【手続補正書】
【提出日】平成18年11月2日(2006.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板上に半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極の順に積層された薄膜トランジスタの作製方法において、
前記透光性基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層に接して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜をパターニングして前記導電膜でなるパターンを形成し、
前記導電膜でなるパターンをマスクにしてドナー又はアクセプタとなる不純物を前記半導体層に添加し、
前記導電膜でなるパターンを覆ってフォトレジストを塗布し、
前記透光性基板の裏面から照射した光によって前記フォトレジストを露光し、現像して、前記導電膜でなるパターンよりも幅の狭いフォトレジストパターンを形成し、
前記フォトレジストパターンをマスクにして前記導電膜でなるパターンをパターニングし、前記ゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
透光性基板上に半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極の順に積層された薄膜トランジスタの作製方法において、
前記透光性基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層に接して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜をパターニングして前記導電膜でなるパターンを形成し、
前記導電膜でなるパターンをマスクにしてドナー又はアクセプタとなる不純物を前記半導体層に添加し、
前記導電膜でなるパターンを覆ってフォトレジストを塗布し、
前記透光性基板の裏面から照射した光によって前記フォトレジストを露光し、現像して、前記導電膜でなるパターンよりも幅の狭いフォトレジストパターンを形成し、
前記フォトレジストパターンをマスクにして前記導電膜でなるパターンをパターニングすることにより、前記ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクにしてドナー又はアクセプタとなる不純物を前記半導体層に添加し、ＬＤＤ領域を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
透光性基板上に半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極の順に積層された薄膜トランジスタの作製方法において、
前記透光性基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層に接して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜をパターニングして前記導電膜でなるパターンを形成し、
前記導電膜でなるパターンをマスクにしてドナー又はアクセプタとなる不純物を前記半導体層に添加し、
前記導電膜でなるパターンを覆ってフォトレジストを塗布し、
前記透光性基板の裏面から照射した光によって前記フォトレジストを露光し、現像して、前記導電膜でなるパターンよりも幅の狭いフォトレジストパターンを形成し、
前記フォトレジストパターンをマスクにして前記導電膜でなるパターンをパターニングすることにより、前記ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクにして前記絶縁膜をパターニングすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
透光性基板上に半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極の順に積層された薄膜トランジスタの作製方法において、
前記透光性基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層に接して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜をパターニングして前記導電膜でなるパターンを形成し、
前記導電膜でなるパターンをマスクにしてドナー又はアクセプタとなる不純物を前記半導体層に添加し、
前記導電膜でなるパターンを覆ってフォトレジストを塗布し、
前記透光性基板の裏面から照射した光によって前記フォトレジストを露光し、現像して、前記導電膜でなるパターンよりも幅の狭いフォトレジストパターンを形成し、
前記フォトレジストパターンをマスクにして前記導電膜でなるパターンをパターニングすることにより、前記ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクにして前記絶縁膜をパターニングし、
前記ゲート電極をマスクにしてドナー又はアクセプタとなる不純物を前記半導体層に添加し、ＬＤＤ領域を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項５】
透光性基板表面上に半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極の順に積層された薄膜トランジスタを有するアクティブマトリクス基板の作製方法において、
前記透光性基板表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層に接して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜をパターニングして前記導電膜でなるパターンを形成し、
前記導電膜でなるパターンをマスクにしてドナー又はアクセプタとなる不純物を前記半導体層に添加し、
前記導電膜でなるパターンを覆ってフォトレジストを塗布し、
前記透光性基板の裏面から照射した光によって前記フォトレジストを露光し、現像して、前記導電膜でなるパターンよりも幅の狭いフォトレジストパターンを形成し、
前記フォトレジストパターンをマスクにして前記導電膜でなるパターンをパターニングし、前記ゲート電極を形成することを特徴とするアクティブマトリクス基板の作製方法。
【請求項６】
透光性基板表面上に半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極の順に積層された薄膜トランジスタを有するアクティブマトリクス基板の作製方法において、
前記透光性基板表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層に接して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜をパターニングして前記導電膜でなるパターンを形成し、
前記導電膜でなるパターンをマスクにしてドナー又はアクセプタとなる不純物を前記半導体層に添加し、
前記導電膜でなるパターンを覆ってフォトレジストを塗布し、
前記透光性基板の裏面から照射した光によって前記フォトレジストを露光し、現像して、前記導電膜でなるパターンよりも幅の狭いフォトレジストパターンを形成し、
前記フォトレジストパターンをマスクにして前記導電膜でなるパターンをパターニングすることにより、前記ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクにしてドナー又はアクセプタとなる不純物を前記半導体層に添加し、ＬＤＤ領域を形成することを特徴とするアクティブマトリクス基板の作製方法。
【請求項７】
透光性基板上に半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極の順に積層された薄膜トランジスタを有するアクティブマトリクス基板の作製方法において、
前記透光性基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層に接して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜をパターニングして前記導電膜でなるパターンを形成し、
前記導電膜でなるパターンを覆ってフォトレジストを塗布し、
前記透光性基板の裏面から照射した光によって前記フォトレジストを露光し、現像して、前記導電膜でなるパターンよりも幅の狭いフォトレジストパターンを形成し、
前記フォトレジストパターンをマスクにしてドナー又はアクセプタとなる不純物を前記半導体層に添加し、
前記フォトレジストパターンをマスクにして前記導電膜でなるパターンをパターニングすることにより、前記ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクにして前記絶縁膜をパターニングすることを特徴とするアクティブマトリクス基板の作製方法。
【請求項８】
透光性基板上に半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極の順に積層された薄膜トランジスタを有するアクティブマトリクス基板の作製方法において、
前記透光性基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層に接して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜をパターニングして前記導電膜でなるパターンを形成し、
前記導電膜でなるパターンを覆ってフォトレジストを塗布し、
前記透光性基板の裏面から照射した光によって前記フォトレジストを露光し、現像して、前記導電膜でなるパターンよりも幅の狭いフォトレジストパターンを形成し、
前記フォトレジストパターンをマスクにしてドナー又はアクセプタとなる不純物を前記半導体層に添加し、
前記フォトレジストパターンをマスクにして前記導電膜でなるパターンをパターニングすることにより、前記ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクにして前記絶縁膜をパターニングし、
前記ゲート電極をマスクにしてドナー又はアクセプタとなる不純物を前記半導体層に添加し、ＬＤＤ領域を形成することを特徴とするアクティブマトリクス基板の作製方法。
【請求項９】
請求項５乃至請求項８のいずれか一に記載の方法を用いて、駆動回路のＣＭＯＳ回路及び画素ＴＦＴを同時に作製することを特徴とするアクティブマトリクス基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記駆動回路のＣＭＯＳ回路及び前記画素ＴＦＴを、結晶性シリコンを用いて作製することを特徴とするアクティブマトリクス基板の作製方法。