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【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が形成されている半導体ウエハ上に支持板を接着する工程と、
前記支持板が接着されている面と反対側の前記半導体ウエハの面を研削する工程と、
前記研削された前記半導体ウエハの面に対してウェットエッチングする工程により、その表面粗さを減らすことを特徴とした半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体素子が形成されている半導体ウエハ上に支持板を接着する工程と、
前記支持板が接着されている面と反対側の前記半導体ウエハの面をエッチングすることにより、溝を形成する工程と、
前記エッチングされた前記半導体ウエハの面に対してウェットエッチングを行うことにより、前記溝の角部を丸くする工程とを有することを特徴とした半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ウェットエッチングする工程は、前記研削された前記半導体ウエハの面を上に向けて、上方から当該半導体ウエハに薬液を滴下し、当該半導体ウエハを回転させ、薬液を当該半導体ウエハ全体に広げることにより、ウェットエッチング加工を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ウェットエッチングする工程は、前記エッチングされた前記半導体ウエハの面を上に向けて、上方から当該半導体ウエハに薬液を滴下し、当該半導体ウエハを回転させ、薬液を当該半導体ウエハ全体に広げることにより、ウェットエッチング加工を行うことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ウェットエッチングする工程は、前記半導体ウエハの回転方向を切り換えながら行うことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ウェットエッチングする工程は、前記研削された半導体ウエハの面をＣＭＰ処理することで表面粗さを減らすことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ウェットエッチングする工程により、前記研削された半導体ウエハの面に付着している異物を除去することを特徴とする請求項１，３，６のいずれか１項に記載の半導体装
置の製造方法。
【請求項８】
前記ウェットエッチングする工程により、前記エッチングされた半導体ウエハの面に付着している異物を除去することを特徴とする請求項２または請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
複数の半導体素子が形成されている半導体ウエハ上に、第１の絶縁膜を介して、隣接する半導体素子の境界付近に第１の配線を形成する工程と、
前記第１の配線を覆うように、接着剤を介して支持板を接着する工程と、
前記支持板が接着されている面と反対側の前記半導体ウエハの面を研削する工程と、
前記研削された半導体ウエハの面にウェットエッチングを行うことで表面粗さを減らす工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記研削された半導体ウエハの面、もしくは前記ウェットエッチングされた前記半導体ウエハの面の境界部分に溝を形成する工程と、
前記溝を含めた前記半導体ウエハの面に対して、ウェットエッチングを行うことにより、当該溝の角部を丸める工程とを有することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記ウェットエッチングは、前記半導体ウエハを薬液に浸すディップ処理により行われることを特徴とする請求項１，２，９，１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記ウェットエッチングに替わって、ドライエッチングを行うことを特徴とする請求項１，２，９，１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
複数の半導体素子が形成されている半導体ウエハ上に、第１の絶縁膜を介して、隣接する半導体素子の境界付近に第１の配線を形成する工程と、
前記第１の配線を覆うように、接着剤を介して支持板を接着する工程と、
前記支持板が接着されていない半導体ウエハの面の境界部分に溝を形成し、前記第１の絶縁膜を露出させる工程と、
前記溝を含めた前記半導体ウエハの面に対して、ウェットエッチングを行うことにより、当該溝の角部を丸める工程と、
前記半導体ウエハの面に対して、第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜をエッチングして少なくとも前記第１の配線を露出させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記支持板が接着されている面と反対側の前記半導体ウエハの面を研削する工程を有することを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記研削された半導体ウエハの面にウェットエッチングを行うことを有することを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
複数の半導体素子が形成されている半導体ウエハ上に、第１の絶縁膜を介して、隣接する半導体素子の境界付近に第１の配線を形成する工程と、
前記第１の配線を覆うように、接着剤を介して支持板を接着する工程と、
前記支持板が接着されている面と反対側の前記半導体ウエハの面を研削する工程と、
前記研削された半導体ウエハの面にウェットエッチングを行うことで表面粗さを減らす工程と、
前記支持板が接着されていない半導体ウエハの境界部分に溝を形成し、前記第１の絶縁
膜を露出させる工程と、
前記溝を含めた半導体ウエハの面に対して、第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜をエッチングして少なくとも前記第１の配線を露出させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記溝を含めた前記半導体ウエハの面に対して、ウェットエッチングを行うことにより、当該溝の角部を丸める工程を有することを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
複数の半導体素子が形成されている半導体ウエハ上に、第１の絶縁膜を介して、隣接する半導体素子の境界付近に第１の配線を形成する工程と、
前記第１の配線を覆うように、接着剤を介して支持板を接着する工程と、
前記支持板が接着されていない半導体ウエハの面に対して溝を形成し、前記第１の絶縁膜を露出させる工程と、
