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【手続補正書】
【提出日】平成18年12月20日(2006.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  一般式(II)
【化１】
2000239214.tif 000001
(式中、Z1及びZ2はそれぞれ独立的に主鎖炭素原子数1〜6のアルキル基またはZ1及びZ2は互いに連結して主鎖炭素原子数1〜7のアルキレン基を表す。)で表されるシクロヘキサン-1,4-ジオンモノアセタールを2級アミンによりエナミンとし、次いでメチルビニルケトンと反応させることにより一般式(III)
【化２】
2000239214.tif 000002
(式中、Z1及びZ2はそれぞれ独立的に主鎖炭素原子数1〜6のアルキル基またはZ1及びZ2は互いに連結して主鎖炭素原子数1〜7のアルキレン基を表す。)で表されるオクタヒドロナフタレン-2,6-ジオンモノアセタールを得て、これを還元水素添加することを特徴とする一般式(I)
【化３】
2000239214.tif 000003
(式中、Z1及びZ2はそれぞれ独立的に主鎖炭素原子数1〜6のアルキル基またはZ1及びZ2は互いに連結して主鎖炭素原子数1〜7のアルキレン基を表す。)で表されるデカヒドロナフタレン-2,6-ジオンモノアセタールの製造方法。
【請求項２】  還元が、アンモニア又はアミン系溶媒中でアルカリ金属を用いて行われることを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【請求項３】  デカヒドロナフタレン-2,6-ジオン
【化４】
2000239214.tif 000004
をモノアセタール化することを特徴とする請求項１記載の一般式(I)で表されるデカヒドロナフタレン-2,6-ジオンモノアセタールの製造方法。
【請求項４】  デカヒドロナフタレン-2,6-ジオール
【化５】
2000239214.tif 000005
を酸化し、デカヒドロナフタレン-2,6-ジオンを得ることを特徴とする請求項３記載の製造方法。
【請求項５】  デカヒドロナフタレン-2,6-ジオールが、ナフタレン-2,6-ジオン
【化６】
2000239214.tif 000006
を還元水素添加して得られることを特徴とする請求項４記載の製造方法。
【請求項６】  一般式(IV)
【化７】
2000239214.tif 000007
(式中、Z1及びZ2はそれぞれ独立的に主鎖炭素原子数1〜6のアルキル基またはZ1及びZ2は互いに連結して主鎖炭素原子数1〜7のアルキレン基を表し、Z3及びZ4はそれぞれ独立的に主鎖炭素原子数1〜6のアルキル基またはZ3及びZ4は互いに連結して主鎖炭素原子数1〜7のアルキレン基を表し、Z1〜Z4はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。)で表されるデカヒドロナフタレン-2,6-ジオンジアセタールを部分加水分解することを特徴とする請求項1記載の一般式(I)で表されるデカヒドロナフタレン-2,6-ジオンモノアセタールの製造方法。
【請求項７】  6-ヒドロキシデカヒドロナフタレン-2-オン
【化８】
2000239214.tif 000008
をアセタール化した後に、ヒドロキシル基を酸化することを特徴とする請求項1記載の一般式(I)で表されるデカヒドロナフタレン-2,6-ジオンモノアセタールの製造方法。
【請求項８】  6-ヒドロキシデカヒドロナフタレン-2-オンが、ナフタレン-2,6-ジオールを還元水素添加して得られることを特徴とする請求項７記載の製造方法。
【請求項９】  請求項1記載のデカヒドロナフタレン-2,6-ジオンモノアセタールに一般式(V)
【化９】
2000239214.tif 000009
(式中、Wはカルボニル基への求核付加を可能とする金属又は含金属基を表し、Xa、Xb及びXcはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表し、Yは水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、フッ素原子若しくは炭素原子数1〜7のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数1〜12のアルキル基若しくはアルコキシル基、保護されたシアノ基、保護された水酸基又は保護されたカルボキシル基を表す。)で表される有機金属反応剤を反応させ、脱水した後、次いで水素添加し、脱アセタール化することを特徴とする一般式(VI)
【化１０】
2000239214.tif 000010
(式中、Xa、Xb及びXcはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表し、Yは水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、フッ素原子若しくは炭素原子数1〜7のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数1〜12のアルキル基若しくはアルコキシル基、保護されたシアノ基、保護された水酸基又は保護されたカルボキシル基を表す。)で表される6-フェニルデカヒドロナフタレン-2-オン誘導体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月22日(2006.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
人力駆動力を検出する磁歪式センサと、
走行を行うための車輌走行部と、
前記人力駆動力をこの車輌走行部に伝達するドライブスプロケットと、
検出された前記人力駆動力をこのドライブスプロケットに伝達する一方向力伝達部材と、
この一方向力伝達部材に前記人力駆動力を伝達する中空部材と、
補助動力を出力する補助動力装置と、
検出した前記人力駆動力の値に基いて前記補助動力装置の制御を行う制御部と、
前記補助動力を前記車輌走行部に伝達する補助スプロケットと、
この補助スプロケットと前記ドライブスプロケットとそれぞれ独立に係合しそれらの駆動力を前記車輌走行部に伝達するチェーンと、
前記磁歪式センサと前記補助動力装置とをそれぞれ覆う非磁性体材料からなるケーシングとを備え、
前記磁歪式センサは前記中空部材の外周上に設けられたことを特徴とする補助動力装置付き車輌。
【請求項２】
中空部材は一方向力伝達部材の近傍で回転自在に支持されたことを特徴とする請求項１に記載の補助動力装置付き車輌。
【請求項３】
