Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月11日(2007.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、当該半導体チップの外部接続のためのキャリアとをフリップチップ接続してなる半導体装置であって、
前記半導体チップは、
各々前記半導体チップの表面上の複数の周縁部の各々に並ぶように形成された信号入出力回路素子を含む複数の入出力セルと、
各々前記複数の入出力セルのうち対応する入出力セルの上に形成された複数の電極パッドとを備え、
前記半導体チップは、集積回路素子が形成された中央部分と、複数のコーナー部と、前記複数の周縁部とを構成し、
前記複数の電極パッドは、千鳥状のパッド配列をなすように内側パッド列と外側パッド列とを構成し、
前記周縁部はパッド配置制約領域と他の領域とを構成し、
前記他の領域と前記コーナー部とは、それぞれ前記パッド配置制約領域の両側に隣接し、
前記パッド配置制約領域では、他の種類の機能セルが配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記パッド配置制約領域は、前記コーナー部の両側に隣接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体チップと、当該半導体チップの外部接続のためのキャリアとをフリップチップ接続してなる半導体装置であって、
前記半導体チップは、
各々前記半導体チップの表面上の複数の周縁部の各々に並ぶように形成された信号入出力回路素子を含む複数の入出力セルと、
各々前記複数の入出力セルのうち対応する入出力セルの上に形成された複数の電極パッドとを備え、
前記半導体チップは、集積回路素子が形成された中央部分と、複数のコーナー部と、前記複数の周縁部とを構成し、
前記複数の電極パッドは、千鳥状のパッド配列をなすように内側パッド列と外側パッド列とを構成し、
前記周縁部はパッド配置制約領域と他の領域とを構成し、当該パッド配置制約領域内では、前記キャリア表面上に形成された配線パターンにバンプ接続される電極パッドの用途に制約が課されており、
前記他の領域と前記コーナー部とは、それぞれ前記パッド配置制約領域の両側に隣接し、
前記パッド配置制約領域における前記内側パッド列は、各々前記キャリア表面上の配線パターンに個別にバンプ接続され、かつ前記内側パッド列を構成する少なくとも２個の電極パッドが前記キャリア内で互いに短絡され、
前記キャリア内で互いに短絡された電極パッドに対応する入出力セルは、１個の高駆動電流能力セルとして機能することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体チップと、当該半導体チップの外部接続のためのキャリアとをフリップチップ接続してなる半導体装置であって、
前記半導体チップは、
各々前記半導体チップの表面上の複数の周縁部の各々に並ぶように形成された信号入出力回路素子を含む複数の入出力セルと、
各々前記複数の入出力セルのうち対応する入出力セルの上に形成された複数の電極パッドとを備え、
前記半導体チップは、集積回路素子が形成された中央部分と、複数のコーナー部と、前記複数の周縁部とを構成し、
前記複数の電極パッドは、千鳥状のパッド配列をなすように内側パッド列と外側パッド列とを構成し、
前記周縁部はパッド配置制約領域と他の領域とを構成し、当該パッド配置制約領域内では、前記キャリア表面上に形成された配線パターンにバンプ接続される電極パッドの用途に制約が課されており、
前記他の領域と前記コーナー部とは、それぞれ前記パッド配置制約領域の両側に隣接し、
前記パッド配置制約領域における前記内側パッド列は、各々前記キャリア表面上の配線パターンに個別にバンプ接続され、かつ前記内側パッド列を構成する少なくとも２個の電極パッドが前記キャリア内で互いに短絡され、
前記キャリア内で互いに短絡された電極パッドに対応する入出力セルは、１個の低インピーダンスセルとして機能することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記複数の電極パッドは、各々凸字状の平面形状を備え、幅狭プロービング部と、前記キャリア表面上の配線パターンにバンプ接続される幅広ボンディング部とを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月18日(2007.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
ネスト構造技法
ネスト構造は欠陥サイズ分布を抽出するために設計されている。図２０に示すように、ネスト構造は線幅がｗ、線間距離がｓのＮ本の線で構成されている。この構造は線１と２、２と３、３と４、．．．、およびＮ−１とＮの間のショート電流を測定することで測定される。所与の仕様書の制限値を超える電流は全てショートと見なされる。さらに、オープンは線１、２、３、．．．Ｎ−１、Ｎの抵抗値を測定することで試験できる。一定の仕様書の制限値を超える抵抗は全てオープン線と見なされる。いくつの線をショートさせるかを検証することで、欠陥サイズ分布を決定できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
【表１６】
2007201497.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月8日(2007.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
前記複数の共振用空洞部のうち少なくとも１つは、前記保持部材により周囲を取り囲まれていることを特徴とする請求項１４から１６のいずれか１項に記載のフィルタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
前記複数の共振用空洞部のうち少なくとも１組の隣り合う２つの共振用空洞部が連通されており、
前記隣り合う２つの共振用空洞部は、前記保持部材により周囲を取り囲まれていることを特徴とする請求項１４から１６のいずれか１項に記載のフィルタ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月6日(2007.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生モード設定時に記録済みの画像を表示可能な画像モニタ装置と、
撮影者が撮影動作を行っているか否かを判定する判定手段とを有し、
撮影者が撮影動作を行っていないと判定され、かつ前記再生モードが設定されていないときには、カメラで設定されている撮影条件の設定状況を前記画像モニタ装置に表示し、それ以外の場合は、前記撮影条件の設定状況を非表示とすることを特徴とするデジタルスチルカメラ。
