【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年12月14日(2007.12.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【書類名】明細書
【発明の名称】エネルギー調節のための配置
【発明の詳細な説明】
【０００１】
技術分野
この出願は、２００１年１１月１７日出願の同時係属出願第１０／０２３，４６７号の一部継続出願であり、２００１年１１月２９日出願の同時係属出願第０９／９９６，３５５号の一部継続出願であり、２００１年１１月１７日出願の同時係属出願第１０／００３，７１１号の一部継続出願であり、２００１年１０月１７日出願の同時係属出願第０９／９８２，５５３号の一部継続出願である。
【０００２】
加えて、この出願は、２００１年７月２日出願の米国仮出願第６０／３０２，４２９号、２００１年８月８日出願の米国仮出願第６０／３１０，９６２号、２００２年１月８日出願の米国仮出願第６０／３４９，９５４号、及び２００２年６月１２日出願の米国仮出願第（まだ選定されていない）号の利点を請求する。
【０００３】
この出願は、複数のエネルギー調節（energy  conditioning）機能のためのエネルギー経路（energy  pathway）を使用する遮蔽配置（shielding  arrangement）に関する。かかる遮蔽配置は、離散的又は非離散的な具現として動作可能でありうる。
【０００４】
背景技術
今日、応用における電子回路の密度が増大するにつれて、増大した密度の副産物としての望ましくないノイズが電子回路の性能を制限する。結果として、望ましくないノイズの影響に対する回路の分離又はイミュニゼーション（ｉｍｍｕｎｉｚａｔｉｏｎ）など望ましくないノイズの副産物の影響の回避は、回路の配置及び回路の設計の考慮において重要である。
【０００５】
差動及び共通モードのノイズエネルギーは、エネルギー経路、ケーブル、回路ボードトラック又はトレース、高速伝送ライン、及び／又はバスライン経路によって生じることがあり、エネルギー経路、ケーブル、回路ボードトラック又はトレース、高速伝送ライン、及び／又はバスライン経路に沿って若しくはその周囲で伝播されうる。それらエネルギーコンダクタ（伝導体）は、例えば、エネルギー場を放射するアンテナとして作用しうる。かかるアンテナ様のはたらきは、高周波数における従来の受動デバイスを利用するエネルギーの伝播が、様々な容量性及び／又は誘導性の寄生などエネルギーの寄生干渉の増大したレベルを被りうるという点で、ノイズ問題を悪化させるかもしれない。
【０００６】
それら増加は、内在的な製造若しくはデザインの不均衡及び従来技術の性能の不十分さと結びついた、従来の解決策の機能的又は構造的な限界からくる諸制約の組み合わせによるかもしれない。これらの不十分さは、内在的に、関連する電子回路に結合しうる望まれない不均衡な干渉エネルギーを生成又は誘導し、それによって、これらの寄生および電磁干渉からの少なくとも部分的な遮蔽が望ましいものとなる。結果として、幅広い周波数の動作環境について、それらの問題を解決することは、同時的なフィルタ処理、様々な接地又は耐ノイズ配置を有する注意深いシステムレイアウトとともに、少なくとも部分的な静電的及び電磁的な遮蔽と組み合わせての広範囲な分離の組み合わせを少なくとも必要とする。
したがって、簡素化されたエネルギー経路配置（energy  pathway  arrangement）を利用する、自己完結したエネルギー調節配置（energy-conditioning  arrangement）の必要性がある。該エネルギー調節配置は、離散的又は非離散的な構成要素に融合された他の要素を追加的に有していてもよい。そうした他の要素は、少なくとも減結合（ｄｅｃｏｕｐｌｉｎｇ）機能、過渡電流抑制機能、ノイズ打ち消し機能、エネルギーブロック機能、及びエネルギー抑制機能から選択される、効果的かつ持続的なエネルギー調整機能を提供するための殆どの応用回路で利用されうるものである。
【０００７】
本発明の理解は、添付図と関連した本発明の好ましい実施態様の下記の詳細な記載を考慮することによって容易になるであろう。
【０００８】
本発明の詳細な記載
この出願は、２００１年１１月１７日出願の同時係属出願第１０／０２３，４６７号の一部継続出願であり、２００１年１１月２９日出願の同時係属出願第０９／９９６，３５５号の一部継続出願であり、２００１年１１月１７日出願の同時係属出願第１０／００３，７１１号の一部継続出願であり、２００１年１０月１７日出願の同時係属出願第０９／９８２，５５３号の一部継続出願であり、これらはここに参照として組み込まれている。
【０００９】
加えて、この出願は、２００１年７月２日出願の米国仮出願第６０／３０２，４２９号、２００１年８月８日出願の米国仮出願第６０／３１０，９６２号、２００２年１月８日出願の米国仮出願第６０／３４９，９５４号、及び２００２年６月１２日出願の米国仮出願第（まだ選定されていない）号の利点を請求する。これらはここに参照として組み込まれている。
【００１０】
本発明の添付図及び記載は、本発明の明らかな理解を明確にする要素を例示するために簡素化されて、一方で明確にする目的のために、典型的なエネルギー調節システム及び方法で見られる多数の他の要素を除外することを理解するべきである。他の要素及び／又は段階が望ましく、及び／又は本発明での実行に必要とされることを当業者は認識するであろう。しかしながら、かかる要素及び段階は当該技術で周知であり、本発明の理解を容易にするものではないので、かかる要素及び段階の議論はここでは与えられない。ここでの開示は、当業者に周知である、かかる要素及び方法に対するすべての変形及び修正を導く。さらに、特に断りのない限り、“エネルギー”、“システム”、回路等の全体若しくはその一部を含みうる、ここで使用される用語が、使用に応じて全体のうちの一部およびそっくり全体の両方を含むことが考えられていることは、当業者にとって明白であるだろう。
【００１１】
ここで使用されるところでは、“エネルギー経路”又は“経路”は、少なくとも一つ又は多数の伝導性物質であってよく、各々はエネルギーの持続的な伝播のために機能できる。経路は伝導性であり、それによって、経路に対して直接的に若しくは間接的に結合されているか隣接する、非伝導性若しくは半導体物質と比較して、様々な電気エネルギーを良好に伝播する。さらに、ここで一般的に使用されるところでは、コンダクタ（伝導体）は、例えば、個々の伝導性物質部分、伝導性平面、伝導性経路、経路、電気ワイヤー、ビア（ｖｉａ）、アパーチャ、抵抗性のリードなどの伝導性部分、伝導性物質の部分、又は少なくとも一つの媒体８０１によって分離された平面などの電気プレートを含んでよい。
【００１２】
遮蔽（shield）は、遮蔽電極と、遮蔽経路（shielding  pathway）の部分と、遮蔽型経路（shielded  pathway）と、遮蔽型コンダクタと、遮蔽型エネルギーコンダクタと、遮蔽型電極と、及び／又は少なくとも一つのプロセス生成型遮蔽経路部分とを含みうる。複数の遮蔽は、遮蔽に関して上で論じたデバイスの複数を含んでよい。
【００１３】
ここに一般的に、経路（pathway）は、７９“Ｘ”、８１２“Ｘ”、８１１“Ｘ”、及び９９“Ｘ”で示される様々な経路の拡張（extension）を有しうる〔たとえば図１Ｂを参照。“Ｘ”は図１の「ＳＳＷ」「ＮＮＷ」等を表しうる〕。本体８０、８１が存在し、本体経路８０は、例えば、電気的に零である、電気的に差動的である、又は電気的に反対であることのうちのいずれか一つ又はその任意の組み合わせである、物理的に対向し、反対に配向された本体経路８０のペアを含んでいてもよい。
