【手続補正書】
【提出日】平成20年6月26日(2008.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の処理方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに基板を配置するステップと、
前記枚葉基板洗浄ツール内の前記基板をスピンするステップと、
前記基板をスピンする間、前記枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置した後、
ＮＨ４ＯＨ、
Ｈ２Ｏ２、
Ｈ２Ｏ、及び
キレート化剤を含む溶液に前記基板を露出するステップと
を含む、基板の処理方法。
【請求項２】
前記基板は、３０秒未満の間、前記洗浄液に露出される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記キレート化剤は、カルボン酸である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記洗浄液と異なる溶液で前記基板の背面を洗浄している間、前記洗浄液で前記基板の前面を洗浄するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基板を洗浄する間、前記基板に音響波を適用するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記音響波は、超音波である請求項５に記載の方法。
【請求項７】
キャビテーションガスを前記洗浄液に溶解するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記キャビテーションガスは、Ｈ２、Ｎ２、Ｏ２、Ｏ３、Ａｒ及びＨｅからなる群から選択される請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記基板を洗浄した後、４００℃を超える温度で行う熱処理ステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記熱処理ステップは、アニールステップである請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記熱処理ステップは、化学気相堆積ステップである請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記熱処理ステップは、酸化ステップである請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置する前に、前記基板からフォトレジストを除去するためのＯ２アッシングステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記キレート化剤は、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）である請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記溶液は、界面活性剤をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記界面活性剤は、前記溶液の１〜１００ｐｐｍである請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記界面活性剤は、非イオン性である請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記界面活性剤は、陰イオン性である請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記界面活性剤は、非イオン性と陰イオン性化合物からなる混合物である請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記非イオン性活性剤は、ポリオキシエチレンブチルフェニルエーテルである請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記陰イオン性界面活性剤は、ポリオキシエチレンアルキルフェニル硫酸塩である請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記非イオン性界面活性剤は、前記溶液の３０ｐｐｍである請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
前記陰イオン性界面活性剤は、前記溶液の３０ｐｐｍである請求項１８に記載の方法。
【請求項２４】
前記基板は、シリコンウェーハである、請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
洗浄液であって、
ＮＨ４ＯＨと、
Ｈ２Ｏ２と、
Ｈ２Ｏと、
キレート化剤と、
界面活性剤と
を含む混合物から形成される洗浄液。
【請求項２６】
前記ＮＨ４ＯＨ、Ｈ２Ｏ２及びＨ２Ｏの混合比は、５／１／１〜１０００／１／１である請求項２５に記載の洗浄液。
【請求項２７】
前記ＮＨ４ＯＨは、水に対してＮＨ３が２８〜２９％ｗ／ｗである溶液から作られる請求項２５に記載の洗浄液。
【請求項２８】
前記Ｈ２Ｏ２は、水に対してＨ２Ｏ２が３１〜３２％ｗ／ｗである溶液から作られる請求項２５に記載の洗浄液。
【請求項２９】
