Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月4日(2007.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部を側面に有する半導体装置は、プラスチック、ガラス、又は有機樹脂でなる基板上に形成される半導体素子、前記半導体素子を覆う絶縁膜、及び前記半導体素子と電気的に接続される導電膜を有し、
前記導電膜は、前記基板及び前記絶縁膜の側面に接するように前記凹部に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
凹部を側面に有する半導体装置は、プラスチック、ガラス、又は有機樹脂でなる基板上に形成される半導体素子、前記半導体素子と電気的に接続する電極端子、前記半導体素子及び前記電極端子を覆う絶縁膜、及び前記電極端子と電気的に接続する接続端子を有し、
前記凹部において、前記接続端子が前記基板及び前記絶縁膜の側面に接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
凹部を側面に有する半導体装置は、プラスチック、ガラス、又は有機樹脂でなる基板上に形成される半導体素子、前記半導体素子を覆う絶縁膜、及び前記半導体素子と電気的に接続される導電膜を有し、
前記導電膜は、前記基板、前記絶縁膜の側面、及び前記側面に隣接する面に接するように前記凹部に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
凹部を側面に有する半導体装置は、プラスチック、ガラス、又は有機樹脂でなる基板上に形成される半導体素子、前記半導体素子に接続される電極端子、前記半導体素子及び前記電極端子を覆う絶縁膜、及び前記絶縁膜を介して前記電極端子に接続する接続端子を有し、
前記凹部において、前記接続端子が前記基板、前記半導体素子、前記絶縁膜の側面、及び前記側面に隣接する面に接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記凹部は曲面又は平面を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記半導体素子は、半導体薄膜を有し、前記半導体薄膜は微結晶でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記導電膜又は前記接続端子は、ニッケル、銅、亜鉛、パラジウム、銀、スズ、白金、又は金から選ばれた一元素、又は該元素を含む合金で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記半導体素子は、薄膜トランジスタ、又はダイオードを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記半導体装置は、光センサ、光電変換装置、太陽電池、又は薄膜トランジスタを用いて形成された集積回路であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
プラスチック、ガラス、又は有機樹脂でなる基板上に半導体素子を形成し、
前記半導体素子を覆う絶縁膜を形成し、
前記半導体素子の両脇に開口部を形成し、
前記開口部に前記半導体素子と電気的に接続される導電膜を形成した後、前記基板を切断することによって、前記開口部が側面の凹部とし、
前記凹部に導電膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記導電膜は、前記基板、及び前記絶縁膜の側面に接していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記基板にレーザ光を照射して前記開口部を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月29日(2007.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基材を平坦化するのに有用な研磨パッドであって、少なくとも０．１容量％の気孔率、４０℃及び１rad/secで３８５〜７５０ ｌ/PaのＫＥＬエネルギー損失係数ならびに４０℃及び１rad/secで１００〜４００MPaの弾性率Ｅ′を有するポリマー材料を含む研磨パッド。
【請求項２】
半導体基材を平坦化するのに有用な研磨パッドであって、少なくとも０．１容量％の気孔率、４０℃及び１rad/secで４０５〜６００ ｌ/PaのＫＥＬエネルギー損失係数、４０℃及び１rad/secで１４０〜３００MPaの弾性率Ｅ′ならびに２０〜６０のショアＤ硬さを有するポリマー材料を含む研磨パッド。
【請求項３】
半導体基材を平坦化するのに有用な研磨パッドであって、少なくとも０．１容量％の気孔率を有するポリウレタンポリマー材料を含み、前記ポリウレタンポリマー材料が、トルエンジイソシアネートとポリテトラメチレンエーテルグリコールとのプレポリマー反応生成物と、４，４′−メチレン−ビス−ｏ−クロロアニリンとから形成され、前記プレポリマー反応生成物が、５．５〜８．６重量％のＮＣＯを有し、ＮＨ2対ＮＣＯの化学量論比８０対１１０％を有するものである研磨パッド。
【請求項４】
少なくとも０．１容量％の気孔率、４０℃及び１rad/secで４０５〜６００ ｌ/PaのＫＥＬエネルギー損失係数、４０℃及び１rad/secで１４０〜３００MPaの弾性率Ｅ′ならびに２０〜６０のショアＤ硬さを有するポリマー材料を含む、請求項３記載の研磨パッド。
【請求項５】
半導体基材を研磨する方法であって、少なくとも０．１容量％の気孔率、４０℃及び１rad/secで３８５〜７５０ ｌ/PaのＫＥＬエネルギー損失係数ならびに４０℃及び１rad/secで１００〜４００MPaの弾性率Ｅ′を有するポリマー材料を含む、半導体基材を平坦化するのに有用な研磨パッドを用いて半導体基材を研磨する工程を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月7日(2007.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、前記基板の主面と平行方向に位置し前記処理室を囲う第１の加熱手段と、前記基板の主面と垂直方向に位置し前記処理室の上方に設けた第２の加熱手段と前記処理室の温度を検出する第１の温度検出手段と、前記第２の加熱手段近傍の温度を検出する第２の温度検出手段と、前記第１の加熱手段と前記第２の加熱手段とを制御する制御装置とを有する基板処理装置において、
前記制御装置は、
第１の温度設定値と前記第１の温度検出手段が検出する温度との偏差を演算し第１の加算器を介して帰算処理する第１の制御で前記第１の加熱手段を制御し、
