【手続補正書】
【提出日】平成19年7月27日(2007.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を構成する第１の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面粗さを大きくする工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の第１の領域を除く第２の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面に抜気用凹部を形成する工程と、
前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のパターンを露光する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項２】
基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を構成する第１の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面に抜気用凹部を形成する工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の第１の領域を除く第２の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面粗さを大きくする工程と、
前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のパターンを露光する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項３】
基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域を露光する第１の露光工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を露光する第２の露光工程と、
前記レジスト膜を現像することにより、前記第１の露光工程で露光された第１の領域のうち前記第２露光工程で露光された第２の領域との共通部分を除く部分のレジスト膜の表面粗さを大きくするとともに、前記第２領域との共通部分には抜気用凹部を形成する工程と、
前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のパターンを露光する工程とを含
むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項４】
基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を露光する第１の露光工程と、前記レジスト膜のパターン非形成領域を露光する第２の露光工程と、前記レジスト膜を現像することにより、前記第２の露光工程で露光された第２の領域のうち前記第１の露光工程で露光された第１の領域との共通部分を除く部分のレジスト膜の表面粗さを大きくするとともに、前記第１領域との共通部分には抜気用凹部を形成する工程と、前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のパターンを露光する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項５】
非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を構成する第１の領域を露光・現像することにより前記レジスト膜の表面粗さを大きくする工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の第１の領域を除く第２の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面に抜気用凹部を形成する工程と、
前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像して前記所要のディジタル情報信号パターンに対応するレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性基体の表面を露出させる工程と、
前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面および前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に対して強磁性薄膜を堆積する工程と、
前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜を前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して、前記非磁性基体表面上に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
【請求項６】
非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を構成する第１の領域を露光・現像することにより前記レジスト膜の表面粗さを大きくする工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の第１の領域を除く第２の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面に抜気用凹部を形成する工程と、
前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面にフォトマスクを密着させる工程と、
前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像して前記所要のディジタル情報信号パターンに対応するレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性基体の表面を露出させる工程と、
前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する基体凹所を形成する工程と、
前記エッチング後に残存した前記レジスト膜表面および前記基体凹所に対して、前記基体凹所に埋め込む状態で強磁性薄膜を堆積する工程と、
前記基体凹所に埋め込んだ強磁性薄膜を残す状態で前記エッチング後に残存した前記レジスト膜を前記エッチング後に残存した前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して、前記非磁性基体表面に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造
方法。
【請求項７】
非磁性基体の表面に強磁性薄膜を堆積する工程と、
前記強磁性薄膜の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を構成する第１の領域を露光・現像することにより前記レジスト膜の表面粗さを大きくする工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の第１の領域を除く第２の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面に抜気用凹部を形成する工程と、
前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
前記レジスト膜の凸部の領域に所要のパターンを露光・現像することにより所要のパターン形状のレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記強磁性薄膜を露出する工程と、
前記所要のパターン露光後のレジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた部分の前記強磁性薄膜を除去する工程と、
前記エッチング後に残存した前記レジスト膜を除去して前記非磁性基体表面にディジタル情報信号対応の強磁性薄膜パターンを形成することを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
【請求項８】
非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を構成する第１の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面に抜気用凹部を形成する工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の第１の領域を除く第２の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面粗さを大きくする工程と、
前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像して前記所要のディジタル情報信号パターンに対応するレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性体基体の表面を露出させる工程と、
前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面および前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に対して強磁性薄膜を堆積する工程と、
前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜を前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して、前記非磁性基体表面上に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
【請求項９】
非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を構成する第１の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面に抜気用凹部を形成する工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の第１の領域を除く第２の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面粗さを大きくする工程と、
前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の凸部に前記フォトマスクを密着させる工程と、
前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像して前記所要のディジタル情報信号パターンに対応するレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性基体の表面を露出させる工程と、
前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に前
記所要のディジタル情報信号パターンに対応する基体凹所を形成する工程と、
前記エッチング後に残存した前記レジスト膜表面および前記基体凹所に対して、前記基体凹所に埋め込む状態で強磁性薄膜を堆積する工程と、
前記基体凹所に埋め込んだ強磁性薄膜を残す状態で前記エッチング後に残存した前記
レジスト膜を前記エッチング後に残存した前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して、前記非磁性基体表面に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
【請求項１０】
非磁性基体の表面に強磁性薄膜を堆積する工程と、
