Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月22日(2006.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  メモリを有するテレビ装置の電子プログラム・ガイド・グリッドのディスプレイを作成する方法であって：
前記電子プログラム・ガイド・グリッド上に表示されるべきデフォルトの個別チャネルのリストを受信し；
前記テレビ装置に利用可能なすべての個別チャネルの前記電子プログラム・ガイド・グリッド上のディスプレイの順番を示すチャネル・グループのリストを受信するステップであって、各個別チャネルは、特定のチャネル・グループに属する前記ステップと；
前記デフォルトの個別チャネルのリストおよびチャネル・グループのリストを前記メモリに記憶し；
前記デフォルトの個別チャネルと関連するプログラム・スケジュール情報を受信し；
前記プログラム・スケジュール情報を前記メモリに記憶し；
前記デフォルトの個別チャネルのリストおよびそれらの関連するプログラム・スケジュール情報を、前記メモリから検索し；および
前記デフォルトの個別チャネルのリストと、および前記個別チャネルと関連する前記プログラム・スケジュール情報の一部とを、前記チャネル・グループのリストによって示されるディスプレイの順番に従って、前記電子プログラム・ガイド・グリッド上に表示するステップとを具備する前記方法。
【請求項２】  前記プログラム・スケジュール情報は、前記デフォルトの個別チャネルによってテレビ放送されるプログラムの詳細なプログラム記述を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  視聴者の好みに従って、前記電子プログラム・ガイド・グリッド上において、特定の個別チャネルおよび前記特定の個別チャネルと関連する前記プログラム・スケジュール情報の一部のディスプレイの順番を変更するステップをさらに具備する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  テレビ装置の電子プログラム・ガイド・グリッドのディスプレイを作成するためのシステムであって：
前記電子プログラム・ガイド・グリッド上に表示されるべきデフォルト個別チャネルのリストを受信するための手段と；
前記テレビ装置に利用可能なすべての個別チャネルの前記電子プログラム・ガイド・グリッド上のディスプレイの順番を示す、チャネル・グループのリストを受信するための手段であって、各個別チャネルは、特定のチャネル・グループに属する前記手段と；
前記デフォルト個別チャネルのリストおよびチャネル・グループのリストを記憶するための手段と；
前記デフォルト個別チャネルと関連するプログラム・スケジュール情報を受信するための手段と；
前記プログラム・スケジュール情報を記憶するための手段と；
前記デフォルト個別チャネルのリストおよびそれらの関連するプログラム・スケジュール情報を、前記メモリから検索するための手段と；および
前記デフォルト個別チャネルのリストと、および個別のチャネルと関連する前記プログラム・スケジュール情報の一部を、前記チャネル・グループのリストによって示されるディスプレイの順番に従って、前記電子プログラム・ガイド・グリッド上に表示するための手段と
を具備する前記システム。
【請求項５】  前記プログラム・スケジュール情報は、前記デフォルト個別チャネルによってテレビ放送されるプログラムの詳細なプログラム記述を含むことを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】  視聴者の好みに従って、前記電子プログラム・ガイド・グリッド上の、特定の個別チャネルのディスプレイの順番と、および前記特定の個別チャネルと関連する前記プログラム・スケジュール情報の一部とを変更するための手段をさらに具備する、請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月8日(2008.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ヘッドエンド、フットエンド、第一サイドおよび第二サイドを有する膨張自在中央支持部、ならびに前記膨張自在中央支持部の第一サイドおよび第二サイドにそれぞれ連結された第一および第二サイドボルスタを含み、前記第一および第二サイドボルスタの各々は前記第一および第二サイドボルスタの長軸に沿って延在する少なくとも２つの室を有し、前記２つの室の少なくとも１つは前記中央支持部と流体で連絡するマニフォールドであり、前記マニフォールドは前記中央支持部および他の室へ空気を供給するために空気供給機に連結できる形態である、マットレス組立体。
【請求項２】  前記マニフォールドと前記中央支持部との間に連結されて前記マニフォールドから前記中央支持部へ空気を流す少なくとも１つの逆止弁を更に含む、請求項１のマットレス組立体。
【請求項３】  前記少なくとも１つの逆止弁は上シート、下シートおよび管を含み、前記上下シートは前記管の周りに封止されて前記マニフォールド内に位置する空気入口を提供し、かつ前記上下シートは共働して前記中央支持部内に位置する少なくとも１つの空気開口部を形成している、請求項２のマットレス組立体。
【請求項４】  前記上下シートは共働して前記中央支持部内に位置する２つの空気開口部を形成している、請求項３のマットレス組立体。
【請求項５】  前記管は角度付き端面を有する、請求項３のマットレス組立体。
【請求項６】  前記マニフォールドを通る支持部材を更に含む、請求項１のマットレス組立体。
【請求項７】  前記支持部材はスリット付きホースである、請求項６のマットレス組立体。
【請求項８】  前記第一および第二サイドボルスタの各々は上室、中央室および下室を含む、請求項１のマットレス組立体。
【請求項９】  前記第一サイドボルスタの前記中央室はマニフォールドである、請求項８のマットレス組立体。
【請求項１０】  前記膨張自在中央支持部および前記第一および第二サイドボルスタは複数の分離した膨張自在ゾーンで形成されている、請求項１のマットレス組立体。
【請求項１１】  前記複数のゾーンはヘッドゾーン、ショルダゾーン、シートゾーンおよびフットゾーンを含む、請求項１０のマットレス組立体。
【請求項１２】  複数の微孔が前記ヘッドゾーン、ショルダゾーン、シートゾーンおよびフットゾーンの少なくとも１つの上面に形成されている、請求項１１のマットレス組立体。
【請求項１３】  前記第一および第二サイドボルスタの各々は上室、中央室および下室を含み、前記第一サイドボルスタの前記中央室は前記中央支持部の第一サイドに沿って延在するマニフォールドであり、前記第一サイドボルスタの前記中央室は前記中央支持部の複数ゾーンの各々と流体で連絡し、前記第一および第二サイドボルスタの上下室のゾーンは制限された流れ口を介して前記中央支持部と流体で連絡する、請求項１０のマットレス組立体。
