Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月18日(2007.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
前記基体の上に配置された下地層と、
前記下地層の上に配置された相分離層とを備え、
前記下地層は所定の位置に配置された粒子を含み、
前記相分離層は複数の柱状部分を有し、
前記下地層と前記相分離層との境界面と平行で且つ所定の方向を有する第１の方向における前記柱状部分の平均間隔Ｒａと、前記境界面と平行で且つ前記第１の方向と直交する第２の方向における前記柱状部分の平均間隔Ｒｂとが、Ｒａ／Ｒｂ＞１の関係式を満たすことを特徴とする構造体。
【請求項２】
前記柱状部分の前記第１の方向における平均直径Ｄａと、前記柱状部分の前記第２の方向における平均直径Ｄｂとが、Ｄａ／Ｄｂ≒１の関係式を満たすことを特徴とする請求項１記載の構造体。
【請求項３】
前記下地層に配置された粒子の前記第１の方向における平均直径Ｕａと、前記第２の方向における前記粒子の平均直径Ｕｂとが、３ｎｍ≦Ｕａ≦１０ｎｍ、Ｕａ／Ｕｂ≦０．５の関係式を満たすことを特徴とする請求項１記載の構造体。
【請求項４】
前記柱状粒子の平均直径Ｄａ、Ｄｂは、それぞれ３ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の構造体。
【請求項５】
前記下地層に配置された粒子の長軸方向と前記第２の方向とが一致することを特徴とする請求項１記載の構造体。
【請求項６】
磁気記録媒体であって、
基体と、
前記基体の上に配置された下地層と、
前記下地層の上に配置された記録層とを備え、
前記下地層は所定の位置に配置された粒子を含み、
前記記録層は複数の柱状部分を有し、
前記下地層と前記記録層との境界面と平行で且つ磁気記録方向と同一の方向である第３の方向における柱状部分の平均間隔Ｒａ、前記第３の方向における平均直径Ｄａと、前記境界面と平行で且つ前記第３の方向と直交する第４の方向における前記柱状部分の平均間隔Ｒｂ、前記第４の方向における平均直径Ｄｂとが、Ｒａ／Ｒｂ＞１、且つＤａ／Ｄｂ≒１の関係式を満たすことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項７】
前記第３の方向における前記粒子の平均直径Ｕａと、前記第４の方向における前記粒子の平均直径Ｕｂとが、３ｎｍ≦Ｕａ≦１０ｎｍ、Ｕａ／Ｕｂ≦０．５の関係式を満たすことを特徴とする請求項６記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
請求項６に記載の磁気記録媒体を組み込んだ磁気記録再生装置。
【請求項９】
請求項８に記載の磁気記録再生装置を組み込んだ情報処理装置。
【請求項１０】
基体と、該基体上に配置される下地層と、柱状のアルミニウム部分とそれを取り囲むように配置されるシリコン部分とからなる相分離層からなる構造体の製造方法であって、
前記下地層の形成前に所定の方向に沿って溝を形成する工程、
前記下地層を構成する粒子の長軸方向が前記所定の方向に揃うように前記下地層を形成する工程、
前記相分離層のアルミニウム部分が前記下地層の前記粒子の長軸方向に密に配列するように前記相分離層を形成する工程、を有する構造体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、基体と、基体の上に配置された下地層と、前記下地層の上に配置された相分離層とを備え、前記下地層は所定の位置に配置された粒子を含み、前記相分離層は複数の柱状部分を有し、前記下地層と前記相分離層との境界面と平行で且つ所定の方向を有する第１の方向における前記柱状部分の平均間隔Ｒａと、前記境界面と平行で且つ前記第１の方向と直交する第２の方向における前記柱状部分の平均間隔Ｒｂとが、Ｒａ／Ｒｂ＞１の関係式を満たす構造体を提供するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また本発明は、磁気記録媒体であって、基体と、前記基体の上に配置された下地層と、前記下地層の上に配置された記録層とを備え、前記下地層は所定の位置に配置された粒子を含み、前記記録層は複数の柱状部分を有し、前記下地層と前記記録層との境界面と平行で且つ磁気記録方向と同一の方向である第３の方向における柱状部分の平均間隔Ｒａ、前記第３の方向における平均直径Ｄａと、前記境界面と平行で且つ前記第３の方向と直交する第４の方向における前記柱状部分の平均間隔Ｒｂ、前記第４の方向における平均直径Ｄｂとが、Ｒａ／Ｒｂ＞１、且つＤａ／Ｄｂ≒１の関係式を満たす磁気記録媒体を提供するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
さらに本発明は、基体と、該基体上に配置される下地層と、柱状のアルミニウム部分とそれを取り囲むように配置されるシリコン部分とからなる相分離層からなる構造体の製造方法であって、前記下地層の形成前に所定の方向に沿って溝を形成する工程、前記下地層を構成する粒子の長軸方向が前記所定の方向に揃うように前記下地層を形成する工程、前記相分離層のアルミニウム部分が前記下地層の前記粒子の長軸方向に密に配列するように前記相分離層を形成する工程、を有する構造体の製造方法を提供するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
１１  基体
１２  下地層
１３  相分離層
２１  軟磁性層
２２  記録層
２３  保護層
２４  潤滑層
４１  テクスチャー処理の方向
４２  テクスチャー処理による溝
５１  テクスチャー処理による溝に垂直な方向の平均粒子直径＜Ｄａ＞
５２  テクスチャー処理による溝に垂直な方向の平均粒子間間隔＜Ｒａ＞
５３  テクスチャー処理による溝に平行な方向の平均粒子直径＜Ｄｂ＞
５４  テクスチャー処理による溝に平行な方向の平均粒子間間隔＜Ｒｂ＞
５５  柱状アルミニウム部分
５６  シリコン部分
６１  ナノホール部分
７１  下地層の細長い結晶粒
７２  細長い結晶粒の短軸方向の平均直径＜Ｕａ＞
７３  細長い結晶粒の長軸方向の平均直径＜Ｕｂ＞
９１  硬磁性体部分
１０１  垂直磁気記録媒体
１０２  磁気記録媒体駆動部
１０３  磁気ヘッド
１０４  磁気ヘッド駆動部
１０５  信号処理部
１１１  格納容器
１１２  磁気記録再生装置部
１１３  演算部
１１４  メモリ部
１１５  電源
１１６  外部入出力部
１１７  配線
