(57)【要約】  光導波路素子（１０）は、対向する２つの起立壁（３２）を有する金属製の固定部材（８）と、起立壁（３２）の間に挿入される直方体形状の金属製サブマウント（３３）及びその上に搭載される非金属製サブマウント（３４）を有するサブマウント部材（９）に搭載されて、基台（３）上に固定される。固定部材（８）とサブマウント部材（９）との間、及び、固定部材（８）と基台（３）との間は、それぞれＹＡＧ溶接でスポット溶接される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが光導波路を有し基台上に配置された複数の光導波路素子を、光学レンズを含む光学系を介して光学的に結合する光モジュールにおいて、
前記光導波路素子の少なくとも１つを前記基台（３）上に支持する支持部材（８、９）が、
前記基台上に固定される略直方体形状の基部（３１）と該基部の上面から直立し相互に対向して延在する２枚の起立壁（３２）とを有する固定部材（８）と、
略直方体形状のサブマウント部材（９）であって、対向する側面が前記２枚の起立壁（３２）の対向する壁面に挟持され、前記基部（３１）から離隔して前記起立壁に支持されるサブマウント部材（９）と、
を含むことを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記サブマウント部材（９）が、前記起立壁に支持される金属製の第１のサブマウント（３３）と、該第１のサブマウント（３３）に支持され、前記光導波路素子（１０）を搭載する非金属性の第２のサブマウント（３４）とを含む、請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記基台（３）と前記固定部材（８）との間、及び、前記固定部材（８）と前記サブマウント部材（９）との間は、それぞれスポット溶接で固定されている、請求項１又は２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記サブマウント部材（９）の底面と、前記基部（３１）の上面との間に熱良導体材料から成る充填部材（１９）が充填されている、請求項１に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記充填部材（１９）が、前記基台（３）をパッケージ内に固定するはんだよりも融点が高いはんだである、請求項４に記載の光モジュール。
【請求項６】
前記サブマウント部材（９）の底面と前記基部（３１）の上面とが、前記充填部材（１９）の充填に先立ってメッキされている、請求項５に記載の光モジュール。
【請求項７】
それぞれが光導波路を有し基台（３）上に配置した複数の光導波路素子を、光学レンズを含む光学系を介して光学的に結合する、光モジュールの製造方法において、
略直方体形状の基部（３１）と該基部の上面から直立し相互に対向して延在する２枚の起立壁（３２）とを有する固定部材（８）を用意する第１のステップと、
前記２枚の起立壁（３２）の離隔距離に適合した離隔距離を持つ２つの対向面を有する略直方体形状のサブマウント部材（９）に、前記光導波路素子（１０）の少なくとも１つを搭載する第２のステップと、
前記光導波路素子（１０）を搭載したサブマウント部材（９）を、前記対向面を前記起立壁（３２）の壁面上でスライドさせつつ、前記２つの起立壁（３２）の間に挿入する第３のステップと、
前記少なくとも１つの光導波路素子（１０）を、前記光学系の少なくとも一部を介して他の光導波路素子（５）に光学的に位置合わせした後に、前記サブマウント部材（９）と前記固定部材（８）との間、及び、前記固定部材（８）と前記基台（３）との間をそれぞれ固定する第４のステップと、
を有することを特徴とする光モジュールの製造方法。
【請求項８】
前記サブマウント部材（９）の少なくとも前記対向面、及び、前記固定部材（８）の起立壁（３２）がそれぞれ金属製であり、前記第４のステップはスポット溶接法を用いる、請求項７に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記サブマウント部材（９）の底面と前記基部（３１）の上面との間に、熱良導体材料から成る充填部材（１９）を充填する第５のステップを有する、請求項８に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記サブマウント部材（９）が、前記起立壁（３２）に支持される金属製の第１のサブマウント（３３）と、該第１のサブマウント（３３）に支持され、前記光導波路素子（１０）を搭載する非金属性の第２のサブマウント（３４）とを含む、請求項７〜９の何れか一に記載の光モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュール及びその製造方法に関し、更に詳しくは、ハイブリッド光集積デバイスを有する光モジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及により、光システムの小型化に対する要求が増している。