【手続補正書】
【提出日】平成20年7月30日(2008.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサの製造方法であって、
（ａ）
第１の基板又はウェハ上に、少なくとも２つの直交的に配置されたセンサと関連された組合わせ部に供する片持ち梁ビーム構成部を定義するステップと、
（ｂ）
第１の基板又はウェハ上の少なくとも３つのセンサの共振構造を形成し、共振構成部の上部に組合わせ部を有するステップと、
（ｃ）
少なくとも２つの直交的に配置されたセンサに供する接部を形成し、第２の基板又はウェハ上に組合わせ部を形成するステップと、
（ｄ）
前記第１の基板上の前記組合わせ部を、前記第２の基板又はウェハ上の前記組合わせ部と対面関係に位置させるステップと、
（ｅ）
前記第１の基板又はウェハ上の前記組合わせ部に関連する層と、前記第２の基板又はウェハ上の前記組合わせ部に関連した層とをボンディングするステップと、
を具備したことを特徴とする３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサの製造方法。
【請求項２】
（ａ）少なくとも２つの直交的に配置されたセンサがセンサの直交方向に対して感度を有するステップと、（ｂ）第３のセンサが前記２つの直交的に配置された両方のセンサのセンサ感度方向に対して直交方向に感度を有するステップと、（ｃ）前記第２の基板又はウェハ上の前記組合わせ部が、前記第１の基板又はウェハ上の前記組合わせ部に対して相補形状を有するステップと、（ｅ）ボンディングが共晶ボンディングであるステップと、（ｆ）少なくとも第１の基板又はウェハの部位を除去して片持ち梁ビーム構成部及び前記板構造部を切り離すステップとを持つ請求項１に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサの製造方法。
【請求項３】
前記第２の基板がシリコンによって形成され、前記第２の基板又はウェハを形成する前記シリコンが単結晶構造を持ち、前記シリコンの結晶構造がＳｉ＜１００＞であり、前記シリコンがｎ型である請求項１に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサの製造方法。
【請求項４】
前記共振構造部がキャパシティブ回転率ジャイロに対してコリオシス変換要素を形成する請求項１又は２に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサの製造方法。
【請求項５】
前記片持ち梁ビーム及び前記共振構造部の形成が、
（ａ）
前記第１の基板又はウェハ上にシリコンのエピタキシャル層を形成し、前記エピタキシャル層がドープされるステップと、
（ｂ）
前記第１の基板又はウェハ上に片持ち梁を定義するために、前記シリコンのエピタキシャル層のマスキング及びエッチングをするステップと、
（ｃ）
前記第１の基板又はウェハをエッチングによって除去するステップと、
によって形成される請求項１又は２に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサの製造方法。
【請求項６】
接触部が、一時マスク層内の小穴部を通して金属を溶着することにより前記片持ち梁端部上に形成され、前記金属の溶着工程が進むにつれ、前記金属が溶着されて前記小穴部を被覆していき、それによって前記小穴部を通して溶着される前記接触部が、溶着工程が進むにつれて断面を減少しながら延伸構造を持つことができる程度に前記小穴部が十分小さくなっている請求項５に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
【請求項７】
前記エピタキシャル層が、前記エピタキシャル層の抵抗値が０．０５Ω−ｃｍ以下に減少されるのに十分な濃度のホウ素とドープされ、エチレンジアミンピロカテコールがエッチング液として使用されてエッチングが行われ、チタン、プラチナ及び金であるのが望ましい金属層が前記共晶層上に選択的に溶着され、また前記共晶層上に第１及び第２のオーム接触部が高温によって焼結形成され、前記第２のオーム接触が片持ち梁ビーム構造物の遠心端近くに配置され、また前記第１のオーム接触部が前記第１の基板上で組合わせ部を形成し、チタン／プラチナ／金層が好ましい比較的薄い金属層が、焼結されまた前記チタン／プラチナ／金層が好ましい比較的薄い金属層上に配置され、前記比較的薄い金属層の第１構成部が前記第１の基板上の前記組合わせ部を形成し、また前記比較的薄い金属層の第１構成部が前記第１のオーム接触の上に位置し、前記比較的薄い金属層が前記第２構成部が前記第２のオーム接触における突接触部を形成する請求項５に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
【請求項８】
