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【手続補正書】
【提出日】平成19年5月23日(2007.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 
ニッケルを主材とする基体およびコバルトを主材とする基体の表面上に拡散アルミニウム化物コーティングを同時に形成するための方法であって、ニッケルを主材とする基体およびコバルトを主材とする基体をチャンバに入れ、次いで前記ニッケルを主材とする基体およびコバルトを主材とする基体を、５０〜６０重量％のアルミニウムを含有するアルミニウム含有供与体と、チャンバ容積１リットル当たり少なくとも１グラムの量でチャンバ内に存在するフッ化アルミニウムからなるハロゲン化アルミニウム賦活体とを用いて、不活性または還元性雰囲気中１０３８〜１９５０℃（１９００〜１９５０°Ｆ）で４．５〜５．５時間の間行われる気相蒸着プロセスにかけて、前記ニッケルを主材とする基体およびコバルトを主材とする基体上に拡散アルミニウム化物コーティングを形成することを含んでなり、前記ニッケルを主材とする基体およびコバルトを主材とする基体の上に形成される拡散アルミニウム化物コーティングの厚さが互いに３０％以上異なることがない方法。
【請求項２】 
アルミニウム含有供与体がＣｏ2Ａｌ5を含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項３】 
アルミニウム含有供与体がＣｏ2Ａｌ5から成る、請求項１記載の方法。
【請求項４】 
前記ニッケルを主材とする基体およびコバルトを主材とする基体がガスタービンエンジン部品の部材である、請求項１記載の方法。
【請求項５】 
ガスタービンエンジン部品が、ニッケル基超合金の翼形と、コバルト基超合金の内側バンドおよび外側バンドとを有する高圧タービンノズルである、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月22日(2006.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨面を有する研磨部を備え、被研磨対象物の金属膜が形成された被研磨面に前記研磨部の前記研磨面を接触させて研磨する研磨装置であって、
前記研磨面と前記被研磨面との少なくとも接触領域に、前記金属膜より機械的強度の低い当該金属膜の錯体を形成する配位子を含む錯形成剤を供給する錯形成剤供給手段と、
前記金属膜と前記錯形成剤との錯形成反応を促進する温度に当該錯形成反応領域の温度調整をする温度調整手段とを有する
研磨装置。
【請求項２】
被研磨面に金属膜を有する被研磨対象物の研磨方法であって、
前記被研磨面に前記金属膜より機械的強度の低い当該金属膜の錯体を形成する配位子を含む錯形成剤を供給する工程と、
前記錯形成剤により錯体膜を前記金属膜表面に形成する工程と、
前記錯体膜を除去し、除去された当該錯体膜下の金属膜を表面に露出させる工程とを有し、
前記錯形成剤と前記金属膜との錯形成反応を促進する温度に当該錯形成反応領域を温度調整する
研磨方法。
【請求項３】
基板上に形成された絶縁膜上に配線用溝を形成する工程と、
前記配線用溝を埋め込むように、前記絶縁膜上の全面に前記配線用溝の段差に応じた凹凸形状を表面に有する金属膜を堆積させる工程と、
前記金属膜表面に前記金属膜より機械的強度の低い当該金属膜の錯体を形成する配位子を含む錯形成剤を供給する工程と、
前記錯形成剤により前記金属膜の錯体膜を前記金属膜表面に形成する工程と、
前記金属膜の凹凸形状に応じた前記錯体膜の凸部分を選択的に除去し、当該凸部分の錯体膜下の金属膜を表面に露出させる工程とを有し、
前記錯形成剤と前記金属膜との錯形成反応を促進する温度に当該錯形成反応領域を温度調整する
半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記錯体膜を除去する工程の後に、前記露出した金属膜表面に、前記錯形成剤を供給して、前記錯体膜を当該金属膜表面に形成し、当該錯体膜を除去する工程を繰り返し行うことにより、前記金属膜を研磨する
請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記金属膜を堆積させる工程において、銅膜を堆積させる
請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記配線用溝を形成する工程の後、前記銅膜を堆積させる工程の前に、前記絶縁膜上および前記配線用溝内を被覆して導電性のバリア膜を形成する工程をさらに有し、
前記銅膜を堆積させる工程においては、前記配線用溝を埋め込むように、前記バリア膜の上層に前記銅膜を堆積させる
請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記バリア膜を形成する工程において、前記バリア膜の形成材料として、少なくともＴａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｏ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＷＮ、ＣｏＷまたはＣｏＷＰのいずれかを用いて前記バリア膜を形成する
請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記配線用溝を形成する工程において、前記配線用溝の形成とともに、前記絶縁膜の下層に形成された不純物拡散層または配線と、前記配線用溝に形成される配線とを接続するためのコンタクトホールを形成し、
前記金属膜を堆積させる工程において、前記配線用溝とともに前記コンタクトホールに前記金属を埋め込む
請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁膜は、少なくとも酸化シリコン、フッ化シリケートグラス、ポリイミド系高分子化合物、テフロン系高分子化合物、フッ素化アモルファスカーボン系化合物、ポリアリールエーテル系高分子化合物、ＨＳＱ、キセロゲルのいずれかを含む材料により形成されている
請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月28日(2007.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  水平方向に延びる光軸に沿って並んだ複数の光学素子を内部に有し、所定のガスの置換が可能なチャンバーと、
該光学素子に挟まれた空間にガスを供給するガス供給口と、
該空間内のガスを排出するガス排出口とを有し、
