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【手続補正書】
【提出日】平成30年11月27日(2018.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つまたは複数の光学的に切り替え可能な窓の光学的状態を制御し、
アプリケーションプログラミングインターフェース（ＡＰＩ）により、照明システム、暖房／換気／空調システム（ＨＶＡＣシステム）、セキュリティシステム及び家電機器制御システムからなる群から選択された少なくとも１つの他のシステムと直接相互作用するように構成される、窓制御システム。
【請求項２】
前記窓制御システムが、少なくとも１つの光学的に切り替え可能な窓の遷移を制御するように構成される窓制御装置を含む、請求項１に記載の窓制御システム。
【請求項３】
前記窓制御システムが、ネットワークを介して通信するように構成される１つまたは複数の窓制御装置と電気通信を行う複数のエレクトロクロミック窓を含む、請求項２に記載の窓制御システム。
【請求項４】
前記少なくとも１つの他のシステムが前記家電機器制御システムである、請求項１から３のいずれか一項に記載の窓制御システム。
【請求項５】
前記少なくとも１つの他のシステムが前記ＨＶＡＣシステムである、請求項１から３のいずれか一項に記載の窓制御システム。
【請求項６】
ビル管理システムが前記ＨＶＡＣシステムを制御するように構成され、前記窓制御システムと前記ビル管理システムが通信することを許可するように前記ＡＰＩが構成される、請求項５に記載の窓制御システム。
【請求項７】
前記少なくとも１つの他のシステムが前記照明システムである、請求項１から３のいずれか一項に記載の窓制御システム。
【請求項８】
前記窓制御システム及び前記少なくとも１つの他のシステムが、前記窓制御システムによって取得されたか、または生成されたデータを、前記少なくとも１つの他のシステムに提供するように構成される、請求項１から７のいずれか一項に記載の窓制御システム。
【請求項９】
前記窓制御システムが前記少なくとも１つの他のシステムの１つまたは複数の装置を制御するように、前記窓制御システム及び前記少なくとも１つの他のシステムが構成される、請求項１から８のいずれか一項に記載の窓制御システム。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの他のシステムが前記窓制御システムの１つまたは複数の装置を制御するように、前記窓制御システム及び前記少なくとも１つの他のシステムが構成される、請求項１から９のいずれか一項に記載の窓制御システム。
【請求項１１】
前記窓制御システムの前記装置が、センサ及び／または光学的に切り替え可能な窓を含む、請求項１０に記載の窓制御システム。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの他のシステムが、前記ＨＶＡＣシステムまたは前記照明システムを含む、請求項１１に記載の窓制御システム。
【請求項１３】
窓制御システムにより、１つまたは複数の光学的に切り替え可能な窓の光学的状態を制御することと、
前記窓制御システムにより、アプリケーションプログラミングインターフェース（ＡＰＩ）を用いて、照明システム、暖房／換気／空調システム（ＨＶＡＣシステム）、セキュリティシステム及び家電機器制御システムからなる群から選択された少なくとも１つの他のシステムと直接相互作用することと、を含む、
方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの他のシステムと直接相互作用することは、
（ｉ）前記少なくとも１つの他のシステムから通信を受信することであって、前記通信は、前記窓制御システムと前記少なくとも１つの他のシステムとの間で通信するために前記ＡＰＩによって規定されたフォーマットを有する、前記通信を受信すること、および
前記窓制御システムにおいて、前記通信に含まれる複数の命令および／またはデータを用いて１または複数の操作を実行することと、
（ｉｉ）前記少なくとも１つの他のシステムへ通信を送信することであって、前記通信は、前記窓制御システムと前記少なくとも１つの他のシステムとの間で通信するために前記ＡＰＩによって規定されたフォーマットを有し、前記少なくとも１つの他のシステムは、前記通信に含まれる複数の命令および／またはデータを用いて１または複数の操作を実行する、前記通信を送信することと、
のうちの一方または両方を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記窓制御システムが、ネットワークを介して通信するように構成される１つまたは複数の窓制御装置との電気通信を行う複数のエレクトロクロミック窓を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの他のシステムが、前記家電機器制御システムである、請求項１３から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの他のシステムが、前記ＨＶＡＣシステムである、請求項１３から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
ビル内の管理システムが前記ＨＶＡＣシステムを制御するように構成され、前記ＨＶＡＣシステムが前記窓制御システムから前記ＡＰＩを介して前記通信を受信する、請求項１４に従属する請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの他のシステムが、前記照明システムである、請求項１３から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記少なくとも１つの他のシステムが前記窓制御システムから前記通信を受信し、前記通信が前記窓制御システムによって取得されたか、または生成されたデータを提供する、請求項１４に従属する請求項１３から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記少なくとも１つの他のシステムが前記窓制御システムから前記通信を受信し、前記通信が、前記少なくとも１つの他のシステムの１つまたは複数の装置を制御するための、前記窓制御システムからの命令を含む、請求項１４に従属する請求項１３から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記窓制御システムが前記少なくとも１つの他のシステムから前記通信を受信し、前記通信が、前記窓制御システムの１つまたは複数の装置を制御するための、前記少なくとも１つの他のシステムからの命令を含む、請求項１４に従属する請求項１３から２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記窓制御システムの前記装置が、センサ及び／または光学的に切り替え可能な窓を含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記少なくとも１つの他のシステムが、前記ＨＶＡＣシステムまたは前記照明システムを含む、請求項２３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月15日(2019.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバのためのチャンバ部品であって
