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【手続補正書】
【提出日】平成18年11月28日(2006.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体に磁界を印加する磁極と、前記磁気記録媒体の磁界印加領域を加熱する加熱手段とを有する熱アシスト磁気記録装置において、
前記磁気記録媒体は、基板と前記基板上に形成された記録層とを有し、前記記録層は硬磁性層であり、前記硬磁性層を構成する磁性粒子間の交換結合エネルギーは、常温では、前記磁性粒子の磁化が熱的に安定となるように大きく、記録時には、記録磁化遷移の傾きを急峻にするために、加熱により減少することを特徴とする熱アシスト磁気記録装置。
【請求項２】
請求項１記載の熱アシスト磁気記録装置において、前記硬磁性層の磁化Ｍと磁界Ｈの関係を表すＭＨループにおいて、保磁力近傍における前記ＭＨループの傾きを規格化した下記Aの値が、常温で１．５以上６未満であることを特徴とする熱アシスト磁気記録装置。
【数１】
2005332474.tif 000001
【請求項３】
請求項１記載の熱アシスト磁気記録装置において、記録時には、前記磁気記録媒体の磁界印加領域のAが前記加熱手段による加熱により略１となることを特徴とする熱アシスト磁気記録装置。
【請求項４】
請求項１記載の熱アシスト磁気記録装置において、前記磁性粒子間の交換結合エネルギーが常温で０．１３×１０−３Ｊ／ｍ２以上であることを特徴とする熱アシスト磁気記録装置。
【請求項５】
請求項１記載の熱アシスト磁気記録装置において、前記記録層は前記磁性粒子と粒界から構成されるＣｏＣｒ系合金層であり、前記粒界のＣｒ濃度が１５〜２０ａｔ％であることを特徴とする熱アシスト磁気記録装置。
【請求項６】
磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体に磁界を印加する磁極と、前記磁気記録媒体の磁界印加領域を加熱する加熱手段とを有する熱アシスト磁気記録装置において、
前記磁気記録媒体は、基板と前記基板上に形成された記録層を有し、前記記録層は磁性粒子と粒界から構成されるＣｏＣｒ系合金層であって前記粒界のＣｒ濃度が１５〜２０ａｔ％であり、
前記硬磁性の磁化Ｍと磁界Ｈの関係を表すＭＨループにおいて、保磁力近傍における前記ＭＨループの傾きを規格化した下記Aの値が、常温で１．５以上６未満であることを特徴とする熱アシスト磁気記録装置。
【数２】
2005332474.tif 000002
【請求項７】
請求項６記載の熱アシスト磁気記録装置において、記録時には、前記磁気記録媒体の磁界印加領域のAが前記加熱手段による加熱により略１となることを特徴とする熱アシスト磁気記録装置。
【請求項８】
請求項６記載の熱アシスト磁気記録装置において、前記磁性粒子間の交換結合エネルギーが常温で０．１３×１０−３Ｊ／ｍ２以上であることを特徴とする熱アシスト磁気記録装置。
【請求項９】
磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体に磁界を印加する磁極と、前記磁気記録媒体の磁界印加領域を加熱する手段を有する熱アシスト磁気記録装置において、
前記磁気記録媒体は、基板と前記基板上に形成された記録層を有し、前記記録層は磁性粒子と粒界から構成されるＣｏＣｒ系合金層であって前記粒界のＣｒ濃度が３０〜４０ａｔ％であり、
前記記録層の前記基板側に、膜厚が５ｎｍ以下の非晶質ＴｂＦｅＣｏ層、ＣｏＣｒ層、ＣｏＣｒとＰｔを積層した層、またはＣｏＣｒとＰｄを積層した層が設けられていることを特徴とする熱アシスト磁気記録装置。
【請求項１０】
請求項９記載の熱アシスト磁気記録装置において、前記磁気記録媒体の磁化Ｍと磁界Ｈの関係を表すＭＨループにおいて、保磁力近傍における前記ＭＨループの傾きを規格化した下記Aの値が、常温で１．５以上６未満であることを特徴とする熱アシスト磁気記録装置。
【数３】
2005332474.tif 000003
【請求項１１】
請求項９記載の熱アシスト磁気記録装置において、記録時には、前記磁気記録媒体の磁界印加領域のAが前記加熱手段による加熱により略１となることを特徴とする熱アシスト磁気記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月2日(2007.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のユークリッド距離を持つ状態遷移パスの組み合わせの発現を、記録系列の極性変化に対応して検出し、該状態遷移パスの尤度差を求め、前記尤度差を前記記録系列の極性に対応して個別に統計処理を行い、再生信号品位を示す評価指標を生成することを特徴とする再生信号評価方法。
【請求項２】
前記所定のユークリッド距離が最小ユークリッド距離であることを特徴とする請求項１に記載の再生信号評価方法。
【請求項３】
前記評価指標は前記尤度差の度数分布における標準偏差値であることを特徴とする請求項１に記載の再生信号評価方法。
【請求項４】
前記評価指標は前記尤度差の度数分布における所定閾値以下である個数の割合であることを特徴とする請求項１に記載の再生信号評価方法。
【請求項５】
前記評価指標は前記尤度差の度数分布における平均値であることを特徴とする請求項１に記載の再生信号評価方法。
【請求項６】
最尤復号を適用する情報記録再生装置において、所定のユークリッド距離を持つ状態遷移パスの組み合わせの発現を、記録系列の極性変化に対応して検出する検出回路と、該状態遷移パスの尤度差を求める演算器と、前記尤度差を前記記録系列の極性に対応して個別に統計処理を行い、再生信号品位を示す評価指標を演算する回路と、該評価指標に基づいて記録又は再生のパラメータを変更する回路とを備えることを特徴とする情報記録再生装置。
【請求項７】
前記所定のユークリッド距離が最小ユークリッド距離であることを特徴とする請求項６に記載の情報記録再生装置。
【請求項８】
前記評価指標は前記尤度差の度数分布における標準偏差値であることを特徴とする請求項６に記載の情報記録再生装置。
【請求項９】
前記評価指標は前記尤度差の度数分布における所定閾値以下である個数の割合であることを特徴とする請求項６に記載の情報記録再生装置。
【請求項１０】
前記評価指標は前記尤度差の度数分布における平均値であることを特徴とする請求項６に記載の情報記録再生装置。
【請求項１１】
前記パラメータは再生信号処理における波形等化器の等化定数であることを特徴とする請求項６に記載の情報記録再生装置。
【請求項１２】
