(57)【要約】本発明は、短工程且つ低コストで合成でき、且つ従来の糖由来配位子よりも高い触媒活性及びエナンチオ選択性を発現しうる新規な不斉配位子及びその製造方法、並びに該配位子を用いた触媒を提供する。本発明は、下記一般式Ｉなど（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは０〜７の整数であり、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される配位子を提供する。2007100086.tif 000055
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式Ｉ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは０〜７の整数であり、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル、ニトロ基、トリフルオロアセチル基、トリフルオロメチル基、−ＯＲａで表されるアルコキシ基（Ｒａは炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、−ＮＲｂＲｃで表されるアミノ基（Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素、又は炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、水酸基、又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される配位子。
【化１】
2007100086.tif 000037
【請求項２】
一般式Ｉａ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは０〜７の整数であり、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル、ニトロ基、トリフルオロアセチル基、トリフルオロメチル基、−ＯＲａで表されるアルコキシ基（Ｒａは炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、−ＮＲｂＲｃで表されるアミノ基（Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素、又は炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、水酸基、又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される配位子。
【化２】
2007100086.tif 000038
【請求項３】
一般式Ｉｂ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは０〜７の整数であり、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル、ニトロ基、トリフルオロアセチル基、トリフルオロメチル基、−ＯＲａで表されるアルコキシ基（Ｒａは炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、−ＮＲｂＲｃで表されるアミノ基（Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素、又は炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、水酸基、又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される配位子。
【化３】
2007100086.tif 000039
【請求項４】
前記ｎが０又は１の整数である請求項１〜３のいずれか１項記載の配位子。
【請求項５】
前記ｍが２〜４の整数である請求項１〜４のいずれか１項記載の配位子。
【請求項６】
前記Ａ１〜Ａ４のうち２個が水素であり、他の２個がフッ素である請求項１〜５のいずれか１項記載の配位子。
【請求項７】
一般式ＩＩ（式中、Ｒ３は、水素、炭素数１〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、炭素数２〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルケニル基、ベンジル基、パラメトキシベンジル基又はシリル基であり、ｍは０〜７の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル、ニトロ基、トリフルオロアセチル基、トリフルオロメチル基、−ＯＲａで表されるアルコキシ基（Ｒａは炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、−ＮＲｂＲｃで表されるアミノ基（Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素、又は炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、水酸基、又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される化合物からの一般式Ｉ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは上記と同じ定義を有し、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は上記と同じ定義を有する）で表される配位子の製造方法であって、
ａ）一般式ＩＩで表される化合物を、ジフェニルホスフィン、ジアリールホスフィン又はジアリールアミンの金属塩と反応させる工程；
ｂ）その後、塩化アンモニウム及び過酸化水素で処理する工程；及び
ｂ’）ＸがＡｓ又はＮの場合であってＲ３が水素以外の場合に、パラジウム−炭素と水素、塩化リチウム、ジクロロジシアノベンゾキノン、セリウムアンモニウムナイトラート、又はフッ素アニオンと反応させて、Ｒ３を水素とする工程；
を有することにより、上記一般式Ｉで表される配位子を得る、上記方法。
【化４】
2007100086.tif 000040
【請求項８】
前記一般式ＩＩで表される化合物は、
ｃ）一般式ＩＩＩ（式中、ｍは上記と同義である）で表される化合物を、ジエチルアゾジカルボキシラート又はジイソプロピルアゾジカルボキシラートとトリフェニルホスフィン又はトリブチルホスフィンとの存在下、一般式ＩＶ（式中、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は上記と同義である）で表される化合物と反応させる工程；を有することにより得られる請求項７記載の方法。
【化５】
2007100086.tif 000041
【請求項９】
前記一般式ＩＩＩで表される化合物は、
ｄ）一般式Ｖ（式中、ｍは上記と同義である）で表される化合物を、リン酸バッファの存在下、過酸と反応させる工程；を有することにより得られる請求項８記載の方法。
【化６】
2007100086.tif 000042
【請求項１０】
一般式ＩＩａ（式中、Ｒ３は、水素、炭素数１〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、炭素数２〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルケニル基、ベンジル基、パラメトキシベンジル基又はシリル基であり、ｍは０〜７の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル、ニトロ基、トリフルオロアセチル基、トリフルオロメチル基、−ＯＲａで表されるアルコキシ基（Ｒａは炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、−ＮＲｂＲｃで表されるアミノ基（Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素、又は炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、水酸基、又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される化合物からの一般式Ｉａ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは上記と同じ定義を有し、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は上記と同じ定義を有する）で表される配位子の製造方法であって、
ａ）一般式ＩＩａで表される化合物を、ジフェニルホスフィン、ジアリールホスフィン又はジアリールアミンの金属塩と反応させる工程；
ｂ）その後、塩化アンモニウム及び過酸化水素で処理する工程；及び
ｂ’）ＸがＡｓ又はＮの場合であってＲ３が水素以外の場合に、パラジウム−炭素と水素、塩化リチウム、ジクロロジシアノベンゾキノン、セリウムアンモニウムナイトラート、又はフッ素アニオンと反応させて、Ｒ３を水素とする工程；
を有することにより、上記一般式Ｉａで表される配位子を得る、上記方法。
【化７】
2007100086.tif 000043
【請求項１１】
前記一般式ＩＩａで表される化合物は、
ｃ）一般式ＩＩＩａ（式中、ｍは上記と同義である）で表される化合物を、ジエチルアゾジカルボキシラート又はジイソプロピルアゾジカルボキシラートとトリフェニルホスフィン又はトリブチルホスフィンとの存在下、一般式ＩＶ（式中、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は上記と同義である）で表される化合物と反応させる工程；を有することにより得られる請求項１０記載の方法。
【化８】
2007100086.tif 000044
【請求項１２】
前記一般式ＩＩＩａで表される化合物は、
ｄ）一般式Ｖａ（式中、ｍは上記と同義である）で表される化合物を、リン酸バッファの存在下、過酸と反応させる工程；を有することにより得られる請求項１１記載の方法。
【化９】
2007100086.tif 000045
【請求項１３】
一般式ＩＩｂ（式中、Ｒ３は、水素、炭素数１〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、炭素数２〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルケニル基、ベンジル基、パラメトキシベンジル基又はシリル基であり、ｍは０〜７の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル、ニトロ基、トリフルオロアセチル基、トリフルオロメチル基、−ＯＲａで表されるアルコキシ基（Ｒａは炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、−ＮＲｂＲｃで表されるアミノ基（Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素、又は炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、水酸基、又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される化合物からの一般式Ｉｂ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは上記と同じ定義を有し、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は上記と同じ定義を有する）で表される配位子の製造方法であって、
ａ）一般式ＩＩｂで表される化合物を、ジフェニルホスフィン、ジアリールホスフィン又はジアリールアミンの金属塩と反応させる工程；
ｂ）その後、塩化アンモニウム及び過酸化水素で処理する工程；及び
ｂ’）ＸがＡｓ又はＮの場合であってＲ３が水素以外の場合に、パラジウム−炭素と水素、塩化リチウム、ジクロロジシアノベンゾキノン、セリウムアンモニウムナイトラート、又はフッ素アニオンと反応させて、Ｒ３を水素とする工程；
を有することにより、上記一般式Ｉｂで表される配位子を得る、上記方法。
【化１０】
2007100086.tif 000046
【請求項１４】
前記一般式ＩＩｂで表される化合物は、
ｃ）一般式ＩＩＩｂ（式中、ｍは上記と同義である）で表される化合物を、ジエチルアゾジカルボキシラート又はジイソプロピルアゾジカルボキシラートとトリフェニルホスフィン又はトリブチルホスフィンとの存在下、一般式ＩＶ（式中、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は上記と同義である）で表される化合物と反応させる工程；を有することにより得られる請求項５記載の方法。
【化１１】
2007100086.tif 000047
【請求項１５】
前記一般式ＩＩＩｂで表される化合物は、
ｄ）一般式Ｖｂ（式中、ｍは上記と同義である）で表される化合物を、リン酸バッファの存在下、過酸と反応させる工程；を有することにより得られる請求項６記載の方法。
【化１２】
2007100086.tif 000048
【請求項１６】
