Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月22日(2019.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体試料を特徴付ける方法であって、
前記半導体試料の表面の領域で一連の測定を順次実行するステップであって、各測定は、
（ｉ）前記領域における表面電位の初期値Ｖｉｎを測定するステップと、
（ｉｉ）前記半導体試料が２Ｖ以下の目標表面電位値（Ｖ０）を有するように、前記半導体試料の表面に電気的に結合された電圧源を介して前記半導体試料にバイアス電圧を印加するステップと、
（ｉｉｉ）前記半導体試料にバイアス電圧を印加した後に、前記表面の領域上に監視下の量のコロナ電荷ΔＱkを堆積させるステップと、
（ｉｖ）コロナ電荷を堆積させた後の領域における表面電位の値Ｖkを測定するステップとを含む、前記一連の測定を順次実行するステップと、
各ステップに関するＶ０、ΔＶk、ΔＱk、およびＣkに対する値であって、ΔＶｋ＝Ｖｋ−Ｖ０であり、Ｃｋ＝ΔＱｋ／ΔＶｋである、前記値、並びに表面電位の累積値（ΣΔＶｋ）および電荷の累積値（ΣΔＱｋ）に基づいて半導体試料を特徴付けるステップとを含む方法。
【請求項２】
表面電位を測定するために使用されるプローブの下で電荷密度（ΔＱｃｋ）を得るために、前記コロナ電荷ΔＱｋが較正関数Ｆ（Ｖ，Ｉ）によって補正される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ΔＱｃｋを使用して、補正された空間電荷容量Ｃｃｋ＝ΔＱｃｋ／ΔＶｋを決定する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
補正された正味のコロナ電荷密度Ｑｃｋ＝ΣΔＱｃｋおよび補正された空間電荷容量Ｃｃｋを使用して、１／Ｃｃｋ２対Ｖｋプロットの傾き、Ｑｃｋ２対Ｖｋプロットの傾き、またはＣｃｋＱｃｋ静電容量電荷係数から半導体試料のドーピング密度を決定する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記静電容量電荷係数ＣｃｋＱｃｋを用いて前記較正関数の品質が決定される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
半導体較正試料の表面下の距離Ｗに亘る既知のドーピング密度を有する半導体較正試料を使用して電荷密度較正を行うことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
一連の順次測定は、目標のドーピング監視深さに到達するまで繰り返される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
コロナ帯電の極性は、前記半導体試料内に空乏表面空間の電荷領域を生成するような極性である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記半導体試料がｎ型半導体であり、前記コロナ電荷が負の帯電極性を用いて堆積される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記半導体試料がｐ型半導体であり、前記コロナ電荷が正の帯電極性を用いて堆積される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記半導体試料を特徴付けることは、ドーピング密度および／またはドーピングプロファイルを決定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記半導体試料がワイドバンドギャップ半導体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記半導体試料は、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、およびＺｎＳｅからなる群から選択される半導体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
表面電位測定が、非接触振動プローブを使用して行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
表面電位測定が、容量性電極を使用して行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
Ｖ０が０．５Ｖ以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
Ｖ０が約０Ｖである、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記半導体試料中に過剰なキャリアを生成するのに十分な光子エネルギーの光を有する照明を用いて、堆積されたコロナ電荷が光中性化され、半導体表面から除去される、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
各繰り返しの前に堆積されたコロナ電荷を光中性化した後に前記半導体試料の特徴付けを繰り返すことをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月15日(2019.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
少なくとも７００℃の温度への前記第１の加熱は少なくとも１つの温度平坦域を含み、少なくとも７００℃の温度への第２の加熱は少なくとも１つの温度平坦域を含み、ＴＩで示される少なくとも７００℃の温度への第１の加熱中の最も長い温度平坦域の時間平均温度は、ＴＩＩで示される少なくとも７００℃の温度への第２の加熱中の最も長い温度平坦域の時間平均温度よりも低い請求項１又は２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月4日(2019.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
調光設定を受け取るためのインターフェースと、
前記調光設定を記憶するためのメモリと、
前記メモリに記憶された前記調光設定、及び測定された周囲光レベルに基づいて、照明ドライバ回路の外部調光インターフェースへの印加のための調光制御信号を生成するための出力回路と、
前記照明ドライバ回路の前記外部調光インターフェースから受け取られる電力に基づいて前記出力回路に給電するための電力供給回路とを有する照明制御モジュールであって、
前記調光設定が、調光関数を再スケールするよう、外部から入力された調光設定を処理するためのものである照明制御モジュール。
【請求項２】
前記インターフェースが、無線調光設定信号を受信するための無線インターフェースであり、前記制御モジュールが、NFCアンテナと、NFC受信機と、前記メモリが前記調光設定を記憶することを可能にするために前記無線インターフェースから電力を収集するための電力収集回路とを有する請求項１に記載の照明制御モジュール。
【請求項３】
前記照明ドライバ回路との接続のための物理的な出力コネクタを有する請求項１又は２に記載の照明制御モジュール。
【請求項４】
前記調光制御信号が、DALI信号を有する請求項１乃至３のいずれか一項に記載の照明制御モジュール。
【請求項５】
前記メモリが、他のDALI設定を記憶するよう適応される請求項４に記載の照明制御モジュール。
【請求項６】
