Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年4月3日(2008.4.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １００〜７００μｍの範囲の壁面厚さを有する中空の半導体シリコン本体を、固体エレクトロニクスデバイスの製造に使用されるウェハへと切断する方法において、
（ａ）数十ｎｓ以下の短パルス幅レーザーからのレーザービームを、前記中空の半導体シリコン本体の連続部分に照射し、前記中空の半導体シリコン本体の前記連続部分を切断することにより、前記中空の半導体シリコン本体を所定のウェハ形状に切断し、
（ｂ）前記中空の半導体シリコン本体の連続部分への前記レーザービームの照射時には、前記連続部分がヘリウム、アルゴン、ネオン及びクリプトンの中の少なくとも一つから成るガスと接触しているようにした、方法。
【請求項２】  前記ガスの全てがヘリウムから成る請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記ガスの全てがアルゴンから成る請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記ガスは、ヘリウム、アルゴン、ネオン及びクリプトンの中の２つ以上のガスを含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記切断がＮｄ：ＹＡＧレーザー又はエキシマレーザーを使用して行われる請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の方法。
【請求項６】  前記レーザーが５０Ｈｚのパルス反復率を有する請求項１から請求項５のいずれか一つに方法。
【請求項７】  前記レーザービームは、４０乃至１５０ミクロンの範囲の最大幅を有する請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】  前記レーザーは、６５Ｗの平均パワー出力を有する請求項１から請求項７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項９】  前記レーザービームは、前記中空の半導体シリコン本体から矩形のウェハを切断し得るように所定の水平方向及び垂直方向経路内で前記中空の半導体シリコン本体を横切る請求項１から請求項８のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１０】  前記レーザービームは、前記半導体シリコン結晶体の周方向に間隔をおいて連なる第１の複数の切断を形成し、前記第１の複数の切断が前記半導体シリコン結晶体の端縁から開始され前記半導体シリコン結晶体の長手方向に延びるようにし、その後、前記レーザービームは、前記半導体シリコン結晶体の周方向に延びる第２の複数の切断を形成し、前記第２の複数の切断が前記第１の複数の切断を横切って前記半導体シリコン結晶体から複数のウェハを切り出すようにした請求項１から請求項８のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１１】  前記中空の半導体シリコン本体の切断は、前記半導体シリコン本体を移動させて実行される請求項１から請求項１０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】  前記中空の半導体シリコン本体は、前記中空の半導体シリコン本体を取り囲む環状の空間を画成するカラーで取り囲まれ、前記環状空間は、前記ガスで満たされ、前記中空の半導体シリコン本体は、前記レーザービームが前記環状空間を通って前記半導体本体に照射されることにより実行される請求項１から請求項１１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】  前記カラーは、レーザーエネルギーに対して透過性がある窓部を有し、更に、前記レーザーパルスが前記窓部を通って前記中空の半導体シリコン本体に向けられる請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  前記切断は、前記半導体シリコン本体と前記カラーを軸方向に相対移動させて行われる請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】  前記レーザービームは、短パルス幅レーザー装置からガス支援ノズルを通過して、前記半導体シリコン本体の所定部分に当たり、前記ガスは、前記ガス支援ノズルから前記ガスの流れとして前記レーザーエネルギービームと一緒に放出され、前記ガスの流れは、前記半導体シリコン結本体の前記所定部分が前記レーザービームによって切断されるときに前記ガスの流れが前記半導体シリコン本体の前記所定部分に至るようにした請求項１から請求項１１のいずれか１つに記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
パルス長さが短いレーザー（すなわち、パルス幅が数十ナノ秒以下の範囲のレーザー）は、エッジの損傷を最小にし得るように使用されるシリコンウェハの高速度の切断に対して実際的なものにする範囲までその平均パワーレベルが向上する点にて魅力あるものである。かかるレーザーは、実際的な空気分解の実際の限界値に近い最高パワー密度を提供し得るようにすることができる。シリコンを空気中で切断するためにパルス長さが短いレーザーを利用しようとする開発努力は、パルス長さが短いレーザーエネルギーはシリコンに運ぶ熱が少なく、このため、主として溶融機構にて切断が迅速に進行するのに十分なエネルギー吸収率を許容しつつ、ＨＡＺを少なくし且つ損傷深さを浅くするとの予測により、促進されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月9日(2008.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状スロットのタイプ又はある点に関して対称的な形状からなる第１のスロットであって、該第１のスロットの外周が第１の周波数で動作するために設計される第１のスロットを基板上に備えるタイプのマルチバンド平面アンテナであって、
環状スロットのタイプ又はある点に関して対称的な形状からなる少なくとも１つの第２のスロットであって、該第２のスロットの外周が第２の周波数で動作するために設計され、前記第１のスロットとオーバラップされる少なくとも１つの第２のスロットを有し、
前記第１及び第２のスロットは共通の給電線により給電され、前記給電線は、該給電線の短絡面において前記第１及び第２のスロットのそれぞれに交わるように位置される、
ことを特徴とするアンテナ。
【請求項２】
環状スロットのタイプ又はある点に関して対称的な形状からなるＮ個のオーバラップするスロットを備え、前記Ｎ個のスロットのそれぞれの外周が、ｉが１からＮの範囲をとる周波数ｆｉで動作するために設計され、前記Ｎ個のスロットのそれぞれが、前記給電線の短絡面にあるように前記給電線により給電される、
ことを特徴とする請求項１記載のアンテナ。
【請求項３】
前記第１のスロットと前記第２のスロットは、給電線がこの点に位置される点、或いは直径上の反対の点で余接の関係にある、
ことを特徴とする請求項１記載のアンテナ。
【請求項４】
前記第１のスロットと前記第２のスロットは同心状に位置される、
ことを特徴とする請求項１記載のアンテナ。
