【手続補正書】
【提出日】平成20年3月10日(2008.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
天然シード結晶から成長した、マイクロエレクトロニクス・デバイス品質の（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎボウルであって、前記シード結晶より大きい横断面積の端を有するボウル。
【請求項２】
５ｃｍ２を超える横断面積を有する請求項１記載のボウル。
【請求項３】
４ｍｍを超える厚さを有する請求項１又は２に記載のボウル。
【請求項４】
前記（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎが、Ｇａを含む請求項１ないし３のいずれか一項に記載のボウル。
【請求項５】
前記（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎが、Ｉｎを含む請求項１ないし４のいずれか一項に記載のボウル。
【請求項６】
前記天然シード結晶が、ｃ−軸、ａ−軸、ｍ−軸、ｒ−軸からなる群から選択された配向を有するシード結晶上で成長し、第一結晶軸から１０度未満切断された、請求項１ないし５のいずれか一項に記載のボウル。
【請求項７】
ケイ素及びゲルマニウムからなる群から選択されたドーパント種でドープ処理された請求項１ないし６のいずれか一項に記載のボウル。
【請求項８】
１ｃｍ３あたり１Ｅ１５〜約５Ｅ１９の室温電子濃度を生じるようにドープ処理された請求項１ないし７のいずれか一項に記載のボウル。
【請求項９】
ベリリウム、マグネシウム及び亜鉛からなる群から選択されたドーパント種でドープ処理された請求項１ないし６のいずれか一項に記載のボウル。
【請求項１０】
１ｃｍ３あたり１Ｅ１５〜約１Ｅ１９の室温正孔濃度を生じるようにドープ処理された請求項９記載のボウル。
【請求項１１】
バナジウム、クロム、鉄、ヒ素、マンガン、コバルト、ニッケル及び銅からなる群から選択されたドーパント種でドープ処理された請求項１ないし６のいずれか一項に記載のボウル。
【請求項１２】
１Ｅ３より大きいｏｈｍ−ｃｍ比抵抗を有する請求項１１記載のボウル。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれか一項に記載のボウルから誘導されたウエハー。
【請求項１４】
ボウルで成長する天然シード材料及びボウル材料を含み、前記シード材料と前記ボウル材料との間に中間層を有する（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎボウルであって、前記シード結晶より大きい横断面積の端を有するボウル。
【請求項１５】
前記中間層材料は、ウエハー源材料の歪の軽減もしくは適応、ウエハー源材料の電気特性の変換、ウエハー源材料の欠陥密度の軽減、ウエハー源材料のシード材料からの分離促進及びウエハー源材料の核形成成長の促進のうちの少なくとも１つの機能性を有する請求項１４記載のボウル。
【請求項１６】
１ｃｍ２あたり１０６未満欠陥の表面欠陥密度を有する請求項１４又は１５に記載のボウル。
【請求項１７】
請求項１４ないし１６のいずれか一項に記載のボウルから誘導されたウエハー。
【請求項１８】
順次的なウエハー材料を含み、材料層を分離したボウルから分離されたウエハーであって、前記分離材料が、ウエハー材料よりもさらに強い選択された放射線の吸収性であり、前記ウエハーは、前記選択された放射線の前記分離材料での衝突によって、前記ボウルから分離されたウエハー。
【請求項１９】
（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎボウルから形成されたデバイス品質（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎのウエハーであって、前記（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎボウルは天然シード結晶から成長したものであり、前記シード結晶より大きい横断面積の端を有するボウル。
【請求項２０】
１０×１０μｍ２の面積あたり５Å未満のＲＭＳ粗度の表面を有する請求項１９記載のウエハー。
【請求項２１】
１ｍを超える曲率半径を有する請求項１９又は２０に記載のウエハー。
【請求項２２】
±０.３度より良好に配向された平面を有する請求項１９ないし２１のいずれか一項に記載のウエハー。
【請求項２３】
５％未満のウエハー平均厚みのＴＴＶを有する請求項１９ないし２２のいずれか一項に記載のウエハー。
【請求項２４】
５０μｍ未満の反りを有する請求項１９ないし２３のいずれか一項に記載のウエハー。
【請求項２５】
ｃ−軸、ａ−軸、ｍ−軸、ｒ−軸からなる群から選択された配向を有する請求項１３又は１７ないし２４のいずれか一項に記載のウエハー。
【請求項２６】
第一結晶軸から０.５〜１０度切断された配向を有する請求項１３又は１７ないし２５のいずれか一項に記載のウエハー。
【請求項２７】
前記ウエハー中に形成されたマイクロエレクトロニクス・デバイス構造をさらに含むウエハーであって、前記マイクロエレクトロニクス・デバイス構造は、発光ダイオード、レーザーダイオード、紫外線光検出器、高電子移動度トランジスタ、バイポーラトランジスタ、ヘテロ接合のバイポーラトランジスタ、波長分割多重コンポーネント及び高性能整流器からなる群から選択されるデバイスのうちの少なくとも一部を含む、請求項１３又は１７ないし２６のいずれか一項に記載のウエハー。
【請求項２８】
（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎボウルの製造方法であって、
前記ボウルのための天然（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎシード結晶の用意するステップと、
前記ボウルを生じるように、気相エピタクシーによって、前記シード結晶に垂直な方向と、前記シード結晶に平行な方向の両方で、前記シード結晶上に（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ材料を成長させて、前記ボウルが前記シード結晶より大きい横断面積の端を有するようにするステップと、
を備える方法。
【請求項２９】
前記成長ステップは、１時間あたり５０μｍを超える成長速度で実行される請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
前記（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ材料はＧａＮを含み、成長が約９００〜約１１００℃の温度範囲で実行される請求項２８又は２９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
前記ボウルは、前記成長表面欠陥密度が１ｃｍ２あたり１０７未満の欠陥になるまで少なくとも成長させる請求項２８ないし３０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３２】
前記シード結晶は、ＨＶＰＥ／光学リフトオフ技法によって生成された請求項２８ないし３１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３３】
シード結晶上で成長した前記（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ材料は、犠牲テンプレートの（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎの成長と、物理的、熱的、エッチング、Ｈ−破壊および脆化除去技法からなる群から選択された除去技法による前記テンプレートの除去と、によって生成された請求項２８ないし３１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３４】
前記結晶品質又は成長中の前記（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ材料ポリタイプを規制するために不純物の混合を含む、請求項２８ないし３３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３５】
前記ボウルからウエハーを誘導することをさらに含む、請求項２８ないし３４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３６】
コアドリリング、研磨粒子ジェット露光、ワイヤーソーイング、レーザー照射、化学機械研磨、光電気化学エッチング及び反応性イオンエッチングからなる群から選択された形成作業へ、前記ウエハーをさらすことをさらに含む、請求項３５記載の方法。
【請求項３７】
前記ウエハー上にマイクロエレクトロニクス・デバイス構造を組み立てることをさらに含む方法であって、前記デバイス構造は、発光ダイオード、レーザーダイオード、紫外線光検出器、バイポーラトランジスタ、ヘテロ構造バイポーラトランジスタ、高電子移動度トランジスタ、高性能整流器及び波長分割多重コンポーネントからなる群から選択されたデバイスのうち少なくとも一部を含む、請求項３５又は３６に記載の方法。
【請求項３８】
核変換ドーピングによってドープ処理された（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎボウルもしくはウエハー。