Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月21日(2006.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  原子％で、
１０．０〜１５．０％の範囲のコバルト、
２４．０〜３０．０％の範囲のクロム、
０．２〜０．３％の範囲の炭素、
０．０２〜０．０５％の範囲のホウ素、
０．０２〜０．０５％の範囲のジルコニウム、
０．４〜３．０％の範囲のアルミニウム、
０．７５〜７．０％の範囲のモリブデン、タンタル、タングステン、ニオブ及びレニウムからなる群から選択される１種類以上の高融点材料、並びに
当該組成物の残部としてのニッケル
を含んでなる組成物。
【請求項２】  前記高融点材料がモリブデン及びタンタルの少なくとも１種類を含んでなる、請求項１記載の組成物。
【請求項３】  モリブデンが２．０〜７．０原子％の範囲で配合され、タンタルが０．７５〜４．０原子％の範囲で配合される、請求項２記載の組成物。
【請求項４】  前記高融点材料がモリブデン、タングステン及びタンタルの少なくとも１種類を含んでなる、請求項１記載の組成物。
【請求項５】  モリブデンが２．０〜７．０原子％の範囲で配合され、タングステンが１．０〜３．０原子％の範囲で配合され、タンタルが０．７５〜４．０原子％の範囲で配合される、請求項４記載の組成物。
【請求項６】  さらにマンガン、ニオブ、チタン、レニウム及びケイ素の少なくとも１種類を含んでなる、請求項１記載の組成物。
【請求項７】  ニオブが０．６〜５．０原子％の範囲で配合され、チタンが０．２５〜１．９原子％の範囲で配合され、レニウムが０．８〜１．２原子％の範囲で配合され、ケイ素が１．０〜２．０原子％の範囲で配合され、マンガンが１．２５原子％である、請求項６記載の組成物。
【請求項８】  前記高融点材料がモリブデンとタンタルを含んでなり、当該組成物がさらにニオブとチタンを含んでなる、請求項１記載の組成物。
【請求項９】  前記高融点材料がモリブデンとタンタルを含んでなり、当該組成物がさらにチタンを含んでなる、請求項１記載の組成物。
【請求項１０】  前記高融点材料がモリブデンとタンタルを含んでなり、当該組成物がさらにニオブとレニウムを含んでなる、請求項１記載の組成物。
【請求項１１】  前記高融点材料がモリブデンとタンタルを含んでなり、当該組成物がさらにレニウムとタングステンを含んでなる、請求項１記載の組成物。
【請求項１２】  前記高融点材料がモリブデンとタングステンとタンタルを含んでなり、当該組成物がさらにマンガンとケイ素を含んでなる、請求項１記載の組成物。
【請求項１３】  前記高融点材料がモリブデンとタンタルを含んでなり、当該組成物がコバルト１５．０原子％、クロム２４．７原子％、炭素０．２５原子％、ホウ素０．０３原子％、ジルコニウム０．０２原子％、アルミニウム２．０原子％、モリブデン５．０原子％、タンタル３．０原子％、及び残部のニッケルを含んでなる、請求項１記載の組成物。
【請求項１４】  当該組成物がさらにケイ素とタングステンとマンガンを含んでなり、前記高融点材料がモリブデンとタンタルを含んでなり、当該組成物がコバルト１５．０原子％、クロム２４．７原子％、炭素０．２７原子％、ホウ素０．０３原子％、ジルコニウム０．０２原子％、アルミニウム２．０原子％、モリブデン５．０原子％、タンタル４．０原子％、マンガン１．２５原子％、タングステン３．０原子％、ケイ素２．０原子％、及び残部のニッケルを含んでなる、請求項１記載の組成物。
【請求項１５】  当該組成物に含まれるγ′量が当該組成物の１０容量％未満である、請求項１記載の組成物。
【請求項１６】  請求項１乃至請求項１５のいずれか１項記載の組成物を含んでなる、超合金製品補修用の補修材料。
【請求項１７】  請求項１６記載の補修材料を含んでなる超合金製品。
【請求項１８】  超合金製品の補修方法であって、
請求項１乃至請求項１５のいずれか１項記載の組成物を含んでなる補修材料を準備し、
上記補修材料を超合金製品に接合する
ことを含んでなる方法。
【請求項１９】  前記超合金製品がタービン部品からなる、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】  前記タービン部品がニッケル基超合金、ニッケル−鉄基超合金及びコバルト基超合金の少なくとも１種類以上を含んでなる、請求項１８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月26日(2007.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギー源を含む電気療法装置において、患者に電気療法を施すための方法であって、
前記患者のインピーダンスに関連した第１のパラメータを測定するステップと、
前記第１のパラメータに基づいて前記エネルギー源を構成するステップと、
前記患者に前記エネルギー源を結合するステップと、
前記エネルギー源によって前記患者に供給されるエネルギーに関連した第３のパラメータを測定するステップと、
前記第３のパラメータに基づいて、前記患者から前記エネルギー源を分離するステップ
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月11日(2006.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下記式（１）
ＡＳ＝Ａｘ／Ｓｉｘ‥‥‥（１）
式中、Ａｘはベントナイト中に含まれるNa,K,Mg,Ca,Feの各金属成分の単位重量当たりのモル量の合計を表し、Ｓｉｘはベントナイト中に含まれるシリカ(Si)成分の単位重量当たりのモル量を表す、で定義される金属成分モル比（ＡＳ）が０．１０以上であるベントナイトを主体とする粒状成形品から成り、前記粒状成形品は水銀圧入法で測定して０．１５ｍｌ／ｇ以上の細孔容積と７０ｍ２／ｇ以上のＢＥＴ比表面積を有し、且つ生理食塩水を用いて室温で測定して、２０ｍｌ／２ｇ以上の吸収容量と、３０ｓｅｃ／ｍｌ／ｇ以下の吸収速度とを有することを特徴とするベントナイト系吸収及び吸着剤。
【請求項２】  ベントナイトが、Ｘ線回折において、面指数（００１）の回折ピークの半価幅から求めた結晶子サイズが１５０オングストローム以下であることを特徴とする請求項１記載のベントナイト系吸収及び吸着剤。
【請求項３】  ベントナイトが酸化物基準のモル比で表して、Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＯ２＝０．０９５乃至０．１６Ｎａ２Ｏ／ＳｉＯ２＝０．８×１０−２乃至４．５×１０−２ＭＯ／ＳｉＯ２＝４．５×１０−２乃至１０．５×１０−２式中、Ｍはアルカリ土類金属を表す、で表される化学組成を有するものである請求項１または２記載のベントナイト系吸収及び吸着剤。
