【手続補正書】
【提出日】平成20年1月10日(2008.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  (a)  酸化性有機化合物と共に金属メッキ電解質を有する分離されていない電解槽を設け；
(b)   電気触媒被膜と弁金属酸化物、酸化スズ又はそれらの組合せ、ペロプスカイト型、ガーネット型またはスピネル型の酸化物またはガラスからなり、該有機成分の消費を減少させるように働く実質的に非導電性のトップコートを有する弁金属基材のアノードを設け；
(c)  該アノードに電流を加え、；そして  
(d)  該電解槽のアノード電位を保持しつつメッキ方法を行うことを含む、電解槽中の電解質溶液からの金属の電気メッキ方法。
【請求項２】  前記アノードベースが弁金属アノードベースであり、そして前記アノードベースの表面がエッチング、グリットブラスト処理及び溶射のうちの1種以上によって作製されている、請求項1の方法。
【請求項３】  前記作製された表面上に前処理層としてセラミック酸化物のバリヤー層が作られている、請求項2の方法。
【請求項４】  前記表面被膜が実質的に白金族金属または酸化物類または磁鉄鉱、フェライト、酸化コバルトスピネル、酸化スズ、酸化アンチモン及び/または弁金属の少なくとも1種の酸化物と白金族金属の少なくとも1種の酸化物との混合結晶物からなり、及びまたは二酸化マンガン、二酸化鉛、白金酸塩代替物、ニッケル-酸化ニッケルまたはニッケルとランタンの酸化物類の混合物のうちの1種以上を含む、請求項2の方法。
【請求項５】  前記トップコートが弁金属酸化物被膜層であり、そして前記弁金属酸化物がチタン、タンタル、ニオブ、ジルコニウム、モリブデン、アルミニウム、ハフニウム、タングステンまたはそれらの混合物類からなる群より選択される、請求項4の方法。
【請求項６】  前記トップコートがSb、F、Cl、Mo、W、Ta、R、Ir、Pt、Rh、PdまたはIn及びそれらの酸化物類の１種以上でドープされた酸化スズ被膜層であり、そして前記ドーピング剤が約0.1％乃至約20％の範囲の量である、請求項4の方法。
【請求項７】  前記アノードが酸素発生電極である、請求項1の方法。
【請求項８】  前記電解質溶液中の前記金属が銅、ニッケル、亜鉛またはスズである、請求項1の方法。
【請求項９】  前記アノードベースの前記金属がチタンであり、前記電気触媒表面被膜が酸化タンタルを含む或いは含まない酸化イリジウムであり、そして前記トップコートがイソプロパノールまたはブタノール中のTaCl5から形成された酸化タンタルである、請求項1の方法。
【請求項１０】  前記アノードベースの前記金属がチタンであり、前記電気触媒表面被膜が酸化タンタルを含む或いは含まない酸化イリジウムであり、そして前記トップコートがブタノール中のチタンブトキシドから形成された酸化チタンである、請求項1の方法。
【請求項１１】  電解質の電解ための方法であって、前記方法が
電解槽を設け；
2種以上の酸化性化学種を含む電解質を前記電解槽中に作り；
該電解槽中に、前記電解質と接触し、電気触媒表面被膜を有する、弁金属基材のアノードを設け、そして、前記電気触媒被膜の少なくとも実質的に全表面を被覆する多孔性のセラミック材料からなり、該有機成分の消費を減少させるように働く実質的に非導電性のトップコートが設けられており；
前記アノードに電流を加え；そして
前記電解質の電解を行うこと、
を含む、電解質の電解ための方法。
【請求項１２】  前記電解槽が分離された電解槽であるか或いは分離されていない電解槽である、請求項11の方法。
【請求項１３】  前記酸化性化学種が塩化物、臭化物、ヨウ化物、第1鉄イオン及び第1スズイオンのうちの１種以上である、請求項12の方法。
【請求項１４】  前記アノードの前記弁金属ベースが、チタン、タンタル、ジルコニウム、アルミニウム、タングステン、それらの合金類及びそれらの金属間混合物類の1種以上であり、そして前記弁金属ベースがメッシュ、シート、ブレード、チューブまたはワイヤの形態をとっている、請求項11の方法。  