前記半導体ウエハの面に対して、第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜及び前記第１の絶縁膜をエッチングして少なくとも前記第１の配線を露出させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第２の絶縁膜上に前記第１の配線と電気的に接続される第２の配線を形成する工程を有することを特徴とする請求項１３、１４、１５、１６、１７、１８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月19日(2007.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
信号入力端子に電気的に接続され、かつダイオードとトランジスタとを有するサージ保護回路を備えた半導体装置であって、
主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の主表面に形成されたフィールド酸化膜と、
前記半導体基板の主表面上に形成され、かつ前記信号入力端子に電気的に接続された第１の導電層とを備え、
前記ダイオードのカソードは、第１のカソード領域と第２のカソード領域とを有し、前記第１のカソード領域は、前記第１の導電層と電気的に接続して前記半導体基板の主表面に形成されていて、前記第２のカソード領域は、前記ダイオードのアノード領域とツェナー降伏が生じるｐｎ接合を構成し、前記第１および第２のカソード領域は互いに接触しておらず、
前記ツェナー降伏が生じるｐｎ接合は、前記フィールド酸化膜から離れていることを特徴とする、半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
図２２および図２３を参照して、本実施の形態においては、ｎｐｎトランジスタ２３のエミッタ領域を構成するｎ+拡散層８ａの形状が実施の形態６とは異なっている。具体的には、ｎ+拡散層８ａを３つに分断するように２本のｐ+拡散層９ｂがｐ型拡散層６ｃ内に形成されている。２つのｐ+拡散層９ｂの各々は、たとえば図２２中縦方向に伸びた長方形の平面形状を有している。ｎ+拡散層８ａおよびｐ+拡散層９ｂは、ともに配線１２ａ（第２の導電層）と電気的に接続されている。また、ｎｐｎトランジスタ２３のベース領域は、ｎ-エピタキシャル層４内に形成されたｐ+拡散層３ｂと、ｎ-エピタキシャル層４内に形成されたｐ型拡散層６ｃと、ｐ型拡散層６ｃ内に形成されたｐ+拡散層９ｂとにより構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
図２６を参照して、実施の形態６の半導体装置では、電流密度が１×１０-4Ａ／μｍである場合に電圧は約１１．０Ｖとなっている。これに対し、実施の形態４の半導体装置では、電流密度が１×１０-4Ａ／μｍである場合に電圧は約２６．０Ｖとなっている。この結果から、実施の形態６の半導体装置は、特に半導体装置に流れる電流が大きい場合に、実施の形態４の半導体装置よりも電流が流れやすくなっていることがわかる。また、実施の形態８の半導体装置では、電流密度が１×１０-10Ａ／μｍである場合に電圧は約２６．０Ｖとなっている。これに対し、実施の形態６の半導体装置では、電流密度が１×１０-10Ａ／μｍである場合に電圧は約１６．０Ｖとなっている。この結果から、実施の形態８の半導体装置は、特に半導体装置に流れる電流が小さい場合に、実施の形態６の半導体装置よりも電流が流れやすくなっており、流れる電流の大きさが調節可能であることがわかる。さらに、実施の形態１０の半導体装置では、電流密度が１×１０-7Ａ／μｍである場合に電圧は約３２．０Ｖとなっている。これに対し、実施の形態６の半導体装置では、電流密度が１×１０-7Ａ／μｍである場合に電圧は約１１．０Ｖとなっている。この結果から、実施の形態１０の半導体装置は、特に半導体装置に流れる電流が大きい場合に、実施の形態６の半導体装置よりも電流が流れにくくなっており、流れる電流の大きさが調節可能であることがわかる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月7日(2007.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体物質で形成された基板を含み、前記基板の第１のメイン表面上に置かれた第１の入力／出力接点（１２２、３４０、３６０）と該基板の第２のメイン表面上に置かれた第２の入力／出力接点（１２６、３３０、４１５）とを有するインタポーザ（１２０、２００、３００、４００）を含み、
前記第２の入力／出力接点が、前記第１の入力／出力接点に電気的に接続（１２４、３２０）されており、
前記基板の第１のメイン表面上に置かれた前記第１の入力／出力接点（１２２、３４０、３６０）が、それに対して前記インタポーザ（１２０、２００、３００、４００）を取り付けようとしているデバイス（１４０、２１０、３１０、４１０）の入力／出力パッド（１４２）に取り付けるためのものであり、
前記第２のメイン表面上に置かれた前記第２の入力／出力接点（１２６、３３０、４１５）が、それに対しても前記インタポーザを取り付けようとしている構成要素（２２０）の接点に対する結合を可能にし、
前記第１のメイン表面上に置かれた前記第１の入力／出力接点（１２２、３４０、３６０）が、前記インタポーザ基板の第２のメイン表面上に置かれた前記第２の入力／出力接点（１２６、３３０、４１５）とは異なるピッチを有している
ことを特徴とする構造体。
【請求項２】
前記インタポーザ基板の第１のメイン表面上に置かれた前記第１の入力／出力接点（１２２、３４０、３６０）が、それに対して前記インタポーザを取り付けようとしている前記デバイス（１４０、２１０、３１０、４１０）の入力／出力パッド（１４２）と対応する形状サイズを有することを特徴とする、請求項１に記載の構造体。
【請求項３】
前記デバイス（１４０、２１０、３１０、４１０）が、ｘ、ｙ表面区域を有する集積回路ベアチップを含み、前記インタポーザ（１２０、２００、３００、４００）が、前記集積回路ベアチップのｘ、ｙ表面区域と同じサイズにされた表面区域を有することを特徴とする、請求項１に記載の構造体。
【請求項４】
前記集積回路ベアチップ（１４０、２１０、３１０、４１０）が、第１の集積回路チップを含み、前記構成要素（２２０）が、第２の集積回路チップを含み、前記インタポーザ（１２０、２００、３００、４００）が、前記第１の集積回路チップと前記第２の集積回路チップとの間の電気的接続を可能にすることを特徴とする、請求項３に記載の構造体。
【請求項５】
前記半導体物質が、シリコン、炭化ケイ素、及びガリウム砒素の少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項１に記載の構造体。
【請求項６】
前記デバイスが、半導体物質で形成された基板を有し、
前記インタポーザ基板の半導体物質が、前記デバイス基板の半導体物質と少なくとも部分的に一致していることを特徴とする、請求項１に記載の構造体。