前記調光制御信号が、１乃至１０Ｖ信号を有する請求項１乃至３のいずれか一項に記載の照明制御モジュール。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の照明制御モジュールと、
前記照明ドライバ回路とを有し、前記照明ドライバ回路が、前記調光制御信号が印加される前記調光インターフェースを有する照明システム。
【請求項８】
前記調光インターフェースが、標準的な１乃至１０Ｖ調光信号を受信することが可能な１乃至１０Ｖ調光インターフェースであり、前記照明制御モジュールの前記調光制御信号が、１Ｖより大きい最低値を持つ第１範囲の電圧を持ち、前記照明ドライバ回路が、１乃至１０Ｖ信号を形成するよう前記調光制御信号を再スケールするための再スケールユニットを有する請求項７に記載の照明システム。
【請求項９】
前記再スケールユニットが、再スケールコマンドを受信するための無線インターフェースを有する請求項８に記載の照明システム。
【請求項１０】
前記照明制御モジュールに前記調光設定を無線送信するための設定デバイスを更に有する請求項７乃至９のいずれか一項に記載の照明システム。
【請求項１１】
調光インターフェースを備える照明ドライバを有する照明システムの調光レベルを設定する方法であり、
前記調光インターフェースに照明制御モジュールを接続するステップと、
設定デバイスから前記照明制御モジュールに調光設定を送信するステップと、
前記照明制御モジュールにおいて前記調光設定を記憶するステップと、
照明ドライバによって前記調光インターフェースに供給される電力を用いて、前記照明制御モジュールに給電し、記憶された前記調光設定を読み出すステップと、
前記照明ドライバ内で、前記記憶された調光設定及び測定された周囲光レベルに基づく前記調光レベルを設定するステップとを有する方法であって、
前記調光設定が、調光関数を再スケールするよう、外部から入力された調光設定を処理するためのものである方法。
【請求項１２】
前記照明ドライバにおいて、前記照明制御モジュールから読み出された前記調光設定を、１乃至１０Ｖ調光制御信号を形成するよう再スケールするステップを更に有する請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月8日(2019.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極ユニットと、
前記電極ユニットから外に向かって伸びている第１端子及び第２端子と、
前記電極ユニットを収容するケースと、
前記ケースにふたをし、かつ、第１及び第２スルーホールであって、前記第１及び第２スルーホールを通って前記第１端子及び前記第２端子がそれぞれ環境に露出される、第１及び第２スルーホールを有する、栓と
を備える電気二重層素子であって、
前記栓は、
互いに反対側にある第１面及び第２面であって、前記第２面は前記電極ユニットに面する、第１面及び第２面と、
前記第１面に沿って配置され、前記第１スルーホールを囲む第１ポケットと、
前記第１面に沿って配置され、前記第２スルーホールを囲む第２ポケットと、
前記第１ポケット及び前記第２ポケットを充填するウレタン樹脂とを備える
電気二重層素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１ポケットは、前記ウレタン樹脂が前記第１ポケットを充填し前記第１端子に密着硬化されるように、前記第１スルーホールの内径の半径方向に沿って陥没形成され、
前記第２ポケットは、前記ウレタン樹脂が前記第２ポケットを充填し前記第２端子に密着硬化されるように、前記第２スルーホールの内径の半径方向に沿って陥没形成される
電気二重層素子。
【請求項３】
請求項１において、
前記栓の前記第１面から上方に突出し、前記第１ポケット及び前記第２ポケットを少なくとも部分的に囲むボリューム突出部を更に備え、
前記第１ポケット及び前記第２ポケットは、前記ボリューム突出部より位置が低く、
前記ボリューム突出部は、前記ボリューム突出部の上面に凹部を有し、前記凹部の高さは前記ボリューム突出部の前記上面の中央に向かって徐々に低くなり、前記凹部は前記ケースがビード加工されるときに平坦になるように構成されている
電気二重層素子。 
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項において、
前記第１ポケット及び前記第２ポケットより位置が高く、前記第１ポケット及び前記第２ポケットをそれぞれ囲む、第１充填溝及び第２充填溝を更に備え、
前記第１充填溝及び前記第２充填溝のそれぞれは、前記第１充填溝及び前記第２充填溝のそれぞれと前記ウレタン樹脂との間の界面結合力を増進させるように構成された凹凸部を有する
電気二重層素子。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１項において、
前記ウレタン樹脂と前記第１ポケット及び前記第２ポケットのそれぞれとの間に形成されたプライマー接着剤を更に備える
電気二重層素子。
【請求項６】
請求項５において、
前記プライマー接着剤は、エチルアセテート系の接着剤である
電気二重層素子。
【請求項７】
請求項１〜３のいずれか１項において、
前記電極ユニットは、前記第１端子及び前記第２端子にそれぞれ接続された第１集電シート及び第２集電シートを備え、
前記第１端子及び前記第２端子のそれぞれは、
前記第１集電シート及び前記第２集電シートのうちの対応する１つにそれぞれ接続されて、前記第１スルーホール及び前記第２スルーホールのうちの対応する１つに挿入されるアルミニウム端子と、
前記アルミニウム端子に溶接されて、前記栓の外部に露出されている外部端子とを含む
電気二重層素子。
【請求項８】
請求項７において、
前記アルミニウム端子に形成された酸化アルミニウム皮膜を更に備える
電気二重層素子。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項において、
前記電気二重層素子は、電気二重層キャパシタ素子である
電気二重層素子。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項において、
前記第１及び第２スルーホールは、前記栓の前記第１面から前記第２面へ向かう向きに、前記第１ポケット及び前記第２ポケットとそれぞれ一直線に合わせられている
電気二重層素子。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項において、
前記栓はラバーキャップである
電気二重層素子。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記ラバーキャップは凹部を有する
電気二重層素子。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれか１項において、
前記第１端子及び／又は前記第２端子は、陽極酸化処理されて、酸化アルミニウム皮膜をその上に備える
電気二重層素子。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記酸化アルミニウム皮膜は、前記第１又は第２スルーホールに接触する。
電気二重層素子。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記第１端子及び／又は前記第２端子は、環境に露出される部分を含み、前記露出される部分は酸化アルミニウム皮膜で陽極酸化処理されていない
