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【手続補正書】
【提出日】平成19年11月30日(2007.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低溶解度の治療薬、構成用重合体担体、およびステアリン酸ポリオキシル、ポロキサマー、糖エステル界面活性剤またはこれらの混合物から選択される可溶化用界面活性剤を含んで成る放出制御治療用組成物。
【請求項２】
低溶解度の治療薬、構成用重合体担体、および高投薬量の前記治療薬を放出させるに適合していてステアリン酸ポリオキシル、ポロキサマー、糖エステル界面活性剤またはこれらの混合物から選択される可溶化用界面活性剤を含んで成る放出制御治療用組成物。
【請求項３】
低溶解度の治療薬、構成用重合体、および前記治療薬を長時間に渡って放出させるに適合していてステアリン酸ポリオキシル、ポロキサマー、糖エステル界面活性剤またはこれらの混合物から選択される可溶化用界面活性剤を含んで成る組成物。
【請求項４】
前記治療薬が約１μｇから７５０ｍｇの範囲の量で存在する請求項２または３記載の組成物。
【請求項５】
前記治療薬が約１０ｍｇから約２５０ｍｇの範囲の量で存在する請求項２または３記載の組成物。
【請求項６】
前記治療薬が約２５ｍｇから約４００ｍｇの範囲の量で存在する請求項２または３記載の組成物。
【請求項７】
前記治療薬が示す水溶解度が約１μｇ／ｍｌ未満である請求項２または３記載の組成物。
【請求項８】
前記治療薬が示す水溶解度が約１μｇ／ｍｌから約１００ｍｇ／ｍｌの範囲である請求項２または３記載の組成物。
【請求項９】
前記治療薬が示す水溶解度が約１μｇ／ｍｌから約５０ｍｇ／ｍｌの範囲である請求項８記載の組成物。
【請求項１０】
前記構成用重合体の量が該組成物の約１から８０重量％の範囲である請求項２または３記載の組成物。
【請求項１１】
前記構成用重合体の量が該組成物の約５から５０重量％の範囲である請求項１０記載の組成物。
【請求項１２】
前記構成用重合体の量が該組成物の約５から１５重量％の範囲である請求項１１記載の組成物。
【請求項１３】
前記構成用重合体が約１００，０００から３００，０００の分子量を有するポリエチレンオキサイドである請求項２または３記載の組成物。
【請求項１４】
前記可溶化用界面活性剤がステアリン酸ポリオキシル４０、ステアリン酸ポリオキシル５０、ステアリン酸ポリオキシル１００、ジステアリン酸ポリオキシル１２、ジステアリン酸ポリオキシル３２、ジステアリン酸ポリオキシル１５０またはこれらの混合物である請求項２または３記載の組成物。
【請求項１５】
前記糖エステル界面活性剤が糖脂肪酸モノエステル、糖脂肪酸ジエステルまたはこれらの混合物である請求項２または３記載の組成物。
【請求項１６】
前記糖エステル界面活性剤が糖単位を少なくとも１単位含有する請求項２または３記載の組成物。
【請求項１７】
前記糖脂肪酸モノエステル、糖脂肪酸ジエステルまたは両方がスクロースを含んで成る請求項１５記載の組成物。
【請求項１８】
前記可溶化用界面活性剤が直径が約５０ミクロン未満の名目上粒径を有する微粉化形態である請求項２記載の組成物。
【請求項１９】
前記治療薬が直径が約５０ミクロン未満の名目上粒径を有する微粉化形態である請求項２記載の組成物。
【請求項２０】
前記糖脂肪酸モノエステル、糖脂肪酸ジエステルまたは両方が炭素原子数が６から２４の脂肪酸を含んで成る請求項１５記載の組成物。
【請求項２１】
前記可溶化用界面活性剤の量が該組成物の約１から５０重量％の範囲である請求項２または３記載の組成物。
【請求項２２】
前記可溶化用界面活性剤の量が該組成物の約１から４０重量％の範囲である請求項２１記載の組成物。
【請求項２３】
前記治療薬がトピラメートまたはこれの塩もしくは誘導体である請求項２または３記載の組成物。
【請求項２４】
前記低溶解度の治療薬を約１時間から約２４時間の範囲の時間に渡って放出する請求項３記載の組成物。
【請求項２５】
低溶解度の治療薬、構成用重合体、およびステアリン酸ポリオキシル、ポロキサマー、糖エステル界面活性剤またはこれらの混合物から選択される可溶化用界面活性剤を含んで成っていて固体状である組成物。
【請求項２６】
低溶解度の治療薬、構成用重合体、および前記治療薬の溶解度を高くするに適合していてステアリン酸ポリオキシル、ポロキサマー、糖エステル界面活性剤またはこれらの混合物から選択される可溶化用界面活性剤を含んで成る放出制御薬剤組成物。
【請求項２７】
低溶解度の治療薬、構成用重合体、およびステアリン酸ポリオキシル、ポロキサマー、糖エステル界面活性剤またはこれらの混合物から選択される可溶化用界面活性剤を含んで成る治療用組成物の放出制御に適した投薬形態物。
【請求項２８】
マトリックスシステムである請求項２７記載の投薬形態物。
【請求項２９】
浸透圧システムである請求項２７記載の投薬形態物。
【請求項３０】
日に１回投与するに適合した請求項２７記載の投薬形態物。
【請求項３１】
高投薬量の前記治療薬を放出するに適合した請求項２７記載の投薬形態物。
【請求項３２】
前記治療薬の高投薬量が前記治療用組成物の約２０から約９０重量％の範囲である請求項３１記載の投薬形態物。
【請求項３３】
前記治療薬の高投薬量が前記治療用組成物の約３０から約４０重量％の範囲である請求項３２記載の投薬形態物。
【請求項３４】
前記治療薬がトピラメートまたはこれの塩もしくは誘導体から選択される請求項２７記載の投薬形態物。
【請求項３５】
治療薬を日に１回投与するに適した放出制御経口投薬形態物であって、
ａ．  ｉ．  低溶解度の治療薬、
ｉｉ．  構成用重合体、
ｉｉｉ．  ステアリン酸ポリオキシル、ポロキサマー、糖エステル界面活性剤またはこれらの混合物から選択される可溶化用界面活性剤、
を含んで成る中心部、
ｂ．  前記中心部を取り囲む半透膜、および
ｃ．  前記治療薬を環境に放出するように前記半透膜を貫通して前記中心部に通じている出口開口部、
を含んで成っていて前記治療薬を長時間に渡って放出する、上記の放出制御経口投薬形態物。
【請求項３６】
前記治療薬を実質的にゼロ次の放出速度または実質的に上昇する放出速度で放出するに適合した請求項３５記載の放出制御経口投薬形態物。
【請求項３７】
前記治療薬を脈動放出プロファイルまたは遅延後に脈動放出プロファイルで放出するに適合した請求項３５記載の放出制御経口投薬形態物。
【請求項３８】
前記治療薬を遅延後に放出する請求項３６記載の放出制御経口投薬形態物。
【請求項３９】
前記治療薬がトピラメートまたはこれの塩もしくは誘導体である請求項３５記載の放出制御経口投薬形態物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月19日(2007.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
2007516211.tif 000001
［式中、
【化２】
2007516211.tif 000002
Ｘは結合、−ＣＨ２−、−Ｏ−または−ＮＨ−、
Ｒ１およびＲ１２は、それぞれ水素、ハロゲン、低級アルキル、ヒドロキシ、低級アルコキシ、ベンジルオキシ、ニトロ、アミノまたは（低級アルキルスルホニル）アミノ、
