Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月9日(2007.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
上記静電浮遊炉による結晶生成の間、試料の揺れをなくす、ないしはできる限り少なく抑えるように試料の浮遊を制御することが品質の向上を図るうえで必要であり、このような試料の浮遊制御を行うためには、試料の位置を正確に認識することが重要である。
従来において、試料の位置を認識する手段としては、背景光としてレーザ光を用い、ほぼ球状に成形された試料に遮られる部分以外の輝点のなかでもっとも高い輝点、又は輝点の統計的中心をフォトセンサによって検出して、位置情報を出力する位置認識法や（例えば、非特許文献１参照。）、この手法と同じく背景光としてレーザ光を用い、ＣＣＤカメラで写した試料の画像を処理することで重心位置を算出して、位置情報として出力する位置認識法があった（例えば、特許文献１及び特許文献２参照。）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２０６８６５号公報
【特許文献２】特開平１１−１０８５６２号公報
【非特許文献１】石川毅彦、「静電浮遊法による高融点金属の熱物性計測に関する研究」、東京工業大学大学院  総合理工学研究所  物質科学創造専攻、平成１３年度  博士論文、ｐ．３３
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月13日(2007.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象となる配線パターンに対向し、第１のシールド層と前記配線パターンの検査位置に配設された開口部とを備える第１の導電パターン層と、
前記第１のシールド層と絶縁され、前記配線パターンを伝搬する検査信号を検出する検出用パターンを備える第２の導電パターン層と、
を具備する検査装置用センサー。
【請求項２】
前記第２の導電パターン層は、前記検出用パターンが配設されていない部分に配設され、前記第１のシールド層と接続される第２のシールド層を備えることを特徴とする請求項１記載の検査装置用センサー。
【請求項３】
前記検出パターンと絶縁され、前記第１及び第２のシールド層と接続する第３のシールド層を具備することを特徴とする請求項２記載の検査装置用センサー。
【請求項４】
前記各シールド層はスルーホールで互いに接続されていることを特徴とする請求項２又は請求項３記載の検査装置用センサー。
【請求項５】
前記配線パターンは、検査対象となる基板上に複数配設されており、前記開口部は前記配線パターンの検査位置を覆うように開口されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の検査装置用センサー。
【請求項６】
前記各導電パターン層の間には絶縁材料が配設されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の検査装置用センサー。
【請求項７】
検査対象となる配線パターンに検査信号を供給する供給手段と、
前記配線パターンに対向し、接地レベルに制御された第１のシールド層と前記配線パターンの検査位置に配設された開口部とを有する第１の導電パターン層と、前記第１のシールド層と絶縁され、前記配線パターンを伝搬する検査信号を検出する検出用パターンを有する第２の導電パターン層と、を備えるセンサーと、
前記検出用パターンで検出した前記検査信号を受け取り前記配線パターンの良否を検査する検査手段とを具備することを特徴とする検査装置。
【請求項８】
前記供給手段は、前記配線パターンに非接触で検査信号を供給する検査信号供給部を備えることを特徴とする請求項７に記載の検査装置。
【請求項９】
前記供給手段は、検査信号供給部と、前記検査信号供給部を前記配線パターン上で移動させる検査信号供給部移動機構とを備えることを特徴とする請求項７に記載の検査装置。
【請求項１０】
前記供給手段は、検査信号供給部と、前記検査信号供給部を前記配線パターン上で移動させると共に前記検査信号供給部を前記配線パターンに接触させる検査信号供給部移動機構とを備えることを特徴とする請求項７に記載の検査装置。
【請求項１１】
検査対象となる配線パターンに対向し、接地レベルに制御された第１のシールド層と前記配線パターンの検査位置に配設された開口部とを有する第１の導電パターン層と、前記第１のシールド層と絶縁され、前記配線パターンを伝搬する検査信号を検出する検出用パターンを有する第２の導電パターン層と、を備えるセンサーを、前記配線パターンの検査位置に前記開口部を位置決めする位置決めステップと、
前記配線パターンに検査信号を供給する供給ステップと、
前記供給ステップで供給した前記検査信号を前記検出用パターンで検出する検出ステップと、
前記検出ステップで検出した前記検査信号を受け取り前記配線パターンの良否を検査する検査ステップとを具備することを特徴とする検査方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月23日(2007.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
例えば、第１段のタービンロータブレードは、その支持するダブテールを通って下側に延びる幾つかの入口チャネルを通じて冷却剤が供給される中空の翼形部を含む。このダブテールは、タービンロータディスクの周囲の支持するダブテールポストにかなりの遠心荷重を伝達する接触面を備える曲がりくねった輪郭を有する対応するローブを含む。ダブテールローブの外側表面は、従来の渦電流探傷検査機器を用いて容易に検査することができるが、ダブテール内の内部チャネルは、比較的小さいので、その表面を効果的に隠して、容易にアクセスできないようにする。
【特許文献１】米国特許第 3279079号明細書
【特許文献２】米国特許第 3833852号明細書
【特許文献３】米国特許第 4188167号明細書
【特許文献４】米国特許第 4644274号明細書
【特許文献５】米国特許第 4891986号明細書
【特許文献６】米国特許第 5174165号明細書
【特許文献７】米国特許第 5207005号明細書
【特許文献８】米国特許第 5345514号明細書
【特許文献９】米国特許第 5402981号明細書
【特許文献１０】米国特許第 5442286号明細書
【特許文献１１】米国特許第 5479834号明細書
【特許文献１２】米国特許第 5710378号明細書
【特許文献１３】米国特許第 5781007号明細書
【特許文献１４】米国特許第 5826310号明細書
【特許文献１５】米国特許第 6175234号明細書
【特許文献１６】米国特許第 6339331号明細書
【特許文献１７】米国特許第 6426622号明細書
