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【手続補正書】
【提出日】平成20年1月15日(2008.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃焼工具で使用する燃料セルにおいて、
閉蓋によって閉じられた開放端部を有したハウジングと、
前記開放端部と協働するように配置される出口を有した主バルブステムであって、少なくとも該主バルブステムが相対的に突出した閉鎖位置と、同主バルブステムが相対的に後退した開放位置との間で前記ハウジング内で往復動する主バルブステムと、
前記ハウジング内に配設されて前記主バルブステムと協働する燃料計量バルブであって、前記閉蓋の近傍に配置され、前記主バルブステムが前記開放位置にあるとき、一定量の燃料のみを前記出口から放出するようにした燃料計量室を備えた燃料計量バルブとを具備し、
前記ハウジングが独立の燃料容器を含み、前記燃料計量バルブが、前記燃料計量室とは反対側で前記容器内に配設された第２の端部を有したバルブ本体を含んで成る燃料セル。
【請求項２】
前記主バルブステムは半径方向に拡大した大径部を有しており、前記開放位置において前記大径部に係合し、前記閉鎖位置において前記大径部との間に燃料通路が形成されるように配置されたリップシールが前記燃料計量室に設けられている請求項１に記載の燃料セル。
【請求項３】
前記バルブ本体の第１の端部が前記閉蓋に係合する請求項１に記載の燃料セル。
【請求項４】
前記燃料計量室は２つの部品から成り、その一方が前記主バルブステムに係合するシール部を具備する請求項１に記載の燃料セル。
【請求項５】
更にクランプリングを具備し、前記容器の一部を前記バルブ本体と該クランプリングとの間に挟持するようにした請求項１に記載の燃料セル。
【請求項６】
前記燃料計量バルブが主シール部材を具備し、前記主バルブステムが、半径方向に突出して該主シール部材と係合する部分を含んで成る請求項１に記載の燃料セル。
【請求項７】
前記燃料計量室が前記主バルブステムを包囲し、かつ、主シール部材に係合する第１の端部と、前記開放位置で前記主バルブステムの大径部と気密に係合すると共に、前記閉鎖位置で燃料を通過可能に前記主バルブステムの主要な直径から離反する第２の端部とを有して成る請求項１に記載の燃料セル。
【請求項８】
前記主バルブステムおよび燃料計量室は、前記主バルブステムが容器充填位置に移動可能に構成されており、前記容器充填位置では、前記主バルブステムが前記開放位置よりも後退し、かつ、前記出口から前記ハウジング内に配置されている容器へ流体の通路が形成される請求項１に記載の燃料セル。
【請求項９】
前記主バルブステムの位置は、前記燃料計量室に対して、前記開放位置、閉鎖位置および容器充填位置に変化するようになっている請求項８に記載の燃料セル。
【請求項１０】
前記容器充填位置で前記主バルブステムに隣接した領域と前記燃料セル内部との間の連通を容易にするようにした少なくとも１つのスロットが、前記燃料計量室を包囲する主バルブ本体の第２の端部に設けられている請求項８に記載の燃料セル。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月7日(2008.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベルトドラム（１）、特にベルト層および／またはトレッド層、または金属部分等を備えた他のタイヤ構成部材を円周全体となるように成形するためのベルトドラム（１）であって、
前記ドラム（１）は、中心線（Ｓ）を中心として回転可能であり、前記タイヤ構成部材のための堅い支持表面（Ｔ）を有するとともに前記ドラムの外周に位置しているいくつかの支持部材（２）を備え、
前記中心線を含む断面を見ると、前記支持部材は、複数の中央支持部分（７）とそれに移動可能に連結された複数の側面支持部分（８ａ，８ｂ）とを備え、
前記支持部材（２）の前記中央支持部分は、前記各支持部材が前記中心線（Ｓ）に平行な支持表面を形成する第１の位置と、前記各支持部材によって実質的に凸状の支持表面（Ｖ）が形成される少なくとも１つの第２の位置との間を、第１の移動手段によって移動可能であり、
前記第１の移動手段は、少なくとも、前記中央支持部分を前記少なくとも１つの第２の位置において前記中心線に平行に保つように、前記中央支持部分に連結されている、ベルトドラムにおいて、
前記第１の移動手段は第１の円錐手段（４ａ，４ｂ）と第２の円錐手段（５ａ，５ｂ）を含み、前記第１の円錐手段は前記第２の円錐手段の半径方向内側に位置し、前記第２の円錐手段を半径方向に移動させるために、方向付け部材とともに前記中心線に平行な方向に移動可能であり、その移動を生じさせるために複数の前記支持部材は前記第２の円錐手段に連結されており、前記第１の円錐手段は前記中心線に平行な方向に移動可能である、ことを特徴とするベルトドラム。
【請求項２】
前記中央支持部分を常に前記中心線に平行に保つ方向付け手段をさらに備えている、請求項１に記載のベルトドラム（１）。
【請求項３】
前記中央支持部分は前記第１の移動手段に取り付けられて固定されている、請求項１に記載のベルトドラム（１）。
【請求項４】
複数の前記支持部材は、さまざまな凸形状となる、選択されたいくつかの第２の位置に移動することができ、かつ、特に前記第２の位置において調整可能である、請求項１、２、または３に記載のベルトドラム（１）。
【請求項５】
複数の前記中央支持部分（７）は、前記第１の位置と前記少なくとも１つの第２の位置との間を移動する間に、関連する複数の前記側面支持部分（８ａ，８ｂ）を回転運動させるように、該複数の側面支持部分（８ａ，８ｂ）に連結されている、請求項１から４のいずれか１項に記載のベルトドラム（１）。
【請求項６】
複数の前記中央支持部分および複数の前記側面支持部分は、前記ドラムの接線方向の軸を中心として回転できるように、互いに連結されている、請求項１から５のいずれか１項に記載のベルトドラム（１）。
【請求項７】
前記ドラムの長手方向の断面を見ると、複数の前記側面支持部分は前記ドラムの残りの部分に移動可能かつ回転可能に連結されている、請求項１から６のいずれか１項に記載のベルトドラム（１）。
【請求項８】
前記ドラムは前記中心線（Ｓ）に垂直な対称面を有しており、前記第２の位置にある支持部材（２）が、前記対称面に関して対称であり前記中央支持部分（７）では隣接する複数の前記側面部分よりも前記中心線から遠くに配置されている支持表面を形成する、請求項１から７のいずれか１項に記載のベルトドラム（１）。
【請求項９】
複数の前記側面部分は、真っ直ぐな支持表面を形成しており、前記ドラムの残りの部分に、前記中心線に平行な方向において前記対称面から離れて位置する回転点を中心として回転可能に連結されている、請求項１から８のいずれか１項に記載のベルトドラム（１）。
【請求項１０】
複数の前記支持部分の相互の間、および／または、前記中心線に平行な方向に見て複数の前記支持部分と前記ドラムの残りの部分との間にある回転点が、位置調整可能である、請求項１から９のいずれか１項に記載のベルトドラム（１）。
【請求項１１】
複数の前記支持部分は、互いに連結されている位置で、ほぞ穴およびほぞからなる接合部などによって、特に細長い穴によって、前記中心線に平行な方向に相対的に移動可能である、請求項１から１０のいずれか１項に記載のベルトドラム（１）。
