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【手続補正書】
【提出日】平成19年7月11日(2007.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
流し台に形成された上面開口穴と前面開口穴とを有する収納穴部に収納して組込む組込み式加熱調理器において、
上面に配される天板体と、内部に誘導コイルや抵抗コイル等よりなる発熱体を設けた前記上面開口穴に挿入される上ケースとを備える上ケース組立体と、
加熱室を有し、前記上ケースの上面からの投影領域と同じかそれより小さな外形よりなる下ケース組立体と、
該下ケース組立体と前記上ケース組立体を可動可能に連結する連結具と、
により構成され、
前記上ケース組立体と前記下ケース組立体を前記上面開口穴より前記連結具により連結したまま前記収納穴部に収納し、前記天板体が前記上面開口穴を覆い前記上ケース組立体と前記下ケース組立体を支持した状態で、前記下ケース組立体を前記前面開口穴側に可動させて前記収納穴部に組み込み可能なことを特徴とする組込み式加熱調理器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記目的を達成するために、本発明にかかる組込み式加熱調理器は、流し台に形成された上面開口穴と前面開口穴とを有する収納穴部に収納して組込む組込み式加熱調理器において、上面に配される天板体と、内部に誘導コイルや抵抗コイル等よりなる発熱体を設けた前記上面開口穴に挿入される上ケースとを備える上ケース組立体と、加熱室を有し、前記上ケースの上面からの投影領域と同じかそれより小さな外形よりなる下ケース組立体と、該下ケース組立体と前記上ケース組立体を可動可能に連結する連結具とにより構成され、前記上ケース組立体と前記下ケース組立体を前記上面開口穴より前記連結具により連結したまま前記収納穴部に収納し、前記天板体が前記上面開口穴を覆い前記上ケース組立体と前記下ケース組立体を支持した状態で、前記下ケース組立体を前記前面開口穴側に可動させて前記収納穴部に組み込み可能なことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月9日(2007.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の入射する水晶基板の主面の有効光学領域外に金属膜が成膜されていることを特徴とする放熱用水晶板。
【請求項２】
光の入射する水晶基板の主面に直交する側面に金属膜が成膜されていることを特徴とする放熱用水晶板。
【請求項３】
光の入射する水晶基板の主面の有効光学領域外及び前記主面に直交する側面に金属膜が成膜されていることを特徴とする放熱用水晶板。
【請求項４】
請求項１、２又は３に記載の放熱用水晶板の上に貼り付けられ、有効光学範囲が、前記放熱用水晶板の主面の有効光学領域に対向していることを特徴とする偏光板。
【請求項５】
請求項４に記載の前記偏光板を備えたことを特徴とする光学機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記目的を達成するため、請求項１の発明は、光の入射する水晶基板の主面の有効光学領域外に金属膜が成膜されていることを特徴とする。
請求項２の発明は、請求項１において、光の入射する水晶基板の主面に直交する側面に金属膜が成膜されていることを特徴とする。
請求項３の発明は、光の入射する水晶基板の主面の有効光学領域外及び前記主面に直交する側面に金属膜が成膜されていることを特徴とする。
請求項４の発明に係る偏光板は、請求項１、２又は３に記載の放熱用水晶板の上に貼り付けられ、有効光学範囲が、前記放熱用水晶板の主面の有効光学領域に対向していることを特徴とする。
請求項５の発明に係る光学機器は、請求項４に記載の前記偏光板を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月6日(2007.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
地点Ａ−地点Ｂ間を走行する車両において、路側から車両の地点Ａ通過タイミング、地点Ｂ通過タイミング、および地点Ａ−地点Ｂ間の正確な距離Ｌ情報を得て、地点Ａ−地点Ｂ間の自車速を時間積分して得られる距離Ｌc と、地点Ａ−地点Ｂ間の正確な距離Ｌとの比から速度較正係数  α＝Ｌ／Ｌc  を求め、以後必要に応じて車両側で計測される自車速を前記速度較正係数αで較正することを特徴とする車両速度較正方法。
【請求項２】
地点Ａ、地点Ｂのいずれか一地点あるいは両地点における路側から車側への通報は、交通制御システム用路車間通信路側装置および路車間通信車側装置を兼用して行うことを特徴とする請求項１記載の車両速度較正方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月9日(2007.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  一般式
【化１】
2003176273.tif 000001
（式中、Ｒ１は置換アリール、アリールアルキル、置換基を有していてもよいヘテロアリール、ヘテロアリールアルキルまたはシクロアルキルを示す。Ｒ２、Ｒ３は同一または異なって、それぞれ水素、アルキル、ハロゲン、水酸基、アルコキシ、置換基を有していてもよいアミノまたはフェニルを示す。Ｑは窒素原子または基Ｃ−Ｒ４（基中、Ｒ４は水素、アルキル、ハロゲンまたは置換基を有していてもよいアミノを示す。）を示す。Ｗは水素、アルキル、ヒドロキシアルキル、アシルオキシアルキル、アミノアルキル、ヒドロキシカルボニルアルキルまたはアルコキシカルボニルアルキルを示す。Ｘはハロゲン、シアノ、ニトロ、アミノ、アルキル、アルコキシ、カルボキシ、アルコキシカルボニル、カルバモイル、アルケニル、アルキニル、ハロアルキルを示す。Ｘ’は水素、ハロゲン、シアノまたはニトロを示す。Ｙはアルキル、ヒドロキシアルキル、ヒドロキシカルボニルアルキル、置換基を有していてもよいアミノアルキル、水酸基、アルコキシ、ハロアルコキシ、アリールオキシ、シクロアルキルオキシ、ヒドロキシアルコキシ、ヒドロキシカルボニルアルコキシ、置換基を有していてもよいアミノアルコキシ、メルカプト、アルキルチオ、ヒドロキシアルキルチオ、ヒドロキシカルボニルアルキルチオ、置換基を有していてもよいアミノアルキルチオ、基Ｏ−Ｈｅｔ（基中、Ｈｅｔは置換基を有していてもよい酸素原子または窒素原子から選ばれる複素原子を含有した飽和複素環を示す）または基Ｎ（Ｚ２）（Ｚ３）（基中、Ｚ２、Ｚ３は同一または異なって、それぞれ水素、アルキル、ヒドロキシアルキルまたはアミノアルキルを示すか、あるいはＺ２、Ｚ３が隣接する窒素原子と一緒になって環内に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を１ないし２個含有していてもよい環状アミンを形成する基を示す。）を示す。）により表されるアミド化合物またはその医薬上許容しうる塩を有効成分とする医薬組成物。
