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【手続補正書】
【提出日】平成19年2月28日(2007.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カメラ本体に取り付けられるアダプタの取り付け構造に於いて、
カメラ本体の三脚ネジに螺合する三脚ネジと、
カメラ本体の電池室内に設けられた電池接片と電気的接続を行うため、上記電池室内に
挿入される電気接片を有する接片台と、
上記接片台の周囲に設けられ、上記接片台と上記電池室との間の防水を行う防水手段と
、
を有することを特徴とするアダプタの取り付け構造。
【請求項２】
上記防水手段は、ゴム部材から成るＯリングで構成されることを特徴とする請求項１に
記載のアダプタの取り付け構造。
【請求項３】
カメラ本体に取り付けられるアダプタの取り付け構造に於いて、
カメラ本体の三脚ネジに螺合する三脚ネジと、
カメラ本体内に設けられた電池接片と電気的接続を行うため、上記カメラ本体内に挿入
される電気接片を有する接片台と、
を具備することを特徴とするアダプタの取り付け構造。
【請求項４】
上記接片台の周囲に設けられて、上記接片台と上記カメラ本体との間の防水を行う防水
手段と、
を更に具備することを特徴とする請求項３に記載のアダプタの取り付け構造。
【請求項５】
上記防水手段は、ゴム部材から成るＯリングで構成されることを特徴とする請求項４に
記載のアダプタの取り付け構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、請求項１ に記載の発明は、カメラ本体に取り付けられるアダプタの取り付け
構造に於いて、カメラ本体の三脚ネジに螺合する三脚ネジと、カメラ本体の電池室内に設けられた電池接片と電気的接続を行うため、上記電池室内に挿入される電気接片を有する接片台と、上記接片台の周囲に設けられ、上記接片台と上記電池室との間の防水を行う防水手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項３に記載の発明は、カメラ本体に取り付けられるアダプタの取り付け構造に於い
て、カメラ本体の三脚ネジに螺合する三脚ネジと、カメラ本体内に設けられた電池接片と電気的接続を行うため、上記カメラ本体内に挿入される電気接片を有する接片台と、を具備することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月7日(2007.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する基板の一表面にマトリクス状に配置された複数の画素及び第１の表示面を有し、
前記一表面と反対の表面に第２の表示面を有し、
前記複数の画素の各々は、トランジスタ、撮像素子、および前記第１の表示面側と前記第２の表示面側に発光する発光素子を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
透光性を有する基板の一表面にマトリクス状に配置された複数の画素及び第１の表示面を有し、
前記一表面と反対の表面に第２の表示面を有し、
前記複数の画素の各々は、トランジスタ、撮像素子、および前記第１の表示面側と前記第２の表示面側に発光する発光素子を有し、
前記トランジスタの上方に、前記発光素子が設けられ、
前記発光素子の上方に、前記撮像素子が設けられることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
透光性を有する基板の一表面にマトリクス状に配置された複数の画素及び第１の表示面を有し、
前記一表面と反対の表面に第２の表示面を有し、
前記複数の画素の各々は、トランジスタ、撮像素子、および前記第１の表示面側と前記第２の表示面側に発光する発光素子を有し、
前記トランジスタ及び前記撮像素子の上方に、前記発光素子が設けられることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記発光素子を用いて画像を表示することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記発光素子から発せられた光は、被写体において反射し、反射した光は前記撮像素子に入射して、前記被写体の情報を読み取ることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記発光素子から発せられた光は、被写体において反射し、反射した光は前記撮像素子に入射して、前記被写体の情報を読み取り、
前記被写体の情報は、前記発光素子により表示されることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記トランジスタは、非晶質半導体を有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記トランジスタは、結晶質半導体を有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記撮像素子は、非晶質半導体を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記基板と対向する対向基板を有し、
前記基板と前記対向基板は、偏光方向が異なる少なくとも２枚の偏光板により挟まれていることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記基板と対向する対向基板を有し、
前記基板と対向基板は、偏光方向が異なる少なくとも２枚の偏光板により挟まれており、
前記２枚の偏光板の一方又は両方には複数の開口部が設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記発光素子から得られる光は白色であることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記発光素子から得られる光は、赤色、青色又は緑色であることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記基板と対向する対向基板を有し、
前記発光素子から得られる光は白色であり、
前記基板上又は前記対向基板上に設けられたカラーフィルタを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記基板と対向する対向基板を有し、
前記発光素子から得られる光は白色であり、
前記基板上に設けられた第１のカラーフィルタと、前記対向基板上に設けられた第２のカラーフィルタを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記基板と対向する対向基板を有し、
前記発光素子から得られる光は青色であり、
前記基板上又は前記対向基板上に設けられた色変換層を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記基板と対向する対向基板を有し、
前記発光素子から得られる光は青色であり、
前記基板上に設けられた第１の色変換層と、前記対向基板上に設けられた第２の色変換層を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一項において、
