Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月25日(2007.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体チップと、
回路形成領域を含む半導体基板を有し、前記第１半導体チップ上に積層された第２半導体チップと、を備え、
前記第２半導体チップは、前記回路形成領域における前記第１半導体チップと反対側の面を覆う第１保護膜と、前記回路形成領域の側面を覆う第２保護膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップの面積は、前記第２半導体チップの面積よりも大きい半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
前記半導体基板は、前記第１保護膜として機能する絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ、前記回路形成領域を含むシリコン層とを有して構成されており、
前記第２半導体チップにおける前記第１半導体チップと反対側の面には、前記絶縁層が露出している半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれかに記載の半導体装置において、
前記第１保護膜を貫通する貫通電極が形成されている半導体装置。
【請求項５】
ベースウエハと、
回路形成領域を含む半導体基板を有し、前記ベースウエハ上に積層された半導体チップと、を備え、
前記半導体チップは、前記回路形成領域における前記ベースウエハと反対側の面を覆う第１保護膜と、前記回路形成領域の側面を覆う第２保護膜とを有することを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体ウエハにおいて、
前記ベースウエハ上には、前記半導体チップが所定の間隔を置いて複数設けられている半導体ウエハ。
【請求項７】
請求項５または６に記載の半導体ウエハにおいて、
前記第１保護膜を貫通する貫通電極が形成されている半導体ウエハ。
【請求項８】
第１半導体チップ上に、回路形成領域を含むＳＯＩ基板を有する第２半導体チップが積層された半導体装置を製造する方法であって、
前記第１半導体チップを含むベースウエハを準備するベースウエハ準備工程と、
支持基板と、前記支持基板上に設けられ、前記回路形成領域における前記第１半導体チップと反対側となる面を覆う第１保護膜として機能する絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ、前記回路形成領域を含むシリコン層とを有して構成される前記ＳＯＩ基板を備えるとともに、前記回路形成領域の側面を覆う第２保護膜を有する前記第２半導体チップを準備する半導体チップ準備工程と、
前記第２半導体チップを、前記シリコン層側が前記ベースウエハに対向するように、前記ベースウエハ上の前記第１半導体チップに対応する部分に積層する積層工程と、
前記ベースウエハ上に積層された前記第２半導体チップの前記支持基板をエッチングにより除去する除去工程と、
前記除去工程よりも後に、前記第１半導体チップが個片化されるように前記ベースウエハをダイシングするダイシング工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
ベースウエハ上に、回路形成領域を含むＳＯＩ基板を有する半導体チップが積層された半導体ウエハを製造する方法であって、
前記ベースウエハを準備するベースウエハ準備工程と、
支持基板と、前記支持基板上に設けられ、前記回路形成領域における前記ベースウエハと反対側となる面を覆う第１保護膜として機能する絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ、前記回路形成領域を含むシリコン層とを有して構成される前記ＳＯＩ基板を備えるとともに、前記回路形成領域の側面を覆う第２保護膜を有する前記半導体チップを準備する半導体チップ準備工程と、
前記半導体チップを、前記シリコン層側が前記ベースウエハに対向するように、前記ベースウエハ上に積層する積層工程と、
前記ベースウエハ上に積層された前記半導体チップの前記支持基板をエッチングにより除去する除去工程と、
を含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2006019429.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2006019429.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月22日(2007.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
即ち、この超音波振動子を利用する技術は未だ開発段階にあり、振動方向の振幅をｎｍオーダーで制御しているわけではなく、単にモールドに形成されたパターンのＺ方向（高さ方向）に振動させているのみであって、ｎｍオーダーの微細パターンのパターニングに対して有効ではないものと考えられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
こうしたハードタイプの方法においては、上下方向に対向して金属製の第１ホルダー４０６と第２ホルダー４０８とにモールド４００と基板４０４とをそれぞれ固定しているため、レジスト４０２からモールド４００を引き離すことは比較的容易である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
次に、図６を参照しながらモールド５００の構成について説明するが、モールド５００は、レジスト５０２に形成したい微細パターンを構成する凹部５０２ａに対応する凸部５００ａを形成する際に、凸部５００ａのＺ方向長さＬ１は、凸部５００ａにより形成したい凹部５０２ａのＺ方向長さＬ１’と一致するようにする。一方、凸部５００ａのＸ方向の長さＬ２とＹ方向長さ（図６上においては、図示されてはいない。）とについては、その双方あるいは少なくともいずれか一方が、凸部５００ａにより形成したい凹部５０２ａのＸＹ方向長さ（図６上においては、Ｘ方向長さＬ２’のみ図示されており、Ｙ方向長さは図示されていない。）よりも小さくなるように形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
なお、この図６に示すモールド５００においては、凸部５００ａのＺ方向長さＬ１およびＹ方向長さは、凸部５００ａにより形成したい凹部５０２ａのＺ方向長さＬ１’およびＹ方向長さにそれぞれ一致するように形成されており、一方、凸部５００ａのＸ方向長さＬ２は、凸部５００ａにより形成したい凹部５０２ａのＸ方向長さＬ２’よりもＬ３だけ短い長さに形成されているものとする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