第２の温度設定値と前記第２の温度検出手段が検出する温度との偏差を演算し第２の加算器を介して帰算処理する第２の制御と前記処理室内の所定の温度での電力出力値を予め設定し該設定された出力値による第３の制御とを前記所定の温度で切替えて前記第２の加熱手段を制御することを特徴とする基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月23日(2007.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、伝送回路９ａの長さは、ＧＳＭの送信周波数において送信信号の位相が９０度回転する長さに設定され、伝送回路９ｂの長さはＰＣＳ／ＤＣＳの送信周波数において送信信号の位相が９０度回転する長さに設定される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月31日(2007.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の流通業者により提供された商品に関する情報を検索するために移動電話機を用いるためのシステムであって、
該移動電話機と関連する、該商品の少なくとも一部の画像を録画するための、カメラと、
該移動電話機から遠く離れて位置し、該商品の第２の流通業者と関連づけられる少なくとも別のデータベースと同調するデータベースであって、該商品を識別するために該画像を分析し、これに基づいて該商品に関する情報を、該データベースおよび該別のデータベースから該移動電話機に対して供給するための、データベースとを、備えるシステム。
【請求項２】
該画像が該移動電話機から、
赤外接続と
直接の無線リンクと、から成る一群から選択された１つを介して受信される、請求項1記載のシステム。
【請求項３】
該情報が、該第１の流通業者および該第２の流通業者からの該商品の価格を含むものである、請求項１記載のシステム。
【請求項４】
該画像が符号化されたデータを含み、該符号化されたデータが該データベースと関連するサーバにて復号される、請求項1記載のシステム。
【請求項５】
該移動電話機が該データベースに対応する構造を定義するソフトウェアを含む、請求項1記載のシステム。
【請求項６】
該画像が符号化されたデータを含み、該符号化されたデータがバーコード内に含まれる、請求項1記載のシステム。
【請求項７】
該情報が価格情報から成り、該情報が該移動電話機に、
マルチメディアメッセージサービス（MMS）と、
電子メールと、から成る一群から選択された1つを介して送り返される、請求項１記載のシステム。
【請求項８】
該データベースが該価格情報を少なくとも二つの異なる通貨にて含む、請求項７記載のシステム。
【請求項９】
該移動電話機内のメモリが複数の商品に関するデータを格納し、該画像がビデオシーケンスから成る、請求項１記載のシステム。
【請求項１０】
商品に関する情報を検索するために移動電話機を用いるための方法であって、
該移動電話機と関連するカメラを用いて該商品の少なくとも一部の画像を録画するステップと、
該商品を識別するために該画像を分析するステップと、
これに基づいて該商品に関する情報であって、該商品の多数の流通業者かのを該移動電話機に供給するステップと、を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月23日(2007.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
よく知られている変調手法は、簡単さ及び帯域幅効率の点でガウス最小シフト・キーイング（ＧＭＳＫ）である。ＧＭＳＫ信号を発生するためのよく知られている手法は、変調が周波数合成器内で直接実行される「直接変調」である。
【特許文献１】米国特許第４６２８５０７号
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月13日(2007.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
色材の組み合わせを決定する色処理方法であって、
プリンタモデルを用いて前記色材の測色値を予測し、
前記予測した測色値から濃度変動による色差を計算し、
前記濃度変動による色差が小さくなるように前記色材の組み合わせを決定することを特徴とする色処理方法。
【請求項２】
前記測色値は分光反射率のデータであることを特徴とする請求項1に記載された色処理方法。
【請求項３】
前記濃度変動による色差の計算は、前記濃度変動の幅を決定し、前記色材の最大濃度に前記濃度変動の幅を加えた濃度の最大値および最小値を計算し、前記最大値および最小値の色差を計算することを特徴とする請求項1または請求項2に記載された色処理方法。
【請求項４】
前記色材の組み合わせの決定は、非線形最適化手法により前記濃度変動による色差を最小にする前記色材の組み合わせを決定することを特徴とする請求項1から請求項3の何れか一項に記載された色処理方法。
【請求項５】
色材の組み合わせを決定する色処理装置であって、
プリンタモデルを用いて前記色材の測色値を予測する第一の手段と、
前記予測した測色値から濃度変動による色差を計算する第二の手段と、
前記濃度変動による色差が小さくなるように前記色材の組み合わせを決定する第三の手段とを有することを特徴とする色処理装置。
【請求項６】
情報処理装置を制御して、請求項1から請求項4の何れか一項に記載された色処理を実行することを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、色材の組み合わせを決定する際に、プリンタモデルを用いて色材の測色値を予測し、予測した測色値から濃度変動による色差を計算し、濃度変動による色差が小さくなるように色材の組み合わせを決定することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月21日(2007.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディジタル放送受信機における周波数ダイバシチ受信装置であって、
複数のブランチの受信状態を検出する受信状態検出部と、
前記受信状態検出部の検出結果に基づき、前記複数のブランチの一つをマスターブランチ、その他のブランチをスレーブブランチとして選択するブランチ制御部と、
前記ブランチ制御部によって選択されたマスターブランチからの受信データと、前記ブランチ制御部によって選択されたスレーブブランチからの受信データと、を最大比合成する最大比合成部と、
