(57)【要約】  光素子と、コア部とクラッド部とを有する光導波路層より構成される光回路基板と、前記光素子を搭載するための搭載部が設けられた電気回路基板とを含んで構成され、前記光素子が、前記光回路基板を介して、前記電気回路基板上に搭載された光素子実装基板であって、前記光回路基板は、前記光素子を搭載し、前記光素子の電極と、前記電気回路基板における前記光素子搭載部の電極とを電気導通する導体部を有するレセプター構造を備える。
2007139155.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア部とクラッド部とを有する光導波路層より構成される光回路基板と、光素子を搭載するための搭載部が設けられた電気回路基板とを含んで構成され、前記光回路基板を介して、前記電気回路基板上に、光素子を搭載するための光素子実装用基板であって、
前記光回路基板は、前記光素子の電極と電気回路基板の電極との電気導通を図るためのレセプター構造を備える、光素子実装用基板。
【請求項２】
前記レセプター構造は、前記光素子の電極と電気回路基板の電極とを金属接合するための、前記レセプター構造内の導体部を含む、請求項１に記載の光素子実装用基板。
【請求項３】
前記導体部は、前記レセプター構造内の電気回路基板側底部に設けられた導体ポストを含む、請求項２に記載の光素子実装用基板。
【請求項４】
前記導体ポストは、前記光回路基板の前記光素子搭載面より突出している、請求項３に記載の光素子実装用基板。
【請求項５】
前記光回路基板は、前記光導波路層上に導体回路を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光素子実装用基板。
【請求項６】
前記光回路基板は、前記電気回路基板との接合面に、前記導体ポストと接続された導体回路を有する、請求項３〜５のいずれか１項に記載の光素子実装用基板。
【請求項７】
前記光回路基板は、前記光素子搭載側面に導体回路と、前記光回路基板を貫通し、該導体回路上に前記電気回路基板の電極と金属接合した導体部とを、有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光素子実装用基板。
【請求項８】
前記光回路基板は、前記コア部に、前記コア部の光路を、前記光素子の受発光部に向けて、屈曲させる光路変換部を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光素子実装用基板。
【請求項９】
前記光素子実装基板は、２つの前記電気回路基板が、前記光回路基板により橋架け状に接合された構造を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の光素子実装用基板。
【請求項１０】
コア部とクラッド部とを有する光導波路層より構成される光回路基板と、光素子を搭載するための搭載部が設けられた電気回路基板とを含んで構成され、前記光回路基板を介して、前記電気回路基板上に、光素子を搭載するための光素子実装基板用光回路基板であって、
前記光回路基板は、前記光素子の電極と電気回路基板の電極との電気導通を図るためのレセプター構造を備える、光回路基板。
【請求項１１】
前記レセプター構造は、前記光素子の電極と前記電気回路基板の電極とを金属接合するための、前記レセプター構造内の導体部を含む、請求項１０に記載の光回路基板。
【請求項１２】
前記導体部は、前記レセプター構造内の電気回路基板側底部に設けられた導体ポストを含む、請求項１１に記載の光回路基板。
【請求項１３】
前記導体ポストは、前記光回路基板の前記光素子搭載面より突出している、請求項１２に記載の光回路基板。
【請求項１４】
前記光回路基板は、前記光導波路層上に導体回路を有する、請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の光回路基板。
【請求項１５】
前記光回路基板は、前記電気回路基板との接合面に、レセプター構造における導体部の導体ポストと接続された導体回路を有する、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の光回路基板。
【請求項１６】
前記光回路基板は、前記光素子搭載側面に導体回路と、前記光回路基板を貫通し、該導体回路上に前記電気回路基板との電気導通を図るため、前記電気回路基板の電極と金属接合するための導体部とを、有する、請求項１０〜１５のいずれか１項に記載の光回路基板。
【請求項１７】
前記光回路基板は、前記コア部に、前記コア部の光路を、前記光素子の受発光部に向けて、屈曲させる光路変換部を有する、請求項１０〜１６のいずれか１項に記載の光回路基板。
【請求項１８】
光素子と、コア部とクラッド部とを有する光導波路層より構成される光回路基板と、光素子を搭載するための搭載部が設けられた電気回路基板とを含んで構成され、前記光回路基板を介して、前記電気回路基板上に、光素子が搭載された光素子実装基板であって、
前記光回路基板は、前記光素子を搭載し、前記光素子の電極と電気回路基板の電極とを電気導通する導体部を有するレセプター構造を備える、光素子実装基板。
【請求項１９】
前記レセプター構造において、前記光素子の電極と、前記電気回路基板の電極とが、前記レセプター構造内の導体部により、金属接合される、請求項１８に記載の光素子実装基板。
【請求項２０】
前記レセプター構造における導体部は、光素子の電極上に設けられた突起部より形成される、請求項１８又は１９に記載の光素子実装基板。
【請求項２１】
前記レセプター構造における導体部は、前記レセプター構造内の電気回路側底部に設けられた導体ポストを含んで形成される、請求項１８〜２０のいずれか１項に記載の光素子実装基板。
【請求項２２】
前記レセプター構造における導体部は、前記光回路基板の前記光素子搭載面より突出した導体ポストと、前記光素子の電極とが、金属接合される、請求項１８〜２１のいずれか１項に記載の光素子実装基板。
【請求項２３】
前記レセプター構造における導体部は、光素子の電極上に設けられた突起部と導体ポストとより構成される、請求項１８〜２２のいずれか１項に記載の光素子実装基板。
【請求項２４】
前記光回路基板は、前記導波路層上に導体回路を有する、請求項１８〜２３のいずれか１項に記載の光素子実装基板。
【請求項２５】
前記光回路基板は、前記電気回路基板との接合面に、レセプター構造における導体部の導体ポストと接続された導体回路を有する、請求項１８〜２４のいずれか１項に記載の光素子実装基板。
【請求項２６】
前記光回路基板は、前記光素子搭載側面に導体回路と、前記光回路基板を貫通し、該導体回路上に前記電気回路基板の電極と金属接合した導体部とを、有する、請求項１８〜２５のいずれか１項に記載の光素子実装基板。
【請求項２７】
前記光回路基板は、前記コア部に、前記コア部の光路を、前記光素子の受発光部に向けて、屈曲させる光路変換部を有する、請求項１８〜２６のいずれか１項に記載の光素子実装基板。
【請求項２８】
前記光素子実装基板は、２つの前記電気回路基板が、前記光回路基板により橋架け状に接合された構造を有する、請求項１８〜２７のいずれか１項に記載の光素子実装基板。
【請求項２９】
前記光素子実装基板は、前記電気回路基板の光素子搭載部と、前記光回路基板のレセプター構造部とを位置合わせし、前記光素子を前記光回路基板に搭載し、前記レセプター構造部内の導体部を介して、金属接合して得られる、請求項１８〜２８のいずれか１項に記載の光素子実装基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光素子実装用基板、光回路基板及び光素子実装基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器は、ますますその小型化や高性能化の要求が高まっている。中でも、信号の高速化に対応するために、電子部品間を光信号によって接続することによる、電子機器内における信号伝送路の高速化の検討が行われている。光信号による接続では、光配線と電気配線を備えた光・電気混載基板が用いられており、光配線は、コア部とクラッド部とで構成される光導波路を有し、光導波路のコア部を光が伝送することにより光信号が伝達される。【０００３】