該ガス排出口は、前記光軸に対して重力方向下方に設けられていることを特徴とする露光装置。
【請求項２】  前記排出口は、前記光学素子を支持する支持台に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】  前記ガス供給口は、光軸に対して重力方向上方に設けられていることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の露光装置。
【請求項４】  前記ガス供給口は、光軸に対して重力方向下方に設けられていることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の露光装置。
【請求項５】  前記光学素子は、レチクルを照明するための照明光学系の一部であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の露光装置。
【請求項６】  重力方向に延びる光軸に沿って並んだ複数の光学素子を内部に有し、所定のガスの置換が可能なチャンバーと、
該光学素子に挟まれた空間にガスを供給するガス供給口と、
該空間内のガスを排出するガス排出口とを有し、
該ガス排出口は、前記空間を仕切る２つの光学素子のうち、重力方向下方にある光学素子の方に近い位置に設けられていることを特徴とする露光装置。
【請求項７】  重力方向に延びる光軸に沿って並んだ複数のレンズを内部に有し、所定のガスの置換が可能なチャンバーと、
該レンズに挟まれた空間に所定のガスを供給するガス供給口と、
該空間内のガスを排出するガス排出口とを有し、
該ガス排出口は、前記空間を仕切るレンズのレンズ曲面最上位置よりも重力方向下方に設けられていることを特徴とする露光装置。
【請求項８】  前記ガス排出口は、前記重力方向下方にある光学素子近傍に設けられていることを特徴とする請求項６または７に記載の露光装置。
【請求項９】  前記ガス排出口と前記重力方向下方にある光学素子との高さの差は、前記２つの光学素子の高さの差の１割以下であることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項１０】  所定の空間を囲み、所定のガスの置換が可能なチャンバーと、
該チャンバー内において、移動可能な可動体と、
該チャンバー内にガスを供給するガス供給口と、
該空間内のガスを排出するガス排出口とを有し、
該チャンバー内のガスを置換する場合に、前記可動体を重力方向下方に退避させることを特徴とする露光装置。
【請求項１１】  前記可動体は、前記重力方向に移動可能であることを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】  前記可動体は、遮光板であることを特徴とする請求項１０または１１に記載の露光装置。
【請求項１３】  前記遮光板は、水平方向の光を遮光することを特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１４】  前記所定のガスは、大気よりも軽いガスであることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１５】  前記所定のガスは、ヘリウムガスであることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の露光装置
【請求項１６】  前記光学素子は、投影光学系の一部であることを特徴とする請求項６〜１５のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１７】  請求項１〜１６のいずれかに記載の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
【請求項１８】  前記製造装置群をローカルエリアネットワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネットワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信する工程とをさらに有する請求項１７に記載の半導体デバイス製造方法。
【請求項１９】  前記データ通信によって、前記露光装置のベンダーもしくはユーザーが提供するデータベースに前記外部ネットワークを介してアクセスして前記製造装置の保守情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデータ通信して生産管理を行う請求項１８記載の半導体デバイス製造方法。
【請求項２０】  請求項１〜１６のいずれかに記載の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続するローカルエリアネットワークと、該ローカルエリアネットワークから工場外の外部ネットワークにアクセス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信することを可能にした半導体製造工場。
【請求項２１】  半導体製造工場に設置された請求項１〜１６いずれかに記載の露光装置の保守方法であって、前記露光装置のベンダーもしくはユーザーが、半導体製造工場の外部ネットワークに接続された保守データベースを提供する工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネットワークを介して前記保守データベースへのアクセスを許可する工程と、前記保守データベースに蓄積される保守情報を前記外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送信する工程とを有することを特徴とする露光装置の保守方法。
【請求項２２】  請求項１〜１６のいずれかに記載の露光装置において、ディスプレイと、ネットワークインターフェースと、ネットワークアクセス用ソフトウェアを実行するコンピュータとをさらに有し、露光装置の保守情報をコンピュータネットワークを介してデータ通信することを可能にした露光装置。
【請求項２３】  前記ネットワーク用ソフトウェアは、前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接続され前記露光装置のベンダーもしくはユーザーが提供する保守データベースにアクセスするためのユーザーインターフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネットワークを介して該データベースから情報を得ることを可能にする請求項２２に記載の露光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月28日(2007.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光源からの光を用いて複数の２次光源を形成する多光束発生手段と、該多光束発生手段によって形成された各２次光源からの光を被照射面上で重畳させる照射手段とを有する照明装置であって、
