【手続補正書】
【提出日】平成18年12月15日(2006.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性を有する基板上に形成されたソース領域とドレイン領域とを含む半導体膜と、
前記半導体膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極と前記絶縁膜を貫通して前記ドレイン領域が露出された開口部と、
露出された前記ドレイン領域表面上に形成された凸形状である電子放出部とを有し、
前記電子放出部は、前記半導体膜のドレイン領域と同一の半導体膜で形成されていることを特徴とする電界放出素子。
【請求項２】
絶縁性を有する基板上に形成されたソース配線と、
前記ソース配線に接するソース領域とドレイン領域とを含む半導体膜と、
前記半導体膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極と前記絶縁膜を貫通して前記ドレイン領域が露出された開口部と、
露出された前記ドレイン領域表面上に形成された凸形状である電子放出部とを有し、
前記電子放出部は、前記半導体膜のドレイン領域と同一の半導体膜で形成されていることを特徴とする電界放出素子。
【請求項３】
絶縁性を有する基板上に形成されたソース領域とドレイン領域と半導体領域とを含む半導体膜と、
前記半導体膜上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極及び前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を貫通して前記ドレイン領域が露出された開口部と、
露出された前記ドレイン領域表面上に形成された凸形状である電子放出部とを有し、
前記電子放出部は、前記半導体膜のドレイン領域と同一の半導体膜で形成されていることを特徴とする電界放出素子。
【請求項４】
請求項３において、前記ソース領域にはソース配線が接して設けられていることを特徴とする電界放出素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記半導体膜のソース領域及びドレイン領域は、ｎ型の導電性を有することを特徴とする電界放出素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記凸形状は円錐形であることを特徴とする電界放出素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記凸形状はウィスカー状であることを特徴とする電界放出素子。
【請求項８】
請求項７において、前記電子放出部の先端又は根元に金属又は金属珪化物を有することを特徴とする電界放出素子。
【請求項９】
請求項８において、前記金属元素は、Ａｕ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｔ又はＦｅの金属元素であることを特徴とする電界放出素子。
【請求項１０】
請求項８において、前記金属珪化物は、Ａｕ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｔ又はＦｅの金属元素を有する化合物あることを特徴とする電界放出素子。
【請求項１１】
絶縁性を有する基板上に半導体膜を成膜したのち、前記半導体膜にパルス発振のレーザ光を照射して凸形状の電界放出部を有する半導体膜を形成することを特徴とする電界放出素子の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、前記半導体膜をストライプ状に形成した後、前記パルス発振のレーザ光を照射することを特徴とする電界放出素子の作製方法。
【請求項１３】
絶縁性を有する基板上にストライプ状の半導体膜を形成し、前記半導体膜及び前記基板上に絶縁膜を成膜し、前記絶縁膜上にストライプ状のゲート電極を形成した後、
前記ゲート電極及び前記絶縁膜の一部を除去して前記半導体膜を露出させた後、パルス発振のレーザ光を照射して凸形状の電界放出部を有する半導体膜を形成することを特徴とする電界放出素子の作製方法。
【請求項１４】
請求項１３において、前記絶縁膜を形成した後、前記半導体膜にｎ型を付与する不純物を添加することを特徴とする電界放出素子の作製方法。
【請求項１５】
絶縁性を有する基板上に、ストライプ状の第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜の間に第１の絶縁膜を成膜した後、前記第１の導電膜及び前記第１の絶縁膜上に半導体膜を成膜し、
前記半導体膜をストライプ状に形成した後、第２の絶縁膜を成膜し、
前記第２の絶縁膜上に第２の導電膜を成膜したのち、前記第２の導電膜及び前記第２の絶縁膜の一部を除去して前記半導体膜を露出させた後、パルス発振のレーザ光を照射して凸形状の電界放出部を有する半導体膜を形成し、
前記ストライプ状の第１の導電層と前記ストライプ状の半導体膜の各々は接していることを特徴とする電界放出素子の作製方法。
