【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年5月29日(2007.5.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造形成剤前駆体を含んで成る少なくとも１つの化学反応体を化学気相成長させることによって、基材の少なくとも一部の上に有機ケイ酸塩膜を堆積させ、第１材料硬度及び第１弾性率を有する該有機ケイ酸塩膜を提供する堆積工程、並びに
該有機ケイ酸塩膜を非酸化性雰囲気中で紫外線源にさらして、第２材料硬度及び第２弾性率を有する有機ケイ酸塩膜を提供する照射工程を含んで成り、該第２材料硬度及び該第２弾性率が、該第１材料硬度及び該第１弾性率よりも少なくとも１０％高い、有機ケイ酸塩膜の材料硬度及び弾性率を改善するための方法。
【請求項２】
前記有機ケイ酸塩膜を少なくとも１つのエネルギー源で処理することをさらに含んで成る、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記処理工程が前記照射工程の少なくとも一部の間に行われる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つのエネルギー源が、前記有機ケイ酸塩膜を２５〜４５０℃の温度に加熱する、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記堆積工程中の前記有機ケイ酸塩膜の温度が２５〜４５０℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記堆積工程中の前記有機ケイ酸塩膜の温度が２５０〜４５０℃である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記堆積工程が、熱化学気相成長、プラズマ化学気相成長、低温化学気相成長、化学アシスト気相成長、熱フィラメント化学気相成長、光開始化学気相成長、及びそれらの組み合せから成る群より選択された１つ又は複数の方法を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
形成工程がプラズマ化学気相成長である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記紫外光が４００ｎｍ以下の１つ又は複数の波長を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記紫外光が３００ｎｍ以下の１つ又は複数の波長を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記紫外光が２００ｎｍ以下の１つ又は複数の波長を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記非酸化性雰囲気が、窒素、水素、一酸化炭素、二酸化炭素、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン、ラドン及びそれらの組み合せから成る群より選択された少なくとも１つのガスを含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記非酸化性雰囲気が真空を含んで成る、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
圧力が０．００５ｍｔｏｒｒ〜５０００ｔｏｒｒである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの化学反応体が、細孔形成剤前駆体をさらに含んで成る、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記照射工程後の前記有機ケイ酸塩膜の誘電率が、該照射工程前の該有機ケイ酸塩膜の誘電率よりも少なくとも５％低い、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
化学式ＳｉvＯwＣxＨyＦzによって表され、式中、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖが１０〜３５原子％、ｗが１０〜６５原子％、ｘが５〜３０原子％、ｙが１０〜５０原子％、及びｚが０〜１５原子％である、化学気相成長によって堆積される多孔質有機ケイ酸塩膜の材料硬度及び弾性率を改善するための方法であって、
真空チャンバー内に基材を提供すること；
有機シラン及び有機シロキサンから成る群より選択された構造形成剤前駆体と、細孔形成剤前駆体とを含んで成る少なくとも１つの化学反応体を該真空チャンバーに導入すること；
該真空チャンバー中の該少なくとも１つの化学反応体にエネルギーを加えて該反応体の反応を引き起こし、該基材の少なくとも一部の上に細孔形成剤材料と構造形成剤材料から構成される複合体膜を堆積させる堆積工程；並びに
該複合体膜を非酸化性雰囲気中で紫外光源にさらして、多孔質有機ケイ酸塩膜を提供する照射工程を含んで成り、該照射工程後の該多孔質有機ケイ酸塩膜の材料硬度及び弾性率が、該照射工程前の該複合体膜の材料硬度及び弾性率よりも高く、かつ該多孔質有機ケイ酸塩膜が実質的にＳｉ−ＯＨ結合のない、化学気相成長によって堆積される多孔質有機ケイ酸塩膜の材料硬度及び弾性率を改善するための方法。
【請求項１８】