【請求項１２】
複数の前記支持部分は、前記中心線に平行な方向に見て互いに係合している、請求項１から１１のいずれか１項に記載のベルトドラム（１）。
【請求項１３】
前記支持部材の、半径方向外側へ前記第２の位置に向かう移動を制限する第１の停止手段（３２，３３，３４，３７，３８）と、前記第１の停止手段を調整する第１の調整手段とを備えている、請求項１から１２のいずれか１項に記載のベルトドラム（１）。
【請求項１４】
前記第１の停止手段は、前記第１の円錐手段（４ａ，４ｂ）の、前記中心線に平行な方向の移動を制限するように働く、請求項１３に記載のベルトドラム（１）。
【請求項１５】
前記支持部材（２）を、前記中心線（Ｓ）に関して半径方向に縮小した位置から、前記中心線に関して半径方向に広がった少なくとも１つの位置に移動させる第２の移動手段をさらに備え、
前記中心線を含む断面を見ると複数の前記支持表面が前記中心線に平行に位置している状態で、複数の前記支持部材は前記第２の移動手段によって両位置の間を移動可能であり、
前記ベルトドラムは、複数の前記支持部材が一緒に半径方向の外側に向かう移動を制限する第２の停止手段と、前記第２の停止手段を調整する第２の調整手段を備えている、請求項１から１４のいずれか１項に記載のベルトドラム（１）。
【請求項１６】
前記第２の移動手段は第３の円錐手段（１１）および第４の円錐手段（１２）を含み、前記第３の円錐手段は、半径方向に前記第４の円錐手段の内部に位置し、前記第４の円錐手段を半径方向に移動させるために方向付け部材とともに前記中心線に平行な方向に移動可能であり、複数の前記支持部材は前記第４の円錐手段によって半径方向に移動可能であり、前記第３の円錐手段は前記中心線に平行な方向に移動可能である、請求項１から１５のいずれか１項に記載のベルトドラム（１）。
【請求項１７】
前記第２の停止手段は、前記第２の円錐手段の、前記中心線に平行な方向の移動を制限する働きをする、請求項１５または１６に記載のベルトドラム（１）。
【請求項１８】
第３の円錐手段は前記第２の円錐手段によって移動可能である、請求項１３、１６、１７のいずれか１項に記載のベルトドラム（１）。
【請求項１９】
前記第２の調整手段が、前記中心線に平行な方向に見て、前記第２および前記第３の円錐手段の間の距離を調整する働きをする、請求項１５または１８に記載のベルトドラム（１）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
圧力部材５の半径方向の外側には、平面、すなわち実質的に閉じた支持表面Ｔを形成する支持部材２が支持されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月4日(2008.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースと、
前記ベースによって担持され、コアを備える第１のアクチュエータと、
前記ベースによって担持され、その中で前記プラスチック物品が形成される型穴の一部を画定する雌金型部分を備え、前記コアが前記雌金型部分内で少なくとも部分的に受けられている第２のアクチュエータと、
前記ベースに対する直線状の往復運動のために前記第１のアクチュエータと前記第２のアクチュエータの少なくとも一方を案内するために、前記第１のアクチュエータと前記第２のアクチュエータの前記少なくとも一方に付随された少なくとも１つの直線状の軸受とを備え、各直線状の軸受が、前記ベースおよび、前記第１のアクチュエータと前記第２のアクチュエータの前記少なくとも一方のうちの一方によって担持されたレールと、前記レール上で滑動自在に受けられ、前記レールを担持していない、前記ベースおよび前記第１のアクチュエータと前記第２のアクチュエータの前記少なくとも一方のうちの他方によって担持されているブロックとを備える、
プラスチック物品を圧縮成形するための装置。
【請求項２】
前記ブロックによって担持された複数のボールをまた備え、前記レールが、前記ボールがその中で部分的に受けられる軌道を備える請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ボールが、前記ボールの少なくともいくつかが前記レールと常に接触するように、前記ブロックによって担持される請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記レールが、それぞれが軌道を有する２つの対向する側面を備え、前記ボールが、複数のボールが前記軌道の前記２つの対向する側面のそれぞれと係合するように、前記ブロックによって担持される請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記ボールが、前記レールの前記２つの対向する側面のそれぞれが複数のボールと常に接触するように、前記ブロックによって担持される請求項４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月18日(2008.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３３】
ネジを有するネック部と、
第１の層と第２の層とを具備するボディ部であって、当該第２の層がネック部のネジの下で終端する上端を有し、発泡材料を具備し、前記第１の層が前記第２の層の内部に位置したボディ部と
を具備する
ボトル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
多層プリフォームは、容器を生産するのに用いられることができる。例えば、プリフォーム５０は、容器８３（図６）を形成するのに用いられることができる。一実施において、図６および７に示すように、外層５２は、外層５２と内層５４との間に層またはスペース８５を提供するために、内層５４と協働する。層８５は、層５２と５４の間の空気の通路を許可することができ、容器８３をさらに有利に断熱可能である。通路は、大まかに内層５４を囲む層５２の間で形成されることができる。あるいは、外層５２は、大きさを設定されることができ、内層５４を快適に保つように、そして層５２のその内面が層５４の外面と接触するように構成されていることができる。いくつかの実施形態において、層８５は、層５２と５４の一つ以上と類似または非類似の発泡層であってもよい。さらに他の実施形態において、層８５は、層５２を内層５４に結合させる層であってもよい。例えば、層８５は、クラフトでき、層５２と５４の間の相対運動を抑制、好ましくは実質的に防止する。例えば、層８５は、層５２と５４の間の相対運動を制限する接着層であってもよい。ここで開示された実施形態のいくつかのまたはそうでない層が、結合層などと共に結合されることができることが、意図されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
