Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月8日(2008.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学的酸化物除去プロセスで基材上のフィーチャの目標トリミング量を達成するための
方法であって、
少なくとも１つの固定パラメータを一定に維持しながら、トリミング量データを可変パ
ラメータの関数として得るために、第１の反応物と第２の反応物とプロセス圧力とを含む
プロセスレシピを使用して化学的酸化物除去プロセスを実施するステップであって、前記
可変パラメータが、前記第１の反応物の量、前記第２の反応物の量およびプロセス圧力を
含む第１のパラメータグループのうちの１つであり、前記可変パラメータと異なる前記少
なくとも１つの固定パラメータが、前記第１の反応物の量、前記第２の反応物の量および
プロセス圧力を含む第２のパラメータグループのうちの１つであるステップと、
前記トリミング量データと前記可変パラメータとの間の関係式を求めるステップと、
前記可変パラメータの目標値を求めるために前記目標トリミング量と前記関係式を使用
するステップと、
前記可変パラメータの前記目標値と前記少なくとも１つの固定パラメータとを使用して
、前記プロセスレシピを前記基材に施すことによって前記基材上の前記フィーチャを化学
処理するステップと、
前記フィーチャから前記目標トリミング量を実質的に除去するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記プロセスレシピを使用して前記化学的酸化物除去プロセスを実施する前記ステップ
は、第１の反応物の分圧と、第２の反応物の分圧と、プロセス圧力と、前記第１の反応物
のモル分率と、前記第２の反応物のモル分率とからなる群より選択される可変パラメータ
、および、前記第１の反応物の前記分圧と、前記第２の反応物の前記分圧と、前記プロセ
ス圧力と、前記第１の反応物の前記モル分率と、前記第２の反応物の前記モル分率と、前
記第２の反応物に対する前記第１の反応物の質量分率と、前記第２の反応物に対する前記
第１の反応物のモル比と、前記第２の反応物の質量と、前記第２の反応物の質量と、前記
第１の反応物の質量流量と、前記第２の反応物の質量流量と、前記第１の反応物のモル数
と、前記第２の反応物のモル数と、前記第１の反応物のモル流量と、前記第２の反応物の
モル流量とからなる群より選択される、前記可変パラメータとは異なる少なくとも１つの
固定パラメータを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の反応物の前記量が、前記第１の反応物の分圧、前記第２の反応物の分圧、プ
ロセス圧力、前記第１のモル分率および前記第２の反応物のモル分率のうちの１つを含み
、前記可変パラメータと異なる前記少なくとも１つの固定パラメータが、前記第１の反応
物の前記分圧、前記第２の反応物の前記分圧、前記プロセス圧力、前記第１の反応物の前
記モル分率、前記第２の反応物の前記モル分率、前記第２の反応物に対する前記第１の反
応物の質量分率、前記第２の反応物に対する前記第１の反応物のモル比、前記第１の反応
物の質量、前記第２の反応物の質量、前記第１の反応物の質量流量、前記第２の反応物の
質量流量、前記第１の反応物のモル数、前記第２の反応物のモル数、前記第１の反応物の
モル流量および前記第２の反応物のモル流量を含む第２のパラメータグループのうちの１
つのである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記フィーチャから前記トリミング量を実質的に除去する前記ステップが、前記化学処
理に引き続き、前記基材の温度を上昇させることによって前記基材を熱処理することを含
む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記フィーチャから前記トリミング量を実質的に除去する前記ステップが、前記化学処
理に引き続き、前記基材を水溶液中ですすぐことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記化学的酸化物除去プロセスを実施する前記ステップが、ＨＦガスとＮＨ３ガスとを
含むプロセスレシピを使用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記化学的酸化物除去プロセスを実施する前記ステップが、不活性ガスを有するプロセ
スレシピを使用することを含み、前記第１のパラメータグループが前記不活性ガスの分圧
をさらに含み、前記第２のパラメータグループが、前記不活性ガスの分圧、前記不活性ガ
スのモル分率、前記不活性ガスの質量、前記不活性ガスの質量流量、前記不活性ガスのモ
ル数、前記不活性ガスのモル流量、前記不活性ガスに対する前記第１の反応物の質量比、
前記不活性ガスに対する前記第２の反応物の質量比、前記不活性ガスに対する前記第１の
反応物のモル比、および前記不活性ガスに対する前記第２の反応物のモル比をさらに含む
、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記化学的酸化物除去プロセスを実施する前記ステップが、ＨＦガスとＮＨ３ガスとＡ
ｒガスとを含むプロセスレシピを使用することを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記固定パラメータの場合に前記トリミングデータを前記可変パラメータの関数として
得るステップは、ＮＨ３に対するＨＦの質量比が一定値で前記プロセス圧力の場合に前記
トリミングデータをＨＦの分圧の関数として得ることを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記フィーチャを化学処理する前記ステップが、酸化ケイ素のフィーチャを化学処理す
ることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記関係式を求める前記ステップが、内挿法、外挿法およびデータフィッティングのう
ちの１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記データフィッティングが、多項式フィッティング、指数関数フィッティングおよび
べき乗フィッティングのうちの少なくとも１つを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
基材上のフィーチャの目標トリミング量を達成するために、プロセスレシピを使用して
化学的酸化物除去プロセスを実施する方法であって、
トリミング量データと前記プロセスレシピのためのガス種の分圧との間の関係式を求め
るステップと、
前記目標トリミング量を設定するステップと、
前記ガス種の前記分圧の目標値を求めるために前記関係式と前記目標トリミング量とを
使用するステップと、
前記ガス種の前記分圧の前記目標値にしたがって前記プロセスレシピを調整するステッ
プと、
前記基材に前記プロセスレシピを施すことによって、前記基材上の前記フィーチャを化
学処理するステップと、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月8日(2008.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光結合素子パッケージであって、
（ａ）リードフレームおよび成形化合物を含む基板と、
（ｂ）発光素子と、