【請求項１４】  前記第二サイドボルスタの前記中央室のゾーンは制限された流れ口を介して前記第二サイドボルスタの前記上室へ連結されている、請求項１３のマットレス組立体。
【請求項１５】  前記第一および第二サイドボルスタのショルダゾーン内の下室は前記中央支持部から前記ショルダゾーン内の下室へ空気を流す逆止弁により前記中央支持部に連結されている、請求項１３のマットレス組立体。
【請求項１６】  前記膨張自在中央支持部、ならびに前記第一および第二サイドボルスタの下に位置する下カバー、ならびに前記膨張自在中央支持部および前記第一および第二サイドボルスタの上に位置する上カバーを更に含む、請求項１のマットレス組立体。
【請求項１７】  前記膨張自在中央支持部の内部領域に位置する複数のバッフルを更に含み、前記バッフルは空気の流れを可能にする少なくとも１つの孔を含むように形成されている、請求項１のマットレス組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月15日(2007.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
１１００ｋｇ／ｍ３未満の密度を有する絶縁層を含む低電圧送電ケーブルであって、該絶縁層がポリオレフィン及びさらに０．０００１〜３重量％のシラノール縮合触媒を含み、前記ポリオレフィンが極性基を有する化合物を０．０２〜４モル％取り込んでおり、かつ加水分解可能なシラン基を有する化合物をさらに取り込んでいる低電圧送電ケーブル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
導体及び絶縁層を含む低電圧送電ケーブルであって、絶縁層がポリオレフィン及びさらに０．０００１〜３重量％のシラノール縮合触媒を含み、前記ポリオレフィンが極性基を有する化合物を０．０２〜４モル％取り込んでおり、かつ加水分解可能なシラン基を有する化合物をさらに取り込んでいるケーブルを製造する方法において、該方法が６５℃以下の温度まで予熱された導体上に絶縁層を押出すことを含む方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
低電圧送電ケーブルのための絶縁層の製造においてポリオレフィンを使用する方法において、ポリオレフィンが極性基を有する化合物を０．０２〜４モル％含み、かつ加水分解可能なシラン基を有する化合物をさらに取り込んでおり、かつさらに０．０００１〜３重量％のシラノール縮合触媒を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月10日(2008.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデータセット及び複数のコンピュータプログラムを記憶するメモリと、
ターゲット装置に情報を転送する装置インタフェースとを含み、
前記複数のコンピュータプログラムの各々は、多数の異なるオペレーティングシステムの各々に適合し、前記ターゲット装置に記憶されるデータセットの実行を可能にするための、各ターゲット装置によって実行される前記複数のコンピュータプログラムの各々は、前記コンピュータプログラムが適合したオペレーティングシステムを有し、
前記ターゲット装置は、多数のオペレーティングシステムの１つを有する携帯装置を含み、前記ターゲット装置に転送された前記情報は、（Ａ）前記ターゲット装置の使用者によって選択された前記複数のデータセットの１つと、（Ｂ）前記ターゲット装置の前記オペレーティングシステムに適合した前記複数のコンピュータプログラムの１つとを含む、コンテンツ販売装置。
【請求項２】
前記ターゲット装置は携帯電話、携帯情報端末又は携帯電子装置である、請求項１に記載のコンテンツ販売装置。
【請求項３】
前記ターゲット装置は取り外し可能記憶装置である、請求項２に記載のコンテンツ販売装置。
【請求項４】
前記複数のデータセットはデジタルマルチメディアコンテンツを含む、請求項１に記載のコンテンツ販売装置。
【請求項５】
前記コンテンツ販売装置は完全内蔵式自動販売機を含む、請求項１に記載のコンテンツ販売装置。
【請求項６】
コンテンツ及び電子部品を物理的に保護するために内部電源を有する丈夫な物理的ハウジングを含む、請求項５に記載のコンテンツ販売装置。
【請求項７】
要求されたデータセットの利用者選択を受け入れるために構成可能な利用者インタフェースを含む、請求項１に記載のコンテンツ販売装置。
【請求項８】
前記利用者インタフェースはコンテンツの支払いを受け入れるために構成される、請求項７に記載のコンテンツ販売装置。
【請求項９】
前記利用者インタフェースはコンテンツが記憶される記憶装置の識別を受け入れるために構成される、請求項８に記載のコンテンツ販売装置。
【請求項１０】
前記装置インタフェースは要求されたデータセットを符号化するために構成可能であり、また符号化された前記データセット及び前記ターゲット装置の前記オペレーティングシステムに適合したデコーダを前記ターゲット装置に転送するために構成可能である、請求項１に記載のコンテンツ販売装置。
【請求項１１】
要求されたデータセットを符号化することは、唯一の通し番号を前記符号化されたデータセットに符号化することを含む、請求項１０に記載のコンテンツ販売装置。
【請求項１２】
前記符号化することは、再生の制限回数を前記符号化されたデータセット内に符号化することを含む、請求項１１に記載のコンテンツ販売装置。
【請求項１３】
前記符号化されたデータセット内の前記デコーダは、前記再生の制限回数のカウントダウン及び前記記憶装置での残りの再生回数の総計を含む、請求項１２に記載のコンテンツ販売装置。
【請求項１４】
要求されたデータセットは、記憶装置の通し番号を前記符号化されたデータセットに符号化することを含み、前記符号化されたコンテンツは一致した通し番号で前記記憶装置から符号化できる、請求項１０に記載のコンテンツ販売装置。
【請求項１５】
前記装置インタフェースは前記ターゲット装置にコンテンツを提供する、請求項１０に記載のコンテンツ販売装置。
【請求項１６】
前記ターゲット装置にコンテンツを提供することは、前記ターゲット装置に無線インタフェースを介して送信することを含む、請求項１５に記載のコンテンツ販売装置。
【請求項１７】
前記ターゲット装置にコンテンツを提供することは、前記ターゲット装置にケーブルを介して通信することを含む、請求項１５に記載のコンテンツ販売装置。
【請求項１８】
前記ターゲット装置にコンテンツを提供することは、前記ターゲット装置に適合した記憶メモリにデータを書き込むことを含む、請求項１５に記載のコンテンツ販売装置。
【請求項１９】
記憶装置に記憶しかつ分配するために動作可能な供給装置を含む、請求項１に記載のコンテンツ販売装置。
【請求項２０】
内蔵式販売装置において、
複数のデータセット及び複数のコンピュータプログラムを記憶すること、
ターゲット装置に情報を転送することを含み、
