【手続補正書】
【提出日】平成20年6月26日(2008.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列接続された複数の電池と、少なくとも１層のアモルファス半導体層と、金属接点層と、該直列接続された複数の電池を接続させる相互接続と、を含む部分的に透過性である薄膜光起電性モジュールの製造方法であって、少なくとも該金属接点層を貫通して複数のレーザー刻印をレーザーにより刻む工程と、該レーザー刻印を該相互接続の方向を横断する方向に位置づける工程と、を含む方法。
【請求項２】
さらに、モジュール内の最初と最後の電池に隣接して位置づけられている母線を含み、前記レーザー刻印が、光起電性モジュールの該母線を含まない表面を横断して延在する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記レーザー刻印は、半導体材料を融除するレーザーを用いて形成され、半導体材料は金属接点層を貫通してバーストして刻印を形成する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
半導体材料を融除するために用いたレーザーは、Nd-YAG、Nd-YFL及びNd-YVO4レーザーからなる群より選択される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
各刻印は、約0.01〜約0.5mmの幅を有し、互いに約0.5〜約５mm離隔している請求項１に記載の方法。
【請求項６】
各刻印は、約0.05〜約0.2mmの幅を有する請求項５に記載の方法。
【請求項７】
刻印は、互いに約0.5〜約２mm離隔している請求項６に記載の方法。
【請求項８】
金属接点層の面積の約50%以下がレーザー刻印を含む請求項６に記載の方法。
【請求項９】
金属接点層の面積の約20%以下がレーザー刻印を含む請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
レーザー刻印は、相互接続の方向に直交する方向に位置づけられている請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
刻印は、複数のホールが相互に連結されてなる一列のホールの形態である請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
ホールは円形で、約0.1〜約0.2mmの直径を有する請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
刻印は互いに平行である請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
わずかな刻印を有するか又は刻印を持たないボンドによって分離されている近接しているが離れている刻印のバンドとして、刻印はグループ化されている請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
各刻印は、約0.05〜約0.2mmの幅を有し、互いに約0.5〜約２mmだけ離れている請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
レーザー刻印は、互いに離隔しており、その間隔はモジュールの少なくとも一部において徐々に変化する請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
基板上の光起電デバイスを製作する方法であって、
（ａ）透明な導電性酸化物膜を基板上にデポジットして、フロント接点層を形成する工程と；
（ｂ）フロント接点層内に実質的に平行な第１の溝をレーザービームでレーザー刻印して、基板上にフロント電極セグメントを形成する工程と；
（ｃ）フロント電極セグメント上に、半導体物質の一層又は複数の層をデポジットして形成し、第１の溝を半導体物質で充填する工程と；
（ｄ）第１の溝に対して実質的に平行な位置で、半導体物質の一層又は複数の層内に第２の溝をレーザー刻印する工程と；
（ｅ）半導体物質の一層又は複数の層上の金属を含むバック接点層をデポジットして形成し、第２の溝を金属で充填してフロント電極セグメントとバック接点層とを接続する１の直列接続を形成する工程と；
（ｆ）第２の溝に対して実質的に平行な位置に、レーザービームで第３の溝をレーザー刻印する工程と；
（ｇ）第２の溝の方向を横断する方向で、バック接点層内に溝をレーザー刻印する工程と
を含む方法。
【請求項１８】
さらに、複数のレーザー刻印をレーザー刻印した後に、モジュールをアニーリングする工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
