【手続補正書】
【提出日】平成20年10月17日(2008.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持層、
該支持層の一面に隣接して配置され、光吸収剤を含む光−熱変換層、および
該光−熱変換層に隣接し、該支持層の反対側に配置された転写層であって、
該光−熱変換層が光に選択的に露光されたときに、ドナー要素から隣接受像要素へ像様転写され得る材料を含む転写層、
を含む熱転写プロセスに使用するためのドナー要素であって、
該支持層と転写層との間に
（ａ）第四級アンモニウム陽イオン性化合物、
（ｂ）ホスフェート陰イオン性化合物、
（ｃ）ホスホネート陰イオン性化合物、
（ｄ）１〜５個のエステル基および２〜１０個の水酸基を含む化合物、
（ｅ）（エチレン−、プロピレン−）アルコキシル化アミン化合物、ならびに
（ｆ）それらの組み合わせ
よりなる群から選択される剥離改質剤をも配置されることを特徴とするドナー要素。
【請求項２】
支持層を提供する工程と、
該支持層の一面を、光吸収剤を含む光−熱変換層で被覆する工程と、
該支持層の反対側の光−熱変換層を転写層で被覆する工程であって、該光−熱変換層が光に選択的に露光されたときに該支持層から隣接受像要素へ像様転写され得る材料を、該転写層が含むものである工程と
を含む熱転写プロセスに使用するためのドナー要素の製造方法であって、
該支持層と転写層との間に
（ａ）第四級アンモニウム陽イオン性化合物、
（ｂ）ホスフェート陰イオン性化合物、
（ｃ）ホスホネート陰イオン性化合物、
（ｄ）１〜５個のエステル基および２〜１０個の水酸基を含む化合物、
（ｅ）（エチレン−、プロピレン−）アルコキシル化アミン化合物、ならびに
（ｆ）それらの組み合わせ
よりなる群から選択される剥離改質剤を配置する工程をも含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
ａ．支持層、
ｂ．該支持層の一面に隣接して配置され、光吸収剤を含む光−熱変換層、および
ｃ．該光−熱変換層に隣接し、該支持層の反対側に配置された転写層であって、該光−熱変換層と受像要素との間に配置された転写層
を含むドナー要素と受像要素との集合体を提供する工程と、
該集合体を光に像様露光させ、それによって像様露光された転写層の少なくとも一部が受像要素に転写されて画像を形成する工程と、
該ドナー要素を受像要素から分離し、それによって受像要素上に該画像を現出させる工程と
を含む画像形成のための熱転写プロセスにドナー要素を使用する方法であって、
該ドナー要素の支持層と転写層との間に
（ａ）第四級アンモニウム陽イオン性化合物、
（ｂ）ホスフェート陰イオン性化合物、
（ｃ）ホスホネート陰イオン性化合物、
（ｄ）１〜５個のエステル基および２〜１０個の水酸基を含む化合物、
（ｅ）（エチレン−、プロピレン−）アルコキシル化アミン化合物、ならびに
（ｆ）それらの組み合わせ
よりなる群から選択される剥離改質剤もまた配置されることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８１】
【表１】
2008516822.tif 000001
以下、本明細書に記載の発明につき列記する。
１．  支持層、
該支持層の一面に隣接して配置され、光吸収剤を含む光−熱変換層、および
該光−熱変換層に隣接し、該支持層の反対側に配置された転写層であって、
該光−熱変換層が光に選択的に露光されたときに、ドナー要素から隣接受像要素へ像様転写され得る材料を含む転写層、
を含む熱転写プロセスに使用するためのドナー要素であって、
該支持層と転写層との間に
（ａ）第四級アンモニウム陽イオン性化合物、
（ｂ）ホスフェート陰イオン性化合物、
（ｃ）ホスホネート陰イオン性化合物、
（ｄ）１〜５個のエステル基および２〜１０個の水酸基を含む化合物、
（ｅ）（エチレン−、プロピレン−）アルコキシル化アミン化合物、ならびに
（ｆ）それらの組み合わせ
よりなる群から選択される剥離改質剤をも配置されることを特徴とするドナー要素。
２．  前記剥離改質剤が、前記光−熱変換層に配置されることを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