【００１５】
ある例示的な実施態様は、対にされた経路上でのエネルギー伝搬を許容でき、共通の遮蔽上、又は分離された回路の役割をする遮蔽の少なくとも一つのグループ上でエネルギーの伝播を引き起こす。かかる実施態様は、少なくとも１ペアの分離された別個の並列の経路で、低いインダクタンス経路の形成を許容しうる。
【００１６】
回路アセンブリの一部分として利用される例示的な実施態様は、相対的に低いインダクタンスの少なくとも一つの経路を有してよく、一方で、他の経路はエネルギー源又はエネルギー負荷に電気的に結合されていてもよい。システムは、同一の経路でない、小インダクタンスの経路と小インピーダンスの経路の両方を有してよい。
【００２１】
本発明の態様によると、各遮蔽は本体８１を有してよい。それらの本体８１は、まとめて伝導的に互いに結合されてよく、同時にエネルギー経路の本体８０を実質的に閉じ込め、遮蔽してよい。本発明の別の実施態様においては、まとまって遮蔽する本体８１は、経路の本体８０を、部分的に閉じ込めるか、又は遮蔽の少なくとも一つの部分で遮蔽するだけでもよい。
【００２２】
本発明の別の態様によると、均衡で対称的な経路配置は、ある種の重層された遮蔽の対称性から、経路の大きさ及び形状の決め方並びに／又は位置づけからの帰結であってもよい。
【００２３】
したがって、ある実施態様の経路は、当業者にとって明白である、受動的なデバイス処理などの製造処理を使用して形成されてよい。
【００２４】
経路配置は経路の対を含みうる。対をなす各経路は、中心に位置する遮蔽の各側から実質的に等距離であり、全体的な経路の階層構造は図１Ａ乃至４Ｉに描写される。したがって、経路は、各別個の回路部分について、中心に位置する遮蔽の各側において存在してよい。
【００２５】
本発明の態様によると、例えば、各経路は、集積回路ウェハーの周りを取り巻くかそれを保持する相互連結の基板、沈着物、エッチング又はドープ処理の結果物であってよい。遮蔽は、例えば、経路基板、エネルギーを調節する実施態様又はエネルギーを調節する基板、沈着物、エッチング、ドープ処理の結果物であってよく、かつ、例えば抵抗性の特性であってよい。
伝導性及び非伝導性要素を含む追加的な要素が、様々な経路間で利用されてもよい。それらの追加的な要素は、強磁性体物質又は強磁性体状の誘電体層及び／又は誘導性のフェライトの誘電体派生物質の形態であってよい。物質及び構造要素の様々な組み合わせに加えて、エネルギーを調節する多数のオプションを提供するために、追加的な経路構造要素が利用されてもよい。該追加的要素に含まれるものとしては、異なる伝導性物質組成の伝導性及び非伝導性の複数の経路、伝導性の磁場に影響する物質のハイブリッド及び伝導性のポリマーシート、様々な処理された伝導性及び非伝導性ラミネート、真っ直ぐな伝導性の沈着物、複数の遮蔽経路、様々なタイプの磁気物質の遮蔽及び選択的な遮蔽を活用する経路、伝導的にドープされ伝導的に沈着された物質及び端末はんだがありうる。
【００２６】
例えば、誘電体物質は、処理技術と互換性を有する物質要素の一つ以上の層を有してよい。それら誘電体物質は、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素などの半導体物質であるか、又は、これに限定されないが任意のK、高Kおよび低Kの誘電体のような半絶縁性及び絶縁性物質であってよい。
【００２７】
経路及びコンダクタ物質は、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄからなる群から選択されてよく、別のそのような伝導性物質及び金属であってよい。それら金属物質の組み合わせは、ここに記載された目的のために好適であり、ルテニウム酸化物などの適切な金属酸化物を含んでよく、特定の用途の要求に依存して適切な金属で希釈されてもよい。他の経路は、実質的に非抵抗性の伝導性物質で形成されてよい。ドープされたポリシリコン、焼結されたポリクリスタル、金属、ポリシリコンのケイ酸塩、若しくはポリシリコンのケイ素化合物などの伝導性エリアを生成する、伝導性、非伝導性、半導体物質及び／又は回路ボード物質若しくは任意の基板あるいは処理から経路を生成してよい任意の基板並びに処理は、経路の配置内又は経路の配置で使用されてよい。
【００２８】
本発明の例示的な実施態様は、様々な配置内でエネルギーを均衡する構成を保証するために、内部的な遮蔽の構造的な構成を利用してよい。この均衡する構成は、中心に位置する遮蔽に依存する。中心で共有された遮蔽のかかる挿入は、様々な回路電圧を半分に分け、電圧エネルギーの半分を、相反する対になった遮蔽されるコンダクタの各々に提供する、分圧器を生成しうる。
分離された回路システムの各共通の回路要素は、共通エリア又は共通経路に付加されるか結合されてよく、それによって外部の共通のゼロ電圧を提供する。
したがって、前記実施態様が有する複数のセットの遮蔽は、電気的若しくは物理的に、交互配置された遮蔽関係にある諸経路の間に位置しており、追加的に結合されて部分的に本遮蔽構造を形作る、−ＩＭとして図に示されている、追加的な外側のサンドイッチする遮蔽でサポートされていてもよい。
【００２９】
ある例示的な実施態様はまた、種々のエネルギー源を利用し、一つ以上の分離した個別のエネルギー利用負荷に供給しうる、一つ以上のエネルギー回路内に置かれてもよい。複数のエネルギー調節（energy  conditioning）動作のためにエネルギー付与され、電磁干渉フィルタ処理、抑制、エネルギーの減結合及びエネルギーサージ保護などの、一つ以上のエネルギー回路について同時でかつ効果的なエネルギー調節機能を提供するためにエネルギー付与されるとき、各分離した個別の回路は共有される遮蔽構造を利用する。
【００３０】
本発明のある側面によると、エネルギー調節機能は、均衡がとれたエネルギー電圧の参照及び回路内の各それぞれのエネルギー利用負荷のためのエネルギー供給を維持しうる。このエネルギー付与された配置は、単一又は複数の分離された経路配置を利用する特定のエネルギー伝播を可能にしてよく、単一で中心化された遮蔽での均衡を必要としなくてよい。遮蔽は、物理的及び電気的に、一つ又は複数のエネルギー源と一つ又は複数のエネルギー利用負荷との間に位置してよい。
【００３１】
内部に位置するペアの遮蔽された経路が、外部に製造された経路にあとから付加されるか、又は伝導的に結合される場合、内部に位置するペアの遮蔽はケージ状の遮蔽構造内に実質的に包まれてよく、それによって、通常は逃げ去るか又は隣接する遮蔽される経路に結合しうる、内部で生成するエネルギーの漂遊及び寄生を最小限にする。それらの遮蔽モードは様々な経路へのエネルギーの伝播を利用し、遮蔽構造のエネルギー付与によって生成される静電的な遮蔽効果とは別個であってよい。
【００３２】
本発明のある側面によるデバイスは、少なくとも一つの静電的に遮蔽された変圧器の機能性を模倣しうる。変圧器は、エネルギーを変換するために一次巻き線を二次巻き線に磁気的にリンクするために、入力の間の差動モード変換に依存する共通モードの分離を提供するために幅広く使用されうるものである。結果として、一次巻き線の両端間の共通のモードの電圧が除去される。
