Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月4日(2008.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ｎ6−(４−アミノ−３−ヨードベンジル)−アデノシン−５‘−Ｎ−メチルウロナミド）（ＡＢ−ＭＥＣＡ）、Ｎ6−２−（４−アミノフェニル）エチル−アデノシン（ＡＰＮＥＡ）、（Ｎ6−（３−ヨードベンジル）−５’−Ｎ−メチルカルボキサミドアデノシン）（ＩＢ−ＭＥＣＡ）、２−クロロ−ＩＢ−ＭＥＣＡ、及び
次の式：
【化００１】
2008520747.tif 000001
（式中、
Ａｒはアリル基であり；
ＲとＲ１は、それぞれ独立して、水素、アルキル、アリル、置換アルキル、置換アリル、ヘテロアリル、アルケニル、置換アルケニル、シクロアルケニル、置換シクロアルケニル、シクロアルキル、置換シクロアルキル、アルコキシ、置換アルコキシ、アルキニル又は置換アルキニルである；又は
ＲとＲ１が、結合している窒素原子と一緒になって、Ｏ、Ｓ及びＮから選択される１〜４のヘテロ原子をさらに含んでいてもよい単環又は複数の縮合環を有する、置換又は非置換、飽和又は不飽和の３〜２０員環系を形成してもよい）
で表される化合物；
又は薬学的に許容可能なその塩である）
で表される化合物より選択される、ＨＩＦ−１α（低酸素誘導因子１−α）の発現レベルを上昇させる作用を有し、それにより虚血性の組織障害を軽減させるアデノシンＡ３受容体アゴニストを含有してなる、ＨＩＦ−αの発現レベルの低下により特徴付けられる虚血性疾患における血管新生を促進するための医薬組成物。
【請求項２】
ＨＩＦ−１αの発現が少なくとも１０％増大する、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
ＨＩＦ−１αの発現が少なくとも３０％増大する、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項４】
ＨＩＦ−１αの発現が少なくとも６０％増大する、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項５】
虚血性疾患が、肺高血圧症である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項６】
虚血性疾患が虚血性心血管疾患である、請求項５に記載の医薬組成物。
【請求項７】
虚血性心血管疾患が、心筋虚血又は心筋梗塞である、請求項６に記載の医薬組成物。
【請求項８】
虚血性疾患が、末梢性動脈病、深部静脈血栓症又は血管不全である、請求項５に記載の医薬組成物。
【請求項９】
虚血性疾患が妊娠疾患である、請求項５に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
妊娠疾患が、子癇前症又は子宮内発育遅延である、請求項９に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
虚血性疾患が、発作又は多梗塞性認知症である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
虚血性疾患が末梢性動脈病である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
末梢性動脈病が壊疽である、請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
虚血性疾患が、脳虚血又は網膜虚血である、請求項１に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月29日(2008.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）本質的に
ａ）式（Ｉ´）又は式（Ｉ´´）で表されるベンゾトリアゾール化合物
【化１】
2008520784.tif 000001
（式中、Ｒ1は水素原子又は炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し；
Ｒ2は炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数５ないし７のシクロアルキル基
、（炭素原子数１ないし４のアルキル）1-3炭素原子数５ないし７のシクロアルキル基及
び炭素原子数５ないし７のシクロアルキル−炭素原子数１ないし４のアルキル基からなる群より選択される置換基を表し；及び
Ｒ3は水素原子又は炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数５ないし７のシク
ロアルキル基、（炭素原子数１ないし４のアルキル）1-3炭素原子数５ないし７のシクロ
アルキル基、炭素原子数５ないし７のシクロアルキル−炭素原子数１ないし４のアルキル基、フェニル基、フェニル−炭素原子数１ないし４のアルキル基、（炭素原子数１ないし４のアルキル）1-3フェニル基及び（炭素原子数１ないし４のアルキル）1-3フェニル−炭素原子数１ないし４のアルキル基からなる群より選択される置換基を表す。）：
ｂ）式（ＩＩ）で表されるベンゾトリアゾール化合物
【化２】
2008520784.tif 000002
（式中、Ｒ1は水素原子又は炭素原子数１ないし４のアルキル基を表す。）：及び所望に
より
ｃ）式（ＩＩＩ´）で表されるトリアゾール化合物
【化３】
2008520784.tif 000003
（式中、Ｒ1は水素原子又は炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し；
Ｒ2は炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数５ないし７のシクロアルキル基
、（炭素原子数１ないし４のアルキル）1-3炭素原子数５ないし７のシクロアルキル基及
び炭素原子数５ないし７のシクロアルキル−炭素原子数１ないし４のアルキル基からなる群より選択される置換基を表し；及び
Ｒ3は水素原子又は炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数５ないし７のシク
ロアルキル基、（炭素原子数１ないし４のアルキル）1-3炭素原子数５ないし７のシクロ
アルキル基、炭素原子数５ないし７のシクロアルキル−炭素原子数１ないし４のアルキル基、フェニル基、フェニル−炭素原子数１ないし４のアルキル基、（炭素原子数１ないし４のアルキル）1-3フェニル基及び（炭素原子数１ないし４のアルキル）1-3フェニル−炭素原子数１ないし４のアルキル基からなる群より選択される置換基を表す。）：
からなる混合物、並びに
Ｂ）潤滑剤、圧媒剤、金属加工液及びコーティング剤からなる群より選択される機能液
を含む組成物。
【請求項２】
Ａ）本質的に
ａ）式（Ｉ´）で表されるベンゾトリアゾール化合物
【化４】
2008520784.tif 000004
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基を表し；
