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【手続補正書】
【提出日】平成18年11月21日(2006.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版のパターンの像を形成する投影光学系を備え、該原版のパターンおよび前記投影光学系を介して基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系の該基板側の端部と該基板との間の光路を囲うカバーと、
前記カバーの内側に設けられ、且つパージガスを吹き出す第１供給口と、
前記カバーの該基板側の端部に設けられ、且つガスを吸い込む第１回収口と
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記第１回収口は、該光路の外周を囲むように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第１回収口からのガス回収流量は、前記第１供給口からのパージガス供給流量よりも多いことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記第１回収口の外側に、且つ該光路の外周を囲むように、ガスを吸い込む第２回収口をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項５】
前記第１回収口からのガス回収流量は、前記第１供給口からのパージガス供給流量よりも少なく、且つ前記第１回収口および前記第２回収口からのガス回収流量の総量は、前記第１供給口からのパージガス供給流量よりも多いことを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記基板を保持し、且つ互いに垂直なＸおよびＹ方向に駆動可能な基板ステージと、前記基板ステージのＸおよびＹ方向の位置を計測するレーザ干渉計と、前記レーザ干渉計のＸ方向測長光路およびＹ方向測長光路にそれぞれ反射面が垂直となるように前記基板ステージに設けられた、Ｘ方向測長用ミラーおよびＹ方向測長用ミラーとを有し、前記カバーのうち前記Ｘ方向測長用ミラーおよび前記Ｙ方向測長用ミラーにそれぞれ面する部分の該基板側の端部にのみ前記第１回収口が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項７】
前記Ｘ方向測長用ミラーの反射面または前記Ｙ方向測長用ミラーの反射面と対向する位置に、気体を吹き込む空調手段をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記空調手段より吹き込まれる気体は、前記パージガスよりも不純物濃度の高いパージガスであることを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記カバーの内側において前記第１供給口と対向する位置にガスを吸い込む第３回収口を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１つに記載の露光装置。
【請求項１０】
前記第１回収口よりも内側で、且つ前記カバーの該基板側の端部に、パージガスを吹き出す第２供給口を備えることを特徴とする請求項９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記カバーの内側において前記第１供給口と対向する位置にガスを吸い込む第３回収口を有し、前記第３回収口からのガス回収流量は、前記第１供給口からのパージガス供給流量よりも少なく、且つ前記第１回収口および前記第３回収口からのガス回収流量の総量は、前記第１供給口からのパージガス供給流量よりも多いことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記カバーの内側において前記第１供給口と対向する位置にガスを吸い込む第３回収口を有し、前記第１回収口よりも内側で、且つ前記カバーの該基板側の端部に、パージガスを吹き出す第２供給口を有し、前記第３回収口からのガス回収流量は、前記第１供給口および前記第２供給口からのパージガス供給流量の総量よりも少なく、且つ前記第１回収口および前記第３回収口からのガス回収流量の総量は、前記第１供給口および前記第２供給口からのパージガス供給流量の総量よりも多いことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記カバーの内側、前記カバーの外側および前記カバーの該基板側の端部の少なくとも１箇所に設けられた、気圧を計測する計測手段と、前記計測手段により計測された気圧に基づいて、該パージガスの供給量および該ガスの回収量の少なくとも一方を制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１つに記載の露光装置。
【請求項１４】
前記第１回収口からガスを回収する回収手段を備えることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１つに記載の露光装置。
【請求項１５】
前記回収手段は、タンクを介して前記第１回収口からガスを回収することを特徴とする請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか１つに記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、該露光した基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、原版のパターンおよび投影光学系を介して基板を露光する露光装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明は、投影光学系の基板側の端部と該基板との間の光路を囲うカバーの内側をパージすることができ、且つ前記カバーの外側へ流出するパージガスを減らすことができるようにすることを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
上記の目的を達成するために、本発明では、原版のパターンの像を形成する投影光学系を備え、該原版のパターンおよび前記投影光学系を介して基板を露光する露光装置において、前記投影光学系の該基板側の端部と該基板との間の光路を囲うカバーと、前記カバーの内側に設けられ、且つパージガスを吹き出す供給口と、前記カバーの該基板側の端部に設けられ、且つガスを吸い込む回収口とを備えることを特徴とする。
