【手続補正書】
【提出日】平成19年10月15日(2007.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含むＴＦＴを備えた半導体装置であって、
第１のｎチャネル型ＴＦＴを備えた画素部と、第２のｎチャネル型ＴＦＴと第３のｎチャネル型ＴＦＴからなる回路を備えた駆動回路とを有し、
前記第１のｎチャネル型ＴＦＴ及び前記第２のｎチャネル型ＴＦＴ及び前記第３のｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極は第１の幅を有する第１の導電層を下層とし、前記第１の幅より狭い第２の幅を有する第２の導電層を上層とする積層構造であり、
前記画素部の前記第１のｎチャネル型ＴＦＴ及び前記駆動回路の前記第２および前記第３のｎチャネル型ＴＦＴはチャネル形成領域と前記チャネル形成領域を挟んだ２つの第１の不純物領域と２つの第２の不純物領域を有し、前記第１の不純物領域は前記チャネル形成領域と前記第２の不純物領域に挟まれ、前記積層構造を有するゲート電極の前記第１の導電層は前記チャネル形成領域および前記第１の不純物領域と重なり、前記第２の不純物領域と重ならず、前記第２の導電層はチャネル形成領域と重なり、前記第１の不純物領域および前記第２の不純物領域と重ならないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含むＴＦＴを備えた半導体装置であって、
第１のｎチャネル型ＴＦＴを備えた画素部と、第２のｎチャネル型ＴＦＴと第３のｎチャネル型ＴＦＴからなる回路を備えた駆動回路とを有し、
前記第１のｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極は、第１の導電層を下層とし、第２の導電層を上層とし、前記第１の導電層と前記第２の導電層は同一の幅を有する積層構造であり、
前記第２のｎチャネル型ＴＦＴ及び前記第３のｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極は第１の幅を有する第１の導電層を下層とし、前記第１の幅より狭い第２の幅を有する第２の導電層を上層とする積層構造であり、
前記画素部の前記第１のｎチャネル型ＴＦＴはチャネル形成領域と前記チャネル形成領域を挟んだ２つの第１の不純物領域と２つの第２の不純物領域を有し、前記第１の不純物領域は前記チャネル形成領域と前記第２の不純物領域に挟まれ、前記積層構造を有するゲート電極は、前記チャネル形成領域の幅と等しく重なり、前記第１の不純物領域および前記第２の不純物領域とは重ならず、
前記駆動回路の前記第２および前記第３のｎチャネル型ＴＦＴはチャネル形成領域と前記チャネル形成領域を挟んだ２つの第１の不純物領域と２つの第２の不純物領域を有し、前記第１の不純物領域は前記チャネル形成領域と前記第２の不純物領域に挟まれ、前記積層構造を有するゲート電極の前記第１の導電層は前記チャネル形成領域および前記第１の不純物領域と重なり、前記第２の不純物領域と重ならず、前記第２の導電層は前記チャネル形成領域と重なり、前記第１の不純物領域および前記第２の不純物領域と重ならないことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第１のｎチャネル型ＴＦＴ、前記第２のｎチャネル型ＴＦＴ及び前記第３のｎチャネル型ＴＦＴの前記ゲート電極の前記第１の導電層はタンタル（Ｔａ）であり、前記第２の導電層はタングステン（Ｗ）であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第２のｎチャネル型ＴＦＴ及び前記第３のｎチャネル型ＴＦＴでＥＥＭＯＳ回路またはＥＤＭＯＳ回路が形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記第１のｎチャネル型ＴＦＴの前記第１の不純物領域における不純物濃度は、少なくとも１×１０１７〜１×１０１８／ｃｍ３の範囲で濃度勾配を有し、前記チャネル形成領域からの距離が増大するとともに不純物濃度が増加することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴにおけるソース配線と、前記画素部にｎチャネル型ＴＦＴにおけるソース配線は材料が異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記画素部のソース配線はアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、または銀（Ａｇ）を主成分とする材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記画素部のソース配線は、スパッタ法、印刷法、メッキ法、またはこれらの組み合わせにより形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において記載された半導体装置とは、反射型の液晶モジュールであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において記載された半導体装置とは、透過型の液晶モジュールであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において記載された半導体装置とは、ビデオカメラ、デジタルカメラ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯型情報端末、デジタルビデオディスクプレーヤー、または電子遊技機器であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
絶縁表面上に駆動回路と画素部を備えた半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層にｎ型を付与する不純物元素を添加してｎ型の第１不純物領域を形成する工程と、
前記ゲート電極をエッチングしてテーパー部を形成し第１の形状を形成する工程と、
前記第１の形状を有するゲート電極のテーパー部を通過させて半導体層にｎ型を付与する不純物元素を添加してｎ型の第２不純物領域を形成する工程と、
前記第１の形状を有するゲート電極を覆う第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第２絶縁膜上に画素部のソース配線を形成する工程と、
前記画素部のソース配線を覆う第３絶縁膜を形成する工程と、
前記第３絶縁膜上にゲート配線、及び駆動回路のソース配線を形成する工程と、
を有する半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
絶縁表面上に第１の半導体層と第１の形状を有するゲート電極を有するｎチャネル型ＴＦＴと、第２の半導体層と第２の形状を有するゲート電極を有するｎチャネル型ＴＦＴを備えた半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面上に第１の半導体層および第２の半導体層を形成する工程と、
前記第１の半導体層及び第２の半導体層上に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の半導体層及び第２の半導体層の上でかつ前記第１絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極をマスクとして第１の半導体層及び第２の半導体層にｎ型を付与する不純物元素を添加してｎ型の第１不純物領域を形成する工程と、
前記ゲート電極をエッチングしてテーパー部を形成し前記第一の形状を形成する工程と、
前記第１の形状を有するゲート電極のテーパー部を通過させて、第１の半導体層及び第２の半導体層にｎ型を付与する不純物元素を添加してｎ型の第２不純物領域を形成する工程と、
前記第２の半導体層上方における前記第１の形状を有するゲート電極のテーパー部のみを選択的に除去して前記第２の形状を有するゲート電極を形成する工程と、
前記第１の形状を有するゲート電極及び前記第２の形状を有するゲート電極を覆う第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第２絶縁膜上に画素部のソース配線を形成する工程と
前記画素部のソース配線を覆う第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第３絶縁膜上にゲート配線、及び駆動回路のソース配線を形成する工程と、
を有する半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１３において、前記第１の形状を有するゲート電極を有するｎチャネル型ＴＦＴは、駆動回路のＴＦＴであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１３または請求項１４において、前記第２の形状を有するゲート電極を有するｎチャネル型ＴＦＴは、画素部のＴＦＴであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１２乃至請求項１５のいずれか一項において、前記駆動回路のソース配線と同時に画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１２乃至請求項１６のいずれか一項において、前記画素部のソース配線を形成する工程は、スパッタ法、印刷法、メッキ法、またはこれらの組み合わせであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１２乃至請求項１７のいずれか一項において、前記第１の形状を有するゲート電極は、第１の幅を有する第１の導電層を下層とし、前記第１の幅より狭い第２の幅を有する第２の導電層を上層とする積層構造であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１８において、前記第１の導電層のうち、第２の導電層と重なっていない領域の断面形状は、テーパー形状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。