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【手続補正書】
【提出日】平成19年1月22日(2007.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化型垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）を形成する方法であって、
ＶＣＳＥＬ構造を形成することと、
前記ＶＣＳＥＬ構造を部分的に貫通して酸化空洞を形成することと、
前記ＶＣＳＥＬ構造内の層を酸化することと、
前記酸化空洞の表面を覆うように第１のパッシベーション層を形成することと、
前記第１のパッシベーション層を覆うように第２のパッシベーション層を形成することと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１のパッシベーション層を形成することは、前記酸化空洞の表面上にＳｉＮを堆積させることを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のパッシベーション層を形成することは、前記第１のパッシベーション層の上にＳｉＯＮを堆積させることを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２のパッシベーション層の形成は前記第１のパッシベーション層の形成より低い温度で行われることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ＶＣＳＥＬ構造を形成することは、
ウェハの上に底の鏡領域を形成することと、
前記底の鏡領域の上に活性領域を形成することと、
前記活性領域の上に上の鏡領域を形成することとを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のパッシベーション層を前記ＶＣＳＥＬのレーザ開口部の上に形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第２のパッシベーション層を形成することは、前記レーザー開口部の上にＳｉＯＮを堆積させることを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
酸化型垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）であって、
底の鏡領域と、
前記底の鏡領域の上の活性領域と、
前記活性領域の上にある上の鏡領域と、
前記上の鏡領域を部分的に貫通する酸化空洞と、
前記酸化空洞の表面を覆う第１のパッシベーション層と、
前記第１のパッシベーション層を覆う第２のパッシベーション層と、
を備えることを特徴とする酸化型垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）。
【請求項９】
前記第１のパッシベーション層は、ＳｉＮを含むことを特徴とする請求項８に記載のＶＣＳＥＬ。
【請求項１０】
前記第２のパッシベーション層は、ＳｉＯＮを含むことを特徴とする請求項９に記載のＶＣＳＥＬ。
【請求項１１】
前記ＶＣＳＥＬのレーザ開口部を覆う前記第２のパッシベーション層をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載のＶＣＳＥＬ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月5日(2007.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩｎＰを含み、第１の導電型である第１の領域と、
ＧａＡｓＳｂを含み、第２の導電型である第２の領域と、
ＩｎＡｌＡｓを含み、該第１の領域と該第２の領域との間にある中間層と
を含んでなり、
前記第１の領域と該中間層と前記第２の領域とのバンドの並びが、伝導帯に束縛状態がなく、価電子帯に束縛状態がないものである半導体ヘテロ接合。
【請求項２】
前記中間層の伝導帯は、エネルギ準位が前記第１の領域の伝導帯より高いものである請求項１に記載の半導体ヘテロ接合。
【請求項３】
前記中間層の厚さが、トンネル効果によって、ほとんど減衰することなく、電子が前記第１の領域から前記第２の領域に移動できるようにするのに十分なほど薄いものである請求項１に記載の半導体ヘテロ接合。
【請求項４】
コレクタ領域と、
ＧａＡｓＳｂを含み、前記コレクタ領域と接合を形成しているベース領域と、
ＩｎＰを含むエミッタ領域と、
ＡｌＧａＩｎＡｓを含み、前記ベース領域と前記エミッタ領域との間にある中間層と
を含んでなり、
前記中間層の伝導帯は、エネルギ準位が前記エミッタ領域の伝導帯より高いものであり、前記中間層の厚さは、トンネル効果によって、ほとんど減衰することなく、電子が前記エミッタ領域から前記ベース領域に移動できるようにするのに十分なほど薄いものである、ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ。
【請求項５】
第１の導電型である第１の半導体材料を含む第１の領域を形成するステップと、
前記第１の領域に近接する中間層を形成するステップと、
第２の導電型である第２の半導体材料を含み、前記中間層に近接する第２の領域を形成するステップと
を含んでなり、
前記第１の領域と前記第２の領域との間にある伝導帯および価電子帯のいずれにも束縛状態がなく、前記中間層は、前記第１の領域を形成している材料よりも低いエネルギ準位の価電子帯と、前記第２の領域を形成している材料よりも高いエネルギ準位の価電子帯とを有する材料を含んでおり、前記中間層を形成するステップは、前記第１の領域と第２の領域との伝導帯よりも高いエネルギ準位の伝導帯を有する材料を用いて、前記中間層を形成することを含むものである、ヘテロ接合の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月7日(2007.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】熱処理装置、ヒータユニット、断熱槽および半導体集積回路装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  処理室を形成する処理管と、
前記処理室にガスを導入するガス導入管と、
前記処理室の雰囲気を排出する排気管と、
前記処理管の外側に設けられた断熱槽と、を備え、
前記断熱槽は、
上下両端が開口した円筒形状の側壁部材と、
前記側壁部材の上端に載置され、上端の開口を閉塞する天井壁部材と、を備え、
前記天井壁部材の下端面は、前記側壁部材に載置される前記側壁部材の上端面よりも下側に位置し、前記下端面には冷却媒体を排気するための孔が開口されていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】  熱処理装置に使用されるヒータユニットであって、
前記ヒータユニットは、
円筒形状のケースと、
前記ケースの内部に設置される断熱槽と、
前記断熱槽の内周側に設けられたヒータ素線と、を備え、
前記断熱槽は、
上下両端が開口した円筒形状の側壁部材と、
