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【手続補正書】
【提出日】平成20年2月25日(2008.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の層に部分的に包埋された単層のビーズと、
前記ビーズと誘電性ミラーとが協働して光を再帰反射するように前記単層のビーズに近接して配置される前記誘電性ミラーと、を具備する露出レンズ再帰反射性アップリケであって、
前記アップリケが最初の反射率を示し、５０回の家庭での洗濯サイクルを施した場合、２番目の反射率を示し、前記２番目の反射率が前記最初の反射率の少なくとも７５％である、アップリケにして、
前記誘電性ミラーが、相対的に高屈折率の材料の少なくとも１つの層と、相対的に低屈折率の材料の少なくとも１つの層とを含み、
前記相対的に高屈折率の材料が硫化亜鉛を含み、前記相対的に低屈折率の材料が、フッ化カルシウムと二酸化ケイ素とからなる群から選択される材料を含む、アップリケ。
【請求項２】  第１の層に部分的に包埋された単層のビーズと、
前記ビーズと誘電性ミラーとが協働して光を再帰反射するように前記単層のビーズに近接して配置される前記誘電性ミラーと、を具備する露出レンズ再帰反射性アップリケであって、
前記アップリケが最初の反射率を示し、２５回の家庭での洗濯サイクルを施した場合、２番目の反射率を示し、また前記２番目の反射率が前記最初の反射率の少なくとも９０％である、アップリケにして、
前記誘電性ミラーが、相対的に高屈折率の材料の少なくとも１つの層と、相対的に低屈折率の材料の少なくとも１つの層とを含み、
前記相対的に高屈折率の材料が硫化亜鉛を含み、前記相対的に低屈折率の材料が、フッ化カルシウムと二酸化ケイ素とからなる群から選択される材料を含む、アップリケ。
【請求項３】  家庭での各洗濯サイクルが、
約４３℃の最初の水温を用いて、また約３０グラムの標準洗剤を用いて、さらに、試験されるサンプルの乾燥重量にバラストタオルの乾燥重量を加えた重量が約４ポンドになるように十分な量の前記バラストタオルを用いて、「Ｒｅｇｕｌａｒ」生地、「Ｌａｒｇｅ」容量、および洗い／濯ぎ温度の「Ｈｏｔ／Ｃｏｌｄ」の設定を有するＭａｙｔａｇＴＭ  Ｍｏｄｅｌ  ＬＳ７８０４全自動洗濯機または等価物における洗い／濯ぎサイクルを含み、
約５番目毎の家庭洗濯サイクルが乾燥サイクルも含み、前記乾燥サイクルでは、６０℃の設定温度および「Ｒｅｇｕｌａｒ」生地を用いて、試験を受ける前記サンプルが前記バラストタオルと共にＭａｙｔａｇＴＭ  Ｍｏｄｅｌ  ＬＳ７８０４乾燥機または等価物で回転乾燥され、次に、熱を切って前記乾燥機で５〜１０分の冷却時間回転される、請求項１又は２に記載のアップリケ。
【請求項４】  前記第１の層が、プラスチゾルインクを含むビーズ結合材料である、請求項１又は２に記載のアップリケ。
【請求項５】  画像を支持する転写グラフィックである、請求項１又は２に記載のアップリケ。
【請求項６】  前記誘電性ミラーが、本質的に、前記相対的に高屈折率の材料の１つの層と、前記相対的に低屈折率の材料の１つの層とからなる、請求項１又は２に記載のアップリケ。
【請求項７】  前記相対的に高屈折率の材料の少なくとも１つの層が、本質的に、硫化亜鉛からなる、請求項１又は２に記載のアップリケ。
【請求項８】  前記相対的に低屈折率の材料の少なくとも１つの層が、本質的に、フッ化カルシウム及び二酸化ケイ素からなる群から選択される材料からなる、請求項１又は２に記載のアップリケ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月14日(2008.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  周期律表のＶＩ族および／またはＶIII族の少なくとも１つの水素添加金属成分および有機添加物を含む触媒組成物の硫化法において、触媒組成物を、最初に有機液体と、水素が実質的に存在しない状態で接触させ、次いで、その触媒を気相において水素、および硫黄含有化合物と接触させ、ここで、硫化された触媒中に存在する硫黄の４０％未満が有機液体によって添加されるところの方法。
【請求項２】  気相において適用される硫黄含有化合物がＨ２Ｓである、請求項１記載の方法。
【請求項３】 有機液体が、１５０〜５００℃の沸点範囲を有するガソリン、ホワイトスピリット、ディーゼル油、ガス油、鉱物潤滑油またはホワイトオイルまたは他の炭化水素である、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】  触媒と水素および硫黄含有化合物との気相における接触が、１５０〜５００℃の最終温度で１工程で行われる、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】  触媒と水素および硫黄含有化合物との気相における接触が２工程で行われ、第一工程が、第二工程の最終温度よりも低い最終温度で行われる、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】  第一工程が１００〜２５０℃の最終温度で行われ、第二工程が１５０〜５００℃の最終温度で行われる、請求項５記載の方法。
【請求項７】  有機添加物が、１分子につき少なくとも２個のヒドロキシル基および２〜１０個の炭素原子を含む化合物の群、およびこれらの化合物の（ポリ）エーテルから選択される、請求項１〜６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】  有機添加物が、少なくとも２個の窒素原子および少なくとも２個のカルボニル部分を含む有機化合物である、請求項１〜６のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】  有機液体との接触および水素および硫黄含有化合物との接触がエクスシチューで行われる、請求項１〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】  エクスシチューで硫化された触媒が、水素および硫黄含有化合物による処理の後に不動態化される、請求項９記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