（ｃ）受光素子と、前記発光素子および前記受光素子は、前記リードフレームに電気的に結合し、
（ｄ）前記発光素子と前記受光素子との間に置かれた光透過性媒体、
を含む、前記光結合素子パッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載の光結合素子パッケージであってさらに、前記リードフレームに結合した複数の導電性構造を含み、前記導電性構造は、前記受光素子および前記発光素子の高さよりも高い高さを有することを特徴とする、前記光結合素子パッケージ。
【請求項３】
請求項２に記載の光結合素子パッケージにおいて、前記導電性構造は、はんだ構造であることを特徴とする、前記光結合素子パッケージ。
【請求項４】
請求項１に記載の光結合素子パッケージであってさらに、前記受光素子を前記リードフレームに電気的に結合し、前記発光素子を前記リードフレームに電気的に結合するボンド・ワイヤを含むことを特徴とする、前記光結合素子パッケージ。
【請求項５】
請求項１に記載の光結合素子パッケージにおいて、前記リードフレームは、エッチングされた部分およびエッチングされていない部分を含み、前記エッチングされた部分は、前記成形化合物によって覆われ、前記エッチングされていない部分は、前記成形化合物によって覆われていないことを特徴とする、前記光結合素子パッケージ。
【請求項６】
請求項１に記載の光結合素子パッケージにおいて、前記リードフレームは銅を含むことを特徴とする、前記光結合素子パッケージ。
【請求項７】
請求項１に記載の光結合素子パッケージにおいて、複数の光結合素子が前記基板上にあることを特徴とする、前記光結合素子パッケージ。
【請求項８】
請求項１に記載の光結合素子パッケージにおいて、前記リードフレームは、第１の側においてエッチングされた部分およびエッチングされていない部分を含み、前記エッチングされた部分は前記成形化合物によって覆われ、前記エッチングされていない部分は前記成形化合物によって覆われず、前記成形化合物は、前記リードフレームの第２の側を完全に覆うことを特徴とする、前記光結合素子パッケージ。
【請求項９】
光結合素子パッケージを形成する方法であって、
（ａ）リードフレームおよび成形化合物を含む基板を形成することと、
（ｂ）発光素子および受光素子を前記基板に取り付けることと、
（ｃ）前記発光素子と前記受光素子との間に光透過性材料を付着すること、
を含む、前記方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であってさらに、
前記基板上に複数の導電性構造を形成することを含み、前記導電性構造は、前記発光素子および受光素子の高さより高い高さを有することを特徴とする、前記方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法において、前記方法は、（ａ）に先立ち、前記リードフレームをエッチングすることを含むことを特徴とする、前記方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の方法において、前記リードフレームは銅を含むことを特徴とする、前記方法。
【請求項１３】
請求項９に記載の方法であってさらに、前記発光素子および前記受光素子から前記リードフレームにワイヤを取り付けることを含むことを特徴とする、前記方法。
【請求項１４】
請求項９に記載の方法であってさらに、前記光透過性材料上に不透明材料を付着することを含むことを特徴とする、前記方法。
【請求項１５】
請求項９に記載の方法であってさらに、前記基板上に、少なくとも４つの発光素子および少なくとも４つの受光素子を取り付けることを含むことを特徴とする、前記方法。
【請求項１６】
光結合素子パッケージであって、
（ａ）基板と、
（ｂ）少なくとも２つの発光素子と、
（ｃ）少なくとも２つの受光素子と、
（ｄ）隣接する発光素子と受光素子との間の光透過性媒体と、
（ｅ）前記光透過性媒体の上の光反射性材料、
を含み、
前記発光素子および前記受光素子は前記基板上にある、前記光結合素子パッケージ。
【請求項１７】
請求項１６に記載の光結合素子パッケージにおいて、前記基板は、エッチングされた部分を含むリードフレームを含むことを特徴とする、前記光結合素子パッケージ。
【請求項１８】
請求項１６に記載の光結合素子パッケージにおいて、前記基板は、銅および成形化合物を含むリードフレームを含むことを特徴とする、前記光結合素子パッケージ。
【請求項１９】
請求項１６に記載の光結合素子パッケージであってさらに、前記基板上にＭＯＳＦＥＴを含むチップを含むことを特徴とする、前記光結合素子パッケージ。
【請求項２０】
請求項１に記載の光結合素子パッケージであってさらに、前記基板上にＭＯＳＦＥＴを含むチップを含むことを特徴とする、前記光結合素子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月7日(2008.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを製造する方法であって、
ゲート電極構造の第1寸法を決定する工程と、
目標トリム寸法を選択する工程と、
プロセスパラメータのセットを生成するためにプロセスモデルに対して前記第1寸法お
よび前記目標トリム寸法をフィードフォワードする工程と、
ゲート電極構造上にトリミングプロセスを実行する実行工程とを有し、
トリミングプロセス中にプロセスパラメータのセットをコントロールし、
ゲート電極構造をトリミングすることを含む方法。
【請求項２】
トリミングされたゲート電極構造のトリム後寸法を計測する工程を有する請求項１記載
の方法。
【請求項３】
目標トリム寸法が得られるまで、さらに少なくとも１回は前記実行工程を行う請求項２
記載の方法。
【請求項４】
前記実行工程は、新たなプロセスパラメータのセットを生成するために、前記プロセス
モデルに対して前記トリム後寸法をフィードバックする工程をさらに含む請求項３記載の
方法。
【請求項５】
前記プロセスパラメータを生成する際に、
前記第1寸法から反応層厚さ、前記トリム後寸法、目標トリム寸法、または、これらの
２又は３以上の組合せを計算し、
前記反応層厚さに基づいて、プロセスパラメータのセットを決定する請求項１記載の方
法。
【請求項６】
前記プロセスパラメータのセットを決定する際に、さらに、他のプロセスパラメータを
固定したままで、少なくとも1つのプロセスパラメータを選択する請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記プロセスパラメータのセットは、プロセスガス圧力、基材温度、プラズマ電力、ま
たはプロセス時間、もしくは、これらの２又は３以上の組合せを含む請求項１記載の方法
。
【請求項８】
前記第1寸法を決定するために、散乱法（scattering technique）、走査型電子顕微鏡
、又はこれらの組合せが用いられる請求項１記載の方法。
【請求項９】
トリミングする際に、
前記ゲート電極構造との反応を用いて反応層を形成し、
化学エッチングにより、前記ゲート電極構造の未反応部分から前記反応層を選択的に除
去する請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記反応層は、自己制限プロセスにより形成される請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記反応層を形成する際に、
熱処理プロセス、プラズマプロセスまたはこれらの組合せのプロセス内で、反応ガスに
