【手続補正書】
【提出日】平成19年2月9日(2007.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッド電極が形成された半導体基板を準備し、前記半導体基板の第１の主面に支持体を接着する工程と、
前記半導体基板の第２の主面から前記パッド電極を露出するためのビアホールを形成すると同時に、ダイシングラインに沿って延び、かつ前記半導体基板の第２の主面から前記半導体基板を貫通する溝を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記溝を形成する工程の後に、前記支持体が接着された前記半導体基板を加熱する工程を具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
パッド電極が形成された半導体基板を準備し、前記半導体基板の第１の主面に支持体を接着する工程と、
前記半導体基板の第２の主面から前記パッド電極を露出するためのビアホールを形成すると同時に、隣接するチップの境界部分で前記半導体基板を分断して個片化する溝を形成する工程と、
前記ビアホール内を含む前記半導体基板の第２の主面の全面に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜をエッチングして、前記ビアホールの底部に位置する第１の絶縁膜を除去して、前記パッド電極を露出させる工程と、
前記ビアホールを通して、前記パッド電極と電気的に接続され、かつ前記ビアホールから前記溝内に延びる配線層を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記配線層を形成する工程は、メッキ法またはスパッタ法により行われることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記配線層上を覆う保護層を形成する工程と、
前記配線層上に導電端子を形成する工程とを具備することを特徴とする請求項３または請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
パッド電極が形成された半導体チップを複数有する半導体基板を準備し、前記半導体基板の表面側に支持体を接着する工程と、
前記支持体で支持された前記半導体基板をその裏面側から隣接する半導体チップとの境界部分で分断して個片化する溝をエッチング形成する工程と、
前記溝を形成する工程の後に、前記支持体が接着された前記半導体基板を加熱する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
パッド電極が形成された半導体チップを複数有する半導体基板を準備し、前記半導体基板の表面側に支持体を接着する工程と、
前記支持体で支持された前記半導体基板の裏面側をグラインドした後に、そのグラインド面をエッチングする工程と、
前記支持体で支持された前記半導体基板をその裏面側から隣接する半導体チップとの境界部分で前記半導体基板を分断して個片化する溝をエッチング形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記支持体は、ガラス基板または金属基板または有機物から成る基板またはテープから成ることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
半導体チップの第１の主面上に形成されたパッド電極と、
前記半導体チップの第１の主面に接着された支持体と、
前記半導体チップの第２の主面から前記パッド電極の表面に貫通するビアホールと、
前記ビアホールの側壁及び前記半導体チップの側面に形成された側壁絶縁膜と、
前記ビアホールを通して、前記パッド電極と電気的に接続された配線層とを具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記配線層は、メッキ法またはスパッタ法により形成されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記配線層上を覆うように形成された保護層と、
前記配線層上に形成された導電端子とを具備することを特徴とする請求項９または請求項１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
パッド電極が形成された半導体基板の第１の主面に接着された支持体と、
前記半導体基板の第２の主面から前記パッド電極の表面に到達するように形成されたビアホールと、
ダイシングラインに沿ってダイシングされた側端部にエッチングされた面を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
半導体チップの表面側に形成されたパッド電極と、
前記半導体チップの表面側に接着された支持体と、
前記半導体チップの側端部及び裏面部にエッチングされた面を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
半導体チップの表面側に形成されたパッド電極と、
前記半導体チップの側端部及び裏面部にエッチングされた面を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
前記支持体は、ガラス基板または金属基板または有機物から成る基板またはテープから
成ることを特徴とする請求項９乃至請求項１３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の半導体装置の製造方法は、パッド電極が形成された半導体基板を準備し、前記半導体基板の第１の主面に支持体を接着する工程と、前記半導体基板の第２の主面から前記パッド電極を露出するためのビアホールを形成すると同時に、ダイシングラインに沿って延び、かつ前記半導体基板の第２の主面から前記半導体基板を貫通する溝を形成する工程とを具備することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、上記工程に加えて、前記溝を形成する工程の後に、前記支持体が接着された前記半導体基板を加熱する工程を具備することを特徴とする。
更に、本発明の半導体装置の製造方法は、パッド電極が形成された半導体基板を準備し、前記半導体基板の第１の主面に支持体を接着する工程と、前記半導体基板の第２の主面から前記パッド電極を露出するためのビアホールを形成すると同時に、隣接するチップの境界部分で前記半導体基板を分断して個片化する溝を形成する工程と、前記ビアホール内を含む前記半導体基板の第２の主面の全面に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜をエッチングして、前記ビアホールの底部に位置する第１の絶縁膜を除去して、前記パッド電極を露出させる工程と、前記ビアホールを通して、前記パッド電極と電気的に接続され、かつ前記ビアホールから前記溝内に延びる配線層を形成する工程とを具備することを特徴とする。
また、前記配線層を形成する工程は、メッキ法またはスパッタ法により行われることを特徴とする。
更に、前記配線層上を覆う保護層を形成する工程と、前記配線層上に導電端子を形成する工程とを具備することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、パッド電極が形成された半導体チップを複数有する半導体基板を準備し、前記半導体基板の表面側に支持体を接着する工程と、前記支持体で支持された前記半導体基板をその裏面側から隣接する半導体チップとの境界部分で分断して個片化する溝をエッチング形成する工程と、前記溝を形成する工程の後に、前記支持体が接着された前記半導体基板を加熱する工程とを具備することを特徴とする。
更に、本発明の半導体装置の製造方法は、パッド電極が形成された半導体チップを複数有する半導体基板を準備し、前記半導体基板の表面側に支持体を接着する工程と、前記支持体で支持された前記半導体基板の裏面側をグラインドした後に、そのグラインド面をエッチングする工程と、前記支持体で支持された前記半導体基板をその裏面側から隣接する半導体チップとの境界部分で前記半導体基板を分断して個片化する溝をエッチング形成する工程とを具備することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の半導体装置は、半導体チップの第１の主面上に形成されたパッド電極と、前記半導体チップの第１の主面に接着された支持体と、前記半導体チップの第２の主面から前記パッド電極の表面に貫通するビアホールと、前記ビアホールの側壁及び前記半導体チップの側面に形成された側壁絶縁膜と、前記ビアホールを通して、前記パッド電極と電気的に接続された配線層とを具備することを特徴とする。
更に、前記配線層上を覆うように形成された保護層と、前記配線層上に形成された導電端子とを具備することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の半導体装置は、パッド電極が形成された半導体基板の第１の主面に接着された支持体と、前記半導体基板の第２の主面から前記パッド電極の表面に到達するように形成されたビアホールと、ダイシングラインに沿ってダイシングされた側端部にエッチングされた面を有することを特徴とする。
更に、本発明の半導体装置は、半導体チップの表面側に形成されたパッド電極と、前記半導体チップの表面側に接着された支持体と、前記半導体チップの側端部及び裏面部にエッチングされた面を有することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、半導体チップの表面側に形成されたパッド電極と、前記半導体チップの側端部及び裏面部にエッチングされた面を有することを特徴とする。
そして、前記支持体は、ガラス基板または金属基板または有機物から成る基板またはテープから成ることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明によれば、支持体が接着された半導体基板を加熱する工程において、支持体の熱膨張係数と半導体基板の熱膨張係数との差異により生じる反りを極力抑止することができる。これにより、異なる工程に移行する際の半導体基板の搬送を円滑に行うことが可能となると共に、半導体装置の歩留まりが向上する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明によれば、支持体が接着された半導体基板が個々の半導体チップに分離された後、半導体チップの側面が配線層や保護層に覆われるため、半導体チップ内への水分の侵入を極力防止することが可能となる。