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【手続補正書】
【提出日】平成19年10月16日(2007.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  残留側波帯シンボルの配置で表されるビデオ・データとパイロット搬送成分を含む受信された残留側波帯被変調信号を処理する受像機において、前記データは連続するデータ・フレームで構成されるデータ・フレーム・フォーマットを有し、
前記パイロット成分に応答し前記受信された信号を復調して、前記パイロット成分の位相オフセット誤差に起因する位相オフセット誤差を含む復調された信号を発生するステップと、
前記復調された信号を等化するステップと、
前記等化するステップに先立ち、前記復調された信号の前記パイロット成分に起因する前記位相オフセット誤差を減少させるステップと、
を含む方法。
【請求項２】  残留側波帯シンボルの配置で表されるビデオ・データとパイロット搬送成分を含む受信された残留側波帯被変調信号を処理する受像機において、前記データは連続するデータ・フレームで構成されるデータ・フレーム・フォーマットを有し、
前記パイロット成分の位相オフセット誤差を表す制御信号を発生するステップと、
前記パイロット成分と前記制御信号に応答し、前記受信された信号を復調して、復調された出力信号を発生するステップと、
を含む方法。
【請求項３】  前記復調された出力信号を等化するステップを更に含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】  残留側波帯シンボルの配置で表されるビデオ・データとパイロット搬送成分を含む受信された残留側波帯被変調信号を処理する受像機において、前記データは連続するデータ・フレームで構成されるデータ・フレーム・フォーマットを有し、
前記パイロット成分に応答し、前記受信された信号を復調して、前記パイロット成分の位相オフセットに起因する位相オフセット誤差を呈しやすい出力信号を発生するステップと、
前記位相オフセット誤差を表す制御信号と前記出力信号とを合成して、最終的な出力信号を発生するステップと、から成る方法。
【請求項５】  残留側波帯シンボルの配置で表されるビデオ・データとパイロット搬送成分を含む受信された残留側波帯被変調信号を処理する受像機において、前記データは連続するデータ・フレームで構成されるデータ・フレーム・フォーマットを有し、
前記被変調信号を受信する入力部、および前記パイロット成分の位相オフセットに起因する位相オフセット誤差を呈しやすい第１の信号を供給する出力部を有する、第１の位相制御回路と、
前記パイロット成分の前記位相オフセット誤差を表す制御信号を発生する制御回路と、
前記受信された被変調信号と前記第１の信号と前記制御信号に応答して、位相補正され復調された信号を出力部において供給する第２の位相制御回路と、
を備える装置。
【請求項６】  前記第１の位相制御回路が位相ロック・ループ内に位相検出器と第１の乗算器を含み、
前記第２の位相制御回路が、
（ａ）前記位相ロック・ループからの信号と前記制御信号を合成するための合成回路と、
（ｂ）前記合成回路からの合成信号と前記被変調信号に応答する第２の乗算器とを含む、請求項５記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
非常に低い周波数のパイロット成分を含む、ＡＤ変換器１９からの８‐ＶＳＢ変調されたディジタル・シンボル・データストリームは、ヒルベルト・フィルタ３１５に加えられる。フィルタ３１５は、サンプルされた入来ＩＦデータストリームを、位相が互いに直交する成分「Ｉ」（同相）と「Ｑ」（直交位相）に分離する。Ｉ成分とＱ成分は、自動位相制御（ＡＰＣ）ループ内の複素乗算器３２４を使用してベースバンドに回転される。ひとたびループが同期されると、乗算器３２４の出力は複素ベースバンド信号となり、これは更に、回路３５０で位相調節（以下に述べる）され、位相制御回路３５０から、位相補正され復調された最終出力を発生する。乗算器３２４からの出力Ｉデータストリームを使用して、受信されたデータストリームのパイロット成分を抽出する。乗算器３２４からの出力Ｑデータストリームを使用して、受信された信号の位相を抽出する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
相関器３６２と３６３の出力ＩｓとＩｃは回路３６５で処理される。回路３６５は数学的値Ｉｓ／Ｉｃを発生する。すなわち、
Ｉｓ／Ｉｃ  ＝  ｜Ｈ（Ｓ）｜２  ／｜Ｓ｜２  ｘ（ｓｉｎΦ）／（ｃｏｓΦ）