【請求項２】
前記判定手段は、撮影者がファインダを覗いていることを検知したときに前記撮影動作を行っていると判断し、ファインダを覗いていないことを検知したときに前記撮影動作を行っていないと判断することを特徴とする請求項１に記載のデジタルスチルカメラ。
【請求項３】
前記撮影条件の設定状況を前記画像モニタ装置に表示する際、記録済みの画像およびその画像に対する撮影条件をも同時に表示可能としたことを特徴とする請求項１または２に記載のデジタルスチルカメラ。
【請求項４】
前記撮影条件の設定状況と、記録済みの画像に対する撮影条件とで表示形態を変えることを特徴とする請求項３に記載のデジタルスチルカメラ。
【請求項５】
撮影条件は絞り値およびシャッタ秒時を含み、露出制御モードに応じて該絞り値およびシャッタ秒時の表示形態を変えることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のデジタルスチルカメラ。
【請求項６】
前記撮影条件の設定状況は、グラフィカルな表示とされることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のデジタルスチルカメラ。
【請求項７】
前記撮影条件は複数の項目があり、予め表示すべき項目を選択可能としたことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のデジタルスチルカメラ。
【請求項８】
前記画像モニタ装置はバックライトを有し、画像を表示せずに前記撮影条件の設定状況を表示するときには、該バックライトを消灯することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のデジタルスチルカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明に係るデジタルスチルカメラは、再生モード設定時に記録済みの画像を表示可能な画像モニタ装置と、撮影者が撮影動作を行っているか否かを判定する判定手段とを有し、撮影者が撮影動作を行っていないと判定され、かつ再生モードが設定されていないときには、カメラで設定されている撮影条件の設定状況を画像モニタ装置に表示し、それ以外の場合は、撮影条件の設定状況を非表示とする。
ここで、撮影条件の設定は本発明でいう「撮影動作」には含まれない。「撮影動作」とは、撮影条件の設定（変更）の後に、撮影者が次の撮影のためにとるべき動作を表す。
請求項２の発明は、撮影者がファインダを覗いていることを検知したときに撮影動作を行っていると判断し、ファインダを覗いていないことを検知したときに撮影動作を行っていないと判断するものである。
請求項３，４の発明は、撮影条件の設定状況を前記画像モニタ装置に表示する際、記録済みの画像およびその画像に対する撮影条件をも同時に表示可能としたものである。撮影条件の設定状況と、記録済みの画像に対する撮影条件とで表示形態を変えてもよい。
請求項５の発明は、撮影条件が絞り値およびシャッタ秒時を含み、露出制御モードに応じて絞り値およびシャッタ秒時の表示形態を変えるようにしたものである。
請求項６の発明は、撮影条件の設定状況をグラフィカルに表示するようにしたものである。
請求項７の発明は、予め表示すべき撮影条件を選択可能としたものである。
請求項８の発明は、画像を表示せずに撮影条件の設定状況を表示するときには、モニタのバックライトを消灯するようにしたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月23日(2007.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
次に、配線層の２層を利用して干渉低減用配線の干渉低減効果を高めたインダクタを図７に示す。干渉低減用配線は、配線層２層とそれら配線層間を垂直に接続するビアを用いて構成される。図７において、８２は、第２の配線層に形成された干渉低減強化用の干渉低減用配線、８３は、配線３と配線８２を接続するためのビアである。なお、配線１１は、第３の配線層に形成され、ビア１２に接続して第２の配線層に形成された接続用配線１５とビア１６が更に設けられてインダクタ１に接続される。図７は図２と同じ位置の断面図であり、配線８２によって干渉低減用配線３のインダクタンスを低減して誘導電流をより多く流すことができ、干渉の低減量を増大させることができる。ここでは、干渉低減強化用配線と半導体基板間に生じる寄生容量が増加することを避けるため、干渉低減強化用配線のために最下層を使用せず、最上層とその１つ下位の層の２層を重ね合わせて、ビア８３で２層の層間を接続する構成が採用される。その結果、１層で干渉低減用配線を構成した場合に比べて、０．５ｄＢ干渉低減量が増加することが電磁界解析により確認された。この構成を適用することにより、配線幅が制限される場合に、干渉低減用配線を形成する配線層を増加させて干渉低減量を増加させることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
無線通信回路１１１は、送信側において、外部のベースバンド部１１３から送られるベースバンド信号（第１の信号）で搬送波を変調することによってＲＦ信号を得る変調回路（第１の回路）９７、変調回路９７が出力するＲＦ信号（第２の信号）を電力増幅する電力増幅器１１０、電力増幅器１１０出力のＲＦ信号を出力整合回路１２０を経て入力してＲＦ信号に含まれる不要な高調波を除去する低域通過フィルタ１２５を備えている。変調回路９７によってベースバンド信号の周波数（例えば約２００ＫＨｚ）は、無線周波数（例えば約２ＧＨｚ）に周波数変換される。加えて、無線通信回路１１１は、外部のアンテナ１１２に接続され、送信時にフィルタ１２５からのＲＦ信号をアンテナ１１２に供給し、受信時にアンテナ１１２からのＲＦ信号を入力して受信側に供給するスイッチ１４０を備えている。更に、受信側において、無線通信回路１１１は、スイッチ１４０からのＲＦ信号の不要な妨害波を除去する帯域通過フィルタ１６５、フィルタ１６５出力のＲＦ信号を受信整合回路１６０を経て入力して増幅する低雑音増幅器１５１、及び、低雑音増幅器１５１が出力するＲＦ信号（第３の信号）を復調してベースバンド信号（第４の信号）を出力し、これをベースバンド部１１３に供給する復調回路（第２の回路）１５２を備えている。また、送受信に共通の回路として、変調及び復調のための搬送波を生成して変調回路９７及び復調回路１５２に供給する局部発振回路（第３の回路）９８が備えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月20日(2007.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うように形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ゲート電極と重なる領域で且つ前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に挟まれた領域において前記絶縁膜と接すると共に、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接するように形成された半導体膜とを有し、
