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【手続補正書】
【提出日】平成19年8月9日(2007.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビス ターシャル ブチル アミノ シランとＮＨ３とを原料ガスとして反応容器内に流して、窒化シリコン膜を前記反応容器内に挿入された被成膜体上に形成する工程と、
前記反応容器内にクリーニングガスを流して、前記反応容器内に形成された窒化シリコンを除去する工程とを備え、
前記窒化シリコンを除去する工程は、前記反応容器内に形成される窒化シリコンが３０００Åの膜厚に達したところで行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記窒化シリコン膜を形成する工程では、１回の成膜につき１０００Åの膜厚の窒化シリコン膜を形成し、
前記窒化シリコンを除去する工程は、３回の成膜毎に行われることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
被成膜体を保持したボートを反応容器内に挿入する工程と、
前記反応容器内にビス ターシャルブチル アミノシランとＮＨ３とを原料ガスとして流して、前記反応容器内で前記ボートにより保持された前記被成膜体上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
窒化シリコン膜形成後の被成膜体を保持した前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、
前記反応容器内に前記被成膜体を保持しない前記ボートを挿入する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートが挿入された前記反応容器内にクリーニングガスを流して、前記反応容器内および前記ボートに形成された窒化シリコンを除去する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、を備え、
前記窒化シリコンを除去する工程は、前記反応容器内に形成される窒化シリコンが３０００Åの膜厚に達したところで行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
ビス ターシャル ブチル アミノ シランとＮＨ３とを原料ガスとして石英で構成された反応容器内に流して、窒化シリコン膜を前記反応容器内に挿入された被成膜体上に形成する工程と、
前記反応容器内にクリーニングガスを流して、前記反応容器内に形成された窒化シリコンを除去する工程とを備え、
前記窒化シリコンを除去する工程は、前記反応容器内に形成される窒化シリコンが４０００Åの膜厚に達して前記石英にマイクロクラックが発生する前に行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記窒化シリコンの膜ストレスはＳｉＨ２Ｃｌ２とＮＨ３とを原料ガスとする窒化シリコンの膜ストレスの２倍程度であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記窒化シリコン膜を形成する工程では、前記反応容器内の温度が６００℃以下の温度に保たれることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記窒化シリコン膜を形成する工程では、前記反応容器内で前記被成膜体が石英で構成されたボートにより保持され、
前記窒化シリコンを除去する工程では、前記反応容器内に前記被成膜体を保持しない前記ボートが挿入され、
前記窒化シリコンを除去する工程は、前記反応容器内または前記ボートに形成される窒化シリコンが４０００Åの膜厚に達して前記石英で構成される部材にマイクロクラックが発生する前に行われることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
被成膜体を保持した石英で構成されたボートを石英で構成された反応容器内に挿入する工程と、
前記反応容器内にビス ターシャルブチル アミノシランとＮＨ３とを原料ガスとして流して、前記反応容器内で前記ボートにより保持された前記被成膜体上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
窒化シリコン膜形成後の被成膜体を保持した前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、
前記反応容器内に前記被成膜体を保持しない前記ボートを挿入する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートが挿入された前記反応容器内にクリーニングガスを流して、前記反応容器内および前記ボートに形成された窒化シリコンを除去する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、を備え、
前記窒化シリコンを除去する工程は、前記反応容器内または前記ボートに形成される窒化シリコンが４０００Åの膜厚に達して前記石英にマイクロクラックが発生する前に行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、
ビス ターシャル ブチル アミノ シランとＮＨ３とを原料ガスとして反応容器内に流して、窒化シリコン膜を前記反応容器内に挿入された被成膜体上に形成する工程と、
前記反応容器内にクリーニングガスを流して、前記反応容器内に形成された窒化シリコンを除去する工程とを備え、
前記窒化シリコンを除去する工程は、前記反応容器内に形成される窒化シリコンが３０００Åの膜厚に達したところで行われることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明によれば、
被成膜体を保持したボートを反応容器内に挿入する工程と、
前記反応容器内にビス ターシャルブチル アミノシランとＮＨ３とを原料ガスとして流して、前記反応容器内で前記ボートにより保持された前記被成膜体上に窒化シリコン膜を形成する工程と、
窒化シリコン膜形成後の被成膜体を保持した前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、
前記反応容器内に前記被成膜体を保持しない前記ボートを挿入する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートが挿入された前記反応容器内にクリーニングガスを流して、前記反応容器内および前記ボートに形成された窒化シリコンを除去する工程と、
前記被成膜体を保持しない前記ボートを前記反応容器内から引き出す工程と、を備え、
前記窒化シリコンを除去する工程は、前記反応容器内に形成される窒化シリコンが３０００Åの膜厚に達したところで行われることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月25日(2007.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の帯域に受信特性を有する第１のアンテナと、
