(57)【要約】  本発明の製造方法は、有機半導体材料の結晶を含む半導体層を備える半導体素子の製造方法である。この製造方法は、（ｉ）基板（基材）１１上に枠体１２を形成する工程と、（ii）枠体１２の内側に半導体層（結晶１３）を形成する工程とを含む。工程（ii）は、有機半導体材料と液媒体とを含む溶液２１（液体）を枠体１２の内側に配置し、溶液２１から結晶１３を形成する結晶形成工程を含む。
2007142238.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体材料の結晶を含む半導体層を備える半導体素子の製造方法であって、
（ｉ）基材上に枠体を形成する工程と、
（ii）前記枠体の内側に前記半導体層を形成する工程と、を含み、
前記（ii）の工程は、前記有機半導体材料と液媒体とを含む液体を前記枠体の内側に配置し、前記液体から前記結晶を形成する結晶形成工程を含む半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記基材が樹脂からなる請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記半導体層に占める前記結晶の割合が５０体積％以上である請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記枠体の内側の容積が７．５×１０-5μｍ3〜３×１０7μｍ3の範囲にある請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記枠体の高さが、０．１ｎｍ〜１０μｍの範囲にある請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
前記枠体が自己組織化膜からなる請求項１に記載の製造方法。
【請求項７】
前記（ｉ）の工程は、
（ｉ−ａ）前記基材上にレジストパターンを形成する工程と、
（ｉ−ｂ）前記レジストパターンを覆うように自己組織化膜を形成する工程と、
（ｉ−ｃ）前記レジストパターンを除去することによって、前記自己組織化膜からなる前記枠体を形成する工程と、を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項８】
前記（ｉ）の工程は、
（ｉ−Ａ）前記基材上に自己組織化膜を形成する工程と、
（ｉ−Ｂ）前記自己組織化膜の一部を除去することによって前記自己組織化膜からなる前記枠体を形成する工程と、を含み、
前記（ｉ−Ｂ）の工程は、前記自己組織化膜の前記一部に紫外線または電子線を照射することによって前記一部の前記自己組織化膜を分解する工程を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項９】
前記結晶形成工程において、吐出装置によって前記液体を前記枠体の内側に配置する請求項１に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記結晶形成工程において、前記液体の前記液媒体を蒸発させることによって前記結晶を形成する請求項１に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記液体を前記枠体の内側に配置する前に、前記枠体の内側に、前記結晶の形成を促進させる物質を配置する工程を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記結晶形成工程は、前記液体に光を照射することによって、前記液体中で種結晶を形成する工程を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記枠体の内側の底面に対する前記液体の親和性が、前記枠体に対する前記液体の親和性よりも高い請求項１に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記液媒体が水を含み、
前記枠体が疎水性である請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記枠体の内側の底面には、第１の領域と、前記第１の領域よりも前記液体との親和性が高い第２の領域とが存在する請求項１に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記枠体の内側の底面の一部にソース電極およびドレイン電極が配置されており、
前記第２の領域が前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に存在する請求項１５に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記半導体素子は、前記半導体層に電圧を印加するためのゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜と、前記半導体層に接触するソース電極およびドレイン電極とを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記ソース電極と前記ドレイン電極とが、前記半導体層を挟んで前記基材上に積層される請求項１７に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記（ii）の工程ののちに、前記枠体を除去する工程をさらに含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項２０】
半導体素子を備える電子デバイスの製造方法であって、
前記半導体素子を請求項１に記載の方法で製造する工程を含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項２１】
請求項１に記載の製造方法で製造された半導体素子。
【請求項２２】
基材と、前記基材上に配置された枠体と、前記枠体の内側に配置された半導体層とを備え、
前記半導体層が有機半導体材料の結晶を含む半導体素子。
【請求項２３】
前記結晶の少なくとも一部が単結晶である請求項２２に記載の半導体素子。
【請求項２４】
前記基材が樹脂からなる請求項２２に記載の半導体素子。
【請求項２５】
前記枠体の内側の容積が７．５×１０-5μｍ3〜３×１０7μｍ3の範囲にある請求項２２に記載の半導体素子。
【請求項２６】
前記半導体層のうち、前記基材側とは反対側の面が曲面である請求項２２に記載の半導体素子。
【請求項２７】
前記半導体層に電界を印加するためのゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜と、前記半導体層に接触するソース電極およびドレイン電極とを備える請求項２２に記載の半導体素子。
【請求項２８】
請求項２２に記載の半導体素子を備える電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子およびその製造方法、ならびに電子デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
結晶は、特有の性質を有し、高い特性を示す場合が多い。そのため、有機結晶材料を用いた様々な素子が提案されている（中西八郎監修「有機結晶材料の最新技術」株式会社シーエムシー出版発刊（２００５年）、日本）。一方、従来から様々な有機半導体素子の製造方法が提案されている（たとえば特開平１０−１９０００１号公報）。しかし、有機半導体材料からなる結晶を用いた半導体素子は、あまり検討されてこなかった。【０００３】
ところが、近年、ペンタセンの単結晶を作製し、その単結晶の薄片を用いて半導体素子を形成する方法が提案された（Ｊ．Ｔａｋｅｙａ著「Ｆｉｅｌｄ  ｉｎｄｕｃｅｄ−Ｃｈａｒｇｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ａｔ  ｔｈｅ  Ｓｕｒｆａｃｅ  ｏｆ  Ｐｅｎｔａｃｅｎｅ  Ｓｉｎｇｌｅ  Ｃｒｙｓｔａｌｓ：  Ａ  Ｍｅｔｈｏｄ  ｔｏ  Ｓｔｕｄｙ  Ｃｈａｒｇｅ  Ｄｙｎａｍｉｃｓ  ｏｆ  Ｔｗｏ−Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  ｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｒｙｓｔａｌｓ」、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ、第９４巻、５８００頁、２００３年）。しかし、この方法は、量産性に乏しいという問題がある。【０００４】
また、銅や銀の電極を組み込んだシリコン基板をジシアノキノンジイミンの溶液に浸し、化学反応によってシリコン基板上に有機分子の単結晶を成長させる方法が、ヤマモトによって提案されている（Ｈｉｒｏｓｈｉ  Ｍ．  Ｙａｍａｍｏｔｏ著「Ｄｉｒｅｃｔ  Ｆｏｒｍａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｍｉｃｒｏ−／Ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ２，５−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−Ｎ，Ｎ−ｄｉｃｙａｎｏｑｕｉｎｏｎｅｄｉｉｍｉｎｅ  Ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ  ｏｎ  ＳｉＯ2／Ｓｉ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ  ａｎｄ  Ｍｕｌｔｉｐｒｏｂｅ  Ｍｅｓｕｒｅｍｅｎｔ  ｏｆ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ」、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ、第１２８巻、第３号、７００頁、２００６年）。【０００５】
しかし、上記ヤマモトの文献の図３に示されているように、その文献に記載の方法では、結晶が形成される位置を制御することができない。このため、この方法を工業的に利用することは難しい。
【発明の開示】
【０００６】
このような状況において、本発明の目的の１つは、有機半導体材料からなる結晶を用いた半導体素子を製造するための製造方法であって工業的に利用可能な製造方法を提供することである。また、本発明の目的の１つは、有機半導体材料からなる結晶を用いた半導体素子であって特性が高い半導体素子を提供することである。また、本発明の目的の１つは、上記製造方法を用いた電子デバイスの製造方法を提供すること、および上記半導体素子を用いた電子デバイスを提供することである。
【０００７】
上記目的を達成するために、有機半導体材料の結晶を含む半導体層を備える半導体素子を製造するための本発明の方法は、（ｉ）基材上に枠体を形成する工程と、（ii）前記枠体の内側に前記半導体層を形成する工程と、を含み、前記（ii）の工程は、前記有機半導体材料と液媒体とを含む液体を前記枠体の内側に配置し、前記液体から前記結晶を形成する結晶形成工程を含む。
【０００８】
また、半導体素子を備える電子デバイスを製造するための本発明の方法は、前記半導体素子を本発明の製造方法で製造する工程を含む。
【０００９】
１つの側面では、本発明の半導体素子は、本発明の製造方法で製造された半導体素子である。
【００１０】
また、本発明の半導体素子は、基材と、前記基材上に配置された枠体と、前記枠体の内側に配置された半導体層とを備え、前記半導体層が有機半導体材料の結晶を含む。なお、有機半導体材料とは、半導体特性を示す有機材料を意味する。
【００１１】
また、本発明の電子デバイスは、本発明の半導体素子を備える。
【００１２】
なお、この明細書において、特に説明がない限り、撥液性とは、後述する液体（Ａ）を弾く性質を意味し、液体（Ａ）の静的接触角が９１°（典型的には１００°）よりも大きい表面の性質を意味する。また、親液性とは、後述する液体（Ａ）の静的接触角が８９°（典型的には２０°）以下である表面の性質を意味する。液体の液媒体が水である場合、撥液性および親液性は、それぞれ、撥水性および親水性と読みかえられる。
【００１３】
本発明の製造方法によれば、基材上の所望の位置に、有機半導体材料からなる結晶を含む半導体層を形成することが可能である。本発明の製造方法では、基材上で結晶の形成を行うため、製造工程が簡単である。また、形成された結晶のほぼすべての部分を有効に利用できるため、結晶の形成に必要な材料が少量で足りる。そのため、有機半導体材料からなる結晶を用いた半導体素子を、工業的に低コストで生産することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１Ａおよび図１Ｂは、それぞれ、本発明の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の一例を示す上面図および断面図である。図１Ｃおよび図１Ｄは、それぞれ、他の一例を示す上面図および端面図である。
【図２】図２Ａ〜２Ｆは、ＦＥＴを製造するための本発明の方法の一例を示す図である。
【図３】図３Ａ〜３Ｆは、図２に示した製造方法の一部の工程を示す図である。
【図４】図４Ａおよび図４Ｂは、それぞれ、ＦＥＴを製造するための本発明の方法の他の一工程を示す上面図および端面図である。図４Ｃおよび図４Ｄは、それぞれ、その他の一工程を示す上面図および断面図である。
【図５】図５Ａおよび図５Ｂは、それぞれ、ＦＥＴを製造するための本発明の方法のその他の一工程を示す上面図および端面図である。
【図６】図６Ａおよび図６Ｂは、それぞれ、ＦＥＴを製造するための本発明の方法のその他の一工程を示す上面図および端面図である。
【図７】図７Ａおよび図７Ｂは、それぞれ、ＦＥＴを製造するための本発明の方法のその他の一工程を示す上面図および端面図である。
【図８】図８Ａおよび図８Ｂは、それぞれ、ＦＥＴを製造するための本発明の方法のその他の一工程を示す上面図および端面図である。
【図９】図９Ａおよび図９Ｂは、それぞれ、本発明を半導体素子以外の素子に適用した場合の一例を示す上面図および端面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について説明する。なお、本発明は、以下の実施形態および実施例の説明に限定されない。以下の説明では、特定の数値や特定の材料を例示する場合があるが、本発明の効果が得られる限り、他の数値や他の材料を適用してもよい。【００１６】
［半導体素子の製造方法］
半導体素子を製造するための本発明の方法は、有機半導体材料の結晶を含む半導体層を備える半導体素子の製造方法である。この製造方法は、以下の工程（ｉ）および工程（ii）を含む。【００１７】
工程（ｉ）では、基材上に枠体を形成する。工程（ii）では、枠体の内側に半導体層を形成する。工程（ii）は、上記有機半導体材料と液媒体（liquid medium）とを含む液体（以下、「液体（Ａ）」という場合がある）を枠体の内側に配置し、液体（Ａ）から結晶を形成する結晶形成工程を含む。【００１８】
工程（ｉ）の基材は、基板であってもよいし、基板とその基板上に形成された層（膜）とによって構成されてもよい。いずれにしても、枠体は、直接または間接的に、基板上に形成される。基板（基材）には、半導体素子の基板として一般的に使用されてきた基板を使用できる。基板の材料としては、たとえば、ガラスや、石英や、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムおよび雲母といったセラミックスや、アルミニウム、ステンレス鋼および鉄といった金属や、樹脂や、シリコンや、またはこれらを主材とする複合材料が挙げられる。基板の材料となる樹脂としては、ポリイミド、ポリアラミド、エポキシ樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリアミド系樹脂（ナイロン６、ナイロン４６、ナイロン６６、ナイロン６−１２など）、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンサルファイド、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテル、ポリアセタール、スチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリブタジエン系樹脂といった熱可塑性エラストマー、またはこれらの樹脂を主とする、共重合体やブレンド体やポリマーアロイ等が挙げられる。これらの樹脂を２種類以上混合して用いてもよい。基材は、樹脂からなるものであってもよい。【００１９】
基材は、可撓性を有してもよい。可撓性を有する基材を用いることによって、フレキシブルな電子デバイスに適した回路基板を形成することが可能となる。また、基材は、可視光線の波長領域において透光性であってもよい。そのような基材は、ディスプレイデバイスのパネルとして利用することが可能である。【００２０】
基材上に形成される枠体の数は１つであってもよいし、複数であってもよい。１つの基材に複数の半導体素子を形成する場合には、基材上に複数の枠体を形成し、それぞれの枠体の内側に、結晶を含む半導体層を形成すればよい。【００２１】
枠体は、工程（ii）において、液体（Ａ）を枠体の内側に保持できるものであればよい。枠体を用いることによって、少量の材料から所定の位置に有機半導体材料の結晶を形成できる。【００２２】
枠体は、液体（Ａ）に対して耐性を有することが必要である。また、枠体は、結晶を形成する場合の条件（たとえば温度変化）に対して耐性を有することが必要である。そのような性質を有する限り、枠体の材料は有機物であっても、無機物であってもよい。たとえば、枠体は、自己組織化膜などの、有機化合物からなる膜であってもよい。ここでいう自己組織化膜とは、細かい制御を外部から加えていない状態で、膜の材料そのものがもつ機構で自発的に秩序形成される膜のことである。そのような膜には、一定の秩序を有する組織化された超薄膜（単分子膜やＬＢ膜など）が含まれる。自己組織化膜の例については後述する。また、枠体は、自己組織化膜以外の膜、たとえば、フォトレジスト膜などによって形成されていてもよい。また、枠体は、スピンコーティング法やバーコート法によって有機薄膜を形成した後、その有機薄膜をフィトリソグラフィ法でパターニングすることによって形成してもよい。また、枠体は、グラビア法や凹版法や平版法や凸版法やスクリーン印刷法といった印刷法や、ディスペンス法、インクジェット法、マスク蒸着法、ロールコート法などの方法で形成された有機膜であってもよい。【００２３】
枠体は、閉じた形状を有する。枠体の内側の平面形状（基板の表面と平行な方向の断面形状）に特に限定はなく、円形であってもよいし、三角形や四角形などの多角形であってもよい。【００２４】
枠体の内側の平面形状は、直径０．５μｍ〜２０００μｍ（たとえば０．５μｍ〜１０００μｍや、１０μｍ〜１００μｍ）の円の内側に収まる大きさであってもよい。枠体の内側の平面形状の面積は、たとえば、０．７５μｍ2（μｍ×μｍ）〜３×１０6μｍ2の範囲にあってもよく、３００μｍ2〜３００００μｍ2の範囲にあってもよい。枠体の高さは、その内側に液体（Ａ）を保持できる高さであればよい。枠体の高さは、通常ほぼ一定である。枠体の高さは、たとえば０．１ｎｍ〜１０μｍの範囲にあってもよく、１．０ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲にあってもよい。枠体の内側の容積（［枠体の内側の底面の面積］と［枠体の高さ］との積）は、たとえば、７．５×１０-5μｍ3（μｍ×μｍ×μｍ）〜３×１０7μｍ3の範囲にあってもよく、０．３μｍ3〜９００００μｍ3の範囲にあってもよい。【００２５】
枠体は、液体（Ａ）が配置される領域以外の基材表面の大部分または全部を覆うように形成されてもよい。また、枠体は、液体（Ａ）が配置される領域の周囲のみに形成されてもよい。【００２６】
枠体は、その一部または全部が撥液性を有してもよい。具体的には、液体（Ａ）の静的接触角が９１°以上となる材料からなる枠体を用いてもよい。たとえば、液体（Ａ）が水を含む場合、枠体は疎水性の表面を有していてもよい。そのような疎水性の表面としては、たとえば、フッ化炭素基を含有する有機化合物で形成された表面が挙げられる。液体（Ａ）を弾く枠体を用いることによって、液体（Ａ）が枠体からあふれ出ることを抑制できる場合がある。【００２７】
枠体が自己組織化膜である場合、枠体の材料の好ましい例は、ハロゲノシラン基、アルコキシシラン基、多座配位子官能基、チオール基、不飽和結合基、およびスルホネート基からなる群より選ばれる少なくとも１つの官能基を含有する有機化合物である。これらの官能基は、耐久性の高い結合を基材と形成する。基材表面に活性な水素基が露出している場合には、ハロゲノシラン基、アルコキシシラン基、および不飽和結合基が有効である。また、基材表面に金属が露出している場合には、チオール基、および多座配位子官能基が有効である。【００２８】
枠体が自己組織化膜である場合、枠体の材料の好ましい他の例は、直鎖状の分子構造（たとえば炭化水素鎖）を含有する有機化合物である。直鎖状の分子構造の種類は、半導体層を形成するための液体（Ａ）の種類に応じて選択される。直鎖状の分子構造の種類は、ソルビリティパラメータ（ＳＰ値）を目安として選択してもよい。液体（Ａ）とＳＰ値が近い官能基で修飾することによって、液体（Ａ）にぬれやすい枠体を形成できる。また、液体（Ａ）とＳＰ値が大きく異なる官能基で修飾することによって、液体（Ａ）をはじく枠体を形成できる。実施形態１で用いるシランカップリング剤は、自己組織化膜を形成する有機化合物である。このシランカップリング剤は、ハロゲノシラン基（クロロシラン基）を含有しており、その炭素数は１０であり、フッ化炭素鎖のみを有している。このシランカップリング剤のＳＰ値は、６程度で非常に小さい。そのため、このシランカップリング剤を用いることによって、液体（Ａ）をはじく枠体を形成できる。【００２９】
枠体が自己組織化膜である場合、自己組織化膜を構成する分子の長さは枠体の高さに関係する。自己組織化膜を構成する分子の主鎖の炭素数が３〜３０の範囲にある場合、自己組織化膜の形成が容易になる。【００３０】
工程（ｉ）は、基材上にレジストパターンを形成する工程（ｉ−ａ）と、レジストパターンを覆うように自己組織化膜を形成する工程（ｉ−ｂ）と、レジストパターンを除去することによって、自己組織化膜からなる枠体を形成する工程（ｉ−ｃ）とを含んでもよい。【００３１】
また、工程（ｉ）は、基材上に自己組織化膜を形成する工程（ｉ−Ａ）と、自己組織化膜の一部を除去することによって自己組織化膜からなる枠体を形成する工程（ｉ−Ｂ）とを含んでもよい。そして、工程（ｉ−Ｂ）は、自己組織化膜の当該一部に紫外線または電子線を照射することによって、当該一部の自己組織化膜を分解する工程を含んでもよい。当該一部の自己組織化膜は他の方法によって分解してもよい。たとえば、酸素ガスを含む雰囲気下で当該一部の自己組織化膜に紫外線を照射することによってオゾンを発生させ、当該一部の自己組織化膜を酸化分解してもよい。【００３２】
また、工程（ｉ）は、印刷版上に枠体を形成するための版を形成する工程と、自己組織化膜の材料をその版上に配置する工程と、上記印刷版を基材に押し当てて、自己組織化膜からなる枠体を形成する工程とを含んでもよい。ここで、印刷版は、凸版印刷、凹版印刷、平板印刷、またはスクリーン印刷で用いられる版である。【００３３】
