【手続補正書】
【提出日】平成20年6月13日(2008.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）式２：
Ｒ2Ｐ−Ｌ−ＮＨＲ3
２
を有する化合物を不活性有機溶媒及び酸受容体の存在下で三ハロゲン化燐ＰＸ3と接触させて、式３：
【化１】
2008504262.tif 000001
を有する中間体化合物を生成させ；そして
（２）中間体化合物３を式Ｒ1−Ｍ1、Ｒ2−Ｍ1を有する反応体又はそれらの混合物と接触させる
ことを含んでなる、式１：
Ｒ2Ｐ−Ｌ−Ｎ（Ｒ3）−ＰＲ1Ｒ2
１
［式中、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、独立して、置換若しくは非置換の、分岐鎖若しくは直鎖Ｃ1〜Ｃ20アルキル、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキル、置換若しくは非置換のＣ6〜Ｃ20炭素環式アリール又は１〜３個のヘテロ原子（ここで前記ヘテロ原子は硫黄、窒素又は酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリールであり；
Ｌは置換若しくは非置換の、分岐鎖若しくは直鎖Ｃ1〜Ｃ20アルキレン、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキレン、置換若しくは非置換のＣ6〜Ｃ20炭素環式アリーレン、１〜３個のヘテロ原子（ここで前記ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリーレン又は置換若しくは非置換のメタロセニルメチレンから選ばれた二価キラル基であり、Ｌは実質的にエナンチオマーとして純粋であり；
Ｘはハライドであり；
Ｍ1は、第Ｉ族又は第ＩＩ族から選ばれた金属である］
を有するホスフィン−アミノホスフィン化合物の製造方法。
【請求項２】
工程（１）及び（２）を、環状及び非環状のエーテル、芳香族炭化水素、脂肪族及び脂環式炭化水素及びそれらの任意の２種又はそれ以上の混合物から選ばれた不活性有機溶媒の存在下で、−１００℃〜前記不活性有機溶媒の概ね沸点の範囲の温度において実施する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
（ａ）（１）式：
【化２】
2008504262.tif 000002
を有する化合物を酸受容体の存在下で三ハロゲン化燐ＰＸ3と接触させて、式：
【化３】
2008504262.tif 000003
を有する中間体化合物を生成させ；そして
（２）前記中間体化合物を、式Ｒ1−Ｍ1、Ｒ2−Ｍ1を有する反応体又はそれらの混合物と接触させる
ことを含んでなり、工程（１）及び（２）を、環状及び非環状のエーテル、芳香族炭化水素、脂肪族及び脂環式炭化水素及びそれらの任意の２種又はそれ以上の混合物から選ばれた不活性有機溶媒の存在下で、−１００℃〜前記不活性有機溶媒の概ね沸点の範囲の温度において実施する、式４：
【化４】
2008504262.tif 000004
［式中、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は独立して、水素、置換若しくは非置換の、分岐鎖若しくは直鎖Ｃ1〜Ｃ20アルキル、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキル、置換若しくは非置換のＣ6〜Ｃ20炭素環式アリール、又は１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリールであり；
ｎは０〜３であり；
ｍは０〜５であり；そして
Ｍ2は第ＩＶＢ族、第ＶＢ族、第ＶＩＢ族、第ＶＩＩＢ族及び第ＶＩＩＩ族の金属から選ばれる］
を有するホスフィン−アミノホスフィン化合物又は（ｂ）（１）式：
【化５】
2008504262.tif 000005
を有する化合物を酸受容体の存在下で三ハロゲン化燐ＰＸ3と接触させて、式：
【化６】
2008504262.tif 000006
を有する中間体化合物を生成させ；そして
（２）前記中間体化合物を、式Ｒ1−Ｍ1、Ｒ2−Ｍ1を有する反応体又はそれらの混合物と接触させる
ことを含んでなり、工程（１）及び（２）を、環状及び非環状のエーテル、芳香族炭化水素、脂肪族及び脂環式炭化水素及びそれらの任意の２種若しくはそれ以上の混合物から選ばれた不活性有機溶媒の存在下で、−１００℃〜前記不活性有機溶媒の概ね沸点の温度において実施する、式５：
【化７】
2008504262.tif 000007
［式中、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は、独立して、水素、置換若しくは非置換の、分岐鎖若しくは直鎖Ｃ1〜Ｃ20アルキル、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキル、置換若しくは非置換のＣ6〜Ｃ20炭素環式アリール、又は１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリールであり；
ｎは０〜３であり；
ｍは０〜５であり；そして
Ｍ2は第ＩＶＢ族、第ＶＢ族、第ＶＩＢ族、第ＶＩＩＢ族及び第ＶＩＩＩ族の金属から選ばれる］