前記多光束発生手段はアレイ状に配列された複数の回折光学素子を備え、
該回折光学素子で回折された回折光のうち０次回折光の少なくとも一部を除去するためのフィルター手段を有することを特徴とする照明装置。
【請求項２】  前記フィルター手段は前記回折光学素子のフーリエ変換面又はその近傍に設けたことを特徴とする請求項１の照明装置。
【請求項３】  前記多光束発生手段は、アレイ状に配列された複数の微小な回折レンズを備えることを特徴とする請求項２記載の照明装置。
【請求項４】  前記複数の微小な回折レンズの各回折レンズの集光点が各回折レンズの光軸に対して偏心しており、各回折レンズで回折される０次回折光は前記フィルター手段の遮光部で遮光されることを特徴とする請求項３記載の照明装置。
【請求項５】  前記多光束発生手段の入射面で所望の光強度分布の光を形成するための光束制御手段を有することを特徴とする請求項１乃至４いずれか１項記載の照明装置。
【請求項６】  光源からの光を一定の発散角度で射出する射出角度保存手段と、前記多光束発生手段の入射面で所望の光強度分布の光を形成するための回折光学素子よりなる光束制御手段を有し、前記光束制御手段が前記射出角度保存手段からの光束が集光する位置もしくはその近傍に設けられていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項の照明装置。
【請求項７】  前記多光束発生手段の入射面と光学的に共役な位置に形成された光強度分布を多光束発生手段の入射面に所望の倍率で投影するズーム光学系を有することを特徴とする請求項５又は６記載の照明装置。
【請求項８】  請求項１乃至７いずれか１項記載の照明装置を有し、該照明装置によって前記被照射面としてのマスク面を照明することを特徴とする露光装置。
【請求項９】  前記マスク面上のパターンを感光基板に投影する投影光学系を有することを特徴とする請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】  ウエハに感光材を塗布する工程と、マスク面上のパターンを請求項８又は９記載の露光装置を用いてウエハ面上に露光転写する工程と、露光転写されたパターンを現像する工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明の照明装置は、光源からの光を用いて複数の２次光源を形成する多光束発生手段と、該多光束発生手段によって形成された各２次光源からの光を被照射面上で重畳させる照射手段とを有する照明装置であって、
前記多光束発生手段はアレイ状に配列された複数の回折光学素子を備え、
該回折光学素子で回折された回折光のうち０次回折光の少なくとも一部を除去するためのフィルター手段を有することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
１８’、１８”はミラー系である。１１はレーザ光源１からの光束径を所望の形状に変換するビーム整形光学系、２、３は射出角度保存光学素子であり、入射光束を射出角度を一定にして射出している。１２は集光光学系であり、一方の射出角度保存光学素子２からの光束を集光して他方の射出角度保存光学系３に導光している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
１３はリレー光学系であり、射出角度保存光学系３からの光束の分布形状を所望の形状に制御するための光束制御手段（光束制御光学系）１４に導光している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
射出角度保存光学素子２、３は図２（Ａ）に示すようにアパーチャ（絞り）２１とレンズ系２２から構成している。そして入射光束が例えば光束２７（光軸２７ａ）から光束２８（光軸２８ａ）と光軸と直交する方向に微小変動して入射したとしても、それより射出される光束の射出角度２９ａ（図１では２’）が一定となる光学性質をもっている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
光束制御光学系１４は、入射光束の分布形状をズーム光学系５を介して多光束発生手段７の入射面位置又はその近傍に円形や輪帯などの露光に最適な照度分布６を発生させるように、あらかじめ設計されており、図３（Ａ）に示すように円錐プリズム３１等を用いることで構成されている。また、図３（Ｂ）に示すように円錐プリズムの代わりに四角錐プリズム３２，３３を用い、多光束発生手段７の入射面位置に適切な開口絞りを併用することで、いわゆる四重極分布を形成することも可能である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１    レーザ光源
２，３    射出角度保存光学素子
１２    集光光学系
１３    リレー光学系
１４    光束制御光学系
５    ズーム光学系
１６    フィルタ光学系
７    多光束発生光学系
８    照射手段
９    被照射面
ＰＬ    投影光学系
ＬＳ    露光光源
ＥＡ    照明装置
Ｒ    レチクル
Ｗ    ウエハ
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月27日(2007.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光起電力素子の受光面の少なくとも一部に保護層を備えており、該保護層における有機成分と結合した金属元素の濃度が厚み方向に変化していることを特徴とする保護層付き光起電力素子。
【請求項２】  前記保護層の金属元素濃度が、対向する前記光起電力素子へ向かって増加することを特徴とする請求項１に記載の保護層付き光起電力素子。
【請求項３】  前記金属元素の少なくとも１種がＳｉであることを特徴とする請求項１または２に記載の保護層付き光起電力素子。
【請求項４】  前記保護層が、有機成分に結合した金属元素を含む化合物を構成要素とするポリマーブレンド体を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の保護層付き光起電力素子。
【請求項５】  前記ポリマーブレンド体の少なくとも一部が共重合体で構成されることを特徴とする請求項４に記載の保護層付き光起電力素子。
