Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月10日(2007.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に島状の第１の絶縁膜を形成し、
前記絶縁表面上及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜の表面をハロゲン元素で処理し、
前記ハロゲン元素で処理した後に、前記第２の絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に該非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を付加し、
前記非晶質半導体膜に第１の熱処理を行い第１の結晶質半導体膜を形成し、
前記第１の結晶質半導体膜にレーザー光を照射して第２の結晶質半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に島状の第１の絶縁膜を形成し、
前記絶縁表面上及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜の表面をハロゲン元素で処理し、
前記ハロゲン元素で処理した後に、前記第２の絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射して結晶質半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に島状の第１の絶縁膜を形成し、
前記絶縁表面上及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜の表面をハロゲン元素で処理し、
前記第２の絶縁膜の表面に非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
前記触媒元素を添加した後に、前記第２の絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に第１の熱処理を行い第１の結晶質半導体膜を形成し、
前記第１の結晶質半導体膜にレーザー光を照射して第２の結晶質半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上に島状の第１の絶縁膜を形成し、
前記絶縁表面上及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜の表面をハロゲン元素で処理し、
前記ハロゲン元素で処理した後に、前記第２の絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に該非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を付加し、
前記非晶質半導体膜に第１の熱処理を行い第１の結晶質半導体膜を形成し、
前記第１の結晶質半導体膜にレーザー光を照射して第２の結晶質半導体膜を形成し、
前記第２の結晶質半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の導電膜と第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜と第２の導電膜を第１のエッチング処理により第１の形状の導電層を形成し、
前記第１の形状の導電層をマスクとして不純物元素を添加し、
前記第１の形状の導電層を第２のエッチング処理により第２の形状の導電層を形成し、
前記第２の形状の導電層を介して前記不純物元素を添加し、
前記第２の形状の導電層を第３のエッチング処理により第３の形状の導電層を形成し、
前記第１の絶縁膜と重なる領域にチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上に島状の第１の絶縁膜を形成し、
前記絶縁表面上及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜の表面をハロゲン元素で処理し、
前記ハロゲン元素で処理した後に、前記第２の絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の導電膜と第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜と第２の導電膜を第１のエッチング処理により第１の形状の導電層を形成し、
前記第１の形状の導電層をマスクとして不純物元素を添加し、
前記第１の形状の導電層を第２のエッチング処理により第２の形状の導電層を形成し、
前記第２の形状の導電層を介して前記不純物元素を添加し、
前記第２の形状の導電層を第３のエッチング処理により第３の形状の導電層を形成し、
前記第１の絶縁膜と重なる領域にチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面上に島状の第１の絶縁膜を形成し、
前記絶縁表面上及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜の表面をハロゲン元素で処理し、
前記第２の絶縁膜の表面に非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
前記前記触媒元素を添加した後に、前記第２の絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に第１の熱処理を行い第１の結晶質半導体膜を形成し、
前記第１の結晶質半導体膜にレーザー光を照射して第２の結晶質半導体膜を形成し、
前記第２の結晶質半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の導電膜と第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜と第２の導電膜を第１のエッチング処理により第１の形状の導電層を形成し、
前記第１の形状の導電層をマスクとして不純物元素を添加し、
前記第１の形状の導電層を第２のエッチング処理により第２の形状の導電層を形成し、
前記第２の形状の導電層を介して前記不純物元素を添加し、
前記第２の形状の導電層を第３のエッチング処理により第３の形状の導電層を形成し、
前記第１の絶縁膜と重なる領域にチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１、請求項３、請求項４、請求項６のいずれか一において、