前記第２の基板又はウェハ上で前記チタン／プラチナ／金接触部の形成はさらに、前記第２の基板又はウェハ上の前記接触部の少なくとも１つが前記第２の基板又はウェハ上の組合わせ部を定義し、共晶ボンディングを作成するための前記層が、前記第２の基板上の前記チタン／プラチナ／金接触部上に溶着された金−シリコン共晶層及び／又は前記第１の基板又はウェハ上の前記比較的薄いチタン／プラチナ／金層の第１構成部上に溶着された金−シリコン共晶層によって提供される請求項７に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
【請求項９】
前記エピタキシャル層が、前記エピタキシャル層の抵抗が０．０５Ω−ｃｍよりも小さくなるように充分な濃度のボロンでドーピングされ、腐食液としてエチレンジアミンピロカテコールによってエッチングされ、金属層が前記エピタキシャル層畳に選択的に溶着され、また前記エピタキシャル層上に第１及び第２のオーム接触部が高温によって焼結形成され、前記第２のオーム接触が片持ち梁ビーム構造物の末端部近くに配置され、前記第１のオーム接触部が前記第１の基板又はウェハ上で組合わせ部を形成する請求項５に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
【請求項１０】
前記第２の基板又はウェハの広範囲の表面から突出している突部を形成して成っている請求項８に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
【請求項１１】
前記第２の基板又はウェハ上にチタン／プラチナ／金接部が形成され、前記第２の基板又はウェハ上の前記接部の少なくとも１つが、前記突部と組み合わされて、前記第２の基板又はウェハ上の組合わせ部を定義し、共晶層は金−シリコン共晶層が前記第２の基板又はウェハ上のチタン／プラチナ／金接部上に溶着されることにより、及び／又は金−シリコン共晶層が第１の基板又はウェハ上のオーム接触部上に溶着されることにより提供される請求項１０に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造
方法。
【請求項１２】
前記共晶ボンディング用のシリコンが前記第２の基板又はウェハの前記組合わせ部にあるシリコン基板によって提供される請求項１０に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
【請求項１３】
前記エピタキシャル層が、前記エピタキシャル層の抵抗が０．０５Ω−ｃｍよりも小さくなるように充分な濃度のボロンでドーピングされ、チタン／プラチナ／金型押しされた金属層が選択的に前記共晶層上に溶着されて第１及び第２の内部接部を前記共晶層上に形成し、前記接部がチタン／プラチナ／金伸長電導性紐状層によって内部接触がなされ、前記第２の内部接部が前記片持ち梁ビーム構造物の遠心端近くに溶着され、片持ち梁構造物に比べ実質的に狭いのが好ましい前記伸長紐が前記片持ち梁ビーム構造物上で縦方向に溶着され、前記第１の内部接部が前記第１の基板又はウェハ上に組合わせ部を形成する請求項５に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
【請求項１４】
前記第２の基板又はウェハの広範囲の表面から突出している突接部を形成して成っている請求項１２に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
【請求項１５】
前記第２の基板又はウェハ上にチタン／プラチナ／金接部の形成を含み、前記第２の基板又はウェハ上の突部として一対になっている前記接部の少なくとも１つが前記第２の基板又はウェハ上の前記組合わせ部を定義し、前記ボンディングが共晶的に起こり、前記共晶層が、前記第２の基板上の前記チタン／プラチナ／金接触部上に溶着された金−シリコン共晶層及び／又は前記第１の基板又はウェハ上の第１の内部接続部上に溶着された金−シリコン共晶層によって提供される請求項１４に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
【請求項１６】
前記共晶ボンディング用のシリコンが前記第２の基板又はウェハの前記組合わせ部にあるシリコン基板によって提供される請求項１４に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
【請求項１７】
共振構造部内の中央柱が前記第２の基板又はウェハ上の前記組合わせ部とボンディングされ、前記共振構造部の外枠が前記第２の基板又はウェハ上の前記組合わせ部とボンディングされる請求項５に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサの製造方法。
【請求項１８】
前記片持ち梁ビーム構造及び共振構造部の形成が、
（ａ）
前記第１の基板又はウェハ上のエッチング停止層において形成されるステップと、
（ｂ）
前記エッチング停止層上の共晶層が形成され、前記共晶層が非ドープであるか、軽くドープされているステップと、
（ｃ）
前記第１の基板の隣接部に溶着された片持ち梁ビーム構造物を定義するために、前記共晶層をマスキング及びエッチングするステップと、
（ｄ）