Ｒ2は炭素原子数１ないし８のアルキル基又は炭素原子数５ないし７のシクロアルキル基
を表し；
Ｒ3は水素原子又は炭素原子数１ないし８のアルキル基、炭素原子数５ないし７のシクロ
アルキル基及びフェニル基からなる群より選択される置換基を表す。）、又は化合物（Ｉ´）の異性体：及び
ｂ）式（ＩＩ）で表されるベンゾトリアゾール化合物
【化５】
2008520784.tif 000005
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基を表す。）：
からなる混合物、並びに
Ｃ）潤滑剤、圧媒剤、金属加工液及びコーティング剤からなる群より選択される機能液
を含む組成物。
【請求項３】
Ａ）本質的に
ａ）式（Ｉ´）で表されるベンゾトリアゾール化合物
【化６】
2008520784.tif 000006
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基を表し；
Ｒ2は炭素原子数１ないし８のアルキル基又は炭素原子数５ないし７のシクロアルキル基
を表し；及び
Ｒ3は水素原子又は炭素原子数１ないし８のアルキル基、炭素原子数５ないし７のシクロ
アルキル基及びフェニル基からなる群より選択される置換基を表す。）、又は化合物（Ｉ´）の異性体：
ｂ）式（ＩＩ）で表されるベンゾトリアゾール化合物
【化７】
2008520784.tif 000007
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基を表す。）：及び
ｃ）式（ＩＩＩ´）で表されるトリアゾール化合物
【化８】
2008520784.tif 000008
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基を表し；
Ｒ2は炭素原子数１ないし８のアルキル基又は炭素原子数５ないし７のシクロアルキル基
を表し；及び
Ｒ3は水素原子又は炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数５ないし７のシク
ロアルキル基及びフェニル基からなる群より選択される置換基を表す。）、又は化合物（ＩＩＩ´）の異性体：
からなる混合物、並びに
Ｂ）潤滑剤、圧媒剤、金属加工液及びコーティング剤からなる群より選択される機能液
を含む請求項１記載の組成物。
【請求項４】
Ａ）本質的に
ａ）式（Ｉ´）で表されるベンゾトリアゾール化合物であって、
Ｒ1は水素原子又はメチル基を表し；
Ｒ2は炭素原子数５ないし７のシクロアルキル基を表し；及び
Ｒ3は炭素原子数１ないし８のアルキル基又は炭素原子数５ないし７のシクロアルキル基
を表す化合物、又は化合物（Ｉ´）の異性体；及び
ｂ）式（ＩＩ）で表されるベンゾトリアゾール化合物であって、
Ｒ1は水素原子又はメチル基を表す化合物；
からなる混合物、並びに
Ｂ）潤滑剤、圧媒剤、金属加工液及びコーティング剤からなる群より選択される機能液
を含む請求項２記載の組成物。
【請求項５】
Ａ）本質的に
ａ）式（Ｉ´）で表されるベンゾトリアゾール化合物であって、
Ｒ1は水素原子又はメチル基を表し；
Ｒ2は炭素原子数５ないし７のシクロアルキル基を表し；及び
Ｒ3は炭素原子数１ないし８のアルキル基又は炭素原子数５ないし７のシクロアルキル基
を表す化合物、又は化合物（Ｉ´）の異性体；
ｂ）式（ＩＩ）で表されるベンゾトリアゾール化合物であって、
Ｒ1は水素原子又はメチル基を表す化合物；及び
ｃ）式（ＩＩＩ´）で表されるトリアゾール化合物であって、
Ｒ1は水素原子又はメチル基を表し；
Ｒ2は炭素原子数５ないし７のシクロアルキル基を表し；及び
Ｒ3は炭素原子数１ないし８のアルキル基又は炭素原子数５ないし７のシクロアルキル基
を表す化合物、又は化合物（ＩＩＩ´）の異性体；
からなる混合物、並びに
Ｂ）潤滑剤、圧媒剤、金属加工液及びコーティング剤からなる群より選択される機能液
を含む請求項１記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月30日(2008.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１個より多いアミン、アルコール、酸又はハロゲンの官能基を有する極性部分を含む極性頭部基と、それぞれの繰り返し単位が少なくとも１個の電気陰性の元素または部分の存在によって官能化された炭化水素鎖を含む単量体繰り返し単位２〜３０個からなる重合体骨格を含む２個以上の極性尾部基との反応から誘導される、２００〜１５０００の数平均分子量を有する自動車用潤滑剤組成物中での使用に適した無灰高分子分散剤。
【請求項２】
分散剤が、５００〜１００００の数平均分子量を有する請求項１の無灰高分子分散剤。
【請求項３】
分散剤が、５００〜７０００の数平均分子量を有する請求項１の無灰高分子分散剤。
【請求項４】
前記極性頭部基の極性部分が１個より多いアミン又はアルコールの官能基を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の無灰高分子分散剤。
【請求項５】
前記極性頭部基の極性部分が２〜４個のアミンの官能基を有する請求項４記載の無灰高分子分散剤。
【請求項６】
前記２個以上の極性尾部基それぞれが同じ化学を有する請求項１〜５のいずれか１項記載の無灰高分子分散剤。
【請求項７】
前記２個以上の極性尾部基の炭化水素鎖が直鎖又は分岐であってよくそして８〜３５個の炭素原子を含む２価の基である請求項１〜６のいずれか１項記載の無灰高分子分散剤。
【請求項８】
炭化水素鎖が下記式
【化１】
2008520796.tif 000001
で示される請求項７記載の無灰高分子分散剤。
【請求項９】
炭化水素鎖の電気陰性の元素又は部分が、酸素、エステル（−ＣＯＯ−と定義される）およびアミド（−ＣＯＮＨ−と定義される）から選ばれそして単量体繰り返し単位に対して骨格に位置するかあるいはペンダント基に位置するかのいずれかである請求項１〜８のいずれか１項記載の無灰高分子分散剤。
【請求項１０】
炭化水素鎖の電気陰性の元素または部分が、単量体繰り返し単位の骨格に位置するエステル（−ＣＯＯ−と定義される）である請求項９記載の無灰高分子分散剤。
【請求項１１】
単量体繰り返し単位の数が、２〜３０個である請求項１〜１０のいずれか１項記載の無灰高分子分散剤。
【請求項１２】
単量体繰り返し単位の数が、２〜２０個である請求項１〜１０のいずれか１項記載の無灰高分子分散剤。
【請求項１３】
単量体繰り返し単位の数が、３〜１５個である請求項１〜１０のいずれか１項記載の無灰高分子分散剤。
【請求項１４】
高分子無灰分散剤が、アルキル基が８〜３５個の炭素原子を有するヒドロキシアルキル酸のポリエステル化反応により誘導されたものである請求項１〜１３のいずれか１項記載の無灰高分子分散剤。
【請求項１５】
ヒドロキシアルキル酸が１２−ヒドロキシステアリン酸である請求項１４記載の無灰高分子分散剤。
【請求項１６】
高分子無灰分散剤が、５００〜１００００の数平均分子量を有する請求項１〜１５のいずれか１項記載の無灰高分子分散剤。
【請求項１７】