遮蔽は、巻き線の複数セット間の容量性結合を防ぐために設計された共通の経路参照源に結合することによって、変圧器の一次巻き線と二次巻き線との間に提供されてよい。本発明のある側面によるデバイスは、回路の変圧器を改善し、回路の変圧器の必要性を低下させる。該デバイスは、寄生を抑制する物理的で相関する共通経路の遮蔽を使用してよく、さらに、変圧器として効果的に機能するように、共通する経路の遮蔽の相対的な位置づけを使用してよい。分離された回路システムが過渡電流によって乱される場合、ここに記載のデバイスの静電的に遮蔽された変圧器の機能は、過渡電流抑制と保護において効果的でありえ、組み合わされた差動モード及び共通モードのフィルタとして同時に機能しうる。相関する遮蔽及び相関するコンダクタの各セットは、変圧器の機能性を提供するために少なくとも同一の外部経路に伝導的に結合されてよい。
【００３３】
本発明のある側面によるデバイスは、異なるタイプのエネルギー伝播フォーマットを含みうるシステム及び二つ以上の回路伝播特性を含みうるシステムでのエネルギー調節を含め、直流、交流、並びに交流／直流のハイブリッドタイプの伝播を使用するエネルギーの調節ができてよい。
【００３４】
例示的な実施態様において、典型的な実施態様の外部分を伝導的な結合によってアセンブリ内に結合又は接続するための、周辺の伝導性の結合物質は、例示的な実施態様のそれぞれの部分を通過するかほとんど通過する、アパーチャ又はブラインド若しくはノンブラインドのビアとして知られる、傾斜型、平行型若しくは垂直型の様々なタイプのコンダクタに対する伝導性又は非伝導性の付加によって達成されてよい。前記の傾斜、並行、垂直といった用語は少なくとも他の一つの経路との関係で適用されるものである。本発明の一つの側面について、集積回路の一部分などの少なくとも一つ以上の負荷への結合は、アパーチャ及びビアなどの様々なタイプのコンダクタへの選択的な結合を含んでよいし、含まなくてもよい。
【００３５】
経路の製造は、経路の一つ以上のレベルを通過する一つ以上のプレートスルーホール（ｐｌａｔｅｄ  ｔｈｒｏｕｇｈ  ｈｏｌｅ）（ＰＴＨ）ビアの形成を含んでよい。電子パッケージは、普通、複数の相互結合（interconnect）レベルを含む。かかるパッケージにおいて、本発明は、一つの相互結合レベル上のパターン化された伝導性物質が、誘電体物質層などによって、別の相互結合レベルのパターン化された伝導性物質から電気的に絶縁されているような層構造を含んでいてもよい。
【００３６】
様々な相互結合レベルの伝導性物質間の接続又は結合は、絶縁部分又は層における、ここでビア若しくはアパーチャと称される開口の形成によってなされてよく、それが今度は、種々のレベルからのパターン化された又は成形された伝導性物質部分又は経路が互いに電気的に接触するように電気的な伝導性構造を提供できる。それらの構造は、一つ以上の相互結合レベルを通じて延在できる。伝導性、非伝導性又は伝導的に満たされたアパーチャ及びビアの使用は、あたかも実施態様のバイパス又はフィードスルー構成を利用しているかのように、例示的な実施態様を横断するエネルギーの伝播を許容する。実施態様は、サポート、システム又はサブシステム・プラットフォームとしての役をしてよく、少なくとも一つの源と少なくとも一つの負荷との間で伝播されるエネルギーを調節するための記載された利点を提供するよう層化された能動的及び受動的な構成部分の両者若しくは一方を含んでいてもよい。
【００３７】
本発明のある側面は、他の要素を有するパッケージング又は集積回路パッケージに含めるのに好適な伝導性の構成又は構造を提供してよい。
【００３８】
例示的な実施態様は、比較的安価な誘電体、伝導性物質及び様々な他の物質要素の幅広い様々な方法での利用を許容しうる。本構成の性質により、物理的及び電気的に分割する生成された構造は、グループ化された隣接する要素の間での電圧の分割及び均衡を許容でき、物質のヒステリシス及び圧電現象の影響の最小化を許容しうる。
【００４０】
上に記載のような本発明の側面によるデバイスは、各分離された回路と、ペアになった複数の経路又は差動経路との間に位置されてもよい。この例示的なデバイスは、単一の離散的なコンデンサ又はインダクタ構成部分と比較して、広い周波数範囲にわたって効果的に機能でき、さらに、例えばＧＨｚを越えて動作する分離された回路システム内でも効果的に機能し続けうる。
【００４１】
上述のように、前記の例示的なデバイスは、この広い周波数範囲で、相互の誘導的な打ち消しを含む遮蔽機能を実行してよい。
【００５０】
遮蔽は、一つ以上の遮蔽を生成するケージ状の伝導性遮蔽構造の原理を使用して連結してよい。より大きな外部の伝導性エリアを伴う遮蔽の伝導性結合は、放射される電磁放射を抑制できる。より大きなエリアは、電圧とサージの散逸が生じうる、より大きな伝導性エリアを与えるからである。異なる電気的な特性を有する複数の伝導性又は誘電性物質の一つ以上は、遮蔽間で維持されてよい。挿入する遮蔽に加えて、数ミクロン以下の大きさの少量の誘電体物質が経路間の伝導性物質の分離として使用されてもよく、該誘電体は、遮蔽される経路のどれとも直接物理的に又は伝導的に結合されていなくてもよい。
【００５１】
外部の接地エリアは、代替の共通経路として結合されるか、又は伝導的に接続されてもよい。回路インピーダンスを下げるために、追加的ないくつかのペアになった外部経路を取り付けてもよい。かかる低いインピーダンス現象は、代替的又は補助的な回路の戻り経路を使用して生じうる。
【００５３】
ここで図１Ａ乃至図５Ｂを参照するに、同一平面の変形（図１Ａ乃至４Ｉ）及び積層された変形（図５Ａ及び５Ｂ）で構成された例示的な実施態様の共通及び個別的両方の変形の様々な共通の原理を一般的に示している。
【００５４】
図１Ａにおいて、本発明のある側面により開示される様々な経路の拡張（extension）の相対的な位置が示される。８“ＸＸ”−“Ｘ”Ｍ〔図１Ｂなどを参照〕で示される中心の遮蔽経路を利用する配置が、該配置において、同一平面の変形での均衡が取れた伝導性部分〔たとえば８６５−１と８５５−１〕の支点として適応される。少なくとも第一及び第二の組の複数の経路を含む経路配置であって、該第一の組の複数の経路が、互いから電気的に分離されて配置され、第一の対称的な関係で配向された少なくとも一つのペアの経路を有する、経路配置が例示される。
加えて、第二の組の複数の経路のうち少なくとも第一の半分は、第二の組の複数の経路のうちの第二の半分から電気的に分離されて配置され、かかる第二の組の複数の経路のうち少なくとも２つの経路は第一の組の複数の経路から電気的に分離される。本経路配置はまた、例えば誘電体、強磁性体、又はバリスターなどの、本経路配置の諸経路を離間させる属性を有する物質を有してよい。第二の組の複数の経路のうち前記第一の半分の経路は、互いに電気的に結合され、第二の組の複数の経路のうち前記第二の半分の経路は互いに電気的に結合される。第二の組の複数の経路のうちの第一の半分の経路の総数は、１より大きな奇数であってよく、第二の組の複数の経路のうちの第二の半分の経路の総数もまた、１より大きな奇数であってよい。本発明のある側面によると、第二の組の複数の経路のうちの第一の半分の経路は第一の重ね合わされたアライメントに位置し、一方で第二の組の複数の経路のうちの第二の半分の経路は第二の重ね合わされたアライメントに位置し、前記第一及び第二の重ね合わされたアライメントが相互に重ね合わされ、そのアライメントが、ここでは同一平面の配置と定義される。
【００５５】
