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【手続補正書】
【提出日】平成20年7月15日(2008.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超高純度ガス流れを、バルク酸素原子より小さな配位数を有する表面酸素原子を含有する高表面積無機酸化物を含む精製材料と接触させることにより、超高純度ガス流れから金属汚染物質を除去するための方法。
【請求項２】
超高純度ガス流れが不活性ガスを含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
不活性ガスが、窒素、ヘリウム、およびアルゴンの少なくとも１種を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
超高純度ガス流れが、精製材料と接触する前に、少なくとも１種の金属汚染物質を約１０００体積ｐｐｍ未満の濃度で含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
超高純度ガス流れが、精製材料と接触する前に、少なくとも１種の金属汚染物質を約１体積ｐｐｍを超える濃度で含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
超高純度ガス流れが、精製材料と接触する前に、少なくとも１種の金属汚染物質を約１体積ｐｐｂを超える濃度で含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
超高純度ガス流れが、精製材料と接触した後で、少なくとも１種の金属汚染物質を約１００体積ｐｐｔ未満の濃度で含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
超高純度ガス流れが、精製材料と接触した後で、少なくとも１種の金属汚染物質を約１０体積ｐｐｔ未満の濃度で含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
超高純度ガス流れが、精製材料と接触した後で、少なくとも１種の金属汚染物質を約１体積ｐｐｔ未満の濃度で含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
超高純度ガス流れが、水の存在下において腐食性であるガスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
腐食性ガスが、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＢＣｌ３、ＳｉＣｌ４、ＧｅＣｌ４、またはオゾン（Ｏ３）である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
腐食性ガスがＯ３である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
ガス流れが酸化性のガスを含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
酸化性ガスが、Ｆ２、Ｃｌ２、Ｂｒ２、酸素（Ｏ２）、またはオゾン（Ｏ３）である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ガス流れが水素化物ガスを含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
水素化物ガスが、水素（Ｈ２）、ボラン（ＢＨ３）、アンモニア（ＮＨ３）、ホスフィン（ＰＨ３）、アルシン（ＡｓＨ３）、シラン（ＳｉＨ４）、またはゲルマン（ＧｅＨ４）である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
高表面積無機酸化物が、約４以下の配位数を有する表面酸素原子を含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
高表面積無機酸化物が、約４以上のＳｉ／Ａｌ比を有する高シリカゼオライトを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
高表面積無機酸化物が、ジルコニア、チタニア、バナジア、クロミア、酸化マンガン、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化ニッケル、酸化銅、ランタナ、セリア、サマリア、アルミナまたはシリカを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
精製材料が、約２０ｍ２／ｇを超える表面積を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
超高純度ガス流れを、バルク酸素原子より小さな配位数を有する表面酸素原子を含有する高表面積無機酸化物を含む精製材料と接触させることにより、超高純度ガス流れから金属汚染物質を除去するための方法であって、ここで超高純度ガスは酸化性のガス、水素化物ガスおよび水の存在下において腐食性であるガスからなる群から選択される、前記方法。
【請求項２２】
超高純度ガス流れが、水の存在下において腐食性であるガスを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
腐食性ガスが、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＢＣｌ３、ＳｉＣｌ４、ＧｅＣｌ４、またはオゾン（Ｏ３）である、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
腐食性ガスがＯ３である、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
ガス流れが酸化性のガスを含有する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
酸化性ガスが、Ｆ２、Ｃｌ２、Ｂｒ２、酸素（Ｏ２）、またはオゾン（Ｏ３）である、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
ガス流れが水素化物ガスを含有する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２８】
水素化物ガスが、水素（Ｈ２）、ボラン（ＢＨ３）、アンモニア（ＮＨ３）、ホスフィン（ＰＨ３）、アルシン（ＡｓＨ３）、シラン（ＳｉＨ４）、またはゲルマン（ＧｅＨ４）である、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
超高純度ガス流れが、精製材料と接触する前に、少なくとも１種の金属汚染物質を約１０００体積ｐｐｍ未満の濃度で含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項３０】