図１４Ａは、図１４のプリフォーム２０２から生産される容器２１１を図解する。クロージャー２１３は、容器２１１のネック部１３２に取り付けられる。クロージャー２１３は、ワンピースまたはマルチピースのクロージャーでありうる。クロージャー２１３は、一時的あるいは永久的に、容器２１１に取り付けられることができる。液体が消費されるとき、全てのクロージャー２１３は、容器２１１から取り除かれることができる。他の実施形態において、消費の間、クロージャー２１３の他の部分が容器２１１に取り付けられたままで、クロージャー２１３の一部は取り除かれることができる。クロージャー２１３は、容器に、半永久的、または永久的に取り付けられることができる。クロージャー２１３が容器２１１に半永久的に取り付けられるならば、クロージャー２１３は、容器２１１から引き離されることができる。一実施において、クロージャー２１３が容器２１１に永久的に取り付けられるならば、クロージャー２１３および容器２１１は、一般的に単一ボディを形成可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月11日(2008.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
汚染防止装置への汚染防止要素の装着における使用に適した多層装着マットであって、前記マットが、
第１の主面と前記第１の主面の反対の第２の主面とを有し、ガラス繊維とセラミック繊維の少なくとも一方を含む非膨張層と、
前記非膨張層の前記第１の主面に対向し、前記多層マットの第１の外側層である第１の膨張層と、
前記非膨張層の前記第２の主面に対向し、前記多層マットの第２の外側層である第２の膨張層と
を含む、多層装着マット。
【請求項２】
前記マットの未圧縮厚さが４０ｍｍ以下であり、前記非膨張層の未圧縮厚さが少なくとも１ｍｍであり、そして前記膨張層の各々の未圧縮厚さが少なくとも０．５ｍｍである、請求項１に記載の多層装着マット。
【請求項３】
前記非膨張層の厚さが、前記多層マットの合計厚さの少なくとも５０パーセントである請求項１または２に記載の多層装着マット。
【請求項４】
前記非膨張層が前記第１の膨張層より厚く、前記非膨張層が前記第２の膨張層より厚い請求項１または２に記載の多層装着マット。
【請求項５】
前記非膨張層が、１０パーセント以下のバルク収縮率のセラミック繊維を含む請求項１または２に記載の多層装着マット。
【請求項６】
第１の金属筐体と、
前記第１の金属筐体内側の汚染防止要素と、
前記第１の金属筐体と前記汚染防止要素との間に配置されてなる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の多層装着マットと
を含む汚染防止装置。
【請求項７】
前記第１の金属筐体を囲む第２の金属筐体をさらに含み、排気ガスが前記第１の金属筐体と前記第２の金属筐体との間を通過する請求項６に記載の汚染防止装置。
【請求項８】
前記汚染防止要素がディーゼル微粒子フィルタである請求項６または７に記載の汚染防止装置。
【請求項９】
前記装着マットが、前記第１および第２の膨張層を膨張させるのに好適な温度より高い温度と低い温度の両方の操作温度で十分な保持圧を有している請求項６または７に記載の汚染防止装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
さらに他の態様において、多層マットを形成する方法が提供される。第１の主面と、第１の主面の反対の第２の主面とを有する非膨張層が提供される。第１の膨張層は、非膨張層の第１の主面に向き合うように配置され、第１の膨張層は多層マットの第１の外側層である。第２の膨張層は、非膨張層の第２の主面に向き合うように配置され、第２の膨張層は多層マットの第２の外側層である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
多層マットの各非膨張層の、バルク密度は、通常、約０．１ｇ／ｃｍ3〜約０．３ｇ／ｃｍ3の範囲であり、各膨張層のバルク密度は約０．４ｇ／ｃｍ3〜約０．７ｇ／ｃｍ3である。本明細書で用いる「バルク密度」という用語は、圧縮していない層または多層マットの密度のことを指す。多層マットのバルク密度は、様々な層の厚さおよび組成に応じて異なるが、一般的には、約０．１５ｇ／ｃｍ3〜約０．５ｇ／ｃｍ3または約０．２ｇ／ｃｍ3〜約０．４ｃｍ3である。ある用途において、多層マットの圧縮密度は約０．３ｇ／ｃｍ3〜約１．０ｇ／ｃｍ3または約０．５ｇ／ｃｍ3〜約０．９ｇ／ｃｍ3である。本明細書で用いる「圧縮密度」とは、汚染防止装置組み立て後の多層マットの密度のことを指す（すなわち、この用語は、金属筐体と汚染防止要素との間に配置したときのマットの密度のことを指す）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月14日(2008.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層、第２の層、第３の層および任意に第４の層を含む多層構造またはそれらの層から製造された多層構造であって、前記第１の層がフォイルを含み、前記第２の層がエチレン／メチルアクリレートコポリマーを含み、前記第３の層がポリオレフィン、ポリエステルまたはその両方である熱可塑性組成物を含み、前記ポリオレフィンがポリエチレン、ポリプロピレンまたはその両方であり、前記ポリエステルがポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートまたはその両方であり、前記エチレン／メチルアクリレートコポリマーが管状反応器内で製造され、前記エチレン／メチルアクリレートコポリマーが約１〜約４０重量％のポリオレフィンを任意に含んでもよい、上記多層構造。
【請求項２】
前記熱可塑性組成物は少なくとも１種のポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートまたはそれらの２つ以上の組み合わせを含み、多層構造が紙、ポリエステル、ポリアミド、ポリエチレンビニルアルコール、ポリエチレン酢酸ビニル、エチレン／アクリル酸コポリマーまたはそのイオノマー、ポリ塩化ビニリデン、酸無水物変性エチレンホモポリマー、酸無水物変性エチレンコポリマーまたはそれらの２つ以上の組み合わせを含むか、または紙、ポリエステル、ポリアミド、ポリエチレンビニルアルコール、ポリエチレン酢酸ビニル、エチレン／アクリル酸コポリマーまたはそのイオノマー、ポリ塩化ビニリデン、酸無水物変性エチレンホモポリマー、酸無水物変性エチレンコポリマーまたはそれらの２つ以上の組み合わせから製造されている第４の層を更に含む、請求項１に記載の多層構造。
【請求項３】
多層構造を含むか、または多層構造から製造された包装であって、前記多層構造が請求項１に記載されたものであり、パウチの形態であってもよい包装。
【請求項４】
フォイルの層と熱可塑性組成物の層との間にエチレン／メチルアクリレートコポリマー組成物を押し出すことを含む方法であって、前記熱可塑性組成物は請求項１〜３のいずれか１項に記載されたものと同じである方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
剥離強度を測定するためにＯＰＥＴ層をＥＭＡ層から分離することができなかった。
次に、本発明の好ましい態様を示す。
