【手続補正書】
【提出日】平成19年10月3日(2007.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ中の荷電粒子を、バイアス電圧によって制御されたエネルギで被処理基板表面に入射させて、被処理基板表面を処理する半導体製造装置であって、
チャンバ内のガス雰囲気に、第１の電磁波を印加して前記プラズマを生成するプラズマ源と、前記被処理基板に前記プラズマ中の荷電粒子を入射させるために第２の電磁波を印加して前記バイアス電圧を発生させるバイアス源と、前記バイアス電圧を測定する測定手段と、前記測定手段によって測定された前記バイアス電圧が所定範囲の上限を上回る場合に、前記第１の電磁波の電力を増大させ、前記所定範囲の下限を下回る場合に、前記第１の電磁波の電力を減少させることによって前記バイアス電圧を前記所定範囲内に保持する制御手段とを有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記測定手段が、前記バイアス電圧を測定する第１の測定手段に加えて、前記プラズマからこのプラズマが接する前記チャンバ内壁もしくはアース電極に流れるアース電流を測定する第２の測定手段を含み、前記制御手段が、前記アース電流の測定結果に基づいて、前記第１の電磁波の電力と前記第２の電磁波の電力とのいずれかを制御することによって、前記バイアス電圧を前記所定範囲内に保持することを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
チャンバ内のガス雰囲気に、第１の電磁波を印加してプラズマを生成すると共に、第２の電磁波を印加してバイアス電圧を発生させ、被処理基板の表面に、前記プラズマ中の荷電粒子を、前記バイアス電圧によって制御されたエネルギで入射させ、被処理基板の表面を処理する方法であって、
この処理の少なくとも一時期に、前記バイアス電圧を測定すると共に、測定された前記バイアス電圧が所定範囲の上限を上回る場合に前記第１の電磁波の電力を増大させ、前記所定範囲の下限を下回る場合に前記第１の電磁波の電力を減少させ、前記バイアス電圧を前記所定範囲内に保持することを特徴とする被処理基板表面の処理方法。
【請求項４】
前記バイアス電圧に加えて、前記プラズマからこのプラズマが接する前記チャンバ内壁もしくはアース電極に流れるアース電流を測定すると共に、該アース電流の測定結果に基づいて、前記第１の電磁波の電力と前記第２の電磁波の電力とのいずれかを制御して、前記バイアス電圧を前記所定範囲内に保持することを特徴とする請求項３に記載の被処理基板表面の処理方法。
【請求項５】
前記第１の電磁波の電力の制御によって、前記バイアス電圧を前記所定範囲内に保持することができない時に、さらに、前記第２の電磁波の電力を制御して前記バイアス電圧を前記所定範囲内に保持することを特徴とする請求項３に記載の被処理基板表面の処理方法。
【請求項６】
チャンバ内のガス雰囲気に、第１の電磁波を印加してプラズマを生成すると共に、第２の電磁波を印加してバイアス電圧を発生させ、被処理基板の表面に、前記プラズマ中の荷電粒子を、前記バイアス電圧によって制御されたエネルギで入射させ、被処理基板の表面を処理する方法であって、
この処理の少なくとも一時期に、前記バイアス電圧を測定すると共に、前記プラズマからこのプラズマが接する前記チャンバ内壁もしくはアース電極に流れるアース電流を測定し、測定された前記バイアス電圧が第１の所定範囲から逸脱し、かつ、測定された前記アース電流が第２の所定範囲から逸脱している場合に、前記第１の電磁波の電力を制御して、前記バイアス電圧を前記第１の所定範囲内に保持することを特徴とする被処理基板表面の処理方法。
【請求項７】
チャンバ内のプラズマ生成物の付着状態を観察する方法であって、
前記チャンバ内のガス雰囲気に電磁波を印加してプラズマを生成すると共に、前記プラズマからこのプラズマが接する前記チャンバ内壁もしくはアース電極に流れるアース電流を測定することによって、前記チャンバ内壁もしくは前記アース電極へのプラズマ生成物の付着状態を観察する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
すなわち、本発明は、プラズマ中の荷電粒子を、バイアス電圧によって制御されたエネルギで被処理基板表面に入射させて、被処理基板表面を処理する半導体製造装置であって、
チャンバ内のガス雰囲気に、第１の電磁波を印加して前記プラズマを生成するプラズマ源と、前記被処理基板に前記プラズマ中の荷電粒子を入射させるために第２の電磁波を印加して前記バイアス電圧を発生させるバイアス源と、前記バイアス電圧を測定する測定手段と、前記測定手段によって測定された前記バイアス電圧が所定範囲の上限を上回る場合に、前記第１の電磁波の電力を増大させ、前記所定範囲の下限を下回る場合に、前記第１の電磁波の電力を減少させることによって前記バイアス電圧を前記所定範囲内に保持する制御手段とを有することを特徴とする半導体製造装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
前記測定手段が、前記バイアス電圧を測定する第１の測定手段に加えて、前記プラズマからこのプラズマが接する前記チャンバ内壁もしくはアース電極に流れるアース電流を測定する第２の測定手段を含み、前記制御手段が、前記アース電流の測定結果に基づいて、前記第１の電磁波の電力と前記第２の電磁波の電力とのいずれかを制御することによって、前記バイアス電圧を前記所定範囲内に保持するのが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明は、チャンバ内のガス雰囲気に、第１の電磁波を印加してプラズマを生成すると共に、第２の電磁波を印加してバイアス電圧を発生させ、被処理基板の表面に、前記プラズマ中の荷電粒子を、前記バイアス電圧によって制御されたエネルギで入射させ、被処理基板の表面を処理する方法であって、
この処理の少なくとも一時期に、前記バイアス電圧を測定すると共に、測定された前記バイアス電圧が所定範囲の上限を上回る場合に前記第１の電磁波の電力を増大させ、前記所定範囲の下限を下回る場合に前記第１の電磁波の電力を減少させ、前記バイアス電圧を前記所定範囲内に保持することを特徴とする被処理基板表面の処理方法を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
前記バイアス電圧に加えて、前記プラズマからこのプラズマが接する前記チャンバ内壁もしくはアース電極に流れるアース電流を測定すると共に、該アース電流の測定結果に基づいて、前記第１の電磁波の電力と前記第２の電磁波の電力とのいずれかを制御して、前記バイアス電圧を前記所定範囲内に保持するのが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
チャンバ内のガス雰囲気に、第１の電磁波を印加してプラズマを生成すると共に、第２の電磁波を印加してバイアス電圧を発生させ、被処理基板の表面に、前記プラズマ中の荷電粒子を、前記バイアス電圧によって制御されたエネルギで入射させ、被処理基板の表面を処理する方法であって、
この処理の少なくとも一時期に、前記バイアス電圧を測定すると共に、前記プラズマからこのプラズマが接する前記チャンバ内壁もしくはアース電極に流れるアース電流を測定し、測定された前記バイアス電圧が第１の所定範囲から逸脱し、かつ、測定された前記アース電流が第２の所定範囲から逸脱している場合に、前記第１の電磁波の電力を制御して、前記バイアス電圧を前記第１の所定範囲内に保持するのが好ましい。