Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月19日(2019.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者の上に患者インタフェースを固定するように構成された固定構造体であって、
本体であって、
第１領域および第２領域であって、前記第１領域が患者の顔面の一部と接触するように構成され、前記第２領域が前記患者の顔面から外向きに面するように構成されている、第１領域および第２領域と、
第１拡張部および第２拡張部であって、前記本体に枢動可能に取り付けられ、前記第１拡張部が前記本体から分離可能である、第１拡張部および第２拡張部と、
を備える本体
を備え、
前記第２拡張部が、前記本体に対して枢動し、かつ前記本体にチューブを固定するように構成されている、固定構造体。
【請求項２】
前記第１拡張部が、前記本体から分離され、かつ前記患者の顔面の別の部分に位置決めされるように構成されている、請求項１に記載の固定構造体。
【請求項３】
前記第２拡張部が、前記チューブを固定するように適合された第１領域と、前記患者インタフェースを固定するように適合された第２領域とを備える、請求項１または２に記載の固定構造体。
【請求項４】
前記第２拡張部の前記第１領域が接着層を備える、請求項３に記載の固定構造体。
【請求項５】
前記接着層が、前記チューブおよび／又は前記本体の前記第２領域に付着するように適合されている、請求項４に記載の固定構造体。
【請求項６】
前記第２拡張部の前記第２領域が、前記患者インタフェースの相補的な第２締結具に取り付けられるように適合された第１締結具を備える、請求項１〜５のいずれか一項に記載の固定構造体。
【請求項７】
前記第１締結具が、フック・ループ取付システムのフック部分またはループ部分のいずれかを含み、前記患者インタフェースは前記第1締結具がループ部分のとき、前記フック部分を含み、前記患者インタフェースは前記第1締結具がフック部分のとき、前記ループ部分を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の固定構造体。
【請求項８】
前記第１拡張部および前記第２拡張部が、一対の実質的に対向する分離可能拡張部を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の固定構造体。
【請求項９】
前記本体が、前記患者の鼻または口の方に面するように適合された第１縁と、前記患者の鼻または口から離れる方に面するように適合された第２縁と、前記第１縁と前記第２縁との間に延在する対向する第３縁および第４縁とを備えている、請求項１〜８のいずれか一項に記載の固定構造体。
【請求項１０】
前記第２拡張部が、前記チューブを封入しかつ固定するように折り畳まれるように適合された可撓性の細長い部分を備える、請求項１〜９のいずれか一項に記載の固定構造体。
【請求項１１】
前記チューブが栄養チューブである、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の固定構造体。
【請求項１２】
前記第２部分を保護する裏当て層を備える、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の固定構造体。
【請求項１３】
前記第１拡張部が脆弱部分を備える、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の固定構造体。
【請求項１４】
前記第１拡張部が、穿孔部分を介して前記本体に取り付けられている、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の固定構造体。
【請求項１５】
前記第１拡張部は、患者インタフェースの対応する第1締結具に取り付けられ、前記第1拡張部は前記第1拡張部が前記本体と重なり合った際、前記第1締結具が前記患者インタフェースの外側を向く、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の固定構造体。
【請求項１６】
前記第２拡張部は、前記第２拡張部を前記本体と重なり、かつ前記本体に付着するようにして前記チューブに固定される、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の固定構造体。
【請求項１７】
患者インタフェースシステムにおいて、患者に向かう部分を含む患者インタフェースと、患者の顔面で前記患者インタフェースを固定する固定構造体とを備え、
前記固定構造体は、
第１領域および第２領域であって、前記第１領域が患者の顔面の一部と接触するように構成され、前記第２領域が前記患者の顔面から外向きに面するように構成されている、第１領域および第２領域と、
第１拡張部および第２拡張部であって、前記本体に枢動可能に取り付けられ、前記第１拡張部が前記本体から分離可能である、第１拡張部および第２拡張部と、
を備える本体
を備え、
前記第１拡張部が、前記本体から分離され、前記第２拡張部が、前記本体に対して枢動し、かつ前記本体にチューブを固定するように構成されている、患者インタフェースシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月25日(2018.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（i）任意の剥離可能な下地ライナーと、
（ii）前記任意の下地ライナー（i）が存在する場合には、該ライナー一面へと適用された接着層と、
（iii）前記接着層（ii）一面へと適用された合成材料層と、
（iv）任意に、前記合成材料層（iii）一面へと適用された、1成分シリコーン系、2成分シリコーン系又は3成分シリコーン系であり、2成分シリコーン系又は3成分シリコーン系は、付加型又は縮合型の硬化系によって硬化することができる中間シリコーンタイコートと、
（v）前記合成材料層（iii）一面へと適用された、又は前記中間シリコーンタイコート（iv）が存在する場合には、該タイコート一面へと適用された、シリコーン樹脂及びシリコーン油、流動パラフィン、界面活性剤ワックス、ペトロラタム、動物油脂及び脂肪酸が含まれるグループから選択された、1種類、2種類又はそれより多くの種類の防汚剤を含むシリコーン防汚トップコートと、
（vi）任意に、前記防汚トップコート（v）一面へと適用された剥離可能なポリマーフィルムと、
を含む、自己接着性多層防汚被膜構成物であって、
前記合成材料層（iii）は、非配向ポリプロピレン、二軸配向ポリプロピレン及びブローポリプロピレン又はそれらの任意の組合せ物を含む群から選択される、ポリプロピレンベースのエラストマーを含み、前記合成材料層（iii）は、その片側又は両側で、コロナ処理又はプラズマ処理を用いて処理されていることを、特徴とする。
【請求項２】
合成材料層（iii）は、ポリプロピレンベースのエラストマーを含み、かつその片側又は両側でN2ガスを用いたプラズマ処理で処理されて、前記層（iii）の片側又は両側にアミド官能基、アミン官能基及びイミド官能基が設けられることを特徴とする、請求項1に記載の構成物。
【請求項３】
前記シリコーン防汚トップコート（v）は、該防汚トップコート（v）のシリコーンとの反応性を有さない非加水分解性のシリコーン油を含むことを特徴とする、請求項1又は2のいずれか一項に記載の構成物。