【請求項７】
その表面上に置かれた入力／出力パッド（１４２）を有する集積回路デバイス（１４０、２１０、３１０、４１０）と、
半導体物質で形成された基板を有し、前記基板の第１のメイン表面上に置かれた第１の入力／出力接点（１２２、３４０、３６０）と該基板の第２のメイン表面上に置かれかつ前記第１の入力／出力接点に電気的に接続（１２４、３２０）された第２の入力／出力接点（１２６、３３０、４１５）とを有するインタポーザ（１２０、２００、３００、４００）と、を含み、
前記基板の第１のメイン表面上に置かれた前記第１の入力／出力接点（１２２、３４０、３６０）が、前記集積回路デバイス（１４０、２１０、３１０、４１０）の入力／出力パッド（１４２）に電気的に取り付けられ、前記第２のメイン表面上に置かれた前記第２の入力／出力接点（１２６、３３０、４１５）が、それに対しても前記インタポーザを取り付けることができる構成要素（２２０）の接点に対する結合を可能にし、
前記第１のメイン表面上に置かれた前記第１の入力／出力接点（１２２、３４０、３６０）が、前記インタポーザ基板の第２のメイン表面上に置かれた前記第２の入力／出力接点（１２６、３３０、４１５）とは異なるピッチを有している
ことを特徴とする構造体（１００）。
【請求項８】
その表面上に置かれた入力／出力パッド（１４２）を有する集積回路デバイス（１４０、２１０、３１０、４１０）と、
半導体物質で形成された基板を有し、前記基板の第１のメイン表面上に置かれた第１の入力／出力接点（１２２、３４０、３６０）と該基板の第２のメイン表面上に置かれかつ前記第１の入力／出力接点に電気的に接続（１２４、３２０）された第２の入力／出力接点（１２６、３３０、４１５）とを有するインタポーザ（１２０、２００、３００、４００）と、を含み、
前記基板の第１のメイン表面上に置かれた前記第１の入力／出力接点（１２２、３４０、３６０）が、前記集積回路デバイス（１４０、２１０、３１０、４１０）の入力／出力パッド（１４２）に電気的に取り付けられ、前記第２のメイン表面上に置かれた前記第２の入力／出力接点（１２６、３３０、４１５）が、それに対しても前記インタポーザを取り付けることができる構成要素（２２０）の接点に対する結合を可能にし、
前記第１の入力／出力接点（１２２、３４０、３６０）を、前記インタポーザ基板の前記第２の入力／出力接点（１２６、３３０、４１５）に接続する電気的相互接続手段を更に有し、該電気的相互接続手段は前記インタポーザ基板の前記半導体物質から電気的に絶縁されている
ことを特徴とする構造体（１００）。
【請求項９】
デバイス（１４０、２１０、３１０、４１０）の入力／出力パッド（１４２）に接触させるための方法であって、
半導体物質で形成された基板を有し、前記基板の第１のメイン表面上に置かれた第１の入力／出力接点（１２２、３４０、３６０）と該基板の第２のメイン表面上に置かれかつそれに対して前記第１の入力／出力接点が電気的に接続（１２４、３２０）された第２の入力／出力接点（１２６、３３０、４１５）とを含むインタポーザ（１２０、２００、３００、４００）を準備する段階と、
前記インタポーザ（１２０、２００、３００、４００）の第１の入力／出力接点（１２２、３４０、３６０）をデバイス（１４０、２１０、３１０、４１０）の入力／出力パッド（１４２）に電気的に接続することにより、該インタポーザ（１２０、２００、３００、４００）を該デバイスに対して電気的に接続する段階と、
を含み、
前記第１のメイン表面上に置かれた前記第１の入力／出力接点（１２２、３４０、３６０）が、前記インタポーザ基板の第２のメイン表面上に置かれた前記第２の入力／出力接点（１２６、３３０、４１５）とは異なるピッチを有している
ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月28日(2007.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に金属層を形成し、
前記金属層上の一部に、前記金属層に含まれる金属と反応する材料を用いて接着体を形成し、
前記金属層および前記接着体を覆って酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に薄膜トランジスタを含む素子形成層を形成し、
前記素子形成層の一部をエッチングすることにより前記接着体を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板上に金属層を形成し、
前記金属層上の一部に、前記金属層に含まれる金属と反応する材料を用いて接着体を形成し、
前記金属層および前記接着体を覆って酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に薄膜トランジスタを含む素子形成層を形成し、
前記素子形成層の一部をエッチングすることにより前記接着体を除去し、
前記素子形成層上に第１の接着剤を介して第２の基板を貼付し、
前記第２の基板および前記素子形成層を前記第１の基板から物理的手段により剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の基板上に金属層を形成し、
前記金属層上の一部に、前記金属層に含まれる金属と反応する材料を用いて接着体を形成し、
前記金属層および前記接着体を覆って酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に薄膜トランジスタを含む素子形成層を形成し、
前記素子形成層の一部をエッチングすることにより前記接着体を除去し、
前記素子形成層上に第１の接着剤を介して第２の基板を貼付し、
前記第２の基板および前記素子形成層を前記第１の基板から物理的手段により剥離し、
前記第２の基板および前記素子形成層を第２の接着剤を介して第３の基板上に貼付し、
前記第２の基板を前記素子形成層から除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１の基板上に金属層を形成し、
前記金属層上の一部に、前記金属層に含まれる金属と反応する材料を用いて接着体を形成し、
前記金属層および前記接着体を覆って酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に薄膜トランジスタを含む素子形成層を形成し、
前記素子形成層の一部をエッチングすることにより前記接着体を除去し、
前記素子形成層上に第１の接着剤を介して第２の基板を貼付し、
前記第２の基板および前記素子形成層を前記第１の基板から物理的手段により剥離し、
前記第２の基板および前記素子形成層を第２の接着剤を介して第３の基板上に貼付し、
前記第２の基板を前記素子形成層から除去し、