一体型のモノリシック構造を有し、テクスチャ加工面を有する構成部品本体
を備えるチャンバ部品であり、前記テクスチャ加工面が、
前記テクスチャ加工面から延在する、前記構成部品本体と一体的に形成されたマクロ特徴本体を含む、複数の独立した工学加工されたマクロ特徴、を備え、前記工学加工されたマクロ特徴は、視線面が、前記テクスチャ加工面にわたり前記工学加工されたマクロ特徴間で形成されないようにするパターンで配置される、
チャンバ部品。
【請求項２】
前記工学加工されたマクロ特徴が、
前記工学加工されたマクロ特徴上に形成された複数の工学加工されたミクロ特徴
をさらに備える、請求項１に記載のチャンバ部品。
【請求項３】
前記ミクロ特徴が前記ミクロ特徴上に形成されたサブ特徴をさらに含む、請求項２に記載のチャンバ部品。
【請求項４】
前記マクロ特徴本体が、
アンダーカット
を備える、請求項１に記載のチャンバ部品。
【請求項５】
前記マクロ特徴本体が、
内部ボイド
を備える、請求項１に記載のチャンバ部品。
【請求項６】
前記マクロ特徴本体が螺旋形の形状を有する、請求項１に記載のチャンバ部品。
【請求項７】
前記マクロ特徴本体が、
もう１つの孔
を備える、請求項１に記載のチャンバ部品。
【請求項８】
前記マクロ特徴本体が、
前記構成部品本体にコンタクトして配置された第１の材料と、
前記第１の材料上に配置された第２の材料と、
を含む、請求項１に記載のチャンバ部品。
【請求項９】
前記工学加工されたマクロ特徴が、
前記工学加工されたマクロ特徴上に形成された複数の工学加工されていないミクロ特徴をさらに備える、請求項１に記載のチャンバ部品。
【請求項１０】
前記マクロ特徴本体が、
前記構成部品本体に面する表面
を備える、請求項１に記載のチャンバ部品。
【請求項１１】
前記マクロ特徴本体が、
隣接するマクロ特徴本体に面する前記マクロ特徴本体の表面上に形成された、工学加工されたミクロ特徴
を備える、請求項１に記載のチャンバ部品。
【請求項１２】
前記構成部品本体がチャンバライナー、プロセスキットリング、シールド、またはコイルスペーサを含む、請求項１に記載のチャンバ部品。
【請求項１３】
前記マクロ特徴本体が、
熱チョーク
を備える、請求項１に記載のチャンバ部品。
【請求項１４】
前記構成部品本体が、
複数の熱伝達フィンを有する内側表面と、
前記工学加工されたマクロ特徴が形成された外側表面と、
をさらに備える、請求項１に記載のチャンバ部品。
【請求項１５】
外側表面と、
頂部部分と、
底部部分と、
前記頂部部分に配置され、前記底部部分に向かって延在する開口部と、
前記開口部に隣接して配置された内側表面と、
前記頂部部分に近接し、前記外側表面と前記内側表面との間に配置された上部リップと、
前記外側表面上に形成された複数のマクロレベルの表面特徴と、
を備える、一体型のモノリシック構造を有する本体
を備え、前記マクロレベルの表面特徴は、視線面が、前記外側表面にわたり前記マクロレベルの表面特徴間で形成されないようにするパターンで配置される、処理チャンバのためのコイルスペーサのカップ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月6日(2018.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３次元（３Ｄ）物体の少なくとも一部のプリントのための装置であって、
プリント中に前記３Ｄ物体を支持するための導電性基体と、
前記導電性基体の上にワイヤを供給するためのワイヤ繰り出し機構と、
前記導電性基体と前記ワイヤ繰り出し機構の相対位置を制御するための１つまたは複数の機械式アクチュエータと、
前記ワイヤが前記導電性基体または前記導電性基体の上に以前に供給された前記ワイヤの材料の層に電気的に接続している間に前記ワイヤおよび前記導電性基体を通る前記ワイヤの一部を溶融させるのに十分な電流を供給するための電源と、
（ｉ）前記導電性基体と前記ワイヤ繰り出し機構の前記相対位置を調整するために前記１つまたは複数の機械式アクチュエータを制御するためおよび（ｉｉ）前記ワイヤが前記導電性基体または前記導電性基体の上に以前に供給された前記ワイヤの材料の前記層に電気的に接続している間に前記ワイヤおよび前記導電性基体を通る電流を供給し、前記ワイヤの前記一部を溶融させるのに十分な熱を発生させることで、前記導電性基体に隣接する前記３Ｄ物体の少なくとも前記一部をプリントするための前記電源を利用するための回路と
を備える、装置。
【請求項２】
前記回路が、前記１つまたは複数の機械式アクチュエータまたは前記電源のうちの少なくとも１つを制御するためのコンピュータベースのコントローラを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記コンピュータベースのコントローラがコンピュータメモリおよび３Ｄレンダリングモジュールを備え、前記コンピュータメモリが３次元構造物のコンピュータ表現を記憶し、前記３Ｄレンダリングモジュールが前記コンピュータ表現から連続する層に対応するデータのセットを抽出し、前記コントローラが、前記データに従って連続する層を形成することを前記機械式アクチュエータおよび前記電源に行わせる、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記ワイヤ繰り出し機構内に金属ワイヤをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記コンピュータベースのコントローラが蒸着中の前記３Ｄ物体の少なくとも前記一部の多孔度を制御する、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記コンピュータベースのコントローラが前記ワイヤおよび前記導電性基体または前記導電性基体の上に以前に供給された前記ワイヤの材料の前記層の間の接触抵抗を調整する、請求項２に記載の装置。
【請求項７】
前記回路が、前記接触抵抗に少なくとも部分的に基づいて、前記ワイヤが前記導電性基体または前記導電性基体の上に以前に供給された前記ワイヤの材料の前記層に電気的に接続している間に前記ワイヤを通る電流を供給し、前記ワイヤの前記一部を溶融させるのに十分な熱を発生させることで、前記導電性基体に隣接する前記３Ｄ物体の少なくとも前記一部をプリントするための前記電源の電力を制御する、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記コンピュータベースのコントローラが前記ワイヤおよび前記導電性基体を通る電流の流れにより十分なジュール加熱を生じるように前記ワイヤおよび前記導電性基体または前記導電性基体の上に以前に供給された前記ワイヤの材料の前記層の間の接触抵抗を調整する、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記コンピュータベースのコントローラが（ｉｉ）を１回以上繰り返すことによって前記導電性基体または前記導電性基体の上に以前に供給された前記ワイヤの前記層の上への前記ワイヤの追加部分の蒸着を指示する、請求項２に記載の装置。
【請求項１０】
前記コンピュータベースのコントローラが前記ワイヤ繰り出し機構を介して追加ワイヤを導き、前記追加ワイヤの少なくとも一部が前記導電性基体または前記導電性基体の上に以前に供給された前記ワイヤの材料の前記層の上に蒸着するように前記追加ワイヤを加熱する、請求項２に記載の装置。
【請求項１１】
前記コンピュータベースのコントローラがプリント中の前記ワイヤの引き戻しの速度を制御することによって前記３Ｄ物体の少なくとも前記一部のサイズを選択する、請求項２に記載の装置。
