【手続補正書】
【提出日】平成19年11月19日(2007.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）ニトロ安息香酸、メトキシ安息香酸、ニトロナフタル酸、メトキシナフタル酸、３，５−ジメトキシ−４−ヒドロキシケイ皮酸、ケイ皮酸およびこれらの誘導体、２−ヒドロキシルアリールベンゾトリアゾールおよびその誘導体、２−ヒドロキシベンゾフェノンおよびその誘導体、アントラセンスルホン酸およびその誘導体、ならびにカーボンナノチューブよりなる群の１つもしくはそれ以上のメンバーから選択されるＵＶ遮断剤と、
ｂ）ポリマー中のモノマーの少なくとも５０モルパーセントが、
【化１】
2007526936.tif 000001
（式中、Ｒ1は水素または低級アルキルであり、Ｒ2は低級アルキルであり、Ｒ3は水素または低級アルキルであり、ここで低級アルキルの定義は、１〜６個の線状または環状の炭素原子を有するアルキル基を含む）、
【化２】
2007526936.tif 000002
（式中、Ｒ1は水素または低級アルキルであり、Ｒ2は低級アルキルであり、Ｒ3およびＲ4は、独立して水素または低級アルキルであり、ここで低級アルキルの定義は、１〜６個の炭素原子を有するアルキル基を含み、そしてＲ1とＲ2との結合、あるいはＲ1とＲ3またはＲ4のいずれかとの結合、あるいはＲ2とＲ3またはＲ4のいずれかとの結合は、５、６または７員環を形成する）、ならびに
【化３】
2007526936.tif 000003
（式中、Ｒ1は水素または低級アルキルであり、Ｒ2は低級アルキルであり、Ｒ3およびＲ4は、独立して水素または低級アルキルであり、ここで低級アルキルの定義は、１〜６個の炭素原子を有するアルキル基を含み、そしてＲ1とＲ2との結合、あるいはＲ1とＲ3またはＲ4のいずれかとの結合、あるいはＲ2とＲ3またはＲ4のいずれかとの結合は、５、６または７員環を形成する）よりなる群から選択される構造を含んでなるポリマーと、
を含んでなる組成物。
【請求項２】
ポリマーが、１−エトキシエチルメタクリレート、１−エトキシエチルアクリレート、１−ブトキシエチルメタクリレート、１−ブトキシエチルアクリレート、１−エトキシ−１−プロピルメタクリレート、１−エトキシ−１−プロピルアクリレート、テトラヒドロピラニルメタクリレート、テトラヒドロピラニルアクリレート、テトラヒドロピラニルｐ−ビニルベンゾエート、１−エトキシ−１−プロピルｐ−ビニルベンゾエート、４−（２−テトラヒドロピラニルオキシ）ベンジルメタクリレート、４−（２−テトラヒドロピラニルオキシ）ベンジルアクリレート、４−（１−ブトキシエトキシ）ベンジルメタクリレート、４−（１−ブトキシエトキシ）ベンジルアクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、ネオペンチルメタクリレート、ネオペンチルアクリレート、１−ビシクロ｛２，２，２｝オクチルメタクリレート（またはアクリレート）およびこれらの誘導体、１−ビシクロ｛２，２，１｝ヘプチルメタクリレート（またはアクリレート）およびこれらの誘導体、１−ビシクロ｛２，１，１｝ヘキシルメタクリレート（またはアクリレート）およびこれらの誘導体、１−ビシクロ｛１，１，１｝ペンチルメタクリレート（またはアクリレート）およびこれらの誘導体、ならびに１−アダマンチルメタクリレート（またはアクリレート）およびこれらの誘導体よりなる群から選択されるモノマーを含んでなる請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
請求項１または２に記載の組成物から作製された保護層を構成要素として含んでなる電子デバイス。
【請求項４】
保護層が透明基板を被覆する請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