３．  前記剥離改質剤が、前記転写層と光−熱変換層との間の層に配置されることを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
４．  前記剥離改質剤が、ニトロセルロースを含む層に配置されることを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
５．  前記剥離改質剤が、ポリメチルメタクリレートを含む層に配置されることを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
６．  前記剥離改質剤が、ポリアルキレンカーボネートを含む層に配置されることを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
７．  前記剥離改質剤が、スチレン−マレイン酸コポリマーを含む層に配置されることを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
８．  前記剥離改質剤が、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、多糖類、ポリ（エチレンオキシド）、ゼラチン、ポリヒドロキシエチルセルロースおよびそれらの組み合わせからなる群から選択されるものを含む層に配置されることを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
９．  前記剥離改質剤が、前記転写層と光−熱変換層との間に配置された層の０．１〜９０質量パーセントを占めることを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
１０．  前記剥離改質剤が、前記転写層と光−熱変換層との間に配置された層の０．２〜１０質量パーセントを占めることを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
１１．  前記光吸収剤が、顔料を含むことを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
１２．  前記光吸収剤が、カーボンブラックおよびグラファイトの少なくとも１つを含むことを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
１３．  前記光吸収剤が、近赤外染料を含むことを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
１４．  前記光吸収剤が、７５０〜１２００ｎｍの波長で少なくとも１つの吸収極大を有することを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
１５．  ６５０〜１２００ｎｍの波長での前記光−熱変換層の最大吸光度が、４００〜６５０ｎｍの波長での該光−熱変換層の最大吸光度より、少なくとも３倍大きいことを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
１６．  前記光−熱変換層が、カーボンブラックおよびグラファイトの両方とも含まないことを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
１７．  前記光−熱変換層の７５０〜１２００ｎｍの波長での最大吸光度が、０．２より大きいことを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
１８．  前記光−熱変換層が、２０〜４００ｎｍの厚さであることを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
１９．  前記剥離改質剤が、少なくとも４個および８０個未満の炭素原子を含む第四級アンモニウム陽イオンを含むことを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
２０．  前記第四級アンモニウム陽イオンが、ステアルアミドプロピルジメチル−β−ヒドロキシエチルアンモニウム陽イオンを含むことを特徴とする前記１３．に記載のドナー要素。
２１．  前記剥離改質剤が、１個およびただ１個のエステル基ならびに２〜５個の水酸基を含む非イオン性化合物を含むことを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
