Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年8月13日(2008.8.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
本発明の特定の実施形態に有用な亜鉛含有層状物質の例には以下のものが挙げられる：
亜鉛含有層状構造は、主として二次元で生じる結晶の成長を有するものである。層構造を、すべての原子が明確に画定された層に組み込まれるものとしてだけではなく、層の間にギャラリーイオン（Ａ．Ｆ．ウェルズ（A.F.Wells）の「構造無機化学（Structural Inorganic Chemistry）」、クラレンドン出版（Clarendon Press）、１９７５年）と呼ばれるイオン又は分子があるものとしても表現されるのが慣習である。亜鉛含有層状物質（ＺＬＭ）は、層に組み込まれた亜鉛、及び／又はギャラリーイオンの構成成分である亜鉛を有してもよい。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１９５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１９５】
本発明の別の実施形態では、シャンプー、石鹸、スキンケア薬剤、及びこれらの組み合わせから成る群から選択される、塩基性炭酸亜鉛含有パーソナルケア組成物を調製するための方法が開示され、前記方法は、ピリチオン又はピリチオンの多価金属塩を含むパーソナルケア組成物中で、パーソナルケア組成物中に可溶性の炭酸塩又は重炭酸塩と、パーソナルケア組成物中に可溶性又は不溶性の亜鉛化合物であって、前記亜鉛化合物が、有機酸の亜鉛塩、無機酸の亜鉛塩、水酸化亜鉛、酸化亜鉛及びこれらの組み合わせから成る群から選択される亜鉛化合物とを反応させることを含み、それにより炭酸塩を亜鉛塩とその場形成させ、前記塩基性炭酸亜鉛含有パーソナルケア組成物中に前記塩基性炭酸亜鉛を形成することを含む。好ましくは、前記亜鉛化合物は水酸化亜鉛であり、前記炭酸塩は炭酸ナトリウムであり、前記水酸化亜鉛は、前記炭酸ナトリウムと、モル比約１：１０〜約１０：１の範囲内で反応する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１９９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１９９】
本発明の更なる実施形態では、シャンプー、石鹸、スキンケア薬剤及びこれらの組み合わせから成る群から選択される、塩基性炭酸亜鉛含有パーソナルケア組成物を調製するための方法が開示され、前記方法は、パーソナルケア組成物中で、パーソナルケア組成物中に可溶性の炭酸塩又は重炭酸塩と、パーソナルケア組成物中に可溶性又は不溶性の亜鉛化合物であって、前記亜鉛化合物が、有機酸の亜鉛塩、無機酸の亜鉛塩、水酸化亜鉛、酸化亜鉛及びこれらの組み合わせから成る群から選択される亜鉛化合物とを反応させることを含み、それにより炭酸塩を亜鉛塩とその場形成させ、前記塩基性炭酸亜鉛含有パーソナルケア組成物中に前記塩基性炭酸亜鉛を形成する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年8月14日(2008.8.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項９】
接着剤としての、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法により得られた生成物の使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
固体樹脂の形状にあるエポキシ変性した塩化ビニル−ビニルエステル−コポリマーは、例えば接着剤として、殊に紙幣又はプラスチックカードにおいてセキュリティ特徴の接着のための接着剤として、塗料用のバインダーとして、例えばアルミニウム被覆のための塗料用のバインダーとして適している。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
実施例３：
実施例２と同様に設定し、違いは、総モノマーに対してプロピオンアルデヒド２質量％の存在下で重合したことである。メチルエチルケトン中のコポリマーの２０質量％溶液は、実施例２からの生成物よりもより低い溶液粘性を示し、及び１週間の貯蔵時間の後でも６０℃で完全に無色のままである。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年9月22日(2008.9.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナへの少なくとも１つのコネクタ、例えば、自動車ウィンドウシールアンテナへのアンテナ信号路内のコネクタの監視用の診断方法において、
直流電流給電信号を、アンテナ信号路を介してアンテナ（１）の方向に供給し、前記直流電流給電信号を、前記アンテナ信号路内でのコネクタ用の診断信号としても、増幅器回路（３１）のウィンドウ側の端子端部で高周波アンテナ信号に加算し、
前記アンテナ信号路内に設けられている前記増幅器回路（３１）に、前記診断信号としての前記直流電流給電信号を供給し、
前記診断信号は、故障した前記コネクタ（４）の場合に、前記増幅器回路（３１）の電流給電を制御し、
前記増幅器回路（３１）の電流消費が所定の、電流消費の電流範囲（電流窓）の外側に位置しているかどうか検出し、場合によっては障害が生起していることをシグナリングする
ことを特徴とする診断方法。
【請求項２】
診断信号として、増幅器回路（３１）用の直流電流給電信号を使う請求項１記載の診断方法。
【請求項３】
診断抵抗（８）を介して診断信号を供給し、前記診断抵抗（８）での電圧降下を監視し、少なくとも１つのコネクタ（４）での障害時に、前記診断抵抗（８）での電圧降下を用いて、増幅器回路（３１）に対する電流給電遮断器（１０）を作動する請求項１又は２記載の診断方法。
【請求項４】
診断信号を、アンテナ側のコネクタ（４）通過後、増幅器回路（３１）の電流給電端子（３２）に帰還する請求項１又は２記載の診断方法。
【請求項５】
診断信号を、アンテナ信号路に設けられたダイバーシティ装置（２１）に供給し、続いて、アンテナ信号路内に供給する請求項１〜４迄の何れか１記載の診断方法。
【請求項６】
診断信号を、アンテナ信号路乃至当該アンテナ信号路の高周波ケーブル（５）を介してファントム給電（ｐｈａｎｔｏｍｇｅｓｐｅｉｓｔ）する請求項１〜５迄の何れか１記載の診断方法。
【請求項７】
アンテナへの少なくとも１つのコネクタ、例えば、自動車ウィンドウシールアンテナへのアンテナ信号路内での少なくとも１つのコネクタの診断装置において、
アンテナ（１）の方向でのアンテナ信号路内での診断信号の生成及び供給手段、
前記アンテナ信号路内の増幅器回路（３１）に診断信号を供給する手段、
前記診断信号が、少なくとも１つのコネクタ（４）によって障害の影響を受けているかどうかに依存して前記増幅器回路（３１）の電流給電を制御する手段、
前記増幅器回路（３１）の電流消費の検出用、及び、前記電流消費が所定の、電流消費の電流範囲（電流窓）の外側に位置している場合、障害が生起していることをシグナリングする手段
を有することを特徴とする診断装置。
