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【手続補正書】
【提出日】平成19年8月1日(2007.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯電ローラがローラの両端部にそれぞれ取り付けたギャップ管理部材を介して像担持体に接触し、その帯電ローラと像担持体との間に電圧を印加して該像担持体を帯電する帯電装置を備えた画像形成装置において、
前記像担持体の一端部に駆動ギヤを固定すると共に前記帯電ローラの一端部に前記駆動ギヤに噛み合う従動ギヤを固定し、前記ギャップ管理部材の前記像担持体との摩擦係数を０．５以下にしたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
請求項１記載の画像形成装置において、前記像担持体の他端部にも駆動ギヤを固定すると共に前記帯電ローラの他端部にも前記他端部の駆動ギヤに噛み合う従動ギヤを固定したことを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】
前記駆動ギヤと前記従動ギヤは同一の歯数に形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の画像形成装置。
【請求項４】
帯電ローラがローラの両端部にそれぞれ取り付けたギャップ管理部材を介して像担持体に接触し、その帯電ローラと像担持体との間に電圧を印加して該像担持体を帯電する帯電装置を備えた画像形成装置において、
前記像担持体の両側の端部の少なくとも一方に、該像担持体の回転を前記帯電ローラにタイミングベルトを使用した機構により伝達するタイミングベルト駆動伝達手段を設け、前記ギャップ管理部材の前記像担持体との摩擦係数を０．５以下にしたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項５】
帯電ローラがローラの両端部にそれぞれ取り付けたギャップ管理部材を介して像担持体に接触し、その帯電ローラと像担持体との間に電圧を印加して該像担持体を帯電する帯電装置を備えた画像形成装置において、
前記ギャップ管理部材は、前記像担持体との摩擦係数を０．５以上にしたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項６】
前記両端部のギャップ管理部材は、前記像担持体の転写紙が通過する領域外にそれぞれ配設されていることを特徴とする請求項５記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記両端部のギャップ管理部材は、前記像担持体の現像領域外にそれぞれ配設されていることを特徴とする請求項５記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明は上記の目的を達成するため、帯電ローラがローラの両端部にそれぞれ取り付けたギャップ管理部材を介して像担持体に接触し、その帯電ローラと像担持体との間に電圧を印加してその像担持体を帯電する帯電装置を備えた画像形成装置において、
上記像担持体の一端部に駆動ギヤを固定すると共に上記帯電ローラの一端部に上記駆動ギヤに噛み合う従動ギヤを固定し、前記ギャップ管理部材の前記像担持体との摩擦係数を０．５以下にしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに、同様に帯電ローラがギャップ管理部材を介して像担持体に接触する帯電装置を備えた画像形成装置において、上記像担持体の両側の端部の少なくとも一方に、その像担持体の回転を帯電ローラにタイミングベルトを使用した機構により伝達するタイミングベルト駆動伝達手段を設けるようにするとよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに、帯電ローラがローラの両端部にそれぞれ取り付けたギャップ管理部材を介して像担持体に接触し、その帯電ローラと像担持体との間に電圧を印加してその像担持体を帯電する帯電装置を備えた画像形成装置において、上記ギャップ管理部材の像担持体との摩擦係数を０．５以上にして、帯電ローラを像担持体との摩擦力による連れ回りだけで回転させるようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月15日(2007.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内視鏡の挿入部を巻き取りあるいは繰り出しが可能な回転ドラムと、
前記回転ドラムを収納するケースと、
前記ケースの外方向に突設され前記挿入部を緩挿する第１の弾性部材と、
前記第１の弾性部材の先端部に設けられ、前記挿入部の外径より小径の孔を有し前記挿入部が挿通可能な第２の弾性部材と、
を備えたことを特徴とする内視鏡装置。
【請求項２】
前記第１の弾性部材は前記パネルとの装着部から先端部に至る蛇腹形状の延出部を有するとともに、外周にネジ部が形成され前記内視鏡の挿入部より大径の孔が穿設された第１の金属部材を前記第１の弾性部材の先端部に固定し、前記第１の金属部材の孔と略同径の孔が穿設され前記ネジ部に螺合し前記第２の弾性部材を前記第１の金属部材との間に挟持する第２の金属部材を有する請求項１に記載の内視鏡装置。
【請求項３】
前記第２の弾性部材の孔の周囲には、細線で構成されたブラシ状部材が配設された請求項１に記載の内視鏡装置。
【請求項４】
前記回転ドラムの内部空間には前記内視鏡の第１の周辺機器群を収納し、前記ケース内部には前記回転ドラムとともに第２の周辺機器群をも収納する請求項１に記載の内視鏡装置。
【請求項５】
内視鏡の挿入部を巻き取りあるいは繰り出しが可能な回転ドラムと、
前記回転ドラムを収納するケースと、
前記ケースの外方向に突設され前記挿入部を緩挿するゴムブーツと、
前記ゴムブーツの先端部に設けられ、前記挿入部の外径より小径の孔を有し前記挿入部が挿通可能なパッキンと、
を備えたことを特徴とする内視鏡装置。
【請求項６】
前記パッキンの孔の周囲には、細線で構成されたブラシ状部材が配設された請求項５に記載の内視鏡装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、この発明にかかる内視鏡装置は、内視鏡の挿入部を巻き取りあるいは繰り出しが可能な回転ドラムと、前記回転ドラムを収納するケースと、前記ケースの外方向に突設され前記挿入部を緩挿する第１の弾性部材と、前記第１の弾性部材の先端部に設けられ、前記挿入部の外径より小径の孔を有し前記挿入部が挿通可能な第２の弾性部材と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、この発明にかかる内視鏡装置は、前記第１の弾性部材は蛇腹形状の延出部を有するとともに、外周にネジ部が形成され前記内視鏡の挿入部より大径の孔が穿設された第１の金属部材を前記第１の弾性部材の先端部に固定し、前記第１の金属部材の孔と略同径の孔が穿設され前記ネジ部に螺合し前記第２の弾性部材を前記第１の金属部材との間に挟持する第２の金属部材を有することを特徴とする。