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月8日(2007.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ポリッシング装置およびウェーハアンローディング方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ウェーハを研磨するための装置において、
上部面上に研磨パッドが装着されているターンテーブルを有する研磨ステーションと、
ウェーハと面接触するメンブレインを有し、かつウェーハを維持し、前記ウェーハを前記ターンテーブル上に加圧するポリッシングヘッドとを含み、
前記研磨ステーションは、ウェーハを前記ポリッシングヘッドにローディングさせ、または、前記ポリッシングヘッドからアンローディングさせるためのウェーハ伝達ステージを具備し、
前記伝達ステージは、ウェーハが置かれる支柱と、
ウェーハが前記ポリッシングヘッドから前記支柱にアンローディングされる時に、前記ウェーハとメンブレイン間の表面張力を減らすために、前記ウェーハとメンブレインとの間に流体を提供する装置をさらに具備することを特徴とするポリッシング装置。
【請求項２】  前記流体提供装置は、前記ウェーハとメンブレインとの間に超純水を噴射する噴射ノズルからなることを特徴とする請求項１に記載のポリッシング装置。
【請求項３】  前記流体提供装置は、前記ウェーハとメンブレインとの間に不活性ガスを噴射する噴射ノズルからなることを特徴とする請求項１に記載のポリッシング装置。
【請求項４】  前記伝達ステージは、前記ウェーハが前記ポリッシングヘッドから前記支柱にアンローディングされる時に、ウェーハを真空吸着するための真空ホールが前記支柱に形成されることを特徴とする請求項１に記載のポリッシング装置。
【請求項５】  前記伝達ステージは、前記ウェーハが前記ポリッシングヘッドから前記支柱にアンローディングされる時に、前記支柱に置かれたウェーハが前記メンブレインに付着された状態で前記メンブレインに付いて上がることを防止するためのストッパ部材をさらに含むことを特徴とする請求項１または請求項４に記載のポリッシング装置。
【請求項６】  前記ストッパ部材は、前記ウェーハと前記メンブレインとの間に挿入されてウェーハが前記メンブレインに付いて持ち上げられることを防止する棒と、
前記棒を前記ウェーハと前記メンブレインとの間に位置させるか、または位置させないように前記棒を移動させるための移動装置を含むことを特徴とする請求項５に記載のポリッシング装置。
【請求項７】  前記支柱は、昇降装置によって昇降されることを特徴にするポリッシング装置。
【請求項８】  前記伝達ステージは、前記支柱を取り囲むキャッチカップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のポリッシング装置。
【請求項９】  ウェーハと直接面接触するメンブレインを有する化学的機械的研磨装置の研磨ヘッドからウェーハをアンローディングする方法において、
伝達ステージに、前記メンブレインにウェーハを維持している研磨ヘッドが移動するステップと、
前記メンブレインが膨張するステップと、
前記ウェーハと前記メンブレインとの間の空間に流体を供給するステップと、を含むことを特徴とするウェーハアンローディング方法。
【請求項１０】  前記メンブレインが膨張するステップの以前に、前記伝達ステージ内の支柱が昇降するステップと、
前記流体を供給するステップの以降に、前記伝達ステージ内の支柱が下降するステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載のウェーハアンローディング方法。
【請求項１１】  前記伝達ステージ内の支柱が下降する段階の以前に、前記支柱が前記ウェーハを真空吸着するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載のウェーハアンローディング方法。
【請求項１２】  前記メンブレインは空気圧によってウェーハに向かって太鼓状に膨張することを特徴とする請求項９に記載のウェーハアンローディング方法。
【請求項１３】  前記ウェーハと前記メンブレインとの間の空間に流体が供給される間に前記メンブレインは膨張状態を維持することを特徴とする請求項９に記載のウェーハアンローディング方法。
【請求項１４】  前記流体は超純水であることを特徴とする請求項９〜請求項１３のいずれか一項に記載のウェーハアンローディング方法。
【請求項１５】  前記流体は不活性ガスであることを特徴とする請求項９〜請求項１３のいずれか一項に記載のウェーハアンローディング方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明が解決しようとする課題】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は半導体ウェーハを製造する装置に関するものであり、さらに具体的には、半導体ウェーハの表面を化学的、機械的に研磨する装置および該装置からウェーハをアンローディングする方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ウェーハを安定的にアンローディングすることができるポリッシング装置およびその方法を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記伝達ステージは、前記ウェーハが前記ポリッシングヘッドから前記支柱にアンローディングされる時に、前記支柱に置かれたウェーハが前記メンブレインに付着された状態で前記メンブレインに付いて上がることを防止するためのストッパ部材をさらに具備することができる。ここで、前記ストッパ部材は、前記ウェーハと前記メンブレインとの間に挿入されてウェーハが前記メンブレインに付いて持ち上げられることを防止するインタセプタと、このインタセプタを前記ウェーハと前記メンブレインとの間に位置、または位置させないための移動装置を有する。
