【手続補正書】
【提出日】平成20年2月27日(2008.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板を覆う絶縁層の上に配置された表面シリコン導波路層を具えるシリコン−オン−インシュレータ（ＳＯＩ）ベースの光デバイスにおいて：
第１の光信号の伝達を支持する第１の光導波路と；
第２の光信号の伝達を支持する第２の光導波路と；
前記第１の光導波路と前記第２の光導波路との交差によって規定される光クロスオーバ領域であって、前記クロスオーバ領域における前記第１及び第２の光信号間のクロストークを低減し、前記光クロスオーバ領域内の光スループットを改善するように規定されたジオメトリを示す光クロスオーバ領域と；
を具えることを特徴とするＳＯＩベースの光デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のＳＯＩベースの光デバイスにおいて、前記第１及び第２の光導波路の少なくとも一部が、サブミクロンジオメトリを示し、シングルモード光信号のみの伝達を支持することを特徴とするＳＯＩベースの光デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載のＳＯＩベースの光デバイスにおいて、前記光クロスオーバ領域ジオメトリが、前記第１及び第２の光信号がそれぞれ関連する第１及び第２の光導波路に沿って連続する前記クロスオーバ領域の出口領域においてビーム捕捉導波路セクションを具えるように規定されていることを特徴とするＳＯＩベースの光デバイス。
【請求項４】
請求項１に記載のＳＯＩベースの光デバイスにおいて、前記第１及び第２の光導波路と前記光クロスオーバ領域が、前記ＳＯＩベースの光デバイスの表面シリコン層内に形成されていることを特徴とするＳＯＩベースの光デバイス。
【請求項５】
請求項１に記載のＳＯＩベースの光デバイスにおいて、前記第１及び第２の光導波路が、少なくとも部分的に、前記表面シリコン層内のストリップ導波路として形成されていることを特徴とするＳＯＩベースの光デバイス。
【請求項６】
請求項１に記載のＳＯＩベースの光デバイスにおいて、前記第１及び第２の光導波路が、少なくとも部分的に、前記シリコン層内のリブ導波路として形成されていることを特徴とするＳＯＩベースの光デバイス。
【請求項７】
請求項１に記載のＳＯＩベースの光デバイスにおいて、前記ＳＯＩベースの光デバイスが更に、前記表面シリコン導波路層の上に横たわるポリシリコン層を具えることを特徴とするＳＯＩベースの光デバイス。
【請求項８】
請求項７に記載のＳＯＩベースの光デバイスにおいて、前記第１及び第２の光導波路と前記光クロスオーバ領域が前記表面シリコン層に形成されており、前記ポリシリコン層が４つの別のセグメントセット内にパターン形成されており、第１のセグメントが前記クロスオーバ領域の入口において前記第１の導波路の入力部分の上に配置されており、第２のセグメントが、前記クロスオーバ領域の出口において前記第１の導波路の出力部分の上に配置されており、第３のセグメントが前記クロスオーバ領域入口において前記第２の導波路の入力部分の上に配置されており、第４のセグメントが前記第２の導波路の出力部分の上に配置されていることを特徴とするＳＯＩベースの光デバイス。
【請求項９】
請求項７に記載のＳＯＩベースの光デバイスにおいて：
前記第１の光導波路が、前記光クロスオーバ領域において一対の分離されたセクションに分かれており、第１の分離セクションが、入力導波路セクションとして規定され、第２の分離セクションが出力導波路セクションとして規定され、前記第２の光導波路が、前記第１及び第２の分離セクション間にできたギャップを通って配置されており；
前記光クロスオーバ領域のジオメトリが、前記第１の光導波路の前記入力導波路セクションと前記出力導波路セクションの間にブリッジ導波路セクションを形成するようにパターン形成されたポリシリコン層によって規定されている；
ことを特徴とするＳＯＩベースの光デバイス。
【請求項１０】
請求項１に記載のＳＯＩベースの光デバイスにおいて、前記光クロスオーバ領域が：
前記第１の光導波路に沿って伝達する前記第１の光信号を遮断するように配置された第１の反射面対であって、前記第１の反射面対の入力表面が前記光クロスオーバ領域へ前記第１の光信号の第１の再方向付けを提供し、前記第１の反射表面対の出力表面が、前記光クロスオーバ領域からおよび前記第１の光導波路の出力導波路セクションへ前記第１の光信号の第２の再方向付けを提供する反射面対と；
前記第２の光導波路に沿って伝達する前記第２の光信号を遮断するように配置された第２の反射面対であって、前記反射面の第２の対の入力面が前記光クロスオーバ領域へ前記第２の光信号の第１の再方向付けを提供し、前記第２の反射表面対の出力面が、前記光クロスオーバ領域からおよび前記第２の光導波路の光導波路セクションへ前記第２の光信号の第２の再方向付けを提供する反射面対と；
を具えることを特徴とするＳＯＩベースの光デバイス。
【請求項１１】
請求項１０に記載のＳＯＩベースの光デバイスにおいて、前記第１及び第２の入力面が拡大入力信号を平行な再度方向付けた信号に変形するような湾曲面であることを特徴とするＳＯＩベースの光デバイス。
【請求項１２】
請求項１１に記載のＳＯＩベースの光デバイスにおいて、前記第１及び第２の出力面が、平行入力信号を拡大した再方向付け信号に変形するような湾曲面であることを特徴とするＳＯＩベースの光デバイス。
【請求項１３】
請求項１０に記載のＳＯＩベースの光デバイスにおいて、前記反射面の各々が、４５°の反射ミラー面として形成されていることを特徴とするＳＯＩベースの光デバイス。
【請求項１４】
請求項１０に記載のＳＯＩベースの光デバイスにおいて、前記第１及び第２の入力面が、平行入力信号を集束する再方向付け信号に変形するような湾曲面であることを特徴とするＳＯＩベースの光デバイス。
【請求項１５】
請求項１０に記載のＳＯＩベースの光デバイスにおいて、前記第１及び第２の光導波路が、これらのそれぞれの出力導波路セクションに沿って内側にテーパの付いた部分を具えるように形成されていることを特徴とするＳＯＩベースの光デバイス。
【請求項１６】
請求項１０に記載のＳＯＩベースの光デバイスにおいて、前記デバイスが更に、前記第１及び第２の光導波路の入力及び出力セクションの上に配置された複数の分離リブ導波路セグメントを具えることを特徴とするＳＯＩベースの光デバイス。
【請求項１７】
請求項１６に記載のＳＯＩベースの光デバイスにおいて、前記複数の分離リブセグメントが、前記光クロスオーバ領域に隣接するテーパの付いた終端部を具えることを特徴とするＳＯＩベースの光デバイス。
【請求項１８】
請求項１に記載のＳＯＩベースの光デバイスにおいて、前記光クロスオーバ領域が、前記第１の光信号を前記第１の光導波路から前記第２の光導波路へ転送し、前記第２の光信号を前記第２の光導波路から前記第１の光導波路へ転送することに関連する所定の長さのエバネッセントカップリングした導波路ジオメトリを具えるものとして規定されていることを特徴とするＳＯＩベースの光デバイス。
【請求項１９】
請求項１に記載のＳＯＩベースの光デバイスにおいて、前記光クロスオーバ領域が、入力光タップ導波路セグメントと、横方向の導波路と、出力タップ導波路セグメントを具える光タップジオメトリを具えるものとして規定されており、前記第１の光信号が前記入力光タップ導波路セグメントへの入力として適用され、その後、横方向の導波路にカップリングされてそれに沿って伝達し、次いで出力光タップにカップリングされることを特徴とするＳＯＩベースの光デバイス。