保護層がパターン化される請求項３に記載のデバイス。
【請求項６】
（ａ）ニトロ安息香酸、メトキシ安息香酸、ニトロナフタル酸、メトキシナフタル酸、３，５−ジメトキシ−４−ヒドロキシケイ皮酸、ケイ皮酸およびこれらの誘導体、２−ヒドロキシルアリールベンゾトリアゾールおよびその誘導体、２−ヒドロキシベンゾフェノンおよびその誘導体、アントラセンスルホン酸およびその誘導体、ならびにカーボンナノチューブよりなる群の１つもしくはそれ以上のメンバーから選択されるＵＶ遮断剤と、
（ｂ）ポリマー中のモノマーの少なくとも５０モルパーセントが、
【化４】
2007526936.tif 000004
（式中、Ｒ1は水素または低級アルキルであり、Ｒ2は低級アルキルであり、Ｒ3は水素または低級アルキルであり、ここで低級アルキルの定義は、１〜６個の線状または環状の炭素原子を有するアルキル基を含む）、
【化５】
2007526936.tif 000005
（式中、Ｒ1は水素または低級アルキルであり、Ｒ2は低級アルキルであり、Ｒ3およびＲ4は、独立して水素または低級アルキルであり、ここで低級アルキルの定義は、１〜６個の炭素原子を有するアルキル基を含み、そしてＲ1とＲ2との結合、あるいはＲ1とＲ3またはＲ4のいずれかとの結合、あるいはＲ2とＲ3またはＲ4のいずれかとの結合は、５、６または７員環を形成する）、ならびに
【化６】
2007526936.tif 000006
（式中、Ｒ1は水素または低級アルキルであり、Ｒ2は低級アルキルであり、Ｒ3およびＲ4は、独立して水素または低級アルキルであり、ここで低級アルキルの定義は、１〜６個の炭素原子を有するアルキル基を含み、そしてＲ1とＲ2との結合、あるいはＲ1とＲ3またはＲ4のいずれかとの結合、あるいはＲ2とＲ3またはＲ4のいずれかとの結合は、５、６または７員環を形成する）よりなる群から選択される構造を含んでなるポリマーと、
を含んでなる保護層が上に被覆された基板を、デバイスの構成要素として提供することを含んでなる電子デバイスの作製方法。
【請求項７】
ポリマーが、１−エトキシエチルメタクリレート、１−エトキシエチルアクリレート、１−ブトキシエチルメタクリレート、１−ブトキシエチルアクリレート、１−エトキシ−１−プロピルメタクリレート、１−エトキシ−１−プロピルアクリレート、テトラヒドロピラニルメタクリレート、テトラヒドロピラニルアクリレート、テトラヒドロピラニルｐ−ビニルベンゾエート、１−エトキシ−１−プロピルｐ−ビニルベンゾエート、４−（２−テトラヒドロピラニルオキシ）ベンジルメタクリレート、４−（２−テトラヒドロピラニルオキシ）ベンジルアクリレート、４−（１−ブトキシエトキシ）ベンジルメタクリレート、４−（１−ブトキシエトキシ）ベンジルアクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、ネオペンチルメタクリレート、ネオペンチルアクリレート、１−ビシクロ｛２，２，２｝オクチルメタクリレート（またはアクリレート）およびこれらの誘導体、１−ビシクロ｛２，２，１｝ヘプチルメタクリレート（またはアクリレート）およびこれらの誘導体、１−ビシクロ｛２，１，１｝ヘキシルメタクリレート（またはアクリレート）およびこれらの誘導体、１−ビシクロ｛１，１，１｝ペンチルメタクリレート（またはアクリレート）およびこれらの誘導体、ならびに１−アダマンチルメタクリレート（またはアクリレート）およびこれらの誘導体よりなる群から選択されるモノマーを含んでなる請求項６に記載の方法。
【請求項８】
更に、保護層を照射するステップを含んでなる請求項６に記載の方法。
【請求項９】
保護層が、基板を通して照射される請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
更に、保護層をパターン化するステップを含んでなる請求項６に記載の方法。