前記パラメータは記録パルス列におけるパルスパワー値であることを特徴とする請求項６に記載の情報記録再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本発明は、上記目的を達成するため、所定のユークリッド距離を持つ状態遷移パスの組み合わせの発現を、記録系列の極性変化に対応して検出し、該状態遷移パスの尤度差を求め、前記尤度差を前記記録系列の極性に対応して個別に統計処理を行い、再生信号品位を示す評価指標を生成することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
また、本発明は、最尤復号を適用する情報記録再生装置において、所定のユークリッド距離を持つ状態遷移パスの組み合わせの発現を、記録系列の極性変化に対応して検出する検出回路と、該状態遷移パスの尤度差を求める演算器と、前記尤度差を前記記録系列の極性に対応して個別に統計処理を行い、再生信号品位を示す評価指標を演算する回路と、該評価指標に基づいて記録又は再生のパラメータを変更する回路とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月19日(2007.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１記載の光ディスク再生装置において、
前記制御部は、前記計時部が計時している時間が前記換算した時間に達すると、前記記憶部からオーディオデータの先頭部より読み出す制御をすることを特徴とする光ディスク再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図６（b）に示すo-aの区間は、光ディスクに記録された第１トラックのオーディオデータの通常再生を開始してから再生される再生音を示す。o-aの区間において、従来の光ディスク再生装置により光ディスクから読み取った第１トラックのオーディオデータがメモリに記憶され、メモリから読み出されたオーディオデータが通常再生される。a-bの区間は、DJがジョグダイヤルを反時計回り方向に回転させるときに再生される再生音を示す。a-bの区間において、従来の光ディスク再生装置は、ジョグダイヤルが反時計回りに回転されると、o-a区間で再生されたオーディオデータをメモリから降順アドレスで読み出し、読み出したオーディオデータを再生する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本願の請求項２記載の発明は、請求項１記載の光ディスク再生装置において、前記制御部は、前記計時部が計時している時間が前記換算した時間に達すると、前記記憶部からオーディオデータの先頭部より読み出す制御をすることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月17日(2007.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリンタと通信可能になる文書操作端末であって、
前記プリンタでの印刷実行に用いられる文書を作成する文書操作手段と、
当該文書操作手段の操作情報を、当該文書操作手段の操作中に取得する操作情報取得手段と、
当該操作情報取得手段で取得した操作情報に基づいて前記文書操作手段で作成される文書の印刷用データを作成する印刷データ作成手段と、
当該印刷データ作成手段で作成された印刷用データの各素材を保持するレンダリング情報保持手段と、
前記印刷データ作成手段で作成された印刷用データを前記プリンタに送信するデータ送信手段と、を有することを特徴とする文書操作端末。
【請求項２】
プリンタと通信可能になる文書操作端末であって、
前記プリンタでの印刷実行に用いられる文書を作成する文書操作手段と、
当該文書操作手段の操作情報を、当該文書操作手段の操作中に取得する操作情報取得手段と、
当該操作情報取得手段で取得した操作情報のなかから所定の操作情報を選択する操作情報選択手段と、
当該操作情報選択手段で選択した操作情報に基づいて前記文書操作手段で作成される文書の印刷用データを作成する印刷データ作成手段と、
前記印刷データ作成手段で作成された印刷用データを前記プリンタに送信するデータ送信手段と、を有することを特徴とする文書操作端末。
【請求項３】
プリンタと通信可能になる文書操作端末であって、
前記プリンタでの印刷実行に用いられる文書を作成する文書操作手段と、
当該文書操作手段の操作情報を、当該文書操作手段の操作中に取得する操作情報取得手段と、
前記文書操作手段を実現するコンピュータのＣＰＵの負荷情報を取得するＣＰＵ負荷情報取得手段と、
当該ＣＰＵ負荷情報取得手段で取得したＣＰＵの負荷情報に基づいて前記操作情報取得手段で取得した操作情報のなかから所定の操作情報を選択する操作情報選択手段と、
当該操作情報選択手段で選択した操作情報に基づいて前記文書操作手段で作成される文書の印刷用データを作成する印刷データ作成手段と、
前記印刷データ作成手段で作成された印刷用データを前記プリンタに送信するデータ送信手段と、を有することを特徴とする文書操作端末。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月16日(2007.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚のディスクを保持可能なディスク保持部材と、ディスク保持部材を分割するために前記ディスク保持部材に挿入される割入れ部材と、前記ディスク保持部材を前記割入れ部材を挿入する位置まで昇降すると共に、再生部を進入可能に、前記ディスク保持部の少なくとも一部を昇降する昇降機構と、を備えることを特徴とするディスクオートチェンジャ。
【請求項２】
前記昇降機構を昇降方向にシフトさせて前記ディスク保持部材を移動させると共に、その移動を前記割入れ部材に対向する位置にて少なくとも停止させるためのシフト位置の検出を行う検出部と、前記の再生すべきディスク番号を記憶する記憶部と、該記憶部および前記検出部の各出力に従って前記割入れ部材および前記昇降機構をそれぞれ駆動制御する制御部と、をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のディスクオートチェンジャ。
【請求項３】
前記制御部は、前記複数のディスクの各々がとるべき少なくとも１つの前記シフト位置と、各前記ディスク番号との対応テーブルを保有することを特徴とする請求項２に記載のディスクオートチェンジャ。
【請求項４】
前記検出部は、固定のベース部材と、該固定のベース部材に設けられかつ前記制御部に接続されるセンス部と、からなり、該センス部は、前記昇降機構の前記シフト位置を検出することを特徴とする請求項２に記載のディスクオートチェンジャ。
【請求項５】
前記検出部は、前記ベース部材と、該ベース部材に設けられかつそれぞれ前記制御部に接続されるセンス部と、からなり、該センス部は、各前記ディスク保持部材が停止すべき前記昇降方向の所定位置にそれぞれ対応させた前記シフト位置に配置されると共に、前記ベース部材は、各前記ディスク保持部材毎に対応させたシフト位置に移動可能であることを特徴とする請求項２に記載のディスクオートチェンジャ。
