【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年4月24日(2008.4.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィック投影装置を使用したリソグラフィック製造プロセスにおいて、周期PE10の周期構造を有する、基板に形成された微細基板オーバーレイ・マークP10と、周期PE11の周期構造を有する、マスクに設けられた対応するマークを結像することにより基板上のレジスト層に形成された微細レジスト・オーバーレイ・マークP11とを使用して、マスク・パターンが結像されるレジスト層と、基板との間のオーバーレイを測定する方法において、
前記装置の一部を形成し、かつ基準マークM1,M2に対する基板位置合わせマークの位置合わせを測定することを目的とする位置合わせ測定デバイスであって、基板位置合わせマークが前記微細基板オーバーレイ・マークP10および前記微細レジスト・オーバーレイ・マークP11の周期PE10およびPE11よりも実質上長い周期の周期構造を有し、基準マークM1,M2が基板位置合わせマークの周期に一致した周期の周期構造を有する、位置合わせ測定デバイスを使用し、
前記微細基板オーバーレイ・マークP10および前記微細レジスト・オーバーレイ・マークP11が照射されると発生し、かつ前記基準マークM1,M2の周期に一致した周期PEbを有する干渉パターンを、位置合わせビーム放射により前記基準マークM1,M2に結像させる、方法。
【請求項２】
前記干渉パターンの周期PEbと実質上同じ周期を有する基板基準マークを使用し、該基板基準マークを前記基準マークM1,M2上に結像させ、前記基準マークM1,M2に対する前記干渉パターンの像の位置と前記基板基準マークの像の位置との差を決定する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記微細基板オーバーレイ・マークP10、前記微細レジスト・オーバーレイ・マークP11、および前記基準マークに回折格子を使用する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記微細レジスト・オーバーレイ・マークP11が潜在マークである、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
オン・アクシスの位置合わせデバイスを使用し、前記基準マークがマスク位置合わせマークM1,M2である、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記干渉パターンを、前記微細基板オーバーレイ・マークP10および前記微細レジスト・オーバーレイ・マークP11から前記マスク位置合わせマークM1,M2に向かう放射の回折次数を選択する光学フィルターを介して、マスク位置合わせマークに結像させる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
オフ・アクシスの位置合わせデバイスを使用する、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
基板の少なくとも１つの層内に素子を製造する方法であって、
‐少なくとも１つのオーバーレイ・マークを備えるマスクを、第１の基板に対して位置合わせするステップ、
‐投影放射により、前記オーバーレイ・マークを前記基板上のレジスト層に結像するステップ、
‐前記レジスト層内に形成された前記オーバーレイ・マークと前記基板内のオーバーレイ・マークとの間のオーバーレイを測定しかつオーバーレイの誤差を修正するステップ、
‐投影放射により、レジスト層の当該層で構成されるべき素子の特徴に一致するパターンの特徴を有するマスク・パターンを、前記素子の特徴が形成されるべき各基板上に結像するステップ、
‐当該層の領域から物質を除去し、または前記領域に物質を加え、この領域に前記マスク・パターン像を描画するステップ、
の連続ステップの少なくとも１セットを有しており、
前記オーバーレイが、請求項１〜７のいずれかに記載の方法により決定されることを特徴とする方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、リソグラフィック投影装置を使用したリソグラフィック製造プロセスにおいて、周期p1を持つ周期構造を有する少なくとも１つの基板オーバーレイ・マークと、周期p2を持つ周期構造を有するレジスト・オーバーレイ・マークとを使用して、マスク・パターンが結像されるレジスト層と基板との間のオーバーレイの測定方法に関する。
更に本発明は、リソグラフィック投影装置による、このオーバーレイ測定方法を用いる素子の製造方法に関する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