【請求項６】  光起電力素子上に金属元素濃度が厚み方向に変化する保護層を備えた保護層付き光起電力素子の製造方法であって、光起電力素子上に有機成分に結合した金属元素を含む樹脂層を設け、該樹脂層より金属濃度が少ない樹脂層を設ける工程を繰り返し、少なくとも２層の樹脂層からなる保護層を形成することを特徴とする保護層付き光起電力素子の製造方法。
【請求項７】  前記樹脂層の形成方法が樹脂材料を塗布する工程と、該樹脂材料を硬化させる工程と、を有することを特徴とする請求項６に記載の保護層付き光起電力素子の製造方法。
【請求項８】  請求項１乃至５のいずれかに記載の保護層付き光起電力素子を封止材で封止してなることを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項９】  光起電力素子上に金属元素濃度が厚み方向に変化する保護層を備えた保護層付き光起電力素子を有する太陽電池モジュールの製造方法であって、光起電力素子上に有機成分に結合した金属元素を含む樹脂層を設け、該樹脂層より金属濃度が少ない樹脂層を設ける工程を繰り返し、少なくとも２層の樹脂層からなる保護層を備えた光起電力素子を形成し、該保護層付き光起電力素子を封止材で封止することを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項１０】  前記樹脂層の形成方法が樹脂材料を塗布する工程と、該樹脂材料を硬化させる工程と、を有することを特徴とする請求項９に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記保護層付き光起電力素子の製造方法において、上記樹脂層の形成方法が樹脂材料を塗布する工程と、該樹脂材料を硬化させる工程と、を有することが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記太陽電池モジュールの製造方法において、上記樹脂層の形成方法が樹脂材料を塗布する工程と、該樹脂材料を硬化させる工程と、を有することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月22日(2007.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体チップ上の回路形成領域に対応する配置配線領域内へのスタンダードセルの配置および配線をデザインする配置配線方法において、
寸法が定義され内部に配置される回路の定義が欠如したダミーセルと該ダミーセル内に配置される回路が定義されたスペアセル列とを用意しておき、
前記配置配線領域に、全体として所定の機能を満足する複数のスタンダードセルを配置し、
前記配置配線領域内の、前記複数のスタンダードセルが配置された後の空き領域のうちの前記ダミーセルの寸法以上の寸法を持つ空き領域それぞれに、該ダミーセルを配置し、
配置された前記ダミーセルを、前記スペアセル列に置換することを特徴とする配置配線方法。
【請求項２】  複数の寸法のダミーセルと、これらのダミーセルの各ダミーセル内に配置される各回路が定義された複数種類のスペアセル列とを用意することを特徴とする請求項１記載の配置配線方法。
【請求項３】  前記空き領域それぞれに、複数の寸法のダミーセルを配置するにあたり、寸法の大きなダミーセルから順に配置することを特徴とする請求項１記載の配置配線方法。
【請求項４】  前記スペアセル列は、それぞれが基本論理を実現可能な複数の種類のスペアセルの配列であることを特徴とする請求項１または２記載の配置配線方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月29日(2007.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記分割された複数の画素電極のうちの少なくとも一つは、上置き電極形成前において、前記３端子非線形素子のソースに電気的に接続されていないことを特徴とする請求項１に記載のＸ線検出装置用アレイ基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
更に、前記分割された複数の画素電極のうち少なくとも一つは、上置き電極形成前において、前記３端子非線形素子のソースに電気的に接続されていない構成とすることが出来る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
このため、このような欠陥を有するアレイ基板を選別して、欠陥の無いアレイ基板のみをＸ線−電子変換膜成膜以降の工程に供することが可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
ＴＦＴ１２１は、図５に示すように、層間絶縁膜３０１の上に、ゲート電極３０３、ゲート絶縁膜３０２、半導体膜３０４、低抵抗半導体膜３０５ａ，３０５ｂ、ソース電極３０６、ドレイン電極３０７、および保護膜３０８が積層された構成を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
半導体膜３０４は、例えば、ａ−Ｓｉ：Ｈ（水素化非晶質シリコン）膜によって構成されている。半導体膜３０４の下層には、走査線１１１から延長しているゲート電極３０３が設けられ、両者の間にはゲート絶縁膜３０２が積層されている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月19日(2007.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方のワイヤが他方のワイヤに対してゼロ以外の角度で交差する接合(18)を形成する一対の交差ワイヤ(12,14)と、前記接合において前記交差ワイヤの対を接続する少なくとも１つのコネクタ種(16)とから構成される交差ワイヤデバイス(10)であって、前記接合がナノメートル単位の機能ディメンションを有し、前記少なくとも１つのコネクタ種(16)と交差する前記ワイヤの対(12,14)とが電気化学的セル(10)を形成する、交差ワイヤデバイス(10)。
【請求項２】
前記少なくとも１つのコネクタ種(16)が、前記２本のワイヤ(12,14)間で電気的に調節可能なトンネル接合から成る量子状態分子スイッチを形成する、請求項１に記載の交差ワイヤデバイス(10)。
【請求項３】
前記２本のワイヤ(12,14)のうちの少なくとも一方が、前記少なくとも１つのコネクタ種(16)とほぼ同一寸法である厚みを、その直径を上回る同程度の大きさの長さにわたって有する、請求項１に記載の交差ワイヤデバイス(10)。
【請求項４】
