【手続補正書】
【提出日】平成19年11月8日(2007.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１回だけデータを書き込むことが可能な複数のデータ記憶セルと、
１回だけデータを書き込むことが可能な選択用記憶セルを有し、その選択用記憶セルに書き込まれた内容に応じて、上記複数のデータ記憶セルのうちの何れかを選択して、選択されたデータ記憶セルに書き込まれた内容に応じてデータを出力する読み出し選択回路と、
１回だけデータを書き込むことが可能な選択用記憶セルを有し、上記選択用記憶セルに書き込まれた内容に応じて、上記複数のデータ記憶セルのうちの何れかを選択してデータを書き込む書き込み選択回路と、
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
請求項１の半導体記憶装置であって、
上記読み出し選択回路は、上記複数のデータ記憶セルから出力される信号のうちの何れかを選択して出力するように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項１の半導体記憶装置であって、
上記読み出し選択回路は、上記複数のデータ記憶セルのうちの何れかを選択して読み出し信号を与えるように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項１の半導体記憶装置であって、
上記読み出し選択回路と上記書き込み選択回路とが同一の上記選択用記憶セルを兼用するように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項４の半導体記憶装置であって、
上記兼用される読み出し選択回路および書き込み選択回路は、読み出しが行われるデータ記憶セルとは異なるデータ記憶セルを書き込み用に選択するように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項６】
請求項１の半導体記憶装置であって、
上記書き込み選択回路の選択用記憶セルは複数設けられ、上記書き込み選択回路は、上記選択用記憶セルに書き込まれた内容に応じて、書き込みの行われるデータ記憶セルと供に、書き込み選択回路の選択用記憶セルを選択するように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項７】
１回だけデータを書き込むことが可能な複数のデータ記憶セルと、
上記複数のデータ記憶セルのうちの何れかを選択してデータを書き込む書き込み選択回路と、
上記データ記憶セルの数に応じたパルスを含むパルス信号における上記パルスごとに、各データ記憶セルへの書き込みの有無に応じて出力信号を反転させるフリップフロップ回路を有し、上記複数のデータ記憶セルのうち、書き込みが行われたデータ記憶セルの数に応じたデータを出力する読み出し回路と、
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項８】
請求項７の半導体記憶装置であって、
上記書き込み選択回路は、上記読み出し回路から出力されるデータを異ならせる場合に、上記データ記憶セルに書き込まれている内容に基づいて、データの書き込まれるデータ記憶セルを選択するように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項９】
請求項７の半導体記憶装置であって、
上記書き込み選択回路は、所定の順序で隣り合うデータ記憶セルの１方がデータの書き込みがなされたデータ記憶セルであり、他方がデータの書き込みがなされていないデータ記憶セルである場合に、上記他方のデータ記憶セルを選択するように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１０】
請求項１および請求項７のうちの何れか１項の半導体記憶装置であって、
上記複数のデータ記憶セルを複数組備え、所定ビット長のデータを出力し得るように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１１】
請求項１０の半導体記憶装置であって、
上記所定ビット長分のデータ記憶セルをさらに複数ワード分備え、上記読み出し選択回路は、アドレス信号に応じたワードのデータを出力するように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１２】
各々１回だけデータを書き込むことが可能な複数のデータ記憶セルからなる複数のデータ記憶セル群と、
各々１回だけデータを書き込むことが可能な複数の選択用記憶セルと、
上記複数の選択用記憶セルの出力をデコードするデコード回路と、
を有し、上記デコード回路の出力に応じて、上記複数のデータ記憶セル群のうちの何れかのデータ記憶セル群を選択して、選択されたデータ記憶セル群に書き込まれた内容に応じてデータを出力する読み出し選択回路と、
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、半導体記憶装置であって、
１回だけデータを書き込むことが可能な複数のデータ記憶セルと、
１回だけデータを書き込むことが可能な選択用記憶セルを有し、その選択用記憶セルに書き込まれた内容に応じて、上記複数のデータ記憶セルのうちの何れかを選択して、選択されたデータ記憶セルに書き込まれた内容に応じてデータを出力する読み出し選択回路と、