1.  第１の層、第２の層、第３の層および任意の第４の層を含む多層構造またはそれらの層から製造された多層構造であって、前記第１の層がフォイルを含み、前記第２の層がエチレン／メチルアクリレートコポリマーを含み、前記第３の層がポリオレフィン、ポリエステルまたはその両方である熱可塑性組成物を含み、前記ポリオレフィンが好ましくはポリエチレン、ポリプロピレンまたはその両方であり、前記ポリエステルが好ましくはポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートまたはその両方である多層構造。
2.  前記熱可塑性組成物は少なくとも１種のポリエチレン、ポリプロピレンまたはその両方を含む、上記１に記載の多層構造。
3.  前記熱可塑性組成物は少なくとも１種のポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートまたはその両方を含む、上記１に記載の多層構造。
4.  前記エチレン／メチルアクリレートコポリマーは約１〜約４０重量％のポリオレフィンを含む、上記１〜３のいずれか１項に記載の多層構造。
5.  前記エチレン／メチルアクリレートコポリマーは管状反応器内で製造される、上記１〜４のいずれか１項に記載の多層構造。
6.  紙、ポリエステル、ポリアミド、ポリエチレンビニルアルコール、ポリエチレン酢酸ビニル、エチレン／アクリル酸コポリマーまたはそのイオノマー、ポリ塩化ビニリデン、酸無水物変性エチレンホモポリマー、酸無水物変性エチレンコポリマーまたはそれらの２つ以上の組み合わせを含むか、または紙、ポリエステル、ポリアミド、ポリエチレンビニルアルコール、ポリエチレン酢酸ビニル、エチレン／アクリル酸コポリマーまたはそのイオノマー、ポリ塩化ビニリデン、酸無水物変性エチレンホモポリマー、酸無水物変性エチレンコポリマーまたはそれらの２つ以上の組み合わせから製造される第４の層を更に含む、上記１〜５のいずれか１項に記載の多層構造。
7.  上記１〜６のいずれか１項に記載の多層構造を含むか、または前記多層構造から製造された包装。
8.  パウチである、上記７に記載の包装。
9.  フォイルの層と熱可塑性組成物の層との間にエチレン／メチルアクリレートコポリマー組成物を押し出すことを含む方法。
10.  前記熱可塑性組成物は上記１〜３のいずれか１項に記載されたものと同じである、上記９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月4日(2008.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリ（アリーレンエーテル）粉末の圧縮成形方法であって、
非加熱ポリ（アリーレンエーテル）粉末を含有する粉末を圧縮金型を備えた圧縮装置に導入し、
圧縮金型内の粉末に、約０．０５ｔ／ｃｍ２〜約５０ｔ／ｃｍ２の圧力を、ポリ（アリーレンエーテル）粉末のガラス転移温度よりも低い温度で加えて、非加熱ポリ（アリーレンエーテル）粉末よりも密度の大きい物品を生成する
ことを含んでなる方法。
【請求項２】
ポリ（アリーレンエーテル）粉末を圧縮成形して物品を製造する方法であって、
バインダー及びポリ（アリーレンエーテル）粉末を含有する混合物を圧縮金型を備えた
圧縮装置に導入し、
圧縮金型内の混合物に、約０．０５ｔ／ｃｍ２〜約５０ｔ／ｃｍ２の圧力を、ポリ（アリーレンエーテル）粉末のガラス転移温度よりも低い温度で加えて、ポリ（アリーレンエーテル）粉末よりも密度の大きい物品を生成する
ことを含んでなる方法。
【請求項３】
前記物品が、約５〜約３０００ｋｇの圧縮強さを有し、かつ約０．６〜約１．２ｇ／ｃｍ３の密度を有する、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記粉末がさらに添加剤、改質剤又はこれらの組合せを含有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記バインダーが結晶質であってポリ（アリーレンエーテル）粉末のガラス転移温度よりも低い溶融温度を有するか、または前記バインダーが非晶質であってポリ（アリーレンエーテル）粉末のガラス転移温度よりも低いガラス転移温度を有する、請求項２記載の方法。
【請求項６】
前記圧縮金型が粉末の導入時には加熱されていないか、または加熱されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記圧縮金型を粉末の導入後に加熱する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記ポリ（アリーレンエーテル）粉末が、粒径約１００μｍ未満の粒子をポリ（アリーレンエーテル）粉末の全体積を基準にして、約５〜約７０体積％含有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記バインダーをポリ（アリーレンエーテル）粉末との配合前に加熱する、請求項２記載の方法。
【請求項１０】
前記バインダーが溶液状態で、混合物から揮発分を除去した後圧力を加える、請求項２記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月4日(2008.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボス、好適には金属製又は金属含有ボス（１０３）と、合成樹脂外側部（１０２）、好適には熱可塑性樹脂製外側部を含み、該外側部は該ボス（１０３）を円周方向に近接するように包囲する複合ギア半加工品（１０４）の形成方法であって、
（ａ）  管（１０１）を所望寸法に押出し成形、圧縮成形、或いは遠心加工する工程と、
（ｂ）  前記管からリング（１０２）を適当な長さで切り離す工程と、
（ｃ）  工程（ｂ）によって製造された前記リング（１０２）を前記ボス（１０３）の周りに固定する工程と
を含み、前記（ａ）工程の残留熱が工程（ｃ）で使用されることを特徴とする方法。
【請求項２】
焼きなまし工程（ｄ）が追加されることを特徴とする請求項に記載の方法。
【請求項３】
前記ボスは金属製ボスであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ボス好適には金属製又は金属含有ボスと、合成樹脂製外側部、好適には熱可塑性樹脂製外側部を含み、該外側部は該ボスを円周方向に近接するように包囲する複合ギア半加工品の形成方法であって、
（ａ）  管（１０１）を所望寸法に押出し成形、圧縮成形、又は遠心加工する工程と、
（ｂ）  工程（ａ）によって製造された前記管を予備形成されたコア（１０５）上に固定する工程と、
（ｃ）  所定長さの前記管（１０１）及び所定長さの前記予備成形コア（１０５）を含むリング（１０４）を切り離す工程と
を含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
前記材料（１０１）は連続的又は半連続的に押出し成形されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記材料（１０１）は連続的又は半連続的に押出し成形されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記コア（１０５）は無端であることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記コアは金属製コアであることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記ボスは凹凸面を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記凹凸面は刻み付き面であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記コアは凹凸面を有することを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項１２】