【請求項１６】
絶縁性を有する基板上にストライプ状の半導体膜を形成し、前記半導体膜及び前記基板上に第１の絶縁膜を成膜し、前記第１の絶縁膜上にストライプ状のゲート電極を形成した後、前記ゲート電極及び前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の一部を除去して前記半導体膜を露出させた後、パルス発振のレーザ光を照射して凸形状の電界放出部を有する半導体膜を形成することを特徴とする電界放出素子の作製方法。
【請求項１７】
請求項１５又は請求項１６において、前記半導体膜をストライプ状に形成した後、
該半導体膜にｎ型を付与する不純物を添加してソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする電界放出素子の作製方法。
【請求項１８】
請求項１１乃至請求項１７のいずれか一項において、前記パルス発振のレーザ光の代わりに連続発振のレーザ光を照射することを特徴とする電界放出素子の作製方法。
【請求項１９】
絶縁性を有する基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜に金属元素を添加し、３００〜６５０℃の加熱又はレーザ光照射により前記半導体膜を結晶化すると共に、該結晶化された半導体膜の結晶粒界において前記金属元素を偏析させたのち、
半導体元素を含む気体雰囲気での４００〜６５０℃の加熱処理により、前記金属元素が偏析した領域表面においてウィスカー状の半導体膜の電界放出部を形成することを特徴とする電子放出素子の作製方法。
【請求項２０】
請求項１９において、前記半導体膜をストライプ状に形成した後、４００〜６５０℃の前記加熱処理を行うことを特徴とする電子放出素子の作製方法。
【請求項２１】
絶縁性を有する基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜をストライプ状に形成した後、絶縁膜を成膜し、
前記絶縁膜上に第１の導電膜を成膜した後、前記半導体膜と交差するように前記第１の導電膜をエッチングし、
前記第１の導電膜及び前記絶縁膜の一部を除去して前記半導体膜を露出させた後、前記半導体膜に金属元素を添加し、３００〜６５０℃の加熱又はレーザ光照射により前記半導体膜の結晶粒界において前記金属元素を偏析させたのち、
半導体元素を含む気体雰囲気での４００〜６５０℃の加熱処理により、前記金属元素が偏析した領域表面においてウィスカー状の半導体膜の電界放出部を形成することを特徴とする電子放出素子の作製方法。
【請求項２２】
絶縁性を有する基板上に、ストライプ状の第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜の間に第１の絶縁膜を成膜した後、前記第１の導電膜及び前記第１の絶縁膜上に半導体膜を成膜し、
前記半導体膜を所望の形状に形成した後、第２の絶縁膜を成膜し、
前記第２の絶縁膜上に第２の導電膜を成膜したのち、前記第２の導電膜及び前記第２の絶縁膜の一部を除去して前記半導体膜を露出させた後、前記半導体膜に金属元素を添加し、３００〜６５０℃の加熱又はレーザ光照射により前記半導体膜の結晶粒界において前記金属元素を偏析させたのち、
半導体元素を含む気体雰囲気での４００〜６５０℃の加熱処理により、前記金属元素が偏析した領域表面においてウィスカー状の半導体膜の電界放出部を形成し、
前記第１の導電層と前記半導体膜は接していることを特徴とする電子放出素子の作製方法。
【請求項２３】
絶縁性を有する基板上に半導体膜を成膜し、前記半導体膜を所望の形状に形成した後、絶縁膜を成膜し、
前記絶縁膜上に所望の形状のゲート電極を形成したのち、前記絶縁膜の一部を除去して前記半導体膜を露出させた後、前記半導体膜に金属元素を添加し、３００〜６５０℃の加熱又はレーザ光照射により前記半導体膜の結晶粒界において前記金属元素を偏析させたのち、
半導体元素を含む気体雰囲気での４００〜６５０℃の加熱処理により、前記金属元素が偏析した領域表面においてウィスカー状の半導体膜の電界放出部を形成することを特徴とする電子放出素子の作製方法。
【請求項２４】
請求項１９乃至請求項２３のいずれか一項において、前記金属元素を添加する方法は、塗布法、ＰＶＤ法、又はＣＶＤ法であることを特徴とする電界放出素子の作製方法。
【請求項２５】
請求項１９乃至請求項２４のいずれか一項において、前記半導体元素を含む気体は、ポリシランを含むことを特徴とする電界放出素子の作製方法。
【請求項２６】
請求項１９乃至請求項２５のいずれか一項において、前記半導体膜にｎ型を付与する不純物を添加することを特徴とする電界放出素子の作製方法。
【請求項２７】
請求項１９乃至請求項２６のいずれか一項において、前記金属元素は、Ａｕ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｔ又はＦｅの金属元素であることを特徴とする電界放出素子の作製方法。