また他の特徴によると、ウェーハと直接面接触するメンブレインを有する化学的機械的研磨装置の研磨ヘッドからウェーハをアンローディングする方法は、伝達ステージに、前記メンブレインにウェーハを維持している研磨ヘッドが移動するステップと、前記メンブレインが膨張するステップと、前記ウェーハと前記メンブレインとの間の空間に流体を供給するステップと、を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月17日(2006.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  エッチング処理室、該エッチング処理室内に配置した半導体基板を載置する基板ステージ、前記エッチング処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段、および前記エッチング処理室内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段を備えたプラズマ処理装置を用いて前記半導体基板を連続処理する半導体素子の製造方法において、
処理室内に第１の処理ガスとしてＨＢｒおよびＯ２を導入して前記半導体基板をエッチング処理する第１のエッチング工程と、
処理室内に第２の処理ガスとしてＣＦ４およびＡｒを導入して、基板ステージにＲＦバイアスを印加しない状態でプラズマ放電を行い、前記第１のエッチング工程終了後のエッチング生成物を除去する第２のエッチング工程を備え、
前記第１のエッチング工程で発生し前記処理室内壁に残留するエッチング生成物を第２のエッチング工程において除去するとともに前記半導体基板に蓄積された電荷を除電放電することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】  エッチング処理室、該エッチング処理室内に配置した半導体基板を載置する基板ステージ、前記エッチング処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段、および前記エッチング処理室内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段を備えたプラズマ処理装置を用いて前記半導体基板を連続処理する半導体素子の製造方法において、
処理室内に第１の処理ガスとしてＢＣｌ３およびＣｌ２を導入して前記半導体基板のＡｌ導体をエッチング処理する第１のエッチング工程と、
処理室内に第２の処理ガスとしてＯ２を導入して、基板ステージにＲＦバイアスを印加しない状態で、プラズマ放電を行う第２のエッチング工程を備え、
前記第１のエッチング工程で発生し前記処理室内壁に残留するエッチング生成物を第２のエッチング工程において除去するとともに前記半導体基板に蓄積された電荷を除電放電することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
エッチング処理室、該エッチング処理室内に配置した半導体基板を載置する基板ステージ、前記エッチング処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段、および前記エッチング処理室内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段を備えたプラズマ処理装置を用いて前記半導体基板を連続処理する半導体素子の製造方法において、処理室内に第１の処理ガスとしてＨＢｒおよびＯ２を導入して前記半導体基板をエッチング処理する第１のエッチング工程と、処理室内に第２の処理ガスとしてＣＦ４およびＡｒを導入して、基板ステージにＲＦバイアスを印加しない状態でプラズマ放電を行い、前記第１のエッチング工程終了後のエッチング生成物を除去する第２のエッチング工程を備え、前記第１のエッチング工程で発生し前記処理室内壁に残留するエッチング生成物を第２のエッチング工程において除去するとともに前記半導体基板に蓄積された電荷を除電放電する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004031970.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2004031970.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2004031970.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月12日(2007.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の電子放出素子を配置してなるマルチ電子源と、該マルチ電子源からの電子ビームの照射により発光する蛍光部材と、を有する画像形成装置の製造方法であって、
複数の電子放出素子の内の一部の電子放出素子の各々に、駆動電圧より大きくかつ互いに異なる波高値のパルスをそれぞれ印加したときの前記一部の電子放出素子各々の輝度の変化を測定し、
該測定の後、
前記パルスの印加を行ったときに前記一部の電子放出素子の各々に印加した前記パルスの波高値とは異なる波高値のパルスを前記一部の電子放出素子の各々に印加したときの、前記一部の電子放出素子各々の輝度の変化を更に測定する第１の測定工程と、
該第１の測定工程の測定結果に基づき、所定の輝度目標値へ特性をシフトさせるためのパルスの波高値を格納したルックアップテーブルを作成する工程と、
前記電子放出素子に駆動電圧を印加したときの輝度を測定する第２の測定工程と、
前記第２の測定工程の測定結果に基づいて前記ルックアップテーブルを参照することで第１の波高値と該第１の波高値よりも小さい第２の波高値を決定し、前記電子放出素子に前記第１の波高値の第１のパルスと前記第２の波高値の第２のパルスを印加することで特性をシフトさせる工程と、
を備えたことを特徴とする画像形成装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１のパルスを電子放出素子に印加した後、前記第２の測定工程を再度行い、前記第２の測定工程による測定結果に応じて決定された波高値を有する第２以降のパルスを印加することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置の製造方法。
【請求項３】
基板上に複数の電子放出素子を配置してなるマルチ電子源と、該マルチ電子源からの電子ビームの照射により発光する蛍光部材と、を有する画像形成装置の製造方法であって、
基準となる画像形成装置の電子放出素子の各々に、駆動電圧より大きくかつ互いに異なる波高値のパルスをそれぞれ印加したときの電子放出素子各々の輝度の変化を測定し、
前記測定の後、
前記パルスの印加を行ったときに前記電子放出素子の各々に印加した前記パルスの波高値とは異なる波高値のパルスを前記電子放出素子の各々に印加したときの、輝度の変化を更に測定する第１の測定工程と、