対して前記ゲート電極構造を曝す請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記反応層を選択的に除去する際に、
エッチングガスに対して前記ゲート電極構造を曝す請求項９記載の方法。
【請求項１３】
前記反応層を選択的に除去する際に、
ＨＦ（ａｑ）に対して前記ゲート電極構造を曝す請求項９記載の方法。
【請求項１４】
前記反応層を選択的に除去する際に、
ＨＦ及びＮＨ３ガスに対して前記ゲート電極構造を曝し、そして熱処理を行う請求項９
記載の方法。
【請求項１５】
前記反応層を選択的に除去する際に、
リモートプラズマ内でＮＦ３及びＮＨ３ガスに対して前記ゲート電極構造を曝し、そし
て熱処理を行う請求項９記載の方法。
【請求項１６】
前記第1寸法は、リソグラフィック寸法される請求項９記載の方法。
【請求項１７】
異方性エッチングのために、トリムされた前記ゲート電極構造をマスクとして用いる請
求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月13日(2008.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導ループアンテナ（２４）に電磁結合して、誘導ループアンテナの動作周波数をRFIDシステム（１０）の動作周波数に、又は、同周波数に近い周波数に実質的に維持するように、ＲＦＩＤタグの誘導ループアンテナに対し所定の大きさを有し、近傍の所定位置に配置される導電材料の閉ループを含む補償要素（３０）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ＲＦＩＤタグは、電気化学電池により電力を供給されてよく（いわゆる「アクティブタグ」）、或いは、ＲＦＩＤタグは読取装置が生成するＲＦ場から全ての電力を引き出していてもよい（いわゆる「パッシブタグ」）。後者の場合、ＲＦＩＤタグは電池または外部電源の保守を必要とせず、電源供給を受けることなく無制限に休眠状態であってよい。以下の説明は主にパッシブ（すなわち、電池無し）ＲＦＩＤタグに焦点を当てているが、本発明がパッシブタグに限定されず、以下に説明する原理及び結果が誘導ループ・アンテナを備えたアクティブＨＦ  ＲＦＩＤタグにも応用できる点を理解されたい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図２に示す補償要素３０の実施形態は、形状が実質的に直線で囲まれた形状で、アンテナ２４と同様の形状である。しかし、補償要素３０は他の様々な形状であってよく、アンテナ２４と類似の形状である必要がない点を理解されたい。従って用語「閉ループ」は、電流がループを流れるように自身が閉じている任意の形状、例えば正方形、長方形、円形、楕円形、三角形、その他任意の自身で閉じている多角または曲線形状として定義することができる。補償要素３０および被補償ＲＦＩＤタグ２０の実施形態は、当業者が本明細書を読めば容易に理解できよう。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図８は、被補償ＲＦＩＤタグ２０の別の例である実施形態を示す。この一例である実施形態において、補償要素３０は、図２〜７に関して上で述べた直線で囲まれた形状ではなく、円形である。実際、補償要素３０は三角形、楕円、正方形、長方形、或いはその他任意の多角形または曲線で囲まれた閉じた形状を含め、実質的に任意の形状であってよく、しかも補償機能を実行することができる。従って、補償要素３０の形状は本発明の目的の限定要素ではなく、補償要素３０が本発明の範囲から逸脱することなく実質的に任意の形状であってよい点を理解されたい。図８に示すような円形の補償要素２０の配置は、円形ループがループの中心の回りで円周対称であるため、角度に依存しない。補償回路要素２０の効果は、補償回路要素２０の幾何学中心がＲＦＩＤタグ・アンテナ２４の幾何学的中心と一致する場合に最大となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図１５Ａに、被補償ＲＦＩＤタグ２０の周波数および振幅応答ＶＥＲＳＵＳ補償要素３０の大きさのグラフを示す。これらの結果は、標準的な無補償ＲＦＩＤタグ（大きさが変化する直線で囲まれた形状の補償要素３０を含むように修正された）から取得された。試験用ＲＦＩＤタグの最も内側のループの直径は約２５ｍｍ、最も外側のループの直径は約４５ｍｍであった。図１５Ａに示すように、直径が２２．５ｍｍ未満の補償要素３０の場合、補償要素３０は被試験ＲＦＩＤの応答には何ら影響がなかった。しかし、補償要素３０の直径が、被試験タグの最も内側のループの直径に近い場合、顕著な影響が見られた。すなわち、周波数応答が上方シフトされ、補償要素３０の直径が４０ｍｍに近づいた時に最大になる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図１５Ｂに、被補償ＲＦＩＤタグ２０の周波数および振幅応答ＶＥＲＳＵＳ円形補償要素３０の大きさのグラフを示す。同じような大きさの直線で囲まれた形状の補償要素３０に対する結果も示す。直線状の補償要素と同様に、補償要素の直径が被試験タグの最も内側のループの直径に近づいたならば、顕著な効果が見られた。再び、周波数応答は上方シフトされ、円形の補償要素と、正方形の補償要素の直径が共に約４０ｍｍであるときに最大である。図１５Ａ、１５Ｂから、補償要素３０が実質的に任意の形状であってよく、しかも本明細書に述べる補償機能を実行できるものと推論することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
図１６に、実質的に直線状のアンテナ２４の軸に対する、実質的に直線で囲まれた形状の補償要素３０の角変位の効果を示す。補償要素は、ＲＦＩＤタグ・アンテナの複数のループの平均エッヂ長さにほぼ等しいエッヂ長さ（ｅｄｇｅ  ｌｅｎｇｔｈ）を有するように選ばれた。図に示すように、近接結合効果は、角変位または角オフセットが０度のときに最大（図６、７参照）である。角変位が増すにつれて、近接結合効果は角変位が約１０度に達するまで非線形に減少する。角変位が１０度を超えた場合、近接結合効果は角変位が４５度になるまで緩慢に減少する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
【図１】ＲＦＩＤタグが本明細書に記述する技術に従い補償要素を組み込んだ無線周波数識別（ＲＦＩＤ）システムを示すブロック図である。
【図２】本明細書に記述する技術による被被補償ＲＦＩＤタグの一つの例の実施形態の模式図である。
【図３−１０】被補償ＲＦＩＤタグの別の一例の実施形態の模式図である。
【図１１Ａ−１１Ｃ】被補償ＲＦＩＤタグの別の一例の実施形態の側面斜視図である。
【図１２Ａ−１２Ｃ】被補償ＲＦＩＤタグの別の一例の実施形態の側面斜視図である。
【図１３】被補償ＲＦＩＤタグ内の電流の方向を一般的に示す図である。
【図１４】問い掛け領域が存在する場合の５個の被補償ＲＦＩＤタグの応答例を示すグラフである。
【図１５Ａ】直線で囲まれた形状の被補償ＲＦＩＤタグの共振周波数対補償要素の大きさを示すグラフである。
【図１５Ｂ】直線で囲まれた形状の被補償ＲＦＩＤタグの共振周波数対補償要素の大きさ、および円形被補償ＲＦＩＤタグの共振周波数対補償要素の大きさを示すグラフである。
【図１６】被補償ＲＦＩＤタグの共振周波数対補償要素の角変位を示すグラフである。
【図１７】共振周波数および振幅対被補償ＲＦＩＤタグ内の各種の短絡コイルの組合せを示すグラフである。
