Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月29日(2006.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像データと印刷データとを入力し、表示画面に前記映像データに基づく映像を表示し、印刷データをプリンタ装置に出力する印刷コンテンツシステムの制御方法であって、
前記映像の少なくとも一部の映像の映像データを抽出するステップと、
抽出された映像データを、前記印刷データに関連付けて保存するステップとを有する
ことを特徴とする印刷コンテンツシステムの制御方法。
【請求項２】
前記映像が、配信された動画映像であることを特徴とする請求項１記載の印刷コンテンツシステムの制御方法。
【請求項３】
前記抽出された映像データは、前記動画映像の少なくとも１フレームの映像データであることを特徴とする請求項２記載の印刷コンテンツシステムの制御方法。
【請求項４】
前記抽出された映像データに関連した関連情報を、前記印刷データに関連付けて保存するステップとを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の印刷コンテンツシステムの制御方法。
【請求項５】
前記関連情報が、前記動画映像の番組名、タイトル、または配信チャネル情報を含むことを特徴とする請求項４記載の印刷コンテンツシステムの制御方法。
【請求項６】
映像データと印刷データとを入力し、表示画面に前記映像データに基づく映像を表示し、印刷データをプリンタ装置に出力する印刷コンテンツシステムであって、
前記映像の少なくとも一部の映像の映像データを抽出する映像データ抽出部と、
抽出された映像データを、前記印刷データに関連付けて保存する保存手段とを有することを特徴とする印刷コンテンツシステム。
【請求項７】
番組データ及び前記番組データに関連したデータ放送データを受信して、表示画面に前記番組データに基づく番組動画映像と、前記データ放送データに基づくデータ画像とを合成して表示するテレビ受像装置において、
前記データ放送データは印刷データを含んだデータであり、
ユーザからの指示により、前記番組動画映像のキャプチャー映像のデータを抽出する抽
出手段と、
前記印刷データと前記番組動画映像のキャプチャー映像のデータとを関連付けて保存する保存手段とを有することを特徴とするテレビ受像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】印刷コンテンツシステム及びその制御方法、ならびにテレビ受像装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、印刷コンテンツシステム及びその制御方法、ならびにテレビ受像装置に関し、特に、放送局より送信される放送データを受信して表示するデジタル放送受信装置に適用して好適なものである。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、この発明の第１の発明は、  映像データと印刷データとを入力し、表示画面に前記映像データにもとづく映像を表示し、印刷データをプリンタ装置に出力する印刷コンテンツシステムの制御方法であって、
前記映像の少なくとも一部の映像の映像データを抽出するステップと、
抽出された映像データを、前記印刷データに関連付けて保存するステップとを有する
ことを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、この発明の第２の発明は、  映像データと印刷データとを入力し、表示画面に前記映像データにもとづく映像を表示し、印刷データをプリンタ装置に出力する印刷コンテンツシステムであって、
前記映像の少なくとも一部の映像の映像データを抽出する映像データ抽出部と、
抽出された映像データを、前記印刷データに関連付けて保存する保存手段とを有する
ことを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、この発明の第３の発明は、  番組データ及び前記番組データに関連したデータ放送データを受信して、表示画面に前記番組データに基づく番組動画映像と、前記データ放送データに基づくデータ画像とを合成して表示するテレビ受像装置において、
前記データ放送データは印刷データを含んだデータであり、
ユーザからの指示により、前記番組動画映像のキャプチャー映像のデータを抽出する抽出手段と、
前記印刷データと前記番組動画映像のキャプチャー映像のデータとを関連付けて保存する保存手段とを有する
ことを特徴とするものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月16日(2007.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＷＣＤＭＡ方式とＧＳＭ方式の複数の周波数帯域で選択的に通信可能なマルチモード型無線通信回路において、
ＷＣＤＭＡ方式のバンド１の受信信号をＩ、Ｑ信号に変換する第１の受信回路部と、
ＷＣＤＭＡ方式のバンド２とＧＳＭ方式のＰＣＳ帯の受信信号をＩ、Ｑ信号に変換する第２の受信回路部と、
ＷＣＤＭＡ方式のバンド３とＧＳＭ方式のＤＣＳ帯の受信信号をＩ、Ｑ信号に変換する第３の受信回路部と、
ＷＣＤＭＡ方式の受信Ｉ、Ｑ信号に含まれる妨害成分を抑圧するための第１のバックエンド回路部と、
ＧＳＭ方式の受信Ｉ、Ｑ信号に含まれる妨害成分を抑圧するための第２のバックエンド回路部と、
ＷＣＤＭＡ方式の信号送受信時には、上記第１、第２、第３の受信回路部の何れかが出力するＩ、Ｑ信号を上記第１のバックエンド回路部に入力し、ＧＳＭ方式の信号受信時には、上記第２、第３の受信回路部の何れかが出力するＩ、Ｑ信号を上記第２のバックエンド回路部に入力するためのスイッチ部とを備えたことを特徴とするマルチモード型無線通信回路。
【請求項２】
ＷＣＤＭＡ方式とＧＳＭ方式の複数の周波数帯域で選択的に通信可能なマルチモード型無線通信回路において、
ＷＣＤＭＡ方式のバンド１の受信信号をＩ、Ｑ信号に変換する第１の受信回路部と、
ＷＣＤＭＡ方式のバンド２とＧＳＭ方式のＰＣＳ帯の受信信号をＩ、Ｑ信号に変換する第２の受信回路部と、
ＷＣＤＭＡ方式のバンド３とＧＳＭ方式のＤＣＳ帯の受信信号をＩ、Ｑ信号に変換する第３の受信回路部と、
ＷＣＤＭＡ方式の信号受信時とＧＳＭ方式の信号受信時で特性変更が可変なチャネルフィルタとハイパスフィルタとを備えたバックエンド回路部と、
ＷＣＤＭＡ方式の信号送受信時には、上記第１、第２、第３の受信回路部の何れかが出力するＩ、Ｑ信号を上記バックエンド回路部に入力し、ＧＳＭ方式の信号受信時には、上記第２、第３の受信回路部の何れかが出力するＩ、Ｑ信号を上記バックエンド回路部に入力するためのスイッチ部とを備えたことを特徴とするマルチモード型無線通信回路。
【請求項３】
ＧＳＭ方式のＧＳＭ帯の受信信号をＩ、Ｑ信号に変換する第４の受信回路部を備え、
前記スイッチ部が、ＧＳＭ方式の信号受信時には、前記第２、第３の受信回路部と上記第４の受信回路部の何れかが出力するＩ、Ｑ信号を前記第２のバックエンド回路部に入力することを特徴とする請求項１に記載のマルチモード型無線通信回路。
【請求項４】
ＧＳＭ方式のＧＳＭ帯の受信信号をＩ、Ｑ信号に変換する第４の受信回路部を備え、
