【手続補正書】
【提出日】平成18年11月20日(2006.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有するＴＦＴが形成された半導体装置であって、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜に接して形成された島状の第１導電層と、前記島状の第１導電層上に形成された島状の第２導電層と、前記島状の第１導電層と前記島状の第２導電層とに接して形成された島状の第３導電層とからなり、
前記島状の第２導電層は、前記島状の第１導電層のチャネル長方向の長さよりも短く、前記島状の第１導電層及び前記島状の第３導電層によって囲まれており、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、一導電型の不純物元素が添加されたソース領域及びドレイン領域と、前記チャネル形成領域と前記ソース領域及び前記ドレイン領域との間にそれぞれ形成された、一導電型の不純物元素が添加されたＬＤＤ領域とを有し、
前記島状の第１導電層と前記島状の第３導電層とは、端部が一致しており、
前記島状の第２導電層と前記チャネル形成領域とは、前記ゲート絶縁膜を介して端部が一致しており、
前記チャネル形成領域と前記ソース領域との間に形成されたＬＤＤ領域は、前記ゲート電極と重なっており、
前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との間に形成されたＬＤＤ領域の一部は、前記ゲート電極と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体層と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有するＴＦＴが形成された半導体装置であって、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜に接して形成された島状の第１導電層と、前記島状の第１導電層上に形成された島状の第２導電層と、前記島状の第１導電層と前記島状の第２導電層とに接して形成された島状の第３導電層とからなり、
前記島状の第２導電層は、前記島状の第１導電層のチャネル長方向の長さよりも短く、前記島状の第１導電層及び前記島状の第３導電層によって囲まれており、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、一導電型の不純物元素が添加されたソース領域及びドレイン領域と、前記チャネル形成領域と前記ソース領域及び前記ドレイン領域との間にそれぞれ形成された、一導電型の不純物元素が添加されたＬＤＤ領域とを有し、
前記島状の第１導電層と前記島状の第３導電層とは、端部が一致しており、
前記島状の第２導電層と前記チャネル形成領域とは、前記ゲート絶縁膜を介して端部が一致しており、
前記ＬＤＤ領域の一部は、前記ゲート電極と重なっており、
前記ゲート絶縁膜の厚さは、前記ゲート電極と接する領域に比較して前記ゲート電極と接していない領域の方が薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記島状の第１導電層は、シリコン、チタン、タンタル、タングステン、モリブデンから選ばれた一種あるいは複数種の元素、または前記元素を成分とする化合物であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記島状の第２導電層は、アルミニウム、銅から選ばれた一種あるいは複数種の元素、または前記元素を主成分とする化合物であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記島状の第３導電層は、シリコン、チタン、タンタル、タングステン、モリブデンから選ばれた一種あるいは複数種の元素、または前記元素を成分とする化合物であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記半導体装置は、液晶表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記半導体装置は、エレクトロルミネッセンス表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記半導体装置は、携帯電話、ビデオカメラ、携帯情報端末、ゴーグル型ディスプレイ、記録媒体を用いるプレーヤー、携帯書籍、パーソナルコンピュータ、デジタルカメラ、プロジェクターから選ばれたいずれか一つであることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
半導体層と、ゲート絶縁膜と、島状の第１乃至第３導電層からなるゲート電極とを有するＴＦＴが形成された半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層に接してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１導電層と第２導電層とを順次形成し、
前記第２導電層の一部をエッチングして、前記島状の第２導電層を形成した後、
一導電型の不純物元素を、前記島状の第２導電層をマスクとして前記半導体層に添加し、
その後、前記第１導電層と前記島状の第２導電層に接して、第３導電層を形成し、
前記第１導電層及び前記第３導電層の一部をエッチングして、前記島状の第２導電層を囲う前記島状の第１導電層及び前記島状の第３導電層をそれぞれ形成し、
前記島状の第１乃至第３導電層の上面及び一方の側面を覆うようにレジストマスクを形成した後、
前記一導電型の不純物元素を、前記レジストマスクをマスクとして前記半導体層の選択された領域に添加して、ソース領域及びドレイン領域と、チャネル形成領域と前記ソース領域及び前記ドレイン領域との間にそれぞれ形成されたＬＤＤ領域とを形成し、
前記チャネル形成領域と前記ソース領域との間に形成されたＬＤＤ領域は、前記ゲート電極と重なっており、
前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との間に形成されたＬＤＤ領域の一部は、前記ゲート電極と重なっていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
半導体層と、ゲート絶縁膜と、島状の第１乃至第３導電層からなるゲート電極とを有するＴＦＴが形成された半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層に接してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１導電層と第２導電層とを順次形成し、
前記第２導電層の一部をエッチングして、前記島状の第２導電層を形成した後、
一導電型の不純物元素を、前記島状の第２導電層をマスクとして前記半導体層に添加し、
その後、前記第１導電層と前記島状の第２導電層に接して、第３導電層を形成し、
前記第１導電層及び前記第３導電層の一部をエッチングして、前記島状の第２導電層を囲う前記島状の第１導電層及び前記島状の第３導電層をそれぞれ形成するとともに、前記島状の第１導電層と接する領域以外の前記ゲート絶縁膜の膜厚を薄くし、
前記島状の第１乃至第３導電層の上面及び側面を覆うようにレジストマスクを形成した後、
前記一導電型の不純物元素を、前記レジストマスクをマスクとして前記半導体層の選択された領域に添加して、ソース領域及びドレイン領域と、チャネル形成領域と前記ソース領域及び前記ドレイン領域との間にそれぞれ形成されたＬＤＤ領域とを形成し、
前記ＬＤＤ領域の一部は、前記ゲート電極と重なっていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９または１０において、前記島状の第１導電層として、シリコン、チタン、タンタル、タングステン、モリブデンから選ばれた一種あるいは複数種の元素、または前記元素を成分とする化合物を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一において、前記島状の第２導電層として、アルミニウム、銅から選ばれた一種あるいは複数種の元素、または前記元素を主成分とする化合物を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項９乃至１２のいずれか一において、前記島状の第３導電層として、シリコン、チタン、タンタル、タングステン、モリブデンから選ばれた一種あるいは複数種の元素、または前記元素を成分とする化合物を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。