また、この発明にかかる内視鏡装置は、前記第２の弾性部材の孔の周囲には、細線で構成されたブラシ状部材が配設されたことを特徴とする。
また、この発明にかかる内視鏡装置は、前記回転ドラムの内部空間には前記内視鏡の第１の周辺機器群を収納し、前記ケース内部には前記回転ドラムとともに第２の周辺機器群をも収納することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月30日(2007.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出対象の行為をイベントとして検出する第１のセンサ部と、上記イベントと第１の識別情報を含む第１のデータを第１の基地局を介してサーバに送信する第１の無線送受信部と、を有する第１のセンサ装置と、
センシングデータを間欠的に取得する第２のセンサ部と、上記センシングデータと第２の識別情報を含む第２のデータを第２の基地局を介して上記サーバに送信する第２の無線送受信部と、を有する第２のセンサ装置と、
上記イベントの検出に基づいて上記第１のデータと上記第２のデータとを関連づけて上記検出対象の状況を推定するサーバと、
を有するネットワークシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のネットワークシステムであって、
上記サーバは、上記第１及び第２の識別情報を上記検出対象に割り当てて管理し、
上記第１の基地局と上記第２の基地局が異なる場合、上記第１のセンサ装置が設置された場所に上記検出対象以外の検出対象が存在すると推定するネットワークシステム。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のネットワークシステムであって、
上記第１のセンサ装置は、椅子に設置される椅子接触ノードであり、
上記第２のセンサ装置は、名札ノード又は腕輪ノードであるネットワークシステム。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載のネットワークシステムであって、
上記第１のセンサ装置はプロセッサ部をさらに有し、
上記第１のセンサ部が上記イベントを検出すると、上記第１のセンサ部の出力電圧レベルは変化し、
上記プロセッサ部は、上記出力電圧レベルの変化を検知して待機モードからアクティブモードに移行し、上記第１の無線送受信部が上記第１のデータを送信するように上記第１の無線送受信部を制御し、再度上記待機モードに移行するネットワークシステム。
【請求項５】
請求項４に記載のネットワークシステムであって、
上記プロセッサ部はタイマを内蔵し、上記タイマより取得する時間に基づいて間欠的に上記待機モードから上記アクティブモードに移行し、上記第１のセンサ部が上記イベントを検出するように上記第１のセンサ部を制御するネットワークシステム。
【請求項６】
請求項５に記載のネットワークシステムであって、
上記プロセッサ部は、上記イベントを記録するメモリを内蔵し、
上記プロセッサ部が上記メモリに記録された前回のイベントと上記第１のセンサ部により検出されたイベントとを比較し、変化がないと判定した場合には上記第１の無線送受信部は上記第１のデータを送信せず、変化があると判定した場合には上記第１の無線送受信部は上記第１のデータを送信するネットワークシステム。
【請求項７】
第１のセンサ装置と、第２のセンサ装置と、サーバとを有するネットワークシステムにおけるデータ処理方法であって、
上記第１のセンサ装置は、検出対象の行為をイベントとして検出し、上記イベントと第１の識別情報を含む第１のデータを第１の基地局を介して上記サーバに送信し、
上記第２のセンサ装置は、センシングデータを間欠的に取得し、上記センシングデータと第２の識別情報を含む第２のデータを第２の基地局を介して上記サーバに送信し、
上記サーバは、上記イベントの検出に基づいて上記第１のデータと上記第２のデータとを関連づけて上記検出対象の状況を推定するデータ処理方法。
【請求項８】
請求項７に記載のデータ処理方法であって、
上記サーバは、上記第１及び第２の識別情報を上記検出対象に割り当てて管理し、
上記第１の基地局と上記第２の基地局が異なる場合、上記第１のセンサ装置が設置された場所に上記検出対象以外の検出対象が存在すると推定するデータ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月12日(2007.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素へ映像信号を供給する映像信号線と、画素へ走査信号を供給する走査信号線とを備えた第１基板と、
コントロール回路を有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された第３基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された第４基板とを備え、
前記画素は、前記走査信号によって制御され、映像信号を画素に取り込む薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続された画素電極とを備えた表示装置であって、
前記第３基板の前記第２基板への接続と、前記第４基板の前記第２基板への接続とは、互いに隣接した位置でなされていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記コントロール回路は、前記第３基板の前記第２基板への接続位置と、前記第４基板の前記第２基板への接続位置との間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
コントロール回路からの信号は、前記第３基板又は前記第４基板を介して、複数のドレイン駆動回路に供給されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数のドレイン駆動回路は、複数の第１ドレイン駆動回路と、複数の第２ドレイン駆動回路で構成され、
前記複数の第１ドレイン駆動回路に供給される前記コントロール回路からの信号は、前記第４基板を介さずに、前記第３基板を介して供給され、
前記複数の第２ドレイン駆動回路に供給される前記コントロール回路からの信号は、前記第３基板を介さずに、前記第４基板を介して供給されることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１基板は、長辺と短辺とを有し、
前記長辺と前記第２基板との間に、前記第３基板及び前記第４基板が配置されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
液晶を介して前記第１基板に対向配置された第５基板を有し、
前記第５基板の液晶側の面に透明電極を備えていることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
