Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月19日(2008.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カートンを成形し、充填密封するための成形充填密封包装機械にして、該機械は、カートンに直接栓体を成型するものとし、かつ該カートンは、内周縁部により画成される予形成の開口が設けられているものにして、該機械は、
ほぼ平らな形状のカートンを受け取り、成型してカートン内部領域を画成する管状形に形成するためのカートン形成ステーションと、
内部成型工具と外部成型工具セットとを含む直噴射出成型ステーションと、
を有し、
該内部成型工具は、前記カートン内部領域内に受け入れられ、外部成型工具セットはカートンの外側部分と重なり、前記外部工具セットは、閉止位置で互いの方向に向かい係合し、開放位置で互いから分離する第１と第２の工具部分を有し、内部成型工具と外部成型工具セットは、その間にカートンの一部を受け取り固定するようにし、カートンの一部を内部に配置する鋳空を画成し、カートン開口の内周縁部が該鋳空内に位置するようにし、該外部成型工具セットが閉止位置でその内部に外側部分から外方に延在して前記鋳空内に開放する開口を画成し、さらに直噴射出成型ステーションは、内部カートン領域の外側の、前記外部成型工具セット開口内に受け入れられたポリマー射出システムを含み、該射出システムは、前記鋳空にポリマーを射出するためのものであり、これにより栓体が直接カートン上の定位置に直接成型され、ポリマーにより該鋳空に配置されたカートン開口の内周縁部が被覆されるようにされ、
更に、
前記外部工具セットと係合可能で、栓体成型時外部工具セット部分の互いの係合を維持するクランプ組立体と、
カートンを充填する充填ステーションと、
カートンにシールを形成する密封ステーションと
を有する成形充填密封包装機械。
【請求項２】
前記内部工具は、前記外部工具セットへの方向に移動して前記外部工具セットに係合して鋳空を画成する請求項１に記載の成形充填密封包装機械。
【請求項３】
カートンを前記内部工具と前記外部工具セットとの間で正しく長手方向に位置決めし、前記カートン開口の内周縁部を前記鋳空内に正しく位置させるように配置された停止面を含む請求項１に記載の成形充填密封包装機械。
【請求項４】
前記内部あるいは外部工具の一方上に設けられ、該内部あるいは外部工具の他方と係合するようになった停止壁を含み、停止壁は、該内外工具を互いから分離して所定の正確な距離で間隔をあけるようになっている請求項１に記載の成形充填密封包装機械。
【請求項５】
カートンを成形し、充填し密封する成形充填密封包装機械に使用される直噴射出成型ステーションにして、該成形ステーションは、該カートンの所定の部分で該カートンの開口に栓体を成型するものであり、該栓体は、該開口を画成する内周縁部を被覆するものであり、さらに該成型ステーションは、
内部成型工具と外部成型工具セットとを有し、該内部工具は、前記カートン内部領域内に受け入れられ外部成型工具セットはカートンの外側部分と重なり、前記外部工具セットは、閉止位置で互いの方向に向かい係合し、開放位置で互いから分離する第１と第２の工具部分を有し、内部工具と外部工具セットは、その間にカートンの一部を受け取り固定するようにし、カートンの一部を内部に配置する鋳空を画成し、カートン開口の内周縁部が該鋳空内に位置するようにし、該外部工具セットが閉止位置でその内部に外側部分から外方に延在して前記鋳空内に開放する開口を画成し、さらに直噴射出成型ステーションは、該外部工具セット開口内に受け入れられるポリマー射出システムを含み、該射出システムは、前記鋳空にポリマーを射出するためのものであり、これにより栓体が直接カートン上の定位置に直接成型され、ポリマーにより該鋳空に配置されたカートン開口の内周縁部が被覆されるようにされ、
さらに、前記外部工具セットと係合可能で、栓体成型時外部工具セット部分の互いの係合を維持するクランプ組立体を含む、
直噴射出成型ステーション。
【請求項６】
前記内部工具は、前記外部工具セットへの方向に移動して前記外部工具セットに係合して鋳空を画成する請求項５に記載の射出成型ステーション。
【請求項７】
カートンを前記内部工具と前記外部工具セットとの間で正しく長手方向に位置決めし、前記カートン開口の内周縁部を前記鋳空内に正しく位置させるように配置された停止面を含む請求項５に記載の射出成型ステーション。
【請求項８】
前記内部あるいは外部工具の一方上に設けられ、該内部あるいは外部工具の他方と係合するようになった停止壁を含み、停止壁は、該内外工具を互いから分離して所定の正確な距離で間隔をあけるようになっている請求項５に記載の射出成型ステーション。
【請求項９】
包装材料に栓体を直接成型するための成型セットにして、該包装材料は内部領域を画成するために開放可能であり、該成型セットは、該成型セットにポリマーを提供するポリマー射出システムに流動連通しており、かつ成型ステーション内に配置されているものであり、
該成形セットは内部成型工具と外部成型工具セットとを有し、該外部工具セットは、前記外部工具セットは、閉止位置で互いの方向に向かい係合し、開放位置で互いから分離する第１と第２の工具部分を有し、該内部工具は、前記カートン内部領域内に受け入れられるようにされ、内部工具と外部工具セットは、その間にカートンの一部を受け取り固定するようにされるとともにカートンの一部を内部に配置する鋳空を画成し、カートン開口の内周縁部が該鋳空内に位置し、外部工具セットが閉止位置でその内部に外側部分から外方に延在して前記鋳空内に開放する開口であってポリマーを前記外部工具セットを通して前記鋳空へ射出するためのポリマー射出システムの一部分を受け入れるための開口を形成し、これにより栓体が直接カートン上の所定部分に直接成型され、ポリマーにより該鋳空に配置されたカートン開口の内周縁部が被覆されるようにされる直噴射出成型ステーション。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月25日(2008.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
視覚的場面内の対象物を識別する方法であって、次のものを含む方法：
ａ．画像から少なくとも対象物の輪郭を抽出し、
ｂ．前記輪郭の中心を決定し、
ｃ．前記中心を通り前記中心に相対的に複数の角度位置における前記中心から前記輪郭までの複数の距離を含む一つの測定ベクトルを決定し、
ｄ．前記測定ベクトルを、少なくとも一つの参照対象物のタイプを表す、記憶してある少なくとも一つのベクトルと比較し、
ｅ．前記測定ベクトルを前記少なくとも一つの記憶してあるベクトルと比較する操作に応答して、前記対象物が前記参照対象物に一致するかどうかを決定する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月22日(2008.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保存バッグであって、