工程（ii）では、枠体の内側に半導体層が形成される。その半導体層は、有機半導体材料の結晶を含む。結晶は、単結晶であってもよいし、多結晶であってもよいし、分子性結晶（ファンデルワールス力によって形成される結晶）であってもよいし、それらの混合物であってもよい。半導体層は、それらの結晶以外の状態（非晶質や微結晶など）にある有機半導体材料を含んでもよいが、それらの結晶の割合が高い方が好ましく、特に単結晶の割合が高い方が好ましい。半導体層の好ましい一例は、結晶（好ましくは単結晶）のみからなる。半導体層に占める、有機半導体材料の結晶（好ましくは単結晶であり、微結晶を除く）の割合は、たとえば５０体積％以上であり、好ましくは７０体積％以上である。【００３４】
半導体層およびそれを構成する結晶は、たとえば０．５μｍ3以上の体積を有し、好ましくは５μｍ3以上の体積を有する。通常、半導体層およびそれを構成する結晶の体積は、枠体の内側の容積以下である。ただし、液体をはじく枠体を用いた場合には、盛り上がるように液体を配置することも可能であり、枠体の内側の容積以上の体積を有する結晶を得ることもできる。また、結晶が複数の結晶粒で構成されている場合、１つの結晶粒は、たとえば０．０５μｍ3以上の体積を有し、好ましくは０．５μｍ3以上の体積を有する。【００３５】
半導体層およびそれを構成する結晶の高さは、たとえば１０ｎｍ〜１０μｍの範囲にあってもよい。また、その高さは、本発明の効果が得られる限り、１０ｎｍ未満であってもよいし１０μｍよりも大きくてもよい。【００３６】
半導体層は、典型的には有機半導体材料からなる。ただし、本発明の効果が得られる限り、半導体層は有機半導体材料以外の物質を含んでもよい。たとえば、半導体層に占める有機半導体材料の割合は、５０質量％以上であってもよいし、８０質量％以上や９０質量％以上であってもよい。【００３７】
有機半導体材料は、液媒体に分散または溶解させて液体（Ａ）を調製することができる有機化合物であって、且つ、その液体（Ａ）から結晶を形成しうる有機化合物である。また、この有機半導体材料は、少なくともその結晶が、半導体としての性質を示す有機化合物である。その有機化合物は、分子量が５０００未満であってもよいし、分子量が５０００以上であってもよい。有機半導体材料としては、たとえば、芳香族炭化水素化合物、多環式化合物（縮合環化合物）や、それらをペンダントとして含むペンダント化合物が挙げられる。また、有機半導体材料は、その主鎖に共役二重結合を含有する有機分子であってもよい。【００３８】
有機半導体材料の例としては、たとえば、ルブレン、アントラセン、ヘキサセン、テトラセン、ピレン、ナフタセン、ペリレン、コロネン、フェナントレン、ペンタセンなどの縮合多環芳香族炭化水素およびその誘導体が挙げられる。また、ポルフィリン、フラーレンおよびフラーレン誘導体、チオフェン誘導体およびオリゴチオフェン、ピロール誘導体およびオリゴピロール、チオフェン−フェニレンコオリゴマー、フェニレンビニレンおよびその誘導体も挙げられる。また、メロシアニン系化合物、フタロシアニン系化合物、キナクリドン系化合物、パラ−セキシフェニル系化合物も挙げられる。また、テトラチアフルバレン−テトラシアノキノジメタン類の電荷移動錯体（たとえば、ビスエチレンジチオテトラチアフルバレン−ジフルオロテトラシアノキノジメタンや、ジベンゾテトラチアフルバレン−テトラシアノキノジメタン）も挙げられる。また、トリフェニルアミン系化合物も挙げられる。また、ベンジジン誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、アルミニウムキノリン錯体、キノリノール錯体およびその誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン誘導体、フェニルピリジン錯体およびその誘導体、カルバゾールおよびその誘導体も挙げられる。また、鎖状シラン類（オクタシラン、ヘキサシラン、ペンタシラン）、環状シラン類（シクロオクタシラン、シクロヘキサシラン、シクロペンタシラン）も挙げられる。また、顔料（フタロシアニン類、ポルフィリン類、縮合環化合物）も挙げられる。【００３９】
液体（Ａ）の液媒体は、有機半導体材料や、枠体の材料や、枠体の内側の底面の特性などを考慮して選択される。液体（Ａ）の液媒体としては、たとえば、水、有機溶媒、水と有機溶媒との混合液が挙げられる。【００４０】
液体（Ａ）の一例は、１，２，４−トリクロロベンゼンにルブレンを溶解させた溶液である。液体（Ａ）の他の一例は、ペンタセン、ルブレン、ヘキサセン、およびテトラセンといった縮合多環芳香族化合物またはその誘導体を、有機溶媒に溶解させた溶液である。この有機溶媒としては、芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素、芳香族ハロゲン化炭化水素、脂肪族ハロゲン化炭化水素などの炭化水素が挙げられる。芳香族ハロゲン化炭化水素の例としては、クロロベンゼン，ブロモベンゼン，ヨードベンゼン，フルオロベンゼン，ジクロロベンゼン，ジブロモベンゼン，ジヨードベンゼン，ジフルオロベンゼン，トリクロロベンゼン，クロロトルエン，ブロモトルエン，ヨードトルエン，ジクロロトルエン，ジブロモトルエン，ジフルオロトルエン，クロロキシレン，ブロモキシレン，ヨードキシレン，クロロエチルベンゼン，ブロモエチルベンゼン，ヨードエチルベンゼン，ジクロロエチルベンゼン，ジブロモエチルベンゼン，クロロナフタレン，ブロモナフタレン，ジクロロナフタレン，ジクロロアントラセン，テトラクロロベンゼン，トリブロモベンゼン，テトラブロモベンゼンなどが挙げられる。また、脂肪族ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン，ジクロロエタン，トリクロロエタン，ジフルオロエタン，テトラクロロエタン，テトラフルオロエタン，フルオロクロロエタン，クロロプロパン，ジクロロプロパン，クロロペンタン，クロロヘキサン，クロロシクロペンタンなどが挙げられる。また、芳香族炭化水素としては、トルエン，キシレン，メシチレン，メチルナフタレンなどが挙げられる。また、脂肪族炭化水素としては、デカヒドロナフタレン，オクタン，ノナン，デカン，アンデカン，ドデカン，シクロヘプタン，ジブチルフタレートなどが挙げられる。さらに、ジフェニルエーテル等のエーテル類、炭酸プロピレン等のカーボネート、エステル類（ブチルラクトン，プロピオラクトン，ジエチルセバケート等）、ケトン類（シクロヘキサノン，メチルイソブチルケトン等）、アセトニトリル、およびテトラヒドロフランを有機溶媒として用いてもよい。また、これらの混合溶媒を用いてもよい。【００４１】
以上の有機溶媒の中でも、芳香族ハロゲン化炭化水素は、縮合多環芳香族化合物の溶解性が高く、形成される薄膜の特性が高いという利点を有する。【００４２】
結晶形成工程では、吐出装置によって液体（Ａ）を枠体の内側に配置してもよい。吐出装置としては、たとえば、インクジェットプリンタに用いられるプリンタヘッドや、ディスペンサ装置が挙げられる。このような吐出装置を用いることによって、所定の量の液体（Ａ）を枠体の内側に簡単に配置できる。【００４３】
また、液体（Ａ）は、他の方法によって枠体の内側に配置されてもよい。たとえば、液体（Ａ）が配置される領域以外の基材表面のほぼ全体が枠体で覆われている場合には、枠体が形成された基材に液体（Ａ）を接触させることによって液体（Ａ）を枠体の内側に配置してもよい。たとえば、枠体が形成された基材を液体（Ａ）に浸漬したのち引き上げてもよい。【００４４】
結晶形成工程では、液体（Ａ）の液媒体を蒸発させることによって、有機半導体材料の結晶を形成してもよい。また、液体（Ａ）中の有機半導体材料の濃度、液体（Ａ）の温度、雰囲気の圧力のいずれか、またはこれらの２種類以上の条件を制御することによって、液体（Ａ）から結晶を形成してもよい。たとえば、液体（Ａ）を冷却することによって液体（Ａ）から結晶を形成してもよい。また、有機半導体材料が過飽和の状態となっている液体（Ａ）を作製し、その液体（Ａ）から結晶を形成してもよい。【００４５】
結晶形成工程では、結晶の形成を促進するために、液体（Ａ）の一部の状態を変化させる処理を行ってもよい。たとえば、結晶形成工程では、液体（Ａ）を枠体の内側に配置する前に、枠体の内側に、有機半導体材料の結晶の形成を促進させる物質を配置してもよい。また、結晶形成工程は、枠体の内側に配置された液体（Ａ）に光（たとえばレーザ光や放射線光などのエネルギー線）を照射することによって、液体（Ａ）中で種結晶を形成する工程を含んでもよい。【００４６】
結晶形成工程では、枠体の内側の底面の上に液体（Ａ）が配置される。そのため、枠体の物性や枠体の内側の底面の物性が、結晶形成に影響を与える場合がある。したがって、枠体の物性や、枠体の内側の底面の物性を制御することによって、結晶の形成を制御できる場合がある。【００４７】
本発明の製造方法では、枠体の内側の底面が親液性であってもよい。その底面は、親液性の膜や、親液化処理された基材表面で構成される。その底面は、液体（Ａ）が水、または水を含む液体である場合、撥水性の膜や撥水性の基材表面によって構成される。基材の通常の表面が撥水性でない場合、基材の表面を撥水化処理してもよい。また、逆に枠体の内側の底面が撥液性であってもよい。【００４８】
本発明の製造方法では、枠体の内側の底面に対する液体（Ａ）の親和性（ヌレ性）が、枠体に対する液体（Ａ）の親和性よりも高くてもよい。具体的には、当該底面に対する液体（Ａ）の静的接触角が、枠体に対する液体（Ａ）の静的接触角よりも小さくてもよい。このような構成によれば、有機半導体材料の結晶が枠体の近傍のみに形成されることを防止できる。また、液体（Ａ）の親和性が低い枠体、すなわち液体（Ａ）に対して撥液性を有する枠体を用いる場合、枠体の内側に、液体（Ａ）が盛り上げるように配置することが可能であり、より多くの液体（Ａ）を枠体の内側に配置できる。逆に、本発明の製造方法では、枠体の内側の底面に対する液体（Ａ）の親和性を、枠体に対する液体（Ａ）の親和性と同じか、それよりも低くしてもよい。【００４９】
本発明の製造方法では、液体（Ａ）の液媒体が水を含み、枠体が疎水性であってもよい。液媒体が水、または水を含む混合液である場合、疎水性の枠体を用いることによって、有機半導体材料の結晶が枠体の近傍のみに形成されることを防止できる。また、枠体の内側により多量の液体（Ａ）を配置することが可能となる。【００５０】
本発明の製造方法では、枠体の内側の底面に、粗面化された表面に形成された、フッ化炭素系化合物からなる自己組織化膜が形成されていてもよい。ここで用いられるフッ化炭素系化合物は、フッ化炭素基を含み自己組織化能を有する化合物である。そのような化合物を用いることによって、超撥液性を示す底面を形成することが可能である。フッ化炭素系化合物の具体例については、後述する。粗面化された表面は、基板表面であってもよいし、基板とフッ化炭素系化合物からなる自己組織化膜との間に配置された層の表面であってもよい。粗面化された表面は、たとえば中心線平均粗さが１００ｎｍ以下であり、最大高さが１μｍ以下である。１つの凸部の断面積の一例は３００ｎｍ2であり、単位面積あたり凸部の占める面積の割合の一例は５０％である。【００５１】
枠体の内側の底面には、第１の領域と、その第１の領域よりも液体（Ａ）との親和性が高い第２の領域とが存在してもよい。好ましい例では、第１の領域が撥液性であり、第２の領域が親液性である。この構成によれば、有機半導体材料の結晶を、第２の領域およびその近傍に形成することが可能である。たとえば、枠体の内側の底面のうち中央部のみに第２の領域を形成することによって、中央部のみに有機半導体材料の結晶を形成することが可能である。１つの枠体の内側に形成される第２の領域は、１つであってもよいし、複数であってもよい。第１の領域は、撥液性の膜や、撥液性の基材表面で構成される。第２の領域は親液性の膜や、親液性の基材表面で構成される。液体（Ａ）が水、または水を含む液体である場合、撥水性の膜や撥水性の基材表面によって第１の領域が構成され、親水性の膜や親水性の基材表面によって第２の領域が構成される。基材表面の撥液性（撥水性）および親液性（親水性）は、表面処理によって制御してもよい。【００５２】
本発明では、枠体の内側の底面の一部にソース電極およびドレイン電極が配置されていてもよい。この場合、上記第２の領域がソース電極とドレイン電極との間に存在してもよい。この構成によれば、ソース電極、ドレイン電極、および第２の領域の位置と、形成される結晶の大きさとを調整することによって、ソース電極およびドレイン電極に接触するように、有機半導体材料の結晶を形成することが可能である。【００５３】
また、枠体の内側の底面にゲート電極が配置されていてもよい。この場合、上記第２の領域は、ゲート電極上に形成されていてもよい。【００５４】
また、枠体の内側の底面の一部にソース電極およびドレイン電極が配置されており、ソース電極とドレイン電極との間にゲート電極が配置されていてもよい。この場合、上記第２の領域は、ソース電極とドレイン電極との間であって且つゲート電極上に形成されていてもよい。【００５５】
また、枠体の内側の底面にソース電極およびドレイン電極のうちの一方の電極が形成されており、上記第２の領域が当該一方の電極上に形成されていてもよい。このような構成は、縦型の電界効果トランジスタに適用できる。【００５６】
結晶形成工程は、不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。不活性ガスとしては、たとえば窒素ガスが挙げられる。【００５７】
本発明の製造方法で製造される半導体素子は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であってもよい。この場合、半導体素子は、半導体層に電圧を印加するためのゲート電極と、半導体層とゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜と、半導体層に接触するソース電極およびドレイン電極とを含んでもよい。【００５８】
ＦＥＴは、縦型であってもよい。この場合には、ソース電極と前記ドレイン電極とが、半導体層を挟んで基材上に積層される。たとえば、基材側から順に、ソース電極、半導体層、およびドレイン電極の順に積層されてもよい。また、基材側から順に、ドレイン電極、半導体層およびソース電極の順に積層されてもよい。【００５９】
また、本発明の半導体素子、および本発明の製造方法で製造される半導体素子は、ＦＥＴ以外の半導体素子、たとえば、レーザ素子や、ダイオード、受光素子、発光素子、薄膜トランジスタ、リングオシレータ、力学センサー（圧力センサー、ひずみセンサー）であってもよい。また、ショットキー接合構造を有する素子やトンネル接合構造を有する素子であってもよい。また、それらの素子を用いた化学センサーであってもよい。ＦＥＴなどのこれらの素子において、半導体層以外の部分は、公知の素子と同様の構成および材料を適用でき、公知の方法で形成できる。各部分の形成の順序は、素子の構造に応じて決定される。【００６０】
本発明の製造方法は、工程（ii）ののちに、枠体を除去する工程をさらに含んでもよい。枠体は、枠体の材質に応じた方法で除去される。たとえば、枠体は、有機溶剤によって溶解させて除去してもよいし、酸化処理や分解処理といった方法で除去してもよい。また、半導体層上に保護層を形成した後に枠体を除去してもよい。保護層を形成することによって、枠体と共に半導体層が除去されることを防止できる。【００６１】
［半導体素子］
１つの観点では、本発明の半導体素子は、半導体素子を製造するための本発明の製造方法によって製造された半導体素子である。なお、枠体を除去する工程を含む製造方法で製造された半導体素子は、枠体を含まない。この場合、枠体の痕跡が残る場合がある。【００６２】
また、別の観点では、本発明の半導体素子は、基材と、基材上に配置された枠体と、枠体の内側に配置された半導体層とを備え、半導体層が有機半導体材料の結晶を含む。この半導体素子は、本発明の製造方法で製造される。この半導体素子の構成、たとえば、基板、基材、枠体、半導体層、有機半導体材料の結晶、および電極などについては上述したため、重複する説明を省略する場合がある。これらの材料の一例については後述する。【００６３】
半導体層は枠体の内側の底面の上に配置されているが、上述したように、枠体の内側には、撥液性の被覆層や親液性の被覆層が形成されていてもよい。【００６４】
本発明の半導体素子は枠体を備えるため、基材上に複数の半導体素子を形成する場合に、素子間の短絡を防止することが可能である。また、この枠体は、ゲート絶縁層の周囲を囲む枠体、ゲート電極の周囲を囲む枠体、有機ＥＬ素子の発光層などの周囲を囲む枠体としても利用することが可能である。【００６５】
本発明の半導体素子では、半導体層のうち、基材側とは反対側の面が曲面であってもよい。そのような半導体層を備えることによって、結晶の方向性に余裕を与えることができるため、半導体層の性能に制約を与えることが少なくなる。その結果、素子の性能が高くなる可能性がある。本発明の製造方法で形成された半導体層は、液体（Ａ）の表面張力の影響や、液体（Ａ）の表面の揺らぎの自由度の影響などによって、その表面が曲面となる場合がある。もちろん、結晶形成能が高い有機半導体材料を用いた場合は、平坦な結晶面が形成されることもある。【００６６】
本発明の半導体素子では、枠体と半導体層とが接触していてもよいし、接触していなくてもよい。【００６７】
本発明の半導体素子は、ＦＥＴであってもよい。この場合、半導体素子は、半導体層に電界を印加するためのゲート電極と、半導体層とゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜と、半導体層に接触するソース電極およびドレイン電極とを備える。また、上述したように、本発明の半導体素子は、ＦＥＴ以外の他の半導体素子であってもよい。【００６８】
［電子デバイスおよびその製造方法］
本発明の電子デバイスは、本発明の半導体素子を備える。この電子デバイスは、本発明の半導体素子以外の半導体素子を含んでもよい。すなわち、電子デバイスが複数の半導体素子を備える場合、そのうちの少なくとも１つが本発明の半導体素子であればよい。【００６９】
半導体素子を備える電子デバイスを製造するための本発明の方法は、半導体素子を製造するための本発明の方法によって半導体素子を製造する工程を含む。上述したように、この半導体素子は、有機半導体材料の結晶を含む半導体層を備える。半導体素子の製造方法以外の工程については特に限定がなく、公知の工程を適用できる。本発明の製造方法によって、本発明の電子デバイスが製造される。【００７０】
本発明の電子デバイスに、特に限定はない。本発明の電子デバイスとしては、たとえば、ディスプレイ、無線ＩＣタグ、光センサー、イメージセンサー、ガスセンサー、圧力センサー、レーザ素子、光スイッチング素子、エレクトロルミネッセントデバイス、液晶バックライト、液晶表示デバイスが挙げられる。フレキシブルな基板上に半導体素子を形成することが可能である利点から、本発明は特に、フレキシブルなディスプレイや、無線ＩＣタグ、各種センサー、照明、曲面または吊り下げまたはポスター形状の電子広告装置、モバイル機器、ウエラブル機器、電装部品、ディスポーザブル製品、電子ペーパー、電子モール、電子採光装置に好ましく適用される。【００７１】
［実施形態１］
以下、本発明のＦＥＴの一例について説明する。実施形態１のＦＥＴの上面図を図１Ａに示し、図１Ａの一点鎖線ＩＢ−ＩＢにおける端面図を図１Ｂに示す。なお、以下の図においても、図のＡ、ＣおよびＥは上面図であり、それらの一点鎖線における端面図を、図のＢ、ＤおよびＦに示す。【００７２】
図１Ａおよび１ＢのＦＥＴ１０は、基板１１（基材）、枠体１２、結晶１３、ソース電極１４、ドレイン電極１５、ゲート絶縁膜１６およびゲート電極１７を備える。【００７３】
基板１１は、たとえばシリコン基板やガラス基板である。枠体１２は、信越化学工業社製のシランカップリング剤であるＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣｌ3を用いて形成された自己組織化膜である。この自己組織化膜は、シロキサン結合によって基板１１と結合している。この自己組織化膜は、有機溶剤や水に対して耐久性があるとともに、３００℃までの耐熱性がある。この自己組織化膜の表面は、フッ化炭素基によって疎水性を示す。【００７４】
枠体１２は、四角形の枠である。枠体１２の高さは、約１ｎｍ程度である。枠体１２の外縁のサイズは、たとえば、縦が１ｍｍで横が約１ｍｍである。枠体１２の幅（一辺の幅）は、約１０μｍである。【００７５】
結晶１３は、ルブレンからなる。なお、ルブレンの代わりに他の半導体材料、たとえば上述した他の半導体材料を用いてもよい。なお、本発明の効果が得られる限り、結晶１３の代わりに、一部に結晶１３を含む半導体層を用いてもよい（以下の実施形態においても同様である）。ソース電極１４およびドレイン電極１５は、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、白金、金、銀、モリブデン、タンタルまたはこれらを含む合金等の金属材料で形成できる。また、これらの電極は、他の材料を用いて形成してもよい。たとえば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープした錫酸化物（ＦＴＯ）、錫酸化物（ＳｎＯ2）、インジウム酸化物（ＩＯ）、酸化モリブデン等の導電性酸化物材料を用いてもよい。また、導電性高分子材料（ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランなど）や、炭素系材料（カーボンブラック、グラファイト、フラーレン、カーボンナノチューブ、カーボン螺旋材料、カーボン樹脂材料など）を用いてもよい。また、２種以上の材料からなる複合材料や混合材料を用いてもよい。【００７６】
ゲート絶縁膜１６はポリイミド（京セラケミカル社製）からなる。ゲート電極１７は金からなる。【００７７】
ゲート絶縁膜は、ポリイミド以外の絶縁性材料を用いて形成してもよい。たとえば、ポリスチレン、ポリアミドイミド、ポリビニルフェニレン、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリル系樹脂（ポリメチルメタクリレートなど）、フッ素系樹脂（ポリテトラフルオロエチレンなど）、フェノール系樹脂（ポリビニルフェノールやノボラック樹脂など）、オレフィン系樹脂（ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンなど）を用いてもよい。また、２種以上の材料を組み合わせて用いてもよい。また、無機材料（たとえばＳｉＯ2膜）を用いてもよい。ＳｉＯ2膜は、たとえば、ポリシリケート、ポリシロキサン、またはポリシラザンの溶液を塗布して膜を形成したのち、その膜を、酸素ガスまたは水蒸気の存在下で加熱することによって、形成できる。また、金属アルコキシド溶液を塗布して膜を形成した後、その膜を酸素雰囲気で加熱することによって、無機ゲート絶縁膜を形成することも可能である。【００７８】