前記素子形成層上に絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、前記第３の基板はプラスチックを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記金属層として、タングステン、モリブデン、テクネチウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銀、または金のいずれか一を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記素子形成層は、その作製工程の一部に４００℃以上、好ましくは６００℃以上の熱処理工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記薄膜トランジスタは、前記接着体と重ならない位置に形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記接着体は、複数の薄膜トランジスタが整列している間に、長辺が剥離方向と平行となる長方形に配置されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記接着体は、複数の薄膜トランジスタが整列している間に、底辺が剥離方向と垂直となる三角形状に配置されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記接着体は、複数の薄膜トランジスタが整列している間に、ライン状に配置されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記接着体として珪素、ゲルマニウム、炭素、硼素、マグネシウム、アルミニウム、チタン、タンタル、鉄、コバルト、ニッケル、またはマンガンのいずれか一を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項２乃至請求項１２のいずれか一において、
前記素子形成層と前記第１の接着剤との間に、水溶性の有機樹脂からなる膜を形成し、
前記第２の基板および前記素子形成層を前記第１の基板から物理的手段により剥離した後、前記水溶性の有機樹脂を水洗することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、前記絶縁膜は窒化シリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、アクリル、ポリイミド及びポリアミドのいずれか一を用いた単層構造または、組み合わせた積層構造であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
基板上に接着剤を有し、
接着層上に第１の絶縁膜を有し、
前記第１の絶縁膜は少なくとも前記接着層を介して前記基板と接着しており、
少なくとも１つの薄膜トランジスタが前記第１の絶縁膜上にあり、
第２の絶縁膜が前記薄膜トランジスタ上にあり、
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜が除去され、かつ前記接着層を曝す開口部を有し、
第２の絶縁膜を覆い、かつ前記開口部を埋める第３の絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
基板上に接着剤を有し、
接着層上に第１の絶縁膜を有し、
前記第１の絶縁膜は少なくとも接着層を介して前記基板と接着しており、
少なくとも複数の薄膜トランジスタからなる集積回路が第１の絶縁膜上にあり、
第２の絶縁膜が前記集積回路上にあり、
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜が除去され、かつ前記接着層を曝す開口部を有し、
第２の絶縁膜を覆い、かつ前記開口部を埋める第３の絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１５または請求項１６において、前記基板はプラスチックであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１５乃至請求項１７のいずれか一において、前記接着剤は、光硬化型または熱硬化型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１５乃至請求項１８のいずれか一において、前記第３の絶縁膜は、酸化珪素、酸化窒素、アクリル、ポリイミド、ポリアミドのいずれか一を用いることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月25日(2006.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ光照射装置及びレーザ光の照射システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ発振器、複数の減衰器、光学系、前記湿度を一定にする手段を有する湿度制御チャンバー、及び移載器を有し、前記移載器は、前記湿度制御チャンバー内に設けられた第１の減衰器と、前記レーザ発振器及び前記光学系の間に設けられた第２の減衰器とを搭載しており、前記第１の減衰器と前記第２の減衰器とを移送し交換する機能を有することを特徴とするレーザ光照射装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第１の減衰器は、前記減衰器内に不活性ガスを供給する不活性ガスチャンバー内に設けられ、且つ前記不活性ガスチャンバーは前記湿度制御チャンバー内に設けられていることを特徴とするレーザ光照射装置。
【請求項３】
レーザ発振器、内部に不活性ガスが供給される減衰器、複数の減衰素子、光学系、湿度制御チャンバー、及び移載器を有し、前記減衰器は、前記レーザ発振器及び前記光学系の間に設けられており、前記移載器は、前記湿度制御チャンバー内に設けられた第１の減衰素子と、前記湿度制御チャンバー内に設けられた第２の減衰素子とを搭載しており、前記第１の減衰素子及び前記第２の減衰素子とを移送し交換する機能を有することを特徴とするレーザ光照射装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記湿度制御チャンバー内の湿度は、２０〜８０％、好ましくは３０〜６０％であることを特徴とするレーザ光照射装置。
【請求項５】
レーザ発振器、複数の減衰器、光学系、前記温度を一定にする手段を有する温度制御チャンバー、及び移載器を有し、前記移載器は、前記温度制御チャンバー内に設けられた第１の減衰器と、前記レーザ発振器及び前記光学系の間に設けられた第２の減衰器とを搭載しており、前記第１の減衰器と前記第２の減衰器とを移送する機能を有することを特徴とするレーザ光照射装置。
【請求項６】
請求項１において、前記第１の減衰器は、前記減衰器内に不活性ガスを供給する不活性ガスチャンバー内に設けられ、且つ前記不活性ガスチャンバーは前記温度制御チャンバー内に設けられていることを特徴とするレーザ光照射装置。
【請求項７】