ここで、パージガスは、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスである。また、回収口から吸い込まれるガスは、パージガス、供給口から供給されるパージガスよりも不純物（水，酸素等）濃度の高いパージガス、もしくはカバーの外気（例えば大気）等、またはこれらの２種以上の混合ガスである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明によれば、投影光学系の基板側の端部と該基板との間の光路を囲うカバーの内側をパージすることができ、且つ前記カバーの外側へ流出するパージガスを減らすことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月20日(2006.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体を保持する保持装置であって、
該物体の少なくとも１箇所に接触して該物体を保持する保持手段と、
該物体の他の少なくとも１箇所を静電吸引力により非接触で吸引する静電吸引手段とを備えることを特徴とする保持装置。
【請求項２】
前記保持手段は、静電吸着、真空吸着、電磁吸着およびメカニカル把持のいずれかにより該物体を保持することを特徴とする請求項１に記載の保持装置。
【請求項３】
前記静電吸引手段と該物体とのギャップを測定するギャップ計測手段を備え、該ギャップ計測手段の計測値に基づいて該静電吸引手段の吸引力を制御することを特徴とする請求項２に記載の保持装置。
【請求項４】
該物体がミラーであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の保持装置。
【請求項５】
該物体が反射型原版または該原版を介して露光される基板であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の保持装置。
【請求項６】
前記保持手段は該物体の裏面の３箇所に接触して該物体を保持することを特徴とする請求項４または５に記載の保持装置。
【請求項７】
前記保持手段は反射型原版のパターン面におけるパターン領域外の領域に対応した該原版の裏面の領域内の３箇所に接触して該物体を保持することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の保持装置。
【請求項８】
前記静電吸引手段が固定され、かつ原版ステージに保持される、該原版と同材質のベース板をさらに備えることを特徴とする請求項７に記載の保持装置。
【請求項９】
該原版のパターン面の高さを測定する高さ計測手段を備え、該高さ計測手段の計測値に基づいて前記静電吸引手段の吸引力を制御することを特徴とする請求項７に記載の保持装置。
【請求項１０】
物体を保持する保持装置であって、
該物体の少なくとも１箇所に接触して該物体を保持する保持手段と、
該物体の他の少なくとも１箇所を静電吸引力により非接触で吸引する静電吸引手段と、
前記静電吸引手段と該物体とのギャップを測定するギャップ計測手段と、を有し、
該ギャップ計測手段の計測値に基づいて該静電吸引手段の吸引力を制御することを特徴とする保持装置。
【請求項１１】
反射型原版を保持する保持装置であって、
該原版の少なくとも１箇所に接触して該原版を保持する保持手段と、
該原版の他の少なくとも１箇所を静電吸引力により非接触で吸引する静電吸引手段と、
該原版のパターン面の高さを測定する高さ計測手段と、を有し、
前記保持手段は、該原版のパターン面におけるパターン領域外の領域に対応した該原版の裏面の領域内の３箇所に接触して該原版を保持し、
前記高さ計測手段の計測値に基づいて、前記静電吸引手段の吸引力を制御する、ことを特徴とする保持装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１つに記載の保持装置を有することを特徴とする露光装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
該露光した基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、反射型原版やミラー等の物体を保持する装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、以上のような点を考慮した、物体を保持する装置を提供することを課題とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の課題を解決するため、本発明の保持装置は、物体を保持する保持装置であって、該物体の少なくとも１箇所に接触して該物体を保持する保持手段と、
該物体の他の少なくとも１箇所を静電吸引力により非接触で吸引する静電吸引手段とを備えることを特徴とする。
さらに、本発明の保持装置は、物体を保持する保持装置であって、該物体の少なくとも１箇所に接触して該物体を保持する保持手段と、該物体の他の少なくとも１箇所を静電吸引力により非接触で吸引する静電吸引手段と、前記静電吸引手段と該物体とのギャップを測定するギャップ計測手段と、を有し、該ギャップ計測手段の計測値に基づいて該静電吸引手段の吸引力を制御することを特徴とする。
さらに、本発明の保持装置は、反射型原版を保持する保持装置であって、
該原版の少なくとも１箇所に接触して該原版を保持する保持手段と、
該原版の他の少なくとも１箇所を静電吸引力により非接触で吸引する静電吸引手段と、
該原版のパターン面の高さを測定する高さ計測手段と、を有し、
前記保持手段は、該原版のパターン面におけるパターン領域外の領域に対応した該原版の裏面の領域内の３箇所に接触して該原版を保持し、
前記高さ計測手段の計測値に基づいて、前記静電吸引手段の吸引力を制御する、ことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、保持された物体を変形させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月20日(2006.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基体の被処理面に薬液を接触させて処理を行う薬液処理装置において、
前記基体を保持する基体保持手段と、前記基体保持手段の上部に配置され、内部に、薬液を供給する手段が設けられた円筒状の内部セルと、前記内部セルの外周に取り付けられ、両端が開放された円筒形状である外部セルとからなり、
供給された薬液により、基体保持手段と外部セルとで形成される空間を満たした状態で、前記外部セルを軸方向に移動することにより、前記外部セルの下端と前記基体保持手段の上面との間に形成されたスリットの幅を繰り返し変動させ、前記スリットから排出される薬液の排出速度を調整しながら前記基体の被処理面に薬液処理を施すことを特徴とする薬液処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
基体の被処理面に薬液を接触させて処理を行う薬液処理方法において、
前記基体を保持する基体保持手段と、前記基体保持手段の上部に配置され、内部に、薬液を供給する手段が設けられた円筒状の内部セルと、前記内部セルの外周に取り付けられ、両端が開放された円筒形状である外部セルとからなり、