この本発明による微細パターンを形成する手法によれば、モールド５００とレジスト５０２との接触面積が大幅に減少するため、レジスト５０２からのモールドの剥離が極めて容易になる。また、レジスト５０２からモールド５００を引き抜く際の角度が少し傾いて、モールド５００とレジスト５０２との平行が維持されなくても、パターンが崩れるおそれはない。このため、本発明によれば、高アスペクト比構造の作製が可能になる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
（３）上記した実施の形態においては、モールド５００とレジスト５０２とを圧接方向と直交する方向に相対的に移動させる際の移動方向としてＸ方向を示したが、これに限られるものではないことは勿論であり、モールド５００の凸部５００ａとレジスト５０２の凹部５０２ａとの形状に応じて、Ｙ方向に移動するようにしてもよいし、あるいは、ＸＹ平面における任意の方向に移動するようにしてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
【図１】図１は従来のナノインプリントリソグラフィー技術を示す説明図であり、（ａ）はセットアップ工程、（ｂ）はプレス工程、（ｃ）はリリース工程、（ｄ）はモールドに形成されたｎｍオーダーの微細パターンを示す電子顕微鏡写真、（ｅ）はレジストに転写された微細パターンを示す電子顕微鏡写真である。
【図２】図２は、ソフトタイプによるナノインプリントリソグラフィー技術を示す説明図である。
【図３】図３はモールドおよびレジストの電子顕微鏡写真であり、（ａ）はモールドに形成されたｎｍオーダーの凹凸構造を備えた微細パターンを斜め４５度上方から斜視した一例を示す電子顕微鏡写真、（ｂ）は（ａ）に示すモールドを用いてレジストに微細パターンを形成した際の成功例を上方から平面視した一例を示す電子顕微鏡写真、（ｃ）は（ａ）に示すモールドを用いてレジストに微細パターンを形成した際の失敗例を上方から平面視した一例を示す電子顕微鏡写真である。
【図４】図４は、ハードタイプによるナノインプリントリソグラフィー技術を示す説明図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態の一例による微細パターン形成装置の概念構成説明図である。
【図６】図６は、モールドの凸部とレジストの凹部との関係を示す説明図である。
【図７】図７は、モールドの作製プロセスを示す説明図である。
【図８】図８は、本発明による微細パターン形成方法を示す説明図である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月5日(2007.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物系半導体層を含む活性層と、
前記活性層上に形成され、第１側面と、前記第１側面とは反対側に位置する第２側面とを有する凸状のリッジ部を含む半導体層とを備え、
前記第２側面と前記活性層の表面とがなす前記リッジ部の内側の角度は、前記第１側面と前記活性層の表面とがなす前記リッジ部の内側の角度以上の大きさを有しており、
前記リッジ部の前記第１側面側の発振波長に対する第１実効屈折率は、前記リッジ部の前記第２側面側の前記発振波長に対する第２実効屈折率よりも高い、半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記半導体層は、前記リッジ部の前記第１側面側に位置するとともに、第１の厚みを有する第１平坦部と、前記リッジ部の前記第２側面側に位置するとともに、第２の厚みを有する第２平坦部とを含み、
前記第２平坦部の前記第２の厚みは、前記第１平坦部の前記第１の厚みよりも小さい、請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記リッジ部の前記第１側面上に形成された第１屈折率を有する第１電流狭窄層と、
前記リッジ部の前記第２側面上に形成された第２屈折率を有する第２電流狭窄層とをさらに備え、
前記第２電流狭窄層の前記第２屈折率は、前記第１電流狭窄層の前記第１屈折率よりも低い、請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記リッジ部の前記第１側面上に形成され、第１屈折率および第１吸収係数を有する第１電流狭窄層と、
前記リッジ部の前記第２側面上に形成され、第２屈折率および第２吸収係数を有する第２電流狭窄層とをさらに備え、
前記第１電流狭窄層の前記第１屈折率および前記第１吸収係数と、前記第２電流狭窄層の前記第２屈折率および前記第２吸収係数とを調節することによって、前記第２実効屈折率が前記第１実効屈折率よりも低くなるように制御されている、請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
窒化物系半導体層を含む活性層と、
前記活性層上に形成され、第１側面と、前記第１側面とは反対側に位置する第２側面とを有する凸状のリッジ部を含む半導体層とを備え、
前記第２側面と前記活性層の表面とがなす前記リッジ部の内側の角度は、前記第１側面と前記活性層の表面とがなす前記リッジ部の内側の角度以上の大きさを有しており、
前記リッジ部の前記第１側面側の発振波長に対する光閉じ込め度合いは、前記リッジ部の前記第２側面側の前記発振波長に対する前記光閉じ込め度合いよりも弱い、半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記リッジ部の前記第１側面側の発振波長に対する第１実効屈折率は、前記リッジ部の前記第２側面側の前記発振波長に対する第２実効屈折率よりも高い、請求項５に記載の半導体レーザ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月27日(2007.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
一方、赤色発光部１５は、第１実施形態の赤色発光部５と同様の材料により形成されている。また、緑色発光部１４が青色ＬＥＤ１３の全周を覆っているため、赤色発光部１５は、緑色発光部１４に比べて、より青色ＬＥＤ１３の遠くに形成されていることになる。
さらに、上記のように赤色発光部１５も、その上面１５Ａが発光装置１１の外部に面していて、この上面１５Ａから所定方向に赤色光を放出するようになっている。したがって、赤色発光部１５は、この上面１５Ａにおいて、即ち、上面１５Ａを含む光出射面１１Ａにおいて、開放されていることになる。なお、この上面１５Ａからは、青色ＬＥＤ１３が発した青色光、及び、場合によっては緑色発光部１４が発して境界面Ｘ11から赤色発光部１５に入射した緑色光も放出されるようになっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４４】
さらに、境界面Ｘ21は、その面積が、発光装置２１の光放出面Ｙ21の面積の通常５０％以下、好ましくは３０％以下となるように構成されている。なお、ここでは、光放出面Ｙ21は、光出射面２１Ａ（即ち、緑色発光部２４の上面２４Ａ及び赤色発光部２５の上面２５Ａ）と、緑色発光部２４の右側側面２４Ｂ（即ち、境界面Ｘ21）以外の側面２４Ｃと、赤色発光部１５の左側側面２５Ｂ（即ち、境界面Ｘ21）以外の側面２５Ｃとから形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５０】
