【手続補正書】
【提出日】平成19年1月5日(2007.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の異なる条件で処理され、予め窒素濃度の測定された複数のシリコン結晶を準備する工程と、
前記シリコン結晶それぞれについて、赤外線吸収スペクトルを測定し、ＮＮペア、ＮＮＯ複合体、ＮＮＯ２複合体に対応する吸収ピークの強度をそれぞれ求める工程と、
前記求めた前記吸収ピークの強度と、前記シリコン結晶の窒素濃度に基づいて、ＮＮＯ複合体、ＮＮＯ２複合体の窒素濃度測定用換算係数をそれぞれ求める工程と、
を有することを特徴とするシリコン結晶中の窒素濃度測定用換算係数の算出方法。
【請求項２】
前記ＮＮペアの吸収ピークとして、波数９６３ｃｍ−１に現れるものを用い、前記ＮＮＯ複合体の吸収ピークとして、波数９９６ｃｍ−１に現れるものを用い、前記ＮＮＯ２複合体の吸収ピークとして、波数１０１８ｃｍ−１に現れるものを用いることを特徴とする請求項１に記載の窒素濃度測定用換算係数の算出方法。
【請求項３】
前記ＮＮＯ複合体、ＮＮＯ２複合体の窒素濃度測定用換算係数は、
前記シリコン結晶中の窒素濃度が、ＮＮペアの窒素濃度測定用換算係数とＮＮペアに対応する吸収ピークとの積と、ＮＮＯ複合体の窒素濃度測定用換算係数とＮＮＯ複合体に対応する吸収ピークとの積と、ＮＮＯ２複合体の窒素濃度測定用換算係数とＮＮＯ２複合体に対応する吸収ピークとの積と、の和に等しくなるという条件に基づいて求められることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒素濃度測定用換算係数の算出方法。
【請求項４】
前記ＮＮペアの窒素濃度測定用換算係数は、予め測定されたものであることを特徴とする請求項３に記載の窒素濃度測定用換算係数の算出方法。
【請求項５】
前記ＮＮペアの窒素濃度測定用換算係数は、
予め窒素濃度の測定されたＦＺ法で作製されたＦＺシリコン結晶を準備する工程と、
前記ＦＺシリコン結晶の赤外線吸収スペクトルを測定し、ＮＮペアに対応する吸収ピークの強度を求める工程と、
前記予め測定された窒素濃度と前記ＮＮペアに対応する吸収ピークとに基づいて求められたものであることを特徴とする請求項４に記載の窒素濃度測定用換算係数の算出方法。
【請求項６】
前記ＮＮペアの窒素濃度測定用換算係数は、１．８３×１０１７であることを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載の窒素濃度測定用換算係数の算出方法。
【請求項７】
前記異なる条件での処理は、前記準備された複数のシリコン結晶の窒素濃度を異ならせる処理であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の窒素濃度測定用換算係数の算出方法。
【請求項８】
前記異なる条件での処理は、前記準備された複数のシリコン結晶の加熱温度を異ならせる処理であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の窒素濃度測定用換算係数の算出方法。
【請求項９】
前記加熱処理によって、複数のシリコン結晶をそれぞれ準熱平衡状態に至らしめることを特徴とする請求項８に記載の窒素濃度測定用換算係数の算出方法。
【請求項１０】
窒素が添加された評価用のシリコン結晶を準備する工程と、
前記評価用のシリコン結晶の赤外線吸収スペクトルを測定し、ＮＮペア、ＮＮＯ複合体、ＮＮＯ２複合体に対応する吸収ピークの強度をそれぞれ求める工程と、
予め求められたＮＮペアの窒素濃度測定用換算係数と前記ＮＮペアの吸収ピークの強度とを乗じて、ＮＮペアの窒素濃度を算出する工程と、
予め求められたＮＮＯ複合体の窒素濃度測定用換算係数と前記ＮＮＯ複合体の吸収ピークの強度とを乗じて、ＮＮＯ複合体の窒素濃度を算出する工程と、
予め求められたＮＮＯ２複合体の窒素濃度測定用換算係数と前記ＮＮＯ２複合体に対応する吸収ピークの強度とを乗じて、ＮＮＯ２複合体の窒素濃度を算出する工程と、