前記第１の表示面又は前記第２の表示面における表示を切り換える切り換え回路を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一項に記載の前記表示装置を具備することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月25日(2007.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  高真空に排気されている反応容器内に上部電極と下部電極を対向配置させてこれら上部電極下部電極間に高周波電圧を印加すると共に、上部電極及び下部電極を所望の温度に加熱し、下部電極上又は上部電極下に石英ガラス基板を置いて反応容器内に複数のアルコレート系液体ソースの気化したガスをＯ２ガスと共に流すことにより、プラズマ雰囲気下での熱分解反応により石英ガラス基板の表面にガラス薄膜を形成する際に、反応容器内に流すＯ２ガスとアルコレート系液体ソースの気化したガスの総流量との比を６０から９７の範囲とし、メカニカルブースターポンプとドライポンプを直列接続した大容量排気装置により反応容器内の高真空を保つことを特徴とする高デルタ・低損失導波路の製造方法。
【請求項２】  前記石英ガラス基板の表面には予めＦを添加したＳｉＯ２ガラス層を形成しておき、このＦを添加したＳｉＯ２ガラス層は、石英ガラス基板との比屈折率差を−０．５％よりも低い値かつ、石英ガラス基板より低屈折率とすることを特徴とする請求項１記載の高デルタ・低損失導波路の製造方法。
【請求項３】  前記形成されたガラス薄膜と前記石英ガラス基板との比屈折率差が１％よりも高いことを特徴とする請求項１又は２記載の高デルタ・低損失導波路の製造方法。
【請求項４】  前記石英ガラス基板の表面にＧｅＯ２、Ｐ２Ｏ５のうちの少なくともどちらかが予め添加されていることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の高デルタ・低損失導波路の製造方法。
【請求項５】  前記反応容器内にアルコレート系液体ソースの気化したガス及びＯ２ガスと共に窒素系ガスも流すことにより、形成されるガラス薄膜にＮを添加させることを特徴とする請求項１〜４いずれか記載の高デルタ・低損失導波路の製造方法。
【請求項６】  前記メカニカルブースターポンプの排気量は８０００ｌ／ｍｉｎよりも大きく、前記ドライポンプの排気量は１０００ｌ／ｍｉｎよりも大きいことを特徴とする請求項１〜５いずれか記載の高デルタ・低損失導波路の製造方法。
【請求項７】  前記ガラス薄膜を形成後に、このガラス薄膜を１０００℃よりも高い温度で熱処理することを特徴とする請求項１〜６いずれか記載の高デルタ・低損失導波路の製造方法。
【請求項８】  複数枚の石英ガラス基板に同時にガラス薄膜を形成することを特徴とする請求項１〜７いずれか記載の高デルタ・低損失導波路の製造方法。
【請求項９】  前記上部電極下に置いた石英ガラス基板を上部電極に張り付けることを特徴とする請求項１〜８いずれか記載の高デルタ・低損失導波路の製造方法。
【請求項１０】  スラブ導波路のガラス薄膜をフォトリソグラフィ、ドライエッチングプロセスを用いて矩形状コア層に加工し、該矩形状コア層全体を該矩形状コア層の屈折率よりも低い値の屈折率を有するクラッド用ガラス膜で覆うことを特徴とする請求項１〜９いずれか記載の高デルタ・低損失導波路の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記石英ガラス基板の表面にＧｅＯ２、Ｐ２Ｏ５のうちの少なくともどちらかが予め添加されていてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図２は、スラブ導波路製造時におけるＯ２ガスとアルコレート系液体ソースの総流量との比と製造されたスラブ導波路の光伝搬損失との関係を示した図である。石英ガラス基板の表面にＳｉＯ２−ＧｅＯ２−Ｐ２Ｏ５ガラス薄膜を厚さ約５μｍ形成して構成したスラブ導波路の光伝搬損失特性を波長１５５０ｎｍにおいてＴＥモードで測定した結果が示されている。このときのガラス薄膜と石英ガラス基板との比屈折率差Δは３．２％である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
上記ガラス薄膜には、ＳｉＯ２にＧｅＯ２やＰ２Ｏ５が少なくとも１種添加されていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月25日(2007.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−  第１の最内層帯は少なくとも二つの層のＴｉＣＸＮＹＯＺからなり、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ≦１であり、
−  第２の多層帯は、合計で５〜３１層からなり、Ａｌ２Ｏ３及びＸ＋Ｙ＋Ｚ≦１であるＴｉＣＸＮＹＯＺの層からなり、
前記Ａｌ２Ｏ３−層は個々の層厚みが＜０．５μｍであり、前記ＴｉＣＸＮＹＯＺは０．０１〜０．２μｍであり、前記第２の多層帯は１．０〜４．０μｍの合計厚みを有し、且つ
前記第２の多層帯が切刃線に沿ってすくい面と逃げ面とに向かって露出され、すくい面の露出ａが０．０３＜ａ＜０．９ｍｍであり、逃げ面の露出ｂが０．０２＜ｂ＜０．２ｍｍであり、且つａ＞ｂである、
ことを特徴とする超硬合金のボディと後処理被膜とからなる、鋼の旋削加工用の切削工具インサート。
【請求項２】
前記最内層帯が、
Ｘ＋Ｙ＋Ｚ≦１であり、＜０．５μｍの大きさの等軸粒を有し、且つ合計厚みが＜１．５μｍで＞０．１μｍであるＴｉＣＸＮＹＯＺの第１の層と、
Ｘ＋Ｙ＋Ｚ≦１であり、０．４〜３．９μｍの柱状粒の厚みを有するＴｉＣＸＮＹＯＺの第２の層と、
含むことを特徴とする請求項１記載の切削工具インサート。
【請求項３】
前記最内層帯が、
Ｘ＋Ｙ＋Ｚ≦１であり、＜０．５μｍの大きさの等軸粒を有し、且つ＜１．５μｍであるが＞０．１μｍの合計厚みを有するＴｉＣＸＮＹＯＺの第３の層、
である請求項２記載の切削工具インサート。
【請求項４】
前記最内層帯の厚みが、０.７〜４.５μｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載の切削工具インサート。
【請求項５】
Ｘ＋Ｙ＋Ｚ≦１であるＴｉＣＸＮＹＯＺまたはそれらの組合せ物の１層または複数層の多層の最上部の最外層帯を特徴とする請求項１〜４のいずれか１に記載の切削工具インサート。
【請求項６】
２.０〜８.０μｍの被膜の合計厚みを特徴とする請求項１〜５のいずれか１に記載の切削工具インサート。
【請求項７】
前記多層及び部分的な前記最内ＴｉＣＸＮＹＯＺ層帯が、切刃に沿って露出されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１に記載の切削工具インサート。
【請求項８】
超硬合金の基材は、
７〜１０.５ｗｔ％のＣｏ、
０.２〜１.６ｗｔ％の立方晶炭化物、及び
１.５〜３.５μｍの平均粒サイズの残部ＷＣ、
を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１に記載の切削工具インサート。