ドライブスプロケットはケーシングに対して回転自在に支持されたことを特徴とする請求項１又は２に記載の補助動力装置付き車輌。
【請求項４】
磁歪式センサが非接触式であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の補助動力装置付き車輌。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の補助動力装置付き車輌は、人力駆動力を検出する磁歪式センサと、走行を行うための車輌走行部と、前記人力駆動力をこの車輌走行部に伝達するドライブスプロケットと、検出された前記人力駆動力をこのドライブスプロケットに伝達する一方向力伝達部材と、この一方向力伝達部材に前記人力駆動力を伝達する中空部材と、補助動力を出力する補助動力装置と、検出した前記人力駆動力の値に基いて前記補助動力装置の制御を行う制御部と、前記補助動力を前記車輌走行部に伝達する補助スプロケットと、この補助スプロケットと前記ドライブスプロケットとそれぞれ独立に係合しそれらの駆動力を前記車輌走行部に伝達するチェーンと、前記磁歪式センサと前記補助動力装置とをそれぞれ覆う非磁性体材料からなるケーシングとを備え、前記磁歪式センサは前記中空部材の外周上に設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
別の観点による発明の補助動力装置付き車輌において、中空部材は一方向力伝達部材の近傍で回転自在に支持されている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月22日(2006.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
人力駆動力を検出する磁歪式センサと、
走行を行うための車輌走行部と、
前記人力駆動力をこの車輌走行部に伝達するドライブスプロケットと、
補助動力を出力する補助動力装置と、
検出した前記人力駆動力の値に基いて前記補助動力装置の制御を行う制御部と、
前記補助動力を前記車輌走行部に伝達する補助スプロケットと、
この補助スプロケットと前記ドライブスプロケットとそれぞれ独立に係合しそれらの駆動力を前記車輌走行部に伝達するチェーンと、
前記磁歪式センサと前記補助動力装置とをそれぞれ覆う非磁性体材料からなるケーシングとを備え、
前記補助スプロケットを前記ドライブスプロケットの緩み側に設けたことを特徴とする補助動力装置付き車輌。
【請求項２】
チェーンに当接するアイドラーを補助スプロケットの緩み側に設けたことを特徴とする請求項１に記載の補助動力装置付き車輌。
【請求項３】
人力駆動力をドライブスプロケットに伝達する一方向力伝達部材を備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の補助動力装置付き車輌。
【請求項４】
補助動力の出力を補助スプロケットに伝達する一方向力伝達部材を備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の補助動力装置付き車輌。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の補助動力装置付き車輌は、人力駆動力を検出する磁歪式センサと、走行を行うための車輌走行部と、前記人力駆動力をこの車輌走行部に伝達するドライブスプロケットと、補助動力を出力する補助動力装置と、検出した前記人力駆動力の値に基いて前記補助動力装置の制御を行う制御部と、前記補助動力を前記車輌走行部に伝達する補助スプロケットと、この補助スプロケットと前記ドライブスプロケットとそれぞれ独立に係合しそれらの駆動力を前記車輌走行部に伝達するチェーンと、前記磁歪式センサと前記補助動力装置とをそれぞれ覆う非磁性体材料からなるケーシングとを備え、前記補助スプロケットを前記ドライブスプロケットの緩み側に設けている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
別の観点による発明の補助動力装置付き車輌は、チェーンに当接するアイドラーを補助スプロケットの緩み側に設けている。
別の観点による発明の補助動力装置付き車輌は、人力駆動力をドライブスプロケットに伝達する一方向力伝達部材を備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月22日(2006.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
人力駆動力を検出する磁歪式センサと、
走行を行うための車輌走行部と、
前記人力駆動力をこの車輌走行部に伝達するドライブスプロケットと、
補助動力を出力する補助動力装置と、
この補助動力装置の出力を減速する減速機構と、
検出した前記人力駆動力の値に基いて前記補助動力装置の制御を行う制御部と、
前記補助動力を前記車輌走行部に伝達する補助スプロケットと、
この補助スプロケットと前記ドライブスプロケットとそれぞれ独立に係合しそれらの駆動力を前記車輌走行部に伝達するチェーンと、
前記磁歪式センサと前記補助動力装置とをそれぞれ覆う非磁性体材料からなるケーシングとを備え、
前記補助動力を前記車輌走行部に伝達する機構内では、減速もしくは等速で伝達していることを特徴とする補助動力装置付き車輌。
【請求項２】
減速機構の出力を補助スプロケットに伝達する一方向力伝達部材を備えたことを特徴とする請求項１に記載の補助動力装置付き車輌。
【請求項３】
人力駆動力をドライブスプロケットに伝達する一方向力伝達部材を備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の補助動力装置付き車輌。
【請求項４】
減速機構が歯車であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の補助動力装置付き車輌。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の補助動力装置付き車輌は、人力駆動力を検出する磁歪式センサと、走行を行うための車輌走行部と、前記人力駆動力をこの車輌走行部に伝達するドライブスプロケットと、補助動力を出力する補助動力装置と、この補助動力装置の出力を減速する減速機構と、検出した前記人力駆動力の値に基いて前記補助動力装置の制御を行う制御部と、前記補助動力を前記車輌走行部に伝達する補助スプロケットと、この補助スプロケットと前記ドライブスプロケットとそれぞれ独立に係合しそれらの駆動力を前記車輌走行部に伝達するチェーンと、前記磁歪式センサと前記補助動力装置とをそれぞれ覆う非磁性体材料からなるケーシングとを備え、前記補助動力を前記車輌走行部に伝達する機構内では、減速もしくは等速で伝達している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
