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【手続補正書】
【提出日】平成19年1月30日(2007.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
ところで、燃料電池を燃料電池自動車や携帯端末等の電源としての実用性を向上するために、小型化かつ高出力化が望まれており、その手段の一つとして、上記単位電池を薄型化し、スタックを高密度化することが求められている。しかし、単位電池構成の薄型化には、幾つかの問題が伴う。その一つとして、単位電池の構造を薄くすればする程、燃料ガスや空気の流路を確保し難くなるという問題がある。すなわち、図１２に示した単位電池１０２では、上下方向にマニホールド１０６が形成されており、このマニホールド１０６から供給される燃料ガスや空気はこのガス連通路１１１に枝分かれして、ガス拡散電極の面方向に沿って形成されるガス流路溝１４１を介して、燃料極、空気極へと供給され、また、未反応の燃料ガスや、空気極側の水分等は、異なるガス連通路からガス排出用のマニホールド１０６へと排出される。ところが、従来構成の単位電池１０２の構造を単純に薄型化させると、それに伴いガス連通路１１１も狭くなり、発電部１０３に燃料ガスや空気を十分に供給するのが難しくなり、単位電池１０２の起電力が低下してしまうのである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、上述したように、本実施例の単位電池２にあっては、発電構造体１０とセパレータ４との間に、発電部３の端部を厚み方向から支持する支持部材９を配設する。図１０，１１に示すように、この支持部材９は、成形した二片のステンレス鋼板を幅方向に接合してなるものであり、方形状の支持板９０と、支持板９０の中央及び側端に設けられた脚部９１とで構成される。この支持部材９は、図７に示すように、連通溝４５と略同じ大きさをなし、予めセパレータ４の各連通溝４５の底面に脚部９１を当接させた状態で固着される。そして、この支持部材９は、図３，４に示すように、セパレータ４と発電構造体１０とを積層した状態で、その支持板９０を通気段溝５３ａの底面に被着させると共に、支持板９０の内側端で発電部３の端部を厚み方向から支持する（図３中のｘ）。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月5日(2007.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光源とファンレスタイプのマイナスイオン発生源を装着したダウンライト。
【請求項２】
発光源とマイナスイオン発生源を装着したダウンライトであって、マイナスイオン発生源が、筒状電極と針状電極とを対向配置して対置放電電極を構成し、針状電極を負電極、筒状電極を正電極として直流の高電圧を印加することによって、マイナスイオンを含む風を放出するマイナスイオン発生器であることを特徴とする請求項１に記載のマイナスイオン発生器付きダウンライト。
【請求項３】
少なくとも下方を開口した筐体内に光源の光を反射する反射笠と、該反射笠と筐体の側板との間にマイナスイオン発生源を配したことを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載のマイナスイオン発生器付きダウンライト。
【請求項４】
少なくとも下方を開口した筐体内に光源の光を反射する反射笠を設け、該反射笠にマイナスイオン風の送出穴を設け、該反射笠を下方から着脱自在に装着したことを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載のマイナスイオン発生器付きダウンライト。
【請求項５】
照明範囲とマイナスイオン放射範囲を重複させたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のマイナスイオン発生器付きダウンライト。
【請求項６】
マイナスイオン発生源として、対置放電電極と負電極とする単針状の放電電極とを組み合わせて構成したことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のマイナスイオン発生器付きダウンライト。
【請求項７】
発光源として殺菌燈を用いることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のマイナスイオン発生器付きダウンライト。
【請求項８】
少なくとも下方を開口した筐体の下方開口に、光用の開口とマイナスイオン風の送出穴を形成した外装板体を装着し、該外装板体に放電電極を装着した放電電極装着体を下方から着脱自在に装着したことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のマイナスイオン発生器付きダウンライト。
【請求項９】
筒状電極の筒が、筒状あるいは厚さ３〜３０mmの厚板に貫通孔を設けて形成したトンネルであることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のマイナスイオン発生器付きダウンライト。
【請求項１０】
針状電極及び／又は単針状電極はチタンあるいはチタン系素材製とし、筒状電極は酸化チタン等の光触媒を含む電極素材であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のマイナスイオン発生器付きダウンライト。
【請求項１１】
対置放電電極の針状電極は、筒状電極の筒の軸線延長上に位置し、開口面から１〜５mm好ましくは２〜３mmの間隔を離して配置されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のマイナスイオン発生器付きダウンライト。
【請求項１２】
単針状の電極からマイナスイオンが放出され、対置放電電極からは、コロナ放電によって、マイナスイオンと少量のオゾンが放出されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載のマイナスイオン発生器付きダウンライト。
【請求項１３】
対置放電電極を複数設けたことを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載のマイナスイオン発生器付きダウンライト。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月28日(2006.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物品を液体で処理する処理装置であって、
底部に液体注入口を有する処理槽と、
処理すべき物品が配置される位置と前記底部との間に配置された整流板と、
前記整流板と前記液体注入口との間に前記液体注入口を覆うように広がった分散部とを備え、
前記分散部は、
前記液体注入口に対向する対向部と、