少なくとも上部、下部及び側部を有し、側部及び下部の少なくとも一部が閉じられて保存空間を有する保存バッグを画定する少なくとも１つのポリマーシートと、
一対の対向した相互係合する形状の部材を含み、ポリマーシートの上部に沿って配備される閉じ部であって、前記部材は係合と係合解除を繰り返して行なうことができるようにしてなる閉じ部と、
閉じ部の少なくとも主要部分に沿って配備されたグリース組成物であって、グリース組成物は、対向して相互係合する形状の部材のうちの少なくとも１つの部材に少なくとも近接する位置に配置され、対向して相互係合する形状の部材が係合しているとき及び対向して相互に係合する形状の部材の係合が解除され再び係合しているとき、選択的に可逆性の気体透過抵抗性閉じ部を形成するようにしてなるグリース組成物と、
保存バッグの第１パネルの一部分と一体であり、略平らな外側面を有し、保存バッグの第１パネルの外側部又は内側部の少なくともどちらかに連結された真空バルブアッセンブリであって、保存空間から流体を取り出すための真空ポンプを収容できるように構成された真空バルブアッセンブリと、
保存バッグの内部に配置され、保存バッグの第１パネルの少なくとも一部分に連結された膜状片であって、第１の面に一連のチャンネルを有し、該チャンネルは、バルブアッセンブリに対向し、保存バッグから流体を取り除くための連通路として供される膜状片と、
を具えている保存バッグ。
【請求項２】
グリース組成物は、閉じ部の少なくとも一部に沿って連続ビードとして配置される請求項１の保存バッグ。
【請求項３】
グリース組成物は、対向して相互に係合する形状の部材の少なくとも１つに配置される請求項１の保存バッグ。
【請求項４】
グリース組成物は、食品の保存及びパッケージングに適した温度範囲で化学的安定性を維持する請求項１の保存バッグ。
【請求項５】
グリース組成物は、混和ちょう度の値が２９０〜３４０である請求項４の保存バッグ。
【請求項６】
隔離構造体の周囲の一部分だけが保存バッグの第１パネルに結合されている請求項１の保存バッグ。
【請求項７】
膜状片の第１の面と真空バルブアッセンブリとの距離は、０.００３インチ〜０.２５インチである請求項１の保存バッグ。
【請求項８】
一対の対向した相互係合する形状の部材は、第１の対の対向した相互係合する形状の部材であり、閉じ部は、第２の対の対向した相互係合する形状の部材を含んでおり、第１の対の対向した相互係合する形状の部材は開口の長さを延ばし、第２の対の対向した相互係合する形状の部材は、開口の長さを延ばし、第１の対の対向した相互係合する形状の部材とほぼ平行である請求項１の保存バッグ。
【請求項９】
グリース組成物は、第１の対の対向した相互係合する形状の部材と、第２の対の対向した相互係合する形状の部材との間の空間に配置される請求項８の保存バッグ。
【請求項１０】
グリース組成物は、シリコーンを含んでいる請求項１の保存バッグ。
【請求項１１】
グリース組成物は、液体シリコーンを含んでいる請求項１の保存バッグ。
【請求項１２】
グリース組成物は、エチレンビニルアセテートを含んでいる請求項１の保存バッグ。
【請求項１３】
保存バッグであって、
少なくとも上部、下部及び側部を有し、側部及び下部の少なくとも一部が閉じられて保存空間を有する保存バッグを画定する少なくとも１つのポリマーシートと、
一対の対向した相互係合する形状の部材を含み、ポリマーシートの上部に沿って配備される閉じ部であって、前記部材は係合と係合解除を繰り返して行なうことができるようにしてなる閉じ部と、
閉じ部の少なくとも主要部分に沿って配備されたグリース組成物であって、グリース組成物は、対向して相互係合する形状の部材のうちの少なくとも１つの部材に少なくとも近接する位置に配置され、対向して相互係合する形状の部材が係合しているとき及び対向して相互に係合する形状の部材の係合が解除され再び係合しているとき、選択的に可逆性の気体透過抵抗性閉じ部を形成するようにしてなるグリース組成物と、
保存バッグの第１パネルの一部分と一体であり、略平らな外側面を有し、保存バッグの第１パネルの外側部又は内側部の少なくともどちらかに連結された真空バルブアッセンブリであって、保存空間から流体を取り出すための真空ポンプを収容できるように構成された真空バルブアッセンブリと、
エンボスが形成されたポリマーシートであって、該シートの第１の面の少なくとも一部分に一連のチャンネルを有し、該チャンネルは、真空バルブアッセンブリに対向し、保存バッグから流体を取り除くための連通路として供されるポリマーシートと、
を具えている保存バッグ。
【請求項１４】
グリース組成物は、閉じ部の少なくとも一部に沿って連続ビードとして配置される請求項１３の保存バッグ。
【請求項１５】
グリース組成物は、対向して相互に係合する形状の部材の少なくとも１つに配置される請求項１３の保存バッグ。
【請求項１６】
グリース組成物は、食品の保存及びパッケージングに適した温度範囲で化学的安定性を維持する請求項１３の保存バッグ。
【請求項１７】
グリース組成物は、混和ちょう度の値が２９０〜３４０である請求項１６の保存バッグ。
【請求項１８】
隔離構造体の周囲の一部分だけが保存バッグの第１パネルに結合されている請求項１３の保存バッグ。
【請求項１９】
膜状片の第１の面と真空バルブアッセンブリとの距離は、０.００３インチ〜０.２５インチである請求項１３の保存バッグ。
【請求項２０】
一対の対向した相互係合する形状の部材は、第１の対の対向した相互係合する形状の部材であり、閉じ部は、第２の対の対向した相互係合する形状の部材を含んでおり、第１の対の対向した相互係合する形状の部材は開口の長さを延ばし、第２の対の対向した相互係合する形状の部材は、開口の長さを延ばし、第１の対の対向した相互係合する形状の部材とほぼ平行である請求項１３の保存バッグ。
【請求項２１】
グリース組成物は、第１の対の対向した相互係合する形状の部材と、第２の対の対向した相互係合する形状の部材との間の空間に配置される請求項２０の保存バッグ。
【請求項２２】
グリース組成物は、シリコーンを含んでいる請求項１３の保存バッグ。
【請求項２３】
グリース組成物は、液体シリコーンを含んでいる請求項１３の保存バッグ。
【請求項２４】
グリース組成物は、エチレンビニルアセテートを含んでいる請求項１３の保存バッグ。
【請求項２５】
エンボスが形成されたポリマーシートは、保存バッグの側部の１つに結合されている請求項１３の保存バッグ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月8日(2008.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンテナ（２）内に収容された物質を処理するための設備（３）の区画内にコンテナ（２）を装入し、前記区画内からコンテナを取り出すための装置（１）であって、
支持構造（１７）と、
前記コンテナ（２）を前記装置（１）に位置決めするための手段（４、５、６）と、
固定されたプラットホーム（７）と、
装入プロセス中に前記コンテナを移動させるための第１手段（８）と、
取り出しプロセス中に前記コンテナを移動させるための第２手段（１４）と、