第２フレーム３９の下面中央部には、光源として青色ＬＥＤ３３が設置されている。この青色ＬＥＤ３３は、第１〜第３実施形態の青色ＬＥＤ３，１３，２３と同様のものであり、同様に機能するため、ここでは説明を省略する。また、青色ＬＥＤ３３は、銀ペースト３６により第２フレーム３９に固定され、ワイヤ３７により電極を通じて電力を供給されるようになっている。このとき、発光装置３１の銀ペースト３６及びワイヤ３７は、それぞれ第１〜第２実施形態の銀ペースト６，１６及びワイヤ７，１７と同様である。
また、第１フレーム３２の凹部３２Ａ底部から第２フレーム３９の下面までの空間は、少なくとも青色ＬＥＤ３３が発する青色光、緑色発光部３４が発する緑色光、赤色発光部３５が発する赤色光を透過する素材（図示省略）でモールドされている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６６】
上記の第１発光部（４）の発光物質（即ち、Ｃａ2.97Ｃｅ0.03Ｓｃ2Ｓｉ3Ｏ12）をシリコン樹脂に混練し、第１のスラリーを作製した。この第１のスラリーにおいては、発光物質とシリコン樹脂との比率は１５：８５（重量比）とした。
また、第２発光部（５）の発光物質（即ち、Ｃａ0.992ＡｌＳｉＥｕ0.008Ｎ2.85Ｏ0.15）をシリコン樹脂に混錬し、第２のスラリーを作製した。この第２のスラリーにおいては、発光物質とシリコン樹脂との比率は５：９５（重量比）とした。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2006019409.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月2日(2007.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。下記の実施例では、荷電粒子線の一例として電子ビーム露光装置の例を示す。なお、下記の実施例は、電子ビームに限らず荷電粒子線を用いた露光装置にも同様に適用できるものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
以上のように作製したＢＡＡの断面図を図１-3（１３）のＡＡ’断面図として図２（１）、（２）に示す。同図に示すように、同一形状の二対の導電材８、８´からなる電極が形成されている。対面する一対の導電材８が第1の電極対であり、対面する一対の導電材８´が第２の電極対である。第1の電極対８同士が対面する方向が第1の方向、第２の電極対８´同士が対面する方向が第２の方向であり、両者は略直交している。このような構造にすることで、いずれか一方の電極対またはいずれか一つの電極や配線と電極の接続部に不良が生じても、良好な電極対を選択的に用いることでＢＡＡとして利用出来、ＢＡＡの歩留まりが向上する。また、四方の壁が導電材によって覆われた構造となっていることから、それにより開口１４のチャージアップを防ぐことが出来る。図２（２）は、電極形状によって電極の剥がれにくさを高めた構造の例を示す。また、開口１４の形状は、図２に示した方形だけでなく、円形状でも良い。また、電極の形成方法は、Ｓｉ基板にブランキングアパーチャの正方形または円形の開孔を設けた後、蒸着法、スパッタ法やＣＶＤ法などの成膜手段により開孔の側壁に膜状の電極を形成する方法でも良い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
[実施例２]
図４は、本発明に関わる電子ビーム露光装置のブランキングアパーチャアレイ（ＢＡＡ）の第２実施例を説明する模式図である。
図４では、図１-3（１３）で作製が完了したブランキングアパーチャアレイの中の一つのブランキングアパーチャの電極および配線の構成を模式図に示している。二対の電極１０１、１０１´と１０２、１０２´に電子ビーム偏向用電圧を印加する配線１０３、１０３´が各電極に接続されている。配線１０３が第１の配線、配線１０３´が第二の配線である。配線の接続は、電極１０１、１０２に配線１０３が接続され、電極１０１´、１０２´に配線１０３´が接続されている。二つの電極へ接続された配線のうち、いずれかの電極に不良が存在する場合に、いずれか一方の配線が補償回路となり、ブランキングアパーチャアレイの歩留まりが向上する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
[実施例４]
図７は、本発明に関わる電子ビーム露光装置のブランキングアパーチャアレイ（ＢＡＡ）の製造方法の第４実施例を説明するフロー図である。
図１-1〜図１-3に示したように電極乃至配線形成工程まででブランキングアパーチャアレイの基本構造を形成した後、電極および電極と配線の不良接続部分を選別する検査工程を行う。検査方法は、非破壊で検査できるマイクロフォーカスＸ線ＣＴシステムを用いて行えばよい。続いて、不良の存在する電極へ接続している配線を、フォーカスイオンビーム装置を用いて切断した後、同装置を用いて絶縁材料、例えばＳｉＯ２、を開孔した部分に堆積させ開孔をふさぐ。さらに、切断した配線の電極よりの部分に同装置を用いて、配線まで開孔した後、同装置を用いて金属材料、例えばタングステン、を表面の帯電防止層１２(図１-3（１３）参照)まで堆積し、帯電防止層と電気的な接続を形成する。以上で、補償回路を用いたブランキングアパーチャアレイが完成する。
また、Ｘ線ＣＴシステムとフォーカスイオンビーム装置のステージ座標系をそろえると、製造時の効率が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月27日(2007.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の荷電粒子線を基板上の異なる位置に入射させ、前記複数の荷電粒子線を偏向する偏向器によって定められる各荷電粒子線の要素露光領域内で荷電粒子線を偏向させるとともに、各荷電粒子線の前記基板上への照射を制御することで、前記基板上の複数の前記要素露光領域内にパターンを露光する荷電粒子線露光方法であって、
隣接する前記要素露光領域を重複させて多重露光領域を設定する工程と、
前記多重露光領域において、どちらか一方の前記要素露光領域にのみ存在するパターンは多重露光せず、両方の前記要素露光領域に存在するパターンは多重露光する工程と、を有することを特徴とする荷電粒子線露光方法。
【請求項２】
注目パターンを設定する工程と、
前記多重露光領域の幅が前記注目パターンの長辺以上となるように、前記多重露光領域を設定する工程と、を有することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の荷電粒子線露光方法を用いてデバイスを製造する工程を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項４】
複数の荷電粒子線を基板上の異なる位置に入射させる照射手段と、
各荷電粒子線を各要素露光領域内で偏向させる偏向手段と、
各荷電粒子線の前記基板への照射を制御する照射制御手段と、