高分子無灰分散剤が、５００〜７０００の数平均分子量を有する請求項１〜１５のいずれか１項記載の無灰高分子分散剤。
【請求項１８】
高分子無灰分散剤が、５００〜５０００の数平均分子量を有する請求項１〜１５のいずれか１項記載の無灰高分子分散剤。
【請求項１９】
高分子無灰分散剤が、５００〜３０００の数平均分子量を有する請求項１〜１５のいずれか１項記載の無灰高分子分散剤。
【請求項２０】
基液および１個より多いアミン、アルコール、酸又はハロゲンの官能基を有する極性部分を含む極性頭部基と、それぞれの繰り返し単位が少なくとも１個の電気陰性の元素または部分の存在によって官能化された炭化水素鎖を含む単量体繰り返し単位２〜３０個からなる重合体骨格を含む極性尾部基２個以上との反応から誘導される、２００〜１５０００の数平均分子量を有する無灰高分子分散剤を含む自動車用潤滑剤組成物。
【請求項２１】
さらに、無灰高分子分散剤に対して０．１〜２０重量％の界面活性剤添加物を含む請求項２０記載の自動車用潤滑剤組成物。
【請求項２２】
さらに、２０重量％までの量で存在している他の分散剤を含む請求項２０又は２１記載の自動車用潤滑剤組成物。
【請求項２３】
基液および１個より多いアミン、アルコール、酸又はハロゲンの官能基を有する極性部分を含む極性頭部基と、それぞれの繰り返し単位が少なくとも１個の電気陰性の元素または部分の存在によって官能化された炭化水素鎖を含む単量体繰り返し単位２〜３０個からなる重合体骨格を含む極性尾部基２個以上との反応から誘導される、２００〜１５０００の数平均分子量を有する無灰高分子分散剤０．００１〜２０重量％を含む自動車用潤滑剤組成物のエンジン又はトランスミッションオイルまたは燃料内での使用。
【請求項２４】
１個より多いアミン、アルコール、酸又はハロゲンの官能基を有する極性部分を含む極性頭部基と、それぞれの繰り返し単位が少なくとも１個の電気陰性の元素または部分の存在によって官能化された炭化水素鎖を含む単量体繰り返し単位２〜３０個からなる重合体骨格を含む極性尾部基２個以上との反応から誘導される、２００〜１５０００の数平均分子量を有する無灰高分子分散剤のエンジン又はトランスミッションオイルまたは燃料内での使用。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月31日(2008.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基液およびそれぞれの繰り返し単位が少なくとも１個の電気陰性の元素または部分の存在によって官能化された炭化水素鎖を含む単量体繰り返し単位２〜３０個からなる重合体骨格を含む極性尾部基であって、酸、エステル、アミド又はアルコールの部分の少なくとも１種から選ばれる極性部分を含む極性頭部基に結合されている極性尾部基を含み、５００〜１００００の数平均分子量を有する高分子無灰分散剤０．００１〜２０重量％を含む自動車用潤滑剤組成物。
【請求項２】
さらに、界面活性剤添加物を含む請求項１記載の自動車用潤滑剤組成物。
【請求項３】
さらに、２０重量％までの量で存在している他の分散剤を含む請求項１又は２記載の自動車用潤滑剤組成物。
【請求項４】
基液がエンジン油でありそして前記高分子無灰分散剤が５〜２０重量％で存在する請求項１〜３いずれか１項記載の自動車用潤滑剤組成物。
【請求項５】
さらに、０．１〜３０重量％の他の添加剤を含む請求項４記載の自動車用潤滑剤組成物。
【請求項６】
分散剤の極性尾部基の炭化水素鎖が、直鎖あるいは分岐であってもよくかつ８〜３５個の炭素原子を含む２価の基である請求項１〜５のいずれか１項記載の自動車用潤滑剤組成物。
【請求項７】
炭化水素鎖がＣＨ３−（ＣＨ２）５−ＣＨ−（ＣＨ２）１０−である請求項６記載の自動車用潤滑剤組成物。
【請求項８】
炭化水素鎖の電気陰性の元素又は部分が、酸素、エステル（−ＣＯＯ−と定義される）およびアミド（−ＣＯＮＨ−と定義される）から選ばれそして単量体繰り返し単位の骨格に位置するか単量体繰り返し単位に対するペンダント基のいずれかである請求項１〜７のいずれか１項記載の自動車用潤滑剤組成物。
【請求項９】
炭化水素鎖の電気陰性の元素または部分が、単量体繰り返し単位の骨格に位置するエステル（−ＣＯＯ−と定義される）である請求項８記載の自動車用潤滑剤組成物。
【請求項１０】
単量体繰り返し単位の数が、２〜３０個である請求項１〜９のいずれか１項記載の自動車用潤滑剤組成物。
【請求項１１】
単量体繰り返し単位の数が、２〜２０個である請求項１〜９のいずれか１項記載の自動車用潤滑剤組成物。
【請求項１２】
単量体繰り返し単位の数が、３〜１５個である請求項１〜９のいずれか１項記載の自動車用潤滑剤組成物。
【請求項１３】
極性頭部基の極性部分が、酸又はアミドの部分である請求項１〜１２のいずれか１項記載の自動車用潤滑剤組成物。
【請求項１４】
高分子無灰分散剤が、アルキル基が８〜３５個の炭素原子を有するヒドロキシアルキル酸のポリエステル化反応により誘導されたものである請求項１〜１３のいずれか１項記載の自動車用潤滑剤組成物。
【請求項１５】
ヒドロキシアルキル酸が１２−ヒドロキシステアリン酸である請求項１４記載の自動車用潤滑剤組成物。
【請求項１６】
高分子無灰分散剤が、５００〜１００００の数平均分子量を有する請求項１〜１５のいずれか１項記載の自動車用潤滑剤組成物。
【請求項１７】
高分子無灰分散剤が、５００〜７０００の数平均分子量を有する請求項１〜１５のいずれか１項記載の自動車用潤滑剤組成物。
【請求項１８】
高分子無灰分散剤が、５００〜５０００の数平均分子量を有する請求項１〜１５のいずれか１項記載の自動車用潤滑剤組成物。
【請求項１９】
高分子無灰分散剤が、５００〜３０００の数平均分子量を有する請求項１〜１５のいずれか１項記載の自動車用潤滑剤組成物。
【請求項２０】
基液およびそれぞれの繰り返し単位が少なくとも１個の電気陰性の元素または部分の存在によって官能化された炭化水素鎖を含む単量体繰り返し単位２〜３０個からなる重合体骨格を含む極性尾部基であって、酸、エステル、アミド又はアルコールの部分の少なくとも１種から選ばれる極性部分を含む極性頭部基に結合されている極性尾部基を含み、５００〜１００００の数平均分子量を有する高分子無灰分散剤０．００１〜２０重量％を含む自動車用潤滑剤組成物のエンジンまたはトランスミッションまたは燃料供給ライン内での使用。
【請求項２１】
基液およびそれぞれの繰り返し単位が少なくとも１個の電気陰性の元素または部分の存在によって官能化された炭化水素鎖を含む単量体繰り返し単位２〜３０個からなる重合体骨格を含む極性尾部基であって、酸、エステル、アミド又はアルコールの部分の少なくとも１種から選ばれる極性部分を含む極性頭部基に結合されている極性尾部基を含み、５００〜１００００の数平均分子量を有する高分子無灰分散剤０．００１〜２０重量％を含む自動車用潤滑剤組成物をエンジンまたはトランスミッションまたは燃料供給ライン中に導入することによってシール抵抗を増進する方法。
【請求項２２】