【請求項４】
前記剥離可能なポリマーフィルム（vi）は、ポリエステルフィルム又はポリプロピレンフィルムであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の構成物。
【請求項５】
前記剥離可能なポリマーフィルム（vi）は、ポジ型のレリーフで構造化されていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の構成物。
【請求項６】
（i）任意の剥離可能な下地ライナーと、
（ii）前記任意の下地ライナー（i）が存在する場合には、該ライナー一面へと適用された接着層と、
（iii）前記接着層（ii）一面へと適用された、極性の熱可塑性ポリマーを含む層と、  （iv）前記極性の熱可塑性ポリマーを含む層（iii）一面へと適用された、加硫性シリコーンを含有する中間シリコーンタイコートと、
（v）前記中間シリコーンタイコート（iv）一面へと適用された、加硫性シリコーン及びシリコーン油を含有するシリコーン防汚トップコートと、
（vi）任意に、剥離可能なポリマーフィルムと、
を含む、自己接着性多層防汚被膜構成物であって、
前記極性の熱可塑性ポリマーは、極性基、若しくは窒素、酸素及びハロゲンから選択される少なくとも1つの原子を含む基、若しくはカルボン酸あるいは酸無水物を含む基がグラフトされたポリオレフィンであるか、又は該ポリオレフィンを含むことを、特徴とする。
【請求項７】
前記層（iii）中に含まれるポリオレフィンは、カルボン酸若しくは酸無水物を含む極性基で、又は該極性基が層（iv）と接触する表面上でグラフトされている、請求項6に記載の構成物。
【請求項８】
前記ポリオレフィンが、アクリル酸でグラフトされたポリプロピレン（PP-g-AA）である、請求項6又は7に記載の構成物。
【請求項９】
前記下地ライナーが、湿気を帯びた紙製ライナー、若しくは6重量%より多くの水を含有する紙製ライナーである、請求項6〜8のいずれか一項に記載の構成物。
【請求項１０】
a）剥離可能な下地ライナー（i）を接着層（ii）で被覆する工程と、
b）前記接着層（ii）を、極性の熱可塑性ポリマーを含む層（iii）で被覆する工程と、  c）前記層（iii）を、加硫性シリコーンを含有するシリコーンタイコート（iv）で被覆する工程と、
d）前記タイコート（iv）を、加硫性シリコーン及びシリコーン油を含有するシリコーン防汚トップコート（v）で被覆する工程と、
e）任意に、前記シリコーン防汚トップコート（v）を、剥離可能なポリマーフィルムで被覆する工程と、
を含む、請求項6〜9のいずれか一項に記載の自己接着性多層防汚被膜構成物の製造方法であって、
前記極性の熱可塑性ポリマーは、極性基、若しくは窒素、酸素及びハロゲンから選択される少なくとも1つの原子を含む基、若しくはカルボン酸あるいは酸無水物を含む基がグラフトされたポリオレフィンであるか、又は該ポリオレフィンを含むことを、特徴とする。
【請求項１１】
被覆された構造物の製造方法であって、該構造物の外表面の少なくとも一部を、請求項6〜9のいずれか一項に記載の自己接着性多層防汚被膜構成物で被覆する工程を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月11日(2019.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
この点に関して、本発明の目的として、タービンエンジンアセンブリであって、
−前縁および後縁を含む少なくとも１つのベーンを含むガイドと、
−１つの構造アームと、
を備え、
ベーンおよびアームが、タービンエンジンの軸線の周りに径方向に延在し、構造アームが、
−タービンエンジンの空気流方向に関する上流端部であって、ベーンの前縁と周方向に位置合わせされ、ベーンの上流端部の輪郭と同一の輪郭を含む前縁を備え、いわゆる最上流点の軸方向位置によって下流で範囲を定められている、上流端部と、
−タービンエンジンの吊設パイロンのシュラウドを形成するように寸法決めされた下流部分と、
−上流端部と下流端部とを結合する中間部分であって、最上流点と最下流点との間に所定の軸方向位置で延在する上面壁を備える、中間部分と、
を備え、
最上流点が、０．２ｃ〜０．５ｃの間に含まれるアームの前縁から軸方向のある距離に位置し、ここで、ｃは、ガイドベーンの軸方向弦の長さであり、
最下流点が、アームの前縁から軸方向に、ガイドベーンの軸方向弦の長さｃよりも長い距離に位置し、
最上流点での上面壁に対する接線の角度が、最下流点での壁に対する接線の角度に１度の範囲内で等しい、タービンエンジンアセンブリを有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
好ましくは、角度αＡは１度の範囲内で角度αＢに等しいので、したがってαＡは、αＢ−１〜αＢ＋１の間のすべての値を取ることができる：
【数３】
2018510086.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
航空機の翼からタービンエンジンを吊設するためのパイロンを含むタービンエンジンアセンブリであって、
前縁（２２）および後縁（２３）を含む少なくとも１つのベーン（２１）を含むガイド（２０）と、
少なくとも１つの構造アーム（３０）と、
を備え、
ベーン（２１）およびアーム（３０）が、タービンエンジンの軸線（Ｘ−Ｘ）の周りに径方向に延在し、構造アームが、
タービンエンジンの空気流方向に関する上流端部（３１）であって、ベーンの前縁（２２）と周方向に位置合わせされ、ベーン（２１）の上流端部の輪郭と同一の輪郭を含む前縁（３１０）を備え、いわゆる最上流点（Ａ）の軸方向位置によって下流で範囲を定められている、上流端部（３１）と、
タービンエンジンの吊設パイロンのシュラウドを形成するように寸法決めされた下流部分（３３）と、
上流端部（３１）と下流部分（３３）とを結合する中間部分（３４）であって、最上流点（Ａ）と最下流点（Ｂ）との間に所定の軸方向位置で延在する連続的上面壁（４４）を備える、中間部分（３４）と、
を備え、
最上流点（Ａ）が、０．２ｃ〜０．５ｃの間に含まれるアームの前縁（３１０）から軸方向に距離（ｘＡ）に位置し、ここで、ｃは、ガイドベーン（２１）の軸方向弦の長さであり、
最下流点（Ｂ）が、アームの前縁（３１０）から軸方向に、ガイドベーン（２１）の軸方向弦の長さｃよりも長い距離（ｘＢ）に位置し、
最上流点（Ａ）での上面壁（４４）に対する接線の角度（αＡ）が、最下流点（Ｂ）での壁（４４）に対する接線の角度（αＢ）に１度の範囲内で等しい、タービンエンジンアセンブリ。
【請求項２】
最上流点（Ａ）が、アームの前縁（３１０）から０．２〜０．３ｃの範囲内にあり、好ましくは０．３ｃに等しい、軸方向の距離（ｘＡ）に位置する、請求項１に記載の空気流ガイドアセンブリ。
【請求項３】
すべて同一の幾何形状を含む複数の構造アームを備える、請求項１または２に記載の空気流ガイドアセンブリ。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載のアセンブリを備える、バイパス型タービンエンジン（Ａ）。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月12日(2019.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース材料と、複数の添加物とを含む複合材料を有し、前記添加物が、放射線透過性添加物および／または高エコー領域の添加物から選択され、かつ前記ベース材料が、シリコンゲルを含む、人体に植え込むのに適したプロテーゼインプラント。
