【手続補正書】
【提出日】平成20年8月1日(2008.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状マグネトロンターゲットを有するシステムであって、
第１の端部を有する管部と、
前記管部に接触する円筒状内面と、前記円筒状内面と同軸である円錐台と前記管部の中心方向に減少する傾きとを有する外面とを有する、前記管部を取り囲む前記第１の端部に隣接する鍔部と、
前記管部に取り付けられ、前記鍔部を前記管部に対して固定された位置で捕捉するのに十分な捕捉部と、
を有するシステム。
【請求項２】
請求項１記載のシステムにおいて、
前記管部は、軸の周りに第１の外径を有する第１の筒状部と、前記軸の周りに第２の外径を有する第２の筒状部とを有し、前記第２の外径は、前記第１の外径未満であり、前記鍔部の前記内面が、前記第２の筒状部には適合するが、前記第１の筒状部には適合しないように、前記第２の筒状部は、前記第１の端部に隣接して位置するシステム。
【請求項３】
請求項２記載のシステムにおいて、
前記第１の筒状部と前記第２の筒状部との間の境界は段部を形成し、前記鍔部は前記段部と前記捕捉部との間で捕捉されるシステム。
【請求項４】
請求項２記載のシステムにおいて、
前記鍔部の前記内面の直径は、前記管部の前記第２の筒状部の前記第２の外径とほぼ等しいシステム。
【請求項５】
請求項１記載のシステムにおいて、
前記管部および前記捕捉部はステンレス鋼からなり、前記鍔部はチタンからなるシステム。
【請求項６】
請求項１記載のシステムにおいて、
前記捕捉部は前記管部に溶接されているが、前記鍔部は前記管部に溶接されていないシステム。
【請求項７】
請求項１記載のシステムにおいて、
前記鍔部の外面は、クランプと係合するのに十分な係合部を有するシステム。
【請求項８】
請求項７記載のシステムにおいて、
前記鍔部の前記係合部に係合するのに十分な締結部を有するクランプをさらに有するシステム。
【請求項９】
請求項１記載のシステムにおいて、
前記鍔部と前記管部との間の接触を保持するのに十分なクランプをさらに有するシステム。
【請求項１０】
円筒状マグネトロンターゲットを有するシステムであって、
第１の端部を有する管部と、
前記管部に接触する円筒状内面と、クランプと係合するのに十分な係合部を有する外面とを有する前記管部を取り囲む前記第１の端部に隣接する鍔部と、
前記管部に取り付けられ、前記鍔部を前記管部に対して固定された位置で捕捉するのに十分な捕捉部と、
を有するシステム。
【請求項１１】
請求項１０記載のシステムにおいて、
前記管部は、軸の周りに第１の外径を有する第１の筒状部と、前記軸の周りに第２の外径を有する第２の筒状部とを有し、前記第２の外径は、前記第１の外径未満であり、前記鍔部の前記内面が、前記第２の筒状部には適合するが、前記第１の筒状部には適合しないように、前記第２の筒状部は、前記第１の端部に隣接して位置するシステム。
【請求項１２】
請求項１１記載のシステムにおいて、
前記第１の筒状部と前記第２の筒状部との間の境界は段部を形成し、前記鍔部は前記段部と前記捕捉部との間で捕捉されるシステム。
【請求項１３】
請求項１１記載のシステムにおいて、
前記鍔部の前記内面の直径は、前記管部の前記第２の筒状部の前記第２の外径とほぼ等しいシステム。
【請求項１４】
請求項１０記載のシステムにおいて、
前記鍔部の外面は、前記円筒状内面と同軸である円錐台と、前記管部の中心方向に減少する傾きとを有するシステム。
【請求項１５】
請求項１０記載のシステムにおいて、
前記管部および前記捕捉部はステンレス鋼からなり、前記鍔部はチタンからなるシステム。
【請求項１６】
請求項１０記載のシステムにおいて、
前記捕捉部は前記管部に溶接されているが、前記鍔部は前記管部に溶接されていないシステム。
【請求項１７】
請求項１０記載のシステムにおいて、
前記鍔部の前記係合部に係合するのに十分な締結部を有するクランプをさらに有するシステム。
【請求項１８】
請求項１０記載のシステムにおいて、
前記鍔部と前記管部との間の接触を保持するのに十分なクランプをさらに有するシステム。
【請求項１９】
円筒状マグネトロンターゲットを有するシステムであって、
第１の端部を有する管部と、
前記管部の少なくとも一部を囲むターゲット材料と、
前記管部を取り囲み、前記管部に接触する円筒状内面を有する前記第１の端部に隣接する鍔部と、
前記管部に取り付けられ、前記鍔部を前記管部に対して固定された位置で捕捉するのに十分な捕捉部と、を有し、
前記管部は、軸の周りに第１の外径を有する第１の筒状部と、前記軸の周りに第２の外径を有する第２の筒状部とを有し、前記第２の外径は、前記第１の外径未満であり、前記鍔部の前記内面が、前記第２の筒状部には適合するが、前記第１の筒状部には適合しないように、前記第２の筒状部は、前記第１の端部に隣接して位置するシステム。
【請求項２０】
請求項１９記載のシステムにおいて、
