【手続補正書】
【提出日】令和1年10月21日(2019.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスを移送する方法であって、
移送基板とその上のデバイス層との組み合わせを提供することと、
前記デバイス層上に第１接着層を形成することと、
前記デバイス層を通じたチャネルを形成することであって、前記デバイス層の残りの部分を含むデバイスが前記チャネルによって横方向に互いに分離される、形成することと、
ターゲット基板上に第２接着層を形成することと、
前記第１接着層と前記第２接着層とを接着することによって接着層を形成することによって、前記接着層を通じて前記ターゲット基板に前記移送基板を接着することと、
前記移送基板を通じて前記デバイスにレーザビームを照射することによって、前記移送基板と前記デバイスとの間の界面領域から前記デバイスの表面部分を取り除くことと、
前記ターゲット基板および前記デバイスの残りの部分を含む接着されたアセンブリから前記移送基板を分離することと、を備える方法。
【請求項２】
前記デバイス層はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質はＩＩＩ族Ｎ化合物半導体物質である請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記レーザビームの照射によって、前記デバイスの前記表面部分における前記ＩＩＩ族Ｎ化合物半導体物質の部分は窒素ガスとＩＩＩ族金属部分とに分解され、
前記窒素ガスは前記チャネルを通じて外に逃れる請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ＩＩＩ族Ｎ化合物半導体物質の残っている部分に対して選択的に前記ＩＩＩ族金属部分を取り除くことをさらに含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記デバイス層の上にフォトレジスト層を形成することと、
前記フォトレジスト層をリソグラフィ的にパターン化することによって、前記デバイス層の上に、前記フォトレジスト層の個片化された残りの部分を形成することと、
前記パターン化されたフォトレジスト層をエッチマスクとして用いるエッチングプロセスを行うことで、前記デバイス層を通じて前記フォトレジスト層のパターンを移送することと、をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記デバイスは少なくともひとつの発光デバイスを備える請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記接着されたアセンブリは、前記ターゲット基板に接着された、赤色波長、緑色波長および青色波長の発光ダイオードおよびセンサを含む直視型ディスプレイパネルを含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記移送基板は酸化アルミニウムを含み、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮおよびＧａＩｎＮから選択された物質を含み、
前記デバイスは発光ダイオードを含む請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
前記デバイスは発光デバイスの矩形アレイを含み、
前記チャネルは矩形格子を形成し、前記矩形アレイの前記発光デバイスはその矩形格子によって横方向に相隔てられている請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記チャネルは１３ｎｍから１ミクロンの範囲の幅を有する請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記レーザビーム放射はあるピーク波長を有し、前記移送基板はそのピーク波長において前記放射に対して透明であり、前記デバイス層内のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質はそのピーク波長における前記レーザビーム放射を吸収する請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記移送基板は初期成長基板であり、前記デバイス層はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質を含む少なくともひとつの層の形成により前記初期成長基板上に形成される請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記デバイス層は複数種類の発光デバイスを含み、