前記スイッチ部が、ＧＳＭ方式の信号受信時には、前記第２、第３の受信回路部と上記第４の受信回路部の何れかが出力するＩ、Ｑ信号を前記バックエンド回路部に入力することを特徴とする請求項２に記載のマルチモード型無線通信回路。
【請求項５】
実行すべき送受信モードに応じて、前記第１〜第４の受信回路部の何れかを選択的に動作させ、前記スイッチ部の状態を制御するための制御部を備えたことを特徴とする請求項３または請求項４に記載のマルチモード型無線通信回路。
【請求項６】
ＧＳＭ方式およびＷＣＤＭＡ方式の送信Ｉ、Ｑ信号を増幅し、前記制御部が指定する周波数帯域の信号に直交変換するための送信回路部と、
それぞれ上記送信回路部からの出力信号をＷＣＤＭＡ方式のバンド１の送信信号、ＷＣＤＭＡ方式のバンド２とＧＳＭ方式のＰＣＳ帯の送信信号、ＷＣＤＭＡ方式のバンド３とＧＳＭ方式のＤＣＳ帯の送信信号、ＧＳＭ方式のＧＳＭ帯の送信信号に変換するための第１〜第４のパワー増幅器とを備えたことを特徴とする請求項５に記載のマルチモード型無線通信回路。
【請求項７】
無線受信信号からＷＣＤＭＡ方式のバンド１の信号を選択的に受信し、前記第１の受信回路部に供給する第１のマッチング回路部と、
無線受信信号からＷＣＤＭＡ方式のバンド２とＧＳＭ方式のＰＣＳ帯の信号を選択的に受信し、前記第２の受信回路部に供給する第２のマッチング回路部と、
無線受信信号からＷＣＤＭＡ方式のバンド３とＧＳＭ方式のＤＣＳ帯の信号を選択的に受信し、前記第３の受信回路部に供給する第３のマッチング回路部と、
無線受信信号からＧＳＭ方式のＧＳＭ帯の信号を選択的に受信し、前記第４の受信回路部に供給する第４のマッチング回路部と、
前記制御部からの制御信号に応じて、上記第１〜第４のマッチング回路部と第１〜第４のパワー増幅器をアンテナに選択的に結合するためのスイッチ群を備えたことを特徴とする請求項６に記載のマルチモード型無線通信回路。
【請求項８】
アンテナからの無線受信信号を前記第１のマッチング回路部に分岐すると共に、前記第１のパワー増幅器から出力されたＷＣＤＭＡ方式のバンド１の送信信号を上記アンテナに出力するための第１のデュプレクサと、
アンテナからの無線受信信号を前記第２のマッチング回路部に分岐すると共に、前記第２のパワー増幅器から出力されたＷＣＤＭＡ方式のバンド２の送信信号を上記アンテナに出力するための第２のデュプレクサと、
アンテナからの無線受信信号を前記第３のマッチング回路部に分岐すると共に、前記第３のパワー増幅器から出力されたＷＣＤＭＡ方式のバンド３の送信信号を上記アンテナに出力するための第３のデュプレクサとを備え、
前記スイッチ群が、前記制御部からの制御信号に応じて、ＷＣＤＭＡ方式の信号送受信時には、上記第１〜第３のデュプレクサの何れかを上記アンテナに結合し、ＧＳＭ方式の信号送信期間には、上記第１〜第４のパワー増幅器の何れかの出力信号を上記アンテナに選択的に出力し、ＧＳＭ方式の信号受信期間には、上記アンテナからの無線受信信号を上記第２、第３のデュプレクサを経由することなく前記第２、第３または第４のマッチング回路部の何れかに選択的に供給することを特徴とする請求項７に記載のマルチモード型無線通信回路。
【請求項９】
請求項１〜請求項８の何れかのマルチモード型無線通信回路を備えた無線端末装置。
【請求項１０】
ＷＣＤＭＡ方式とＧＳＭ方式の複数の周波数帯域で選択的に通信可能なマルチモード型無線通信回路において、
ＷＣＤＭＡ方式とＧＳＭ方式で共通のバックエンド回路を用い、ＷＣＤＭＡ方式とＧＳＭ方式とで上記バックエンド回路のチャネルフィルタの帯域幅を切り換えることを特徴とするマルチモード型無線通信回路。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月17日(2007.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
【数１】
2005210440.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
【数２】
2005210440.tif 000002
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
数２によれば、有効残容量値CRD＿REMが平均フレームサイズ値AVR＿FRM＿SZEによって
割り算され、これによって得られた商にクリップ開始フレーム番号SST＿FRMが加算される。変更された限界フレーム番号LMT＿FRMによって特定されるフレームは、メモリカード３０に記録できる圧縮画像データの末尾フレームと推定される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
【数３】
2005210440.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2005210440.tif 000004
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2005210440.tif 000005
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2005210440.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月30日(2006.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
釣糸ガイドが設けられた釣竿本体と、
釣竿本体が軸方向に沿って挿通支持される筒状のグリップと、
釣竿本体とグリップとの間に介在され、両者を位置決めする位置決め機構とを有し、
位置決め機構は、
グリップ側又は釣竿本体側のいずれか一方に設けられたソケットと、
グリップ側又は釣竿本体側のいずれ他方に設けられ、ソケットと嵌合されるスタッドとを備えている釣竿。
【請求項２】
上記ソケットは、
上記釣竿本体が挿通され得る筒状に形成され、上記グリップの先端部に位置決め状態で取り付けられるソケット本体と、当該ソケット本体の所定位置に設けられた係合部とを有し、
上記スタッドは、
上記釣竿本体が挿通され且つ上記ソケット本体と嵌合する筒状に形成されたスタッド本体と、当該スタッド本体に設けられ、上記係合部と位置決め状態で係合する被係合部とを有する請求項１に記載の釣竿。
【請求項３】
上記グリップの先端部は、軸方向に沿って形成された位置決め溝を有し、
上記ソケット本体は、軸方向に延設され上記位置決め溝に嵌合する位置決め片が形成されると共に、上記係合部を構成する係合溝を有し、
上記スタッド本体の被係合部は、軸方向に延設され上記係合溝に嵌合する係合突片からなる請求項２に記載の釣竿。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
(2) 上記ソケットは、上記釣竿本体が挿通され得る筒状に形成され、上記グリップの先端部に位置決め状態で取り付けられるソケット本体と、当該ソケット本体の所定位置に設けられた係合部とを有して構成され、上記スタッドは、上記釣竿本体が挿通され且つ上記ソケット本体と嵌合する筒状に形成されたスタッド本体と、当該スタッド本体に設けられ、上記係合部と位置決め状態で係合する被係合部とを有して構成され得る。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月10日(2007.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