電気二重層素子。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月24日(2019.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン層を半導体ウエハに堆積するステップであって、シリコン層は、半導体ウエハに面する内側表面と、内側表面とは反対の外側表面とを含み、シリコン層は、内側表面と外側表面との間に定義される第１厚さを有し、第１厚さは、シリコン層全体に渡って実質的に均等である、ステップと、
シリコン層の外側表面をパッド表面と接触させる前に、半導体ウエハを検査して、初期ウエハプロファイルを判断するステップと、
半導体ウエハを研磨装置に位置決めするステップであって、研磨装置は、パッド表面を有する研磨パッドを含み、パッド表面は、中心エリアおよびエッジエリアを定義する、ステップと、
半導体ウエハの初期ウエハプロファイルに基づいて、パッド表面の中心エリアおよびエッジエリアの少なくとも一方をドレッシングするステップと、
シリコン層の外側表面をパッド表面と接触させるステップと、
スラリーをシリコン層の外側表面に塗布するステップと、
パッド表面がシリコン層の外側表面に接触しつつ、パッドを回転させるステップであって、その結果、シリコン層の一部が除去され、シリコン層の滑らかな表面を提供し、第２厚さが、内側表面と滑らかな表面との間に定義され、第２厚さは、シリコン層全体に渡って実質的に均等である、ステップと、
シリコン層の一部の除去後、半導体ウエハを検査して、研磨後ウエハプロファイルを判断するステップと、
初期ウエハプロファイルを研磨後ウエハプロファイルと比較して、プロファイル間の変動を判断するステップと、
初期ウエハプロファイルと研磨後ウエハプロファイルとの間の変動に基づいて、パッド表面の中心エリアおよびエッジエリアの一方をドレッシングするステップとを含む、
半導体ウエハを処理する方法。
【請求項２】
中心エリアおよびエッジエリアの一方が、初期ウエハプロファイルに基づいてドレッシングされ、ドレッシングされたパッド表面は半導体ウエハを研磨して、初期ウエハプロファイルに一致する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
エッジエリアは、ドレッシングされ、
パッド表面は、円形形状を有し、
エッジエリアは、研磨パッドの外側エッジから２．５ｃｍと５ｃｍの間で放射状に延びている、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
中心エリアは、ドレッシングされ、
パッド表面は、円形形状を有し、
中心エリアは、研磨パッドの外側エッジから１５ｃｍと２０ｃｍの間に内向きに放射状に間隔を空けている、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
シリコン層は、多結晶シリコン層であり、
該層は、研磨後に減少した粗さを有し、
多結晶粒子境界は、研磨によって減少している、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
スラリーは、研磨粒子および塩基を含む、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月23日(2019.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
［００３１］第２の基板支持体３０６ｂは、第２の支持体表面３０８ｂに配置されたときに平坦化された基板３０５ｂを冷却するために、第２の支持体表面３０８ｂに近接して第２の基板支持体３０６ｂに配置された第２の複数の冷却剤チャネル３２２ｂを含む。第２の複数の冷却剤チャネル３２２ｂは、供給及び戻りライン３２４ｂを含んでよく、この供給及び戻りラインは、第２の複数の冷却剤チャネル３２２ｂから第２のシャフト３１０ｂを通って延在し、冷却剤を第２の複数の冷却剤チャネル３２２ｂへ供給する。供給及び戻りライン３２４ｂは、第２の複数の冷却剤チャネル３２２ｂを、第２の処理チャンバ３０２ｂの外部に配置された第２の冷却剤供給装置３２６ｂへ接続させる。第４の温度コントローラ３３０ｂは、第２の冷却剤供給装置３２６ｂを制御して、冷却剤を第２の複数の冷却剤チャネル３２２ｂへ選択的に供給しうる。あるいは、第４の温度コントローラ３３０ｂは、第２の処理チャンバ３０２ｂの工程を制御しうる、例えばコントローラ３４４ｂ等のシステムコントローラの一部でありうる、又はこれらに接続されうる。幾つかの実施形態では、第２の基板支持体３０６ｂは、たとえば減圧又は静電チャック等のチャッキング機構（図示せず）を含みうる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2018518044.tif 000001
【図２】
2018518044.tif 000002
【図３】
2018518044.tif 000003
【図４】
2018518044.tif 000004
【誤訳訂正書】
【提出日】令和1年10月9日(2019.10.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
しかし、好適な方法では、この少なくとも１つの磁性挿入物はねじ接続で接続ピースと接続されている。ねじ接続を使用することにより、円筒型ターゲットを成膜装置内で使用中に、例えば磁界の作用により、又は、円筒型ターゲットを成膜装置内で垂直方向に設置する場合にも、この磁性挿入物が滑らないことが保証される。ねじ接続を使用することにより、この少なくとも１つの磁性挿入物の位置を接続ピースの軸方向に沿って無段階で、且つ、非常に高精度に調整することも可能である。ねじ接続を使用することにより、同様に、この挿入物の芯出しを簡単に行うことができるので、円筒型ターゲットの回転中に均一な磁界弱めが保証される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
【図１】第１の実施形態による円筒型ターゲット（１ａ）の１端部を側面から見た断面の模式図であり、本発明による接続ピース（６ａ）が円筒形のターゲット体（２ａ）の１端に配置されている。この接続ピースは１つの磁性挿入物（４ａ）を有し、この磁性挿入物の位置は接続ピースの軸方向（矢印方向）に沿って可変である。この実施形態では、この磁性挿入物は接続ピースの円筒形の内面に配置されている。
【図２】第２の実施形態による円筒型ターゲット（１ｂ）の１端部を側面から見た断面の模式図であり、本発明による接続ピース（６ｂ）が円筒形のターゲット体（２ｂ）の１端に配置されている。この接続ピースは１つの磁性挿入物（４ｂ）を有し、この磁性挿入物の位置は接続ピースの軸方向（矢印方向）に沿って可変である。この実施形態では、この磁性挿入物は接続ピースの円筒形の外面に配置されている。
【図３】第３の実施形態による円筒型ターゲット（１ｃ）の１端部を側面から見た断面の模式図であり、本発明による接続ピース（６ｃ）が円筒形のターゲット体（２ｃ）の１端に配置されている。この接続ピースは多数の磁性挿入物（４ｃ）を有し、これらの磁性挿入物は接続ピースの円筒形の内面に取り付けられている。これらは例えば接続ピース内にねじ込まれた挿入物とすることができる、すなわち、接続ピースの円筒形の内面にのみ挿入された挿入物とすることができる。これらの挿入物の位置も接続ピースの軸方向に沿って可変である。こうして、個々の挿入物を的確に、取り付け、再び取り外し、又は、別の位置に設置することができる。これにより、この実施形態では、これらの磁性挿入物の数も的確に変えることができる。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月15日(2019.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