ゲート電極は、金以外の導電性材料を用いて形成してもよい。たとえば、銀、ニッケル、銅、白金、アルミニウム、チタニウム、タンタル、コバルト、モリブデンなどの金属やそれらの金属を含む合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウムのようなアルカリ金属、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウムのようなアルカリ土類金属、ランタン、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂのような希土類金属を用いてもよい。また、ＬｉＦやＣｓＦのような上記金属を含むフッ化物（ハロゲン化物）を用いてもよい。また、ｎ型のシリコンやガリウムヒ素などの半導体を用いてもよい。空気中の酸素と反応しやすい金属については、その金属と、銀、金、ニッケル、銅といったより安定な金属との合金を用いてもよい。また、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープした錫酸化物（ＦＴＯ）、錫酸化物（ＳｎＯ2）、インジウム酸化物（ＩＯ）、酸化モリブデン等の導電性酸化物材料を用いてもよい。また、導電性高分子材料（ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランなど）、炭素系材料（カーボンブラック、グラファイト、フラーレン、カーボンナノチューブ、カーボン螺旋材料、カーボン樹脂材料など）を用いてもよい。また、２種以上の材料からなる複合材料や混合材料を用いてもよい。【００７９】
図１Ａおよび１Ｂには、枠体１２と結晶１３との間に隙間が存在する半導体素子の一例を示している。実施形態１の製造方法では、通常、有機半導体材料を含む液体（Ａ）から液媒体が蒸発し、溶質が飽和状態または過飽和状態になって結晶が形成されるため、枠体１２の内側に配置される液体（Ａ）の量よりも結晶１３の体積は小さくなる。そのため、枠体１２の内側の一部のみに結晶１３が形成される。しかし、条件によっては、枠体１２の内側に全面に結晶１３が形成される。たとえば、蒸発した液媒体の量と同じ量の液体（Ａ）をつぎ足すなどの操作をすることによって、枠体１２の内側の全面に結晶１３を形成することも可能である。【００８０】
以下に、ＦＥＴ１０の製造方法の一例について説明する。まず、図２Ａおよび２Ｂに示すように、基板１１の表面にソース電極１４およびドレイン電極１５を形成し、基板１１上に枠体１２を形成する。ソース電極１４およびドレイン電極１５は、蒸着によって形成できる。【００８１】
枠体１２の形成方法を、図３Ａ〜３Ｆに示す。まず、図３Ａおよび３Ｂに示すように、基板１１、ソース電極１４およびドレイン電極１５を覆うように、ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣｌ3を用いて自己組織化膜１２ａを形成する。自己組織化膜１２ａは、ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣｌ3の溶液を塗布したのち、乾燥させることによって形成できる。溶液の溶媒には、たとえばパーフルオロエーテル（スリーエム社製）が用いられる。【００８２】
次に、図３Ｃおよび３Ｄに示すように、枠体１２となる部分を保護するメタルマスク３１を自己組織化膜１２ａ上に配置した状態で、自己組織化膜１２ａに紫外線を照射する。これによって、メタルマスク３１で保護されていない部分の自己組織化膜１２ａを分解する。分解された自己組織化膜はガス化されて除去される。このようにして、図３Ｅおよび３Ｆに示すように枠体１２を形成できる。【００８３】
なお、自己組織化膜からなる枠体は、公知の他の方法で形成してもよい。たとえば、自己組織化膜に電子線を照射することによって自己組織化膜をパターニングしてもよい。そのような方法は、たとえば、Norihisa Minoらによる「Fabrication of self-assembled monolayer patterns by selective electron beam irradiation and a chemical adsorption technique」（Thin Solid Films, Volume 243, Issues 1-2, 1 May 1994年, Pages 374-377）に開示されている。また、枠体を形成する部分以外の領域にレジストパターンを形成し、次に、レジストパターンを覆うように自己組織化膜を形成し、その後、レジストパターンを除去することによって枠体を形成してもよい。【００８４】
次に、図２Ｃおよび２Ｄに示すように、枠体１２の内側を、１，２，４−トリクロロベンゼンにルブレンを溶解させて得られる溶液２１で満たす。溶液２１は、インクジェットプリンタに用いられるプリンタヘッドやディスペンサを用いて枠体１２の内側に供給できる。特に、インクジェット方式は、液量を制御できるという利点を有するため、好ましい手法の１つである。溶液２１が配置された基板１１は、結晶の形成に適した環境下に置かれる。たとえば、温度およびガス雰囲気などが制御された容器内に基板を設置し、各時間における溶媒の揮発量を制御することによって溶液の濃度を制御し、結晶の形成および成長に最もふさわしい条件にする。このようにして、溶液２１内に種結晶が形成され、この種結晶を核にして結晶成長が促される。なお、枠体１２の内側に溶液２１を配置する方法としては、インクジェット方式およびディスペンサ方式以外の方法を用いてもよい。たとえば、枠体１２が形成された基材を、溶液２１中に浸漬してもよい。また、枠体１２が形成された基材に、溶液２１を噴霧してもよい。【００８５】
結晶の形成条件は結晶の種類によって様々である。一例として、溶媒である６０℃の１，２，４−トリクロロベンゼン（アルドリッチ社製）に、ルブレン（アルドリッチ社製）を溶解させることによって得られる、濃度１０ｇ／Ｌの褐色の溶液を用いて結晶を形成する場合について説明する。この溶液５００マイクロリットルを、ディスペンサによって枠体１２の内側に滴下したのち、基板１１を１５０℃の窒素ガス雰囲気中に配置し、１０分間に１回の割合で基板全体に揺動を加える。これによって、約２４時間経過までに種結晶が形成される。その後、雰囲気温度を１５０℃から室温まで、１時間におよそ１℃の割合で低下させる操作を行うことによって、基板上に結晶を形成できる。【００８６】
このようにして、図２Ｅおよび２Ｆに示すように、枠体１２内に結晶１３が形成される。結晶１３の大きさは、たとえば、縦が２５０μｍで、横が３００μｍで、高さが１０μｍである。なお、結晶形成のために、温度雰囲気およびガス雰囲気を変化させることに加えて、さらに圧力を変化させてもよい。また、結晶１３の形成後であれば、枠体１２を取り除いてもよい。また、一度の結晶形成で得られる結晶１３の大きさが不十分である場合には、液体（Ａ）の配置と結晶形成とを複数回繰り返してもよい。【００８７】
次に、ゲート絶縁膜１６およびゲート電極１７を形成することによって、図１Ａおよび１Ｂに示すＦＥＴ１０が形成される。ゲート絶縁膜１６およびゲート電極１７は、公知の方法で形成できる。たとえば、ゲート絶縁膜１６はスピンコート法によって形成でき、ゲート電極１７は蒸着によって形成できる。【００８８】
なお、素子を構成する各部分の配置は、素子がＦＥＴとして機能する限り、特に限定はない（以下の実施形態においても同様である）。たとえば、ゲート絶縁膜１６およびゲート電極１７は、ソース電極１４およびドレイン電極１５と同様に、基材（基板１１）と半導体層（結晶１３）との間に配置してもよい。その場合、ゲート電極１７、ゲート絶縁膜１６および結晶１３が、基板１１上にこの順序で積層される。また、ソース電極１４およびドレイン電極１５は、結晶１３上に形成してもよい。また、厚さ方向にＦＥＴを構成してもよい。【００８９】
ソース電極１４およびドレイン電極１５を結晶１３上に形成したＦＥＴの一例を、図１Ｃおよび１Ｄに示す。図１Ｃおよび１ＤのＦＥＴ１０ａでは、基板１１の上に結晶１３が形成されており、結晶１３上にソース電極１４およびドレイン電極１５が形成されている。ゲート絶縁膜１６は、結晶１３、ソース電極１４およびドレイン電極１５を覆うように形成されている。ゲート電極１７は、ゲート絶縁膜１６上であって、ソース電極１４とドレイン電極１５との間の領域に形成されている。なお、結晶１３と基板１１との間に絶縁性の下地層が配置されてもよい。基板１１の上に直接結晶１３が形成される場合、基板１１は、通常、絶縁性の材料で形成される。【００９０】
ＦＥＴ１０ａの結晶１３は、ＦＥＴ１０と同様の方法で形成できる。結晶１３の形成後、ソース電極１４およびドレイン電極１５、ゲート絶縁膜１６、ゲート電極１７の順で形成する。これらは、半導体素子製造プロセスで一般的に用いられている技術で形成できる。【００９１】
なお、シランカップリング剤で枠体を形成する場合には、枠体を形成する基板表面に活性な水素（たとえば水酸基やカルボキシル基など）が露出していることが好ましい。セラミックスなどの酸化物からなる基板では、基板表面に活性な水素が存在していると考えられる。また、金属からなる基板では、通常、表面に自然酸化膜が形成されているために表面に活性な水素が存在している場合が多い。活性な水素の存在が少ない場合には、表面の酸化などによって表面に活性な水素を形成できる。樹脂からなる基板では、表面に活性な水素（例えば水酸基、カルボキシル基、アミノ基、イミノ基、メルカプト基など）が存在することが一般的に少ないため、シランカップリング剤を適用することが困難な場合が多い。しかし、紫外線オゾン表面処理、酸素プラズマ処理、グロー放電処理、コロナ放電処理などの物理的表面処理で活性な水素を表面に形成することができる。また、化学的な酸化処理によっても活性な水素を表面に形成することができる。【００９２】
［実施形態２］
実施形態２では、結晶形成方法の他の例について説明する。なお、以下の実施形態では結晶の形成方法のみについて説明するが、他の部分については実施形態１のＦＥＴ１０またはＦＥＴ１０ａと同様の構成および方法を適用できる。【００９３】
実施形態２の方法では、枠体の内側の底面を、液体（Ａ）のヌレ性が高い面とする。具体的には、図４Ａおよび４Ｂに示すように、枠体１２の内側に、液体（Ａ）のヌレ性が高い被覆層４２を形成する。被覆層４２は、枠体１２の内側の底面を構成する。なお、被覆層４２を基材（基板１１）の表面全体に形成し、その上に枠体１２を形成してもよい（以下の実施形態の被覆層についても同様である）。また、被覆層４２を形成する代わりに、基板１１の表面を親液化処理してもよい。【００９４】
被覆層４２は、たとえば、被覆層４２の材料を含む溶液を枠体１２の内側に滴下したのち、溶媒を蒸発させることによって形成できる。被覆層４２の材料は、液体（Ａ）の種類に応じて選択される。たとえば、液体（Ａ）が実施形態１で例示したルブレンの１，２，４−トリクロロベンゼン溶液である場合、芳香環やクロロメチル基などを含有する材料が被覆層４２の材料に適していると考えられる。たとえば、シランカップリング剤であるＣＨ2ＣｌＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣｌ3（アズマックス社製）を用いて被覆層４２を形成できる。この被覆層４２の上に溶液２１（ルブレンの１，２，４−トリクロロベンゼン溶液）を滴下すると、溶液２１は枠体１２の内部に一様に拡がった状態となる。【００９５】
被覆層４２の形成後は、実施形態１のＦＥＴ１０ａと同様の工程でＦＥＴを形成できる。なお、被覆層４２を用いる場合、溶液２１が枠体１２の内側全体に拡がるため、枠体１２の底面全体に結晶１３が形成されることもある。そのような結晶１３を、図４Ｃおよび４Ｄに示す。図４Ｃおよび４Ｄに示すような結晶１３を形成する場合、必要に応じて結晶形成工程を複数回行う。【００９６】
なお、実施形態２において、枠体１２なしで半導体層の形成を複数回行った。その結果、被覆層４２を中心にして広範囲にわたって半導体層が形成された。半導体層が被覆層４２を完全に覆う場合もあったが、半導体層が被覆層４２の一部のみを覆う場合もあった。被覆層４２が再現性よく半導体層に覆われることはなかった。また、半導体層の面積が広いと半導体層が薄くなり、半導体層の面積が狭いと半導体層が厚くなった。そのため、半導体層の厚さのばらつきが大きかった。以上のように、枠体がない場合には、半導体層を所定の位置に所定の厚さで形成することは困難であった。【００９７】
［実施形態３］
実施形態３では、枠体の内側の底面に、第１の領域と、第１の領域よりも液体（Ａ）との親和性が高い第２の領域とが存在する場合について説明する。具体的には、図５Ａおよび５Ｂに示すように、枠体１２の内側に被覆層５２を形成する。枠体１２の内側の底面は、被覆層５２によって構成される。【００９８】
被覆層５２は、被覆層５２ａ（第２の領域）と、被覆層５２ａの周囲に配置された被覆層５２ｂ（第１の領域）とによって構成されている。被覆層５２ａは、ソース電極１４とドレイン電極１５とが配置される領域の間に形成される。被覆層５２ａは、液体（Ａ）のヌレ性が高い膜である。一方、被覆層５２ｂは、液体（Ａ）に対して撥液性を有する膜である。【００９９】
被覆層５２ａおよび被覆層５２ｂの材料は、液体（Ａ）に応じて選択される。これらの材料の一例はシランカップリング剤であり、撥液性を有する被覆層５２ｂの一例は、フッ化炭素系のシランカップリング剤である。たとえば、液体（Ａ）が実施形態１で例示した溶液２１（ルブレンの１，２，４−トリクロロベンゼン溶液）である場合、炭化水素基やＣＦＨ2基、ＣＦ2Ｈ基、ＣＦ3ＣＨ2基などを官能基として有する材料が、撥液性を有する被覆層５２ｂの材料に適していると考えられる。また、液体（Ａ）が実施形態１で例示した溶液２１である場合、親液性を有する被覆層５２ａの材料には、被覆層４２について説明した材料が適している。【０１００】
一例では、ＣＨ2ＣｌＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣｌ3（アズマックス社製）を用いて被覆層５２ａを形成し、ＣＨ2ＦＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣｌ3（アズマックス社製）を用いて被覆層５２ｂを形成してもよい。このような被覆層５２上に溶液２１（ルブレンの１，２，４−トリクロロベンゼン溶液）を滴下すると、溶液２１は被覆層５２ａの部分では接触し、その他の部分ではほぼ撥液された状態で配置される。【０１０１】
被覆層５２ａおよび５２ｂは、たとえば、以下の方法で形成できる。まず、被覆層５２ｂが形成される領域を、ポジレジストのパターンで被覆する。次に、被覆層５２ａが形成される領域を、被覆層５２ａの材料を含む溶液で処理し、被覆層５２ａを形成する。次に、ポジレジストパターンを除去し、被覆層５２ｂが形成される領域の基材を露出させる。次に、露出した領域を、被覆層５２ｂの材料を含む溶液で処理し、その領域に被覆層５２ｂを形成する。このとき、被覆層５２ａの領域は基材が露出しておらず被覆層５２ａで被覆されているため、被覆層５２ｂは基材が露出している部分のみに形成される。なお、被覆層の形成順序を入れ替えてもよい。【０１０２】
また、レジストパターンを使用せずに被覆層５２を形成することも可能である。たとえば、まず、被覆層５２が形成される領域の全面に、被覆層５２ａを形成する。次に、マスクを用いた光分解法や紫外線酸化法などによって被覆層５２ｂが形成される領域の被覆層５２ａを除去し、その領域の基材を露出させる。次に、露出した領域に被覆層５２ｂを形成する。この場合も、被覆層の形成順序を入れ替えて、被覆層５２ｂを形成した後に被覆層５２ａを形成してもよい。【０１０３】
結晶形成時に基板１１を傾けたり振動させたりした場合、液体（Ａ）が枠体１２内を常時移動することによって結晶成長に支障が生じる場合がある。これに対して、被覆層５２を用いた場合には、液体（Ａ）の移動を、親液性の被覆層５２ａによって抑制することが可能である。そのため、被覆層５２ａの近傍に選択的に結晶１３を形成することが可能である。【０１０４】
なお、基板１１の表面に対する液体（Ａ）のヌレ性が高い場合、被覆層５２ａを形成せずにその部分だけ基板１１を露出させることによって効果が得られることもある。また、１つの枠体１２内に、複数の親液性の第２の領域を形成してもよい。【０１０５】
図５Ａおよび５Ｂの工程の後は、実施形態１のＦＥＴ１０ａと同様の工程によってＦＥＴを形成できる。【０１０６】
［実施形態４］
実施形態４では、枠体の内側の底面に、第１の領域と、第１の領域よりも液体（Ａ）との親和性が高い第２の領域とが存在する場合について説明する。実施形態４では、図６Ａおよび６Ｂに示すように、基板７１の上に被覆層５２を形成する。【０１０７】
被覆層５２は、実施形態３と同様の被覆層５２ａおよび５２ｂによって構成されている。基板７１は、たとえばシリコン基板である。基板７１の表面のうち、少なくとも被覆層５２ｂが形成されている表面は粗面化されている。具体的には、その表面には１μｍ以下の凹凸が形成されている。粗面化された表面に撥液性の被覆層５２ｂを形成することによって、被覆層５２ｂの撥液性をさらに高めることができる。【０１０８】
なお、基板７１の表面のうち、被覆層５２が形成されている表面のみが粗面化されていてもよいし、基板７１の表面の全体が粗面化されていてもよい。また、表面が粗面化されていない基板を用い、その基板と被覆層５２との間に、表面が粗面化された膜を形成してもよい。基板の表面および膜の表面は、公知の物理的な処理または公知の化学的な処理によって粗面化することが可能である。基板および／または膜の粗面化は、撥液性を高めるだけでなく、結晶核の発生を促進させる。【０１０９】
実施形態４の構成では、枠体１２の高さが１〜２ｎｍ程度であると、液体（Ａ）が枠体１２の外側に飛び出してしまう可能性がある。その場合は、物理的に障壁となる程度の高さの枠体を形成する必要がある。高さがたとえば１μｍ以上の枠体１２を形成する場合、半導体素子製造プロセスで用いられているレジスト膜を用いてもよい。レジスト膜を、公知の技術でパターニングすることによって、高い枠体１２を容易に形成できる。【０１１０】
実施形態４においても、実施形態３と同様に、親液性の被覆層５２ａと撥液性の被覆層５２ｂとによって構成された被覆層５２が用いられる。被覆層５２の構成およびそのバリエーションについては、実施形態３と同様である。このような被覆層５２上に溶液２１（ルブレンの１，２，４−トリクロロベンゼン溶液）を滴下すると、溶液２１は被覆層５２ａの部分では接触し、その他の部分ではほぼ撥液された状態で配置される。【０１１１】
図６Ａおよび６Ｂの工程の後は、実施形態１のＦＥＴ１０ａと同様の工程によってＦＥＴを形成できる。【０１１２】
［実施形態５］
実施形態５では、種結晶の形成を誘発する物質を枠体１２の内側に配置する例について説明する。具体的には、図７Ａおよび７Ｂに示すように、基板１１の上に膜８１を形成する。なお、図１Ａおよび１Ｂに示すように、基板１１の表面にソース電極１４およびドレイン電極１５が形成されていてもよい。【０１１３】
膜８１は、結晶１３の種結晶の形成を誘発するための膜である。そのため、膜８１の構成や材料は、液体（Ａ）や結晶１３の種類に応じて選択される。液体（Ａ）として実施形態１で説明した溶液２１（ルブレンの１，２，４−トリクロロベンゼン溶液）を用いる場合、膜８１として、たとえば、ルブレン骨格を有する有機分子からなる自己組織化膜を用いてもよい。そのような膜８１を用いることによって、ルブレンの種結晶の形成を促進させることができる。また、膜８１の近傍に結晶を形成することが可能である。【０１１４】
なお、膜８１を配置する場所や数は必要に応じて変更すればよく、たとえば、枠体１２内に複数の膜８１を配置してもよい。また、膜８１の代わりに種結晶を配置してもよい。膜８１や種結晶は、親液性が高い領域の１つの形態である。【０１１５】
膜８１を構成する有機分子としては、たとえば、９−［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］アントラセン、４−フェニル−１−［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］ナフタレン、１，４−ビス［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］ナフタレン、１０−フェニル−９−［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］アントラセン、９，１０−ビス［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］アントラセン、５，６，１１−トリフェニル−１２−［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］テトラセンを用いることができる。なお、いずれの有機分子もトリクロロシリル基を含有しているが、トリクロロシリル基の代わりに、基材と結合する他の官能基を用いてもよい。そのような官能基としては、たとえば、モノクロルシリル基、ジクロルシリル基、メトキシ基、およびエトキシ基といったアルコキシシリル基が挙げられる。これらの分子を用いて膜８１を形成する場合、レジスト膜とフォトリソグラフィとを用いてもよい。膜８１は、数十分子で構成されてもよい。また、膜８１の代わりに、１つの有機分子を用いてもよい。【０１１６】
有機半導体材料がアントラセンまたはルブレンである場合、膜８１の材料としては、９−［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］アントラセン、１０−フェニル−９−［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］アントラセン、または９，１０−ビス［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］アントラセンが好ましく用いられる。有機半導体材料がナフタレンまたはルブレンである場合、膜８１の材料としては、４−フェニル−１−［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］ナフタレン、および１，４−ビス［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］ナフタレンが好ましく用いられる。有機半導体材料がテトラセンまたはルブレンである場合、膜８１の材料としては、５，６，１１−トリフェニル−１２−［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］テトラセンが好ましく用いられる。【０１１７】
膜８１の材料として例示した上記化合物は、公知の方法で合成できる。一例として、１０−フェニル−９−［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］アントラセンの合成方法を、以下に示す。【０１１８】
まず、アルゴン気流下で、反応容器に、９−フェニルアントラセン９．２ｇと脱水ジクロロメタン２１５ｍＬとを入れ、さらにその中に臭素６．３ｇを滴下した。そして、反応液を室温で２時間撹拌した。次に、反応液をチオ硫酸ナトリウム水溶液（濃度：５％）で洗浄し、有機層を分液した。そして、その有機層を、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで脱水し、さらに減圧濃縮し、さらにシリカゲルカラムで精製した。このようにして、１０−フェニル−９−臭素−アントラセン（化合物１）１０．７ｇを得た。なお、生成物の同定は、核磁気共鳴吸収スペクトルによって行った。【０１１９】
