【手続補正書】
【提出日】平成20年5月8日(2008.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物をミリングするためにイオンビームを方向付けかつ多数回偏向させるための方法であって、前記方法が、
イオンビームを発生させること；および
イオンビーム第１偏向組立体によって前記発生したイオンビームを偏向させかつ方向付け、有向１回偏向イオンビームを形成させ、そしてイオンビーム第２偏向組立体によって前記有向１回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付け、前記有向多偏向イオンビームの一種である有向２回偏向イオンビームを形成させることによって、前記発生したイオンビームを方向付けかつ少なくとも２回偏向させ、有向多偏向イオンビームを形成させること
を含み、前記有向多偏向イオンビームが被加工物の表面に向かって方向付けられ、入射し、衝突し、かつミリングし、前記イオンビーム第２偏向アセンブリが、前記有向１回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付けるための静電板または電極を含み、前記静電板または電極は、内側および外側に対称的にかつ同心上に配置され、分離され、球状または楕円状に形成されている場合において、被加工物が前記有向多偏向イオンビームに対して静止（静的または固定）構成であること、およびイオンビームミリングの種類が幅広イオンビーム（ＢＩＢ）ミリングであり、従って前記有向多偏向イオンビームが、約３０ミクロンから約２０００ミクロン（２ミリメートル）の範囲の直径または幅を有する有向多偏向幅広イオンビームであることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記発生したイオンビームを方向付けかつ少なくとも２回偏向させることは、前記発生したイオンビームを抽出しかつ方向付け、有向抽出イオンビームを形成させることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記発生したイオンビームを方向付けかつ少なくとも２回偏向させることは、前記有向２回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付け、前記有向多偏向幅広イオンビームの別の種類である有向３回偏向イオンビームを形成させることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記直径または幅は、約２００ミクロンから約１０００ミクロン（１ミリメートル）の範囲にある請求項１に記載の方法。
【請求項５】
被加工物の厚さ、被加工物内の標的の深さ、および被加工物の少なくとも１つの表面のトポグラフィから成る群から選択された被加工物の少なくとも１つのパラメータの予め定められた値の組を提供すること；
次の主要ステップならびにコンポーネントおよび機能性を含む方法、すなわちイオンビームを発生させるステップと、イオンビーム第１偏向組立体によって前記発生したイオンビームを偏向させかつ方向付け、有向１回偏向イオンビームを形成させ、そしてイオンビーム第２偏向組立体によって前記有向１回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付け、前記有向多偏向イオンビームの一種である有向２回偏向イオンビームを形成させることによって、前記発生したイオンビームを方向付けかつ少なくとも２回偏向させ、有向多偏向イオンビームを形成させるステップとを含み、有向多偏向イオンビームが被加工物の表面に向かって方向付けられ、入射し、衝突し、かつミリングする方法、を使用して被加工物のイオンビームミリングを実行するためにイオンビームを方向付けかつ多数回偏向させること；
被加工物の前記少なくとも１つのパラメータをその場で実時間測定し、前記少なくとも１つのパラメータの測定値の組を形成させること；
前記測定値の組を、前記予め定められた値の前記提供された組と比較し、前記比較に関連する値差の組を形成させること；および
前記値差が予め定められた範囲内になるまで被加工物のイオンビームミリングのために前記イオンビームを方向付けかつ多数回偏向することを続けるために、前記値差の前記組をフィードバックすること
を含む、被加工物のイオンビームミリングの程度を決定し、かつ制御するための方法において、前記イオンビームミリングを実行するために前記イオンビームを方向付けかつ多数回偏向させるために、前記イオンビーム第２偏向アセンブリが、前記有向１回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付けるための静電板または電極を含み、前記静電板または電極は、内側および外側に対称的にかつ同心上に配置され、分離され、球状または楕円状に形成されていることを特徴とする方法。
【請求項６】
被加工物の前記少なくとも１つの表面の選択性の程度は、被加工物の前記トポグラフィに対応する請求項５に記載の方法。
【請求項７】
被加工物の実時間のその場でのＳＥＭまたは／およびＳＴＥＭ撮像または／および測定をさらに含む請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記被加工物のパラメータは、前記被加工物の厚さであり、前記実時間測定は、透過電子検出器の使用を含む請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記フィードバックすることは、閉ループフィードバック制御に応じて実行される請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
