【手続補正書】
【提出日】平成20年3月18日(2008.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１の複数の同一の半導体構造を形成するステップ
を含み、前記第１の複数の同一の半導体構造がそれぞれ、
（ｉ）第１の共通の境界面を介して互いに直接に接触した第１の領域および第２の領域を形成するステップと、
（ｉｉ）前記第１および第２の領域の上に成長材料を同時に付着させて、前記第１および第２の領域からそれぞれ第３および第４の領域を、前記第３の領域と前記第４の領域の間の第２の共通の境界面が前記第１の共通境界面から成長するように成長させるステップと、によって形成され、
前記第１の領域と前記第３の領域が同じ材料を含み、前記第１および第３の領域が単結晶原子配置を有し、
前記第１の領域が、前記第４の領域とは異なる原子配置を有し、
前記成長材料を付着させる前記ステップが第１の付着条件下で実行され、
さらに、
（ｂ）前記第１の複数の同一の半導体構造の第１の歩留りが標的歩留りの予め指定された範囲内にない場合に、第２の複数の同一の半導体構造を形成するステップであって、前記第２の複数の同一の半導体構造がそれぞれ、前記成長材料を付着させる前記ステップが第２の付着条件下で実行されることを除けば前記ステップ（ａ）（ｉ）および（ａ）（ｉｉ）と同様のステップを使用して形成されるステップ
を含む、半導体構造を形成するための方法。
【請求項２】
前記第２の複数の同一の半導体構造の第２の歩留りが前記標的歩留りの前記予め指定された範囲内にない場合に、第３の複数の同一の半導体構造を形成するステップをさらに含み、前記第３の複数の同一の半導体構造がそれぞれ、前記成長材料を付着させる前記ステップが第３の付着条件下で実行されることを除けば前記ステップ（ａ）（ｉ）および（ａ）（ｉｉ）と同様のステップを使用して形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１、第２および第３の付着条件がそれぞれ、第１（Ｔ１）、第２（Ｔ２）および第３（Ｔ３）の温度を含み、Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１、第２および第３の付着条件がそれぞれ、第１（Ｐ１）、第２（Ｐ２）および第３（Ｐ３）の圧力を含み、Ｐ１＞Ｐ２＞Ｐ３である、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記第１および第２の付着条件がそれぞれ、第１（Ｔ１）および第２（Ｔ２）の温度を含み、Ｔ１＜Ｔ２である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１および第２の付着条件がそれぞれ、第１（Ｐ１）および第２（Ｐ２）の圧力を含み、Ｐ１＞Ｐ２である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１および第２の付着条件がそれぞれ、第１（Ｆ１）および第２（Ｆ２）の前駆体流量を含み、Ｆ１＞Ｆ２である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１および第３の領域が単結晶シリコンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記成長材料がシリコンおよびゲルマニウムを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２の領域が誘電材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第４の領域がポリシリコン材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記成長材料を付着させる前記ステップの前に前記第２の領域の上にシード層を形成するステップをさらに含み、前記シード層が前記第４の領域と同じ材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記シード層を形成する前記ステップが、
前記第１と第２の両方の領域の上に前記シード層を付着させるステップと、
前記第１の領域の上の前記シード層の部分を除去するステップと
を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
（ａ）第１の複数の同一の半導体構造を形成するステップ
を含み、前記第１の複数の同一の半導体構造がそれぞれ、
（ｉ）第１の単結晶半導体領域ならびに第１および第２の浅いトレンチ分離領域を半導体基板上に形成するステップであって、前記第１の単結晶半導体領域が、前記第１の浅いトレンチ分離領域と前記第２の浅いトレンチ分離領域の間に挟まれたステップと、
（ｉｉ）（Ａ）前記第１の単結晶半導体領域の上に成長材料を付着させて、前記第１の単結晶半導体領域から第２の単結晶半導体領域を成長させ、同時に（Ｂ）前記第１および第２の浅いトレンチ分離領域の上に前記成長材料を付着させて、前記第１および第２の浅いトレンチ分離領域からそれぞれ第１および第２のポリシリコン領域を成長させるステップと、によって形成され、
前記第２の単結晶半導体領域と前記第１のポリシリコン領域が互いに直接に接触し、
前記第２の単結晶半導体領域と前記第２のポリシリコン領域が互いに直接に接触し、
前記成長材料を付着させる前記ステップが第１の付着条件下で実行され、