【請求項４】  前記粒状成形品が最小方向における粒径が０．５乃至８ｍｍであり、アスペクト比が１乃至２０の範囲にあることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のベントナイト系吸収及び吸着剤。
【請求項５】  請求項１乃至４の何れかに記載のベントナイト系吸収及び吸着剤を含有して成るペット用トイレ砂。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下記式（１）
ＡＳ＝Ａｘ／Ｓｉｘ ‥‥（１）
式中、Ａｘはベントナイト中に含まれるNa,K,Mg,Ca,Feの各金属成分の単位重量当たりのモル量の合計を表し、Ｓｉｘはベントナイト中に含まれるシリカ(Si)成分の単位重量当たりのモル量を表す、で定義される金属成分モル比（ＡＳ）が０．１０以上であるベントナイトを主体とする粒状成形品から成り、前記粒状成形品は水銀圧入法で測定して０．１５ｍｌ／ｇ以上の細孔容積と７０ｍ２／ｇ以上のＢＥＴ比表面積を有し、且つ生理食塩水を用いて室温で測定して、２０ｍｌ／２ｇ以上の吸収容量と、３０ｓｅｃ／ｍｌ／ｇ以下の吸収速度とを有することを特徴とするベントナイト系吸収及び吸着剤が提供される。本発明のベントナイト系吸収及び吸着剤においては、（１）ベントナイトが、Ｘ線回折において、面指数（００１）の回折ピークの半価幅から求めた結晶子サイズが１５０オングストローム以下であること、（２）ベントナイトが酸化物基準のモル比で表して、
Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＯ２＝０．０９５乃至０．１６
Ｎａ２Ｏ／ＳｉＯ２＝０．８×１０−２乃至４．５×１０−２
ＭＯ／ＳｉＯ２＝４．５×１０−２乃至１０．５×１０−２
式中、Ｍはアルカリ土類金属を表す、で表される化学組成を有するものであること、（３）前記粒状成形品が最小方向における粒径が０．５乃至８ｍｍであり、アスペクト比が１乃至２０の範囲にあること、が好ましい。本発明によればまた、前記ベントナイト系吸収及び吸着剤を含有して成るペット用トイレ砂が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明のベントナイト系吸収及び吸着剤は、後述する実施例に示す手法及び生理食塩水を用いて室温で測定して、２０ｍｌ／２ｇ以上、特に２５乃至４０ｍｌ／２ｇの吸収容量と、３０ｓｅｃ／ｍｌ／ｇ以下、特に２０乃至５ｓｅｃ／ｍｌ／ｇ以下の吸収速度とを有する。これが吸収及び吸着性能結びつくのは当然であるが、同時に脱臭性能の向上及び使用量の節約にも役立っている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
【表１】
2000288384.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月28日(2007.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記選択部は、再度選択する変調パラメータとして、前記一つの変調パラメータに比べ、低い伝送レートと同じ伝送レートとのいずれかの変調パラメータを選択することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の適応変調制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（７）また、本発明に係る適応変調制御装置において、前記選択部は、再度選択する変調パラメータとして、前記一つの変調パラメータに比べ、低い伝送レートと同じ伝送レートとのいずれかの変調パラメータを選択することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月9日(2007.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号が入力する第１のトランスバーサルフィルタと、
前記第１のトランスバーサルフィルタと同一の次数を有し、前記第１のトランスバーサルフィルタと同一の入力信号が入力する第２のトランスバーサルフィルタと、
前記第１のトランスバーサルフィルタの出力信号と所望信号との差分の低減を図るための更新用のフィルタ係数を算出して、前記第１のトランスバーサルフィルタ及び第２のトランスバーサルフィルタのフィルタ係数を同じ前記更新用のフィルタ係数を用いて更新する係数調整部と
を備え、前記第２のトランスバーサルフィルタの出力信号をフィルタ出力として出力することを特徴とする適応フィルタ。
【請求項２】
請求項１に記載の適応フィルタであって、前記係数調整部が、正規化最小平均自乗アルゴリズムにより前記更新用のフィルタ係数を算出することを特徴とする適応フィルタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の適応フィルタは、入力信号が入力する第１のトランスバーサルフィルタと、第１のトランスバーサルフィルタと同一の次数を有し、第１のトランスバーサルフィルタと同一の入力信号が入力する第２のトランスバーサルフィルタと、第１のトランスバーサルフィルタの出力信号と所望信号との差分の低減を図るための更新用のフィルタ係数を算出して、第１のトランスバーサルフィルタ及び第２のトランスバーサルフィルタのフィルタ係数を同じ前記更新用のフィルタ係数を用いて更新する係数調整部とを備え、第２のトランスバーサルフィルタの出力信号をフィルタ出力として出力される。
この第２のトランスバーサルフィルタは、第１のトランスバーサルフィルタから得られた係数を利用して、再度フィルタリングを施すことにより、第１のトランスバーサルフィルタにおける誤差を小さくする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の適応フィルタでは、係数調整部が、正規化最小平均自乗アルゴリズムにより更新用のフィルタ係数を算出する。
正規化ＬＭＳアルゴリズムでは、ステップサイズμを０＜μ＜２の範囲に設定すれば、フィルタ係数は収束し、この収束範囲の全てにおいて、誤差は低減する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月23日(2007.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体チップと、
外部デバイスとの間でシリアルバスを介してシリアルデータの転送を行うシリアルインターフェース回路を有し、前記第１の半導体チップにスタック配置される第２の半導体チップとを含み、
前記第２の半導体チップの短辺である第１の辺に沿って、前記外部デバイスと前記シリアルインターフェース回路とを接続するための電極が配置される第１の電極領域が設けられ、
