【手続補正書】
【提出日】平成20年8月13日(2008.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのシリコン含有部分と少なくとも１つの塩基水溶液に可溶な部分とを備えたポリマーを含む上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項２】
前記反射防止コーティング及び障壁層材料は、１．５から１．７までの屈折率を有する、請求項１に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項３】
前記ポリマーは、少なくとも１つのフッ素含有部分をさらに備える、請求項１に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項４】
前記シリコン含有部分は、Ｓｉ−Ｓｉ、Ｓｉ−Ｃ、Ｓｉ−Ｎ又はＳｉ−Ｏを含む、請求項１に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項５】
前記シリコン含有部分はＳｉＯを含み、前記ポリマーは有機シロキサンである、請求項１に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項６】
前記ポリマーは有機シルセスキオキサンである、請求項５に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項７】
前記少なくとも１つの塩基水溶液に可溶な部分は、ヒドロキシル、カルボン酸、スルホンアミド、ジカルボキシイミド、Ｎ−ヒドロキシジカルボキシイミド、アミノ基、及びイミノ基からなる群から選択される、請求項１に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項８】
前記少なくとも１つの塩基水溶液に可溶な部分はフルオロアルコールである、請求項７に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項９】
前記フルオロアルコールは、トリフルオロカルビノール又はヘキサフルオロカルビノールである、請求項８に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項１０】
前記ポリマーは、少なくとも１つの酸に不安定な部分をさらに備える、請求項１に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項１１】
１−ブタノール、メタノール、エタノール、１−プロパノール、エチレングリコール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、１，２−プロパンジオール、１−メチル−２−ブタノール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、１−ヘキサノール、２−ヘキサノール、３−ヘキサノール、１−ヘプタノール、２−ヘプタノール、３−ヘプタノール、４−ヘプタノール、２−メチル−１−ペンタノール、２−メチル−２−ペンタノール、２−メチル−３−ペンタノール、３−メチル−１−ペンタノール、３−メチル−２−ペンタノール、３−メチル−３−ペンタノール、４−メチル−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、２，４−ジメチル−３−ペンタノール、３−エチル−２−ペンタノール、１−メチルシクロペンタノール、２−メチル−１−ヘキサノール、２−メチル−２−ヘキサノール、２−メチル−３−ヘキサノール、３−メチル−３−ヘキサノール、４−メチル−３−ヘキサノール、５−メチル−１−ヘキサノール、５−メチル−２−ヘキサノール、５−メチル−３−ヘキサノール、４−メチルシクロヘキサノール、及び１，３−プロパンジオールから成る群から選択される少なくとも１つの溶媒をさらに含む、請求項１に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項１２】
前記ポリマーは構造
【化１】
2008519297.tif 000001
を有する少なくとも１つのモノマーを含み、Ｒ１は塩基水溶液に可溶な部分を含み、ｘは１から１．９５までである、請求項６に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項１３】
前記塩基水溶液に可溶な部分は、ヒドロキシル、カルボン酸、スルホンアミド、ジカルボキシイミド、Ｎ−ヒドロキシ−ジカルボキシイミド、アミノ基、及びイミノ基から成る群から選択される、請求項１２に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項１４】
前記塩基水溶液に可溶な部分はフルオロアルコールである、請求項１３に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項１５】
前記ポリマーは、構造
【化２】
2008519297.tif 000002
を有する少なくとも１つのモノマーを含み、
各々のＲ２は、フッ素、フッ素化された直鎖又は分岐アルキル、フルオロシクロアルキル、フルオロアリール、及びそれらの任意の組合せから成る群から独立に選択され、