前記側壁部材の上端に載置され、上端の開口を閉塞する天井壁部材と、を備え、
前記天井壁部材の下端面は、前記側壁部材に載置される前記側壁部材の上端面よりも下側に位置し、前記下端面には冷却媒体を排気するための孔が開口されていることを特徴とするヒータユニット。
【請求項３】  熱処理装置に使用される断熱槽であって、
前記断熱槽は、
上下両端が開口した円筒形状の側壁部材と、
前記側壁部材の上端に載置され、上端の開口を閉塞する天井壁部材と、を備え、
前記天井壁部材の下端面は、前記側壁部材に載置される前記側壁部材の上端面よりも下側に位置し、前記下端面には冷却媒体を排気するための孔が開口されていることを特徴とする断熱槽。
【請求項４】  処理室を形成する処理管と、
前記処理室にガスを導入するガス導入管と、
前記処理室の雰囲気を排出する排気管と、
前記処理管の外側に設けられた断熱槽と、
前記断熱槽の内周側に設けられたヒータ素線と、を備え、
前記断熱槽は、
上下両端が開口した円筒形状の側壁部材と、
前記側壁部材の上端に載置され、上端の開口を閉塞する天井壁部材と、を備え、
前記天井壁部材の下端面は、前記側壁部材に載置される前記側壁部材の上端面よりも下側に位置し、前記下端面には冷却媒体を排気するための孔が開口されている熱処理装置を用いて被処理基板に半導体集積回路装置を製造する半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記処理室内に前記被処理基板を搬入する工程と、
前記被処理基板を加熱して所望の処理を実行する工程と、
を備えることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）処理室を形成する処理管と、
前記処理室にガスを導入するガス導入管と、
前記処理室の雰囲気を排出する排気管と、
前記処理管の外側に設けられた断熱槽と、を備え、
前記断熱槽は、
上下両端が開口した円筒形状の側壁部材と、
前記側壁部材の上端に載置され、上端の開口を閉塞する天井壁部材と、を備え、
前記天井壁部材の下端面は、前記側壁部材に載置される前記側壁部材の上端面よりも下側に位置し、前記下端面には冷却媒体を排気するための孔が開口されていることを特徴とする熱処理装置。
（２）熱処理装置に使用されるヒータユニットであって、
前記ヒータユニットは、
円筒形状のケースと、
前記ケースの内部に設置される断熱槽と、
前記断熱槽の内周側に設けられたヒータ素線と、を備え、
前記断熱槽は、
上下両端が開口した円筒形状の側壁部材と、
前記側壁部材の上端に載置され、上端の開口を閉塞する天井壁部材と、を備え、
前記天井壁部材の下端面は、前記側壁部材に載置される前記側壁部材の上端面よりも下側に位置し、前記下端面には冷却媒体を排気するための孔が開口されていることを特徴とするヒータユニット。
（３）熱処理装置に使用される断熱槽であって、
前記断熱槽は、
上下両端が開口した円筒形状の側壁部材と、
前記側壁部材の上端に載置され、上端の開口を閉塞する天井壁部材と、を備え、
前記天井壁部材の下端面は、前記側壁部材に載置される前記側壁部材の上端面よりも下側に位置し、前記下端面には冷却媒体を排気するための孔が開口されていることを特徴とする断熱槽。
（４）処理室を形成する処理管と、
前記処理室にガスを導入するガス導入管と、
前記処理室の雰囲気を排出する排気管と、
前記処理管の外側に設けられた断熱槽と、
前記断熱槽の内周側に設けられたヒータ素線と、を備え、
前記断熱槽は、
上下両端が開口した円筒形状の側壁部材と、
前記側壁部材の上端に載置され、上端の開口を閉塞する天井壁部材と、を備え、
前記天井壁部材の下端面は、前記側壁部材に載置される前記側壁部材の上端面よりも下側に位置し、前記下端面には冷却媒体を排気するための孔が開口されている熱処理装置を用いて被処理基板に半導体集積回路装置を製造する半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記処理室内に前記被処理基板を搬入する工程と、
前記被処理基板を加熱して所望の処理を実行する工程と、
を備えることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月22日(2007.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
合成樹脂（Ａ）の１００部に対し、下式１で表されるアルコキシシラン及び／又は下式１で表されるアルコキシシランの縮合物（Ｂ）の０．１〜５０部、及び下式２で表されるアルコキシシラン及び／又は下式２で表されるアルコキシシランの縮合物（Ｃ）の０〜５０部、を含有することを特徴とする水性塗料用組成物。
（Ｒ1）aＳｉ（ＯＲ2）4-a  式１
（Ｒ3）bＳｉ（ＯＲ4）4-b  式２
ただし、式１において、ａは０〜３の整数を、Ｒ1は１価有機基を、Ｒ2は１価有機基又は水素原子を表し、Ｒ1及びＲ2からなる群から選ばれる１つ以上の基は、含フッ素基と親水性基とを有する１価有機基である。式２において、ｂは０〜３の整数を、Ｒ3は１価有機基を、Ｒ4は１価有機基又は水素原子を表し、Ｒ3及びＲ4は、含フッ素基と親水性基とを有する１価有機基ではない。
【請求項２】
式１で表されるアルコキシシラン及び式２で表されるアルコキシシランの共縮合物を含有する請求項１に記載の水性塗料用組成物。
【請求項３】
含フッ素基と親水性基とを有する１価有機基が、下式３で表される１価有機基である請求項１又は２に記載の水性塗料用組成物。
Ｒf−Ｘ−Ｙ−Ｚ−  式３
ただし、式中、Ｒfは含フッ素基を、Ｙは親水性基を、Ｘ及びＺは結合基又は単結合を表す。
【請求項４】
前記（Ｂ）中の含フッ素基がポリフルオロアルキル基であり、親水性基がポリオキシアルキレン鎖である請求項１、２又は３に記載の水性塗料組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の水性塗料用組成物を含有することを特徴とする塗料。
【請求項６】
請求項５に記載の塗料を被塗装物に塗装することを特徴とする塗装方法。
【請求項７】
物品表面に請求項５に記載の塗料から形成された塗膜を有することを特徴とする塗装物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、合成樹脂（Ａ）の１００部に対し、下式１で表されるアルコキシシラン及び／又は下式１で表されるアルコキシシランの縮合物（Ｂ）の０．１〜５０部、及び下式２で表されるアルコキシシラン及び／又は下式２で表されるアルコキシシランの縮合物（Ｃ）の０〜５０部、を含有することを特徴とする水性塗料用組成物を提供する。
（Ｒ1）aＳｉ（ＯＲ2）4-a  式１
（Ｒ3）bＳｉ（ＯＲ4）4-b  式２
ただし、式１において、ａは０〜３の整数を、Ｒ1は１価有機基を、Ｒ2は１価有機基又は水素原子を表し、Ｒ1及びＲ2からなる群から選ばれる１つ以上の基は、含フッ素基と親水性基とを有する１価有機基である。式２において、ｂは０〜３の整数を、Ｒ3は１価有機基を、Ｒ4は１価有機基又は水素原子を表し、Ｒ3及びＲ4は、含フッ素基と親水性基とを有する１価有機基ではない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前記水性塗料用組成物を含有することを特徴とする塗料、前記塗料を被塗装物に塗装することを特徴とする塗装方法、及び、前記塗料から形成された塗膜を有することを特徴とする塗装物品、を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