前記触媒元素はニッケル（Ｎｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜の表面をハロゲン元素で処理する際に、フッ素原子またはフッ素ラジカルを含むプラズマに晒すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜の表面をハロゲン元素で処理する際に、四フッ化珪素又は三フッ化窒素をプラズマ化した雰囲気中に晒すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記レーザー光は波長４００ｎｍ以下のエキシマレーザー光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記レーザー光はＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＡｌＯ３レーザー、ＹＬＦレーザーから選ばれた一つのレーザー光であって、その第２高調波（５３２ｎｍ）、第３高調波（３５５ｎｍ）、第４高調波（２６６ｎｍ）から選ばれた一つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜は、酸化シリコン、窒化シリコン、及び酸化窒化シリコンのいずれかからなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜は、酸化シリコン、窒化シリコン、及び酸化窒化シリコンのいずれかからなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月16日(2007.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  前記第３トランジスタのゲート電圧は、
前記電源電圧に対する依存性の小さい規定電圧レベルの制御信号により制御される、請求項２に記載の高電圧スイッチ回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】  前記規定電圧レベルは任意に変更可能である、請求項６に記載の高電圧スイッチ回路。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】  前記動作信号は、前記電源電圧と接地電圧との２つの状態をとり、
前記制御回路は、
前記電源電圧に対する依存性の小さい規定電圧レベルの制御信号を発生する信号発生回路を含み、
前記第３トランジスタのゲート電圧は、
前記制御信号によって切替えられる、請求項１０に記載の半導体記憶装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】  前記レベル設定回路により、前記規定電圧レベルは任意に変更される、請求項１４に記載の半導体記憶装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
好ましくは、第３トランジスタのゲート電圧は、電源電圧に対する依存性の小さい規定電圧レベルの制御信号により制御される。なお、規定電圧レベルは任意に変更可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
より好ましくは、動作信号は、電源電圧と接地電圧との２つの状態をとり、制御回路は、電源電圧に対する依存性の小さい規定電圧レベルの制御信号を発生する信号発生回路を含み、第３トランジスタのゲート電圧は、制御信号によって切替えられる。なお、信号発生回路により、規定電圧レベルは任意に変更される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月14日(2007.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウム含有複合酸化物を含む正極と、リチウムイオンの挿入・脱離が可能な炭素材料、合金、酸化物、窒化物のうちのいずれかを含む負極および前記正極と負極との間に介在するセパレータとからなるリチウムポリマー二次電池であって、
前記正極、負極およびセパレータは、ゲル化ホストポリマーおよび有機電解液を含んでおり、
前記正極に含まれるゲル化ホストポリマー材料の重量をＷｐ、前記負極に含まれるゲル化ホストポリマー材料の重量をＷｎ、前記セパレータに含まれるゲル化ホストポリマー材料の重量をＷｓとするとき、Ｗｐ、ＷｎおよびＷｓが下記（１）〜（４）の関係を有するリチウムポリマー二次電池。
（１）Ｗｓ＜Ｗｎ＜Ｗｐ
（２）２０≦１００Ｗｐ／（Ｗｐ＋Ｗｎ＋Ｗｓ）≦５０
（３）２０≦１００Ｗｎ／（Ｗｐ＋Ｗｎ＋Ｗｓ）≦５０
（４）２０≦１００Ｗｓ／（Ｗｐ＋Ｗｎ＋Ｗｓ）≦５０
【請求項２】
前記ゲル化ホストポリマー材料が、アルキレンオキサイド基を主鎖および分岐鎖に含むポリアクリレートまたはポリメタクリレートを主材料とする重合体、あるいはブロック共重合体であることを特徴とする請求項１記載のリチウムポリマー二次電池。
【請求項３】
前記ゲル化ホストポリマー材料が、カーボネイト基を主鎖および分岐鎖に含むポリウレタンを主材料とする重合体、あるいは共重合体であることを特徴とする請求項１記載のリチウムポリマー二次電池。
【請求項４】
前記ゲル化ホストポリマー材料が、フッ化ビニリデンを主材料とする重合体、あるいは共重合体であることを特徴とする請求項１記載のリチウムポリマー二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
すなわち、電池の各構成要素に含まれるゲル化ホストポリマー材料の重量配分比率を種々検討した結果、ポリマー材料の総量を１００としたとき、その重量配分比率が正極＞負極＞セパレータ層の順であり、かつ各構成要素中の存在量はいずれも２０〜５０重量％の範囲内としたものである。
すなわち、正極に含まれるゲル化ホストポリマー材料の重量をＷｐ、負極に含まれるゲル化ホストポリマー材料の重量をＷｎ、セパレータに含まれるゲル化ホストポリマー材料の重量をＷｓとするとき、Ｗｐ、ＷｎおよびＷｓが下記（１）〜（４）の関係を有するリチウムポリマー二次電池である。
（１）Ｗｓ＜Ｗｎ＜Ｗｐ
（２）２０≦１００Ｗｐ／（Ｗｐ＋Ｗｎ＋Ｗｓ）≦５０
（３）２０≦１００Ｗｎ／（Ｗｐ＋Ｗｎ＋Ｗｓ）≦５０
（４）２０≦１００Ｗｓ／（Ｗｐ＋Ｗｎ＋Ｗｓ）≦５０
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【発明の実施の形態】
請求項１に記載の発明は、リチウム含有複合酸化物を活物質としゲル化ホストポリマーを含有する正極と、リチウムの挿入・脱離が可能な炭素材料、合金、酸化物、窒化物のいずれかを活物質とし前記と同一または同種のゲル化ホストポリマーを含有する負極と、有機電解液を前記と同一または同種のゲル化ホストポリマーが含有保持したゲルポリマー電解質から成るセパレータ層を正・負極間に配したリチウムポリマー二次電池において、ポリマー材料の総量を１００としたとき、その電池内でのゲル化ホストポリマーの重量配分比率が正極＞負極＞セパレータ層の順でありかついずれも２０〜５０重量％の範囲内にあるものである。
すなわち、本発明のリチウムポリマー二次電池は、正極、負極およびセパレータが、ゲル化ホストポリマーおよび有機電解液を含んでおり、かつ正極に含まれるゲル化ホストポリマー材料の重量をＷｐ、負極に含まれるゲル化ホストポリマー材料の重量をＷｎ、セパレータに含まれるゲル化ホストポリマー材料の重量をＷｓとするとき、Ｗｐ、ＷｎおよびＷｓが下記（１）〜（４）の関係を有することを特徴とする。
（１）Ｗｓ＜Ｗｎ＜Ｗｐ
（２）２０≦１００Ｗｐ／（Ｗｐ＋Ｗｎ＋Ｗｓ）≦５０
（３）２０≦１００Ｗｎ／（Ｗｐ＋Ｗｎ＋Ｗｓ）≦５０
（４）２０≦１００Ｗｓ／（Ｗｐ＋Ｗｎ＋Ｗｓ）≦５０