糖質の一種であるポリアルコール（一般に、「糖アルコール」もしくは「多価アルコール」とも呼ばれている。）、グルクロン酸、及びグルコース６位糖質誘導体は、低う蝕性、難消化性、ミネラルとの塩形成など食品素材として優れた機能を有することから、それらの関連化合物、例えば、グルコシル転移ポリアルコール、グルコシル転移グルクロン酸、グルコシル転移グルコース６位糖質誘導体などを製造し、それらの機能の解析を進めることにより、より優れた機能や新規な機能を有する糖質が実用化できる可能性がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
以上のような本発明の転移方法で生成するグルコシル転移ポリアルコール、グルコシル転移グルクロン酸、及び／又はグルコシル転移グルコース６位糖質誘導体は、目的に応じて、反応混合物そのままの状態で、あるいは、慣用の方法により所望のレベルにまで精製した状態で諸種の用途に利用することができる。したがって、本発明の転移方法は、グルコシル転移ポリアルコール、グルコシル転移グルクロン酸、グルコシル転移グルコース６位糖質誘導体、及び／又はこれらグルコシル転移生成物含有物の製造方法における一工程として有利に実施できる。本発明は斯かるグルコシル転移ポリアルコール、グルコシル転移グルクロン酸、グルコシル転移グルコース６位糖質誘導体、及び／又はこれらグルコシル転移生成物含有物の製造方法を提供するものでもあり、当該製造方法は、本発明の転移方法を実施する工程と、この工程で生成したグルコシル転移ポリアルコール、グルコシル転移グルクロン酸、グルコシル転移グルコース６位糖質誘導体、及び／又はこれらグルコシル転移生成物含有物を採取する工程を含んでなる。生成したグルコシル転移ポリアルコール、グルコシル転移グルクロン酸、グルコシル転移グルコース６位糖質誘導体、及び／又はこれらグルコシル転移生成物含有物は、目的に応じて、慣用の方法、例えば、活性炭処理等による脱色、イオン交換樹脂処理等による脱塩、けい藻土等の助剤を用いる濾過、イオン交換樹脂等を用いるクロマトグラフィー、エバポレーター等を用いる濃縮、噴霧乾燥、真空乾燥、凍結乾燥などの乾燥、水・アルコール等の適宜の溶媒中で行う結晶化などから選ばれる適宜の工程を経て採取することができる。以上のような本発明の製造方法により製造される製品は、目的に応じて、グルコシル転移ポリアルコール、グルコシル転移グルクロン酸、又はグルコシル転移グルコース６位糖質誘導体を結晶等の純粋な状態から他の成分を含む組成物に至るまでの諸種の純度で含む、粉末状、結晶粉末状、顆粒状、ブロック状、シラップ状など適宜の形状で提供される。本発明の製造方法により製造される製品は、本発明で用いられるポリアルコール、グルクロン酸、又はグルコース６位糖質誘導体と同様に、例えば、甘味料、難消化性甘味料、低う蝕性甘味料、保湿剤、澱粉老化防止剤、整腸剤、ミネラル吸収促進剤などとして健康食品・飲料を含む飲食品分野、化粧品分野、医薬品分野、飼料分野などの諸種の分野で有利に利用することができる。また、本発明の方法で製造される製品は、その機能性を解析するための研究用試薬として利用することもでき、斯かる解析の結果に基づいて、本発明の製造方法によるグルコシル転移ポリアルコール、グルコシル転移グルクロン酸、グルコシル転移グルコース６位糖質誘導体、及び／又はこれらグルコシル転移生成物含有物は、例えば、防腐剤、保存剤、抗菌剤、抗ウィルス剤、生体機能調節剤などの各種機能剤の一成分として上記のような諸種の分野で利用できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本品は、甘味料、難消化性甘味料、低う蝕性甘味料、保湿剤、澱粉老化防止剤、整腸剤などとして、健康食品・飲料を含む飲食品分野、飼料・餌料分野、化粧品分野、医薬品分野などの諸種の分野で有利に利用できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本品は、甘味料、難消化性甘味料、抗う蝕性甘味料、保湿剤、澱粉老化防止剤、整腸剤などとして、健康食品・飲料を含む飲食品分野、化粧品分野、医薬品分野、飼料分野などの諸種の分野で有利に利用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月2日(2007.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に珪素を含む非晶質膜を形成し、
前記非晶質膜上に該非晶質膜の結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記非晶質膜に加熱処理を行って該非晶質膜を結晶化することにより、前記基板上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜の表面に前記加熱処理によって形成された酸化珪素膜を有機溶剤とフッ化物を含む溶液で除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記溶液で除去した後に、前記結晶性半導体膜にレーザー光又は強光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記有機溶剤がイソプロピルアルコール、エタノール、変性アルコール及びエチレングリコールのうちのいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に珪素を含む非晶質膜を形成し、
前記非晶質膜上に該非晶質膜の結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記非晶質膜に加熱処理を行って該非晶質膜を結晶化することにより、前記基板上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜の表面に前記加熱処理によって形成された酸化珪素膜を界面活性剤とフッ化物を含む溶液で除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、前記溶液で除去した後に、前記結晶性半導体膜にレーザー光又は強光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４又は５において、前記界面活性剤がアルキルスルホン酸、ω−ハイドロフルオロアルキルカルボン酸、脂肪族カルボン酸、脂肪族アミン、脂肪族アルコール及び脂肪族カルボン酸の塩のうち少なくとも１つ以上を含むものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板上に珪素を含む非晶質膜を形成し、
