Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月27日(2007.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の異なるデータストリームを有するコンテンツ送信システムのレシーバレベルにおいてサービスリストを管理する方法であって、
所与のストリームに新しいサービスを検知したとき、他のストリームのサービスリストに前記新しいサービスが入っているかどうか、この新しいサービスがすでに入っているときは、前記保持されているサービスが品質パラメータの最良値を有するかどうかをチェックするステップを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記チェックの結果が否定的であるときのみ、前記リストを更新するために、前記システムにおいて送信された前記サービスの一般検索をプログラムするステップを有することを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記一般検索の実施はユーザの許可の下に置かれることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項２または３に記載の方法であって、
前記レシーバの起動により前記送信されたサービスの一般検索がなされることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記リストはその識別子が最良品質を有するサービスの識別子により更新され、前記サービスの他のバージョンは消去されることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、前記リストは両方のサービスの前記識別子により更新され、前記リストから優先的に抽出される前記識別子は、より良い品質のサービスを表す識別子であることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１乃至６いずれか一項に記載の方法であって、前記品質パラメータは前記ストリームのデータビットエラーレートを表すことを特徴とする方法。
【請求項８】
複数の異なるデータストリームを有するコンテンツ送信システムのレシーバであって、
前記システムで送信されたサービスのリストを決定する手段を有し、
前記手段は、所与のストリーム上の新しいサービスの送信を検知し、前記新しいサービスは他のストリームのサービスリストにすでに入っているかどうか、前記新しいサービスがすでに入っているときは、前記保持されているサービスが品質パラメータの最良値を有するかどうかをチェックするために設けられたことを特徴とするレシーバ。
【請求項９】
請求項８に記載のレシーバであって、
新しいサービスを検知した後、前記リストの更新を可能とするユーザ入力をエントリする手段を有することを特徴とするレシーバ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月10日(2007.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（a）配列番号：１で表されるアミノ酸配列と同一もしくは実質的に同一のアミノ酸配列を含有する蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩および（b）該蛋白質またはその塩と特異的に結合する能力を有するリガンドを用いることを特徴とする、該蛋白質またはその塩と該リガンドとの結合性を変化させる化合物またはその塩のスクリーニング方法。
【請求項２】
リガンドがレチノイドまたはその類縁体である請求項１記載のスクリーニング方法。
【請求項３】
リガンドが、下式：
【化１】
2005102692.tif 000001
〔式中、Ｒは置換基を有していてもよい炭化水素基またはアシルを示す。〕で表される化合物またはその塩である請求項１記載のスクリーニング方法。
【請求項４】
Ｒがヒドロキシメチル、ホルミルまたは４−ヒドロキシフェニルカルバモイルである請求項３記載のスクリーニング方法。
【請求項５】
リガンドが、全trans-レチノール、全trans-レチナールまたは4-ヒドロキシフェニルレチナミドである請求項１記載のスクリーニング方法。
【請求項６】
配列番号：１で表されるアミノ酸配列と実質的に同一のアミノ酸配列が、配列番号：２、配列番号：３または配列番号：４で表されるアミノ酸配列である請求項１記載のスクリーニング方法。
【請求項７】
（a）配列番号：１で表されるアミノ酸配列と同一もしくは実質的に同一のアミノ酸配列を含有する蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩と特異的に結合する能力を有するリガンドを、該蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩に接触させた場合と、（b）該リガンドおよび試験化合物を、該蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩に接触させた場合における、該リガンドの該蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩に対する結合量を測定し、比較する、請求項１記載のスクリーニング方法。
【請求項８】
（a）配列番号：１で表されるアミノ酸配列と同一もしくは実質的に同一のアミノ酸配列を含有する蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩と特異的に結合する能力を有するリガンドを、該蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩を含有する細胞または該細胞の膜画分に接触させた場合と、（b）該リガンドおよび試験化合物を、該蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩を含有する細胞または該細胞の膜画分に接触させた場合における、該リガンドの該細胞または該膜画分に対する結合量を測定し、比較する、請求項１記載のスクリーニング方法。
【請求項９】
配列番号：１で表されるアミノ酸配列と同一もしくは実質的に同一のアミノ酸配列を含有する蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩が、該蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩をコードするＤＮＡを含有する形質転換体を培養することによって細胞膜上に発現した蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩である請求項８記載のスクリーニング方法。
【請求項１０】
リガンドが、標識したリガンドである請求項７〜請求項９のいずれか1項に記載のスクリーニング方法。
【請求項１１】