Ｒ3は、含フッ素基と親水性基とを有する１価有機基ではない１価有機基である。Ｒ3としては、炭素数１〜２０の１価有機基であることが好ましい。合成樹脂（Ａ）との相溶性及び耐汚染性の向上の点から炭素数１０以下の１価有機基がより好ましく、１価有機基中には酸素原子、硫黄原子、窒素原子、塩素原子を含んでもよい。ただし、１価有機基は、炭素原子を介してケイ素原子に直接結合する。また、Ｒ3が分子中に２つ以上含まれる場合には、Ｒ3は同一でもよく、異なっていてもよい。
式２におけるＲ4は、含フッ素基と親水性基とを有する１価有機基ではない１価有機基又は水素原子を表す。１価有機基としては、アルキル基、アルコキシアルキル基又は含フッ素アルキル基が好ましく、特にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の炭素数１〜６の１価アルキル基、２−メトキシエチル基等の炭素数１〜６のアルコキシアルキル基、ＣＦ3ＣＨ2−、ＣＦ3ＣＨ2ＣＨ2、Ｈ（ＣＦ2）2ＣＨ2−、ＣＦ3ＣＦ2ＣＨ2−、ＣＦ3ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ2−等の炭素数１〜６の含フッ素アルキル基がさらに好ましい。Ｒ4が分子中に２つ以上まれる場合には、Ｒ4は同一でもよく、異なっていてもよい。（Ｃ）がアルコキシシランの縮合物である場合には、部分縮合物であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月1日(2007.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
上端部に外周面との間に間隙部を形成するように筒体部が設けられた排水ソケットの前記間隙部に、環状排水ジョイントの外環部を挿入嵌合させることで、外環部７の外周面を筒体部の内周面に密着させ、外環部内周に設けられた環状凸条部の外周を上方に変形させ密着させると共に、内環部を便器の排水口外周面に当接させることにより便器の排水口と床面排水口とを接続させてなる便器接続用排水ソケット。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月4日(2007.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】  エポキシアクリレート（A）中に存在する水酸基の一部または全部に多塩基酸無水物を付加させてなる酸変性エポキシアクリレート（B）と、熱可塑性ポリマー（C）と、一分子中に少なくとも二個以上の二重結合を有する化合物（D）と、一分子中に一個の二重結合を有する反応性単量体（E）とを含有することを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。
【請求項2】  前記酸変性エポキシアクリレート（B）がハーゼン色数100以下であることを特徴とする請求項1記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項３】  前記熱硬化性樹脂組成物がハーゼン色数100以下であることを特徴とする請求項1または２記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項４】  前記酸変性エポキシアクリレート（B）がエステル化触媒としてイミダゾ−ル誘導体、重合禁止剤としてヒンダードフェノール系化合物を用いて形成されたものであることを特徴とする請求項1〜３のいずれか１項記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項５】  前記熱可塑性ポリマー（C）が、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリスチレンの部分架橋体、スチレンとメチルメタクリレートのブロック共重合体、スチレンとブタジエンのブロック共重合体からなる群より選ばれる少なくとも１種のポリマーであり、その配合量が前記酸変性エポキシアクリレート（B）100重量部に対して1〜30重量部であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項６】  前記化合物（D）の配合量が、前記酸変性エポキシアクリレート（B）100重量部に対して0〜50重量部、さらに前記反応性単量体（E）の配合量が前記酸変性エポキシアクリレート（B）100重量部に対して2〜100重量部であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項７】  更に増粘剤（F）、硬化剤（G）、内部離型剤（H）、充填材（I）及び／又は繊維材（J）を含有することを特徴とする請求項1〜６のいずれか１項記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項８】  前記繊維材（J）が、ガラス繊維、ビニロン繊維、アクリル繊維、炭素繊維からなる群より選ばれる少なくとも1種の繊維を含有することを特徴とする請求項７記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項９】  請求項1〜８のいずれか１項記載の熱硬化性樹脂組成物を、常温〜50℃で熟成することによりタックのない成型用材料とし、成型温度80℃〜160℃、成型圧力1〜15ＭPaで加熱加圧硬化することにより得られることを特徴とする人工大理石。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月24日(2007.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】（Ａ）スチレン系樹脂５〜９５重量部、３層以上の多層構造を有する（Ｂ）多層構造アクリル系重合体５〜９５重量部よりなり、（Ａ）のスチレン系樹脂が、少なくともビニル芳香族化合物単量体成分と不飽和ニトリル単量体成分よりなる共重合体であることを特徴とするスチレン系熱可塑性樹脂組成物。
【請求項２】（Ｂ）多層構造アクリル系重合体の軟質層の少なくとも１層が、不飽和カルボン酸アルキルエステル単量体成分とビニル芳香族単量体成分よりなる共重合体であることを特徴とする請求項１に記載のスチレン系熱可塑性樹脂組成物。
【請求項３】（Ｂ）多層構造アクリル系重合体が、最内層、最外層が硬質層であり、軟質層を１層もつ構造であることを特徴とする請求項１または２に記載のスチレン系熱可塑性樹脂組成物。
【請求項４】（Ａ）のスチレン系樹脂が、少なくともビニル芳香族化合物成分と不飽和ニトリル単量体成分と不飽和カルボン酸アルキルエステル単量体成分よりなる共重合体であることを特徴とする請求項１〜３いずれか一項に記載のスチレン系樹脂組成物。
【請求項５】（Ａ）スチレン系樹脂１００重量部中の不飽和ニトリル単量体の量が、５〜４０重量部であることを特徴とする請求項１〜４いずれか一項に記載のスチレン系熱可塑性樹脂組成物。
