【手続補正書】
【提出日】平成20年3月18日(2008.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
側面周辺および上部と下部との主要表面および第１と第２とのエッジを持つ第1のＣＳＰであって、前記エッジは上部主要表面に関して側面領域を画定するようになっている第1のＣＳＰと、
第１のＣＳＰに対して反転して積層した配置にある第２のＣＳＰであって、側面周辺および上部と下部との主要表面を持つ第２のＣＳＰと、
第１および第２の集積回路の間に部分的に配置したヒートスプレッダー要素と、
第１のＣＳＰの側面周辺の第１の部分に沿って少なくとも部分的に配置した第１の放熱用形態要素であって、前記第１の放熱用形態要素の一部分はヒートスプレッダー要素に熱的に接続されている第１の放熱用形態要素と、
第１および第２のＣＳＰを接続するフレックス回路であって、第１のＣＳＰの下部主要面の下にフレックス回路の第１の部分、および第２のＣＳＰの上にフレックス回路の第２の部分を搭載するために配置されたフレックス回路とを、
備えていることを特徴とする高密度回路モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の高密度回路モジュールであって、第２の放熱用形態要素をさらに含み、当該第２の放熱用形態要素は、前記第２のＣＳＰの側面周辺の第２の部分に沿って少なくとも部分的に配置されており、前記第２の放熱用形態要素の部分が前記ヒートスプレッダー要素に熱的に接続していることを特徴とする、高密度回路モジュール。
【請求項３】
請求項１に記載の高密度回路モジュールであって、前記ヒートスプレッダー要素は、前記ヒートスプレッダー要素の少なくとも１つのエッジ上に形成された少なくとも１つの熱伝導性マウントを持つことを特徴とする、高密度回路モジュール。
【請求項４】
請求項３に記載の高密度回路モジュールであって、前記少なくとも１つの熱伝導性マウントは、第１のＣＳＰの下部主要表面の下のレベルまで第１のＣＳＰの側面領域の外側に延びていることを特徴とする、高密度回路モジュール。
【請求項５】
請求項３に記載の高密度回路モジュールであって、前記少なくとも１つの熱伝導性マウントは、回路ボード上の熱吸収実装表面と熱伝達することを特徴とする、高密度回路モジュール。
【請求項６】
第1のＣＳＰ、第2のＣＳＰ、少なくとも１つの放熱用形態要素、およびフレックス回路を含む高密度回路モジュールであって、
前記第１のＣＳＰは側面周辺および第１と第２のエッジを持ち、前記エッジは上部主要表面に関して側面領域を決めるために上部および下部主要表面の境界を示すことを特徴とし、
前記第２のＣＳＰは前記第1のＣＳＰに対して反転した積層配置にあり、前記第２のＣＳＰは側面周辺および上部および下部主要表面を持つことを特徴とし、
前記放熱用形態要素は少なくとも１つの第1および第2のＣＳＰの側面周辺に沿って少なくとも部分的に配置されていて、前記放熱用形態要素の1部は少なくとも１つの第1および第2のＣＳＰに熱的に接続されていることを特徴とし、
前記フレックス回路は、前記第1および第2のＣＳＰと接続し、第1のＣＳＰの下部主要表面の下にフレックス回路の第1の部分および第2のＣＳＰ上にフレックス回路の第2の部分を設置するように配置されていることを特徴とする、
高密度回路モジュール。
【請求項７】
上記第1および第2のＣＳＰの間にヒートスプレッダー要素をさらに含むことを特徴とする、請求項６に記載の高密度回路モジュール。
【請求項８】
上記の少なくとも１つの放熱用形態要素は、その放熱用形態要素内に熱放射形状を形成するために空隙を有することを特徴とする、請求項６に記載の高密度回路モジュール。
【請求項９】
上記放熱用形状はひれ状であることを特徴とする、請求項８に記載の高密度回路モジュール。
【請求項１０】