２２．  前記剥離改質剤が、１〜８０個の炭素原子と、炭素原子およびリン原子に共有結合した少なくとも１個の酸素原子とを含むホスフェート陰イオンを含むことを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
２３．  前記剥離改質剤が、１〜８個の炭素原子と、炭素原子およびリン原子に共有結合した少なくとも１個の酸素原子とを含むホスフェート陰イオンを含むことを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
２４．  前記剥離改質剤が、１〜２０個の炭素原子を含むリン酸のモノアルキルエステルの陰イオンを含むことを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
２５．  前記剥離改質剤が、（エチレン−、プロピレン−）アルコキシル化置換アルコール化合物を含むことを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
２６．  前記剥離改質剤が、４〜１００個のエトキシレート基を含有する（エチレン−、プロピレン−）アルコキシル化置換アルコール化合物を含むことを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
２７．  前記光吸収剤が、
ａ）２−（２−（２−クロロ−３−（２−（１，３−ジヒドロ−１，１−ジメチル−３−（４−スルホブチル）−２Ｈ−ベンズ［ｅ］インドール−２−イリデン）エチリデン）−１−シクロヘキセン−１−イル）エテニル）−１，１−ジメチル−３−（４−スルホブチル）−１Ｈ−ベンズ［ｅ］インドリウム、分子内塩、ＣＡＳ  Ｎｏ．［１６２４１１−２８−１］を有する遊離酸、
ｂ）分子式Ｃ41Ｈ47Ｎ4Ｎａ1Ｏ6Ｓ3およびモル当たり約８１１グラムの分子量を有する、２−［２−［２−（２−ピリミジノチオ）−３−［２−（１，３−ジヒドロ−１，１−ジメチル−３−（４−スルホブチル）−２Ｈ−ベンズ［ｅ］インドール−２−イリデン）］エチリデン−１−シクロペンテン−１−イル］エテニル］−１，１−ジメチル−３−（４−スルホブチル）−１Ｈ−ベンズ［ｅ］インドリウム、分子内塩、ナトリウム塩、
ｃ）ＣＡＳ  Ｎｏ．［３５９９−３２−４］を有するインドシアニングリーン、
ｄ）３Ｈ−インドリウム、２−［２−［２−クロロ−３−［（１，３−ジヒドロ−１，３，３−トリメチル−２Ｈ−インドール−２−イリデン）エチリデン］−１−シクロペンテン−１−イル］エテニル］−１，３，３−トリメチル−、ＣＡＳ  Ｎｏ．［１２８４３３−６８−１］を有する、トリフルオロメタンスルホン酸との塩（１：１）、および
ｅ）それらの組み合わせ
よりなる群から選択されることを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
２８．  前記支持層および光−熱変換層がいかなる金属層も含まず、かつ、いかなる金属酸化物層も含まず、
前記光−熱変換層が２０〜４００ｎｍの厚さを有し、カーボンブラックおよびグラファイトを含まず、かつ、７５０〜１２００ｎｍの波長で０．２より大きい吸光度極大を有し、
前記光吸収剤が近赤外染料を含み、
前記剥離改質剤が前記光−熱変換層に配置され、そしてリン化合物を含み、そして
前記転写層が顔料を含む
ことを特徴とする前記１．に記載のドナー要素。
２９．  支持層を提供する工程と、
該支持層の一面を、光吸収剤を含む光−熱変換層で被覆する工程と、
該支持層の反対側の光−熱変換層を転写層で被覆する工程であって、該光−熱変換層が光に選択的に露光されたときに該支持層から隣接受像要素へ像様転写され得る材料を、該転写層が含むものである工程と
を含む熱転写プロセスに使用するためのドナー要素の製造方法であって、
該支持層と転写層との間に
（ａ）第四級アンモニウム陽イオン性化合物、
（ｂ）ホスフェート陰イオン性化合物、
（ｃ）ホスホネート陰イオン性化合物、
（ｄ）１〜５個のエステル基および２〜１０個の水酸基を含む化合物、
（ｅ）（エチレン−、プロピレン−）アルコキシル化アミン化合物、ならびに
（ｆ）それらの組み合わせ
よりなる群から選択される剥離改質剤を配置する工程をも含むことを特徴とする方法。