その解決策の一つとして、光導波路を有する光導波路素子同士の集積が検討されている。これら光素子同士の集積の方法には、モノリシック集積とハイブリッド集積とが考えられる。モノリシック集積デバイスは、小型化の究極の姿であるが、作製プロセスの制限や、レーザを集積した場合に反射戻り光の影響が無視できないなど、個々の光素子の機能最適化が困難である。また、光素子が大型化し製造工程が複雑になるため、歩留まりが悪いことが懸念される。【０００３】
一方、ハイブリッド集積デバイスは、光結合のための光学レンズが必要になるなど、部品点数が多くなるものの、個々の光素子の機能最適化が容易であること、デザイン変更が容易であること、異なる材料で作製された光素子同士を集積することができるなど、応用範囲が広いことから注目されている。【０００４】
ハイブリッド集積デバイスでは、光導波路素子同士の位置合わせが特に重要である。従来は、高さ方向の位置を決める際に、光導波路素子を搭載するサブマウントの高さを予め相手の光導波路素子に合わせておく方法、或いは、高さ調整が必要な場合には、スペーサで調整するという方法が取られていた。前者の技術は、例えば特開２００４−２８９０１１号公報に記載されている。【０００５】
しかし、半導体光導波路では、作製工程において半導体基板が研磨されるため、半導体積層方向に平行な上下方向の導波路位置にばらつきが生じる。また、導波路の寸法が数μmオーダと小さく、光導波路素子相互の結合トレランスが厳しいため、結合レンズの微調整だけでは、結合効率の向上が見込めない場合がある。このため、位置合わせが容易なハイブリッド光集積デバイスが望まれていた。【０００６】
特開２００１−５９９２５号公報は、光導波路を有する光導波路素子と光学レンズなどの光学素子とを光学的に結合する際に、その位置合わせが容易な光モジュールを記載している。特開２００１−５９９２５号公報に記載の光モジュールでは、光アイソレータ及び光学レンズを含む光学素子を搭載するホルダを、ホルダ保持部に保持した状態で、モジュール内の光導波路素子に位置合わせし、予め基台上に固定したホルダ保持部にそのホルダを固定する構造を採用している。【０００７】
特開２００１−５９９２５号公報に記載の構造によると、光学素子と光導波路素子の位置合わせが容易になる利点がある。しかし、この公報では、光学素子と光導波路素子の位置合わせについては記載があるが、光導波路素子が複数存在する場合に、その光導波路素子相互を、光学素子を介して位置合わせする構造は記載されていない。
【発明の概要】
【０００８】
本発明は、上記に鑑み、光学素子を介して複数の光導波路素子を相互に光学的に結合するハイブリッド型の光モジュールであって、その光学的な結合の際の位置精度が高く且つ容易に行われるように改良された光モジュール、及び、その製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
本発明は、それぞれが光導波路を有し基台上に配置された複数の光導波路素子を、光学レンズを含む光学系を介して光学的に結合する光モジュールにおいて、
前記光導波路素子の少なくとも１つを前記基台上に支持する支持部材が、
前記基台上に固定される略直方体形状の基部と該基部の上面から直立し相互に対向して延在する２枚の起立壁とを有する固定部材と、
略直方体形状のサブマウント部材であって、対向する側面が前記２枚の起立壁の対向する壁面に挟持され、前記基部から離隔して前記起立壁に支持されるサブマウント部材と、
を含むことを特徴とする光モジュールを提供する。
【００１０】
また、本発明は、それぞれが光導波路を有し基台上に配置した複数の光導波路素子を、光学レンズを含む光学系を介して光学的に結合する、光モジュールの製造方法において、
略直方体形状の基部と該基部の上面から直立し相互に対向して延在する２枚の起立壁とを有する固定部材を用意するステップと、
