【手続補正書】
【提出日】平成19年4月3日(2007.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板と、該コア基板上に配線層と絶縁層とを積層してなる多層配線基板において、
前記コア基板のＸＹ方向の熱膨張係数が２〜２０ｐｐｍの範囲であり、コア基板用のコア材がシリコン、セラミックス、ガラス、ガラス・エポキシ複合材料、メタルから選ばれたコア材であり、
前記コア基板は導電材料により表裏の導通がなされた複数のスル−ホ−ルを備え、
前記コア基板の一方の面にキャパシタを備えることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記キャパシタは、前記スルーホール内の導電材料を上部電極とし、誘電体層を介して前記上部電極と対向するように配設された下部電極とにより構成されていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記キャパシタは、前記スルーホール内の導電材料に接続されて前記コア基板上に設けられた上部電極と、誘電体層を介して前記上部電極と対向するように配設された下部電極とにより構成されていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記キャパシタは、前記スルーホール内の導電材料に接続されるように絶縁層を介して前記コア基板上に設けられた上部電極と、該上部電極の少なくとも一部を覆うように設けられた誘電体層と、該誘電体層の少なくとも一部を覆うように設けられた下部電極とにより構成されていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記キャパシタは、前記スルーホール内の導電材料に接続されて前記コア基板上に設けられた陽極酸化可能な金属からなる上部電極と、前記金属の酸化物からなる誘電体層を介して前記上部電極と対向するように配設された下部電極とにより構成されていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記キャパシタを構成する誘電体層の材料は、酸化シリコン、窒化シリコン、チタン酸バリウム・ストロンチウム、五酸化タンタル、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸ストロンチウム、酸化アルミニウム、ベンゾシクロブテン樹脂、カルド樹脂、ポリイミド樹脂のいずれかから選ばれたものであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記配線層および前記下部電極の材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｗのいずれか１種の金属と、これらの金属の酸化物、窒化物、合金と、前記金属、酸化物、窒化物、合金およびポリシリコンの任意の組み合わせからなる多層膜と、からなる群から選ばれるものであることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項８】
前記コア基板の厚みは５０〜３００μｍの範囲内であり、前記スルーホールの開口径が１０〜３００μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項９】
前記スル−ホ−ルの内壁面に導電性物質拡散防止層を備えていることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１０】
前記導電性物質拡散防止層は窒化チタン薄膜であることを特徴とする請求項９に記載の多層配線基板。
【請求項１１】
前記コア材のスル−ホ−ルの開口径が１０〜３０μｍの範囲内であることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の多層配線基板。
【請求項１２】
コア基板と、該コア基板上に配線層と絶縁層とを積層してなる多層配線基板の製造方法において、
前記コア基板のＸＹ方向の熱膨張係数が２〜２０ｐｐｍの範囲であり、シリコン、セラミックス、ガラス、ガラス・エポキシ複合材料、メタルのいずれかから選ばれたコア材に、複数の微細孔を形成する工程と、
前記微細孔を導電材料により導電性とする工程と、
前記微細孔の穿孔側のコア基板上に、配線層と絶縁層とを積層して多層配線層を形成する工程と、
前記微細孔を設けたコア基板の他方の面を研磨し、前記導電材料により導電性とした前記微細孔を露出させてコア基板の表裏を導通する複数のスル−ホ−ルを形成する工程と、
前記研磨したコア基板面にキャパシタを形成する工程と、
を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項１３】
キャパシタを形成する工程では、コア基板面に誘電体層を形成し、所定の前記スルーホール上の誘電体層を開口して配線層を設けるとともに、誘電体層が開口していないスルーホール内の導電材料を上部電極とし、該スルーホール上の前記誘電体層を介して下部電極を設けてキャパシタとすることを特徴とする請求項１２に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１４】
キャパシタを形成する工程は、キャパシタを形成する位置にあるスルーホール内の導電材料と接続するように上部電極を前記コア基板面に形成する工程と、
前記上部電極を覆うようにコア基板面に誘電体層を形成する工程と、
キャパシタを形成しない位置にあるスルーホール上の誘電体層を開口して配線層を設けるとともに、誘電体層を介して前記上部電極と対向するように下部電極を設ける工程と、を有することを特徴とする請求項１２に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１５】
キャパシタを形成する工程は、コア基板面に絶縁層を形成し、キャパシタを形成する位置にあるスルーホール内の導電材料と接続するように上部電極を前記絶縁層上に形成するとともに、キャパシタを形成しない位置にあるスルーホール内の導電性材料と接続するように配線層を形成する工程と、
前記上部電極の少なくとも一部を覆うように前記絶縁層上に誘電体層を形成し、該誘電体層の少なくとも一部を覆うように下部電極を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項１２に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１６】
キャパシタを形成する工程は、陽極酸化可能な金属からなる上部電極を、前記コア基板面に形成する工程と、
該上部電極の表面を陽極酸化して金属酸化物とすることにより誘電体層を形成する工程と、
該誘電体層上に下部電極を形成する工程と、