【請求項９】
超硬合金の基材は、
立方晶炭化物が枯渇し且つ表面から５〜５０μｍの直近距離の面で豊富な容量のバインダを含み、且つ
７.０〜１０.５ｗｔ％のＣｏ、周期律表のＩＶｂ、ＶｂまたはＶＩｂ族の元素からなる４.０〜９.０ｗｔ％の立方晶炭化物、及び残部タングステン炭化物ＷＣと０.０１〜０.２ｗｔ％の範囲の含有量のＮとから成る基材組成を有する、
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１に記載の切削工具インサート。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月20日(2006.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  所定の携帯通信端末に対する情報送信、又は所定の携帯通信端末からの情報受信の少なくともいずれか一方を行う情報通信部を有する遊技機であって、
前記携帯通信端末が当該遊技機に対して所定の位置状態となったことを報知する報知手段が設けられたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】  当該遊技機の近傍において通信可能領域が構成され、前記報知手段は、その通信可能領域内において前記携帯通信端末が前記所定の位置状態となったことを報知することを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】  前記情報通信部は、可視光領域外の電磁波を情報伝達媒体として前記携帯通信端末と無線通信を行うように構成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の遊技機。
【請求項４】  前記報知手段は、通信可能な領域に向けて可視光を照射するガイド用光源を有してなることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の遊技機。
【請求項５】  前記ガイド用光源は指向性を有する光を照射するように構成されていることを特徴とする請求項４に記載の遊技機。
【請求項６】  前記ガイド用光源は、所定幅の光を照射するように構成されることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の遊技機。
【請求項７】  前記ガイド用光源を複数備え、少なくとも２つのガイド用光源から照射される光軸の間において、通信可能な領域が構成されていることを特徴とする請求項４ないし請求項６のいずれかに記載の遊技機。
【請求項８】  前記情報通信部は、情報伝達媒体を所定方向に出力する情報送信部を有してなり、前記ガイド用光源は、前記情報通信媒体の出力方向と同方向、又は略同方向に光を照射するように構成されていることを特徴とする請求項４ないし請求項７のいずれかに記載の遊技機。
【請求項９】  前記ガイド用光源から出力される光が複数の照射態様に変化するように制御するガイド光制御手段を備えたことを特徴とする請求項４ないし請求項８のいずれかに記載の遊技機。
【請求項１０】  前記ガイド用光源は前記情報送信部から出力される情報伝達媒体のうちその出力レベルが最大とされる方向に沿って前記可視光を照射することを特徴とする請求項４ないし請求項９のいずれかに記載の遊技機。
【請求項１１】  前記情報送信部はアンテナを有してなると共に、前記情報伝達媒体として電波を放射するように構成されており、
前記ガイド用光源は前記アンテナから放射される電波のうち最大電界強度を有する方向と平行に光を照射することを特徴とする請求項１０に記載の遊技機。
【請求項１２】  当該遊技機はパチンコ機として構成されるとともに、遊技盤の前方において情報通信可能な領域が構成され、
この遊技盤の前方の情報通信可能な領域に向けて前記ガイド用光源によりガイド光が照射されるように構成されていることを特徴とする請求項４ないし請求項１１のいずれかに記載の遊技機。
【請求項１３】  前記ガイド用光源は複数設けられており、それら複数のガイド用光源は、前記通信可能領域において互いに接近又は交差するように照射されるように構成されていることを特徴とする請求項４ないし請求項１２のいずれかに記載の遊技機。
【請求項１４】  前記ガイド用光源が変位可能に構成されていることを特徴とする請求項４ないし請求項１３のいずれかに記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月19日(2007.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された隔壁によって囲まれた区画領域内に設けられた発光素子を備えた電気光学装置において、
前記発光素子の下部電極を形成する部材平坦面の大きさが、前記隔壁の開口の大きさと同一か、それより小さいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記隔壁は積層形成された第１隔壁及び第２隔壁からなり、前記下部電極が、前記第１隔壁と接していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記隔壁は積層形成された第１隔壁及び第２隔壁からなり、前記下部電極と前記第１隔壁との間に隙間を設けることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１隔壁と第２隔壁の開口の大きさを同一とし、かつ当該第１隔壁の高さを前記下部電極の厚さより高くしたことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記下部電極を前記第１隔壁上に設け、当該下部電極と前記第２隔壁の間に隙間を設けることによって前記第１隔壁の一部を露出させると共に、当該第１隔壁に開けられたコンタクトホールを介して前記下部電極と駆動回路の電気的導通を取ることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項６】
層間絶縁膜上に形成された前記下部電極と、前記層間絶縁膜が前記第１隔壁を兼用することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１隔壁が省略され、かつ前記下部電極と前記第２隔壁の間に隙間を設けたことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の電気光学装置は、前記隔壁は積層形成された第１隔壁及び第２隔壁からなり、前記下部電極が、前記第１隔壁と接していることを特徴とする。このような構成を有する画素領域では、親液性の下部電極と親液性の隔壁が連続した平面を形成できるので、有機機能層を形成する液体材料がスムースに画素領域内全面に拡がるようになる。従って、乾燥後の有機機能層の膜厚も均一で、光学特性に優れた有機機能層を得ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の電気光学装置は、前記隔壁は積層形成された第１隔壁及び第２隔壁からなり、前記下部電極と前記第１隔壁との間に隙間を設けることを特徴とする。本構成によれば、下部電極と第１隔壁の間に設けられた隙間は、液体材料の乾燥中の流れを変動させる効果を有する。