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【手続補正書】
【提出日】平成19年2月28日(2007.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
その際常に先ず最初に、“動的な走行操作の際の横転傾向”の走行状態の検査基準が走行パラメータによって満足されるかどうかが検査される。満足しない場合、その後、２番目に危険な走行状態のための検査基準が評価され、その後最も危険でない走行状態のための検査基準が評価される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月23日(2007.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定基部上に支持されるとともに垂直な直立支柱(2)を備える機械フレーム(1)と、
前記直立支柱(2)により案内されながら垂直方向において上下に移動されるべく配置された揚動フレーム(3)と、
前記揚動フレームを移動する動力手段(4)と、
前記揚動フレーム(3)とともに移動可能とされるべく前記揚動フレーム(3)上に支持された円形案内軌道(5)と、
箔帯状体ロール(7)が回転可能に取付けられことができる箔供給器(6)であって、梱包対象物のまわりで前記円形案内軌道(5)により案内されてリング状経路上で円運動することで前記箔帯状体ロールからプラスチック箔帯状体(F)を供与して梱包対象物のまわりに包装体を形成すべく配置された箔供給器(6)と、
把持／切断デバイス(11)であって、
デバイス・フレーム(12)と、
水平位置(I)と直立位置(II)との間で回動可能とされるべく第1継手(14)により前記デバイス・フレームに対して接続された第1揺動アーム(13)であって、前記箔帯状体を把持かつ保持する第1保持デバイス(15)と前記箔帯状体を切断する切断デバイス(16)とを備えた第1揺動アーム(13)と、
水平位置(I)と直立位置(II)との間で回動可能とされるべく前記第1継手(14)から所定距離に配設された第2継手(18)により前記デバイス・フレームに対して接続された第2揺動アーム(17)であって、狭幅化された箔帯状体を把持かつ保持する第2保持デバイス(19)を備える第2揺動アーム(17)と、
を備える把持／切断デバイス(11)と、
を備える、対象物の回りにプラスチック箔帯状体(F)を包装する包装機において、
前記把持／切断デバイス(11)は前記揚動フレーム(3)とともに垂直に移動可能とされるべく前記揚動フレーム(3)に連結されることを特徴とする、包装機。
【請求項２】
前記包装機は、前記箔供給器(6)に接続された畳み寄せデバイス(20)であって前記箔供給器から供与された箔帯状体を全幅より狭い幅へと縮小する畳み寄せ手段(21、22)を有する畳み寄せデバイス(20)を備え、且つ、
前記保持デバイス(15、19)は細紐状に狭幅化された箔帯状体を把持し得ることを特徴とする、請求項１に記載の包装機。
【請求項３】
前記保持デバイス(15、19)は、
揺動アーム(13、17)の端部に載置されたチャック(23)と、
細紐状に狭幅化された箔帯状体を前記チャック(23)と当該クラッチ(24)との間に押圧するために前記チャック(23)に対して接近したり離間したりするように移動可能とされるべく前記揺動アーム(13、17)により案内されるクラッチ(24)と、
前記クラッチ(24)を作動する第1動力手段(25)とを備えることを特徴とする、請求項２に記載の包装機。
【請求項４】
前記第1揺動アーム(13)に含まれる前記切断デバイス(16)は細紐状に狭幅化された箔帯状体を切断により切離する切断刃(26)を備えることを特徴とする、請求項３に記載の包装機。
【請求項５】
前記揚動フレーム(3)は、包装対象物に対して前記把持／切断デバイスを接近したり離間したりするように移動すべく前記デバイス・フレーム(12)が当該案内レール(27、28)に沿い水平に移動され得る実質的に水平な案内レール(27、28)と、前記デバイス・フレーム(12)を移動する第2動力手段(29)とを備えることを特徴とする、請求項１から請求項４のいずれか一つの請求項に記載の包装機。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月22日(2007.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストラップ締め付け機械のための溶接用モーターの制御システムであって、前記ストラップ締め付け機械が、本体部と、前記本体部に対して可動に取り付けられたアンビルと、前記アンビルに対して振動動作するように配置されたシール部材と、互いに重なり合うストラップ材料の層をシールするために、前記シール部材に振動動作をもたらすように前記シール部材に動作可能に結合されたモーターとを有するタイプのストラップ締め付け機械である、制御システムにおいて、
センサーと、
前記モーターの回転部分上に配置された感知対象要素とを有し、
前記センサーが、前記モーターの回転を感知し、前記モーターを制御するための信号を生成する、ストラップ締め付け機械のための溶接用モーターの制御システム。
【請求項２】
生成された前記信号は、前記モーターの回転を停止する、請求項１に記載のストラップ締め付け機械のための溶接用モーターの制御システム。
【請求項３】
前記感知対象要素は前記モーターのシャフト上に提供された印であり、前記センサーは近接センサーである、請求項１に記載のストラップ締め付け機械のための溶接用モーターの制御システム。
【請求項４】
カウンターと制御器とを有し、
前記センサーが、前記感知対象要素の出現を感知するたびに前記カウンターに信号を提供し、前記カウンターが前記制御器への信号を生成し、前記制御器が前記モーターを制御するための信号を生成する、請求項１に記載のストラップ締め付け機械のための溶接用モーターの制御システム。
【請求項５】
前記制御器と前記モーターとの間に配置された電力リレーを有し、前記制御器の信号は、前記モーターを制御するための信号を生成するために、前記電力リレーにより受け取られる、請求項４に記載のストラップ締め付け機械のための溶接用モーターの制御システム。
【請求項６】
前記モーターを制御するための信号を受け取るときに前記モーターを停止するための回路を有する、請求項４に記載のストラップ締め付け機械のための溶接用モーターの制御システム。
【請求項７】
前記モーターを制御するための信号を損失するときに前記モーターを停止するための回路を有する、請求項４に記載のストラップ締め付け機械のための溶接用モーターの制御システム。
【請求項８】
ストラップ締め付け機械のための溶接用モーターの制御システムであって、前記ストラップ締め付け機械が、本体部と、前記本体部に対して可動に取り付けられたアンビルと、前記アンビルに対して振動動作するように配置されたシール部材と、互いに重なり合うストラップ材料の層をシールするために、前記シール部材に振動動作をもたらすように前記シール部材に動作可能に結合されたモーターとを有するタイプのストラップ締め付け機械である、制御システムにおいて、
前記モーターの回転部分上に配置された感知対象要素と、
前記感知対象要素を感知するたびに信号を生成するセンサーと、
前記感知対象要素を感知した回数を数えるために、前記センサーに動作可能に接続されたカウンターと、
前記感知対象要素を感知した回数を数えることに基づきモーターを制御するために、前記カウンターに動作可能に接続された制御器とを有する、ストラップ締め付け機械のための溶接用モーターの制御システム。
【請求項９】
前記制御器は、所定回数の前記感知対象要素の感知事実に対応する前記カウンターから信号を受け取ることに基づいて、前記モーターを制御するための信号を生成する、請求項８に記載のストラッピング機械のための溶接用モーターの制御システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月25日(2007.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれか１項に記載のスイッチング回路（７）を備える被印刷体処理機械。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月25日(2006.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技状態を制御する制御手段を備えた遊技機において、
前記制御手段の回路パターン上に制御手段を識別する識別手段を設け、
前記回路パターンの一部をアンテナとしていることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の遊技機において、
前記回路パターン上に設けた識別手段は、回路パターンの幅に略収まる大きさであることを特徴とする遊技機。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の遊技機において、
前記識別手段は、この識別手段に記憶されている識別情報を読取手段から発せられる所定の電波に応じて発信する非接触式のＩＣチップであることを特徴とする遊技機。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の遊技機において、
前記制御手段は、回路パターンが多層に形成された多層基板であって、この多層基板の回路パターン上のいずれかに前記識別手段を設けたことを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月22日(2006.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技状態を制御する制御手段と、前記制御手段を収容する収容体と、前記収容体の開放を規制する固定手段と、前記制御手段を識別する識別手段とを備えた遊技機において、
前記固定手段の固定解除操作に伴って、収容体の開放の痕跡を前記識別手段に残すように構成したことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の遊技機において、
前記固定手段は、係止部材であって、収容体の所定部に挿入することで取り出し不能になるように構成するとともに、前記係止部材を挿入した所定部の近傍に前記係止部材を分離する切断部位を設け、この切断部位に前記識別手段を備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の遊技機において、
前記識別手段は、前記切断部位に埋設できる程度の大きさであることを特徴とする遊技機。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の遊技機において、
前記識別手段は、この識別手段に記憶されている識別情報を読取手段から発せられる所定の電波に応じて発信する非接触式のＩＣチップであることを特徴とする遊技機。
【請求項５】
請求項４に記載の遊技機において、
前記ＩＣチップは、アンテナを内蔵していることを特徴とする遊技機。
【請求項６】
請求項４に記載の遊技機において、
さらに、前記ＩＣチップは、外部アンテナを備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載の遊技機において、
前記ＩＣチップまたは前記外部アンテナのいずれかを前記切断部位に備えたこと特徴とする遊技機。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載の遊技機において、
前記係止部材が、外部アンテナとして機能するように構成したこと特徴とする遊技機。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか一つに記載の遊技機において、
前記固定手段を複数個設けるとともに、この固定手段の個数に対応した識別手段を備えることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月12日(2007.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定条件に応じて遊技状態を変化させる遊技機であって、
前記遊技状態を制御する制御基板と、前記制御基板を収容する収容体と、前記収容体を開封不能に連結する封印部を有し、当該収容体を開封した場合に当該開封を行った旨の履歴が残るように構成された封印手段と、を備えた基板ユニットが、遊技盤の裏面側に配置されるようにした遊技機において、
前記制御基板と前記遊技盤との間に、所定の電波が受信された場合に所定の識別情報を発信する非接触式の識別手段が配置されている
ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の遊技機において、
前記基板ユニットが取り付けられる取付台を備え、
前記識別手段は、前記収容体の内部であって前記制御基板と当該取付台との間に配置されている
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月13日(2006.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体の周囲を回転しながらＸ線を曝射するＸ線源と、被検体を挟んでＸ線源と対向して配置され被検体を透過したＸ線量を検出するＸ線検出器と、Ｘ線検出器で検出されたＸ線量に基づき被検体の断層像を再構成する画像再構成手段と、撮像条件を入力する操作手段と、断層像を表示する表示手段とを備えたＸ線ＣＴ装置において、人体のＣＴ値分布基準モデルと前記モデルに対応する被曝量データ及び画像データのデータベースを格納した記憶装置と、本スキャンに先立ち取得した被検体のスキャノグラム画像データを解析し被検体のＣＴ値分布モデルを生成する手段と、生成された被検体のＣＴ値分布モデルに基き前記データベース中のデータを用いて前記操作手段で入力された撮像条件で被検体を撮影したときの推定被曝量と推定画像を算出表示する手段と、を備えることを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
【請求項２】