【図１８】導電性基板上に補償要素を備えたＲＦＩＤタグを示す図である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月15日(2008.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイパワー高繰返し数ガス放電レーザＵＶ光源であって、
垂直壁と隣接する底部壁とを含む内壁を含むガス放電チャンバと、
前記内部垂直壁と前記隣接する底部壁とに隣接するガス流路を作り出すためのガス循環ファンと、
低ガス流量の領域に位置決めされたチャンバ内ダストトラップと、
を含むことを特徴とする光源。
【請求項２】
前記ダストトラップは、内壁に沿って位置決めされている、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の機器。
【請求項３】
前記ダストトラップは、少なくとも１つのメッシュ状スクリーンを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の機器。
【請求項４】
前記ダストトラップは、複数のメッシュ状スクリーンを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の機器。
【請求項５】
前記ダストトラップは、少なくとも２つの異なるゲージのメッシュ状スクリーンを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の機器。
【請求項６】
前記ダストトラップは、前記チャンバの前記底部内壁に沿って延びている、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の機器。
【請求項７】
前記ダストトラップは、前記内壁の垂直部分に沿って延びている、
ことを更に含むことを特徴とする請求項６に記載の機器。
【請求項８】
前記ダストトラップは、
第１のゲージを有する第１のメッシュ状スクリーンと、
前記第１のメッシュ状スクリーンと前記内壁の中間にあり、該第１のゲージよりも小さい第２のゲージを有する第２のメッシュ状スクリーンと、
を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の機器。
【請求項９】
前記ダストトラップは、
前記チャンバの前記垂直内壁及び前記底部壁の少なくとも一方における複数のダスト収集凹部、
を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の機器。
【請求項１０】
前記垂直内壁及び前記底部壁における複数のダスト収集凹部、
を更に含むことを特徴とする請求項９に記載の機器。
【請求項１１】
前記凹部は、単一部分凹部及び複数部分凹部を含む群から選択される、
ことを更に含むことを特徴とする請求項９に記載の機器。
【請求項１２】
前記複数部分凹部は、互いに対して角度が付けられた２つの区域を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の機器。
【請求項１３】
前記ダストトラップは、
主絶縁体の一部分と前記チャンバの内壁との間に位置決めされた圧力トラップ、
を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の機器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月26日(2008.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソードと、アノードと、両者の間にあって、アントラセン化合物または金属キレート化オキシノイド化合物から選ばれたホスト材料および一般式（1）の光を出さないエチニル化合物：A-C≡C-B  （1）
を含む層とを備えるエレクトロルミネッセンス・デバイスであって、該エチニル化合物が該デバイスを安定化させるのに十分な量で含まれ、AとBが、独立に選択した縮合炭素環基を表わし、かつ、該層が、光を出す第３の材料であって、アントラセン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、クマリン、ローダミン、キナクリドン、ジシアノメチレンピラン、チオピラン、ポリメチン、ピリリウム、チアピリリウム、ペリフランテン、インデノペリレン、ビス(アジニル)アミンホウ素化合物、ビス(アジニル)メタン化合物およびカルボスチリル化合物からなる群より選ばれた材料を含有することを特徴とするデバイス。
【請求項２】
少なくとも1つの上記環基がアントラセン基である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
少なくとも1つの上記環基がフェナントレン基である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
少なくとも1つの上記環基がナフタレン基である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
Aがアントラセン基を表わし、Bがナフタレン基を表わす、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
AとBが、独立に選択したアントラセン基を表わす、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
上記エチニル化合物が少なくとも6個の芳香族環を備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
上記エチニル化合物が一般式（2）：
【化１】
2007531316.tif 000001
で表わされる（ただし、
それぞれのvは独立に置換基を表わし、互いに隣接する置換基は合わさって環を形成することができ；
ｍは0〜4であり；
v1とv2は、独立に、水素または置換基を表わす）、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
v1とv2が、独立に選択した芳香族環基を表わす、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
上記ホスト材料が、一般式（3a）：
【化２】
2007531316.tif 000002
で表わされる（ただし、
W1〜W10は、独立に、水素または独立に選択した置換基を表わし、隣接した2つの置換基は合わさって環を形成することができる）、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
上記ホスト材料がトリス(キノリノラト)アルミニウム(III)である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】
上記第3の材料が、一般式（4）：
【化３】
2007531316.tif 000003
で表わされる（ただし、
s1〜s10は、独立に、水素または独立に選択した置換基を表わし、互いに隣接する置換基は合わさって環を形成することができ；
s11とs12は、独立に、アルキル基または芳香族基を表わす）、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１３】
上記第3の材料が、一般式（5）：
【化４】
2007531316.tif 000004
で表わされる（ただし、
w11とw12は独立に選択した置換基を表わし、w11とw12は、互いに合わさって、またはw13もしくはw14と合わさって、環を形成することができ；