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
（比較例４）
ゲル化ホストポリマーとしてＰ（ＶＤＦ−ＨＦＰ）の共重合体を用い、その重量配分比率を、正極中に２０重量％、負極中に２５重量％、セパレータ層中に５５重量％としたこと以外は、実施例７と同様に構成した電池を比較例４とした。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月25日(2007.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  触媒粒子が触媒金属を担持したカーボンであって、その触媒粒子表面に第１の樹脂と第２の樹脂を備え、第１の樹脂がイオン交換樹脂で、第２の樹脂が有孔性であることを特徴とする固体高分子電解質型燃料電池用複合触媒。
【請求項２】  触媒粒子が触媒金属を担持したカーボンであって、その触媒粒子表面に第１の樹脂と第２の樹脂を備え、第１の樹脂がイオン交換樹脂で、第２の樹脂に孔が無く、触媒粒子表面の少なくとも一部が第２の樹脂で覆われていないことを特徴とする固体高分子電解質型燃料電池用複合触媒。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【問題を解決するための手段】本発明による第一の発明は、固体高分子電解質型燃料電池用複合触媒において、触媒粒子が触媒金属を担持したカーボンであって、その触媒粒子表面に第１の樹脂と第２の樹脂を備え、第１の樹脂がイオン交換樹脂で、第２の樹脂が有孔性であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明による第二の発明は、固体高分子電解質型燃料電池用複合触媒において、触媒粒子が触媒金属を担持したカーボンであって、その触媒粒子表面に第１の樹脂と第２の樹脂を備え、第１の樹脂がイオン交換樹脂で、第２の樹脂に孔が無く、触媒粒子表面の少なくとも一部が第２の樹脂で覆われていないことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明による第三の発明は、上記固体高分子電解質型燃料電池用複合触媒において、第２の樹脂がフッ素樹脂であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明による第四の発明は、上記固体高分子電解質型燃料電池用複合触媒において、イオン交換樹脂が有孔性であることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明による第五の発明は、上記第四の発明において、イオン交換樹脂の孔中に第２の樹脂を備えることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明による第六の発明は、上記第一、第三、または第四の発明において、第２の樹脂の孔中にイオン交換樹脂を備えることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明による第七の発明は、上記固体高分子電解質型燃料電池用複合触媒において、イオン交換樹脂のプロトン伝導経路に接するカーボン粒子の表面に担持された触媒金属量が全触媒金属担持量の５０％を越えることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明による第八の発明は、上記固体高分子電解質型燃料電池用複合触媒の製造方法において、触媒粒子の表面に、イオン交換樹脂が溶媒に溶解した溶液を付着させた後にイオン交換樹脂を相分離させる第１の工程により、触媒粒子表面に有孔性イオン交換樹脂を備えた複合体を作製し、続いて前記複合体の表面に第２の樹脂を配する第２の工程を経ることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明による第九の発明は、上記固体高分子電解質型燃料電池用複合触媒において、触媒粒子の表面に、第２の樹脂が溶媒に溶解した溶液を付着させた後に第２の樹脂を相分離させる第１の工程により、触媒粒子表面に有孔性第２の樹脂を備えた複合体を作製し、続いて前記複合体の表面にイオン交換樹脂を配する第２の工程を経ることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月17日(2007.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  他部材との封着により、画像表示装置の外囲器を構成し、電子放出素子がその上に配置される電子源形成用基板であって、前記他部材との封着領域を除く、前記電子放出素子が配置される表面に、帯電防止膜が設けられていることを特徴とする電子源形成用基板。
【請求項２】  前記帯電防止膜は、導電性粒子を含有する請求項１に記載の電子源形成用基板。
【請求項３】  他部材との封着により、画像表示装置の外囲器を構成し、電子放出素子がその上に配置されるナトリウムを含む電子源形成用基板であって、前記他部材との封着領域を除く、前記電子放出素子が配置される表面に、ナトリウム遮断膜が設けられていることを特徴とする電子源形成用基板。
【請求項４】  前記ナトリウム遮断膜は、ナトリウム遮断粒子を含有する請求項３に記載の電子源形成用基板。
【請求項５】  他部材との封着により、画像表示装置の外囲器を構成し、電子放出素子がその上に配置される電子源形成用基板であって、前記他部材との封着領域を除く、前記電子放出素子が配置される表面に、金属酸化物が含有された絶縁材料膜が設けられていることを特徴とする電子源形成用基板。
【請求項６】  他部材との封着により、画像表示装置の外囲器を構成し、電子放出素子がその上に配置される電子源形成用基板であって、前記他部材との封着領域を除く、前記電子放出素子が配置される表面に、金属酸化物が含有されたＳｉＯ2膜が設けられていることを特徴とする電子源形成用基板。
【請求項７】  前記ＳｉＯ2膜上に更に、ＳｉＯ2からなる膜が積層されている請求項６に記載の電子源形成用基板。
【請求項８】  前記金属酸化物は、粒子状の金属酸化物である請求項５〜７のいずれかに記載の電子源形成用基板。
【請求項９】  前記金属酸化物は、電子伝導性酸化物である請求項５〜８のいずれかに記載の電子源形成用基板。
【請求項１０】  前記金属酸化物は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｒｅから選ばれる金属の酸化物である請求項５〜８のいずれかに記載の電子源形成用基板。
【請求項１１】  ゲッタ膜と電子放出素子がその上に配置される電子源形成用基板であって、前記ゲッタ膜が配置される領域を除く、前記電子放出素子が配置される表面に、帯電防止膜が設けられていることを特徴とする電子源形成用基板。
【請求項１２】  ゲッタ膜と電子放出素子がその上に配置されるナトリウムを含む電子源形成用基板であって、前記ゲッタ膜が配置される領域を除く、前記電子放出素子が配置される表面に、ナトリウム遮断膜が設けられていることを特徴とする電子源形成用基板。
