Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月1日(2019.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気流入口及び空気流出口を有し、かつある量の濾過媒体を流体連通内及び前記空気流入口と前記空気流出口との間に収容する、ハウジングを備え、
前記濾過媒体が、１〜４ｎｍの範囲の平均細孔径（ＢＪＨ法）と、少なくとも３００ｍ２／ｇ、又は少なくとも３５０ｍ２／ｇ、又は少なくとも４００ｍ２／ｇの表面積（ＢＥＴ）とを有する鉄ドープ酸化マンガン材料を含む、呼吸保護フィルタ。
【請求項２】
鉄（ＩＩＩ）塩をマンガン（ＩＩ）塩と水中で組み合わせ、水性塩混合物を生成させる工程と、
過マンガン酸塩溶液を前記水性塩混合物とブレンドし、湿潤状態の沈殿物を生成させる工程と、
前記沈殿物を分離し、かつ乾燥させ、鉄ドープ酸化マンガン材料を生成させる工程と、
を含む、方法。
【請求項３】
鉄（ＩＩ）塩をマンガン（ＩＩ）塩と水中で組み合わせ、水性塩混合物を生成させる工程と、
ｐＨが７〜８の範囲であるシュウ酸アンモニウム溶液を調製する工程と、
前記シュウ酸アンモニウム溶液を前記水性塩混合物とブレンドし、湿潤状態のシュウ酸Ｆｅ／Ｍｎ沈殿物を生成させる工程と、
前記湿潤状態のシュウ酸Ｆｅ／Ｍｎ沈殿物を乾燥させ、水を除去して乾燥状態のシュウ酸Ｆｅ／Ｍｎ沈殿物を生成させる工程と、
前記乾燥状態のシュウ酸Ｆｅ／Ｍｎ沈殿物を２００〜２５０℃の範囲の温度で加熱し、鉄ドープ酸化マンガン材料を生成させる工程と、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月15日(2019.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コネクタであって、
実質的に円筒形の形状のソケット（１）と、
該ソケット（１）に着脱可能に接続可能であり、複数の接点（３）が配置されているプラグ（２）と
を含み；
ソケット（１）は、導電面（４）を含み、該導電面上または該導電面内に、中心（６）が導電面（４）の中心と実質的に一致する少なくとも１つの円弧を形成する少なくとも１つの導電トラック（５）が配置され；前記トラック（５）は、さらに、前記接点（３）のうちの１つとの機械的電気的接続を可能にするように配置され；
コネクタにおいて、各接点（３）は、他の接点とは独立して軸方向に移動するように取り付けられ；該接点は、可撓性の膜を通って配置され；前記膜は、密封性であり；
該コネクタは、各接点に戻り力を及ぼすための機構、および、各接点に個別の圧力を及ぼすことを可能にするソケット（１）の方向に向かう戻り機構をもたらす弾性要素を含み；前記弾性要素は膜（９）により形成される、
前記コネクタ。
【請求項２】
同心に配置される少なくとも２つの円形導電トラック（５）を含む、請求項１に記載のコネクタ。
【請求項３】
プラグ（２）は、屈曲している、請求項１または２に記載のコネクタ。
【請求項４】
プラグ（２）は、ソケット（１）周りで自由に回転するように接続可能である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のコネクタ。
【請求項５】
プラグ（２）は、ソケット（１）周りに限られた数の向きに従って接続可能である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のコネクタ。
【請求項６】
コネクタ（３）は、導電面（４）の表面に非対称に分配される、請求項１〜５のいずれ
か１項に記載のコネクタ。
【請求項７】
プラグは、いくつかのプラグ／ソケットの積み重ねを可能にする「ソケット」部材を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載のコネクタ。
【請求項８】
プラグは、コネクタにおけるプラグ差し込みのロッキングおよび／または確認（ａｃｋｎｏｗｌｅｄｇｅｍｅｎｔ）をもたらすばねリング（１１）を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載のコネクタ。
【請求項９】
リングは、接続時ソケットの溝（１３）に収容されるボール（１２）上に支承される、請求項１〜８のいずれか１項に記載のコネクタ。
【請求項１０】
ソケットは、固定要素により外部デバイスに固定され、かつ、デバイスと直接相互接続するか、またはソケットに溶接されデバイスとインターフェースする電気回路を介して相互接続する、接点（８）によりデバイスに接続される、請求項１〜９のいずれか１項に記載のコネクタ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月25日(2019.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭおよびＮが正の整数である、センサタイルのＭ×Ｎアレイと、
前記センサタイルの各々の底面に面する基板と、
前記センサタイルのアレイと前記基板との間の圧縮可能なコンプライアント材料と、
前記コンプライアント材料、前記基板、および前記センサタイルの前記底面に接触する、前記センサタイルのアレイと前記基板との間の接着剤と
を含むことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像装置であって、
前記コンプライアント材料が、前記基板と前記センサタイルのアレイとを互いに固定するための接着剤を含む、
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１に記載の撮像装置であって、
前記コンプライアント材料は、そこを通る複数の穿孔を含み、
前記穿孔は、その中に接着剤を含み、
各前記穿孔の中の前記接着剤は、前記基板および１つ以上の前記センサタイルと接触する、
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項１に記載の撮像装置であって、
前記基板は、各前記センサタイルの底面に面する上面を含み、
前記装置は、前記基板の上面に取り付けられた電子回路をさらに含み、
前記電子回路は、前記センサタイルのアレイに電気的に接続されている、
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項１に記載の撮像装置であって、前記センサタイルの上面の上にシンチレータ材料をさらに含むことを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項１に記載の撮像装置であって、前記センサタイルのうちの２つの隣接する縁同士の間の間隙が、前記センサタイルの画素の平均寸法より小さいことを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
請求項１に記載の撮像装置であって、前記タイルの平面形状からのずれは、０．３ｍｍ以下であることを特徴とする撮像装置。
【請求項８】
タイル張りのセンサアレイを製造する方法であって、前記方法は、
実質的に平坦な表面を提供するステップと、
ＭおよびＮが正の整数である、センサタイルのＭ×Ｎアレイを用意するステップと、
前記平坦な表面を使用して複数のセンサタイルを整列させるステップと、
各前記センサタイルの底面に面する基板を提供するステップと、
コンプライアント材料を前記基板と接触した状態に置くステップと、
前記基板および前記コンプライアント材料と接触した接着剤を提供するステップと、