前記対向部と前記液体注入口との間の空間を囲む囲包部と、
前記囲包部の下端から外側方向に延びた鍔部と、
を含むことを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記囲包部は、円形状の断面を有することを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記鍔部は、円形状の外周部を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の処理装置。
【請求項４】
前記鍔部の下面と前記底部との距離が、前記鍔部の底面と前記整流板との距離よりも短いことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項５】
前記分散部は、前記整流板によって支持されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項６】
前記分散部は、前記対向部において前記整流板によって支持されていることを特徴とする請求項５に記載の処理装置。
【請求項７】
物品を液体で処理する処理方法であって、
底部に液体注入口を有する処理槽内であって、前記底部の上方に前記処理槽を上下に仕切るように配置された整流板の上方に、処理対象の物品を配置する配置工程と、
前記液体注入口を通して前記処理槽内に供給される液体を前記整流板と前記液体注入口との間に配置された分散部によって分散し前記整流板を通して該物品に供給しながら該液体によって該物品を処理する処理工程とを含み、
前記分散部として、前記液体注入口に対向する対向部と、前記対向部と前記液体注入口との間の空間を囲む囲包部と、前記囲包部の下端から外側方向に延びた鍔部とを含む部材を使用する、
ことを特徴とする処理方法。
【請求項８】
前記処理工程は、前記液体によって物品を洗浄、エッチング又は陽極化成する工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の好適な実施形態によれば、前記囲包部は、円形状の断面を有することが好ましい。また、前記鍔部は、円形状の外周部を有することが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第２の側面は、物品を液体で処理する処理方法に係り、底部に液体注入口を有する処理槽内であって、前記底部の上方に前記処理槽を上下に仕切るように配置された整流板の上方に、処理対象の物品を配置する配置工程と、前記液体注入口を通して前記処理槽内に供給される液体を前記整流板と前記液体注入口との間に配置された分散部によって分散し前記整流板を通して該物品に供給しながら該液体によって該物品を処理する処理工程とを含み、前記分散部として、前記液体注入口に対向する対向部と、前記対向部と前記液体注入口との間の空間を囲む囲包部と、前記囲包部の下端から外側方向に延びた鍔部とを含む部材を使用する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図１に示す処理装置１００は、底部に液体注入口５を有する処理槽１と、ウエハ２が配置される位置と処理槽１の底部との間に配置されて処理槽１を上下に仕切る整流板４と、整流板４と液体注入口５との間に液体注入口５をその上方において覆うように広がった分散部１０とを備えている。ウエハ２は、１枚ごとに処理されてもよいが、複数枚が一括して処理されてもよい。後者は、バッチ式と呼ばれる。ウエハ２は、ホルダ３によって、典型的には、処理槽１の底面に対して垂直に保持されうる。ホルダ３は、処理槽１内の部材に固定されていてもよいし、処理槽１から分離可能な可搬型（キャリア）として構成されてもよい。ここで、ホルダ３は、整流板４から垂直方向に延びた部材によって構成されることが好ましく、このようなホルダ３によれば、処理槽１中に形成される垂直方向の層流を乱すことがない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
分散部１０は、例えば、整流板４によって吊り下げ状態で支持されうる。ここで、分散部１０は、対向部８の中央部が整流板４によって支持されることが好ましく、このような支持構造は、整流板４の下面における液体の流動を阻害せず、整流板４の下面に均一に液体の圧力を作用させることに寄与する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
以上のような処理装置１００を使用した処理方法は、ホルダ３に処理対象物品としてのウエハ２を設置する設置工程と、この液体によってウエハ２を処理する処理工程とを含みうる。処理工程では、液体注入口５を通して処理槽１内に処理用液体を供給し、この液体の圧力を分散部１０の圧力緩和空間２０で緩和し、鍔部７と処理槽１の底面との間を通して放射状に分散部１０から分散させ、更に整流板４を通して層流に代えてウエハ２に供給しながらウエハ２を処理する。処理用液体として洗浄液を使用することによりウエハ２を洗浄することができ、エッチング液を使用することによりウエハ２をウエットエッチングすることができ、所定の電解液（例えば、フッ化水素酸を含有する液）を使用してウエハ２を通して電流を流すことによってウエハ２の片面を電解研磨又は多孔質化（陽極化成）することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
ここで、以上のような構成を有する分散部１０に代えて、例えば、円盤部材を鍔材７の高さに配置した構成例においては、液体注入口５を通して処理槽１内に供給される液体の圧力を緩和することができず、乱流を生じさせうるし、流体抵抗が増すために液体の循環速度を低下させうる。一方、分散部１０に代えて、円盤部材を処理槽１の底部よりも整流板４に近い位置に配置した場合、例えば、対向部８の高さに配置した場合には、整流板４の下面に対して、横方向に不均一な圧力分布を有する液体が供給されるので、整流板４によって均一な流れを有する液体流を形成することができない。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月7日(2007.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
図７は、ローパスフィルタの出力特性を示す図である。図７における横軸は周波数、縦軸は、利得を示している。カットオフ周波数ｆC2は、利得が平坦な部分から３ｄＢ低下した位置における周波数と決められている。ローパスフィルタでは、入力信号のうちカットオフ周波数ｆC2以下の周波数帯域（以下、通過帯域Ｒａという）の信号は出力されるが、カットオフ周波数ｆC2よりも高い周波数帯域（以下、阻止帯域Ｒｂという）の信号は、ほぼ除去されて出力されない。
【特許文献１】特開平１１−１６８１７５号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
ところで、定電圧ダイオード６０６の接合容量Ｃ2は、定電圧ダイオード６０６を構成