【請求項５】
前記第１のスロットと前記第２のスロットのそれぞれには、円偏波の放射を可能にする手段が設けられる、
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか記載のアンテナ。
【請求項６】
前記手段は、前記第１のスロット又は前記第２のスロットに設けられたノッチからなる、
ことを特徴とする請求項５記載のアンテナ。
【請求項７】
前記給電線は、マイクロストリップライン、又はコプレーナ技術で作製されたラインである、
ことを特徴とする請求項１乃至６何れか記載のアンテナ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月12日(2008.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  パターン化されたテンプレートを使用して、基板上にパターンを形成する方法であって、
活性化光硬化液が所定のパターンで基板に塗布され、かつ、基板上の活性化光硬化液の表面積が、パターン化されたテンプレートの表面積より小さくなるように、基板の一部に活性化光硬化液を塗布するステップと、
塗布された活性化光硬化液がギャップを実質的に充填するようにパターン化されたテンプレートが基板に対して間隔を隔てて配置され、パターン化されたテンプレートと基板の間にギャップが生成されるよう、パターン化されたテンプレートと基板を互いに間隔を隔てて位置決めするステップと、
活性化光硬化液が実質的に硬化し、硬化した活性化光硬化液中に、パターン化されたテンプレートのパターンが形成されるように、活性化光硬化液に活性化光を照射するステップと、
パターン化されたテンプレートと硬化した活性化光硬化液を分離するステップと、
から構成されることを特徴とする方法。
【請求項２】  パターン化されたテンプレートを使用して、基板上にパターンを形成するシステムであって、
頂部フレームと、
頂部フレームに結合された配向ステージであって、配向ステージが、
使用中、第１の配向軸の周りにピボットするようになされた第１のたわみ部材と、
使用中、第２の配向軸の周りにピボットするようになされた、第１のたわみ部材に結合された第２のたわみ部材と、
使用中、第２のたわみ部材に結合され、パターン化されたテンプレートを保持するサポートとを備え、パターン化されたテンプレートがサポート中に配置されて、そのパターン化されたテンプレートが、使用中、第１および第２の配向軸が交差するピボット・ポイントの周りを移動するように、第２のたわみ部材が第１のたわみ部材に結合された配向ステージと、
サポート中に配置されるパターン化されたテンプレートと、
頂部フレームに結合された液体ディスペンサと、
基板を支持するようになされた基板ステージであって、配向ステージの下側に位置付けされ、かつ、パターン化されたテンプレートに実質的に平行な平面に沿って基板を移動させるようになされた基板ステージと、
から構成され、液体ディスペンサが、使用中、基板ステージ上に位置付けされた基板に液体を塗布するようになされていることを特徴とするシステム。
【請求項３】  基板の表面を平らにする方法であって、
基板の少なくとも一部に活性化光硬化液を塗布するステップと、
塗布された活性化光硬化液がギャップを実質的に充填するように、テンプレートが基板に対して間隔を隔てて配置され、テンプレートと基板の間にギャップが生成されるように、実質的にパターン化されていない平らなテンプレートおよび基板を互いに間隔を隔てて位置決めするステップと、
テンプレートと基板表面が実質的に平行になるようにテンプレートを調整するステップと、
活性化光の照射によって活性化光硬化液が実質的に硬化させるように、活性化光硬化液に活性化光を照射するステップと、
テンプレートと硬化した活性化光硬化液を分離するステップと、
から構成されることを特徴とする方法。
【請求項４】  基板を平らにするためのシステムであって、
頂部フレームと、
頂部フレームに結合された配向ステージであって、配向ステージが、
使用中、第１の配向軸の周りにピボットするようになされた第１のたわみ部材と、
使用中、第２の配向軸の周りにピボットするようになされた、第１のたわみ部材に結合された第２のたわみ部材と、
使用中、第２のたわみ部材に結合され、パターン化されたテンプレートを保持するサポートとを備え、パターン化されたテンプレートがサポート中に配置されて、パターン化されたテンプレートが、使用中、第１および第２の配向軸が交差するピボット・ポイントの周りを移動するように、第２のたわみ部材が第１のたわみ部材に結合された配向ステージと、
サポート中に配置される、実質的に平らなパターン化されていないテンプレートと、
配向ステージの下側に位置付けされた、基板を支持するようになされた基板ステージと、
から構成されることを特徴とするシステム。
【請求項５】  パターン化されたテンプレートを使用して、基板上にパターンを形成するシステムであって、
頂部フレームと、
頂部フレームに結合された配向ステージであって、配向ステージが、
使用中、基板上に配置された液体と接触すると、第１の配向軸の周りにピボットするようになされた第１のたわみ部材と、
使用中、基板上に配置された液体と接触すると、第２の配向軸の周りにピボットするようになされた、第１のたわみ部材に結合された第２のたわみ部材と、
使用中、第２のたわみ部材に結合され、パターン化されたテンプレートを保持するサポートとを備え、パターン化されたテンプレートがサポート中に配置されると、パターン化されたテンプレートが、使用中、第１および第２の配向軸が交差するピボット・ポイントの周りを移動するように、第２のたわみ部材が第１のたわみ部材に結合される配向ステージと、
サポート中に配置されるテンプレートと、
配向ステージの下側に位置付けされた、基板を支持するようになされた基板ステージと、
から構成されることを特徴とするシステム。
【請求項６】  パターン化された、硬化光に対して実質的に透明なテンプレートを使用して、基板上にパターンを形成する方法であって、
活性化光硬化液が所定のパターンで基板に塗布され、かつ、硬化光の存在によって光硬化液が硬化するように、基板の一部に活性化光硬化液を塗布するステップと、
パターン化されたテンプレートが、基板上に配置された光硬化液の少なくとも一部と接触するように、パターン化されたテンプレートおよび基板を位置決めするステップと、
塗布された光硬化液が、パターン化されたテンプレートと基板の間の実質的に一様なギャップを実質的に充填するように、パターン化されたテンプレートと基板の間の隙間を調整するステップと、
硬化光の照射によって光硬化液が実質的に硬化するように、テンプレートを通して光硬化液に硬化光を照射するステップと、
から構成されることを特徴とする方法。
【請求項７】  パターン化されたテンプレートを使用して、基板上にパターンを形成するシステムであって、
頂部フレームと、
配向ステージであって、配向ステージが、
使用中、パターン化されたテンプレートを保持するサポートを備え、かつ、パターン化されたテンプレートが配置され、パターン化されたテンプレートが、パターン化されたテンプレートの表面のピボット・ポイントの周りを移動するようになされた配向下部構造と、
頂部フレームに結合された液体ディスペンサとを備えた配向ステージと、
配向ステージの下側に位置付けされ、かつ、パターン化されたテンプレートに実質的に平行な平面に沿って基板を移動させるように基板を支持する基板ステージと、
から構成されることを特徴とするシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年7月7日(2008.7.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
半導体本体（１）の表面（２）に絶縁材のパターン化マスク層（３）を形成し、前記半導体本体（１）にトレンチ（８）を形成するように前記パターン化マスク層（３）を介して前記半導体本体（１）をエッチングし、
前記半導体本体（１）の前記トレンチ（８）を充填する絶縁層（１０）を形成し、前記絶縁層（１０）が、前記トレンチ（８）の上に凹部（１１）を示し、この凹部（１１）が、ほぼ前記半導体本体（１）の前記表面（２）の上にある底部領域（１２）を有し、
ほぼ平面の表面（１５）を形成するように前記半導体本体（１）を平坦化処理し、
前記半導体本体（１）を露光し、かつフィールド分離領域（１７）を形成するように前記半導体本体（１）を更に処理し、
前記絶縁層（１０）を、前記平坦化処理中固定研摩剤を使用する化学機械的研磨によってほぼ前記凹部（１１）の前記底部領域（１２）まで取り除くことを特徴とする半導体装置を製造する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体本体の表面に絶縁材のパターン化マスク層を形成し、
このパターン化マスク層を介してこの半導体本体をエッチングして、この半導体本体にトレンチを形成し、
この半導体本体のこのトレンチを充填する絶縁層を形成し、この絶縁層が、このトレンチの上に凹部を有し、この凹部がほぼこの半導体本体の表面の上ある底部領域を有し、
この半導体本体を平坦化処理して、ほぼ平面の表面を形成し、
この半導体本体を露光してフィールド分離領域を形成するステップを含む半導体層を製造する方法に関するものである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
【発明を解決するための手段】
本発明によれば、この目的は、絶縁層が平坦化処理中固定研磨を使用する化学機械的研磨によってほぼ凹部の底部表面まで除去されるということで遂げられる。固定研磨剤を使用する化学機械的研磨（ＣＭＰ）を利用することによって、そのＣＭＰ技術で、研磨粒子は、研磨パッドと結合された研磨スラリーを使用して実行される従来のＣＭＰの代わりに、研磨パッドに埋め込まれ、被処理層の上部領域の除去速度は高いのに対して、被処理層の底部領域の除去速度が非常に低い。被処理層の底部領域の除去速度は、固定研磨剤を使用するＣＭＰを用いる場合にさらに非常に低い。明らかに、固定研磨剤を使用するＣＭＰを用いることによって得ることができる、被処理層の底部領域のより高速の高さ減少および非常に低い除去速度は、停止層の使用を回避することを可能にする。研磨が被処理層の底部領域に達する場合、研磨の速度は、自動的に落とされる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
次のステップ（図４）では、絶縁層１０が形成され、この絶縁層１０により半導体本体１のトレンチ８を充填する。絶縁層１０は、トレンチ８の上に凹部１１を有し、この凹部１１は、半導体本体１の表面２のほぼ上にある底部領域１２を有する。凹部１１に隣接して、絶縁層１０は上部領域１３を有する。本例では、凹部１１の底部領域１２は、パターン化マスク層３の表面１４の上にもある。これは、後述されるように必ずしも必要ではない。この絶縁層１０は、高密度プラズマ（ＨＤＰ）酸化シリコンで形成するのが良い。凹部１１の数、つまり半導体ウェハ上にある底部領域１２の数は、一般に非常に大きいことは、当業者に分かる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
図５を参照して、半導体本体１は、ほぼ平面の表面１５を形成するために平坦化処理される。本例では、絶縁層１０の残部１６は、パターン化マスク層３の上部に残される。平坦化処理中、本例ではＨＤＰ酸化物で形成される絶縁層１０は、固定研磨剤を使用する化学機械的研磨（ＣＭＰ）によってほぼ凹部１１の底部領域１２まで除去される。この目的で、固定研磨パッドおよび例えば、脱イオン水あるいは水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液のような化学エッチング液による化学機械的研磨剤が使用される。固定（埋め込み）研磨粒子は、例えば、セリア粒子とも呼ばれる酸化セリウムであってもよい。研磨パッドと結合される研磨スラリーを使用して実行される従来のＣＭＰと比べて、前述の従来のものではないＣＭＰ技術では、被処理層の上部領域でより高い除去速度、これに対し、被処理層の底部領域で非常に低い除去速度となる。底部領域の除去速度はさらに非常に低い。それで、従来のものでないＣＭＰ技術、すなわち固定研磨剤を使用するＣＭＰ技術を用いる場合、絶縁層１０の上部領域１３（図４を参照せよ）は、絶縁層１０の底部領域１２（唯一つの底部領域が示されている）よりも非常に速く研磨される。明らかに、固定研磨剤を使用するＣＭＰを用いることによって得られる、より高速のステップの高さ減少および底部領域１２の非常に低い除去速度は、停止層の使用を回避することを可能にする。研磨が底部領域１２に達すると、研磨の速度は自動的に落とされる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
前述された例では、凹部１１の底部領域１２は、パターン化マスク層３の表面１４（図４を参照せよ）の上にある。しかしながら、底部領域１２も、半導体本体１の表面２のほぼ上に、あるいはより詳細にはパッド酸化物層４の表面の上およびパターン化マスク層３の表面１４の下に、あってもよい。固定研磨剤を使用するＣＭＰによるその後の平坦化処理中、本例でＨＤＰ酸化物で形成される絶縁層１０は、本例でシリコンオキシナイトライドで形成される上部層５に対して選択的には除去されない。換言すると、上部層５は、停止層の役目を果たさなく、したがって、凹部１１の底部領域１２に達するまで研磨が続く。結果として、パターン化マスク３の上部層５は、平坦化処理中この厚さの一部にわたって除去される。更なる処理中、半導体本体１が露光され、フィールド分離領域１７が形成され、上部層５の残部およびパッド酸化物層４別個の処理ステップで半導体本体１の表面２から除去できる。しかしながら、この処理を簡単にするために、上部層５の残部およびパッド酸化物層４は例えば、ふっ化水素酸の水溶液（ＨＦ／Ｈ２Ｏ）を使用する例えばウェットエッチングによって単一処理ステップで半導体本体１の表面２から除去しても良い。ふっ化水素酸の濃度は、シリコンオキシナイトライドで形成される本例の上部層５の残部が高密度プラズマ（ＨＤＰ）酸化シリコンで形成される本例における絶縁層１０よりも実質的に速くエッチングされるように選択するのが良い。この目的で、０．０１ｗｔ％未満のＨＦの薄い水溶液、好ましくは、約２のｐＨを有する０．０１ｗｔ％未満のＨＦの薄い水溶液を使用できる。０．０１ｗｔ％以下の上記に示される範囲内のふっ化水素酸の濃度を変えることによって、最終フィールド分離領域１７が半導体本体１の表面２の上に上昇する範囲を調整できる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月25日(2008.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】処理チャンバで前面と裏面を有する半導体ウェハを加熱する方法であって、