前記凹凸面は刻み付き面であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記管は、少なくとも２個の熱可塑性樹脂を同心層状に共押出し成形することにより製造されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記管は、少なくとも２個の熱可塑性樹脂を同心層状に共押出し成形することにより製造されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項１５】
工程（ｃ）での固定工程に続いて、前記ギア半加工品を熱可塑性樹脂の溶融温度よりも高温に誘導加熱する工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
工程（ｃ）での固定工程に続いて、前記ギア半加工品を熱可塑性樹脂の溶融温度よりも高温に誘導加熱する工程を更に含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項１７】
前記管は半結晶質又は結晶化可能な非結晶質熱可塑性樹脂を有すると共に、該管の内径が非結晶質のままであるように押出し成形され、固定工程（ｃ）に先立ち該管を熱可塑性樹脂のＴｇよりもわずかに高温に加熱する工程を更に含み、固定工程後に熱可塑性樹脂を結晶化させるために更に加熱する工程が続くことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記管は半結晶質又は結晶化可能な非結晶質熱可塑性樹脂を有すると共に、該管の内径が非結晶質のままであるように押出し成形され、固定工程（ｃ）に先立ち該管を熱可塑性樹脂のＴｇよりもわずかに高温に加熱する工程を更に含み、固定工程後に熱可塑性樹脂を結晶化させるために更に加熱する工程が続くことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項１９】
前記管は、前記固定工程（ｃ）に先立ち、前記ボス又はコアの外径よりも小さい内径を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
ウォームギア半加工品は請求項１又は４に従い製造されると共に、前記合成樹脂製外側部はウォームギアとなるように機械加工されることを特徴とするウォームギア又はウォームとウォームギアとの組合せ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月28日(2008.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱受容れ領域と該熱受容れ領域を包囲する周辺表面とを含む熱拡散表面を有し、第１材料を含むベース部分と、
第２材料を含み、前記周辺表面に接続し、厚みを有し、該厚みを横断する開口を有するフレーム部分と、を備えた、
熱拡散器構造であって、
前記第２材料は、アルミニウム、アルミニウム合金、合成炭素材料、ダイアモンド、セラミック材料、モリブデン、タングステン、ＫＯＶＡＲ（登録商標）、および熱安定重合体材料からなる群の中の少なくとも１つの材料を備えている、熱拡散器構造。
【請求項２】
前記第１材料は、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、合成炭素−炭素材料、ＳｉＣ、炭素、黒鉛、ダイアモンド、ダイアモンド合成材料、およびそれらの組合せからなる群の中の少なくとも１つの材料を備えている、請求項１に記載の熱拡散器構造。
【請求項３】
前記熱拡散表面の少なくとも一部分を覆う金属製被覆材料をさらに備えた、請求項１に記載の熱拡散器構造。
【請求項４】
前記フレーム部分と前記ベース部分との間に配置された接続材料をさらに備えた、請求項１に記載の熱拡散器構造。
【請求項５】
第１材料を含み、且つ、熱受容れ表面を包囲する周辺領域を備えた第１表面を有するベース部分を形成する段階と、
第２材料を含むフレーム部分を形成する段階と、
前記ベース部分と前記フレーム部分とを結合し、集積回路に組み込むための一つの独立した熱拡散器構造を形成する段階と、
を含む熱拡散器構造の形成方法。
【請求項６】
前記結合する段階は、前記フレーム部分および前記周辺領域を取り付けることを含み、該取り付けは半田付け、拡散接合、接着剤塗布のうち少なくとも１つを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
熱発生機器と、
前記熱発生機器と熱伝達可能な状態の熱拡散器構造とを備え、
前記熱拡散器構造は、前記熱発生機器に対して熱を受容れる関係に配置された熱拡散表面を有するベース部分にして、該熱拡散表面を包囲する周辺表面を有するベース部分と、前記周辺表面に接続し、厚みを有し、該厚みを横断する開口を有するフレーム部分と、を備えており、
前記フレーム部分は、アルミニウム、アルミニウム合金、合成炭素材料、ダイアモンド、セラミック材料、モリブデン、タングステン、ＫＯＶＡＲ（登録商標）および熱安定重合体材料からなる群の中の少なくとも１つの材料を備えている、
集積回路。
【請求項８】
前記熱発生機器はフリップチップである、請求項７に記載の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月21日(2008.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｘを０≦ｘ≦１として、テルル化カドミウム水銀Ｈｇ１−ｘＣｄｘＴｅを成長させる方法であって、
ａ）結晶基板を選ぶステップと、
ｂ）分子ビームエピタキシによって前記基板上に少なくとも１つのバッファ層を成長させるステップと、
ｃ）有機金属気相エピタキシによって前記少なくとも１つのバッファ層上にテルル化カドミウム水銀の少なくとも１つの層を成長させるステップとを含む方法。
【請求項２】
基板が、テルル化カドミウム、テルル化亜鉛、テルル化カドミウム亜鉛、ヒ化ガリウム、シリコン、ゲルマニウム、アンチモン化インジウム、アンチモン化インジウムアルミニウム、アンチモン化インジウムガリウム、リン化インジウム、サファイア、セレン化カドミウム亜鉛、セレン化テルル化カドミウム亜鉛、アルミナ、または尖晶石からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
基板がシリコンである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
結晶基板を選ぶステップが、＜１１１＞または＜１１０＞の方向において、形態｛１００｝からミスアライメントされるように前記基板を構成することを含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
