する必要がある。しかしながら、従来の熱源はランプや抵抗線ヒータが用いられるため、被加熱体との距離を縮めるには限界がある。【００１０】
これは、基板の製造、検査、分析を行う限られたチャンバ内には各工程を行うために種々の機構が設けられている。そのため、ランプや抵抗線ヒータを基板に近づけて設置するスペースの余裕が限られている他、熱源が基板と接触した場合には基板が損傷することになるため、熱源は基板からある程度離して設ける必要があるためである。【００１１】
第３の課題は基板の温度を検出するために温度センサが必要であるという課題である。基板の温度分布を測定するには、複数の温度センサを基板上あるいは基板の近傍に設置する必要がある。しかしながら、上述したように、各工程を行うチャンバ内には各工程を行うために種々の機構や加熱のための熱源が設けられるため、複数の温度センサの配置が困難となる場合がある。温度センサの個数が不十分な場合には、温度分布の測定精度が低下することになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、従来の加熱方法は、以下に示すような課題を有している。【００１３】
第１の課題は基板の温度分布が一様でないという課題である。従来の基板の加熱方法は、基板の大きさが熱源に対して十分に小さく、かつ、基板と熱源との距離が極めて近い場合には、基板の温度をほぼ均一にすることができる。しかしながら、基板の面積が大きい場合や、基板と熱源との距離が大きい場合には、基板の温度分布は一様とならず、基板内に温度差が生じる。【００１４】
第２の課題は真空中における加熱の効率が低いという課題である。真空中において熱が伝わる効率は低い。そのため、基板と熱源が真空中に設置された場合には、熱源の熱エネルギーを被加熱体に高い効率で伝えるためには、熱源を被加熱体に近づけて設置する必要がある。しかしながら、従来の熱源はランプや抵抗線ヒータが用いられるため、被加熱体との距離を縮めるには限界がある。【００１５】
これは、基板の製造、検査、分析を行う限られたチャンバ内には各工程を行うために種々の機構が設けられている。そのため、ランプや抵抗線ヒータを基板に近づけて設置するスペースの余裕が限られている他、熱源が基板と接触した場合には基板が損傷することになるため、熱源は基板からある程度離して設ける必要があるためである。【００１６】
第３の課題は基板の温度を検出するために温度センサが必要であるという課題である。基板の温度分布を測定するには、複数の温度センサを基板上あるいは基板の近傍に設置する必要がある。しかしながら、上述したように、各工程を行うチャンバ内には各工程を行うために種々の機構や加熱のための熱源が設けられるため、複数の温度センサの配置が困難となる場合がある。温度センサの個数が不十分な場合には、温度分布の測定精度が低下することになる。【００１７】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するものであり、基板の温度分布を一様とすることを目的とし、基板の加熱効率を高めることを目的とし、基板の温度を検出する温度センサを不要とすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、上述した課題を解決し、目的を達成するため、以下に説明するＴＦＴ基板の加熱方法の態様、ＴＦＴ基板の温度測定方法の態様、およびＴＦＴ基板の温度制御方法の態様の各態様を備える。各態様は、ＴＦＴ基板の一方の面に抵抗膜パターンを設け、この抵抗膜パターンに電圧を印加して電流を流すことを共通に備えるものである。【００１９】
ＴＦＴ基板の加熱方法の態様は、ＴＦＴ基板の一方の面に抵抗膜パターンを設け、この抵抗膜パターンに電圧を印加して電流を流すことによって熱源とし、この熱源によってＴＦＴ基板を直接に加熱する。【００２０】
この加熱方法によれば、抵抗膜パターンはＴＦＴ基板の面に設けられているため、抵抗膜パターンで発生した熱は、従来のように大気中や真空中、あるいはガス中を通ることなく直接にＴＦＴ基板を伝わる。ＴＦＴ基板を直接加熱することで、ＴＦＴ基板の温度分布を一様とすることができる。【００２１】
