【手続補正書】
【提出日】平成19年9月12日(2007.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
該半導体チップを内蔵する樹脂基材と、
外部接続端子とを有するチップ内蔵基板において、
前記樹脂基材の一方の面に設けられた第１の外部接続端子と、
前記樹脂基材の一方の面に設けられ、前記半導体チップ及び前記第１の外部接続端子と電気的に接続された配線と、
前記樹脂基材の一方の面に設けられ、前記配線を覆うソルダーレジストと、
前記樹脂基材の他方の面に設けられ、前記半導体チップと電気的に接続された第２の外部接続端子と、を備え、
前記樹脂基材は、樹脂からなり、該樹脂に球状のフィラーを前記樹脂基材全体に対して６０〜９０ｗｔ％含有させたことを特徴とするチップ内蔵基板。
【請求項２】
前記樹脂基材は、ガラス転移温度付近の温度での弾性率が１ＧＰａ〜３ＧＰａであることを特徴とする請求項１に記載のチップ内蔵基板。
【請求項３】
前記樹脂基材は、ガラス転移温度よりも低い温度での熱膨張係数が１０ｐｐｍ〜１５ｐｐｍであることを特徴とする請求項１または２に記載のチップ内蔵基板。
【請求項４】
前記半導体チップは、前記第１及び第２の外部接続端子と電気的に接続される電極パッドを有し、
該電極パッドの材料にＡｌを用いた際、前記電極パッドをジンケート処理し、前記電極パッド上にＮｉ層を設けたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のチップ内蔵基板。
【請求項５】
半導体チップと、
該半導体チップを内蔵する樹脂基材と、
第１及び第２の外部接続端子とを有するチップ内蔵基板の製造方法において、
支持板上に前記半導体チップを配設する半導体チップ配設工程と、
前記半導体チップを覆うよう前記支持板上に前記樹脂基材を配設する樹脂基材配設工程と、
前記支持板を除去する支持板除去工程とを備え、
前記樹脂基材には、樹脂からなり、該樹脂に球状のフィラーを前記樹脂基材全体に対して６０〜９０ｗｔ％含有させることを特徴とするチップ内蔵基板の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂基材を貫通する貫通ビアを形成する貫通ビア形成工程と、
前記樹脂基材の一方の面に、前記貫通ビアと電気的に接続される第１の外部接続端子を形成する第１の外部接続端子形成工程と、
前記樹脂基材の他方の面に、前記貫通ビアと電気的に接続される第２の外部接続端子を形成する第２の外部接続端子形成工程とを設けたことを特徴とする請求項５に記載のチップ内蔵基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一観点によれば、半導体チップと、該半導体チップを内蔵する樹脂基材と、外部接続端子とを有するチップ内蔵基板において、前記樹脂基材の一方の面に設けられた第１の外部接続端子と、前記樹脂基材の一方の面に設けられ、前記半導体チップ及び前記第１の外部接続端子と電気的に接続された配線と、前記樹脂基材の一方の面に設けられ、前記配線を覆うソルダーレジストと、前記樹脂基材の他方の面に設けられ、前記半導体チップと電気的に接続された第２の外部接続端子と、を備え、前記樹脂基材は、樹脂からなり、該樹脂に球状のフィラーを前記樹脂基材全体に対して６０〜９０ｗｔ％含有させたことを特徴とするチップ内蔵基板により、解決できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記発明によれば、樹脂からなり、該樹脂に球状のフィラーを樹脂基材全体に対して６０〜９０ｗｔ％含有させた樹脂基材を用いることで、従来の樹脂基材よりもガラス転移温度付近の温度での弾性率が大きく、かつガラス転移温度よりも低い温度での熱膨張係数が小さくなり、樹脂基材の反りの発生が抑制され、従来のチップ内蔵基板のように支持板や樹脂層を設ける必要がなくなるため、チップ内蔵基板を薄型化することができる。なお、「ガラス転移温度」とは、樹脂の弾性率が急激に低下する温度である。また、チップ内蔵基板に支持板を設ける必要がないため、樹脂基材の両面に外部接続端子を設けることが可能となり、チップ内蔵基板上に他のチップ内蔵基板を搭載させ、他のチップ内蔵基板を搭載したチップ内蔵基板を基板（例えば、マザーボード）に接続することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、前記樹脂基材のガラス転移点付近での弾性率を１ＧＰａ〜３ＧＰａとしてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このように、樹脂基材のガラス転移点付近での弾性率を従来の樹脂基材よりも大きい１ＧＰａ〜３ＧＰａとすることで、樹脂基材の反りの発生を抑制することができる
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、ガラス転移点よりも低い温度での前記樹脂基材の熱膨張係数を１０ｐｐｍ〜１５ｐｐｍとしてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
このように、樹脂基材のガラス転移点よりも低い温度での熱膨張係数を従来の樹脂基材よりも小さい１０ｐｐｍ〜１５ｐｐｍとすることで、熱変形を小さくして、熱を受けた際の反りの発生を抑制することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、前記半導体チップは、前記第１及び第２の外部接続端子と電気的に接続される電極パッドを有し、該電極パッドの材料にＡｌを用いた際、前記電極パッドをジンケート処理し、前記電極パッド上にＮｉ層を設けてもよい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
このように、電極パッドの材料にＡｌを用いた際、電極パッドをジンケート処理することで、電極パッドが再酸化されることが防止され、電極パッド上にＮｉ層を容易に形成することができる。また、Ｎｉ層を、電極パッド上にビアを配設するための開口部を形成する際のストッパー膜として用いることができると共に、電極パッドが損傷することを防止できる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の他の観点によれば、半導体チップと、該半導体チップを内蔵する樹脂基材と、第１及び第２の外部接続端子とを有するチップ内蔵基板の製造方法において、支持板上に前記半導体チップを配設する半導体チップ配設工程と、前記半導体チップを覆うよう前記支持板上に前記樹脂基材を配設する樹脂基材配設工程と、前記支持板を除去する支持板除去工程とを備え、前記樹脂基材には、樹脂からなり、該樹脂に球状のフィラーを前記樹脂基材全体に対して６０〜９０ｗｔ％含有させることを特徴とするチップ内蔵基板の製造方法により、解決できる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明によれば、樹脂からなり、該樹脂に球状のフィラーを樹脂基材全体に対して６０〜９０ｗｔ％含有させた樹脂基材を用いることで、従来の樹脂基材よりもガラス転移温度付近の温度での弾性率が大きく、かつガラス転移温度よりも低い温度での熱膨張係数が小さくなり、樹脂基材の反りの発生が抑制され、従来のチップ内蔵基板のように支持板や樹脂層を設ける必要がなくなるため、チップ内蔵基板を薄型化することができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、前記樹脂基材を貫通する貫通ビアを形成する貫通ビア形成工程と、前記樹脂基材の一方の面に、前記貫通ビアと電気的に接続される第１の外部接続端子を形成する第１の外部接続端子形成工程と、前記樹脂基材の他方の面に、前記貫通ビアと電気的に接続される第２の外部接続端子を形成する第２の外部接続端子形成工程とを設けてもよい。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
このように、樹脂基材の一方の面に、貫通ビアと電気的に接続される第１の外部接続端子と、樹脂基材の他方の面に、貫通ビアと電気的に接続される第２の外部接続端子とを形成して、他のチップ内蔵基板をチップ内蔵基板に搭載させ、他のチップ内蔵基板を搭載したチップ内蔵基板を基板に接続することができる。