隣接する前記要素露光領域を重複させて多重露光領域を設定するとともに、前記多重露光領域において、どちらか一方の前記要素露光領域にのみ存在するパターンは多重露光せず、両方の前記要素露光領域に存在するパターンは多重露光するように制御する手段と、を備える荷電粒子線露光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の荷電粒子線露光装置を用いて、基板を露光する工程と、露光された前記基板を現像する工程と、を備えるデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するための、本発明の荷電粒子線露光方法は、複数の荷電粒子線を基板上の異なる位置に入射させ、前記複数の荷電粒子線を偏向する偏向器によって定められる各荷電粒子線の要素露光領域内で荷電粒子線を偏向させるとともに、各荷電粒子線の前記基板上への照射を制御することで、前記基板上の複数の前記要素露光領域内にパターンを露光する荷電粒子線露光方法であって、隣接する前記要素露光領域を重複させて多重露光領域を設定する工程と、前記多重露光領域において、どちらか一方の前記要素露光領域にのみ存在するパターンは多重露光せず、両方の前記要素露光領域に存在するパターンは多重露光する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらに、本発明の荷電粒子線露光装置は、複数の荷電粒子線を基板上の異なる位置に入射させる照射手段と、各荷電粒子線を各要素露光領域内で偏向させる偏向手段と、各荷電粒子線の前記基板への照射を制御する照射制御手段と、隣接する前記要素露光領域を重複させて多重露光領域を設定するとともに、前記多重露光領域において、どちらか一方の前記要素露光領域にのみ存在するパターンは多重露光せず、両方の前記要素露光領域に存在するパターンは多重露光するように制御する手段と、を備えるものであってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
そのため、たとえ要素露光領域同士の相対的位置関係が設計上の関係から多少ずれても、その形状が歪むだけで、連続パターンは連続パターンとして露光できる。また、多重描画領域の幅は、描画するパターンの中でその線幅の一様性が厳しい例えばゲートのようなパターンを注目パターンとして設定する。そして、その長辺をＬとした時、多重描画領域の幅をＬ以上、すなわち長辺以上に設定している。その結果、多重描画領域に位置する注目パターンは、どちらか一方の要素領域のみで存在するので、繋ぎなしのパターンとして露光できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（デバイスの製造方法）
次に上記説明した電子線露光装置を利用したデバイスの製造方法の例を実施例２として説明する。  図６は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（ＥＢデータ変換）では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御データが入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月27日(2007.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線を走査して基板上の複数のピクセルからなるパターンを露光する荷電粒子線露光方法において、
前記パターンのエッジに位置するピクセルの露光時間が他のピクセルの露光時間よりも小さくなるように指令値を生成する生成ステップと、
前記指令値を直前のピクセルの指令値に基づいて補正する補正ステップとを有することを特徴とする荷電粒子線露光方法。
【請求項２】
前記補正ステップは、補正された前記指令値によって所定の線幅付与量が得られるように行われることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の荷電粒子線露光方法を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項４】
基板上にパターンを露光する荷電粒子線露光装置において、
荷電粒子線を前記基板上に入射させる照射手段と、
前記荷電粒子線が前記基板上の複数のピクセルで入射するように、前記荷電粒子線を走査する走査手段と、
前記荷電粒子線の露光時間を制御する制御手段と、
前記パターンのエッジに位置するピクセルの露光時間が前記パターンのエッジに位置しないピクセルの露光時間よりも小さくなるように設定するとともに、設定された前記パターンのエッジに位置するピクセルの露光時間をその直前のピクセルの露光時間に基づいて補正する制御手段と、を備えることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の荷電粒子線露光装置を用いて、基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップと、を備えるデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記課題を解決し目的を達成するための本発明の荷電粒子線露光方法は、荷電粒子線を走査して基板上の複数のピクセルからなるパターンを露光する荷電粒子線露光方法において、前記パターンのエッジに位置するピクセルの露光時間が他のピクセルの露光時間よりも小さくなるように指令値を生成する生成ステップと、前記指令値を直前のピクセルの指令値に基づいて補正する補正ステップとを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
さらに本発明の荷電粒子線露光装置は、基板上にパターンを露光する荷電粒子線露光装置において、荷電粒子線を前記基板上に入射させる照射手段と、前記荷電粒子線が前記基板上の複数のピクセルで入射するように、前記荷電粒子線を走査する走査手段と、前記荷電粒子線の露光時間を制御する制御手段と、前記パターンのエッジに位置するピクセルの露光時間が前記パターンのエッジに位置しないピクセルの露光時間よりも小さくなるように設定するとともに、設定された前記パターンのエッジに位置するピクセルの露光時間をその直前のピクセルの露光時間に基づいて補正する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以上説明したように本発明によれば、ラスタースキャン荷電粒子線露光装置において、所定の線幅のパターンを露光できる荷電粒子線描画方法を提供することができる。また、この描画方法により露光を行う荷電粒子線露光装置を用いてデバイスを製造すれば、従来以上に歩留まりの高いデバイスを製造することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
＜ブランカー指令値生成の説明＞  