【請求項８】
診断抵抗（８）が、増幅器回路（３１）の供給分路内に設けられており、前記診断抵抗（８）は、評価ユニット（９）と接続されていて、該評価ユニット（９）を用いて、前記増幅器回路（３１）用の電流給電遮断器（１０）が操作可能である請求項７記載の診断装置。
【請求項９】
診断信号を、アンテナ側のコネクタ（４，４３）の通過後、増幅器回路（３１）の電流給電端子（３２）に帰還するための手段が設けられている請求項１又は２記載の診断装置。
【請求項１０】
アンテナ信号路、乃至、当該アンテナ信号路の高周波ケーブル（５）を介しての、診断信号、例えば、増幅器回路（３）用の直流電流給電信号のファントム給電部（Ｐｈａｎｔｏｍｓｐｅｉｓｕｎｇ）が設けられている請求項７〜９迄の何れか１記載の診断装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
従来技術
単数乃至複数のコネクタの診断のために、受信機、例えばラジオ又はＴＶボックス内に、アンテナ信号路内の増幅器回路の正常作動領域用に電流の電流範囲（電流窓）を設けることが公知である。電流消費が所定の電流の電流範囲（電流窓）内にない場合、障害がシグナリングされる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
コネクションが差し込まれていないか又はコネクタのコンタクトがエラーなし状態ではない場合、高オーミック診断抵抗８での電圧降下を介して、診断抵抗８に接続された評価ユニット９により、増幅器回路３１用の電流遮断器１０が作動状態となる。このような、増幅器回路３１の遮断によって、電流は流れないか、又は、極めて僅かな電流しか流れない。この僅かな電流は、受信機２で検出され、即ち、増幅器回路３１の電流消費は、所定の、電流消費の電流範囲（電流窓）の外側に位置しており、受信機２での障害がシグナリングされる。図１に示されているリアウィンドウシールアンテナでは、ヒートフィールドは、一方ではアースに接続されており、その結果、ここでは、検出は、簡単に、ウィンドウ側の単に１つのコネクタコンタクトを介して可能である。図２に示されている実施例による別個のアンテナ構造では、検出は、ウィンドウ端子コネクタ４でアースに対するブリッジ４２を介して行うことができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
図４の実施例では、整合段３の前に接続されたダイバーシティ装置２１のコネクタも一緒に監視される。診断信号は、ここでも、アンテナ信号路の高周波ケーブル５を介してファントム給電（ｐｈａｎｔｏｍｇｅｓｐｅｉｓｔ）され、ダイバーシティ装置２１の入力側で分離され、ダイバーシティ装置２１の増幅器回路に供給され、出力側で高周波信号に再度付加される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年5月9日(2008.5.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
【図１】図１は、上記した船舶用ディーゼルエンジンのパラメータの決定及び設計のための一般的なレイアウト線図及び負荷線図の例を示している線図である。
【図２】図２は、上記した船舶用ディーゼルエンジンのパラメータの決定及び設計のための一般的なレイアウト線図及び負荷線図の例を示している線図である。
【図３】図３は、上記した船舶用ディーゼルエンジンのパラメータの決定及び設計のための一般的なレイアウト線図及び負荷線図の例を示している線図である。
【図４】図４は、動荷重がかけられたエンジン構成部品に作用する船舶用ディーゼルエンジンの例のシリンダの断面図である。
【図５】図５は、図１に示したレイアウト線図の低回転数領域及び高回転数領域における図４に示したエンジンのシリンダの燃焼サイクル中におけるガス圧力、慣性力及び運転されているエンジンの構成部品に作用する派生力の変化をクランク角度の関数として表したグラフである。
【図６】図６は、図１に示したレイアウト線図の低回転数領域及び高回転数領域における図４に示したエンジンのシリンダの燃焼サイクル中におけるガス圧力、慣性力及び運転されているエンジンの構成部品に作用する派生力の変化をクランク角度の関数として表したグラフである。
【図７】図７は、本発明による方法において使用される改造されたレイアウト線図の一つの例を示している線図である。
【図８】図８は、図７に示されたレイアウト線図の比較的高回転数側の端部におけるガス圧力、慣性力及び派生力の変化の図６のグラフに対応するグラフである。
【図９】図９は、図１におけるレイアウト線図を使用することにより得られる平均有効燃焼力、最大燃焼圧力、派生力及び燃料オイル消費率のグラフである。
【図１０】図１０は、図７におけるレイアウト線図を使用することにより得られる平均有効燃焼力、最大燃焼圧力、派生力及び燃料オイル消費率のグラフである。
【図１１】図１１は、本発明の方法において使用するためのレイアウト線図の更に別の変形例を示している線図である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月15日(2007.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
用語“使用”が新規な本発明の化合物に関連してその後に記載されているとき、これには、それぞれの本発明の態様のいずれか１個またはそれ以上が含まれる：別段記載がなければ、適当かつ好都合なように、（とりわけチロシン）タンパク質キナーゼ依存性疾患の処置における使用、該疾患の処置における使用のための医薬組成物の製造を目的とした使用、該疾患の処置における新規な本発明の化合物の使用方法、該疾患の処置における使用のための新規な本発明の化合物を含む医薬組成物、および該疾患の処置における使用のための新規な本発明の化合物を意味する。特に、処置されるべき疾患であり、故に新規な本発明の化合物の使用に好ましい疾患は、下記の（とりわけチロシン）タンパク質キナーゼ依存性（“依存性”はまた、“単なる依存”だけでなく“支持”を意味する）疾患、とりわけ対応する増殖性疾患、よりとりわけｃ−Ａｂｌ、Ｂｃｒ−Ａｂｌ、Ｆｌｔ−３、ＲＥＴ、ＶＥＧＦ−Ｒおよび／またはＴｅｋ、とりわけＦｌｔ−３活性に依存する疾患、とりわけこれらの特定のタンパク質チロシンキナーゼの下に下記の疾患から選択される。新規な本発明の化合物により阻害され得る他のキナーゼには、血小板由来増殖因子受容体（ＰＤＧＦ−Ｒ）、繊維芽細胞増殖因子受容体（ＦＧＦ−Ｒ）、インスリン様成長因子Ｉ型受容体（ＩＧＦ−ＩＲ）、とりわけＥｐｈＢ４受容体のようなＥｐｈ受容体、ｃ−Ｋｉｔ、Ｍｅｔ、ｃ−Ｓｒｃ、Ｒａｆおよびｒａｓが含まれる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３８４】
アビセルは、微結晶セルロースである（ＦＭＣ、Ｐｈｉｌａｄｅｌｐｈｉａ、ＵＳＡ）。
ＰＶＰＰＸＬは、架橋されたポリビニルポリピロリドンである（ＢＡＳＦ、Ｇｅｒｍａｎｙ）。
エアロジルは、二酸化ケイ素である（Ｄｅｇｕｓｓａ、Ｇｅｒｍａｎｙ）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月22日(2008.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二つの可変軽鎖（ＶＬ）領域および二つの可変重鎖（ＶＨ）領域を含む免疫グロブリンまたはその免疫学的活性部分である単離されたドメイン交換結合分子であって、