前記２枚の起立壁の離隔距離に適合した離隔距離を持つ２つの対向面を有する略直方体形状のサブマウント部材に、前記光導波路素子の少なくとも１つを搭載するステップと、
前記光導波路素子を搭載したサブマウント部材を、前記対向面を前記起立壁の壁面上でスライドさせつつ、前記２つの起立壁の間に挿入するステップと、
前記少なくとも１つの光導波路素子を、前記光学系の少なくとも一部を介して他の光導波路素子に光学的に位置合わせした後に、前記サブマウント部材と前記固定部材との間、及び、前記固定部材と前記基台との間をそれぞれ固定するステップと、
を有することを特徴とする光モジュールの製造方法を提供する。
【００１１】
本発明の光モジュール及び本発明方法で製造された光モジュールは、光モジュールの基台上で光学系を介して複数の光導波路素子を光学的に結合する際に、光導波路素子、サブマウント部材及び固定部材を相互に組み合わせた状態で、基台に対して光導波路素子を移動させて調整することにより、光軸の位置及び角度調整が精度高く且つ容易に行われ、その後サブマウント部材と固定部材、及び、固定部材と基台とを固定することにより、光結合効率が高く且つ製作も容易な光モジュールが得られる。
【００１２】
また、基台に対して一旦サブマウント部材を固定した後に、例えば光学レンズの位置ずれなどにより、双方の光導波路素子の光軸がずれた場合には、固定部材とサブマウント部材の固定を外して、或いは、基台と固定部材との固定を外して、再度の調整も可能になる。このため、光モジュールのパッケージ組み立て時の歩留まりが向上する。
【００１３】
従来は、スペーサで高さ方向の位置決めをする場合には、集積する相手側の光導波路素子に対して、高さが異なる複数のスペーサを用意する必要があった。しかし、本発明のサブマウント部材及び固定部材の組み合わせを用いることにより、集積する光導波路素子の形状が変わっても、同じ形状のサブマウント部材及び固定部材の組み合わせで対応できるので、製品の種類に対してこれら部材の点数を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光モジュールの縦断面図。
【図２】図１の光モジュールにおけるＭＺ型変調器をサブマウント部材及び固定部材とを含んでなる支持部材と共に示す横断面図。
【図３】図２のＭＺ型変調器を位置決めする際の状態を示す斜視図。
【図４】図２のＭＺ型変調器の構造を示す斜視図。
【図５】図４のＭＺ型変調器の入出射導波路部分における横断面図。
【図６】図４のＭＺ型変調器の製造工程を順次に示す平面図及び断面図。
【図７】図６に後続する製造工程を順次に示す平面図及び断面図。
【図８】光導波路素子の光軸からの高さずれ量に対する結合効率の変化を表したグラフ。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る光モジュールにおける光導波路素子を支持部材と共に示す斜視図。
【図１０】第２の実施形態に係る光モジュールの変形例における光導波路素子を支持部材と共に示す斜視図。
【図１１】本発明の第３の実施形態に係る光モジュールにおける光導波路素子を支持部材と共に示す断面図及び光導波路素子とサブマウント部材を共に示す斜視図。
【図１２】第１の実施形態の変形例の光モジュールにおける光導波路素子と支持部材の分離斜視図。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態を説明する。図面では、同様な構成要素には、同様な参照符号を付した。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光モジュールを示す縦断面図である。光モジュールは、パッケージ１内に収容された基台３上に配置された複数の光導波路素子５、１０、及び、光学レンズを含む光学系６、２４、７、１１と、パッケージ外部に配置された光学系１２、１３から構成される。この光モジュールは、光ファイバ１３に光結合される。基台３は、温度調整器を構成するペルチェモジュール２上に搭載され、ペルチェモジュール２により、光導波路素子５、１０から発生する熱量が除去される。【００１６】