第1のＣＳＰ、第2のＣＳＰ、ヒートスプレッダー要素、およびフレックス回路を含む高密度回路モジュールであって、
前記第１のＣＳＰは側面周辺および第１と第２のエッジを持ち、前記エッジは上部主要表面に関して側面領域を決めるために上部および下部主要表面の境界を示すことを特徴とし、
前記第２のＣＳＰは前記第1のＣＳＰに対して積層配置にあり、前記第２のＣＳＰは側面周辺および上部および下部主要表面を持つことを特徴とし、
前記ヒートスプレッダー要素は前記第1および第2の集積回路の間に配置され、前記ヒートスプレッダー要素は、少なくとも１つの横のエッジから拡張している少なくとも１つの熱伝導性マウントを持ち、ホストシステムの熱吸収部分に熱的に結合していることを特徴とし、
前記フレックス回路は、前記第1および第2のＣＳＰと接続し、第1の集積回路の下部主要表面の下にフレックス回路の第1の部分を設置するように配置されていることを特徴とする、
高密度回路モジュール。
【請求項１１】
上記フレックス回路は部分的に巻かれている湾曲表面を持つ標準形態をさらに含むことを特徴とする、請求項１０に記載の高密度回路モジュール。
【請求項１２】
ハーメチック・シール・パッケージに封入されている請求項１に記載の高密度回路モジュールを含むことを特徴とする、パッケージ化された高密度集積回路モジュール。
【請求項１３】
ハーメチック・シール・パッケージに封入されている請求項１０に記載の高密度回路モジュールを含むことを特徴とする、パッケージ化された高密度集積回路モジュール。
【請求項１４】
ハーメチック・シール・パッケージに封入されている請求項６に記載の高密度回路モジュールを含むことを特徴とする、パッケージ化された高密度集積回路モジュール。
【請求項１５】
次の（ａ）〜（ｄ）の工程を含むことを特徴とする高密度回路モジュールの製造方法。
（ａ）フレックス回路上の非近接位置に第1および第2のＣＳＰを設置し、それにより前記第1のＣＳＰの底部主要表面上のＣＳＰコンタクトの第１の組および前記第２のＣＳＰの底部主要表面上のＣＳＰコンタクトの第２の組は複数のフレックスコンタクトのそれぞれのコンタクトに両方とも接続する工程、
（ｂ）少なくとも１つの前記第1および第2のＣＳＰの横の周辺に沿って少なくとも部分的に少なくとも１つの放熱用標準形態要素を取り付ける工程、
（ｃ）前記第1のＣＳＰの最上部主要表面上にヒートスプレッダー標準形態要素を取り付ける工程、
（ｄ）前記第2のＣＳＰは前記ヒートスプレッダー標準形態要素に近接するようにフレックス回路を折り畳む工程。
【請求項１６】
上記第2のＣＳＰの最上部主要表面と上記ヒートスプレッダー標準形態要素との間に接着層を取り付ける工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１５に記載の製造方法。
【請求項１７】
工程（ｂ）は、少なくとも部分的に前記第1および第2のＣＳＰの周りに放熱用標準形態要素を取り付けることを含むことを特徴とする、請求項１５に記載の製造方法。
【請求項１８】
工程（ｂ）は、ラミネート接着剤を用いて取り付けることを含むことを特徴とする、請求項１５に記載の製造方法。
【請求項１９】
工程（ｃ）は、ラミネート接着剤を用いて取り付けることを含むことを特徴とする、請求項１５に記載の製造方法。
【請求項２０】
フレックス回路および軸形態を含む回路モジュールであって、
前記フレックス回路はＣＳＰを搭載し、そのフレックスは複数の接続コンタクトを示すことを特徴とし、
前記フレックス回路は、アプリケーション環境に連結するための複数の接続コンタクトを提供するために前記軸形態の周りに配置されることを特徴とする、
回路モジュール。
【請求項２１】
上記標準形態は金属性材料から構成されることを特徴とする、請求項２０記載の回路モジュール。
【請求項２２】
上記フレックス回路は少なくとも２つの導電層から構成されることを特徴とする、請求項２０記載の回路モジュール。
