【手続補正書】
【提出日】平成19年4月10日(2007.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
また、本発明の第３の情報記録媒体の製造方法においては、スパッタリングターゲットが、さらに炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）及びＣｒからなる群ＧＫ１より選ばれる少なくとも一つの元素を含んでいてもよい。この場合のスパッタリングターゲットは、その組成が、
Ｍ２q3Ｓｉr1Ｌ２t3Ｋ１j1Ｏ100-q3-r1-t3-j1（原子％）・・・（１８）
（式中、Ｍ２は前記群ＧＭ２より選ばれる少なくとも一つの元素を示し、Ｌ２は前記群ＧＬ２より選ばれる少なくとも一つの元素を示し、Ｋ１は前記群ＧＫ１より選ばれる少なくとも一つの元素を示し、ｑ３、ｒ１、ｔ３及びｊ１は、０＜ｑ３≦３２、０＜ｒ１≦３５、２＜ｔ３≦４０、０＜ｊ１≦４０、２０＜ｑ３＋ｒ１＋ｔ３＋ｊ１＜８０を満たす。）で表される材料を含むことが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
上記（I）〜（IV）の酸化物系材料層に含まれる成分のうち、Ｚｒ及びＨｆのそれぞれの酸化物はいずれも、透明で融点が高く、熱安定性に優れる。したがって、これらの化合物によれば、情報記録媒体の繰り返し書き換え性能を確保できる。また、上記（I）〜（IV）の酸化物系材料層に含まれる成分のうち、Ｌａ、Ｃｅ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｇ及びＹのそれぞれの酸化物も透明で、記録層との密着性、耐湿性に優れている。したがって、これらの化合物によれば、情報記録媒体の耐湿性を確保できる。Ｚｒ及びＨｆのそれぞれの酸化物には、例えば、ＺｒＯ2及びＨｆＯ2がそれぞれ含まれる。Ｌａ、Ｃｅ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｇ及びＹのそれぞれの酸化物には、例えば、Ｌａ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ及びＹ2Ｏ3がそれぞれ含まれる。さらに、ＳｉＯ2を含んでもよい。これらの酸化物の融点は（文献値）、ＺｒＯ2及びＨｆＯ2が約２７００℃、Ｌａ2Ｏ3が約２３００℃、ＣｅＯ2が約２０００℃、Ａｌ2Ｏ3が約２０００℃、Ｇａ2Ｏ3が約１７００℃、Ｉｎ2Ｏ3が約１９００℃、ＭｇＯが約２８００℃、Ｙ2Ｏ3が約２４００℃及びＳｉＯ2が約１７００℃である。いずれも記録層の融点５００〜７００℃よりも十分に高く、記録の際に溶けて記録層に拡散する可能性は極めて低い。また、これら２以上の元素の酸化物を含み、複合酸化物を形成していてよい。例えば、ＺｒＯ2とＳｉＯ2が略等しい割合で含まれたＺｒＳｉＯ4、ＭｇＯとＳｉＯ2が略等しい割合で含まれたＭｇＳｉＯ3を形成してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
上記（III）の酸化物系材料層には、さらにＣ、Ｎ及びＣｒからなる群ＧＫ１より選ばれる少なくとも一つの元素Ｋ１が含まれていてもよい。この酸化物系材料層は、Ｍ２Q3ＳｉR1Ｌ２T3Ｋ１J1Ｏ100-Q3-R1-T3-J1（原子％）（式中、Ｍ２は前記群ＧＭ２より選ばれる少なくとも一つの元素を示し、Ｌ２は前記群ＧＬ２より選ばれる少なくとも一つの元素を示し、Ｋ１は前記群ＧＫ１より選ばれる少なくとも一つの元素を示し、Ｑ３、Ｒ１、Ｔ３及びＪ１は、０＜Ｑ３≦３２、０＜Ｒ１≦３５、２＜Ｔ３≦４０、０＜Ｊ１≦４０、２０＜Ｑ３＋Ｒ１＋Ｔ３＋Ｊ１＜８０を満たす。）で表される材料を含む。元素Ｍ２とＳｉの酸化物を含めると繰り返し書換性能が向上し、Ｓｉの酸化物は透明性を向上させる働きも有する。また、元素Ｌ２の酸化物は、透明性が高く、記録層との密着性にも優れている。さらに、元素Ｋ１を含めることにより、酸化物系材料層の熱伝導率を小さくしたり、記録層との密着性をさらに向上させたりする効果が得られる。具体的には、元素Ｋ１がＣの場合、Ｓｉの炭化物が元素Ｍ２及びＬ２の酸化物と共に存在し、互いに混ざることなく複雑な構造を形成することが期待される。同様に、元素Ｋ１がＮの場合、Ｓｉの窒化物が元素Ｍ２及びＬ２の酸化物と共に存在し、互いに混ざることなく複雑な構造を形成することが期待される。構造が複雑になることで熱が伝わりにくくなり、熱伝導率を小さくすることができると考えられる。また、群ＧＫ１に含まれるＣｒの酸化物は記録層との密着性がよい。これらのことから、Ｍ２Q3ＳｉR1Ｌ２T3Ｋ１J1Ｏ100-Q3-R1-T3-J1（原子％）系は優れた酸化物系材料層である。なお、上記に好ましい原子濃度を示したが、元素Ｍ２が３２原子％よりも多く、又はＳｉが３５原子％より多く含まれると記録層との密着性が悪くなり、元素Ｌ２が４０原子％以上含まれると繰り返し書換性能が悪化する。さらに、元素Ｋ１が４０原子％を超えると透明性が低下する。また、この酸化物系材料層では、酸素（Ｏ）が２０原子％に満たないと透明性が低下する。より好ましい原子濃度は、０＜Ｑ３＜２５、０＜Ｒ１＜２５、６＜Ｔ３＜３７、０＜Ｊ１＜３５、３０＜Ｑ３＋Ｒ１＋Ｔ３＋Ｊ１＜５０である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