図４にドーズ変化に対する線幅付与量を求めるためのブランカー指令値を示す。Ｒタイプは、最後のピクセルのドーズを変化させるブランカー指令値列であり、Ｌタイプは、最初のピクセルのドーズを変化させるブランカー指令値列である。各指令値列で描画した結果の例を図５に示す。表記された線幅は設計上の線幅であり、実際の線幅は異なるので、描画された各孤立ラインを測定し、ドーズ変化に対する実際の線幅の関係を図６のように求める。横軸は、ドーズを変化させないピクセルのドーズの１６分の１を単位としたドーズである。すなわち、設計上は１６分の１単位のドーズの変化によって１ｎｍずつ線幅が付与されてほしいのであるが、ドーズによる実際の線幅付与量は、図６の結果より求めた図７に示す値になる。図７に示すように、ドーズによる実際の線幅付与量は、ＲタイプとＬタイプでは異なる。さらに、図７は、縦軸が設計上のドーズ指令値、横軸が設計上の線幅付与量を与えるドーズ指令値となり、ドーズ指令値の補正関係を示す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
次に、図８を用いて、ブランカーの指令値の生成方法について説明する。（ステップ２１）では、描画されるパターンに基づいて、ピクセルごとのドーズ指令値を設定する。（ステップ２２）では、露光の際、直前に描画されるピクセルのドーズ指令値が１の場合はステップ２３に進む。このドーズ指令値が０の場合はステップ２４に進む。
（ステップ２３）では、式１を用いてドーズ指令値を補正する。（ステップ２４）では、式２を用いてドーズ指令値を補正する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【図１】本発明の実施例に係る電子線露光装置の要部概略を示す図である。
【図２】本発明の実施例に係る描画方法を説明するための図である。
【図３】本発明の実施例に係るラスタースキャンによるピクセル強度分布を説明するための図である。
【図４】本発明の実施例に係るドーズ変化に対する線幅付与量を求めるためのブランカー指令値を説明するための図である。
【図５】本発明の実施例に係る各指令値列で描画した結果を説明するための図である。
【図６】本発明の実施例に係るドーズ変化に対する実際の線幅の関係を示す図である。
【図７】本発明の実施例に係るドーズによる実際の線幅付与量を説明するための図である。
【図８】本発明の実施例に係るブランカーの指令値の生成方法を説明するための図である。
【図９】本発明の実施例に係る補正結果を説明するための図である。
【図１０】従来のラスタースキャン型電子ビーム露光装置を説明するための図である。
【図１１】従来のラスタースキャンによるピクセル強度分布を説明するための図である。
【図１２】従来の線幅制御を説明するための図である。
【図１３】従来のブランカーの電圧信号を説明するための図である。
【図１４】デバイスの製造フローを示す図である。
【図１５】ウエハプロセスのフローを示す図である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月27日(2007.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線を用い、縮小投影光学系を介して基板を露光する荷電粒子線露光装置において、
前記縮小投影光学系に含まれている磁界レンズに補助磁極を設け、前記補助磁極は、前記磁界レンズの磁極の中心の位置に対して対称に配置され、前記補助磁極の間隔は、前記磁界レンズの磁極の間隔より大きく、且つ前記補助磁極の内径は、前記磁界レンズの磁極の内径より小さいことを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項２】
荷電粒子線を用い、タブレット・レンズを介して基板を露光する荷電粒子線露光装置において、
前記タブレット・レンズは、２つの磁界レンズを有し、
前記２つの磁界レンズのそれぞれは、励磁コイルと、前記励磁コイルの内径よりも小さい内径を備えた開口を有する２つの補助磁極とを備え、前記２つの補助磁極は、前記励磁コイルの両側にそれぞれ配置されていることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項３】
前記２つの磁界レンズの間に絞りを配置したことを特徴とする請求項２に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の荷電粒子線露光装置を用いて基板を露光する工程と、露光された前記基板を現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決し目的を達成するための本発明の荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線を用い、縮小投影系を介して基板を露光する荷電粒子線露光装置において、前記縮小投影系に含まれている磁界レンズに補助磁極を設け、前記補助磁極は、前記磁界レンズの磁極の中心の位置に対して対称に配置され、前記補助磁極の間隔は、前記磁界レンズの磁極の間隔より大きく、且つ前記補助磁極の内径は、前記磁界レンズの磁極の内径より小さいことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
さらに、本発明の荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線を用い、タブレット・レンズを介して基板を露光する荷電粒子線露光装置において、前記タブレット・レンズは、２つの磁界レンズを有し、前記２つの磁界レンズのそれぞれは、励磁コイルと、前記励磁コイルの内径よりも小さい内径を備えた開口を有する２つの補助磁極とを備え、前記２つの補助磁極は、前記励磁コイルの両側にそれぞれ配置されていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明を実施するための最良の形態について、以下に実施例を挙げて図面を参照しながら詳細に説明する。荷電粒子線露光装置の一例として本発明の実施例では電子線露光装置を示す。なお、本発明は電子線に限らず荷電粒子線を用いた露光装置にも同様に適用できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
＜デバイスの製造方法＞
次に、本発明の実施例２として、上記説明した実施例１に係る電子線露光装置を利用したデバイスの製造方法を説明する。
図５は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（ＥＢデータ変換）では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御データが入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月7日(2007.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一部に脱気用細孔又は溝を設けた充填焼成容器に平均粒径が5μm以下の合金微粉末を高密度充填する工程と、充填焼成容器に充填した状態で合金微粉末を磁界中配向する工程と、当該充填焼成容器のまま微粉末を焼結する工程とを有し、上記各工程を無酸素又は不活性ガス雰囲気中で行うことを特徴とする磁気異方性希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項２】