【請求項２】
前記添加物が
ａ）ガラス、セラミック、金属、ポリマー、ＰＭＭＡ、ポリアクリロニトリル、ポリブタジエン、ＰＥＥＫ、天然ゴム、合成ゴム、非晶質ポリマーまたは半結晶性ポリマーのうちの少なくとも１つを含む添加物、
ｂ）１ｎｍから１ｍｍの直径の添加物、
ｃ）球形、線維状、小さな板状体、フレーク状、非晶質、結晶質、半球、棒、ディスク、またはこれらの形状の組み合わせ、またはこれらの形状の不規則な変形を含む三次元形状を有する添加物、
ｄ）中空の添加物、
ｅ）多孔質の添加物、
ｆ）中実の添加物、
ｇ）少なくとも２つの材料を含む添加物、
ｈ）０．２ｎｍから４０ｎｍのＲＲＭＳの表面粗さを有する添加物、
ｉ）気体である添加物、
ｊ）非溶媒液体である添加物、
ｋ）非シリコンゲルである添加物、
ｌ）微小な管腔として形成された添加物、および
ｍ）上記の組み合わせ、から成る群から選択される、請求項１に記載のインプラント。
【請求項３】
少なくとも１つの内側シェルと、少なくとも１つの外側シェルとを含む複数のシェルを備え、前記少なくとも１つの内側シェルが前記外側シェルによって少なくとも部分的に囲まれており、前記外側シェルが、前記ベース材料と、複数の高エコー領域の添加物とによって満たされており、前記内側シェルが、前記ベース材料と、複数の放射線透過性添加物とによって満たされている、請求項１に記載のインプラント。
【請求項４】
前記添加物の体積百分率は、
ａ）前記添加物が、前記複合材料の体積の６０％までを占める、および
ｂ）前記添加物が、前記複合材料の体積の９０％までを占める、から成る群から選択される、請求項１に記載のインプラント。
【請求項５】
前記添加物が、前記複合材料の溶媒濃度が、前記ベース材料の溶媒濃度の５％〜９５％の間であるように、大きな累積的な表面積を提供するために選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載のプロテーゼインプラント。
【請求項６】
前記添加物が、
ａ）ガラス、セラミック、金属、ポリマー、ＰＭＭＡ、ポリアクリロニトリル、ポリブタジエン、ＰＥＥＫ、天然ゴム、合成ゴム、非晶質ポリマーまたは半結晶性ポリマーのうちの少なくとも１つを含む添加物、
ｂ）１ｎｍから１ｍｍの直径の添加物、
ｃ）球形、線維状、小さな板状体、フレーク状、非晶質、結晶質、半球、棒、ディスク、またはこれらの形状の組み合わせ、またはこれらの形状の不規則な変形を含む三次元形状を有する添加物、
ｄ）中空の添加物、
ｅ）多孔質の添加物、
ｆ）中実の添加物、
ｇ）少なくとも２つの材料を含む添加物、
ｈ）０．２ｎｍから４０ｎｍのＲＲＭＳの表面粗さを有する添加物、
ｉ）気体である添加物、
ｊ）非溶媒液体である添加物、
ｋ）非シリコンゲルである添加物、
ｌ）微小な管腔として形成された添加物、および
ｍ）上記の組み合わせ、から成る群から選択される、請求項５に記載のインプラント。
【請求項７】
少なくとも１つの内側シェルと、少なくとも１つの外側シェルとを含む複数のシェルを備え、前記少なくとも１つの内側シェルが、前記外側シェルによって少なくとも部分的に囲まれており、前記外側シェルが、前記ベース材料と、前記外側シェルにより近づく程濃度が高まる添加物とによって満たされており、前記内側シェルは、前記ベース材料と、前記内側シェルからの距離に対して濃度が高まる添加物とによって満たされている、請求項５に記載のインプラント。
【請求項８】
前記添加物の体積百分率は、
前記添加物が、前記複合材料の体積の６０％までを占める、および
前記添加物が、前記複合材料の体積の９０％までを占める、から成る群から選択される、請求項５に記載のインプラント。
【請求項９】
前記添加物が、前記複合材料の１Ｈｚにおける弾性係数が前記ベース材料の弾性係数を上回るように選択され、前記添加物は、ガラス、セラミック、金属、ポリマー、ＰＭＭＡ、ポリアクリロニトリル、ポリブタジエン、ＰＥＥＫ、天然ゴム、合成ゴム、非晶質ポリマーまたは半結晶性ポリマーのうちの少なくとも１つを含み、前記弾性係数は、
ａ）前記弾性係数が、前記ベース材料の弾性係数を少なくとも２０％上回る、
ｂ）前記弾性係数が、前記ベース材料の弾性係数を１００％から１０００％の間上回る、
ｃ）前記弾性係数が、前記ベース材料の弾性係数を１００％から５００％の間上回る、および
ｄ）前記弾性係数が、前記ベース材料の弾性係数を５００％から５０００％の間上回る、から成る群から選択される、請求項１〜８のいずれか１項に記載のプロテーゼインプラント。
【請求項１０】
前記添加物が、
ａ）１ｎｍから１ｍｍの直径の添加物、
ｂ）球形、線維状、小さな板状体、フレーク状、非晶質、結晶質、半球、棒、ディスク、またはこれらの形状の組み合わせ、またはこれらの形状の不規則な変形を含む三次元形状を有する添加物、
ｃ）中空の添加物、
ｄ）多孔質の添加物、
ｅ）中実の添加物、
ｆ）少なくとも２つの材料を含む添加物、
ｇ）０．２ｎｍから４０ｎｍのＲＲＭＳの表面粗さを有する添加物、
ｈ）気体である添加物、
ｉ）非溶媒液体である添加物、
ｊ）非シリコンゲルである添加物、
ｋ）微小な管腔として形成された添加物、および
ｌ）上記の組み合わせ、から成る群からさらに選択される、請求項９に記載のインプラント。
【請求項１１】
少なくとも１つの内側シェルと、少なくとも１つの外側シェルとを含む複数のシェルを備え、前記少なくとも１つの内側シェルが、前記外側シェルによって少なくとも部分的に囲まれており、前記外側シェルが、前記ベース材料と、低濃度の添加物とによって満たされており、前記内側シェルが、前記ベース材料と、高濃度の添加物とによって満たされている、請求項９に記載のインプラント。
【請求項１２】
前記添加物の体積百分率は、
ａ）前記添加物が、前記複合材料の体積の６０％までを占める、および
ｂ）前記添加物が、前記複合材料の体積の９０％までを占める、から成る群から選択される、請求項９に記載のインプラント。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月15日(2019.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムクロックを含んだ磁気共鳴（ＭＲ）システム用のワイヤレス型無線周波数（ＲＦ）コイル装置であって、
ＭＲエンコーディング信号に曝されるときに前記ＭＲシステムの走査ボリューム内の関心対象（ＯＯＩ）から放射される放射ＲＦ信号、を取得するように調整された複数のコイルを有するＲＦトランスデューサアレイと、
前記走査ボリューム内の動的なエンコーディング場に曝されるときの磁場、を取得するように調整された複数のフィールドセンサプローブを有する磁場センサアレイと、
前記システムクロックとの同期なしでローカルクロック信号を生成するように構成されたローカルクロックと、
少なくとも１つのコントローラであり、
前記放射ＲＦ信号に対応して前記ＲＦトランスデューサアレイの前記複数のコイルによって生成された検出ＲＦ信号を取得し、前記ローカルクロック信号の第１のインジケーションが、前記検出ＲＦ信号を取得した時間を指し示し、