少なくとも一つの非通常結合部位が隣接して配置されるＶＨ領域の間の界面によって形成され、
ドメイン交換結合分子が、２Ｇ１２免疫グロブリンまたはその免疫学的活性部分ではなく、
免疫グロブリンまたはその免疫学的活性部分が、ドメイン交換結合分子を形成する界面の形成のために分子の可変重鎖内にアミノ酸変異を含む、
単離されたドメイン交換結合分子。
【請求項２】
定常領域を含む免疫グロブリンである、請求項1記載のドメイン交換結合分子。
【請求項３】
糖質に対して親和性を有する、請求項1記載のドメイン交換結合分子。
【請求項４】
HIVに結合する、請求項1−3のいずれか一項記載のドメイン交換結合分子。
【請求項５】
前記部分がFab領域である、請求項1−4のいずれか一項記載のドメイン交換結合分子。
【請求項６】
Fab二量体である、請求項1記載のドメイン交換結合分子。
【請求項７】
病原体または腫瘍細胞に結合する、請求項1−6のいずれか一項記載のドメイン交換結合分子。
【請求項８】
アミノ酸変異が、kabatの番号付けに基づく抗体の残基１９、５７、７７および１１３の一つ以上で起こる、請求項1−7のいずれか一項記載のドメイン交換結合分子。
【請求項９】
アミノ酸変異が、kabatの番号付けに基づく抗体の１９位のイソロイシン（Ile）、５７位のアルギニン（Arg）、７７位のフェニルアラニン（Phe）および１１３位のプロリン（Pro）から選択される、請求項8記載のドメイン交換結合分子。
【請求項１０】
アミノ酸変異が、kabatの番号付けに基づく抗体の１９位のイソロイシン（Ile）、５７位のアルギニン（Arg）、７７位のフェニルアラニン（Phe）、１１３位のプロリン（Pro）、およびそれらの保存的変異から選択される、請求項8記載のドメイン交換結合分子。
【請求項１１】
アミノ酸変異が、kabatの番号付けに基づく抗体の残基３９、７０、７２、７９、８１および８４のいずれか一つ以上のアミノ酸変化からさらに選択される、請求項1−10のいずれか一項記載のドメイン交換結合分子。
【請求項１２】
アミノ酸変異が、kabatの番号付けに基づく抗体の３９位のアルギニン（Arg）、７０位のセリン（Ser）、７２位のアスパラギン（Asp）、７９位のチロシン（Tyr）、８１位のグルタミン（Glu）、８４位のバリン（Val）、およびそれらの保存的変化から選択される、請求項1−10のいずれか一項記載のドメイン交換結合分子。
【請求項１３】
可変重鎖中に変異を含む修飾２Ｇ１２抗体である、請求項1−12のいずれか一項記載のドメイン交換結合分子。
【請求項１４】
前記変異が抗原結合特異性を変える、請求項13記載のドメイン交換結合分子。
【請求項１５】
前記部分がFab領域である、請求項1−14のいずれか一項記載のドメイン交換結合分子。
【請求項１６】
請求項1−15のいずれか一項記載の複数のドメイン交換結合分子を含むライブラリー。
【請求項１７】
前記ライブラリーのドメイン交換結合分子が異なる抗原結合特異性を有する、請求項16記載のライブラリー。
【請求項１８】
以下の段階を含む、試料における病原体または腫瘍細胞を検出する方法：
（a）病原体により引き起こされる感染症または腫瘍もしくは転移疾患を有することが疑われる対象からの試料を、試料中の分子をドメイン交換結合分子に結合させるために適当な条件で十分な時間、請求項1−15のいずれか一項記載のドメイン交換結合分子に接触させる段階；および
（b）ドメイン交換結合分子が分子に結合すれば、試料に病原体または腫瘍細胞が存在することが示される、分子が結合したドメイン交換結合分子を検出する段階。
【請求項１９】
感染症または疾患がHIV誘導疾患である、請求項18記載の方法。
【請求項２０】
分子がHIV分子である、請求項18記載の方法。
【請求項２１】
感染症または疾患が腫瘍細胞である、請求項18記載の方法。
【請求項２２】
感染症または疾患が転移である、請求項18記載の方法。
【請求項２３】
ドメイン交換結合分子が担体に結合している、請求項18記載の方法。
【請求項２４】
接触する段階が遮断剤の存在下で行われる、請求項18記載の方法。
【請求項２５】
接触する段階が、ドメイン交換結合分子に対して親和性を有する検出可能に標識された抗体の存在下で行われる、請求項18記載の方法。
【請求項２６】
ドメイン交換結合分子がハプテンにカップリングされている、請求項18記載の方法。
【請求項２７】
ドメイン交換結合分子が、酵素、放射性同位元素、蛍光化合物、コロイド金属、化学発光化合物、燐光化合物、生物発光化合物、またはその組み合わせのいずれか一つによって標識される、請求項18記載の方法。
【請求項２８】
疾患または感染症を有することが疑われる対象からの試料における疾患または感染症の検出のための、請求項1−15のいずれか一項記載のドメイン交換結合分子の使用。
【請求項２９】
請求項1−15のいずれか一項記載のドメイン交換結合分子を含む薬学的組成物。
【請求項３０】
ドメイン交換結合分子が糖質に対して親和性を有する、請求項29記載の薬学的組成物。
【請求項３１】
ドメイン交換結合分子がHIVに結合する、請求項29記載の薬学的組成物。
【請求項３２】
ドメイン交換結合分子がCD20に結合する、請求項29記載の薬学的組成物。
【請求項３３】
薬学的に許容される担体をさらに含む、請求項29記載の薬学的組成物。
【請求項３４】
請求項1−15のいずれか一項記載の少なくとも一つのドメイン交換結合分子を含む、試料中の抗原の有無を決定するためのキット。
【請求項３５】
ドメイン交換結合分子の他に、個別包装された試薬として抗体をさらに含む、請求項34記載のキット。
【請求項３６】
感染症または疾患を有するまたはそれらのリスクを有する対象の治療に用いるための請求項29−33のいずれか一項記載の薬学的組成物。
【請求項３７】
ファージ、酵母、リボソーム提示システムで提示される、請求項16または17記載のライブラリー。
【請求項３８】
疾患または感染症を処置するための医薬の製造のための、請求項1−15のいずれか一項記載のドメイン交換結合分子の使用。
【請求項３９】
興味のある抗原を用いるスクリーニングのための、請求項16または17記載のライブラリーの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月29日(2007.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスの生産方法であって、
（ａ）半導体基板を準備し、
（ｂ）適当な注入によって、第１の深さを有する第１のアモルファス層を前記半導体基板の最上層に作成し、
（ｃ）第１のドーピングプロファイルを伴う前記第１のアモルファス層を設けるために前記半導体基板の中に第１のドーパントを注入し、
（ｄ）前記第１のアモルファス層を部分的に再成長させ、前記第１の深さより小さい第２の深さを有する第２のアモルファス層を形成し、前記第１のドーパントを活性化する第１の固相エピタキシャル再成長作用を適用し、
（ｅ）前記第１のドーピングプロファイルより高いドーピング濃度を伴う第２のドーピングプロファイルを伴う前記第２のアモルファス層を設けるために前記半導体基板の中に第２のドーパントを注入し、