一部に脱気用細孔又は溝を設けた充填焼成容器に合金微粉末を高密度充填した状態で磁界中配向した後、当該充填焼成容器のまま微粉末を保形するまで予備焼結し、該予備焼結体を充填焼成容器から取り出し、その後焼結することを特徴とする磁気異方性希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項３】
予備焼結の温度が500℃から焼結温度よりも10℃低い温度までの間であることを特徴とする請求項２に記載の磁気異方性希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項４】
予備焼結後に充填焼成容器の一部又は全部を交換することを特徴とする請求項２又は３に記載の磁気異方性希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項５】
微粉末の充填から焼結までを無酸素又は不活性ガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の磁気異方性希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項６】
合金微粉末の平均粒径が5μm以下であることを特徴とする請求項２〜５のいずれかに記載の磁気異方性希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項７】
磁気異方性希土類焼結磁石が希土類鉄ホウ素磁石であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の磁気異方性希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項８】
充填焼成容器が単個又は多数個取りであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の磁気異方性希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項９】
充填焼成容器の一部又は全部が非磁性材であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の磁気異方性希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項１０】
前記充填焼成容器が柱状の空洞を備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の磁気異方性希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項１１】
前記充填焼成容器が筒状の空洞の中心に柱状の中子を配置したものであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の磁気異方性希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項１２】
前記充填焼成容器が平板状又は弓形板状の空洞を複数備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の磁気異方性希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項１３】
充填焼成容器の一部が強磁性材であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の磁気異方性希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項１４】
充填焼成容器の磁極両端部に強磁性体を配置することを特徴とする請求項１３に記載の磁気異方性希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項１５】
合金微粉末の平均粒径が2μm以下であることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の磁気異方性希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項１６】
合金微粉末の平均粒径が1μm以下であることを特徴とする請求項１５に記載の磁気異方性希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項１７】
充填密度が真密度に対して40パーセントから55パーセントの間で微粉末を充填焼成容器に充填することを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載の磁気異方性希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項１８】
磁界がパルス磁界であることを特徴とする請求項１〜１７のいずれかに記載の磁気異方性希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項１９】
潤滑剤を添加混合した微粉末を充填焼成容器に充填することを特徴とする請求項１〜１８のいずれかに記載の磁気異方性希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項２０】
潤滑剤が液体潤滑剤であることを特徴とする請求項１９に記載の磁気異方性希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項２１】
液体潤滑剤が脂肪酸エステル又は解重合ポリマーを主成分とすることを特徴とする請求項２０に記載の磁気異方性希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項２２】
a)合金を微粉砕した微粉末を充填焼成容器に高密度充填する微粉末充填手段と、
b)微粉末を磁界中配向する磁界中配向手段と、
c)当該充填焼成容器のまま微粉末を焼結する焼結手段と、
d)充填焼成容器を微粉末供給手段、磁界中配向手段、焼結手段の順に搬送する搬送手段と、
e)微粉末充填手段、磁界中配向手段、焼結手段及び搬送手段を収容する雰囲気保持容器と、
f)前記雰囲気保持容器の内部を無酸素又は不活性ガス雰囲気にする雰囲気調整手段と、
を備えることを特徴とする磁気異方性希土類焼結磁石の製造装置。
【請求項２３】
a)合金を微粉砕した微粉末を充填焼成容器に高密度充填する微粉末充填手段と、
b)微粉末を磁界中配向する磁界中配向手段と、
c)当該充填焼成容器のまま微粉末を保形するまで予備焼結する予備焼結手段と、
d)予備焼結した微粉末を焼結する焼結手段と、
e)充填焼成容器を微粉末供給手段、磁界中配向手段、予備焼結手段、焼結手段の順に搬送する搬送手段と、
f)微粉末充填手段、磁界中配向手段、予備焼結手段、焼結手段及び搬送手段を収容する雰囲気保持容器と、
g)前記雰囲気保持容器の内部を無酸素又は不活性ガス雰囲気にする雰囲気調整手段と、
を備えることを特徴とする磁気異方性希土類焼結磁石の製造装置。
【請求項２４】
前記雰囲気保持容器を収容する外部容器を備えることを特徴とする請求項２２又は２３に記載の磁気異方性希土類焼結磁石の製造装置。
【請求項２５】
複数個の空洞を持ち、磁気異方性希土類焼結磁石の焼結温度又は予備焼結温度における耐熱性を有する材料から成ることを特徴とする磁気異方性希土類磁石焼結用充填焼成容器。
