Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月10日(2007.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  上記第１、第２の情報をパケット化単位に識別可能な第１、第２のパケット識別情報をそれぞれ生成する第１及び第２のパケット識別情報生成手段を設けたことを特徴とする請求項１に記載の符号化装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】  入力された第１の情報の複数のデータ列をパケット化して蓄積する処理と、
入力された第２の情報の複数のデータ列をパケット化して蓄積する処理と、
上記第１、第２の情報に関連する第３の情報を生成する処理と、
上記第１、第２及び第３の情報に関連する第４の情報を生成して蓄積する処理と、
上記蓄積された第１、第２の情報を読み出して蓄積する処理とをコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】  上記第１、第２の情報のパケット化に際して、パケット化単位に識別可能な第１、第２のパケット識別情報を生成して蓄積する処理と、
上記第１、第２の情報を読み出す際、同時に上記第１、第２のパケット識別情報を読み出す処理と、
上記読み出された第１、第２の情報と第１、第２のパケット識別情報とから上記第１、第２の情報のパケット長をそれぞれ検出する処理と、
上記検出されたパケット長に応じて上記蓄積された第１、第２の情報の読み出しデータ数を制御する処理とをコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶したことを特徴とする請求項１８に記載のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３２】  パケット長を示すパケット長情報と符号化された情報データとを含む可変長のパケットデータと、上記パケット長情報を識別するための識別フラグ情報とを入力し、
上記識別フラグ情報に応じて、上記パケットデータのパケット長情報を判別し、上記パケットデータのパケット長を判断し、
上記判断の結果に応じて、上記可変長のパケットデータから固定長のパケットデータを生成し、伝送することを特徴とする符号化方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明による記憶媒体は、入力された第１の情報の複数のデータ列をパケット化して蓄積する処理と、入力された第２の情報の複数のデータ列をパケット化して蓄積する処理と、上記第１、第２の情報に関連する第３の情報を生成する処理と、上記第１、第２及び第３の情報に関連する第４の情報を生成して蓄積する処理と、上記蓄積された第１、第２の情報を読み出して蓄積する処理とをコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶したことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、本発明による他の符号化方法は、パケット長を示すパケット長情報と符号化された情報データとを含む可変長のパケットデータと、上記パケット長情報を識別するための識別フラグ情報とを入力し、上記識別フラグ情報に応じて、上記パケットデータのパケット長情報を判別し、上記パケットデータのパケット長を判断し、上記判断の結果に応じて、上記可変長のパケットデータから固定長のパケットデータを生成し、伝送することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月6日(2007.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コーリングカードの口座に課金される電話呼を処理する電話コーリングカードサービスシステムにおいて、
発呼電話線に動作可能に結合された複数の入力電話装置を含み、前記入力電話装置は、
少なくとも、コーリングカードの口座カード番号、セキュリティ情報、および宛先電話番号を伝送するように適合された英数字情報ジェネレータを含み、さらに、
コーリングカードの口座電話呼を処理するように適合された、前記発呼電話線に結合された自動化インテリジェントネットワーク（ＩＮ）を含み、前記ＩＮはサービス制御ポイント（ＳＣＰ）を含み、前記ＳＣＰは、ＳＣＰ制御ユニットと前記ＳＣＰ制御ユニットに結合されたＳＣＰデータベースとを含み、前記ＩＮは、コーリングカードの口座電話呼のルーティングを許可するように適合されており、さらに、
前記発呼電話線と前記ＳＰＣとに動作可能に結合された少なくとも１つのスイッチを含み、前記スイッチは、前記ＳＣＰによって許可された呼を前記顧客によって指定された宛先番号に送るよう適合されており、
前記ＳＣＰデータベースは、少なくとも、システムの口座番号と、対応するセキュリティ情報と、割当てられた仮想宛先番号（ＶＤＮ）とを格納し、前記ＳＰＣ制御ユニットは、前記発呼電話線を介して収集された顧客情報を受信すると、情報を比較し、電話呼が許可されるかどうかを判定し、そして、
前記ＳＣＰは、前記ＶＤＮに基づいて、追加のサービスを前記顧客と第三者に提供するように適合されていることを特徴とするシステム。
【請求項２】
コーリングカード顧客ボイスメールボックスをさらに含み、前記追加のサービスは、コーリングカード顧客ボイスメールボックスへのアクセスを含むことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記追加のサービスは、コーリングカード顧客ボイスメールボックスに関連するグリーティングの作成または変更を含むことを特徴とする請求項２記載のシステム。
【請求項４】
前記追加のサービスは、呼転送の確立と使用を含むことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項５】
前記ＣＳＰは、コーリングカード番号と、割当てられたＶＤＮと、関連する呼転送番号とを少なくとも有するマッピングテーブルを格納することを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項６】
システムにおけるコーリングカードの口座加入者のために十分なサブアドレスを有する少なくとも１つのコーリングカードの口座加入者ボイスメールボックスをさらに含み、前記ボイスメールボックスはまた、安全なアクセスのために、ユーザＩＤとパスワードを利用し、前記ボイスメールボックスはまた、オンラインの加入者が更新できるグリーティングを生成することを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項７】
コーリングカードの口座に課金される電話呼を処理する電話コーリングカードサービス方法において、
（Ａ）発呼電話線に動作可能に結合された複数の入力電話装置を介して、少なくとも、コーリングカードの口座カード番号、セキュリティ情報、および宛先電話番号を伝送するステップと、
（Ｂ）前記発呼電話線に結合された自動化インテリジェントネットワーク（ＩＮ）を介して、コーリングカードの口座電話呼を処理するステップと、コーリングカードの口座電話呼のルーティングを許可するステップとを含み、前記ＩＮはサービス制御ポイント（ＳＣＰ）を含み、前記ＳＣＰは、ＳＣＰ制御ユニットと前記ＳＣＰ制御ユニットに結合されたＳＣＰデータベースとを含み、さらに、