【請求項１５】  前記弁金属アノードベースの表面が作製された表面であり、そしてそこにおいて前記表面がエッチング、グリットブラスト処理または溶射のうちの1種以上によって作製されている、請求項14の方法。
【請求項１６】  前記粗面化された表面上に前処理層としてセラミック酸化物のバリヤー層が作られている、請求項15の方法。
【請求項１７】  電気触媒表面被膜が実質的に白金族金属または酸化物類または磁鉄鉱、フェライト、酸化コバルトスピネル、酸化スズ、酸化アンチモン及び/または弁金属の少なくとも１種の酸化物と白金族金属の少なくとも１種の酸化物との混合結晶物からなり、及び/または二酸化マンガン、二酸化鉛、白金酸塩代替物、ニッケル-酸化ニッケルまたはニッケルとランタンの酸化物類の混合物のうちの1種以上を含む、請求項12の方法。
【請求項１８】  前記セラミック材料が弁金属酸化物、酸化スズまたはペロプスカイト型、ガーネット型またはスピネル型の酸化物のうちの１種以上である、請求項14の方法。
【請求項１９】  前記セラミック材料が弁金属酸化物であり、そして前記弁金属酸化物がチタン、ジルコニウム、ニオブ、タンタル、アルミニウム、タングステン、それらの合金類及び金属間混合物類からなる群より選択される、請求項18の方法。
【請求項２０】  前記弁金属酸化物が酸化タンタル、酸化チタンまたはそれらの混合物類である、請求項17の方法。
【請求項２１】  前記弁金属酸化物が約6乃至約20層の量で適用される、請求項18の方法。
【請求項２２】  前記多孔性セラミック材料が溶射により適用されるガラスである、請求項20の方法。
【請求項２３】  前記セラミック材料が酸化スズである、請求項16の方法。
【請求項２４】  前記電解槽が分離されていない電解槽であり、そして前記方法が電解採取、陰極保護、銅箔析出、クロムメッキ、電気メッキ、荒粉回収、水処理、酸素発生及び海水電解のうちの1種以上である、請求項12の方法。
【請求項２５】  前記電解槽が分離された電解槽であり、そして前記方法が塩素-アルカリ塩分解次亜塩素酸塩製造または水電解のうちの１種以上である、請求項12の方法。
【請求項２６】  前記方法が前記セラッミク材料の前記トップコートを加熱する工程を更に含み且つ前記加熱が約250℃乃至約700℃の温度でのベーキングによって行なわれる、請求項12の方法。  
【請求項２７】  電気触媒方法に使用される弁金属基材の金属製品であって、前記弁金属基材は電気触媒表面被膜を有し、前記被膜の少なくとも実質的に全表面を被覆する実質的に非導電性のセラミック材料のトップコートを含み、前記セラミック材料のトップコートが前記電気触媒方法に使用される電解質中に含まれる有機代替物または酸化性化学種の酸化を最小限にする、金属製品。
【請求項２８】  前記電気触媒表面被膜が実質的に白金族金属または酸化物類、磁鉄鉱、フェライト、酸化コバルトスピネル、酸化スズ及び酸化アンチモン及び/または弁金属の少なくとも１種の酸化物と白金族金属の少なくとも１種の酸化物との混合結晶物からなり、及び/または二酸化マンガン、二酸化鉛、白金酸塩代替物、ニッケル-酸化ニッケルまたはニッケルとランタンの酸化物類の混合物含む、請求項27の金属製品。
【請求項２９】  前記セラミック材料のトップコートが弁金属酸化物、酸化スズまたはそれらの組合せ類；及びペロプスカイト型、スピネル型またはガーネット型の酸化物；またはガラスのうちの１種以上である、請求項28の金属製品。
【請求項３０】  前記セラミック材料のトップコートがチタン、ジルコニウム、ニオブ、タンタル、アルミニウム、タングステン、それらの合金類及び金属間混合物類からなる群より選択された弁金属である。請求項29の金属製品。
【請求項３１】  前記弁金属酸化物が酸化タンタルまたは酸化チタンまたはそれらの混合物類である、請求項30の金属製品。
【請求項３２】  前記弁金属基材の表面が作製された表面であり、そして前記表面が粒界エッチング、グリットブラスト処理または溶射のうちの１種以上により作製されている、請求項27の金属製品。
【請求項３３】  前記製品が酸素発生アノードである、請求項27の金属製品。
【請求項３４】  前記製品が酸素発生アノード以外の電極である、請求項27の金属製品。