【請求項１３】  ゲッタ膜と電子放出素子がその上に配置される電子源形成用基板であって、前記ゲッタ膜が配置される領域を除く、前記電子放出素子が配置される表面に、金属酸化物が含有された絶縁材料膜が設けられていることを特徴とする電子源形成用基板。
【請求項１４】  ゲッタ膜と電子放出素子がその上に配置される電子源形成用基板であって、前記ゲッタ膜が配置される領域を除く、前記電子放出素子が配置される表面に、金属酸化物が含有されたＳｉＯ2膜が設けられていることを特徴とする電子源形成用基板。
【請求項１５】  前記ＳｉＯ2膜上に更に、ＳｉＯ2からなる膜が積層されている請求項１４に記載の電子源形成用基板。
【請求項１６】  前記金属酸化物は、電子伝導性酸化物である請求項１３〜１５のいずれかに記載の電子源形成用基板。
【請求項１７】  前記金属酸化物は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｒｅから選ばれる金属の酸化物である請求項１３〜１５のいずれかに記載の電子源形成用基板。
【請求項１８】  他部材との封着により、画像表示装置の外囲器を構成し、ゲッタ膜と電子放出素子とがその上に配置される電子源形成用基板であって、前記他部材との封着領域と前記ゲッタ膜が配置される領域とを除く、前記電子放出素子が配置される表面に、帯電防止膜が設けられていることを特徴とする電子源形成用基板。
【請求項１９】  前記帯電防止膜は、導電性粒子を含有する請求項１８に記載の電子源形成用基板。
【請求項２０】  他部材との封着により、画像表示装置の外囲器を構成し、ゲッタ膜と電子放出素子とがその上に配置されるナトリウムを含む電子源形成用基板であって、前記他部材との封着領域と前記ゲッタ膜が配置される領域とを除く、前記電子放出素子が配置される表面に、ナトリウム遮断膜が設けられていることを特徴とする電子源形成用基板。
【請求項２１】  前記ナトリウム遮断膜は、ナトリウム遮断粒子を含有する請求項２０に記載の電子源形成用基板。
【請求項２２】  他部材との封着により、画像表示装置の外囲器を構成し、ゲッタ膜と電子放出素子とがその上に配置される電子源形成用基板であって、前記他部材との封着領域と前記ゲッタ膜が配置される領域とを除く、前記電子放出素子が配置される表面に、金属酸化物が含有された絶縁材料膜が設けられていることを特徴とする電子源形成用基板。
【請求項２３】  他部材との封着により、画像表示装置の外囲器を構成し、ゲッタ膜と電子放出素子とがその上に配置される電子源形成用基板であって、前記他部材との封着領域と前記ゲッタ膜が配置される領域とを除く、前記電子放出素子が配置される表面に、金属酸化物が含有されたＳｉＯ2膜が設けられていることを特徴とする電子源形成用基板。
【請求項２４】  前記ＳｉＯ2膜上に更に、ＳｉＯ2からなる膜が積層されている請求項２３に記載の電子源形成用基板。
【請求項２５】  前記金属酸化物は、粒子状の金属酸化物である請求項２２〜２４のいずれかに記載の電子源形成用基板。
【請求項２６】  前記金属酸化物は、電子伝導性酸化物である請求項２２〜２５のいずれかに記載の電子源形成用基板。
【請求項２７】  前記金属酸化物は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｒｅから選ばれる金属の酸化物である請求項２２〜２５のいずれかに記載の電子源形成用基板。
【請求項２８】  基板と、前記基板上に配置された、電子放出素子とを備える電子源であって、前記基板が、請求項１〜２７のいずれかに記載された電子源形成用基板であることを特徴とする電子源。
【請求項２９】  外囲器と、前記外囲器内に配置された、電子放出素子及び前記電子放出素子からの電子の照射により画像を表示する画像表示部材とを備える画像表示装置であって、前記電子放出素子が配置されている基板が、請求項１〜２７のいずれかに記載された電子源形成用基板であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項３０】  前記他部材は、前記画像表示部材が配置された基板を含む部材である請求項２９に記載の画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月12日(2007.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明装置であって、
光源と、
前記光源から入射した不均一な強度分布を有する光を略均一な強度分布を有する光に変換する透光性ロッドと、
前記透光性ロッドから射出された略均一な光を照明対象に導くリレー光学系と、
前記透光性ロッドの入射側面の近傍に配置され、かつ、前記光源から射出された光が収束する位置近傍に配置され、可視域外の光を吸収して、可視域内の波長域の光を発光する波長変換光学素子と、を備える照明装置。
【請求項２】
請求項１記載の照明装置であって、
前記波長変換光学素子は、蛍光活性元素として機能する希土類元素を含有する透明蛍光体で形成されている、照明装置。
【請求項３】
請求項２記載の照明装置であって、
前記波長変換光学素子は紫外光を可視光に変換する透明蛍光体で形成されている、照明装置。
【請求項４】
請求項３記載の照明装置であって、
前記波長変換光学素子はＥｕ２＋を含む透明蛍光体で形成されており、紫外光を青色光に変換する、照明装置。
【請求項５】
請求項３記載の照明装置であって、
前記波長変換光学素子はＥｕ３＋を含む透明蛍光体で形成されており、紫外光を赤色光に変換する、照明装置。
【請求項６】
請求項３記載の照明装置であって、
前記波長変換光学素子はＴｂ３＋を含む透明蛍光体で形成されており、紫外光を緑色光に変換する、照明装置。
【請求項７】
請求項２記載の照明装置であって、
前記波長変換光学素子は赤外光を可視光に変換する透明蛍光体で形成されている、照明装置。
【請求項８】
請求項７記載の照明装置であって、
前記波長変換光学素子はＥｒ３＋を含む透明蛍光体で形成されている、赤外光を赤色光または緑色光に変換する、照明装置。
【請求項９】
請求項２記載の照明装置であって、
前記波長変換光学素子は第１の可視光を第２の可視光に変換する透明蛍光体で形成されている、照明装置。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の照明装置を備えるプロジェクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述の課題の少なくとも一部を解決するため、本発明の第１の照明装置は、
光源と、
前記光源から入射した不均一な強度分布を有する光を略均一な強度分布を有する光に変換する透光性ロッドと、
前記透光性ロッドから射出された略均一な光を照明対象に導くリレー光学系と、
前記透光性ロッドの入射側面の近傍に配置され、かつ、前記光源から射出された光が収束する位置近傍に配置され、可視域外の光を吸収して、可視域内の波長域の光を発光する波長変換光学素子と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第１の照明装置によれば、波長変換光学素子に入射した光のうち、可視域外の光を吸収して、可視域内の波長域の光を発光することができるので、光源から射出される光の色バランスを補正して、色バランスの良い光を照明光として射出することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月30日(2007.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