このような光・電気混載基板を備えた電子機器では、基板上に電子部品を搭載し、電子部品の入出力信号を、光素子を用いて光信号に変換して光導波路に伝播させ、その先で、もう一方の光素子を用いて、光信号を電気信号に戻して、もう一方の電子部部品に接続される構造が有利である。
従来、リジッド基板中に光導波路が形成されるなど、リジッド基板との一体化がなされている。例えば、前記基板上に、光素子と電子部品とを搭載し、電気信号は、これらの搭載面より基板を貫通して反対側面に形成された電気配線を介して伝送され、光信号は、基板中に形成された光導波路より伝播され、その光導波路から絶縁層を貫通させ光素子の受発光部に伝送される（例えば、特許文献１参照。）
しかしながら、このような構造においては、これ以上薄くできないなどの小型化に限界がある。また、光素子の受発光部と光導波路のコア部との距離があることより、発光部からコア部への光入力の効率に影響を及ぼし、光伝播の損失などの特性に問題が生じることがある。また、そのような問題を解消する方法の一つとして、光素子の受発光部と光導波路のコア部との位置あわせ精度が要求されている。
【特許文献１】特開２００２−１８２０４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、光伝播の損失を低減できる光素子実装基板、光素子の搭載において位置あわせ精度良好な光素子実装光回路基板及び光素子実装用基板を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題は、本発明に係る下記第（１）項から第（９）項の光素子実装用基板、第（１０）項から第（１７）項の光回路基板、及び第（１８）項から第（２９）項の光素子実装基板により解決される。
（１）  コア部とクラッド部とを有する光導波路層より構成される光回路基板と、光素子を搭載するための搭載部が設けられた電気回路基板とを含んで構成され、前記光回路基板を介して、前記電気回路基板上に、光素子を搭載するための光素子実装用基板であって、
前記光回路基板は、前記光素子の電極と電気回路基板の電極との電気導通を図るためのレセプター構造を備える、光素子実装用基板。
（２）  前記レセプター構造において、前記光素子の電極と、電気回路基板の電極とを金属接合するための、前記レセプター構造内の導体部を有する、第（１）項に記載の光素子実装用基板。
（３）  前記レセプター構造における導体部は、前記レセプター構造内の電気回路基板側底部に設けられた導体ポストを含む、第（２）項に記載の光素子実装用基板。
（４）  前記レセプター構造における導体部の導体ポストは、前記光回路基板の前記光素子搭載面より突出している、第（３）項に記載の光素子実装用基板。
（５）  前記光回路基板は、前記光導波路層上に導体回路を有する、第（１）項〜第（４）項のいずれか１項に記載の光素子実装用基板。
（６）  前記光回路基板は、前記電気回路基板との接合面に、レセプター構造における導体部の導体ポストと接続された導体回路を有する、第（３）項〜第（５）項のいずれか１項に記載の光素子実装用基板。
（７）  前記光回路基板は、前記光素子搭載側面に導体回路と、前記光回路基板を貫通し、該導体回路上に前記電気回路基板の電極と金属接合した導体部とを、有する、第（１）項〜第（６）項のいずれか１項に記載の光素子実装用基板。
（８）  前記光回路基板は、前記コア部に、前記コア部の光路を、前記光素子の受発光部に向けて、屈曲させる光路変換部を有する、第（１）項〜第（７）項のいずれか１項に記載の光素子実装用基板。
（９）  前記光素子実装基板は、２つの前記電気回路基板が、前記光回路基板により橋架け状に接合された構造を有する、第（１）項〜第（８）項のいずれか１項に記載の光素子実装用基板。
（１０）  コア部とクラッド部とを有する光導波路層より構成される光回路基板と、光素子を搭載するための搭載部が設けられた電気回路基板とを含んで構成され、前記光回路基板を介して、前記電気回路基板上に、光素子を搭載するための光素子実装基板用光回路基板であって、
前記光回路基板は、前記光素子の電極と電気回路基板の電極との電気導通を図るためのレセプター構造を備える、光回路基板。
（１１）  前記レセプター構造において、前記光素子の電極と、前記電気回路基板の電極とを金属接合するための、前記レセプター構造内の導体部を有する、第（１０）項に記載の光回路基板。
（１２）  前記レセプター構造における導体部は、前記レセプター構造内の電気回路基板側底部に設けられた導体ポストを含む、第（１１）項に記載の光回路基板。
（１３）  前記レセプター構造における導体部の導体ポストは、前記光回路基板の前記光素子搭載面より突出している、第（１２）項に記載の光回路基板。
（１４）  前記光回路基板は、前記光導波路層上に導体回路を有する、第（１０）項〜第（１３）項のいずれか１項に記載の光回路基板。
（１５）  前記光回路基板は、前記電気回路基板との接合面に、レセプター構造における導体部の導体ポストと接続された導体回路を有する、第（１２）項〜第（１４）項のいずれか１項に記載の光回路基板。
（１６）  前記光回路基板は、前記光素子搭載側面に導体回路と、前記光回路基板を貫通し、該導体回路上に前記電気回路基板との電気導通を図るため、前記電気回路基板の電極と金属接合するための導体部とを、有する、第（１０）項〜第（１５）項のいずれか１項に記載の光回路基板。
（１７）  前記光回路基板は、前記コア部に、前記コア部の光路を、前記光素子の受発光部に向けて、屈曲させる光路変換部を有する、第（１０）項〜第（１６）項のいずれか１項に記載の光回路基板。
（１８）  光素子と、コア部とクラッド部とを有する光導波路層より構成される光回路基板と、光素子を搭載するための搭載部が設けられた電気回路基板とを含んで構成され、前記光回路基板を介して、前記電気回路基板上に、光素子が搭載された光素子実装基板であって、
前記光回路基板は、前記光素子を搭載し、前記光素子の電極と電気回路基板の電極とを電気導通する導体部を有するレセプター構造を備える、光素子実装基板。
（１９）  前記レセプター構造において、前記光素子の電極と、前記電気回路基板の電極とが、前記レセプター構造内の導体部により、金属接合される、第（１８）項に記載の光素子実装基板。
（２０）  前記レセプター構造における導体部は、光素子の電極上に設けられた突起部より形成される、第（１８）項又は第（１９）項に記載の光素子実装基板。
（２１）  前記レセプター構造における導体部は、前記レセプター構造内の電気回路側底部に設けられた導体ポストを含んで形成される、第（１８）項〜第（２０）項のいずれか１項に記載の光素子実装基板。
（２２）  前記レセプター構造における導体部は、前記光回路基板の前記光素子搭載面より突出した導体ポストと、前記光素子の電極とが、金属接合される、第（１８）項〜第（２１）項のいずれか１項に記載の光素子実装基板。
（２３）  前記レセプター構造における導体部は、光素子の電極上に設けられた突起部と導体ポストとより構成される、第（１８）項〜第（２２）項のいずれか１項に記載の光素子実装基板。
（２４）  前記光回路基板は、前記導波路層上に導体回路を有する、第（１８）項〜第（２３）項のいずれか１項に記載の光素子実装基板。
（２５）  前記光回路基板は、前記電気回路基板との接合面に、レセプター構造における導体部の導体ポストと接続された導体回路を有する、第（１８）項〜第（２４）項のいずれか１項に記載の光素子実装基板。
