【手続補正書】
【提出日】平成20年7月11日(2008.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの電極と、前記電極間に配されたエレクトロルミネセント材料とを有する発光電気化学セルであって、
前記エレクトロルミネセント材料は、少なくとも１つの金属原子を持つ帯電した金属錯体を有し、前記金属錯体が[Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｄｔｂ−ｂｐｙ）]＋（ＰＦ６−）及び［Ｏｓ（ｂｐｙ）２（ｄｐｐｅ）］２＋（ＰＦ６−）２とは異なるという条件で、前記金属原子は、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｒｅ及びＺｎよりなる群から選択された当該発光電気化学セル。
【請求項２】
少なくとも１０００Ｃｄ／ｍ２の輝度範囲にわたって少なくとも１％の外部量子効率を示し、前記範囲の下限が少なくとも４００Ｃｄ／ｍ２である請求項１記載の発光電気化学セル。
【請求項３】
前記帯電した金属錯体は、以下の式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物
【化１】
2008510293.tif 000001
（但し、Ｒ１は、Ｈ、Ｆ、ＣＦ３、枝分れした若しくは枝分れしていないアルキル、アルキルエーテル、置換されていない若しくは置換されたフェニル、フルオレン、スピロフルオレン、スルホン酸塩又は４−スルホナト−フェニルを別個に表している。）よりなる群から選択された少なくとも１つのキレート部分を有する請求項１又は２記載の発光電気化学セル。
【請求項４】
前記金属原子がＩｒである請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光電気化学セル。
【請求項５】
前記帯電した金属錯体が、以下の式ＩＶ、Ｖ及びＶＩの化合物
【化２】
2008510293.tif 000002
【化３】
2008510293.tif 000003
【化４】
2008510293.tif 000004
（但し、Ｒ２は、Ｈ、Ｆ、ＣＦ３、枝分れした若しくは枝分れしていないアルキル、アルキルエーテル、置換されていない若しくは置換されたフェニル、フルオレン又はスピロフルオレンを別個に表している。Ｒ３は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、過塩素酸塩、臭素酸塩、硝酸塩、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロリン酸塩（ＰＦ６−）、ｎ−ブチラート、トリフルオロメタンスルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホンイミド、酢酸塩、トリフルオロ酢酸塩、テトラフェニルホウ酸塩、トルエンスルホン酸塩、ドデシルベンゼンスルホン酸塩、カンファースルホン酸塩、ピクリン酸塩、チオシアン酸塩、安息香酸塩又はその混合物よりなる群から選択されたアニオンを表している。Ｒ４は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、銀、銅、アンモニウム、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラデシルアンモニウム、トリベンジルアンモニウム、フェニルアンモニウム又はその混合物よりなる群から選択されたカチオンを表している。）よりなる群から選択された請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光電気化学セル。
【請求項６】
前記エレクトロルミネセント材料は、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリエーテル、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリシロキサン又はその混合物若しくは誘導体よりなる群から選択された物質を更に有する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光電気化学セル。
【請求項７】
前記電極は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｗ、Ｐｄ、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物、鉛酸化物、錫酸化物、グラファイト、不純物が添加されたケイ素、不純物が添加されたゲルマニウム、不純物が添加されたガリウムヒ素、不純物が添加されたポリアニリン、不純物が添加されたポリピロール、不純物が添加されたポリチオフェン並びにその誘導体及び混合物よりなる群から選択された材料を有する請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光電気化学セル。
【請求項８】
少なくとも２つの電極の間にエレクトロルミネセント材料を配することを有する発光電気化学セルの製造方法であって、
前記エレクトロルミネセント材料は、少なくとも１つの金属原子を持つ帯電した金属錯体を有し、前記金属錯体が[Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｄｔｂ−ｂｐｙ）]＋（ＰＦ６−）及び［Ｏｓ（ｂｐｙ）２（ｄｐｐｅ）］２＋（ＰＦ６−）２とは異なるという条件で、前記金属原子は、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｒｅ及びＺｎよりなる群から選択された当該発光電気化学セルの製造方法。
【請求項９】