また、抵抗膜パターンは、両端に設けた端部電極と、この端部電極間の所定位置に設けた分割電極とを備えた構成することができる。この端部電極および分割電極から二つの電極を選択し、選択した電極間の抵抗膜パターンに電圧を印加する。この電極を選択することによって、ＴＦＴ基板の所定領域を加熱することができる。【００２２】
また、抵抗膜パターンは、両端に端部電極を設けた複数の分割抵抗膜パターンを備える構成としてもよい。分割抵抗膜パターンは、ＴＦＴ基板上において、任意の分割パターンとすることができる。【００２３】
この複数の分割抵抗膜パターンから少なくとも一つを選択し、選択した分割抵抗膜パターンの端部電極に電圧を印加する。ＴＦＴ基板に設けられた抵抗膜パターンのうちで、電圧を印加された分割抵抗膜パターンのみが発熱する。これにより、ＴＦＴ基板において、選択された抵抗膜パターンが設けられた領域のみが加熱される。ＴＦＴ基板において必要とする領域のみを加熱することができる。【００２４】
選択した分割抵抗膜パターンに印加する電圧の大きさをＴＦＴ基板の所定領域毎に定めることができる。これによって、ＴＦＴ基板上において、領域毎に異なる温度の加熱することができる。【００２５】
ＴＦＴ基板の温度測定方法の態様は、ＴＦＴ基板の一方の面に抵抗膜パターンを設け、この抵抗膜パターンに電圧を印加して電流を流し、この印加電圧と抵抗膜パターンに流れる電流を検出し、この抵抗膜パターンの電気抵抗の変化に対する温度変化の関係を表す温度係数との関係に基づいて、この印加電圧と検出電流とから抵抗膜パターンの温度を演算により求め、求めた抵抗膜パターンの温度をＴＦＴ基板の温度として測定する。【００２６】
本発明の温度測定方法は、より詳細には、温度係数をαTO、ＴＦＴ基板の温度ＴOのときにおいて、電圧ＶOを印加したときの抵抗膜パターンに流れる電流をＩOとしたとき、抵抗膜パターンの温度ＴをＴ＝ＴO＋（Ｖ／Ｉ・ＩTO／ＶTO−１）／αTOの演算によって求め、求めた温度ＴをＴＦＴ基板の温度として測定する。【００２７】
また、抵抗膜パターンは、両端に設けた端部電極と、この端部電極間の所定位置に設けた分割電極とを備えた構成することができる。この端部電極および分割電極から二つの電極を選択し、選択した電極間の抵抗膜パターンに電圧を印加する。この電極を選択することによって、ＴＦＴ基板の所定領域の温度を測定することができる。【００２８】
また、抵抗膜パターンは、両端に端部電極を設けた複数の分割抵抗膜パターンを備える構成としてもよい。分割抵抗膜パターンは、ＴＦＴ基板上において、任意の分割パターンとすることができる。【００２９】
この複数の分割抵抗膜パターンから少なくとも一つを選択し、選択した分割抵抗膜パターンの端部電極に電圧を印加する。これにより、ＴＦＴ基板において、選択された抵抗膜パターンが設けられた領域毎に温度を測定することができる。【００３０】
本発明のＴＦＴ基板の温度測定は、温度センサを要することなく、ＴＦＴ基板の全体、あるいは所定領域の温度を測定することができるため、ＴＦＴ基板の温度測定の機構を低価格で実現することができる。【００３１】
ＴＦＴ基板の温度制御方法の態様は、ＴＦＴ基板の一方の面に抵抗膜パターンを設け、この抵抗膜パターンに電圧を印加して電流を流して加熱し、この印加電圧と、抵抗膜パターンに流れる電流を検出し、印加電圧と抵抗膜パターンに流れる電流との比を一定に制御することによって、抵抗膜パターンの温度を一定温度に制御し、ＴＦＴ基板を一定温度に制御する。【００３２】
本発明の温度制御方法は、より詳細には、抵抗膜パターンは、両端に設けた端部電極と、この端部電極間の所定位置に設けた分割電極とを備え、端部電極および分割電極から二つの電極を選択し、選択した電極間の選択抵抗膜パターンに電圧を印加して電流を流して加熱し、この印加電圧と、選択抵抗膜パターンに流れる電流を検出し、印加電圧と選択抵抗膜パターンに流れる電流との比を一定に制御することによって、選択抵抗膜パターンの温度を一定温度に制御し、ＴＦＴ基板の所定領域を一定温度に制御する。【００３３】
また、抵抗膜パターンは、両端に端部電極を設けた複数の分割抵抗膜パターンを備え、この複数の分割抵抗膜パターンから少なくとも一つを選択し、選択した分割抵抗膜パターンの端部電極に電圧を印加して電流を流して加熱し、この印加電圧と、選択抵抗膜パターンに流れる電流を検出し、印加電圧と分割抵抗膜パターンに流れる電流との比を一定に制御することによって、分割抵抗膜パターンの温度を一定温度に制御し、ＴＦＴ基板の所定領域を一定温度に制御する。分割抵抗膜パターンは、ＴＦＴ基板上において、任意の分割パターンとすることができる。【００３４】