前記表面は、選択性の有無に関わらず、制御されたトポグラフィを有する請求項５に記載の方法。
【請求項１１】
被加工物は、前記有向多偏向イオンビームに対して静止（静的または固定）構成である請求項５に記載の方法。
【請求項１２】
イオンビームミリングの種類は幅広イオンビーム（ＢＩＢ）ミリングであり、従って前記有向多偏向イオンビームは有向多偏向幅広イオンビームである請求項５に記載の方法。
【請求項１３】
前記有向多偏向幅広イオンビームは、約３０ミクロンから約２０００ミクロン（２ミリメートル）の範囲の直径または幅を有する請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記有向多偏向幅広イオンビームは、約２００ミクロンから約１０００ミクロン（１ミリメートル）の範囲の直径または幅を有する請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
イオンビームミリングの種類は集束イオンビーム（ＦＩＢ）ミリングであり、従って前記有向多偏向イオンビームは有向多偏向集束イオンビームである請求項５に記載の方法。
【請求項１６】
前記有向多偏向集束イオンビームは、約５ナノメートルから約１００ナノメートルの範囲の直径または幅を有する請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
被加工物の厚さ、被加工物内の標的の深さ、および被加工物の少なくとも１つの表面のトポグラフィから成る群から選択された被加工物の少なくとも１つのパラメータの予め定められた値の組を提供すること；
次の主要ステップならびにコンポーネントおよび機能性を含む方法、すなわちイオンビームを発生させるステップと、イオンビーム第１偏向組立体によって前記発生したイオンビームを偏向させかつ方向付け、有向１回偏向イオンビームを形成させ、そしてイオンビーム第２偏向組立体によって前記有向１回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付け、前記有向多偏向イオンビームの一種である有向２回偏向イオンビームを形成させることによって、前記発生したイオンビームを方向付けかつ少なくとも２回偏向させ、有向多偏向イオンビームを形成させるステップとを含み、有向多偏向イオンビームが被加工物の表面に向かって方向付けられ、入射し、衝突し、かつミリングする方法、を使用して被加工物のイオンビームミリングを実行するためにイオンビームを方向付けかつ多数回偏向させること；
被加工物の前記少なくとも１つのパラメータをその場で実時間測定し、前記少なくとも１つのパラメータの測定値の組を形成させること；
前記測定値の組を、前記予め定められた値の前記提供された組と比較し、前記比較に関連する値差の組を形成させること；および
前記値差が予め定められた範囲内になるまで被加工物のイオンビームミリングのために前記イオンビームを方向付けかつ多数回偏向することを続けるために、前記値差の前記組をフィードバックすること
を含む、被加工物のイオンビームミリングの程度を決定し、かつ制御するための方法。
【請求項１８】
被加工物の前記少なくとも１つの表面の選択性の程度は、被加工物の前記トポグラフィに対応する請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
被加工物の実時間のその場でのＳＥＭまたは／およびＳＴＥＭ撮像または／および測定をさらに含む請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記被加工物のパラメータは、前記被加工物の厚さであり、前記実時間測定は、透過電子検出器の使用を含む請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記フィードバックすることは、閉ループフィードバック制御に応じて実行される請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記表面は、選択性の有無に関わらず、制御されたトポグラフィを有する請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
被加工物は、前記有向多偏向イオンビームに対して静止（静的または固定）構成である請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】
イオンビームミリングの種類は幅広イオンビーム（ＢＩＢ）ミリングであり、従って前記有向多偏向イオンビームは有向多偏向幅広イオンビームである請求項１７に記載の方法。
【請求項２５】
前記有向多偏向幅広イオンビームは、約３０ミクロンから約２０００ミクロン（２ミリメートル）の範囲の直径または幅を有する請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記有向多偏向幅広イオンビームは、約２００ミクロンから約１０００ミクロン（１ミリメートル）の範囲の直径または幅を有する請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
イオンビームミリングの種類は集束イオンビーム（ＦＩＢ）ミリングであり、従って前記有向多偏向イオンビームは有向多偏向集束イオンビームである請求項１７に記載の方法。
【請求項２８】
前記有向多偏向集束イオンビームは、約５ナノメートルから約１００ナノメートルの範囲の直径または幅を有する請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