前記エッチング停止層による抵抗を用いて、エッチング溶液の利用により前記第１の基板又はウェハを除去するステップと、
（ｅ）
前記片持ち梁ビーム構造物の抵抗を用いて、エッチング溶液を利用してエッチング停止層を除去するステップと、
を持つ請求項１又は２に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造方法。
【請求項１９】
チタン／プラチナ／金層が選択的に前記共晶層上で溶着されて第１及び第２の金属接部を前記共晶層上に形成し、前記第２の接部が前記片持ち梁遠心端近くに溶着され、前記第１の接部が前記第１の基板上の組合わせ部を形成する請求項１８に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの製造
方法。
【請求項２０】
３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサの組立構造が、
（ａ）
片持ち梁構成部が直交的に配置され、共振構造部と関連した組合わせ部が前記第１の基板又はウェハ上に定義され、
（ｂ）
接部及び組合わせ部が第２の基板又はウェハ上に定義され、前記第２の基板又はウェハ上の前記組合わせ部が前記第１の基板又はウェハ上の前記組合わせ部と相補形状を有し、
（ｃ）
前記第１の基板又はウェハ上に定義された前記組合わせ部を、前記第２の基板上の組合わせ部とボンディングするための前記ボンディング層が、前記第１又は第２の基板又はウェハ上の少なくとも１つ上の前記組合わせ部上に配置されていることを特徴とする３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
【請求項２１】
組立部が３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ作成に用いられ、ボンディング層が圧力／熱に敏感であることで、前記組合わせ部が圧力／熱が加えられることに対応してボンディングされる請求項２０に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
【請求項２２】
前記第１及び第２の基板又はウェハがシリコンによって形成されている請求項２０に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
【請求項２３】
第１の基板又はウェハを形成しているシリコンが単結晶構造を持つ請求項２２に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
【請求項２４】
前記シリコンの結晶構造がＳｉ＜１００＞であり、前記シリコンがｎ型である請求項２０又は２３に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
【請求項２５】
前記片持ち梁ビーム構造物及び共振構造部が前記第１の基板又はウェハ上の共晶層から形成され、前記共晶層がドーパントでドーピングされており、突接部が前記片持ち梁ビーム構造物の端部に配置され、前記共晶層が、前記共晶層の抵抗値が０．０５Ω−ｃｍ以下に減少するように十分な濃度のホウ素とドープされており、前記共晶層上に第１及び第２のオーム接触部を持ち、前記第２のオーム接触部が前記片持ち梁ビーム構造物の遠心端近くに配置され、前記第１のオーム接触部が前記第１の基板又はウェハ上の組合わせ部を形成している請求項２０に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
【請求項２６】
比較的薄い金属層が、前記第１及び第２のオーム接部上に配置され、前記第１のオーム接部上に配置された前記比較的薄い金属層の第１構成部及び前記比較的薄い金属層の第２構成部とが前記第２のオーム接部上に突接部を形成している請求項２５に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
【請求項２７】
共振構造部内の中央柱が前記第２の基板又はウェハ上の前記組合わせ部とボンディングされており、前記共振構造部の外枠が前記第２の基板又はウェハ上の前記組合わせ部とボンディングされている請求項２０に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
【請求項２８】
さらに、前記第２の基板又はウェハ上に配置された金属接部を持ち、前記突部と組み合わされた前記第２の基板又はウェハ上の前記接部の少なくとも１つが、前記第２の基板上の前記組合わせ部を定義し、前記ボンディング層が前記第２の基板上の前記金属接部上に配置された金−シリコン共晶層によって、及び／又は第１の基板又はウェハ上の前記比較的薄い金属層の前記第１構成部上に配置された金−シリコン共晶層によって提供され、前記共晶ボンディングに用いられるシリコンが、前記組合わせ部の前記第１又は前記第２のウェハのシリコン基板によって提供される請求項２６に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