それぞれの繰り返し単位が少なくとも１個の電気陰性の元素または部分の存在によって官能化された炭化水素鎖を含む単量体繰り返し単位２〜３０個からなる重合体骨格を含む極性尾部基であって、酸、エステル、アミド又はアルコールの部分の少なくとも１種から選ばれる極性部分を含む極性頭部基に結合されている極性尾部基を含み、５００〜１００００の数平均分子量を有する高分子無灰分散剤のエンジンまたはトランスミッションオイルまたは燃料内での使用。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月28日(2008.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）プロピレン誘導単位１０．０モル％〜７９．０モル％；
（ｂ）１−ブテン誘導単位８９．５モル％〜２０．５モル％；及び
（ｃ）式：ＣＨ２＝ＣＨＺ（式中、ＺはＣ４〜Ｃ２０アルキル基である）のα−オレフィンの誘導単位０．５モル％〜１５モル％；
を含むプロピレンベースのターポリマー。
【請求項２】
式：ＣＨ２＝ＣＨＺのα−オレフィンが、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ドデセン、４−メチル−１−ペンテンから選択される請求項１に記載のプロピレンベースのターポリマー。
【請求項３】
重合条件下において、プロピレン、１−ブテン及び式：ＣＨ２＝ＣＨＺ（式中、ＺはＣ４〜Ｃ２０アルキル基である）のα−オレフィンを、
（ａ）少なくとも１種のメタロセン化合物；
（ｂ）アルモキサン、又はアルキルメタロセンカチオンを形成することのできる化合物；及び場合によっては、
（ｃ）有機アルミニウム化合物；
を接触させることによって得られる触媒系の存在下で接触させることを含む、請求項１〜２のいずれかに記載のプロピレンベースのターポリマーの製造方法であって、
ここで、メタロセン化合物が、式（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）：
【化１】
2008520793.tif 000001
（式中、
Ｍは、元素周期律表の第４族、第５族、又はランタニド又はアクチニド族に属する遷移金属であり；
置換基Ｘは、互いに同一か又は異なり、水素、ハロゲン、Ｒ６、ＯＲ６、ＯＣＯＲ６、ＳＲ６、ＮＲ６２及びＰＲ６２（式中、Ｒ６は、場合によっては１以上のＳｉ又はＧｅ原子を有する、線状又は分岐鎖で飽和又は不飽和のＣ１〜Ｃ２０アルキル、Ｃ３〜Ｃ２０シクロアルキル、Ｃ６〜Ｃ２０アリール、Ｃ７〜Ｃ２０アルキルアリール、又はＣ７〜Ｃ２０アリールアルキル基である）からなる群から選択されるモノアニオン性σ−リガンドであり；
ｐは、金属Ｍの酸化状態から２を減じた値に等しい整数であり；
Ｌは、場合によっては元素周期律表の第１３〜１７族に属するヘテロ原子を有する、Ｃ１〜Ｃ２０アルキリデン、Ｃ３〜Ｃ２０シクロアルキリデン、Ｃ６〜Ｃ２０アリーリデン、Ｃ７〜Ｃ２０アルキルアリーリデン、又はＣ７〜Ｃ２０アリールアルキリデン基、或いは５個以下のケイ素原子を有するシリリデン基から選択される二価の橋架基であり；
式（ＩＩ）の化合物において、
Ｒ１０は、水素原子、或いは、場合によっては元素周期律表の第１３〜１７族に属するヘテロ原子を有するＣ１〜Ｃ４０炭化水素基であり；
Ｒ１１及びＲ１２は、互いに同一か又は異なり、水素原子、或いは、場合によっては元素周期律表の第１３〜１７族に属するヘテロ原子を有するＣ１〜Ｃ４０炭化水素基であり；
Ｔ１は、式（ＩＩａ）又は（ＩＩｂ）：
【化２】
2008520793.tif 000002
（式中、記号＊が付された原子は式（ＩＩ）の化合物中の同一の記号が付された原子と結合し；
Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及びＲ２０は、互いに同一か又は異なり、水素原子、或いは、場合によっては元素周期律表の第１３〜１７族に属するヘテロ原子を有するＣ１〜Ｃ４０炭化水素基であり；
Ｒ２１及びＲ２２は、互いに同一か又は異なり、水素原子、或いは、場合によっては元素周期律表の第１３〜１７族に属するヘテロ原子を有するＣ１〜Ｃ４０炭化水素基である）
の基であり；
式（ＩＩＩ）の化合物において、
Ｒ１３及びＲ１４は、互いに同一か又は異なり、水素原子、或いは、場合によっては元素周期律表の第１３〜１７族に属するヘテロ原子を有するＣ１〜Ｃ４０炭化水素基であり；
Ｒ１５及びＲ１６は、互いに同一か又は異なり、水素原子、或いは、場合によっては元素周期律表の第１３〜１７族に属するヘテロ原子を有するＣ１〜Ｃ４０炭化水素基であり；
Ｔ１は上記と同一の意味を有する）
を有する、前記製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月22日(2008.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多峰性モル質量分布を有し、温度２３℃の密度が０．９４〜０．９５０ｇ／ｃｍ３の範囲内であり、ＭＦＩ１９０／５が０．５〜２．１ｄｇ／分の範囲内であるポリエチレン成形用組成物であり、４５〜５５重量％の低分子量エチレンホモポリマーＡ、３０〜４０重量％の高分子量の、エチレンと４〜８個の炭素原子を有する別のオレフィンとのコポリマーＢ、及び１０〜２０重量％の超高分子量エチレンコポリマーＣを含み、ここで、総ての百分率は成形用組成物の総重量を基準とする、前記ポリエチレン成形用組成物。
【請求項２】
高分子量コポリマーＢが、コポリマーＢの重量を基準に、１〜８重量％の、４〜８個の炭素原子を有するコモノマーを含有し、そして、超高分子量エチレンコポリマーＣが、エチレンコポリマーＣの重量を基準に、１〜８重量％のコモノマーを含有する、請求項１に記載のポリエチレン成形用組成物。
【請求項３】
１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、４−メチル−１−ペンテン又はこれらの混合物がコモノマーとして存在する、請求項１又は２に記載のポリエチレン成形用組成物。
【請求項４】
温度１３５℃のデカリン中でＩＳＯ／Ｒ  １１９１に準拠して測定した粘度数ＶＮｏｖｅｒａｌｌが２６０〜３４０ｃｍ３／ｇの範囲、好ましくは、２８０〜３２０ｃｍ３／ｇである、請求項１〜３のいずれかに記載のポリエチレン成形用組成物。
【請求項５】
ノッチ付き衝撃靱性ＡＭＦ（−３０℃）が３．５〜４．５ｋＪ／ｍ２の範囲及びノッチ付き衝撃靱性ＡＣＮ（＋２３℃）が１２〜１６ｋＪ／ｍ２の範囲を示し、耐環境応力亀裂性（ＥＮＣＴ）が１５０〜２５０時間を示す、請求項１〜４のいずれかに記載のポリエチレン成形用組成物。
【請求項６】
懸濁液中、温度７０〜９０℃、圧力２〜１０バールの範囲、遷移金属化合物及び有機アルミニウム化合物から構成される活性チグラー触媒の共存下で、モノマーの重合を行う、請求項１〜５の一つ以上に記載のポリエチレン成形用組成物の製造法であり、重合が三段階重合であり、各段階で形成されるポリエチレンのモル質量を各場合で水素により調節する、前記ポリエチレン成形用組成物の製造法。
【請求項７】
第一重合段階の水素濃度を、低分子量ポリエチレンＡの粘度数ＶＮ１が５０〜９０ｃｍ３／ｇの範囲であるように設定する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
