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【手続補正書】
【提出日】平成31年1月25日(2019.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット基板をアニールするアニーリングシステムであって、
均一なマイクロ波場を発生させるように構成された均一マイクロ波場発生器と、
前記均一マイクロ波場発生器の内部に間隔を開けて配置され、前記均一なマイクロ波場の内部の自身の間に静電容量効果を形成する方向に向けて配置された２枚の板と、
前記均一なマイクロ波場の内部で前記２枚の板及び前記ターゲット基板を回転させ、それによって、前記均一なマイクロ波場から前記ターゲット基板に印加されるマイクロ波の極性の周期的変化を創出するように構成されたターンテーブル装置と、を有するアニーリングシステム。
【請求項２】
前記２枚の板は、前記均一マイクロ波場発生器によって発生した前記均一なマイクロ波場に反応するようにドーピングされる請求項１に記載のアニーリングシステム。
【請求項３】
さらに、絶縁体材料を含む支持要素を有し、前記支持要素は、前記２枚の板に前記ターンテーブル装置を付け、前記２枚の板を互いに平行に保持する請求項１又は２に記載のアニーリングシステム。
【請求項４】
前記支持要素の内の少なくとも１つは、前記２枚の板の間に前記２枚の板に対して平行に前記ターゲット基板を固定するように構成される請求項３に記載のアニーリングシステム。
【請求項５】
前記支持要素は、前記２枚の板の間の距離が調整可能になるように選択的に調整可能である請求項３又は４に記載のアニーリングシステム。
【請求項６】
前記２枚の板は、０．５ｍｍから１０ｍｍまでの間隔を開けて配置される請求項１〜５のいずれか１項に記載のアニーリングシステム。
【請求項７】
前記均一なマイクロ波場の中の渦電流は、前記２枚の板に対して直角に流れることによって前記極性の周期的変化に反応し、前記ターゲット基板の均一な加熱をもたらす請求項１〜６のいずれか１項に記載のアニーリングシステム。
【請求項８】
前記２枚の板は、前記均一なマイクロ波場の中に電場を形成するのに十分高い伝導性、及び摂氏４００度から８００度までの耐熱性を持つ請求項１〜７のいずれか１項に記載のアニーリングシステム。
【請求項９】
前記均一マイクロ波場発生器は、シングルモード又はマルチモードのチャンバ、又は前記２枚の板のまわりに前記均一なマイクロ波場を形成するように構成された波ガイドポートである請求項１〜８のいずれか１項に記載のアニーリングシステム。
【請求項１０】
前記均一マイクロ波場発生器は、９００ＭＨｚから２６ＧＨｚまでの範囲の周波数を発生させる請求項１〜９のいずれか１項に記載のアニーリングシステム。
【請求項１１】
前記２枚の板は、それぞれ、半導体層とサセプタ層とを含み、前記２枚の板は、前記サセプタ層が互いに面するような方向に向けて配置される請求項１〜１０のいずれか１項に記載のアニーリングシステム。
【請求項１２】
前記２枚の板は、それぞれ、温度上昇に伴って伝導性が増加するように構成された半導体材料又は導体材料を含む請求項１〜１１のいずれか１項に記載のアニーリングシステム。
【請求項１３】
半導体材料をアニールする方法であって、
均一なマイクロ波場の内部の２枚の板の間に、前記半導体材料を含むターゲット基板を置き、
前記均一なマイクロ波場から前記ターゲット基板に印加されるマイクロ波の極性の周期的変化を創出することを含み、
前記周期的変化は、前記ターゲット基板及び前記２枚の板に対して直角の渦電流の流れをもたらす方法。
【請求項１４】
前記周期的変化を創出する工程は、前記均一なマイクロ波場の内部で前記２枚の板及び前記ターゲット基板を回転させ、その結果として、前記ターゲット基板に印加される前記マイクロ波の極性の周期的変化が生じることを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
さらに、前記２枚の板の間に前記ターゲット基板を置く前に前記２枚の板をドーピングすることを含み、前記ドーピングは、前記２枚の板を前記均一なマイクロ波場に反応させるのに十分である請求項１３又は１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ターゲット基板は、不純物でドーピングされた前記半導体材料を含む請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
さらに、前記２枚の板の内の少なくとも一方及び前記ターゲット基板のために使用される形状及び材料に基づいて、前記２枚の板の間の距離を調整することを含む請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記均一なマイクロ波場は、９００ＭＨｚから２６ＧＨｚまでの範囲の周波数を含む請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
半導体材料をアニールする方法であって、
平行板をドーピングし、前記ドーピングは、前記平行板を均一なマイクロ波場に反応させるのに十分であり、
前記均一なマイクロ波場の内部の前記平行板の間にターゲット基板を置き、
前記均一なマイクロ波場の内部で前記平行板及び前記ターゲット基板を回転させ、それによって、前記均一なマイクロ波場から前記ターゲット基板に印加されるマイクロ波の極性の周期的変化を創出することを含み、
前記ターゲット基板は、不純物でドーピングされた前記半導体材料を含み、
前記均一なマイクロ波場は、９００ＭＨｚから２６ＧＨｚまでの範囲の周波数を含み、
前記平行板は、前記均一なマイクロ波場の内部の前記平行板の間に静電容量効果を形成するのに互いに十分近くに間隔を開けて配置され、
前記周期的変化は、前記ターゲット基板及び前記平行板に対して直角の渦電流の流れをもたらし、前記ターゲット基板の均一な加熱をもたらし、前記ターゲット基板の中の欠陥を選択的に加熱する方法。
【請求項２０】
前記回転は、１分あたり１回転から１分あたり１０回転までの範囲のスピードで実行される請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月13日(2019.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板；
前記基板の下側に配置され、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物；
前記活性層と前記第２導電型半導体層を貫いて前記第１導電型半導体層を露出させる貫通ホールに埋め込まれ、前記第１導電型半導体層と連結された第１ボンディングパッド；
前記第１ボンディングパッドから離隔して前記第２導電型半導体層の下側に配置され、前記第２導電型半導体層と連結された第２ボンディングパッド；
前記貫通ホールにおいて前記発光構造物の内側部に配置された第１セグメント及び前記第１セグメントから前記発光構造物の厚さ方向と交差する第１方向に延びて前記発光構造物の内側下部縁部に配置された第２セグメントを含む第１絶縁層；
前記第１導電型半導体層と連結された第１電極；
前記第２導電型半導体層の下側から前記第２セグメントの下側まで延びて配置され、前記第２導電型半導体層と連結された第２電極；及び
前記貫通ホールにおいて前記第１絶縁層と前記第１ボンディングパッドの間から前記第２セグメントの下側に配置された前記第２電極の下側まで延びて配置された第２絶縁層を含み、