（a）配列番号：１で表されるアミノ酸配列と同一もしくは実質的に同一のアミノ酸配列を含有する蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩と特異的に結合する能力を有するリガンドを、該蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩に接触させた場合と、（b）該リガンドおよび試験化合物を、該蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩に接触させた場合における、該蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩を介した細胞刺激活性を測定し、比較する、請求項１記載のスクリーニング方法。
【請求項１２】
（a）配列番号：１で表されるアミノ酸配列と同一もしくは実質的に同一のアミノ酸配列を含有する蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩と特異的に結合する能力を有するリガンドを、該蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩を含有する細胞または該細胞の膜画分に接触させた場合と、（b）該リガンドおよび試験化合物を、該蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩を含有する細胞または該細胞の膜画分に接触させた場合における、該蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩を介した細胞刺激活性を測定し、比較する、請求項１記載のスクリーニング方法。
【請求項１３】
配列番号：１で表されるアミノ酸配列と同一もしくは実質的に同一のアミノ酸配列を含有する蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩が、該蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩をコードするＤＮＡを含有する形質転換体を培養することによって細胞膜上に発現した蛋白質もしくはその部分ペプチドまたはその塩である請求項１２記載のスクリーニング方法。
【請求項１４】
（a）配列番号：１で表されるアミノ酸配列と同一もしくは実質的に同一のアミノ酸配列を含有する蛋白質またはその塩および（b）該蛋白質またはその塩と特異的に結合する能力を有するリガンドを含有することを特徴とする、該蛋白質またはその塩と該リガンドとの結合性を変化させる化合物またはその塩のスクリーニング用キット。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月21日(2006.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】  請求項１乃至９のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に記録を行なう手段と、前記磁気抵抗効果膜に記録された情報を読み出す手段と、を有することを特徴とするメモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月1日(2006.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に半田を介在させて電子部品を装着させる装着作業部（１１２０、１１２１、１１２２）と、上記半田をリフローさせて上記電子部品を上記基板上に固定させて実装基板を生産するリフロー作業部（１１３０）とを備えて、上記装着作業部及び上記リフロー作業部に上記基板を搬送させながら、上記基板より上記実装基板を生産する実装基板生産装置（１１０１）において、
上記装着作業部又は上記リフロー作業部のいずれか一方を有し、かつ上記基板の搬送方向に沿って基準寸法の整数倍の寸法を有する第１ユニット装置（１００１ａ）と、
上記装着作業部又は上記リフロー作業部のいずれか他方を有し、かつ上記基板の上記搬送方向に沿って上記基準寸法の２以上の整数倍の寸法を有する第２ユニット装置（１００１ｂ）とを備え、
上記装着作業部を有するユニット装置は、上記基板（８）に上記電子部品（９９）を装着する電子部品装着装置であって、上記電子部品装着装置は、上記電子部品を供給する電子部品供給部（５）と、上記搬送方向に上記基板を、基板待機位置（Ｐ１，Ｐ３）から部品装着位置（Ｐ２）に、さらに、上記部品装着位置から部品装着位置外にそれぞれ搬送可能な搬送部（７７，７８）と、上記電子部品供給部から上記部品を保持したのち保持された上記部品を複数の基板にそれぞれ装着する複数のヘッド部（４１）と、上記電子部品供給部と上記基板との間で上記複数のヘッド部をそれぞれ移動させる駆動部（４２，４３）と、を備え、
上記第１ユニット装置及び上記第２ユニット装置は、上記搬送方向に沿って連設されて、移動可能に固定される実装基板生産装置。
【請求項２】  上記第１ユニット装置及び上記第２ユニット装置の各ユニット装置（１００１）は、
上記搬送方向沿いに上記ユニット装置を固定する固定機構（１０１０、１０６０）と、
上記固定機構による上記ユニット装置の固定を解除して、上記搬送方向沿いから上記ユニット装置を移動させる移動機構（１０２０）とを備える請求項１に記載の実装基板生産装置。
【請求項３】  上記固定機構は、
上記ユニット装置の機台下部に固定された複数の支柱昇降機構（１０１１、１０６１）と、
上記機台より上記ユニット装置の設置面（１００５）に対して昇降可能に上記各支柱昇降機構に取り付けられた支柱（１０１２、１０６２）とを備え、
上記移動機構は、上記ユニット装置の上記機台下部に固定され、かつ上記ユニット装置を移動可能に上記設置面に対して支持可能な複数の車輪（１０２１）を備え、
上記各支柱昇降機構により上記各支柱を下降させて、上記各車輪を上記設置面より浮かして、上記各支柱により上記設置面に対して上記ユニット装置を支持することにより、上記ユニット装置を固定させ、
上記各支柱昇降機構により上記各支柱を上昇させて、上記各車輪により上記設置面に対して上記ユニット装置を支持することにより、上記ユニット装置を移動可能とさせる請求項２に記載の実装基板生産装置。
【請求項４】  上記支柱昇降機構はシリンダ（１０１１）を備え、上記シリンダを作動させることにより、上記支柱昇降機構に取り付けられた上記支柱を昇降させる請求項３に記載の実装基板生産装置。
【請求項５】  上記支柱は、ねじ軸部（１０６２）であり、上記支柱昇降機構は、上記ねじ軸部に螺合したナット部（１０６１）であり、上記ねじ軸部を上記ナット部に対して相対的に正逆回転させることにより、上記支柱昇降機構に取り付けられた上記支柱を昇降させる請求項３に記載の実装基板生産装置。
【請求項６】  上記固定機構は、さらに、上記支柱昇降機構により下降された上記支柱の先端部（１０１２ａ）と係合可能な凹部（１０１３ａ）を有しかつ上記設置面上に設置される支柱受部（１０１３、１０６３）とを備える請求項３に記載の実装基板生産装置。