前記コンプライアント材料を前記複数のセンサタイルの裏側に対して押圧することによって、接着剤を前記基板および前記複数のセンサタイルの裏側に接触した状態に配置するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
前記コンプライアント材料が、そこを貫通する複数の穿孔を含み、
前記接着剤を提供するステップが、前記接着剤が前記基板と接触するように前記接着剤を前記複数の穿孔内に配置することを含み、
前記押圧するステップが、前記穿孔内の前記接着剤を前記複数のセンサタイルの裏側に接触させることを含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
タイル張りのセンサアレイを製造する方法であって、前記方法は、
ＭおよびＮが正の整数である、センサタイルのＭ×Ｎアレイを用意するステップと、
各前記センサタイルの底面に面する基板を提供するステップと、
前記センサタイルのアレイと前記基板との間に圧縮可能なコンプライアント材料を配置するステップであって、前記コンプライアント材料は、前記基板と前記センサタイルのアレイとを互いに固定するための接着剤を含む、ステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月5日(2019.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線周波数信号を受信するように構成される入力を有する低雑音増幅器(LNA)と、
前記LNAの前記入力に結合され、かつノッチ周波数において前記無線周波数信号を減衰させるように構成されるノッチフィルタであって、
前記LNAの前記入力に結合されるミキサと、
演算増幅器と、
第2のミキサおよび相互コンダクタンスデバイスを備えるフィードバック段と
を備え、
前記演算増幅器は、前記ミキサの出力に結合され、かつ前記第2のミキサの入力に結合され、
前記第2のミキサの出力は前記相互コンダクタンスデバイスの前記入力に結合され、前記相互コンダクタンスデバイスの出力は前記LNAの前記入力に結合され、
前記ミキサと前記第2のミキサのそれぞれが、前記それぞれの入力信号を混合するために送信局部発振器信号を受信するように構成されるそれぞれの第2の入力を有する、
ノッチフィルタと
を備える、装置。
【請求項２】
前記ノッチ周波数は送信周波数に対応する、請求項1に記載の装置。
【請求項３】
前記ノッチ周波数はジャマー周波数に対応する、請求項1に記載の装置。
【請求項４】
前記相互コンダクタンスデバイスは金属酸化物半導体トランジスタを備え、前記LNAの出力はグランドに結合される、請求項1に記載の装置。
【請求項５】
前記ノッチフィルタは、ハイインピーダンスノードに結合され、かつ前記ノッチ周波数においてローインピーダンスを有するシングルポートフィルタを備える、請求項1に記載の装置。
【請求項６】
前記ノッチフィルタの入力は、キャパシタを介して前記ハイインピーダンスノードに結合される、請求項5に記載の装置。
【請求項７】
前記フィードバック段は、前記ハイインピーダンスノードに結合される出力を含む、請求項5に記載の装置。
【請求項８】
前記LNAの前記入力に結合される第2のノッチフィルタをさらに備え、前記第2のノッチフィルタが、第2のノッチ周波数において前記無線周波数信号を減衰させるように構成される、請求項1に記載の装置。
【請求項９】
前記LNAは第1のLNAであり、前記装置は、
前記第1のLNAの出力に結合される第2のLNAと、
前記第1のLNAの前記入力に結合される第2のノッチフィルタであって、第2のノッチ周波数において前記無線周波数信号を減衰させるように構成される、第2のノッチフィルタと
をさらに備える、請求項1に記載の装置。
【請求項１０】
前記LNAは第1のLNAであり、前記装置は、
前記第1のLNAの出力に結合される第2のLNAと、
前記第2のLNAの入力に結合される第2のノッチフィルタであって、第2のノッチ周波数において前記第1のLNAの出力信号を減衰させるように構成される、第2のノッチフィルタと
をさらに備える、請求項1に記載の装置。
【請求項１１】
第1の低雑音増幅器(LNA)によって、増幅RF信号を生成するために無線周波数(RF)信号を増幅するステップと、
第2のLNAに結合されるノッチフィルタによって、ノッチ周波数において前記増幅RF信号を減衰させるステップであって、と、前記ノッチフィルタは、前記LNAの入力に結合されるミキサと、演算増幅器と、第2のミキサおよび相互コンダクタンスデバイスを備えるフィードバック段と
を備え、
前記演算増幅器は、前記ミキサの出力に結合され、かつ前記第2のミキサの入力に結合され、
前記第2のミキサの出力は前記相互コンダクタンスデバイスの前記入力に結合され、前記相互コンダクタンスデバイスの出力は前記LNAの前記入力に結合され、
前記ミキサと前記第2のミキサのそれぞれが、前記それぞれの入力信号を混合するために送信局部発振器信号を受信するように構成されるそれぞれの第2の入力を有する、
ステップと
を含む、方法。
【請求項１２】
前記増幅RF信号は、ハイインピーダンスノードにおいて前記ノッチ周波数で減衰される、請求項11に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月10日(2019.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁石及び
前記磁石の上に形成される皮膜であって、前記皮膜が、１２原子％以下のマンガン濃度を含んでいるアルミニウムマンガン合金層を含む、物品。
【請求項２】
前記アルミニウムマンガン合金層の前記マンガン濃度が０．５原子％〜１２原子％である、請求項１に記載の物品。
【請求項３】
前記磁石が希土類磁性材料を含む、請求項１又は２に記載の物品。
【請求項４】
前記希土類磁性材料がネオジムを含む、請求項１〜３のいずれか１つに記載の物品。
【請求項５】
前記希土類磁性材料が鉄及びホウ素をさらに含む、請求項１〜４のいずれか１つに記載の物品。
【請求項６】
前記磁石がＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ、Ｎｄ９Ｆｅ８６Ｂ５、ＳｍＣｏ５、ＡｌＮｉＣｏ、及びＮｉＦｅからなる群から選択される材料を含む、請求項１〜５のいずれか１つに記載の物品。
【請求項７】
前記アルミニウムマンガン合金層が０．５原子％〜１０原子％のマンガン濃度を含む、請求項１〜６のいずれか１つに記載の物品。
【請求項８】
前記皮膜が単層を含み、前記単層が前記アルミニウムマンガン合金を含む、請求項１〜７のいずれか１つに記載の物品。
【請求項９】
前記皮膜が複数の層を含む、請求項１〜８のいずれか１つに記載の物品。
【請求項１０】
前記皮膜がニッケルを含む層をさらに含んでいる、請求項１〜９のいずれか１つに記載の物品。
【請求項１１】
前記ニッケルを含む層が前記アルミニウムマンガン合金層の下に形成されている、請求項１〜１０のいずれか１つに記載の物品。
【請求項１２】
前記皮膜がＮｉ、Ｃｕ、Ｎｉ−Ｐ、Ｓｎ、Ｚｎ及びそれらの組み合わせからなる群から選択される組成を含む層をさらに含んでいる、請求項１〜１１のいずれか１つに記載の物品。
【請求項１３】
前記皮膜が前記アルミニウムマンガン合金層の上に形成された金属層を含む、請求項１〜１２のいずれか１つに記載の物品。
【請求項１４】
前記アルミニウムマンガン合金層が１ミクロン未満の平均粒径を有する、請求項１〜１３のいずれか１つに記載の物品。
【請求項１５】
前記アルミニウムマンガン合金層が１００ｎｍ未満の平均粒径を有する、請求項１〜１４のいずれか１つに記載の物品。
