【手続補正書】
【提出日】平成19年10月9日(2007.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＥＭＳデバイスを作製するプロセスであって、
少なくとも幾つかのデバイスはマイクロ加工メッシュを有しているような複数のデバイスを支持する基板の厚さを減らすことと、
作製プロセスの少なくとも一部では、基板の一方の側にキャリアウェハを取り付けて、作製ステップを基板の他方の側から行うことと、
それら複数のマイクロ加工メッシュを解放することと、
を含む改善がなされたプロセス。
【請求項２】
基板の後側にキャリアウェハを取り付けることと、
基板の上側から複数のデバイスの作製を完了することと、
複数のデバイスの作製を完了した後、複数のデバイスを個々に分離することと、
を含む改善がなされた、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
複数のデバイスの作製を完了することには、解放された複数のマイクロ加工メッシュが配置される領域の少なくとも幾つかの領域において、基板を貫通する複数の通気孔を作る工程が含まれる、請求項２に記載のプロセス。
【請求項４】
複数のデバイスの分離は、複数のマイクロ加工メッシュの解放とほぼ同時に行われる、請求項３に記載のプロセス。
【請求項５】
キャリアウェハを取り除く工程をさらに含む、請求項４に記載のプロセス。
【請求項６】
複数のデバイスの分離は、複数の通気孔の作製とほぼ同時に行われる、請求項３に記載のプロセス。
【請求項７】
キャリアウェハを取り除く工程をさらに含む、請求項６に記載のプロセス。
【請求項８】
複数の通気孔を作る工程は、複数のマイクロ加工メッシュの解放後に行われる、請求項３に記載のプロセス。
【請求項９】
複数の通気孔を作る工程は、複数のマイクロ加工メッシュの解放と同時に行われる、請求項３に記載のプロセス。
【請求項１０】
複数の通気孔を作る工程は、複数のマイクロ加工メッシュをエッチマスクとして用いる、請求項３に記載のプロセス。
【請求項１１】
複数のデバイスの作製を完了することには、複数のマイクロ加工メッシュの幾つかの少なくとも一部分をエッチマスクとして用いて、基板に複数のパイロット穴を形成する工程が含まれており、
複数のマイクロ加工メッシュを解放することには、複数のマイクロ加工メッシュ付近の基板の一部分を取り除く工程と、複数のパイロット穴を大きくすることで、複数のマイクロ加工メッシュの解放とほぼ同時に複数の通気孔を作る工程とが含まれている、請求項２に記載のプロセス。
【請求項１２】
複数のパイロット穴の形成には異方性エッチングが用いられて、複数のマイクロ加工メッシュの解放及び複数の通気孔の作製には等方性エッチングが用いられる、請求項１１に記載のプロセス。
【請求項１３】
基板の後側に第１キャリアウェハを取り付ける工程と、
複数のマイクロ加工メッシュを形成及び解放する工程と、
基板の上側に第２キャリアウェハを取り付けて、基板の後側から第１キャリアウェハを取り除く工程と、
基板の後側より複数の通気孔を作る工程と、
複数のデバイスを個々に分離する工程と、
を含む改善がなされた、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１４】
複数のデバイスの分離は、複数のマイクロ加工メッシュの形成とほぼ同時に行われる、請求項１３に記載のプロセス。
【請求項１５】
複数のデバイスを分離する工程の後に第２キャリアウェハを取り除く工程をさらに含む、請求項１４に記載のプロセス。
【請求項１６】
複数のデバイスを分離する工程は、基板をダイシングする工程を含む、請求項１３に記載のプロセス。
【請求項１７】
基板をダイシングする工程の後に第２キャリアウェハを取り除く工程をさらに含む、請求項１６に記載のプロセス。
【請求項１８】
基板の後側に第１キャリアウェハを取り付ける工程と、
複数のマイクロ加工メッシュを形成する工程と、
基板の上側に第２キャリアウェハを取り付けて、基板の後側から第１キャリアウェハを取り除く工程と、
基板の後側より複数の通気孔を作る工程と、
基板の後側に第３キャリアウェハを取り付けて、基板の上側から第２キャリアウェハを取り除く工程と、
複数のマイクロ加工メッシュを解放する工程と、
複数のデバイスを個々に分離する工程と、
を含む改善がなされた、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１９】
基板の後側に第１キャリアウェハを取り付ける工程と、
レジストにパターンを形成して複数のマイクロ加工メッシュを規定する工程と、
基板の上側に第２キャリアウェハを取り付けて、基板の後側から第１キャリアウェハを取り除く工程と、
基板の後側より複数の通気孔を作る工程と、
基板の後側に第３キャリアウェハを取り付けて、基板の上側から第２キャリアウェハを取り除く工程と、
複数のマイクロ加工メッシュを形成及び解放する工程と、
複数のデバイスを個々に分離する工程と、
を含む改善がなされた、請求項１に記載のプロセス。
【請求項２０】
複数のデバイスを分離する工程は、複数のマイクロ加工メッシュの解放とほぼ同時に行われる、請求項１８又は１９に記載のプロセス。
【請求項２１】
複数のデバイスを分離する工程の後に第２キャリアウェハを取り除く工程をさらに含む 、請求項２０に記載のプロセス。
【請求項２２】
複数のデバイスを分離する工程は、基板をダイシングする工程を含む、請求項１８又は１９に記載のプロセス。
【請求項２３】
基板をダイシングする工程の後に第３キャリアウェハを取り除く工程をさらに含む、請求項２２に記載のプロセス。
【請求項２４】
基板の後側にキャリアウェハを取り付けて、基板の上側よりプロセスステップを行うことを可能にすること、
基板の上側にキャリアウェハを取り付けて、基板の後側からキャリアウェハを取り除いて、基板の後側よりプロセスステップを行うことを可能にすること、
とを含む改善がさらになされた、請求項１に記載のプロセス。
【請求項２５】
基板の上側から幾つかのプロセスステップが行われ、
基板の上側にキャリアウェハを取り付けること、
基板の厚さを減らすこと、
基板の後側よりプロセスステップを行うこと、
とを含む改善がさらになされた、請求項１に記載のプロセス。
【請求項２６】
さらに、基板の後側にキャリアウェハを取り付けて、基板の上側からキャリアウェハを取り除いて、基板の上側よりプロセスステップを行う工程を含む、請求項２５に記載のプロセス。
【請求項２７】
複数のデバイスを個々に分離する工程をさらに含む、請求項２６に記載のプロセス。
【請求項２８】
基板の後側よりプロセスステップを行う工程は、複数の通気孔を形成する工程を含む、請求項２６に記載のプロセス。
【請求項２９】
基板の上側よりプロセスステップを行う工程は、複数のマイクロ加工メッシュを形成及び解放する工程を含む、請求項２６に記載のプロセス。
【請求項３０】
複数のデバイスを個々に分離する工程をさらに含む、請求項２９に記載のプロセス。
【請求項３１】
ＭＥＭＳデバイスを作製するプロセスにおいて、
少なくとも幾つかのデバイスはマイクロ加工メッシュを有しているような複数のデバイスを支持する基板の厚さを減らすこと、
基板の第１側に取り付けられたキャリアウェハを、少なくとも幾つかのプロセスステップが基板の第２側より行われている間に利用すること、
基板の第２側に取り付けられたキャリアウェハを、少なくとも幾つかのプロセスステップが基板の第１側より行われている間に利用すること、
それら複数のマイクロ加工メッシュは、基板の第２側又は第１側の何れかから実行されたプロセスステップの１つの結果として解放されること、
とを含む改善がなされたプロセス。