【請求項６】（Ｂ）多層構造アクリル系重合体が、最内硬質層３〜３７重量部、軟質層２０〜９４重量部、最外硬質層３〜４３重量部であることを特徴とする請求項１〜５いずれか一項に記載のスチレン系熱可塑性樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の目的を達成するべく鋭意検討を進めた結果、スチレン系樹脂と多層構造アクリル系重合体よりなる組成物を用いることにより、課題を効果的に解決する事を見いだし本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、（Ａ）スチレン系樹脂５〜９５重量部、３層以上の多層構造を有する（Ｂ）多層構造アクリル系重合体５〜９５重量部からなり、（Ａ）のスチレン系樹脂が、少なくともビニル芳香族化合物単量体成分と不飽和ニトリル単量体成分よりなる共重合体であることを特徴とするスチレン系熱可塑性樹脂組成物である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明における（Ｂ）多層構造アクリル系重合体は、メチルメタクリレート、不飽和カルボン酸アルキルエステル単量体、グラフト結合性単量体の全て成分のを必須成分とし、必要に応じて他のビニル単量体や多官能架橋性単量体からなる重合体である。その層構造は、３層、または４層以上の、多層構造を有する重合体であれば良い。例えば、硬質層−軟質層−硬質層の３層構造を有するもの、軟質層−硬質層−軟質層−硬質層の４層構造を有するもの、硬質層−軟質層−硬質層−軟質層−硬質層の５層構造を有するものなどがある。好ましい構造には硬質層−軟質層−硬質層の３層構造、あるいは硬質層−軟質層−硬質層の３層構造であって、各層間にほぼ組成が定率で変化する中間層をもったもの（硬質層−中間層−軟質層−硬質層、硬質層−軟質層−中間層−硬質層、硬質層−中間層−軟質層−中間層−硬質層等）、同じく基本的には３層構造であって最外硬質層の分子量が内側から外側に向かって次第に小さくなっているものをあげることができる。再内層に硬質層をもつ場合、耐衝撃性に優れ、好ましく、また、最外層に硬質層を持つ場合、耐衝撃性に優れ好ましい。分子量が内側から外側に向かって次第に小さくなっているものは特に耐衝撃性にすぐれ好ましい。最内層、最外層が硬質層であり、軟質層を１層もつ構造の場合、最内硬質層が３〜３７重量部、軟質層が２０〜９４重量部、最外硬質層が３〜４３重量部であることが好ましい。最内硬質層の量が、３重量部未満であると耐衝撃性、発色性に劣り、好ましくなく、３７重量部を越えると耐衝撃性に劣り、好ましくない。また、軟質層の量が、２０重量部未満であると耐衝撃性に劣り、好ましくなく、９４重量部を越えると発色性、表面傷つき性に劣り好ましくない。さらに最外硬質層の量が、３重量部未満であると耐衝撃性、発色性に劣り、好ましくなく、４３重量部を越えると耐衝撃性に劣り、好ましくない。さらに好ましい範囲としては最内硬質層が５〜１８重量部、軟質層が４０〜９０重量部、最外硬質層が５〜４２であり、とりわけ好ましい範囲としては。最内硬質層が５〜１４重量部、軟質層が４５〜８９重量部、最外硬質層が６〜４１重量部である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月6日(2006.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  コンテンツと、前記コンテンツのサイズ及び時間制約の双方を含む付帯情報とを取得するステップと、
送信帯域幅を取得するステップと、
前記付帯情報及び前記送信帯域幅に基づき前記コンテンツが前記時間制約内にコンテンツを伝送できるかどうかを判断するステップと、
前記判断に基づき前記コンテンツに対して廃棄、蓄積、送信の少なくとも1つの処理を行うステップと、
を有する情報伝送方法。
【請求項２】  前記コンテンツが前記時間制約内にコンテンツを伝送できないと判断されたときは、前記コンテンツが伝送されずに蓄積または廃棄される請求項１に記載の情報伝送方法。
【請求項３】  コンテンツと、前記コンテンツのサイズ及び時間制約の双方を含む付帯情報とを取得するステップと、
送信帯域幅を取得するステップと、
前記付帯情報及び前記送信帯域幅に基づき前記コンテンツが前記時間制約内にコンテンツを伝送できるためのコンテンツサイズを計算するステップと、
計算された前記コンテンツサイズに合わせて前記コンテンツを変換するステップと、
変換されたコンテンツを送信するステップと、
を有する情報伝送方法。
【請求項４】  前記変換されたコンテンツを、変換する前のコンテンツへの参照情報とともに蓄積するステップをさらに有する請求項３に記載の情報伝送方法。
【請求項５】  コンテンツの要求を取得するステップと、
１つ以上の通信端末に関して、識別情報、送信帯域幅、応答時間、前記通信端末における該当するコンテンツの有無、のいずれかまたは複数の通信端末情報を取得するステップと、
前記通信端末情報に基づき、該当するコンテンツが蓄積され、かつ最も高速に前記コンテンツを伝送できる通信端末を検索するステップと、
検索された前記通信端末から前記該当するコンテンツを取得するステップと、
を有する情報伝送方法。
【請求項６】  通信端末情報に、通信端末に蓄積された１つまたは複数のコンテンツを管理するコンテンツ管理表が含まれている、請求項５に記載の情報伝送方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、コンテンツと、前記コンテンツのサイズ及び時間制約の双方を含む付帯情報とを取得するステップと、送信帯域幅を取得するステップと、前記付帯情報及び前記送信帯域幅に基づき前記コンテンツが前記時間制約内にコンテンツを伝送できるかどうかを判断するステップと、前記判断に基づき前記コンテンツに対して廃棄、蓄積、送信の少なくとも1つの処理を行うステップと、を有する情報伝送方法は、コンテンツの伝送に対して時間制約を持たせ、制約時間内に伝送できるかを判断し、判断に基づいて適切な処理をすることにより送信帯域幅を効率的に利用できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、上記の課題を解決するために、コンテンツと、前記コンテンツのサイズ及び時間制約の双方を含む付帯情報とを取得するステップと、送信帯域幅を取得するステップと、前記付帯情報及び前記送信帯域幅に基づき前記コンテンツが前記時間制約内にコンテンツを伝送できるためのコンテンツサイズを計算するステップと、計算された前記コンテンツサイズに合わせて前記コンテンツを変換するステップと、変換されたコンテンツを送信するステップと、を有する情報伝送方法は、制約時間内に伝送するためにコンテンツのサイズを変換し、変換済みコンテンツを送信することにより、時間制約内に確実に送信することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、上記の課題を解決するために、コンテンツの要求を取得するステップと、１つ以上の通信端末に関して、識別情報、送信帯域幅、応答時間、前記通信端末における該当するコンテンツの有無、のいずれかまたは複数の通信端末情報を取得するステップと、前記通信端末情報に基づき、該当するコンテンツが蓄積され、かつ最も高速に前記コンテンツを伝送できる通信端末を検索するステップと、検索された前記通信端末から前記該当するコンテンツを取得するステップと、を有する情報伝送方法は、コンテンツの蓄積された端末に関する情報を持ち、端末情報から該当するコンテンツを持つ端末を探して、その端末にコンテンツを要求することにより、ネットワークにより負荷をかけない端末からコンテンツを取得する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係るネットワーク伝送方法によれば、コンテンツの伝送に対して時間制約を持たせ、制約時間内に伝送できるかを判断し、判断に基づいて適切な処理をすることにより送信帯域幅を効率的に利用できる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
