Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月19日(2007.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
沿面放電方式のイオン発生素子において、イオン発生電極を構成する放電電極と誘電電極とが同一平面内で対向して配置され、前記誘電電極に凹部が形成され、該凹部に放電電極の針状電極部が介入され、前記放電電極と誘電電極とが絶縁体で覆われたことを特徴とするイオン発生素子。
【請求項２】
前記放電電極は、複数の線状部が平行して配列されると共にその端部同士が導体により接続され、前記各線状部に直交して複数の針状電極部が間隔をおいて形成されると共に隣り合う線状部の針状電極部同士が千鳥状に配置され、前記線状部間に前記誘電電極の面状電極部が配置されると共にその端部同士が導体により接続されたことを特徴とする請求項１に記載のイオン発生素子。
【請求項３】
前記イオン発生電極が、基板上に厚膜印刷・焼成方式によりパターン形成されたことを特徴とする請求項１または２に記載のイオン発生素子。
【請求項４】
前記絶縁体として結晶化ガラスが用いられ、該結晶化ガラスが厚膜印刷・焼成方式により形成されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のイオン発生素子。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月12日(2007.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つのパッド中にボンディング領域と試験用プローブ接触領域とを含むボンディングパッドと、
前記ボンディングパッドから離隔して設けられて、前記ボンディング領域と前記試験用プローブ接触領域との境界を示すように構成されたエリア識別マークと、
を有し、
前記ボンディングパッドと、前記エリア識別マークとが、同一材料により構成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記エリア識別マークの占める領域の輪郭に基づいて、前記境界を検知することができるように構成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
前記エリア識別マークが、略矩形の平面形状を有し、
前記矩形の一辺が、前記境界を示すことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれかに記載の半導体装置において、
前記エリア識別マークの占める領域の幅が、前記ボンディング領域の幅または前記試験用プローブ接触領域の幅を示すことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれかに記載の半導体装置において、
複数の前記ボンディングパッドを有し、
一つの前記エリア識別マークが、複数の前記ボンディングパッドのそれぞれについて、前記境界を示すように構成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置において、
複数の前記ボンディングパッドが直線状に配置された列を有し、
一つの前記列あたり少なくとも一つの前記エリア識別マークが設けられるとともに、一つの前記エリア識別マークが、一つの前記列を構成する前記ボンディングパッドの前記境界を示すことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置において、
前記列の延在方向に沿って、前記ボンディング領域と前記試験用プローブ接触領域とが交互に配置されるとともに、
一つの前記エリア識別マークが、前記列を構成する一の前記ボンディングパッドの前記境界と、前記一のボンディングパッドに隣接する他のボンディングパッドの前記境界とを示すように構成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７いずれかに記載の半導体装置において、前記ボンディングパッドと前記エリア識別マークとが、同一水準に形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８いずれかに記載の半導体装置において、
半導体基板と、
前記半導体基板の上部に設けられるとともに、所定の領域に開口部が設けられた有機樹脂からなる保護膜と、
をさらに有し、
前記開口部の輪郭が前記エリア識別マークの輪郭を構成していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置において、前記有機樹脂がポリイミドであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の半導体装置において、前記有機樹脂がポリパラフェニレンベンズオキサゾールであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１いずれかに記載の半導体装置を準備する工程と、
前記エリア識別マークにより前記境界を検知し、検知された前記境界に基づき前記試験用プローブ接触領域に試験用プローブを接触させる工程と、
試験用プローブを接触させる前記工程の後、検知された前記境界に基づき前記ボンディング領域に外部接続用導体を接合させる工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明によれば、
一つのパッド中にボンディング領域と試験用プローブ接触領域とを含むボンディングパッドと、
前記ボンディングパッドから離隔して設けられて、前記ボンディング領域と前記試験用プローブ接触領域との境界を示すように構成されたエリア識別マークと、
を有し、
前記ボンディングパッドと、前記エリア識別マークとが、同一材料により構成されたことを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月18日(2007.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（１）式において、伝達係数行列Ｈの成分Ｈｉｊはｊ番目の送信アンテナからｉ番目の受信アンテナの間の伝達係数を表す。伝達係数行列Ｈは、例えば以下のように推定される。受信装置から送信装置に、送信装置と受信装置で共に既知であるプリアンブル信号Ｓ０（ＭＲ×ＭＲ行列）の送信を行い、送信装置における受信信号Ｘ０（ＭＴ×ＭＲ）にプリアンブル信号の逆行列Ｓ０−１（ＭＲ×ＭＲ行列）を乗算することで得られる行列の転置行列として得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月14日(2006.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】積分回路
