【手続補正書】
【提出日】平成18年12月1日(2006.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子、第１の電源線、第２の電源線、信号線、前記発光素子に流れる電流値を決定する第１のＴＦＴ、ビデオ信号によって前記発光素子の発光、非発光を決定する第２のＴＦＴ、及び前記信号線に入力された前記ビデオ信号が前記第２のＴＦＴのゲートに与えられるか否かを制御する第３のＴＦＴを有し、
前記発光素子が有する第１の電極は、前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの他方は、前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの他方は、前記第１の電源線に電気的に接続され、
前記第１のＴＦＴのゲートは前記第２の電源線に電気的に接続され、
前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、前記第３のＴＦＴのゲート、前記信号線、前記第１の電源線、及び前記第２の電源線が、液滴吐出法または印刷法を用いてＺｎＯまたはＴｉＯ２上に設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
発光素子、第１の電源線、第２の電源線、信号線、前記発光素子に流れる電流値を決定する第１のＴＦＴ、ビデオ信号によって前記発光素子の発光、非発光を決定する第２のＴＦＴ、前記信号線に入力された前記ビデオ信号が前記第２のＴＦＴのゲートに与えられるか否かを制御する第３のＴＦＴ、及び前記ビデオ信号に関わらず、前記第２のＴＦＴのゲートと前記第１の電源線との電気的な接続を制御する第４のＴＦＴを有し、
前記発光素子が有する第１の電極は、前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの他方は、前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの他方は、前記第１の電源線に電気的に接続され、
前記第１のＴＦＴのゲートは前記第２の電源線に電気的に接続されており、
前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、前記第３のＴＦＴのゲート、前記第４のＴＦＴのゲート、前記信号線、前記第１の電源線、及び前記第２の電源線が、液滴吐出法または印刷法を用いてＺｎＯまたはＴｉＯ２上に設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴの極性がｎ型であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記第１のＴＦＴにおけるチャネル幅に対するチャネル長の比は、前記第２のＴＦＴにおけるチャネル幅に対するチャネル長の比よりも大きいことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記発光素子は第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極の間に設けられた電界発光層を有し、
前記第１の電極、前記第２の電極、及び前記電界発光層のいずれか一は、液滴吐出法を用いて設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記印刷法はオフセット印刷法またはスクリーン印刷法であることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
基板表面にＺｎＯまたはＴｉＯ２を形成し、
前記ＺｎＯまたは前記ＴｉＯ２上に、信号線、第１の電源線、第２の電源線、該第２の電源線に電気的に接続される第１のＴＦＴのゲート、第２のＴＦＴのゲート、及び第３のＴＦＴのゲートを液滴吐出法または印刷法により形成し、
前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、及び前記第３のＴＦＴのゲートを覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、及び前記第３のＴＦＴのゲート上に第１の半導体膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に発光素子が有する第１の電極を液滴吐出法または印刷法により形成し、
前記ゲート絶縁膜を選択的に除去して前記第１の電源線を露出させ、
前記第１の半導体膜上及び前記露出させた第１の電源線上に一導電型の不純物が添加された半導体膜を形成し、
前記第１の電源線が前記第３のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの一方が前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、且つ、前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの他方が前記第１の電極に電気的に接続されるように配線を液滴吐出法または印刷法により形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
基板表面にＺｎＯまたはＴｉＯ２を形成し、
前記ＺｎＯまたは前記ＴｉＯ２上に、信号線、第１の電源線、第２の電源線、該第２の電源線に電気的に接続される第１のＴＦＴのゲート、第２のＴＦＴのゲート、及び第３のＴＦＴのゲートを液滴吐出法または印刷法により形成し、
前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、及び前記第３のＴＦＴのゲートを覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に発光素子が有する第１の電極を液滴吐出法または印刷法により形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、及び前記第３のＴＦＴのゲート上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に一導電型の不純物が添加された半導体膜を形成し、
前記第１の電源線が前記第３のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの一方が前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、且つ、前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの他方が前記第１の電極に電気的に接続されるように配線を液滴吐出法または印刷法により形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
基板表面にＺｎＯまたはＴｉＯ２を形成し、
前記ＺｎＯまたは前記ＴｉＯ２上に、信号線、第１の電源線、第２の電源線、該第２の電源線に電気的に接続される第１のＴＦＴのゲート、第２のＴＦＴのゲート、及び第３のＴＦＴのゲートを液滴吐出法または印刷法により形成し、