第1の帯域と一部が重なる第２の帯域に受信特性を有する第２のアンテナと、
一方のアンテナに接続された信号処理装置と、
残りの一方のアンテナに接続された一方向性素子と、
前記第１または第２のアンテナからにより受信された受信信号を受け取るとともに前記信号処理装置の制御入力端にスイッチング信号を供給する受信回路と、
前記第１および第２のアンテナのそれぞれと前記受信回路とを接続する給電線と、
前記一方向性素子にバイアスを与えるバイアス抵抗と、
を有することを特徴とするアンテナスイッチシステム。
【請求項２】
所定の帯域の受信特性を有するアンテナと、
このアンテナにより受信した受信信号を増幅する増幅器と、
前記アンテナにより送信信号を送信する際に前記増幅器の作用を遮断するとともに、前記アンテナで受信した受信信号を受け取る受信時に、前記増幅器に電源を供給可能な受信回路と、   
を有することを特徴とするアンテナスイッチシステム。
【請求項３】
第１の帯域に受信特性を有するアンテナと、
前記アンテナに、第１の帯域のうちの所定の帯域である第２の帯域の周波数を受信可能とする特性を与える第１の整合回路と、
前記アンテナに、第１の帯域のうちの、第２の帯域とは少なくとも一部がかさならない第３の帯域の周波数を受信可能とする特性を与える第２の整合回路と、
前記第１の整合回路または前記第２の整合回路のいずれか一方を選択して動作させるスイッチ回路と、
前記第１の整合回路または前記第２の整合回路のいずれか一方を介して取り出された受信信号を受け取る受信回路と、
前記スイッチ回路と前記受信回路とを接続する給電線と、
を備えることを特徴とするアンテナスイッチシステム。
【請求項４】
第１の帯域の受信特性を有するアンテナと、
前記アンテナに、第１の帯域のうちの所定の帯域である第２の帯域の周波数を受信可能とする特性を与える第１の整合回路と、
前記アンテナに、第１の帯域のうちの、第２の帯域とは少なくとも一部がかさならない第３の帯域の周波数を受信可能とする特性を与える第２の整合回路と、
前記第１の整合回路を介して取り出された受信信号を増幅する第１の増幅器と、
前記第２の整合回路を介して取り出された受信信号を増幅する第２の増幅器と、
前記アンテナにより送信信号を送信する際に前記第１および第２の増幅器の作用を遮断するとともに、前記第１または第２の整合回路により取り出された受信信号を増幅可能に対応する前記増幅器に電源を供給可能な受信回路と、   
を有することを特徴とするアンテナスイッチシステム。
【請求項５】
第１の帯域に受信特性を有する第１のアンテナと、
第１の帯域と一部が重なる第２の帯域に受信特性を有する第２のアンテナと、
前記第１のアンテナおよび第２のアンテナにより受信された受信信号から所定周波数の信号を取り出す受信回路と、
前記第１のアンテナおよび第２のアンテナにより受信された受信信号の一方を選択するスイッチ回路と、
前記受信回路と前記スイッチ回路とを、信号の受け渡しを可能に接続する給電線と、
前記受信回路側に設けられ、前記受信回路が取り出すべき所定周波数の信号に影響を与える成分を低減する第１の信号処理回路と、
前記給電線を介して前記受信回路側から分離されて前記スイッチ回路側に設けられ、前記受信回路が取り出すべき所定周波数の信号に影響を与える成分を、前記第１の信号処理回路と協働して低減する第２の信号処理回路と、
を有することを特徴とするアンテナスイッチシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月7日(2007.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 緻密セラミック遮熱皮膜（ＴＢＣ）の施工された物品表面からＴＢＣを除去する方法であって、物品表面の縁部には、該物品表面と遮熱皮膜（ＴＢＣ）の間の境界層の少なくとも一部が露出していて、該境界層がＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ及びそれらの酸化物からなる群から選択される１種類以上の物質を含んでおり、当該方法が、
還元性ガスが境界層で上記群の１種類以上の物質を気体状化合物に変換して境界層中に浸透するとともにＴＢＣを物品表面から分離させて除去するのに十分な時間、少なくとも上記露出境界層を８７１℃（１６００°Ｆ）以上の温度で還元性ガスに暴露する段階
を含む方法。
【請求項２】 前記温度が８７１〜１０９３℃（１６００°Ｆ〜２０００°Ｆ）の範囲であり、
前記露出境界層を前記還元性ガスに暴露する時間が２〜１０時間であり、かつ、
前記還元性ガスが、ハロゲン化水素ガスを６〜２０重量％含み、その残部が主に水素ガスからなる混合物である
請求項１記載の方法。
【請求項３】 前記混合物がフッ化水素ガスを６〜１４重量％含み、その残部が主に水素ガスからなる、請求項１記載の方法。
【請求項４】 （ａ）Ａｌ元素を含む内側皮膜であって、少なくともＡｌが物品表面内部に拡散浸透した拡散内側皮膜部分と該拡散内側皮膜部分を覆う内側皮膜の外側部分とを含む内側皮膜と、（ｂ）内側皮膜の外側部分を覆う緻密ＴＢＣとからなる複合皮膜を物品表面から除去する請求項１記載の方法であって、当該方法が、
ＴＢＣ除去後に、露出した拡散内側部分を、ハロゲンガスを６〜２０重量％含み、その残部が主に水素ガスからなる還元性ガスに、８７１℃（１６００°Ｆ）以上の温度で、物品表面の寸法変化を実質的に起こさずに、ハロゲンガスが露出拡散内側皮膜部分からＡｌを減損させるのに十分な２時間以上の時間暴露する追加の段階を含む、方法。
【請求項５】 露出した拡散内側部分を還元性ガスに暴露する段階に先立って、
拡散内側皮膜部分を露出させるため、内側皮膜の外側部分を機械的に除去する段階を含む請求項４記載の方法。
【請求項６】 前記還元性ガスがハロゲン化水素ガスを６〜２０重量％含み、その残部が主に水素ガスからなる混合物であり、
前記温度が８７１〜１０９３℃（１６００°Ｆ〜２０００°Ｆ）の範囲であり、かつ
前記暴露時間が２〜１０時間の範囲である
請求項４記載の方法。
【請求項７】 前記混合物がフッ化水素ガスを６〜１４重量％含み、その残部が主に水素ガスからなる
請求項６記載の方法。
【請求項８】 前記物品表面がタービンエンジン内での作動を経たタービンエンジン部品の表面であってＴＢＣに表面汚染物質が存在する請求項１記載の方法であって、前記境界層を前記還元性ガスへ暴露する段階に先立って、少なくとも表面汚染物質をＴＢＣから機械的に除去する段階を含む
方法。
【請求項９】 酸化物を含んだ亀裂を有するタービンエンジン部品を補修するための請求項８記載の方法であって、前記物品表面が、（ａ）Ａｌ元素を含む内側皮膜であって、少なくともＡｌが物品表面内部に拡散浸透した拡散内側皮膜部分と該拡散内側皮膜部分を覆う内側皮膜の外側部分とを含む内側皮膜と、（ｂ）内側皮膜の外側部分を覆う緻密ＴＢＣとからなる複合皮膜を含んでおり、当該方法が、
ＴＢＣから少なくとも表面汚染物質を機械的に除去する段階、
