【手続補正書】
【提出日】令和1年6月26日(2019.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高電子移動度トランジスタであって、
基板層と、
前記基板層上に配置されたバッファ層と、
前記バッファ層が設けられた前記基板層の表面に平行な長さを有するｐ−型材料層と、
前記ｐ−型材料層上に配置されたｐ＋型材料層と、
を備え、
前記ｐ−型材料層が前記基板層または前記基板層上に配置された第一の層のいずれか一つに設けられ、
ｐ＋型材料層がｐ−型材料層のドーピング濃度よりも高いドーピング濃度を備え、
ｐ−型材料層の厚さがｐ＋型材料層の厚さを超える、
トランジスタ。
【請求項２】
前記ｐ＋型材料層が、前記バッファ層が設けられた前記基板層の前記表面に平行な長さを備え、前記ｐ＋型材料層の前記長さが前記基板層の前記表面に平行な前記基板層の全長よりも短く、前記ｐ−型材料層および前記ｐ＋型材料層が、前記基板層または前記基板層上に配置された前記第一の層のいずれか一つに設けられ、前記基板層がＳｉＣを含み、前記バッファ層がＧａＮ、ＡｌＧａＮ、またはＡｌＮの少なくともいずれか一つを含む、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記ｐ＋型材料層の前記基板層の前記表面に平行な長さが、少なくともソースから少なくともドレインに隣接するゲートの端部まで延び、前記ｐ−型材料層の前記長さが前記基板層の全長よりも短い、請求項２に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記ｐ−型材料層の前記長さが前記基板層の前記表面に平行な前記基板層の全長よりも短い、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記ｐ−型材料層の前記基板層の表面に平行な長さが、少なくともソースからドレインに隣接するゲートの端部に向かって延び、前記ｐ−型材料層の前記長さが前記ｐ＋型材料層の長さを超える、請求項４に記載のトランジスタ。
【請求項６】
前記ｐ−型材料層が前記基板層上に配置された前記第一の層に設けられ、前記第一の層がＳｉＣであってエピタキシャル層を備え、前記ｐ−型材料層が前記エピタキシャル層内のアルミニウムを含み、前記ｐ＋型材料層が、前記バッファ層が設けられた前記基板層の表面に平行な長さを備え、前記ｐ＋型材料層の前記長さが前記基板層の前記表面に平行な前記基板層の全長よりも短い、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項７】
高電子移動度トランジスタであって、
基板層と、
前記基板層上に配置されたバッファ層と、
前記バッファ層が設けられた前記基板層の表面に平行な長さを有するｐ−型材料層と、
前記ｐ−型材料層上に配置されたｐ＋型材料層と、
を備え、
前記ｐ＋型材料層が前記ｐ−型材料層のドーピング濃度よりも高いドーピング濃度を備え、
前記ｐ−型材料層が前記基板層に設けられ、
前記ｐ−型材料層が前記基板層に注入されたアルミニウムを含み、
前記ｐ−型材料層の厚さが前記ｐ＋型材料層の厚さを超える、
トランジスタ。
【請求項８】
前記ｐ−型材料層が前記基板層に設けられ、前記ｐ−型材料層が０．５μｍを超える深さを有するように構成され、前記ｐ＋型材料層が、前記バッファ層が設けられた前記基板層の表面に平行な長さを備え、前記ｐ＋型材料層の前記長さが前記基板層の前記表面に平行な前記基板層の全長よりも短く、前記基板層がＳｉＣを含み、前記バッファ層がＧａＮ、ＡｌＧａＮ、またはＡｌＮの少なくともいずれか一つを含む、請求項７に記載のトランジスタ。
【請求項９】
高電子移動度トランジスタであって、
基板層と、
前記基板層上に配置されたバッファ層と、
前記バッファ層が設けられた前記基板層の表面に平行な長さを有するｐ−型材料層と、
前記ｐ−型材料層上に配置されたｐ＋型材料層と、
を備え、