別の観点による発明の補助動力装置付き車輌は、減速機構の出力を補助スプロケットに伝達する一方向力伝達部材を備えている。
別の観点による発明の補助動力装置付き車輌は、人力駆動力をドライブスプロケットに伝達する一方向力伝達部材を備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月15日(2006.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】  分割クランク軸５Ａ，５Ｂには、図９に示すように各軸端に偏芯歯車６Ａ，６Ｄ，反対軸端には、クランクアーム４Ａ，４Ｂを取り付け一体化している。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月18日(2007.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面にエピタキシャル成長によって膜付けを行うエピタキシャル成長工程と、
前記エピタキシャル成長工程の前に、前記エピタキシャル成長によって生じる基板の反  りと反対方向に前記基板の裏面を変形させる加工処理を行う基板加工工程と
を有することを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記基板加工工程では、前記基板の裏面を研磨加工によって変形させる
ことを特徴とする請求項１記載の発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記基板はサファイア基板である
ことを特徴とする請求項１記載の発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記エピタキシャル成長による膜は窒化物半導体層である
ことを特徴とする請求項１記載の発光素子の製造方法。
【請求項５】
基板の表面にエピタキシャル成長によって膜付けを行うエピタキシャル成長工程と、
前記エピタキシャル成長工程の後に前記基板の裏面を平坦化する平坦化工程と、
前記平坦化工程の後に前記基板の表面に所定の処理を行う基板処理工程と
を有することを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記平坦化工程では、前記基板の裏面を研磨加工によって平坦化する
ことを特徴とする請求項５記載の発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記基板はサファイア基板である
ことを特徴とする請求項５記載の発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記エピタキシャル成長による膜は窒化物半導体層である
ことを特徴とする請求項５記載の発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る発光素子の製造方法は、基板の表面にエピタキシャル成長によって膜付けを行うエピタキシャル成長工程と、このエピタキシャル成長工程の前に、エピタキシャル成長によって生じる基板の反りと反対方向に基板の裏面を変形させる加工処理を行う基板加工工程とを有するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発光素子の製造方法においては、基板加工工程で予め基板の裏面を変形させてから、エピタキシャル成長工程を行うため、エピタキシャル成長によって生じる基板の反りにより、それ以前の基板裏面の変形が解消される。これにより、基板の裏面が平坦な状態となるため、エピタキシャル成長工程の後で基板の表面に所定の処理を行う場合に、各々の処理装置のステージに基板を隙間なく密着させて載置することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る他の発光素子の製造方法は、基板の表面にエピタキシャル成長によって膜付けを行うエピタキシャル成長工程と、このエピタキシャル成長工程の後に基板の裏面を平坦化する平坦化工程と、この平坦化工程の後に基板の表面に所定の処理を行う基板処理工程とを有するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発光素子の製造方法においては、エピタキシャル成長工程の後に基板の裏面を平坦化し、その後の基板処理工程で基板の表面に所定の処理を行うため、エピタキシャル成長によって基板に反りが生じても、この反りによる基板裏面の変形が、その後の平坦化工程で解消される。これにより、基板の裏面が平坦な状態となるため、エピタキシャル成長工程の後で基板の表面に所定の処理を行う場合に、各々の処理装置のステージに基板を隙間なく密着させて載置することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月7日(2006.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッド部およびリードの何れかの一方または両方を備えたリードフレームにおいて、前記ダイパッドの平坦面とその端面、前記リードの平坦面とその端面とが連続した面で構成され、
前記リードフレーム表面が平滑面に形成され、かつ前記リードフレーム表面の平滑面にアルカリ金属を含む水酸基を含有する皮膜からなる表面改質層が形成されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記リードフレーム表面の平滑面が算術平均粗さＲａで３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲の平滑面に形成されたことを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【請求項３】
ダイパッド部とリードとを備えたリードフレームの製造方法において、
前記リードフレームの平坦面から端面にかけて連続した面を形成する連続面形成工程と、前記リードフレーム表面を算術平均粗さＲａで３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲に平滑処理する平滑処理工程と、
前記リードフレーム表面の平滑面にアルカリ金属を含む水酸基を含有する皮膜からなる表面改質層を形成する表面改質層形成工程を含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項４】
ダイパッド部とリードとを備えたリードフレームの製造方法において、
