【手続補正書】
【提出日】令和1年10月29日(2019.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
１つまたは複数の抵抗器の第１のセットを通して第１の温度補償電流を生成することと、ここにおいて、第１の電圧は、前記第１の温度補償電流に基づいて１つまたは複数の抵抗器の前記第１のセットの両端に生成される、
１つまたは複数の抵抗器の第２のセットの両端に第２の電圧を生成することと、ここにおいて、前記第２の電圧は、前記第１の電圧に基づき、および、ここにおいて、第２の温度補償電流は、前記第２の電圧に基づいて抵抗器の前記第２のセットを通して生成される、および、
１つまたは複数の抵抗器の第３のセットを通して前記第２の温度補償電流を適用することと、ここにおいて、温度補償基準電圧は、前記第２の温度補償電流に基づいて１つまたは複数の抵抗器の前記第３のセットの両端に生成される、
を備える、方法。
【請求項２】
前記第１の温度補償電流を生成することは、
絶対温度に相補的である（ＣＴＡＴ）電流を生成することと、
絶対温度に比例する（ＰＴＡＴ）電流を生成することと、および、
前記第１の温度補償電流を生成するために前記ＣＴＡＴ電流と前記ＰＴＡＴ電流を組み合わせることと
を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＣＴＡＴ電流を生成することは、
第１のＣＴＡＴ電圧を生成することと、および、
前記ＣＴＡＴ電流を生成するために１つまたは複数の抵抗器の第４のセットの両端に前記第１のＣＴＡＴ電圧を印加することと
を備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のＣＴＡＴ電圧を前記生成することは、ダイオードまたはダイオード接続トランジスタにバイアスをかけること(biasing)を備える、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ＰＴＡＴ電流を生成することは、
第２のＣＴＡＴ電圧を生成することと、
前記第１のＣＴＡＴ電圧に基づいて第３の電圧を生成することと、および、
前記ＰＴＡＴ電流を生成するために１つまたは複数の抵抗器の第５のセットの両端に第４の電圧を印加することと、ここにおいて、前記第４の電圧は、前記第３の電圧と前記第２のＣＴＡＴ電圧との差に基づく、
を備え、および
前記第１のＣＴＡＴ電圧に基づくように前記第３の電圧を構成するための制御信号を生成することと、
前記制御信号に基づいてバイアス電圧を形成することと、ここにおいて、前記第１の電圧は、前記バイアス電圧と前記第３の電圧との差に基づく、
抵抗器の第６のセットの両端に第４の電圧を印加することと、ここにおいて、前記第４の電圧は、前記バイアス電圧と前記第１のＣＴＡＴ電圧との差に基づく、および、
抵抗器の第７のセットの両端に第５の電圧を印加することと、ここにおいて、前記第５の電圧は、前記第３の電圧と供給レール電圧との差に基づく、
をさらに備え、および
ここにおいて、前記第２の電圧を生成することは、
前記第３の電圧に基づいて第６の電圧を生成することを備え、ここにおいて、前記第２の電圧は、前記バイアス電圧と前記第６の電圧との差に基づく、
請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の電圧を生成することは、
抵抗器の前記第１および第２のセットの両方のそれぞれの第１の端部に印加されるバイアス電圧を生成することと、および、
抵抗器の前記第１のセットの第２の端部における第４の電圧に基づいて、抵抗器の前記第２のセットの第２の端部における第３の電圧を生成することと
を備え、ここにおいて、前記第２の電圧は、前記バイアス電圧と前記第３の電圧との差に基づく、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
装置であって、
１つまたは複数の抵抗器の第１のセットを通して第１の温度補償電流を生成するための手段と、ここにおいて、第１の電圧は、前記第１の温度補償電流に基づいて１つまたは複数の抵抗器の前記第１のセットの両端に生成される、