第二重合段階の水素濃度を、ポリマーＡプラスポリマーＢの混合物の粘度数ＶＮ２が２６０〜３２０ｃｍ３／ｇの範囲であるように設定する、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
第三重合段階の水素濃度を、ポリマーＡ、ポリマーＢプラスポリマーＣの混合物の粘度数ＶＮ３が２６０〜３４０ｃｍ３／ｇの範囲、特に、２８０〜３２０ｃｍ３／ｇであるように設定する、請求項６〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
電気ケーブルの外部被覆のための請求項１〜５の一つ以上に記載のポリエチレン成形用組成物の使用であって、まず、ポリエチレン成形用組成物を２００〜２５０℃の範囲の温度で押出機中で可塑化し、次いで、ケーブルの表面にノズルにより押出し成形し、そこで冷却する、前記使用。
【請求項１１】
導電性金属内部コア、及び請求項１〜５のいずれかに記載のポリエチレン成形用組成物を含む非導電性外部被覆を有する電気又は情報伝送ケーブルであって、外部被覆の厚さが０．２〜３ｃｍの範囲である、前記ケーブル。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月28日(2008.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上板部、及び前記上板部を支持する支持部、を含んでなる騒音防止部材。
【請求項２】
前記支持部の間に充填される充填手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の騒音防止部材。
【請求項３】
前記支持部の下面に、ゴム材の騒音防止手段をさらに設けることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の騒音防止部材。
【請求項４】
前記支持部は複数の脚からなり、前記上板部の両側を支持する脚は残りの脚より長いことを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の騒音防止部材。
【請求項５】
前記上板部は、温度変化による上板部の伸縮による変形を防止するための変形防止手段をさらに含むことを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の騒音防止部材。
【請求項６】
前記変形防止手段は、細長いスリットであることを特徴とする、請求項５に記載の騒音防止部材。
【請求項７】
前記上板部上に、建物層間で発生する静電気及び水脈波を遮蔽するための伝導層をさらに含むことを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の騒音防止部材。
【請求項８】
前記伝導層は、カーボンシートまたはメタルコーティングシートであることを特徴とする、請求項７に記載の騒音防止部材。
【請求項９】
前記充填手段の上面及び／または底面に、ニッケル、銅、銀、カリウム、マグネシウム、カドミウム、及びアルミニウムよりなる群から選択される金属部材が備えられることを特徴とする、請求項２ないし請求項８のいずれか１項に記載の騒音防止部材。
【請求項１０】
前記上板部と充填手段との間に、騒音を吸収するための空洞部をさらに有することを特徴とする、請求項２に記載の騒音防止部材。
【請求項１１】
前記支持部の側面に、騒音防止部材と床面の接触面積を最小化するための側空洞部が形成されることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の騒音防止部材。
【請求項１２】
スラブを設置する段階、
前記スラブ上に、建物の層間で発生する騒音及び振動を防止するための防振パネルを積層する段階、及び
前記防振パネル上に、上部層を積層する段階を含み、
前記防振パネルは、請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の騒音防止部材を含むことを特徴とする層間騒音防止工法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月29日(2008.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前駆体蒸発システムからプロセスチャンバへ前駆体を供給する方法であって、
前記前駆体蒸発システム内の固体状の金属カルボニルの前駆体を、該金属カルボニルの前駆体の気相原料を生成する温度まで加熱する工程と、
前記加熱する工程中に、一酸化炭素ガスを流して前記前駆体蒸発システム内の前記固体状の金属カルボニルの前駆体に触れさせて、前記気相原料が生成されているときに前記金属カルボニルの前駆体の前記気相原料を前記一酸化炭素ガスに取り込み、前記金属カルボニルの前駆体の前記気相原料と前記一酸化炭素ガスとを含むプロセスガスを生成する工程と、
前記プロセスガスを前記前駆体蒸発システムから前記プロセスチャンバへ輸送する工程と
を含む方法。
【請求項２】
前記プロセスチャンバ内に基板を用意する工程と、
前記輸送する工程の後、熱化学気相堆積プロセスにより前記基板に金属層を堆積するため、前記基板を前記プロセスガスに晒す工程と
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記金属カルボニルがルテニウムカルボニルである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記プロセスチャンバ内に基板を用意する工程と、
前記輸送する工程の後、熱化学気相堆積プロセスにより前記基板にルテニウム金属層を堆積するため、前記基板を前記プロセスガスに晒す工程と
を更に含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
パターン化基板にルテニウム金属層を堆積する方法であって、
１又は２以上のビア若しくはトレンチ、またはこれらの組み合わせを含むパターン化基板を堆積システムのプロセスチャンバに用意する工程と、
前駆体蒸発システム内の固体状のＲｕ３（ＣＯ）１２前駆体を約６０℃と約９０℃の間の温度に加熱し、前記Ｒｕ３（ＣＯ）１２前駆体の気相原料を生成するため前記Ｒｕ３（ＣＯ）１２前駆体を前記温度に維持し、
前記加熱中に、一酸化炭素ガスを流して前記前駆体蒸発システム内の前記固体状のＲｕ３（ＣＯ）１２前駆体に触れさせて、前記気相原料が生成されているときに前記Ｒｕ３（ＣＯ）１２前駆体の前記気相原料を前記一酸化炭素ガスに取り込むことによって、前記Ｒｕ３（ＣＯ）１２前駆体の前記気相原料と前記一酸化炭素ガスとを含むプロセスガスを生成する工程と、
前記プロセスガスを前記前駆体蒸発システムから前記プロセスチャンバへ輸送する工程と、
熱化学気相堆積プロセスにより前記パターン化基板にルテニウム金属層を堆積するため、前記パターン化基板を前記プロセスガスに晒す工程と
を含む方法。
【請求項６】