【請求項１６】
前記アルミニウムマンガン合金層が電気めっき処理を用いて形成されている、請求項１〜１５のいずれか１つに記載の物品。
【請求項１７】
前記アルミニウムマンガン合金が固溶体である、請求項１〜１６のいずれか１つに記載の物品。
【請求項１８】
物品の上に皮膜を形成する方法であって、
磁石の上に皮膜を電気めっきする工程を含み、前記皮膜は１２原子％以下のマンガン濃度を含むアルミニウムマンガン合金層を含んでいる、方法。
【請求項１９】
前記アルミニウムマンガン合金層の前記マンガン濃度が０．５原子％〜１２原子％である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
複数の磁石をバレルに投入する工程と、
電気めっき槽中で前記バレルを回転させる工程と、
前記磁石の上に前記皮膜を電気めっきする工程と、をさらに含む、
請求項１８又は１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記磁石が希土類磁性材料を含む、請求項１８〜２０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２２】
前記希土類磁性材料がネオジムを含む、請求項１８〜２１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２３】
前記希土類磁性材料が鉄及びホウ素をさらに含む、請求項１８〜２２のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２４】
前記磁石がＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ、Ｎｄ９Ｆｅ８６Ｂ５、ＳｍＣｏ５、ＡｌＮｉＣｏ、及びＮｉＦｅからなる群から選択される材料を含む、請求項１８〜２３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２５】
前記アルミニウムマンガン合金層が０．５原子％〜１０原子％のマンガン濃度を含む、請求項１８〜２４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２６】
前記皮膜が単層を含み、前記単層が前記アルミニウムマンガン合金を含む、請求項１８〜２５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２７】
前記皮膜が複数の層を含む、請求項１８〜２６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２８】
前記皮膜がニッケルを含む層をさらに含んでいる、請求項１８〜２７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２９】
前記ニッケルを含む層が前記アルミニウムマンガン合金層の下に形成されている、請求項１８〜２８のいずれか１つに記載の方法。
【請求項３０】
前記皮膜がＮｉ、Ｃｕ、Ｎｉ−Ｐ、Ｓｎ、Ｚｎ及びそれらの組み合わせからなる群から選択される組成を含む層をさらに含んでいる、請求項１８〜２９のいずれか１つに記載の方法。
【請求項３１】
前記皮膜が前記アルミニウムマンガン合金層の上に形成された金属層を含む、請求項１８〜３０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項３２】
前記アルミニウムマンガン合金層が１ミクロン未満の平均粒径を有する、請求項１８〜３１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項３３】
前記アルミニウムマンガン合金層が１００ｎｍ未満の平均粒径を有する、請求項１８〜３２のいずれか１つに記載の方法。
【請求項３４】
前記アルミニウムマンガン合金層がアモルファス粒子構造を有する、請求項１８〜３３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項３５】
前記アルミニウムマンガン合金層が電気めっき処理を用いて形成されている、請求項１８〜３４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項３６】
前記アルミニウムマンガン合金が固溶体である、請求項１８〜３５のいずれか１つに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月18日(2019.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムオンチップ（ＳＯＣ）ウェハと、
第１および第２の面ならびにそれらを通る複数のビアを有するインダクタウェハであって、前記ビアが前記インダクタウェハ中で複数の側壁を形成し、前記インダクタウェハの前記第１の面が前記ＳＯＣウェハに隣接して配設され、および電気的に接続されている、インダクタウェハと、
前記インダクタウェハの前記第１の面の少なくとも一部の上の磁気層と、
前記磁気層上、前記インダクタウェハの前記第２の面の少なくとも一部の上、および前記インダクタウェハ中の前記ビアにより形成された前記側壁のうちの少なくともいくつかの上に配設された導電層であって、それによりインダクタを形成している、導電層と
を備える、デバイス。
【請求項２】
前記磁気層が薄膜磁気層を備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記導電層が銅めっきを備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記ＳＯＣウェハと前記インダクタウェハとの間に配設される導電体をさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記インダクタウェハがガラスウェハを含むか、または
前記インダクタウェハが石英ウェハを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
ダイと、
第１および第２の面ならびにそれらを通る複数のビアを有するインダクタウェハであって、前記ビアが前記インダクタウェハ中で複数の側壁を形成し、前記インダクタウェハの前記第１の面が前記ダイに隣接して配設されている、インダクタウェハと、
前記インダクタウェハの前記第１の面の少なくとも一部の上の磁気層と、
前記インダクタウェハ中の前記ビアのうちの少なくともいくつかの中に配設される複数の導電体であって、前記インダクタウェハの前記第１の面に隣接する第１の端部および前記インダクタウェハの前記第２の面に隣接する第２の端部をそれぞれ有している、複数の導電体と、
を備える、電圧レギュレータ、ならびに
前記電圧レギュレータから電源電圧を受け取るように構成されるシステムオンチップ（ＳＯＣ）パッケージであって、前記導電体の前記第１の端部と前記第２の端部のうちの少なくとも一方に接続された少なくとも１つの導電体を有している、ＳＯＣパッケージ
を備える、デバイス。
【請求項７】
前記ＳＯＣパッケージに結合されたプリント回路板（ＰＣＢ）をさらに備える、請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
前記磁気層が薄膜磁気層を備える、請求項６に記載のデバイス。
【請求項９】
前記電圧レギュレータが前記インダクタウェハの前記第１および第２の面上に配設された複数の追加導電体をさらに備え、前記インダクタウェハの前記第１および第２の面上の前記追加導電体ならびに前記インダクタウェハ中の前記ビアのうちの少なくともいくつかの中の前記導電体がインダクタのコイルを形成する、請求項６に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記コイルが少なくとも部分的に前記磁気層を取り囲む、請求項９に記載のデバイス。