ハロゲン化水素ガスを６〜２０重量％含み、その残部が主に水素ガスからなる混合物からなる還元性ガスに少なくとも露出境界層を８７１〜１０９３℃（１６００°Ｆ〜２０００°Ｆ）の範囲の温度で２〜１０時間暴露することによって内側皮膜の外側部分からＴＢＣを除去し、もってハロゲン化水素が境界層で上記群の１種類以上の物質を気体状化合物に変換して境界層に浸透するとともにＴＢＣを物品表面から分離させて除去することで内側皮膜を露出させる段階、及び
ハロゲン化水素ガスを６〜２０重量％含み、その残部が主に水素ガスからなる混合物還元性ガスに露出した内側皮膜及び亀裂を８７１〜１０９３℃（１６００°Ｆ〜２０００°Ｆ）の範囲の温度で２〜１０時間暴露して、内側皮膜部分からＡｌを減損させるとともに亀裂から酸化物を減損させる段階を含む
方法。
【請求項１０】 還元性ガスが、フッ化水素ガスガスを６〜１４重量％含み、その残部が主に水素ガスからなる
請求項９記載の方法。
【請求項１１】 露出した内側皮膜と亀裂を還元性ガスに暴露する段階に先立って、
内側皮膜の外側部分を機械的に除去して拡散内側皮膜部分を露出させる段階を含む
請求項９記載の方法。
【請求項１２】 タービンエンジン部品が、複合皮膜を備えた翼形部を含む、請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月26日(2007.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 木材切断のための鋸ブレードに鋸歯を形成するためのＣｏ基鋸チップ合金であって、該合金が約４〜約２０重量％のＭｏと、Ｃｒ及びＣを含むＣｏ基鋸チップ合金。
【請求項２】 前記合金が、粉末金属予備成形鋸歯、鋸ブレードの付刃用の粉末金属予備成形ロッド、鋸ブレードに溶接するためのキャストロッド又は鋸ブレードに溶接するための中実若しくは管状のワイヤのいずれかの形態からなる請求項１記載のＣｏ基鋸チップ合金。
【請求項３】 Ｃ  約０．８〜約３．５重量％；
Ｃｒ  約２５〜約３５重量％；
Ｍｏ  約４〜約２０重量％；
Ｍｎ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｂ及びＦｅ  合計約０〜約１０重量％；
Ｗ  約０重量％；
Ｃｏ  残部
を含む請求項１又は２記載のＣｏ基鋸チップ合金。
【請求項４】 本質的に、
Ｃ  約０．８〜約３．５重量％；
Ｃｒ  約２５〜約３５重量％；
Ｍｏ  約４〜約２０重量％；
Ｍｎ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｂ及びＦｅ  合計約０〜約１０重量％；
Ｗ  約０重量％；
Ｃｏ  残部
からなる請求項１又は２記載のＣｏ基鋸チップ合金。
【請求項５】 ４〜１０重量％のＭｏ及び０．８〜２．０重量％のＣを含む請求項１、２又は３記載のＣｏ基鋸チップ合金。
【請求項６】 １０〜２０重量％のＭｏ及び１．５〜３．０重量％のＣを含む請求項１、２又は３記載のＣｏ基鋸チップ合金。
【請求項７】 Ｃ  約０．８〜約３．５重量％；
Ｃｒ  約２５〜約３５重量％；
Ｍｏ  約４〜約２０重量％；
Ｗ  約１〜約４重量％；
Ｍｎ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｂ及びＦｅ  合計約０〜約１０重量％；
Ｃｏ  残部
を含む請求項１又は２記載のＣｏ基鋸チップ合金。
【請求項８】 ４〜１０重量％のＭｏ及び０．８〜２．０重量％のＣを含む請求項７記載のＣｏ基鋸チップ合金。
【請求項９】 １０〜２０重量％のＭｏ及び１．５〜３．０重量％のＣを含む請求項７記載のＣｏ基鋸チップ合金。
【請求項１０】 木材切断のための鋸ブレードに鋸歯を形成するためのＣｏ基チップ合金であって、該合金が、本質的に、約２．５重量％のＣと、約３３重量％のＣｒと、約１８重量％のＭｏと、合計約０〜約１０重量％のＭｎ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｂ及びＦｅのいずれか一又は複数の元素と、残部としてのＣｏとからなるＣｏ基鋸チップ合金。
【請求項１１】 木材切断のための鋸ブレードに鋸歯を形成するためのＣｏ基チップ合金であって、該合金が、本質的に、約２．２重量％のＣと、約３２重量％のＣｒと、約１．３重量％のＷと、約１８重量％のＭｏと、合計約０〜約１０重量％のＭｎ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｂ及びＦｅのいずれか一又は複数の元素と、残部としてのＣｏとからなるＣｏ基鋸チップ合金。
【請求項１２】 木材切断のための鋸ブレードに鋸歯を形成するためのＣｏ基チップ合金であって、該合金が、本質的に、約８．５重量％のＭｏと、約２９重量％のＣｒと、約０．８〜約２．０重量％のＣと、合計約０〜約１０重量％のＭｎ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｂ及びＦｅのいずれか一又は複数の元素と、残部としてのＣｏとからなり、かつ該合金が、粉末金属予備成形鋸歯、鋸ブレードの付刃用の粉末金属予備成形ロッド、鋸ブレードに溶接するためのキャストロッド又は鋸ブレードに溶接するための管状若しくは中実のワイヤのいずれかの形態からなるＣｏ基鋸チップ合金。
【請求項１３】 木材切断のための鋸ブレードに取り付けるためのＣｏ基鋸チップであって、該鋸チップが、本質的に、約２．５重量％のＣと、約３３重量％のＣｒと、約１８重量％のＭｏと、０重量％のＷと、合計約０〜約１０重量％のＭｎ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｂ及びＦｅのいずれか一又は複数の元素と、残部としてのＣｏとからなるＣｏ基鋸チップ。
【請求項１４】 木材切断のための鋸ブレードに取り付けるためのＣｏ基鋸チップであって、該鋸チップが、本質的に、約２．２重量％のＣと、約３２重量％のＣｒと、１．３重量％のＷと、約１８重量％のＭｏと、合計約０〜約１０重量％のＭｎ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｂ及びＦｅのいずれか一又は複数の元素と、残部としてのＣｏとからなるＣｏ基鋸チップ。
【請求項１５】 鋸ブレードに溶接して木材切断のための鋸歯を形成するためのワイヤであって、該ワイヤが請求項１又は３〜１２のいずれかに記載の合金からなるワイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月1日(2007.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １０〜１５重量％のＣｏ、
１８〜２２重量％のＣｒ、
０．５〜１．３重量％のＡｌ、
３．５〜４．５重量％のＴａ、
１〜２重量％のＭｏ、
１３．５〜１７．０重量％のＷ、
０．０８重量％以下のＣ、
０．０６重量％以下のＺｒ、
０．０１５重量％以下のＢ、
０．４〜１．２重量％のＭｎ、
０．１〜０．３重量％のＳｉ、及び
残部のＮｉ
を含んでなる固溶体強化超合金溶接組成物。