レーザ発振器、内部に不活性ガスが供給される減衰器、複数の減衰素子、光学系、温度制御チャンバー、及び移載器を有し、前記減衰器は、前記レーザ発振器及び前記光学系の間に設けられており、前記移載器は、前記温度制御チャンバー内に設けられた第１の減衰素子と、前記温度制御チャンバー内に設けられた第２の減衰素子とを搭載しており、前記第１の減衰素子及び前記第２の減衰素子とを移送し交換する機能を有することを特徴とするレーザ光照射装置。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一において、前記温度制御チャンバー内の温度は、０〜６０度、好ましくは２５〜５０度であることを特徴とするレーザ光照射装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記移載器は、レール及びこの上をスライドするステージ、回転体、ベルトコンベアー、ロボットアーム、又はリフトであることを特徴とするレーザ光照射装置。
【請求項１０】
レーザ発振器から射出されたレーザ光の照射エネルギーを測定する第１の手段と、
前記レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギーを第１の減衰器で減衰する第２の手段と、
前記第１の減衰器の情報又は前記第１の減衰器から射出されるレーザ光の情報を測定する第３の手段と、
前記測定結果によって前記第１の減衰器が搭載された移載器を移動させ、前記第１の減衰器と湿度調整チャンバーに設けられた第２の減衰器とを交換する第４の手段とを有することを特徴とするレーザ光の照射システム。
【請求項１１】
請求項１０のいずれか一において、前記第１の減衰器の情報は、前記減衰器の温度であることを特徴とするレーザ光の照射システム。
【請求項１２】
レーザ発振器から射出されたレーザ光の照射エネルギーを測定する第１の手段と、
前記レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギーを第１の減衰器で減衰する第２の手段と、
前記第１の減衰器の情報又は前記第１の減衰器から射出されるレーザ光の情報を測定する第３の手段と、
前記測定結果によって前記第１の減衰器が搭載された移載器を移動させ、前記第１の減衰器と温度調整チャンバーに設けられた第２の減衰器とを交換する第４の手段とを有することを特徴とするレーザ光の照射システム。
【請求項１３】
請求項１２において、前記第１の減衰器の情報は、前記減衰器の湿度であることを特徴とするレーザ光の照射システム。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一において、前記第１の減衰器は、前記減衰器内に不活性ガスを供給する手段を有することを特徴とするレーザ光照射装置。
【請求項１５】
請求項１０乃至請求項１４のいずれか一において、前記第１の減衰器から射出されるレーザ光の情報は、前記減衰器から射出されるレーザ光のエネルギーであることを特徴とするレーザ光の照射システム。
【請求項１６】
レーザ発振器から射出されたレーザ光の照射エネルギーを測定する第１の手段と、
前記レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギーを内部に不活性ガスが供給される減衰器で減衰する第２の手段と、
前記減衰器の情報又は前記減衰器から射出されるレーザ光の情報を測定する第３の手段と、
前記測定結果によって前記減衰器内に設けられた第１の減衰素子が搭載された移載器を移動させ、前記第１の減衰素子と湿度調整チャンバーに設けられた第２の減衰素子とを交換する第４の手段とを有することを特徴とするレーザ光の照射システム。
【請求項１７】
請求項１３において、前記減衰器の情報は、前記減衰器の湿度であることを特徴とするレーザ光の照射システム。
【請求項１８】
レーザ発振器から射出されたレーザ光の照射エネルギーを測定する第１の手段と、
前記レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギーを内部に不活性ガスが供給される減衰器で減衰する第２の手段と、
前記減衰器の情報又は前記減衰器から射出されるレーザ光の情報を測定する第３の手段と、
前記測定結果によって前記減衰器内に設けられた第１の減衰素子が搭載された移載器を移動させ、前記第１の減衰素子と温度調整チャンバーに設けられた第２の減衰素子とを交換する第４の手段とを有することを特徴とするレーザ光の照射システム。
【請求項１９】
請求項１８において、前記減衰器の情報は、前記減衰器の温度であることを特徴とするレーザ光の照射システム。
【請求項２０】
請求項１６乃至請求項１９において、前記減衰器から射出されるレーザ光の情報は、前記減衰器から射出されるレーザ光のエネルギーであることを特徴とするレーザ光の照射システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月7日(2007.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
以上より、本発明の目的は、眼に欠陥がある／ない、に拘らず使用し得るＨＭＤ装置を供給することである。
【特許文献１】ドイツ特許第６９１  ３２  ５８９  Ｔ２（米国特許第５，１５１，７２２号）
【特許文献２】米国特許第５，８８０，７７３号
【特許文献３】米国特許第４，７５１，６９１号
【特許文献４】英国特許第２，３３７，６８１号
【特許文献５】米国特許第６，０４５，２２２号
【特許文献６】ＷＯ  ９９／２３５２５号
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月25日(2006.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光に応じて光信号を発生する光電変換手段を有する光電変換装置の駆動方法において、
リセット手段が、前記光電変換手段をリセットし、
保持手段が、前記光電変換手段をリセットした時に発生した基準信号を保持し、
前記光電変換手段が、リセット解除後からの一定期間の前記入射光に応じて発生した前記光信号を発生して蓄積し、
信号読出手段が、前記保持手段から前記基準信号を読み出し、前記光電変換手段から前記光信号を読み出す、
ことを特徴とする光電変換装置の駆動方法。
【請求項２】
入射光に応じて光信号を発生する光電変換手段を有する光電変換装置の駆動方法において、
リセット手段が、前記光電変換手段をリセットし、
一の保持手段が、前記光電変換手段をリセットした時に発生した基準信号を保持し、
前記光電変換手段が、リセット解除後からの一定期間の前記入射光に応じて発生した前記光信号を発生し、
他の保持手段が、前記光電変換手段が発生した前記光信号を保持し、
信号読出手段が、前記一の保持手段から前記基準信号を読み出し、前記他の保持手段から前記光信号を読み出す、