上記記憶装置は、それぞれ推定画像ノイズ、推定被曝線量、人体の部位やスキャナ回転位相に対応する推奨X線管電流変化パターンおよび推奨X線管電圧の与えられた複数の人体の3次元的CT値分布基準モデルのデータベースを格納しており；
上記モデル生成手段は、本スキャンに先立ち被検体の一方向から被検体の体軸に沿って撮影したスキャノグラム画像データを解析し、被検体の3次元的ＣＴ値分布モデルを生成し；
および、上記算出表示手段は、操作者により入力されるX線条件を含む撮影条件、生成された被検体の3次元的CT値分布モデル、複数の人体の3次元的CT値分布基準モデルに基づいて所定の演算を行い、被検体のスキャノグラム画像に対応する推奨X線管電流変化パターン、推奨X線管電圧、推定被曝線量および推定画像ノイズを算出し；さらに
算出表示された上記推定被曝線量および推定画像ノイズが評価され、操作者により上記推奨X線管電流変化パターンの編集あるいは最大Ｘ線管電流の再設定およびX線管電圧の再設定を含むX線条件が再入力された時、被検体のスキャノグラム画像に対応する上記算出表示された推奨X線管電流変化パターン、推奨X線管電圧、推定被曝線量および推定画像ノイズを修正表示する手段、を有する請求項１に記載のＸ線ＣＴ装置。
【請求項３】
撮影条件の1つとして画像ノイズ上限値を入力することができ、画像ノイズ上限値が入力されると、先に算出表示された被検体のスキャノグラム画像に対応する推定画像ノイズと比較し、最大Ｘ線管電流推奨値を算出表示する手段および撮影条件の1つとして被曝線量上限値を入力することができ、被曝線量上限値が入力されると、先に算出表示された被検体のスキャノグラム画像に対応する推定被曝線量と比較し、最大Ｘ線管電流推奨値を算出表示する手段をさらに有することを特徴とする請求項２に記載のＸ線ＣＴ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
次に、ステップ２１０における管電流変化パターンの設定方法の一例について説明する。先ず、被検体１７をスキャンする全撮影範囲におけるＸ線減弱指数T
の最大値（全スライス位置Ｐ1〜Ｐｎの中でのＸ線減弱指数の最大値）をＴmax、最小値（同じくＸ線減弱指数の最小値）をTminとする。これらの値は被検体ＣＴ値モデルデータ２８を作るとき既知である。管電流を最大値Ｉmax（mA）と最小値Ｉmin（mA）の範囲で変化させる場合、本実施例では管電流の最大値、最小値とＸ線減弱指数Ｔの最大値、最小値をそれぞれ対応させて、管電流とＸ線減弱指数Ｔとの間に適切な関係を持たせるものである。また管電流の最小値Ｉmin（mA）はX線管制御装置７およびX線管８の性質に基づいて最大値Ｉmax（mA）から精度良く制御可能な電流値幅Ｉｗ（mA）を考慮して（式２）の如く決定される。
2005143759.tif 000001
X線管電流ＩとＸ線減弱指数Ｔとの関係は（式３）の如く表される。
2005143759.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月5日(2007.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記像域信号の所定情報は、前記画像解像度変換手段により解像度変換されたデジタル画像信号におけるエッジ部分の画質が低下する領域とオブジェクトの属性を指示していることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記像域信号の所定情報は、前記画像解像度変換工程で解像度変換されたデジタル画像信号におけるエッジ部分の画質が低下する領域とオブジェクトの属性を指示していることを特徴とする請求項６又は７に記載の画像処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月29日(2006.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音響信号を受けて透磁性または導電性振動膜が振動することにより変化する、LC発振回路の発振周波数を電気的音響信号に変換することを特徴とする半導体マイクロホン。
【請求項２】
開口部を有するケース、振動膜部、半導体部で構成され、前記振動膜部は保持材でコイルと所定の間隔で保持され、前記振動膜部は前記コイルが生成する磁束によってのみ結合されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体マイクロホン。
【請求項３】
前記振動膜部を構成する透磁性材料面または導電性材料面と前記コイルとが、互いに向かい合うように配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項2のいずれかに記載の半導体マイクロホン。
【請求項４】
前記透磁性材料または導電性材料が前記振動膜部の略中央に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項3のいずれかに記載の半導体マイクロホン。
【請求項５】
前記透磁性材料の表面を粗くする事を特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体マイクロホン。
【請求項６】
基材の上に、前記透磁性材料または導電性材料を塗布、貼付またはスパッタのいずれかの方法によって形成した前記振動膜部を用いた請求項１乃至請求項5のいずれかに記載の半導体マイクロホン。
【請求項７】
前記振動膜部の振動面積が１０平方ｍｍ近傍から１００平方ｍｍ近傍である事を特徴とする請求項１乃至請求項6のいずれかに記載の半導体マイクロホン。
【請求項８】
前記コイル部と前記振動膜部との間隔を、周波数変調する為に必要な発振周波数の変化量を確保する程の間隔とする事を特徴とする請求項１乃至請求項7のいずれかに記載の半導体マイクロホン。
【請求項９】
前記振動膜部に、周波数変調する為に必要な発振周波数の変化量を確保する程に、透磁率の高い透磁性材料または電気的抵抗値の低い導電性材料を用いることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の半導体マイクロホン。
【請求項１０】
前記導電性振動膜として透磁率３００程度以下の導電性材料を用いることを特徴とする請求項１乃至請求項４または請求項６乃至請求項９のいずれかに記載の半導体マイクロホン。
【請求項１１】
前記振動膜の基材としてポリイミド系フイルムを使うことを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の半導体マイクロホン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
また、導電性振動膜１３３に使用する導電性材料１３４は、１００ＭＨｚ乃至数１００ＭＨｚ帯における電気的抵抗値は低いほど良いが、純銅であれば充分である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
