【手続補正書】
【提出日】平成19年7月18日(2007.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板からなり液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室が形成される流路形成基板が複数一体的に形成される流路形成基板用ウェハの一方面に振動板を介して圧電素子を形成する圧電素子形成工程と、
フッ硝酸をエッチング液として前記流路形成基板用ウェハの他方面側をエッチングするエッチング工程を少なくとも含み当該流路形成基板用ウェハを所定の薄さに形成する薄板化工程と、
前記流路形成基板用ウェハの少なくとも他方面をオゾン水を用いて洗浄する工程と、フッ酸溶液を用いて洗浄する工程とを交互に行う洗浄工程と、
前記流路形成基板用ウェハの他方面に所定パターンで保護膜を形成すると共に該保護膜を介して前記流路形成基板用ウェハをウェットエッチングすることにより前記圧力発生室を形成する圧力室形成工程と、
前記流路形成基板用ウェハと前記保護基板用ウェハとの接合体を所定の大きさに分割する分割工程とを具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液体噴射ヘッドの製造方法において、オゾン水とフッ酸溶液とを交互に吹き付ける前記洗浄工程を、オゾン水を用いて洗浄する工程で終了することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液体噴射ヘッドの製造方法において、前記洗浄工程では、スピン洗浄により前記流路形成基板用ウェハの表面を洗浄することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法において、前記薄板化工程が、前記流路形成基板用ウェハの他方面側を研削する研削工程を含むことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法において、前記薄板化工程の前に、前記圧電素子を保護するための空間である圧電素子保持部を有する保護基板が複数一体的に形成される保護基板用ウェハを前記流路形成基板用ウェハの前記一方面側に接合する接合工程をさらに具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の液体噴射ヘッドの製造方法において、前記接合工程では、前記流路形成基板用ウェハと前記保護基板用ウェハとを接着剤によって接合し、且つ前記洗浄工程では、前記オゾン水と前記フッ酸溶液とを用いて、前記流路形成基板用ウェハの他方面を洗浄すると共に前記流路形成基板用ウェハ及び前記保護基板用ウェハの側面にはみ出した前記接着剤を選択的に除去することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項７】
シリコンウェハの一方面をフッ硝酸からなるエッチング液でエッチングして前記シリコンウェハを所定の板厚にする薄板化工程と、前記シリコンウェハの少なくとも一方面をオゾン水を用いて洗浄する工程と、フッ酸溶液を用いて洗浄する工程とを交互に行う洗浄工程と、前記シリコンウェハの他方面に所定パターンで保護膜を形成すると共に該保護膜を介して前記シリコンウェハをウェットエッチングすることにより凹部を形成する凹部形成工程と、前記シリコンウェハを所定の大きさに分割してシリコン基板にする分割工程とを具備することを特徴とするシリコン基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載のシリコン基板の製造方法において、オゾン水とフッ酸溶液とを交互に吹き付ける前記洗浄工程を、オゾン水を用いて洗浄する工程で終了することを特徴とするシリコン基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、シリコン基板からなり液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室が形成される流路形成基板が複数一体的に形成される流路形成基板用ウェハの一方面に振動板を介して圧電素子を形成する圧電素子形成工程と、フッ硝酸をエッチング液として前記流路形成基板用ウェハの他方面側をエッチングするエッチング工程を少なくとも含み当該流路形成基板用ウェハを所定の薄さに形成する薄板化工程と、前記流路形成基板用ウェハの少なくとも他方面をオゾン水を用いて洗浄する工程と、フッ酸溶液を用いて洗浄する工程とを交互に行う洗浄工程と、前記流路形成基板用ウェハの他方面に所定パターンで保護膜を形成すると共に該保護膜を介して前記流路形成基板用ウェハをウェットエッチングすることにより前記圧力発生室を形成する圧力室形成工程と、前記流路形成基板用ウェハと前記保護基板用ウェハとの接合体を所定の大きさに分割する分割工程とを具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第１の態様では、フッ硝酸をエッチング液として流路形成基板用ウェハをエッチングすると、その表面にフッ素膜が形成されてしまうが、その後、上記洗浄工程を実施することで、このフッ素膜を比較的容易に除去することができる。