供給された薬液により、基体保持手段と外部セルとで形成される空間を満たした状態で、前記外部セルを軸方向に移動することにより、前記外部セルの下端と前記基体保持手段の上面との間に形成されたスリットの幅を繰り返し変動させ、前記スリットから排出される薬液の排出速度を調整しながら前記基体の被処理面に薬液処理を施すことを特徴とする薬液処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の薬液処理装置は、基体の被処理面に薬液を接触させて処理を行う薬液処理装置において、前記基体を保持する基体保持手段と、前記基体保持手段の上部に配置され、内部に、薬液を供給する手段が設けられた円筒状の内部セルと、前記内部セルの外周に取り付けられ、両端が開放された円筒形状である外部セルとからなり、供給された薬液により、基体保持手段と外部セルとで形成される空間を満たした状態で、前記外部セルを軸方向に移動することにより、前記外部セルの下端と前記基体保持手段の上面との間に形成されたスリットの幅を繰り返し変動させ、前記スリットから排出される薬液の排出速度を調整しながら前記基体の被処理面に薬液処理を施す。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月7日(2007.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムイオンの吸蔵放出可能なリチウム含有複合酸化物からなる正極活物質において、その正極活物質を溶媒中へ分散させて超音波をかけた場合と、かけない場合のレーザー回折によって求めた正極活物質のメジアン径Ｄ50の比（Ｄ50（超音波なし）／Ｄ50（超音波あり）の値）が1以上、２以下であることを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項２】
前記正極活物質が、組成式ＬｉaＭｎxＮｉyＸzＯ2（Ｘ＝Ｃｏ、Ａｌのうち少なくとも一種）で表され、1≦a≦1.2、0≦x≦0.65、0.35≦y≦1、0≦z≦0.65の範囲で、かつx+y+z=1の層状岩塩構造を有する複合酸化物であることを特徴とする請求項１記載のリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項３】
前記正極活物質が、組成式ＬｉaＭｎxＮｉyＸzＯ2（Ｘ＝Ｃｏ、Ａｌのうち少なくとも一種）で表され、1≦a≦1.2、0.2≦x≦0.5、0.35≦y≦0.8、0≦z≦0.45の範囲で、かつx+y+z=1の層状岩塩構造を有する複合酸化物であることを特徴とする請求項２記載のリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項４】
リチウム塩と遷移金属酸化物を含む混合物を焼成して正極活物質を製造する方法において、焼成後の少なくとも分級および梱包までの工程に気体1立方メ−トルあたりの水蒸気量が20ｇ以下の環境で行う工程を有することを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項５】
リチウム塩と遷移金属酸化物を含む原料を溶媒中へ分散させ、粉砕混合して原料スラリーとなし、このスラリーを造粒、乾燥し顆粒状にした後、大気中、窒素雰囲気中あるいは酸素雰囲気中にて800℃〜1100℃の温度で焼成を行い、これを解砕し、その後大気中、窒素雰囲気中あるいは酸素雰囲気中にて400℃〜900℃の温度で熱処理を行い、その後に分級および梱包工程を有することを特徴とする請求項４記載のリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜３の何れかに記載の正極活物質または請求項４〜５の何れかに記載の正極活物質の製造方法を用いて構成されたことを特徴とする非水系リチウム二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記した凝集を起こさない正極活物質は、例えば次のような製造方法によって得られる。
即ち、リチウム塩と遷移金属酸化物を含む混合物を焼成して正極活物質を製造する方法において、焼成後の少なくとも分級および梱包までの工程に気体1立方メ−トルあたりの水蒸気量が20ｇ以下、望ましくは1〜15ｇの環境で行う工程を有するリチウム二次電池用正極活物質の製造方法である。これによれば、水吸着による凝集が防止でき、上述のメジアン径Ｄ50の比（Ｄ50（超音波なし）／Ｄ50（超音波あり）の値）が1以上、２以下の正極活物質が得られることが分かった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【表１】
2005150102.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
以上の結果より、絶対湿度20g/m3以下で分級・梱包した正極活物質はＤ50US=なし／Ｄ50US=ありの比が２以下であり、このとき内部抵抗が小さくなる傾向が見られる。これは分級後でも凝集が進行していないためである。尚、絶対湿度が1 g/m3以下では特性が飽和してくる傾向であり、また湿度制御も高コストになってくる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
以上の結果より、実施例５〜１０の本発明の組成領域では、安定して層状岩塩構造のみが得られている。実施例７〜９ではCoの一部をAlで置換したが、容量は若干下がるものの安定した層状岩塩構造が得られる。Alは前記のように高価なCoの使用量を減らせるのでコストメリットが出せる置換種である。いずれも正極活物質はＤ50US=なし／Ｄ50US=ありの比が２以下であり凝集は見られなかった。そして、容量が130mAh/g以上、内部抵抗30Ω以下が得られている。また、比較例３〜６の本組成領域以外では層状岩塩構造とともにスピネル構造が生成している。Mnの含有量を増やしていくと、コストメリットは大きくなるが、比較例５、６のように容量も極端に低下している。スピネル相の生成は、容量が低下するばかりでなく、内部抵抗も実施例と比べて悪い。また高温耐久性も懸念される。本評価では、電気自動車用の場合、容量は130mAh/g以上が望ましい。
本発明以外の組成領域でCo量が多い領域でも安定した層状構造が得られ、容量、内部抵抗、抵抗上昇率、高温耐久性も満足しうる性能が得られる可能性はあるが、コスト的に実用化が出来ない領域である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
【図１】本発明の一実施例による製造方法の工程を示す流れ図である。
【図２】本発明の実施例及び比較例に記載の複合酸化物の組成を表すＭｎ−Ｎｉ−（Ｃｏ，Ａｌ）３元状態図である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月14日(2007.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッテリの放電を可変的に制御する装置であって、
電解質流体と、
第１の電極と、