【請求項２３】
上記ＣＳＰは第1のタイプのＣＳＰと少なくとも１つの第２のタイプのＣＳＰとを含むことを特徴とする、請求項２１記載の回路モジュール。
【請求項２４】
上記ＣＳＰはメモリデバイスであることを特徴とする、請求項２１記載の回路モジュール。
【請求項２５】
フレックス回路および金属から構成される形態を含む回路モジュールであって、
前記フレックス回路は、ＣＳＰを搭載するとともにアプリケーション環境にモジュールを連結するためのコンタクトを1つの面に有することを特徴とし、
前記フレックス回路が回路モジュールの外側にコンタクトを提供するために、金属から構成される形態の周りに配置されていることを特徴とする、
回路モジュール。
【請求項２６】
上記ＣＳＰは２つの異なるサイズであることを特徴とする、請求項２５記載の回路モジュール。
【請求項２７】
上記ＣＳＰはメモリデバイスであることを特徴とする、請求項２５記載の回路モジュール。
【請求項２８】
上記フレックス回路は少なくとも２つの導電層を持つことを特徴とする、請求項２５記載の回路モジュール。
【請求項２９】
上記ＣＳＰは２つの異なる種類であることを特徴とする、請求項２５記載の回路モジュール。
【請求項３０】
上記フレックス回路は少なくとも２つの導電層から構成されることを特徴とする、請求項２０記載の回路モジュール。
【請求項３１】
次の（ａ）〜（ｈ）の工程を含むことを特徴とする高密度回路モジュールの製造方法。
（ａ）第1の放熱用形態部分、第2の放熱用形態部分、およびヒートスプレッダー形態部分を有する標準形態を提供する工程、
（ｂ）第１および第2のフレックスコンタクトのセットを持つフレックス回路を提供する工程、
（ｃ）最上面を各々有する第1のＣＳＰおよび第2のＣＳＰを提供する工程、
（ｄ）第1のＣＳＰおよび第2のＣＳＰを第１および第2のフレックスコンタクトのセットにそれぞれ接続する工程、
（ｅ）前記標準形態の第1の放熱用形態部分を前記フレックス回路へ付着させる工程であって、前記第1の放熱用形態部分は前記第１のＣＳＰの周りに少なくとも部分的に拡張していることを特徴とする工程、
（ｆ）標準形態の第２の放熱用形態部分を前記フレックス回路へ付着させる工程であって、前記第2の放熱用形態部分は前記第２のＣＳＰの周りに少なくとも部分的に拡張していることを特徴とする工程、
（ｇ）前記標準形態のヒートスプレッダー形態部分を第1のＣＳＰの最上面に付着させる工程であって、それによりヒートスプレッダー形態部分の少なくとも１つの熱マウントが、第1のＣＳＰの側面領域の外側で、第1のＣＳＰの最上面に対して下方へ到達することを特徴とする工程、
（ｈ）第１および第2のＣＳＰの間の領域で前記フレックス回路を折り畳む工程であって、その結果、前記フレックス回路は前記第１および第2の放熱用形態部分上で湾曲形態の周りで折り畳まれ、前記第2のＣＳＰは前記第１のＣＳＰの上の積層位置に反転して設置され、それにより、第1のＣＳＰに近接した側と反対のヒートスプレッダー形態部分の側にヒートスプレッダー形態部分をコンタクトすることを特徴とする工程。
【請求項３２】
少なくとも１つの熱マウントが、第1のＣＳＰの反対側に前記フレックス回路の面に複数のモジュールコンタクトのそばのレベルまで、第1のＣＳＰの最上面に対して下方へ拡張していることを特徴とする、請求項３１記載の製造方法。
【請求項３３】
次の（ａ）〜（ｃ）の工程をさらに含むことを特徴とする、請求項３１記載の製造方法。
（ａ）ハーメチックシール容器に高密度回路モジュールをパッケージする工程、
（ｂ）前記高密度回路モジュールを回路ボードへ半田付けする工程、
（ｃ）熱伝導性結合手段を用いて、前記回路ボードへ少なくとも１つの熱マウントを結合する工程。
【請求項３４】
次の（ａ）および（ｂ）の工程をさらに含むことを特徴とする、請求項３１記載の製造方法。
（ａ）前記高密度回路モジュールを回路ボード上へ半田付けする工程、