該第１の測定工程の測定結果に基づき、所定の輝度目標値へ特性をシフトさせるためのパルスの波高値を格納したルックアップテーブルを作成する工程と、
製造対象の画像形成装置に係る前記電子放出素子に駆動電圧を印加したときの輝度を測定する第２の測定工程と、
前記第２の測定工程の測定結果に基づいて前記ルックアップテーブルを参照することで第１の波高値と該第１の波高値よりも小さい第２の波高値を決定し、製造対象の画像形成装置の電子放出素子に前記第１の波高値の第１のパルスと前記第２の波高値の第２のパルスを印加することで特性をシフトさせる工程と、
を備えたことを特徴とする画像形成装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１のパルスを電子放出素子に印加した後、前記第２の測定工程を再度行い、前記第２の測定工程による測定結果に応じて決定された波高値を有する第２以降のパルスを印加することを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月26日(2007.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ベースコート／クリアーコートペイント系で完全隠蔽まで塗装されたパネルから測定してＣ＝４８−５９、Ｌ＝４０−４７、Ａ＝４３−５３、Ｂ＝２１−２８の上色におけるＣ．Ｉ．Ｅ色空間値を特徴とするガンマキナクリドン顔料。
【請求項２】  請求項１記載のガンマキナクリドンを、製造する方法であって、キナクリドン粗生成物を前摩砕し、次いで極性溶媒中で後処理する方法。
【請求項３】  請求項１記載のガンマキナクリドンを、製造する方法であって、ガンマキナクリドンが、触媒の存在下で及び酸化剤としての過酸化水素での６，１３−ジヒドロキナクリドンから出発する直接的顔料生成方法により製造される方法。
【請求項４】  高分子量有機材料及び有効顔料着色量の請求項１記載のガンマキナクリドン顔料を含む組成物。
【請求項５】  高分子量有機材料を着色する方法であって、請求項１記載の顔料の有効顔料着色量を該高分子量有機材料中に組み込むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月25日(2007.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも外壁の外表面が少なくとも部分的に黒以外の色のゴム組成物からなり、少なくとも30phr（エラストマー100重量部に対する重量部）が実質的に不飽和のジエンエラストマーから形成されている少なくとも１種のエラストマーベースを含み、少なくとも50phrの非化学量論的鉄酸化物を含むタイヤ。
【請求項２】  少なくとも50phrの非化学量論的一酸化鉄含量を有する請求項１に記載のタイヤ。
【請求項３】  少なくとも50phrの非化学量論的酸化鉄(III)含量を有する請求項１に記載のタイヤ。
【請求項４】  非化学量論的鉄酸化物の含量が少なくとも100phrである、請求項１〜３のいずれか１項に記載のタイヤ。
【請求項５】  非化学量論的鉄酸化物の含量が少なくとも150phrである、請求項４に記載のタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月28日(2007.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
有用な酸化防止剤の非限定的な例は、ヒンダードフェノール、ｐ−フェニレンジアミン誘導体、キノリン誘導体およびそれらの混合物からなる群から選択されうる。ホスフィット、ジチオホスフェート、ジチオカルバメートおよびメルカプトイミダゾール誘導体も、酸化防止剤として一般に使用される。これらの物質は、しばしば水素原子を他のラジカルに供与し、ポリマー酸化工程の間、これらの物質は、
（ｉ）未反応ラジカルに転化される；
（ｉｉ）ラジカル生成を導く特定の反応を阻止する（例えば、重金属トラップ）；および／または
（ｉｉｉ）非ラジカル反応生成物を生成する反応中間体の反応に有利である（例えば、過酸化水素分解剤）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、硬化剤への有害な干渉なしに、重要なことには、加硫段階における化学反応による酸化防止剤活性の部分的なまたは完全的な損失なしに、所望の酸化熱老化耐性を与えるように酸化防止剤系を改良する必要性が、この技術分野において存在している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらに、本発明のポリマー組成物から製造される加硫物は、向上した耐熱空気老化性を有する。このことによって、ポリマー劣化を遅らせ、併せて１またはそれ以上の上記の他の性質を向上させうる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この明細書で使用する場合、用語「ポリマー」は、広い意味を持つように意図され、第二級または第三級炭素の少なくとも１つを含んでなる主ポリマー鎖を有するポリマーを含む意味で用いられる。当業者なら、第二級炭素は、結合した水素原子を２つ有する炭素原子であり、第三級炭素は、結合した水素原子を１つ有する炭素原子であると理解できるであろう。ポリマーは、ホモポリマー、コポリマー、ターポリマーなどであってよい。混合物中の少なくとも１種のポリマーが上記のポリマー主鎖特性を有するならば、ポリマー混合物を使用することも可能である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
加硫系が有機パーオキシドを含んでなる場合、共加硫剤も含ませることが知られている。好ましくは、共加硫剤が、多官能モノマーとして作用する。適したそのような共加硫剤の非限定的な例は、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、エチレンジメタクリレート、トルイレンビスマレイミドなどからなる群から選択されうる。好ましくは、共加硫剤は、１〜１０重量部の量で使用されうる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
好ましくは、本発明のポリマー組成物は、充填剤を含んでなる。充填剤の種類は特に制限されず、適した充填剤の選択は、当業者の裁量範囲内である。適した充填剤の非限定的な例は、カーボンブラック（例えば、ＦＥＦ、ＭＴ、ＧＰＦおよびＳＲＦ）、クレー、二酸化チタン、シリカ充填剤（不飽和シランを有するまたは有さない）、炭酸カルシウム、タルク（ケイ酸マグネシウム）などである。充填剤の量は通常どおりである。好ましくは、充填剤は、ポリマー１００重量部につき２０〜２００重量部の量で、さらに好ましくは、２０〜１００重量部の量で、最も好ましくは、４０〜８０重量部の量で存在する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