前記非晶質膜上に該非晶質膜の結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記非晶質膜に加熱処理を行って該非晶質膜を結晶化することにより、前記基板上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜の表面に前記加熱処理によって形成された酸化珪素膜をドライエッチングにより除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記ドライエッチングにより除去した後に、前記結晶性半導体膜にレーザー光又は強光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁表面を有する基板上に珪素を含む非晶質膜を形成し、
前記非晶質膜上に該非晶質膜の結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記非晶質膜に加熱処理を行って該非晶質膜を結晶化することにより、前記基板上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜の表面に前記加熱処理によって形成された酸化珪素膜を、ＣＨＦ３を含むガスをプラズマ化したプラズマ処理により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面を有する基板上に珪素を含む非晶質膜を形成し、
前記非晶質膜上に該非晶質膜の結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記非晶質膜に加熱処理を行って該非晶質膜を結晶化することにより、前記基板上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜の表面に前記加熱処理によって形成された酸化珪素膜を、ＣＨＦ３を含むガスをプラズマ化したプラズマ処理により除去し、
前記プラズマ処理により除去した際に前記結晶性半導体膜に堆積されたＣＦＸを、Ａｒ、Ｈ２及びＮＨ３のうちの少なくとも一つを含むガスをプラズマ化したプラズマ処理により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記Ａｒ、Ｈ２及びＮＨ３のうちの少なくとも一つを含むガスをプラズマ化したプラズマ処理により除去した後に、前記結晶性半導体膜にレーザー光又は強光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面を有する基板上に珪素を含む非晶質膜を形成し、
前記非晶質膜上に該非晶質膜の結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記非晶質膜に加熱処理を行って該非晶質膜を結晶化することにより、前記基板上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜の表面に前記加熱処理によって形成された酸化珪素膜を、Ａｒ、Ｈ２及びＮＨ３のうちの少なくとも一つとＣＨＦ３を含むガスをプラズマ化したプラズマ処理により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
絶縁表面を有する基板上に珪素を含む非晶質膜を形成し、
前記非晶質膜上に非晶質膜の結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記非晶質膜に加熱処理を行って該非晶質膜を結晶化することにより、前記基板上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜の表面に前記加熱処理によって形成された酸化珪素膜を、ＮＦ３を含むガスをプラズマ化したプラズマ処理により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
絶縁表面を有する基板上に珪素を含む非晶質膜を形成し、
前記非晶質膜上に非晶質膜の結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記非晶質膜に加熱処理を行って該非晶質膜を結晶化することにより、前記基板上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜の表面に前記加熱処理によって形成された酸化珪素膜を、ＮＦ３とＮＨ３を含むガスをプラズマ化したプラズマ処理により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
絶縁表面を有する基板上に珪素を含む非晶質膜を形成し、
前記非晶質膜上に非晶質膜の結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記非晶質膜に加熱処理を行って該非晶質膜を結晶化することにより、前記基板上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜の表面に前記加熱処理によって形成された酸化珪素膜を、Ｈ２を含むガスをプラズマ化したプラズマ処理により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項９、１２乃至１５のいずれか一項において、前記プラズマ処理により除去した後に、前記結晶性半導体膜にレーザー光又は強光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
絶縁表面を有する基板上に珪素を含む非晶質膜を形成し、
前記非晶質膜上に非晶質膜の結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記非晶質膜に加熱処理を行って該非晶質膜を結晶化することにより、前記基板上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜の表面に前記加熱処理によって形成された酸化珪素膜を、水素原子を含むガスにより除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１７において、前記ガスにより除去した後に、前記結晶性半導体膜にレーザー光又は強光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項２、５、１６及び１８において、前記レーザー光又は強光を照射した後に、前記結晶性半導体膜に接するようにゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、前記結晶性半導体膜にソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月2日(2007.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザー照射方法、半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に形成された被照射物にパルス発振されたレーザビームを照射するレーザー照射方法であって、
前記レーザビームのパルス幅をｔ（秒）、前記ガラス基板の屈折率をｎ（単位無し）、前記ガラス基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、
前記レーザビームのパルス幅であるｔを、ｔ＜２ｎｄ／ｃという式により算出し、
前記レーザビームのパルス幅を前記算出したｔの範囲から選択して前記レーザビームを照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項２】