【特許文献１８】米国特許第 6608478号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月1日(2007.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】  有機金属化合物が芳香族カルボン酸誘導体の金属化合物である請求項１２に記載の二成分系現像剤。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月31日(2007.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体光の複素振幅が記録され立体物が再生可能な計算機合成ホログラムにおいて、
ホログラムの観察側と反対側に空間的に仮想点光源群が設定され、前記仮想点光源群の各々の仮想点光源から観察側へ発散する発散光の輝度角度分布ＴWLci（θxz，θyz）が、観察側から当該仮想点光源を見たときの記録すべき物体表面の輝度角度分布と等しいものに設定されてなる発散光が相互に重畳して、物体光として前記仮想点光源群の観察側の何れかの位置で記録されてなることを特徴とする計算機合成ホログラム。
【請求項２】
前記仮想点光源群の仮想点光源各々が光の広がる方向が１次元的な点光源であって、その広がる方向と直交する方向に伸びる直線状光源からなることを特徴とする請求項１記載の計算機合成ホログラム。
【請求項３】
物体光の複素振幅が記録され立体物が再生可能な計算機合成ホログラムにおいて、
所定の再生照明光を入射させたとき、ホログラムの観察側と反対側の空間的な仮想点群の各々の点からその観察側に発散するような回折光であって、各仮想点からホログラムの観察側に発散するように進む光の輝度角度分布が、記録された物体表面から前記仮想点群の各々の点を通って、あるいは、物体表面から観察側と反対側に延長した光線が前記仮想点群の各々の点を通ってその観察側に発散する光の輝度角度分布と等しい回折光を再生することを特徴とする計算機合成ホログラム。
【請求項４】
前記仮想点群の仮想点各々が発散光の広がる方向が１次元的な点であって、その発散光の広がる方向と直交する方向に伸びる直線からなることを特徴とする請求項３記載の計算機合成ホログラム。
【請求項５】
物体光の複素振幅が記録され立体物が再生可能な計算機合成ホログラムにおいて、
ホログラムの観察側に空間的に仮想集光点群が設定され、前記仮想集光点群の各々の仮想集光点に観察側と反対側から入射する収束光の輝度角度分布ＴWLci（θxz，θyz）が、当該仮想集光点を通して観察側から見たときの記録すべき物体表面の輝度角度分布と等しいものに設定されてなる収束光が相互に重畳して、物体光として前記仮想集光点群の観察側と反対側の何れかの位置で記録されてなることを特徴とする計算機合成ホログラム。
【請求項６】
前記仮想集光点群の仮想集光点各々が入射する収束光の収束方向が１次元的な集光点であって、その収束光の収束方向と直交する方向に伸びる直線集光線からなることを特徴とする請求項５記載の計算機合成ホログラム。
【請求項７】
物体光の複素振幅が記録され立体物が再生可能な計算機合成ホログラムにおいて、
所定の再生照明光を入射させたとき、ホログラムの観察側の空間的な仮想点群の各々の点を通ってその観察側で発散するような回折光であって、各仮想点から発散する光の輝度角度分布が、記録された物体表面から前記仮想点群の各々の点を通ってその観察側に発散する光の輝度角度分布と等しい回折光を再生することを特徴とする計算機合成ホログラム。
【請求項８】
前記仮想点群の仮想点各々が発散光の広がる方向が１次元的な点であって、その発散光の広がる方向と直交する方向に伸びる直線からなることを特徴とする請求項７記載の計算機合成ホログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成する本発明の第１の計算機合成ホログラムは、物体光の複素振幅が記録され立体物が再生可能な計算機合成ホログラムにおいて、
ホログラムの観察側と反対側に空間的に仮想点光源群が設定され、前記仮想点光源群の各々の仮想点光源から観察側へ発散する発散光の輝度角度分布ＴWLci（θxz，θyz）が、観察側から当該仮想点光源を見たときの記録すべき物体表面の輝度角度分布と等しいものに設定されてなる発散光が相互に重畳して、物体光として前記仮想点光源群の観察側の何れかの位置で記録されてなることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第３の計算機合成ホログラムは、物体光の複素振幅が記録され立体物が再生可能な計算機合成ホログラムにおいて、
ホログラムの観察側に空間的に仮想集光点群が設定され、前記仮想集光点群の各々の仮想集光点に観察側と反対側から入射する収束光の輝度角度分布ＴWLci（θxz，θyz）が、当該仮想集光点を通して観察側から見たときの記録すべき物体表面の輝度角度分布と等しいものに設定されてなる収束光が相互に重畳して、物体光として前記仮想集光点群の観察側と反対側の何れかの位置で記録されてなることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月26日(2006.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に感光層を有する電子写真感光体の製造方法において、
塗布液を該支持体上に塗布して塗膜を得る塗布工程と、
該塗布工程により得られた塗膜を乾燥して乾燥塗膜を得る乾燥工程と、
該乾燥工程により得られた乾燥塗膜に周方向の切り込みを入れる切り込み工程と、
該切り込み工程により入れられた切り込みから端面側の乾燥塗膜を気体噴射により除去する除去工程と
を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記気体が空気である請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記切り込みの方向と前記乾燥塗膜のうち除去される乾燥塗膜の表面とがなす角の角度α°が８５°以上１８０°未満である請求項１または２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記切り込みの方向と前記乾燥塗膜のうち除去される乾燥塗膜の表面とがなす角の角度α°が９０°以上１８０°未満である請求項１〜３のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項５】
前記気体噴射の方向と前記乾燥塗膜のうち除去される乾燥塗膜の表面とがなす角の角度β°が８５°以上１８０°未満である請求項１〜４のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項６】
前記気体噴射の方向と前記乾燥塗膜のうち除去される乾燥塗膜の表面とがなす角の角度β°が９０°以上１８０°未満である請求項１〜５のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項７】
前記切り込みの方向と前記乾燥塗膜のうち除去される乾燥塗膜の表面とがなす角の角度α°と、前記気体噴射の方向と前記乾燥塗膜のうち除去される乾燥塗膜の表面とがなす角の角度β°とが、α−１０≦β≦α＋８０の関係を満たす請求項１〜６のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項８】