全血又は血漿を含む血液製剤を得るステップ、
血液製剤と、（ｉ）ヒドロキシアパタイト、（ｉｉ）マクロ多孔質サイズαを有する第１の炭素粒子及びマクロ多孔質サイズβを有する第２の炭素粒子の混合物を少なくとも含む炭素質材料、並びに（ｉｉｉ）抗原決定基が化学的に結び付いた少なくとも１つの担体マトリクスとを接触させて、浄化された製剤を形成するステップ、並びに
浄化された製剤を回収するステップ
を含む、ユニバーサル血液製剤を調製する方法。
【請求項２】
ヒドロキシアパタイトが天然の、合成の、又はその組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ヒドロキシアパタイトが約２００ｍ２／ｇから約３０００ｍ２／ｇのブルナウアー・エメット・テラー表面積を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ヒドロキシアパタイトが約３００μｍから約１０００μｍの粒子サイズを有するビーズの形態である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ヒドロキシアパタイトが、孔サイズが約２ｎｍから約１０００ｎｍ超の範囲である単峰形の孔サイズ分布を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
マクロ多孔質サイズαが約１２５μｍから約２５０μｍの範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
マクロ多孔質サイズβが約２５０μｍから約５００μｍの範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
炭素質材料が約２ｎｍから約５０ｎｍの範囲の孔サイズを有するミクロ細孔をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
固定された抗原決定基が血液型Ａ決定基、血液型Ｂ決定基、又はその組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
血液型Ａ決定基がＡ−三糖［Ｇａ１ＮＡｃａｌｐｈａ１−３（Ｆｕｃａｌｐｈａ１−２）Ｇａ１］を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
血液型Ｂ決定基がＢ−三糖［Ｇａ１ａｌｐｈａ１−３（Ｆｕｃａｌｐｈａ１−２）Ｇａ１］を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
抗原決定基が化学的に結び付いた担体マトリクスが、ポリエチレン（ＰＥ）、セファロース、シリカ、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリ酢酸ビニル（ＰＶＡ）、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリアクリラート、ポリ（メタクリル酸メチル）（ＰＭＭＡ）、ポリアクリルアミド、ポリメタクリル酸グリシジル（ＰＧＭＡ）、アクリロニトリルブタジエンスチレン（ＡＢＳ）、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、ポリエステル、ポリカーボナート、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリアミド、ポリアラミド、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ポリスルホン（ＰＳ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアリールエーテルスルホン（ＰＥＡＳ）、エチレン酢酸ビニル（ＥＶＡ）、エチレンビニルアルコール（ＥＶＯＨ）、ポリアミド−イミド、ポリアリールエーテルケトン（ＰＡＥＫ）、ポリブタジエン（ＰＢＤ）、ポリブチレン（ＰＢ）、ポリブチレンテレフタラート（ＰＢＴ）、ポリカプロラクトン（ＰＣＬ）、ポリヒドロキシアルカノエート、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリイミド、ポリ乳酸（ＰＬＡ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、ポリ（ｐ−フェニレンエーテル）（ＰＰＥ）、ポリウレタン（ＰＵ）、スチレンアクリロニトリル（ＳＡＮ）、ポリブテン酸、ポリ（４−アリル−安息香酸）、ポリ（アクリル酸グリシジル）、ポリメタクリル酸グリシジル（ＰＧＭＡ）、ポリ（アリルグリシジルエーテル）、ポリ（ビニルグリシジルエーテル）、ポリ（ビニルグリシジルウレタン）、ポリアリルアミン、ポリビニルアミン、前記ポリマーのコポリマー、前記ポリマーの誘導体、及びその組み合わせからなる群から選択される担体マトリクスに固定されている、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
担体マトリクスが、セルロース、ニトロセルロース、キトサン、コラーゲン、デンプン、架橋多糖ゲル、又はその組み合わせからなる群から選択される多糖を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
担体マトリクスが、ビーズ、シート、又は中空繊維膜の形態である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
担体マトリクス及び抗原決定基が化学的に結び付いた担体マトリクスの両方と結合したリンカー基をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
リンカー基がアミノ酸を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
浄化された製剤の、ＴＮＦ−α、ＩＬ−１β、ＩＬ−４、ＩＬ−６、ＩＬ−８、ＩＬ−１０、ＩＦＮ−γ、及びＴＧＦ−βからなる群から選択される少なくとも１つの分子の量が、血漿製剤内に存在する量と比較して約１０％から約５０％低減している、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
血漿製剤が単一の対象から得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
血漿製剤が少なくとも２人の対象から得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
（ｉ）ヒドロキシアパタイト、（ｉｉ）炭素質材料、並びに（ｉｉｉ）抗原決定基が化学的に結び付いた少なくとも１つの担体マトリクスを含有する中空繊維膜を含むハンドヘルド装置。
【請求項２１】
全血又は血漿を含む血液製剤を得るステップ、
血液製剤と、（ｉ）ヒドロキシアパタイト、（ｉｉ）マクロ多孔質サイズαを有する第１の炭素粒子及びマクロ多孔質サイズβを有する第２の炭素粒子の混合物を少なくとも含む炭素質材料、並びに（ｉｉｉ）抗原決定基が化学的に結び付いた少なくとも１つの担体マトリクスとを接触させて、浄化された製剤を形成するステップ
を含む、ユニバーサル血液製剤を調製する方法であって、
ヒドロキシアパタイト、炭素質材料、及び担体マトリクスのうちの少なくとも１つが機能化されている、上記方法。
【請求項２２】
機能化が多糖の組み込みを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