【請求項１２】
蒸着パラメータおよび／または前記ワイヤの前記一部の特性を測定するフィードバック制御ユニットをさらに備え、前記コンピュータベースのコントローラが前記蒸着パラメータおよび／または特性に従って前記３Ｄ物体の少なくとも前記一部のプリントを指示する、請求項２に記載の装置。
【請求項１３】
前記コンピュータベースのコントローラが前記３Ｄ物体の少なくとも前記一部のプリントの前に犠牲ラフト構造物の形成を指示し、前記犠牲ラフト構造物が（ａ）前記３Ｄ物体の少なくとも前記一部を前記導電性基体に固着し、かつ（ｂ）前記３Ｄ物体の少なくとも前記一部の前記導電性基体からの取り外しを可能にする、請求項２に記載の装置。
【請求項１４】
前記３Ｄ物体の少なくとも前記一部のプリントに続いて、前記コンピュータベースのコントローラが（ｉ）前記犠牲ラフト構造物の前記導電性基体からの取り外し、および（ｉｉ）前記犠牲ラフト構造物の前記３Ｄ物体の少なくとも前記一部からの分離を指示する、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記コンピュータベースのコントローラが前記３Ｄ物体の少なくとも前記一部の密度および多孔度よりも低くなるように前記犠牲ラフト構造物の密度および多孔度の少なくとも一つを選択する、請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
前記コンピュータベースのコントローラが前記３Ｄ物体の少なくとも一つの層の厚さよりも厚くなるように前記犠牲ラフト構造物の厚さを選択する、請求項１３に記載の装置。
【請求項１７】
前記ワイヤ繰り出し機構が前記ワイヤを前記導電性基体または前記導電性基体の上に以前に供給された前記ワイヤの材料の前記層に向けて導くための開口を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１８】
前記ワイヤがスプールから前記開口を通って導かれる、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記ワイヤ繰り出し機構が前記ワイヤを含む複数のワイヤを供給する、請求項１に記載の装置。
【請求項２０】
前記複数のワイヤが複数の異なる金属を含む、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記ワイヤがステンレス鋼、銅およびアルミニウムからなる群から選択される１つ以上の成分を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項２２】
前記ワイヤと電気的に接続する前記電源を用いて前記電流が前記ワイヤおよび前記導電性基体を通って流れる、請求項１に記載の装置。
【請求項２３】
前記電源が（ｉ）前記ワイヤ繰り出し機構を介して前記ワイヤに、および（ｉｉ）前記導電性基体に電気的に接続する、請求項１に記載の装置。
【請求項２４】
使用中に、前記３Ｄ物体の少なくとも前記一部が前記ワイヤおよび前記導電性基体または前記導電性基体の上に以前に供給された前記ワイヤの材料の前記層の間の接触抵抗に少なくとも部分的に起因する熱に応じて形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項２５】
前記回路は、前記ワイヤをジュール加熱するために前記電源を利用して前記導電性基体に隣接する前記３Ｄ物体の少なくとも前記一部をプリントする、請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月6日(2018.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なるキュリー温度ＴＣを有する連続の磁気熱量材料層を含む磁気熱量カスケードであって、
−  前記磁気熱量材料層は、低温側外層、高温側外層、及び前記低温側外層と前記高温側外層との間にある少なくとも３層の内層を含み、
−  前記磁気熱量カスケードの隣接磁気熱量材料層のそれぞれの対について、各交差温度が存在し、ここで、両方の各隣接磁気熱量材料層のエントロピーパラメーターｍΔＳは同一の交差点値を取り、エントロピーパラメーターｍΔＳは、前記各磁気熱量材料層の質量ｍと、前記各磁気熱量材料層の磁気相転移時の等温磁気エントロピー変化量ΔＳとの積として定義され、
−  前記内層のうち少なくとも２層は、互いに異なる質量ｍを有し、
−  隣接内層の全ての対におけるエントロピーパラメーターｍΔＳの全ての交差点値は、前記磁気熱量カスケードの隣接内層の全ての対における全ての交差点値の平均値に厳密に等しいか、±１５％の幅の範囲内にある、
磁気熱量カスケード。
【請求項２】
隣接内層の全ての対におけるエントロピーパラメーターｍΔＳの全ての交差点値が、前記磁気熱量カスケードの隣接内層の全ての対における全ての交差点値の平均値に厳密に等しいか、±１０％の幅の範囲内にある、請求項１に記載の磁気熱量カスケード。
【請求項３】
前記低温側外層とその隣接低温側内層によって構成される低温側外層対、又は前記高温側外層とその隣接高温側内層によって構成される高温側外層対、又は前記高温側外層と前記低温側外層との対が、磁気熱量カスケードの隣接内層の全ての対における全ての交差点値の平均値に厳密に等しいか、±１５％の幅の範囲内にある、エントロピーパラメーターｍΔＳの交差点値を示す、請求項１に記載の磁気熱量カスケード。
【請求項４】
−  前記磁気熱量カスケードの隣接磁気熱量層のそれぞれの対が、それらの各キュリー温度間における各キュリー温度差ΔＴＣを有し、更に、
−  前記高温側外層、又は前記低温側外層、又は前記高温側外層及び前記低温側外層両方が、前記内層のいずれと比較しても、より大きな、エントロピーパラメーターｍΔＳの最大値とキュリー温度差ΔＴＣとの比ｍΔＳ最大／ΔＴＣを示す、
請求項１又は２に記載の磁気熱量カスケード。
【請求項５】
前記高温側外層又は前記低温側外層が、前記内層のいずれと比較しても、少なくとも１％大きい量の比ｍΔＳ最大／ΔＴＣを示す、請求項４に記載の磁気熱量カスケード。
【請求項６】
前記高温側及び低温側外層の一方が、他方よりも大きな量の比ｍΔＳ最大／ΔＴＣを有し、前記高温側及び低温側外層の他方が、前記内層のいずれよりも大きな量の比ｍΔＳ最大／ΔＴＣを有する、請求項４に記載の磁気熱量カスケード。
【請求項７】
前記高温側層又は前記低温側層が、前記内層のいずれと比較しても、より小さな量のΔＴＣを示す、請求項４に記載の磁気熱量カスケード。
【請求項８】
前記高温側層又は前記低温側層が、０．５Ｋ以上である量のΔＴＣを示す、請求項７に記載の磁気熱量カスケード。
【請求項９】
前記高温側外層、又は前記低温側外層、又は前記高温側外層及び前記低温側外層両方が、それぞれ、少なくとも２層の高温側下位層又は低温側下位層の連続の下位層を含む、請求項１から８のうち少なくとも一項に記載の磁気熱量カスケード。
【請求項１０】
請求項１から９のうち少なくとも一項に記載の磁気熱量再生器。
【請求項１１】
請求項１０に記載の磁気熱量再生器を備えるヒートポンプ。
【請求項１２】
−  前記高温側外層と熱交換する高温側界面、
−  前記低温側外層と熱交換する低温側界面、及び
−  磁気熱量カスケードを介して前記高温側界面と前記低温側界面との間に熱伝達流体の流れを提供するように構成された熱伝達システム
を更に備え、
前記高温側外層のキュリー温度が前記ヒートポンプ動作時に前記高温側界面の温度よりも高くなるように選択されるか、前記低温側外層のキュリー温度が前記ヒートポンプ動作時に前記低温側界面の温度よりも低くなるように選択される、