また、本発明に係るネットワーク伝送方法によれば、制約時間内に伝送するためにコンテンツのサイズを変換し、変換済みコンテンツを制約時間内にコンテンツ内容を伝送することができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
また、本発明に係るネットワーク伝送方法によれば、コンテンツの蓄積された端末に関する情報を持ち、端末情報から該当するコンテンツを持つ端末を探して、その端末にコンテンツを要求することにより、ネットワークにより負荷をかけない端末からコンテンツを取得することができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月14日(2007.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザビームを発生させるレーザ発振器と、
前記レーザビームを、前記レーザビームの進行方向に対し直角方向に分割する第１の光学系と、
前記第１の光学系により分割されるレーザビームの各々の、前記レーザビームの出口から照射面までの光路長を、互いに前記レーザビームのコヒーレント長以上の差にする手段と、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
レーザビームを発生させるレーザ発振器と、
前記レーザビームを一方向に引き延ばす光学系と、
引き延ばした前記レーザビームを、前記レーザビームの進行方向に対し直角方向に分割する第１の光学系と、
前記第１の光学系により分割されるレーザビームの各々の、前記レーザビームの出口から照射面までの光路長を、互いに前記レーザビームのコヒーレント長以上の差にする手段と、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記レーザビームを一方向に引き延ばす光学系は、ビームエキスパンダであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記照射面において断面形状が線状となる前記レーザビームの長さ方向に対し直角方向に動くステージを有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
レーザビームを発生させるレーザ発振器と、
前記レーザビームを、前記レーザビームの進行方向に対し直角方向に分割する第１の光学系と、
前記第１の光学系により分割された前記レーザビームを照射面で１つにし、前記照射面において断面形状が線状となるレーザビームの長さ方向においてレーザビームのエネルギーを均一化する第２の光学系と、
前記第１の光学系により分割されるレーザビームの各々の、前記レーザビームの出口から前記照射面までの光路長を、互いに前記レーザビームのコヒーレント長以上の差にする手段と、
前記レーザビームの長さ方向に対し直角方向に動くステージと、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２の光学系は、シリンドリカルレンズであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記第１の光学系は、シリンドリカルレンズアレイであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
前記レーザビームを、前記直角方向に対し直角方向でかつ前記レーザビームの進行方向に対し直角方向に分割する第３の光学系と、
前記第３の光学系により分割された前記レーザビームを前記照射面で１つにし、前記照射面において断面形状が線状となるレーザビームの幅方向においてレーザビームのエネルギーを均一化する第４の光学系と、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記第３の光学系は、シリンドリカルレンズアレイであり、
前記第４の光学系は、シリンドリカルレンズであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記手段は、階段状に加工された反射面を持つミラーであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記レーザ発振器はＹＡＧレーザの第２高調波を発生させるものであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記レーザ発振器はＹＡＧレーザの第３高調波を発生させるものであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記レーザ発振器はＹＡＧレーザの第４高調波を発生させるものであることを特徴とするレーザ照射装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月13日(2007.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信機器によって発生された同相成分及び直交成分を有するベースバンド信号に適応的に前歪み処理を行う装置であって、
クリップされた信号を生成するために前記ベースバンド信号にクリップ処理を施すクリッピングモジュール、
フィルタ処理された信号を生成するために前記クリップされた信号の高周波成分を除去するフィルタ処理を施すフィルタモジュール、
アップサンプリング信号を得るために前記フィルタ処理された信号のサンプリングレートを上昇するサンプリングモジュール、
前記ベースバンド信号の前記同相成分及び直交成分に基づいてインデックス値の計算処理を行うインデックス計算モジュール、
前記インデックス値に基づいて抽出可能なパラメータを内部に記憶しているルックアップテーブル、
前記ルックアップテーブルから抽出されたパラメータ及び前記アップサンプリング信号に基づいて出力信号を生成する処理を行う出力モジュール、
前記出力信号に基づいて生成されたＲＦ信号のサンプルを抽出する処理を行うレシーバ、及び
前記サンプルに基づいて前記ルックアップテーブルに対して適応的フィードバックを供給する処理を行うプロセッサ
からなる装置。
【請求項２】