（ｂ）熱伝導性結合手段を用いて、前記回路ボードへ少なくとも１つの熱マウントを結合する工程。
【請求項３５】
次の（ａ）〜（ｇ）の工程を含むことを特徴とする、高密度回路モジュールの組み立て方法。
（ａ）第1のセットおよび第2のセットとして配列した複数のフレックスコンタクトとともに、第1および第2のフレックス拡張部および中心部分を持つフレックス回路を提供する工程、
（ｂ）第1、第2、および第３のＣＳＰを提供する工程、
（ｃ）標準形態を提供する工程、
（ｄ）前記フレックス回路の中心部分上で第1のＣＳＰを第1のフレックスコンタクトのセットに接続する工程、
（ｅ）前記第1のフレックス拡張部上に第2のＣＳＰを設置する工程、
（ｆ）前記第２のフレックス拡張部上に第３のＣＳＰを設置する工程、
（ｇ）標準形態の第1および第2の折り畳まれた部分の上に前記第1および第2のフレックス拡張部を折り畳む工程。
【請求項３６】
前記フレックス回路を前記標準形態に結合する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項３５記載の組み立て方法。
【請求項３７】
標準形態を提供する工程は、少なくとも２つの部品から標準形態をアセンブリすることを含むことを特徴とする、請求項３５記載の組み立て方法。
【請求項３８】
上記標準形態は放熱手段を持つことを特徴とする、請求項３５記載の組み立て方法。
【請求項３９】
標準形態はフィンを含むことを特徴とする、請求項３５記載の組み立て方法。
【請求項４０】
標準形態は標準形態の少なくとも１つの側面エッジの近くに形成されたピンを含むことを特徴とする、請求項３５記載の組み立て方法。
【請求項４１】
標準形態は熱伝導性実装脚を持つことを特徴とする、請求項３５記載の組み立て方法。
【請求項４２】
標準形態は熱伝導性熱マウントを持つことを特徴とする、請求項３５記載の組み立て方法。
【請求項４３】
標準形態は、その動作環境に高密度回路要素を熱接続するための熱拡張部を持つことを特徴とする、請求項３５記載の組み立て方法。
【請求項４４】
標準形態は、その動作環境において高密度回路要素を機械的に安定化させるための実装用拡張部を持つことを特徴とする、請求項３５記載の組み立て方法。
【請求項４５】
動作環境はハーメチックシールパッケージを含むことを特徴とする、請求項４４記載の組み立て方法。
【請求項４６】
次の（ａ）〜（ｆ）の工程を含むことを特徴とする高密度回路モジュールの組み立て方法。
（ａ）複数のフレックスコンタクトを持つフレックス回路を提供する工程であって、前記フレックスコンタクトは第1および第2のセットに配列していることを特徴とする工程、
（ｂ）標準形態要素を提供する工程、
（ｃ）側面領域を決める第1および第2の側面エッジを持つ第1のＣＳＰおよび第2のＣＳＰを各々提供する工程、
（ｄ）第1および第2のＣＳＰを第1および第2のフレックスコンタクトのセットにそれぞれ接続する工程、
（ｅ）第1のＣＳＰ上に標準形態要素を合わせる工程であって、前記標準形態要素は、第1のＣＳＰの部分をカバーし、第1のＣＳＰの側面領域を超えて部分的に拡張していることを特徴とする工程、
（ｆ）前記標準形態要素の湾曲したエッジの周りにフレックス回路を折り畳む工程であって、その結果第2のＣＳＰは、第1のＣＳＰとコンタクトする側と反対の標準形態要素の側で標準形態要素とコンタクトしていることを特徴とする工程。
【請求項４７】
接着剤を用いて第1のＣＳＰに標準形態を固定することを特徴とする、請求項４６記載の組み立て方法。
【請求項４８】
前記標準形態要素は複数の部品からアセンブリされることを特徴とする、請求項４６記載の組み立て方法。
【請求項４９】
前記標準形態要素は放熱手段を持つことを特徴とする、請求項４６記載の組み立て方法。
【請求項５０】
前記標準形態はフィンを含むことを特徴とする、請求項４６記載の組み立て方法。
【請求項５１】