請求項１１に記載のヒートポンプ。
【請求項１３】
磁気熱量カスケードの製造方法であって、
−  異なるキュリー温度ＴＣを有する異なる連続の磁気熱量材料層を製造する工程であって、前記磁気熱量材料層が、低温側外層、高温側外層、及び前記低温側外層と前記高温側外層との間にある少なくとも３層の内層を含む、工程と；
−  互いに異なる質量ｍを有する内層のうち少なくとも２層を製造する工程と
を含み、
−  前記磁気熱量カスケードの隣接磁気熱量材料層のそれぞれの対について、各交差温度が存在し、ここで、両方の各隣接磁気熱量材料層のポンピング能力エントロピーパラメーターｍΔＳは同一の交差点値を取り、エントロピーパラメーターｍΔＳは、前記各磁気熱量材料層の質量ｍと、前記各磁気熱量材料層の磁気相転移時の等温磁気エントロピー変化量ΔＳとの積として定義され、
更に、
−  隣接内層の全ての対におけるエントロピーパラメーターｍΔＳの全ての交差点値は、前記磁気熱量カスケードの隣接内層の全ての対における全ての交差点値の平均値に厳密に等しいか、±１５％の幅の範囲内にある、
磁気熱量カスケードの製造方法。
【請求項１４】
−  請求項１に記載の磁気熱量カスケードを備える磁気熱量再生器を使用してヒートポンピングシーケンスを実行する工程
を含む、ヒートポンピング方法。
【請求項１５】
−  前記ヒートポンピングシーケンスが、前記磁気熱量再生器の温度上昇を含み、前記ヒートポンピングシーケンスが、前記高温側外層のキュリー温度よりも０．５Ｋ〜５Ｋ高い温度にて動作するヒートシンクとの熱交換において実行される、
請求項１４に記載のヒートポンピング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
磁気熱量カスケード１０の連続の層は、図３及び図４により説明される以下の特定の特徴を有する。まず、図３は、従来技術によるカスケードの各磁気熱量材料層の磁気相転移時の質量加重等温磁気エントロピー変化ΔＳの温度依存性の概略図を示す。図３の図の基礎になる磁気熱量カスケードは、図２の構造に似た５層の磁気熱量材料層を有する。前記磁気熱量層は、１２’〜２０’として参照される。ただし、図３において参照される磁気熱量カスケードは、以下の説明から明らかになるように、従来技術による構造体である。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月8日(2019.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流を伝搬するための内部導体接点（２０，１２０）と、外部導体部（４０，１４０）と、前記内部導体接点（２０，１２０）を前記外部導体部（４０，１４０）から離間させておく絶縁部（３０，１３０）とを包含するプラグコネクタ（１０，１０′，１０″）、特に高電流プラグコネクタにおいて、弾性的に圧縮可能な減衰要素（５０，５１）が、相補的な相手方プラグコネクタ（１００，１００′）が前記プラグコネクタ（１０，１０′，１０″）に挿入方向（Ｓ）に挿嵌される時に、弾性的に圧縮可能であるように前記プラグコネクタに設けられるプラグコネクタであって、前記相手方プラグコネクタ（１００）が挿嵌される時に、前記減衰要素（５０，５１）が、前記内部導体接点（２０）におよび／または前記絶縁部（３０）に前記挿入方向（Ｓ）の圧力を直接的にまたは間接的に印加することにより、前記内部導体接点（２０，１２０）に対するおよび／または前記外部導体部（４０，１４０）に対する前記絶縁部（３０，１３０）の可動性を低減させることを特徴とするプラグコネクタ。
【請求項２】
前記相手方プラグコネクタ（１００）が挿嵌される時に、前記減衰要素（５０）が、前記内部導体接点（２０）に前記挿入方向（Ｓ）の圧力を間接的に印加し、好ましくは前記絶縁部（３０）に前記挿入方向（Ｓ）の圧力を直接的に印加することを特徴とする、請求項１に記載のプラグコネクタ。
【請求項３】
前記内部導体接点（２０）と前記絶縁部（３０）との間のおよび／または前記絶縁部（３０）と前記外部導体部（４０）との間の軸方向遊び（２１，２２）を包含し、少なくとも前記内部導体接点と前記絶縁部との間の前記遊び（２１）が、好ましくは前記絶縁部と前記外部導体部との間の前記遊び（２２）も、前記減衰要素（５０）への前記挿入方向（Ｓ）での圧力の印加により低減または除去されうることを特徴とする、請求項１または２に記載のプラグコネクタ。
【請求項４】
前記減衰要素（５０）の軸方向材厚が可変であり、材厚の大きい部分（５５）が前記内部導体接点への圧力の印加のために設けられ、材厚の小さい部分（５６）が前記絶縁部への圧力の印加のために設けられることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載のプラグコネクタ。
【請求項５】
前記減衰要素（５０）が、前記相手方プラグコネクタが挿嵌される時に前記相手方プラグコネクタ（１００）に向く前記プラグコネクタ（１０，１０′）の前方境界面を形成することを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載のプラグコネクタ。
【請求項６】
前記減衰要素（５０）が前記相手方プラグコネクタ（１００）の接触要素（１０１）の挿入のために設けられる前記プラグコネクタの挿入開口を環状方式で囲繞することを特徴とする、請求項５に記載のプラグコネクタ。
【請求項７】
前記減衰要素（５０）の挿嵌時に前記相手方プラグコネクタとは反対に向く側における、前記プラグコネクタのガイド（３２）に沿って軸方向に変位可能であるように配置され、前記内部導体接点（２０）に当接する軸方向後端部（６１）を備える摺動要素（６０，６０′）を包含することを特徴とする、請求項１から６のいずれかに記載のプラグコネクタ。
【請求項８】
前記摺動要素（６０，６０′）が剛性で好ましくは少なくとも部分的に環状のプラスチック体で形成され、前記プラスチック体の前端部に前記減衰要素（５０）がスプレーされることを特徴とする、請求項７に記載のプラグコネクタ。
【請求項９】
前記摺動要素（６０）が少なくとも部分的に前記絶縁部（３０）の少なくとも部分的に円環状のガイド溝に配置され、前記ガイド溝の床部が前記内部導体接点（２０）により形成されることを特徴とする、請求項７または８に記載のプラグコネクタ。
【請求項１０】
弾性的に圧縮可能な前記減衰要素（５１）が、前記絶縁部（１３０）と前記外部導体部（１４０）との間に配置され、前記相手方プラグコネクタ（１００′）の挿嵌時に前記絶縁部（１３０）が前記外部導体部（１４０）の方向に押圧されることで圧縮可能であることを特徴とする、請求項１に記載のプラグコネクタ。
【請求項１１】
前記減衰要素（５１）が、好ましくはほぼ丸い輪郭を持つ実質的に平面状の形態を有し、前記外部導体部（１４０）の実質的に平坦な接触面（１４２）と前記絶縁部（１３０）の対圧面（１３１）との間に作用することを特徴とする、請求項１０に記載のプラグコネクタ。
【請求項１２】
前記減衰要素（５１）の前記挿入方向（Ｓ）での寸法が可変であり、前記減衰要素の中央領域が前記減衰要素の縁領域より厚いことを特徴とする、請求項１０または１１に記載のプラグコネクタ。
【請求項１３】