各々のＡは、酸素原子、イオウ原子、ＮＲ３、直鎖又は分岐アルキル、直鎖又は分岐フルオロアルキル、シクロアルキル又はフルオロシクロアルキル、及びフルオロアリールから成る群から独立に選択され、ｐは０又は１であり、
各々のＲ３は、水素、ハロゲン、直鎖又は分岐アルキル、直鎖又は分岐フルオロアルキル、シクロアルキル、フルオロシクロアルキル、フルオロアリール、及びそれらの任意の組合せから成る群から独立に選択される、請求項１に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項１６】
Ｒ２及びＲ３は、酸素、イオウ及び窒素のうち少なくとも１つをさらに含む、請求項１５に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項１７】
前記少なくとも１つのモノマーは、
【化３】
2008519297.tif 000003
から成る群から選択される、請求項１５に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項１８】
前記ポリマーは、構造
【化４】
2008519297.tif 000004
を有する少なくとも１つのコモノマーをさらに含み、Ｒ４は、ラクトン、無水物、エステル、エーテル及びアルコールから成る群から選択される有機極性部分を含み、ｘは１から１．９５までである、請求項１２に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項１９】
前記コモノマーは、
【化５】
2008519297.tif 000005
から成る群から選択される、請求項１８に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項２０】
前記ポリマーは、構造
【化６】
2008519297.tif 000006
を有する少なくとも１つのコモノマーをさらに含み、Ｒ５は、ｔ−ブチルエステル、無水物、エステル、エーテル及びアルコールから成る群から選択される酸に不安定な部分を含み、ｘは１から１．９５までである、請求項１２に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項２１】
前記酸に不安定な部分は、
【化７】
2008519297.tif 000007
及び
【化８】
2008519297.tif 000008
から成る群から選択され、Ｒ６は、第３アルキル基、１−アルコキシエチル基、アルコキシメチル基、３−オキソアルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、トリアルキルシリルエステル基、３−オキソシクロヘキシルエステル基、２−メチル−２−アダマンチル基、２−メチル−２−イソボルニル基、２−エチル−２−テトラシクロドデセニル、メバロン酸ラクトン残基、及び２−（γ−ブチロラクトニル−オキシカルボニル）−２−プロピル基から成る群から選択され、Ｘは、酸素、イオウ、−ＮＨ−、−ＮＨＳＯ２−及び−ＮＨＳＯ２ＮＨ−から成る群から選択される、請求項２０に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項２２】
前記少なくとも１つのコモノマーは、
【化９】
2008519297.tif 000009
から成る群から選択される、請求項２１に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
【請求項２３】
基板上にパターン付けされた材料層を形成する方法であって、
表面上に材料層を有する基板を準備して、前記基板上にフォトレジスト組成物を堆積して前記材料層上にフォトレジスト層を形成するステップと、
前記フォトレジスト層の上に上面反射防止コーティング及び障壁層材料を塗布し、それによってコーティングされた基板を形成するステップであって、前記上面反射防止コーティング及び障壁層材料は、少なくとも１つのシリコン含有部分と少なくとも１つの塩基水溶液に可溶な部分を含む、ステップと、
前記コーティングされた基板を画像形成放射でパターン状に露光するステップと、
前記上面反射防止コーティング及び障壁層材料と前記フォトレジスト層の部分とを同時に前記コーティングされた基板から除去して、前記材料層上にパターン付けされたフォトレジスト層を形成するステップと、
前記フォトレジスト層のパターンを前記材料層に転写するステップと
を含む方法。
【請求項２４】
前記上面反射防止コーティング及び障壁層材料と前記フォトレジスト層の部分とは、前記レジスト層を塩基性水溶液の現像液に接触させることによって除去され、前記塩基性水溶液の現像液は、０．２６３Ｎのテトラメチルアンモニウムヒドロキシドである、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記材料層は、セラミック、誘電体、金属及び半導体から成る群から選択される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記画像形成放射は１９３ｎｍ放射、１５７ｎｍ放射、及び２４８ｎｍ放射から選択される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
前記コーティングされた基板を画像形成放射でパターン状に露光する前に、画像形成媒体を前記コーティングされた基板に塗布するステップをさらに含む、請求項２３に記載の方法。