１つまたは複数の抵抗器の第２のセットの両端に第２の電圧を生成するための手段と、ここにおいて、前記第２の電圧は、前記第１の電圧に基づき、および、ここにおいて、第２の温度補償電流は、前記第２の電圧に基づいて抵抗器の前記第２のセットを通して生成される、および、
１つまたは複数の抵抗器の第３のセットを通して前記第２の温度補償電流を適用するための手段と、ここにおいて、温度補償基準電圧は、前記第２の温度補償電流に基づいて１つまたは複数の抵抗器の前記第３のセットの両端に生成される、
を備える、装置。
【請求項８】
前記第１の温度補償電流を生成することは、
絶対温度に相補的である（ＣＴＡＴ）電流を生成するための手段と、
絶対温度に比例する（ＰＴＡＴ）電流を生成するための手段と、および、
前記第１の温度補償電流を生成するために前記ＣＴＡＴ電流と前記ＰＴＡＴ電流を組み合わせるための手段と
を備える、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記ＣＴＡＴ電流を生成するための前記手段は、
第１のＣＴＡＴ電圧を生成するための手段と、および、
前記ＣＴＡＴ電流を生成するために１つまたは複数の抵抗器の第４のセットの両端に前記第１のＣＴＡＴ電圧を印加するための手段と
を備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１のＣＴＡＴ電圧を生成するための前記手段は、ダイオードまたはダイオード接続トランジスタにバイアスをかけるための手段を備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記ＰＴＡＴ電流を生成するための前記手段は、
第２のＣＴＡＴ電圧を生成するための手段と、
前記第１のＣＴＡＴ電圧に基づいて第３の電圧を生成するための手段と、および、
前記ＰＴＡＴ電流を生成するために１つまたは複数の抵抗器の第５のセットの両端に第４の電圧を印加するための手段と
を備え、ここにおいて、前記第４の電圧は、前記第３の電圧と前記第２のＣＴＡＴ電圧との差に基づく、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記第２のＣＴＡＴ電圧を生成するための前記手段は、並列に結合された複数のダイオードまたは並列に結合された複数のダイオード接続トランジスタにバイアスをかけるための手段を備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１のＣＴＡＴ電圧に基づくように前記第３の電圧を構成するための制御信号を生成するための手段をさらに備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記制御信号に基づいてバイアス電圧を形成するための手段と、ここにおいて、前記第１の電圧は、前記バイアス電圧と前記第３の電圧との差に基づく、
抵抗器の第６のセットの両端に第４の電圧を印加するための手段と、ここにおいて、前記第４の電圧は、前記バイアス電圧と前記第１のＣＴＡＴ電圧との差に基づく、および、  抵抗器の第７のセットの両端に第５の電圧を印加するための手段と、ここにおいて、前記第５の電圧は、前記第３の電圧と供給レール電圧との差に基づく、
をさらに備え、および
ここにおいて、前記第２の電圧を生成するための前記手段は、
前記第３の電圧に基づいて第６の電圧を生成するための手段を備え、ここにおいて、前記第２の電圧は、前記バイアス電圧と前記第６の電圧との差に基づく、
請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記第２の電圧を生成するための前記手段は、
抵抗器の前記第１および第２のセットの両方のそれぞれの第１の端部に印加されるバイアス電圧を生成するための手段と、および、
抵抗器の前記第１のセットの第２の端部における第４の電圧に基づいて抵抗器の前記第２のセットの第２の端部における第３の電圧を生成するための手段と
を備え、ここにおいて、前記第２の電圧は、前記バイアス電圧と前記第３の電圧との差に基づく、
を備える、請求項７に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