【請求項７】  電子部品を供給する電子部品供給部（５）と、基板の搬送方向に上記基板を、基板待機位置（Ｐ１，Ｐ３）から部品装着位置（Ｐ２）に、さらに、上記部品装着位置から部品装着位置外にそれぞれ搬送可能な搬送部（７７，７８）と、上記電子部品供給部から上記部品を保持したのち保持された上記部品を複数の基板にそれぞれ装着する複数のヘッド部（４１）と、上記電子部品供給部と上記基板との間で上記複数のヘッド部をそれぞれ移動させる駆動部（４２，４３）と、を備える電子部品装着装置であって上記基板上に半田を介在させて上記電子部品を装着させて実装基板を生産する実装基板生産装置用電子部品装着装置（１００１、１１２０、１１２１、１１２２）において、
上記電子部品装着装置を固定する固定機構（１０１０、１０６０）と、
上記固定機構による上記電子部品装着装置の固定を解除して、上記電子部品装着装置を移動させる移動機構（１０２０）とを備え、
上記固定機構は、
上記電子部品装着装置の機台下部に固定された複数の支柱昇降機構（１０１１、１０６１）と、
上記機台より上記電子部品装着装置の設置面（１００５）に対して昇降可能に上記各支柱昇降機構に取り付けられた支柱（１０１２、１０６２）とを備え、
上記移動機構は、上記電子部品装着装置の上記機台下部に固定され、かつ上記電子部品装着装置を移動可能に上記設置面に対して支持可能な複数の車輪（１０２１）を備え、
上記各支柱昇降機構により上記各支柱を下降させて、上記各車輪を上記設置面より浮かして、上記各支柱により上記設置面に対して上記電子部品装着装置を支持することにより、上記電子部品装着装置を固定させ、
上記各支柱昇降機構により上記各支柱（１０１２、１０６２）を上昇させて、上記各車輪により上記設置面に対して上記電子部品装着装置を支持することにより、上記電子部品装着装置を移動可能とさせる実装基板生産装置用電子部品装着装置。
【請求項８】  上記ヘッド部は、上記電子部品供給部から供給される上記電子部品を上記基板上に装着する装着部とこの基板を認識をする認識部とを有し、
上記ヘッド部を上記基板の搬送方向であるＸ方向に移動させるＸ軸方向移動装置（７１２）と、
上記このＸ軸方向移動装置を上記Ｘ方向と直交するＹ方向に移動させるＹ軸方向移動装置（７０４）とを有し、
上記Ｙ軸方向移動装置の下方でかつ上記基板の上方に上記Ｘ軸方向移動装置が配置されている電子部品装着装置。
【請求項９】  上記基板に上記電子部品を装着させる部品装着位置のほぼ真上に上記Ｙ軸方向移動装置が配置されている請求項８に記載の電子部品装着装置。
【請求項１０】  上記Ｘ軸方向移動装置がリニアモータで構成される請求項８に記載の電子部品装着装置。
【請求項１１】  上記装着部に対して上記認識部が上記Ｙ方向にずれて配置されている請求項８に記載の電子部品装着装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月31日(2007.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板に複数個形成され、各々、可動部を有する微小構造体を含むチップ毎に第２基板とともにダイシングされたセンサチップを備え、
前記第１基板は、前記ダイシングの前において、パッケージの際の前記センサチップの台座として用いられる前記第２基板と第１の接着層を用いて接着され、
前記センサチップと、前記センサチップの台座とを収納するためのハウジングと、
前記ハウジングに収納するために、前記センサチップの台座と前記ハウジングとを接着するための第２の接着層とをさらに備え、
前記複数のセンサチップの各々の可動部の動きにより出力される電気的特性を評価するテストは、前記第１基板と前記第２基板とが接着された状態で行なわれる、微小構造体を有する半導体装置。
【請求項２】
前記第２の接着層は、各前記センサチップの台座と前記ハウジングとの接着面積が各前記センサチップの台座の面積よりも小さくなるように形成される、請求項１記載の微小構造体を有する半導体装置。
【請求項３】
前記第１の接着層は、前記第２基板上の領域において、前記第１基板の各前記センサチップの前記可動部を形成する領域に対向する領域を除く領域に形成される、請求項１記載の微小構造体を有する半導体装置。
【請求項４】
前記第１および第２基板は、シリコン基板に相当する、請求項１記載の微小構造体を有する半導体装置。
【請求項５】
各前記センサチップは、加速度センサ、圧力センサおよびマイクロフォンの少なくとも１つに相当する、請求項１記載の微小構造体を有する半導体装置。
【請求項６】
第１基板に各々が、可動部を有する微小構造体を含む複数のセンサチップを形成するステップと、
前記第１基板と、パッケージの際に各前記センサチップの台座として用いられる第２基板とを第１の接着層を用いて接着するステップと、
前記第１基板と前記第２基板とが接着された状態で、前記複数のセンサチップの各々の可動部の動きにより出力される電気的特性を評価するテストを実行するステップと、
接着された前記第１および第２基板をダイシングにより各々のセンサチップに分離するステップと、
ダイシング後の前記パッケージの際に、前記第１および第２基板の各前記センサチップおよび各前記センサチップの台座を収納するハウジングに収納するために、各前記センサチップの台座と前記ハウジングとを第２の接着層を用いて接着するステップとを備える、微小構造体の製造方法。
【請求項７】
前記第１の接着層は、前記第２基板上の領域において、前記第１基板の各前記センサチップの前記可動部を形成する領域に対向する領域を除く領域に形成される、請求項６記載の微小構造体の製造方法。
【請求項８】
前記第２の接着層は、各前記センサチップの台座と前記ハウジングとの接着面積が各前記センサチップの台座の面積よりも小さくなるように形成される、請求項６記載の微小構造体の製造方法。
【請求項９】
前記テストを実行するステップは、前記第２基板に対して真空吸着を実行して検査部に対して搬送するステップを含む、請求項６記載の微小構造体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月6日(2007.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フリップ実装型の発光素子と、
前記発光素子を搭載する無機材料からなる基板と、
前記発光素子を封止するガラスからなる封止部と、
前記ガラスで形成される略半球状の光学形状部と、
前記光学形状部を覆って設けられ、蛍光体を含有した無機材料からなる蛍光体部とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記蛍光体部は、前記封止部より大なる熱膨張率を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記蛍光体部は、
屈折率の異なる材料を交互に積層して多層化されたダイクロイックミラーと、