するＰ型半導体部とＮ型半導体部のＰＮ接合部に形成される空乏層の幅に反比例するので、入力電圧が変化すると空乏層の幅が変化し、上記式（１）で表されるカットオフ周波数ｆC2も変化してしまう。このようにカットオフ周波数ｆC2が変化すると、通過帯域Ｒａと阻止帯域Ｒｂとが変動するために、入力信号のうち、集積回路６１０に入力すべき周波数信号を除去してしまったり、除去されるべき周波数信号が後続の集積回路６１０に入力されたりする。このように、従来の保護回路６００では、入力電圧によってカットオフ周波数ｆC2が変化してしまうため、ローパスフィルタとしての働きは充分ではなかった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
次に、仕掛かり回路保護装置３４０の表面に、電子ビーム蒸着法等によりアルミニウムを蒸着して入力電極１５１、出力電極１５２を形成する。この仕掛かり状態の回路保護装置を仕掛かり回路保護装置３５０という。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月22日(2007.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板の一主面側に形成された配線と、前記配線に連絡されたメモリ部を備え、
前記メモリ部は、第一電極と、前記第一電極の上に形成されたシリコンを含むシリコン膜と、前記シリコン膜の上に形成された第二電極と、を有し、
前記半導体基板の主面上であり、かつ前記第一電極の下地として形成された誘電体膜を有し、
前記第一電極は、シリコン、ニッケルシリサイド、コバルトシリサイドの少なくともいずれかを主構成材料として含み、前記第二電極はコバルト或はニッケルを主構成材料として含み、前記誘電体膜は酸化ハフニウムまたは、酸化ジルコニウムを主構成材料とし、前記半導体基板は（１１１）面が前記主面側を向くよう形成され、
前記シリコン膜と前記第二電極とをシリサイド化反応させることによりプログラミングを行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第一電極と前記第二電極との間にシリサイド層と前記シリコン膜が形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記半導体基板はシリコン基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体基板と、前記半導体基板の一主面側にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極に対応して形成されたソースドレイン領域と、
前記ソースドレイン領域の上に形成された誘電膜と、
前記誘電膜の上に形成され、前記ソースドレイン領域と電気的に連絡するメモリ部と、を有し、
前記メモリ部は、第一電極と、前記第一電極の上に形成されたシリコンを含むシリコン膜と、前記シリコン膜の上に形成された第二電極と、を有し、
前記半導体基板の主面上であり、かつ前記第一電極の下地として形成された誘電体膜を有し、
前記第一電極は、シリコン、ニッケルシリサイド、コバルトシリサイドの少なくともいずれかを主構成材料として含み、前記第二電極はコバルト或はニッケルを主構成材料として含み、前記誘電体膜は酸化ハフニウムまたは、酸化ジルコニウムを主構成材料とし、前記半導体基板は（１１１）面が前記主面側を向くよう形成され、
前記シリコン膜と前記第二電極とをシリサイド化反応させることによりプログラミングを行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
半導体基板と、前記半導体基板の一主面側に形成された配線層と、前記配線層に電気的に連絡する整流部と、前記整流部に電気的に連絡するメモリ部と、を有し、
前記メモリ部は、第一電極と、前記第一電極の上に形成されたシリコンを含むシリコン膜と、前記シリコン膜の上に形成された第二電極と、を有し、
前記半導体基板の主面上であり、かつ前記第一電極の下地として形成された誘電体膜を有し、
前記第一電極は、シリコン、ニッケルシリサイド、コバルトシリサイドの少なくともいずれかを主構成材料として含み、前記第二電極はコバルト或はニッケルを主構成材料として含み、前記誘電体膜は酸化ハフニウムまたは、酸化ジルコニウムを主構成材料とし、前記半導体基板は（１１１）面が前記主面側を向くよう形成され、
前記シリコン膜と前記第二電極とをシリサイド化反応させることによりプログラミングを行うことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月30日(2007.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン材料からなる被加工物をエッチング液に浸漬して電位を掛けることにより異方性エッチングするウエットエッチング装置であって、前記エッチング液に浸漬された一対の電極間の電位差を計測するための電位差計測手段と、前記電位差計測手段の出力に基づいてエッチング加工中のエッチングレートを制御するエッチングレート制御手段とを有することを特徴とするウエットエッチング装置。
【請求項２】
前記エッチングレート制御手段は、エッチング加工中のエッチングレートが一定となるように制御していることを特徴とする請求項１に記載のウエットエッチング装置。
【請求項３】
シリコン材料からなる被加工物をエッチング液に浸漬して異方性エッチングするウエットエッチング方法であって、
エッチング加工中のエッチング液に浸漬された一対の電極間の電位差を計測する工程と、
計測された電位差に基づいてエッチング加工中のエッチングレートを制御する工程と、を有することを特徴とするウエットエッチング方法。
【請求項４】
シリコン材料からなる被加工物をエッチング液に浸漬して異方性エッチングするウエットエッチング方法であって、
エッチング加工中のエッチング液に浸漬された一対の電極間の電位差を計測する工程と、
計測された電位差に基づいてエッチング加工中のエッチングレートを制御する工程と、を有することを特徴とするウエットエッチング方法。
【請求項５】
前記エッチング加工中のエッチングレートは、新たなエッチング液または純水を調合することにより、一定の値となるように制御していることを特徴とする請求項４に記載のウエットエッチング方法。
【請求項６】
液体供給口を有するシリコン基板と、前記液体供給口から供給された液体を被記録媒体に向って吐出する吐出手段とを備えた液体吐出ヘッドの製造方法であって、
温度調整されたエッチング液に前記シリコン基板を浸漬して異方性エッチングによって前記液体供給口を形成するエッチング工程を有し、