前記２本のワイヤ(12,14)は両方とも、サブマイクロメートルからマイクロメートルに及ぶ範囲の厚みを有する、請求項１に記載の交差ワイヤデバイス(10)。
【請求項５】
前記接合(18)は、単一構成可能型又は再構成可能型スイッチであり、且つ前記接合(18)が、抵抗体類、トンネル抵抗体類、ダイオード類、トンネルダイオード類、共鳴トンネルダイオード類、及びバッテリー類から成る群から選択された少なくとも１つの構成素子である、請求項１に記載の交差ワイヤデバイス(10)。
【請求項６】
前記ワイヤ(12,14)がそれぞれ、独立した導体、又は半導体から成り、前記半導体は、内部的に不純物添加されるか、又は変調ドーピングコーティング(20,22)で被覆されている、請求項１に記載の交差ワイヤデバイス(10)。
【請求項７】
前記ワイヤ(12,14)のうちの少なくとも一方の上に絶縁層(20,22)を含む、請求項６に記載の交差ワイヤデバイス(10)。
【請求項８】
前記少なくとも１つのコネクタ種(16)は双安定分子を含み、前記双安定分子は、液体電気化学作用からか、又は固体接合における電流−電圧特性から得られた、その電流−電圧曲線において顕著なヒステリシスを示す分子である、請求項１に記載の交差ワイヤデバイス(10)。
【請求項９】
請求項１に記載の交差ワイヤデバイス(10)を製造する方法であって、(a)前記第１のワイヤ(12)を形成するステップと、(b)前記第１のワイヤ(12)の少なくとも一部の上に前記少なくとも１つのコネクタ種(16)を堆積させるステップと、(c)前記第１のワイヤ(12)の上に前記接合(18)を形成するように前記第２のワイヤ(14)を形成するステップとからなる方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の交差ワイヤデバイス(10)を動作させる方法であって、(a)前記コネクタ種(16)において電気化学的反応を起こさせてその状態を切替えるのに十分な第１の電圧で少なくとも１回、両方のワイヤ(12,14)にバイアスを掛けることを含む方法。
【請求項１１】
前記接合(18)は、前記ワイヤ(12,14)にバイアスを一回だけ掛けることによって設定される単一構成可能型スイッチ、又は前記ワイヤ(12,14)にバイアスを２回以上掛けることによってリセットされる再構成可能型スイッチを形成する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つのコネクタ種(16)を酸化させるか、又は還元させることを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記ワイヤ(12,14)の両方に前記第１の電圧よりも低い第２の電圧でバイアスを掛けることを更に含む、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月11日(2007.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかしながら、回転中、円錐角がより大きな範囲に到達する場合に、システムに影響を与えるイメージアーチファクトが発生する。これらのアーチファクトを排除するために様々な再構成スキームが考案されてきたが、これらスキームでは、Ｘ線源を患者の周りで回転させながら、Ｘ線源の位置を「ｚ」方向に沿って高速で変化させる必要がある。現在のＸ線管は、この性能を有していない。
【特許文献１】米国特許第５２１８６２４号
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月11日(2007.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明を好ましい実施形態について記載してきたが、明示的に記述した以外に等価、代替及び修正が可能であり、これらも添付の特許請求の範囲の域内にあることを理解されたい。
【特許文献１】米国特許第６５２９７６３号
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月25日(2007.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
調合カートリッジであって、プラスチック材料で形成されており、少なくとも１個の入口と少なくとも１個の出口を備え、少なくとも１本の金属補強管を備える調合カートリッジ。
【請求項２】
少なくとも１個のコンパートメントを備え、該コンパートメントの各々が本体を具備しており、該本体は、アプリケータのプランジャを受容するための開口端部と、出口開口部とを備え、前記コンパートメントは前記開口端部と前記出口開口部の間に延びている、請求項１に記載の調合カートリッジ。  
【請求項３】
前記金属補強管が、実質的に、前記少なくとも１個のコンパートメントの全長に沿って延びている、請求項１または２に記載の調合カートリッジ。
【請求項４】
前記金属補強管の出口開口部が、長さ方向に、該少なくとも１個のコンパートメントの出口開口部を超えて延びている、請求項３に記載の調合カートリッジ。
【請求項５】
歯科用組成物を調合する方法であって、請求項１〜４のいずれか１項に記載の調合カートリッジを設ける工程と；前記金属補強管内でプランジャを前進させることにより、該プランジャの先端部分が、歯科用組成物を該カートリッジの出口開口部へと強制的に移動させる工程とを有する前記方法。
【請求項６】
力の付加による過剰応力がかかった際、カートリッジの破損を防止するため、少なくとも１個のコンパートメントと金属補強管とを含む調合カートリッジを作製する方法であって、（ａ）プラスチック材料を用いてコンパートメントを射出成形する工程と、（ｂ）前記コンパートメント内に金属補強管を提供する工程とを有する前記方法。
【請求項７】
前記金属補強管が、前記コンパートメント内のプレスばめである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記金属補強管が、前記コンパートメントが射出成形される前に、射出モールド内に配置される、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月24日(2007.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の図柄を複数列で変動表示する変動表示手段と、
特定の役及び所定の役を含む複数の内部当選役の中から一遊技毎に当該遊技の内部当選役を決定する内部当選役決定手段と、
前記変動表示手段の変動表示を停止させることが可能な停止操作手段と、
前記内部当選役決定手段が所定の役を内部当選役として決定した場合、当該所定の役の入賞成立を実現するために必要な停止操作の順序を決定する停止順序決定手段と、