ことを特徴とする光電変換装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月21日(2006.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光学部品が収められている空間に不活性ガスまたは不純物を取り除いたガスが充填され且つ前記空間が密閉された露光装置を密閉して収容する容器と、前記容器内に不活性ガスまたは不純物を取り除いたガスを充填するために前記容器に設けられ且つ閉塞可能な、ガスの供給口およびガスの排出口とを具備することを特徴とする梱包装置。
【請求項２】  光学部品が収められている空間に不活性ガスまたは不純物を取り除いたガスが充填され且つ前記空間が密閉された、分割された露光装置の部分を密閉して収容する容器と、不活性ガスまたは不純物を取り除いたガスを充填するために前記容器に設けられ且つ閉塞可能な、ガスの供給口およびガスの排出口と、前記部分における前記空間を閉塞するための蓋とを具備することを特徴とする梱包装置。
【請求項３】  梱包状態において、外気圧の変動に応じて前記容器の容積が変動するような部材で前記容器が構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置の梱包装置。
【請求項４】  露光装置の梱包方法であって、露光装置の光学部品が収められている空間に不活性ガスまたは不純物を取り除いたガスを充填し、且つ前記空間を密閉する工程と、前記工程の後に前記露光装置を容器内に収容し、前記容器内に不活性ガスまたは不純物を取り除いたガスを充填し、且つ前記容器を密閉する工程とを具備することを特徴とする梱包方法。
【請求項５】  分割された露光装置の部分の梱包方法であって、前記部分の光学部品が収められている空間に不活性ガスまたは不純物を取り除いたガスを充填し、且つ前記空間を密閉する工程と、前記工程の後に前記部分を容器内に収容し、前記容器内に不活性ガスまたは不純物を取り除いたガスを充填し、且つ前記容器を密閉する工程とを具備することを特徴とする梱包方法。
【請求項６】  前記容器を密閉する工程の後、外気圧の変動に応じて前記容器の容積が変化することを特徴とする請求項４または５に記載の梱包方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光装置の輸送に際しての梱包に適した梱包装置および梱包方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の目的は、上記従来技術の課題に鑑み、露光装置を輸送する際に、露光装置内の光学部品が収められている空間内への外気の侵入を低減させることができる梱包装置および方法を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本発明の第１の梱包装置は、光学部品が収められている空間に不活性ガスまたは不純物を取り除いたガスが充填され且つ前記空間が密閉された露光装置を密閉して収容する容器と、前記容器内に不活性ガスまたは不純物を取り除いたガスを充填するために前記容器に設けられ且つ閉塞可能な、ガスの供給口およびガスの排出口とを具備することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第２の梱包装置は、光学部品が収められている空間に不活性ガスまたは不純物を取り除いたガスが充填され且つ前記空間が密閉された、分割された露光装置の部分を密閉して収容する容器と、不活性ガスまたは不純物を取り除いたガスを充填するために前記容器に設けられ且つ閉塞可能な、ガスの供給口およびガスの排出口と、前記部分における前記空間を閉塞するための蓋とを具備することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
そして第３の梱包装置は、第１または第２の梱包装置において、梱包状態において、外気圧の変動に応じて前記容器の容積が変動するような部材で前記容器が構成されていることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の第１の梱包方法は、露光装置の梱包方法であって、露光装置の光学部品が収められている空間に不活性ガスまたは不純物を取り除いたガスを充填し、且つ前記空間を密閉する工程と、前記工程の後に前記露光装置を容器内に収容し、前記容器内に不活性ガスまたは不純物を取り除いたガスを充填し、且つ前記容器を密閉する工程とを具備することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第２の梱包方法は、分割された露光装置の部分の梱包方法であって、前記部分の光学部品が収められている空間に不活性ガスまたは不純物を取り除いたガスを充填し、且つ前記空間を密閉する工程と、前記工程の後に前記部分を容器内に収容し、前記容器内に不活性ガスまたは不純物を取り除いたガスを充填し、且つ前記容器を密閉する工程とを具備することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
そして第３の梱包方法は、第１または第２の梱包方法において、前記容器を密閉する工程の後、外気圧の変動に応じて前記容器の容積が変化することを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
そこで本発明では、露光装置の梱包後、容器が外気圧の変動に応じてその容積が変化するようになっており、これにより、輸送中における光学部品が収められている空間の不活性ガス濃度をさらに高く保ち、外気に含まれる不純物の侵入や付着をより効果的に防止するようにしている。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、露光装置を輸送する際、光学部品が収められている空間内への外気の侵入を低減させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月6日(2007.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下記一般式（１）で表されるヘテロ環含有化合物（Ａ）、ポリエポキサイド（Ｂ）、及び水との反応により１級及び／又は２級のアミノ基を生成する化合物（Ｃ）からなることを特徴とするコンクリートプライマー。
一般式
【化１】
2001146568.tif 000001
［式（１）中、ｎは１〜１０の整数、Ｘ1、Ｙ1及びＺ1は、それぞれ独立に酸素又は硫黄原子；Ｒ1は環状エーテル基含有化合物（Ｄ）の残基又は水素原子；Ｒ2は炭素数２〜１０の炭化水素基である。］
【請求項２】  前記（Ｃ）が、１級アミン及び／もしくは２級アミンと水酸基を含有する化合物（ｃＸ）とカルボニル化合物（ｃＹ）の脱水縮合物である請求項１記載のコンクリートプライマー。
【請求項３】  前記（Ｃ）が、分子内に下記一般式（４）で示されるヘテロ環基を少なくとも２個有するヘテロ環含有化合物（Ｃ１）からなる請求項２記載のコンクリートプライマー。
一般式
【化２】
2001146568.tif 000002