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号入力端子と、
信号出力端子と、
反転入力端子と、基準電圧ラインに接続された非反転入力端子と、上記信号出力端子に接続された出力端子とを有する演算増幅器と、
上記信号入力端子と上記演算増幅器の反転入力端子との間に接続されたスイッチトキャパシタ回路と、
上記演算増幅器の出力端子と反転入力端子との間に接続された帰還キャパシタと、
上記演算増幅器の出力端子と反転入力端子との間に接続された第１のリミット回路と、
上記演算増幅器の出力端子と反転入力端子との間に接続された第２のリミット回路と、
を有し、
上記第１のリミット回路が第１の電源電圧ラインと上記演算増幅器の反転入力端子との間に接続された第１のＭＯＳトランジスタを有し、
上記第２のリミット回路が第２の電源電圧ラインと上記演算増幅器の反転入力端子との間に接続された第２のＭＯＳトランジスタを有し、
上記第１及び第２のＭＯＳトランジスタのゲート端子が上記演算増幅器の出力端子に接続されている、
積分回路。
【請求項２】
上記第１の電源電圧が正電源電圧であり、上記第２の電源電圧が負電源電圧であり、上記第１のＭＯＳトランジスタがＮＭＯＳトランジスタであり、上記第２のＭＯＳトランジスタがＰＭＯＳトランジスタである請求項１に記載の積分回路。
【請求項３】
上記第１のリミット回路が上記第１のＭＯＳトランジスタと上記演算増幅器の反転入力端子との間に接続された第１のダイオード素子を更に有し、
上記第２のリミット回路が上記第２のＭＯＳトランジスタと上記演算増幅器の反転入力端子との間に接続された第２のダイオード素子を更に有する、
請求項２に記載の積分回路。
【請求項４】
上記第１のダイオード素子がＮＭＯＳトランンジスタで構成され、上記第２のダイオード素子がＰＭＯＳトランジスタで構成される請求項３に記載の積分回路。
【請求項５】
上記第１及び第２のＭＯＳトランジスタのしきい値電圧を調整するための電圧調整回路を更に有する請求項１乃至４の何れかに記載の積分回路。
【請求項６】
第１の信号入力端子と、
第２の信号入力端子と、
第１の信号出力端子と、
第２の信号出力端子と、
反転入力端子と、非反転入力端子と、上記第１の信号出力端子に接続された非反転出力端子と、上記第２の信号出力端子に接続された反転出力端子とを有する演算増幅器と、
上記第１の信号入力端子と上記演算増幅器の反転入力端子との間に接続された第１のスイッチトキャパシタ回路と、
上記第２の信号入力端子と上記演算増幅器の非反転入力端子との間に接続された第２のスイッチトキャパシタ回路と、
上記演算増幅器の非反転出力端子と反転入力端子との間に接続された第１の帰還キャパシタと、
上記演算増幅器の反転出力端子と非反転入力端子との間に接続された第２の帰還キャパシタと、
上記演算増幅器の非反転出力端子と反転入力端子との間に接続された第１のリミット回路と、
上記演算増幅器の非反転出力端子と反転入力端子との間に接続された第２のリミット回路と、
上記演算増幅器の反転出力端子と非反転入力端子との間に接続された第３のリミット回路と、
上記演算増幅器の反転出力端子と非反転入力端子との間に接続された第４のリミット回路と、
を有し、
上記第１のリミット回路が第１の電源電圧ラインと上記演算増幅器の反転入力端子との間に接続された第１のＭＯＳトランジスタを有し、
上記第２のリミット回路が第２の電源電圧ラインと上記演算増幅器の反転入力端子との間に接続された第２のＭＯＳトランジスタを有し、
上記第３のリミット回路が第１の電源電圧ラインと上記演算増幅器の非反転入力端子との間に接続された第３のＭＯＳトランジスタを有し、
上記第４のリミット回路が第２の電源電圧ラインと上記演算増幅器の非反転入力端子との間に接続された第４のＭＯＳトランジスタを有し、
上記第１及び第２のＭＯＳトランジスタのゲート端子が上記演算増幅器の非反転出力端子に接続されており、
上記第３及び第４のＭＯＳトランジスタのゲート端子が上記演算増幅器の反転出力端子に接続されている、
積分回路。
【請求項７】
上記第１の電源電圧が正電源電圧であり、上記第２の電源電圧が負電源電圧であり、上記第１及び第３のＭＯＳトランジスタがＮＭＯＳトランジスタであり、上記第２及び第４のＭＯＳトランジスタがＰＭＯＳトランジスタである請求項６に記載の積分回路。
【請求項８】
上記第１のリミット回路が上記第１のＭＯＳトランジスタと上記演算増幅器の反転入力端子との間に接続された第１のダイオード素子を更に有し、
上記第２のリミット回路が上記第２のＭＯＳトランジスタと上記演算増幅器の反転入力端子との間に接続された第２のダイオード素子を更に有し、
上記第３のリミット回路が上記第３のＭＯＳトランジスタと上記演算増幅器の非反転入力端子との間に接続された第３のダイオード素子を更に有し、
上記第４のリミット回路が上記第４のＭＯＳトランジスタと上記演算増幅器の非反転入力端子との間に接続された第４のダイオード素子を更に有する、
請求項７に記載の積分回路。
【請求項９】
上記第１及び第３のダイオード素子がＮＭＯＳトランンジスタで構成され、上記第２及び第４のダイオード素子がＰＭＯＳトランジスタで構成される請求項８に記載の積分回路。
【請求項１０】
上記第１、第２、第３及び第４のＭＯＳトランジスタのしきい値電圧を調整するための電圧調整回路を更に有する請求項６乃至９の何れかに記載の積分回路。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月3日(2007.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを蓄積する蓄積メディアを具備する受信装置と、前記受信装置にコンテンツおよび当該コンテンツの属性を示す属性情報を有するコンテンツ情報を送信する第１サーバー装置と、前記受信装置に属性情報および当該属性情報に対応するコンテンツの蓄積可能な容量を示す情報である容量情報を有する蓄積情報を送信する第２サーバー装置と、を備えたネットワークシステムを構成する受信装置であり、
前記第１サーバー装置から送信されるコンテンツ情報を受信する第１受信部と、
前記第２サーバー装置から送信される蓄積情報を受信する第２受信部と、
前記第２受信部で受信した蓄積情報を管理する蓄積可能容量管理部と、
前記第１受信部で受信したコンテンツのサイズを取り出すサイズ取得部と、
第１受信部で受信したコンテンツ情報の有する属性情報と、蓄積可能容量管理部の管理する蓄積情報が有する属性情報とが合致した際、前記第１受信部で受信した属性情報に対応する蓄積可能な容量情報を前記蓄積可能容量管理部から取り出し、当該取り出した蓄積可能容量から当該属性情報に対応するコンテンツを蓄積する時点の前記蓄積メディアの空き容量を算出する空き容量算出部と、
