【手続補正書】
【提出日】令和1年10月8日(2019.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
第１の係数を決定するためにピーク電圧検出器上で電流・電圧スイープを実施することと、
第１の測定電圧を得るために高周波無線周波数（ＲＦ）信号に応答して前記ピーク電圧検出器によって生成されるピーク電圧を測定することと、
前記ピーク電圧検出器上で１つ又は複数のテスト信号を用いて交流（ＡＣ）較正を実施することによって生成される較正データを用いて第２の係数を決定することと、
前記第１の係数と前記第２の係数とを用いて前記第１の測定電圧を調整することによって前記ＲＦ信号の近似電力を計算することと、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
第２の測定電圧を得るために休止入力に応答して前記ピーク電圧検出器によって生成される第２のピーク電圧を測定することと、
２重サンプリングされた測定電圧を生成するために前記第１の測定電圧から前記第２の測定電圧を減算することと、
を更に含み、
前記ＲＦ信号の近似電力を計算するために前記２重サンプリングされた測定電圧が前記第１の測定電圧の代わりに用いられる、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記第２のピーク電圧を測定することが、前記第１の測定電圧が閾値を下回るときにのみ実施される、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記ピーク電圧検出器を表す温度を測定することと、
前記測定された温度を前記第１の係数とともにストアすることと、
を更に含み、
現在の温度が前記ストアされた温度から或る範囲値より大きく異なるときにのみ前記電流・電圧スイープが実施され、そうでないときは、前記温度が前記ストアされた温度の前記範囲値内に留まる限り、前記ストアされた第１の係数を用いる、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、
前記範囲値が１０℃である、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記交流（ＡＣ）較正を実施することが、
既知の周波数と既知の電力レベルとを有するテスト無線周波数（ＲＦ）信号を前記ピーク電圧検出器に提供することと、
結果のピーク電圧を測定することと、
前記ピーク電圧を前記テストＲＦ信号に関連付ける較正係数を計算することと、
前記較正係数を前記ＩＣ上の不揮発性ストレージ位置にストアすることと、
を含む、方法。
【請求項７】
方法であって、
集積回路（ＩＣ）上に複数のダイオードベースのミリ波ピーク電圧検出器（ＰＶＤ）を提供することと、
第１の係数を決定するために前記複数のＰＶＤの第１の選択されたＰＶＤ上で電流・電圧スイープを実施することと、
１つ又は複数の第２の係数のセットを決定するために前記第１の選択されたＰＶＤ上で１つ又は複数のテストポイントを用いて交流（ＡＣ）較正テストを実施することと、
を含み、
前記方法が、各テストポイントに対して、
既知の周波数と既知の電力レベルとを有する無線周波数（ＲＦ）テスト信号を前記第１の選択されたＰＶＤに提供することと、
結果のピーク電圧を測定することと、
前記ピーク電圧を前記ＲＦテスト信号に関連付けるＡＣ較正係数を計算することと、
前記ＡＣ較正係数を前記ＩＣ上の不揮発性メモリ位置にストアすることと、
を含む、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
前記ＲＦテスト信号の既知の周波数が高周波動作周波数より小さく、
前記方法が、
前記ＩＣの動作範囲において高周波数を有するテストＲＦ信号を用いて第２の選択されたＰＶＤ上で少なくとも１つの高周波数較正テストを実施することと、
前記ピーク電圧を前記テストＲＦ信号に関連付ける高周波数較正係数を計算することと、
前記ＡＣ較正係数を前記高周波数の較正係数に関連付ける変換要素（ρ）値を計算することと、
前記ρ値を前記ＩＣ上の別の不揮発性メモリ位置にストアすることと、
を更に含む、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
第１の測定電圧を生成するために高周波無線周波数（ＲＦ）信号に応答して第２の選択されたＰＶＤによって生成されるピーク電圧を測定することと、
前記第１の係数と前記第２の係数と前記ρとを用いて前記第１の測定電圧を調整することによって前記ＲＦ信号の近似電力を計算することと、
を更に含む、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