前記標準形態は標準形態要素の空洞の内部部分に形成されたピンを含むことを特徴とする、請求項４６記載の組み立て方法。
【請求項５２】
前記標準形態要素は熱伝導性実装脚を持つことを特徴とする、請求項４６記載の組み立て方法。
【請求項５３】
前記標準形態要素はその動作環境に高密度回路要素を熱接続するための熱拡張部を持つことを特徴とする、請求項４６記載の組み立て方法。
【請求項５４】
前記標準形態要素は動作環境に高密度回路要素を取り付けるための実装用拡張部を持つことを特徴とする、請求項４６記載の組み立て方法。
【請求項５５】
前記動作環境はハーメチックシールパッケージを含むことを特徴とする、請求項４６記載の組み立て方法。
【請求項５６】
前記フレックス回路を折り畳む工程の後に、第2のＣＳＰの最上主要面に対して標準形態要素を取り付ける工程をさらに含むことを特徴とする、請求項４６記載の組み立て方法。
【請求項５７】
次の（ａ）〜（ｄ）の工程を含むことを特徴とする高密度回路モジュールの製造方法。
（ａ）第1および第2のフレックスコンタクトのセットを持つフレックス回路を提供する工程、
（ｂ）最上面を各々持つベース要素ＣＳＰおよびサポート要素ＣＳＰを提供する工程、
（ｃ）第1および第2のフレックスコンタクトのセットにベース要素ＣＳＰおよびサポート要素ＣＳＰをそれぞれ接続する工程、
（ｄ）ベース要素ＣＳＰおよびサポート要素ＣＳＰの間の領域でフレックス回路を折り畳む工程であって、その結果前記サポート要素ＣＳＰはベース要素ＣＳＰの上の積層位置に反転して設置されることを特徴とする工程。
【請求項５８】
次の（ａ）および（ｂ）の工程をさらに含むことを特徴とする、請求項５７に記載の製造方法。
（ａ）ハーメチックシール容器内に高密度回路モジュールをパッケージする工程、
（ｂ）回路ボードに高密度回路モジュールを半田付けする工程。
【請求項５９】
回路ボード上に高密度回路モジュールを半田付けする工程をさらに含むことを特徴とする、請求項５７に記載の製造方法。
【請求項６０】
ベース要素ＣＳＰおよびサポート要素ＣＳＰの間に熱伝導性材料を配置する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項５７に記載の製造方法。
【請求項６１】
熱伝導性材料は接着剤であることを特徴とする、請求項６０に記載の製造方法。
【請求項６２】
熱伝導性材料は金属であることを特徴とする、請求項６０に記載の製造方法。
【請求項６３】
次の（ａ）〜（ｆ）の工程を含むことを特徴とする高密度回路モジュールの組み立て方法。
（ａ）第1のセットおよび第2のセットとして配列された複数のフレックスコンタクトとともに、第1および第2のフレックス拡張部を持つフレックス回路を提供する工程、
（ｂ）第1、第2、および第３のＣＳＰを提供する工程であって、前記第1のＣＳＰは側面領域を決める第1の側面部分および第２の側面部分を持つことを特徴とする工程、
（ｃ）フレックス回路の中心部分上で第1のフレックスコンタクトに第1のＣＳＰを接続する工程、
（ｄ）第１のフレックス拡張部上に第2のＣＳＰを設置する工程、
（ｅ）第２のフレックス拡張部上に第３のＣＳＰを設置する工程、
（ｆ）第1のＣＳＰの第1および第2の側面部分上で第1および第2のフレックス拡張部を折り畳む工程。
【請求項６４】
第1のＣＳＰにフレックス回路を結合する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項６３に記載の製造方法。
【請求項６５】
次の（ａ）および（ｂ）の工程をさらに含むことを特徴とする、請求項６３に記載の製造方法。
（ａ）第1のＣＳＰおよび第2のＣＳＰの間に熱伝導性材料を配置する工程、
（ｂ）第1のＣＳＰおよび第３のＣＳＰの間に熱伝導性材料を配置する工程、
【請求項６６】
次の（ａ）および（ｂ）の工程をさらに含むことを特徴とする、請求項６３に記載の製造方法。