一般式ＩＩ（式中、Ｒ３は、水素、炭素数１〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、炭素数２〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルケニル基、ベンジル基、パラメトキシベンジル基又はシリル基であり、ｍは０〜７の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル、ニトロ基、トリフルオロアセチル基、トリフルオロメチル基、−ＯＲａで表されるアルコキシ基（Ｒａは炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、−ＮＲｂＲｃで表されるアミノ基（Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素、又は炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、水酸基、又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される化合物からの一般式Ｉ（式Ｉ中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは上記と同じ定義を有し、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は上記と同じ定義を有する）で表される配位子の製造方法であって、
ｇ）一般式ＩＩで表される化合物を、ジエチルアルミニウムシアニドと反応させた後、濃塩酸と反応させることにより一般式ＶＩＩ（式ＶＩＩ中、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程； 
ｈ）前記一般式ＶＩＩをＢＨ３テトラヒドロフラン錯体、ＢＨ３ジメチルスルフィド錯体、又はＬｉＡｌＨ４と反応させて一般式ＶＩＩＩ（式ＶＩＩＩ中、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程；
ｊ）前記一般式ＶＩＩＩで表される化合物を、p-トルエンスルホニルクロリドと反応させて一般式ＩＸ（式ＩＸ中、Ｔｓはp-トルエンスルホニル基を示し、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程；
ｋ）前記一般式ＩＸで表される化合物を、ポタシウムジフェニルホスファイドと反応させ、その後過酸化水素と反応させて一般式Ｘ（式Ｘ中、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程；及び
ｌ）前記一般式Ｘで表される化合物をヨウ化リチウムと反応させる工程；
を有することにより一般式Ｉで表される配位子を得る、上記方法。
【化１３】
2007100086.tif 000049
【請求項１７】
一般式ＩＩａ（式中、Ｒ３は、水素、炭素数１〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、炭素数２〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルケニル基、ベンジル基、パラメトキシベンジル基又はシリル基であり、ｍは０〜７の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル、ニトロ基、トリフルオロアセチル基、トリフルオロメチル基、−ＯＲａで表されるアルコキシ基（Ｒａは炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、−ＮＲｂＲｃで表されるアミノ基（Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素、又は炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、水酸基、又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される化合物からの一般式Ｉａ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは上記と同じ定義を有し、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は上記と同じ定義を有する）で表される配位子の製造方法であって、
ｇ）一般式ＩＩａで表される化合物を、ジエチルアルミニウムシアニドと反応させた後、濃塩酸と反応させることにより一般式ＶＩＩａ（式中、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程； 
ｈ）前記一般式ＶＩＩａをＢＨ３テトラヒドロフラン錯体、ＢＨ３ジメチルスルフィド錯体、又はＬｉＡｌＨ４と反応させて一般式ＶＩＩＩａ（式中、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程；
ｊ）前記一般式ＶＩＩＩａで表される化合物を、p-トルエンスルホニルクロリドと反応させて一般式ＩＸａ（式中、Ｔｓはp-トルエンスルホニル基を示し、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程；
ｋ）前記一般式ＩＸａで表される化合物を、ポタシウムジフェニルホスファイドと反応させ、その後過酸化水素と反応させて一般式Ｘａ（式中、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程；及び
ｌ）前記一般式Ｘａで表される化合物をヨウ化リチウムと反応させる工程；
を有することにより一般式Ｉａで表される配位子を得る、上記方法。
【化１４】
2007100086.tif 000050
【請求項１８】
一般式ＩＩｂ（式中、Ｒ３は、水素、炭素数１〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、炭素数２〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルケニル基、ベンジル基、パラメトキシベンジル基又はシリル基であり、ｍは０〜７の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル、ニトロ基、トリフルオロアセチル基、トリフルオロメチル基、−ＯＲａで表されるアルコキシ基（Ｒａは炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、−ＮＲｂＲｃで表されるアミノ基（Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素、又は炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、水酸基、又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される化合物からの一般式Ｉｂ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは上記と同じ定義を有し、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は上記と同じ定義を有する）で表される配位子の製造方法であって、
ｇ）一般式ＩＩｂで表される化合物を、ジエチルアルミニウムシアニドと反応させた後、濃塩酸と反応させることにより一般式ＶＩＩｂ（式中、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程； 
ｈ）前記一般式ＶＩＩｂをＢＨ３テトラヒドロフラン錯体、ＢＨ３ジメチルスルフィド錯体、又はＬｉＡｌＨ４と反応させて一般式ＶＩＩＩｂ（式中、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程；
ｊ）前記一般式ＶＩＩＩｂで表される化合物を、p-トルエンスルホニルクロリドと反応させて一般式ＩＸｂ（式中、Ｔｓはp-トルエンスルホニル基を示し、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程；
ｋ）前記一般式ＩＸｂで表される化合物を、ポタシウムジフェニルホスファイドと反応させ、その後過酸化水素と反応させて一般式Ｘｂ（式中、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程；及び
ｌ）前記一般式Ｘｂで表される化合物をヨウ化リチウムと反応させる工程；
を有することにより一般式Ｉｂで表される配位子を得る、上記方法。
【化１５】
2007100086.tif 000051
【請求項１９】
Ａ）Ｍｘ（ＯＲ４）ｙ又はＭｘ’（ＮＲ５）ｙ’（Ｍはチタン、ジルコニウム、アルミニウム、ガリウム、バリウム及び希土類元素からなる群から選ばれる金属であり、Ｒ４及びＲ５は、各々独立に、炭素数が２〜６である、置換又は無置換の直鎖状又は分岐鎖状又は環状のアルキル基、置換又は無置換の直鎖状又は分岐鎖状又は環状のアルケニル基、置換又は無置換の芳香族基、又はトリアルキルシリル基であり、ｘ及びｙ並びにｘ’及びｙ’は金属Ｍにより化学量論的に定まる整数である）で表される金属アルコキシド又は金属アミド；及び
Ｂ）一般式Ｉ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは０〜７の整数であり、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル、ニトロ基、トリフルオロアセチル基、トリフルオロメチル基、−ＯＲａで表されるアルコキシ基（Ｒａは炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、−ＮＲｂＲｃで表されるアミノ基（Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素、又は炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、水酸基、又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される配位子；
から形成される触媒。
【化１６】
2007100086.tif 000052
【請求項２０】
前記Ｂ）配位子が下記一般式Ｉａで表される請求項１９記載の触媒。
【化１７】
2007100086.tif 000053
【請求項２１】
前記Ｂ）配位子が下記一般式Ｉｂで表される請求項１９記載の触媒。
【化１８】
2007100086.tif 000054
【請求項２２】
前記Ａ）金属アルコキシド又は金属アミドとＢ）配位子とは、Ａ：Ｂのモル比が１：１〜１：４である請求項１９〜２１のいずれか１項記載の触媒。
【請求項２３】
前記希土類金属がイッテルビウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム又はエルビウムである請求項１９〜２２のいずれか１項記載の触媒。
【請求項２４】
前記トリアルキルシリル基のアルキルが、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖アルキルである請求項１９〜２３のいずれか１項記載の触媒。
【請求項２５】
前記Ａ）の金属アルコキシド又は金属アミドが、ガドリニウムトリイソプロポキシド、イットリウムトリイソプロポキシド、トリス−［N,N-ビス（トリメチルシリル）アミド］ガドリニウム（III）、トリス−［N,N-ビス（トリメチルシリル）アミド］イットリウム（III）又はバリウムジイソプロポキシドである請求項１９〜２４のいずれか１項記載の触媒。
【請求項２６】
前記ｍが２〜４の整数である請求項１９〜２５のいずれか１項記載の触媒。
【請求項２７】
前記Ａ１〜Ａ４のうち２個が水素であり、他の２個がフッ素である請求項１９〜２６のいずれか１項記載の触媒。
【請求項２８】
前記ｎが０又は１の整数である請求項１９〜２７のいずれか１項記載の触媒。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な配位子及びその製造方法、並びに該配位子を用いた触媒に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明者ら、又は本発明者のうちの一部の発明者（ら）、又は本発明者らを一部に含む発明者らは、糖を母核とする種々の不斉配位子及びそれを用いた触媒を開発し（特許文献１などを参照のこと）、ケトンやケトイミンに対する触媒的不斉シアノ化、α，β−不飽和カルボン酸誘導体へのシアノ基の触媒的不斉共役付加反応、アジリジンのシアノ基による触媒的不斉開環反応など、様々な触媒的不斉反応を促進できることを見出してきた。
【特許文献１】特許第３６７１２０９号公報。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、これら糖を母核とする不斉配位子（以下、単に「糖由来配位子」と略記する場合がある）は、その合成に多段階を要するため、コスト高となる欠点があった。
また、より高い触媒活性を有し、且つより高いエナンチオ選択性を有する触媒に対するニーズも依然として存在する。【０００４】
そこで、本発明の目的は、短工程且つ低コストで合成できる新規な不斉配位子及びその製造方法を提供すること、及びその新規な配位子を用いる触媒を提供することにある。
また、本発明の目的は、上記目的以外に、又は上記目的に加えて、従来の糖由来配位子よりも高い触媒活性及びエナンチオ選択性を発現しうる新規な不斉配位子及びその製造方法を提供すること、及びその新規な配位子を用いる触媒を提供することにある。
特に、本発明の目的は、光学活性ベータアミノ酸合成に有用な、アジリジンのシアノ基での触媒的不斉開環反応において、糖由来配位子よりも優れた機能、例えば高い触媒活性及びエナンチオ選択性を発現する新規な不斉配位子及びその製造方法を提供すること、及びその新規な配位子を用いる触媒を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、以下の発明により、上記課題を解決できることを見出した。