【請求項２９】
さらに、前記共晶層上に第１及び第２のオーム接触部を持ち、前記第２のオーム接触部が前記片持ち梁ビーム構造部の遠心端近くに配置され、前記第１のオーム接触部が前記第１の基板上の前記組合わせ部を形成して成り、突部が前記第２の基板又はウェハの広範囲の表面から突き出ており、第２の基板又はウェハ上に金属接部を持ち、前記第２の基板又はウェハ上の前記接部の少なくとも１つが、前記突部が一対をなして前記第２の基板又はウェハ上に前記組合わせ部を定義し、前記ボンディング層が前記第２の基板又はウェハ上の前記金属接部上に配置された金−シリコン共晶によって、及び／また前記第１のオーム接触部上に配置された金−シリコン共晶層によって提供される請求項２６に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
【請求項３０】
第１及び第２の内部金属接部が前記共晶層上に配置され、前記接部が伸長紐状金属層によって内部接触され、前記第２の内部接部が前記片持ち梁ビームの遠心端近くに配置され、前記伸長紐状層が前記片持ち梁ビーム構造物上に縦方向に配置され、前記第１の内部接部が前記第１の基板上の組合わせ部を形成し、突部が前記第２の基板又はウェハの広範囲な表面から突き出ており、金属接部が前記第２の基板又はウェハ上に配置され、前記第２の基板又はウェハ上の少なくとも１つの接部が、前記突部が一対とされることにより第２の基板又はウェハ上の組合わせ部を定義し、前記ボンディング層が前記第２の基板上の前記金属接部上に配置された金−シリコン共晶層によって、及び／又は第１の内部接部上に配置された金−シリコン共晶層によって提供される請求項２５に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
【請求項３１】
第３のウェハが前記センサの上部に真空状態でボンディングされて、前記センサを真空で密封し、前記ボンディング層が共晶ボンディング層である請求項２０に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサ。
【請求項３２】
前記金属がチタン／プラチナ／金である請求項２５乃至２８のいずれかに記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング・センサ。
【請求項３３】
（ａ）第１の基板又はウェハの上に配置されたＸ軸トンネリングジャイロと、
（ｂ）前記第１の基板又はウェハの上に配置されたＹ軸トンネリングジャイロと、
（ｃ）前記第１の基板又はウェハの上に配置されたＺ軸キャパシティブジャイロと、
（ｄ）第２の基板又はウェハと、
（ｅ）前記第１の基板又はウェハを前記第２の基板又はウェハと組合わせるための前記第１及び第２の基板又は前記ウェハの少なくとも１つ上の組合わせ構造体と、で成ることを特徴とする３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサ。
【請求項３４】前記第２の基板又はウェハがシリコンで成っており、前記第２の基板又はウェハを形成するシリコンが単結晶構造で成っており、前記シリコンがｎ型である請求項３３に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサ。
【請求項３５】
前記第１の基板又はウェハがシリコンで成っており、前記第１の基板又はウェハを形成するシリコンが単結晶構造で成っており、前記シリコンの結晶構造が＜１００＞でｎ型である請求項３３に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサ。
【請求項３６】
前記Ｘ軸トンネリングジャイロ及び前記Ｙ軸トンネリングジャイロがそれぞれ片持ち梁型ビーム構造を含み、前記Ｚ軸キャパシティブジャイロが片持ち梁型ビーム構造及び前記第１の基板又はウェハのソリコンのエピタキシャル層を形成する共振構造を含み、前記エピタキシャル層がドープ剤でドーピングされている請求項３３に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサ。
【請求項３７】
前記ビーム構造の一端に点接点が形成され、前記エピタキシャル層が、前記エピタキシャル層の抵抗が０．０５Ω−ｃｍよりも小さくなるように充分な濃度のボロンでドープされ、前記エピタキシャル層に第１及び第２のオーム接続であるチタン／プラチナ／金接部が形成され、前記第２のオーム接続は前記ビーム構造の末端の近くに配置され、前記第１のオーム接続は前記第１の基板又はウェハ上に組合わせ部を形成しており、チタン／プラチナ／金の比較的厚い層が前記第１及び第２のオーム接続であるチタン／プラチナ／金接部に配置され、チタン／プラチナ／金の比較的厚い層の第１の部分が前記第１のオーム接続であるチタン／プラチナ／金接部に配置され、前記第２のオーム接続であるチタン／プラチナ／金接部上の前記第１の基板及び点接点を形成するチタン／プラチナ／金の比較的厚い層の第２の部分に組合わせ部を提供し、前記チタン／プラチナ／金接部は前記第２の基板又はウェハに配置され、前記第２の基板又はウェハ上の前記接点の少なくとも１つが前記第２の基板の組合わせ構造を定義し、前記第２の基板又はウェハ上のチタン／プラチナ／金に配置された金／シリコン共晶の層によって、及び／又は前記第１の基板又はウェハ上のチタン／プラチナ／金の比較的厚い層の前記第１の部分に配置された金／シリコン共晶の層によってボンディング層が提供され、共晶結合のためのシリコンが前記組合わせ部において前記第１又は第２の基板のシリコン基板によって提供される請求項３６に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサ。