（ａ）ハーメチックシール容器内に高密度回路モジュールをパッケージする工程、
（ｂ）回路ボードに高密度回路モジュールを半田付けする工程。
【請求項６７】
上記第１のＣＳＰはベース要素ＣＳＰであり、上記第２のＣＳＰおよび第３のＣＳＰはサポート要素ＣＳＰであることを特徴とする、請求項６３に記載の製造方法。
【請求項６８】
上記第２のＣＳＰおよび上記第３のＣＳＰの各々は、上記第１のＣＳＰの側面領域を超えて少なくとも部分的に配置されることを特徴とする、請求項６７に記載の製造方法。
【請求項６９】
次の（ａ）〜（ｅ）の工程をさらに含むことを特徴とする、請求項６３に記載の製造方法。
（ａ）複数のフレックスコンタクトを持つフレックス回路を提供する工程であって、前記フレックスコンタクトは第１および第２のセットに配列されることを特徴とする工程、
（ｂ）側面領域を決める側面エッジを各々持つ第１のＣＳＰおよび第２のＣＳＰを提供する工程、
（ｃ）第１および第２のフレックスコンタクトのセットに前記第１および第２のＣＳＰをそれぞれ接続する工程、
（ｄ）前記第１のＣＳＰの側面エッジの周りにフレックス回路を折り畳む工程、
（ｅ）前記第１のＣＳＰ上に前記第２のＣＳＰを合わせる工程であって、前記第２のＣＳＰは、前記第１のＣＳＰの一部分をカバーし、前記第１のＣＳＰの側面領域を超えて部分的に拡張することを特徴とする工程。
【請求項７０】
前記第１のＣＳＰおよび前記第２のＣＳＰの間に熱伝導性材料を配置する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項６９記載の製造方法。
【請求項７１】
前記熱伝導性材料は接着剤であることを特徴とする、請求項７０記載の製造方法。
【請求項７２】
前記熱伝導性材料は金属であることを特徴とする、請求項７０記載の製造方法。
【請求項７３】
前記第２のＣＳＰの側面エッジの周りに前記フレックス回路を折り畳む工程をさらに含むことを特徴とする、請求項６９記載の製造方法。
【請求項７４】
前記フレックス回路を折り畳む工程の後に、前記第２のＣＳＰの主要表面に対して前記フレックス回路の部分を取り付ける工程をさらに含むことを特徴とする、請求項６９記載の製造方法。
【請求項７５】
前記第１のＣＳＰはベース要素ＣＳＰであり、前記第２のＣＳＰはサポート要素ＣＳＰであることを特徴とする、請求項６９記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
図１４は本発明の代替の好適な実施形態である。図１４において、ベース要素１２０の物理的な境界を越えて拡張しているサポート要素１４０と１６０を用いて、ＣＳＰにおいてパッケージ化された図示されたＩＣのすべてと一緒に、ベース要素１２０およびサポート要素１４０と１６０が示されている。標準形態３４は、フレックス回路３０が弧状をなす標準形態を提供する。最初に示したように、この実施形態において、標準形態は種々の形態を取っても良いし、また標準形態３４は、冷却表面積を増加させるために折り曲げられ、一方では、フレックス回路３０のために、適切な軸円周および標準形態を提供する。また、絶縁保護媒体４１の広範囲で好適な使用も示されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
特定の下部フレックスコンタクト４４は、第２の導電層５８のレベルにおいて、配線７１によってビア５９へ接続される。ビア５９は、相対的に上向きの方向においてベース要素１２０のボディへつながる。ビア５９は、フレックス回路３０を通して上方へつながるので、領域６９においてビア５９の識別によって図１７に示される第１の導電層５４のレベルで導電性領域とコンタクトする。特定のビア５９は、それから、図示された実施形態において種々の他のコンタクトへ接続ネットワークを提供する配線７３へ接続される。この結果、２つの導電層の使用は、中間層を通して図示されたビアの使用によって、付加されたフレキシビリティとして与えられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