前記キレート化剤の平衡定数（Ｋ）は、アルミニウムに対して１０１５より大きいものである請求項２５に記載の洗浄液。
【請求項３０】
前記キレート化剤の平衡定数（Ｋ）は、アルミニウムに対して１０２０より大きいものである請求項２５に記載の洗浄液。
【請求項３１】
前記キレート化剤は、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−ヒドロキシフェニル）エチレンジイミノ二酢酸（ＨＰＥＤ）、トリエチレンテトラニトリロ六酢酸（ＴＴＨＡ）、デスフェリフェリオキサミンＢ、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリス［２−（Ｎ−ヒドロキシカルボニル）エチル］−１，３，５−ベンゼントリカルボキサミド（ＢＡＭＴＨ）、モリブデン酸からなる群から選択される請求項２５に記載の洗浄液。
【請求項３２】
前記キレート化剤の前記溶液中の濃度は、０．００１ｍｇ／ｌ〜３００ｍｇ／ｌである請求項２５に記載の洗浄液。
【請求項３３】
前記キレート化剤の前記溶液中の濃度は、０．０１ｍｇ／ｌ〜３ｍｇ／ｌである請求項２５に記載の洗浄液。
【請求項３４】
前記キレート化剤の前記溶液中の濃度は、１〜４００ｐｐｍである請求項２５に記載の洗浄液。
【請求項３５】
前記界面活性剤は、非イオン性である請求項２５に記載の洗浄液。
【請求項３６】
前記界面活性剤は、陰イオン性である請求項２５に記載の洗浄液。
【請求項３７】
前記界面活性剤は、三菱化学株式会社製のＭＣＸ−ＳＤ２０００である請求項３６に記載の洗浄液。
【請求項３８】
前記ＭＣＸ−ＳＤ２０００は、前記溶液の０．０５％である請求項３７に記載の洗浄液。
【請求項３９】
基板の洗浄方法であって、
フッ化水素溶液で前記基板をエッチングするステップと、
前記基板をエッチングした後、第１のリンスで前記基板をリンスするステップと、
前記第１のリンスで前記基板をリンスした後、
ＮＨ４ＯＨ、
Ｈ２Ｏ２、
Ｈ２Ｏ、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む洗浄液で前記基板を洗浄するステップと、
前記洗浄液で前記基板を洗浄した後、第２のリンスで前記基板をリンスするステップと、
前記第２のリンスで前記基板の前記リンス後、前記基板を乾燥するステップと、
前記処理を３分以内に行うステップと
を含む基板の洗浄方法。
【請求項４０】
前記処理は、２分以内に行われる請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
前記エッチングは、３０秒以内に行われる請求項３９に記載の方法。
【請求項４２】
前記第１のリンスは、２０秒以内に行われる請求項３９に記載の方法。
【請求項４３】
前記洗浄は、３０秒以内に行われる請求項３９に記載の方法。
【請求項４４】
前記第２のリンスは、２０秒以内に行われる請求項３９に記載の方法。
【請求項４５】
前記乾燥は、２０秒以内に行われる請求項３９に記載の方法。
【請求項４６】
前記基板の前記エッチング中、前記基板の前面にエッチング溶液が適用され、前記基板の背面に前記エッチング溶液と異なる溶液が適用される請求項３９に記載の方法。
【請求項４７】
前記基板の前記第１のリンス中、前記基板の前面にリンス溶液が適用され、前記基板の背面に前記リンス溶液と異なる溶液が適用される請求項３９に記載の方法。
【請求項４８】
前記基板の前記洗浄中、前記基板の前面に前記洗浄液が適用され、前記基板の背面に前記洗浄液と異なる溶液が適用される請求項３９に記載の方法。
【請求項４９】
前記基板の前記第２のリンス中、前記基板の前面にリンス溶液が適用され、前記基板の背面に前記リンス溶液と異なる溶液が適用される請求項３９に記載の方法。
【請求項５０】
前記基板は、シリコン基板である、請求項３９に記載の方法。
【請求項５１】
基板の洗浄方法であって、
キレート化剤と界面活性剤とを含む第１の溶液で前記基板を洗浄するステップと、
前記基板を洗浄した後、水と酸化剤とを含む前記溶液で前記基板をリンスするステップと
を含む基板の洗浄方法。
【請求項５２】
前記酸化剤は、Ｏ３、Ｏ２及びＨ２Ｏ２からなる群から選択される請求項５１に記載の方法。
【請求項５３】
前記酸化剤は、Ｃｕ２＋を酸化するのに十分な濃度で前記第２の溶液に存在する請求項５１に記載の方法。
【請求項５４】
前記酸化剤の前記濃度は、１ｐｐｍより高い請求項５１に記載の方法。
【請求項５５】
前記酸化剤の前記濃度は、１００ｐｐｍより高い請求項５１に記載の方法。
【請求項５６】
前記第２の溶液の標準酸化電位は、０．５Ｖより大きい請求項５１に記載の方法。
【請求項５７】
前記水は、前記水に前記酸化剤が添加される前に脱気される請求項５１に記載の方法。
【請求項５８】
前記水は、脱イオン化される請求項５１に記載の方法。
【請求項５９】
前記基板は、シリコンウェーハである、請求項５１に記載の方法。
【請求項６０】
基板の処理方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置するステップと、
前記枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置した後、２〜３秒間、前記基板上にＨＦ溶液を供給して、ＨＦ被覆基板を生じさせるステップと、
前記基板上に前記ＨＦ溶液を供給した後、前記ＨＦ被覆基板上に洗浄液を供給するステップと
を含む基板の処理方法。
【請求項６１】