＜１＞  一般式Ｉ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは０〜７の整数であり、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル、ニトロ基、トリフルオロアセチル基、トリフルオロメチル基、−ＯＲａで表されるアルコキシ基（Ｒａは炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、−ＮＲｂＲｃで表されるアミノ基（Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素、又は炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、水酸基、又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される配位子。【０００６】
【化１】
2007100086.tif 000002
【０００７】
＜２＞  一般式Ｉａ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは０〜７の整数であり、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル、ニトロ基、トリフルオロアセチル基、トリフルオロメチル基、−ＯＲａで表されるアルコキシ基（Ｒａは炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、−ＮＲｂＲｃで表されるアミノ基（Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素、又は炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、水酸基、又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される配位子。【０００８】
【化２】
2007100086.tif 000003
【０００９】
＜３＞  一般式Ｉｂ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは０〜７の整数であり、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル、ニトロ基、トリフルオロアセチル基、トリフルオロメチル基、−ＯＲａで表されるアルコキシ基（Ｒａは炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、−ＮＲｂＲｃで表されるアミノ基（Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素、又は炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、水酸基、又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される配位子。【００１０】
【化３】
2007100086.tif 000004
【００１１】
＜４＞  上記＜１＞〜＜３＞のいずれかにおいて、ｎが０又は１の整数、好ましくは０であるのがよい。
＜５＞  上記＜１＞〜＜４＞のいずれかにおいて、ｍが２〜４の整数、好ましくは２又は３であるのがよい。
＜６＞  上記＜１＞〜＜５＞のいずれかにおいて、Ａ１〜Ａ４のうち２個が水素であり、他の２個がフッ素であるのがよく、好ましくはＡ１及びＡ４が水素であり、Ａ２及びＡ３がフッ素であるのがよい。【００１２】
＜７＞  一般式ＩＩ（式中、Ｒ３は、水素、炭素数１〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、炭素数２〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルケニル基、ベンジル基、パラメトキシベンジル基又はシリル基であり、ｍは０〜７の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル、ニトロ基、トリフルオロアセチル基、トリフルオロメチル基、−ＯＲａで表されるアルコキシ基（Ｒａは炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、−ＮＲｂＲｃで表されるアミノ基（Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素、又は炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、水酸基、又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される化合物からの一般式Ｉ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは上記と同じ定義を有し、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は上記と同じ定義を有する）で表される配位子の製造方法であって、
ａ）一般式ＩＩで表される化合物を、ジフェニルホスフィン、ジアリールホスフィン又はジアリールアミンの金属塩と反応させる工程；
ｂ）その後、塩化アンモニウム及び過酸化水素で処理する工程；及び
ｂ’）ＸがＡｓ又はＮの場合であってＲ３が水素以外の場合に、パラジウム−炭素と水素、塩化リチウム、ジクロロジシアノベンゾキノン、セリウムアンモニウムナイトラート、又はフッ素アニオンと反応させて、Ｒ３を水素とする工程；
を有することにより、上記一般式Ｉで表される配位子を得る、上記方法。【００１３】
【化４】
2007100086.tif 000005
【００１４】
＜８＞  上記＜７＞において、一般式ＩＩで表される化合物は、
ｃ）一般式ＩＩＩ（式中、ｍは上記と同義である）で表される化合物を、ジエチルアゾジカルボキシラート又はジイソプロピルアゾジカルボキシラートとトリフェニルホスフィン又はトリブチルホスフィンとの存在下、一般式ＩＶ（式中、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は上記と同義である）で表される化合物と反応させる工程；を有することにより得られるのがよい。【００１５】
【化５】
2007100086.tif 000006
【００１６】
＜９＞  上記＜８＞において、一般式ＩＩＩで表される化合物は、
ｄ）一般式Ｖ（式中、ｍは上記と同義である）で表される化合物を、リン酸バッファの存在下、過酸と反応させる工程；を有することにより得られるのがよい。【００１７】
【化６】
2007100086.tif 000007
【００１８】
＜１０＞  一般式ＩＩａ（式中、Ｒ３は、水素、炭素数１〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、炭素数２〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルケニル基、ベンジル基、パラメトキシベンジル基又はシリル基であり、ｍは０〜７の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル、ニトロ基、トリフルオロアセチル基、トリフルオロメチル基、−ＯＲａで表されるアルコキシ基（Ｒａは炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、−ＮＲｂＲｃで表されるアミノ基（Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素、又は炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、水酸基、又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される化合物からの一般式Ｉａ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは上記と同じ定義を有し、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は上記と同じ定義を有する）で表される配位子の製造方法であって、
ａ）一般式ＩＩａで表される化合物を、ジフェニルホスフィン、ジアリールホスフィン又はジアリールアミンの金属塩と反応させる工程；
ｂ）その後、塩化アンモニウム及び過酸化水素で処理する工程；及び
ｂ’）ＸがＡｓ又はＮの場合であってＲ３が水素以外の場合に、パラジウム−炭素と水素、塩化リチウム、ジクロロジシアノベンゾキノン、セリウムアンモニウムナイトラート、又はフッ素アニオンと反応させて、Ｒ３を水素とする工程；
を有することにより、上記一般式Ｉａで表される配位子を得る、上記方法。【００１９】
【化７】
2007100086.tif 000008
【００２０】
＜１１＞  上記＜１０＞において、一般式ＩＩａで表される化合物は、
ｃ）一般式ＩＩＩａ（式中、ｍは上記と同義である）で表される化合物を、ジエチルアゾジカルボキシラート又はジイソプロピルアゾジカルボキシラートとトリフェニルホスフィン又はトリブチルホスフィンとの存在下、一般式ＩＶ（式中、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は上記と同義である）で表される化合物と反応させる工程；を有することにより得られるのがよい。【００２１】
【化８】
2007100086.tif 000009
【００２２】
＜１２＞  上記＜１１＞において、一般式ＩＩＩａで表される化合物は、
ｄ）一般式Ｖａ（式中、ｍは上記と同義である）で表される化合物を、リン酸バッファの存在下、過酸と反応させる工程；を有することにより得られるのがよい。【００２３】
【化９】
2007100086.tif 000010
【００２４】
＜１３＞  一般式ＩＩｂ（式中、Ｒ３は、水素、炭素数１〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、炭素数２〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルケニル基、ベンジル基、パラメトキシベンジル基又はシリル基であり、ｍは０〜７の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル、ニトロ基、トリフルオロアセチル基、トリフルオロメチル基、−ＯＲａで表されるアルコキシ基（Ｒａは炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、−ＮＲｂＲｃで表されるアミノ基（Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素、又は炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、水酸基、又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される化合物からの一般式Ｉｂ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは上記と同じ定義を有し、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は上記と同じ定義を有する）で表される配位子の製造方法であって、
ａ）一般式ＩＩｂで表される化合物を、ジフェニルホスフィン、ジアリールホスフィン又はジアリールアミンの金属塩と反応させる工程；
ｂ）その後、塩化アンモニウム及び過酸化水素で処理する工程；及び
ｂ’）ＸがＡｓ又はＮの場合であってＲ３が水素以外の場合に、パラジウム−炭素と水素、塩化リチウム、ジクロロジシアノベンゾキノン、セリウムアンモニウムナイトラート、又はフッ素アニオンと反応させて、Ｒ３を水素とする工程；
を有することにより、上記一般式Ｉｂで表される配位子を得る、上記方法。【００２５】
【化１０】
2007100086.tif 000011
【００２６】
＜１４＞  上記＜１３＞において、一般式ＩＩｂで表される化合物は、
ｃ）一般式ＩＩＩｂ（式中、ｍは上記と同義である）で表される化合物を、ジエチルアゾジカルボキシラート又はジイソプロピルアゾジカルボキシラートとトリフェニルホスフィン又はトリブチルホスフィンとの存在下、一般式ＩＶ（式中、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は上記と同義である）で表される化合物と反応させる工程；を有することにより得られるのがよい。【００２７】
【化１１】
2007100086.tif 000012
【００２８】
＜１５＞  上記＜１４＞において、一般式ＩＩＩｂで表される化合物は、
ｄ）一般式Ｖｂ（式中、ｍは上記と同義である）で表される化合物を、リン酸バッファの存在下、過酸と反応させる工程；を有することにより得られる請求項６記載の方法。【００２９】
【化１２】
2007100086.tif 000013
【００３０】
＜１６＞  上記＜７＞〜＜１５＞のいずれかにおいて、ｎが０又は１の整数、好ましくは０であるのがよい。
＜１７＞  上記＜７＞〜＜１６＞のいずれかにおいて、ｍが２〜４の整数、好ましくは２又は３であるのがよい。
＜１８＞  上記＜７＞〜＜１７＞のいずれかにおいて、Ａ１〜Ａ４のうち２個が水素であり、他の２個がフッ素であるのがよく、好ましくはＡ１及びＡ４が水素であり、Ａ２及びＡ３がフッ素であるのがよい。
＜１９＞  上記＜７＞〜＜１８＞のいずれかにおいて、Ｒ３はメチル基であるのがよい。【００３１】