【請求項２】  １−（４−クロロフェニル）−Ｎ−［３−シアノ−４−（４−モルホリノピペリジン−１−イル）フェニル］−５−メチルピラゾール−４−カルボキサミドまたはその医薬上許容しうる塩を有効成分とする医薬組成物。
【請求項３】  自己免疫疾患の予防または治療のための請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項４】  慢性関節リウマチの予防または治療のための請求項１または２に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月20日(2006.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の成分を含有し、導電パターンを形成する第１の液体と、
前記第１の成分と接触すると該接触領域で界面凝集が生じる第２の成分を含有し、絶縁パターンを形成する第２の液体と、
を互いに接触するように基体に供給することにより、前記絶縁パターンと前記導電パターンからなる配線とを前記基体に形成することを特徴とする配線形成方法。
【請求項２】
前記第１の成分は、金属超微粒子からなる導電性材料を含有し、前記第２の成分は、アニオン性水溶性ポリマーまたは揮発性アミンを含有することを特徴とする請求項１に記載の配線形成方法。
【請求項３】
前記第２の液体を前記基体に供給して前記絶縁パターンを前記基体に形成した後に、前記絶縁パターン中の前記第２の成分を揮発させる工程を含むことを特徴とする請求項１と２のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項４】
前記第２の成分を揮発させる工程は、加熱処理であることを特徴とする請求項３に記載の配線形成方法。
【請求項５】
前記第１の液体及び前記第２の液体はそれぞれ水を含有し、インクジェット方式により前記基体に供給されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の配線形成方法によって形成された配線と前記基体とを有する配線板。
【請求項７】
第１の成分を含有し、導電パターンを形成する第１の液体を貯留する第１の液体容器と、
前記第１の成分と接触すると該接触領域で界面凝集が生じる第２の成分を含有し、絶縁パターンを形成する第２の液体を貯留する第２の液体容器と、
前記第１の液体と前記第２の液体とを互いに接触するように基体に供給することにより、前記絶縁パターンと前記導電パターンからなる配線とを前記基体に形成する手段と、
を有することを特徴とする配線形成装置。
【請求項８】
第１の成分を含有し、導電パターンを形成する第１の液体と、該第１の液体を貯留する第１の液体容器と、
前記第１の成分と接触すると該接触領域で界面凝集が生じる第２の成分を含有し、絶縁パターンを形成する第２の液体と、該第２の液体を貯留する第２の液体容器と、
を有することを特徴とするインクセット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、第１の成分を含有し、導電パターンを形成する第１の液体と、該第１の液体を貯留する第１の液体容器と、前記第１の成分と接触すると該接触領域で界面凝集が生じる第２の成分を含有し、絶縁パターンを形成する第２の液体と、該第２の液体を貯留する第２の液体容器と、を有することを特徴とするインクセットに関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第１の液体に使用される第１の成分である導電性材料としては、例えばレーザーアブレーションを用いて作製された平均粒子径が１〜１００ｎｍ以下の金属超微粒子である。金属超微粒子としては、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＳｎＯ２（酸化スズ）等が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月8日(2006.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、該処理室を形成するプロセスチューブと、該プロセスチューブの外側を取り囲むように周方向及び天井に敷設される断熱槽と発熱体とを有するヒータユニットと、該ヒータユニットと前記プロセスチューブとの間に形成される冷却ガスを流通させる冷却ガス通路とを備え、
前記ヒータユニットは、該冷却ガス通路から前記冷却ガスを排出する前記天井の断熱槽の周縁部に配置される複数の排気口の開口面を有し、前記天井に敷設される発熱体が、前記開口面からの排気される前記冷却ガスの排気流路から退避させるように前記天井の断熱槽の下側における中央部に敷設されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板処理装置の基板を処理する処理室を形成するプロセスチューブの内部を加熱するためのヒータユニットであって、
円筒形状の周方向及び天井に敷設される断熱槽と発熱体とを有し、
前記天井に敷設される断熱槽には、前記冷却ガスを排出する前記天井の断熱槽の周縁部に配置される複数の排気口の開口面を有し、前記天井に敷設される発熱体が、前記開口面からの排気される前記冷却ガスの排気流路から退避させるように前記天井の断熱槽の下側における中央部に敷設されることを特徴とするヒータユニット。
【請求項３】
請求項１の基板処理装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であって、
前記ヒータユニットが前記基板を加熱する工程と、
前記基板を前記処理室にて処理する工程と、
前記冷却ガス通路に冷却ガスが流通する工程と、
前記開口面から前記排気口に前記冷却ガスが排気される工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月27日(2006.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半絶縁性半導体基板上に窪み構造のリセスを有する半導体層と、前記リセス部分に設けたゲート電極と、前記リセスを挟むように設けられるソース電極およびドレイン電極と、前記半導体層上に形成した保護膜とを具備した半導体装置において、前記ゲート電極を構成する金属膜の前記ドレイン電極側は、前記リセス外の前記半導体層上まで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半絶縁性半導体基板上に設けられ、かつ、窪み構造のリセスを有し不純物が注入された第１半導体層と、前記リセス部分に設けたゲート電極と、前記第１半導体層上に形成した保護膜と、前記ゲート電極を挟んでその両側に設けられ、前記第１半導体層よりも高い濃度で不純物が注入された第２および第３の半導体層と、前記第２半導体層上に形成したソース電極と、前記第３半導体層上に形成したドレイン電極とを具備した半導体装置において、前記ゲート電極を構成する金属膜の前記ドレイン電極側は、前記リセス外の前記第１半導体層上まで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半絶縁性半導体基板上に設けられ不純物が注入されない第１半導体層と、この第１半導体層上に設けられ、かつ、窪み構造のリセスを有し不純物が注入された第２半導体層と、前記リセス部分に設けたゲート電極と、前記第２半導体層上に形成した保護膜と、前記ゲート電極を挟んだその両側に設けられ、不純物が注入された第３および第４の半導体層と、前記第３半導体層上に形成したソース電極と、前記第４半導体層上に形成したドレイン電極とを具備した半導体装置において、前記ゲート電極を構成する金属膜の前記ドレイン電極側は、前記リセス外の前記第２半導体層上まで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半絶縁性半導体基板上に設けられ不純物が注入された第１半導体層と、この第１半導体層上に設けられ、かつ、窪み構造のリセスを有し不純物が注入されない第２半導体層と、前記リセス部分に設けたゲート電極と、前記第２半導体層上に形成した保護膜と、前記ゲート電極を挟んだその両側に設けられ、不純物が注入された第３および第４の半導体層と、前記第３半導体層上に形成したソース電極と、前記第４半導体層上に形成したドレイン電極とを具備した半導体装置において、前記ゲート電極を構成する金属膜の前記ドレイン電極側は前記リセス外の前記第２半導体層上まで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
リセス４３の深さｄは、ゲート電極Ｇ直下の能動層４２の厚さが所望の値になるように設定される。同時に、ゲート電極Ｇ直下に隣接する能動層４２部分の厚さを厚くし、チャネル抵抗を低減している。表面保護膜４５は能動層４２表面を不活性化している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
図４のＦＥＴの場合、符号Ｐで示した領域、たとえばリセス４３のドレイン電極Ｄ側領域にトラップ準位が形成される。トラップ準位は電子を蓄積し、能動層４２上のたとえば点線Ｑに示す領域に空乏層を形成する。空乏層Ｑは、たとえばリセス４３底部のさらに下方まで伸び、能動層４２の実効的な厚さを狭くする場合がある。その結果、電流が流れるチャネルが狭くなり、出力が低下するなどＦＥＴ特性を劣化させる。トラップ準位に蓄積する電子は動作時間に比例し、動作時間の経過とともにＦＥＴ特性が劣化する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、半絶縁性半導体基板上に窪み構造のリセスを有する半導体層と、前記リセス部分に設けたゲート電極と、前記リセスを挟むように設けられるソース電極およびドレイン電極と、前記半導体層上に形成した保護膜とを具備した半導体装置において、前記ゲート電極を構成する金属膜の前記ドレイン電極側は、前記リセス外の前記半導体層上まで形成されていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
リセス１３の深さｄは、ゲート電極Ｇ直下の第１半導体層１２の厚さが所望の値になるように設定され、同時に、ゲート電極Ｇ直下に隣接する領域の第１半導体層１２の厚さを厚くし、チャネル抵抗を低減している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記した構成によれば、ゲート電極Ｇを構成する金属膜のドレイン電極Ｄ側は、リセス１３外の第１半導体層１２上の部分Ｂまで形成されている。この場合、ゲート電極Ｇのドレイン電極Ｄ側領域の第１半導体層１２部分に空乏層Ｒが形成されても、この空乏層Ｒは第１半導体層１２の厚い領域に形成される。そのため、空乏層Ｒによってチャネル部分が狭められるようなことがなく、出力低下などのＦＥＴ特性の劣化が防止され、信頼性が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月16日(2007.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルムコンデンサを無鉛フロー半田で基板に実装する構造を有する放電灯点灯装置において、フィルムコンデンサはポリプロピレンフィルムコンデンサであり、リード線は銅よりも熱伝導率の低い材質で無鉛半田メッキし、前記コンデンサの端子およびコンデンサ内部が無鉛であることを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項２】
前記コンデンサのリード線径は０．６φ以下であることを特徴とする請求項１記載の放電灯点灯装置。
【請求項３】
前記フィルムコンデンサの断面積が３５ｍｍ2 以下であり、コンデンサ内部のリード線終端部の温度が１３０℃以下であることを特徴とする請求項１記載の放電灯点灯装置。
【請求項４】
前記フィルムコンデンサは基板上の半田実装部までのリード線の長さが２ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の放電灯点灯装置。
【請求項５】
前記フィルムコンデンサはポリプロピレンフィルムとアルミ箔の組み合わせで構成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の放電灯点灯装置。
【請求項６】
前記フィルムコンデンサはアルミ蒸着ポリプロピレンフィルムで構成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の放電灯点灯装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の放電灯点灯装置を内蔵することを特徴とする照明器具。
【請求項８】
請求項７に記載の照明器具を複数組み合わせたことを特徴とする照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月22日(2006.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも透明基板上に陽極、有機化合物層、陰極が順次積層されている有機ＥＬ素子であって、
前記陰極はアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属あるいはアルカリ金属化合物あるいはアルカリ土類金属化合物の少なくともいずれか一種類を含有する無機透明導電性材料からなり、前記アルカリ金属あるいは前記アルカリ土類金属あるいはアルカリ金属化合物あるいはアルカリ土類金属化合物が膜の厚み方向において濃度勾配を有し、前記濃度は前記有機化合物層との界面から離れるにつれて減少することを特徴とする有機ＥＬ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち本発明は、少なくとも透明基板上に陽極、有機化合物及び陰極が順次積層されている有機ＥＬ素子であって、前記陰極はアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属あるいはアルカリ金属化合物あるいはアルカリ土類金属化合物の少なくともいずれか一種類を含有する無機透明導電性材料からなり、前記アルカリ金属あるいは前記アルカリ土類金属あるいはそれらの前記化合物が膜の厚み方向において濃度勾配を有することを特徴とする有機ＥＬ素子により解決される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
