【手続補正書】
【提出日】令和1年9月18日(2019.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開鎖修飾セルロース系パルプを作製する方法であって、
セルロース系パルプを得ること、
前記セルロース系パルプを少なくとも１つの酸化する工程で酸化して、酸化されたセルロース系パルプを形成する、酸化すること、
前記酸化されたセルロース系パルプを少なくとも１つの還元工程における還元反応に供して、開鎖修飾セルロース系パルプを形成する、還元反応に供すること
を含む、方法。
【請求項２】
前記セルロース系パルプが、前記少なくとも１つの酸化工程前に約１未満の銅価を有し、前記セルロース系パルプが、少なくとも１つの酸化工程中に銅価約３超に酸化され、前記酸化されたセルロースが、前記還元工程中に銅価約０．５未満に還元される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの酸化する工程を、過ヨウ素酸塩、二酸化窒素、ならびに過酸化物および金属触媒のうちの少なくとも１つから選択される酸化剤を使用して実施する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つの酸化する工程を、約ｐＨ２〜約ｐＨ６にて過酸化水素および銅または鉄から選択される金属触媒を使用して実施する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つの酸化する工程を、多段漂白プロセスのうちの少なくとも１つの段階の間に実施する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの還元工程を、水素化アルミニウムリチウム、水素化ホウ素ナトリウム、シアノ水素化ホウ素ナトリウム、９−ＢＢＮ−ピリジン、水素化トリブチルスズ、水素化ジイソブチルアルミニウム、Ｌ−セレクトリド、ジボラン、ジアゼン、および水素化アルミニウムのうちの少なくとも１つから選択される還元剤を使用して実施する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記還元剤が水素化ホウ素ナトリウムである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つの還元工程を少なくとも７のｐＨで実施する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記酸化されたセルロース系パルプを、亜塩素酸ナトリウムと過酸化水素との組み合わせまたは二酸化塩素と過酸化水素との組み合わせを含む、少なくとも１つのカルボキシル化工程に供することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記酸化されたセルロース系パルプを、前記少なくとも１つの酸化工程後であって前記少なくとも１つの還元工程前に、前記少なくとも１つのカルボキシル化工程に供する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
開鎖修飾セルロース系パルプであって、
セルロース系パルプを得ること、
前記セルロース系パルプを少なくとも１つの酸化する工程において酸化して、酸化されたセルロース系パルプを形成する、酸化すること、
前記酸化されたセルロース系パルプを少なくとも１つの還元工程における還元反応に供して、開鎖修飾セルロース系パルプを形成する、還元反応に供すること
を含む方法によって作製された開鎖修飾セルロース系パルプ。
【請求項１２】
前記セルロース系パルプを酸化する工程を、多段漂白プロセスのうちの少なくとも１つの段階の間に実施する、請求項１１に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
【請求項１３】
前記セルロース系パルプを酸化する工程を、過酸化水素および鉄触媒を使用して、約２〜約６のｐＨで実施する、請求項１２に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
【請求項１４】
前記還元反応を、水素化アルミニウムリチウム、水素化ホウ素ナトリウム、シアノ水素化ホウ素ナトリウム、９−ＢＢＮ−ピリジン、水素化トリブチルスズ、水素化ジイソブチルアルミニウム、Ｌ−セレクトリド、ジボラン、ジアゼン、および水素化アルミニウムのうちの少なくとも１つから選択される還元剤を使用して少なくともｐＨ７で実施する、請求項１３に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
【請求項１５】
前記酸化されたセルロース系パルプを、亜塩素酸ナトリウムと過酸化水素との組み合わせまたは二酸化塩素と過酸化水素との組み合わせを含む少なくとも１つのカルボキシル化工程に供することをさらに含む、請求項１１に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
【請求項１６】
前記酸化されたセルロース系パルプを、前記少なくとも１つの酸化工程後であって前記少なくとも１つの還元工程前に、前記少なくとも１つのカルボキシル化工程に供する、請求項１５に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
【請求項１７】
前記開鎖修飾セルロース系パルプが約０．５未満の銅価を有する、請求項１１に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
【請求項１８】
前記開鎖修飾セルロース系パルプが約６ｍＰａ未満の粘度を有する、請求項１１に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
【請求項１９】
前記開鎖修飾セルロース系パルプが約０．５ｍｅｑ／１００ｇ未満のカルボキシル含有量を有する、請求項１１に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
【請求項２０】
前記開鎖修飾セルロース系パルプが約６ｍｅｑ／１００ｇ超のカルボキシル含有量を有する、請求項１１に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
【請求項２１】
前記開鎖修飾セルロース系パルプが少なくとも約９０％のＩＳＯ白色度を有する、請求項１１に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
【請求項２２】
セルロース誘導体生成物を作製する方法であって、
セルロース系パルプを酸化して酸化されたセルロース系パルプを形成し、前記酸化されたセルロース系パルプを還元反応に供することを含む方法によって調製された、ヒドロキシル基を有する開鎖修飾セルロース系パルプを得ること；および
セルロース誘導体生成物を形成させるために、前記開鎖修飾セルロース系パルプを、前記開鎖修飾セルロース系パルプ上の複数のヒドロキシル基をヒドロキシル基以外の置換基に変換する化学反応に供すること
を含む、方法。
【請求項２３】
前記化学反応がエステル化反応である、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記セルロース誘導体生成物が、エチルセルロース、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、およびヒドロキシエチルメチルセルロースから選択される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記化学反応がエーテル化反応である、請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記セルロース誘導体生成物が、酢酸セルロース、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、および酢酸プロピオン酸セルロースから選択される、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記化学反応が硫化反応である、請求項２２に記載の方法。
【請求項２８】
セルロース誘導体生成物がレーヨンである、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
Ｃ２炭素およびＣ３炭素を含むβ−Ｄ−１，４−アンヒドログルコース単量体を含む開鎖修飾セルロース系パルプであって、前記Ｃ２炭素およびＣ３炭素のうちの少なくとも５％が第一級アルコールである、開鎖修飾セルロース系パルプ。
【請求項３０】
ヘミセルロース含有量が約４％未満である、請求項２９に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
【請求項３１】
ΔＲが約２未満である、請求項２９に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
【請求項３２】
粘度が少なくとも約１２である、請求項２９に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
【請求項３３】
ＩＳＯ白色度が少なくとも約９０％であり、ＣＩＥが少なくとも約８５％であり、ｂ＊色値が約２．５未満である、請求項２９に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
【請求項３４】
銅価が約０．２未満である、請求項２９に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
【請求項３５】
セルロース誘導体生成物を作製する方法であって、
Ｃ２炭素およびＣ３炭素を含むβ−Ｄ−１，４−アンヒドログルコース単量体を含む開鎖修飾セルロース系パルプを得ることであって、前記Ｃ２炭素およびＣ３炭素のうちの少なくとも５％が第一級アルコールである、得ること；および
セルロース誘導体生成物を形成させるために、前記開鎖修飾セルロース系パルプを、前記開鎖修飾セルロース系パルプ上の複数のヒドロキシル基をヒドロキシル基以外の置換基に変換する化学反応に供すること
を含む、方法。
【請求項３６】
前記化学反応がエステル化反応である、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記セルロース誘導体生成物が、エチルセルロース、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、およびヒドロキシエチルメチルセルロースから選択される、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
前記化学反応がエーテル化反応である、請求項３５に記載の方法。
【請求項３９】