次に、アルゴン気流下で、反応容器に、化合物１を１０．４ｇと、４−ビニルフェニルボロン酸４．８４ｇと、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム１０８０ｍｇと、テトラヒドロフラン９４０ｍｌと、１Ｍ−炭酸カリウム水溶液５２０ｍｌとを入れた。そして、反応液を、６６度で２１時間還流させた。次に、反応液を、室温まで自然放熱させた。次に、生成物を、酢酸エチルで抽出し、水で洗浄し、さらに無水硫酸ナトリウムで脱水し、さらに減圧濃縮し、さらにシリカゲルカラムで精製した。このようにして、１０−フェニル−９−（４−ビニルベンゼン）(化合物２)６．８gを得た。なお、生成物の同定は、核磁気共鳴吸収スペクトルによって行った。【０１２０】
次に、耐圧ガラス反応容器に、化合物２を１．６７ｇと、脱水ジクロロメタン３３ｍｌと、トリクロロシラン０．８６ｇとを入れた。さらに、室温で、反応容器中に、ヘキサクロロ白金酸六水和物のテトラヒドロフラン溶液（濃度：１０％）９．４μｌを添加した。なお、トリクロロシランとヘキサクロロ白金酸六水和物のテトラヒドロフラン溶液は、２回に分けて入れた。そして、反応液を２日間撹拌した。次に、反応物を、減圧濃縮し、さらに昇華精製した。このようにして、１０−フェニル−９−［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］アントラセン０．６ｇを得た。なお、生成物の同定は、核磁気共鳴吸収スペクトルによって行った。【０１２１】
本発明の製造方法では、液体（Ａ）中において種結晶の形成を誘発するための操作を行ってもよい。たとえば、液体（Ａ）の一部にレーザ光線などの光を照射することによって照射部分の温度を瞬間的に高めてやり、その部分に種結晶を形成することも可能である。【０１２２】
図７Ａおよび７Ｂの工程の後は、実施形態１のＦＥＴ１０またはＦＥＴ１０ａと同様の工程によってＦＥＴを形成できる。【０１２３】
［その他のバリエーション］
上記実施形態の一部では、液体（Ａ）のヌレ性が制御された底面を用いることによって結晶の形成位置を制御する方法について説明した。本発明の製造方法では、液体（Ａ）のヌレ性が制御された枠体を用いることによって、結晶の形成位置を制御してもよい。【０１２４】
たとえば、四角環状の枠体を構成する４つの辺のうち、１つの辺の内面のヌレ性のみを高くし、他の辺の内面のヌレ性を低くしてもよい。そのような構成の場合、図８Ａおよび８Ｂに示すように、枠体１２のうち液体（Ａ）のヌレ性が高い辺の内面に接するように結晶１３を形成することが可能である。また、枠体の所定の辺の内面に、種結晶、または種結晶の形成を誘発させる物質を配置してもよい。【０１２５】
また、上記の実施形態では、結晶材料としてルブレンを使用する例について説明したが、その他の結晶性物質を使用してもよい。たとえば、ペンタセンについては、１，２，４−トリクロロベンゼンを溶媒として用いて、実施形態１と同じ方法で結晶を形成できる。この場合の液体（Ａ）は、たとえば、ペンタセンを、濃度が１．４６ｇ／Ｌとなるように１，２，４−トリクロロベンゼンに溶解することによって形成できる。種結晶の形成は、たとえば２００℃で行うことができる。【０１２６】
また、上記の実施形態において、膜８１や種結晶は、必要に応じて枠体の近傍に設けてもよいし、枠体に接していてもよい。この場合、結晶配向が揃った結晶が得られる場合が多い。【０１２７】
得られた結晶の品質を確認するためにＸ線回折法による測定を行い、回折ピークの半値全幅（ｆｕｌｌ  ｗｉｄｔｈ  ａｔ  ｈａｌｆ−ｍａｘｉｍｕｍ）の値によって結晶性を評価した。Ｘ線源としてはＣｕｋα線を用い、３０ｋＶ、１０ｍＡでＣｕｋα線を発生させた。本発明の方法で形成したルブレン結晶およびペンタセン結晶の間には、ＦＷＨＭの差は認められなかった。両者のＦＷＨＭの差は、５０秒から１５秒（１秒＝３６００分の１°）の範囲でその多くは４０秒であった。【０１２８】
上記実施形態では、ソース−ドレイン電流が基板表面に平行な方向に流れるＦＥＴについて説明した。しかし、本発明のＦＥＴは、縦構造のＦＥＴ、すなわち、ソース−ドレイン電流が基板表面に垂直な方向に流れるＦＥＴであってもよい。縦構造のＦＥＴでは、半導体層だけでなく電極も、枠体を用いて形成できる。この場合には、液状または粉体状の電極材料を枠体内に滴下する方法によって電極を形成してもよい。この方法によれば、半導体層と同じ形状の電極を形成できるため、半導体層の利用効率を向上できる。また、枠体を用いてゲート絶縁膜を形成することも可能である。この場合には、ゲート絶縁膜の材料として、液体の材料を用いることができる。枠体を用いることによって、ゲート絶縁膜、ゲート電極および半導体層を同じ形状に形成できる。【０１２９】
また、複数の半導体層を積層する場合、枠体を用いることによって、複数の半導体層を同じ形状に形成できる。また、半導体層に他の層を積層する場合、枠体を用いることによって、半導体層と他の層とを同じ形状に形成できる。他の層としては、たとえば、有機半導体層の表面状態を制御するための単分子層が挙げられる。そのような単分子層は、シランカップリング材料などによって形成できる。また、他の層として、酸化亜鉛、酸化チタン、ガリウムインジウム酸化亜鉛、スズドープ酸化インジウムなどの金属酸化物を含む液体を用いて形成される活性層も挙げられる。【０１３０】
［太陽電池］
上記実施形態ではＦＥＴについて説明したが、本発明の半導体素子は、太陽電池（たとえば色素増感型太陽電池）であってもよい。本発明の太陽電池では、半導体層の特性（たとえば移動度）を向上させることが可能であるため、光電変換効率を向上できる可能性がある。太陽電池の基本構造は、ｎ型有機半導体材料とｐ型有機半導体材料（ドナー材料とアクセプタ材料）とを用いたヘテロ接合によって構成される。したがって、枠体の内部で、ｎ型有機半導体層とｐ型有機半導体層とを積層することによって、太陽電池を形成できる。なお、変換効率を高めるために、上記層以外の機能層（たとえば、輸送層やブロック層）を追加してもよい。有機太陽電池に用いられる有機半導体材料の例としては、たとえば、フラーレン、チオフェン誘導体、銅フタロシアニン、および亜鉛フタロシアニンが挙げられる。【０１３１】
［発光素子］
本発明の半導体素子は、発光素子であってもよい。この場合には、２つの電極から注入された電子と正孔とを、有機半導体層内で結合させることによって発光を生じさせる。発光素子の有機半導体層に用いることができる有機化合物としては、たとえば、ペンタセン、テトラセン、フェニレンビニレン誘導体、チオフェン誘導体、およびテトラフェニルピレンが挙げられる。【０１３２】
［半導体素子以外の素子］
なお、本発明は、半導体素子以外の素子に適用することも可能である。この素子は、基材と、基材上に形成された枠体と、枠体の内側に配置された結晶とを含む。基材および枠体は、上述した基材および枠体と同様である。また、結晶の形成方法も上述した方法と同様であるが、結晶の材料は有機半導体材料に限定されない。この結晶の材料は、有機物であってもよいし、無機物であってもよい。結晶の材料を含む液体を枠体の内側に配置したのち、その液体から結晶が形成される。【０１３３】
枠体の内側の底面の上に形成される結晶は、結晶のみからなる塊であってもよいし、結晶以外の状態を含む固体の一部であってもよい。上述したように、結晶は、単結晶であってもよいし、多結晶であってもよいし、分子性結晶であってもよいし、それらの混合物であってもよい。【０１３４】
この素子の一例を図９Ａおよび９Ｂに示す。この素子は、基板１１（基材）と、基板１１上に配置された枠体１２と、枠体１２の内側に配置された結晶１０３とを含む。この素子は、必要に応じて他の部材を含む。【０１３５】
結晶の種類によって様々な素子を実現できる。たとえば、波長変換素子や、光スイッチング素子を実現することが可能である。【０１３６】
本発明はそれらの素子を製造するための方法に適用することも可能である。この製造方法は、結晶を含む素子の製造方法であって、（Ｉ）基材上に枠体を形成する工程と、（II）前記枠体の内側に前記結晶を形成する工程と、を含み、前記（II）の工程は、前記結晶の材料と液媒体とを含む液体を前記枠体の内側に配置し、前記液体から前記結晶を形成する結晶形成工程を含む。工程（Ｉ）および（II）は、工程（ｉ）および（ii）と同様の方法で実施できるため、結晶の材料が有機半導体材料に限定されないこと、および半導体素子に必須の構成部材（電極や絶縁膜等）が必須ではないことを除き、上述した説明をそのまま適用できる。具体的には、結晶１３の材料が異なることを除き、図１Ａ〜図７Ｂと同様の方法を適用できる。【０１３７】
結晶の材料となる有機化合物は、芳香族炭化水素化合物、多環式化合物（縮合環化合物）、デンドリマー、タンパク質、または膜タンパク質であってもよい。さらに、上記化合物をペンダントとして含むペンダント化合物を結晶材料として用いてもよい。そのようなペンダント化合物は有機高分子であってもよい。また、共役二重結合を主鎖に含有している有機分子を結晶材料として用いてもよい。なお、中西八郎監修「有機結晶材料の最新技術」株式会社シーエムシー出版発刊（２００５年、日本）に記載された材料はいずれも結晶材料の候補である。【０１３８】
また、別の観点では、本発明は、上記方法を用いて枠体の内側に、分析用の結晶を形成する方法、およびそれを用いて分析を行う方法である。このような方法は、特に、構成元素の分析や結晶構造の分析に有用である。【０１３９】
本発明は、その意図および本質的な特徴から逸脱しない限り、他の実施形態に適用しうる。この明細書に開示されている実施形態は、あらゆる点で説明的なものであってこれに限定されない。本発明の範囲は、クレームによって示されており、クレームと均等な意味および範囲にあるすべての変更はそれに含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１４０】
本発明は、有機半導体材料からなる結晶を備える半導体素子およびその製造方法に利用できる。また、本発明は、それらの半導体素子を備える電子デバイスおよびその製造方法に利用できる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【手続補正書】
【提出日】平成20年4月2日(2008.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体材料の結晶を含む半導体層を備える半導体素子の製造方法であって、
（ｉ）基材上に自己組織化膜からなる枠体を形成する工程と、
（ｉｉ）前記枠体の内側に前記半導体層を形成する工程と、を含み、
前記（ｉｉ）の工程は、前記有機半導体材料と液媒体とを含む液体を前記枠体の内側に配置し、前記液体から前記結晶を形成する結晶形成工程を含む半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記基材が樹脂からなる請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記半導体層に占める前記結晶の割合が５０体積％以上である請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記枠体の内側の容積が７．５×１０−５μｍ３〜３×１０７μｍ３の範囲にある請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記枠体の高さが、０．１ｎｍ〜１０μｍの範囲にある請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
（削除）
【請求項７】
前記（ｉ）の工程は、
（ｉ−ａ）前記基材上にレジストパターンを形成する工程と、
（ｉ−ｂ）前記レジストパターンを覆うように自己組織化膜を形成する工程と、
（ｉ−ｃ）前記レジストパターンを除去することによって、前記自己組織化膜からなる前記枠体を形成する工程と、を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項８】
前記（ｉ）の工程は、
（ｉ−Ａ）前記基材上に自己組織化膜を形成する工程と、
（ｉ−Ｂ）前記自己組織化膜の一部を除去することによって前記自己組織化膜からなる前記枠体を形成する工程と、を含み、
前記（ｉ−Ｂ）の工程は、前記自己組織化膜の前記一部に紫外線または電子線を照射することによって前記一部の前記自己組織化膜を分解する工程を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項９】
前記結晶形成工程において、吐出装置によって前記液体を前記枠体の内側に配置する請求項１に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記結晶形成工程において、前記液体の前記液媒体を蒸発させることによって前記結晶を形成する請求項１に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記液体を前記枠体の内側に配置する前に、前記枠体の内側に、前記結晶の形成を促進させる物質を配置する工程を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記結晶形成工程は、前記液体に光を照射することによって、前記液体中で種結晶を形成する工程を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記枠体の内側の底面に対する前記液体の親和性が、前記枠体に対する前記液体の親和性よりも高い請求項１に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記液媒体が水を含み、
前記枠体が疎水性である請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記枠体の内側の底面には、第１の領域と、前記第１の領域よりも前記液体との親和性が高い第２の領域とが存在する請求項１に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記枠体の内側の底面の一部にソース電極およびドレイン電極が配置されており、
前記第２の領域が前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に存在する請求項１５に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記半導体素子は、前記半導体層に電圧を印加するためのゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜と、前記半導体層に接触するソース電極およびドレイン電極とを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記ソース電極と前記ドレイン電極とが、前記半導体層を挟んで前記基材上に積層される請求項１７に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記（ｉｉ）の工程ののちに、前記枠体を除去する工程をさらに含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項２０】
半導体素子を備える電子デバイスの製造方法であって、
前記半導体素子を請求項１に記載の方法で製造する工程を含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項２１】
請求項１に記載の製造方法で製造された半導体素子。
【請求項２２】
基材と、前記基材上に配置された自己組織化膜からなる枠体と、前記枠体の内側に配置された半導体層とを備え、
前記半導体層が有機半導体材料の結晶を含む半導体素子。
【請求項２３】
前記結晶の少なくとも一部が単結晶である請求項２２に記載の半導体素子。
【請求項２４】
前記基材が樹脂からなる請求項２２に記載の半導体素子。
【請求項２５】
前記枠体の内側の容積が７．５×１０−５μｍ３〜３×１０７μｍ３の範囲にある請求項２２に記載の半導体素子。
【請求項２６】
前記半導体層のうち、前記基材側とは反対側の面が曲面である請求項２２に記載の半導体素子。
【請求項２７】
前記半導体層に電界を印加するためのゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜と、前記半導体層に接触するソース電極およびドレイン電極とを備える請求項２２に記載の半導体素子。
【請求項２８】
請求項２２に記載の半導体素子を備える電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月21日(2008.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体材料の結晶を含む半導体層を備える半導体素子の製造方法であって、
（ｉ）基材上に自己組織化膜からなる枠体を形成する工程と、
（ii）前記枠体の内側に前記半導体層を形成する工程と、を含み、
前記（ii）の工程は、前記有機半導体材料と液媒体とを含む液体を前記枠体の内側に配置し、前記液体から前記結晶を形成する結晶形成工程を含む半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記基材が樹脂からなる請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記半導体層に占める前記結晶の割合が５０体積％以上である請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記枠体の内側の容積が７．５×１０-5μｍ3〜３×１０7μｍ3の範囲にある請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記枠体の高さが、０．１ｎｍ〜１０μｍの範囲にある請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
前記（ｉ）の工程は、
（ｉ−ａ）前記基材上にレジストパターンを形成する工程と、
（ｉ−ｂ）前記レジストパターンを覆うように自己組織化膜を形成する工程と、
（ｉ−ｃ）前記レジストパターンを除去することによって、前記自己組織化膜からなる前記枠体を形成する工程と、を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項７】
前記（ｉ）の工程は、
（ｉ−Ａ）前記基材上に自己組織化膜を形成する工程と、
（ｉ−Ｂ）前記自己組織化膜の一部を除去することによって前記自己組織化膜からなる前記枠体を形成する工程と、を含み、
前記（ｉ−Ｂ）の工程は、前記自己組織化膜の前記一部に紫外線または電子線を照射することによって前記一部の前記自己組織化膜を分解する工程を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項８】
前記結晶形成工程において、吐出装置によって前記液体を前記枠体の内側に配置する請求項１に記載の製造方法。
【請求項９】
前記結晶形成工程において、前記液体の前記液媒体を蒸発させることによって前記結晶を形成する請求項１に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記液体を前記枠体の内側に配置する前に、前記枠体の内側に、前記結晶の形成を促進させる物質を配置する工程を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記結晶形成工程は、前記液体に光を照射することによって、前記液体中で種結晶を形成する工程を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記枠体の内側の底面に対する前記液体の親和性が、前記枠体に対する前記液体の親和性よりも高い請求項１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記液媒体が水を含み、
前記枠体が疎水性である請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記枠体の内側の底面には、第１の領域と、前記第１の領域よりも前記液体との親和性が高い第２の領域とが存在する請求項１に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記枠体の内側の底面の一部にソース電極およびドレイン電極が配置されており、
前記第２の領域が前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に存在する請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記半導体素子は、前記半導体層に電圧を印加するためのゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜と、前記半導体層に接触するソース電極およびドレイン電極とを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記ソース電極と前記ドレイン電極とが、前記半導体層を挟んで前記基材上に積層される請求項１６に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記（ii）の工程ののちに、前記枠体を除去する工程をさらに含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１９】
半導体素子を備える電子デバイスの製造方法であって、
前記半導体素子を請求項１に記載の方法で製造する工程を含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項２０】
請求項１に記載の製造方法で製造された半導体素子。
【請求項２１】
基材と、前記基材上に配置された自己組織化膜からなる枠体と、前記枠体の内側に配置された半導体層とを備え、
前記半導体層が有機半導体材料の結晶を含む半導体素子。
【請求項２２】
前記結晶の少なくとも一部が単結晶である請求項２１に記載の半導体素子。
【請求項２３】
前記基材が樹脂からなる請求項２１に記載の半導体素子。
【請求項２４】
前記枠体の内側の容積が７．５×１０-5μｍ3〜３×１０7μｍ3の範囲にある請求項２１に記載の半導体素子。
【請求項２５】
前記半導体層のうち、前記基材側とは反対側の面が曲面である請求項２１に記載の半導体素子。
【請求項２６】
前記半導体層に電界を印加するためのゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜と、前記半導体層に接触するソース電極およびドレイン電極とを備える請求項２１に記載の半導体素子。
【請求項２７】
請求項２１に記載の半導体素子を備える電子デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子およびその製造方法、ならびに電子デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