また、導電性材料１３４の透磁性は発信周波数を下げるので、導電性材料に発生する渦電流による周波数上昇を阻害する。従って導電性材料１３４の透磁率は出来るだけ小さい方が好ましい。上記の実験は、純鉄など透磁率３００程度の材料であっても使用の可能性があることを示している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
また、導電性材料１３４の表面には渦電流が流れるので、その表面は出来るだけ滑らかな方が良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
また、導電性材料１３４の厚みは、１００ＭＨｚ程度から数１００ＭＨｚ程度の渦電流が流れる程度の厚みでよく、例えば導電性材料が銅の場合は、１００ＭＨｚの高周波電流の流れる深さは約７μｍであり、５００ＭＨｚの場合は約３μｍである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
また、保持材Ａ１２１は図８に示す様な内側がくり抜かれた形状で、導電性振動膜１３３が振動する際に発生する内圧を逃がすための小さな窪み１２３がある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
また、保持材Ｂ１２２は図９に示す様な内側がくり抜かれた形状で、導電性振動膜１３３が振動する際に発生する内圧を逃がすための小さな窪み１２３がある。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月12日(2007.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオ処理装置において、表示装置にビデオデータストリームを表示するためのパケットを提供する方法であって、
ビデオソースからの固有ビデオデータを固有クロック速度で受信し、
前記ビデオデータを記憶装置に格納し、
前記記憶装置に格納された前記ビデオデータの選択部分をメモリクロック速度で読み出し、
前記ビデオデータの選択部分をラスタライズし、
前記ラスタライズされたビデオデータを複数のデジタルビデオデータパケットにパケット化し、
前記デジタルビデオデータのパケットを、メモリクロック速度を基調とするリンク速度のリンクを介して前記表示装置に送信する
方法。
【請求項２】
前記記憶装置は、前記ビデオデータの少なくとも１つのフレームラインを格納可能な記憶容量を有するラインバッファである請求項１記載の方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法であって、
前記ビデオデータパケットの各々は、パケットヘッダおよびパケットペイロードを含み、
前記パケットヘッダは、パケットＩＤを含み、
前記パケットペイロードは、対応する画素の駆動に適するビデオデータを含む
方法。
【請求項４】
前記ラスタライザは、カラー参照テーブルに接続されている請求項１記載の方法。
【請求項５】
リンクを介して接続された非ＣＲＴ形式の表示装置にビデオデータを表示させるためのビデオプロセッサであって、
メモリクロック速度で動作するビデオ記憶装置と、
当該ビデオプロセッサがＣＲＴ制御装置を必要としないように、メモリクロック速度Φmemoryを基調とするリンク速度で、前記ビデオデータをデジタルビデオデータパケット形式で前記非ＣＲＴ形式の表示装置へと伝送するためのビデオパケット伝送装置と
を備えるビデオプロセッサ。
【請求項６】
前記非ＣＲＴ形式の表示装置は、ＬＣＤ形式の表示装置である請求項５記載のビデオプロセッサ。
【請求項７】
請求項５記載のビデオプロセッサであって、更に、
固有クロック速度Φnativeおよび固有ビデオフォーマットでビデオ信号Ｖ1を提供するビデオソースに接続されたインタフェースと、
前記インタフェースおよび前記ビデオ記憶装置に接続され、表示中のビデオ画面に対応する前記ビデオ記憶装置の記憶領域に格納するための書き込み・変更動作を実行することにより、前記ビデオデータを受信し、該受信したビデオデータを格納するメモリ制御装置と、
前記メモリ制御装置に接続されたラスタエンジンと
を備え、
前記メモリ制御装置は、前記ビデオ記憶装置に格納された前記ビデオデータを表示するために、前記格納されたビデオデータの選択部分を、前記ビデオ記憶装置から前記メモリクロック速度Φmemoryで読み出し、該読み出されたビデオデータの選択部分を前記ラスタエンジンに引き渡す読み出し動作を実行し、
前記ラスタエンジンは、前記固有ビデオフォーマットΦnativeのビデオ信号Ｖ1を、前記表示装置の特性に基づく表示フォーマットのビデオ信号Ｖ2へと変換する
ビデオプロセッサ。
【請求項８】
請求項７記載のビデオプロセッサであって、更に、
前記ラスタエンジンに接続され、前記ビデオ信号Ｖ2を前記デジタルビデオデータパケットにパケット化するパケタイザと、
前記パケタイザを前記リンクへと接続し、前記デジタルビデオデータパケットをビデオデータストリームとして整列させるリンクインタフェースと
を備え、
前記ビデオデータストリームは、前記メモリクロック速度Φmemoryを基調とし固有ストリーム速度Φnativeに無関係なリンク速度ＬＲで、前記リンクを介して前記表示装置に伝送される
ビデオプロセッサ。
【請求項９】
前記リンクは、該リンクの状態を協調して維持可能な複数の論理データチャネルによって構成可能である請求項８記載のビデオプロセッサ。
【請求項１０】
接続された表示装置に対して表示用ビデオデータを提供するための設定変更が可能なビデオプロセッサであって、
ＣＲＴＣ回路と、
前記ＣＲＴＣ回路に接続された選択式ＣＲＴ制御回路と、
前記選択式ＣＲＴ制御回路に接続されたラスタエンジンと、
前記表示装置および前記選択式ＣＲＴ制御回路に接続され、前記表示装置に対応する表示形式を判別する表示判別装置と
を備え、
前記表示判別装置は、
前記表示装置が非ＣＲＴ形式であると判別した場合には、前記表示用ビデオデータが前記ラスタエンジンから前記表示装置へとデジタルビデオデータの形式で直接的に送信されるように、前記ＣＲＴＣ回路の機能を無効化する第１の信号を前記選択式ＣＲＴ制御回路に送信し、
前記表示装置がＣＲＴタイプであると判別した場合には、前記表示用ビデオデータが前記データリンクによって前記表示装置に送信される前に前記ＣＲＴＣ回路によって処理されるように、前記ＣＲＴＣ回路の機能を有効化する第２の信号を前記選択式ＣＲＴ制御回路に送信する
ビデオプロセッサ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月10日(2007.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  外部から入力された入力電圧をスレショルド電圧と比較し、その比較結果に基づく出力電圧を出力するインバータと、
前記インバータのスレショルド電圧と等しいか、または略等しいと見なされるスレショルド電圧を具えたダミーインバータと、
前記ダミーインバータのスレショルド電圧を検出し、その検出結果に基づいて、前記インバータおよび前記ダミーインバータのそれぞれのスレショルド電圧を制御する制御回路と、
を具備し、
前記制御回路は、