前記加熱する工程が前記前駆体を約４０℃と約１５０℃の間の温度に維持する工程を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記一酸化炭素ガスの流量が約０．１ｓｃｃｍと約１０００ｓｃｃｍとの間である、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記一酸化炭素ガスの流量が約１ｓｃｃｍと約１００ｓｃｃｍとの間である、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記固体状の前駆体の上を又は中を通して希ガスを流す工程を更に含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記晒す工程中に、前記基板を約５０℃と約５００℃の間の温度に維持する工程と、前記プロセスチャンバを約０．１ｍＴｏｒｒと約２００ｍＴｏｒｒの間の圧力に維持する工程とを更に含む、請求項２、４及び５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記晒す工程中に、前記基板を約３００℃と約４００℃の間の温度に維持する工程と、前記プロセスチャンバを約１ｍＴｏｒｒと約１００ｍＴｏｒｒの間の圧力に維持する工程とを更に含む、請求項２、４及び５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板への前記前駆体の堆積速度を調整するため、前記前駆体の前記気相原料の前記一酸化炭素ガスに対する相対濃度を利用する工程を更に含む、請求項２、４及び５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記晒す工程が前記熱化学堆積プロセスを反応速度律速温度領域で行う工程を更に含む、請求項２、４及び５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記パターン化基板が、前記ルテニウム金属層が堆積されるバリア層を更に含む、請求項５に記載の方法。
【請求項１５】
前記バリア層がタンタル含有層又はタングステン含有層を含み、当該バリア層に前記ルテニウム金属層が堆積される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記金属カルボニルの前駆体がＷ（ＣＯ）６、Ｎｉ（ＣＯ）４、Ｍｏ（ＣＯ）６、Ｃｏ２（ＣＯ）８、Ｒｈ４（ＣＯ）１２、Ｒｅ２（ＣＯ）１０、Ｒｕ３（ＣＯ）１２、Ｃｒ（ＣＯ）６、若しくはＯｓ３（ＣＯ）１２、または、これらの２若しくは３以上の組み合わせを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月30日(2008.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に金属層を堆積する方法であって、
堆積システムのプロセスチャンバに基板を用意する工程であって、前記プロセスチャンバが、当該プロセスチャンバの入口に隣接して位置する気相原料分散システムと、該気相原料分散システムおよび前記基板の間のプロセスゾーンとを備え、前記気相原料分散システムが前記プロセスゾーンに隣接する気相原料分散板と、該前記気相原料分散板および前記入口の間の気相原料分散プレナム（plenum）とを備える、当該用意する工程；
金属カルボニルの前駆体の気相原料を生成するため、前駆体蒸発システム内の固体状の金属カルボニルの前駆体を加熱し、当該加熱の間に、一酸化炭素ガスを流して前記前駆体蒸発システム内の前記固体状の金属カルボニルの前駆体に触れさせて、前記気相原料が生成されているときに前記金属カルボニルの前駆体の前記気相原料を前記一酸化炭素ガスに取り込むことにより、前記金属カルボニルの前駆体の前記気相原料と前記一酸化炭素ガスとを含むプロセスガスを生成する工程；
前記前駆体蒸発システムから前記プロセスチャンバの前記入口へ前記プロセスガスを輸送し、前記気相原料分散システムを通して前記プロセスチャンバの前記プロセスゾーンへ前記プロセスガスを導入する工程；
希釈化プロセスガスを生成するため、前記プロセスチャンバにて前記プロセスガスへ希釈ガスを加える工程；および
前記基板を前記希釈化プロセスガスに晒して、熱化学気相堆積プロセスにより、前記基板に金属層を堆積する工程
を含む方法。
【請求項２】
前記金属カルボニルがルテニウムカルボニルであり、前記金属層がルテニウム金属層である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
パターン化基板にルテニウム金属層を堆積する方法であって、
堆積システムのプロセスチャンバにパターン化基板を用意する工程であって、前記パターン化基板が１又は２以上のビア若しくはトレンチ、またはこれらの２若しくは３以上の組み合わせ含み、前記プロセスチャンバが、当該プロセスチャンバの入口近傍に位置する気相原料分散システムと、該気相原料分散システムおよび前記基板の間のプロセスゾーンとを備え、前記気相原料分散システムが前記プロセスゾーンの近傍の気相原料分散板と、該気相原料分散板および前記入口の間の気相原料分散プレナムとを備える、当該用意する工程；
Ｒｕ３（ＣＯ）１２前駆体の気相原料を生成するため、気相原料蒸発システム内の固体状のＲｕ３（ＣＯ）１２前駆体の加熱をし、当該加熱の間に、一酸化炭素ガスを流して前記前駆体蒸発システム内の前記固体状のＲｕ３（ＣＯ）１２に触れさせて、前記気相原料が生成されているときに前記Ｒｕ３（ＣＯ）１２の前駆体を前記一酸化炭素ガスに取り込むことにより、前記Ｒｕ３（ＣＯ）１２前駆体の前記気相原料と前記一酸化炭素ガスとを含むプロセスガスを生成する工程；
前記前駆体蒸発システムから前記プロセスチャンバの前記入口へ前記プロセスチャンバの前記入口へ前記プロセスガスを輸送し、前記気相原料分散システムを通して前記プロセスチャンバの前記プロセスゾーンへ前記プロセスガスを導入する工程；
前記プロセスチャンバにおいて希釈化プロセスガスを生成するため、前記気相原料分散プレナム、前記気相原料分散板、および前記プロセスゾーンの少なくとも一つにおいて前記プロセスに希釈ガスを加える工程；および
熱化学気相堆積プロセスにより前記パターン化基板にＲｕ金属層を堆積するため、前記基板を前記希釈化プロセスガスに晒す工程
を含む方法。
【請求項４】