高い活性を有する硫化された触媒が、周期律表のＶＩ族および／またはＶIII族の少なくとも１つの水素添加金属成分および有機添加物を含む触媒組成物を最初に有機液体と、水素が実質的に存在しない状態で接触させ、次いでその触媒を気相において水素、および硫黄含有化合物と接触させる気相硫化法、ここで、硫化された触媒中に存在する硫黄の４０％未満が有機液体によって添加される、によって得られ得ることが今見出された。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月7日(2008.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  試料採取ピペットであって、本体（２）と、本体に固定されたコーンを突き出すよう本体に対して長手方向（１０）に動くことができるアーム（２０）と、アームの運動を制御するボタン（１４）とを有し、ピペットは、ボタン（１４）を長手方向（１０）に対して垂直な平面内で、この平面内における連続した位置範囲中の任意の特定の１つの位置を占めることができ、前記任意特定の位置でアームの運動を制限できるようにすることによって、動かすことができるよう構成されている試料採取ピペットにおいて、ボタン（１４）は、本体（２）に対し、長手方向（１０）に垂直な軸線（３６）の回りに回転できるよう取り付けられていることを特徴とするピペット。
【請求項２】  ボタン（１４）は、本体（２）に対し、前記平面内で回転することができるように取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載のピペット。
【請求項３】  ボタン（１４）は、前記平面内でのボタンの運動中、アーム（２０）に対する摺動支持作用を生じさせるよう構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のピペット。
【請求項４】  ピペットは、本体（２）に対するボタン（１４）の少なくとも１つの所定の位置を前記位置範囲から突き止める手段（４８）を有していることを特徴とする請求項１〜３のうちの何れか１項に記載のピペット。
【請求項５】  ボタン（１４）は、ボタンが前記範囲内の同一位置を占めているとき、アームの運動中、アーム（２０）に対する摺動支持作用を生じさせるよう構成されていることを特徴とする請求項１〜４のうち何れか１項に記載のピペット。
【請求項６】  ピペットは、本体（２）に対し、長手方向（１０）に平行な軸線（２８）の回りに回転できるよう取り付けられた中間部分（１２）を有し、ボタン（１４）は、中間部分（１２）に対し、長手方向（１０）に垂直な軸線（３６）の回りに回転できるよう取り付けられていることを特徴とする請求項１〜５のうちの何れか１項に記載のピペット。
【請求項７】  ボタン（１４）は、中間部分（１２）に直接連結されていることを特徴とする請求項６記載のピペット。
【請求項８】  中間部分（１２）は、アーム（２０）に対し、長手方向（１０）に平行な軸線（２８）の回りに回転できるよう取り付けられていることを特徴とする請求項６又は７に記載のピペット。
【請求項９】  中間部分（１２）は、本体（２）に直接連結されていることを特徴とする請求項６〜８のうちの何れか１項に記載のピペット。
【請求項１０】  ピペットは、本体（２）に対し、長手方向（１０）に平行な軸線（２８）の回りに動くことができる連結部分（１６）を有し、ボタン（１４）は、連結部分に対し、連結部分に設けられた開口部（３９）を通って動くことができることを特徴とする請求項１〜９のうちの何れか１項に記載のピペット。
【請求項１１】  連結部分（１６）は、アーム（２０）に対し、長手方向（１０）に平行な軸線（２８）の回りに回転することができることを特徴とする請求項１０に記載のピペット。
【請求項１２】  連結部分（１６）は、中間部分（１２）に対し、長手方向（１０）に平行な軸線（２８）の回りに回転できることを特徴とする請求項６〜９、１０、１１のうちの何れか１項に記載のピペット。
【請求項１３】  連結部分（１６）は、中間部分（１２）に直接連結されていることを特徴とする請求項１２に記載のピペット。
【請求項１４】  連結部分（１６）は、アーム（２０）に直接連結されていることを特徴とする請求項１０〜１３のうちの何れか１項に記載のピペット。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月11日(2007.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】構成部分の結合方法及び工具
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の他の追加の構成によれば、出発位置（接合工程の前）において、押し退けられるべき材料の容量は、成形ポンチの押し込み体積に対する袋孔の容積よりも幾分大きい。体積過剰分は、セグメントのラジアル方向の移動を作用する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月18日(2007.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  以下の工程：
基板（１）を準備する工程、
犠牲層（４）上に第１マイクロメカニック機能層（５）を備える工程、
第１マイクロメカニック機能層（５）を、該機能層が可動すべきセンサー構造体（６）を有するように構造化する工程、
構造化された第１マイクロメカニック機能層（５）上に第１閉鎖層（８）を備え、かつ構造化する工程、
少なくとも被覆機能を有し、少なくとも部分的に第１マイクロメカニック機能層（５）内に固定されている第１閉鎖層（８）上に第２マイクロメカニック機能層（１０）を備え、かつ構造化する工程、
センサー構造体（６）を可動する工程、および
第２マイクロメカニック機能層（１０）上に第２閉鎖層（１３）を備え、その際第１および第２閉鎖層（８、１３）を第１および第２マイクロメカニック機能層（５、１０）よりかなり薄く形成する工程
を有するマイクロメカニック構造素子の製造方法。
【請求項２】  基板（１）上に犠牲層（４）を備え、かつ
センサー構造体（６）を可動するために犠牲層（４）をエッチングする工程
を有する請求項１記載の方法。
【請求項３】  以下の工程：
第１マイクロメカニック機能層（５）を、該機能層が犠牲層（４）まで達する第１通路（７）を有するように構造化する工程、
第２マイクロメカニック機能層（１０）を、該機能層が第１閉鎖層（８）まで達する第２通路（１１）を有し、該通路が第１閉鎖層（８）の接続領域（１６）により第１通路（７）と接続しているように構造化する工程、
接続領域（１６）を除去するためにエッチング溝として第２通路（１１）を使用して第１閉鎖層（８）をエッチングする工程、および
接続領域（１６）を除去することにより互いに接続した第１および第２通路（７、１１）をエッチング溝として使用して犠牲層（４）をエッチングする工程
を有する請求項１または２記載の方法。