【請求項２】  Ｃが０．０２重量％以上の量で存在し、Ｚｒが０．０１重量％以上の量で存在し、Ｂが０．００５重量％以上の量で存在する、請求項１記載の組成物。
【請求項３】  １３．５重量％のＣｏ、
２０重量％のＣｒ、
０．８重量％のＡｌ、
４重量％のＴａ、
１．５重量％のＭｏ、
１５．５重量％のＷ、
０．０５重量％のＣ、
０．０３重量％のＺｒ、
０．０１重量％以下のＢ、
０．７重量％のＭｎ、
０．２重量％のＳｉ、及び
残部のＮｉ
を含んでなる、請求項２記載の組成物。
【請求項４】  無処理の領域と補修領域とを含んでおり、前記補修領域が本質的に請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の固溶体強化超合金溶接組成物から成る、補修タービンエンジン部品。
【請求項５】  部品が翼であり、補修領域が翼先端である、請求項４記載の部品。
【請求項６】  翼が動力発生用タービンエンジンのバケットである、請求項５記載の部品。
【請求項７】  翼が航空機タービンエンジンのブレードである、請求項６記載の部品。
【請求項８】  部品がタービンノズル又はタービンベーンである、請求項４記載の部品。
【請求項９】  補修領域がノズル又はベーンの前縁領域に沿って位置している、請求項８記載の部品。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月28日(2007.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 
７１８合金の大形部品の鍛造方法であって、
ａ）ＡＳＴＭ０〜ＡＳＴＭ３の平均結晶粒度を有するビレット（１４）を準備する段階、
ｂ）ビレット（１４）を９５４〜９８２℃（１７５０〜１８００°Ｆ）の温度に加熱する段階、
ｃ）ビレット（１４）を据え込み加工して、少なくとも所定の領域で０．１２５の最小ひずみを有する部品（２４）を得る段階、
ｄ）部品（２４）を９５４〜９８２℃（１７５０〜１８００°Ｆ）の温度に再加熱する段階、
ｅ）上記所定の領域が０．０１〜０．１２５のひずみを受けないように部品（２４）を最終形状に据え込み加工する段階、
ｆ）９４１〜９５４℃（１７２５〜１７５０°Ｆ）の温度で部品（２４）を溶体化処理する段階、及び
ｇ）様々な温度で所定時間部品（２４）を時効処理する段階
を含んでなる方法。
【請求項２】 
前記所定の領域が部品（２４）全体を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】 
部品（２４）の前記所定の領域以外の一定の領域について、段階ｅ）が上記一定の領域が０．０１〜０．１２５のひずみを受けるように実施され、かつ段階ｆ）が９９６〜１０１０℃（１８２５〜１８５０°Ｆ）の温度での溶体化熱処理によって実施される請求項１記載の方法。
【請求項４】 
段階ｇ）において、部品（２４）を７１８℃（１３２５°Ｆ）で８時間及び６２１℃（１１５０°Ｆ）で８時間の時効処理する、請求項１記載の方法。
【請求項５】 
前記大形部品が重量４５３６ｋｇ（１００００ポンド）以上の部品からなる請求項１記載の方法。
【請求項６】 
前記所定の領域で０．１２５の最小ひずみを得るため必要二応じて段階ｃ）及びｄ）を繰り返す、請求項１記載の方法。
【請求項７】 
段階ｅ）の後で、部品（２４）が前記所定の領域でＡＳＴＭ６〜８の微細な結晶粒度を有する、請求項１記載の方法。
【請求項８】 
前記大形部品（２４）が陸用ガスタービン部品からなる、請求項１記載の方法。
【請求項９】 
７１８合金から重量４５３６ｋｇ（１００００ポンド）以上のガスタービン部品を異常結晶粒成長を示さないように鍛造する方法であって、
ａ）ＡＳＴＭ０〜ＡＳＴＭ３の平均結晶粒度を有するビレット（１４）を準備する段階、
ｂ）ビレットを９５４〜９８２℃（１７５０〜１８００°Ｆ）の温度に加熱する段階、
ｃ）ビレットを据え込み加工して、各据え込み作業ごとに部品の全領域で０．１２５の最小ひずみを有する部品（２４）を得る段階、
ｄ）部品（２４）を９５４〜９８２℃（１７５０〜１８００°Ｆ）の温度に再加熱する段階、
ｅ）部品（２４）のどの領域も０．０１〜０．１２５のひずみを受けないように部品（２４）を最終形状に据え込み加工する段階、
ｆ）９４１〜９５４℃（１７２５〜１７５０°Ｆ）の温度で部品の所定の領域を溶体化処理する段階、及び
ｇ）様々な温度で所定時間部品（２４）の所定の領域を時効処理する段階
を含んでなる方法。
【請求項１０】 
段階ｇ）において、部品（２４）を７１８℃（１３２５°Ｆ）で８時間及び６２１℃（１１５０°Ｆ）で８時間の時効処理する、請求項９記載の方法。
【請求項１１】 
前記所定の領域で０．１２５の最小ひずみを得るため必要に応じて段階ｃ）及びｄ）を繰り返す、請求項９記載の方法。
【請求項１２】 
段階ｅ）の後で、部品（２４）が前記所定の領域でＡＳＴＭ６〜８の微細な結晶粒度を有する、請求項９記載の方法。
【請求項１３】 
重量４５３６ｋｇ（１００００ポンド）以上のガスタービン部品が所定の領域では異常結晶粒成長を示さないが、その他の領域では異常結晶粒成長を示すように該部品を７１８合金から鍛造するための方法であって、
ａ）ＡＳＴＭ０〜ＡＳＴＭ３の平均結晶粒度を有するビレット（１４）を準備する段階、
ｂ）ビレット（１４）を９５４〜９８２℃（１７５０〜１８００°Ｆ）の温度に加熱する段階、
ｃ）ビレット（１４）を据え込み加工して、部品の全領域で０．１２５の最小ひずみを有する部品（２４）を得る段階、
ｄ）部品（２４）を９５４〜９８２℃（１７５０〜１８００°Ｆ）の温度に再加熱する段階、
ｅ）前記所定の領域が０．０１〜０．１２５のひずみを受けずかつ前記その他の領域が０．０１〜０．１２５のひずみを受けるように部品（２４）を最終形状に据え込み加工する段階、
ｆ）９９６〜１０１０℃（１８２５〜１８５０°Ｆ）の温度で部品（２４）を溶体化処理する段階、
ｇ）様々な温度で所定時間部品（２４）を時効処理する段階を含んでなる方法。
【請求項１４】 
段階ｇ）において、部品（２４）を７１８℃（１３２５°Ｆ）で８時間及び６２１℃（１１５０°Ｆ）で８時間の時効処理する、請求項１３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月5日(2007.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数のブレード（１２，１１２）をブレード格納構造（１０，１１０）で取り囲んでなるターボ機械のブレード格納構造（１０，１１０）であって、
ブレード格納構造（１０，１１０）内でブレード（１２．１１２）を接近して取り囲む内側格納シェル（１６，１１６）を画定する壁を有する第１のケーシング部材（１４，１１４）であって、第１の材料で形成される第１のケーシング部材（１４，１１４）と、
第１のケーシング部材（１４，１１４）に取り付けられた第２のケーシング部材（１８，１１８）であって、内側格納シェル（１６，１１６）を取り囲む外側格納シェル（２０，１２０）を画定する壁を有し、第１のケーシング部材（１４，１１４）の第１の材料よりも密度の低い第２の材料で形成される第２のケーシング部材（１８，１１８）と、