【請求項６】
前記記憶部は、前記の再生すべきディスク番号を記憶する不揮発性メモリにより構成することを特徴とする請求項２に記載のディスクオートチェンジャ。
【請求項７】
前記記憶部は、前記制御部の出力に基づいて駆動される駆動機構と、該駆動機構の動的変化を検出するセンサと、からなり、該センサの出力値から前記の再生すべきディスク番号を割り出すことを特徴とする請求項２に記載のディスクオートチェンジャ。
【請求項８】
前記ディスクオートチェンジャはディスクへの記録を行うことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のディスクオートチェンジャ。
【請求項９】
複数枚のディスクを保持可能なディスク保持部材と、該ディスク保持部材を支持する台座部材と、該台座部材を昇降させる昇降機構と、該昇降機構によって位置付けられるディスク保持部材の所定位置に挿入される割入れ部材とを有し、前記昇降機構は、割入れ部材の前記ディスク保持部材への挿入が行われた後、前記台座部材を下降することを特徴とするディスクオートチェンジャ。
【請求項１０】
複数枚のディスクを保持可能なディスク保持部材と、該ディスク保持部材の分割空間に進出可能な再生部と、前記ディスク保持部材を支持する台座部材と、該台座部材を昇降させる昇降機構と、該昇降機構によって位置付けられるディスク保持部材の所定位置に挿入される割入れ部材とを有し、前記昇降機構は、前記割入れ部材の前記ディスク保持部材への挿入が行われた後、前記台座部材を下降させて、前記割入れ部材により支持されるディスク保持部材と、前記台座部材により支持されるディスク保持部材とに、前記ディスク保持部材を分割し、形成されたその分割空間において前記再生部によりディスクを再生することを特徴とするディスクオートチェンジャ。
【請求項１１】
前記台座部材の位置を検出する位置検出部を備え、該位置検出部に基づき、所望するディスク収納部の分割位置に相当する位置に前記台座部材を移動するように前記昇降機構を制御する制御部を有することを特徴とする請求項９または１０に記載のディスクオートチェンジャ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月12日(2007.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電池容器に開閉可能な液口栓を備えたことを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項２】  電池容器に開閉可能な液口栓を備え、充放電サイクル経過により放電容量が低下した場合に電解液を再注液することを特徴とする非水電解質二次電池の使用方法。
【請求項３】  電池の放電容量が１サイクル目の９０％以下になった場合に電解液を再注液することを特徴とする請求項２に記載の非水電解質二次電池の使用方法。
【請求項４】 再注液の電解液量が電池製作時に注液した電解液量の５〜２５％とすることを特徴とする請求項２に記載の非水電解質二次電池の使用方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また本発明は、非水電解質二次電池の使用方法において、電池容器に開閉可能な液口栓を備え、充放電サイクル経過により放電容量が低下した場合に電解液を再注液することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに本発明は、上記非水電解質二次電池の使用方法において、電池の放電容量が１サイクル目の９０％以下になった場合に電解液を再注液することを特徴とし、また、再注液の電解液量が電池製作時に注液した電解液量の５〜２５％とすることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明になる非水電解質二次電池は、開閉可能な液口栓を備えていることを特徴とし、この液口栓は気密状態を保つように構成されていなければならない。本発明になる非水電解質二次電池において、電池ケースの開閉可能な液口栓を備えた面の面積を５ｃｍ２以上とすることが好ましいが、その理由は、電池ケースの液口栓を備えた面の面積が５ｃｍ２以下の場合、開閉可能な液口栓を非常に小さくしなければならず、コストの面でも、注液の作業性の面からも好ましくないためである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月30日(2007.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被取付部に埋め込んで使用される照明器具において、 
長手方向の両端面に入射面、この入射面の間に出射面及びこの出射面に対向する裏側の面に粗面を有する細長の導光部材と、照射方向が前記導光部材の入射面に向けて配設された光源と、
を備えることを特徴とする照明器具。
【請求項２】 導光部材を、入射面の間で折り曲げた形状としたことを特徴とする請求項１記載の照明器具。
【請求項３】 導光部材を角柱形状とし、出射面は前記角柱の隣り合った二面としたことを特徴とする請求項１記載の照明器具。
【請求項４】 導光部材の出射面を曲面としたことを特徴とする請求項１記載の照明器具。
【請求項５】 導光部材の入射面に光源を支持する支持穴を設けたことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の照明器具。
【請求項６】 導光部材の入射面と出射面以外の面を高反射シートで覆ったことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の照明器具。
【請求項７】光源をＬＥＤとすることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の照明器具。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明に係わる照明器具は、被取付部に埋め込んで使用される照明器具において、長手方向の両端面に入射面、この入射面の間に出射面及びこの出射面に対向する裏側の面に粗面を有する細長の導光部材と、照射方向が前記導光部材の入射面に向けて配設された光源と、を備えるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、光源をＬＥＤとするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【発明の効果】