【請求項１１】
デバイスを作る方法であって、
第１の面および第２の面を有するインダクタウェハを提供するステップと、
前記インダクタウェハの前記第１の面および前記第２の面を通る複数のビアを形成するステップであって、前記ビアが、前記インダクタウェハ内の複数の側壁により画定される、ステップと、
前記インダクタウェハの前記第１の面の少なくとも一部の上にパターン形成された磁気層を形成するステップと、
前記パターン形成された磁気層上の導電層を、前記パターン形成された磁気層、前記インダクタウェハの前記第２の面の少なくとも一部、および前記ビアの前記側壁のうちの少なくともいくつかを覆って形成するステップと、
ＳＯＣウェハを前記インダクタウェハと接合するステップと
を含む、方法。
【請求項１２】
前記導電層を形成するステップが、銅のセミアディティブめっきを形成するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記パターン形成された磁気層を形成するステップが、前記インダクタウェハの前記第１の面の少なくとも一部の上に磁気材料をスパッタリングするステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
デバイスを作る方法であって、
システムオンチップ（ＳＯＣ）パッケージを提供するステップ、および
前記ＳＯＣパッケージ上に電圧レギュレータを形成するステップであって、
ＳＯＣダイを提供するステップと、
第１および第２の面を有するインダクタウェハを提供するステップであって、前記インダクタウェハの前記第１の面が前記ＳＯＣダイに隣接して配設される、ステップと、
前記インダクタウェハの前記第１の面および前記第２の面を通る複数のビアを形成するステップであって、前記ビアが前記インダクタウェハ中で複数の側壁により画定される、ステップと、
前記インダクタウェハ中の前記ビアのうちの少なくともいくつかの中に配設される複数の導電体を形成するステップであって、前記導電体が、前記インダクタウェハの前記第１の面に隣接する第１の端部および前記インダクタウェハの前記第２の面に隣接する第２の端部をそれぞれ有する、ステップと
を含むステップ
を含み、
前記ＳＯＣパッケージが前記電圧レギュレータから電源電圧を受け取るように構成され、前記ＳＯＣパッケージが前記導電体の前記第１の端部と前記第２の端部のうちの少なくとも一方に接続される少なくとも１つの導電体を有する、方法。
【請求項１５】
前記インダクタウェハ上にパターン形成された磁気層を形成するステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月8日(2019.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを形成する方法であって、
誘電体層表面及び凹状フィーチャの底面に金属含有表面を有する該凹状フィーチャを有するパターニングされた誘電体層を含む基板を提供することと、
前記誘電体層表面を、疎水性官能基を含む反応ガスと反応させて、疎水性誘電体層表面を形成することと、
前記疎水性誘電体層表面への金属の付着を妨げるボトムアップ式気相付着プロセスにおいて、前記凹状フィーチャを該金属で充填することと、を含み、
前記金属は、ルテニウム（Ｒｕ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏｓ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択され、
前記凹状フィーチャを前記金属で充填することは、前記凹状フィーチャを前記金属で過剰充填する、方法。
【請求項２】
前記反応ガスはシリコン含有ガスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シリコン含有ガスは、アルキルシラン、アルコキシシラン、アルキルアルコキシシラン、アルキルシロキサン、アルコキシシロキサン、アルキルアルコキシシロキサン、アリールシラン、アシルシラン、アリールシロキサン、アシルシロキサン、シラザン、及びそれらの組み合わせをからなる群から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記反応ガスは、ジメチルシランジメチルアミン（ＤＭＳＤＭＡ）、トリメチルシランジメチルアミン（ＴＭＳＤＭＡ）、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン（ＢＤＭＡＤＭＳ）、Ｎ，Ｏ−ビストリメチルシリルトリフルオロアセトアミド（ＢＳＴＦＡ）、トリメチルシリル−ピロール（ＴＭＳ−ｐｙｒｒｏｌｅ）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記金属含有表面は、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）、コバルト（Ｃｏ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、又はそれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記金属は、化学蒸着（ＣＶＤ）又は原子層堆積（ＡＬＤ）によって付着される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記金属は、ルテニウム（Ｒｕ）金属を含み、該Ｒｕ金属は、Ｒｕ３（ＣＯ）１２前駆体蒸気及びＣＯキャリアガスを含む付着ガスを使用して付着される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記金属は、ルテニウム（Ｒｕ）金属を含み、該Ｒｕ金属は、Ｒｕ３（ＣＯ）１２、（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム（Ｒｕ（ＤＭＰＤ）（ＥｔＣｐ））、ビス（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウム（Ｒｕ（ＤＭＰＤ）２）、（２，４−ジメチルペンタジエニル）（メチルシクロペンタジエニル）ルテニウム、又はそれらの２つ以上の組み合わせを含む付着ガスを使用して付着される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記金属は、コバルト（Ｃｏ）金属を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記金属は、コバルト（Ｃｏ）金属を含み、該Ｃｏ金属は、Ｃｏ２（ＣＯ）８、Ｃｏ４（ＣＯ）１２、ＣｏＣｐ（ＣＯ）２、Ｃｏ（ＣＯ）３（ＮＯ）、Ｃｏ２（ＣＯ）６（ＨＣＣｔＢｕ）、Ｃｏ（ａｃａｃ）２、Ｃｏ（Ｃｐ）２、Ｃｏ（（Ｍｅ５Ｃｐ）２）、Ｃｏ（ＥｔＣｐ）２、コバルト（ＩＩ）ヘキサフルオロアセチルアセトナート水和物、コバルトトリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート、ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルアセトアミジナート）コバルト、トリカルボニルアリルコバルト、又はそれらの２つ以上の組み合わせを含む付着ガスを使用して付着される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記凹状フィーチャの直径は、約１０ｎｍと約２５ｎｍの間である、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記誘電体層は、ｌｏｗ−ｋ誘電体材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