｜Ｈ（Ｓ）｜２  と  ｜Ｓ｜２  の値は、既知の同期成分値の関数なので、すでに知られている。上の式で、｜Ｈ（Ｓ）｜２  ／｜Ｓ｜２  の項は、乗算器３６６内でその逆の項（貯えられた定数）とを掛け合わせることにより相殺され、乗算器３６６の出力において以下の式を発生する：
Ｉｓ／Ｉｃ  ＝  ｓｉｎΦ／ｃｏｓΦ  ＝  ｔａｎΦ、  従って
Φ  ＝  ｔａｎ−１（Ｉｓ／Ｉｃ）
Ｉｓ／Ｉｃの項は或る数値であり、オフセット位相シフトΦの値を定めるためにｔａｎ−１ルックアップ・テーブル３６７で使用される数値である。ルックアップ・テーブル３６７からの出力値はラッチ３６８（例えば、Ｄ型フリップ‐フロップ）のＤ入力に加えられる。ラッチ３６８のイネーブル入力ＥＮは、セグメント同期がタイミング再生回路２４で再生されたとき、局部で発生される「同期位置検出済み」信号を受信する（図１）。本例で、「同期位置検出済み」信号はタイミング再生回路２４より供給されているが、タイミング再生回路２４の動作を監視する局部マイクロプロセッサもこの信号を供給することができる。「同期位置検出済み」信号によって、ラッチ３６８はそのＤ入力で受信された位相オフセット信号を、上述したように使用するために、位相オフセット制御信号として位相制御回路３５０に出力することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の原理に従う装置を含む、高精細度テレビジョン（ＨＤＴＶ）受像機の一部のブロック図である。
【図２】
米国でＡＴＳＣ高精細度方式を使用するＶＳＢ変調された信号のデータ・フレーム・フォーマットを示す。
【図３】
本発明に従う、図１に示す搬送波再生／復調回路の詳細を示す。
【図４】
図１の復調器の動作を理解するのに役立つ線図を示す。
【図５】
図１に示す復調器回路の部分の別の詳細を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月16日(2007.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】      
【請求項１】  残留側波帯シンボルの配置で表されるビデオ・データとパイロット搬送波成分を含む、受信されたＶＳＢ被変調データ・ストリームを処理する受像機において、前記データは、関連するセグメント同期を各々が有する複数のデータ・セグメントに先立つフィールド同期成分を含む連続的なデータ・フレームで構成されるデータ・フレーム・フォーマットを有し、
前記パイロット成分の位相オフセット誤差を表す制御信号を発生するステップと、
前記パイロット成分と前記制御信号に応答し、前記受信された信号を復調するステップと、を含み、
前記発生するステップが、前記受信された信号の所定の成分の値と基準値との相関の関数として前記制御信号を発生する、方法。
【請求項２】  前記所定の成分が、受信された信号のセグメント同期成分である、請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記発生するステップが、
受信された同期値を基準同期値と相関させるステップと、
前記受信された同期値を、変換された基準同期値と相関させるステップとからなる、請求項１記載の方法。
【請求項４】  前記変換された基準同期値がヒルベルト変換された値である、請求項３記載の方法。
【請求項５】  前記同期が、受信された信号のセグメント同期成分である、請求項３記載の方法。
【請求項６】  前記同期が、受信された信号のセグメント同期成分であり、前記発生するステップが、
受信されたセグメント同期値を基準セグメント同期値と相関させるステップと、
前記受信されたセグメント同期値を、変換された基準セグメント同期値と相関させるステップと、を含む請求項３記載の方法。
【請求項７】  前記変換された値がヒルベルト変換値である、請求項６記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
非常に低い周波数のパイロット成分を含む、ＡＤ変換器１９からの８‐ＶＳＢ変調されたディジタル・シンボル・データストリームは、ヒルベルト・フィルタ３１５に加えられる。フィルタ３１５は、サンプルされた入来ＩＦデータストリームを、位相が互いに直交する成分「Ｉ」（同相）と「Ｑ」（直交位相）に分離する。Ｉ成分とＱ成分は、自動位相制御（ＡＰＣ）ループ内の複素乗算器３２４を使用してベースバンドに回転される。ひとたびループが同期されると、乗算器３２４の出力は複素ベースバンド信号となり、これは更に、回路３５０で位相調節（以下に述べる）され、位相制御回路３５０から、位相補正され復調された最終出力を発生する。乗算器３２４からの出力Ｉデータストリームを使用して、受信されたデータストリームのパイロット成分を抽出する。乗算器３２４からの出力Ｑデータストリームを使用して、受信された信号の位相を抽出する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