前記第２の半導体チップの長辺である第２の辺に沿って、前記第１の半導体チップが含む内部回路と前記シリアルインターフェース回路とを接続するための電極が配置される第２の電極領域が設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の半導体チップの前記第１の辺に対向する第３の辺に沿って、前記第１の半導体チップが含む内部回路と前記シリアルインターフェース回路とを接続するための電極が配置される第３の電極領域が設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の電極領域には、シリアル転送のシリアルデータ用の電極が配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の電極領域には、シリアル転送のシリアルデータ用の電極と、シリアル転送のクロック用の電極が配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記シリアルインターフェース回路は、
前記外部デバイスとの間でシリアルバスを介してデータの送信及び受信の少なくとも一方を行う物理層回路と、
前記第１の半導体チップが含む内部回路からのパラレルデータをシリアルデータに変換するパラレル／シリアル変換回路、及び前記外部デバイスからのシリアルデータをパラレルデータに変換するシリアル／パラレル変換回路の少なくとも一方を有する第１のロジック回路と、
前記第１の半導体チップが含む内部回路との間でパラレルデータの転送を行う内部インターフェース回路を有する第２のロジック回路とを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記物理層回路は、
前記第２の半導体チップの短辺である第１の辺側に配置され、
前記第２のロジック回路は、
前記第２の半導体チップの前記第１の辺に対向する第３の辺側に配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記シリアルインターフェース回路は、
前記第１の半導体チップが含む内部回路との間でパラレルデータの転送を行う内部インターフェース回路を含み、
前記内部インターフェース回路は、
第１のインターフェースモードでは、前記第１の半導体チップが含む内部回路との間でＫビットのパラレルデータの転送を行い、
前記第１の半導体チップへの前記第２の半導体チップのスタック配置時に設定される第２のインターフェースモードでは、前記第１の半導体チップが含む内部回路との間でＪビット（Ｊ＜Ｋ）のパラレルデータの転送を行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
Ｊビットのパラレルデータ用の電極が、前記第２の半導体チップの長辺である第２の辺に沿って配置され、
Ｋ−Ｊビットのパラレルデータ用の電極が、前記第２の半導体チップの前記第２の辺に対向する第４の辺に沿って配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７又は８において、
前記内部インターフェース回路は、
前記第１のインターフェースモードでは、パラレルデータのサンプリングクロックの立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジのいずれか一方で、パラレルデータのサンプリングを行い、
前記第２のインターフェースモードでは、前記サンプリングクロックの立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジの両方で、パラレルデータのサンプリングを行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかにおいて、
前記第１の半導体チップは、スタック配置が禁止されるスタック禁止回路を含み、
前記第２の半導体チップは、前記スタック禁止回路の領域以外の領域にスタック配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記スタック禁止回路は、ＤＲＡＭであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれかにおいて、
前記第２の半導体チップの第２の辺の長さをＬＢとし、前記第２の半導体チップの前記第２の辺と平行な、前記第１の半導体チップの第２の辺の長さをＬＡとし、前記第２の半導体チップの電極に接続される配線についての、前記電極から前記第１の半導体チップの端部までのデザインルール上の平面視での最大長をＬＭとした場合に、ＬＢ≧ＬＡ−２×ＬＭであることを特徴する半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかに記載の半導体装置と、
前記半導体装置によりシリアル転送されるデータに基づき表示動作を行う表示パネルと、
を含むことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月15日(2007.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
混合金属酸化物が式
Ｍｏ１２ＢｉａＷｂＦｅｃＣｓｇＭｍＯｘ
（式中、Ｍはコバルト、ニッケル、マグネシウム、亜鉛、カリウム、ルビジウム、タリウム、マンガン、バリウム、クロム、セリウム、錫、鉛、カドミウムおよび銅から選ばれた一つまたはそれ以上であり、ｍは０〜９の範囲にあり、そしてｂは０〜９の範囲にあり、かつ、
（３ａ＋３ｃ＋ｇ＋ｖｎｍｎ）／（２×１２＋２ｂ）の相対量比率が０．９０〜１．１０であり、ｖは各Ｍの原子価でありそしてｎは各Ｍについての整数である）
を有するものである、請求項１の触媒。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
混合金属酸化物が式
Ｍｏ１２ＢｉａＷｂＦｅｃＣｓｇＭｍＭ´ｍ´Ｏｘ
（式中、Ｍ´はアンチモン、燐、ホウ素、硫黄、ケイ素、アルミニウム、チタン、テルル、バナジウム、ジルコニウムおよびニオブから選ばれた一つまたはそれ以上であり、ｍ´は０〜９の範囲にある）
を有するものである、請求項３の触媒。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
混合金属酸化物が式
Ｍｏ１２ＢｉａＷｂＦｅｃＣｏｄＮｉｅＳｂｆＣｓｇＭｇｈＺｎｉＰｊＯｘ
（式中、ｂは０〜４であり、ｄは０〜９であり、ｅは０〜９であり、ｆは０〜２．０であり、ｈは０〜１．５であり、ｉは０〜２．０であり、ｊは０〜０．５であり、かつ、
（３ａ＋３ｃ＋２ｄ＋２ｅ＋ｇ＋２ｈ＋２ｉ）／（２×１２＋２ｂ）の相対量比率が０．９０〜１．１０である）
を有するものである、請求項４の触媒。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３０】