同一平面でない配置において、第二の組の複数の経路のうちの第一の半分の経路は第一の重ね合わされたアライメントに位置されてよく、第二の組の複数の経路のうちの第二の半分の経路は第二の重ね合わされたアライメントに位置されてよく、前記第一及び第二の重ね合わされたアライメントが上下に重ねた配置にされてよい。一つの配置では、少なくとも４つの経路が電気的に分離される。
【００５６】
本発明を例証する実施態様は、第一の組の複数の経路と第二の組の複数の経路とを含む、少なくとも３組の複数の経路を含んでいてもよい。前記第一及び第二の組の複数の経路は、前記第二の組の複数の経路のうちに等しく反対の経路要素をみつけられる前記第一の組の複数の経路要素を含んでいてもよい。前記第一及び第二の組の複数の経路の要素は、実質的に同一のサイズ及び形状であってよい。したがって、前記第一及び第二の組の複数の経路のペアをなす結果、前記第一及び第二の組の複数の経路の要素は同数となってよい。例示的な実施態様は、個々の分離された低い回路インピーダンスの経路の発達を許容する少なくとも第一及び第二の遮蔽を提供してよい。構造的に、該遮蔽は第三の組の複数の経路と第四の組の複数の経路によって達成されてよい。各組の複数の遮蔽は、等しいサイズ及び形状の遮蔽を有してよい。前記第三及び第四の各組の複数の経路は、伝導的に結合されてよい。伝導的な結合は、当業者に知られている様々な方法及び物質によって達成されてよい。したがって、前記第三及び第四の組の複数の経路が、遮蔽を受ける前記第一及び第二の組の複数の経路を利用する遮蔽の２つのセットとしてグループ化される場合、該第三及び第四の組の複数の経路は、回路エネルギーの調節のためのエネルギー伝播のための低い回路インピーダンスの経路を発達させるための共通経路に結合されてよい。
【００５７】
例えば、図５Ａ及び５Ｂに描写される鏡像として示されるように、例えば、低いサブ回路の８１２ＮＮＥ、８１１ＮＮＥ、８１２ＳＳＷ及び８１１ＳＳＷなどの任意の経路の拡張を例外として、対面して位置されたときに本体経路８０が重ね合わされて整列されうるように、経路はバイパス配置に追加的に配置されてよい。
【００５８】
前記した複数の経路の組のうちでは、個々の経路の要素は実質的に同一サイズ及び形状であってよく、伝導的に結合されてよい。しかしながら、一つの組の複数の個々の経路の要素は、異なる組の複数の経路の要素に伝導的に結合されなくてよい。第一の組の複数の遮蔽及び第二の組の複数の遮蔽が同一のコンダクタに外部的に結合される場合のように、一つの組の複数の経路の要素が異なる組の複数の経路の要素に接続されてよい状況があってよい。
【００５９】
共通要素は、図１Ａ乃至１Ｃに示されるような同一平面の遮蔽されたバイパス経路でのダイナミックなエネルギー移動を描写する概念的なエネルギーインジケータ６００、６０１、６０２、６０３と一致するエネルギーの流れを有してよい。ある実施態様は、複数の回路のための複数の分離された低い回路インピーダンスの発達のための少なくとも複数の遮蔽を提供してよい。
【００６０】
図１Ａをさらに参照するに、経路は相対的な共通経路によって遮蔽されてよく、少なくとも一つの経路の拡張８１２“Ｘ”を伴う本体経路８０を有してよい。示された遮蔽は、９９“Ｘ”／７９“Ｘ”で示された少なくとも一つの経路の拡張を伴う本体の遮蔽経路８１を有する。遮蔽は、伝導性の内部経路を有する本体７９９をサンドイッチし、包み込んでよい。該伝導性の内部経路を形成するのは、共焼成された電子コンポーネントに伝統的に使用される貴金属若しくは卑金属の族からの伝導性物質、あるいは、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄのような伝導性物質、あるいは金属酸化物及びガラスフリットなどの組み合わせ物質である。静電容量及び抵抗値は、抵抗性物質としてのルテニウム酸化物及び伝導性物質としてのＡｇ／Ｐｄの使用によるなどして、上述のように経路の一つの族において達成されうる。さらに、経路の幾何学での変化は、異なる抵抗性及び静電容量値を生じうる。変化は、経路が作られる物質を変えることによって達成されてよい。例えば、銀のような伝導性物質は、物質の抵抗を低下させるために、金属酸化物／ガラスフリット物質に選択的に加えられてよい。
【００６１】
複数の経路、８６５−１及び８６５−２は、物質８０１の同一部分の上で同一平面上で離間して位置づけられているように示されている。同一平面上の経路８６５−１及び８６５−２の各経路は、伝導性物質７９９から形成されていてもよく、又は伝導性物質と別の物質とのハイブリッド（本稿では７９９“Ｘ”と示される）で形成されてもよい。同一平面上の経路８６５−１及び８６５−２の各々はまた、バイパス経路として形成されてよく、そこでは各経路は、それぞれ対応する本体エッジ及び周囲、８０３Ａ及び８０３Ｂを有する本体の経路８０及び少なくとも一つの経路の連続する拡張８１２“Ｘ”を有する。同一平面上の経路８６５−１及び８６５−２の各々は、本体エッジ８０３Ａ及び８０３Ｂから本体エッジ８０３Ａ及び８０３Ｂの一部分が伸びて、少なくとも一つの経路の連続する拡張８１２ＳＳＷ及び８１１ＳＳＷを有してよい。拡張８１２“Ｘ”は、それが伸びる基部となる本体経路８０と関連して形成される経路物質の一部分である。本体経路８０、８１２“Ｘ”は、許容される平均の周囲エッジ８０３“Ｘ”を超えて伸びる物質７９９又は７９９“Ｘ”の拡張として見出されてよい。拡張８１２“Ｘ”及び７９“Ｘ”は、それが形成されるもとになる経路の連続する部分としてそれぞれ位置づけされて見出されてよい。各本体経路は、実施態様のエッジ８１７に関し距離８１４Ｆ離間して位置づけされたエッジ８０３Ａ、８０３Ｂを有してよい。実施態様のエッジ８１７は物質８０１を有してよい。同一平面上の本体の経路のエッジ８０３“Ｘ”は、距離８１４Ｊ離間して位置づけされてよい。経路の拡張８１２ＳＳＷ及び８１１ＳＳＷは、それぞれの経路の本体８０を、エッジ８１７に位置していてよい外部経路８９０ＳＳＷ及び８９１ＳＳＷに伝導的に結合していてよい。同一平面上に配置された本体経路８０は、同一平面上の本体経路８１の２つの層の位置合わせされた被覆のエリアの間で“サンドイッチされて”位置づけされてよい。
【００６２】
相互に相反する場を組み合わせることは、打ち消し又は最小化効果を引き起こす。対称的に配向された遮蔽どうしが近いほど、相反するエネルギーの伝播に対する相互に相反する打ち消し効果はより良好になる。対称的に配向された遮蔽の配向が重なり合うほど、寄生及び打ち消し効果の抑制結果はより良好になる。
【００６３】
引き続き図１Ａを参照するに、複数の同一平面上の遮蔽のエッジは、点線８０５Ａ及び８０５Ｂによって表されてよい。複数の遮蔽の各々の本体経路８１は、任意の対応するサンドイッチされた経路のサンドイッチ本体経路８０よりも大きい。これは、遮蔽及び残りの経路の位置に関連する引っ込んだエリア８０６を生成してよい。本体８０及び８１のサイズは実質的に同じであってもよく、したがって、引っ込みのある位置づけ関係はある種の実施態様では最小限であってよい。増大した寄生抑制は、より大きな経路本体８１によって遮蔽されるべき本体８０を含む経路を引っ込ませることによって得られうる。例えば、引っ込まされた経路８６５−１の本体８０は、図１Ｂに例示されるような経路８６５−１と隣接する中央の同一平面の経路８００−ＩＭ−１とを隔てる物質８０１の厚さによって与えられる１乃至２０＋倍の間隔の距離で分離されてよい。
【００６４】