前記デバイスのそれぞれは、チャネルによって横方向に囲まれており、かつ、異なる複数の波長の光を発する発光デバイスの組み合わせを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
基板と、
前記基板の表面上に設けられた複数の横方向に離間した接着剤部分を含む接着層と、
前記接着層上に設けられたデバイスのアレイであって、少なくともひとつの発光デバイスを備え、チャネルによって横方向に相隔てられているデバイスのアレイと、を備え、
接着剤部分のうちの少なくともひとつは、その上側領域の側壁とその下側領域の側壁との間の横方向オフセットを提供する水平方向の段を備え、
前記接着剤部分のうちの少なくともひとつのそれぞれについて、前記上側領域と前記下側領域とは同じ横方向寸法を有するデバイスアセンブリ。
【請求項１６】
前記接着剤部分のうちの前記少なくともひとつのそれぞれは前記水平方向の段の反対側に設けられた別の水平方向の段を含み、前記別の水平方向の段は前記水平方向の段と同じ横方向寸法を有し、前記水平方向の段に対して反対方向を向いている請求項１５に記載のデバイスアセンブリ。
【請求項１７】
前記接着層の上側領域のエリアは前記接着層の下側領域のエリアのパターンと合同なパターンを有し、前記接着層の前記下側領域の前記エリアに対して横方向に移動している請求項１５に記載のデバイスアセンブリ。
【請求項１８】
前記接着層の上側領域のエリアはデバイスの前記アレイのエリアと合同でありかつ重なり合う請求項１５に記載のデバイスアセンブリ。
【請求項１９】
前記接着層は誘電体材料および金属から選択された物質を含む請求項１５に記載のデバイスアセンブリ。
【請求項２０】
前記デバイスは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質を含む請求項１５に記載のデバイスアセンブリ。
【請求項２１】
前記デバイスの表面上に設けられ、前記デバイスによって前記接着層から隔てられているＩＩＩ族金属部分のアレイをさらに備える請求項１５に記載のデバイスアセンブリ。
【請求項２２】
前記デバイスアセンブリは、前記接着層を通じて前記基板に接着された前記デバイスとして、赤色波長、緑色波長および青色波長の発光ダイオードおよびセンサを含む直視型ディスプレイパネルを含む請求項１５に記載のデバイスアセンブリ。
【請求項２３】
前記デバイスは発光デバイスの矩形アレイを含み、
前記チャネルは矩形格子を形成し、前記矩形アレイの前記発光デバイスはその矩形格子によって横方向に相隔てられている請求項１５に記載のデバイスアセンブリ。
【請求項２４】
基板と、
前記基板の表面上に設けられた複数の横方向に離間した接着剤部分を含む接着層と、
前記接着層上に設けられたデバイスのアレイであって、少なくともひとつの発光デバイスを備え、チャネルによって横方向に相隔てられているデバイスのアレイと、を備え、
接着剤部分のうちの少なくともひとつは、その上側領域の側壁とその下側領域の側壁との間の横方向オフセットを提供する水平方向の段を備え、
前記接着層の上側領域のエリアはデバイスの前記アレイのエリアと合同でありかつ重なり合うデバイスアセンブリ。
【請求項２５】
前記接着剤部分のうちの前記少なくともひとつのそれぞれは前記水平方向の段の反対側に設けられた別の水平方向の段を含み、前記別の水平方向の段は前記水平方向の段と同じ横方向寸法を有し、前記水平方向の段に対して反対方向を向いている請求項２４に記載のデバイスアセンブリ。
【請求項２６】
前記接着層の上側領域のエリアは前記接着層の下側領域のエリアのパターンと合同なパターンを有し、前記接着層の前記下側領域の前記エリアに対して横方向に移動している請求項２４に記載のデバイスアセンブリ。
【請求項２７】
前記接着層は誘電体材料および金属から選択された物質を含む請求項２４に記載のデバイスアセンブリ。
【請求項２８】
前記デバイスは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質を含む請求項２４に記載のデバイスアセンブリ。
【請求項２９】
前記デバイスの表面上に設けられ、前記デバイスによって前記接着層から隔てられているＩＩＩ族金属部分のアレイをさらに備える請求項２４に記載のデバイスアセンブリ。
【請求項３０】
前記デバイスアセンブリは、前記接着層を通じて前記基板に接着された前記デバイスとして、赤色波長、緑色波長および青色波長の発光ダイオードおよびセンサを含む直視型ディスプレイパネルを含む請求項２４に記載のデバイスアセンブリ。
【請求項３１】
前記デバイスは発光デバイスの矩形アレイを含み、
前記チャネルは矩形格子を形成し、前記矩形アレイの前記発光デバイスはその矩形格子によって横方向に相隔てられている請求項２４に記載のデバイスアセンブリ。