（２６）  前記光回路基板は、前記光素子搭載側面に導体回路と、前記光回路基板を貫通し、該導体回路上に前記電気回路基板の電極と金属接合した導体部とを、有する、第（１８）項〜第（２５）項のいずれか１項に記載の光素子実装基板。
（２７）  前記光回路基板は、前記コア部に、前記コア部の光路を、前記光素子の受発光部に向けて、屈曲させる光路変換部を有する、第（１８）項〜第（２６）項のいずれか１項に記載の光素子実装基板。
（２８）  前記光素子実装基板は、２つの前記電気回路基板が、前記光回路基板により橋架け状に接合された構造を有する、第（１８）項〜第（２７）項のいずれか１項に記載の光素子実装基板。
（２９）  前記光素子実装基板は、前記電気回路基板の光素子搭載部と、前記光回路基板のレセプター構造部とを位置合わせし、前記光素子を前記光回路基板に搭載し、前記レセプター構造部内の導体部を介して、金属接合して得られる、第（１８）項〜第（２８）項のいずれか１項に記載の光素子実装基板。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、実装精度が高く、光伝播の損失を低減できる光素子実装基板が得られる。本発明の光素子実装基板は、光素子の受発光部と光導波路のコア部と距離が短いので、光を効率よく伝えられるとともに、薄型化ができる。
本発明によれば、光素子の搭載において位置あわせ精度が良好であり、光素子の実装が容易な光素子実装用基板及び光素子実装基板用光回路基板が得られる。本発明の光素子実装用基板は、光回路基板と電気回路基板とが個別に準備され、光素子搭載できる部位を有していれば良く、また、電気回路基板が少なくとも光素子搭載部を備えていれば良いので、小型化できるとともに、設計の自由度が高くなる。
本発明の上記および他の目的、作用・効果等については、添付図面および本発明の実施形態の記載から、当業者に明らかになろう。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１Ａ】第１の光回路基板（Ｇ１）の一例における光導波路層を説明するための断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示す光回路基板の光路変換部の一例を説明するための断面図である。
【図２】光導波路層における光路変換部と光の伝送方向を説明するための断面図である。
【図３Ａ】第２の光回路基板（Ｇ２）の一例における金属板を貼る工程を説明するための断面図である。
【図３Ｂ】図３Ａの工程の後における、導体ポストを形成する工程を説明するための断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｂの工程の後における、導体回路を形成する工程を説明するための断面図である。
【図４Ａ】第３の光回路基板（Ｇ３）の一例における金属板を貼る工程を説明するための断面図である。
【図４Ｂ】図４Ａの工程の後における、導体ポストを形成する工程を説明するための断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｂの工程の後における、導体回路を形成する工程を説明するための断面図である。
【図５Ａ】第４の光回路基板（Ｇ４）の一例における金属板を貼る工程を説明するための断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａの工程の後における、導体ポストを形成する工程を説明するための断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｂの工程の後における、金皮膜を形成する工程を説明するための断面図である。
【図６Ａ】電気回路基板の一例における導体回路を形成する工程を説明するための断面図である。
【図６Ｂ】図６Ａの工程の後における、金皮膜を形成する工程を説明するための断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｂの工程の後における、接着層を形成する工程を説明するための断面図である。
【図７Ａ】光素子実装基板の第１の態様（Ｇ１）における、光素子を説明するための断面図である。
【図７Ｂ】第１の態様における、光素子実装用基板を説明するための断面図である。
【図７Ｃ】第１の態様における、光素子実装基板を説明するための模式図である。
【図７Ｄ】第１の態様における、接着層を設けた変形例を説明するための模式図である。
【図８Ａ】光素子実装基板の第２の態様（Ｇ２）における、光素子を説明するための断面図である。
【図８Ｂ】第２の態様における、光回路基板および電気回路基板を説明するための断面図である。
【図８Ｃ】第２の態様における、光素子実装用基板を説明するための断面図である。
【図８Ｄ】第２の態様における、光素子実装基板を説明するための模式図である。
【図９Ａ】光素子実装基板の第３の態様（Ｇ３）における、光素子を説明するための断面図である。
【図９Ｂ】第３の態様における、光回路基板および電気回路基板を説明するための断面図である。
【図９Ｃ】第３の態様における、光素子実装用基板を説明するための断面図である。
【図９Ｄ】第３の態様における、光素子実装基板を説明するための模式図である。
【図１０Ａ】光素子実装基板の第４の態様（Ｇ４）における、光素子を説明するための断面図である。
【図１０Ｂ】第４の態様における、光回路基板および電気回路基板を説明するための断面図である。
【図１０Ｃ】第４の態様における、光素子実装用基板を説明するための断面図である。
【図１０Ｄ】第４の態様における、光素子実装基板を説明するための断面図である。
【図１１】光素子実装基板の他の態様を示す模式図である。
【図１２Ａ】光素子の一例の平面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ａの光素子の側面図である。
【図１２Ｃ】図１２Ａの光素子の左側面図である。
【図１２Ｄ】光素子の他の例の平面図である。
【符号の説明】
【０００８】
１０    光導波路層
１１    コア層
１２ａ，１２ｂ  クラッド層
１３    レセプター構造用貫通孔
１４    光路変換部
１５    光回路基板（Ｇ１）
３１    金属板
３２    導体ポスト
３３    導体回路
３４    金皮膜
３５    光回路基板（Ｇ２）
４１    金属板
４２    導体ポスト
４３    導体回路
４４ａ，４４ｂ    金皮膜
４５    光回路基板（Ｇ３）
４６    導体ポスト
４７ａ，４７ｂ    金皮膜
４８    光回路基板（Ｇ４）
５０    電気回路基板
５０’  光素子搭載部（ランド）に金皮膜を有する電気回路基板
５０’’  接着層を有する電気回路基板
５１    コア基板
５２    開口部
５３    導体回路
５４    金皮膜
５５    接着層
６０    光素子
６０’  発光点を有する光素子
６０’’  受光点を有する光素子
６１，６１’    金属突起部
６１ａ  信号線接続用電極上の金属突起部
６１ｂ  グラウンド接続用電極上の金属突起部
６１ｃ  位置決め固定用金属突起部
６２    受／発光点
６３    光素子実装用基板（Ｇ１）
６４    光素子実装基板（Ｇ１）
６５    光素子実装用基板（Ｇ２）
６６    光素子実装基板（Ｇ２）
６７    光素子実装用基板（Ｇ３）
６８    光素子実装基板（Ｇ３）
６９    光素子実装用基板（Ｇ４）
７０    光素子実装基板（Ｇ４）
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、本発明の光回路基板、光素子実装用基板及び光素子実装基板について、詳細に説明する。
ここで念のため注記すると、本願明細書において、「光素子実装基板」とは、光素子と光回路基板と電気回路基板とを集成（アセンブリ）したものであり、「光素子実装用基板」とは、光回路基板と電気回路基板とを集成したものである。