結晶は、特有の性質を有し、高い特性を示す場合が多い。そのため、有機結晶材料を用いた様々な素子が提案されている（中西八郎監修「有機結晶材料の最新技術」株式会社シーエムシー出版発刊（２００５年）、日本）。一方、従来から様々な有機半導体素子の製造方法が提案されている（たとえば特開平１０−１９０００１号公報）。しかし、有機半導体材料からなる結晶を用いた半導体素子は、あまり検討されてこなかった。
【０００３】
ところが、近年、ペンタセンの単結晶を作製し、その単結晶の薄片を用いて半導体素子を形成する方法が提案された（Ｊ．Ｔａｋｅｙａ著「Ｆｉｅｌｄ  ｉｎｄｕｃｅｄ−Ｃｈａｒｇｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ａｔ  ｔｈｅ  Ｓｕｒｆａｃｅ  ｏｆ  Ｐｅｎｔａｃｅｎｅ  Ｓｉｎｇｌｅ  Ｃｒｙｓｔａｌｓ：  Ａ  Ｍｅｔｈｏｄ  ｔｏ  Ｓｔｕｄｙ  Ｃｈａｒｇｅ  Ｄｙｎａｍｉｃｓ  ｏｆ  Ｔｗｏ−Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  ｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｒｙｓｔａｌｓ」、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ、第９４巻、５８００頁、２００３年）。しかし、この方法は、量産性に乏しいという問題がある。
【０００４】
また、銅や銀の電極を組み込んだシリコン基板をジシアノキノンジイミンの溶液に浸し、化学反応によってシリコン基板上に有機分子の単結晶を成長させる方法が、ヤマモトによって提案されている（Ｈｉｒｏｓｈｉ  Ｍ．  Ｙａｍａｍｏｔｏ著「Ｄｉｒｅｃｔ  Ｆｏｒｍａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｍｉｃｒｏ−／Ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ２，５−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−Ｎ，Ｎ−ｄｉｃｙａｎｏｑｕｉｎｏｎｅｄｉｉｍｉｎｅ  Ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ  ｏｎ  ＳｉＯ2／Ｓｉ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ  ａｎｄ  Ｍｕｌｔｉｐｒｏｂｅ  Ｍｅｓｕｒｅｍｅｎｔ  ｏｆ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ」、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ、第１２８巻、第３号、７００頁、２００６年）。
【０００５】
しかし、上記ヤマモトの文献の図３に示されているように、その文献に記載の方法では、結晶が形成される位置を制御することができない。このため、この方法を工業的に利用することは難しい。
【発明の開示】
【０００６】
このような状況において、本発明の目的の１つは、有機半導体材料からなる結晶を用いた半導体素子を製造するための製造方法であって工業的に利用可能な製造方法を提供することである。また、本発明の目的の１つは、有機半導体材料からなる結晶を用いた半導体素子であって特性が高い半導体素子を提供することである。また、本発明の目的の１つは、上記製造方法を用いた電子デバイスの製造方法を提供すること、および上記半導体素子を用いた電子デバイスを提供することである。
【０００７】
上記目的を達成するために、有機半導体材料の結晶を含む半導体層を備える半導体素子を製造するための本発明の方法は、（ｉ）基材上に枠体を形成する工程と、（ii）前記枠体の内側に前記半導体層を形成する工程と、を含み、前記（ii）の工程は、前記有機半導体材料と液媒体とを含む液体を前記枠体の内側に配置し、前記液体から前記結晶を形成する結晶形成工程を含む。
【０００８】
また、半導体素子を備える電子デバイスを製造するための本発明の方法は、前記半導体素子を本発明の製造方法で製造する工程を含む。
【０００９】
１つの側面では、本発明の半導体素子は、本発明の製造方法で製造された半導体素子である。
【００１０】
また、本発明の半導体素子は、基材と、前記基材上に配置された枠体と、前記枠体の内側に配置された半導体層とを備え、前記半導体層が有機半導体材料の結晶を含む。なお、有機半導体材料とは、半導体特性を示す有機材料を意味する。
【００１１】
また、本発明の電子デバイスは、本発明の半導体素子を備える。
【００１２】
なお、この明細書において、特に説明がない限り、撥液性とは、後述する液体（Ａ）を弾く性質を意味し、液体（Ａ）の静的接触角が９１°（典型的には１００°）よりも大きい表面の性質を意味する。また、親液性とは、後述する液体（Ａ）の静的接触角が８９°（典型的には２０°）以下である表面の性質を意味する。液体の液媒体が水である場合、撥液性および親液性は、それぞれ、撥水性および親水性と読みかえられる。
【００１３】
本発明の製造方法によれば、基材上の所望の位置に、有機半導体材料からなる結晶を含む半導体層を形成することが可能である。本発明の製造方法では、基材上で結晶の形成を行うため、製造工程が簡単である。また、形成された結晶のほぼすべての部分を有効に利用できるため、結晶の形成に必要な材料が少量で足りる。そのため、有機半導体材料からなる結晶を用いた半導体素子を、工業的に低コストで生産することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について説明する。なお、本発明は、以下の実施形態および実施例の説明に限定されない。以下の説明では、特定の数値や特定の材料を例示する場合があるが、本発明の効果が得られる限り、他の数値や他の材料を適用してもよい。
【００１５】
［半導体素子の製造方法］
半導体素子を製造するための本発明の方法は、有機半導体材料の結晶を含む半導体層を備える半導体素子の製造方法である。この製造方法は、以下の工程（ｉ）および工程（ii）を含む。
【００１６】
工程（ｉ）では、基材上に枠体を形成する。工程（ii）では、枠体の内側に半導体層を形成する。工程（ii）は、上記有機半導体材料と液媒体（liquid medium）とを含む液体（以下、「液体（Ａ）」という場合がある）を枠体の内側に配置し、液体（Ａ）から結晶を形成する結晶形成工程を含む。
【００１７】
工程（ｉ）の基材は、基板であってもよいし、基板とその基板上に形成された層（膜）とによって構成されてもよい。いずれにしても、枠体は、直接または間接的に、基板上に形成される。基板（基材）には、半導体素子の基板として一般的に使用されてきた基板を使用できる。基板の材料としては、たとえば、ガラスや、石英や、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムおよび雲母といったセラミックスや、アルミニウム、ステンレス鋼および鉄といった金属や、樹脂や、シリコンや、またはこれらを主材とする複合材料が挙げられる。基板の材料となる樹脂としては、ポリイミド、ポリアラミド、エポキシ樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリアミド系樹脂（ナイロン６、ナイロン４６、ナイロン６６、ナイロン６−１２など）、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンサルファイド、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテル、ポリアセタール、スチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリブタジエン系樹脂といった熱可塑性エラストマー、またはこれらの樹脂を主とする、共重合体やブレンド体やポリマーアロイ等が挙げられる。これらの樹脂を２種類以上混合して用いてもよい。基材は、樹脂からなるものであってもよい。
【００１８】
基材は、可撓性を有してもよい。可撓性を有する基材を用いることによって、フレキシブルな電子デバイスに適した回路基板を形成することが可能となる。また、基材は、可視光線の波長領域において透光性であってもよい。そのような基材は、ディスプレイデバイスのパネルとして利用することが可能である。
【００１９】
基材上に形成される枠体の数は１つであってもよいし、複数であってもよい。１つの基材に複数の半導体素子を形成する場合には、基材上に複数の枠体を形成し、それぞれの枠体の内側に、結晶を含む半導体層を形成すればよい。
【００２０】
枠体は、工程（ii）において、液体（Ａ）を枠体の内側に保持できるものであればよい。枠体を用いることによって、少量の材料から所定の位置に有機半導体材料の結晶を形成できる。
【００２１】
枠体は、液体（Ａ）に対して耐性を有することが必要である。また、枠体は、結晶を形成する場合の条件（たとえば温度変化）に対して耐性を有することが必要である。そのような性質を有する限り、枠体の材料は有機物であっても、無機物であってもよい。たとえば、枠体は、自己組織化膜などの、有機化合物からなる膜であってもよい。ここでいう自己組織化膜とは、細かい制御を外部から加えていない状態で、膜の材料そのものがもつ機構で自発的に秩序形成される膜のことである。そのような膜には、一定の秩序を有する組織化された超薄膜（単分子膜やＬＢ膜など）が含まれる。自己組織化膜の例については後述する。また、枠体は、自己組織化膜以外の膜、たとえば、フォトレジスト膜などによって形成されていてもよい。また、枠体は、スピンコーティング法やバーコート法によって有機薄膜を形成した後、その有機薄膜をフィトリソグラフィ法でパターニングすることによって形成してもよい。また、枠体は、グラビア法や凹版法や平版法や凸版法やスクリーン印刷法といった印刷法や、ディスペンス法、インクジェット法、マスク蒸着法、ロールコート法などの方法で形成された有機膜であってもよい。
【００２２】
枠体は、閉じた形状を有する。枠体の内側の平面形状（基板の表面と平行な方向の断面形状）に特に限定はなく、円形であってもよいし、三角形や四角形などの多角形であってもよい。
【００２３】
枠体の内側の平面形状は、直径０．５μｍ〜２０００μｍ（たとえば０．５μｍ〜１０００μｍや、１０μｍ〜１００μｍ）の円の内側に収まる大きさであってもよい。枠体の内側の平面形状の面積は、たとえば、０．７５μｍ2（μｍ×μｍ）〜３×１０6μｍ2の範囲にあってもよく、３００μｍ2〜３００００μｍ2の範囲にあってもよい。枠体の高さは、その内側に液体（Ａ）を保持できる高さであればよい。枠体の高さは、通常ほぼ一定である。枠体の高さは、たとえば０．１ｎｍ〜１０μｍの範囲にあってもよく、１．０ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲にあってもよい。枠体の内側の容積（［枠体の内側の底面の面積］と［枠体の高さ］との積）は、たとえば、７．５×１０-5μｍ3（μｍ×μｍ×μｍ）〜３×１０7μｍ3の範囲にあってもよく、０．３μｍ3〜９００００μｍ3の範囲にあってもよい。
【００２４】
枠体は、液体（Ａ）が配置される領域以外の基材表面の大部分または全部を覆うように形成されてもよい。また、枠体は、液体（Ａ）が配置される領域の周囲のみに形成されてもよい。
【００２５】
枠体は、その一部または全部が撥液性を有してもよい。具体的には、液体（Ａ）の静的接触角が９１°以上となる材料からなる枠体を用いてもよい。たとえば、液体（Ａ）が水を含む場合、枠体は疎水性の表面を有していてもよい。そのような疎水性の表面としては、たとえば、フッ化炭素基を含有する有機化合物で形成された表面が挙げられる。液体（Ａ）を弾く枠体を用いることによって、液体（Ａ）が枠体からあふれ出ることを抑制できる場合がある。
【００２６】
枠体が自己組織化膜である場合、枠体の材料の好ましい例は、ハロゲノシラン基、アルコキシシラン基、多座配位子官能基、チオール基、不飽和結合基、およびスルホネート基からなる群より選ばれる少なくとも１つの官能基を含有する有機化合物である。これらの官能基は、耐久性の高い結合を基材と形成する。基材表面に活性な水素基が露出している場合には、ハロゲノシラン基、アルコキシシラン基、および不飽和結合基が有効である。また、基材表面に金属が露出している場合には、チオール基、および多座配位子官能基が有効である。
【００２７】
枠体が自己組織化膜である場合、枠体の材料の好ましい他の例は、直鎖状の分子構造（たとえば炭化水素鎖）を含有する有機化合物である。直鎖状の分子構造の種類は、半導体層を形成するための液体（Ａ）の種類に応じて選択される。直鎖状の分子構造の種類は、ソルビリティパラメータ（ＳＰ値）を目安として選択してもよい。液体（Ａ）とＳＰ値が近い官能基で修飾することによって、液体（Ａ）にぬれやすい枠体を形成できる。また、液体（Ａ）とＳＰ値が大きく異なる官能基で修飾することによって、液体（Ａ）をはじく枠体を形成できる。実施形態１で用いるシランカップリング剤は、自己組織化膜を形成する有機化合物である。このシランカップリング剤は、ハロゲノシラン基（クロロシラン基）を含有しており、その炭素数は１０であり、フッ化炭素鎖のみを有している。このシランカップリング剤のＳＰ値は、６程度で非常に小さい。そのため、このシランカップリング剤を用いることによって、液体（Ａ）をはじく枠体を形成できる。
【００２８】
枠体が自己組織化膜である場合、自己組織化膜を構成する分子の長さは枠体の高さに関係する。自己組織化膜を構成する分子の主鎖の炭素数が３〜３０の範囲にある場合、自己組織化膜の形成が容易になる。
【００２９】
工程（ｉ）は、基材上にレジストパターンを形成する工程（ｉ−ａ）と、レジストパターンを覆うように自己組織化膜を形成する工程（ｉ−ｂ）と、レジストパターンを除去することによって、自己組織化膜からなる枠体を形成する工程（ｉ−ｃ）とを含んでもよい。
【００３０】
また、工程（ｉ）は、基材上に自己組織化膜を形成する工程（ｉ−Ａ）と、自己組織化膜の一部を除去することによって自己組織化膜からなる枠体を形成する工程（ｉ−Ｂ）とを含んでもよい。そして、工程（ｉ−Ｂ）は、自己組織化膜の当該一部に紫外線または電子線を照射することによって、当該一部の自己組織化膜を分解する工程を含んでもよい。当該一部の自己組織化膜は他の方法によって分解してもよい。たとえば、酸素ガスを含む雰囲気下で当該一部の自己組織化膜に紫外線を照射することによってオゾンを発生させ、当該一部の自己組織化膜を酸化分解してもよい。
【００３１】
また、工程（ｉ）は、印刷版上に枠体を形成するための版を形成する工程と、自己組織化膜の材料をその版上に配置する工程と、上記印刷版を基材に押し当てて、自己組織化膜からなる枠体を形成する工程とを含んでもよい。ここで、印刷版は、凸版印刷、凹版印刷、平板印刷、またはスクリーン印刷で用いられる版である。
【００３２】
工程（ii）では、枠体の内側に半導体層が形成される。その半導体層は、有機半導体材料の結晶を含む。結晶は、単結晶であってもよいし、多結晶であってもよいし、分子性結晶（ファンデルワールス力によって形成される結晶）であってもよいし、それらの混合物であってもよい。半導体層は、それらの結晶以外の状態（非晶質や微結晶など）にある有機半導体材料を含んでもよいが、それらの結晶の割合が高い方が好ましく、特に単結晶の割合が高い方が好ましい。半導体層の好ましい一例は、結晶（好ましくは単結晶）のみからなる。半導体層に占める、有機半導体材料の結晶（好ましくは単結晶であり、微結晶を除く）の割合は、たとえば５０体積％以上であり、好ましくは７０体積％以上である。
【００３３】
半導体層およびそれを構成する結晶は、たとえば０．５μｍ3以上の体積を有し、好ましくは５μｍ3以上の体積を有する。通常、半導体層およびそれを構成する結晶の体積は、枠体の内側の容積以下である。ただし、液体をはじく枠体を用いた場合には、盛り上がるように液体を配置することも可能であり、枠体の内側の容積以上の体積を有する結晶を得ることもできる。また、結晶が複数の結晶粒で構成されている場合、１つの結晶粒は、たとえば０．０５μｍ3以上の体積を有し、好ましくは０．５μｍ3以上の体積を有する。
【００３４】
半導体層およびそれを構成する結晶の高さは、たとえば１０ｎｍ〜１０μｍの範囲にあってもよい。また、その高さは、本発明の効果が得られる限り、１０ｎｍ未満であってもよいし１０μｍよりも大きくてもよい。
【００３５】
半導体層は、典型的には有機半導体材料からなる。ただし、本発明の効果が得られる限り、半導体層は有機半導体材料以外の物質を含んでもよい。たとえば、半導体層に占める有機半導体材料の割合は、５０質量％以上であってもよいし、８０質量％以上や９０質量％以上であってもよい。
【００３６】
有機半導体材料は、液媒体に分散または溶解させて液体（Ａ）を調製することができる有機化合物であって、且つ、その液体（Ａ）から結晶を形成しうる有機化合物である。また、この有機半導体材料は、少なくともその結晶が、半導体としての性質を示す有機化合物である。その有機化合物は、分子量が５０００未満であってもよいし、分子量が５０００以上であってもよい。有機半導体材料としては、たとえば、芳香族炭化水素化合物、多環式化合物（縮合環化合物）や、それらをペンダントとして含むペンダント化合物が挙げられる。また、有機半導体材料は、その主鎖に共役二重結合を含有する有機分子であってもよい。
【００３７】
有機半導体材料の例としては、たとえば、ルブレン、アントラセン、ヘキサセン、テトラセン、ピレン、ナフタセン、ペリレン、コロネン、フェナントレン、ペンタセンなどの縮合多環芳香族炭化水素およびその誘導体が挙げられる。また、ポルフィリン、フラーレンおよびフラーレン誘導体、チオフェン誘導体およびオリゴチオフェン、ピロール誘導体およびオリゴピロール、チオフェン−フェニレンコオリゴマー、フェニレンビニレンおよびその誘導体も挙げられる。また、メロシアニン系化合物、フタロシアニン系化合物、キナクリドン系化合物、パラ−セキシフェニル系化合物も挙げられる。また、テトラチアフルバレン−テトラシアノキノジメタン類の電荷移動錯体（たとえば、ビスエチレンジチオテトラチアフルバレン−ジフルオロテトラシアノキノジメタンや、ジベンゾテトラチアフルバレン−テトラシアノキノジメタン）も挙げられる。また、トリフェニルアミン系化合物も挙げられる。また、ベンジジン誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、アルミニウムキノリン錯体、キノリノール錯体およびその誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン誘導体、フェニルピリジン錯体およびその誘導体、カルバゾールおよびその誘導体も挙げられる。また、鎖状シラン類（オクタシラン、ヘキサシラン、ペンタシラン）、環状シラン類（シクロオクタシラン、シクロヘキサシラン、シクロペンタシラン）も挙げられる。また、顔料（フタロシアニン類、ポルフィリン類、縮合環化合物）も挙げられる。
【００３８】
液体（Ａ）の液媒体は、有機半導体材料や、枠体の材料や、枠体の内側の底面の特性などを考慮して選択される。液体（Ａ）の液媒体としては、たとえば、水、有機溶媒、水と有機溶媒との混合液が挙げられる。
【００３９】
液体（Ａ）の一例は、１，２，４−トリクロロベンゼンにルブレンを溶解させた溶液である。液体（Ａ）の他の一例は、ペンタセン、ルブレン、ヘキサセン、およびテトラセンといった縮合多環芳香族化合物またはその誘導体を、有機溶媒に溶解させた溶液である。この有機溶媒としては、芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素、芳香族ハロゲン化炭化水素、脂肪族ハロゲン化炭化水素などの炭化水素が挙げられる。芳香族ハロゲン化炭化水素の例としては、クロロベンゼン，ブロモベンゼン，ヨードベンゼン，フルオロベンゼン，ジクロロベンゼン，ジブロモベンゼン，ジヨードベンゼン，ジフルオロベンゼン，トリクロロベンゼン，クロロトルエン，ブロモトルエン，ヨードトルエン，ジクロロトルエン，ジブロモトルエン，ジフルオロトルエン，クロロキシレン，ブロモキシレン，ヨードキシレン，クロロエチルベンゼン，ブロモエチルベンゼン，ヨードエチルベンゼン，ジクロロエチルベンゼン，ジブロモエチルベンゼン，クロロナフタレン，ブロモナフタレン，ジクロロナフタレン，ジクロロアントラセン，テトラクロロベンゼン，トリブロモベンゼン，テトラブロモベンゼンなどが挙げられる。また、脂肪族ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン，ジクロロエタン，トリクロロエタン，ジフルオロエタン，テトラクロロエタン，テトラフルオロエタン，フルオロクロロエタン，クロロプロパン，ジクロロプロパン，クロロペンタン，クロロヘキサン，クロロシクロペンタンなどが挙げられる。また、芳香族炭化水素としては、トルエン，キシレン，メシチレン，メチルナフタレンなどが挙げられる。また、脂肪族炭化水素としては、デカヒドロナフタレン，オクタン，ノナン，デカン，アンデカン，ドデカン，シクロヘプタン，ジブチルフタレートなどが挙げられる。さらに、ジフェニルエーテル等のエーテル類、炭酸プロピレン等のカーボネート、エステル類（ブチルラクトン，プロピオラクトン，ジエチルセバケート等）、ケトン類（シクロヘキサノン，メチルイソブチルケトン等）、アセトニトリル、およびテトラヒドロフランを有機溶媒として用いてもよい。また、これらの混合溶媒を用いてもよい。
【００４０】
以上の有機溶媒の中でも、芳香族ハロゲン化炭化水素は、縮合多環芳香族化合物の溶解性が高く、形成される薄膜の特性が高いという利点を有する。
【００４１】
結晶形成工程では、吐出装置によって液体（Ａ）を枠体の内側に配置してもよい。吐出装置としては、たとえば、インクジェットプリンタに用いられるプリンタヘッドや、ディスペンサ装置が挙げられる。このような吐出装置を用いることによって、所定の量の液体（Ａ）を枠体の内側に簡単に配置できる。
【００４２】
また、液体（Ａ）は、他の方法によって枠体の内側に配置されてもよい。たとえば、液体（Ａ）が配置される領域以外の基材表面のほぼ全体が枠体で覆われている場合には、枠体が形成された基材に液体（Ａ）を接触させることによって液体（Ａ）を枠体の内側に配置してもよい。たとえば、枠体が形成された基材を液体（Ａ）に浸漬したのち引き上げてもよい。
【００４３】
結晶形成工程では、液体（Ａ）の液媒体を蒸発させることによって、有機半導体材料の結晶を形成してもよい。また、液体（Ａ）中の有機半導体材料の濃度、液体（Ａ）の温度、雰囲気の圧力のいずれか、またはこれらの２種類以上の条件を制御することによって、液体（Ａ）から結晶を形成してもよい。たとえば、液体（Ａ）を冷却することによって液体（Ａ）から結晶を形成してもよい。また、有機半導体材料が過飽和の状態となっている液体（Ａ）を作製し、その液体（Ａ）から結晶を形成してもよい。
【００４４】
結晶形成工程では、結晶の形成を促進するために、液体（Ａ）の一部の状態を変化させる処理を行ってもよい。たとえば、結晶形成工程では、液体（Ａ）を枠体の内側に配置する前に、枠体の内側に、有機半導体材料の結晶の形成を促進させる物質を配置してもよい。また、結晶形成工程は、枠体の内側に配置された液体（Ａ）に光（たとえばレーザ光や放射線光などのエネルギー線）を照射することによって、液体（Ａ）中で種結晶を形成する工程を含んでもよい。