＜２０＞  一般式ＩＩ（式中、Ｒ３は、水素、炭素数１〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、炭素数２〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルケニル基、ベンジル基、パラメトキシベンジル基又はシリル基であり、ｍは０〜７の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル、ニトロ基、トリフルオロアセチル基、トリフルオロメチル基、−ＯＲａで表されるアルコキシ基（Ｒａは炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、−ＮＲｂＲｃで表されるアミノ基（Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素、又は炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、水酸基、又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される化合物からの一般式Ｉ（式Ｉ中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは上記と同じ定義を有し、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は上記と同じ定義を有する）で表される配位子の製造方法であって、
ｇ）一般式ＩＩで表される化合物を、ジエチルアルミニウムシアニドと反応させた後、濃塩酸と反応させることにより一般式ＶＩＩ（式ＶＩＩ中、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程； 
ｈ）前記一般式ＶＩＩをＢＨ３テトラヒドロフラン錯体、ＢＨ３ジメチルスルフィド錯体、又はＬｉＡｌＨ４と反応させて一般式ＶＩＩＩ（式ＶＩＩＩ中、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程；
ｊ）前記一般式ＶＩＩＩで表される化合物を、p-トルエンスルホニルクロリドと反応させて一般式ＩＸ（式ＩＸ中、Ｔｓはp-トルエンスルホニル基を示し、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程；
ｋ）前記一般式ＩＸで表される化合物を、ポタシウムジフェニルホスファイドと反応させ、その後過酸化水素と反応させて一般式Ｘ（式Ｘ中、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程；及び
ｌ）前記一般式Ｘで表される化合物をヨウ化リチウムと反応させる工程；
を有することにより一般式Ｉで表される配位子を得る、上記方法。【００３２】
【化１３】
2007100086.tif 000014
【００３３】
＜２１＞  一般式ＩＩａ（式中、Ｒ３は、水素、炭素数１〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、炭素数２〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルケニル基、ベンジル基、パラメトキシベンジル基又はシリル基であり、ｍは０〜７の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル、ニトロ基、トリフルオロアセチル基、トリフルオロメチル基、−ＯＲａで表されるアルコキシ基（Ｒａは炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、−ＮＲｂＲｃで表されるアミノ基（Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素、又は炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、水酸基、又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される化合物からの一般式Ｉａ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは上記と同じ定義を有し、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は上記と同じ定義を有する）で表される配位子の製造方法であって、
ｇ）一般式ＩＩａで表される化合物を、ジエチルアルミニウムシアニドと反応させた後、濃塩酸と反応させることにより一般式ＶＩＩａ（式中、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程； 
ｈ）前記一般式ＶＩＩａをＢＨ３テトラヒドロフラン錯体、ＢＨ３ジメチルスルフィド錯体、又はＬｉＡｌＨ４と反応させて一般式ＶＩＩＩａ（式中、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程；
ｊ）前記一般式ＶＩＩＩａで表される化合物を、p-トルエンスルホニルクロリドと反応させて一般式ＩＸａ（式中、Ｔｓはp-トルエンスルホニル基を示し、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程；
ｋ）前記一般式ＩＸａで表される化合物を、ポタシウムジフェニルホスファイドと反応させ、その後過酸化水素と反応させて一般式Ｘａ（式中、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程；及び
ｌ）前記一般式Ｘａで表される化合物をヨウ化リチウムと反応させる工程；
を有することにより一般式Ｉａで表される配位子を得る、上記方法。【００３４】
【化１４】
2007100086.tif 000015
【００３５】
＜２２＞  一般式ＩＩｂ（式中、Ｒ３は、水素、炭素数１〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、炭素数２〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルケニル基、ベンジル基、パラメトキシベンジル基又はシリル基であり、ｍは０〜７の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル、ニトロ基、トリフルオロアセチル基、トリフルオロメチル基、−ＯＲａで表されるアルコキシ基（Ｒａは炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、−ＮＲｂＲｃで表されるアミノ基（Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素、又は炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、水酸基、又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される化合物からの一般式Ｉｂ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは上記と同じ定義を有し、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は上記と同じ定義を有する）で表される配位子の製造方法であって、
ｇ）一般式ＩＩｂで表される化合物を、ジエチルアルミニウムシアニドと反応させた後、濃塩酸と反応させることにより一般式ＶＩＩｂ（式中、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程； 
ｈ）前記一般式ＶＩＩｂをＢＨ３テトラヒドロフラン錯体、ＢＨ３ジメチルスルフィド錯体、又はＬｉＡｌＨ４と反応させて一般式ＶＩＩＩｂ（式中、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程；
ｊ）前記一般式ＶＩＩＩｂで表される化合物を、p-トルエンスルホニルクロリドと反応させて一般式ＩＸｂ（式中、Ｔｓはp-トルエンスルホニル基を示し、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程；
ｋ）前記一般式ＩＸｂで表される化合物を、ポタシウムジフェニルホスファイドと反応させ、その後過酸化水素と反応させて一般式Ｘｂ（式中、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程；及び
ｌ）前記一般式Ｘｂで表される化合物をヨウ化リチウムと反応させる工程；
を有することにより一般式Ｉｂで表される配位子を得る、上記方法。【００３６】
【化１５】
2007100086.tif 000016
【００３７】
＜２３＞  上記＜２０＞〜＜２２＞のいずれかにおいて、ｎが０又は１の整数、好ましくは０であるのがよい。
＜２４＞  上記＜２０＞〜＜２３＞のいずれかにおいて、ｍが２〜４の整数、好ましくは２又は３であるのがよい。
＜２５＞  上記＜２０＞〜＜２４＞のいずれかにおいて、Ａ１〜Ａ４のうち２個が水素であり、他の２個がフッ素であるのがよく、好ましくはＡ１及びＡ４が水素であり、Ａ２及びＡ３がフッ素であるのがよい。
＜２６＞  上記＜２０＞〜＜２５＞のいずれかにおいて、Ｒ３はメチル基であるのがよい。【００３８】
＜２７＞  Ａ）Ｍｘ（ＯＲ４）ｙ又はＭｘ’（ＮＲ５）ｙ’（Ｍはチタン、ジルコニウム、アルミニウム、ガリウム、バリウム及び希土類元素からなる群から選ばれる金属であり、Ｒ４及びＲ５は、各々独立に、炭素数が２〜６である、置換又は無置換の直鎖状又は分岐鎖状又は環状のアルキル基、置換又は無置換の直鎖状又は分岐鎖状又は環状のアルケニル基、置換又は無置換の芳香族基、又はトリアルキルシリル基であり、ｘ及びｙ並びにｘ’及びｙ’は金属Ｍにより化学量論的に定まる整数である）で表される金属アルコキシド又は金属アミド；及び
Ｂ）一般式Ｉ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは０〜７の整数であり、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル、ニトロ基、トリフルオロアセチル基、トリフルオロメチル基、−ＯＲａで表されるアルコキシ基（Ｒａは炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、−ＮＲｂＲｃで表されるアミノ基（Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素、又は炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、水酸基、又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される配位子；
から形成される触媒。【００３９】
【化１６】
2007100086.tif 000017
【００４０】
＜２８＞  上記＜２７＞において、Ｂ）配位子が下記一般式Ｉａで表されるのがよい。【００４１】
【化１７】
2007100086.tif 000018
【００４２】
＜２９＞  上記＜２７＞において、Ｂ）配位子が下記一般式Ｉｂで表されるのがよい。【００４３】
【化１８】
2007100086.tif 000019
【００４４】
＜３０＞  上記＜２７＞〜＜２９＞のいずれかにおいて、Ａ）金属アルコキシド又は金属アミドとＢ）配位子とは、Ａ：Ｂのモル比が１：１〜１：４、好ましくは１：１〜１：２であるのがよい。
＜３１＞  上記＜２７＞〜＜３０＞のいずれかにおいて、希土類金属がイッテルビウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム又はエルビウムであるのがよい。
＜３２＞  上記＜２７＞〜＜３１＞のいずれかにおいて、トリアルキルシリル基のアルキルが、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖アルキルであるのがよい。
＜３３＞  上記＜２７＞〜＜３２＞のいずれかにおいて、Ａ）の金属アルコキシド又は金属アミドが、ガドリニウムトリイソプロポキシド、イットリウムトリイソプロポキシド、トリス−［N,N-ビス（トリメチルシリル）アミド］ガドリニウム（III）、トリス−［N,N-ビス（トリメチルシリル）アミド］イットリウム（III）又はバリウムジイソプロポキシドであるのがよい。【００４５】
＜３４＞  上記＜２７＞〜＜３３＞のいずれかにおいて、ｎが０又は１の整数、好ましくは０であるのがよい。
＜３５＞  上記＜２７＞〜＜３４＞のいずれかにおいて、ｍが２〜４の整数、好ましくは２又は３であるのがよい。
＜３６＞  上記＜２７＞〜＜３５＞のいずれかにおいて、Ａ１〜Ａ４のうち２個が水素であり、他の２個がフッ素であるのがよく、好ましくはＡ１及びＡ４が水素であり、Ａ２及びＡ３がフッ素であるのがよい。【００４６】
＜Ｃ１＞  上記一般式Ｉａ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは０〜７の整数であり、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される配位子。【００４７】
＜Ｃ２＞  上記＜Ｃ１＞において、ｎが０又は１の整数、好ましくは０であるのがよい。
＜Ｃ３＞  上記＜Ｃ１＞又は＜Ｃ２＞において、ｍが２〜４の整数、好ましくは２又は３の整数であるのがよい。
＜Ｃ４＞  上記＜Ｃ１＞〜＜Ｃ３＞のいずれかにおいて、Ａ１〜Ａ４のうち２個が水素であり、他の２個がフッ素であるのがよく、好ましくはＡ１及びＡ４が水素であり、Ａ２及びＡ３がフッ素であるのがよい。【００４８】
