【手続補正書】
【提出日】平成18年12月22日(2006.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の表面をハロゲン化し、
前記絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の表面をハロゲン化し、
前記絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に該非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行い結晶質半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の表面をハロゲン化し、
前記絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に該非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行い結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜にレーザー光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の表面をハロゲン化し、
前記絶縁膜上に少なくともハロゲン元素と水素とを含む反応ガスから非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に該非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行い結晶質半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の表面をハロゲン化し、
前記絶縁膜上に少なくともハロゲン元素と水素とを含む反応ガスから非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に該非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱処理して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜にレーザー光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の表面をハロゲン化し、
前記絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に該非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
前記非晶質半導体膜に第１の加熱処理をして結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜の選択された領域にリンが添加された領域を形成した後、
第２の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の表面をハロゲン化し、
前記絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に該非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
前記非晶質半導体膜に第１の加熱処理をして結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜にレーザー光を照射し、
前記結晶質半導体膜の選択された領域にリンが添加された領域を形成した後、
第２の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の表面をハロゲン化し、
前記絶縁膜上に少なくともハロゲン元素と水素とを含む反応ガスから非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に該非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
前記非晶質半導体膜に第１の加熱処理をして結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜の選択された領域にリンが添加された領域を形成した後、
前記結晶質半導体膜に第２の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の表面をハロゲン化し、
前記絶縁膜上に少なくともハロゲン元素と水素とを含む反応ガスから非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に該非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
前記非晶質半導体膜に第１の加熱処理をして結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜にレーザー光を照射し、
前記結晶質半導体膜の選択された領域にリンが添加された領域を形成した後、
前記結晶質半導体膜に第２の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項３、請求項５、請求項７、請求項９のいずれか一において、
前記レーザー光は波長４００ｎｍ以下のエキシマレーザー光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項３、請求項５、請求項７、請求項９のいずれか一において、
前記レーザー光はＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＡｌＯ３レーザー、ＹＬＦレーザーから選ばれた一つのレーザー光であって、第２高調波（５３２ｎｍ）、第３高調波（３５５ｎｍ）、第４高調波（２６６ｎｍ）から選ばれた一つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項２乃至請求項１１のいずれか一において、
前記触媒元素はニッケル（Ｎｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記絶縁膜の表面のハロゲン化は、フッ素原子またはフッ素ラジカルに晒すことによって行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記絶縁膜の表面のハロゲン化は、四フッ化珪素又は三フッ化窒素をプラズマ化した雰囲気中に晒すことによって行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、
前記絶縁膜は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンから選ばれた材料でなる単層又は積層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜の表面からフッ素を注入し、
前記非晶質半導体膜に該非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、  
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行い結晶質半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜の表面からフッ素を注入し、
前記非晶質半導体膜に該非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を添加し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行い結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜にレーザー光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記レーザー光は波長４００ｎｍ以下のエキシマレーザー光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１７において、
前記レーザー光はＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＡｌＯ３レーザー、ＹＬＦレーザーから選ばれた一つのレーザー光であって、第２高調波（５３２ｎｍ）、第３高調波（３５５ｎｍ）、第４高調波（２６６ｎｍ）から選ばれた一つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１６乃至請求項１９のいずれか一において、
前記触媒元素はニッケル（Ｎｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１６乃至請求項２０のいずれか一において、
前記絶縁膜は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンから選ばれた材料でなる単層又は積層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。