偏光子と、ｎｘ＞ｎｙ＝ｎｚの屈折率特性を有する第１の光学補償層と、ｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚの屈折率特性を有する第２の光学補償層とをこの順に有し、
該第１の光学補償層がλ／２板であり、
該第２の光学補償層がλ／４板であり、
該第２の光学補償層が、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルケトン、ポリアミドイミドおよびポリエステルイミドからなる群から選択される少なくとも１つのポリマーから形成されており、
該偏光子の吸収軸と該第１の光学補償層の遅相軸とのなす角度が＋１７°〜＋２７°または−１７°〜−２７°であり、該偏光子の吸収軸と該第２の光学補償層の遅相軸とのなす角度が＋８５°〜＋９５°であり、
該第２の光学補償層のＮｚ係数が、１．２≦Ｎｚ≦２である
ＶＡモード用光学フィルム。
【請求項２】
前記第２の光学補償層の厚みが１μｍ〜１０μｍである、請求項１に記載のＶＡモード用光学フィルム。
【請求項３】
前記第１の光学補償層が、液晶モノマーおよび液晶ポリマーの少なくとも１つを含む、請求項１または２に記載のＶＡモード用光学フィルム。
【請求項４】
前記第１の光学補償層と前記第２の光学補償層との間に接着剤層を有する、請求項１から３までのいずれかに記載のＶＡモード用光学フィルム。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれかに記載のＶＡモード用光学フィルムを含む、画像表示装置。
【請求項６】
透明保護フィルム（Ｔ）の表面に配向処理を施す工程と；
該透明保護フィルム（Ｔ）の該配向処理を施した表面にλ／２板である第１の光学補償層を形成する工程と；
透明保護フィルム（Ｔ）の表面に偏光子を積層する工程と；
該第１の光学補償層の表面にλ／４板である第２の光学補償層を形成する工程とを含み、
該第２の光学補償層が、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルケトン、ポリアミドイミドおよびポリエステルイミドからなる群から選択される少なくとも１つのポリマーから形成されており、
該偏光子と該第１の光学補償層が、互いに透明保護フィルム（Ｔ）を介して反対側に配置され、
該第１の光学補償層が、該第１の光学補償層の遅相軸と該偏光子の吸収軸とのなす角度が＋１７°〜＋２７°または−１７°〜−２７°となるように形成され、
該第２の光学補償層が、該第２の光学補償層の遅相軸と該偏光子の吸収軸とのなす角度が＋８５°〜＋９５°となるように形成される、
ＶＡモード用光学フィルムの製造方法。
【請求項７】
前記第１の光学補償層を形成する工程が、液晶材料を含有する塗工液を塗工する工程と、該塗工された液晶材料を該液晶材料が液晶相を示す温度で処理して配向させる工程とを含む、請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記液晶材料が重合性モノマーおよび／または架橋性モノマーを含み、前記液晶材料の配向工程が、重合処理および／または架橋処理を行うことをさらに含む、請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記重合処理および／または架橋処理が、加熱または光照射により行われる、請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の光学補償層が、そのＮｚ係数が１．２≦Ｎｚ≦２となるようにして形成される、請求項６から９までのいずれかに記載の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の光学補償層の表面に第２の光学補償層を形成する工程が、
ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルケトン、ポリアミドイミドおよびポリエステルイミドからなる群から選択される少なくとも１つのポリマーを含む塗工液を基材シートの表面に塗工する工程と、
該塗工液を乾燥して該基材シート表面にポリマー層を形成する工程と、
該ポリマー層を該基材シートごと加熱および延伸して、該基材シート上に該第２の光学補償層を形成する工程と、
該基材シート上に形成された第２の光学補償層を該第１の光学補償層の表面に貼り付ける工程と、
該基材シートを該第２の光学補償層から剥離する工程と
を含む、請求項６から１０までのいずれかに記載の製造方法。
【請求項１２】
前記基材シート上に前記第２の光学補償層を形成する工程において、前記ポリマー層が該基材シートごと１．２倍〜３倍の延伸倍率で延伸される、請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記基材シート上に前記第２の光学補償層を形成する工程において、前記ポリマー層が該基材シートごと幅方向に延伸される、請求項１１または１２に記載の製造方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年1月17日(2007.1.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  鋳造すべき製品の、１個または２個以上の固形の熱処分可能なパターンを形成する工程；
前記パターンにワックス材料の層を被着して前記パターンの該表面を被覆して被覆されたパターンを形成する工程；
前記被覆されたパターンに１層または２層以上の耐火物のコーティングを被着することによって前記被覆されたパターンの周囲にセラミック製シェルを構築し、乾燥して、インベストメント組立体を形成する工程；
前記インベストメント組立体を前記ワックス材料の層を溶融および抽出するのに十分であるが前記パターンを溶融または変形するには不十分な第１の高温にさらすことによって前記インベストメント組立体内から前記ワックス材料の層を抽出する工程；
前記インベストメント組立体を前記パターンを溶融および抽出するのに十分な第２の高温にさらすことにより前記パターンを前記インベストメント組立体内から抽出し、１個または２個以上のキャビティを有するシェルを残す工程；および
前記シェルおよび前記シェル内のキャビティに溶融された鋳造材料を充填し、前記溶融鋳造材料が前記シェル内のキャビティを満たし、冷却して鋳造品を形成するようにする工程を具備したことを特徴とするインベストメント鋳造法。
【請求項２】  鋳造すべき製品の、１個または２個以上の固形の熱処分可能なパターンを形成する工程；
前記パターンにワックス材料の層を被着して前記パターンの該表面を被覆して被覆されたパターンを形成する工程；
中空の竪管を用意する工程；