（ｆ）前記第２のアモルファス層を再成長させ、前記第２のドーパントを活性化するために、第２の固相エピタキシャル再成長作用を適用すること  を含む半導体デバイスの生産方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体デバイスの生産方法において、前記半導体基板はＳｉ基板であって、前記作用（ｂ）は、Ｇｅ、ＧｅＦ２、Ｓｉ、Ａｒ又はＸｅ原子のうち少なくとも１つを用いて行われる半導体デバイスの生産方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体デバイスの生産方法において、前記作用（ｂ）は、１０１５ ａｔｏｍｓ／ｃｍ２のドーズ量及び２ｋｅＶと３０ｋｅＶの間のエネルギーで、Ｇｅを用いて行われる半導体デバイスの生産方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体デバイスの生産方法において、前記作用（ｃ）は、３ｋｅＶと１０ｋｅＶの間のエネルギー及び１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ２のドーズ量で、Ｂ、Ｐ、Ａｓ及びＩｎのうち少なくとも１つを用いて行われる半導体デバイスの生産方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体デバイスの生産方法において、前記作用（ｄ）は、５５０〜７５０℃で数秒間行われる半導体デバイスの生産方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体デバイスの生産方法において、前記作用（ｅ）は、０．５ｋｅＶと３ｋｅＶの間のエネルギー及び１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２のドーズ量で、Ｂ、Ｐ、Ａｓ及びＩｎのうち少なくとも１つを用いて行われる半導体デバイスの生産方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体デバイスの生産方法において、最初のドーパントは、前記作用（ｂ）の前に、前記第１のアモルファス層よりも深く広がっているＨＡＬＯインプラント領域を設けるために注入される半導体デバイスの生産方法。
【請求項８】
固相エピタキシャル再成長技術によって作られる半導体デバイスであって、
第１の導電性プロファイルを有する第１の領域及び第２の導電性プロファイルを有する第２の領域を伴う半導体基板を含み、
前記第２の領域は、６〜１２ｎｍの厚さを有し、前記半導体基板の最上面に隣接して配置され、
前記第１の領域は、２〜６ｎｍの厚さを有し、前記第２の領域に隣接して配置され、
前記第２の導電性プロファイルは、前記第１の導電性プロファイルより低い導電性を有する半導体デバイス。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体デバイスであって、金属酸化膜半導体デバイスであることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１０】
固相エピタキシャル再成長技術によって作られる半導体デバイスを備える装置であって、
前記半導体デバイスは、
第１の導電性プロファイルを有する第１の領域及び第２の導電性プロファイルを有する第２の領域を伴う半導体基板を含み、
前記第２の領域は、６〜１２ｎｍの厚さを有し、前記半導体基板の最上面に隣接して配置され、
前記第１の領域は、２〜６ｎｍの厚さを有し、前記第２の領域に隣接して配置され、
前記第２の導電性プロファイルは、前記第１の導電性プロファイルより低い導電性を有する装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の装置であって、
前記半導体デバイスは、金属酸化膜半導体デバイスであることを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月21日(2007.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソードと、アノードと、その間の発光層とを備えるエレクトロルミネセントデバイスであって、前記発光層がホスト材料とリン光発光材料とを含み、前記ホスト材料が式（１）：
Ｘ’−Ａ−Ｘ’’（１）
によって示され、
式中、
Ａが、非置換フェニレン環、ビフェニレン基、テルフェニレン基、ナフチレン基およびフルオレン基からなる群より選択され；そして
各々のＸ’およびＸ’’が、独立して選択された、オルト芳香族置換基を保有する芳香族基である、エレクトロルミネセントデバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイスであって、
Ａが、非置換フェニレン環、ビフェニレン基、テルフェニレン基、およびフルオレン基からなる群より選択され；そして
各々のＸ’およびＸ’’が、独立して選択された、オルト芳香族置換基を保有する芳香族基であり、かつＸ’およびＸ’’が芳香族縮合環を有する置換基を含まない、エレクトロルミネセントデバイス。
【請求項３】
前記発光層が、２−メチル−８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体を含む層に隣接される、請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項４】
式（１）の各々のＸ’およびＸ’’が、独立して選択された、各々２つのオルト芳香族置換基を保有する芳香族基である、請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項５】
前記ホスト材料の三重項エネルギーが、該リン光発光材料の三重項エネルギーよりも高い、請求項１に記載の発光層。
【請求項６】
ホスト材料とリン光発光材料とを含む請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイスであって、前記ホスト材料が、式（１ａ）
【化１】
2007515063.tif 000001
によって示され、
式中
Ａｒ1−Ａｒ4が独立して選択される芳香族基であり；そして
Ｘ1−Ｘ6が水素であるか、または独立して選択される置換基である、
エレクトロルミネセントデバイス。
【請求項７】
前記ホスト材料が式（１ｂ）
【化２】
2007515063.tif 000002
によって提示され、
式中、
Ａｒ1−Ａｒ10が独立して選択される芳香族基である、
請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項８】
請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイスであって、
Ａが以下の基：
【化３】
2007515063.tif 000003
のうちの１つの二価型によって提示され、
式中
各々のＺaが独立して選択される置換基であり、各々のｎが独立して０〜４であり、かつ各々のｍが独立して０〜３であり；そして
ＲaおよびＲbが独立して置換基を表す、エレクトロルミネセントデバイス。
【請求項９】
