Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月6日(2007.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
原稿を読取ってカラー画像を得るための複数のラインセンサよりなる第１の画像読取り部と、
前記原稿を読取ってモノクローム画像を得るための少なくとも１以上のラインセンサよりなる第２の画像読取り部と、
前記第１の画像読取り部によって処理され出力された第１の画像信号を処理する第１の画像処理部と、
前記第２の画像読取り部によって処理され出力された第２の画像信号を処理する第２の画像処理部と、
前記第１の画像信号及び前記第２の画像信号の少なくとも一方にしたがい、画像の属性を表す識別信号を出力する像域識別部と、
この像域識別部から出力される前記識別信号に基づいて、前記第１の画像処理部によって処理され出力された第３の画像信号及び前記第２の画像処理部によって処理され出力された第４の画像信号のうちいずれかの一方の信号を選択して出力する信号切替え部と
を具備することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
複数のラインセンサにより原稿を読取ってカラー画像を得るとともに少なくとも１以上のラインセンサにより前記原稿を読取ってモノクローム画像を得て、
前記カラー画像が処理された第１の画像信号を処理するとともに前記モノクローム画像が処理された第２の画像信号を処理し、
前記第１の画像信号及び前記第２の画像信号の少なくとも一方にしたがい、画像の属性を識別し、
この識別に基づいて、前記第１の画像信号が処理された第３の画像信号及び前記第２の画像信号が処理された第４の画像信号のうちいずれか一方の信号を選択して出力し、
この出力された画像信号に基づいて画像を形成することを特徴とする画像形成方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、複数のラインセンサにより原稿を読取ってカラー画像を得るとともに少なくとも１以上のラインセンサにより原稿を読取ってモノクローム画像を得て、カラー画像が処理された第１の画像信号を処理するとともにモノクローム画像が処理された第２の画像信号を処理し、第１の画像信号及び第２の画像信号の少なくとも一方にしたがい、画像の属性を識別し、その識別に基づいて第１の画像信号が処理された第３の画像信号及び第２の画像信号が処理された第４の画像信号のうちいずれか一方の信号を選択して出力し、この出力された画像信号に基づいて画像を形成するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月17日(2006.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  フィルム基板と、
複数の文字あるいは図形の単位毎にその外縁を囲むように前記フィルム基板上に導電材を用いて線状に形成されている広告形象と、
導電材により前記複数の文字あるいは図形の単位の内の任意の数の単位が相互に接続されてアンテナ素子とされていると共に、残る前記複数の文字あるいは図形の単位が無給電素子とされることにより、前記アンテナ素子および前記無給電素子により前記フィルム基板上にアンテナが構成されていることを特徴とする広告掲示板。
【請求項２】  フィルム基板と、
複数の文字あるいは図形の単位毎にその外縁を囲むように前記フィルム基板上に導電材を用いて線状に形成されている広告形象と、
導電材を用いて前記フィルム基板上に線状に形成されている第１のアンテナ素子とを備え、
導電材により前記複数の文字あるいは図形の単位の内の任意の数の単位が相互に接続されて第２のアンテナ素子とされていると共に、残る前記複数の文字あるいは図形の単位が無給電素子とされることにより、前記第１のアンテナ素子、前記無給電素子および前記第２のアンテナ素子とにより前記フィルム基板上にアンテナが構成されていることを特徴とする広告掲示板。
【請求項３】  前記フィルム基板の外周に沿って前記第１のアンテナ素子が形成されており、該第１のアンテナ素子で囲まれる領域に前記広告形象が形成されていることを特徴とする請求項２記載の広告掲示板。
【請求項４】  前記無給電素子を前記第１のアンテナ素子に接続する導電材からなる線状の短絡手段が、前記フィルム基板上に形成されていることを特徴とする請求項２あるいは３記載の広告掲示板。
【請求項５】  前記無給電素子を構成している前記複数の文字あるいは図形の単位が、導電材により相互に接続されていることを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の広告掲示板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の広告掲示板は、フィルム基板と、複数の文字あるいは図形の単位毎にその外縁を囲むように前記フィルム基板上に導電材を用いて線状に形成されている広告形象と、導電材により前記複数の文字あるいは図形の単位の内の任意の数の単位が相互に接続されてアンテナ素子とされていると共に、残る前記複数の文字あるいは図形の単位が無給電素子とされることにより、前記アンテナ素子および前記無給電素子により前記フィルム基板上にアンテナが構成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
次に、上記目的を達成することのできる本発明の他の広告掲示板は、フィルム基板と、複数の文字あるいは図形の単位毎にその外縁を囲むように前記フィルム基板上に導電材を用いて線状に形成されている広告形象と、導電材を用いて前記フィルム基板上に線状に形成されている第１のアンテナ素子とを備え、導電材により前記複数の文字あるいは図形の単位の内の任意の数の単位が相互に接続されて第２のアンテナ素子とされていると共に、残る前記複数の文字あるいは図形の単位が無給電素子とされることにより、前記第１のアンテナ素子、前記無給電素子および前記第２のアンテナ素子とにより前記フィルム基板上にアンテナが構成されている
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、上記本発明の他の広告掲示板において、前記フィルム基板の外周に沿って前記第１のアンテナ素子が形成されており、該第１のアンテナ素子で囲まれる領域に前記広告形象が形成されていてもよい。
さらに、上記本発明の他の広告掲示板において、前記無給電素子を前記第１のアンテナ素子に接続する導電材からなる線状の短絡手段が、前記フィルム基板上に形成されていてもよい。
さらにまた、上記本発明の他の広告掲示板において、前記無給電素子を構成している前記複数の文字あるいは図形の単位が、導電材により相互に接続されていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月6日(2007.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有する第１部材と、該第１部材に対し固定的に配置され、導電性を有する第２部材とを備え、それら第１及び第２部材の間に複数の同軸ケーブルを挟持するとともに、該第１及び第２部材が個々の該同軸ケーブルの外部導体に電気的に接続されてなる同軸ケーブル接地構造において、