前記第２電極の上部縁部は第１リセスを有し、前記第１絶縁層は前記第１リセスまで延びて配置される、発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記第２セグメント、前記第２電極及び第２絶縁層は、前記発光構造物の前記厚さ方向に重畳する、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記第１絶縁層は、活性層の下側で前記第１セグメントから前記第１方向に前記第２導電型半導体層の内部に延びて配置された少なくとも一つの第３セグメントをさらに含む、請求項１又は２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
前記第１絶縁層は、発光構造物の外側部及び外側下部縁部にそれぞれ配置された第４セグメントをさらに含む、請求項３に記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記第１電極は前記貫通ホールから露出された前記第１導電型半導体層と前記第１ボンディングパッドの間に配置された、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記第２絶縁層は前記第１電極と前記第１絶縁層の間まで延びて配置された、請求項５に記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記第２電極は、前記第２導電型半導体層と前記第２ボンディングパッドの間、及び前記第２及び第４セグメントのそれぞれと前記第２絶縁層の間に配置された、請求項４に記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
前記第２電極は、
前記第２導電型半導体層の下側に配置された反射層；及び
前記反射層と前記第２導電型半導体層の間に配置された透光電極層を含む、請求項７に記載の発光素子パッケージ。
【請求項９】
前記第１絶縁層の前記第２セグメントは前記透光電極層と前記第２導電型半導体層の前記内側下部縁部の間に配置され、前記第４セグメントは前記透光電極層と前記外側下部縁部の間に配置された、請求項８に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１０】
前記透光電極層の幅は前記反射層の幅と同一である、請求項８に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１１】
前記第２電極は、前記第２導電型半導体層の下側に配置された反射層を含む、請求項７に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１２】
前記第１絶縁層の前記第２セグメントは前記反射層と前記第２導電型半導体層の前記内側下部縁部の間に配置され、前記第４セグメントは前記反射層と前記外側下部縁部の間に配置された、請求項１１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１３】
前記第２電極は、前記第２導電型半導体層の下側に配置された透光電極層を含む、請求項７に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１４】
前記第１絶縁層の前記第２セグメントは前記透光電極層と前記第２導電型半導体層の前記内側下部縁部の間に配置され、前記第４セグメントは前記透光電極層と前記外側下部縁部の間に配置された、請求項１３に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１５】
前記第３セグメントが配置される前記第２導電型半導体層の内部は、前記第２導電型半導体層の上部、下部又は中間部の中で少なくとも一つを含む、請求項３〜１４のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１６】
前記第２又は第４セグメントの前記第１方向への長さは２０μｍ〜３０μｍである、請求項４及び請求項７〜１４のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１７】
前記第１ボンディングパッドと前記第２ボンディングパッドの前記第１方向への幅の比率は９：１又は８：２である、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１８】
前記第１又は第２絶縁層の中で少なくとも一つは感光性ポリイミドを含む、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１９】
前記発光素子パッケージは、前記第１及び第２ボンディングパッドとそれぞれ連結された第１及び第２リードフレームをさらに含む、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項２０】
前記少なくとも一つの第３セグメントは、前記第１セグメントから互いに平行に離隔して前記第１方向に延びた複数の第３セグメントを含む、請求項３、請求項４及び請求項７〜１３のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれか一項に記載の前記発光素子パッケージを含む、照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月18日(2019.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップであって、
回路ブロックの少なくとも１つの第２のトランジスタの第２の性能特性および第２のドーパントプロファイルとは異なる強化された第１の性能特性および第１のドーパントプロファイルを有する少なくとも１つの第１のトランジスタを含む前記回路ブロックと、
前記少なくとも１つの第１のトランジスタを識別するためのマーカ層と
を備える半導体チップ。
【請求項２】
前記第１の強化された性能特性が、ドーパントプロファイルおよび／またはゲート酸化物厚さを含む、請求項１に記載の半導体チップ。
【請求項３】
前記ドーパントプロファイルが、軽ドープドレイン（ＬＤＤ）注入、ハロー注入、またはウェル注入を含む、請求項２に記載の半導体チップ。
【請求項４】
前記第１のトランジスタを含めた、前記半導体チップの選択された構成要素のみの性能が向上され、それにより前記半導体チップの全体的な性能が改善される、請求項１に記載の半導体チップ。
【請求項５】
前記半導体チップが、携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および／または固定位置データユニットに組み込まれる、請求項１に記載の半導体チップ。
【請求項６】
集積回路（ＩＣ）チップの性能強化のための方法であって、
所定の性能基準に従って前記ＩＣチップの少なくとも１つの回路ブロックを選択するステップと、
性能調整のために前記選択された回路ブロック内の少なくとも１つの第１のトランジスタをマークするステップであって、前記第１のトランジスタが前記所定の性能基準に従って識別される、ステップと、
前記少なくとも１つの回路ブロック内の少なくとも１つの第２のトランジスタの第２のドーピング注入プロファイルとは異なる第１のドーピング注入プロファイルを用いて前記少なくとも１つの第１のトランジスタをドープすることによって、前記少なくとも１つの第１のトランジスタの性能を調整するステップと
を含む方法。
【請求項７】