前記発光電気化学セルは、少なくとも１０００Ｃｄ／ｍ２の輝度範囲にわたって少なくとも１％の外部量子効率を示し、前記範囲の下限が少なくとも４００Ｃｄ／ｍ２である請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記帯電した金属錯体は、以下の式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物
【化１】
2008510293.tif 000005
（但し、Ｒ１は、Ｈ、Ｆ、ＣＦ３、枝分れした若しくは枝分れしていないアルキル、アルキルエーテル、置換されていない若しくは置換されたフェニル、フルオレン、スピロフルオレン、スルホン酸塩又は４−スルホナト−フェニルを別個に表している。）よりなる群から選択された少なくとも１つのキレート部分を有する請求項８又は９記載の方法。
【請求項１１】
前記金属原子がＩｒである請求項８ないし１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記帯電した金属錯体が、以下の式ＩＶ、Ｖ及びＶＩの化合物
【化２】
2008510293.tif 000006
【化３】
2008510293.tif 000007
【化４】
2008510293.tif 000008
（但し、Ｒ２は、Ｈ、Ｆ、ＣＦ３、枝分れした若しくは枝分れしていないアルキル、アルキルエーテル、置換されていない若しくは置換されたフェニル、フルオレン又はスピロフルオレンを別個に表している。Ｒ３は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、過塩素酸塩、臭素酸塩、硝酸塩、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロリン酸塩（ＰＦ６−）、ｎ−ブチラート、トリフルオロメタンスルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホンイミド、酢酸塩、トリフルオロ酢酸塩、テトラフェニルホウ酸塩、トルエンスルホン酸塩、ドデシルベンゼンスルホン酸塩、カンファースルホン酸塩、ピクリン酸塩、チオシアン酸塩、安息香酸塩又はその混合物よりなる群から選択されたアニオンを表している。Ｒ４は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、銀、銅、アンモニウム、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラデシルアンモニウム、トリベンジルアンモニウム、フェニルアンモニウム又はその混合物よりなる群から選択されたカチオンを表している。）よりなる群から選択された請求項８ないし１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記エレクトロルミネセント材料は、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリエーテル、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリシロキサン又はその混合物若しくは誘導体よりなる群から選択された物質を更に有する請求項８ないし１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記電極は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｗ、Ｐｄ、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物、鉛酸化物、錫酸化物、グラファイト、不純物が添加されたケイ素、不純物が添加されたゲルマニウム、不純物が添加されたガリウムヒ素、不純物が添加されたポリアニリン、不純物が添加されたポリピロール、不純物が添加されたポリチオフェン並びにその誘導体及び混合物よりなる群から選択された材料を有する請求項８ないし１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
式
【化３】
2008510293.tif 000009
（但し、Ｒ２は、Ｈ、Ｆ、ＣＦ３、枝分れした若しくは枝分れしていないアルキル、アルキルエーテル、置換されていない若しくは置換されたフェニル、フルオレン又はスピロフルオレンを別個に表している。Ｒ３は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、過塩素酸塩、臭素酸塩、硝酸塩、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロリン酸塩（ＰＦ６−）、ｎ−ブチラート、トリフルオロメタンスルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホンイミド、酢酸塩、トリフルオロ酢酸塩、テトラフェニルホウ酸塩、トルエンスルホン酸塩、ドデシルベンゼンスルホン酸塩、カンファースルホン酸塩、ピクリン酸塩、チオシアン酸塩、安息香酸塩又はその混合物よりなる群から選択されたアニオンを表している。）を持つ物質。
【請求項１６】
式
【化４】
2008510293.tif 000010
（但し、Ｒ２は、Ｈ、Ｆ、ＣＦ３、枝分れした若しくは枝分れしていないアルキル、アルキルエーテル、置換されていない若しくは置換されたフェニル、フルオレン又はスピロフルオレンを別個に表している。Ｒ４は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、銀、銅、アンモニウム、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラデシルアンモニウム、トリベンジルアンモニウム、フェニルアンモニウム又はその混合物よりなる群から選択されたカチオンを表している。）を持つ物質。