前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、及び前記第３のＴＦＴのゲートを覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、及び前記第３のＴＦＴのゲート上に第１の半導体膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を選択的に除去して前記第１の電源線を露出させ、
前記第１の半導体膜上及び前記露出した第１の電源線上に一導電型の不純物が添加された半導体膜を形成し、
前記第１の電源線が前記第３のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、且つ、前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの一方が前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続されるように配線を液滴吐出法または印刷法により形成し、
前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴ、前記第２のＴＦＴ、及び前記第３のＴＦＴを覆い、且つ、前記配線の一部は露出させた層間絶縁膜を液滴吐出法または印刷法を用いて形成し、
前記層間絶縁膜上に前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの他方と電気的に接続される発光素子が有する第１の電極を液滴吐出法または印刷法により形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
基板表面にＺｎＯまたはＴｉＯ２を形成し、
前記ＺｎＯまたは前記ＴｉＯ２上に、信号線、第１の電源線、第２の電源線、該第２の電源線に電気的に接続される第１のＴＦＴのゲート、第２のＴＦＴのゲート、及び第３のＴＦＴのゲートを液滴吐出法または印刷法により形成し、
前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、及び前記第３のＴＦＴのゲートを覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、及び前記第３のＴＦＴのゲート上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に一導電型の不純物が添加された半導体膜を形成し、
前記第１の電源線が前記第３のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、且つ、前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの一方が前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続されるように配線を液滴吐出法または印刷法により形成し、
前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴ、前記第２のＴＦＴ、及び前記第３のＴＦＴを覆い、且つ、前記配線の一部は露出させた層間絶縁膜を液滴吐出法または印刷法を用いて形成し、
前記層間絶縁膜上に前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの他方と電気的に接続される発光素子が有する第１の電極を液滴吐出法または印刷法により形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
基板表面にＺｎＯまたはＴｉＯ２を形成し、
前記ＺｎＯまたは前記ＴｉＯ２上に、信号線、第１の電源線、第２の電源線、該第２の電源線に電気的に接続される第１のＴＦＴのゲート、第２のＴＦＴのゲート、第３のＴＦＴのゲート、及び第４のＴＦＴのゲートを液滴吐出法または印刷法により形成し、
前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、前記第３のＴＦＴのゲート、及び前記第４のＴＦＴのゲートを覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、前記第３のＴＦＴのゲート、及び前記第４のＴＦＴのゲート上に第１の半導体膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に発光素子が有する第１の電極を液滴吐出法または印刷法により形成し、
前記ゲート絶縁膜を選択的に除去して前記第１の電源線を露出させ、
前記第１の半導体膜上及び前記露出した第１の電源線上に一導電型の不純物が添加された半導体膜を形成し、
前記第１の電源線が前記第３のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの一方が前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、且つ、前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの他方が前記第１の電極に電気的に接続されるように配線を液滴吐出法または印刷法により形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
基板表面にＺｎＯまたはＴｉＯ２を形成し、
前記ＺｎＯまたは前記ＴｉＯ２上に、信号線、第１の電源線、第２の電源線、該第２の電源線に電気的に接続される第１のＴＦＴのゲート、第２のＴＦＴのゲート、第３のＴＦＴのゲート、及び第４のＴＦＴのゲートを液滴吐出法または印刷法により形成し、
前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、前記第３のＴＦＴのゲート、前記第４のＴＦＴのゲートを覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に発光素子が有する第１の電極を液滴吐出法または印刷法により形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、前記第３のＴＦＴのゲート、及び前記第４のＴＦＴのゲート上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に一導電型の不純物が添加された半導体膜を形成し、
前記第１の電源線が前記第３のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの一方が前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、且つ、前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの他方が前記第１の電極に電気的に接続されるように配線を液滴吐出法または印刷法により形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１３】
基板表面にＺｎＯまたはＴｉＯ２を形成し、