性能を調整するステップが、前記少なくとも１つの回路ブロック内の前記少なくとも１つの第１のトランジスタのゲート酸化物厚さを低減するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ＩＣチップが、アナログＩＣまたは無線周波数（ＲＦ）ＩＣを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記選択するステップが、クリティカルなパス内の回路ブロックを識別するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のトランジスタを含めた、前記選択された回路ブロックの選択された構成要素のみの性能を向上させ、それにより前記ＩＣチップの全体的な性能を改善するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＩＣチップが、携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および／または固定位置データユニットに組み込まれる、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
半導体チップであって、
回路ブロックの少なくとも１つの第２のトランジスタの第２の性能特性および第２のドーパントプロファイルとは異なる強化された第１の性能特性および第１のドーパントプロファイルを有する少なくとも１つの第１のトランジスタを含む前記回路ブロックと、
前記少なくとも１つの第１のトランジスタを前記少なくとも１つの第２のトランジスタから分離するための手段と
を備える半導体チップ。
【請求項１３】
前記第１の強化された性能特性が、ドーパントプロファイルおよび／またはゲート酸化物厚さを含む、請求項１２に記載の半導体チップ。
【請求項１４】
前記ドーパントプロファイルが、軽ドープドレイン（ＬＤＤ）注入、ハロー注入、またはウェル注入を含む、請求項１３に記載の半導体チップ。
【請求項１５】
前記第１のトランジスタを含めた、前記半導体チップの選択された構成要素のみの性能が向上され、それにより前記半導体チップの全体的な性能が改善される、請求項１２に記載の半導体チップ。
【請求項１６】
前記半導体チップが、携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および／または固定位置データユニットに組み込まれる、請求項１２に記載の半導体チップ。
【請求項１７】
集積回路（ＩＣ）チップの性能強化のための方法であって、
所定の性能基準に従って前記ＩＣチップの少なくとも１つの回路ブロックを選択するためのステップと、
性能調整のために前記選択された回路ブロック内の少なくとも１つの第１のトランジスタをマークするためのステップであって、前記第１のトランジスタが前記所定の性能基準に従って識別される、ステップと、
前記少なくとも１つの回路ブロック内の少なくとも１つの第２のトランジスタの第２のドーピング注入プロファイルとは異なる第１のドーピング注入プロファイルを用いて前記少なくとも１つの第１のトランジスタをドープすることによって、前記少なくとも１つの第１のトランジスタの性能を調整するためのステップと
を含む方法。
【請求項１８】
性能を調整するための前記ステップが、前記少なくとも１つの回路ブロック内の前記少なくとも１つの第１のトランジスタのゲート酸化物厚さを低減するためのステップを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ＩＣチップが、アナログＩＣまたは無線周波数（ＲＦ）ＩＣを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
選択するための前記ステップが、クリティカルなパス内の回路ブロックを識別するためのステップを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１のトランジスタを含めた、前記選択された回路ブロックの選択された構成要素のみの性能を向上させ、それにより前記ＩＣチップの全体的な性能を改善するためのステップをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記ＩＣチップを、携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および／または固定位置データユニットに組み込むためのステップをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月14日(2019.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板；
前記基板に配置され、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物；
前記第１及び第２導電型半導体層とそれぞれ連結される第１及び第２電極；
前記第１及び第２電極とそれぞれ連結された第１及び第２ボンディングパッド；及び
前記第１ボンディングパッドと前記第２電極の間及び前記第２ボンディングパッドと前記第１電極の間にそれぞれ配置された絶縁層を含み、
前記第１電極の第１厚さは前記第２ボンディングパッドと前記第１電極の間に配置された前記絶縁層の第２厚さの１／３以下である、発光素子。
【請求項２】
前記第１電極は、
前記第１及び第２ボンディングパッドの下側に配置された分岐電極；及び
前記第１ボンディングパッドの下側に配置されたコンタクト電極を含み、
前記第１厚さは前記分岐電極の厚さである、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記分岐電極は、
前記第２ボンディングパッドの下側に配置された第１セグメント；及び
前記第１ボンディングパッドの下側に配置された第２セグメントを含み、
前記第１厚さは前記第１セグメントの厚さである、請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
第１方向に前記基板の第１長さと前記分岐電極の第２長さは下記の式のような関係を有し、
前記第１及び第２ボンディングパッドは前記発光構造物の厚さ方向に垂直な前記第１方向に互いに離隔する、請求項２又は３に記載の発光素子。
Ｌ１×０．７＞Ｌ２
（ここで、Ｌ１は前記第１長さを示し、Ｌ２は前記第２長さを示す）
【請求項５】
前記分岐電極の前記第１セグメントの一部は前記第１導電型半導体層に埋め込まれた、請求項３又は４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１電極の前記第１厚さは前記第１導電型半導体層に埋め込まれずに露出された部分の厚さである、請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１電極はコンタクトホールに埋め込まれ、前記コンタクトホールは前記第２導電型半導体層と前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層を露出させ、
前記第１セグメントは、
前記第２ボンディングパッドと向き合う第１上面；及び
前記基板と向き合う前記第１上面の反対側にある下面を含み、
前記下面は前記コンタクトホールの底面より前記基板に近い、請求項３に記載の発光素子。
【請求項８】
前記第１厚さは１μｍ以下であり、前記第２厚さは３．３μｍ以下である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第１電極は、前記絶縁層と対向し、前記第２ボンディングパッドの下に配置される第１上面を含み、