さらに、複数のレーザー刻印をレーザー刻印した後に、モジュールを超音波洗浄する工程を含む請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明はさらに、直列に接続された複数の電池と、少なくとも１層のアモルファス半導体層と、金属接点層と、該直列に接続された複数の電池を接続する相互接続と、を含む部分透過性光起電モジュールであり、該モジュールは、相互接続の方向を横断する方向に位置づけられた金属接点層を少なくとも貫通する複数の刻印を含む。
本発明の実施形態は以下のとおりである。
（１）直列接続された複数の電池と、少なくとも１層のアモルファス半導体層と、金属接点層と、該直列接続された複数の電池を接続させる相互接続と、を含む部分的に透過性である薄膜光起電性モジュールの製造方法であって、少なくとも該金属接点層を貫通して複数のレーザー刻印をレーザーにより刻む工程と、該レーザー刻印を該相互接続の方向を横断する方向に位置づける工程と、を含む方法。
（２）さらに、モジュール内の最初と最後の電池に隣接して位置づけられている母線を含み、前記レーザー刻印が、光起電性モジュールの該母線を含まない表面を横断して延在する（１）に記載の方法。
（３）前記レーザー刻印は、半導体材料を融除するレーザーを用いて形成され、半導体材料は金属接点層を貫通してバーストして刻印を形成する（１）に記載の方法。
（４）半導体材料を融除するために用いたレーザーは、Nd-YAG、Nd-YFL及びNd-YVO4レーザーからなる群より選択される（１）に記載の方法。
（５）各刻印は、約0.01〜約0.5mmの幅を有し、互いに約0.5〜約５mm離隔している（１）に記載の方法。
（６）各刻印は、約0.05〜約0.2mmの幅を有する（５）に記載の方法。
（７）刻印は、互いに約0.5〜約２mm離隔している（６）に記載の方法。
（８）金属接点層の面積の約50%以下がレーザー刻印を含む（６）に記載の方法。
（９）金属接点層の面積の約20%以下がレーザー刻印を含む（６）に記載の方法。
（１０）レーザー刻印は、相互接続の方向に直交する方向に位置づけられている（１）に記載の方法。
（１１）刻印は、複数のホールが相互に連結されてなる一列のホールの形態である（１）に記載の方法。
（１２）ホールは円形で、約0.1〜約0.2mmの直径を有する（１１）に記載の方法。
（１３）刻印は互いに平行である（１）に記載の方法。
（１４）わずかな刻印を有するか又は刻印を持たないバンドによって分離されている近接しているが離れている刻印のバンドとして、刻印はグループ化されている（１）に記載の方法。
（１５）各刻印は、約0.05〜約0.2mmの幅を有し、互いに約0.5〜約２mmだけ離れている（１４）に記載の方法。
（１６）レーザー刻印は、互いに離隔しており、その間隔はモジュールの少なくとも一部において徐々に変化する（１）に記載の方法。
（１７）直列に接続された複数の電池と、少なくとも１のアモルファス半導体層と、金属接点層と、該著くれるに接続された複数の電池を接続する相互接続とを含む部分透過性光起電モジュールの製作方法であって、（a）少なくとも金属接点を通して、相互接続の方向を横断する方向に、複数の刻印をレーザー刻印する工程、及び（b）光起電モジュールに、デザイン、レタリング、ロゴ又は他の記載パターンを付与するために、予め選択されたパターンで少なくとも金属接点の部分を選択的に除去する工程からなる群より選択される少なくとも１工程を含む方法。
（１８）予め選択されたパターンで、少なくとも金属接点の部分を選択的に除去して、光起電モジュールにデザイン、レタリング、ロゴ又は他の記載パターンを付与する工程を含む（１７）に記載の方法。
（１９）金属接点は、複数のホールの１パターンをレーザー刻印することにより除去される（１８）に記載の方法。
（２０）複数のホールは連結されている（１９）に記載の方法。
（２１）ホールは、円形で約0.1〜約0.2mmの直径を有する（２０）に記載の方法。
（２２）直列に接続された複数の電池と、少なくとも１のアモルファス半導体層と、金属接点層と、該直列に接続された複数の電池を接続する相互接続とを含む光起電モジュールの製作方法であって、金属を選択的に除去するモジュールに光を透過させる目的でレーザーを用いて、金属接点の部分を選択的に除去する工程を含む方法。
（２３）除去された金属の部分は、複数のホールの形態である（２２）に記載の方法。
（２４）少なくとも数個のホールは連結されている（２３）に記載の方法。
（２５）ホールは円形である（２４）に記載の方法。
（２６）レーザーを用いて、金属接点層を貫通してバーストする半導体物質を融除して、金属を除去する（２２）に記載の方法。