多糖が酸化されている、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
担体マトリクスが過ヨウ素酸塩で酸化されたポリビニルアルコールを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
担体マトリクスが、アミノ酸又はペプチドを介してポリビニルアルコールと化学的に結び付いている多糖をさらに含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
アミノ酸又はペプチドが少なくとも２つのアミン基を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
（ｉ）ヒドロキシアパタイト、（ｉｉ）炭素質材料、並びに（ｉｉｉ）抗原決定基が化学的に結び付いた少なくとも１つの担体マトリクスを含有する中空繊維膜を含む装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月9日(2019.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
さらに、好ましくは、押出機の第１のセクション（Ｉ）中で、２０〜７０℃の範囲の第１の温度（Ｔ１）を有し、及び／又は押出機の第３のセクション（ＩＩＩ）中で、２０℃から１０５℃未満までの範囲の第３の温度（Ｔ３）を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
したがって、本発明は方法も提供し、該方法において、押出機の第１のセクション（Ｉ）中で、２０〜７０℃の範囲の第１の温度（Ｔ１）を有し、及び／又は押出機の第３のセクション（ＩＩＩ）中で、２０℃から１０５℃未満までの範囲の第３の温度（Ｔ３）を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月17日(2019.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上のフッ化アリールで架橋された複数のシクロデキストリン成分を含むメソポーラス高分子材料であって、任意で、前記シクロデキストリン成分がβ-シクロデキストリンを含み、及び任意で、前記複数のシクロデキストリン成分の少なくとも２つが、２以上のアリール成分で架橋されており；
ここで、前記１以上のフッ化アリールが、以下からなる群より選択される、多孔性高分子材料。
【化１】
2018518551.tif 000001
【化２】
2018518551.tif 000002
【請求項２】
シクロデキストリン成分とフッ化アリールのモル比が、約１：１〜約１：Ｘの範囲にあり、Ｘは、前記シクロデキストリン成分中のグルコースサブユニットの平均数の三倍である、請求項１に記載の多孔性高分子材料。
【請求項３】
前記多孔性高分子材料が、５０ｍ2/ｇ〜２０００ｍ2/ｇのＢＥＴ(Brunauer-Emmett-Teller)表面積を有する、請求項１又は２に記載の多孔性高分子材料。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の多孔性高分子材料を含む組成物。
【請求項５】
さらに支持材を含み、前記多孔性高分子材料が当該支持材に共有結合している、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
１以上の汚染物質を含む流体サンプルを精製する方法であって、前記流体サンプルを、請求項１〜３のいずれか１項に記載の多孔性高分子材料と接触させて、それによって、前記流体サンプル中の前記１以上の汚染物質の総量の少なくとも５０重量％を、前記多孔性高分子材料に吸着させることを含み、任意で、前記流体サンプルが、飲料水、廃水、地下水、汚染土壌からの水性抽出物、又は埋立地浸出水である、方法。
【請求項７】
前記流体サンプルが、前記多孔性高分子材料を横切って流れるか、多孔性高分子材料の周りを流れるか、又は多孔性高分子材料を通って流れる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記流体サンプルを、インキュベーション期間の間、静止状態の前記多孔性高分子材料と接触させ、当該インキュベーション期間の後、前記流体サンプルを前記多孔性高分子材料から分離する、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
前記流体サンプルが気相内にあり、任意で、前記流体サンプルが１以上の揮発性有機化合物と空気を含む、請求項６〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
流体サンプル中の化合物の有無を判定する方法であって、
ａ）前記サンプルを、請求項１に記載の多孔性高分子材料と、インキュベーション期間の間、接触させること、この際任意で、前記サンプルはフレグランス又は食品（例えば、ミルク、ワイン、フルーツジュース、又はアルコール飲料）であり、前記化合物は揮発性有機化合物である、
ｂ）ａ）の多孔性高分子材料を、前記サンプルから分離すること、
ｃ）ｂ）の多孔性高分子材料を加熱するか、あるいは、ｂ）の多孔性高分子材料を溶媒と接触させて、前記化合物の少なくとも一部を、前記多孔性高分子材料から放出させること、及び
ｄ）任意の化合物の有無を判定するか（ここで、１以上の化合物の存在は、サンプル中の１以上の化合物の存在と相関する）、あるいは、前記化合物を単離すること、この際任意で、前記判定は、ガスクロマトグラフィー、液体クロマトグラフィー、超臨界液体クロマトグラフィー、又は質量分析によって実施される
を含む方法。
【請求項１１】
流体サンプルから化合物を除去する方法であって、
ａ）前記サンプルを、請求項１に記載の多孔性高分子材料と、インキュベーション期間の間接触させて、少なくともいくらかの化合物を、前記高分子材料に捕捉させること、この際任意で、前記サンプルは、飲料水、廃水、地下水、汚染土壌からの水性抽出物、又は埋立地浸出水である、
ｂ）ａ）の多孔性高分子材料を、前記サンプルから分離すること、
ｃ）ｂ）の多孔性高分子材料を加熱するか、あるいは、ｂ）の多孔性高分子材料を溶媒と接触させて、前記化合物の少なくとも一部を、前記多孔性高分子材料から放出させること、及び
ｄ）任意で、前記化合物の少なくとも一部を単離すること
を含む方法。
【請求項１２】
前記サンプルが気相内にあり、任意で、前記サンプルが１以上の揮発性有機化合物と空気を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
請求項４又は５に記載の組成物を含む製品であって、任意で、前記製品が保護具である、製品。
【請求項１４】
請求項１に記載の多孔性高分子材料を調製する方法であって、１以上のシクロデキストリンを、塩基の存在下で、少なくとも等モル量の１以上のフッ化アリールと反応させることを含み、任意で、以下の特徴の１以上を含む、方法
（ｉ）前記１以上のシクロデキストリンが、α-、β-，及びγ-シクロデキストリン又はそれらの誘導体からなる群より選択される；
（ii）前記フッ化アリールが、テトラフルオロテレフタロニトリル、デカフルオロビフェニル、オクタフルオロナフタレン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される；及び
（iii）シクロデキストリンとフッ化アリールのモル比が、約１：１〜約１：Ｘの範囲にあり、Ｘは、シクロデキストリンのグルコースサブユニットの平均数の三倍である。