Ｒ２は水素または任意に置換された低級アルキル、
Ｒ３は水素またはアミノ保護基、
Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、それぞれ水素または任意に置換された低級アルキル、
Ｒ７は−Ｚ−Ｒ１３
（式中、
Ｚは結合または−（ＣＨ２）ｎ−（式中、ｎは１）、
Ｒ１３は（低級アルキルスルホニル）カルバモイルまたは低級アルカノイルスルファモイル、
をそれぞれ意味する。）
Ｒ８は−Ｙ−Ｒ９
（式中、
Ｙは結合、−ＣＨ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−または
【化３】
2007516211.tif 000003
（式中、Ｒ１０は、低級アルキル、シクロ（低級）アルキルまたはアリールである。）、
Ｒ９は水素、低級アルキル、シクロ（低級）アルキル、モノ（またはジまたはトリ）ハロ（低級）アルキル、低級アルカノイル、低級アルケニル、低級アルコキシ（低級）アルキル、ニトロ、アリールまたは複素環基、
をそれぞれ意味する。）、
Ｒ１１は水素、低級アルキル、低級アルコキシ、アミノまたはモノ（またはジ）低級（アルキル）アミノをそれぞれ意味する］
で表される化合物またはその塩。
【請求項２】
Ｘが結合、
Ｒ１およびＲ１２が、それぞれ水素またはハロゲン、
Ｒ３が水素、
Ｒ４が水素、
Ｒ８が−Ｙ−Ｒ９
（式中、
Ｙは結合、−ＣＨ２−、−Ｏ−、−Ｓ−または−ＮＨ−、
Ｒ９は低級アルキルまたはシクロ（低級）アルキル、
をそれぞれ意味する。）、
Ｒ１１が水素、
である請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
（１）  ４’−［２−［［（２Ｒ）−２−ヒドロキシ−２−フェニルエチル］アミノ］エチル］−３−（３−メチルブチル）−Ｎ−（メチルスルホニル）−４−ビフェニルカルボキサミド、
（２）  ４’−［２−［［（２Ｒ）−２−ヒドロキシ−２−フェニルエチル］アミノ］エチル］−３−イソブチル−Ｎ−（メチルスルホニル）−４−ビフェニルカルボキサミド、
（３）  ４’−［２−［［（１Ｓ，２Ｒ）−２−ヒドロキシ−１−メチル−２−フェニルエチル］アミノ］エチル］−３−イソブチル−Ｎ−（メチルスルホニル）−４−ビフェニルカルボキサミド、
（４）  ４’−［２−［［（２Ｒ）−２−ヒドロキシ−２−フェニルエチル］アミノ］エチル］−３−（イソプロピルチオ）−Ｎ−（メチルスルホニル）−４−ビフェニルカルボキサミド、
（５）  ３−（シクロヘキシルオキシ）−４’−［２−［［（２Ｒ）−２−ヒドロキシ−２−フェニルエチル］アミノ］エチル］−Ｎ−（メチルスルホニル）−４−ビフェニルカルボキサミド、
（６）  ３−（シクロヘキシルオキシ）−４’−［２−［［（２Ｒ）−２−ヒドロキシ−２−（３−ピリジル）エチル］アミノ］エチル］−Ｎ−（メチルスルホニル）−４−ビフェニルカルボキサミド、
（７）  ２−［３−（シクロヘキシルオキシ）−４’−［２−［［（２Ｒ）−２−ヒドロキシ−２−フェニルエチル］アミノ］エチル］−４−ビフェニリル］−Ｎ−（メチルスルホニル）アセトアミド、
（８）  ２−［３−（シクロヘキシルオキシ）−４’−［２−［［（２Ｒ）−２−ヒドロキシ−２−（３−ピリジル）エチル］アミノ］エチル］−４−ビフェニリル］−Ｎ−（メチルスルホニル）アセトアミド、
（９）  Ｎ−［［３−（シクロヘキシルオキシ）−４’−［２−［［（２Ｒ）−２−ヒドロキシ−２−フェニルエチル］アミノ］エチル］−４−ビフェニリル］スルホニル］アセトアミド、
（１０）  Ｎ−［［３−（シクロヘキシルオキシ）−４’−［２−［［（２Ｒ）−２−ヒドロキシ−２−フェニルエチル］アミノ］エチル］−４−ビフェニリル］スルホニル］ブタンアミド、
（１１）  ３−（シクロヘキシルアミノ）−４’−［２−［［（２Ｒ）−２−ヒドロキシ−２−フェニルエチル］アミノ］エチル］−Ｎ−（メチルスルホニル）−４−ビフェニルカルボキサミドおよび
（１２）  ４’−［２−［［（２Ｒ）−２−ヒドロキシ−２−フェニルエチル］アミノ］エチル］−３−（イソプロピルアミノ）−Ｎ−（メチルスルホニル）−４−ビフェニルカルボキサミド、
よりなる群から選択される請求項１に記載の化合物または医薬として許容されるその塩。
【請求項４】
医薬として許容される担体または賦形剤と共に、請求項１に記載の化合物または医薬として許容されるその塩を有効成分として含有する医薬組成物。
【請求項５】
用途が選択的β３アドレナリン性受容体作動薬である請求項４に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月22日(2007.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
介護者が在宅独居者の活動を監視するのを可能にするための活動監視システムであって、
家の中での活動に関するデータを収集するために家の内部に配置された少なくとも１つの活動センサと、
前記少なくとも１つの活動センサと通信するほぼリアルタイムの通信プラットフォームと、
家から離れて位置しかつ前記ほぼリアルタイムの通信プラットフォームと通信する監視センタと、を含み、
前記ほぼリアルタイムの通信プラットフォームが、事象の発生に対してほぼリアルタイムに前記少なくとも１つの活動センサから前記監視センタにデータを通信するようになっている、
システム。
【請求項２】
家の内部に配置されかつ前記少なくとも１つの活動センサ及びほぼリアルタイムの通信プラットフォームと通信する通信中継パネルをさらに含み、
前記ほぼリアルタイムの通信プラットフォームが、有線電話、無線電話、双方向トランシーバ、ポケットベル、ケーブル、及びインターネットブラウザからなる群の１つ又はそれ以上の通信媒体を含み、
前記監視センタが、
前記家の中での活動に関するデータを前記通信中継パネルから受信しかつコンパイルするためのデータベースと、
事象の発生に対してほぼリアルタイムに事象報告を介護者に通信するための事象検出器と、
を含む、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記監視センタが、有線電話、無線電話、ポケットベル、双方向トランシーバ、ファクシミリ、ケーブル、電子メール、及びポップアップインターネット支援アナウンスメントからなる群の１つ又はそれ以上の通信媒体により介護者と通信するようになっている、請求項１記載のシステム。
【請求項４】
介護者の要求に応じてほぼリアルタイムの現状報告を作成するための現状報告ジェネレータをさらに含み、
前記少なくとも１つの活動センサが、複数の無線センサを含み、
前記複数の無線センサが、
台所での活動を検出するための活動センサ、
家の出入りを行う戸口での活動を検出するための活動センサ、
寝室での活動を検出するための活動センサのいずれかを含む、請求項１記載のシステム。
【請求項５】
介護者が在宅独居者の活動を遠隔監視するのを可能にするための活動監視システムであって、
家の中での活動に関するデータを収集するために家の内部に配置された複数の活動センサと、