（Ｃ）前記発呼電話線と前記ＳＰＣとに動作可能に結合された少なくとも１つのスイッチを介して、前記ＳＣＰによって許可された呼を前記顧客によって指定された宛先番号に送るステップを含み、
前記ＳＣＰデータベースは、少なくとも、システムの口座番号と、対応するセキュリティ情報と、割当てられた仮想宛先番号（ＶＤＮ）とを格納し、前記ＳＰＣ制御ユニットは、前記発呼電話線を介して収集された顧客情報を受信すると、情報を比較し、電話呼が許可されるかどうかを判定し、そして追加のサービスを、前記ＶＤＮに基づいて、前記顧客と第三者に提供することを特徴とする方法。
【請求項８】
コーリングカード顧客ボイスメールボックスを提供するステップをさらに含み、前記追加のサービスは、コーリングカード顧客ボイスメールボックスへのアクセスを含むことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記追加のサービスは、コーリングカード顧客ボイスメールボックスに関連するグリーティングの作成または変更を含むことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記追加のサービスは、呼転送の確立と使用とを含むことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項１１】
前記ＣＳＰは、コーリングカード番号と、割当てられたＶＤＮと、関連する呼転送番号とを少なくとも有するマッピングテーブルを格納することを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項１２】
システムにおけるコーリングカードの口座加入者のために十分なサブアドレスを有する少なくとも１つのコーリングカードの口座加入者ボイスメールボックスをさらに含み、前記ボイスメールボックスはまた、安全なアクセスのために、ユーザＩＤとパスワードを利用し、前記ボイスメールボックスはまた、オンラインの加入者が更新できるグリーティングを生成することを特徴とする請求項７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月13日(2007.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  圧電基板上に、複数に分割した送信帯域及び／又は受信帯域のそれぞれを通過帯域とする弾性表面波フィルタを複数配設しており、前記複数の弾性表面波フィルタは、同一の通過帯域を有する弾性表面波フィルタを複数含み、同一の通過帯域を有する弾性表面波フィルタどうしを直列に接続したことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】  信号を送信及び／又は受信するアンテナと、送信信号及び／又は受信信号を処理する信号処理回路との間に、請求項１に記載の弾性表面波装置を配するとともに、特定の通過帯域を選択するためのスイッチを、前記アンテナと前記弾性表面波装置との間、及び前記信号処理回路と前記弾性表面波装置の間のそれぞれに接続したことを特徴とする通信端末装置。
【請求項３】  前記信号処理回路と前記弾性表面波装置の間に、雑音を除去するための増幅器を介在させたことを特徴とする請求項２に記載の通信端末装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
図４は従来の通信端末装置の送信回路ブロック図を示したものである。信号処理回路１０からの送信信号は、送信周波数全帯域を通過帯域とするフルバンドの弾性表面波フィルタ５ｂに入力され、弾性表面波フィルタ５ｂから出力された信号は低雑音増幅器６で増幅され、弾性表面波フィルタ５ｂと同様のフルバンドの弾性表面波フィルタ５ａに入力される。弾性表面波フィルタ５ａから出力された信号は、電力増幅器４で増幅され、デュプレクサ２によりアイソレータ３を介してアンテナ１から電波として基地局に発信される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板上に、複数に分割した送信帯域及び／又は受信帯域を通過帯域とする複数の弾性表面波フィルタを配設しており、複数の弾性表面波フィルタは、同一の通過帯域を有する弾性表面波フィルタを複数含み、同一の通過帯域を有する弾性表面波フィルタどうしを直列に接続したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月1日(2007.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた下地膜と、
前記下地膜上に設けられた活性層と、
前記活性層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられた層間絶縁膜とを有し、
前記下地膜、前記ゲート絶縁膜、前記層間絶縁膜の少なくとも一つは、酸素濃度が５５ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、窒素濃度が０．１ａｔｏｍｉｃ％以上６ａｔｏｍｉｃ％以下であり、かつ、水素濃度が０．１ａｔｏｍｉｃ％以上３ａｔｏｍｉｃ％以下である酸化窒化水素化シリコン膜で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に設けられた下地膜と、
前記下地膜上に設けられた活性層と、
前記活性層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられた積層からなる層間絶縁膜とを有し、
前記下地膜、前記ゲート絶縁膜、前記積層からなる層間絶縁膜を形成する少なくとも一層の絶縁膜の少なくとも一つは、酸素濃度が５５ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、窒素濃度が０．１ａｔｏｍｉｃ％以上６ａｔｏｍｉｃ％以下であり、かつ、水素濃度が０．１ａｔｏｍｉｃ％以上３ａｔｏｍｉｃ％以下である酸化窒化水素化シリコン膜で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた活性層と、
前記活性層上に設けられた保護絶縁膜又は層間絶縁膜とを有し、
前記ゲート絶縁膜、前記保護絶縁膜又は前記層間絶縁膜の少なくとも一つは、酸素濃度が５５ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、窒素濃度が０．１ａｔｏｍｉｃ％以上６ａｔｏｍｉｃ％以下であり、かつ、水素濃度が０．１ａｔｏｍｉｃ％以上３ａｔｏｍｉｃ％以下である酸化窒化水素化シリコン膜で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた活性層と、
前記活性層上に設けられた保護絶縁膜又は積層からなる層間絶縁膜とを有し、