前記複数の同軸ケーブルの各々は、前記外部導体を局部的に露出させた露出長部分を有し、
前記第１部材は、第１群の前記同軸ケーブルの前記露出長部分を支持して、それら露出長部分の前記外部導体に接触する第１隆起部を備え、
前記第２部材は、前記第１部材の前記第１隆起部及び該第１隆起部に支持された前記第１群の同軸ケーブルの前記露出長部分を受容する第２開口部を備え、
前記第１部材と前記第２部材とが互いに固定的に連結されて、該第１部材の前記第１隆起部と該第２部材の前記第２開口部との間に、前記第１群の同軸ケーブルの前記露出長部分を、該第１隆起部に沿って曲げた形態で摩擦力によりそれぞれ固定的に保持すること、
を特徴とする同軸ケーブル接地構造。
【請求項２】
前記第１部材は、前記第１群の同軸ケーブルの前記露出長部分を個別に支持する複数の第１隆起部を備え、前記第２部材は、該複数の第１隆起部及び該第１隆起部に個別支持された該第１群の同軸ケーブルの該露出長部分を個別に受容する複数の第２開口部を備える、請求項１に記載の同軸ケーブル接地構造。
【請求項３】
前記第２部材は、前記第２開口部に隣接して設けられ、第２群の前記同軸ケーブルの前記露出長部分を支持して、それら露出長部分の前記外部導体に接触する第２隆起部をさらに備え、前記第１部材は、前記第１隆起部に隣接して設けられ、前記第２部材の前記第２隆起部及び該第２隆起部に支持された前記第２群の同軸ケーブルの前記露出長部分を受容する第１開口部をさらに備え、前記第１部材の前記第１開口部と前記第２部材の前記第２隆起部との間に、前記第２群の同軸ケーブルの前記露出長部分を、該第２隆起部に沿って曲げた形態で摩擦力によりそれぞれ固定的に保持する、請求項１又は２に記載の同軸ケーブル接地構造。
【請求項４】
前記第２部材は、前記第２群の同軸ケーブルの前記露出長部分を個別に支持する複数の第２隆起部を備え、前記第１部材は、該複数の第２隆起部及び該第２隆起部に個別支持された該第２群の同軸ケーブルの該露出長部分を個別に受容する複数の第１開口部を備える、請求項３に記載の同軸ケーブル接地構造。
【請求項５】
導電性を有する第１部材と、該第１部材に対し固定的に配置され、導電性を有する第２部材とを備え、それら第１及び第２部材の間に複数の同軸ケーブルを挟持するとともに、該第１及び第２部材が個々の該同軸ケーブルの外部導体に電気的に接続されてなる同軸ケーブル接地構造において、
前記第１部材は、前記複数の同軸ケーブルを個別に支持する複数の第１隆起部を備え、
前記第２部材は、前記第１部材の前記複数の第１隆起部及びそれら第１隆起部に個別支持された前記複数の同軸ケーブルを個別に受容する複数の第２開口部を備え、
前記第１部材と前記第２部材とを互いに固定的に連結したときに、前記複数の第２開口部の各々の縁部分が、前記第１隆起部と共にそれら第２開口部に個別に受容した前記複数の同軸ケーブルの各々の外被に食い込んで、該同軸ケーブルの前記外部導体に圧力下で接触すること、
を特徴とする同軸ケーブル接地構造。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月11日(2007.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記複数のＰチャンネルトランジスタ領域のうち、少なくとも２つのＰチャンネルトランジスタ領域はチャネル幅が互いに異なっており、前記複数のＮチャンネルトランジスタ領域のうち、少なくとも２つのＮチャンネルトランジスタ領域はチャネル幅が互いに異なっていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月2日(2007.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第一層間絶縁膜と、
前記第一層間絶縁膜上に形成された複数の第一配線と、
前記複数の第一配線及び前記第一層間絶縁膜の上を覆うように形成された第二層間絶縁膜と、
前記第二層間絶縁膜上に形成された第二配線とを有し、
前記複数の第一配線それぞれは、複数の第一プラグそれぞれの一方と接続され、
前記複数の第一プラグそれぞれは前記第一層間絶縁膜内に形成され、
前記複数の第一プラグそれぞれの他方が前記半導体基板と接続され、
第二プラグの一方が前記半導体基板に接続され、
前記第二プラグは前記第一層間絶縁膜内に形成され、
前記第二プラグの他方は第三プラグの一方に接続され、
前記第三プラグは前記第二層間絶縁膜内に形成され、
前記第三プラグの他方は前記第二配線に接続され、
前記第三プラグは前記複数の第一配線の間に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第一層間絶縁膜上であり、前記第二層間絶縁膜に覆われるように形成された第三配線と、
前記第二層間絶縁膜上に第四配線とをさらに有し、
第四プラグの一方が前記第三配線に接続され、
前記第四プラグは前記第二層間絶縁膜内に形成され、
前記第四プラグの他方が前記第四配線に接続されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第二プラグの径は前記第三プラグの径よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記複数の第一配線それぞれの上面及び前記第三配線の上面に、前記第二層間絶縁膜よりもエッチング選択比が高い絶縁層がそれぞれ設けられ、
前記第四プラグにより前記第三配線の上面の前記絶縁層が貫かれていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第二配線はアルミ銅を有し、
前記第一プラグ、前記第二プラグ及び前記第三プラグそれぞれはタングステンを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第二配線は、前記アルミ銅の上層及び下層に窒化チタンを含有する第一バリアメタル膜を有し、
前記第一プラグ、前記第二プラグ及び前記第三プラグそれぞれは、前記タングステンの側面及び底面を覆うように形成された窒化チタンを含有する第二バリアメタル膜をそれぞれ有することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記絶縁層はシリコンと酸素とを含有し、前記シリコンと前記酸素の含有比が前記シリコンが１に対して前記酸素が２未満とされていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項８】
半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板上に第一層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第一層間絶縁膜に前記半導体基板に達するような複数の第一コンタクトホールと第二コンタクトホールとを形成する工程と、