前記竪管に鋳造すべき製品の１個または２個以上の被覆されたパターンを載置してクラスターを形成し、前記被覆されたパターンが各固形パターンの少なくとも１個のゲートを前記竪管に付着させることによって載置されるようにする工程；
前記クラスターに１層または２層以上の耐火物のコーティングを被着することによって前記クラスターの周囲にシェルを構築し、乾燥して、インベストメント組立体を形成する工程；
前記インベストメント組立体を前記ワックス材料の層を溶融および抽出するのに十分である第１の高温にさらすとともに前記パターンを固体状態に保持することによって前記インベストメント組立体内から前記ワックス材料の層を抽出する工程；
前記インベストメント組立体を前記パターンを溶融および抽出するのに十分な第２の高温にさらすことにより前記パターンを前記インベストメント組立体内から抽出し、１個または２個以上のキャビティを有するシェルを残す工程；および
前記シェルに前記竪管を通して溶融された鋳造材料を充填し、前記溶融鋳造材料が前記シェル内のキャビティを満たし、冷却して固体の鋳造品を形成するようにする工程を具備したことを特徴とするインベストメント鋳造法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月9日(2007.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来のエンドベアリングの切削加工法には、以下に述べるように、いくつかの不具合があった。エンドベアリングは、摺動部材であることから銅系合金やバイメタル等の比較的軟質の金属が用いられている。そのため、旋削加工時に三爪チャック等で確実な保持を行うと、そのチャック圧によってワークが歪んでしまい、切削加工後のエンドベアリングの真円度等が低下する問題があった。また、内径側の旋削加工時と外径側の旋削加工時とでチャック操作の切り換えが必要となるため、工程が煩雑になると共に両加工時で芯ずれが生じることが避けられなかった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2002144103.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2002144103.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月12日(2007.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の画像が印刷可能な略連続する印刷媒体を供給方向に搬送する機構と、
第１の画像を前記印刷媒体の第１の領域に印刷可能な第１のプリントキャリッジと、
前記第１のプリントキャリッジが前記第１の画像の少なくとも一部を印刷しているときに、第２の画像を前記印刷媒体の第２の領域に印刷可能であって、前記第２の画像が前記供給方向に沿って前記印刷媒体に離間して配置されているような第２のプリントキャリッジと、
前記第１および第２のプリントキャリッジの間に、印刷媒体が巻き取られるアキュムレータ機構であって、前記供給方向に沿った前記第１および第２の画像の間隔を調整することが可能なアキュムレータ機構と、
を備えるプリンタ。
【請求項２】  前記アキュムレータは、媒体量を蓄積する複数のローラ機構で構成されている、請求項１に記載のプリンタ。
【請求項３】  前記アキュムレータは、前記第１および第２のプリントキャリッジの間に可変量の媒体を蓄積する複数の可動ローラ機構で構成されている、請求項１に記載のプリンタ。
【請求項４】  供給方向に搬送される印刷媒体に多数の画像を同時に印刷する方法であって、
前記供給方向で前記印刷媒体に沿って第１のプリントカートリッジおよび第２のプリントカートリッジを離間させる工程と、
前記第１および第２のプリントカートリッジの間の媒体の長さを調整加納に蓄積する工程と、
前記第１のプリントカートリッジを使用する第１の位置において前記印刷媒体の第１の側面に第１の画像を印刷する工程と、
前記第１の画像の印刷時に、前記第２のプリントカートリッジを使用する第２の位置において前記印刷媒体の第１の側面に第２の画像を印刷する工程と、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月28日(2007.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を形成する形成部を有する画像形成装置であって、
画像を構成する各画素に対応するインデックスデータを生成するインデックスデータ生成手段と、
複数種の制御データを格納する制御データ格納手段と、
前記形成部が画像を形成するために使用可能なそれぞれの画素パターンについて、当該画素パターンを特定する為に用いるインデックスデータと制御データと、を関連付けて格納する画素パターン格納手段と、
インデックスデータの画素位置に応じた制御データを前記制御データ格納手段から特定し、特定した制御データと当該インデックスデータとを用いて前記画素パターン格納手段から前記形成部が用いる画素パターンを特定する特定手段とを備え、
前記形成部は前記特定手段により特定された画素パターンを用いて画像を形成することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記インデックスデータは網点処理された画像データであって、前記制御データは前記網点処理における網点パターンに対応した配列で並べられた各データであることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記特定手段は、インデックスデータを得るための同期信号としての画素クロックと、前記形成部が画像を形成する際の一走査に同期した水平同期信号とによりインデックスデータの画素位置に応じた制御データを読み出すことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記形成部はレーザ光の変調により画像を形成し、当該変調の際、前記画素パターンに応じてレーザ光をオン、オフすることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項５】
画像を形成する形成部を有する画像処理装置が行う画像形成方法であって、
画像を構成する各画素に対応するインデックスデータを生成するインデックスデータ生成工程と、
複数種の制御データを格納する制御データ格納工程と、
前記形成部が画像を形成するために使用可能なそれぞれの画素パターンについて、当該画素パターンを特定する為に用いるインデックスデータと制御データと、を関連付けて格納する画素パターン格納工程と、
インデックスデータの画素位置に応じた制御データを前記制御データ格納工程で格納している制御データの中から特定し、特定した制御データと当該インデックスデータとを用いて前記画素パターン格納工程で格納している画素パターンの中から前記形成部が用いる画素パターンを特定する特定工程とを備え、
前記形成部は前記特定工程で特定された画素パターンを用いて画像を形成することを特徴とする画像形成方法。
【請求項６】