【請求項１５】
請求項４に記載の組成物を調製する方法であって、１以上のシクロデキストリンを、塩基及び繊維基材の存在下で、少なくとも等モル量の１以上のフッ化アリールと反応させることを含み、任意で、以下の特徴の１以上を含む、方法
（ｉ）前記シクロデキストリンが、α-、β-，及びγ-シクロデキストリン又はそれらの誘導体からなる群より選択される；
（ii）前記フッ化アリールが、テトラフルオロテレフタロニトリル、デカフルオロビフェニル、オクタフルオロナフタレン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される；及び
（iii）シクロデキストリンとフッ化アリールのモル比が、約１：１〜約１：Ｘの範囲にあり、Ｘは、シクロデキストリンのグルコースサブユニットの平均数の三倍である。
【請求項１６】
前記繊維基材がコットン（例えば、コットン布帛）を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記シクロデキストリン成分がβ-シクロデキストリンを含み、前記フッ化アリールが以下のものである、
【化３】
2018518551.tif 000003
請求項１〜３のいずれか１項に記載の多孔性高分子材料。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月19日(2019.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その治療を必要とするヒト患者におけるCMV（サイトメガロウイルス）網膜炎を治療するための医薬組成物であって、CMV特異的T細胞を含む同種異系のT細胞集団を含み、該ヒト患者がHIVに感染している、前記医薬組成物。
【請求項２】
前記ヒト患者が、AIDSを有する、請求項1記載の医薬組成物。
【請求項３】
その治療を必要とするヒト患者におけるCMV網膜炎を治療するための医薬組成物であって、CMV特異的T細胞を含む同種異系のT細胞集団を含み、該ヒト患者が移植ドナーからの固形臓器移植のレシピエントである、前記医薬組成物。
【請求項４】
前記固形臓器移植が腎臓移植、肝臓移植、心臓移植、腸移植、膵臓移植、肺移植、小腸移植、又はこれらの組合せである、請求項3記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記同種異系のT細胞集団が、前記移植ドナー以外のドナーに由来する、請求項4記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記同種異系のT細胞集団が、少なくともいくらかの、場合によっては全ての前記CMV感染の細胞と共通のHLA対立遺伝子によって拘束されている、請求項1〜5のいずれか1項記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記治療が、前記同種異系のT細胞集団の前記ヒト患者への投与に先立って、インビトロで該同種異系のT細胞集団を作製する工程を含む、請求項1〜6のいずれか1項記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記インビトロで前記同種異系のT細胞集団を作製する工程が、1以上のCMV抗原に同種異系のT細胞を感作させることを含む、請求項7記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記治療が、前記同種異系のT細胞集団を前記ヒト患者に輸液によって投与することを含む、請求項1〜8のいずれか1項記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記治療が、前記ヒト患者に前記同種異系のT細胞集団を投与した後に、該ヒト患者にCMV特異的T細胞を含む第2の同種異系のT細胞集団を投与することを含み、ここで該第2の同種異系のT細胞集団は、少なくともいくらかの、場合によっては全ての前記CMV感染の細胞と共通の異なるHLA対立遺伝子によって拘束されている、請求項1〜9のいずれか1項記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記ヒト患者が、CMV網膜炎を治療するための過去の療法に失敗していた、請求項1〜10のいずれか1項記載の医薬組成物。
【請求項１２】
前記CMV網膜炎が、前記過去の療法に対して耐性である、請求項11記載の医薬組成物。
【請求項１３】
前記過去の療法が、少なくとも1つの抗ウイルス剤を用いる治療である、請求項11又は12記載の医薬組成物。
【請求項１４】
前記少なくとも1つの抗ウイルス剤が、ガンシクロビル、ホスカルネット、バルガンシクロビル、シドホビル、レフルノミド、及びこれらの組合せよりなる群から選択される、請求項13記載の医薬組成物。
【請求項１５】
前記同種異系のT細胞集団が、CMV特異的T細胞レセプターをコードする遺伝子を用いてエクスビボで形質導入されていない、請求項1〜14のいずれか1項記載の医薬組成物。
【請求項１６】
少なくともいくらかの、場合によっては全ての、前記同種異系のT細胞集団の細胞が、ラパマイシン感受性である、請求項1〜15のいずれか1項記載の医薬組成物。
【請求項１７】
前記同種異系のT細胞集団が、PD-1アンタゴニストと組合せて投与するためのものではない、請求項1〜16のいずれか1項記載の医薬組成物。
【請求項１８】
前記ヒト患者が、造血幹細胞移植のレシピエントでない、請求項1〜17のいずれか1項記載の医薬組成物。
【請求項１９】
前記ヒト患者が、活動性であって、潜伏性でないCMV感染を有する、請求項1〜18のいずれか1項記載の医薬組成物。
【請求項２０】
前記ヒト患者のCMVが、1以上の抗ウイルス剤に対する耐性を付与する少なくとも1つの突然変異をそのゲノム中に有する、請求項1〜19のいずれか1項記載の医薬組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
（5.4. 異なるT細胞集団による連続治療）
特定の実施態様において、CMV網膜炎の治療方法は、ヒト患者への同種異系のT細胞集団の投与の後、該ヒト患者にCMV特異的T細胞を含む第2の同種異系のT細胞集団を投与することをさらに含む；ここで、該第2の同種異系のT細胞集団は、該CMV感染細胞の少なくともいくらか、場合によっては全てと共通する異なるHLA対立遺伝子によって拘束される。該第2の同種異系のT細胞集団は、第5.3.節に記載された任意の経路及び任意の投薬／投与レジメンによって投与することができる。具体的な実施態様において、CMV網膜炎の治療方法は、該同種異系のT細胞集団の週1回の投与を3週間連続させる第1のサイクルで投与し、続いて該同種異系のT細胞集団の投与を行わない休薬期間を設け、続いて該第2の同種異系のT細胞集団の週1回の投与を3週間連続させる第2のサイクルで投与することを含む。さらに具体的な実施態様において、該休薬期間は、約3週間である。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月19日(2019.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それを必要とする対象において癌を治療するための方法であって、前記対象に治療有効量のＰＰ２Ａ活性化剤及びプロテインキナーゼ阻害剤を投与することを含む方法。
【請求項２】
