Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月3日(2008.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ２つの端子を有するエネルギ蓄積装置のための積層パッケージであって、前記パッケージは、
エネルギ蓄積装置を収納するためのキャビティを規定するための内側障壁層を含み、内側障壁層は、互いに封止係合されそれらの間で端子がキャビティから延びる２つの対向する部分を有し、さらに、
内側障壁層と端子との中間に配置されたシーラント層と、
内側障壁層に接合されかつ金属層を有する外側障壁層とを含む、積層パッケージ。
【請求項２】  前記シーラント層が約５％から１０％のエチレンアクリル酸を含有するNucrel（商標）樹脂である、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項３】  前記シーラント層が約６％から９％のエチレンアクリル酸を含有する、請求項２に記載のパッケージ。
【請求項４】  前記シーラント層が、１つ以上の無水マレイン酸、マレイン酸、１つ以上の無水物グラフト化ポリオレフィン、および１つ以上の酸変性ポリオレフィンのうちの１つを含有する、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項５】  前記金属層がアルミニウムシートを含む、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項６】  前記アルミニウムシートが厚さ３０μｍ未満である、請求項５に記載のパッケージ。
【請求項７】  前記アルミニウムシートが厚さ２５μｍ未満である、請求項５に記載のパッケージ。
【請求項８】  前記アルミニウム層が厚さ２０μｍ未満である、請求項５に記載のパッケージ。
【請求項９】  前記外側障壁層が、金属層の外側に接合された第１のプラスチック層を含む、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項１０】  前記プラスチック層がＰＥＴである、請求項９に記載のパッケージ。
【請求項１１】  前記プラスチック層が厚さ４０μｍ未満である、請求項９に記載のパッケージ。
【請求項１２】  前記プラスチック層が厚さ３０μｍ未満である、請求項９に記載のパッケージ。
【請求項１３】  前記外側障壁層が、金属層の内側に接合された第２のプラスチック層を含む、請求項９に記載のパッケージ。
【請求項１４】  前記第２のプラスチック層が、ＰＥＴ、ポリアミド、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶｄＣ）、およびポリプロピレン（ＰＰ）からなる群より選択される、請求項１３に記載のパッケージ。
【請求項１５】  前記第２のプラスチック層が厚さ約２０μｍ未満である、請求項１３に記載のパッケージ。
【請求項１６】  前記第２のプラスチック層が厚さ１５μｍ未満である、請求項１３に記載のパッケージ。
【請求項１７】  前記内側障壁層が、外側障壁層の内側に接合された第３のプラスチック層を含む、請求項１３に記載のパッケージ。
【請求項１８】  前記第３のプラスチック層がヒートシール可能であり、ＰＶｄＣおよびポリエチレン（ＰＥ）からなる群より選択される、請求項１７に記載のパッケージ。
【請求項１９】  前記第３のプラスチック層が厚さ約４０μｍ未満である、請求項１７に記載のパッケージ。
【請求項２０】  前記第３のプラスチック層が厚さ３０μｍ未満である、請求項１７に記載のパッケージ。
【請求項２１】  前記外側障壁層および前記内側障壁層がそれぞれ第１の融点および第２の融点を含み、第１の融点が第２の融点より高い、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項２２】  前記パッケージが、内側障壁層が最も内側になるようにその長さに沿って折り畳まれる１枚の積層材料のシートから形成される、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項２３】  前記折り畳まれたシートの少なくとも３つの端縁が接触かつヒートシールされる、請求項２２に記載のパッケージ。
【請求項２４】  前記パッケージが、隣接する周縁全体にわたって接触かつヒートシールされる２枚の別個の対向する積層体のシートから形成される、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項２５】  シーラントを含む部分における前記積層体の厚さが１００μｍ未満である、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項２６】  前記端子がアルミニウムであり、少なくとも５０μｍの厚さを有する、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項２７】  前記端子が少なくとも１００μｍの厚さを有する、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項２８】  前記端子が約５００μｍの厚さを有する、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項２９】  前記端子が加熱されることにより、内側障壁層のヒートシーリングを補助する、請求項１に記載のパッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月25日(2008.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  有機ケイ酸塩誘電体の層を有する半導体ウエハからフォトレジストを剥離する方法であって、
少なくとも１つの反応容器を備える半導体製造システムに前記ウエハを導入する工程と、
前記反応容器内の前記ウエハ上に実行される半導体加工工程に続いて、前記反応容器に還元ガスの流れを導入する工程と、
前記反応容器内において前記ウエハの少なくとも一部の近傍に、前記還元ガスで還元プラズマを形成する工程と、
前記半導体加工システム内の原位置において、前記ウエハから前記フォトレジストの少なくとも一部を前記還元プラズマを用いて剥離する工程と、
を備える、剥離方法。
【請求項２】  請求項１に記載の剥離方法であって、
前記半導体製造システムは、複数の反応容器を備えており、
前記半導体加工工程と前記剥離工程は、前記複数の反応容器の内の単一の容器内で実行される、剥離方法。
【請求項３】  請求項１または２に記載の剥離方法であって、
還元ガスの前記流れは、不活性の希釈剤と水素との混合物を含む、剥離方法。
【請求項４】  請求項３に記載の剥離方法であって、
不活性の希釈剤と水素との前記混合物は、約８０％から約２０％の窒素と、約２０％から約８０％の水素との混合物を含む、剥離方法。
