【手続補正書】
【提出日】平成19年11月1日(2007.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース線と、前記ソース線に電気的に接続されたＴＦＴと、保持容量を有する半導体装置であって、
前記保持容量は、前記ソース線と前記ＴＦＴを接続する配線と同一の面上に形成された遮光膜と、前記遮光膜上の絶縁膜と、画素電極からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ソース線と、前記ソース線に電気的に接続されたＴＦＴと、保持容量を有する半導体装置であって、
前記保持容量は、前記ソース線と前記ＴＦＴを接続する配線と同一の面上に形成された遮光膜と、前記遮光膜上の絶縁膜と、画素電極からなり、
前記画素電極は、前記配線上に形成された層間絶縁膜と前記遮光膜上の絶縁膜を覆って形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ソース線と、ゲート線と、前記ソース線と前記ゲート線に電気的に接続されたＴＦＴと、保持容量を含む半導体装置であって、
前記ＴＦＴは、チャネル形成領域とソース領域とドレイン領域を有する活性層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極を含み、
前記ゲート電極は、前記活性層の下に形成された前記ゲート線と接続されており、
前記保持容量は、前記ソース線と前記ＴＦＴを接続する配線と同一の面上に形成された遮光膜と、前記遮光膜上の絶縁膜と、画素電極からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ソース線と、ゲート線と、前記ソース線と前記ゲート線に電気的に接続されたＴＦＴと、第１保持容量と、第２保持容量を含む半導体装置であって、
前記ＴＦＴは、チャネル形成領域とソース領域とドレイン領域を有する活性層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極を含み、
前記ゲート電極は、前記活性層の下に形成された前記ゲート線と接続されており、
前記第１保持容量は、前記ソース線と前記ＴＦＴを接続する配線と同一の面上に形成された遮光膜と、前記遮光膜上の絶縁膜と、画素電極からなり、
前記第２保持容量は、前記活性層の前記ドレイン領域から連続する半導体層と、前記ゲート絶縁膜と、前記ゲート電極と同一の工程で形成された容量電極からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記ソース線と前記ＴＦＴを接続する配線と、前記遮光膜は、複数の導電膜が積層されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において前記遮光膜上の絶縁膜は、前記遮光膜の陽極酸化膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項３乃至請求項６のいずれか一項において、前記ゲート線は、前記ＴＦＴのチャネル形成領域にあたる光を遮ることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
基板にゲート線を形成する第１の工程と、
基板上に下地絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記下地絶縁膜上に半導体層を形成する第３の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記下地絶縁膜および前記ゲート絶縁膜に前記ゲート線に達するコンタクトホールを形成する第５の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート線と接続されたゲート電極を形成する第６の工程と、
前記半導体層に不純物元素を添加する第７の工程と、
前記ゲート電極上に第１層間絶縁膜および第２層間絶縁膜を形成する第８の工程と、
前記第１層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜に前記半導体層に達するコンタクトホールを形成する第９の工程と、
前記半導体層に達する配線および遮光膜を同時に形成する第１０の工程と、
前記遮光膜上に第３層間絶縁膜を形成する第１１の工程と、
前記第３層間絶縁膜に前記遮光膜および前記配線に達するコンタクトホールを形成する第１２の工程と、
前記遮光膜上に絶縁膜を形成する第１３の工程と、
前記遮光膜上の絶縁膜および前記第３層間絶縁膜上に画素電極を形成する第１４の工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
基板にゲート線を形成する第１の工程と、
前記ゲート線上に下地絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記下地絶縁膜上に半導体層を形成する第３の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記下地絶縁膜および前記ゲート絶縁膜に前記ゲート線に達するコンタクトホールを形成する第５の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート線と接続されたゲート電極を形成する第６の工程と、
前記半導体層に不純物元素を添加する第７の工程と、
前記ゲート電極上に第１層間絶縁膜および第２層間絶縁膜を形成する第８の工程と、
前記第１層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜に前記半導体層に達するコンタクトホールを形成する第９の工程と、
前記半導体層に達する配線および遮光膜を同時に形成する第１０の工程と、
前記遮光膜上に絶縁膜を形成する第１１の工程と、
第３層間絶縁膜を形成する第１２の工程と、
前記第３層間絶縁膜に前記遮光膜上の絶縁膜および前記配線に達するコンタクトホールを形成する第１３の工程と、
前記遮光膜上の絶縁膜および前記第３層間絶縁膜上に画素電極を形成する第１４の工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
基板にゲート線を形成する第１の工程と、
前記ゲート線上に下地絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記下地絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成する第３の工程と、
前記非晶質半導体膜に触媒元素を添加して第１の加熱処理を行って結晶質半導体膜を形成する第４の工程と、
第２の加熱処理を行って前記結晶質半導体膜から触媒元素を除去する第５の工程と、
前記結晶質半導体膜をパターニングして半導体層を形成する第６の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第７の工程と、
前記下地絶縁膜および前記ゲート絶縁膜に前記ゲート線に達するコンタクトホールを形成する第８の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート線と接続されたゲート電極を形成する第９の工程と、
前記半導体層に不純物元素を添加する第１０の工程と、
前記ゲート電極上に第１層間絶縁膜および第２層間絶縁膜を形成する第１１の工程と、
前記第１層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜に前記半導体層に達するコンタクトホールを形成する第１２の工程と、
前記半導体層に達する配線および遮光膜を同時に形成する第１３の工程と、
第３層間絶縁膜を形成する第１４の工程と、
前記第３層間絶縁膜に、前記遮光膜および前記配線に達するコンタクトホールを形成する第１５の工程と、
前記遮光膜上に絶縁膜を形成する１６の工程と、
前記遮光膜上の絶縁膜および前記第３層間絶縁膜上に画素電極を形成する第１７の工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
基板にゲート線を形成する第１の工程と、
前記ゲート線上に下地絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記下地絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成する第３の工程と、
前記非晶質半導体膜に触媒元素を添加して第１の加熱処理を行って結晶質半導体膜を形成する第４の工程と、
第２の加熱処理を行って前記結晶質半導体膜から触媒元素を除去する第５の工程と、
前記結晶質半導体膜をパターニングして半導体層を形成する第６の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第７の工程と、
前記下地絶縁膜および前記ゲート絶縁膜に前記ゲート線に達するコンタクトホールを形成する第８の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート線と接続されたゲート電極を形成する第９の工程と、
前記半導体層に不純物元素を添加する第１０の工程と、
前記ゲート電極上に第１層間絶縁膜および第２層間絶縁膜を形成する第１１の工程と、
前記第１層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜に前記半導体層に達するコンタクトホールを形成する第１２の工程と、
前記半導体層に達する配線および遮光膜を同時に形成する第１３の工程と、
前記遮光膜上に絶縁膜を形成する第１４の工程と、
第３層間絶縁膜を形成する第１５の工程と、
前記第３層間絶縁膜に、前記遮光膜上の絶縁膜および前記配線に達するコンタクトホールを形成する第１６の工程と、
前記遮光膜上の絶縁膜および前記第３層間絶縁膜上に画素電極を形成する第１７の工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一項において、前記遮光膜上の絶縁膜は、陽極酸化法を用いて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。