[0043]  本開示の先の説明は、いかなる当業者も本開示を遂行または使用することができるように提供したものである。本開示への様々な修正は、当業者には容易に明らかとなり、本明細書で定義した一般原理は、本開示の範囲または趣旨から逸脱することなく、他の変形形態に適用され得る。したがって、本開示は、本明細書に説明された例に限定されるようには意図されず、本明細書に開示された原理および新規な特徴と一致する最も広い範囲を与えられることとなる。
以下に本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］  装置であって、
１つまたは複数の抵抗器の第１のセットと、
１つまたは複数の抵抗器の第２のセットと、
１つまたは複数の抵抗器の前記第１のセットを通して第１の温度補償電流を生成するように構成された電流ジェネレータと、ここにおいて、第１の電圧は、前記第１の温度補償電流に基づいて１つまたは複数の抵抗器の前記第１のセットの両端に生成される、
１つまたは複数の抵抗器の前記第２のセットの両端に第２の電圧を生成するように構成された第１の制御回路と、ここにおいて、前記第２の電圧は、前記第１の電圧に基づき、および、ここにおいて、第２の温度補償電流は、前記第２の電圧に基づいて抵抗器の前記第２のセットを通して生成される、および、
前記第２の温度補償電流が流れる１つまたは複数の抵抗器の第３のセットと、ここにおいて、温度補償基準電圧は、前記第２の温度補償電流に基づいて１つまたは複数の抵抗器の前記第３のセットの両端に生成される、
を備える、装置。
［Ｃ２］  前記電流ジェネレータは、
絶対温度に相補的である（ＣＴＡＴ）電流を生成するように構成されたＣＴＡＴ電流ジェネレータと、および、
絶対温度に比例する（ＰＴＡＴ）電流を生成するように構成されたＰＴＡＴ電流ジェネレータとを備え、ここにおいて、前記第１の温度補償電流は、前記ＣＴＡＴ電流および前記ＰＴＡＴ電流の組み合わせを備える、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ３］  前記ＣＴＡＴ電流ジェネレータは、
第１のＣＴＡＴ電圧を生成するように構成された第１のデバイスと、
１つまたは複数の抵抗器の第４のセットとを備え、ここにおいて、前記第１のＣＴＡＴ電圧は、前記ＣＴＡＴ電流を生成するために１つまたは複数の抵抗器の前記第４のセットの両端に印加される、Ｃ２に記載の装置。
［Ｃ４］  前記第１のデバイスは、ダイオードまたはダイオード接続トランジスタを備える、Ｃ３に記載の装置。
［Ｃ５］  前記ＰＴＡＴ電流ジェネレータは、
第２のＣＴＡＴ電圧を生成するように構成された第２のデバイスと、および、
第３の電圧と前記第２のＣＴＡＴ電圧との差に基づいてＰＴＡＴ電圧をそれにわたって受け取るように構成された１つまたは複数の抵抗器の第５のセットとを備え、ここにおいて、前記第３の電圧は、前記第１のＣＴＡＴ電圧に基づく、Ｃ３に記載の装置。
［Ｃ６］  前記第２のデバイスは、並列に結合された複数のダイオードまたは並列に結合された複数のダイオード接続トランジスタを備える、Ｃ５に記載の装置。
［Ｃ７］  前記電流ジェネレータは、前記第１のＣＴＡＴ電圧に基づいて前記第３の電圧を生成するように構成された第２の制御回路をさらに備える、Ｃ５に記載の装置。
［Ｃ８］  前記第２の制御回路は、
前記第１のＣＴＡＴ電圧を受け取るように構成された第１の入力と、
前記第３の電圧を受け取るように構成された第２の入力と、
前記第１のＣＴＡＴ電圧および前記第３の電圧に基づいて制御信号を生成するように構成された出力と
を備える、第１の演算増幅器と、
前記制御信号を受け取るように構成された制御端子を含む第１のトランジスタと、ここにおいて、前記第１のトランジスタは、第１の電圧レールと第１のノードとの間に結合される、および、
前記第１の演算増幅器の前記第１の入力と前記第１のノードとの間に結合された１つまたは複数の抵抗器の第６のセットとを備え、
ここにおいて、１つまたは複数の抵抗器の前記第１のセットは、前記第１の演算増幅器の前記第２の入力と前記第１のノードとの間に結合され、
ここにおいて、１つまたは複数の抵抗器の第７のセットは、前記第１の演算増幅器の前記第２の入力と第２の電圧レールとの間に結合される、Ｃ７に記載の装置。
［Ｃ９］  前記第１の制御回路は、