ウェハを、その裏面をチャックから延びる複数の支持要素の上に接触させた状態で配置する工程（２１０）と、
前記処理チャンバ内にあるシャワーヘッドから加熱ガスを前記前面に向けて放出する工程（２２０）と、
前記ウェハ裏面が前記チャックと接触するように、チャック内の凹部へ前記支持要素を移動させる工程（２３０）と、
前記ウェハを処理ガスで処理する工程と、から成る方法。
【請求項２】前記放出する工程が、所定の期間にわたって継続される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】前記放出する工程が、前記ウェハが所定閾値温度に達するまで継続される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】前面と裏面を有する半導体ウェハ（１５０）を処理するためのチャンバであって、該チャンバ（１００）が、
表面（１１５）と複数の支持要素（１１２）とを有するウェハチャック（１１０）であって、該支持要素（１１２）は、第１態様では前記ウェハを前記表面に対して所定距離を開けて前記裏面で保持するために前記表面から一時的に延び、第２態様では前記裏面が前記表面と直接接した状態で前記ウェハを配置するためにチャックに格納される、ウェハチャック（１１０）と、
ガスを前記ウェハの前記前面に放出するための、複数のノズルを有するシャワーヘッド（１２０）と、
前記チャンバが前記ウェハを加熱すべく前記第１態様にあるときは加熱ガスを前記シャワーヘッドに供給するための、および、前記チャンバ前記第２態様にあるときは処理ガスを前記シャワーヘッドに供給するための、手段と、を備えたチャンバ。
【請求項５】前記支持要素がニードルであり、前記第１態様にあるときに、前記ウェハ裏面と前記表面の間の距離が実質的に等しく、前記加熱ガスがヘリウムである、請求項４に記載のチャンバ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月8日(2008.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のパケット長を持つ、少なくとも１個のパケットを有するデータストリームを符号化する方法であって、
前記少なくとも１個のパケットのそれぞれのパーティションを、異なる誤り保護率で符号化し、前記それぞれのパーティションのそれぞれの長さが、前記パケット長または前記パケット長の一部にそれぞれの予め定められたパーセンテージを掛けることによって決定される符号化処理、および、
前記異なる誤り保護率で符号化された前記少なくとも１個のパケットのそれぞれのパーティションを持つ前記データストリームを出力する出力処理、
を有するデータストリームを符号化する方法。
【請求項２】
前記所定のパケット長が、前記データストリーム中の２個のマーカの間の距離として決定され、当該２個のマーカ中の少なくとも１個が、パケット開始を指示する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記それぞれの予め定められたパーセンテ―ジが、前記パケットの１番目のパーティションが少なくとも１番目の元のパケットパーティションを有するように決定される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記それぞれの予め定められたパーセンテージが、前記パケットの前記１番目のパーティションと前記パケットの２番目のパーティションとの和が、少なくとも前記１番目の元のパケットパーティションと２番目の元のパケットパーティションとを有するように決定される請求項３に記載の方法。
【請求項５】
所定のパケット長を持つ、少なくとも１個のパケットを有するデータストリームを復号化する方法であり、前記少なくとも１個のパケットのそれぞれのパーティションが、異なる誤り保護率により符号化されていて、前記それぞれのパーティションのそれぞれの長さが、前記パケット長にそれぞれの予め定められたパーセンテージを掛けることによって決定される、データストリームを復号化する方法であって、
前記それぞれのパケットパーティションを前記異なる誤り保護率で復号化する復号化処理、および、
前記異なる誤り保護率で復号化された前記それぞれのパケットパーティションを持つ前記データストリームを出力する出力処理、
を有するデータストリームを復号化する方法。
【請求項６】
前記データストリームが、所定のパケット長を持つ、少なくとも１個のパケットを有するデータストリームを符号化するための符号器であって、
前記少なくとも１個のパケットのそれぞれのパーティションを、異なる誤り保護率で符号化するための符号化手段であって、前記それぞれのパーティションのそれぞれの長さが、前記パケット長または前記パケット長の一部にそれぞれの予め定められたパーセンテージを掛けることによって決定される符号化手段、および、
前記異なる誤り保護率で符号化された前記少なくとも１個のパケットの前記それぞれのパーティションを持つ前記データストリームを出力するための出力手段、
を有する符号器。
【請求項７】
所定のパケット長を持つ、少なくとも１個のパケットを有する受信されたデータストリームを復号化するための復号器であり、前記少なくとも１個のパケットのそれぞれのパーティションが、異なる誤り保護率で符号化されていて、前記それぞれのパーティションのそれぞれの長さが、前記パケット長または前記パケット長の一部のそれぞれに予め定められたパーセンテージを掛けることによって決定される、復号器であって、
前記それぞれのパケットパーティションを前記異なる誤り保護率で復号化する復号化手段、および、
前記異なる誤り保護率で復号化された前記それぞれのパケットパーティションを持つ前記データストリームを出力する出力手段、
を有する復号器。
【請求項８】
データストリームを送信するための送信機であって、
請求項６による符号器、および、
前記データストリームを送信するためのアンテナ手段、を有する送信機。
【請求項９】
データストリームを受信するための受信機であって、
前記データストリームを受信するためのアンテナ手段、および、
請求項７に請求されている復号器、を有する受信機。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月4日(2008.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データストリームを符号化する方法であって、前記データストリームが、少なくとも２つの互いに異なるマーカのあらかじめ決められた組からの少なくとも１つのマーカを含み、前記マーカが、前記データストリームの所与の部分の開始を示す、方法であって、
前記少なくとも１つのマーカを、該少なくとも１つのマーカよりチャネルエラーに対し高いロバストネスをもつ高ロバストネスワードにより表し、
前記高ロバストネスワードにより表される前記少なくとも１つのマーカをもつデータストリームを出力することを含む方法。
【請求項２】
前記高ロバストネスワードが擬似ノイズワードである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つのマーカを表す前記高ロバストネスワードが、相互に異なる高ロバストネスワードのあらかじめ決められた組から得られ、前記高ロバストネスワードのあらかじめ決められた組におけるそれぞれの高ロバストネスワードが、前記マーカのあらかじめ決められた組における所与のマーカに対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記データストリームの前記所与の部分をチャネル符号化手法に従ってチャネル符号化することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記チャネル符号化は、異なるエラー保護レートにより前記データストリームの前記所与の部分のそれぞれのパーティションを符号化することを含み、それぞれのパーティションのそれぞれの長さは、前記データストリームの前記所与の部分の長さの個々のあらかじめ決められた割合により決定される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記チャネル符号化が、異なるエラー保護レートにより前記データストリームの前記所与の部分のそれぞれのパーティションを符号化することを含み、それぞれのパーティションのそれぞれの長さに関する情報が、前記データストリームに含まれる、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記データストリームがＭＰＥＧ−４データストリームであり、前記マーカのあらかじめ決められた組が、ビデオオブジェクトスタートコードと、ビデオオブジェクト層スタートコードと、ビデオオブジェクトプレーンスタートコードと、ビデオオブジェクトプレーンのグループと、再同期マーカとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
データストリームを復号化する方法であって、受信される前記データストリームが、前記データストリームの個々の部分の開始を示すマーカをそれぞれ表す高ロバストネスワードを含み、前記高ロバストネスワードが、該高ロバストネスワードによりそれぞれ表されるマーカよりチャネルエラーに対し高いロバストネスを有する、方法であって、
高ロバストネスワードの位置を決定し、
前記高ロバストネスワードを、前記決定された位置において該高ロバストネスワードにより表されるマーカと置き換える、方法。
【請求項９】
データストリームを符号化する符号器であって、前記データストリームが、少なくとも２つの互いに異なるマーカのあらかじめ決められた組からの少なくとも１つのマーカを含み、前記マーカが、前記データストリームの所与の部分の開始を示す、符号器であって、
前記少なくとも１つのマーカを、該少なくとも１つのマーカよりチャネルエラーに対し高いロバストネスをもつ高ロバストネスワードにより表す手段と、
前記高ロバストネスワードにより表される前記少なくとも１つのマーカをもつデータストリームを出力する手段と、
を有する符号器。
【請求項１０】
データストリームを復号化する復号器であって、受信される前記データストリームが、該データストリームの個々の部分の開始を示すマーカをそれぞれ表す高ロバストネスワードを含み、前記高ロバストネスワードが、該高ロバストネスワードによりそれぞれ表される前記マーカより、チャネルエラーに対し高いロバストネスを有する、復号器であって、
高ロバストネスワードの位置を決定する手段と、
前記高ロバストネスワードを、前記決定された位置において該高ロバストネスワードにより表わされるマーカと置き換える手段と、
を有する、復号器。
【請求項１１】
データストリームを伝送するための送信器であって、
請求項９に記載の符号器と、
前記データストリームを伝送するアンテナ手段と、
を有する送信器。
【請求項１２】
データストリームを受信する受信器であって、
前記データストリームを受信するアンテナ手段と、
請求項１０に記載の復号器と、
を有する受信器。
【請求項１３】
高ロバストネスワードを含むデータストリームが記憶された記憶媒体であって、前記高ロバストネスワードが、前記データストリームの個々の部分の開始を示すマーカをそれぞれ表し、前記高ロバストネスワードが、該高ロバストネスワードによりそれぞれ表されるマーカよりチャネルエラーに対し高いロバストネスをもつ、記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月4日(2008.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  信号を符号化する方法であって、前記方法は、
前記信号をソース符号化して符号化データストリームを得る工程と、
前記符号化データストリームのそれぞれの部分の所望の保護レートを示すソース重要情報を前記符号化データストリームに含める工程と、
を有する、ことを特徴とする方法。
【請求項２】  請求項１記載の方法であって、前記ソース重要情報は、前記符号化データストリームの前記それぞれの部分のそれぞれの長さを含む、ことを特徴とする方法。
【請求項３】  請求項１記載の方法であって、前記符号化データストリームはそれぞれのパケットを含み、前記ソース重要情報は前記それぞれのパケットに関連するそれぞれのヘッダに含まれ、与えられたヘッダはその関連するパケットのそれぞれの部分に対する所望の保護レートを示す、ことを特徴とする方法。
【請求項４】  請求項３記載の方法であって、オフセットが前記与えられたヘッダに含まれ、前記オフセットが前記関連するパケットの開始位置を示す、ことを特徴とする方法。
【請求項５】  請求項３記載の方法であって、前記符号化データストリームはパケットのそれぞれのグループを有し、その方法において、パケットの前記グループの第１のパケットに関連する第１のヘッダが前記符号化データストリームの始めに配置される、ことを特徴とする方法。
【請求項６】  請求項３記載の方法であって、前記符号化データストリームはパケットのそれぞれのグループを有し、その方法において、パケットの前記グループの第１のパケットに関連する第１のヘッダには識別子が与えられる、ことを特徴とする方法。
【請求項７】  請求項６記載の方法であって、前記識別子は前記第１のヘッダの直前に配置される、ことを特徴とする方法。
【請求項８】  符号化データストリームを符号化する方法であって、前記符号化データストリームは、パケットのそれぞれのグループと前記符号化データストリームの始めに存在する第１のヘッダとを有し、前記第１のヘッダがパケットの前記グループの第１のパケットと関連し、前記関連する第１のパケットの開始位置を示すオフセットを含むソース重要情報を有し、
前記方法は、
前記符号化データストリームに他のヘッダを含める工程と、
前記符号化データストリームの始めで前記第１のヘッダを置き換える工程と、
前記第１のヘッダにおけるオフセットを更新する工程と、
を含む、ことを特徴とする方法。
【請求項９】  チャネル符号化方法であって、前記方法は、
符号化データストリームのそれぞれの部分の所望の保護レートを示すソース重要情報を含む符号化データストリームを受ける工程と、
前記符号化データストリームにおけるソース重要情報を識別する工程と、
前記ソース重要情報の制御下でそれぞれ保護レートを有する符号化ビットストリームのそれぞれの部分をチャネル符号化する工程と、
を有する、ことを特徴とする方法。
【請求項１０】  チャネル復号化方法であって、前記方法は、
チャネル符号化データストリームのそれぞれの部分の保護レートを示すソース重要情報を含むチャネル符号化データストリームを受ける工程と、
前記チャネル符号化データストリームにおける前記ソース重要情報を識別する工程と、