前記アップサンプリングモジュールがサンプリングレートを４倍に上昇させることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記インデックス値が前記同相成分及び直交成分の２乗の和によって計算される請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記インデックス値がベースバンド信号の瞬時電力エンベロープである請求項１記載の装置。
【請求項５】
前記パラメータが、係数をもつ複素数の式から導き出される請求項１記載の装置。
【請求項６】
請求項５記載の装置において、前記パラメータがＡ及びＢとして定義され、前記複素数の式が、
Ｐ＝（Ｉ2＋Ｑ2）を瞬時エンベロープ電力、Ａmを増幅器が飽和しないための最大値、ＰbをＢパラメータが１つの複素数の式から他の複素数の式に遷移するときのブレークポイント、Ｂb1及びＢb2を第１の複素数の式及び第２の複素数の式を用いる場合のＰ＝ＰbのときのそれぞれのＢの値、Ｃ0からＣ9を係数とした場合に、以下の、
Ａ≦Ａmのとき、Ａ＝Ｃ0＋Ｃ1Ｐ＋Ｃ2Ｐ2＋Ｃ3Ｐ3
その他の場合で、Ａ＝Ａm
Ｐ≦Ｐbのとき、Ｂ＝Ｃ4Ｐ＋Ｃ5Ｐ2＋Ｃ6Ｐ3
Ｐ＞Ｐbのとき、Ｂ＝（Ｂb1−Ｂb2）＋Ｃ7Ｐ＋Ｃ8Ｐ2＋Ｃ9Ｐ3
であることを特徴とする装置。
【請求項７】  前記適応できるフィードバックが前記係数を最適化する請求項５記載の装置。
【請求項８】  請求項１記載の装置であって、さらに、前記サンプリングモジュールと前記出力モジュールとの間に配置された遅延モジュールからなる装置。
【請求項９】  同相成分及び直交成分を有するベースバンド信号に適応的に前歪み処理を行う方法であって、
通信機器によってベースバンド信号を発生するステップ、
クリップされた信号を生成するために前記ベースバンド信号をクリップするステップ、
フィルタ処理された信号を生成するために前記クリップされた信号の高周波成分を除去するフィルタステップ、
アップサンプリング信号を得るために前記フィルタ処理された信号のサンプリングレートを上昇するステップ、
前歪みパラメータを獲得するステップ、
前記前歪みパラメータ及び前記アップサンプリング信号に基づいて出力信号を出力するステップ、
前記出力信号に基づいてＲＦ信号をサンプリングするステップ、及び
前記サンプリングに基づいて適応的フィードバックを供給するステップ
からなる方法。
【請求項１０】
前記サンプリングレートの上昇ステップが、前記サンプリングレートを４倍に上昇させるステップからなる請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記パラメータの獲得ステップが、前記同相成分及び直交成分の２乗の和によってインデックス値を計算するステップを含む請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記獲得するステップが、さらに、ルックアップテーブルからパラメータを抽出するステップからなる請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
請求項９記載の方法であって、さらに、係数をもつ複素数の式から前記パラメータを導き出すステップからなる方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の方法において、前記パラメータをＡ及びＢとして定義し、前記複素数の式を、
Ｐ＝（Ｉ2＋Ｑ2）を瞬時エンベロープ電力、Ａmを増幅器が飽和しないための最大値、ＰbをＢパラメータが１つの複素数の式から他の複素数の式に遷移するときのブレークポイント、Ｂb1及びＢb2を第１の複素数の式及び第２の複素数の式を用いる場合のＰ＝ＰbのときのそれぞれのＢの値、Ｃ0からＣ9を係数とした場合に、
Ａ≦Ａmのとき、Ａ＝Ｃ0＋Ｃ1Ｐ＋Ｃ2Ｐ2＋Ｃ3Ｐ3
その他の場合で、Ａ＝Ａm
Ｐ≦Ｐbのとき、Ｂ＝Ｃ4Ｐ＋Ｃ5Ｐ2＋Ｃ6Ｐ3
Ｐ＞Ｐbのとき、Ｂ＝（Ｂb1−Ｂb2）＋Ｃ7Ｐ＋Ｃ8Ｐ2＋Ｃ9Ｐ3
と編集することによって、前記パラメータが導き出されることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項９記載の方法であって、さらに、前記出力モジュールに入力するアップサンプリング信号を遅延するステップからなる方法。
【請求項１６】
同相成分及び直交成分を有するベースバンド信号に適応的に前歪み処理を行うシステムであって、
通信機器によってベースバンド信号を発生する手段、
クリップされた信号を生成するために前記ベースバンド信号をクリップする手段、
フィルタ処理された信号を生成するために前記クリップされた信号の高周波成分を除去するフィルタ処理を施す手段、
アップサンプリング信号を得るために前記フィルタ処理された信号のサンプリングレートを上昇する手段、
前記同相成分及び直交成分に基づいてインデックス値を計算する手段、
前記インデックス値に基づいてルックアップテーブルからパラメータを抽出する手段、
前記ルックアップテーブルから抽出された前記パラメータ及び前記アップサンプリング信号に基づいて出力信号を出力する手段、
前記出力信号に基づいて発生されるＲＦ信号をサンプリングする手段、及び
前記サンプリングに基づいて適応できるフィードバックを前記ルックアップテーブルに供給する手段
からなるシステム。
【請求項１７】
ベースバンド信号を適応的に前歪み処理する装置であって、
アップサンプリング信号を得るためにサンプリングレートを上昇するサンプリングモジュール、
前歪み処理されたパラメータを計算する処理を行うモジュール、
前記前歪み処理されたパラメータ及び前記アップサンプリング信号に基づいて出力信号を発生する処理を行う出力モジュール、
前記出力信号に基づいて発生されたＲＦ信号のサンプルを抽出する処理を行うレシーバ、及び
前記サンプルに基づいて適応のフィードバックを提供する処理を行うプロセッサ
からなる装置。
【請求項１８】  前記ベースバンド信号をクリップする処理を行うクリッピングモジュールをさらに備えた請求項１７記載の装置。
【請求項１９】  クリッピング処理された後の前記ベースバンド信号にフィルタ処理を施すフィルタモジュールをさらに備えた請求項１８記載の装置。
【請求項２０】  前記パラメータが、係数をもつ複素数の式から導き出される請求項１７記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月8日(2006.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  マルチメディア通信に使用され、メディアを伝送する前に制御データを伝送する通信装置であって、
第１の制御データと第２の制御データとを一括して、一括制御データを生成する生成手段と、
前記一括制御データを伝送する伝送手段と、
を備える通信装置。
【請求項２】  前記第１の制御データおよび前記第２の制御データは、Ｈ.２４５規格に規定されたメッセージである、請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】  前記第１の制御データは通信端末の能力に関するメッセージであり、前記第２の制御データは通信端末の優劣に関するメッセージである、請求項１または請求項２に記載の通信装置。
【請求項４】  前記伝送手段は、前記第１の制御データと前記第２の制御データとを一つのパケットとして送信する、請求項１から請求項３のいずれかに記載の通信装置。