前記複数の活動センサと通信しかつ有線電話、無線電話、双方向トランシーバ、ポケットベル、ケーブル、及びインターネットブラウザからなる群の１つ又はそれ以上の通信媒体を含むほぼリアルタイムの通信プラットフォームと、
家から離れて位置しかつ前記ほぼリアルタイムの通信プラットフォームと通信する監視センタと、を含み、
前記ほぼリアルタイムの通信プラットフォームが、事象の発生に対してほぼリアルタイムに前記複数の活動センサから前記監視センタにデータを通信するようになっている、
システム。
【請求項６】
介護者が在宅独居者の活動を監視するのを可能にする方法であって、
活動センサを家全体にわたって分散配置するステップと、
前記活動センサによりデータを収集するステップと、
ほぼリアルタイムの通信プラットフォームを介して、前記活動センサにより収集したデータを事象の発生に対してほぼリアルタイムに家から離れた監視センタに通信するステップと、
前記監視センタでデータを分析するステップと、
事象の発生時に介護者に対する事象報告を作成するステップと、
を含む方法。
【請求項７】
介護者が在宅独居者の活動を遠隔監視するのを可能にする方法であって、
活動センサを家全体にわたって分散配置するステップと、
前記活動センサによりデータを収集するステップと、
ほぼリアルタイムの通信プラットフォームを介して、前記活動センサにより収集したデータを事象の発生に対してほぼリアルタイムに家から離れた監視センタに通信するステップと、
前記監視センタでデータを分析するステップと、
事象の発生時に介護者に対する事象報告を作成するステップと、
前記事象報告を介護者に通信するステップと、
介護者の要求に応じて家の中での活動の現状報告を作成するステップと、
を含む方法。
【請求項８】
介護者が在宅独居者の易動度を監視するのを可能にする方法であって、
活動センサを家全体にわたって分散配置するステップと、
前記活動センサによりデータを収集するステップと、
ほぼリアルタイムの通信プラットフォームを介して、前記活動センサにより収集したデータを家から離れた監視センタに通信するステップと、
前記活動センサにより収集したデータにおいて活動パターンを調査するステップと、
特定の活動を完了する所要時間を検討するステップと、
前記特定の活動を完了する所要時間の長期的変化を介護者に報告するステップと、
を含む方法。
【請求項９】
介護者が在宅独居者の睡眠パターンを監視するのを可能にする方法であって、
活動センサを家全体にわたって分散配置するステップと、
前記活動センサによりデータを収集するステップと、
ほぼリアルタイムの通信プラットフォームを介して、前記活動センサにより収集したデータをデータベースに通信するステップと、
隠れマルコフモデル法を用いて前記活動センサにより収集したデータを分析して、該データが、異常睡眠パターンを知らせる比較データからの逸脱を示すかどうかを判定するステップと、
を含む方法。
【請求項１０】
介護者が在宅独居者の起床時間を監視するのを可能にする方法であって、
活動センサを家全体にわたって分散配置するステップと、
居住者の起床時間を示すデータを前記活動センサにより収集するステップと、
ほぼリアルタイムの通信プラットフォームを介して、前記収集したデータを家から離れた監視センタに通信するステップと、
前記活動センサにより収集したデータを分析して、該データが、異常起床時間を知らせる、前記起床時間が所定の正常起床時間から逸脱していることを示すかどうかを判定するステップと、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月13日(2007.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部を有する中実の光導波路と、
前記中実の光導波路の内部に光を供給するために前記中実の光導波路の第１のエッジに光学的に接続された少なくとも１つの第１の光源と、
内部を有する反射性キャビティと、
前記反射性キャビティの内部に光を供給するために前記反射性キャビティの第１のエッジに光学的に接続された少なくとも１つの第２の光源とを具備する、バックライティングシステム。
【請求項２】
内部を有する光導波路と、
前記光導波路の内部に光を供給するために前記光導波路の第１のエッジに光学的に接続された少なくとも１つの光源と、
内部を有する直接照明式の反射性キャビティとを具備し、
前記反射性キャビティは、目視者に向かって光を向けるように形成された後部反射体部分を有する反射体を備え、少なくとも１つの光源が前記後部反射体部分に配置される、バックライティングシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月14日(2007.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１）多数の比較的大きな入口開口を有する細長い入口部材であって、各入口開口は０．０１〜１．０平方インチ（６．５〜６５０ｍｍ２）の面積を有する入口部材；
２）多数の比較的大きな出口開口を有する細長い出口部材であって、各出口開口は０．０１〜１．０平方インチ（６．５〜６５０ｍｍ２）の面積を有する出口部材；及び
３）（ｉ）出口部材に支持され、
（ｉｉ）多数の比較的小さいフィルタ開口を有し、さらに
（ｉｉｉ）１００〜５００ミクロンのメッシュサイズ及び０．５インチ（１２．５ｍｍ）未満のほぼ均一な厚さを有する、
細長い出口フィルタ；を備え、
入口部材と出口部材との間にほぼ中空の細長い沈殿物収集チャンバ（ＳＣＣ）を備える、沈殿物制御ロール（ＳＣＲ）。
【請求項２】
入口及び出口部材それぞれの固体表面積は、これら両方の表面を該部材に対して直角に見た場合、露出表面の総面積の１０〜８０％である、請求項１に記載のＳＣＲ。
【請求項３】
入口部材、出口部材及び設置部材が、
（ａ）各々が０.０３〜０.１６平方インチ（２０〜１００ｍｍ２）の面積を有する複数のほぼ同一の開口を規定し、
（ｂ）網目構造の総面積の２５〜６５％に相当する固体表面積を有する
複数のポリマーストランドから成る、溶融押し出し成形されたポリマー網目構造の単一部片の別々の部分であり、出口フィルタが（ｉ）出口部材に固定され、（ｉｉ）８０〜６００ミクロンのメッシュサイズを有する、請求項１または２に記載のＳＣＲ。
【請求項４】
前記ＳＣＲが楕円形又は多角形の断面を有し、前記沈殿物収集チャンバ（ＳＣＣ）が前記ＳＣＲの全容積の５０〜９８％に相当する塞がれていない容積を有する、請求項１ないし３のいずれか一項に記載のＳＣＲ。
【請求項５】
出口部材から伸びる設置部材を備える、請求項１ないし４のいずれか一項に記載のＳＣＲ。
【請求項６】
沈殿物を含む液体の流動する流れから沈殿物を収集する方法であって、請求項１ないし５のいずれか一項に記載のＳＣＲに流動する流れを通過させることを含む方法。
【請求項７】
（ｉ）建築現場からの液体流出を防止する、
（ｉｉ）排水溝への瓦礫及び沈殿物の流入を制御する、または
（ｉｉｉ）互いに固定され、水平面に対して軸が３０ないし９０°の角度を形成するように設置された多数のＳＣＲを用いることによって、既存の土塊を安定させる、
請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月19日(2007.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
