【手続補正書】
【提出日】平成19年11月27日(2007.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】ミクロンスケールの精密成形された細孔を含むフィルター層および該フィルター層に対する精密成形された支持構造を含む支持層、を少なくとも備えるモノリシックなポリマーフィルター膜を作製するための方法であって、該方法は以下：
ポリマーフィルムの一方の側から選択された材料を取り外すことによって該フィルター膜を形成し、該フィルター層の精密成形されたミクロンスケールの細孔を規定する、工程；および
該膜の他方の側から選択された材料を取り外すことによって該支持構造層を形成し、該精密成形された多孔性支持構造を規定する、工程であって、該細孔がそこを通る濾液の通過を可能にするために該多孔性支持構造と連絡する、工程、
を包含する、方法。
【請求項２】フィルター層を通るミクロンスケールの精密成形された細孔を含むフィルター層および該フィルター層に対する多孔性支持構造を含む支持層、を少なくとも備えるモノリシックなポリマーフィルター膜を作製するための方法であって、該方法は以下：
第１のポリマーフィルムから選択された材料を取り外すことによって該フィルター層を形成し、該フィルター層を通る複数のミクロンスケールの精密成形された細孔を規定する、工程；
第２のポリマーフィルムから選択された材料を取り外すことによって該支持構造層を形成し、精密成形された多孔性支持構造を規定する、工程；および
該フィルター層および支持層を重なり合う関係で一緒に合わせ、モノリシックなフィルター膜を形成する、工程、
を包含する、方法。
【請求項３】前記フィルター層および支持層の少なくとも１つが、以下：
ポリイミド材料であるポリマーフィルムを提供する工程、
該ポリイミドフィルムの一方の表面に金属フィルムを貼り付ける工程、
該金属フィルムにフォトレジスト材料を貼り付ける工程、
該フォトレジスト層上に第１のパターンを形成し、ミクロンスケールの細孔または支持構造を規定し、そして該フォトレジスト層から選択された材料を取り外す工程；
該フォトレジスト材料が取り外された領域内の該金属フィルムから材料を取り外す工程；
該金属フィルムが取り外された領域内の該ポリイミドフィルムから選択された材料を除去し、該細孔または支持構造を規定する工程；
該ポリイミドフィルムから任意の残留するフォトレジスト材料および該金属フィルムを除去する工程、
によって形成される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】前記フィルター層および前記支持層の少なくとも１つが、光画像化可能なポリマーフィルムを含み、そして該少なくとも１つの層が、パターンを規定するマスクを通る光に該フィルムを露光する工程、およびパターンによって規定された該ポリマーフィルムの選択された部分を除去し、前記細孔または支持層を形成する工程、によって形成される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】前記ポリマーフィルムがネガ作用型光画像化可能フィルムであり、前記除去する工程が該フィルムの露光されていない部分を取り外すことによって実施される、請求項３に記載の方法。
【請求項６】前記フィルムがポジ作用型光画像化可能フィルムであり、前記除去する工程が該フィルムの露光された部分を取り外すことによって実施される、請求項３に記載の方法。
【請求項７】前記ポリイミドフィルムから選択された材料を除去する工程が乾式エッチングによって実施される、請求項３に記載の方法。
【請求項８】前記材料を除去する工程の少なくとも１つが、レーザーによって前記フィルムを切除する工程または電離放射線で前記フィルムを処理する工程を包含する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項９】前記フィルムを切除するためにエキシマーレーザーを使用する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】前記支持層が、前記フィルター層より厚い、請求項１または２に記載の方法。
【請求項１１】前記支持層が、前記フィルター層より約２倍〜２５０倍厚い、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】前記光画像化可能なポリマーフィルムの連続ウェブが連続的に供給され、そして前記パターンが前記フィルム上に漸進的に形成され、そして選択された材料が漸進的に取り除かれて前記細孔または支持構造を規定する、請求項４に記載の方法。
【請求項１３】レーザー切除可能なポリマーフィルムの連続ウェブが連続的に供給され、そして選択された材料が漸進的に除去されて前記細孔または支持構造を規定する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項１４】前記光画像化可能なポリマーフィルムが、ポリイミドを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項１５】前記支持構造が、第１の複数の間隔をあけた支持支柱を備え、該支柱が前記ミクロンスケールの細孔のサイズより実質的に大きい距離で間隔をあけられる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項１６】前記支持構造が、前記第１の複数の支柱と交差する、第２の複数の間隔をあけられた支柱を備え、支持グリッドを規定する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】前記支柱が、約５０ミクロン〜１０００ミクロンの範囲の距離で間隔があけられる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】前記支柱の幅が、約１０ミクロンと１００ミクロンとの間である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】前記支持構造が、グリッドを備える、請求項１または２に記載の方法。