＜Ｃ５＞  上記一般式ＩＩａ（式中、Ｒ３は、水素、炭素数１〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、炭素数２〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルケニル基、ベンジル基、パラメトキシベンジル基又はシリル基であり、ｍは０〜７の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される化合物からの上記一般式Ｉａ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは上記と同じ定義を有し、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は上記と同じ定義を有する）で表される配位子の製造方法であって、
ａ）一般式ＩＩａで表される化合物を、ジフェニルホスフィンの金属塩、ジアリールホスフィンの金属塩又はジアリールアミンの金属塩と反応させる工程；
ｂ）その後、塩化アンモニウム及び過酸化水素で処理する工程；及び
ｂ’）ＸがＡｓ又はＮの場合であってＲ３が水素以外の場合に、パラジウム−炭素と水素、塩化リチウム、ジクロロジシアノベンゾキノン、セリウムアンモニウムナイトラート、又はフッ素アニオン（例えば、テトラブチルアンモニウムフルオライド由来のフッ素アニオン）と反応させて、Ｒ３を水素とする工程；
を有することにより、上記一般式Ｉａで表される配位子を得る、上記方法。【００４９】
＜Ｃ６＞  上記＜Ｃ５＞において、一般式ＩＩａで表される化合物は、
ｃ）上記一般式ＩＩＩａ（式中、ｍは上記と同義である）で表される化合物を、ジエチルアゾジカルボキシラート又はジイソプロピルアゾジカルボキシラートとトリフェニルホスフィン又はトリブチルホスフィンとの存在下、一般式ＩＶ（式中、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は上記と同義である）で表される化合物と反応させる工程；を有することにより得られるのがよい。【００５０】
＜Ｃ７＞  上記＜Ｃ６＞において、一般式ＩＩＩａで表される化合物は、
ｄ）一般式Ｖａ（式中、ｍは上記と同義である）で表される化合物を、リン酸バッファの存在下、過酸（例えば、3-クロロ過安息香酸、過安息香酸、過酢酸又は過酸化水素などであり、特に3-クロロ過安息香酸であるのが好ましい）と反応させる工程；を有することにより得られるのがよい。【００５１】
＜Ｃ８＞  上記＜Ｃ５＞〜＜Ｃ７＞のいずれかにおいて、ｎが０又は１の整数、好ましくは０であるのがよい。
＜Ｃ９＞  上記＜Ｃ５＞〜＜Ｃ８＞のいずれかにおいて、ｍが２〜４の整数、好ましくは２又は３であるのがよい。
＜Ｃ１０＞  上記＜Ｃ５＞〜＜Ｃ９＞のいずれかにおいて、Ａ１〜Ａ４のうち２個が水素であり、他の２個がフッ素であるのがよく、好ましくはＡ１及びＡ４が水素であり、Ａ２及びＡ３がフッ素であるのがよい。
＜Ｃ１１＞  上記＜Ｃ５＞〜＜Ｃ９＞のいずれかにおいて、Ｒ３は、メチル基であるのがよい。【００５２】
＜Ｃ１２＞  一般式ＩＩａ（式中、Ｒ３は、水素、炭素数１〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、炭素数２〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルケニル基、ベンジル基、パラメトキシベンジル基又はシリル基であり、ｍは０〜７の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される化合物からの一般式Ｉａ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは上記と同じ定義を有し、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は上記と同じ定義を有する）で表される配位子の製造方法であって、
ｇ）一般式ＩＩａで表される化合物を、ジエチルアルミニウムシアニドと反応させた後、濃塩酸と反応させることにより一般式ＶＩＩａ（式中、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程； 
ｈ）前記一般式ＶＩＩａをＢＨ３と反応させて一般式ＶＩＩＩａ（式中、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程；
ｊ）一般式ＶＩＩＩａで表される化合物を、p-トルエンスルホニルクロリドと反応させて一般式ＩＸａ（式中、Ｔｓはp-トルエンスルホニル基を示し、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程；
ｋ）一般式ＩＸａで表される化合物を、ポタシウムジフェニルホスファイドと反応させ、その後過酸化水素と反応させて一般式Ｘａ（式中、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同じ定義を有する）で表される化合物を得る工程；及び
ｌ）一般式Ｘａで表される化合物をヨウ化リチウムと反応させる工程；
を有することにより一般式Ｉａで表される配位子を得る、上記方法。【００５３】
＜Ｃ１３＞  上記＜Ｃ１２＞において、ｎが０又は１の整数、好ましくは０であるのがよい。
＜Ｃ１４＞  上記＜Ｃ１２＞又は＜Ｃ１３＞のいずれかにおいて、ｍが２〜４の整数、好ましくは２又は３であるのがよい。
＜Ｃ１５＞  上記＜Ｃ１２＞〜＜Ｃ１４＞のいずれかにおいて、Ａ１〜Ａ４のうち２個が水素であり、他の２個がフッ素であるのがよく、好ましくはＡ１及びＡ４が水素であり、Ａ２及びＡ３がフッ素であるのがよい。
＜Ｃ１６＞  上記＜Ｃ１２＞〜＜Ｃ１５＞のいずれかにおいて、Ｒ３は、メチル基であるのがよい。【００５４】
＜Ｃ１７＞  Ａ）Ｍｘ（ＯＲ４）ｙ又はＭｘ’（ＮＲ５）ｙ’（Ｍはチタン、ジルコニウム、アルミニウム、ガリウム及び希土類元素からなる群から選ばれる金属であり、Ｒ４及びＲ５は、各々独立に、炭素数が２〜６である、置換又は無置換の直鎖状又は分岐鎖状又は環状のアルキル基、置換又は無置換の直鎖状又は分岐鎖状又は環状のアルケニル基、置換又は無置換の芳香族基、又はトリアルキルシリル基であり、ｘ及びｙ並びにｘ’及びｙ’は前記金属Ｍにより化学量論的に定まる整数である）で表される金属アルコキシド又は金属アミド；及び
Ｂ）一般式Ｉａ（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは０〜７の整数であり、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである）で表される配位子；
から形成される触媒。【００５５】
＜Ｃ１８＞  上記＜Ｃ１７＞において、Ａ）金属アルコキシド又は金属アミドとＢ）配位子とは、Ａ：Ｂのモル比が１：１〜１：４、好ましくは１：１〜１：２であるのがよい。
＜Ｃ１９＞  上記＜Ｃ１７＞又は＜Ｃ１８＞において、希土類金属がイッテルビウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム又はエルビウムであるのがよい。
＜Ｃ２０＞  上記＜Ｃ１７＞〜＜Ｃ１９＞のいずれかにおいて、トリアルキルシリル基のアルキルが、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖アルキルであるのがよい。【００５６】
＜Ｃ２１＞  上記＜Ｃ１７＞〜＜Ｃ２０＞のいずれかにおいて、Ａ）の金属アルコキシド又は金属アミドが、ガドリニウムトリイソプロポキシド、イットリウムトリイソプロポキシド、トリス−［N,N-ビス（トリメチルシリル）アミド］ガドリニウム（III）又はトリス−［N,N-ビス（トリメチルシリル）アミド］イットリウム（III）であるのがよい。
＜Ｃ２２＞  上記＜Ｃ１７＞〜＜Ｃ２１＞のいずれかにおいて、ｎが０又は１の整数、好ましくは０であるのがよい。
＜Ｃ２３＞  上記＜Ｃ１７＞〜＜Ｃ２２＞のいずれかにおいて、ｍが２〜４の整数、好ましくは２又は３であるのがよい。
＜Ｃ２４＞  上記＜Ｃ１７＞〜＜Ｃ２３＞のいずれかにおいて、Ａ１〜Ａ４のうち２個が水素であり、他の２個がフッ素であるのがよく、好ましくはＡ１及びＡ４が水素であり、Ａ２及びＡ３がフッ素であるのがよい。
【発明の効果】
【００５７】
本発明により、短工程且つ低コストで合成できる新規な不斉配位子及びその製造方法を提供すること、及びその新規な配位子を用いる触媒を提供することができる。
また、本発明により、上記効果以外に、又は上記効果に加えて、従来の糖由来配位子よりも高い触媒活性及びエナンチオ選択性を発現しうる新規な不斉配位子及びその製造方法を提供すること、及びその新規な配位子を用いる触媒を提供することができる。
特に、本発明により、光学活性ベータアミノ酸合成に有用な、アジリジンのシアノ基での触媒的不斉開環反応において、糖由来配位子よりも優れた機能、例えば高い触媒活性及びエナンチオ選択性を発現する新規な不斉配位子及びその製造方法を提供すること、及びその新規な配位子を用いる触媒を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５８】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は、新規な不斉配位子を提供する。
＜不斉配位子＞
本発明の配位子は、下記一般式Ｉ、もしくはＩａ又はＩｂ（以下、一般式Ｉ、Ｉａ及びＩｂを単に「一般式Ｉなど」と略記する場合がある）で表すことができる。式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、０〜５個の置換基であり、ＸはＰ、Ａｓ又はＮであり、ｍは０〜７の整数であり、ｎは０〜３の整数であり、Ａ１〜Ａ４は各々独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、ベンゾイル、アセチル、ニトロ基、トリフルオロアセチル基、トリフルオロメチル基、−ＯＲａで表されるアルコキシ基（Ｒａは炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、−ＮＲｂＲｃで表されるアミノ基（Ｒｂ及びＲはｃ、各々独立に、水素、又は炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を示す）、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、水酸基、又はＡ２とＡ３とで環を形成したものである。
一般式Ｉなどからわかるように、本発明の配位子は、母核が糖由来である従来の配位子（例えば、特許第３６７１２０９号公報を参照のこと）とは異なる。本発明の配位子は、従来の配位子とその構成が異なるため、後述のような機能を有することができる。例えば、本発明の配位子は、該配位子を用いた触媒が高触媒活性を有するか、及び／又は高エナンチオ選択性を有することができる。【００５９】
【化１９】
2007100086.tif 000020
【００６０】
ｎは、好ましくは０又は１の整数であり、より好ましくは０であるのがよい。
ｍは、好ましくは２〜４の整数、より好ましくは２又は３であるのがよい。
Ｘは、好ましくはＰ又はＮであるのがよく、より好ましくはＰであるのがよい。
Ａ１〜Ａ４のうち２個が水素であり、他の２個がフッ素であるのがよく、好ましくはＡ１及びＡ４が水素であり、Ａ２及びＡ３がフッ素であるのがよい。【００６１】
＜不斉配位子の調製方法＞
本発明の不斉配位子は、以下のように調製することができる。
即ち、上記一般式ＩＩなど（ここで、「一般式ＩＩなど」とは、一般式ＩＩ、ＩＩａ又はＩＩｂを意味する。以降、単に「一般式ＩＩなど」と略記する場合がある）で表される化合物から一般式Ｉなどで表される配位子を製造することができ、該方法は、
ａ）一般式ＩＩなどで表される化合物を、ジフェニルホスフィンの金属塩、ジアリールホスフィンの金属塩又はジアリールアミンの金属塩と反応させる工程；
ｂ）その後、塩化アンモニウム及び過酸化水素で処理する工程；及び
ｂ’）ＸがＡｓ又はＮの場合であってＲ３が水素以外の場合に、パラジウム−炭素と水素、塩化リチウム、ジクロロジシアノベンゾキノン、セリウムアンモニウムナイトラート、又はフッ素アニオン（例えば、テトラブチルアンモニウムフルオライド由来のフッ素アニオン）と反応させて、Ｒ３を水素とする工程；
を有する。【００６２】
ここで、一般式ＩＩなどにおいて、Ｒ３は、水素、炭素数１〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、炭素数２〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルケニル基、ベンジル基、パラメトキシベンジル基又はシリル基である。Ｒ３は、好ましくはメチル基又はベンジル基、より好ましくはメチル基であるのがよい。なお、一般式ＩＩなどにおいて、ｍ及びＡ１〜Ａ４は、上述と同義である。【００６３】
上記ａ）工程は、用いる化合物などにより依存するが、テトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」と略記する）、エーテル、ジオキサンなどの溶媒を用い、−７８℃〜５０℃などの条件下などで行うのが好ましい。
また、上記ｂ）工程は、用いる化合物などにより依存するが、ＴＨＦ、エーテル、ジオキサンなどの溶媒を用い、−２０℃〜２０℃などの条件下などで行うのが好ましい。
さらに、上記ｂ’）工程は、用いる化合物などにより依存するがＴＨＦ、エーテル、ジオキサン、塩化メチレン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの溶媒を用い、−７８℃〜５０℃などの条件下などで行うのが好ましい。
