【手続補正書】
【提出日】平成19年11月19日(2007.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料の表面を改質する方法であって、
複数のシラノール基を有する材料を用意し；
少なくとも一つの有機部分含有シラン化合物を含む、少なくとも一つの表面改質剤を用意し；
前記少なくとも一つの有機部分含有シラン化合物を、前記複数のシラノール基の少なくとも一部と反応させ；
前記材料に金属導体を堆積し；そして
前記材料を応力及び熱エネルギーにさらすこと
を含む方法。
【請求項２】
前記表面改質剤が前記材料の疎水性を回復させる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記材料が無機材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記無機材料がケイ素ベースの無機材料を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも一つの有機部分含有シラン化合物が、式：
（Ｒ１）ｘＳｉ（Ｒ２）４−ｘ
［式中、Ｒ１は、１〜３個の炭素原子を有するアルキル、ビニル又はアリールであり；Ｒ２は、水素、塩素、アセトキシ、メトキシ、エトキシ又はその他のアセトキシ基であり；ｘは１、２又は３である］を有する化合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
炭素欠乏損傷材料中の炭素回復法であって、
複数のシラノール基を有する炭素欠乏損傷材料を用意し；
少なくとも一つの有機部分含有シラン化合物を含む、少なくとも一つの表面改質剤を用意し；
前記少なくとも一つの有機部分含有シラン化合物を、前記複数のシラノール基の少なくとも一部と反応させ；
前記材料に金属導体を堆積し；そして
前記材料を応力及び熱エネルギーにさらすこと
を含む方法。
【請求項７】
前記表面改質剤が前記材料の疎水性を回復させる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記炭素欠乏損傷材料が無機材料を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記無機材料がケイ素ベースの無機材料を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも一つの有機部分含有シラン化合物が、式：
（Ｒ１）ｘＳｉ（Ｒ２）４−ｘ
［式中、Ｒ１は、１〜３個の炭素原子を有するアルキル、ビニル又はアリールであり；Ｒ２は、水素、塩素、アセトキシ、メトキシ、エトキシ又はその他のアセトキシ基であり；ｘは１、２又は３である］を有する化合物を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
膜の表面を改質する方法であって、
複数のシラノール基を有する膜を用意し；
前記膜をプラズマチャンバに置き；
少なくとも一つの有機部分含有シラン化合物を含む、少なくとも一つの表面改質剤をプラズマの形態で前記チャンバに導入し、ここで、前記少なくとも一つの有機部分含有シラン化合物は前記シラノール基の少なくとも一部と反応し；
前記材料に金属導体を堆積し；そして
前記材料を応力及び熱エネルギーにさらすこと
を含む方法。
【請求項１２】
前記表面改質剤が前記膜の疎水性を回復させる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記膜が無機材料を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記無機材料がケイ素ベースの無機材料を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも一つの有機部分含有シラン化合物が、式：
（Ｒ１）ｘＳｉ（Ｒ２）４−ｘ
［式中、Ｒ１は、１〜３個の炭素原子を有するアルキル、ビニル又はアリールであり；Ｒ２は、水素、塩素、アセトキシ、メトキシ、エトキシ又はその他のアセトキシ基であり；ｘは１、２又は３である］を有する化合物を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
炭素欠乏損傷膜の表面を改質する方法であって、
複数のシラノール基を有する炭素欠乏損傷膜を用意し；
前記膜をプラズマチャンバに置き；
少なくとも一つの有機部分含有シラン化合物を含む、少なくとも一つの表面改質剤をプラズマの形態で前記チャンバに導入し；