前記支持体が円筒状である請求項１〜７のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項９】
前記電子写真感光体が円筒状である請求項１〜８のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の製造方法により製造されたことを特徴とする電子写真感光体。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項１２】
請求項１０に記載の電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段とを有することを特徴とする電子写真装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、支持体上に感光層を有する電子写真感光体の製造方法において、
塗布液を該支持体上に塗布して塗膜を得る塗布工程と、
該塗布工程により得られた塗膜を乾燥して乾燥塗膜を得る乾燥工程と、
該乾燥工程により得られた乾燥塗膜に周方向の切り込みを入れる切り込み工程と、
該切り込み工程により入れられた切り込みから端面側の乾燥塗膜を気体噴射により除去する除去工程と
を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、上記各層の一部または全部については、その（それらの）層形成工程に、さらに、乾燥塗膜に周方向の切り込みを入れる切り込み工程、および、切り込みから端面側の乾燥塗膜を気体噴射により除去する除去工程が含まれる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月19日(2006.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音源からの音を収音して音響信号として取り込む収音部と、
この取り込んだ音響信号から判別対象となる音部分の音響信号を複数個分切り出す音切り出し部と、
この切り出した複数個の音響信号どうしの波形の類似性を示す指標を演算する類似性演算部と、
この演算された波形の類似性指標について、予め発生原因が明らかな音源の発生原因別の各音響信号に関する波形の類似性指標に基づいて設定された判別用の閾値と比較して判別対象の音源の発生原因を判断する判断部と
を有することを特徴とする音源判別装置。
【請求項２】
請求項１に記載の判別装置において、
前記類似性演算部で演算する波形の類似性指標として相関係数を使用する音源判別装置。
【請求項３】
請求項１に記載の判別装置において、
前記類似性演算部で演算する波形の類似性指標として統計学上の空間距離を使用する音源判別装置。
【請求項４】
請求項３に記載の判別装置において、
前記統計学上の空間距離がマハラノビスの距離である音源判別装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の判別装置において、
前記類似性演算部が音響信号の音圧変動特性または周波数変動特性に基づく類似性を演算する音源判別装置。
【請求項６】
音源からの音を収音して音響信号として取り込む収音工程と、
この取り込んだ音響信号から判別対象となる音部分の音響信号を複数個分切り出す音切り出し工程と、
この切り出した複数個の音響信号どうしの波形の類似性を示す指標を演算する類似性演算工程と、
この演算された波形の類似性指標について、予め発生原因が明らかな音源の発生原因別の各音響信号に関する波形の類似性指標に基づいて設定された判別用の閾値と比較して判別対象の音源の発生原因を判断する判断工程と
を有することを特徴とする音源判別方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月31日(2007.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
最初に、この発明が対象とする往復軸を有する構造物の軸近傍の構成から説明する（特許文献１）。
図８は、往復軸（図８では軸）2を有する構造物の軸２近傍の構成を示し、（ａ）は分解斜視図、（ｂ）は断面図である。
往復軸２は、軸支持部材３にばね４によって宙吊り  された状態で支持されており、本体１の軸挿入部11に挿入される。軸挿入部11と軸2との嵌め合わせが良と判定されると、固定用ねじ5が、軸支持部材３の貫通孔31に挿入されて、本体１に軸支持部材３をねじ止め固定する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
この状態において最も重要なことは、軸2が軸挿入部11内をできる限り少ない摩擦抵抗で往復運動できることであり、そのためには、軸2と軸挿入部11とが非接触状態にあることである。しかし、軸２は、往復運動中においてその向きを常に一定に保っているとは限らないので、外形から軸挿入孔11との位置関係を特定することはできず、また、図８（ｂ）の状態にセットされ往復運動する場合には、挿入部分が接触しているか否かを外部から目視検査することは不可能である。このため、従来技術においては、軸２の振動具合を目視して判断するとか、摩擦音を聞き分けるというような感覚的な検査で、軸挿入部11と軸2との嵌め合わせの良否を判定している。
【特許文献１】特開２００２−２０６４７９号公報
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月29日(2006.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタ及びその作製方法、半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域とソース領域とドレイン領域とを含む半導体層と、
少なくとも前記チャネル形成領域上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と対向して設けられたゲート電極とを有し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域は不純物元素を含み、前記不純物元素の濃度は、前記チャネル形成領域から遠ざかるにつれて第１の濃度から第２の濃度まで連続的に増加することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記絶縁膜は前記ソース領域及び前記ドレイン領域上にも延在し、
当該領域上における前記絶縁膜は傾斜を有し、第２の濃度上で最も薄くなっていることを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記半導体層は、前記チャネル形成領域と前記ソース領域もしくは前記ドレイン領域の少なくともいずれか一方との間に形成されたＬＤＤ領域をさらに含む、請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記半導体層は、前記チャネル形成領域と前記ソース領域もしくは前記ドレイン領域の少なくともいずれか一方との間に形成されたオフセット領域をさらに含む、請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記第１の濃度は、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜５×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、