画素へ映像信号を供給する映像信号線と、画素へ走査信号を供給する走査信号線とを備えた第１基板と、
コントロール回路を有する第２基板と、
横方向に並んで配置され、映像信号を映像信号線へ供給する複数のドレイン駆動回路と、を備える表示装置であって、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された第３基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された第４基板とを備え、
前記第３基板は前記第４基板の左側に配置され、
前記コントロール回路から前記複数のドレイン駆動回路の左半分の複数のドレイン駆動回路へ供給される信号は、第３基板を介して供給され、
前記コントロール回路から前記複数のドレイン駆動回路の右半分の複数のドレイン駆動回路へ供給される信号は、第４基板を介して供給され、
前記第３基板の前記第２基板への接続と、前記第４基板の前記第２基板への接続とは、互いに隣接した位置でなされていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
前記コントロール回路は、前記第３基板の前記第２基板への接続位置と前記第４基板の前記第２基板への接続位置との間に配置されていることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記コントロール回路から前記複数のドレイン駆動回路の左半分の複数のドレイン駆動回路へ供給される信号は、第４基板を介さずに、第３基板を介して供給され、
前記コントロール回路から前記複数のドレイン駆動回路の右半分の複数のドレイン駆動回路へ供給される信号は、第３基板を介さずに、第４基板を介して供給されることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１基板は、長辺と短辺とを有し、
前記長辺と前記第２基板との間に、前記第３基板及び前記第４基板が配置されていることを特徴とする請求項７ないし請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
液晶を介して前記第１基板に対向配置された第５基板を有し、
前記第５基板の液晶側の面に透明電極を備えていることを特徴とする請求項７ないし請求項１０のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】
複数の信号線と、前記複数の信号線に交差する走査信号線と、前記走査信号線からの走査信号の供給によって駆動されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子を介して信号線に接続されている画素電極とを有する第１基板と、
コントロール回路を有する第２基板と、
前記走査信号線の延在方向に並設され、コントロール回路から信号が供給される複数のドレイン駆動回路と、
第３基板と、
第４基板とを備える表示装置であって、
前記複数のドレイン駆動回路の半数には、前記第３基板を介して前記コントロール回路からの信号が供給され、
前記複数のドレイン駆動回路のもう半数には、前記第４基板を介して前記コントロール回路からの信号が供給され、
前記第３基板の前記第２基板への接続と、前記第４基板の前記第２基板への接続とは、互いに隣接した位置でなされていることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
前記コントロール回路は、前記第３基板の前記第２基板への接続位置と、前記第４基板の前記第２基板への接続位置との間に配置されていることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第３基板を介し前記ドレイン駆動回路へ供給される前記コントロール回路からの信号は、前記第４基板を介さずに供給され、
前記第４基板を介し前記ドレイン駆動回路へ供給される前記コントロール回路からの信号は、前記第３基板を介さずに供給されることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１基板は、長辺と短辺とを有し、
前記長辺と前記第２基板との間に、前記第３基板及び前記第４基板が配置されていることを特徴とする請求項１２ないし請求項１４の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１６】
液晶を介して前記第１基板に対向配置された第５基板を有し、
前記第５基板の液晶側の面に透明電極を備えていることを特徴とする請求項１２ないし請求項１５のいずれか１項に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月12日(2007.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記表示手段は、画像データの出力が保留された場合にはその旨の表示を行なうことを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
請求項１０乃至１２の何れか１項に記載の画像処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納したコンピュータ可読メモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月27日(2007.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トナー像を担持する像担持体と、トナーの帯電極性とは逆極性の転写バイアスが印加されており前記像担持体から記録材に対してトナー像を転写する転写部材と、トナー像を記録材に定着する定着手段とを有する画像形成装置であり、
前記定着手段は、加熱体と、前記加熱体と協同してニップを形成するバックアップローラを有し、前記バックアップローラは電気的に接地された導電物質含有層を有し、記録材が樹脂シートの時に前記転写部材に印加する転写バイアスの電圧値は記録材が紙の時の３％以上８０％以下であることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記バックアップローラの前記導電物質含有層は表面抵抗１０13Ω／□以下または体積抵抗１０11Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記バックアップローラは弾性層と表面樹脂層を有し、前記弾性層と前記表面樹脂層の少なくとも一方が前記導電物質含有層となっていることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（１）トナー像を担持する像担持体と、トナーの帯電極性とは逆極性の転写バイアスが印加されており前記像担持体から記録材に対してトナー像を転写する転写部材と、トナー像を記録材に定着する定着手段とを有する画像形成装置であり、