前記磁場に対応して前記磁場センサアレイの前記複数のフィールドセンサプローブによって生成された磁場強度信号を取得し、前記ローカルクロック信号の第２のインジケーションが、前記磁場強度信号を取得した時間を指し示し、且つ
前記取得した検出ＲＦ信号と、前記取得した磁場強度信号と、前記ローカルクロック信号の前記第１及び第２のインジケーションとに基づいて、ｋ空間情報を形成する、
ことを有するプロセスを実行するようにプログラムされた少なくとも１つのコントローラと、
を有する装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つのコントローラは、前記ローカルクロック信号の前記第１及び第２のインジケーションを利用して前記ｋ空間情報を形成する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つのコントローラは、前記ｋ空間情報に基づいて画像を再構成する、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つのコントローラは、前記ローカルクロックのサンプリング時間（ｔｓ）で、前記検出ＲＦ信号及び前記磁場強度信号の前記取得をそれぞれ繰り返し実行する、請求項１乃至３の何れか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記ｋ空間情報を形成することに先立って、前記少なくとも１つのコントローラは、前記取得した検出ＲＦ信号及び前記取得した磁場強度信号をデジタル化する、請求項１乃至４の何れか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記ｋ空間情報を形成するとき、前記少なくとも１つのコントローラは、前記取得した磁場強度信号に基づいて前記ＭＲシステムのエンコーディング関数を決定する、請求項１乃至５の何れか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記少なくとも１つのコントローラは、前記ローカルクロック信号を用いて、前記デジタル化した取得した磁場強度信号にタイムスタンプを付する、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記複数のフィールドセンサプローブは、前記ＲＦトランスデューサアレイに実質的に近接して位置付けられる、請求項１乃至７の何れか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記複数のフィールドセンサプローブは前記ＲＦトランスデューサアレイを取り囲んでいる、請求項１乃至８の何れか一項に記載の装置。
【請求項１０】
システムクロックを含んだ磁気共鳴（ＭＲ）システム用のワイヤレス型無線周波数（ＲＦ）コイル装置を制御する方法であって、
ＲＦトランスデューサアレイの複数の受信コイルによって生成された検出ＲＦ信号と、前記システムクロックと同期されないローカルクロックによって生成された、前記検出ＲＦ信号を取得した時間を指し示すローカルクロック信号の第１のインジケーションとを取得し、
磁場センサアレイの複数のフィールドセンサプローブによって生成された磁場強度信号と、前記磁場強度信号を取得した時間を指し示す前記ローカルクロック信号の第２のインジケーションとを取得し、且つ
前記取得した検出ＲＦ信号と、前記取得した磁場強度信号と、前記ローカルクロック信号の前記第１及び第２のインジケーションとに基づいて、ｋ空間情報を形成する、
ことを有する方法。
【請求項１１】
前記ｋ空間情報に基づいて画像を再構成する、ことを更に有する請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ローカルクロックのサンプリング時間（ｔｓ）で前記検出ＲＦ信号及び前記磁場強度信号の前記取得を繰り返し実行する、ことを更に有する請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ｋ空間情報を形成することに先立って、前記取得した検出ＲＦ信号及び前記取得した磁場強度信号をデジタル化する、ことを更に有する請求項１０乃至１２の何れか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記ｋ空間情報を形成することは、前記取得した磁場強度信号に基づいて前記ＭＲシステムのエンコーディング関数を決定することを有する、請求項１０乃至１３の何れか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記デジタル化した取得した磁場強度信号にタイムスタンプを付する、ことを更に有する請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＲＦトランスデューサアレイに実質的に近接させて前記複数のフィールドセンサプローブを位置付ける、ことを更に有する請求項１０乃至１５の何れか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記ＲＦトランスデューサアレイを取り囲むように前記複数のフィールドセンサプローブを位置付ける、ことを更に有する請求項１０乃至１６の何れか一項に記載の方法。
【請求項１８】
磁気共鳴（ＭＲ）システムのワイヤレス型無線周波数（ＲＦ）コイル装置上で動作するコンピュータ読み取り可能プログラムコードを格納したコンピュータ読み取り可能な非一時的媒体であって、コンピュータプロセッサによって実行されるときに、前記コンピュータ読み取り可能プログラムコードは、前記ＲＦコイル装置に、
ＲＦトランスデューサアレイの複数の受信コイルによって生成された検出ＲＦ信号と、前記ＭＲシステムのシステムクロックと同期されないローカルクロックによって生成された、前記検出ＲＦ信号を取得した時間を指し示すローカルクロック信号の第１のインジケーションとを取得し、
磁場センサアレイの複数のフィールドセンサプローブからの磁場強度信号と、前記磁場強度信号を取得した時間を指し示す前記ローカルクロック信号の第２のインジケーションとを取得し、且つ
前記取得した検出ＲＦ信号と、前記取得した磁場強度信号と、前記ローカルクロック信号の前記第１及び第２のインジケーションとに基づいて、ｋ空間情報を形成する、
ことを有する方法を実行させる、コンピュータ読み取り可能な非一時的媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月21日(2019.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
仮想ゲーム環境とのユーザインタラクションに対応するストーリーブックを作成する方法であって、
１台以上のプロセッサと、前記１台以上のプロセッサによる実行用に構成された１つ以上のプログラムを記憶するメモリとを有するコンピューティング装置において、
動作のゲームプレイモードにおいて、
前記仮想ゲーム環境の内部の仮想キャラクタのアクションを制御するためにユーザ入力を受け取ることと、
ユーザ入力なしで、前記仮想ゲーム環境からのイベントの時系列であって、各イベントが前記仮想ゲーム環境との前記仮想キャラクタのインタラクションを表現し、各イベントがそれぞれの画像とそれぞれのイベントを記述するそれぞれのテキストとを含んでいる前記イベントの時系列を記録することと、
前記ゲームプレイモードの完了後に実行される、動作のブック作成モードにおいて、