選択した分割抵抗膜パターンに印加する電圧の大きさをＴＦＴ基板の所定領域毎に定めることができる。印加する電圧の大きさを分割抵抗膜パターン毎に設定することによって、設定温度をＴＦＴ基板の所定領域毎に定めることができる。
【発明の効果】
【００３５】
上記した各加熱方法、温度測定方法、温度制御方法の各態様において、抵抗膜パターンは、ＴＦＴ基板上に蒸着や印刷等の任意の手段によって設けることができる。また、フィルム上に抵抗膜パターンを生成しておき、このフィルムをＴＦＴ基板に貼り付けてもよい。このＴＦＴ基板に設けた抵抗膜パターンは、加熱処理後にＴＦＴ基板から除去することができる。抵抗膜パターンの除去方法は、溶剤を用いるほか物理的に剥離するなど任意の方法とすることができる。また、抵抗膜パターンを生成したフィルムを貼り付ける構成の場合には、フィルムのみを剥離することで抵抗膜パターンを除去することができる。【００３６】
上記した各加熱方法、温度測定方法、温度制御方法の各態様は、以下の効果を奏することができる。【００３７】
本発明の加熱方法、温度測定方法、温度制御方法の各態様によれば、ＴＦＴ基板自体に熱源を設けることによって、加熱ランプやヒータ等の熱源を別に設ける必要がなく、また、これらの熱源の保守が不要である。【００３８】
また、本発明の加熱方法、温度測定方法、温度制御方法の各態様によれば、ＴＦＴ基板と熱源が同一場所にあるため、製造や検査や分析のための各装置内に設置した部品は、熱膨張の影響を受けにくい。【００３９】
本発明の加熱方法、温度制御方法の態様によれば、ＴＦＴ基板と熱源との距離を短く、熱源の温度とＴＦＴ基板の温度との温度差を極めて小さくすることができる。さらに、ＴＦＴ基板を高い効率で加熱することができるため、ＴＦＴ基板を加熱するための電流量を低減させることができる。【００４０】
本発明の加熱方法、温度制御方法の態様によれば、真空中では断熱された雰囲気中であり、また、熱源はほぼ同一の場所のＴＦＴ基板を加熱し、熱源から外れた場所に加熱には寄与しないため、大気中で加熱するよりも小さな電力でＴＦＴ基板を加熱し、温度制御することができる。また、本発明の加熱方法、温度制御方法の態様によれば、熱源はほぼ同一の場所のＴＦＴ基板を加熱するため、ＴＦＴ基板上で加熱あるいは温度制御したい場所のみを選択して加熱し、温度制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の加熱方法、温度測定方法、温度制御方法の各態様の概要を説明するための概略図である。
【図２】本発明の加熱方法の流れを説明するためのフローチャートである。
【図３】本発明の加熱方法の流れを説明するための説明図である。
【図４】本発明の加熱方法の流れを説明するための説明図である。
【図５】本発明の抵抗膜パターンを説明するための説明図である。
【図６】本発明の加熱方法を説明するための説明図である。
【図７】本発明の温度測定方法の流れを説明するためのフローチャートである。
【図８】本発明の温度測定方法を説明するための説明図である。
【図９】本発明の温度測定方法を説明するための説明図である。
【図１０】本発明の温度測定方法を説明するための説明図である。
【図１１】本発明の温度制御方法の流れを説明するためのフローチャートである。
【図１２】本発明の温度制御方法を説明するための説明図である。
【図１３】本発明の温度制御定方法を説明するための説明図である。
【図１４】本発明の温度制御方法を説明するための説明図である。
【図１５】本発明をＴＦＴ基板の基板検査への適用例を説明するための図である。
【図１６】従来の加熱方法、温度測定方法、温度制御方法の各態様の概要を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００４２】
１  ＴＦＴ基板
２，２Ａ，２Ｂ  抵抗膜パターン
２ａ〜２ｅ  分割抵抗膜パターン
３  端部電極
３ａ〜３ｎ  分割電極
４  ＴＦＴアレイ
６，７  電源切換制御回路
８，９  切換回路
１１  電源
１２  電流計
１３  電圧計
１４  温度測定回路
１５  制御回路
２１  ステージ
２２  プローバフレーム
３１  検査装置