この発明に係わる照明器具は、被取付部に埋め込んで使用される照明器具において、長手方向の両端面に入射面、この入射面の間に出射面及びこの出射面に対向する裏側の面に粗面を有する細長の導光部材と、照射方向が前記導光部材の入射面に向けて配設された光源と、を備えるので、少ない光源で発光域をある程度自由に設定して、発光距離を長くしたり被取付場所の形状に応じた形状にして適用範囲を広くすることができ、消費電力が少なく、また、発光ムラが少なく、まぶしさを防ぐことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
また、光源をＬＥＤとするので、コンパクトにでき消費電力を少なくすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月19日(2007.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 第１の導光板と、
前記第１の導光板に光束を入力する第１の発光手段と、
第２の導光板と、
前記第２の導光板に光束を入力する第２の発光手段と、
前記第１の発光手段および前記第２の発光手段を点灯、消灯制御する制御手段と、
前記第１の導光板と第２の導光板の光出射側に配置された液晶表示パネルとを具備し、
前記制御手段は前記第１および第２の発光手段の点灯、消灯を、前記液晶表示パネルの画像書き込み位置に対応して行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】  導光板と、
前記導光板の実質上、上端部に配置または形成された第１の発光手段と、
前記導光板の実質上、下端部に配置または形成された第２の発光手段と、
前記第１の発光手段および前記第２の発光手段を点灯、消灯制御する制御手段と、
前記導光板の光出射側に配置された液晶表示パネルとを具備し、
前記制御手段は前記第１および第２の発光手段の点灯、消灯を、前記液晶表示パネルの画像書き込み位置に対応して行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】  前記液晶表示パネルの画像書込み位置が画面の上半分では、前記第１の発光手段を消灯させ、前記第２の発光手段を点灯させ、
前記液晶表示パネルの画像書込み位置が画面の下半分では、前記第１の発光手段を点灯させ、前記第２の発光手段を消灯させることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】  前記導光板は、断面がくさび状であることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項５】  前記第１の発光手段と前記第２の発光手段の点灯時間を加えた時間Ｔ1 は、前記液晶表示パネルが１画面を書き換える時間ｔに対して以下の関係を満足することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
（１／４）≦Ｔ1 ／ｔ＜（３／４）
【請求項６】  前記液晶表示パネルの書き換え周期は７０Ｈｚ以上１５０Ｈｚ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示パネルを用いた液晶表示装置に関し、例えば動画ボケ等の画質改善をする表示パネルの照明装置とそれを用いた映像表示装置、直視型でも反射型でも良好な画像を表示できる表示パネルおよびこれらを用いた直視型表示装置、携帯端末、ビューファインダ、ビデオカメラおよび投射型表示装置等に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は以上のような課題に鑑みてなされたもので、動画ボケの発生しない液晶表示装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、第１の本発明は、第１の導光板と、
前記第１の導光板に光束を入力する第１の発光手段と、
第２の導光板と、
前記第２の導光板に光束を入力する第２の発光手段と、
前記第１の発光手段および前記第２の発光手段を点灯、消灯制御する制御手段と、
前記第１の導光板と第２の導光板の光出射側に配置された液晶表示パネルとを具備し、
前記制御手段は前記第１および第２の発光手段の点灯、消灯を、前記液晶表示パネルの画像書き込み位置に対応して行うことを特徴とする液晶表示装置である。
また、第２の本発明は、導光板と、
前記導光板の実質上、上端部に配置または形成された第１の発光手段と、
前記導光板の実質上、下端部に配置または形成された第２の発光手段と、
前記第１の発光手段および前記第２の発光手段を点灯、消灯制御する制御手段と、
前記導光板の光出射側に配置された液晶表示パネルとを具備し、
前記制御手段は前記第１および第２の発光手段の点灯、消灯を、前記液晶表示パネルの画像書き込み位置に対応して行うことを特徴とする液晶表示装置である。
また、第３の本発明は、前記液晶表示パネルの画像書込み位置が画面の上半分では、前記第１の発光手段を消灯させ、前記第２の発光手段を点灯させ、
前記液晶表示パネルの画像書込み位置が画面の下半分では、前記第１の発光手段を点灯させ、前記第２の発光手段を消灯させることを特徴とする第１または第２の本発明の液晶表示装置である。
また、第４の本発明は、前記導光板は、断面がくさび状であることを特徴とする第２の本発明の液晶表示装置である。
また、第５の本発明は、前記第１の発光手段と前記第２の発光手段の点灯時間を加えた時間Ｔ1 は、前記液晶表示パネルが１画面を書き換える時間ｔに対して以下の関係を満足することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置である。
（１／４）≦Ｔ1 ／ｔ＜（３／４）
また、第６の本発明は、前記液晶表示パネルの書き換え周期は７０Ｈｚ以上１５０Ｈｚ以下であることを特徴とする第１〜第５の本発明のいずれかの液晶表示装置である。
また、以下に示す他の本発明は、本発明に関連する技術の発明である。
他の本発明は、ライン状の光発生手段と、
前記光発生手段からスリット状に光を出射させる遮光手段と、
前記光発生手段または前記遮光手段を回転中心で回転させる回転手段と、
前記スリットから出射された光を導光する導光板とを具備することを特徴とする照明装置である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
以下、図面等を参照しながら本発明の液晶表示装置等について順次説明していく。（図１）は本発明の照明装置１６の平面図を示したものである。導光板（導光部材）１４はアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂などの有機樹脂あるいはガラス基板等から構成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４１２】
（１／４）≦Ｔ1／ｔ＜（３／４）          （数式１３）