３０．  前記剥離改質剤が、光−熱変換層に配置されることを特徴とする前記２９．に記載の方法。
３１．  前記剥離改質剤が、前記転写層と光−熱変換層との間の層に配置されることを特徴とする前記２９．に記載の方法。
３２．  前記剥離改質剤が、ニトロセルロースを含む層に配置されることを特徴とする前記２９．に記載の方法。
３３．  前記剥離改質剤が、ポリメチルメタクリレートを含む層に配置されることを特徴とする前記２９．に記載の方法。
３４．  前記剥離改質剤が、ポリアルキレンカーボネートを含む層に配置されることを特徴とする前記２９．に記載の方法。
３５．  前記剥離改質剤が、スチレン−マレイン酸コポリマーを含む層に配置されることを特徴とする前記２９．に記載の方法。
３６．  前記剥離改質剤が、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、多糖類、ポリ（エチレンオキシド）、ゼラチン、ポリヒドロキシエチルセルロースおよびそれらの組み合わせからなる群から選択されるものを含む層に配置されることを特徴とする前記２９．に記載の方法。
３７．  前記剥離改質剤が、前記転写層と光−熱変換層との間に配置された層の０．１〜９０質量パーセントを占めることを特徴とする前記３１．に記載の方法。
３８．  前記光吸収剤が、顔料を含むことを特徴とする前記２９．に記載の方法。
３９．  前記光吸収剤が、カーボンブラックおよびグラファイトの少なくとも１つを含むことを特徴とする前記２９．に記載の方法。
４０．  前記光吸収剤が、近赤外吸収線染料を含むことを特徴とする前記２９．に記載の方法。
４１．  前記光吸収剤が、７５０〜１２００ｎｍで少なくとも１つの吸収極大を有することを特徴とする前記２９．に記載の方法。
４２．  前記光−熱変換層の６５０〜１２００ｎｍの波長での最大吸光度が、４００〜６５０ｎｍの波長での最大吸光度より少なくとも３倍大きいことを特徴とする前記２９．に記載の方法。
４３．  前記光−熱変換層が、カーボンブラックおよびグラファイトの両方とも含まないことを特徴とする前記２９．に記載の方法。
４４．  前記光−熱変換層の７５０〜１２００ｎｍの波長での最大吸光度が、０．２より大きいことを特徴とする前記２９．に記載の方法。
４５．  前記光−熱変換層が、２０〜３００ｎｍの厚さであることを特徴とする前記２９．に記載の方法。
４６．  前記剥離改質剤が、少なくとも４個および８０個未満の炭素原子を含む第四級アンモニウム陽イオンを含むことを特徴とする前記２９．に記載の方法。
４７．  前記第四級アンモニウム陽イオンが、ステアルアミドプロピルジメチル−β−ヒドロキシエチルアンモニウム陽イオンを含むことを特徴とする前記４６．に記載の方法。
４８．  前記剥離改質剤が、１個およびただ１個のエステル基ならびに２〜５個の水酸基を含む非イオン性化合物を含むことを特徴とする前記４６．に記載の方法。
４９．  前記剥離改質剤が、１〜８０個の炭素原子と、炭素原子およびリン原子に共有結合した少なくとも１個の酸素原子とを含むホスフェート陰イオンを含むことを特徴とする前記２９．に記載の方法。
５０．  前記剥離改質剤が、１〜２０個の炭素原子を含むリン酸のモノアルキルエステルの陰イオンを含むことを特徴とする前記２９．に記載の方法。
５１．  前記剥離改質剤が、（エチレン−、プロピレン−）アルコキシル化置換アルコール化合物を含むことを特徴とする前記２９．に記載の方法。
５２．  前記剥離改質剤が、４〜１００個のエトキシレート基を含有する（エチレン−、プロピレン−）アルコキシル化置換アルコール化合物を含むことを特徴とする前記２９．に記載の方法。
５３．  前記光吸収剤が、
ａ）２−（２−（２−クロロ−３−（２−（１，３−ジヒドロ−１，１−ジメチル−３−（４−スルホブチル）−２Ｈ−ベンズ［ｅ］インドール−２−イリデン）エチリデン）−１−シクロヘキセン−１−イル）エテニル）−１，１−ジメチル−３−（４−スルホブチル）−１Ｈ−ベンズ［ｅ］インドリウム、分子内塩、ＣＡＳ  Ｎｏ．［１６２４１１−２８−１］を有する遊離酸、