前記ソース重要情報の制御下でそれぞれの保護レートを有する符号化ビットストリームのそれぞれの部分をチャネル復号化する工程と、
を有する、ことを特徴とする方法。
【請求項１１】  信号を符号化するデバイスであって、前記デバイスは、
前記信号をソース符号化して符号化データストリームを得る手段と、
前記符号化データストリームのそれぞれの部分の所望の保護レートを示すソース重要情報を前記符号化データストリームに含める手段と、
を有する、ことを特徴とするデバイス。
【請求項１２】  符号化データストリームを符号化するデバイスであって、符号化データストリームは、パケットのそれぞれのグループと前記符号化データストリームの始めに存在する第１のヘッダとを有し、前記第１のヘッダは、パケットの前記グループの第１のパケットと関連し、前記関連する第１のパケットの開始位置を示すオフセットを含むソース重要情報を有し、
前記デバイスは、
前記符号化データストリームに他のヘッダを含める手段と、
前記符号化データストリームの始めで前記第１のヘッダを置き換える手段と、
前記第１のヘッダにおけるオフセットを更新する手段と、
を有する、ことを特徴とするデバイス。
【請求項１３】  チャネル符号化器であって、
符号化データストリームのそれぞれの部分の所望の保護レートを示すソース重要情報を含む符号化データストリームを受ける手段と、
前記符号化データストリームにおける前記ソース重要情報を識別する手段と、
前記ソース重要情報の制御下でそれぞれの保護レートを有する符号化ビットストリームのそれぞれの部分をチャネル符号化する手段と、
を有する、ことを特徴とするチャネル符号化器。
【請求項１４】  チャネル復号化器であって、
チャネル符号化データストリームのそれぞれの部分の保護レートを示すソース重要情報を含むチャネル符号化データストリームを受ける手段と、
前記チャネル符号化データストリームにおける前記ソース重要情報を識別する手段と、
前記ソース重要情報の制御下でそれぞれの保護レートを有する符号化ビットストリームのそれぞれの部分をチャネル復号化する手段と、
を有する、ことを特徴とするチャネル復号化器。
【請求項１５】  符号化データストリームであって、前記符号化データストリームのそれぞれの部分の所望の保護レートを示すソース重要情報を含む符号化データストリームが格納された、ことを特徴とする記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月28日(2008.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パケット受信局がパケット送信局から受信した圧縮されたヘッダから生成する、再構成されたヘッダを確認するのに使用するチェックサムの生成方法であって、前記圧縮されたヘッダは前記パケット送信局でターゲット・ヘッダを圧縮して生成され、
パケット・フロー内の全てのヘッダの対応する固定部分内の不変の固定情報を伝えるターゲット・ヘッダの固定部分に関連する固定チェックサム情報を提供するステップと、
前記パケット・フローの他のヘッダの対応する可変部分内の対応する情報と異なり得る情報を伝える前記ターゲット・ヘッダの可変部分を表す別の情報を提供するステップと、
再構成されたヘッダを確認するのに使用するチェックサムを生成すべく、前記固定チェックサム情報と前記別の情報とを組合せるステップと
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記パケット受信局及び前記パケット送信局が無線通信デバイスであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記固定チェックサム情報を提供するステップが、
前記パケット・フロー内のコンテキスト更新ヘッダを提供するステップと、
前記コンテキスト更新ヘッダの前記可変部分からの情報をチェックサム・レジスタに供給せずに、前記コンテキスト更新ヘッダの前記固定部分からの情報を前記チェックサム・レジスタに供給するステップと、
前記供給ステップの後に前記チェックサム・レジスタの符号化状態を格納するステップと
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記組合せるステップが、格納された符号化状態を前記チェックサム・レジスタにロードし、その後で前記別の情報を前記チェックサム・レジスタに供給するステップを含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記固定チェックサム情報を提供するステップが、前記固定部分を前記可変部分から分離するために前記コンテキスト更新ヘッダをソーティングするステップを含み、
前記コンテキスト更新ヘッダの前記固定部分からの情報を供給するステップが、前記情報を前記チェックサム・レジスタにシフトするステップを含み、
前記別の情報を前記チェックサム・レジスタに供給するステップが、前記別の情報を前記チェックサム・レジスタにシフトするステップを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記固定チェックサム情報を提供するステップが、
前記パケット・フロー内のコンテキスト更新ヘッダを提供するステップと、
前記固定部分を前記可変部分から分離するために前記コンテキスト更新ヘッダをソーティングするステップと、
前記パケット・フローの間に前記情報のそれぞれの部分が変化する可能性に従って前記可変部分内の情報をソーティングする別のソーティングステップと、
前記ソーティング及び前記別のソーティングでソートされたコンテキスト更新ヘッダをチェックサム・レジスタにシフトするステップと、
前記シフト動作の間に前記チェックサム・レジスタに現れる固定情報と可変情報との組合せのそれぞれについて、前記チェックサム・レジスタの対応する符号化状態を格納するステップと
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記別の情報を提供するステップが、前記パケット・フローの間に前記情報のそれぞれの部分が変化する可能性に従って、前記ターゲット・ヘッダ及び前記再構成されたヘッダの一方の前記可変部分内の情報をソーティングするステップを含み、
前記組合せるステップが、前記格納された符号化状態の１つを前記チェックサム・レジスタにロードし、その後で前記チェックサム・レジスタに、前記コンテキスト更新ヘッダの対応する部分と異なる前記一方のヘッダの可変部分の一部をシフトするステップを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記固定チェックサム情報を提供するステップが、前記パケット・フロー内の前記固定情報に関連する第１のチェックサム成分を生成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
パケット受信局がパケット送信局から受信した圧縮されたヘッダから生成する、再構成されたヘッダを確認するのに使用するチェックサムを生成する装置であって、前記圧縮されたヘッダは前記パケット送信局でターゲット・ヘッダを圧縮して生成され、
パケット・フロー内の全てのヘッダの対応する固定部分内の不変の固定情報を伝えるターゲット・ヘッダの固定部分に関連する固定チェックサム情報を受信する第１の入力と、
前記パケット・フローの他のヘッダの対応する可変部分内の対応する情報と異なり得る情報を伝える前記ターゲット・ヘッダの可変部分を表す別の情報を受信する第２の入力と、