相関器３６２と３６３の出力ＩｓとＩｃは回路３６５で処理される。回路３６５は数学的値Ｉｓ／Ｉｃを発生する。すなわち、
Ｉｓ／Ｉｃ  ＝  ｜Ｈ（Ｓ）｜２  ／｜Ｓ｜２  ｘ（ｓｉｎΦ）／（ｃｏｓΦ）
｜Ｈ（Ｓ）｜２  と  ｜Ｓ｜２  の値は、既知の同期成分値の関数なので、すでに知られている。上の式で、｜Ｈ（Ｓ）｜２  ／｜Ｓ｜２  の項は、乗算器３６６内でその逆の項（貯えられた定数）とを掛け合わせることにより相殺され、乗算器３６６の出力において以下の式を発生する：
Ｉｓ／Ｉｃ  ＝  ｓｉｎΦ／ｃｏｓΦ  ＝  ｔａｎΦ、  従って
Φ  ＝  ｔａｎ−１（Ｉｓ／Ｉｃ）
Ｉｓ／Ｉｃの項は或る数値であり、オフセット位相シフトΦの値を定めるためにｔａｎ−１ルックアップ・テーブル３６７で使用される数値である。ルックアップ・テーブル３６７からの出力値はラッチ３６８（例えば、Ｄ型フリップ‐フロップ）のＤ入力に加えられる。ラッチ３６８のイネーブル入力ＥＮは、セグメント同期がタイミング再生回路２４で再生されたとき、局部で発生される「同期位置検出済み」信号を受信する（図１）。本例で、「同期位置検出済み」信号はタイミング再生回路２４より供給されているが、タイミング再生回路２４の動作を監視する局部マイクロプロセッサもこの信号を供給することができる。「同期位置検出済み」信号によって、ラッチ３６８はそのＤ入力で受信された位相オフセット信号を、上述したように使用するために、位相オフセット制御信号として位相制御回路３５０に出力することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の原理に従う装置を含む、高精細度テレビジョン（ＨＤＴＶ）受像機の一部のブロック図である。
【図２】
米国でＡＴＳＣ高精細度方式を使用するＶＳＢ変調された信号のデータ・フレーム・フォーマットを示す。
【図３】
本発明に従う、図１に示す搬送波再生／復調回路の詳細を示す。
【図４】
図１の復調器の動作を理解するのに役立つ線図を示す。
【図５】
図１に示す復調器回路の部分の別の詳細を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月29日(2006.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
1シンボル期間がガード期間と有効シンボル期間から構成されるＯＦＤＭ(直交周波数分割多重)信号を受信して、局部発振器の発信周波数を基準としてＡ／Ｄ変換した後、複素ベースバンド信号に変換し、この複素ベースバンドＯＦＤＭ信号からシンボルデータを復調する復調モジュールを並列に配設してなるダイバーシチ構成のＯＦＤＭ受信装置であって、
各復調モジュールには、前記複素ベースバンドＯＦＤＭ信号におけるガード期間の相関波形を検出する相関検出手段と、
この相関検出手段の出力から相関波形のピーク値とピークタイミング（出現位置）信号を検出する第１のピーク検出手段と、
前記複素ベースバンドＯＦＤＭ信号に対して遅延調整を行うバッファリング手段と、
このバッファリング手段で遅延調整された複素ベースバンドＯＦＤＭ信号中の有効シンボル期間を時間領域から周波数領域の信号に変換することにより、ＯＦＤＭ信号の各サブキャリアのデータを復調する高速フーリエ変換手段と、
この高速フーリエ変換手段の出力から各サブキャリアに伝送されているシンボルデータを復調する復調手段とを備えるとともに、各復調モジュール内の前記相関検出手段から前記相関波形信号を、前記第１のピーク検出手段から前記ピーク値をそれぞれ入力して相関波形の合成を行う相関合成手段と、
この相関合成手段で合成した合成相関波形のピークタイミング信号を検出する第２のピーク検出手段と、
この第２のピーク検出手段で検出された前記ピークタイミング信号と所定タイミング信号との差分からクロック誤差信号を生成する誤差検出手段と、
この誤差検出手段から前記クロック誤差信号を入力し、このクロック誤差信号が小さくなるように前記局部発振器の発信周波数を制御するクロック再生手段と、
各復調モジュール内の前記復調手段の出力から復調データを合成する合成手段とを具備し、前記バッファリング手段は、前記第１のピーク検出手段から復調モジュール毎の相関波形のピークタイミング信号を、前記第２のピーク検出手段から合成相関波形のピークタイミング信号をそれぞれ入力し、復調モジュール毎の遅延差を吸収するように遅延調整することを特徴とするＯＦＤＭ受信装置。
【請求項２】