【請求項４】  埋め込みポリシリコン層（３）を、第１および第２マイクロメカニック機能層（５、１０）の下側に備える請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】  第１および／または第２閉鎖層（８、１３）を、合致しない付着により、第１もしくは第２通路（７、１１）が上側の領域のみが閉塞されているように備える請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】  第１および／または第２通路（７、１１）を、上に向かって狭くなる溝または孔として形成する請求項３から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】  第１および／または第２マイクロメカニック機能層（５、１０）を、導電性材料、有利にはポリシリコンから製造する請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】  第１および／または第２閉鎖層（８、１３）を、誘電性材料、有利には二酸化珪素から製造する請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】  第２閉鎖層（１３）上に、有利にはアルミニウムからなる１個以上の導体路層（１５）を備える請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】  第２マイクロメカニック機能層（１０）内に導体路構造を組み込む請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】  基板（１）、
基板上に存在する第１マイクロメカニック機能層（５）内の可動性センサー構造体（６）、
少なくとも部分的に構造化されている第１マイクロメカニック機能層（５）上の第１閉鎖層（８）、
少なくとも被覆機能を有し、少なくとも部分的に第１マイクロメカニック機能層（５）内に固定されている第１閉鎖層（８）上の第２マイクロメカニック機能層（１０）、および
第２マイクロメカニック機能層（１０）上の第２閉鎖層（８）
を有するマイクロメカニック構造素子において、第１および第２閉鎖層（８、１３）が第１および第２マイクロメカニック機能層（５、１０）よりかなり薄いことを特徴とするマイクロメカニック構造素子。
【請求項１２】  可動性センサー構造体（６）が基板（１）上に存在する犠牲層（４）上に存在し、かつ犠牲層（４）を少なくとも部分的に除去することにより可動性になる請求項１１記載のマイクロメカニック構造素子。
【請求項１３】  第１マイクロメカニック機能層（５）が犠牲層（４）の深さまで達する第１通路（７）を有し、第２マイクロメカニック機能層（１０）が第１閉鎖層（８）の深さまで達する第２通路（１１）を有し、かつ第１および第２通路（７、１１）が第１閉鎖層（８）の除去された接続領域（１６）により互いに接続している請求項１２記載のマイクロメカニック構造素子。
【請求項１４】  埋め込みポリシリコン層（３）が可動性センサー構造体（１０）の下側に犠牲層（４）と基板（１）の間に備えられている請求項１１から１３までのいずれか１項記載のマイクロメカニック構造素子。
【請求項１５】  第１および／または第２閉鎖層（８、１３）が、相当する第１もしくは第２通路（７、１１）を閉鎖するための栓（９、９´）を有する請求項１１から１４までのいずれか１項記載のマイクロメカニック構造素子。
【請求項１６】  第１および／または第２通路（７、１１）が上に向かって狭くなっている溝または孔である請求項１３から１５までのいずれか１項記載のマイクロメカニック構造素子。
【請求項１７】  第１および／または第２マイクロメカニック機能層（５、１０）が導電性材料、有利にはポリシリコンから製造されている請求項１１から１６までのいずれか１項記載のマイクロメカニック構造素子。
【請求項１８】  第１および／または第２閉鎖層（８、１３）が誘電性材料、有利には二酸化珪素から製造されている請求項１１から１７までのいずれか１項記載のマイクロメカニック構造素子。
【請求項１９】  第２閉鎖層（１３）上に有利にはアルミニウムからなる１個以上の導体路層（１５）が備えられている請求項１１から１８までのいずれか１項記載のマイクロメカニック構造素子。
【請求項２０】  第２マイクロメカニック機能層（１０）が導体路構造を有する請求項１１から１９までのいずれか１項記載のマイクロメカニック構造素子。
【請求項２１】  第２マイクロメカニック機能層（１０）が膜構造を有する請求項１１から２０までのいずれか１項記載のマイクロメカニック構造素子。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月7日(2008.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  多重表面を有し、表面の少なくとも１つの上において柔らかく絹のような触感を示す開孔ポリマーフィルムウエブであって、
該ポリマーフィルムウエブが、該ポリマーフィルムウエブの表面の少なくとも１つの上で、多数の実質的に三次元表面構造を備え；
該ポリマーフィルムウエブが、該表面の少なくとも２つを互いに流体連通に置く、多数の流体輸送開孔を備え；
該ポリマーフィルムウエブが、３５よりも大きい柔軟性指数を有することを特徴とするポリマーフィルムウエブ。
【請求項２】  前記ポリマーフィルムウエブが、２５パーセントより大きい圧縮性指数を有する請求項１に記載のポリマーフィルムウエブ。
【請求項３】  前記三次元表面構造が、作られたままの状態と比較して実質的に変えられていない請求項１または２に記載のポリマーフィルムウエブ。
【請求項４】  前記ウエブが、さらに上表面と底表面とを有し：
該上表面および底表面が、表面間で表面エネルギー勾配を形成する材料からなる請求項１〜３のいずれか１項に記載のポリマーフィルムウエブ。
【請求項５】  前記ポリマーフィルムが、さらに少なくとも第一の層および第二の層を有する熱可塑性成形フィルムプライを含み：
該第一の層が該第二の層よりも親水性が低く；
該第二の層が永久的に親水性である請求項１〜４のいずれか１項に記載のポリマーフィルムウエブ。
【請求項６】  ３５よりも大きい柔軟性指数を有する開孔ポリマーフィルムウエブを製造する方法であって、：
ａ）少なくとも１つの熱可塑性材料を用意すること；
ｂ）該熱可塑性材料のおのおのを溶融すること；
ｃ）該溶融した熱可塑性材料を押出しダイオリフィスの中を通して、熱可塑性フィルムの個々の層を形成すること；
ｄ）該フィルムの少なくとも１つの表面に、多数の実質的に三次元表面構造を設けること；および
ｅ）該フィルムに多数の流体輸送開孔を設けること；の工程を含む方法。
【請求項７】  ２５パーセントよりも大きい圧縮性指数を有する開孔ポリマーフィルムウエブを製造する方法であって、：
ａ）少なくとも１つの熱可塑性材料を用意すること；
ｂ）該熱可塑性材料のおのおのを溶融すること；