内側格納シェル（１６，１１６）と外側格納シェル（２０，１２０）によってそれらの間に画成される空洞（２２，１２２）と
を含むブレード格納構造（１０，１１０）。
【請求項２】  第１のケーシング部材（１４，１１４）がスチールで形成され、第２のケーシング部材（１８，１１８）がアルミニウム又はアルミニウム合金で形成される、請求項１記載のブレード格納構造（１０，１１０）。
【請求項３】  第１のケーシング部材（１４）が、ブレード（１２）を取り囲むことも第２のケーシング部材（１８）で取り囲まれることもない前部壁（２４）をさらに有する、請求項１又は請求項２記載のブレード格納構造（１０）。
【請求項４】  第１のケーシング部材（１４）が前部壁（２４）と内側格納シェル（１６）との間にフランジ（２６）をさらに有し、第２のケーシング部材（１８）がフランジ（２６）において第１のケーシング部材（１４）に固定される、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のブレード格納構造（１０）。
【請求項５】  ブレード（１１２）を取り囲むことも第２のケーシング部材（１１８）で取り囲まれることもない前部ケーシング部材（１２４）をさらに含み、前部ケーシング部材（１２４）が第１のケーシング部材（１１４）の第１の材料よりも靭性の低い材料で形成される、請求項１記載のブレード格納構造（１１０）。
【請求項６】  複数の半径方向に延びるファンブレード（１２，１１２）をブレード格納構造（１０，１１０）で取り囲んでなる高バイパス・ターボファンエンジンのファンブレード格納構造（１０，１１０）であって、
ブレード格納構造（１０，１１０）内でブレード（１２，１１２）を接近して取り囲む環状の内側格納シェル（１６，１１６）を画定する壁を有する第１のケーシング部材（１４，１１４）であって、第１の材料で形成される環状の第１のケーシング部材（１４，１１４）と、
第１のケーシング部材（１４，１１４）に取り付けられた環状の第２のケーシング部材（１８，１１８）であって、内側格納シェル（１６，１１６）を取り囲む環状の外側格納シェル（２０，１２０）を画定する壁を有し、第１のケーシング部材（１４，１１４）の第１の材料よりも密度と靭性がいずれも低い第２の材料で形成される環状の第２のケーシング部材（１８，１１８）と、
内側シェル（１６，１１６）と外側格納シェル（２０、１２０）によってそれらの間に画成される環状の空洞（２２，１２２）と、
ブレード格納構造（１０，１１０）の振動を減衰するために、第１のケーシング部材（１４，１１４）及び第２のケーシング部材（１８，１１８）と物理的に接合している手段（３０，４２，４８，５２，１３０，１４２）と
を含むファンブレード格納構造（１０，１１０）。
【請求項７】  第１のケーシング部材（１４，１１４）がスチールで形成され、第２のケーシング部材（１８，１１８）がアルミニウム又はアルミニウム合金で形成される、請求項６記載のファンブレード格納構造（１０，１１０）。
【請求項８】  第１のケーシング部材（１４）が、
ブレード（１２）を取り囲むことも第２のケーシング部材（１８）で取り囲まれることもない軸方向前部壁（２４）と、
前部壁（２４）と内側格納シェル（１６）との間のフランジ（２６）とを含んでおり、第２のケーシング部材（１８）がフランジ（２６）において第１のケーシング部材（１４）に固定される、請求項６又は請求項７記載のファンブレード格納構造（１０）。
【請求項９】  ブレード（１１２）を取り囲むことも第２のケーシング部材（１１８）で取り囲まれることもない軸方向前部ケーシング部材（１２４）であって、第１のケーシング部材（１１４）及び第２のケーシング部材（１１８）に取り付けられた軸方向前部ケーシング部材（１２４）をさらに含み、前部ケーシング部材（１２４）がアルミニウム又はアルミニウム合金で形成される、請求項６記載のファンブレード格納構造（１１０）。
【請求項１０】  第２のケーシング部材（１８，１１８）が第１のケーシング部材（１４，１１４）の内側格納シェル（１６，１１６）を取り囲まない軸方向後部壁（２８，１２８）をさらに有する、請求項６記載のファンブレード格納構造（１０，１１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月2日(2007.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被覆されたストリングであって、
（ａ）前記ストリング上に被覆される、極性官能基を含有する繰り返し単位を有するフルオロポリマーの第１の被膜と、
（ｂ）前記第１の被膜を取り巻く、極性官能基を含有しない繰り返し単位を有するフルオロポリマーの第２の被膜と
を含むことを特徴とする被覆されたストリング。
【請求項２】  請求項１に記載の被覆されたストリングを用いてストリングを張られたことを特徴とするスポーツ用ラケット。
【請求項３】  ストリングに対して、極性官能基を有する繰り返し単位を含有する第１のフルオロポリマーの第１の溶液を付着して被覆されたストリングを形成する工程と
前記第１の溶液を乾燥する工程と、
前記被覆されたストリングに対して極性官能基を有さない繰り返し単位を含有する第２のフルオロポリマーの第２の溶液を付着する工程と、
前記第２の溶液を乾燥する工程と
を具えたことを特徴とするストリングを被覆するための方法。
【請求項４】  構成要素ストランドを有する複合ストリングであって、前記構成要素ストランドはフルオロポリマー被膜によって被覆されることを特徴とする複合ストリング。
【請求項５】  多数のストランドを含む複合ストリングであって、前記ストランドの表面に、フルオロポリマーの粒子が点在することを特徴とする複合ストリング。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
【発明の効果】
前述の実施例は、本発明にしたがって被覆されるスポーツ用ストリングの優れた特性を開示する。そのように被覆されたストリングは、フルオロポリマー被膜によってもたらされる減少された摩擦係数によって、スポーツおよび音楽用途のいずれにおいて用いられる際にも改善された寿命を示すことが期待される。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  被覆されたストリングであって、
（ａ）前記ストリング上に被覆される、極性官能基を含有する繰り返し単位を有するフルオロポリマーの第１の被膜と、
（ｂ）前記第１の被膜を取り巻く、極性官能基を含有しない繰り返し単位を有するフルオロポリマーの第２の被膜と
を含むことを特徴とする被覆されたストリング。
［２］  前記第１および第２の被膜のフルオロポリマーは非晶質であることを特徴とする［１］に記載の被覆されたストリング。
［３］  前記第１および第２の被膜は、独立的に約０．０１から約１０μmの厚さであることを特徴とする［１］に記載の被覆されたストリング。
