【手続補正書】
【提出日】平成20年6月5日(2008.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ族窒化物ベースのチャネル層と、
該チャネル層上に設けられたＩＩＩ族窒化物ベースのバリア層と、
該バリア層上に設けられたＩＩＩ族窒化物ベースのキャップ層とを備え、
該キャップ層が、前記バリア層から遠い方の前記キャップ層の表面付近にドープ領域を有し、該ドープ領域がｐ型ドーパントでドープされた領域を含み、前記ドープ領域が前記キャップ層とｐ−ｎ接合を形成し、ゲートコンタクトが、前記ドープ領域の直上にあることを特徴とするＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタ。
【請求項２】
前記キャップ層の中へ入り込んでいないゲートコンタクトを前記キャップ層上にさらに備え、前記ドープ領域は、前記キャップ層の中へ約２．５Åから約５０Åまで延在することを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタ。
【請求項３】
前記キャップ層の中へ入り込んでいるゲートコンタクトをさらに備え、前記ドープ領域は、前記キャップ層の中へ約３０Åから約５０００Åまで延在することを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタ。
【請求項４】
前記ｐ型ドーパントは、約１０１６から約１０２２ｃｍ−３のドーパント濃度を与えることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタ。
【請求項５】
前記ｐ型ドーパントはＭｇ、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｃａ、及び／又はＣを含むことを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタ。
【請求項６】
前記ドープ領域は、１つ又は複数のデルタドープ領域を前記キャップ層の前記表面又は前記表面近くに含むことを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタ。
【請求項７】
前記デルタドープ領域は、約１０１１から約１０１５ｃｍ−２のドーパント濃度を有することを特徴とする請求項６に記載のＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタ。
【請求項８】
前記キャップ層内に設けられた凹部と、
該凹部内に、前記キャップ層と直接に接触していないゲートコンタクトとをさらに備え、前記ｐ型ドーパントのレベルは、前記キャップ層内に伝導領域をもたらすことを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタ。
【請求項９】
前記凹部の側壁上に絶縁層をさらに備え、前記ゲートコンタクトは、前記凹部内の前記絶縁層上にあることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタ。
【請求項１０】
前記ドープ領域は第１のドープ領域を含み、前記キャップ層は、前記バリア層と前記第１のドープ領域の間に第２のドープ領域をさらに含み、前記第２のドープ領域のドーパント濃度は、前記第１のドープ領域のドーパント濃度よりも少ないことを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタ。
【請求項１１】
前記第２のドープ領域は、前記キャップ層の、前記第１のドープ領域内ではない残りの部分を含むことを特徴とする請求項１０に記載のＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタ。
【請求項１２】
前記チャネル層はＧａＮ層を含み、前記バリア層はＡｌＧａＮ層を含み、前記キャップ層はＧａＮ層又はＡｌＧａＮ層を含むことを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタ。
【請求項１３】
ＩＩＩ族窒化物ベースのチャネル層と、
該チャネル層上に設けられたＩＩＩ族窒化物ベースのバリア層と、
該バリア層上に設けられたＩＩＩ族窒化物ベースのキャップ層とを備え、
該キャップ層が、前記バリア層から遠い方の前記キャップ層の表面付近にドープ領域を有し、かつｎ型ドーパントとｐ型ドーパント及び深いレベルのドーパントのうちの少なくとも２つでドープされることを特徴とするＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタ。
【請求項１４】
ＩＩＩ族窒化物ベースのチャネル層を形成するステップと、
該チャネル層上にＩＩＩ族窒化物ベースのバリア層を形成するステップと、
該バリア層上にＩＩＩ族窒化物ベースのキャップ層を形成するステップとを含み、
該キャップ層が、前記バリア層から遠い方の前記キャップ層の表面付近にドープ領域を有し、前記ドープ領域がｐ型ドーパントでドープされた領域を含み、前記ドープ領域が前記キャップ層とｐ−ｎ接合を形成し、ゲートコンタクトが前記ドープ領域の直上にあることを特徴とするＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタの製造方法。
【請求項１５】
ＩＩＩ族窒化物半導体材料からなる領域の表面の少なくとも一部分上に直接に不活性層を形成するステップと、
該不活性層を酸素含有環境中でアニールするステップとを含み、
前記不活性層は、ＭｇＮを含むことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの不活性構造体の製造方法。
【請求項１６】
前記アニールするステップは、約１００℃から約１１００℃の温度で、約１０秒から約１時間の間実施されることを特徴とする請求項１５に記載のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの不活性構造体の製造方法。
【請求項１７】
前記酸素含有環境は、Ｏ２、Ｏ３、ＣＯ２、ＣＯ、Ｎ２Ｏ、Ｄ２Ｏ、及び／又はＮＯを含むことを特徴とする請求項１５に記載のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの不活性構造体の製造方法。
【請求項１８】
