【手続補正書】
【提出日】平成20年3月21日(2008.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １つ以上の重合可能なオレフィンを含有するオレフィン成分を重合するための方法であって、該重合可能なオレフィンの少なくとも１つが極性オレフィンであるという条件で、重合条件下に、３−１１族遷移金属またはランタニドと、配位子と、ルイス酸成分とを含む重合触媒系と前記オレフィン成分を接触させる工程を含み、ルイス酸成分が
（ａ）中性であり、前記配位子に共有結合され、または
（ｂ）正電荷を有し、前記配位子のルイス塩基部位に結合されることを特徴とする方法。
【請求項２】  少なくとも２０の重合度を有するポリマーに対する１つ以上の重合可能なオレフィンを含むオレフィン成分を重合するための方法であって、重合条件下に、８−１１族遷移金属またはランタニドと、配位子と、ルイス酸成分とを含む重合触媒系と前記オレフィン成分を接触させる工程を含み、ルイス酸成分が
（ａ）中性であり、前記配位子に共有結合され、または
（ｂ）正電荷を有し、前記配位子のルイス塩基部位に結合されることを特徴とする方法。
【請求項３】  １つ以上の重合可能なオレフィンがエチレン、Ｈ2Ｃ＝ＣＨ−（ＣＨ2）t−Ｈ、Ｈ2Ｃ＝ＣＨ−Ｒ100−Ｇ、ノルボルネン、置換ノルボルネン、シクロペンテンおよび／または置換シクロペンテンであって、式中ｔは１〜２０の整数であり、Ｒ100は共有結合もしくはアルキレンまたは置換アルキレンであり、Ｇは不活性官能基である請求項２に記載の方法。
【請求項４】  エチレンのみが重合される請求項３に記載の方法。
【請求項５】  遷移金属がＦｅ、Ｃｏ、Ｐｄ、ＮｉまたはＣｕである請求項２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０４】
【表２１】
2003535190.tif 000001
本発明の好適な実施の態様は次のとおりである。
１．  １つ以上の重合可能なオレフィンを含有するオレフィン成分を重合するための方法であって、重合条件下に、該オレフィン成分を重合触媒系と接触させる工程を含み、重合触媒系が３−１１族の遷移金属またはランタニドと、配位子と、ルイス酸成分とを含み、ルイス酸成分が
（ａ）中性であり、前記配位子に共有結合され、または
（ｂ）正電荷を有し、前記配位子のルイス塩基部位に結合されることを特徴とする方法。
２．  遷移金属が８−１１族の遷移金属である上記１に記載の方法。
３．  遷移金属がＦｅ、Ｃｏ、Ｐｄ、ＮｉまたはＣｕである上記２の方法。
４．  前記配位子が前記金属成分に近接した前記ルイス酸を保持することが可能である上記１に記載の方法。
５．  ルイス酸が約１３０°以下のルイス酸相互作用円錐体内で錯体に結合される上記４に記載の方法。
６．  ルイス酸が約９０°以下のルイス酸相互作用円錐体内で錯体に結合される上記７に記載の方法。
７．  配位子が式
【化１】
2003535190.tif 000002
［式中ＢＸ、ＢＹおよびＢＺは各々独立的にルイス塩基であり、Ｌは独立的にＬＡまたはＢＸであり、ＬＡはルイス酸であり、ＣＡは炭素、窒素、イオウ、ケイ素、ホウ素、およびリンからなる群から選択される結合原子であり、ｆおよびｒは独立的に１以上の整数であり、ｅはゼロまたは１以上の整数であり、ｇは２以上の整数であり、点線は架橋、一重または多重結合である］である上記１に記載の方法。
８．  式（Ｉ）または（ＩＩ）が
【化２】
2003535190.tif 000003
［式中、Ｒ1およびＲ2は各々独立的にヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたは官能基であり、
ＹはＣＲ11Ｒ12、Ｓ（Ｔ）、Ｓ（Ｔ）2、Ｐ（Ｔ）Ｑ、ＮＲ36またはＮＲ36ＮＲ36であり、
Ｘは−Ｏ−、−ＣＲ5Ｒ6−またはＮＲ5であり、
ＡはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ、ＰまたはＡｓであり、
ＺはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ、ＰまたはＡｓであり、
各Ｑは独立的にヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ11およびＲ12は各々独立的に水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたは官能基であり、
Ｒ7は、ＺがＯ、ＳまたはＳｅであるとき、Ｒ7が存在しないという条件で、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたは官能基であり、
各Ｒ8とＲ9は独立的に水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたは官能基であり、
Ｒ10は水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたは官能基であり、
Ｒ11とＲ12は各々独立的に水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたは官能基であり、
各Ｔは独立的に＝０または＝ＮＲ30であり、
Ｒ30は水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、または官能基であり、