前記複数の第一コンタクトホール内及び前記第二コンタクトホール内に第一導電膜を埋め込んで、前記複数の第一コンタクトホール内それぞれに第一プラグを形成し、前記第二コンタクトホール内に第二プラグを形成する工程と、
前記第一層間絶縁膜上に、複数の第一配線と、前記複数の第一配線上に作られる第二層間絶縁膜とを有する第一層を形成して、複数の前記第一プラグそれぞれの上部と前記複数の第一配線それぞれの底部が接続されるようにされる工程と、
前記第二層間絶縁膜内に前記第二プラグの上面に達するような第三コンタクトホールを形成する工程と、
前記第三コンタクトホール内に第二導電膜を埋め込んで、前記第三コンタクトホール内に第三プラグを形成する工程と、
第三導電膜を前記第二層間絶縁膜上に形成する工程と、
前記第三導電膜をエッチングして第二配線を形成することにより、前記第三プラグの上部と前記第二配線の底部が接続されるようにされる工程とを有し、
複数の前記第一配線の間に前記第三プラグが設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第一層を形成する工程において、前記第一層間絶縁膜上に配置され上面が前期第二層間絶縁膜に覆われるような第三配線を形成し、
前記第三コンタクトホールを形成する工程において、前記第二層間絶縁膜内に前記第三配線の上面に達するような第四コンタクトホールが形成され、
前記第三プラグが形成される工程において、前記第四コンタクトホール内に前記第二導電膜が埋め込まれて、前記第四コンタクトホール内に第四プラグが形成され、
前記第二配線を形成する工程において、前記第三導電膜がエッチングされることにより、前記第四プラグの上部と底部が接続された第四配線が形成されることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第二プラグの径は前記第三プラグの径よりも小さいことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第二層内には、前記第二層間絶縁膜よりもエッチング選択比が高い複数の絶縁層が、前記複数の第一配線上および前記第三配線上と前記第二層間絶縁膜との間に形成されるように形成されており、
前記第四コンタクトホールが形成される工程において、前記第三配線の上面の前記絶縁層が前記第四コンタクトホールに貫かれることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第一導電膜及び前記第二導電膜はタングステンであり、
前記第三導電膜はアルミ銅であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第二配線は、前記アルミ銅の上層及び下層に窒化チタンを含有する第一バリアメタル膜を有し、
前記第一プラグ、前記第二プラグ及び前記第三プラグは、前記タングステンの側面及び底面を覆うように形成された窒化チタンを含有する第二バリアメタル膜を有することを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁層はシリコンと酸素とを含有し、前記シリコンと前記酸素の含有比が前記シリコンが１に対して前記酸素が２未満とされていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月2日(2007.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極部材と、
一方の電極部材の先端に設けられたチップ実装部上に接合されると共に、双方の電極部材に対して電気的に接続されたＬＥＤチップと、このＬＥＤチップを包囲するように形成された波長変換材料を混入した透明樹脂部と、を含んでいるＬＥＤであって、
上記ＬＥＤチップが、透明樹脂部内で一側に偏って配置されており、
上記透明樹脂部に混入された波長変換材料が、透明樹脂部内にてＬＥＤチップの周辺領域でより高い濃度であることを特徴とする、ＬＥＤ。
【請求項２】
上記一対の電極部材が、互いに並行に延びる二本のリードフレームであって、  さらに、ＬＥＤチップ及び透明樹脂部を包囲する透明樹脂から成るレンズ部を備えていることを特徴とする、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項３】
上記一対の電極部材が、チップ基板上に形成され、チップ基板裏面まで回り込んで表面実装用端子を画成する導電パターンから構成されていることを特徴とする、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項４】
上記透明樹脂部が、チップ基板上に形成された枠状部材のチップ実装部を露出させるように上方に拡った凹陥部内に充填されていることを特徴とする、請求項３に記載のＬＥＤ。
【請求項５】
一対の電極部材のうち、一方の電極部材の先端に設けられたチップ実装部上にＬＥＤチップを接合すると共に、このＬＥＤチップを双方の電極部材に対して電気的に接続する第一の段階と、
このＬＥＤチップを包囲するように波長変換材料を混入した透明樹脂部を形成する第二の段階と、を含んでいるＬＥＤの製造方法であって、
上記ＬＥＤチップが、透明樹脂部内で一側に偏って配置されており、
上記第二の段階にて、透明樹脂部を硬化させる際に、透明樹脂部内でＬＥＤチップが下方に位置するように保持することを特徴とする、ＬＥＤの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月30日(2007.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の開口をそれぞれ有する上電極、中電極および下電極を順に配置してなる荷電粒子線レンズアレイにおいて、
前記上電極と前記中電極の間及び前記中電極と前記下電極の間の少なくとも一方に配置された絶縁体を有し、
前記絶縁体の表面が凹凸形状または波型形状をしていることを特徴とする荷電粒子線レンズアレイ。
【請求項２】
前記中電極が、前記開口の列ごとに電気的に独立であることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線レンズアレイ。
【請求項３】
前記凹凸形状または前記波型形状のアスペクト比が２以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子線レンズアレイ。
【請求項４】
前記上電極および前記下電極の少なくともいずれかの電極が前記開口の列ごとにシールド電極を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の荷電粒子線レンズアレイ。
【請求項５】
前記シールド電極が円筒形状をしていることを特徴とする請求項４に記載の荷電粒子線レンズアレイ。
【請求項６】
前記シールド電極が前記上電極および前記下電極の少なくともいずれかの電極と電気的に導通していることを特徴とする請求項４または５に記載の荷電粒子線レンズアレイ。
【請求項７】