w13〜w16は、独立に、水素または独立に選択した置換基を表わし、互いに隣接した置換基は環を形成することができ；
w17は、複素芳香族環を完成させるのに必要な原子を表わす）、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１４】
一般式（1）の化合物が上記層の0.5〜20質量％の量で存在している、請求項１に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月7日(2008.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＯＩ型基板中にリッジまたはリブ導波路と、活性領域とを含む、光信号を制御するためのオプトエレクトロニクス部品であって、
該活性領域は、Ｎ＋型にドープまたはＰ＋型にドープ（δドープ）された複数の極薄シリコン層により形成されており、Ｎ＋ドープ領域およびＰ＋ドープ領域の間に配置されており、これらＮ＋ドープ領域およびＰ＋ドープ領域はＰＩＮダイオードを形成し、該活性領域の両側に配置されていて該活性領域をバイアスすることを可能とすることを特徴とし、
更に、該オプトエレクトロニクス部品は、オールシリコンであり、キャリア散逸により動作することを特徴とする、
オプトエレクトロニクス部品。
【請求項２】
前記シリコン層がすべてＮ＋型にドープされるか、またはすべてＰ＋型にドープされるかのいずれであることを特徴とする請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項３】
ドーピング面が基板に対して平行であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項４】
上部電極が、マイクロ導波路のリッジまたはリブにより規定される活性領域に対して側面に沿って突き合わされることを特徴とする請求項３に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項５】
第２電極が活性領域を超えて側面に沿って延びる下部シリコンドープ層と接触することを特徴とする請求項２、３、または４に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項６】
二つの電極の少なくとも一つが、シリサイド層を介して（Ｎ＋またはＰ＋）ドープシリコン層と接触することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項７】
ドーピング面が基板に対して垂直であることを特徴とする請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項８】
それが、極薄Ｎ＋またはＰ＋（δドーピング）シリコン層をエピタキシャル成長させることに存する方法を用いて製造されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項９】
それがレーザードーピングによりＮ＋またはＰ＋ドーピング面を形成することに存する方法を用いて製造されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１０】
オプトエレクトロニク・スイッチの形成用の請求項１〜９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１１】
オプトエレクトロニク変調器の形成用の請求項１〜９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月13日(2008.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの導電性多孔質層および導電性液体を包含する表示素子であって、前記導電性多孔質層が誘電性かつ疎液性のカバーによって前記導電性液体から絶縁された複数の接続された導電性粒子を包含し、さらに前記表示素子が、前記少なくとも２つの多孔質層と前記液体とをわたる電圧を個別に接続するための手段を包含し、その結果、電圧を各導電性の層に順次印加したときに前記液体が１つの場所から別の場所に変位し、順序を交替した電圧の印加時に限り前記液体がオリジナルの場所に戻る表示素子。
【請求項２】
前記少なくとも２つの導電性多孔質層に隣接して少なくとも１つの追加の層が提供され、前記液体は、前記追加の層の材料と６０°より小さい接触角を有し、前記追加の層の厚さは、前記導電性多孔質層のそれぞれの厚さより大きいが、前記２つの導電性多孔質層を組み合わせた厚さより小さい、請求項１に記載の表示素子。
【請求項３】
前記少なくとも１つの追加の層は、複数の粒子を包含する請求項２に記載の表示素子。
【請求項４】
着色材料の中間層が前記追加の層と前記導電性多孔質層の１つの間に提供される請求項２に記載の表示素子。
【請求項５】
前記追加の層は、フォトニック結晶構造を包含する請求項２に記載の表示素子。
【請求項６】
請求項１に記載の表示素子を包含し、各素子を回路に接続してマトリクス・ディスプレイを作成するための手段を含むデバイス。
【請求項７】
請求項１に記載の表示素子を包含し、各層の前記材料が支持材料上にコーティングされるデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
いずれのタイプの粒子が使用される場合であっても、接触角ヒステリシスが低い疎液性材料の薄い層またはカバー５４によってそれらを覆う必要がある。この疎液性材料は、絶縁体とする必要がある。適切な粒子は、疎液性かつ誘電性のメルカプタンによって包み込まれた導電性の銀の粒子となろう。当業者によって理解されることになろうが、これは一例に過ぎず、任意の導電性材料および疎液性かつ誘電性のカバーを、本発明の条件内において使用することができる。図５は、粒子についての可能コア・シェル構成を例示している。コア５６は、二酸化ケイ素等の安価な絶縁体粒子とすることができる。金属シェル３６が各コア５６を包み込む。それらのシェルに包み込まれた粒子を疎液性材料の層５４が取り囲む。層５４は、たとえば高分子から作ることができる。そのほかにも使用できる材料として、高分子電解質、フッ素重合体、自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）、または無機のシェルを挙げることができる。しかしながら、本発明が、これらの材料に限定されるものと解釈されることはない。層８内の粒子３０の金属性コンポーネントは、接続される必要があり、その構造を疎液性カバー５４が完全に包み込む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
この実施態様は、多くの意味で図１に示されているものに類似している。３つの粒子の層は、図１に例示した層６、８、および１０と実質的に同じであり、したがって同じ符号が付されている。各相の間には、液体と接続するための導体１４が備わっている。この導体は、ワイヤ・フィラメントから構成できる。導体２０および２２は、前述同様に層８および１０に関連付けされている。もっとも下側の層１０の下側には絶縁層１６が配置される。この素子は、上側基板２４および下側基板２６によって封入される。上側基板は、透明材料でなければならない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2007531037.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月5日(2008.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔性材料の単一層；