【請求項５】  請求項３ないし４のいずれかに記載の剥離方法であって、
水素の流量は、約１５０ｓｃｃｍから約５０００ｓｃｃｍであり、
不活性の希釈剤の流量は、約１５０ｓｃｃｍから約５０００ｓｃｃｍの窒素の流量を含む、剥離方法。
【請求項６】  請求項１ないし５のいずれかに記載の剥離方法であって、
前記還元プラズマを形成する工程は、さらに、前記反応容器の電極にＲＦ電力を印加する工程を含み、
前記ＲＦ電力は、約１００ｋＨｚから約３０ＭＨｚの範囲の周波数と、約１５０Ｗから約５０００Ｗの電力レベルとを有する、剥離方法。
【請求項７】  請求項１ないし６のいずれかに記載の剥離方法であって、さらに、
ウエハ領域の圧力を約２０ｍＴｏｒｒから約１Ｔｏｒｒに維持する工程を備える、剥離方法。
【請求項８】  請求項１ないし７のいずれかに記載の剥離方法であって、さらに、
チャンバの圧力を約３０ｍＴｏｒｒから約５Ｔｏｒｒに維持する工程を備える、剥離方法。
【請求項９】  請求項１ないし８のいずれかに記載の剥離方法であって、さらに、
フォトレジスト剥離工程中に下部電極の温度を約−１０℃から約＋４０℃に維持する工程を備える、剥離方法。
【請求項１０】  請求項１ないし９のいずれかに記載の剥離方法であって、さらに、
約２Ｔｏｒｒから約１５Ｔｏｒｒの圧力のウエハ背面冷却ヘリウムガスの流れを用いる工程を備える、剥離方法。
【請求項１１】  請求項１０に記載の剥離方法であって、さらに、プラズマと、背面冷却ヘリウムガスの第１の流れとを必要とする他の半導体加工処理に続いて半導体ウエハからフォトレジストを剥離するための方法であって、
前記剥離方法は、さらに、背面冷却ヘリウムガスの前記第１の流れを、約２Ｔｏｒｒから約１５Ｔｏｒｒの流量の背面冷却ヘリウムガスの第２の流れに調整することにより、フォトレジスト剥離工程中に、下部電極の温度を約−１０℃から約＋４０℃に維持する工程を備える、剥離方法。
【請求項１２】  有機ケイ酸塩誘電体の層を有する半導体ウエハからフォトレジストを剥離するための剥離方法であって、
少なくとも１つの反応容器を備える半導体加工システムに前記ウエハを導入する工程と、
前記反応容器に還元ガスの流れを導入する工程と、
前記反応容器内において前記ウエハの少なくとも一部の近傍に、前記還元ガスで還元プラズマを形成する工程と、
前記ウエハから前記フォトレジストの少なくとも一部を前記還元プラズマを用いて剥離する工程と、
フォトレジスト剥離工程中に、ウエハの温度を約−１０℃から約４０℃に維持する工程と、
を備える、剥離方法。
【請求項１３】  請求項１２に記載の剥離方法であって、
前記還元ガスは、不活性の希釈剤と、少なくとも約２０％の水素とを含む、剥離方法。
【請求項１４】  請求項１３に記載の剥離方法であって、
前記不活性の希釈剤は、窒素である、剥離方法。
【請求項１５】  請求項１１ないし１４のいずれかに記載の剥離方法であって、さらに、
前記半導体加工システムに前記ウエハを導入する工程の後であって、還元ガスの前記流れを導入する工程の前に、前記反応容器内の前記ウエハ上に半導体加工工程を実行する工程を備える、剥離方法。
【請求項１６】  有機ケイ酸塩誘電体の層を有する半導体ウエハからフォトレジストを剥離するための方法であって、
少なくとも１つの反応容器を備える半導体加工システムに前記ウエハを導入する工程と、
不活性の希釈剤と少なくとも約２０％の水素とを含む還元ガスの流れを前記反応容器に導入する工程と、
前記反応容器内において前記ウエハの少なくとも一部の近傍に、前記還元ガスで還元プラズマを形成する工程と、
前記ウエハから前記フォトレジストの少なくとも一部を前記還元プラズマを用いて剥離する工程と、
を備える、剥離方法。
【請求項１７】  請求項１６に記載の剥離方法であって、さらに、
前記半導体加工システムに前記ウエハを導入する工程の後であって、還元ガスの前記流れを導入する工程の前に、前記反応容器内で前記ウエハに対して半導体加工工程を実行する工程を備えると共に、
前記フォトレジストの少なくとも一部を剥離する工程は、前記半導体加工システム内で実行される、剥離方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月24日(2008.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】  
【請求項１】
サンドキャッスル信号を発生する装置であって、
減衰された偏向帰線信号を供給するように動作する回路と、
分離された同期信号を供給するように動作する回路と、
減衰された偏向信号から、分離された同期信号の一部を線形に減算してサンドキャッス
ル信号を発生するように動作する回路と、
を有する装置。
【請求項２】
減衰された偏向帰線信号は、水平フライバック信号を含む、
請求項１記載の装置。
【請求項３】
減衰された偏向帰線信号は、垂直偏向帰線信号を含む、
請求項１記載の装置。
【請求項４】
減衰された偏向帰線信号は、水平フライバック信号と垂直帰線信号とを含む、
請求項１記載の装置。
【請求項５】
更に、
信号処理回路と、
装置の機能の実行中に、発生されたサンドキャッスル信号を、信号処理回路に供給する
ように動作する制御回路とを有する、
請求項１記載の装置。
【請求項６】
装置は、テレビジョン信号受信機を含み、且つ、装置の機能は、テレビジョン信号受信
機に関連する機能を含む、
請求項５記載の装置。
【請求項７】
テレビジョン信号受信機に関連する機能は、チャネルを変更することを含む、
請求項６記載の装置。
【請求項８】
テレビジョン信号受信機内でサンドキャッスル信号を発生する方法であって、
テレビジョン信号から得られる減衰された偏向帰線信号を発生するステップと、
テレビジョン信号から得られる分離された同期信号を供給するステップと、
減衰された偏向帰線信号から、分離された同期信号の一部を線形に減算して、サンドキ
ャッスル信号を発生するステップと、
を有する方法。
【請求項９】
減衰された偏向帰線信号を発生するステップは、水平フライバック信号を発生すること
を含む、
請求項８記載の方法。
【請求項１０】
減衰された偏向帰線信号を発生するステップは、垂直帰線パルスを発生することを含む、
請求項８記載の方法。
【請求項１１】
減衰された偏向帰線信号を発生するステップは、水平フライバック信号と垂直帰線信号
を加算することを含む、
請求項８記載の方法。
【請求項１２】
更に、
テレビジョン信号受信機の機能の実行中に、テレビジョン信号受信機の信号処理回路へ、
結果のサンドキャッスル信号を供給するステップを有する、
請求項８記載の方法。
【請求項１３】
機能は、チャネルを変更することを含む、
請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
テレビジョン信号受信機であって、
減衰された偏向帰線信号を供給する手段と、
分離された同期信号を供給する手段と、