基台３上に搭載される光素子には、レーザダイオード５、及び、ＭＺ型変調器１０が含まれている。レーザダイオード５は、所定波長のレーザ光を発生する光導波路素子であり、たとえばＤＦＢアレイ型波長可変レーザダイオードを用いることができる。ＭＺ型変調器１０は、マッハツエンダ（ＭＺ）型干渉導波路を有する光導波路素子であり、レーザダイオード５が発生したレーザ光を変調して光ファイバ１３に供給する。ＭＺ型変調器１０は、サブマウント部材９上に搭載され、固定部材８を介して基台３上に固定される。フォトダイオード４は、レーザダイオード５が発生したレーザ光を受光し、その強度をモニタする。【００１７】
パッケージ内の光学系は、レーザダイオード５に形成された光導波路と、ＭＺ型変調器１０とを光学的に結合するために配設されており、コリメートレンズ６、光アイソレータ２４及び集光レンズ７を含む。また、コリメートレンズ１１、集光レンズ１２は、ＭＺ型変調器１０からの出射光をファイバ１３に結合させるために配設されている。【００１８】
図２は、基台３上に搭載したＭＺ型変調器１０をその横断面図で示している。基台３上には、基部３１及び基部３１上に起立し相互に対向する２枚の起立壁３２から成る金属製の固定部材８が固定されている。双方の間の固定は、基部３１と基台３とをＹＡＧレーザでスポット溶接することで行われる。固定部材８の対向する２枚の起立壁３２の間には、ＭＺ型変調器１０を搭載する直方体形状の金属製サブマウント３３が挟持される。ＭＺ型変調器１０は、非金属製サブマウント３４に搭載され、非金属製サブマウント３４は、前記金属製サブマウント３３に搭載されている。金属製サブマウント３３及び非金属製サブマウント３４が相互にはんだ固定されて、ＭＺ型変調器１０を搭載するサブマウント部材９を構成し、サブマウント部材９と固定部材８とを含んでなる支持部材により、ＭＺ型変調器１０が基台３上で位置決めされ、固定されている。金属製サブマウント３３の横幅寸法は、対向する起立壁３２の離隔距離に適合しており、ＭＺ型変調器１０は、金属製サブマウント３３及び非金属製サブマウント３４に外力を印加しない状態で、起立壁３２に挟持されて静止可能である。【００１９】
図３は、ＭＺ型変調器１０を位置決めする際の様子を示す斜視図である。固定部材８を、基台３上に配置する。次いで、金属製サブマウント３３と非金属製サブマウント３４とからなるサブマウント部材９上にＭＺ型変調器１０を固定した状態で、位置決めアーム１６でサブマウント部材９を挟持し、固定部材８の双方の起立壁３２の間に挿入する。次いで、既に固定されているレーザダイオード５を動作させ、レーザ光を発生させる。位置決めアーム１６を操作して、起立壁３２の間でサブマウント部材９を光軸方向（Ｚ方向）及び上下方向（Ｙ方向）に動かし、また、起立壁３２の間にサブマウント部材９を配置したまま固定部品８ごとサブマウント部材９を横方向（Ｘ方向）に動かすことにより、ＭＺ型変調器１０の干渉導波路とレーザダイオード５の導波路とを位置合わせする。【００２０】
図４は、ＭＺ型変調器１０の構造を示す斜視図である。ＭＺ型変調器１０は、半導体基板４０上にＭＺ（マッハツェンダ）型干渉導波路を有する半導体素子である。マッハツエンダ型干渉導波路は、ｚ軸方向に入射導波路４４ａに入射した光をＭＭＩ（マルチモード干渉器）カプラ４１で分波して一対のアーム４２に導入し、各々のアーム４２を透過した光を再びＭＭＩカプラ４１で合波して出射導波路４４ｂから出力する。アーム４２には電極４３が形成されており、この電極４３を介してアーム４２に電界や電流を印加してアーム４２の光路長を変化させることにより、この導波路を光変調器として用いる。光軸に平行なｚ軸方向の長さは、アーム４２が約１０００μｍ、ＭＭＩカプラ４１が約１００μｍで、素子全体の長さは２０００μｍ程度である。【００２１】
図５は、図４のＭＺ型変調器１０における入出射導波路４４ａ，４４ｂを光軸方向と直交する平面で切断して示す横断面図である。ＭＺ型変調器１０の幅は約２５０μｍ、基板４０の厚さは約１００μｍである。光はクラッド層４４及び４６の間に挟まれた導波路層４５を伝搬する。導波路層４５の幅は約２μｍ、厚さは約０.４μｍである。なお、図４及び図５では、導波路構造として、活性層幅とメサ幅とが等しいハイメサ型のものを例示したが、導波路構造は、メサ幅に対して活性層幅が広いローメサ型、或いは、ハイメサ型で、活性層の両脇が絶縁物質で覆われている埋め込み型も可能である。いずれの導波路構造においても、導波路層の幅、厚さはハイメサ型の場合とほぼ等しいため、位置決めトレランスは、ほぼ同等である。【００２２】