前記ダイクロイックミラーと積層される蛍光体層とを有することを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記蛍光体部は、フッ化物低融点ガラスを含むものであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記光学形状部は、前記発光素子の幅との比が２１／２以上１０以下となるサイズであることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上記目的を達成するため、フリップ実装型の発光素子と、前記発光素子を搭載する無機材料からなる基板と、前記発光素子を封止するガラスからなる封止部と、前記ガラスで形成される略半球状の光学形状部と、前記光学形状部を覆って設けられ、蛍光体を含有した無機材料からなる蛍光体部とを有することを特徴とする発光装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月5日(2007.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
メッセージ解読部１３２は、通信部１３１により受信された発信側メッセージを取得し、取得したものに含まれるデジタル音声情報及び付加情報を取り出す。取り出されたデジタル音声情報及び付加情報は制御部１３８に送られる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
メッセージ蓄積部１３７は、音声対話装置１１から送出された発信側メッセージから取り出された検索内容を蓄積する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
前述のようなコネクション確立処理を行った後、音声対話装置１１、音声対話制御装置１３及び音声対話装置１２の間で行われる音声通信について説明する。図７は、コネクション確立処理後における図１に示す音声対話装置１１、音声対話制御装置１３及び音声対話装置１２のそれぞれの動作を示すシーケンス図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
まず、前述したように、発信側ユーザは、音声対話装置１１の対話開始部１１４を操作しながら、検索内容を表す音声をマイク１１２に入力する。検索内容を表す音声としては、「中華を食べたい。」が例示される。これに応答して、音声対話装置１１では、図５を参照して説明したような最初の発信者メッセージが作成される。また、音声対話制御装置１３は、この発信者メッセージに含まれる検索内容をメッセージ蓄積部１３７に蓄積し、さらに、この発信者メッセージを使って、図５を参照して説明したように、発信側ユーザと今回対話すべき着信側ユーザが検索され、音声対話装置１１及び１２の間でコネクションが確立される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月14日(2007.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
このソース側の構造は、以下の概略プロセスで形成することができる。トレンチ形成とイオン注入後に活性化熱処理して、ｎ＋ソース領域とｐゲート領域を形成し、ＣＶＤ（ Chemical Vapor Deposition ）等で酸化膜を全面に成長させ、エッチバックで不要な部分を除去する。Ｎｉ薄膜を全面に形成後に熱処理すると、ＳｉＣ上だけがＮｉシリサイド化するため、セルフアライン（ Self-align ）でシリサイド化したソース電極が形成された後に、Ａｌを全面に形成し、ソース配線とすればよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月14日(2007.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも第１電極層、厚膜誘電体層、発光層、および第２電極層の各層が順に積層されており、前記厚膜誘電体層は誘電体粉体どうしが固着して構成されたものであって、前記誘電体粉体のメジアン粒径が０．３μｍ以下であることを特徴とするエレクトロルミネセンス素子。
【請求項２】
前記厚膜誘電体層が１層で構成されていることを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネセンス素子。
【請求項３】
基板上に、少なくとも第１電極層、厚膜誘電体層、発光層、および第２電極層の各層が順に積層されており、前記厚膜誘電体層は誘電体粉体どうしが固着して構成されたものであって、前記厚膜誘電体層が前記発光層側の層および前記第１電極層側の層の２層で構成されており、かつ前記発光層側の層を構成する前記誘電体粉体のメジアン粒径Bと前記第１電極層側の層を構成する前記誘電体粉体のメジアン粒径AとがA＞Bの関係を満たすことを特徴とするエレクトロルミネセンス素子。
【請求項４】
前記発光層側の層を構成する前記誘電体粉体のメジアン粒径Bが０．３μｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載のエレクトロルミネセンス素子。
【請求項５】
前記の０．３μｍ以下である前記誘電体粉体のメジアン粒径が、０．３μｍ以下、かつ０．０５μｍ以上であることを特徴とする請求項１、２および４いずれかに記載のエレクトロルミネセンス素子。
【請求項６】
基板上に、少なくとも第１電極層、厚膜誘電体層、発光層、および第２電極層の各層が順に積層されており、前記厚膜誘電体層は誘電体粉体どうしが固着して構成されたものであって、前記厚膜誘電体層の前記発光層側の面の光沢度Ｇが以下の関係式（１）を満たすことを特徴とするエレクトロルミネセンス素子。
Ｇ／ＧF＞０．５３  （１）
（式（１）中、ＧFはＪＩＳ  Ｚ  ８７４１における式（４）および式（５）を用いて求められたＧS（θ）である。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第３の発明は、基板上に、少なくとも第１電極層、厚膜誘電体層、発光層、および第２電極層の各層が順に積層されており、前記厚膜誘電体層は誘電体粉体どうしが固着して構成されたものであって、前記厚膜誘電体層が前記発光層側の層および前記第１電極層側の層の２層で構成されており、かつ前記発光層側の層を構成する前記誘電体粉体のメジアン粒径Bと前記第１電極層側の層を構成する前記誘電体粉体のメジアン粒径AとがA＞Bの関係を満たすことを特徴とするエレクトロルミネセンス素子に関するものである。また、第４の発明は、第３の発明において前記発光層側の層を構成する前記誘電体粉体のメジアン粒径Bが０．３μｍ以下であることを特徴とするエレクトロルミネセンス素子に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第５の発明は、第１、第２および第４いずれかの発明において、前記の０．３μｍ以下である前記誘電体粉体のメジアン粒径が、０．３μｍ以下、かつ０．０５μｍ以上であることを特徴とするエレクトロルミネセンス素子に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第６の発明は、基板上に、少なくとも第１電極層、厚膜誘電体層、発光層、および第２電極層の各層が順に積層されており、前記厚膜誘電体層は誘電体粉体どうしが固着して構成されたものであって、前記厚膜誘電体層の前記発光層側の面の光沢度Ｇが以下の関係式（１）を満たすことを特徴とするエレクトロルミネセンス素子に関するものである。
