【手続補正書】
【提出日】平成20年4月9日(2008.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
少なくとも１つの表面を含むＩＩＩ族窒化物半導体材料の層と、
前記半導体材料の電気的応答を制御するための、前記表面上にある制御コンタクトと、
前記制御コンタクトに隣接して、前記ＩＩＩ族窒化物の表面上に設けられたオーミック・コンタクトと
前記制御コンタクトに隣接する前記１つの表面の少なくとも一部を被覆する誘電体バリア層であって、前記ＩＩＩ族窒化物のバンドギャップよりも大きなバンドギャップと、前記ＩＩＩ族窒化物の導電帯からずれている導電帯とを有する、誘電体バリア層と、
前記ＩＩＩ族窒化物の表面の残り部分を被覆する誘電体保護層と
を備えていることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、前記誘電体保護層はバンドギャップを有しており、該バンドギャップは、前記誘電体バリア層のバンドギャップよりも狭く、前記ＩＩＩ族窒化物のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項３】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、前記誘電体バリア層は、二酸化シリコン、酸窒化シリコン、及び窒化アルミニウムから成る群から選択されていることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項４】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、前記誘電体保護層は、窒化シリコンから成ることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項５】
請求項４記載の半導体デバイスにおいて、前記窒化シリコンは、化学量論組成Ｓｉ３Ｎ４、及び窒化シリコンの非化学量論組成化合物から成る群から選択されていることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項６】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、前記誘電体バリア層は、前記制御コンタクトに隣接し、前記オーミック・コンタクトに向かって延びる前記ＩＩＩ族窒化物表面の部分を被覆していることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項７】
請求項６記載の半導体デバイスにおいて、前記誘電体バリア層は、約０．２５〜５ミクロンの間の距離だけ、前記制御コンタクトから前記オーミック・コンタクトに向かって延びていることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項８】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、前記誘電体バリア層は、前記制御コンタクトと前記オーミック・コンタクトとの間において、前記ＩＩＩ族窒化物の表面全体を被覆していることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項９】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、前記誘電体バリア層が有する厚さは、約５〜２００ｎｍの間であることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、前記誘電体保護層が有する厚さは、約１００〜２０００ｎｍの間であることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、該デバイスは、ショットキ・ダイオード、電界効果トランジスタ、高電子移動度トランジスタ、及び金属半導体金属フォトダイオードから成る群から選択されていることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１２】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、該デバイスは更に、前記ＩＩＩ族窒化物表面を物理的に保護するため、及び表面電荷蓄積を低減するために、前記ＩＩＩ族窒化物表面と前記誘電体バリア層との間に介挿したスペーサ層を備えていることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体デバイスにおいて、前記スペーサ層と前記ＩＩＩ族窒化物表面との間の界面は、前記ＩＩＩ族窒化物表面と前記誘電体バリア層との間の界面よりも少ない界面状態を有することを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１４】
請求項１２記載の半導体デバイスにおいて、前記スペーサ層と前記ＩＩＩ族窒化物表面との間の界面は、前記ＩＩＩ族窒化物表面と前記誘電体保護層との間の界面よりも少ない界面状態を有することを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１５】
請求項１２記載の半導体デバイスにおいて、前記スペーサ層が有する厚さは、約０．５〜５ｎｍの間であることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１６】
請求項１２記載の半導体デバイスにおいて、前記保護層は、前記スペーサ層の露出した表面を被覆していることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１７】
請求項１２記載の半導体デバイスにおいて、前記スペーサ層は、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、窒化アルミニウム、及び窒化アルミニウム・ガリウムから成る群から選択されていることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１８】
ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをパシベーションする方法であって、
隣接して配置されるオーミック・コンタクトと制御コンタクトとを有する半導体デバイスのＩＩＩ族窒化物の表面の少なくとも一部上に、前記制御コンタクトに隣接して誘電体バリア層を形成するステップであって、前記誘電体バリア層を、前記ＩＩＩ族窒化物のバンドギャップよりも大きいバンドギャップと、前記ＩＩＩ族窒化物の導電帯からずれている導電帯とを有する材料により形成し、前記表面上に露出するＩＩＩ窒化物材料を少なくとも部分的に被覆するステップと、
水分及び酸素に対して物理的及び化学的バリアを呈する誘電体材料により、前記バリア層上に保護層を形成するステップと
からなることを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１８記載のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをパシベーションする方法において、該方法は、前記バリア層のバンドギャップよりも狭いバンドギャップを有する材料により、前記保護層を形成することを含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１８記載のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをパシベーションする方法において、前記バリア層を形成する前記ステップは、前記半導体デバイスのＩＩＩ族窒化物表面上に二酸化シリコンの層を形成することから成ることを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項１８記載のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをパシベーションする方法において、前記保護層を形成する前記ステップは、前記バリア層上に窒化シリコンの層を形成することから成ることを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項２１記載のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをパシベーションする方法において、窒化シリコンの層を形成する前記ステップは、化学量論組成Ｓｉ３Ｎ４、及び非化学量論組成の窒化シリコンから成る群から選択した層を形成することから成ることを特徴とする方法。
【請求項２３】
請求項１８記載のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをパシベーションする方法において、前記バリア層を形成する前記ステップは、前記半導体デバイスの表面上に、酸窒化シリコンの層を形成することから成ることを特徴とする方法。
【請求項２４】
請求項１８記載のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをパシベーションする方法において、該方法は更に、
前記バリア層と前記半導体デバイスの表面との間にスペーサ層を形成するステップ
を備えており、前記スペーサ層は、前記バリア層と前記表面との間の界面と比較して、前記表面との間に優れた界面品質を有することを特徴とする方法。
【請求項２５】
請求項２４記載のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをパシベーションする方法において、前記スペーサ層を形成する前記ステップは、前記半導体デバイスの表面上に、窒化シリコン、窒化アルミニウム、及び窒化ガリウム・アルミニウムから成る群から選択した層を形成することから成ることを特徴とする方法。
【請求項２６】
請求項２５記載のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをパシベーションする方法において、前記スペーサ層を形成する前記ステップを、前記オーミック・コンタクト及び前記制御コンタクトの少なくとも一方の形成の前に実行することを特徴とする方法。