図６（ａ）〜（ｄ）、図７（ｅ）〜（ｇ）を参照してＭＺ型変調器の製造方法について述べる（図６（ａ）〜（ｄ）、図７（ｅ）〜（ｇ）の各図において、左側の図は平面図、右側の図は断面図を表している）。なお、上記ハイメサ型のＭＺ型変調器を例に挙げて説明する。まず、基板５１上に、ＭＯＣＶＤ結晶成長装置を用い、活性層５２、及び、導波路の上部クラッド層５３を成長する（図６（ａ））。次いで、ＳｉＮｘ膜５４を蒸着法により堆積し、フォトレジスト、フォトマスクを用いて導波路パターンをＳｉＮｘ膜５４に転写する（図６（ｂ））。次いで、ＩＣＰなどのドライエッチング装置を用い、ＳｉＮｘ膜５４をマスクとして、導波路層をエッチングで形成する（図６（ｃ））。埋め込み導波路層の場合には、その後に導波路層の脇を絶縁物質で埋め込む。【００２３】
その後、ＳｉＮｘ膜５４を除去する（図６（ｄ））。次いで、全面にＳｉＮｘ膜５５どの絶縁膜を蒸着により堆積する（図７（ｅ））。フォトレジスト、及び、フォトマスクを用いて、電極が形成される部分のＳｉＮｘ膜５５を除去し、フォトレジスト、及び、フォトマスクを用いて電極５６を形成する（図７（ｆ））。その後、基板５１の裏面を研磨し、基板裏面に電極５７を形成する（図７（ｇ））。【００２４】
基板裏面の研磨は、電極５７の作製と素子作製後のチップ化のために行われる。このように基板の裏面研磨は必須の工程であるが、基板厚さを数μｍのオーダで制御することは困難であり、導波路の高さ方向のばらつきは必然的に生じてしまう。上記実施形態の光モジュールでは、ＭＺ型変調器１０の高さ方向のばらつきに対応するために、固定部材８を用いて、ＭＺ型変調器１０の導波路とレーザダイオード５の導波路とを位置合わせし、且つ、光軸合わせしている。【００２５】
図１の光モジュールの製造方法について述べる。ＣｕＷなどの材料で形成した基台３の単体を用意し、その上に、Au-Snなどのはんだでレーザダイオード５を上部に固定したサブマウント３５を、はんだで固定する。このはんだは、サブマウント３５上でレーザダイオード５を固定したAu-Snはんだと同じ材料、或いは、それよりも融点が低いはんだを用いる。【００２６】
次いで、基台３に、Au-Snなどのはんだで上部にフォトダイオード４を固定したサブマウント３６を固定する。はんだは、レーザダイオード５で用いるはんだと同じものでよい。次いで、レーザダイオード５を駆動し、透過光をカメラで観察しながら固定部材２１に搭載したコリメートレンズ６を位置合わせし、基台３上にYAG溶接で固定する。固定部材２１は、Fe-Ni-Co合金などレーザ溶接に適した材料で形成している。【００２７】
次いで、レーザダイオード５を駆動し、透過光をカメラで観察しながら、アイソレータ２４をYAG溶接で基台３上に固定する。更に、レーザダイオード５を駆動し、固定部材２２に搭載した集光レンズ７を位置合わせし、YAG溶接で基台３上に固定する。固定部材２２は、Fe-Ni-Co合金などＹＡＧ溶接に適した材料で形成している。更に、固定部材８に挟持されたサブマウント部材９に搭載されたＭＺ型変調器１０の位置及び俯角を、透過光強度が最大になるように調整する。調整の際には、図３に示したようにサブマウント部材９を挟持した位置決めアーム１６を動かすことで、固定部材８及びＭＺ型変調器１０を固定したサブマウント部材９を一体的に動かす。【００２８】
すなわち、サブマウント部材９を起立壁３２の間に挟み込んだ状態で、固定部材８ごと、基台３上でｘ方向に動かす。次いで、同様にサブマウント部材９を起立壁３２の間に挟み込んだ状態で、ｙ方向に動かす。更に、同様な状態で、サブマウント部材９をｚ方向に動かし、次いで、俯角を決定する。【００２９】
サブマウント部材９上に固定したＭＺ型変調器１０の位置が決定したら、サブマウント部材９の金属製サブマウント３３と固定部材８、固定部材８と基台３とをスポットYAG溶接で固定する。金属製サブマウント３３及び固定部材８は、Fe-Ni-Co合金などレーザ溶接に適した材料で形成している。これにより、パッケージに組み込むための基台モジュールが完成する。【００３０】
次いで、パッケージ１にペルチエモジュール２をSn-Pbはんだで固定し、ペルチエモジュール２とパッケージ１の電極間とを配線する。次いで、ペルチエモジュール２上に、先に完成した基台モジュールの基台３をInPbAgはんだで固定する。更に、レーザダイオード５、フォトダイオード４、非金属製サブマウント３４上のＭＺ型変調器１０、サーミスタ１８と、パッケージ１の対応する電極間とを配線する。【００３１】