前記第２の濃度は、前記第１の濃度の１．２倍〜１０００倍であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
前記半導体層は結晶化を促進する金属としてＮｉを用いて形成されていることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項７】
前記不純物元素としてＰを導入することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一に記載の前記薄膜トランジスタ上には、
層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記ソース領域及び前記ドレイン領域と電気的に接続された配線とを有し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域における配線との接合箇所には、４×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の前記不純物元素と同一の不純物元素が存在することを特徴とする、半導体装置。
【請求項９】
絶縁表面上に非晶質構造を有する半導体膜を形成し、
結晶化を促進する金属を用いて前記非晶質構造を有する半導体膜を結晶化し、
結晶化した半導体膜より半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成した後、ウエットエッチングにより前記絶縁膜に傾斜を設け、
傾斜が設けられた前記絶縁膜を介して前記半導体層に不純物元素を添加することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
前記半導体層に添加された前記不純物元素は前記ゲート電極から離れるに従い増加していることを特徴とする、請求項９に記載の薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面上に非晶質構造を有する半導体膜を形成し、
結晶化を促進する金属を用いて前記非晶質構造を有する半導体膜を結晶化し、
結晶化した半導体膜より半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成した後、ウエットエッチングにより前記絶縁膜に傾斜を設け、
傾斜が設けられた前記絶縁膜を介して不純物元素を前記半導体層に添加し、
当該絶縁膜及び前記ゲート電極上に層間絶縁膜を設け、
前記層間絶縁膜には前記不純物元素が添加された半導体層に達するコンタクトホールを形成した後、前記不純物元素と同一の不純物元素を添加し、
当該コンタクトホールを介して前記半導体層と電気的に接続される配線を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面上に非晶質構造を有する半導体膜を形成し、
結晶化を促進する金属を用いて前記非晶質構造を有する半導体膜を結晶化し、
結晶化した半導体膜より半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成した後、ウエットエッチングにより前記絶縁膜に傾斜を設け、
傾斜が設けられた前記絶縁膜を介して不純物元素を前記半導体層に添加し、前記ゲート電極から離れるに従い不純物元素を増加させた後、当該絶縁膜及び前記ゲート電極上に層間絶縁膜を設け、
前記層間絶縁膜には前記不純物元素が添加された半導体層に達するコンタクトホールを形成した後、前記不純物元素と同一の不純物元素を添加し、
当該コンタクトホールを介して当該半導体層と電気的に接続される配線を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１３】
絶縁表面上に非晶質構造を有する半導体膜を形成し、
結晶化を促進する金属を用いて前記非晶質構造を有する半導体膜を結晶化し、
結晶化した半導体膜より半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成した後、ウエットエッチングにより前記絶縁膜に傾斜を設け、
傾斜が設けられた前記絶縁膜を介して不純物元素を前記半導体層に添加し、前記ゲート電極から離れるに従い不純物元素を増加させた後、当該絶縁膜及び前記ゲート電極上に層間絶縁膜を設け、
前記層間絶縁膜には前記不純物元素が添加された半導体層に達するコンタクトホールを形成した後、前記不純物元素と同一の不純物元素を添加し、
当該コンタクトホールを介して当該半導体層と電気的に接続される配線を形成し、
当該半導体層と前記配線との接合箇所には、４×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の当該不純物元素が添加されていることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月20日(2006.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  発光素子と、前記発光素子に電力を供給するリード部と、前記発光素子の発光面に対向して設けられた反射鏡と、前記反射鏡で反射した光を外部に放射する放射面とを備え、
前記反射鏡は、複数の金属片を組み合わせて凹状に加工した金属鏡又は当該金属鏡の凹面に鏡面加工を施したものであることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】  前記発光素子、前記リード部の一部及び前記反射鏡は、光透過性材料により封止されており、且つ、前記放射面は、前記発光素子の背面側に位置する前記光透過性材料の表面であることを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード。
【請求項３】  発光素子と、前記発光素子に電力を供給するリード部と、前記発光素子の発光面に対向して設けられた反射鏡と、前記反射鏡で反射した光を透過して外部に放射する放射板と、前記発光素子、前記リードの一部及び前記反射鏡を収納する筐体部とを備え、
前記反射鏡は金属板を凹状に加工した金属鏡又は当該金属鏡の凹面に鏡面加工を施したものであり、且つ、前記放射板を前記筐体部に取り付けると共に前記放射板と前記筐体部とで囲まれる空間を密閉したことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項４】  前記放射板の内部又は前記放射板の内面に蛍光体を備えることを特徴とする請求項３記載の発光ダイオード。
【請求項５】  前記反射鏡は、前記リード部が作製される金属板材を用いて形成されたことを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の発光ダイオード。