前記ＮＮペアの窒素濃度と前記ＮＮＯ複合体の窒素濃度と前記ＮＮＯ２複合体の窒素濃度との和を算出することで、前記評価用のシリコン結晶の窒素濃度を求める工程とを有することを特徴とするシリコン結晶中の窒素濃度測定方法。
【請求項１１】
前記ＮＮＯ複合体の窒素濃度測定用換算係数、前記ＮＮＯ２複合体の窒素濃度測定用換算係数のそれぞれは、
複数の異なる条件で処理され、予め窒素濃度の測定された複数のリファレンス用シリコン結晶を準備する工程と、
前記リファレンス用シリコン結晶それぞれについて、赤外線吸収スペクトルを測定し、ＮＮペア、ＮＮＯ複合体、ＮＮＯ２複合体に対応する吸収ピークの強度をそれぞれ求める工程と、
前記求めた前記吸収ピークの強度と、前記リファレンス用シリコン結晶の窒素濃度に基づいて、ＮＮＯ複合体、ＮＮＯ２複合体の窒素濃度測定用換算係数をそれぞれ求める工程と、
によって、予め算出されている
ことを特徴とする請求項１０に記載のシリコン結晶中の窒素濃度測定方法。
【請求項１２】
前記ＮＮペアの吸収ピークとして、波数９６３ｃｍ−１に現れるものを用い、前記ＮＮＯ複合体の吸収ピークとして、波数９９６ｃｍ−１に現れるものを用い、前記ＮＮＯ２複合体の吸収ピークとして、波数１０１８ｃｍ−１に現れるものを用いることを特徴とする請求項１０又は１１に記載のシリコン結晶中の窒素濃度測定方法。
【請求項１３】
前記ＮＮＯ複合体、ＮＮＯ２複合体の窒素濃度測定用換算係数は、
前記シリコン結晶中の窒素濃度が、ＮＮペアの窒素濃度測定用換算係数とＮＮペアに対応する吸収ピークとの積と、ＮＮＯ複合体の窒素濃度測定用換算係数とＮＮＯ複合体に対応する吸収ピークとの積と、ＮＮＯ２複合体の窒素濃度測定用換算係数とＮＮＯ２複合体に対応する吸収ピークとの積と、の和に等しくなるという条件に基づいて求められたことを特徴とする請求項１１に記載のシリコン結晶中の窒素濃度測定方法。
【請求項１４】
前記ＮＮペアの窒素濃度測定用換算係数は、予め測定されたものであることを特徴とする請求項１０又は１３に記載のシリコン結晶中の窒素濃度測定方法。
【請求項１５】
前記ＮＮペアの窒素濃度測定用換算係数は、
予め窒素濃度の測定されたＦＺ法で作製されたＦＺシリコン結晶を準備する工程と、
前記ＦＺシリコン結晶の赤外線吸収スペクトルを測定し、ＮＮペアに対応する吸収ピークの強度を求める工程と、
前記予め測定された窒素濃度と前記ＮＮペアに対応する吸収ピークとに基づいて求められたものであることを特徴とする請求項１４に記載のシリコン結晶中の窒素濃度測定方法。
【請求項１６】
前記ＮＮペアの窒素濃度測定用換算係数は、１．８３×１０１７であることを特徴とする請求項１０又は１４に記載のシリコン結晶中の窒素濃度測定方法。
【請求項１７】
前記異なる条件での処理は、前記準備された複数のリファレンス用シリコン結晶の窒素濃度を異ならせる処理であることを特徴とする請求項１１に記載のシリコン結晶中の窒素濃度測定方法。
【請求項１８】
前記異なる条件での処理は、前記準備された複数のリファレンス用シリコン結晶の加熱温度を異ならせる処理であることを特徴とする請求項１１に記載のシリコン結晶中の窒素濃度測定方法。
【請求項１９】
前記加熱処理によって、複数のリファレンス用シリコン結晶をそれぞれ準熱平衡状態に至らしめることを特徴とする請求項１８に記載のシリコン結晶中の窒素濃度測定方法。
【請求項２０】
窒素が添加されたシリコン単結晶を引き上げる工程と、
引き上げられたシリコン単結晶インゴットから複数のシリコンウェーハを切り出す工程と、
前記シリコンウェーハの赤外線吸収スペクトルを測定し、ＮＮペア、ＮＮＯ複合体、ＮＮＯ２複合体に対応する吸収ピークの強度をそれぞれ求める工程と、
予め求められたＮＮペアの窒素濃度測定用換算係数と前記ＮＮペアの吸収ピークの強度とを乗じて、ＮＮペアの窒素濃度を算出する工程と、
予め求められたＮＮＯ複合体の窒素濃度測定用換算係数と前記ＮＮＯ複合体の吸収ピークの強度とを乗じて、ＮＮＯ複合体の窒素濃度を算出する工程と、
予め求められたＮＮＯ２複合体の窒素濃度測定用換算係数と前記ＮＮＯ２複合体に対応する吸収ピークの強度とを乗じて、ＮＮＯ２複合体の窒素濃度を算出する工程と、