本発明におけるレセプター構造とは、光回路基板に設けられた光素子搭載用貫通孔を含み、前記貫通孔は、電気導体により、光素子と電気回路とを電気接続される構造となるものである。また、前記貫通孔は、光素子の受発光部と光導波路のコア部との位置あわせ部として用いることができるものである。
本発明における光素子としては、受光素子及び発光素子などが挙げられる。【００１０】
本発明における光回路基板は、コア部とクラッド部とを有する光導波路層より構成されるものであり、前記電気回路基板の光素子搭載部に光素子を搭載する際に、前記光素子の電極と電気回路基板の電極との電気導通を図るためのレセプター構造又はレセプター構造用貫通孔を備えたものである。前記光回路基板は、クラッド部に電気回路又は電気回路と光回路基板を貫通して両面の電気導通を図るための導体ポストなどを有していても良い。【００１１】
先ず、本発明に係る光回路基板を構成する要素、すなわち、「光導波路」、「コア層」、「クラッド層」、「光路変換部」、「レセプター構造部」等について、この順序で説明する。
（光導波路）
まず、図１Ａに示すような光導波路層１０を用意する。
図１Ａに示すようにコア層１１には、クラッド部より屈折率が高くなっているコア部が形成されている。また、光導波路層１０は、コア部を形成するコア層１１と、コア層１１の両面に設けられたクラッド層１２ａ，１２ｂで形成されるクラッド部で構成されている。これにより、光がコア部内を伝送することができる。【００１２】
このような光導波路層１０は、例えば、基材上に、クラッド層を構成する材料を含むワニスを塗布して、クラッド層を形成し、次いで、前記クラッド層上に、コア層を構成する材料を含むワニスを塗布して、コア層を形成し、次いで、前記コア層上に、クラッド層を構成する材料を含むワニスを塗布して、もう一つのクラッド層を形成する。このとき、前記基材として銅及び銅合金等などの金属板を用いることにより、金属板付き光導波路層を作製し、前記金属板をエッチングして、導体回路を形成することにより、クラッド層上に導体層を形成することができる。形成された三層の厚みは、例えば、通常７０〜１５０μｍ程度が好ましい。さらに、コア層１１と、コア層１１の両面に設けられたクラッド層１２ａ、１２ｂとで形成されている中間体に、活性エネルギー線を照射してコア部を形成することにより得られる。この方法によると、後述するコア層１１のコア部以外の部分及びクラッド層１２ａ、１２ｂの全てがクラッド部を構成することになる。【００１３】
（コア層）
コア層１１を構成する材料としては、例えばアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、ノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂等の樹脂材料が挙げられる。これらの中でもノルボルネン系樹脂（特に、ノルボルネン系樹脂の付加重合体）が好ましい。これにより、透明性、柔軟性、絶縁性及び耐熱性に優れる。さらに、他の樹脂を用いた場合と比較して吸湿性を低くすることもできる。【００１４】
また、コア層１１の構成材料としては、活性エネルギー線の照射により、あるいはさらに加熱することにより屈折率が変化する材料が好ましい。このような材料の好ましい例としては、ベンゾシクロブテン系樹脂及びノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂を含む樹脂組成物を、主材料とするものが挙げられ、ノルボルネン系樹脂（特にノルボルネン系樹脂の付加重合体）を含む（主材料とする）ものが、特に好ましい。
前記露光に用いる活性エネルギー線としては、可視光、紫外光、赤外光及びレーザー光等の活性エネルギー光線や電子線、Ｘ線等が挙げられる。電子線は、例えば５０〜２０００ＫＧｙ程度の照射量で照射することができる。【００１５】
（クラッド層）
クラッド層１２ａ、１２ｂを構成する材料としては、コア層１１を構成する材料より屈折率が低いものであれば、特に限定されない。具体的には、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂等の樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、ノルボルネン系樹脂（特に、ノルボルネン系樹脂の付加重合体）が好ましい。これにより、透明性、絶縁性、柔軟性及び耐熱性に優れる。さらに、他の樹脂を用いた場合と比較して、吸湿性を低くすることもできる。【００１６】
例えば、ノルボルネン系樹脂の付加重合体の場合、その側鎖の種類等によって、屈折率を調整することができる。具体的には、ノルボルネン系樹脂（特に、付加重合体が好ましい）の側鎖に、アルキル基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、シリルオキシ基等を設けることにより、屈折率を適宜調整することができ、それによって、コア部を構成する材料との屈折率差を生じさせることができる。【００１７】
特に、コア層１１を構成する材料が、ノルボルネン系樹脂の付加重合体であり、クラッド層１２ａ、１２ｂを構成する材料が、ノルボルネン系樹脂の付加重合体であることが好ましい。これにより、耐熱性及び靭性を、特に向上することができる。【００１８】
クラッド層１２ａ、１２ｂを構成するノルボルネン系樹脂（の付加重合体）としては、具体的には、直鎖の脂肪族基を側鎖に有するものが好ましい。これにより、柔軟性や耐折性を向上することができる。直鎖の脂肪族基としては、例えば、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基及びデシル基等が挙げられる。
なお、クラッド層１２ａ、１２ｂは、同じ構成材料で構成されていても、異なる構成材料で構成されていても構わない。【００１９】
光導波路層１０は、上述したような方法以外に、例えば、予め形成した凹部にコア部を設け、その周囲をクラッド材（クラッド部）で覆う方法等の公知の方法によって得ることができる。【００２０】
（光路変換部）
前記光導波路層１０は、光素子実装用基板に光素子を搭載する際に、光素子搭載位置に応じて、光導波路層のコア部の光路を、光素子の受発光素子に向けて屈曲させる光路変換部を設けることができる。
光路変換部の一例について、その形成方法を説明する。
図１Ｂに示すように、光路変換部１４は、上述したような光導波路層１０の一方の面側から断面が三角形状の空間を設けることによって形成された傾斜面を有している。
傾斜面は、コア層１１に設けられたコア部の光の伝送方向に対して、傾斜（コア部の光の伝送方向に対してほぼ４５度傾斜）するようになっている。これにより、例えば、図２中の矢印Ａに示すようにコア層１１に設けられたコア部を伝送してきた光が全反射されて、光の伝送方向をほぼ直角に変更することができる。【００２１】
このような光路変換部の形成方法について簡潔に説明する。コア部と、コア部の外周に接合されたクラッド部とで構成される光導波路層１０の反射部を形成する部分に、レーザーを照射し、光導波路層１０に対するレーザーの照射領域を相対的に変化させることにより、光導波路層の光路変換部を形成する部位へのレーザーの照射時間を部分的に変化させて、レーザーの光導波路層の深さ方向に対する到達度を調整しつつ光導波路層の構成材料を除去して光路変換部を形成することができる。このように、レーザーの照射により反射部を形成することができるので、任意の位置に、任意のパターンで光路変換部を形成することが容易となる。ゆえに、光配線のパターンの形成を容易にできる。【００２２】
レーザーとしては、例えば、ＡｒＦ及びＫｒＦ等のエキシマレーザー、ＹＡＧレーザー、ＣＯ２レーザー等が挙げられる。【００２３】