各復調モジュールからのピーク値を入力した前記相関合成手段は、ピーク値に応じた比例値を算出し、その比例値とそれぞれの相関出力信号との乗算後、これら乗算結果を加算して合成相関信号を生成することを特徴とする請求項１記載のＯＦＤＭ受信装置。
【請求項３】
１シンボル期間がガード期間と有効シンボル期間から構成されるＯＦＤＭ(直交周波数分割多重)信号を受信して、局部発振器の発信周波数を基準としてＡ／Ｄ変換した後、複素ベースバンド信号に変換し、この複素ベースバンドＯＦＤＭ信号からシンボルデータを復調する復調モジュールを並列に配設してなるダイバーシチ構成のＯＦＤＭ受信装置であって、
各復調モジュールには、前記複素ベースバンドＯＦＤＭ信号におけるガード期間の相関波形を検出する相関検出手段と、
この相関検出手段の出力から相関波形のピーク値とピークタイミング（出現位置）信号を検出するピーク検出手段と、
前記複素ベースバンドＯＦＤＭ信号に対して遅延調整を行うバッファリング手段と、
このバッファリング手段で遅延調整された複素ベースバンドＯＦＤＭ信号中の有効シンボル期間を時間領域から周波数領域の信号に変換することにより、ＯＦＤＭ信号の各サブキャリアのデータを復調する高速フーリエ変換手段と、
この高速フーリエ変換手段の出力から各サブキャリアに伝送されているシンボルデータを復調する復調手段とを備えるとともに、各復調モジュール内の前記ピーク検出手段から前記相関波形のピーク値とピークタイミング信号をそれぞれ入力し、いずれか１つのピークタイミングを選択タイミング信号として選択するピーク選択手段と、
このピーク選択手段で選択された選択タイミング信号と所定タイミング信号との差分からクロック誤差信号を生成する誤差検出手段と、
この誤差検出手段から前記クロック誤差信号を入力し、このクロック誤差信号が小さくなるように前記局部発振器の発信周波数を制御するクロック再生手段と、
各復調モジュール内の前記復調手段の出力から復調データを合成する合成手段とを具備し、前記バッファリング手段は、前記ピーク検出手段から復調モジュール毎の相関波形のピークタイミング信号を、前記ピーク選択手段から選択タイミング信号をそれぞれ入力し、復調モジュール毎の遅延差を吸収するように遅延調整することを特徴とするＯＦＤＭ受信装置。
【請求項４】
前記ピーク選択手段は、各復調モジュールからのピーク値を比較し、最大値に対応する復調モジュールからのピークタイミング信号を選択タイミング信号として選択することを特徴とする請求項３記載のＯＦＤＭ受信装置。
【請求項５】
前記ＯＦＤＭ信号を受信するチューナをさらに具備したことを特徴とする請求項１または３記載のＯＦＤＭ受信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月30日(2006.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局と無線回線を介して接続される移動局であって、
前記基地局からの信号を受信する移動局の筐体から突出する第１のアンテナと、
前記基地局からの信号を受信する移動局の筐体の中に実装される第２のアンテナと、
前記第１のアンテナで受信する信号と前記第２のアンテナで受信する信号とを合成して、合成された信号を中間周波処理回路に出力する合成手段と、
合成された信号の受信品質を測定し、測定された受信品質が予め決められた値よりも低い場合は、前記第１のアンテナで受信される信号のみを前記中間周波処理回路に出力する制御手段と
を具備することを特徴とする移動局。
【請求項２】
基地局と無線回線を介して接続される移動局であって、
前記基地局からの信号を受信する移動局の筐体から突出する第１のアンテナと、
前記基地局からの信号を受信する移動局の筐体の中に実装される第２のアンテナと、
前記第１のアンテナで受信する信号と前記第２のアンテナで受信する信号とを合成して、合成された信号を中間周波処理回路に出力する合成手段と、
合成された信号の受信品質を測定し、測定された受信品質が予め決められた値よりも低い場合は、前記第２のアンテナに接続される部品への電源供給を断つことで前記第１のアンテナで受信される信号のみを前記中間周波処理回路に出力する制御手段と
を具備することを特徴とする移動局。
【請求項３】
基地局と無線回線を介して接続される移動局であって、
前記基地局からの信号を受信する移動局の筐体から突出する第１のアンテナと、
前記基地局からの信号を受信する移動局の筐体の中に実装される第２のアンテナと、
前記第１のアンテナで受信する信号と前記第２のアンテナで受信する信号とを合成して、合成された信号を中間周波処理回路に出力する合成手段と、
合成された信号の受信品質を測定し、測定された受信品質が予め決められた値よりも低い場合は、前記第１のアンテナに接続される増幅器の出力を上げるとともに、前記第２のアンテナに接続される部品への電源供給を断つことで前記第１のアンテナで受信される信号のみを前記中間周波処理回路に出力する制御手段と