前記リードフレームの平坦面から端面にかけて連続した面を形成すると同時に前記リードフレーム表面を算術平均粗さＲａで３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲に平滑処理する連続面形成平滑処理工程と、
前記リードフレーム表面にアルカリ金属を含む水酸基を含有する皮膜からなる表面改質層を形成する表面改質層形成工程とを含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかし、前記従来の構成では、いずれもリードフレーム１０１と封止樹脂（図示せず）との密着性を改善し耐湿性、密着性などの信頼性の向上に一定の効果を有していたが、鉄や銅などの金属からなるリードフレーム１０１と封止樹脂（図示せず）とは熱膨張率が異なり、リードフレーム１０１と封止樹脂（図示せず）との間に微少な隙間が発生し、耐湿性に劣るという問題を有していた。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月2日(2007.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチック基板上に、バインダーを含有する溶媒中に導電性微粒子を分散させた透明導電膜形成用塗布液を塗布・乾燥、硬化させて透明導電膜を形成する透明導電性基材の製造方法において、
該透明導電膜形成用塗布液の溶媒が、プラスチック基板を溶解する少なくとも１種類以上の溶媒を含有し、形成された該透明導電膜が、バインダーを主成分とし導電性微粒子を含まない透明バインダー層と濃縮されて緻密に充填した導電性微粒子を主成分とする透明導電層の２層に分かれて構成され、プラスチック基板、透明バインダー層、透明導電層の順に積層された構造となることを特徴とする、透明導電性基材の製造方法。
【請求項２】
導電性微粒子が導電性酸化物微粒子であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電性基材の製造方法。
【請求項３】
導電性酸化物微粒子が、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛を主成分とする微粒子であることを特徴とする請求項１または２に記載の透明導電性基材の製造方法。
【請求項４】
バインダーが紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、乾燥硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１〜３に記載の透明導電性基材の製造方法。
【請求項５】
バインダーが、透明バインダー層がハードコート機能を有するように選定されたハードコート性バインダーであることを特徴とする請求項１〜４に記載の透明導電性基材の製造方法。
【請求項６】
透明導電膜形成用塗布液の溶媒が、プラスチック基板を溶解する溶媒を５〜５０重量％の範囲で含有することを特徴とする請求項１〜５に記載の透明導電性基材の製造方法。
【請求項７】
プラスチック基板が、トリアセチルセルロース、ノルボルネン系樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネートであることを特徴とする請求項１〜５に記載の透明導電性基材の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７の方法で製造された、プラスチック基板、透明バインダー層、透明導電層の順に積層された構造を有することを特徴とする透明導電性基材。
【請求項９】
透明導電膜の表面抵抗値が１００〜１０１２Ω／□で、透過率が８０〜１００％であることを特徴とする請求項８に記載の透明導電性基材。
【請求項１０】
透明バインダー層の厚みが２〜２０μｍで、透明バインダー層がハードコート機能を有していることを特徴とする請求項８または９に記載の透明導電性基材の製造方法。
【請求項１１】
透明導電膜の上に、さらに透明ハードコート層がオーバーコートされていることを特徴とする請求項８〜１０に記載の透明導電性基材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち、本発明が提供する請求項１の透明導電性基材の製造方法は、プラスチック基板上に、バインダーを含有する溶媒中に導電性微粒子を分散させた透明導電膜形成用塗布液を塗布・乾燥、硬化させて透明導電膜を形成する透明導電性基材の製造方法において、
該透明導電膜形成用塗布液の溶媒が、プラスチック基板を溶解する少なくとも１種類以上の溶媒を含有し、形成された該透明導電膜が、バインダーを主成分とし導電性微粒子を含まない透明バインダー層と濃縮されて緻密に充填した導電性微粒子を主成分とする透明導電層の２層に分かれて構成され、プラスチック基板、透明バインダー層、透明導電層の順に積層された構造となることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
この透明導電性基材の断面を透過電子顕微鏡で観察した結果、透明導電膜の部分は、バインダーを主成分とし導電性微粒子を含まない透明バインダー層（厚さ：約５μｍ）と濃縮されて緻密に充填した導電性微粒子を主成分とする透明導電層（厚さ：約０．２μｍ）の２層で構成されていることが確認された。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月21日(2007.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項１乃至６の何れかに記載の多価イオン発生源を用い、試料表面に多価イオンを照射することを特徴とする、荷電粒子ビーム装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明の多価イオン発生源１の特徴は、第２の真空容器１０内にイオン閉じ込めのための超伝導磁石１１が配置され、第２の真空容器１０の環状の空隙に第１の真空容器２が挿入されていることである。つまり、超伝導磁石１１の空隙（ボア）内に、第１の真空容器２が挿入されていることである。上記のように、この第１の真空容器２内には、電子源４、ドリフトチューブ５及びコレクタ６からなるイオン源電極３が配置されている。
また、超伝導磁石１１を収容する第２の真空容器１０は、第１の真空容器２から、両者の真空を破らずに脱着が可能である。本発明では、イオン源電極３を第１の真空容器２に収納したものを作ればよく、超伝導磁石１１は、市販品を用いることができるので、製作が容易である。このため、本発明の多価イオン発生源１においては、従来の多価イオン発生源のように、超伝導磁石１１とイオン源電極３とを一体化した構造を、精度良く製作する必要がない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