ｃ）該溶融した熱可塑性材料を押出しダイオリフィスの中を通して、熱可塑性フィルムの個々の層を形成すること；
ｄ）該フィルムの少なくとも１つの表面に、多数の実質的に三次元表面構造を設けること；および
ｅ）該フィルムに多数の流体輸送開孔を設けること；の工程を含む方法。
【請求項８】  工程ｅが工程ｄの前に完了する請求項６または７のいずれか１項に記載の開孔ポリマーフィルムウエブの製造方法。
【請求項９】  工程ｄが、真空成形、ハイドロフォーミング、中実ニードルパンチング、中空ニードルパンチング、超音波、及びハイドロソニックからなる群から選択される方法により実行される、請求項６〜８のいずれか１項に記載の開孔ポリマーフィルムウエブの製造方法。
【請求項１０】  工程ｅが、機械的エンボス、引張り破裂、真空成形、中実ニードルパンチング、中空ニードルパンチング、超音波、ハイドロソニック、スリッティング、リングローリング、構造的弾性様フィルム形成、及び焼結とからなる群から選択される方法により実行される、請求項６〜９のいずれか１項に記載の開孔ポリマーフィルムウエブの製造方法。
【請求項１１】  開孔ポリマーフィルムウエブの製造方法であって、
ａ）ポリマーフィルムウエブを用意する工程、
ｂ）ハイドロフォーミング、真空成形、ニードルパンチング、機械的エンボス、フロック加工、超音波、印刷毛、ブラッシングおよびこれらの組合せからなる群から選択される第１の方法を用意する工程、
ｃ）前記第１の方法とは異なる第２の方法であって、ハイドロフォーミング、真空成形、ニードルパンチング、機械的エンボス、超音波、引張り破裂、ハイドロカッティング、ハイドロソニック、スリッティング、リングローリングおよびこれらの組合せからなる群から選択される第２の方法を用意する工程、
ｄ）前記第１の方法により前記ポリマーフィルムウエブに三次元表面構造を形成する工程、および
ｅ）前記第２の方法により、前記ポリマーフィルムに流体輸送開孔を形成する工程
を含む方法。
【請求項１２】  前記第１の方法が、ハイドロフォーミング、真空成形およびそれらの組み合わせから選ばれる方法を含み、前記第２の方法が、ニードルパンチング、機械的エンボス、引張り破裂およびそれらの組み合わせから選ばれる方法を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  前記第２の方法のニードルパンチングが、加熱されたニードルを含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】  前記第２の方法が、引張り破裂を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】  前記ポリマーフィルムウエブが、追加的に不織ウエブサブプライを含むマルチプライ複合構造である請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】  吸収性物品用の開孔トップシートを製造するための方法であって、
ａ）段差、細繊維、不調和、円錐構造、開孔およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる三次元構造が形成されたポリマーフィルムウエブを用意する工程、
ｂ）サブプライを用意する工程、
ｃ）互いに係合し、それにより前記ウエブをエンボスして液体流路を形成するように互いに平行に配置された第１のロールと第２のロールとの一対を備える機械的案ボス装置を用意する工程、
ｄ）流体輸送開孔を有する開孔マルチプライ複合構造を形成するために、前記ポリマーフィルウエブと前記サブプライとを同時に前記機械的エンボス装置に供給する工程
を含む方法。
【請求項１７】  前記機械的エンボス装置が、加熱されている請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】  請求項１６に記載の方法により製造された開孔ポリマーフィルムを備える吸収性物品。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月28日(2008.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ロータリースクリーン印刷用ステンシル（１２）の製造に用いられ、プラスティック・フィラメントの相互に交差するスレッド（１４、１６）からなり、乳剤、特に感光乳剤でコーティング可能であるファブリックにおいて、
前記円筒形ステンシル（１２）のファブリック（１０）を形成する一方向に延びる前記スレッド（１４）と、それに交差する方向に延びる前記スレッド（１６）とが、互いに異なる材料から製造されることを特徴とするファブリック。
【請求項２】  請求項１において、前記円筒形ステンシル（１２）の縦軸（Ａ）方向に使用される、前記ファブリック（１０）のスレッド（１４）のスレッド材料が、ステンシル（１２）の周方向に使用される、スレッド（１６）のスレッド材料に比べて、低い伸縮性および弛緩性を有することを特徴とするファブリック。
【請求項３】  請求項１または２において、周方向に使用される前記スレッド（１６）が、前記ステンシル（１２）の縦軸（Ａ）方向に使用される前記スレッド（１４）に比べて、耐摩耗性の高いスレッド材料からなることを特徴とするファブリック。
【請求項４】  請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記ステンシル（１２）の縦軸（Ａ）方向に延びる前記スレッド（１４）のスレッド材料が、ＰＥＴまたはＰＥＮを含む、またはそれらのどちらかからなることを特徴とするファブリック。
【請求項５】  請求項２または４において、前記ステンシル（１２）の縦軸（Ａ）方向に延びる前記スレッド（１４）のスレッド材料が、伸縮性の低い高粘性出発原料からなるＰＥＴであることを特徴とするファブリック。
【請求項６】  請求項１または３において、周方向に延びる前記スレッド（１６）のスレッド材料が、ポリアミド、特に伸縮性の低いポリアミドを含む、またはそれからなることを特徴とするファブリック。
【請求項７】  請求項１または３において、ＰＥＴｃｏＰＥＴまたはＰＥＴ−ＰＡ形状の、周方向に延びる前記スレッド（１６）のスレッド材料において、ｃｏＰＥＴまたはＰＡが、前記スレッドの表面材料であり、ＰＥＴのコアがオプションで低伸縮性および弛緩性を有することを特徴とするファブリック。
【請求項８】  請求項１ないし７のいずれかにおいて、前記ステンシル（１２）の周方向に延びる前記スレッド（１６）の直径（ｅ）が、前記ステンシルの縦軸（Ａ）方向に延びる前記スレッド（１４）の直径に等しい、またはそれより大きいことを特徴とするファブリック。