前記リン光材料が緑色光を発し、かつ前記ホスト材料が式（１ａ）によって提示され、ここでＡが以下の基：
【化４】
2007515063.tif 000004
のうちの１つの二価型によって提示され、
式中
各々のＺaが独立して選択される置換基であり、各々のｎが独立して０〜４であり、かつ各々のｍが独立して０〜３であり；そして
ＲaおよびＲbが独立して置換基を表す、請求項６に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項１０】
リン光性の緑色発光材料が存在し、かつ前記ホスト材料が式（１ｂ）によって提示され、ここでＡが以下の基：
【化５】
2007515063.tif 000005
のうちの１つの二価型によって示され、
式中
各々のＺaが独立して選択される置換基であり、かつ各々のｎが独立して０〜４であり、かつ各々のｍが独立して０〜３であり；そして
ＲaおよびＲbが独立して置換基を表す、請求項７に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項１１】
リン光性の赤色発光材料が存在し、かつ前記ホスト材料が式（１）によって提示され、ここでＡが以下の基：
【化６】
2007515063.tif 000006
のうちの１つの二価型によって示され、
式中
各々のＺaが独立して選択される置換基であり、かつ各々のｎが独立して０〜４であり、かつ各々のｍが独立して０〜３であり；そして
ＲaおよびＲbが独立して置換基を表す、請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項１２】
前記リン光材料が赤色光を発し、かつ前記ホスト材料が式（１ａ）によって提示され、ここでＡが以下の基：
【化７】
2007515063.tif 000007
のうちの１つの二価型によって提示され、
式中
各々のＺaが独立して選択される置換基であり、かつ各々のｎが独立して０〜４であり、かつ各々のｍが独立して０〜３であり；そして
ＲaおよびＲbが独立して置換基を表す、請求項６に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月10日(2007.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソード、アノード、電解質、および、ＲＦＩＤトランスポンダーを備える燃料電池でであって、該トランスポンダーは、該燃料電池の動作パラメータに関する情報を感知し、送信するように構成されている、燃料電池。
【請求項２】
前記動作パラメータが閾値未満に下がるとき、前記トランスポンダーがその識別を送信するように構成されている、請求項１に記載の燃料電池。
【請求項３】
前記動作パラメータが閾値を超えるとき、前記トランスポンダーがその識別を送信するように構成されている、請求項１に記載の燃料電池。
【請求項４】
前記動作パラメータが、セルのインピーダンスである、請求項１に記載の燃料電池。
【請求項５】
前記動作パラメータが、基準電極と、前記カソードおよび前記アノードから選択された電極との間の半セル電圧である、請求項１に記載の燃料電池。
【請求項６】
前記トランスポンダーが、前記基準電極を備える電圧センサを備える、請求項５に記載の燃料電池。
【請求項７】
前記動作パラメータが、スタック圧縮度である、請求項１に記載の燃料電池。
【請求項８】
前記動作パラメータが、反応剤流速である、請求項１に記載の燃料電池。
【請求項９】
前記動作パラメータが、反応剤中の不純物濃度である、請求項１に記載の燃料電池。
【請求項１０】
前記トランスポンダーが、前記燃料電池の１つを超す動作パラメータに関する情報を感知し、送信するように構成されている、請求項１に記載の燃料電池。
【請求項１１】
前記トランスポンダーが、受動的である、請求項１に記載の燃料電池。
【請求項１２】
請求項１に記載の燃料電池を複数個備える燃料電池スタックであって、該複数の燃料電池は、電気的に直列接続されている、燃料電池スタックと、
前記トランスポンダーから送信された情報を受信する読み取り機と
を備える、燃料電池システム。
【請求項１３】
前記動作パラメータが、セル電圧であり、
該セル電圧が閾値未満に下がるとき、前記トランスポンダーのそれぞれが、その識別を前記読み取り機に送信するように構成されており、
該セル電圧が該閾値を上回っているとき、該トランスポンダーのそれぞれが休止状態である、請求項１２に記載の燃料電池システム。
【請求項１４】
各燃料電池は、電気化学的に不活性なマニフォールド部をさらに備え、
前記燃料電池スタックは、複数のフローフィールドプレートを備える燃料電池スタックをさらに備え、
該複数のフローフィールドプレートは、各燃料電池が２つのフローフィールドプレートの間に置かれるように配置されており、
各トランスポンダーが、該燃料電池の該マニフォールド部に置かれ、
各トランスポンダーは、カソード圧コンタクトパッドとアノード圧コンタクトパッドとを有するセンサを備え、
該カソード圧コンタクトパッドと該アノード圧コンタクトパッドとは、該マニフォールド部の互いに向き合う面に装着され、該２つの隣接するフローフィールドプレートに電気的に接触する、請求項１２に記載の燃料電池システム。
【請求項１５】
前記トランスポンダーが、前記膜電極接合体の前記マニフォールド部の中にモールド形成されている、請求項１４に記載の燃料電池システム。
【請求項１６】
１つを超える読み取り機を備える、請求項１２に記載の燃料電池システム。
【請求項１７】
燃料電池の動作パラメータをモニターする方法であって、該方法は、
該動作パラメータに関する情報を感知し、送信するように構成されたＲＦＩＤトランスポンダーを、該燃料電池内に組み込むことと、
該動作パラメータを感知することと、
該動作パラメータに関する情報を読み取り機に送信することと
を包含する、方法。
【請求項１８】
前記燃料電池の動作パラメータをモニターすることは、燃料電池スタックの個々の燃料電池における電圧反転を目的に該燃料電池スタックをモニターすることであり、
前記方法は、
前記セル電圧に関する情報を感知し、送信するように構成されたＲＦＩＤトランスポンダーを、該スタック中の各燃料電池に組み込むことと、
該セル電圧を感知することと、
該セル電圧に関する情報を読み取り機に送信することと
を包含する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記方法は、前記感知されたセル電圧が閾値未満に下がったとき、燃料電池の前記トランスポンダーの識別を送信することを包含し、
該セル電圧が該閾値を上回っているとき、各燃料電池の該トランスポンダーが休止状態である、請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月14日(2007.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路ヒューズであって：
接合部で接する基体内のＰ型領域とＮ型領域；
Ｐ型領域とＮ型領域上に在って、接合部を覆う導電層；および
前記接合部の対向するそれぞれの側に在る、導電層に対する第１と第２の回路接続部であって、ヒューズプログラム信号に応答して、前記接合部において導電層を開放するために十分な電流を、第１と第２の回路接続部の間の導電層に供給するための前記回路接続部