Ｇ／ＧF＞０．５３  （１）
（式（１）中、ＧFはＪＩＳ  Ｚ  ８７４１における式（４）および式（５）を用いて求められたＧS（θ）である。）
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第３の発明によれば、厚膜誘電体層を２層で構成し、発光層側の層を構成する誘電体層の誘電体粉体のメジアン粒径Ｂと、第1電極層側の層を構成する誘電体粉体のメジアン粒径Ａが、Ａ＞Ｂの関係を満たすことにより、厚膜誘電体層の発光層側の表面の平坦化を可能とし、かつ２層全体としての静電容量を確保したＥＬ素子を提供することができる。また、第４の発明によれば、前記発光層側の層を構成する前記厚膜誘電体粉体のメジアン粒径Ｂが０．３μm以下とすることにより、前記厚膜誘電体層の前記発光層側の表面の平坦化をより向上したＥＬ素子を提供することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第５の発明によれば、第１、第２および第４いずれかの発明の効果に加えて、誘電体粉体のメジアン粒径の下限を定めたので、厚膜誘電体層の静電容量の過度な低下が無いＥＬ素子を提供することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第６の発明によれば、厚膜誘電体層の表面の光沢度ＧとＪＩＳ  Ｚ  ８７４１に基づいて求められたＧF（ＧS（θ））との関係を定めたことにより、厚膜誘電体層上に発光層やその他の層を形成しても支障の生じることがなく、しかも、厚膜誘電体層の平坦さの評価を、下層の電極層等に起因するうねりの影響を排除して行なうことができ、厚膜誘電体層を形成する工程の管理が容易となるＥＬ素子を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月28日(2007.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
利用者からの操作内容、又はネットワークとの通信内容の少なくとも一方を逐次、イベント情報として記録する記録手段と、
前記記録手段によって記録されたイベント情報の数を時系列に集計し、作業量統計情報を生成する集計手段と、
前記作業量統計情報を提示する提示手段と、
を含むことを特徴とする業務支援装置。
【請求項２】
コンピュータを、
当該コンピュータに対する利用者からの操作内容、又はネットワークとの通信内容の少なくとも一方を逐次、イベント情報として記録する手段と、
前記記録手段によって記録されたイベント情報の数を時系列に集計し、作業量統計情報を生成する集計手段と、
前記作業量統計情報を提示する提示手段と、
して機能させることを特徴とするプログラム。
【請求項３】
請求項２に記載のプログラムにおいて、
前記記録されるイベント情報には、利用者から入力される業務種別の情報が関連づけて記録され、
前記集計手段として、業務種別情報ごとに前記集計を行って、業務種別情報ごとの作業量統計情報を生成するようコンピュータを機能させることを特徴とするプログラム。
【請求項４】
請求項２又は３に記載のプログラムにおいて、
利用者からの指示に基づき、業務中に発生した業務外処置の発生を記録する手順をコンピュータに実行させ、
前記提示手段として、前記作業量統計情報とともに、当該業務外処置の発生の記録に関する情報を併せて提示するよう、コンピュータを機能させることを特徴とするプログラム。
【請求項５】
請求項２から４のいずれか一項に記載のプログラムにおいて、
さらに、過去に記録された一連の前記イベント情報と、現在記録している一連のイベント情報とを比較する手段としてコンピュータを機能させ、
前記比較の結果が、今後利用者が行うべき操作の内容を案内する案内表示処理に供されることを特徴とするプログラム。
【請求項６】
コンピュータを用いた業務支援方法であって、
記録手段が、当該コンピュータに対する利用者からの操作内容、又はネットワークとの通信内容の少なくとも一方を逐次、イベント情報として記録し、
生成手段が、前記記録手段によって記録されたイベント情報の数を時系列に集計し、作業量統計情報を生成し、
提示手段が、前記作業量統計情報を提示する
ことを特徴とする業務支援方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月15日(2006.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影によって得られた撮影画像から、目的とする撮影対象の画像を取得して画像処理を行う画像処理装置において、
前記撮影対象画像の画素値に対応する画素値を有する画素が連続する領域を求め、求めた複数の領域のうち、面積が最大となる領域の画像を前記撮影対象画像として取得する画像取得部と、
前記画像取得部が取得した前記撮影対象画像の画像処理を行う画像処理部と、を備えた、
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記画像取得部は、前記撮影画像の各画素を走査して前記撮影対象画像の画素値に対応する画素値を有する画素を対象画素として取得し、取得した対象画素と前記対象画素に隣接する画素の画素値との対応関係に基づいて前記領域を判別する、
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記画像取得部は、前記連続した画素によって形成された領域のうち、前記撮影対象画像の領域よりも小さな領域の画像を前記撮影対象とともに撮影された撮影対象外の画像と判別し、前記撮影対象外の画像の画素値を予め設定された背景画素の画素値に変更して、前記撮影対象画像を取得する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記撮影画像の各画素の画素値を所定の閾値と比較し、比較結果に基づいて前記撮影画像の二値化画像を作成する二値化画像作成部を備え、
前記画像取得部は、前記二値化画像作成部が作成した二値化画像から、前記撮影対象画像に対応する画素値を有する画素を取得する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記画像取得部は、前記撮影画像の各画素を走査して前記対象画素を取得したときに、取得した対象画素に隣接する画素の画素値を参照し、既に走査された隣接画素が予め設定された背景画素の画素値を有する場合には、前記対象画素に新たに固有の値を付し、前記隣接画素に既に固有の値が付されたものがある場合には、前記対象画素に前記隣接画素と同じ値を付すことにより、前記対象画素と前記対象画素に隣接する画素の画素値との対応関係を求め、前記撮影画像の全画素を走査したときに、各画素に付された固有の値を参照して前記領域を判別する、