を具備することを特徴とする移動局。
【請求項４】
基地局と無線回線を介して接続される移動局であって、
前記基地局からの信号を受信する移動局の筐体に実装される第１のアンテナと、
前記基地局からの信号を受信する移動局の筐体に実装される前記第１のアンテナとは異なる第２のアンテナと、
前記第１のアンテナで受信する信号と前記第２のアンテナで受信する信号とを合成して、合成された信号を中間周波処理回路に出力する合成手段と、
受信された前記信号の受信品質を測定し、測定された受信品質が予め決められた値よりも低い場合は、前記第１のアンテナで受信される信号のみを前記中間周波処理回路に出力する制御手段と
を具備することを特徴とする移動局。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本願発明の移動局は、基地局と無線回線を介して接続される移動局であって、前記基地局からの信号を受信する移動局の筐体から突出する第１のアンテナと前記基地局からの信号を受信する移動局の筐体の中に実装される第２のアンテナと、前記第１のアンテナで受信する信号と前記第２のアンテナで受信する信号とを合成して、受信された前記信号を中間周波回路に出力する合成手段と、合成された信号の受信品質を測定し、測定された受信品質が予め決められた値よりも低い場合は、前記第１のアンテナで受信される信号のみを前記中間周波回路に出力する制御手
段と具備して構成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【発明の効果】
以上説明したように、ＣＤＭＡシステムの移動局においてダイバーシチ制御を行なうにあたり、基地局のカバーするエリア付近のような受信品質の悪いところでも、受信品質を確保することが可能な移動局を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月7日(2006.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎを含む窒化物半導体からなる少なくとも１つの第１の井戸層を有する第１の発光領域と、該第１の井戸層が発する光の主ピーク波長よりも長い主ピーク波長の光を発する、Ｉｎを含む窒化物半導体から成る少なくとも１つの第２の井戸層を有する第２の発光領域と、該第２の井戸層が発する光の主ピーク波長よりも長い主ピーク波長の光を発する、Ｉｎを含む窒化物半導体からなる少なくとも１つの第３の井戸層を有する第３の発光領域と、を備えた多重量子井戸構造から成る活性層を有する窒化物半導体発光素子において、
該活性層はｐ型窒化物半導体層側から見て、第１の発光領域、第３の発光領域、第２の発光領域の順で積層された構成を少なくとも１つ含んでなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
Ｉｎを含む窒化物半導体からなる少なくとも１つの第１の井戸層を有する第１の発光領域と、該第１の井戸層が発する光の主ピーク波長よりも長い主ピーク波長の光を発する、Ｉｎを含む窒化物半導体から成る少なくとも１つの第２の井戸層を有する第２の発光領域と、該第２の井戸層が発する光の主ピーク波長よりも長い主ピーク波長の光を発する、Ｉｎを含む窒化物半導体からなる少なくとも１つの第３の井戸層を有する第３の発光領域と、を備えた多重量子井戸構造から成る活性層を有する窒化物半導体発光素子において、
該活性層はｐ型窒化物半導体層側から見て、第１の発光領域、第３の発光領域、第２の発光領域の順で積層された構成のみから成ることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
Ｉｎを含む窒化物半導体からなる少なくとも１つの第１の井戸層と、該第１の井戸層が発する光の主ピーク波長よりも長い主ピーク波長の光を発する、Ｉｎを含む窒化物半導体から成る少なくとも１つの第２の井戸層と、該第２の井戸層が発する光の主ピーク波長よりも長い主ピーク波長の光を発する、Ｉｎを含む窒化物半導体からなる少なくとも１つの第３の井戸層と、を備えた多重量子井戸構造から成る活性層を有する窒化物半導体発光素子において、
活性層はｐ型窒化物半導体層側から見て、障壁層、第１の井戸層、障壁層、第３の井戸層、障壁層、第２の井戸層、障壁層の順で積層された構成を少なくとも１つ含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