オーバーレイの測定に使用される位置合わせ測定システムは、この装置の、例えば、投影レンズシステムの、投影システムを使用して基板位置合わせマークをマスク位置合わせマークに直接結像させる、いわゆるオン・アクシス・デバイスとすることが出来る。このデバイスは、スルー・ザ・レンズ(TTL)位置合わせデバイスとしても公知である。この位置合わせデバイスは、オフ・アクシス・デバイスでもよい。このデバイスの場合、基板位置合わせマークが、装置の投影システムの投影領域外に配置された基準位置合わせマークに結像される。将来性が非常に高いオフ・アクシス・デバイスの実施例では、基板位置合わせマークは、投影コラムの外側に配置された基準マークにより、基板ホルダーの位置合わせマークに対して位置合わせする。この最初の位置合わせのステップでは、基板を持つ基板ホルダーを投影コラムの外側に位置決めする。最初の位置合わせステップの後、基板ホルダーを投影コラム内に位置決めし、第２の位置合わせステップで、基板位置合わせマークを、投影レンズを介してマスク位置合わせマスクに結像させる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
オーバーレイ誤差を基準位置合わせマークに対する干渉パターンの像の位置から測定するためには、さらなる基準マークが必要である。このさらなる基準マークを使用する測定方法の実施例は、干渉パターンと実質的に同じ周期を有する基板基準マークを使用し、基板基準マークを基準マークに結像し、基準位置合わせマークに対する干渉パターンの像の位置と基板基準マークの像の位置との差を測定することを特徴とする。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
グローバル位置合わせマークは、マスク位置合わせマークなどの基準位置合わせマークに対して基板を位置合わせするための周期構造を有する位置合わせマークを意味すると理解される。グローバル位置合わせマークの周期は、グローバル基板位置合わせマークをウエハ位置合わせマーク（原理的にはグローバル位置合わせマークである）に結像させる投影システムの解像度限界よりも、実質的に長い。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
この方法は、基板オーバーレイ・マーク、レジスト・オーバーレイ・マーク、および基準マークに回折格子を使用することを特徴とすることが好ましい。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
レジスト・オーバーレイ・マークは、マスク・パターンの外側にマスク上に設けられた対応するマークをリソグラフィック装置を用いてレジスト層に結像させることによって、レジスト層に形成される。このマークの像が配置された基板層の領域を現像して、この現像されたマークの像を使用してこの測定方法を実行する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
この実施例は、さらに、オーバーレイ・マークからマスク位置合わせマークに照射される放射の回折次数を選択する光学フィルタを介して、干渉パターンをマスク位置合わせマークに結像させることを特徴とすることが好ましい。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
干渉パターンは、投影レンズの隣に配置されたオフ・アクシス位置合わせデバイスの一部を形成する基準位置合わせマークに結像される。このデバイスを使用すると、基板からの位置合わせビームのいくつかの回折次数（例えば、１次〜７次）を、個別に検出することができる。マスクは、オフ・アクシス位置合わせデバイスに対しても位置合わせされるので、基板とマスクは、間接的、つまり２ステップで位置合わせされる。オフ・アクシス位置合わせを使用した方法の利点のひとつは、それが、ＣＭＰプロセスパラメーターの影響をほとんど受けない点である。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
本発明は、基板の少なくとも１つの層内に素子を製造する方法であって、
‐少なくとも１つのオーバーレイ・マークを備えるマスクを、第１の基板に対して位置合わせするステップ、
‐投影放射により、前記オーバーレイ・マークを前記基板上のレジスト層に結像するステップ、
‐前記レジスト層内に形成された前記オーバーレイ・マークと前記基板内のオーバーレイ・マークとの間のオーバーレイを測定しかつオーバーレイの誤差を修正するステップ、
‐投影放射により、レジスト層の当該層で構成されるべき素子の特徴に一致するパターンの特徴を有するマスク・パターンを、前記素子の特徴が形成されるべき各基板上に結像するステップ、
‐当該層の領域から物質を除去し、または前記領域に物質を加え、この領域に前記マスク・パターン像を描画するステップ、
の連続ステップの少なくとも１セットを有する製造方法にも関する。この方法は、前述の方法によってオーバーレイを測定することを特徴とする。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