前記定着手段は、加熱体と、前記加熱体と協同してニップを形成するバックアップローラを有し、前記バックアップローラは電気的に接地された導電物質含有層を有し、記録材が樹脂シートの時に前記転写部材に印加する転写バイアスの電圧値は記録材が紙の時の３％以上８０％以下であることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（２）前記バックアップローラの前記導電物質含有層は表面抵抗１０13Ω／□以下または体積抵抗１０11Ωｃｍ以下であることを特徴とする（１）に記載の画像形成装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（３）前記バックアップローラは弾性層と表面樹脂層を有し、前記弾性層と前記表面樹脂層の少なくとも一方が前記導電物質含有層となっていることを特徴とする（１）に記載の画像形成装置。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
転写ローラ５には、転写バイアス電源Ｓより所定の転写バイアス（トナーの帯電極性とは逆極性）が所定の制御タイミングで印加され、これにより感光ドラム１上のトナー像が記録材Ｐ上の所定の位置に静電転写される。３１は転写バイアス電源Ｓの出力転写バイアス電圧を制御する制御回路（ＣＰＵ）である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
この定着装置１１は、トナーを加熱する加熱体(heating member)としてのセラミックヒータ（以下「ヒータ」という）２０と、このヒータ２０を内包する円筒状の定着フィルム２５と、定着フィルム２５を介してヒータ２０と協同してニップを形成する加圧ローラ（back-up roller：バックアップローラ）２６と、そしてヒータ２０の温度を制御する温度制御手段２７と、記録材Ｐの搬送を制御する回転制御手段２８とを主要構成部材として構成されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
ｂ）加圧ローラ２６
図４は加圧ローラ２６の層構成模型図である。加圧ローラ２６は、芯金２６上に弾性層２６ｂのみ、または更にその弾性層２６ｂ上に１層以上の樹脂層（表面樹脂層）２６ｄを持つ構成である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
ここで、本発明では、導電物質含有層として、性芯金上に設けられる弾性層、またはその弾性層上の１層以上の樹脂層にカーボンブラック等の導電性粒子を分散させ、その表面抵抗が、１０１３Ω／□以下（表面抵抗１０13Ω／□以下）または体積抵抗が１０１１Ωｃｍ以下（体積抵抗１０11Ωｃｍ以下）になるよう調整される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
例えば、本実施例の画像形成装置は、通常動作時には、図６に示すように転写ローラの抵抗値に応じて転写電圧の出力を変化させるが、この通常動作時に対しＯＨＴモードが選択された場合、転写バイアス制御回路３１に制御される転写バイアス電源Ｓの転写電圧出力値は、通常時の１／３となるよう設定されている。なお本実施例の画像形成装置における、転写ローラ抵抗に対する転写バイアス値は、記録材給紙前に転写バイアスを定電流出力させた際の電圧値より決定される。
また、本実施例ではＯＨＴモードの転写バイアスを普通紙モードの１／３に設定しているが、３％〜８０％（３％以上８０％以下）の範囲であればＯＨＴを使用した時のオフセットを防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月29日(2007.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】上下型間にガラス素材を配置した後、加熱工程・加圧工程・冷却工程を経てガラス基板をプレス成形する製造方法において、
プレス成形後の型開き工程にて、前記上型に設けた貫通孔から前記ガラス基板を離型させる離型部材を供給することを特徴とするガラス基板の製造方法。
【請求項２】互いの間にてガラス素材を挟持する上下型と、プレス成形時に前記上下型の成形面間の距離を規制する規制部材と、前記上下型をガイドおよび保温する胴型とからなり、かつ、前記上型に貫通孔を設けた金型ブロックを成形機に投入する工程と、
成形完成後に前記成形機より前記金型ブロックを取出す搬送工程と、
前記金型ブロックを分解してガラス基板を取出すと共に、前記下型にガラス素材を載置して前記金型ブロックを組立てる分解組立て工程とからなるガラス基板の製造方法であって、
前記成形ブロックの上型を開く際に、前記上型の貫通孔から前記ガラス基板を離型させる離型部材を供給することを特徴とするガラス基板の製造方法。
【請求項３】離型部材が不活性気体あるいは金属体からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項４】貫通孔を上型の中心部に設けたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項５】互いの間にガラス素材を配置し加熱工程・加圧工程・冷却工程を経てガラス基板をプレス成形する上下型からなるガラス基板成形用金型において、
前記上型に前記ガラス基板を離型させる離型部材を供給する貫通孔を設けたことを特徴とするガラス基板成形用金型。
【請求項６】離型部材が不活性気体あるいは金属体からなることを特徴とする請求項５に記載のガラス基板成形用金型。
【請求項７】貫通孔を上型の中心部に設けたことを特徴とする請求項５に記載のガラス基板成形用金型。
【請求項８】貫通孔を設けた上型の成形面と前記貫通孔とのエッジ部分に面取り部を形成したことを特徴とする請求項５に記載のガラス基板成形用金型。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の請求項２に記載のガラス基板の製造方法は、互いの間にてガラス素材を挟持する上下型と、プレス成形時に前記上下型の成形面間の距離を規制する規制部材と、前記上下型をガイドおよび保温する胴型とからなり、かつ、前記上型に貫通孔を設けた金型ブロックを成形機に投入する工程と、成形完成後に前記成形機より前記金型ブロックを取出す搬送工程と、前記金型ブロックを分解してガラス基板を取出すと共に、前記下型にガラス素材を載置して前記金型ブロックを組立てる分解組立て工程とからなるガラス基板の製造方法であって、前記成形ブロックの上型を開く際に、前記上型の貫通孔から前記ガラス基板を離型させる離型部材を供給することを特徴とするものである。なお、離型部材は不活性気体あるいは金属体からなり、また貫通孔は上型の中心部等に設ける。この構成によると、型開きの際に、上型に設けた貫通孔から離型部材を供給することにより、高い平坦度を有したガラス基板であっても確実に上型から離型させることができ、かつ、プレス成形にて大量かつ安価にガラス基板を製造することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の請求項５に記載のガラス基板成形用金型は、互いの間にガラス素材を配置し加熱工程・加圧工程・冷却工程を経てガラス基板をプレス成形する上下型からなり、前記上型に前記ガラス基板を離型させる離型部材を供給する貫通孔を設けたことを特徴とするものである。