前記ゲート電極と重なる領域において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極それぞれの端部は、一方は凹状に湾曲し他方は凸状に湾曲してなることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体膜は非晶質半導体、微結晶半導体、有機半導体のいずれかからなることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置。
【請求項３】
基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うように形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第１の半導体膜と、
前記第１の半導体膜上に形成され、ｎ型不純物又はｐ型不純物を含む第２の半導体膜でなるソース領域及びドレイン領域と、
前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体層上に形成され、前記ソース領域と接するソース電極と、前記ドレイン領域と接するドレイン電極とを有し、
前記ゲート電極と重なる領域において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極それぞれの端部は、一方は凹状に湾曲し他方は凸状に湾曲してなることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれの端部は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極それぞれの端部と同じ形状であることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記第１の半導体膜は非晶質半導体、微結晶半導体、有機半導体のいずれかからなることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体素子を備えた表示装置を搭載した電子機器。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体素子を備えた表示装置を搭載したテレビジョン装置、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、または携帯電話機。
【請求項８】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆うように絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜表面の前記ゲート電極と重なる領域に有機溶剤を塗布し、
前記絶縁膜表面に、前記有機溶剤が塗布された領域から前記有機溶剤が塗布されない領域にわたり、粒径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の導電性の微粒子が有機溶媒に分散した流動体を液滴吐出法により吐出させ、
前記流動体を硬化させることによってソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ゲート電極と重なる領域で且つ前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に挟まれた領域において前記絶縁膜と接すると共に、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接するように半導体膜を形成し、
前記有機溶剤が塗布された領域は、前記有機溶剤が塗布されない領域よりも前記絶縁膜表面における前記流動体のぬれ性が高いことを特徴とする半導体素子を備えた表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記半導体膜は非晶質半導体、微結晶半導体、有機半導体のいずれかを用いて形成されることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置の製造方法。
【請求項１０】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆うように絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上にｎ型不純物又はｐ型不純物を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜表面の前記ゲート電極と重なる領域に有機溶剤を塗布し、
前記第２の半導体膜表面に、前記有機溶剤が塗布された領域から前記有機溶剤が塗布されない領域にわたり、粒径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の導電性の微粒子が有機溶媒に分散した流動体を液滴吐出法により吐出させ、
前記流動体を硬化させることによってソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記第２の半導体膜をエッチングしてソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記有機溶剤が塗布された領域は、前記有機溶剤が塗布されない領域よりも前記第２の半導体膜表面における前記流動体のぬれ性が高いことを特徴とする半導体素子を備えた表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第１の半導体膜は非晶質半導体、微結晶半導体、有機半導体のいずれかを用いて形成されることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一において、
前記液滴吐出法はインクジェット技術を用いた方法であることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一において、
前記導電性の微粒子は、金、銀、銅、金と銀の合金、金と銅の合金、銀と銅の合金、金と銀と銅の合金、導電酸化物のいずれかを主成分とする微粒子であることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１３のいずれか一において、