さらに、
（ｂ）前記第１の複数の同一の半導体構造の第１の歩留りが標的歩留りの予め指定された範囲内にない場合に、第２の複数の同一の半導体構造を形成するステップであって、前記第２の複数の同一の半導体構造がそれぞれ、前記成長材料を付着させる前記ステップが第２の付着条件下で実行されることを除けば前記ステップ（ａ）（ｉ）および（ａ）（ｉｉ）と同様のステップを使用して形成されるステップ
を含む、半導体構造を形成するための方法。
【請求項１５】
（ａ）第１の複数の同一の半導体構造を形成するステップ
を含み、前記第１の複数の同一の半導体構造がそれぞれ、
（ｉ）シリコン基板を用意するステップと、
（ｉｉ）前記基板上に単結晶シリコン層を形成するステップと、
（ｉｉｉ）前記単結晶シリコン領域内に第１および第２の浅いトレンチ分離領域を形成するステップであって、前記第１および第２の浅いトレンチ分離領域が、前記第１の浅いトレンチ分離領域と前記第２の浅いトレンチ分離領域の間に挟まれた第１の単結晶シリコン領域を画定するステップと、
（ｉｖ）前記第１および第２の浅いトレンチ分離領域の上に、ポリシリコンのシード層を成長させるステップと、
（ｖ）（Ａ）前記第１の単結晶シリコン領域の上にシリコンおよびゲルマニウムを付着させて第２の単結晶シリコン領域を成長させ、同時に（Ｂ）前記第１および第２の浅いトレンチ分離領域の上にシリコンおよびゲルマニウムを付着させて、それぞれ第１および第２のポリシリコン領域を成長させるステップと、によって形成され、
前記第２の単結晶シリコン領域と前記第１のポリシリコン領域が互いに直接に接触し、
前記第２の単結晶シリコン領域と前記第２のポリシリコン領域が互いに直接に接触し、
シリコンおよびゲルマニウムを付着させる前記ステップが第１の付着条件下で実行され、
さらに、
（ｂ）前記第１の複数の同一の半導体構造の第１の歩留りが標的歩留りの予め指定された範囲内にない場合に、第２の複数の同一の半導体構造を形成するステップであって、前記第２の複数の同一の半導体構造がそれぞれ、前記成長材料を付着させる前記ステップが第２の付着条件下で実行されることを除けば前記ステップ（ａ）（ｉ）および（ａ）（ｉｉ）と同様のステップを使用して形成されるステップ
を含む、半導体構造を形成するための方法。
【請求項１６】
半導体構造設計の製造条件を決定するための方法であって、
（ａ）前記半導体構造設計の歩留りと、付着温度と、前駆体流量との間の関係を得るステップを含み、前記半導体構造設計が、
（ｉ）第１の共通の境界面を介して互いに直接に接触した第１の領域および第２の領域と、
（ｉｉ）それぞれ前記第１および第２の領域の上にあって、前記第１および第２の領域の上に成長材料を同時に付着させるステップによって成長させた第３および第４の領域であって、第３の領域と第４の領域の間の第２の共通の境界面が前記第１の共通境界面から成長するように成長させた第３および第４の領域とを含み、
前記第１の領域と前記第３の領域が同じ材料を含み、前記第１および第３の領域が単結晶原子配置を有し、
前記第１の領域が、前記第４の領域とは異なる原子配置を有し、
前記成長材料を付着させる前記ステップが、ある付着温度およびある前駆体流量の下で実行され、
さらに、
（ｂ）前記半導体構造設計の標的歩留りを選択するステップと、
（ｃ）それらの下で前記成長材料を付着させる前記ステップが、前記半導体構造設計に基づき前記標的歩留りを有する複数の同一の半導体構造を形成すると思われる所望の付着温度および所望の前駆体流量を決定するステップであって、前記所望の付着温度および前記所望の前駆体流量が前記関係に基づいて決定されるステップと
を含む方法。
【請求項１７】
前記標的歩留りが最大歩留りである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記半導体構造設計の前記歩留りと、前記付着温度と、前記前駆体流量との間の前記関係を得る前記ステップが、
前記半導体構造設計に基づくＮ組の複数の同一の半導体構造を形成するステップであって、前記Ｎ組の複数の同一の半導体構造のそれぞれの組に対して、前記成長材料を付着させる前記ステップが、ある付着温度およびある前駆体流量の下で実行され、そのため前記Ｎ組の複数の同一の半導体構造に関連したＮ個の付着温度およびＮ個の前駆体流量があり、Ｎが正の整数であるステップと、
前記Ｎ組の複数の同一の半導体構造のＮ個の歩留りを決定するステップと、
前記半導体構造設計の前記歩留りと、前記付着温度と、前記前駆体流量との間の前記関係を、前記Ｎ個の歩留り、前記Ｎ個の付着温度および前記Ｎ個の前駆体流量に基づいて得るステップと
を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記所望の付着温度および前記所望の前駆体流量を決定する前記ステップが、
前記所望の付着温度として標的付着温度を選択するステップと、
前記所望の前駆体流量を、前記標的歩留り、前記標的付着温度および前記関係に基づいて決定するステップと
を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記所望の付着温度および前記所望の前駆体流量を決定する前記ステップが、
前記所望の前駆体流量として標的前駆体流量を選択するステップと、
前記所望の付着温度を、前記標的歩留り、前記標的前駆体流量および前記関係に基づいて決定するステップと
を含む、請求項１６に記載の方法。