前記記録に続いて、前記イベントの系列に対応する模擬ページの系列であって、各模擬ページがそれぞれのイベントに対する前記それぞれの記録された画像の少なくとも一部分を含み、前記イベントを記述する前記それぞれのテキストの少なくとも一部分を含んでいる前記模擬ページの系列を前記ユーザに提示することと、
前記模擬ページの少なくとも部分集合に対して、前記それぞれのテキストの少なくとも一部分を修正するためにユーザ入力を受け取ることと、
前記ユーザによって修正された通りの前記模擬ページの系列を含んでいるファイルを生成することと、
を含む方法。
【請求項２】
前記ユーザによって修正された通りの前記模擬ページを含んでいる有形のブックを作成するために前記ファイルの印刷を容易にすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ゲームプレイモードにおいて、前記仮想ゲーム環境および前記仮想キャラクタを前記コンピューティング装置に関連付けられた表示装置に表示することをさらに含み、前記仮想ゲーム環境を表示することは、それぞれの表示された仮想シーンに対応するそれぞれの物語的テキストを表示することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第１のイベントと一緒に前記それぞれの物語的テキストを組み入れるために、前記仮想ゲーム環境とのユーザインタラクションの間に、前記ゲームプレイモードにおいて起こるユーザインターフェース制御器のユーザ起動を受け取ることと、
前記ブック作成モードにおいて、前記それぞれの物語的テキストの少なくとも一部分を前記第１のイベントに対応する模擬ページに組み入れることと、
をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ブック作成モードにおいて、前記第１のイベントは、複数の模擬ページに対応し、前記複数の模擬ページのうちの各模擬ページは、前記複数の画像のうちのそれぞれの画像を含んでいる、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
第１のイベントは、複数の画像を含み、前記第１のイベントは、第１の模擬ページに対応し、前記方法は、
前記第１の模擬ページを前記ユーザに提示している間に、
前記複数の画像を前記第１の模擬ページに対する代替的な選択肢として提示することと、
前記複数の画像の中の第１の画像のユーザ選択を受け取ることと、
前記生成されたファイルにおいて前記第１の模擬ページに対する前記選択された第１の画像を使用することと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
第１のイベントは複数のラベルを含み、前記複数のラベルのそれぞれは、前記ゲームプレイモードにおいて前記第１のイベントが記録されるとき、前記仮想ゲーム環境内の位置のそれぞれを識別し、
前記ブック作成モードにおいて、前記複数のラベルのそれぞれは、前記位置のそれぞれを識別するために第１の模擬ページ上に表示される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
第１のイベントは複数のラベルを含み、前記複数のラベルのそれぞれは、前記ゲームプレイモードにおいて前記第１のイベントが記録されるとき、前記仮想ゲーム環境内の他の仮想キャラクタまたは仮想オブジェクトのそれぞれを識別し、
前記ブック作成モードにおいて、前記複数のラベルのそれぞれは、前記他の仮想キャラクタまたは仮想オブジェクトのそれぞれを識別するために第１の模擬ページ上に表示される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
第１のイベントは複数のラベルを含み、前記複数のラベルのそれぞれは、前記ゲームプレイモードにおいて前記第１のイベントが記録されるとき、前記仮想キャラクタによって収集された仮想オブジェクトのそれぞれを識別し、
前記ブック作成モードにおいて、前記複数のラベルのそれぞれは、前記収集された仮想オブジェクトのそれぞれを識別するために第１の模擬ページ上に表示される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
第１のイベントは、前記ゲームプレイモードにおいて、前記第１のイベントが記録されたときに現在のゲームデータを識別する１つ以上のラベルを含み、前記ブック作成モードにおいて、前記１つ以上のラベルは、第１の模擬ページ上に表示され、前記現在のゲームデータは、
前記仮想ゲーム環境の内部の名前付き位置と、
前記仮想ゲーム環境の状態と、
前記仮想ゲーム環境の内部の他の仮想キャラクタまたは仮想オブジェクトと、
前記仮想キャラクタによって収集された仮想オブジェクトと、
前記仮想キャラクタの成果と、
よりなるグループから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記模擬ページの系列は、前記仮想ゲーム環境の内部の少なくとも一部分のグラフィックマップであって、前記仮想ゲーム環境の内部の前記仮想キャラクタの動きを表す前記グラフィックマップ上のパスを含んでいる前記グラフィックマップを含む少なくとも１つの模擬ページを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
１つ以上の模擬ページは、
前記仮想ゲーム環境からのビデオクリップと、
前記仮想ゲーム環境からのオーディオクリップと、
前記仮想ゲーム環境と相互に作用する前記ユーザのビデオクリップと、
前記仮想ゲーム環境と相互に作用する前記ユーザのオーディオクリップと、
よりなるグループから選択されたマルチメディア添付ファイルを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
１台以上のプロセッサと、
メモリと、
前記１台以上のプロセッサによる実行用に構成され、前記メモリに記憶された１つ以上のプログラムと、
を備え、前記１つ以上のプログラムは、請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の方法を実行するための命令と、
を備える、コンピューティング装置。
【請求項１４】
１台以上のプロセッサとメモリとを有するコンピューティング装置による実行用に構成された１つ以上のプログラムを記憶する非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記１つ以上のプログラムは、請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の方法を実行するための命令と、
を含んでいる、非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月14日(2019.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の酸化物（重量パーセント）：
2018510836.tif 000001
を含む組成を有するガラス。
【請求項２】
３〜１２％のＺｒＯ２、好ましくは、３〜１１％のＺｒＯ２、より好ましくは、４〜１０％のＺｒＯ２、最も好ましくは、６〜１０％のＺｒＯ２を含む、請求項１に記載のガラス。
【請求項３】
５７０℃超、好ましくは、５８０℃超、より好ましくは、５９０℃超の歪み点を有する、請求項１または請求項２に記載のガラス。
【請求項４】