前記第１及び第２の入力に接続され、再構成されたヘッダを確認するのに使用するチェックサムを生成すべく、前記固定チェックサム情報と前記別の情報とを組合せるコンバイナと
を備えることを特徴とする装置。
【請求項１０】
無線通信デバイス内に設けられていることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記コンバイナが、前記第２の入力に接続され、前記別の情報がシフトされて入力されるチェックサム・レジスタを含み、
前記固定チェックサム情報が、前記固定情報に応答して前記チェックサム・レジスタによって生成される前記チェックサム・レジスタの符号化状態を含み、
前記チェックサム・レジスタに接続され、前記符号化状態を格納する格納デバイスをさらに含み、
前記格納デバイスが、前記第１の入力に接続され、前記別の情報が前記チェックサム・レジスタにシフトされる前に前記符号化状態を前記チェックサム・レジスタにロードすることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月23日(2008.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】  各ダイオードは、ＰＩＮダイオードであることを特徴とする請求項１３に記載の周波数マルチプレクサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】  周波数バンド間の切替えを行う方法であって、
複数の回路からアクティブな回路を選択する工程と、
前記アクティブな回路の機器を第１の状態に設定する工程と、
前記選択されていない全ての回路の機器を第２の状態に設定する工程とを有し、
前記複数の回路各々は、共通の端末部に接続されており、
前記複数の回路各々は、第１の周波数バンドを通過させ、前記機器が前記第１の状態にあるときに実質的には第２の周波数バンドをブロックする第１のフィルタ特性をもち、
前記複数の回路各々は、前記機器が前記第２の状態にあるときに実質的には前記第１及び第２の周波数バンドをブロックする第２のフィルタ特性をもち、
前記第２のフィルタ特性は、前記機器とフィルタとが組合わされて作用していることの結果であることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月4日(2008.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】ステレオフォニックオーディオ信号から情報信号を発生するステレオ手段と、前記オーディオ信号を他のオーディオ信号に変換する、前記ステレオ手段に結合された変換手段とを有するマルチチャンネルステレオコンバータであって、前記ステレオ手段が、前記オーディオ信号間のステレオの程度を表すステレオ情報信号を発生するステレオマグニチュード決定手段であり、前記変換手段が、前記ステレオ情報信号に基づいて、前記オーディオ信号を少なくともサラウンド信号に変換するように実現されることを特徴とする、マルチチャンネルステレオコンバータ。
【請求項２】前記変換手段が、前記ステレオ情報信号を、オーディオ信号により規定される面に、ある角度でマップするという前記変換についての関係を用いることを特徴とする、請求項１に記載のマルチチャンネルステレオコンバータ。
【請求項３】前記変換が、測角関係を用いることを特徴とする、請求項１又は２に記載のマルチチャンネルステレオコンバータ。
【請求項４】前記オーディオ信号を、直交表現から、前記オーディオ信号が直線上にあり、それによって付加的なオーディオ中央信号を示す表現へ、付加的に変換するように前記変換手段が実現されることを特徴とする、請求項１乃至３の何れか１項に記載のマルチチャンネルステレオコンバータ。
【請求項５】前記付加的な変換が、２程度の乗数によるベクトル乗算を有することを特徴とする、請求項４に記載のマルチチャンネルステレオコンバータ。
【請求項６】前記変換及び/又は付加的な変換が、マトリックス変換を実行することを特徴とする、請求項１乃至５の何れか１項に記載のマルチチャンネルステレオコンバータ。
【請求項７】前記マトリックス変換のマトリックス係数が、前記オーディオ信号の主軸への実際のオーディオ信号の射影に基づくことを特徴とする、請求項６に記載のマルチチャンネルステレオコンバータ。
【請求項８】ステレオサラウンド左信号とステレオサラウンド右信号とを発生するように前記サラウンド信号が与えられる、ローリッツェン非相関化フィルタのような１つ又は複数の非相関化フィルタを、前記ステレオコンバータが備えることを特徴とする、請求項１乃至７の何れか１項に記載のマルチチャンネルステレオコンバータ。
【請求項９】情報信号が、ステレオフォニックオーディオ信号から得られるとともに、前記オーディオ信号を他のオーディオ信号に変換するために用いられる、ステレオフォニックオーディオ信号からオーディオ信号を発生する方法であって、前記情報信号が、前記オーディオ信号間のステレオの程度を表すステレオ情報信号であり、前記ステレオ情報信号に基づいて、前記オーディオ信号が少なくともサラウンド信号に変換されることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月13日(2007.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  バイオ膜、残屑および汚染物質を通路表面から除去する方法であって、バイオ膜、残屑および汚染物質を通路表面から除去するのに充分な時間、剪断応力または衝撃応力を発生する、通路表面に沿う混合相流を、ガスと液体との混合物から形成することを含むこと特徴とする方法。
【請求項２】  前記液体は少なくとも約１８ダイン／ｃｍから７２ダイン／ｃｍまでの表面張力を有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記ガスの速度は１ｍ／秒より大きいことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】  前記ガスの速度は約１０ｍ／秒〜１００ｍ／秒であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】  前記通路は１つ以上の方向転換箇所を有していることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】  前記通路は複数の通路に分れていることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】  前記通路は、シェル／チューブ構造のシェル側またはチューブ側のいずれかにあることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】  前記通路は生検器具であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】  前記通路表面の少なくとも一部は透過性膜であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】  前記通路は血液透析器を有していることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１１】  前記混合相流の流れ方向は１回以上反転されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】  