を有するホスフィン−アミノホスフィン化合物を製造するための請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記溶媒がジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン及び／又はこれらの任意の２種若しくはそれ以上の混合物であり、且つ前記温度が−８０℃〜６０℃である請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記酸受容体がＣ3〜Ｃ15第三アミン又はピリジンであり；ＸがＣｌであり；前記溶媒がジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン又はこれらの任意の２種若しくはそれ以上の混合物であり；且つ前記温度が−８０℃〜６０℃である請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記酸受容体がＣ3〜Ｃ15第三アミン又はピリジンであり；ＸがＣｌであり；Ｍ1がＭｇＢｒ、ＭｇＣｌ、ＭｇＩ、Ｌｉ、Ｎａ又はＫであり；前記溶媒がジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン又はこれらの任意の２種若しくはそれ以上の混合物であり；且つ前記温度が−８０℃〜６０℃である請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記酸受容体がＣ3〜Ｃ15第三アミン又はピリジンであり；ＸがＣｌであり；Ｍ1がＭｇＢｒ、ＭｇＣｌ、ＭｇＩ、Ｌｉ、Ｎａ又はＫであり；前記溶媒がジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン又はこれらの任意の２種若しくはそれ以上の混合物であり；前記温度が−８０℃〜６０℃であり；Ｒがアリールであり；Ｒ1及びＲ2が同一であって、アリール、Ｃ2〜Ｃ6アルキル又はＣ3〜Ｃ6シクロアルキルであり；Ｒ3が水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキル又はアリールであり；Ｒ4が水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、ベンジル、ラセミ若しくは実質的にエナンチオマーとして純粋な１−フェニルエチル又はアリールであり；Ｒ5及びＲ6が水素であり；且つＭ2が鉄、ルテニウム又はオスミウムである請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記酸受容体がトリエチルアミンであり；前記溶媒がトルエンであり；Ｍ1がＭｇＢｒ又はＭｇＣｌであり；Ｒがフェニルであり；Ｒ1及びＲ2が同一であって、フェニル、ｐ−メトキシフェニル、３，４−ジフルオロフェニル、３，５−ジフルオロフェニル、３，４−ジクロロフェニル、３，５−ジクロロフェニル、３−フルオロフェニル又は４−フルオロフェニルであり；Ｒ3が水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキル又はアリールであり；Ｒ4が水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、ベンジル、ラセミ若しくは実質的にエナンチオマーとして純粋な１−フェニルエチル又はアリールであり；Ｒ5及びＲ6が水素であり；且つＭ2が鉄である請求項３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
実施例４３
配位子４ｐのロジウム錯体を用いたＮ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルＬ−シクロプロピルアラニンベンジルエステルの製造
ベンジル２−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ−３−シクロプロピルアクリレート（１５９ｍｇ；０．５ミリモル）を反応器中で無水メタノール（５．０ｍＬ）中に溶解し、アルゴンで１５分間ガス抜きした。ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ；５μモル；０．０１当量）及び実施例１５からの配位子４ｐ（３．９ｍｇ；６μモル；０．０１２当量）を合し、アルゴンでガス抜きされた無水メタノール（０．５ｍＬ）を添加した。この溶液を２５℃においてアルゴン下で１５分間撹拌し、次いでベンジル２−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ−３−シクロプロピルアクリレートの溶液に添加した。次に、得られた溶液を水素でフラッシし、水素０．６９〜１．３８ｂａｒｇ（１０〜２０ｐｓｉｇ）まで加圧した。反応混合物を６時間撹拌して、キラルＧＣ分析によって測定した場合に９９．０％ｅｅのアミノ酸誘導体ベンジル（Ｓ）−２−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ−３−シクロプロピルプロピオネートへの１００％の転化を得た。
以下に本発明の態様を記載する。
１．（１）前記式２を有する化合物を不活性有機溶媒及び酸受容体の存在下で三ハロゲン化燐ＰＸ3と接触させて、前記式３を有する中間体化合物を生成させ；そして