前記有機溶剤は沸点が１５０℃を超え、且つ３００℃を超えないものであることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項８乃至請求項１３のいずれか一において、
前記有機溶剤はテトラデカン、デカノール、オクタノールのいずれかであることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項８乃至請求項１５のいずれか一において、
前記有機溶媒と前記有機溶剤は同じ材料でなることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項８乃至請求項１６のいずれか一において、
前記ゲート電極と重なる領域において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極それぞれの端部は、一方は凹状に湾曲し他方は凸状に湾曲してなることを特徴とする半導体素子を備えた表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月26日(2007.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、本発明にかかるＡｌＮ結晶の表面処理方法において、ＣＭＰ後におけるＡｌＮ結晶の表面酸化層の厚さは３ｎｍ以下であることが好ましい。ここで、表面酸化層の厚さは、エリプソメトリー、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）、ＡＥＳ（オージェ電子分光法）またはＲＢＳ（ラザフォード後方散乱法）などにより評価することができる。ＡｌＮ結晶のＣＭＰ後の表面酸化層を３ｎｍ以下にすることにより、ＡｌＮ結晶上にモフォロジーの良好なエピタキシャル層を形成することができる。かかる観点から、上記表面酸化層の厚さは２ｎｍ以下であることがより好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月15日(2007.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
等方性ＳｍＦｅＮ磁性粉とバインダーとからなるコンパウンドを用い、圧縮成形法で形成される円筒状をした永久磁石であって、
前記等方性ＳｍＦｅＮ磁性粉の平均粒径を、５μｍ以上、１２５μｍ以下としたことを特徴とする永久磁石。  
【請求項２】
前記永久磁石は、円筒部の厚みが０．１ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の永久磁石。
【請求項３】
前記永久磁石の外径は、１ｍｍ以上、５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の永久磁石。
【請求項４】
磁極部と、前記磁極部を励磁するコイルと、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の永久磁石からなるロータとを有するステッピングモータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】永久磁石およびステッピングモータ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、圧縮成形法で形成される永久磁石およびそれを用いたステッピングモータに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第２の目的は、さらに、円筒状の永久磁石を提供しようとするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第３の目的は、高トルクを有するステッピングモータを提供しようとするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記第１の目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、等方性ＳｍＦｅＮ磁性粉とバインダーとからなるコンパウンドを用い、圧縮成形法で形成される円筒状をした永久磁石であって、等方性ＳｍＦｅＮ磁性粉の平均粒径を、５μｍ以上１２５μｍ以下とした永久磁石とするものである。  
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、上記第２の目的を達成するために、請求項２に記載の発明は、前記永久磁石が、円筒部の厚みが０．１ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下である請求項１に記載の永久磁石とするものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、上記第３の目的を達成するために、請求項４に記載の発明は、磁極部と、前記磁極部を励磁するコイルと、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の永久磁石からなるロータとを有するステッピングモータとするものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、請求項２に記載の発明によれば、さらに、円筒状の永久磁石を提供できるものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、請求項４に記載の発明によれば、高トルクを有するステッピングモータを提供できるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月6日(2006.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の遠隔通信応答システムへのユーザ・アクセス用の操作優先度を決定する方法であって、
前記複数の遠隔通信応答システムのうち１つのシステムのユーザ操作が、前記複数の遠隔通信応答システムすべてに対する前記ユーザの前記操作優先度となることを前記ユーザによって指定するステップと、
前記ユーザ用の前記操作優先度を格納するステップと、
前記複数の遠隔通信応答システムのうちの第２のシステムによる、前記ユーザとの対話中に前記ユーザとの通信に使用するために、前記複数の遠隔通信応答システムのうち前記第２のシステムによって、前記格納されている操作優先度にアクセスするステップと、
複数の遠隔通信応答システムのうち前記第２のシステムによって、前記アクセスされた操作優先度を用いてユーザ操作を解釈するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記指定するステップが、前記ユーザによって、前記複数の遠隔通信応答システムのうち前記１つのシステムを識別するステップと、