エッチング工程中の前記エッチング液に浸漬された一対の電極間の電位差を計測し、その計測値に基づいて新たなエッチング液または純水を調合することで、前記液体供給口が所定の開口寸法になるようにエッチングレートを制御することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記の目的を達成するため、本発明のウエットエッチング装置は、シリコン材料からなる被加工物をエッチング液に浸漬して電位を掛けることにより異方性エッチングするウエットエッチング装置であって、前記エッチング液に浸漬された一対の電極間の電位差を計測するための電位差計測手段と、前記電位差計測手段の出力に基づいてエッチング加工中のエッチングレートを制御するエッチングレート制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のウエットエッチング方法は、シリコン材料からなる被加工物をエッチング液に浸漬して異方性エッチングするウエットエッチング方法であって、エッチング加工中のエッチング液に浸漬された一対の電極間の電位差を計測する工程と、計測された電位差に基づいてエッチング加工中のエッチングレートを制御する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
このように、アルカリ水溶液よりなるエッチング液を用いてシリコン材料からなる被加工物Ｗ1 をエッチングするためのウエットエッチング装置において、エッチング液に浸された一対の電極間の電位差を測定するための電位差計測手段である電位差計１０を配備している。この電位差計の計測値に基づいてコンピューター１１によってエッチングレート制御手段である廃液バルブ１２、純水供給ライン７、エッチング液供給ライン８を制御することで、新たなエッチング液または純水の調合を行い、前記電位差を一定に保つことによってエッチングレートの安定化を図る。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月9日(2007.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テーブルのテーブル面にスクリーンを設け、該テーブル内に設けた投写装置から該スクリーンに映像を投写して表示させるテーブル型情報端末において、
該テーブル内に、
該スクリーンを撮像するカメラ部と、
該カメラ部からの映像信号から該スクリーンでの該テーブル面に置かれた物体の該シルエットを検出して、該シルエットを生じさせる該物体の種類を判定する手段と
を設けたことを特徴とするテーブル型情報端末。
【請求項２】
請求項１において、
前記スクリーン上に、前記テーブル面に置かれた物体のシルエットを生じさせる手段を設けたことを特徴とするテーブル型情報端末。
【請求項３】
請求項２において、
前記物体のシルエットを生じさせる手段は、前記スクリーンに投写される映像の光の波長領域とは異なる所定波長領域の光を放射する発光手段であって、前記スクリーン全体が該光によって均一に照射され、
前記カメラ部は、該所定波長領域の光のみを受光することを特徴とするテーブル型情報端末。
【請求項４】
請求項２または３において、
前記テーブルは、略横長矩形の天板を有し、
前記物体のシルエットを生じさせる手段は、前記テーブルの該天板の１つの長辺に沿って設けられた衝立に取り付けられた赤外線ＬＥＤであることを特徴とするテーブル型情報端末。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つにおいて、
前記シルエットを生じさせる物体の種類の判定は、前記物体が前記スクリーンに表示される映像を操作するための物体か、それ以外の物体かの判定であることを特徴とするテーブル型情報端末。
【請求項６】
テーブルのテーブル面にスクリーンを設け、該テーブル内に設けた投写装置から該スクリーンに映像を投写して表示させるテーブル型情報端末において、
該テーブル面に、該スクリーンへの物体のタッチ位置及びタッチ領域を検出するためのタッチセンサを設けるとともに、
該テーブル内に、該タッチセンサの検出出力により、該スクリーンにタッチする物体の種類を判定する判定手段を設けたことを特徴とするテーブル型情報端末。
【請求項７】
請求項６において、
前記スクリーンにタッチする物体の種類の判定は、前記物体が前記スクリーンに表示される映像を操作するための物体か、それ以外の物体かの判定であることを特徴とするテーブル型情報端末。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月5日(2007.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  異なる色の画素が繰り返し配列された撮像素子と、
前記撮像素子の補正対象となる画素の周囲の画素を用いて、前記異なる色の差を示す色キャリアレベルを検出する検出手段と、
前記補正対象となる画素の周囲の画素を用いて、前記補正対象となる画素の補間値を得る補間手段と、
前記色キャリアレベルと前記補間値を合成した値を用いて前記補正対象となる画素の値を補正する補正手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】  前記撮像素子の欠陥画素の位置を記憶するメモリを有し、
前記補正手段は、前記メモリに記憶された位置の画素に対して前記補正を行い、前記メモリに記憶された位置ではない画素に対して前記補正を行わないことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】  前記メモリに記憶された位置に応じて補正パルスを出力する発生手段を有し、
前記補正手段は、前記補正パルスが供給されたときに前記補正を行うことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】  前記検出手段は、補正対象となる画素と同色の複数の画素の信号の平均と、補正対象となる画素と異なる色の複数の画素の信号の平均との差により、前記色キャリアレベルを検出することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】  前記補間手段は、前記補正対象となる画素の左右の画素の平均により前記補間値を得ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】  異なる色の画素が繰り返し配列された撮像素子の補正対象となる画素の周囲の画素を用いて、前記異なる色の差を示す色キャリアレベルを検出する検出ステップと、
前記補正対象となる画素の周囲の画素を用いて、前記補正対象となる画素の補間値を得る補間ステップと、
前記色キャリアレベルと前記補間値を合成した値を用いて前記補正対象となる画素の値を補正する補正ステップとを有することを特徴とする撮像方法。