各Ｒ31とＲ32は、Ｒ31とＲ32が共に環を形成するという条件で、独立的に水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、または官能基であり、
Ｒ33とＲ34は、各々がアリール基の遊離結合にビシナルの少なくとも１つの位置に置換されたアリールであり、または各々が−１．０以下のＥsを有するという条件で、各々独立的にヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、
Ｒ35は、ＡがＯ、ＳまたはＳｅであるとき、Ｒ35が存在しないという条件で、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、または官能基であり、
Ｒ36は水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたは官能基であり、
同じ炭素原子に結合されたＲ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ11およびＲ12のいずれか２つが共に官能基を形成することができ、
同じ原子に結合されまたは互いにビシナルのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34、Ｒ35およびＲ36のいずれか２つが共に環を形成しうるという条件で、
ｍは０または１であり、
ｓは０または１であり、
ｎは０または１であるとともに、
ｑは０または１である］である上記７に記載の方法。
９．  式（ＩＩＩ）が
【化３】
2003535190.tif 000004
［式中
各Ｒ52は、各Ｒ52がアリール基の遊離結合にビシナルの１つの位置に置換されたアリールであり、または各々独立的に−１．０以下のＥS有するという条件で、独立的にヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、
各Ｒ50は独立的に置換ヒドロカルビルであり、各Ｒ51は、Ｒ51の少なくとも１つが置換ヒドロカルビルであるという条件で、独立的に水素、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルである］である上記８に記載の方法。
１０．  式（Ｉ）または（ＩＩ）が
【化４】
2003535190.tif 000005
［式中、
Ａｒはアリールまたは置換アリールであり、
Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43およびＲ44は各々独立的に水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたは不活性官能基であり、互いにビシナルのこれらの基のいずれか２つが共に環を形成しうるという条件で、
Ｒ40は水素、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、
ＫはＮまたはＣＲ62であり、
Ｒ46はヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビル（−ＳＲ67、−ＯＲ67、または−Ｎ（Ｒ68）2など）であって、Ｒ67がヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、各Ｒ68が独立的に水素、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルである）であり、
Ｒ64は水素、官能基、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、Ｒ62はＲ62とＲ64、またはＲ64とＲ46が共に環を形成しうるという条件で、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであるとともに、
Ｒ78はヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルである］である上記７に記載の方法。
１１．  式（Ｉ）または（ＩＩ）が
【化５】
2003535190.tif 000006
［式中、
ＱＱがリンであり、ＺＺが窒素であるとき、Ｒ81とＲ82は各々独立的に約−０．９０以下のＥSを有するヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、Ｒ83、Ｒ84、Ｒ85、Ｒ86およびＲ87は各々独立的に水素、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであるとともに、互いにビシナルまたはジェミナルのＲ81、Ｒ82、Ｒ83、Ｒ84、Ｒ85、Ｒ86、Ｒ87およびＲ88のいずれか２つがともに環を形成しうるという条件で、Ｒ88がアリールまたは置換アリールであり、
ＱＱがリンであり、ＺＺが窒素であるとき、Ｒ81とＲ82は各々独立的に約−０．９０以下のＥSを有するヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、Ｒ83とＲ84は各々独立的に水素、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、Ｒ85とＲ87は共に二重結合を形成し、Ｒ88は存在せず、Ｒ86はヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビル（−ＯＲ89または−ＮＲ90Ｒ91などであって、Ｒ89がヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、Ｒ90とＲ91が各々独立的に水素、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルである）であり、