【請求項９】  請求項１ないし８のいずれかにおいて、１ｃｍ当り１０〜９０のスレッド、好ましくは４８〜９０のスレッドを有することを特徴とするファブリック。
【請求項１０】  ロータリースクリーン印刷用の、プラスティック・フィラメントの相互に交差するスレッド（１４、１６）を有する請求項１〜９のいずれか一項に記載のファブリックからなる円筒形ステンシルにおいて、
前記円筒形ステンシル（１２）の縦軸（Ａ）方向に延びる前記スレッド（１４）のスレッド材料が、前記ステンシル（１２）の周方向に延びるスレッド（１６）のスレッド材料に比べて、より低い伸縮性および弛緩性を有し、
前記ステンシルの縦軸（Ａ）方向に延びる前記スレッド（１４）のスレッド材料が、オプションで、伸縮性の低い高粘性出発原料からなるＰＥＴであることを特徴とするステンシル。
【請求項１１】  請求項１０において、前記ステンシルの前記周方向に延びる前記スレッド（１６）が、前記ステンシルの縦軸（Ａ）方向に延びる前記スレッド（１４）に比べて、耐摩耗性の高いスレッド材料からなることを特徴とするステンシル。
【請求項１２】  請求項１０または１１において、前記ステンシルの縦軸（Ａ）方向に延びる前記スレッド（１４）のスレッド材料が、ＰＥＴまたはＰＥＮを含む、またはそれらのどちらかからなり、
前記ステンシルの縦軸（Ａ）方向に延びる前記スレッド（１４）のスレッド材料が、オプションで、伸縮性の低い高粘性出発原料からなるＰＥＴであることを特徴とするステンシル。
【請求項１３】  請求項１１において、前記ステンシルの周方向に延びる前記スレッド（１６）のスレッド材料が、ポリアミド、特に伸縮性の低いポリアミド（ＰＡ）を含む、またはそれからなることを特徴とするステンシル。
【請求項１４】  請求項１０において、ＰＥＴｃｏＰＥＴまたはＰＥＴ−ＰＡ形状の、周方向に延びる前記スレッド（１６）のスレッド材料において、ｃｏＰＥＴまたはＰＡが、前記スレッドの表面材料であり、ＰＥＴのコアが、オプションで、低い伸縮性および弛緩性を有することを特徴とするステンシル。
【請求項１５】  請求項１０ないし１４のいずれかにおいて、ステンシル（１２）の周方向に延びる前記スレッド（１６）の直径（ｅ）が、前記ステンシルの縦軸（Ａ）方向に延びる前記スレッド（１４）の直径に等しい、またはそれより大きいことを特徴とするステンシル。
【請求項１６】  請求項１０ないし１５のいずれかにおいて、１ｃｍ当り１０〜９０のスレッド、好ましくは１ｃｍ当り４８〜９０のスレッドを有することを特徴とするステンシル。
【請求項１７】  請求項１０ないし１６のいずれかによるステンシルを使用して、セラミック表面およびガラス表面を処理することを特徴とするステンシルの用途。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
この種のスクリーン・ファブリックは、不織布印刷およびガラス印刷のような、比較的硬質な印刷面に研磨インク系を用いるロータリースクリーン印刷に関して、問題を有している。ロータリースクリーン印刷では、ファブリックは、ファブリックを運ぶシリンダの軸方向だけに引張られる。ファブリックの周方向には、インクを拡散するスキージ（押込み）により比較的大きい負荷が加わる。このスキージは、ファブリックが周方向にほとんど引張られないので、このファブリックのスレッドまたはスレッドのねじれおよび曲げ部分上を広い範囲に渡り同一周方向に移動操作される。溶融スピニング・プロセスで製造されるＰＥＴＰファイバ、いわゆるＰＥＴファイバの形状、またはそれから製造されるファブリックは、その上に施されるコーティング強度が比較的小さく、一方、ポリアミド（ＰＡ）ファブリックは、逆に良好な位置合わせ精度に欠ける。
（先行技術文献）仏国特許出願公開第７４  ３４  ８５６号明細書
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、円筒形ステンシル用のファブリックを形成する一方向に延びるスレッドと、それに交差する方向に延びるスレッドとは、互いに異なる材料から製造される。円筒形ステンシルの縦軸方向に使用される、ファブリックのスレッドのスレッド材料が、そのステンシルの周方向に使用されるスレッドのスレッド材料に比べて、低い伸縮性および弛緩性を有することが望ましいことを立証した。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月28日(2008.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１側の第１表面と第２側の第２表面とを有する基材の上に、流体塗膜を適用する方法において、
前記基材と流体塗布ステーションとの間に長手方向の相対運動を生じさせるステップと、
前記流体塗布ステーションにおいて横方向に配置された流体／ウェブ接触領域に沿って、０°〜１８０°の角度で、前記基材の前記第１表面に流体の流れを導くことにより、流体湿潤線を形成するステップと、
前記基材の前記第２側に存在する電荷に起因する集束した電界から、実質的に前記流体湿潤線とその下流側とにおいて有効な電気力を、前記流体に生成するステップと、
を含む方法。
【請求項２】  電気力を生成する前記ステップは、流体媒体を通して前記電荷を移送して、前記基材の前記第２表面に前記電荷を付着させるステップと、荷電源から前記電荷を移送して、前記荷電源の一部分と前記基材との間の物理的接触を用いて前記基材の前記第２表面に前記電荷を付着させるステップと、前記流体塗布ステーションにおいて前記基材の前記第２表面から僅かに離隔した横方向に延在するコロナ放電源から、流体媒体を通して前記電荷を移送して、前記基材の前記第２表面に電荷を付着させるステップとの、少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記流体塗布ステーションに隣接して、前記基材の前記第２側で前記基材を支持するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記ウェブのアップウェブ部分を前記電荷から遮蔽するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  流体の流れを形成して、前記基材の前記第１表面に前記流体の流れを接線方向へ導くステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記電荷が第１の極性を有する、請求項１に記載の方法において、第２の反対極性の電荷を流体に印加するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】  第１側の第１表面と第２側の第２表面とを有する基材であって、装置に対し長手方向の相対運動を呈する基材の上に、塗布流体を適用する装置において、