前記内部当選役決定手段の決定結果と遊技者の停止操作とに基づいて前記図柄の変動表示を停止制御する停止制御手段と、
前記内部当選役決定手段が特定の役を内部当選役として決定しかつ所定の抽選に当選した場合、所定期間において、前記停止順序決定手段により決定された停止操作の順序を報知する報知手段とを備え、
前記内部当選役決定手段は、前記報知手段により前記停止操作の順序を報知する遊技状態において、前記所定の役の決定確率が前記報知手段により前記停止操作の順序を報知しない遊技状態と同一である確率抽選テーブルに基づいて内部当選役を決定することを特徴とする遊技機。
【請求項２】
請求項１記載の遊技機において、
前記複数の内部当選役は、内部当選した遊技機において入賞成立が実現しない場合には、再び内部当選しなければ入賞成立を実現できないように構成されていることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月1日(2007.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軽金属素材を中空押出しダイスを用いて押出し加工する方法であって、前記軽金属素材を一旦分流させた後に合流させて相互に溶着する工程と、その合流後の軽金属素材を前記中空押出しダイスのダイス穴を通して所望の断面形状に押出し加工する工程とを含み、この押出し加工する工程では、前記押出しダイスの溶着室入口断面から出口部製品断面に至るまでの軽金属素材に付与される相当歪分布量の平均値を１．８以上に維持するようにして当該押出し加工を行うことを特徴とする中空軽金属部材の押出し加工方法。
【請求項２】
前記請求項１記載の中空軽金属部材の押出し加工方法において、前記前記中空軽金属部材を構成する金属がアルミニウム合金であることを特徴とする中空軽金属部材の押出し加工方法。
【請求項３】
中空押出しダイスを用い、軽金属素材を分流及び合流・溶着させた後に所望の断面形状に押出し加工する中空軽金属部材の押出し加工方法であって、前記押出しダイスの溶着室入口断面から出口部製品断面に至るまでの軽金属素材に付与される相当歪分布量の平均値と押出し加工後の製品における溶着部の溶着強度との相関関係を求め、この相関関係に基づいて前記溶着強度の目標値に対応する前記相当歪分布量の平均値を目標歪み量として設定し、前記相当歪分布量の平均値を前記目標歪み量以上に維持するようにして当該軽金属素材の押出し加工を行うことを特徴とする中空軽金属部材の押出し加工方法。
【請求項４】
前記請求項１〜３記載の押し出加工に用いる中空押出しダイスがブリッジダイス、ポートホールダイス、またはスパイダーダイスであることを特徴とする中空軽金属部材の押出し加工方法。
【請求項５】
軽金属素材を分流及び合流・溶着を行った後に所望の断面形状に押出し加工することによって得られる中空軽金属部材であって、前記押出しダイスの溶着室入口断面から出口部製品断面に至るまでの軽金属素材に付与される相当歪分布量の平均値を１．８以上に維持して押出しを行うことによって得られたものであり、その溶着部の強度がベア部の強度の９０％以上であることを特徴とする中空軽金属押出し部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
すなわち本発明は、軽金属素材を中空押出しダイスを用いて押出し加工する方法であって、前記軽金属素材を一旦分流させ、その後に合流させて相互に溶着する工程と、その合流後の軽金属素材を前記中空押出しダイスのダイス穴を通して所望の断面形状に押出し加工する工程とを含み、この押出し加工する工程では、前記押出しダイスの溶着室入口断面から出口部製品断面に至るまでの軽金属素材に付与される相当歪分布量の平均値を１．８以上に維持するようにして当該押出し加工を行うものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
なお、ここでいう「歪み量」とは、溶着室入口断面からダイス出口部製品断面に至るまでの間に軽金属素材に生ずる相当歪み分布量の平均値を意味する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また本発明は、中空押出しダイスを用い、軽金属素材を分流及び合流・溶着させた後に所望の断面形状に押出し加工する中空軽金属部材の押出し加工方法であって、前記押出しダイスの溶着室入口断面から出口部製品断面に至るまでの軽金属素材に付与される相当歪分布量の平均値と押出し加工後の製品における溶着部の溶着強度との相関関係を求め、この相関関係に基づいて前記溶着強度の目標値に対応する前記相当歪分布量の平均値を目標歪み量として設定し、前記相当歪分布量の平均値を前記目標歪み量以上に維持するようにして当該軽金属素材の押出し加工をを行うものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また本発明は、軽金属素材を分流及び合流・溶着を行った後に所望の断面形状に押出し加工することによって得られる中空軽金属部材であって、前記押出しダイスの溶着室入口断面から出口部製品断面に至るまでの軽金属素材に付与される相当歪分布量の平均値を１．８以上に維持して押出しを行うことによって得られたものであり、その溶着部の強度がベア部の強度の９０％以上であるものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明者等は、前記のような断面形状の推移を検討した結果、前記各部位のうち、第２図（ｃ）に示されるような合流後の溶着室８の部位から同図（ｄ）に示すような成形後の部位に至るまでの間にメタルに付与される歪み量が溶着強度に大きな影響を与えているのではないかとのとの知見に至った。なお、ここで言う歪み量とは、上述のように、溶着室入口断面からダイス出口部製品断面に至るまでの相当歪分布量の平均値を意味するものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明者等は、こうした溶着強度と歪み量並びにその支配因子との関係に対する検討、考察を踏まえ、これが実際の技術において効果的に適用できるか否かを確認すべく、７０００系などのアルミニウム合金を供試材として各種の異なった形状を有する中空ダイスを使用して押出し加工実験を行い、そのときの歪み量と得られ中空部材の引っ張り強度を測定した。下記の表１はその実験条件を、また表２はその実験結果を示すものである。なお、表２の溶接部の引張強度／ベア部の引張強度の欄において○印はその強度比が９０％以上を示したもの、×印はその強度比が９０％未満を示したものを表している。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月19日(2007.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面状の基板を支持する支持部と、