前記第１電極の前記第１上面は前記絶縁層が満たされる少なくとも一つの第１リセスを有する、請求項３に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第１電極は、前記発光構造物の厚さ方向に垂直な方向に互いに離隔して配置された複数のサブ電極を含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記分岐電極は、前記第１セグメントと前記第２セグメントの間に配置された第３セグメントをさらに含む、請求項３〜９のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第１電極の前記第１上面及び第２ボンディングパッドと前記発光構造部の厚さ方向に重畳する前記絶縁層は前記第２ボンディングパッドと対向する第２上面を含み、
前記絶縁層の前記第２上面は少なくとも一つの第２リセスを含む、請求項９に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記第１電極の第１厚さは前記第１電極が前記第１リセスを有しないときより前記第１リセスを有するときにもっと厚い、請求項９に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記第１電極の第１厚さは前記第１電極が前記複数のサブ電極を含まないときより前記複数のサブ電極を含むときにもっと厚い、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記絶縁層は前記複数のサブ電極の間に埋め込まれた、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記複数のサブ電極の厚さは互いに違う、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記複数のサブ電極の厚さは互いに同一である、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記複数のサブ電極が離隔した距離は前記絶縁層が埋め込まれることができる工程誤差を考慮して決定された、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記第１ボンディングパッドと前記第２ボンディングパッドは第１方向に互いに対向し、
前記第１ボンディングパッドの前記第１方向への長さは前記基板の前記第１方向への長さより小さく、
前記第２ボンディングパッドの前記第１方向への長さは前記基板の前記第１方向への長さより小さい、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項２０】
前記第１ボンディングパッドと前記第２ボンディングパッドは第１方向に互いに対向し、
前記第１ボンディングパッドの前記第１方向への長さは前記分岐電極の前記第１方向への長さより小さく、
前記第２ボンディングパッドの前記第１方向への長さは前記分岐電極の前記第１方向への長さより小さい、請求項２〜６、請求項９及び請求項１１〜１８のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項２１】
前記絶縁層は分布ブラッグ反射層を含む、請求項１〜２０のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項２２】
前記分岐電極は前記第１リセスを含む、請求項９に記載の発光素子。
【請求項２３】
前記第１セグメントは前記第１リセスを含む、請求項９に記載の発光素子。
【請求項２４】
前記第１電極は、前記第１導電型半導体層と対向し、前記第１上面の反対側にある下面をさらに含み、
前記第１電極の前記第１厚さは前記第１電極の前記下面から前記第１リセスが形成されなかった前記第１上面までの高さに相当する、請求項９に記載の発光素子。
【請求項２５】
請求項１〜２４のいずれか一項に記載の発光素子；
前記第１及び第２ボンディングパッドとそれぞれ連結された第１及び第２半田部；及び
前記第１及び第２半田部とそれぞれ電気的に連結された第１及び第２リードフレームを含む、発光素子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月6日(2019.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
頂面、底面、並びに該頂面及び底面の間を延びる側壁を備えるプラテンと、
第１の平面に配置される主ヒーターと、
前記第１の平面よりも前記頂面により近い第２の平面に配置される第１の縁部ヒーターと、
を備える、ワークピース保持・加熱装置。
【請求項２】
前記第１の平面、前記第２の平面及び前記頂面は、互いに平行である、請求項１記載のワークピース保持・加熱装置。
【請求項３】
前記主ヒーターは、前記プラテンの前記底面に取り付けられる、請求項１記載のワークピース保持・加熱装置。
【請求項４】
前記主ヒーターは、前記プラテンに埋設される、請求項１記載のワークピース保持・加熱装置。
【請求項５】
前記第１の縁部ヒーターは、前記プラテンに埋め込まれる、請求項１記載のワークピース保持・加熱装置。
【請求項６】
前記第１の縁部ヒーターは、前記プラテンの外面に取り付けられる、請求項１記載のワークピース保持・加熱装置。
【請求項７】
前記第１の平面及び前記第２の平面と異なる第３の平面に配置される第２の縁部ヒーターを更に備え、
前記頂面、前記第１の平面、前記第２の平面及び前記第３の平面は、全て平行である、請求項１記載のワークピース保持・加熱装置。
【請求項８】
前記主ヒーター及び前記第１の縁部ヒーターは、独立に制御される、請求項１記載のワークピース保持・加熱装置。
【請求項９】
頂面、底面、並びに該頂面及び底面の間を延びる側壁を備えるプラテンであって、該側壁は、前記頂面に平行な第１の水平環状リング部分を備える、プラテンと、
主ヒーターと、
前記第１の水平環状リング部分に配置される第１の縁部ヒーターと、
を備える、ワークピース保持・加熱装置。
【請求項１０】
前記第１の縁部ヒーターはリング形状である、請求項９記載のワークピース保持・加熱装置。
【請求項１１】
前記側壁は、前記頂面に平行な第２の水平環状リング部分を備え、
前記ワークピース保持・加熱装置は、前記第２の水平環状リング部分に配置される第２の縁部ヒーターを更に備える、
請求項９記載のワークピース保持・加熱装置。
【請求項１２】
前記側壁は、
前記頂面と前記第１の水平環状リング部分との間を延びる先細の部分と、
前記第１の水平環状リング部分と前記底面との間を延びる垂直部分と、
を更に備える、請求項９記載のワークピース保持・加熱装置。
【請求項１３】
頂面、底面、並びに該頂面及び底面の間を延びる先細の側壁を備えるプラテンと、
主ヒーターと、
前記先細の側壁に平行に配置される縁部ヒーターと、
を備える、ワークピース保持・加熱装置。
【請求項１４】
前記縁部ヒーターは、前記先細の側壁に配置される、請求項１３記載のワークピース保持・加熱装置。
【請求項１５】
