【手続補正書】
【提出日】平成20年10月28日(2008.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層構造体を形成する方法であって、
第１の導電層の表面に第１の熱硬化ポリマー層を付けることと、
熱抵抗フィルム層の第１の表面に第２の熱硬化ポリマー層を付けることと、
第２の熱硬化ポリマー層の表面に形成する電気抵抗材料層を備えた第２の導電層を提供することと、
第２の熱硬化ポリマーに電気抵抗材料層を付けることと、
熱抵抗フィルム層の第２の表面に第１の熱硬化ポリマーを付けることとを含み、
電気抵抗材料層は、ニッケル、クロム、ニクロム、白金、パラジウム、ニッケル−リン、チタン、イリジウム、ルテリウム、シリカ、及びそれらの組合せからなるグループから選択される多層構造体を形成する方法。
【請求項２】
熱抵抗フィルム層の対向する表面に、積層によって、第１の熱硬化ポリマー層又は第２の熱硬化ポリマー層の少なくともいずれかを付ける請求項１に記載の多層構造体を形成する方法。
【請求項３】
電気抵抗材料層の抵抗値は、０．５Ω／□〜１００００Ω／□である請求項１に記載の多層構造体を形成する方法。
【請求項４】
第１の導電層及び第２の導電層は、それぞれ、銅、亜鉛、真鍮、クロム、ニッケル、アルミニウム、ステンレス鋼、鉄、金、銀、チタン、白金、及びそれらの組合せからなるグループから選択された材料を含む請求項１に記載の多層構造体を形成する方法。
【請求項５】
第１の導電層及び第２の導電層は、銅を含む請求項１に記載の多層構造体を形成する方法。
【請求項６】
第１の導電層及び第２の導電層は、表面粗さＲｚが０．５μｍ〜５μｍである銅箔を含む請求項１に記載の多層構造体を形成する方法。
【請求項７】
第１の導電層及び第２の導電層の少なくともいずれかの片側又は両側に、結合強化処理を行う請求項１に記載の多層構造体を形成する方法。
【請求項８】
第１の導電層及び第２の導電層の少なくともいずれかに、金属ノジュール、ニッケル、クロム、クロム酸塩、亜鉛、シランカップリング剤、又はそれらの組合せによる処理を含む結合強化処理を行う請求項１に記載の多層構造体を形成する方法。
【請求項９】
第１の熱硬化ポリマー層及び第２の熱硬化ポリマー層の一方又は両方は、エポキシ、メラミン、不飽和ポリエステル、ウレタン、アルキド樹脂、ビスマレイミドトリアジン、ポリイミド、エステル、アリル化ポリフェニレンエーテル、又はそれらの組合せを含む請求項１に記載の多層構造体を形成する方法。
【請求項１０】
熱抵抗フィルム層は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレン硫化物、芳香族ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルエーテルケトン、又はそれらの組合せを含む請求項１に記載の多層構造体を形成する方法。
【請求項１１】
電気抵抗材料層は、ニッケル−リンを含む請求項１に記載の多層構造体を形成する方法。
【請求項１２】
電気抵抗材料層は、リンの含有量が３０重量％以下である請求項１２に記載の多層構造体を形成する方法。
【請求項１３】
電気抵抗材料層は、電気めっきにより形成される請求項１に記載の多層構造体を形成する方法。
【請求項１４】
ニッケルイオン源、Ｈ３ＰＯ３、Ｈ３ＰＯ４の水溶液を含み、硫酸塩及び塩化物を含まないめっき浴中で、第２の導電層を電気めっきする請求項１に記載の多層構造体を形成する方法。
【請求項１５】
電気抵抗材料層の表面の少なくとも１０原子層は、硫黄を含まない請求項１に記載の多層構造体を形成する方法。
【請求項１６】