前記ｐ−型材料層が前記基板層または前記基板層上に配置された第一の層のいずれか一つに設けられ、
前記ｐ＋型材料層が前記ｐ−型材料層のドーピング濃度よりも高いドーピング濃度を備え、
前記ｐ＋型材料層が、前記バッファ層が設けられた前記基板層の前記表面に平行な長さを備え、前記ｐ＋型材料層の前記長さが前記基板層の前記表面に平行な前記基板層の全長よりも短く、
前記ｐ＋型材料層が前記基板層に設けられ、
前記ｐ＋型材料層が前記基板層に注入されたアルミニウムを含み、
前記ｐ−型材料層の厚さが前記ｐ＋型材料層の厚さを超える、
トランジスタ。
【請求項１０】
前記ｐ−型材料層が前記基板層および前記基板層上に配置された第一の層のいずれか一つの全長にわたって延び、前記ｐ＋型材料層が、前記バッファ層が設けられた前記基板層の表面に平行な長さを備え、前記ｐ＋型材料層の前記長さが前記基板層の前記表面に平行な前記基板層の全長よりも短く、前記基板層がＳｉＣを含み、前記バッファ層がＧａＮ、ＡｌＧａＮ、またはＡｌＮの少なくともいずれか一つを含む、請求項９に記載のトランジスタ。
【請求項１１】
高電子移動度トランジスタの製造方法であって、
基板層を設けることと、
前記基板層上にバッファ層を設けることと、
前記バッファ層が設けられた前記基板層の表面に平行な長さを有するｐ−型材料層を設けることと、
前記ｐ−型材料層上にｐ＋型材料層を設けることと、
前記ｐ−型材料層を前記基板層または前記基板層上に配置された第一の層のいずれか一つに設けることと、
を含み、
前記ｐ＋型材料層が前記ｐ−型材料層のドーピング濃度よりも高いドーピング濃度を備え、
前記ｐ−型材料層の厚さが前記ｐ＋型材料層の厚さを超える、
方法。
【請求項１２】
前記ｐ＋型材料層を設けることが、前記ｐ＋型材料層の前記長さが前記基板層の前記表面に平行な前記基板層の全長よりも短くなるように前記バッファ層が設けられた前記基板層の表面に平行な長さを有するｐ＋型材料層を設けることと、前記ｐ−型材料層および前記ｐ＋型材料層を前記基板層または前記基板層上に配置された前記第一の層のいずれか一つに設けることと、をさらに含み、前記バッファ層にわたって前記基板層の表面に平行な長さを有する前記ｐ−型材料層を設けることが、チャネリング条件を活用して前記ｐ−型材料層に注入することをさらに含むことをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ｐ＋型材料層の前記基板層の前記表面に平行な長さが、少なくともソースから少なくともドレインに隣接するゲートの端部まで延びる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ｐ−型材料層が前記基板層に設けられ、前記ｐ−型材料層が０．５μｍを超える深さを有するように構成され、前記ｐ−型材料層の前記長さが前記ｐ＋型材料層の長さを超える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
高電子移動度トランジスタの製造方法であって、
基板層を設けることと、
前記基板層上にバッファ層を設けることと、
前記バッファ層が設けられた前記基板層の表面に平行な長さを有するｐ−型材料層を設けることと、
前記ｐ−型材料層上にｐ＋型材料層を設けることと、
を含み、
前記ｐ＋型材料層が前記ｐ−型材料層のドーピング濃度よりも高いドーピング濃度を備え、
前記ｐ−型材料層が前記基板層に設けられ、
前記ｐ−型材料層が前記基板層に注入されたアルミニウムを含み、
前記ｐ＋型材料層が前記基板層に設けられ、
前記ｐ＋型材料層が前記基板層に注入されたアルミニウムを含み、
前記ｐ−型材料層の厚さが前記ｐ＋型材料層の厚さを超える、
方法。
【請求項１６】