半導体デバイスを形成する方法であって、
誘電体層表面及び凹状フィーチャの底面に金属含有表面を有する該凹状フィーチャを有するパターニングされた誘電体層を含む基板を提供することと
前記誘電体層表面を、疎水性官能基を含むシリコン含有反応ガスと反応させて、疎水性誘電体層表面を形成することと、
前記疎水性誘電体層表面へのルテニウム（Ｒｕ）金属の付着を妨げるボトムアップ式気相付着プロセスにおいて、前記凹状フィーチャを該Ｒｕ金属で充填することであって、該Ｒｕ金属は、Ｒｕ３（ＣＯ）１２前駆体蒸気及びＣＯキャリアガスを含む付着ガスを使用して化学蒸着プロセスで付着される、充填することと、を含み、
前記凹状フィーチャを前記Ｒｕ金属で充填することは、前記凹状フィーチャを前記Ｒｕ金属で過剰充填する、方法。
【請求項１４】
前記金属含有表面は、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）、コバルト（Ｃｏ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、又はそれらの組み合わせを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
半導体デバイスを形成する方法であって、
誘電体層表面及び凹状フィーチャの底面に金属含有表面を有する該凹状フィーチャを有するパターニングされた誘電体層を含む基板を提供することと、
前記誘電体層表面を、疎水性官能基を含むシリコン含有反応ガスと反応させて、疎水性誘電体層表面を形成することと、
前記疎水性誘電体層表面へのコバルト（Ｃｏ）金属の付着を妨げるボトムアップ式気相付着プロセスにおいて、前記凹状フィーチャを該Ｃｏ金属で充填することであって、該Ｃｏ金属は、Ｃｏ含有前駆体蒸気を含む付着ガスを使用して化学蒸着プロセスで付着される、充填することと、を含み、
前記凹状フィーチャを前記Ｃｏ金属で充填することは、前記凹状フィーチャを前記Ｃｏ金属で過剰充填する、方法。
【請求項１６】
前記付着ガスは、Ｃｏ２（ＣＯ）８、Ｃｏ４（ＣＯ）１２、ＣｏＣｐ（ＣＯ）２、Ｃｏ（ＣＯ）３（ＮＯ）、Ｃｏ２（ＣＯ）６（ＨＣＣｔＢｕ）、Ｃｏ（ａｃａｃ）２、Ｃｏ（Ｃｐ）２、Ｃｏ（（Ｍｅ５Ｃｐ）２）、Ｃｏ（ＥｔＣｐ）２、コバルト（ＩＩ）ヘキサフルオロアセチルアセトナート水和物、コバルトトリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート、ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルアセトアミジナート）コバルト、トリカルボニルアリルコバルト、又はそれらの２つ以上の組み合わせを含む、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月21日(2019.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工対象物処理チャンバの上に横たわる円筒形状マイクロ波キャビティ、及び前記円筒形状マイクロ波キャビティの側壁内にオフセット角Δθで間隔を空けられた第１と第２の入力ポートＰとＱを備えた、プラズマリアクタにおいて、前記円筒形状マイクロ波キャビティ内でモードＴＥｍｎｌ又はＴＭｍｎｌの回転するマイクロ波を生成する方法であって、ｍ、ｎ、及びｌが、ユーザが選択したＴＥ又はＴＭモードの値であり、前記方法が、
時間位相差ΔΦによって分離されたそれぞれのマイクロ波信号を、前記第１と第２の接続開孔のうちのそれぞれのものを通して、前記円筒形状マイクロ波キャビティの中へ導入することと、
前記円筒形状マイクロ波キャビティ内でモードＴＥｍｎｌ又はＴＭｍｎｌの回転するマイクロ波を生成するように、前記ユーザが選択したＴＥ又はＴＭモードの指標ｍ、ｎ、及びｌのうちの少なくとも２つの関数である値に、前記オフセット角Δθと前記時間位相差ΔΦの値を調整することとを含む、方法。
【請求項２】
前記関数が、以下の数式、すなわち、
2018532221.tif 000001
で規定される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記回転するマイクロ波が、動作マイクロ波周波数に等しい回転周波数で、時計回りに回転する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記関数が、以下の数式、すなわち、
2018532221.tif 000002
で規定される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記関数が、以下の数式、すなわち、
2018532221.tif 000003
で規定される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記回転するマイクロ波が、動作マイクロ波周波数に等しい回転周波数で、反時計回りに回転する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記関数が、以下の数式、すなわち、
2018532221.tif 000004
で規定される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記それぞれのマイクロ波信号のうちの第１のものが、以下の形態、すなわち、
2018532221.tif 000005
であり、ここで、ωは、前記それぞれのマイクロ波信号の角周波数であり、ｔは時間であり、及びη＝０又はπ／２である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記それぞれのマイクロ波信号のうちの第２のものが、以下の形態、すなわち、
2018532221.tif 000006
であり、ここで、ωは、前記マイクロ波信号の角周波数であり、ｔは時間であり、及びη＝０又はπ／２である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
加工対象物処理チャンバの上に横たわる円筒形状マイクロ波キャビティ、及び前記円筒形状マイクロ波キャビティの側壁内に一般角で間隔を空けられた第１と第２の入力ポートを備えた、プラズマリアクタにおいて、前記円筒形状マイクロ波キャビティ内で回転周波数Ωａの回転するマイクロ波を生成する方法であって、
以下の数式、すなわち、
2018532221.tif 000007
を満たすように前記一般角を設定することと、
それぞれ以下の数式、すなわち、
2018532221.tif 000008
で表されるマイクロ波フィールドを、入力ポートＰとＱに入力することとを含み、ここで、ｒとｓは以下の数式、すなわち、
2018532221.tif 000009
で規定され、及び、「ｒ」内の符号
2018532221.tif 000010
は、回転が反時計回りであるか又は時計回りであるかを決定する、方法。
【請求項１１】
加工対象物処理チャンバの上に横たわる円筒形状マイクロ波キャビティ、及び前記円筒形状マイクロ波キャビティの側壁内に方位角で間隔を空けられた第１と第２の入力ポートＰとＱと、
マイクロ波周波数を有し、一対のマイクロ波源出力を有する、マイクロ波源と、