ことを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記画像処理部は、
前記画像取得部が取得した前記撮影対象画像の輪郭を取得して、前記画像の形状を取得する形状取得部と、
前記形状取得部が取得した前記撮影対象画像の形状と前記撮影対象の形状とを対応させて、前記撮影対象と前記撮影対象画像との関係を示す射影パラメータを求める射影パラメータ取得部と、
前記射影パラメータ取得部が求めた射影パラメータを用いて前記撮影対象画像の画像変換を行う画像変換部と、を備えた、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
撮影によって得られた元画像データを背景画素値と対象画素値とからなる二値化画像データに変換する二値化画像データ生成部と、
前記二値化画像データ生成部により変換生成された二値化画像データから、その画素値が連続して前記対象画素値となっている対象画素値領域を抽出する対象画素値領域抽出部と、
前記対象画素値領域抽出部により抽出された対象画素値領域のうち、その画素数が最大となっている対象画素値領域以外の対象画素値領域に対して、その画素値を前記背景画素値に置換した画素値置換部と、
前記画素値置換部により対象画素値領域の画素値が前記背景画素値に置換された二値化画像データに対するエッジ画像を生成するエッジ画像生成手段と、
前記エッジ画像生成手段により生成されたエッジ画像の外形形状に基づいて前記元画像データを補正する補正部と、
を備えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項８】
撮影対象を撮影する撮影装置の画像処理方法であって、
撮影によって得られた撮影画像から、目的とする撮影対象の画像の画素値に対応する画素値を有する画素が連続する領域を求めるステップと、
求めた領域が複数の場合、面積が最大となる領域の画像を前記撮影対象画像として取得するステップと、
前記取得した前記撮影対象の画像の画像処理を行うステップと、を備えた、
ことを特徴とする撮影装置の画像処理方法。
【請求項９】
コンピュータに、
撮影によって得られた撮影画像から、目的とする撮影対象の画像の画素値に対応する画素値を有する画素が連続する領域を求める手順、
求めた領域が複数の場合、面積が最大となる領域の画像を前記撮影対象画像として取得する手順、
前記取得した前記撮影対象の画像の画像処理を行う手順、
を実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記目的を達成するため、本発明の第２の観点に係る画像処理装置は、
撮影によって得られた元画像データを背景画素値と対象画素値とからなる二値化画像データに変換する二値化画像データ生成部と、
前記二値化画像データ生成部により変換生成された二値化画像データから、その画素値が連続して前記対象画素値となっている対象画素値領域を抽出する対象画素値領域抽出部と、
前記対象画素値領域抽出部により抽出された対象画素値領域のうち、その画素数が最大となっている対象画素値領域以外の対象画素値領域に対して、その画素値を前記背景画素値に置換した画素値置換部と、
前記画素値置換部により対象画素値領域の画素値が前記背景画素値に置換された二値化画像データに対するエッジ画像を生成するエッジ画像生成手段と、
前記エッジ画像生成手段により生成されたエッジ画像の外形形状に基づいて前記元画像データを補正する補正部と、を備えたことを特徴とする。
上記目的を達成するため、本発明の第３の観点に係る画像処理方法は、
撮影対象を撮影する撮影装置の画像処理方法であって、
撮影によって得られた撮影画像から、目的とする撮影対象の画像の画素値に対応する画素値を有する画素が連続する領域を求めるステップと、
求めた領域が複数の場合、面積が最大となる領域の画像を前記撮影対象画像として取得するステップと、
前記取得した前記撮影対象の画像の画像処理を行うステップと、を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記目的を達成するため、本発明の第４の観点に係るプログラムは、
コンピュータに、
撮影によって得られた撮影画像から、目的とする撮影対象の画像の画素値に対応する画素値を有する画素が連続する領域を求める手順、
求めた領域が複数の場合、面積が最大となる領域の画像を前記撮影対象画像として取得する手順、
前記取得した前記撮影対象の画像の画像処理を行う手順、
を実行させるためのものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月2日(2007.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
利用者からの操作内容、又はネットワークからの受信内容の少なくとも一方を逐次、イベント情報として記録する第１記録手段と、
所定のタイミングごとに、各タイミングにおける自装置の情報記憶状態を復元するためのスナップショット情報を記録する第２記録手段と、
を有し、前記スナップショット情報と、イベント情報とが、利用者の指示する時点の自装置の状態を復元する処理に供されることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
コンピュータに、
利用者からの操作内容、又はネットワークからの受信内容の少なくとも一方を逐次、イベント情報として記録する第１記録手順と、
所定のタイミングごとに、各タイミングにおける前記コンピュータの情報記憶状態を復元するためのスナップショット情報を記録する第２記録手順と、
を実行させ、前記スナップショット情報と、イベント情報とが、利用者の指示する時点の前記コンピュータの状態を復元する処理に供されることを特徴とする情報処理プログラム。
【請求項３】
請求項２に記載の情報処理プログラムにおいて、
前記第１記録手順は、各イベント情報について、利用者からの操作、又はネットワークからの受信があった時点を特定する情報を関連づけて記録する手順であり、
前記第２記録手順は、各タイミングの時点を、前記イベント情報との関連で特定する情報を関連づけて記録する手順であり、
過去の時点を指定して操作を再現するべき指示を受けて、
当該指定された時点より前に前記第２記録手順によって記録されたスナップショット情報を取得し、
前記コンピュータの情報記憶状態を当該スナップショット情報に対応する状態に更新し、
当該取得したスナップショット情報に関連づけられた時点以降のイベントとして、前記第１記録手段によって記録されたイベント情報を順次読出して、当該イベントを処理した結果を逐次的に提示する逐次提示手順を前記コンピュータに実行させ、
前記逐次提示手順が前記イベント情報を順次読出す際に、次に読出すべきイベント情報より前の時点に関連づけられたスナップショット情報がある場合には、当該スナップショット情報を取得して、前記コンピュータの情報記憶状態を当該スナップショット情報に対応する状態に更新する