前記ユーザによって、前記複数の遠隔通信応答システムのうちそれ以外のシステムを指示するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記格納するステップが、前記操作優先度をデータベースに格納するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記アクセスするステップが、前記複数の遠隔通信応答システムのうち前記第２のシステムと前記ユーザが通信する度に実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記アクセスするステップが、前記複数の遠隔通信応答システムのうち前記第２のシステムと前記ユーザが初めて通信するときにのみ実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
複数の遠隔通信応答システムへのユーザ・アクセス用の操作優先度を決定するプロセッサ可読媒体であって、
前記複数の遠隔通信応答システムのうち１つのシステムのユーザ操作が、前記複数の遠隔通信応答システムすべてに対する前記ユーザの前記操作優先度となることを前記ユーザによって指定し、
前記ユーザ用の前記操作優先度を格納し、
前記複数の遠隔通信応答システムのうちの第２のシステムによる、前記ユーザとの対話中に前記ユーザとの通信に使用するために、前記複数の遠隔通信応答システムのうち前記第２のシステムによって、前記格納されている操作優先度にアクセスし、かつ
複数の遠隔通信応答システムのうち前記第２のシステムによって、前記アクセスされた操作優先度を用いてユーザ操作を解釈するように構成されたプロセッサ実行可能命令を備えるプロセッサ可読媒体。
【請求項７】
前記指定するプロセッサ可読媒体が、前記ユーザによって、前記複数の遠隔通信応答システムのうち前記１つのシステムを識別し、および
前記ユーザによって、前記複数の遠隔通信応答システムのうちそれ以外のシステムを指示するプロセッサ可読媒体を含む、請求項６に記載のプロセッサ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月13日(2007.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
請求項２〜請求項９の何れか一項に記載する反転増幅器において、
反転増幅器の電源電圧ＶＤＤを定電圧源から得るようにしたことを特徴とする反転増幅器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
請求項４又は請求項９に記載する反転増幅器において、
定電流源の代わりに抵抗を用いたことを特徴とする反転増幅器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
請求項１〜請求項１０の何れか一項に記載する反転増幅器において、
前記バイアス抵抗及び前記帰還抵抗の一部あるいは全てを、ソースとドレンを端子とするＭＯＳトランジスタで置き換えたことを特徴とする反転増幅器。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
１）  直列接続したＰチャンネルＭＯＳトランジスタとＮチャンネルＭＯＳトランジスタとを有するＣＭＯＳ型回路の反転増幅器において、
ＮチャンネルＭＯＳトランジスタとＰチャンネルＭＯＳトランジスタのゲートをキャパシタを介して接続して、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタのゲートとＰチャンネルＭＯＳトランジスタのゲートにそれぞれ独立にバイアス電圧を印加できる構成とし、前記ＰチャンネルＭＯＳトランジスタあるいは前記ＮチャンネルＭＯＳトランジスタのどちらか一方のＭＯＳトランジスタにおいて当該ＭＯＳトランジスタのゲートとドレンを帰還抵抗を介して接続し、前記ＰチャンネルＭＯＳトランジスタあるいは前記ＮチャンネルＭＯＳトランジスタのどちらか一方のゲートあるいは双方のゲートを入力端子としたこと。
２）  上記１）に記載する反転増幅器において、
バイアス電圧をバイアス抵抗を介して前記ＰチャンネルＭＯＳトランジスタのゲートに印加し、前記ＮチャンネルＭＯＳトランジスタのゲートとドレンを帰還抵抗を介して接続したこと。
３）  上記２）に記載する反転増幅器において、
前記ＰチャンネルＭＯＳトランジスタのゲートのバイアス電圧としてＰチャンネルＭＯＳトランジスタの閾値電圧ＶＴＰより０．１Ｖ〜０．３Ｖ程度大きい電圧を印加したこと。
４）  上記３）に記載する反転増幅器において、
前記バイアス電圧がＰチャンネルＭＯＳトランジスタと定電流源との組み合わせで作られていること。
５）  上記２）に記載する反転増幅器において、
ＰチャンネルＭＯＳトランジスタのゲートのバイアス電圧として反転増幅器の電源電圧ＶＤＤを用いたことを特徴とする反転増幅器。
６）  上記１）に記載する反転増幅器において、
バイアス電圧が第一の抵抗を介して前記ＮチャンネルＭＯＳトランジスタのゲートに印加され、前記ＰチャンネルＭＯＳトランジスタのゲートとドレンが帰還抵抗を介して接続されていること。
７）  上記６）に記載する反転増幅器において、
前記ＮチャンネルＭＯＳトランジスタのゲートバイアス電圧としてＮチャンネルＭＯＳトランジスタの閾値電圧ＶＴＮより０．１Ｖ〜０．３Ｖ程度大きい電圧を用いたこと。
８）  上記７）に記載する反転増幅器において、
前記バイアス電圧がＮチャンネルＭＯＳトランジスタと定電流源との組み合わせで作られていること。
９）  上記６）に記載する反転増幅器において、
ＮチャンネルＭＯＳトランジスタのゲートバイアス電圧として反転増幅器の電源電圧ＶＤＤを用いたこと。
１０）  上記２）〜９）の何れか一つに記載する反転増幅器において、
反転増幅器の電源電圧ＶＤＤを定電圧源から得るようにしたこと。
１１）  上記４）又は９）に記載する反転増幅器において、
定電流源の代わりに抵抗を用いたこと。
１２）  上記１）〜１０）の何れか一つに記載する反転増幅器において、
前記バイアス抵抗及び前記帰還抵抗の一部あるいは全てを、ソースとドレンを端子とするＭＯＳトランジスタで置き換えたこと。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月20日(2007.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のフレームから構成される動画像データを、複数のクラスタからなる記録媒体に記録する記録手段と、
前記記録媒体に記録された動画像データの編集単位を設定する設定手段と、