すなわち、画素領域内に拡がった液体材料は、周りから乾燥が進むので、電極上では外周の隔壁に向かった液体の流れが出来る。従って、これを起こりにくくさせ、ある程度の溶質の偏析を電極外周部およびその外に作り、電極上の膜厚均一性を向上させるものである。また、本構成における隙間は、実際の製造工程において、寸法誤差のマージンにも取れるので副次的な効果も有する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月2日(2007.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、前記光源からの光束を０次光及び±１次光の３つの光束に分ける波面分割素子と、前記波面分割素子で分割された光束を光記録媒体上に集光する対物レンズと、前記光源と対物レンズの間にあって前記光束に球面収差を発生させる球面収差発生手段と、前記球面収差発生手段の球面収差発生量を調整する第１の調整手段と、前記３つの光束の光記録媒体からの反射光を検出する光検出器と、前記光検出器の出力に基づく信号のゲインを調整する第2の調整手段と、前記ゲイン調整された信号に基づいてトラッキングエラー信号又は前記対物レンズのトラッキング方向の位置を示す対物レンズ位置信号を演算する演算手段とを備え、前記第２の調整手段は、前記第１の調整手段により球面収差発生量を調整した後に前記ゲイン調整を行なうことを特徴とする光学的情報記録再生装置。
【請求項２】
前記第１の調整手段による球面収差発生量の調整は、トラッキング制御がオフの状態で行うことを特徴とする請求項１に記載の光学的情報記録再生装置。
【請求項３】
前記第１の調整手段による球面収差発生の調整及び前記第２の調整手段によるゲインの調整は、レンズ位置制御がオンの状態で行うことを特徴とする請求項１に記載の光学的情報記録再生装置。
【請求項４】
前記演算手段は、前記検出器からの出力による０次光の反射光より第１のプッシュプル信号ＭＰＰを生成し、前記±１次光の反射光より第２、第３のプッシュプル信号を生成してその和のプッシュプル信号ＳＰＰを生成し、且つ、前記ＭＰＰからＳＰＰにゲインＫ１を乗算した信号を減算することによってトラッキングエラー信号ＤＰＰを生成する第１の演算手段と、前記ＭＰＰとＳＰＰにゲインＫ２を乗算した信号を加算することによって対物レンズのトラッキング方向の位置を示す対物レンズ位置信号ＬＰＳを生成する第２の演算手段とを有し、前記第２の調整手段は前記ゲインＫ１、Ｋ２を調整することを特徴とする請求項１に記載の光学的情報記録再生装置。
【請求項５】
前記光記録媒体は、複数の記録再生情報面を持ち、前記球面収差発生手段の調整とその後に行う前記ゲインの調整は、それぞれの記録再生情報面毎に行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光学的情報記録再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
ＤＰＰ信号の対物レンズ位置によるオフセットの発生はトラッキング制御の誤差となり、記録時の隣接トラックへの書き込み、再生信号への隣接トラックからのクロストーク増大等を起こし、記録再生信号の劣化要因となる。また、ＬＰＳ信号へのトラッキングエラー成分の混入は、シーク時等のレンズ位置固定制御への外乱となり、シークを不安定にし、アクセス時間の増大、シーク失敗等の要因となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明は、上記目的を達成するため、光源と、前記光源からの光束を０次光及び±１次光の３つの光束に分ける波面分割素子と、前記波面分割素子で分割された光束を光記録媒体上に集光する対物レンズと、前記光源と対物レンズの間にあって前記光束に球面収差を発生させる球面収差発生手段と、前記球面収差発生手段の球面収差発生量を調整する第１の調整手段と、前記３つの光束の光記録媒体からの反射光を検出する光検出器と、前記光検出器の出力に基づく信号のゲインを調整する第2の調整手段と、前記ゲイン調整された信号に基づいてトラッキングエラー信号又は前記対物レンズのトラッキング方向の位置を示す対物レンズ位置信号を演算する演算手段とを備え、前記第２の調整手段は、前記第１の調整手段により球面収差発生量を調整した後に前記ゲイン調整を行なうことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、本発明は、前記演算手段は、前記検出器からの出力による０次光の反射光より第１のプッシュプル信号ＭＰＰを生成し、前記±１次光の反射光より第２、第３のプッシュプル信号を生成してその和のプッシュプル信号ＳＰＰを生成し、且つ、前記ＭＰＰからＳＰＰにゲインＫ１を乗算した信号を減算することによってトラッキングエラー信号ＤＰＰを生成する第１の演算手段と、前記ＭＰＰとＳＰＰにゲインＫ２を乗算した信号を加算することによって対物レンズのトラッキング方向の位置を示す対物レンズ位置信号ＬＰＳを生成する第２の演算手段とを有し、前記第２の調整手段は前記ゲインＫ１、Ｋ２を調整することを特徴とする。この構成により、メカ等の調整誤差によらず、いつも最適なＤＰＰ、ＬＳＰ信号が得られる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、本発明は、前記光記録媒体は、複数の記録再生情報面を持ち、前記球面収差発生手段の調整とその後に行う前記ゲインの調整は、それぞれの記録再生情報面毎に行うことを特徴とする。この構成により、異なる情報面での球面収差補正手段の状況によらず、いつも最適なＤＰＰ、ＬＳＰ信号が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月24日(2007.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスク駆動装置内に設けられた保持手段によって保持される光ディスク用基板であって、
保持手段に当接する当接領域が、他の非当接領域よりも低熱伝導であることを特徴とする光ディスク用基板。
【請求項２】
前記低熱伝導な当接領域は、粗面によって構成されていることを特徴とする、請求項１記載の光ディスク用基板。
【請求項３】
前記当接領域での粗面は、多数の微小な突起によって形成されていることを特徴とする、請求項２記載の光ディスク用基板。
【請求項４】
前記当接領域での粗面は、溝によって形成されていることを特徴とする、請求項２記載の光ディスク用基板。
【請求項５】
前記低熱伝導な当接領域は、多数の微小な気泡を含む発泡体によって構成されていることを特徴とする、請求項１記載のディスク用基板。
【請求項６】
前記低熱伝導な当接領域は、低熱伝導材料からなる微粒子を多数含む層によって構成されていることを特徴とする、請求項１記載の光ディスク用基板。
【請求項７】
記録層が円盤状光ディスク用基板の第一面上に形成される光ディスクであって、
該光ディスクは、
第一面の中心近傍に位置して、記録層が形成されていない第一の非記録領域と、
該第一の非記録領域の外周に位置して、記録層が形成されている第一の記録領域と、を備え、
前記第一の非記録領域の少なくとも一部分が、第一の記録領域よりも低熱伝導であることを特徴とする光ディスク。
【請求項８】