【請求項６】  前記反射鏡は、前記リード部が作製される金属板材とは別の金属板材を用いて形成されたことを特徴とする請求項１、２、３、４又は５記載の発光ダイオード。
【請求項７】  発光素子と、前記発光素子に電力を供給するリード部と、前記発光素子の発光面に対向して設けられた反射鏡と、前記発光素子、前記リード部の一部及び前記反射鏡を封止する光透過性材料と、前記反射鏡で反射した光を外部に放射する放射面とを備え、
前記反射鏡は、セラミック又は樹脂を凹状に形成したものであり、前記放射面は、前記発光素子の背面側に位置する前記光透過性材料の表面であることを特徴とする発光ダイオード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するための本発明に係る発光ダイオードは、発光素子と、前記発光素子に電力を供給するリード部と、前記発光素子の発光面に対向して設けられた反射鏡と、前記反射鏡で反射した光を外部に放射する放射面とを備え、前記反射鏡は、複数の金属片を組み合わせて凹状に加工した金属鏡又は当該金属鏡の凹面に鏡面加工を施したものであることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月20日(2006.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光電変換素子と少なくとも一つのトランジスタとからなる画素を複数有し、互いに隣接する画素の前記光電変換素子間に第一の素子分離領域が設けられ、互いに隣接する画素間又は一画素内の、前記光電変換素子と前記トランジスタとの間に第二の素子分離領域が設けられている光電変換装置において、
前記第一の素子分離領域の実効的な幅が、前記第二の素子分離領域の実効的な幅より狭いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】  光電変換素子と少なくとも一つのトランジスタとからなる画素を複数有し、互いに隣接する画素の前記光電変換素子間に第一の素子分離領域が設けられ、互いに隣接する画素間又は一画素内の、前記光電変換素子と前記トランジスタとの間に第二の素子分離領域が設けられ、互いに隣接する画素間又は一画素内の前記トランジスタ間に第三の素子分離領域が設けられている光電変換装置において、
前記第一の素子分離領域の実効的な幅が、前記第二及び第三の素子分離領域の実効的な幅より狭いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】  前記光電変換素子に印加されるバイアス電圧は、前記トランジスタに印加されるバイアス電圧より低く、かつ前記光電変換素子に流れる電流に対し前記トランジスタに流れる電流が高いことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】  前記トランジスタは絶縁ゲート型トランジスタであって、前記光電変換素子と前記絶縁ゲート型トランジスタとは、半導体基板又は半導体基板に形成された半導体領域に形成され、
前記光電変換素子に印加されるバイアス電圧は、前記光電変換素子と前記半導体基板又は前記半導体領域との間に印加され、前記絶縁ゲート型トランジスタに印加されるバイアス電圧は、ソース又はドレインと前記半導体基板又は前記半導体領域との間に印加されることを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項５】  第一導電型の半導体基板又は半導体基板に形成された第一導電型の半導体領域と前記第一導電型とは反対導電型の第二導電型の第一の半導体層とで構成されるフォトダイオードと、
前記半導体基板又は前記半導体領域に設けられた前記第二導電型の第二及び第三の半導体層とこれら第二及び第三の半導体層の間に絶縁膜を介して設けられた電極層とを有し、前記第二及び第三の半導体層をそれぞれソース、ドレインとし前記電極層をゲートとする、少なくとも一つのトランジスタと、
からなる画素を複数有する光電変換装置において、
互いに隣接する画素の前記第一の半導体層間に第一の素子分離領域が設けられ、
互いに隣接する画素間又は一画素内の、前記第一の半導体層と前記第二又は第三の半導体層との間に第二の素子分離領域が設けられ、
前記第一の素子分離領域の実効的な幅が、前記第二の素子分離領域の実効的な幅より狭いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】  第一導電型の半導体基板又は半導体基板に形成された第一導電型の半導体領域と前記第一導電型とは反対導電型の第二導電型の第一の半導体層とで構成されるフォトダイオードと、
前記半導体基板又は前記半導体領域に設けられた前記第二導電型の第二及び第三の半導体層とこれら第二及び第三の半導体層の間に絶縁膜を介して設けられた電極層とを有し、前記第二及び第三の半導体層をそれぞれソース、ドレインとし前記電極層をゲートとする、少なくとも一つのトランジスタと、
からなる画素を複数有する光電変換装置において、
互いに隣接する画素の前記第一の半導体層間に第一の素子分離領域が設けられ、
互いに隣接する画素間又は一画素内の、前記第一の半導体層と前記第二又は第三の半導体層との間に第二の素子分離領域が設けられ、
互いに隣接する画素間又は一画素内の、一のトランジスタの前記第二又は第三の半導体層と他のトランジスタの前記第二又は第三の半導体層との間に第三の素子分離領域が設けられ、
前記第一の素子分離領域の実効的な幅が、前記第二及び第三の素子分離領域の実効的な幅より狭いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】  前記第一及び第二の素子分離領域が選択酸化法によって形成された酸化膜であることを特徴とする請求項１又は請求項５に記載の記載の光電変換装置。
【請求項８】  前記第一及び第二の素子分離領域が前記半導体基板又は前記半導体領域の導電型と同一の導電型の半導体層であることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の光電変換装置。
【請求項９】  前記第一及び第二の素子分離領域に、前記半導体基板又は前記半導体領域上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極を有し、素子間にチャネル領域が形成されないように該ゲート電極に電圧を印加することで素子分離を行うことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の光電変換装置。
【請求項１０】  前記第一及び第二の素子分離領域が前記半導体基板又は前記半導体領域上に形成された酸化膜であることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の光電変換装置。
【請求項１１】  前記第一及び第二の素子分離領域が選択酸化法によって形成された酸化膜であって、前記光電変換素子は該酸化膜から離れて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項１２】  前記第一及び第二の素子分離領域が選択酸化法によって形成された酸化膜であって、前記フォトダイオードは該酸化膜から離れて形成されていることを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置。