前記縁部ヒーターは、前記プラテンに埋め込まれる、請求項１３記載のワークピース保持・加熱装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ワークピース保持・加熱装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第１の実施態様により、ワークピースを保持して加熱するための装置が開示される。このワークピース保持・加熱装置は、頂面、底面、並びに該頂面及び底面の間を延びる側壁を備えるプラテンと、第１の平面に配置される主ヒーターと、第２の平面に配置される第１の縁部ヒーターと、を備え、前記第２の平面は、前記第１の平面よりも前記頂面により近い。特定の実施態様において、第１の縁部ヒーターはプラテンの中に埋め込むことができる。他の実施態様において、第１の縁部ヒーターはプラテンの外面に取り付けられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第２の実施態様により、ワークピースを保持して加熱するための装置が開示される。このワークピース保持・加熱装置は、頂面、底面、並びに該頂面及び底面の間を延びる側壁を備えるプラテンであって、該側壁は、前記頂面に平行な第１の水平環状リング部分を備える、プラテンと、主ヒーターと、前記第１の水平環状リング部分に配置される第１の縁部ヒーターと、を備える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図５は、プラテン５００内に配置される主ヒーター２１１を含む図３の実施形態の変形を示す。本実施形態において、プラテン５００は、各々が水平環状リング部分を創生する複数のノッチを有する。プラテン５００の側壁５０１は、先細部分５０２を有することができる。側壁５０１は、第１のノッチ５０３を有することができ、第１のノッチは、第１の水平環状リング部分５０４及び第１の垂直な壁５０５を創生する。さらに、側壁５０１は、第２のノッチ５０６を有することができ、第２のノッチは、第２の水平環状リング部分５０７及び第２の垂直な壁５０８を創生する。第２の垂直な壁５０８は、第２の水平環状リング部分５０７とプラテン５００の底面との間に延びる。もちろん、追加の水平環状リング部分を創生する追加のノッチも含めることができる。第１の水平環状リング部分５０４の上には、第１の縁部ヒーター５２０を配置することができる。第２の水平環状リング部分５０７の上には、第２の縁部ヒーター５２５を配置することができる。上述のように、プラテン５００の外縁により近い第１の水平環状リング部分５０４は、プラテン５００の外縁から更に先に配置される第２の水平環状リング部分５０７７よりも、頂面により近く配置される。追加の水平環状リング部分がある場合、各々は、その隣接部分よりも、頂面から少し先であろう。例えば、第１の水平環状リング部分５０４は、頂面より下に１〜２ｍｍに配置することができ、一方、第２の水平環状リング部分５０７は、プラテン５００の頂面より下に３〜４ｍｍに配置することができる。第１の縁部ヒーター５２０及び第２の縁部ヒーター５２５は、３〜１０ｍｍの幅とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月4日(2019.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
上記の特許及び特許出願の全てを、参照により本明細書に明確に援用するものである。上述の実施形態は本発明を例示するものであり、他の構造もまた可能である。したがって、本発明は、上記に詳細に説明し、添付図面に示した実施形態に限定されるものと見なされるべきではなく、均等物を併せた以下の特許請求の範囲の正当な範囲によってのみ限定されるものである。本発明の実施態様の一部を以下の項目［１］−［１６］に記載する。
［１］
チャンバを有する容器であって、前記チャンバが側壁及び底壁を含み、前記底壁が基準平面を画定する、容器と、
前記チャンバ内に受容された歯列矯正器具であって、基部と舌側壁を有する通路とを含む歯列矯正器具と、
前記チャンバ内へと延びる支持体と、を備え、
前記支持体が、前記歯列矯正器具と係合し、前記舌側壁が前記基準平面と平行にならないように前記器具を配向する、パッケージ化された歯列矯正アセンブリ。
［２］
前記支持体が長さを有するポストを含み、前記長さの少なくとも一部が前記通路内に受容される、項目１に記載のアセンブリ。
［３］
前記支持体が前記側壁から前記チャンバ内へと延びている、項目１に記載のアセンブリ。
［４］
前記支持体が前記底壁から前記チャンバ内へと延びている、項目１に記載のアセンブリ。
［５］
前記支持体が、前記側壁に対して斜めの角度で延びるポストを含む、項目３に記載のアセンブリ。
［６］
前記支持体が本体及びポストを備え、前記ポストが前記本体の表面から延びている、項目３に記載のアセンブリ。
［７］
前記容器が前記チャンバに隣接するチャネルを含み、前記本体の一部が前記チャネル内に着脱自在に固定される、項目６に記載のアセンブリ。
［８］
断面寸法が前記ポストの前記長さに沿って変動する、項目２に記載の支持体。
［９］
側壁及び底壁を含むチャンバを有する容器と、
前記チャンバ内に受容された歯列矯正器具であって、基部と、部分的に包囲された通路とを含む歯列矯正器具と、
前記チャンバ内へと延びる支持体であって、長さを有するポストを備える支持体と、を備え、
前記通路内に前記ポストの長さの少なくとも一部が受容されて、前記器具を前記容器内に固定する、パッケージ化された歯列矯正アセンブリ。
［１０］
前記ポストが前記側壁から斜めの角度で延びている、項目９に記載のアセンブリ。
［１１］
前記ポストが前記底壁から前記チャンバ内へと延び、前記ポストが前記底壁と実質的に平角を形成する、項目９に記載のアセンブリ。
［１２］
前記支持体が本体を備え、前記ポストが前記本体の表面から延びている、項目１〜１１のいずれかに記載のアセンブリ。
［１３］
前記容器が前記チャンバに隣接するチャネルを含み、前記本体の一部が前記チャネル内に着脱自在に固定される、項目１２に記載のアセンブリ。
［１４］
前記器具が、前記基部の少なくとも一部にわたって延びている硬化可能な歯科用組成物を更に含み、前記硬化可能な組成物が圧縮可能な材料を含む、項目１０〜１２のいずれかに記載のアセンブリ。
［１５］
側壁及び底壁を含むチャンバを有する容器と、
前記チャンバ内に受容された歯列矯正器具であって、基部と、部分的に包囲された通路とを含み、前記基部が、前記基部の少なくとも一部にわたって延びている硬化可能な歯科用組成物を含む、歯列矯正器具と、
前記チャンバ内に取り外し可能に受容された支持体であって、長さを有するポストを備える支持体と、を備え、前記ポストの長さの少なくとも一部が前記通路内に受容されて、前記器具を前記チャンバ内に固定する、パッケージ化された歯列矯正アセンブリ。
［１６］
前記支持体が本体を備え、前記ポストが前記本体の表面から前記チャンバ内へと延びている、項目１５に記載のアセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバを有する容器であって、前記チャンバが側壁及び底壁を含み、前記底壁が基準平面を画定する、容器と、
前記チャンバ内に受容された歯列矯正器具であって、基部と舌側壁を有する通路とを含む歯列矯正器具と、
前記チャンバ内へと延びる支持体と、を備え、
前記支持体が、前記歯列矯正器具と係合し、前記舌側壁が前記基準平面と平行にならないように前記器具を配向する、パッケージ化された歯列矯正アセンブリ。
【請求項２】
前記支持体が長さを有するポストを含み、前記長さの少なくとも一部が前記通路内に受容される、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記支持体が前記側壁から前記チャンバ内へと延びている、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記支持体が前記底壁から前記チャンバ内へと延びている、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記支持体が、前記側壁に対して斜めの角度で延びるポストを含み、前記支持体が本体及びポストを備え、前記ポストが前記本体の表面から延びており、前記容器が前記チャンバに隣接するチャネルを含み、前記本体の一部が前記チャネル内に着脱自在に固定される、請求項３に記載のアセンブリ。
