【手続補正書】
【提出日】平成20年3月24日(2008.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  酸化ニオブ粉末と少なくとも１種のバインダー又は滑剤の混合物を圧縮して圧縮アノードを作る工程を含むアノードの製造方法であって、前記酸化ニオブのニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満である、アノードの製造方法。
【請求項２】  前記酸化ニオブが、ＮｂＯ、ＮｂＯ０．７、ＮｂＯ１．１又はそれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記バインダー又は滑剤を除去する工程、及び減圧又は不活性雰囲気において前記アノードの焼結を行う工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  酸化ニオブ粉末及び少なくとも１種のバインダー又は滑剤を含む圧縮されたアノードであって、前記酸化ニオブ粉末のニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満である、圧縮アノード。
【請求項５】  前記酸化ニオブが、ＮｂＯ、ＮｂＯ０．７、ＮｂＯ１．１又はそれらの組み合わせを含む、請求項４に記載の圧縮アノード。
【請求項６】  前記バインダー又は滑剤の除去の後であって、焼結の後で、前記アノードの炭素残留物量が少ない、請求項４に記載の圧縮アノード。
【請求項７】  ニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満である酸化ニオブを含み、約６Ｖ又はそれよりも大きい製造電圧で作られ、且つＤＣ漏れが１５ｎＡ／ＣＶ未満であるキャパシターアノードであって、ここで前記ＤＣ漏れが、１０分間にわたる１，５００℃での焼結及び６０℃の製造温度で製造されたアノードで測定される、キャパシターアノード。
【請求項８】  前記酸化ニオブが、ＮｂＯ、酸素が減少したＮｂＯ、ＮｂＯを伴う金属ニオブ、又はそれらの組み合わせである、請求項７に記載のキャパシターアノード。
【請求項９】  ニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満の酸化ニオブを含むキャパシターアノードの製造方法であって、
前記酸化ニオブをアノードの形状にし、約１分間〜約３０分間にわたって約１，２００℃〜約１，６００℃の温度で焼結すること、
約８５℃の製造温度において、約１６〜約７５Ｖで陽極処理すること、
約１０分間〜約６０分間にわたって、約３００℃〜約３５０℃の温度で、前記アノードをアニール処理すること、及び
約２２０℃〜２８０℃の温度で、前記アノードをマンガン処理すること、
を含む、キャパシターアノードの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
本発明の他の態様は、本明細書及びここで示された本発明の実施を考慮することによって当業者に明確である。本明細書の説明及び例は単なる例示であり、本発明の実際の範囲及び本質は特許請求の範囲に記載する。
本発明の態様としては下記の態様を挙げることができる：
（１）酸化ニオブ粉末と少なくとも１種のバインダー又は滑剤の混合物を圧縮して圧縮アノードを作る工程を含むアノードの製造方法であって、前記酸化ニオブのニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満である、アノードの製造方法。
（２）前記酸化ニオブがＮｂＯである、第（１）項に記載の方法。
（３）前記酸化ニオブがＮｂＯ、ＮｂＯ０．７、ＮｂＯ１．１又はそれらの組み合わせである、第（１）項に記載の方法。
（４）前記バインダー又は滑剤を除去する工程を更に含む、第（１）項に記載の方法。
（５）前記バインダー又は滑剤の除去を、前記バインダー又は滑剤の熱分解によって行う、第（４）項に記載の方法。
（６）前記バインダー又は滑剤の除去を、前記バインダー又は滑剤を除去できる少なくとも１種の溶媒中で反復的に洗浄することによって行う、第（４）項に記載の方法。
（７）減圧又は不活性雰囲気において前記アノードの焼結を行うことを更に含む、第（４）項に記載の方法。
（８）前記バインダー又は滑剤が有機バインダー又は滑剤を含む、第（１）項に記載の方法。
（９）前記バインダー又は滑剤が、ポリ（プロピレンカーボネート）、アルキド樹脂溶液、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール、ステアリン酸、又はそれらの組み合わせを含む、第（１）項に記載の方法。
（１０）酸化ニオブ粉末及び少なくとも１種のバインダー又は滑剤を含む圧縮されたアノードであって、前記酸化ニオブ粉末のニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満である、圧縮アノード。