超高純度ガス流れが、精製材料と接触する前に、少なくとも１種の金属汚染物質を約１体積ｐｐｍを超える濃度で含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項３１】
超高純度ガス流れが、精製材料と接触する前に、少なくとも１種の金属汚染物質を約１体積ｐｐｂを超える濃度で含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項３２】
超高純度ガス流れが、精製材料と接触した後で、少なくとも１種の金属汚染物質を約１００体積ｐｐｔ未満の濃度で含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項３３】
超高純度ガス流れが、精製材料と接触した後で、少なくとも１種の金属汚染物質を約１０体積ｐｐｔ未満の濃度で含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項３４】
超高純度ガス流れが、精製材料と接触した後で、少なくとも１種の金属汚染物質を約１体積ｐｐｔ未満の濃度で含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項３５】
高表面積無機酸化物が、約４以下の配位数を有する表面酸素原子を含有する、請求項２１に記載の方法。
【請求項３６】
高表面積無機酸化物が、約４以上のＳｉ／Ａｌ比を有する高シリカゼオライトを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項３７】
高表面積無機酸化物が、ジルコニア、チタニア、バナジア、クロミア、酸化マンガン、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化ニッケル、酸化銅、ランタナ、セリア、サマリア、アルミナまたはシリカを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項３８】
精製材料が、約２０ｍ２／ｇを超える表面積を有する、請求項２１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月15日(2008.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チューブの内面を洗浄するための装置であって、
溶剤容器への接続を有し、チューブの内面に溶剤を塗布するように構成された噴霧部と、
チューブ内に１つ以上のペレットを発射するように構成されたペレット発射部と、
を含む装置。
【請求項２】
噴霧部は、加圧ガスを使用してチューブの長さに溶剤を押し出すことができる装置を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
ペレットは略円筒形状である、請求項３に記載の装置。
【請求項４】
装置は、まず自動的に溶剤を塗布し、その後トリガ装置が作動すると1つ以上のペレッ
トを発射するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
ペレット発射部は、ガス圧力差動に基づいてペレットを発射する、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
ペレットを連続的に打ち上げるためのエスケープメント装置であって、
内蔵されたエスケープメントチャネルを有するエスケープメント本体と、
エスケープメントチャネルの長さに沿った第１の位置でエスケープメントチャネルを制御可能に遮断することができる第１のシャトルと、
エスケープメントチャネルの長さに沿った第２の位置でエスケープメントチャネルを制御可能に収納することができる第２のシャトルと、
を含むエスケープメント装置。
【請求項７】
少なくとも１つのペレットを保持するように構成された保持ピンをさらに含む、請求項６に記載のエスケープメント装置。
【請求項８】
エスケープメントチャネルと第１および第２のシャトルにより画成されるエスケープメ
ントチャンバに位置付けられる真空ポートをさらに含む、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
チューブの内部を洗浄するための方法であって、
チューブ内にある量の溶剤を注入する工程と、
その後チューブ内に1つ以上のペレットを注入する工程と、
を含む、方法。
【請求項１０】
溶剤を注入する工程は、強制的な空気の流れを使用してチューブの長さに溶剤が落ちるのを補助する工程を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
1つ以上のペレットを注入する工程は、強制的なガスの流れを使用してエスケープメン
トチャンバ内にペレットを搭載する工程を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
チューブに積み重なったペレットを取り除くために、チューブ内に空気の最終排出を噴出する工程をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
1つ以上のペレットはチューブから出て、捕捉器内に入る、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
エスケープメント装置内に発泡ペレットを搭載するための方法であって、強制的なガスの流れを使用して複数の発泡ペレットをエスケープメントチャンバ内に引き込む工程と、
第１のペレット以外のすべてがチャンバに入るのを阻止するために保持機構を作動する工程と、
を含む、方法。
【請求項１５】
第１のペレットを残りのペレットから分離するためにエスケープメントチャンバを封止し、その後保持機構の動作を停止する工程をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月2日(2008.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体収容チャンバ（１０１）と、
前記流体収容チャンバを貫通し、少なくとも１つの貫通したテーパー状開口（１１２）がある少なくとも１つの第１の導管（１０２）と、
前記流体収容チャンバに作動的に接続された第２の導管（１０３）と
を備える剪断混合装置（１００）。
【請求項２】
貫通するオリフィス（１１６）があり、前記第１の導管を取り囲む二次障壁（１１３）をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記二次障壁の前記オリフィスの直径が、前記第１の導管の外面でのテーパー状開口の直径より小さい、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