前記空き容量算出部で算出した空き容量と前記サイズ取得部で取得したサイズを比較して、前記コンテンツを蓄積するために必要な空き容量が前記蓄積メディア中に存在するか否かを判断する判断部と、
前記判断部での判断結果が空き容量ありである場合に、前記コンテンツを蓄積メディアに蓄積する蓄積制御部とを具備する受信装置。
【請求項２】
前記第２サーバー装置が、前記受信装置を識別する端末識別子、属性情報および当該属性情報に対応する容量情報を有する端末別蓄積情報を管理する蓄積情報管理部と、前記蓄積情報管理部で管理されている前記端末別蓄積情報が有する端末識別子に対応する受信装置に当該端末別蓄積情報が有する属性情報および当該属性情報に対応する容量情報を送信する送信部を具備し、前記蓄積情報管理部が管理する端末別蓄積情報が追加された場合に、当該端末別蓄積情報が有する端末識別子で識別される受信装置に当該端末別蓄積情報が有する属性情報および容量情報を有する情報を送信する場合において、
前記受信装置は、前記第２サーバー装置から属性情報および容量情報を有する情報を受信し、
前記第２受信部が当該属性情報および当該容量情報を有する蓄積情報を受信し、
当該蓄積情報を前記蓄積可能容量管理部に蓄積する蓄積部をさらに具備する請求項１記載の受信装置。
【請求項３】
前記第２サーバー装置が、受信装置を識別する端末識別子、属性情報および当該属性情報に対応する容量情報を有する端末別蓄積情報を管理する蓄積情報管理部と、前記蓄積情報管理部で管理されている前記端末別蓄積情報が有する端末識別子に対応する受信装置に当該端末別蓄積情報が有する属性情報および当該属性情報に対応する容量情報を送信する送信部を具備し、前記蓄積情報管理部が管理する端末別蓄積情報が有する属性情報または容量情報が変更された場合に、当該端末別蓄積情報が有する端末情報で識別される受信装置に当該端末別蓄積情報が有する属性情報および容量情報を有する情報を送信する場合において、
前記受信装置は、前記第２受信部が当該属性情報および当該容量情報を有する蓄積情報を受信し、前記属性情報をキーに蓄積可能容量管理部から前記蓄積情報を検索し、当該検索した蓄積情報中の容量情報を当該受信した容量情報に書き換える変更部をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の受信装置。
【請求項４】
前記第２サーバー装置が、受信装置を識別する端末識別子、属性情報および当該属性情報に対応する容量情報を有する端末別蓄積情報を管理する蓄積情報管理部と、前記蓄積情報管理部で管理されている前記端末別蓄積情報が有する端末識別子に対応する受信装置に当該端末別蓄積情報が有する属性情報および当該属性情報に対応する容量情報を送信する送信部を具備し、前記蓄積情報管理部が管理する端末別蓄積情報が削除された場合に、当該削除された端末別蓄積情報が有する端末情報で識別される受信装置に当該端末別蓄積情報が有する属性情報を有する情報を送信する場合において、
前記受信装置は、前記第２サーバー装置から属性情報を有する情報を受信する受信装置であって、
前記第２受信部が当該属性情報を有する情報を受信し、前記属性情報を有する蓄積情報を前記空き容量管理部から削除する削除部をさらに具備することを特徴とする請求項２記載の受信装置。
【請求項５】
前記第２サーバー装置が、前記蓄積情報管理部で管理されている端末別蓄積情報が有する容量情報をパラメータとした料金を算出する算出部を具備することを特徴とする、請求項２から４のいずれか１つに記載の受信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月2日(2007.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にチップが形成され、裏面にチップが形成されていない半導体ウエーハを保持する保持手段と、該半導体ウエーハの裏面を研削する砥石を有し該砥石で該半導体ウエーハの裏面を研削加工する研削手段と、研削された該半導体ウエーハの裏面を研磨する研磨手段と、該研削手段による研削位置と該研磨手段による研磨位置との間で該保持手段を移動させる移動手段とを備えていて、該半導体ウエーハを保持した状態で該半導体ウエーハの裏面を研削及び、研磨を行う平面加工装置において、
前記研磨手段が、研磨ヘッドを回転させる回転手段と、該研磨ヘッドと半導体ウエーハとの間隔を設定する位置決め送り機構、及び半導体ウエーハの裏面に対する研磨布の押圧力を制御する機構から構成され、
前記研削手段が、粗研削手段と精研削手段とよりなり、
前記粗研削手段、前記精研削手段及び前記研磨手段による各研削位置及び研磨位置とが仕切られていて、前記研磨手段による研磨位置が、隣接部とを仕切る仕切板と、天板を有するケーシングと、該ケーシングに取り付けられたブラシとによって、略気密状態に保持され、化学研磨剤を含有する研磨加工液と研削加工液とが混入しないようにされているとともに、
該半導体ウエーハの厚みを測定する厚み測定手段が備えられており、研削加工前及び研削加工後の該半導体ウエーハの厚みを測定し、その測定結果に基づいて前記粗研削手段、前記精研削手段及び前記研磨手段で各加工時間が略等しくなるように研削及び研磨されるようになっており、
前記保持手段で保持された該半導体ウエーハの裏面が、前記移動手段によって保持された状態で、前記厚み測定手段による測定結果に基づき前記研削手段によって所望の厚さ近くまで極薄状に研削され、次いで前記研磨位置に移され、
前記研磨手段が、前記厚み測定手段による測定結果に基づいた研磨量に従って、研削加工された該半導体ウエーハの裏面の加工変質層を加工するか、又は前記研削加工された該半導体ウエーハの厚さのバラツキ分を加工するとともに該加工変質層を加工し、厚さ５０μｍ以下の極薄該半導体ウエーハを極薄状に製造することを特徴とする平面加工装置。
【請求項２】
前記研磨手段の前記研磨ヘッドに取り付けられた研磨布を洗浄する洗浄手段、又は該研磨布の表面をドレスするドレッシング手段、或いは該洗浄手段と該ドレッシング手段とを更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の平面加工装置。
【請求項３】
研磨前の該半導体ウエーハの洗浄又は研磨後のチップ表面の有害な不純物、重金属、点欠陥等を除去するためのエッチング手段を更に備えていて、研磨前の該半導体ウエーハ、又は研磨後の該半導体ウエーハ、或いは研磨前及び研磨後の該半導体ウエーハをエッチング処理することを特徴とする請求項１又は２に記載の平面加工装置。
【請求項４】