前記ゲート絶縁膜、前記保護絶縁膜又は前記積層からなる層間絶縁膜を形成する少なくとも一層の絶縁膜の少なくとも一つは、酸素濃度が５５ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、窒素濃度が０．１ａｔｏｍｉｃ％以上６ａｔｏｍｉｃ％以下であり、かつ、水素濃度が０．１ａｔｏｍｉｃ％以上３ａｔｏｍｉｃ％以下である酸化窒化水素化シリコン膜で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記半導体装置は、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、携帯型情報端末、デジタルカメラ、デジタルビデオディスクプレーヤー、電子遊技機器、プロジェクター、有機エレクトロルミネッセンス材料を用いた表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月11日(2007.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上にＴＦＴを有する半導体装置であって、
前記ガラス基板の主表面に密接して形成された熱伝導率が１０Ｗｍ−１Ｋ−１以上であり透光性及び絶縁性を有する熱伝導層と、
前記熱伝導層上の選択された領域に、島状またはストライプ状に形成された熱伝導率が１０Ｗｍ−１Ｋ−１未満の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に選択的に形成された水素が添加された単一の結晶粒からなる半導体膜とを有し、
前記ＴＦＴのチャネル形成領域は、前記水素が添加された単一の結晶粒からなる半導体膜に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ガラス基板上にＴＦＴを有する半導体装置であって、
前記ガラス基板の主表面に密接して形成された熱伝導率が１０Ｗｍ−１Ｋ−１以上であり透光性及び絶縁性を有する熱伝導層と、
前記熱伝導層上の選択された領域に、島状またはストライプ状に形成された熱伝導率が１０Ｗｍ−１Ｋ−１未満の第１の絶縁層と、
前記熱伝導層及び前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層を介して前記第１の絶縁層上に選択的に形成され、水素が添加された単一の結晶粒からなる半導体膜とを有し、
前記ＴＦＴのチャネル形成領域は、前記水素が添加された単一の結晶粒からなる半導体膜に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、前記第２の絶縁層の厚さは５〜１００ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２または３において、前記第２の絶縁層は、含有酸素濃度が５５ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、かつ、含有窒素濃度が１ａｔｏｍｉｃ％以上２０ａｔｏｍｉｃ％以下である酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記熱伝導層は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化シリコン、窒化ホウ素、薄膜ダイヤモンド、またはＤＬＣであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記熱伝導層は、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、及びＭ（ＭはＡｌまたは希土類元素から選ばれた少なくとも一種）を含む化合物であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記第１の絶縁層は、含有酸素濃度が５５ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、かつ、含有窒素濃度が１ａｔｏｍｉｃ％以上２０ａｔｏｍｉｃ％以下である酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記第１の絶縁層の端面における側壁の角度が、前記ガラス基板の主表面に対して１０度以上４０度未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記半導体装置は、エレクトロルミネッセンス材料を用いた表示装置、または液晶表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記半導体装置は、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、携帯型情報端末、デジタルカメラ、デジタルビデオディスクプレーヤー、電子遊技機器、プロジェクター、またはナビゲーションシステムであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
ガラス基板上にＴＦＴを有する半導体装置の作製方法であって、
前記ガラス基板の主表面に密接して熱伝導率が１０Ｗｍ−１Ｋ−１以上であり透光性及び絶縁性を有する熱伝導層を形成する工程と、
前記熱伝導層上の選択された領域に、島状またはストライプ状に形成された熱伝導率が１０Ｗｍ−１Ｋ−１未満の第１の絶縁層を形成する工程と、
前記熱伝導層上及び前記第１の絶縁層上に非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記非晶質半導体膜を結晶化させた後、前記第１の絶縁層上に単一の結晶粒からなる半導体膜を選択的に形成する工程と、
前記単一の結晶粒からなる半導体膜を水素化して、水素が添加された単一の結晶粒からなる半導体膜を形成する工程とを有し、
前記水素が添加された単一の結晶粒からなる半導体膜を用いて前記ＴＦＴのチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
ガラス基板上にＴＦＴを有する半導体装置の作製方法であって、
前記ガラス基板の主表面に密接して熱伝導率が１０Ｗｍ−１Ｋ−１以上であり透光性及び絶縁性を有する熱伝導層を形成する工程と、
前記熱伝導層上の選択された領域に、島状またはストライプ状に形成された熱伝導率が１０Ｗｍ−１Ｋ−１未満の第１の絶縁層を形成する工程と、
前記熱伝導層及び前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層上に非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記非晶質半導体膜を結晶化させた後、前記第２の絶縁層を介して前記第１の絶縁層上に単一の結晶粒からなる半導体膜を選択的に形成する工程と、
前記単一の結晶粒からなる半導体膜を水素化して、水素が添加された単一の結晶粒からなる半導体膜を形成する工程とを有し、