【請求項３８】
前記エピタキシャル層が、前記エピタキシャル層の抵抗が０．０５Ω−ｃｍよりも小さくなるように充分な濃度のボロンでドーピングされ、前記エピタキシャル層上に第１及び第２のオーム接続が形成され、前記第２のオーム接続は前記ビーム構造の末端部の近くに配置され、前記第２のオーム接続は前記第１の基板又はウェハ上に前記第１のオーム接続が形成され、前記第２の基板又はウェハの主表面から突起した突起部と、前記第２の基板又はウェハ上に形成されたチタン／プラチナ／金接続を有し、前記第２の基板又はウェハ上の前記接点の少なくとも１つが、前記突起部と結合して前記第２の基板又はウェハ上の組合わせ部を定義し、前記第２の基板又はウェハ上のチタン／プラチナ／金に配置された金／シリコン共晶の層によって、及び／又は前記第１の基板又はウェハ上のチタン／プラチナ／金の比較的厚い層の前記第１の部分に配置された金／シリコン共晶の層によってボンディング層が提供される請求項３６に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサ。
【請求項３９】
相互に接続された第１及び第２のチタン／プラチナ／金接部が前記エピタキシャル層に配置され、前記接部はチタン／プラチナ／金の長形状リボン層によって相互接続され、前記第２の相互接続は前記ビーム構造の末端部の近くに配置され、前記長形状リボン層前記ビーム構造に沿って配置され、前記第１の相互接続は前記第１の基板上に前記組合わせ部を形成し、前記第２の基板又はウェハの主表面から突起した突起部を有し、チタン／プラチナ／金接続が前記第２の基板又はウェハ上に配置され、前記第２の基板又はウェハ上の前記接点の少なくとも１つが、前記突起部と結合して前記第２の基板又はウェハ上の組合わせ部を定義し、前記第２の基板又はウェハ上のチタン／プラチナ／金に配置された金／シリコン共晶の層によって、及び／又は前記第１の相互接続に配置された金／シリコン共晶の層によってボンディング層が提供される請求項３６に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサ。
【請求項４０】
前記Ｚ軸キャパシティブジャイロの共振構造における中心位置が前記第２の基板又はウェハ上の組合わせ部にボンディングされており、前記Ｚ軸キャパシティブジャイロの共振構造の外部フレームが前記第２の基板又はウェハ上の組合わせ部にボンディングされている請求項３３に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサ。
【請求項４１】
（ａ）シリコンで成る第１の基板又はウェハと、
（ｂ）それぞれが前記第１の基板又はウェハ上にシリコンで形成された少なくとも片持ち梁ビーム構造を有する２つの直交したトンネリングセンサと、
（ｃ）共振構造を有すると共に、前記２つのトンネリングセンサのビーム構造に直交している軸に検知機能を有し、前記共振構造が前記第１の基板又はウェハ上にシリコンで形成されている直交したキャパシティブジャイロと、
（ｄ）前記第１の基板又はウェハ上に配置された組合わせ部と、
（ｅ）少なくとも１つの接点構造と、第２の基板又はウェハ上に定義された組み合わせ部とであり、前記第２の基板又はウェハ上の前記組合わせ部は前記第１の基板又はウェハ上の組み合わせ部に対称な形状になっており、
（ｆ）圧力及び熱の印加に応答して前記第２の基板の組合わせ部に対して、前記第１の基板又はウェハ上に定義された組合わせ部をボンディングするために前記基板又はウェハの少なくとも１つの組合わせ部に配置された共晶ボンディング層と、前記第１及び第２の基板の組合わせ部が前記共晶ボンディング層の他部で結合されており、
（ｇ）前記第１の基板又はウェハに形成されたビーム構造及び共振構造が溶剤によって溶融されても、前記溶剤によって溶融される第１の基板又はウェハと、
で成ることを特徴とする３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサ。
【請求項４２】
前記第１及び第２の基板又はウェハが単結晶シリコンで成っている請求項４１に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサ。
【請求項４３】