交流信号を生成して前記ダミーインバータに出力する交流信号発生回路、前記交流信号発生回路で生成された交流信号を外部の基準電圧と比較する内部コンパレータ、および前記内部コンパレータの出力電圧の直流成分と前記ダミーインバータの出力電圧の直流成分との差を、前記インバータおよび前記ダミーインバータのそれぞれのスレショルド電圧を制御するための制御信号として出力する差動増幅回路を備えていることを特徴とするのコンパレータ。
【請求項２】  前記インバータおよび前記ダミーインバータは、それらインバータを構成するＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタの一方または両方のバックゲート電圧を、前記制御回路から出力された制御信号により制御されることによって、それぞれのスレショルド電圧が制御される構成となっていることを特徴とする請求項１に記載のコンパレータ。
【請求項３】  前記インバータおよび前記ダミーインバータは、インバータとして動作するＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタの各ソースにそれぞれ第２のＰＭＯＳトランジスタおよび第２のＮＭＯＳトランジスタが直列に接続されて構成されており、それら第２のＰＭＯＳトランジスタおよび第２のＮＭＯＳトランジスタの各ゲート電圧を、前記制御回路から出力された制御信号により制御されることによって、それぞれのスレショルド電圧が制御される構成となっていることを特徴とする請求項１に記載のコンパレータ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月9日(2007.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】    ソース、ドレイン及びゲートを備えるＭＯＳＦＥＴであって、前記ソースが絶縁層により前記ゲートから分離されており、前記ＭＯＳＦＥＴがさらに前記ソースと前記ゲートとの間に接続された電圧クランプを備え、前記電圧クランプが、前記ソースにおける第１の電圧と前記ゲートにおける第２の電圧との間の差を、前記絶縁層に損傷が生じるのを防ぐように所定のクランプ電圧に制限し、前記電圧クランプが第１及び第２のブランチを有する並列回路網を備え、前記第１のブランチが第１の複数のダイオードを備え、前記ダイオードがぞれぞれ前記ソースと前記ゲートとの間で同じ方向を向いていることを特徴とするＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２】    前記第２のブランチが第２の複数のダイオードを備え、前記第２の複数の前記ダイオードがそれぞれ前記ソースと前記ゲートとの間で、前記第１の複数の前記ダイオードの向きと反対の方向を向くことを特徴とする請求項１に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項３】    前記第２のブランチが１個のダイオードのみを含み、前記１個のダイオードが前記ソースと前記ゲートとの間で、前記第１の複数の前記ダイオードの向きと反対の方向を向くことを特徴とする請求項１に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項４】    ソース、ドレイン及びゲートを備えるＭＯＳＦＥＴであって、前記ソースが絶縁層により前記ゲートから分離されており、ゲート端子が前記ゲートに接続され、かつソース端子が前記ソースに接続されており、前記ＭＯＳＦＥＴがさらに前記ソースと前記ゲートとの間に接続される電圧クランプを備え、前記電圧クランプが、前記ソースにおける第１の電圧と前記ゲートにおける第２の電圧との間の差を、前記絶縁層に損傷が生じるのを防ぐように所定のクランプ電圧に制限し、前記電圧クランプが前記ソースと前記ゲートとの間に接続される少なくとも１つのダイオードを備え、並列回路網が抵抗と第２のダイオードとを備え、前記並列回路網が前記ゲートと前記ゲート端子との間に接続されることを特徴とするＭＯＳＦＥＴ。
【請求項５】    前記ソース、前記ドレイン、前記ゲート及び前記電圧クランプが１つの集積回路ダイに形成されることを特徴とする請求項４に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項６】    前記ダイオードが、Ｐ型不純物をドープされた領域とＮ型不純物をドープされた領域との間の接合部を有することを特徴とする請求項４に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項７】    前記ゲート端子と前記ゲートとの間に前記並列回路網に直列に接続される第２の抵抗をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項８】    前記電圧クランプが直列にアノード−アノード接続された第１及び第２のダイオードを備えることを特徴とする請求項４に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項９】    前記電圧クランプが直列にアノード−カソード接続された第１及び第２のダイオードを備えることを特徴とする請求項４に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１０】    前記ソースと前記ゲートとの間に接続された１個の電圧クランプが存在し、かつ／又は前記電圧クランプが第１及び第２のブランチのみを有することを特徴とする請求項１若しくは２に記載のＭＯＦＦＥＴ。
【請求項１１】    前記電圧クランプが、前記ブランチのそれぞれにおいて直列に接続された複数のダイオードを有することを特徴とする請求項４乃至９の何れかに記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１２】    前記第１のブランチが、前記ソースと前記ゲートとの間で、前記第１の複数のダイオードとは反対の方向を向いた少なくとも１つの追加のダイオードを含むことを特徴とする請求項１若しくは２に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月20日(2007.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有する材料層上に設けられた有機材料からなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられた第１の金属層と、
前記第１の金属層上に設けられ、前記第１の金属層および前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記導電性を有する材料層と接続された第２の金属層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の金属層は前記第１の金属層よりもカバレッジが高く、且つ前記導電性を有する材料層とのコンタクト特性が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