レーザーの照射エネルギーは、特に限定されないが、１〜１０ｍＪが好ましく、特に５〜７ｍＪが好ましい。前記範囲内であると、短時間で光導波路層１０の構成材料を除去することができる。レーザーの照射する際の周波数は、特に限定されないが、５０〜３００Ｈｚが好ましく、特に２００〜２５０Ｈｚが好ましい。周波数が前記範囲内であると、特に傾斜面の平滑性に優れる。【００２４】
また、光導波路層１０にレーザーを照射するサイズは、形成する光路変換部の大きさに依存するため特に限定されないが、８０〜２００μｍ×８０〜２００μｍであることが好ましく、特に１００〜１５０μｍ×１００〜１５０μｍであることが好ましい。これにより、微細な光路変換部を形成できる。【００２５】
（レセプター構造部）
次に、レセプター構造部の製造方法について説明する。
レセプター構造部の製造方法としては、例えば、上記で得た光導波路層１０に、レセプター構造を形成する所定の位置に開口部を設けたマスクを載せて、レーザーを照射することにより、レセプター構造用貫通孔１３を設けることにより得ることができる（光回路基板１５（Ｇ１））。前記レセプター構造用貫通孔１３は、所望のレセプター構造に合わせて、導体部が加工される。
レセプター構造用貫通孔１３の大きさとしては、光素子を搭載することができ、光素子と電気回路とを電気接続するための導体部を設けることができればよいが、例えば、径が１００〜１２５μｍ程度とすることができる。また、前記貫通孔の形状としては、円柱状又は角柱状など、特に限定されない。
前記レーザーとしては、例えば、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー及び紫外線レーザー等が挙げられる。また、前記貫通孔の形成方法として、レーザー照射による方法を挙げたが、この製造方法に適する方法であればどのような方法でも良く、プラズマによるドライエッチング、ケミカルエッチング等の方法も挙げることができる。【００２６】
前記光回路基板のクラッド層に導体回路を設ける場合は、例えば、上記で得た光導波路層１０において、導体回路を設けるクラッド層表面に、銅及び銅合金などの金属板を貼りあわせ、これをエッチングにより導体回路を形成することができる。また、前記金属板付き光導波路層を用いることにより、前記金属板をエッチングして、導体回路を形成してもよい。【００２７】
次に、光回路基板においては、光素子搭載面に導体回路を有し、前記光回路基板を貫通し、該導体回路と前記電気回路基板との電気導通を図るため、該導体回路上に、前記電気回路基板の電極と金属接合するための導体部が形成されていても良く、光回路基板に導体回路を形成する方法と、前記光回路基板を貫通し、前記光回路基板の両面の電気導通を図るための導体部を形成する方法について説明する。【００２８】
まず、上記で得た光回路基板Ｇ１（１５）において、光素子搭載面に金属板３１を貼りあわせ（図３Ａ）、次に、前記金属板３１上に光導波路層１０を貫通して、前記金属板３１より形成される導体回路と前記電気回路基板の電極とを金属接合するため導体部を形成する位置に、ビアを形成する（図示せず。）。
ビアの形成方法としては、この製造方法に適する方法であればどのような方法でも良く、レーザー、プラズマによるドライエッチング、ケミカルエッチング等が挙げられる。レーザーとしては、例えば、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー及び紫外線レーザー等が挙げられる。【００２９】
次に、金属板３１を電解めっき用リード（給電用電極）として、電解めっきにより、ビア内に導体部（導体ポスト３２）を形成し（図３Ｂ）、次に、前記金属板３１をエッチングして、導体回路３３を形成する（光回路基板Ｇ２（３５））（図３Ｃ）。
このとき、光回路基板の導体部（導体ポスト３２）と電気回路基板の電極との接合部を、電気メッキなどにより金皮膜３４を形成することが好ましく（図３Ｃ）、金属の拡散防止層としてニッケルなどを電解メッキで形成してから金皮膜を形成しても良い。また、同様にして電解めっきにより、導体部の先端表面に半田被膜（半田層）を形成しても良い。
導体部（導体ポスト３２）の形成方法としては、無電解めっきにより形成する方法、銅を含有するペーストを印刷する方法が挙げられる。導体部（導体ポスト３２）としては、金属又はその合金からなり、前記金属としては、銅、半田、ニッケル、金、錫、銀及びパラジウムなどが挙げられるが、中でも低抵抗である銅が好ましい。前記導体ポスト（導体ポスト３２）は、金属接合の方法により異なるが、接合性を向上させるため、半田接合する場合は、半田の１層あるいは銅と半田の２層で形成することができる。導体ポストに半田層を形成する場合は、上記半田皮膜を形成しなくても良い。【００３０】
次に、前記光回路基板は、レセプター構造内に、前記光素子の電極と、前記電気回路基板の電極とを金属接合するための導体部が設けられていても良く、該導体部を設ける方法について説明する。
上記導体部としては、レセプター構造内の電気回路基板側底部より、導体ポストなどの導電体を一部又は全部を充填することにより形成される。【００３１】
まず、上記で得た光回路基板Ｇ１の電気回路基板と接する面と、金属板４１とを貼りあわせる（図４Ａ）。
金属板４１の材質としては、最終的にエッチングにより除去可能であることが好ましく、例えば、銅及び銅合金等が挙げられる。
このとき、光回路基板として、光導波路層を形成する際に、金属板付き光導波路層を用いても良い。
金属板の厚みとしては、通常、３〜１２０μｍ程度が好ましく、５〜７０μｍ程度がより好ましい。【００３２】
次に、レセプター構造用貫通孔１３に、金属板４１を電解めっき用リード（給電用電極）として、電解めっきにより、導体ポスト４２を、導体部電気回路基板側底面より形成する（図４Ｂ）。このとき、光素子を搭載する際に、光素子の電極上に設けられた突起部と金属接合をする場合は、接合を容易にするために、底部より接合に十分な厚みとなるよう一部に充填して形成する。
次に、前記金属板４１をエッチングすることにより、導体回路４３を形成する（光回路基板Ｇ３（４５））（図４Ｃ）。
該導体回路４３は、レセプター構造用貫通孔１３において、少なくとも、電気回路基板の電極との電気接続を図る位置（導体部電気回路基板側底面）を覆うように形成される。このとき、前記金属板４１は、エッチングにより、全て除去しても良いし、電気回路基板の電極との電気接続を図る位置（導体部電気回路基板側底面）を除去しても差し支えない。【００３３】
上記で得た光回路基板Ｇ３は、光回路基板の電気回路上の電気回路基板の電極との接合部と、導体ポスト４２と光素子の突起部との接合部とを、電気メッキなどにより金皮膜４４ａ，４４ｂを形成することが好ましく（図４Ｃ）、また、金属の拡散防止層としてニッケルなどを電解メッキで形成してから金皮膜４４ａ，４４ｂを形成しても良い。【００３４】
また、前記光素子の電極上に突起部を設けず、光素子の電極と直接接合する場合は、上記の導体ポストを導体部電気回路基板側底面より形成する工程において、上記で得た光回路基板の電気回路基板と接する面と、金属板４１とを貼りあわせた後（図５Ａ）、レセプター構造用貫通孔１３に、導体ポスト４６を、光回路基板の光素子搭載面を突出するように充填して形成しても良い（光回路基板Ｇ４）（図５Ｂ）。
上記工程において、導体ポスト４６と光素子の突起部との接合部と、光回路基板の導体回路上の電気回路基板の電極との接合部とにおいて、また、導体回路を設けない場合は、導体ポスト上の電気回路基板の電極との接合部において、電気メッキなどにより金皮膜４７ａ，４７ｂを形成することが好ましい（図５Ｃ）。あるいは、金属の拡散防止層としてニッケルなどを電解メッキで形成してから金皮膜４７ａ，４４ｂを形成しても良い。また、同様にして電解めっきにより、導体部の先端表面に半田被膜（半田層）を形成しても良い。【００３５】