前記上電極及び前記下電極の少なくともいずれかの電極が、ＳＯＩ基板からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の荷電粒子線レンズアレイ。
【請求項８】
荷電粒子線を放射する荷電粒子源と、
前記荷電粒子源の中間像を複数形成する請求項１〜７のいずれか一項に記載の荷電粒子線レンズアレイを含む補正電子光学系と、
前記複数の中間像を露光対象に縮小投影する投影電子光学系と、
前記露光対象に投影される前記複数の中間像が前記露光対象上で移動するように偏向する偏向器とを有することを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項９】
複数の開口をそれぞれ有する上電極、中電極および下電極を順に配置してなる荷電粒子線レンズアレイの作成方法において、
前記上電極と前記中電極の間及び前記中電極と前記下電極の間の少なくとも一方に配置された絶縁体の表面が凹凸形状または波型形状をしており、
前記上電極と前記中電極と前記下電極とをそれぞれ形成する工程と、
前記上電極と前記中電極と前記下電極とを接合して一体とする工程とを有することを特徴とする荷電粒子線レンズアレイの作製方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の露光装置を用いて、露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月4日(2007.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
請求項１０において、前記第１の乾燥工程、前記第２の乾燥工程、前記脱脂工程及び前記焼成工程をそれぞれ独立して有することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
請求項１０において、前記第１の乾燥工程、前記第２の乾燥工程、前記脱脂工程及び前記焼成工程の連続した少なくとも２工程で、降温させることなく連続して加熱することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の第１１の態様は、第１０の態様において、前記第１の乾燥工程、前記第２の乾燥工程、前記脱脂工程及び前記焼成工程をそれぞれ独立して有することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第１１の態様では、誘電体膜の結晶が良好に成長し、所望の結晶状態の誘電体膜を形成できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の第１２の態様は、第１０の態様において、前記第１の乾燥工程、前記第２の乾燥工程、前記脱脂工程及び前記焼成工程の連続した少なくとも２工程で、降温させることなく連続して加熱することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第１２の態様では、連続した工程で降温させることなく連続して加熱することによって、熱処理時間を短縮することができると共に加熱のための無駄なエネルギーを消費させることなく製造コストを低減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月7日(2007.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板上に形成した第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成した、低濃度不純物領域と高濃度不純物領域とを有する多結晶シリコンからなる同一形状の複数の抵抗体と、前記複数の抵抗体上に形成した第２の絶縁膜と、前記高濃度不純物領域上の前記第２の絶縁膜に形成したコンタクトホールと、前記コンタクトホールに接続し、かつ前記多結晶シリコンからなる複数の抵抗体を直列に接続する金属配線とを有し、前記直列接続された複数の抵抗体の一方の端に接続された金属配線が、前記複数の多結晶シリコンの抵抗体の低濃度不純物領域上を覆っていることを特徴とする抵抗回路。
【請求項２】
前記複数の多結晶シリコンの抵抗体の前記低濃度不純物領域及び高濃度不純物領域の長さがそれぞれ異なることを特徴とする請求項１記載の抵抗回路。
【請求項３】
前記複数の多結晶シリコンの抵抗体における低濃度不純物領域の長さが、直列接続した一方の端の抵抗体において最も長く、他方の端の抵抗体において最も短く、その間の複数の抵抗体においては前記一方の端の抵抗体から前記他方の端の抵抗体に向かって漸次長さが短くなっていくことを特徴とする請求項２記載の抵抗回路。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月3日(2007.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
高濃度Ｐ型ガードリング領域５の表面部にさらに固相拡散、ガス拡散やイオン注入拡散等で形成された高濃度Ｐ型領域８が形成されており、例えば、高濃度Ｐ型ガードリング領域５は深さ２μｍ、不純物濃度１×１０16／ｃｍ3〜６×１０17／ｃｍ3、高濃度Ｐ型領域８は深さ０．５μｍ、不純物濃度１×１０20／ｃｍ3〜６×１０21／ｃｍ3としている。これは、高濃度Ｐ型ガードリング領域５の不純物量が少ないために、逆方向電圧が印加された場合、高濃度Ｐ型ガードリング領域５へ空乏層が大きく伸びることになる。これにより、高濃度Ｐ型ガードリング領域５の拡散深さ、および、低濃度Ｎ型エピタキシャル層２の厚みを変更することなく耐圧のみを高くすることが可能となり、さらに、高濃度Ｐ型領域８を形成することにより、高濃度Ｐ型ガードリング領域５の最表面接合部による導電率が上がり静電気サージ耐量が確保できる。このとき、高濃度Ｐ型領域８は逆方向電圧印加時の高濃度Ｐ型ガードリング領域５への空乏層の伸びを抑制しない拡散深さに設定されている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月22日(2007.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスが形成された半導体基板を準備し、
前記半導体基板の一方の面に、絶縁膜を介して配線層を形成する工程と、
前記配線層上を含む半導体基板の前記面上に、保護層を形成する工程と、
前記保護層の一部を開口して前記配線層の一部を露出し、当該配線層の一部上に銀ベーストを塗布する工程と、
前記銀ペーストを所定の温度によりリフローして、当該銀ペーストから成る導電端子を形成する工程と、
ダイシングにより、前記半導体基板を複数の半導体チップに分離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
ダイシングラインによって区分され、電子デバイスが形成されると共に、第１の絶縁膜を介して当該ダイシングラインに沿ってパッド電極が形成された半導体基板を準備し、
前記半導体基板の表面に、樹脂層を介して支持体を形成する工程と、
前記半導体基板の一部を当該裏面から選択的にエッチングして、前記ダイシングラインの一部もしくは全体に沿って開口する開口部を形成する工程と、