上記（III）の酸化物系材料層に元素Ｋ１が含まれている場合の成分元素としては、例えば、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｌａ−Ｃｒ−Ｏ、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｌａ−Ｎ−Ｏ、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｌａ−Ｃ−Ｏ、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｇａ−Ｃｒ−Ｏ、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｌａ−Ｎ−Ｏ、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｌａ−Ｃ−Ｏ、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｙ−Ｃｒ−Ｏ、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｙ−Ｎ−Ｏ、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｙ−Ｃ−Ｏ、などがあり、いずれも２つ以上の酸化物が混合された形態で層中に存在していると考えられる。たとえば、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｌａ−Ｃｒ−Ｏの場合には、ほぼＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｌａ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3として存在していると考えられる。また、特に、Ｚｒ−Ｓｉ−Ｇａ−Ｃｒ−Ｏは、高透明性、低熱伝導性、高密着性、高繰り返し書換性能性及び高成膜速度を有し、優れた材料である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
最初に、基板１の案内溝が形成された面に、第１の誘電体層２を成膜する工程ａを実施する。工程ａは、スパッタリングにより実施される。ここで、まず、本実施の形態において用いられるスパッタリング装置の一例について説明する。図１１にはスパッタ装置を用いて成膜する様子が示されている。図１１に示すように、このスパッタ装置では、真空容器３９に排気口３２を通して真空ポンプ（図示せず）が接続され、真空容器３９内を高真空に保つことができるようになっている。ガス供給口３３からは、一定流量のガスを供給できるようになっている。基板３５（ここでの基板とは、膜を堆積させるための基材のことである。）は陽極３４に載置されている。真空容器３９を接地することにより、真空容器３９及び基板３５が陽極に保たれている。スパッタリングターゲット３６は陰極３７に接続されており、スイッチ（図示せず）を介して電源に接続されている。陽極３４と陰極３７との間に所定の電圧を加えることにより、スパッタリングターゲット３６から放出された粒子により基板３５上に薄膜が形成できる。なお、以下の工程のスパッタリングでも、同様の装置を用いることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５０】
また、工程ｆで使用されるスパッタリングターゲットとしては、従来のＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3を含むスパッタリングターゲット、又はＨｆＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3を含むスパッタリングターゲットを用いてもよく、その場合も、高周波電源を用いて、Ａｒガス雰囲気で実施するか、もしくはＡｒガスに５％以下の酸素ガスもしくは窒素ガスのうち少なくともいずれか１つのガスが混合された、混合ガス雰囲気中で実施してよい。また、Ｇｅ−Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、もしくはＴａを含むスパッタリングターゲットを用いて、ＡｒガスとＮ2ガスの混合ガス雰囲気中で実施する、反応性スパッタリングであってよい。この反応性スパッタリングによれば、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、もしくはＴａ−Ｎを含む第２の界面層５が記録層４の表面に形成される。その他、ＳｉＣ等の炭化物、又はＣ（炭素）を含むスパッタリングターゲットを用いて、Ａｒガスでスパッタリングし、ＳｉＣ等の炭化物、又はＣ（炭素）で形成してもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５３】
