【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年8月1日(2008.8.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板（１０１）およびセンサー領域（４０４）を有する半導体部品（１００・・・７００）の製造方法において、
第１工程で、半導体基板（１０１）に対して、センサー領域（４０４）を少なくとも部分的に断熱する多孔質層（１０４）を形成し、
第２工程で、半導体部品内に第１多孔質層（１０４）の下方に空隙もしくは空洞（２０１、７０１）を形成し、
前記第２工程が、第１多孔質層（１０４）の下方に第１平面状空隙を形成し、この第１平面状空隙の深さを拡大して、該第１平面状空隙から空隙もしくは空洞（２０１、７０１）を形成する第１部分工程を有することを特徴とする、半導体部品の製造方法。
【請求項２】
半導体基板（１０１）およびセンサー領域（４０４）を有する半導体部品（１００・・・７００）の製造方法において、
第１工程で、半導体基板（１０１）に対してセンサー領域（４０４）を少なくとも部分的に断熱する多孔質層（１０４）を形成し、
第２工程で、半導体部品内に第１多孔質層（１０４）の下方に空隙もしくは空洞（２０１、７０１）を形成し、
前記第２工程が、第１多孔質層（１０４）の下方に７０％より多く１００％より少ない気孔率を有する第２多孔質層（１０５）を形成し、かつ該第２多孔質層（１０５）から９００℃より高い温度での熱処理工程により空隙もしくは空洞（２０１，７０１）を形成する第１部分工程を有することを特徴とする半導体部品の製造方法。
【請求項３】
第２多孔質層（１０５）の気孔率が、８０％であることを特徴とする、請求項２記載の方法。
【請求項４】
半導体基板（１０１）が、シリコンからなる半導体基板であることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
半導体部品（１００・・・７００）が、多層半導体部品であることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
半導体部品（１００・・・７００）が、マイクロメカニック部品であることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
半導体部品（１００・・・７００）が、熱伝導センサーであることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
第１多孔質層（１０４）および／または第２多孔質層（１０５）を１種以上のエッチング媒体により形成し、その際エッチング媒体がフッ化水素酸を有するかまたはフッ化水素酸からなる請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
エッチング媒体が、１種以上の易揮発性成分を有し、その際易揮発性成分の体積濃度が、エタノールの場合は、３０〜８０％である請求項８記載の方法。
【請求項１０】
易揮発性成分が、アルコールであることを特徴とする、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
アルコールが、エタノールであることを特徴とする、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
半導体部品（１００・・・７００）の表側および裏側の間に電界を印加し、電流を生じることにより第１多孔質層（１０４）および／または第２多孔質層（１０５）を形成する請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
第２多孔質層（１０５）を形成する処理パラメーターもしくは第１平面状空隙を形成する処理パラメーターを選択して、第２多孔質層の孔もしくは空隙の拡大速度を、第１多孔質層（１０４）を形成する孔もしくは空隙の拡大速度より明らかに高くすることを特徴とする、請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
第１平面状空隙を形成する処理パラメーターを選択して、第２多孔質層（１０５）の孔もしくは空隙を互いに横方向に重ね合わせ、唯一の第１平面状孔もしくは唯一の平面状空隙を形成することを特徴とする、請求項１または４から１３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
エッチングすべき半導体基板（１０１）のドーピング、エッチング媒体の電流密度、エッチング媒体のフッ化水素酸濃度、エッチング媒体への１種以上の添加物、および温度が処理パラメーターである請求項４から１４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１６】
半導体基板が、シリコン基板であることを特徴とする、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
空洞もしくは空隙（２０１）に含有された水素を高温工程の枠内で空洞もしくは空隙から広い範囲で完全にまたは部分的に除去する請求項１から１６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
請求項１から１７までのいずれか１項記載の方法により製造される半導体部品（１００，２００、３００、４００、７００）。
【請求項１９】
半導体基板（１０１）およびセンサー領域（４０４）と、前記半導体基板（１０１）に対して前記センサー領域（４０４）を少なくとも部分的に断熱する多孔質層（１０４）とを有する、半導体部品として、多層半導体部品が考慮される、請求項１８記載の半導体部品（１００・・・７００）において、
多孔質層（１０４）に閉鎖層（４０１）が設けられ、閉鎖層（４０１）が１個以上のシリコン層からなり、
閉鎖層（４０１）の層順序もしくは層構造を、閉鎖層の表側と裏側の間の圧力勾配を少なくとも部分的に相殺するために、閉鎖層（４０１）の引張り応力が調節されるように選択もしくは形成することを特徴とする、半導体部品。
【請求項２０】
半導体基板（１０１）が、シリコンからなる基板であることを特徴とする、請求項１９記載の半導体部品。
【請求項２１】
半導体部品として、マイクロメカニック部品が考慮されることを特徴とする、請求項１９または２０記載の半導体部品。
【請求項２２】
半導体部品として、熱伝導性センサーが考慮されることを特徴とする、請求項２１記載の半導体部品。
【請求項２３】
シリコン層が、酸化珪素層、窒化珪素層および／または類似するシリコン層であることを特徴とする、請求項１９から２２までのいずれか１項記載の半導体部品。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明の有利な構成により、多孔質被覆層の下方の孔もしくは空隙の拡大速度を高くして、孔もしくは空隙がきわめて速く互いに重なるように、空洞をエッチングする際のエッチングパラメーターを調節しおよび/またはエッチング媒体を選択することが考慮される。これによりまず基板またはエピタキシー層内に唯一の十分に平面状出発空隙が形成され、これが時間の経過とともに深部に拡大し、空洞を形成する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
図示されていないが、同様に有利な、熱伝導センサーもしくは空隙２０１の前段階を形成する本発明の第２変形において、低い気孔率のシリコン層１０４の形成後、処理パラメーターを、シリコン層１０４の下の薄い移行層内部の孔もしくは空隙の拡大速度が著しく高まり、その際この移行層内の孔が合体もしくは互いにほとんど重なるように調節する。言い換えると移行層が最初の平面状空隙であり、引き続くエッチング工程の間に深部に成長し、最後に空隙もしくは空洞２０１を形成する。すなわち最初の孔がエッチングされ、引き続き拡大するのでなく、移行層が最初は少ない厚さの平面状の大きい孔を深部で徐々に成長する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
図３は熱伝導センサー（図示されていない）の第２変形の前段階３００の横断面図を示す。示された前段階３００はシリコン基板１０１、シリコン基板１０１上に堆積されたシリコン・エピタキシー層３０１およびシリコン・エピタキシー層３０１の表側に被覆されたマスク層１０２を有する。マスク層１０２はシリコン・エピタキシー層３０１を被覆しない領域１０３を有する。更にシリコン・エピタキシー層３０１の表側におよびシリコン基板もしくはウェーハ１０１とエピタキシー層３０１の間にそれぞれ集積回路３０３もしくは３０２が形成されている。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
発熱体７０４から閉鎖層４０１および多孔質層への熱の放出を減少するために、閉鎖層４０１および多孔質層１０４の側面からセンサー部品７０３および７０４が部分的に除去されている。多孔質層および閉鎖層４０１は片面が開いた空隙もしくは空洞７０１の上にウェブ７０２を形成する。選択的に閉鎖層４０１のみの側面からセンサー部品７０３および７０４を除去することができる。