を具備することを特徴とする周波数ダイバシチ受信装置。
【請求項２】
前記ブランチ制御部は、前記受信状態検出部によってスレーブブランチによる受信状態の悪化が検出されたときに複数ブランチによる合成状態からマスターブランチのみによる動作状態へと切替える制御を行う、請求項１に記載の周波数ダイバシチ受信装置。
【請求項３】
前記ブランチ制御部は、前記受信状態検出部によって合成対象とされていないスレーブブランチによる受信状態が良好となったことが検出されたときに、マスターブランチのみによる動作状態から複数ブランチによる合成状態へと切替える制御をも行うものである、請求項２に記載の周波数ダイバシチ受信装置。
【請求項４】
前記ブランチ制御部は、前記受信状態検出部によって合成対象とされていないスレーブブランチによる受信状態が良好となったことが検出され且つマスターブランチによる受信状態の悪化が検出されたときに、受信状態が良好となったスレーブブランチをマスターブランチとして選択する制御をも行うものである、請求項２に記載の周波数ダイバシチ受信装置。
【請求項５】
周波数ダイバシチ受信装置を備えたディジタル放送受信機であって、
前記周波数ダイバシチ受信装置は、
複数のブランチの受信状態を検出する受信状態検出部と、
前記受信状態検出部の検出結果に基づき、前記複数のブランチの一つをマスターブランチ、その他のブランチをスレーブブランチとして選択するブランチ制御部と、
前記ブランチ制御部によって選択されたマスターブランチからの受信データと、前記ブランチ制御部によって選択されたスレーブブランチからの受信データと、を最大比合成する最大比合成部と、
を具備することを特徴とするディジタル放送受信機。
【請求項６】
複数のブランチからシンボルタイミング信号を取得するブランチを選択するブランチ制御部と、
前記複数のブランチの受信レベルを検出する受信レベル検出部と、
前記複数のブランチにおける受信レベルに基づいて、合成比を可変して複数のブランチで受信される受信信号を合成する合成部と、を具備し、
前記ブランチ制御部は、前記選択されたブランチの受信状態が悪化した場合は、シンボルタイミング信号を取得可能な他のブランチを選択することを特徴とするディジタル放送受信機。
【請求項７】
複数のブランチからシンボルタイミング信号を取得するブランチを選択するブランチ制御部と、
前記複数のブランチの受信レベルを検出する受信レベル検出部と、
前記複数のブランチにおける受信レベルに基づいて、合成比を可変して複数のブランチで受信される受信信号を合成する合成部と、を具備し、
前記ブランチ制御部は、前記複数のブランチからのシンボルタイミング信号をモニタし、シンボルタイミング信号を取得可能なブランチを選択することを特徴とするディジタル放送受信機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明によれば、複数のブランチからシンボルタイミング信号を取得するブランチを選択するブランチ制御部と、前記複数のブランチの受信レベルを検出する受信レベル検出部と、前記複数のブランチにおける受信レベルに基づいて、合成比を可変して複数のブランチで受信される受信信号を合成する合成部と、を具備し、前記ブランチ制御部は、前記選択されたブランチの受信状態が悪化した場合は、シンボルタイミング信号を取得可能な他のブランチを選択することを特徴とするディジタル放送受信機が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明によれば、複数のブランチからシンボルタイミング信号を取得するブランチを選択するブランチ制御部と、前記複数のブランチの受信レベルを検出する受信レベル検出部と、前記複数のブランチにおける受信レベルに基づいて、合成比を可変して複数のブランチで受信される受信信号を合成する合成部と、を具備し、前記ブランチ制御部は、前記複数のブランチからのシンボルタイミング信号をモニタし、シンボルタイミング信号を取得可能なブランチを選択することを特徴とするディジタル放送受信機が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月8日(2007.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結合相中に砥粒が分散配置されてなる砥石において、前記結合相は、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂を予め焼成して生成したアモルファスカーボン粒を添加したフェノール−ホルムアルデヒド樹脂をアモルファスカーボン化したものであることを特徴とする砥石。
【請求項２】
結合相中に砥粒が分散配置されてなる砥石において、前記結合相は、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂を予め焼成して生成したアモルファスカーボン粒を添加したフェノール−ホルムアルデヒド樹脂と他の熱硬化性樹脂を焼成してアモルファスカーボン化したものであることを特徴とする砥石。
【請求項３】
前記アモルファスカーボン粒は平均粒径５〜５０μｍであることを特徴とする請求項１または２記載の砥石。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明に係る砥石は、結合相中に砥粒が分散配置されてなる砥石において、結合相は、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂を予め焼成して生成したアモルファスカーボン粒を添加したフェノール−ホルムアルデヒド樹脂をアモルファスカーボン化したものであることを特徴とする。
フェノール−ホルムアルデヒド樹脂をアモルファスカーボン化することで、従来のフェノール樹脂等からなるアモルファスカーボンと比較して結合相の強度と砥粒保持力が高く、結合相の硬さはショア硬さにして１００〜１２０となり硬度が大きく耐摩耗性が高い。
また本発明による砥石の製造に際して、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂と砥粒との混合物を比較的低温で焼結して固化体を形成し、その後にこの固化体を高温の不活性雰囲気中で焼成してアモルファスカーボン化させるが、アモルファスカーボン化の際にクラックやガス膨れを発生させることがなく、形成されるアモルファスカーボンが緻密で強度も高いために砥粒保持力が高く結合相の硬度も高く耐摩耗性が高い。