離散的液滴；及び、
前記層に電圧を印加する手段；
を有し、
前記層は、疎液性でかつ絶縁性の被覆体で被覆される複数の導電性粒子を有し、
前記液体と前記液滴層との間に電圧を印加することで、前記液滴は前記層内へ移動し、前記電圧を除去することで、前記層から飛び出すように移動し、
前記多孔性材料層の上から見ると、前記液滴の移動は光学的変化に影響を及ぼす、
ことを特徴とするディスプレイ素子。
【請求項２】
前記液滴はフレキシブル膜で密閉されていることを特徴とする、請求項1に記載の素子。
【請求項３】
各素子とマトリックスディスプレイを作製するための回路とを接続する手段を有する、請求項1に記載の素子を有する装置。
【請求項４】
前記層各々の材料が支持材料上でコーティングされていることを特徴とする、請求項1に記載の素子を有する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月5日(2008.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部層および下部層の、少なくとも2つの多孔質層を有する表示素子であって、
前記上部層には、導電性液体が収容され、前記液体は、前記上部層の材料に対して、約60゜未満の接触角を有し、
前記下部層の材料は、導電性であり、誘電体被覆材によって、前記液体から絶縁され、
前記液体は、前記下部層の材料に対して、約90゜よりも大きな接触角を有し、
前記下部層と前記液体の間に電圧を印加した際、前記液体は、前記上部層から前記下部層の方に移動し、
これにより、前記上部層に光学的な変化が生じることを特徴とする表示素子。
【請求項２】
前記上部層は、複数の粒子を有することを特徴とする請求項1に記載の表示素子。
【請求項３】
前記下部層は、誘電体層で被覆された複数の導電性粒子を有することを特徴とする請求項1または2に記載の表示素子。
【請求項４】
前記上部層と前記下部層の間に、着色材料の中間層が設置されることを特徴とする請求項1に記載の表示素子。
【請求項５】
前記上部層は、フォトニック結晶構造を有することを特徴とする請求項1に記載の表示素子。
【請求項６】
請求項1に記載の、少なくとも一つの表示素子を有する装置であって、
各素子を回路に接続する手段を有し、マトリクスディスプレイを形成する装置。
【請求項７】
請求項1に記載の、少なくとも一つの表示素子を有する装置であって、
各層の材料は、支持材料上にコーティングされることを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月28日(2008.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カラーOLEDディスプレイ・デバイスであって、
発光画素アレイと、OLEDを駆動信号で選択的に駆動する手段とを含み；
a)該発光画素アレイの各画素が、赤色、緑色及び青色のOLEDと、該赤色、緑色及び青色のOLEDによって画定されたガモットに対して該ディスプレイ・デバイスのガモットを拡張する１つ以上の付加的な有色OLEDとを有しており、該付加的なOLEDの輝度効率又は経時輝度安定性が、該赤色、緑色及び青色のOLEDのうちの少なくとも１つの輝度効率又は経時輝度安定性よりも高く；そして、
b)該OLEDを駆動信号で選択的に駆動する手段により、ディスプレイ色精度を維持しつつ、電力使用量全体を低減し、又は該ディスプレイの寿命を延ばす、
カラーOLEDディスプレイ・デバイス。
【請求項２】
該駆動信号が制御信号に依存し、該制御信号を、抵抗、電圧、電流、温度、周囲照明、ディスプレイ輝度、及び/又はシーン内容を含む集合のうちの１つ又は２つ以上の関数として変化させる、請求項１に記載のディスプレイ・デバイス。
【請求項３】
該OLEDのうちの１つ又は２つ以上が、白色発光材料をパターニングすることにより形成され、かつ、該OLEDのうちの１つ又は２つ以上の色が、カラーフィルターを使用して生成される、請求項１に記載のOLEDディスプレイ・デバイス。
【請求項４】
請求項１に記載のOLEDディスプレイ・デバイスの電力使用量を低減する方法であって：
画素内部の異なる色の任意の３つのOLEDの組み合わせによって画定することができる全ての可能なサブガモットを、平均効率に従って優先順位付けし；
各所望の色を形成するために使用することができる最低優先順位のサブガモットを画定する、各画素の該３つのOLEDに必要とされる強度を計算し；
該最低優先順位のサブガモットを形成しない、任意の残りのより高効率のOLEDを、該最低優先順位のサブガモットを形成するOLEDの組み合わせに逐次加え、そして、該加えられたOLEDと、各所望の色を形成するために使用することができる付加的なサブガモットを画定するOLEDのうちの他の２つとの組み合わせに必要とされる強度を計算し；そして、
ディスプレイ色精度を維持しつつ、電力使用量全体を低減するように、各画素内の該OLEDを駆動信号で選択的に駆動する、
ステップを含む、OLEDディスプレイ・デバイスの電力使用量を低減する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月24日(2008.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバコネクタであって、
長手方向に延びるキャビティを形成する内面を有するハウジングであって、前記キャビティと連通する前方開口と前記キャビティと連通する後方開口とを形成するハウジングと、
前記ハウジングの前方開口部を通して前記キャビティ内に挿入されたスプリング要素と、
前記ハウジングの後方開口部を通して前記キャビティ内に挿入されたフェルールホルダと、
前記ハウジングに作動的に連結され、前記ハウジングを前記フェルールホルダに対して前方に付勢する少なくとも１つの付勢部材を備えたトリガ部材と、
前記フェルールホルダの周りに配置されたカム部材と、を備えている、
ことを特徴とする光ファイバコネクタ。
【請求項２】
前記トリガ部材が、前記フェルールホルダに対して長手方向に摺動する、
請求項１に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項３】
前記トリガ部材が、第１要素と、該第１要素から延び前記ハウジングと係合する少なくとも１つのスナップ部材とを備えている、
請求項１に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項４】
前記トリガ部材が、張力解放ブーツを受け入れるキャビティを備えているフィットトリガ部材を備えている、
請求項１に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項５】
前記ハウジングが、前記トリガ部材の少なくとも１つのスナップ部材と係合する少なくとも１つのラッチ開口を備えている、
請求項３に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項６】
前記フェルールホルダの前端部の周りに配置されたスプリング要素リテーナをさらに備え、
前記スプリング要素が、前記スプリング要素座部と前記スプリング要素リテーナとの間に配置され、所定のスプリング力で前記フェルールホルダを前方に付勢する、
請求項１に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項７】