ことを特徴とする情報処理プログラム。
【請求項４】
請求項３に記載の情報処理プログラムにおいて、
前記逐次提示手順が、記録されたイベント情報を順次読出して、当該イベントを処理した結果を逐次的に提示している間に、利用者から停止操作があった場合、又は読出すイベント情報がなくなった場合、の少なくとも一方となった場合に、利用者の次の操作内容を予測する手順と、
当該予測された操作内容を提示する手順と、をコンピュータに実行させる
ことを特徴とする情報処理プログラム。
【請求項５】
請求項２から４のいずれか一項に記載の情報処理プログラムにおいて、
前記第２記録手順がスナップショット情報を記録するタイミングは、
利用者からスナップショット情報を記録すべき旨の指示を受けたタイミングと、
前回スナップショット情報を記録した後に第１記録手段が記録したイベント情報の数が所定しきい値を越えたタイミングと、
所定の時間ごとのタイミングと、
の少なくとも一つのタイミングであることを特徴とする情報処理プログラム。
【請求項６】
請求項２から５のいずれか一項に記載の情報処理プログラムにおいて、
前記第２記録手順がスナップショット情報を記録するタイミングは、
アプリケーションプログラムが終了するタイミング
であることを特徴とする情報処理プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月16日(2007.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記受信手段により受信された課金情報に基づき、前記連携情報で指定された形式の画像の画像データを生成する生成手段を更に設け、
前記印刷手段は、前記生成手段により生成された画像データを用いて、前記受信手段により受信された課金情報に基づいた画像を印刷する請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の画像処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月22日(2007.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
そして、C（ド）の音程からB（シ）まで１２の音程ごとの区切りを１オクターブとするので、オクターブ４の周波数範囲は、C4の周波数範囲の最低周波数からB4の周波数範囲の最高周波数（オクターブ５の周波数範囲の最低周波数）までの、５０８．６Hz乃至１０１６．７Hzである。なお、本実施の形態において、周波数に関するｆａ[Hz]乃至ｆｂ[Hz]の記載は、ｆａ[Hz]以上ｆｂ[Hz]未満を表すものとする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
上述した実施の形態では、C（ド）の音程からB（シ）まで１２の音程ごとの区切りを１オクターブとしたが、１オクターブは、その他の音程の区切りでもよい。例えば、Ｆ（ファ）の音程からＥ（ミ）の音程までを区切りとした場合も、周波数は対数の分布となるので、１オクターブということができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2005275068.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月20日(2007.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
光拡散板や導光板の両面に貼り合わせるフィルム上には、たわみをより効果的に押さえつけるために電離放射線硬化型樹脂層を有することが好ましい。電離放射線硬化型樹脂層を構成する電離放射線硬化型樹脂組成物としては、電離放射線（紫外線または電子線）の照射によって架橋硬化することができる光重合性プレポリマーを用いることができ、この光重合性プレポリマーとしては、１分子中に２個以上のアクリロイル基を有し、架橋硬化することにより３次元網目構造となるアクリル系プレポリマーが特に好ましく使用される。このアクリル系プレポリマーとしては、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレート、メラミンアクリレート、ポリフルオロアルキルアクリレート、シリコーンアクリレート等が使用できる。さらにこれらのアクリル系プレポリマーは単独でも使用可能であるが、架橋硬化性を向上させ電離放射線硬化型樹脂層の硬度をより向上させるために、光重合性モノマーを加えることが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
光重合開始剤としては、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、ベンゾイン、ベンジルメチルケタール、ベンゾイルベンゾエート、α−アシルオキシムエステル、チオキサンソン類等があげられる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月27日(2007.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銀を材料とする反射膜と、
この反射膜に積層された酸化クロムを材料とする保護膜と
を備えていることを特徴とする裏面反射鏡。
【請求項２】
前記保護膜の膜圧が１０〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の裏面反射鏡。
【請求項３】
前記保護膜の膜圧が５０〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の裏面反射鏡。
【請求項４】
前記反射膜は基板上に積層され、
前記基板と前記反射膜との間に、第１の中間層と第２の中間層とが形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の裏面反射鏡。
【請求項５】
前記基板は、ガラス基板またはプラスチック基板であることを特徴とする請求項４記載の裏面反射鏡。
【請求項６】
前記基板と前記基板上に積層された全ての膜とを覆う第２の保護膜が形成されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の裏面反射鏡。
【請求項７】
前記第２の保護膜は、エポキシ樹脂を材料とすることを特徴とする請求項６記載の裏面反射鏡。
【請求項８】
前記第２の保護膜は、銅を材料とすることを特徴とする請求項６記載の裏面反射鏡。
【請求項９】
前記反射膜は透明なプラスチック基板上に積層され、
このプラスチック基板と前記反射膜との間に、一酸化珪素を材料とする第１の中間層と酸化アルミニウムを材料とする第２の中間層とが形成され、