そして、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂を予め焼成して生成したアモルファスカーボン粒をフェノール−ホルムアルデヒド樹脂に添加しているため、焼成時に結合相となるフェノール−ホルムアルデヒド樹脂がアモルファスカーボンに変化する際の収縮が減少し砥石の製造が容易となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また本発明に係る砥石は、結合相中に砥粒が分散配置されてなる砥石において、結合相は、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂を予め焼成して生成したアモルファスカーボン粒を添加したフェノール−ホルムアルデヒド樹脂と他の熱硬化性樹脂を焼成してアモルファスカーボン化したものであることを特徴とする。
この場合、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂からなる第一のアモルファスカーボンは上述した曲げ強度を向上できるために他の熱硬化性樹脂からなる第二のアモルファスカーボン中に分散配置されて結合相の強さや剛性を向上させて結合相の強化相としての役割を果たし、研削時に被削材に対して平坦度の高い加工を行うことができて砥粒の保持力を強化できて砥石寿命を向上できる。
また本発明による砥石の製造に際して、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂と他の熱硬化性樹脂と砥粒との混合物を比較的低温で焼結して固化体を形成し、その後にこの固化体を高温の不活性雰囲気中で焼成してフェノール−ホルムアルデヒド樹脂と他の熱硬化性樹脂をそれぞれアモルファスカーボン化させるが、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂のアモルファスカーボン化の際にクラックやガス膨れを発生させることがなく、形成されるアモルファスカーボンが緻密で強度も高いために砥粒保持力が高く結合相の硬度も高く耐摩耗性が高い。
またフェノール−ホルムアルデヒド樹脂は低温焼結する際に液状化せず、そのため成形性が悪く緻密な固化体とするためには高圧を必要とするが、他の熱硬化性樹脂を同時に添加すると他の熱硬化性樹脂が液状化した後に固化現象が起こるために成形性が著しく改善される。
そして、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂を予め焼成して生成したアモルファスカーボン粒をフェノール−ホルムアルデヒド樹脂に添加しているため、焼成時に結合相となるフェノール−ホルムアルデヒド樹脂がアモルファスカーボンに変化する際の収縮が減少し砥石の製造が容易となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
以上説明したように、本発明に係る砥石では、結合相は、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂を予め焼成して生成したアモルファスカーボン粒を添加したフェノール−ホルムアルデヒド樹脂がアモルファスカーボン化したものであるから、従来のフェノール樹脂等からなるアモルファスカーボンと比較して結合相の強度と砥粒保持力が高く、結合相の硬さが大きく耐摩耗性が高い。
そして、焼成時に結合相となるフェノール−ホルムアルデヒド樹脂がアモルファスカーボンに変化する際の収縮が減少し砥石の製造が容易となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また本発明に係る砥石では、結合相は、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂を予め焼成して生成したアモルファスカーボン粒を添加したフェノール−ホルムアルデヒド樹脂と他の熱硬化性樹脂を焼成してアモルファスカーボン化したものであることを特徴とする。
フェノール−ホルムアルデヒド樹脂からなる第一のアモルファスカーボンは上述した曲げ強度を向上できるために他の熱硬化性樹脂からなる第二のアモルファスカーボン中に分散配置されて結合相の強さや剛性を向上させると共に結合相の強化相としての役割を果たし、研削時に被削材に対して平坦度の高い加工を行うことができて砥粒の保持力を強化できて砥石寿命を向上できる。
そして、焼成時に結合相となるフェノール−ホルムアルデヒド樹脂がアモルファスカーボンに変化する際の収縮が減少し砥石の製造が容易となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
そして、上述の実施の形態においては、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂を予め焼成して生成したアモルファスカーボン粒（平均粒径５〜５０μｍ）をフェノール−ホルムアルデヒド樹脂に添加している。これにより、焼成時に結合相となるフェノール−ホルムアルデヒド樹脂がアモルファスカーボンに変化する際の収縮が減少し、砥石の製造が容易となる。
尚、上述の実施の形態において、潤滑剤として、予めフェノール−ホルムアルデヒド樹脂からなる第一のアモルファスカーボン５及び結合相１３を構成するアモルファスカーボンとは別に、その他の材料、例えばＣａＦ2、ｈＢＮ、黒鉛（結晶質カーボン）等を同時に結合相３、１３中に分散配置してもよい。
また本発明による砥石は鏡面研削に限定されることなく他の種類の研削にももちろん採用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月2日(2006.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源投入時に、ＲＡＭを初期化する初期化処理、停電時に記憶したデータに従って設定処理を行うバックアップスタート設定処理のいずれかを行う電源投入時処理と、
各種スイッチの入力処理、ソレノイドをオン又はオフ状態とする出力処理及び乱数の更新を行う乱数更新処理を含む遊技の進行に係る処理を行う本処理と、
該本処理が行われた後、該本処理が行われたときから一定時間が経過するまで繰り返し行われる残余処理と、
停電発生時にＲＡＭへのアクセスを禁止すると共に前記ソレノイドへの出力をオフ状態とする停電時処理と、を実行する手段を有する主制御基板を備えた遊技機であって、
前記主制御基板は、
ＣＰＵの強制割り込み端子に入力されるＮＭＩ制御信号が変化することで、ＮＭＩフラグを設定し、前記停電時処理を実行することなく回帰する割り込み処理としてのバックアップ設定手段と、
時間の計時を行うタイマ手段と、
該タイマ手段により計時される前記本処理開始後からの経過時間が設定時間を経過したときには、前記残余処理を強制的に打ち切り、打ち切り後の処理を前記本処理の先頭へ移行させるタイムアップ処理と、を備え、