ここで、陰極の透過率及び膜の厚み濃度分布の測定方法について説明する。６０×２５ｍｍのガラス基板上に陰極材料の成膜を行い、分光光度計を用いて透過率の測定を行う。膜の厚み方向における濃度分布は、高感度のＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）を用いＡｒイオンエッチングを併用して膜の厚み方向分析を行い測定した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
【表２】
2005183201.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月22日(2007.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に形成すべきパターンの照明の偏光を最適化する方法であって、
（ａ）少なくとも二つの偏光状態について照明器上の少なくとも一つの点に対して照明強度を決める工程、
（ｂ）前記少なくとも二つの偏光状態について前記照明器上の前記少なくとも一つの点に対して画像対数勾配（ＩＬＳ）を決める工程、
（ｃ）前記ＩＬＳが前記照明器上の前記少なくとも一つの点に対して少なくともゼロに近い、最大画像対数勾配（ＩＬＳ）を決める工程、および
（ｄ）前記照明器上の前記少なくとも一つの点に対して前記最大ＩＬＳに対応する最適偏光状態を選ぶ工程、を含む方法。
【請求項２】
前記照明器上の複数の点の各々に対して工程（ａ）〜（ｄ）を反復する工程をさらに含む請求項１に記載された照明の偏光を最適化する方法。
【請求項３】
形態の対称性に関して前記照明器の一部上の複数の点の各々に対して工程（ａ）〜（ｄ）を反復する工程をさらに含む請求項１に記載された照明の偏光を最適化する方法。
【請求項４】
前記照明器の半分上の複数の点の各々に対して工程（ａ）〜（ｄ）を反復する工程をさらに含む請求項１に記載された照明の偏光を最適化する方法。
【請求項５】
前記パターンの最適照明を創成するために、前記照明器上の複数の点の各々に対して最適偏光状態を組合わせる工程をさらに含む請求項２に記載された照明の偏光を最適化する方法。
【請求項６】
前記最適偏光状態が前記少なくとも二つの偏光状態の変形である請求項１に記載された照明の偏光を最適化する方法。
【請求項７】
前記最適偏光状態が前記少なくとも二つの偏光状態の一つに対応する請求項１に記載された照明の偏光を最適化する方法。
【請求項８】
前記少なくとも二つの偏光状態が少なくともＸおよびＹ偏光状態を含む請求項１に記載された照明の偏光を最適化する方法。
【請求項９】
少なくとも一つの機械読取り可能媒体により可搬の実行可能コードを含むコンピュータ・プログラムプロダクトに於いて、少なくとも一つのプログラム式コンピュータによる前記コードの実行が前記少なくとも一つのプログラム式コンピュータに、基板の表面に形成すべきパターン用の偏光照明を最適化するための一連の工程を行わせ、
（ａ）少なくとも二つの偏光状態について照明器上の少なくとも一つの点に対して照明強度を計算する工程、
（ｂ）前記少なくとも二つの偏光状態について前記照明器上の前記少なくとも一つの点に対して画像対数勾配（ＩＬＳ）を計算する工程、
（ｃ）前記ＩＬＳの勾配が前記照明器上の前記少なくとも一つの点に対して少なくともゼロに近い、最大画像対数勾配（ＩＬＳ）を決める工程、および
（ｄ）前記照明器上の前記少なくとも一つの点について前記最大ＩＬＳに対する最適偏光状態を選ぶ工程、を含むプログラムプロダクト。
【請求項１０】
プロダクト前記照明器上の複数の点の各々に対して工程（ａ）〜（ｄ）を反復する工程をさらに含む請求項９に記載されたコンピュータ・プログラムプロダクト。
【請求項１１】
形態の対称性に関して前記照明器の一部上の複数の点の各々に対して工程（ａ）〜（ｄ）を反復する工程をさらに含む請求項９に記載されたコンピュータ・プログラムプロダクト。
【請求項１２】
前記照明器の半分上の複数の点の各々に対して工程（ａ）〜（ｄ）を反復する工程をさらに含む請求項９に記載されたコンピュータ・プログラムプロダクト。
【請求項１３】
前記パターンの最適照明を創成するために、前記照明器上の複数の点の各々に対して最適偏光状態を組合わせる工程をさらに含む請求項９に記載されたコンピュータ・プログラムプロダクト。
【請求項１４】
前記最適偏光状態が前記少なくとも二つの偏光状態の変形である請求項９に記載されたコンピュータ・プログラムプロダクト。
【請求項１５】
前記最適偏光状態が前記少なくとも二つの偏光状態の一つに対応する請求項９に記載されたコンピュータ・プログラムプロダクト。
【請求項１６】
前記少なくとも二つの偏光状態が少なくともＸおよびＹ偏光状態を含む請求項９に記載された照明器の偏光を最適化する方法。
【請求項１７】
プロセスウインドウを増大するために最適化した偏光照明を使ってマスク設計を基板の目標部分上に生み出す装置であって、
偏光した放射線の投影ビームを供給するための放射線システム、
前記放射線の投影ビームを受け且つ放射線の調整したビームをマスクの一部に投影するための照明器、および
マスクの対応する被照射部分を前記基板の前記目標部分上に結像するための投影システム、を含み、
前記照明器が複数の画素で前記複数の画素の各々での偏光および強度を最適化するように調整してある装置。
【請求項１８】
前記複数の画素の各々での偏光および強度を、
（ａ）少なくとも二つの偏光状態について照明器上の少なくとも一つの画素に対して照明強度を決る工程、
（ｂ）前記少なくとも二つの偏光状態について前記照明器上の前記少なくとも一つの画素に対して画像対数勾配（ＩＬＳ）を決める工程、
（ｃ）前記ＩＬＳが前記照明器上の前記少なくとも一つの画素に対して少なくともゼロに近い、最大画像対数勾配（ＩＬＳ）を決める工程、
（ｄ）前記照明器上の前記少なくとも一つの画素に対して前記最大ＩＬＳに対応する最適偏光状態を選ぶ工程、および
（ｅ）前記照明器上の前記複数の画素の各々に対して工程（ａ）〜（ｄ）を反復する工程、
を実行することによって最適化するように構成したコンピュータシステムをさらに含む請求項１７に記載された装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月15日(2007.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
（ａ）１つまたはそれより多いコンタクトパッドを含む基板を提供し、さらに
（ｂ）コンタクトパッド上にソルダーペーストを適用すること（ここで、該ソルダーペーストはキャリヤビヒクルと、金属粒子を含む金属成分とを含む）
を含む、電子部品上にはんだ領域を形成する方法であって、
前記ソルダーペーストが、該ソルダーペーストの溶融及び該溶融物の再固化の後に生じる固相線温度より低い固相線温度を有する、前記方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