前記アニールするステップは、前記不活性層の下の構造体を酸化するには不十分であるが前記不活性層から少なくとも一部の水素を除去するには十分なある温度及び時間で実施されることを特徴とする請求項１５に記載のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの不活性構造体の製造方法。
【請求項１９】
前記ＩＩＩ族窒化物半導体材料は、ＧａＮベースの材料を含むことを特徴とする請求項１５に記載のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの不活性構造体の製造方法。
【請求項２０】
ＩＩＩ族窒化物半導体材料からなる領域の表面の少なくとも一部分上に直接に不活性層を形成するステップと、
該不活性層をＤ２及び／又はＤ２Ｏ中でアニールするステップとを含み、
前記不活性層は、ＭｇＮを含むことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの不活性構造体の製造方法。
【請求項２１】
前記アニールするステップは、前記不活性層の下の構造体を酸化するには不十分であるが前記不活性層から少なくとも一部の水素を除去するには十分な、あるいは前記不活性層中の少なくとも一部の水素を重水素で置換するには十分なある温度及び時間で実施されることを特徴とする請求項２０に記載のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの不活性構造体の製造方法。
【請求項２２】
前記ＩＩＩ族窒化物半導体材料は、ＧａＮベースの材料を含むことを特徴とする請求項２０に記載のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの不活性構造体の製造方法。
【請求項２３】
ＩＩＩ族窒化物ベースのチャネル層と、
該チャネル層上に設けられたＩＩＩ族窒化物ベースのバリア層と、
該バリア層上に設けられた保護層と、
前記バリア層上に設けられたゲートコンタクトと、
前記保護層上に設けられたオーミックコンタクトとを備え、
前記保護層は、ＭｇＮを含むことを特徴とするＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタ。
【請求項２４】
前記保護層は、約１単分子層の厚さを有することを特徴とする請求項２３に記載のＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタ。
【請求項２５】
前記保護層は、多層を含むことを特徴とする請求項２３に記載のＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタ。
【請求項２６】
前記ゲートコンタクトは、前記保護層上にあることを特徴とする請求項２３に記載のＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタ。
【請求項２７】
前記オーミックコンタクトは、前記保護層の直上にあることを特徴とする請求項２３に記載のＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタ。
【請求項２８】
ＩＩＩ族窒化物ベースのチャネル層と、
該チャネル層上に設けられたＩＩＩ族窒化物ベースのバリア層と、
該バリア層上に設けられた保護層と、
前記バリア層上に設けられたゲートコンタクトと、
前記保護層上に設けられたオーミックコンタクトとを備え、
前記保護層が、約１Åから約１０Åの厚さを有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタ。
【請求項２９】
ＩＩＩ族窒化物ベースのチャネル層を形成するステップと、
該チャネル層上にＩＩＩ族窒化物ベースのバリア層を形成するステップと、
該バリア層上に保護層を形成するステップであって、前記保護層が約１Åから約１０Åの厚さに形成されるステップと、
前記バリア層上にゲートコンタクトを形成するステップと、
前記保護層上にオーミックコンタクトを形成するステップと
を含むことを特徴とするＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタの製造方法。
【請求項３０】
前記保護層を形成するステップは、前記バリア層を形成するステップと共に本来の場所で実施されることを特徴とする請求項２９に記載のＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタの製造方法。
【請求項３１】
前記保護層を形成するステップは、ＳｉＮ、ＢＮ、及び／又はＭｇＮを含む層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項２９に記載のＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタの製造方法。
【請求項３２】
前記保護層は、約１単分子層の厚さに形成されることを特徴とする請求項２９に記載のＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタの製造方法。
【請求項３３】
前記保護層を形成するステップは、多層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項２９に記載のＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタの製造方法。
【請求項３４】
前記多層を形成するステップは、ＳｉＮの層を形成するステップと、ＡｌＮの層を形成するステップとを含むことを特徴とする請求項３３に記載のＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタの製造方法。
【請求項３５】
ＩＩＩ族窒化物ベースのチャネル層を形成するステップと、
該チャネル層上にＩＩＩ族窒化物ベースのバリア層を形成するステップと、
該バリア層上に保護層を形成するステップであって、前記保護層がＭｇＮを含むステップと、
前記バリア層上にゲートコンタクトを形成するステップと、
前記保護層上にオーミックコンタクトを形成するステップと
を含むことを特徴とするＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタの製造方法。