Ｍの化合物（Ｍはコバルト、ニッケル、マグネシウム、亜鉛、カリウム、ルビジウム、タリウム、マンガン、バリウム、クロム、セリウム、錫、鉛、カドミウムおよび銅から選ばれた一つまたはそれ以上である）を含み、そして触媒が式
Ｍｏ１２ＢｉａＷｂＦｅｃＣｓｇＭｍＯｘ
（式中、ｍは０〜９であり、そしてｂは０〜９であり、かつ、
（３ａ＋３ｃ＋ｇ＋ｖｎｍｎ）／（２×１２＋２ｂ）の相対量比率が０．９０〜１．１０であり、ｖは各Ｍの原子価でありそしてｎは各Ｍについての整数である）
を有するものである、請求項１３の方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４７】
触媒が式
Ｍｏ１２ＢｉａＷｂＦｅｃＣｓｇＭｍＯｘ
（式中、Ｍはコバルト、ニッケル、マグネシウム、亜鉛、カリウム、ルビジウム、タリウム、マンガン、バリウム、クロム、セリウム、錫、鉛、カドミウムおよび銅から選ばれ、そして、
ｍは０〜９であり、そしてｂは０〜９であり、かつ、
（３ａ＋３ｃ＋ｇ＋ｖｎｍｎ）／（２×１２＋２ｂ）の相対量比率が０．９０〜１．１０であり、ｖは各Ｍの原子価でありそしてｎは各Ｍについての整数である）
を有するものである、請求項４６の方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
好ましくは、本発明の触媒は下記式を有するものである：
Ｍｏ１２ＢｉａＷｂＦｅｃＣｓｇＭｍＯｘ
式中、Ｍはコバルト、ニッケル、マグネシウム、亜鉛、カリウム、ルビジウム、タリウム、マンガン、バリウム、クロム、セリウム、錫、鉛、カドミウムおよび銅から選ばれた一つまたはそれ以上であり、ｍは０〜９の範囲にあり、そしてｂは０〜９である。これら金属のいずれかが触媒の成分である場合には、モリブデンおよびタングステンに対する、ビスマス、鉄、セシウムおよびいずれかの又は全てのＭ金属の相対量比率は数式（３ａ＋３ｃ＋ｇ＋ｖｎｍｎ）／（２×１２＋２ｂ）＝０．９０〜１．１０によって表され、ｖｎｍｎは各Ｍの原子価（ｖ）と相対量（ｍ）の積の和であり、ｎは触媒の中に存在する各Ｍ金属に対応する整数（ｉｎｔｅｇｅｒ）である。たとえば、Ｍがニッケル（ｖ＝２、ｎ＝１）とコバルト（ｖ＝２、ｎ＝２）であり、それぞれ４．０と０．５の量で存在した場合には、ｖｎｍｎは（２×４．０）＋（２×０．５）＝９である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月26日(2007.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  請求項５の固定化L-ラムノースイソメラーゼのD-アロースの連続製造方法への使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【発明の効果】
産業的に希少糖を大量に生産するのに有効に利用できる安定な、高活性の固定化L-ラムノースイソメラーゼを提供することができる。
低い流れ抵抗を有し、充填されたカラムを通る基質の流速が速い固定化L-ラムノースイソメラーゼを提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月14日(2007.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
（２）胚性幹細胞へのターゲティングベクターの導入
マウス胚性幹細胞D3（名古屋大学医学部・村松 喬教授より供与され、大阪大学遺伝情報実験センターにて維持）の培養は、ESM培地［20％ ウシ胎児血清（Invitrogen社）、55μmol/l β-メルカプトエタノール（Invitrogen社）、1mmol/lMEMピルビン酸ナトリウム（Invitrogen社）、0.1mmol/l MEM非必須アミノ酸（Invitrogen社）、3mmol/l アデノシン（SIGMA社）、3mmol/l グアノシン（SIGMA社）、3mmol/l シチジン（SIGMA社）、3mmol/l ウリジン（SIGMA社）、1mmol/lチミジン（SIGMA社）、2mmol/l L-グルタミン（Invitrogen社）、100単位/ml ペニシリンおよび100μg/ml ストレプトマイシン（Invitrogen社）、1000単位/ml ESGROTM（マウス組換え型白血病阻害因子；SIGMA Invitrogen社）を含むダルベッコ改変イーグル培地（DMEM; Invitrogen社）］を用いて行った。まず、6cm径ディッシュを用いて作製したフィーダープレートへ凍結融解したD3細胞を播種し、5%CO2、37℃の条件下で培養した。24時間後、10cm径ディッシュを用いて作製したフィーダープレート３枚へD3細胞を継代した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
本実施例第２項で得たターゲティングベクタープラスミドのD3細胞への遺伝子導入はエレクトロポレーション法［サイトテクノロジー(Cytotechnology), 3, 133 (1990)］に準じて以下の手順で行った。まず、ターゲティングベクタープラスミド 20μgを制限酵素NotIで消化することにより線状化した後、フェノール/クロロホルム抽出処理およびエタノール沈殿を行い、1μg/μl溶液とした。一方、10cm径ディッシュへの継代培養後48時間経過したD3細胞より培養上清を除去し、新鮮なESM培地へ交換した。D3細胞が70%コンフレントに達したことを確認した後、PBS緩衝液（Invitrogen社）に懸濁して1×107個/mlとした。細胞懸濁液800μl（8.0×106個）を上記線状化プラスミド 20μgと混和した後、細胞−DNA混和液の全量をGene Pulser Cuvette(電極間距離4mm)(BIO-RAD社)へ移し、細胞融合装置Gene Pulser(BIO-RAD社)を用いてパルス電圧250V、電気容量500μFの条件で遺伝子導入を行った。導入後、細胞懸濁液をESM培地 40mlに懸濁し、10cm径ディッシュを用いて作製したフィーダープレート３枚および6cm径ディッシュを用いて作製したフィーダープレート２枚へ播種した。5%CO2、37℃の条件下で16時間以上培養した後、培養上清を除去し、150μg/ml G418（Invitrogen社）を添加したESM培地へ交換した。この培地交換作業をほぼ毎日繰り返しながら８日間の培養を行い、薬剤耐性株を取得した。なお、マウス胚性幹細胞としては、上述のマウス胚性幹細胞のほかに、129系統マウス由来の胚性幹細胞、例えば、ＡＴＣＣより購入可能なマウス胚性幹細胞Ｄ３（CRL-11632）、米国Cell & Technologies社やDNX Transgenic Sciences社製の129系統マウス由来の胚性幹細胞を用いることもできる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