電気抵抗材料層の表面は、４００倍の大きさで観察したとき、ピットがなく連続的である請求項１に記載の多層構造体を形成する方法。
【請求項１７】
電気抵抗材料層と第２の導電層との間にバリア層をさらに含み、バリア層は、厚みが０．１μｍ未満であり、電気抵抗材料層とは異なる組成であり、電気抵抗材料層をアルカリアンモニア銅エッチング剤による侵食から保護することができる請求項１に記載の多層構造体を形成する方法。
【請求項１８】
多層構造体を形成する方法であって、
熱抵抗フィルムの第１の表面に第１の熱硬化ポリマー層を付けるステップと、
熱抵抗フィルムの第２の表面に第２の熱硬化ポリマー層を付けるステップと、
第１の熱硬化ポリマーに第１の導電層を付けるステップと、
第２の熱硬化ポリマー層の表面に形成する電気抵抗材料層を備えた第２の導電層を提供するステップと、
第２の熱硬化ポリマーに電気抵抗材料層を付けるステップとを含み、
電気抵抗材料層は、ニッケル、クロム、ニクロム、白金、パラジウム、ニッケル−リン、チタン、イリジウム、ルテリウム、シリカ、及びそれらの組合せからなるグループから選択される多層構造体を形成する方法。
【請求項１９】
多層構造体を形成する方法であって、
熱抵抗フィルム層の第１の表面に第１の熱硬化ポリマー層を付けるステップと、
熱抵抗フィルム層の第２の表面に第２の熱硬化ポリマー層を付けるステップと、
第１の熱硬化ポリマー層の表面に形成する第１の電気抵抗材料層を備えた第１の導電層を提供するステップと、
第２の熱硬化ポリマー層の表面に形成する第２の電気抵抗材料層を備えた第２の導電層を提供するステップと、
第１の熱硬化ポリマー層に第１の電気抵抗材料層を付けるステップと、
第２の熱硬化ポリマー層に第２の電気抵抗材料層を付けるステップとを含み、
電気抵抗材料層は、ニッケル、クロム、ニクロム、白金、パラジウム、ニッケル−リン、チタン、イリジウム、ルテリウム、シリカ、及びそれらの組合せからなるグループから選択される多層構造体を形成する方法。
【請求項２０】
コンデンサを形成する方法であって、
第１の導電層の表面に第１の熱硬化ポリマー層を付けるステップと、
熱抵抗フィルム層の第１の表面に第２の熱硬化ポリマー層を付けるステップと、
第２の熱硬化ポリマー層の表面に形成する電気抵抗材料層を備えた第２の導電層を提供するステップと、
第２の熱硬化ポリマーに電気抵抗材料層を付けるステップと、
熱抵抗フィルム層の第２の表面に第１の熱硬化ポリマーを付けるステップとを含み、
電気抵抗材料層は、ニッケル、クロム、ニクロム、白金、パラジウム、ニッケル−リン、チタン、イリジウム、ルテリウム、シリカ、及びそれらの組合せからなるグループから選択される多層構造体を形成する方法。
【請求項２１】
請求項１に従って製造される多層構造体。
【請求項２２】
請求項１８に従って製造される多層構造体。
【請求項２３】
請求項１９に従って製造される多層構造体。
【請求項２４】
請求項２０のプロセスに従って製造されるコンデンサ。
【請求項２５】
請求項１のプロセスに従って製造される多層構造体を備える電子デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図３に示される、さらなる実施形態では、第１の熱硬化ポリマー層４を、熱抵抗フィルム層６の第１の表面に付け、第２の熱硬化ポリマー層８を、熱抵抗フィルム６の第２の表面に付ける。次に、第１の熱硬化ポリマー層の表面に形成する第１の電気抵抗材料層１４を備えた第１の導電層２を提供する。第２の熱硬化ポリマー層の表面に形成する第２の電気抵抗材料層１０を備えた第２の導電層１２も提供する。そして、第１の電気抵抗材料層１４を、第１の熱硬化ポリマー層４に、第２の電気抵抗材料層１０を、第２の熱硬化ポリマー層８に付ける。