なお、離型部材は不活性気体あるいは金属体からなり、また貫通孔は上型の中心部等に設ける。この構成によると、型開きの際に、上型に設けた貫通孔から離型部材を供給することにより、高い平坦度を有したガラス基板であっても確実に上型から離型させることができ、かつ、プレス成形にて大量かつ安価にガラス基板を製造することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の請求項８に記載のガラス基板成形用金型は、請求項５の金型において、貫通孔を設けた上型の成形面と前記貫通孔とのエッジ部分に面取り部を形成したことを特徴とするものである。この構成によると、ガラス素材が貫通孔内に埋没しても簡単に剥離し、ガラス基板の離型性が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月29日(2007.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】上型の成形面を凹または凸形状とし下型の成形面を同一形状で極性が逆の凸または凹形状としてなる上下型間にガラス素材を配置した後、加熱・加圧工程および冷却工程を経てガラス基板をプレス成形する製造方法において、
前記冷却工程にて、前記上下型のうち成形面が凹形状側の型の温度が凸形状側の型の温度より高くなるように温度差を設けることを特徴とするガラス基板の製造方法。
【請求項２】前記冷却工程において、前記ガラス素材がガラス転移点近傍となったときに、上下型に温度差を設けることを特徴とする請求項１記載のガラス基板の製造方法。
【請求項３】上下型間にガラス素材を配置した後、加熱・加圧工程および冷却工程を経てガラス基板をプレス成形する製造方法において、
前記冷却工程にて、前記上下型のうち一方の温度が他方の温度より高くなるように温度差を設けると共に、当該温度差を設けた冷却途中にて前記上下型のうち一方の温度が他方の温度より低くなるように温度差を逆転させることを特徴とするガラス基板の製造方法。
【請求項４】上型の成形面を凹または凸形状とし下型の成形面を同一形状で極性が逆の凸または凹形状としてなる上下型間にガラス素材を配置した後、加熱・加圧工程および冷却工程を経てガラス基板をプレス成形する製造方法において、
前記冷却工程にて、前記上下型のうち成形面が凸形状側の型の温度が凹形状側の型の温度より高くなるように温度差を設けると共に、当該温度差を設けた冷却途中にて成形面が凸形状側の型の温度が凹形状側の型の温度より低くなるように温度差を逆転させることことを特徴とするガラス基板の製造方法。
【請求項５】前記冷却工程において、前記ガラス素材がガラス転移点近傍となったときに、上下型の温度差を逆転させることを特徴とする請求項３または請求項４記載のガラス基板の製造方法。
【請求項６】上下型の成形面の平坦度を５μｍ以下としたことを特徴とする請求項１または請求項４記載のガラス基板の製造方法。
【請求項７】互いの間にガラス素材を配置し加熱・加圧工程および冷却工程を経てガラス基板をプレス成形する上下型からなるガラス基板成形用金型において、
上型の成形面を凹または凸形状とし下型の成形面を同一形状で極性が逆の凸または凹形状としたことを特徴とするガラス基板成形用金型。
【請求項８】上下型の成形面の平坦度を５μｍ以下としたことを特徴とする請求項７記載のガラス基板成形用金型。
【請求項９】上下型と、プレス成形時に前記上下型の成形面間の距離を規制する規制部材と、前記上下型をガイドおよび保温する胴型からなるガラス基板成形用金型において、
少なくとも前記規制部材の熱収縮量Ｘが、前記上下型間に配置したガラス素材の熱収縮量Ｘ'に対してＸ'-１０μｍ＜Ｘ＜Ｘ'であることを特徴とするガラス基板成形用金型。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載のガラス基板の製造方法は、上型の成形面を凹または凸形状とし下型の成形面を同一形状で極性が逆の凸または凹形状としてなる上下型間にガラス素材を配置した後、加熱・加圧工程および冷却工程を経てガラス基板をプレス成形する製造方法において、前記冷却工程にて、前記上下型のうち成形面が凹形状側の型の温度が凸形状側の型の温度より高くなるように温度差を設けることを特徴とするものである。なお、前記冷却工程において、前記ガラス素材がガラス転移点近傍となったときに、上下型に温度差を設ける。また、上下型の成形面の平坦度を５μｍ以下とする。この構成によると、冷却工程にて上下型のうち成形面が凹形状側の型の温度を凸形状側の型の温度より高くすることで、凸形状の型側に反ったガラス基板が上下型の温度差によって凹形状の型側に反り、基板表面が超平滑性を有すると共に軸対称性に優れたガラス基板を成形でき、かつ、プレス成形にて大量かつ安価にガラス基板を製造することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の請求項４に記載のガラス基板の製造方法は、上型の成形面を凹または凸形状とし下型の成形面を同一形状で極性が逆の凸または凹形状としてなる上下型間にガラス素材を配置した後、加熱・加圧工程および冷却工程を経てガラス基板をプレス成形する製造方法において、前記冷却工程にて、前記上下型のうち成形面が凸形状側の型の温度が凹形状側の型の温度より高くなるように温度差を設けると共に、当該温度差を設けた冷却途中にて成形面が凸形状側の型の温度が凹形状側の型の温度より低くなるように温度差を逆転させることことを特徴とするものである。なお、前記冷却工程において、前記ガラス素材がガラス転移点近傍となったときに、上下型の温度差を逆転させる。また、上下型の成形面の平坦度を５μｍ以下とする。この構成によると、冷却工程にて上下型のうち成形面が凸形状側の型の温度が凹形状側の型の温度より高くなるように温度差を設けると共に、冷却途中にて成形面が凸形状側の型の温度を凹形状側の型の温度より低くなるように温度差を逆転させることで、温度が高くかつ凸形状である型側に反ったガラス基板が、冷却途中で温度の高い凹形状の型側に反り、基板表面が超平滑性を有すると共に軸対称性に優れたガラス基板を成形でき、かつ、プレス成形にて大量かつ安価にガラス基板を製造することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月24日(2007.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光ヘッド用有機発光ダイオードアレイ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  絶縁性の透明基板上に、陽極と陰極とに挟持された有機化合物層を有する、電子写真方式を用いた画像形成装置の光ヘッド用有機発光ダイオードアレイであって、