前記保持手段が、前記保持手段を回転させるスピンドルに着脱自在に連結され、前記保持手段が移動する際にその連結部が切り離され、前記保持手段のみが移動することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の平面加工装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月26日(2007.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介して端末、該端末の位置情報を管理するサーバ、及び上記端末と上記サーバの間に接続された他の通信装置に接続された通信装置であって、
上記端末の位置情報及び上記端末のQoS情報を格納したメモリと、
上記位置情報及び上記QoS情報にもとづいたQoS制御を行う指示を上記他の通信装置に送信するインタフェースを有する通信装置。
【請求項２】
請求項１記載の通信装置であって、上記位置情報は、Mobile IPのバインディング情報であり、上記サーバはMobile IPのホームエージェントであることを特徴とする通信装置。
【請求項３】
請求項１記載の通信装置であって、上記QoS情報は上記他の通信装置から受信したものであることを特徴とする通信装置。
【請求項４】
請求項１記載の通信装置であって、さらにセッション制御装置と接続され、
上記位置情報は上記セッション制御装置から受信したものであることを特徴とする通信装置。
【請求項５】
請求項１記載の通信装置であって、
上記位置情報は、Mobile IPのバインディング情報であり、
上記サーバはMobile IPのホームエージェントであり、
上記QoS情報は、上記端末の気付アドレスを含むことを特徴とする通信装置。
【請求項６】
ネットワークを介して端末、該端末の位置情報を管理するサーバ、及び上記端末と上記サーバの間に接続された他の通信装置に接続された通信制御装置であって、
上記端末の位置情報及び上記端末のQoS情報を格納したメモリと、
上記端末、または上記他の通信装置からQoS要求を含むセッション確立要求を受信すると、上記位置情報と上記QoS情報にもとづいたQoS制御をする指示を上記他の通信装置に送信するインタフェースを有する通信制御装置。
【請求項７】
請求項６記載の通信制御装置であって、
上記位置情報はMobile IPのバインディング情報であり、上記サーバはMobile IPのホームエージェントであり、上記QoS情報はMobile IPの気付アドレスを含むことを特徴とする請求項６記載の通信制御装置。
【請求項８】
請求項６記載の通信制御装置であって、
上記通信制御装置はSIPサーバであり、
上記QoS情報は、上記端末から受信したSIPメッセージ、または、上記他の通信装置から受信したSIPメッセージに含まれていることを特徴とする通信制御装置。
【請求項９】
端末及び該端末の位置情報を管理するサーバと接続され、通信制御装置、第1の通信装置、及び、第2の通信装置を備えた通信システムであって、
上記第１の通信装置は、
上記端末と上記サーバの間に接続され、
上記端末の位置情報を捕捉し、該位置情報を第2の通信装置に送信する送受信部を備え、
上記第２の通信装置は、
上記第1の通信装置から上記位置情報を受信し、上記通信制御装置からQoS情報を受信し、上記位置情報と上記QoS情報とにもとづいてQoS制御を行う指示を上記第１の通信装置に送信する送受信部とを備えたことを特徴とする通信システム。
【請求項１０】
請求項９記載の通信システムであって、
上記位置情報は、モバイルＩＰのバインディング情報であり、
上記サーバはモバイルＩＰのホームエージェントであり、
上記位置情報に応じたQoS情報は、気付アドレスを含むことを特徴とする通信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
本発明の第2の実施の形態によると、P-CSCF3がMNのバインディング情報を取得することにより、PDSN1は、Mobile IPの位置登録信号検出機能を備えることなく、MNの気付アドレスをQoSパラメータとして用いるQoS制御（例：パケットフィルタリングや優先制御）を提供できる。
尚、本発明は下記の解決手段によっても実現できる。
（解決手段１）
端末及び該端末の位置情報を管理するサーバと接続され、通信制御装置、第1の通信装置、及び、第2の通信装置を備えた通信システムであって、上記通信制御装置は、上記端末から位置情報及びQoS要求を含むセッション情報を受信し、上記位置情報を含むQoS情報を上記第１の通信装置に送信するインタフェースを有し、上記第１の通信装置は、上記通信制御装置から受信した上記QoS情報を上記第２の通信装置に送信するインタフェースを有し、上記第２の通信装置は、上記第１の通信装置から受信したQoS情報にもとづいて、上記端末とサーバの間で送受信されるデータに対してQoS制御を行う制御部を有することを特徴とする通信システム。
（解決手段２）
解決手段１記載の通信システムであって、上記位置情報は、モバイルＩＰのバインディング情報であり、上記サーバは、モバイルＩＰのホームエージェントであり、上記位置情報を含むQoS情報は、気付アドレスを含むことを特徴とする通信システム。
（解決手段３）
解決手段１記載の通信システムであって、上記通信制御装置はSIPサーバであり、上記QoS要求は、上記端末から受信したSIPメッセージに含まれていることを特徴とする通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月5日(2007.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  消耗品が装填されたメディアパックが脱着可能な携帯可能な装置であって、
前記消耗品の量が所定量以下になったことを検出する検出手段と、
前記検出手段による検出結果に応じて前記装置の変化する現在位置情報を外部サーバへ通知する通信制御手段と、
前記現在位置情報に基づく前記外部サーバから検索され送信されてくる前記メディアパックの販売店情報を受信する受信手段とを有することを特徴とする消耗品購入装置。
【請求項２】  表示制御手段を有し、
前記表示制御手段は前記消耗品の量が所定量以下になったことが検出されたタイミングに応じて、ユーザに前記外部サーバに通知を行うか否かの指示を行わせる指示画面を表示させることを特徴とする請求項１に記載の消耗品購入装置。
【請求項３】  前記販売店情報を印刷させる印刷制御手段を有することを特徴とする請求項１または２に記載の消耗品購入装置。
【請求項４】  前記表示制御手段は前記外部サーバにより検索された前記販売店情報を表示させることを特徴とする請求項２に記載の消耗品購入装置。
【請求項５】  前記販売店情報には消耗品の割引情報が含まれており、