コンピュータに請求項５に記載の画像処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、例えば、本発明の画像形成装置は以下の構成を備える。
即ち、画像を形成する形成部を有する画像形成装置であって、
画像を構成する各画素に対応するインデックスデータを生成するインデックスデータ生成手段と、
複数種の制御データを格納する制御データ格納手段と、
前記形成部が画像を形成するために使用可能なそれぞれの画素パターンについて、当該画素パターンを特定する為に用いるインデックスデータと制御データと、を関連付けて格納する画素パターン格納手段と、
インデックスデータの画素位置に応じた制御データを前記制御データ格納手段から特定し、特定した制御データと当該インデックスデータとを用いて前記画素パターン格納手段から前記形成部が用いる画素パターンを特定する特定手段とを備え、
前記形成部は前記特定手段により特定された画素パターンを用いて画像を形成することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月21日(2007.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  インクの再充填が可能なサブインクタンクであって、大気と連通する大気連通口が形成され、インク吸収体を収容する第１の液室と、
外部にインクを供給するためのインク供給部と、前記インク供給部に供給するためのインクを収容する第２の液室と、
前記第２の液室内のインクの界面と独立したインクの界面を形成可能なようにインクを貯留する、前記第２の液室と連通する開口が形成されたインク貯留部と、
前記インク貯留部に貯留されたインクにより内部が満たされるように配置され、かつ、前記インク貯留部と前記第１の液室とを連通させる連通部とを有することを特徴とするサブインクタンク。
【請求項２】  インクの再充填のための補給口が前記第２の液室に形成されている請求項１に記載のサブインクタンク。
【請求項３】  前記第２の液室は、前記第２の液室内の空気を排出するための空気排出口が形成されている請求項１または２に記載のサブインクタンク。
【請求項４】  前記空気排出口には、透気性であるがインクを通過させない膜を有する請求項３に記載のサブインクタンク。
【請求項５】  前記第１の液室の隔壁は、前記サブインクタンクの下面を含まない請求項１ないし４のいずれか１項に記載のサブインクタンク。
【請求項６】  前記インク貯留部の開口は、インクを通過させないが、透気性を有する膜を有する請求項１ないし５のいずれか１項に記載のサブインクタンク。
【請求項７】  前記インク貯留部の開口は、前記インク貯留部の内部に向かって延びたパイプを有する蓋を有し、前記第２の液室と前記インク貯留部との連通は前記パイプを介するものである請求項１ないし５のいずれか１項に記載のサブインクタンク。
【請求項８】  前記インク貯留部の開口は、開口の形成された蓋と、重力を用いて前記開口を塞ぐ栓とを有する請求項１ないし５のいずれか１項に記載のサブインクタンク。
【請求項９】  請求項１ないし８のいずれか１項に記載のサブインクタンクと、前記インク供給部から供給されたインクの吐出を行うインクジェット記録ヘッド部とを備えたインクジェットヘッドカートリッジを保持し、被記録媒体の面に沿って往復走査可能にされたキャリッジを有し、インクを吐出する電気信号に基づき、前記インクジェット記録ヘッド部からインクを吐出して被記録媒体に記録を行うことを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項１０】  前記サブインクタンクにインクを補給するためのインクを収容するメインインクタンクを着脱可能に保持する請求項９に記載のインクジェット記録装置。
【請求項１１】  前記サブインクタンクと前記メインインクタンクとを、前記補給の際には連通させ、前記記録を行う際は連通させない手段を有する請求項１０に記載のインクジェット記録装置。
【請求項１２】  前記第２の液室と外部とを、前記補給の際には連通させ、前記記録を行う際は連通させない手段を有する請求項９ないし１１のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項１３】  前記記録が所定の時間以上行われなかった際に、前記空気排出口から空気を排出し、かつ、前記補給口からインクを補給する手段を有する請求項９ないし１２のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明のサブインクタンクは、インクの再充填が可能なサブインクタンクであって、大気と連通する大気連通口が形成され、インク吸収体を収容する第１の液室と、外部にインクを供給するためのインク供給部と、前記インク供給部に供給するためのインクを収容する第２の液室と、前記第２の液室内のインクの界面と独立したインクの界面を形成可能なようにインクを貯留する、前記第２の液室と連通する開口部が形成されたインク貯留部と、前記インク貯留部に貯留されたインクにより内部が満たされるように配置され、かつ、前記インク貯留部と前記第１の液室とを連通させる連通部とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記の通り、本発明のサブインクタンクは、第１の液室と第２の液室とを、インク貯留部に貯留されたインクにより内部が満たされるように配置された連通部を介して連通させている。このインク貯留部に貯留されたインクの界面は、第２の液室内のインクの界面と独立して形成されることにより、連通部の内部をインクにより満たされた状態に保つことができる。このため、第２の液室内のインクがインク供給部に供給されることで消費され、第２の液室内のインクの界面が連通部の形成されている位置よりも下方に下がったとしても、連通部が第２の液室内の空気に対して露出することはない。これにより、サブインクタンク内でのインク吸収体を収容する第１の液室のレイアウトを検討する際、第２の液室内のインクの界面の影響を考慮しなくてよくなることで第１の液室のレイアウトの自由度が高くなり、生インクを収容する第２の液室の容積を、半生インクを収容する第１の液室の容積に比べて大きくすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
インクの再充填のための補給口が第２の液室に形成されているものであってもよいし、第２の液室は、第２の液室内の空気を排出するための空気排出口が形成されているものであってもよく、さらに、空気排出口には、透気性であるがインクを通過させない膜を有するものであってもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、第１の液室の底面は、サブインクタンクの底面を含まないものであってもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