前記基板の表面に沿ってレーザ光を照射するレーザ光発振部と、
前記レーザ光を受光する受光部と、
前記基板を、前記レーザ光が前記基板の表面全般に渡って交差するように、前記レーザ光発振部に対して相対的に移動させる移動手段と、
前記受光部が受光した前記レーザ光の光量および受光位置のうち少なくとも前記光量に基づいて、前記基板の平面精度が所定の許容範囲内にあるか否かを判断する基板平面精度判断手段とを備え、
前記レーザ光の照射により、前記基板の表面全般に渡って前記基板の平面精度が許容範囲内にあるか否かを判断することを特徴とする基板精度検出装置。
【請求項２】
前記支持部が、前記基板の支持位置を前記基板の表面に垂直な方向に調整可能であることを特徴とする請求項１に記載の基板精度検出装置。
【請求項３】
前記レーザ光発振部が、前記基板の移動方向と垂直な方向に、前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項１に記載の基板精度検出装置。
【請求項４】
前記レーザ光発振部が、前記レーザ光の一部が前記基板の側面に照射するように前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項１に記載の基板精度検出装置。
【請求項５】
前記レーザ光発振部が、複数の前記レーザ光を照射し、前記レーザ光の光路が同一平面上にあることを特徴とする請求項１に記載の基板精度検出装置。
【請求項６】
前記基板平面精度判断手段が、前記基板の平面精度が前記許容範囲内にないと判断した場合に、ユーザに警告する警告手段をさらに有することを特徴とする請求項１乃至５に記載の基板精度検出装置。
【請求項７】
支持部が、平面状の基板を支持し、
レーザ光発振部が、前記基板の表面に沿ってレーザ光を照射し、
受光部が、前記レーザ光を受光し、
移動手段が、前記基板を、前記レーザ光が前記基板の表面全般に渡って交差するように、前記レーザ光発振部に対して相対的に移動させ、
基板平面精度判断手段が、前記受光部が受光した前記レーザ光の光量および受光位置のうち少なくとも前記光量に基づいて、前記基板の表面全般に渡って前記基板の平面精度が所定の許容範囲内にあるか否かを判断することを特徴とする基板平面精度の検出方法。
【請求項８】
平面状の基板の露光面にパターンを形成する露光装置であって、
前記基板を支持する支持部と、
前記基板の露光面に沿ってレーザ光を照射するレーザ光発振部と、
前記レーザ光を受光する受光部と、
前記基板を、前記レーザ光が前記露光面の表面全般に渡って交差するように、前記レーザ光発振部に対して相対的に移動させる移動手段と、
前記受光部が受光した前記レーザ光の光量および受光位置のうち少なくとも前記光量に基づいて、前記基板の平面精度が所定の許容範囲内にあるか否かを判断する基板平面精度判断手段とを備え、
前記レーザ光の照射により、前記基板の表面全般に渡って前記基板の平面精度が許容範囲内にあるか否かを判断することを特徴とする露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
レーザ光発振部は、基板の移動方向と垂直な方向に、レーザ光を照射することが好ましい。レーザ光発振部は、例えば、レーザ光の一部が基板の側面に照射するようにレーザ光を照射する。また、レーザ光発振部は、例えば、光路が同一平面上にあるように複数のレーザ光を照射する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
まず、フォトレジスト層が形成されたガラス基板２０が、描画テーブル１８上に固定される。描画テーブル１８がレール１２上を固定テーブル側に向けて移動し始めると、計測用レーザ発振器１４は、ガラス基板２０の露光される表面である露光面に平行に、かつその露光面上、もしくはわずかに上方を通過するように、計測用レーザ光ＬＭを照射する。ガラス基板２０の露光面上方を通過した計測用レーザ光ＬＭは、受光センサ１６によって受光される。なお、計測用レーザ発振器１４は、ガラス基板２０がレール１２の固定テーブル２９側に完全に移動するまで、連続して計測用レーザ光ＬＭを照射する。その結果、ガラス基板２０の露光面の全領域において、ガラス基板２０に計測用レーザ光ＬＭが交差することとなり、後述のように、ガラス基板２０の表面全般についてその平面精度が所定の許容範囲内にあるか否かが判断される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月27日(2006.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を評価する評価装置であって、
該試料に光を照射する光源と、
該試料からの反射光を分光し撮像するイメージング分光器と、
前記イメージング分光器で撮像された画像に基づいて該試料の分光反射率の振幅値に関する振幅値情報を得る第１演算器と、
分光反射率の振幅値情報と吸収係数値との関係を示す関係情報を予め保持するメモリと、
前記第１演算器によって得られる振幅値情報と前記メモリに保持された関係情報とに基づいて該試料の吸収係数値を得る第２演算器と、
を備えることを特徴とする評価装置。
【請求項２】
前記振幅値情報は、分光反射率の平均振幅値を含むことを特徴とする請求項１に記載の評価装置。
【請求項３】
前記関係情報は、分光反射率の振幅値情報と吸収係数値との関係を示す近似式を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の評価装置。
【請求項４】
前記関係情報は、多孔質層を有する試料の分光反射率の振幅値情報と該多孔質層の吸収係数との関係を示す情報を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の評価装置。
【請求項５】
前記第２演算器によって得られる吸収係数値を出力する出力部を更に備えることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の評価装置。
【請求項６】
前記第２演算器によって得られる吸収係数値を階調値に変換し該階調値を２次元空間上にマッピングすることにより評価結果を示す画像を生成するデータ加工部と、
前記データ加工部によって得られる画像を出力する出力部と、
を更に備えることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の評価装置。