前記単結晶シリコンが＜１００＞であり、前記片持ち梁ビーム構造物が前記第１の基板又はウェハ上のシリコンのエピタキシャル層で形成され、前記エピタキシャル層がドーパントでドープされており、前記エピタキシャル層が、前記エピタキシャル層の抵抗が０．０５Ω−ｃｍよりも小さくなるように充分な濃度のボロンでドーピングされている請求項４２に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサ。
【請求項４４】
前記片持ち梁ビーム構造物が前記第１の基板又はウェハ上のシリコンのエピタキシャル層で形成され、前記エピタキシャル層がドーパントでドープされており、前記エピタキシャル層上に第１及び第２のオーム接続が形成され、前記第１のオーム接続が前記ビーム構造の末端近くに配置され、前記第２のオーム接続が前記第１の基板又はウェハの組合わせ部を形成し、比較的薄い金属層が、前記第１及び第２のオーム接部上に配置され、前記第１のオーム接部上に配置された前記比較的薄い金属層の第１構成部及び前記比較的薄い金属層の第２構成部とが前記第２のオーム接部上に突接部を形成している請求項４１に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサ。
【請求項４５】
前記第１の基板又はウェハに配置された金属接部を有し、前記第２の基板又はウェハの少なくとも１つは前記第２の基板又はウェハの組合わせ部を定義し、前記ボンディング共晶層が、前記第２の基板上の前記チタン／プラチナ／金接触部上に溶着された金−シリコン共晶層及び／又は前記第１の基板又はウェハ上の第１の内部接続部上に溶着された金−シリコン共晶層によって提供される請求項４４に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサ。
【請求項４６】
前記片持ち梁ビーム構造物が前記第１の基板又はウェハ上のシリコンのエピタキシャル層で形成され、前記エピタキシャル層が、前記エピタキシャル層の抵抗が０．０５Ω−ｃｍよりも小さくなるように充分な濃度のボロンでドーピングされ、前記エピタキシャル層に第１及び第２のオーム接続が形成され、前記第２のオーム接続が前記ビーム構造の末端部の近くに配置され、前記第２のオーム接続が前記第１の基板又はウェハの組合わせ部を形成している請求項４１に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサ。
【請求項４７】
前記第２の基板又はウェハの主表面から突起した突起部と、前記第２の基板又はウェハに形成された金属接部とを有し、前記第２の基板又はウェハ上の接部の少なくとも１つが前記突起部と結合して、前記第２の基板又はウェハの組合わせ部を定義し、前記第２の基板又はウェハ上の金／シリコン共晶層によって、及び／又は前記第１のオーム接続に配置された金／シリコン共晶の層によってボンディング層が提供される請求項４１に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサ。
【請求項４８】
相互に接続された第１及び第２の金属接部が前記エピタキシャル層に配置され、前記接部は金属の長形状リボンによって相互接続され、前記第２の接続は前記ビーム構造の末端部の近くに配置され、前記長形状リボンは前記ビーム構造に沿って配置され、前記第１の相互接続は前記第１の基板又はウェハ上に前記組合わせ部を形成し、前記第２の基板又はウェハの主表面から突起した突起部を有し、金属接部が前記第２の基板又はウェハ上に配置され、前記第２の基板又はウェハ上の前記接部の少なくとも１つが、前記突起部と結合して前記第２の基板又はウェハ上の組合わせ部を定義し、前記第２の基板又はウェハ上の金属接部に配置された金／シリコン共晶の層によって、及び／又は前記第１の相互接続に配置された金／シリコン共晶の層によってボンディング層が提供される請求項４１に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサ。
【請求項４９】
前記共振構造の外部フレームが前記第２の基板又はウェハの組合わせ部にボンディングされ、第３のウェハが真空密封されたセンサの頂部にボンディングされている請求項４１に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサ。
【請求項５０】
前記第１の基板又はウェハがシリコンにより形成されており、前記第１の基板又はウェハを形成する前記シリコンが単結晶構造を持ち、前記第１の基板又はウェハ内の前記シリコンの結晶構造がＳｉ＜１００＞であり、前記第１の基板又はウェハの前記シリコンがｎ型である請求項１又は２に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサの製造方法。
【請求項５１】
２つの前記基板間に圧力と共に熱が加えられた結果、２つの前記組合わせ部間でボンディングが起こり、前記２つの直交的に配置されたセンサがトンネリング回転率ジャイロである請求項１又は２に記載の３軸マイクロ・エレクトロ・メカニカル・トンネリング／キャパシティブ・センサの製造方法。