１５００℃未満、好ましくは、１４８０℃未満、より好ましくは、１４６０℃未満の溶融温度（粘度＝ｌｏｇ２ポアズ）を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のガラス。
【請求項５】
１２００℃未満、好ましくは、１１８０℃未満、より好ましくは、１１６０℃未満、さらにより好ましくは、１１４０℃未満、なおより好ましくは、１１２０℃未満、最も好ましくは、１１００℃未満の液相線温度を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のガラス。
【請求項６】
−１００℃超、好ましくは、−８０℃超、より好ましくは、−６０℃超、さらにより好ましくは、−４０℃超、なおより好ましくは、−２０℃超、最も好ましくは、０℃超の作業温度範囲（Ｔｌｏｇ４ポアズから液相線温度を引いたものとして定義される）を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のガラス。
【請求項７】
７０〜９０×１０−７℃−１（５０〜３５０℃）、好ましくは、７４〜８６×１０−７℃−１（５０〜３５０℃）の熱膨張率を有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載のガラス。
【請求項８】
２５℃で２．５０〜２．７０ｇｃｍ−３、好ましくは、２５℃で２．５２〜２．６８ｇｃｍ−３、より好ましくは、２５℃で２．５４〜２．６６ｇｃｍ−３の密度を有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載のガラス。
【請求項９】
１．５０〜１．６２、好ましくは、１．５２〜１．５９、より好ましくは、１．５３〜１．５８の屈折率を有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載のガラス。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載のガラスから形成される、ガラス板。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか一項に記載のガラスを含む、ガラス基板。
【請求項１２】
請求項１１に記載のガラス基板を備える、光起電力電池。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年12月10日(2018.12.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ；
前記チャンバの内部に具備され、シリコン融液が収容されるるつぼ；
前記るつぼの下部に配置されるるつぼ支持台と回転軸；
前記チャンバの内部に具備され、前記シリコン融液を加熱するヒーター；
前記シリコン融液から成長するインゴットを回転しながら引き上げる引き上げ手段；および
前記るつぼに水平磁場を印加する磁場発生ユニットを含み、
前記回転軸が前記るつぼを回転させる第1方向と前記引き上げ手段が前記インゴットを回転させる第２方向は互いに同一であり
前記ヒーターは、最大発熱位置がＭＧＰ(ｍａｘｉｍｕｍ  ｇａｕｓｓ  ｐｏｓｉｔｉｏｎ)より１００ないし２００ミリメートル下部に形成されるように前記るつぼの周辺を加熱し、
前記ヒーターと引き上げ手段は、拡散境界層が、前記シリコン融液の半径方向の端部において均一に分布するように前記るつぼを加熱して前記インゴットを引き上げ、
前記拡散境界層が、前記シリコン融液の表面から１２ミリメートル下部に形成されるように前記るつぼを加熱して前記インゴットを引き上げる 
シリコン単結晶インゴットの成長装置。
【請求項２】
前記ヒーターと引き上げ手段は、前記拡散境界層が前記シリコン融液の端部から３００ミリメートル以上の直径に分布するように前記るつぼを加熱して前記インゴットを引き上げる、請求項１に記載のシリコン単結晶インゴットの成長装置。
【請求項３】
前記回転軸は、前記るつぼ内の固化されたインゴットとシリコン溶液の境界面が同一な高さを維持するように前記るつぼを昇降運動させる、請求項１または請求項２に記載のシリコン単結晶インゴットの成長装置。
【請求項４】
前記るつぼ支持台は、前記回転軸の上に具備される、請求項１乃至請求項３のうちいずれか一つに記載のシリコン単結晶インゴットの成長装置。
【請求項５】
シリコン単結晶インゴットの成長方法において、
インゴットとるつぼを同一の方向に回転させ、最大発熱位置をＭＧＰ(ｍａｘｉｍｕｍ  ｇａｕｓｓ  ｐｏｓｉｔｉｏｎ)より下部に位置させ、
前記最大発熱位置を前記ＭＧＰより１００ないし２００ミリメートル下部に位置させる
拡散境界層が、シリコン融液の半径方向の端部において均一に分布し、
前記拡散境界層は、前記シリコン融液の表面から１２ミリメートル下部で３００ミリメートル以上の直径に分布する
シリコン単結晶インゴットの成長方法。
【請求項６】
シリコン融液内で深さ方向に前記シリコン融液の流れが一定である、請求項５に記載のシリコン単結晶インゴットの成長方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
ＣＺ方法においては、石英るつぼに多結晶シリコンを装入し、これを黒鉛発熱体によって加熱して溶融させた後、溶融の結果形成されたシリコン溶融液に種子結晶を浸して界面で結晶化が起きる時シードを回転しながら引き上げることによって単結晶のシリコンインゴットを成長させる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
【図１】実施例による単結晶インゴット製造装置を示した図である。
【図２】シリコン単結晶インゴットの成長時に最大ガウス地点（Ｍａｘｉｍｕｍ  Ｇａｕｓｓ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎ）の移動を示した図である。
【図３】従来の最大発熱位置と実施例による最大発熱位置を示した図である。
【図４ａ】実施例によるシリコン単結晶インゴットの成長方法で酸素濃度の均一度を示した図である。
【図４ｂ】比較例によるシリコン単結晶インゴットの成長方法で酸素濃度の均一度を示した図である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
実施例においては、最大発熱位置をMGPより１００ミリメートルないし２００ミリメートル下部に位置させ、シリコン融液の深さ方向、すなわち図１の上下方向への流れを一定にすることができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
詳細には拡散境界層は、拡散速度が１０-8ｍ2/ｓｅｃ程度である領域であり、本実施例において１７００ケルビン（Ｋｅｌｖｉｎ）程度の温度で拡散境界層は最大直径が３２０ミリメートルであり得る。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】削除
【訂正の内容】
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】削除
【訂正の内容】
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】削除
【訂正の内容】
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】削除
【訂正の内容】