前記処理中に前記基板をスピンすることをさらに含む請求項６０に記載の方法。
【請求項６２】
前記基板の第１の面上に前記ＨＦ溶液が供給される間、前記基板の第２の面上に、前記ＨＦ溶液と異なる溶液が供給される請求項６０に記載の方法。
【請求項６３】
前記基板上に前記洗浄液が供給されるとき、前記基板に超音波が適用される請求項６０に記載の方法。
【請求項６４】
前記基板は、酸化物層を備えた表面を有する請求項６０に記載の方法。
【請求項６５】
前記酸化物層を備えた前記表面上に、前記フッ化水素酸溶液が供給される請求項６４に記載の方法。
【請求項６６】
前記フッ化水素酸溶液は、１Å〜８Åの厚みまで前記酸化物層をエッチングする請求項６５に記載の方法。
【請求項６７】
前記洗浄液は、
ＮＨ４ＯＨ、
Ｈ２Ｏ２、
Ｈ２Ｏ、
キレート化剤、及び
界面活性剤
を含む請求項６０に記載の方法。
【請求項６８】
前記洗浄液は、３０秒未満の間、前記基板上に存在する請求項６０に記載の方法。
【請求項６９】
前記洗浄液は、前記ＨＦ溶液を中和するのに十分な時間、前記ＨＦ被覆基板上に供給される請求項６０に記載の方法。
【請求項７０】
前記ＨＦ溶液は、水と、フッ化水素酸とを含む請求項６０に記載の方法。
【請求項７１】
前記ＨＦ溶液は、水と、緩衝フッ化水素酸とを含む請求項６０に記載の方法。
【請求項７２】
前記基板は、シリコンウェーハである、請求項３９に記載の方法。
【請求項７３】
基板の処理方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに、第１の面と第２の面とを有する基板を配置するステップと、
前記洗浄ツールに前記基板を配置した後、２〜３秒間、前記基板の前記第１の面上にＨＦ溶液を供給して、前記基板のＨＦ被覆された第１の面を生じさせるステップと、
前記基板の前記第１の面上に前記ＨＦ溶液を供給するのと同時に、前記基板の前記第２の面上に、前記ＨＦ溶液と異なる溶液を供給するステップと、
前記基板の前記第１の面上に前記ＨＦ溶液を供給した後、前記基板の前記ＨＦ被覆された第１の面上に、
ＮＨ４ＯＨ、
Ｈ２Ｏ２、
Ｈ２Ｏ、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む洗浄液を供給するステップと
を含む基板の処理方法。
【請求項７４】
基板の処理方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに、親水性表面を有する第１の面と、第２の面とを有する基板を配置するステップと、
前記枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置した後、前記基板をスピンするステップと、
前記基板をスピンする間、前記基板の前記第１の面上に前記疎水性表面を残すことができる程度に短い時間、前記基板の前記第１の面上にＨＦ溶液を供給するステップと、
前記基板の前記第１の面上に前記ＨＦ溶液を供給するのと同時に、前記基板の前記第２の面上に前記ＨＦ溶液と異なる溶液を供給するステップと、
前記基板の前記第１の面上に前記ＨＦ溶液を供給した後、前記基板の前記第１の面上に洗浄液を供給するステップと
を含む基板の処理方法。
【請求項７５】
前記洗浄液は、
ＮＨ４ＯＨ、
Ｈ２Ｏ２、
Ｈ２Ｏ、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む請求項７４に記載の方法。
【請求項７６】
前記ＨＦ溶液は、前記基板上に５×１０１０原子／ｃｍ２未満の濃度のアルミニウムを残すことができる時間、前記基板上に供給される請求項７４に記載の方法。
【請求項７７】
基板の処理方法であって、
ＨＦ溶液で基板をエッチングするステップと、
前記基板をエッチングした後、
ＮＨ４ＯＨ、
Ｈ２Ｏ２、
Ｈ２Ｏ、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む溶液で前記基板を洗浄するステップと、
前記基板を洗浄した後、前記基板を乾燥するステップと、
を含み、前記処理を３分以内に行う基板の処理方法。
【請求項７８】
基板の処理方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置するステップと、
前記枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置した後、前記基板をスピンするステップと、
前記基板をスピンする間、前記基板上に、
ＮＨ４ＯＨ、
Ｈ２Ｏ２、
Ｈ２Ｏ、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む洗浄液を供給するステップと、
前記基板上に前記洗浄液を供給した後、第１のリンスで前記基板をリンスするステップと、
前記基板をリンスした後、２〜３秒間、前記基板上にフッ化水素酸溶液を供給するステップと、
前記基板を洗浄した後、第２のリンスで前記基板をリンスするステップと
を含む基板の処理方法。
【請求項７９】
前記第１のリンスと前記第２のリンスは、同じ溶液である請求項７８に記載の方法。
【請求項８０】
基板の処理方法であって、
ＮＨ４ＯＨ、
Ｈ２Ｏ２、
Ｈ２Ｏ、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む洗浄液で前記基板を洗浄するステップと、
前記基板を洗浄した後、第１のリンスで前記基板をリンスするステップと、