前記プラグコネクタ（１０″）がアングルコネクタであり、そこでは前記内部導体接点のおよび／または前記絶縁部の主軸（Ｈ）が前記挿入方向（Ｓ）に対して横向きに、特にほぼ垂直に延び、前記内部導体接点（１２０）および／または前記絶縁部（１３０）が、少なくとも部分的に、前記減衰要素（５１）により前記主軸（Ｈ）に対して少なくとも部分的に偏向され、前記減衰要素（５１）の圧縮を伴う前記相手方プラグコネクタ（１００′）の挿嵌により逆向きに偏向されうることを特徴とする、請求項１０から１２のいずれかに記載のプラグコネクタ。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれかに記載のプラグコネクタ（１０，１０′，１０″）と、前記プラグコネクタに挿嵌される時に、前記プラグコネクタの前記減衰要素（５０，５１）が圧縮されることにより、前記内部導体接点（２０，１２０）に対するおよび／または前記外部導体部（４０，１４０）に対する前記絶縁部（３０，１３０）の可動性が低減されるように構築される相補的な相手方プラグコネクタ（１００，１００′）とを備えるプラグコネクタ構成。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
相手方プラグコネクタの挿嵌時に、減衰要素５０は、図２ａおよび２ｂに示される相手方プラグコネクタ１００の対圧面１０５により圧力が印加されうるプラグコネクタの先頭前面を形成する。減衰要素５０の前面が平坦ではなく凸曲面を形成し、そのため、挿嵌動作の過程で高材料密度の部分５５が対圧面１０５との接触状態になり摺動要素６０を内部導体接点２０の方向に強制的に押す。そして、絶縁部３０に直接的に寄り掛かる低材料密度の部分５６が対圧面１０５との接触状態になり絶縁部を外部導体部４０の方向に押圧する。代替的にまたは付加的に、絶縁部３０は、内部導体部２０を介して間接的に外部導体部４０の接触面の方向に押圧される。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月28日(2019.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
人の存在を判定するためのシステムであって、前記システムは、
第１の空間に位置し、第１のユーザ入力に基づいてリクエスト信号を生成する第１のユーザ入力装置と、
前記第１の空間とは異なる第２の空間に位置し、全般照明を提供する複数の照明装置と、
前記第２の空間に位置し、人の存在の指標に基づく応答信号を生成する第２の装置と、
前記リクエスト信号及び前記応答信号を受信するプロセッサとを備え、
前記プロセッサはさらに、
前記リクエスト信号を受信すると前記複数の照明装置のうちの第１の照明装置の光設定を変更し、
前記応答信号が所定の時間内に受信されなかった場合、前記複数の照明装置のうちの次の照明装置の光設定を変更する、システムであり、
前記プロセッサはさらに、前記複数の照明装置から光設定が変更されるべき前記第１の照明装置及び前記次の照明装置を選択する、システム。
【請求項２】
前記プロセッサは、前記応答信号に基づき、又は前記所定の時間内に前記応答信号が受信されなかったことに基づき、応答ステータスを生成する、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記プロセッサは、さらに、前記応答ステータスを前記第１のユーザ入力装置に通信する、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記第２の装置は、応答者を識別し、前記応答信号は、前記応答者の識別情報を含む、請求項１乃至３の何れか一項に記載のシステム。
【請求項５】
前記プロセッサは、さらに、前記照明装置の光設定を変更する時点と前記応答信号を受信する時点との間の関係に基づいて、前記人がどの前記照明装置の近くにいるかを決定する、請求項１乃至４の何れか一項に記載のシステム。
【請求項６】
前記プロセッサは、さらに、前記次の照明装置の前記光設定を変更するとき、前の照明装置の前記光設定を元の光設定に変更し、前記元の光設定は、前記プロセッサによって変更される以前の前記前の照明装置の光設定である、請求項１乃至５の何れか一項に記載のシステム。
【請求項７】
前記プロセッサは、さらに、
前記複数の照明装置のうちの少なくとも１つの照明装置の光設定、
前記複数の照明装置のうちの少なくとも１つの照明装置の空間的特性、
前記複数の照明装置のうちの少なくとも１つの照明装置の照明装置タイプ、及び
前記リクエスト信号
からなる群のうちの少なくとも１つに基づいて、変更されるべき前記第１の照明装置及び／又は次の照明装置を選択する、請求項１乃至６の何れか一項に記載のシステム。
【請求項８】
前記プロセッサは、前記リクエスト信号に基づいて前記所定の時間を決定する、請求項１乃至７の何れか一項に記載のシステム。
【請求項９】
前記プロセッサは前記第１の空間に位置し、前記プロセッサは、通信ネットワーク及び／又は中間通信装置を介して前記複数の照明装置及び前記第２の装置と通信する、請求項１乃至８の何れか一項に記載のシステム。
【請求項１０】
前記プロセッサは前記第２の空間に位置し、前記プロセッサは、前記通信ネットワーク及び／又は前記中間通信装置を介して前記第１のユーザ入力装置と通信する、請求項１乃至８の何れか一項に記載のシステム。
【請求項１１】
前記複数の照明装置を制御することによって人の存在を判定するためのコントローラであって、前記複数の照明装置は、前記全般照明を提供し、前記コントローラは、請求項１乃至１０の何れか一項に記載のシステムのプロセッサに従うプロセッサを含む、コントローラ。
【請求項１２】
人の存在を判定する方法であって、
第１のユーザ入力に基づいてリクエスト信号を受信するステップと、
人の存在の指標に基づく応答信号を受信するステップと、
複数の照明装置から光設定が変更されるべき第１の照明装置及び次の照明装置を選択するステップと、
前記リクエスト信号の受信時、第１の空間とは異なる第２の空間に位置し、全般照明を提供する前記複数の照明装置のうちの前記第１の照明装置の光設定を変更するステップと、
前記応答信号が所定の時間内に受信されなかった場合、前記複数の照明装置のうちの前記次の照明装置の光設定を変更するステップとを含む、方法。
【請求項１３】
受信された前記応答信号に基づき、及び／又は前記所定の時間内に前記応答信号が受信されなかったことに基づき、応答ステータスを生成するステップと、生成された前記応答ステータスを第１のユーザ入力装置に通信するステップとを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記応答信号は、
第２の装置で受け取られたユーザ入力、
前記第２の装置によって検出される人の検出、及び
前記第２の装置によるさらなる装置の検出
を含む群のうちの少なくとも１つに基づく、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
計算装置のためのコンピュータプログラムであって、前記コンピュータプログラムが前記計算装置の処理ユニット上で実行される時、請求項１２乃至１４の何れか一項に記載の方法を実行するためのコンピュータプログラムコードを含む、コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月23日(2019.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面および第２の表面を有する第１の基板と、
前記第１の基板の前記第１の表面上の第１の複数の導電性コンタクトと、
第１の表面および第２の表面を有する第２の基板と、
前記第２の基板の前記第１の表面上の第２の複数の導電性コンタクトと、