図３に示す情報記録媒体２７は、基板１の一方の表面に、第１の誘電体層１０２、第１の界面層３、記録層４、第２の誘電体層６、光吸収補正層７、及び反射層８がこの順に形成され、さらに接着層９で反射層８にダミー基板１０が接着された構成を有する。図３に示す情報記録媒体２７は、第２の界面層１０５を有していない点において、図１２に示す従来の情報記録媒体３１と相違する。また、情報記録媒体２７は、基板１と記録層４の間に第１の誘電体層１０２と第１の界面層３がこの順に積層されている点において、図１に示す実施の形態１の情報記録媒体２５と相違する。情報記録媒体２７においては、第２の誘電体層６が、実施の形態１と同様に、酸化物系材料層である。その他、図３において、図１で使用した符号と同じ符号は、同じ要素を表し、図１を参照して説明した材料及び方法で形成されるものである。したがって、図１で既に説明した要素については、その詳細な説明を省略する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８９】
第３の誘電体層１５は、中間層１６と第１の反射層１４との間に位置する。第３の誘電体層１５は、第１情報層２１の光透過率を高める機能を有するよう、透明で、高い屈折率を有することが好ましい。また、第３の誘電体層１５は、反射層と同様に、第１の記録層１３の熱を速やかに拡散させる機能を有するように、熱伝導率がより高い材料から成ることが好ましい。これらの条件を満足する材料は、ＴｉＯ2である。ＴｉＯ2を９０ｍｏｌ％以上含むＴｉＯ2系材料を使用すると、約２．７の大きい屈折率を有する層が形成される。第３の誘電体層１５の膜厚は１０ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２３】
【表２】
2005056545.tif 000001
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４９】
さらに、ＺｒＯ2の替わりにＨｆＯ2を用いた以外は試料３−１〜３−７及び比較例３−１と同様の媒体をそれぞれ作製し（試料番号３−１１〜３−１７及び比較例３−２）、同様に評価を行ったところ、以下の表５に示す結果が得られた。この結果から、ＨｆＯ2と（Ｅ）が含まれる材料を含む酸化物系材料層についても、記録感度が改善されることが確認できた。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５９】
このようにして、７種類の媒体試料（試料５−１〜５−７）を作製し、実施例３と同様の方法で密着性、繰り返し書き換え性能、記録感度を評価した。その結果を表８に示す。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８７】
記録層４は、実施例３と同様にして形成した。したがって、その組成は、Ｇｅ27Ｓｎ8Ｓｂ12Ｔｅ53（原子％）であった。光吸収補正層７も、実施例３と同様にしてＧｅ80Ｃｒ20（原子％）を用いて形成した。反射層８も、実施例３と同様にして、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金で形成した。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９７】
以上のように、酸化物系材料層は、図１に示す情報記録媒体２５の構成、図２に示す情報記録媒体２６の構成、図３に示す情報記録媒体２７の構成、及び図４に示す情報記録媒体２８の構成の、誘電体層もしくは界面層として用いることが可能で、従来の（ＺｒＯ2）25（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ｍｏｌ％）を用いた場合よりも、密着性と繰り返し性能を劣化させないで、記録感度を向上させることができる。さらに、少なくとも第１の誘電体層２又は第２の誘電体層６として用いる場合には、図１２に示す従来の情報記録媒体３１の構成と比較して、層数を７層から６層又は５層にまで減らすことが可能である。反応性成膜によらず、膜質の装置依存性が小さいため、前記膜の形成条件はより速く最適化することができる。したがって、酸化物系材料層を誘電体層や界面層とすることにより、情報記録媒体の量産立ち上げがより速く進行するという効果ももたらされる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３０６】
得られた各試料について、密着性及び繰り返し書き換え性能を評価した。その評価結果を表１４に示す。密着性の評価方法は、実施例１にて説明したとおりである。繰り返し書き換え性能は、実施例１で採用した方法とは異なる方法で評価した。以下にその方法を説明する。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３１１】
本実施例の試料１１−１の情報記録媒体２９は、図１に示す情報記録媒体２５とは、基板上への各層の成膜順序、記録条件（レーザ波長やレンズの開口数）、ならびに記録容量が異なる。試料１１−１の記録容量は、図１に示す情報記録媒体２５の５倍以上である。しかしながら、これらの相違点に関係なく、表１４に示すように、第１の誘電体層２及び第２の誘電体層６として、（ＺｒＯ2）35（ＳｉＯ2）35（Ｇａ2Ｏ3）30（ｍｏｌ％）の酸化物系材料層を用いることによって、２５ＧＢ容量で規格を満足する記録感度が得られた。比較例は記録感度が満足できなかった。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３２４】
試料１２−１の第１情報層２１及び第２情報層２２それぞれについて、誘電体層の密着性及び情報記録媒体の繰り返し書き換え性能を評価した。これらの結果を、繰り返し書き換え性能の評価の際に求めたピークパワー（Ｐｐ）及びバイアスパワー（Ｐｂ）とともに表１５に示す。