【手続補正書】
【提出日】令和1年8月22日(2019.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイレクトハイブリッドボンド表面の形成方法であって、
第１の基板の上側表面に、第１の複数の金属接触構造体を形成することであって、前記第１の複数の金属接触構造体の上面は、前記上側表面の下方にある、ことと、
前記上側表面と前記第１の複数の金属接触構造体を覆う、導電性バリア材料の第１の層を形成することであって、前記導電性バリア材料の第１の層は、前記上側表面を覆う第１の露出部分を含む、ことと、
前記導電性バリア材料の第１の層の前記第１の露出部分を前記上側表面から除去して、前記第１の複数の金属接触構造体上に前記導電性バリア材料の第１の層の第２の露出部分を残し、前記ダイレクトハイブリッドボンド表面を形成するように構成することであって、前記導電性バリア材料の第１の層の前記第２の露出部分は、前記上側表面の下方に配置された露出上面を含む、ことと、を含む、方法。
【請求項２】
前記複数の金属接触構造体上の前記導電性バリア材料の前記露出上面は、前記除去後に前記基板の前記上側表面より２０ｎｍ未満下方にある、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数の金属接触構造体上の前記導電性バリア材料の前記露出上面は、前記除去後に前記基板の前記上側表面より約１〜１０ｎｍ下方にある、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記金属接触構造体の前記上面を、前記上側表面より約５〜４０ｎｍ下方に形成することを含み、前記複数の金属接触構造体上の前記導電性バリア材料の前記露出上面は、前記除去後に前記上側表面より１〜１０ｎｍ下方にある、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
導電性バリア材料の第２の層を、前記金属接触構造体の底部及び側面に形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記導電性バリア材料の第１の層及び第２の層を形成して、前記金属接触構造体の全体を取り囲むことを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記基板上の誘電体層に前記金属接触構造体を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
基板のボンディング方法であって、
第１及び第２の基板のそれぞれの上側表面に、第１及び第２の複数の金属接触構造体を形成することであって、前記第１の複数の金属接触構造体の第１の上面は、前記第１の基板の前記上側表面の下方にあり、前記第２の複数の金属接触構造体の第２の上面は、前記第２の基板の前記上側表面の下方にある、ことと、
前記それぞれの上側表面と前記第１及び第２の複数の金属接触構造体を覆う、導電性バリア材料のそれぞれの第１の層を形成することであって、前記導電性バリア材料のそれぞれの第１の層は、前記第１及び第２の基板の前記それぞれの上側表面を覆うそれぞれの第１の露出部分を含む、ことと、
前記導電性バリア材料の第１の層の前記第１の露出部分を、前記第１及び第２の基板の前記上側表面から除去して、前記第１及び第２の複数の金属接触構造体上に、前記導電性バリア材料のぞれぞれの第２の露出部分を残すことであって、前記導電性バリア材料の前記第１の層の前記第２の露出部分は、前記それぞれの上側表面の下方に配置された露出上面を含む、ことと、
前記第１の基板の前記上側表面を、前記第２の基板の前記上側表面に直接ボンディングすることと、
前記第１の複数の金属接触構造体上の前記導電性バリア材料の残り部分を、前記第２の複数の金属接触構造体上の前記導電性材料のそれぞれの残り部分に直接ボンディングすることと、を含む、方法。
【請求項９】
前記第１及び第２の上面を、それぞれ前記第１及び第２の基板の前記上側表面より約５〜４０ｎｍ下方に形成することを含み、前記第１及び第２の複数の金属接触構造体上の前記導電性バリア材料の上面は、前記除去後に前記第１及び第２の上面よりそれぞれ１〜１０ｎｍ下方にある、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