基板のミスアライメントの程度が、１°と１０°との間である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
基板がシリコンであり、前記シリコン基板の配向が、［１１１］の方向に向かってミスアライメントされた（００１）である、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
分子ビームエピタキシによって少なくとも１つのバッファ層を成長させるステップが、テルル化亜鉛、テルル化カドミウム、およびテルル化カドミウム亜鉛から選択された１つまたは複数の層を成長させるステップを含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
分子ビームデピタクシによって少なくとも１つのバッファ層を成長させるステップが、基板上にテルル化亜鉛の層を成長させ、かつ前記テルル化亜鉛の層上にテルル化カドミウムの層を成長させるステップを含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
テルル化カドミウム水銀の少なくとも１つの層を成長させるステップの前に、分子ビームエピタキシによって成長された最上バッファ層の表面を清浄するステップをさらに含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
分子ビームエピタキシによって少なくとも１つのバッファ層を成長させた後、有機金属気相エピタキシによって少なくとも１つのバッファ層を成長させるステップをさらに含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
有機金属気相エピタキシステップによって成長された少なくとも１つのバッファ層が、分子ビームエピタキシによって成長されたバッファ層と同じである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
分子ビームエピタキシによって少なくとも１つのバッファ層を成長させるステップが、基板上のベース層のテルル化亜鉛上にテルル化カドミウムの上部層を成長させることを含み、少なくとも１つの他のバッファ層を成長させるステップが、有機金属気相エピタキシによって他のテルル化カドミウムの層を成長させることを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも１つのテルル化カドミウム水銀の層を成長させるステップが、テルル化カドミウム水銀（ＣＭＴ）の単一層を与えるために、成長中に相互拡散するＣｄＴｅおよびＨｇＴｅの薄層を連続的に成長させることを含み、ＣｄＴｅおよびＨｇＴｅの層の相対的な厚さが、カドミウムの含有量ｘを決定する、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
有機金属気相エピタキシ（ＭＯＶＰＥ）によって少なくとも１つのテルル化カドミウム水銀を成長させるステップにおいて、ジイソプロピルテルライドが、テルルの先駆物質であり、ジメチルカドミウムが、カドミウムの先駆物質である、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも１つのテルル化カドミウム水銀の層を成長させるステップが、テルル化カドミウム水銀の層の少なくとも１つにドーパントをドーピングすることを含む、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
ドーパントが、ヨウ素、ヒ素、インジウム、リン、およびアンチモンから選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも１つのテルル化カドミウム水銀の層を成長させるステップが、テルル化カドミウム水銀の複数の層を成長させるステップを含み、テルル化カドミウム水銀の層の少なくともいくつかが、異なる厚さ、組成、ドーパント、および／またはドーパント濃度を有する、請求項１から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
デバイス処理ステップをさらに含む、請求項１から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
デバイス処理ステップ後、デバイスを少なくとも１つのパッシベーション層でコーティングするステップを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
少なくとも１つのパッシベーション層が、テルル化カドミウムを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
デバイスをパッシベーション層でコーティングするステップが、有機金属気相エピタキシによって成長された少なくとも１つのエピタキシャル層を成長させることを含む、請求項１９または２０に記載の方法。
【請求項２２】
デバイス処理ステップ後、有機金属気相エピタキシによってテルル化カドミウム水銀の他のエピタキシャル層を成長させるステップを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
有機金属気相エピタキシによってテルル化カドミウム水銀の少なくとも１つの層を成長させるのに適切なバッファ基板を作製する方法であって、結晶基板を選ぶステップと、分子ビームエピタキシによって少なくとも１つのバッファ層を成長させるステップとを含む、方法。
【請求項２４】
基板が、＜１１１＞または＜１１０＞に向かって｛１００｝の形態からミスアライメントされる、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
基板がシリコンである、請求項２３または請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
シリコン基板の配向が、［１１１］に対して１°から１０°にミスアライメントされた（００１）である、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
分子ビームエピタキシによって少なくとも１つのバッファ層を成長させる前に、基板を清浄する／処置するステップをさらに含む、請求項１から２２のいずれか一項、または請求項２３から２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
基板を清浄する／処置するステップが、ヒ素フラックスの下で基板を加熱するステップを含む、請求項２７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月28日(2008.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニック送受信機の一つまたは複数の動作状態を表わすアナログ入力信号を処理し、ディジタル信号結果を生成する一連の相互接続された信号処理回路を含むオプトエレクトロニック送受信機の動作監視回路であって、前記一連の信号処理回路は、
前記アナログ入力信号を利得値により増幅または減衰し、スケーリングされたアナログ信号を生成するように構成された利得回路と、
前記スケーリングされたアナログ信号を第１のディジタル信号に変換するように構成されたアナログ・ディジタル変換器と、