１０１  ＴＦＴ基板
１０２ａ〜１０２ｄ  加熱装置
１０３  温度センサ
１１１  電源
１１２  温度検出回路
１１３  制御回路
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、添付図面を参照して、この発明にかかるＴＦＴ基板の加熱方法、温度測定方法、温度制御方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、ここでは、ＴＦＴ基板を例にしているが、本発明の適用はこのＴＦＴ基板に限られるものではなく、半導体ウエハ、有機ＥＬ基板等の種々の基板に適用することができる。【００４４】
また、本発明に係わるＴＦＴ基板の加熱方法、温度測定方法、温度制御方法は、ＴＦＴ基板を形成する際に含まれる、製造工程、検査工程、分析工程等の各工程において適用することができる。【００４５】
図１において、製造工程では、ＴＦＴ基板１の表面１ａはＴＦＴアレイ等の回路パターンが生成され、検査工程や分析工程では、これら回路パターンの検査、分析が行われる。なお、図１には、図２，図７，図１１のフローチャートで示す過程と対応する過程に同じＳで始まる符号を付している。【００４６】
上記した製造工程、検査工程、分析工程の各工程では、ＴＦＴ基板１を加熱する過程、ＴＦＴ基板１の温度を測定する過程、ＴＦＴ基板１の温度を制御する過程等を含む場合がある。なお、これらの過程のうちで、加熱過程は単独で行われる場合があり、温度測定過程は単独で行われる場合の他に、加熱過程や温度制御過程と共に行われる場合があり、また、温度制御過程は、加熱過程及び温度測定過程を含むことができる。【００４７】
これら加熱過程、温度測定過程、温度制御過程の各過程において、各処理を行う前に、前以て、ＴＦＴ基板１の裏面１ｂに抵抗膜パターン２とこの抵抗膜パターン２に電圧を印加して電流を供給するため、あるいは、この抵抗膜パターン２に印加されている電圧や流れる電流を測定するために端部電極３を生成しておく。この抵抗膜パターン２や端部電極３は、蒸着や印刷など任意の生成手段を適用することができる。なお、なお、ここで、ＴＦＴ基板１の表面とは、ＴＦＴアレイなど基板の機能を発揮させるに必要な構成部分を形成する面を意味し、裏面とは、基板の機能を発揮させるに必要な構成部分が形成されない面であって、この構成部分に支障を生じさせない面である。図１中の中断のＴＦＴ基板１は、裏面１ｂ側に破線で示す抵抗膜パターン２を備えた状態を示している。【００４８】
ＴＦＴ基板１に生成した端部電極３，３′の両端に電源１１を接続し、抵抗膜パターン３に電圧を印加する。これによって、抵抗膜パターン３には電流が流れ、抵抗膜パターン３が備える電気抵抗によって熱を発する。抵抗膜パターン３が発した熱は、ＴＦＴ基板１を直接に加熱する。なお、電源１１は直流電源あるいは交流電源のいずれとしてもよい。【００４９】
電流計１２は端部電極３と電源１１との間、あるいは端部電極３′と電源１１との間に接続され、抵抗膜パターン３を流れる電流を測定する。電圧計１３は端部電極３と端部電極３′との間に接続され、抵抗膜パターン３に印加される電圧を測定する。【００５０】
温度測定回路１４は、電流計１２から電流値を入力し、電圧計１３から電圧値を入力する。温度測定回路１４は、入力した電流値と電圧値を用いて、抵抗膜パターン２の温度を演算によって求める。抵抗膜パターン２はＴＦＴ基板１の裏面１ｂに設けられているため、抵抗膜パターン２の温度とＴＦＴ基板１上の素子の温度との温度差はわずかであり、ほぼ同一温度と見なすことができる。【００５１】
本発明の温度測定は、抵抗膜パターン２の温度を求め、この抵抗膜パターン２の温度をＴＦＴ基板１上に設けた素子の温度として取り扱うことで、温度センサを用いることなくＴＦＴ基板１上の素子の温度を測定する。【００５２】
抵抗膜パターン２の温度は、以下の式によって演算により求めることができる。抵抗膜パターン２に電流が流れると、このときの抵抗膜パターン２の電気抵抗ＲTOは以下の式（１）で表される。なお、ここで、ＴＦＴ基板の全体の平均温度ＴTOのときに抵抗膜パターンの両端電極に印加する電圧の電圧値をＶとし、このときに流れる電流の電流値をＩTOとする。
ＲTO＝ＶTO／ＩTO      …（１）【００５３】
また、このときに、抵抗膜パターンの温度係数をαＴ０とする。温度係数αは、温度変化に対する電気抵抗変化である。【００５４】