電子源４から発生された電子は、超伝導磁石１１の磁場中に配置されたドリフトチューブ５を通る。図４に示す電源を用いた場合には、電子源４とドリフトチューブ５の間で、電子が最大４０ｋＶまで加速される。この加速されてドリフトチューブ５に入射した電子は、超伝導磁石１１によりドリフトチューブ５に形成される強磁場で圧縮され、大電流密度（〜１０００Ａ／ｃｍ2 ）の電子ビームとなり、コレクタ６に捕集される。図４に示す電源を用いた場合には、コレクタ６には、２〜３ｋＶ位まで減速されて捕集される。
この際、電子は、ドリフトチューブ５の直前で最大加速電圧が印加されるようになっている。原子を電離するためには、束縛電子の電離エネルギー以上のエネルギーを持った電子と衝突させなければならないので、重元素（例えば、キセノン（Ｘｅ）など）を完全に電離させるには１ｓ軌道の電離エネルギー（Ｘｅでは３５ｋｅＶ）より高いエネルギーが必要で、加速電圧３５ｋＶ以上が必要である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月3日(2007.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次光源から発せられる光を導光し、且つ前記一次光源から発せられる光が入射する光入射端面及び導光される光が出射する光出射面及びその反対側の裏面を有する導光体であって、
前記光入射端面と前記光出射面とのなす角度θ１が８８．２度以上８９．６度以下であり、前記光入射端面は、超深度形状測定顕微鏡による計測に基づき得られる前記導光体の略厚さ方向の平均傾斜角が３度以上１２度以下であることを特徴とする面光源装置用導光体。
【請求項２】
請求項１記載の面光源装置用導光体の光入射端面に対向して前記一次光源が配置されており、更に、前記導光体の光出射面から出射する光が入光する入光面及びその反対側の出光面を有する光偏向素子が前記導光体の光出射面上に配置されていることを特徴とする面光源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、上記の課題を解決するものとして、
一次光源から発せられる光を導光し、且つ前記一次光源から発せられる光が入射する光入射端面及び導光される光が出射する光出射面及びその反対側の裏面を有する導光体であって、
前記光入射端面と前記光出射面とのなす角度θ１が８８．２度以上８９．６度以下であり、
前記光入射端面は、超深度形状測定顕微鏡による計測に基づき得られる前記導光体の略厚さ方向の平均傾斜角が３度以上１２度以下であることを特徴とする面光源装置用導光体、
が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月1日(2007.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次光源から発せられる光を導光し且つ前記一次光源から発せられる光が入射する光入射端面及び導光される光が出射する光出射面を有するエッジライト方式面光源装置用の導光体を製造する方法であって、  前記導光体の素材として透光性合成樹脂からなるものを使用し、前記光入射端面を逃げ角が３度以上４．５度以下で且つすくい角が８度以下のバイトを用いて切削加工を行うことを特徴とする、エッジライト方式面光源装置用導光体の製造方法。
【請求項２】
一次光源から発せられる光を導光し且つ前記一次光源から発せられる光が入射する光入射端面及び導光される光が出射する光出射面を有し且つ透光性合成樹脂からなるエッジライト方式面光源装置用導光体を製造するに際して前記光入射端面の切削加工に使用されるバイトであって、  逃げ角が３度以上４．５度以下で且つすくい角が８度以下であることを特徴とするバイト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】即ち、本発明によれば、上記の技術的課題を解決するものとして、一次光源から発せられる光を導光し且つ前記一次光源から発せられる光が入射する光入射端面及び導光される光が出射する光出射面を有するエッジライト方式面光源装置用の導光体を製造する方法であって、前記導光体の素材として透光性合成樹脂からなるものを使用し、前記光入射端面を逃げ角が３度以上４．５度以下で且つすくい角が８度以下のバイトを用いて切削加工を行うことを特徴とする、エッジライト方式面光源装置用導光体の製造方法、が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月11日(2007.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、コンピュータをデジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ（以下、合わせて単にデジタルカメラという）と接続し、デジタルカメラで撮影した映像を編集、記録することもできる。このデジタルカメラのCCD (Charge Coupled Device)やCMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等で構成される撮像画素の画素数も技術の進歩とともに多くなり、デジタルカメラで撮影された映像（ビデオ信号）も、高解像度化が進んでいる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月1日(2007.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
第２の実施形態のブースタは、第１の実施形態のブースタと同一の構成であるが、バンドパスフィルタ２０の特性が、第１の実施形態とは異なる。第２実施形態のブースタには、図５に示すようにＵＨＦ帯の、２２、２４、２５、２７、２８チャンネルのテレビジョン放送信号が供給される。このうち、２２チャンネル、２４チャンネル、２７チャンネル、２８チャンネルが地上デジタルテレビジョン放送信号であり、２５チャンネルがアナログテレビジョン放送信号である。各地上デジタルテレビジョン放送信号はほぼ同じ電界であり、２５チャンネルのアナログテレビジョン放送信号よりも電界が大きい。従って、これら２２、２４、２５、２７、２８チャンネルのテレビジョン放送信号を従来のブースタを介してテレビジョン受信機等に供給すると、２５チャンネルのアナログテレビジョン放送信号は、２４チャンネルの地上デジタルテレビジョン放送信号によって混信障害を受ける。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