導体ポスト４２，４６を形成する方法としては、電解めっきにより形成する方法以外に、無電解めっきにより形成する方法、銅を含有するペーストを印刷する方法が挙げられる。電解めっきにより銅ポストを形成すれば、銅ポストの先端の形状を自由に制御することができるため、非常に好ましい。
前記導体ポスト４２，４６の材質としては、金属又はその合金からなり、前記金属としては、銅、半田、ニッケル、金、錫、銀及びパラジウムなどが挙げられるが、中でも低抵抗である銅が好ましい。前記導体ポスト４２，４６は、金属接合の方法により異なるが、接合性を向上させるため、半田接合する場合は、半田の１層又は銅と半田の２層で形成することができる。導体ポスト４２，４６に半田層を形成する場合は、上記半田皮膜を形成しなくても良い。【００３６】
上記レセプター構造内に、前記光素子の電極と、前記電気回路基板の電極とを金属接合するための導体部が設けられた光回路基板（光回路基板Ｇ３，Ｇ４）は、上記光回路基板Ｇ２と同様に、光素子搭載面に導体回路を有し、前記光回路基板を貫通し、該導体回路と前記電気回路基板との電気導通を図るため、該導体回路上に、前記電気回路基板の電極と金属接合するための導体部が形成されていても良い。【００３７】
次に、電気回路基板について説明する。
本発明に係る電気回路基板には、搭載される光素子の電極と電気回路基板の電極との電気導通を図るための搭載部が設けられる。電気回路基板として具体的には、絶縁層と回路層とを有する回路基板が挙げられ、これを複数重ね合わせた多層回路基板で有ってもよく、リジッド回路基板及びフレキシブル回路基板などを用いることができる。前記電気回路基板は、少なくとも前記光素子搭載部が設けられているものであればよいが、電子部品が搭載されていても良い。
前記絶縁層としては、例えば、シアネート樹脂、環状オレフィン系樹脂、フェノール樹脂及びエポキシ樹脂などの絶縁樹脂を用いた樹脂組成物より構成されるものを挙げることができる。特に、光素子を搭載する際に、寸法変化を小さくする上では、高耐熱性及び低線膨張率などの特性を有するシアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーと、エポキシ樹脂を含有する樹脂組成物を用いることが好ましい。【００３８】
図６Ａ〜６Ｃは、本発明に係る電気回路基板の一例を示す断面図である。
図６Ａに示すように、電気回路基板５０は、上記絶縁層を有するコア基板５１に、ドリル機で開口された開口部５２が形成されている。また、コア基板５１の両表面には導体回路５３が形成されている。
このとき、導体回路５３には、光素子を搭載する際に、光素子の電極と電気回路基板の電極との電気導通を図るための搭載部となるランドが設けられている。電気回路基板の両面に、光回路基板を介して、光素子を搭載する場合は、電気回路基板の両面の導体回路に、上記ランドを設ければ良い。
また、開口部５２の内部はメッキ処理されており、コア基板５１の両表面の導体回路５３が導通されている。【００３９】
このような配線板を製造する方法としては、図６Ａ〜６Ｃを用いて説明すると、例えば、コア基板（例えばＦＲ−４の両面銅箔）５１に、ドリル機で開孔して開口部５２を設けた後、無電解めっきにより、開口部５２にメッキ処理を行い、コア基板５１の両面の導通を図る。そして、前記銅箔をエッチングすることにより、光素子の電極と電気回路基板の電極との電気導通を図るための搭載部となるランドを含む導体回路５３を形成する（図６Ａ）。
上記ランドは、その表面に、電気メッキなどにより、金皮膜５４を形成することが好ましく（図６Ｂ）、金属の拡散防止層としてニッケルなどを電解メッキで形成してから金皮膜を形成しても良い。【００４０】
導体回路５３の材質としては、この製造方法に適するものであれば、どのようなものでも良いが、導体回路の形成において、エッチングや剥離などの方法により除去可能であることが好ましく、前記エッチングにおいては、これに使用される薬液などに耐性を有するものが好ましい。そのような導体回路５３の材質としては、例えば、銅、銅合金、４２合金及びニッケル等が挙げられる。特に、銅箔、銅板及び銅合金板は、電解めっき品や圧延品を選択できるだけでなく、様々な厚みのものを容易に入手できるため、導体回路５３として使用するのに最も好ましい。【００４１】
また、上記で得た電気回路基板は、導体回路５３を覆うように、コア基板５１の片面又は両面に、光回路基板及び光素子搭載における金属接合あるいは光回路基板と電気回路基板との接着をするための接着層を設けてもよく、その場合、導体回路５３を覆うように、接着層５５を形成する（図６Ｃ）。
接着層５５を形成する方法としては、接着層を構成する樹脂組成物を接着層形成面に直接塗布して形成する方法、接着層付キャリア材料をプレスする方法、接着層付キャリア材料を、真空プレス、常圧ラミネータ、真空ラミネータ及びベクレル式積層装置等を用いて積層して接着層を形成する方法などが挙げられる。
また、接着層のキャリア材料として金属層を用いた場合、該金属層を導体回路として加工することができる。【００４２】
前記接着層５５は、光素子実装における光素子の電極と電気回路基板の電極との金属接合、及びレセプター内に設けられた導体ポストの金属接合等において、半田等による接合を行う場合は、半田接合時にフラックスとして作用する熱硬化性フラックスを含む接着剤であることが好ましく、例えば、フェノール性水酸基を有する樹脂(Ａ)、該樹脂の硬化剤である樹脂（Ｂ）を含むものを挙げることができる。
前記フェノール性水酸基を有する樹脂（Ａ）としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂及び多価フェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂樹脂、ポリビニルフェノール樹脂などが好適に用いることができる。これらの内、多価フェノールノボラック樹脂は、１個のベンゼン環に２個以上のフェノール性ヒドロキシル基有するので、単官能のフェノールノボラック樹脂に比べて、半田接合のフラックスとして、より飛躍的に向上した性能を有する。また、２，４−ジヒドロキシ安息香酸及び２，５−ジヒドロキシ安息香酸などのジヒドロキシ安息香酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸及び２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸などのヒドロキシナフトエ酸、フェノールフタリン、ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキシフェニル酢酸、４−ヒドロキシ−３−メトキシ安息香酸、ジフェノール酸、４−ヒドロキシ−３−ニトロ安息香酸などは、分子内にカルボキシル基を有するため、半田及び金属表面の酸化物などの汚れを除去する作用が向上し、安定した半田接合を達成するのに好適であり、中でも、ジヒドロキシ安息香酸、フェノールフタリンがより好ましい。【００４３】
前記フェノール性水酸基を有する樹脂の、硬化剤として作用する樹脂（Ｂ）としては、具体的には、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂系、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂系、ビフェノール型エポキシ樹脂系、ナフトール型エポキシ樹脂やレソルシノール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂や、上記樹脂と同じ骨格のイソシアネート樹脂やシアネート樹脂であってもよい。また、脂肪族、環状脂肪族や不飽和脂肪族等の骨格をベースとして変性されたエポキシ化合物やイソシアネート化合物が挙げられる。例えばシリコン変性のエポキシ樹脂が挙げられる。【００４４】