【請求項２６】
空洞が２列以上並んで配置され、磁気異方性希土類焼結磁石の焼結温度又は予備焼結温度における耐熱性を有する材料から成ることを特徴とする請求項２５に記載の磁気異方性希土類磁石焼結用充填焼成容器。
【請求項２７】
空洞が柱状であることを特徴とする請求項２５又は２６に記載の磁気異方性希土類磁石焼結用充填焼成容器。
【請求項２８】
空洞が平板状又は弓形板状であることを特徴とする請求項２５又は２６に記載の磁気異方性希土類磁石焼結用充填焼成容器。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月23日(2007.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極端紫外光を発生する光源と、該光源から射出された極端紫外光を反射集光する集光鏡とを有する光源部を備え、該光源部から射出される極端紫外光を照明光としてマスクを照明し、前記マスクのパターンを感光性基板上に露光する露光装置において、
前記集光鏡の構造に起因して生成される不均一な反射光束の光強度分布を除去する除去手段
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記除去手段は、前記集光鏡の非反射部分による影に起因して生じる反射光束の不均一な光強度分布を除去することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記除去手段は、前記極端紫外光を前記感光性基板上に照射中に、前記集光鏡を該集光鏡から射出される光束の中心である基準軸方向に移動させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記除去手段は、前記極端紫外光を前記感光性基板上に照射中に、前記集光鏡を該集光鏡から射出される光束の中心である基準軸に垂直な方向に移動させることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記除去手段は、前記極端紫外光を前記感光性基板上に照射中に、前記集光鏡を該集光鏡から射出される光束の中心である基準軸に対して傾斜させることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記除去手段は、前記極端紫外光を前記感光性基板上に照射中に、前記集光鏡を該集光鏡から射出される光束の中心である基準軸周りに回転させることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記除去手段は、前記極端紫外光を前記感光性基板上に照射中に、前記光源を前記集光鏡から射出される光束の中心である基準軸方向に移動させることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記除去手段は、前記極端紫外光を前記感光性基板上に照射中に、前記光源を前記集光鏡から射出される光束の中心である基準軸に垂直な方向に移動させることを特徴とする請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記集光鏡は、複数の反射部材を有し、
前記極端紫外光を前記感光性基板上に照射中に、前記複数の反射部材の少なくとも１つの姿勢を変更する反射部材駆動手段を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記除去手段は、前記極端紫外光を前記感光性基板上に照射中に、
前記集光鏡の姿勢を変更する集光鏡姿勢変更手段と、
前記光源の位置を変更する光源位置変更手段と
を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記集光鏡姿勢変更手段は、前記極端紫外光を前記感光性基板上に照射中に、
前記集光鏡を該集光鏡から射出される光束の中心である基準軸方向、前記集光鏡を前記基準軸に垂直な方向、前記集光鏡を前記基準軸に対して傾斜させる方向、及び前記集光鏡を前記基準軸周りに回転させる方向の中の少なくとも１つの方向に移動させ、
前記光源位置変更手段は、前記極端紫外光を前記感光性基板上に照射中に、
前記光源を前記基準軸方向及び前記基準軸に垂直な方向の少なくとも一方に移動させることを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記集光鏡は、複数の反射部材を有し、
前記極端紫外光を前記感光性基板上に照射中に、前記複数の反射部材の少なくとも１つの姿勢を変更する反射部材駆動手段を備えることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記集光鏡を露光中に移動させることを特徴とする請求項１乃至１２の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記集光鏡を露光中に振動させることを特徴とする請求項１乃至１３の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記集光鏡の振動周波数ｆは感光性基板上のスキャン方向の露光幅をｗ、感光性基板のスキャンスピードをｖとしたとき、ｖ／２ｗよりも大きいことを特徴とする請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記集光鏡を露光中に回転させることを特徴とする請求項１乃至１４の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６の何れか一項に記載の露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法であって、
前記マスクのパターンを前記感光性基板上に露光する露光工程と、
前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程と
を含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
この請求項１２記載の露光装置によれば、複数の反射部材の少なくとも１つの姿勢を変更することにより、集光鏡の構造に起因して生成される不均一な反射光束の光強度分布を除去することができ、反射光束の光強度分布を均一または略均一にすることができる。
また、請求項１３記載の露光装置は、前記集光鏡を露光中に移動させることを特徴とする。
また、請求項１４記載の露光装置は、前記集光鏡を露光中に振動させることを特徴とする。
また、請求項１５記載の露光装置は、前記集光鏡の振動周波数ｆは感光性基板上のスキャン方向の露光幅をｗ、感光性基板のスキャンスピードをｖとしたとき、ｖ／２ｗよりも大きいことを特徴とする。
また、請求項１６記載の露光装置は、前記集光鏡を露光中に回転させることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、請求項１７記載のマイクロデバイスの製造方法は、請求項１乃至請求項１６の何れか一項に記載の露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法であって、前記マスクのパターンを前記感光性基板上に露光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