ガラス基板上に形成された被照射物にパルス発振されたレーザビームを照射するレーザー照射方法であって、
前記レーザビームのパルス幅をｔ（秒）、前記ガラス基板の屈折率をｎ（単位無し）、前記ガラス基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、
前記レーザビームのパルス幅であるｔを、ｔ＜４ｎｄ／ｃという式により算出し、
前記レーザビームのパルス幅を前記算出したｔの範囲から選択して前記レーザビームを照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項３】
ガラス基板上に形成された被照射物にパルス発振されたエネルギー揺らぎを有するレーザビームを照射するレーザー照射方法であって、
前記レーザビームのパルス幅をｔ（秒）、前記ガラス基板の屈折率をｎ（単位無し）、前記ガラス基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）、前記エネルギー揺らぎの低減率をＸ（パーセント）とした場合に、
前記レーザビームのパルス幅であるｔを、ｔ＜２００ｎｄ／（ｃ（１００−Ｘ））という式により算出し、
前記レーザビームのパルス幅を前記算出したｔの範囲から選択して前記レーザビームを照射することによって、前記エネルギー揺らぎをＸ（パーセント）以下に低減させることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記レーザビームを前記被照射物に対して垂直方向に入射しながら、前記被照射物に前記レーザビームを照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記ガラス基板には、ゆがみ又は凹凸が存在することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記真空中の光速であるｃは、３×１０８（メートル／秒）であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項７】
ガラス基板上に形成された半導体膜にパルス発振されたレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、
前記レーザビームのパルス幅をｔ（秒）、前記ガラス基板の屈折率をｎ（単位無し）、前記ガラス基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、
前記レーザビームのパルス幅であるｔを、ｔ＜２ｎｄ／ｃという式により算出し、
前記レーザビームのパルス幅を前記算出したｔの範囲から選択して前記レーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
ガラス基板上に形成された半導体膜にパルス発振されたレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、
前記レーザビームのパルス幅をｔ（秒）、前記ガラス基板の屈折率をｎ（単位無し）、前記ガラス基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、
前記レーザビームのパルス幅であるｔを、ｔ＜４ｎｄ／ｃという式により算出し、
前記レーザビームのパルス幅を前記算出したｔの範囲から選択して前記レーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
ガラス基板上に形成された半導体膜にパルス発振されたレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、
前記レーザビームのパルス幅をｔ（秒）、前記ガラス基板の屈折率をｎ（単位無し）、前記ガラス基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）、前記エネルギー揺らぎの低減率をＸ（パーセント）とした場合に、
前記レーザビームのパルス幅であるｔを、ｔ＜２００ｎｄ／（ｃ（１００−Ｘ））という式により算出し、
前記レーザビームのパルス幅を前記算出したｔの範囲から選択して前記レーザビームを照射することによって、前記エネルギー揺らぎをＸ（パーセント）以下に低減させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、
前記レーザビームを前記半導体膜に対して垂直方向に入射しながら、前記半導体膜に前記レーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記ガラス基板には、ゆがみ又は凹凸が存在することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項７乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記真空中の光速であるｃは、３×１０８（メートル／秒）であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月19日(2007.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウムからなる外装ケース内にコンデンサ素子が収納されてなるコンデンサにおいて、
前記外装ケースの外周面は、絶縁皮膜で被覆されていることを特徴とするコンデンサ。
【請求項２】
前記絶縁皮膜が酸化アルミニウム皮膜である請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項３】
前記絶縁皮膜が窒化アルミニウム皮膜である請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項４】
アルミニウムからなる外装ケース内にコンデンサ素子が収納されてなるコンデンサにおいて、
前記外装ケースの外周面は、表面処理によって形成された陽極酸化皮膜で被覆されていることを特徴とするコンデンサ。
【請求項５】
アルミニウムからなる外装ケース内にコンデンサ素子が収納されてなるコンデンサにおいて、
前記外装ケースの外周面は、表面窒化処理によって形成された窒化アルミニウム皮膜で被覆されていることを特徴とするコンデンサ。
【請求項６】
前記皮膜の厚さが１〜２０μｍである請求項１〜５のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項７】
前記外装ケースと前記コンデンサ素子との間にこれらに接触状態に、熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導材が介装されている請求項１〜６のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項８】
前記熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導材として、
アルミナ粒子、窒化アルミニウム粒子、窒化ホウ素粒子及び酸化亜鉛粒子からなる群より選ばれる１種または２種以上の粒子がマトリックス材中に分散されてなる熱伝導材が用いられた請求項７に記載のコンデンサ。
【請求項９】