前記第２手段（１４）を前記区画の内に移動させる場合（例えば、取り出し前）、及び、前記第２手段（１４）を前記区画の外に移動させる場合（例えば、装入後）に、前記第２手段（１４）を前記コンテナ（２）よりも上方の位置まで移動させるための第３手段（１６、１９、２１）と、を備え、
前記第２手段（１４）は、装入中にストッパとして作用し、取り出し中にプッシャとして作用し、
前記固定プラットホーム（７）に延出可能なプラットホーム（１０）が取り付けられ、装入中および取り出し中に、前記固定プラットホーム（７）と前記区画の内部のシェルフ（１１）とを連結し、
前記延出可能なプラットホーム（１０）は、前記支持構造（１７）から広がり出るようになっており、
前記第３手段は、前記支持構造（１７）から前記区画の前記内部まで繰り出される部品（１６ａ、１６ｂ）を含む
ことを特徴とするコンテナを装入し取り出すための装置（１）。
【請求項２】
前記第２手段は、前記コンテナ（２）の移動方向を横切る方向に取り付けられたバー（１４）等と、縦方向に移動することができ前記バー（１４）等の両端に取り付けられた一対のキャリッジ（１３）と、を含む
ことを特徴とする請求項１に記載のコンテナを装入し取り出すための装置（１）。
【請求項３】
前記第３手段は、前記部品のうちの少なくとも二つの部品（１６ａ）であって前記キャリッジ（１３）を駆動する部品（１６ａ）と、前記キャリッジ（１３）の各々と上述のバー（１４）等との間に取り付けられた回転アーム（２１）と、前記部品のうちの少なくとも他の二つの部品（１６ｂ）であって前記アーム（２１）の各々を駆動する部品（１６ｂ）と、を含み、
前記二つの第２の部品（１６ｂ）が前記キャリッジ（１３）の方向に押された場合に、前記バー（１４）等が前記コンテナ（２）よりも上方の位置へ移動するようになされた
ことを特徴とする請求項２に記載のコンテナを装入し取り出すための装置（１）。
【請求項４】
前記キャリッジ（１３）を駆動する前記部品は、一端が前記キャリッジ（１３）に取り付けられ且つ他端が前記装置（１）の前記支持構造（１７）に取り付けられている少なくとも一つのバンド（１６ａ）等それぞれ含む
ことを特徴とする請求項３に記載のコンテナを装入し取り出すための装置（１）。
【請求項５】
前記アーム（２１）の各々を駆動する前記部品（１６ｂ）は、一端が前記装置（１）の前記支持構造（１７）に取り付けられている少なくとも一つのバンド等と、一端が前記キャリッジ（１３）に関節連結され且つ他端が前記部品（１６ｂ）の前記少なくとも一つのバンド等に連結されているレバー（１９）と、前記部品（１６ｂ）の前記少なくとも一つのバンド等と前記レバー（１９）との間に設けられた取り付け部品（２０）と、をそれぞれ含む
ことを特徴とする請求項３に記載のコンテナを装入し取り出すための装置（１）。
【請求項６】
前記バンド（１６ａ、１６ｂ）等は半円形セクタの形状で湾曲している
ことを特徴とする請求項４または５に記載のコンテナを装入し取り出すための装置（１）。
【請求項７】
前記バー（１４）等は、前記プラットホーム（７、１０）および上述の区画の内部のシェルフ（１１）上での移動を容易にする一対のホイール（１８）を含む
ことを特徴とする請求項２に記載のコンテナを装入し取り出すための装置（１）。
【請求項８】
前記コンテナ（２）を位置決めするための前記手段は、水平なコンベアベルト（４）と、前記コンテナ（２）を割り送りするための手段（５）と、装入プロセス中および取り出しプロセス中に前記コンテナ（２）を案内するための固定ガイド（６）と、を含む
ことを特徴とする請求項１に記載のコンテナを装入し取り出すための装置（１）。
【請求項９】
前記装入プロセス中に前記コンテナ（２）を移動させるための前記第１手段は、少なくとも一つの伸縮可能なリニアアクチュエータ（９）を含み、
前記アクチュエータはその自由端がバー（８）等と一体化され、
前記バー（８）は、装入中にプッシャとして作用し、取り出し中にストッパとして作用する
ことを特徴とする請求項１に記載のコンテナを装入し取り出すための装置（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月9日(2008.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カートンを形成し、充填し且つシールするための形成、充填及びシール包装機械に使用するためのカートン・ブランクであって、前記機械は密閉栓を前記カートンの上に直接成型するように構成され、前記機械は第１及び第２の工具要素を有する工具セットを含み、前記第１の工具要素が、そこから前記カートンを装着する方向に対して横方向に前記第１の工具要素と第２の工具要素との間を延びる位置合わせ部材を有し、前記位置合わせ部材が分岐する表面を有する所定の形状を有し、前記カートン・ブランクが、
各パネルが垂直の切り込み線によってその隣接するパネルから分離される、後面壁パネル、第１の側面壁パネル、前面壁パネル及び第２の側面壁パネルと、
前記前面壁パネルに隣接する密閉パネルであって、第１の水平切り込み線によって前記前面壁パネルから区切られ、前記前面壁パネルと反対側の側面から延びる密閉パネル・フィン・パネルを有し、前記密閉パネル・フィン・パネルが前記フィン・パネルの縁部まで測定されるある高さを有し、密閉パネルがその上に成型される密閉栓を有するように構成される密閉パネルと、
前記第１の側面壁パネルに隣接し前記密閉パネルにも隣接する第１の上側パネルであって、ある高さを有する第１の上側パネル・フィン・パネルを有する上側パネルとを備え、
前記密閉パネル・フィン・パネルが、そこに形成される少なくとも１つの切欠部を有し、前記切欠部は、前記第１の工具要素位置合わせ部材と相補的な収束する縁部及び形状を有し、且つ前記カートンを前記第１の工具と横方向に位置合わせするために前記第１の工具要素位置合わせ部材と対合するように構成される、カートン・ブランク。
【請求項２】
前記フィン・パネルが、そこに形成される複数の切欠部を有し、前記切欠部のうちの少なくとも１つが前記外部工具の位置合わせ部材と対合するように構成される、請求項１に記載のカートン・ブランク。
【請求項３】
前記切欠部が、対向し収束する縁部及び前記フィン・パネルの前記縁部の内側に基部部分を有する、請求項１に記載のカートン・ブランク。
【請求項４】
前記縁部及び基部部分がＶ字形を画成する、請求項３に記載のカートン・ブランク。
【請求項５】
前記側面が直線であり、前記基部部分が直線で、前記側面の間を延び、前記基部部分が前記フィン・パネルの縁部に対し平行である、請求項３に記載のカートン・ブランク。
【請求項６】
カートンを形成し、充填し且つシールするための形成、充填及びシール包装機械に使用するためのカートン・ブランクであって、前記機械は密閉栓を前記カートンの上に直接成型するように構成され、前記機械は第１及び第２の工具要素を有する工具セットを含み、前記第１の工具要素がそこから前記カートンを装着する方向に対して横方向に前記第１の工具要素と第２の工具要素との間を延びる位置合わせ部材を有し、前記位置合わせ部材が分岐する表面を有する所定の形状を有し、前記カートン・ブランクが、
