【手続補正書】
【提出日】平成20年3月17日(2008.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー酸でドープした導電性有機ポリマーと複数のナノ粒子との水性分散物を含むことを特徴とする組成物。
【請求項２】
導電性ポリマーと複数のナノ粒子とを含むことを特徴とするバッファー層。
【請求項３】
ポリ（３，４−チレンジオキシチオフェン）およびポリマーパーフルオロエチレンスルホン酸を含む水性分散物から製造されたバッファー層であって、水性分散物が２より大きいｐＨおよび０．１より大きいポリマーパーフルオロエチレンスルホン酸対ポリ（３，４−チレンジオキシチオフェン）の当量比を有することを特徴とするバッファー層。
【請求項４】
導電性ポリマーと複数のナノ粒子とを含むバッファー層を含むことを特徴とする有機電子デバイス。
【請求項５】
水性分散物から基材上に付着された導電性ポリマーフィルムの導電率を約１×１０−３Ｓ／ｃｍ未満の値に下げるための方法であって、前記水性溶液に複数のナノ粒子を添加する工程を含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８３】
本発明はそのある種の好ましい実施形態に関して詳細に説明されてきたが、修正および変形は説明されるおよび特許請求されるものの精神および範囲内であることは理解されるであろう。
なお、本発明の好ましい態様としては以下のものを挙げることができる。
１．ポリマー酸でドープした導電性有機ポリマーと複数のナノ粒子との水性分散物を含むことを特徴とする組成物。
２．前記導電性有機ポリマーがポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、およびそれらの組合せから選択されることを特徴とする１に記載の組成物。
３．ｐＨが１〜８に調整されることを特徴とする１に記載の組成物。
４．前記ナノ粒子が無機ナノ粒子であることを特徴とする１に記載の組成物。
５．前記無機ナノ粒子がシリカ、アルミナ、半導性無機酸化物粒子、絶縁性無機酸化物粒子、圧電性酸化物ナノ粒子、焦電性酸化物ナノ粒子、強誘電性酸化物ナノ粒子、光導電性酸化物ナノ粒子、導電性金属酸化物、導電性金属ナノワイヤー、および導電性金属ナノ粒子から選択されることを特徴とする４に記載の組成物。
６．前記ナノ粒子が有機ナノ粒子であることを特徴とする１に記載の組成物。
７．前記有機ナノ粒子がコロイド形成ポリマー酸、カーボンナノチューブ、カーボンナノ粒子、グラファイト化カーボンナノ粒子、グラファイト化カーボンナノファイバー、圧電性ポリマー、焦電性ポリマー、強誘電性ポリマー、および光導電性ポリマーから選択されることを特徴とする６に記載の組成物。
８．前記コロイド形成ポリマー酸がパーフルオロエチレンスルホン酸であることを特徴とする７に記載の組成物。
９．前記ナノ粒子が約５００ｎｍ未満の粒度を有することを特徴とする１に記載の組成物。
１０．前記ナノ粒子が約２５０ｎｍ未満の粒度を有することを特徴とする１に記載の組成物。
１１．前記ナノ粒子が約５０ｎｍ未満の粒度を有することを特徴とする１に記載の組成物。
１２．シリカ：導電性ポリマーの重量比が約４：１であることを特徴とする５に記載の組成物。
１３．ナノ粒子が半導電性酸化物であり、かつ、半導電性酸化物対導電性ポリマーの重量比が約１．５対１であることを特徴とする５に記載の組成物。
１４．導電性ポリマーと複数のナノ粒子とを含むことを特徴とするバッファー層。
１５．前記導電性ポリマーがポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、およびそれらの組合せから選択されることを特徴とする１４に記載のバッファー層。
１６．前記導電性ポリマーがＰＡｎｉ／ＰＡＡＭＰＳＡ、ＰＡｎｉ／ＰＳＳＡ、ＰＥＤＴ／ＰＳＳＡ、ＰＥＤＴ／ＰＡＡＭＰＳＡ、ＰＰｙ／ＰＳＳＡ、およびＰＰｙ／ＰＡＡＭＰＳＡから選択されることを特徴とする１５に記載のバッファー層。
１７．前記ナノ粒子が無機ナノ粒子であることを特徴とする１４に記載のバッファー層。