【００４５】
結晶形成工程では、枠体の内側の底面の上に液体（Ａ）が配置される。そのため、枠体の物性や枠体の内側の底面の物性が、結晶形成に影響を与える場合がある。したがって、枠体の物性や、枠体の内側の底面の物性を制御することによって、結晶の形成を制御できる場合がある。
【００４６】
本発明の製造方法では、枠体の内側の底面が親液性であってもよい。その底面は、親液性の膜や、親液化処理された基材表面で構成される。その底面は、液体（Ａ）が水、または水を含む液体である場合、撥水性の膜や撥水性の基材表面によって構成される。基材の通常の表面が撥水性でない場合、基材の表面を撥水化処理してもよい。また、逆に枠体の内側の底面が撥液性であってもよい。
【００４７】
本発明の製造方法では、枠体の内側の底面に対する液体（Ａ）の親和性（ヌレ性）が、枠体に対する液体（Ａ）の親和性よりも高くてもよい。具体的には、当該底面に対する液体（Ａ）の静的接触角が、枠体に対する液体（Ａ）の静的接触角よりも小さくてもよい。このような構成によれば、有機半導体材料の結晶が枠体の近傍のみに形成されることを防止できる。また、液体（Ａ）の親和性が低い枠体、すなわち液体（Ａ）に対して撥液性を有する枠体を用いる場合、枠体の内側に、液体（Ａ）が盛り上げるように配置することが可能であり、より多くの液体（Ａ）を枠体の内側に配置できる。逆に、本発明の製造方法では、枠体の内側の底面に対する液体（Ａ）の親和性を、枠体に対する液体（Ａ）の親和性と同じか、それよりも低くしてもよい。
【００４８】
本発明の製造方法では、液体（Ａ）の液媒体が水を含み、枠体が疎水性であってもよい。液媒体が水、または水を含む混合液である場合、疎水性の枠体を用いることによって、有機半導体材料の結晶が枠体の近傍のみに形成されることを防止できる。また、枠体の内側により多量の液体（Ａ）を配置することが可能となる。
【００４９】
本発明の製造方法では、枠体の内側の底面に、粗面化された表面に形成された、フッ化炭素系化合物からなる自己組織化膜が形成されていてもよい。ここで用いられるフッ化炭素系化合物は、フッ化炭素基を含み自己組織化能を有する化合物である。そのような化合物を用いることによって、超撥液性を示す底面を形成することが可能である。フッ化炭素系化合物の具体例については、後述する。粗面化された表面は、基板表面であってもよいし、基板とフッ化炭素系化合物からなる自己組織化膜との間に配置された層の表面であってもよい。粗面化された表面は、たとえば中心線平均粗さが１００ｎｍ以下であり、最大高さが１μｍ以下である。１つの凸部の断面積の一例は３００ｎｍ2であり、単位面積あたり凸部の占める面積の割合の一例は５０％である。
【００５０】
枠体の内側の底面には、第１の領域と、その第１の領域よりも液体（Ａ）との親和性が高い第２の領域とが存在してもよい。好ましい例では、第１の領域が撥液性であり、第２の領域が親液性である。この構成によれば、有機半導体材料の結晶を、第２の領域およびその近傍に形成することが可能である。たとえば、枠体の内側の底面のうち中央部のみに第２の領域を形成することによって、中央部のみに有機半導体材料の結晶を形成することが可能である。１つの枠体の内側に形成される第２の領域は、１つであってもよいし、複数であってもよい。第１の領域は、撥液性の膜や、撥液性の基材表面で構成される。第２の領域は親液性の膜や、親液性の基材表面で構成される。液体（Ａ）が水、または水を含む液体である場合、撥水性の膜や撥水性の基材表面によって第１の領域が構成され、親水性の膜や親水性の基材表面によって第２の領域が構成される。基材表面の撥液性（撥水性）および親液性（親水性）は、表面処理によって制御してもよい。
【００５１】
本発明では、枠体の内側の底面の一部にソース電極およびドレイン電極が配置されていてもよい。この場合、上記第２の領域がソース電極とドレイン電極との間に存在してもよい。この構成によれば、ソース電極、ドレイン電極、および第２の領域の位置と、形成される結晶の大きさとを調整することによって、ソース電極およびドレイン電極に接触するように、有機半導体材料の結晶を形成することが可能である。
【００５２】
また、枠体の内側の底面にゲート電極が配置されていてもよい。この場合、上記第２の領域は、ゲート電極上に形成されていてもよい。
【００５３】
また、枠体の内側の底面の一部にソース電極およびドレイン電極が配置されており、ソース電極とドレイン電極との間にゲート電極が配置されていてもよい。この場合、上記第２の領域は、ソース電極とドレイン電極との間であって且つゲート電極上に形成されていてもよい。
【００５４】
また、枠体の内側の底面にソース電極およびドレイン電極のうちの一方の電極が形成されており、上記第２の領域が当該一方の電極上に形成されていてもよい。このような構成は、縦型の電界効果トランジスタに適用できる。
【００５５】
結晶形成工程は、不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。不活性ガスとしては、たとえば窒素ガスが挙げられる。
【００５６】
本発明の製造方法で製造される半導体素子は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であってもよい。この場合、半導体素子は、半導体層に電圧を印加するためのゲート電極と、半導体層とゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜と、半導体層に接触するソース電極およびドレイン電極とを含んでもよい。
【００５７】
ＦＥＴは、縦型であってもよい。この場合には、ソース電極と前記ドレイン電極とが、半導体層を挟んで基材上に積層される。たとえば、基材側から順に、ソース電極、半導体層、およびドレイン電極の順に積層されてもよい。また、基材側から順に、ドレイン電極、半導体層およびソース電極の順に積層されてもよい。
【００５８】
また、本発明の半導体素子、および本発明の製造方法で製造される半導体素子は、ＦＥＴ以外の半導体素子、たとえば、レーザ素子や、ダイオード、受光素子、発光素子、薄膜トランジスタ、リングオシレータ、力学センサー（圧力センサー、ひずみセンサー）であってもよい。また、ショットキー接合構造を有する素子やトンネル接合構造を有する素子であってもよい。また、それらの素子を用いた化学センサーであってもよい。ＦＥＴなどのこれらの素子において、半導体層以外の部分は、公知の素子と同様の構成および材料を適用でき、公知の方法で形成できる。各部分の形成の順序は、素子の構造に応じて決定される。
【００５９】
本発明の製造方法は、工程（ii）ののちに、枠体を除去する工程をさらに含んでもよい。枠体は、枠体の材質に応じた方法で除去される。たとえば、枠体は、有機溶剤によって溶解させて除去してもよいし、酸化処理や分解処理といった方法で除去してもよい。また、半導体層上に保護層を形成した後に枠体を除去してもよい。保護層を形成することによって、枠体と共に半導体層が除去されることを防止できる。
【００６０】
［半導体素子］
１つの観点では、本発明の半導体素子は、半導体素子を製造するための本発明の製造方法によって製造された半導体素子である。なお、枠体を除去する工程を含む製造方法で製造された半導体素子は、枠体を含まない。この場合、枠体の痕跡が残る場合がある。
【００６１】
また、別の観点では、本発明の半導体素子は、基材と、基材上に配置された枠体と、枠体の内側に配置された半導体層とを備え、半導体層が有機半導体材料の結晶を含む。この半導体素子は、本発明の製造方法で製造される。この半導体素子の構成、たとえば、基板、基材、枠体、半導体層、有機半導体材料の結晶、および電極などについては上述したため、重複する説明を省略する場合がある。これらの材料の一例については後述する。
【００６２】
半導体層は枠体の内側の底面の上に配置されているが、上述したように、枠体の内側には、撥液性の被覆層や親液性の被覆層が形成されていてもよい。
【００６３】
本発明の半導体素子は枠体を備えるため、基材上に複数の半導体素子を形成する場合に、素子間の短絡を防止することが可能である。また、この枠体は、ゲート絶縁層の周囲を囲む枠体、ゲート電極の周囲を囲む枠体、有機ＥＬ素子の発光層などの周囲を囲む枠体としても利用することが可能である。
【００６４】
本発明の半導体素子では、半導体層のうち、基材側とは反対側の面が曲面であってもよい。そのような半導体層を備えることによって、結晶の方向性に余裕を与えることができるため、半導体層の性能に制約を与えることが少なくなる。その結果、素子の性能が高くなる可能性がある。本発明の製造方法で形成された半導体層は、液体（Ａ）の表面張力の影響や、液体（Ａ）の表面の揺らぎの自由度の影響などによって、その表面が曲面となる場合がある。もちろん、結晶形成能が高い有機半導体材料を用いた場合は、平坦な結晶面が形成されることもある。
【００６５】
本発明の半導体素子では、枠体と半導体層とが接触していてもよいし、接触していなくてもよい。
【００６６】
本発明の半導体素子は、ＦＥＴであってもよい。この場合、半導体素子は、半導体層に電界を印加するためのゲート電極と、半導体層とゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜と、半導体層に接触するソース電極およびドレイン電極とを備える。また、上述したように、本発明の半導体素子は、ＦＥＴ以外の他の半導体素子であってもよい。
【００６７】
［電子デバイスおよびその製造方法］
本発明の電子デバイスは、本発明の半導体素子を備える。この電子デバイスは、本発明の半導体素子以外の半導体素子を含んでもよい。すなわち、電子デバイスが複数の半導体素子を備える場合、そのうちの少なくとも１つが本発明の半導体素子であればよい。
【００６８】
半導体素子を備える電子デバイスを製造するための本発明の方法は、半導体素子を製造するための本発明の方法によって半導体素子を製造する工程を含む。上述したように、この半導体素子は、有機半導体材料の結晶を含む半導体層を備える。半導体素子の製造方法以外の工程については特に限定がなく、公知の工程を適用できる。本発明の製造方法によって、本発明の電子デバイスが製造される。
【００６９】
本発明の電子デバイスに、特に限定はない。本発明の電子デバイスとしては、たとえば、ディスプレイ、無線ＩＣタグ、光センサー、イメージセンサー、ガスセンサー、圧力センサー、レーザ素子、光スイッチング素子、エレクトロルミネッセントデバイス、液晶バックライト、液晶表示デバイスが挙げられる。フレキシブルな基板上に半導体素子を形成することが可能である利点から、本発明は特に、フレキシブルなディスプレイや、無線ＩＣタグ、各種センサー、照明、曲面または吊り下げまたはポスター形状の電子広告装置、モバイル機器、ウエラブル機器、電装部品、ディスポーザブル製品、電子ペーパー、電子モール、電子採光装置に好ましく適用される。
【００７０】
［実施形態１］
以下、本発明のＦＥＴの一例について説明する。実施形態１のＦＥＴの上面図を図１Ａに示し、図１Ａの一点鎖線ＩＢ−ＩＢにおける端面図を図１Ｂに示す。なお、以下の図においても、図のＡ、ＣおよびＥは上面図であり、それらの一点鎖線における端面図を、図のＢ、ＤおよびＦに示す。
【００７１】
図１Ａおよび１ＢのＦＥＴ１０は、基板１１（基材）、枠体１２、結晶１３、ソース電極１４、ドレイン電極１５、ゲート絶縁膜１６およびゲート電極１７を備える。
【００７２】
基板１１は、たとえばシリコン基板やガラス基板である。枠体１２は、信越化学工業社製のシランカップリング剤であるＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣｌ3を用いて形成された自己組織化膜である。この自己組織化膜は、シロキサン結合によって基板１１と結合している。この自己組織化膜は、有機溶剤や水に対して耐久性があるとともに、３００℃までの耐熱性がある。この自己組織化膜の表面は、フッ化炭素基によって疎水性を示す。
【００７３】
枠体１２は、四角形の枠である。枠体１２の高さは、約１ｎｍ程度である。枠体１２の外縁のサイズは、たとえば、縦が１ｍｍで横が約１ｍｍである。枠体１２の幅（一辺の幅）は、約１０μｍである。
【００７４】
結晶１３は、ルブレンからなる。なお、ルブレンの代わりに他の半導体材料、たとえば上述した他の半導体材料を用いてもよい。なお、本発明の効果が得られる限り、結晶１３の代わりに、一部に結晶１３を含む半導体層を用いてもよい（以下の実施形態においても同様である）。ソース電極１４およびドレイン電極１５は、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、白金、金、銀、モリブデン、タンタルまたはこれらを含む合金等の金属材料で形成できる。また、これらの電極は、他の材料を用いて形成してもよい。たとえば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープした錫酸化物（ＦＴＯ）、錫酸化物（ＳｎＯ2）、インジウム酸化物（ＩＯ）、酸化モリブデン等の導電性酸化物材料を用いてもよい。また、導電性高分子材料（ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランなど）や、炭素系材料（カーボンブラック、グラファイト、フラーレン、カーボンナノチューブ、カーボン螺旋材料、カーボン樹脂材料など）を用いてもよい。また、２種以上の材料からなる複合材料や混合材料を用いてもよい。
【００７５】
ゲート絶縁膜１６はポリイミド（京セラケミカル社製）からなる。ゲート電極１７は金からなる。
【００７６】
ゲート絶縁膜は、ポリイミド以外の絶縁性材料を用いて形成してもよい。たとえば、ポリスチレン、ポリアミドイミド、ポリビニルフェニレン、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリル系樹脂（ポリメチルメタクリレートなど）、フッ素系樹脂（ポリテトラフルオロエチレンなど）、フェノール系樹脂（ポリビニルフェノールやノボラック樹脂など）、オレフィン系樹脂（ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンなど）を用いてもよい。また、２種以上の材料を組み合わせて用いてもよい。また、無機材料（たとえばＳｉＯ2膜）を用いてもよい。ＳｉＯ2膜は、たとえば、ポリシリケート、ポリシロキサン、またはポリシラザンの溶液を塗布して膜を形成したのち、その膜を、酸素ガスまたは水蒸気の存在下で加熱することによって、形成できる。また、金属アルコキシド溶液を塗布して膜を形成した後、その膜を酸素雰囲気で加熱することによって、無機ゲート絶縁膜を形成することも可能である。
【００７７】
ゲート電極は、金以外の導電性材料を用いて形成してもよい。たとえば、銀、ニッケル、銅、白金、アルミニウム、チタニウム、タンタル、コバルト、モリブデンなどの金属やそれらの金属を含む合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウムのようなアルカリ金属、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウムのようなアルカリ土類金属、ランタン、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂのような希土類金属を用いてもよい。また、ＬｉＦやＣｓＦのような上記金属を含むフッ化物（ハロゲン化物）を用いてもよい。また、ｎ型のシリコンやガリウムヒ素などの半導体を用いてもよい。空気中の酸素と反応しやすい金属については、その金属と、銀、金、ニッケル、銅といったより安定な金属との合金を用いてもよい。また、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープした錫酸化物（ＦＴＯ）、錫酸化物（ＳｎＯ2）、インジウム酸化物（ＩＯ）、酸化モリブデン等の導電性酸化物材料を用いてもよい。また、導電性高分子材料（ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランなど）、炭素系材料（カーボンブラック、グラファイト、フラーレン、カーボンナノチューブ、カーボン螺旋材料、カーボン樹脂材料など）を用いてもよい。また、２種以上の材料からなる複合材料や混合材料を用いてもよい。
【００７８】
図１Ａおよび１Ｂには、枠体１２と結晶１３との間に隙間が存在する半導体素子の一例を示している。実施形態１の製造方法では、通常、有機半導体材料を含む液体（Ａ）から液媒体が蒸発し、溶質が飽和状態または過飽和状態になって結晶が形成されるため、枠体１２の内側に配置される液体（Ａ）の量よりも結晶１３の体積は小さくなる。そのため、枠体１２の内側の一部のみに結晶１３が形成される。しかし、条件によっては、枠体１２の内側に全面に結晶１３が形成される。たとえば、蒸発した液媒体の量と同じ量の液体（Ａ）をつぎ足すなどの操作をすることによって、枠体１２の内側の全面に結晶１３を形成することも可能である。
【００７９】
以下に、ＦＥＴ１０の製造方法の一例について説明する。まず、図２Ａおよび２Ｂに示すように、基板１１の表面にソース電極１４およびドレイン電極１５を形成し、基板１１上に枠体１２を形成する。ソース電極１４およびドレイン電極１５は、蒸着によって形成できる。
【００８０】
枠体１２の形成方法を、図３Ａ〜３Ｆに示す。まず、図３Ａおよび３Ｂに示すように、基板１１、ソース電極１４およびドレイン電極１５を覆うように、ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣｌ3を用いて自己組織化膜１２ａを形成する。自己組織化膜１２ａは、ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣｌ3の溶液を塗布したのち、乾燥させることによって形成できる。溶液の溶媒には、たとえばパーフルオロエーテル（スリーエム社製）が用いられる。
【００８１】
次に、図３Ｃおよび３Ｄに示すように、枠体１２となる部分を保護するメタルマスク３１を自己組織化膜１２ａ上に配置した状態で、自己組織化膜１２ａに紫外線を照射する。これによって、メタルマスク３１で保護されていない部分の自己組織化膜１２ａを分解する。分解された自己組織化膜はガス化されて除去される。このようにして、図３Ｅおよび３Ｆに示すように枠体１２を形成できる。
【００８２】
なお、自己組織化膜からなる枠体は、公知の他の方法で形成してもよい。たとえば、自己組織化膜に電子線を照射することによって自己組織化膜をパターニングしてもよい。そのような方法は、たとえば、Norihisa Minoらによる「Fabrication of self-assembled monolayer patterns by selective electron beam irradiation and a chemical adsorption technique」（Thin Solid Films, Volume 243, Issues 1-2, 1 May 1994年, Pages 374-377）に開示されている。また、枠体を形成する部分以外の領域にレジストパターンを形成し、次に、レジストパターンを覆うように自己組織化膜を形成し、その後、レジストパターンを除去することによって枠体を形成してもよい。
【００８３】
次に、図２Ｃおよび２Ｄに示すように、枠体１２の内側を、１，２，４−トリクロロベンゼンにルブレンを溶解させて得られる溶液２１で満たす。溶液２１は、インクジェットプリンタに用いられるプリンタヘッドやディスペンサを用いて枠体１２の内側に供給できる。特に、インクジェット方式は、液量を制御できるという利点を有するため、好ましい手法の１つである。溶液２１が配置された基板１１は、結晶の形成に適した環境下に置かれる。たとえば、温度およびガス雰囲気などが制御された容器内に基板を設置し、各時間における溶媒の揮発量を制御することによって溶液の濃度を制御し、結晶の形成および成長に最もふさわしい条件にする。このようにして、溶液２１内に種結晶が形成され、この種結晶を核にして結晶成長が促される。なお、枠体１２の内側に溶液２１を配置する方法としては、インクジェット方式およびディスペンサ方式以外の方法を用いてもよい。たとえば、枠体１２が形成された基材を、溶液２１中に浸漬してもよい。また、枠体１２が形成された基材に、溶液２１を噴霧してもよい。
【００８４】
結晶の形成条件は結晶の種類によって様々である。一例として、溶媒である６０℃の１，２，４−トリクロロベンゼン（アルドリッチ社製）に、ルブレン（アルドリッチ社製）を溶解させることによって得られる、濃度１０ｇ／Ｌの褐色の溶液を用いて結晶を形成する場合について説明する。この溶液５００マイクロリットルを、ディスペンサによって枠体１２の内側に滴下したのち、基板１１を１５０℃の窒素ガス雰囲気中に配置し、１０分間に１回の割合で基板全体に揺動を加える。これによって、約２４時間経過までに種結晶が形成される。その後、雰囲気温度を１５０℃から室温まで、１時間におよそ１℃の割合で低下させる操作を行うことによって、基板上に結晶を形成できる。
【００８５】
このようにして、図２Ｅおよび２Ｆに示すように、枠体１２内に結晶１３が形成される。結晶１３の大きさは、たとえば、縦が２５０μｍで、横が３００μｍで、高さが１０μｍである。なお、結晶形成のために、温度雰囲気およびガス雰囲気を変化させることに加えて、さらに圧力を変化させてもよい。また、結晶１３の形成後であれば、枠体１２を取り除いてもよい。また、一度の結晶形成で得られる結晶１３の大きさが不十分である場合には、液体（Ａ）の配置と結晶形成とを複数回繰り返してもよい。
【００８６】
次に、ゲート絶縁膜１６およびゲート電極１７を形成することによって、図１Ａおよび１Ｂに示すＦＥＴ１０が形成される。ゲート絶縁膜１６およびゲート電極１７は、公知の方法で形成できる。たとえば、ゲート絶縁膜１６はスピンコート法によって形成でき、ゲート電極１７は蒸着によって形成できる。
【００８７】
なお、素子を構成する各部分の配置は、素子がＦＥＴとして機能する限り、特に限定はない（以下の実施形態においても同様である）。たとえば、ゲート絶縁膜１６およびゲート電極１７は、ソース電極１４およびドレイン電極１５と同様に、基材（基板１１）と半導体層（結晶１３）との間に配置してもよい。その場合、ゲート電極１７、ゲート絶縁膜１６および結晶１３が、基板１１上にこの順序で積層される。また、ソース電極１４およびドレイン電極１５は、結晶１３上に形成してもよい。また、厚さ方向にＦＥＴを構成してもよい。
【００８８】
ソース電極１４およびドレイン電極１５を結晶１３上に形成したＦＥＴの一例を、図１Ｃおよび１Ｄに示す。図１Ｃおよび１ＤのＦＥＴ１０ａでは、基板１１の上に結晶１３が形成されており、結晶１３上にソース電極１４およびドレイン電極１５が形成されている。ゲート絶縁膜１６は、結晶１３、ソース電極１４およびドレイン電極１５を覆うように形成されている。ゲート電極１７は、ゲート絶縁膜１６上であって、ソース電極１４とドレイン電極１５との間の領域に形成されている。なお、結晶１３と基板１１との間に絶縁性の下地層が配置されてもよい。基板１１の上に直接結晶１３が形成される場合、基板１１は、通常、絶縁性の材料で形成される。