前記第一面の反対側に位置する第二面の中心近傍に位置する第二の非記録領域の少なくとも一部分も、前記第一の記録領域よりも低熱伝導であることを特徴とする、請求項７記載の光ディスク。
【請求項９】
前記低熱伝導な非記録領域は、粗面によって構成されていることを特徴とする、請求項７又は８記載の光ディスク。
【請求項１０】
前記非記録領域での粗面は、多数の微小な突起によって形成されていることを特徴とする、請求項８記載の光ディスク用基板。
【請求項１１】
前記非記録領域での粗面は、溝によって形成されていることを特徴とする、請求項８記載の光ディスク用基板。
【請求項１２】
前記低熱伝導な非記録領域は、多数の微小な気泡を含む発泡体によって構成されていることを特徴とする、請求項７又は８記載のディスク用基板。
【請求項１３】
前記低熱伝導な非記録領域は、低熱伝導材料からなる微粒子を多数含む層によって構成されていることを特徴とする、請求項７又は８記載の光ディスク用基板。
【請求項１４】
前記非記録領域は、光ディスク駆動装置内に設けられた保持手段によって保持されることを特徴とする、請求項７記載の光ディスク。
【請求項１５】
光ディスクを再生あるいは記録する光ディスク駆動装置内部で光ディスクを保持するためのクランパであって、
光ディスクに当接する面が粗面であることを特徴とする光ディスク駆動装置のクランパ。
【請求項１６】
光ディスクを再生あるいは記録する光ディスク駆動装置内部で光ディスクを保持するためのクランパであって、
光ディスクに当接する面の少なくとも一部分に、低熱伝導部材が配置されていて、
前記低熱伝導部材の熱伝導率は、光ディスク用基板の熱伝導率より低いことを特徴とする光ディスク駆動装置のクランパ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月19日(2007.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型からなる半導体基板と、
前記半導体基板の上面に設けられる活性層と、
前記活性層上に形成される第２の導電型からなる半導体層と、
前記半導体層上に形成され、前記半導体基板及び前記活性層並びに前記半導体層によって形成される細長の共振器の端から端に亘って対応して設けられ、前記共振器の前記活性層部分に電流を注入する電極とを有し、
前記共振器の少なくとも一方の端側において、前記活性層への電流の注入を阻止する絶縁体からなる非注入部と、前記活性層への電流の注入をする注入部が前記共振器の延在方向に沿って周期的に設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記半導体層の上面から途中深さにまで到達するように設けられる２本の溝と、
前記２本の溝に挟まれて形成される前記半導体層からなるメサと、
前記メサの上面を除いて前記半導体層上面に設けられる絶縁膜とを有し、
前記電極は前記メサの上面に電気的に接続され、
前記メサの下方部分が前記共振器を構成していることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記非注入部は一定の長さで一定のピッチで配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記共振器の端面に近接する１乃至複数の前記非注入部の長さは、これら非注入部を除く前記共振器の奥側の前記非注入部の長さよりも短くなっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記非注入部の長さは一定であり、かつ隣接する前記非注入部間の間隔が前記共振器の端面から奥に向かうにつれて順次広くなっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
第１の導電型からなる半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板の上面に活性層を形成する工程と、
前記活性層上に第２の導電型からなる半導体層を形成する工程と、
前記半導体層を除去するように２本の溝を所定間隔に形成して前記活性層上に前記２本の溝に挟まれる突出した１本のメサを複数形成し、前記メサの下に共振器を構成する工程と、
前記メサの上面を除いて前記半導体基板の上面を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に選択的に形成し、一部は前記メサ上に重なる電極を形成する工程と、
前記半導体基板の下面に電極を形成する工程と、
前記半導体基板及びその上の各層を前記メサとメサとの間で分断するとともに、前記メサに直交する方向に一定間隔で劈開して四角形の半導体レーザ素子を複数形成する工程とを有し、
前記分断及び前記劈開の前に、前記劈開が行われる劈開予定領域に、前記活性層への電流の注入を阻止する絶縁体からなる非注入部を前記共振器の延在方向に沿って周期的に設けておくことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項７】
前記非注入部を一定の長さで一定のピッチで配置することを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項８】
前記共振器の端面に近接する１乃至複数の前記非注入部の長さを、これら非注入部を除く前記共振器の奥側の前記非注入部の長さよりも短く形成することを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項９】
前記非注入部の長さを一定にし、かつ隣接する前記非注入部間の間隔を前記共振器の端面から奥に向かうにつれて少なくとも所定の長さ域で順次広く形成することを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１０】
前記非注入部の長さを前記共振器の端面から奥に向かうにつれて少なくとも所定の長さ域で順次長く形成することを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１１】
前記非注入部の長さを前記共振器の端面から奥に向かうにつれて少なくとも所定の長さ域で順次長く形成し、かつ隣接する前記非注入部間の間隔を前記共振器の端面から奥に向かうにつれて少なくとも所定の長さ域で順次広く形成することを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月1日(2007.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記検出手段は、前記光の特定波長帯域のスペクトルを検出することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としての露光装置について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図１は、本発明の露光装置１の構成を示す概略断面図である。また、露光装置１において、ＥＵＶ光源部１００側を上流側、レチクル５００側を下流側として説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月1日(2007.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子電極が形成された主面を有する半導体素子と、