一対のそれぞれの導波管であって、各々が、前記マイクロ波源出力のうちのそれぞれのものに接続されたマイクロ波入力端と、前記第１と第２の入力ポートのうちのそれぞれのものに接続されたマイクロ波出力端とを有する、一対のそれぞれの導波管と、
前記出力端における接続開孔プレート、及び前記接続開孔プレート内の矩形状接続開孔と、
前記接続開孔プレートと前記マイクロ波入力端との間のアイリスプレート、及び前記アイリスプレート内の矩形状アイリス開口とを備える、プラズマリアクタ。
【請求項１２】
前記矩形状接続開孔と前記矩形状アイリス開口が、前記接続開孔と前記アイリス開口のうちのそれぞれのものの長さ寸法に沿ったそれぞれの平行な軸を有し、前記それぞれの平行な軸が、前記円筒形状マイクロ波キャビティの対称軸に平行である、請求項１１に記載のプラズマリアクタ。
【請求項１３】
前記導波管の各々が、前記マイクロ波入力端と前記マイクロ波出力端との間にマイクロ波伝播方向を有し、前記マイクロ波伝播方向が、前記円筒形状マイクロ波キャビティの対称軸に向けて延伸する、請求項１１に記載のプラズマリアクタ。
【請求項１４】
前記矩形状接続開孔が、ユーザが選択したインピーダンスに対応する、それぞれ、長い寸法ｅと短い寸法ｆを有する、請求項１１に記載のプラズマリアクタ。
【請求項１５】
前記矩形状アイリス開口が、ユーザが選択した共振に対応する、それぞれ、長い寸法ｃと短い寸法ｄを有する、請求項１４に記載のプラズマリアクタ。
【請求項１６】
前記矩形状アイリスが、容量アイリスであり、前記円筒形状マイクロ波キャビティの対称軸に平行な長い寸法を有する、請求項１５に記載のプラズマリアクタ。
【請求項１７】
前記矩形状アイリスが、誘導アイリスであり、前記円筒形状マイクロ波キャビティの対称軸に平行な短い寸法を有する、請求項１５に記載のプラズマリアクタ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月26日(2019.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
コロナ放電を伴う収集の増進もまた、視覚的に直接観察されることができる。電場の有無別の霧への暴露後の異なる時間における収集メッシュのスナップショットが、図１１Ａ−Ｃに示されている。電場がオンにされるとすぐに、メッシュ上の収集された液滴の数が劇的に増加することが観察されることができる。放電を伴わない２０秒後よりも、コロナ放電を伴う１秒の暴露後に、メッシュ上にはるかに多くの液滴がある。図１１Ｂでは、転換は、メッシュの裏側に収集される液滴がある、いくつかのスポットで観察されることができる。これは、図１１Ｃに概略的に示されるように、収集のために利用可能な面積が転換により倍にされるため、収集率を増進する。
（単一の円筒ワイヤ上の収集）
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月9日(2019.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
Ｃｏ２ＦｅＡｌ、Ｃｏ２ＦｅＳｉ、Ｃｏ２ＦｅＩｎ、Ｃｕ２ＦｅＡｌ、Ｃｕ２ＦｅＳｉ、Ｆｅ２ＭｎＧａ、Ｆｅ２ＭｎＳｉ、Ｃｏ２ＣｕＡｌ、Ｆｅ２ＴｉＧａ及びこれらの２種以上の混合物からなる群から選択される三元金属間化合物を含む触媒を製造する方法であって、
（１）Ｆｅ、Ｃｏ、及びＣｕについての１種以上の前駆体化合物、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｔｉ及びＦｅについての１種以上の前駆体化合物、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ及びＩｎについての１種以上の前駆体化合物、及び１種以上の溶媒を含有する溶液を準備すること；
（２）（１）で準備した溶液に支持体材料を添加すること；
（３）（２）で得た混合物を蒸発させて乾燥させること；及び
（４）（３）で得た混合物を水素含有雰囲気中で加熱すること
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月25日(2019.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオントフォレシスによってユーザーの皮膚に分配される製剤を塗布するためのデバイス（１）であって、
前記分配される製剤を受け入れるための本体部であって、電流発生器（７１）を含む、本体部（２）と、
前記本体部（２）の上に装着されるアプリケーターヘッド（３）であって、
前記皮膚に分配される前記製剤を分配するための少なくとも１つの分配手段（１１）と、
電極間区域（１９）によって分離されている少なくとも、１つの第１の電極（１７）および１つの第２の電極（１８）であって、前記第１の電極（１７）および前記第２の電極（１８）は、前記電極間区域から後退させられており、また、前記電流発生器（７１）からの電流を受け入れる、少なくとも、１つの第１の電極（１７）および１つの第２の電極（１８）と、
を含む、アプリケーターヘッド（３）と、
を含むことを特徴とするデバイス（１）。
【請求項２】
前記第１の電極（１７）および前記第２の電極（１８）は、同じ平面（Ｂ）の中に位置していることを特徴とする請求項１に記載のデバイス（１）。
【請求項３】
前記電極間区域（１９）は、前記第１の電極（１７）および前記第２の電極（１８）の前記平面（Ｂ）に対して平行な平面（Ｃ）の中に位置しており、前記第１の電極（１７）および前記第２の電極（１８）の前記平面（Ｂ）と前記電極間区域の前記平面（Ｃ）は、相互に所定の距離、離れて位置していることを特徴とする請求項２に記載のデバイス（１）。
【請求項４】
前記電極間区域（１９）は、塗布表面（２０）を含み、前記塗布表面（２０）は、前記ユーザーの皮膚と接触した状態になるためのものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のデバイス（１）。
【請求項５】
前記電極間区域（１９）は、前記第１の電極（１７）と前記第２の電極（１８）との間に所定の最小距離（ｄｍｉｎ）を有しており、前記所定の最小距離（ｄｍｉｎ）は、５ｍｍから２０ｍｍの間にあることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のデバイス（１）。
【請求項６】
前記アプリケーターヘッド（３）は、分配回路（１２）を含み、前記分配回路（１２）は、前記分配手段（１１）に向けて前記製剤を分配する分配チャネル（１６）を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のデバイス（１）。
【請求項７】
前記第１の電極（１７）および前記第２の電極（１８）は、前記分配回路（１２）から下流に配置されていることを特徴とする請求項６に記載のデバイス（１）。
【請求項８】
前記第１の電極（１７）および前記第２の電極（１８）は、穿孔（２８）を備えた壁部をそれぞれ有していることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のデバイス（１）。
【請求項９】
前記分配手段（１１）は、１つまたは複数の出口開口部を含み、前記穿孔（２８）は、前記ユーザーの皮膚に向けて前記１つまたは複数の製剤出口開口部を構成していることを特徴とする請求項８に記載のデバイス（１）。
【請求項１０】