前記第１のリンスで前記基板をリンスした後、ＨＦ溶液で前記基板をエッチングするステップと、
前記基板をエッチングした後、第２のリンスで前記基板をリンスするステップと、
を含み、前記処理を３分以内に行う基板の処理方法。
【請求項８１】
前記第１のリンスと前記第２のリンスは、同じ溶液である請求項８０に記載の方法。
【請求項８２】
基板の処理方法であって、
第１の面と第２の面とを有する基板をＯ２アッシングし、前記Ｏ２アッシングを前記基板の前記第１の面に行うステップと、
前記基板の前記第１の面をＯ２アッシングした後、
ＮＨ４ＯＨ、
Ｈ２Ｏ２、
Ｈ２Ｏ、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む洗浄液で前記基板の前記第１の面を洗浄するステップと、
前記基板を洗浄した後、リンス溶液で前記基板をリンスするステップと
を含む基板の処理方法。
【請求項８３】
前記基板は、前記処理中にスピンされる請求項８２に記載の方法。
【請求項８４】
前記処理中、前記基板に超音波が適用される請求項８２に記載の方法。
【請求項８５】
前記基板の前記第１の面を洗浄する前に、前記基板の前記第１の面をリンスするステップをさらに含む請求項８２に記載の方法。
【請求項８６】
前記基板の前記第１の面を洗浄した後、前記基板の前記第１の面をリンスするステップをさらに含む請求項８２に記載の方法。
【請求項８７】
前記リンス溶液は、オゾン処理された水である請求項８２に記載の方法。
【請求項８８】
前記基板をリンスした後、２０００〜４０００ｒｐｍの速度で前記基板をスピンすることにより、前記基板を洗浄した後に前記基板を乾燥するステップをさらに含む請求項８２に記載の方法。
【請求項８９】
前記基板の前記第１の面を洗浄するのと同時に、前記洗浄液と異なる溶液で前記基板の前記第２の面を洗浄するステップをさらに含む請求項８２に記載の方法。
【請求項９０】
基板の処理方法であって、
ＮＨ４ＯＨ、
Ｈ２Ｏ２、
Ｈ２Ｏ、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む洗浄液で前記基板を洗浄するステップと、
前記基板を洗浄した後、前記基板をリンスするステップと、
前記基板をリンスした後、前記基板を乾燥するステップと、
前記洗浄、リンス及び乾燥を２分以内に行うステップと
を含む基板の処理方法。
【請求項９１】
基板の処理方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに基板を配置するステップと、
前記枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置した後、前記基板をスピンするステップと、
前記基板をスピンする間、前記基板上にＨＦ溶液を供給するステップと、
前記基板上に前記ＨＦ溶液を供給した後、前記基板上に、
ＮＨ４ＯＨ、
Ｈ２Ｏ２、
Ｈ２Ｏ、
キレート化剤、及び
界面活性剤を含む洗浄液を供給するステップと
を含む基板の洗浄方法。
【請求項９２】
洗浄液であって、
ＮＨ４ＯＨと、
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−ヒドロキシフェニル）エチレンジイミノ二酢酸（ＨＰＥＤ）と
を含む洗浄液。
【請求項９３】
基板の洗浄方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに前記基板を配置するステップと、
ＮＨ４ＯＨ、及び
Ｎ，Ｎ’−ビス（２−ヒドロキシフェニル）エチレンジイミノ二酢酸（ＨＰＥＤ）を含む洗浄液で前記基板を洗浄するステップと
を含む基板の洗浄方法。
【請求項９４】
洗浄液であって、
ＮＨ４ＯＨと、
トリエチレンテトラニトリロ六酢酸（ＴＴＨＡ）と
を含む洗浄液。
【請求項９５】
基板の洗浄方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに基板を配置するステップと、
ＮＨ４ＯＨ及びトリエチレンテトラニトリロ六酢酸（ＴＴＨＡ）を含む溶液で前記基板を洗浄するステップと
を含む基板の洗浄方法。
【請求項９６】
洗浄液であって、
ＮＨ４ＯＨと、
デスフェリフェリオキサミンＢと
を含む洗浄液。
【請求項９７】
基板の洗浄方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに基板を配置するステップと、
ＮＨ４ＯＨ及びデスフェリフェリオキサミンＢを含む溶液で前記基板を洗浄するステップと
を含む基板の洗浄方法。
【請求項９８】
前記リンス中、前記基板に超音波が適用される請求項９７に記載の方法。
【請求項９９】
前記基板の第１の面に前記リンス溶液が適用され、前記基板の第２の面に前記リンス溶液と異なる溶液が適用される請求項９７に記載の方法。
【請求項１００】
洗浄液であって、
ＮＨ４ＯＨと、
Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリス［２−（Ｎ−ヒドロキシカルボニル）エチル］−１，３，５−ベンゼントリカルボキサミド（ＢＡＭＴＨ）と
を含む洗浄液。
【請求項１０１】
基板の洗浄方法であって、
枚葉基板洗浄ツールに基板を配置するステップと、
ＮＨ４ＯＨ及びモリブデン酸を含む溶液で前記基板を洗浄するステップと
を含む基板の洗浄方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】枚葉プロセスにおける基板の洗浄方法及び洗浄液