薄膜トランジスタ上に設けられた有機材料からなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられた第１の金属層と、
前記第１の金属層上に設けられ、前記第１の金属層および前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域と接続された第２の金属層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２の金属層は前記第１の金属層よりもカバレッジが高く、且つ前記薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域とのコンタクト特性が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の金属層は前記第２の金属層よりも低抵抗であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の金属層はアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第２の金属層はチタンまたはチタンを主成分とする材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記層間絶縁膜はポリイミド、ポリイミドアミド、ポリアミド、アクリル、またはＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）を主成分とする有機系の樹脂材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載された半導体装置とは、アクティブマトリクス型液晶表示装置、アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置またはアクティブマトリクス型ＥＣ表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載された半導体装置とは、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、または携帯情報端末であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
絶縁表面上に導電性を有する材料層を形成し、
前記導電性を有する材料層を覆って有機材料からなる層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に第１の金属膜を形成し、
前記第１の金属膜をパターニングしてマスクを形成し、
前記マスクを用いて、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記マスク上および前記コンタクトホール内に第２の金属膜を形成し、
前記マスクおよび前記第２の金属膜をパターニングして配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタを覆って有機材料からなる層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に第１の金属膜を形成し、
前記第１の金属膜をパターニングしてマスクを形成し、
前記マスクを用いて、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記マスク上および前記コンタクトホール内に第２の金属膜を形成し、
前記マスクおよび前記第２の金属膜をパターニングして配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
絶縁表面上に導電性を有する第１の材料層を形成し、
前記第１の材料層を覆って有機材料からなる層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に第１の金属膜を形成し、
前記第１の金属膜をパターニングしてマスクを形成し、
前記マスクを用いて、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記マスク上および前記コンタクトホール内に第２の金属膜を形成し、
前記第２の金属膜上に無機絶縁膜を形成し、
前記マスクと、前記第２の金属膜と、をパターニングして配線を形成し、
前記無機絶縁膜上に接して導電性を有する第２の材料層を形成し、前記無機絶縁膜を誘電体として、前記マスクおよび前記第２の金属膜と、前記第２の材料層により容量を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記無機絶縁膜は、ＣＶＤ法で成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至１４のいずれか一項において、
前記第１の金属膜および前記第２の金属膜は、スパッタリング法で成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
まず、基板上に各配線または半導体素子を形成し、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等の有機材料で構成される平坦な第１の層間絶縁膜１１１を成膜する。なお、これらの有機樹脂材料は熱硬化性であっても光硬化性であってもよい。本発明においては、異なる層間絶縁膜上に設けられた各信号配線との間で発生する寄生容量を低減するために、膜厚０．６〜２μｍの範囲を有する第１の層間絶縁膜１１１を設けることが好ましい。（図２（Ａ））
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
その後、パターニングの施された第１の金属膜１１２をマスクとしてドライエッチングを行い、コンタクトホール２０２、２０３を形成する。（図２（Ｃ））この工程の際、コンタクトホールの形成と同時にレジストマスク２０１も除去できる。又、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、またはＴｉＮを第１の金属膜に用いた場合は、塩素系のエッチャントガスを用いてエッチングすればよい。Ｔａを第１の金属膜に用いた場合は、フッ素系のエッチャントガスを用いてエッチングすればよい。なお、本発明は、その後の工程でマスクとして用いられた第１の金属膜に再度パターニングを施し、配線の一部として使用することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月27日(2006.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  表示部と、
該表示部上に設けられたタッチパネルと、を備え、
前記タッチパネルを用いて操作可能な通信用端末装置であって、
前記タッチパネルでの入力位置を位置情報として検出する位置検出手段と、
前記タッチパネルにおける入力有効エリアを規定する入力有効エリア情報を記憶した記憶手段と、
前記位置情報と前記入力有効エリア情報とから前記入力位置が前記入力有効エリア内に位置するかを判断する位置判断手段と、
