【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年4月9日(2008.4.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（i）フィルムを形成するために基盤の表面に、
（Ａ）一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合したアルケニル基を含有する有機ポリシロキサンと、
（Ｂ）組成物を硬化するのに充分な濃度において、一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合した水素原子を含有する有機シリコン化合物と、
（Ｃ）白金（ＩＩ）β−ジケトネート錯体、（η−シクロペンタジエニル）トリアルキル白金錯体、トリアゼン酸化物−遷移金属錯体、（η−ジオレフィン）（σ−アリール）白金錯体、又はこれらの触媒を２つ以上含む混合物から選択される光活性ヒドロシリル化触媒の触媒量と、
を含むシリコーン組成物を適用する段階と、
（ii）表面の一部を覆っている無露光領域及び表面の残部を覆っている露光領域を有する部分的に露光したフィルムを製造する為に１５０〜８００ｎｍの波長を有する放射光にフィルムの一部をさらす段階と、
（iii）露光領域が現像溶媒に実質的に不溶解となり、そして無露光領域が現像溶媒に溶解できるようになる時間のあいだ、部分的に露光したフィルムを加熱する段階と、
（iv）現像溶媒で加熱したフィルムの無露光領域を除去して、パターン化フィルムを形成する段階と、
（v）硬化したシリコーン層を形成するのに充分な時間のあいだ、パターン化フィルムを加熱する段階と、
により特徴付けられた、パターン化フィルムを製造する方法。
【請求項２】
基盤は半導体ウェーハーを含み、表面は半導体ウェーハーの活性表面を含み、活性表面は少なくとも一つの集積回路を含み、各集積回路は多数のボンドパッドを有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ウェーハーがストリートをさらに含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
硬化したシリコーン層の厚さが１〜５０μｍである請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
成分（Ａ）が本質的にＲ１３ＳｉＯ１／２シロキサン単位とＳｉＯ４／２シロキサン単位からなる有機ポリシロキサン樹脂であり、各Ｒ１は一価炭化水素及び一価ハロゲン化炭化水素基から独立して選択され、有機ポリシロキサン樹脂におけるＳｉＯ４／２単位に対するＲ１３ＳｉＯ１／２単位のモル比が０．６〜１．９である請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
成分（Ｂ）が有機水素ポリシロキサンである請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
成分（Ｂ）の濃度が成分（Ａ）中のアルケニル基あたり０．７〜１．２のシリコンに結合した水素原子を提供するに充分な量である請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
光活性触媒が白金（ＩＩ）βジケトネートである請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
シリコーン組成物が、さらに有機溶媒を含む請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
請求項２〜９のいずれか一項に記載の方法により調製された半導体パッケージ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明は、下記を含む半導体パッケージに向けられるものである：
各集積回路が多数のボンドパッドを有する、少なくとも一つの集積回路を含む活性表面を有する半導体ウェーハーと、
活性表面を覆っている硬化したシリコーン層を含む。但し、各ボンドパッドの少なくとも一部は、シリコーン層により覆われていない。シリコーン層は下記の段階を含む方法により調製される。
（i）フィルムを形成するために活性表面にシリコーン組成物を適用する段階。シリコーン組成物は下記を含む。
（Ａ）一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合したアルケニル基を含有する有機ポリシロキサン。
（Ｂ）組成物を硬化するのに充分な濃度において、一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合した水素原子を含有する有機シリコン化合物。
（Ｃ）白金（ＩＩ）β−ジケトネート錯体、（η−シクロペンタジエニル）トリアルキル白金錯体、トリアゼン酸化物−遷移金属錯体、（η−ジオレフィン）（σ−アリール）白金錯体、又はこれらの触媒を２つ以上含む混合物から選択される光活性ヒドロシリル化触媒の触媒量。
（ii）各ボンドパッドの少なくとも一部を覆っている無露光領域及び活性表面の残部を覆っている露光領域を有する部分的に露光したフィルムを製造する為に１５０〜８００ｎｍの波長を有する放射光にフィルムの一部をさらす段階。
（iii）露光領域が現像溶媒に実質的に不溶解となり、そして無露光領域が現像溶媒に溶解できるようになる時間のあいだ、部分的に露光したフィルムを加熱する段階。