本法により、本項（４）で陽性を示した４クローンのゲノムDNAにおいて、約6.6Kbおよび約8.6Kbの特異的断片が見出された。両断片の量比が１：１であったことから、本クローンは、片方のFUT8対立遺伝子がベクター配列に置換された相同組換え体であることが確認された。
４．α1,6-フコシルトランスフェラーゼ（FUT8）遺伝子を破壊したマウスの取得
（１）FUT8両対立遺伝子を１コピー破壊した胚性幹細胞を用いたキメラマウスの取得
本実施例第３項で樹立した片方のFUT8対立遺伝子が破壊された胚性幹細胞４クローンに対し、公知の方法［マニュピレーティング・ザ・マウス・エンブリオ (Manupirating the Mouse Embryo), Cold Spring Harbor laboratory Press (1994)］に従い、正常な核型が維持されている３クローンを選択した。次に、ガイド・ツー・テクニックス・イン・マウス・ディベロプメント［Guide to Technuques in Mouse Development ,Methods in Enzymology, Volume 225, Academic Press (1993)］などの記載の注入キメラ法に従って、C57BL/6系統の雌マウスより取得した胚盤胞腔へ上記の胚性幹細胞３クローンをそれぞれ顕微注入し、偽妊娠させたMCH系統の雌マウスの子宮内へ移植し着床させた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
【図１】は、マウスFUT8遺伝子の翻訳開始コドンの位置するエクソンを含むゲノム領域を示した図である。
【図２】は、マウスFUT8遺伝子破壊用ターゲティングベクターの構造およびゲノムサザンブロットの判定法を示した図である。
【図３】は、FUT8対立遺伝子を破壊したマウスのゲノムサザンブロットを示した図である。
【図４】は、FUT8対立遺伝子を破壊したマウスの各臓器を用いたノーザンブロットを示した図である。
【図５】は、FUT8対立遺伝子を破壊したマウスにおけるα1,6-フコシルトランスフェラーゼ活性を示した図である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月16日(2006.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
裏面が感熱性粘着層面に形成され、該粘着層面に所定間隔でアイマークが印刷されている帯状の長尺シートを一定速度で移動させるとともに、該シートに存在する該アイマークを検知し、該検知信号に基づいて該シートを所定間隔で切断又は半切断して感熱性粘着ラベルを発行する方法において、該アイマークの寸法、該シートに対する該アイマークの印刷位置及び該シートに対する切断又は半切断の位置を調節して、該アイマークがコーナ部分に存在せず、かつ該アイマークのラベルに対する面積比が０．５〜３５％の範囲にあるラベルを発行することを特徴とする感熱性粘着ラベルの発行方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明によれば、以下に示す感熱性粘着ラベルの発行方法が提供される。
（１）裏面が感熱性粘着層面に形成され、該粘着層面に所定間隔でアイマークが印刷されている帯状の長尺シートを一定速度で移動させるとともに、該シートに存在する該アイマークを検知し、該検知信号に基づいて該シートを所定間隔で切断又は半切断して感熱性粘着ラベルを発行する方法において、該アイマークの寸法、該シートに対する該アイマークの印刷位置及び該シートに対する切断又は半切断の位置を調節して、該アイマークがコーナ部分に存在せず、かつ該アイマークのラベルに対する面積比が０．５〜３５％の範囲にあるラベルを発行することを特徴とする感熱性粘着ラベルの発行方法。
（２）該ラベルに存在するアイマークが、ラベル周縁よりも内側に位置し、該アイマークと該ラベル周縁との間にはアイマークの存在しない感熱性粘着層面が存在することを特徴とする前記（１）に記載の感熱性粘着ラベルの発行方法。
（３）該ラベルに存在するアイマークが、ラベル周縁よりも５ｍｍ以上内側に位置することを特徴とする前記（１）又は（２）に記載の感熱性粘着ラベルの発行方法。
（４）該シートに存在するアイマークが、該シートの両側辺よりも５ｍｍ以上内側に位置することを特徴とする前記（１）〜（３）のいずれかに記載の感熱性粘着ラベルの発行方法。
（５）該シートの表面が、感熱発色層面に形成されていることを特徴とする前記（１）〜（４）のいずれかに記載の感熱性粘着ラベルの発行方法。
（６）該感熱発色層面に対し、該アイマークの検知前に熱印字を行うことを特徴とする前記（５）に記載の感熱性粘着ラベルの発行方法。
（７）該感熱発色層面に対し、該アイマークの検知後でかつ該シートの切断又は半切断前に熱印字を行うことを特徴とする前記（５）に記載の感熱性粘着ラベルの発行方法。
（８）該切断又は半切断により得られる該ラベルを熱活性化することを特徴とする前記（１）〜（６）のいずれかに記載の感熱性粘着ラベルの発行方法。
（９）該アイマークが、紫外線硬化型インク又は電子線硬化型インクで該シートの感熱性粘着層面に印刷されていることを特徴とする前記（１）〜（７）のいずれかに記載の感熱性粘着ラベルの発行方法。
（１０）該感熱性粘着層が、シリコーン変性された熱可塑性樹脂と固体可塑剤を含有することを特徴とする前記（１）〜（９）のいずれかに記載の感熱性粘着ラベルの発行方法。
（１１）該アイマーク部分と非アイマーク部分との光反射率差が８８０〜９２０ｎｍの波長域で４５％以上示すことを特徴とする前記（１）〜（１０）のいずれかに記載のラベルの発行方法。
（１２）該アイマーク印刷部主成分の一つである色料（色材）が、最大吸収波長を８００〜１０００ｎｍ波長域に持つ近赤外吸収色素及び近赤外吸収顔料であることを特徴とする前記（１１）に記載のラベルの発行方法。
（１３）該近赤外吸収色素及び近赤外吸収顔料が、ポリメチン色素、スクアリリウム色素、ジチオール金属錯体、ジチオレン錯体、アミニウム色素、イモニウム色素、フタロシアニンから選ばれる少なくとも１種類以上用いることを特徴とする前記（１２）に記載のラベルの発行方法。
（１４）該アイマーク印刷部主成分の一つである色料（色材）が、８８０〜９２０ｎｍの波長域に吸収を持つ白色顔料であることを特徴とする前記（１１）〜（１３）のいずれかに記載のラベルの発行方法。
（１５）該白色顔料が、導電性酸化亜鉛、導電性酸化チタン、導電性酸化スズ、導電性酸化インジウムから選ばれる少なくとも１種類以上用いることを特徴とする前記（１４）に記載のラベルの発行方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月6日(2007.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特に、両サイドにおいて処理若しくは被覆される基板（１３）を受けるための基板支持体（１）であって、