減衰された偏向帰線信号から、分離された同期信号の一部を線形に減算してサンドキャ
ッスル信号を発生する手段と、
を有するテレビジョン信号受信機。
【請求項１５】
減衰された偏向帰線信号を供給する手段は、水平フライバック信号を供給する手段を含
む、
請求項１４記載のテレビジョン信号受信機。
【請求項１６】
減衰された偏向帰線信号を供給する手段は、垂直偏向帰線信号を供給する手段を含む、
請求項１４記載のテレビジョン信号受信機。
【請求項１７】
減衰された偏向帰線信号を供給する手段は、水平フライバック信号と垂直帰線信号を虚
給する手段を含む、
請求項１４記載のテレビジョン信号受信機。
【請求項１８】
更に、
テレビジョン信号を処理する手段と、
テレビジョン信号受信機の機能の実行中に、発生されたサンドキャッスル信号を、テレ
ビジョン信号を処理する手段へ供給する手段とを有する、
請求項１４記載のテレビジョン信号受信機。
【請求項１９】
テレビジョン信号受信機の機能は、チャネルを変更することを含む、
請求項１８記載のテレビジョン信号受信機。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月19日(2008.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】信号の時間同期伝送する方法と装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の利点は、異なった種類のデータ経路が存在していても、異なる信号経路を通じて伝送される信号−これらの信号は、これらの信号経路内で異なる信号処理によって遅延する−の時間同期伝送が保証されている点に特にある。異なる信号経路内で発生する遅延、特に各処理ステップに対して個々に発生する遅延を検出することによって、そして以下に続く最小総遅延時間の算定によって、最小総遅延時間の設備に固有の算定が、設備の運転開始時でも及び／又は運転中でも使用する現場で実施できる。この算定値は、運転中に所定の時間間隔で自動的に、信号経路の変更時に自動的に又は操作命令の入力後に算定され得る。これによって、信号経路構造の変更にも対処できる。例えば、新たな信号処理ユニットの中間接続又は設備からの信号処理ユニットの取外しに対処できる。算定された最小総遅延時間に関する情報を伝送すべきデータ信号中に組込むことによって、どれくらいの個々の遅延時間をそれぞれの信号経路内に伝送される信号に課す必要があるのかが、信号送信部の前方の信号経路内に配置された遅延部に伝えられる。その結果、信号経路内に伝送される全ての信号が、送信部に時間同期伝送され得る。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月24日(2008.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動通信装置をインターネット・サイトに接続する方法において、
前記移動通信装置から前記インターネット・サイトへの呼が、ローカル・サービス・プロバイダを介して前記移動通信装置の位置に関係なく自動的にルート付けされ、前記方法は、
前記サービス・プロバイダにより前記インターネットへのアクセスの要求として自動的に解釈される情報要素を含む呼を、前記移動通信装置から開始するステップを含む方法。
【請求項２】
前記インターネット・サイトがＷＡＰサーバである請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記移動通信装置が地域から地域にローミングするにつれ、前記呼は、前記移動通信装置が位置される地域に置かれている前記サービス・プロバイダを介して自動的にルート付けされる請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記情報要素は、前記移動通信装置がローミングする前記地域において一般に認められている番号を含む請求項１、２又は３記載の方法。
【請求項５】
前記呼が、前記インターネット・サイトのアドレスを含み、且つ前記サービス・プロバイダのインターネット・ゲートウエイを介してルート付けされる請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記呼は、前記インターネットに対する妨げられないアクセスに続く前記インターネット・サイトへのアクセスを前記サービス・プロバイダのインターネット・ゲートウエイを介して取得するためのユーザＩＤ及びパスワードを含む請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記移動通信装置が、移動電話機、又はモデム機能を有するラップトップ・コンピュータである請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
ローカル・サービス・プロバイダによりインターネットへのアクセスの要求と自動的に解釈される情報要素を発生する手段を備える請求項１から７のいずれか一項に記載の方法を実行するシステム又は装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月3日(2008.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対話的プログラム・ブロードキャスト・システムであって、
ブロードキャスト送信機と、
前記送信機に結合されており前記送信機によってブロードキャストされたプログラムのコンテンツと関係し同期している情報を利用可能にするように動作可能なコンピュータ装置と、
前記送信機によってブロードキャストされたプログラムを受信するブロードキャスト受信機と、前記ブロードキャスト受信機とは独立に動作可能であり前記コンピュータ装置からの前記プログラム関係情報を示すデジタル信号を受信しこのデバイスを介して入力されたユーザの応答を表すデジタル信号を前記コンピュータ装置に送る別個の双方向デジタル無線通信ネットワーク・デバイスとを含む少なくとも１つのユーザ・ステーションと、
を備えていることを特徴とする対話型プログラム・ブロードキャスト・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月16日(2008.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