本発明によると、基板に以前に形成されたパターン、および基板上のレジスト層に結像されたパターンのオーバーレイを測定するために、図１と図３の位置合わせ測定システム、またはその他の同様のシステムが使用される。オーバーレイ測定に使用する基板パターンとレジストパターンは、これまでに使用した基板位置合わせマークの周期よりもはるかに短い周期の周期構造を有する特定オーバーレイ・マークである。図４は、基板オーバーレイ・マークP10と、レジスト・オーバーレイ・マークP11を備える基板上部上のレジスト層ＲＬとを有する基板Wの小部分の横断図である。基板オーバーレイ・マークの回折格子の周期はPE10であり、またレジスト・オーバーレイ・マークの回折格子の周期はPE11であり、これらは、投影レンズシステムの解像力または解像度のオーダであることが好ましい。図５に示されるように、これらの回折格子周期はやや異なる。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
図５の上側部分は、オーバーレイ・マークの一部を断面図にてかなり拡大して示す。これらのオーバーレイ・マークは、位相構造、例えば位相回折格子によって構成される。基板オーバーレイ・マークの回折格子周期PE10は、レジスト・オーバーレイ・マークのこの周期P11よりも長いか、またはその逆である。これらのオーバーレイ・マークを位置合わせ測定デバイスのビームなどの放射ビームで照射すると、ビームに対するこれらのマークの位相効果が干渉して、干渉位相パターンまたは位相像が発生する。この位相パターンは、ビートパターンまたはビート回折格子とも呼ばれ、
1/PEb  =  1/PE10  -  1/PE11
により得られるビート周期PEbを有する。
図５の下側のグラフ６０は、ｘ方向、すなわち微細な基板回折格子とレジスト・オーバーレイ回折格子の回折ストリップに垂直な方向に沿っての、位相パターンの平均位相深度APDの変化を示す。位相の変化量、つまりビートパターンの最大値と最小値の位置は、オーバーレイ回折格子の相互位置により決定される。この相互位置、つまりオーバーレイ回折格子のＸ方向における相互変位を測定するためには、ビート位相パターンを、放射感知検出器の前に配置されたオン・アクシスまたはオフ・アクシスの測定回折格子、または測定マークに結像させる。この結像のために、周期PEbを持つ粗いビートパターンは解像できるが、周期PE10やPE11を持つ微細なオーバーレイ・マークは解像できない光学システムが使用される場合、位相パターンの正弦状の変化、すなわちビートパターンの位置のみが検出される。オーバーレイ・マークの相互変化をビートパターンの位置から測定するために、測定マークを基準とした後者の位置を、同様の測定マークを基準とした基板基準マークの位置と比較することができる。基板基準マークは、基板上で微細位置合わせマークの近くに配置されたグローバル位置合わせマークで構成される。測定マークは、オン・アクシス位置合わせ測定デバイスを使用する場合は、グローバルマスク位置合わせマークである。オーバーレイ・マークの相互位置は、基板基準マークとビートパターンの相互位置から簡単な方法で決定することができる。PE11/2上のオーバーレイ・マークの相互シフトは、Pb/2上のビートパターンのシフトをもたらす。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
このようにして、オーバーレイ・マークのわずかなシフトは、ビートパターンのかなり大きなシフトに変換される。すなわち、このシフトは拡大される。拡大因子Mfは、
Mf = shift beat / shift overlay marks = PE10 / (PE11 - PE10)
により与えられる。この拡大により、オーバーレイ信号処理における必要な検出器信号の補間が減少し、測定がより正確になる。この拡大によって、PICO，RICO，WICOのようなアーチファクトに対するこのオーバーレイ方法の感度も低下する。これらのアーチファクトは、測定レーザービーム、例えばヘリウムネオンレーザービームの長いコヒーレンス長により発生したオーバーレイ信号におけるオフセットである。この長いコヒーレンス長により、システム内の光学構成要素の影響を受けたレーザー放射は、必要な信号照射、すなわち上述の実施例におけるプラス１とマイナス次数の放射と干渉する。結果的に生じるアーチファクトは、マスクまたはレティクルの偏光効果（偏光により誘発されたコヒーレンスオフセット：PICO）、レティクルの薄さ（レティクルにより誘発されたコヒーレンスオフセット：RICO）、または基板またはウエハのＺ位置（ウエハにより誘発されたコヒーレンスオフセット：WICO）により生じる。この拡大のため、ビートパターンの位置測定は、それほど重要ではない。ビートパターンの位置測定において誤差Δが発生しても、これは、オーバーレイの測定では、(1/Mf).Δというはるかに小さな誤差となる。拡大因子は、10または20のオーダにすることが出来る。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