また、接着剤には、上記成分の他に、環状オレフィン系樹脂などのその他の樹脂、無機充填材、硬化触媒、着色料、消泡剤、難燃剤、カップリング剤等の各種添加剤や、溶剤を添加しても良い。
熱硬化性フラックスを含む接着剤には、シート状として用いる場合に、シート性を向上する上で、上記特性を損ねない範囲で熱可塑性樹脂を用いることができる。前記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂類、ポリウレタン樹脂類、ポリイミドシロキサン樹脂、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−メタクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル樹脂、ナイロン、スチレン−イソプレン共重合体、スチレン−ブチレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロック共重合体、ポリメチルメタクリレート樹脂などを挙げることができる。【００４５】
以上、光素子実装基板（光素子実装用基板）を構成する光回路基板および電気回路基板の様々な態様について説明したが、次には、光素子実装基板の具体的な態様（第１〜第４の態様）について図面を参照して詳細に説明する。
＜第１の態様（図７Ｄ）＞
図７Ｃに示すように、光素子を搭載するための光素子搭載部が設けられた電気回路基板と、コア部とクラッド部とを有する光導波路層より構成され、前記光素子の電極と電気回路基板の電極との電気導通を図るためのレセプター構造を備えた光回路基板とから構成される光素子実装用基板の、前記電気回路基板の光素子搭載部に、前記光回路基板を介して搭載されたものであって、前記光素子の電極と、前記電気回路基板の電極とが、前記光素子の電極上に設けられた金属突起部が、前記レセプター構造内において、導体部として、直接に金属接合される。【００４６】
第１の態様に用いる光素子６０としては、その電極上に、前記レセプター構造内において導体部となる金属突起部（バンプ）６１を有するものである（図７Ａ）。金属突起部６１の材質としては、金、銅、半田などが挙げられるが、金属接合方法により選択される。超音波接合による金属接合を行う場合は、金及び銅などが好ましい。【００４７】
前記光素子６０の具体例について、図１２Ａ〜１２Ｄを参照して説明する。例えば、単一の受光点又は発光点を有する光素子では、受／発光点６２側に、信号線接続用電極上に設けた金属突起部６１ａと、グラウンド接続用電極上に設けた金属突起部６１ｂと、位置決め固定用金属突起部６１ｃとを有するものが挙げられる（図１２Ａ〜１２Ｃ）。前記位置決め固定用突起部は、一つ設けることにより、光素子の位置決め及び固定が確実なものとなり、複数設けることもできる。また、光素子は、受光点又は発光点が複数有するものであっても良く、例えば、上記単一の受光点又は発光点を有する光素子が４つ並列したものであってもよい（図１２Ｄ）。前記受光点又は発光点が複数有する光素子は、光回路基板において、コア部を複数有するものに用いられ、コア部の数に応じて、受光点又は発光点の数も決定される。
金属突起部の大きさとしては、レセプター構造用貫通孔に納められ、電気回路の電極と、十分に金属接合できる程度の大きさを有していれば良い。【００４８】
次に、第１の態様の製造方法の一例を説明する。
まず、上記で得た光回路基板（Ｇ１）１５と、ランド上に金皮膜５４を形成した電気回路基板５０’とを用意し、これらを位置合わせして重ね合わせて、光素子実装用基板（Ｇ１）６３を得る（図７Ｂ）。
前記位置あわせにおいては、受発光素子をレセプター構造用貫通孔に沿って搭載するパッシブ・アライメントが可能である。これにより、実装精度と実装スピードの両方を向上させることができる。
次に、上記金属突起部を有する光素子６０に形成された金属突起部６１を、光素子実装用基板（Ｇ１）６３における光回路基板（Ｇ１）１５に形成されたレセプター構造用貫通孔１３に位置合わせして、所定の位置に納めて、金属突起部６１が、金皮膜５４に押圧されるように加重をかけながら、超音波接合を行い、光素子が搭載された光素子実装基板（Ｇ１）６４を得る（図７Ｃ）。
超音波接合の方法の具体例としては、例えば、金属突起部６１を、レセプター構造用貫通孔１３の所定の位置に納めた後、超音波接合装置を用いて、一般的には、周波数１５ｋＨｚで、定格３０００Ｗの電力で、１ｋＮ程度の加重をかけて、金属突起部６１を、金皮膜５４に押圧しながら、０．５秒間加振して接合を行うことができる。【００４９】
上記第１の態様において、光回路基板と電気回路基板とを重ね合わせて光素子実装用基板を製造する際に、接着剤を用いて両方の基板を接着しても良い。その場合は、図６Ｃに示すような接着層５５を有する電気回路基板５０’’を用意して、前記光回路基板と接着することができる（図７Ｄ）。また、上記金属接合において、超音波接合の代えて半田接合による金属接合を行う場合は、接着層５５に、前記フラックスとして作用する熱硬化性フラックスを含む接着剤を用いて、半田が溶融する温度に加熱して接合することができる。その場合、前記金属接合を行う導体部は、半田を含む金属により構成されることが好ましい。以下の他の態様においても、同様にして接着剤を用いることができる。【００５０】
＜第２の態様（図８Ｄ）＞
図８Ｃに示すように、第１の態様において、光回路基板が、光素子搭載面に導体回路を有し、前記光回路基板を貫通し、該導体回路と前記電気回路基板との電気導通を図るため、該導体回路上に、前記電気回路基板の電極と金属接合するための導体部が形成された光回路基板（Ｇ２）３５を用いたもので、前記光素子の電極と、前記電気回路基板の電極とが、前記光素子の電極上に設けられた金属突起部が、前記レセプター構造内において、導体部として、直接に金属接合されるとともに、前記光素子搭載面に形成された導体回路上に前記光回路基板を貫通し、前記電気回路基板の電極と金属接合するための導体部と、それに対応する電気回路基板の電極とが、金属接合される。
第２の態様に用いる光素子６０としては、第１の態様で用いるものと同様の、前記レセプター構造内において導体部となる金属突起部（バンプ）６１を有するものを用いることができる（図８Ａ）。【００５１】
次に、第２の態様の製造方法の一例を説明する。
まず、上記で得た光回路基板（Ｇ２）３５と、光素子搭載用のランド上に金皮膜５４を形成した電気回路基板５０’とを用意し（図８Ｂ）、光回路基板（Ｇ２）３５に形成されたレセプター構造用貫通孔１３と、ランド上の金皮膜５４とを位置合わせするとともに、前記光回路基板を貫通し、前記電気回路基板の電極とを金属接合するための導体部としての導体ポスト３２と、それに対応する電気回路基板の電極（図示せず。）とを位置合わせして、加重をかけながら、重ね合わせて、超音波接合により、前記光回路基板を貫通し前記電気回路基板の電極とを金属接合するため導体ポスト３２と、それに対応する電気回路基板の電極とを、金属接合して、光素子実装用基板（Ｇ２）６５を得る（図８Ｃ）。【００５２】
次に、上記金属突起部を有する光素子６０の金属突起部６１と、光素子実装用基板（Ｇ２）６５に形成されたレセプター構造用貫通孔１３とを位置合わせして、所定の位置に収めて、金属突起部６１が、金皮膜５４に押圧されるように加重をかけながら、超音波接合を行い、光素子が搭載された光素子実装基板６６を得る（図８Ｄ）。
このときの加重及び超音波接合の条件は、第１の態様と同様である。【００５３】
なお、上記説明では、前記光回路基板を貫通し、前記電気回路基板の電極とを金属接合するため導体部と、それに対応する電気回路基板の電極とを金属接合して、光素子実装用基板（Ｇ２）６５を形成した後に、光素子を搭載する方法を説明したが、前記光回路基板を貫通し、前記電気回路基板の電極とを金属接合するため導体ポスト３２と、それに対応する電気回路基板の電極との位置合わせと、上記金属突起部を有する光素子６０の金属突起部６１と、光素子実装用基板（Ｇ２）６５に形成されたレセプター構造用貫通孔１３との位置合わせをして、所定の位置に納めることを同時に行って、一括して、超音波接合により金属接合を行っても良い。【００５４】