本発明により包含されるヒドロホルミル化方法の反応条件は、光学的に活性なおよび／または光学的に不活性なホルミルエステルを生成させるためにこれまで用いられているいかなる適当なタイプのヒドロホルミル化条件をも包含し得る。例えば、ヒドロホルミル化方法の水素、一酸化炭素およびオレフィン出発化合物の全ガス圧は、約６，８９５Ｐａ（１ｐｓｉａ）から約６８．９５ＭＰａ（１０，０００ｐｓｉａ）の範囲にあり得る。しかしながら、一般に、該方法は約１３．７９ＭＰａ（２０００ｐｓｉａ）未満、一層好ましくは約６．８９５ＭＰａ（１０００ｐｓｉａ）未満の、水素、一酸化炭素およびオレフィン出発化合物の全ガス圧にて操作されることが好ましい。最小全圧は、主として、所望反応速度を得るのに必要な反応体の量により制限される。一層特定的には、本発明のヒドロホルミル化方法の一酸化炭素分圧は好ましくは約６，８９５Ｐａ（１ｐｓｉａ）から約６．８９５ＭＰａ（１０００ｐｓｉａ）、一層好ましくは約２０．６９ｋＰａ（３ｐｓｉａ）から約５．５１６ＭＰａ（８００ｐｓｉａ）であり、一方水素分圧は好ましくは約３４．４８ｋＰａ（５ｐｓｉａ）から約３．４４８ＭＰａ（５００ｐｓｉａ）、一層好ましくは約６８．９５ｋＰａ（１０ｐｓｉａ）から約２．０６９ＭＰａ（３００ｐｓｉａ）である。一般に、気体状の水素対一酸化炭素のＨ2：ＣＯモル比は約１：１０から１００：１またはそれ以上の範囲にあり得、しかして一層好ましい水素対一酸化炭素のモル比は約１：１０から約１０：１である。更に、ヒドロホルミル化方法は、約−２５℃から約２００℃の反応温度にて行われ得る。一般に、約５０℃ないし約１２０℃のヒドロホルミル化反応温度は、あらゆるタイプのオレフィン出発物質について好ましい。無論、光学的に不活性なホルミルエステル生成物が所望される場合アキラルタイプのオレフィン出発物質および有機リン・リガンドが用いられること、並びに光学的に活性なホルミルエステル生成物が所望される場合プロキラルまたはキラルタイプのオレフィン出発物質および有機リン・リガンドが用いられることが理解されるべきである。無論、用いられるヒドロホルミル化反応条件は所望されるホルミルエステル生成物のタイプにより左右されることも理解されるべきである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
水素化反応は、約６８．９５ｋＰａ（１０ｐｓｉｇ）から約３１．０３ＭＰａ（４５００ｐｓｉｇ）に及ぶ広範囲の圧力にわたって行われ得る。水素化反応を約６８９．５ｋＰａ（１００ｐｓｉｇ）から約１３．７９ＭＰａ（２０００ｐｓｉｇ）の圧力にて行うことが好ましい。水素化反応は、好ましくは、液体もしくは蒸気状態またはそれらの混合状態にて遂行される。全圧は、用いられる触媒系に依存する。水素分圧は、水素化触媒の効率を最大にする並びに所望の選択度および転化度を得るよう選ばれるべきである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３４】
還元的アミノ化反応は、約６８．９５ｋＰａ（１０ｐｓｉｇ）から約３１．０３ＭＰａ（４５００ｐｓｉｇ）に及ぶ広範囲の圧力にわたって行われ得る。還元的アミノ化反応を約６８９．５ｋＰａ（１００ｐｓｉｇ）から約１３．７９ＭＰａ（２０００ｐｓｉｇ）の圧力にて行うことが好ましい。還元的アミノ化反応は、好ましくは、液体もしくは蒸気状態またはそれらの混合状態にて遂行される。全圧は、用いられる触媒系に依存する。水素分圧は、アミノ化触媒の寿命を最大にする並びに所望の選択度および転化度を得るよう選ばれるべきである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４４】
酸化反応は、約６８．９５ｋＰａ（１０ｐｓｉｇ）から約１３．７９ＭＰａ（２０００ｐｓｉｇ）に及ぶ広範囲の圧力にわたって行われ得る。酸化反応を約６８．９５ｋＰａ（１０ｐｓｉｇ）から約１３．７９ＭＰａ（２０００ｐｓｉｇ）の圧力にて行うことが好ましい。酸化反応は、好ましくは、液体もしくは蒸気状態またはそれらの混合状態にて遂行される。全圧は、温度および他の反応条件に依存する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５６】
加水分解反応は、約６８．９５ｋＰａ（１０ｐｓｉｇ）から約３１．０３ＭＰａ（４５００ｐｓｉｇ）に及ぶ広範囲の圧力にわたって行われ得る。加水分解反応を約６８．９５ｋＰａ（１０ｐｓｉｇ）から約１３．７９ＭＰａ（２０００ｐｓｉｇ）の圧力にて行うことが好ましい。加水分解反応は、好ましくは、液体もしくは蒸気状態またはそれらの混合状態にて遂行される。全圧は、用いられる触媒系に依存する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月25日(2008.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  式（Ｉ）：
【化１】
2004502680.tif 000001
［式中、
Ｒ１は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ６−ハロアルコキシ、Ｃ３〜Ｃ８−シクロアルキル又はハロゲンであり；
Ｒ２は、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ、Ｃ３〜Ｃ８−シクロアルキル、Ｃ２〜Ｃ６−アルケニル、シアノ又はヘテロ環基である］
で表される４−ブロモアニリン誘導体の製造方法であって、ピリジン含有溶媒中で、式（ＩＩ）：
【化２】
2004502680.tif 000002
［式中、Ｒ１及びＲ２は上記で定義した通りである］
で表される化合物を臭素化剤と反応させることを含んで成る上記方法。
【請求項２】  使用する上記臭素化剤が臭素である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  使用する上記臭素化剤が臭化水素と過酸化水素である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  使用する上記溶媒がピリジンである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】  Ｒ１がＣ１〜Ｃ６−アルキルである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】  Ｒ１がメチル又はエチルである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】  Ｒ２がヘテロ環基である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】  Ｒ２がイソオキサゾール環、イソオキサゾリン環又はイソオキサゾリジン環である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】  Ｒ２が、４，５−ジヒドロイソオキサゾール−３−イル又は４，５−ジヒドロイソオキサゾール−５−イルである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  ４−ブロモ−２−（４，５−ジヒドロイソオキサゾール−３−イル）−３−メチルアニリンを製造する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月20日(2008.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（ＩＶ−ａ）及び（ＩＶ−ｂ）