各パネルが垂直の切り込み線によってその隣接するパネルから分離される、後面壁パネル、第１の側面壁パネル、前面壁パネル及び第２の側面壁パネルと、
前記前面壁パネルに隣接する密閉パネルであって、第１の水平切り込み線によって前記前面壁パネルから区切られ、前記前面壁パネルと反対側の側面から延びる密閉パネル・フィン・パネルを有し、前記密閉パネル・フィン・パネルが前記フィン・パネルの縁部まで測定される或る高さを有し、密閉パネルがその上に成型される密閉栓を有するように構成される密閉パネルと、
前記第１の側面壁パネルに隣接し前記密閉パネルにも隣接する第１の上側パネルであって、ある高さを有する第１の上側パネル・フィン・パネルを有する上側パネルと、
前記密閉フィン・パネルに配置される、前記カートンを前記第１の工具と横方向に位置合わせする手段とを備える、カートン・ブランク。
【請求項７】
前記カートンを前記第１の工具と長手方向に位置合わせする手段を含む、請求項６に記載のカートン・ブランク。
【請求項８】
前記手段が外方へ延びるタブである、請求項６に記載のカートン・ブランク。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月25日(2008.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
宇宙船（２０２）内の複数の制御モーメント・ジャイロスコープ（ＣＭＧ）（１０６）からなるアレイにおけるＣＭＧ（１０６）の移動での特異性を回避する方法であって、
前記宇宙船に対する姿勢調節を行うための所望のトルクを表すトルク・コマンドを受信するステップ（２０２）と、
前記受信したトルク・コマンドに基づいて、前記所望のトルクを生成するために、範囲空間ジンバル・レートを計算するステップ（２０４）と、
特異性の回避において補助する零空間ジンバル・レートを計算するステップ（２０６）と、
前記範囲空間ジンバル・レート及び前記零空間ジンバル・レートを加算することによって、総ジンバル・レート・コマンドを計算するステップ（２１２）と、
総ジンバル・レートを生成するために、前記総ジンバル・レート・コマンドを前記ＣＭＧに供給するステップと
を備えていることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、零空間ジンバル・レートを計算する前記ステップは、ヤコビ行列と該ヤコビ行列の転置との積の行列式の投影、又は、ヤコビ行列と該ヤコビ行列の転置との積の固有値の投影のいずれかに基づいて、零空間ジンバル・レートを計算するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
複数の制御モーメント・ジャイロスコープ（ＣＭＧ）からなるアレイ（１０６）においてＣＭＧ（１０６）を移動させるコマンドを生成するためのモーメント制御システム（１００）であって、
所望の操作を表すデータを受信し、それに応答して、該所望の操作を実現するためのトルク・コマンドを決定する（２０２）よう構成されている姿勢制御システム（１０２）と、
前記姿勢制御システム（１０２）からのトルク・コマンドを受信し、それに応答して、
範囲空間ジンバル・レート（２０８）と零空間ジンバル・レート（２１０）とを有するジンバル・レート・コマンド（２１２）を計算するよう構成されたモーメント・アクチュエータ制御プロセッサ（１０４）と
を備え、
前記零空間ジンバル・レートは、前記制御モーメント・ジャイロスコープによって生成されるベクトル空間の零空間への、性能勾配の投影に基づいて計算される
ことを特徴とするモーメント制御システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
次に、ステップ２１２において、範囲空間ジンバル・レート及び零空間ジンバル・レートの和として、ｎ×１ジンバル・レート総コマンドωを決定することができる。
ω＝ωγ＋ωｎ                            （１６）
これは、ＣＭＧアレイにおける各ＣＭＧに対して指令したジンバル・レートである。
第２実施形態では、零空間誘導は、（ＡＡＴ）の固有値の加重和を最大にする。ｎ×ｎ行列Ｄでは、スカラλは、Ｄｘ＝λｘとなるような非零ベクトルｘがあれば、Ｄの固有値となる。固有値は、最初にＤｘ＝λｘを［Ｄ−λ０Ｉ］＝０と書き直すことによって求めることができる。この式は、ｄｅｔ（Ｄ−λ０Ｉ）＝０の場合にのみ、非自明解を有する。また、
【数６】
2008507446.tif 000001
であることも知られている。即ち、固有値の積は、行列の行列式と等しい。したがって、間接的には、この実施形態も、行列式を最適化しようとする方法で、ＣＭＧを誘導する。この実施形態における相違は、固有値の各々を個々に扱えることであり、用途によっては多様性を高めて提供することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ステップ３０８において、固有値の加重和を、最大にすべき費用関数Ｊとして形成することができる。
Ｊ＝αλ１＋βλ２＋γλ３                （１７）
式（１７）において、係数α、β、及びγは、重み係数であり、望ましければ、特定の固有値を強調するために変化させることができる。あるいは、これらの係数に等しい重みを与えることもできる。
ステップ３１０において、費用関数のジンバル角度に関する導関数を、連鎖法則を用いて、計算することができる。
∂Ｊ／∂δ１＝∂Ｊ／∂ν１・∂ν１／∂δ１            （１８）
ここで、以前と同様、
【数７】
2008507446.tif 000002
である。更に、この実施形態では、
∂Ｊ／∂νｉ＝∂Ｊ／∂λｉ・∂λｉ／∂νｉ            （２０）
となる。
∂ｖｉ／∂δｉ及び∂Ｊ／∂ｖｉの双方は、既に決定している固有値から分析的に計算することができる。∂Ｊ／∂δｉを計算した後、ステップ３１２において、範囲空間ジンバル・レートを以前のように計算することができる。
ωｉ＝ＡＴ（ＡＡＴ）−１τ                            （２１）
次いで、ステップ３１４において、零空間ジンバル・レートを計算することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月29日(2008.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質セラミックの少なくとも一部の上に、Ｓｉ、Ａｌ又はそれらの組合せを有するアルカリ含有酸化物ガラスを有する非晶質触媒相を有する多孔質セラミックを含んでなる煤用触媒フィルター。
【請求項２】
アルカリ含有ガラスがＮａ、Ｋ、Ｃｓ又はそれらの組合せであるアルカリを有する請求項１に記載の煤用触媒フィルター。
【請求項３】
アルカリがＣｓ、Ｋ又はそれらの組合せである請求項２に記載の煤用触媒フィルター。
【請求項４】
アルカリがＫである請求項３に記載の煤用触媒フィルター。
【請求項５】
アルカリ含有酸化物ガラスが珪酸塩である請求項１に記載の煤用触媒フィルター。
【請求項６】