【請求項７】  請求項６に記載の撮像方法の各ステップをコンピュータに実行させるためのプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の撮像装置は、異なる色の画素が繰り返し配列された撮像素子と、前記撮像素子の補正対象となる画素の周囲の画素を用いて、前記異なる色の差を示す色キャリアレベルを検出する検出手段と、前記補正対象となる画素の周囲の画素を用いて、前記補正対象となる画素の補間値を得る補間手段と、前記色キャリアレベルと前記補間値を合成した値を用いて前記補正対象となる画素の値を補正する補正手段とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の撮像方法は、異なる色の画素が繰り返し配列された撮像素子の補正対象となる画素の周囲の画素を用いて、前記異なる色の差を示す色キャリアレベルを検出する検出ステップと、前記補正対象となる画素の周囲の画素を用いて、前記補正対象となる画素の補間値を得る補間ステップと、前記色キャリアレベルと前記補間値を合成した値を用いて前記補正対象となる画素の値を補正する補正ステップとを有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の記憶媒体は、上記した本発明の撮像方法の各ステップをコンピュータに実行させるためのプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能なものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図１は本発明の実施形態のカラー撮像装置の主要構成を示すブロック図である。この図１において、１はカラーモザイクフィルタを撮像面に配置したカラー撮像素子であるＣＣＤであり、２はＣＣＤ１を駆動するＣＣＤ駆動パルス及び同期パルスＰｓを発生するタイミング発生部、３はＣＣＤ１の出力信号をディジタル信号に変換するＡＤコンバータ、４はＡＤコンバータ３の出力信号から、欠陥画素の周囲におけるＣＣＤ１のカラーモザイクフィルタの繰り返し周期により決まる周波数の色キャリアを検出するキャリア検出部、５はＣＣＤ１の欠陥画素をその画素の周囲の画素の信号を用いて補間する補間部、６はキャリア検出４で検出されたキャリアと補間部５で補間された信号とを合成する合成部、７はスイッチ回路、８はＣＣＤ１の欠陥画素の位置情報が予め書き込まれた欠陥位置メモリ、９はタイミング発生部２の出力する同期パルスＰｓと欠陥位置メモリ８の出力とを基にＣＣＤ１の欠陥画素に対応するタイミングで補正パルスＰｃを発生する補正パルス発生部、１０はクランプ回路、色分離回路、ガンマ補正回路、輪郭補正回路、ホワイトクリップ回路及びダーククリップ回路を含み、ＣＣＤ１の出力信号からカラービデオ信号を形成するプロセス回路、１１はビデオ信号の出力端子である。
補間部５、合成部６及びスイッチ回路７を含み補正手段が構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月10日(2006.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
まず、特許文献１のように、スクリュ位置とスクリュ後退速度を検出し、スクリュを計量完了位置で停止させるスクリュ回転数を演算するとともに、演算したスクリュ回転数を回転駆動指令とする制御方法を採用した場合、計量完了位置付近におけるスクリュの回転速度が限りなくゼロに近くなり、スクリュが計量完了位置に達するまでにかなりの時間を要する。このため、スクリュ位置の制御精度を高めるには有利になるものの、サイクル時間の短縮化を図れないため、高速成形を実現する上で極めて不利になるとともに、成形効率及び量産性を高めるにも限界を生じる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、特許文献２のように、設定計量完了位置近傍の設定スクリュ位置までスクリュを後退させた後、設定計量完了位置と現在のスクリュ後退位置の位置偏差に比例するスクリュ回転速度を求めるとともに、設定樹脂圧力と現在の検出樹脂圧力との圧力偏差により補正してスクリュ回転速度指令とする制御方法を採用した場合、設定計量完了位置近傍の制御が位置制御のみとなり、制御対象が固定される。このため、スクリュ位置の制御精度を高めるには有利になるものの、背圧制御はスクリュ回転速度を調整して行う必要があるなど、制御の複雑化を招くとともに、僅かな距離区間で背圧制御を実現する上での応答性及び安定性を確保することが困難となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
以下、スクリュ回転用サーボモータ２０側の作動制御とスクリュ進退用サーボモータ２８側の作動制御を分けて説明する。なお、スクリュ回転用サーボモータ２０の作動制御とスクリュ進退用サーボモータ２８の作動制御はそれぞれ関連しつつ同時に行われる（ステップＳＲ，ＳＢ）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
そして、スクリュ２が計量終了位置Ｘｅに達したならスクリュ２の後退を停止、即ち、サーボモータ２８の回転を停止制御し、サーボロックを行う（ステップＳＢ９，ＳＢ１０）。この状態を図７（ｅ）に示す。この状態ではスクリュ２の後退速度Ｖｄはゼロとなる。図７（ｅ）は、実際に検出された後退速度Ｖｄに基づく後退速度パターンを示す。また、図９は、横軸をスクリュ位置Ｘとしたスクリュ２の後退速度Ｖｄを表したものであるが、後退速度Ｖｄはスクリュ２の回転速度に比例するように変化するため、縦軸のレンジは異なるものの図６に示したスクリュ２の回転速度パターンＡｒとほぼ同じ波形となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
【図１】本発明の最良の実施形態である第一の態様に係る計量制御方法の処理手順を示すフローチャート、
【図２】本発明の最良の実施形態である第二の態様に係る計量制御方法の処理手順を示すフローチャート、
【図３】同計量制御方法を実施できる射出成形機の一部断面平面図、
【図４】同射出成形機に備えるコントローラの主要機能部のブロック系統図、
【図５】同実施形態である第一の態様に係る計量制御方法を実施した際における時間に対するスクリュの回転速度の特性図（回転速度パターン図）、
【図６】同実施形態である第一の態様に係る計量制御方法を実施した際におけるスクリュ位置に対するスクリュの回転速度の特性図（回転速度パターン図）、
【図７】同実施形態である第二の態様に係る計量制御方法を実施した際における時間に対するスクリュの後退速度の特性図（後退速度パターン図）、
【図８】同実施形態である第二の態様に係る計量制御方法を実施した際におけるスクリュの後退速度に対するリミット値の変更原理の説明図、
【図９】同実施形態である第二の態様に係る計量制御方法を実施した際におけるスクリュ位置に対するスクリュの後退速度の特性図（後退速度パターン図）、
【図１０】同計量制御方法を用いた場合のショット数に対する成形品質量の変動データグラフ、
【図１１】同計量制御方法ではない一般的な計量制御方法を用いた場合のショット数に対する成形品質量の変動データグラフ、