複数の同一平面上の遮蔽エッジ８０５Ａ及び８０５Ｂは、距離８１４Ｋ離間して位置づけされてよく、エッジ８０５Ａ及び８０５Ｂとエッジ８１７とに関しては距離８１４であってもよい。エッジ８０３Ａ及び８０３Ｂに対するほかの距離８１４Ｊが与えられてもよい。さらに、一つの８０３“Ｘ”とエッジ８１７との間に距離８１４Ｆが存在してもよい。各同一平面上の遮蔽は、複数の同一平面上の遮蔽のエッジ８０５Ａ及び８０５Ｂから伸びる、例えば、７９ＮＮＥ、７９ＳＳＥ、９９ＮＮＥ及び９９ＳＳＥ部分などの複数の連続する経路の拡張部分を有してよい。複数の同一平面上の遮蔽は、エッジ８１７に位置する、複数の外部経路物質９０１ＮＮＷ、９０１ＳＳＥ、９０２ＮＮＥ、９０２ＳＳＥを含んでいてよい。概念的なエネルギーのインジケータ６０２は、同一平面上の経路８６５−１及び８６５−２内の様々のダイナミックなエネルギー移動を表す。低いインピーダンス経路を与える遮蔽によって、望ましくないエネルギーが同一平面の遮蔽に移動されうる。該遮蔽は別の経路又は伝導性エリアに追加的に電気的に結合されていてもよい。
【００６５】
ここで図１Ｂ及び１Ｃを参照するに、層の序列が、第一の組の複数の同一平面上の経路８６５−１、８６５−２、第二の組の複数の同一平面上の経路８５５−１、８５５−２、第三の組の複数の同一平面上の経路８２５−１−ＩＭ、８２５−２−ＩＭ、８１５−１、８１５−２、８００−１−ＩＭ、８００−２−ＩＭ、８１０−１、８１０−２及び８２０−１−ＩＭ、８２０−２−ＩＭについて例示されている。前記第一、第二、及び第三の組の複数の経路は、実施態様３１９９、３２００、３２０１を形成するために積層されてよい。第三の組の複数の同一平面上の経路が、遮蔽することを提供しうる。複数の同一平面上の遮蔽８２５−１−ＩＭ、８２５−２−ＩＭ；８１５−１、８１５−２；８００−１−ＩＭ、８００−２−ＩＭ；８１０−１、８１０−２；及び８２０−１−ＩＭ、８２０−２−ＩＭの本体８１は、実質的に同様のサイズ及び形状であってよく、さらに物質８０１の異なる層の同一平面上の位置で離間されていてもよい。第一の組の複数の同一平面上の経路８６５−１及び８６５−２は、少なくとも、対応する相反する第二の組の複数の同一平面上の経路８５５−１及び８５５−２を有してよい。これらの第一及び第二の組の複数の同一平面上の経路は、対面して配向されたとき、様々な連続の経路拡張８１２“Ｘ”、８１１“Ｘ”は別として、共に位置合わせされて整列された本体経路８０を有してよい。図１Ｂ及び１Ｃに示されるように、外側の同一平面上の経路８２０−１−ＩＭ、８２５−１−ＩＭのペアは経路の遮蔽としての役割をしてよく、それによって、本体８１を伴う残りの伝導的に結合された複数の経路の遮蔽効果を改善する。
【００６６】
変形した実施態様３１９９、３２００、３２０１で例示されるように、遮蔽８２５−１−ＩＭ、８１５−１、８００−１−ＩＭ、８１０−１及び８２０−１−ＩＭの拡張７９ＮＮＥ、７９ＳＳＥ並びに遮蔽８２５−２−ＩＭ、８１５−２、８００−２−ＩＭ、８１０−２及び８２０−２−ＩＭの拡張９９ＮＮＥ、９９ＳＳＥの位置は変化されてよい。例えば図１Ｂにおいては、拡張７９ＮＮＥ及び９９ＮＮＥは、遮蔽の本体８１の向かい合う辺上で拡張７９ＳＳＥ及び９９ＳＳＥから対角線上に離間して配置されてよい。例えば図１Ｃにおいては、拡張７９ＮＮＥ及び９９ＮＮＥは、遮蔽の本体８１の向かい合う辺上で拡張７９ＳＳＥ及び９９ＳＳＥとラインを揃えて離間して配置されてよい。図１Ｂにおいて、拡張８１２ＮＮＥ及び８１１ＮＮＥは、物質８０１の層の同一エッジ８１２に向かって延在し、離間して配置されてよく、拡張８１２ＳＳＷ及び８１１ＳＳＷは、物質８０１の層の前記と反対側のエッジ８１２に向かって各々延在し、離間して配置されてよい。図１Ｃにおいて、経路８６５−１及び８６５−２は、上述したように鏡像であってよい。図１Ｂと比較すると、拡張８１２ＮＮＥ及び８１１ＮＮＥは、物質８０１の層の互いに反対側のエッジ８１７に向かって伸びており、離間して配置されてよい。拡張８１２ＳＳＷ及び８１１ＳＳＷは、物質８０１の層の前記と反対側のエッジに向かって延在し、拡張８１２ＮＮＥ及び８１１ＳＳＷが、物質８０１のそれぞれの層の相対するエッジ８１２“Ｘ”に向かって延在するように、離間して配置されてよい。
【００６７】
ここで図２Ａ及び２Ｂを参照するに、図２Ａは、本発明のある側面による図２Ｂの実施態様の概略的な平面図を例示する。図２Ｂは、第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八、第九、及び第十の経路のレイアウトを有する経路配置を描写しており、少なくとも例えば第三及び第四の経路は同一平面上であって、互いに離間して配置されてよい。図２Ｂは、第三及び第四の経路の下に配置された第一及び第二の経路を例示し、第三及び第四の経路の上に配置された第五及び第六の経路を例示し、第五及び第六の経路の上に配置された第七及び第八の経路を例示し、第七及び第八の経路の上に配置された第九及び第十の経路を例示する。それら経路は、様々なそれぞれの内部の連続する経路の拡張８１２“Ｘ”、８１１“Ｘ”、７９“Ｘ”及び９９“Ｘ”を有し、同一の最小数の層を有する離散的な構成部分であってよい。内部の連続する経路の拡張８１２“Ｘ”、８１１“Ｘ”、７９“Ｘ”及び９９“Ｘ”ならびに伝導的に結合された外部経路８９０“Ｘ”、８９１“Ｘ”、８０２“Ｘ”及び９０２“Ｘ”は、本体の経路８０及び８１の複数の同一平面上の経路の内部経路に結合されてよい。
【００６８】
図３Ａ及び３Ｂを参照するに、図３Ａにおいては、図３Ｂの実施態様の概略的な平面図が示されており、外部経路は、少なくとも２つの分離された回路部分で選択的に伝導的に結合してよい。図３Ｂは、第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八、第九、及び第十の経路の最小のレイアウトを有する経路配置を描写しており、少なくとも例えば第三及び第四の経路は同一平面上であって、互いに離間して配置される。図３Ｂに示されるデバイスは、第三及び第四の経路の下に配置された第一及び第二の経路を有し、第三及び第四の経路の上に配置された第五及び第六の経路を有し、第五及び第六の経路の上に配置された第七及び第八の経路を有し、第七及び第八の経路の上に配置された第九及び第十の経路を有する。それら経路は、様々なそれぞれの内部の連続する経路の拡張８１２“Ｘ”、８１１“Ｘ”、７９“Ｘ”及び９９“Ｘ”を有し、同一の最小数の層を有する離散的な構成部分であってよい。
【００６９】
ここで図３Ｃを参照するに、本発明のある側面による遮蔽の平面図が例示される。図３Ｃに描写される実施態様は、図３Ｂのデバイスに比較して、少なくとも一つの追加的な経路を有する。かかる追加的な経路１１００−ＩＭ“Ｘ”は、遮蔽が２つの回路部分に及ぶ、経路の積層での少なくとも複数の遮蔽の一つであってよい。経路１１００−ＩＭ“Ｘ”は、経路の積層での少なくとも２つの外側のサンドイッチする遮蔽の一つであってよい。遮蔽は、外側の１１００−ＩＭ“Ｘ”遮蔽に電気的に結合され中央に配置された１１００−ＩＭ“Ｘ”経路を加えることによって、２つの回路に及んでもよい。経路１１００−ＩＭ“Ｘ”は、少なくとも一つの拡張を有してよく、２つの拡張１０９９ＮＮＥ及び１０９９ＳＳＥを伴って例示され、本発明におけるすべての経路について遮蔽をサンドイッチ状にさせてよい。少なくとも３つの遮蔽が共に結合されてよく、分離された回路のエネルギー負荷若しくはエネルギー源を分割するか、又は２つの分離された回路を分割するセンタリング遮蔽を有してよい。
【００７０】