（iv）現像溶媒で加熱したフィルムの無露光領域を除去して、パターン化フィルムを形成する段階。
（v）硬化したシリコーン層を形成するのに充分な時間のあいだ、パターン化フィルムを加熱する段階。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明は半導体パッケージを調製する方法にもさらに向けられる。その方法は下記の段階を含む。
（i）フィルムを形成するために半導体ウェーハーの活性表面にシリコン組成物を適用する段階。この中で、活性表面は少なくとも一つの集積回路を含み、各集積回路は多数のボンドパッドを有する。シリコーン組成物は下記を含む。
（Ａ）一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合したアルケニル基を含有する有機ポリシロキサン。
（Ｂ）組成物を硬化するのに充分な濃度において、一分子あたり平均少なくとも２つのシリコンに結合した水素原子を含有する有機シリコン化合物。
（Ｃ）白金（ＩＩ）β−ジケトネート錯体、（η−シクロペンタジエニル）トリアルキル白金錯体、トリアゼン酸化物−遷移金属錯体、（η−ジオレフィン）（σ−アリール）白金錯体、又はこれらの触媒を２つ以上含む混合物から選択される光活性ヒドロシリル化触媒の触媒量。
（ii）各ボンドパッドの少なくとも一部を覆っている無露光領域及び活性表面の残部を覆っている露光領域を有する部分的に露光したフィルムを製造する為に１５０〜８００ｎｍの波長を有する放射光にフィルムの一部をさらす段階。
（iii）露光領域が現像溶媒に実質的に不溶解となり、そして無露光領域が現像溶媒に溶解できるようになる時間の量の間の部分的に露光フィルムを加熱する段階。
（iv）現像溶媒で加熱したフィルムの無露光領域を除去して、パターン化フィルムを形成する段階。
（v）硬化したシリコーン層を形成するのに充分な時間のあいだ、パターン化フィルムを加熱する段階。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
成分（Ｃ）は光活性ヒドロシリル化触媒である。光活性ヒドロシリル化触媒は、１５０〜８００ｎｍの波長を有する放射光にさらすこと及びその後の加熱により、成分（Ａ）と成分（Ｂ）のヒドロシリル化の触媒作用を引き起こすことができる。光活性ヒドロシリル化触媒は、白金（ＩＩ）β−ジケトネート錯体、（η−シクロペンタジエニル）トリアルキル白金錯体、トリアゼン酸化物−遷移金属錯体、（η−ジオレフィン）（σ−アリール）白金錯体、又はこれらの触媒を２つ以上含む混合物から選択される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
光活性ヒドロシリル化触媒の例は、白金（ＩＩ）ビス（２，４−ペンタンジオエート）、白金（ＩＩ）ビス（２，４−ヘキサンジオエート）、白金（ＩＩ）ビス（２，４−ヘプタンジオエート）、白金（ＩＩ）ビス（１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオエート）の様な白金（ＩＩ）β−ジケトネート錯体、（Ｃｐ）トリメチル白金、（Ｃｐ）エチルジメチル白金、（Ｃｐ）トリエチル白金、（クロロ−Ｃｐ）トリメチル白金及び（トリメチルシリル−Ｃｐ）トリメチル白金の様な（η−シクロペンタジエニル）トリアルキル白金錯体（ここでＣｐはシクロペンタジエニルを表す。）、Ｐｔ［Ｃ６Ｈ５ＮＮＮＯＣＨ３］４、Ｐｔ［ｐ−ＣＮ−Ｃ６Ｈ４ＮＮＮＯＣ６Ｈ１１］４、Ｐｔ［ｐ−Ｈ３ＣＯＣ６Ｈ４ＮＮＮＯＣ６Ｈ１１］４、Ｐｔ［ｐ−ＣＨ３（ＣＨ２）ｘ−Ｃ６Ｈ４ＮＮＮＯＣＨ３］４、１，５−シクロオクタジエンＰｔ［ｐ−ＣＮ−Ｃ６Ｈ４ＮＮＮＯＣ６Ｈ１１］２、１，５−シクロオクタジエンＰｔ［ｐ−ＣＨ３Ｏ−Ｃ６Ｈ４ＮＮＮＯＣＨ３］２、［（Ｃ６Ｈ５）３Ｐ］Ｒｈ［ｐ−ＣＮ−Ｃ６Ｈ４ＮＮＮＯＣ６Ｈ１１］及びＰｄ［ｐ−ＣＨ３（ＣＨ２）ｘ−Ｃ６Ｈ４ＮＮＮＯＣＨ３］２の様なトリアゼン酸化物−遷移金属錯体（ここでｘは１、３、５、１１又は１７である。）、（η４−１，５−シクロオクタジエニル）ジフェニル白金、（η４−１，３，５，７−シクロオクタテトラエニル）ジフェニル白金、（η４−２，５−ノボラジエニル）ジフェニル白金、（η４−１，５−シクロオクタジエニル）ビス−（４−ジメチルアミノフェニル）白金、（η４−１，５−シクロオクタジエニル）ビス−（４−アセチルフェニル）白金及び（η４−１，５−シクロオクタジエニル）ビス−（４−トリフルオロメチルフェニル白金の様な（η−ジオレフィン）（σ−アリール）白金錯体を含むが、この限りではない。好ましくは、光活性ヒドロシリル化触媒はＰｔ（ＩＩ）β−ジケトネート錯体であり、より好ましくはその触媒は白金（ＩＩ）ビス（２，４−ペンタンジオエート）である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
前記光活性ヒドロシリル化触媒を調製する方法は、当該技術分野で良く知られている。例えば、白金（ＩＩ）β−ジケトネート等の調製方法はGuo等により報告されている（Chemistry of materials, 1998, 10, 531-536）。（η−シクロペンタジエニル）トリアルキル白金錯体等の調製方法は米国特許第4,510,094号で開示されている。トリアゼン酸化物−遷移金属錯体等は米国特許第5,496,961号で開示されている。及び（η−ジオレフィン）（σ−アリール）白金錯体等は米国特許第4,530,879号で教示されている。