複数の第１の導管が、前記収容チャンバを貫通し、各導管には、少なくとも１つの貫通するテーパー状開口があり、前記第１の導管の各々が、前記流体収容チャンバに作動的に接続された、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第１の導管の外面上の前記開口の開きが、前記導管の内面上の前記開口の開きより大きい、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記開口の前記テーパーが、０度より大きく９０度より小さい範囲の少なくとも１つの角度を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記角度が、前記第１の導管の表面に垂直な平面に対して決定される、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記角度が、前記開口の中心軸に対して決定される、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記開口の軸が、前記第１の導管の表面に対して、０度より大きく９０度より小さい範囲の角度をなす、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１の導管が、複数の貫通するテーパー状開口を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１の導管が、複数のテーパー状開口を備え、前記開口は該開口の開きの最も大きな寸法に等しい厚みをもつ平面に含まれた、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記平面が、前記第１の導管の中心軸に垂直である、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１の導管が、複数列のテーパー状開口を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記テーパー状開口の開口数、サイズ、および間隔により、前記開口にかかる圧力を過度に損失することなく、流体が高速に混合される、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
少なくとも１つのテーパー状開口（１１２）がある少なくとも１つの第１の導管（１０２）を通って第１の流体を通過させるステップと、前記少なくとも１つのテーパー状開口（１１２）を通って前記第１の導管（１０２）内に第２の流体を通過させるステップと、前記第１の導管（１０２）において前記第１および第２の流体を混合させるステップとを含む混合方法。
【請求項１６】
貫通するオリフィス（１１６）があり、前記第１の導管を取り囲む二次障壁（１１３）を通って前記第２の流体を通過させるステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記二次障壁の前記オリフィスの直径が、前記第１の導管の外面でのテーパー状開口の直径より小さい、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
複数の第１の導管が、前記収容チャンバを貫通し、各導管には、少なくとも１つの貫通するテーパー状開口があり、前記第１の導管の各々が、前記流体収容チャンバに作動的に接続された、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の導管の外面上の前記開口の開きが、前記導管の内面上の前記開口の開きより大きい、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記開口の前記テーパーが、０度より大きく９０度より小さい範囲の角度を有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記角度が、前記第１の導管の表面に垂直な平面に対して決定される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記角度が、前記開口の中心軸に対して決定される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記開口の軸が、前記第１の導管の表面に対して、０度より大きく９０度より小さい範囲の角度をなす、請求項１５に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１の導管が、複数の貫通するテーパー状開口を備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項２５】
前記第１の導管が、複数のテーパー状開口を備え、前記開口は該開口の開きの最も大きな寸法に等しい厚みをもつ平面に含まれた、請求項１５に記載の方法。
【請求項２６】
前記第１の導管が、複数列のテーパー状開口を備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項２７】
前記テーパー状開口の開口数、サイズ、および間隔により、前記開口にかかる圧力を過度に損失することなく、流体が高速に混合される、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月22日(2008.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1ポートと第2ポートとの二つのみのポートを画成するハウジングと、
前記第1ポートの近傍に位置決めされた第1長寸フレーム・ジャック・アセンブリであって前記ハウジングにより支持される第1スプリング配置構成を有する第1長寸フレーム・ジャック・アセンブリと、
前記第2ポートの近傍に位置決めされた第2長寸フレーム・ジャック・アセンブリであって前記ハウジングにより支持される第2スプリング配置構成を有する第2長寸フレーム・ジャック・アセンブリとを具備し、
前記第1ポートおよび前記第2ポートの各々は長寸フレーム用配線コード・プラグを受容すべく寸法設定される、
配線モジュール。
【請求項２】
前記第1ポートおよび前記第2ポートの各々は約6.35mm（0.25インチ）である直径を有する、請求項１に記載の配線モジュール。
【請求項３】
前記ハウジングは誘電材料から作成される、請求項１に記載の配線モジュール。
【請求項４】
前記ハウジングは該ハウジングを筐体に対して固定すべく構成された少なくとも一つのスナップ式接続部を有する、請求項１に記載の配線モジュール。
【請求項５】
前記第1長寸フレーム・ジャック・アセンブリおよび前記第2長寸フレーム・ジャック・アセンブリの回路構成を‘非’常用構成、‘完全’常用構成および‘半’常用構成の間で変更する切換えデバイスを更に有する、請求項１に記載の配線モジュール。
【請求項６】
前記切換えデバイスは複数の二位置スィッチを有する、請求項５に記載の配線モジュール。
【請求項７】
前記第1長寸フレーム・ジャック・アセンブリおよび前記第2長寸フレーム・ジャック・アセンブリに対して電気的に接続された後部コネクタを更に有する、請求項１に記載の配線モジュール。
【請求項８】
前記後部コネクタは前記第1長寸フレームおよび前記第2長寸フレームに対してプリント回路基板により電気的に接続される、請求項７に記載の配線モジュール。