遮蔽００ＧＳは、他の遮蔽から電気的に分離されてよく、分離された回路のエネルギー伝播をもたらすように配置されてよい。分離された回路は、遮蔽によってサンドイッチされてよい。遮蔽は、任意の他の伝導性エリアから分離された伝導性エリアに電気的に結合されてよく、それによってエネルギー伝播をもたらす。
【００７１】
図４Ａ乃至４Ｉは、本発明の諸側面による様々な実施態様のアセンブルされた構成部分を描写する。図４Ａ乃至４Ｉの配置は、第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八、第九、及び第十の経路の最小のレイアウトを有してよく、少なくとも例えば第三及び第四の経路は同一平面上であって、互いに離間して配置される。第一及び第二の経路は、第三及び第四の経路の下に配置されてよく、第五及び第六の経路は、第三及び第四の経路の上に配置されてよく、第七及び第八の経路は、第五及び第六の経路の上に配置されてよく、第九及び第十の経路は、第七及び第八の経路の上に配置されてよい。それら経路は、様々なそれぞれの内部の連続する経路の拡張８１２“Ｘ”、８１１“Ｘ”、７９“Ｘ”及び９９“Ｘ”を有し、例えば、アセンブルされた最終の離散的な構成部分であってよい。
【００７２】
図５Ａを参照するに、本発明のある側面による経路のグループを有する、複数の非共有回路の積層が示されている。図５Ａには、積層配置が図５Ａの次の列に続くことを示すマーカー１０００が含まれる。概念的なエネルギーインジケータ６００、６０１、６０２、６０３は、エネルギーの流れを示す。物質７９９は、８１５−１、８００−１−ＩＭ、８１０−１、８１５−２、８００−２−ＩＭ及び８１０−２と示される構成部分６９００遮蔽のために物質８０１上に沈着されてよい。遮蔽８１０−Ａ及び８１０−Ｂは、分離された回路システムの少なくとも一部分の分割された遮蔽である。遮蔽８１５−Ａ及び８１５−Ｂは、分離された回路システムの少なくとも一部分の分割された遮蔽である。遮蔽８２０−Ａ及び８２０−Ｂは、分離された回路システムの少なくとも一部分の分割された遮蔽である。遮蔽８２５−Ａ及び８２５−Ｂは、分離された回路システムの少なくとも一部分の分割された遮蔽である。コンダクタ８５５−１及び８５５−２は分離されて、バイパス形態における遮蔽された経路である。コンダクタ８６５−１及び８６５−２は分離されて、バイパス形態における遮蔽された経路である。図５Ａにおいて、経路配置は、２つのタイプの経路の少なくとも６つの経路配向を有して描写され、該少なくとも６つの経路配向の各経路配向は、残りの経路配向からの伝導分離を提供する。
【００７３】
図５Ｂを参照するに、本発明のある側面による積層された遮蔽構造が示される。図５Ｂは、図５Ａと同様な実施態様を描写し、８５５“Ｘ”及び８６５“Ｘ”経路の２つのセットは明快のために省略され、図５Ａの遮蔽は、８５５“Ｘ”及び８６５“Ｘ”の経路の各相関するセットにおいて横倒しで配向される。７９“Ｘ”の経路拡張は、様々な経路拡張８１１“ｘ”及び８１２“Ｘ”に関して９０度回転されていてよい。概念的なエネルギーインジケータによって例示されるようなこの構成のダイナミックな結果は、２つの分離された回路の２つのセットの経路８５５“Ｘ”及び８６５“Ｘ”の拡張を無効にすることによって、さらに各分離された回路のペア８５５Ａ及び８６５Ａの遮蔽を８５５Ｂ及び８６５Ｂの様々な経路拡張にほぼ９０度に相対的に位置づけすることによって向上されてよい。
【００７５】
上述したように、本発明の実施態様において、複数のペアになっており遮蔽された経路は、前記第一及び第二の組の複数の経路を有してよい。経路要素は、エネルギーの伝播を提供し、一般的に非平行若しくは垂直な関係を維持し、加えて、隣接する回路と別個の電気的な関係を維持するために、絶縁されていない、伝導性のアパーチャ及び伝導性の貫通ビア（ｔｈｒｏｕｇｈ−ＶＩＡｓ）を有してよい。
【００７６】
図５Ｃを参照するに、本発明のある側面にしたがって、ビアを有し、経路の群を含む、積層された複数で非共有の回路の相対的な平面図が示される。図５Ｃに描写される本発明のある側面によるデバイスは、ホールスルーのエネルギーコンディショナー（ａ  ｈｏｌｅ−ｔｈｒｏｕｇｈ  ｅｎｅｒｇｙ  ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｅｒ）を有する。ホールスルーのエネルギーコンディショナーは、エネルギー調節を所有するための遮蔽の複数のセットの使用を含め、ここに開示されたエネルギー伝播の原理の多くが保持されるように形成されてよい。さらに、図５Ｃは経路配置６９６９を伴う無効（null）の経路セットを描写する。経路配置６９６９は図５Ｂと同様だが、経路の拡張７９“Ｘ”、８１１“ｘ”及び８１２“Ｘ”がなく、本体８０及び８１に関する異なる方向から機能する８８７９“Ｘ”、８８１１“ｘ”及び８８１２“Ｘ”ビアを代用している。
【００７７】
引き続き図５Ｃを参照するに、製造工程において、伝導性の孔９１２、ビア又は伝導性のアパーチャは集積回路と相互接続８８０６するために使用されてよく、機械的なドリル、レーザードリル、エッチング、パンチング、若しくは別の孔形成技術を使用して一つ以上の経路の層を貫くよう形成されてよい。各特定の相互接続８８０６は、様々な経路が電気的に接続されるか又は絶縁されることを可能にしてよい。各特定の相互接続８８０６は経路配置６９６９のすべての層を貫いて延在してよく、又は一つ以上の層によって上若しくは下で限られていてもよい。経路配置６９６９は、エポキシ物質などの有機物の基板又はパターン化された伝導性物質を含んでいてもよい。有機物の基板が使用される場合、例えば、ＦＲ−４エポキシガラス、ポリミドグラス（ｐｏｌｙｍｉｄｅ−ｇｌａｓｓ）、ベンゾシクロブテン、テフロン（登録商標）、他のエポキシ樹脂、又は同様のものといった標準的なプリント回路ボード物質が様々な実施態様で使用されうる。代替となる実施態様では、経路配置は、例えばセラミックなどの無機基板を有しうる。様々な実施態様において、層の厚さはほぼ１０乃至１０００ミクロンであってよい。様々な伝導性の層の間の相互接続８８０６は、誘電性及び伝導性物質を選択的に除去することによって下の伝導性層９０４の伝導性物質を露出させ、該除去によってそのように形成された孔を、例えば、伝導性のペースト７９９Ａ又は電解めっき７９９Ｂで満たすことによって形成されうる。
【００７８】
相互接続８８０６は、露出された伝導性層を経路配置６９６９の関係する側に結合させてよい。相互接続８８０６は、例えば、集積回路が取り付けられてよい、パッド又はランドの形態をとってよい。相互接続８８０６は、例えば、伝導性のペースト、電解めっき、フォトリソグラフィー、又はスクリーン印刷で誘電体の選択的に除去された部分を満たすことなどによる周知の技術を使用して形成されてよい。結果となる経路配置６９６９は、非伝導層によって分離され、相互接続８８０６によって相互接続された、パターン化された伝導性物質９０４の一つ以上の層を有する。パターン化された伝導性物質７９９の様々な層を相互接続し分離するためには種々の技術が使用されてよい。例えば、様々な伝導性７９９及び非伝導性層８０１の部分を形成し選択的に除去するよりも、様々な層間の開口部は、伝導性７９９及び非伝導性層８０１の所望の部分を選択的に追加することによって含められてもよい。化学機械的平面化などの除去技術は、種々のタイプの伝導性及び非伝導性物質の複数の層を物理的にすり減らし、様々な相互接続のための所望の開口部を生じるために使用されてよい。