前記電解質流体と前記第１の電極との間のナノ構造化された表面とを含み、前記ナノ構造化された表面は複数のナノ構造体を含み、前記ナノ構造体の各々は１マイクロメートルよりも小さい少なくとも１つの寸法を有し、そして前記ナノ構造化された表面への前記電解質流体の浸透を、前記ナノ構造化された表面に電圧を通すことによって制御することができ、さらに、前記電圧が通る前には、前記電解質流体は前記複数のナノ構造体上で停止し、これにより前記電解質流体の前記第１の電極への接触が阻止され、そして、前記ナノ構造化された表面に電圧を通すことによって、前記電解質流体が、前記ナノ構造化された表面に浸透し、そして停止されていた前記第１の電極と接触が生じることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記電解質流体が前記表面に浸透すると電流を発生することが可能なバッテリが形成されるよう配置された、前記電解質流体と接触する第２の電極をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
電気的負荷を有する電気回路をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記電気的負荷が少なくとも１つのレーザであることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月16日(2007.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電材料を含む組成物を吐出することにより導電膜を形成し、
前記導電膜に対して少なくとも窒素及び酸素を含み、かつ、前記酸素の組成比は１０％〜２５％である雰囲気下において加熱処理を行い、
前記導電膜上に、絶縁膜を形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項２】
導電材料を含む組成物を吐出することにより導電膜を形成し、
前記導電膜に対して少なくとも窒素及び酸素を含み、かつ、前記酸素の組成比は１０％〜２５％である雰囲気下において加熱処理を行い、
前記導電膜上に、有機化合物を含む層を形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項３】
導電材料を含む組成物を吐出することにより導電膜を形成し、
前記導電膜に対して少なくとも窒素及び酸素を含み、かつ、前記酸素の組成比は１０％〜２５％である雰囲気下において加熱処理を行い、
前記導電膜の表面を研磨することを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項４】
導電材料を含む組成物を吐出することにより導電膜を形成し、
前記導電膜に対して少なくとも窒素及び酸素を含み、かつ、前記酸素の組成比は１０％〜２５％である雰囲気下において加熱処理を行い、
前記導電膜の表面を研磨し、
前記導電膜上に、絶縁膜を形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項５】
導電材料を含む組成物を吐出することにより導電膜を形成し、
前記導電膜に対して少なくとも窒素及び酸素を含み、かつ、前記酸素の組成比は１０％〜２５％である雰囲気下において加熱処理を行い、
前記導電膜の表面を研磨し、
前記導電膜上に、有機化合物を含む層を形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれか一項において、
前記研磨は、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）法によって行われることを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項７】
導電材料を含む組成物を吐出することにより導電膜を形成し、
前記導電膜に対して少なくとも窒素及び酸素を含み、かつ、前記酸素の組成比は１０％〜２５％である雰囲気下において加熱処理を行い、
前記導電膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜及び前記導電膜の一部をエッチング除去することにより、前記導電膜の表面を平坦化させることを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項８】
導電材料を含む組成物を吐出することにより導電膜を形成し、
前記導電膜に対して少なくとも窒素及び酸素を含み、かつ、前記酸素の組成比は１０％〜２５％である雰囲気下において加熱処理を行い、
前記導電膜上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記導電膜の一部をエッチング除去することにより、前記導電膜の表面を平坦化させ、
前記導電膜上に、第２の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項９】
導電材料を含む組成物を吐出することにより導電膜を形成し、
前記導電膜に対して少なくとも窒素及び酸素を含み、かつ、前記酸素の組成比は１０％〜２５％である雰囲気下において加熱処理を行い、
前記導電膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜及び前記導電膜の一部をエッチング除去することにより、前記導電膜の表面を平坦化させ、
前記導電膜上に、有機化合物を含む層を形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項１０】
請求項１、４、８のいずれか一項において、
前記絶縁膜又は前記第２の絶縁膜は、窒化珪素を含むことを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、
前記導電材料は、Ａｇであることを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項１２】
請求項１、３、４、７、８のいずれか一項において、
基板上にＴｉを含む薄膜を形成し、
前記Ｔｉを含む薄膜上に前記導電材料を含む組成物を吐出することにより前記導電膜を形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記加熱処理を行うことにより、前記チタンを含む薄膜をＴｉＯ２とすることを特徴とする半導体素子の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月19日(2007.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基材の表面を研磨するのに有用な研磨パッドであって、
（ａ）加工物の表面を研磨するように配置された研磨領域を有する研磨層、及び
（ｂ）前記研磨層に位置する複数の溝を含み、各溝が、
（ｉ）少なくとも部分的に前記研磨領域の中に延び、
（ii）研磨溶液の一部を受けるように配置されており、
前記複数の溝の少なくともいくつかが、それぞれ、その溝の中の前記研磨溶液を混合するように配置されている複数の混合構造を含み、複数の混合構造が一連の山部と谷部とを含むものである研磨パッド。