前記強磁性薄膜の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を構成する第１の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面に抜気用凹部を形成する工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の第１の領域を除く第２の領域を露光・現像することにより、前記レジスト膜の表面粗さを大きくする工程と、前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
前記レジスト膜の凸部の領域に所要のパターンを露光・現像することにより所要のパターン形状のレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記強磁性薄膜を露出する工程と、
前記所要のパターン露光後のレジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた部分の前記強磁性薄膜を除去する工程と、
前記エッチング後に残存した前記レジスト膜を除去して前記非磁性基体表面にディジタル情報信号対応の強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
【請求項１１】
非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域を露光する第１の露光工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を露光する第２の露光工程と、
前記レジスト膜を現像することにより、前記第１の露光工程で露光された第１の領域のうち前記第２露光工程で露光された第２の領域との共通部分を除く部分のレジスト膜の表面粗さを大きくするとともに、前記第２領域との共通部分には抜気用凹部を形成する工程と、
前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のディジタル情報信号パターン
を露光・現像して前記所要のディジタル情報信号パターンに対応するレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性体基体の表面を露出させる工程と、
前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面および前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に対して強磁性薄膜を堆積する工程と、
前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜を前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して、前記非磁性基体表面上に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
【請求項１２】
非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域を露光する第１の露光工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を露光する第２の露光工程と、
前記レジスト膜を現像することにより、前記第１の露光工程で露光された第１の領域のうち前記第２露光工程で露光された第２の領域との共通部分を除く部分のレジスト膜の表面粗さを大きくするとともに、前記第２領域との共通部分には抜気用凹部を形成する工程と、
前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像して前記所要のディジタル情報信号パターンに対応するレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性基体の表面を露出させる工程と、
前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する基体凹所を形成する工程と、
前記エッチング後に残存した前記レジスト膜表面および前記基体凹所に対して、前記基体凹所に埋め込む状態で強磁性薄膜を堆積する工程と、
前記基体凹所に埋め込んだ強磁性薄膜を残す状態で前記エッチング後に残存した前記レジスト膜を前記エッチング後に残存した前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して、前記非磁性基体表面に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
【請求項１３】
非磁性基体の表面に強磁性薄膜を堆積する工程と、
前記強磁性薄膜の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域を露光する第１の露光工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を露光する第２の露光工程と、
前記レジスト膜を現像することにより、前記第１の露光工程で露光された第１の領域のうち前記第２露光工程で露光された第２の領域との共通部分を除く部分のレジスト膜の表面粗さを大きくするとともに、前記第２領域との共通部分には抜気用凹部を形成する工程と、
前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
前記レジスト膜の凸部の領域に所要のパターンを露光・現像することにより所要のパターン形状のレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記強磁性薄膜を露出する工程と、
前記所要のパターン露光後のレジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた部分の前記強磁性薄膜を除去する工程と、
前記エッチング後に残存した前記レジスト膜を除去して前記非磁性基体表面にディジタル情報信号対応の強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
【請求項１４】
非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を露光する第１の露光工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域を露光する第２の露光工程と、
前記レジスト膜を現像することにより、前記第２の露光工程で露光された第２の領域のうち前記第１の露光工程で露光された第１の領域との共通部分を除く部分のレジスト膜の表面粗さを大きくするとともに、前記第１領域との共通部分には抜気用凹部を形成する工程と、
前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像して前記所要のディジタル情報信号パターンに対応するレジスト凹所を形成し
、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性体基体の表面を露出させる工程と、
前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面および前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に対して強磁性薄膜を堆積する工程と、
前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜を前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して、前記非磁性基体表面上に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
【請求項１５】
非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を露光する第１の露光工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域を露光する第２の露光工程と、
前記レジスト膜を現像することにより、前記第２の露光工程で露光された第２の領域のうち前記第１の露光工程で露光された第１の領域との共通部分を除く部分のレジスト膜の表面粗さを大きくするとともに、前記第１領域との共通部分には抜気用凹部を形成する工程と、
前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
前記レジスト膜表面のパターン形成領域に対して所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像して前記所要のディジタル情報信号パターンに対応するレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性基体の表面を露出させる工程と、
前記所要のディジタル情報信号パターンを露光・現像した後の前記レジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する基体凹所を形成する工程と、
前記エッチング後に残存した前記レジスト膜表面および前記基体凹所に対して、前記基体凹所に埋め込む状態で強磁性薄膜を堆積する工程と、
前記基体凹所に埋め込んだ強磁性薄膜を残す状態で前記エッチング後に残存した前記レジスト膜を前記エッチング後に残存した前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して、前記非磁性基体表面に前記所要のディジタル情報信号パターンに対応する強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
【請求項１６】
非磁性基体の表面に強磁性薄膜を堆積する工程と、
前記強磁性薄膜表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の一部を露光する第１の露光工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域を露光する第２の露光工程と、
前記レジスト膜を現像することにより、前記第２の露光工程で露光された第２の領域のうち前記第１の露光工程で露光された第１の領域との共通部分を除く部分のレジスト膜の表面粗さを大きくするとともに、前記第１領域との共通部分には抜気用凹部を形成する工程と、
前記レジスト膜のパターン非形成領域の少なくとも一部を構成する第１領域を露光する工程と、
前記パターン非形成領域の少なくとも一部を構成する第２領域を露光する工程と、
前記レジスト膜を現像することにより、前記第２領域のうち前記第１領域との共通部分を除く部分のレジスト膜の表面粗さを大きくするとともに、前記第１領域には抜気用凹部を形成する工程と、
前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きす
ることにより前記レジスト膜の表面に前記フォトマスクを密着させる工程と、
前記レジスト膜の凸部の領域に所要のパターンを露光・現像することにより所要のパタ
ーン形状のレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記強磁性薄膜を露出する工程と、
前記所要のパターン露光後のレジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた部分の前記強磁性薄膜を除去する工程と、
前記エッチング後に残存した前記レジスト膜を除去して前記非磁性基体表面にディジタル情報信号対応の強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするマスター情報担体の製造方法。