ａ）工程及びｂ）工程（並びにｂ’工程）を有する、この製法は、一般式Ｉにおいてｎ＝０であるものを得る場合に好適であり、且つ工程が少ない点で好ましい。【００６４】
また、一般式ＩＩなどで表される化合物は、次のように調製することができる。
即ち、ｃ）上記一般式ＩＩＩなど（ここで、「一般式ＩＩＩなど」とは、一般式ＩＩＩ、ＩＩＩａ又はＩＩＩｂを意味する。以降、単に「一般式ＩＩＩなど」と略記する場合がある）で表される化合物を、ジエチルアゾジカルボキシラート又はジイソプロピルアゾジカルボキシラートとトリフェニルホスフィン又はトリブチルホスフィンとの存在下、好ましくはジイソプロピルアゾジカルボキシラートの存在下、一般式ＩＶで表される化合物と反応させる工程；を有することにより、一般式ＩＩなどで表される化合物を得ることができる。なお、一般式ＩＩＩなど及びＩＶにおいて、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上述と同義である。
上記ｃ）工程は、用いる化合物などにより依存するが、ＴＨＦ、エーテル、ジオキサンなどの溶媒を用い、０℃〜５０℃などの条件下などで行うのが好ましい。【００６５】
さらに、一般式ＩＩＩなどで表される化合物は、次のように調製することができる。
即ち、ｄ）上記一般式Ｖなど（ここで、「一般式Ｖなど」とは、一般式Ｖ、Ｖａ又はＶｂを意味する。以降、単に「一般式Ｖなど」と略記する場合がある）で表される化合物を、リン酸バッファの存在下、過酸（例えば、3-クロロ過安息香酸、過安息香酸、過酢酸又は過酸化水素などであり、特に3-クロロ過安息香酸であるのが好ましい）と反応させる工程；を有することにより、一般式ＩＩＩなどで表される化合物を得ることができる。なお、一般式Ｖなどにおいて、ｍは上述と同義である。
上記ｄ）工程は、用いる化合物などにより依存するが、塩化メチレン、クロロホルム、ｔ、エーテル、ジオキサンなどの溶媒を用い、−２０℃〜２０℃などの条件下などで行うのが好ましい。【００６６】
また、本発明の配位子は、上記一般式ＩＩなどで表される化合物から、上述とは異なるルートにより、製造することもできる。
即ち、ｇ）上記一般式ＩＩなどで表される化合物を、ジエチルアルミニウムシアニドと反応させた後、濃塩酸と反応させることにより上記一般式ＶＩＩなど（ここで、「一般式ＶＩＩなど」とは、一般式ＶＩＩ、ＶＩＩａ又はＶＩＩｂを意味する。以降、単に「一般式ＶＩＩなど」と略記する場合がある）で表される化合物を得る工程； 
ｈ）一般式ＶＩＩなどをＢＨ３テトラヒドロフラン錯体、ＢＨ３ジメチルスルフィド錯体、又はＬｉＡｌＨ４と反応させて上記一般式ＶＩＩＩなど（ここで、「一般式ＶＩＩＩなど」とは、一般式ＶＩＩＩ、ＶＩＩＩａ又はＶＩＩＩｂを意味する。以降、単に「一般式ＶＩＩＩなど」と略記する場合がある）で表される化合物を得る工程；
ｊ）一般式ＶＩＩＩなどで表される化合物を、p-トルエンスルホニルクロリドと反応させて上記一般式ＩＸなど（ここで、「一般式ＩＸなど」とは、一般式ＩＸ、ＩＸａ又はＩＸｂを意味する。以降、単に「一般式ＩＸなど」と略記する場合がある）で表される化合物を得る工程；
ｋ）一般式ＩＸなどで表される化合物を、ポタシウムジフェニルホスファイドと反応させ、その後過酸化水素と反応させて上記一般式Ｘなど（ここで、「一般式Ｘなど」とは、一般式Ｘ、Ｘａ又はＸｂを意味する。以降、単に「一般式Ｘなど」と略記する場合がある）で表される化合物を得る工程；及び
ｌ）一般式Ｘなどで表される化合物をヨウ化リチウムと反応させる工程；
を有することにより、一般式Ｉなどで表される配位子を得ることができる。
なお、一般式ＶＩＩなど、ＶＩＩＩなど、ＩＸなど及びＸなどにおいて、ｍ、Ｒ３及びＡ１〜Ａ４は、上記と同義である。また、一般式ＩＸなどにおいて、Ｔｓはp-トルエンスルホニル基を示す。【００６７】
上記ｇ）工程は、用いる化合物などにより依存するが、ＴＨＦ、エーテル、ジオキサン、トルエンなどの溶媒を用い、−２０℃〜１００℃などの条件下などで行うのが好ましい。
上記ｈ）工程は、用いる化合物などにより依存するが、ＴＨＦ、エーテル、ジオキサン、トルエンなどの溶媒を用い、−２０℃〜２０℃などの条件下などで行うのが好ましい。
上記ｊ）工程は、用いる化合物などにより依存するが、塩化メチレン、ピリジンなどの溶媒を用い、−７８℃〜５０℃などの条件下などで行うのが好ましい。
上記ｋ）工程は、用いる化合物などにより依存するが、ＴＨＦ、エーテル、ジオキサン、トルエンなどの溶媒を用い、−７８℃〜５０℃などの条件下などで行うのが好ましい。
上記ｌ）工程は、用いる化合物などにより依存するが、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの溶媒を用い、−７８℃〜２００℃などの条件下などで行うのが好ましい。【００６８】
＜触媒＞
本発明は、上記不斉配位子を用いる触媒を提供する。
本発明の触媒は、Ａ）Ｍｘ（ＯＲ４）ｙ又はＭｘ’（ＮＲ５）ｙ’で表される金属アルコキシド又は金属アミド；及びＢ）上記一般式Ｉで表される配位子；から形成される。
ここで、Ｍは、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、ガリウム、バリウム及び希土類元素からなる群から選ばれる金属である。Ｒ４及びＲ５は、各々独立に、炭素数が２〜６である、置換又は無置換の直鎖状又は分岐鎖状又は環状のアルキル基、置換又は無置換の直鎖状又は分岐鎖状又は環状のアルケニル基、置換又は無置換の芳香族基、又はトリアルキルシリル基であり、ｘ及びｙ並びにｘ’及びｙ’は金属Ｍにより化学量論的に定まる整数である。なお、トリアルキルシリル基のアルキルは、炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖アルキルであるのがよい。【００６９】
Ｍのうち、希土類金属として、イッテルビウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム又はエルビウムであるのがよい。Ｍは、特にガドリニウム、イットリウムであるのが好ましい。
Ａ）の金属アルコキシド又は金属アミドが、ガドリニウムトリイソプロポキシド、イットリウムトリイソプロポキシド、トリス−［N,N-ビス（トリメチルシリル）アミド］ガドリニウム（III）又はトリス−［N,N-ビス（トリメチルシリル）アミド］イットリウム（III）であるのがよい。また、Ａ）の金属アルコキシド又は金属アミドは、バリウムジイソプロポキシドであるのがよい。【００７０】
ここで、「から形成される」とは、ｉ）Ａ成分及びＢ成分の双方が触媒として作用する場合、ｉｉ）Ａ成分のＯＲ４又はＮＲ５がＢ成分の配位子で一部又は全部が置換されて触媒として作用する場合、ｉｉｉ）上記ｉ）及びｉｉ）の双方の状態が存在しそれが触媒として作用する場合のいずれをも包含する状態を意味する。【００７１】
Ａ）金属アルコキシド又は金属アミドとＢ）配位子とは、Ａ：Ｂのモル比が１：１〜１：４、好ましくは１：１〜１：２であるのがよい。【００７２】
このような触媒は、次のように調製することができる。即ち、Ａ成分とＢ成分とが上述のモル比となるように、ＴＨＦ又はプロピオニトリル中で混合し室温から８０℃で反応ささせることにより調製することができる。
以下、実施例に基づいて、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は本実施例に限定されるものではない。なお、図１は、以降の実施例を俯瞰するスキームである。
【実施例１】
【００７３】
【化２０】
2007100086.tif 000021
【００７４】
光学活性アリルアルコール（Lussem, B. J.; Gais, H.-J. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 6066参照、100 mg, 0.968 mmol）を塩化メチレン（10 mL）とリン酸バッファー（2 mL）に溶かし、氷冷下、3-クロロ過安息香酸（0.34 g, 0.968 mmol）を加えた。１時間攪拌後、ボウ硝を加え、反応液を直接アルミナカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒＝塩化メチレン→酢酸エチル）で精製することで、目的物のエポキシアルコールを得た（0.34 g, 収率91%）。
NMR (CDCL3) δ 1.21-1.31 (1H, m), 1.41-1.49 (1H, m), 1.51-1.60 (2H, m), 1.75-1.81 (1H, m), 1.84-1.90 (1H, m), 1.98 (1H, brs), 3.31 (1H, t, J= 3.7 Hz), 3.34 (1H, t, J= 3.7 Hz), 4.00 (1H, brs).
【実施例２】
【００７５】
【化２１】
2007100086.tif 000022
【００７６】
トリフェニルホスフィン（1.12 g, 4.27 mmol）とモノメチルジフルオロカテコール（684 mg, 4.27 mmol）のテトラヒドロフラン（以下、単に「ＴＨＦ」と略記）溶液（5 mL）に、ジイソプロピルアゾジカルボキシラート（DIAD）(840 mL, 4.27 mmol) とエポキシアルコール（325 mg, 2.85 mmol）のＴＨＦ溶液（1 mL）を氷冷で加えた。室温で１８時間反応した後、酢酸エチルで希釈し、有機層を水と飽和食塩水で洗浄した。有機層をボウ硝で乾燥後、ろ過、濃縮し、生じた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで生成することにより（酢酸エチル：ヘキサン＝１：５）、目的物エポキシエーテルを得た（649 mg, 収率89%）。
NMR (CDCL3) δ 1.24-1.33 (1H, m), 1.40-1.48 (1H, m), 1.51-1.57 (1H, m), 1.78-1.85 (1H, m), 1.89-1.95 (1H, m), 2.04-2.10 (1H, m), 3.22 (1H, d, J=3.5 Hz), 3.26-3.28 (1H, m), 4.36 (1H, dd, J=9.0, 5.5 Hz), 6.73 (1H, dd, J=12,7.7 Hz), 6.86 (1H, dd, J=12,7.7 Hz).
【実施例３】
【００７７】
【化２２】
2007100086.tif 000023
【００７８】
エポキシエーテル（1.50 g, 5.85 mmol）をＴＨＦ（20 mL）に溶かし、−78℃でジフェニルホスフィン（3 mL, 17.6 mmol）とBuLi (1.6 M in ヘキサン、10 mL, 17.6 mmol)を加えて２０分反応させた。その後室温で１５時間攪拌後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた。これを氷冷し、過酸化水素水（5 mL）を加えて３０分攪拌した後、飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液を加えた。生成物を酢酸エチルで抽出後、有機層を飽和食塩水で洗浄した。有機層をボウ硝乾燥、ろ過、濃縮し、生じた生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し（酢酸エチル：ヘキサン＝1:1→2:1）、目的物ホスフィンオキシドを得た（2.29 g， 収率88%)。得られた結晶をイソプロピルアルコールから再結晶することで、光学純度100%の不斉配位子を得た。配位子の光学純度は光学活性HPLCで確認した（DAICEL, CHIRALCEL-ODH, イソプロピルアルコール：ヘキサン＝1:9, 流速1.0 mL/min, tR = 6.8 min (minor: not observed), 9.5 min (major)）。
NMR (CDCL3) δ 1.0-1.1 (1H, m), 1.30-1.38 (1H, m), 1.40-1.50 (1H, m), 1.68-1.83 (2H, m), 2.15-2.22 (1H, m), 2.66 (1H, m), 3.58-3.63 (1H, m), 3.98-4.04 (1H, m), 3.58-3.64 (1H, m), 3.98-4.04 (1H, m), 6.73-6.79 (2H, m), 6.88 (1H, brs), 7.50-7.57 (4H, m), 7.58-7.66 (2H, m), 7.71-7.78 (4H, m).
【実施例４】
【００７９】
【化２３】
2007100086.tif 000024
【００８０】
エポキシエーテル（100 mg, 0.390 mmol）をジエチルエーテル（3.9 mL）に溶かし、０℃でジエチルアルミニウムシアニド (1.0 M in トルエン、470 mL, 0.585 mmol)を加えて3時間反応させた後、飽和塩化ナトリウム水溶液を加えた。さらに飽和ロッシェル塩水溶液を加え１時間撹拌した。生成物を酢酸エチルで抽出後、有機層を飽和食塩水で洗浄した。有機層をボウ硝乾燥、ろ過、濃縮し、生じた生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し（酢酸エチル：ヘキサン＝5:2）、目的物シアノヒドリンを得た（80 mg， 収率73%)。
NMR (CDCL3) δ1.24-1.34 (1H, m), 1.48-1.56 (1H, m), 1.64 (1H, m), 1.82-1.88 (1H, m), 2.07-2.18 (2H, m), 2.50 (1H, ddd, J= 13, 10, 3.7 Hz), 3.78-3.82 (1H, m), 3.83 (3H, s), 4.02 (1H, brs), 6.75 (1H, dd, J=12,7.6 Hz), 6.85 (1H, dd, J=12, 7.6 Hz).