【請求項９】
前部および後部を有する筐体であって前記前部は前部開口を画成するという筐体と、
前記筐体の前記前部開口内に位置決めされた複数の前部装填式配線モジュールであって、前記複数の前部装填式配線モジュールの各々は、第1長寸フレーム・ジャック・アセンブリと第2長寸フレーム・ジャック・アセンブリとの二つのみの長寸フレーム・ジャック・アセンブリを有するという複数の前部装填式配線モジュールと、
前記筐体の前記後部に配置された複数の後部コネクタであって、前記前部装填式配線モジュールに対して夫々電気的に接続された複数の後部コネクタとを具備する、
配線システム。
【請求項１０】
前記配線モジュールの各々は、長寸フレーム用配線コード・プラグを受容すべく寸法設定された第1ポートおよび第2ポートを画成するハウジングを有する、請求項９に記載の配線システム。
【請求項１１】
前記第1長寸フレーム・ジャック・アセンブリは前記第1ポートの近傍に位置決めされ、且つ、前記第2長寸フレーム・ジャック・アセンブリは前記第2ポートの近傍に位置決めされる、請求項１０に記載の配線システム。
【請求項１２】
前記第1ポートおよび前記第2ポートの各々は約6.35mm（0.25インチ）の直径を有する、請求項１０に記載の配線システム。
【請求項１３】
前記ハウジングは誘電材料で作成される、請求項１０に記載の配線システム。
【請求項１４】
前記ハウジングは、前記配線モジュールを前記筐体の前記前部開口内に固定すべく構成された少なくとも一つのスナップ式接続部を有する、請求項１０に記載の配線システム。
【請求項１５】
前記複数の前部装填式配線モジュールの各々は12.7mm（0.5インチ）以下の中心間間隔を有する、請求項９に記載の配線システム。
【請求項１６】
前記複数の前部装填式配線モジュールの各々は10.16mm（0.4インチ）以下の中心間間隔を有する、請求項１５に記載の配線システム。
【請求項１７】
前記複数の前部装填式配線モジュールは前記筐体の前記前部開口内に位置決めされた少なくとも30個の配線モジュールを有する、請求項９に記載の配線システム。
【請求項１８】
前記複数の前部装填式配線モジュールは前記筐体の前記前部開口内に位置決めされた少なくとも32個の配線モジュールを有する、請求項１７に記載の配線システム。
【請求項１９】
前記筐体の前記前部は前部高さを画成し、前記筐体の前記前部開口は開口高さを画成し、前記開口高さに対する前記前部高さの比率は1.8以下である、請求項９に記載の配線システム。
【請求項２０】
前記筐体の前記前部は前部高さを画成し、前記筐体の前記前部開口は開口高さを画成し、前記開口高さに対する前記前部高さの比率は1.4以下である、請求項１９に記載の配線システム。
【請求項２１】
前記筐体は電気通信用ラックの多くとも一段のラック・ユニットを占有すべく構成される、請求項９に記載の配線システム。
【請求項２２】
前記筐体の前記前部開口は、約31.75mm（1.25インチ）以上である前部開口高さを有する、請求項２１に記載の配線システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月2日(2008.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水銀、チタン、銅ならびに錫、クロムおよびケイ素の少なくとも１種を含み、各元素が以下の重量％に従って存在する組成物であって、この組成物がＴｉ、Ｃｕ、そしてＳｎ、ＣｒおよびＳｉから選ばれる少なくとも１種の元素からなる粉末化した前−合金を形成し、これをＨｇと反応させることによって得られるものである水銀配合組成物：
- チタン  １０％〜４２％；
- 銅  １４％〜５０％；
- 錫、クロムおよびケイ素から選ばれる少なくとも１種の元素  １％〜２０％；
- 水銀  ２０％〜５０％。
【請求項２】
水銀、チタン、銅およびクロムを含み、各元素が以下の重量％に従って存在する水銀配合組成物： 
- チタン  １０％〜４２％；
- 銅  １４％〜５０％；
- クロム  １％〜２０％；
- 水銀  ２０％〜５０％。
【請求項３】
１２５μｍ未満の粒径を持つ粉末の形である請求項１あるいは２に記載の組成物。
【請求項４】
請求項３に記載の粉末（１２、２２）を含有する水銀配合装置。
【請求項５】
前記粉末からなる少なくとも１つの軌道（１２）が少なくとも１つの面に堆積される、金属ストリップ（１１）の形をした請求項４に記載の装置(１０)。
【請求項６】
先端部（２１）が開口していて中に前記粉末（２２）が存在する、環状容器の形をした請求項４に記載の装置(２０)。
【請求項７】
内側に前記粉末（３２）が入りかつ単一のスリットの形をした開口（３３）を有する、ワイヤ−状容器(３１)の形をした請求項４に記載の装置(３０)。
【請求項８】
以下の工程：
- チタン、銅、そして錫、クロムおよびケイ素のうちの少なくとも１種の元素からなる合金であって、この３元素が最終組成物に目的とするものに対応した重量比を有する合金の調製；
- 当該合金の粉末化；
- 当該合金の粉末と液状の水銀との、合金と水銀との重量比が約２：１〜１：１で変えられる混合；
- こうして得られた混合物の耐圧密閉容器中、約６５０〜７５０℃の温度内で１〜１０時間の熱処理；
を含む、請求項１あるいは２の組成物の製造法。
【請求項９】
約５００℃で少なくとも１分間の熱処理を少なくとも１回含む熱サイクルの間にポンプ使用による過剰な水銀の除去からなる追加の最終工程がさらに含まれる請求項８に記載の製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月27日(2008.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁界生成器と、
共振回路とを有し、
前記共振回路に電圧が入力されるシンクロサイクロトロンであって、
前記共振回路が、磁極の間に配置され、間に磁界が横切るすき間を有している電極と、該電極を備える回路内の可変のリアクタンス素子であって、当該共振回路の共振周波数を変化させるためのリアクタンス素子とを有しており、
前記共振回路への入力電圧が、荷電粒子の加速の時間の間に変化する振動電圧であるシンクロサイクロトロン。
【請求項２】
請求項１において、前記入力電圧の振幅および／または周波数が変化させられるシンクロサイクロトロン。
【請求項３】
請求項１において、当該シンクロサイクロトロンに荷電粒子を注入するためのイオン源および前記磁極の間に配置されて当該シンクロサイクロトロンから粒子ビームを抽出する抽出電極をさらに備えているシンクロサイクロトロン。
【請求項４】
請求項１において、前記共振回路の共振状態を検出するための１つ以上のセンサをさらに備えているシンクロサイクロトロン。
【請求項５】
請求項１において、共振状態を維持するため、前記可変のリアクタンス素子のリアクタンスを制御して前記共振回路の共振周波数を調節するための手段をさらに備えているシンクロサイクロトロン。
【請求項６】