前記複数のコンピュータプログラムの各々は、多数の異なるオペレーティングシステムの各々に適合し、前記ターゲット装置に記憶されたデータセットの実行を可能にするための、各ターゲット装置によって実行される前記複数のコンピュータプログラムの各々は、前記コンピュータプログラムが適合するオペレーティングシステムを有し、
前記ターゲット装置は、多数のオペレーティングシステムの１つを有する携帯装置を含み、前記ターゲット装置に転送された前記情報は、（Ａ）前記ターゲット装置の使用者によって選択された前記複数のデータセットの１つと、（Ｂ）前記ターゲット装置の前記オペレーティングシステムに適合した、前記複数のコンピュータプログラムの１つとを含む、コンテンツを分配する方法。
【請求項２１】
前記ターゲット装置は携帯電話、携帯情報端末又は携帯電子装置である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
要求されたデータセットを符号化すること、
前記要求されたデータセットの支払いを受け入れること又は承認することを含み、前記ターゲット装置に転送された前記情報は前記要求されたデータセットを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
要求されたデータセットを符号化すること、
符号化された前記要求されたデータセット及び前記ターゲット装置の前記オペレーティングシステムに適合したデコーダを前記ターゲット装置に転送することを含む、請求項２０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月29日(2007.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
符号２５により総括的に示されているポンプは、典型的には、容器２０から石けんを分与するために、容器２０に取り付けられているか又は容器２０と一体に形成されている。図示されるように、ポンプ２５は一対の肩部１７間で容器２０から下向きに延びることができる。図３及び図４を参照するに、ポンプ２５は、例えば、ねじ付きカラー４０により、容器２０から下向きに延びている頸部２１で容器２０に取り付けることができ、カラー４０はポンプ２５に嵌合して頸部２１に螺合する。図示されるように、ポンプ２５は、カラー４０から半径方向内向きに延びているリム２３に載っている環状リブ２６を包含することができ、カラー４０はポンプ２５に嵌合してポンプ２５を適所に保持する。ポンプ２５のノズル２７は、カラー４０から軸方向外向きに突出し、図示の例においては、上向きに動かされて、石けんを容器２０から分与せしめる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2007509014.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月19日(2008.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃ型肝炎ウイルスＮＳ３／４Ａプロテアーゼ阻害剤またはその薬学的に許容される塩、シトクロームＰ４５０モノオキシゲナーゼ阻害剤またはその薬学的に許容される塩、および薬学的に許容される担体を含んでなる、医薬組成物。
【請求項２】
前記Ｃ型肝炎ウイルスＮＳ３／４Ａプロテアーゼ阻害剤がＷＯ  ９８／１７６７９、ＷＯ  ０２／１８３６９またはＷＯ  ０３／０８７０９２の化合物から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記Ｃ型肝炎ウイルスＮＳ３／４Ａプロテアーゼ阻害剤がＶＸ−９５０またはその立体異性体である、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記Ｃ型肝炎ウイルスＮＳ３／４Ａプロテアーゼ阻害剤がＶＸ−９５０である、請求項２に記載の組成物。
【請求項５】
前記シトクロームＰ４５０阻害剤がアイソザイム３Ａ４（“ＣＹＰ３Ａ４”）、アイソザイム２Ｃ１９（“ＣＹＰ２Ｃ１９”）、アイソザイム２Ｄ６（“ＣＹＰ２Ｄ６”）、アイソザイム１Ａ２（“ＣＹＰ１Ａ２”）、アイソザイム２Ｃ９（“ＣＹＰ２Ｃ９”）またはアイソザイム２Ｅ１（“ＣＹＰ２Ｅ１”）の阻害剤である、請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
前記シトクロームＰ４５０阻害剤がリトナビル、ケトコナゾール、トロレアンドマイシン、４−メチルピラゾール、シクロスポリンまたはクロメチアゾールである、請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
【請求項７】
前記シトクロームＰ４５０阻害剤がＣＹＰ３Ａ４の阻害剤である、請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
【請求項８】
前記シトクロームＰ４５０阻害剤がリトナビルである、請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
【請求項９】
患者におけるＣ型肝炎ウイルスＮＳ３／４Ａプロテアーゼ阻害剤のバイオアベイラビリティーを上昇させる方法であって、当該患者に請求項１〜８のいずれかに記載の組成物を投与することを含んでなる方法。
【請求項１０】
患者のＣ型肝炎ウイルス感染を処置または予防する方法であって、当該患者にＣ型肝炎ウイルスＮＳ３／４Ａプロテアーゼ阻害剤またはその薬学的に許容される塩、およびシトクロームＰ４５０モノオキシゲナーゼ阻害剤またはその薬学的に許容される塩を投与することを含んでなる方法。
【請求項１１】
患者におけるＣ型肝炎ウイルスＮＳ３／４Ａプロテアーゼ阻害剤のバイオアベイラビリティーを上昇させる方法であって、当該患者にＣ型肝炎ウイルスＮＳ３／４Ａプロテアーゼ阻害剤またはその薬学的に許容される塩、およびシトクロームＰ４５０モノオキシゲナーゼ阻害剤またはその薬学的に許容される塩を投与することを含んでなる方法。
【請求項１２】
患者におけるＣ型肝炎ウイルスＮＳ３／４Ａプロテアーゼ阻害剤の肝臓濃度を上昇させる方法であって、当該患者にＣ型肝炎ウイルスＮＳ３／４Ａプロテアーゼ阻害剤またはその薬学的に許容される塩、およびシトクロームＰ４５０モノオキシゲナーゼ阻害剤またはその薬学的に許容される塩を投与することを含んでなる方法。
【請求項１３】
患者におけるＣ型肝炎ウイルスＮＳ３／４Ａプロテアーゼ阻害剤の血中レベルを上昇させる方法であって、当該患者にＣ型肝炎ウイルスＮＳ３／４Ａプロテアーゼ阻害剤またはその薬学的に許容される塩、およびシトクロームＰ４５０モノオキシゲナーゼ阻害剤またはその薬学的に許容される塩を投与することを含んでなる方法。
【請求項１４】