【請求項６】
側壁及び底壁を含むチャンバを有する容器と、
前記チャンバ内に受容された歯列矯正器具であって、基部と、部分的に包囲された通路とを含む歯列矯正器具と、
前記チャンバ内へと延びる支持体であって、長さを有するポストを備える支持体と、を備え、
前記通路内に前記ポストの長さの少なくとも一部が受容されて、前記器具を前記容器内に固定する、パッケージ化された歯列矯正アセンブリ。
【請求項７】
前記ポストが前記側壁から斜めの角度で延びている、請求項６に記載のアセンブリ。
【請求項８】
前記ポストが前記底壁から前記チャンバ内へと延び、前記ポストが前記底壁と実質的に平角を形成する、請求項６に記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記支持体が本体を備え、前記ポストが前記本体の表面から延びており、前記容器が前記チャンバに隣接するチャネルを含み、前記本体の一部が前記チャネル内に着脱自在に固定される、請求項８に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
側壁及び底壁を含むチャンバを有する容器と、
前記チャンバ内に受容された歯列矯正器具であって、基部と、部分的に包囲された通路とを含み、前記基部が、前記基部の少なくとも一部にわたって延びている硬化可能な歯科用組成物を含む、歯列矯正器具と、
前記チャンバ内に取り外し可能に受容された支持体であって、長さを有するポストを備える支持体と、を備え、前記ポストの長さの少なくとも一部が前記通路内に受容されて、前記器具を前記チャンバ内に固定し、前記支持体が本体を備え、前記ポストが前記本体の表面から前記チャンバ内へと延びている、パッケージ化された歯列矯正アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月1日(2019.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
医療対象の目標部分の一部に医療モニタリング装置を配置するバンドにおいて、前記バンドが、
少なくとも１つのプラスチック層、繊維層及び可撓性ゴム層の少なくとも１つを有する可撓性バンド本体と、
前記可撓性バンド本体の少なくとも第１の端部上に又は内に配置された少なくとも１つの強磁性部分と、
前記第１の端部とは反対側の前記可撓性バンド本体の第２の端部上に又は内に配置された少なくとも１つの磁石と、
を有し、
前記可撓性バンド本体は、前記少なくとも１つの磁石及び前記少なくとも１つの強磁性部分が前記医療対象の目標部分に巻きつけられた前記可撓性バンド本体を固定するように磁気的に結合するように、前記第１及び第２の端部が重複する状態で前記医療対象の目標部分に巻きつけるサイズである、
バンド。
【請求項２】
前記可撓性バンド本体が、少なくとも１つのポリウレタン層を有する、請求項１に記載のバンド。
【請求項３】
前記強磁性部分が、少なくとも前記第１の端部において前記可撓性バンド本体に埋め込まれた強磁性材料層を含む、請求項１及び２のいずれか一項に記載のバンド。
【請求項４】
前記可撓性バンド本体が、少なくとも１つのシリコーン層を含み、前記強磁性部分が、前記ベルトを導電性にし、これにより前記バンド本体を非静止にする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のバンド。
【請求項５】
前記可撓性バンド本体に配置又は形成され、前記医療モニタリング装置を受けるように構成され、呼吸可能部分を含む装置取り付け部分を含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のバンド。
【請求項６】
前記バンドは、前記少なくとも１つの磁石と前記強磁性部分との間の磁気結合が前記医療対象の目標部分の周りの前記可撓性バンド本体の巻きつけの過剰なきつさを解放するように滑り効果を持つことにより、きつさを自己調整するように構成される、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のバンド。
【請求項７】
前記少なくとも１つの磁石が、電磁石部分を含み、前記強磁性部分が、前記医療対象の目標部分の周りの前記可撓性バンド本体の巻きつけの過剰なきつさを解放するように前記可撓性バンド本体に印加される電圧を調節することにより制御される滑りを持ち、前記電磁石が、前記医療モニタリング装置及び緊急解放アルゴリズム入力に基づく解放機能を含む、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のバンド。
【請求項８】
前記少なくとも１つの強磁性部分が、前記可撓性バンド本体の前記第１の端部に沿って配置された強磁性リベットを含む、請求項１乃至７のいずれか一項に記載のバンド。
【請求項９】
前記バンド本体の外面に配置された又は前記バンド本体内に埋め込まれた殺菌可能又は抗菌性コーティングを含む、請求項１乃至８のいずれか一項に記載のバンド。
【請求項１０】
前記バンド本体が、継ぎ目を持たず、これにより汚染を防ぐ、請求項１乃至９のいずれか一項に記載のバンド。
【請求項１１】
前記目標部分と前記バンド本体との間の経路を光及び／又は空気から密閉する遮蔽膜を含む、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のバンド。
【請求項１２】
医療対象の胸部に巻きつけるサイズである請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のバンドと、
医療モニタリング装置であって、前記少なくとも１つの強磁性部分に対する装置取り付け磁石の磁気結合により前記医療モニタリング装置を前記バンド本体に固定するのに有効な前記装置取り付け磁石を含む加速度計ベースの呼吸モニタリング装置を有する、当該医療モニタリング装置と、
を有する呼吸モニタ。
【請求項１３】
対象の胸部にベルトを巻きつけるステップと、
前記巻きつけられたベルトのバックル磁石と重複する部分の内に又は上に配置された強磁性材料に対して前記ベルトの一端に配置された前記バックル磁石を磁気的に結合することにより、前記対象の胸部に巻きつけられた前記ベルトを磁気的にバックル留めするステップと、
前記ベルトに取り付けられた呼吸モニタを使用して患者呼吸をモニタするステップと、
を有する呼吸モニタリング方法。
【請求項１４】
前記対象の胸部に巻きつけられた前記ベルトを磁気的にバックル留めした後に前記ベルトに前記呼吸モニタを取り付けるステップ、
を有する、請求項１３に記載の呼吸モニタリング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月18日(2019.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
拡張可能弁フレームおよび前記拡張可能弁フレームに取り付けられた閉塞器を備える弁アセンブリと、
拡張可能アンカーフレームを備えるアンカーアセンブリであって、前記弁アセンブリと選択的に結合するように構成され、前記拡張可能アンカーフレームは前記拡張可能アンカーフレームが自然僧帽弁と係合したときに前記自然僧帽弁の前尖の背後に少なくとも部分的に配設されるように構成されている収縮期前方運動（ＳＡＭ）封じ込め部材を備える、アンカーアセンブリと
を備える人工僧帽弁システム。
【請求項２】