【請求項２】
前記複数の溝の各対応する溝の中の前記複数の混合構造それぞれが周期的ピッチを有する、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項３】
前記複数の溝の各対応する溝の中の前記複数の混合構造それぞれが互いに同じ形状を有する、請求項２記載の研磨パッド。
【請求項４】
前記複数の混合構造それぞれを含む前記複数の溝の各溝が公称深さを有し、前記周期的ピッチが前記公称深さないし前記公称深さの４倍に等しい、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項５】
前記複数の混合構造それぞれを含む前記複数の溝の各溝が公称深さを有し、その溝の中の前記複数の混合構造それぞれがその溝の前記公称深さの１０％〜５０％に等しい高さを有する、請求項１記載の研磨パッド。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月19日(2007.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基材の表面を研磨するのに有用な研磨パッドであって、
（ａ）回転軸、
（ｂ）（ｉ）中央領域、
（ii）前記中央領域から離間した外周縁、及び
（iii）加工物の表面を研磨するように配置され、前記中央領域に隣接する内周及び前記内周から離間した外周を有するほぼ環状の研磨領域を含む研磨層、
（ｃ）それぞれが、前記中央領域内に位置する第一端と、前記研磨領域内に位置し、前記外周縁の半径方向内側及び前記回転軸の半径方向外側にある第二端とを有する、前記研磨層における第一の複数の溝、ならびに
（ｄ）それぞれが、前記研磨領域内に位置する第一端と、
（ｉ）前記外周縁、及び
（ii）前記研磨領域の前記外周から半径方向外側
の少なくとも一方の中の、前記第一の複数の溝の前記第二端の半径方向外側に位置する第二端とを有し、前記第一の複数の溝それぞれから離間する、前記研磨層における第二の複数の溝
を含む研磨パッド。
【請求項２】
前記第一の複数の溝のそれぞれの溝の前記第二端が、研磨領域の外周に隣接して位置し、前記第二の複数の溝のそれぞれの溝の前記第一端が、研磨領域の内周に隣接して位置する、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項３】
前記第一の複数の溝ぞれぞれが前記第二の複数の溝それぞれと交互に位置している、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項４】
前記研磨層に第三の複数の溝をさらに含み、前記第三の複数の溝のそれぞれの溝が前記研磨領域内に完全に位置する、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項５】
前記研磨層中に第一の複数の組の分岐分配溝をさらに含み、各組中の各溝が、前記研磨領域内に完全に位置し、前記第一の複数の溝の対応する各溝と流動的に連絡する端部を有し；及び前記研磨層中に第二の複数の組の分岐収集溝をさらに含み、各組中の各溝が、前記研磨領域内に完全に位置し、前記第二の複数の溝の対応する各溝と流動的に連絡する端部を有する、請求項１記載の研磨パッド。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月23日(2007.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体に対向するための先端部を有する第一の主磁極と、上記第一の主磁極と厚さ方向に重なって形成した部分を有して磁気回路を形成する第二の主磁極と、上記磁気回路を励磁するコイルとを備える垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッドにおいて、
上記第一の主磁極は、第一の強磁性膜と第二の強磁性膜と前記第一の強磁性膜及び第二の強磁性膜の間に形成される反平行結合層とを有する積層体を含有する軟磁性多層膜からなり、前記反平行結合層は、前記第一の強磁性膜及び第二の強磁性膜を反強磁性的に層間結合させる結合であって、
上記第二の主磁極は磁気記録媒体に対向する面に露出しないリセス構造を有し、前記反平行結合層を含まないことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記軟磁性多層膜は、非平行結合層を介して前記積層体が積層されていることを特徴とする請求項1記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記第一の強磁性膜および第二の強磁性膜は、Co,Ni又はFeのうち少なくとも一種を含有することを特徴とする請求項１または２記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記反平行結合層は、Cr, Ru, OS, Re, RhまたはCuのうち少なくとも一種を含有することを特徴とする請求項1乃至３のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
前記反平行結合層の厚みは、0.5nm以上、1.2nm以下の範囲であることを特徴とする1乃至４のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
前記反平行結合層の厚みは、1.8nm以上、3nm以下の範囲であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
前記第一の強磁性層における磁化の向きと第二の強磁性層における磁化の向きとは、前記反平行結合層を挟んで反平行に向いていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項８】
前記反強磁性的な層間結合の大きさは、数十から数百エルステッド相当であることを特徴とする請求項1乃至７のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項９】
前記第一の強磁性膜及び第二の強磁性膜は真空薄膜形成手法で作製され、かつ、同一の真空形成過程においてNiCrなどからなる５ナノメートル程度の下地膜上に形成されてなり、反平行結合層膜部における平坦性が、前記反平行結合層の厚さに比較して小さい程度の平坦性を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項１０】
更に、磁界を検知する再生ヘッドを備えることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月12日(2007.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