インク貯留部の開口は、インクを通過させないが、透気性を有する膜を有するものであってもよいし、インク貯留部の開口は、インク貯留部の内部に向かって延びた中空のパイプを有する蓋を有し、第２の液室とインク貯留部との連通は中空のパイプを介するものであってもよいし、また、インク貯留部の開口は、開口の形成された蓋と、重力を用いて開口を塞ぐ栓とを有するものであってもよい。これらのような構成とすることで、サブインクタンクが通常の記録に用いられる状態に対して、底面が上になるような逆さまの状態になった場合でもインク貯留部の開口部からインクが漏れることがない、あるいは、インクの漏れを少なくすることが可能であるため、連通部を満たすだけのインクが確保することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月20日(2007.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】 
【請求項１】  印刷機構及びこれを制御する制御手段を有し、通常動作モードと当該通常動作モードより消費電力の小さい省電力モードとを有する印刷装置であって、  印刷装置の動作状態を検知する動作状態検知手段と、
印刷装置が、印刷処理を行うことができない異常状態かどうかを検出する異常検出手段と、
前記通常動作モードにおいて、前記動作状態検知手段によって印刷装置が、印刷装置の動作を要求する命令であって未実行の命令が無い状態、未印字の印刷データが無い状態、及び前記二つの状態が所定の時間継続した状態とが、少なくとも、含まれる第１の所定の動作状態となったことが検知され、且つ、前記異常検出手段によって異常状態で無いことが検出された場合に、印刷装置を前記通常動作モードから省電力モードへ移行させるよう制御する省電力モード移行制御手段と、
前記省電力モード状態において、前記動作状態検知手段によって印刷装置が、印刷装置に接続されたホスト装置からデータを受信した場合、操作パネルが操作された場合、カバーオープン状態を検知した場合とが含まれる、第２の所定の動作状態となったことが検知された場合、又は前記異常検出手段によって少なくとも一の異常状態が有ることが検出された場合に、印刷装置を前記省電力モードから前記通常動作モードへ復帰させるよう制御する復帰制御手段と、
を備えたことを特徴とする印刷装置。
【請求項２】  前記異常検出手段は、印刷装置によって印刷を行うべき記録媒体の有無、前記印刷機構又は前記制御手段のカバーの開閉状態、印刷用インクの有無、又は前記印刷機構の異常の有無の内の、少なくとも一の状態を検出することを特徴とする請求項１に記載の印刷装置。
【請求項３】  前記異常検出手段は、前記異常状態に含まれる状態を選択可能な選択手段を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の印刷装置。
【請求項４】  前記選択手段によって選択設定される状態は、インクニアエンドまたは用紙ニアエンドを含むことを特徴とする請求項３に記載の印刷装置。
【請求項５】  前記省電力モード移行制御手段は、中央処理装置（ＣＰＵ）及び記憶保持可能なメモリに記憶されたプログラムからなり、前記復帰制御手段は、前記ＣＰＵに割り込み信号を出力する割り込み信号発生手段と、当該割り込み信号に応答して前記通常動作モードに復帰するための所定の処理を実行するＣＰＵと実行プログラムとからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の印刷装置。
【請求項６】  通常動作モードと、消費電力を抑制するための省電力モードとの間の遷移を制御する方法であって、以下の工程を備えることを特徴とする動作モードの遷移制御方法。
(a) 装置の動作状態を検知する工程と、
(b) 装置が、本来の処理を行うことができない異常状態かどうかを検出する工程と、
(c) 前記通常動作モードにおいて、工程（ａ）において装置が、装置の動作を要求する命令であって未実行の命令が無い状態、未処理のデータが無い状態、及び前記二つの状態が所定の時間継続した状態とが、少なくとも、含まれる第１の所定の動作状態となったことが検知され、且つ、工程（ｂ）において異常状態で無いことが検出された場合に、当該装置を前記通常動作モードから省電力モードへ移行させる工程と、
(d) 前記省電力モード状態において、工程（ａ）において装置が、接続されるホスト装置からデータを受信した場合、操作パネルが操作された場合、カバーオープン状態を検知した場合を含む、第２の所定の動作状態となったことが検知された場合、又は工程（ｂ）において少なくとも一の異常状態が有ることが検出された場合に、当該装置を前記省電力モードから前記通常動作モードへ復帰させる工程。
【請求項７】  工程（ｂ）は、以下の工程の内の少なくとも一の工程を有することを特徴とする請求項６に記載の方法。
（ｂ１）装置によって処理を行うべき媒体の有無を検出する工程、
（ｂ２）装置の機構部又は装置の制御部のカバーの開閉状態を検出する工程、
（ｂ３）処理用消費材の有無を検出する工程、
（ｂ４）前記機構部の異常の有無を検出する工程。
【請求項８】  工程（ｂ）は、
（ｂ５）前記異常状態に含まれる状態を選択する工程
を備えることを特徴とする請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】  請求項６乃至８の何れか一項に記載の動作モード遷移制御方法の各工程を実現可能なコンピュータプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な情報記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第１の態様にかかる印刷装置は、
印刷機構及びこれを制御する制御手段を有し、通常動作モードと当該通常動作モードより消費電力の小さい省電力モードとを有する印刷装置であって、  印刷装置の動作状態を検知する動作状態検知手段と、
印刷装置が、印刷処理を行うことができない異常状態かどうかを検出する異常検出手段と、
前記通常動作モードにおいて、前記動作状態検知手段によって印刷装置が、印刷装置の動作を要求する命令であって未実行の命令が無い状態、未印字の印刷データが無い状態、及び前記二つの状態が所定の時間継続した状態とが、少なくとも、含まれる第１の所定の動作状態となったことが検知され、且つ、前記異常検出手段によって異常状態で無いことが検出された場合に、印刷装置を前記通常動作モードから省電力モードへ移行させるよう制御する省電力モード移行制御手段と、
前記省電力モード状態において、前記動作状態検知手段によって印刷装置が、接続されるホスト装置からデータを受信した場合、操作パネルが操作された場合、カバーオープン状態を検知した場合を含む、第２の所定の動作状態となったことが検知された場合、又は前記異常検出手段によって少なくとも一の異常状態が有ることが検出された場合に、印刷装置を前記省電力モードから前記通常動作モードへ復帰させるよう制御する復帰制御手段と、を備えたことを特徴とする。
このように異常状態が発生していない印刷可能状態を省電力モードに移行するための必要条件とすることにより、印刷不能状態で省電力モードに移行するために必要な種々の制御、例えば、印刷不能状態の継続時間の監視、省電力状態での印刷不能状態の表示等が不要となる。従って、装置の制御の簡素化が可能となる。