多くの場合、本発明のポリマー組成物は、さらに酸化防止剤を含んでなる。有用な酸化防止剤化合物の非限定的な例は、アルコキシル化ジフェニルアミン（例えば、スチレン化ジフェニルアミンなど）、キノリンタイプ安定剤（例えば、２，２，４−トリメチル−１，２−ジヒドロキノリンポリマーなど）、メルカプトベンゾイミダゾール（例えば、メチルメルカプトベンズイミダゾールの亜鉛塩）などからなる群から選択されうる。硫黄含有加硫系とともに、フェニレンジアミン誘導体（例えば、Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミンなど）、ならびに立体障害フェノール（例えば、ブチル化ヒドロキシトルエンなど）も使用できる。使用される酸化防止剤の量は、当業者の裁量範囲内である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月25日(2007.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  着色ゴム組成物を含むタイヤであって、前記タイヤのポリマーベースの大部分が、少なくとも部分的には共役ジエンモノマーに由来する、15モル％より大きな含量でジエン由来メンバーまたは単位を有するジエンエラストマーから構成されており、前記ゴム組成物がエラストマーの100重量部に対して(phr)100重量部より高い含量で、二酸化チタンおよび一酸化亜鉛からなる群より選ばれる鉱物性充填剤を含み、10phr未満のイオウ含量を有し、二酸化チタンまたは一酸化亜鉛含量の10％よりも多い含量で着色剤または光沢剤を含むことを特徴とする前記タイヤ。
【請求項２】  着色剤として着色色素を含み、前記着色色素の含量が二酸化チタンまたは一酸化亜鉛含量の50％よりも多い、請求項１記載のタイヤ。
【請求項３】  ゴム組成物が、150phrより多い含量の鉱物性充填剤を含む、請求項１または２記載のタイヤ。
【請求項４】  エラストマーベースの大部分が天然ゴムおよびポリブタジエンの混合物を含む、請求項１〜３のいずれか1項記載のタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月2日(2007.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】   
【請求項１】
ウィンドウ法を用いて楕円曲線Ｅ上の点Ｐのべき乗倍値ｋＰ（ｋは桁数の多い正の整数）の演算を行うことにより、秘密の通信又は認証を行う情報セキュリティ装置であって、
整数ｋを変換ビット列に変換する変換手段と、
前記変換ビット列を、１個以上のｆビットのウィンドウと、値０のみを含む１個以上の零値列とに分割するウィンドウ分割手段と、
ウィンドウ毎に、そのウィンドウ値ｗを用いてべき乗倍値ｗＰを算出し、全てのウィンドウについて算出されたべき乗倍値を当該ウィンドウの位置に応じて加算し、これによりべき乗倍値ｋＰを得るべき倍手段と、
得られたべき乗倍値ｋＰを用いて、情報を暗号化し、情報を復号し、情報にデジタル署名を施し、又は情報にデジタル署名の検証を施すセキュリティ処理手段とを備え、
前記正の整数ｋは、複数のビットからなり、
前記変換手段により生成される前記変換ビット列は、整数ｋが有するビット数より多い複数のビットからなり、各ビット値は、符号（sign）を有し、
前記変換手段は、
整数ｋの１個のｆビットのウィンドウの上位側に隣接するビットから、連続する複数の値１からなる同一値列を検索し、
同一値列が存在する場合に、当該同一値列の最下位ビットにおいて、当該同一値列に値１を加算し、前記変換ビット列において当該同一値列に相応する位置に前記加算による桁上げ値を含む加算結果を書き込み、前記ウィンドウの値から、前記ウィンドウの上位側に隣接するビットにおいて、値１を減算し、その符号付きの減算結果を前記変換ビット列において前記ウィンドウに相応する位置に書き込み、
その結果、前記変換ビット列は、前記同一値列に相応する位置において前記同一値列のビット数と同数の連続する複数の値０を含み、その上位側に隣接して値１を含み、前記ウィンドウに相応する位置において、符号付きの前記減算結果を含む
ことを特徴とする情報セキュリティ装置。
【請求項２】
前記変換手段は、整数ｋの１個のｆビットのウィンドウの上位側に隣接するビットが値０である場合、前記ウィンドウの値を、前記変換ビット列において前記ウィンドウに相応する位置に書き込む
ことを特徴とする請求項１に記載の情報セキュリティ装置。
【請求項３】
前記変換手段は、
整数ｋの１個のｆビットのウィンドウの上位側に隣接するビットから、連続する複数の値１からなる同一値列を検索して、同一値列が存在する場合であって、前記桁上げ値を含む前記加算結果及び符号付きの前記減算結果を前記変換ビット列に書き込んだときに、
さらに、前記同一値列の最上位から２ビット先のビットから上位側へ各ビットを順にサーチし、値１であるビットが最初に発見されるまでに発見される値０を除外し、最初に値１であるビットが発見されたときに、当該ビットから上位側へｆビットを新たなウィンドウとして特定し、
特定した新たな前記ウィンドウの上位側に隣接するビットから、連続する複数の値１からなる同一値列を検索し、
同一値列が存在する場合に、当該同一値列の最下位ビットにおいて、当該同一値列に値１を加算し、前記変換ビット列において当該同一値列に相応する位置に前記加算による桁上げ値を含む加算結果を書き込み、前記ウィンドウの値から、特定した新たな前記ウィンドウの上位側に隣接するビットにおいて、値１を減算し、その符号付きの減算結果を前記変換ビット列において新たな前記ウィンドウに相応する位置に書き込み、
特定した新たな前記ウィンドウの上位側に隣接するビットが値０である場合、前記ウィンドウの値を、前記変換ビット列において前記ウィンドウに相応する位置に書き込む
ことを特徴とする請求項２に記載の情報セキュリティ装置。
【請求項４】
前記変換手段は、さらに、整数ｋの最下位ビットに至るまで、前記ウィンドウの特定と、同一値列の検索と、桁上げ値を含む加算結果及び符号付きの減算結果の書き込みと、ウィンドウ値の書き込みとを繰り返す
ことを特徴とする請求項３に記載の情報セキュリティ装置。