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2006346873.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2006346873.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月4日(2007.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアとなるコアロボット玩具に対して他のロボット玩具を分割して得た複数の分割部品を装着することにより大型ロボット玩具を構成する形態変形玩具であって、
前記コアロボット玩具は、外部からスイッチが操作されると発光する発光装置及び／または音を発生する音響発生装置が内蔵されており、
前記コアロボット玩具及び前記複数の分割部品は、前記コアロボット玩具に対して前記複数の分割部品を装着した状態で、前記分割部品の操作部を操作することにより、前記スイッチが操作できるように構成されていることを特徴とする形態変形玩具。
【請求項２】
前記コアロボット玩具は、ロボット玩具本体の内部に前記スイッチを備え、前記コアロボット玩具の一つの外装部品を介して前記スイッチが操作されるように構成されており、
前記一つの外装部品は、コアロボット玩具単体で使用されるときには、前記スイッチを操作可能な第１の位置にあり、前記コアロボット玩具に対して前記複数の分割部品を装着する際には、前記スイッチを前記ロボット玩具本体の外部に露出させることができる第２の位置に変位し得るように前記ロボット玩具本体に対して変位機構を介して取り付けられており、
前記操作部を備えた前記分割部品の内部には、前記コアロボット玩具に対して装着された状態で、前記スイッチを直接的に操作することを可能にする操作機構が内蔵されている請求項１に記載の形態変形玩具。
【請求項３】
前記操作部を備えた前記分割部品は、複数の組立部品から構成されており、
前記複数の組立部品の内部には、前記操作機構が分割されて内蔵されている請求項２に記載の形態変形玩具。
【請求項４】
前記コアロボット玩具は、頭部と、胴部と、一対の腕部と、一対の脚部とを備えた人形ロボット玩具であり、
前記胴部の正面側に発光表示部が設けられており、
前記一つの外装部品は前記頭部を含み前記変位機構を介して前記ロボット玩具本体に連結された構造を有しており、
前記コアロボット玩具単体で使用されるときには、前記頭部が前記胴部の上に位置し、前記コアロボット玩具に前記複数の分割部品が装着される際には、前記頭部が前記胴部の背面側に位置して前記スイッチを露出させるように前記変位機構は構成され、
前記コアロボット玩具に前記複数の分割部品が装着される際に、前記一対の脚部が前記胴部の背面に沿って位置し得るように、前記一対の脚部が変形可能に構成され、
前記コアロボット玩具に前記複数の分割部品が装着された状態で、前記コアロボット玩具は前記スイッチが上方に位置する姿勢で前記大型ロボット玩具の胴部の一部を構成し、
前記大型ロボット玩具の頭部と前記操作部とを含む前記分割部品の内部には、前記コアロボット玩具に対して装着された状態で、前記スイッチを直接的に操作することを可能にする操作機構が内蔵されている請求項２に記載の形態変形玩具。
【請求項５】
前記操作部を備えた前記分割部品は、複数の組立部品から構成されており、
前記複数の組立部品の内部には、前記操作機構が分割されて内蔵され、
前記操作機構は、前記操作部の直線的な動きを、方向を変えながら前記スイッチまで伝達する方向変換型の力伝達機構によって構成されている請求項２または４に記載の形態変形玩具。
【請求項６】
前記操作部は前記胴部の正面側から背面側に向かって押し込まれるスライド部材であり、前記方向変換型の力伝達機構は、前記スライド部材の直線的な動きを、前記ロボット玩具本体内の前記スイッチに向かう方向の直線的な動きに変換するように構成されている請求項５に記載の形態変形玩具。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月25日(2007.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、
Ｐｔ又はＰｄを担持した酸化セリウム−ジルコニア系複合担体を含む第１の触媒層と、
Ｒｈを担持しジルコニアを主成分とする担体を含む第２の触媒層と、
前記第１の触媒層と前記第２の触媒層との間に位置し、ＣｅＯ２もしくはＣｅよりも電気陰性度の低い金属の酸化物を含む拡散障壁層と、
を少なくとも有する排ガス浄化触媒。
【請求項２】
前記拡散障壁層が、酸化セリウム及び酸化ランタンの少なくとも１種を含む請求項１に記載の排ガス浄化触媒。
【請求項３】
前記拡散障壁層の厚さが２０μｍ〜５０μｍである請求項１又は２に記載の排ガス浄化触媒。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の排ガス浄化触媒は、基材上に、Ｐｔ又はＰｄを担持した酸化セリウム−ジルコニア系複合担体を含む第１の触媒層と、Ｒｈを担持しジルコニアを主成分とする担体を含む第２の触媒層と、前記第１の触媒層と前記第２の触媒層との間に位置し、ＣｅＯ２もしくはＣｅよりも電気陰性度の低い金属の酸化物を含む拡散障壁層と、を少なくとも有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の排ガス浄化触媒は、Ｐｔ又はＰｄを含む第１の触媒層と、Ｒｈを含む第２の触媒層との間に、ＣｅＯ２もしくはＣｅよりも電気陰性度の低い金属の酸化物を含む拡散障壁層を設けることで、拡散障壁層によって移動中のＰｔ原子やＰｄ原子をトラップすることができ、活性を落とすことなく高温時におけるＰｔ原子及びＰｄ原子の層間移動を防止することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
これは、第１及び第２の触媒層の担体である酸化セリウム−ジルコニア系複合担体及びジルコニアを主成分とした担体と、ＣｅＯ２もしくはＣｅよりも電気陰性度の低い金属の酸化物を含む拡散障壁層とを組み合わせることで、Ｐｔ原子等の移動を抑制できるためであると推測される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、「ＣｅＯ２もしくはＣｅよりも電気陰性度の低い金属の酸化物」とは、ＣｅＯ２もしくは相対的にＣｅよりも電気陰性度の低い金属の酸化物を意味する。例えば、Ｃｅの電気陰性度が１．０〜１．２程度であるとすると、これよりも電気陰性度の低い金属の酸化物が該当する。尚、本発明において前記拡散障壁層は、金属原子を含まない（但し、層間移動によるものをのぞく）。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