抵抗器の前記第２のセットと抵抗器の前記第３のセットとの間に結合された第２のトランジスタと、および、
前記第１の演算増幅器の前記第２の入力に結合された第１の入力と、抵抗器の前記第２のセットと前記第２のトランジスタとの間の第２のノードに結合された第２の入力と、前記第２のトランジスタの制御端子に結合された出力とを含む第２の演算増幅器と
を備える、Ｃ８に記載の装置。
［Ｃ１０］  前記第１の制御回路は、
抵抗器の前記第２のセットと抵抗器の前記第３のセットとの間に結合されたトランジスタと、および、
抵抗器の前記第１のセットに結合された第１の入力と、抵抗器の前記第２のセットと前記トランジスタとの間の第２のノードに結合された第２の入力と、および、前記トランジスタの制御端子に結合された出力とを含む演算増幅器と
を備える、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ１１］  方法であって、
１つまたは複数の抵抗器の第１のセットを通して第１の温度補償電流を生成することと、ここにおいて、第１の電圧は、前記第１の温度補償電流に基づいて１つまたは複数の抵抗器の前記第１のセットの両端に生成される、
１つまたは複数の抵抗器の第２のセットの両端に第２の電圧を生成することと、ここにおいて、前記第２の電圧は、前記第１の電圧に基づき、および、ここにおいて、第２の温度補償電流は、前記第２の電圧に基づいて抵抗器の前記第２のセットを通して生成される、および、
１つまたは複数の抵抗器の第３のセットを通して前記第２の温度補償電流を適用することと、ここにおいて、温度補償基準電圧は、前記第２の温度補償電流に基づいて１つまたは複数の抵抗器の前記第３のセットの両端に生成される、
を備える、方法。
［Ｃ１２］  前記第１の温度補償電流を生成することは、
絶対温度に相補的である（ＣＴＡＴ）電流を生成することと、
絶対温度に比例する（ＰＴＡＴ）電流を生成することと、および、
前記第１の温度補償電流を生成するために前記ＣＴＡＴ電流と前記ＰＴＡＴ電流を組み合わせることと
を備える、Ｃ１１に記載の方法。
［Ｃ１３］  前記ＣＴＡＴ電流を生成することは、
第１のＣＴＡＴ電圧を生成することと、および、
前記ＣＴＡＴ電流を生成するために１つまたは複数の抵抗器の第４のセットの両端に前記第１のＣＴＡＴ電圧を印加することと
を備える、Ｃ１２に記載の方法。
［Ｃ１４］  前記第１のＣＴＡＴ電圧を前記生成することは、ダイオードまたはダイオード接続トランジスタにバイアスをかけること(biasing)を備える、Ｃ１３に記載の方法。
［Ｃ１５］  前記ＰＴＡＴ電流を生成することは、
第２のＣＴＡＴ電圧を生成することと、
前記第１のＣＴＡＴ電圧に基づいて第３の電圧を生成することと、および、
前記ＰＴＡＴを生成するために１つまたは複数の抵抗器の第５のセットの両端に第４の電圧を印加することとを備え、ここにおいて、前記第４の電圧は、前記第３の電圧と前記第２のＣＴＡＴ電圧との差に基づく、Ｃ１３に記載の方法。
［Ｃ１６］  前記第２のＣＴＡＴ電圧を生成することは、並列に結合された複数のダイオードまたは並列に結合された複数のダイオード接続トランジスタにバイアスをかけることを備える、Ｃ１５に記載の方法。
［Ｃ１７］  前記第１のＣＴＡＴ電圧に基づくように前記第３の電圧を構成するための制御信号を生成することをさらに備える、Ｃ１５に記載の方法。
［Ｃ１８］  前記制御信号に基づいてバイアス電圧を形成することと、ここにおいて、前記第１の電圧は、前記バイアス電圧と前記第３の電圧との差に基づく、
抵抗器の第６のセットの両端に第４の電圧を印加することと、ここにおいて、前記第４の電圧は、前記バイアス電圧と前記第１のＣＴＡＴ電圧との差に基づく、および、
抵抗器の第７のセットの両端に第５の電圧を印加することと、ここにおいて、前記第５の電圧は、前記第３の電圧と供給レール電圧との差に基づく、
をさらに備える、Ｃ１７に記載の方法。
［Ｃ１９］  前記第２の電圧を生成することは、
前記第３の電圧に基づいて第６の電圧を生成することを備え、ここにおいて、前記第２の電圧は、前記バイアス電圧と前記第６の電圧との差に基づく、Ｃ１８に記載の方法。
［Ｃ２０］  前記第２の電圧を生成することは、