通信中に、前記入力位置が前記有効エリア内に位置すると判断されると前記タッチパネルでの入力を有効とし、前記入力位置が前記有効エリア外であると判断されると前記タッチパネルでの入力を無効とする制御手段と、
を備えることを特徴とする通信用端末装置。
【請求項２】  前記記憶手段には、該通信用端末装置の動作状態に応じて選択される複数の前記入力有効エリア情報が記憶されていることを特徴とする請求項１に記載の通信用端末装置。
【請求項３】  前記タッチパネルでの入力が検出されたとき該入力を表す入力音が出力される入力音出力手段が設けられ、通信中は前記タッチパネルでの入力を有効としたときにのみ前記入力音出力手段により入力音が出力されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の通信用端末装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の通信用端末装置は、表示部と、該表示部上に設けられたタッチパネルと、を備え、前記タッチパネルを用いて操作可能な通信用端末装置であって、前記タッチパネルでの入力位置を位置情報として検出する位置検出手段と、前記タッチパネルにおける入力有効エリアを規定する入力有効エリア情報を記憶した記憶手段と、前記位置情報と前記入力有効エリア情報とから前記入力位置が前記入力有効エリア内に位置するかを判断する位置判断手段と、通信中に、前記入力位置が前記有効エリア内に位置すると判断されると前記タッチパネルでの入力を有効とし、前記入力位置が前記有効エリア外であると判断されると前記タッチパネルでの入力を無効とする制御手段と、を備えたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記通信用端末装置では、タッチパネルにおける入力可能な範囲として入力有効エリアが設けられている。通信中に、タッチパネルでの入力が行われたとき、その入力位置が入力有効エリア内にあるか否かが位置判断手段で判断される。そして、入力有効エリア内であれば、この入力位置でのタッチパネルでの入力が制御手段によって有効とされる。また、入力有効エリア外であればタッチパネルでの入力が制御手段によって無効とされる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、上記本発明の通信用端末装置において、記憶手段に、該通信用端末装置の動作状態に応じて選択される複数の入力有効エリア情報が記憶された構成の場合、例えば、発信による通信中や着信による通信中など通信用端末装置の動作状態に応じてタッチパネルにおける入力有効エリアを切り替えることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、これらの通信用端末装置において、タッチパネルでの入力が検出されたとき該入力を表すための入力音が出力される入力音出力手段が設けられていて、通信中はタッチパネルでの入力を有効としたときのみ入力音が出力される構成の場合、入力位置が入力有効エリア外であると判断されるとその入力は無効とされるので、入力音出力手段では入力音は出力されない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
表示部であるＬＣＤ５では、ＣＰＵ３からの制御信号により表示制御部６１の表示用ＲＡＭに表示データが書き込まれることによってデータ内容やメッセージなどを表示する。また、入力部であるタッチパネル６からの入力データは入出力ポート５１を介してＣＰＵ３で処理される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記ＣＰＵ３及び記憶部４について詳細に説明する。該ＣＰＵ３は制御部  ３１、検出部３２、判断部３３、更新部３４、及び切替部３５から成る。検出部３２ではタッチパネル６の入力位置を検出し、判断部３３ではこの入力位置が後述する入力有効エリア内にあるか否かを判断する。また、更新部３４では前記入力有効エリアを規定する入力有効エリア情報を設定し、切替部３５では後述する記憶部４の音フラグ４６のフラグ値を切り替える。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月1日(2007.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に珪素を含む非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に該非晶質半導体膜の結晶化を助長する銅元素を導入し、
熱処理によって前記非晶質半導体膜を結晶化させ、
結晶化された半導体膜と液体とを接触させて前記銅元素を低減させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記銅元素の導入は、前記非晶質半導体膜上に銅元素を含む溶液をスピンコーティングすることによって行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記銅元素を含む溶液はＨＣｌを重量比で０．０１〜０．１％含み、且つ銅元素を重量比で１〜１０００ｐｐｍ含むＣｕＣｌ２の水溶液であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１において、
前記銅元素の導入は、銅元素を含む薄膜を成膜することによって行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記銅元素を含む薄膜は、スパッタ法により成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記結晶化された半導体膜は、結晶粒界を含む多結晶半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記液体として、硫酸、硝酸、蓚酸、または王水から選ばれた少なくとも一つの薬液を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記液体として、塩酸、またはフッ酸から選ばれた少なくとも一つの薬液を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記液体として、２５０℃以上の温度の硫酸を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記結晶化された半導体膜と前記液体とを接触させる前に、前記結晶化された半導体膜表面の酸化膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
その構成は、端部を回転軸に連結している握り部材と、回転軸を支持するブラケットよりなり、ブラケットの下方水平翼片には複数の嵌合溝を設け、回転軸の内部に嵌合溝にいずれか一つに選択勘合される１つのストッパーが配置されている。ストッパーは握り部材内の１本の連結部材を介して、握り部材の中央部に配置されている操作レバーに連結されている。この操作レバーを操作することによって、ストッパーが嵌合、離脱自在に嵌合溝に嵌合するように構成されている。（たとえば、特許文献１及び２を参照のこと。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−４１９０２号公報