Ｉｎを含む窒化物半導体からなる少なくとも１つの第１の井戸層と、該第１の井戸層が発する光の主ピーク波長よりも長い主ピーク波長の光を発する、Ｉｎを含む窒化物半導体から成る少なくとも１つの第２の井戸層と、該第２の井戸層が発する光の主ピーク波長よりも長い主ピーク波長の光を発する、Ｉｎを含む窒化物半導体からなる少なくとも１つの第３の井戸層と、を備えた多重量子井戸構造から成る活性層を有する窒化物半導体発光素子において、
活性層はｐ型窒化物半導体層側から見て、障壁層、第１の井戸層、障壁層、第３の井戸層、障壁層、第２の井戸層、障壁層の順で積層された構成のみからなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
上記第１の井戸層が発する光の主ピーク波長が４００乃至４８０ｎｍで、上記第２の井戸層が発する光の主ピーク波長が４８０乃至５７０ｎｍで、上記第３の井戸層が発する光の主ピーク波長が５７０乃至８００ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
上記第１の井戸層が発する光の主ピーク波長が４２０乃至４６０ｎｍ、上記第２の井戸層が発する光の主ピーク波長が４８０乃至５２０ｎｍ、上記第３の主ピーク波長が５７０乃至６００ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
基板上に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層を順に有し、
前記活性層は、Ｉｎを含む窒化物半導体からなるｎ個（ｎ≧４）の井戸層を備えた多重量子井戸構造からなり、第１の井戸層、第２の井戸層、・・・、第ｎの井戸層の順に主ピーク波長が短い窒化物半導体発光素子において、
主ピーク波長が最も短い第１の井戸層をｐ型窒化物半導体層の最も近くに有し、その次にｐ型窒化物半導体層に近い位置に、主ピーク波長が最も長い第ｎの井戸層を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項８】
前記ｎ型半導体層は超格子層を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項９】
前記超格子層は、アンドープＧａＮとＳｉドープＧａＮからなることを特徴とする請求項８に記載の窒化物半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明は第１の井戸層が発する光の主ピーク波長が４２０乃至４６０ｎｍ、上記第２の井戸層が発する光の主ピーク波長が４８０乃至５２０ｎｍ、上記第３の主ピーク波長が５７０乃至６００ｎｍであることを特徴とする。この構成により赤色領域程度の長波長で発光する井戸層を設けることなく所望の演色性を有する白色光の発光効率の高い窒化物半導体発光素子を得ることができる。
また、本発明の窒化物半導体発光素子は、基板上に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層を順に有し、前記活性層は、Ｉｎを含む窒化物半導体からなるｎ個（ｎ≧４）の井戸層を備えた多重量子井戸構造からなり、第１の井戸層、第２の井戸層、・・・、第ｎの井戸層の順に主ピーク波長が短い窒化物半導体発光素子において、主ピーク波長が最も短い第１の井戸層をｐ型窒化物半導体層の最も近くに有し、その次にｐ型窒化物半導体層に近い位置に、主ピーク波長が最も長い第ｎの井戸層を有することを特徴とする。
また、本発明の窒化物半導体発光素子は、ｎ型半導体層に超格子層を有することを特徴とする。また、超格子層は、アンドープＧａＮとＳｉドープＧａＮからなることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月7日(2006.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の超伝導金属層と、
第１の常伝導金属層と、
第２の超伝導金属層と、
第２の常伝導金属層と、
第３の超伝導金属層とがこの順に積層されて構成され、
前記第１から第３の超伝導金属層及び第１と第２の常伝導金属層とは、メゾスコピックな超格子周期を有する、
ことを特徴とするスイッチ装置。
【請求項２】
前記第１の超伝導金属層と第２の超伝導金属層と第３の超伝導金属層とは、Ｎｂから構成され、
前記第１の常伝導金属層と第２の常伝導金属層とはＣｕから構成され、
メゾスコピックな超格子周期を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載のスイッチ装置。
【請求項３】
前記第１から第３の超伝導金属層の層厚は１６．８ｎｍ、第１と第２の常伝導金属層の層厚は、１４．７ｎｍ、であることを特徴とする請求項２に記載のスイッチ装置。
【請求項４】
前記第１の超伝導金属層は、ソース層、
前記第２の超伝導金属層は、ゲート層、
前記第３の超伝導金属層は、ドレイン層、