【請求項１３】  前記第一、第二及び第三の素子分離領域が選択酸化法によって形成された酸化膜であることを特徴とする請求項６に記載の記載の光電変換装置。
【請求項１４】  前記第一、第二及び第三の素子分離領域が前記半導体基板又は前記半導体領域の導電型と同一の導電型の半導体層であることを特徴とする請求項６に記載の光電変換装置。
【請求項１５】  前記第一、第二及び第三の素子分離領域に、前記半導体基板又は前記半導体領域上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極を有し、素子間にチャネル領域が形成されないように該ゲート電極に電圧を印加することで素子分離を行うことを特徴とする請求項６に記載の光電変換装置。
【請求項１６】  前記第一、第二及び第三の素子分離領域が前記半導体基板又は前記半導体領域上に形成された酸化膜であることを特徴とする請求項６に記載の光電変換装置。
【請求項１７】  前記フォトダイオードが前記酸化膜から離れて形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月22日(2007.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光ディスク、光ディスク記録装置及び光ディスク再生装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  周方向にストライプ状に形成され、反射光量が低下した信号が断続的に得られる領域を備えた第１の領域と、
光ビームを第２の領域に照射することによりユーザがユーザデータを記録可能な第２の領域とを備えた光ディスクであって、
上記第１の領域は、上記第２の領域に対して径方向の所定間隔を有するように離れて形成され、
上記第１の領域に凹凸ピットの形式で記録されたデータが上記第２の領域と上記第１の領域の間にも記録され、
位相符号化変調されたデータが前記凹凸ピットに重ねて記録されたことを特徴とする光ディスク。
【請求項２】  前記位相符号化変調されたデータには、同期コードとエラー検出コードとエラー訂正コードが付加されていることを特徴とする請求項１記載の光ディスク。
【請求項３】  上記第２の領域の内側に形成されたリードイン領域を備え、
上記リードイン領域は上記第１の領域の少なくとも一部を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の光ディスク。
【請求項４】  上記第２の領域は書き換え可能な領域であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の光ディスク。
【請求項５】  上記第２の領域は追記可能な領域であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の光ディスク。
【請求項６】  請求項１〜５のいずれか１項に記載された光ディスクに情報を記録することを特徴とする光ディスク記録装置。
【請求項７】  請求項１〜５のいずれか１項に記載された光ディスクから情報を再生することを特徴とする光ディスク再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月10日(2007.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
なお、通信信号３０および放送信号２０の周波数帯域に関しては、放送信号２０の周波数帯域が、通信信号３０の周波数帯域と重ならないように設定されてさえいれば良い。また、通信信号３０および放送信号２０の種類としては、アナログ信号、ディジタル変調信号、またはそれらを周波数多重した信号、更にはベースバンド信号等を用いても構わない。ただし、通信信号３０と放送信号２０の両方をベースバンド信号とすることは、周波数帯域に重なりを生じてしまうため、避けなくてならない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
第１の実施形態と同様に、第１のデータ通信センタ局１０１では、光受信部４１１〜４１ｎのそれぞれに対して個別に供給される複数の通信信号１１〜１ｎがそれぞれ異なる波長λ１，λ２，…，λｎの光信号に乗せられた後、波長多重されて光ファイバ５１０を介して映像放送センタ局２０１へ伝送される。映像放送センタ局２０１では、第１のデータ通信センタ局１０１より伝送された光信号は、光受信部４１１〜４１ｎの全てに対して共通に供給される放送信号２０を一括して乗せられた後、光ファイバ５４０を介して波長多重部６２０へ伝送される。ここで、放送信号２０の周波数帯域は、第１の実施形態と同様に、通信信号１１〜１ｎのいずれとも重ならないように設定しておく。一方、第２のデータ通信センタ局６００では、データ通信サービスとして複数の光受信部６４１〜６４ｎのそれぞれに対して個別に供給される複数の通信信号６１〜６ｎが、複数の光変調部６１１〜６１ｎにそれぞれ入力される。複数の光変調部６１１〜６１ｎは、それぞれ、入力される通信信号６１〜６ｎによって変調された、前段光変調部１１１〜１１ｎから出力される光信号のいずれとも異なり、かつ互いにも異なる波長λ１１，λ１２，…，λ１ｎの光信号を出力する。出力された光信号のそれぞれは、波長多重部６２０へ伝送される。波長多重部６２０では、映像放送センタ局２０１より伝送される、複数の波長λ１，λ２，…，λｎの光信号が合波された光信号と、第２のデータ通信センタ局６００より伝送される複数の波長λ１１，λ１２，…，λ１ｎの光信号とが合波される。合波された光信号は、光ファイバ５５０を介して中継局３００へ伝送される。中継局３００では、伝送されてきた光信号は、分波部３１０において各波長λ１，λ２，…，λｎ，λ１１，λ１２，…，λ１ｎ毎に分波される。分波された光信号は、それぞれ、光ファイバ５３１〜５３ｎ，５３１〜５３ｎを介して、光受信部４１１〜４１ｎ，６４１〜６４ｎへ伝送され、電気信号に変換される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月5日(2006.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＰＬＬ選局制御方法およびＰＬＬ選局制御装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  変調信号を入力するステップと、前記変調信号を選局するためのＰＬＬ制御ステップと、前記変調信号を入力してシステムのゲインを調整するステップと、前記ゲインの調整ステップ後のシステムの電力量を検出して前記変調信号の信号有無を検出するステップと、前記信号有無検出ステップの検出結果が信号無のとき前記ＰＬＬ制御ステップのＰＬＬ選局制御を停止するステップとを有することを特徴とするＰＬＬ選局制御方法。
