【手続補正書】
【提出日】平成19年3月1日(2007.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の共役系重合体の不純物を除去する方法は特に限定されないが、基本的には合成過程で使用した原料や副生成物を除去する精製工程であり、再沈殿法、ソクスレー抽出法、濾過法、イオン交換法、キレート法等を用いることができる。中でも低分子量成分を除去する場合には再沈殿法やソクスレー抽出法が好ましく用いられ、金属成分の除去には再沈殿法やキレート法、イオン交換法が好ましく用いられる。これらの方法のうち１種を単独で用いるか、あるいは複数を組み合わせても良く、特に限定はされない。さらに、多面取り用の蒸着マスクとしてはｎ個の開口部を持つフレームに蒸着マスクを貼り付けることにより、生産性が上がることも知られている（例えば、特許文献３参照）が、蒸着マスクの持つ局所的な撓みの抑制には効果はない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
キレート法はキレート樹脂を用いて共役系重合体中の不純物除去を行う方法である。キレート樹脂とは架橋ポリマーの側鎖に、遷移金属やアルカリ土類金属などの金属イオンやある種の陰イオンと配位結合して錯体を形成できる官能基を化学修飾したものであり、形態としては樹脂ビーズやゲル状にしたものがある。本発明では何れの形態のキレート樹脂を用いることができ、特に樹脂ビーズを好ましく用いることができる。共役系重合体溶液はキレート樹脂と接触することで共役系重合体中の不純物が除去されるが、その手法としては、ガラス管に充填したキレート樹脂中に共役系重合体溶液を通過させる方法や、ビーカーやサンプル管の中にキレート樹脂と共役系重合体溶液と入れ、撹拌した後に濾紙等でキレート樹脂を取り除く方法とがあり、何れの方法も好ましく用いることができる。一般にキレート樹脂は水系で用いられることが多く、共役系重合体を水溶液にしてキレート法を行うことができる。共役系重合体が水に不溶な場合には、キレート樹脂を共役系重合体の可溶な溶媒に置換して用いることができる。置換する溶媒としては水と相溶性のある溶媒を選択することが好ましく、例えばテトラヒドロフラン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ピリジン、アセトン、エタノール、メタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、メチルエチルケトン、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等を用いることができる。さらに水と相溶性の無い溶媒、例えばトルエン、キシレン、ベンゼン、クロロホルム、トリクロロエタン、トリクロルエチレン、ジクロロメタン、クロルベンゼンなどを用いる場合には、一度上述の水と相溶性のある溶媒で置換した後に、さらに溶媒置換をすると用いることができる。キレート法に用いる共役系重合体溶液の濃度や、共役系重合体の重量に対するキレート樹脂の重量比率は任意に設定できるが、好ましくは共役系重合体溶液の濃度は１００ｇ／Ｌ以下、共役系重合体の重量に対するキレート樹脂の重量比率は１００以上にすることによって、効率よく不純物を除去することができる。キレート樹脂と接触させた共役系重合体溶液から共役系重合体のみを回収するには、溶媒の留去をする以外に、再沈殿によって回収する方法を行っても構わない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
このようにして形成されたＦＥＴ素子は、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流をゲート電圧を変化させることによって制御することができ、その特性から下記の（２）式を用いて移動度を算出することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