前記Ｃ型肝炎ウイルスＮＳ３／４Ａプロテアーゼ阻害剤と前記シトクロームＰ４５０モノオキシゲナーゼ阻害剤が別々の投与形態である、請求項１０〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記別々の投与形態がほぼ同時に投与される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記化合物と前記シトクロームＰ４５０モノオキシゲナーゼ阻害剤が単剤形態である、請求項１０〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記方法が免疫調節剤；抗ウイルス剤；他のＨＣＶＮＳ３／４Ａプロテアーゼの阻害剤；ＨＣＶライフサイクルにおけるＮＳ３／４Ａプロテアーゼ以外の標的の阻害剤内部リボソーム侵入の阻害剤、広いスペクトルのウイルス阻害剤；他のシトクロームＰ−４５０阻害剤；またはそれらの組合せから選択されるさらなる薬剤の投与を含む、請求項９〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前記免疫調節剤がα−、β−、またはγ−インターフェロンまたはチモシンであるか；前記抗ウイルス剤がリバビリン、アマンタジン、またはテルビブジンであるか；または前記ＨＣＶライフサイクルにおける他の標的の阻害剤がＨＣＶヘリカーゼ、ポリメラーゼ、またはメタロプロテアーゼの阻害剤である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
Ｃ型肝炎ウイルスＮＳ３／４Ａプロテアーゼ阻害剤とシトクロームＰ４５０モノオキシゲナーゼ阻害剤を含む組成物を製造する方法であって、前記Ｃ型肝炎ウイルスＮＳ３／４Ａプロテアーゼ阻害剤と前記シトクロームＰ４５０モノオキシゲナーゼ阻害剤を組み合わせる工程を含んでなる方法。
【請求項２０】
Ｃ型肝炎ウイルスＮＳ３／４Ａプロテアーゼ阻害剤とシトクロームＰ４５０モノオキシゲナーゼ阻害剤を含む治療組合せ。
【請求項２１】
Ｃ型肝炎ウイルスＮＳ３／４Ａプロテアーゼ阻害剤、シトクロームＰ４５０モノオキシゲナーゼ阻害剤、および前記阻害剤の使用に対する指示が含まれた添付文書を含む、医薬パック。
【請求項２２】
Ｃ型肝炎ウイルスＮＳ３／４Ａプロテアーゼ阻害剤とシトクロームＰ４５０モノオキシゲナーゼ阻害剤を含むキット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
１つの態様において、１日あたり約０．０１〜約１００ｍｇ／ｋｇ体重、好ましくは約０．５〜約７５ｍｇ／ｋｇ体重の投与レベルのＮＳ３／４Ａプロテアーゼ阻害剤が、抗ＨＣＶ介在疾患の予防および処置のために有用である。ＣＹＰ阻害剤については、１日あたり約０．００１〜約２００ｍｇ／ｋｇ体重の投与レベルが典型である。より典型的には、１日あたり約０．１〜約５０ｍｇ／ｋｇまたは約１．１〜約２５ｍｇ／ｋｇの投与レベルであろう。典型的には、本発明の医薬組成物は１日あたり約１〜５回、あるいはその他で、連続輸液として投与されるであろう。当該投与は慢性または急性治療として使用することができる。単剤形態を生産するための担体物質と組み合わされ得る有効成分の量は、処置される宿主および特定の投与形態に依存して変化するであろう。典型的な製剤は、約５％〜約９５％（ｗ／ｗ）の有効成分を含むであろう。好ましくは、かかる製剤は約２０％〜約８０％の有効成分を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月23日(2008.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）第１の表面から突き出ている複数の微小構造を有する該第１の表面を有する可撓性支持体と、
（ｂ）薬物を含むバインダ層であって、前記第１の表面の少なくとも一部および／又は前記微小構造の少なくとも一部に配置され、露出面領域を有する前記バインダ層と、
を含み、かつデンタルトレーを備えていない、口腔構造を治療するための薬物を送達するデバイス。
【請求項２】  前記バインダ層が、感圧接着性を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】  前記バインダ層が湿潤密着型接着剤であり、前記湿潤密着型接着剤が、
（ａ）モノマーが単独重合された時Ｔｇが約１０℃未満である（メタ）アクリレートエステルモノマー約３０〜７０重量部と、
（ｂ）親水性酸性モノマー約７０〜３０重量部と、
（ｃ）成分（ａ）＋（ｂ）の合計を１００部として約１０〜１００部の非反応性可塑剤と、
を含む、請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項４】  前記薬物が前記バインダ層の露出面に配置される、請求項１〜３のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項５】  前記バインダが、アクリル酸、シリコーンベースのポリ尿素、アクリレート、メタクリレート、アクリルアミド、ウレタン、およびこれらの混合物からなる群より選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項６】  前記可撓性支持体が、ポリマー、合成および天然織布、合成および天然不織布、フォイル、紙、ゴム、およびこれらの組合せからなる群より選択される、請求項１〜５のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項７】  前記薬物が、過酸化水素、過酸化カルバミド、フッ化ナトリウム、一リン酸ナトリウム、ピロリン酸塩、クロロヘキシジン、ポリリン酸塩、トリクロサン、酵素、消炎剤、抗菌剤およびこれらの組合せからなる群より選択される、請求項１〜６のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項８】  前記バインダ層の少なくとも一部および／又は前記微小構造の少なくとも一部に配置される担体を更に含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項９】  前記第１の表面から測定した前記微小構造の高さが、約０．００５〜１．５ミリメートルであり、前記微小構造が互いに約０．０１〜１ミリメートル離れている、請求項１〜８のいずれか１項に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月1日(2008.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体ウェハのためのめっき装置であって、
めっき室と、
めっき室に接続されるめっき溶液槽と、
めっき室とめっき溶液槽との間でめっき溶液を循環させるための循環装置と、
めっき室内にあり、かつ、正電圧源に接続可能な不活性第１アノードと、
めっき室内にあり、かつ、半導体ウェハを負電圧源に接続するため接続可能な半導体ウェハコネクタと、
めっき溶液槽内にあり、かつ、正電圧源に接続可能な消耗可能遠隔第２アノードとを含む、めっき装置。
【請求項２】  循環装置は、めっき室からめっき溶液槽へ、めっき溶液をポンピングするためのポンピング装置を含む、請求項１に記載のめっき装置。
【請求項３】  循環装置は、めっき溶液槽からめっき室へ、めっき溶液をポンピングするためのポンピング装置を含む、請求項１に記載のめっき装置。