（１１）前記酸化ニオブがＮｂＯである、第（１０）項に記載の圧縮アノード。
（１２）前記酸化ニオブがＮｂＯ、ＮｂＯ０．７、ＮｂＯ１．１又はそれらの組み合わせである、第（１０）項に記載の圧縮アノード。
（１３）前記バインダー又は滑剤が有機バインダー又は滑剤を含む、第（１０）項に記載の圧縮アノード。
（１４）前記バインダー又は滑剤が、ポリ（プロピレンカーボネート）、アルキド樹脂溶液、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール、ステアリン酸、又はそれらの組み合わせを含む、第（１０）項に記載の圧縮アノード。
（１５）前記バインダー又は滑剤の除去の後であって、焼結の後で、前記アノードの炭素残留物量が少ない、第（１０）項に記載の圧縮アノード。
（１６）ニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満である酸化ニオブを含み、且つ約６Ｖ又はそれよりも大きい製造電圧で作られた、キャパシターアノード。
（１７）約６〜約１３０Ｖの製造電圧で作られる、第（１６）項に記載のキャパシターアノード。
（１８）約７５〜約１３０Ｖの製造電圧で作られる、第（１６）項に記載のキャパシターアノード。
（１９）約７５〜約１００Ｖの製造電圧で作られる、第（１６）項に記載のキャパシターアノード。
（２０）１０分間にわたる１，３００℃の焼結温度及び６０℃の製造温度で測定されるＤＣ漏れが１５ｎＡ／ＣＶ未満である、第（１６）項に記載のキャパシターアノード。
（２１）前記ＤＣ漏れが約１２ｎＡ／ＣＶ未満である、第（２０）項に記載のキャパシターアノード。
（２２）前記ＤＣ漏れが約１５ｎＡ／ＣＶ未満である、第（１８）項に記載のキャパシターアノード。
（２３）ニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満であり、且つ窒素含有量が約３１，０００ｐｐｍＮ２〜約１３０，０００ｐｐｍＮ２である、酸化ニオブ。
（２４）前記原子比が１：２．０未満である、第（２３）項に記載の酸化ニオブ。
（２５）前記原子比が１：１．５未満である、第（２３）項に記載の酸化ニオブ。
（２６）前記原子比が１：１．１である、第（２３）項に記載の酸化ニオブ。
（２７）前記原子比が１：０．７である、第（２３）項に記載の酸化ニオブ。
（２８）前記原子比が１：０．５である、第（２３）項に記載の酸化ニオブ。
（２９）多孔質構造体である、第（２３）項に記載の酸化ニオブ。
（３０）約０．１〜約１０μｍの気孔を有する多孔質構造体である、第（２３）項に記載の酸化ニオブ。
（３１）ＮｂＯ、ＮｂＯ０．７、ＮｂＯ１．１又はそれらの組み合わせを含む、第（２３）項に記載の酸化ニオブ。
（３２）約３００，０００ＣＶ／ｇまでのキャパシタンスを有する電解キャパシターのアノードにされている、第（２３）項に記載の酸化ニオブ。
（３３）前記窒素の量が約３１，０００ｐｐｍＮ２〜約８０，０００ｐｐｍＮ２である、第（２３）項に記載の酸化ニオブ。
（３４）前記窒素の量が約５０，０００ｐｐｍＮ２〜約７０，０００ｐｐｍＮ２である、第（２３）項に記載の酸化ニオブ。
（３５）キャパシタンスが約１，０００〜約３００，０００ＣＶ／ｇの電解キャパシターのアノードにされている、第（２３）項に記載の酸化ニオブ。
（３６）前記キャパシタンスが約６０，０００〜約２００，０００ＣＶ／ｇである、第（３５）項に記載の酸化ニオブ。
（３７）前記アノードのＤＣ漏れが約０．５〜約５ｎＡ／ＣＶである、第（２３）項に記載の酸化ニオブ。
（３８）ノジュラー粉末、フレーク、角張ったもの、又はそれらの組み合わせを含む、第（２３）項に記載の酸化ニオブ。
（３９）第（２３）項に記載の酸化ニオブを含むキャパシター。
（４０）第（３４）項に記載の酸化ニオブを含むキャパシター。
（４１）約１，２００℃〜約１，７５０℃の温度で焼結される、第（３５）項に記載の酸化ニオブ。
（４２）約１，２００℃〜約１，４５０℃の温度で焼結される、第（４１）項に記載の酸化ニオブ。
（４３）キャパシタンスが約１，０００ＣＶ／ｇ〜約３００，０００ＣＶ／ｇである、第（３９）項に記載のキャパシター。
（４４）キャパシタンスが約６０，０００ＣＶ／ｇ〜約２００，０００ＣＶ／ｇである、第（３９）項に記載のキャパシター。
（４５）ＤＣ漏れが約０．５〜約５ｎＡ／ＣＶである、第（４３）項に記載のキャパシター。
（４６）ＤＣ漏れが約０．５〜約５ｎＡ／ＣＶである、第（４４）項に記載のキャパシター。
（４７）ニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満である酸化ニオブを含み、約６Ｖ又はそれよりも大きい製造電圧で作られ、且つＤＣ漏れが１５ｎＡ／ＣＶ未満であるキャパシターアノードであって、ここで前記ＤＣ漏れが、１０分間にわたる１，５００℃での焼結及び６０℃の製造温度で製造されたアノードで測定される、キャパシターアノード。
（４８）前記ＤＣ漏れが約１２ｎＡ／ＣＶである、第（４７）項に記載のキャパシターアノード。