前記第１の筒状部と前記第２の筒状部との間の境界は段部を形成し、前記鍔部は前記段部と前記捕捉部との間で捕捉されるシステム。
【請求項２１】
請求項１９記載のシステムにおいて、
前記鍔部の前記内面の直径は、前記管部の前記第２の筒状部の前記第２の外径とほぼ等しいシステム。
【請求項２２】
請求項１９記載のシステムにおいて、
前記鍔部は、前記円筒状内面と同軸である円錐台と、前記管部の中心方向に減少する傾きとを有する外面を有するシステム。
【請求項２３】
請求項１９記載のシステムにおいて、
前記管部および前記捕捉部はステンレス鋼からなり、前記鍔部はチタンからなるシステム。
【請求項２４】
請求項１９記載のシステムにおいて、
前記捕捉部は前記管部に溶接されているが、前記鍔部は前記管部に溶接されていないシステム。
【請求項２５】
請求項１９記載のシステムにおいて、
前記鍔部の外面は、クランプと係合するのに十分な係合部を有するシステム。
【請求項２６】
請求項２５記載のシステムにおいて、
前記鍔部の前記係合部に係合するのに十分な締結部を有するクランプをさらに有するシステム。
【請求項２７】
請求項１９記載のシステムにおいて、
前記鍔部と前記管部との間の接触を保持するのに十分なクランプをさらに有するシステム。
【請求項２８】
被覆装置内にターゲットの端部を取り付けるために使用される鍔であって、
前記ターゲットの端部に隣接する前記ターゲットを取り囲むのに十分な円筒を画定する内面と、
前記円筒が前記ターゲットの端部に隣接する前記ターゲットを取り囲む場合に、前記円筒と同軸である円錐台と、前記ターゲットの中心方向に減少する傾きとを有する外面と、
を有する鍔。
【請求項２９】
スパッタ用途用円筒状ターゲットを準備する方法であって、
管部の中心方向に減少する傾きを有する円錐台を有する外面を有する鍔部内に管部の端部を挿入するステップと、
前記鍔部の位置を前記管部に対して固定するように、前記管部の端部に捕捉部を取り付けるステップと、
次いで、前記管部の円筒状表面上にターゲット材料層を形成するステップと、
を含む方法。
【請求項３０】
請求項２９記載の方法において、
前記管部は、前記管部の端部に隣接する領域にある前記管部の外面が前記管部の中心にさらに向かう領域にある前記管部の外面の第１の外径未満である第２の外径を有し、前記第１の外径が前記鍔部の内径以上である方法。
【請求項３１】
請求項２９記載の方法において、
前記鍔部の円錐台上にターゲット材料層を形成するステップをさらに含む方法。
【請求項３２】
スパッタ用途用円筒状ターゲットを準備する方法であって、
鍔部内に管部の端部を挿入するステップであって、前記管部は、前記管部の端部に隣接する領域にある前記管部の外面が前記管部の中心にさらに向かう領域にある前記管部の外面の第１の外径未満である第２の外径を有し、前記第１の外径が前記鍔部の内径以上であるステップと、
前記鍔部の位置を前記管部に対して固定するように、前記管部の端部に捕捉部を取り付けるステップと、
次いで、前記管部の円筒状表面上にターゲット材料層を形成するステップと、
を含む方法。
【請求項３３】
請求項３２記載の方法において、
前記鍔部は、管部の中心方向に減少する傾きを有する円錐台を有する外面を有する方法。
【請求項３４】
請求項３３記載の方法において、
前記鍔部の円錐台上にターゲット材料層を形成するステップをさらに含む方法。
【請求項３５】
円筒状マグネトロンスパッタ装置内にターゲット管を保持するとともに、前記ターゲット管に電源からの交流電流を移すエンドブロックであって、
前記電源からの交流電流を前記ターゲット管に運ぶ中央導電部と、
前記中央導電部を部分的に囲むが、完全には囲まない導電材料の部分リングと、
を有するエンドブロック。
【請求項３６】
請求項３５記載のエンドブロックにおいて、
前記部分リングは、所定の位置に前記エンドブロックの一部を保持するのに十分なものであるエンドブロック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
１０個のサンプルを、ターゲット管下の様々な位置で測定した。磁気アレイ３６４は、説明のためのスパッタダウン構成で示されている。他の図で、「スパッタアップ」構成で示されている。堆積プロフィールを測定するために、一連のシリコンウェハを、チタンターゲット下３．３７５ｍｍに位置するガラスキャリアに設置する。５０００Åのチタン金属は、アルゴンプラズマ中で、ＤＣ  Ｈａｌｍａｒ電源を使用して、ウェハ上にスパッタした。１０個のサンプルは、ＥＤＳ（エネルギー分散分光）分析のために考えられた。サンプルは、文字Ａ〜Ｊによって分類したＴｉ−Ｆｅ薄膜が堆積されたシリコンウェハの一部であった。定量ＥＤＳで測定されたＴｉ−Ｆｅ比率を、様々な位置で示す。サンプルＡは、磁気アレイ３６４のターンアラウンド直下に位置した。サンプルＢ〜Ｊは、ターゲット管の中心方向に延びて、２インチ間隔で設置した。