キャパシタを形成する位置にあるスルーホール内の導電材料と前記上部電極とを接続するように配線層を形成するとともに、キャパシタを形成しない位置にあるスルーホール上に配線層を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項１２に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１７】
開口径が１０〜３００μｍの範囲となる微細孔形成後、前記微細孔の内壁面に導電性物質拡散防止層を形成することを特徴とする請求項１２乃至請求項１６のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１８】
前記導電性物質拡散防止層の形成方法がＭＯ−ＣＶＤ法であることを特徴とする請求項１７に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１９】
前記微細孔を開口径が１０〜３０μｍの範囲内となるように形成することを特徴とする請求項１７または請求項１８に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項２０】
前記微細孔の形成方法がＩＣＰ−ＲＩＥ法もしくはサンドブラスト法であることを特徴とする請求項１２乃至請求項１９のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項２１】
微細孔を導電材料により導電性とする工程は、微細孔に導電ペーストを充填する方法、あるいは、微細孔にめっきにより導電材料を充填する方法のいずれかであることを特徴とする請求項１２乃至請求項２０のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項２２】
めっきにより導電材料を充填する方法は、微細孔が形成されたコア材面側から真空成膜法により下地導電性薄膜を成膜して、微細孔の内壁面の一部に前記下地導電性薄膜からなるシード層を形成し、該シード層を用いて電解めっきにより微細孔内に金属を析出させて充填するものであることを特徴とする請求項２１に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項２３】
コア基板と、該コア基板上に配線層と絶縁層とを積層してなる多層配線基板の製造方法において、
前記コア基板のＸＹ方向の熱膨張係数が２〜２０ｐｐｍの範囲であり、シリコン、セラミックス、ガラス、ガラス・エポキシ複合材料、メタルのいずれかから選ばれたコア材に、複数のスルーホールを形成する工程と、
前記スルーホールを導電材料により導電性としてコア基板の表裏を導通する工程と、
前記コア基板の一方の面に、配線層と絶縁層とを積層して多層配線層を形成する工程と、
前記コア基板の他方の面にキャパシタを形成する工程と、
を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２４】
キャパシタを形成する工程では、コア基板面に誘電体層を形成し、所定の前記スルーホール上の誘電体層を開口して配線層を設けるとともに、誘電体層が開口していないスルーホール内の導電材料を上部電極とし、該スルーホール上の前記誘電体層を介して下部電極を設けてキャパシタとすることを特徴とする請求項２３に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項２５】
キャパシタを形成する工程は、キャパシタを形成する位置にあるスルーホール内の導電材料と接続するように上部電極を前記コア基板面に形成する工程と、
前記上部電極を覆うようにコア基板面に誘電体層を形成する工程と、
キャパシタを形成しない位置にあるスルーホール上の誘電体層を開口して配線層を設けるとともに、誘電体層を介して前記上部電極と対向するように下部電極を設ける工程と、を有することを特徴とする請求項２３に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項２６】
キャパシタを形成する工程は、コア基板面に絶縁層を形成し、キャパシタを形成する位置にあるスルーホール内の導電材料と接続するように上部電極を前記絶縁層上に形成するとともに、キャパシタを形成しない位置にあるスルーホール内の導電性材料と接続するように配線層を形成する工程と、
前記上部電極の少なくとも一部を覆うように前記絶縁層上に誘電体層を形成し、該誘電体層の少なくとも一部を覆うように下部電極を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項２３に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項２７】
キャパシタを形成する工程は、陽極酸化可能な金属からなる上部電極を、前記コア基板面に形成する工程と、
該上部電極の表面を陽極酸化して金属酸化物とすることにより誘電体層を形成する工程と、
該誘電体層上に下部電極を形成する工程と、
キャパシタを形成する位置にあるスルーホール内の導電材料と前記上部電極とを接続するように配線層を形成するとともに、キャパシタを形成しない位置にあるスルーホール上に配線層を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項２３に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項２８】
スルーホールを導電材料により導電性としてコア基板の表裏を導通する工程は、コア基板の片面から真空成膜法により下地導電性薄膜を成膜して、スルーホールの内壁面の一部に前記下地導電性薄膜からなるシード層を形成する工程と、
前記シード層を給電層とした電解めっきにより、前記シード層からスルーホール内に金属を析出成長させる工程と、を有することを特徴とする請求項２３乃至請求項２７のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項２９】
スルーホール形成後、前記スルーホールの内壁面に導電性物質拡散防止層を形成することを特徴とする請求項２３乃至請求項２８のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３０】
前記導電性物質拡散防止層の形成方法がＭＯ−ＣＶＤ法であることを特徴とする請求項２９に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３１】
前記スルーホールを開口径が１０〜３０μｍの範囲内となるように形成することを特徴とする請求項２９または請求項３０に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３２】
前記スルーホールの形成方法がＩＣＰ−ＲＩＥ法もしくはサンドブラスト法であることを特徴とする請求項２３乃至請求項３１のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。