多孔質セラミックが、多孔質セラミック及び非晶質触媒相の、少なくとも０．１重量％〜多くとも７重量％であるアルカリの量を有する請求項１に記載の煤用触媒フィルター。
【請求項７】
アルカリの量が少なくとも０．２重量％である請求項６に記載の煤用触媒フィルター。
【請求項８】
アルカリの量が少なくとも０．３重量％である請求項７に記載の煤用触媒フィルター。
【請求項９】
アルカリの量が多くとも５重量％である請求項６に記載の煤用触媒フィルター。
【請求項１０】
アルカリの量が多くとも３重量％である請求項９に記載の煤用触媒フィルター。
【請求項１１】
多孔質セラミックがムライト、コーディエライト、炭化珪素又はそれらの組合せである請求項１に記載の煤用触媒フィルター。
【請求項１２】
多孔質セラミックがコーディエライト又はムライトである請求項１１に記載の煤用触媒フィルター。
【請求項１３】
多孔質セラミックがムライトである請求項１２に記載の煤用触媒フィルター。
【請求項１４】
多孔質セラミックが針状ムライトである請求項１３に記載の煤用触媒フィルター。
【請求項１５】
多孔質セラミック体を、珪酸塩、アルミン酸塩、アルミノ珪酸塩又はそれらの組合せであるアルカリ含有化合物に曝して、前記多孔質セラミックの少なくとも一部がアルカリ含有化合物に接触するようにし、接触された多孔質セラミックを、Ｓｉ、Ａｌ又はそれらの組合せを含むアルカリ含有酸化物ガラスがそれに融合するのに十分な温度で加熱することを含んでなる煤用触媒フィルターの形成方法。
【請求項１６】
アルカリ含有化合物がＫ、Ｎａ、Ｃｓ又はそれらの組合せであるアルカリを有する請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
アルカリがＣｓ、Ｋ又はそれらの組合せである請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
アルカリがＫである請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
アルカリ含有化合物が珪酸塩である請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
アルカリ含有化合物が直径で５００ｎｍより小さい数平均粒子径を有するコロイドである請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
アルカリ含有化合物がコロイド状アルカリ珪酸塩である請求項１５に記載の方法。
【請求項２２】
コロイド状アルカリ珪酸塩がＫ、Ｃｓ又はそれらの組合せであるアルカリを有する請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
アルカリがＫである請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
アルカリ含有化合物がクレーである請求項１５に記載の方法。
【請求項２５】
多孔質セラミック体が多孔質セラミックのセラミック表面の少なくとも一部上に酸化物相を有するものであって、その表面相が、本質的にアルカリを含まないＳｉ、Ａｌ又はそれらの組合せで構成されている請求項１５に記載の方法。
【請求項２６】
多孔質セラミックがコーディエライト、ムライト、炭化珪素又はそれらの組合せである請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
多孔質セラミックがムライト又はコーディエライト又はそれらの組合せである請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
多孔質セラミックがムライトである請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
ムライトが針状ムライトである請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
アルカリがＣｓである請求項３に記載の煤用触媒フィルター。
【請求項３１】
アルカリがＣｓである請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月24日(2008.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
傾斜機能部材の製造方法であって、
モールド内に溶融状態の第１材料を導入する工程と、
第１材料の層をモールド壁面に接触して少なくとも部分的に凝固させる工程と、
第１材料の残存する溶融部分を除去する工程と、
モールド内に溶融状態の第２材料を導入する工程と、
を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
少なくとも除去する工程を、還元ガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
第１材料の層が酸化されるのを実質的に防止するように、第２材料を導入する工程において、第１材料の除去後、十分に短い間隔で第２材料をモールドに導入することを含む請求１項または２に記載の製造方法。
【請求項４】
モールド壁面の１以上の箇所において第１材料の層が所望の厚さとなるように、第１材料を導入する前に該１以上の箇所の温度を異ならせる付加的な工程を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】
第１材料を導入する工程において、第１材料を加圧下でモールドに導入することを含む請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
第２材料を導入する工程において、第２材料を加圧下でモールドに導入することを含む請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項７】
第１材料を導入する前に、モールドの少なくとも一部分を余熱する付加的な工程を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項８】
第２材料が実質的に凝固するまで、第２材料をモールド内にて加圧下で保持する付加的な工程を含むことを特徴とする請求項６または７に記載の製造方法。
【請求項９】
第２材料の層を第１材料の上で少なくとも部分的に凝固させる付加的な工程と、
第２材料の残存する溶融部分を除去する付加的な工程と、
モールド内に溶融状態の第３材料を導入する付加的な工程と、
を含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の製造方法により製造された傾斜機能部材。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月22日(2008.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステープルマガジンからステープルを分配するストライキングプレートと、
該ストライキングプレートを駆動するために該ストライキングプレートと係合する板ばねと、