抵抗器の前記第１および第２のセットの両方のそれぞれの第１の端部に印加されるバイアス電圧を生成することと、および、
抵抗器の前記第１のセットの第２の端部における第４の電圧に基づいて抵抗器の前記第２のセットの第２の端部における第３の電圧を生成することとを備え、ここにおいて、前記第２の電圧は、前記バイアス電圧と前記第３の電圧との差に基づく、Ｃ１１に記載の方法。
［Ｃ２１］  装置であって、
１つまたは複数の抵抗器の第１のセットを通して第１の温度補償電流を生成するための手段と、ここにおいて、第１の電圧は、前記第１の温度補償電流に基づいて１つまたは複数の抵抗器の前記第１のセットの両端に生成される、
１つまたは複数の抵抗器の第２のセットの両端に第２の電圧を生成するための手段と、ここにおいて、前記第２の電圧は、前記第１の電圧に基づき、および、ここにおいて、第２の温度補償電流は、前記第２の電圧に基づいて抵抗器の前記第２のセットを通して生成される、および、
１つまたは複数の抵抗器の第３のセットを通して前記第２の温度補償電流を適用するための手段と、ここにおいて、温度補償基準電圧は、前記第２の温度補償電流に基づいて１つまたは複数の抵抗器の前記第３のセットの両端に生成される、
を備える、装置。
［Ｃ２２］  前記第１の温度補償電流を生成することは、
絶対温度に相補的である（ＣＴＡＴ）電流を生成するための手段と、
絶対温度に比例する（ＰＴＡＴ）電流を生成するための手段と、および、
前記第１の温度補償電流を生成するために前記ＣＴＡＴ電流と前記ＰＴＡＴ電流を組み合わせるための手段と
を備える、Ｃ２１に記載の装置。
［Ｃ２３］  前記ＣＴＡＴ電流を生成するための前記手段は、
第１のＣＴＡＴ電圧を生成するための手段と、および、
前記ＣＴＡＴ電流を生成するために１つまたは複数の抵抗器の第４のセットの両端に前記第１のＣＴＡＴ電圧を印加するための手段と
を備える、Ｃ２２に記載の装置。
［Ｃ２４］  前記第１のＣＴＡＴ電圧を生成するための前記手段は、ダイオードまたはダイオード接続トランジスタにバイアスをかけるための手段を備える、Ｃ２３に記載の装置。
［Ｃ２５］  前記ＰＴＡＴ電流を生成するための前記手段は、
第２のＣＴＡＴ電圧を生成するための手段と、
前記第１のＣＴＡＴ電圧に基づいて第３の電圧を生成するための手段と、および、
前記ＰＴＡＴ電流を生成するために１つまたは複数の抵抗器の第５のセットの両端に第４の電圧を印加するための手段とを備え、ここにおいて、前記第４の電圧は、前記第３の電圧と前記第２のＣＴＡＴ電圧との差に基づく、Ｃ２３に記載の装置。
［Ｃ２６］  前記第２のＣＴＡＴ電圧を生成するための前記手段は、並列に結合された複数のダイオードまたは並列に結合された複数のダイオード接続トランジスタにバイアスをかけるための手段を備える、Ｃ２５に記載の装置。
［Ｃ２７］  前記第１のＣＴＡＴ電圧に基づくように前記第３の電圧を構成するための制御信号を生成するための手段をさらに備える、Ｃ２５に記載の装置。
［Ｃ２８］  前記制御信号に基づいてバイアス電圧を形成するための手段と、ここにおいて、前記第１の電圧は、前記バイアス電圧と前記第３の電圧との差に基づく、
抵抗器の第６のセットの両端に第４の電圧を印加するための手段と、ここにおいて、前記第４の電圧は、前記バイアス電圧と前記第１のＣＴＡＴ電圧との差に基づく、および、  抵抗器の第７のセットの両端に第５の電圧を印加するための手段と、ここにおいて、前記第５の電圧は、前記第３の電圧と供給レール電圧との差に基づく、
をさらに備える、Ｃ２７に記載の装置。
［Ｃ２９］  前記第２の電圧を生成するための前記手段は、
前記第３の電圧に基づいて第６の電圧を生成するための手段を備え、ここにおいて、前記第２の電圧は、前記バイアス電圧と前記第６の電圧との差に基づく、Ｃ２８に記載の装置。
［Ｃ３０］  前記第２の電圧を生成するための前記手段は、
抵抗器の前記第１および第２のセットの両方のそれぞれの第１の端部に印加されるバイアス電圧を生成するための手段と、および、
抵抗器の前記第１のセットの第２の端部における第４の電圧に基づいて抵抗器の前記第２のセットの第２の端部における第３の電圧を生成するための手段とを備え、ここにおいて、前記第２の電圧は、前記バイアス電圧と前記第３の電圧との差に基づく、
を備える、Ｃ２１に記載の装置。