導電性バリア材料のそれぞれの第２の層を、前記第１及び第２の複数の金属接触構造体の底部及び側面に形成することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記導電性バリア材料の第１の層及び第２の層を形成して、前記金属接触構造体の全体を取り囲むことを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１及び第２の基板上のそれぞれの誘電体層に、前記第１及び第２の複数の金属接触構造体を形成することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記複数の金属接触構造体上の前記導電性バリア材料の上面が、それぞれ前記第１及び第２の基板の前記上側表面より２０ｎｍ未満下方にあるように、前記導電性バリア材料の第１の層を除去することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１及び第２の複数の金属接触構造体上の前記導電性バリア材料の上面が、それぞれ前記第１及び第２の基板の前記上側表面より約１〜１０ｎｍ下方にあるように、前記導電性バリア材料のそれぞれの第１の層を除去することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
前記上側表面を覆う前記導電性バリア材料の第１の層を形成することは、前記上側表面の全体を覆うことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
素子のダイレクトハイブリッドボンド表面を含む構造体であって、前記ダイレクトハイブリッドボンド表面は、
誘電体層と、
導電性接触構造体と、
前記導電性接触構造体のそれぞれの上側表面に直接形成した第１の導電性バリア材料層と、を含み、
前記第１の導電性バリア材料層の上側表面は、前記誘電体層の上側表面より下方にくぼんでおり、前記第１の導電性バリア材料層の前記上側表面は、別の素子に接触するように構成された接触面を含む、構造体。
【請求項１７】
前記導電性接触構造体の上面は、前記誘電体層の前記上側表面より約５〜４０ｎｍ下方にある、請求項１６に記載の構造体。
【請求項１８】
前記導電性接触構造体の底部及び側面に導電性バリア材料の第２の層を含む、請求項１６に記載の構造体。
【請求項１９】
前記導電性バリア材料の第１及び第２の層は、前記導電性接触構造体の全体を取り囲んでいる、請求項１６に記載の構造体。
【請求項２０】
第１及び第２のそれぞれの素子上の第１及び第２のダイレクトハイブリッドボンド表面を含む、ボンド構造であって、前記第１及び第２のダイレクトハイブリッドボンド表面のそれぞれは、
誘電体層と、
導電性接触構造体と、
前記導電性接触構造体のそれぞれの上側表面に直接形成した第１の導電性バリア材料層であって、接触面を含む第１の導電性バリア材料層と、を含み、
前記第１の導電性バリア材料層は、前記第１及び第２のハイブリッドボンド表面のそれぞれの前記導電性接触構造体の前記上側表面間に配置され、
前記第１及び第２のダイレクトハイブリッドボンド表面の前記誘電体層は、互いに直接接触し、かつ直接ボンディングされており、前記第１及び第２のダイレクトハイブリッドボンド表面の前記第１の導電性バリア材料層は互いに直接接触している、ボンド構造。
【請求項２１】
前記導電性接触構造体の底部及び側面に配置された第２の導電性バリア材料層を含む、請求項２０に記載の構造。
【請求項２２】
前記第１及び第２の導電性バリア材料層は、前記導電性接触構造体の全体を取り囲んでいる、請求項２１に記載の構造。
【請求項２３】
前記誘電体層は、前記第１の導電性バリア材料層の周囲に配置されている、請求項２０に記載の構造。
【請求項２４】
前記導電性接触構造体の前記側面上の第２の導電性バリア材料層が、前記誘電体層のボンド表面と非平行に延びる前記導電性構造体の周辺部の少なくとも一部に沿って配置されている、請求項２３に記載の構造。
【請求項２５】
前記第１の導電性バリア材料層は、上側表面を含み、前記第１及び第２のダイレクトハイブリッドボンド表面の前記導電性バリア材料層は、前記上側表面において互いに直接接触している、請求項２０に記載の構造。
【請求項２６】
前記第１の導電性バリア材料層のそれぞれは、前記第１の導電性バリア材料層の前記上側表面に対向する下側表面を含み、前記下側表面は、前記導電性接触構造体と直接接触している、請求項２５に記載の構造。
【請求項２７】
前記第１の導電性バリア材料層の前記上側表面は、前記第１及び第２のダイレクトハイブリッドボンド表面とほぼ同一平面上にある、請求項２５に記載の構造。
【請求項２８】
前記第１の導電性バリア材料層の前記上側表面は、前記誘電体層の前記上側表面より約１〜１０ｎｍ下方にくぼんでいる、請求項１６に記載の構造体。
【請求項２９】
前記第１の導電性バリア材料層の前記上側表面は、前記第１の導電性バリア材料層の前記上側表面上に空洞が形成されるようにくぼんでいる、請求項１６に記載の構造体。