【化１】
2004502678.tif 000001
［式中、
Ｒ１はＯＲ３を示し、
Ｒ２はアルキルを示し、
Ｒ３はアルキルを示す］
の化合物。
【請求項２】
式（ＩＩＩ）
【化２】
2004502678.tif 000002
［式中、
Ｒ１は上記で定義したとおりである］
の化合物。
【請求項３】
式（ＩＩＩ−ａ）
【化３】
2004502678.tif 000003
［式中、
Ｒ１は上記で定義したとおりである］
の化合物。
【請求項４】
式（ＩＩＩ−ｂ）
【化４】
2004502678.tif 000004
［式中、
Ｒ１は上記で定義したとおりである］
の化合物。
【請求項５】
式（ＩＩ）
【化５】
2004502678.tif 000005
［式中、
Ｒ１は上記で定義したとおりである］
の化合物を溶媒水中で炭酸アンモニウム及びアルカリ金属シアン化物又はトリメチルシリルシアン化物（ＴＭＳＣＮ）と反応させる
ことを特徴とする式（ＩＩＩ）
【化６】
2004502678.tif 000006
［式中、
Ｒ１は上記で定義したとおりである］
の化合物の製造法。
【請求項６】
式（ＩＩ）
【化７】
2004502678.tif 000007
［式中、
Ｒ１は上記で定義したとおりである］
の化合物を水中でアルカリ金属シアン化物及び炭酸アンモニウムと反応させる
ことを特徴とする式（ＩＩＩ−ａ）
【化８】
2004502678.tif 000008
［式中、
Ｒ１は上記で定義したとおりである］
の化合物の製造法。
【請求項７】
式（ＩＩＩ）の化合物をアンモニア水で処理することを特徴とする式（ＩＩＩ−ａ）
【化９】
2004502678.tif 000009
［式中、
Ｒ１は上記で定義したとおりである］
の化合物の単離法。
【請求項８】
一般式（Ｉ）
【化１０】
2004502678.tif 000010
［式中、
Ｒ１はＯＲ３を示し、
ここで
Ｒ３はアルキルを示す］
の化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月24日(2008.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二酸化マンガンの処理方法であって、
（ａ）ミリング媒体および反応混合物を含んでなる混合物を形成する工程（前記反応混合物は、二酸化マンガンおよびリチウム塩を含んでなり、前記反応混合物と前記ミリング媒体の重量比は約１：３〜１：４０である）、
（ｂ）前記ミリング媒体を含む前記反応混合物を常温で機械的に活性化させ、式ＬｉｘＭｎＯ２（式中、０．０５≦ｘ≦０．１２５）を有するリチウム化された二酸化マンガン中間生成物を形成する工程
を含んでなることを特徴とする方法。
【請求項２】
（ｃ）前記リチウム化された二酸化マンガン中間生成物を熱処理し、式ＬｉｙＭｎＯ２−δ（式中、０．０５≦ｙ≦０．１７５、０．０１≦δ≦０．０６）を有し、主としてγ−ＭｎＯ２型結晶構造を有する熱処理された、リチウム化された二酸化マンガン生成物を形成する工程
をさらに含んでなる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記リチウム化された二酸化マンガン中間生成物の熱処理が温度３５０〜４２０℃で行われる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記機械的活性化が、前記ミリング媒体で前記反応混合物を攪拌することにより達成される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記リチウム塩が、酸化リチウム、水酸化リチウム、水酸化リチウム一水和物、炭酸リチウム、硝酸リチウム、硝酸リチウム半水和物、シュウ酸リチウム、リチウムメトキシド、および過酸化リチウム、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ミリング媒体が、前記機械的活性化工程の際に、二酸化マンガンおよびリチウム塩を含んでなる前記反応混合物と反応しない、硬質の化学的に不活性な粒子を含んでなる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
二酸化マンガンの処理方法であって、
（ａ）硬質の粒子状ミリング媒体および実質的に乾燥した反応混合物を含んでなる混合物を形成する工程（前記反応混合物は、二酸化マンガンおよびリチウム塩を含んでなり、前記反応混合物と前記ミリング媒体の重量比は約１：３〜１：４０である）、
（ｂ）前記ミリング媒体を含む前記反応混合物を常温で機械的に活性化し、式ＬｉｘＭｎＯ２（式中、０．０５≦ｘ≦０．１２５）を有するリチウム化された二酸化マンガン中間生成物を形成する工程、および
（ｃ）前記リチウム化された二酸化マンガン中間生成物を温度３５０〜４２０℃で熱処理し、式ＬｉｙＭｎＯ２−δ（式中、０．０５≦ｙ≦０．１７５、０．０１≦δ≦０．０６）を有し、主としてγ−Ｍｎｏ２型結晶構造を有する熱処理された、リチウム化された二酸化マンガン生成物を形成する工程
を含んでなることを特徴とする方法。
【請求項８】
前記機械的活性化が、前記ミリング媒体で前記反応混合物を攪拌することにより達成される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記二酸化マンガンが、ガンマ（γ）ＭｎＯ２型結晶構造を有する電解二酸化マンガン（ＥＭＤ）である、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記二酸化マンガンが、ガンマ（γ）ＭｎＯ２型結晶構造を有する化学的二酸化マンガン（ＣＭＤ）である、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記二酸化マンガンのナトリウム含有量が５００ｐｐｍ未満である、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記二酸化マンガンの平均粒子径が１０〜６０ミクロンである、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
工程（ｃ）で前記中間生成物を熱処理する前に、前記リチウム化された二酸化マンガン中間生成物を前記ミリング媒体から分離する工程（ｂ．１）をさらに含んでなる、請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
前記リチウム塩が、酸化リチウム、水酸化リチウム、水酸化リチウム一水和物、炭酸リチウム、硝酸リチウム、硝酸リチウム半水和物、シュウ酸リチウム、リチウムメトキシド、および過酸化リチウム、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
前記反応混合物が、二酸化マンガンおよびリチウム塩を、Ｌｉ／Ｍｎ原子比０．０５〜０．１８で含んでなる、請求項７に記載の方法。