親水性ポリマースポンジ構造体を含んでなる組織被覆材であって、該親水性ポリマースポンジ構造体は、（ｉ）使用前の機械的操作による該構造体の重要な部分の微小亀裂、又は（ｉｉ）使用前の該構造体の重要な部分に形成された表面レリーフパターン、又は（ｉｉｉ）使用前の該構造体の重要な部分に形成された流体注入チャンネルのパターンの少なくとも１つを含む、組織被覆材。
【請求項２】
前記親水性ポリマースポンジ構造体が、キトサン生物材料を含む、請求項１に記載の組織被覆材。
【請求項３】
前記親水性ポリマースポンジ構造体が、使用前に圧縮により０．６ｇ／ｃｍ３から０．１ｇ／ｃｍ３の間の密度まで緻密化される、請求項１に記載の組織被覆材。
【請求項４】
前記微小亀裂が、曲げ、捻り、回転、振動、探索、圧縮、延伸、振盪、又は混練のうちの１つによるものである、請求項１に記載の組織被覆材。
【請求項５】
前記表面レリーフパターンが、熱的圧縮によるものである、請求項１に記載の組織被覆材。
【請求項６】
前記親水性ポリマースポンジ構造体が下表面及び上表面を備え、前記表面レリーフパターンが該上表面に形成され該下表面には形成されていない、請求項１に記載の組織被覆材。
【請求項７】
前記流体注入チャンネルのパターンが、穿孔を有する、請求項１に記載の組織被覆材。
【請求項８】
前記親水性ポリマースポンジ構造体が、下表面及び上表面を備え、前記流体注入チャンネルが該下表面に形成される、請求項１に記載の組織被覆材。
【請求項９】
前記親水性ポリマースポンジ構造体が、下表面及び上表面を備え、さらに、該上表面に接合した流体不透過性の支持材を備える、請求項１に記載の組織被覆材。
【請求項１０】
前記親水性ポリマースポンジ構造体が、下表面及び上表面を備え、さらに、該上表面に接合した流体吸収性材料を備える、請求項１に記載の組織被覆材。
【請求項１１】
請求項１に記載の組織被覆材の製造方法。
【請求項１２】
（ｉ）組織損傷、組織外傷、又は組織侵入の部位の止血、封止、又は安定化；あるいは（ｉｉ）抗細菌バリアの形成、あるいは（ｉｉｉ）抗ウイルス性パッチの形成；あるいは（ｉｖ）出血性疾患の処置；あるいは（ｖ）治療薬の放出；あるいは（ｖｉ）粘膜表面の処理；あるいは（ｖｉｉ）それらの組み合わせの少なくとも１つを実施するために使用される、請求項１に記載の組織被覆材。
【請求項１３】
親水性ポリマースポンジ構造体及び該親水性スポンジ構造体内に存在する少なくとも１つの織又は不織又は透過性の膜質シートを含む組織被覆材であって、該親水性ポリマースポンジ構造体が、圧縮により０．６ｇ／ｃｍ３から０．１ｇ／ｃｍ３の間の密度まで緻密化された、組織被覆材。
【請求項１４】
前記親水性ポリマースポンジ構造体が、キトサン生物材料を含む、請求項１に記載の組織被覆材。
【請求項１５】
請求項１３に記載の組織被覆材の製造方法。
【請求項１６】
（ｉ）組織損傷、組織外傷、又は組織侵入の部位の止血、封止、又は安定化；あるいは（ｉｉ）抗細菌バリアの形成、あるいは（ｉｉｉ）抗ウイルス性パッチの形成；あるいは（ｉｖ）出血性疾患の処置；あるいは（ｖ）治療薬の放出；あるいは（ｖｉ）粘膜表面の処理；あるいは（ｖｉｉ）それらの組み合わせの少なくとも１つを実施するために使用される、請求項１３に記載の組織被覆材。
【請求項１７】
親水性ポリマースポンジ構造体及び該親水性スポンジ構造体に保持された吸収性成分を含む組織被覆材であって、該親水性ポリマースポンジ構造体が、圧縮により０．６ｇ／ｃｍ３から０．１ｇ／ｃｍ３の間の密度まで緻密化された、組織被覆材。
【請求項１８】
前記親水性ポリマースポンジ構造体が、キトサン生物材料を含む、請求項１７に記載の組織被覆材。
【請求項１９】
請求項１７に記載の組織被覆材の製造方法。
【請求項２０】
（ｉ）組織損傷、組織外傷、又は組織侵入の部位の止血、封止、又は安定化；あるいは（ｉｉ）抗細菌バリアの形成、あるいは（ｉｉｉ）抗ウイルス性パッチの形成；あるいは（ｉｖ）出血性疾患の処置；あるいは（ｖ）治療薬の放出；あるいは（ｖｉ）粘膜表面の処理；あるいは（ｖｉｉ）それらの組み合わせの少なくとも１つを実施するために使用される、請求項１７に記載の組織被覆材。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスの内表面をポリマーでコーティングする方法であって、当該方法が、
（ｉ）適切な溶媒中の１種以上のモノマーの溶液をデバイスに導入する工程と、
（ｉｉ）前記デバイスに不活性ガスの流れを導入する工程と、
（ｉｉｉ）前記モノマー溶液の重合を開始させる工程と
を含み、上記デバイスがマイクロデバイス又は内径２ｍｍ未満の反応容器である、方法。
【請求項２】
前記不活性ガスが窒素又はアルゴンである、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記デバイスがマイクロデバイス又は長さ１〜１００ｃｍのループである、請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記デバイスが固相放射化学プロセスの実施に適しており、放射能汚染から作業者を保護するための遮蔽体を備えている、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記１種以上のモノマーを開環メタセシス重合（ＲＯＭＰ）で重合することができ、前記溶液がルテニウムカルベン触媒と架橋剤を更に含む、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記１種以上のモノマーの重合で式（Ｉ）のＲＯＭＰポリマーが生成する、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の方法。
【化１】
2007516332.tif 000001
式中、ＸはＣ4〜6シクロアルキル又はＣ4〜6ヘテロシクリル部分であり、
Ｌは、アルキル、アルケニル、アルキニル、Ｃ4〜10シクロアルキル、Ｃ4〜10ヘテロシクリル、Ｃ4〜10アリール、Ｃ4〜10ヘテロアリール、エーテル、ＰＥＧ、スルフィド、アミド、スルファミド又はこれらの組合せの１以上（これらはいずれも１以上のＲ2基で置換されていてもよい）を含むＣ1〜Ｃ20リンカー基であり、
Ｒ1は、水素、Ｃ1〜20アルキル、Ｃ2〜20アルケニル、Ｃ2〜20アルキニル、Ｃ4〜12シクロアルキル、Ｃ4〜12ヘテロシクリル、アリール、ヘテロアリール、Ｃ（Ｏ）Ｒ3、Ｃ1〜20アルキル−Ｃ（Ｏ）Ｒ3、Ｃ2〜20アルケニル−Ｃ（Ｏ）Ｒ3、Ｃ2〜20アルキニル−Ｃ（Ｏ）Ｒ3、ニトロ、イソシアネート、Ｃ1〜10アルキル−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ4）2−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1〜10アルキル、アミノオキシ、ニトリル、塩化リン、スクシンイミド、塩化スルホニル、ハロゲン、トシレート、メシレート、トリフレート、ノナフレート、シラン、ＯＲ4、ＳＲ4、Ｎ（Ｒ4）2、Ｎ+（Ｒ4）3、第四リン、Ｃ1〜20アルキル−Ｒ5、Ｃ2〜20アルケニル−Ｒ5、Ｃ2〜20アルキニル−Ｒ5又は酵素若しくは触媒を含む基であり、