前記通信制御手段はユーザ固有の識別情報を通知し、
前記割引情報は前記外部サーバによって前記識別情報に基づいて決定されたものであることを特徴とする請求項１に記載の消耗品購入装置。
【請求項６】  前記印刷制御手段は前記販売店情報の位置およびユーザの現在位置を含む地図情報を印刷させることを特徴とする請求項３に記載の消耗品購入装置。
【請求項７】  位置情報を入力させる入力手段を有し、
前記外部サーバは前記入力手段により入力された位置情報に基づいて販売店情報を検索することを特徴とする請求項１に記載の消耗品購入装置。
【請求項８】  消耗品が装填されたメディアパックが脱着可能な携帯可能な装置による消耗品購入方法であって、
前記消耗品の量が所定量以下になったことを検出する検出ステップと、
前記検出ステップによる検出結果に応じて前記装置の変化する現在位置情報を外部サーバへ通知する通信制御ステップと、
前記現在位置情報に基づく前記外部サーバから検索され送信されてくる前記メディアパックの販売店情報を受信する受信ステップとを有することを特徴とする消耗品購入方法。
【請求項９】  表示制御ステップを有し、
前記表示制御ステップは前記消耗品の量が所定量になったことが検出されたタイミングに応じて、ユーザに前記外部サーバに通知を行うか否かの指示を行わせる指示画面を表示させることを特徴とする請求項８に記載の消耗品購入方法。
【請求項１０】  前記販売店情報を印刷させる印刷制御ステップを有することを特徴とする請求項８または９に記載の消耗品購入方法。
【請求項１１】  前記表示制御ステップは前記外部サーバにより検索された前記販売店情報を表示させることを特徴とする請求項９に記載の消耗品購入方法。
【請求項１２】  前記販売店情報には消耗品の割引情報が含まれており、
前記通信制御ステップではユーザ固有の識別情報を通知し、
前記割引情報は前記外部サーバによって前記識別情報に基づいて決定されたものであることを特徴とする請求項８に記載の消耗品購入方法。
【請求項１３】  前記印刷制御ステップは前記販売店情報の位置およびユーザの現在位置を含む地図情報を印刷させることを特徴とする請求項１０に記載の消耗品購入方法。
【請求項１４】  位置情報を入力させる入力スッテプを有し、
前記外部サーバは前記入力ステップにより入力された位置情報に基づいて販売店情報を検索することを特徴とする請求項８に記載の消耗品購入方法。
【請求項１５】  消耗品が装填されたメディアパックが脱着可能な携帯可能な装置によって実行が可能なプログラムコードが記憶された媒体であって、
前記消耗品の量が所定量以下になったことを検出する検出ステップと、
前記検出ステップによる検出結果に応じて前記装置の変化する現在位置情報を外部サーバへ通知する通信制御ステップと、
前記現在位置情報に基づく前記外部サーバから検索され送信されてくる前記メディアパックの販売店情報を受信する受信ステップとを有することを特徴とする記憶媒体。
【請求項１６】  消耗品が装填されたメディアパックが脱着可能な携帯可能な装置によって実行が可能なプログラム製品であって、
前記消耗品の量が所定量以下になったことを検出する検出ステップと、
前記検出ステップによる検出結果に応じて前記装置の変化する現在位置情報を外部サーバへ通知する通信制御ステップと、
前記現在位置情報に基づく前記外部サーバから検索され送信されてくる前記メディアパックの販売店情報を受信する受信ステップとを有することを特徴とするプログラム製品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月24日(2007.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  光スポットを光ディスクのトラック上に追従させ信号を記録しまたは再生する光ヘッドと、
前記光スポットが前記光ディスクのトラック上を横切るように、前記光ヘッドおよび上記記録媒体を相対的に駆動する駆動手段と、
前記光ディスクからの反射光を受光する分割した光検出手段と、
前記光検出手段の出力の加算、減算信号を出力する演算手段と、
前記演算手段の出力から直流成分を除去する高域通過フィルタ手段と、
前記駆動手段により光スポットが光ディスクのトラック上を横切るように前記光ヘッドおよび記録媒体を相対的に駆動する際に、所定時間、前記高域通過フィルタ手段に所定の値を設定するオフセット設定手段と、
前記高域通過フィルタ手段の出力のトラッククロス成分と所定のレベルとを比較する比較手段とを備えたことを特徴とする光ディスクのオフトラック検出回路。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月12日(2007.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】更新要求のある定期券識別情報と更新条件を記憶した記憶手段と、
読み書き可能な記録媒体の定期券の記録情報を読み取る手段と、
上記記録情報が読み取られた定期券が、上記記憶手段を参照して更新要求をしているものであるか否かを判定する手段と、
更新要求をしていると判定されると、その更新要求の更新条件に応じた内容にその定期券の記録情報を書替える手段と、
定期券の記録情報を書替えると、更新済みである旨のデータを上記記憶手段に記憶する手段と、を備えた定期券書替え装置。
【請求項２】バス車内に設置される定期券書替え装置であって、
定期券管理装置から営業所装置を介して得られた更新要求のある定期券識別情報と更新条件を記憶した記憶手段と、
読み書き可能な記録媒体の定期券の記録情報を読み取る手段と、
上記記録情報が読み取られた定期券が、上記記憶手段を参照して更新要求をしているものであるか否かを判定する手段と、
更新要求をしていると判定されると、その更新要求の更新条件に応じた内容にその定期券の記録情報を書替える手段とを備え、
上記記憶手段は上記営業所装置及び上記定期券書替え装置に取付け、取外しが可能であることを特徴とする定期券書替え装置。
【請求項３】定期券管理装置は、更新したい定期券の識別情報と更新条件を、更新要求として記録し、
上記定期券管理装置は更新要求のあった定期券の識別情報と更新条件を定期券書替え装置の記憶手段に記憶し、
上記定期券書替え装置は定期券の識別情報を読み取り、その識別情報がその記憶手段に更新要求として記憶されているか否かを調べ、
上記定期券書替え装置は更新要求として記憶されていれば、その定期券の記録情報をその更新条件に書替え、その書替えたことを上記定期券管理装置へ通知する
ことを特徴とする定期券更新方法。
【請求項４】上記定期券更新方法における定期券書換え装置はバス車内に設置され、
上記記憶手段は営業所装置及び上記定期券書換え装置に取付け、取外しが可能であり、