（ａ）１つまたはそれより多いコンタクトパッドを含む基板；および
（ｂ）コンタクトパッド上のソルダーペーストであって、キャリヤビヒクルと、金属粒子を含む金属成分とを含む該ソルダーペースト
を含む電子部品であって、
前記ソルダーペーストが、該ソルダーペーストの溶融及び該溶融物の再固化の後に生じる固相線温度より低い固相線温度を有する前記電子部品。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第１の態様に従って、本発明は電子部品上ではんだ領域を形成する方法を提供する。該方法は、（ａ）１つまたは複数のコンタクトパッドを有する基板を提供することと、（ｂ）コンタクトパッド上にソルダーペーストを付けることとを含む。ソルダーペーストは、キャリヤビヒクルと、金属粒子を有する金属成分とを含む。該ソルダーペーストは、ソルダーペーストの溶融及び該溶融物の再固化の後に生じる固相線の温度より低い固相線の温度を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
追加の態様に従って、本発明は電子部品を提供する。電子部品は（ａ）１または複数のコンタクトパッドを有する基板と、（ｂ）コンタクトパッド上のソルダーペーストを含む。ソルダーペーストは、キャリヤビヒクルと、金属粒子を有する金属成分とを含む。ソルダーペーストは、ソルダーペーストの溶融及び該溶融物の再固化の後に生じる固相線温度より低い固相線温度を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月12日(2007.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
（ａ）基体および該基体に結合される部品を提供し、ここで該部品は電子部品、光学部品、デバイスリッドおよびこれらの組み合わせから選択され；
（ｂ）ソルダーペーストを基体および／又は部品に適用し、ここで該ソルダーペーストはキャリヤービヒクルと、金属粒子を含む金属部分とを含み；さらに
（ｃ）該基体と該部品をお互いに接触させる、
ことを含む電子デバイスを形成する方法であって、
ここで、該ソルダーペーストは、該ソルダーペーストの融解、および融解物の再固化の後で得られるであろう固相線温度より低い固相線温度を有する、前記方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
下記のものを含む電子デバイス：
基体；
基体表面上の部品、ここで該部品は電子部品、光学部品、デバイスリッドおよびこれらの組み合わせから選択される；および
基体および部品と接触した状態であるソルダーペースト、ここで該ソルダーペーストはキャリヤービヒクルと、金属粒子を含む金属部分とを含み、且つここで該ソルダーペーストは該ソルダーペーストの融解、および融解物の再固化の後で得られるであろう固相線温度より低い固相線温度を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第一の態様によれば、本発明は電子デバイスを形成する方法を提供する。本方法は、（ａ）基体およびその基体に結合される部品を提供し、ここでその部品は電子部品、光学部品、デバイスリッドおよびこれらの組み合わせから選択される；（ｂ）ソルダーペーストを基体および／又は部品に塗布し、ここでソルダーペーストはキャリヤービヒクルと、金属粒子を有する金属部分とを含む；および（ｃ）基体と部品をお互いに接触させることを伴う。このソルダーペーストは、ソルダーペーストの融解、および融解物の再固化の後で得られるであろう固相線温度より低い固相線温度を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
更なる態様によれば、本発明は、電子デバイスを提供する。デバイスは、基体およびその基体の表面上に部品を含む。部品は、電子部品、光学部品、デバイスリッドおよびこれらの組み合わせから選択される。ソルダーペーストは、基体と部品が接触された状態で提供される。ソルダーペーストは、キャリヤービヒクルと、金属粒子を有する金属部分とを含む。ソルダーペーストは、ソルダーペーストの融解、および融解物の再固化の後で得られるであろう固相線温度より低い固相線温度を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月18日(2006.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクのパターンを基板に投影する投影光学系と、
前記投影光学系と前記基板との間に液体を供給する液体供給装置と、を備え、
前記液体供給装置は、前記液体に二酸化炭素を注入する注入装置を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記液体供給装置は、前記注入装置の上流側に、前記液体を脱気する脱気装置を有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記注入装置は、膜モジュールを介して二酸化炭素を注入することを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】
前記注入装置は、前記液体の二酸化炭素の濃度が０．０２ｐｐｍ以上７５０ｐｐｍ以下となるように二酸化炭素を注入することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項５】
前記注入装置は、前記液体の二酸化炭素の濃度が０．０６ｐｐｍ以上３００ｐｐｍ以下となるように二酸化炭素を注入することを特徴とする請求項４記載の露光装置。
【請求項６】
前記液体供給装置は、前記液体の比抵抗値を計測する比抵抗計を有し、
前記注入装置は、前記比抵抗計の計測結果に基づいて二酸化炭素を注入することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項７】
前記注入装置は、前記液体の比抵抗値が０．０２ＭΩ・ｃｍ以上１０ＭΩ・ｃｍ以下となるように二酸化炭素を注入することを特徴とする請求項１〜３，６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項８】
前記注入装置は、前記液体の比抵抗値が０．０４ＭΩ・ｃｍ以上５ＭΩ・ｃｍ以下となるように二酸化炭素を注入することを特徴とする請求項７の露光装置。
【請求項９】
マスクのパターンを基板に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記基板の間の少なくとも一部分を液体で満たす露光装置において、
前記投影光学系と前記基板との間に供給される前記液体の二酸化炭素の濃度が０．０２ｐｐｍ以上７５０ｐｐｍ以下であることを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
前記投影光学系と前記基板との間に供給される前記液体の二酸化炭素の濃度は、０．０６ｐｐｍ以上３００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項９記載の露光装置。