【００７９】
経路配置６９６９は、伝播するエネルギーを調節するよう適合された基板のフォーマットをもち、マルチアパーチャで多層のエネルギー調節経路のセットを使用して構成されてよい。経路配置６９６９は、閉じ込められた伝播経路をもつ多層の共通の伝導性のファラデーケージ状の遮蔽技術と組み合わせて、当技術分野においてビアとして知られる、伝導的に満たされたアパーチャ８８７９“Ｘ”、８８１１“Ｘ”及び８８１２“Ｘ”の組み合わされたエネルギー調節方法論を利用することによって伝播するエネルギーを調節しうる。
経路配置とＩＣを相互接続することは、ワイヤー結合の相互接続、フリップチップのボールグリッドアレイ（ｂａｌｌ−ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙ）の相互接続、マイクロボールグリッド（ｍｉｃｒｏＢａｌｌ−ｇｒｉｄ）の相互接続、前述に列記したそれらの組み合わせ、又は他の任意の標準的な業界で受け容れられている方法論で達成されてよい。例えば集積回路の「フリップチップ」型である。これは、入力／出力端末もチップ上の任意の他の経路も同様に、チップ表面の任意のポイントで発生してよいということを意味する。ＩＣチップが経路配置６９６９に取り付けるために準備された後、チップはひっくり返され（フリップ）、経路配置６９６９の上面の一致するパッドに、ハンダこぶ又はハンダボールによって取り付けられうる。代替として、集積回路は、経路配置６９６９の上面のパッドに対するワイヤー結合を使用して、経路配置６９６９に入力／出力の端末を接続することによって、ワイヤー結合されてよい。
【００８０】
経路配置６９６９内の回路は、静電容量、ノイズ抑制、及び／又は電圧減衰を必要とする源から負荷への経路配置として作用してよい。この静電容量は、経路配置６９６９内で発達し、および埋め込まれた静電容量の形成によって提供されてよい。かかる静電容量は、上述のように、ペアになった経路及び遮蔽を使用して集積回路の負荷に結合されてよい。追加的な静電容量が、電圧減衰及びノイズ抑制を提供するために集積回路に電気的に結合される回路に提供されてよい。チップ外エネルギー源の近接は、負荷への低いインダクタンス路に各々沿った静電容量を提供してよい。共通の遮蔽経路は、チップ外エネルギー源と、共通の伝導性インターポーザーのエネルギー経路の形態の両者について“０”電圧の回路の参照ノードとして利用してよい。
【００８１】
経路配置６９６９は、バンプレス・ビルド・アップ・レイヤー（Ｂｕｍｐｌｅｓｓ  Ｂｕｉｌｄ−Ｕｐ  ｌａｙｅｒ）（ＢＢＵＬ）パッケージングを含む、一般に受け容れられている業界の接続方法並びに結合７９９Ａ及び７９９Ｂによって集積回路に接続されてよい。この技術は、より高性能で、より薄く、より軽量なパッケージを可能にし、出力消費を低下させる。ＢＢＵＬパッケージにおいて、シリコンダイ又はＩＣは、第一レベルの相互接続として動作可能である経路配置を伴うパッケージに埋め込まれる。したがって、全体としてのＢＢＵＬパッケージは、ＩＣの一表面に取り付けられるだけではない。例えば、ダイと様々な遮蔽及びパッケージの一つ又は複数との間の電気的な接続は、銅線で成されてよく、Ｃ４のハンダこぶを必ずしも必要としない。それらの特徴が組み合わさって、他のＩＣパッケージよりも薄くて軽量なパッケージを成し、一方でより高性能を出し、電力消費を削減する。ＢＢＵＬは、複数のシリコンの構成部分を経路配置６９６９に結合させる製造業者の能力を高めうる。
遮蔽された経路８８１１、８８１２、及び８８７９は、共通の業界の方法論によってＩＣのそれぞれのエネルギー源とそれぞれの負荷との間に電気的に結合されてよく、それによって、伝播するエネルギーの調節を可能にする。遮蔽８８７９は、１０５５−２を有する遮蔽に伝導的に結合してよい。遮蔽並びに８８１１及び８８１２を有する遮蔽の他の伝導性部分は、それぞれの経路に電気的に結合されてよい。
【００８２】
図５Ａ、５Ｂ及び５Ｃに描写された積層された変形において、１１００−ＩＭ−“Ｃ”と示される８１０−１と８１５−２との間の一つを含む、３つの経路１１００−ＩＭ−“Ｘ“を追加することは、位置された経路の総数の均衡が取れた対称性を二分して、１１００−ＩＭ−“Ｃ”の両側の等しい数に分けうる。１１００−ＩＭ−Ｃに電気的に結合された１１００−ＩＭ−１及び１１００−ＩＭ−２の追加は、共通又は遮蔽構造を生成する。遮蔽構造の遮蔽は、実質的に同一のサイズであってもなくてもよい。遮蔽は、本発明の任意の一つ以上の実施態様について、任意の別の遮蔽から物理的に分離されていてもされていなくてもよい。したがって、遮蔽は、本発明の任意の一つ以上の実施態様における任意の別の遮蔽から電気的又は伝導的に分離されていてもされなくてもよい。
【００８３】
奇数個の遮蔽が共に結合されてよく、それによってすべての他の遮蔽を利用する共通の参照又はノードの形成を可能にする。遮蔽１１００−ＩＭ−“Ｘ“の数は、ほとんどの方向における任意の数の拡張が結合を容易にするために使用されてよいので、遮蔽００ＧＳのような拡張１０９９ＮＮＥ及び１０９９ＳＳＥの使用に制限されない。相対的に均衡が取れて対称的な配置は、均衡が取れた伝導性部分の配置の支点としての中心の遮蔽８“ＸＸ”又は遮蔽８００／８００−ＩＭに関して形成されてよい。
【００８５】
例えば図１Ａ、１Ｂ、１Ｃ乃至図４Ｉの例示的な実施態様は、“シフトした”実施態様を含みうる。それらシフトした実施態様は、遮蔽、経路、遮蔽、経路及び遮蔽を有する複数の層を含んでいてよい。それら複数の層の各々は、同一平面上の変形などにおけるように、中心の遮蔽８００／８００−“Ｘ”−ＩＭを中心としていてもよく、前記複数の層全体は主要な中心の遮蔽を中心としていてもよい。個々の遮蔽はシフトされて、例えば所与の対応する経路のペア間などで個別の不均衡を生成してもよいが、相補性と均衡は、中心の遮蔽及び主要な中心の遮蔽に関して維持されうる。シフトすることにより、少なくとも一つの経路の一部分が、重ね合わされた遮蔽の周の外側に露出されることがあり、それによって寄生を可能にし、それによって、例えば、インピーダンス特性が変化する。
【００８６】
例えば、所与の経路は、左に５単位シフトしてよい〔単位は任意の長さ〕。このシフトは、中心の遮蔽に関して対応するペアで考慮されてよく、結果として、反対極性のペアになる隣接する対応する経路が５単位シフトしてよいし、あるいは反対極性の５つの隣接する経路が各々１単位シフトしてもよく、それによって、相補性及び均衡を維持する。さらに、経路は重ね合わされた遮蔽の周内に留まってよく、それにもかかわらず、その下でシフトされてよい。そのような遮蔽の下でのシフトは、それにもかかわらず、望ましい均衡を成す。
【００８７】
図６を参照するに、実施態様６９００、伝導性のエネルギー経路、分離されたエネルギー源、分離された（isolated）エネルギー利用負荷、分離された共通の伝導性経路を有する積層された複数の回路が示される。伝導性のエネルギー経路は、伝導性の結合物質、例えば、ハンダ又は業界での等価物などによって、実施態様６９００に伝導的に結合されてよい。基板表面の下に続く伝導性の経路であるビア３１５は、伝導性の経路に結合してよく、エネルギーを伝播するための連続的な伝導性の経路として役立つ伝導性物質を含んでいてよい。分離された共通の伝導性経路は、分離されたエネルギー源又は分離されたエネルギー利用負荷に対して直接的に結合されなくてよい。上述したように、実施態様６９００は、各組が互いに電気的に分離されている、電極及び遮蔽を含む４組の複数の経路を含んでいてよい。遮蔽どうしは伝導的に結合されてよい。伝導的に結合された遮蔽は、伝導的な結合物質を使用して電極に対して直接的には伝導的に結合されない、分離された共通の伝導性の経路に外部的に結合されてよい。図６に示されるように、電極８１５−１、８００−１−ＩＭ及び８１０−１は、８０２ＧＡ、８０２ＧＢに伝導的に結合してよい。遮蔽８１５−２、８００−２−ＩＭ及び８１０−２は、９０２ＧＡ、９０２ＧＢに伝導的に結合してよい。それらの結合は、第一の組の複数の電極又は第二の組の複数の電極には伝導的に結合されなくてよい。この構成において、分離された回路の両者は、分離された別個の電圧の参照及び図６のＲＥＦ１及びＲＥＦ２などの分離された共通のインピーダンス路を利用してよい。