抵抗膜パターン２の電気抵抗は、温度によってその値が変化し、温度がＴ０からＴに変化したときの電気抵抗は以下の式（２）で表される。
Ｒ＝ＲTO｛１＋αTO（Ｔ−ＴO）｝        …（２）【００５５】
前記した式（１）と（２）から、抵抗膜パターン２の温度Ｔは以下の式（３）で表される。
Ｔ＝ＴO＋（Ｒ／ＲTO−１）／αTO
＝ＴO＋（Ｖ／Ｉ・ＩTO／ＶTO−１）／αTO        …（３）【００５６】
ここで、ＴＦＴ基板１上の素子温度と抵抗膜パターン２の温度の差が無視でき、ほぼ同じと見なせる場合には、上記式（３）で算出される抵抗膜パターン２の温度Ｔは、ＴＦＴ基板１上の素子温度と扱うことができる。【００５７】
したがって、上記式（３）の演算を行うことによって、ＴＦＴ基板上の素子温度を間接的に測定することができる。【００５８】
上記式（３）において、ＴO、ＩTO、ＶTO、αTOは既知の値であるから、電圧値Ｖと電流値Ｉとの比（Ｖ／Ｉ）を一定に制御することによって、ＴＦＴ基板１およびＴＦＴ基板１上の素子温度を一定に制御することができる。【００５９】
図１において、制御回路１５は、電流計１２から電流値Ｉを入力し、電圧計１３から電圧値Ｖを入力し、これらの比（Ｖ／Ｉ）を一定に制御するように電源１１を制御する。この制御によって、抵抗膜パターン２の温度Ｔは一定に制御され、ＴＦＴ基板１およびＴＦＴ基板１上の素子の温度も一定に制御される。なお、このときの温度Ｔは、上記式（３）で定まる温度である。【００６０】
ＴＦＴ基板の加熱、温度測定、温度制御の過程が終了した後、ＴＦＴ基板１の裏面に設けた抵抗膜パターン２を除去する。なお、以後の工程や生成されたＴＦＴ基板において、抵抗膜パターンによる影響が無視できる場合には、抵抗膜パターンを除去することなくそのまま残してもよい。なお、抵抗膜パターンの除去は、溶剤等を用いた化学的除去の他に、物理的に除去してもよい。【００６１】
以下、はじめに、本発明の加熱方法について図２〜図６を用いて説明する。図２のフローチャートにおいて、加熱する前に、予めＴＦＴ基板の裏面の抵抗膜パターンと電極を生成しておく（Ｓ１）。ＴＦＴ基板の裏面に設けた電極の両端に電圧を印加して電流を供給する。抵抗膜パターンは、電気抵抗によって発熱する（Ｓ２）。【００６２】
加熱が終了した後（Ｓ３）、電圧の印加を停止して加熱を停止する（Ｓ４）。抵抗膜パターンを除去する場合には（Ｓ５）、ＴＦＴ基板１の裏面１ｂから抵抗膜パターン２を除去する（Ｓ６）。【００６３】
図３、図４は、加熱後の処理の一例を示している。ここでは、ＴＦＴ基板１上に複数のＴＦＴアレイ４が設けられ、ＴＦＴ基板１から各ＴＦＴアレイ４を分割する例を示している。図３（ａ），図４（ａ）はＴＦＴ基板への抵抗膜パターンの生成を示し、図３（ｂ），図４（ｂ）は抵抗膜パターンが生成されたＴＦＴ基板を示し、この状態で加熱を行う。【００６４】
図３（ｃ）は、加熱後、ＴＦＴ基板１から抵抗膜パターン２を除去し、ＴＦＴアレイ４に分割する場合を示している。また、図４（ｃ）は、加熱後、ＴＦＴ基板１から抵抗膜パターン２を除去せずに残した状態とし、ＴＦＴアレイ４に分割する場合を示している。【００６５】
図５は抵抗膜パターンのパターン例を示している。図５（ａ）に示す抵抗膜パターン２Ａは、連続する一つのパターンを備える構成例である。抵抗膜パターン２Ａは、その両端に端部電極３，３′を備える他、その端部電極間に分割電極３ａ〜３ｎを備える。これらの端部電極３，３′、分割電極３ａ〜３ｎから選択した電極間に電圧を印加することによって、選択した電極間の抵抗膜パターンのみに電流を流すことによって、選択的に発熱させることができる。【００６６】
図５（ｂ）に示す抵抗膜パターン２Ｂは、複数の分割抵抗膜パターン２ａ〜２ｄを備える構成例である。各分割抵抗膜パターン２ａ〜２ｄは、その両端に端部電極３，３′を備える。複数の分割抵抗膜パターン２ａ〜２ｄの中から所定の分割抵抗膜パターンを選択し、選択した抵抗膜パターンの電極間に電圧を印加することによって、ＴＦＴ基板上で選択した電極間の抵抗膜パターンが設けられた箇所のみを選択的に発熱させることができる。【００６７】
複数の分割抵抗膜パターン２ａ〜２ｄの全てに電流を流した場合には、ＴＦＴ基板の全面を加熱することができることは明らかである。【００６８】