１８．前記無機ナノ粒子がシリカ、アルミナ、および半導電性金属酸化物から選択されることを特徴とする１４に記載のバッファー層。
１９．前記ナノ粒子が有機ナノ粒子であることを特徴とする１４に記載のバッファー層。
２０．前記有機ナノ粒子がコロイド形成ポリマースルホン酸、コロイド形成ポリマーアクリル酸、コロイド形成ポリマーホスホン酸、およびコロイド形成ポリマーリン酸から選択されることを特徴とする１４に記載のバッファー層。
２１．前記有機ナノ粒子がパーフルオロエチレンスルホン酸を含むことを特徴とする１４に記載のバッファー層。
２２．ポリ（３，４−チレンジオキシチオフェン）およびポリマーパーフルオロエチレンスルホン酸を含む水性分散物から製造されたバッファー層であって、水性分散物が２より大きいｐＨおよび０．１より大きいポリマーパーフルオロエチレンスルホン酸対ポリ（３，４−チレンジオキシチオフェン）の当量比を有することを特徴とするバッファー層。
２３．約１×１０−３Ｓ／ｃｍ未満の導電率を有することを特徴とする１４に記載のバッファー層。
２４．約１×１０−５Ｓ／ｃｍ未満の導電率を有することを特徴とする１４に記載のバッファー層。
２５．導電性ポリマーと複数のナノ粒子とを含むバッファー層を含むことを特徴とする有機電子デバイス。
２６．前記導電性ポリマーがポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、およびそれらの組合せから選択されることを特徴とする２５に記載のデバイス。
２７．前記導電性ポリマーがＰＡｎｉ／ＰＡＡＭＰＳＡ、ＰＡｎｉ／ＰＳＳＡ、ＰＥＤＴ／ＰＡＡＭＰＳＡ、ＰＥＤＴ／ＰＳＳ、ＰＰｙ／ＰＳＳＡ、およびＰＰｙ／ＰＡＡＭＰＳＡから選択されることを特徴とする２６に記載のデバイス。
２８．前記ナノ粒子が無機ナノ粒子であることを特徴とする２５に記載のデバイス。
２９．前記無機ナノ粒子がシリカ、アルミナ、または半導電性金属酸化物から選択されることを特徴とする２５に記載のデバイス。
３０．前記ナノ粒子が有機ナノ粒子であることを特徴とする２５に記載のデバイス。
３１．前記有機ナノ粒子がコロイド形成ポリマー酸から選択されることを特徴とする２５に記載のデバイス。
３２．前記バッファー層が約１×１０−３Ｓ／ｃｍ未満の導電率を有することを特徴とする２５に記載のデバイス。
３３．導電性ポリマーと複数のナノ粒子とを含むことを特徴とする薄膜電界効果トランジスタ電極。
３４．前記導電性ポリマーがポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、およびそれらの組合せから選択されることを特徴とする３３に記載の薄膜電界効果トランジスタ電極。
３５．前記ナノ粒子が無機ナノ粒子であることを特徴とする３３に記載の薄膜電界効果トランジスタ電極。
３６．前記無機ナノ粒子が金属ナノ粒子であることを特徴とする３３に記載の薄膜電界効果トランジスタ電極。
３７．前記金属ナノ粒子がモリブデン−ナノ粒子であることを特徴とする３３に記載の薄膜電界効果トランジスタ電極。
３８．前記ナノ粒子が有機ナノ粒子であることを特徴とする３３に記載の薄膜電界効果トランジスタ電極。
３９．前記有機ナノ粒子がカーボンナノチューブ、グラファイト化カーボン粒子、およびグラファイト化カーボンナノファイバーから選択されることを特徴とする３３に記載の薄膜電界効果トランジスタ電極。
４０．３３に記載の電極を含むことを特徴とする薄膜電界効果トランジスタ。
４１．約１０Ｓ／ｃｍより大きい導電率を有することを特徴とする４０に記載の薄膜電界効果トランジスタ。
４２．水性分散物から基材上に付着された導電性ポリマーフィルムの導電率を約１×１０−３Ｓ／ｃｍ未満の値に下げるための方法であって、前記水性溶液に複数のナノ粒子を添加する工程を含むことを特徴とする方法。
４３．光導電セル、フォトレジスター、光スイッチ、フォトトランジスタ、光電管、ＩＲ検出器、光起電装置、記憶装置用の太陽電池コーティング材、電界効果抵抗デバイス、帯電防止フィルム、バイオセンサー、エレクトロクロミック素子、固体電解質コンデンサ、エネルギー蓄積装置、および電磁遮蔽材から選択されることを特徴とする２５に記載の電子デバイス。