ｂ）分子式Ｃ41Ｈ47Ｎ4Ｎａ1Ｏ6Ｓ3およびモル当たり約８１１グラムの分子量を有する、２−［２−［２−（２−ピリミジノチオ）−３−［２−（１，３−ジヒドロ−１，１−ジメチル−３−（４−スルホブチル）−２Ｈ−ベンズ［ｅ］インドール−２−イリデン）］エチリデン−１−シクロペンテン−１−イル］エテニル］−１，１−ジメチル−３−（４−スルホブチル）−１Ｈ−ベンズ［ｅ］インドリウム、分子内塩、ナトリウム塩、
ｃ）ＣＡＳ  Ｎｏ．［３５９９−３２−４］を有するインドシアニングリーン、
ｄ）３Ｈ−インドリウム、２−［２−［２−クロロ−３−［（１，３−ジヒドロ−１，３，３−トリメチル−２Ｈ−インドール−２−イリデン）エチリデン］−１−シクロペンテン−１−イル］エテニル］−１，３，３−トリメチル−、ＣＡＳ  Ｎｏ．［１２８４３３−６８−１］を有する、トリフルオロメタンスルホン酸との塩（１：１）、および
ｅ）それらの組み合わせ
よりなる群から選択されることを特徴とする前記２９．に記載の方法。
５４．  前記支持層の一面を被覆する前に、前記光吸収剤と剥離改質剤との混合の工程をさらに含むことを特徴とする前記２９．に記載の方法。
５５．  ａ．支持層、
ｂ．該支持層の一面に隣接して配置され、光吸収剤を含む光−熱変換層、および
ｃ．該光−熱変換層に隣接し、該支持層の反対側に配置された転写層であって、該光−熱変換層と受像要素との間に配置された転写層
を含むドナー要素と受像要素との集合体を提供する工程と、
該集合体を光に像様露光させ、それによって像様露光された転写層の少なくとも一部が受像要素に転写されて画像を形成する工程と、
該ドナー要素を受像要素から分離し、それによって受像要素上に該画像を現出させる工程と
を含む画像形成のための熱転写プロセスにドナー要素を使用する方法であって、
該ドナー要素の支持層と転写層との間に
（ａ）第四級アンモニウム陽イオン性化合物、
（ｂ）ホスフェート陰イオン性化合物、
（ｃ）ホスホネート陰イオン性化合物、
（ｄ）１〜５個のエステル基および２〜１０個の水酸基を含む化合物、
（ｅ）（エチレン−、プロピレン−）アルコキシル化アミン化合物、ならびに
（ｆ）それらの組み合わせ
よりなる群から選択される剥離改質剤もまた配置されることを特徴とする方法。
５６．  前記光が６５０〜１２００ｎｍの波長でエネルギー出力最大を有するレーザーによって提供されることを特徴とする前記５５．に記載の方法。
５７．  前記光が６５０〜８００ｎｍの波長でエネルギー出力最大を有するレーザーによって提供されることを特徴とする前記５５．に記載の方法。
５８．  前記光が８００〜９００ｎｍの波長でエネルギー出力最大を有するレーザーによって提供されることを特徴とする前記５５．に記載の方法。
５９．  前記光が９００〜１２００ｎｍの波長でエネルギー出力最大を有するレーザーによって提供されることを特徴とする前記５５．に記載の方法。
６０．  前記転写部分が、転写層の非転写体積（ｉｎｔａｃｔ  ｖｏｌｕｍｅ）を含むことを特徴とする前記５５．に記載の方法。
６１．  前記転写部分が転写層の非転写体積を含み、前記光が６５０〜１２００ｎｍの波長でエネルギー出力最大を有するレーザーによって提供され、前記光−熱変換層が剥離改質剤を含み、前記転写層が顔料を含み、そして該剥離改質剤がリン原子を含むことを特徴とする前記５５．に記載の方法。
６２．  画像形成露光中、前記光−熱変換層によって、前記光の４０〜８０％が伝えられることを特徴とする前記５５．に記載の方法。
６３．  画像形成露光中、前記光−熱変換層によって、前記光の３０〜７０％が伝えられることを特徴とする前記５５．に記載の方法。
６４．  前記剥離改質剤が、ニトロセルロースを含む層に配置されることを特徴とする前記５５．に記載の方法。
６５．  前記剥離改質剤が、ポリメチルメタクリレートを含む層に配置されることを特徴とする前記５５．に記載の方法。
６６．  前記剥離改質剤が、ポリアルキレンカーボネートを含む層に配置されることを特徴とする前記５５．に記載の方法。
６７．  前記剥離改質剤が、スチレン−マレイン酸コポリマーを含む層に配置されることを特徴とする前記５５．に記載の方法。
６８．  前記剥離改質剤が、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、多糖類、ポリ（エチレンオキシド）、ゼラチン、ポリヒドロキシエチルセルロースおよびそれらの組み合わせからなる群より選択されるものを含む層に配置されることを特徴とする前記５５．に記載の方法。