該板ばねを第１の位置から第２の位置へ持ち上げることにより、該板ばねが前記ストライキングプレートを初期位置から解除位置へ持ち上げるアクチュエータと
を備え、
前記板ばねは、前記アクチュエータによって持ち上げられているときに、前記アクチュエータから解除されて前記ストライキングプレートを前記解除位置から前記初期位置に向けて駆動する前記第２の位置に持ち上げられるまで、前記アクチュエータ上を摺動するようになっており、
前記ステープルマガジンは、前記アクチュエータが前記板ばねをある方向に曲げさせるために形成された要素を備えるホッチキス。
【請求項２】
前記アクチュエータは、該アクチュエータに力が加わると上方に移動することにより、前記板ばねを持ち上げるようになっている第１端部を備え、
前記要素は、少なくとも１つのランプを備える、請求項１に記載のホッチキス。
【請求項３】
前記第１端部は、前記アクチュエータに前記力が加わると前記板ばねを持ち上げるようになっている持ち上げ部を備える、請求項２に記載のホッチキス。
【請求項４】
前記第１端部は、前記アクチュエータに前記力が加わると前記ランプ上を移動するようになっている前方部分をさらに備える、請求項３に記載のホッチキス。
【請求項５】
前記アクチュエータの前記持ち上げ部は、前記アクチュエータに前記力が加わると、前記板ばねに設けられたタブを押し上げて、前記板ばねを持ち上げるようになっている、請求項４に記載のホッチキス。
【請求項６】
前記板ばねが前記第２の位置へ持ち上げられると、前記板ばねを前記アクチュエータから解除するために、前記タブが前記持ち上げ部から離脱するように、前記タブ及び前記持ち上げ部が構成される、請求項５に記載のホッチキス。
【請求項７】
前記タブは、前記前方部分が前記ランプ上を移動すると、前記持ち上げ部の上面上を摺動するようになっている、請求項６に記載のホッチキス。
【請求項８】
前記前方部分が前記ランプ上を移動すると、前記持ち上げ部が上方に移動すると共に前記タブが前記持ち上げ部の前記上面上を後方に摺動するように、前記タブ及び前記持ち上げ部が構成される、請求項７に記載のホッチキス。
【請求項９】
前記持ち上げ部は、前記アクチュエータから横方向に突出するラグであり、
前記板ばねの前記タブは、該タブが前記ラグの縁まで摺動した後で、前記ラグから離脱するようになっている、請求項８に記載のホッチキス。
【請求項１０】
前記アクチュエータは、前記加えられた力が除去されると前記アクチュエータを初期位置へ戻すバイアス機構に協同的に結合されている、請求項２に記載のホッチキス。
【請求項１１】
前記バイアス機構は、前記板ばねの一部である、請求項１０に記載のホッチキス。
【請求項１２】
前記アクチュエータは第２端部をさらに備え、
前記力は前記第２端部に加えられる、請求項１１に記載のホッチキス。
【請求項１３】
前記力は、前記ステープルマガジンに旋回可能に接続された前記ホッチキスのカバーを押すことによって、前記アクチュエータに加えられる、請求項１２に記載のホッチキス。
【請求項１４】
前記板ばねは、開口を通って前記アクチュエータ内を延びる、請求項１３に記載のホッチキス。
【請求項１５】
ステープルマガジンからステープルを分配するストライキングプレートと、
該ストライキングプレートを駆動するために該ストライキングプレートと係合する板ばねと、
該板ばねを第１の位置から第２の位置へ持ち上げることにより、該板ばねが前記ストライキングプレートを初期位置から解除位置へ持ち上げるアクチュエータと
を備え、
前記アクチュエータは、該アクチュエータに加えられた力に応答して、前記ステープルマガジンに配置されたランプに関して前進するように動作可能であり、
前記板ばねの少なくとも一部は、付勢すると共に、前記ランプに沿った前記アクチュエータの前記前進と並行して前記アクチュエータに関して移動するように動作可能であることにより、前記板ばねを前記第２の位置へ持ち上げるホッチキス。
【請求項１６】
前記板ばねの前記一部は、前記第２の位置に達するために、前記アクチュエータの前進する方向に対して垂直に移動するように動作可能である、請求項１５に記載のホッチキス。
【請求項１７】
少なくとも１つのラグが前記アクチュエータに配置され、
少なくとも１つのタブが前記板ばねに配置され、
前記アクチュエータが前記ランプに関して前進する際、前記少なくとも１つのタブは、付勢すると共に、前記少なくとも１つのラグに沿って摺動するように動作可能である、請求項１５に記載のホッチキス。
【請求項１８】
前記少なくとも１つのタブは、前記板ばねが前記第２の位置において最も偏った位置に達するまで、前記アクチュエータの前記前進に応答して、前記少なくとも１つのラグに沿って摺動するように動作可能である、請求項１７に記載のホッチキス。
【請求項１９】
前記少なくとも１つのラグの後縁を超える前記少なくとも１つのタブの動きは、前記板ばねが前記アクチュエータから離脱することによって、前記板ばねを前記第１の位置に戻して前記ストライキングプレートを駆動するように動作可能である、請求項１８に記載のホッチキス。
【請求項２０】
ステープルマガジンからステープルを分配するストライキングプレートと、
該ストライキングプレートを駆動するために該ストライキングプレートに係合するスプリングと、
加えられた力に応答して前記ステープルマガジン内で前方に前進するように動作可能なアクチュエータであって、該アクチュエータが持ち上げられる間、前記スプリングが前記アクチュエータに沿って持ち上げられるように、前記スプリングに接触するアクチュエータと
を備えるホッチキス。
【請求項２１】
前記スプリングは板ばねである、請求項２０に記載のホッチキス。
【請求項２２】
前記板ばねは、前記アクチュエータの所定の持ち上げ部に接触する所定の持ち上げ部を有する、請求項２１に記載のホッチキス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月22日(2008.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構成部品を組み付ける方法であって、
台座を提供するステップと、
前記台座上に第一部材を配置するステップであって、前記第一部材が半導体ダイを備えるステップと、
前記第一部材上に第二部材を配置するステップと、
前記第一部材と前記第二部材との間に接着剤を提供するステップと、
前記第一部材を前記第二部材に嵌合させるため、第一プレートにより前記第一部材と前記第二部材とに圧力を加えるステップと、
第二プレートにより熱を加えて接着剤をリフローするステップであって、加熱が加圧と同時に行われるステップと
を備える方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記台座を提供するステップは、曲面台座を提供するステップからなる方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、
前記曲面台座を提供するステップは、
第一曲面台座を提供するステップと、
その曲面台座上に前記第一部材を配置するステップであって、前記第一部材が第一半導体ダイを備えるステップと、
前記第一部材上に第二部材を配置するステップと、