前記アンカーアセンブリは、前記自然僧帽弁の弁輪の近くの組織と係合するように構成されている複数の弁輪下突出部を備える請求項１に記載の人工僧帽弁システム。
【請求項３】
前記弁アセンブリの外向きの外周と、前記人工僧帽弁システムが前記自然僧帽弁と係合したときに前記前尖を緩く収容するように構成されている前記ＳＡＭ封じ込め部材との間に空間が画成される請求項２に記載の人工僧帽弁システム。
【請求項４】
前記ＳＡＭ封じ込め部材は、前記拡張可能アンカーフレームの第１の部分から延在する第１の端部および前記拡張可能アンカーフレームの第２の部分から延在する第２の端部を有する細長部材を備える請求項１に記載の人工僧帽弁システム。
【請求項５】
前記ＳＡＭ封じ込め部材は、アタッチメント要素をさらに備える請求項４に記載の人工僧帽弁システム。
【請求項６】
前記アンカーアセンブリを配備するための送達システムをさらに備え、前記送達システムは、前記アタッチメント要素と係合するように構成されているカテーテルを備える請求項５に記載の人工僧帽弁システム。
【請求項７】
前記アンカーアセンブリを配備するための送達システムをさらに備え、前記送達システムは、前記アタッチメント要素と係合するように構成されている制御線を備える請求項５に記載の人工僧帽弁システム。
【請求項８】
前記ＳＡＭ封じ込め部材は、前記拡張可能アンカーフレームのハブから延在する細長部材を備え、前記細長部材は第１の幅を定める請求項１に記載の人工僧帽弁システム。
【請求項９】
前記ＳＡＭ封じ込め部材は、前記細長部材から延在する端部を備え、前記端部は、前記細長部材の前記第１の幅よりも大きい第２の幅を定め、前記端部は、前記拡張可能アンカーフレームが前記自然僧帽弁と係合したときに前記前尖の背後に配設されるように構成される請求項１に記載の人工僧帽弁システム。
【請求項１０】
前記拡張可能アンカーフレームは、単一のＳＡＭ封じ込め部材を備える請求項１に記載の人工僧帽弁システム。
【請求項１１】
人工僧帽弁システムのアンカーアセンブリであって、
拡張可能アンカーフレームであって、径方向に圧縮された送達状態と前記拡張可能アンカーフレームが自然僧帽弁と係合するように構成されている径方向拡張配備済み状態との間で調整可能であり、前記アンカーアセンブリは前記人工僧帽弁システムのその後送達可能な弁アセンブリと選択的に嵌合するように構成されている、拡張可能アンカーフレームを備え、
前記拡張可能アンカーフレームは、前記拡張可能アンカーフレームが前記自然僧帽弁と係合したときに前記自然僧帽弁の前尖の背後に少なくとも部分的に配設されるように構成されている収縮期前方運動（ＳＡＭ）封じ込め部材を備える
アンカーアセンブリ。
【請求項１２】
前記ＳＡＭ封じ込め部材は、前記拡張可能アンカーフレームの第１の部分から延在する第１の端部および前記拡張可能アンカーフレームの第２の部分から延在する第２の端部を有する細長部材を備える請求項１１に記載のアンカーアセンブリ。
【請求項１３】
前記ＳＡＭ封じ込め部材は、送達システムの一部と解放可能に係合するように構成されているアタッチメント要素をさらに備える請求項１２に記載のアンカーアセンブリ。
【請求項１４】
前記アタッチメント要素は、小穴を備える請求項１３に記載のアンカーアセンブリ。
【請求項１５】
前記ＳＡＭ封じ込め部材は、前記拡張可能アンカーフレームのほぼ中央下側のハブから延在する細長部材を備え、前記細長部材は第１の幅を定める請求項１１に記載のアンカーアセンブリ。
【請求項１６】
前記ＳＡＭ封じ込め部材は、前記細長部材から延在する端部を備え、前記端部は、前記細長部材の前記第１の幅よりも大きい第２の幅を定め、前記端部は、前記拡張可能アンカーフレームが前記自然僧帽弁と係合したときに前記前尖の背後に配設されるように構成される請求項１５に記載のアンカーアセンブリ。
【請求項１７】
前記拡張可能アンカーフレームは、単一のＳＡＭ封じ込め部材を備える請求項１１に記載のアンカーアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月10日(2019.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
創傷被覆材であるインプラントを製造する方法であって、マグネシウム又はマグネシウム合金で構成されたシート状構造体をコラーゲン含有調製物で被覆し、該コラーゲン含有調製物を乾燥させる、インプラントを製造する方法。
【請求項２】
コラーゲン含有懸濁液を前記コラーゲン含有調製物として使用する、請求項１に記載のインプラントを製造する方法。
【請求項３】
天然コラーゲンを含む懸濁液を使用する、請求項２に記載のインプラントを製造する方法。
【請求項４】
マグネシウム又はマグネシウム合金で構成された前記シート状構造体は、メッシュの形である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のインプラントを製造する方法。
【請求項５】
マグネシウム又はマグネシウム合金で構成された前記シート状構造体は、幾何学的に安定している、請求項１〜４のいずれか一項に記載のインプラントを製造する方法。
【請求項６】
マグネシウム又はマグネシウム合金で構成された前記シート状構造体を支持体に適用する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のインプラントを製造する方法。
【請求項７】
動物又はヒト由来の凍結乾燥した皮膚であるコラーゲン膜を前記支持体として使用する、請求項６に記載のインプラントを製造する方法。
【請求項８】
少なくともマグネシウム又はマグネシウム合金で構成された前記シート状構造体を被覆する前に、前記コラーゲン含有調製物を５．５より高いｐＨ値に調整する、請求項１〜７のいずれか一項に記載のインプラントを製造する方法。
【請求項９】
前記コラーゲン含有調製物の乾燥を凍結乾燥により行う、請求項１〜８のいずれか一項に記載のインプラントを製造する方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法により作製可能なインプラントであって、コラーゲン含有シート状構造体に接合しており、該コラーゲン含有シート状構造体に包埋されている、マグネシウム又はマグネシウム合金で構成された前記シート状構造体を含む、インプラント。
【請求項１１】
前記インプラントは、コラーゲン膜で構成された支持体を含み、該支持体上に前記コラーゲン含有シート状構造体が配置される、請求項１０に記載のインプラント。
【請求項１２】
マグネシウム又はマグネシウム合金で構成された前記シート状構造体は、少なくとも一部に開孔を有し、メッシュの形である、請求項１０又は１１に記載のインプラント。
【請求項１３】
マグネシウム又はマグネシウム合金で構成された前記シート状構造体の厚さは、２０μｍ〜１ｍｍ、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載のインプラント。
【請求項１４】
湾曲している、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載のインプラント。
【請求項１５】
前記コラーゲン含有シート状構造体は、不織布及び／又はコラーゲン膜の形である、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載のインプラント。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月8日(2019.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
人の顎の動きを追跡するための装置であって、
