【手続補正書】
【提出日】平成19年8月3日(2007.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域内に形成された第２導電型の第２の半導体領域を有する光電変換素子と、前記第１の半導体領域内に形成され、前記第１の半導体領域に電気的に接続された第１導電型の第３の半導体領域と、前記第３の半導体領域と前記第２の半導体領域との間に設けられた素子分離領域と、前記素子分離領域の上に設けられた導電層と、前記素子分離領域下に設けられた第１導電型の第４の半導体領域とを有し、前記導電層の側面にサイドウォールを有し、
前記素子分離領域の幅をｃ、前記サイドウォールの幅をｂ、前記第３の半導体領域側の前記素子分離領域の端部と前記第３の半導体領域側の前記導電層の端部との距離をａとしたとき、
ｃ＞ａ≧ｂの関係にあることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域内に形成された第２導電型の第２の半導体領域を有する光電変換素子と、前記第１の半導体領域内に形成され、前記第１の半導体領域に電気的に接続された第１導電型の第３の半導体領域と、前記第３の半導体領域と前記第２の半導体領域との間に設けられた素子分離領域と、前記素子分離領域の上に設けられた導電層と、前記素子分離領域下に設けられた第１導電型の第４の半導体領域とを有し、前記導電層の側面にサイドウォールを有し、
前記サイドウォールが前記素子分離領域上にあって且つ前記サイドウォールの外側端部が前記素子分離領域の端部を超えないように配されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光電変換装置において、前記第３の半導体領域が前記第４の半導体領域と接していることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の光電変換装置において、前記第２の半導体領域に蓄積されたキャリアを転送するための転送用トランジスタを有し、前記導電層は、前記転送用トランジスタのゲート電極の一部をなしていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか１項に記載の光電変換装置において、更に、浮遊拡散領域と、前記第２の半導体領域毎に設けられ、前記第２の半導体領域に蓄積されたキャリアを前記浮遊拡散領域に転送する転送用トランジスタと、前記浮遊拡散領域とゲート電極が接続される増幅用トランジスタと、前記増幅用トランジスタに接続される選択用トランジスタと、少なくとも前記浮遊拡散領域をリセットするリセット用トランジスタとを有し、
前記導電層は、前記転送用トランジスタのゲート電極、前記増幅用トランジスタのゲート電極、前記選択用トランジスタのゲート電極、前記リセット用トランジスタのゲート電極のいずれかの一部をなしていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項１から３のいずれか１項に記載の光電変換装置を用いた固体撮像装置であって、
前記第２の半導体領域は前記第１の半導体領域内に１次元状又は２次元状に配され、一方向に配列された複数の第２の半導体領域は所定数毎にグループを構成し、各グループ毎に前記第３の半導体領域を有し、
前記第３の半導体領域は、前記グループ内の少なくとも一カ所の隣接する前記第２の半導体領域間の前記第１の半導体領域内に形成されており、
前記素子分離領域は前記第３の半導体領域と前記隣接する第２半導体領域の間にそれぞれ設けられ、前記第４の半導体領域は各素子分離領域下に設けられ、前記導電層は少なくとも一方の前記素子分離領域の上に設けられていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項７】
請求項１から３のいずれか１項に記載の光電変換装置を用いた固体撮像装置であって、
前記第２の半導体領域は前記第１の半導体領域内に１次元状又は２次元状に配され、一方向に配列された複数の第２の半導体領域は所定数毎にグループを構成し、
前記第３の半導体領域は、第１のグループ内の第２の半導体領域と、前記第１のグループ内の前記第２の半導体領域と隣接する、前記第１のグループとは異なる第２のグループ内に配された第２の半導体領域との間の、前記第１の半導体領域内に形成されており、
前記素子分離領域は、前記第３の半導体領域と、前記第３の半導体領域に隣接する第１及び第２のグループの第２半導体領域との間にそれぞれ設けられ、前記第４の半導体領域は各素子分離領域下に設けられ、前記導電層は少なくとも一方の前記素子分離領域の上に設けられていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の固体撮像装置において、前記第２の半導体領域に蓄積されたキャリアを転送するための転送用トランジスタを有し、前記導電層は、前記転送用トランジスタのゲート電極の一部をなしていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項９】
請求項６又は７に記載の固体撮像装置において、更に、前記光電変換素子ごとに設けられた浮遊拡散領域と、前記第２の半導体領域毎に設けられ、前記第２の半導体領域に蓄積されたキャリアを前記浮遊拡散領域に転送する転送用トランジスタと、前記浮遊拡散領域とゲート電極が接続される増幅用トランジスタと、前記増幅用トランジスタに接続される選択用トランジスタと、少なくとも前記浮遊拡散領域をリセットするリセット用トランジスタを有し、
前記導電層は、前記転送用トランジスタのゲート電極、前記増幅用トランジスタのゲート電極、前記選択用トランジスタのゲート電極、前記リセット用トランジスタのゲート電極のいずれかの一部をなしていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の固体撮像装置において、前記増幅用トランジスタは、グループごとに共通して設けられていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１１】
請求項６から１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置へ光を結像する光学系と、
前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを有することを特徴とする固体撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の光電変換装置は、第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域内に形成された第２導電型の第２の半導体領域を有する光電変換素子と、前記第１の半導体領域内に形成され、前記第１の半導体領域に電気的に接続された第１導電型の第３の半導体領域と、前記第３の半導体領域と前記第２の半導体領域との間に設けられた素子分離領域と、前記素子分離領域の上に設けられた導電層と、前記素子分離領域下に設けられた第１導電型の第４の半導体領域とを有し、前記導電層の側面にサイドウォールを有し、
前記素子分離領域の幅をｃ、前記サイドウォールの幅をｂ、前記第３の半導体領域側の前記素子分離領域の端部と前記第３の半導体領域側の前記導電層の端部との距離をａとしたとき、
ｃ＞ａ≧ｂの関係にあることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また本発明の光電変換装置は、第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域内に形成された第２導電型の第２の半導体領域を有する光電変換素子と、前記第１の半導体領域内に形成され、前記第１の半導体領域に電気的に接続された第１導電型の第３の半導体領域と、前記第３の半導体領域と前記第２の半導体領域との間に設けられた素子分離領域と、前記素子分離領域の上に設けられた導電層と、前記素子分離領域下に設けられた第１導電型の第４の半導体領域とを有し、前記導電層の側面にサイドウォールを有し、
前記サイドウォールが前記素子分離領域上にあって且つ前記サイドウォールの外側端部が前記素子分離領域の端部を超えないように配されていることを特徴とする。