前記基材の前記第１表面に塗布流体の流れを分与して、横方向に配置された流体／ウェブ接触領域に沿って流体湿潤線を形成する手段と、
前記基材の前記第２側に沿って横方向に延在するとともに前記基材の前記第１表面の前記流体湿潤線の略反対側に整合配置され、実質的に前記流体湿潤線とその下流側との前記基材上の位置のみにおいて前記基材に荷電する電荷アプリケータと、
を具備する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月14日(2008.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基材へ流体コーティングを被着する方法であって、前記基材が、その第１の面に第１の表面を有し、その第２の面に第２の表面を有し、前記方法が、
前記基材と流体コーティングステーションとを長手方向に相対的に移動させる工程と、
前記コーティングステーションにおいて、横方向に設けられる流体−ウェブ接触領域に沿って前記基材の前記第１の表面上に流体流を０°〜１８０°の角度で導入することによって流体ぬれ線を形成させる工程と、
実質的に前記流体ぬれ線の位置およびその下流にある前記基材の前記第２の面上の位置から出る有効電界から前記流体上へ主要な電気的な力を発生させて前記基材の前記第１の表面に前記流体を引き寄せる工程であって、前記第２の表面に存在する電荷が前記主要な電気的な吸引力を構成しない工程と、
を含む方法。
【請求項２】  前記流体上の主要な電気的な吸引力は、前記基材の前記第２の面上にあり第１の極性の電極電荷を発生させる電極に通電することによって発生され、
前記電極電荷と反対の極性を有する第２の電荷を前記流体流に印加する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  基材上に流体コーティングを被着する方法であって、前記基材が、その第１の面に第１の表面を有し、その第２の面に第２の表面を有し、前記方法が、
前記基材と流体コーティングステーションとを長手方向に相対的に移動させる工程と、
前記コーティングステーションにおいて、横方向に設けられる流体−ウェブ接触領域に沿って前記基材の前記第１の表面上に流体流を０°〜１８０°の角度で導入することによって流体ぬれ線を形成させる工程と、
前記コーティングステーションの近傍で前記コーティング流体を電気的な力に曝露する工程と、
前記コーティングステーションの近傍で前記コーティング流体を音響的な力に曝露する工程と、
を含む方法。
【請求項４】  基材上にコーティング流体を被着する装置であって、前記基材は前記装置に対して相対的に長手方向に移動し、前記基材がその第１の面に第１の表面を有し、その第２の面に第２の表面を有し、前記装置が、
横方向に設けられる流体接触領域に沿って流体ぬれ線を形成させるために前記基材の前記第１の表面上にコーティング流体流を供給する手段と、
前記基材の前記第２の面に横方向に亘って延在し、前記基材の前記第１の表面上の前記流体ぬれ線の略反対位置に位置合わせされた電界印加装置であって、電荷を担持し、実質的に前記流体ぬれ線の位置およびその下流にある前記基材上の位置の有効電界から前記流体上へ主要な電気的な吸引力を発生させて前記基材の前記第１の表面に前記流体を引き寄せる電界印加装置と、を含み、
前記有効電界は、前記基材の第２表面へ移動する電荷よりも前記電界印加装置上の電荷から主に発生する装置。
【請求項５】  基材上にコーティング流体を被着する装置であって、前記基材は前記装置に対して相対的に長手方向に移動し、前記基材がその第１の面に第１の表面を有し、その第２の面に第２の表面を有し、前記装置が、
横方向に設けられる流体接触領域に沿って流体ぬれ線を形成させるために前記基材の前記第１の表面上にコーティング流体流を供給するコーティング流体被着装置と、
前記コーティング流体を前記基材の前記第１の表面に引き寄せるために前記流体ぬれ線の近傍の前記基材上の位置に静電界を印加する電界印加装置と、
前記流体ぬれ線の近傍の前記基材上の位置に音響場を印加する音響場印加装置と、
を含む装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月11日(2008.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
比較触媒Ｃ−１（Ｃａｌｇｏｎ活性炭上のＲｈ）
塩化ロジウム（ＩＩＩ）水和物（２８２ｍｇ，Ｒｈ  １．１７ミリモル）を蒸留水３０ｍＬに溶解させ、次いで、蒸発皿に含まれる、８００ｍ2／ｇを超えるＢＥＴ表面積を有する１２×４０メッシュの活性炭顆粒（Ｃａｌｇｏｎから得られる）２０．０ｇに添加した。さらさらになるまで、混合物を、蒸気浴を用いて加熱し、撹拌を続けた。材料を、長さ１０６ｃｍ×外径２５ｍｍの大きさの石英管に移した。混合物が炉の長さ６１ｃｍの加熱帯域のほぼ中心に位置するように、混合物を含む石英管を３要素電気管炉中に置いた。窒素を流量１００標準立方センチメーター／分で触媒床に連続的に通し、管を周囲温度から３００℃まで２時間にわたって加熱した。温度を約３００℃に２時間保持した。石英管及びその内容物を冷却して周囲温度まで戻した。触媒（触媒Ｃ−１）は、密度が０．５７ｇ／ｍＬで、Ｒｈ含量が０．５９重量％であった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
比較触媒Ｃ−４（炭素上のＳｎ）
塩化錫（ＩＩ）二水和物（２６３ｍｇ，Ｓｎ  １．１７ミリモル）を、蒸留水３０ｍＬ中濃塩酸５ｍＬの溶液中に溶解させた。次いで、得られた溶液を、蒸発皿中に含まれる、８００ｍ2／ｇを超えるＢＥＴ表面積を有する１２×４０メッシュの活性炭顆粒（Ｃａｌｇｏｎから得られる）２０．０ｇに添加した。さらさらになるまで、混合物を蒸気浴を用いて加熱し、撹拌を続けた。次いで、材料を、長さ１０６ｃｍ×外径２５ｍｍの大きさの石英管に移した。混合物が炉の長さ６１ｃｍの加熱帯域のほぼ中心に位置するように、混合物を含む石英管を３要素電気管炉中に置いた。窒素を流量１００標準立方センチメーター／分で触媒床に連続的に通しながら、管を周囲温度から３００℃まで２時間にわたって加熱した。温度を約３００℃に２時間保持した。石英管及びその内容物を冷却して周囲温度に戻した。触媒（触媒Ｃ−４）は密度が０．５７ｇ／ｍＬで、Ｓｎ含量が０．５８重量％であった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
比較カルボニル化例Ｃ−１