【特許文献２】特開平１１−１１７４８４号公報
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月21日(2007.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸引口（３）と排出口（５）とを備えたハウジング（１）を含むオイル機械ポンプであって、前記ハウジングは円筒状室（７）とこの室（７）に関して偏芯して設けられた回転子（９）とを有し、前記回転子（９）はばね（１３）により付勢された放射状羽部材（１１）を有し、前記ハウジングは前記回転子（９）を回転させる電動機（Ｍ）を備える、オイル機械ポンプ（Ｐ）と、
前記オイル機械ポンプが浸漬されるオイル浴（１５）と、
電圧信号SUにより電力を前記電動機（Ｍ）に供給する電子制御装置（Ｃ）であって、少なくともひとつの前記ポンプの測定された動作パラメータの関数として、及びポンプ装置の前記動作条件に依存して変化する、前記動作パラメータのための少なくともひとつの閾値の関数として、前記電動機に対して電力を供給する電圧信号SUの励起周波数Feccを制御する周波数変換器を含む電子制御装置（Ｃ）と
を備えた真空ポンプ装置。
【請求項２】
前記少なくともひとつのポンプの動作パラメータは、前記電動機（Ｍ）の測定電流消費Imeasに対応しており、且つ、前記閾値は、前記制御装置（Ｃ）により供給可能な最大電力PMAXに対応している請求項１に記載のポンプ装置。
【請求項３】
前記閾値は、前記ポンプが安定動作状態にある間、値Pregを、そして前記ポンプが常温起動状態の間、値Pstart1をとることができ、ここで、Preg＜Pstart1である請求項２に記載のポンプ装置。
【請求項４】
前記閾値は、前記ポンプが安定動作状態にある間、値Pregを、そして前記ポンプが常温起動状態の間、一連の値Pstart1とPstart2とをとることができ、ここでPreg＜Pstart2＜Pstart1である請求項２に記載のポンプ装置。
【請求項５】
前記閾値は、前記ポンプが安定動作状態にある間、値Pregを、そして前記ポンプ性能を増大させようとする上昇段階の間、値Pboostをとることができ、ここでPboost＞Pregである請求項２に記載のポンプ装置。
【請求項６】
前記閾値は、前記ポンプが安定動作状態にある間、値Pregを、そして前記ポンプの停止状態の間、値Pbrakeをとることができ、ここでPbrake＜Pregである請求項２に記載のポンプ装置。
【請求項７】
前記閾値は、所定時間間隔に於いて、前記ポンプの常温起動状態の間、前記値Pstart1をとる請求項３に記載のポンプ装置。
【請求項８】
前記閾値は、一連の所定時間間隔に於いて、前記ポンプの常温起動状態の間、前記一連の値Pstart1と値Pstart2とをとる請求項３に記載のポンプ装置。
【請求項９】
前記所定時間間隔は、約４００秒である請求項７に記載のポンプ装置。
【請求項１０】
前記一連の所定時間間隔は、前記閾値Pstart1が適用される約４００秒と、前記閾値Pstart2が適用される約３００秒である請求項８に記載のポンプ装置。
【請求項１１】
前記真空ポンプ内のオイル温度を示す信号を前記電子制御装置（Ｃ）へ送信するよう構成されたオイル温度検出器（１７）を更に含み、前記閾値は、前記温度が所定の閾値より低い場合、前記値Pstart1をとる請求項７に記載のポンプ装置。
【請求項１２】
前記周波数制御手段は、前記電動機の測定電流消費Imeasが所定閾値電流Icompを下回る限り、前記電動機に電力を供給する電圧信号SUの励起周波数Feccを増大させるよう構成された周波数変換器を含む請求項１に記載のポンプ装置。
【請求項１３】
前記閾値電流Icompは、Icomp＝Ｋ1・Vset/VbusDCにより与えられ、ここで、Ｋ1はシステムに依存する定数であり、Vsetは等価電圧であり、VbusDCは前記電動機（Ｍ）に供給されるピーク電圧である請求項１に記載のポンプ装置。
【請求項１４】
Icomp＜IcompMaz ＝ PMAX/VbusDCであり、ここで、PMAXは所定の動作状態に於いて前記
制御装置により供給されることができる前記最大電力に対する前記閾値である請求項１３に記載のポンプ装置。
【請求項１５】
VbusDCは１８７Ｖである請求項１４に記載のポンプ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月27日(2006.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
一体のセンタリングリングの代わりに、複数のセンタリングリングセグメント、例えば３個のセンタリングリングセグメントを組み合わせて１つのセンタリングリングを形成してもよい。このセンタリングリングセグメントは端部で、半径方向または軸方向に互いにフック止めされている。特に大型のタービンに適した、複数のセグメントに分割されたセンタリングリングは低コストで製作可能であり、簡単に組み立て可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月15日(2007.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
典型的には、Ｘ線管と呼ばれるＸ線ビーム発生装置は、円筒形の真空容器内に封入されている相対向する電極を含んでいる。真空管は典型的にはガラス、又はステンレス鋼、銅若しくは銅合金のような金属から製造されている。上述のように、電極は、回転式円板形アノード・アセンブリのターゲット軌道から幾分かの距離を置いて配置されているカソード・アセンブリを含んでいる。代替的には、産業応用等ではアノードが静止式である場合もある。アノードのターゲット軌道すなわち衝突ゾーンは一般的には、タングステン又はタングステン合金のような高原子番号を有する耐火性金属から製造される。さらに、電子を加速するために、カソード・アセンブリとアノード・アセンブリとの間に６０ｋＶ〜１４０ｋＶの典型的な電圧差を保持する。高温のカソード・フィラメントが放出する熱電子はこの電位差に跨がって加速されて、アノードのターゲット・ゾーンに高速で衝突する。電子の運動エネルギの小部分が高エネルギ電磁放射線すなわちＸ線に変換され、残りは後方散乱電子に含まれるか又は熱に変換される。Ｘ線は焦点スポットから発生してあらゆる方向へ放出され、焦点スポット整列経路に沿って真空容器の外部へ向かうこともできる。例えば金属製真空容器を有するＸ線管では、Ｘ線ビームを所望の位置に向けて放出させるためにＸ線透過窓を金属製真空容器に作製する。Ｘ線は真空容器から出た後に、焦点スポット整列経路に沿って進み、医療検査及び診断手順では人体の解剖的部位等のような対象を透過する。対象を透過したＸ線は検出器又はフィルムによって捕獲されて、対象の解剖学的内部構造の画像が形成される。さらに、産業用Ｘ線管は、例えば金属部品の亀裂の検査、又は空港での手荷物の内容物の検査等に用いることができる。
【特許文献１】米国特許第６８７４９４２号