［４］  前記第１の被膜のフルオロポリマーの極性官能基は、無水マレイン酸、マレイン酸、フマル酸、無水ジクロロマレイン酸、ジクロロマレイン酸、またはこれらの酸の塩、ＣＦ2＝ＣＦＯＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）ＯＣＦ2ＣＦ2Ｘ（式中、ＸはＳＯ2Ｆ、ＣＯ2Ｈ、ＣＯ2ＣＨ3、ＣＨ2ＯＨ、ＣＨ2ＯＣＮまたはＣＨ2ＯＰＯ3Ｈ）、ＣＦ2＝ＣＦＯＣＦ2ＣＦ2ＳＯ2Ｆ、およびそれらの組合せからなる群から選択されるモノマーに由来することを特徴とする［１］に記載の被覆されたストリング。
［５］  前記第１の被膜のフルオロポリマーは、約４：６から約６：４のフッ化ビニリデン：ヘキサフルオロプロピレンのモル比を有し、かつ約０．１から約１０モル％の無水マレイン酸を含有する、フッ化ビニリデン、ヘキサフルオロプロピレンおよび無水マレイン酸の共重合体であることを特徴とする［１］に記載の被覆されたストリング。
［６］  前記第２の被膜のフルオロポリマーは、約７：３から約３：７のモル比を有する、テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンとの共重合体であることを特徴とする［１］に記載の被覆されたストリング。
［７］  前記第２の被膜のフルオロポリマーは、約７：３から約３：７のモル比を有する、テトラフルオロエチレンとペルフルオロ（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソール）との非晶質共重合体であることを特徴とする［１］に記載の被覆されたストリング。
［８］  ［１］に記載の被覆されたストリングを用いてストリングを張られたことを特徴とするスポーツ用ラケット。
［９］  テニスラケットであることを特徴とする［８］に記載のスポーツ用ラケット。
［１０］  ストリングに対して、極性官能基を有する繰り返し単位を含有する第１のフルオロポリマーの第１の溶液を付着して被覆されたストリングを形成する工程と
前記第１の溶液を乾燥する工程と、
前記被覆されたストリングに対して極性官能基を有さない繰り返し単位を含有する第２のフルオロポリマーの第２の溶液を付着する工程と、
前記第２の溶液を乾燥する工程と
を具えたことを特徴とするストリングを被覆するための方法。
［１１］  前記第１および第２の溶液が約１００℃未満の温度において付着されることを特徴とする［１０］に記載の方法。
［１２］  前記第１および第２の溶液が約６０℃未満の温度において付着されることを特徴とする［１１］に記載の方法。
［１３］  前記第１および第２の溶液が約１５℃から約４０℃までの温度において付着されることを特徴とする［１２］に記載の方法。
［１４］  前記乾燥工程が、ストリングの特性の劣化をもたらすよりも低い温度の熱の印加を含むことを特徴とする［１０］に記載の方法。
［１５］  前記第２の溶液の溶媒は前記第１のフルオロポリマーを溶解しないことを特徴とする［１０］に記載の方法。
［１６］  前記第１の溶液の溶媒は極性有機溶媒であり、および前記第２の溶液の溶媒はフッ素化された有機溶媒であることを特徴とする［１０］に記載の方法。
［１７］  前記第１の溶液の溶媒はケトンであることを特徴とする［１６］に記載の方法。
［１８］  前記第１の溶液の溶媒はアセトンであり、および前記第２の溶液の溶媒は実質的にペルフルオロ（トリブチルアミン）であることを特徴とする［１７］に記載の方法。
［１９］  前記第１の溶液の溶媒はＣＦ3ＣＦＨＣＦＨＣＦ2ＣＦ3であり、および前記第２の溶液の溶媒は実質的にペルフルオロ（トリブチルアミン）であることを特徴とする［１６］に記載の方法。
［２０］  構成要素ストランドを有する複合ストリングであって、前記構成要素ストランドはフルオロポリマー被膜によって被覆されることを特徴とする複合ストリング。
［２１］  前記フルオロポリマー被膜が
（ａ）前記ストリング上に被覆される、極性官能基を含有する繰り返し単位を有するフルオロポリマーの第１の被膜と、
（ｂ）前記第１の被膜を取り巻く、極性官能基を含有しない繰り返し単位を有するフルオロポリマーの第２の被膜と
を含むことを特徴とする［２０］に記載の複合ストリング。
［２２］  多数のストランドを含む複合ストリングであって、前記ストランドの表面に、フルオロポリマーの粒子が点在することを特徴とする複合ストリング。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月21日(2007.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 Ｘ線システムで使われるＸ線ファントム（１００、２００、３００）であって、ベース（１１０、２１０、３１０）と、前記ベースに取り付けられ、且つ前記ベースの周囲に概ね適合する金属製周囲リング（１３０、２３０、３３０）と、前記Ｘ線システムの性能パラメータのうちの少なくとも１つを確定するための支援を行う、前記ベースに取り付けられた少なくとも１つのサブファントム（１５０、１６０、１７０、１９０、１９５、２５０、２６０、２７０、２９０、２９５、３５０、３６０、３７０、３９０、３９５）と、を備えることを特徴とするＸ線ファントム。
【請求項２】 さらに、少なくとも１つのサブファントム（１５０、１６０、１７０、１９０、１９５、２５０、２６０、２７０、２９０、２９５、３５０、３６０、３７０、３９０、３９５）を取り囲む少なくとも１つの金属製線セグメント（１４０、２４０）を備えている請求項１記載のファントム。
【請求項３】 さらに、前記ベースは、該ベースを位置付けるための位置付けタブを備えている請求項１記載のファントム。
【請求項４】 Ｘ線システムで使われるＸ線ファントム（１００、２００、３００）であって、ベース（１１０、２１０、３１０）と、前記Ｘ線システムの変調伝達関数（ＭＴＦ）を確定するための支援を行うために前記ベース（１１０、２１０、３１０）に取り付けられたクーポン・サブファントム（３７０）と、を備えることを特徴とするＸ線ファントム。
【請求項５】 前記クーポン・サブファントム（３７０）は、少なくとも１つの金属シート（３７５）を含んでいる請求項４記載のファントム。
【請求項６】 前記少なくとも１つの金属シート（３７５）は回転することを特徴とする請求項５記載のファントム。
【請求項７】 Ｘ線ファントム（１００、２００、３００）をＸ線システムへ配置するためにＸ線システムに挿入されるフレーム（４３０、７３０、８３０）と、前記Ｘ線ファントムを前記フレームに取外し可能に取り付けるための前記締め具（４６０、８９０）と、を備えることを特徴とするモジュール式Ｘ線ファントム担体（４００、５００、６００、７００、８００）。
【請求項８】 さらに、前記フレーム（４３０、７３０、８３０）の位置決めを支援するために前記フレーム（４３０、７３０、８３０）から突き出した少なくとも１つの位置合わせピン（４２０、７１０、８０２、８０４）を備えている請求項７記載のファントム担体。
【請求項９】 Ｘ線システムの少なくとも１つのパラメータを確定する支援を行う方法であって、Ｘ線システムの少なくとも１つのパラメータを決定するための支援を行う第１のＸ線ファントム（１００、２００、３００）をＸ線ファントム担体（４００、５００、６００、７００、８００）に固定する工程と、前記Ｘ線ファントム担体をＸ線システム内に配置する工程と、前記第１のＸ線ファントムにＸ線を供給する工程と、含んでいることを特徴とする方法。
