【手続補正書】
【提出日】平成18年10月31日(2006.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  対向配置された一対の基板間に電気光学材料が挟持されており、一方の前記基板上に形成されたゲート配線と、前記ゲート配線と同一層で形成され、互いに分離することによって腐食防止処理の施された腐食性金属あるいは少なくともそれらのうちのいずれかを用いた多層金属膜で形成された補助容量配線群と、前記ゲート配線および前記補助容量配線群を覆って前記基板上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された画素電極と、前記ゲート配線と交差し、少なくとも前記ゲート絶縁層を介して前記基板上に形成されたソース配線と、前記ゲート絶縁層に設けられたコンタクトホールによって前記補助容量配線群の配線全てを互いに電気的に接続するため、前記ゲート絶縁層上に形成された集合引出し配線とを備えた電気光学素子。
【請求項２】  対向配置された一対の基板間に電気光学材料が挟持されており、一方の基板上に形成されたゲート配線と、前記ゲート配線と同一層で形成され、互いに分離することによって腐食防止処理の施された腐食性金属あるいは少なくともそれらのうちのいずれかを用いた多層金属膜で形成された補助容量配線群および集合引出し配線と、前記ゲート配線、前記補助容量配線群および前記集合引出し配線を覆って前記基板上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された画素電極と、前記ゲート配線と交差し、少なくとも前記ゲート絶縁層を介して前記基板上に形成されたソース配線と、前記ゲート絶縁層に設けられたコンタクトホールによって前記補助容量配線群の配線全てと前記集合引出し配線を互いに電気的に接続するため、前記ゲート絶縁層上に形成された金属パターンとを備えた電気光学素子。
【請求項３】  前記補助容量配線群がＡｌ、Ａｌ合金あるいは少なくともそれらのうちのいずれかを用いた多層金属で形成されていることを特徴とする請求項１記載の電気光学素子。
【請求項４】  前記補助容量配線群および前記集合引出し配線がＡｌ、Ａｌ合金あるいは少なくともそれらのうちのいずれかを用いた多層金属で形成されていることを特徴とする請求項２記載の電気光学素子。
【請求項５】  前記補助容量配線群と前記集合引出し配線パターン間に突起状に対峙したパターンを有する構造であることを特徴とする請求項２記載の電気光学素子。
【請求項６】  対向配置された一対の基板間に電気光学材料が挟持されており、一方の前記基板上に形成されたゲート配線と、前記ゲート配線と同一層で形成され、互いに分離することによって腐食防止処理の施された腐食性金属あるいは少なくともそれらのうちのいずれかを用いた多層金属膜で形成された補助容量配線群と、前記ゲート配線および前記補助容量配線を覆って前記基板上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された画素電極と、前記ゲート配線と交差し、少なくとも前記ゲート絶縁層を介して前記基板上に形成されたソース配線と、前記薄膜トランジスタを覆って形成された保護絶縁層と、前記ゲート絶縁層および前記保護絶縁層に設けられたコンタクトホールによって前記補助容量配線群の配線全てを互いに電気的に接続するため、前記保護絶縁層上に形成された集合引出し配線を備え、かつ前記集合引出し配線が前記基板から対向基板に対向基板電位を給電するため、前記基板と対向基板に挟持された部分に形成されるトランスファー電極と同一材料で形成された電気光学素子。
【請求項７】  基板上にゲート配線を配置すると共に、互いに分離することによって腐食防止処理された腐食性金属あるいは少なくともそれらのうちのいずれかを用いた多層金属膜の補助容量配線群を配置し、前記ゲート配線および前記補助容量配線群を覆うように前記基板上にゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上に透明導電層を形成し、前記透明導電層のウェットエッチングを実施後、前記絶縁層にコンタクトホールを設けると共に、前記ゲート配線と交差するよう、少なくとも前記ゲート絶縁層を介して前記基板上にソース配線を配置し、同時に前記コンタクトホールによって前記補助容量配線群の配線全てを互いに電気的に接続する集合引出し配線を配置することを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項８】  