前記バックアップ設定手段により設定されたＮＭＩフラグの有無を判断する処理を前記本処理の実行後に行い、前記ＮＭＩフラグが設定されている場合には前記停電時処理を実行する、
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
即ち、前記課題を解決するため、ハードウェア的にユーザーリセットを所定時間毎にメインルーチンにかけて処理を回帰させていたのを、ソフトウェアでリセットを実行することを見出し本発明に到達したものである。即ち、請求項１記載の発明は、電源投入時に、ＲＡＭを初期化する初期化処理、停電時に記憶したデータに従って設定処理を行うバックアップスタート設定処理のいずれかを行う電源投入時処理と、
各種スイッチの入力処理、ソレノイドをオン又はオフ状態とする出力処理及び乱数の更新を行う乱数更新処理を含む遊技の進行に係る処理を行う本処理と、
該本処理が行われた後、該本処理が行われたときから一定時間が経過するまで繰り返し行われる残余処理と、
停電発生時にＲＡＭへのアクセスを禁止すると共に前記ソレノイドへの出力をオフ状態とする停電時処理と、を実行する手段を有する主制御基板を備えた遊技機であって、
前記主制御基板は、
ＣＰＵの強制割り込み端子に入力されるＮＭＩ制御信号が変化することで、ＮＭＩフラグを設定し、前記停電時処理を実行することなく回帰する割り込み処理としてのバックアップ設定手段と
時間の計時を行うタイマ手段と、
該タイマ手段により計時される前記本処理開始後からの経過時間が設定時間を経過したときには、前記残余処理を強制的に打ち切り、打ち切り後の処理を前記本処理の先頭へ移行させるタイムアップ処理と、を備え、
前記バックアップ設定手段により設定されたＮＭＩフラグの有無を判断する処理を前記本処理の実行後に行い、前記ＮＭＩフラグが設定されている場合には前記停電時処理を実行する、
ことを特徴とする遊技機である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月11日(2007.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検眼角膜を変形させるために角膜に対して気流を吹付ける気流吹付手段と、角膜に測定光を投影し角膜が気流により変形され所定の曲率半径になったときの前記測定光の角膜反射光を検出し眼圧値を求める測定手段とを備え被検眼の連続測定を行う非接触式眼圧計において、所定眼圧値を設定する所定眼圧値設定手段と、前記測定手段で求めた眼圧値と前記所定眼圧値とを比較する比較手段と、該比較手段の結果に応じて前記測定手段の連続測定動作を停止する制御手段とを有することを特徴とする非接触式眼圧計。
【請求項２】
前記眼圧値設定手段は設定する前記所定眼圧値を任意の値に変更可能としたことを特徴とする請求項１に記載の非接触式眼圧計。 
【請求項３】
前記眼圧値設定手段は第１の所定眼圧値と第２の所定眼圧値を設定可能としたことを特徴とする請求項１に記載の非接触式眼圧計。
【請求項４】
前記比較手段は前記測定手段により求めた眼圧値が前記第１の所定眼圧値よりも大きいかどうかを比較し、前記第２の所定眼圧値よりも小さいかどうかを比較することを特徴とする請求項３に記載の非接触式眼圧計。
【請求項５】
前記制御手段は前記比較手段の結果を操作者に通知することを特徴とする請求項１に記載の非接触式眼圧計。 
【請求項６】
前記制御手段は前記比較手段の結果を表示手段に表示することにより操作者に通知することを特徴とする請求項５に記載の非接触式眼圧計。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するための本発明に係る非接触式眼圧計は、被検眼角膜を変形させるために角膜に対して気流を吹付ける気流吹付手段と、角膜に測定光を投影し角膜が気流により変形され所定の曲率半径になったときの前記測定光の角膜反射光を検出し眼圧値を求める測定手段とを備え被検眼の連続測定を行う非接触式眼圧計において、所定眼圧値を設定する所定眼圧値設定手段と、前記測定手段で求めた眼圧値と前記所定眼圧値とを比較する比較手段と、該比較手段の結果に応じて前記測定手段の連続測定動作を停止する制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月15日(2007.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示する表示装置と、
前記表示装置に画像表示を指示する表示信号をパラレル信号形式及びシリアル信号形式のいずれか一方の入力信号形式のみに基づいて出力する表示制御部と、
前記表示制御部から前記表示信号を伝送可能に接続されており、前記表示信号を入力し、該表示信号を、前記表示装置に応じて画像表示を拡大させるとともに前記表示装置に応じて解像度を上昇させる拡大表示信号に変換する第１の信号変換部と、
前記第１の信号変換部から前記拡大表示信号を伝送可能に接続されており、前記第１の信号変換部が出力する前記拡大表示信号を、前記表示装置で要求される他方の入力信号形式に変換する第２の信号変換部と、を備え、
前記表示装置は、前記第２の信号変換部から前記拡大表示信号を伝送可能に接続されており、前記第２の信号変換部が出力する変換後の拡大表示信号を入力することで画像を表示し、
前記第１の信号変換部、前記第２の信号変換部及び前記表示制御部を各別基板に設けたことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、画像を表示する表示装置と、前記表示装置に画像表示を指示する表示信号をパラレル信号形式及びシリアル信号形式のいずれか一方の入力信号形式のみに基づいて出力する表示制御部と、前記表示制御部から前記表示信号を伝送可能に接続されており、前記表示信号を入力し、該表示信号を、前記表示装置に応じて画像表示を拡大させるとともに前記表示装置に応じて解像度を上昇させる拡大表示信号に変換する第１の信号変換部と、前記第１の信号変換部から前記拡大表示信号を伝送可能に接続されており、前記第１の信号変換部が出力する前記拡大表示信号を、前記表示装置で要求される他方の入力信号形式に変換する第２の信号変換部と、を備え、前記表示装置は、前記第２の信号変換部から前記拡大表示信号を伝送可能に接続されており、前記第２の信号変換部が出力する変換後の拡大表示信号を入力することで画像を表示し、前記第１の信号変換部、前記第２の信号変換部及び前記表示制御部を各別基板に設けたことを要旨とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