この請求項１７記載のマイクロデバイスの製造方法によれば、請求項１乃至請求項１６の何れか一項に記載の露光装置を用いて露光を行うため、集光鏡の構造に起因して生成される不均一な反射光束の光強度分布を除去した光束によりマスクの照明を行うことができマスクに形成された微細なパターンを高い解像力で感光性基板上に良好に露光することができる。なお、ここで、本発明の除去手段は、不均一な光強度分布を除去するものに限らず、不均一な光強度分布を補正するもの、あるいは不均一な光強度を低減させるものも含むものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月2日(2007.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粗動ステージと微動ステージを有する位置決め装置であって、
前記粗動ステージに設けられ、反射面と鉛直方向のなす角が鋭角である第１ミラーと、  前記微動ステージに設けられ、反射面が鉛直方向に対して垂直である第２ミラーと、
前記微動ステージの鉛直方向位置を計測する際の基準である基準構造体と、
該基準構造体に設けられ、反射面が鉛直方向に対して垂直である第３ミラーと、
前記第１のミラーによって反射された参照光と計測光をそれぞれ前記第２ミラーと前記第３ミラーに反射させることによって前記微動ステージの鉛直方向位置を計測するための干渉計とを有することを特徴とする位置決め装置。
【請求項２】
前記第１および第２ミラーは前記干渉計から前記第１ミラーに前記計測光が照射される方向に対して垂直な第１方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項１に記載の位置決め装置。
【請求項３】
前記第３ミラーは、前記第１方向と垂直な第２方向に沿って設けられていることを特徴とする請求項２に記載の位置決め装置。
【請求項４】
前記第１ミラーは前記粗動ステージの対辺に設けられ、前記第２ミラーは前記微動ステージの対辺に設けられることを特徴とする請求項３に記載の位置決め装置。
【請求項５】
基板にパターンを転写する露光装置であって、請求項１〜４のいずれかに記載の位置決め装置によって前記基板の位置決めをすることを特徴とする露光装置。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載の位置決め装置を２つ有する露光装置であって、
一方の微動ステージ上の基板に露光するための投影光学系と、
一方の微動ステージ上の基板に露光している間に他方の微動ステージ上の基板の位置合わせができるように配置されたアライメント光学系とを有し、
前記第３ミラーは前記投影光学系とアライメント光学系とを結ぶ線分と垂直な方向に沿って設けられることを特徴とする露光装置。
【請求項７】
前記２つの位置決め装置は、前記投影光学系の下方と前記アライメント光学系の下方との間で入れ換え可能となっており、
前記基準構造体には、入れ換えの際に２つの位置決め装置がすれ違う位置に、反射面が鉛直方向に対して垂直である第４ミラーが設けられていることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記粗動ステージを案内する定盤が、前記投影光学系の下方の領域と、前記アライメント光学系の下方の領域に分割して設けられていることを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
投影光学系を介して基板にパターンを照射する露光装置であって、
前記投影光学系を支持する支持部材と、
前記基板を搭載した微動ステージと、
該微動ステージを搭載した粗動ステージと、
前記微動ステージの位置を計測するために第１計測光と第２計測光を照射する干渉計と、
前記粗動ステージに設けられ、前記第１および第２計測光を鉛直方向に反射する第１反射手段と、
前記微動ステージに設けられ、前記第１反射手段により反射された第１計測光を反射する第２反射手段と、
前記支持部材に設けられ、前記第１反射手段により反射された第２計測光を反射する第３反射手段と、
を有することを特徴を特徴とする露光装置。
【請求項１０】
請求項５〜９のうちいずれかに記載の露光装置を用いてウエハを露光する工程と、該露光したウエハを現像する工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上述の目的を達成するために、本発明では粗動ステージと微動ステージを有する位置決め装置であって、前記粗動ステージに設けられ、反射面と鉛直方向のなす角が鋭角である第１ミラーと、前記微動ステージに設けられ、反射面が鉛直方向に対して垂直である第２ミラーと、前記微動ステージの鉛直方向位置を計測する際の基準である基準構造体と、該基準構造体に設けられ、反射面が鉛直方向に対して垂直である第３ミラーと、前記第１のミラーによって反射された参照光と計測光をそれぞれ前記第２ミラーと前記第３ミラーに反射させることによって前記微動ステージの鉛直方向位置を計測するための干渉計とを有することを特徴とする位置決め装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月2日(2007.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図１に示すように、ベース１０２はＸＹ平面と略垂直な基準面を持つ少なくとも１個以上の基準板（基準手段）１０８を具備している。位置検出用マーク１１１に対する基準板１０８の位置は、基準板１０８をＸＹ平面内で各々移動することで調整できる。基準板１０８は、図５に示すようにＺ方向にスライドするガイド部であるガイド５０１を有しているか、もしくは滑らかな平面となっている。図２では、基準板１０８は、Ｘ方向Ｙ方向それぞれに１個ずつあり、位置決め部品１０５とＸ方向で１ヶ所Ｙ方向で２ヶ所接触させることにより、ベース１０２に対するデバイス１０１の位置と回転を規定できるようになっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図１に示す第1マークである位置検出用マーク１０４と第２マークである位置検出用マーク１１１は、図示しない位置測定機（位置検出手段）を用いることで、デバイス１０１とベース１０２の相対位置計測に使用される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月29日(2007.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記複数本の抵抗発熱体の少なくとも１本は、長手方向の中央より端部にかけて、または長手方向の一端部から他端部にかけて抵抗値が小さくなる事を特徴とする請求項１に記載の加熱体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記複数本の抵抗発熱体の少なくとも１本は、長手方向の中央より端部にかけて、または長手方向の一端部から他端部にかけて抵抗値が大きくなる事を特徴とする請求項１に記載の加熱体。