前記少なくとも一つの有機部分含有シラン化合物を前記シラノール基の少なくとも一部と反応させ；
前記材料に金属導体を堆積し；そして
前記材料を応力及び熱エネルギーにさらすこと
を含む方法。
【請求項１７】
前記表面改質剤が前記膜の疎水性を回復させる、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記膜が無機材料を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記無機材料がケイ素ベースの無機材料を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記少なくとも一つの有機部分含有シラン化合物が、式：
（Ｒ１）ｘＳｉ（Ｒ２）４−ｘ
［式中、Ｒ１は、１〜３個の炭素原子を有するアルキル、ビニル又はアリールであり；Ｒ２は、水素、塩素、アセトキシ、メトキシ、エトキシ又はその他のアセトキシ基であり；ｘは１、２又は３である］を有する化合物を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
前記材料が、金属のアニーリングによって応力及び熱エネルギーの双方にさらされる、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記材料が、金属のアニーリングによって応力及び熱エネルギーの双方にさらされる、請求項６に記載の方法。
【請求項２３】
応力によるボイド形成を防止する、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
応力によるボイド形成を防止する、請求項１１に記載の方法。
【請求項２５】
前記少なくとも一つの有機部分含有シラン化合物が、アルキルアセトキシシラン、アリールアセトキシシラン、及びそれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２６】
前記少なくとも一つの有機部分含有シラン化合物が、トリス（ジメチルアミノ）メチルシラン、トリス（ジメチルアミノ）フェニルシラン、トリス（ジメチルアミノ）シラン、メチルトリス（メチルエチルケトオキシム）シラン、メチルトリアセトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、フェニルトリアセトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ジフェニルジアセトキシシラン、及びそれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２７】
請求項１の方法によって製造される材料。
【請求項２８】
請求項６の方法によって製造される材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
以上、特定の実施態様及び無機組成物の塗布及びボイド修復法を開示してきた。しかしながら、当業者には前述の事柄以外に多くの変形が本発明の概念から離れることなく可能であることは明らかなはずである。従って、本発明の主題は、添付のクレームの精神における以外は制限されない。さらに、明細書及びクレームの両方を解釈するにあたり、全ての用語は文脈と矛盾しない最大限広い様式で解釈されるべきである。特に、“含む”及び“含んでいる”という用語は、要素、コンポーネント、又はステップを非排他的様式で言及していると解釈されるべきである。すなわち、言及された要素、コンポーネント、又はステップは、明示的に言及されていないその他の要素、コンポーネント、又はステップと共に存在し、又は利用され、又は組み合わされうることを示している。
本発明の態様は以下の通りである。
１．材料中のボイドを修復する方法であって、
複数の反応性シラノール基を有する材料を用意し；
少なくとも一つの反応性表面改質剤を用意し；そして
前記複数の反応性シラノール基の少なくとも一部を前記少なくとも一つの反応性表面改質剤で化学的にキャッピングすることを含む方法、
２．前記の化学的にキャッピングするステップが、前記材料に、疎水性、構造的完全性又はそれらの組合せを回復させることをさらに含む、前記１に記載の方法、
３．前記材料が無機材料を含む、前記１に記載の方法、
４．前記無機材料がケイ素ベースの無機材料を含む、前記３に記載の方法、
５．前記少なくとも一つの反応性表面改質剤が、反応性有機部分含有シラン化合物を含む、前記１に記載の方法、
６．前記反応性有機部分含有シラン化合物が、式：