ソース層とドレイン層の間の次元クロスオーバー効果を、ゲート層を流れる電流もしくは、ゲート層に印加される電圧によって、変調する、
ことを特徴とする請求項１、２又は３に記載のスイッチ装置。
【請求項５】
前記第３の超伝導金属層上に第３の常伝導金属層が配置され、
前記第３の常伝導金属層上に第２のゲート層を構成する第４の超伝導金属層が配置され、
前記第４の超伝導金属層上に第４の常伝導金属層が配置され、
前記第４の常伝導金属層上に第２のソース層を構成する第５の超伝導金属層が配置され、
前記第５の超伝導金属層上に第５の常伝導金属層が配置され、
前記第５の常伝導金属層上に第３のゲート層を構成する第６の超伝導金属層が配置され、
前記第６の超伝導金属層上に第６の常伝導金属層が配置され、
前記第６の常伝導金属層上に第２のドレイン層を構成する第７の超伝導金属層が配置されている、
ことを特徴とする請求項４に記載のスイッチ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月30日(2006.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層からなる発光部、酸化物からなる窓層、結線用台座電極を備えたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光ダイオードにおいて、上記発光部と窓層との間に、窓層と接した複数個のオーミック電極を有し、該オーミック電極が発光平面の相対する角部に設置されていることを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光ダイオード。
【請求項２】オーミック電極が、発光平面の稜線に接して設けられていることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光ダイオード。
【請求項３】各オーミック電極が、台座電極の外端部からの水平距離を等しくして配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光ダイオード。
【請求項４】各オーミック電極と台座電極の外端部からの水平距離が、発光平面の1辺の長さの１／３以上であることを特徴とする請求項３に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光ダイオード。
【請求項５】オーミック電極の合計の底面積が、台座電極の底面積以下であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光ダイオード。
【請求項６】オーミック電極の合計の底面積が、発光開放領域の面積の、２〜２０％の範囲内であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光ダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月17日(2007.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を有する半導体素子のための電流−電圧特性を決定するための方法であって、
複数の固定値のうちの１つを、前記素子に印加されるゲート−ソース間電圧（ＶＧＳ）と、前記素子に印加されるドレイン−ソース間電圧（ＶＤＳ）と、前記素子の前記ソース領域に対応する第１のフェルミ準位（Ｆ１）と、前記素子の前記チャネル領域に対応する第２のフェルミ準位（Ｆ２）と、前記チャネル領域の幅（Ｗ）と、前記素子の動作温度（Ｔ）と、前記素子の量子エネルギー準位（Ｅｑｖ）と、前記素子のソース−チャネル間障壁の高さ（Ｖｏ）と、谷における電子のｚ方向の質量（ｍＺＶ）とを含む複数の障壁モデル変数のうちの少なくとも１つの変数の各々に割り当てるステップと、
残りの障壁モデル変数の各々に対して複数の異なる値を割り当てるステップと、
前記複数の異なる値の各々に対して、前記ソース−チャネル障壁に応じてモデル化されたレート方程式から電流値（Ｉ１２）を決定するステップとを含む方法。
【請求項２】  前記レート方程式は、
【数１】
2001168331.tif 000001