【００８８】
ここで図７を参照するに、実施態様３２１０、伝導性のエネルギー経路、分離されたエネルギー源、分離されたエネルギー利用負荷、分離された共通の伝導性経路を有する積層同一平面の複数の回路が示される。伝導的なエネルギー経路は、伝導性の結合物質によって実施態様３２１０に対して伝導的に結合されてよい。基板表面の下に続く伝導性の経路であるビア３１５は、伝導性の経路に結合してよく、エネルギーを伝播するための連続的な伝導性の経路として役立つ伝導性物質を含んでいてよい。分離された共通の伝導性経路は、分離されたエネルギー源又は分離されたエネルギー利用負荷に対して直接的に結合されなくてよい。上述したように、実施態様３２１０は、各組が互いに電気的に分離されている、電極及び遮蔽を含む４組の複数の経路を含んでいてよい。伝導的に結合された遮蔽は、この同一平面の配置で第一又は第二の複数の電極に対して直接的には伝導的に結合されない、分離された共通のエネルギー経路に外部的に結合されてよい。第三の複数の電極、８１５−１、８００−１−ＩＭ及び８１０−１は、８０２ＧＡ、８０２ＧＢ、８１５−２及び８００−２−ＩＭに対して伝導的に結合されてよく、さらに、９０２ＧＡ、９０２ＧＢに対して伝導的に結合されてよく、第一の組又は第二の組の複数の経路に対して伝導的に結合されなくてよい。この構成において、分離された回路の両者は、別個でそれぞれ分離されて別個の電圧の参照及び別個でそれぞれ分離されたインピーダンス路及び図７のＲＥＦ１及びＲＥＦ２などの少なくとも一つの別個でそれぞれ低いインピーダンス路を利用してよい。
【００８９】
ここで図４Ａ乃至図７を参照するに、端末電極８９０Ａ、８９０Ｂ及び８９１Ａ、８９１Ｂ、８０２ＧＡ、８０２ＧＢ及び９０２ＧＡ、９０２ＧＢは、単一体（モノリシック）であるか又は多層であってよい。端末電極８０２ＧＡ、８０２ＧＢ、９０２ＧＡ、９０２ＧＢは、焼結させられた本体の他のそれぞれの部分で位置してよい。各本体の電極層８１又は８０及び関連する電極の拡張９９／７９Ｇ“Ｘ”又は８１２“Ｘ”は、関連する端末電極８０２ＧＡ、８０２ＧＢ、９０２ＧＡ、９０２ＧＢ及び８９０Ａ、８９０Ｂ及び８９１Ａ、８９１Ｂに伸び、かつ伝導的に結合する電極を画定してよい。
【００９０】
本発明は、多数のエネルギー調節機能のために利用しうる。共通に結合された遮蔽構造要素が、抵抗器／分圧器ネットワークの中心タップをエミュレートするために利用される。抵抗器／分圧器ネットワークは、普通には様々な集積回路の抵抗器の比率を使用して構築されうる。しかしながら、様々な集積回路の抵抗器は、例えば、特定の伝導性／抵抗性物質７９９Ａ若しくは経路物質７９９の天然の抵抗属性を利用するか、又は変化した物理的なレイアウトを利用するデバイスである、本発明の側面によるデバイスによって置換されてよい。電圧を分割する機能が存在しうるのは、共通で共有された経路の遮蔽構造の諸部分を利用して、該共通経路の遮蔽構造の両側に位置する共通の電圧の参照を定義できるからである。
【００９１】
実施態様において、製造工程において初期に垂直で積層されたか、又は上述のように同一平面のペア形成をもって組み合わされたかによらず、経路のペアの数は、一般的に物理的又は電気的に平行な性質をもつ多数の経路要素の組み合わせを生成するように、所定の手法で増倍されてよい。
【００９２】
さらに、示されてはいないが、本発明のデバイスはシリコンで製造し、集積回路のマイクロプロセッサ回路類又はマイクロプロセッサチップのパッケージングに直接的に組み込まれてよい。電気伝導性物質を沈着する（depositing）ためのいかなる適切な方法が使用されてもよく、それには、プレーティング、スパッタリング、蒸気、電気的、スクリーニング、ステンシル、真空、及び化学的なものが含まれ、それには化学蒸着（chemical  vapor  deposition）（ＣＶＤ）が含まれる。
【００９３】
ある実施態様が“上の”又は“上”又は“下の”又は“下”といった位置あるいは任意の他の位置的若しくは方向的記載としてここに記述されるが、これらの記述が単に相対的なものであって、制限するように意図されないことは理解されるであろう。
【００９４】
本発明は、電子アセンブリのためのエネルギーコンディショナーとしてのエネルギー調節の実施態様、エネルギー調節の基板、集積回路のパッケージ、エネルギー調節システムの形態の電子アセンブリ又は電子システムを含む多数の異なる実施態様で実装してよく、様々な手法を利用して製造してよい。他の実施態様は、当業者にとって容易に明白となるであろう。なお、請求項における括弧に入れた参照符号は理解を助けるためのものであって、本発明を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】開示された様々な経路の拡張の相対的な位置を決定するためにはたらきうる相対的な位置コンパスの図である。
【図１Ａ】本発明のある側面により開示された様々な経路の拡張の相対的な位置を示す図である。
【図１Ｂ】本発明のある側面により開示された様々な経路の拡張の相対的な位置を示す図である。
【図１Ｃ】本発明のある側面により開示された様々な経路の拡張の相対的な位置を示す図である。
【図２Ａ】本発明のある側面による２Ｂの実施態様の回路を概略した平面図である。
【図２Ｂ】本発明のある側面による実施態様の平面図である。
【図３Ａ】本発明のある側面による３Ｂの実施態様の回路を概略した平面図である。
【図３Ｂ】本発明のある側面による実施態様の平面図である。
【図３Ｃ】本発明のある側面による遮蔽の平面図である。
【図４Ａ】本発明のある側面による実施態様の相対的な平面図である。
【図４Ｂ】本発明のある側面による実施態様の相対的な平面図である。
【図４Ｃ】本発明のある側面による実施態様の相対的な平面図である。
【図４Ｄ】本発明のある側面による実施態様の相対的な平面図である。
【図４Ｅ】本発明のある側面による実施態様の相対的な平面図である。
【図４Ｆ】本発明のある側面による実施態様の相対的な平面図である。
【図４Ｇ】本発明のある側面による実施態様の相対的な平面図である。
【図４Ｈ】本発明のある側面による実施態様の相対的な平面図である。
【図４Ｉ】本発明のある側面による実施態様の相対的な平面図である。
【図５Ａ】本発明のある側面による経路のグループを有する積層された複数の回路ネットワークを示す図である。
【図５Ｂ】本発明のある側面による積層された遮蔽を示す図である。
【図５Ｃ】本発明のある側面による経路のグループを含む、ビアを有する、積層された複数の非共有の回路ネットワークの相対的な平面図である。
【図６】本発明のある側面による回路配置の変形の相対的な平面図を示す。
【図７】本発明のある側面による回路配置の変形の相対的な平面図を示す。