を具備する、前記集積回路ヒューズ。
【請求項２】
Ｐ型領域、Ｎ型領域が、それぞれＰ型拡散、Ｎ型拡散を含む、請求項１に記載の集積回路ヒューズ。
【請求項３】
Ｐ型領域およびＮ型領域が、基体内のＮ−ｗｅｌｌに形成される、請求項１に記載の集積回路ヒューズ。
【請求項４】
導電層がケイ素化合物の層、金属層またはタングステン層を含む、請求項１に記載の集積回路ヒューズ。
【請求項５】
導電層が、電気エネルギーが与えられると接合部を開放するように成形される、請求項１に記載の集積回路ヒューズ。
【請求項６】
接合部上に遮蔽体をさらに具備する、請求項１に記載の集積回路ヒューズ。
【請求項７】
集積回路ヒューズを製造する方法であって：
接合部で接する基体Ｐ型領域および基体Ｎ型領域を形成すること；
Ｐ型領域およびＮ型領域上に導電層を形成すること；および
ヒューズプログラム信号に応答して、前記接合部において導電層を開放するために十分な電気エネルギーを与えるために、前記導電層を電気エネルギー源に接続すること
を含む、前記方法。
【請求項８】
Ｐ型領域、Ｎ型領域を形成することが、それぞれＰ型拡散、Ｎ型拡散を形成することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
基体内においてＰ型拡散およびＮ型拡散をＮ−ｗｅｌｌに形成することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
導電層を形成することが、ケイ素化合物の層、金属の層またはタングステンの層を形成することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
導電層を形成することが、所望のヒューズプログラム条件が提供されるように導電層の幅および厚さを制御することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
導電層を形成することが、所望のヒューズプログラム条件が提供されるように導電層の形状を制御することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
導電層を形成することが、所望のヒューズプログラム条件が提供されるようにマスキング層で導電層をパターン化することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
導電層を形成することが、接合部にわたって電流密度が向上されるように導電層をパターン化することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
導電層を接続することが、接合部の対向するそれぞれの側にある導電層、Ｐ型領域およびＮ型領域に対する接続部を提供することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１６】
接合部上に遮蔽体を形成することをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１７】
集積回路ヒューズであって：
基体内においてＮ−ｗｅｌｌに形成され、接合部で接する、Ｐ型拡散およびＮ型拡散；
Ｐ型拡散およびＮ型拡散上に在って、接合部を覆うケイ素化合物の層；および
前記接合部の対向するそれぞれの側に在る、ケイ素化合物の層に対する第１と第２の回路接続部であって、ヒューズプログラム信号に応答して、前記接合部においてケイ素化合物の層を開放するために十分な電流を、第１と第２の回路接続部の間のケイ素化合物の層に供給するための前記回路接続部
を具備する、集積回路ヒューズ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2007515072.tif 000001
【図２】
2007515072.tif 000002
【図３】
2007515072.tif 000003
【図４】
2007515072.tif 000004
【図５】
2007515072.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月13日(2007.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
購入用の電子装置の盗難の頻度を低減する方法であって、
購入用の電子装置を一意的に識別する第１のコードを生成することであって、該第１のコードは、該装置の製造中に該装置の製造業者にのみ知られている、ことと、
第２のコードを生成することと、
該第２のコードを含むパスワードを該第１のコードに埋め込むことと、
該装置内の不揮発性位置内にある保護された領域であって、製造供給元に固有な命令の使用によってのみアクセス可能である保護された領域に該第２のコードを格納することと、
該装置の購入の間に、該装置が制御器を備えているか否かを決定することと、
該装置が制御器を備えている場合に、該制御器が、解読されたパスワードへと解読される暗号化されたバージョンのパスワードを受信することと、
該解読されたパスワードの一部分と該格納されたコードとを比較することと、
該解読されたパスワードの一部分と該格納されたコードとの比較が成功した場合に、該装置の起動を許可することと
を包含する、方法。
【請求項２】
購入用の電子装置の盗難の頻度を低減する方法であって、
購入用の電子装置を一意的に識別するコードを生成することと、
該コードを用いて該装置を認証することと、
該装置の購入の間に、該装置が制御器を備えているか否かを決定することと、
該装置の購入の間で、かつ該装置が制御器を備えている場合に、暗号化された通信であって、該制御器によって解読される通信を介して無線周波数（ＲＦ）を用いた該装置の動作を可能にすることと、
該認証がない場合に、該装置の動作を可能にさせないことと
を包含する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月10日(2007.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ反応室内で半導体基板支持体を取り囲むように構成された、温度調整されたホットエッジリングアセンブリであって、
導電性材料で作られた下部リングと、
セラミックの中間リングであって、前記下部リングの上に横たわり、前記下部リングを介して前記基板支持体内に組み込まれたＲＦ電極に取り付けられるように構成された中間リングと、
上部リングであって、前記中間リングの上に横たわり、前記プラズマ反応室の内部に露出した上面を有する上部リングと、
を備え、
前記下部リングは、前記ＲＦ電極と直接接触していることを特徴とするアセンブリ。
【請求項２】
前記中間リングは、酸化アルミニウムで作られていることを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記中間リングは、石英、シリコン、炭化ケイ素又は酸化アルミニウムで作られていることを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記下部リングは、アルミニウム又はその合金で作られていることを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記下部リングは、アルミニウム、アルミニウム合金、真鍮、銅、銅合金又はステンレスで作られていることを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項６】