Ｒ2は、Ｃ（Ｏ）Ｒ3、Ｃ1〜20アルキル−Ｃ（Ｏ）Ｒ3、Ｃ2〜20アルケニル−Ｃ（Ｏ）Ｒ3、Ｃ2〜20アルキニル−Ｃ（Ｏ）Ｒ3、ニトロ、イソシアネート、Ｃ1〜10アルキル−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ4）2−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1〜10アルキル、アミノオキシ、ニトリル、塩化リン、スクシンイミド、塩化スルホニル、ハロゲン、トシレート、メシレート、トリフレート、ノナフレート、シラン、ＯＲ4、ＳＲ4、Ｎ（Ｒ4）2、Ｎ+（Ｒ4）3、第四リン、Ｃ1〜20アルキル−Ｒ5、Ｃ2〜20アルケニル−Ｒ5又はＣ2〜20アルキニル−Ｒ5であり、
Ｒ3は、Ｈ、ＯＨ、Ｃ1〜20アルキル、ＯＣ1〜20アルキル、Ｎ（Ｒ4）2、Ｎ+（Ｒ4）3であり、
各Ｒ4は独立にＨ又はＣ1〜10アルキルであり、
Ｒ5は、ＯＲ4、ＳＲ4、Ｎ（Ｒ4）2、Ｎ+（Ｒ4）3、Ｃ4〜10シクロアルキル、Ｃ4〜10ヘテロシクリル、アリール又はヘテロアリールである。
【請求項７】
式（Ｉ）のポリマーが２個以上のＲ1基を含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記デバイスがマイクロデバイスであって、本発明の方法が該デバイス内にチャネルの一定のネットワークを作り出す最初の工程を含む、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
マイクロデバイス又は内径２ｍｍ未満の反応容器を備え、その内表面がＲＯＭＰポリマーでコーティングされており、マクロチャネル又はデバイス自体の内側の穴が塞がれずに残っている、デバイス。
【請求項１０】
当該デバイスが固相放射化学プロセスの実施に適しており、放射能汚染から作業者を保護するための遮蔽体を備えている、請求項９記載のデバイス。
【請求項１１】
内表面が請求項５又は請求項６記載のポリマーでコーティングされている、請求項９又は請求項１０記載のデバイス。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか１項記載の２以上のデバイスを備え、それらが流体接続されている自動合成システム。
【請求項１３】
Ｒ1がトリ（Ｃ1〜6アルキル）アンモニウムであり、非求核性対イオンをもち、Ｒ2が存在せず、ｑが３である一般式（ＩＩＩ）のＲＯＭＰポリマーを前記ポリマーコーティングが含む、請求項９乃至請求項１１のいずれか１項記載のデバイス又は請求項１２記載のシステムに、18Ｆフッ素イオンを含む18Ｏ濃縮水を流す工程を含む、18Ｆフッ素イオンを含む18Ｏ濃縮水から18Ｆフッ素イオンを回収する方法。
【請求項１４】
（ｉ）Ｒ1がトリ（Ｃ1〜6アルキル）アンモニウムであり、非求核性対イオンをもち、Ｒ2が存在せず、ｑが３である一般式（ＩＩＩ）のＲＯＭＰポリマーを前記ポリマーコーティングが含む、請求項９乃至請求項１１のいずれか１項記載のデバイス又は請求項１２記載のデバイスに、18Ｆフッ素イオンを含む18Ｏ濃縮水を流して、18Ｆフッ素イオンを含む18Ｏ濃縮水から18Ｆフッ素イオンを回収する工程と、
（ｉｉ）前記デバイスに18Ｆ標識放射性トレーサーの未標識前駆体化合物を導入し、求核置換により18Ｆを該前駆体化合物に組み入れ、18Ｆ標識放射性トレーサーを形成する工程と
を含む、18Ｆ標識放射性トレーサーの合成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月16日(2008.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記動クラッチ部材と前記クラッチオペレータとの共同する円錐状表面は、少なくとも動クラッチ部材の円錐状表面を部分的に覆っているクラッチオペレータの円錐状表面によって構成されており、このため、クラッチ切り離し操作の始めには、十分な接触エリアが存在し、該エリアは、クラッチ部材が手動ドライブ位置に上がるに伴い、線状の接触へと向かい、急速に減少することを特徴とする請求項６に記載のモータ付きバルブアクチュエータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記アクチュエータは、前記レバーにより駆動される回転カム部材を有し、該部材は、レバーにより駆動され、また、前記の共同する円錐状表面を介してレバーの移動と動クラッチ部材の間で、機械的な有効性を変化させるために、クラッチオペレータと共同することを特徴とする請求項６又は請求項７に記載のモータ付きバルブアクチュエータ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
前記中間シャフト上のピニオンギア歯を縦方向に延伸したことで、直径方向にはスリム化されることを特徴とする請求項１８に記載のモータ付きバルブアクチュエータ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月11日(2007.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
残留物含有量（ＡＳＴＭ法Ｄ５３０７で測定）が原油原料１ｇ当たり０．２ｇ以上である原油原料を、少なくとも２種の無機金属塩を含有し、かつ３５０℃以上の温度でガラスを形成する組成物を無機塩触媒１ｇ当たり０〜０．１ｇ含有すると共に、（ａ）少なくとも一方の無機金属塩のＤＳＣ温度と（ｂ）無機塩触媒のＤＳＣ温度との間に放出ガスの放出ガス変曲点範囲〔生成物の時間分析（ＴＡＰ）で測定〕を示す無機塩触媒の存在下、水素供給源と接触させて、２５℃、０．１０１ＭＰａにおいて液体混合物である原油生成物を含む全生成物を製造する工程、及び
原油生成物の残留物含有量が、原油生成物１ｇ当たり残留物ｇで表現して、原油原料の残留物含有量の３０％以下となるように、温度、圧力、原油原料流、全生成物流，滞留時間、水素供給源の流れ、又はそれらの組合わせからなる接触条件を制御する工程、
を含む原油生成物の製造方法。
【請求項２】
２種の金属塩の中の少なくとも１種のＤＳＣ温度が５００℃より高い請求項１に記載の方法。
【請求項３】
無機塩触媒のＤＳＣ温度が、２５０〜４５０℃又は３００〜４００℃の範囲である請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
放出ガスが、水の蒸気及び／又は二酸化炭素を含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
無機塩触媒が、１種以上のアルカリ金属炭酸塩、１種以上のアルカリ土類金属炭酸塩、１種以上のアルカリ金属水酸化物、１種以上のアルカリ土類金属水酸化物、１種以上のアルカリ金属水素化物、１種以上のアルカリ土類金属水素化物、１種以上のアルカリ金属の１種以上の硫化物、１種以上のアルカリ土類金属の１種以上の硫化物、１種以上のアルカリ金属の１種以上のアミド、１種以上のアルカリ土類金属の１種以上のアミド、又はそれらの混合物を含有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