前記所定のスプリング力が、約１ポンド（ｌｂ）よりも大きい、
請求項６に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項８】
前記フェルールホルダが、前記光ファイバスタブとフィールドファイバとの間の接合部の品質の可視指標を提供するビューポートをさらに備えている、
請求項１に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項９】
前記ハウジングが、前記ビューポートを見るためのスロットを有している、
請求項１に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項１０】
前記カム部材が前記フェルールホルダに固定され、
前記トリガ部材が、前記カム部材に対して摺動する、
請求項１に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項１１】
前記カム部材が、前記少なくとも１つの付勢部材を摺動的に受け入れるリリーフを備えている、
請求項１に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項１２】
前記カム部材が、前記少なくとも１つのスナップ部材を摺動的に受け入れる少なくとも１つのリリーフを備えている、
請求項３に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの付勢部材が、前記ハウジングの接触部分に当接し、
前記付勢部材の少なくとも一部分と前記接触部分の一部分が、前記ハウジングの長手方向軸線に対して相捕的な角度を形成する、
請求項１に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項１４】
前記補角がそれぞれ９０度である、
請求項１３に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項１５】
前記カム部材が、前記トリガ部材を前記カム部材に対して整列させるキー部分を外面に備えている、
請求項１に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項１６】
光ファイバコネクタであって、
接触部分を有するハウジングと、
該ハウジング内に配置されているフェルールホルダと、
前記ハウジングの作動的に連結され、前記ハウジングを前記フェルールホルダに対して前方に付勢する少なくとも１つの付勢部材を備えているトリガ部材と、を備え、
前記少なくとも１つの付勢部材が、前記ハウジングの接触部分に当接し、
前記付勢部材の少なくとも一部分と前記ハウジングの接触部分の一部分とが、前記コネクタの長手方向軸線に対して略相捕的な角度を形成している、
ことを特徴とする光ファイバコネクタ。
【請求項１７】
前記トリガ部材が、前記ハウジングに設けられたそれぞれのラッチ開口に係合する少なくとも１つのスナップ部材を備えている、
請求項１６に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項１８】
前記フェルールホルダの周りに配置されたカム部材を備え、
該カム部材が、前記付勢部材を摺動的に受け入れるリリーフを備えている、
請求項１７に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項１９】
前記カム部材が、前記少なくとも１つのスナップ部材を摺動的に受け入れる少なくとも１つのリリーフを備えている、
請求項１８に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項２０】
前記トリガ部材が、前記フェルールホルダの周りに配置され、該前記フェルールホルダに対して長手方向に摺動する、
請求項１６に記載の光ファイバコネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月25日(2008.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＣレセプタクルと嵌合するように構成された筐体であって、少なくとも２１０℃の温度に曝したときに変形しないポリマー材料を含む筐体と、
フェルール部とバレル部とを含み、半結晶熱可塑性接着材料、好ましくはポリアミド系ホットメルト材料が予め充填されたフェルールアセンブリと、
を含むことを特徴とする、光ファイバーを成端する光コネクタ。
【請求項２】
前記熱可塑性材料が超高温ホットメルト接着剤であり、
好ましくは約２００℃〜約２５０℃の温度範囲における溶融粘度が１０００〜２０，０００ｃｐであり、
好ましくは室温でのショアＤ硬さが約５０〜約８５であり、
好ましくは約−４０℃〜約８５℃の操作温度内のヤング率が約１×１０７ｐｓｉを超える超高温ホットメルト材料であることを特徴とする、請求項１に記載の光コネクタ。
【請求項３】
前記半結晶材料が、約１５％〜約３５％の結晶度を有することを特徴とする、請求項１に記載の光コネクタ。
【請求項４】
前記ポリマー材料が約２１０℃〜約２７０℃の温度に曝したときに変形しなくて、
前記熱可塑性接着剤によってフェルールに成端された光ファイバーを更に含み、成端されたコネクタの操作温度範囲が約−４０℃〜約＋８５℃であることを特徴とする、請求項１に記載の光コネクタ。
【請求項５】
前記バレル部が細長い熱伝導管を含むことを特徴とする、請求項１に記載のコネクタ。
【請求項６】
前記熱可塑性接着剤によって前記フェルールに成端された光ファイバーを更に含み、
前記光ファイバーは、熱を加え、その後に熱を除去することにより前記フェルールアセンブリに再設定可能である、請求項１に記載の光コネクタ。
【請求項７】
少なくとも２１０℃の温度に曝したときに変形しない材料を含む筐体と、
フェルール部とバレル部とを含み、熱可塑性接着材料が予め充填されたフェルールアセンブリと、
を含み、
前記熱可塑性材料が超高温ホットメルト接着剤であり、
コネクタが、ＬＣ型コネクタおよびＭＴ型コネクタおよびＭＵ型コネクタのうち１つを含むことを特徴とする、光ファイバーを成端する光コネクタ。
【請求項８】
前記超高温ホットメルト材料が約２００℃〜約２５０℃の温度範囲において１０００〜２０，０００ｃｐの溶融粘度を有し、
前記超高温ホットメルト材料が室温で約５０〜約８５のショアＤ硬さを有し、
前記超高温ホットメルト材料が１５％〜約３５％の結晶度の半結晶材料を含むことを特徴とする、請求項７に記載のコネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月23日(2008.4.23)
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記整列の結果を地図画像として表示することは、更に、制御ボタンを前記地図画像上へ重ね合わせることを備える請求項１の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記地図タイル識別子は、前記場所情報の緯度および経度ならびに要求されたズームレベルに関連している請求項１０の装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
場所リクエストをクライアント側のコンピュータデバイスから地図タイルサーバへ送るための前記手段は、前記場所リクエストを地図タイルリクエストに変換するための手段を備える、
請求項２２の装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２８】