前記セルロース誘導体生成物が、酢酸セルロース、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、および酢酸プロピオン酸セルロースから選択される、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記化学反応が硫化反応である、請求項３５に記載の方法。
【請求項４１】
セルロース誘導体生成物がレーヨンである、請求項４０に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
この実施例は、とりわけ、漂白シーケンス後に十分な量の水素化ホウ素ナトリウムを提供した場合、ＤＰ＊Ｄ（ｃ／ａ）Ｐ＊Ｄシーケンスと比較してアルデヒド含有量およびカルボニル含有量を減少させることができることを示す。
本発明は、例えば、以下を提供する：
（項目１）
開鎖修飾セルロース系パルプを作製する方法であって、
セルロース系パルプを得ること、
前記セルロース系パルプを少なくとも１つの酸化する工程で酸化して、酸化されたセルロース系パルプを形成する、酸化すること、
前記酸化されたセルロース系パルプを少なくとも１つの還元工程における還元反応に供して、開鎖修飾セルロース系パルプを形成する、還元反応に供すること
を含む、方法。
（項目２）
前記セルロース系パルプが、前記少なくとも１つの酸化工程前に約１未満の銅価を有し、前記セルロース系パルプが、少なくとも１つの酸化工程中に銅価約３超に酸化され、前記酸化されたセルロースが、前記還元工程中に銅価約０．５未満に還元される、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記少なくとも１つの酸化する工程を、過ヨウ素酸塩、二酸化窒素、ならびに過酸化物および金属触媒のうちの少なくとも１つから選択される酸化剤を使用して実施する、項目１に記載の方法。
（項目４）
前記少なくとも１つの酸化する工程を、約ｐＨ２〜約ｐＨ６にて過酸化水素および銅または鉄から選択される金属触媒を使用して実施する、項目１に記載の方法。
（項目５）
前記少なくとも１つの酸化する工程を、多段漂白プロセスのうちの少なくとも１つの段階の間に実施する、項目４に記載の方法。
（項目６）
前記少なくとも１つの還元工程を、水素化アルミニウムリチウム、水素化ホウ素ナトリウム、シアノ水素化ホウ素ナトリウム、９−ＢＢＮ−ピリジン、水素化トリブチルスズ、水素化ジイソブチルアルミニウム、Ｌ−セレクトリド、ジボラン、ジアゼン、および水素化アルミニウムのうちの少なくとも１つから選択される還元剤を使用して実施する、項目１に記載の方法。
（項目７）
前記還元剤が水素化ホウ素ナトリウムである、項目６に記載の方法。
（項目８）
前記少なくとも１つの還元工程を少なくとも７のｐＨで実施する、項目７に記載の方法。
（項目９）
前記酸化されたセルロース系パルプを、亜塩素酸ナトリウムと過酸化水素との組み合わせまたは二酸化塩素と過酸化水素との組み合わせを含む、少なくとも１つのカルボキシル化工程に供することをさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目１０）
前記酸化されたセルロース系パルプを、前記少なくとも１つの酸化工程後であって前記少なくとも１つの還元工程前に、前記少なくとも１つのカルボキシル化工程に供する、項目９に記載の方法。
（項目１１）
開鎖修飾セルロース系パルプであって、
セルロース系パルプを得ること、
前記セルロース系パルプを少なくとも１つの酸化する工程において酸化して、酸化されたセルロース系パルプを形成する、酸化すること、
前記酸化されたセルロース系パルプを少なくとも１つの還元工程における還元反応に供して、開鎖修飾セルロース系パルプを形成する、還元反応に供すること
を含む方法によって作製された開鎖修飾セルロース系パルプ。
（項目１２）
前記セルロース系パルプを酸化する工程を、多段漂白プロセスのうちの少なくとも１つの段階の間に実施する、項目１１に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
（項目１３）
前記セルロース系パルプを酸化する工程を、過酸化水素および鉄触媒を使用して、約２〜約６のｐＨで実施する、項目１２に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
（項目１４）
前記還元反応を、水素化アルミニウムリチウム、水素化ホウ素ナトリウム、シアノ水素化ホウ素ナトリウム、９−ＢＢＮ−ピリジン、水素化トリブチルスズ、水素化ジイソブチルアルミニウム、Ｌ−セレクトリド、ジボラン、ジアゼン、および水素化アルミニウムのうちの少なくとも１つから選択される還元剤を使用して少なくともｐＨ７で実施する、項目１３に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
（項目１５）
前記酸化されたセルロース系パルプを、亜塩素酸ナトリウムと過酸化水素との組み合わせまたは二酸化塩素と過酸化水素との組み合わせを含む少なくとも１つのカルボキシル化工程に供することをさらに含む、項目１１に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
（項目１６）