【請求項４】  めっき室は、めっき溶液に不活性第１アノードと消耗可能遠隔第２アノードとを覆わせるよう構成される、請求項１に記載のめっき装置。
【請求項５】  半導体ウェハは、シード層を有し、めっき室はめっき溶液をシード層に接触させるよう構成される、請求項１に記載のめっき装置。
【請求項６】  正電圧源と負電圧源とを含む、請求項１に記載のめっき装置。
【請求項７】 半導体ウェハのための銅めっき装置であって、
銅めっき室と、
めっき室に接続される銅イオンめっき溶液槽と、
銅めっき室と銅イオンめっき溶液槽との間で銅イオンめっき溶液を循環させるための循環装置と、
銅めっき室内にあり、かつ、正電圧源に接続可能である不活性のプラチナアノードと、
銅めっき室にあり、かつ、半導体ウェハを負電圧源に接続するため接続可能である半導体ウェハコネクタと、
銅めっき溶液槽内にあり、かつ、正電圧源に接続可能である遠隔消耗可能銅アノードとを含む、半導体ウェハのための銅めっき装置。
【請求項８】  循環装置は、銅めっき室から銅イオンめっき溶液槽へ、銅イオンめっき溶液をポンピングするためのポンピング装置を含む、請求項７に記載の銅めっき装置。
【請求項９】  循環装置は、銅イオンめっき溶液槽から銅めっき室へ、銅イオンめっき溶液をポンピングするためのポンピング装置を含む、請求項７に記載の銅めっき装置。
【請求項１０】  銅めっき室は、銅イオンめっき溶液に不活性プラチナアノードと遠隔消耗可能銅アノードとを覆わせるよう構成される、請求項７に記載の銅めっき装置。
【請求項１１】  半導体ウェハは銅シード層を有し、銅めっき室は銅イオンめっき溶液を銅シード層に接触させるよう構成される、請求項７に記載の銅めっき装置。
【請求項１２】  正電圧源および負電圧源を含む、請求項７に記載の銅めっき装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月3日(2008.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  配列したコーティング材料を作成する装置（１０）であって、
複数の有機材料（１４）、及び
複数の有機材料の各々を送達エリア（２４）に送達する送達機構（１２）であって、該送達機構が各々複数の有機材料のうちの対応有機材料に関する複数の送達源（３８）を有していて、複数の送達源の各々が送達エリア内に少なくとも部分的に位置する対応有機材料の厚さ分布プロフィル（４８）を与えて、送達エリア全域で厚さ分布プロフィルの１以上が変化する、送達機構（１２）
を備えてなる装置（１０）。
【請求項２】  前記複数の有機材料が、ポリカーボネート、ポリアクリル樹脂、シリコーン、セルロースエステル、ポリエステル、アルキド樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン及びビニルポリマーからなる群から選択されるコーティング材料からなる、請求項１記載の装置。
【請求項３】  送達エリア全域で１以上の厚さ分布プロフィルが直線的に変化する、請求項１記載の装置。
【請求項４】  複数の材料の各々が連続的に変化する組成をもつコーティングライブラリーが送達エリア内に形成できるように送達エリア全域で厚さ分布プロフィルの各々が変化する、請求項１記載の装置。
【請求項５】  送達エリアが複数の所定領域（２２）を有する基材（１８）の表面（１６）に関連しており、複数の所定コーティング（３０）の一つが各所定領域内に形成されて連続的に変化するコーティングライブラリーを形成する、請求項１記載の装置。
【請求項６】  さらに、複数の有機材料の各々を順次に又は同時に送達するように送達機構の複数の送達源の各々を制御する制御器（２６）を含む、請求項１記載の装置。
【請求項７】  複数の有機材料の各々が、垂直集束配置、垂直傾斜配置、垂直オフフォーカス配置及び傾斜オフフォーカス配置からなる群から選択された配置状態から送達される、請求項１記載の装置。
【請求項８】  さらに、マスク（３２）を保持するための取付装置（３５）を含み、取付装置は送達エリアに対して移動可能である、請求項１記載の装置。
【請求項９】  さらに、送達エリア内に基材（１８）の表面（１６）を支持するための保持装置（３７）を含み、保持装置は送達エリアに対して移動可能である、請求項１記載の装置。
【請求項１０】  さらに、送達エリア内に配置可能な表面（１６）を有する基材（１８）を含み、表面は複数の有機材料を受容して複数の連続的に変化する所定コーティング（３０）を有するコーティングライブラリー（２８）を形成するための複数の所定領域（２２）を有する、請求項１記載の装置。
【請求項１１】  配列したコーティング材料の高スループット作成及び分析のための装置であって、
複数のコーティング材料（１４）、
複数のコーティング材料の各々を送達エリア（２４）に送達する送達機構（１２）であって、各々複数のコーティング材料のうちの対応コーティング材料に関する複数の送達源（３８）を有する集束可能な送達機構（１２）
基材を調整可能に支持するステージ（９２）、
ステージ（９２）上に支持された基材（１８）、
集束可能な送達機構（１２）からステージ（９２）上に支持された基材（１８）へのコーティング材料（１４）の送達線の内外に移動可能なマスク（３２）、
各送達エリアで厚さ分布プロフィルが変化するコーティングライブラリー（２８）が形成されるように各送達エリア（２４）へのコーティング材料（１４）の送達を制御するため送達源、基材及びマスクの各々を制御する制御器（２６）、及び
上記ステージ（９４）に支持された基材（１８）に成膜されたコーティング材料（１４）を硬化させるための硬化源（３４）
を備える装置。
【請求項１２】  配列したコーティング材料を作成する方法であって、
複数の有機材料（１４）を用意し、
複数の有機材料の各々を送達エリア（２４）に選択的に送達し、送達された複数の有機材料の各々が送達エリア内に少なくとも部分的に位置する厚さ分布プロフィル（４８）を有し、送達エリア全域で厚さ分布プロフィルの１以上を変化させる
ことを含んでなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月4日(2008.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  乾燥した、粘着性で皮膚に優しい接着剤において、それが、ｐＨ中性の水と接触すると、その水のｐＨを下げる物質を含むことを特徴とする接着剤。
【請求項２】  ｐＨが３．５−６．０の間、好ましくは４．５−５．８の間、より好ましくは４．９−５．５の間に下げられることを特徴とする請求項１に記載の接着剤。
【請求項３】  緩衝剤がアルファーまたはベーターヒドロキシ酸とそれらの塩からなることを特徴とする請求項１または２に記載の接着剤。
【請求項４】  緩衝剤がクエン酸ナトリウムとクエン酸からなることを特徴とする請求項３に記載の接着剤。
【請求項５】  緩衝剤がプロピオン酸ナトリウムとプロピオン酸からなることを特徴とする請求項３に記載の接着剤。
【請求項６】  緩衝剤が無機緩衝剤、例えばリン酸塩緩衝剤からなることを特徴とする請求項３に記載の接着剤。