次に、図６を用いて、抵抗膜パターンに電圧を印加する態様例について説明する。【００６９】
図６（ａ）に示す態様例は、連続する一つのパターンを備える抵抗膜パターン２Ａの端部電極３，３′に電源１１を接続する。この電圧印加によれば、抵抗膜パターン２Ａが設置されるＴＦＴ基板１の全面を加熱することができる。【００７０】
図６（ｂ）に示す態様例は、複数の分割抵抗膜パターン２ａ〜２ｅが備える各端部電極３，３′ａに各電源１１ａ〜１１ｅを接続する。電源切換回路６は、これらの電源１１ａ〜１１ｅの中から駆動する電源を選択し、電圧を印加する分割抵抗膜パターン２ａ〜２ｅを選択することができる。この電圧印加によれば、抵抗膜パターンを選択することによって、その抵抗膜パターンが設置されるＴＦＴ基板１を選択的に加熱することができる。【００７１】
図６（ｃ）に示す態様例は、図６（ａ）に示した連続する一つのパターンを備える抵抗膜パターン２Ａに電源１１を接続する態様例において、ＴＦＴ基板上で選択的な加熱を可能とする構成である。この構成は、電源１１と抵抗膜パターン２Ａとの間に電源切換回路７と電源切換制御回路６を備える。電源切換回路７は、抵抗膜パターン２Ａの分割電極３ａ〜３ｎの中から２つの分割電極を選択し、選択した分割電極に電源１１の電圧を印加する。これによって、選択された分割電極の間の抵抗膜パターンにのみ電流を流し、その部分のみで加熱を行うことができる。電源切換制御回路６は、電源切換回路７による分割電極の選択を制御する。この電圧印加によれば、抵抗膜パターン２Ａが設置されるＴＦＴ基板１を選択的に加熱することができる。【００７２】
次に、本発明の温度測定方法について、図７〜図１０を用いて説明する。図７のフローチャートにおいて、加熱する前に、予めＴＦＴ基板の裏面の抵抗膜パターンと電極を生成しておく（Ｓ１１）。ＴＦＴ基板の裏面に設けた電極の両端に電圧を印加して電流を供給する。抵抗膜パターンは、電気抵抗によって発熱する（Ｓ１２）。【００７３】
電極間の電圧と抵抗膜パターンに流れる電流を測定し（Ｓ１３）、測定した電圧値Ｖと電流値Ｉを用いて温度Ｔを演算によって算出する。この温度Ｔの算出は、前記した式（３）に電圧値Ｖと電流値Ｉを代入することで行う（Ｓ１４）。【００７４】
温度測定が終了した後（Ｓ１５）、電圧の印加を停止する（Ｓ１６）。抵抗膜パターンを除去する場合には（Ｓ１７）、ＴＦＴ基板１の裏面１ｂから抵抗膜パターン２を除去する（Ｓ１８）。【００７５】
次に、図８〜図１０を用いて、抵抗膜パターンに電圧を印加する態様例について説明する。【００７６】
図８は、連続する一つのパターンを備える抵抗膜パターン２Ａを用いて温度を測定する態様である。図８（ａ）〜図８（ｃ）に示す態様例は、連続する一つのパターンを備える抵抗膜パターン２Ａの端部電極３，３′に電源１１を接続する。【００７７】
図８（ａ）に示す態様では、端部電極３，３′間の電圧を電圧計１３で測定し、抵抗膜パターン２Ａの全パターンに流れる電流を電流計１２によって測定する。温度測定回路１４は、測定した電圧値Ｖと電流値Ｉを入力して温度Ｔを演算によって求める。この態様によれば、抵抗膜パターン２Ａが設置されるＴＦＴ基板１の全面の平均温度を測定することができる。【００７８】
図８（ｂ）、（ｃ）に示す態様例では、端部電極３，３′および分割電極３ａ〜３ｎから選択して２つの電極間の電圧を電圧計１３で測定し、抵抗膜パターン２Ａの全パターンに流れる電流を電流計１２によって測定する。電圧を測定する電極間の組み合わせは、複数選択することができる。【００７９】
図８（ｂ）の態様例は、２つの電極間の電圧を測定する例を示している。温度測定回路１４は、測定した電圧値Ｖと電流値Ｉを入力して温度Ｔを演算によって求める。この態様によれば、抵抗膜パターン２Ａが設置されるＴＦＴ基板１において、選択した分割電極間の抵抗膜パターンの温度を測定することができ、ＴＦＴ基板上で選択した部分の温度を測定することができる。【００８０】
図８（ｃ）の態様例は、切換回路８によって電圧測定を行う電極間を選択する例を示している。切換回路８は、抵抗膜パターン２Ａが備える複数の分割電極の中から電圧測定を行う電極間を選択する。なお、選択する電極間の組み合わせ数は任意に定めることができる。【００８１】