更に、
ユーザの動作に関連する制御ボタンを取得することと、
前記制御ボタンを前記デジタル地図上に重ね合わせることと、
を備える請求項２６の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月5日(2008.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トナー画像を担持するよう構成された誘電性部材と、
該誘電性部材と係合し、且つ、前記トナー画像を画像担体に転写するよう構成されたバイアスされた転写ローラと、
複数の剛毛を有する転写ローラクリーニングブラシとを含み、
前記剛毛の少なくとも一部は、導電性の剛毛である、
電子写真機械。
【請求項２】
前記転写ローラクリーニングブラシを封入する導電性のブラシ筐体と、
前記転写ローラクリーニングブラシ及び前記ブラシ筐体の少なくとも一方を前記転写ローラと実質的に同一の電位に帯電するための手段とを含み、
前記剛毛は前記ブラシ筐体と係合し、前記ブラシ筐体は開口を定め、前記剛毛は前記開口を通じて前記転写ローラと接触する、
請求項１に記載の電子写真機械。
【請求項３】
電子写真機械の内部で電気的にバイアスされる転写ローラを洗浄する方法であって、
前記転写ローラを回転する転写ローラクリーニングブラシの剛毛と係合するステップと、
前記転写ローラクリーニングブラシを導電性の筐体の内部に封入するステップと、
前記転写ローラクリーニングブラシ及び前記筐体の少なくとも一方を前記転写ローラと実質的に同一の電位にバイアスするステップとを含み、
前記剛毛の少なくとも一部は、導電性を有し、
前記剛毛は、前記ブラシ筐体と係合し、前記剛毛は、前記筐体内の開口を通じて前記転写ローラと係合する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月9日(2008.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１ステップマスク開放プロセスを行う方法であって、
第１層を基材上に形成するステップと、
第２層を第１層上に形成するステップと、
パターンを前記第２層に形成するステップであって、前記パターンが、第１限界寸法を
有する前記第２層にフィーチャを含むステップと、
前記第１限界寸法を第２限界寸法に縮小するための目標トリム量を設定するステップと
、
前記目標トリム量、およびトリム量データを前記可変パラメーターに関連付けるプロセ
スモデルを使用してプロセスレシピの可変パラメーターを決定するステップと、
前記プロセスレシピを使用して、パターンを前記第２層から前記第１層に転写し、その
際、前記第１層内の前記フィーチャの前記第２限界寸法を達成するステップとを含む方法
。
【請求項２】
前記目標トリム量を設定する前記ステップが、前記第１限界寸法と前記第２限界寸法と
の差を決定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記可変パラメーターを決定するステップが、第１プロセスガスの量、第２プロセスガ
スの量、前記第１プロセスガスおよび前記第２プロセスガス全体の量、チャンバ圧、もし
くは少なくとも１つのＲＦ電力、またはこれらの２種類以上の任意の組合せを設定するス
テップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記可変パラメーターを決定するステップが、前記第１プロセスガスの前記量を前記プ
ロセスモデルから決定するステップと、前記第２プロセスガスの前記量を前記第１プロセ
スガスの前記量、並びに前記第１プロセスガスおよび前記第２プロセスガスの前記全体量
から決定するステップとを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記可変パラメーターを決定する前記ステップが、トリム量データ（ｙ）をｙ＝（ｘ＋
ａ）／（ｂｘ＋ｃ）、ここで、ａ、ｂ、およびｃは定数の形式の前記可変パラメーター（
ｘ）に関連付けるプロセスモデルを使用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
パターンを前記第２層から前記第１層に転写する前記ステップが、縦方向エッチングを
介して行われ、前記第２限界寸法を前記第１限界寸法から達成するステップが、横方向エ
ッチングを介して行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記縦方向エッチングおよび前記横方向エッチングが同時に行われる、請求項１に記載
の方法。
【請求項８】
前記パターンの転写後、前記第２フィーチャの前記第２限界寸法を測定するステップと
、
前記目標トリム量を前記第１限界寸法と第２限界寸法との差と比較するステップと、
前記比較から偏差を決定するステップと、
別の基材の新しい目標トリム量を決定するステップと、
前記偏差を使用して、前記新しい目標トリム量を調節するステップとをさらに含む、請
求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記新しいトリム量を調節する前記ステップがフィルタを使用することを含む、請求項
８に記載の方法。
【請求項１０】
前記フィルタを使用するステップが、ｘｎｅｗ，ａ＝（１−λ）ｘｎｅｗ＋λｙ、ここ
で、ｘｎｅｗ，ａは調節された新しいトリム量、ｘｎｅｗは新しいトリム量、２はフィル
タ定数、ｙは偏差である形式のフィルタを使用することを含む、請求項９に記載の方法
。
【請求項１１】
プロセスモデルを作成する方法であって、
第１のフィーチャのサイズを有するパターンを基材の上にある層から下にある層に転写
するための名目プロセスレシピを画定するステップであって、前記名目プロセスレシピが
、少なくとも１つの可変パラメーターおよび少なくとも１つの定数パラメーターを含むス
テップと、
前記少なくとも１つの可変パラメーターの１つまたは複数の値のトリム量を測定するこ
とによって、トリム量データを前記少なくとも１つの可変パラメーターの関数として蓄積
するステップと、
前記トリム量データを前記少なくとも１つの可変パラメーターの関数としてカーブフィ
ットするステップとを含む方法。
【請求項１２】
前記カーブフィットが、ｙ＝（ｘ＋ａ）／ｂｘ＋ｃ）、ここでａ、ｂ、およびｃは定数
、ｘは少なくとも１つの可変パラメーター、およびｙはトリム量である形式の式を使用し
て、前記トリム量データを前記可変パラメーターの関数としてフィットするステップを含
む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
エッチングシステムであって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバに結合され、基材を支持するように構成された基材保持具と、
前記処理チャンバに結合され、プラズマを前記処理チャンバ内に形成するように構成さ
れたプラズマ源と、
前記処理チャンバに結合され、プロセスガスを前記処理チャンバに導入するように構成
されたガス射出システムと、
前記処理チャンバ、前記基材保持具、前記プラズマ源、もしくは前記ガス射出システム
、またはこれらの２種類以上の任意の組合せに結合され、プロセスレシピを実行して、第
１限界寸法のフィーチャを有するパターンを前記基材上の上にある層から下にある層に転
写し、その際、プロセスモデルによって設定された目標トリム量によって前記第１限界寸
法を第２限界寸法に縮小するように構成された制御装置とを備えるエッチングシステム。