なお、図７から明らかなように、２２チャンネルの地上デジタルテレビジョン放送信号は、２５チャンネルのアナログテレビジョン放送信号と、レベルコントロール１２を最大利得に調整しているときでも、最小利得に調整しているときでも、約１５ｄＢ乃至１７ｄＢ利得が小さいので、下側隣々々接の混信障害を２２チャンネルの地上デジタルテレビジョン放送信号が、２５チャンネルのアナログテレビジョン放送信号に与えることはない。同様に、２７チャンネルの地上デジタルテレビジョン放送信号は、２５チャンネルのアナログテレビジョン放送信号と、レベルコントロール１２を最大利得に調整しているときでも、最小利得に調整しているときでも、約２０ｄＢ利得が小さいので、上側隣々接の混信障害を２７チャンネルの地上デジタルテレビジョン放送信号が、２５チャンネルのアナログテレビジョン放送信号に与えることはない。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月10日(2007.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１に記載の無線電話システムであって、
前記無線端末は、
バッテリ残量を検知するバッテリ残量検知手段をさらに有し、
前記無線通信手段は、
前記第１の無線中継器および前記第２の無線中継器の両方から確認信号を受信している場合、前記バッテリ残量検知手段が検知するバッテリ残量が所定値未満ならば前記第２の無線通信方式を用いて前記第２の無線中継器と通信を行ない、該所定値未満でないならば前記第１の無線通信方式を用いて前記第１の無線中継器と通信を行なうこと
を特徴とする無線電話システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項１に記載の無線電話システムであって、
前記無線端末は、
前記第１の無線中継器の確認信号の受信レベルを検知する受信レベル検知手段をさらに有し、
前記無線通信手段は、
前記第１の無線中継器および前記第２の無線中継器の両方から確認信号を受信している場合、前記受信レベル検知手段が検知する受信レベルが所定値未満ならば前記第２の無線通信方式を用いて前記第２の無線中継器と通信を行ない、該所定値未満でないならば前記第１の無線通信方式を用いて前記第１の無線中継器と通信を行なうこと
を特徴とする無線電話システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月31日(2007.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
発熱物体を取り付ける部分を有して熱を放射する、かつ／または、熱を伝導する金属性の放熱体と、
前記放熱体の表面の全面又はその一部の外周を取り囲むように設けられた磁性体とを備えることを特徴とする放熱部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上述した課題は、発熱物体を取り付ける部分を有して熱を放射する、かつ／または、熱を伝導する金属性の放熱体と、放熱体の表面の全面又はその一部の外周を取り囲むように設けられた磁性体とを備えることを特徴とする放熱部品によって解決される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明に係る放熱部品によれば、発熱物体を取り付ける部分には、例えば、ＧＨｚ単位の超高周波信号を取り扱う電子機器等のＣＰＵが取り付けられる。ＣＰＵが高速動作して発生する熱は、金属性の放熱体によって放射し、かつ／または、伝導される。このＣＰＵを取り付ける部分に近い位置であって、放熱体の表面の全面又はその一部の外周を取り囲むように、例えば、磁路が閉じるように放熱体の外周部に環状に磁性体が設けられている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
磁性体１１は、有機媒体に軟磁性粒子を分散させた構造のシート形状を有している。軟磁性粒子には、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，あるいはＦｅＮｉ，ＦｅＣｏ，ＦｅＡｌ，ＦｅＳｉ，ＦｅＳｉＡｌ，ＦｅＳｉＢ，ＣｏＳｉＢあるいはフェライトなどの高透磁率軟磁性材料が用いられる。これに限られることはなく、磁性体１１は、有機媒体に軟磁性膜を分散させた構造の液状体を塗布処理にて形成した構造であってもよい。また、磁性体１１は、スパッタ、蒸着又はめっき処理によって軟磁性粒子を形成され、放熱板１０と一体化された構造であってもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図３は、ＬＳＩ装置１３に取り付けた放熱部品１００’の機能例を示す側面図である。図３において、点線に示す磁界分布IIは、例えば、ＬＳＩ装置１３が数百ＭＨｚ単位で高周波動作することにより、その高周波磁界によって発生する。図中、波形矢印は周波数成分を有する電磁波信号の伝播（方向）を示している。電磁波信号は、高周波磁界が放熱板１０に鎖交することによって生ずる。電磁波信号は、磁性体１１を通過する前の振幅に比べて、磁性体１１を通過した後の振幅が小さくなっている。この磁性体１１の内側を通過することで、電磁波信号（ノイズ信号）量は激減する。これは磁性体１１が、ノイズ抑制効果を発揮するためである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
周波数特性を有する電磁波信号を低減させるには、損失特性を有する材料、例えば、磁性材料をその信号経路に配置することが望ましい。電磁波信号を低減させる材料としては特に磁気損失を有する材料が用いられる。電磁波信号の抑制効果は、大きな磁気損失を有する材料ほど大きく、一般的にＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，ＦｅＮｉ，ＦｅＣｏ，ＦｅＡｌ，ＦｅＳｉ，ＦｅＳｉＡｌ，ＦｅＳｉＢ，ＣｏＳｉＢ等といった高透磁率磁性金属粉末、あるいはスピネルフェライト等といった高透磁率磁性酸化物粉末を樹脂のバインダに分散させたものが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
一般的に電磁波吸収塗布材料として市販されているものは、その用途が基板上に塗るものや、チップ（半導体パッケージ）周りに塗るものであるために、電磁波信号のショートを懸念して、金属磁性粉末をそのまま用いらずに酸化物等といった絶縁体でコーティングして用いられている。そのためコストアップは避けることができない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