ＱＱが窒素であるとき、Ｒ81は約−０．９０以下のＥSを有するヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、Ｒ82とＲ83は各々独立的に水素、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、または共に環または二重結合を形成し、Ｒ84は水素、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、ＺＺは酸素であり、Ｒ86とＲ87は共に二重結合を形成し、Ｒ88は存在せず、Ｒ85は−ＯＲ92、−Ｒ93または−ＮＲ94Ｒ95であって、Ｒ92とＲ93が各々独立的にヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであるとともに、Ｒ82とＲ83が共に芳香環を形成するとき、Ｒ81とＲ84が存在しないという条件で、Ｒ94とＲ95は各々水素、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルである
という条件で、
ＺＺは窒素または酸素であり、
ＱＱは窒素またはリンである］である上記７に記載の方法。
１２．  ルイス酸成分が正電荷を有し、前記配位子のルイス塩基部位に結合される上記１に記載の方法。
１３．  ルイス酸がリチウム、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウム、マンガン、銅または亜鉛である上記１２に記載の方法。
１４．  ルイス酸がリチウムまたはナトリウムである上記１３に記載の方法。
１５．  １つ以上の重合可能なオレフィンがエチレン、Ｈ2Ｃ＝ＣＨ−（ＣＨ2）t−Ｈ、Ｈ2Ｃ＝ＣＨ−Ｒ100−Ｇ、ノルボルネン、置換ノルボルネン、シクロペンテン、および／または置換シクロペンテンであって、式中ｔは１〜２０の整数であり、Ｒ100は共有結合もしくはアルキレンまたは置換アルキレンであり、Ｇは不活性官能基である上記１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
１６．  １つ以上の重合可能なオレフィンがエチレンおよび／またはＨ2Ｃ＝ＣＨ−（ＣＨ2）t−Ｈであって、式中ｔが１〜２０の整数である上記１５に記載の方法。
１７．  エチレンのみが重合される上記１６に記載の方法。
１８．  極性ビニルオレフィンが存在する上記１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
１９．  極性ビニルオレフィンが炭化水素オレフィンと共重合されることを特徴とする上記１８の方法。
２０．  エチレンが１つ以上のＨ2Ｃ＝ＣＨ−（ＣＨ2）t−Ｈおよび／またはＨ2Ｃ＝ＣＨ−Ｒ100−Ｇと共重合され、エチレン圧が約７００ｋＰａ以上であるとともに、前記方法が約５０℃〜約１７０℃で運転される上記１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
２１．  １つ以上の重合可能なオレフィンを含有するオレフィン成分を重合するための方法であって、該重合可能なオレフィンの少なくとも１つが極性オレフィンであるという条件で、重合条件下に、３−１１族遷移金属またはランタニドと、配位子と、ルイス酸成分とを含む重合触媒系と前記オレフィン成分を接触させる工程を含み、ルイス酸成分が
（ａ）中性であり、前記配位子に共有結合され、または
（ｂ）正電荷を有し、前記配位子のルイス塩基部位に結合されることを特徴とする方法。
２２．  少なくとも約２０の重合度を有するポリマーに対する１つ以上の重合可能なオレフィンを含むオレフィン成分を重合するための方法であって、重合条件下に、８−１１族遷移金属またはランタニドと、配位子と、ルイス酸成分とを含む重合触媒系と前記オレフィン成分を接触させる工程を含み、ルイス酸成分が
（ａ）中性であり、前記配位子に共有結合され、または
（ｂ）正電荷を有し、前記配位子のルイス塩基部位に結合されることを特徴とする方法。
２３．  １つ以上の重合可能なオレフィンがエチレン、Ｈ2Ｃ＝ＣＨ−（ＣＨ2）t−Ｈ、Ｈ2Ｃ＝ＣＨ−Ｒ100−Ｇ、ノルボルネン、置換ノルボルネン、シクロペンテンおよび／または置換シクロペンテンであって、式中ｔは１〜２０の整数であり、Ｒ100は共有結合もしくはアルキレンまたは置換アルキレンであり、Ｇは不活性官能基である上記２２に記載の方法。
２４．  １つ以上の重合可能なオレフィンがエチレンおよび／またはＨ2Ｃ＝ＣＨ−（ＣＨ2）t−Ｈであり、式中ｔは１〜２０の整数である上記２３に記載の方法。
２５．  エチレンのみが重合される上記２４に記載の方法。
２６．  遷移金属がＦｅ、Ｃｏ、Ｐｄ、ＮｉまたはＣｕである上記２２に記載の方法。
２７．  前記配位子が前記金属成分に近接した前記ルイス酸を保持することが可能である上記２２に記載の方法。
２８．  ルイス酸が約１３０°以下のルイス酸相互作用円錐体内で錯体に結合される上記２７に記載の方法。