前記開口部内を含む半導体基板の裏面上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記開口部の底部の前記第１及び第２の絶縁膜の一部を、前記パッド電極の一部上から前記ダイシングラインに至る領域にかけて選択的にエッチングして除去し、前記パッド電極の一部を露出する工程と、
前記開口部の底部で露出するパッド電極と電気的に接続されて当該開口部内から前記半導体基板の裏面上に延びる配線層を形成する工程と、
前記配線層上を含む前記半導体基板の裏面上に、保護層を形成する工程と、
前記保護層の一部を開口して前記配線層の一部を露出し、当該配線層の一部上に、銀ペーストを塗布する工程と、
前記銀ペーストを所定の温度によりリフローして、当該銀ペーストから成る導電端子を形成する工程と、
ダイシングにより、前記半導体基板を複数の半導体チップに分離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記銀ペーストを塗布する工程は、スクリーン印刷法を用いることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記電子デバイスは、撮像素子、受光素子、発光素子であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の半導体装置の製造方法は、上記課題に鑑みて為されたものであり、電子デバイスが形成された半導体基板を準備し、前記半導体基板の一方の面に、絶縁膜を介して配線層を形成する工程と、前記配線層上を含む半導体基板の前記面上に、保護層を形成する工程と、前記保護層の一部を開口して前記配線層の一部を露出し、当該配線層の一部上に銀ベーストを塗布する工程と、前記銀ペーストを所定の温度によりリフローして、当該銀ペーストから成る導電端子を形成する工程と、ダイシングにより、前記半導体基板を複数の半導体チップに分離する工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、ダイシングラインによって区分され、電子デバイスが形成されると共に、第１の絶縁膜を介して当該ダイシングラインに沿ってパッド電極が形成された半導体基板を準備し、前記半導体基板の表面に、樹脂層を介して支持体を形成する工程と、前記半導体基板の一部を当該裏面から選択的にエッチングして、前記ダイシングラインの一部もしくは全体に沿って開口する開口部を形成する工程と、前記開口部内を含む半導体基板の裏面上に第２の絶縁膜を形成する工程と、前記開口部の底部の前記第１及び第２の絶縁膜の一部を、前記パッド電極の一部上から前記ダイシングラインに至る領域にかけて選択的にエッチングして除去し、前記パッド電極の一部を露出する工程と、前記開口部の底部で露出するパッド電極と電気的に接続されて当該開口部内から前記半導体基板の裏面上に延びる配線層を形成する工程と、前記配線層上を含む前記半導体基板の裏面上に、保護層を形成する工程と、前記保護層の一部を開口して前記配線層の一部を露出し、当該配線層の一部上に、銀ペーストを塗布する工程と、前記銀ペーストを所定の温度によりリフローして、当該銀ペーストから成る導電端子を形成する工程と、ダイシングにより、前記半導体基板を複数の半導体チップに分離する工程と、を有することを特徴とする。
更に、前記銀ペーストを塗布する工程は、スクリーン印刷法を用いることを特徴とする。
そして、前記電子デバイスは、撮像素子、受光素子、発光素子であることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、配線層の一部上に銀ペーストを塗布し、これをリフローすることにより導電端子を形成する。そのため、導電端子を形成する際のリフローを、鉛フリーの半田ペーストを使用する場合に比して、低い温度で行うことが可能となる。従って、上記リフローの際の熱的な負荷によって半導体基板上に形成された電子デバイスが劣化することを、極力抑止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月6日(2007.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
２０１は像担持体としての感光ドラムであり、矢印の時計方向に所定の速度で回転駆動される。感光ドラム２０１はクリーニング装置２０２により表面が清掃された後、帯電部材２０３により所望の極性・電位に帯電される。その一様帯電面に露光装置としてのレーザースキャナ２０４により像情報に応じてレーザービーム走査露光がなされて、感光ドラム２０１の表面に像情報に応じた静電潜像が形成される。その静電潜像は現像装置２０５によりトナー像として現像される。感光ドラム２０１には転写部材２０７が当接して転写ニップ部を形成している。この転写ニップ部に記録材２０６が前記レジスト装置２１３により所定の制御タイミングにて供給されて挟持搬送されていく。この挟持搬送過程にいて転写部材２０７に印加している転写バイアスにより感光ドラム２０１側のトナー像が記録材２０６の表面に順次に静電転写される。
上記の感光ドラム２０１、帯電部材２０３、露光装置２０４、現像装置２０５、転写部材２０７等が、記録材２０６に未定着像（未定着のトナー像）を形成担持させる作像手段である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
メインサーミスタ８は、最小通紙幅Ｅの通紙域内に、第二の検温素子であるサブサーミスタ８１は、最小通紙幅Ｅの端と抵抗発熱体６の端の間に配置される。本実施例では、メインサーミスタ８は、抵抗発熱体６の長手中心位置たる通紙中心位置に配置し、サブサーミスタ８１は、通紙中心位置から電極２３側へ９３ｍｍの位置に配置した。サブサーミスタ８１は、メインサーミスタ８とは異なる位置に配設した温度検出素子である。前述のようにメインサーミスタ８は加熱体３の温度制御に用いるのに対し、サブサーミスタ８１はその近傍の温度検出用に配設している。即ち、サブサーミスタ８１は、所定サイズよりも幅の狭い被加熱材が搬送された場合に非通紙部となる位置の温度を検知する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月23日(2007.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第１の基板の内側に、複数の有機ＥＬ発光素子が配置され、
前記第１の基板又は第２の基板の外側には、金属が配置され、
前記金属は基板の薄い領域に配置されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
第1の基板と、
前記第1の基板に対向する第２の基板と、
前記第1の基板の内側に、複数の有機ＥＬ発光素子が配置され、
前記第１の基板又は第２の基板の外側には、金属が配置され、
前記金属は基板の凹部内に配置されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１又は2において、