【請求項１６】
前記ミリング媒体が化学的に不活性であり、前記機械的活性化工程の際に、二酸化マンガンおよびリチウム塩を含んでなる前記反応混合物と反応しない、請求項７に記載の方法。
【請求項１７】
前記ミリング媒体が、セラミック、ガラス、金属、および重合体状材料からなる群から選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項１８】
前記ミリング媒体が、平均直径が０．２〜５ｍｍであるビーズ、球、円筒、棒または末端が丸い円筒の形状にある粒子を含んでなる、請求項７に記載の方法。
【請求項１９】
ケース、陽および陰極端子、リチウム金属またはリチウム合金を含んでなるアノード、非水性電解質、および熱処理された、リチウム化された二酸化マンガンを含んでなるカソードを含んでなる一次リチウム電気化学的電池であって、前記熱処理された、リチウム化された二酸化マンガンが、
（ａ）ミリング媒体および実質的に乾燥した反応混合物を含んでなる混合物を形成し（前記反応混合物は、二酸化マンガンおよびリチウム塩を含んでなり、前記反応混合物と前記ミリング媒体の重量比は約１：３〜１：４０である）、
（ｂ）前記ミリング媒体を含む前記反応混合物を常温で機械的に活性化し、式ＬｉｘＭｎＯ２（式中、０．０５≦ｘ≦０．１２５）を有するリチウム化された二酸化マンガン中間生成物を形成し、
（ｃ）前記リチウム化された二酸化マンガン中間生成物を温度３５０〜４２０℃で熱処理し、式ＬｉｙＭｎＯ２−δ（式中、０．０５≦ｙ≦０．１７５、０．０１≦δ≦０．０６）を有し、主としてγ−ＭｎＯ２型結晶構造を有する熱処理された、リチウム化された二酸化マンガン生成物を形成する
製法により製造されることを特徴とする一次リチウム電気化学的電池。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月26日(2008.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】セメント調製物およびその生成のプロセス
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  リン酸マグネシウムアンモニウムのセメント調製物であって、
混合物内の成分であるカルシウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）およびオルトリン酸塩（Ｐ）のモル量が、１．００＜Ｃａ／Ｐ＜１．５０かつ０＜Ｍｇ／Ｐ＜０．５０の範囲内である粒子混合物と、
アンモニウム塩と、
水および／または水溶液とを含む、調製物。
【請求項２】  該水溶液は、ｐＨ値が７＜ｐＨ＜１２の範囲内であるアンモニウム塩の水溶液である、請求項１に記載の調製物。
【請求項３】  該アンモニウム塩が該粒子混合物内にあり、成分であるカルシウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、オルトリン酸塩（Ｐ）およびアンモニウム（ＮＨ4）のモル量が、１．００＜Ｃａ／Ｐ＜１．５０かつ０＜Ｍｇ／Ｐ＜０．５０かつ０＜ＮＨ4＜０．５０の範囲内である、請求項１に記載の調製物。
【請求項４】  該粒子混合物は、α／β−第３級リン酸カルシウム（α／β−ＴＣＰ）および、好ましくはＭｇＨＰＯ4×３Ｈ2Ｏを含む、請求項１から請求項３のいずれかに記載の調製物。
【請求項５】  該粒子混合物は、α／β−ＴＣＰおよびＭｇＨＰＯ4×３Ｈ2Ｏとは別に、Ｍｇ3（ＰＯ4）2を付加的に含有する、請求項１から請求項３のいずれかに記載の調製物。
【請求項６】  該水溶液が水性の（ＮＨ4）2ＳＯ4溶液を含むことを特徴とする、請求項１から請求項５のいずれかに記載の調製物。
【請求項７】  該粒子混合物は（ＮＨ4）2ＳＯ4を含む、請求項１から請求項６のいずれかに記載の調製物。
【請求項８】  混合用液体は、水性の（ＮＨ4）2ＨＰＯ4溶液からなる、請求項１か
ら請求項７のいずれかに記載の調製物。
【請求項９】  該粒子混合物は、ＫＨ2ＰＯ4を付加的に含む、請求項１から請求項８のいずれかに記載の調製物。
【請求項１０】  該粒子混合物は、Ｎａ2ＨＰＯ4を付加的に含む、請求項１から請求項９のいずれかに記載の調製物。
【請求項１１】  ＳｒＣＯ3を付加的に含む、請求項１から請求項１０のいずれかに記載の調製物。
【請求項１２】  ＳｒＣＯ3のレベルは、該調製物の合計重量に対して、０．０１ｗｔ．％から１０ｗｔ．％、好ましくは０．１ｗｔ．％から５ｗｔ．％である、請求項１１に記載の調製物。
【請求項１３】  α−ＴＣＰ、β−ＴＣＰ、ＭｇＨＰＯ4×３Ｈ2Ｏ、ＫＨ2ＰＯ4およびＮａ2ＨＰＯ4からなる粒子混合物と、
アンモニウム塩と、
水および／または水溶液と
を含む、リン酸マグネシウムアンモニウムのセメント調製物。
【請求項１４】  α／β−ＴＣＰ、ＭｇＨＰＯ4×３Ｈ2Ｏ、ＫＨ2ＰＯ4、Ｎａ2ＨＰＯ4およびＭｇ3（ＰＯ4）2からなる粒子混合物と、アンモニウムイオンを含有する水溶液とを含む、リン酸マグネシウムアンモニウムのセメント調製物。
【請求項１５】  混合用液体としてアンモニウム塩の水溶液を含む、請求項１２から請求項１４のいずれかに記載の調製物。
【請求項１６】  α−ＴＣＰ、β−ＴＣＰ、（ＮＨ4）2ＳＯ4、ＫＨ2ＰＯ4およびＮａ2ＨＰＯ4からなる粒子混合物と、
マグネシウム塩、好ましくはＭｇＨＰＯ4×３Ｈ2Ｏと、
水および／または水溶液と
を含む、リン酸マグネシウムアンモニウムのセメント調製物。
【請求項１７】  混合用液体としてマグネシウム塩の水溶液を含む、請求項１６に記載の調製物。
【請求項１８】  α−ＴＣＰ、β−ＴＣＰ、第１級または第２級リン酸アンモニウム、ＫＨ2ＰＯ4およびＮａ2ＨＰＯ4からなる粒子混合物と、
マグネシウム塩、好ましくはＭｇＨＰＯ4×３Ｈ2Ｏと、
水および／または水溶液と
を含む、リン酸マグネシウムアンモニウムのセメント調製物。
【請求項１９】  該粒子混合物にＳｒＣＯ3を、該調製物の合計重量に対して好ましくは０．０１ｗｔ．％から１０ｗｔ．％の量で付加的に含む、請求項１３から請求項１８のいずれかに記載の調製物。
【請求項２０】  混合用液体としてストロンチウム塩の水溶液を含む、請求項１から請求項１９のいずれかに記載の調製物。
【請求項２１】  該粒子混合物内におよび／または該混合用液体内に付加的な成分としてＺｎＯを含む、請求項１から請求項２０のいずれかに記載の調製物。
【請求項２２】  該粒子混合物は、Ｃａ2ＮａＫ（ＰＯ4）2および／またはＣａＫＰＯ4を付加的に含有する、請求項１から請求項２０のいずれかに記載の調製物。
【請求項２３】  該粒子混合物内におよび／または該混合用液体内に付加的な成分としてフッ化物イオンを含む、請求項１から請求項２２のいずれかに記載の調製物。