【請求項５】  前記伝送手段は、前記第１の制御データと前記第２の制御データとを多重して送信する、請求項１から請求項４のいずれかに記載の通信装置。
【請求項６】  前記第２の制御データは、前記第１の制御データに対する通信相手からの応答データを待たずに伝送可能なデータである、請求項１から請求項５のいずれかに記載の通信装置。
【請求項７】  複数の制御データを多重単位毎に蓄積する蓄積手段と、
通信相手からの受信確認信号を受信した後に、多重単位毎で複数の制御データを多重した多重制御データを１つの伝送単位として伝送する伝送手段と、
を具備する通信装置。
【請求項８】  前記蓄積手段は、１つの多重単位として蓄積する複数の制御データを関連付ける所定の情報を記憶する請求項７記載の通信装置。
【請求項９】  複数の多重制御データを順次蓄積して、多重制御データをさらに複数多重する多重手段を具備し、
前記伝送手段は、複数の多重制御データを１つの伝送単位として伝送する、請求項７または請求項８記載の通信装置。
【請求項１０】  所定の時間を繰り返し計時する計時手段を具備し、
前記伝送手段は、前記所定の時間毎に複数の多重制御データを１つの伝送単位として伝送する、請求項９記載の通信装置。
【請求項１１】  マルチメディア通信に使用され、メディアを伝送する前に制御データを伝送する通信方法であって、
第１の制御データと第２の制御データとを一括して、一括制御データを生成する生成工程と、
前記一括制御データを伝送する伝送工程と、
を備える通信方法。
【請求項１２】  前記第１の制御データおよび前記第２の制御データは、Ｈ.２４５規格に規定されたメッセージである、請求項１１に記載の通信方法。
【請求項１３】  前記第１の制御データは通信端末の能力に関するメッセージであり、前記第２の制御データは通信端末の優劣に関するメッセージである、請求項１１または請求項１２に記載の通信方法。
【請求項１４】  前記伝送工程は、前記第１の制御データと前記第２の制御データとを一つのパケットとして送信する、請求項１１から請求項１３のいずれかに記載の通信方法。
【請求項１５】  前記伝送工程は、前記第１の制御データと前記第２の制御データとを多重して送信する、請求項１１から請求項１４のいずれかに記載の通信方法。
【請求項１６】  前記第２の制御データは、前記第１の制御データに対する通信相手からの応答データを待たずに伝送可能なデータである、請求項１１から請求項１５のいずれかに記載の通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月20日(2007.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置および半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の表面及び裏面にレーザー光を照射して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜をチャネル形成領域とするＴＦＴを形成する半導体装置の作製方法であって、
前記結晶質半導体膜は、第１の領域と、前記第１の領域に挟まれ、且つ、前記第１の領域よりも平均結晶粒径の小さい第２の領域と、を含み、
前記チャネル形成領域を前記第１の領域に形成し、
前記レーザー光が前記半導体膜の表面及び裏面に照射されるとき、前記半導体膜の表面に照射されるレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０）と前記半導体膜の裏面に照射されるレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０’）が異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の表面及び裏面にレーザー光を照射して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜をチャネル形成領域とするＴＦＴを形成する半導体装置の作製方法であって、
前記結晶質半導体膜は、第１の領域と、前記第１の領域に挟まれ、且つ、前記第１の領域よりも平均結晶粒径の小さい第２の領域と、を含み、
前記チャネル形成領域を前記第１の領域に形成し、
前記レーザー光が前記半導体膜の表面及び裏面に照射されるとき、前記半導体膜の表面に照射されるレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０）と前記半導体膜の裏面に照射されるレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０’）との間に０＜Ｉ０’／Ｉ０＜１または１＜Ｉ０’／Ｉ０の関係があることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の表面及び裏面にレーザー光を照射して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜をチャネル形成領域とするＴＦＴを形成する半導体装置の作製方法であって、
前記結晶質半導体膜は、第１の領域と、前記第１の領域に挟まれ、且つ、前記第１の領域よりも平均結晶粒径の小さい第２の領域と、を含み、
前記チャネル形成領域を前記第１の領域に形成し、
前記半導体膜の裏面に照射されるレーザー光は、前記半導体膜の裏面側に設けられた反射体で反射されて前記半導体膜の裏面に照射され、
前記半導体膜の表面に照射されるレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０）と前記半導体膜の裏面に照射されるレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０’）が異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の表面及び裏面にレーザー光を照射して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜をチャネル形成領域とするＴＦＴを形成する半導体装置の作製方法であって、
前記結晶質半導体膜は、第１の領域と、前記第１の領域に挟まれ、且つ、前記第１の領域よりも平均結晶粒径の小さい第２の領域と、を含み、
前記チャネル形成領域を前記第１の領域に形成し、
前記半導体膜の裏面に照射されるレーザー光は、前記半導体膜の裏面側に設けられた反射体で反射されて前記半導体膜の裏面に照射され、
前記半導体膜の表面に照射されるレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０）と前記半導体膜の裏面に照射されるレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０’）との間に０＜Ｉ０’／Ｉ０＜１または１＜Ｉ０’／Ｉ０の関係があることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の表面及び裏面にレーザー光を照射して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜をチャネル形成領域とするＴＦＴを形成する半導体装置の作製方法であって、
