【手続補正書】
【提出日】平成20年3月27日(2008.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノワイヤーの集積方法であって、
第一の半導体材料に対して選択的に溶解可能な第一の犠牲層が表面に被着された第一の基板を提供する工程、
前記第一の犠牲層上に、前記第一の半導体材料を含むナノワイヤーの群を成長させる工程、および
前記ナノワイヤーを溶解させることなく前記犠牲層を選択的に溶解させて、前記ナノワイヤーの群を前記第一の基板から剥離させる工程、
を包含する、方法。
【請求項２】
前記第一の半導体材料をシリコンとして提供し、前記犠牲層を窒化ケイ素又は二酸化ケイ素として提供する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第一の半導体材料をシリコンとして提供し、前記犠牲層をタングステン及びモリブデンから選択される金属として提供する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ナノワイヤーの集積方法であって、
成長基板の表面に付着させた半導体ナノワイヤーの群を提供する工程、
前記ナノワイヤーの群をエッチング剤に暴露させて、前記ナノワイヤーの群から犠牲層を除去する工程、および
前記ナノワイヤーの群を前記成長基板から集積する工程、
を包含する、方法。
【請求項５】
前記犠牲層を酸化物層として提供する請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記犠牲層を窒化ケイ素層として提供する請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記犠牲層を前記基板上に被着させたフォトレジストの層として提供する請求項４に記載の方法。
【請求項８】
ナノワイヤーの集積方法であって、
成長基板の表面に付着させた半導体ナノワイヤーの群を提供する工程、および
前記ナノワイヤーの群のナノワイヤーの基部をエッチング剤に選択的に暴露させて、前記ナノワイヤーの群を前記成長基板から剥離させる工程、
を包含する、方法。
【請求項９】
ナノワイヤーの集積方法であって、
成長基板の表面に付着させた直立コアナノワイヤーの群を提供する工程、
第一の内部シェル層を前記ナノワイヤーコア群の上に被着させて前記成長基板の表面を覆う工程、
前記第一のシェル層とは別にエッチング可能な第二の外部シェル層を第一の内部シェル層上に被着させる工程、
前記基板表面を覆う前記第二の外部シェル層の少なくとも一部分を選択的にエッチングする工程、
前記基板表面を覆う前記内部シェル層の少なくとも露出した部分を選択的にエッチングして前記ナノワイヤー群のコアナノワイヤーの端部を露出させる工程、および
前記コアナノワイヤーの前記端部をエッチングして前記ナノワイヤーを前記成長基板から剥離させる工程、
を包含する、方法。
【請求項１０】
ナノワイヤーを第一の表面に実質的に整列させた配向で被着させる方法であって、
前記第一の表面を円筒の外面として提供する工程、
前記円筒の前記外面の一部分をナノワイヤーの流動性懸濁液と接触させて配置する工程、および
前記円筒を回転させて前記第一の表面の種々の部分を前記ナノワイヤーの流動性懸濁液の中に出し入れする工程、
を包含する、方法。
【請求項１１】
基板の第一の表面にナノワイヤーを実質的に整列した配向で塗布する方法であって、
外面と軸とを有するアプリケーターローラーを提供する工程、
前記アプリケーターローラーをその軸の周りに回転させて前記ローラーの前記外面の少なくとも一部分をナノワイヤーの流動性懸濁液と接触させて配置する工程、および
前記回転するアプリケーターローラーに対して前記基板の前記第一の表面を移動させて前記基板の前記第一の表面を前記ナノワイヤーの流動性懸濁液で被覆する工程、
を包含する、方法。
【請求項１２】
基板の第一の表面にナノワイヤーを実質的に整列した配向で塗布する方法であって、
外面と、軸と、前記外面に一連のストライプに配置されたナノワイヤーの流動性懸濁液とを有するアプリケーターローラーを提供する工程、および