前記ディジタル信号結果を生成するために前記第１のディジタル信号をディジタル的に調整するディジタル調整回路であって、入力ディジタル信号をシフト値に従ってシフトしてディジタルシフト信号を生成するように構成されたシフト回路を含む、調整回路と、
ホストによりアクセス可能な所定の場所に前記ディジタル信号結果の値を記憶するように構成された記憶装置とを含み、
前記回路は、オプトエレクトロニクス送受信機に含まれており、
前記アナログ信号は、オプトエレクトロニクス送受信機のレーザーバイアス電流、レーザの出力電力、および受信電力を含む複数の動作状態はあらわす一連のアナログ信号から構成され、
前記利得値は、それぞれが一連のアナログ信号中のそれぞれのアナログ信号に対応する一連の利得値を含み、前記シフト値はそれぞれが前記一連のアナログ信号のそれぞれのアナログ信号に対応する一連のシフト値を含む、
動作監視回路。
【請求項２】
前記シフト回路は、入力ディジタル信号を前記シフト値に従って右シフトして右シフトされたディジタルシフト信号を生成するように構成された、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記シフト回路は、入力ディジタル信号を前記シフト値に従って左シフトして左シフトされたディジタルシフト信号を生成するように構成された、請求項１に記載の回路。
【請求項４】
前記ホストが前記記憶装置内のホスト指定の場所から読出すことを可能にするインタフェースをさらに含む、請求項１に記載の回路。
【請求項５】
前記利得値は、前記インタフェースを介してホストにアクセス可能な前記オプトエレクトロニック送受信機内のメモリマップ場所に格納される、請求項２に記載の回路。
【請求項６】
前記利得値と前記シフト値は、前記オプトエレクトロニック送受信機内のそれぞれのメモリマップ場所に格納され、前記インタフェースは、前記ホストが前記それぞれのメモリマップ場所にアクセスできるように構成された、請求項２に記載の回路。
【請求項７】
前記シフト回路は、前記入力ディジタル信号を受信するとともに、前記シフト値により指定されたビット数だけ前記入力ディジタル信号をシフトして前記ディジタルシフト信号を生成するように構成された、請求項１に記載の回路。
【請求項８】
前記ディジタル調整回路は、前記シフト回路の前記入力ディジタル信号を生成するために、オフセット値だけ前記第１のディジタル信号にオフセットを与えるように構成されたオフセット回路をさらに含む、請求項１に記載の回路。
【請求項９】
前記ディジタル調整回路は、前記シフト回路の前記入力ディジタル信号を生成するために、オフセット値だけ前記第１のディジタル信号にオフセットを与えるように構成されたオフセット回路をさらに含む、請求項１に記載の回路。
【請求項１０】
前記アナログ・ディジタル変換器が受け取る前に、前記アナログ入力信号または前記スケーリングされたアナログ信号にオフセットを与えるように構成されたアナログオフセット回路をさらに含む、請求項１に記載の回路。
【請求項１１】
オプトエレクトロニック送受信機の一つまたは複数の動作状態を表わすアナログ入力信号を処理し、ディジタル信号結果を生成する一連の相互接続された信号処理回路を含むオプトエレクトロニック送受信機の動作監視回路であって、前記一連の信号処理回路は、
前記アナログ入力信号を利得値により増幅または減衰し、スケーリングされたアナログ信号を生成するように構成された利得回路と、
前記スケーリングされたアナログ信号を第１のディジタル信号に変換するように構成されたアナログ・ディジタル変換器と、
前記ディジタル信号結果を生成するために前記第１のディジタル信号をディジタル的に調整するディジタル調整回路であって、入力ディジタル信号をシフト値に従ってシフトしてディジタルシフト信号を生成するように構成されたシフト回路を含む、調整回路と、
ホストによりアクセス可能な所定の場所に前記ディジタル信号結果の値を記憶するように構成された記憶装置とを含み、
前記アナログ信号は前記オプトエレクトロニック送受信機の複数の動作状態を表わす一連のアナログ信号を含み、前記ディジタル信号結果は対応する一連のディジタル信号結果を含み、
前記回路は、
前記ディジタル結果値とリミット値とを比較してフラグ値を生成するように構成された比較論理であって、前記フラグ値は前記オプトエレクトロニック送受信機の動作中、前記記憶装置内の所定のフラグ記憶場所に格納される、比較論理を含み、
前記ホストから受信された命令にしたがって、前記インタフェースは、前記ホストが前記記憶装置内の前記所定のフラグ記憶場所から読出せるように、構成される、
回路。
【請求項１２】
前記複数の動作状態はレーザーのバイアス電流、レーザーの出力電力、および受信電力を含む、請求項１１に記載の回路。
【請求項１３】
前記複数の動作状態は温度、レーザーのバイアス電流、およびレーザーの出力電力を含む、請求項１１に記載の回路。
【請求項１４】
オプトエレクトロニック装置から、前記オプトエレクトロニック装置の動作状態に対応する複数のアナログ信号を受信する工程と、
前記受信されたアナログ信号をディジタル結果値に変換する工程と、
前記ディジタル結果値を記憶装置内の所定の場所に格納する工程と、を含むオプトエレクトロニック装置を監視する方法であって、
前記変換する工程は、
前記アナログ信号をそれぞれの利得値により増幅または減衰してスケーリングされたアナログ信号を生成する工程と、
前記スケーリングされたアナログ信号を第１のディジタル信号に変換する工程と、
前記第１のディジタル信号をディジタル的に調整して前記ディジタル結果値を生成する工程であって、シフト値に従って入力ディジタル信号をシフトしてディジタルシフト信号を生成することを含む工程と、
前記ディジタル結果値とリミット値とを比較してフラグ値を生成し、前記記憶装置内の所定のフラグ場所に前記フラグ値を格納する工程と、
ホスト装置から受信された命令に従って、前記ホスト装置が、前記所定のフラグ場所を含む前記記憶装置内のホスト指定の場所から読出すことを可能にする工程とを含む、
方法。
【請求項１５】
前記ディジタル的に調整する工程は、シフト値に従って入力ディジタル信号を右シフトして右シフトされたディジタルシフト信号を生成することを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ディジタル的に調整する工程は、シフト値に従って入力ディジタル信号を左シフトして左シフトされたディジタルシフト信号を生成することを含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月28日(2008.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）水性媒体中に、イヌリン中のモノサッカライド単位のモル量（１００％）の関係で表わして、２５から１５０モル％のＸ−ハロゲノアルキルカルボキシレートを分散させ、ここでハロゲンは、塩素、臭素、及びよう素から選ばれ、アルキル鎖は１〜５個の炭素原子を含み、そしてＸは、ナトリウム及びカリウムの群から選ばれるアルカリイオンであるものとし、
（ｂ）イヌリンをこのハロゲノアルキルカルボキシレート媒体（ａ）に添加し、分散させて、２０℃から７０℃の温度でスラリー上で測定して、５〜８の範囲のｐＨを有し、スラリー中の水の量（１００質量％）の関係で表わして２５質量％から７０質量％のイヌリンを含むスラリーを形成させ、