（２）中間体化合物３を式Ｒ1−Ｍ1、Ｒ2−Ｍ1を有する反応体又はそれらの混合物と接触させることを含んでなる、前記式１［式中、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、独立して、置換若しくは非置換の、分岐鎖若しくは直鎖Ｃ1〜Ｃ20アルキル、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキル、置換若しくは非置換のＣ6〜Ｃ20炭素環式アリール又は１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素又は酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリールであり；
Ｌは置換若しくは非置換の、分岐鎖若しくは直鎖Ｃ1〜Ｃ20アルキレン、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキレン、置換若しくは非置換のＣ6〜Ｃ20炭素環式アリーレン、１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリーレン又は置換若しくは非置換のメタロセニルメチレンから選ばれた二価キラル基であり、Ｌは実質的にエナンチオマーとして純粋であり；
Ｘはハライドであり；
Ｍ1は、第Ｉ族又は第ＩＩ族から選ばれた金属である］
を有するホスフィン−アミノホスフィン化合物の製造方法。
２．工程（１）及び（２）を、環状及び非環状のエーテル、芳香族炭化水素、脂肪族及び脂環式炭化水素及びそれらの任意の２種又はそれ以上の混合物から選ばれた不活性有機溶媒の存在下で、−１００℃〜前記不活性有機溶媒の概ね沸点の範囲の温度において実施する態様１に記載の方法。
３．（１）式：
【化３】
2008504262.tif 000008
を有する化合物を酸受容体の存在下で三ハロゲン化燐ＰＸ3と接触させて、式：
【化４】
2008504262.tif 000009
を有する中間体化合物を生成させ；そして
（２）前記中間体化合物を、式Ｒ1−Ｍ1、Ｒ2−Ｍ1を有する反応体又はそれらの混合物と接触させる
ことを含んでなり、工程（１）及び（２）を、環状及び非環状のエーテル、芳香族炭化水素、脂肪族及び脂環式炭化水素及びそれらの任意の２種又はそれ以上の混合物から選ばれた不活性有機溶媒の存在下で、−１００℃〜前記不活性有機溶媒の概ね沸点の範囲の温度において実施する、式４［式中、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は独立して、水素、置換若しくは非置換の、分岐鎖若しくは直鎖Ｃ1〜Ｃ20アルキル、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキル、置換若しくは非置換のＣ6〜Ｃ20炭素環式アリール、又は１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリールであり；
ｎは０〜３であり；
ｍは０〜５であり；そして
Ｍ2は第ＩＶＢ族、第ＶＢ族、第ＶＩＢ族、第ＶＩＩＢ族及び第ＶＩＩＩ族の金属から選ばれる］
を有するホスフィン−アミノホスフィン化合物を製造するための態様１に記載の方法。
４．前記溶媒がジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン及び／又はこれらの任意の２種若しくはそれ以上の混合物であり、且つ前記温度が−８０℃〜６０℃である態様３に記載の方法。
５．前記酸受容体がＣ3〜Ｃ15第三アミン又はピリジンであり；ＸがＣｌであり；前記溶媒がジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン又はこれらの任意の２種若しくはそれ以上の混合物であり；且つ前記温度が−８０℃〜６０℃である態様３に記載の方法。
６．前記酸受容体がＣ3〜Ｃ15第三アミン又はピリジンであり；ＸがＣｌであり；Ｍ1がＭｇＢｒ、ＭｇＣｌ、ＭｇＩ、Ｌｉ、Ｎａ又はＫであり；前記溶媒がジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン又はこれらの任意の２種若しくはそれ以上の混合物であり；且つ前記温度が−８０℃〜６０℃である態様３に記載の方法。
７．前記酸受容体がＣ3〜Ｃ15第三アミン又はピリジンであり；ＸがＣｌであり；Ｍ1がＭｇＢｒ、ＭｇＣｌ、ＭｇＩ、Ｌｉ、Ｎａ又はＫであり；前記溶媒がジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン又はこれらの任意の２種若しくはそれ以上の混合物であり；前記温度が−８０℃〜６０℃であり；Ｒがアリールであり；Ｒ1及びＲ2が同一であって、アリール、Ｃ2〜Ｃ6アルキル又はＣ3〜Ｃ6シクロアルキルであり；Ｒ3が水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキル又はアリールであり；Ｒ4が水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、ベンジル、ラセミ若しくは実質的にエナンチオマーとして純粋な１−フェニルエチル又はアリールであり；Ｒ5及びＲ6が水素であり；且つＭ2が鉄、ルテニウム又はオスミウムである態様３に記載の方法。