【請求項２４】  該粒子混合物内におよび／または該混合用液体内に、付加的な成分として、薬剤のおよび／または対生物活性の有効成分を、好ましくは抗生物質、細胞増殖抑制剤、鎮痛剤、消毒剤、成長因子、タンパク質またはエラスチン阻害剤を、治療用量だけ含む、請求項１から請求項２３のいずれかに記載の調製物。
【請求項２５】  請求項１から請求項２４のいずれかに記載のリン酸マグネシウムアンモニウムのセメントを生成するためのプロセスであって、粒子混合物は混合用液体と混ぜられ、その間に該粒子混合物内に該液体が均一に分布するようになり、そうして得られ
たペーストは対象領域にまたはその上に塗布されるかまたは対象領域内に導入された後に硬化され、該成分は、形成されたセメントが微晶質のリン酸マグネシウムアンモニウムを有するように反応する、プロセス。
【請求項２６】  請求項１から請求項２４のいずれかに記載のマグネシウムアンモニウムのセメント調製物を用いてリン酸マグネシウムアンモニウムのセメントを生成するためのプロセスであって、粒子混合物は混合用液体と混ぜられ、その間に該粒子混合物内に該液体が均一に分布するようになり、そうして得られたペーストは対象領域にまたはその上に塗布されるかまたは対象領域内に導入された後に硬化されて、微晶質のリン酸マグネシウムアンモニウムを含有するセメントが形成される、プロセス。
【請求項２７】  水溶液にわずかに可溶性である粒状の、約１０μｍから約３００μｍの、好ましくは５０μｍから２００μｍの顆粒が、該粒子混合物に付加される、請求項２５または請求項２６に記載のプロセス。
【請求項２８】  該顆粒は、好ましくは、ＮａＣｌ、糖、ＣａＳＯ4、β−ＴＣＰ、ポリラクチド、ポリグリコリド（polyglycolides）またはポリラクチド／ポリグリコリドの共重合体、ＣａＣＯ3、ＣａＨＰＯ4からなる、請求項２７に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月14日(2008.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
架橋ビス（２−Ｒ３−４−フェニル−インデニル）メタロセンであって、
ここで基Ｒ３は同一又は異なり、各々、水素原子、ハロゲン原子、ハロゲン化され得るＣ１−Ｃ１０アルキル基、ハロゲン化され得るＣ６−Ｃ１０のアリール基、Ｃ２−Ｃ１０アルケニル基、Ｃ７−Ｃ４０アリールアルキル基、Ｃ７−Ｃ４０アルキルアリール基、Ｃ８−Ｃ４０アリールアルケニル基、−ＮＲ’２、−ＳＲ’、−ＯＲ’、−ＯＳｉＲ’３又は−ＰＲ’２基であり、ここでＲ’は、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃｌ０アルキル基、又はＣ６−Ｃ１０アリール基のうちの１であり、フェニル環は、同一又は異なり得、各々、２乃至２０の炭素原子を有する第４Ａ族基である基により、３’及び５’位で置換され、
メタロセンは所望によりフェニル及び／又はインデニル環の残存位で置換され、Ｒ３が水素原子、メチル又はエチル基である場合、両フェニル環は同一又は異なり得るブチル基により３’及び５’位で置換される条件を有する、該メタロセン。
【請求項２】
請求項１の化合物は下記の構造式で示され、
【化１】
2004502699.tif 000001
式中、Ｍ１はチタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン及びタングステンから選択され、
Ｒ１及びＲ２は同一又は異なり、各々、水素原子、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ６−Ｃ１０アリール基、Ｃ６−Ｃ１０アリールオキシ基、Ｃ２−Ｃｌ０アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４０アルケニル基、Ｃ７−Ｃ４０アリールアルキル基、Ｃ７−Ｃ４０アルキルアリール基、Ｃ８−Ｃ４０アリールアルケニル基、ＯＨ基又はハロゲン原子、又は所望により、１以上のヒドロカルビル、トリ（ヒドロカルビル）シリル基又はトリ（ヒドロカルビル）シリルヒドロカルビル基で置換される共役ジエンであって、前記ジエンは水素を数えない３０までの原子を有し、
Ｒ３は同一又は異なり、各々、ハロゲン原子、ハロゲン化され得るＣ３−Ｃ１０アルキル基、ハロゲン化され得るＣ６−Ｃ１０のアリール基、Ｃ２−Ｃ１０アルケニル基、Ｃ７−Ｃ４０アリールアルキル基、Ｃ７−Ｃ４０アルキルアリール基、Ｃ８−Ｃ４０アリールアルケニル基、−ＮＲ’２、−ＳＲ’、−ＯＲ’、−ＯＳｉＲ’３又は−ＰＲ’２基であり、ここでＲ’は、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃｌ０アルキル基、又はＣ６−Ｃ１０アリール基のうちの１であり、
Ｒ４乃至Ｒ７は同一か異なり、各々、水素原子であり、Ｒ３に対して定義されるものと同様であり、又は２以上の隣接基（Ｒ５乃至Ｒ７）であって、それらに結合するインデニル基の原子と共に１以上の環を形成する基であり、
Ｒ１３は、
【化２】
2004502699.tif 000002
−Ｂ（Ｒ１４）−、−Ａｌ（Ｒ１４）−、−Ｇｅ−、−Ｓｎ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２―、―Ｎ（Ｒ１４）−、−ＣＯ−、−Ｐ（Ｒ１４）−、
又は
−Ｐ（Ｏ）（Ｒ１４）−、又はアミドボラン基であり、
式中、
Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１６は同一又は異なり、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ２０アルキル基、Ｃ１−Ｃ２０フルオロアルキル又はシラアルキル基、Ｃ６−Ｃ３０アリール基、Ｃ６−Ｃ３０フルオロアリール基、Ｃ１−Ｃ２０アルコキシ基、Ｃ２−Ｃ２０アルケニル基、Ｃ７−Ｃ４０アリールアルキル基、Ｃ８−Ｃ４０アリールアルケニル基、Ｃ７−Ｃ４０アルキルアリール基、又は１のＲ１４又は１のＲ１５であって、それらに結合するＣ１３にある原子と共に１以上の環を形成する基であって、
Ｍ２は１以上の炭素、珪素、ゲルマニウム又は錫であり、
Ｒ８、Ｒ１０及びＲ１２は同一又は異なり、Ｒ４乃至Ｒ７に記載された意味を有し、
Ｒ９及びＲ１１は同一又は異なり、各々、２乃至２０の炭素を有する第４Ａ族基である、該化合物。
【請求項３】
Ｒ９及びＲ１１は、独立してブチル基、アリール基、イソプロピル基、又はフルオロアルキル基である、請求項２に記載の化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月14日(2008.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インデニル類の１位間の架橋が下記の構造式の基である架橋ビス（インデニル）メタロセン化合物であって、
【化１】
2004502698.tif 000001