表面および当該表面に対向する裏面を有する絶縁樹脂層、ならびに前記絶縁樹脂層の裏面に形成された配線パターンを有するフィルム部材と
を備える半導体モジュールであって、
前記半導体素子の主面と前記フィルム部材の絶縁樹脂層の表面とが接するように、前記半導体素子と前記フィルム部材とが重ねられており、
前記フィルム部材の配線パターンの一部分は、前記絶縁樹脂層を貫通して前記半導体素子の素子電極に接触している、半導体モジュール。
【請求項２】
前記絶縁樹脂層は、前記半導体素子の主面に絶縁樹脂を塗布して形成された塗布膜である、請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記配線パターンは、前記絶縁樹脂層の裏面に埋め込まれている、請求項１または２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記絶縁樹脂層を貫通した状態の配線パターンの一部分は、配線パターンの一部分が前記絶縁樹脂層の内部へと押し込まれることによって形成されている、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記配線パターンの一部分の断面は、略Ｕ形状を有する、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記接触によって形成される接合部位は、配線パターンと素子電極とを電気的に接続する機能を有する、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体モジュール。
【請求項７】
前記接触により形成される接合部位が、超音波接合されている、請求項１〜６のいずれかに記載の半導体モジュール。
【請求項８】
前記フィルム部材の表面および前記表面に対向する裏面の寸法は、前記半導体素子の主面の寸法と略同じである、請求項１〜７のいずれかに記載の半導体モジュール。
【請求項９】
前記フィルム部材の表面および前記表面に対向する裏面の寸法は、前記半導体素子の主面の寸法よりも大きい、請求項１〜８のいずれかに記載の半導体モジュール。
【請求項１０】
半田ボールが、前記フィルム部材の裏面に形成されている、請求項１〜９のいずれかに記載の半導体モジュール。
【請求項１１】
配線基板に電気的に接続されているインターポーザを更に備える半導体モジュールであって、前記フィルム部材が前記インターポーザに電気的に接続されている、請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体モジュール。
【請求項１２】
前記フィルム部材に重ねられるように、更なるフィルム部材が積層している、請求項１〜１１のいずれかに記載の半導体モジュール。
【請求項１３】
前記半導体素子は、半導体ウェハである、請求項１２に記載の半導体モジュール。
【請求項１４】
素子電極が形成された主面および前記主面に対向する裏面を有する半導体素子と、
表面および当該表面に対向する裏面を有する絶縁樹脂層、ならびに前記絶縁樹脂層の裏面に形成された配線パターンを有するフィルム部材と、
配線基板と
を備える半導体モジュールであって、
前記半導体素子の裏面が前記配線基板と接するように、前記半導体素子が前記配線基板に載置されており、
前記フィルム部材の表面および前記表面に対向する裏面の寸法が、前記半導体素子の主面の寸法よりも大きく、前記半導体素子の主面と前記フィルム部材の絶縁樹脂層の表面とが接するように、前記フィルム部材が前記半導体素子に載置され、前記フィルム部材の少なくとも一部が前記配線基板にまで延在しており、
前記フィルム部材の配線パターンの一部分の少なくとも１つが、前記絶縁樹脂層を貫通した状態で前記半導体素子の素子電極に接触している一方、前記フィルム部材の配線パターンの一部分の残りの少なくとも１つが、前記絶縁樹脂層を貫通して前記配線基板上に形成された電極に接触している、半導体モジュール。
【請求項１５】
素子電極が形成された主面および前記主面に対向する裏面を有する半導体素子と、
表面および当該表面に対向する裏面を有する絶縁樹脂層、ならびに前記絶縁樹脂層の裏面に形成された配線パターンを有するフィルム部材と
を備える半導体モジュールであって、
前記フィルム部材が、前記半導体素子の主面から前記半導体素子の側面を経由して前記半導体素子の裏面に延在するように、前記フィルム部材の絶縁樹脂層の表面と、前記半導体素子の主面および裏面とが接しており、
前記フィルム部材の配線パターンの一部分は、前記絶縁樹脂層を貫通して前記半導体素子の主面および裏面の素子電極に接触している、半導体モジュール。
【請求項１６】
表面および当該表面に対向する裏面を有する絶縁樹脂層、ならびに前記絶縁樹脂層の一方の面に配線パターンが形成されているフィルムインターポーザであって、
前記配線パターンの一部分は、前記絶縁樹脂層を貫通して他方の面に露出している、フィルムインターポーザ。
【請求項１７】
前記配線パターンが、前記絶縁樹脂層の前記一方の面に埋め込まれている、請求項１６に記載のフィルムインターポーザ。
【請求項１８】
前記配線パターンの一部分の断面は、略Ｕ形状を有する、請求項１６または１７に記載のフィルムインターポーザ。
【請求項１９】
（ａ）素子電極が形成された主面を有する半導体素子を用意する工程と、
（ｂ）表面および当該表面に対向する裏面を有する絶縁樹脂層、ならびに前記絶縁樹脂層の裏面に形成された配線パターンを有するフィルム部材を用意する工程と、
（ｃ）前記半導体素子の主面と前記フィルム部材の絶縁樹脂層の表面とが接するように、前記半導体素子と前記フィルム部材とを重ねる工程と、
（ｄ）前記フィルム部材の配線パターンの一部分を前記絶縁樹脂層の内部に押し込んで前記半導体素子の素子電極に接触させる工程と
を含んで成る、半導体モジュールの製造方法。
【請求項２０】
前記フィルム部材は透明であり、
目視することによって前記工程（ｄ）を実施する、請求項１９に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項２１】
前記接触により形成される接合部位に、超音波を印加する、請求項１９または２０に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項２２】
前記超音波の印加に際して、前記配線パターンの一部分の抵抗値を測定する、請求項２１に記載の半導体モジュールの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月18日(2007.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つのＰＮ接合を含む回路に発生する２つの電圧を入力して出力電圧を生成する差動増幅手段と、前記差動増幅手段の出力電圧に従って前記２つのＰＮ接合にそれぞれの電流を供給する電流供給手段と、起動信号に従って前記差動増幅手段の動作を前記２つのＰＮ接合に流れる電流が比較的小さいときの第１の安定状態から前記２つのＰＮ接合に流れる電流が比較的大きいときの第２の安定状態に強制的に移行させるために前記電流供給手段を制御する制御手段とを含み、前記差動増幅手段の出力電圧に基づいて生成された第１の電圧を直接又は分圧して基準電圧として出力する定電圧回路と、