前記酸化されたセルロース系パルプを、前記少なくとも１つの酸化工程後であって前記少なくとも１つの還元工程前に、前記少なくとも１つのカルボキシル化工程に供する、項目１５に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
（項目１７）
前記開鎖修飾セルロース系パルプが約０．５未満の銅価を有する、項目１１に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
（項目１８）
前記開鎖修飾セルロース系パルプが約６ｍＰａ未満の粘度を有する、項目１１に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
（項目１９）
前記開鎖修飾セルロース系パルプが約０．５ｍｅｑ／１００ｇ未満のカルボキシル含有量を有する、項目１１に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
（項目２０）
前記開鎖修飾セルロース系パルプが約６ｍｅｑ／１００ｇ超のカルボキシル含有量を有する、項目１１に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
（項目２１）
前記開鎖修飾セルロース系パルプが少なくとも約９０％のＩＳＯ白色度を有する、項目１１に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
（項目２２）
セルロース誘導体生成物を作製する方法であって、
セルロース系パルプを酸化して酸化されたセルロース系パルプを形成し、前記酸化されたセルロース系パルプを還元反応に供することを含む方法によって調製された、ヒドロキシル基を有する開鎖修飾セルロース系パルプを得ること；および
セルロース誘導体生成物を形成させるために、前記開鎖修飾セルロース系パルプを、前記開鎖修飾セルロース系パルプ上の複数のヒドロキシル基をヒドロキシル基以外の置換基に変換する化学反応に供すること
を含む、方法。
（項目２３）
前記化学反応がエステル化反応である、項目１１に記載の方法。
（項目２４）
前記セルロース誘導体生成物が、エチルセルロース、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、およびヒドロキシエチルメチルセルロースから選択される、項目２３に記載の方法。
（項目２５）
前記化学反応がエーテル化反応である、項目１１に記載の方法。
（項目２６）
前記セルロース誘導体生成物が、酢酸セルロース、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、および酢酸プロピオン酸セルロースから選択される、項目２５に記載の方法。
（項目２７）
前記化学反応が硫化反応である、項目１１に記載の方法。
（項目２８）
セルロース誘導体生成物がレーヨンである、項目２７に記載の方法。
（項目２９）
Ｃ２炭素およびＣ３炭素を含むβ−Ｄ−１，４−アンヒドログルコース単量体を含む開鎖修飾セルロース系パルプであって、前記Ｃ２炭素およびＣ３炭素のうちの少なくとも５％が第一級アルコールである、開鎖修飾セルロース系パルプ。
（項目３０）
ヘミセルロース含有量が約４％未満である、項目２９に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
（項目３１）
ΔＲが約２未満である、項目３０に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
（項目３２）
粘度が少なくとも約１２である、項目３０に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
（項目３３）
ＩＳＯ白色度が少なくとも約９０％であり、ＣＩＥが少なくとも約８５％であり、ｂ＊色値が約２．５未満である、項目３０に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
（項目３４）
銅価が約０．２未満である、項目３０に記載の開鎖修飾セルロース系パルプ。
（項目３５）
セルロース誘導体生成物を作製する方法であって、
Ｃ２炭素およびＣ３炭素を含むβ−Ｄ−１，４−アンヒドログルコース単量体を含む開鎖修飾セルロース系パルプを得ることであって、前記Ｃ２炭素およびＣ３炭素のうちの少なくとも５％が第一級アルコールである、得ること；および
セルロース誘導体生成物を形成させるために、前記開鎖修飾セルロース系パルプを、前記開鎖修飾セルロース系パルプ上の複数のヒドロキシル基をヒドロキシル基以外の置換基に変換する化学反応に供すること
を含む、方法。
（項目３６）
前記化学反応がエステル化反応である、項目３５に記載の方法。
（項目３７）
前記セルロース誘導体生成物が、エチルセルロース、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、およびヒドロキシエチルメチルセルロースから選択される、項目３６に記載の方法。
（項目３８）
前記化学反応がエーテル化反応である、項目３５に記載の方法。
（項目３９）
前記セルロース誘導体生成物が、酢酸セルロース、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、および酢酸プロピオン酸セルロースから選択される、項目３８に記載の方法。
（項目４０）
前記化学反応が硫化反応である、項目３５に記載の方法。
（項目４１）
セルロース誘導体生成物がレーヨンである、項目４０に記載の方法。