（ｃ）このスラリー（ｂ）を６０℃から９０℃の温度に加熱し、次いで、同時に追加のハロゲノアルキルカルボキシレートを、ハロゲノアルキルカルボキシレート：イヌリンのモル比で１.０から５.０となる量で、そして水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムの群から選ばれる水酸化アルカリを、ハロゲノアルキルカルボキシレートの全体レベルに対して等モルの量で添加し、加えてイヌリン（１００％）中のフルクトース単位のモル量の関係で表わして１０から５０モル％の追加量の水酸化アルカリを添加し、反応温度（６０℃〜９０℃）で測定してｐＨ８から１２の範囲の反応混合物を形成させ、
（ｄ）すべての反応試薬の添加が終わった後で、９０分までの時間の間この反応温度で反応を継続し、そして
（ｅ）カルボキシアルキルイヌリン反応生成物をそれ自体知られた方法で回収する
ことを特徴とする、イヌリンとモノクロロカルボン酸とをアルカリ条件下で反応させることによる、カルボキシアルキルイヌリンの製造方法。
【請求項２】
工程（ａ）におけるハロゲノアルキルカルボキシレートが７０モル％から１００モル％で表わされる量であり、スラリー（ｂ）がイヌリンを４０質量％から６０質量％含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ハロゲノアルキルカルボキシレート：イヌリンのモル比が１.５から４.５の範囲である請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
スラリー（ｂ）が７０℃から９０℃の範囲の温度に加熱される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
反応混合物のｐＨが９.５から１１.５の範囲である請求項１または４に記載の方法。
【請求項６】
すべての反応試薬の添加が終わった後で、２０分から６０分までの間反応が継続される請求項１または４に記載の方法。
【請求項７】
カルボキシアルキルイヌリンのアルキル部分は１から３個の炭素原子を有する炭素鎖で表わされるものである、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
スラリー（ｂ）は７５℃から８５℃の範囲の温度に加熱される請求項１または４に記載の方法。
【請求項９】
カルボキシアルキルイヌリンがカルボキシメチルイヌリンである請求項１または７に記載の方法。
【請求項１０】
工程（ａ）の水性媒体が、３５質量％までのイヌリンを場合によって含有する請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
工程（ａ）の水性媒体が、１０質量％から３０質量％までのイヌリンを含有する請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月25日(2008.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スクロース酢酸イソ酪酸エステル（ＳＡＩＢ）と、グリセロール三カルボン酸エステル又はプロピレングリコール二カルボン酸エステルから選ばれるエステル添加剤との予備ブレンド混合物を含んでなり、前記カルボン酸エステル残基が炭素原子２〜１０を含むカルボン酸の残基であり、且つ着色料、皮膚軟化剤、日焼け防止剤及び治療剤から選ばれるスキンケア剤又は化粧剤を含む液体スキンケア組成物。
【請求項２】
ＳＡＩＢとエステル添加剤との予備ブレンド混合物が組成物の２〜９５重量％を構成し、且つカルボン酸エステル残基が酢酸、酪酸、イソ酪酸、カプリル酸、カプリン酸又はこれらの任意の２種もしくはそれ以上の混合物から選ばれるカルボン酸の残基である請求項１に記載の液体スキンケア組成物。
【請求項３】
ＳＡＩＢ：エステル添加剤の重量比が８０:２０〜７０:３０の範囲である請求項２に記載の液体スキンケア組成物。
【請求項４】
水中油型エマルジョンを含んでなり、油相がＳＡＩＢと、グリセロール三カルボン酸エステル又はプロピレングリコール二カルボン酸エステルとの予備ブレンド混合物を含み、前記カルボン酸エステル残基が炭素原子２〜１０を含むカルボン酸の残基であり、且つ前記エマルジョンが、着色料、皮膚軟化剤、日焼け防止剤及び治療剤から選ばれる１種又はそれ以上のスキンケア剤又は化粧剤を含む液体スキンケア組成物。
【請求項５】
前記組成物がエマルジョンであり、ＳＡＩＢと、グリセロール三カルボン酸エステル又はプロピレングリコール二カルボン酸エステルとの予備ブレンド混合物が、組成物の２〜２５重量％を構成し、且つ前記カルボン酸エステル残基が酢酸、酪酸、イソ酪酸、カプリル酸、カプリン酸又はこれらの任意の２種もしくはそれ以上の混合物から選ばれるカルボン酸の残基である請求項１に記載の液体スキンケア組成物。
【請求項６】
水相５０〜９５重量％及び油相５〜５０重量％を含み、油相中にＳＡＩＢと、グリセロール三カルボン酸エステル又はプロピレングリコール二カルボン酸エステルから選ばれるエステル添加剤との予備ブレンド混合物を含む、水中油型スキンケアエマルジョンにおいて、そのカルボン酸エステル残基が炭素原子２〜１０を含むカルボン酸の残基であり、且つそのエマルジョンが、着色料、皮膚軟化剤、日焼け防止剤及び治療剤から選ばれる１種又はそれ以上のスキンケア剤又は化粧剤を含むエマルジョン。
【請求項７】
ＳＡＩＢとエステル添加剤との予備ブレンド混合物がそのエマルジョンの２〜９５重量％を構成し、且つカルボン酸エステル残基が酢酸、酪酸、イソ酪酸、カプリル酸、カプリン酸又はこれらの任意の２種もしくはそれ以上の混合物から選ばれるカルボン酸の残基である請求項６に記載のエマルジョン。
【請求項８】
水相６０〜９０重量％及び油相１０〜４０重量％を含む請求項７に記載のエマルジョン。
【請求項９】
溶媒、噴射剤又はそれらの混合物中に、スクロース酢酸イソ酪酸エステル（ＳＡＩＢ）と、グリセロール三カルボン酸エステル又はプロピレングリコール二カルボン酸エステルから選ばれるエステル添加剤との予備ブレンド混合物含んでなり、前記カルボン酸エステル残基が炭素原子２〜１０を含むカルボン酸の残基であり、且つその溶液が着色料、皮膚軟化剤、日焼け防止剤及び治療剤から選ばれる１種又はそれ以上のスキンケア剤又は化粧剤を含む噴霧可能な組成物。
【請求項１０】
前記組成物がポンプによって噴霧可能であり、且つエタノール、エタノール／水混合物、イソプロパノール又はイソプロパノール／水混合物中に溶解したＳＡＩＢとエステル添加剤との予備ブレンド混合物５〜６５重量％を含んでなり、ＳＡＩＢ：エステル添加剤の重量比が８０:２０〜７０:３０の範囲である請求項９に記載の噴霧可能な組成物。
【請求項１１】
前記組成物がエアゾール噴射剤によって噴霧可能であり、且つプロパン、ｎ−ブタン、イソブタン、ヘキサン、二酸化炭素、亜酸化窒素、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、及びフルオロクロロ炭化水素から選ばれる噴射剤中に溶解したＳＡＩＢとエステル添加剤との予備ブレンド混合物５〜６５重量％を含んでなり、ＳＡＩＢ：エステル添加剤の重量比が８０:２０〜７０:３０の範囲である請求項９に記載の噴霧可能な組成物。