【請求項２】  前記ＰＬＬ選局ステップ時に選局制御した選局制御設定値を格納するステップと、前記選局制御設定値をＰＬＬ選局制御初期値として設定するステップとを有することを特徴とする請求項１記載のＰＬＬ選局制御方法。
【請求項３】  変調信号を入力する入力部と、前記入力部が入力した前記変調信号を選局するためにＰＬＬ制御するＰＬＬ制御部と、前記変調信号を入力してシステムのゲインを調整するＡＧＣ部と、前記ＡＧＣ部からシステムの電力量を検出して前記変調信号の信号有無を検出する信号有無検出部と、前記信号有無検出部の検出結果が信号無のとき前記ＰＬＬ制御部によるＰＬＬ選局制御を停止するＰＬＬ選局制御部とを備えることを特徴とするＰＬＬ選局制御装置。
【請求項４】  前記ＰＬＬ選局制御部が選局制御した選局制御設定値を格納するＰＬＬ選局制御設定値格納部を備え、前記ＰＬＬ選局制御部が前記選局制御設定値をＰＬＬ選局制御初期値として設定することを特徴とする請求項３記載のＰＬＬ選局制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月21日(2006.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図２(ｂ)は、上記の基板搬送ロボット１０が配置された搬送室５９と、該搬送室５９に接続された処理室５１〜５５との関係を示す図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
更に、アルミナ製のフォーク部２２の表面には、アルミニウムから成る保護膜２７が形成されているので、基板８の熱輻射は保護膜２７によって反射され、フォーク部２２が昇温しにくいようになっている。従って、基板の温度ムラが無くなり、反りが補正される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月30日(2007.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明の実施の形態】
図２に従う例示的高電圧電源回路２０はＸ線保護（ＸＲＰ）回路２３を使用する。Ｘ線保護回路２３は、発明的周波数補償回路２４を備え、電圧ＶＤＣＸＲＰの故障比較回路２５への結合を制御する。そのため、端子６６で感知される電圧ＶＳＸＲＰは、高電圧トランスの一次巻線Ｔ１ａを起動する電圧の周波数が増加する間、二次巻線Ｔ１ｂにより発生されるアルタ電圧すなわち高電圧ＶＨＶを表す。高電圧電源回路２０は例示的回路構成要素の値と共に示され、抵抗値はオームであるが、“ｋ”はキロオームを示し、コンデンサの値はマイクロファラド“μＦ”、ナノファラド“ｎＦ”で表されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
二次巻線Ｔ１ｂにより発生される高電圧ＶＨＶは調整器３０に帰還され、そのため、比較的一定の高電圧ＶＨＶを維持するために、＋ＢＨＶＲ電圧は負荷の変化に対して変えられる。ＣＲＴの可変抵抗性負荷ＲＶＨＢによって示される負荷の変化は、二次巻線Ｔ１ｂを通るビーム電流Ｉｂｅａｍを変化させる。従来の自動ビーム電流制限器（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｂｅａｍ−ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｌｉｍｉｔｅｒ：ＡＢＬ）２８が動作して、アルタ端子Ｕを通りＣＲＴのアノードに達するビーム電流Ｉｂｅａｍを制限する。自動ビーム電流制限器２８はビーム電流Ｉｂｅａｍを最大ＤＣ電流レベルにクランプする。高レベルのビーム電流Ｉｂｅａｍが二次巻線Ｔ１ｂを通って流れると、コンデンサＣ７００と抵抗Ｒ７０２に生じるサンプルド・ビーム電流電圧は減少され、ビーム電流をカット・バック（ｃｕｔ  ｂａｃｋ）する抵抗Ｒ７００によって自動ビーム電流制限器２８に結合される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
トランジスタＱ７００のスイッチングは、高電圧発生回路２２のトランジスタＱ７０３とＱ７０４のプッシュプル動作によって制御される。＋１２Ｖの調整された電源は、抵抗Ｒ７４５、Ｒ７２３、Ｒ７２４から成る分圧器に落とされ、トランジスタＱ７０３とＱ７０４のベース端子をバイアス・セットし、ダイオードＤ７０２を順方向に導通させる。トランジスタＱ７０３またはＱ７０４のベース／エミッタ電圧の、温度による変動は電流を急激に増加させないので、抵抗Ｒ７０６とＲ７０９に生じる電圧降下はプッシュプル動作を安定化させる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
二次電圧ＶＸＲＰは、抵抗Ｒ９０３とコンデンサＣ９０１とダイオードＣＲ９０１の組合せによって、瀘波され整流され、半波電圧ＶＤＣＸＲＰをＸ線保護回路２３に供給する。高電圧ＶＨＶが故障レベルに達すると、Ｘ線保護回路２３は高電圧発生回路２２の動作を不能にするように働く。Ｘ線保護回路２３は、発明的な周波数補償回路２４と故障比較回路２５とラッチ回路２６とから成る。比較回路２５は、高電圧ＶＨＶの故障レベルを検出することにより、高電圧発生回路２２の故障動作を検出して、ラッチ回路２６を動作可能にし、高電圧発生回路２２を不能にして、トランスＴ１を起動できないようにする。電圧ＶＤＣＸＲＰの一部は周波数補償回路２４の抵抗Ｒ９１５に落とされ、故障比較回路２５に結合される端子６６にセンス（ｓｅｎｓｅ）電圧ＶＳＸＲＰを供給する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
トランジスタＱ９０２がオンになると、高電圧発生回路２２内の抵抗Ｒ７４５とＲ７２３間に発生される電圧は、抵抗Ｒ９０８とコンデンサＣ９０４に発生されてトランジスタＱ９０３をバイアスする一方、トランジスタＱ９０２のエミッタの脚は抵抗Ｒ９１２内の電流を消散させる。トランジスタＱ９０３は、オンになると、Ｃ９０２を通って基準電圧に至る低インピーダンスの経路を、Ｈｏｒｉｚ＿ＰＬＬ２９からのベース駆動信号のために提供する。その結果、トランジスタＱ７００のスイッチングは停止し、高電圧ＶＨＶの発生は不能にされる。トランジスタＱ９０２とＱ９０３は、ひとたびスイッチ・オンされると、調整された電源電圧＋１２Ｖが除去されるまでオン状態のままにとどまる。あるいは、Ｘ線保護回路は水平動作周波数を変えて、ＣＲＴを見えなくすることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月10日(2007.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像読取装置の画像処理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 可視域の光束及び第１の赤外域の光束を透過性原稿へ発光する第１の光源手段と、前記第１の赤外域を含まない第２の赤外域の光束を前記透過性原稿へ発光する第２の光源手段と、前記透過性原稿を透過した透過光束を読取手段の上に結像させる結像光学系と、前記透過性原稿と前記読取手段の間の光路内に固設され、かつ、前記第１の赤外域の光束を透過させず前記可視域の光束及び前記第２の赤外域の光束を透過させる赤外カット手段と、を有する画像読取装置の画像処理方法であって、