［式中、Ｒ5とＲ6はそれぞれ独立に、水素原子、直鎖もしくは分岐の炭素数１〜６のアルキル若しくはアルケニル基、又は炭素数６〜１０のアリール基であり、Ｒ5とＲ6が結合して炭素数５〜７のシクロアルキル環を形成していてもよい。Ｒ7は炭素数１〜１０のアルキレン基を表す。］
【請求項４】  前記（Ｃ）が、下記一般式（６）で表されるケチミン化合物（Ｃ２）からなる請求項２記載のコンクリートプライマー。
一般式
【化３】
2001146568.tif 000003
［式中、ｐは２〜１０の整数；Ｒ10とＲ11はそれぞれ独立に、水素原子、直鎖もしくは分岐鎖の炭素数１〜６のアルキル基もしくはアルケニル基、又は炭素数６〜８のアリール基であり、Ｒ10とＲ11が結合して炭素数５〜７のシクロアルキル環を形成していてもよい。Ｒ12はアミノ化合物（Ｅ）の残基を示す。］
【請求項５】  前記（Ｃ）が、請求項３記載の（Ｃ１）及び請求項４記載の（Ｃ２）の混合物である請求項２記載のコンクリートプライマー。
【請求項６】  前記コンクリートプライマーにおいて、（Ｂ）のエポキシ基１当量に対して、（Ｃ）が基が水分により分解して生じる活性水素の量が０．５〜２．０当量である請求項１〜５のいずれか記載のコンクリートプライマー。
【請求項７】  さらに、前記プライマーに、脱水剤、可とう性付与剤、接着性付与剤、硬化促進触媒、充填剤、可塑剤、着色防止剤、レベリング剤、酸化防止剤、顔料、分散剤、反応性希釈剤、溶剤、保水剤、湿潤剤、及び界面活性剤からなる群から選ばれる１種以上の添加剤が配合されてなる請求項１〜６のいずれか記載のコンクリートプライマー。
【請求項８】  流しのべ工法、モルタル工法、ライニング工法、コーティング工法からなる群から選ばれる請求項１〜７のいずれか記載のコンクリートプライマーの施工方法。
【請求項９】  請求項１〜７のいずれか記載のコンクリートプライマー、コンクリート、上塗り塗料からなるコンクリート構造体。
【請求項１０】  請求項１〜７のいずれか記載のコンクリートプライマーに充填材を配合してなるコンクリート用ノンプライマー型上塗り塗料。
【請求項１１】  請求項１０のノンプライマー型上塗り塗料及びコンクリートからなるコンクリート構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月10日(2007.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  着色剤と、下記式から成る無色化合物とを含有する、固体インク。
【化１】
2001146514.tif 000001
式中、Ｘは窒素原子又は酸素原子であり、Ｚ2、Ｚ3、及びＺ4は１つ以上の原子から成る置換基であり、Ｚ2、Ｚ3、及びＺ4は互いに同一であってもよいし互いに異なっていてもよく、Ｚ2、Ｚ3、及びＺ4は共通環内にあってもよく、ｊは１〜約５０のいずれかの整数であり、k は１〜約５０のいずれかの整数であり、j と同一であってもよいし異なっていてもよく、（Ｈ，Ｑ）は、基Ｑ或いは水素が示した位置にあってもよいということを示しており、基Ｑはアルキル基或いはアリール基であり、基Ｑは前記化合物内においてさまざまなアルキル及びアリール基の間で多様であってよい。
【請求項２】  着色剤と、１つの中心コア及び該コアから延びる下記式を含む少なくとも２つのアームを有する無色化合物とを含有する、固体インク。
【化２】
2001146514.tif 000002
式中、Ｚは１つ以上の原子から成るセグメントであり、ｊは１〜約５０のいずれかの整数であって、且つ前記少なくとも２つのアーム間で多様であってよく、（Ｈ，Ｑ）は、基Ｑ或いは水素がその示した位置にあってもよいということを示しており、基Ｑはアルキル基或いはアリール基であり、基Ｑは前記少なくとも２つのアームの個々のアーム内において、さまざまなアルキル及びアリール基の間で多様であってよく、ｎは１より大きい整数であって、且つ前記少なくとも２つのアーム間で多様であってよい。
【請求項３】  下記式から成る無色化合物を含有する、相転移インクを溶融する工程と、
前記溶融したインクを基体に付与する工程と、
前記溶融したインクを前記基体上で冷却する工程とを含む、
プリント方法。
【化３】
2001146514.tif 000003
式中、Ｘは窒素原子又は酸素原子であり、Ｚ2、Ｚ3、及びＺ4は１つ以上の原子から成る置換基であり、Ｚ2、Ｚ3、及びＺ4は互いに同一であってもよいし互いに異なっていてもよく、Ｚ2、Ｚ3、及びＺ4は共通環内にあってもよく、ｊは１〜約５０のいずれかの整数であり、k は１〜約５０のいずれかの整数であり、j と同一であってもよいし異なっていてもよく、（Ｈ，Ｑ）は、基Ｑ或いは水素が示した位置にあってもよいということを示しており、基Ｑはアルキル基或いはアリール基であり、基Ｑは前記化合物内においてさまざまなアルキル及びアリール基の間で多様であってよい。
【請求項４】  １つの中心コアと、該コアから延びる下記式を含む少なくとも２つのアームとを有する、無色化合物を含有する、相転移インクを溶融する工程と、
前記溶融したインクを基体に付与する工程と、
前記溶融したインクを前記基体上で冷却する工程とを含む、
プリント方法。
【化４】
2001146514.tif 000004
式中、Ｚは１つ以上の原子から成るセグメントであり、ｊは１〜約５０のいずれかの整数であって、且つ前記少なくとも２つのアーム間で多様であってよく、（Ｈ，Ｑ）は、基Ｑ或いは水素が示した位置にあってもよいということを示しており、基Ｑはアルキル基或いはアリール基であり、基Ｑは前記少なくとも２つのアームの個々のアーム内において、さまざまなアルキル及びアリール基の間で多様であってよく、ｎは１より大きい整数であって、且つ前記少なくとも２つのアーム間で多様であってよい。
【請求項５】  １つの中心コアと、該コアから延びる下記式を含む少なくとも２つのアームとを有する、無色化合物。
【化５】
2001146514.tif 000005
式中、ｊは１〜約５０のいずれかの整数であり、（Ｈ，Ｑ）は、基Ｑ或いは水素が示した位置にあってもよいということを示しており、基Ｑはアルキル基或いはアリール基であり、基Ｑは前記少なくとも２つのアームの個々のアーム内において、さまざまなアルキル及びアリール基の間で多様であってよく、ｎは１より大きい整数である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月12日(2007.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】【従来の技術】  チェーン引張り機械を備えた金属製の引抜き材料の連続引張りの際に、引張り工具によって引張られるべき引抜き材料が締付けジョウの間の締付け区間で締付けられ、その際締付けジョウは、スプロケットを介して駆動される走行する無端の伝動チェーンによって引張り方向に動かされる。圧着力の滑り摩擦のない支持のために、伝動チェーンは、固定した軌道若しくは剛固なローラガイドのまわりを絶えず走行する負荷を支持する多数の伴走ローラ上を走行する。