【請求項１０】 さらに、前記第１のＸ線ファントム（１００、２００、３００）の代りに、前記Ｘ線システムの少なくとも１つのパラメータを確定するための支援を行う第２のＸ線ファントム（１００、２００、３００）を前記Ｘ線ファントム担体（４００、５００、６００、７００、８００）内に配置する工程と、前記Ｘ線ファントム担体を前記Ｘ線システムに配置する工程と、前記第２のＸ線ファントムにＸ線を供給する工程と、を含んでいる請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月28日(2006.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  指に光を照射する光源と、指内部から散乱した光を受光する二次元状に配された撮像素子と、を有する指紋入力装置において、
前記光源はＬＥＤであって、前記光源は前記撮像素子が設けられた撮像チップに固定されていることを特徴とする指紋入力装置。
【請求項２】  前記ＬＥＤの発光面上に導光板が設けられていることを特徴とする請求項１の指紋入力装置。
【請求項３】  前記ＬＥＤの電極と、前記撮像チップの電極とが金属配線により接続されていることを特徴とする請求項１の指紋入力装置。
【請求項４】  前記ＬＥＤと、前記撮像チップの電極とが導電接着剤により接続されていることを特徴とする請求項１の指紋入力装置。
【請求項５】  前記撮像チップ上に、前記ＬＥＤの発光を制御する回路が設けられていることを特徴とする請求項１の指紋入力装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決し、より小型、薄型の指紋入力装置を提供するものである。
本発明は上記課題を解決するために、指に光を照射する光源と、指内部から散乱した光を受光する二次元状に配された撮像素子と、を有する指紋入力装置において、
前記光源はＬＥＤであって、前記光源は前記撮像素子が設けられた撮像チップに固定されていることを特徴とするものである。
以下、実施形態に沿って説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極の間に少なくとも発光層および電子輸送層が順に積層され、電気エネルギーにより発光する素子であって、電子輸送層が一般式（１）で表される発光素子材料を含む発光素子。
【化１】
2004281390.tif 000001
（ここでＡは１，１０−フェナントロリン骨格またはベンゾ［ｈ］キノリン骨格を有する置換基である。Ｂはベンゼン環、ターフェニル骨格を有する置換基、ナフタレン環の中から選ばれる少なくとも１種で表される。但し、Ｂがベンゼン環であるとき、全てのＡは上記骨格にアルキル基および／またはアリール基を含む。ｎは２である。）
【請求項２】
上記一般式（１）のＢが１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，６−ナフチレン基、１，７−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、２，７−ナフチレン基、少なくとも１つのベンゼン環がオルト位で連結しているターフェニル基の中から選ばれる少なくとも１種である請求項１記載の発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち本発明は、陽極と陰極の間に少なくとも発光層および電子輸送層が順に積層され、電気エネルギーにより発光する素子であって、電子輸送層が一般式（１）で表される発光素子用材料を含む発光素子である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（ここでＡは１，１０−フェナントロリン骨格またはベンゾ［ｈ］キノリン骨格を有する置換基である。Ｂはベンゼン環、ターフェニル骨格を有する置換基、ナフタレン環の中から選ばれる少なくとも１種で表される。但し、Ｂがベンゼン環であるとき、全てのＡは上記骨格にアルキル基および／またはアリール基を含む。ｎは２である。）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、陽極と陰極の間に少なくとも発光層および電子輸送層が順に積層され、電気エネルギーにより発光する素子であって、電子輸送層が下記一般式（１）で表される発光素子用材料を含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
ここでＡは１，１０−フェナントロリン骨格またはベンゾ［ｈ］キノリン骨格を有する置換基である。Ｂはベンゼン環、ターフェニル骨格を有する置換基、ナフタレン環の中から選ばれる少なくとも１種で表される。但し、Ｂがベンゼン環であるとき、全てのＡは上記骨格にアルキル基および／またはアリール基を含む。ｎは２である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
発光素子の駆動電圧を低く抑えるためには、材料のキャリア移動度が高い方が望ましい。このため一般式（１）のＡとして１，１０−フェナントロリン骨格を有する置換基がより好適に用いられる。また、材料の分子量が大きすぎると昇華性が低下して真空蒸着時に熱分解する確率が大きくなり、一方、材料の分子量が小さすぎると薄膜形成能に劣ることが多い。このため、一般式（１）のｎは２である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記反応性置換基を一般式（１）のＡに変換する方法については、参考文献として、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．４０（１９９９）．第７３１２頁スキームやＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９６，６１．第３０２０頁「２−Ｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｎｔｏｒｏｌｉｎｅ」、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．２３（１９８２）．第５２９１頁〜第５２９４頁などがあげられる。具体的には、一般式（１）のＢに該当する化合物のアセチル体を水酸化カリウムの存在下、エタノール、イソプロピルアルコール等の低級アルコールまたはジオキサン中で５０℃〜還流温度で８−アミノ−７−キノリンカルボアルデヒドまたは１−アミノ−２−ナフタレンカルボアルデヒドと反応させ、常法で処理する方法や、一般式（１）のＢに該当する化合物のヨード体またはブロモ体をトルエン、ＴＨＦ等の溶媒中で−１００℃〜５０℃で金属リチウムやｔ−ブチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム等のアルキルリチウムでリチオ化し、次いで−２０〜６０℃でフェナントロリン類またはベンゾ［ｈ］キノリン類と反応させ、常法で処理した後、得られた化合物を二酸化マンガン、ニトロベンゼン、クロラニル、ＤＤＱ、空気、酸素、水などで処理する方法などで、１，１０−フェナントロリン骨格やベンゾ［ｈ］キノリン骨格を導入することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