（イ）前記表示制御部と前記表示装置とは、接続部を介して直接接続可能とされ、前記第１の信号変換部および前記第２の信号変換部は、前記接続部に着脱自在である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
（ロ）前記第２の信号変換部は、前記第１の信号変換部が出力するパラレル形式の拡大表示信号をシリアル形式の拡大表示信号に変換する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
（ハ）前記第２の信号変換部には、前記表示装置の入力端子の形状及び入力端子の数に応じた出力端子が接続されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
（ニ）前記第１の信号変換部は、前記表示制御部が設けられた表示制御基板に設けられ、第２の信号変換部は、前記表示制御基板とは別基板に設けられている。
（ホ）前記第１の信号変換部と前記第２の信号変換部は、前記表示制御部が設けられた表示制御基板とは別基板とされた変換基板に設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月19日(2007.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤチップと、
前記ＬＥＤチップが搭載される第１リードフレームと、
第２リードフレームと、
前記第１リードフレームの一部及び前記第２リードフレームの一部を、白色系樹脂をモールドして被覆するとともに、前記ＬＥＤチップの周囲にカップ状の反射面を形成するリフレクタと、を備え、
端子部及び前記ＬＥＤチップの搭載部以外で前記リフレクタより露出する部分からなる放熱部が前記第１リードフレームに形成され、
前記第１リードフレームは、該搭載部と該放熱部の間において屈曲し、
該放熱部は前記リフレクタの側壁に沿っている、ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第１リードフレームの前記搭載部と前記放熱部間の屈曲は、約９０°の角度の屈曲であることを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１リードフレームの前記搭載部と前記放熱部間の屈曲は、前記ＬＥＤチップの光軸方向に向かった屈曲であることを特徴とする、請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記放熱部が、前記リフレクタの裏面と同一平面上又はそれよりも発光装置の光放出側に配置されている、請求項３に記載の発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ＬＥＤの高輝度化に向けた研究開発が盛んに行われているが、ＬＥＤの高輝度化に伴い、発熱の問題が顕在化してきた。放熱性の向上を目的として従来採用されている構造の例を図９に示す。この例ではＬＥＤチップ７０、リフレクタ７１及びリードフレーム７２で構成されたＬＥＤパッケージが絶縁層を介してヒートシンク７４に接続しており、ＬＥＤチップ７０の熱の一部はリードフレーム７２を介してヒートシンク７４へと伝播し、そこで放散する。
尚、ヒートシンクをＬＥＤ装置の横方向に配置させた構成も提案されている（例えば特許文献１を参照）。また、放熱性の向上に関する技術が特許文献２〜４に開示されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３０５２１号公報
【特許文献２】登録実用新案第３１０９１０９号公報
【特許文献３】特表２００１−５１８６９２号公報
【特許文献４】特開２００４−３６３５０３号公報
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明は次の構成からなる。即ち、
ＬＥＤチップと、
前記ＬＥＤチップが搭載される第１リードフレームと、
第２リードフレームと、
前記第１リードフレームの一部及び前記第２リードフレームの一部を、白色系樹脂をモールドして被覆するとともに、前記ＬＥＤチップの周囲にカップ状の反射面を形成するリフレクタと、を備え、
端子部及び前記ＬＥＤチップの搭載部以外で前記リフレクタより露出する部分からなる放熱部が前記第１リードフレームに形成され、
前記第１リードフレームは、該搭載部と該放熱部の間において屈曲し、
該放熱部は前記リフレクタの側壁に沿っている、ことを特徴とする発光装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月30日(2007.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体薄膜の加工をするための反応室と、
高周波電源と、
前記高周波電源に接続され、前記反応室の内部に設置されている第１電極と、
前記反応室の内部に設置されている第２電極と、
前記反応室内にガスを供給するガス供給部と、
前記反応室からの排気をするための真空ポンプと
を具備し、
前記第１電極、前記反応室の内部に設置されている部品又は前記反応室の内壁の少なくとも一つは、鉄を含有する金属により形成されている母材と、前記母材の表面に形成されている第１層と、前記第１層の外側に位置する第２層とを含む構造を有しており、
前記第１層は、アルミニウムが前記母材中に拡散して形成され、
前記第２層はアルミニウムにより形成され、
前記第１層におけるアルミニウムの濃度は、前記母材の表面から前記母材の奥に向かって滑らかに減少している
膜処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の膜処理装置であって、
前記第２層の表面にはアンカー模様が形成されている
膜処理装置。
【請求項３】
半導体薄膜の加工をするための反応室と、高周波電源と、前記高周波電源に接続され、前記反応室の内部に設置されている第１電極と、前記反応室の内部に設置されている第２電極と、前記反応室内にガスを供給するガス供給部と、前記反応室からの排気をするための真空ポンプとを具備する膜処理装置の製造方法であって、
前記第１電極、前記反応室の内部に設置される部品又は前記反応室の内壁の少なくとも一つは、
鉄を含有する金属により形成されている母材にアルミニウムを拡散滲透させ、且つ、アルミニウムめっきをすることにより形成される
膜処理装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の膜処理装置の製造方法であって、
前記母材にアルミニウムめっきをした後に、
前記母材にフッ素ラジカル処理を行うことと、
前記フッ素ラジカル処理を行った前記母材に加熱処理を行うこと