前記水素が添加された単一の結晶粒からなる半導体膜を用いて前記ＴＦＴのチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、前記第２の絶縁層の厚さは５〜１００ｎｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１２または１３において、前記第２の絶縁層を、含有酸素濃度が５５ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、かつ含有窒素濃度が１ａｔｏｍｉｃ％以上２０ａｔｏｍｉｃ％以下である酸化窒化シリコン膜で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至１４のいずれか一において、前記熱伝導層を、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化シリコン、窒化ホウ素、薄膜ダイヤモンド、またはＤＬＣを用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至１４のいずれか一において、前記熱伝導層を、Ｓｉ、Ｎ、Ｏ、及びＭ（ＭはＡｌまたは希土類元素から選ばれた少なくとも一種）を含む化合物材料で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１１乃至１６のいずれか一において、前記第１の絶縁層を、含有酸素濃度が５５ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下であり、かつ含有窒素濃度が１ａｔｏｍｉｃ％以上２０ａｔｏｍｉｃ％以下である酸化窒化シリコン膜で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１１乃至１７のいずれか一において、前記第１の絶縁層の端面における側壁の角度が、前記ガラス基板の主表面に対して１０度以上４０度未満であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１１乃至１８のいずれか一において、レーザー光の照射により前記非晶質半導体膜の結晶化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月31日(2007.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上にＴＦＴを少なくとも含む半導体装置において、
前記ＴＦＴを形成する第１配線の少なくとも一部は、複数の絶縁膜を介して第２配線と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上にＴＦＴを少なくとも含む半導体装置において、
前記ＴＦＴを形成する第１配線の少なくとも一部は、第１及び第２の絶縁膜を介して第２配線と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記ＴＦＴは逆スタガ型ＴＦＴであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
同一基板上に画素回路と該画素回路を制御するための駆動回路とを少なくとも含む半導体装置において、
前記画素回路を形成する画素ＴＦＴのチャネル形成領域は、ゲート絶縁膜を介してゲート配線の一部と重なるように形成され、前記ゲート配線の少なくとも一部は、複数の絶縁膜を介してソース配線またはゲート配線と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
同一基板上に画素回路と該画素回路を制御するための駆動回路とを少なくとも含む半導体装置において、
前記画素回路を形成する画素ＴＦＴのチャネル形成領域は、ゲート絶縁膜を介してゲート配線の一部と重なるように形成され、前記ゲート配線の少なくとも一部は、第１及び第２の絶縁膜を介して第２配線と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４または５において、
前記駆動回路を形成するｎチャネル型ＴＦＴのＬＤＤ領域は、少なくとも一部または全部が、該ｎチャネル型ＴＦＴのゲート配線と重なるように形成され、
前記画素回路を形成する画素ＴＦＴのＬＤＤ領域は、該画素ＴＦＴのゲート配線と重ならないように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一において、
前記画素回路の保持容量は有機樹脂膜の上に設けられた遮蔽膜、該遮蔽膜の酸化物および画素電極で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
絶縁表面上に第１配線と、
前記第１配線を覆う第１層間絶縁膜と、
前記第１層間絶縁膜上の一部に接して第２層間絶縁膜と、
前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜上に第２配線とを有し、
前記第１配線と前記第２配線とが重なっている領域には、前記第１層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜とが積層されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記第１層間絶縁膜の膜厚は５０〜３００ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項８または９において、
前記第２層間絶縁膜の膜厚は１５０ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一に記載された半導体装置とは、アクティブマトリクス型液晶ディスプレイ、アクティブマトリクス型ＥＬディスプレイまたはアクティブマトリクス型ＥＣディスプレイであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一に記載された半導体装置を表示部として用いたゴーグル型ディスプレイ、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、または携帯情報端末。
【請求項１３】
絶縁表面上に第１配線を形成し、
前記第１配線を覆う第１層間絶縁膜を形成し、
前記第１層間絶縁膜上に第２層間絶縁膜を形成し、
前記第２層間絶縁膜の一部を選択的に除去し、
前記第１配線と重なる第２層間絶縁膜上に第２配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
絶縁表面上に活性層を形成し、
前記活性層に接してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート配線を形成し、
前記活性層の一部にｎ型不純物元素またはｐ型不純物元素を添加してソース領域またはドレイン領域を形成し、
前記ゲート配線を覆う第１層間絶縁膜を形成し、
前記第１層間絶縁膜上に第２層間絶縁膜を形成し、
前記第２層間絶縁膜にエッチングを行い、前記ソース領域または前記ドレイン領域の上方の第２層間絶縁膜を除去し、
前記第１層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜にエッチングを行い、前記ソース領域またはドレイン領域に達するコンタクトホールを形成し、
前記ゲート配線と重なる前記第２層間絶縁膜上に、前記ソース領域またはドレイン領域と接するソース配線またはドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
同一基板上に画素回路と該画素回路を制御するための駆動回路とを少なくとも含む半導体装置の作製方法において、
絶縁表面上に活性層を形成し、
前記活性層に接してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート配線を形成し、