前記第１の基板の前記第１の表面と前記第２の基板の前記第１の表面との間に配設された第１の誘電体であって、第１の複数の開口を有する、第１の誘電体と、
前記第１の誘電体内の前記開口のすべてではないが前記開口の一部内に配設された第１の複数の導電性ポストであって、前記第１の基板の前記第１の表面上の前記第１の複数の導電性コンタクトのうちの少なくとも一部、および前記第２の基板の前記第１の表面上の前記第２の複数の導電性コンタクトのうちの少なくとも一部に電気的に結合された、第１の複数の導電性ポストと、
前記第２の基板の前記第１の表面上の、前記誘電体の前記開口のうち前記複数の導電性ポストのうちの１つによって占有されていない１つの開口内に配設された、集積回路ダイとを備え、
前記第１の複数の導電性コンタクトが、前記基板の前記第１の表面と接触するとともにそこから先に突き出し、
前記第１の複数の導電性コンタクトのうちの少なくとも１つが、前記第１の基板を貫通して延在して、前記第１の基板の前記第２の表面と接触するとともにそこから先に突き出し、
前記第２の基板の前記第１の表面と前記第１の誘電体との間に配設された第２の誘電体であって、第２の複数の開口を有する、第２の誘電体と、
前記第２の誘電体内の前記第２の複数の開口のすべてではないが前記開口の一部内に配設された第２の複数の導電性ポストと、
前記第１の複数の導電性ポストを前記第２の複数の導電性ポストと電気的に結合するための、前記第１の複数の導電性ポストと前記第２の複数の導電性ポストとの間の複数のはんだボールとを備え、
前記第２の複数の導電性ポストが、前記第２の誘電体内で部分的に凹所を成している、
集積回路パッケージ。
【請求項２】
前記第１の基板が第１のインターポーザを備え、
前記第２の基板が第２のインターポーザを備える、請求項１に記載の集積回路パッケージ。
【請求項３】
前記誘電体がフォトイメージャブル誘電体（ＰＩＤ）を含む、請求項１に記載の集積回路パッケージ。
【請求項４】
前記複数の導電性ポストにそれぞれ結合された複数の導電性パッドをさらに備える、請求項１に記載の集積回路パッケージ。
【請求項５】
前記複数の導電性ポストと前記複数の導電性パッドとを組み合わせた高さが、前記誘電体の高さを越えて延在する、請求項４に記載の集積回路パッケージ。
【請求項６】
前記複数の導電性ポストと前記第２の基板の前記第１の表面上の前記第２の複数の導電性コンタクトのうちの前記少なくとも一部との間にそれぞれ結合された、複数のはんだボールをさらに備える、請求項１に記載の集積回路パッケージ。
【請求項７】
前記複数の導電性ポストと前記第１の基板の前記第１の表面上の前記第１の複数の導電性コンタクトのうちの前記少なくとも一部との間にそれぞれ結合された、複数のはんだボールをさらに備える、請求項１に記載の集積回路パッケージ。
【請求項８】
前記集積回路ダイが、第１の前記集積回路ダイであり、
前記集積回路パッケージが、前記第１の基板の前記第２の表面上に配設された第２の集積回路ダイをさらに備える、
請求項１に記載の集積回路パッケージ。
【請求項９】
前記第１の基板の前記第２の表面および前記第２の集積回路ダイ上にモールドをさらに備える、請求項８に記載の集積回路パッケージ。
【請求項１０】
第１の表面および第２の表面を有する第１の基板を提供するステップと、
前記第１の基板の前記第１の表面と接触するとともにそこから先に突き出す第１の複数の導電性コンタクトを、前記第１の複数の導電性コンタクトのうちの少なくとも１つが、前記第１の基板を貫通して延在して、前記第１の基板の前記第２の表面と接触するとともにそこから先に突き出すように、形成するステップと、
前記第１の基板の前記第１の表面上に第１の誘電体を形成するステップと、
前記第１の誘電体内に第１の複数の開口を形成するステップと、
前記第１の誘電体内の前記開口のすべてではないが前記開口の一部内に第１の複数の導電性ポストを、前記第１の複数の導電性ポストが前記第１の複数の導電性コンタクトのうちの少なくとも一部に結合されるように形成するステップと、
第１の表面および第２の表面を有する第２の基板を提供するステップと、
前記第２の基板の前記第１の表面と接触するとともにそこから先に突き出す第２の複数の導電性コンタクトを、前記第２の複数の導電性コンタクトのうちの少なくとも１つが、前記第２の基板を貫通して延在して、前記第２の基板の前記第２の表面と接触するとともにそこから先に突き出すように、形成するステップと、
前記第２の基板の前記第１の表面上に第２の誘電体を形成するステップと、
前記第２の誘電体内に第２の複数の開口を形成するステップと、
前記第２の誘電体内の前記開口のすべてではないが前記開口の一部内に第２の複数の導電性ポストを、前記第２の複数の導電性ポストが前記第２の複数の導電性コンタクトのうちの少なくとも一部に結合されるように形成するステップであって、前記第２の複数の導電性ポストが、前記第２の誘電体内で部分的に凹所を成すように形成される、第２の複数の導電性ポストを形成するステップと、
前記第１の複数の導電性ポストを前記第２の複数の導電性ポストと電気的に結合するための、前記第１の複数の導電性ポストと前記第２の複数の導電性ポストとの間に複数のはんだボールを形成するステップとを含むデバイスを作製する方法。
【請求項１１】
前記基板を提供するステップがインターポーザを備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記誘電体内の前記開口のすべてではないが前記開口の一部内に前記複数の導電性ポストを形成するステップが、金属でめっきするステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記複数の導電性ポスト上にそれぞれ複数の導電性パッドを形成するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数の導電性パッドを形成するステップが、前記複数の導電性パッドをそれぞれ、前記複数の導電性ポストの一体延長部分として形成するステップを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数の導電性パッドを形成するステップが、前記複数の導電性ポストと前記複数の導電性パッドとを組み合わせた高さが前記誘電体の高さを越えて延在するように、前記複数の導電性パッドを形成するステップを含む、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月25日(2018.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの燃料電池と、前記少なくとも１つの燃料電池に電気接続された少なくとも１つの抵抗体スイッチユニットとを備えた自己発熱燃料電池システムであって、前記少なくとも１つの抵抗体スイッチユニットが、抵抗体およびスイッチを備え、前記スイッチが前記抵抗体と並列に電気接続されており、前記抵抗体は、前記少なくとも１つの燃料電池と直接接触している、自己発熱燃料電池システム。
【請求項２】
前記少なくとも１つの燃料電池の温度が温度（Ｔ１）よりも高いときの当該システムの第１の内部抵抗（Ｒ１）、および前記少なくとも１つの燃料電池の温度がＴ１を下回るときの当該システムの第２の内部抵抗（Ｒ２）を含み、Ｔ１を約２℃下回るときのＲ２の値が、Ｔ１におけるＲ１の値の少なくとも２倍である、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