その後、蓋１４を溶接することにより、パッケージを封止する。パッケージ１の電極を介してレーザダイオード５を駆動し、パッケージ出口に集光レンズ１２とフェルール１７に保持された光ファイバ１３とが一体になった光学系を、レーザダイオード５と結合する光の強度が最大になるように固定する。【００３２】
上記実施形態では、微細な光導波路を有するＭＺ型変調器１０を動かして位置合わせすることが出来るため、光結合効率を向上させることができる。また、光モジュールの組み立て歩留まりを向上させることができる。【００３３】
図８は、集光レンズ７の焦点距離を７００μｍとした場合における、光導波路素子の光軸からの高さずれ量に対する結合効率の変化を示し、高さずれ量を横軸にμｍで示し、結合効率を縦軸にｄＢで示す。従来技術では、光導波路素子の厚さのばらつき等によって２００μｍ程度光軸ずれが生じ、結合効率が約２ｄＢ程度低下する。しかし、本発明では、光導波路素子の固定位置を調整できるので、結合効率の低下をほぼ０ｄＢにできる。すなわち、本発明の使用によって、結合効率を約１．６倍に改善できることが期待される。【００３４】
上記実施形態では、光導波路素子１０としてＭＺ型変調器を採用した例を示した。しかし、サブマウント部材９上に搭載される光導波路素子１０としては、ＭＺ型変調器に限らず、波長変換器、光スイッチ、ＡＷＧ、リング共振器など光導波路を有する光導波路素子であればよい。例えば、リング共振器とＦＰ（ファブリ-ペロー共振器）型レーザダイオードを組み合わせれば、波長可変レーザモジュールとして構成することができる。【００３５】
図９及び図１０はそれぞれ、本発明の第２の実施形態に係る光モジュールで採用される光導波路素子１０を固定部材８と共に斜視図で示している。本実施形態では、サブマウント部材９の金属製サブマウント３３の底面と、固定部材８の基部３１の上面との間に、熱良導体材料（導電性材料）から成る充填部材１９を充填した例である。このように、熱良導体材料から成る充填部材１９を注入することにより、固定部材８を介しての光導波路素子１０の温度調整が容易になる。【００３６】
図９及び図１０の実施形態では、あらかじめ固定部材８の基部３１の上面と金属製サブマウント３３の底面とに、Ni/Auメッキ２０など、使用するはんだに対して濡れ性のよい材料で表面処理しておく。固定部材８と基台３との固定、及び、固定部材８と金属製サブマウント３３との固定のためのＹＡＧ溶接を行った後に、この表面処理部分を介してはんだを注入する。はんだは、ペルチエモジュール２と基台３とを固定するためのInPbAgはんだよりも融点が高いはんだ、例えばSn-Pbはんだを用いる。図９では、使用する集光レンズ７、コリメートレンズ１１の焦点距離によっては、固定部材８の導波路方向の長さが限られ、はんだ注入のためのスペースが確保できない場合がある。その場合には、例えば図１０に示すように、起立壁３２の一部を中間で切断し、その間を表面処理しておき、その表面処理部分からはんだを注入してもよい。【００３７】
図１１（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明の第３の実施形態に係る光モジュールで採用される光導波路素子１０を固定部材８と共に示す横断面図、及び、サブマウント部材９を含む光導波路素子１０の斜視図である。本実施形態では、直方体形状の非金属製サブマウント３４の両側面にそれぞれ金属板（金属製サブマウント）３３を取り付けている。これによって、サブマウント部材９と起立壁３２との間でスポットYAG溶接が可能になる。サブマウントの側面には、あらかじめレーザ溶接に適した金属板（材料：FeNiCoなど）をはんだで接着しておく。【００３８】
図１２は、本発明の第１の実施形態の光モジュールにおけるサブマウント部材の変形例を示すために、サブマウント部材９と固定部材８とを分離した状態で示す斜視図である。本変形例では、起立壁３２の内側に、サブマウント部材９が入る程度の大きさで突起２５を配置する。これにより、サブマウント部材９の俯角方向の振れ幅が小さくなり、光結合効率が向上する。【００３９】
以上、本発明をその好適な実施態様に基づいて説明したが、本発明の光モジュール及びその製造方法は、上記実施態様の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施態様の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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