（Ｒ１）ｘＳｉ（Ｒ２）４−ｘ
［式中、Ｒ１は、１〜３個の炭素原子を有するアルキル、ビニル又はアリールであり；Ｒ２は、水素、塩素、アセトキシ、メトキシ、エトキシ又はその他のアセトキシ基であり；ｘは１、２又は３である］を有する化合物を含む、前記５に記載の方法、
７．材料中の炭素回復法であって、
複数の反応性シラノール基を有する炭素欠乏材料を用意し；
少なくとも一つの反応性表面改質剤を用意し；そして
前記複数の反応性シラノール基の少なくとも一部を前記少なくとも一つの反応性表面改質剤で化学的にキャッピングすることを含む方法、
８．前記の化学的にキャッピングするステップが、前記材料に、疎水性、構造的完全性又はそれらの組合せを回復させることをさらに含む、前記７に記載の方法、
９．前記炭素欠乏材料が無機材料を含む、前記７に記載の方法、
１０．前記無機材料がケイ素ベースの無機材料を含む、前記９に記載の方法、
１１．前記少なくとも一つの反応性表面改質剤が、反応性有機部分含有シラン化合物を含む、前記７に記載の方法、
１２．前記反応性有機部分含有シラン化合物が、式：
（Ｒ１）ｘＳｉ（Ｒ２）４−ｘ
［式中、Ｒ１は、１〜３個の炭素原子を有するアルキル、ビニル又はアリールであり；Ｒ２は、水素、塩素、アセトキシ、メトキシ、エトキシ又はその他のアセトキシ基であり；ｘは１、２又は３である］を有する化合物を含む、前記１１に記載の方法、
１３．膜の縮合を削減する方法であって、
複数の反応性シラノール基を有する膜を用意し；
前記膜をプラズマチャンバに置き；
複数の反応性有機部分含有シランを前記チャンバに導入し；そして
前記シランを前記反応性シラノール基の少なくとも一部と反応させることを含む方法、
１４．前記のシランを反応させるステップが、前記膜に、疎水性、構造的完全性又はそれらの組合せを回復させることをさらに含む、前記１３に記載の方法、
１５．前記膜が無機材料を含む、前記１３に記載の方法、
１６．前記無機材料がケイ素ベースの無機材料を含む、前記１５に記載の方法、
１７．前記複数の反応性有機部分含有シラン化合物が、式：
（Ｒ１）ｘＳｉ（Ｒ２）４−ｘ
［式中、Ｒ１は、１〜３個の炭素原子を有するアルキル、ビニル又はアリールであり；Ｒ２は、水素、塩素、アセトキシ、メトキシ、エトキシ又はその他のアセトキシ基であり；ｘは１、２又は３である］を有する化合物を含む、前記１３に記載の方法、
１８．炭素欠乏膜の縮合を削減する方法であって、
複数の反応性シラノール基を有する炭素欠乏膜を用意し；
前記膜をプラズマチャンバに置き；
複数の反応性有機部分含有シランを前記チャンバに導入し；そして
前記シランを前記反応性シラノール基の少なくとも一部と反応させることを含む方法、
１９．前記のシランを反応させるステップが、前記膜に、疎水性、構造的完全性又はそれらの組合せを回復させることをさらに含む、前記１８に記載の方法、
２０．前記膜が無機材料を含む、前記１８に記載の方法、
２１．前記無機材料がケイ素ベースの無機材料を含む、前記２０に記載の方法、
２２．前記複数の反応性有機部分含有シラン化合物が、式：
（Ｒ１）ｘＳｉ（Ｒ２）４−ｘ
［式中、Ｒ１は、１〜３個の炭素原子を有するアルキル、ビニル又はアリールであり；Ｒ２は、水素、塩素、アセトキシ、メトキシ、エトキシ又はその他のアセトキシ基であり；ｘは１、２又は３である］を有する化合物を含む、前記１８に記載の方法、
２３．誘電体材料であって、
複数のケイ素原子を有する無機材料；及び
複数の有機部分含有シラン化合物
を含み、前記シラン化合物は、少なくとも一部のケイ素原子を通じて前記無機材料に結合されている誘電体材料、
２４．前記複数の反応性有機部分含有シラン化合物が、式：
（Ｒ１）ｘＳｉ（Ｒ２）４−ｘ
［式中、Ｒ１は、１〜３個の炭素原子を有するアルキル、ビニル又はアリールであり；Ｒ２は、水素、塩素、アセトキシ、メトキシ、エトキシ又はその他のアセトキシ基であり；ｘは１、２又は３である］を有する化合物を含む、前記２３に記載の材料、
２５．誘電体材料であって、
複数のケイ素原子を有するｌｏｗ−ｋ誘電体材料；及び
複数の有機部分含有シラン化合物
を含み、前記シラン化合物は、少なくとも一部のケイ素原子を通じて前記材料に結合されている誘電体材料、
２６．前記複数の反応性有機部分含有シラン化合物が、式：
（Ｒ１）ｘＳｉ（Ｒ２）４−ｘ
［式中、Ｒ１は、１〜３個の炭素原子を有するアルキル、ビニル又はアリールであり；Ｒ２は、水素、塩素、アセトキシ、メトキシ、エトキシ又はその他のアセトキシ基であり；ｘは１、２又は３である］を有する化合物を含む、前記２５に記載の材料。