イオンビームを発生させるためのイオンビーム源組立体と、前記発生したイオンビームを方向付けかつ少なくとも２回偏向させ、有向多偏向イオンビームを形成させるためのイオンビーム方向付け兼多偏向組立体とを備え、前記有向多偏向イオンビームが被加工物の表面に向かって方向付けられ、入射し、衝突し、かつミリングする、被加工物をミリングするためにイオンビームを方向付けかつ多数回偏向させるのに好適な装置であって、前記イオンビーム方向付け兼多偏向組立体は、前記発生したイオンビームを偏向させかつ方向付け、有向１回偏向イオンビームを形成させるためのイオンビーム第１偏向組立体と、前記有向１回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付け、前記有向多偏向イオンビームの一種である有向２回偏向イオンビームを形成させるためのイオンビーム第２偏向組立体とを含み、前記イオンビーム第２偏向アセンブリが、前記有向１回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付けるための静電板または電極を含み、前記静電板または電極は、内側および外側に対称的にかつ同心上に配置され、分離され、球状または楕円状に形成されている場合において、被加工物が前記有向多偏向イオンビームに対して静止（静的または固定）構成であること、およびイオンビームミリングの種類が幅広イオンビーム（ＢＩＢ）ミリングであり、従って前記有向多偏向イオンビームが、約３０ミクロンから約２０００ミクロン（２ミリメートル）の範囲の直径または幅を有する有向多偏向幅広イオンビームであることを特徴とする装置。
【請求項３０】
前記イオンビーム方向付け兼多偏向組立体は、前記発生したイオンビームを抽出しかつ方向付け、有向抽出イオンビームを形成させるためのイオンビーム抽出器組立体を含む請求項２９に記載の装置。
【請求項３１】
前記イオンビーム方向付け兼多偏向組立体は、前記有向２回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付け、前記有向多偏向イオンビームの別の種類である有向３回偏向イオンビームを形成させるためのイオンビーム第３偏向組立体を含む請求項２９に記載の装置。
【請求項３２】
前記直径または幅は、約２００ミクロンから約１０００ミクロン（１ミリメートル）の範囲にある請求項２９に記載の装置。
【請求項３３】
イオンビームを発生させるためのイオンビーム源組立体と、前記発生したイオンビームを方向付けかつ少なくとも２回偏向させ、有向多偏向イオンビームを形成させるためのイオンビーム方向付け兼多偏向組立体とを含み、前記有向多偏向イオンビームが被加工物の表面に向かって方向付けられ、入射し、衝突し、かつミリングするイオンビームユニットと；
前記イオンビームユニットおよび被加工物のために真空環境を提供し、かつ維持するために、前記イオンビームユニットに作動的に接続された真空ユニットと
を備え、前記真空ユニットが被加工物を含む、被加工物をミリングするためにイオンビームを方向付けかつ多数回偏向させるのに好適なシステムであって、前記イオンビーム方向付け兼多偏向組立体は、前記発生したイオンビームを偏向させかつ方向付け、有向１回偏向イオンビームを形成させるためのイオンビーム第１偏向組立体と、前記有向１回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付け、前記有向多偏向イオンビームの一種である有向２回偏向イオンビームを形成させるためのイオンビーム第２偏向組立体とを含み、前記イオンビーム第２偏向アセンブリが、前記有向１回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付けるための静電板または電極を含み、前記静電板または電極は、内側および外側に対称的にかつ同心上に配置され、分離され、球状または楕円状に形成されている場合において、被加工物が前記有向多偏向イオンビームに対して静止（静的または固定）構成であること、およびイオンビームミリングの種類が幅広イオンビーム（ＢＩＢ）ミリングであり、従って前記有向多偏向イオンビームが、約３０ミクロンから約２０００ミクロン（２ミリメートル）の範囲の直径または幅を有する有向多偏向幅広イオンビームであることを特徴とするシステム。
【請求項３４】
前記イオンビーム方向付け兼多偏向組立体は、前記発生したイオンビームを抽出しかつ方向付け、有向抽出イオンビームを形成させるためのイオンビーム抽出器組立体を含む請求項３３に記載のシステム。
【請求項３５】
前記イオンビーム方向付け兼多偏向組立体は、前記有向２回偏向イオンビームを偏向させかつ方向付け、前記有向多偏向イオンビームの別の種類である有向３回偏向イオンビームを形成させるためのイオンビーム第３偏向組立体を含む請求項３３に記載のシステム。
【請求項３６】
前記イオンビームユニットおよび前記真空ユニットにエレクトロニクスを提供し、かつそのプロセス制御を行なうために、前記イオンビームユニットおよび前記真空ユニットに作動的に接続されたエレクトロニクスおよびプロセス制御ユーティリティをさらに含む請求項３３に記載のシステム。
【請求項３７】
被加工物撮像兼ミリング検出ユニット、被加工物操作兼位置決めユニット、防振ユニット、コンポーネント撮像ユニット、ならびに少なくとも１つの被加工物分析ユニットから成る群から選択された少なくとも１つの追加ユニットをさらに含み、前記追加ユニットの各々は前記真空ユニットに作動的に接続される請求項３３に記載のシステム。
【請求項３８】
前記直径または幅は、約２００ミクロンから約１０００ミクロン（１ミリメートル）の範囲にある請求項３３に記載のシステム。