前記癌が、白血病、前立腺癌、子宮内膜癌、及び非小細胞肺癌からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＰＰ２Ａ活性化剤が、ＧＰＣＲ又はモノアミントランスポーター薬効薬理を有さない三環式神経弛緩化合物である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
プロテインキナーゼ阻害剤の量が、前記ＰＰ２Ａ活性化剤の非存在下で投与される場合、治療量以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記プロテインキナーゼ阻害剤は、ＭＥＫ−１阻害剤、ＥＧＦＲ阻害剤、Ｈｅｒ−２キナーゼ阻害剤、Ｓｒｃ阻害剤、ＩＫＫ阻害剤、Ｊａｋ２阻害剤、オーロラキナーゼ阻害剤、ＣＨＫ１阻害剤、及びＧＳＫ−３阻害剤から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記プロテインキナーゼ阻害剤は、トラメチニブ、セルメチニブ、コビメチニブ、エルロチニブ、ゲフィチニブ、ラパチニブ、イコチニブ、サルカチニブ、ダサチニブ、ボスチニブ、Ｎ−（６−クロロ−９Ｈ−ピリド［３，４−ｂ］インドール−８−イル）ニコチンアミド；Ｎ１−（１，８−ジメチルイミダゾ［１，２−ａ］キノキサリン−４−イル）エタン−１，２−ジアミン；１−（（５−メトキシ−２−（チオフェン−２−イル）キナゾリン−４−イル）アミノ）−３−メチル−１Ｈ−ピロール−２，５−ジオン；Ｎ−（６−クロロ−７−メトキシ−９Ｈ−ピリド［３，４−ｂ］インドール−８−イル）−２−メチルニコチンアミド；４−アミノ−［２，３’−ビチオフェン］−５−カルボキサミド；（Ｅ）−１−（６−（４−クロロフェノキシ）ヘキシル）−２−シアノ−３−（ピリジン−４−イル）グアニジン；（Ｚ）−３−（２，４−ジメチル−５−（（２−オキソインドリン−３−イリデン）メチル）−１Ｈ−ピロール−３−イル）プロパン酸、ルキソリチニブ、バリシチニブ、ＣＹＴ３８７、レスタウルチニブ、パクリチニブ、ＴＧ１０１３４８、ＺＭ４４７４３９、ＶＸ−６８０（ＭＫ−０４５７）、ヘスペラジン、ＰＨＡ−６８０６３２、ＰＨＡ−７３９３５８、化合物６７７、ＪＮＪ−７７０６６２１、ＭＬＮ８０５４、ＭＬＮ８２３７、ＡＺＤ１１５２、ＡＳ７０３５６９、ＰＦ−０３８１４７３５、ＳＮＳ−３１４、（Ｓ）−５−（３−フルオロフェニル）−Ｎ−（ピペリジン−３−イル）−３−ウレイドチオフェン−２−カルボキサミド、（Ｓ）−１−（５−ブロモ−４−メチル−２−（モルホリン−２−イルメトキシ）フェニル）−３−（５−メチルピラジン−２−イル）尿素（ラブセルチブ）、６−ブロモ−３−（１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−４−イル）−５−（ピペリジン−３−イル）ピラゾロ［１，５−ａ］ピリミジン−７−アミン、（Ｓ）−３−（１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール−２−イル）−６−クロロ−４−（キヌクリジン−３−イルアミノ）キノリン−２（１Ｈ）−オン、（Ｒ）−２−アミノ−２−シクロヘキシル−Ｎ−（５−（１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−４−イル）−１−オキソ−２，６−ジヒドロ−１Ｈ−［１，２］ジアゼピノ［４，５，６−ｃｄ］インドール−８−イル）アセトアミド、３−（（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）アミノ）−４−（２−ニトロフェニル）−１Ｈ−ピロール−２，５−ジオン、３−（２，４−ジクロロフェニル）−４−（１−メチル−１Ｈ−インドール−３−イル）−１Ｈ−ピロール−２，５−ジオン、６−（（２−（（４−（２，４−ジクロロフェニル）−５−（４−メチル−１Ｈ−イミダゾール−２−イル）ピリミジン−２−イル）アミノ）エチル）アミノ）ニコチノニトリル、Ｎ２−（２−（（４−（２，４−ジクロロフェニル）−５−（１Ｈ−イミダゾール−２−イル）ピリミジン−２−イル）アミノ）エチル）−５−ニトロピリジン−２，６−ジアミン、１−（キノリン−４−イル）−３−（６−（トリフルオロメチル）ピリジン−２−イル）尿素、４−ベンジル−２−（ナフタレン−１−イル）−１，２，４−チアジアゾリジン−３，５−ジオン、及び３−（９−フルオロ−２−（ピペリジン−１−カルボニル）−１，２，３，４−テトラヒドロ−［１，４］ジアゼピノ［６，７，１−ヒ］インドール−７−イル）−４−（イミダゾ［１，２−ａ］ピリジン−３−イル）−１Ｈ−ピロール−２，５−ジオンからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ＰＰ２Ａ活性化剤は、式（Ｉ）：
【化１】
2018518522.tif 000001
の化合物を含み、式中、
Ｂは、−Ｓ−、−（ＣＨ２−ＣＨ２）−及び−ＣＨ＝ＣＨ−からなる群から選択され、
Ａは、Ｎ及びＣＨから選択され、
ｎは、０、１又は２であり、
Ｘ１は、−Ｈ、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＦ３及び−ＣＮから選択され、
Ｘ２は、−Ｈ、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＦ３、及び−ＣＮから選択され、
Ｙは、−Ｈ、−Ｆ、−Ｃｌ、−（Ｃ１〜Ｃ３）ハロアルキル、−（Ｃ１〜Ｃ３）ハロアルコキシ、−（Ｃ１〜Ｃ３）アルコキシ、−Ｃ（＝Ｏ）（Ｃ１〜Ｃ３）アルキル、−Ｃ（＝Ｏ）Ｈ、−（Ｃ１〜Ｃ３）ヒドロキシアルキル、−（Ｃ１〜Ｃ３）ハロアルキルチオ、−Ｎ３、及び−ＣＮからそれぞれ独立的に選択される１つ又は２つの置換基を表す、
請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ＰＰ２Ａ活性化剤は、
【化２】
2018518522.tif 000002
2018518522.tif 000003
2018518522.tif 000004
からなる群から選択されてよい、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ＰＰ２Ａ活性化剤は、式（ＩＶ）：
【化３】
2018518522.tif 000005
の化合物を含み、式中、
Ｂは、直接結合、−Ｏ−、−（ＣＨ２−Ｏ）−、−（Ｏ−ＣＨ２）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（ＣＨ３）−、及び−Ｎ（ＣＨ３）Ｃ（＝Ｏ）−からなる群から選択され、
Ａは、Ｎ及びＣＨから選択され、
Ｔは、ベンゼン環、または５員もしくは６員の複素芳香環であり、
Ｕは、ベンゼン環、または５員もしくは６員の複素芳香環であり、
ｎは、０、１又は２であり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、Ｈ、ＯＨ、ハロゲン、シアノ、ニトロ、（Ｃ１〜Ｃ３）アルキルアミノ、（Ｃ１〜Ｃ３）ジアルキルアミノ、（Ｃ１〜Ｃ３）アシルアミノ、（Ｃ１〜Ｃ３）アルキルスルホニル、（Ｃ１〜Ｃ３）アルキルチオ、（Ｃ１〜Ｃ３）アルキル、（Ｃ１〜Ｃ３）ハロアルキル、（Ｃ１〜Ｃ３）ハロアルコキシ、−ＣＣ（＝Ｏ）Ｏ（Ｃ１〜Ｃ３）アルキル、及び（Ｃ１〜Ｃ３）アルコキシから独立的に選択され、
Ｒ５及びＲ６は、Ｈ、ハロゲン、シアノ、ニトロ、アジド、（Ｃ１〜Ｃ３）ハロアルキル、（Ｃ１〜Ｃ３）ハロアルコキシ、及び（Ｃ１〜Ｃ３）ハロアルキルチオから独立的に選択される、
請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＰＰ２Ａ活性化剤は、