Ｔ１が、９５℃未満である、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
Ｔ１を下回る複数の閾値温度における当該システムの前記抵抗の多ステップ変化がある、請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記燃料電池が、アノードにおける燃料流のための流れ場を含むバイポーラ板、膜電極接合体における拡散媒体、カソードにおける酸化体流のため流れ場を含むバイポーラ板を備え、前記抵抗体が、前記バイポーラ板のうちの一方に直接接触して配置される、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記抵抗体が、前記少なくとも１つの燃料電池の内側、または前記少なくとも１つの燃料電池の外側にある、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
燃料電池のスタックを備え、前記少なくとも１つの燃料電池が、燃料電池の前記スタックの中にあり、前記抵抗体スイッチユニットが、燃料電池の前記スタックの中の２つの燃料電池間に介在する、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記燃料電池スタックの中のいくつかの場所にわたって燃料電池間に挿入された複数の抵抗体スイッチユニットを備える、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記拡散媒体と前記少なくとも１つの燃料電池の前記バイポーラ板のうちの一方との間に挿入された前記少なくとも１つの抵抗体スイッチユニットを備える、請求項５に記載のシステム。
【請求項１０】
前記抵抗体が、前記抵抗体の１つの端部において２つのタブを有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記抵抗体が、グラファイト、ステンレス鋼、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、アルミニウム、チタン、またはそれらの合金から作製される導電性シートを備える、請求項１から１０のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１２】
前記抵抗体が、前記シートの一方または両方の主表面に、１つまたは複数の電気絶縁薄膜を有する薄い金属シートである、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記抵抗体が、１マイクロメートルから１００マイクロメートルの間の全厚を有する、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記電気絶縁薄膜が、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩素化ポリプロピレン、ポリエステル、ポリイミド、ＰＶＤＦ、ＰＴＦＥ、ナイロン、またはそれらのコポリマーを含む、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの燃料電池の表面温度を測定することができる温度感知素子からの入力に基づいて、前記スイッチを開状態、または閉状態に動作させるように構成された制御装置をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記スイッチが、電気機械式継電器と温度制御装置、または温度センサを備えた固体継電器、温度センサを備えたパワーＭＯＳＦＥＴ、または温度センサを備えた大電流接触器から成る、請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
前記複数のスイッチが、制御アルゴリズムに従って、順次、活性化され得る、請求項８に記載のシステム。
【請求項１８】
前記少なくとも１つの燃料電池が、水素または水素含有ガスで動作することができるプロトン交換膜燃料電池である、請求項１から１７のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの燃料電池が、アルカリ膜燃料電池、１００℃から３００℃の間で動作する中間温度燃料電池、ポリベンゾイミダゾール（ＰＢＩ：polybenzimidazole）燃料電池、リン酸燃料電池、または固体酸化物燃料電池である、請求項１から１７のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項２０】
前記少なくとも１つの燃料電池が、１マイクロメートル以下の厚さを有するアノード触媒層および／またはカソード触媒層を含む、請求項１８または１９に記載のシステム。
【請求項２１】
前記燃料電池に電気接続されたＤＣ／ＤＣ変換器と、前記ＤＣ／ＤＣ変換器に電気接続されたインバータと、前記インバータに電気接続された電気モータと、前記スイッチに電気接続され、かつ前記抵抗体において熱を生成して、前記燃料電池を加熱するために前記スイッチを開くように構成された制御装置とをさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項２２】
自己発熱燃料電池システムを動作させる方法であって、前記システムの中の少なくとも１つの燃料電池の温度が温度（Ｔ１）よりも高いときの第１の内部抵抗（Ｒ１）で前記システムを、および前記少なくとも１つの燃料電池の温度がＴ１を下回るときの前記システムの第２の内部抵抗（Ｒ２）で前記システムを、Ｔ１に応じてＲ１またはＲ２のいずれかを活性化するスイッチを活性化させることによって、動作させるステップを含む、方法。
【請求項２３】
前記少なくとも１つの燃料電池が、膜電極接合体と、アノード触媒電極と、カソード触媒電極と、抵抗体およびスイッチを備える抵抗体スイッチユニットであって、前記スイッチが、前記抵抗体と並列に電気接続されている、抵抗体スイッチユニットと、前記燃料電池上の温度感知素子と、前記温度感知素子から入力を受け取り、前記スイッチを動作させるように構成された制御装置とを備える、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記制御装置が、前記温度感知素子からの入力に基づいて、前記抵抗体スイッチユニット上の前記スイッチを開く、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
Ｔ１が、９５℃未満である、請求項２２から２４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月27日(2018.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ソフトウェアトークンの個人化にとって安全でしかも便利な解決方法が求められている。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  国際公開第２００６／０８９１０１号
（非特許文献）
（非特許文献１）  ＡＬＯＵＬ  Ｆ  ＥＴ  ＡＬ：  "Ｔｗｏ  ｆａｃｔｏｒ  ａｕｔｈｅｎｔｉｃａｔｉｏｎ  ｕｓｉｎｇ  ｍｏｂｉｌｅ  ｐｈｏｎｅｓ"，  ＣＯＭＰＵＴＥＲ  ＳＹＳＴＥＭＳ  ＡＮＤ  ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ，  ２００９．  ＡＩＣＣＳＡ  ２００９．  ＩＥＥＥ／ＡＣＳ  ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ  ＣＯＮＦＥＲＥＮＣＥ  ＯＮ，  ＩＥＥＥ，  ＰＩＳＣＡＴＡＷＡＹ，  ＮＪ，  ＵＳＡ，  １０  Ｍａｙ  ２００９  （２００９−０５−１０），  ｐａｇｅｓ  ６４１−６４４