（２７）モジュールは、少なくとも約5％の透過率を有する（２２）に記載の方法。
（２８）直列に接続された複数の電池と、少なくとも１のアモルファス半導体層と、金属接点層と、該直列に接続された複数の電池を接続する相互接続とを具備し、相互接続の方向を横断する方向に位置づけられた金属接点層を少なくとも貫通する複数の刻印を含む薄膜部分透過性光起電モジュール。
（２９）各刻印は、約0.01〜約0.5mmの幅を有する（２８）に記載のモジュール。
（３０）各刻印は、約0.05〜約0.2mmの幅を有する（２９）に記載のモジュール。
（３１）刻印は、互いに約0.5〜約５mmだけ離隔している（３０）に記載のモジュール。
（３２）少なくとも約10％の透過率を有する（２８）に記載のモジュール。
（３３）少なくとも約20％の透過率を有する（２８）に記載のモジュール。
（３４）刻印は、連結されたホールの形態である（２８）に記載のモジュール。
（３５）ホールは円形であり、約0.01〜約0.2mmの直径を有する（３４）に記載のモジュール。
（３６）モジュール内の最初と最後の電池に隣接して位置づけられている母線を含み、レーザー刻印は母線を含まない光起電モジュールの表面を横断して延在する（２８）に記載のモジュール。
（３７）直列に接続された複数の電池と、少なくとも１のアモルファス半導体層と、金属接点層と、該直列に接続された複数の電池を接続する相互接続とを含み、金属接点層に形成され且つ金属接点層を貫通して延在するレタリング、ロゴ又は他の記載パターンを含む光起電モジュール。
（３８）記載パターンは、複数のホールの１パターンをレーザー刻印することにより形成されたものである（３７）に記載の光起電モジュール。 
（３９）ホールの少なくとも一部は連結されている（３８）に記載の光起電モジュール。
（４０）ホールは円形であり、約0.01〜約0.2mmの直径を有する（３８）に記載の光起電モジュール。
（４１）（２８）に記載の光起電モジュールを含む窓。
（４２）（２８）に記載の光起電モジュールを含む日よけ及び天蓋。
（４３）わずかな刻印を有するか又は刻印を持たないバンドによって分離されている近接しているが離れている刻印のバンドとしてグループ化されている（２８）に記載の光起電モジュール。
（４４）刻印の少なくとも一部の間の距離が徐々に変化する（２８）に記載の光起電モジュール。
（４５）基板上の光起電デバイスを製作する方法であって、
（ａ）透明な導電性酸化物膜を基板上にデポジットして、フロント接点層を形成する工程と；
（ｂ）フロント接点層内に実質的に平行な第１の溝をレーザービームでレーザー刻印して、基板上にフロント電極セグメントを形成する工程と；
（ｃ）フロント電極セグメント上に、半導体物質の一層又は複数の層をデポジットして形成し、第１の溝を半導体物質で充填する工程と；
（ｄ）第１の溝に対して実質的に平行な位置で、半導体物質の一層又は複数の層内に第２の溝をレーザー刻印する工程と；
（ｅ）半導体物質の一層又は複数の層上の金属を含むバック接点層をデポジットして形成し、第２の溝を金属で充填してフロント電極セグメントとバック接点層とを接続する１の直列接続を形成する工程と；
（ｆ）第２の溝に対して実質的に平行な位置に、レーザービームで第３の溝をレーザー刻印する工程と；
（ｇ）第２の溝の方向を横断する方向で、バック接点層内に溝をレーザー刻印する工程と
を含む方法。
（４６）基板上の光起電デバイスを製作する方法であって、
（ａ）基板上に、透明な導電性酸化物膜をデポジットして、フロント接点層を形成する工程と；
（ｂ）レーザービームでフロント接点層内に実質的に平行な第１の溝をレーザー刻印して、基板上にフロント電極セグメントを形成する工程と；
（ｃ）フロント電極セグメント上に半導体物質の一層又は複数の層をデポジットして形成し、第１の溝を半導体物質で充填する工程と；
（ｄ）第１の溝に対して実質的に平行な位置で、半導体物質の一層又は複数の層内に第２の溝をレーザー刻印する工程と；
（ｅ）半導体物質の層上に金属を含むバック接点層をデポジットして形成し、第２の溝を金属で充填してフロント電極セグメントとバック接点層とを接続する１の直列接続を形成する工程と：
（ｆ）レーザービームで、第２の溝に対して実質的に平行な位置で、バック接点層内に第３の溝をレーザー刻印する工程と；
（ｇ）レーザーを用いてバック接点の区域を選択的に除去して、所望のデザイン、レタリング、ロゴ又は他の輪郭を光起電デバイスに付与する工程と
を含む方法。
（４７）さらに、複数のレーザー刻印をレーザー刻印した後に、モジュールをアニーリングする工程を含む（１）に記載の方法。
（４８）さらに、複数のレーザー刻印をレーザー刻印した後に、モジュールを超音波洗浄する工程を含む（１）に記載の方法。