基板上にゲート配線を配置すると共に、互いに分離することによって腐食防止処理された腐食性金属あるいは少なくともそれらのうちのいずれかを用いた多層金属膜の補助容量配線群および集合引出し配線を配置し、前記ゲート配線、前記補助容量配線群および前記集合引出し配線を覆うように前記基板上にゲート配線層を形成し、前記ゲート絶縁層上に透明導電層を形成し、前記透明導電層のウェットエッチングを実施後、前記絶縁層にコンタクトホールを設けると共に、前記ゲート配線と交差するよう、少なくとも前記ゲート絶縁層を介して前記基板上にソース配線を配置し、同時に前記コンタクトホールによって前記補助容量配線群の配線全てと前記集合引出し配線とを互いに電気的に接続する金属パターンを配置することを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項９】  前記補助容量配線群がＡｌ、Ａｌ合金あるいは少なくともそれらのうちのいずれかを用いた多層金属で形成されていることを特徴とする請求項７記載の電気光学素子の製造方法。
【請求項１０】  前記補助容量配線群および集合引出し配線がＡｌ、Ａｌ合金あるいは少なくともそれらのうちのいずれかを用いた多層金属で形成されていることを特徴とする請求項８記載の電気光学素子の製造方法。
【請求項１１】  前記補助容量配線の一終端部に突起状のパターンを設け、かつ前記集合引出し配線の前記補助容量配線に設けた突起状パターンと対峙した箇所に突起状パターンを配置することを特徴とする請求項８記載の電気光学素子の製造方法。
【請求項１２】  基板上にゲート配線を配置すると共に、互いに分離することによって腐食防止処理された腐食性金属あるいは少なくともそれらのうちのいずれかを用いた多層金属膜の補助容量配線群を配置し、前記ゲート配線および前記補助容量配線群を覆うように前記基板上にゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上に透明導電層を形成し、前記透明導電層のウェットエッチングを実施後、前記絶縁層にコンタクトホールを設けると共に、前記ゲート配線と交差するよう、少なくとも前記ゲート絶縁層を介して前記基板上にソース配線を配置し、前記ソース配線を覆うように保護絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層および保護絶縁膜にコンタクトホール形成し、前記基板から対向基板に対向基板電位を給電するため前記基板上の形成するトランスファー電極と同一材料で前記集合引出し配線全てと前記コンタクトホールを介して電気的に接続する集合引出し配線を形成することを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項１３】  対向配置された一対の基板間に電気光学材料が挟持されており、一方の前記基板上に形成されたゲート配線と、
前記ゲート配線と同一層で形成され、互いに分離した第１の金属薄膜で形成された補助容量配線群と、
前記ゲート配線および前記補助容量配線群を覆って前記基板上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと電気的に接続された画素電極と、
前記ゲート配線と交差し、少なくとも前記第１の絶縁膜を介して前記基板上に形成されたソース配線と、
前記第１の絶縁膜に設けられたコンタクトホールと、
前記第１の絶縁膜上に形成され、前記補助容量配線群の互いに分離した配線どうしを前記コンタクトホールを介して電気的に接続する
集合引出し配線とを備えた電気光学素子。
【請求項１４】  前記第１の金属薄膜は、ＭｏもしくはＡｌ合金の薄膜であることを特徴とする請求項１３記載の電気光学素子。
【請求項１５】  前記第１の絶縁膜は、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｘ膜、ＳｉＯｘＮｙ膜、もしくはこれらのいずれかからなる積層膜であることを特徴とする請求項１３または１４記載の電気光学素子。
【請求項１６】  前記集合引出し配線は、前記ソース配線と同時に形成されたものであることを特徴とする請求項１３ないし１５のいずれかに記載の電気光学素子。