また、上記第２の態様において、光回路基板と電気回路基板とを重ね合わせて光素子実装用基板を製造する際に、第１の態様と同様にして、接着剤を用いて両方の基板を接着しても良い。【００５５】
＜第３の態様（図９Ｄ）＞
図９Ｃに示すように、光素子を搭載するための光素子搭載部が設けられた電気回路基板と、コア部とクラッド部とを有する光導波路層より構成され、前記光素子の電極と電気回路基板の電極との電気導通を図るためのレセプター構造を備えた光回路基板とから構成される光素子実装基板に、前記電気回路基板の光素子搭載部に、前記光回路基板を介して搭載されたものであって、前記光素子の電極と、前記電気回路基板の電極とが、前記レセプター構造内において、導体部として、前記レセプター構造内に形成された導体ポストを含んで金属接合されるものである。第３の態様においては、導体ポスト４２が、導体部電気回路基板側底面より部分的に形成されたものであり、前記レセプター構造内における導体部としては、部分的に形成された導体ポスト４２と、前記光素子の電極上に設けられた金属突起部６１’とにより形成される。これにより、導体部の高さを十分に確保できることから、より金属接合性が向上する。【００５６】
第３の態様に用いる光素子６０としては、第１の態様で用いる光素子と同様の構造のものを用いることができるが、光素子電極上に形成される金属突起部（バンプ）６１’としては、前記レセプター構造内の導体部として、金属接合性が十分に確保できる高さを有していれば良い（図９Ａ）。【００５７】
次に、第３の態様の製造方法の一例を説明する。
まず、上記で得た光回路基板（Ｇ３）４５と、光素子搭載用のランド上に金皮膜５４を形成した電気回路基板５０’とを用意し（図９Ｂ）、光回路基板（Ｇ３）４５に形成されたレセプター構造における導体ポスト４２上の電気回路基板との金属接合部（金皮膜４４ｂ）と、ランド上の金皮膜５４とを位置合わせして、前記レセプター構造における金属接合部（金皮膜４４ｂ）が金皮膜５４に押圧されるように加重をかけながら、超音波接合を行い、光素子実装用基板（Ｇ３）６７を得る（図９Ｃ）。【００５８】
次に、上記金属突起部を有する光素子６０の金属突起部６１’を、光素子実装用基板（Ｇ３）６７に形成されたレセプター構造における導体ポスト４２（金皮膜４４ａ）に位置合わせして、所定の位置に収めて、金属突起部６１’が、レセプター構造における金皮膜４４ａに押圧されるように加重をかけながら、超音波接合を行い、光素子が搭載された光素子実装基板（Ｇ３）６８を得る（図９Ｄ）。
このときの加重及び超音波接合の条件は、第１の態様と同様である。【００５９】
なお、上記説明では、前記光回路基板と前記電気回路基板の電極とを金属接合して、光素子実装用基板（Ｇ３）６７を形成した後に、光素子を搭載する方法を説明したが、前記光回路基板と前記電気回路基板と光素子とを同時に位置合わせして、一括して、超音波接合により金属接合を行っても良い。【００６０】
また、上記第３の態様において、光回路基板と電気回路基板とを重ね合わせて光素子実装用基板を製造する際に、第１の態様と同様にして、接着剤を用いて両方の基板を接着しても良い。【００６１】
＜第４の態様（図１０Ｄ）＞
図１０Ｃに示すように、光素子を搭載するための光素子搭載部が設けられた電気回路基板と、コア部とクラッド部とを有する光導波路層より構成され、前記光素子の電極と電気回路基板の電極との電気導通を図るためのレセプター構造を備えた光回路基板とから構成される光素子実装基板に、前記電気回路基板の光素子搭載部に、前記光回路基板を介して搭載されたものであって、前記光素子の電極と、前記電気回路基板の電極とが、前記レセプター構造内において、導体部として、前記光回路基板の前記光素子搭載面より突出して前記レセプター構造内に形成された導体ポストにより金属接合される。第４の態様においては、導体ポスト４６が、導体部電気回路基板側底面より全部に形成されたものであり、さらに、金属接合性が向上することができるとともに、前記光素子の電極上に金属突起部を有しないものを用いることができる。【００６２】
第４の態様に用いる光素子６０としては、前記態様のように、電極上の金属突起部を形成しておく必要はなく、電気接続するための電極を有していれば良い。【００６３】
次に、第４の態様の製造方法の一例を説明する。
まず、上記で得た光回路基板（Ｇ４）４８と、光素子搭載用のランド上に金皮膜５４を形成した電気回路基板５０’とを用意し（図１０Ｂ）、光回路基板（Ｇ４）４８に形成されたレセプター構造における導体ポスト４６上の電気回路基板との金属接合部（金皮膜４７ｂ）と、ランド上の金皮膜５４とを位置合わせして、レセプター構造における金属接合部（金皮膜４７ｂ）が金皮膜５４に押圧されるように加重をかけながら、超音波接合を行い、光素子実装用基板（Ｇ４）６９を得る（図１０Ｃ）。【００６４】
次に、上記光素子６０の電極を、光素子実装用基板（Ｇ４）６９に形成されたレセプター構造における突出した導体ポスト４６上の金皮膜４７ａに位置合わせして、光素子６０の電極が、レセプター構造における突出した導体ポスト４６の金皮膜４７ａに押圧されるように加重をかけながら、超音波接合を行い、光素子が搭載された光素子実装基板（Ｇ４）７０を得る（図１０Ｄ）。
このときの加重及び超音波接合の条件は、第１の態様と同様である。また、レセプター構造における突出した導体ポスト４６の金皮膜４７ａは、光素子６０の電極上に形成しておいても良い。【００６５】
なお、上記説明では、前記光回路基板と前記電気回路基板の電極とを金属接合して、光素子実装用基板（Ｇ４）６９を形成した後に、光素子を搭載する方法を説明したが、前記光回路基板と前記電気回路基板と光素子とを同時に位置合わせして、一括して、超音波接合により金属接合を行っても良い。【００６６】
また、上記第４の態様において、光回路基板と電気回路基板とを重ね合わせて光素子実装用基板を製造する際に、第１の態様と同様にして、接着剤を用いて両方の基板を接着しても良い。【００６７】
さらに、上記の態様においては、前記光回路基板と前記電気回路基板とから構成される光素子実装用基板に、光素子を搭載する構造及びその製造方法について説明したが、前記光回路基板の他の部位、例えば、前記レセプター構造が形成された端部に対し他端部においても、前記レセプター構造を形成しておき、電気回路基板と光素子実装用基板を構成し、前記光回路基板を橋架け状にして光素子を搭載することができる。この場合、前記光回路基板の両端に形成されたレセプター構造及び電気回路基板は、それぞれ異なる構造であっても良い。
このようにして得られる光素子実装基板について、図１１を用いて説明すると、例えば、光素子実装基板（Ｇ１）の場合、光回路基板（Ｇ１）１５の一端に形成されたレセプター構造において、電気回路基板５０’の光素子搭載部に、発光点を有する光素子６０’が搭載され、光回路基板（Ｇ１）１５を橋かけとして、他端に形成されたレセプター構造において、電気回路基板５０’の光素子搭載部に、受光点を有する光素子６０’’が搭載されたものが挙げられる。他の態様においても、同様に橋かけとした構造が挙げられる。また、上記の電気回路基板５０’においては、電子部品が搭載されていても良い。【００６８】
さらには、上記の態様において、電気回路基板の両面に光回路基板を介して光素子を搭載することもできる。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１２Ｄ】
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【国際調査報告】
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