前記設定手段により設定された編集単位に基づき、前記動画像データにおける複数の編集単位それぞれの先頭のフレームを前記記録媒体におけるクラスタの先頭から記録するよう前記記録手段を制御する制御手段とを備える記録装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記編集単位の最後のフレームが記録されているクラスタにおいて動画像データが記録されていない空き領域に対しパディングデータを記録するよう前記記録手段を制御することを特徴とする請求項１記載の記録装置。
【請求項３】
前記複数の編集単位それぞれについて、次に再生すべき前記編集単位の先頭クラスタ番号及び前記記録媒体上の複数のクラスタにおけるデータ記録状況を示す管理情報を生成する管理情報処理手段と、
前記記録媒体に記録された動画像データにおける一部の消去を指示する消去指示手段を備え、
前記管理情報処理手段は、前記消去指示手段の指示に応じて前記管理情報の内容を変更することを特徴とする請求項１または２記載の記録装置。
【請求項４】
前記管理情報処理手段は、前記消去指示された動画像データを含む前記編集単位の直前の前記編集単位について、前記直前の編集単位の次に再生すべき編集単位の先頭クラスタ番号を、前記消去指示された動画像データを含む編集単位の直後の前記編集単位の先頭クラスタ番号に変更することを特徴とする請求項３記載の記録装置。
【請求項５】
前記管理情報処理手段は更に、前記消去指示された動画像データを含む編集単位が記録されていた全てのセクタを空きセクタとするよう前記管理情報を変更することを特徴とする請求項３または４記載の記録装置。
【請求項６】
前記設定手段は任意に前記編集単位を設定することを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の記録装置。
【請求項７】
前記設定手段は複数の所定の編集単位のうちの一つを選択することを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の記録装置。
【請求項８】
前記設定手段により設定された編集単位の情報を、前記動画像データの記録中に表示する表示手段を備えたことを特徴とする請求項１から７の何れかに記載の記録装置。
【請求項９】
前記記録手段は更に、前記設定された編集単位を示す情報を前記記録媒体に記録することを特徴とする請求項１から８の何れかに記載の記録装置。
【請求項１０】
前記記録手段は、記録開始の指示から記録停止の指示までの間に記録した一連の前記動画像データを一つのファイルとして記録すると共に、前記編集単位の情報を前記ファイルのヘッダ情報に格納して記録することを特徴とする請求項９記載の記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、複数のフレームから構成される動画像データを、複数のクラスタからなる記録媒体に記録する記録手段と、前記記録媒体に記録された動画像データの編集単位を設定する設定手段と、前記設定手段により設定された編集単位に基づき、前記動画像データにおける複数の編集単位それぞれの先頭のフレームを前記記録媒体におけるクラスタの先頭から記録するよう前記記録手段を制御する制御手段とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月19日(2007.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体撮像素子の出力画素信号を入力され、注目画素に対する周辺画素の差分値が閾値以内である周辺画素値と注目画素値の加算平均値又は重み付け加算平均値を演算することによりノイズを抑圧した信号を出力するノイズリダクション装置であって、
前記注目画素値又は前記注目画素値を含む周辺画素値の平均値に応じて前記閾値を変更する手段を備える、
ことを特徴とするノイズリダクション装置。
【請求項２】
各画素に対応して、色フィルタが配置された固体撮像素子の出力画素信号を入力され、注目画素に対する周辺画素の差分値が閾値以内である周辺画素値と注目画素値の加算平均値又は重み付け加算平均値を演算することによりノイズを抑圧した信号を出力するノイズリダクション装置であって、
前記注目画素値又は前記注目画素値を含む周辺画素値の平均値に応じて前記閾値を前記色フィルタの色別に変更する手段を備える、
ことを特徴とするノイズリダクション装置。
【請求項３】
各画素に対応して、色フィルタが配置された固体撮像素子の出力画素信号を入力され、注目画素に対する周辺画素の差分値が閾値以内である周辺画素値と注目画素値の加算平均値又は重み付け加算平均値を演算することによりノイズを抑圧した信号を出力するノイズリダクション装置であって、
前記注目画素値又は前記注目画素値を含む周辺画素値のうち、前記色フィルタの同じ色に対応する値の平均値に応じて前記閾値を前記色フィルタの色別に変更する手段を備える、
ことを特徴とするノイズリダクション装置。
【請求項４】
前記注目画素の色差信号又は前記注目画素値を含む周辺画素の色差信号の平均値に応じて前記閾値を前記色フィルタの色別に変更する手段を備える、
ことを特徴とする請求項２又は３記載のノイズリダクション装置。
【請求項５】
前記注目画素値又は前記注目画素値を含む周辺画素値の色差信号が、
正方向に大きいときは前記閾値を大きくし、
負方向に大きいときは小さく設定する、
手段を備える、
ことを特徴とする請求項４記載のノイズリダクション装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月20日(2007.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷に電力を供給する電源と、
前記電源からの電力供給を受けて、データを処理するデータ処理手段と、
前記データ処理手段にクロックを供給し、供給するクロックの周波数を変えることができるクロック供給手段と、
前記データ処理手段に供給するクロックの周波数を下げるよう前記クロック供給手段を制御した後、前記データ処理手段以外の負荷に電力の供給を開始するよう前記電源を制御する電源制御手段と、
を備える、
ことを特徴とする電源制御装置。
【請求項２】
前記データ処理手段に供給される電力の電圧を監視する電圧監視手段をさらに有し、
前記電源制御手段は、
前記データ処理手段以外の負荷に電力の供給を開始するよう前記電源を制御した後に、前記電圧監視手段の出力にしたがって、前記データ処理手段に供給される電力の電圧が前記データ処理手段の最低動作電圧を下回る前に、前記データ処理手段以外の負荷に供給する電力を制限するよう前記電源を制御する、
ことを特徴とする請求項１に記載の電源制御装置。
【請求項３】
負荷に電力を供給する電源と、
前記電源からの電力供給を受けて、データを処理するデータ処理手段と、