【実施例５】
【００８１】
【化２４】
2007100086.tif 000025
【００８２】
シアノヒドリン（196 mg, 0.691 mmol）をジメトキシエタン（15 mL）に溶かし、12N塩酸（15 mL）を加えて８５℃で２４時間反応させた。生成物を酢酸エチルで抽出後、有機層を飽和食塩水で洗浄した。有機層をボウ硝乾燥、ろ過、濃縮し、生じた生成物を３N水酸化ナトリウム水溶液（1 mL）に溶かし、ジエチルエーテルで洗浄した。さらに１N塩酸を加えた後、酢酸エチルにて抽出し、有機層をボウ硝乾燥、ろ過、濃縮し、目的物ヒドロキシカルボン酸を得た（374 mg， 収率quant)。
NMR (CDCL3) δ1.28-1.37 (1H, m), 1.46-1.60 (1H, m), 1.84-1.90 (1H, m), 2.08-2.14 (1H, m), 2.15-2.21 (1H, m), 2.43 (1H, ddd, J=12.5, 10.5, 4.3 Hz), 3.68 (1H, ddd, J=11.3, 8.6, 4.9 Hz), 3.85 (3H, s), 3.93 (1H, dd, J=10.7, 8.9 Hz), 6.76 (1H, dd, J= 11.3, 7.7 Hz), 6.89 (1H, dd, J= 10.7, 7.9 Hz),
【実施例６】
【００８３】
【化２５】
2007100086.tif 000026
【００８４】
ヒドロキシカルボン酸（295 mg, 0.976 mmol）をＴＨＦ（5 mL）に溶かし、室温でボランテトラヒドロフラン錯体（1.17 M in THF）3.34 mL, 3.90 mmol）を加えて２時間反応させた。その後、１N塩酸を加えた後、飽和重曹水を加えた。生成物を酢酸エチルで抽出後、有機層を飽和食塩水で洗浄し、ボウ硝乾燥、ろ過、濃縮し、生じた生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し（酢酸エチル：ヘキサン＝2:3）、目的物ジオールを得た（281 mg， 収率quant)。得られた結晶を塩化メチレンとヘキサンから再結晶することで、光学純度100%のジオールを得た。ジオール体の光学純度は光学活性HPLCで確認した（DAICEL, CHIRALCEL-ADH, イソプロピルアルコール：ヘキサン＝1:9, 流速1.0 mL/min, tR = 12.2 min (major), 14.9 min (minor: not observed)）。
NMR (CDCL3) δ1.05 (1H, ddd, J= 26.3, 13.1, 3.7 Hz), 1.28-1.38 (1H, m), 1.42-1.51 (1H, m), 1.60-1.74 (2H, m), 1.77-1.82 (1H, m), 2.11-2.17 (1H, m), 3.62-3.75 (4H, m), 3.84 (3H, s), 3.91 (1H, brs), 6.74 (1H, dd, J= 11.0, 8.0 Hz).
【実施例７】
【００８５】
【化２６】
2007100086.tif 000027
【００８６】
ジオール（38 mg, 0.132 mmol）を塩化メチレン（1.3 mL）に溶かし、トリエチルアミン（37 mL)、N、N−ジメチルアミノピリジン、トシルクロリドを加えて室温で６時間反応させた。１N塩酸を加えた後、生成物を酢酸エチルで抽出後、有機層を飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄した。有機層をボウ硝乾燥、ろ過、濃縮し、目的物トシラートを得た（58 mg， 収率quant)。
NMR (CDCL3) δ0.87-0.92 (1H, m), 1.21-1.26 (1H, m), 1.41-1.48 (1H, m), 1.70-1.80 (3H, m), 2.07-2.13 (1H, m), 2.45 (3H, s), 3.40 (1H, s), 3.50 (1H, t, J= 9.5 Hz), 3.61-3.66 (1H, m), 4.16 (1H, dd, J= 9.5, 6.1 Hz), 4.22 (1H, dd, J= 9.5, 3.1 Hz), 6.73 (1H, dd, J= 11.0, 7.3 Hz), 6.84 (1H, dd, J= 11.0, 7.9 Hz), 7.34 (2H, d, J= 7.9 Hz), 7.81 (2H, d, J= 8.3 Hz).
【実施例８】
【００８７】
【化２７】
2007100086.tif 000028
【００８８】
トシラート（86.3 mg, 0.195 mmol）をＴＨＦ（1 mL）に溶かし、氷零下でポタシウムジフェニルホスファイド（0.5M in THF, 858 mL, 0.429 mmol）を加えて１５分反応させた。その後、過酸化水素水（5 mL）を加えて３０分攪拌した後、飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液を加えた。生成物を酢酸エチルで抽出後、有機層を飽和食塩水で洗浄した。有機層をボウ硝乾燥、ろ過、濃縮し、粗生成物を得た。
得られた粗生成物をDMF（1 mL）に溶かし、ヨウ化リチウム（157 mg, 1.17 mmol）を加えて１６０℃で１９時間反応させた。水を加えた後、生成物を酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄した後、ボウ硝乾燥、ろ過、濃縮し、目的物ホスフィンオキシドを得た(74.1 mg, 収率81%)。
NMR (CDCL3) δ1.10-1.19 (1H, m), 1.26-1.35 (2H, m), 1.48-1.57 (1H, m), 1.67-1.80 (2H, m), 2.13-2.18 (1H, m), 2.39-2.44 (2H, m), 3.31-3.37 (1H, m), 3.56 (1H, t, J= 9.2 Hz), 6.72 (1H, dd, J= 11.6, 8.0 Hz), 6.78 (1H, dd, J= 10.7, 8.3 Hz), 7.46-7.60 (6H, m), 7.69-7.78 (5H, m).
【実施例９】
【００８９】
【化２８】
2007100086.tif 000029
【００９０】
＜アジリジン開環反応＞
実施例３で得られた不斉配位子（下記表１中、「ligand」の「４」で表され、上記式中は単に「ligand」と表される）(13.3 mg, 0.03 mmol)をTHF 0.6 mLに溶解し、Gd(OiPr)3 (0.2 M in THF, 100 μL, 0.02 mmol)を室温で加え、54 oCで１時間攪拌した。溶媒を留去し、残渣を真空ポンプで減圧下２時間乾燥させた。ここに原料アジリジン18a (246 mg, 1.0 mmol), 2,6-ジメチルフェノール (122 mg, 1.0 mmol), THF 5 mLを加え、続けてTMSCN 40 μL (0.30 mmol)を室温で加えた。13時間反応を行った後に、水と酢酸エチルを加えて反応を停止させた。生成物を酢酸エチルで抽出し、集めた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥、ろ過、溶媒留去を行い、得られた粗生成物をシリカゲルカラム（ヘキサン：酢酸エチル＝3:1〜3:2）で精製することにより、アジリジン開環体19aを99％収率で得た（269 mg, 0.99 mmol）。光学活性HPLC分析[Chiralpak AD-H, 2-propanol/hexane 1/9, flow 1.0 mL/min, detection at 254 nm.): tR 18.4 min (major) and 20.9 min (minor)]から光学純度を98% eeと決定した。なお、実施例９は、下記表１において、「entry」番号「１」で示す。【００９１】
19a: IR (KBr): 3334, 3113, 2950, 2865, 2244, 1647, 1521, 1344, 877, 725 cm-1; 1H NMR (d-DMSO): δ = 8.92 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 8.35 (d, J = 9.0 Hz, 2H), 8.06 (d, J = 9.0 Hz, 2H), 4.12-3.97 (m, 1H), 2.86-2.75 (m, 1H), 2.17-2.06 (m, 1H), 1.91-1.81 (m, 1H), 1.77-1.55 (m, 3H), 1.44-1.27 (m, 2H), 1.25-1.12 (m, 1H); 13C NMR (d-DMSO): δ = 164.0, 149.1, 139.8, 128.7, 123.7, 121.3, 49.7, 33.8, 31.7, 28.8, 23.9, 23.8; MS (ESI): m/z 296 [M+Na+]; Anal. calcd for C14H15N3O3: C, 61.53; H, 5.53; N, 15.38%. Found: C, 61.13; H, 5.61; N, 15.21%; [α]22D −72.5 (c = 0.350, Acetone) (>99% ee).【００９２】
（実施例１０〜１９）
上記実施例９における配位子の代わりに、下記表１において「５」で表される配位子を用いるか、及び／又は上記実施例９における原料アジリジン１８ａの代わりに、１８ｂ〜１８ｉを用いて、実施例９と同様に、アジリジン開環反応を行った。この結果を、下記表１に示す。なお、実施例１０〜１９はそれぞれ、「entry」番号「２」、「４」、「６」、「８」、「１０」、「１１」、「１３」、「１５」、「１７」及び「１９」で示す。
（比較例１〜９）
上記実施例９における配位子の代わりに、糖由来の従来の配位子（下記表１において「１」で表される配位子）を用い、実施例９と同様に、原料アジリジン１８ａを用いて開環反応を行った。その結果を、表１の「entry」番号「３」に示す。
また、上記比較例１において、原料アジリジン１８ａの代わりに、１８ｂ〜１８ｉを用いて、比較例１と同様に、アジリジン開環反応を行った。この結果を、下記表１に示す。なお、比較例２〜９はそれぞれ、「entry」番号「５」、「７」、「９」、「１２」、「１４」、「１６」、「１８」及び「２０」で示す。
原料が同じものを用いた実施例と比較例とを比較すると、実施例の光学純度（表１中、「ee（％）」で表される値）が比較例のそれと比較して、高いことがわかる。これらのことから、本発明の配位子を用いた場合、従来の糖由来配位子と比較して、高い光学純度で生成物を得られることがわかった。【００９３】
【表１】
2007100086.tif 000030
【００９４】
（実施例２０）
＜シアノマイケル付加反応＞【００９５】
【化２９】
2007100086.tif 000031
【００９６】