前記ＺｎＯまたは前記ＴｉＯ２上に、信号線、第１の電源線、第２の電源線、該第２の電源線に電気的に接続される第１のＴＦＴのゲート、第２のＴＦＴのゲート、第３のＴＦＴのゲート、及び第４のＴＦＴのゲートを液滴吐出法または印刷法により形成し、
前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、前記第３のＴＦＴのゲート、及び前記第４のＴＦＴのゲートを覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、前記第３のＴＦＴのゲート、及び前記第４のＴＦＴのゲート上に第１の半導体膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を選択的に除去して前記第１の電源線を露出させ、
前記第１の半導体膜上及び前記露出した第１の電源線上に一導電型の不純物が添加された半導体膜を形成し、
前記第１の電源線が前記第３のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、且つ、前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの一方が前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続されるように配線を液滴吐出法または印刷法により形成し、
前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴ、前記第２のＴＦＴ、前記第３のＴＦＴ、及び前記第４のＴＦＴを覆い、且つ、前記配線の一部は露出させた層間絶縁膜を液滴吐出法または印刷法を用いて形成し、
前記層間絶縁膜上に前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの他方と電気的に接続される発光素子が有する第１の電極を液滴吐出法または印刷法により形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１４】
基板表面にＺｎＯまたはＴｉＯ２を形成し、
前記ＺｎＯまたは前記ＴｉＯ２上に、信号線、第１の電源線、第２の電源線、該第２の電源線に電気的に接続される第１のＴＦＴのゲート、第２のＴＦＴのゲート、第３のＴＦＴのゲート、及び第４のＴＦＴのゲートを液滴吐出法または印刷法により形成し、
前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、前記第３のＴＦＴのゲート、及び前記第４のＴＦＴのゲートを覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１のＴＦＴのゲート、前記第２のＴＦＴのゲート、前記第３のＴＦＴのゲート、及び前記第４のＴＦＴのゲート上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に一導電型の不純物が添加された半導体膜を形成し、
前記第１の電源線が前記第３のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、且つ、前記第２のＴＦＴのソースまたはドレインの一方が前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの一方に電気的に接続されるように配線を液滴吐出法または印刷法により形成し、
前記信号線、前記第１の電源線、前記第２の電源線、前記第１のＴＦＴ、前記第２のＴＦＴ、前記第３のＴＦＴ、及び前記第４のＴＦＴを覆い、且つ、前記配線の一部は露出させた層間絶縁膜を液滴吐出法または印刷法を用いて形成し、
前記層間絶縁膜上に前記第１のＴＦＴのソースまたはドレインの他方と電気的に接続される発光素子が有する第１の電極を液滴吐出法または印刷法により形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項７乃至請求項１４のいずれか１項において、
前記一導電型の不純物はｎ型を付与する不純物であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項７乃至請求項１５のいずれか１項において、
前記第１のＴＦＴにおけるチャネル幅に対するチャネル長の比は、前記第２のＴＦＴにおけるチャネル幅に対するチャネル長の比よりも大きくなるように形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項７乃至請求項１６のいずれか１項において、
前記発光素子は第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極の間に形成された電界発光層を有し、
前記第２の電極及び前記電界発光層のいずれかは、液滴吐出法を用いて形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項７乃至請求項１７のいずれか１項において、
前記印刷法はオフセット印刷法またはスクリーン印刷法であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、パネルが大型化されると必然的に配線が長くなるため、配線抵抗により信号が遅延するという問題が生じる。この場合、配線を厚くして断面積を広げれば、配線抵抗を下げることができ、よって信号の遅延を回避できると考えられる。しかし、リソグラフィ法を用いて配線を形成する場合、配線の厚さはせいぜい２００〜４００ｎｍ程度であり、それ以上厚いとエッチングの工程に時間がかかって望ましくない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明では、発光素子に供給する電流の値を決めるＴＦＴ（駆動用ＴＦＴ）に加え、スイッチング素子として機能するＴＦＴ（電流制御用ＴＦＴ）を駆動用ＴＦＴに直列に接続する。そして少なくとも画像を表示するための期間においては、ゲート電極に固定の電位を与えて、常に電流を流せる状態にしておく。また、電流制御用ＴＦＴは線形領域で動作させ、そのゲート電極の電位を、画素に入力されるビデオ信号で制御する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
また図４乃至図９、図１０（Ａ）では、ゲート電極が第１の半導体膜よりも基板側に形成されているが、本発明はこの構成に限定されない。図１０（Ｂ）に、第１の半導体膜がゲート電極よりも基板側に形成されている場合の、画素の断面図を示す。ただし図１０（Ｂ）では、駆動用ＴＦＴ７１１、電流制御用ＴＦＴ７３２を示す。図１０（Ｂ）において、基板７１０上に配線７１２〜７１４が形成されており、また配線７１２〜７１４上に接するように、第２の半導体膜７１５〜７１７が形成されており、第２の半導体膜７１５〜７１７上に接するように第１の半導体膜７１８が形成されている。そして第１の半導体膜７１８上にはゲート絶縁膜７１９が形成されており、第１の半導体膜７１８と重なるように該ゲート絶縁膜７１９上にゲート電極７２０、７２１が形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2005164880.tif 000001