【請求項２０】前記支持構造が少なくとも２つの副層を備え、該副層が、選択された多孔度の第１の副層、および該第１の副層と異なる多孔度を有し、該第１の副層と前記フィルター層との間に配置される第２の副層である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項２１】前記支持グリッドが、少なくとも２つのサブグリッドを備え、該サブグリッドは、選択された幅を有し選択された距離で間隔があけられる支柱を備える第１のサブグリッド、および該第１のサブグリッドと前記フィルター層との間に配置された第２のサブグリッドであり、該第２のサブグリッドが、該第１のサブグリッド中の支柱と異なる幅または異なる間隔の支持支柱を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】前記グリッドが、複数の交差する壁を備え、該壁が交差点で少なくとも湾曲している、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】前記グリッドが、間隔をあけられほぼ円筒形または楕円形に成形された細孔によって規定された複数の交差する壁を備える、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】前記支持構造層が２つの不完全に硬化されたポリマーフィルムから材料を除去することによって形成され、一方のフィルムは選択された多孔度の支持構造を規定するために除去される材料を有し、そして別のフィルムは一方のフィルムより大きい多孔度を有する支持構造を規定するために除去される材料を有し、該フィルター層フィルムおよび支持フィルムは、一緒に結合されて一体化されたフィルター膜を形成する、請求項２に記載の方法。
【請求項２５】前記フィルター膜が可撓性である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項２６】前記フィルター膜が、０．５インチの曲率半径に沿って配置されるように十分に可撓性である、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】予め決定された厚みのモノリシックなポリマーフィルター膜を作製するための方法であって、該フィルター膜が、ミクロンスケールの精密成形された細孔を有する少なくとも１つのフィルター層および該フィルター層に対する精密成形された支持構造を含む支持層を備えるフィルター膜であり、該方法が以下：
基板を提供する工程；
該基板上に第１のポリイミド層をスピニングする工程；
該第１のポリイミド層に金属層を貼り付ける工程；
該金属層にフォトレジストを貼り付ける工程；
該ミクロンスケールの細孔または支持構造の一方の第１のパターンを規定するために、フォトレジストを現像する工程；
該フォトレジストから該金属層へ該第１のパターンを転写する工程；
該金属層から該第１のポリイミド層へ該第１のパターンを転写し、該ミクロンスケールの細孔または該支持構造の一方を形成する工程；
該フォトレジストおよび該金属層を連続的に除去する工程；
該第１の層のポリイミド上に第２のポリイミド層をスピニングし、それらの間にインターフェースを形成する工程；
該第２のポリイミド層上に第２のパターンを形成し、該ミクロンスケールの細孔または該支持構造の他方を規定する、工程；
該第２のポリイミド層から選択された材料を取り外し、該ミクロンスケールの細孔または支持構造の他方を規定する工程；
該第１および第２のポリイミド層を硬化し、それらの間のインターフェースを取り外し、モノリシックなフィルター層−支持構造を形成する工程；および
該基板から一体化されたフィルター層−支持構造を取り外す工程、
を包含する、方法。
【請求項２８】予め決定された厚みのモノリシックなポリマーフィルター膜を作製するための方法であって、該フィルター膜は、ミクロンスケールの精密成形された細孔を有する少なくとも１つのフィルター層および該フィルター層に対する精密成形された支持構造を含む支持層を備え、該方法は以下；
シリコンウェハ基板を提供する工程；
該シリコンウェハ上に第１のポリイミド層をスピニングする工程；
該ミクロンスケールの細孔または支持構造の一方の第１のパターンを規定するマスクを通して該第１のポリイミド層を光に露光する工程；
第２のポリイミド層を該第１の層のポリイミド上にスピニングし、それらの間にインターフェースを形成する、工程；
該ミクロンスケールの細孔または該支持構造の他方の第２のパターンを規定するマスクを通して該第２のポリイミド層を光に露光する工程；
該第１および第２のポリイミド層から選択された材料を取り外し、該ミクロンスケールの細孔および支持構造を規定する工程；
該第１および第２のポリイミド層を硬化し、それらの間のインターフェースを取り外し、そしてモノリシックなフィルター層−支持構造を形成する工程；および
該シリコンウェハ基板からモノリシックなフィルター層−支持構造を取り外す工程、
を包含する、方法。
【請求項２９】前記第１のポリイミド層から選択された材料を取り外す工程が実施された後に、前記第２の層が該第１の層上にスピンされる、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】フィルター膜を作製するための方法であって、以下
対向したほぼ平坦な表面および該表面間の厚みを有する、可撓性フィルムを提供する工程；
第１の選択された深さまで該表面の一方の選択された領域を切除し、該一方の表面上に複数のミクロンスケールの精密成形された細孔を規定する、工程；および
第２の選択された深さまで該表面の他方の選択された領域を切除し、多孔性の精密成形された支持構造を規定する工程であって、該細孔が該細孔を通る濾液の通過を可能にするために該多孔性の支持構造と連絡する、工程、
を包含する、方法。
【請求項３１】前記切除がレーザーによって実施される、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】前記第１および第２のフィルムが、取り外し工程の時間に完全には硬化されず、そして前記合わせる工程が、該第１および第２のフィルムを硬化する工程を包含する、請求項２に記載の方法。
【請求項３３】ミクロンスケールの精密成形された細孔を含むフィルター層および該フィルター層に対する精密成形された支持構造を含む支持層を、少なくとも備えるモノリシックなポリマーフィルター膜を作製するための方法であって、該方法が以下：
該フィルムの一方の側上に規定された支持構造を含むポリマーフィルムを提供する工程；
該ポリマーフィルムの他方の側から選択された材料を取り外すことによって該フィルター層を形成し、該フィルター層の精密成形されたミクロンスケールの細孔を規定する工程、
を包含する、方法。
【請求項３４】前記支持構造が、前記フィルムの一方の側上にエンボス加工される、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】前記支持構造が、前記フィルムの一方の側上に予めキャストされている、請求項３３に記載の方法。
【請求項３６】前記形成する工程が、エッチング、レーザー切除、光画像化または放射によって実施される、請求項３３に記載の方法。
【請求項３７】前記基板がシリコンウェハを含む、請求項２７に記載の方法。