請求項５において、粒子ビームを測定するためのビーム監視器をさらに備えており、前記入力電圧、前記イオン源、および前記抽出電極の少なくとも１つが、前記粒子ビームの変化を補償すべく制御されるシンクロサイクロトロン。
【請求項７】
請求項６において、前記ビーム監視器が、粒子ビームの強度、粒子ビームのタイミングおよび粒子ビームの空間分布の１つ以上を測定するシンクロサイクロトロン。
【請求項８】
請求項１において、前記振動入力電圧が、プログラマブル・デジタル波形生成器によって生成されるシンクロサイクロトロン。
【請求項９】
請求項８において、前記プログラマブル・波形生成器が、前記粒子ビームの変化を補償すべく前記イオン源および前記抽出電極の少なくとも一方を制御するシンクロサイクロトロン。
【請求項１０】
磁界生成器と、
共振回路と、
前記共振回路に電圧が入力されるシンクロサイクロトロンであって、
前記共振回路が、磁極の間に配置され、間に磁界が横切るすき間を有している電極と、
該電極を備える回路内の可変のリアクタンス素子であって、当該共振回路の共振周波数を変化させるためのリアクタンス素子とを有しており、
前記共振回路への入力電圧が、プログラマブル・デジタル波形生成器によって荷電粒子の加速の時間の間に変化させられる振動電圧であるシンクロサイクロトロン。
【請求項１１】
シンクロサイクロトロンにおいて粒子ビームを生成する方法であって、
イオン源によってシンクロサイクロトロンへと荷電粒子を注入するステップと、
間に磁界が横切るすき間を持っている加速電極を備えている共振回路に、振動入力電圧を印加し、前記すき間を横切る振動電界を生成して、前記荷電粒子を加速させるステップであって、前記振動電圧が前記荷電粒子の加速の時間の間に変化するように制御されているステップと、
前記加速させた荷電粒子を抽出電極によって抽出して粒子ビームを形成するステップと、
を含んでいる方法。
【請求項１２】
請求項１１において、前記振動入力電圧の振幅および／または周波数が変化させられる方法。
【請求項１３】
請求項１１において、前記共振回路の共振状態を検出するステップをさらに含んでいる方法。
【請求項１４】
請求項１３において、前記入力電圧の周波数が、共振状態を維持するように調節される方法。
【請求項１５】
請求項１４において、前記共振回路の共振状態を維持するため、前記振動入力電圧および前記加速電極を備える回路の可変のリアクタンス素子のリアクタンスを調節するステップをさらに含んでいる方法。
【請求項１６】
請求項１５において、粒子ビームの強度をビーム監視器によって粒子ビームの強度、粒子ビームのタイミングおよび粒子ビームの空間分布の１つ以上を測定するステップと、
前記振動入力電圧、前記イオン源、および前記抽出電極のうちの少なくとも１つを制御して前記粒子ビームの変化を補償するステップと、
をさらに含んでいる方法。
【請求項１７】
請求項１６において、前記振動入力電圧が、プログラマブル・デジタル波形生成器によって生成される方法。
【請求項１８】
請求項１７において、前記プログラマブル・波形生成器が、前記粒子ビームの変化を補償すべく前記イオン源および前記抽出電極の少なくとも一方を制御する方法。
【請求項１９】
シンクロサイクロトロンにおいて粒子ビームを生成する方法であって、
イオン源によってシンクロサイクロトロンへと荷電粒子を注入するステップと、
間に磁界が横切るすき間を持つように加速電極を備えている共振回路に、振動入力電圧を印加し、前記すき間を横切る振動電界を駆動して、前記荷電粒子を加速させるステップであって、前記入力電圧がプログラマブル・デジタル波形生成器によって決定される可変の振幅および周波数を有しているステップと、
前記加速させた荷電粒子を抽出電極によって抽出して粒子ビームを形成するステップと、
を含んでいる方法。
【請求項２０】
当該シンクロサイクロトロンに荷電粒子を注入するための注入手段と、
振動電界によって荷電粒子を加速させるための加速手段であって、該振動電界が荷電粒子の加速の時間の間に変化する加速手段と、
加速させた荷電粒子を抽出して粒子ビームを形成するための抽出手段と、
を有しているシンクロサイクロトロン。
【請求項２１】
請求項２０において、前記加速手段が、振動入力電圧を有する共振回路をさらに備えており、
該振動入力電圧が、間に磁界を横切るすき間を有している加速電極へと印加され、該すき間を横切る振動電界を駆動するシンクロサイクロトロン。
【請求項２２】
請求項２１において、荷電粒子の加速の時間の間に前記振動入力電圧を変化させるための電圧制御手段をさらに備えているシンクロサイクロトロン。
【請求項２３】
請求項２２において、粒子ビームを監視するための監視手段をさらに備えているシンクロサイクロトロン。
【請求項２４】
請求項２３において、前記共振回路の共振周波数を変化させるため、共振周波数制御手段を前記振動入力電圧および前記加速電極を備える回路にさらに備えているシンクロサイクロトロン。
【請求項２５】
請求項２４において、前記共振回路の共振状態を検出するための共振検出手段をさらに備えているシンクロサイクロトロン。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月25日(2008.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリシステムにおいて、
複数の電荷蓄積素子と、
前記複数の電荷蓄積素子をプログラムするプログラミング周期の間、少なくともいくつ
かの電圧ポンプパルスそれぞれの振幅を前のパルスに対して増加する前記電圧ポンプパル
スを、順次生成する電荷ポンプと、
前記電圧ポンプパルスのシーケンスを受け取る第１の入力と、その振幅が所定の時間間
隔で増加する参照電圧を受け取る第２の入力と、前記電圧ポンプパルスと前記参照電圧と
の比較を表す出力信号を生成する出力とを有する比較器と、
前記電圧ポンプパルスの振幅が前記参照電圧と一致しない場合に、前記電圧ポンプパル
スを前記電荷蓄積素子に印加するように割り当てられたプログラム時間を前記プログラミ
ング周期が終了するまで基本的に変化しない値に調整するプログラム時間制御信号を前記
出力信号に応答して生成する回路と、
を備えるシステム。
【請求項２】
請求項１記載の不揮発性メモリシステムにおいて、
前記回路が、前記プログラム時間制御信号を記憶するラッチを備えるシステム。
【請求項３】
請求項２記載の不揮発性メモリシステムにおいて、
前記ラッチが、前記プログラミング周期の終わりにリセット可能であるシステム。
【請求項４】
請求項２記載の不揮発性メモリシステムにおいて、
前記電荷ポンプが生成した前記電圧ポンプパルスの前記プログラム時間を制御するコン
トローラをさらに備え、前記コントローラが、前記プログラミング周期の終わりに前記ラ
ッチをリセットするシステム。
【請求項５】
請求項２記載の不揮発性メモリシステムにおいて、
前記ラッチが、ＳＲフリップフロップを備えるシステム。
【請求項６】
請求項１記載の不揮発性メモリシステムにおいて、
前記参照電圧を前記比較器に供給するコントローラをさらに備えるシステム。
【請求項７】
請求項６記載の不揮発性メモリシステムにおいて、