前記金属は、アルミニウム又は銅で構成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項1又は２において、
前記金属は、前記シリコン接着材を介して配置されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れかにおいて、
前記金属の外面は凹凸を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月2日(2007.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子を所定の電流値で駆動するための定電流駆動回路であって、
供給される電源電圧から前記素子に印加するパルス状の電圧を発生する電圧発生手段と、
前記パルス状の電圧を印加したときに前記素子に流れる電流値を検出する電流検出手段と、
前記電流検出手段の検出した電流値に従って、前記電圧発生手段の前記素子への断続的な電圧印加の開始および停止を制御する電圧制御手段と、
を備えることを特徴とする定電流駆動回路。
【請求項２】
請求項１に記載の定電流駆動回路であって、さらに、
前記素子の動作をパルス状に周期的にオンオフ制御するＰＷＭ制御手段、
を備え、
前記電圧制御手段は、
前記ＰＷＭ制御手段が前記素子の動作をオンオフする周期に従って、前記電圧発生手段の前記素子への断続的な電圧印加の開始および停止を制御する手段、
を含むことを特徴とする定電流駆動回路。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の定電流駆動回路であって、
前記電圧発生手段が前記素子へ印加するパルス状の電圧の周波数は、前記ＰＷＭ制御手段が前記素子の動作をオンオフする周波数に比べて高周波数であることを特徴とする定電流駆動回路。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の定電流駆動回路であって、
前記電源電圧の電圧値は、前記素子に印加したときに前記素子が破損する電圧値よりも低いことを特徴とする定電流駆動回路。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の定電流駆動回路であって、
前記素子は発光素子であることを特徴とする定電流駆動回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決すべく、請求項１の発明は、素子を所定の電流値で駆動するための定電流駆動回路であって、供給される電源電圧から前記素子に印加するパルス状の電圧を発生する電圧発生手段と、前記パルス状の電圧を印加したときに前記素子に流れる電流値を検出する電流検出手段と、前記電流検出手段の検出した電流値に従って、前記電圧発生手段の前記素子への断続的な電圧印加の開始および停止を制御する電圧制御手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る定電流駆動回路であって、さらに、前記素子の動作をパルス状に周期的にオンオフ制御するＰＷＭ制御手段、を備え、前記電圧制御手段は、前記ＰＷＭ制御手段が前記素子の動作をオンオフする周期に従って、前記電圧発生手段の前記素子への断続的な電圧印加の開始および停止を制御する手段、を含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る定電流駆動回路であって、前記電圧発生手段が前記素子へ印加するパルス状の電圧の周波数は、前記ＰＷＭ制御手段が前記素子の動作をオンオフする周波数に比べて高周波数であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月12日(2007.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アンテナ装置及び無線通信装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナ素子を保持する素子保持手段と、
上記アンテナ素子の給電対象位置を特定する特定手段と、
上記アンテナ素子に給電するための電極が形成された電極形成部材と、
上記電極形成部材を保持する部材保持手段と、
上記部材保持手段への上記素材保持手段の取り付けにより、上記電極と、上記特定手段により特定された上記アンテナ素子の上記給電対象位置とを電気的に接続する接続手段と
を具えることを特徴とするアンテナ装置。
【請求項２】
上記特定手段は、上記アンテナ素子に形成された凹部でなる
ことを特徴とする請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項３】
上記接続手段は、所定方向に伸縮自在な部材でなる
ことを特徴とする請求項２に記載のアンテナ装置。
【請求項４】
上記接続手段は、所定方向に伸縮自在で、かつ当該所定方向に対して傾き自在な部材でなる
ことを特徴とする請求項２に記載のアンテナ装置。
【請求項５】
上記アンテナ素子は、アンテナを構築する接地導体とほぼ平行に配置される平板状の放射導体板でなる
ことを特徴とする請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項６】
所定のデータを送信及び又は受信する無線通信装置において、
アンテナ素子を保持する素子保持手段と、
上記アンテナ素子の給電対象位置を特定する特定手段と、
上記アンテナ素子に給電するための電極が形成された電極形成部材と、
上記電極形成部材を保持する部材保持手段と、
上記部材保持手段への上記素材保持手段の取り付けにより、上記電極と、上記特定手段により特定された上記アンテナ素子の上記給電対象位置とを電気的に接続する接続手段と
を具えることを特徴とする無線通信装置。
【請求項７】
上記特定手段は、上記アンテナ素子に形成された凹部でなる
ことを特徴とする請求項６に記載の無線通信装置。
【請求項８】
上記接続手段は、所定方向に伸縮自在な部材でなる
ことを特徴とする請求項７に記載の無線通信装置。
【請求項９】
上記接続手段は、所定方向に伸縮自在で、かつ当該所定方向に対して傾き自在な部材でなる
ことを特徴とする請求項７に記載の無線通信装置。
【請求項１０】
上記アンテナ素子は、アンテナを構築する接地導体とほぼ平行に配置される平板状の放射導体板でなる
ことを特徴とする請求項６に記載の無線通信装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はアンテナ装置及び無線通信装置に関し、例えば、ＰＣＭＣＩＡ（Personal Computer Memory Card International Association ）の規格に準拠したＰＣ（Personal Computer ）カードでなる無線通信装置（以下、これを無線通信用ＰＣカードと呼ぶ）に適用して好適なものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、予め選定されたアンテナ特性が変化することを防止しながら組み立てることのできるアンテナ装置及び無線通信装置を提案しようとするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月25日(2007.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