【請求項７】  緩衝剤がＮａＨ２ＰＯ４とＮａ２ＨＰＯ４からなることを特徴とする請求項６に記載の接着剤。
【請求項８】  ｐＨ低下物質がカルボキシル基の幾つかが陽イオン、好ましくはＮａ＋により置換されている両性物質からなることを特徴とする請求項１または２に記載の接着剤。
【請求項９】  ｐＨ低下物質がクエン酸ナトリウムとクエン酸及びプロピオン酸ナトリウムとプロピオン酸のようなアルファーまたはベーターヒドロキシ酸とそれらの塩、ＮａＨ２ＰＯ４とＮａ２ＨＰＯ４のようなリン酸塩緩衝剤、及びカルボキシル基の幾つかが陽イオン、好ましくはＮａ＋により置換されている両性物質からなる１つまたはそれ以上の成分の混合物からなることを特徴とする請求項１または２に記載の接着剤。
【請求項１０】  親水性高分子を含むことを特徴とする請求項１−９のいずれか１つに記載の接着剤。
【請求項１１】  薬理効果を持つ調製剤からなる添加物を含むことを特徴とする請求項１−１０のいずれか１つに記載の接着剤。
【請求項１２】  接着剤が０．２−３Ｎ、好ましくは０．５−２Ｎ、最も好ましくは０．７−１．５Ｎの間の力で皮膚に粘着することを特徴とする請求項１−１１のいずれか１つに記載の接着剤。
【請求項１３】  溶剤系または水乳濁液系アクリレート接着剤、粘着性ホットメルト接着剤、または皮膚に粘着するシリコーン接着剤、または前記接着剤形式の２つまたはそれ以上の混合物からなることを特徴とする請求項１−１２のいずれか１つに記載の接着剤。
【請求項１４】  接着剤被覆支持材料（１；３）を含む傷手当用品において、支持材料（１；３）が請求項１−１３のいずれか１つに記載の接着剤（２；４）により被覆されていることを特徴とする傷手当用品。
【請求項１５】  支持材料（１；３）がプラスチックフィルム、編まれたまたは織られた布、発泡薄板または不織布のような柔軟な平坦材料からなることを特徴とする請求項１４に記載の傷手当用品。
【請求項１６】  支持材料が両側を接着剤被覆されていることを特徴とする請求項１５に記載の傷手当用品。
【請求項１７】  支持材料（３）の幾つかの部分が接着剤被覆を欠いていることを特徴とする請求項１４，１５または１６に記載の傷手当用品。
【請求項１８】  接着剤が溶剤系または水乳濁液系アクリレート接着剤、粘着性ホットメルト接着剤、または皮膚に粘着するシリコーン接着剤、または前記接着剤形式の２つまたはそれ以上の混合物からなることを特徴とする請求項１４−１７のいずれか１つに記載の傷手当用品。
【請求項１９】  衛生ナプキン、パンティライナー、かつら、人工肛門バッグまたは人工肛門湿布、移植または疑似まつげへの請求項１−１３のいずれか１つに記載の接着剤の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月29日(2008.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １９３ｎｍ以下の波長を用いるマイクロリソグラフィ用の照明光学系であって、
１次光源（６５０１，７５０１，８４０１）と、
第１の光学コンポーネントと、
第２の光学コンポーネント（６５２１，７２２１，７５２１，８４２１）と、  像面（６５２９，７２２９，７５２９，８４２９）と、
射出瞳（６５３３，７２３３，７５３３）とを備え、
前記第１の光学コンポーネントは、前記第２の光学コンポーネント（６５２１，７２２１，７５２１，８４２１）によって前記射出瞳（６５３３，７２３３，７５３３）内に結像される複数の２次光源へと、前記１次光源（６５０１，７５０１，８４０１）を変換し、
前記第１の光学コンポーネントは、第１の光学素子を備え、この第１の光学素子は、前記像面（６５２９，７２２９，７５２９，８４２９）内に結像される複数の第１のラスタ素子（６５０９，７２０９，７３０９，７３０９，８４０９）を有して、前記像面（６５２９，７２２９，７５２９，８４２９）内のフィールド上で少なくとも一部重ね合わせられる複数の像を生成し、
前記像面（６５２９，７２２９，７５２９，８４２９）内に結像される第１のラスタ素子（６５０９，７２０９，７３０９，７３０９，８４０９）は、９５％よりも多く照明されるように設けられている照明光学系。
【請求項２】  請求項１に記載の照明光学系において、
前記像面内に結像される前記第１のラスタ素子（６５０９，７２０９，７３０９，７３０９，８４０９）の最低限の数は、前記第１のラスタ素子の位置での強度変動と、走査により積算される不均一性に対する要求値との比によって与えられ、
前記比は、７５より大きいものとされていることを特徴とする照明光学系。
【請求項３】  請求項１または請求項２に記載の照明光学系において、
前記複数の第１のラスタ素子（６５０９，７２０９，７３０９，７３０９，８４０９）は、照明される領域を有した２次元アレイに配列され、前記複数の第１のラスタ素子の９０％は、完全に前記領域の内側に配列されていることを特徴とする照明光学系。
【請求項４】  請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の照明光学系において、
複数の第１のラスタ素子を有する前記第１の光学素子の前面には、マスキングユニット（７３４０，７５４０）が位置させられていることを特徴とする照明光学系。
【請求項５】  請求項３または請求項４に記載の照明光学系において、
前記複数の第１のラスタ素子（６５０９，７２０９，７３０９，７３０９，８４０９）は、複数の列（７３４１）内に配列され、
前記複数の列（７３４１）のそれぞれは、前記複数の第１のラスタ素子（６５０９，７２０９，７３０９，７３０９，８４０９）の少なくとも一つを含み、かつ前記複数の列（７３４１）の少なくとも一つは、隣接する列に対して相対的にずらされていることを特徴とする照明光学系。
【請求項６】  請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の照明光学系において、
前記複数の第１のラスタ素子（６５０９，７２０９，７３０９，７３０９，８４０９）は、複数の第１の偏向角を持った複数の偏向される光線束を生成するように複数の入射する光線束を偏向し、
前記複数の第１の偏向角の少なくとも二つは、互いに異なっていることを特徴とする照明光学系。
【請求項７】  請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の照明光学系において、
前記第１の光学コンポーネントは、複数の第２のラスタ素子（６５１５，７２１５，７４１５，７５１５，８４１５）を有する第２の光学素子をさらに備えて、前記複数の第１のラスタ素子（６５０９，７２０９，７３０９，７３０９，８４０９）のそれぞれが、これら複数の第２のラスタ素子（８０１５，８１１５，８４１５）の一つに対応し、
前記前記複数の第１のラスタ素子（６５０９，７２０９，７３０９，７３０９，８４０９）のそれぞれは、対応する前記複数の第２のラスタ素子（６５１５，７２１５，７４１５，７５１５，８４１５）の一つに向けて、前記複数の入射する光線束の一つを偏向するように設けられていることを特徴とする照明光学系。