前記ｐ−型材料層の前記長さが前記基板層の前記表面に平行な前記基板層の全長よりも短く、前記基板層がＳｉＣを含み、前記バッファ層がＧａＮ、ＡｌＧａＮ、またはＡｌＮの少なくともいずれか一つを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記基板層の表面に平行な前記ｐ−型材料層の長さが少なくともソースからドレインに隣接するゲートの端部に向かって延び、前記基板層の表面に平行な前記ｐ−型材料層の前記長さが前記ｐ＋型材料層の長さを超える、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
高電子移動度トランジスタであって、
基板層と、
前記基板層上に配置されたバッファ層と、
前記バッファ層が設けられた前記基板層の表面に平行な長さを有するｐ−型材料と、    前記バッファ層が設けられた前記基板層の表面に平行な長さを有するｐ＋型材料であって、前記ｐ＋型材料の前記長さが前記基板層の全長よりも短く、前記ｐ＋型材料層が前記ｐ−型材料層に配置される、ｐ＋型材料層と、
を備え、
前記ｐ−型材料層および前記ｐ＋型材料層が、前記基板層または前記基板層上に配置された第一の層のいずれか一つに設けられ、
前記ｐ＋型材料層が前記ｐ−型材料層のドーピング濃度よりも高いドーピング濃度を備え、
前記ｐ−型材料層の前記長さが前記基板層の全長よりも短く、
前記ｐ−型材料層が前記ｐ＋型材料層の深さを超える深さを有するように構成される、
トランジスタ。
【請求項１９】
前記基板層の前記表面に平行な前記ｐ＋型材料の長さが少なくともソースから少なくともドレインに隣接するゲートの端部まで延び、前記ｐ−型材料層の前記長さが前記ｐ＋型材料層の長さを超える、請求項１８に記載のトランジスタ。
【請求項２０】
前記ｐ−型材料層が前記基板層に設けられ、前記ｐ−型材料が前記基板層に注入されたアルミニウムを含み、前記ｐ＋型材料層が前記基板層に設けられ、前記ｐ＋型材料が前記基板層に注入されたアルミニウムを含み、前記ｐ−型材料層の前記長さが前記ｐ＋型材料層の長さを超える、請求項１８に記載のトランジスタ。
【請求項２１】
装置であって、
基板と、
前記基板上のバッファ層と、
前記バッファ層上の三族窒化物バリア層と、
前記三族窒化物バリア層に電気的に結合したソースと、
前記三族窒化物バリア層に電気的に結合したゲートと、
前記三族窒化物バリア層に電気的に結合したドレインと、
前記基板または前記三族窒化物バリア層の下の前記基板上の少なくともいずれか一つに存在するｐ−領域と、
を備える装置。
【請求項２２】
前記ｐ−領域が注入される、請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
前記ｐ−領域が前記三族窒化物バリア層の下の前記基板に存在する、請求項２１に記載の装置。
【請求項２４】
前記基板上にエピタキシャル層をさらに備え、前記ｐ−領域が前記エピタキシャル層に存在する、請求項２１に記載の装置。
【請求項２５】
フィールドプレートをさらに備える、請求項２１に記載の装置。
【請求項２６】
デバイスの製造方法であって、
基板を設けることと、
前記基板上にバッファ層を設けることと、
前記バッファ層上に三族窒化物バリア層を設けることと、
ソースを前記三族窒化物バリア層に電気的に結合させることと、
ゲートを前記三族窒化物バリア層に電気的に結合させることと、
ドレインを前記三族窒化物バリア層に電気的に結合させることと、
前記基板または前記三族窒化物バリア層の下の前記基板上の少なくともいずれか一つに存在するｐ−領域を設けることと、
を含む、デバイスの製造方法。
【請求項２７】
前記ｐ−領域を注入することをさらに含む、請求項２６に記載のデバイスの製造方法。
【請求項２８】
前記ｐ−領域が前記三族窒化物バリア層の下の前記基板に存在する、請求項２６に記載のデバイスの製造方法。
【請求項２９】
前記基板上にエピタキシャル層を設けることをさらに含み、前記ｐ−領域が前記エピタキシャル層に存在する、請求項２６に記載のデバイスの製造方法。
【請求項３０】
フィールドプレートを設けることをさらに備える、請求項２６に記載のデバイスの製造方法。