上記定期券管理装置から更新要求のあった定期券の識別情報と更新条件の記憶手段への記憶と、
上記記憶手段から上記定期券の記録情報を書替えたことの上記定期券管理装置への通知とを、 
上記営業所装置及び上記定期券書換え装置への上記記憶手段の取付け、取外しによって行うことを特徴とする請求項３に記載の定期券更新方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この更新した日時と更新した路線又は停留所をメモリカートリッジ２６の更新要求記憶領域２６ａのその識別情報（カードＩＤ）の欄に書込み（Ｓ５）、通常処理（Ｓ３）に移る。従って乗車時に、定期券１１の有効期限が切れていても、更新条件の更新開始日がその日以前であれば、その定期券１１は有効なものとして処理される。なお多区間用定期券１１においては図９に示すように、乗車側カード式乗車券処理装置２８Ａのカードリーダライタ４１Ａに定期券１１をかざし、その記録情報を読み取らせ、乗車側カード式乗車券処理装置２８Ａは図６中のカートリッジコネクタ４２が省略され、またメモリ４７のプログラムの内容が変更され、例えばバス車両２７内のデジタル運賃表示器（図示せず）から通信インタフェース４４に送られたバス車両２７の現在の停留所情報や時計４６からの現在の日時情報などに基づき、定期券１１の有効性が判定される。降車時に降車側カード式乗車券処理装置２８Ｂのカードリーダライタ４１Ｂに定期券１１をかざし、その記録情報を読み取らせ、降車側カード式乗車券処理装置２８Ｂは図６に示した構成を備え、図８に示した処理を行い、つまり更新要求のカードＩＤがメモリカートリッジ２６に記録してあれば書替え処理を行い、通常処理Ｓ３における有効性判定は乗車側の処理と同様に行う。あるいは、乗車側カード式乗車券処理装置２８Ａでは、読み取ったカードＩＤなどの記録情報を降車側カード式乗車券処理装置２８Ｂへ送り、装置２８Ｂ内にそのカードＩＤとその時の現在停留所とを対にして記憶しておき、降車側カード式乗車券処理装置２８Ｂで降車時にその定期券１１の利用区間、有効期間に対する有効性を判定するようにしてもよい。上記の例では、多区間方式におけるバス車両内での定期券の更新を降車時に行うと説明したが、均一方式と同様に、乗車時に更新させてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月9日(2007.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
縦横のそれぞれの方向に画素を２次元配列して形成されその横方向にノイズ成分を多く含むＸ線ＣＴ元画像(70)をウェーブレット変換し、該ウェーブレット変換された画像を前記ノイズ成分ごとに複数領域（71ａ〜ｄ）に分割すると共に、前記分割された複数領域のうちの一領域（71ａ）について更にウェーブレット変換し、該ウェーブレット変換された一領域（71ａ）を前記ノイズ成分ごとに複数小領域（72ａ〜ｄ）にさらに分割する手段と、
前記分割された複数小領域（72ａ〜ｄ）のうちの画素の横配列方向のノイズ成分を含む一小領域（72ｃ）を略ゼロに設定する手段と、
前記設定された一小領域（72ｃ）と前記複数小領域（72ａ、ｂ、ｄ）を用いて一領域（73）を再構成すると共に、前記再構成された一領域（73）と前記複数領域（71ｂ〜ｄ）とから画像（74）を再構成する手段と、
を備えたこと特徴とするＸ線ＣＴ画像の画像処理装置。  
【請求項２】
前記ノイズ成分のノイズは、リングアーチファクトによるものであること特徴とする請求項１に記載のＸ線ＣＴ画像の画像処理装置。
【請求項３】
縦横のそれぞれの方向に画素を２次元配列して形成されその横方向にノイズ成分を多く含むＸ線ＣＴ元画像(70)をウェーブレット変換し、該ウェーブレット変換された画像を前記ノイズ成分ごとに複数領域（71ａ〜ｄ）に分割する工程と、
前記分割された複数領域のうちの一領域（71ａ）について更にウェーブレット変換し、該ウェーブレット変換された一領域（71ａ）を前記ノイズ成分ごとに複数小領域（72ａ〜ｄ）に分割する工程と、
前記分割された複数小領域（72ａ〜ｄ）のうちの画素の横配列方向のノイズ成分を含む一小領域（72ｃ）を略ゼロに設定する工程と、
前記設定された一小領域（72ｃ）と前記複数小領域（72ａ、ｂ、ｄ）を用いて一領域（73）を再構成する工程と、
前記再構成された一領域（73）と前記複数領域（71ｂ〜ｄ）とから画像（74）を再構成する工程と、
を含むこと特徴とするＸ線ＣＴ画像の画像処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月24日(2007.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シャッター構造、及びオーディオ機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸を有し、記録媒体の挿排口を開閉するシャッターと、
前記回転軸に設けられたカムと、
前記カムのカム面を押圧し、前記シャッターを前記挿排口の閉鎖方向に付勢する押圧部材と、を備えることを特徴とするシャッター構造。
【請求項２】
記録媒体の挿排口を有する筐体と、
回転軸を有し、前記挿排口を開閉するシャッターと、
前記回転軸に設けられたカムと、
前記カムのカム面を押圧し、前記シャッターを、前記挿排口を閉鎖する方向に付勢する押圧部材と、を備えることを特徴とするオーディオ機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シャッター構造、例えばオーディオ機器の記録媒体を挿排する挿排口を開閉するためのシャッター構造、及び該シャッター構造を有するオーディオ機器に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、回転軸を有し、記録媒体の挿排口を開閉するシャッターと、前記回転軸に設けられたカムと、前記カムのカム面を押圧し、前記シャッターを前記挿排口の閉鎖方向に付勢する押圧部材と、を備えることを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、記録媒体の挿排口を有する筐体と、回転軸を有し、前記挿排口を開閉するシャッターと、前記回転軸に設けられたカムと、前記カムのカム面を押圧し、前記シャッターを、前記挿排口を閉鎖する方向に付勢する押圧部材と、を備えることを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月24日(2007.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