前記第一部材と前記第二部材との間に前記接着剤を提供するステップと、
前記第一プレートにより前記第一部材と前記第二部材とに圧力を加えて、前記第一部材を前記第二部材に嵌合させるステップと、
前記第二プレートにより熱を加えて前記接着剤をリフローし、評価用半導体構成部品を形成するステップであって、加熱が加圧と同時に行われるステップと、
前記評価用半導体構成部品のトポグラフィを測定するステップと、
前記評価用半導体構成部品のトポグラフィを所定のトポグラフィと比較するステップと、
第二曲面台座を選択するステップであって、前記第二曲面台座が前記第一曲面台座とは異なる湾曲を有しているステップと、
前記第二曲面台座を提供するステップと
を備える方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法において、
前記曲面台座上に前記第一部材を配置するステップは、更に、フランジを備えた前記第一部材を配置するステップを含み、
前記第一部材上に前記第二部材を配置するステップは、更に、絶縁体を備えた前記第二部材を配置するステップを含み、
前記接着剤を提供するステップは、更に、はんだからなる前記接着剤を提供するステップを含む方法。
【請求項５】
半導体構成部品を形成する方法であって、
キャビティを備えた加熱板を提供するステップと、
前記キャビティ内に曲面台座を配置するステップと、
前記曲面台座上に半導体ダイを備えたフランジを配置するステップと、
前記フランジ上にはんだを配置するステップと、
前記はんだ上に窓枠を配置するステップと、
整列ヘッダを下降させて前記窓枠及び前記フランジに接触させるステップであって、前記整列ヘッダが前記窓枠への前記フランジの整列を確保する整列部を備えるステップと、
前記整列ヘッダにより第一窓枠と前記フランジとに圧力を加えるステップと、
前記加熱板により熱を加えてはんだをリフローすることにより、前記フランジ、前記はんだ及び前記窓枠を連結するステップと
を備える方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体構成部品を組み付ける方法
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月2日(2008.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体パッケージであって、
第一パッケージダイの活性表面が第一パッケージ回路基盤から外方に向いて、第一パッケージダイが第一パッケージ回路基盤の導電線へワイヤボンドにより電気的に相互接続された、第一パッケージ回路基盤上に搭載された第一パッケージダイを備えて、第一パッケージダイの活性表面がスペーサ接着領域と第二ダイ接着領域とを備えて、
第一パッケージダイの活性表面のダイ接着領域上に搭載される第二ダイを備えて、ダイ接着領域がスペーサ接着領域の外側にあることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
更に、スペーサの端のスペーサ接着領域上に搭載されたスペーサを備えることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
更に、スペーサ上に搭載され第二ダイの少なくとも一部に覆いかぶさる第二パッケージを備えることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
第二ダイは、第一パッケージ回路基盤上の導電線へワイヤボンドにより電気的に相互接続されることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
第二ダイは、第一パッケージダイ上のパッドへワイヤボンドにより電気的に相互接続されることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
第二パッケージは反転されたランドグリッドアレイであり、ランドグリッドアレイパッケージは、第二パッケージの上方接面上のワイヤボンド位置と第一回路基盤の上方接面のワイヤボンド位置との間のワイヤボンドにより第一パッケージへ電気的に相互接続されることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
スペーサ接着領域が第一パッケージダイの端付近に配置されることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
第二ダイ接着領域は、第一パッケージダイの活性側の中心から離れて配置されることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
第二ダイ接着領域は、第一パッケージダイの活性側の端付近に配置されることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
第二ダイ接着領域は、第一パッケージダイの活性側の隅付近に配置されることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の半導体パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月9日(2008.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドープドソース領域、ドープドドレイン領域および前記ソース領域とドレイン領域の間のチャネル領域を有する連続リニアナノ構造体と
前記ソース領域とドレイン領域の間の前記チャネル領域内の伝導を制御する前記チャネル領域に隣接する絶縁ゲートと
を備え；
前記ソース領域はナノワイヤであり；
前記ドレイン領域はナノワイヤであり；
前記チャネル領域は前記ソース領域とドレイン領域の間に伸びるナノチューブである、
トランジスタデバイス。
【請求項２】
第１主表面と；
前記第１主表面をクロスして縦方向に伸びる複数の前記連続ナノ構造体と；
前記複数のナノ構造体の前記チャネル領域の上に横に伸びるゲート絶縁層と；
前記ゲート絶縁層の上に横に伸びる導電性ゲート材料と
を有する基板をさらに備える、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記チャネル領域は非ドープである、請求項１または２に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記ナノチューブの壁厚は２から２０ｎｍの範囲にある、前記請求項のいずれか一項に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記ナノ構造体の前記チャネル領域は５から１００ｎｍの範囲にある長さを有する、前記請求項のいずれか一項に記載のトランジスタ。
【請求項６】
前記ソースまたはドレインを形成するためにナノワイヤの形のドープド領域を成長させることによってナノ構造体の成長を開始すること；
ナノチューブの形のチャネル領域を成長させるために、変更された成長条件下で前記ナノ構造体の成長を続行すること；および