前記一酸化炭素ガスの流量が約０．１ｓｃｃｍと約１０００ｓｃｃｍとの間である、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記一酸化炭素ガスの流量が約１ｓｃｃｍと約１００ｓｃｃｍとの間である、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記生成する工程が、前記固体状の金属カルボニルの前駆体の上を又は中を通して希釈ガスを流す工程を更に含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記金属カルボニルの前駆体の前記気相原料が、Ｗ（ＣＯ）６、Ｍｏ（ＣＯ）６、Ｃｏ２（ＣＯ）８、Ｒｈ４（ＣＯ）１２、Ｒｅ２（ＣＯ）１０、Ｃｒ（ＣＯ）６、Ｒｕ３（ＣＯ）１２、若しくはＯｓ３（ＣＯ）１２、又はこれらの２若しくは３以上の組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記晒す工程の間に、前記基板を約５０℃と約５００℃の間の温度に維持する工程と、前記プロセスチャンバを約０．１ｍＴｏｒｒと約２００ｍＴｏｒｒの間の圧力に維持する工程と、を更に含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記晒す工程の間に、前記基板を約３００℃と約４００℃の間の温度に維持する工程と、前記プロセスチャンバを約１ｍＴｏｒｒと約１００ｍＴｏｒｒの間の圧力に維持する工程と、を更に含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記加える工程が、前記気相原料分散プレナムにおいて前記希釈ガスを前記プロセスガスに加える工程と、
前記気相原料分散システムの前記気相原料分散板を通して前記希釈化プロセスガスを前記プロセスゾーンへ流す工程と、を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記加える工程が、前記プロセスガスが前記気相原料分散板を流れ抜けた後に、前記プロセスゾーンにおいて前記希釈ガスを前記プロセスガスに加える工程を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記加える工程が、前記気相原料分散板の内部で前記希釈ガスを前記プロセスガスに加える工程を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記希釈ガスが希ガスを含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記希釈ガスが還元ガスを更に含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記還元ガスが、水素、シリコン含有ガス、ボロン含有ガス、若しくは窒素含有ガス、又はこれらの２若しくは３以上の組み合わせを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記基板が、１又は２以上のビア若しくはトレンチ、又はこれらの２若しくは３以上の組み合わせを含むパターン化基板である、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記生成する工程が、前記前駆体の前記基板への堆積速度を制御するため、前記一酸化炭素に対する前記気相原料の相対濃度を利用する工程を更に含む、請求項１から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記晒す工程が、前記熱化学気相堆積プロセスを反応速度律速領域で行う工程を更に含む、請求項１から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記加熱する工程が、前記Ｒｕ３（ＣＯ）１２前駆体を約４０℃と約１５０℃の間の温度に維持する工程を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項２０】
前記加熱する工程が、前記Ｒｕ３（ＣＯ）１２前駆体を約６０℃と約９０℃の間の温度に維持する工程を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項２１】
前記パターン化基板が、前記Ｒｕ金属層が堆積されるバリア層を更に含む、請求項３に記載の方法。
【請求項２２】
前記バリア層がタンタル含有層又はタングステン含有層を含み、当該バリア層に前記Ｒｕ金属層が堆積される、請求項２１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月3日(2008.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉで表される染料、水および保湿剤を含む、インクジェット印刷用のイエローインク組成物：
【化１】
2008520812.tif 000001
（式中、
Ｒ1およびＲ5は、独立に、水素または置換もしくは非置換のアルキル、芳香族もしくは複素環基であり；
Ｒ2およびＲ4は、独立に、水素または非金属置換基であり；
Ｒ3は、水素または置換もしくは非置換のアルキル、アシル、スルホニル、芳香族もしくは複素環基であり；
Ｘは電子吸引基である；
ただし、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5の少なくとも１つは、当該染料に水溶性を付与することができる基を含む）。
【請求項２】
Ｒ5が、式：
【化２】
2008520812.tif 000002
（式中、Ｒ6は、ヒドロキシル、スルホネート、スルフィネート、カルボキシル、置換もしくは非置換スルホンアミド、またはホスホネートから選ばれるイオン化可能な基であり、；Ｒ7は独立にＨもしくは任意の非金属基であるか、またはＲ7の任意の２つが組み合わさって、５〜７員の炭素環、複素環、芳香環もしくは脂環式環を形成していてもよく；ｎは０〜４の整数である）で表される基である、請求項１に記載のイエローインク組成物。
【請求項３】
Ｘが、シアノなどのハメット（Ｈａｍｍｅｔｔ）σp 値が０．４より大きい置換基である、請求項１または２に記載のイエローインク組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のイエローインク、マゼンタインク、およびシアンインクを含む、インクジェット印刷用のインクセット。
【請求項５】
ポリマー、安定剤、光沢調節剤または抗酸化剤のうちの１つ又は２つ以上を含む無色インクをさらに含む、請求項４に記載のインクセット。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年10月17日(2008.10.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
上記の英国特許出願公開第２，２３４，５２１  Ａ号明細書からは、ニッケルベース超合金に硼素または炭素が富化することによって指向性凝固の場合に等軸化した又はプリズム状の構造を有する微細構造を有する組織が生じることも公知である。炭素及び硼素が高温で安定している粒界の所に炭化物及び硼化物を析出させるので、炭素及び硼素が粒界を強化する。更にこれらの元素が粒界中に及び粒界に沿って存在することが、粒界の弱さを引き起こす拡散進行を減退させる。それ故に、１０°〜１２°に無秩序状態を増加させそしてそれにも関わらず高温で材料の良好な性質を達成することが可能である。しかしながら、特にニッケルベース超合金の鋳造した単結晶部品の場合にこの小角粒界が性質にマイナスの影響を及ぼす。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