第２の測定電圧を生成するために休止入力に応答して前記第２の選択されたＰＶＤによって生成される第２のピーク電圧を測定することと、
２重サンプリングされた測定電圧を生成するために前記第１の測定電圧から前記第２の測定電圧を減算することと、
を更に含み、
前記ＲＦ信号の近似電力を計算するために前記２重サンプリングされた測定電圧が前記第１の測定電圧の代わりに用いられる、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、
第２のピーク電圧を測定することが、前記第１の測定電圧が閾値を下回るときのみ実施される、方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の方法であって、
前記第２の選択されたＰＶＤを表す温度を測定することと、
前記測定された温度を前記第１の係数とともにストアすることと、
を更に含み、
現在の温度が前記ストアされた温度から或る範囲値より大きく異なるときにのみ前記電流・電圧スイープが実施され、そうでないときは、前記温度が前記ストアされた温度の前記範囲値内に留まる限り、前記ストアされた第１の係数を用いる、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記範囲値が１０℃である、方法。
【請求項１４】
集積回路（ＩＣ）上のシステムであって、
前記ＩＣの基板上に形成される複数のミリ波ピーク電圧検出器（ＰＶＤ）であって、前記複数のＰＶＤの各々が、ミリ波無線周波数（ＲＦ）信号を受け取るように結合される入力と、測定されたピーク電圧信号を提供するための出力とを有する、前記複数のＰＶＤと、
前記複数のＰＶＤの各々の出力上の前記測定されたピーク電圧信号を読み込むために結合される組み込み自己テスト（ＢＩＳＴ）ネットワークであって、処理モジュールと、不揮発性メモリ部分を有するメモリモジュールとを含む、前記ＢＩＳＴネットワークと、
を含み、
前記処理モジュールが、
第１の係数を決定するために選択されたＰＶＤ上で電流・電圧スイープを実施し、
第１の測定電圧を得るために前記ＲＦ信号に応答して前記選択されたＰＶＤによって生成されるピーク電圧を測定し、
前記選択されたＰＶＤ上で１つ又は複数のテスト信号を用いて交流（ＡＣ）較正テストを実施することによって生成された較正データを用いて第２の係数を決定し、
前記第１の係数と前記第２の係数とを用いて前記第１の測定電圧を調整することによって前記ＲＦ信号の近似電力を計算する、
ように動作可能である、システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のシステムであって、
前記処理モジュールが、
第２の測定電圧を得るために休止入力に応答して前記選択されたＰＶＤによって生成される第２のピーク電圧を測定し、
２重サンプリングされた測定電圧を生成するために前記第１の測定電圧から前記第２の測定電圧を減算する、
ように更に動作可能であり、
前記ＲＦ信号の近似電力を計算するために前記２重サンプリングされた測定電圧が前記第１の測定電圧の代わりに用いられる、システム。
【請求項１６】
請求項１５に記載のシステムであって、
前記第２のピーク電圧を測定することが、前記第１の測定電圧が閾値を下回るときにのみ実施される、システム。
【請求項１７】
請求項１４に記載のシステムであって、
前記処理モジュールが、
前記選択されたＰＶＤを表す温度を測定し、
前記測定された温度を前記第１の係数とともに前記メモリモジュールにストアする、
ように更に動作可能であり、
現在の温度が前記ストアされた温度から或る範囲値より大きく異なるときにのみ前記電流・電圧スイープが実施され、そうでないときは、前記温度が前記ストアされた温度の前記範囲値内に留まる限り、前記ストアされた第１の係数を用いる、システム。
【請求項１８】
請求項１７に記載のシステムであって、
前記範囲値が１０℃である、システム。
【請求項１９】
請求項１４に記載のシステムであって、
前記交流（ＡＣ）較正テストを実施することが、
既知の周波数と既知の電力レベルとを有するテスト無線周波数（ＲＦ）信号を前記選択されたＰＶＤに提供することと、
結果のピーク電圧を測定することと、
前記ピーク電圧を前記テストＲＦ信号に関連付ける較正係数を計算することと、
前記較正係数を前記ＩＣ上の前記メモリモジュールの不揮発性ストレージ部分における或る位置にストアすることと、
を含む、システム。
【請求項２０】
請求項１４に記載のシステムであって、
複数のミリ波モジュールを更に含み、
前記複数のミリ波モジュールの各々が前記複数のＰＶＤの各ＰＶＤの入力に結合される出力を有する、システム。