【請求項１１】
マスクのパターンを基板に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記基板の間の少なくとも一部分を液体で満たす露光装置において、
前記投影光学系と前記基板との間に供給される前記液体の比抵抗値が０．０２ＭΩ・ｃｍ以上１０ＭΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする露光装置。
【請求項１２】
前記投影光学系と前記基板との間に供給される前記液体の比抵抗値は、０．０４ＭΩ・ｃｍ以上５ＭΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１１の露光装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、前記露光した基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月11日(2006.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性表面を有する基板上に、
記憶素子と、該記憶素子に電気的に接続されたスイッチング素子と、
該スイッチング素子または前記記憶素子に電気的に接続された複数の引き出し配線と、
を有する不揮発メモリ装置であって、
前記スイッチング素子が有機トランジスタであり、
前記記憶素子が誘電体材料を含み、
前記記憶素子が電圧印加による前記誘電体材料の絶縁破壊により、高抵抗状態から低抵抗状態へと不可逆的に変化する記憶素子であることを特徴とする不揮発メモリ装置。
【請求項２】
前記絶縁性表面を有する基板が樹脂からなる基板であることを特徴とする請求項１に記載の不揮発メモリ装置。
【請求項３】
前記誘電体材料がアルミナであることを特徴とする請求項１もしくは２に記載の不揮発メモリ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、絶縁性表面を有する基板上に、
記憶素子と、該記憶素子に電気的に接続されたスイッチング素子と、
該スイッチング素子または前記記憶素子に電気的に接続された複数の引き出し配線と、
を有する不揮発メモリ装置であって、
前記スイッチング素子が有機トランジスタであり、
前記記憶素子が誘電体材料を含み、
前記記憶素子が電圧印加による絶縁破壊により、高抵抗状態から低抵抗状態へと不可逆的に変化する記憶素子であることを特徴とする不揮発メモリ装置である。
前記絶縁性表面を有する基板が樹脂からなる基板であることが好ましい。前記誘電体材料がアルミナであることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月7日(2006.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可とう性を有する基板上に、表示部、薄膜トランジスタで形成される薄膜集積回路部、電源部、及びアンテナが形成され、
前記アンテナの一部または全部が、前記表示部、前記薄膜集積回路部、及び前記電源部と重畳し、且つ前記可とう性を有する基板は、接着剤で貼り合わせられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
可とう性を有し、且つアンテナが形成されている第１の基板と、
可とう性を有し、且つ表示部、薄膜トランジスタで形成される薄膜集積回路部、及び電源部が形成されている第２の基板と、を有し、
前記第１の基板は、前記第２の基板を被包していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
可とう性を有し、且つアンテナが形成されている第１の基板及び第３の基板と、
可とう性を有し、前記表示部、薄膜トランジスタで形成される薄膜集積回路部、及び電源部が形成されている第２の基板と、を有し、
前記第１の基板及び前記第３の基板は、前記第２の基板を挟持していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記表示部は、液晶素子、発光素子、又は電気泳動素子で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記電源部は、ダイオードで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記電源部は、前記表示部に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記薄膜トランジスタで形成される薄膜集積回路部は、無線周波数回路、変調回路、復調回路、電源回路、ＣＰＵ、及びメモリを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記アンテナは、金、銀、銅、パラジウム、アルミニウム、クロム、タングステン、チタン、モリブデン、タンタル等の金属、又は金属化合物を、１つまたは複数有する導電材料を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１の基板に剥離層を形成し、
前記剥離層表面に、表示部、電源部、薄膜トランジスタで形成される薄膜集積回路部、及びアンテナを有する積層体を形成し、
前記積層体表面に可とう性を有する第２の基板を貼付け、前記第１の基板を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
第１の基板に剥離層を形成し、
前記剥離層表面に、表示部、電源部、薄膜トランジスタで形成される薄膜集積回路部、及びアンテナを有する積層体を形成し、
前記積層体の一方の面に可とう性を有する第２の基板を貼付け、
前記剥離層をエッチングして前記第１の基板を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
第１の基板に剥離層を形成し、
前記剥離層表面に、表示部、電源部、薄膜トランジスタで形成される薄膜集積回路部、及びアンテナを有する積層体を形成し、
前記積層体の一方の面に可とう性を有する第２の基板を貼付け、
前記剥離層にレーザ光を照射して、前記第１の基板を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
第１の基板に金属層を形成し、
前記金属層上に、酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に、絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に、表示部、電源部、薄膜トランジスタで形成される薄膜集積回路部、及びアンテナを有する積層体を形成し、
前記積層体表面に可とう性を有する第２の基板を貼付け、