炭素及び硼素は、これらの元素が粒界の所に高温において安定している炭化物及び硼化物を析出するので、粒界を、特にニッケルベース超合金よりなるＳＸ−またはＤＳ−ガスタービンの場合に＜００１＞−方向で生じる小角粒界も強化する。更にこれらの元素が粒界中に及び粒界にそって存在することが粒界の弱体化の主原因である拡散進行を減少させる。これによって長い単結晶部品、例えば約２００〜２３０ｍｍの長さのガスタービンのタービン翼及び羽根の鋳造性を著しく改善する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
合金Ｌ１について記載した含有量５０ｐｐｍのＹ及び１０ｐｐｍのＬａが特に有利である。何故ならばＬ１が塗布すべきＴＢＣ−層と特に良好な適合性を有するからである。更にこれらの２種類の元素は環境の影響に対する耐久性も増加させる。これらの元素をこの僅かな範囲内の量で添加することによって、合金表面のアルミニウム−／クロム酸化物−スケール層を安定化させそして顕著に優れた耐酸化性を実現する。Ｙ及び／又はＬａは、ベース材料へのスケール層の接合性を改善する。繰り返し酸化する耐久性はＴＢＣ−層の安定性の主要な要因である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月25日(2008.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大型基板を処理するためのプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）用プラズマ反応器であって、外部チャンバとしての真空プロセスチャンバ（１９）、およびプロセスガス供給装置（２２）を備えた少なくとも１つの内部反応器と、ＲＦアンテナとして働く電極シャワーヘッド（２５）に電気的に接続されたＲＦ供給装置（２４）とを備え、前記内部反応器は、少なくとも前記プラズマ反応器での基板の処理中には密封状態で接続されかつ少なくとも前記基板の装着／取り外し中は分離される反応器底部（６）と反応器上部（２）とを備えている、プラズマ反応器。
【請求項２】
前記真空プロセスチャンバ（１９）は、基板の前記真空プロセスチャンバ（１９）への装着／取り外しを可能にする開口部をチャンバゲート弁（２０）により示す、請求項１に記載のプラズマ反応器。
【請求項３】
反応器底部のピン（８）が処理される基板（７）を支持する、請求項１〜２のいずれかに記載のプラズマ反応器。
【請求項４】
前記反応器底部（６）は、反応器上部（２）および反応器底部（６）を分離および密封するために垂直方向に移動可能である、請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ反応器。
【請求項５】
封止板（９、９ａ）が反応器上部（２）の側壁（１１）と相互作用して、反応器底部（６）に対して密封状態で押し付けられる、請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマ反応器。
【請求項６】
前記内部反応器の閉鎖状態では、前記封止板（９ａ）はバネ（１０）によって前記反応器底部（６）の内面および前記反応器側壁（１１）に押し付けられるようにされる、請求項５に記載のプラズマ反応器。
【請求項７】
封止スペーサ（９ｂ）が前記封止板（９ａ）の中心部の下に配置される、請求項５に記
載のプラズマ反応器。
【請求項８】
補剛材（１）が反応器上部（２）および／または反応器底部（６）を支持する、請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマ反応器。
【請求項９】
前記補剛材（１）は、動作中の熱膨張を補償するように選択された厚さを有する補償スペーサ（４）を介して、反応器上部（２）および／または反応器底部（６）に接続される、請求項８に記載のプラズマ反応器。
【請求項１０】
前記補剛材（１）と前記反応器上部（２）との間に配置された前記補償スペーサ（４）は、端部でより厚く前記補剛材（１）の中央部に向かって薄くなる、請求項９に記載のプラズマ反応器。
【請求項１１】
前記補剛材（１）と前記反応器底部（６）との間に配置された前記補償スペーサ（４）は、前記補剛材（１）の中心部で最も厚い、請求項９に記載のプラズマ反応器。
【請求項１２】
ネジ（５）が前記補剛材（１）をそれぞれ前記反応器上部（２）または前記反応器底部（６）と、補剛材クリップ（３）および補償スペーサ（４）の補助により接合させる、請求項９〜１１のいずれかに記載のプラズマ反応器。
【請求項１３】
懸垂装置（２１）がＲＦアンテナ（１２）と反応器上部（２）とを接続し、前記懸垂装置は、上部（１４）と中央部（１６）と底部（１７）とを備えており、前記上部（１４）は前記反応器上部（２）と同じ電位であり、前記底部（１７）は前記ＲＦアンテナ（１２）および前記中央部（１６）と同じ電位であり、そして前記中央部（１６）は前記上部（１４）と前記底部（１７）とを接続または電気的に絶縁させる、請求項１〜１２のいずれかに記載のプラズマ反応器。
【請求項１４】
反応器上部（２）とＲＦアンテナ（１２）との間のスペースにＲＦスペーサ（１８）をさらに備えた、請求項１３に記載のプラズマ反応器。
【請求項１５】
請求項１に記載のプラズマ反応器内で基板を処理する方法であって、（ａ）前記反応器底部（６）を垂直方向に下げることによって前記内部反応器を開けるステップと、（ｂ）前記内部反応器へのアクセスを与えるチャンバ弁ゲート（２０）を開けるステップと、（ｃ）ピン（６）上に前記基板（７）を載せるステップと、（ｄ）前記内部反応器が閉鎖するまで前記反応器底部（６）を垂直方向に持ち上げるステップと、（ｅ）前記チャンバ弁ゲートを閉鎖するステップと、（ｆ）前記基板を処理するステップとを包含する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図２ａ〜ｃは、補剛材１の、従って反応器上部２の重力によるたわみを補償スペーサ４によってどのように補償することができるかを示す。ネジ５が（アルミニウム合金よりなる）反応器上部２を補剛材１と接合させる。補剛材クリップ３が例えば補剛材１に加工形成された溝と係合する。様々な厚さの補償スペーサ４が補剛材（１）と反応器上部（２）との間に配置され、高温でのプラズマ反応器の動作中に補剛材１がたるむのを補償することを可能にする。補剛材１はまた端部（図示せず）でクロスプレートに接着される。端部が外部チャンバに支持され接着されている反応器上部補剛材１を用いることによって、また補償スペーサ４の厚さを慎重に選択することによって、動作温度でのたるみを補償する
ことができる。補償スペーサは補剛材の端部でより厚く（図２ｂ）中央部に向かって薄くなり（図２ｃ）中心部ではなくなるようにされる。反応器上部のたるみは、図２ａの補剛材１の湾曲によって示されるように端部より中央部において補償がより必要となる。従って、反応器の底部（底側）での補剛材もまた中心に向かって僅かな下向きの湾曲を示すが、最も厚い補償スペーサを補剛材の中心部の補剛材（１）と反応器底部（６）との間に配置させる。補剛材１内および補剛材クリップ３内に加工形成された溝がさらに、反応器上部と補剛材との間の熱膨張を吸収することができる。