前記混合相流は脈動流であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１３】  標準状態でのガスの体積流量と液体の体積流量との比は、約５０：１〜６０００：１の間であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１４】  前記バイオ膜、残屑および汚染物質の除去後に前記通路をすすぐことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１５】  前記混合相流はガス中に分散された液体小滴を有していることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１６】  前記小滴は流体力学的不安定性により液体の表面から引き出されることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１７】  前記混合相流は、相互連結された液体膜または少量の泡を有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１８】  前記透過性膜を通って通路内に導入された液体の部分は、通路内を流れる流れと反応して泡を形成することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１９】  前記通路に２種類の異なる液体を導入して、化学反応により泡を形成することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２０】  前記混合相流は液体中に溶解されたガスを解放することにより形成されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２１】  前記液体は固体粒子を含んでいることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２２】  前記液体は１種類以上の生物致死剤を含んでいることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２３】  前記液体は１種類以上の界面活性剤を含んでいることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２４】  前記液体は１種類以上の酸化剤を含んでいることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２５】  前記液体は、界面活性剤、アルコール、ｐＨ調整剤、キレート剤、保湿剤、粘度調整剤および消泡剤からなる群のうちの１つ以上から選択されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２６】  前記混合相流は、ガスが流れている通路の透過性表面内に液体を付加することにより形成されることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項２７】  バイオ膜、残屑および汚染物質を、透過性膜からなる表面の部分を備えた通路の露出表面から除去する方法において、
液体の少なくとも一部を、透過性膜を通して通路内に導入し、かつ前記液体と、充分な速度で通路内を流れるガスとを、バイオ膜、残屑および汚染物質を除去するのに充分な時間混合することにより、５０：１より大きいガス：液体の体積比をもつ液体とガスとの混合相混合物を形成することを含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項２８】  前記透過性膜を通って通路内に導入される液体の部分は、通路内を流れる流体と反応して泡を発生することを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項２９】  前記液体は、沸騰を開始させるのに充分な圧力降下に曝されることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３０】  前記液体は、膜を通る圧力降下により泡を形成する溶解ガスを含んでいることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３１】  前記通路は血液透析器を有していることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３２】  前記通路は中空繊維膜フィルタを有していることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３３】  前記通路は管状膜フィルタを有していることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３４】  前記通路は複数の導管に分れており、各導管が表面を有し、各表面の反対側部分は他の導管の境界部分を形成していることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３５】  前記通路は入力ヘッダおよび複数の導管を有し、前記混合相流は、導管の内面、および入力ヘッダおよび出力ヘッダの内面と接触することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３６】  複数の液体が、異なる種類のバイオ膜、残屑および汚染物質を連続的に除去することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３７】  前記混合相流の形成前に、前記通路が液体中にソーキングされてバイオ膜、残屑および汚染物質を軟化することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３８】  前記混合相流は周囲温度以上の温度に加熱されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３９】  前記ガスの入口圧力は少なくとも１５ｐｓｉｇであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４０】  前記通路は、除去期間中に超音波振動に曝されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４１】  前記通路の外面は加圧されたガスに曝されることを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項４２】  前記通路の外面は加圧された液体に曝されることを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項４３】  前記液体は溶解ガスを含んでいることを特徴とする請求項４１記載の方法。
【請求項４４】  前記液体は、１以上の界面活性剤を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４５】  小滴は、前記液体の表面から継続的に引張られることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４６】  前記通路は、螺旋巻き型膜フィルタを含むことを特徴とする請求項３４記載の方法。
【請求項４７】  前記すすぎは脈動流であって、残りの界面活性剤、バイオ膜、残屑、汚染物質を除去することを特徴とする請求項１４記載の方法。