前記熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導材として、マトリックス材中にアルミナ粒子が分散されてなる熱伝導材が用いられた請求項７に記載のコンデンサ。
【請求項１０】
前記粒子の平均粒径が０．５〜５μｍである請求項８または９に記載のコンデンサ。
【請求項１１】
前記熱伝導材における前記粒子の含有率が７０質量％以上である請求項８〜１０のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項１２】
前記マトリックス材としてシリコーンオイル又は／及び変性シリコーンオイルが用いられた請求項８〜１１のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項１３】
前記マトリックス材として合成樹脂が用いられた請求項８〜１１のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項１４】
前記合成樹脂としてポリオレフィンが用いられた請求項１３に記載のコンデンサ。
【請求項１５】
前記ポリオレフィンとしてポリプロピレン又は／及びポリエチレンが用いられた請求項１４に記載のコンデンサ。
【請求項１６】
前記コンデンサ素子の高さの３０％以上が前記熱伝導材と接触状態にある請求項７〜１５のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項１７】
電解コンデンサであることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項１８】
前記コンデンサ素子は、陽極箔と陰極箔との間にセパレータが介在されて捲回されたものからなる請求項１〜１７のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月25日(2007.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に設けられたスイッチング用トランジスタ、駆動用トランジスタ、および発光素子を有し、
前記スイッチング用トランジスタおよび前記駆動用トランジスタはそれぞれ、ゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極およびドレイン電極上に設けられた有機材料からなる半導体膜と、を有し、
前記発光素子は、前記駆動用トランジスタのソース電極またはドレイン電極に電気的に接続され、前記絶縁膜に接して設けられた画素電極と、前記画素電極に接して設けられた電界発光層と、前記電界発光層に接して設けられた共通電極と、を有し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記半導体膜、および前記共通電極に接する接着層を介してフィルム状の支持体が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁基板上に設けられたスイッチング用トランジスタ、駆動用トランジスタ、および発光素子を有し、
前記スイッチング用トランジスタおよび前記駆動用トランジスタはそれぞれ、ゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた有機材料からなる半導体膜と、前記半導体膜上の一部に設けられたソース電極およびドレイン電極と、を有し、
前記発光素子は、前記駆動用トランジスタのソース電極またはドレイン電極に電気的に接続され、前記絶縁膜に接して設けられた画素電極と、前記画素電極に接して設けられた電界発光層と、前記電界発光層に接して設けられた共通電極と、を有し、
前記半導体膜、前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記共通電極に接する接着層を介してフィルム状の支持体が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記絶縁膜は、ゲート絶縁膜として機能することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記絶縁基板は、ホウケイ酸ガラスまたは石英ガラスであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記支持体は、ポリイミド、ポリエステル、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、またはポリカーボネート（ＰＣ）であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記接着層は、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、エマルジョン系接着剤、合成ゴム系接着剤、弾性接着剤、または変性アクリレート系接着剤を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記支持体は、厚さ０．０５ｍｍから０．５ｍｍの支持体であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
絶縁基板上に設けられたスイッチング用トランジスタ、駆動用トランジスタ、および発光素子を有する半導体装置の作製方法であって、
前記絶縁基板上に、前記スイッチング用トランジスタ、および前記駆動用トランジスタのゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に、前記スイッチング用トランジスタ、および前記駆動用トランジスタのソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記絶縁膜の一部および前記ソース電極およびドレイン電極の少なくとも一部に接するように有機材料からなる半導体膜を形成し、
前記駆動用トランジスタのソース電極またはドレイン電極に電気的に接続する画素電極を、前記絶縁膜に接して形成し、
前記画素電極に接して電界発光層を形成し、
前記電界発光層に接して共通電極を形成し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記半導体膜、および前記共通電極に接する接着層を介してフィルム状の支持体を固定することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁基板上に設けられたスイッチング用トランジスタ、駆動用トランジスタ、および発光素子を有する半導体装置の作製方法であって、
前記絶縁基板上に、前記スイッチング用トランジスタ、および前記駆動用トランジスタのゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に有機材料からなる半導体膜を形成し、
前記半導体膜上の一部を覆うようにソース電極またはドレイン電極を形成し、
前記駆動用トランジスタのソース電極またはドレイン電極に電気的に接続する画素電極を、前記絶縁膜に接して形成し、
前記画素電極に接して電界発光層を形成し、
前記電界発光層に接して共通電極を形成し、