前記ソースまたはドレインの他方を形成するナノワイヤの形のドープド領域を成長させることによって前記ナノ構造体の成長を続行すること；および
前記チャネル領域に隣接する絶縁ゲートを形成すること
を備える、トランジスタデバイスの製造方法。
【請求項７】
前記ソース領域とドレイン領域は予め決められた遷移温度より低い温度で成長させられ、前記チャネル領域は前記予め決められた遷移温度より高い温度で成長させられる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
非ドープであるべき前記ナノ構造体の前記チャネル領域を成長させることを備える、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
基板を提供すること；
ナノ構造体を成長させるための複数の触媒開始点を提供すること；
前記触媒開始点から始めてナノワイヤの形のドープド領域を成長させることによってナノ構造体の成長を開始し、ナノチューブの形の非ドープドチャネル領域を成長させるために、変更された成長条件下で前記ナノ構造体の成長を続行すること；および、前記ソースまたはドレインの他のものを形成するために、ナノワイヤの形のドープド領域を成長させることによって前記ナノ構造体の成長を続行すること；
前記ナノ構造体の前記チャネル領域の上にゲート絶縁体としての絶縁体層を形成すること；および
前記絶縁体層の上に導電性ゲート材料を形成すること
を備える、請求項６、７または８に記載の方法。
【請求項１０】
複数の触媒開始点を提供するステップは、
前記基板をクロスして縦に伸びる触媒金属の複数の薄い線を堆積すること；
触媒金属の前記薄い線の上に絶縁体を堆積すること；
前記触媒開始点としての窓の端にある触媒金属の前記薄い線の両端を露光するために前記窓内の前記絶縁体と触媒金属をエッチングすること
を含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月25日(2008.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣＯＨ膜を堆積する方法であって、前記方法は、
プロセスチャンバ内に基板を提供し、
前記プロセスチャンバから離れたプラズマ源内部で酸素含有反応物ガスを励起し、
その後、励起されたガス混合物を形成するために前記励起された反応物ガスをシラザン前駆体ガスと混合し、
化学蒸着プロセスで前記励起されたガス混合物から前記基板上にＳｉＣＮＯＨ膜を堆積する段階を含む方法。
【請求項２】
前記基板が、Ｓｉ基板、Ｇｅ含有Ｓｉ基板、Ｇｅ基板、または化合物半導体基板を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記反応物ガスが、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ２、Ｈ２Ｏ、ＮＯ、またはＮ２Ｏ、またはそれらのうち２つ以上の組み合わせを含む酸素含有ガスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記堆積された膜中の炭素及び水素の個々の量は、前記膜中のケイ素及び酸素の個々の量より少ない、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記堆積された膜中の炭素と水素とを合わせた量は、前記膜中のケイ素と酸素とを合わせた量より少ない、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
約１０ｓｃｃｍから約５，０００ｓｃｃｍの間の流速における前記酸素含有反応物ガスの前記プラズマ源への移送をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記シラザン前駆体ガスが、有機シラザン前駆体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記シラザン前駆体ガスが、トリエチルシラザン、トリプロピルシラザン、トリフェニルシラザン、ジシラザン、テトラメチルジシラザン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサエチルジシラザン、ヘキサフェニルジシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ジプロピル−テトラメチルジシラザン、ジ−ｎ−ブチル−テトラメチルジシラザン、ジ−ｎ−オクチル−テトラメチルジシラザン、トリエチル−トリメチルシクロトリシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘキサエチルシクロトリシラザン、ヘキサフェニルシクロトリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、オクタエチルシクロテトラシラザン、テトラエチル−テトラメチルシクロテトラシラザン、シアノプロピルメチルシラザン、テトラフェニルジメチルジシラザン、ジフェニル−テトラメチルジシラザン、トリビニル−トリメチルシクロトリシラザン、テトラビニル−テトラメチルシクロテトラシラザン、またはジビニル−テトラメチルジシラザン、またはそれらのうち二つ以上の組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記シラザンガスは、約１ｓｃｃｍから約５００ｓｃｃｍの間の流速において前記励起された反応物ガスと混合される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
約１０ｍＴｏｒｒから約４００Ｔｏｒｒの間のガス圧力におけるプロセスチャンバの操作をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
約１５０℃から約６００℃の間への前記基板の加熱をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記励起されたガス混合物が不活性ガスをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
約５ｓｃｃｍから約２０，０００ｓｃｃｍの間の流速において前記不活性ガスが移送される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板の提供は、バッチタイププロセスチャンバ内に１から２００個の基板を配置することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記基板の提供は、単一ウェハープロセスチャンバ内に１から２００個の基板を配置することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記混合は、前記プラズマ源から下流での前記励起された反応物ガスと前記シラザンガスとの混合を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記ケイ素−窒素−含有膜が側壁膜、バリア膜、エッチストップ膜、または低誘電率膜である、請求項１に記載の方法。