【００８９】
ＦＥＴ１０ａの結晶１３は、ＦＥＴ１０と同様の方法で形成できる。結晶１３の形成後、ソース電極１４およびドレイン電極１５、ゲート絶縁膜１６、ゲート電極１７の順で形成する。これらは、半導体素子製造プロセスで一般的に用いられている技術で形成できる。
【００９０】
なお、シランカップリング剤で枠体を形成する場合には、枠体を形成する基板表面に活性な水素（たとえば水酸基やカルボキシル基など）が露出していることが好ましい。セラミックスなどの酸化物からなる基板では、基板表面に活性な水素が存在していると考えられる。また、金属からなる基板では、通常、表面に自然酸化膜が形成されているために表面に活性な水素が存在している場合が多い。活性な水素の存在が少ない場合には、表面の酸化などによって表面に活性な水素を形成できる。樹脂からなる基板では、表面に活性な水素（例えば水酸基、カルボキシル基、アミノ基、イミノ基、メルカプト基など）が存在することが一般的に少ないため、シランカップリング剤を適用することが困難な場合が多い。しかし、紫外線オゾン表面処理、酸素プラズマ処理、グロー放電処理、コロナ放電処理などの物理的表面処理で活性な水素を表面に形成することができる。また、化学的な酸化処理によっても活性な水素を表面に形成することができる。
【００９１】
［実施形態２］
実施形態２では、結晶形成方法の他の例について説明する。なお、以下の実施形態では結晶の形成方法のみについて説明するが、他の部分については実施形態１のＦＥＴ１０またはＦＥＴ１０ａと同様の構成および方法を適用できる。
【００９２】
実施形態２の方法では、枠体の内側の底面を、液体（Ａ）のヌレ性が高い面とする。具体的には、図４Ａおよび４Ｂに示すように、枠体１２の内側に、液体（Ａ）のヌレ性が高い被覆層４２を形成する。被覆層４２は、枠体１２の内側の底面を構成する。なお、被覆層４２を基材（基板１１）の表面全体に形成し、その上に枠体１２を形成してもよい（以下の実施形態の被覆層についても同様である）。また、被覆層４２を形成する代わりに、基板１１の表面を親液化処理してもよい。
【００９３】
被覆層４２は、たとえば、被覆層４２の材料を含む溶液を枠体１２の内側に滴下したのち、溶媒を蒸発させることによって形成できる。被覆層４２の材料は、液体（Ａ）の種類に応じて選択される。たとえば、液体（Ａ）が実施形態１で例示したルブレンの１，２，４−トリクロロベンゼン溶液である場合、芳香環やクロロメチル基などを含有する材料が被覆層４２の材料に適していると考えられる。たとえば、シランカップリング剤であるＣＨ2ＣｌＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣｌ3（アズマックス社製）を用いて被覆層４２を形成できる。この被覆層４２の上に溶液２１（ルブレンの１，２，４−トリクロロベンゼン溶液）を滴下すると、溶液２１は枠体１２の内部に一様に拡がった状態となる。
【００９４】
被覆層４２の形成後は、実施形態１のＦＥＴ１０ａと同様の工程でＦＥＴを形成できる。なお、被覆層４２を用いる場合、溶液２１が枠体１２の内側全体に拡がるため、枠体１２の底面全体に結晶１３が形成されることもある。そのような結晶１３を、図４Ｃおよび４Ｄに示す。図４Ｃおよび４Ｄに示すような結晶１３を形成する場合、必要に応じて結晶形成工程を複数回行う。
【００９５】
なお、実施形態２において、枠体１２なしで半導体層の形成を複数回行った。その結果、被覆層４２を中心にして広範囲にわたって半導体層が形成された。半導体層が被覆層４２を完全に覆う場合もあったが、半導体層が被覆層４２の一部のみを覆う場合もあった。被覆層４２が再現性よく半導体層に覆われることはなかった。また、半導体層の面積が広いと半導体層が薄くなり、半導体層の面積が狭いと半導体層が厚くなった。そのため、半導体層の厚さのばらつきが大きかった。以上のように、枠体がない場合には、半導体層を所定の位置に所定の厚さで形成することは困難であった。
【００９６】
［実施形態３］
実施形態３では、枠体の内側の底面に、第１の領域と、第１の領域よりも液体（Ａ）との親和性が高い第２の領域とが存在する場合について説明する。具体的には、図５Ａおよび５Ｂに示すように、枠体１２の内側に被覆層５２を形成する。枠体１２の内側の底面は、被覆層５２によって構成される。
【００９７】
被覆層５２は、被覆層５２ａ（第２の領域）と、被覆層５２ａの周囲に配置された被覆層５２ｂ（第１の領域）とによって構成されている。被覆層５２ａは、ソース電極１４とドレイン電極１５とが配置される領域の間に形成される。被覆層５２ａは、液体（Ａ）のヌレ性が高い膜である。一方、被覆層５２ｂは、液体（Ａ）に対して撥液性を有する膜である。
【００９８】
被覆層５２ａおよび被覆層５２ｂの材料は、液体（Ａ）に応じて選択される。これらの材料の一例はシランカップリング剤であり、撥液性を有する被覆層５２ｂの一例は、フッ化炭素系のシランカップリング剤である。たとえば、液体（Ａ）が実施形態１で例示した溶液２１（ルブレンの１，２，４−トリクロロベンゼン溶液）である場合、炭化水素基やＣＦＨ2基、ＣＦ2Ｈ基、ＣＦ3ＣＨ2基などを官能基として有する材料が、撥液性を有する被覆層５２ｂの材料に適していると考えられる。また、液体（Ａ）が実施形態１で例示した溶液２１である場合、親液性を有する被覆層５２ａの材料には、被覆層４２について説明した材料が適している。
【００９９】
一例では、ＣＨ2ＣｌＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣｌ3（アズマックス社製）を用いて被覆層５２ａを形成し、ＣＨ2ＦＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣｌ3（アズマックス社製）を用いて被覆層５２ｂを形成してもよい。このような被覆層５２上に溶液２１（ルブレンの１，２，４−トリクロロベンゼン溶液）を滴下すると、溶液２１は被覆層５２ａの部分では接触し、その他の部分ではほぼ撥液された状態で配置される。
【０１００】
被覆層５２ａおよび５２ｂは、たとえば、以下の方法で形成できる。まず、被覆層５２ｂが形成される領域を、ポジレジストのパターンで被覆する。次に、被覆層５２ａが形成される領域を、被覆層５２ａの材料を含む溶液で処理し、被覆層５２ａを形成する。次に、ポジレジストパターンを除去し、被覆層５２ｂが形成される領域の基材を露出させる。次に、露出した領域を、被覆層５２ｂの材料を含む溶液で処理し、その領域に被覆層５２ｂを形成する。このとき、被覆層５２ａの領域は基材が露出しておらず被覆層５２ａで被覆されているため、被覆層５２ｂは基材が露出している部分のみに形成される。なお、被覆層の形成順序を入れ替えてもよい。
【０１０１】
また、レジストパターンを使用せずに被覆層５２を形成することも可能である。たとえば、まず、被覆層５２が形成される領域の全面に、被覆層５２ａを形成する。次に、マスクを用いた光分解法や紫外線酸化法などによって被覆層５２ｂが形成される領域の被覆層５２ａを除去し、その領域の基材を露出させる。次に、露出した領域に被覆層５２ｂを形成する。この場合も、被覆層の形成順序を入れ替えて、被覆層５２ｂを形成した後に被覆層５２ａを形成してもよい。
【０１０２】
結晶形成時に基板１１を傾けたり振動させたりした場合、液体（Ａ）が枠体１２内を常時移動することによって結晶成長に支障が生じる場合がある。これに対して、被覆層５２を用いた場合には、液体（Ａ）の移動を、親液性の被覆層５２ａによって抑制することが可能である。そのため、被覆層５２ａの近傍に選択的に結晶１３を形成することが可能である。
【０１０３】
なお、基板１１の表面に対する液体（Ａ）のヌレ性が高い場合、被覆層５２ａを形成せずにその部分だけ基板１１を露出させることによって効果が得られることもある。また、１つの枠体１２内に、複数の親液性の第２の領域を形成してもよい。
【０１０４】
図５Ａおよび５Ｂの工程の後は、実施形態１のＦＥＴ１０ａと同様の工程によってＦＥＴを形成できる。
【０１０５】
［実施形態４］
実施形態４では、枠体の内側の底面に、第１の領域と、第１の領域よりも液体（Ａ）との親和性が高い第２の領域とが存在する場合について説明する。実施形態４では、図６Ａおよび６Ｂに示すように、基板７１の上に被覆層５２を形成する。
【０１０６】
被覆層５２は、実施形態３と同様の被覆層５２ａおよび５２ｂによって構成されている。基板７１は、たとえばシリコン基板である。基板７１の表面のうち、少なくとも被覆層５２ｂが形成されている表面は粗面化されている。具体的には、その表面には１μｍ以下の凹凸が形成されている。粗面化された表面に撥液性の被覆層５２ｂを形成することによって、被覆層５２ｂの撥液性をさらに高めることができる。
【０１０７】
なお、基板７１の表面のうち、被覆層５２が形成されている表面のみが粗面化されていてもよいし、基板７１の表面の全体が粗面化されていてもよい。また、表面が粗面化されていない基板を用い、その基板と被覆層５２との間に、表面が粗面化された膜を形成してもよい。基板の表面および膜の表面は、公知の物理的な処理または公知の化学的な処理によって粗面化することが可能である。基板および／または膜の粗面化は、撥液性を高めるだけでなく、結晶核の発生を促進させる。
【０１０８】
実施形態４の構成では、枠体１２の高さが１〜２ｎｍ程度であると、液体（Ａ）が枠体１２の外側に飛び出してしまう可能性がある。その場合は、物理的に障壁となる程度の高さの枠体を形成する必要がある。高さがたとえば１μｍ以上の枠体１２を形成する場合、半導体素子製造プロセスで用いられているレジスト膜を用いてもよい。レジスト膜を、公知の技術でパターニングすることによって、高い枠体１２を容易に形成できる。
【０１０９】
実施形態４においても、実施形態３と同様に、親液性の被覆層５２ａと撥液性の被覆層５２ｂとによって構成された被覆層５２が用いられる。被覆層５２の構成およびそのバリエーションについては、実施形態３と同様である。このような被覆層５２上に溶液２１（ルブレンの１，２，４−トリクロロベンゼン溶液）を滴下すると、溶液２１は被覆層５２ａの部分では接触し、その他の部分ではほぼ撥液された状態で配置される。
【０１１０】
図６Ａおよび６Ｂの工程の後は、実施形態１のＦＥＴ１０ａと同様の工程によってＦＥＴを形成できる。
【０１１１】
［実施形態５］
実施形態５では、種結晶の形成を誘発する物質を枠体１２の内側に配置する例について説明する。具体的には、図７Ａおよび７Ｂに示すように、基板１１の上に膜８１を形成する。なお、図１Ａおよび１Ｂに示すように、基板１１の表面にソース電極１４およびドレイン電極１５が形成されていてもよい。
【０１１２】
膜８１は、結晶１３の種結晶の形成を誘発するための膜である。そのため、膜８１の構成や材料は、液体（Ａ）や結晶１３の種類に応じて選択される。液体（Ａ）として実施形態１で説明した溶液２１（ルブレンの１，２，４−トリクロロベンゼン溶液）を用いる場合、膜８１として、たとえば、ルブレン骨格を有する有機分子からなる自己組織化膜を用いてもよい。そのような膜８１を用いることによって、ルブレンの種結晶の形成を促進させることができる。また、膜８１の近傍に結晶を形成することが可能である。
【０１１３】
なお、膜８１を配置する場所や数は必要に応じて変更すればよく、たとえば、枠体１２内に複数の膜８１を配置してもよい。また、膜８１の代わりに種結晶を配置してもよい。膜８１や種結晶は、親液性が高い領域の１つの形態である。
【０１１４】
膜８１を構成する有機分子としては、たとえば、９−［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］アントラセン、４−フェニル−１−［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］ナフタレン、１，４−ビス［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］ナフタレン、１０−フェニル−９−［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］アントラセン、９，１０−ビス［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］アントラセン、５，６，１１−トリフェニル−１２−［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］テトラセンを用いることができる。なお、いずれの有機分子もトリクロロシリル基を含有しているが、トリクロロシリル基の代わりに、基材と結合する他の官能基を用いてもよい。そのような官能基としては、たとえば、モノクロルシリル基、ジクロルシリル基、メトキシ基、およびエトキシ基といったアルコキシシリル基が挙げられる。これらの分子を用いて膜８１を形成する場合、レジスト膜とフォトリソグラフィとを用いてもよい。膜８１は、数十分子で構成されてもよい。また、膜８１の代わりに、１つの有機分子を用いてもよい。
【０１１５】
有機半導体材料がアントラセンまたはルブレンである場合、膜８１の材料としては、９−［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］アントラセン、１０−フェニル−９−［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］アントラセン、または９，１０−ビス［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］アントラセンが好ましく用いられる。有機半導体材料がナフタレンまたはルブレンである場合、膜８１の材料としては、４−フェニル−１−［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］ナフタレン、および１，４−ビス［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］ナフタレンが好ましく用いられる。有機半導体材料がテトラセンまたはルブレンである場合、膜８１の材料としては、５，６，１１−トリフェニル−１２−［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］テトラセンが好ましく用いられる。
【０１１６】
膜８１の材料として例示した上記化合物は、公知の方法で合成できる。一例として、１０−フェニル−９−［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］アントラセンの合成方法を、以下に示す。
【０１１７】
まず、アルゴン気流下で、反応容器に、９−フェニルアントラセン９．２ｇと脱水ジクロロメタン２１５ｍＬとを入れ、さらにその中に臭素６．３ｇを滴下した。そして、反応液を室温で２時間撹拌した。次に、反応液をチオ硫酸ナトリウム水溶液（濃度：５％）で洗浄し、有機層を分液した。そして、その有機層を、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで脱水し、さらに減圧濃縮し、さらにシリカゲルカラムで精製した。このようにして、１０−フェニル−９−臭素−アントラセン（化合物１）１０．７ｇを得た。なお、生成物の同定は、核磁気共鳴吸収スペクトルによって行った。
【０１１８】
次に、アルゴン気流下で、反応容器に、化合物１を１０．４ｇと、４−ビニルフェニルボロン酸４．８４ｇと、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム１０８０ｍｇと、テトラヒドロフラン９４０ｍｌと、１Ｍ−炭酸カリウム水溶液５２０ｍｌとを入れた。そして、反応液を、６６度で２１時間還流させた。次に、反応液を、室温まで自然放熱させた。次に、生成物を、酢酸エチルで抽出し、水で洗浄し、さらに無水硫酸ナトリウムで脱水し、さらに減圧濃縮し、さらにシリカゲルカラムで精製した。このようにして、１０−フェニル−９−（４−ビニルベンゼン）(化合物２)６．８gを得た。なお、生成物の同定は、核磁気共鳴吸収スペクトルによって行った。
【０１１９】
次に、耐圧ガラス反応容器に、化合物２を１．６７ｇと、脱水ジクロロメタン３３ｍｌと、トリクロロシラン０．８６ｇとを入れた。さらに、室温で、反応容器中に、ヘキサクロロ白金酸六水和物のテトラヒドロフラン溶液（濃度：１０％）９．４μｌを添加した。なお、トリクロロシランとヘキサクロロ白金酸六水和物のテトラヒドロフラン溶液は、２回に分けて入れた。そして、反応液を２日間撹拌した。次に、反応物を、減圧濃縮し、さらに昇華精製した。このようにして、１０−フェニル−９−［４−｛２−（トリクロロシリル）エチル｝フェニル］アントラセン０．６ｇを得た。なお、生成物の同定は、核磁気共鳴吸収スペクトルによって行った。
【０１２０】
本発明の製造方法では、液体（Ａ）中において種結晶の形成を誘発するための操作を行ってもよい。たとえば、液体（Ａ）の一部にレーザ光線などの光を照射することによって照射部分の温度を瞬間的に高めてやり、その部分に種結晶を形成することも可能である。
【０１２１】
図７Ａおよび７Ｂの工程の後は、実施形態１のＦＥＴ１０またはＦＥＴ１０ａと同様の工程によってＦＥＴを形成できる。
【０１２２】
［その他のバリエーション］
上記実施形態の一部では、液体（Ａ）のヌレ性が制御された底面を用いることによって結晶の形成位置を制御する方法について説明した。本発明の製造方法では、液体（Ａ）のヌレ性が制御された枠体を用いることによって、結晶の形成位置を制御してもよい。
【０１２３】
たとえば、四角環状の枠体を構成する４つの辺のうち、１つの辺の内面のヌレ性のみを高くし、他の辺の内面のヌレ性を低くしてもよい。そのような構成の場合、図８Ａおよび８Ｂに示すように、枠体１２のうち液体（Ａ）のヌレ性が高い辺の内面に接するように結晶１３を形成することが可能である。また、枠体の所定の辺の内面に、種結晶、または種結晶の形成を誘発させる物質を配置してもよい。
【０１２４】
また、上記の実施形態では、結晶材料としてルブレンを使用する例について説明したが、その他の結晶性物質を使用してもよい。たとえば、ペンタセンについては、１，２，４−トリクロロベンゼンを溶媒として用いて、実施形態１と同じ方法で結晶を形成できる。この場合の液体（Ａ）は、たとえば、ペンタセンを、濃度が１．４６ｇ／Ｌとなるように１，２，４−トリクロロベンゼンに溶解することによって形成できる。種結晶の形成は、たとえば２００℃で行うことができる。
【０１２５】
また、上記の実施形態において、膜８１や種結晶は、必要に応じて枠体の近傍に設けてもよいし、枠体に接していてもよい。この場合、結晶配向が揃った結晶が得られる場合が多い。
【０１２６】
得られた結晶の品質を確認するためにＸ線回折法による測定を行い、回折ピークの半値全幅（ｆｕｌｌ  ｗｉｄｔｈ  ａｔ  ｈａｌｆ−ｍａｘｉｍｕｍ）の値によって結晶性を評価した。Ｘ線源としてはＣｕｋα線を用い、３０ｋＶ、１０ｍＡでＣｕｋα線を発生させた。本発明の方法で形成したルブレン結晶およびペンタセン結晶の間には、ＦＷＨＭの差は認められなかった。両者のＦＷＨＭの差は、５０秒から１５秒（１秒＝３６００分の１°）の範囲でその多くは４０秒であった。
【０１２７】
上記実施形態では、ソース−ドレイン電流が基板表面に平行な方向に流れるＦＥＴについて説明した。しかし、本発明のＦＥＴは、縦構造のＦＥＴ、すなわち、ソース−ドレイン電流が基板表面に垂直な方向に流れるＦＥＴであってもよい。縦構造のＦＥＴでは、半導体層だけでなく電極も、枠体を用いて形成できる。この場合には、液状または粉体状の電極材料を枠体内に滴下する方法によって電極を形成してもよい。この方法によれば、半導体層と同じ形状の電極を形成できるため、半導体層の利用効率を向上できる。また、枠体を用いてゲート絶縁膜を形成することも可能である。この場合には、ゲート絶縁膜の材料として、液体の材料を用いることができる。枠体を用いることによって、ゲート絶縁膜、ゲート電極および半導体層を同じ形状に形成できる。
【０１２８】
また、複数の半導体層を積層する場合、枠体を用いることによって、複数の半導体層を同じ形状に形成できる。また、半導体層に他の層を積層する場合、枠体を用いることによって、半導体層と他の層とを同じ形状に形成できる。他の層としては、たとえば、有機半導体層の表面状態を制御するための単分子層が挙げられる。そのような単分子層は、シランカップリング材料などによって形成できる。また、他の層として、酸化亜鉛、酸化チタン、ガリウムインジウム酸化亜鉛、スズドープ酸化インジウムなどの金属酸化物を含む液体を用いて形成される活性層も挙げられる。
【０１２９】
［太陽電池］
上記実施形態ではＦＥＴについて説明したが、本発明の半導体素子は、太陽電池（たとえば色素増感型太陽電池）であってもよい。本発明の太陽電池では、半導体層の特性（たとえば移動度）を向上させることが可能であるため、光電変換効率を向上できる可能性がある。太陽電池の基本構造は、ｎ型有機半導体材料とｐ型有機半導体材料（ドナー材料とアクセプタ材料）とを用いたヘテロ接合によって構成される。したがって、枠体の内部で、ｎ型有機半導体層とｐ型有機半導体層とを積層することによって、太陽電池を形成できる。なお、変換効率を高めるために、上記層以外の機能層（たとえば、輸送層やブロック層）を追加してもよい。有機太陽電池に用いられる有機半導体材料の例としては、たとえば、フラーレン、チオフェン誘導体、銅フタロシアニン、および亜鉛フタロシアニンが挙げられる。
【０１３０】
［発光素子］
本発明の半導体素子は、発光素子であってもよい。この場合には、２つの電極から注入された電子と正孔とを、有機半導体層内で結合させることによって発光を生じさせる。発光素子の有機半導体層に用いることができる有機化合物としては、たとえば、ペンタセン、テトラセン、フェニレンビニレン誘導体、チオフェン誘導体、およびテトラフェニルピレンが挙げられる。
【０１３１】
［半導体素子以外の素子］
なお、本発明は、半導体素子以外の素子に適用することも可能である。この素子は、基材と、基材上に形成された枠体と、枠体の内側に配置された結晶とを含む。基材および枠体は、上述した基材および枠体と同様である。また、結晶の形成方法も上述した方法と同様であるが、結晶の材料は有機半導体材料に限定されない。この結晶の材料は、有機物であってもよいし、無機物であってもよい。結晶の材料を含む液体を枠体の内側に配置したのち、その液体から結晶が形成される。
【０１３２】
枠体の内側の底面の上に形成される結晶は、結晶のみからなる塊であってもよいし、結晶以外の状態を含む固体の一部であってもよい。上述したように、結晶は、単結晶であってもよいし、多結晶であってもよいし、分子性結晶であってもよいし、それらの混合物であってもよい。
【０１３３】
この素子の一例を図９Ａおよび９Ｂに示す。この素子は、基板１１（基材）と、基板１１上に配置された枠体１２と、枠体１２の内側に配置された結晶１０３とを含む。この素子は、必要に応じて他の部材を含む。
【０１３４】
結晶の種類によって様々な素子を実現できる。たとえば、波長変換素子や、光スイッチング素子を実現することが可能である。
【０１３５】