温度測定回路１４は、選択した電極間において測定した電圧値Ｖと電流値Ｉを入力して温度Ｔを演算によって求める。この態様によれば、抵抗膜パターン２Ａが設置されるＴＦＴ基板１において、任意に選択した分割電極間の抵抗膜パターンの温度を測定することができ、ＴＦＴ基板上で選択した部分の温度を測定することができる。【００８２】
図９は、複数の分割抵抗膜パターンを備える抵抗膜パターン２Ｂを用いて温度を測定する態様である。【００８３】
複数の分割抵抗膜パターン２ａ〜２ｅが備える各端部電極３，３′ａに各電源１１ａ〜１１ｅを接続する。各温度測定回路１４ａ〜１４ｅは、各電圧計で測定した電圧値Ｖと各電流計で測定した電流値Ｉを入力し、演算によって温度Ｔを求める。この態様によれば、抵抗膜パターンが設置されるＴＦＴ基板の各部の温度を測定することができ、ＴＦＴ基板上の温度分布を求めることができる。【００８４】
なお、図示しない切換制御回路によって電源と温度測定回路を選択することによって、ＴＦＴ基板の各部の温度を選択的に測定することができ、ＴＦＴ基板上の温度を選択的に求めることができる。【００８５】
図１０は、連続する一つのパターンを備える抵抗膜パターン２Ａを用いて温度を測定する態様である。この態様では、切換回路９によって、電圧を印加する電極間と、電圧を測定する電極間の両電極間をそれぞれ別に選択する。この態様によれば、ＴＦＴ基板上で任意に選択した部分のみを加熱し、その加熱部分の中から任意に選択した部分の温度を測定することができる。【００８６】
次に、本発明の温度制御方法について、図１１〜図１４を用いて説明する。図１１のフローチャートにおいて、加熱する前に、予めＴＦＴ基板の裏面の抵抗膜パターンと電極を生成しておく（Ｓ２１）。ＴＦＴ基板の裏面に設けた電極の両端に電圧を印加して電流を供給する。抵抗膜パターンは、電気抵抗によって発熱する（Ｓ２２）。【００８７】
電極間の電圧と抵抗膜パターンに流れる電流を測定し（Ｓ２３）、測定して電圧値Ｖと電流値Ｉを用いて比率Ｖ／Ｉを算出する（Ｓ２４）。【００８８】
この算出した比率Ｖ／Ｉと予め設定しておいた設定範囲とを比較する。【００８９】
前記したように、式（３）において、ＴO、ＩTO、ＶTO、αTOが既知の値である場合には、電圧値Ｖと電流値Ｉとの比（Ｖ／Ｉ）を一定に制御することによって、ＴＦＴ基板１およびＴＦＴ基板１上の素子温度を一定に制御することができる。【００９０】
そこで、一定制御する温度範囲に相当する（Ｖ／Ｉ）の設定範囲を予め求めておき、Ｓ２４で算出した比率Ｖ／Ｉがこの（Ｖ／Ｉ）の設定範囲内にあるか否かを判定し、比率Ｖ／Ｉが（Ｖ／Ｉ）の設定範囲内となるように、電圧値Ｖ又は電流値Ｉあるいは両方を制御することによって温度を一定に制御する。なお、ここでは、設定範囲の下限値をＫｄとし、上限値をＫｕとする（Ｓ２５）。【００９１】
比率Ｖ／Ｉが設定範囲の下限値Ｋｄよりも小さい場合には、電圧値Ｖ又は電流値Ｉあるいは両方を制御することによって比率Ｖ／Ｉを上げ（Ｓ２６）、比率Ｖ／Ｉが設定範囲の上限値Ｋｕよりも大きい場合には、電圧値Ｖ又は電流値Ｉあるいは両方を制御することによって比率Ｖ／Ｉを下げる。また、比率Ｖ／Ｉが設定範囲の内の場合には、電圧値Ｖおよび電流値Ｉをそのままとする（Ｓ２７）。【００９２】
温度制御が終了した後（Ｓ２８）、電圧の印加を停止する（Ｓ２９）。抵抗膜パターンを除去する場合には（Ｓ３０）、ＴＦＴ基板１の裏面１ｂから抵抗膜パターン２を除去する（Ｓ３１）。【００９３】
次に、図１２〜図１４を用いて、抵抗膜パターンに電圧を印加する態様例について説明する。【００９４】
図１２は、連続する一つのパターンを備える抵抗膜パターン２Ａを用いて温度を測定する態様である。図１２（ａ）〜図１２（ｃ）に示す態様例は、連続する一つのパターンを備える抵抗膜パターン２Ａの端部電極３，３′に電源１１を接続する。【００９５】
図１２（ａ）に示す態様では、端部電極３，３′間の電圧を電圧計１３で測定し、抵抗膜パターン２Ａの全パターンに流れる電流を電流計１２によって測定する。制御回路１５は、測定した電圧値Ｖと電流値Ｉを入力してＶ／Ｉを演算によって求め、このＶ／Ｉが所定値となるように電源１１を制御する。この態様によれば、抵抗膜パターン２Ａが設置されるＴＦＴ基板１の全面の平均温度を制御することができる。【００９６】