研削・研磨処理の具体例としては、まず研削機を用いてＧａＮ基板１の裏面を２００〜３００μｍ程度削り、次いでダイヤモンドスラリーを用いて研削面の平坦化を行い、最後にダイヤモンドスラリーを研磨材として研磨布により研磨する、といった処理が挙げられる。この最後の研磨においては、粒径０．４μｍ以上で中性か弱アルカリ性（ｐＨが８．５以下）のダイヤモンドスラリーを用いることにより、研磨処理を、化学的なエッチングを行わない機械的研磨で終わらせる。これにより、ＧａＮ基板１の裏面において、研磨による凹凸を意図的に残すことができるので、次のプラズマ処理後においても、ＧａＮ基板１の裏面の粗さを大きくすることができる。これにより、ＧａＮ基板１の裏面の表面積を大きくすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
さらに、金属電極であるｎ電極１０を、プラズマ処理により密着性を高めた表面変性層２０を介してＧａＮ基板１の裏面に搭載させるので、ｎ電極１０の密着性が向上するという効果も得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
このように、本実施の形態に係る窒化物半導体装置およびその製造方法によれば、実施の形態１の効果に加えて、さらに低抵抗なオーミック特性を実現できる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月12日(2007.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
環状構造を有するイオウ含有有機化合物が、下記の化学式１，２の少なくともいずれか一種であることを特徴とする請求項１記載のポリマーゲル電解質。
ただし、化学式１において、Ｘは、側鎖を有していても良いアルキレン基、または酸素原子を示す。Ｙは、側鎖を有していても良いアルキレン基、無置換のアルキレン基を示す。Ｚは、メチレン基、酸素原子、または単結合を示す。
化学式２において、ｎは、０，１，２のいずれかであり、Ｒ1〜Ｒ6は、水素原子または炭素数１以上１２以下のアルキル基、炭素数３以上６以下のシクロアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基からそれぞれ独立に選択される。
【化１】
2007273445.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月12日(2007.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に配置された有機発光層を有する有機ＥＬ素子と、プリズムシートと、偏光シートと、位相シートとを有する有機発光素子であって、
光取り出し面側から順に、前記偏光シート、前記プリズムシート、前記位相シート、および前記有機ＥＬ素子を配置したことを特徴とする有機発光素子。
【請求項２】
前記プリズムシートは、複数枚のプリズムシートで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項３】
前記有機ＥＬ素子側に配置されたプリズムシートの頂角は、光取り出し面側に配置されたプリズムシートの頂角以下であることを特徴とする請求項２に記載の有機発光素子。
【請求項４】
前記有機ＥＬ素子側に配置されたプリズムシートの頂角は、３０度乃至８０度に設定されており、光取り出し面側に配置されたプリズムシートの頂角は、６５度乃至１４０度に設定されていることを特徴とする請求項２または請求項３のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項５】
前記２枚のプリズムシートは、そのピッチ方向が互いに直交するように配置されていることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項６】
前記偏光シートの延伸方向と、光取り出し面側に配置されたプリズムシートのピッチ方向とが互いに直交するように、該偏光シートおよび該プリズムシートが配置されていることを特徴とする請求項２乃至請求項５のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項７】
前記偏光シートは、Ｐ偏光を透過し、Ｓ偏光を吸収することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項８】
前記プリズムシートは、その凹凸面に反射防止処膜が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項９】
前記光取り出し面側に配置されたプリズムシートの凹凸面と、前記有機発光素子の発光面との距離は、発光部のずれ量が前記有機発光素子の画素ピッチ以下になるように設定されていることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項１０】
前記有機ＥＬ素子は、光取り出しを上部電極側から行うトップエミッション素子であることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の有機発光素子。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の有機発光素子を複数有することを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
前記表示装置は矩形状のパネルからなり、該表示装置の長手方向と、前記光取り出し面側に配置されたプリズムシートのピッチ方向とが直交するように、該プリズムシートが配置されていることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記表示装置の画素が矩形状であり、画素の長手方向と前記光取り出し面側に配置されたプリズムシートのピッチ方向とが一致するように、該プリズムシートが配置されていることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月30日(2007.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上の一対の電極間に配置される有機化合物層において発光する有機ＥＬ発光素子を有し、前記有機ＥＬ発光素子の光取り出し側にプリズム部材、偏光部材、位相差部材を有し、前記プリズム部材は複数の三角柱状の単位プリズムの長軸方向が互いに平行になるように配置されたプリズム部材である有機ＥＬ発光装置において、
前記偏光部材は前記プリズム部材よりも光取り出し側に配置され、
前記プリズム部材の頂角が９０度以上１４０度以下であることを特徴とする有機ＥＬ発光装置。
【請求項２】
前記光取り出し側から、前記偏光部材、前記位相差部材、前記プリズム部材、前記有機ＥＬ発光素子の順に配置されることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ発光装置。
【請求項３】
前記光取り出し側から、前記偏光部材、前記プリズム部材、前記位相差部材、前記有機ＥＬ発光素子の順に配置されることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ発光装置。