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
図４ａにおいて、シリコンウェハーは、直径がそれぞれ１８０ミリメートルと２２０ミリメートルであり、比抵抗がそれぞれ０．０９と０．１１であり、一つのインゴットから製造されたシリコンウェハーの酸素濃度が半径方向でほとんど均一である。図４ｂにおいてシリコンウェハーは、直径が１１０ミリメートルと１８０ミリメートルであり、比抵抗がそれぞれ０．１６と０．１９であり、一つのインゴットから製造されたシリコンウェハーの酸素濃度が半径方向で大きい散布を示している。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】全図
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１】
2018510839.tif 000001
【図２】
2018510839.tif 000002
【図３】
2018510839.tif 000003
【図４ａ】
2018510839.tif 000004
【図４ｂ】
2018510839.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月11日(2019.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象者の遅発期化学療法誘発性又は放射線療法誘発性の嘔気及び/又は嘔吐の治療又は予防における使用のための、アミスルプリドの非IV注射製剤であって、
前記対象者は、化学療法又は放射線療法の治療計画を1日目に実施中であるか又は実施済みであり、
投与計画は、5乃至15mgの非IV注射単位用量のアミスルプリドを2日目、3日目、及び4日目の各日に投与することを含み、
前記対象者は、急性期制吐薬を1日目に投与中であるか又は投与済みであり、
前記急性期制吐薬は、化学療法誘発性の嘔気及び/又は嘔吐(CINV)又は放射線療法誘発性の嘔気及び/又は嘔吐(RINV)の急性期に使用するのに適した制吐薬である、
アミスルプリドの非IV注射製剤。
【請求項２】
前記急性期制吐薬は、IVアミスルプリドである、請求項1に記載のアミスルプリドの非IV注射製剤。
【請求項３】
前記投与計画は、更に、少なくとも1の単位用量の他の遅発期制吐薬を、2日目に、好ましくは2及び3日目に、より好ましくは2、3、及び4日目に投与することを含み、
前記他の遅発期制吐薬は、CINV又はRINVの遅発期において投与される制吐薬である、
請求項1又は2に記載のアミスルプリドの非IV注射製剤。
【請求項４】
前記他の遅発期制吐薬は、5HT3拮抗薬、NK1拮抗薬、又はステロイドである、請求項3に記載のアミスルプリドの非IV注射製剤。
【請求項５】
前記5乃至15mgの非IV注射単位用量のアミスルプリドは、
ラセミ混合物の形態である9乃至11mgのアミスルプリドを含むか、又は、
(R+)エナンチオマーを実質的に含まない(S-)アミスルプリドの形態である4.5乃至5.5mgのアミスルプリドを含む、
請求項1乃至3の何れかに記載のアミスルプリドの非IV注射製剤。
【請求項６】
対象者の化学療法誘発性の嘔気及び/又は嘔吐(CINV)又は放射線療法誘発性の嘔気及び/又は嘔吐(RINV)の治療又は予防における同時、個別、又は連続使用のために、少なくとも3の5乃至15mgの非IV注射単位用量のアミスルプリドと、少なくとも1の用量の急性期制吐薬とを備えるキットであって、
前記対象者は、化学療法又は放射線療法の治療計画を実施中又は実施済みであり、
投与計画は、前記急性期制吐薬、又は各急性期制吐薬を、化学療法又は放射線療法の実施と同日である1日目に投与することと、前記5乃至15mgの非IV注射単位用量のアミスルプリドを、2、3、及び4日目に投与することとを含み、
前記急性期制吐薬は、CINV又はRINVの急性期に使用するのに適した制吐薬である、
キット。
【請求項７】
前記急性期制吐薬は、アミスルプリド、オンダンセトロン、デキサメタゾン、及びアプレピタントの1つ以上を含む、請求項6に記載のキット。
【請求項８】
前記急性期制吐薬は、アミスルプリドの静脈内製剤を含む、請求項7記載のキット。
【請求項９】
前記急性期制吐薬の単位用量は、5乃至30mgのアミスルプリドを含む、請求項8に記載のキット。
【請求項１０】
前記急性期制吐薬の単位用量は、10乃至20mgのアミスルプリドを含む、請求項9に記載のキット。
【請求項１１】
前記急性期制吐薬の単位用量は、20mgのアミスルプリドを含む、請求項10に記載のキット。
【請求項１２】
前記キットは、更に、少なくとも1の単位用量の他の遅発期制吐薬を備え、
前記投与計画は、更に、前記非IV注射単位用量のうち少なくとも1の用量、好ましくはその各用量のアミスルプリドと同日に、少なくとも1の単位用量の前記他の遅発期制吐薬を投与することを含み、
前記他の遅発期制吐薬は、CINV又はRINVの遅発期において投与される制吐薬である、
請求項6乃至11の何れかに記載のキット。
【請求項１３】
前記他の遅発期制吐薬は、5HT3拮抗薬、NK1拮抗薬、又はステロイドである、請求項12に記載のキット。
【請求項１４】
前記アミスルプリドは、実質的にラセミ化合物の形態である、請求項6乃至13の何れかに記載のキット。
【請求項１５】
前記非IV注射単位用量のアミスルプリドは、皮下、舌下、直腸、鼻腔内、局所、頬側、又は肺吸入経路を介して投与される、請求項6乃至14の何れかに記載のキット。
【請求項１６】
前記非IV注射単位用量のアミスルプリドは、非注射製剤において投与される、請求項6乃至14の何れかに記載のキット。
【請求項１７】
前記非IV注射単位用量のアミスルプリドは、経口製剤において投与される、請求項6乃至14の何れかに記載のキット。
【請求項１８】
前記非IV注射単位用量のアミスルプリドは、
ラセミ混合物の形態である9乃至11mgのアミスルプリドを含むか、又は、
(R+)エナンチオマーを実質的に含まない(S-)アミスルプリドの形態である4.5乃至5.5mgのアミスルプリドを含む、
請求項6乃至17の何れかに記載のキット。
【請求項１９】
複数の非IV注射単位用量のアミスルプリドと、単一の静脈内単位用量のアミスルプリドとを含むキット。
【請求項２０】
更に、少なくとも1の単位用量の他の制吐薬を備える、請求項19に記載のキット。
【請求項２１】
前記他の制吐薬は、5HT3拮抗薬、NK1拮抗薬、又はステロイドである、請求項20に記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月1日(2019.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】外傷性脳損傷を治療するための治療薬
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、外傷性脳損傷を治療するための治療薬に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外傷性脳損傷（ＴＢＩ）の症状を軽減するための治療薬であって、ストレプトリシンＯ（ＳＬＯ）を有効成分として含有する、治療薬。
【請求項２】
前記ＴＢＩの１つ以上の症状が、健忘、混乱、方向感覚喪失、新規情報の記憶困難、頭痛、めまい、視界不良、吐き気、嘔吐、耳鳴り、理路整然と話すことの困難、感情変化および睡眠パターンの変化からなる群から選択される、請求項１に記載の治療薬。