図２６は、本発明のさらに別の実施形態で、図２５で示されたものより後のアセンブリ工程を示す。本発明の実施例の実施形態をアセンブリする好適な方法は、これや関連の図によって示されるが、この順序は制限されないし、当業者がこの明細書を理解した後で認識するように、本発明の種々の実施形態が種々の順番で組み立てられて良い。ベース要素１２０は上面２２４を持つ。放熱用形態部分１９２が、ベース要素１２０およびサポート要素１４０（「図示されたCSP」）の周りに配置されて示される。離間距離Dおよび放熱用形態部分１９２のフレックス回路３０への接続は、図２２に関してなされた説明に従っても良い。この実施形態において、標準形態３４の放熱用形態部分１９２は、湾曲形態２６２およびタブ形態２６４を持つ金属部品であり、それはさらに図２７に関して記載される。他の実施形態において、標準形態３４の放熱用形態部分１９２は、たとえば、種々の金属、合金およびその複合物のような適当に堅くて熱伝導性の良い材料から作られても良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
図３０は、本発明の別の実施形態の、図２９で示された工程より後のアセンブリ工程を示す。本発明の実施例の実施形態をアセンブリする好適な方法がこれや関連の図によって示されているが、その順番は限定されてはいないし、当業者がこの明細書を理解した後に認識するように、本発明の種々の実施形態は種々の順番でアセンブリされても良い。この実施形態において、フレックス拡張部２９２および２９４は、標準形態３４の周りで巻かれて示されている。ベース要素１２０（この図では見えていない）は、標準形態３４に近接した上面２２４と一緒に、標準形態３４の下にある。この実施形態において、標準形態３４は、サポート要素１４０および１６０が配置するサポート面および熱吸収面を提供するために作製された、折り畳まれた部分３０４および３０６を持つ。この図において、サポート要素１４０および１６０は、フレックス拡張部２９２および２９４の折り畳みによって、図２９におけるそれらの描写に関して反転されている。この実施形態において、フレックス回路３０は２つの拡張部分を有して示されているが、これに限定しているものではなく、他の実施形態は１つまたは２つまたは３つ以上のフレックス拡張部を含んでも良く、このフレックス拡張部は、お互いに接続するフレキシブル回路、および／またはベース要素１２０および／またはモジュール１０の動作環境を提供するために工夫される。さらに、この実施形態において標準形態３４は２つの折り畳まれた部分３０４および３０６を持つ一方で、他の実施形態は１つまたは２つまたは３つ以上の折り畳まれた部分を持っても良く、このような部分はサポート要素１４０および１６０のために補助および／または熱吸収を提供するために作製されても良いし、サポート要素１４０および１６０のために付着および／または補助および／または熱吸収用の表面を提供するために作製されても良い。サポート要素１４０および１６０は、ベース要素１２０に対して、水平でも良いし、または垂直でも良いし、または他の角度で配置されても良い。折り畳まれた部分３０４および３０６はこの実施形態において示されているが、標準形態３４は折り畳まれた形状で作られても良いし、または硬い材料で作られても良いし、または熱放射および／または製造の容易さを提供するために工夫された種々の形状の空隙を有して形成された材料から作られても良い。この実施形態において、折り畳まれた部分３０６は、サポート要素１４０および１６０用に提供するために外枠を有して形成される。標準形態３４は、その外側のエッジの周りに部分的に配置した放熱用部分３０２を持つ。