μ＝（δＩｄ／δＶｇ）Ｌ・Ｄ／（Ｗ・εr・ε・Ｖｓｄ） （２）
ただしＩｄはソース・ドレイン間の電流、Ｖｓｄはソース・ドレイン間の電圧、Ｖｇはゲート電圧、Ｄは絶縁層の厚み、Ｌはチャネル長、Ｗはチャネル幅、εrは絶縁層の比誘電率（ここではＳｉＯ２の３．９を使用）、εは真空の誘電率（８．８５×１０−１２Ｆ／ｍ）である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
次に、再沈殿Ｐ３ＨＴ中に重量比で０．４％のＣＮＴを分散させて、重合体コンポジットのクロロホルム溶液を調製した。まずＣＮＴ（ＣＮＩ社製、単層ＣＮＴ、純度９５％、以下単層ＣＮＴという）０．６ｍｇと、再沈殿Ｐ３ＨＴ０．６ｍｇを３０ｍＬのクロロホルム中に加え、氷冷しながら超音波ホモジナイザー（ＳＯＮＩＣＳ社製ＶＣＸ−５００）を用いて出力２５０Ｗで３０分間超音波攪拌することで単層ＣＮＴ分散液を得た。ついで該分散液を孔径１０μｍのＰＴＦＥ製メンブレンフィルターを用いてろ過を行い、長さ１０μｍ以上の単層ＣＮＴを除去した。得られた濾液１ｍＬ中に再沈殿Ｐ３ＨＴを３ｍｇ加え、液温を４５℃にして超音波洗浄機で３０分間超音波攪拌し、重合体コンポジットのクロロホルム溶液を得た。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
次に、上記ＦＥＴ素子のゲート電圧（Ｖｇ）を変えたときのソース・ドレイン間電流（Ｉｄ）−ソース・ドレイン間電圧（Ｖｓｄ）特性を測定した。測定にはヒューレット・パッカード社製ピコアンメータ／ボルテージソース４１４０Ｂを用い、減圧下（１３３Ｐａ以下）で測定した。Ｖｇ＝０〜−５０Ｖに変化させたときのＶｓｄ＝−５ＶにおけるＩｄの値の変化から線形領域の移動度を求めたところ、６．１２×１０−３ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃであった。また、Ｖｇ＝−５０ＶのときのＶｓｄ＝−５ＶにおけるＩｄの値と、Ｖｇ＝＋５０ＶのときのＶｓｄ＝−５ＶにおけるＩｄの値の比からオンオフ比を求めたところ２．６４×１０５であった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
実施例３
実施例１で得られた再沈殿Ｐ３ＨＴ１００ｍｇを５ｍＬのテトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦと略す）中に加え、超音波洗浄機を用いてＰ３ＨＴのＴＨＦ溶液を得た。該溶液を、予めＴＨＦに溶媒置換しておいたキレート樹脂（三菱化学（株）製ダイヤイオンＣＲ−２０）１０ｍＬ中に入れ１５分間撹拌した。撹拌終了後、キレート樹脂ビーズをセルロース濾紙を用いて除去し、濾液をエバポレートして固体のＰ３ＨＴを回収した。さらにもう一度溶解とキレート樹脂中での撹拌操作を繰り返して、キレート樹脂撹拌Ｐ３ＨＴを得た。得られたキレート樹脂撹拌Ｐ３ＨＴ中のＺｎとＮｉの含有量をＩＣＰを用いて定量したところ、Ｚｎが４．３ｐｐｍ、Ｎｉが１．５ｐｐｍであり、再沈殿Ｐ３ＨＴよりもさらにＺｎとＮｉが除去できていることが確認できた。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
実施例４
実施例１で用いたＰ３ＨＴ１００ｍｇをトルエン５ｍＬの入ったフラスコの中に加え、超音波洗浄機中で超音波撹拌することによりＰ３ＨＴのクロロホルム溶液を得、この溶液をスポイトにとり、アセトン２０ｍＬと０．１規定塩酸１０ｍＬの混合溶液の中に０．５ｍＬづつ滴下して、再沈殿を行った。固体になったＰ３ＨＴを０．１μｍ孔径のＰＴＦＥ（４フッ化エチレン）製メンブレンフィルターによって濾別捕集し、メタノールで良くすすいだ後、真空乾燥により溶媒を除去した。さらにもう一度溶解と再沈殿を行い、９０ｍｇの再沈殿Ｐ３ＨＴを得た。得られたキレート樹脂撹拌Ｐ３ＨＴ中のＺｎとＮｉの含有量をＩＣＰを用いて定量したところ、Ｚｎが８５０ｐｐｍ、Ｎｉが８０ｐｐｍであり、元のＰ３ＨＴよりもＺｎとＮｉが除去できていることが確認できた。