（４９）前記ＤＣ漏れが約６ｎＡ／ＣＶである、第（４７）項に記載のキャパシターアノード。
（５０）前記ＤＣ漏れが約２ｎＡ／ＣＶである、第（４７）項に記載のキャパシターアノード。
（５１）酸化ニオブがＮｂＯである、第（４７）項に記載のキャパシターアノード。
（５２）前記酸化ニオブがＮｂＯ、酸素が減少したＮｂＯ、ＮｂＯを伴う金属ニオブ、又はそれらの組み合わせである、第（４７）項に記載のキャパシターアノード。
（５３）ニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満である酸化ニオブを含み、且つ約６Ｖ又はそれよりも大きい製造電圧で作られるキャパシターアノードであって、１０分間にわたる約１，２００℃〜約１，６００℃の焼結温度及び８５℃の製造温度で、キャパシタンスが４０，０００ＣＶ／ｇ又はそれよりも大きい、キャパシターアノード。
（５４）前記キャパシタンスが約４０，０００〜約６０，０００ＣＶ／ｇである、第（５３）項に記載のキャパシター。
（５５）前記酸化ニオブがＮｂＯである、第（５３）項に記載のキャパシター。
（５６）前記酸化ニオブがＮｂＯ、酸素が減少したＮｂＯ、ＮｂＯを伴う金属ニオブ、又はそれらの組み合わせである、第（５３）項に記載のキャパシターアノード。
（５７）ニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満の酸化ニオブを含むキャパシターアノードであって、約６Ｖ又はそれよりも大きい製造電圧で作られており、且つ１０分間にわたる約１，３００℃の焼結温度及び８５℃の製造温度で測定したときに、キャパシタンスが２０，０００ＣＶ／ｇ又はそれよりも大きい、キャパシターアノード。
（５８）前記キャパシタンスが約２０，０００〜約６０，０００ＣＶ／ｇである、第（５７）項に記載のキャパシター。
（５９）製造電圧が約２０〜約８０Ｖである、第（５７）項に記載のキャパシターアノード。
（６０）前記酸化ニオブがＮｂＯである、第（５７）項に記載のキャパシターアノード。
（６１）前記酸化ニオブがＮｂＯ、酸素が減少したＮｂＯ、ＮｂＯを伴う金属ニオブ、又はそれらの組み合わせである、第（５７）項に記載のキャパシターアノード。
（６２）ニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満の酸化ニオブを含むキャパシターアノードであって、前記キャパシターアノードを作る粉末の燃焼速度が５ｍｍ／ｓ未満である、キャパシターアノード。
（６３）前記燃焼速度が２ｍｍ／ｓ又はそれ未満である、第（６２）項に記載のキャパシター。
（６４）前記燃焼速度が約１ｍｍ／ｓ〜約５ｍｍ／ｓである、第（６２）項に記載のキャパシター。
（６５）ニオブ対酸素の原子比が１：２．５未満の酸化ニオブを含むキャパシターアノードであって、最小点火エネルギーが１００ｍＪ又はそれよりも大きい、キャパシターアノード。
（６６）前記最小点火エネルギーが５００ｍＪ又はそれよりも大きい、第（６５）項に記載のキャパシターアノード。
（６７）前記最小点火エネルギーが１０Ｊ未満である、第（６５）項に記載のキャパシターアノード。
（６８）前記酸化ニオブがＮｂＯである、第（６５）項に記載のキャパシターアノード。
（６９）前記酸化ニオブがＮｂＯ、酸素が減少したＮｂＯ、ＮｂＯを伴う金属ニオブ、又はそれらの組み合わせである、第（６５）項に記載のキャパシターアノード。
（７０）ニオブ対酸素の原子比が１：２．５未満の酸化ニオブを含むキャパシターアノードの製造方法であって、
前記酸化ニオブをアノードの形状にし、約１分間〜約３０分間にわたって約１，２００℃〜約１，６００℃の温度で焼結すること、
約８５℃の製造温度において、約１６〜約７５Ｖで陽極処理すること、
約１０分間〜約６０分間にわたって、約３００℃〜約３５０℃の温度で、前記アノードをアニール処理すること、及び
約２２０℃〜２８０℃の温度で、前記アノードをマンガン化すること、
を含む、キャパシターアノードの製造方法。
（７１）初期酸化ニオブ及びゲッター材料が酸素が減少した酸化ニオブを作るのに十分な時間にわたって十分な温度で、酸素原子を前記初期酸化ニオブから前記ゲッター材料に移動させることができる雰囲気において、前記ゲッター材料の存在下で、前記初期酸化ニオブを熱処理することを含む、酸化ニオブを少なくとも部分的に還元する方法。
（７２）前記ゲッター材料がニオブ粉末である、第（７１）項に記載の方法。
（７３）酸化が減少した前記ニオブがＮｂＯである、第（７１）項に記載の方法。
（７４）前記酸化が減少したニオブがＮｂＯ、酸素が減少したＮｂＯ、ＮｂＯを伴う金属ニオブ、又はそれらの組み合わせである、第（７１）項に記載の方法。
（７５）前記雰囲気が水素含有雰囲気である、第（７１）項に記載の方法。
（７６）前記雰囲気が水素である、第（７１）項に記載の方法。
（７７）前記熱処理を、約８００℃〜約１，９００℃の温度で、約５分間〜約１００分間にわたって行う、第（７１）項に記載の方法。