設置個所に水平に固定される固定ベースと、
この固定ベース上に配置され、水平面に対して垂直なＺ軸回りに回転自在な回転ベースと、
この回転ベース上に、前記Ｚ軸上に中心点がくるようにして、前記中心点を通り前記Ｚ軸に垂直なＹ軸回りに回動自在に載置される、所定の曲率で略半円弧状に形成してなる支持レールと、
この支持レールの中心点と両端との間を前記Ｙ軸に対して垂直なＸ軸として、前記中心点と一方の端部との間、前記中心点と他方の端部との間それぞれに、互いに独立して回転自在に設けられる第１及び第２の回転シャフトと、
前記第１及び第２の回転シャフトそれぞれに固定される第１及び第２のアンテナ装置と、
前記回転ベースを前記Ｚ軸回りに回動させるＺ軸駆動機構と、
前記支持レールをＹ軸回りに回動させるＹ軸駆動機構と、
前記第１及び第２の回転シャフトを互いに独立してＸ軸回りに回動させる第１及び第２のＸ軸駆動機構と
を具備することを特徴とするアンテナ装置。
【請求項２】
さらに、前記固定ベース上で装置全体を覆うレドームを具備することを特徴とする請求項１記載のアンテナ装置。
【請求項３】
前記第１及び第２のアンテナ装置は、一次放射器及びリフレクタを有し、前記Ｘ軸に対して垂直な方向に指向性を有するように前記第１及び第２の回転シャフトそれぞれに固定されることを特徴とする請求項１記載のアンテナ装置。
【請求項４】
前記Ｙ軸駆動機構は、ワイヤーの両端部をそれぞれ前記支持レールの外側両端に取り付け、当該ワイヤーをローラに巻き付けて、当該ローラを正逆方向に回転駆動させることで前記支持レールを前記Ｙ軸回りに回動させることを特徴とする請求項１記載のアンテナ装置。
【請求項５】
前記ワイヤーの少なくとも一方の端部には、引っ張り応力を有する弾性材を介在させるようにしたことを特徴とする請求項４記載のアンテナ装置。
【請求項６】
前記第１及び第２の反射型アンテナ装置のリフレクタは、前記Ｘ軸に垂直な方向に長軸を有する楕円形状とすることを特徴とする請求項３記載のアンテナ装置。
【請求項７】
前記第１及び第２の反射型アンテナ装置は、それぞれ前記リフレクタの背面に送受信モジュールを搭載し、リフレクタ背面の送受信モジュールとリフレクタ前面の一次放射器とを導波管により結合し、当該導波管により一次放射器を支持することを特徴とする請求項６記載のアンテナ装置。
【請求項８】
前記導波管は、前記第１及び第２の反射型アンテナ装置の送受信に用いる２つの偏波及び周波数に合わせて高さ及び幅を決定した方形導波管であることを特徴とする請求項７記載のアンテナ装置。
【請求項９】
前記導波管を前記リフレクタの背面から前面に引き出す位置を前記リフレクタの長軸と短軸との間とすることを特徴とする請求項７記載のアンテナ装置。
【請求項１０】
前記支持レールは、真ん中から中心点に延び、中心点で前記第１及び第２の回転シャフトを支持する支持シャフトを備え、
前記第１及び第２のＸ軸駆動機構は、前記第１及び第２の反射型アンテナ装置のリフレクタ背面にそれぞれ半円盤状に形成された第１及び第２のセクタギヤを取り付け、この各セクタギヤそれぞれに噛み合うように第１及び第２のピニオンギヤを装着した第１及び第２のモータを前記支持シャフトに固定して、前記第１及び第２のモータを互いに独立して正逆方向に回転させることで、前記第１及び第２の反射型アンテナ装置をＸ軸回りに回動させることを特徴とする請求項３記載のアンテナ装置。
【請求項１１】
互いに直交する偏波により互いに異なる周波数の２つの信号を伝送し、適宜折り曲げて使用する導波管において、前記２つの信号の偏波及び周波数に合わせて高さ及び幅を決定した方形型とすることを特徴とする導波管。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを符号化するためのエンコーダにおいて、
可変長コードワードを受取って格納するための、予め決められた数のビットからなるデータレジスタであって、前記可変長コードワードは、エントロピー符号化アルゴリズムによって圧縮されることになるデータの有効ビットを含むことからなる、データレジスタと、
データを受取るための、予め決められた数のビットからなるビットストリームレジスタと、
前記ビットストリームレジスタにおける使用可能な最上位ビットに前記有効ビットの少なくとも一部をロードするためのマルチプレクサと、
前記ビットストリームレジスタの予め決められた数のビットにデータの前記有効ビットの一部がロードされ、データの前記有効ビットの残りのものをロードする必要があるときに、前記ビットストリームレジスタの内容を受取るための複数のマルチビットレジスタを有するファーストインファーストアウト（ＦＩＦＯ）レジスタと、
前記ＦＩＦＯレジスタからのデータの読み出しを開始するために割込み信号を生成するための割込みコントローラ
を備える、エンコーダ。
【請求項２】
データを復号化するためのデコーダであって、
固定長の符号化されたデータワード（以下、固定長符号化データワードという）からなるデータを受取るための、複数の使用可能なマルチビットレジスタを備える第１のレジスタであって、前記固定長符号化データワードは、エントロピー復号化アルゴリズムによって復元されることになる可変長コードワードを含むことからなる、第１のレジスタと、
前記固定長符号化データワードを受取るための、予め決められた数のビットからなるビットストリームレジスタと、
前記可変長コードワードを受取って格納するための一定数のビットからなるデータレジスタに、前記ビットストリームレジスタから前記可変長コードワードをロードするためのマルチプレクサと、
前記第１のレジスタへの前記固定長符号化データワードの書き込みを開始するために割込み信号を生成するための割込みコントローラ
を備える、デコーダ。
【請求項３】
データを符号化するためのエンコーダであって、
エントロピー符号化アルゴリズムによって圧縮されることになるデータの有効ビットを含む可変長コードワードを受け取って格納するための第１のデータ格納手段と、
前記可変長コードワードを受け取るための、予め決められた数のビットからなる第２のデータ格納手段と、
前記第２のデータ格納手段において使用可能な最上位ビットに、前記第１のデータ格納手段からの前記有効ビットをロードするための切り換え手段と、
前記第２のデータ格納手段の予め決められた数のビットにデータの前記有効ビットの一部がロードされ、データの前記有効ビットの残りのものをロードする必要があるときに、前記第２のデータ格納手段の内容を受け取るための複数のマルチビットレジスタを備える第３のデータ格納手段と、
前記第３のデータ格納手段からのデータの読み出しを開始するために割込み信号を生成するためのコントローラ手段
を備える、エンコーダ。
【請求項４】
データを復号化するためのデコーダであって、