【請求項４】
前記有機ＥＬ発光装置が横長のパネルであって、前記プリズム部材の長軸方向と前記パネルの横方向とが一致するように前記プリズム部材が配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
【請求項５】
前記プリズム部材のプリズム面に反射防止処理がなされていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
【請求項６】
前記偏光部材の延伸方向と、前記プリズム部材の前記長軸方向が直交するように前記プリズム部材が配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
【請求項７】
前記有機化合物層において前記発光する光が、前記基材とは反対側から取り出されることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月26日(2007.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】   
【請求項１】  プラスチックフィルムシートの一方の面に、水蒸気透過度が０．１ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下となる単独層または複合層を有し、かつ、他方の面に水蒸気透過度が０．１ｇ／ｍ2／ｄａｙ以上１０ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下となる単独層または複合層を有する光学用フィルムシート。
【請求項２】  前記プラスチックフィルムシートの位相差が２０ｎｍ以下である請求項１記載の光学用フィルムシート。
【請求項３】  前記プラスチックフィルムシートの波長５５０ｎｍにおける光線透過率が８０％以上である請求項１または２記載の光学用フィルムシート。
【請求項４】  前記プラスチックフィルムシートの光弾性定数が１０×１０-13ｃｍ2／ｄｙｎ以上である請求項１〜３何れか一項記載の光学用フィルムシート。
【請求項５】  前記プラスチックフィルムシートが（１）エステル結合で結合された繰り返し単位を有する高分子、（２）カーボネート結合で結合された繰り返し単位を有する高分子または（３）スルホン結合で結合された繰り返し単位を有する高分子を主成分とする請求項１〜４何れか一項記載の光学用フィルムシート。
【請求項６】  前記プラスチックフィルムシートがポリエーテルスルホンを主成分とする請求項５記載の光学用フィルムシート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
すなわち本発明は、
（１）  プラスチックフィルムシートの一方の面に、水蒸気透過度が０．１ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下となる単独層または複合層を有し、かつ、他方の面に水蒸気透過度が０．１ｇ／ｍ2／ｄａｙ以上１０ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下となる単独層または複合層を有する光学用フィルムシート。
（２）  前記プラスチックフィルムシートの位相差が２０ｎｍ以下である（１）の光学用フィルムシート。
（３）  前記プラスチックフィルムシートの波長５５０ｎｍにおける光線透過率が８０％以上である（１）または（２）の光学用フィルムシート。
（４）  前記プラスチックフィルムシートの光弾性定数が１０×１０-13ｃｍ2／ｄｙｎ以上である（１）〜（３）の光学用フィルムシート。
（５）  前記プラスチックフィルムシートが、（１）エステル結合で結合された繰り返し単位を有する高分子、（２）カーボネート結合で結合された繰り返し単位を有する高分子または、（３）又は（４）スルホン結合で結合された繰り返し単位を有する高分子を主成分とする（１）〜（４）の光学用フィルムシート。
（６）  前記プラスチックフィルムシートがポリエーテルスルホンを主成分とする（５）の光学用フィルムシート。
である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月7日(2007.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接眼レンズを保持する接眼鏡筒の外周部に設けられ、前記接眼鏡筒に対して前記接眼レンズの光軸方向に相対的に移動可能な目当てと、前記接眼鏡筒と前記目当てとが対向する位置の一方に設けられた凸部と、前記接眼鏡筒と前記目当てとが対向する位置の他方に設けられ、前記凸部を保持する少なくとも３つの保持部とを備えている接眼部材において、
前記保持部のピッチは前記目当てを押し込む側より引き出す側で相対的に小さくなるように設定されていることを特徴とする接眼部材。
【請求項２】
前記少なくとも３つの保持部のうちの前記目当てを最も引き出したときに前記凸部を保持する引出し側保持部とこの保持部に隣接する第１中間保持部との間隔が、前記少なくとも３つの保持部のうちの前記目当てを最も押し込んだときに前記凸部を保持する押込み側保持部とこの保持部に隣接する第２中間保持部との間隔より小さいことを特徴とする請求項１記載の接眼部材。
【請求項３】
前記目当ては前記接眼鏡筒に対して光軸周りへ相対回転可能であり、
前記凸部は前記接眼鏡筒の外周面に装着され、板ばねを折り曲げて形成された突起部であり、
前記少なくとも３つの保持部は前記目当ての内周面に形成され、光軸方向へ延びる複数の溝であることを特徴とする請求項１又は２記載の接眼部材。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項記載の接眼部材を有することを特徴とする双眼鏡。
【請求項５】
接眼レンズを保持する接眼鏡筒の外周部に設けられ、前記接眼鏡筒に対して前記接眼レンズの光軸方向に相対的に移動可能な目当てと、前記接眼鏡筒と前記目当てとが対向する位置の一方に設けられた凸部と、前記接眼鏡筒と前記目当てとが対向する位置の他方に設けられ、前記凸部を保持する少なくとも４つの保持部とを備えている接眼部材において、
前記４つの保持部間の間隔は、目当てを引き出す側から押し込む側に向かって徐々に大きくなることを特徴とする接眼部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項４記載の発明の双眼鏡は、請求項１〜３のいずれか１項記載の接眼部材を有する
ことを特徴とする。
請求項５記載の発明の接眼部材は、接眼レンズを保持する接眼鏡筒の外周部に設けられ、前記接眼鏡筒に対して前記接眼レンズの光軸方向に相対的に移動可能な目当てと、前記接眼鏡筒と前記目当てとが対向する位置の一方に設けられた凸部と、前記接眼鏡筒と前記目当てとが対向する位置の他方に設けられ、前記凸部を保持する少なくとも４つの保持部とを備えている接眼部材において、前記４つの保持部間の間隔は、目当てを引き出す側から押し込む側に向かって徐々に大きくなることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