【請求項５】
前記変換手段は、
同一値が存在する場合の前記加算において、当該同一値と同数の値０からなるビット列を生成し、前記桁上げ値を値１とし、値１と生成したビット列とを前記加算結果とし、
同一値が存在する場合の前記減算において、前記ウィンドウの値について、２の補数を算出し、算出結果の各ビット値を負数にすることにより、前記符号付きの減算結果を得る
ことを特徴とする請求項１に記載の情報セキュリティ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月20日(2007.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子計算機による電子文書の非開示処理方法であって，
検証可能電子文書は，
保証対象電子文書と，真正性保証データとを含み，
前記真正性保証データは，
保証対象電子文書を複数の構成要素に分割し，
前記複数の構成要素おのおのに，互いに異なる乱数を生成し，
前記構成要素おのおのと対応する前記生成された乱数とを含むデータに対して，暗号学的ハッシュ関数を用いて計算したハッシュ値を算出し，
前記構成要素おのおのに対して算出されたハッシュ値を含むデータに対し電子署名を生成し，
前記電子署名と，前記乱数とを含めて生成するデータであり，
前記電子計算機は，
前記保証対象電子文書を構成する複数の構成要素の中から，非開示とするひとつまたは複数の構成要素を選択し，
前記選択された構成要素おのおのに対し，
当該構成要素おのおのと，前記真正性保証データに含まれる前記選択された構成要素に対応する乱数と，を含むデータに対して，暗号学的ハッシュ関数を用いて計算したハッシュ値を算出し，
前記選択された構成要素おのおのを，前記保証対象電子文書から削除し，
前記選択された構成要素おのおのに対応する前記乱数を，前記真正性保証データから削除し，
前記計算されたハッシュ値を前記真正性保証データに含める
ことを特徴とする電子文書の非開示処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電子文書の非開示処理方法であって，
前記電子計算機は，さらに，
前記選択された構成要素が削除された前記保証対象電子文書を含むデータに対する電子署名を付与する
ことを特徴とする電子文書の非開示処理方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子文書の非開示処理方法であって，
前記電子計算機は，さらに，
前記保証対象電子文書を構成する複数の構成要素おのおのが表現する情報を，前記電子計算機が備える画面上に表示するか，または媒体に印刷し，
前記削除された構成要素に代わり，削除したことを示す情報を，前記画面上に表示するか，または媒体に印刷する
ことを特徴とする電子文書の非開示処理方法。
【請求項４】
電子計算機による電子文書の非開示処理方法であって，
前記電子計算機は，
保証対象電子文書を複数の構成要素に分割し，
前記複数の構成要素おのおのに対応する非開示を示すデータを作成し，
各構成要素と，その構成要素に対応する非開示を示すデータとから，当該構成要素に関する署名対象データを計算し，
各構成要素と，当該構成要素に対応する前記署名対象データとを含むデータに対し電子署名を付与する
ことを特徴とする電子文書の非開示処理方法。
【請求項５】
電子計算機による電子文書の非開示処理方法であって，
検証可能電子文書は，
保証対象電子文書と，真正性保証データとを含み，
前記真正性保証データは，
保証対象電子文書を複数の構成要素に分割し，
前記複数の構成要素おのおのに対応する非開示を示すデータを作成し，
各構成要素と，その構成要素に対応する非開示を示すデータとから，当該構成要素に関する署名対象データを計算し，
前記構成要素と当該構成要素に関する前記署名対象データとを含むデータに対し電子署名を生成し，
前記電子署名と，前記非開示を示すデータとを含めて生成するデータであり，
前記電子計算機は，
前記保証対象電子文書を構成する各構成要素に対し，
開示すべきでない情報を含む場合には，当該構成要素は取り除き，対応する非開示を示すデータを残し，
開示すべきで，かつ，将来的に非開示とされるべきでない情報を含む場合には，当該構成要素は残し，対応する非開示を示すデータは取り除き，
開示すべきで，かつ，将来的に非開示とされうる情報を含む場合には，当該構成要素と，対応する非開示を示すデータの両方を残す
ことを特徴とする電子文書の非開示処理方法。
【請求項６】
電子計算機による電子文書の非開示処理方法であって，
検証可能電子文書は，
保証対象電子文書を複数の構成要素に分割し，
前記複数の構成要素おのおのに対応する非開示を示すデータを作成し，
各構成要素と，その構成要素に対応する非開示を示すデータとから，当該構成要素に関する署名対象データを計算し，
前記構成要素と当該構成要素に関する前記署名対象データとを含むデータに対し電子署名を生成し，
前記電子署名と，前記非開示を示すデータとを含む真正性保証データが，前記保証対象電子文書に付与されており，
前記保証対象電子文書の各構成要素に対し，
当該構成要素が取り除かれ，対応する非開示を示すデータが真正性保証データとして残され，または，
当該構成要素が残され，対応する非開示を示すデータが真正性保証データから取り除かれ，または，
当該構成要素と，対応する非開示を示すデータの両方が，それぞれ電子文書と真正性保証データとして残されており，
前記電子計算機は，
前記検証可能電子文書の各構成要素または非開示を示すデータから，当該構成要素または前記非開示を示すデータに関する署名対象データを計算し，
前記構成要素または非開示を示すデータと対応する前記署名対象データとを含むデータを用いて，前記真正性保証データに含まれる電子署名を検証する
ことを特徴とする電子文書の非開示処理方法。
【請求項７】
請求項６記載の電子文書の非開示処理方法であって，
前記電子計算機は，さらに，
前記保証対象電子文書を構成する複数の構成要素おのおのが表現する情報を，前記電子計算機が備える画面上に表示するか，または媒体に印刷し，
前記削除された構成要素に代わり，削除したことを示す情報を，前記画面上に表示するか，または媒体に印刷する
ことを特徴とする電子文書の非開示処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月30日(2007.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