前記コントローラが、前記電荷ポンプが生成した前記電圧ポンプパルスのプログラム時
間を制御するシステム。
【請求項８】
請求項１記載の不揮発性メモリシステムにおいて、
前記プログラム時間制御信号により、生成した前記電圧ポンプパルスのパルス幅を、前
記プログラミング周期が終了するまで基本的に変化しない所定の値に増加するシステム。
【請求項９】
請求項１記載の不揮発性メモリシステムにおいて、
前記プログラム時間を第１の値に設定し、前記プログラム時間制御信号により前記プロ
グラム時間を前記第１の値よりも大きい第２の値に増加するシステム。
【請求項１０】
請求項１記載の不揮発性メモリシステムにおいて、
前記電圧ポンプパルスの振幅が前記参照電圧を下回る場合に、前記プログラム時間制御
信号により、前記電圧ポンプパルスを前記電荷蓄積素子に印加するように割り当てられた
プログラム時間を前記プログラミング周期が終了するまで基本的に変化しない値に調整す
るシステム。
【請求項１１】
複数の電荷蓄積素子を備える不揮発性メモリシステムをプログラムする方法において、
前記複数の電荷蓄積素子をプログラムするプログラミング周期の間、少なくともいくつ
かの前記パルスそれぞれの振幅を前のパルスに対して増加する前記電圧ポンプパルスを、
順次生成するステップと、
電圧ポンプパルスのシーケンスを、その振幅が所定の時間間隔で増加する参照電圧と比
較し、前記電圧ポンプパルスと前記参照電圧との比較を表す出力信号を生成するステップ
と、
前記電圧ポンプパルスの振幅が前記参照電圧と一致しない場合に、生成した前記電圧ポ
ンプパルスのプログラム時間を前記プログラミング周期が終了するまで基本的に変化しな
い値に調整するプログラム時間制御信号を前記出力信号に応答して生成するステップと、
を含む方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の不揮発性メモリシステムをプログラムする方法において、
前記プログラム時間制御信号を記憶するステップをさらに含む請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の不揮発性メモリシステムをプログラムする方法において、
前記プログラミング周期の終わりに前記電圧ポンプパルスのプログラム時間をリセット
するステップをさらに含む方法。
【請求項１４】
請求項１１記載の不揮発性メモリシステムをプログラムする方法において、
前記プログラム時間制御信号により、生成した前記電圧ポンプパルスの前記プログラム
時間を、前記プログラミング周期が終了するまで基本的に変化しない所定の値に増加する
方法。
【請求項１５】
請求項１１記載の不揮発性メモリシステムをプログラムする方法において、
前記プログラム時間を、第１の初期値に設定するステップをさらに含み、前記プログラ
ム時間制御信号により、前記プログラム時間を前記第１の値よりも大きい第２の値に増加
する方法。
【請求項１６】
請求項１１記載の不揮発性メモリシステムをプログラムする方法において、
前記電圧ポンプパルスの振幅が前記参照電圧を下回る場合に、前記プログラム時間制御
信号により、前記電圧ポンプパルスを前記電荷蓄積素子に印加するように割り当てられた
プログラム時間を前記プログラミング周期が終了するまで基本的に変化しない値に調整す
る方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月18日(2008.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気メモリデバイスにおいて使用するための調整可能な磁気スイッチであって、
磁気バイアス磁場を与えるための磁気源と、
磁化レベルを記憶するために前記磁気バイアス磁場内に配置された磁気部品と、
磁気リコイル効果にしたがって前記磁気部品中に記憶された前記磁化レベルを設定するために前記磁気部品の周囲に同軸に配置されたコイルと、
を備える調整可能な磁気スイッチ。
【請求項２】
前記コイルに接続され、該コイルを通じて電流パルスを送ることにより誘導磁場を形成して前記磁化レベルを設定する電流源を更に備える、請求項１に記載の調整可能な磁気スイッチ。
【請求項３】
前記磁化レベルと前記磁化バイアス磁場との組み合わせがハイ状態またはロー状態のうちの一方を示す、請求項１に記載の調整可能な磁気スイッチ。
【請求項４】
前記磁気源が永久磁石である、請求項１に記載の調整可能な磁気スイッチ。
【請求項５】
前記磁気部品が永久磁石である、請求項１に記載の調整可能な磁気スイッチ。
【請求項６】
無線周波数識別タグ、携帯端末または携帯電話において使用するための、請求項１に記載の調整可能な磁気スイッチ。
【請求項７】
バイアス磁場を与える少なくとも１つのバイアス磁気源と、
前記バイアス磁場内に配置された少なくとも１つの磁気スイッチであって、磁化レベルを記憶するための磁気部品と該磁気部品の周囲に同軸に配置されたコイルとを備える磁気スイッチと、
前記磁気スイッチに近接して配置され、該磁気スイッチに記憶された磁化レベルおよび前記磁気バイアス磁場を感知する少なくとも１つのセンサと、
を備えるメモリデバイス。
【請求項８】
前記磁化レベルと前記磁気バイアス磁場との組み合わせがハイ状態またはロー状態のうちの一方を示す、請求項７に記載のメモリデバイス。
【請求項９】
前記磁気源が永久磁石である、請求項７に記載のメモリデバイス。
【請求項１０】
前記磁気部品が永久磁石である、請求項７に記載のメモリデバイス。
【請求項１１】
前記磁気源によって形成される前記磁気バイアス磁場は、センサのオフセット閾値を完全に補償するように設定される、請求項７に記載のメモリデバイス。
【請求項１２】
前記磁気源によって形成される前記磁気バイアス磁場は、センサのオフセット閾値を部分的に補償するように設定される、請求項７に記載のメモリデバイス。
【請求項１３】
前記センサがホール効果センサである、請求項７に記載のメモリデバイス。
【請求項１４】
無線周波数識別タグ、携帯端末または携帯電話において使用するための、請求項７に記載のメモリデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月15日(2008.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
好適なフィルムベースの画像の外観を生成するためのフルムベースの画像捕捉及び処理システムであって、
（ａ）更なるシーンの露光の区別を得るため、デジタル化のビット深さの制約を受けるスキャニングの信号対雑音比を増加する再現コントラストを有するスキャンオンリフィルムと、
（ｂ）前記スキャンオンリフィルムで、画像捕捉の結果として、潜像を現像する化学処理サブシステムと、
（ｃ）ワイドギャマットのデジタルイメージレコードを供給するスキャナと、
（ｄ）前記スキャナからデジタル化された画像にフィルム画像の属性を変更するイメージプロセッサと、
を備えることを特徴とするフィルムベースの画像捕捉及び処理システム。
【請求項２】