本発明はそれらの素子を製造するための方法に適用することも可能である。この製造方法は、結晶を含む素子の製造方法であって、（Ｉ）基材上に枠体を形成する工程と、（II）前記枠体の内側に前記結晶を形成する工程と、を含み、前記（II）の工程は、前記結晶の材料と液媒体とを含む液体を前記枠体の内側に配置し、前記液体から前記結晶を形成する結晶形成工程を含む。工程（Ｉ）および（II）は、工程（ｉ）および（ii）と同様の方法で実施できるため、結晶の材料が有機半導体材料に限定されないこと、および半導体素子に必須の構成部材（電極や絶縁膜等）が必須ではないことを除き、上述した説明をそのまま適用できる。具体的には、結晶１３の材料が異なることを除き、図１Ａ〜図７Ｂと同様の方法を適用できる。
【０１３６】
結晶の材料となる有機化合物は、芳香族炭化水素化合物、多環式化合物（縮合環化合物）、デンドリマー、タンパク質、または膜タンパク質であってもよい。さらに、上記化合物をペンダントとして含むペンダント化合物を結晶材料として用いてもよい。そのようなペンダント化合物は有機高分子であってもよい。また、共役二重結合を主鎖に含有している有機分子を結晶材料として用いてもよい。なお、中西八郎監修「有機結晶材料の最新技術」株式会社シーエムシー出版発刊（２００５年、日本）に記載された材料はいずれも結晶材料の候補である。
【０１３７】
また、別の観点では、本発明は、上記方法を用いて枠体の内側に、分析用の結晶を形成する方法、およびそれを用いて分析を行う方法である。このような方法は、特に、構成元素の分析や結晶構造の分析に有用である。
【０１３８】
本発明は、その意図および本質的な特徴から逸脱しない限り、他の実施形態に適用しうる。この明細書に開示されている実施形態は、あらゆる点で説明的なものであってこれに限定されない。本発明の範囲は、クレームによって示されており、クレームと均等な意味および範囲にあるすべての変更はそれに含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１３９】
本発明は、有機半導体材料からなる結晶を備える半導体素子およびその製造方法に利用できる。また、本発明は、それらの半導体素子を備える電子デバイスおよびその製造方法に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１４０】
【図１】図１Ａおよび図１Ｂは、それぞれ、本発明の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の一例を示す上面図および断面図である。図１Ｃおよび図１Ｄは、それぞれ、他の一例を示す上面図および端面図である。
【図２】図２Ａ〜２Ｆは、ＦＥＴを製造するための本発明の方法の一例を示す図である。
【図３】図３Ａ〜３Ｆは、図２に示した製造方法の一部の工程を示す図である。
【図４】図４Ａおよび図４Ｂは、それぞれ、ＦＥＴを製造するための本発明の方法の他の一工程を示す上面図および端面図である。図４Ｃおよび図４Ｄは、それぞれ、その他の一工程を示す上面図および断面図である。
【図５】図５Ａおよび図５Ｂは、それぞれ、ＦＥＴを製造するための本発明の方法のその他の一工程を示す上面図および端面図である。
【図６】図６Ａおよび図６Ｂは、それぞれ、ＦＥＴを製造するための本発明の方法のその他の一工程を示す上面図および端面図である。
【図７】図７Ａおよび図７Ｂは、それぞれ、ＦＥＴを製造するための本発明の方法のその他の一工程を示す上面図および端面図である。
【図８】図８Ａおよび図８Ｂは、それぞれ、ＦＥＴを製造するための本発明の方法のその他の一工程を示す上面図および端面図である。
【図９】図９Ａおよび図９Ｂは、それぞれ、本発明を半導体素子以外の素子に適用した場合の一例を示す上面図および端面図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2007142238.tif 000012
【図２】
2007142238.tif 000013
【図３】
2007142238.tif 000014
【図４】
2007142238.tif 000015
【図５】
2007142238.tif 000016
【図６】
2007142238.tif 000017
【図７】
2007142238.tif 000018
【図８】
2007142238.tif 000019
【図９】
2007142238.tif 000020
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月28日(2008.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体材料の結晶を含む半導体層を備える半導体素子の製造方法であって、
（ｉ）基材上に枠体を形成する工程と、
（ii）前記枠体の内側に前記半導体層を形成する工程と、を含み、
前記（ii）の工程は、前記有機半導体材料と液媒体とを含む液体を前記枠体の内側に配置し、前記液体から前記結晶を形成する結晶形成工程を含み、
前記枠体の内側の底面には、第１の領域と、前記第１の領域よりも前記液体との親和性が高い第２の領域とが存在する半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記基材が樹脂からなる請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記半導体層に占める前記結晶の割合が５０体積％以上である請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記枠体の内側の容積が７．５×１０-5μｍ3〜３×１０7μｍ3の範囲にある請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記枠体の高さが、０．１ｎｍ〜１０μｍの範囲にある請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
前記枠体が自己組織化膜からなる請求項１に記載の製造方法。
【請求項７】
前記（ｉ）の工程は、
（ｉ−ａ）前記基材上にレジストパターンを形成する工程と、
（ｉ−ｂ）前記レジストパターンを覆うように自己組織化膜を形成する工程と、
（ｉ−ｃ）前記レジストパターンを除去することによって、前記自己組織化膜からなる前記枠体を形成する工程と、を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項８】
前記（ｉ）の工程は、
（ｉ−Ａ）前記基材上に自己組織化膜を形成する工程と、
（ｉ−Ｂ）前記自己組織化膜の一部を除去することによって前記自己組織化膜からなる前記枠体を形成する工程と、を含み、
前記（ｉ−Ｂ）の工程は、前記自己組織化膜の前記一部に紫外線または電子線を照射することによって前記一部の前記自己組織化膜を分解する工程を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項９】
前記結晶形成工程において、吐出装置によって前記液体を前記枠体の内側に配置する請求項１に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記結晶形成工程において、前記液体の前記液媒体を蒸発させることによって前記結晶を形成する請求項１に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記液体を前記枠体の内側に配置する前に、前記枠体の内側に、前記結晶の形成を促進させる物質を配置する工程を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記結晶形成工程は、前記液体に光を照射することによって、前記液体中で種結晶を形成する工程を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記枠体の内側の底面に対する前記液体の親和性が、前記枠体に対する前記液体の親和性よりも高い請求項１に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記液媒体が水を含み、
前記枠体が疎水性である請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記枠体の内側の底面の一部にソース電極およびドレイン電極が配置されており、
前記第２の領域が前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に存在する請求項１に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記半導体素子は、前記半導体層に電圧を印加するためのゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜と、前記半導体層に接触するソース電極およびドレイン電極とを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記ソース電極と前記ドレイン電極とが、前記半導体層を挟んで前記基材上に積層される請求項１６に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記（ii）の工程ののちに、前記枠体を除去する工程をさらに含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１９】
半導体素子を備える電子デバイスの製造方法であって、
前記半導体素子を請求項１に記載の方法で製造する工程を含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項２０】
請求項１に記載の製造方法で製造された半導体素子。
【請求項２１】
基材と、前記基材上に配置された枠体と、前記枠体の内側に配置された半導体層とを備え、
前記枠体の内側の底面には、第１の領域と、前記第１の領域よりも前記液体との親和性が高い第２の領域とが存在し、
前記半導体層が有機半導体材料の結晶を含む半導体素子。
【請求項２２】
前記結晶の少なくとも一部が単結晶である請求項２１に記載の半導体素子。
【請求項２３】
前記基材が樹脂からなる請求項２１に記載の半導体素子。
【請求項２４】
前記枠体の内側の容積が７．５×１０-5μｍ3〜３×１０7μｍ3の範囲にある請求項２１に記載の半導体素子。
【請求項２５】
前記半導体層のうち、前記基材側とは反対側の面が曲面である請求項２１に記載の半導体素子。
【請求項２６】
前記半導体層に電界を印加するためのゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜と、前記半導体層に接触するソース電極およびドレイン電極とを備える請求項２１に記載の半導体素子。
【請求項２７】
請求項２１に記載の半導体素子を備える電子デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、有機半導体材料の結晶を含む半導体層を備える半導体素子を製造するための本発明の方法は、（ｉ）基材上に枠体を形成する工程と、（ii）前記枠体の内側に前記半導体層を形成する工程と、を含み、前記（ii）の工程は、前記有機半導体材料と液媒体とを含む液体を前記枠体の内側に配置し、前記液体から前記結晶を形成する結晶形成工程を含み、前記枠体の内側の底面には、第１の領域と、前記第１の領域よりも前記液体との親和性が高い第２の領域とが存在する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の半導体素子は、基材と、前記基材上に配置された枠体と、前記枠体の内側に配置された半導体層とを備え、前記枠体の内側の底面には、第１の領域と、前記第１の領域よりも前記液体との親和性が高い第２の領域とが存在し、前記半導体層が有機半導体材料の結晶を含む。なお、有機半導体材料とは、半導体特性を示す有機材料を意味する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月13日(2009.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体材料の結晶を含む半導体層を備える半導体素子の製造方法であって、
（ｉ）基材上に枠体を形成する工程と、
（ii）前記枠体の内側に前記半導体層を形成する工程と、を含み、
前記（ii）の工程は、前記有機半導体材料と液媒体とを含む液体を前記枠体の内側に配置し、前記液体から前記結晶を形成する結晶形成工程を含み、
前記枠体の内側の底面には、第１の領域と、前記第１の領域よりも前記液体との親和性が高い第２の領域とが存在する半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記基材が樹脂からなる請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記半導体層に占める前記結晶の割合が５０体積％以上である請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記枠体の内側の容積が７．５×１０-5μｍ3〜３×１０7μｍ3の範囲にある請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記枠体の高さが、０．１ｎｍ〜１０μｍの範囲にある請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
前記枠体が自己組織化膜からなる請求項１に記載の製造方法。
【請求項７】
前記（ｉ）の工程は、
（ｉ−ａ）前記基材上にレジストパターンを形成する工程と、
（ｉ−ｂ）前記レジストパターンを覆うように自己組織化膜を形成する工程と、
（ｉ−ｃ）前記レジストパターンを除去することによって、前記自己組織化膜からなる前記枠体を形成する工程と、を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項８】
前記（ｉ）の工程は、
（ｉ−Ａ）前記基材上に自己組織化膜を形成する工程と、
（ｉ−Ｂ）前記自己組織化膜の一部を除去することによって前記自己組織化膜からなる前記枠体を形成する工程と、を含み、
前記（ｉ−Ｂ）の工程は、前記自己組織化膜の前記一部に紫外線または電子線を照射することによって前記一部の前記自己組織化膜を分解する工程を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項９】
前記結晶形成工程において、吐出装置によって前記液体を前記枠体の内側に配置する請求項１に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記結晶形成工程において、前記液体の前記液媒体を蒸発させることによって前記結晶を形成する請求項１に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記液体を前記枠体の内側に配置する前に、前記枠体の内側に、前記結晶の形成を促進させる物質を配置する工程を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記結晶形成工程は、前記液体に光を照射することによって、前記液体中で種結晶を形成する工程を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記枠体の内側の底面に対する前記液体の親和性が、前記枠体に対する前記液体の親和性よりも高い請求項１に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記液媒体が水を含み、
前記枠体が疎水性である請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記枠体の内側の底面の一部にソース電極およびドレイン電極が配置されており、
前記第２の領域が前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に存在する請求項１に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記半導体素子は、前記半導体層に電圧を印加するためのゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜と、前記半導体層に接触するソース電極およびドレイン電極とを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記ソース電極と前記ドレイン電極とが、前記半導体層を挟んで前記基材上に積層される請求項１６に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記（ii）の工程ののちに、前記枠体を除去する工程をさらに含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１９】
半導体素子を備える電子デバイスの製造方法であって、
前記半導体素子を請求項１に記載の方法で製造する工程を含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項２０】
基材と、前記基材上に配置された枠体と、前記枠体の内側に配置された半導体層とを備え、
前記枠体の内側の底面には、第１の領域と、前記第１の領域よりも前記液体との親和性が高い第２の領域とが存在し、
前記半導体層が有機半導体材料の結晶を含む半導体素子。
【請求項２１】
前記結晶の少なくとも一部が単結晶である請求項２０に記載の半導体素子。
【請求項２２】
前記基材が樹脂からなる請求項２０に記載の半導体素子。
【請求項２３】
前記枠体の内側の容積が７．５×１０-5μｍ3〜３×１０7μｍ3の範囲にある請求項２０に記載の半導体素子。
【請求項２４】
前記半導体層のうち、前記基材側とは反対側の面が曲面である請求項２０に記載の半導体素子。
【請求項２５】
前記半導体層に電界を印加するためのゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜と、前記半導体層に接触するソース電極およびドレイン電極とを備える請求項２０に記載の半導体素子。
【請求項２６】
請求項２０に記載の半導体素子を備える電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月3日(2009.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体材料の結晶を含む半導体層を備える半導体素子の製造方法であって、
（ｉ）基材上に枠体を形成する工程と、
（ii）前記枠体の内側に前記半導体層を形成する工程と、を含み、
前記（ii）の工程は、前記有機半導体材料と液媒体とを含む液体を前記枠体の内側に配置し、前記液体から前記結晶を形成する結晶形成工程を含み、
前記枠体の内側の底面には、第１の領域と、前記第１の領域よりも前記液体との親和性が高い第２の領域とが存在する半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記基材が樹脂からなる請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記半導体層に占める前記結晶の割合が５０体積％以上である請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記枠体の内側の容積が７．５×１０-5μｍ3〜３×１０7μｍ3の範囲にある請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記枠体の高さが、０．１ｎｍ〜１０μｍの範囲にある請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
前記枠体が自己組織化膜からなる請求項１に記載の製造方法。
【請求項７】
前記（ｉ）の工程は、
（ｉ−ａ）前記基材上にレジストパターンを形成する工程と、
（ｉ−ｂ）前記レジストパターンを覆うように自己組織化膜を形成する工程と、
（ｉ−ｃ）前記レジストパターンを除去することによって、前記自己組織化膜からなる前記枠体を形成する工程と、を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項８】
前記（ｉ）の工程は、
（ｉ−Ａ）前記基材上に自己組織化膜を形成する工程と、
（ｉ−Ｂ）前記自己組織化膜の一部を除去することによって前記自己組織化膜からなる前記枠体を形成する工程と、を含み、
前記（ｉ−Ｂ）の工程は、前記自己組織化膜の前記一部に紫外線または電子線を照射することによって前記一部の前記自己組織化膜を分解する工程を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項９】
前記結晶形成工程において、吐出装置によって前記液体を前記枠体の内側に配置する請求項１に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記結晶形成工程において、前記液体の前記液媒体を蒸発させることによって前記結晶を形成する請求項１に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記液体を前記枠体の内側に配置する前に、前記枠体の内側に、前記結晶の形成を促進させる物質を配置する工程を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記結晶形成工程は、前記液体に光を照射することによって、前記液体中で種結晶を形成する工程を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記枠体の内側の底面に対する前記液体の親和性が、前記枠体に対する前記液体の親和性よりも高い請求項１に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記液媒体が水を含み、
前記枠体が疎水性である請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記枠体の内側の底面の一部にソース電極およびドレイン電極が配置されており、
前記第２の領域が前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に存在する請求項１に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記半導体素子は、前記半導体層に電圧を印加するためのゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜と、前記半導体層に接触するソース電極およびドレイン電極とを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記ソース電極と前記ドレイン電極とが、前記半導体層を挟んで前記基材上に積層される請求項１６に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記（ii）の工程ののちに、前記枠体を除去する工程をさらに含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１９】
半導体素子を備える電子デバイスの製造方法であって、
前記半導体素子を請求項１に記載の方法で製造する工程を含む、電子デバイスの製造方法。
【国際調査報告】
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