前記データ処理手段にクロックを供給するクロック供給手段と、
前記データ処理手段に供給するクロックを停止するよう前記クロック供給手段を制御した後、前記データ処理手段以外の負荷に電力の供給を開始するよう前記電源を制御する電源制御手段と、
を備える、
ことを特徴とする電源制御装置。
【請求項４】
前記データ処理手段に供給される電力の電圧を監視する電圧監視手段をさらに有し、
前記電源制御手段は、
前記データ処理手段以外の負荷に電力の供給を開始するよう前記電源を制御した後に、前記電圧監視手段の出力にしたがって、前記データ処理手段に供給される電力の電圧が前記データ処理手段の最低データ保持電圧を下回る前に、前記データ処理手段以外の負荷に供給する電力を制限するよう前記電源を制御する、
ことを特徴とする請求項３に記載の電源制御装置。
【請求項５】
時刻を管理する時刻管理手段をさらに有し、
前記電源制御手段は、
前記データ処理手段以外の負荷に電力の供給を開始するよう前記電源を制御した後に、前記時刻管理手段の出力にしたがって、前記データ処理手段にクロックの供給を再開するよう前記クロック供給手段を制御する、
ことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の電源制御装置。
【請求項６】
映像同期信号を発生する映像同期信号発生手段をさらに有し、
前記電源制御手段は、
前記映像同期信号発生手段が垂直同期信号を発生している期間に、前記データ処理手段に供給するクロックの周波数を下げるよう、または、前記データ処理手段に供給するクロックを停止するよう前記クロック供給手段を制御する、
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の電源制御装置。
【請求項７】
前記データ処理手段は、
少なくともマイクロプロセッサまたはデジタルシグナルプロセッサまたは画像処理回路または画像圧縮伸張回路または解像度変換回路またはデータ記録再生回路のいずれかまたは複数である、
ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の電源制御装置。
【請求項８】
前記データ処理手段以外の負荷は、
少なくとも光学的拡大手段または遮光手段または合焦手段または手ブレ補正手段または発光手段またはジャイロスタビライザまたはディスク装置またはテープドライブ装置またはモーターのいずれかまたは複数である、
ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の電源制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月5日(2007.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる信号帯域を有する信号で通信を行う複数の通信プロトコル対応の無線通信装置であって、
無線信号の送受信を行う無線部と、信号処理部と、前記無線部と前記信号処理部との間に接続され、前記無線部から入力され前記信号処理部に出力される受信信号のA/D変換および前記信号処理部から入力され前記無線部に出力される送信信号のD/A変換を行うサンプリング部と、前記サンプリング部の制御を行う制御部とを有し、
前記サンプリング部は、前記複数の通信プロトコルの信号帯域を有する信号に対して同一のカットオフ周波数でフィルタリングを行うアンチエイリアスフィルタと、前記各通信プロトコルごとに適切なサンプリング周波数でA/D変換を行うA/D変換器およびD/A変換を行うD/A変換器と、受信レート変換器と、送信レート変換器と、前記制御部からの通知に基づいて前記A/D変換器、前記受信レート変換器、前記D/A変換器、および前記送信レート変換器にクロックを供給するクロック供給部とを有することを特徴とする無線通信装置。
【請求項２】
請求項１記載の無線通信装置であって、
前記アンチエイリアスフィルタのカットオフ周波数は前記複数の通信プロトコルのうち最大の信号帯域以上に設定され、
前記A/D変換器および前記D/A変換器は前記カットオフ周波数の２倍以上のサンプリング周波数で送信信号および受信信号のサンプリングを行い、
前記受信レート変換器は、前記各通信プロトコルの信号帯域と前記サンプリング周波数との関係に基づいて決定される間引き率でA/D変換器の出力信号を間引きした信号を前記信号処理部に出力し、
前記送信レート変換器は、前記各通信プロトコルの信号帯域と前記サンプリング周波数との関係に基づいて決定される補間割合で前記信号処理部から入力される送信信号を補間して前記D/A変換器への入力信号を補間し、
前記クロック供給部は、前記サンプリング周波数に適合する第１のクロックを前記A/D変換器および前記D/A変換器に供給し、前記間引き率および補間割合に適合する第２のクロックを前記受信レート変換器および前記送信レート変換器に供給することを特徴とする無線通信装置。
【請求項３】
請求項２記載の無線通信装置であって、
前記サンプリング周波数は、前記各通信プロトコルごとにその信号帯域の整数倍に設定されることを特徴とする無線通信装置。
【請求項４】
請求項１記載の無線通信装置であって、前記制御部は、予め前記各通信プロトコルに対応する、前記サンプリング部に通知する各変数を含む制御情報を記憶しておき、使用される通信プロトコルに対応する制御情報を前記サンプリング部に出力することを特徴とする無線通信装置。
【請求項５】
請求項１記載の無線通信装置であって、前記制御部は、複数の通信プロトコルに対応するパラメータを順次、前記サンプリング部に通知して該複数の通信プロトコルで受信を行い、各通信プロトコルの受信状態に基づいて使用する通信プロトコルを決定することを特徴とする無線通信装置。
【請求項６】
異なる信号帯域を有する信号で通信を行う複数の通信プロトコル対応の無線通信装置における無線通信制御方法であって、
前記無線通信装置は、無線信号の送受信を行う無線部と、該無線部に接続されるサンプリング部と、該サンプリング部に接続される信号処理部と、前記サンプリング部の制御を行う制御部とを有し、
前記サンプリング部は、前記無線部から入力される前記各通信プロトコルの受信信号に対して、アンチエイリアスフィルタを用いて同一のカットオフ周波数によりフィルタリングを行い、
前記制御部から前記各通信プロトコルについての制御情報の入力を受け、該制御情報に基づいて前記各通信プロトコルごとに適切なサンプリング周波数で受信信号のA/D変換を行い、前記制御情報に基づく間引き率で前記サンプリングされた受信信号の間引きを行う受信レート変換を行い、前記受信レート変換を行った受信信号を前記信号処理部に出力することを特徴とする無線通信制御方法。
【請求項７】
請求項６記載の無線通信制御方法であって、