ビート周期PEbを、グローバルマスク位置合わせマーク、すなわち、オン・アクシス位置合わせマークの周期に一致するように選択することが出来るので、オーバーレイ測定方法を、図３のオン・アクシス位置合わせデバイスで実施することができる。ビート周期を選択した後でも、まだオーバーレイ・マークの特徴寸法、すなわち、回折格子マークの場合は、これらの回折格子の周期を、自由に選択することができる。したがって、プロセスにより生じた変形に対するオーバーレイ・マークの影響を最小にすることができる。回折格子マークの場合、このことは、例えば、回折格子周期が、リソグラフィック装置により基板に結像されるIC素子の特徴寸法のオーダであることを意味する。このような短い周期を持つ回折格子マークは、処理により発生する当該変形に対する影響を受けにくくなることが予想される。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
位置合わせ測定方法に対するものと同じ手法で、空間フィルターまたは回折次数フィルター、またはダイアグラフを使用して、この新規なオーバーレイ測定方法を改良することができる。このフィルターは、ビートパターンからの第１次のサブビームを透過させる。このフィルターは、図３のフィルター２５と同様のものである。位置合わせ測定デバイスで発生するノイズやその他の障害に対するオーバーレイ測定方法の感度が、このようなフィルターによって著しく低下する場合がある。ビートパターンをマスク回折格子に結像させるために、第１次のサブビームのみを使用することの利点は、パターン像の周期が、投影レンズシステムの倍率とは無関係に、パターン自体の周期の半分である点である。この結果、位置合わせ精度は、ゼロ次数のサブビームも使用して写像した場合の２倍にも高くなる。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
この新規な方法は、２次元の位置合わせ、すなわち、Ｘ方向とＹ方向の位置合わせにも使用することができる。この場合、基板の微細位置合わせマークおよび追加された位置合わせマークは、グローバル位置合わせマークについて図２に示されているのと同様に、Ｙ方向に延在する回折格子ストリップとＸ方向に延在する回折格子ストリップを有するべきである。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
オーバーレイ測定方法を実施するために、図１と図３に示されるオン・アクシス位置合わせ測定デバイスを使用する代わりに、他のオン・アクシス位置合わせ測定デバイスを使用することもできる。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
この新規な方法は、オフ・アクシス位置合わせ測定デバイス、例えば、基準に対する基板マークの位置合わせを決定し、かつより高い次数のサブビーム、すなわち回折次数が1を上回るサブビームを使用するデバイスを使用して実施することもできる。オーバーレイ測定が投影システムによって行われることがないため、サブビーム、特により高い次数のサブビームを、一層自由に使用することが可能になる。一般的に、位置合わせ測定デバイスの分解能は、サブビームの次数が増加するにしたがって向上するので、オーバーレイ測定の精度は、著しく向上させることができる。さらに、2つ以上の波長を持つオーバーレイ測定放射を使用ことも可能であるので、回折格子の溝の深さに関する必要条件は、大幅に緩和させることが出来る。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
図７は、オフ・アクシス位置合わせ測定デバイスの構成図である。この図では、複合基板のビートパターンを含む回折格子構造体は、Pcと表記されている。平行なオーバーレイ測定ビームbは、この構造体に対して入射する波長λを有し、回折格子の垂線に対し、下記の公知の回折格子の関係式
sinαn  =  N.λ/P
により定義される様々な角度αn（図示せず）で延在するいくつかのサブビームに分割される。式中、Nは偏向次数、Pは回折周期である。複合回折格子構造体により反射されるサブビームのパスは、サブビームの様々な方向を、面78においてこれらのサブビームの様々な位置un
un  =  f1.αn
に変換するレンズシステムL1を含む。面78に、サブビームをさらに分割するための各種の手段を設けても良い。そのために、この面に楔などの形をした偏向要素を備えた１枚のプレートを配置することも出来る。図４において、この楔プレートはWEPと表示されている。楔は、例えば、このプレートの裏面に設けられる。次に、プリズム77をこのプレートの前面に設けることが出来る。このプリズムによって、例えば、ヘリウムネオンレーザーの放射源76からのオーバーレイ測定ビームを、オーバーレイ測定デバイスに結合することができる。このプリズムは、ゼロ次数のサブビームが検出器に到達することを阻止することもできる。楔の数は、使用するサブビームの数に一致する。図示された実施例においては、プラス次数の測定方向ごとに6個の楔があり、7次数以下のサブビームをオーバーレイ測定に使用することができる。すべての楔は、サブビームが適切に分割されるような楔角度を有している。