【手続補正書】
【提出日】平成19年6月1日(2007.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランガサイト単結晶を育成して圧電デバイス用基板に加工する圧電デバイス用基板の製造方法であって、
添付図面１に示す点Ａ（Ｌａ２Ｏ３が４７．９８重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．３２重量％、ＳｉＯ２が５．７０重量％）、
点Ｅ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５０重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．３２重量％、ＳｉＯ２が６．１８重量％）、
点Ｆ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５０重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．００重量％、ＳｉＯ２が６．５０重量％）で囲まれる組成範囲、又は、
点Ｅ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５０重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．３２重量％、ＳｉＯ２が６．１８重量％）、
点Ｆ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５０重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．００重量％、ＳｉＯ２が６．５０重量％）、
点Ｇ（Ｌａ２Ｏ３が４７．９８重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．００重量％、ＳｉＯ２が６．０２重量％）で囲まれる組成範囲から、
点Ａ１（Ｌａ２Ｏ３が４７．８１重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．５０重量％、ＳｉＯ２が５．６９重量％）、
点Ｂ１（Ｌａ２Ｏ３が４７．９７重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．２６重量％、ＳｉＯ２が５．７７重量％）、
点Ｃ１（Ｌａ２Ｏ３が４８．０４重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．５０重量％、ＳｉＯ２が５．４６重量％）で囲まれる組成範囲を除外した組成範囲内で秤量してルツボ内で融解させ、該ルツボ内からランガサイトの単結晶を引き上げ育成することを特徴とする圧電デバイス用基板の製造方法。
【請求項２】
ランガサイトの単結晶で形成された圧電デバイス用基板であって、
添付図面１に示す点Ａ（Ｌａ２Ｏ３が４７．９８重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．３２重量％、ＳｉＯ２が５．７０重量％）、
点Ｅ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５０重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．３２重量％、ＳｉＯ２が６．１８重量％）、
点Ｆ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５０重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．００重量％、ＳｉＯ２が６．５０重量％）で囲まれる組成範囲、又は、
点Ｅ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５０重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．３２重量％、ＳｉＯ２が６．１８重量％）、
点Ｆ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５０重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．００重量％、ＳｉＯ２が６．５０重量％）、
点Ｇ（Ｌａ２Ｏ３が４７．９８重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．００重量％、ＳｉＯ２が６．０２重量％）で囲まれる組成範囲から、
点Ａ１（Ｌａ２Ｏ３が４７．８１重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．５０重量％、ＳｉＯ２が５．６９重量％）、
点Ｂ１（Ｌａ２Ｏ３が４７．９７重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．２６重量％、ＳｉＯ２が５．７７重量％）、
点Ｃ１（Ｌａ２Ｏ３が４８．０４重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．５０重量％、ＳｉＯ２が５．４６重量％）で囲まれる組成範囲を除外した組成範囲内で秤量してルツボ内で融解させ、該ルツボ内から引き上げ育成された単結晶であることを特徴とする圧電デバイス用基板。
【請求項３】
引き上げにより育成されたランガサイトの単結晶で形成された圧電デバイス用基板であって、
前記ランガサイトは、
添付図面１に示す点ａ（Ｌａ２Ｏ３が４７．９８重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．３２重量％、ＳｉＯ２が５．７０重量％）、
点ｅ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５２重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．３２重量％、ＳｉＯ２が６．１６重量％）、
点ｆ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５１重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．０１重量％、ＳｉＯ２が６．４８重量％）で囲まれる組成範囲、又は、
点ｅ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５２重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．３２重量％、ＳｉＯ２が６．１６重量％）、
点ｆ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５１重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．０１重量％、ＳｉＯ２が６．４８重量％）、
点ｇ（Ｌａ２Ｏ３が４７．９８重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．０２重量％、ＳｉＯ２が６．００重量％）で囲まれる組成範囲から、
点ａ１（Ｌａ２Ｏ３が４７．８２重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．５０重量％、ＳｉＯ２が５．６８重量％）、
点ｂ１（Ｌａ２Ｏ３が４７．９７重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．２７重量％、ＳｉＯ２が５．７６重量％）、
点ｃ１（Ｌａ２Ｏ３が４８．０３重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．４９重量％、ＳｉＯ２が５．４８重量％）で囲まれる組成範囲を除外した組成範囲内の単結晶であることを特徴とする圧電デバイス用基板。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の圧電デバイス基板の表面上に表面弾性波を送受信する電極を形成したことを特徴とする表面弾性波デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