前記アンチエイリアスフィルタのカットオフ周波数は前記複数の通信プロトコルのうち最大の信号帯域以上に設定され、
A/D変換器において前記カットオフ周波数の２倍以上のサンプリング周波数で送信信号のサンプリングしてA/D変換を行い、
受信レート変換器において、前記各通信プロトコルの信号帯域と前記サンプリング周波数との関係に基づいて決定される間引き率でA/D変換器の出力信号を間引きした信号を前記信号処理部に出力し、
前記A/D変換器は、クロック供給部から前記サンプリング周波数に適合する第１のクロックの供給を受けて動作し、前記受信レート変換器は、前記クロック供給部から、前記間引き率に適合する第２のクロックの供給を受けて動作することを特徴とする無線通信制御方法。
【請求項８】
請求項７記載の無線通信制御方法であって、
前記サンプリング周波数は、前記各通信プロトコルごとにその信号帯域の整数倍に設定されることを特徴とする無線通信制御方法。
【請求項９】
請求項６記載の無線通信制御方法であって、前記制御部は、予め前記各通信プロトコルに対応する、前記サンプリング部に通知する各変数を含む制御情報を記憶しておき、使用される通信プロトコルに対応する制御情報を前記サンプリング部に出力することを特徴とする無線通信制御方法。
【請求項１０】
請求項６記載の無線通信制御方法であって、前記制御部は、複数の通信プロトコルに対応するパラメータを順次、前記サンプリング部に通知して該複数の通信プロトコルで受信を行い、各通信プロトコルの受信状態に基づいて使用する通信プロトコルを決定することを特徴とする無線通信制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月1日(2007.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
第２実施形態に係るサセプタ７は、ＳｉＣが被覆された黒鉛からなるサセプタ本体２と、ウェハを上部に載置する部分となる部材８と、部材８の上部の外周に沿って接合するように設けられるＳｉＣからなる環状部材９とを備えてなり、これらサセプタ本体２と、部材８と、環状部材９とによりザグリ部８ａが形成されるものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
部材８は、ＴａＣからなる円盤状部材であり、その断面は略Ｔ字型となるように形成されていて、環状部材９とともにサセプタ本体２に嵌合されたとき、サセプタ７においてウェハを載置するのに最適な形状を有するザグリ部８ａを形成できる。このザグリ部８ａは、載置するウェハと同じ大きさの平面形状である必要はなく、やや大きい平面形状を有するものであってもよい。なお、この部材８も上述した部材３と同様に、図２に示すように、ＴａＣ被膜５が黒鉛６表面に被覆されているＴａＣ被覆黒鉛材からなる部材４であってもよい。このとき、ＴａＣ被膜の厚さは１０〜１００μｍが好ましく、さらに好ましくは３０〜１００μｍである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
次に、図８に示す測定装置の動作、及び、サセプタのガス透過率の測定方法について説明する。測定試料には、サセプタを直径３０ｍｍ以上の円板状に加工し、測定前に十分乾燥したものを用いた。測定試料をセル２６内に設置し、ゲートバルブ３２と排気バルブ３１を開けてロータリー式真空ポンプ２４で粗引きする。１００Ｐａ以下まで真空引きした後、排気バルブ３１を閉めて排気バルブ３３、３４を開けてセル一次側配管２５および二次側のタンク２７をロータリー式の真空ポンプ２９およびターボ分子ポンプ２８で一定の高真空値になるまで減圧する。次いで、電離真空計２３で高真空まで到達したことを確認したら、排気バルブ３３、３４とゲートバルブ３２を閉めた後に真空ポンプ２９とターボ分子ポンプ２８を停止する。ストップバルブ３０を開けて一次側配管２５に一次側真空計２１で確認しながらＮ2ガスを一定の試験圧で加える。Ｎ2ガスは一次側から、セル２６内の測定試料を透過して、二次側のタンク２７へと移動し、二次側のタンク２７の圧力が上昇し始める。その圧力上昇率を二次側圧力計２２で測定する。このように測定装置を動作させた後、測定試料のガス透過率（Ｋ）を次の式（１）、（２）にしたがって算出する。
Ｋ＝（ＱＬ）／（ΔＰＡ）…（１）
Ｑ＝｛（ｐ2−ｐ1）Ｖ0｝／ｔ…（２）
ここで、Ｋは窒素ガス透過率、Ｑは通気量、ΔＰは一次側タンクと二次側タンクの圧力差、Ａは透過面積、Ｌは測定試料の厚さ、ｐ1は二次側タンクの初期圧力、ｐ2は二次側タンクの最終圧力、Ｖ0は二次側タンクの容積、ｔは測定時間である。
被膜の窒素ガス透過率（Ｋ2）を求めるには、まず、黒鉛基材上に被膜を設けたＳｉＣおよびＴａＣ被覆黒鉛材の窒素ガス透過率（Ｋ0）を測定し、次いで研磨により上記被膜を除去し、黒鉛基材のみの窒素ガス透過率（Ｋ1）を測定する。そして、次の関係式（３）からＫ2を算出する。
（Ｌ1＋Ｌ2）／Ｋ0＝Ｌ1／Ｋ1＋Ｌ2／Ｋ2…（３）
ここで、Ｌ1は黒鉛基材の厚さ、Ｌ2はＳｉＣおよびＴａＣの被膜の厚さである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
また、それぞれのエピタキシャル成長したＳｉＣ層の窒素とホウ素濃度を測定した。その結果を上記表５に示す。測定にはＳＩＭＳ分析法を用いた。実施例５のサセプタを使用した場合のＳｉＣ層の窒素濃度とホウ素濃度は、それぞれ５．２×１０15と３．４×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ3であり、高純度なものであった。しかし、比較例５のサセプタを使用した場合のＳｉＣ層の窒素濃度とホウ素濃度は、高くなっており、ＳｉＣ被膜の昇華や黒鉛基材からのガス放出が原因で不純物濃度が高くなっていた。また、比較例５と比較例６のサセプタを使用した場合のエピタキシャル成長したＳｉＣ層の窒素濃度とホウ素濃度は、５．８×１０17〜５．６×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3と高くなっており、ＴａＣ被膜を透過した黒鉛基材からのガス放出が原因で不純物濃度が高くなっていた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
１、７、１０    サセプタ
２    サセプタ本体
３、４、８    部材
３ａ、８ａ、１１    ザグリ部
５    ＴａＣ被膜
１２    ＴａＣ被膜又はＳｉＣ被膜
６、１３    黒鉛
９    環状部材
２１  一次側真空計
２２  二次側真空計
２３  電離真空計
２４、２９  ロータリーポンプ
２５  一次側配管
２６  透過セル
２７  二次側タンク
２８  ターボ分子ポンプ
３０  ストップバルブ
３１、３３、３４  排気バルブ
３２  ゲートバルブ