前記第１の光源手段を点灯させかつ前記第２の光源手段を消灯させた状態において、前記透過性原稿を透過し前記赤外カット手段を透過した可視域の透過光束を前記読取手段にて読み取り、前記透過性原稿に記録された画像情報を得る第１の工程と、
前記第１の光源手段を消灯させかつ前記第２の光源手段を点灯させた状態において、前記透過性原稿を透過し前記赤外カット手段を透過した前記第２の赤外域の透過光束を前記読取手段にて読み取り、前記透過性原稿に存在する欠陥情報を得る第２の工程と、
前記画像情報から前記欠陥情報を取り除く第３の工程と、を有することを特徴とする画像読取装置の画像処理方法。
【請求項２】 少なくとも可視域の光束を有する光束を透過性原稿へ発光する第１の光源手段と、赤外域の光束のみを前記透過性原稿へ発光する第２の光源手段と、前記透過性原稿を透過した透過光束を読取手段の上に結像させる結像光学系と、前記透過性原稿と前記読取手段の間の光路内に挿入され、かつ、前記赤外域の光束を透過させず前記可視域の光束を透過させる赤外カット手段と、を有する画像読取装置の画像処理方法であって、
前記第１の光源手段を点灯させかつ前記第２の光源手段を消灯させかつ前記赤外カット手段を前記透過性原稿と前記読取手段の間の光路内に挿入させた状態において、前記透過性原稿を透過し前記赤外カット手段を透過した可視域の透過光束を前記読取手段にて読み取り、前記透過性原稿に記録された画像情報を得る第１の工程と、
前記第１の光源手段を消灯させかつ前記第２の光源手段を点灯させかつ前記赤外カット手段を前記透過性原稿と前記読取手段の間の光路から退避させた状態において、前記透過性原稿を透過し前記赤外カット手段を透過した前記赤外域の透過光束を前記読取手段にて読み取り、前記透過性原稿に存在する欠陥情報を得る第２の工程と、
前記画像情報から前記欠陥情報を取り除く第３の工程と、を有することを特徴とする画像読取装置の画像処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明によれば、可視域の光束及び第１の赤外域の光束を透過性原稿へ発光する第１の光源手段と、前記第１の赤外域を含まない第２の赤外域の光束を前記透過性原稿へ発光する第２の光源手段と、前記透過性原稿を透過した透過光束を読取手段の上に結像させる結像光学系と、前記透過性原稿と前記読取手段の間の光路内に固設され、かつ、前記第１の赤外域の光束を透過させず前記可視域の光束及び前記第２の赤外域の光束を透過させる赤外カット手段と、を有する画像読取装置の画像処理方法であって、
前記第１の光源手段を点灯させかつ前記第２の光源手段を消灯させた状態において、前記透過性原稿を透過し前記赤外カット手段を透過した可視域の透過光束を前記読取手段にて読み取り、前記透過性原稿に記録された画像情報を得る第１の工程と、
前記第１の光源手段を消灯させかつ前記第２の光源手段を点灯させた状態において、前記透過性原稿を透過し前記赤外カット手段を透過した前記第２の赤外域の透過光束を前記読取手段にて読み取り、前記透過性原稿に存在する欠陥情報を得る第２の工程と、
前記画像情報から前記欠陥情報を取り除く第３の工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
上記目的を達成するために、請求項２に記載の発明によれば、少なくとも可視域の光束を有する光束を透過性原稿へ発光する第１の光源手段と、赤外域の光束のみを前記透過性原稿へ発光する第２の光源手段と、前記透過性原稿を透過した透過光束を読取手段の上に結像させる結像光学系と、前記透過性原稿と前記読取手段の間の光路内に挿入され、かつ、前記赤外域の光束を透過させず前記可視域の光束を透過させる赤外カット手段と、を有する画像読取装置の画像処理方法であって、
前記第１の光源手段を点灯させかつ前記第２の光源手段を消灯させかつ前記赤外カット手段を前記透過性原稿と前記読取手段の間の光路内に挿入させた状態において、前記透過性原稿を透過し前記赤外カット手段を透過した可視域の透過光束を前記読取手段にて読み取り、前記透過性原稿に記録された画像情報を得る第１の工程と、
前記第１の光源手段を消灯させかつ前記第２の光源手段を点灯させかつ前記赤外カット手段を前記透過性原稿と前記読取手段の間の光路から退避させた状態において、前記透過性原稿を透過し前記赤外カット手段を透過した前記赤外域の透過光束を前記読取手段にて読み取り、前記透過性原稿に存在する欠陥情報を得る第２の工程と、
前記画像情報から前記欠陥情報を取り除く第３の工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月30日(2007.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディジタルカメラ(10)におけるオブジェクトイメージのビューを容易にするための光学ビューファインダシステム(36,43,44)であって、
１つの動作モードにおいて、捕捉されるべき前記オブジェクトイメージのレンズ透過式のビューを容易にするための、及び、前記１つの動作モードにおいて、捕捉されたオブジェクトイメージのレンズ透過式の表示装置のビューを容易にするための、一対の互いに隔置されたミラー(42,46)と、
前記オブジェクトイメージの捕捉を可能とするよう前記ミラー(42,46)のうちの少なくとも一方を移動させることを容易にするための、及び、該捕捉されたオブジェクトイメージの前記表示装置によるビューを可能とするよう前記ミラー(42,46)のうちの少なくとも他方を移動させることを容易にするための、ミラー制御システム(21)
とを備える、光学ビューファインダシステム。
【請求項２】
前記ミラー制御システム(21)によって、前記一対の互いに隔置されたミラー(42,46)が、互いに同時に移動させられる、請求項１に記載の光学ビューファインダシステム。
【請求項３】
前記ミラー制御システム(21)によって、前記一対の互いに隔置されたミラー(42,46)が、互いに独立して移動させられる、請求項１に記載の光学ビューファインダシステム。
【請求項４】
前記一対の互いに隔置されたミラー(42,46)のうちの一方(42)が、部分的に透過性、及び部分的に反射性を有する、請求項１に記載の光学ビューファインダシステム。
【請求項５】
ディジタルカメラ(10)における光学ビューファインダシステム(36,43,44)であって、
主レンズ系(22)及び二次レンズ系(43)と光学的に連絡可能な状態にあり、且つ、マイクロプロセッサにより制御された、ミラー系(21)
を備え、
再生する目的のためにオブジェクトイメージが格納される前に、ユーザが前記主レンズ系(22)と前記二次レンズ系(43)とを介して該オブジェクトイメージを見ることを前記ミラー系(21)が可能にし、
再生する目的のために前記オブジェクトイメージが格納されたことに続いて、ユーザが前記二次レンズ系(43)のみを介して前記オブジェクトイメージを示すディジタルイメージを見ることを前記ミラー系(21)が更に可能にすることからなる、光学ビューファインダシステム。