引抜き材料を締めつけるために、引張り区間に沿って少なくとも２つの伝動チェーンが締付けジョウを備え、締付けジョウは、それぞれ伝動チェーンに付設された機械側のローラガイド及び伴走ローラによって支持される。２つの伝動チェーンではローラガイドは平行にかつ引張り区間の両側に位置する。しかし二三の引張り機械では複数の伝動チェーンが存在し、伝動チェーンは選択的に対称的に又は非対称的にその締付けジョウを引抜き材料に圧着する。【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】    ２つの案内軌道（９Ａ，９Ｂ）及び又は２つの滑り軌道（１３Ａ，１３Ｂ）が設けられていることを特徴とする請求項１から１０までのうちのいずれか１つに記載のチェーン引張り機械。【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】    締付けジョウ（２）及び滑り面（１３）若しくは滑り軌道（１３Ａ，１３Ｂ）が、牽引部材（５Ａ，５Ｂ）に一体的に組み込まれていることを特徴とする請求項１から１３までのうちのいずれか１つに記載のチェーン引張り機械。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月28日(2007.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  （ａ）水性セラミックスラリーの重量を基準にして４５から８５重量％のミネラルマトリックス物質、およびミネラルマトリックス物質の重量を基準にして０．０５から１０重量％のポリマー添加剤を含む水性セラミックスラリーを生成すること；
（ｂ）噴霧乾燥、スリップキャスティングおよびフィルタープレスの１つ以上から選択される方法によって、水性セラミックスラリーを脱水して、ミネラルマトリックス物質−ポリマー添加剤複合体を生成すること；
（ｃ）ミネラルマトリックス物質−ポリマー添加剤複合体を圧密することで、グリーン体を生成すること；ならびに
（ｄ）グリーン体を焼結すること；
を含む、セラミック組成物の調製方法であり、
該ポリマー添加剤が、重合単位として、ポリマーの重量を基準にして、０．１から２０重量％の、アクリル酸、メタアクリル酸、ならびにそれらのアルカリ金属塩およびアンモニウム塩の１つ以上から選択される酸含有モノマーを含むポリマーの１つ以上から選択され；およびポリマー添加剤が水性セラミックスラリーに添加された後、少なくとも２４時間、水性セラミックスラリーが、０．１５パスカル・秒以上で、１．５パスカル・秒より小さい粘度を維持する、調製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】（ａ）水性セラミックスラリーの全重量を基準にして４５から８５重量％のミネラルマトリックス物質を含む水性セラミックスラリーを生成すること；および、
（ｂ）ミネラルマトリックス物質の重量を基準にして０．０５から１０重量％のポリマー添加剤を水性セラミックスラリーに添加すること；
を含む、水性セラミックスラリーの安定化方法であり、
該ポリマー添加剤が、重合単位として、ポリマーの重量を基準にして、０．１から２０重量％の、アクリル酸、メタアクリル酸、ならびにそれらのアルカリ金属塩およびアンモニウム塩の１つ以上から選択される酸含有モノマーを含むポリマーの１つ以上から選択され；およびポリマー添加剤が水性セラミックスラリーに添加された後、少なくとも２４時間、水性セラミックスラリーが、０．１５パスカル・秒以上で、１．５パスカル・秒より小さい粘度を維持する、安定化方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、以下の方法を提供する。
（ａ）水性セラミックスラリーの重量を基準にして４５から８５重量％のミネラルマトリックス物質、およびミネラルマトリックス物質の重量を基準にして０．０５から１０重量％のポリマー添加剤を含む水性セラミックスラリーを生成すること；
（ｂ）噴霧乾燥、スリップキャスティングおよびフィルタープレスの１つ以上から選択される方法によって、水性セラミックスラリーを脱水して、ミネラルマトリックス物質−ポリマー添加剤複合体を生成すること；
（ｃ）ミネラルマトリックス物質−ポリマー添加剤複合体を圧密することで、グリーン体を生成すること；ならびに
（ｄ）グリーン体を焼結すること；
を含む、セラミック組成物の調製方法であり、
該ポリマー添加剤が、重合単位として、ポリマーの重量を基準にして、０．１から２０重量％の、アクリル酸、メタアクリル酸、ならびにそれらのアルカリ金属塩およびアンモニウム塩の１つ以上から選択される酸含有モノマーを含むポリマーの１つ以上から選択され；およびポリマー添加剤が水性セラミックスラリーに添加された後、少なくとも２４時間、水性セラミックスラリーが、０．１５パスカル・秒以上で、１．５パスカル・秒より小さい粘度を維持する、調製方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、さらに以下の方法を提供する。
（ａ）水性セラミックスラリーの全重量を基準にして４５から８５重量％のミネラルマトリックス物質を含む水性セラミックスラリーを生成すること；および、
（ｂ）ミネラルマトリックス物質の重量を基準にして０．０５から１０重量％のポリマー添加剤を水性セラミックスラリーに添加すること；
を含む、水性セラミックスラリーの安定化方法であり、
該ポリマー添加剤が、重合単位として、ポリマーの重量を基準にして、０．１から２０重量％の、アクリル酸、メタアクリル酸、ならびにそれらのアルカリ金属塩およびアンモニウム塩の１つ以上から選択される酸含有モノマーを含むポリマーの１つ以上から選択され；およびポリマー添加剤が水性セラミックスラリーに添加された後、少なくとも２４時間、水性セラミックスラリーが、０．１５パスカル・秒以上で、１．５パスカル・秒より小さい粘度を維持する、安定化方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
セラミックスラリーの流動性は、典型的には、スラリーをオリジナルの状態から最終完成セラミック物品へ転換する間、スラリーの十分な取り扱いおよび加工性を与えるために、周囲温度（２０−２５℃）で０．１５パスカル・秒以上で、１．５Ｐａ・ｓより小さい（１５０から１５００ｃＰ）粘度によって特徴づけられている。さまざまな量の（グリーン体の強度および他の取り扱い特性を改良するためのバインダーといった）添加剤を含むスラリーが、好ましくは０．２から１．０Ｐａ・ｓ（２００から１０００ｃＰ）、より好ましくは０．３から０．６Ｐａ・ｓ（３００から６００ｃＰ）の粘度を有し；粘度が、周囲温度および高温、例えば３２℃（９０°Ｆ）で、上記の範囲内にあることが好ましい。本発明の目的のため、粘度は、６０ｒｐｍの剪断速度、スピンドル３または４、２０−２５℃；および１００ｒｐｍ、スピンドル４、３２℃で測定された。