１種以上のアルカリ金属がナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、又はそれらの混合物であり、及び／又は１種以上のアルカリ土類金属がカルシウム、マグネシウム又はそれらの混合物である請求項５に記載の方法。
【請求項７】
水素供給源が、水素、軽質炭化水素、水及び／又はそれらの混合物を含む請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
接触帯中、無機塩触媒の存在下で原油原料と水素供給源との接触が起こり、該方法が接触前又は接触中、接触帯に水蒸気を供給する工程を更に含む請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
全生成物の少なくとも一部が、蒸気として製造され、該方法が該蒸気の少なくとも一部を２５℃、０．１０１ＭＰａで凝縮して、原油生成物を製造する工程を更に含む請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
接触中、２５℃、０．１０１ＭＰａにおいて凝縮性のない炭化水素を原油原料１ｇ当たり０．２ｇ以下、０．１５ｇ以下、０．１ｇ以下又は０．０５ｇ以下（物質収支で測定）形成するようにも、接触条件が制御される請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
原油原料の残留物含有量が、原油原料１ｇ当たり０．２〜０．９９ｇ又は０．３〜０．８ｇである請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
原油生成物が、コークスを原油生成物１ｇ当たり０．００００１〜０．０３ｇ又は０．０００１〜０．０１ｇ含有する請求項１〜１１のいずれか１項に記載の原油生成物。
【請求項１３】
原油原料がＴＡＮ、合計Ｎｉ／Ｖ／Ｆｅ含有量（原油原料１ｇ当たりｇで表す）、合計ヘテロ原子含有量（原油原料１ｇ当たりｇで表す）を有すると共に、接触条件も、原油生成物のＴＡＮ、合計Ｎｉ／Ｖ／Ｆｅ含有量及び／又は合計ヘテロ原子含有量が原油原料のＴＡＮ、合計Ｎｉ／Ｖ／Ｆｅ含有量及び／又は合計ヘテロ原子含有量の９０％以下となるように、制御される請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
原油生成物が、それぞれ原油生成物１ｇ当たりナフサを０．００００１〜０．２ｇ、蒸留物を０．０００１〜０．９ｇ、真空ガス油を０．０００１〜０．９９ｇ、又はそれらの混合物も含有する請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
原油生成物を、原油原料と同じか又は異なる原油と配合して、ブレンドを形成する工程を更に含む請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
原油生成物又はブレンドを処理して輸送用燃料、加熱用燃料、潤滑剤又は化学薬品を製造する工程を更に含む請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
処理工程が原油生成物又はブレンドを１種以上の蒸留物フラクションに蒸留する工程を含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
処理工程が水素化処理工程を含む請求項１６又は１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月15日(2007.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）式−ＳＯ2Ｃｌで表される基を含む第１ペンダント基および式−ＳＯ2Ｘ’（式中、各Ｘ’は、Ｆおよび−ＯＨからなる群から独立して選択される）で表される基を含む第２のペンダント基を含む高度にフッ素化されたポリマーを用意するステップと、
ｂ）前記−ＳＯ2Ｃｌ基を除去することを含むプロセスにより前記ポリマーを架橋するステップであって、前記ポリマーを架橋する前記ステップｂ）が前記ポリマーを電磁波に曝すことまたはラジカル開始剤に曝すことを含むステップと、
を含む架橋ポリマーを得る方法。
【請求項２】
前記ステップｂ）の前に、
ｃ）前記ポリマーを膜に成形するステップ
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月15日(2008.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明を実施する１つの方法は各ジョイントボルト座３６をボルト３７とネジ穴３９の中心線３８に対して相殺又はオフセットされるべき最大負荷加重に基いて選択されるある少量だけ傾斜させることである。典型的には、傾斜角は負荷加重の大きさに依存して、１度以下であり、例えば、０．１２５度である。この角度は正しい方向に向けるべきであり、それにより、継手及び負荷加重により誘発される最大（動的）負荷加重条件で曲げ応力を相殺する。これは図４に示される。図示されるように平坦である２つ座３６は曲げ平面の方向で内方向に角度付けし又は傾斜させるように、且つ負荷加重により誘発された曲げ応力に逆である各ボルト１０の曲げ応力を誘発するように機械加工又は形成される。換言すると、ボルト１０は傾斜した座３６の結果として紙面方向で（主穿孔４０の軸に対して外方凸状である）外方向に撓ませ、それに対して、負荷加重は（主穿孔４０の軸に対して内方凸状である）内方向に撓ませる傾向にある。座３６の角度の大きさと方向と、ボルト１０が締結されるトルクは、図２Ｂに示されるように、最大負荷加重でファスナー１０の軸部でほぼ均一な応力分布を発生するように選択される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【図１Ａ】図１Ａは曲げ及び軸負荷を受けるボルト内の応力分布を示す典型的従来技術ボルト応力分布図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは軸方向負荷のみを受けるボルト内の応力分布を示し、且つ軸負荷の大きさは図１Ａのボルトの軸の負荷に等しい状態を示す典型的従来技術ボルト応力分布図である。
【図２Ａ】図２Ａは、図１と同様の図であり、プレストレス（応力）と最大応力のような合計応力の成分を示す応力図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図２Ａと対応するファスナーの図であるが、本発明を含む継手により発生する圧縮応力及び最大応力分布を示す。
【図３】図３は典型的な従来技術接続ロッドベアリングキャップ継手の図である。
【図４】図４は本発明による傾斜ボルト座を有する接続ロッドベアリングキャップ継手の図であり、角度は図示のため誇張している。
【図５】図５は本発明による傾斜ジョイント面を有する接続ロッドベアリングキャップ継手を示し、角度は図示のため誇張している図である。
