【手続補正書】
【提出日】平成19年3月2日(2007.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で示される繰り返し単位を含み、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０3〜１０8であることを特徴とする高分子化合物。
2004143419.tif 000001
〔式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4は、それぞれ独立にアリーレン基または２価の複素環基を表す。Ｅ1、Ｅ2およびＥ3は、それぞれ独立に下記アリール基（Ａ）または複素環基（Ｂ）を表す。ａおよびｂはそれぞれ独立に０または１を表し、０≦ａ＋ｂ≦１である。
アリール基（Ａ）：アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基およびハロゲン原子から選ばれる置換基を３個以上有するアリール基。
複素環基（Ｂ）：アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基およびハロゲン原子から選ばれる置換基を１以上有し、かつ該置換基の数と複素環のヘテロ原子の数の和が３以上である１価の複素環基。〕
【請求項２】
アリール基（Ａ）が下記の（Ｃ）により選ばれた炭素原子に置換基を有することを特徴とする請求項１記載の高分子化合物。
（Ｃ）：アリール基（Ａ）の結合手をアミノ基に置換し、置換基をすべて水素原子に置換したアリールアミン化合物の最高占有分子軌道を、半経験的分子軌道法であるＡＭ１法により求める。該最高占有分子軌道の任意の一つを選び、上記アリールアミン化合物が有する、水素原子が結合した炭素原子のそれぞれに対応する原子軌道係数の２乗の和の値を計算する。前記アリールアミン化合物の有する、水素原子が結合した炭素原子から、上記の原子軌道係数の２乗の和の値が大きい順に３つ以上の炭素原子を選んで、それらに対応するアリール基（Ａ）の炭素原子を、置換基を有する炭素原子とする。
【請求項３】
アリール基（Ａ）が、置換基を３個以上有するフェニル基、置換基を３個以上有するナフチル基、または置換基を３個以上有するアントラセニル基であることを特徴とする請求項１または２に記載の高分子化合物。
【請求項４】
アリール基（Ａ）が下記式（３）で示される基であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の高分子化合物。
2004143419.tif 000002
〔式中、Ｒｅ、ＲｆおよびＲｇは、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表す。〕
【請求項５】
式（３）において、ＲｅおよびＲｆがそれぞれ独立に、炭素数３以下のアルキル基、炭素数３以下のアルコキシ基、炭素数３以下のアルキルチオ基であり、かつＲｇが炭素数３〜２０のアルキル基、炭素数３〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０のアルキルチオ基であることを特徴とする請求項４の高分子化合物。
【請求項６】
さらに、下記式（４）、式（５）、式（６）または式（７）で示される繰り返し単位を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の高分子化合物。
−Ａｒ12−          （４）
―Ａｒ12−Ｘ1―（Ａｒ13−Ｘ2）ｃ―Ａｒ14−      （５）
−Ａｒ12−Ｘ2−              （６）
−Ｘ2−                        （７）
（式中、Ａｒ12、Ａｒ13およびＡｒ14はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。Ｘ1は、−ＣＲ2＝ＣＲ3−、−Ｃ≡Ｃ−または−（ＳｉＲ5Ｒ6）ｄ−を示す。Ｘ2は−ＣＲ2＝ＣＲ3−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ4）−、または−（ＳｉＲ5Ｒ6）ｄ−を示す。Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはアリールアルキル基を表す。ｃは０〜２の整数を表す。ｄは１〜１２の整数を表す。Ａｒ13、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5およびＲ6がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項７】
正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と請求項１〜６のいずれかに記載の高分子化合物の少なくとも１種類を含有することを特徴とする組成物
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載の高分子化合物を含有することを特徴とするインク組成物
【請求項９】
粘度が２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓであることを特徴とする請求項８記載のインク組成物
【請求項１０】
請求項１〜６のいずれかに記載の高分子化合物を含有する発光性薄膜。
【請求項１１】
請求項１〜６のいずれかに記載の高分子化合物を含有する導電性薄膜。
【請求項１２】
請求項１〜６のいずれかに記載の高分子化合物を含有する有機半導体薄膜。
【請求項１３】
陽極および陰極からなる電極間に、請求項１〜６のいずれかに記載の高分子化合物を含む層を有することを特徴とする高分子発光素子。
【請求項１４】
請求項１〜６のいずれかに記載の高分子化合物を含む層が発光層であることを特徴とする請求項１３記載の高分子発光素子。
【請求項１５】
発光層がさらに正孔輸送性材料、電子輸送性材料または発光材料を含むことを特徴とする請求項１４記載の高分子発光素子。
【請求項１６】
請求項１３〜１５のいずれかに記載の高分子発光素子を含むことを特徴とする面状光源。
【請求項１７】
請求項１３〜１５のいずれかに記載の高分子発光素子を含むことを特徴とするセグメント表示装置。
【請求項１８】
請求項１３〜１５のいずれかに記載の高分子発光素子を含むことを特徴とするドットマトリックス表示装置。
【請求項１９】
請求項１３〜１５のいずれかに記載の高分子発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２０】
下記式（８）で示される化合物。
2004143419.tif 000003
〔式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4は、それぞれ独立にアリーレン基または２価の複素環基を表す。Ｅ1、Ｅ2およびＥ3は、それぞれ独立に下記アリール基（Ａ）または複素環基（Ｂ）を表す。ａおよびｂはそれぞれ独立に０または１を表し、０≦ａ＋ｂ≦１である。Ｙ1およびＹ2はそれぞれ独立に縮合重合反応に関与する置換基を表す。
アリール基（Ａ）：アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基およびハロゲン原子から選ばれる置換基を３個以上有するアリール基。
複素環基（Ｂ）：アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基およびハロゲン原子から選ばれる置換基を１以上有し、かつ該置換基の数と複素環のヘテロ原子の数の和が３以上である１価の複素環基。〕