この例で放熱板１０への磁性体１１の形成方法については、塗布方法の他に、放熱板１０の表面の全面又はその一部の外周に対して、めっき処理によって軟磁性膜を形成し、当該放熱板１０と磁性体１１とを一体化するようにしてもよい。例えば、高透磁率グラニュラー膜や高透磁率フェライト膜を放熱板１０にめっき処理によって形成する。このめっき処理工程によれば、まず、予め放熱部品１００のネジ穴部分や発熱部への装着箇所などめっき処理をしない部分にレジストを塗る。続いて、めっき箇所を軽く研磨をした後、脱脂処理を行ってめっき処理を行う。最後に放熱板全体を洗浄してレジストを除去する。これにより、磁性体１１と放熱板１０とを一体化した放熱部品１００を形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月2日(2007.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光センサー素子と増幅回路とを同一絶縁表面上に有し、
前記増幅回路は薄膜トランジスタで構成され、
前記光センサー素子は、前記薄膜トランジスタの配線上面及び側面を覆う第１の電極と、
前記配線及び前記第１の電極と重なるとともに、前記第１の電極上に一部接する光電変換層と、
前記光電変換層上に接する第２の電極と、を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記光センサー素子と前記増幅回路を有する前記半導体装置は、基板に固定されたチップであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、前記基板はガラス基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２において、前記基板はプラスチック基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一において、前記チップに設けられた外部端子は２端子構成であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記第１の電極は、Ｔｉを含む膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記薄膜トランジスタの前記配線は、Ｔｉを含む第１の膜と、アルミニウムを含む膜と、Ｔｉを含む第２の膜との三層構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記第２の電極は、前記光電変換層を介して前記第１の電極および前記配線と一部重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、前記半導体装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、または携帯情報端末であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
光センサー素子と増幅回路とを同一絶縁表面上に有する半導体装置の作製方法であり、
増幅回路を構成する薄膜トランジスタの配線を形成する第１工程と、
前記配線の上面および側面を覆う第１の電極を形成する第２工程と、
前記配線および前記第１の電極と重なり、前記第１の電極上に一部接する光電変換層を形成する第３工程と、
前記光電変換層上に第２の電極を印刷法で形成する第４工程と、
前記第２の電極をマスクとして自己整合的に前記光電変換層をエッチングする第５工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記第５工程の後に、
前記第１の電極および前記第２の電極の端部を覆う封止層を印刷法で形成する第６工程と、
前記封止層上に前記第２の電極と接する第３の電極を印刷法で形成する第７の工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
光センサー素子と増幅回路とを同一絶縁表面上に有する半導体装置の作製方法であり、
増幅回路を構成する薄膜トランジスタの配線を形成する第１工程と、
前記配線の上面および側面を覆う第１の電極を形成する第２工程と、
前記配線および前記第１の電極と重なり、前記第１の電極上に一部接する光電変換層を形成する第３工程と、
前記光電変換層上にレジストマスクを印刷法で形成する第４工程と、
前記レジストマスクをマスクとして前記光電変換層をエッチングする第５工程と、
前記レジストマスクを除去する第６工程と、
前記光電変換層上に第２の電極を印刷法で形成する第７工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、前記第７工程の後に、
前記第１の電極および前記第２の電極の端部を覆う封止層を印刷法で形成する第８工程と、
前記封止層上に前記第２の電極と接する第３の電極を印刷法で形成する第９の工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一において、前記第２の電極の形成は、前記光電変換層を介して前記配線および前記第１の電極と一部重なるように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月11日(2007.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項５に記載の情報処理装置は、前記切り出し情報を記憶する記憶手段（例えば、図３のパターンファイル記憶部５２）をさらに備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月21日(2007.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の入力回線と、複数の出力回線とが接続され、前記入力回線から入力された入力フレームのヘッダ情報から前記入力フレームの出力回線番号を判定し、前記出力回線番号に対応する前記出力回線に前記入力フレームを転送するためのフレーム中継装置において、
アドレスと、該アドレスに一対一に対応して該アドレスよりビット長が短いキー情報とを管理し、入力フレーム内の送信元アドレス及び宛先アドレスにそれぞれ対応する送信元キー情報及び宛先キー情報を判定するキー情報供給部と、
前記キー情報供給部が判定した宛先キー情報と、前記入力フレーム内の送信元アドレスと宛先アドレス以外の情報とに基づいて、前記出力回線番号を判定する出力先判定処理部と、