偏光変換素子７３０は、第１レンズアレイ７１０により分割された各部分光束を、偏光方向の揃った略１種類の直線偏光光として射出する偏光変換素子である。
偏光変換素子７３０は、図５に示すように、２つの偏光分離素子７３０ａ，７３０ｂと、各偏光分離素子７３０ａ，７３０ｂの光射出面における所定位置に配置される位相差板としてのλ／２板７３６ａ，７３６ｂとを有している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５５】
このように、実施形態５に係る照明装置１０８は、実施形態１及び４に係る照明装置１００及び１０６とは、インテグレータ光学系の構成が異なっているが、その他の点については実施形態１及び４に係る照明装置１００，１０６と同様の構成を有しているため、実施形態１及び４に係る照明装置１００，１０６の場合と同様に、高輝度かつコンパクトで、従来よりも光利用効率を高くすることが可能な照明装置となる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月25日(2007.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
単結晶基板に化合物半導体層を積層し、前記単結晶基板を分割して個片化することで形成された半導体発光素子において、
前記単結晶基板は、（０００１）面が、前記化合物半導体が積層される積層面であり、（１−１００）面，（０−１１０）面，（−１０１０）面，（−１１００）面，（０１−１０）面，（１０−１０）面が劈開面である六方晶系結晶構造を有するものであり、
分割された単結晶基板である個片基板の全ての側面は、前記単結晶基板の前記劈開面とは異なる面で形成され、前記側面には（０００１）面に対して垂直方向に伸びる筋状の微小な凹凸が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本願の第１の発明は、単結晶基板に化合物半導体層を積層し、単結晶基板を分割して個片化することで形成された半導体発光素子において、単結晶基板は、（０００１）面が、化合物半導体が積層される積層面であり、（１−１００）面，（０−１１０）面，（−１０１０）面，（−１１００）面，（０１−１０）面，（１０−１０）面が劈開面である六方晶系結晶構造を有するものであり、分割された単結晶基板である個片基板の全ての側面は、単結晶基板の劈開面とは異なる面で形成され、前記側面には（０００１）面に対して垂直方向に伸びる筋状の微小な凹凸が形成されていることを特徴としたものである。ここで画表示中にある−は−の後に続く数字の上に付くものとする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月24日(2006.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  パイプ材に圧入嵌合される端部の周縁に、隣り合うもの同士の面取り角が互いに異なる複数の面取り部が軸線方向に多段に形成された圧入嵌合部材であって、
前記各面取り部のうち最も基端側の面取り部において、その面取り高さｈと面取り幅ｗの比ｗ／ｈが０．３以下、かつ面取り幅ｗが０．１５ｍｍ以上に形成されると共に、最も先端側の面取り部において、その面取り角が前記基端側の面取り部の面取り角より大きい角度に形成されていることを特徴とする圧入嵌合部材。
【請求項２】  前記面取り部が２段である請求項１に記載の圧入嵌合部材。
【請求項３】  請求項１または２に記載の圧入嵌合部材が、前記面取り部が形成された端部をパイプ材の内部に圧入嵌合されてなることを特徴とするパイプ製品。
【請求項４】  前記パイプ材の肉厚と外径は、肉厚／直径≦０．１の関係を有している請求項３に記載のパイプ製品。
【請求項５】  前記圧入嵌合部材は、前記パイプ材と同等以上の硬度を有している請求項３または４に記載のパイプ製品。
【請求項６】 前記圧入嵌合部材の表面粗さがＲａ０．２〜０．８である請求項５に記載のパイプ製品。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月29日(2006.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
偏平な板状で、下端部の幅方向に正面視略Ｖ字形の切断刃（11）が形成された切断用工具（10）において、
前記切断刃（11）のすくい角（θ1）が６０°以下に形成されていることを特徴とするパイプ材のプレス切断用工具。
【請求項２】
前記切断刃（11）は左右両側でそれぞれ内向きに半円状に湾曲し、両端の刃元部（15）（15）が該切断刃（11）の最上部よりも下がった位置に形成されている請求項１に記載のパイプ材のプレス切断用工具。
【請求項３】
前記切断刃（11）のすくい角（θ1）が３０°以上に形成されている請求項１または２に記載のパイプ材のプレス切断用工具。
【請求項４】
前記切断刃（11）の中央部(12)の刃先のすくい角（θ1’）は左右の部分のすくい角よりも小さい角度に形成されている請求項１〜３のいずれかに記載のパイプ材のプレス切断用工具。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （１）規則的に複数配置された凹部を有する鋳型シート内に、砥粒と結合剤と溶剤とを含む研磨材塗布液を所定の深さに充填する工程；
（２）該凹部内に充填された研磨材塗布液から溶剤を蒸発させて除去する工程；
（３）該凹部に結合剤を更に充填して満たす工程；
（４）該鋳型シートに基材を重ね、結合剤を基材に接着させる工程；および
（５）結合剤を硬化させる工程；
を包含する、研磨層が立体構造を有する研磨材料の製造方法。
【請求項２】  前記結合剤が紫外線照射により硬化される請求項１記載の方法。
【請求項３】  光ファイバーコネクタ端面を所定の形状に研磨するために用いる研磨材料であって、
該研磨材料が基材と基材上に設けられた研磨層とを有し、
該研磨層が、（１）結合剤中に分散された砥粒を含有する研磨コンポジットからなる頂上部と、（２）結合剤を含有する麓部とを有し、そして
該研磨層が、規則的に複数配置された所定形状の立体要素で構成された立体構造を有する研磨材料。
【請求項４】  前記立体要素の形状が、頂上で基材表面と平行なリッジを有するプリズム形状である請求項３記載の研磨材料。