比較触媒Ｃ−１を０．５ｇ用いた以外は、カルボニル化例１を繰り返した。結果を表III 及びIVに要約する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月27日(2008.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  空気圧式ブレーキ倍力装置が運転者によって操作するための入力部材（７）と、出力部材（押圧ロッド）（１４）と、可動の壁（２）を支持しリアクションディスク（６）を少なくとも部分的に収容する制御ケーシング（５）を備え、更に空気圧式ブレーキ倍力装置（１）の最大倍力点を検出するための手段（３２）が設けられ、この手段が他のブレーキ倍力機器を操作するために使用可能である、空気圧式ブレーキ倍力装置（１）を備えた車両ブレーキ装置において、
１個の切換え手段またはセンサ手段（３２）が設けられ、この切換え手段またはセンサ手段が、入力の力（Ｆｅ）を示すブレーキ倍力装置（１）の部品、特に入力部材（７）と、倍力（Ｆｖ）を示すブレーキ倍力装置の部品（１４，５）、特に可動の壁（２）またはそれに連結された部品（５）との間の、切換え閾値の上方にある最大近接（ａ，ｚ）を感知することと、この最大近接（ａ，ｚ）の持続時間を検出するための手段が設けられ、それによって最大近接を含む予め定めた時間の経過後初めて、最大倍力点を知らせる信号が発せられることを特徴とする車両ブレーキ装置。
【請求項２】  入力部材（７）（弁ピストン（９））と、可動の壁（２）を支持する制御ケーシングとの間で近接（ａ，ｚ）の感知が行われることを特徴とする請求項１記載のブレーキ装置。
【請求項３】  弁ピストン（９）と制御ケーシング（５）の間の範囲内に隙間（ａ）が設けられ、この隙間がブレーキ倍力装置（１）の倍力の増大につれて縮小可能であることと、完全に閉じた隙間または少なくとも最小化された隙間（ａ）が最大倍力点を感知するために使用されることを特徴とする請求項１または２記載のブレーキ装置。
【請求項４】  空気圧式ブレーキ倍力装置が運転者によって操作するための入力部材（７）と、出力部材（１４）（押圧ロッド）と、可動の壁を支持しリアクションディスク（６）を少なくとも部分的に収容する制御ケーシングを備え、更に空気圧式ブレーキ倍力装置（１）の最大倍力点を検出するための手段（３２）が設けられ、この手段が他のブレーキ倍力機器を操作するために使用可能である、空気圧式ブレーキ倍力装置（１）を備えた車両ブレーキ装置において、
１個の切換え手段またはセンサ手段が設けられ、出力の力（Ｆａ）を示す出力部材と、倍力（Ｆｖ）を示す可動の壁（２）との間の最大近接を感知することにより、前記切換え手段またはセンサ手段が出力要素（押圧ロッド）と可動の壁の間に配置されたリアクション要素の最大変形に基づいて最大倍力を感知することを特徴とする車両ブレーキ装置（図３）。
【請求項５】  空気圧式ブレーキ倍力装置が運転者によって操作するための入力部材と、出力部材（押圧ロッド）と、可動の壁を支持しリアクションディスク（６）を少なくとも部分的に収容する制御ケーシングを備え、更に空気圧式ブレーキ倍力装置（１）の最大倍力点を検出するための手段が設けられ、この手段が他のブレーキ倍力機器を操作するために使用可能である、空気圧式ブレーキ倍力装置を備えた車両ブレーキ装置において、１個の切換え手段またはセンサ手段が設けられ、出力の力（Ｆａ）を示す出力部材と、入力の力（Ｆｅ）を示す入力部材の間の最大近接を感知することにより、前記切換え手段またはセンサ手段が出力要素と入力要素の間に間接的に配置されたリアクション要素の最大変形に基づいて最大倍力（Ｆｖ）を感知することを特徴とする車両ブレーキ装置。
【請求項６】  スイッチまたはセンサの操作要素が制御ケーシングまたは弁ピストンまたはリアクション要素に一体化されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載のブレーキ装置。
【請求項７】  電気的な制御ユニットが設けられ、スイッチまたはセンサの電気信号が液密のケーシング接続部を経て制御ユニットに供給されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載のブレーキ装置。
【請求項８】  最大倍力点を検出するための制御ユニットが、他の電気式制御ユニット、特にＡＢＳ制御システムのケーシングまたは電磁操作可能なブレーキ倍力装置の制御ユニットのケーシングに一体化されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載のブレーキ装置。
【請求項９】  最大倍力点を感知するためのマイクロスイッチが設けられていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載のブレーキ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月1日(2008.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】    半導体デバイス用パッケージの製造プロセスであって、
各々が半導体デバイス（７０）を含むようなチップを複数有し且つ第1主面及び第2主面を備えた半導体ウェーハを提供するステップであって、前記半導体デバイスのそれぞれが前記第1主面に配置された少なくとも１つの第1端子（７２、７４）及び前記第2主面に配置された少なくとも１つの第2端子を有する、半導体ウェーハ提供ステップと、
前記ウェーハの前記第1主面に第1支持基板（７８）を着脱自在に取付けるステップと、
前記ウェーハを前記第2主面からシンニングするステップと、
前記ウェーハの前記第2主面に前記第2支持基板（８４）を取付けるステップと、
前記第1支持基板を除去するステップと、
前記ウェーハの前記第1主面の上に、前記チップの各々の上に少なくとも１つの孔が配置されるように複数の孔（９４）を備えたマスク（９２）を形成する形成ステップと、
少なくとも部分的に前記ウェーハを通って延在する通路（９６、１９６）を複数形成するべく前記マスク中の前記孔を通して前記ウェーハをエッチングするエッチングステップと、
前記マスクを除去する除去ステップと、
前記通路の中へ導電性材料（１０２）を被着させる被着ステップと、
前記第1主面上に第1接点（１０６Ｇ，１０６Ｓ）及び第2接点（１０６Ｄ）を形成し、前記導電性材料で前記第１接点が前記第1端子に電気的に接続され、前記第2接点が前記第2端子に電気的に接続されるようにする接点形成ステップと、
前記チップを互いに分離させる分離ステップとを有することを特徴とするプロセス。
【請求項２】    半導体デバイス用パッケージの製造プロセスであって、
各々が半導体デバイス（１５０）を含むようなチップを複数有し且つ第1主面及び第2主面を備えた半導体ウェーハを提供するステップであって、前記半導体デバイスのそれぞれが前記第1主面に配置された少なくとも１つの第1端子（７２、７４）及び前記第2主面に配置された少なくとも１つの第2端子を有する、半導体ウェーハ提供ステップと、