【図６】図６は本発明に従った内方向に傾斜したロッド内のネジ切りされたファスナー穴を有する接続ロッドベアリングキャップ継手を示し、角度は図示のため誇張している図である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月29日(2007.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低圧化学気相成長によって基体上に堆積された生成物セラミック膜の残存応力および電気抵抗率から選択される所望の特性の所定の値を達成する方法であって、該セラミックは、金属元素と非金属元素とから形成されており、該生成物セラミック膜は、
・反応チャンバに金属元素前駆体を供給する工程；
・該金属元素前駆体と、該金属元素前駆体とは異なる非金属元素前駆体とが反応して、該反応チャンバの内側の基体上に生成物セラミック膜を形成するような温度および圧力の条件下で、該反応チャンバに、該非金属元素前駆体を別に供給する工程；
によって形成され、該方法は、
（ａ）該金属元素前駆体の圧力または流速を、制御変数として選択する工程、
（ｂ）低温気相成長方法における残りの変数が選択された固定値に維持される場合の、該所望の特性と該制御変数との間の関係を決定する工程；および
（ｃ）該生成物セラミック膜の形成の間、該残りの変数を該選択された固定値に維持しながら、該制御変数を制御することによって、該所望の特性についての所定の値を達成する工程、
を包含する、方法。
【請求項２】
低圧化学気相成長によって基体上に堆積された生成物炭化ケイ素膜の所望の残存応力または電気抵抗率を達成するための、請求項１に記載の方法であって、該炭化ケイ素膜は、
・反応チャンバにケイ素前駆体を供給する工程；
・該ケイ素前駆体と、該ケイ素前駆体とは異なる炭素前駆体とが反応して、該反応チャンバの内側の基体上に生成物炭化ケイ素膜を形成するような温度および圧力の条件下で、該反応チャンバに、該炭素前駆体を別に供給する工程；
によって形成され、該方法は、
（ａ）該ケイ素前駆体の圧力または流速を、制御変数として選択する工程、
（ｂ）低温気相成長方法における残りの変数が選択された固定値に維持される場合の、該残存応力または電気抵抗率と該制御変数との間の関係を決定する工程；および
（ｃ）該生成物炭化ケイ素膜の形成の間、該残りの変数を該選択された固定値に維持しながら、該制御変数を制御することによって、該所望の残存応力または電気抵抗率を達成する工程、
を包含する、方法。
【請求項３】
前記生成物炭化ケイ素膜が、約７００ＭＰａと約−１００ＭＰａとの間の所定の残存応力を有するように生成される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記所定の残存応力が、圧力を制御することによって達成される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記所定の残存応力を達成するために、前記反応チャンバ中の圧力が、約０．４２ｔｏｒｒと約５ｔｏｒｒとの間の値に設定される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記反応チャンバ中の圧力が、約２ｔｏｒｒの値に設定される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記所定の残存応力が、ケイ素前駆体の流速を制御することによって達成される、請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記所定の残存応力を達成するために、前記ケイ素前駆体の流速が、約１８ｓｃｃｍと約５４ｓｃｃｍとの間の値に設定される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記生成物炭化ケイ素膜が、約１０Ω・ｃｍ以下の所定の電気抵抗率を有するように生成される、請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
前記所定の電気抵抗率が、ケイ素前駆体の流速を制御することによって達成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記所定の電気抵抗率を達成するために、前記ケイ素前駆体の流速が、約３０ｓｃｃｍと約５４ｓｃｃｍとの間の値に設定される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記所定の電気抵抗率が、圧力を制御することによって達成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記所定の電気抵抗率を達成するために、前記圧力が、約０．４２ｔｏｒｒと約５ｔｏｒｒとの間の値に制御される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ケイ素前駆体が、シラン、ハロシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、ジメチルジメトキシシラン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ビストリメチルシリルメタン、メチルトリクロロシラン、シラン、テトラエチルシラン、およびシラシクロブタンからなる群より選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項１５】
前記ハロシランが、ジクロロシラン、トリクロロシラン、およびテトラクロロシランからなる群より選択される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ケイ素前駆体が、ジクロロシランである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記炭素前駆体の流速が、毎分約１８０立方センチメートル（標準状態換算）である、請求項２に記載の方法。
【請求項１８】
前記炭素前駆体を供給する工程が、水素中のアセチレンを毎分約１８０立方センチメートル（標準状態換算）の流速で前記反応チャンバに供給する工程を包含する、請求項２に記載の方法。
【請求項１９】
化学気相成長により、基体上に炭化ケイ素膜を堆積する方法であって、
（ａ）反応チャンバ中に少なくとも１つの基体を配置する工程；
（ｂ）該反応チャンバを所定の圧力に維持する工程；
（ｃ）該反応チャンバに、所定の固定流速で炭素前駆体を供給する工程；
（ｄ）該反応チャンバに、ある流速でケイ素前駆体を供給する工程；および
（ｅ）該ケイ素前駆体の流速を制御して、該堆積された炭化ケイ素膜中の応力を制御する工程、
を包含する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月4日(2008.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴射出装置において、
表面上のノズル開口から液滴を射出するためにその中で液体に圧力が加えられる流路、
前記液体に圧力を加えるための圧電アクチュエータ、及び
前記ノズル開口近傍の、前記表面上の１つまたはそれより多くの廃液制御アパーチャ、
を有し、
前記１つまたはそれより多くのアパーチャが真空源とつながっている、