穿孔（３１）を備えたプレート（２９）は、前記アプリケーターヘッド（３）の中に配置されており、前記分配手段（１１）は、１つまたは複数の出口開口部を含み、前記穿孔（３１）は、前記ユーザーの皮膚に向けて前記１つまたは複数の製剤出口開口部を構成していることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のデバイス（１）。
【請求項１１】
前記製剤は、前記デバイス（１）の前記本体部（２）に取り外し可能に接続されているカートリッジ（６３）の中に含まれていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のデバイス（１）。
【請求項１２】
前記本体部（２）は、前記本体部（２）から前記アプリケーターヘッド（３）に向けて前記製剤を抽出するための少なくとも１つの手段（７８）を含むことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のデバイス（１）。
【請求項１３】
前記アプリケーターヘッド（３）は、電気絶縁手段（３３）を含み、前記電気絶縁手段（３３）は、前記第１の電極（１７）と前記第２の電極（１８）との間で流体的に介在しており、前記電気絶縁手段（３３）は、前記第１の電極（１７）および前記第２の電極（１８）から前記本体部への電流の通過を許容または妨害するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載のデバイス（１）。
【請求項１４】
前記電気絶縁手段（３３）は、閉位置または開位置になることが可能であり、
前記閉位置では、電流が、前記第１の電極（１７）と前記第２の電極（１８）との間だけに流れ、
前記開位置では、電流が、前記第１の電極（１７）と前記第２の電極（１８）との間、および、前記分配チャネル（１６）の中に流れることを特徴とする請求項６または７に記載のデバイス（１）。
【請求項１５】
前記電気絶縁手段（３３）は、前記電気絶縁手段（３３）の内側の圧力が所定の閾値に到達するときに、前記開位置になっていることを特徴とする請求項１４に記載のデバイス（１）。
【請求項１６】
前記電気絶縁手段（３３）は、前記第１の電極（１７）につながる前記分配チャネルのうちの１つの上に配置されていることを特徴とする請求項６または７に記載のデバイス（１）。
【請求項１７】
前記第１の電極（１７）は、前記アプリケーターヘッド（３）の中央に配置されており、前記第２の電極（１８）は、前記ヘッド（３）の周囲部に向けて配置されていることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか一項に記載のデバイス（１）。
【請求項１８】
前記電気絶縁手段（３３）は、弁であることを特徴とする請求項１３乃至１７のいずれか一項に記載のデバイス（１）。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月28日(2019.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】部分的または不完全型の光学素子を有する光学デバイス
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学素子を有する光学デバイスであって、
光学素子は、光学要素またはシステムに対する付加物として作用するよう構成された部分的または不完全型の光学素子であって、
部分的または不完全型の光学素子が、光学要素またはシステムに対して構成された有効領域を有し、
部分的または不完全型の光学素子は、有効領域上に入射または有効領域に提供される光の焦点を制御または変更し、且つ、部分的または不完全型の光学素子の光学的に関連する部分を避ける光の焦点は制御または変更しない、光学デバイス。
【請求項２】
部分的または不完全型の光学素子は、一部円盤である、または一部円盤を含む、請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項３】
光学デバイスは、有効領域に隣接する、および／または、有効領域と重ならない開口を含む、請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項４】
開口は、有効領域よりも大きい光学デバイスの部分を包含する、請求項３に記載の光学デバイス。
【請求項５】
有効領域は扇形状である、請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項６】
光学要素またはシステムのまたはその関連の視線（ＬＯＳ）または視軸（ＶＡ）が、有効領域の最上部またはその近傍にあるように、有効領域が構成される、請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項７】
光学要素またはシステムの光学領域に入射または提供される光の焦点を有効領域が制御または変更するように、部分的または不完全型の光学素子が構成される、請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項８】
光学領域が扇形状、および／または、光学要素またはシステムのまたはその関連の視線（ＬＯＳ）または視軸（ＶＡ）の下方に光学領域が少なくとも部分的に配置されるように、部分的または不完全型の光学素子が構成される、請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項９】
光学要素またはシステムと協働して作用する領域固有またはセクタ固有の補助レンズ／光学素子を提供するように、有効領域が構成される、請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項１０】
有効領域は、１つ以上の屈折光学素子または光学要素を含む、請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項１１】
有効領域は、１つ以上の回折光学素子または光学要素を含む、請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項１２】
部分的または不完全型の光学素子は、眼内レンズ（ＩＯＬ）の一部の形態にて設けられる、および／または、眼内レンズ（ＩＯＬ）の少なくとも一部を含む、請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項１３】
有効領域は、光を遮断または拡散するように構成されたおよび／または処理された端部または側部を含むまたは備える、請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項１４】
端部または側部は光吸収表面層を含む、請求項１３に記載の光学デバイス。
【請求項１５】
端部または側部での光沢が、端部または側部に対して指定された光沢度（ＧＵ）値よりも小さくなるように施されたまたは提供された表面処理を、端部または側部が含む、請求項１３に記載の光学デバイス。
【請求項１６】
端部または側部の表面粗さが７〜１５ミクロンの山谷（ｐｅａｋ−ｖａｌｌｅｙ）高さ値を有するように施されたまたは提供された表面仕上げを、端部または側部が含む、請求項１３に記載の光学デバイス。
【請求項１７】
端部または側部が、ナノチップまたはコーンを有するナノ構造を含む、請求項１３に記載の光学デバイス。
【請求項１８】
端部または側部がコーン型または略コーン型のナノ構造を含み、該ナノ構造において、ベース直径が１００〜３００ｎｍであり、高さが１０００〜１６０００ｎｍである、請求項１３に記載の光学デバイス。
【請求項１９】