２９．  ルイス酸が約９０°以下のルイス酸相互作用円錐体内で錯体に結合される上記２８に記載の方法。
３０．  極性ビニルオレフィンが存在する上記２７に記載の方法。
３１．  極性ビニルオレフィンが炭化水素オレフィンと共重合され
る上記３０に記載の方法。
３２．  配位子が式
【化６】
2003535190.tif 000007
［式中ＢＸ、ＢＹおよびＢＺは各々独立的にルイス塩基であり、Ｌは独立的にＬＡまたはＢＸであり、ＬＡはルイス酸であり、ＣＡは炭素、窒素、イオウ、ケイ素、ホウ素、およびリンからなる群から選択される結合原子であり、ｆおよびｒは独立的に１以上の整数であり、ｅはゼロまたは１以上の整数であり、ｇは２以上の整数であり、点線は架橋、一重または多重結合である］である上記２２に記載の方法。
３３．  式（Ｉ）または（ＩＩ）が
【化７】
2003535190.tif 000008
［式中、Ｒ1およびＲ2は各々独立的にヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたは官能基であり、
ＹはＣＲ11Ｒ12、Ｓ（Ｔ）、Ｓ（Ｔ）2、Ｐ（Ｔ）Ｑ、ＮＲ36またはＮＲ36ＮＲ36であり、
Ｘは−Ｏ−、−ＣＲ5Ｒ6−またはＮＲ5であり、
ＡはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ、ＰまたはＡｓであり、
ＺはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ、ＰまたはＡｓであり、
各Ｑは独立的にヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ11およびＲ12はそれぞれ独立的に水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたは官能基であり、
Ｒ7は、ＺがＯ、ＳまたはＳｅであるとき、Ｒ7が存在しないという条件で、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたは官能基であり、
各Ｒ8とＲ9は独立的に水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたは官能基であり、
Ｒ10は水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたは官能基であり、
Ｒ11とＲ12はそれぞれ独立的に水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたは官能基であり、
各Ｔは独立的に＝０または＝ＮＲ30であり、
Ｒ30は水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、または官能基であり、
各Ｒ31とＲ32は、Ｒ31とＲ32が共に環を形成し得るという条件で、独立的に水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、または官能基であり、
Ｒ33とＲ34は、各々がアリール基の遊離結合にビシナルの少なくとも１つの位置に置換されたアリールであり、または各々が−１．０以下のＥsを有するという条件で、各々独立的にヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、
Ｒ35は、ＡがＯ、ＳまたはＳｅであるとき、Ｒ35が存在しないという条件で、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、または官能基であり、
Ｒ36は水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたは官能基であり、
同じ炭素原子に結合されたＲ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ11およびＲ12のいずれか２が共に官能基を形成することができ、
同じ原子に結合されまたは互いにビシナルのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、
Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34、Ｒ35およびＲ36のいずれか２つが共に環を形成しうるという条件で、
ｍは０または１であり、
ｓは０または１であり、
ｎは０または１であるとともに、
ｑは０または１である］である上記３２に記載の方法。
３４．  式（ＩＩＩ）が
【化８】
2003535190.tif 000009
［式中
各Ｒ52は、各Ｒ52がアリール基の遊離結合にビシナルの１つの位置に置換されたアリールであり、または各々独立的に−１．０以下のＥs有するという条件で、独立的にヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、
各Ｒ50は独立的に置換ヒドロカルビルであり、各Ｒ51は、Ｒ51の少なくとも１つが置換ヒドロカルビルであるという条件で、独立的に水素、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルである］である上記３３に記載の方法。
３５．  式（Ｉ）または（ＩＩ）が
【化９】
2003535190.tif 000010
［式中、
Ａｒはアリールまたは置換アリールであり、
Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43およびＲ44は各々独立的に水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビルまたは不活性官能基であり、互いにビシナルのこれらの基のいずれか２つが共に環を形成しうるという条件で、
Ｒ40は水素、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、
ＫはＮまたはＣＲ62であり、
Ｒ46はヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビル（−ＳＲ67、−ＯＲ67、または−Ｎ（Ｒ68）2などであって、Ｒ67がヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、各Ｒ68が独立的に水素、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルである）であり、
Ｒ64は水素、官能基、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、Ｒ62はＲ62とＲ64、またはＲ64とＲ46が共に環を形成しうるという条件で、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであるとともに、
Ｒ78はヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルである］である上記３２に記載の方法。
３６．  式（Ｉ）または（ＩＩ）が
【化１０】
2003535190.tif 000011
［式中、
ＱＱがリンであり、ＺＺが窒素であるとき、Ｒ81とＲ82は各々独立的に約−０．９０以下のＥSを有するヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、Ｒ83、Ｒ84、Ｒ85、Ｒ86およびＲ87は各々独立的に水素、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであるとともに、互いにビシナルまたはジェミナルのＲ81、Ｒ82、Ｒ83、Ｒ84、Ｒ85、Ｒ86、Ｒ87およびＲ88のいずれか２つがともに環を形成しうるという条件で、Ｒ88がアリールまたは置換アリールであり、
ＱＱがリンであり、ＺＺが酸素であるとき、Ｒ81とＲ82は各々独立的に約−０．９０以下のＥSを有するヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、Ｒ83とＲ84は各々独立的に水素、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、Ｒ85とＲ87は共に二重結合を形成し、Ｒ88は存在せず、Ｒ86はヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビル（−ＯＲ89または−ＮＲ90Ｒ91などであって、Ｒ89がヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、Ｒ90とＲ91が各々独立的に水素、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルである）であり、
ＱＱが窒素であるとき、Ｒ81は約−０．９０以下のＥSを有するヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、Ｒ82とＲ83は各々独立的に水素、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、または共に環または二重結合を形成し、Ｒ84は水素、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであり、ＺＺは酸素であり、Ｒ86とＲ87は共に二重結合を形成し、Ｒ88は存在せず、Ｒ85は−ＯＲ92、−Ｒ93または−ＮＲ94Ｒ95であって、Ｒ92とＲ93が各々独立的にヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルであるとともに、Ｒ82とＲ83が共に芳香環を形成するとき、Ｒ81とＲ84が存在しないという条件で、Ｒ94とＲ95は各々水素、ヒドロカルビルまたは置換ヒドロカルビルである
という条件で、
ＺＺは窒素または酸素であり、
ＱＱは窒素またはリンである］である上記３２に記載の方法。
３７．ルイス酸成分が正電荷を有し、前記配位子のルイス塩基部位に結合される上記３２に記載の方法。
３８．  ルイス酸がリチウム、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウム、マンガン、銅または亜鉛カチオンである上記３７に記載の方法。
３９．  ルイス酸がリチウムまたはナトリウム陽イオンである上記３８に記載の方法。
４０．  エチレンが１つ以上のＨ2Ｃ＝ＣＨ−（ＣＨ2）t−Ｈ、及び／又はＨ2Ｃ＝ＣＨ−Ｒ100−Ｇと共重合され、エチレン圧が約７００ｋＰａ以上であるとともに、前記方法が約５０℃〜約１７０℃下に運転され、Ｒ100は共有結合もしくはアルキレンまたは置換アルキレンであり、Ｇは不活性官能基である上記３１に記載の方法。
４１．  遷移金属がニッケルである上記２６に記載の方法。
４２  遷移金属がニッケルである上記４１に記載の方法。