【手続補正書】
【提出日】平成19年6月4日(2007.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に配置された半導体層とを有し、
該半導体層は、前記基板側から順に積層された第１導電型の半導体層と、発光層と、第２導電型の半導体層と、前記第１および第２導電型の半導体層に接するようにそれぞれ配置された第１および第２の電極とを含み、前記基板は、発光層の放出光に対して透明であり、
前記半導体層の端面は、前記第１導電型の半導体層の端面に設けられた、前記基板面に略平行な第１のテラスと、前記第１のテラスよりも前記基板側に設けられた、前記基板面に対して傾斜した端面領域とを含み、前記第１の電極は光反射性であり、前記傾斜した端面領域に配置され、前記発光層から放出された光を前記基板に向かって反射することを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体発光素子において、前記第１の電極は、前記第１のテラスの前記傾斜した端面領域との境界近傍から前記傾斜した端面領域の全体を被覆していることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体発光素子において、前記第１のテラスと前記基板との間の前記傾斜した端面領域には、前記基板面に略平行な１以上の第２のテラスが配置されていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体発光素子において、前記第１導電型の半導体層は高濃度不純物層を含み、前記第２のテラスのうちの少なくとも１つは、前記高濃度不純物層の位置に配置されていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体発光素子において、前記第２導電型の半導体層の端面には、前記基板面に略平行な第３のテラスが配置され、該第３のテラスよりも前記基板から遠い側の前記第２導電型の半導体層端面は、前記発光層から放出された光を前記基板に向かって反射するために傾斜していることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体発光素子において、前記半導体層の端面は、前記第２導電型半導体層表面から前記第１のテラスまでの領域が前記基板面に対して略垂直であることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項７】
請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体発光素子において、前記半導体層の端面は、前記第２導電型半導体層表面から前記第１のテラスまでの領域が前記基板面に対して傾斜していることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項８】
基板と、該基板上に配置された半導体層とを有し、
該半導体層は、前記基板側から順に積層された第１導電型の半導体層と、発光層と、第２導電型の半導体層と、前記第１および第２導電型の半導体層に接するようにそれぞれ配置された第１および第２の電極とを含み、前記基板は、発光層の放出光に対して透明であり、
前記半導体層は、区画溝によって複数の区画に分割され、該区画溝の側面は、前記半導体層の端面を構成し、前記第１導電型の半導体層の端面は、前記発光層から放出された光を前記基板に向かって反射するために傾斜した端面領域を含み、前記第１の電極は、光反射性であり、前記傾斜した端面領域に配置され、
前記第１導電型の半導体層の端面には、前記基板面に略平行な第１のテラスが備えられ、前記傾斜した端面領域は、前記第１のテラスよりも前記基板側に配置されていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体発光素子において、前記第１の電極は、前記第１のテラスの前記傾斜した端面領域との境界近傍から前記傾斜した端面領域の全体を被覆していることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の半導体発光素子において、前記第１のテラスと前記基板との間の前記傾斜した端面領域には、前記基板面に略平行な１以上の第２のテラスが配置されていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体発光素子において、前記第１導電型の半導体層は高濃度不純物層を含み、前記第２のテラスのうちの少なくとも１つは、前記高濃度不純物層の位置に配置されていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項１２】
請求項８から１１のいずれか１項に記載の半導体発光素子において、前記第２導電型の半導体層の端面には、前記基板面に略平行な第３のテラスが配置され、該第３のテラスよりも前記基板から遠い側の前記第２導電型の半導体層端面は、前記発光層から放出された光を前記基板に向かって反射するために傾斜していることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項１３】
請求項８から１２のいずれか１項に記載の半導体発光素子において、前記半導体層の端面は、前記第２導電型半導体層表面から前記第１のテラスまでの領域が前記基板面に対して略垂直であることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項１４】
請求項８から１２のいずれか１項に記載の半導体発光素子において、前記半導体層の端面は、前記第２導電型半導体層表面から前記第１のテラスまでの領域が前記基板面に対して傾斜していることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項１５】
請求項８から１４のいずれか１項に記載の半導体発光素子において、前記区画溝は、前記基板まで到達する深さであり、前記区画溝の側面における前記傾斜した端面領域は、前記第１のテラスから前記基板の上面まで設けられていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項１６】
請求項８から１４のいずれか１項に記載の半導体発光素子において、前記区画溝は、前記基板には到達しない深さであり、前記区画溝の側面における前記傾斜した端面領域は、前記区画溝の側面に設けられた前記第１のテラスから前記区画溝の底部まで設けられていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項１７】
請求項８から１６のいずれか１項に記載の半導体発光素子において、前記第１導電型の半導体層の前記傾斜した端面領域は、２種以上の異なる傾斜角により構成されていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項１８】
半導体層上に、ポジ型レジストを塗布してレジスト層を形成し、所定のパターンを有するフォトマスクをレジスト層に密着させて露光後、現像する第１の工程と、
前記現像後のレジスト層に予め定めた条件で熱処理し、前記レジスト層の上面を収縮させることにより、前記レジスト層の端面を所定の角度に傾斜させる第２の工程と、
前記端面が傾斜した前記レジスト層をエッチングマスクとして、前記半導体層をドライエッチングすることにより、端面が所定の角度に傾斜した凹部を形成する第３の工程とを有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の半導体発光素子の製造方法において、前記第１の工程の前記露光後に所定の条件で熱処理を施し、非露光部の前記レジスト層の下部を前記半導体層に対して固定することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項２０】
請求項１８または１９に記載の半導体発光素子の製造方法において、前記第３の工程で前記ドライエッチングを複数回に分けて実施することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項２１】
請求項１８または１９に記載の半導体発光素子の製造方法において、前記第３の工程で前記ドライエッチングを条件を変更して複数回実施し、深さに応じて傾斜角度の異なる凹部を形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項２２】
請求項１または８に記載の半導体発光素子の製造方法であって、前記半導体層の前記傾斜した端面領域は、
半導体層上に、ポジ型レジストを塗布してレジスト層を形成し、所定のパターンを有するフォトマスクをレジスト層に密着させて露光後、現像する第１の工程と、
前記現像後のレジスト層に予め定めた条件で熱処理し、前記レジスト層の上面を収縮させることにより、前記レジスト層の端面を所定の角度に傾斜させる第２の工程と、
前記端面が傾斜した前記レジスト層をエッチングマスクとして、前記半導体層をドライエッチングすることにより、端面が所定の角度に傾斜した凹部を形成する第３の工程とを含む工程によって形成されることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。