を含む
膜処理装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の膜処理装置の製造方法であって、
前記母材にアルミニウムを前記拡散滲透させることはカロライズ処理により行われる
膜処理装置の製造方法。
【請求項６】
請求項３〜５のいずれか１項に記載の膜処理装置の製造方法であって、
前記母材に前記アルミニウムめっきをすることは溶融アルミニウムめっき処理により行われる
膜処理装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の膜処理装置の製造方法であって、
前記第１電極は、空洞と、前記空洞内にガスを導入する導入口と、前記導入された前記ガスが噴出される噴出口とを有しており、
前記第1電極の前記溶融アルミニウムめっき処理においては、不活性ガスを前記導入口から前記空洞内に供給して前記噴出口から噴出する
膜処理装置の製造方法。
【請求項８】
半導体薄膜の加工をするための反応室と、高周波電源と、前記高周波電源に接続され、前記反応室の内部に設置されている第１電極と、前記反応室の内部に設置されている第２電極と、前記反応室内にガスを供給するガス供給部と、前記反応室からの排気をするための真空ポンプとを具備する膜処理装置のメンテナンス方法であって、
前記第１電極、前記反応室の内部に設置されている部品又は前記反応室の内壁の少なくとも一つは、鉄を含有する金属により形成されている母材と、前記母材の表面に形成されアルミニウムが前記母材中に拡散して形成されている第１層と、前記第１層の外側に位置しアルミニウムにより形成されている第２層とを含む構造を有し、
前記第１電極、前記部品又は前記内壁から前記第２層の全て又はその一部を洗浄液を使用した洗浄により除去することと、
前記第２層が除去された前記第１電極、前記部品又は前記内壁に前記第２層を再形成することを含む
膜処理装置のメンテナンス方法。
【請求項９】
請求項８に記載の膜処理装置のメンテナンス方法であって、
前記第２層を再形成することは、アルミニウムめっきにより行われる
膜処理装置のメンテナンス方法。
【請求項１０】
半導体薄膜の加工をするための反応室と、高周波電源と、前記高周波電源に接続され、前記反応室の内部に設置されている第１電極と、前記反応室の内部に設置されている第２電極と、前記反応室内にガスを供給するガス供給部と、前記反応室からの排気をするための真空ポンプとを具備する膜処理装置の保守方法であって、
セルフクリーニングを行うことと、
前記セルフクリーニングを所定の回数行うごとにメンテナンスを行うことと
を含み、
前記第１電極、前記反応室の内部に設置されている部品又は前記反応室の内壁の少なくとも一つの表面には、純アルミニウムより耐酸性が高い内側の第１層と、前記第１層より耐酸性が低い外側の第２層とが形成されており、
前記セルフクリーニングは、クリーニングガスを前記反応室内に前記ガス供給部による第１の供給により供給することと、前記反応室内に前記クリーニングガスが存在する条件下で前記反応室内にプラズマを発生させることとを含み、
前記メンテナンスは、酸性洗浄液を用いて前記表面から前記第２層の全て又はその一部を除去することと、前記第２層が除去された前記表面に前記第２層を再形成することとを含む
膜処理装置の保守方法。
【請求項１１】
半導体薄膜の加工をするための反応室と、高周波電源と、前記高周波電源に接続され、前記反応室の内部に設置されている第１電極と、前記反応室の内部に設置されている第２電極と、前記反応室内にガスを供給するガス供給部と、前記反応室からの排気をするための真空ポンプとを具備する膜処理装置の保守方法であって、
セルフクリーニングを行うことと、
前記セルフクリーニングを所定の回数行うごとにメンテナンスを行うことと
を含み、
前記第１電極、前記反応室の内部に設置されている部品又は前記反応室の内壁の少なくとも一つの表面には、純アルミニウムより耐磨耗性が高い内側の第１層と、前記第１層より耐磨耗性が低い外側の第２層とが形成されており、
前記セルフクリーニングは、クリーニングガスを前記反応室内に前記ガス供給部による第１の供給により供給することと、前記反応室内に前記クリーニングガスが存在する条件下で前記反応室内にプラズマを発生させることとを含み、
前記メンテナンスは、ブラスト処理により前記表面から前記第２層の全て又はその一部を除去することと、前記第２層が除去された前記表面に前記第２層を再形成することとを含む
膜処理装置の保守方法。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載の膜処理装置の保守方法であって、
前記反応室の内部に温度センサを具備し、
前記温度センサが検出するセンサ検出温度から、予め取得されている前記センサ検出温度と前記第１電極の温度の実測値との対応関係データに基づいて、前記第１電極の温度の推定値である電極温度推定値をリアルタイムで推定することと、
前記電極温度推定値が所定の第１温度を超えた場合には、プラズマを発生させることを停止することを含む
膜処理装置の保守方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月7日(2007.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルと、
平板部に外脚部と前記コイルに挿入される中脚部とを有する第１のコア及び第２のコアと、
前記第１のコアと前記第２のコアとの間に、前記第１のコア及び前記第２のコアと連接するように配置された閉磁路回路を構成する中間コアと、
を有する磁性素子であって、
前記第１のコアの中脚部の前記外脚部が延びる方向と垂直方向の断面積をＳ１とし、
前記中間コアの前記外脚部が延びる方向と平行方向の断面積をＳ２とし、
前記第２のコアの中脚部の前記外脚部が延びる方向と垂直方向の断面積をＳ３としたときに、
Ｓ１≦Ｓ３であり、かつＳ１≦Ｓ２
の関係であること
を特徴とする磁性素子。
【請求項２】
前記中間コアと前記中脚部の先端部との間にギャップを有していることを特徴とする請求項１に記載の磁性素子。
【請求項３】
前記コイルは、平角線のエッジワイズ巻きのコイルであることを特徴とする請求項１に記載の磁性素子。
【請求項４】
前記ギャップは、前記コアと前記中間コアとの間にスペーサ部材を配置することにより形成されていること
を特徴とする請求項２または３に記載の磁性素子。
【請求項５】
前記中間コアの実効透磁率を前記第１のコア及び前記第２のコアの実効透磁率よりも低くするにより、実質的なギャップを形成したこと
を特徴とする請求項２または３に記載の磁性素子。
【請求項６】