本発明における発光素子用材料は、電子輸送能と正孔阻止能が高いため、電子輸送性材料として用いる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月9日(2007.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池組立体（９００）を製造する方法であって、
基板（２０２）を準備する段階と、
物理蒸着（ＰＶＤ）プロセスによって、複数の燃料電池コンポーネント層（２０４）を、該層の各々が該層の境界となる端縁部（３０４）を含むように前記基板（２０２）上に配置する段階と、
を含み、更に、
ａ．前記基板（２０２）、及び
ｂ．前記複数の燃料電池コンポーネント層（２０４）の個別層
からなる群から選択された、前記燃料電池の少なくとも１つのコンポーネント上に、少なくとも１つの拡散障壁層を配置する段階を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記複数の燃料電池コンポーネント層（２０４）を配置する段階が、アノード（１０２２）、カソード（１０１８）、電解質（１０２０）、及び相互接続部（１００２）を配置する段階を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
物理蒸着プロセスによって、燃料電池コンポーネント層（２０４）の前記端縁部（３０４）の少なくとも一部分を覆って、材料の緻密層（９１２）を配置して、前記コンポーネント層（２０４）の前記端縁部（３０４）を密閉する段階を更に含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記緻密層（９１２）を配置する段階が、前記コンポーネント層（２０４）の前記端縁部（３０４）を実質的に気密密閉するように前記緻密層（９１２）を配置する段階を更に含むことを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記緻密層（９１２）を配置する段階が、前記燃料電池組立体の前記複数のコンポーネント層のコンポーネント層（２０４）を形成するのに使用されている材料を含む層を配置する段階を含むことを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
ユニットが、
基板（２０２）と、
境界となる端縁部（３０４）を含む、前記基板（２０２）上に配置された複数の燃料電池コンポーネント層（２０４）と、
燃料電池コンポーネント層の前記端縁部（３０４）の少なくと一部分を覆って、前記端縁部（３０４）の少なくとも前記部分を密閉するように配置された、材料の緻密層（９１２）と、
を含み、
ａ．前記基板（２０２）、及び
ｂ．前記複数の燃料電池コンポーネント層（２０４）の個別層
からなる群から選択された、前記燃料電池の少なくとも１つのコンポーネント上に、少なくとも１つの拡散障壁層を配置されていることを特徴とする燃料電池組立体。
【請求項７】
前記緻密層（９１２）が、前記端縁部（３０４）の少なくとも前記部分を実質的に気密密閉することを特徴とする、請求項６に記載の燃料電池組立体。
【請求項８】
前記基板（２０２）が、相互接続部（１００２）を含むことを特徴とする、請求項６又は７に記載の燃料電池組立体。
【請求項９】
前記基板（２０２）が、厚さ方向貫通穴を更に含み、各燃料電池コンポーネント層の前記端縁部（３０４）が、前記穴に隣接した近位部分と該近位部分に対向する遠位部分とを含み、
前記複数のコンポーネント層は、
前記基板（２０２）上に配置されたアノード（１０２２）層と、
前記アノード（１０２２）層を覆って配置され、該アノード（１０２２）層の前記端縁部（３０４）のほぼ全てと重なって、該アノード（１０２２）層を前記複数の層の残部層から実質的に気密密閉する高密度電解質（１０２０）層と、
前記電解質（１０２０）層を覆って配置されたカソード（１０１８）層と、
前記アノード（１０２２）層の端縁部（３０４）の前記遠位部分を覆って配置された緻密層（９１２）と、
を含み、
前記緻密密閉層（９１２）は、前記カソード（１０１８）層の前記端縁部（３０４）の遠位部分を覆って配置され、該端縁部（３０４）の遠位部分を実質的に気密密閉することを特徴とする、請求項６に記載の燃料電池組立体。
【請求項１０】
該組立体が、複数の前記ユニットを含み、前記ユニットは、前記厚さ方向貫通穴が整列されて該燃料電池組立体内でのガスの流れを可能にするようにスタックされていることを特徴とする、請求項９に記載の燃料電池組立体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
これら従来型の方法の更なる欠点には、例えば以下の点、即ち、様々な層の間での異なる収縮率に起因して多層電池が望ましくない反りを生じること、独立形の焼結電池を金属相互接続部に結合するのが困難なこと、取扱い及び製作の間に構造体に亀裂が発生するのを回避するのに十分な強度が必要であることに起因して電池全体の最小許容可能厚さに制約があること、及び脆弱な層を燃料電池スタック組立体に製造及び組立てるのに著しく時間がかかることが含まれる。
【特許文献１】米国特許第 5989634号明細書
【特許文献２】米国特許第 6558831号明細書
【特許文献３】米国特許第 5348776号明細書
【特許文献４】米国特許第 6632554号明細書
【特許文献５】米国特許第 6787264号明細書
【特許文献６】米国特許第 5554454号明細書
【特許文献７】米国特許第 6428920号明細書
【特許文献８】米国特許第 5169731号明細書
【特許文献９】米国特許第 5509189号明細書
【特許文献１０】米国特許第 6495279号明細書
【特許文献１１】米国特許第 6007683号明細書
【特許文献１２】米国特許第 5429644号明細書
【特許文献１３】欧州特許第 45409号明細書
【特許文献１４】欧州特許第 1225648号明細書
【非特許文献１】John B. Goodenough et al.,“Lanthanium Gallate as a New SOFC Electrolyte”, Proceedings of Fuel Cells ’97 Review Meeting, 1997年8月26〜28日, Morgantown, West Virginia
【非特許文献２】Rajiv Doshi et al., “Micro-Engineered Cathode Interface Studies”, Proceedings of Fuel Cells ’97 Review Meeting, 1997年8月26〜28日, Morgantown, West Virginia