【請求項７】
試料を評価する評価方法であって、
光が照射された該試料からの反射光を分光し撮像するイメージング分光工程と、
前記イメージング分光工程で撮像された画像に基づいて該試料の分光反射率の振幅値に関する振幅値情報を得る第１演算工程と、
メモリに予め保持された分光反射率の振幅値情報と吸収係数値との関係値を示す関係情報と、前記第１演算工程で得られる振幅値情報とに基づいて該試料の吸収係数値を得る第２演算工程と、
を含むことを特徴とする評価方法。
【請求項８】
前記振幅値情報は、分光反射率の平均振幅値を含むことを特徴とする請求項７に記載の評価方法。
【請求項９】
前記関係情報は、分光反射率の振幅値情報と吸収係数値との関係を示す近似式を含むことを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の評価方法。
【請求項１０】
前記関係情報は、多孔質層を有する試料の分光反射率の振幅値情報と該多孔質層の吸収係数との関係を示す情報を含むことを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれか１項に記載の評価方法。
【請求項１１】
前記第２演算工程で得られる吸収係数値を出力する出力工程を更に含むことを特徴とする請求項７乃至請求項１０のいずれか１項に記載の評価方法。
【請求項１２】
前記第２演算工程で得られる吸収係数値を階調値に変換し該階調値を２次元空間上にマッピングすることにより評価結果を示す画像を生成するデータ加工工程と、
前記データ加工工程で得られる画像を出力する出力工程と、
を更に含むことを特徴とする請求項７乃至請求項１０のいずれか１項に記載の評価方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月7日(2007.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力としてＲＦ信号を受け、出力として低帯域ＩＦ信号を発生する低帯域ＩＦチャネルと、
入力として上記ＲＦ信号を受け、出力として上記ＲＦ信号の選択された周波数帯域の信号を発生する予選択フィルタのバンクと、
入力として上記選択された周波数帯域の信号を受け、出力として高帯域ＩＦ信号を発生する高帯域ＩＦチャネルと、
上記低帯域ＩＦ信号及び上記高帯域ＩＦ信号の一方を更に処理するために選択する選択手段とを具え、
上記低帯域ＩＦチャネルは、入力として上記ＲＦ信号を受け、出力として上記選択手段への入力用の上記低帯域ＩＦ信号を発生するアップ・コンバージョン段を有することを特徴とする測定用受信器。
【請求項２】
上記高帯域ＩＦチャネルは、入力として上記選択された周波数帯域を受け、出力として上記選択手段の入力用の上記高帯域ＩＦ信号を発生するダウン・コンバージョン段を具え、
上記低帯域ＩＦ信号及び上記高帯域ＩＦ信号は異なる中間周波数を有することを特徴とする請求項１の測定用受信器。
【請求項３】
上記選択手段に結合された出力ダウン・コンバージョン段を更に具え、該出力ダウン・コンバージョン段が上記低帯域ＩＦ信号及び高帯域ＩＦ信号を共通のＩＦ信号に変換することを特徴とする請求項２の測定用受信器。
【請求項４】
上記低帯域ＩＦ信号を発生するために上記低帯域ＩＦチャネルに供給する第１周波数信号と上記高帯域ＩＦ信号を発生するために上記高帯域ＩＦチャネルに供給する第２周波数信号とを出力する同調可能な局部発振器を更に具え、上記第２周波数信号の周波数が上記第１周波数信号の周波数よりも高いことを特徴とする請求項１の測定用受信器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の測定用受信器は、入力としてＲＦ信号を受け、出力として低帯域ＩＦ信号を発生する低帯域ＩＦチャネル（１４）と；入力としてＲＦ信号を受け、出力としてＲＦ信号の選択された周波数帯域の信号を発生する予選択フィルタのバンク（３６）と；入力として選択された周波数帯域を受け、出力として高帯域ＩＦ信号を発生する高帯域ＩＦチャネル（１６）と；低帯域ＩＦ信号及び高帯域ＩＦ信号の一方を更に処理するために選択する選択手段（４０）とを具え、低帯域ＩＦチャネルは、入力としてＲＦ信号を受け、出力として選択手段への入力用の低帯域ＩＦ信号を発生するアップ・コンバージョン段（２０）を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
局部発振器スイッチ３２は、ＹＴＯ２２の出力信号をカウンタ／分周器２４又は高帯域ＩＦチャネル１６内の高帯域混合器段（高帯域ダウン・コンバージョン段）３４のいずれかに供給する。高帯域ＩＦチャネル１６の入力側には、予選択帯域通過フィルタのバンク３６が設けられており、このフィルタ・バンク３６は、高帯域混合器段３４の入力用に、入力信号から特定の周波数通過帯域の信号を選択する。フィルタ・バンク３６内のフィルタの選択は、被測定入力信号内のエネルギーの周波数に応じて決まる。各フィルタがその帯域用のイメージ周波数でのエネルギーを遮断し、入力での漏れから局部発振器パワーを除去するように各フィルタを設計する。高帯域混合器段３４は、ＩＦ2周波数の出力信号を発生するようにダウン・コンバージョン回路として動作するので、高帯域ＩＦチャネル１６及び低帯域ＩＦチャネル１４の両方からの出力信号は同じＩＦである。なお、図では、高帯域ＩＦチャネル１６の一部として予選択フィルタのバンク３６が含まれるように示したが、予選択フィルタのバンク３６が高帯域ＩＦチャネル１６と別であるとみなしてもよい。高帯域ＩＦチャネル１６及び低帯域ＩＦチャネル１４からの出力は、出力スイッチ（選択手段）４０を介して第２帯域通過アンチエリアシング・フィルタ３８に入力する。第３混合器段４２により更にダウン・コンバージョンを行う。この第３混合器段４２は、それ専用のＶＣＯ４４を具えており、その混合結果として、第３ＩＦ信号（ＩＦ3）を発生する。この第３ＩＦ信号は、第３帯域通過アンチエリアシング・フィルタ４６に入力する。この更なるダウン・コンバージョンは、アナログ・デジタル変換器（ＡＤＣ）４８の機能に応じて必要かもしれないし、必要でないかもしれない。このＡＤＣ４８は、選択したＩＦチャネル１４又は１６からの出力をデジタル化して、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）（図示せず）で更に処理する。対数増幅器及びダイオード検出器を用いる従来技術を用いて、ＡＤＣによるＩＦ検出を行う必要がない。図示の如く、高帯域ＩＦチャネル１６は、ＹＴＯ２２の出力を直接的に用いるが、低帯域ＩＦチャネル１４は、カウンタ／分周器２４を用いて、ＹＴＯからの変調周波数範囲出力を用いる。