前記上部リングの下面は、熱伝導性のエラストマーを介して前記中間リングの上面に接合されていることを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項７】
前記下部リングは、前記下部リングを前記ＲＦ電極にボルトで固定するように構成された複数の穴を有することを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項８】
前記下部リング及び前記中間リングは、前記中間リングを前記下部リングにボルトで固定するよう構成された複数の穴を有することを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記下部リングは、実質的にＬ字形の断面を有することを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
一端にテーパーヘッドを有し、他端にねじ山を有する第１のボルトを更に備え、
前記第１のボルトは、前記下部リングを前記ＲＦ電極にボルトで固定するよう構成されていることを特徴とする請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項１１】
一端にヘッドを有し、他端にねじ山を有する第２のボルトを更に備え、
前記第２のボルトは、前記中間リングを前記下部リングにボルトで固定するよう構成されていることを特徴とする請求項８に記載のアセンブリ。
【請求項１２】
一端にヘッドを有し、他端にねじ山を有するボルトを受けるよう構成された導電性のワッシャーを更に備え、
前記導電性のワッシャーは、前記上部リングと前記中間リングとの間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１３】
前記上部リング内に複数の穴を更に有し、
前記複数の穴は、キャップを受け、
前記キャップは、前記エッジリングアセンブリ内部の圧力を放出するよう構成された通気孔を有することを特徴とする請求項１２に記載のアセンブリ。
【請求項１４】
前記上部リングは、シリコン、炭素、黒鉛又は炭化ケイ素で作られていることを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１５】
前記上部リングは、基板が前記基板支持体の上に配置されるときに、前記基板の下に延びる部分を有することを特徴とする請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１６】
プラズマ処理装置であって、
半導体基板を処理するように構成された処理チャンバと、
前記基板を処理するために、前記処理チャンバの内部の処理ガスにエネルギーを与えてプラズマ状態にする電源と、
前記処理チャンバの内部の前記基板を支持する基板支持体であって、ＲＦ電極を含む基板支持体と、
導電性材料で作られた下部リングと、
セラミックの中間リングであって、前記下部リングの上に横たわり、前記下部リングを介して前記ＲＦ電極に取り付けられるように構成された中間リングと、
前記基板を取り囲むように構成された上部リングであって、前記中間リングの上に横たわり、前記処理チャンバの内部に露出した上面を有する上部リングと、
を備え、
前記下部リングは、前記ＲＦ電極と直接接触していることを特徴とする装置。
【請求項１７】
前記上部リングは、熱伝導性のエラストマーによって前記中間リングに接合されていることを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記下部リングは、アルミニウム又はその合金で作られていることを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【請求項１９】
前記中間リングは、酸化アルミニウムで作られていることを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【請求項２０】
前記上部リングは、石英、シリコン、炭化ケイ素、黒鉛及びアルミニウムで構成されるグループから選択される材料で作られていることを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【請求項２１】
前記プラズマチャンバは、半導体プラズマエッチング装置であることを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【請求項２２】
前記上部リングを取り囲む石英外部リングを更に備えることを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【請求項２３】
プラズマ処理システム内の複数の基板の上のプロセスドリフトを低減する方法であって、
請求項１６に記載の前記プラズマ処理装置内に基板を配置する工程と、
前記チャンバに処理ガスを供給する工程と、
前記基板支持体の上面の近傍にプラズマを形成する工程と、
前記プラズマ処理装置内の複数の基板を順次処理する工程と、
を含み、
前記上部リングの温度は、プロセスドリフトを低減するために、前記基板支持体から第１の基板が取り除かれた後で、かつ、前記基板支持体に次の基板が配置される前に、実質的に初期の温度まで冷却されることを特徴とする方法。
【請求項２４】
前記基板は、半導体ウエハを含み、
前記処理する工程は、前記プラズマを用いて前記半導体ウエハをエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記下部リングは、アルミニウム、アルミニウム合金、真鍮、銅、銅合金又はステンレスで作られていることを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月16日(2007.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）式−ＳＯ2Ｘ（各Ｘが独立して、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、−ＯＨまたは−Ｏ−ＳＯ2Ｒ2から選択され、Ｒ2が、１〜１８個の炭素原子を含有する脂肪族基であり、置換されてもよい）の基を含有する側基を含む高フッ素化ポリマーを提供する工程と、
ｂ）前記ポリマーを式ＡｒnＲ1（各Ａｒが独立して、６〜２４個の炭素または窒素原子を含有する芳香族基から選択され、各Ａｒが置換されてもよく、Ｒ1が直接結合または芳香族もしくは脂肪族結合基であり、Ｒ1が直鎖、分岐状、環状、ヘテロ原子、ポリマー、ハロゲン化、フッ素化されるかまたは置換されてもよく、ｎが少なくとも２である）の架橋剤と反応させて架橋を形成する工程と、を含む、架橋ポリマーの製造方法。
【請求項２】
ａ）式−ＳＯ2Ｘ（各Ｘが独立して、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、−ＯＨまたは−Ｏ−ＳＯ2Ｒ2から選択され、Ｒ2が、１〜１８個の炭素原子を含有する脂肪族基であり、置換されてもよい）の基を含有する第１の側基と、基−Ａｒ（各Ａｒが独立して、６〜２４個の炭素または窒素原子を含有する芳香族基から選択され、各Ａｒが置換されてもよい）を含有する第２の側基とを含む高フッ素化ポリマーを提供する工程と、