【請求項８】  請求項７に記載の照明光学系において、
前記複数の第２のラスタ素子（６５１５，７２１５，７４１５，７５１５，８４１５）および前記第２の光学コンポーネントは、前記対応する第１のラスタ素子（６５０９，７２０９，７３０９，７５０９，８４０９）を前記像面（６５２９，７２２９，７５２９，８４２９）内に結像させるように設けられていることを特徴とする照明光学系。
【請求項９】  請求項７または請求項８に記載の照明光学系において、
前記複数の第２のラスタ素子（６５０９，７２０９，７３０９，７５０９，８４０９）の一つ一つに対応する前記複数の第１のラスタ素子（６５０９，７２０９，７３０９，７５０９，８４０９）は、９５％より多く照明されるように設けられていることを特徴とする照明光学系。
【請求項１０】  請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の照明光学系において、
前記複数の第２のラスタ素子（６５０９，７２０９，７３０９，７５０９，８４０９）は、凹面鏡とされていることを特徴とする照明光学系。
【請求項１１】  請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の照明光学系において、
前記複数の第１のラスタ素子は、矩形状とされ、前記矩形状の第１のラスタ素子は、５：１よりも大きなアスペクト比を有していることを特徴とする照明光学系。
【請求項１２】  請求項１１に記載の照明光学系において、
前記フィールドは、輪帯のセグメントとされ、
前記第２の光学コンポーネントは、前記フィールドを前記輪帯の前記セグメントに成形するための第１のフィールド反射鏡（７５２７，８４２７）を備えていることを特徴とする照明光学系。
【請求項１３】  請求項１１または請求項１２に記載の照明光学系において、
前記第１のフィールド反射鏡（７５２７，８４２７）は、負の光学的パワーを有し、
前記第２の光学コンポーネント（６５２１，７２２１，７５２１，８４２１）は、正の光学的パワーを有する第２のフィールド反射鏡（７５２７，８４２７）を備えていることを特徴とする照明光学系。
【請求項１４】  請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の照明光学系と、前記像面（８４６９）に配置されているレチクル（８４６７）と、保持機構（８４７５）上の感光性物体（８４７３）と、前記感光性物体（８４７３）上に前記レチクル（８４６７）を結像させる投影光学系（８４７７）とを備えてなるマイクロリソグラフィ用の投影露光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月1日(2008.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  超紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）システムにおいて使用するためのレチクル上の多層欠陥を軽減する方法であって、前記方法が、
欠陥を有する薄膜コーティングを備えた基板を包含する反射型ＥＵＶＬレチクルを用意する工程と、前記欠陥の近くで前記薄膜コーティングの厚さを変える工程と、
を包含することを特徴とする方法。
【請求項２】  請求項１の方法において、前記薄膜コーティングが、多数の層境界を有する多層コーティングを包含し、前記欠陥の近くで前記薄膜コーティングの厚さを変える工程が、前記層境界のうち少なくとも１つの層境界を相互拡散させる工程を包含することを特徴とする方法。
【請求項３】  請求項２の方法において、少なくとも１つの層境界を相互拡散させる工程が、前記少なくとも１つの層境界での相互拡散の際に生じる高密度化と関連する多層収縮を制御する工程を包含することを特徴とする方法。
【請求項４】  請求項３の方法において、多層収縮を制御する工程が、局所的なエネルギ源を使用して相互拡散工程を活性化する工程を包含することを特徴とする方法。
【請求項５】  請求項４の方法において、前記局所的なエネルギ源が、合焦された電子ビームを包含することを特徴とする方法。
【請求項６】  請求項４の方法において、前記局所的なエネルギ源が、合焦された電磁ビーム、電子ビームおよびイオンビームからなるグループから選択されることを特徴とする方法。
【請求項７】  請求項６の方法において、さらに、前記局所的なエネルギ源のエネルギ照射量を調節することによって前記多層コーティングの厚さの減少を制御する工程を包含することを特徴とする方法。
【請求項８】  請求項６の方法において、さらに、前記局所的なエネルギ源のエネルギ照射量を調節してサブ・ナノメータ精度で膜厚の減少を制御する工程を包含することを特徴とする方法。
【請求項９】  請求項６の方法において、さらに、前記局所的なエネルギ源によって生じるエネルギ堆積の局所化の横方向空間分解能を制御する工程を包含し、前記局所的なエネルギ源の露出時間を調節することによって変形の深さを制御することを特徴とする方法。
【請求項１０】  請求項４の方法において、前記局所的なエネルギ源が、電極を包含し、前記高密度化が、ケイ素化合物形成からなることを特徴とする方法。
【請求項１１】  請求項１の方法において、前記薄膜コーティングが、多数の層境界を有する多層コーティングを包含し、前記欠陥の近くで前記コーティングの厚さを変える工程が、前記多層コーティングのうち少なくとも１つの層の密度を変える工程を包含することを特徴とする方法。
【請求項１２】  請求項１の方法において、前記薄膜コーティングが、多数の層境界を有する多層コーティングを包含し、前記欠陥の近くで前記薄膜コーティングの厚さを変える工程が、複数の前記層境界を相互拡散させる工程を包含することを特徴とする方法。
【請求項１３】  請求項１の方法において、前記欠陥が、粒子を覆う多層堆積によって生じるマウンドまたは突起を包含し、前記欠陥が、その位置における多層膜厚を減少させるか、または、前記マウンドの側部を広げるかして前記欠陥の傾斜を減らすことによって軽減されることを特徴とする方法。
【請求項１４】  請求項１の方法において、前記欠陥が、ピットまたはスクラッチを覆う多層堆積によって生じるくぼみを包含し、前記欠陥が、その位置における多層膜厚を増大させるか、または、前記くぼみの側部を広げるかして前記欠陥の傾斜を減少させることによって軽減されることを特徴とする方法。
【請求項１５】  請求項１の方法において、前記薄膜コーティングが、Ｍｏ／Ｓｉを包含する反射型多層構造からなることを特徴とする方法。
【請求項１６】  請求項１の方法において、前記多層コーティングが、緩衝層として使用され、前記ＥＵＶＬレチクルが、さらに、前記多層コーティングに堆積させた反射型多層コーティングを包含することを特徴とする方法。
【請求項１７】  超紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）システムであって、前記システムが、