前記ウェーハの前記第1主面に第1支持基板（７８）を着脱自在に取付けるステップと、
前記ウェーハを前記第2主面からシンニングするステップと、
前記ウェーハの前記第2主面の上に、前記チップの各々の上に少なくとも１つの孔が配置されるように複数の孔（１５４）を備えたマスク（１５２）を形成する形成ステップと、
少なくとも部分的に前記ウェーハを通って延在する通路（１５６、２３６）を複数形成するべく前記マスク中の前記孔を通して前記ウェーハをエッチングするエッチングステップと、
前記マスクを除去する除去ステップと、
前記通路の中へ導電性材料（１７０）を被着させる被着ステップと、
前記ウェーハの前記第2主面に前記第2支持基板（１６０）を取付けるステップと、
前記第1支持基板を除去するステップと、
前記第1主面上に第1接点（１７４Ｇ，１７４Ｓ）及び第2接点（１７４Ｄ）を形成し、前記導電性材料で前記第１接点が前記第1端子に電気的に接続され、前記第2接点が前記第2端子に電気的に接続されるようにする接点形成ステップと、
前記チップを互いに分離させる分離ステップとを有することを特徴とするプロセス。
【請求項３】    前記シンニングするステップが前記ウェーハの主面のうちの一方を研削若しくはラッピングするステップを有することを特徴とする請求項１若しくは２に記載のプロセス。
【請求項４】    前記ウェーハの前記シンニングステップが前記ウェーハをエッチングするステップを有することを特徴とする請求項１若しくは２に記載のプロセス。
【請求項５】    前記半導体デバイスがパワーMOSFETであることを特徴とする請求項１若しくは２に記載のプロセス。
【請求項６】    前記半導体デバイスがバイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項１若しくは２に記載のプロセス。
【請求項７】    前記半導体デバイスがJFETであることを特徴とする請求項１若しくは２に記載のプロセス。
【請求項８】    前記半導体デバイスがダイオードであることを特徴とする請求項１若しくは２に記載のプロセス。
【請求項９】    前記半導体デバイスがコンデンサーであることを特徴とする請求項１若しくは２に記載のプロセス。
【請求項１０】    前記半導体デバイスが抵抗器であることを特徴とする請求項１若しくは２に記載のプロセス。
【請求項１１】    前記第1端子がソース領域であり、前記第2接点がドレイン領域であり、
前記半導体デバイスが前記第1主面に隣接したゲートをさらに含み、
前記第1接点がソース接点であり、
前記第1主面上にゲート接点がさらに形成され、前記ゲート接点のそれぞれは、前記ゲートの１つに電気的に接続され、
前記第2接点はドレイン接点であり、
前記ソース接点、前記ゲート接点、及び前記ドレイン接点は互いに電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項５に記載のプロセス。
【請求項１２】    導電性材料の前記被着ステップが金属を被着するステップを有することを特徴とする請求項１１に記載のプロセス。
【請求項１３】    金属の前記被着ステップが電解めっきステップを有することを特徴とする請求項１２に記載のプロセス。
【請求項１４】    前記通路の中への金属の前記被着ステップが前記通路の位置と一致するような孔を備えた第2マスク層の形成ステップを有することを特徴とする請求項１３に記載のプロセス。
【請求項１５】    前記通路の中への金属の前記被着ステップが、前記電気めっきステップの前に前記ウェーハの前記前面に第1金属層をスパッタリングするステップを有することを特徴とする請求項１３に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月10日(2008.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
秘密情報項目を扱う方法であって：
デジタル・コンテンツを処理する装置（１０）において、第一のプロバイダ（１）からのデジタル・コンテンツに関連付けられた第一の秘密情報項目を受領する段階と；
前記装置の第一の耐タンパー性のメモリ（１１３）が、前記第一の秘密情報項目を記憶するために十分なメモリ・スペースを有しているかどうかを判定する段階と；
もし有していれば、前記第一の秘密情報項目を前記第一のメモリ（１１３）に記憶する段階と、
もし有していなければ、
前記第一のメモリ（１１３）に記憶されている第二の秘密情報項目を、耐タンパー性のメモリ・スペース（２１）が付随しているリモート・サーバー（２０）に送信し、
前記リモート・サーバーから、前記第二の秘密情報項目に関連付けられた識別子（InflDuser_i）を受信し、
前記識別子（InflDuser_i）を前記装置の第二のメモリ（１０１）に記憶し、
前記第一の秘密情報を前記装置の前記第一のメモリ（１１３）に記憶する段階とを有する、
方法。
【請求項２】
前記第二の秘密情報を前記リモート・サーバーに送信する前に、該第二の秘密情報を暗号化する段階をさらに有する、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第一および第二の秘密情報が、コンテンツ復号鍵および購入証明のうちの一つを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法であって、さらに：
デジタル・コンテンツを処理する前記装置（１０）において、デジタル・コンテンツに関連付けられた秘密情報項目が前記第一のメモリ（１１３）に記憶されているかどうかを判定する段階と、
前記秘密情報項目が前記第一のメモリ（１１３）内に見出されないときに前記第二のメモリから前記秘密情報項目に関連付けられた識別子（InflDuser_i）を取得し、該識別子を使って前記リモート・サーバーから前記秘密情報項目を取得する段階と、
前記秘密情報項目が前記第一のメモリ（１１３）内に見出されるときに前記第一のメモリから前記秘密情報項目を取得する段階と、
前記デジタル・コンテンツを取得された前記秘密情報項目を使って処理する段階とを有する、
方法。
【請求項５】
秘密情報項目を扱う方法であって：
デジタル・コンテンツを処理する装置（１０）からリモートなサーバー（２０）において、第一のプロバイダ（１）からのデジタル・コンテンツに関連付けられた秘密情報項目を受領する段階と；
前記秘密情報項目に関連付けられた識別子（InflDuser_i）を生成し、該識別子を前記第一のプロバイダに送る段階と；
前記サーバー（２０）に付随する耐タンパー性のメモリ・スペース（２１）に前記秘密情報項目を記憶する段階と；
前記サーバーが前記秘密情報項目に関連付けられた前記識別子を前記装置から受領すると、前記秘密情報項目を前記装置（１０）に送る段階とを有する、
方法。