副走査方向に沿ってＯＮ／ＯＦＦ可能な複数の発光部が配置され、これら複数の発光部のうち、少なくとも一の発光部の発光面積が他の発光部の発光面積と異なることを特徴とする光ヘッド用有機発光ダイオードアレイ。
【請求項２】  複数の発光部における陽極または陰極のうち、少なくとも一方の電極の幅が異なることを特徴とする請求項１に記載の光ヘッド用有機発光ダイオードアレイ。
【請求項３】  複数の発光部のうち少なくとも一の発光部は、電子輸送層が発光層を兼ねていることを特徴とする請求項１または２に記載の光ヘッド用有機発光ダイオードアレイ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべく、本発明の光ヘッド用有機ＬＥＤアレイは、絶縁性の透明基板上に、陽極と陰極とに挟持された有機化合物層を有する、電子写真方式を用いた画像形成装置の光ヘッド用有機発光ダイオードアレイであって、
副走査方向に沿ってＯＮ／ＯＦＦ可能な複数の発光部が配置され、これら複数の発光部のうち、少なくとも一の発光部の発光面積が他の発光部の発光面積と異なるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月6日(2007.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
図１に示すブラシ用素材１は、合成樹脂素材２に、ダイヤモンドパウダー３１と炭化ケイ素パウダー３２とを、重量比において３０：７０の割合で混入してなるもので、合成樹脂素材２に対する両パウダー３１，３２の混入率は２５重量％である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図２は本発明の第１応用例を示すもので、２種類以上の研磨粒３を混入したブラシ素材１・・を複数本揃え、外周面に結束線４を螺旋状に卷き付けて線状のブラシ材１１を構成したものである。このブラシ材１１の結束線４も、前記ブラシ素材１と同様に合成樹脂素材２に１種若しくは２種以上の研磨用パウダーを混入したものを使用すると、結束線４もワークの研磨、研削用となる、しかし、パウダーを混入しなくてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月8日(2007.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果トランジスタを有する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）半導体基板上に、前記電界効果トランジスタのゲート絶縁膜を形成する工程、
（ｂ）前記ゲート絶縁膜上に、第1多結晶シリコン膜を形成する工程、
（ｃ）前記第1多結晶シリコン膜上に、非晶質シリコン膜を形成する工程、
（ｄ）前記非晶質シリコン膜上に、第１絶縁膜を形成する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後に、熱処理を施すことによって、前記非晶質シリコン膜を結晶化して、前記第１多結晶シリコン膜を含む第２多結晶シリコン膜を形成する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程後に、前記第２多結晶シリコン膜をパターニングすることで、前記電界効果トランジスタのゲート電極を形成する工程、
（ｇ）前記半導体基板上に、前記ゲート電極を覆うように、第２絶縁膜を堆積する工程、
（ｈ）前記（ｇ）工程後に、前記第２絶縁膜を異方性エッチングすることで、前記ゲート電極の側壁にサイドウォールスペーサを形成する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程で形成される第１多結晶シリコン膜の膜厚は、前記（ｃ）工程で形成される非晶質シリコン膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程で、前記熱処理の温度は９００〜１０００℃であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程で、前記第１絶縁膜はＣＶＤ法によって堆積されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程で、前記第１絶縁膜を形成する際の温度は、前記非晶質シリコン膜が結晶化しない温度で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程で、前記第１絶縁膜を形成する際の温度は、６００℃以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｆ）工程と前記（ｇ）工程の間に、前記半導体基板にイオン注入することによって、前記電界効果トランジスタのソース・ドレイン領域の一部となる第１半導体領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｈ）工程の後に、前記半導体基板にイオン注入することによって、前記電界効果トランジスタのソース・ドレイン領域の一部となり、且つ、前記第１半導体領域よりも不純物濃度の高い第２半導体領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程と前記（ｆ）工程の間に、前記第２多結晶シリコン膜に不純物を導入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月21日(2006.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅とタングステンを含む合金、銅とモリブデンとを含む合金、銅とタングステンとモリブデンとを含む合金、アルミニウムと炭化シリコンを含む複合材料、および、シリコンと炭化シリコンとを含む複合材料からなる群より選ばれた１種の材料からなる基材と、
前記基材の少なくとも一部の表面の上に形成された電気絶縁膜とを備え、
前記電気絶縁膜は、ダイヤモンド・ライク・カーボン膜、酸化アルミニウム膜および酸化シリコン膜からなる群より選ばれた１種の膜からなる複数層を含む、半導体装置用基板。
【請求項２】
前記電気絶縁膜の厚みは、前記基材の表面粗さ以上である、請求項１に記載の半導体装置用基板。
【請求項３】
前記基材の表面粗さはＲｍａｘで０．１μｍ以上２０μｍ以下である、請求項２に記載の半導体装置用基板。
【請求項４】
欠陥部の深さが前記電気絶縁膜の厚みの２／３以下である、請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の半導体装置用基板。
【請求項５】
前記電気絶縁膜は、半導体素子が搭載される前記基材の表面の上に形成されている、請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の半導体装置用基板。
【請求項６】
前記銅とタングステンを含む合金、銅とモリブデンとを含む合金、および、銅とタングステンとモリブデンとを含む合金は、銅を５質量％以上４０質量％以下含む、請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の半導体装置用基板。