前記第１のコア、前記第２のコア及び前記中間コアに共通の樹脂ベース部材を設けるとともに、実装基板に実装するための端子部材を前記樹脂ベース部材に設けたこと
を特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の磁性素子。
【請求項７】
前記第１のコア、前記第２のコア及び前記中間コアに共通の磁気シールド部材を設けたこと
を特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の磁性素子。
【請求項８】
前記磁気シールド部材は、磁性粉を混合した樹脂部材で構成されていること
を特徴とする請求項７に記載の磁性素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第１のコア２は、矩形状の平板２ａと、平板２ａの両端部に形成された外脚２ｂと、平板２ａの中央部に付近に設けられた中脚２ｃとからなっている。平板２ａの短手方向における一方の端部には、インダクタンス素子１が完成した際にコイル６の端部６ａを逃がすための切欠部２ｆ（図２参照）が形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
平板２ａの長手方向の両端部には、平板２ａに対して垂直方向に延びる方向に外脚２ｂが形成されており、外脚２ｂの先端部には、平板２ａと平行な平面を有する先端面２ｄが形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月18日(2007.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
バインダー繊維の含有量が不織布の５〜２０質量％であることを特徴とする請求項４または５記載の電池用セパレータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ポリオレフィン繊維は耐アルカリ性、耐酸化劣化性には優れているものの、親水性に劣るため、ポリオレフィン繊維に親水性を付与しなければならない。親水性付与方法としては、ＳＯ3ガス、熱濃硫酸、発煙硫酸、またはクロル硫酸で処理してスルホン化する方法、フッ素を含む反応ガスで処理する方法、アクリル酸、メタクリル酸等の親水基を有する基をグラフト重合させる方法など多くの方法が提案されている（例えば、特許文献１〜３）。しかし、これらの親水性付与方法は高価な上、繊維が劣化する、親水性を長期間維持できない、外観が極めて悪くなるといった問題があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
親水性および耐酸化劣化性を併せ持った繊維を使用した電池用セパレータとして、芳香族ポリアミド繊維または全芳香族ポリアミド繊維からなる不織布を用いたものも提案されている（例えば、特許文献４〜６）。しかし、芳香族ポリアミド繊維または全芳香族ポリアミド繊維は、耐熱性が高いために該繊維のみからなる不織布はそれ自身の接着性が低く、不織布強度に問題があった。また、一般の熱可塑性バインダー繊維との接着性も低く、やはり不織布強度に問題があった。接着性を高めるために樹脂接着を行う方法もあるが、電池用セパレータとして使用すると接着樹脂が電池の電解液に溶出する問題点があった。また、芳香族ポリアミド繊維または全芳香族ポリアミド繊維は、高温での耐アルカリ性が悪く、分解生成物が電池特性に悪影響を及ぼしたり、電池セパレータとして、活物質の移動防止性能が低下するため、寿命特性に影響を及ぼしたりすることがあった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、
（１）ジカルボン酸成分の６０モル％以上が芳香族カルボン酸成分であるジカルボン酸成分とジアミン成分の６０モル％以上が炭素数６〜１２の脂肪族アルキレンジアミンであるジアミン成分とから縮重合される半芳香族ポリアミド繊維と、脂肪族ポリアミド繊維と、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維とを含有した不織布からなる電池用セパレータ、
（２）脂肪族ポリアミド繊維の含有量が不織布の１０〜８０質量％であることを特徴とする上記（１）記載の電池用セパレータ、
（３）ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維の含有量が不織布の１〜１０質量％であることを特徴とする上記（１）または（２）記載の電池用セパレータ、
（４）さらにバインダー繊維を含有する上記（１）〜（３）のいずれか記載の電池用セパレータ、
（５）バインダー繊維がエチレンビニルアルコール共重合体繊維、エチレンビニルアルコール共重合体を含む複合繊維、ポリオレフィン系熱融着繊維、ポリオレフィン系芯鞘型熱融着繊維から選ばれる少なくとも１種である上記（４）記載の電池用セパレータ、
（６）バインダー繊維の含有量が不織布の５〜２０質量％であることを特徴とする上記（４）または（５）記載の電池用セパレータ、
を見出した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明の電池用セパレータにおいて、湿式法で不織布を製造する場合、半芳香族ポリアミド繊維、ポリアミド繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、バインダー繊維の繊維長としては、２〜２０ｍｍが好ましい。繊維長が２０ｍｍを超えた場合、湿式法では繊維の分散が難しくなることがあり、地合不良等が発生し、良好な繊維ウェブの形成ができなくなるといった問題が生じることがある。一方、繊維長が２ｍｍ未満では、電池セパレータの機械的強度が小さくなることがある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
実施例で得られた本発明の電池用セパレータは、半芳香族ポリアミド繊維、脂肪族ポリアミド繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維とを含有した不織布からなり、耐アルカリ性、耐熱性、耐酸化劣化性に優れ、機械的強度が高く、シャットダウン機能を有する良好な結果が得られた。一方、比較例１で得られた電池用セパレータは、バインダー繊維以外は半芳香族ポリアミド繊維および脂肪族ポリアミド繊維からなっており、バインダー繊維との接着性は良好であるが、繊維の機械的強度が低いために、電極のエッジやバリに対する強度が低く、電池製造時の不良率が高い。また、バインダー繊維にポリビニルアルコール繊維を用いたため、高温での耐アルカリ性に劣り、９０℃での急速充放電試験では寿命の低下が確認された。