前記第１の基板を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記金属層と前記酸化物層の間に形成された金属酸化物層中、前記金属酸化物層と前記酸化物層の界面、または、前記金属酸化物層と前記金属層の界面において、前記第１の基板を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項９乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記第１の基板を剥離した後、前記積層体の前記第２の基板と対向する他方の面に、可とう性を有する第３の基板を貼り付けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月13日(2006.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複数の発光素子が搭載された基板と、前記複数の発光素子にそれぞれ対応して設けられた複数の窓を有し、前記基板からの距離が異なる表面を有する筐体と、前記発光素子に対応する位置に配置され、前記基板に向かって断面形状が小さくなる被保持部を有する発光素子導光部品と、前記被保持部が嵌り込む保持穴を有し、前記基板から前記窓への距離に応じて前記保持穴の形状が異なって設定されている保持部材とを備えたことを特徴とする発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の発光装置は、複数の発光素子が搭載された基板と、前記複数の発光素子にそれぞれ対応して設けられた複数の窓を有し、前記基板からの距離が異なる表面を有する筐体と、前記発光素子に対応する位置に配置され、前記基板に向かって断面形状が小さくなる被保持部を有する発光素子導光部品と、前記被保持部が嵌り込む保持穴を有し、前記基板から前記窓への距離に応じて前記保持穴の形状が異なって設定されている保持部材とを備えた構成を有する。発光装置、発光素子および発光素子導光部品は、例えば、それぞれＬＥＤ装置、ＬＥＤ素子およびＬＥＤ導光部品である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記のように、本発明は、発光素子導光部品に、基板に向かって断面形状が小さくなる被保持部を設けるとともに、保持部材に、基板から窓への距離に応じて形状が異なる保持穴を設けたことで、発光素子導光部品の種類を減らすことができ、種類の削減によってコスト低減を図ることができ、また、組立作業を容易にできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
以上に説明した第１の実施の形態においては、前述したように、ＬＥＤ導光板９が発光素子導光部品に相当し、押さえ板１１が保持部材に相当し、ＬＥＤ導光板９の基板側凸部２７が被保持部に相当する。そして、発光素子導光部品に、基板に向かって断面形状が小さくなる被保持部を設けるとともに、保持部材に、基板から窓への距離に応じて形状が異なる保持穴を設けており、このような構成により同じ形状の発光素子導光部品が、場所によって被保持部の異なった位置で保持部材に保持される。したがって、発光素子導光部品の形状が同じでも、取付位置の高さを変更および調節でき、これにより部品の種類を削減できる。部品の種類を削減することで、コストの低減を図ることができ、また、作業工数の削減も可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月16日(2007.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック・アークエンベロープ（１２、５４、８２、１０２、１２２、３５２、４０２）と、
３５から５５重量パーセントのレニウムを含むモリブデン−レニウム合金を含み、前記セラミック・アークエンベロープ（１２、５４、８２、１０２、１２２、３５２、４０２）内に延びる通路を有する延性の充填管と、
前記通路を通り、前記セラミック・アークエンベロープ（１２、５４、８２、１０２、１２２、３５２、４０２）内に延びるリード線と、
前記セラミック・アークエンベロープ（１２、５４、８２、１０２、１２２、３５２、４０２）と前記延性の充填管との間のシール材料のない密閉シールと、
を備え、
前記延性の充填管の一部は、前記リード線の周りで機械的に圧縮されている、
高圧放電ランプ。
【請求項２】
前記密閉シールは、前記セラミック・アークエンベロープ（１２、５４、８２、１０２、１２２、３５２、４０２）の近傍部と前記延性の充填管の間の熱的な結合を含む、請求項１に記載の高圧放電ランプ。
【請求項３】
前記熱的な結合は、前記セラミック・アークエンベロープ（１２、５４、８２、１０２、１２２、３５２、４０２）と前記延性の充填管の両方の拡散材料を含む、請求項２に記載の高圧放電ランプ。
【請求項４】
前記密閉シールは、モリブデン拡散結合を含む、請求項１に記載の高圧放電ランプ。
【請求項５】
前記密閉シールは、タングステン−サーメット拡散結合を含む、請求項１に記載の高圧放電ランプ。
【請求項６】
前記タングステン−サーメット拡散結合はタングステンのリード線を含む、請求項５に記載の高圧放電ランプ。
【請求項７】
前記密閉シールは、金属−サーメット拡散結合を含む、請求項１に記載の高圧放電ランプ。
【請求項８】
前記セラミック・アークエンベロープ（１２、５４、８２、１０２、１２２、３５２、４０２）内に、ガス、水銀、金属ハロゲン化物を含む、請求項１に記載の高圧放電ランプ。
【請求項９】
中空のランプ本体と、
３５から５５重量パーセントのレニウムとモリブデンを含む充填管と、
前記充填管を通り、前記中空のランプ本体内に延びるリード線と、
前記リード線の周りに配置された、前記充填管の冷間溶接シールと、
を備えるランプ（１０、５０、８０、１００、１２０、３５０、４００）。
【請求項１０】
前記充填管の一部が、前記リード線の周りで機械的に圧縮されている、請求項９に記載のランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月26日(2006.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学系により集光される光を生成する為の光源において、前記光学系がその光学系に対して定義される軸に対して事前に決められた受光角内にある前記光源を出る光を受光し、前記光源が、
反射性基体上に設けられた複数のＬＥＤであって、前記複数のＬＥＤの各々が、その各々の頂面、底面、及び１つ又は複数の側面を介して出射する光を生成し、前記反射性基体が前記ＬＥＤの各々の前記底面と接する反射性の面を有する、複数のＬＥＤと、
前記ＬＥＤの前記側面を出る光を前記光学系の前記受光角内へと反射する為の複数のリフレクタとを含み、
前記リフクレクタの少なくとも１つが、前記複数のＬＥＤの２つのＬＥＤ間に配置されている、光源。
【請求項２】
前記リフレクタは、前記光が前記受光角内の角度で前記光源を出るような角度で、前記複数のＬＥＤのそれぞれの前記側面から出る光を反射する為の複数の小反射面を含む、請求項１に記載の光源。
【請求項３】
光学系により集光される光を生成する為の光源において、前記光学系がその光学系に対して定義される軸に対して事前に決められた受光角内にある前記光源を出る光を受光し、前記光源が、