前記ＮＮペアの窒素濃度と前記ＮＮＯ複合体の窒素濃度と前記ＮＮＯ２複合体の窒素濃度との和を算出することで、前記シリコンウェーハ中の窒素濃度を求める工程と、
前記シリコンウェーハ中の窒素濃度が、予め定められた範囲内かどうか判断する工程と、
を有することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項２１】
前記判断する工程は、前記窒素濃度が予め定められた範囲内であれば、前記シリコンウェーハについて合格とし、前記窒素濃度が予め定められた範囲外であれば、前記シリコンウェーハについて不合格とすることを特徴とする請求項２０に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項２２】
前記ＮＮＯ複合体の窒素濃度測定用換算係数、前記ＮＮＯ２複合体の窒素濃度測定用換算係数のそれぞれは、
複数の異なる条件で処理され、予め窒素濃度の測定された複数のリファレンス用シリコン結晶を準備する工程と、
前記リファレンス用シリコン結晶それぞれについて、赤外線吸収スペクトルを測定し、ＮＮペア、ＮＮＯ複合体、ＮＮＯ２複合体に対応する吸収ピークの強度をそれぞれ求める工程と、
前記求めた前記吸収ピークの強度と、前記リファレンス用シリコン結晶の窒素濃度に基づいて、ＮＮＯ複合体、ＮＮＯ２複合体の窒素濃度測定用換算係数をそれぞれ求める工程と、
によって、予め算出されている
ことを特徴とする請求項２０又は２１に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項２３】
前記ＮＮペアの窒素濃度測定用換算係数は、予め測定されたものであることを特徴とする請求項２０〜２２のいずれか１項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項２４】
窒素濃度が予め定められた範囲内であると判断された評価用シリコンウェーハと同一のシリコンインゴットから切り出されたシリコンウェーハを準備する工程と、
前記準備されたシリコンウェーハ上に半導体素子を形成する工程と、
を有し、
前記窒素濃度は、
前記評価用シリコンウェーハの赤外線吸収スペクトルを測定し、ＮＮペア、ＮＮＯ複合体、ＮＮＯ２複合体に対応する吸収ピークの強度をそれぞれ求める工程と、
予め求められたＮＮペアの窒素濃度測定用換算係数と前記ＮＮペアの吸収ピークの強度とを乗じて、ＮＮペアの窒素濃度を算出する工程と、
予め求められたＮＮＯ複合体の窒素濃度測定用換算係数と前記ＮＮＯ複合体の吸収ピークの強度とを乗じて、ＮＮＯ複合体の窒素濃度を算出する工程と、
予め求められたＮＮＯ２複合体の窒素濃度測定用換算係数と前記ＮＮＯ２複合体に対応する吸収ピークの強度とを乗じて、ＮＮＯ２複合体の窒素濃度を算出する工程と、
前記ＮＮペアの窒素濃度と前記ＮＮＯ複合体の窒素濃度と前記ＮＮＯ２複合体の窒素濃度との和を算出することで、前記評価用シリコンウェーハ中の窒素濃度を求める工程と、によって算出されたものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
前記ＮＮＯ複合体の窒素濃度測定用換算係数、前記ＮＮＯ２複合体の窒素濃度測定用換算係数のそれぞれは、
複数の異なる条件で処理され、予め窒素濃度の測定された複数のリファレンス用シリコン結晶を準備する工程と、
前記リファレンス用シリコン結晶それぞれについて、赤外線吸収スペクトルを測定し、ＮＮペア、ＮＮＯ複合体、ＮＮＯ２複合体に対応する吸収ピークの強度をそれぞれ求める工程と、
前記求めた前記吸収ピークの強度と、前記リファレンス用シリコン結晶の窒素濃度に基づいて、ＮＮＯ複合体、ＮＮＯ２複合体の窒素濃度測定用換算係数をそれぞれ求める工程と、
によって、予め算出されている
ことを特徴とする請求項２４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
前記ＮＮペアの窒素濃度測定用換算係数は、予め測定されたものであることを特徴とする請求項２４又は２５に記載の半導体装置の製造方法。