【請求項５】  前記砥粒の寸法が０．０１〜２０μｍである請求項３記載の研磨材料。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月23日(2007.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  箱製造機のロータリダイカッタにおけるアンビルの外周部に装着されたアンビルブランケットの表面を再生処理する表面再処理方法であって、箱の生産中に、該ロータリダイカッタが段ボールを切断しまたは折り目つけをしている時に、該アンビルブランケットの表面を該ブランケットの表面と接触する回転研磨シリンダにより研磨することを特徴とするアンビルブランケットの表面再処理方法。
【請求項２】  請求項１に記載の表面再処理方法において、前記アンビルブランケットの表面から約.0005 インチ（約0.0127mm）乃至.002インチ（約0.0508mm）を研磨することを特徴とするアンビルブランケットの表面再処理方法。
【請求項３】  請求項１または２に記載の表面再処理方法において、箱の生産中に短い間隔で研磨工程を繰り返し、それにより前記アンビルブランケットが実質的に連続して表面再生処理されることを特徴とするアンビルブランケットの表面再処理方法。
【請求項４】  請求項１から請求項３のいずれかに記載の表面再処理方法において、
前記研磨シリンダを、前記アンビルと平行に、前記アンビルブランケットに向かってまたは該ブランケットから離れるように移動可能に配設し、
該研磨シリンダの該アンビルとの相対的な位置に基づいて、該アンビルの直径の変化を補償するために、該アンビルの速度をどれだけ変化させるべきかを決定し、
前記研磨シリンダのアンビルに対する相対的な位置の変化に応答して、演算処理手段により該アンビルの直径を計算し、該アンビルの速度を調節してアンビルの直径の変化を補償することを特徴とするアンビルブランケットの表面再処理方法。
【請求項５】  箱製造機のロータリダイカッタにおけるアンビルの外周部に装着されたアンビルブランケットの表面を再生処理する表面再処理方法であって、
研磨シリンダを前記アンビルと平行して回転可能に永久的に配設し、該研磨シリンダを該アンビルブランケットに対して移動させ、前記アンビルと該研磨シリンダの回転時に該アンビルブランケットの表面を研磨し、
前記研磨シリンダの前記アンビルに対する相対的な位置に基づいて、前記アンビルの直径の変化を自動的に検出し、前記アンビルの直径の変化に応答して、前記アンビルの速度を自動的に変化させることを特徴とするアンビルブランケットの表面再処理方法。
【請求項６】  箱製造機のロータリダイカッタにおけるアンビルの外周部に装着されたアンビルブランケットの表面を再生処理する装置であって、
該アンビルと平行して回転するように取り付けられ該アンビルブランケットの表面を研磨するための研磨シリンダと、
該研磨シリンダの位置を該アンビルブランケットに向かってまたは該ブランケットから離れるように位置調節して、該研磨シリンダを該アンビルと接触させ又は接触を解除する手段と、
前記研磨シリンダのアンビルに対する相対的な位置を検出すると共に、該アンビルの直径を計算し、該アンビルの直径に応じて該アンビルの速度を変化させる手段と、
を備えたことを特徴とするアンビルブランケットの表面を再生処理する装置。
【請求項７】  請求項６に記載の装置において、研磨シリンダが研磨シリンダの軸を中心として回転するように該研磨シリンダに装着された軸受けと、該軸受けを前記アンビルに向かってまたはアンビルから離れるように移動させる手段とを設けたことを特徴とするアンビルブランケットの表面を再生処理する装置。
【請求項８】  請求項７に記載の装置において、前記軸受けを移動させる手段にモータが使用されることを特徴とするアンビルブランケットの表面を再生処理する装置。
【請求項９】  請求項７または８に記載の装置において、前記アンビルの両側にフレームが前記研磨シリンダを回転可能に支持して配設され、該軸受けが該フレーム上をスライド移動するように取り付けられていることを特徴とするアンビルブランケットの表面を再生処理する装置。
【請求項１０】  請求項８に記載の装置において、前記研磨シリンダのアンビルに対する相対的な位置を検出するために前記モータに連携された符号器と、該符号器から出力される情報を取り込むコンピュータと、該コンピュータによって制御され、該アンビルの速度を変化させて該アンビルの直径の変化を補償する補償用モータと、を設けたことを特徴とするアンビルブランケットの表面を再生処理する装置。
【請求項１１】  請求項８に記載の装置において、前記軸受けを移動させる手段には、前記モータを自動的に始動し停止する手段が設けられたことを特徴とするアンビルブランケットの表面を再生処理する装置。
【請求項１２】  請求項６に記載の装置において、
箱製造中であってダイカッタが段ボールを加工する間に前記研磨シリンダがアンビルブランケットの表面を再生処理可能に、研磨シリンダを自動的にかつ繰り返し該アンビルブランケットに向かってまたは該ブランケットから離れるように移動させて該アンビルと接触させ又は接触を解除する、コンピュータを備えた手段と、
自動的に前記研磨シリンダのアンビルに対する相対的な位置を検出すると共に、該アンビルの直径を算出し、箱製造中であってダイカッタが段ボールを加工する間に自動的に該アンビルの直径に応じて該アンビルの速度を変化させるための前記コンピュータを備えた手段を有することを特徴とするアンビルブランケットの表面を再生処理する装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の表面再処理方法は、箱製造機のロータリダイカッタにおけるアンビルの外周部に装着されたアンビルブランケットの表面を再生処理する表面再処理方法であって、箱の生産中に、該ロータリダイカッタが段ボールを切断しまたは折り目つけをしている時に、該アンビルブランケットの表面を該ブランケットの表面と接触する回転研磨シリンダにより研磨することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、その装置は、箱製造機のロータリダイカッタにおけるアンビルの外周部に装着されたアンビルブランケットの表面を再生処理する装置であって、該アンビルと平行して回転するように取り付けられ該アンビルブランケットの表面を研磨するための研磨シリンダと、該研磨シリンダの位置を該アンビルブランケットに向かってまたは該ブランケットから離れるように位置調節して、該研磨シリンダを該アンビルと接触させ又は接触を解除する手段と、前記研磨シリンダのアンビルに対する相対的な位置を検出すると共に、該アンビルの直径を計算し、該アンビルの直径に応じて該アンビルの速度を変化させる手段と、を備えたことを特徴とする。