反射性基体上に設けられた複数のＬＥＤであって、前記複数のＬＥＤの各々が、その各々の頂面、底面、及び１つ又は複数の側面を介して出射する光を生成し、前記反射性基体が前記ＬＥＤの各々の前記底面と接する反射性の面を有する、複数のＬＥＤと、
前記ＬＥＤの前記側面を出る光を前記光学系の前記受光角内へと反射する為の複数のリフレクタとを含み、
前記リフレクタは、前記光が前記受光角内の角度で前記光源を出るような角度で、前記複数のＬＥＤのそれぞれの前記側面から出る光を反射する為の複数の小反射面を含み、
前記複数のＬＥＤは、前記複数のＬＥＤの各々の底面が前記複数の小反射面の１つとそれぞれ接触するように配設されており、前記複数の小反射面のそれぞれが、前記複数のＬＥＤの各々の中で生じた光及び隣接するＬＥＤの前記側面の１つを出る光を反射する、光源。
【請求項４】
光学系により集光される光を生成する為の光源において、前記光学系がその光学系に対して定義される軸に対して事前に決められた受光角内にある前記光源を出る光を受光し、前記光源が、
反射性基体上に設けられた複数のＬＥＤであって、前記複数のＬＥＤの各々が、その各々の頂面、底面、及び１つ又は複数の側面を介して出射する光を生成し、前記反射性基体が前記ＬＥＤの各々の前記底面と接する反射性の面を有する、複数のＬＥＤと、
前記ＬＥＤの前記側面を出る光を前記光学系の前記受光角内へと反射する為の複数のリフレクタとを含み、
前記リフレクタが、前記ＬＥＤ間にある透明媒体中に分散した複数の散乱性の粒子を含み、前記複数の散乱性の粒子は、前記ＬＥＤの頂面を出る光を散乱しないように配置されている、光源。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の波長帯域の光を放射する第１の個体光源と、
前記第１の波長帯域とは異なる第２の波長帯域の光を放射する第２の個体光源と、
前記第１及び第２の個体光源からの光を合成する第１の二色ビームスプリッタとを含み、当該第１の二色ビームスプリッタが、前記第１の波長帯域の光を通過させる一方で、前記第２の波長帯域の光を反射し、前記第１の二色ビームスプリッタが、前記第１及び第２の個体光源からの光を結合して、前記第１及び第２の帯域双方のスペクトル成分と前記第１又は第２の固体光源どちらかの放射輝度よりも高い放射輝度とを持つ光を発生し、
前記第１の個体光源がLEDのアレイからなり、各LEDが前記第１の波長帯域の光を放射し、前記第１の波長帯域が前記第２の波長帯域とは異なることを特徴とする光源。
【請求項２】
第１の波長帯域の光を放射する第１の個体光源と、
前記第１の波長帯域とは異なる第２の波長帯域の光を放射する第２の個体光源と、
前記第１及び第２の個体光源からの光を合成する第１の二色ビームスプリッタとを含み、当該第１の二色ビームスプリッタが、前記第１の波長帯域の光を通過させる一方で、前記第２の波長帯域の光を反射し、前記第１の二色ビームスプリッタが、前記第１及び第２の個体光源からの光を結合して、前記第１及び第２の帯域双方のスペクトル成分と前記第１又は第２の固体光源どちらかの放射輝度よりも高い放射輝度とを持つ光を発生し、
前記第１の個体光源が半導体レーザーのアレイよりなることを特徴とする光源。
【請求項３】
第１の波長帯域の光を放射する第１の個体光源と、
前記第１の波長帯域とは異なる第２の波長帯域の光を放射する第２の個体光源と、
前記第１及び第２の個体光源からの光を合成する第１の二色ビームスプリッタとを含み、当該第１の二色ビームスプリッタが、前記第１の波長帯域の光を通過させる一方で、前記第２の波長帯域の光を反射し、前記第１の二色ビームスプリッタが、前記第１及び第２の個体光源からの光を結合して、前記第１及び第２の帯域双方のスペクトル成分と前記第１又は第２の固体光源どちらかの放射輝度よりも高い放射輝度とを持つ光を発生し、前記第１の帯域が前記第２の帯域とは異なり、
前記第１及び第２の個体光源が青色LEDのアレイよりなることを特徴とする光源。
【請求項４】
前記第１の個体光源が、青色の光を放射する個体光源と、青色光を緑色光へと変換する化学物質とからなることを特徴とする請求項３に記載の光源。
【請求項５】
第１の波長帯域の光を放射する第１の個体光源と、
前記第１の波長帯域とは異なる第２の波長帯域の光を放射する第２の個体光源と、
前記第１及び第２の個体光源からの光を合成する第１の二色ビームスプリッタと、当該第１の二色ビームスプリッタが、前記第１の波長帯域の光を通過させる一方で、前記第２の波長帯域の光を反射し、前記第１の二色ビームスプリッタが、前記第１及び第２の個体光源からの光を結合して、前記第１及び第２の帯域双方のスペクトル成分と前記第１又は第２の固体光源どちらかの放射輝度よりも高い放射輝度とを持つ光を発生し、
第３の波長帯域の光を放射する第３の個体光源と、
第２の二色ビームスプリッタとを有し、当該第２の二色ビームスプリッタが、前記第３の帯域の光を反射する一方で、前記第１及び第２の帯域の光を通過させ、前記第２の二色ビームスプリッタが、前記第３の光源からの光を前記第１の二色ビームスプリッタからの光と結合し、
前記個体光源の各々がLEDのアレイからなり、
前記LEDのアレイの相対面積が、３つの固体光源全てが作動状態にある場合に、前記第２の二色ビームスプリッタを出る光が白色となるように選択されていることを特徴とする光源。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月21日(2006.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
該光源の光を集光し、これによって出口開口を照明する集光器と、
前記出口開口を光変調器の面上に結像する為の結像光学素子とを含み、
前記光源が放射パターンによる位置の関数として変化する光度を持つ二次元放射パターンを有し、
前記出口開口が位置の関数として変化する光度を持つ二次元光度パターンを有し、
前記出口開口の光度パターンが前記光源の前記放射パターンよりも位置の関数としてより均一であることを特徴とする照明光源。
【請求項２】
光源と、
前記光源からの光を集光して出口開口を照明する非結像光学素子からなる集光器と、
前記出口開口を面上に結像する結像光学素子と、
前記出口開口と前記結像光学素子の間に位置する部分反射フィルムとを含み、
前記部分反射フィルムが、第１の偏光状態にある光を前記集光器へと反射して戻し、直交偏光状態にある光を通過させることを特徴とする照明光源。
【請求項３】
前記集光器が複合二次曲面集光器を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の照明光源。
【請求項４】
前記集光器が複合楕円曲面集光器を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の照明光源。
【請求項５】
前記出口開口と前記結像光学素子との間に位置する部分反射フィルムを更に含み、該部分反射フィルムが第１の偏光状態にある光を前記集光器へと反射し戻し、直交偏光状態の光は通過させることを特徴とする請求項１に記載の照明光源。
【請求項６】
前記集光器と前記部分反射フィルムの間に四分の一波長板をさらに含むことを特徴とする請求項２から５のいずれか１項に記載の照明光源。