式中、Ｒ１７乃至Ｒ２４は、同一又は異なり得、各々、水素原子、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ６−Ｃ１０のアリール基、Ｃ６−Ｃ１０のアリールオキシ基、Ｃ２−Ｃ１０アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ７−Ｃ４０アリールアルキル基、Ｃ７−Ｃ４０アルキルアリール基、Ｃ８−Ｃ４０アリールアルケニル基、ＯＨ基又はハロゲン原子であり、又は２以上の隣接基（Ｒ１７乃至Ｒ２４、Ｒ２０及びＲ２１を含む）であって、フェニル基と仲立ちをする原子と共にフェニル基と融合した１以上の環を形成する基であり、
Ｍ２は炭素、珪素、ゲルマニウム又は錫であり、
及びインデニル環の残存位に任意に置換される、該化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月19日(2008.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  経口投与に適した組成物であって、粘膜表面でのカンジダ  アルビカンスのコロニー形成および／または感染により引き起こされる状態の予防または治療処置のための、不活化されたカンジダアルビカンスを含む組成物。
【請求項２】  経口投与に適した組成物であって、カンジダアルビカンスコロニー形成および／または感染により引き起こされる状態の予防または治療処置のための、カンジダアルビカンスの出芽球菌形態を含む組成物。
【請求項３】  前記状態が、カンジダアルビカンスによる口内、鼻咽頭、又は呼吸器管コロニー形成又は感染から選ばれる、請求項１による組成物。
【請求項４】  ワクチン形態である、請求項３の組成物。
【請求項５】  カンジダアルビカンス全体を含む、請求項４の組成物。
【請求項６】  不活化カンジダアルビカンスを含む、請求項５の組成物。
【請求項７】  薬剤学的に許容できる溶剤、添加剤、アジュバント、または担体をさらに含む、請求項６の組成物。
【請求項８】  前記アジュバントは、Ｔｈ１応答を誘導するために選択される、請求項７による組成物。
【請求項９】  カンジダアルビカンスコロニー形成および／または感染により引き起こされる状態の予防または治療処置のための、請求項１に記載の組成物を含む医薬であって、該組成物がそのような治療を必要とする対象者に投与される、医薬。
【請求項１０】  前記状態は粘膜炎である、請求項９に記載の医薬。
【請求項１１】  前記状態は、再発性／持続性の口内炎、再発性の外陰部膣カンジダ症、食道炎、および、下部尿路または腸管コロニー形成からなる群より選択される、請求項９に記載の医薬。
【請求項１２】  さらにアジュバントを含む、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の医薬であって、該アジュバントが対象者に投与される、医薬。
【請求項１３】  前記アジュバントは、Ｔｈ１応答を誘導するように選択される、請求項１２に記載の医薬。
【請求項１４】  ワクチンとしてまたはワクチン成分として効果的なカンジダ分離株および／またはカンジダ抗原を同定する方法であって、マウスモデルにおけるＩＦＮ−γ、ＮＯ、ＩＬ−１２および／またはＩＬ−４の測定を含む方法。
【請求項１５】  前記測定が唾液試料へなされる、請求項１４による方法。
【請求項１６】  前記測定が血液試料へなされる、請求項１４による方法。
【請求項１７】  前記測定が組織試料へなされる、請求項１４による方法。
【請求項１８】  前記組織試料はリンパ組織から得られたものである、請求項１７による方法。
【請求項１９】  ＩＦＮ−γ、ＮＯ、ＩＬ−１２および／またはＩＬ−４の測定は、ＩＦＮ−γ、ＮＯ、ＩＬ−１２および／またはＩＬ−４を発現する細胞の割合を決定することからなる、請求項１４〜１８のいずれか一項による方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月3日(2007.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  個別投与または単一組成物としての投与のための有効量の生物学的活性ビタミンD化合物および有効量のインターロイキン-10を含み、組み合わせ用量が重篤な高カルシウム血症を引き起こさない、炎症性腸疾患の症状の治療および予防のための薬学的組み合わせ。
【請求項２】  生物学的活性ビタミンD化合物が、ビタミンD、1α,25-(OH)2-16-エン-D3、1α,25-(OH)2-24-オキソ-16-エン-D3、1α,24R(OH)2-D3、1α,25(OH)2-22-オキサ-D3、20-エピ-22-オキサ-24a,24b,-ジホモ-1α,25(OH)2-D3、20-エピ-22-オキサ-24a,26a,27a,-トリホモ-1a,25(OH)2-D3、20-エピ-22-オキサ-24ホモ-1α,25(OH)2-D3、および1,25-(OH)2-16,23E-ジエン-26-トリフルオロ-19-ノル-D3からなる群より選択される、請求項1記載の組み合わせ。
【請求項３】  生物学的活性ビタミンD化合物が以下の式によって表される類似体より選択される、請求項1記載の組み合わせ：
2004502638.tif 000001
式中、X1およびX2はそれぞれ水素およびアシルからなる群より選択される；
Y1およびY2はHでもよく、または一方がO-アリールもしくはO-アルキルであって他方が水素であり、β配置もしくはα配置をとってもよい：Z1およびZ2はいずれもHである、またはZ1およびZ2はまとめてCH2である；ならびに
Rはアルキル基、ヒドロキシアルキル基もしくはフルオロアルキル基である、またはRは以下の側鎖であってもよい：
2004502638.tif 000002
式中、（a）はS配置またはR配置をとることができ、R1は水素、ヒドロキシまたはO-アシルであり、R2およびR3はそれぞれアルキル基、ヒドロキシアルキル基およびフルオロアルキル基からなる群より選択される、またはまとめると--(CH2)m--基であり、式中、mは2〜5の値を有する整数であり、R4は水素、ヒドロキシ、フッ素、O-アシル、アルキル、ヒドロキシアルキルおよびフルオロアルキルからなる群より選択され、R5は水素、ヒドロキシ、フッ素、アルキル、ヒドロキシアルキルおよびフルオロアルキルからなる群より選択される、またはR4およびR5はまとめて二重結合性の酸素であり、R6およびR7はまとめて炭素-炭素二重結合を形成し、R8はHまたはCH3であってよく、nは1〜5の値をとる整数であり、側鎖の20位、22位または23位のいずれか1つの炭素をO、SまたはN原子によって置換してもよい。
【請求項４】  炎症性腸疾患の症状の治療および予防のための医薬の製造における、有効量の生物学的活性ビタミンD化合物および有効量のインターロイキン-10の使用であって、医薬が重篤な高カルシウム血症を引き起こさない、使用。
【請求項５】  医薬が高カルシウム血症の症状を引き起こさない、請求項4記載の使用。