固定長符号化データワードからなるデータを受け取るための複数の使用可能なマルチビットレジスタを備える第１のデータ格納手段であって、前記データワードは、エントロピー復号化アルゴリズムによって復元されることになる可変長コードワードを含むことからなる、第１のデータ格納手段と、
前記固定長符号化データワードを受け取るための、予め決められた数のビットからなる第２のデータ格納手段と、
前記可変長コードワードを、前記第２のデータ格納手段から第３のデータ格納手段にロードするための切り換え手段であって、前記第３のデータ格納手段は、前記可変長コードワードを受け取って格納するための一定数のビットからなる、切り換え手段と、
前記第１のレジスタへの前記固定長符号化データワードの書き込みを開始するために割込み信号を生成するための手段
を備える、デコーダ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月1日(2007.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置とその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体素子を有する半導体基板上の第1の絶縁膜層と、前記基板上の絶縁膜層に形成された第1の溝と、前記第1の溝に形成されたCu配線と、前記基板上の絶縁膜層およびCu配線上に形成されたCu拡散防止絶縁膜層と、前記Cu拡散防止絶縁膜層上に設けられた第２の絶縁膜層とを有し、
前記Cu拡散防止絶縁膜層が２層以上の積層構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  前記Cu拡散防止絶縁膜層は、前記基板上に形成された第１の拡散防止絶縁膜と、前記第１の拡散防止絶縁膜の上部に設けられた第２の拡散防止絶縁膜とを有し、
前記第２の拡散防止絶縁膜は、SiN、SiC、SiCN、SiON、有機膜のいずれか一つの膜であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  前記Cu拡散防止絶縁膜層は、前記基板上に形成された第1の拡散防止絶縁膜と、前記第１の拡散防止絶縁膜の上部に設けられた第２の拡散防止絶縁膜とを有し、
前記第１の拡散防止絶縁膜は、SiN、SiC、SiCN、酸素を含まない有機膜のいずれか一つの膜であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】  前記Cu配線は前記第１の溝内壁部に形成されたCu拡散防止のためのバリヤ金属膜層と、前記バリヤ膜上に形成されたCu膜を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】  前記第１および第２の絶縁膜層は、ＳｉＯ２、ポーラスシリカ、ＨＳＱ、ＭＳＱ，有機膜の少なくともいずれか１つを用いた構造であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】  溝配線構造を有する半導体素子の製造方法において、半導体基板上に第1の絶縁膜層を形成する工程と、前記第１の絶縁膜層に溝配線パターンを形成する工程と、前記溝をCuにより埋設し、Cu配線を形成する工程と、前記第１の絶縁膜層およびCu配線上にCu拡散防止絶縁膜層を形成する工程と、前記Cu拡散防止絶縁膜層上に第２の絶縁膜層を形成する工程を有し、
前記Cu拡散防止絶縁膜層が２層以上の積層構造であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】  前記請求項６に記載の２層以上のCu拡散防止絶縁膜層を形成する工程において、前記Cu配線表面の酸化層を還元するための工程とＣｕ拡散防止絶縁膜を成膜する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】  前記請求項６に記載の２層のCu拡散防止絶縁膜層において、第１のＣｕ拡散防止絶縁膜膜をＣＶＤ法により３５０℃未満の温度で成膜する工程と、第２のＣｕ拡散防止絶縁膜をＣＶＤ法により３５０℃以上４５０℃以下の範囲の温度で成膜する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
Ｃｕを配線材料として用いる場合、ドライエッチングによるＣｕの微細加工が困難なことから、通常、図４に示すようなダマシン配線構造が一般的に広く使われている。ダマシン配線の形成方法は、まず、層間膜６に溝を形成し、バリヤメタル１０とＣｕで溝埋め込みをおこなってから、ＣＭＰにより絶縁膜上の余分なＣｕとバリヤメタルを除去してＣｕ配線１２を形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
次に、図２（ａ）に示すように、枚葉式の平行平板型ＣＶＤ装置を用いて、成膜温度３００℃、ＳｉＨ４流量５０ｓｃｃｍ、ＮＨ３流量３０ｓｃｃｍ、Ｎ２流量２０００ｓｃｃｍ、成膜圧力４Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー４００Ｗの条件で、第１絶縁膜１６としての低温成膜の拡散防止絶縁層ＳｉＮを２０ｎｍ成膜する。次に別の成膜室を用いて、成膜温度４００℃で、ＳｉＨ４流量５０ｓｃｃｍ、ＮＨ３流量３０ｓｃｃｍ、Ｎ２流量２０００ｓｃｃｍ、成膜圧力４Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー４００Ｗの条件で、第２絶縁膜１８としての高温成膜の拡散防止絶縁層ＳｉＮを３０ｎｍ成膜する。それから、図２（ｂ）に示すようにプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜を５００ｎｍ成膜し、Ｃｕ配線１２上にその他の絶縁膜としての絶縁膜２０を形成した。第１絶縁膜１６と第２絶縁膜１８と絶縁膜２０で、層間絶縁膜を構成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
次に、図３（ａ）に示すように、Ｏ２アッシングとウェット剥離液を用いたレジスト剥離技術により、フォトレジスト２２を除去する。この際、第１絶縁膜１６と、第２絶縁膜１８は、Ｃｕ配線１２表面がＯ２プラズマ等に晒されることによる酸化やエッチングを防止する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
それから、図３（ｂ）に示すように、Ｃ４Ｆ８、Ａｒを用いたドライエッチングにより第１絶縁膜１６、第２絶縁膜１８のＣｕ拡散防止絶縁膜層をエッチングし、ビア孔３０を形成する。次に、図３（ｃ）に示すように、ＴｉＮ１１を５０ｎｍ成膜してからＷ（タングステン）３２を７００ｎｍ形成し、ビア孔３０にＷ３２を充填し、層間絶縁膜２０の余剰Ｗ３２とＴｉＮ１１とをＣＭＰ技術により除去し、Ｃｕ配線１２とのビアコンタクトを形成した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
次に別のＣＶＤ装置を用いて、成膜温度４００℃の条件で第２絶縁膜１８としての拡散防止絶縁層としてＳｉＣを３０ｎｍ成膜する。次に絶縁膜２０として平行平板型プラズマＣＶＤ装置によりＳｉＯ２を５００ｎｍ成膜し、Ｃｕ配線１２上に絶縁膜２０を形成した。