前記結晶質半導体膜は、第１の領域と、前記第１の領域に挟まれ、且つ、前記第１の領域よりも平均結晶粒径の小さい第２の領域と、を含み、
前記チャネル形成領域を前記第１の領域に形成し、
前記レーザー光は、光学系により前記半導体膜の表面に照射されるレーザー光と、前記半導体膜の裏面に照射されるレーザー光と、に分割され、
前記半導体膜の表面に照射されるレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０）と前記半導体膜の裏面に照射されるレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０’）が異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の表面及び裏面にレーザー光を照射して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜をチャネル形成領域とするＴＦＴを形成する半導体装置の作製方法であって、
前記結晶質半導体膜は、第１の領域と、前記第１の領域に挟まれ、且つ、前記第１の領域よりも平均結晶粒径の小さい第２の領域と、を含み、
前記チャネル形成領域を前記第１の領域に形成し、
前記レーザー光は、光学系により前記半導体膜の表面に照射されるレーザー光と、前記半導体膜の裏面に照射されるレーザー光と、に分割され、
前記半導体膜の表面に照射されるレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０）と前記半導体膜の裏面に照射されるレーザー光の実効エネルギー強度（Ｉ０’）との間に０＜Ｉ０’／Ｉ０＜１または１＜Ｉ０’／Ｉ０の関係があることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記レーザー光が線状に変形されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記半導体膜とは非晶質半導体膜若しくは微結晶半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
第１の領域と、前記第１の領域に挟まれ、且つ、前記第１の領域よりも平均結晶粒径の小さい第２の領域と、を有する半導体層をパターニングして得られたチャネル形成領域を含み、
前記チャネル形成領域が前記第１の領域に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
第１の領域と、前記第１の領域に挟まれ、且つ、前記第１の領域よりも平均結晶粒径の小さい第２の領域と、を有する半導体層をパターニングして得られたチャネル形成領域を含み、
前記チャネル形成領域が前記第１の領域に形成されたｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴを組み合わせてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、
前記第２の領域の平均結晶粒径は前記第１の領域の平均結晶粒径の１／３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一において、
前記半導体層とは非晶質半導体膜若しくは微結晶半導体膜であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月8日(2006.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
アジテータのモータが第２フレームより上方に突出しており、第２フレームに第１フレームが横方向に動かないように拘束するガイドバーを一体に設けてなることを特徴とする請求項２に記載のミキシングプラント。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月22日(2006.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
有機汚泥が、下水処理設備から排出される汚泥であることを特徴とする請求項１又は２記載の有機汚泥の処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そして、上記課題の達成のために完成された本発明の要旨とするところは、（１）有機汚泥を、汚泥可溶化装置にて汚泥濃度８〜１５％、温度１３０〜２００℃、圧力２〜１５気圧で可溶化処理したのちに、メタン発酵処理を行うことを特徴とする有機汚泥の処理方法であり、また、
（２）可溶化処理時間が３０〜９０分である上記（１）記載の有機汚泥の処理方法に存するものである。
（３）有機汚泥が、下水処理設備から排出される汚泥である上記（１）又は（２）の有機汚泥の処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月9日(2007.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
グラブレール３１は、シート１０の後部に着座した同乗者が把持するレールであり、両側の付根部３２は燃料タンクカバー１７の両側の縁部によって覆われ、付根部３２から延出する延出部は燃料タンクカバー１７とシート１０の上部後方側に張り出している。また、グラブレール３１の両側の付根部３２は、下面側が偏平に形成されてブラケット３０の上面に重合されるようになっていると共に、車体前後方向に離間して一対のねじ孔３３が形成されている。付根部３２は、これらのねじ孔３３を通してブラケット３０の上面にボルト３４によって結合されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
一方、グラブレール３１の車体右側の付根部３２のうちの、燃料タンク９の側部に対向する内縁部には、図４、及び、図９〜図１１に示すように３つの位置決め突起７０，７１，７２（以下では、車体前部側にあるものから順番に「第１突起７０」、「第２突起７１」、「第３突起７２」と呼ぶものとする。）が長手方向に離間して設けられている。これらの突起７０，７１，７２は夫々グラブレール３１に一体に形成され、前方側の第１突起７０と第２突起７１はグラブレール３１の前側のねじ孔３３の近傍に、後部側の第３突起７２はグラブレール３１の後側のねじ孔３３の近傍に夫々配置されている。
これらの第１〜第３突起７０〜７２は、シートロック機構６０のロック操作用のケーブル６２を位置決め係止するためのものであり、第１突起７０と第３突起７２はケーブル６２を下方と両側から包み込むように略Ｕ字状に上方に湾曲して形成され、第２突起７１はケーブル６２を上方側から押さえ込むように略くの字状に屈曲して形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2006281919.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2006281919.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2006281919.tif 000003