好適なフィルムベースの画像の外観を生成する方法であって、
（ａ）更なるシーンの露光の区別を得るため、デジタル化のビット深さの制約を受けるスキャニングの信号対雑音比を増加する再現コントラストを有するスキャンオンリフィルムを提供するステップと、
（ｂ）前記スキャンオンリフィルムで捕捉された潜像を現像するステップと、
（ｃ）スキャナからのワイドギャマットのデジタル画像のレコードを供給するステップと、
（ｄ）フィルム画像の属性で前記スキャナからのデジタル化された画像を変更するためにイメージプロセッサを利用するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項３】
電子カメラ及びスキャンオンリフィルムからの捕捉された画像に一般的な画像フィルムの属性を与える方法であって、前記電子カメラ及び前記スキャンオンリフィルムの両者は、イメージキャプチャのスペクトルに等価な特性を有し、前記スキャンオンリフィルムは、光学焼付けに適したフィルム画像を準備するために有効なカラーケミストリを除き、前記電子カメラは、テレビジョンディスプレイ及びディストリビューションと互換性のあるために要求されるビデオ符号化がなく、
当該方法は、
デジタル画像データを生成するために前記電子カメラで電子的な画像を捕捉するステップと、
前記スキャンオンリフィルムを使用してフィルム画像を捕捉するステップと、
前記スキャンオンリフィルムを処理するステップと、
デジタル画像データを生成するために前記スキャンオンリフィルムを電気−光学的にスキャニングするステップと、
その後の画像処理のために結合されたデジタル画像のセットを生成するため、前記スキャンオンリフィルムから導出された前記デジタル画像データで前記電子カメラの前記デジタル画像データをインターカットするステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配位図空間における受信信号点のシーケンスを受け取るための入力を提供し、
前記受信信号点の分布の関数としてノイズ強度推定値を決定し、ここで、配位図空間の異なる領域には異なる重みが与えられており、
前記ノイズ強度推定値の関数として等化器ロックを判定する、
ことを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記配位図空間の外側領域が内側領域よりも大きな重みを与えられることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法であって、ノイズ強度推定値を決定する前記ステップが：
前記配位図空間の一つまたは複数の内側領域にはいる受信信号点には０の重みを与える、
ステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法であって、等化器ロックを判定する前記ステップが：
決定されたノイズ強度推定値がある閾値より小さければ、等化器ロックが生じていると判定する、
ステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
前記外側領域の少なくとも一つが前記配位図空間の角領域であることを特徴とする、請求項３記載の方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法であって、等化器ロックを判定する前記ステップが：
前記ノイズ強度推定値から信号対雑音比（SNR）推定値を決定し、該SNR推定値がある閾値より大きければ、等化器ロックが生じていると判定する、
ステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
前記配位図空間がM-VSB（残留側波帯）シンボル配位図であることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記配位図空間がM-QAM（直角位相振幅変調）シンボル配位図であることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記領域の少なくとも一つが前記配位図空間の角領域であることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
受信信号を処理し、該受信信号から導出される信号点の関数として等化器ロックを判定するデコーダと、
前記デコーダが前記受信信号点の配位図空間における分布の関数として決定されるノイズ強度推定値の関数として等化器ロックを判定するよう前記デコーダを制御するプロセッサとを有する受信機であって、前記配位図空間の異なる領域には異なる重みが与えられていることを特徴とする、受信機。
【請求項１１】
前記配位図空間の外側領域が内側領域よりも大きな重みを与えられることを特徴とする、請求項１０記載の受信機。
【請求項１２】
請求項１０記載の受信機であって、前記デコーダが、前記配位図空間の一つまたは複数の内側領域にはいる受信信号点には重みを与えないことを特徴とする受信機。
【請求項１３】
請求項１２記載の受信機であって、前記デコーダが、ノイズ強度推定値についての値を決定し、その決定された値がある閾値より小さければ等化器ロックが生じていると判定することを特徴とする受信機。
【請求項１４】
前記領域の少なくとも一つが前記配位図空間の角領域であることを特徴とする、請求項１２記載の受信機。
【請求項１５】
請求項１０記載の受信機であって、前記デコーダが前記ノイズ強度推定値から信号対雑音比（SNR）推定値を決定し、該SNR推定値がある閾値より大きければ、等化器はロックされていると判定することを特徴とする受信機。
【請求項１６】
前記配位図空間がM-VSB（残留側波帯）シンボル配位図であることを特徴とする、請求項１０記載の受信機。
【請求項１７】
前記配位図空間がM-QAM（直角位相振幅変調）シンボル配位図であることを特徴とする、請求項１０記載の受信機。
【請求項１８】
前記領域の少なくとも一つが前記配位図空間の角領域であることを特徴とする、請求項１０記載の受信機。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月13日(2008.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶質ピン強磁性層と、非晶質固定強磁性層と、前記結晶質ピン強磁性層と前記非晶質固定強磁性層の間に配置された非磁性結合層とを含み、前記非晶質固定強磁性層は前記結晶質ピン強磁性層に反強磁性的に結合された合成反強磁性体ピン構造と、
自由強磁性層を含む第１電極スタックと、
前記合成反強磁性体ピン構造と前記第１電極スタックとの間に配置されたトンネル障壁層と
を備えたことを特徴とする磁気トンネル接合素子。
【請求項２】
前記結晶質ピン強磁性層に近接して配置された反強磁性ピニング層を更に備え、前記結晶質ピン強磁性層は前記反強磁性ピニング層と交換結合されることを特徴とする請求項１に記載の磁気トンネル接合素子。
【請求項３】