前記キー情報供給部が判定した送信元キー情報及び宛先キー情報と、前記入力フレームの前記入力回線番号、前記入力フレーム内の送信元アドレスと宛先アドレス以外の情報の内少なくとも１つの情報に基づいて、フロー情報を判定するフロー判定処理部と
を備えたフレーム中継装置。
【請求項２】
前記出力先判定処理部は、前記入力フレーム内の送信元アドレス又は宛先アドレス、及びこれらに対応する前記回線番号を有するフォワーディング・エントリを、
前記フロー判定処理部は、前記入力フレーム内のヘッダ情報に基づいたフロー識別条件と対応するフロー情報を有するフロー・エントリを備え、
前記キー情報供給部は、
前記フォワーディング・エントリ内の宛先アドレスと、前記フロー・エントリ内の送信元アドレス又は宛先アドレスとにそれぞれ対応するアドレスをエントリとして格納する第一のＣＡＭと、
該エントリに対応する前記キー情報を格納するキー情報テーブルと
を備えた請求項１に記載のフレーム中継装置。
【請求項３】
前記第一のＣＡＭは、前記入力フレームの送信元アドレス又は宛先アドレスが入力されると、該送信元アドレス又は宛先アドレスと一致するエントリを検索して一致したエントリのアドレスを出力し、
前記キー情報供給部は、前記キー情報テーブルから該送信元アドレス又は宛先アドレスにそれぞれ対応する前記送信元キー情報又は前記宛先キー情報を読み出す請求項１に記載のフレーム中継装置。
【請求項４】
前記出力先判定処理部は、
前記キー情報と、前記入力フレームのヘッダ情報のうち送信元アドレスと宛先アドレス以外の情報とが対応してエントリとして設定される第二のＣＡＭと、
該エントリに対応した出力先を格納する出力先情報テーブルとを備えた請求項１に記載のフレーム中継装置。
【請求項５】
前記第二のＣＡＭは、前記入力フレームの宛先キー情報及び前記入力フレームのヘッダ情報のうち送信元アドレスと宛先アドレス以外の情報を含めた情報が入力されると、該情報と一致するエントリを検索して一致したエントリのアドレスを出力し、
前記出力先判定処理部は、前記出力先情報テーブルから該アドレスに対応する出力先情報を読み出す請求項４に記載のフレーム中継装置。
【請求項６】
前記第二のＣＡＭは、前記入力フレームの送信元アドレスに対応した送信元キー情報及び前記入力フレームのヘッダ情報のうち送信元アドレスと宛先アドレス以外の情報を含めた情報が入力されると、該情報と一致するエントリの有無を判定し、
前記出力先判定処理部は、一致するエントリの有無に基づきアドレスの学習要否を判定する請求項４に記載のフレーム中継装置。
【請求項７】
前記フロー判定処理部は、
前記送信元キー情報及び宛先キー情報と、前記入力回線情報と前記入力フレームのヘッダ情報のうち送信元アドレスと宛先アドレス以外の情報の少なくとも１つの情報と、を含む前記フロー識別条件がエントリとして設定される第三のＣＡＭと、
前記入力フレームの転送又は廃棄を指示する該エントリに対応するフィルタ情報、前記入力フレームの転送優先度を指示するＱｏＳ情報、統計情報のいずれか又は複数が格納されるフロー情報テーブルと
を備えた請求項１に記載のフレーム中継装置。
【請求項８】
前記第三のＣＡＭは、前記入力フレームに関する前記フロー識別条件が入力されると、該情報と一致するエントリを検索して一致したエントリのアドレスを出力し、
前記フロー判定処理部は、前記フロー情報テーブルの該アドレスからエントリを読み出す請求項７に記載のフレーム中継装置。
【請求項９】
前記出力先判定処理部が前記アドレスの学習要否の判定においてアドレスの学習が必要と判定した場合、その通知を受信し、前記入力フレームの送信元アドレスに対応する空きのキー情報を獲得及び送信する空きキー情報供給部をさらに備え、
前記キー情報供給部及び前記出力先判定処理部は、獲得された空きのキー情報を含むエントリを記憶する請求項６に記載のフレーム中継装置。
【請求項１０】
前記キー情報供給部、前記出力先判定処理部及び前記フロー判定処理部と接続され、前記入力フレーム内の情報の前記キー情報供給部、前記出力先判定処理部及び前記フロー判定処理部への転送、前記キー情報供給部、前記出力先判定処理部及び前記フロー判定処理部の各部間のデータ転送及び出力回線情報の出力を制御するための検索制御部をさらに備えた請求項１に記載のフレーム中継装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月21日(2007.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
しかし、上記構成のステージ装置では、固定支持基板とＸ方向移動板とＹ方向移動板の間の平行関係を保つ手段を備えていないと、Ｘ方向移動板 とＹ方向移動板が固定支持基板に対してがたついてしまい、さらに、これら各部材の隣り合うもの同士が接触して摩擦が生じるため、Ｘ方向移動板とＹ方向移動板 がＸ方向とＹ方向に円滑に移動できなくなるおそれがある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の目的は、Ｘ方向移動板とＹ方向移動板が固定支持基板に対してがたつかず、常に円滑に動作するステージ装置及びこのステージ装置を利用したカメラの手振れ補正装置を提供することにある。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＡＮ通信インターフェイス回路と、
前記ＣＡＮ通信インターフェイス回路に接続されたＣＡＮバスラインと、
前記ＣＡＮ通信インターフェイス回路及び前記ＣＡＮバスラインを介して入力された外部情報を処理するＣＡＮトランシーバーＩＣと、
前記ＣＡＮトランシーバーＩＣから送られる情報に基づいて、駆動信号を出力するCPUと、
前記ＣＡＮバスラインにおける電圧を監視することにより、前記ＣＡＮトランシーバーＩＣの異常を検出する監視回路と、を有することを特徴とする電子制御装置。
【請求項２】
請求項１記載の電子制御装置において、
前記ＣＡＮバスラインであるＣＡＮ−Ｈライン及びＣＡＮ−Ｌラインを監視することにより、両方の波形を監視することを特徴とする電子制御装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の電子制御装置において、
前記ＣＡＮトランシーバーＩＣが正常な場合と異常の場合を判別するのに、ＨＩ信号，ＬＯＷ信号または一定周期のパルス信号を前記監視回路から前記ＣＰＵに対して送信することにより、前記ＣＡＮトランシーバーＩＣの異常を検出した場合、その信号でフェイルランプを点灯させ、ＣＡＮ通信システムが動作不能となる前に警告を与えることを特徴とする電子制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子制御装置