クリック溝２６ｂとクリック溝２６ｃとの間隔、クリック溝２６ｃとクリック溝２６ｄとの間隔及びクリック溝２６ｄ（第１中間保持部）とクリック溝２６ｅ（引出し側保持部）との間隔はそれぞれ同じ間隔Ａである。クリック溝２６ａ（押込み側保持部）とクリック溝２６ｂ（第２中間保持部）との間隔Ｂとしたとき、Ｂ＞Ａであり、上記条件を満たしている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月9日(2007.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶質基板の表面に多層膜が形成された光学素子において、前記多層膜の前記結晶質基板側から数えて第一層目が、λ０を設計中心波長とすると０．４８０〜０．５２０λ０の光学的膜厚の非晶質膜であることを特徴とする光学素子。
【請求項２】
請求項１における結晶質基板がＣａＦ２、ＭｇＦ２、ＬｉＦ２、ＬａＦ３のいずれかであり、前記非晶質膜がＡｌＦ３、ＴｈＦ３、ＳｉＯ２のいずれかかもしくはそれらの混合物であることを特徴とする光学素子。
【請求項３】
前記多層膜は、１２０〜２００ｎｍの波長の光に対する反射防止機能を有している反射防止膜であることを特徴とする光学素子。
【請求項４】
請求項３の反射防止膜が、ＡｌＦ３、ＹＦ３、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＳｃＯ３、Ｐｒ６Ｏ１１、ＴａＯ５、ＴｂＦ３、ＮａＦ、ＬｉＦ、Ｎａ３ＡｌＦ６のいずれかかもしくはその混合物である低屈折率膜と、ＮｄＦ３、ＬａＦ３、ＧｄＦ３、ＤｙＦ３、ＰｂＦ３、ＳｍＦ３、ＹｂＦ３、ＥｒＦ３のいずれかかもしくはその混合物である高屈折率膜によって構成されていることを特徴とする光学素子。
【請求項５】
請求項４における多層膜は、光学的膜厚が０．４８０〜０．５２０λ０の前記結晶質基板側から数えて第一層目の低屈折率膜と、光学的膜厚が０．２４０〜０．２６０λ０の第二層目の高屈折率膜と、光学的膜厚０．２４０〜０．２６０λ０の第三層目の低屈折率膜からなっていることを特徴とする光学素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、これら例を（１１１）蛍石基板と（１１０）蛍石基板に成膜した場合の反射特性を図６に示す。比較例２では特性を異なるが、実施例２ではほぼ同じ特性であった。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月8日(2007.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トナー画像を形成する画像形成手段と、機内の気体を機外へ排出するための送風ファンと、空気を機外へと案内するダクトと、トナーを除去する複数のフィルタを有し、ダクト内部に前記送風ファンと前記ダクトが設けられている画像形成装置において、前記複数のフィルタが空気の流れに対して前記送風ファンの上流と下流両方に配置されていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
下流に位置するフィルタの方が上流に位置するフィルタよりもトナー除去力が少ないことを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
上流に位置するフィルタを通過する空気流の風速が下流に位置するフィルタを通過する空気流の風速よりも大きいことを特徴とする請求項１または２記載の画像形成装置。
【請求項４】
上流に位置するフィルタ近傍のダクトの断面積が下流に位置するフィルタ近傍のダクトの断面積よりも小さいことを特徴とする請求項３記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記送風ファンから上流に位置するフィルタまでの距離が、前記送風ファンから下流に位置するフィルタまでの距離よりも短いことを特徴とする請求項３記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
トナー画像を形成する画像形成手段と、機内の気体を機外へ排出するための送風ファンと、空気を機外へと案内するダクトと、トナーを除去する複数のフィルタを有し、ダクト内部に前記送風ファンと前記ダクトが設けられている画像形成装置において、前記複数のフィルタが空気の流れに対して前記送風ファンの上流と下流両方に配置されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明の画像形成装置によれば、複数のフィルタで段階的に飛散トナーを除去することができる。よって、１箇所に設けられたフィルタで全てのトナーを除去していた従来機に比べフィルタの厚みを薄くしたり、目の粗さを細かくしたりすることができコストを大幅に下げることが可能となる。また、フィルタの早期目詰まりを防止し、寿命を長くすることが可能となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月20日(2007.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
内部にためた水を加熱することで蒸気を発生するボイラであって、定期的に全ブローを行うことで濃縮したボイラ水の入替えを行っているボイラにおいて、ボイラ水の中に電極を設けることでボイラ水を通して流れる電流から抵抗値を測定する抵抗値測定装置を設け、抵抗値測定装置によってボイラ水の未濃縮状態における抵抗値と、ボイラ水の濃縮状態における抵抗値を測定するようにしており、さらに抵抗値測定装置で測定した未濃縮状態抵抗値と濃縮状態抵抗値を比較する変化量算出装置を設けておき、変化量算出装置は、未濃縮状態抵抗値と濃縮状態抵抗値の差を今回値として算出し、今回値が所定値Ａを下回る場合にはボイラ内にスケールが付着していると判定することを特徴とするスケール付着有無の判定を行うボイラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項１に記載の発明は、内部にためた水を加熱することで蒸気を発生するボイラであって、定期的に全ブローを行うことで濃縮したボイラ水の入替えを行っているボイラにおいて、ボイラ水の中に電極を設けることでボイラ水を通して流れる電流から抵抗値を測定する抵抗値測定装置を設け、抵抗値測定装置によってボイラ水の未濃縮状態における抵抗値と、ボイラ水の濃縮状態における抵抗値を測定するようにしており、さらに抵抗値測定装置で測定した未濃縮状態抵抗値と濃縮状態抵抗値を比較する変化量算出装置を設けておき、変化量算出装置は、未濃縮状態抵抗値と濃縮状態抵抗値の差を今回値として算出し、今回値が所定値Ａを下回る場合にはボイラ内にスケールが付着していると判定することを特徴とするスケール付着有無の判定を行うボイラである。