【手続補正書】
【提出日】平成19年5月7日(2007.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電解メッキ装置及び電解メッキ方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下端が内方へ水平に延びるフランジ状の基板載置部を設けた筒状構造を有する保持体に被処理面を下方に向けて水平保持された半導体基板を電解メッキ浴槽内のメッキ液に浸漬した状態で回転させながら、前記電解メッキ浴槽内に配置されたアノードと前記半導体基板との間での電気的導通によりメッキ処理を施す電解メッキ装置において、
前記基板載置部にはカソードの内周縁部に弾性シール部材が装着され、前記半導体基板と前記カソードとの接触固定時において、該弾性シール部材により、前記保持体内部を外部から遮断し、
さらに、前記カソードの通電状態を判別する通電判別手段を備える、
ことを特徴とする電解メッキ装置。
【請求項２】
前記カソードは、前記半導体基板が前記基板載置部に載置されて、前記弾性シール部材が前記半導体基板に接触している状態で、前記半導体基板に接触する複数の突起部を備え、
前記通電判別手段は、各突起部の通電状態を判別する、
ことを特徴とする請求項１に記載の電解メッキ装置。
【請求項３】
前記通電判別手段は、
各前記突起部に対向し、半導体基板が載置されていない状態では、各前記突起部に接触可能で、前記半導体基板が載置されている状態では、前記半導体基板と接触しない位置に配置されたプローブ電極を備え、
前記各突起部と対向する前記プローブ電極との通電試験を行うことにより、各突起部の通電状態を判別する、
ことを特徴とする請求項２に記載の電解メッキ装置。
【請求項４】
前記通電判別手段は、
前記半導体基板を前記シール部材に向かって押圧し、各前記突起部に対向する位置に窪み部が形成された押圧板と、
各前記窪み部内に形成されたプローブ電極と、を備え、
前記各突起部と対向する前記プローブ電極との通電試験を行うことにより、各突起部の通電状態を判別する、
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の電解メッキ装置。
【請求項５】
前記通電判別手段は、前記突起部の通電を順番に判別する、ことを特徴とする請求項２乃至４の何れか１項に記載の電解メッキ装置。
【請求項６】
前記通電判別手段による前記突起部の通電状態の確認処理を、液処理前または液処理後に行うように制御する制御手段、を備えることを特徴とする請求項２乃至５の何れか１項に記載の電極の電解メッキ装置。
【請求項７】
前記保持体は、前記半導体基板の被処理面と反対面の中央を真空吸着保持し昇降可能に構成された真空チャックと、前記半導体基板の外周縁部を押圧固定するリング状に形成されたクランプ機構と、により、半導体基板を前記カソードに接触させながら固定する、
ことを特徴とする請求項２乃至６の何れか１項に記載の電解メッキ装置。
【請求項８】
前記保持体は、前記半導体基板の外周縁部を押圧固定するリング状に形成されたクランプ機構により、前記半導体基板を前記カソードに接触させながら固定させる、
ことを特徴とする請求項２乃至７の何れか１項に記載の電解メッキ装置。
【請求項９】
下端が内方へ水平に延びるフランジ状の基板載置部を設けた筒状構造を有する保持体に被処理面を下方に向けて水平保持された半導体基板を電解メッキ浴槽内のメッキ液に浸漬した状態で回転させながら、前記電解メッキ浴槽内に配置されたアノードと前記半導体基板を介したカソードとの間での電気的導通によりメッキ処理を施す電解メッキ方法であって、
前記カソードの内周縁部と弾性シール部材が装着され、前記半導体基板と前記カソードとの接触固定時に、前記カソードの内周縁部で前記保持体と前記半導体基板との間を前記弾性シール部材でシールすることにより、前記保持体内部を外部から遮断し、この状態でメッキ処理を行うメッキ工程と、
前記カソードの通電状態を判別する通電判別工程と、
を備えることを特徴とする電解メッキ方法。
【請求項１０】
前記通電判別工程を、前記メッキ工程の前又は後に実行する、
ことを特徴とする請求項９に記載の電解メッキ方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路装置の製造工程において半導体基板のメッキ工程に用いられる半導体基板の電解メッキ装置及び電解メッキ方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そこで本発明は、上記問題点に鑑みて、半導体ウエハーへのメッキ厚を全面にわたって均一にすることができるような半導体基板の電解メッキ装置及び電解メッキ方法を提供することを課題とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の電解メッキ装置は、
下端が内方へ水平に延びるフランジ状の基板載置部を設けた筒状構造を有する保持体に被処理面を下方に向けて水平保持された半導体基板を電解メッキ浴槽内のメッキ液に浸漬した状態で回転させながら、前記電解メッキ浴槽内に配置されたアノードと前記半導体基板との間での電気的導通によりメッキ処理を施す電解メッキ装置において、
前記基板載置部にはカソードの内周縁部に弾性シール部材が装着され、前記半導体基板の前記カソードとの接触固定時において、該弾性シール部材により、前記保持体内部を外部から遮断し、
さらに、前記カソードの通電状態を判別する通電判別手段を備える、
ことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
例えば、前記カソードは、前記半導体基板が前記基板載置部に載置されて、前記弾性シール部材が前記半導体基板に接触している状態で、前記半導体基板に接触する複数の突起部を備え、前記通電判別手段は、各突起部の通電状態を判別する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
例えば、前記通電判別手段は、各前記突起部に対向し、半導体基板が載置されていない状態では、各前記突起部に接触可能で、前記半導体基板が載置されている状態では、前記半導体基板と接触しない位置に配置されたプローブ電極を備え、前記各突起部と対向する前記プローブ電極との通電試験を行うことにより、各突起部の通電状態を判別する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記通電判別手段は、例えば、前記半導体基板を前記シール部材に向かって押圧し、各前記突起部に対向する位置に窪み部が形成された押圧板と、各前記窪み部内に形成されたプローブ電極とを備え、前記各突起部と対向する前記プローブ電極との通電試験を行うことにより、各突起部の通電状態を判別する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記通電判別手段は、例えば、前記突起部の通電を順番に判別する。
前記通電判別手段による前記突起部の通電状態の確認処理を、液処理前または液処理後に行うように制御する制御手段を配置してもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
前記保持体は、例えば、前記半導体基板の被処理面と反対面の中央を真空吸着保持し昇降可能に構成された真空チャックと、前記半導体基板の外周縁部を押圧固定するリング状に形成されたクランプ機構とにより、半導体基板を前記カソードに接触させながら固定する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の電解メッキ方法は、
下端が内方へ水平に延びるフランジ状の基板載置部を設けた筒状構造を有する保持体に被処理面を下方に向けて水平保持された半導体基板を電解メッキ浴槽内のメッキ液に浸漬した状態で回転させながら、前記電解メッキ浴槽内に配置されたアノードと前記半導体基板を介したカソードとの間での電気的導通によりメッキ処理を施す電解メッキ方法であって、
前記カソードの内周縁部と弾性シール部材が装着され、前記半導体基板とカソードとの接触固定時に、前記カソードの内周縁部で、前記保持体と前記半導体基板との間を前記弾性シール部材でシールすることにより、前記保持体内部を外部から遮断し、この状態でメッキ処理を行うメッキ工程と、
前記カソードの通電状態を判別する通電判別工程と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
前記通電判別工程は、例えば、前記メッキ工程の前又は後に実行される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、シールド部材により、保持体内部をメッキ液から遮断した状態でメッキを行うことができ、半導体基板の汚染を防止できる。