１回だけデータを書き込むことが可能な選択用記憶セルを有し、上記選択用記憶セルに書き込まれた内容に応じて、上記複数のデータ記憶セルのうちの何れかを選択してデータを書き込む書き込み選択回路と、
を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、請求項２の発明は、
請求項１の半導体記憶装置であって、
上記読み出し選択回路は、上記複数のデータ記憶セルから出力される信号のうちの何れかを選択して出力するように構成されていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、請求項３の発明は、
請求項１の半導体記憶装置であって、
上記読み出し選択回路は、上記複数のデータ記憶セルのうちの何れかを選択して読み出し信号を与えるように構成されていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、請求項４の発明は、
請求項１の半導体記憶装置であって、
上記読み出し選択回路と上記書き込み選択回路とが同一の上記選択用記憶セルを兼用するように構成されていることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
これにより、選択用記憶セルへの書き込みを行うことによって、異なるデータ記憶セルが選択されるようになるので、読み出されるデータ、すなわち記憶内容を例えば所定の回数だけ書き換えることが容易にできる。しかも、データ記憶セルごとにＸＯＲ回路などを設ける場合に比べて、回路規模は小さく抑えられる。
また、選択用記憶セルへの書き込みを行うことによってデータの読み出されるデータ記憶セルが選択されるのと同様に、データを書き込むデータ記憶セルを選択することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、請求項５の発明は、
請求項４の半導体記憶装置であって、
上記兼用される読み出し選択回路および書き込み選択回路は、読み出しが行われるデータ記憶セルとは異なるデータ記憶セルを書き込み用に選択するように構成されていることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、請求項６の発明は、
請求項１の半導体記憶装置であって、
上記書き込み選択回路の選択用記憶セルは複数設けられ、上記書き込み選択回路は、上記選択用記憶セルに書き込まれた内容に応じて、書き込みの行われるデータ記憶セルと供に、書き込み選択回路の選択用記憶セルを選択するように構成されていることを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、請求項７の発明は、
１回だけデータを書き込むことが可能な複数のデータ記憶セルと、
上記複数のデータ記憶セルのうちの何れかを選択してデータを書き込む書き込み選択回路と、
上記データ記憶セルの数に応じたパルスを含むパルス信号における上記パルスごとに、各データ記憶セルへの書き込みの有無に応じて出力信号を反転させるフリップフロップ回路を有し、上記複数のデータ記憶セルのうち、書き込みが行われたデータ記憶セルの数に応じたデータを出力する読み出し回路と、
を備えたことを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、請求項８の発明は、半導体記憶装置であって、
請求項７の半導体記憶装置であって、
上記書き込み選択回路は、上記読み出し回路から出力されるデータを異ならせる場合に、上記データ記憶セルに書き込まれている内容に基づいて、データの書き込まれるデータ記憶セルを選択するように構成されていることを特徴とする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、請求項９の発明は、
請求項７の半導体記憶装置であって、
上記書き込み選択回路は、所定の順序で隣り合うデータ記憶セルの１方がデータの書き込みがなされたデータ記憶セルであり、他方がデータの書き込みがなされていないデータ記憶セルである場合に、上記他方のデータ記憶セルを選択するように構成されていることを特徴とする。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、請求項１０の発明は、
請求項１および請求項７のうちの何れか１項の半導体記憶装置であって、
上記複数のデータ記憶セルを複数組備え、所定ビット長のデータを出力し得るように構成されていることを特徴とする。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、請求項１１の発明は、
請求項１０の半導体記憶装置であって、
上記所定ビット長分のデータ記憶セルをさらに複数ワード分備え、上記読み出し選択回路は、アドレス信号に応じたワードのデータを出力するように構成されていることを特徴とする。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、請求項１２の発明は、
各々１回だけデータを書き込むことが可能な複数のデータ記憶セルからなる複数のデータ記憶セル群と、
各々１回だけデータを書き込むことが可能な複数の選択用記憶セルと、
上記複数の選択用記憶セルの出力をデコードするデコード回路と、
を有し、上記デコード回路の出力に応じて、上記複数のデータ記憶セル群のうちの何れかのデータ記憶セル群を選択して、選択されたデータ記憶セル群に書き込まれた内容に応じてデータを出力する読み出し選択回路と、
を備えたことを特徴とする。