前記活性層の一部にｎ型不純物元素またはｐ型不純物元素を添加して、ｎ型不純物領域またはｐ型不純物領域を形成し、
前記ゲート配線を覆う第１層間絶縁膜を形成し、
前記ゲート配線と重なる第１層間絶縁膜上に第２層間絶縁膜を選択的に形成し、
前記第１層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜にエッチングを行い、前記ｎ型不純物領域または前記ｐ型不純物領域に達するコンタクトホールを形成し、
前記ゲート配線と重なる前記第２層間絶縁膜上に、前記ｎ型不純物領域または前記ｐ型不純物領域と接するソース配線またはドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
同一基板上に画素回路と該画素回路を制御するための駆動回路とを少なくとも含む半導体装置の作製方法において、
絶縁表面上に活性層を形成し、
前記活性層に接してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート配線を形成し、
前記活性層の一部にｎ型不純物元素またはｐ型不純物元素を添加して、ｎ型不純物領域またはｐ型不純物領域を形成し、
前記ゲート配線を覆う第１層間絶縁膜を形成し、
前記第１層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜にエッチングを行い、前記ｎ型不純物領域または前記ｐ型不純物領域に達するコンタクトホールを形成し、
前記第１層間絶縁膜上に第２層間絶縁膜を選択的に形成し、
前記ゲート配線と重なる前記第２層間絶縁膜上に、前記ｎ型不純物領域または前記ｐ型不純物領域と接するソース配線またはドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月19日(2007.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯域幅、待ち時間、セキュリティおよび優先度に関して、特定のトラフィックタイプに対する性能レベルを規定することと、
該特定のトラフィックタイプのデータ伝送を検出することと、
リソースを割り当てて、該特定のトラフィックタイプに対する該性能レベルを達成することと、
該特定のトラフィックタイプに関連した仮想チャネルを介してデータを伝送して、該規定された帯域幅、待ち時間、セキュリティおよび優先度を提供することと
を包含する、方法。
【請求項２】
準備エンジンに一組のルールをロードすることであって、該一組のルールは、優先度、セキュリティ、帯域幅および待ち時間に基づいたサービスレベルを提供する複数のユーザサービスクラスを規定し、該複数のユーザサービスクラスの各々は、データパケットを伝送する仮想チャネルに関連する、ことと、
該準備エンジンにおいてデータパケットを受信することと、
該データパケットを構文解析して、一つ以上の制御パラメータを決定することと、
該制御パラメータと、該準備エンジン内の一つ以上のルールとに基づいて、該複数のユーザサービスクラスのうちの１つに該データパケットを指定することと、
該指定されたユーザサービスクラスに関連した該仮想チャネルを介して次のネットワークデスティネーションに該データパケットを転送して、該規定されたサービスレベルを提供することと
を包含する、方法。
【請求項３】
複数のユーザサービスクラスを規定する一組のルールを格納するメモリであって、該複数のユーザサービスクラスの各々は、優先度、セキュリティ、帯域幅および待ち時間に基づいたサービスレベルを提供する、メモリと、
ネットワークからデータパケットを受信する受信器と、
該データパケットを構文解析し、一つ以上の制御パラメータを決定する構文解析器と、
該制御パラメータと、該メモリ内の一つ以上のルールとに基づいて、該複数のユーザサービスクラスのうちの１つに該データパケットをマッピングするマッピングテーブルと、
該データパケットがマッピングされるユーザサービスクラスに関連した仮想回路に該データパケットをリンクする回路リンカーと、
該データパケットがリンクされる仮想回路を介して次のネットワークデスティネーションに該データパケットを伝送して、該データパケットに関連したサービスレベルを提供する送信器と
を備える、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月15日(2007.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  発電機と、前記発電機の排熱を回収する水が流れる温水経路と、前記温水経路内の水に前記発電機の排熱を伝える熱交換器と、前記発電機の排熱を温水として貯える貯湯タンクと、熱利用機器に前記発電機の排熱を伝えるための２次熱交換器と、前記熱交換器の下流の前記温水経路から分岐され、前記貯湯タンクに接続する貯湯経路と、前記熱交換器の下流の前記温水経路から分岐され、前記２次熱交換器に接続する熱交換経路と、前記熱交換器を通過した温水が前記貯湯経路と前記熱交換経路との各々に分配される流量を調整する流量分配装置とを備えたコージェネレーションシステム。
【請求項２】  前記熱交換経路上に、複数の前記２次熱交換器が直列に配設されている請求項１記載のコージェネレーションシステム。
【請求項３】  前記２次熱交換器と接続し、前記熱交換経路内の温水と熱交換する熱媒体が流れる熱負荷経路を備え、前記２次熱交換器の一つに、複数の前記熱負荷経路が接続した請求項１記載のコージェネレーションシステム。
【請求項４】  前記流量分配装置が、三方混合弁である請求項１に記載のコージェネレーションシステム
【請求項５】  前記貯湯タンクと接続した給湯管と、前記給湯管上に給湯補助熱源とを備える請求項１に記載のコージェネレーションシステム。
【請求項６】  前記２次熱交換器と接続し、前記熱交換経路内の温水と熱交換する熱媒体が流れる熱負荷経路と、前記熱負荷経路上に２次補助熱源とを備える請求項１に記載のコージェネレーションシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明のコージェネレーションシステムは、発電機と、前記発電機の排熱を回収する水が流れる温水経路と、前記温水経路内の水に前記発電機の排熱を伝える熱交換器と、前記発電機の排熱を温水として貯える貯湯タンクと、熱利用機器に前記発電機の排熱を伝えるための２次熱交換器と、前記熱交換器の下流の前記温水経路から分岐され、前記貯湯タンクに接続する貯湯経路と、前記熱交換器の下流の前記温水経路