−  人の下顎と、人の上顎または前記上顎に動かない状態で結合している前記人の解剖学的構造の一部と、に取り付けられている、参照物体を備えた追跡用アイテムの、運動を撮影するように構成された少なくとも１台のカメラと、
−  前記追跡用アイテムの前記運動を撮影するように前記少なくとも１台のカメラの動作を制御するための第１のサブシステムを含む制御システムと、
−  前記少なくとも１台のカメラによって捕捉された画像の中の前記追跡用アイテムの投影を検出しかつ前記追跡用アイテムの姿勢を求めることと、この情報を少なくとも前記下顎の硬組織を表すデジタルモデルに適用することと、前記参照物体の前記撮影された運動に応じた前記下顎の前記硬組織の運動を可視化する動くデジタルモデルを、ディスプレイに表示されるように生成することと、を行う画像情報処理手段を含む、第２のサブシステムと、を備え、
−  Ｘ線源およびＸ線画像検出部を有する医療用Ｘ線撮像機器をさらに備え、
−  前記制御システムは第３のサブシステムをさらに備え、前記第３のサブシステムは、頭蓋のＸ線画像情報を取得するように前記医療用Ｘ線撮像機器の動作を制御することに関する制御機能を有し、頭蓋の解剖学的構造のＣＴ再構成像を生成し、
−  前記追跡用アイテムの前記運動を撮影するように配置された前記少なくとも１台のカメラは、前記医療用Ｘ線撮像機器の物理的な部分であることを特徴とする、
装置。
【請求項２】
前記医療用Ｘ線機器は、前記Ｘ線源および前記Ｘ線画像検出部を支える第１の構造と、前記第１の構造を支持する第２の構造と、を有し、前記少なくとも１台のカメラは、前記第１の構造または第２の構造に接続されている、
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記装置は、前記Ｘ線源および前記Ｘ線画像検出部を支える前記第１の構造に互いに離間して配置された２台のカメラを有する、
請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記医療用Ｘ線撮像機器は、前記少なくとも１台のカメラの非常に近傍に配置された光源を含み、前記光源は、実質的に、前記少なくとも１台のカメラが向けられている方向に光を出射するように配置されている、
請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記ディスプレイは、前記医療用Ｘ線撮像機器の諸構造に接続されており、前記制御システムは、前記少なくとも１台のカメラによって検出された前記撮影された運動に応じた前記硬組織の運動を表す前記デジタルモデルを前記ディスプレイ上に可視化するように構成されている、
請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記制御システムは、前記第１のサブシステムが前記少なくとも１台のカメラを動作させて前記参照物体の運動を撮影する間に実質的に同時に、前記第２のサブシステムによって生成された前記デジタルモデルの前記運動を可視化するように構成されている、
請求項１に記載の装置。
【請求項７】
硬組織を表す前記デジタルモデルは、前記医療用Ｘ線撮像機器の前記Ｘ線画像検出部によって検出された画像データに基づいて生成された人の下顎もしくは上顎または上下両方の顎のＣＴ再構成像の可視化像である、
請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記制御システムに接続されたユーザインタフェースをさらに備え、前記ユーザインタフェースは、硬組織を表す前記デジタルモデル上の関心を持った特徴にしるしを付すことを可能化するように構成されており、前記制御システムは、前記しるしを前記動くデジタルモデルの中に含めるように構成されている、
請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記制御システムは、前記人の頭蓋の解剖学的構造の少なくとも一部のＣＴ再構成像の可視化像である画像を、前記再構成像のための画像情報が取得されたときの前記人に取り付けられていた、参照物体を有する追跡用アイテムと共にディスプレイに提示するように、また、前記画像における前記追跡用アイテムの前記参照物体の位置を指示するユーザの入力への応答として前記参照物体と前記ＣＴ再構成像との空間的関係を定義する参照モデルを生成するように構成されている、
請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１の構造は、前記Ｘ線源および前記Ｘ線画像検出部が互いに離間して配置された回転可能アームであり、前記少なくとも１台のカメラは、前記Ｘ線画像検出部に隣接して前記回転可能アームに配置されている、
請求項２に記載の装置。
【請求項１１】
前記参照物体は、光反射性である、
請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
人の顎の動きの追跡方法であって、
−  参照物体を有する第１の追跡用アイテムを人の下顎に取り付け、かつ、参照物体を有する第２の追跡用アイテムを、前記人の上顎に動かない状態で結合している、前記人の解剖学的構造の一部に取り付けるステップと、
−  前記追跡用アイテムが取り付けられた前記解剖学的構造の硬組織を含むＣＴ再構成像を生成するステップと、
−  前記参照物体の、前記硬組織の解剖学的構造に対する位置を決定するステップと、
−  人が顎を動かしている間に、前記参照物体の一連の画像を捕捉するステップと、
−  前記捕捉された画像から前記参照物体の位置を検出するステップと、
−  前記参照物体の前記検出された位置、および、前記参照物体と前記硬組織の解剖学的構造との前記決定された位置関係を使用して前記硬組織の解剖学的構造の姿勢を求めるステップと、
−  前記求めた姿勢を可視化システムに転送して前記人の顎の動きに応じた前記硬組織の解剖学的構造の動きのデジタルモデルを表示するステップと、を含み、
−  前記一連の画像は、ＣＴ撮像機器に配置された少なくとも１台のカメラによって捕捉されることを特徴とする、
方法。
【請求項１３】
前記硬組織の解剖学的構造の前記デジタルモデルの前記動きは、前記少なくとも１台のカメラが前記画像を捕捉している間に実質的に同時に可視化される、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の追跡用アイテムは、前記患者の額に接続される、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記硬組織の解剖学的構造には、頭蓋硬組織が含まれる、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも１台のカメラおよび光源が、ＣＴ撮像機器の回転アームに配置されている、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記画像を捕捉している間、前記第１のおよび前記第２の追跡用アイテムの前記参照物体を前記光源によって照明することをさらに含む、
請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
ユーザインタフェースを使用して、前記ＣＴ再構成像における参照物体の位置にしるしを付すこと、および前記位置を前記画像上に表すことをさらに含む、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
少なくとも１つの追跡用アイテムが、互いに離間している少なくとも５つの光反射性物体を有する、
請求項１２に記載の方法。