チャンバ内８には、ウエハ４０を支持する静電チャック４４とＸＹステージ４６とを備える。静電チャック４４は、誘電体で形成された筐体の内部に埋め込まれた内部電極４３に、ウエハチャック用電源４５から電圧を印加することにより、ウエハ４０と誘電体筐体間に静電力を発生させてウエハ４０を保持する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月19日(2007.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補強板、有機物層、可撓性フィルム、金属層がこの順に積層された回路基板用部材であって、金属層を３０μｍピッチ以下のパターンに形成し、得られた配線パターンの金属表面に高さが１μｍ以上５０μｍ以下の突起部を設けた回路基板用部材。
【請求項２】
絶縁層と導体配線層が交互に複数積層され、各導体配線層が絶縁層を厚さ方向に横切ってスルーホールもしくはビアにより電気的に接続され、最表層に導体配線層が露出している多層回路基板を、有機物層を介して補強板に積層された回路基板用部材であって、多層回路基板の配線パターン表面に突起部が設けられている請求項１記載の回路基板用部材。
【請求項３】
請求項１または２記載の回路基板用部材の補強板を剥離し、得られるフレキシブル回路基板。
【請求項４】
補強板、有機物層、可撓性フィルム、金属層がこの順に積層された回路基板用部材の製造方法であって、
（１）可撓性フィルムを有機物層を介して補強板に貼り合わせる工程と、
（２）可撓性フィルムの表面に第１金属層を形成する工程と、
（３）第１金属層の表面に金属配線パターン用の第１のめっきレジスト膜（第１めっきレジスト膜）を設け、電解めっきによって第２金属層のパターンを形成する工程と、
（４）第１めっきレジスト膜及び第２金属層の上にめっきにより形成する突起部用の第２めっきレジスト膜（第２めっきレジスト膜）を設け、電解めっきによって突起部を第３金属層で形成する工程と、
（５）第１及び第２めっきレジスト膜を剥離した後、エッチング液によって露出した第１金属層を除去する工程を有することを特徴とする請求項１または２記載の回路基板用部材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明は以下の構成からなる。
（１）補強板、有機物層、可撓性フィルム、金属層がこの順に積層された回路基板用部材であって、金属層を３０μｍピッチ以下のパターンに形成し、得られた配線パターンの金属表面に高さが１μｍ以上５０μｍ以下の突起部を設けた回路基板用部材。
（２）絶縁層と導体配線層が交互に複数積層され、各導体配線層が絶縁層を厚さ方向に横切ってスルーホールもしくはビアにより電気的に接続され、最表層に導体配線層が露出している多層回路基板を、有機物層を介して補強板に積層された回路基板用部材であって、多層回路基板の配線パターン表面に突起部が設けられている前記（１）記載の回路基板用部材。
（３）前記（１）または（２）記載の回路基板用部材の補強板を剥離し、得られるフレキシブル回路基板。
（４）補強板、有機物層、可撓性フィルム、金属層がこの順に積層された回路基板用部材の製造方法であって
［１］可撓性フィルムを有機物層を介して補強板に貼り合わせる工程と、
［２］可撓性フィルムの表面に第１金属層を形成する工程と、
［３］第１金属層の表面に金属配線パターン用の第１のめっきレジスト膜（第１めっきレジスト膜）を設け、電解めっきによって第２金属層のパターンを形成する工程と、
［４］第１めっきレジスト膜及び第２金属層の上にめっきにより形成する突起部用の第２めっきレジスト膜（第２めっきレジスト膜）を設け、電解めっきによって突起部を第３金属層で形成する工程と、
［５］第１及び第２めっきレジスト膜を剥離した後、エッチング液によって露出した第１金属層を除去する工程を有することを特徴とする前記（１）または（２）記載の回路基板用部材の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月1日(2007.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備した固体撮像素子の製造方法において、
ゲート酸化膜の形成された半導体基板表面に、第１の電極を構成する第１層導電性膜のパターンを形成する工程と、
前記第１の電極を構成する前記第１層導電性膜の上に酸化防止膜を形成する工程と、
前記酸化防止膜の存在下で熱酸化を行なうことにより、前記第１の電極の少なくとも側壁に電極間絶縁膜となる絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の電極および前記電極間絶縁膜の形成された前記半導体基板表面に第２の電極を構成する第２層導電性膜を形成する工程とを含む固体撮像素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
一方２層電極構造の場合には、図７に示すように、酸化シリコン膜５で被覆された第１層ドープトポリシリコン膜３ａからなる第１の電極上にかかるように、第２層ドープトポリシリコン膜３ｂを形成し、フォトリソグラフィにより形成した所望のマスクを用いてパターニングして、第２の電極を形成する。
この構造では特に、この電極上縁部のエッジ近傍で、突起Ｔの成長により短絡が生じ易いという問題がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また本発明の固体撮像素子では、前記第２の電極は前記第１の電極の上層の一部に重畳するように形成された２層電極構造の電荷転送電極を構成するものを含む。
この構成によれば、特に第１の電極の上縁近傍で膜質の良好な電極間絶縁膜を用いているため２層構造の電荷転送電極においてリークの確実な低減を図ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また本発明の固体撮像素子では、少なくとも前記第１および第２の電極の相対向する領域では、酸化防止膜は存在しないように構成されたものを含む。
この構成により、電荷の授受が主として行なわれる第１の電極の上縁近傍で酸化防止膜は存在せず、側壁と同様の誘電率を有するため、当接領域全体にわたって均一な電極間絶縁膜が存在していることになり、電界の集中を抑制し、信頼性の向上を図ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の固体撮像素子の製造方法は、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備した固体撮像素子の製造方法において、ゲート酸化膜の形成された半導体基板表面に、第１の電極を構成する第１層導電性膜のパターンを形成する工程と、前記第１の電極を構成する前記第１層導電性膜の上に酸化防止膜を形成する工程と、前記酸化防止膜の存在下で熱酸化を行なうことにより、前記第１の電極の少なくとも側壁に電極間絶縁膜となる絶縁膜を形成する工程と、前記第１の電極および前記電極間絶縁膜の形成された前記半導体基板表面に第２の電極を構成する第２層導電性膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。