から分岐され、前記２次熱交換器に接続する熱交換経路と、前記熱交換器を通過した温水が前記貯湯経路と前記熱交換経路との各々に分配される流量を調整する流量分配装置とを備えたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明のコージェネレーションシステムは、複数の前記２次熱交換器が直列に配設されているものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明のコージェネレーションシステムは、前記２次熱交換器と接続し、前記熱交換経路内の温水と熱交換する熱媒体が流れる熱負荷経路を備え、前記２次熱交換器の一つに、複数の前記熱負荷経路が接続したものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明のコージェネレーションシステムは、前記流量分配装置が、三方混合弁である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明のコージェネレーションシステムは、前記貯湯タンクと接続した給湯管と、前記給湯管上に給湯補助熱源とを備える。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明のコージェネレーションシステムは、前記２次熱交換器と接続し、前記熱交換経路内の温水と熱交換する熱媒体が流れる熱負荷経路と、前記熱負荷経路上に２次補助熱源とを備える。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月9日(2007.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  複合材料から成る連続した管状ロールシェルと軸ジャーナルとを含み、該軸ジャーナルは、該ロールシェルの各端部に接続されて該ロールシェルと共に回転し、少なくとも２つの軸受け要素で支持要素に支持され、該軸受け要素はロール軸の方向に互いに距離をおいて配置され、前記支持要素は前記軸ジャーナルを包囲し、前記支持要素の部分が機械フレーム構体に支持されている、複合シェルを設けた屈曲可能なロールにおいて、第１の軸受け要素は曲げ機構を介して前記支持要素で支持され、これによって半径方向に作用する力が第１の軸受け要素に加えられ、第１の軸受け要素は曲げられていない場合のロールの中心軸に対して偏移し、これによって前記軸ジャーナルは第２の軸受け要素において形成されるピボット点に対して曲がり、曲げモーメントが前記ロールシェルに加えられることを特徴とする複合シェルを設けた屈曲可能なロール。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月11日(2007.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
近年、予圧を付与した状態で使用する軸受装置を組み込んだ装置（ＨＤＤ用モータ等）の小型・軽量化の要望が強まっている。そして、この要望に応える為には、上記軸受装置の小型・軽量化を図る必要がある。これに対して、上述の図７に示した従来の軸受装置１の場合、各内輪８、８の外周面の軸方向中央部に内輪軌道７、７を設けると共に、各外輪１０、１０の内周面の軸受装置１の軸方向両端側に片寄った位置に外輪軌道９、９を設けていた。即ち、これら各外輪軌道９、９の軸方向中心は、各外輪１０、１０の軸方向に関してこれら各外輪１０、１０同士を突き合わせるのと反対側に片寄らせていた。従って、上記従来の軸受装置１の場合には、各玉軸受６、６を構成する複数の玉１１、１１列同士の間の軸方向長さ（ピッチ）が大きくなり、軸受装置１、延いてはこの軸受装置１を組み込んだ装置の小型・軽量化を図る事が難しい。
本発明は、この様な事情に鑑みて、予圧を付与する事により剛性を十分に確保できる軸受装置の小型・軽量化を図るべく発明したものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月12日(2007.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  物体側より順に、全体として正屈折力の第１レンズ群と、複数のレンズ群からなる第２レンズ群とからなり、第２レンズ群は、物体側より順に凹面を像側に向けたメニスカスレンズと凹面を物体側に向けたメニスカスレンズからなるレンズ群を複数有することを特徴とする顕微鏡対物レンズ。
【請求項２】  前記第２レンズ群は、物体側より順に凹面を像側に向けたメニスカスレンズと凹面を物体側に向けたメニスカスレンズからなるレンズ群を２つ有することを特徴とする請求項１記載の顕微鏡対物レンズ。
【請求項３】  前記対物レンズの物体面からレンズ最終面までの距離をＤ、対物レンズ全体の焦点距離をＦとするとき、
３≦Ｄ／Ｆ≦３５                                      ・・・（１）
を満たすことを特徴とする請求項１又は２記載の顕微鏡対物レンズ。
【請求項４】  前記第２レンズ群は、凹面を像側に向けたメニスカスレンズと凹面を物体側に向たメニスカスレンズからなるレンズ群を複数有し、物体側より順に、凹面を像側に向けたメニスカスレンズと凹面を物体側に向たメニスカスレンズからなるレンズ群中の、少なくとも２つのメニスカスレンズが正レンズと負レンズの接合メニスカスレンズであり、かつ、最も像側に配置された物体側に凹面を向けたメニスカスレンズが正レンズと負レンズの接合メニスカスレンズであり、前記最も像側に配置された物体側に凹面を向けた接合メニスカスレンズ中の正レンズのｄ線に対するアッベ数をνdpe 、負レンズのｄ線に対するアッベ数をνdne とし、前記最も像側に配置された接合メニスカスレンズ以外の順に凹面を像側に向けたメニスカスレンズと凹面を物体側に向たメニスカスレンズからなるレンズ群中に配置された接合メニスカスレンズの正レンズのｄ線に対するアッベ数をνdp、負レンズのｄ線に対するアッベ数をνdnとするとき、
νdne ＞νdpe                                         ・・・（２）
νdp＞νdn                                            ・・・（３）
を満たすことを特徴とする請求項１から３の何れか１項記載の顕微鏡対物レンズ。
【請求項５】  前記物体側より順に凹面を像側に向けたメニスカスレンズと凹面を物体側に向たメニスカスレンズからなるレンズ群中の、全てのメニスカスレンズが正レンズと負レンズの接合メニスカスレンズであることを特徴とする請求項４記載の顕微鏡対物レンズ。
【請求項６】  前記物体側より順に凹面を像側に向けたメニスカスレンズと凹面を物体側に向たメニスカスレンズからなるレンズ群中の、最も像側に配置された接合メニスカスレンズ中の正レンズのｄ線に対するアッベ数をνdpe 、負レンズのｄ線に対するアッベ数をνdne とし、前記最も像側に配置された接合メニスカスレンズ以外の順に凹面を像側に向けたメニスカスレンズと凹面を物体側に向たメニスカスレンズからなるレンズ群中に配置された接合メニスカスレンズの正レンズのｄ線に対するアッベ数をνdp、負レンズのｄ線に対するアッベ数をνdnとするとき、
｜νdpe −νdne ｜≧１５                              ・・・（４）
｜νdp−νdn｜≧１０                                  ・・・（５）
を満たすことを特徴とする請求項４又は５記載の顕微鏡対物レンズ。
【請求項７】  前記第１レンズ群は、物体側から順に、凹面を物体側に向けたメニスカスレンズ、又は、平凸レンズと凹面を物体側に向けたメニスカスレンズとの接合レンズが配置され、それに続いて、発散作用のある接合面を少なくとも２つ有するレンズ群からなり、物体側レンズ群の最も物体側に配置された凹面を物体側に向けたメニスカスレンズの凹面側の曲率半系をｒn 、凸面側の曲率半径をｒp とするとき、
０．３≦ｒn ／ｒp ≦１                                ・・・（６）