前記回転するアプリケーターローラーに対して前記基板の前記第一の表面を移動させて前記基板の前記第一の表面を前記ナノワイヤーの流動性懸濁液で前記基板の前記第一の表面上の一連のストライプに対応させて塗布する工程、
を包含する、方法。
【請求項１３】
基板の表面にナノワイヤーを実質的に整列した配向で塗布する方法であって、
複数のナノワイヤーを含有する溶液を、前記基板の前記表面の一つ以上のパターン化領域にインクジェットプリンターを使用して被着させる工程、
導電性金属インキを含有する一つ以上の電極対を、前記一つ以上のパターン化領域の全体にインクジェットプリンターを使用して被着させる工程、および
前記一つ以上の電極対の間に電場を印加して、前記ナノワイヤーを前記基板の前記表面の前記一つ以上のパターン化領域に静電気的に整列させる工程、
を包含する、方法。
【請求項１４】
基板の表面にナノワイヤーを実質的に整列した配向で塗布する方法であって、
基板の表面を疎水性領域及び親水性領域でパターニングする工程、
複数のナノワイヤーを含有しかつ前記疎水性領域または親水性領域の一つに対して親和性を有するナノワイヤー溶液を、前記基板の表面に被着させる工程、
前記基板の前記疎水性領域又は親水性領域の他方に対して親和性を有しかつ被着ナノワイヤーの一つ以上の領域全体に一つ以上の電極対を形成する導電性溶液を、前記基板上に被着さる工程、および
前記一つ以上の電極対の間に電場を印加して、前記基板の前記表面に前記複数のナノワイヤーを静電気的に整列させる工程、
を包含する、方法。
【請求項１５】
ナノワイヤーを第一の基板の第一の表面に被着させる方法であって、
基板を通る開口内に固定された複数の実質的に整列させたナノワイヤーを提供する工程、
第二の基板を前記第一の基板の前記第一の表面に隣り合わせて配置工程、および
開口内に配置された前記ナノワイヤーに力を加えて、前記ナノワイヤーを前記第一の前記基板の前記第一の表面に実質的に整列した状態で移動させる工程、
を包含する、方法。
【請求項１６】
ナノワイヤーベースのトランジスタにおいてゲート短絡を防止する方法であって、
少なくともナノワイヤーの群であって、前記ナノワイヤーの群のサブセットはソース電極及びドレイン電極をまたがり、かつナノワイヤーの長さに延びる半導体コア領域と、前記ナノワイヤーの長さに延びる誘電体シェル領域とを有するナノワイヤーの群を提供する工程、
前記ソース電極およびドレイン電極と、これらと接触する任意のナノワイヤーの群との間にオーム接触を提供する工程、ならびに
前記ソース電極およびドレイン電極とオーム接触していないナノワイヤー群のコア領域を別にエッチングする工程、
を包含する、方法。
【請求項１７】
半導体コアと、前記コアの周りに配置された一つ以上の外部シェル層とを含むナノワイヤーであって、前記半導体コアが前記一つ以上の外部シェル層内に埋め込まれている、ナノワイヤー。
【請求項１８】
前記半導体コアがその一つ以上の端部で前記一つ以上のシェル層に対して部分選択的にエッチングされている請求項１７に記載のナノワイヤー。
【請求項１９】
前記一つ以上の外部シェル層が酸化物シェル層を含む請求項１７に記載のナノワイヤー。
【請求項２０】
前記半導体コアがシリコンを含む請求項１９に記載のナノワイヤー。
【請求項２１】
さらに、前記酸化物シェル層上に被着された金属シェル層を含有する請求項１９に記載のナノワイヤー。
【請求項２２】
ナノワイヤーの長軸が基板表面に対して実質的に平行に整列するように、該基板表面上に被着されたナノワイヤーであって、該ナノワイヤーは、半導体コアと、該コアの周りに配置された１つ以上の酸化物外部シェル層と、該酸化物シェル層上に被着された金属シェル層とを備え、該半導体コアは、該１つ以上の酸化物シェル層の内部に凹まされて提供される、基板表面上に被着されたナノワイヤー。
【請求項２３】
ナノワイヤーの長軸が基板表面に対して実質的に平行に整列するように、該基板表面上に被着されたナノワイヤーであって、該ナノワイヤーは、コアと、該コアの周りに配置された１つ以上の外部シェル層とを備え、該コアは、ケイ素を含み、そして該１つ以上の外部シェル層の内部に凹まされて提供される、基板表面上に被着されたナノワイヤー。