（ａ）少なくとも１つの基板（１３）を受けるための内部スペース（２）と、
（ｂ）上記基板支持体（１）の中央平面（Ｍ）に対して垂直に延び、側面に沿って内部スペース（２）を規定する環状壁部（３）と、
（ｃ）上記壁部（３）の外表面（３ａ）に延在し、その頂点が上記中央平面（Ｍ）に存在する凸状突出部（４）と、
（ｄ）上記中央平面（Ｍ）及び上記突出部（４）に関して対称的に配置され、さらに、少なくとも１つの保持及び／又は把持手段と係合するように作用する、外周が凹状である２つの溝部（５ａ、５ｂ）と、を備えることを特徴とする基板支持体。
【請求項２】
上記基板（１３）が、上記壁部（３）の内側にある少なくとも２つの基板保持具（１４）により保持されることを特徴とする請求項１記載の基板支持体。
【請求項３】
上記環状壁部（３）が、円筒形であることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板支持体。
【請求項４】
上記環状壁部（３）の内側が円錐形であり、上記環状壁部（３）の外側が円筒形であることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板支持体。
【請求項５】
上記基板支持体（１）の周囲に配置される少なくとも２つの静的な保持装置（６）を備え、各保持装置（６）はローラ（７）を有し、該ローラ（７）は、バネ（８）により、中央平面（Ｍ）に関して一方のサイドにおいて上記突出部（４）をプレスしており、さらに上記突出部（４）の表面（４ａ）が接する停止表面（６ａ）が、上記中央平面（Ｍ）に関してもう一方のサイドにおいて上記突出部（４）をプレスしていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板支持体（１）を操作するための装置。
【請求項６】
上記基板支持体（１）の周囲に配置される保持装置（６）が少なくとも３つ、好ましくは４つ設けられることを特徴とする請求項５記載の基板支持体（１）を操作するための装置。
【請求項７】
上記表面（４ａ）が上記停止表面（６ａ）に到達するまで、上記基板支持体（１）が、矢印（Ａ）の方向に、上記ローラ（７）上を転がるようにまたスライドするようにプレスされることを特徴とする請求項５又は６に記載の基板支持体（１）を操作するための装置。
【請求項８】
上記基板支持体（１）が、上記保持装置（６）により中央に配置されることを特徴とする請求項６又は７に記載の基板支持体（１）を操作するための装置。
【請求項９】
少なくとも２つの把持手段（９ａ若しくは９ｂ）を備え、該把持手段（９ａ若しくは９ｂ）は、上記基板支持体（１）の周囲に配置され、さらに把持手段（９ａ若しくは９ｂ）のそれぞれが１つのローラ（１０）を有し、該ローラ（１０）は、上記溝部（５ａ、５ｂ）と係合することができることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板支持体（１）を操作するための装置。
【請求項１０】
上記基板支持体（１）の周囲に配置される把持手段（９ａ若しくは９ｂ）が少なくとも３つ、好ましくは４つ設けられることを特徴とする請求項９に記載の基板支持体（１）を操作するための装置。
【請求項１１】
上記ローラ（１０）が上記溝部（５ａ、５ｂ）と係合する時、上記基板支持体（１）が、上記ローラ（１０）の軸に関して鉛直方向に、自動的に配置されるように、上記ローラ（１０）の半径は、上記溝部（５ａ、５ｂ）の半径より小さいことを特徴とする請求項９又は１０に記載の基板支持体（１）を操作するための装置。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれかに記載の装置により、請求項１〜４のいずれかに記載の基板支持体（１）を操作する方法であって、
上記把持手段（９ａ若しくは９ｂ）が上記基板支持体（１）に近づき、上記ローラ（１０）が上記溝部（５ａ、５ｂ）と係合し、上記把持手段（９ａ若しくは９ｂ）が基板支持体（１）を輸送し、その後上記ローラ（１０）が上記溝部（５ａ若しくは５ｂ）から解放されることを特徴する方法。
【請求項１３】
上記基板支持体（１）が把持され、さらに、第１把持手段（９ａ）若しくは請求項５〜８のいずれかに記載の保持装置（６）が上記基板支持体（１）から解放された後、上記基板支持体（１）が、請求項９〜１１のいずれかに記載の第２装置により保持されることを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
複数の、好ましくは２つの把持手段を備え、該把持手段は上記基板支持体（１）の周辺に配置され、それぞれの把持手段はＶ字状の環状溝部（１２）を有し、上記基板支持体（１）に面する溝部表面（１２ａ）が上記中央平面に関して一方のサイド及びもう一方のサイドにおいて上記突出部（４）と接触し、
上記基板支持体（１）が、上記環状溝部（１２）のプレス方向（Ｂ）の垂直方向に関して、自動的に配置されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板支持体（１）を操作するための装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の装置により、請求項１〜４のいずれかに記載の基板支持体（１）を操作するための方法であって、
上記環状溝部（１２）を外側から上記基板支持体（１）まで径方向（矢印Ｂ）に向かって移動させ、上記環状溝部（１２）を上記突出部（４）と係合させ、上記把持手段が上記基板支持体（１）を輸送し、その後上記表面（１２ａ）を上記突出部（４）から外側まで径方向に移動させることを特徴とする方法。
【請求項１６】
一方のサイド若しくは両方のサイドにおいて基板を被覆するための、請求項１〜４のいずれかに記載の基板支持体（１）、請求項５〜１１のいずれか若しくは請求項１４に記載された装置、又は請求項１２、１３若しくは１５に記載の方法の使用。
【請求項１７】
カソードスパッタリングにより被覆するための請求項１６に記載の基板支持体（１）、装置、又は方法の使用。
【請求項１８】
上記基板支持体（１）の壁部（３）が、アノード表面として作用する請求項１７に記載の基板支持体、装置又は方法の使用。
【請求項１９】
ＣＶＤ（化学的気相成長法）被覆プロセスにおける、請求項１６に記載の基板支持体、装置又は方法の使用。
【請求項２０】
上記基板を洗浄するための、請求項１〜４のいずれかに記載の基板支持体（１）、請求項５〜１１のいずれか若しくは請求項１４に記載された装置、又は請求項１２、１３若しくは１５に記載の方法の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月14日(2007.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の（Ａ）及び（Ｂ）工程：