を満たすことを特徴とする請求項１から６の何れか１項記載の顕微鏡対物レンズ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月20日(2007.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶層を挟持した液晶表示パネルと、
前記液晶表示パネルを照明する面光源部と、
前記液晶表示パネル及び前記面光源部を夫々支持する前記液晶表示パネル用及び面光源部用の受け面を有し前記液晶表示パネル及び前記面光源部を積層状態で保持するフレームと、を備えた液晶表示装置において、
前記液晶表示パネル用受け面の前記液晶表示パネル側のエッジは、面取りされていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記液晶表示パネル用受け面には、前記液晶表示パネルとの間に介在されるラバーを備えていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記面光源部は、
一側面に設けられた入射面から入射した入射光を、この入射面に交差する一主面に設けられた出射面から出射するとともに、位置決めするための位置決め部を有する導光体と、
前記導光体の入射面に対向して配置された光源と、
前記導光体の出射面から出射された出射光に所定の光学特性を与えて前記液晶表示パネルに導く光学シートと、を備え、
前記フレームは、前記導光体の位置決め部に嵌合する嵌合部を前記液晶表示パネル用受け面端部に形成し、この嵌合部を含む周辺の前記液晶表示パネル用受け面に前記ラバーを備えていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記嵌合部の前記液晶表示パネル側のエッジは、面取りされていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
このような構造の液晶表示装置は、外部から加わるストレスに対する強度が低下している。このため、外部からの振動や衝撃によって液晶表示装置がねじられるようなストレスが加わった場合、液晶表示装置をプラスチックフレームとの間で挟持している金属フレームが部分的に液晶表示パネルを押し付けたり、プラスチックフレームが液晶表示パネルを部分的に突き上げることにより、液晶表示パネルの一部に波打ち現象などの表示不良が発生する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決し目的を達成するために、
請求項１に記載の液晶表示装置は、
一対の基板間に液晶層を挟持した液晶表示パネルと、
前記液晶表示パネルを照明する面光源部と、
前記液晶表示パネル及び前記面光源部を夫々支持する前記液晶表示パネル用及び面光源部用の受け面を有し前記液晶表示パネル及び前記面光源部を積層状態で保持するフレームと、を備えた液晶表示装置において、
前記液晶表示パネル用受け面の前記液晶表示パネル側のエッジは、面取りされていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ランプ収容溝４０内において、リブ４１の収納凹所３６側の領域には、冷陰極線管３３が収容される。すなわち、この冷陰極線管３３は、その両端部をホルダ４２により所定の位置関係で支持した状態で、リフレクタ４８とともに一体に組み立てられている。リフレクタ４８は、ほぼＵ字形状の断面を有し、冷陰極線管３３の周囲のうち導光体２６と対向する周面以外の周面を囲む様に配置される。この冷陰極線管３３は、導光体２６の肉厚部２６ａに対向した所定の位置に配置される。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月27日(2006.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図２に示すように、α線電流特性は、印加電圧が０Ｖから４０Ｖ〜６０Ｖ付近まではα線電流値（Ｉα）が急激に増加してから緩やかな増加傾向を示している。とくに、印加電圧が０Ｖから４０Ｖ付近までのこのような特性は、印加電圧が低いほどα線による電離イオンや電子を陽極および陰極に十分捕捉できないためであると考えられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、核分裂物質にはＵ−２３５、Ｐｕ−２３９等がある。これらはα線崩壊核種で、半減期が異なり物質量に対するα線放出量が相違する。これらの物質には、不純物元素や同位体元素も含まれ、中性子検出器を製作する核分裂物質のロットが相違すると、核分裂電離箱の真のα線電流値すなわち外挿０Ｖα線電流値（Ｉα0）と中性子感度との相関関係も相違する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月30日(2007.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像読取形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  内部に電源ユニットを含む複数の電装部と、前記複数の電装部の各々を外部からカバーする第１電装カバー及び第２電装カバーと、装置外部から給電されるための１つの電源インレットと、前記電源インレットから給電された電源を装置内部で分岐してそれぞれの電源ユニットに供給するためのケーブルと、を有し、前記電源インレットを備える電装部をカバーする前記第１電装カバーに前記電源インレットに電源コードを差し込むための開口部が設けられた画像読取形成装置において、
前記第１電装カバーと前記第２電装カバーは係合可能であり、前記第１電装カバーを取り外した後でなければ前記第２電装カバーを取り外すことができないことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】  前記第１電装カバーと前記第２電装カバーとの係合部分において前記第１電装カバーは前記第２電装カバーよりも装置の外側に位置することを特徴とする請求項１記載の画像読取形成装置。
【請求項３】  内部に電源ユニットを含む複数の電装部と、前記複数の電装部の各々を外部からカバーする第１電装カバー及び第２電装カバーと、装置外部から給電されるための１つの電源インレットと、前記電源インレットから給電された電源を装置内部で分岐してそれぞれの電源ユニットに供給するためのケーブルと、を有し、前記電源インレットを備える電装部をカバーする前記第１電装カバーに前記電源インレットに電源コードを差し込むための開口部が設けられた画像読取形成装置において、