端部または側部がナノ構造を含み、該ナノ構造は、ナノチップ、ナノアレイ、ナノ構造の非周期的または他のアレイ、反射防止構造、生体模倣構造、またはそれらの一つの組み合わせ、または複数の組み合わせを含む、請求項１３に記載の光学デバイス。
【請求項２０】
光学デバイスが、１つ以上のクリップ、爪、アンカー、触覚または支持構造をさらに有する、請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項２１】
部分的または不完全型の光学素子は、開口の一部分を画定する円周リングを含み、
光学デバイスは、触覚または支持構造の腕が圧縮されているときに開口に隣接する円周リングの湾曲を防止するように、円周リングの周辺全体またはその近傍に構造支持を提供するよう保証かつ構成された、請求項３に記載の光学デバイス。
【請求項２２】
部分的または不完全型の光学素子および円周リングが第１の材料により構成され、
触覚または支持構造が、第１の材料よりも硬い第２の材料で構成された１つまたは複数の周辺支持／接続構造を含む、請求項２１に記載の光学デバイス。
【請求項２３】
部分的または不完全型の光学素子は、開口の一部分を画定する円周リングを含み、
光学デバイスは、触覚または支持構造の腕が圧縮されているときに開口に隣接する円周リングの湾曲を防止するように、円周リングの周辺に構造支持を提供するよう保証かつ構成された、請求項３に記載の光学デバイス。
【請求項２４】
部分的または不完全型の光学素子および円周リングは第１の材料により構成され、触覚または支持構造は、第１の材料よりも硬い第２の材料により構成された周辺支持／接続構造を含む、請求項２３に記載の光学デバイス。
【請求項２５】
触覚または支持構造は、部分的または不完全型の光学素子の１つ以上の境界に対して対称的に構成された周辺支持／接続構造を含む、請求項２３に記載の光学デバイス。
【請求項２６】
触覚または支持構造は、開口に対して対称的に構成された周辺支持／接続構造を含む、請求項２３に記載の光学デバイス。
【請求項２７】
触覚または支持構造は周辺支持／接続構造を含み、該構造は、円周リングの他の周辺部分に直接接続されておらず、光学デバイスが該他の周辺部分で折り畳み可能に構成される、請求項２３に記載の光学デバイス。
【請求項２８】
触覚または支持構造は周辺支持／接続構造を含み、該構造は、光学デバイスが折り畳み可能な光学デバイスの部分に対して光学デバイスの対向側にて構成される、請求項２３に記載の光学デバイス。
【請求項２９】
周辺部は、円周リングの対向側にあり、光学デバイスが折り畳み可能な光学デバイスの部分と交差する軸からほぼ等距離にある、請求項２３に記載の光学デバイス。
【請求項３０】
触覚または支持構造は湾曲端部を備えた周辺支持／接続構造を備え、円周リングは、該湾曲端部に隣接する露出周辺部分を備える、請求項２３に記載の光学デバイス。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月8日(2019.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導針であって、
その内部に穴を画定するカニューレであって、少なくとも１つの関連する医療デバイスが前記穴を通って被検体の体内に通るよう前記穴が構成される、カニューレと、
前記カニューレの前記穴の末端開口を画定する斜面端と、
前記末端開口に近接する前記斜面端の基端面上に配置される少なくとも１つの突起と、
を含む、
前記少なくとも１つの突起には、前記末端開口の第１の側面から、前記末端開口の基端部を周り、前記第１の側面に対向する末端開口の第２の側面に延在する実質的にくさび形を有する丸みのある突起が含まれる、誘導針。
【請求項２】
前記斜面端を画定する面と前記カニューレの外周面との間に延在し、前記誘導針の前記斜面端の鋭い末端先端に近接して配置される少なくとも１つの面取り面をさらに含む請求項１に記載の誘導針。
【請求項３】
前記少なくとも１つの面取り面には、前記誘導針の前記斜面端の前記鋭い末端先端の両側に配置される２つの面取り面が含まれる、請求項２に記載の誘導針。
【請求項４】
前記少なくとも１つの突起には、少なくとも部分的に丸みのある面が含まれる、請求項１に記載の誘導針。
【請求項５】
前記少なくとも１つの突起には、前記末端開口の第１の側面から、前記末端開口の前記基端部を周り、前記第１の側面に対向する前記末端開口の第２の側面に延在する前記実質的にくさび形を有するビーズが集合的に含まれる、請求項１から４のいずれか１つに記載の誘導針。
【請求項６】
前記ビーズの各ビードが、前記ビーズのうちの少なくとも１つの隣接するビードと重なる、請求項５に記載の誘導針。
【請求項７】
前記ビーズのうちの各ビードの前記末端開口からの間隔が、前記ビーズのうちの少なくとも１つの隣接するビードの前記末端開口からの間隔に対してオフセットされている、請求項５に記載の誘導針。
【請求項８】
前記斜面端は、前記カニューレの長手方向の軸線に対して斜めの角度に配置される平面に配置される、請求項１から４のいずれか１つに記載の誘導針。
【請求項９】
前記少なくとも１つの突起は、前記斜面端を画定する面と前記カニューレの内面との間の境界に延在する、請求項１から４のいずれか１つに記載の誘導針。
【請求項１０】
医療デバイス組立体であって、
少なくともその一部が被検体の皮下組織内に配置されるように構成される医療デバイスと、
針とを含み、
前記針は、
その内部に穴を画定するカニューレであって、少なくとも１つの関連する医療デバイスが前記穴を通って被検体の体内に通るよう前記穴が構成される、カニューレと、
前記カニューレの前記穴の末端開口を画定する末端部と、
前記末端開口に近接する前記末端部上の少なくとも１つの拡大した丸みのある面と、
を含み、
前記少なくとも１つの拡大した丸みのある面には、前記末端開口の第１の側面から、前記末端開口の基端部を周り、前記第１の側面に対向する末端開口の第２の側面に延在する実質的に丸みのあるＣ字形が含まれる、医療デバイス組立体。
【請求項１１】
前記末端開口は、前記カニューレの長手方向軸線に対して斜めの角度に配置される平面に配置される、請求項１０に記載の医療デバイス組立体。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの拡大した丸みのある面には、前記末端開口の後方部分を画定する前記針の前記末端部の基端部に配置される少なくとも１つの丸みのある突起が含まれる、請求項１０または１１に記載の医療デバイス組立体。
【請求項１３】
医療デバイス組立体であって、
少なくともその一部が被検体の皮下組織内に配置されるように構成される医療デバイスと、
前記医療デバイスの少なくとも一部を前記被検体内に挿入するための、請求項１から９のいずれか１つに記載の前記誘導針と、
を含む医療デバイス組立体。
【請求項１４】
針を形成する方法であって、
その内部に穴を有するカニューレを提供するステップと、
少なくとも１つの関連する医療機器を穴を通して被検体に通すよう穴を構成するステップと、
前記針の末端部にカニューレの穴の末端開口を画定するステップと、
前記カニューレの前記末端開口に接する前記カニューレの末端部に少なくとも１つの突起を形成するステップと、
を含み、
前記少なくとも１つの突起には、前記末端開口の第１の側面から、前記末端開口の基端部を周り、前記第１の側面に対向する末端開口の第２の側面に延在する実質的にくさび形を有する丸みのある突起が含まれる、方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの突起を形成するステップには、溶接プロセスを利用して、前記少なくとも１つの突起を画定することが含まれる、請求項１４に記載の方法。