前記定電圧回路から出力される第１の電圧に基づいて、前記定電圧回路を起動制御するために前記起動信号を活性化し、その後少なくとも前記差動増幅手段の動作が前記第１の安定状態を経過するまで前記起動信号を活性化し続け、前記差動増幅手段の動作が前記第１の安定状態を経過した後に前記起動信号を非活性化する起動回路と、
前記起動信号が活性化されているときに前記第１の電圧を減少させる起動促進回路と、
を具備する基準電圧発生回路。
【請求項２】
前記２つのＰＮ接合が、電流密度が互いに異なる第１のＰＮ接合及び第２のＰＮ接合を含み、
前記電流供給手段が、前記差動増幅手段の出力電圧に従って、前記第１のＰＮ接合、及び、前記第１のＰＮ接合に並列接続された第１の抵抗に電流を供給する第１のトランジスタと、前記差動増幅手段の出力電圧に従って、第２の抵抗と前記第２のＰＮ接合との直列回路、及び、前記直列回路に並列接続された第３の抵抗に電流を供給する第２のトランジスタとを含む、請求項１記載の基準電圧発生回路。
【請求項３】
前記定電圧回路が、前記差動増幅手段の出力電圧に従って少なくとも１つの抵抗に第３の電流を供給することにより、前記少なくとも１つの抵抗の両端に第１の電圧を発生させる第３のトランジスタをさらに含む、請求項２記載の基準電圧発生回路。
【請求項４】
前記制御手段が、起動信号に従って前記第１〜第３のトランジスタのゲート電位を制御する第４のトランジスタを含む、請求項３記載の基準電圧発生回路。
【請求項５】
前記起動回路が、
電源端子と前記第４のトランジスタのゲートとの間に電気的に接続されたインピーダンス素子と、
ゲート・ソース間に印加される第１の電圧に従って前記第４のトランジスタのゲート電位を制御する第５のトランジスタと、
を含む、請求項４記載の基準電圧発生回路。
【請求項６】
前記起動促進回路が、ゲートに印加される起動信号に従って前記第３のトランジスタのドレインに接続されるインピーダンスを変化させる第６のトランジスタを含む、請求項５記載の基準電圧発生回路。
【請求項７】
電源電圧が増加するにつれて起動信号を非活性化するように前記起動回路を制御する再起動防止回路をさらに具備する、請求項５又は６記載の基準電圧発生回路。
【請求項８】
前記再起動防止回路が、
電源電圧を分圧する複数の抵抗と、
前記複数の抵抗によって分圧された電源電圧がゲート・ソース間に印加され、該分圧された電源電圧に従って起動信号を非活性化する第７のトランジスタと、
を含む、請求項７記載の基準電圧発生回路。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項記載の基準電圧発生回路と、
前記基準電圧発生回路によって発生された基準電圧と、分圧された電源電圧とを比較して、比較結果を表す信号を出力するコンパレータと、
を具備する電源電圧監視回路。
【請求項１０】
前記コンパレータの出力信号に従って、電源電圧を分圧する複数の抵抗の内の少なくとも１つの抵抗を短絡する第８のトランジスタをさらに具備する、請求項９記載の電源電圧監視回路。
【請求項１１】
基準電圧を発生するための基準電圧発生回路であって、
前記基準電圧を出力する定電圧回路と、
起動信号を生成し、前記定電圧回路の起動を制御する起動回路と、
前記定電圧回路の起動を促進する起動促進回路と、
を含み、
前記基準電圧発生回路は、
第１のダイオードを含み第１の電圧を発生する第１の回路と、
第２のダイオードを含み第２の電圧を発生する第２の回路と、
前記第１の電圧及び前記第２の電圧を入力して出力電圧を生成する差動増幅手段と、
前記出力電圧に基づき、前記第１のダイオード及び前記第２のダイオードにそれぞれ電流を供給する電流供給手段と、
前記出力電圧に基づき、第３の電圧を生成する出力回路と、
前記電流供給手段をさらに制御する制御手段と、
を含み、前記基準電圧は前記第３の電圧であるか又は前記第３の電圧を分圧したものであり、
前記起動回路は、前記第３の電圧に基づき前記起動信号を生成し、
前記起動促進回路は、前記起動信号に基づいて前記第３の電圧を変化させることを特徴とする基準電圧発生回路。
【請求項１２】
請求項１１に記載の基準電圧発生回路と、
前記基準電圧と、分圧された電源電圧とを比較するコンパレータと、
を含むことを特徴とする電源電圧監視回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る電源電圧監視回路は、上記いずれかの基準電圧発生回路と、基準電圧発生回路によって発生された基準電圧と分圧された電源電圧とを比較して比較結果を表す信号を出力するコンパレータとを具備する。この電源電圧監視回路は、コンパレータの出力信号に従って、電源電圧を分圧する複数の抵抗の内の少なくとも１つの抵抗を短絡する第８のトランジスタをさらに具備するようにしても良い。
また、本発明に係る基準電圧発生回路は、基準電圧を発生するための基準電圧発生回路であって、前記基準電圧を出力する定電圧回路と、起動信号を生成し、前記定電圧回路の起動を制御する起動回路と、前記定電圧回路の起動を促進する起動促進回路と、を含み、前記基準電圧発生回路は、第１のダイオードを含み第１の電圧を発生する第１の回路と、第２のダイオードを含み第２の電圧を発生する第２の回路と、前記第１の電圧及び前記第２の電圧を入力して出力電圧を生成する差動増幅手段と、前記出力電圧に基づき、前記第１のダイオード及び前記第２のダイオードにそれぞれ電流を供給する電流供給手段と、前記出力電圧に基づき、第３の電圧を生成する出力回路と、前記電流供給手段をさらに制御する制御手段と、を含み、前記基準電圧は前記第３の電圧であるか又は前記第３の電圧を分圧したものであり、前記起動回路は、前記第３の電圧に基づき前記起動信号を生成し、前記起動促進回路は、前記起動信号に基づいて前記第３の電圧を変化させるようにしても良い。
また、本発明に係る電源電圧監視回路は、上記の基準電圧発生回路と、前記基準電圧と、分圧された電源電圧とを比較するコンパレータとを具備するようにしても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月6日(2007.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
（２）定着装置１１４
図２は本実施例における定着装置１１４の要部の模式的横断面図である。図３は要部の斜視模型図である。この定着装置１１４は特開平４−４４０７５〜４４０８３号公報、同４−２０４９８０〜２０４９８４号公報等に開示のテンションレスタイプのフィルム加熱方式の加熱装置である。
即ち、支持部材に固定支持された加熱体と、一面が加熱体と接触摺動し、他面が被加熱材と接触する可撓性部材とを有する。そして、加熱体上を可撓性部材と被加熱材が一緒に移動することで加熱体の熱を可撓性部材を介して被加熱材へ伝達する加熱装置である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