欠陥を有する多数の層境界を有する反射型多層構造からなる薄膜コーティングを備えた基盤を包含する、超紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）システムにおいて使用するためのレクチルと、
前記層境界のうち少なくとも１つの層境界を相互拡散させることによって前記薄膜コーティングの多層欠陥を軽減するため、前記欠陥の近くで前記薄膜コーティングの厚さを変える局所的なエネルギ源と、
を包含することを特徴とするシステム。
【請求項１８】  請求項１７の超紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）システムにおいて、前記局所的なエネルギ源が、合焦された電磁ビーム、電子ビーム及びイオンビームからなるグループから選択され、その局所的なエネルギ源が、前記欠陥に合焦されたエネルギ照射量を調整することによって前記多層コーティングの厚さの減少を制御することを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月5日(2008.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１トレンチ近傍に在る第１素子領域及び第２トレンチ近傍に在る第２素子領域を画定するために同第１トレンチ及び第２トレンチを含むトレンチを形成する工程と、
前記第１トレンチ内に第１ライナーを形成する工程と、
前記第２トレンチ内に第２ライナーを形成する工程とからなり、
前記第１ライナーは前記第２ライナーよりも有意に厚い構造と、
前記第１素子領域は前記第１トレンチ近傍に第２曲率半径よりも有意に大きい第１曲率半径の第１エッジを有し、前記第２素子領域は前記第２トレンチ近傍に第２曲率半径の第２エッジを有する構造とからなるグループから選択される構造を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】  前記第１ライナーは前記第２ライナーよりも有意に厚く、かつ、前記第１曲率半径は、前記第１トレンチ近傍に第２曲率半径よりも有意に大きい、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】  前記半導体装置はゼロでない絶対値の電源電位である、第１の電源電圧と第２の電源電圧にて駆動するように設計されており、前記第１及び第２の電源電圧は互いに有意に異なる、請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】  前記第１トレンチは第１の深さを有し、前記第２トレンチは第２の深さを有し、及び、前記第１及び第２の深さは互いに有意に異なるものである、請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】  半導体装置基板内に在るトレンチ内部のフィールド絶縁領域と、同トレンチは第１トレンチ及び第２トレンチを含むことと、
前記第１トレンチ近傍に在る第１素子領域及び前記第２トレンチ近傍に在る第２素子領域とからなり、
前記第１トレンチ内に在り第２ライナーよりも有意に厚い第１ライナーと、前記第２トレンチ内の第２ライナーとからなる構造と、
前記第１素子領域は前記第１トレンチ近傍に第２曲率半径よりも有意に大きい第１曲率半径の第１エッジを有し、前記第２素子領域は前記第２トレンチ近傍に第２曲率半径の第２エッジを有する構造とからなるグループから選択される構造を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月25日(2008.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  チャネル周波数に同調するステップと、
選択的に適用されるＲＦ信号の減衰を停止して、同調したチャネル周波数上の、情報を搬送するＲＦ信号によって搬送される情報の品質を第１の動作モードの下で測定するステップと、
前記選択的に適用されるＲＦ信号の減衰を動作させて、前記ＲＦ信号によって搬送される情報の品質を第２の動作モードの下で測定するステップと、
前記第１の動作モード下で前記ＲＦ信号によって搬送される前記情報の品質と、前記第２の動作モードの下で前記ＲＦ信号によって搬送される前記情報の品質とを比較することによって、最適な受信条件を決定するステップと
を含むことを特徴とする信号処理方法。
【請求項２】  前記決定するステップで得られた前記最適な動作モードを示す情報を、メモリ上に格納するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記情報の品質は、ＳＮ比、自動色制御レベル、画像音声比、等化器タップ、およびビットエラー率のうち１つを示すパラメータによって標示されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記情報の品質は、ＳＮ比、自動利得制御レベル、自動色制御レベル、画像音声比、等化器タップ、およびビットエラー率のうち少なくとも２つを示すパラメータによって標示されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】  チャネル周波数に同調するステップと、
選択的に適用されるＲＦ信号の減衰および増幅を停止して、同調したチャネル周波数上の、情報を搬送するＲＦ信号によって搬送される情報の品質を第１の動作モードの下で測定するステップと、
前記選択的に適用されるＲＦ信号の減衰を動作させ、および前記選択的に適用されるＲＦ信号の増幅を停止して、前記ＲＦ信号によって搬送される情報の品質を第２の動作モードの下で測定するステップと、
前記選択的に適用されるＲＦ信号の減衰および増幅を停止し、前記選択的に適用されるＲＦ信号の増幅を動作させて、前記ＲＦ信号によって搬送される情報の品質を第３の動作モードの下で測定するステップと、
前記選択的に適用されるＲＦ信号の減衰および増幅を動作させて、前記ＲＦ信号によって搬送される情報の品質を第４の動作モードの下で測定するステップと、
前記第１、第２、第３、および第４の動作モードの下で前記ＲＦ信号によって搬送されるそれぞれの前記情報の品質を比較することによって最適な受信条件を決定するステップと
を含むことを特徴とする信号処理方法。
【請求項６】  前記決定するステップで得られた前記最適な動作モードを示す情報を、メモリ上に格納するステップをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】  前記情報の品質は、ＳＮ比、自動色制御レベル、画像音声比、等化器タップ、およびビットエラー率のうち１つを示すパラメータによって標示されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】  前記情報の品質は、ＳＮ比、自動利得制御レベル、自動色制御レベル、画像音声比、等化器タップ、およびビットエラー率のうち少なくとも２つを示すパラメータによって標示されることを特徴とする請求項５に記載の方法。