上式において、Ｔ1／ｔの値が小さくなるほど画面は暗くなるが、動画表示能力は向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月25日(2007.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電層を形成し、
前記導電層を選択的にエッチングして第１のテーパー形状を有する導電層を形成し、
前記第１のテーパー形状を有する導電層をマスクとして一導電型の不純物元素を前記半導体層にドーピングして第１の不純物領域を形成し、
前記第１のテーパー形状を有する導電層を選択的にエッチングして第２のテーパー形状を有する導電層を形成し、
前記第２のテーパー形状を有する導電層をマスクとして一導電型の不純物元素を前記半導体層にドーピングして第２の不純物領域を形成し、
前記第２の不純物領域に含まれる一導電型の不純物元素の濃度は、前記第１の不純物領域に含まれる一導電型の不純物元素の濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ｎチャネル型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタを形成する半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電層を形成し、
前記導電層を選択的にエッチングして第１のテーパー形状を有する導電層を形成し、
前記第１のテーパー形状を有する導電層をマスクとして一導電型の不純物元素を前記半導体層にドーピングして第１の不純物領域を形成し、
前記第１のテーパー形状を有する導電層を選択的にエッチングして第２のテーパー形状を有する導電層を形成し、
前記第２のテーパー形状を有する導電層をマスクとして一導電型の不純物元素を前記半導体層にドーピングして第２の不純物領域を形成し、
前記第２の不純物領域に含まれる一導電型の不純物元素の濃度は、前記第１の不純物領域に含まれる一導電型の不純物元素の濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
ｎチャネル型薄膜トランジスタとｐチャネル型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタとｐチャネル型薄膜トランジスタを形成するそれぞれの半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電層を形成し、
前記導電層を選択的にエッチングして第１のテーパー形状を有する導電層をそれぞれ形成し、
前記第１のテーパー形状を有する導電層をマスクとして一導電型の不純物元素を前記ｎチャネル型およびｐチャネル型薄膜トランジスタの半導体層にドーピングして第１の不純物領域を形成し、
前記第１のテーパー形状を有する導電層を選択的にエッチングして第２のテーパー形状を有する導電層をそれぞれ形成し、
前記第２のテーパー形状を有する導電層をマスクとして一導電型の不純物元素を前記ｎチャネル型およびｐチャネル型薄膜トランジスタの半導体層にドーピングして第２の不純物領域を形成し、
前記第２のテーパー形状を有する導電層をマスクとして一導電型とは逆の導電型の不純物元素をｐチャネル型薄膜トランジスタの半導体層にドーピングし、
前記ｎチャネル型およびｐチャネル型薄膜トランジスタにおいて、前記第２の不純物領域に含まれる一導電型の不純物元素の濃度は、前記第１の不純物領域に含まれる一導電型の不純物元素の濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
画素部を有する半導体装置の作製方法であって、
前記画素部の各画素に設けられる薄膜トランジスタを形成する半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電層を形成し、
前記導電層を選択的にエッチングして第１のテーパー形状を有する導電層を形成し、
前記第１のテーパー形状を有する導電層をマスクとして一導電型の不純物元素を前記半導体層にドーピングして第１の不純物領域を形成し、
前記第１のテーパー形状を有する導電層を選択的にエッチングして第２のテーパー形状を有する導電層を形成し、
前記第２のテーパー形状を有する導電層をマスクとして一導電型の不純物元素を前記半導体層にドーピングして第２の不純物領域を形成し、
前記第２の不純物領域に含まれる一導電型の不純物元素の濃度は、前記第１の不純物領域に含まれる一導電型の不純物元素の濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第２の不純物領域の一部は、前記第２のテーパー形状を有する導電層と重なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１のテーパー形状を有する導電層のテーパー角は、１５度〜３０度で形成し、
前記第２のテーパー形状を有する導電層のテーパー角は、３０度〜６０度で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記導電層は、タングステン、タンタル、チタンから選ばれた元素、または前記元素を成分とする化合物或いは合金で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月25日(2007.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に活性層と、前記活性層上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上にゲート配線と、前記ゲート配線の側面および上面を覆う金属膜と、と有し、
前記活性層は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を挟んで第１不純物領域と、前記チャネル形成領域および前記第１不純物領域を挟んで第２不純物領域と、前記チャネル形成領域、前記第１不純物領域および前記第２不純物領域を挟んで第３不純物領域とを有し、
前記ゲート配線は、前記チャネル形成領域と重なって形成されており、
前記第１不純物領域の幅は、前記ゲート配線の側面に形成された金属膜の厚さによって決定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴで形成されるＣＭＯＳ回路を含む半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴは、それぞれ活性層と、前記活性層上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上にゲート配線と、前記ゲート配線の側面および上面を覆う金属膜と、を有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴの活性層は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を挟んで第１不純物領域と、前記チャネル形成領域および前記第１不純物領域を挟んで第２不純物領域と、前記チャネル形成領域、前記第１不純物領域および前記第２不純物領域を挟んで第３不純物領域とを有し、