前記プラスチック基板の上に前記第１の中間層が位置し、前記第１の中間層の上に前記第２の中間層が位置し、前記第２の中間層の上に前記反射膜が位置していることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の裏面反射鏡。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項記載の裏面反射鏡を備えていることを特徴とするペンタプリズム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項４記載の発明は、請求項１〜３のいずれか１項記載の裏面反射鏡において、前記反射膜は基板上に積層され、前記基板と前記反射膜との間に、第１の中間層と第２の中間層とが形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項５記載の発明は、請求項４記載載裏面反射鏡において、前記基板は、ガラス基板またはプラスチック基板であることを特徴とする。
請求項６記載の発明は、請求項４又は５に記載の裏面反射鏡において、前記基板と前記基板上に積層された全ての膜とを覆う第２の保護膜が形成されていることを特徴とする
請求項７記載の発明は、請求項６記載の裏面反射鏡において、前記第２の保護膜は、エポキシ樹脂を材料とすることを特徴とする。
請求項８記載の発明は、請求項６記載の裏面反射鏡において、前記第２の保護膜は、銅を材料とすることを特徴とする。
請求項９記載の発明は、請求項１〜８のいずれか１項記載の裏面反射鏡において、前記反射膜は透明なプラスチック基板上に積層され、このプラスチック基板と前記反射膜との間に、一酸化珪素を材料とする第１の中間層と酸化アルミニウムを材料とする第２の中間層とが形成され、前記プラスチック基板の上に前記第１の中間層が位置し、前記第１の中間層の上に前記第２の中間層が位置し、前記第２の中間層の上に前記反射膜が位置していることを特徴とする。
請求項１０記載の発明は、請求項１〜９のいずれか１項記載の裏面反射鏡を備えていることを特徴とするペンタプリズム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月23日(2007.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サファイアからなる基材の表面に、５〜１１層の奇数層からなる光透過膜層が積層されてなる反射防止膜が設けられた光学素子であって、
前記反射防止膜が、基板側から奇数番目となる光透過膜層がＳｉＯ2、偶数番目となる光透過膜層がＴａ2Ｏ5からなり、可視域または近赤外域における光の反射防止に用いられることを特徴とする光学素子。
【請求項２】
前記反射防止膜が５層の光透過膜層を積層してなるものであり、可視域または近赤外域の基準波長をλとしたときの、基板側を第１層として、第１層から第５層の光透過膜層の光学的膜厚を各々Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５とするとき、
Ｄ１＝（０．１１〜０．４９）×λ／４
Ｄ２＝（０．３３〜０．４９）×λ／４
Ｄ３＝（０．２５〜０．４１）×λ／４
Ｄ４＝（１．９９〜２．６５）×λ／４
Ｄ５＝（０．８０〜１．１２）×λ／４
であることを特徴とする請求項１記載の光学素子。
【請求項３】
前記反射防止膜が５層の光透過膜層を積層してなるものであり、可視域または近赤外域の基準波長をλとしたときの、基板側を第１層として、第１層から第５層の光透過膜層の光学的膜厚を各々Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５とするとき、
Ｄ１＝（１．７５〜２．３６）×λ／４
Ｄ２＝（０．４２〜０．６９）×λ／４
Ｄ３＝（０．０９〜０．２５）×λ／４
Ｄ４＝（０．９３〜１．４２）×λ／４
Ｄ５＝（０．８５〜１．１２）×λ／４
であることを特徴とする請求項１記載の光学素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明は次の構成を備える。
すなわち、サファイアからなる基材の表面に、５〜１１層の奇数層からなる光透過膜層が積層されてなる反射防止膜が設けられた光学素子であって、前記反射防止膜が、基板側から奇数番目となる光透過膜層がＳｉＯ2、偶数番目となる光透過膜層がＴａ2Ｏ5からなり、可視域または近赤外域における光の反射防止に用いられることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、前記反射防止膜が５層の光透過膜層を積層してなるものであり、可視域または近赤外域の基準波長をλとしたときの、基板側を第１層として、第１層から第５層の光透過膜層の光学的膜厚を各々Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５とするとき、Ｄ１＝（０．１１〜０．４９）×λ／４、Ｄ２＝（０．３３〜０．４９）×λ／４、Ｄ３＝（０．２５〜０．４１）×λ／４、Ｄ４＝（１．９９〜２．６５）×λ／４、Ｄ５＝（０．８０〜１．１２）×λ／４であることを特徴とする。
また、前記反射防止膜が５層の光透過膜層を積層してなるものであり、可視域または近赤外域の基準波長をλとしたときの、基板側を第１層として、第１層から第５層の光透過膜層の光学的膜厚を各々Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５とするとき、Ｄ１＝（１．７５〜２．３６）×λ／４、Ｄ２＝（０．４２〜０．６９）×λ／４、Ｄ３＝（０．０９〜０．２５）×λ／４、Ｄ４＝（０．９３〜１．４２）×λ／４、Ｄ５＝（０．８５〜１．１２）×λ／４であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（実施例１０）
表１０は、光学素子の第６の設計例として、反射防止膜が９層構成からなる例を示す。
【表１０】
2005275294.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
（実施例１１）
表１１は、光学素子の第７の設計例として、反射防止膜が１１層構成からなる例を示す。
【表１１】
2005275294.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図１５(a)は実施例の光学素子、図１５(b)は比較例の光学素子の加熱後の状態を示す。図１５(a)に示す実施例の光学素子では反射防止膜にまったく異常が見られなかったのに対して、比較例の光学素子では反射防止膜に多数の剥離が生じている。この加熱試験の結果は、実施例の光学素子が耐熱性の点で比較例にくらべて明らかに優れていることを示している。実施例と比較例の光学素子を比較すると、実施例では、サファイア基板の表面に接する第１層をＳｉＯ2層とした点が比較例と異なっている。このことは、サファイア基板の表面に接する第１層をＳｉＯ2層とすることが反射防止膜の耐熱性、剥離性を向上させる上で有効であると推定される。サファイア基板と反射防止膜との密着性が良好になるのは、サファイア基板を構成するＡｌと反射防止膜の第１層のＳｉＯ2を構成するＳｉとが原子構造的に近似しているためと想像される。