【請求項３】
舌下投与、頬投与、経口ドレンチ投与、皮下投与、皮内投与、静脈内投与、鞘内投与、吸入投与、局所投与、筋肉内投与からなる群から選択される投与ルートにより投与されるための治療薬である、請求項１に記載の治療薬。
【請求項４】
舌下投与されるための治療薬である、請求項１に記載の治療薬。
【請求項５】
一回の投与量当たり０．０００１６ナノグラム〜３２００ナノグラムまでの範囲で前記ＳＬＯが投与される、請求項１に記載の治療薬。
【請求項６】
一回の投与量当たり０．０１６ナノグラム〜３２ナノグラムまでの範囲で前記ＳＬＯが投与される、請求項３に記載の治療薬。
【請求項７】
前記外傷性脳損傷が慢性的な損傷である、請求項１に記載の治療薬。
【請求項８】
前記外傷性脳損傷が急性的な損傷である、請求項１に記載の治療薬。
【請求項９】
外傷後の海馬内のミクログリア細胞の増加を防止するための治療薬である、請求項１に記載の治療薬。
【請求項１０】
脳外傷後の記憶を維持または回復させるための治療薬である、請求項１に記載の治療薬。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月4日(2019.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部プレートと円形側壁とを有する本体であって、前記円形側壁の対向する２辺が円形に互いに連結し、前記円形側壁の一方の外縁が、閉鎖端を形成する前記上部プレートの１つの表面に連結し、および前記閉鎖端の対辺における前記円形側壁の他方の外縁が開放端を形成する、本体と、
リング部材であって、前記本体の前記開放端に配置され、前記本体の前記開放端と前記リング部材との間の第１の切込線によって前記本体から分離され、かつ複数の連結部によって前記本体に連結され、前記第１の切込線の２つの端部が前記複数の連結部によって分離される、リング部材と
を備え、
複数の連結ピンが前記第１の切込線に沿って位置し、前記複数の連結ピンが前記第１の切込線の両側で前記本体と前記リング部材とを連結し、複数の第２の切込線が前記本体または前記リング部材上に位置し、かつ前記複数の連結部の片側に位置し、前記複数の第２の切込線の少なくとも１つが前記第１の切込線と連結し、
前記複数の第２の切込線のうちの第１のものは、他のいずれの切込線とも連結せず、前記複数の連結部のうちの第１の連結部は、前記複数の第２の切込線のうちの前記第１のものと、前記第１の切込線との間に形成され、前記複数の連結部のうちの第２の連結部は、前記複数の第２の切込線のうちの前記第１のものと、前記複数の第２の切込線のうちの別のものとの間に形成される、容器のための蓋。
【請求項２】
前記複数の連結部のそれぞれが前記複数の第２の切込線の一部によって分離される、請求項１に記載の蓋。
【請求項３】
前記複数の第２の切込線が前記本体から前記リング部材まで、または前記リング部材から前記本体まで延在される、請求項１に記載の蓋。
【請求項４】
前記複数の第２の切込線が直線、曲線、折れ線、円弧線、またはそれらの組合せである、請求項１に記載の蓋。
【請求項５】
前記複数の第２の切込線が前記円形側壁または前記リング部材の一部を囲むが、前記円形側壁または前記リング部材を完全には囲まない、請求項１に記載の蓋。
【請求項６】
前記複数の第２の切込線が前記円形側壁または前記リング部材の３／４未満を囲む、請求項１に記載の蓋。
【請求項７】
前記複数の第２の切込線が前記円形側壁または前記リング部材の１／２未満を囲む、請求項６に記載の蓋。
【請求項８】
前記本体の内側がネジ山を有する、請求項１に記載の蓋。
【請求項９】
前記第１の切込線が直線、曲線、折れ線、円弧線、またはそれらの組合せである、請求項１に記載の蓋。
【請求項１０】
前記容器が丸瓶または丸缶である、請求項１に記載の蓋。
【請求項１１】
上部プレートと円形側壁とを有する本体であって、前記円形側壁の対向する２辺が円形に互いに連結し、前記円形側壁の一方の外縁が、閉鎖端を形成する前記上部プレートの１つの表面に連結し、および前記閉鎖端の対辺における前記円形側壁の他方の外縁が開放端を形成する、本体と、
リング部材であって、前記本体の前記開放端に配置され、前記本体の前記開放端と前記リング部材との間の第１の切込線によって前記本体から分離され、かつ複数の連結部によって前記本体に連結され、前記第１の切込線の２つの端部が前記複数の連結部によって分離される、リング部材と、
を備え、
複数の連結ピンが前記第１の切込線に沿って位置し、前記複数の連結ピンが前記第１の切込線の両側で前記本体と前記リング部材とを連結し、複数の第２の切込線が前記本体または前記リング部材上に位置し、かつ前記複数の連結部の片側に位置し、前記複数の第２の切込線の少なくとも１つが前記第１の切込線と連結せず、かつ、前記複数の第２の切込線の他のいずれのものとも連結せず、
前記複数の第２の切込線の一部が前記第１の切込線と平行である、容器のための蓋。
【請求項１２】
上部プレートと円形側壁とを有する本体であって、前記円形側壁の対向する２辺が円形に互いに連結し、前記円形側壁の一方の外縁が、閉鎖端を形成する前記上部プレートの１つの表面に連結し、および前記閉鎖端の対辺における前記円形側壁の他方の外縁が開放端を形成する、本体と、
リング部材であって、前記本体の前記開放端に配置され、前記本体の前記開放端と前記リング部材との間の第１の切込線によって前記本体から分離され、かつ複数の連結部によって前記本体に連結され、前記第１の切込線の２つの端部が前記複数の連結部によって分離される、リング部材と、
を備え、
複数の連結ピンが前記第１の切込線に沿って位置し、前記複数の連結ピンが前記第１の切込線の両側で前記本体と前記リング部材とを連結し、複数の第２の切込線が前記本体または前記リング部材上に位置し、かつ前記複数の連結部の片側に位置し、前記複数の第２の切込線の少なくとも１つが前記第１の切込線と連結せず、かつ前記複数の第２の切込線の他のいずれのものとも連結せず、
前記複数の第２の切込線はＬ字形線、Ｓ字形線、Ｚ字形線、またはそれらの組合せである、容器のための蓋。
【請求項１３】
前記複数の第２の切込線の隅部が湾曲した隅部、面取りされた隅部、鋭い隅部、またはそれらの組合せである、請求項１２に記載の蓋。
【請求項１４】
上部プレートと円形側壁とを有する本体であって、前記円形側壁の対向する２辺が円形に互いに連結し、前記円形側壁の一方の外縁が、閉鎖端を形成する前記上部プレートの１つの表面に連結し、および前記閉鎖端の対辺における前記円形側壁の他方の外縁が開放端を形成する、本体と、
リング部材であって、前記本体の前記開放端に配置され、前記本体の前記開放端と前記リング部材との間の第１の切込線によって前記本体から分離され、かつ複数の連結部によって前記本体に連結され、前記第１の切込線の２つの端部が前記複数の連結部によって分離される、リング部材と、
を備え、
複数の連結ピンが前記第１の切込線に沿って位置し、前記複数の連結ピンが前記第１の切込線の両側で前記本体と前記リング部材とを連結し、
第２の切込線が前記第１の切込線に連結され、
第３の切込線は前記第１の切込線または前記第２の切込線に連結されず、
前記複数の連結部のうちの第１の連結部は前記第３の切込線と前記第１の切込線との間に形成され、前記複数の連結部のうちの第２の連結部は前記第２の切込線と前記第３の切込線との間の形成される、容器のための蓋。