前記ゲート配線は、前記チャネル形成領域と重なって形成されており、
前記第１不純物領域の幅は、前記ゲート配線の側面に形成された金属膜の膜厚によって決定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ｎチャネル型ＴＦＴと、ｐチャネル型ＴＦＴとで形成されるＣＭＯＳ回路を含む半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴは、それぞれ活性層と、前記活性層上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上にゲート配線と、前記ゲート配線の側面および上面を覆う金属膜と、を有し、
前記ｎチャネル型ＴＦＴの活性層は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を挟んで第１不純物領域と、前記チャネル形成領域および前記第１不純物領域を挟んで第２不純物領域と、前記チャネル形成領域、前記第１不純物領域および前記第２不純物領域を挟んで第３不純物領域とを有し、
前記チャネル形成領域の長さと前記ゲート配線の幅、前記第１不純物領域の幅と前記金属膜の膜厚は前記ゲート絶縁膜を介して一致していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に形成された半導体層を結晶化した後、活性層を形成し、
前記活性層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート配線を形成し、
前記ゲート配線をマスクにして前記活性層に不純物を添加することにより第１不純物領域を形成し、
電解めっき法により前記ゲート配線の側面および上部に金属膜を形成し、
前記金属膜をマスクにして前記活性層に不純物を添加することにより第２の不純物領域を形成し、
前記金属膜を覆うレジストマスクを形成し、前記レジストマスクをマスクにして前記活性層に不純物を添加することにより第３の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、半導体層を結晶化する方法は、熱結晶化、レーザー結晶化、触媒を用いる結晶化から選ばれたいずれか一つまたは複数の方法で行うことをことを特徴とする半導体装置作製方法。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上に形成された半導体層に触媒元素を添加し、前記半導体層を熱処理して結晶化した後、活性層を形成し、
前記活性層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート配線を形成し、
前記ゲート配線をマスクにして前記活性層に不純物を添加することにより第１不純物領域を形成し、
電解めっき法により前記ゲート配線の側面および上部に金属膜を形成し、
前記金属膜をマスクにして前記活性層に不純物を添加することにより第２の不純物領域を形成し、
前記金属膜を覆うレジストマスクを形成し、前記レジストマスクをマスクにして前記活性層に不純物を添加することにより第３の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月11日(2007.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記録再生装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ディスクから読み出されたオーディオデータである非圧縮データを記憶媒体に記録する記録手段と、
上記記憶媒体からデータを読み出す読み出し手段と、
上記非圧縮データを上記記録手段が上記記憶媒体に記録しているときに、上記読み出し手段により読み出された上記記憶媒体に記録されたデータを再生する再生手段と、
上記読出し手段が読み出した上記非圧縮データを圧縮して圧縮データを生成する圧縮手段と、
上記記録手段が上記記憶媒体に上記圧縮データを記録するよう制御する制御手段と
を備える記録再生装置。
【請求項２】  上記制御手段は、上記圧縮データが上記記憶媒体に記憶されたときには、上記非圧縮データを所定のデータ量ごとに消去することを特徴とする請求項１記載の記録再生装置。
【請求項３】  上記圧縮手段は、上記非圧縮データを圧縮してＭＰＥＧデータを生成することを特徴とする請求項１記載の記録再生装置。
【請求項４】  上記圧縮手段は、上記非圧縮データを圧縮してＡＴＲＡＣデータを生成することを特徴とする請求項１記載の記録再生装置。
【請求項５】  上記圧縮データを暗号化する暗号化手段をさらに有し、
上記制御手段は、上記記録手段が上記記憶媒体に上記暗号化手段が暗号化した圧縮データを記録するよう制御することを特徴とする請求項１記載の記録再生装置。
【請求項６】  上記再生手段は、上記記録媒体に記録された上記圧縮データを再生することを特徴とする請求項１記載の記録再生装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えばオーディオデータおよび／またはビデオデータの記録再生装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
したがって、この発明の目的は、データの圧縮・暗号化の処理性能によらず、高速記録を可能とし、また、データの圧縮・暗号化を行って記録するのと同時に、保存されている異なるデータを再生することが可能な記録再生装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１の発明は、ディスクから読み出されたオーディオデータである非圧縮データを記憶媒体に記録する記録手段と、
記憶媒体からデータを読み出す読み出し手段と、
非圧縮データを記録手段が記憶媒体に記録しているときに、読み出し手段により読み出された記憶媒体に記録されたデータを再生する再生手段と、
読出し手段が読み出した非圧縮データを圧縮して圧縮データを生成する圧縮手段と、
記録手段が記憶媒体に圧縮データを記録するよう制御する制御手段と
を備える記録再生装置である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月16日(2007.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明による希土類焼結磁石がＲ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物を主相とする場合、主要成分組成は、重量％で、Ｒ：28〜33％、Ｂ：0.8〜1.5％、Ｍ１：０〜0.6％（Ｍ１はＮｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ及びＨｆの少なくとも１種）、残部Ｔ（但し、Ｒ＋Ｂ＋Ｔ＋Ｍ１＝100重量％とした場合）が選択される。以下、単に％と記してあるのは重量％を意味する。