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月8日(2019.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
各画像から前記複数の画像パッチを抽出するステップが、更に、ある期間にわたって、実質的に、前記同じチューブスロットと前記同じチューブ上部の一方が中心に位置決めされた複数の複像パッチを抽出するステップを含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記クラシファイヤが、ランダムフォレストクラシファイヤ、サポートベクトルマシンクラシファイヤ又は確率的ブースティングツリークラシファイヤである、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月22日(2018.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一緒に結合された複数のビットセルのうちの1つのビットセルのランダム整定時間を決定するための手段と、
前記ビットセルの前記ランダム整定時間に基づいてランダムデジタル出力値を生成するための手段とを含む、コンピューティングデバイス。
【請求項２】
前記ビットセルの前記ランダム整定時間を決定するための前記手段が、
前記ビットセルの出力を初期化電圧値にならしめるために前記ビットセルを初期化するための手段と、
前記ビットセルの前記出力が前記初期化電圧値からプリチャージ電圧値に次いで整定電圧値に遷移するように前記ビットセルを活性化するための手段とを含む、請求項1に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項３】
前記デバイスが、一緒に結合された複数のビットセルであって、前記複数のビットセルの各ビットセルがランダム整定時間を有する、複数のビットセルを備え、
前記ランダムデジタル出力値を生成するための手段が、前記複数のビットセルのうちの1つのビットセルの前記ランダム整定時間を受信し、受信された前記ランダム整定時間に基づいてランダムデジタル出力値を生成するように構成されたアナログデジタル変換器(ADC)を備える、請求項1に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項４】
前記複数のビットセルの各ビットセルが、
6トランジスタ(6T)相補型金属酸化物半導体(CMOS)スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)セル部分を含む、請求項3に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項５】
前記複数のビットセルの各ビットセルが2つのプリチャージトランジスタを備え、各プリチャージトランジスタが、前記ビットセルの2つの差動出力ノードのうちの1つに結合されたドレインと、正の電源電圧VDDまたは負の電源電圧VSSに結合されたソースとを有する、請求項3に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項６】
前記複数のビットセルの各ビットセルが、交差結合インバータのペアをさらに備え、各交差結合インバータが、前記2つの差動出力ノードのうちの1つに結合された入力を有する、請求項5に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項７】
前記2つのプリチャージトランジスタがオンであるとき、前記差動出力ノードが、ほぼ前記正の電源電圧VDDまたは前記負の電源電圧VSSである初期化電圧値に等しく、前記2つのプリチャージトランジスタがオフであるとき、前記差動出力ノードが、0.5*VDD±0.15*VDDに等しいプリチャージ電圧値VPCに等しい、請求項6に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項８】
前記差動出力ノードがVPCに等しくなった後、前記差動出力ノードの電圧値が、互いに異なり、逆の整定値で整定する、請求項6に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項９】
前記複数のビットセルの最後のビットセルが別のビットセルに結合されない出力を有することを除いて、前記複数のビットセルの各ビットセルの出力が前記複数のビットセルの後続のビットセルの入力に結合されるように、前記複数のビットセルが直列に配列される、請求項3に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項１０】
総ランダム整定時間が、前記複数のビットセルの前記ランダム整定時間の各々の合計に等しく、前記ADCが、前記総ランダム整定時間を受信し、前記総ランダム整定時間に基づいて前記ランダムデジタル出力値を生成するように構成される、請求項9に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項１１】
前記複数のビットセルの各ビットセルの出力が前記複数のビットセルの後続のビットセルの入力に結合されるように、前記複数のビットセルがリング内に配列される、請求項1または請求項3に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項１２】
周期性ランダム整定時間が、前記複数のビットセルの前記ランダム整定時間の各々の合計に等しく、前記ADCが、前記周期性ランダム整定時間を受信し、前記周期性ランダム整定時間に基づいて前記ランダムデジタル出力値を生成するように構成される、請求項11に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項１３】
前記複数のビットセルのうちの1つのビットセルの出力に結合された入力を有するフリップフロップをさらに備え、前記フリップフロップの出力が複数のランダムデジタル出力値を生成するように構成され、前記フリップフロップがビットセルリング発振器エントロピー源の出力に結合されたクロック入力を有する、請求項12に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項１４】
乱数を生成する方法であって、
一緒に結合された複数のビットセルのうちの1つのビットセルのランダム整定時間を決定するステップと、
アナログデジタル変換器(ADC)を使用して前記ビットセルの前記ランダム整定時間に基づいてランダムデジタル出力値を生成するステップとを含む、方法。
【請求項１５】
前記ビットセルの前記ランダム整定時間を決定するステップが、
前記ビットセルの出力を初期化電圧値にならしめるために前記ビットセルを初期化するステップと、
前記ビットセルの前記出力が前記初期化電圧値からプリチャージ電圧値に次いで整定電圧値に遷移するように前記ビットセルを活性化するステップとを含む、請求項14に記載の方法。
【請求項１６】
前記複数のビットセルの各ビットセルの出力が前記複数のビットセルの後続のビットセルの入力に結合され、前記複数のビットセルの各ビットセルがランダム整定時間を有するように、リング構成に前記複数のビットセルを結合するステップをさらに含む、請求項14に記載の方法。