前記第１電装カバーを取り付けることによって、前記第２電装カバーの固定位置が装置外部からアクセスできないことを特徴とする画像読取形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の電源ユニットを含む電装部を有する画像読取形成装置に関し、特に電装部ロック機構に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、内部に電源ユニットを含む複数の電装部と、前記複数の電装部の各々を外部からカバーする第１電装カバー及び第２電装カバーと、装置外部から給電されるための１つの電源インレットと、前記電源インレットから給電された電源を装置内部で分岐してそれぞれの電源ユニットに供給するためのケーブルと、を有し、前記電源インレットを備える電装部をカバーする前記第１電装カバーに前記電源インレットに電源コードを差し込むための開口部が設けられた画像読取形成装置において、前記第１電装カバーと前記第２電装カバーは係合可能であり、前記第１電装カバーを取り外した後でなければ前記第２電装カバーを取り外すことができないことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記第１電装カバーと前記第２電装カバーとの係合部分において前記第１電装カバーは前記第２電装カバーよりも装置の外側に位置することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３記載の発明は、内部に電源ユニットを含む複数の電装部と、前記複数の電装部の各々を外部からカバーする第１電装カバー及び第２電装カバーと、装置外部から給電されるための１つの電源インレットと、前記電源インレットから給電された電源を装置内部で分岐してそれぞれの電源ユニットに供給するためのケーブルと、を有し、前記電源インレットを備える電装部をカバーする前記第１電装カバーに前記電源インレットに電源コードを差し込むための開口部が設けられた画像読取形成装置において、前記第１電装カバーを取り付けることによって、前記第２電装カバーの固定位置が装置外部からアクセスできないことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図において、Ｐは画像形成部、Ｒは画像読取部、１は第１電装カバーである画像形成部Ｐの電装カバー、２は第２電装カバーである画像読取部Ｒの電装カバー、１１は画像形成部Ｐの電源ユニット、１２は画像形成部Ｐの電装部、１３は電源インレット、１４は電源コード、１５は分岐後に画像形成部Ｐの電源ユニット１１に接続された電源ケーブル、２１は画像読取部Ｒの電源ユニット、２２は画像読取部Ｒの電装部、２３は分離後に画像読取部Ｒの電源ユニット２１に接続された電源ケーブルである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月5日(2007.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
画像形成するには、まず、各ステーションの感光ドラム７０（７０Ｙ〜７０Ｋ）の表面を１次帯電ローラ１２（１２Ｙ〜１２Ｋ）で一様に帯電し、レーザー露光器１３（１３Ｙ〜１３Ｋ）により原稿を色分解した画像露光を施して、感光ドラム７０の表面に原稿の分解色と対応した静電潜像を形成し、潜像を現像器１４（１４Ｙ〜１４Ｋ）によりマイナストナーを用いて現像して、感光ドラム７０の表面に各色のトナー像を形成し、感光ドラム７０上の各色のトナー像を中間転写ベルト８０上に、１次転写電源の定電圧電源４８（４８Ｙ〜４８Ｋ）から１次転写バイアスを印加した１次転写ローラ５４（５４Ｙ〜５４Ｋ）により順次重ね合わせて１次転写する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
感光ドラム７０Ｙ、７０Ｍ、７０Ｃ、７０Ｋの中間転写ベルト８０を挟んだ位置には、感光ドラムとともに１次転写部を形成する１次転写ローラ５４Ｙ、５４Ｍ、５４Ｃ、５４Ｋが対向設置されている。この１次転写ローラ５４Ｙ、５４Ｍ、５４Ｃ、５４Ｋには、１次転写電源としてそれぞれ定電圧電源４８Ｙ、４８Ｍ、４８Ｃ、４８Ｋが接続され、それぞれ可変な１次転写バイアスＶｙ、Ｖｍ、Ｖｃ、Ｖｋが印加される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
感光ドラム７０Ｙ、７０Ｍ、７０Ｃ、７０Ｋの１次転写ローラ５４Ｙ、５４Ｍ、５４Ｃ、５４Ｋの下流側には、ドラムクリーナ１６Ｙ、１６Ｍ、１６Ｃ、１６Ｋが設置されている。また中間転写ベルト８０の駆動ローラ５１のところには、ベルトクリーナ３３が配置されている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月12日(2007.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
以上の手順では、一度計算した要素図形のフーリエ積分によって得られた空間周波数成分が、階層構造に従って繰り返し利用される。従って、フーリエ積分の回数および三角関数の演算の回数が著しく低減されるので、フーリエ変換の処理能力が飛躍的に向上する。さらに、大規模のデータがであっても実用的な計算時間で処理できる。また、この階層処理は近似を含んでおらず、厳密計算であるため、計算精度が高い。尚、得られる結果は、階層構造を展開して各図形のフーリエ積分をした場合と全く同じであることが確認されており、計算精度に劣化がないことが実証されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
実施の形態５．
実施の形態３および４の要素図形フーリエ変換部４２１２が、要素図形の空間周波数成分を計算する際には、要素図形をビットマップに展開した上で数値積分を行うという、フーリエ変換において通常の手法を採用することができる。しかしながら、フーリエ変換の対象となる図形が、簡単な三角形、四角形または円形であることを生かして、つぎの数１が示すように、フーリエ積分の原始関数Ｆ（ｘ）を求め、これを用いて定積分を解析的に算出するという手法を採用することが可能である。それにより、フーリエ変換の精度が向上すると同時に、高速計算が達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
上記の条件の特別な場合として、ｎ＝２i（ｉは正の整数）を満たすには、つぎの数２の条件を満たすように、仮分割数ｎ０が決定される。ここで、ceilは切り上げ整数化関数である。つぎに、数３にしたがってメッシュ数ｎを決定すると、メッシュ数が２のべき乗となり、これも高速フーリエ変換（ＦＦＴ）を利用する上で好都合となる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月23日(2007.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図示するように、本実施形態において、照明装置全体の光軸Ｘとリフレクタ１Ａ、１Ｂの光軸ＳＡ、ＳＢとは、それぞれ所定の角度をなすように構成されている。ここで所定の角度とは、例えば光源部１１Ｂを例とする場合、ミラー素子１２を除去しリフレクタ１Ｂからの光束が焦点ｆＢを結び直進したままレンズ１３を介しインテグレータ部１４に入射すると想定した状態において、照明装置全体の光軸Ｘとリフレクタ１Ｂの光軸ＳＢとのなす角（角度β）として表される。図１に、この想定状態における光源部１１Ｂの位置および光束線を、光源部１１Ｂ´として破線により示す。この想定状態において、角度βは、図１に示すように、照明装置全体の光軸Ｘから発光体２Ｂの重心までの距離が、照明装置全体の光軸Ｘから焦点ｆＢまでの距離よりも大となるような角度とされている。また、図示するとおり、リフレクタ１Ｂの光軸ＳＢは焦点ｆＢ方向への延長線上に、照明装置全体の光軸Ｘとの交点を有している。