Ｒ量は28〜33％が好ましい。良好な耐食性を具備するために、Ｒ量は28〜32％がより好ましく、28〜31％が特に好ましい。Ｒ量が28％未満では所定のiHcを得られず、33％超では所定の配向度を得られない。所定のiHc及び配向度を得るために、ＲはＮｄ，Ｄｙ及び不可避的不純物からなるか、あるいはＮｄ，Ｄｙ，Ｐｒ及び不可避的不純物からなるとともに、Ｄｙ含有量を0.3〜10％にすることが好ましく、0.5〜８％にすることがより好ましい。Ｄｙ含有量が0.3％未満ではＤｙの含有効果が得られず、10％超ではBrが低下し所定の配向度を得られない。
Ｂ量は0.8〜1.5％が好ましく、0.85〜1.2％がより好ましい。Ｂ量が0.8％未満では1.1MA/m（14kOe）以上のiHcを得ることが困難であり、Ｂ量が1.5％超では所定の配向度を得られない。
Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ及びＨｆの少なくとも１種からなる高融点金属元素Ｍ１を0.01〜0.6％含有することが磁気特性を高めるために好ましい。Ｍ１を0.01〜0.6％含有することにより、焼結過程での主相結晶粒の過度の粒成長が抑制され、1.1MA/m（14kOe）以上のiHcを安定して得ることができる。しかし、Ｍ１を0.6％超含有すると逆に主相結晶粒の正常な粒成長が阻害され、Brの低下を招く。又Ｍ１含有量が0.01％未満では磁気特性を改良する効果が得られない。
又本発明による希土類焼結磁石がＲ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物を主相とする場合、主要成分組成を、重量％で、Ｒ：28〜33％、Ｂ：0.8〜1.5％、Ｍ１：0.01〜0.6％（Ｍ１はＮｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ及びＨｆの少なくとも１種）、Ｍ２：0.01〜0.3％（Ｍ２はＡｌ，Ｇａ及びＣｕの少なくとも１種）及び残部Ｔ（但し、Ｒ＋Ｂ＋Ｔ＋Ｍ１＋Ｍ２＝100重量％とした場合）を選択することが好ましい。
Ｍ２元素（Ａｌ，Ｇａ及びＣｕの少なくとも１種）の含有量は0.01〜0.3％とされる。Ａｌの含有によりiHcが向上し、耐食性が改善されるが、Ａｌ含有量が0.3％超ではBrが大きく低下し、0.01％未満ではiHc及び耐食性を高める効果が得られない。Ｇａの含有によりiHcが顕著に向上するが、Ｇａ含有量が0.3％超ではBrが大きく低下し、0.01％未満ではiHcを高める効果が得られない。Ｃｕの微量添加は耐食性の改善及びiHcの向上に寄与するが、Ｃｕ含有量が0.3％超ではBrが大きく低下し、0.01％未満では耐食性及びiHcを高める効果が得られない。
Ｃｏの含有により耐食性が改善され、キュリー点が上昇し、希土類焼結磁石の耐熱性が向上するが、Ｃｏ含有量が５％超では磁気特性に有害なＦｅ−Ｃｏ相が形成され、Br及びiHcが大きく低下する。従って、Ｃｏ含有量は５％以下が好ましい。一方、Ｃｏ含有量が0.5％未満では耐食性及び耐熱性の向上効果が得られない。よって、Ｃｏ含有量は0.5〜５％が好ましい。
不可避に含有される酸素量は0.3％以下が好ましく、0.2％以下がより好ましく、0.18％以下が特に好ましい。酸素含有量を0.3％以下に低減することにより焼結体密度を略理論密度まで高めることができる。Ｒ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物を主相とするＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の場合7.56Mg/m３（g/cm３）以上の焼結体密度を安定して得られ、さらに主要成分組成、微粉砕平均粒径及び焼結温度等を適宜選択すれば7.58Mg/m３（g/cm３）以上、さらには7.59Mg/m３（g/cm３）以上のものを得ることができる。
又不可避に含有される炭素量は0.10％以下が好ましく、0.07％以下がより好ましい。炭素含有量の低減により希土類炭化物の生成が抑えられ、有効希土類量が増大し、iHc及び(BH)max等を高めることができる。
又不可避に含有される窒素量は0.15％以下が好ましい。窒素量が0.15％を超えるとBrが大きく低下する。本発明のアークセグメント磁石又はリング磁石には公知の表面処理被膜（Ｎｉめっき等）が被覆されて実用に供されるが、Ｒ量が28〜32％でかつ窒素量が0.002〜0.15％のときに良好な耐食性が付与されるのでより好ましい。
又、原料合金としてＣａを還元剤とする還元拡散法により作製したものを用いて本発明のアークセグメント磁石又はリング磁石を作製した場合、所定のiHc及び配向度を得るために、前記アークセグメント磁石又はリング磁石の全重量を100重量％としてＣａ含有量を0.1重量％以下（０を含まず）に抑えることが好ましく、0.03重量％以下（０を含まず）に抑えることがより好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月21日(2006.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と
該絶縁性の基体上に位置する電子放出部と、
該絶縁性基板上に位置し、該電子放出部と電気的に接続した導体と、
該絶縁性基板上に位置し、該電子放出部と該導体と少なくとも絶縁性基板の一部とを覆い、該導体に電気的に接続した抵抗膜と
を備える電子源であって、
前記電子放出部上における抵抗膜の厚みは、前記導体との接続領域における抵抗膜の厚みよりも薄いことを特徴とする電子源。
【請求項２】
前記電子放出部は、パラジウム微粒子から構成されることを特徴とする請求項１に記載の電子源。
【請求項３】
前記電子放出部が、カーボンナノチューブから構成されることを特徴とする請求項１に記載の電子源。
【請求項４】
前記電子放出部が、グラファイトナノファイバから構成されることを特徴とする請求項１に記載の電子源。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月29日(2006.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、表示装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異方性導電膜によって基板上の接続配線を前記基板とは別の基板上の配線と電気的に接続するコンタクト構造を有し、