前記多孔質有機ケイ酸塩膜を加熱することをさらに含んで成り、該加熱工程が前記照射工程の前に実施される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記有機シランが、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、フェニルシラン、メチルフェニルシラン、シクロヘキシルシラン、ｔｅｒｔ−ブチルシラン、エチルシラン、ジエチルシラン、テトラエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルエトキシシラン、メチルジエトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、トリメチルフェノキシシラン、フェノキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシラン、ジエトキシシラン、ジアセトキシメチルシラン、メチルトリエトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルシラン、及びそれらの組み合せから成る群のうちの少なくとも１つである、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記有機シロキサンが、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、１，１，２，２−テトラメチルジシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、及びそれらの組み合せから成る群のうちの少なくとも１つである、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記細孔形成剤前駆体が、α−テルピネン、リモネン、シクロヘキサン、１，２，４−トリメチルシクロヘキサン、１，５−ジメチル−１，５−シクロオクタジエン、カンフェン、アダマンタン、１，３−ブタジエン、置換ジエン、γ−テルピネン、α−ピネン、β−ピネン、デカヒドロナフタレン、及びそれらの組み合せから成る群のうちの少なくとも１つである、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記細孔形成剤前駆体及び前記構造形成剤前駆体が同じ化合物である、請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
前記化合物が、１−ネオヘキシル−１，３，５，７−テトラメチル−シクロテトラシロキサン、ジネオヘキシル−ジエトキシシラン、１，４−ビス（ジエトキシシリル）シクロヘキサン、及びそれらの組み合せから成る群のうちの少なくとも１つである、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記基材が、前記照射工程の少なくとも一部の間に加熱される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２５】
前記エネルギーを加える工程が、２５０℃以上の温度で実施される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２６】
有機シラン及び有機シロキサンから成る群より選択された少なくとも１つの構造形成剤前駆体と、細孔形成剤前駆体とを含んで成り、少なくとも１つの前駆体及び／又は有機ケイ酸塩膜が２００〜４００ｎｍの波長範囲に吸光度を示す、３．５以下の誘電率を有する有機ケイ酸塩膜を堆積させるための混合物。
【請求項２７】
有機ケイ酸塩膜を堆積させるための混合物であって、有機シラン及び有機シロキサンから成る群より選択された５〜９５ｗｔ％の構造形成剤前駆体と、５〜９５ｗｔ％の細孔形成剤前駆体とを含んで成り、該前駆体の少なくとも１つ及び／又は有機ケイ酸塩膜が２００〜４００ｎｍの波長範囲に吸光度を示す、有機ケイ酸塩膜を堆積させるための混合物。
【請求項２８】
有機ケイ酸塩膜が、第１誘電率、第１硬度、及び第１弾性率を有する、構造形成剤材料及び細孔形成剤材料を含んで成る複合体膜を基材の少なくとも一部の上に形成する形成工程；
該膜を非酸化性雰囲気中で少なくとも１つの紫外光源にさらして、その中に含まれる該細孔形成剤材料の少なくとも一部を除去し、第２誘電率、第２硬度、及び第２弾性率を有し、かつ該第２誘電率が該第１誘電率よりも少なくとも５％低く、該第２硬度が該第１硬度よりも少なくとも１０％高く、該第２弾性率が該第１弾性率よりも少なくとも１０％高い多孔質有機ケイ酸塩膜を提供する照射工程；並びに
該有機ケイ酸塩膜を加熱し、該照射工程の前に実施される加熱工程を含んで成る、２．７以下の誘電率を有する多孔質有機ケイ酸塩膜を調製するための方法。
【請求項２９】
前記形成工程が２５０℃以上の温度で実施される、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記有機ケイ酸塩膜が、化学式ＳｉvＯwＣxＨyＦzによって表され、式中、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖが１０〜３５原子％、ｗが１０〜６５原子％、ｘが５〜３０原子％、ｙが１０〜５０原子％、及びｚが０〜１５原子％である、請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
前記有機ケイ酸塩膜が、ケイ素−炭素結合、ケイ素−酸素結合、ケイ素−水素結合、及び炭素−水素結合から成る群より選択された１つ又は複数の結合タイプを有する、請求項２８に記載の方法。
【請求項３２】
前記有機ケイ酸塩膜が、１０％以下の組成の不均一性を有する、請求項２８に記載の方法。
【請求項３３】
請求項１、１７又は２８の方法によって調製された有機ケイ酸塩膜。
【請求項３４】
１０％以下の組成の不均一性を有する、請求項３３に記載の有機ケイ酸塩膜。