以下、図を用いて本発明の排ガス浄化処理触媒について説明する。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、本発明の排ガス浄化処理触媒の構成を説明するための概略的断面図である。図１（Ａ）に示すように本発明の排ガス浄化処理触媒１０は基材１２上に、酸化セリウム−ジルコニア系複合担体にＰｔ（白金）又はＰｄ（パラジウム）を担持した第１の触媒層１４と、ジルコニアを主成分とした担体にＲｈ（ロジウム）を担持した第２の触媒層１６と、第１の触媒層１４と第２の触媒層１６との間に位置し、ＣｅＯ２もしくはＣｅよりも電気陰性度の低い金属の酸化物を含む拡散障壁層１８と、を少なくとも有する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
拡散障壁層１８は、第１の触媒層１４と第２の触媒層１６との間に位置し、ＣｅＯ２もしくはＣｅよりも電気陰性度の低い金属の酸化物を含む層である。係る拡散障壁層１８によって、高温時における金属貴金属の層間移動を防止することができる。拡散障壁層１８に含まれる前記ＣｅＯ２もしくはＣｅよりも電気陰性度の低い金属の酸化物としては、酸化セリウム（ＣｅＯ2）及び酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）等が挙げられ、耐熱性の観点から、酸化セリウム及び酸化ランタンが好ましい。前記金属の電気陰性度は前記Ｃｅの電気陰性度を１．０とすると、おおよそ０．７９〜１．０が好ましく、０．９〜１．０が更に好ましい。前記金属の電気陰性度は、例えば、酸化物の等電点を指標することが可能である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
拡散障壁層１８には、前記ＣｅＯ２もしくはＣｅよりも電気陰性度の低い金属の酸化物の他に、必要に応じてバインダーを含有させることができる。前記バインダーとしては、上述のゾルを用いることができる。但し、触媒金属の層間移動を十分に抑制する観点からは、ＺｒＯ2ゾル及びＣｅＯ2ゾルが好ましい。拡散障壁層１８中における前記バインダーの含有量は、ガス拡散性及び熱容量の観点から、１０〜７０質量％が好ましく、１０〜４０質量％が更に好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
２．拡散障壁層の形成
ボールミルにて１００時間粉砕した高表面酸化セリウム（阿南化成（株）製）１００質量部に対して、固形分換算で１０質量部の酸化セリウムゾル（多木化学（株）製）と、適量（約５質量部）のイオン交換水を添加し、ボールミルで１時間混合しスラリーを調製した。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
次いで、得られたスラリーに前記基材（２）を自然浸漬した。その後、余分なスラリーを基材（２）から吹き払い、１２０℃の電気炉で５時間乾燥した。更に、乾燥した基材（２）を５００℃、３時間で焼成し、拡散障壁層上にＲｈを含む第２の触媒層が形成された本発明の排ガス浄化処理触媒を得た。尚、第２の触媒層のコート量は、Ｒｈの量が０．３（ｇ／ｌ）となるように調整した。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月23日(2007.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図４及び図５を参照すると、本発明の第３の実施形態により、支台４０は、支柱部４１と、中間部４２と、シャフト４３と、延長部４４と、ヘッド４５と、を備えている。支柱部４１は、長手方向軸に沿って延びている。中間部４２は、支柱部４１上に形成されて、中央セクション及び周辺セクションを有している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【図１】点線で示された後方の歯冠を有する従来の一体化された支台歯冠を示す前面図である。
【図２Ａ】本発明の第１の実施形態による支台を示す斜視図である。
【図２Ｂ】本発明の第１の実施形態による、点線で示された後方の歯冠を有する支台を示す前面図である。
【図３Ａ】本発明の第２の実施形態による支台を示す斜視図である。
【図３Ｂ】本発明の第２の実施形態による、点線で示された前方の歯冠を有する支台を示す前面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態による、点線で示された後方の歯冠を有する支台を示す前面図である。
【図５】図４に示す支台における要素の構造及び要素の関係を示す分解図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図５】
2006346446.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月14日(2006.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザーの干渉を用いて被加工物を加工する加工方法であって、
前記被加工物の表面で前記レーザーの干渉のピッチよりも前記レーザーの干渉の周期方向に伝播する表面波の波長が長くなるように、前記レーザーを調整して、前記被加工物を加工することを特徴とするレーザー干渉による加工方法。
【請求項２】
前記レーザーの調整は、前記レーザーの干渉させる光の偏光方向、前記レーザーの波長及び／又は前記レーザーの交差角度を制御することを特徴とする請求項１に記載のレーザー干渉による加工方法。
【請求項３】
前記周期方向に伝播する表面波の伝播方向を、前記レーザーの干渉させる光の偏光方向を調整することで、変化させることを特徴とする請求項１に記載のレーザー干渉による加工方法。
【請求項４】
前記表面波の中で最も波長の短い表面波が前記レーザーの干渉の周期方向に対して直角に伝播することを特徴とする請求項３に記載のレーザー干渉による加工方法。
【請求項５】
前記レーザーの干渉のピッチをｄとし、前記被加工物の表面で前記レーザーの干渉の周期方向に伝播する表面波の波数をｋ″ＳＥＷとするとき、以下の条件式を満たすことを特徴とする請求項１に記載のレーザー干渉による加工方法。
ｄ＜２π／ｋ″ＳＥＷ
【請求項６】
前記レーザーの干渉させる光の偏光方向は、Ｐ偏光であることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載のレーザー干渉による加工方法。
【請求項７】
前記レーザー干渉による加工方法であって、前記レーザーは、パルス幅が１ｆｓ以上１ｐｓ以下のパルスレーザーであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のレーザー干渉による加工方法。
【請求項８】
前記パルスレーザーによって、前記被加工物をアブレーション加工することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のレーザー干渉による加工方法。
【請求項９】
前記パルスレーザーによって、前記被加工物の表面の改質をすることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のレーザー干渉による加工方法。