【請求項７】
前記アルミニウムと炭化シリコンを含む複合材料は、アルミニウムを２０質量％以上９０質量％以下含む、請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の半導体装置用基板。
【請求項８】
前記シリコンと炭化シリコンとを含む複合材料は、シリコンを１０質量％以上３５質量％以下含む、請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の半導体装置用基板。
【請求項９】
銅とタングステンを含む合金、銅とモリブデンとを含む合金、銅とタングステンとモリブデンとを含む合金、アルミニウムと炭化シリコンを含む複合材料、および、シリコンと炭化シリコンとを含む複合材料からなる群より選ばれた１種の材料からなる基材と、
前記基材の少なくとも一部の表面の上に形成された電気絶縁膜と、
前記電気絶縁膜の上に接着された半導体素子とを備え、
前記電気絶縁膜は、ダイヤモンド・ライク・カーボン膜、酸化アルミニウム膜および酸化シリコン膜からなる群より選ばれた１種の膜からなる複数層を含む、半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明に従った半導体装置用基板は、基材と、この基材の少なくとも一部の表面の上に形成された電気絶縁膜とを備える。基材は、銅とタングステンを含む合金、銅とモリブデンとを含む合金、銅とタングステンとモリブデンとを含む合金、アルミニウムと炭化シリコンを含む複合材料、および、シリコンと炭化シリコンとを含む複合材料からなる群より選ばれた１種の材料からなる。電気絶縁膜は、ダイヤモンド・ライク・カーボン膜、酸化アルミニウム膜および酸化シリコン膜からなる群より選ばれた１種の膜からなる複数層を含む。ここで、ダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）とは、天然ダイヤモンドと同じ炭素のＳＰ3結合とグラファイトと同じ炭素のＳＰ2結合とそれに水素との結合とを含む炭素の同素体または非晶質の炭化水素のことをいう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この発明に従った半導体装置は、基材と、この基材の少なくとも一部の表面の上に形成された電気絶縁膜と、この電気絶縁膜の上に接着された半導体素子とを備える。基材は、銅とタングステンを含む合金、銅とモリブデンとを含む合金、銅とタングステンとモリブデンとを含む合金、アルミニウムと炭化シリコンを含む複合材料、および、シリコンと炭化シリコンとを含む複合材料からなる群より選ばれた１種の材料からなる。電気絶縁膜は、ダイヤモンド・ライク・カーボン膜、酸化アルミニウム膜および酸化シリコン膜からなる群より選ばれた１種の膜からなる複数層を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
以上のように、この発明によれば、基材の少なくとも一部の表面の上に形成された電気絶縁膜が、ダイヤモンド・ライク・カーボン膜、酸化アルミニウム膜および酸化シリコン膜からなる群より選ばれた１種の膜からなる複数層を含むように構成されるので、その電気絶縁膜の上に半導体素子を固着しても、半導体素子と基材との間でより高い電気絶縁性を保つことができ、搭載される半導体素子の駆動電圧のより一層の安定化を図ることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対のリ−ド部材の一端部間に低融点可溶合金を接続して絶縁ケ−スに収容し、前記リード部材の他端部を耐熱封着材で気密固着して導出端子とした温度ヒューズであって、前記耐熱封着材は樹脂材と無機物添加材とを有し、前記低融点可溶合金は有害金属を含まずＳｎを主成分に含み動作温度を２１３℃〜２２２℃の範囲内に設定できる合金である可溶合金型温度ヒューズ。
【請求項２】
前記低融点可溶合金は２．０〜４．０重量％のＡｇと残部がＳｎとからなる二元合金であり、動作温度を２２０±２℃に設定したことを特徴とする請求項１に記載の可溶合金型温度ヒュ−ズ。
【請求項３】
前記低融点可溶合金は２．０〜４．０重量％のＡｇと、０．２〜２．５重量％のＣｕと、残部がＳｎとからなる三元合金であり、動作温度を２１８±２℃に設定したことを特徴とする請求項１に記載の可溶合金型温度ヒュ−ズ。
【請求項４】
前記低融点可溶合金は２．０〜４．０重量％のＡｇと、０．２〜０．８重量％のＣｕと、０．５〜３．０重量％のＩｎと、残部がＳｎとからなる四元合金であり、動作温度を２１６±２℃に設定したことを特徴とする請求項１に記載の可溶合金型温度ヒュ−ズ。
【請求項５】
前記耐熱封着材の前記無機物添加材は前記樹脂材１００重量部に対して０．０１〜１０．０重量部の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の可溶合金型温度ヒュ−ズ。
【請求項６】
前記無機物添加材は平均粒径が０．５〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項５に記載の可溶合金型温度ヒュ−ズ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
同様に、感温材の合金組成がＡｇを２．０〜４．０重量％、Ｃｕを０．２〜２．５重量％、残部Ｓｎの可溶合金を使用することで２１８±２℃の動作温度を有する温度ヒューズを実現する。この場合、Ｃｕの適正量は０．２〜２．５重量％の範囲で、好ましくは９６．５Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ（重量％）である。この三元合金の固相線温度は２１８℃であり、液相線温度は２２１℃である。図３はこの場合のＤＳＣチャートを示す。それ以外の場合、例えばＣｕの添加量が０．２重量％未満の０．１重量％の場合、溶融温度が２２４℃となって所望する効果は得られず、前述の二元合金とほぼ同じ溶断温度となった。また、Ｃｕの割合が２．５重量％を超えると急激に固液共存域が増大し、溶断動作の安定性が損なわれ製品化が困難であった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