８．前記酸受容体がトリエチルアミンであり；前記溶媒がトルエンであり；Ｍ1がＭｇＢｒ又はＭｇＣｌであり；Ｒがフェニルであり；Ｒ1及びＲ2が同一であって、フェニル、ｐ−メトキシフェニル、３，４−ジフルオロフェニル、３，５−ジフルオロフェニル、３，４−ジクロロフェニル、３，５−ジクロロフェニル、３−フルオロフェニル又は４−フルオロフェニルであり；Ｒ3が水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキル又はアリールであり；Ｒ4が水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、ベンジル、ラセミ若しくは実質的にエナンチオマーとして純粋な１−フェニルエチル又はアリールであり；Ｒ5及びＲ6が水素であり；且つＭ2が鉄である態様３に記載の方法。
９．（１）式：
【化５】
2008504262.tif 000010
を有する化合物を酸受容体の存在下で三ハロゲン化燐ＰＸ3と接触させて、式：
【化６】
2008504262.tif 000011
を有する中間体化合物を生成させ；そして
（２）前記中間体化合物を、式Ｒ1−Ｍ1、Ｒ2−Ｍ1を有する反応体又はそれらの混合物と接触させる
ことを含んでなり、工程（１）及び（２）を、環状及び非環状のエーテル、芳香族炭化水素、脂肪族及び脂環式炭化水素及びそれらの任意の２種若しくはそれ以上の混合物から選ばれた不活性有機溶媒の存在下で、−１００℃〜前記不活性有機溶媒の概ね沸点の温度において実施する、式５［式中、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は、独立して、水素、置換若しくは非置換の、分岐鎖若しくは直鎖Ｃ1〜Ｃ20アルキル、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキル、置換若しくは非置換のＣ6〜Ｃ20炭素環式アリール、又は１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリールであり；
ｎは０〜３であり；
ｍは０〜５であり；そして
Ｍ2は第ＩＶＢ族、第ＶＢ族、第ＶＩＢ族、第ＶＩＩＢ族及び第ＶＩＩＩ族の金属から選ばれる］
を有するホスフィン−アミノホスフィン化合物を製造するための態様１に記載の方法。
１０．前記溶媒がジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン及び／又はこれらの任意の２種若しくはそれ以上の混合物であり、且つ前記温度が−８０℃〜６０℃である態様９に記載の方法。
１１．前記酸受容体がＣ3〜Ｃ15第三アミン又はピリジンであり；ＸがＣｌであり；前記溶媒がジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン又はこれらの任意の２種若しくはそれ以上の混合物であり；且つ前記温度が−８０℃〜６０℃である態様９に記載の方法。
１２．前記酸受容体がＣ3〜Ｃ15第三アミン又はピリジンであり；ＸがＣｌであり；Ｍ1がＭｇＢｒ、ＭｇＣｌ、ＭｇＩ、Ｌｉ、Ｎａ又はＫであり；前記溶媒がジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン又はこれらの任意の２種若しくはそれ以上の混合物であり；且つ前記温度が−８０℃〜６０℃である態様９に記載の方法。
１３．前記酸受容体がＣ3〜Ｃ15第三アミン又はピリジンであり；ＸがＣｌであり；Ｍ1がＭｇＢｒ、ＭｇＣｌ、ＭｇＩ、Ｌｉ、Ｎａ又はＫであり；前記溶媒がジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン又はこれらの任意の２種若しくはそれ以上の混合物であり；前記温度が−８０℃〜６０℃であり；Ｒがアリールであり；Ｒ1及びＲ2が同一であって、アリール、Ｃ2〜Ｃ6アルキル又はＣ3〜Ｃ6シクロアルキルであり；Ｒ3が水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキル又はアリールであり；Ｒ4が水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、ベンジル、ラセミ若しくは実質的にエナンチオマーとして純粋な１−フェニルエチル又はアリールであり；Ｒ5及びＲ6が水素であり；且つＭ2が鉄、ルテニウム又はオスミウムである態様９に記載の方法。
１４．前記酸受容体がトリエチルアミンであり；前記溶媒がトルエンであり；Ｍ1がＭｇＢｒ又はＭｇＣｌであり；Ｒがフェニルであり；Ｒ1及びＲ2が同一であって、フェニル、ｐ−メトキシフェニル、３，４−ジフルオロフェニル、３，５−ジフルオロフェニル、３，４−ジクロロフェニル、３，５−ジクロロフェニル、３−フルオロフェニル又は４−フルオロフェニルであり；Ｒ3が水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキル又はアリールであり；Ｒ4が水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、ベンジル、ラセミ若しくは実質的にエナンチオマーとして純粋な１−フェニルエチル又はアリールであり；Ｒ5及びＲ6が水素であり；且つＭ2が鉄である態様９に記載の方法。