前記接続配線は、金属膜と保護用導電膜の積層でなり、前記異方性導電膜との接続部分において、前記保護用導電膜はスリットを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
異方性導電膜によって基板上の接続配線を前記基板とは別の基板上の配線と電気的に接続するコンタクト構造を有し、
前記接続配線は、金属膜と保護用導電膜の積層でなり、前記異方性導電膜との接続部分において、前記保護用導電膜はスリットを有し、
前記金属膜と前記保護用導電膜の両方が、前記異方性導電膜と接触していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記スリットは、前記異方性導電膜に含まれる導電性粒子と前記金属膜との電気的な接続に必要な間隔より広い幅を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または２において、
前記スリットは、前記異方性導電膜に含まれる導電性粒子と前記金属膜との電気的な接続に必要な間隔より広い幅を有し、検査装置の検査用電極より細い幅を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記金属膜は、アルミニウム、タンタル、チタン、モリブデンまたはタングステンを含む材料でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記保護用導電膜は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金または酸化亜鉛でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記半導体装置は表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記表示装置は液晶表示装置であることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項７において、
前記表示装置はエレクトロルミネッセンス表示装置であることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一において、
前記表示装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月21日(2006.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線源（１）の放射線放射率を調節する方法であって、
線源の放射線放射率（Ｉｔｕｂｅ）を線源の第１の放射要素（５）と第２の放射要素（６）間に印加される電圧（Ｖ）の関数及び活性線源の加熱電流（Ｉｃｈ）の関数として較正し、
前記第１の要素よりも高い電圧を前記第２の要素に印加し、
予測放射線放射率に関して前記第２の要素の加熱電流を前記較正の関数として調節する、
ことを含み、
前記較正が放射線放射率を表すように選択された式によって行い、該式において前記放射率の値の対数が前記加熱電流の二次多項式関数であり、かつ前記電圧の一次多項式関数であることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記放射線源がＸ線管であり、
前記第１の要素が前記Ｘ線管の陽極であり、
前記第２の要素が前記Ｘ線管の陰極である
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記Ｘ線管を所定のＸ線管において次式、
ｌｎ（Ｉｔｕｂｅ）＝ａＩｃｈ２ｌｎ（Ｖ）＋ｂＩｃｈ２＋ｃＩｃｈｌｎ（Ｖ）＋ｄＩｃｈ＋ｅｌｎ（Ｖ）＋ｆ
を満足する６つの係数ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、及びｆの関数として較正し、ここでｌｎはネーパ対数、Ｉｔｕｂｅは管電流、Ｉｃｈは管加熱電流、Ｖは管電圧であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記係数ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、及びｆが、下記表の列の１つによって与えられる値、又は二重焦点管においては両方の列によって与えられる値を有することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【表１】
2004221082.tif 000001
【請求項５】
特定の管の較正をこの特定の管の性質の関数として補正し、
数回の較正実験中に、この特定の管に対する管電流Ｉｔｕｂｅ、加熱電流Ｉｃｈ、及び印加される高電圧Ｖの測定値を読み取り、
管に供給されるべき加熱電流Ｉｃｈrealが式Ｉｃｈreal＝α．Ｉｃｈcalib＋βで表され、該式においてＩｃｈcalibは較正の結果得られる加熱電流の値である係数α及びβを決定するように回帰を実行する、
ことを含む請求項２乃至４のいずれか1項に記載の方法。
【請求項６】
特定の管の較正をこの特定の管の経年変化の関数として補正し、
後続の使用中に、この特定の管に対する管電流Ｉｔｕｂｅ、加熱電流Ｉｃｈ、及び印加される高電圧Ｖの測定値を読み取り、
管に供給されるべき加熱電流Ｉｃｈrealが式Ｉｃｈreal＝α．Ｉｃｈcalib＋βで表され、該式においてＩｃｈcalibは較正の結果得られる加熱電流の値である係数α及びβを決定するように回帰を実行する、
ことを含む請求項２乃至５のいずれか1項に記載の方法。
【請求項７】
プログラムコードを内包するコンピュータプログラム製品であって、該プログラムコードが、
線源の放射線放射率（Ｉｔｕｂｅ）を線源の第１の放射要素（５）と第２の放射要素（６）間に印加される電圧（Ｖ）の関数及び活性線源の加熱電流（Ｉｃｈ）の関数として較正し、
前記第１の要素よりも高い電圧を前記第２の要素に印加し、
予測放射線放射率に関して前記第２の要素の加熱電流を前記較正の関数として調節する、
手段を含み、
前記較正が放射線放射率を表すように選択された式によって行い、該式において前記放射率の値の対数が前記加熱電流の二次多項式関数であり、かつ前記電圧の一次多項式関数であることを特徴とするコンピュータプログラム製品。
【請求項８】
プログラムコードが内部に埋め込まれた媒体を含むデータキャリアであって、該プログラムコードが、
線源の放射線放射率（Ｉｔｕｂｅ）を線源の第１の放射要素（５）と第２の放射要素（６）間に印加される電圧（Ｖ）の関数及び活性線源の加熱電流（Ｉｃｈ）の関数として較正し、
前記第１の要素よりも高い電圧を前記第２の要素に印加し、
予測放射線放射率に関して前記第２の要素の加熱電流を前記較正の関数として調節する、
手段を含み、
前記較正が放射線放射率を表すように選択された式によって行い、該式において前記放射率の値の対数が前記加熱電流の二次多項式関数であり、かつ前記電圧の一次多項式関数であることを特徴とするデータキャリア。