この方法によれば、酸化防止膜の存在下で熱酸化を行なうことにより前記第１の電極の少なくとも側壁に電極間絶縁膜となる絶縁膜を形成しているため、緻密で膜質の良好な電極間絶縁膜を形成することができ、また第１の電極の上面での酸化膜の成長はほとんどないためストレスが低減し、低温形成においても突起Ｔの成長が低減され、信頼性の高い電極間絶縁膜を形成することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
（第２の実施の形態）
前記第１の実施の形態では、単層電極構造をもつ電荷転送電極を用いた場合について説明したが、２層電極構造の電荷転送電極にも適用可能である。図４は本発明の第２の実施の形態の固体撮像素子の断面概要図である。また図５（ａ）乃至（ｃ）にその電極形成工程を示す図である。本実施の形態では、単層電極構造に代えて２層電極構造の電荷転送電極を備えた固体撮像素子を形成した点が異なるのみで他は前記実施の形態１と同様である。すなわち、電極間絶縁膜となる側壁の酸化シリコン膜５を、ＨＴＯ膜である酸化シリコン膜４ａと減圧ＣＶＤ法により形成した窒化シリコン膜４ｂとで上面を被覆した第１層導電性膜で構成された第１の電極のパターンで被覆した状態で熱酸化することにより形成したことを特徴とするものである。なお、２層電極構造の場合は第１の電極の上面の絶縁膜も電荷の授受に寄与するため第２の電極との相対向する領域の第１の電極は窒化シリコン膜４ｂが除去されている。ここでは第１の電極の上面全体にわたって窒化シリコン膜４ｂが除去されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
続いて、熱酸化法により第１の電極のパターンの側面を含む周りに膜厚８０〜９０ｎｍの酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜５を形成する。ここでは熱酸化の温度は９００℃程度とする。望ましくは８５０℃である。これにより拡散長の伸びを防ぐことができる。第１の電極の上面を窒化シリコン膜４ｂからなる酸化防止膜で被覆した状態で熱酸化しているため、ストレスが緩和され突起Ｔの成長は抑制される。電極間絶縁膜形成後窒化シリコン４ｂをエッチング除去する（図５（ａ））。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月20日(2007.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
＜光検出層１３ｂ＞
正孔輸送層１３ａ上に設けられる光検出層１３ｂは、例えば正孔輸送性能を有するホスト中に、発光材料をゲストとして含有してなる有機層からなる。この光検出層１３ｂは、正孔輸送層１３ａから注入された正孔が、この光検出層１３ｂ内で電子と再結合することなく、以降に説明する発光層１３ｄに輸送されて発光に寄与することが好ましい。発光材料としては、より長波長側における受光感度を高めるために、例えば赤色発光材料を用いることが好ましい。尚、この発光材料が正孔輸送性能を有していれば、発光材料のみを用いた光検出層１３ｂであっても良い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
この結果、ここでの図示は省略したが、有機電界発光素子１１の光検出部１３ｂへの光入力により発生する光検出信号を信号処理する光検出出力回路と、駆動回路とを、有機電界発光素子１１と組み合わせることにより、高感度な光入力が可能でかつ色再現性に優れた表示装置を構成することが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月19日(2007.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＴＯのエッチングに使用した酸性エッチング液をＮＦ膜によりろ過して透過液と非透過液とに分離するろ過工程を備える酸性エッチング液再生方法。
【請求項２】
前記ＮＦ膜の分画分子量は１００〜３００である請求項１に記載の酸性エッチング液再生方法。
【請求項３】
前記透過液の酸の濃度を所定の範囲に調整する酸濃度調整工程をさらに備える請求項１又は２に記載の酸性エッチング液再生方法。
【請求項４】
前記酸濃度調整工程は、
前記透過液の導電率、酸化還元電位、吸光率及びｐＨの少なくともいずれかのデータを測定する測定工程と、
前記測定工程により測定されたデータに基づいて、前記透過液に対して水及び酸の少なくとも一方を所定量補給する補給工程と、を有する請求項３に記載の酸性エッチング液再生方法。
【請求項５】
前記ろ過工程では、ＩＴＯをエッチングするエッチング装置からの酸性エッチング溶液を前記ＮＦ膜に供給してろ過させ、
前記酸性エッチング液再生方法は、さらに、前記透過液を前記エッチング装置に戻す再供給工程を備える請求項１〜４のいずれかに記載の酸性エッチング液再生方法。
【請求項６】
前記酸性エッチング液は蓚酸を含有するエッチング液である請求項１〜５のいずれかに
記載の酸性エッチング液再生方法。
【請求項７】
ＮＦ膜と、
ＩＴＯのエッチングに使用した酸性エッチング液を前記ＮＦ膜に供給して前記酸性エッチング液を透過液と非透過液とに分離させる供給手段と、
を備えた酸性エッチング液再生装置。
【請求項８】
前記ＮＦ膜の分画分子量は１００〜３００である請求項７に記載の酸性エッチング液再生装置。
【請求項９】
前記透過液の酸の濃度を所定の範囲に調整する酸濃度調整手段をさらに備える請求項７又は８に記載の酸性エッチング液再生装置。
【請求項１０】
前記酸濃度調整手段は、前記透過液の導電率、酸化還元電位、吸光率及びｐＨの少なくともいずれかのデータを測定する測定手段と、
前記測定手段により測定されたデータに基づいて、前記透過液に対して水及び酸の少なくとも一方を所定量補給する補給手段と、を有する請求項９に記載の酸性エッチング液再生装置。
【請求項１１】
前記供給手段はＩＴＯをエッチングするエッチング装置からの酸性エッチング溶液を前記ＮＦ膜に供給し、
前記酸性含有エッチング液再生装置は、さらに、前記透過液を前記エッチング装置に戻すラインを備える請求項７〜１０のいずれかに記載の酸性エッチング液再生装置。
【請求項１２】
前記酸性エッチング液は蓚酸を含有するエッチング液である請求項７〜１１のいずれか
に記載の酸性エッチング液再生装置。