（Ａ）分散媒中にメタノール、エタノール、イソプロパノールおよびアセトンからなる群から選ばれる少なくとも１種の親水性溶媒を２５〜１００質量％含有する親水性無機酸化物ゾルに、珪素原子に結合したアルコキシル基を２個以上有する珪素アルコキシド、又は１個以上の珪素原子に結合したヒドロキシル基と１個以上の珪素原子に結合したアルコキシル基を有する珪素アルコキシドを添加して、該ゾル中の無機酸化物粒子を表面処理する工程、及び
（Ｂ）炭素数３〜１２の１級アルコールの共存下に、（Ａ）工程で得られた表面処理された無機酸化物ゾルの分散媒を非アルコール性有機溶媒にて蒸留置換する工程
を含む有機溶媒分散無機酸化物ゾルの製造方法。
【請求項２】
（Ａ）工程における該珪素アルコキシドが珪素原子に結合した炭素数１〜４のアルコキシル基を有する珪素アルコキシドである請求項１に記載の有機溶媒分散無機酸化物ゾルの製造方法。
【請求項３】
（Ａ）工程における該珪素アルコキシドがジアルキルジアルコキシシラン又はアルキルトリアルコキシシランである請求項１又は２に記載の有機溶媒分散無機酸化物ゾルの製造方法。
【請求項４】
（Ａ）工程における該珪素アルコキシドがジアルキルアルコキシヒドロキシシラン又はアルキルジアルコキシヒドロキシシランである請求項１又は２に記載の有機溶媒分散無機酸化物ゾルの製造方法。
【請求項５】
（Ａ）工程における該珪素アルコキシドがテトラアルコキシシラン又はトリアルコキシヒドロキシシランである請求項１又は２に記載の有機溶媒分散無機酸化物ゾルの製造方法。
【請求項６】
（Ａ）工程における該珪素アルコキシドが、フェニルトリメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、フェニルジメトキシヒドロキシシラン、フェニルメトキシジヒドロキシシラン、フェニルメチルメトキシヒドロキシシラン及びジフェニルメトキシヒドロキシシランからなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載の有機溶媒分散無機酸化物ゾルの製造方法。
【請求項７】
（Ａ）工程における該珪素アルコキシドがフェニルトリメトキシシランである請求項１に記載の有機溶媒分散無機酸化物ゾルの製造方法。
【請求項８】
（Ａ）工程における該珪素アルコキシドが珪素原子に結合した炭素数４〜２０のアルキル基を有する珪素アルコキシドである請求項３又は４に記載の有機溶媒分散無機酸化物ゾルの製造方法。
【請求項９】
（Ｂ）工程における該非アルコール性有機溶媒がケトン類又はエステル類である請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機溶媒分散無機酸化物ゾルの製造方法。
【請求項１０】
（Ｂ）工程における該非アルコール性有機溶媒が炭化水素又はハロゲン化炭化水素である請求項８に記載の有機溶媒分散無機酸化物ゾルの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリエチレンとポリプロピレンを必須成分とするポリオレフィン製微多孔膜であり、ポリエチレンの一部或いは全部が粘度平均分子量（Ｍｖ）５万以上３０万以下のポリエチレンであり、ポリプロピレンの含有率が７ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満であり、ＧＰＣ／ＦＴＩＲより求められる分子量Ｍ（ｉ）の常用対数値と末端メチル基濃度Ｃ（Ｍ（ｉ））の値との最小二乗法近似直線関係が、Ｍ（ｉ）１０万以上１００万以下の分子量範囲において、
Ｃ（Ｍ（ｉ））＝Ａ×ｌｏｇ（Ｍ（ｉ））＋Ｂ    （Ａ、Ｂは定数）
−０．０１５≦Ａ≦２．０００
であることを特徴とするポリオレフィン製微多孔膜。
【請求項２】
２０℃／ｍｉｎの昇温速度で測定した耐熱破膜温度が１９０℃〜３００℃であることを特徴とする請求項１に記載のポリオレフィン製微多孔膜。
【請求項３】
ポリエチレンとポリプロピレンを必須成分とするポリオレフィン製微多孔膜であり、４．２Ｖに保持されたリチウムイオン電池内においてセパレータとして用いたときに、８５℃、７日間経過後においても黒色変色なしであることを特徴とする、耐酸化性に優れた請求項１又は２に記載のポリオレフィン製微多孔膜。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、前記課題を解決したものである。即ち、本発明は、
（１）ポリエチレンとポリプロピレンを必須成分とするポリオレフィン製微多孔膜であり、ポリエチレンの一部或いは全部が粘度平均分子量（Ｍｖ）５万以上３０万以下のポリエチレンであり、ポリプロピレンの含有率が７ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満であり、ＧＰＣ／ＦＴＩＲより求められる分子量Ｍ（ｉ）の常用対数値と末端メチル基濃度Ｃ（Ｍ（ｉ））の値との最小二乗法近似直線関係が、Ｍ（ｉ）１０万以上１００万以下の分子量範囲において、
Ｃ（Ｍ（ｉ））＝Ａ×ｌｏｇ（Ｍ（ｉ））＋Ｂ    （Ａ、Ｂは定数）
−０．０１５≦Ａ≦２．０００
であることを特徴とするポリオレフィン製微多孔膜、
（２）２０℃／ｍｉｎの昇温速度で測定した耐熱破膜温度が１９０℃〜３００℃であることを特徴とする（１）に記載のポリオレフィン製微多孔膜、
（３）ポリエチレンとポリプロピレンを必須成分とするポリオレフィン製微多孔膜であり、４．２Ｖに保持されたリチウムイオン電池内においてセパレータとして用いたときに、８５℃、７日間経過後においても黒色変色なしであることを特徴とする、耐酸化性に優れた（１）又は（２）に記載のポリオレフィン製微多孔膜、
である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ＧＰＣ／ＦＴＩＲ測定で求められる分子量分布と末端メチル基濃度は、いずれも本発明の微多孔膜を構成するポリエチレンとポリプロピレンの合算値となる。分子量Ｍ（ｉ）はポリエチレン換算分子量である。末端メチル基濃度Ｃ（Ｍ（ｉ））は、メチル基に帰属される吸光度Ｉ（−ＣＨ3）（吸収波数２９６０ｃｍ-1）とメチレン基に帰属される吸光度Ｉ（−ＣＨ2−）（吸収波数２９２５ｃｍ-1）との比Ｉ（−ＣＨ3）／ Ｉ（−ＣＨ2−）とする。ここで、Ｃ（Ｍ（ｉ））は全ポリマーの側鎖末端のメチル基と主鎖末端のメチル基との和となるが、ポリプロピレンにおける側鎖メチル基のＣ（Ｍ（ｉ））への影響度合いは大きいため、Ｍ（ｉ）とＣ（Ｍ（ｉ））との相関より、膜中のポリプロピレンの分子量分布を判断することが出来る。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月12日(2007.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式［１］の化学組成を有する結晶相を有する蛍光体。 