図１２（ｂ）に示す態様例では、端部電極３，３′および分割電極３ａ〜３ｎから選択して２つの電極間の電圧を電圧計１３で測定し、抵抗膜パターン２Ａの全パターンに流れる電流を電流計１２によって測定する。電圧を測定する電極間の組み合わせは、複数選択することができる。【００９７】
図１２（ｂ）の態様例では、電圧計１３ａ、１３ｂによって２つの電極間の電圧を測定する。制御測定回路１５は、測定した電圧値Ｖと電流値Ｉを入力してＶ／Ｉを演算によって求め、このＶ／Ｉに基づいて温度制御を行う。この態様によれば、抵抗膜パターン２Ａが設置されるＴＦＴ基板１において、選択した分割電極間の抵抗膜パターンの温度を制御することができ、ＴＦＴ基板上で選択した部分の温度を制御することができる。【００９８】
図１２（ｃ）の態様例は、切換回路８によって電圧測定を行う電極間を選択する例を示している。切換回路８は、抵抗膜パターン２Ａが備える複数の分割電極の中から電圧測定を行う電極間を選択する。なお、選択する電極間の組み合わせ数は任意に定めることができる。【００９９】
温度制御回路１５は、選択した電極間において測定した電圧値Ｖと電流値Ｉを入力してＶ／Ｉを演算によって求め、このＶ／Ｉに基づいて温度制御を行う。この態様によれば、抵抗膜パターン２Ａが設置されるＴＦＴ基板１において、任意に選択した分割電極間の抵抗膜パターンの温度を制御することができ、ＴＦＴ基板上で選択した部分の温度を制御することができる。【０１００】
図１３は、複数の分割抵抗膜パターンを備える抵抗膜パターン２Ｂを用いて温度を測定する態様である。【０１０１】
複数の分割抵抗膜パターン２ａ〜２ｅが備える各端部電極３，３′ａに各電源１１ａ〜１１ｅを接続する。各温度制御回路１５ａ〜１５ｅは、各電圧計で測定した電圧値Ｖと各電流計で測定した電流値Ｉを入力し、演算によってそれぞれＶ／Ｉを求め、この各Ｖ／Ｉに基づいて温度制御を行う。この態様によれば、抵抗膜パターンが設置されるＴＦＴ基板の各部の温度を制御することができ、ＴＦＴ基板上の温度分布を制御することができる。【０１０２】
なお、図示しない切換制御回路によって電源と温度制御回路を選択することによって、ＴＦＴ基板の各部の温度を選択的に制御することができ、ＴＦＴ基板上の温度を選択的に制御することができる。【０１０３】
図１４は、連続する一つのパターンを備える抵抗膜パターン２Ａを用いて温度を測定する態様である。この態様では、切換回路９によって、電圧を印加する電極間と、電圧を測定する電極間の両電極間をそれぞれ別に選択する。この態様によれば、ＴＦＴ基板上で任意に選択した部分のみを加熱し、その加熱部分の中から任意に選択した部分の温度を制御することができる。【０１０４】
図１５は、本発明の各方法をＴＦＴ基板の検査装置に適用する構成例を示している。【０１０５】
図１５（ａ）は、抵抗膜パターン２を設けたＴＦＴ基板１をステージ２１上に載置した状態を示している。【０１０６】
ＴＦＴ基板１をステージ２１上に載置すると、抵抗膜パターン２の電極はステージ２１に設けた電極と接触する。検査装置３１が備える電源は、ステージ２１を介してＴＦＴ基板１の抵抗膜パターン２に電圧を印加して電流を流し、加熱、温度測定、温度制御等の処理を行う。【０１０７】
図１５（ｂ）は、抵抗膜パターン２を設けたＴＦＴ基板１をステージ２１上に載置すると共に、ＴＦＴ基板１上に検査用のプローブを載せた状態を示している。【０１０８】
ステージ２１上に載置したＴＦＴ基板１上にプローバ２２を載せると、抵抗膜パターン２の電極３はプローバ２２が備えるプローブピン２３と接触する。検査装置３１が備える電源は、プローブピン２３を介してＴＦＴ基板１の抵抗膜パターン２に電圧を印加して電流を流し、加熱、温度測定、温度制御等の処理を行う。なお、ここは、ＴＦＴ基板１の表面に電極を設ける構成とする。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
以上の説明では、抵抗膜パターンによって加熱、温度測定、および温度制御を行う対象としてＴＦＴ基板の例を示しているが、本発明にかかるＴＦＴ基板の加熱方法、及び温度測定方法、及び温度制御方法は、ＴＦＴ基板の液晶基板に限らず有機ＥＬ基板など他の基板や、半導体ウエハにも適用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【国際調査報告】
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