前記自由強磁性層は（ｉ）非晶質材料、（ｉｉ）結晶質材料、および（ｉｉｉ）二つの強磁性層と前記二つの強磁性層の間に配置された非磁性層とを有するＳＡＦ構造のうちの一つで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気トンネル接合素子。
【請求項４】
ピン強磁性層と、固定強磁性層と、前記ピン強磁性層と前記固定強磁性層との間に配置された非磁性結合層とを含み、前記固定強磁性層は前記ピン強磁性層に反強磁性的に結合された合成反強磁性体ピン構造と、
自由強磁性層を含む第１電極スタックと、
前記合成反強磁性体ピン構造と前記第１電極スタックとの間に配置されたトンネル障壁層と、
前記トンネル障壁層と非晶質材料層とに隣接して配置された第１インタフェース層と
を備え、
前記第１インタフェース層は前記非晶質材料層のスピン偏極よりも大きいスピン偏極を有する材料で構成されていることを特徴とする磁気トンネル接合素子。
【請求項５】
結晶質ピン強磁性層と、
非晶質固定強磁性層と、
前記結晶質ピン強磁性層と前記非晶質固定強磁性層の間に配置された第１非磁性結合層とを備え、前記非晶質固定強磁性層は前記結晶質ピン強磁性層に反強磁性的に結合され、
前記第１非磁性結合層は、改質表面、自由強磁性層、非晶質固定強磁性層と自由強磁性層との間に配置されたトンネル障壁層、およびトンネル障壁層と非晶質材料層との間に配置された第１インタフェース層を有し、
前記第１インタフェース層は前記非晶質材料層のスピン偏極よりも大きいスピン偏極を有する材料で構成されていることを特徴とする磁気トンネル接合素子。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月17日(2008.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの集積回路を有する、且つ、前記少なくとも１つの集積回路用の光保護手段を有する、チップであって、少なくとも２つの誘電体層を有する誘電体ミラーコーティングが、光保護手段として、前記チップの表面の少なくとも一部分上に付着される、チップ。
【請求項２】
前記誘電体ミラーコーティングは、前記少なくとも１つの集積回路の少なくともある領域にわたって、前記少なくとも１つの集積回路が実現される前記チップの少なくともある側で付着され、前記領域において、前記少なくとも１つの集積回路の能動素子が実現される、請求項１に記載のチップ。
【請求項３】
前記誘電体ミラーコーティングは、前記少なくとも１つの集積回路が実現される前記側の反対側にある前記チップの少なくともある側で付着される、請求項１または２に記載のチップ。
【請求項４】
前記誘電体ミラーコーティングの最外誘電体層は、直接隣接する内部の誘電体層より高い屈折率を有する、請求項１または２に記載のチップ。
【請求項５】
少なくとも１つの集積回路を有する、且つ、前記少なくとも１つの集積回路用の光保護手段を有する、チップの、製造方法であって、誘電体ミラーコーティングが、光保護手段として、前記チップの表面の少なくとも一部分上に付着され、高い屈折率を有する少なくとも１つの誘電体層および低い屈折率を有する誘電体層が、前記誘電体ミラーコーティングを備えるように前記チップに付着される、方法。
【請求項６】
前記誘電体ミラーコーティングは、前記少なくとも１つの集積回路の少なくともある領域にわたって、前記少なくとも１つの集積回路がすでに実現されている前記チップの少なくともある側で付着され、前記領域において、前記少なくとも１つの集積回路の能動素子が実現される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記誘電体ミラーコーティングは、前記少なくとも１つの集積回路がすでに実現されている前記側の反対側にある前記チップのある側で付着される、請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
直接隣接する内部の誘電体層より高い屈折率を有する層が前記誘電体ミラーコーティングの最外誘電体層として付着される、請求項５から７の１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月1日(2008.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯電話からプッシュツートーク（ＰＴＴ）式接続を確立する音声起動型接続方法であって、
該接続方法は、前記携帯電話上のＰＴＴキーを押し続け（２４０）；
伝えられた通話相手の名前を認識し（２４０）；
認識された前記伝えられた通話相手の名前を前記携帯電話のメモリのエントリと関連付け（２４５）；
前記携帯電話のディスプレイに前記通話相手の名前を表示し（２５０）；
前記携帯電話上の前記ＰＴＴキーを解放し（２７０）；
前記ＰＴＴキーが解放されたとき、ＰＴＴ接続を開始し（２８０）、前記ＰＴＴ接続は、前記携帯電話から前記携帯電話のディスプレイに表示された通話相手までの接続であり、前記ＰＴＴ接続を行うため通話相手の名前に関連付けられた携帯電話のメモリ内のＰＴＴ通話相手データが使用される、音声起動型接続方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、前記携帯電話は、セルラ通信網上で動作する前記方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法であって、前記携帯電話は、ボイスオーバＩＰ（ＶｏＩＰ）通信網上で動作する前記方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法であって、前記携帯電話は、無線ＬＡＮ（ＷＬＡＮ）上で動作する前記方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法であって、前記通話相手の名前は、複数の通話相手に関連するグループ名からなる前記方法。
【請求項６】
携帯電話からプッシュツートーク（ＰＴＴ）式接続を確立する音声起動接続方法であって、
伝えられた通話相手の名前を認識し（２４０）；
認識された前記伝えられた通話相手の名前を携帯電話のメモリのエントリと関連付け（２４５）；
前記携帯電話のディスプレイに前記通話相手の名前を表示し（２５０）；
前記ＰＴＴキーが解放されたとき、ＰＴＴ接続を開始し（２８０）、前記ＰＴＴ接続は、前記携帯電話から携帯電話のディスプレイに表示された通話相手までの接続であり、前記ＰＴＴ接続を行うため通話相手の名前に関連付けられた携帯電話のメモリ内のＰＴＴ通話相手データが使用される、音声起動型接続方法。
【請求項７】
請求項６記載の方法であって、前記携帯電話は、セルラ通信網上で動作する前記方法。
【請求項８】
請求項６記載の方法であって、前記携帯電話は、ボイスオーバＩＰ（ＶｏＩＰ）上で動作する前記方法。
【請求項９】
請求項６記載の方法であって、前記携帯電話は、無線ＬＡＮ上で動作する前記方法。
【請求項１０】
請求項６記載の方法であって、通話相手の名前は、複数の通話相手に関連するグループ名からなる前記方法。