したがって、保護膜を良好に形成することができ、この保護膜をマスクとして流路形成基板用ウェハをエッチングすることで、圧力発生室を高精度に形成することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第２の態様は、第１の態様の液体噴射ヘッドの製造方法において、オゾン水とフッ酸溶液とを交互に吹き付ける前記洗浄工程を、オゾン水を用いて洗浄する工程で終了することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第２の態様では、洗浄後に流路形成基板用ウェハの純水リンスを行う際、ウォーターマークの発生等が抑えられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の第３の態様は、第１又は２の態様の液体噴射ヘッドの製造方法において、前記洗浄工程では、スピン洗浄により前記流路形成基板用ウェハの表面を洗浄することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第３の態様では、流路形成基板用ウェハの他方面のみを選択的に洗浄することができ、洗浄液が他の部分に付着して悪影響を及ぼすことがない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第４の態様は、第１〜３の何れか一つの態様の液体噴射ヘッドの製造方法において、前記薄板化工程が、前記流路形成基板用ウェハの他方面側を研削する研削工程を含むことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第４の態様では、流路形成基板用ウェハを効率的に薄板化することができ、且つこの研磨の際に発生する研磨カス等も洗浄工程を実施することで確実に除去される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の第５の態様は、第１〜４の何れか一つの態様の液体噴射ヘッドの製造方法において、前記薄板化工程の前に、前記圧電素子を保護するための空間である圧電素子保持部を有する保護基板が複数一体的に形成される保護基板用ウェハを前記流路形成基板用ウェハの前記一方面側に接合する接合工程をさらに具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第５の態様では、圧電素子が保護基板によって保護されるため、薄板化工程で流路形成基板用ウェハを加工する際、あるいはその後の洗浄工程等において、圧電素子が破壊されてしまうのを防止できる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の第６の態様は、第５の態様の液体噴射ヘッドの製造方法において、前記接合工程では、前記流路形成基板用ウェハと前記保護基板用ウェハとを接着剤によって接合し、且つ前記洗浄工程では、前記オゾン水と前記フッ酸溶液とを用いて、前記流路形成基板用ウェハの他方面を洗浄すると共に前記流路形成基板用ウェハ及び前記保護基板用ウェハの側面にはみ出した前記接着剤を選択的に除去することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第６の態様では、流路形成基板用ウェハを洗浄する際に、はみ出した接着剤を比較的容易に除去することができ、製造効率が大幅に向上する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の第７の態様は、シリコンウェハの一方面をフッ硝酸からなるエッチング液でエッチングして前記シリコンウェハを所定の板厚にする薄板化工程と、前記シリコンウェハの少なくとも一方面をオゾン水を用いて洗浄する工程と、フッ酸溶液を用いて洗浄する工程とを交互に行う洗浄工程と、前記シリコンウェハの他方面に所定パターンで保護膜を形成すると共に該保護膜を介して前記シリコンウェハをウェットエッチングすることにより凹部を形成する凹部形成工程と、前記シリコンウェハを所定の大きさに分割してシリコン基板にする分割工程とを具備することを特徴とするシリコン基板の製造方法にある。
かかる第７の態様では、フッ硝酸をエッチング液としてシリコンウェハをエッチングすると、その表面にフッ素膜が形成されてしまうが、その後、上記洗浄工程を実施することで、このフッ素膜を比較的容易に除去することができる。したがって、保護膜を良好に形成することができ、この保護膜をマスクとしてシリコンウェハをエッチングすることで、凹部を高精度に形成することができる。
本発明の第８の態様は、第７の態様のシリコン基板の製造方法において、オゾン水とフッ酸溶液とを交互に吹き付ける前記洗浄工程を、オゾン水を用いて洗浄する工程で終了することを特徴とするシリコン基板の製造方法にある。
かかる第８の態様では、洗浄後にシリコン基板の純水リンスを行う際、ウォーターマークの発生等が抑えられる。