実施例３で得られた不斉配位子（表１中、「ligand」の「４」で表される）(6.7 mg, 0.015 mmol)をTHF 0.3 mLに溶解し、Gd(OiPr)3 (0.2 M in THF, 50 μL, 0.01 mmol)を室温で加え、54 oCで１時間攪拌した。溶媒を留去し、残渣を真空ポンプで減圧下2時間乾燥させた。2,6-ジメチルフェノール（24.4 mg, 0.2 mmol）を加え、続いて原料21a (35.4 mg, 0.2 mmol)をTHF 0.2 mLに溶かして加えた。反応溶液を−20 oCに冷却し、TMSCN (40 mL, 0.30 mmol)を加えた。5.5時間後シリカゲルを加え反応を停止し、これをシリカゲルカラムにロードしてヘキサン：酢酸エチル＝10:1〜4:1で溶出し精製すると、22aが40.5 mg, 収率99％で得た。光学活性HPLC分析 [Chiralcel OD-H, 2-propanol/hexane 1/20, flow 1.0 mL/min, detection at 254 nm.): tR 13.0 min (minor) and 16.7 min (major)] から光学純度を93％ eeと決定した。なお、実施例２０は、下記表２において、「entry」番号「１」で示す。【００９７】
22a: IR (KBr): 3402, 3145, 2960, 2931, 2242, 1708, 1474, 1374, 1292, 921 cm-1; 1H NMR (CDCl3): δ = 7.27 (brs, 2H), 6.32 (t, J = 2.3 Hz, 2H), 3.33-3.16 (m, 2H), 3.06 (dd, J = 6.1, 16.7, 1H), 1.98-1.82 (m, 1H), 1.75-1.57 (m, 1H), 1.49-1.34 (m, 1H), 1.00 (d, J = 6.4 Hz, 3H), 0.99 (d, J = 6.7 Hz, 3H); 13C NMR(CDCl3): d = 166.5, 121.1, 118.8, 113.9, 40.8, 37.3, 26.2, 25.0, 22.9, 21.1; MS: m/z 204 [M+]; Anal. calcd for C12H16N2O: C, 70.56; H, 7.90; N, 13.71%. Found: C, 70.48; H, 8.03; N, 13.74%; [α]25D −26.2 (c = 0.940, CHCl3) (97% ee).【００９８】
（実施例２１〜２７）
上記実施例２０において、Gd(OiPr)3の量及び配位子の量を変化させるか、及び／又は上記実施例２０における原料２１ａの代わりに、２１ｂ〜２１ｈを用いて、実施例９と同様に、シアノマイケル付加反応を行った。この結果を、下記表２に示す。なお、表２において、実施例２１〜２７はそれぞれ、「entry」番号「２」、「４」、「６」、「８」、「１０」、「１２」及び「１４」で示す。
（比較例１０〜１６）
上記実施例２０における配位子の代わりに、従来の糖由来配位子（上記表１及び下記表２において「１」で表される配位子）を用い、実施例２０と同様に、原料２１ａを用いてシアノマイケル付加反応を行った。その結果を、表２の「entry」番号「３」に示す。
また、上記比較例１０において、原料２１ａの代わりに、２１ｂ〜２１ｈを用いて、比較例１０と同様に、シアノマイケル付加反応を行った。この結果を、下記表２に示す。なお、比較例１１〜１６はそれぞれ、「entry」番号「５」、「７」、「９」、「１１」、「１３」及び「１５」で示す。
原料として同じものを用いた実施例と比較例とを比較すると、実施例の光学純度（表２中、「ee（％）」で表される値）は、比較例のそれとほぼ同等であるか又は高いことがわかる。これらのことから、本発明の配位子を用いた場合、従来の糖由来配位子と比較して、ほぼ同等であるか又は高い光学純度で生成物を得られることがわかった。【００９９】
【表２】
2007100086.tif 000032
【０１００】
（実施例２８）
＜22aから抗てんかん薬プレガバリンへの変換＞【０１０１】
【化３０】
2007100086.tif 000033
【０１０２】
実施例２０で得られた化合物22a (44.8 mg, 0.219 mmol)のTHF溶液（0.44 mL）に１M NaOH水溶液（0.44 mL）を室温で加えた。１時間後THFを減圧留去し、飽和重曹水を加えて水層を塩化メチレンで3回洗浄した。水層を塩酸でｐＨ１とし、塩化メチレンで抽出した。有機層をあわせ、硫酸ナトリウムで乾燥後、ろ過、溶媒留去し、24を31.8 mg (94%)得た。
24: IR (neat): 2961, 2244, 1714, 1469, 1414, 1371, 1175, 924, 619 cm-1; 1H NMR (CDCl3): δ = 9.29 (brs, 1H), 3.12-2.96 (m, 1H), 2.76 (dd, J = 7.5, 17.0 Hz, 1H), 2.62 (dd, J = 6.1, 17.0 Hz, 1H), 1.95-1.78 (m, 1H), 1.74-1.57 (m, 1H), 1.43-1.30 (m, 1H), 0.98 (d, J = 6.7 Hz, 3H), 0.96 (d, J = 6.7 Hz, 3H); 13C NMR(CDCl3): δ = 175.5, 120.8, 40.6, 36.8, 26.1, 25.5, 22.8, 21.2; MS: m/z 155 [M+]; HRMS (EI): m/z calcd for C8H14NO2 [M+H+]: 156.1025. Found: 156.1026; [α]21D −15.0 (c = 0.590, CHCl3). 文献値：[α]25D -16.7 (c = 0.5, CHCl3)（J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 4442）.
なお、本実施例で得られた化合物２４からプレガバリンへの変換は、先行文献（J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 4442）を参照することにより、容易に得ることができる。
このように、実施例２０及び実施例２８を用いることにより、少ない触媒量でより短時間で中間体を得ることができるため、抗てんかん薬プレガバリンの前駆体２４を、従来よりも効率よく得ることができる。【０１０３】
（実施例２９）
実施例２において、モノメチルジフルオロカテコールの代わりに、モノメチルジクロロカテコールを用いて、実施例１〜３と同様の方法により、下記式の「Ligand 2」においてＸ＝Ｃｌである不斉配位子を調製した。
1H NMR (CDCl3): δ = 9.28 (s, 1H), 7.74-7.70 (m, 4H), 7.62-7.47 (m, 6H), 7.03 (s, 1H), 6.98 (s, 1H), 6.84 (bs, 1H), 4.00 (dd, J = 18.6, 8.5 Hz, 1H), 3.64-3.59 (m, 1H), 2.64 (ddd, J = 22.9, 12.1, 3.3 Hz, 1H), 2.19-2.16 (m, 1H), 1.81-1.69 (m, 2H), 1.48-1.28 (m, 2H), 1.09-1.00 (m, 1H).【０１０４】
【化３１】
2007100086.tif 000034
【０１０５】
（実施例３０）
よく乾燥しアルゴンで置換した試験管中に、実施例３で調製した不斉配位子 (0.02 mmol) を加え、つづいてTHF (0.323 ml) を加えた。そこに0.2 Mになるように希釈したのち１時間静置したBa(OiPr)2のTHF溶液100 mLを室温でゆっくりと加えた。50 ℃にて一時間撹拌した後、溶媒を留去し、室温にて３時間真空乾燥した。残渣をCH2Cl2 (300 mL)に溶かし、-20℃に冷却した。ジエン (52.9 ml, 0.3 mmol) およびジエノフィル (0.5 M CH2Cl2溶液 200 mL, 0.1 mmol) を加えて、原料が消失するまで撹拌した。室温まで昇温した後、酢酸 (ca. 75 mL) およびTBAF (0.1 M THF溶液, 800 mL, 0.8 mmol) を加え5分間撹拌した。飽和重曹水を注意深く加え、水相を酢酸エチルで抽出した後、有機相を飽和食塩水で洗浄した。ボウ硝乾燥、ろ過、溶媒留去、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって、目的物をジアステレオマーの混合物として得た。【０１０６】
【化３２】
2007100086.tif 000035
【０１０７】
aアルコールに対して 1H NMR (CDCl3, 500 MHz) d 5.88 (m, 2H), 4.49 (m, 1H), 3.72 (s, 3H), 3.69 (s, 3H), 2.99 (ddd, J = 5.5, 11.3, 11.8 Hz, 1H), 2.92 (dd, J = 4.0, 11.8 Hz, 1H), 2.48 - 2. 43 (m, 1H), 2.16 - 2.10 (m, 1H); bアルコールに対して 1H NMR (CDCl3, 500 MHz) d 5.77 - 5.73 (m, 1H), 5.70 - 5.67 (m, 1H), 4.42 (m, 1H), 3.73 (s, 3H), 3.67 (s, 3H), 2.96 - 2.92 (m, 1H), 2.76 (dd, J = 8.9, 11.3 Hz, 1H), 2.41 - 2.36 (m, 1H), 2.26 - 2.20 (m, 1H); ジアステレオマー混合物に対して 13C NMR (CDCl3, 125 MHz) d 175.5, 174.1, 174.0, 172.8, 129.4, 128.9, 127.1, 126.3, 68.5, 63.9, 52.2, 52.1, 52.0, 52.0, 49.8, 47.6, 40.7, 36.2, 28.7, 27.7;  IR (neat, cm-1) 3460, 2953, 1736; ESI-MS m/z 237 [M + Na]+; GC (CHIRASIL-DEX CB, column temperature 150 oC, injection temperature 200 oC, detection temperature 250 oC.): tR 12.2 min (endo / exo miture), 13.3 min (endo, major), 13.8 min (endo, minor).【０１０８】
（実施例３１〜３３）
上記実施例３０において、Ligand 2のＸをＣｌ（実施例２９の不斉配位子）又はＦに変化させるか、及び／又は上記実施例３０における反応時間及び／又は反応温度を用いて、実施例３０と同様に、反応を行った。この結果を、下記表３に示す。【０１０９】
（比較例１７）
上記実施例３０における配位子の代わりに、従来の糖由来配位子（上記表１及び表２において「１」で表される配位子）を用い、実施例３０と同様に、反応を行った。その結果を、下記表３に示す。【０１１０】
実施例３３と比較例１７とを比較すると、実施例３３の生成物の光学純度が高いことがわかる。また、実施例３０〜３３を比較すると、カテコール部位に塩素又はフッ素の置換基を有する配位子がendo/exo比及び収率が高いことがわかる。【０１１１】
【表３】
2007100086.tif 000036
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】実施例１〜実施例８を俯瞰するスキームである。
【図１】
2007100086.tif 000056
【国際調査報告】
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