【化１】
2005200584.tif 000001
（但し、Ｍ1は、１価の元素、Ｅｕ，Ｍｎ，及びＭｇを除く２価の元素、３価の元素、並
びに５価の元素の群から選ばれる少なくとも１種の元素を表し、２価の元素が占める割合が８０ｍｏｌ％以上であり、Ｂａ，Ｃａ，及びＳｒの合計が占める割合が４０ｍｏｌ％以上であり、ＢａとＣａの合計に対するＣａの割合（モル比）が０．２未満である。Ｍ2は
、Ｓｉ及びＧｅを合計で９０ｍｏｌ％以上含む４価の元素群を表し、Ｚは、−１価の元素、−２価の元素、Ｈ、及びＮからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素である。ａは０．０００３≦ａ≦０．０１、ｂは０＜ｂ＜０．０７５、ｃ，ｄは０＜ｃ／（ｃ＋ｄ）≦０．８、ａ，ｂ，ｃ，及びｄは１．８≦（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦２．２、ｅ，ｆは０≦ｆ／（ｅ＋ｆ）≦０．０３５、及び３．６≦（ｅ＋ｆ）≦４．４を満足する数である。） 
【請求項２】
Ｍ1の中でＢａ、Ｃａ、及びＳｒの合計が占める割合が８０ｍｏｌ％以上であることを特
徴とする請求項１に記載の蛍光体。 
【請求項３】
Ｍ2の中でＳｉが占める割合が８０ｍｏｌ％以上であることを特徴とする請求項１又は２
に記載の蛍光体。 
【請求項４】
３５０−４３０ｎｍの光を発生する第１の発光体と、当該第１の発光体からの光の照射によって可視光を発生する第２の発光体とを有する発光装置において、第２の発光体が、請求項１〜３のいずれか１項に記載の蛍光体を含有してなることを特徴とする発光装置。 
【請求項５】
第１の発光体がレーザーダイオード又は発光ダイオードであることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。 
【請求項６】
請求項４又は５に記載の発光装置を有する照明装置。
【請求項７】
請求項４又は５に記載の発光装置を有する画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（但し、Ｍ1は、１価の元素、Ｅｕ，Ｍｎ，及びＭｇを除く２価の元素、３価の元素、並
びに５価の元素の群から選ばれる少なくとも１種の元素を表し、２価の元素が占める割合が８０ｍｏｌ％以上であり、Ｂａ，Ｃａ，及びＳｒの合計が占める割合が４０ｍｏｌ％以上であり、ＢａとＣａの合計に対するＣａの割合（モル比）が０．２未満である。Ｍ2は
、Ｓｉ及びＧｅを合計で９０ｍｏｌ％以上含む４価の元素群を表し、Ｚは、−１価の元素、−２価の元素、Ｈ、及びＮからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素である。ａは０．０００３≦ａ≦０．０１、ｂは０＜ｂ＜０．０７５、ｃ，ｄは０＜ｃ／（ｃ＋ｄ）≦０．８、ａ，ｂ，ｃ，及びｄは１．８≦（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦２．２、ｅ，ｆは０≦ｆ／（ｅ＋ｆ）≦０．０３５、及び３．６≦（ｅ＋ｆ）≦４．４を満足する数である。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
式［１］中のＭ1は、１価の元素、Ｅｕ，Ｍｎ，及びＭｇを除く２価の元素、３価の元
素、並びに５価の元素の群から選ばれる少なくとも１種の元素を表し、２価の元素が占める割合が８０ｍｏｌ％以上であり、Ｂａ，Ｃａ，及びＳｒの合計が占める割合が４０ｍｏｌ％以上であり、ＢａとＣａの合計に対するＣａの割合（モル比）が０．２未満という条件を満たすものである。Ｂａ，Ｃａ，及びＳｒ以外の元素を具体的に述べると、１価の元素としては、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ等が挙げられ、２価の元素としては、Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｓｍ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｈｇ，Ｐｂ等が挙げられ、３価の元素としては、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ等や、Ｙ，Ｓｃ等の希土類元素が挙げられ、５価の元素としては、Ｐ，Ｓｂ，Ｂｉ等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。２価の元素においては、中でもＶ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｓｍ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｗ，Ｐｂが挙げられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
赤色又は白色の発光強度等の面から、Ｂａ，Ｃａ，及びＳｒの合計が占める割合が８０ｍｏｌ％以上であることが好ましく、Ｂａ，及びＣａの合計が占める割合が８０ｍｏｌ％以上であることがより好ましく、Ｂａ，Ｃａ，及びＳｒの合計が占める割合が１００ｍｏｌ％であることが更に好ましい。 
式［１］中のＭ2は、Ｓｉ及びＧｅを合計で９０ｍｏｌ％以上含む４価の元素群を表すが、赤色又は白色の発光強度等の面から、Ｍ2がＳｉを８０ｍｏｌ％以上含むことが好ましく、Ｍ2がＳｉからなることがより好ましい。Ｓｉ，及びＧｅ以外の４価の元素としては、Ｚｎ，Ｔｉ，Ｈｆ等が挙げられ、赤色又は白色の発光強度等の点から、性能を損なわない範囲でこれらを含んでいてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
式［１］中のＺは、−１価の元素、−２価の元素、Ｈ、及びＮからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、例えば、酸素と同じ−２価の元素であるＳ，Ｓｅ，Ｔｅ以外に−１価であるＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ等であってもよいし、ＯＨ基が含有されていてもよいし、酸素基が一部ＯＮ基やＮ基に変わっていてもよい。また、Ｚは、蛍光性能には影響が少ない程度、即ち、不純物レベルの対全元素比約２ｍｏｌ％以下で含まれていてもよい。これは、（Ｚ＋酸素原子）に対するＺのモル比としては０．０３５以下に相当する。よって、（Ｚ＋酸素原子）に対するＺのモル比であるｆ／（ｅ＋ｆ）の範囲は０≦ｆ／（ｅ＋ｆ）≦０．０３５であり、蛍光体の性能の点から、ｆ／（ｅ＋ｆ）≦０．０１が好ましく、通常使用においてはｆ／（ｅ＋ｆ）＝０が好ましい。