【請求項１０】
前記被加工物は金属又は半導体であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載のレーザー干渉による加工方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０に記載のレーザー干渉による加工方法で加工された回折格子。
【請求項１２】
請求項１〜１０に記載のレーザー干渉による加工方法で加工された反射防止構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザー干渉による加工方法及び該加工方法で加工された回折格子、反射防止構造
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、アブレーション加工、物質表面の改質、あるいはレジストの露光等レーザー干渉による加工方法及び該加工方法で加工された回折格子、反射防止構造に関し、特にパルス幅が１ｆｓ以上１ｐｓ以下のパルスレーザーを用いた干渉露光による加工方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、上記課題に鑑み、アブレーション加工、物質表面の改質、あるいはレジストの露光等レーザー干渉による加工、特にパルス幅が１ｆｓ以上１ｐｓ以下のパルスレーザーを用いたレーザー干渉による加工において、
表面波による乱れを抑制することが可能となる加工方法及び該加工方法で加工された回折格子、反射防止構造を提供することを目的とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、上記課題を解決するため、つぎのように構成した加工方法及び該加工方法で加工された回折格子、反射防止構造を提供するものである。
すなわち、本発明の加工方法は、レーザーの干渉を用いて被加工物を加工する加工方法であって、
前記被加工物の表面で前記レーザーの干渉のピッチよりも前記レーザーの干渉の周期方向に伝播する表面波の波長が長くなるように、前記レーザーを調整して、前記被加工物を加工することを特徴としている。
また、本発明の回折格子は、上記に記載のレーザー干渉による加工方法で加工されたことを特徴としている。
また、本発明の反射防止構造は、上記に記載のレーザー干渉による加工方法で加工されたことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月7日(2006.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被施療者が着座するための座面と、
着座した上記被施療者が土踏まずを載せて足裏の位置決めをするための土踏まず用突起と、
上記土踏まず用突起に土踏まずを載せた足載置状態で、踵を挟んで押圧することのできる踵施療部と、を有し、
上記土踏まず用突起は上記踵施療部による踵への挟持押圧で足が足裏長手方向前方に移動しないように係止することを特徴とする椅子型マッサージ機。
【請求項２】
被施療者が着座するための座面と、
被施療者の足裏が配置されるフットレストと、を有し、
上記フットレストは、上記被施療者の足裏面の略全体を支持しうる足裏支持面を有さず、土踏まずを支持するための土踏まず用突起を備えているとともに、
上記土踏まず用突起に土踏まずを載せた足載置状態で、踵を挟んで押圧することのできる踵施療部を備えていることを特徴とする椅子型マッサージ機。
【請求項３】
被施療者が着座するための座面と、
着座した上記被施療者が土踏まずを載せて足裏の位置決めをするための土踏まず用突起と、
上記土踏まず用突起に土踏まずを載せた足載置状態で踵を挟んで押圧することのできる踵施療部と、を有し、
土踏まずを上記土踏まず用突起に載せた状態で上記踵よりも足裏長手方向後方に空間が確保されていることを特徴とする椅子型マッサージ機。
【請求項４】
上記土踏まず用突起の周囲であって上記足載置状態における踵配置側は、足裏法線方向下方に開放されている請求項１又は３に記載の椅子型マッサージ機。
【請求項５】
上記土踏まず用突起の足裏長手方向中央位置は、上記被施療者の足の甲を押圧するための側面エアセルの足裏長手方向設置範囲に含まれている請求項１〜４のいずれか一項に記載の椅子型マッサージ機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の椅子型マッサージ機は、被施療者が着座するための座面と、着座した上記被施療者が土踏まずを載せて足裏の位置決めをするための土踏まず用突起と、上記土踏まず用突起に土踏まずを載せた足載置状態で、踵を挟んで押圧することのできる踵施療部と、を有し、上記土踏まず用突起は上記踵施療部による踵への挟持押圧で足が足裏長手方向前方に移動しないように係止することを特徴とする。
この場合、土踏まずの位置を基準として、土踏まず用突起の凸部を凹状の土踏まずに当接させながら踵を施療することができるので、土踏まず用突起の物理的係止効果により、踵を挟んで押圧しても足裏が足指方向に逃げにくく（移動しにくく）なる。また、土踏まず用突起は土踏まずに対して指圧効果を奏する。よって、踵及び土踏まずが効果的に施療される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、本発明の椅子型マッサージ機は、被施療者が着座するための座面と、被施療者の足裏が配置されるフットレストと、を有し、上記フットレストは、上記被施療者の足裏面の略全体を支持しうる足裏支持面を有さず、土踏まずを支持するための土踏まず用突起を備えているとともに、上記土踏まず用突起に土踏まずを載せた足載置状態で、踵を挟んで押圧することのできる踵施療部を備えていてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明の椅子型マッサージ機は、被施療者が着座するための座面と、着座した上記被施療者が土踏まずを載せて足裏の位置決めをするための土踏まず用突起と、上記土踏まず用突起に土踏まずを載せた足載置状態で踵を挟んで押圧することのできる踵施療部と、を有し、土踏まずを上記土踏まず用突起に載せた状態で上記踵よりも足裏長手方向後方に空間が確保されていてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、上記土踏まず用突起の周囲であって上記足載置状態における踵配置側は、足裏法線方向下方に開放されているのが好ましい。この場合、上記した踵配置側の空間が確保されるのに加え、足裏がムレにくくなり、また足裏から離脱したゴミや埃などが土踏まず用突起近傍に溜まりにくくなる。よって、極めて快適な状態で足裏を施療することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、上記土踏まず用突起の足裏長手方向中央位置は、上記被施療者の足の甲を押圧するための側面エアセルの足裏長手方向設置範囲に含まれているのが好ましい。