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記ノズル開口の幅の約２００％ないしそれより短い距離だけ前記ノズル開口から隔てられている液体制御アパーチャを有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ノズル開口の幅の約２００％から約１０００％ないしそれより短い距離だけ前記ノズル開口から隔てられている液体制御アパーチャを有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記制御アパーチャがその中で液体に圧力が加えられる前記流路と通じていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記制御アパーチャのそれぞれが前記ノズル開口の流体抵抗の約２５倍ないしそれより大きい流体抵抗を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記アパーチャを通る平均総流量が前記ノズル開口を通る平均流量より約１０％ないしそれより少ないことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記制御アパーチャのそれぞれが前記ノズル開口の幅より約３０％ないしそれより小さい幅を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記ノズル開口の幅が約２００μｍないしそれより小さいことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記制御アパーチャのそれぞれが約１０μｍないしそれより小さい直径を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記ノズル開口の近傍に非湿潤性被覆を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記流路、前記ノズル開口及び前記制御アパーチャが共通の構体内に画成されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記構体がシリコン材料であることを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
第１の構体が前記ノズル開口を画成し、第２の構体が前記１つまたはそれより多くのアパーチャを画成し、前記第１の構体が前記第２の構体と結合していることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
液滴射出装置において、
ノズル開口から液滴を射出するためにその中で液体に圧力が加えられる流路、
圧電アクチュエータ、及び
前記ノズル開口の幅の約２００％ないしそれより短い距離だけ前記ノズル開口から隔てられている液体制御アパーチャ、
を有し、
前記アパーチャのそれぞれが前記ノズル開口幅より約３０％ないしそれより小さいアパーチャ幅を有する、
ことを特徴とする装置。
【請求項１５】
前記液体制御アパーチャを少なくとも３つ有することを特徴とする請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記ノズル開口近傍に非湿潤性被覆を有することを特徴とする請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
前記流路、前記ノズル開口及び前記制御アパーチャが共通の構体内に画成されることを特徴とする請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】
液体を射出する方法において、
ノズル開口及び少なくとも１つの廃液制御アパーチャを有し、前記廃液制御アパーチャが真空につながっている、液滴射出装置を提供する工程、
約１０ｋＨｚないしそれより高い頻度で液体を射出する工程、及び
約５インチ水柱（１インチ水柱＝２４９Ｐａ）ないしそれより低い動作真空において、射出される液体の約５％ないしそれより少ない量の廃液を、前記制御アパーチャを通して引き込む工程、
を有してなることを特徴とする方法。
【請求項１９】
前記廃液制御アパーチャを少なくとも３つ有することを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
約２インチ水柱ないしそれより低い動作真空において、射出される液体の約２％を引き込む工程を含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記制御アパーチャ及び前記ノズル開口が共通の液体供給源に通じ、前記液体供給源と前記真空が前記液体供給源でつながっていることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記制御アパーチャの直径が前記ノズル開口の直径の約３０％ないしそれより小さいことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
前記ノズル開口の直径が約２００μｍないしそれより小さいことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２４】
液滴射出装置において、
ノズル開口から液滴を射出するためにその中で液体に圧力が加えられる流路、
前記液体に圧力を加えるための圧電アクチュエータ、及び
前記ノズル開口近傍の、１つまたはそれより多くの廃液制御アパーチャ、
を有し、
前記１つまたはそれより多くのアパーチャが、圧電アクチュエータの起動中に真空源とつながっている、
ことを特徴とする装置。
【請求項２５】
前記ノズル開口の幅の約２００％ないしそれより短い距離だけ前記ノズル開口から隔てられている液体制御アパーチャを有することを特徴とする請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
前記ノズル開口の幅の約２００％から約１０００％ないしそれより短い距離だけ前記ノズル開口から隔てられている液体制御アパーチャを有することを特徴とする請求項２４に記載の装置。
【請求項２７】
前記制御アパーチャがその中で液体に圧力が加えられる前記流路と通じていることを特徴とする請求項２４に記載の装置。
【請求項２８】
前記制御アパーチャのそれぞれが前記ノズル開口の流体抵抗の約２５倍ないしそれより大きい流体抵抗を有することを特徴とする請求項２４に記載の装置。
【請求項２９】
前記アパーチャを通る平均総流量が前記ノズル開口を通る平均流量より約１０％ないしそれより少ないことを特徴とする請求項２４に記載の装置。
【請求項３０】
前記制御アパーチャのそれぞれが前記ノズル開口の幅より約３０％ないしそれより小さい幅を有することを特徴とする請求項２４に記載の装置。
【請求項３１】
前記ノズル開口の幅が約２００μｍないしそれより小さいことを特徴とする請求項２４に記載の装置。
【請求項３２】
第１の構体が前記ノズル開口を画成し、第２の構体が前記１つまたはそれより多くのアパーチャを画成し、前記第１の構体が前記第２の構体と結合していることを特徴とする請求項２４に記載の装置。