【化４】
2018518522.tif 000006
2018518522.tif 000007
2018518522.tif 000008
2018518522.tif 000009
2018518522.tif 000010
からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成31年4月17日(2019.4.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムであって、 
励起光を発するように構成された1つ以上の光源と、 
第１の光学モダリティからの光を分析するように構成された第１の光学分析装置と、 
第２の光学モダリティからの光を分析するように構成された第２の光学分析装置と、 
組織サンプルから第１及び第２の波長範囲の反射の光を受け取り、励起光を組織サンプルに伝達するように構成された光プローブと、 
光プローブから第１の光学分析装置へ第１の波長範囲の光を伝達し、光プローブから第２の光学分析装置へ第２の波長範囲の光を伝達し、1つ以上の光源から光プローブに励起光を伝達するように構成された1つ以上の光導管と、 
を含む、システム。 
【請求項２】
前記1つ以上の光源、前記第１の光学分析装置、及び前記第２の光学分析装置のそれぞれを前記光プローブと結合するように構成された結合装置をさらに備える、請求項1に記載のシステム。
【請求項３】
前記コンピュータは、 
光プローブで使用するための第１の光学モダリティを選択し、 
第１の光学モダリティをスクリーニングツールとして使用して、その結果が確定ではないと医師が判断した場合、光プローブで使用するための第２の光学モダリティを選択し、組織の更なる調査のために第２の光学モダリティを使用するように構成された、請求項1に記載のシステム。
【請求項４】
前記コンピュータは、組織のさらなる調査のために前記第２の光学モダリティを使用するようにさらに構成される、請求項３に記載のシステム。 
【請求項５】
前記コンピュータは、前記１つ以上の光源のそれぞれと通信し、前記１つ以上の光源を制御することによって前記光プローブで使用される光学モダリティを選択するようにさらに構成されている、請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
前記コンピュータと通信し、前記第１の光学モダリティ及び前記第２の光学モダリティの１つ又は複数に関するデータを表示するように構成されているディスプレイをさらに備える、請求項３に記載のシステム。
【請求項７】
前記第１の光学モダリティが、紫外分光法、可視分光法、短波赤外分光法、近赤外分光法、広帯域分光法、光干渉断層像法（OCT）、蛍光分光法、時間分解法蛍光分光法、又はレーザー誘起ブレイクダウン発光法（LIBS）のいずれかで構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記第２の光学モダリティは、ラマン分光法、表面増強ラマン分光法（SERS）、誘導ラマン分光法（SRS）、及びコヒーレンスアンチストークスラマン分光法（CARS）のいずれかで構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記第２の光学モダリティは、前記第１の光学モダリティよりも高い特異性を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記１つ以上の光源、前記第１の光学分析装置及び前記第２の光学分析装置に電力を供給する１つ又は複数の電源をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記１つ以上の光導管は１つ以上の光ファイバを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記光プローブは、前記励起光を前記組織サンプルに伝達するように構成された1つ以上の光ファイバと、前記第１の波長範囲の光及び前記第２の波長範囲の光を組織サンプルから収集するように構成された１つ以上のさらなる光ファイバとを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記第２の光学モダリティは、前記第１の光学モダリティよりも感度が高いおよびデータ収集速度が遅い、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
方法であって、 
第１の光学分析装置と第２の光学分析装置のそれぞれと通信しているコンピュータによって、第１の光学モダリティを組織のスクリーニングツールとして使用し、そしてスクリーニングの結果が決定的ではないと医師が判断した場合、組織の更なる調査のために第２の光学モダリティを使用し、第１の光学モダリティを使用するスクリーニングが決定的ではないと医師が判断した場合、第２の光学モダリティは第１の光学モダリティが作動している間に断続的に使用されることを含む、方法。 
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、さらに、前記スクリーニング方法が、 
第１の光学モダリティで収集されたスペクトルデータを、１つ以上の健康な組織及び患部組織のそれぞれに対する基準スペクトルデータと比較するステップ 
を含む、方法。 
【請求項１６】
前記第１の光学モダリティは、紫外分光法、可視分光法、短波赤外分光法、近赤外分光法、広帯域分光法、光干渉断層画像法（OCT）、蛍光分光法、時間分解法蛍光分光法、またはレーザー誘起破壊分光法（LIBS）のいずれかで構成される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２の光学モダリティは、ラマン分光法、表面増強ラマン分光法（SERS）、誘導ラマン分光法（SRS）、またはコヒーレンスアンチストークスラマン分光法（CARS）のいずれかで構成される、請求項１４に記載の方法。 
【請求項１８】
前記第２の光学モダリティは、前記第１の光学モダリティよりも感度が高いおよびデータ収集速度が遅い、請求項１４に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７９】
上述したように、図7に示された非限定的な実施において、第１の光学分析装置703は蛍光分光計を含み、第２の光学分析装置705はラマン分光計を含む。したがって、第１の光源701-1は、蛍光分光計と互換性のある光源を備えることができ、及び/又は組織内に蛍光スペクトルを誘導するための励起光を生成するように構成される。そのような実施形態では、第１の光源701-1は、約400nmで光を生成するように構成された光源を備える。同様に、第２の光源701-2は、ラマン分光計と互換性のある光源を備えることができ、及び/又は組織内のラマンスペクトルを誘導するための励起光を生成するように構成される。そのような実施形態では、第２の光源701-2は、約785nmの光を生成するように構成されたレーザを含むが限定されない光源を備える。しかしながら、各光源701は、第１の光学分析装置703及び第２の光学分析装置705のそれぞれに適合させることができ、それぞれのモダリティに依存することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図７】
2017534321.tif 000001
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１２】
2017534321.tif 000002