すなわち、本発明の圧電デバイス用基板の製造方法は、ランガサイト単結晶を育成して圧電デバイス用基板に加工する圧電デバイス用基板の製造方法であって、添付図面１に示す点Ａ（Ｌａ２Ｏ３が４７．９８重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．３２重量％、ＳｉＯ２が５．７０重量％）、点Ｅ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５０重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．３２重量％、ＳｉＯ２が６．１８重量％）、点Ｆ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５０重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．００重量％、ＳｉＯ２が６．５０重量％）で囲まれる組成範囲、又は、点Ｅ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５０重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．３２重量％、ＳｉＯ２が６．１８重量％）、点Ｆ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５０重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．００重量％、ＳｉＯ２が６．５０重量％）、点Ｇ（Ｌａ２Ｏ３が４７．９８重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．００重量％、ＳｉＯ２が６．０２重量％）で囲まれる組成範囲から、点Ａ１（Ｌａ２Ｏ３が４７．８１重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．５０重量％、ＳｉＯ２が５．６９重量％）、点Ｂ１（Ｌａ２Ｏ３が４７．９７重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．２６重量％、ＳｉＯ２が５．７７重量％）、点Ｃ１（Ｌａ２Ｏ３が４８．０４重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．５０重量％、ＳｉＯ２が５．４６重量％）で囲まれる組成範囲を除外した組成範囲内で秤量してルツボ内で融解させ、該ルツボ内からランガサイトの単結晶を引き上げ育成することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明の圧電デバイス用基板は、ランガサイトの単結晶で形成された圧電デバイス用基板であって、添付図面１に示す点Ａ（Ｌａ２Ｏ３が４７．９８重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．３２重量％、ＳｉＯ２が５．７０重量％）、点Ｅ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５０重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．３２重量％、ＳｉＯ２が６．１８重量％）、点Ｆ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５０重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．００重量％、ＳｉＯ２が６．５０重量％）で囲まれる組成範囲、又は、点Ｅ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５０重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．３２重量％、ＳｉＯ２が６．１８重量％）、点Ｆ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５０重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．００重量％、ＳｉＯ２が６．５０重量％）、点Ｇ（Ｌａ２Ｏ３が４７．９８重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．００重量％、ＳｉＯ２が６．０２重量％）で囲まれる組成範囲から、点Ａ１（Ｌａ２Ｏ３が４７．８１重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．５０重量％、ＳｉＯ２が５．６９重量％）、点Ｂ１（Ｌａ２Ｏ３が４７．９７重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．２６重量％、ＳｉＯ２が５．７７重量％）、点Ｃ１（Ｌａ２Ｏ３が４８．０４重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．５０重量％、ＳｉＯ２が５．４６重量％）で囲まれる組成範囲を除外した組成範囲内で秤量してルツボ内で融解させ、該ルツボ内から引き上げ育成された単結晶であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の表面弾性波デバイスは、引き上げにより育成されたランガサイトの単結晶で形成された圧電デバイス用基板であって、前記ランガサイトは、添付図面１に示す点ａ（Ｌａ２Ｏ３が４７．９８重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．３２重量％、ＳｉＯ２が５．７０重量％）、点ｅ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５２重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．３２重量％、ＳｉＯ２が６．１６重量％）、点ｆ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５１重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．０１重量％、ＳｉＯ２が６．４８重量％）で囲まれる組成範囲、又は、点ｅ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５２重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．３２重量％、ＳｉＯ２が６．１６重量％）、点ｆ（Ｌａ２Ｏ３が４７．５１重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．０１重量％、ＳｉＯ２が６．４８重量％）、点ｇ（Ｌａ２Ｏ３が４７．９８重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．０２重量％、ＳｉＯ２が６．００重量％）で囲まれる組成範囲から、点ａ１（Ｌａ２Ｏ３が４７．８２重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．５０重量％、ＳｉＯ２が５．６８重量％）、点ｂ１（Ｌａ２Ｏ３が４７．９７重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．２７重量％、ＳｉＯ２が５．７６重量％）、点ｃ１（Ｌａ２Ｏ３が４８．０３重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．４９重量％、ＳｉＯ２が５．４８重量％）で囲まれる組成範囲を除外した組成範囲内の単結晶であることを特徴とする。