前記半導体膜、前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記共通電極に接する接着層を介してフィルム状の支持体を固定することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９において、前記ゲート電極、前記ソース電極およびドレイン電極は導電性ペーストを用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８又は請求項９において、前記ゲート電極、前記ソース電極およびドレイン電極はスクリーン印刷法、ロールコーター法またはインクジェット法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一項において、前記支持体は、減圧下で前記接着層により固定されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２において、半導体膜材料を蒸着または塗布することにより前記半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月10日(2007.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マグネシア、アルミナ、ガラス−セラミック、ジルコニア、アルミン酸マグネシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含むセラミック基板を提供する工程、
第１導電層をセラミック基板の上に形成する工程であって、前記第１導電層は、ニッケル、銅、マンガン、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、金および銀からなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む工程、
第１導電層の上に誘電体を形成する工程、および
誘電体の上に第２導電層を形成する工程
を含み、
前記誘電体を形成する工程が、第１導電層の上に誘電体層を形成する工程、および少なくとも８００℃の温度でアニーリングする工程を含み、
前記第１導電層、誘電体、および第２導電層がコンデンサーを形成する
ことを特徴とする、１つまたはそれ以上の薄膜コンデンサーを基板上に作製する方法。
【請求項２】
アニーリングする工程は、結晶質チタン酸バリウムを含む誘電体をもたらすことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アニーリングする工程は、
約８００〜１０５０℃の範囲の温度でアニールする工程、あるいは、１０−６気圧未満の酸素分圧を有する環境または窒素雰囲気でアニールする工程
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記誘電体を形成する工程は、
前記アニーリングする工程から得られる前記誘電体を再酸素化する工程、またはドープされた誘電体を形成する工程
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記誘電体を形成する工程は、
厚さ約０．２〜２．０ミクロンの範囲の誘電体を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２電極層から複数の電極を形成する工程、それによって複数のコンデンサーを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法によって作製され、印刷配線板上に実装されることを特徴とする１つまたはそれ以上のコンデンサー。
【請求項８】
請求項１に記載の方法によって作製され、集積回路基板上に実装されることを特徴とする１つまたはそれ以上のコンデンサー。
【請求項９】
請求項１に記載の方法によって作製される１つまたはそれ以上のコンデンサーを含むことを特徴とする集積回路パッケージ。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法によって作製される１つまたはそれ以上のコンデンサーを含むことを特徴とする集積受動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本説明は、本明細書に開示された形態に、本発明を制限しようとするものではない。また、添付される請求項は、詳細な説明において明確に定義されていない代替の実施形態を含むものと解釈されるべきであると意図される。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  第１導電層をその上に有するセラミック基板を提供する工程、
第１導電層の上に誘電体を形成する工程、および
誘電体の上に第２導電層を形成する工程を含み、
前記誘電体を形成する工程が、第１導電層の上に誘電体層を形成する工程、および少なくとも約８００℃の温度でアニーリングする工程を含み、
前記第１導電層、誘電体、および第２導電層がコンデンサーを形成することを特徴とする、１つまたはそれ以上の薄膜コンデンサーを基板上に作製する方法。
［２］  前記基板を提供する工程は、前記基板の上に第１導電層を形成する工程を含むことを特徴とする［１］に記載の方法。
［３］  アニーリングする工程は、結晶質チタン酸バリウムを含む誘電体をもたらすことを特徴とする［１］に記載の方法。
［４］  前記第１導電層は、ニッケル、銅、マンガン、モリブデン、およびタングステンからなる群から選択される少なくとも１種の金属を含むことを特徴とする［１］に記載の方法。
［５］  アニーリングする工程は、約８００〜１０５０℃の範囲の温度でアニールする工程を含むことを特徴とする［１］に記載の方法。
［６］  アニーリングする工程は、１０−６気圧未満の酸素分圧を有する環境でアニールする工程を含むことを特徴とする［５］に記載の方法。
［７］  アニーリングする工程は、窒素雰囲気でアニールする工程を含むことを特徴とする［１］に記載の方法。
［８］  前記誘電体を形成する工程は、
誘電体前駆体溶液を提供する工程、および
第１導電層の上に前記誘電体前駆体溶液を付着する工程
を含むことを特徴とする［１］に記載の方法。
［９］  前記誘電体を形成する工程は、
前記アニーリングする工程から得られる前記誘電体を再酸素化する工程を含むことを特徴とする［１］に記載の方法。
［１０］  前記誘電体を再酸素化する工程は、
前記誘電体を、４５０〜６００℃の範囲の温度、および１０−２〜１０−５気圧の範囲の酸素分圧で、再酸素化する工程を含むことを特徴とする［９］に記載の方法。
［１１］  前記誘電体を形成する工程は、
ドープされた誘電体を形成する工程を含むことを特徴とする［１］に記載の方法。
［１２］  前記誘電体を形成する工程は、
厚さ約０．２〜２．０ミクロンの範囲の誘電体を形成する工程を含むことを特徴とする［１］に記載の方法。
［１３］  前記第１導電層は、白金、パラジウム、金、銀からなる群から選択される少なくとも１種の金属を含み、かつ
アニーリングする工程は、８００〜１０５０℃の範囲の温度で、空気中において行われることを特徴とする［１］に記載の方法。
［１４］  前記第２導電層を形成する工程は、
前記誘電体の上に導電層をスパッタする工程、および
導電性材料で導電層をメッキする工程を含むことを特徴とする［１］に記載の方法。
［１５］  前記基板を提供する工程は、