さらに、感温材の合金組成がＡｇを２．０〜４．０重量％、Ｉｎを０．５〜３．０重量％、Ｃｕを０．２〜０．８重量％、残部Ｓｎの四元合金を使用することで２１６±２℃の動作温度を有する温度ヒューズが実現できる。合金に対するＩｎの適正量は０．５〜３．０重量％の範囲であり、好ましく、９５．３Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．７Ｃｕ−１．０Ｉｎである。この合金の固相線温度は２１５℃であり、液相線温度は２１８℃である。図４にこの場合のＤＳＣチャートを示す。それ以外の場合、例えば、Ｉｎの添加量が０．５重量％未満の０．４重量％の場合、溶融温度が２２０℃となって所望する効果が得られず、上記三元合金とほぼ同じ溶断温度となった。また、Ｉｎの割合が３．０重量％を超えると急激に固液共存域が増大し、溶断動作の安定性が損なわれ製品化が困難であった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上述する実施例１と同様の耐熱封着材を用いて第２の低融点可溶合金を使用した可溶合金型温度ヒューズを作製した。この実施例２はＳｎを９６重量％、Ａｇを３．５重量％、Ｃｕを０．５重量％の組成とした三元合金をφ０．７ｍｍの線材として可溶合金型温度ヒューズにした。この実施例２について、３０個を１０ｍＡの検知電流を通電しながら１℃／分の割合で温度上昇する恒温槽の気相中で動作させたところすべてが２１８±２℃の動作温度範囲内にあった。また、実施例２の各１０個を２００℃の高温中でそれぞれ５００時間、１０００時間、２０００時間および３０００時間保管してそれぞれの比抵抗を試験したところ４．０×１０−３〜４．４×１０−３Ω・ｍの範囲内に維持されていた。さらに、それぞれの時間にわたり高温保管した経過後の動作温度を測定して２１８±５℃の範囲内にあることを確認した。この実施例２は後述する比較例と比べて高温保管寿命において大幅な改善がみとめられた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
さらに、実施例２と同様の耐熱封着材を用いて第３の低融点可溶合金を使用した可溶合金型温度ヒューズを作製した。この実施例３はＳｎを９５．３重量％、Ａｇを３．０重量％、Ｃｕを０．７重量％、Ｉｎを１．０重量％の組成とした四元合金をφ０．７ｍｍの線材として可溶合金型温度ヒューズにした。この実施例３について、３０個を１０ｍＡの検知電流を通電しながら１℃／分の割合で温度上昇する恒温槽の気相中で動作させたところすべてが２１６±２℃の動作温度範囲内にあった。また、実施例３の各１０個を２００℃の高温中でそれぞれ５００時間、１０００時間、２０００時間および３０００時間保管してそれぞれの比抵抗を試験したところ４．０×１０−３〜４．４×１０−３Ω・ｍの範囲内に維持されていた。さらに、それぞれの時間にわたり高温保管した経過後の動作温度を測定して２１６±５℃の範囲内にあることを確認した。この実施例３は後述する比較例と比べて高温保管寿命において大幅な改善がみとめられた。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月30日(2007.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の透明基板により挟持された複屈折性材料を有する位相変調素子において、前記複屈折性材料の反対側の前記透明基板表面に形状加工を施した構造性複屈折構造を有することを特徴とする位相変調素子。
【請求項２】
前記構造性複屈折構造は、前記レーザー光源から出射されるレーザー光波長の半波長以下のピッチで形成された一次元位相格子であることを特徴とする請求項１に記載の位相変調素子。
【請求項３】
前記一次元位相格子の形状は、矩形波形状、三角波形状、または正弦波形状であることを特徴とする請求項２に記載の位相変調素子。
【請求項４】
前記一次元位相格子のデューティー比が５０％であることを特徴とする請求項２に記載の位相変調素子。
【請求項５】
前記構造性複屈折構造が形成された表面に、位相差板をさらに貼り合わせてなることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の位相変調素子。
【請求項６】
前記一次元位相格子の格子ベクトルの方位と、前記位相差板の方位の成す角が、５０度以上７０度以下、または１４０度以上１６０度以下となるように設定されていることを特徴とする請求項５に記載の位相変調素子。
【請求項７】
前記複屈折性材料は、液晶であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の位相変調素子。
【請求項８】
レーザー光源と、対物レンズと、前記レーザー光源と前記対物レンズとの間に配置された位相変調素子とを備えた光ピックアップにおいて、前記位相変調素子は、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の位相変調素子であることを特徴とする光ピックアップ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】位相変調素子およびこれを備えた光ピックアップ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の目的は上記問題点を解決し、熱膨張の際にも透過波面を乱し難く、四分の一波長板もしくは広帯域四分の一波長板と収差補正機能を有する位相変調素子およびこれを備えた小型の光ピックアップを提供するものである。    
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明の位相変調素子は、２枚の透明基板により挟持された複屈折性材料を有する位相変調素子において、複屈折性材料の反対側の透明基板表面に形状加工を施した構造性複屈折構造を有することを特徴とする。
また、構造性複屈折構造は、レーザー光源から出射されるレーザー光波長の半波長以下のピッチで形成された一次元位相格子であることを特徴とする。
また、一次元位相格子の形状は、矩形波形状、三角波形状、または正弦波形状であることを特徴とする。
また、一次元位相格子のデューティー比が５０％であることを特徴とする。
また、構造性複屈折構造が形成された表面に、位相差板をさらに貼り合わせてなることを特徴とする。
また、一次元位相格子の格子ベクトルの方位と、位相差板の方位の成す角が、５０度以上７０度以下、または１４０度以上１６０度以下となるように設定されていることを特徴とする。
また、複屈折性材料は、液晶であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明における光ピックアップは、レーザー光源と、対物レンズと、このレーザー光源と対物レンズとの間に配置された位相変調素子とを備え、この位相変調素子は、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の位相変調素子であることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
したがって、進んだ距離ｚに関して積分すれば、Ｙ軸方向の偏光に対する光路長を得ることができる。また、（数３）により得られる平均屈折率は、ｚに対し徐々に変化するため、境界面での屈折率の不連続が発生しない。そのため、この構成における一次元位相格子４０３の形状加工が施された三角形状は、無反射コートの役割も果たす。また、この一次位相格子４０３に形成する形状に、三角波形状の代わりに正弦波状の格子を用いてもよ
い。この場合は、位相型感光材料に対し平面波の二光束干渉法により正弦波位相構造を容易に作成することができるという利点を有する。