本実施例では特に炭化させる有機物としては、非酸化雰囲気中、たとえば減圧環境（室圧よりも減圧した雰囲気中）ないし真空中、ないし窒素ガスやアルゴンなどの不活性ガス中での焼成により５％以上の炭化収率を示す有機物質を使用するものであり、塩素化塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル−ポリ酢酸ビニル共重合体、ポリアミド等の熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、フラン樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド等の熱硬化性樹脂、リグニン、セルロース、トラガントガム、アラビアガム、糖類等の縮合多環芳香族を分子の基本構造内に持つ天然高分子物質、及び前記には含有されない、ナフタレンスルホン酸のホルマリン縮合物、コプナ樹脂等の縮合多環芳香族を分子の基本構造内に持つ合成高分子物質が挙げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
前記炭素の非酸化雰囲気中とは、常圧（室圧）よりも減圧した雰囲気中や真空中、ないし窒素ガス中、不活性ガス中であることで、このような雰囲気中で熱処理することで、熱処理時の酸化が確実に防止でき、炭素系抵抗発熱体を安定して作ることが出来る。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月20日(2007.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層で被覆された電極を有したプラズマディスプレイパネルの電極形成方法であって、
基板上に、少なくとも第２金属膜を形成した後、その上に第１金属膜を形成し、
積層された金属膜上に電極形成用のレジストパターンを形成し、その金属膜をエッチング液でエッチングして積層膜の電極を形成することからなり、
第１金属膜を構成する第１金属が、第２金属膜を構成する第２金属と異なり、かつ、第１金属と第２金属として、第１金属と第２金属を第１金属のエッチング液に浸した状態で短絡させると第１金属の表面電位が低下する性質を有する金属を用い、
第１金属膜の形成中または形成後に、第２金属膜の金属原子が第１金属膜の膜中および膜表面に拡散するような温度に雰囲気温度を保持する拡散工程を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの電極形成方法。
【請求項２】
第２金属膜を形成する前に、第２金属膜の下層に第３金属膜を形成する工程をさらに備え、
第３金属膜を構成する第３金属が、第１金属膜を構成する第１金属と同じである請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの電極形成方法。
【請求項３】
第１金属がＣｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｉ、Ｗ、およびこれらの合金のグループから選択された金属からなり、第２金属がＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびこれらの合金のグループから選択された金属からなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの電極形成方法。
【請求項４】
第２金属膜と第１金属膜の形成が真空プロセス法で行われる請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの電極形成方法。
【請求項５】
拡散工程の雰囲気温度が１５０℃以上である請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの電極形成方法。
【請求項６】
拡散工程が減圧下で実施される請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの電極形成方法。
【請求項７】
拡散工程が還元性雰囲気中で実施される請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの電極形成方法。
【請求項８】
エッチング液が酸性の水溶液である請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの電極形成方法。
【請求項９】
積層膜の電極が、基板側から順にＣｒの第１層、Ｃｕの第２層、Ｃｒの第３層の三層構造であり、
拡散工程において、第２層Ｃｕの金属原子が第３層Ｃｒの膜中および膜表面に拡散される請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの電極形成方法。
【請求項１０】
拡散工程が、第２層Ｃｕの形成終了後から第３層Ｃｒの形成完了までの期間、第２層Ｃｕの金属原子が第３層Ｃｒの膜中および膜表面に拡散するような温度に雰囲気温度を保持することからなる請求項９記載のプラズマディスプレイパネルの電極形成方法。
【請求項１１】
拡散工程が、第３層Ｃｒの形成後、所定時間、第２層Ｃｕの金属原子が第３層Ｃｒの膜中および膜表面に拡散するような温度に雰囲気温度を保持することからなる請求項９記載のプラズマディスプレイパネルの電極形成方法。
【請求項１２】
基板上にＣｒの第１層、Ｃｕの第２層、Ｃｒの第３層をその順で積層した３層構造の電極を有するＡＣ型プラズマディスプレイパネルの電極形成方法であって、
あらかじめＣｒの第１層と、Ｃｕの第２層と、Ｃｒの第３層を順次積層形成した基板を、１５０〜３００℃の温度に２分間以上保持する加熱工程を加えることにより、前記Ｃｒの第３層表面にＣｕ原子を表出させ、
しかる後前記第３層金属膜をエッチング液により所定の電極形状にパターニングすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの電極形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月8日(2007.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
複層構造の金属膜およびそれを被覆する誘電体層を有したプラズマディスプレイパネル用基板であって、
前記複数の金属層は最下層から最上層へ順々に層ごとに幅が小さくなる段状に形成されている
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル用基板。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月3日(2007.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の撮像素子において、前記電子放出源アレイと同一平面上又はその上部に絶縁部を介して設けられ、前記電子放出源が露出するような開口を有する電極をさらに具えることを特徴とする撮像素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項４記載の撮像素子は、請求項１ないし請求項３のいずれかの撮像素子において、前記電子放出源アレイと同一平面上又はその上部に絶縁部を介して設けられ、前記電子放出源が露出するような開口を有する電極をさらに具える構成とした。かかる構成によれば、前記電子増倍部及びグリッド電極に加えて、絶縁物を介して前記電子放出源を取り囲んだ電極に、前記電子放出源に印加される電圧より低い電圧が印加されることで、前記電子放出源から放出された電子群をより効率的に前記電子増倍部に導き、電子群の真空空間での広がりを抑制することが可能になる。