マグネシア、アルミナ、ガラス−セラミック、ジルコニア、アルミン酸マグネシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む基板を提供する工程を含むことを特徴とする［１］に記載の方法。
［１６］  前記第２電極層から複数の電極を形成する工程、それによって複数のコンデンサーを形成する工程をさらに含むことを特徴とする［１］に記載の方法。
［１７］  ［１］に記載の方法によって作製され、印刷配線板上に実装されることを特徴とする１つまたはそれ以上のコンデンサー。
［１８］  ［１］に記載の方法によって作製され、集積回路基板上に実装されることを特徴とする１つまたはそれ以上のコンデンサー。
［１９］  ［１］に記載の方法によって作製される１つまたはそれ以上のコンデンサーを含むことを特徴とする集積回路パッケージ。
［２０］  ［１］に記載の方法によって作製される１つまたはそれ以上のコンデンサーを含むことを特徴とする集積受動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月25日(2007.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極を形成し、
真空蒸着法により、前記ゲート電極上に有機半導体膜を形成し、
前記有機半導体膜を、大気圧下又は減圧下で加熱し、
前記加熱された有機半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。
【請求項２】
ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
真空蒸着法により、前記ソース電極及びドレイン電極上に有機半導体膜を形成し、
前記有機半導体膜を、大気圧下又は減圧下で加熱することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。
【請求項３】
ゲート電極を形成し、
真空蒸着法により、前記ゲート電極上に有機半導体膜を形成し、
前記有機半導体膜を、大気圧下又は減圧下で、前記有機半導体膜の粒界の大きさの平均値が１０％以上成長しない温度で加熱し、
前記加熱された有機半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。
【請求項４】
ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
真空蒸着法により、前記ソース電極及びドレイン電極上に有機半導体膜を形成し、
前記有機半導体膜を、大気圧下又は減圧下で、前記有機半導体膜の粒界の大きさの平均値が１０％以上成長しない温度で加熱することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。
【請求項５】
ゲート電極を形成し、
真空蒸着法により、前記ゲート電極上に有機半導体膜を形成し、
前記有機半導体膜を大気圧に放置後、大気圧下又は減圧下で加熱し、
前記加熱された有機半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。
【請求項６】
ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
真空蒸着法により、前記ソース電極及びドレイン電極上に有機半導体膜を形成し、
前記有機半導体膜を大気圧に放置後、大気圧下又は減圧下で加熱することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
不活性ガス雰囲気において、前記有機半導体膜を加熱することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記有機半導体膜の融点未満で前記有機半導体膜を加熱することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
２５０℃未満で前記有機半導体膜を加熱することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記有機半導体膜を形成する処理室で、前記有機半導体膜を加熱することを特徴とする有機半導体素子の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月12日(2007.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室に珪化物気体と、フッ素或いはフッ化ハロゲンガスとを原料ガスとして導入し、プラズマを発生させて結晶構造を含む半導体膜をガラス基板上に成膜し、
前記結晶構造を含む半導体膜にレーザー光を照射して結晶性を向上させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
成膜室に珪化物気体と、希ガスと、フッ素或いはフッ化ハロゲンガスとを原料ガスとして導入し、プラズマを発生させて結晶構造を含む半導体膜をガラス基板上に成膜し、
前記結晶構造を含む半導体膜にレーザー光を照射して結晶性を向上させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
成膜室に珪化物気体と、希ガスと、水素と、フッ素或いはフッ化ハロゲンガスとを原料ガスとして導入し、プラズマを発生させて結晶構造を含む半導体膜をガラス基板上に成膜し、
前記結晶構造を含む半導体膜にレーザー光を照射して結晶性を向上させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、前記希ガスは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
成膜室に珪化物気体と、水素と、フッ素或いはフッ化ハロゲンガスとを原料ガスとして導入し、プラズマを発生させて結晶構造を含む半導体膜をガラス基板上に成膜し、
前記結晶構造を含む半導体膜にレーザー光を照射して結晶性を向上させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれか一において、前記フッ素或いはフッ化ハロゲンガスの流量に対する水素の流量の比率を０．１以下に制御して結晶構造を含む半導体膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記ガラス基板上には下地膜を形成し、
前記下地膜上に液滴吐出法によりＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ又はＡｕからなる金属配線を形成し、
前記金属配線上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に前記結晶構造を含む半導体膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記珪化物気体は、モノシラン、ジシラン、またはトリシランのいずれかのガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記フッ化ハロゲンガスは、ＣｌＦ、ＣｌＦ３、ＢｒＦ、ＢｒＦ３、ＩＦ、またはＩＦ３のいずれかのガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。