ｂ）前記ポリマーを反応させて前記第１および第２の側基の間の架橋を形成する工程と、を含む、架橋ポリマーの製造方法。
【請求項３】
スルホン酸基を含む主鎖、側基と、式（−ＳＯ2Ａｒ）nＲ1（各Ａｒが独立して、６〜２４個の炭素または窒素原子を含有する芳香族基から選択され、各Ａｒが置換されてもよく、Ｒ1が直接結合または芳香族もしくは脂肪族結合基であり、Ｒ1が直鎖、分岐状、環状、ヘテロ原子、ポリマー、ハロゲン化、フッ素化されるかまたは置換されてもよく、ｎが少なくとも２である）の単位を含む架橋とを含む、高フッ素化架橋ポリマー。
【請求項４】
スルホン酸基を含む主鎖、側基と、式−ＳＯ2Ａｒ−（各Ａｒが独立して、６〜２４個の炭素または窒素原子を含有する芳香族基から選択され、各Ａｒが置換されてもよい）の単位を含む架橋とを含む、高フッ素化架橋ポリマー。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月20日(2007.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の部分の、フリーラジカル発生種を形成することができる有機ホウ素化合物並びに第二の部分の、１種又はそれ以上のフリーラジカル重合が可能な化合物並びにａ）重合性組成物の０．０１重量％より多い量で存在する、少なくとも１種のキノン構造を含有する化合物又はｂ）二部分型重合性組成物の１重量％より多く４重量％までの量で存在する、少なくとも１種の、少なくとも１個の芳香族環及び１個又はそれ以上の、ヒドロキシル、エーテル及び両方から選択された、芳香族環上の置換基を含有する化合物及び二部分型重合性組成物の重量基準で０．５〜８重量％の量で存在する、過酸化物部分を有する化合物を含む硬化促進剤を含んでなる二部分型重合性組成物。
【請求項２】
第二の部分に、第一及び第二の部分を接触させた際に、有機ホウ素化合物を脱錯化させることができる脱錯化剤を更に含む請求項１に記載の二部分型組成物。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の重合性組成物の成分を、フリーラジカル重合が可能な１種又はそれ以上のモノマーが重合されるような条件下で接触させることを含んでなる方法。
【請求項４】
更に、前記組成物を、高温度において、有機ホウ素アミン錯体が解離するような条件下で加熱する工程を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
２個又はそれ以上の基体を一緒に接着させる方法であって、
請求項１又は２に記載の組成物の成分を、重合が開始するような条件下で、一緒に接触させる工程、
接着組成物を２個又はそれ以上の基体と接触させる工程、
２個又はそれ以上の基体を、接着組成物が２個又はそれ以上の基体（これらは、互いに接触状態にある）の間に位置するように配置する工程及び
接着剤を硬化させ、そして２個又はそれ以上の基体を一緒に接着させる工程を含んでなる方法。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の組成物を含んでなる被覆組成物。
【請求項７】
基体の間に配置され、そしてそれぞれの基体に接着された、請求項１又は２に記載の組成物を有する少なくとも２個の基体を含んでなる積層体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
実施例は、酸化されたビス（水素化タロウアルキル）アミンが、他の種類の安定剤の安定性を増強することを示す。この状況は、ブレンド又は単独で使用しても真実である。
以下に本発明の実施態様を記載する。
態様１．第一の部分の、フリーラジカル発生種を形成することができる有機ホウ素化合物並びに第二の部分の、１種又はそれ以上のフリーラジカル重合が可能な化合物並びにａ）少なくとも１種のキノン構造を含有する化合物又はｂ）少なくとも１種の、少なくとも１個の芳香族環及び１個又はそれ以上の、ヒドロキシル、エーテル及び両方から選択された、芳香族環上の置換基を含有する化合物及び過酸化物部分を有する化合物を含む硬化促進剤を含んでなる二部分型重合性組成物。
態様２．第二の部分に、第一及び第二の部分を接触させた際に、有機ホウ素化合物を脱錯化させることができる脱錯化剤を更に含む態様１に記載の二部分型組成物。
態様３．芳香族化合物が２個又はそれ以上の、ヒドロキシル、エーテル又は両方の置換基を有し、これらの置換基が互いにオルト又はパラに位置している態様１又は２に記載の組成物。
態様４．有機ホウ素化合物が有機ボレート又は有機ホウ素アミン錯体である態様１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
態様５．過酸化物含有化合物が過酸化物及びヒドロペルオキシドの群から選択される態様１〜４のいずれか１項に記載の二部分型組成物。
態様６．前記促進剤が、１個又はそれ以上の、ヒドロキシル、エーテル又は両方の置換基を有する芳香族化合物であり、そして二部分型組成物の約０．１重量％〜約４重量％の量で存在し、そして過酸化物が、二部分型組成物の重量基準で、約０．５重量％〜約８重量％の量で存在する態様１〜５のいずれか１項に記載の二部分型組成物。
態様７．前記促進剤がキノン含有化合物であり、そして樹脂部分の組成物の約０．１重量％〜約４．０重量％の量で存在する態様１〜５のいずれか１項に記載の二部分型組成物。
態様８．態様１〜７のいずれか１項に記載の重合性組成物の成分を、フリーラジカル重合が可能な１種又はそれ以上のモノマーが重合されるような条件下で接触させることを含んでなる方法。
態様９．更に、前記組成物を、高温度において、有機ホウ素アミン錯体が解離するような条件下で加熱する工程を含む、態様８に記載の方法。
態様１０．２個又はそれ以上の基体を一緒に接着させる方法であって、
態様１〜７のいずれか１項に記載の組成物の成分を、重合が開始するような条件下で、一緒に接触させる工程、
接着組成物を２個又はそれ以上の基体と接触させる工程、
２個又はそれ以上の基体を、接着組成物が２個又はそれ以上の基体（これらは、互いに接触状態にある）の間に位置するように配置する工程及び
接着剤を硬化させ、そして２個又はそれ以上の基体を一緒に接着させる工程を含んでなる方法。
態様１１．低表面エネルギーポリマーの表面の変性方法であって、態様１〜７のいずれか１項に記載の組成物を、低表面エネルギーポリマーの表面の一部と接触させ、そして有機ホウ素アミン錯体を解離させ、それによってモノマー、オリゴマー、ポリマー又はこれらの混合物の重合を開始させ、そうして形成されたポリマーが、低表面エネルギーポリマーの表面上に存在するようにする変性方法。
態様１２．態様１〜７のいずれか１項に記載の組成物の成分を接触させる工程、接触させた組成物を、基体の１個又はそれ以上の表面と接触させる工程及び被覆組成物を硬化させる工程を含んでなる基体の被覆方法。
態様１３．態様１〜７のいずれか１項に記載の組成物を含んでなる被覆組成物。
態様１４．基体の間に配置され、そしてそれぞれの基体に接着された、態様１〜７のいずれか１項に記載の組成物を有する少なくとも２個の基体を含んでなる積層体。