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  複数の決定された電流値（Ｉ１２）と複数の電圧値から電流−電圧特性を決定するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記複数の電圧値は、前記ゲート−ソース間電圧（ＶＧＳ）のための複数の値を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】  前記ドレイン−ソース間電圧（ＶＤＳ）の前記値は一定に保持される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】  前記複数の電圧値は、前記ドレイン−ソース間電圧（ＶＤＳ）のための複数の値を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項７】  前記ゲート−ソース間電圧（ＶＧＳ）の前記値は一定に保持される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】  第２の複数の固定値の１つを、複数のモデル変数の少なくとも１つのそれぞれに割り当てることにより第２の電流−電圧特性を導出するステップと、
残りのモデル変数の各々に対して複数の異なる値を割り当てるステップとをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項９】  前記素子は、金属酸化物半導体の電界効果トランジスタである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】  ソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を有する半導体素子における電流−電圧特性の動きをシミュレートするために、コンピュータにより実行される方法を実施し、処理命令で符号化されるコンピュータ読取り可能媒体であって、前記方法は、
前記素子に印加されるゲート−ソース間電圧（ＶＧＳ）と、前記素子に印加されるドレイン−ソース間電圧（ＶＤＳ）と、前記素子の前記ソース領域に対応する第１のフェルミ準位（Ｆ１）と、前記素子の前記チャネル領域に対応する第２のフェルミ準位（Ｆ２）と、前記チャネル領域の幅（Ｗ）と、前記素子の動作温度（Ｔ）と、前記素子の量子エネルギー準位（Ｅｑｖ）と、前記素子のソース−チャネル障壁の高さ（Ｖｏ）と、チャネルの谷における電子のｚ方向の質量（ｍＺＶ）とを含む複数のモデル変数のうちの少なくとも１つの変数の各々についての複数の固定値のうちの１つを含む入力を受信するステップと、
残りのモデル変数の各々に対して複数の異なる値を割り当てるステップと、
前記複数の異なる値の各々に対して、前記ソース−チャネル障壁に応じてモデル化されたレート方程式から電流値（Ｉ１２）を決定するステップとを含むコンピュータ読取り可能媒体。
【請求項１１】  前記レート方程式は、
【数２】
2001168331.tif 000002
を含むことを特徴とする請求項１０に記載のコンピュータ読取り可能媒体。
【請求項１２】  ソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を有する半導体素子における電流−電圧特性の動きをシミュレートするための装置であって、
プロセッサと、
前記プロセッサに接続され、前記プロセッサの動作を制御するためのプログラムを記憶するメモリとを備え、
前記プロセッサは、前記素子に印加されるゲート−ソース間電圧（ＶＧＳ）と、前記素子に印加されるドレイン−ソース間電圧（ＶＤＳ）と、前記素子の前記ソース領域に対応する第１のフェルミ準位（Ｆ１）と、前記素子の前記チャネル領域に対応する第２のフェルミ準位（Ｆ２）と、前記チャネル領域の幅（Ｗ）と、前記素子の動作温度（Ｔ）と、前記素子の量子エネルギー準位（Ｅｑｖ）と、前記素子のソース−チャネル障壁の高さ（Ｖｏ）と、チャネルの谷における電子のｚ方向の質量（ｍＺＶ）とを含む複数のモデル変数のうちの少なくとも１つの変数の各々についての複数の固定値のうちの１つを含む入力を受信し、
残りのモデル変数の各々に対して複数の異なる値を割り当て、
前記複数の異なる値の各々に対して、前記ソース−チャネル障壁に応じてモデル化されたレート方程式から電流値（Ｉ１２）を決定するためのプログラムで動作することを特徴とする装置。
【請求項１３】  前記レート方程式は、
【数３】
2001168331.tif 000003
を含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】  前記プロセッサはさらに、
前記電流値を出力装置を介してユーザに表示するためのプログラムで動作する、請求項１２に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月14日(2007.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第１のエッチングストッパ膜と、
前記第１のエッチングストッパ膜の上に形成された導電層と、
前記第１のエッチングストッパ膜と、前記導電層の側面と、前記導電層の上面とを覆うように形成された第２のエッチングストッパ膜と、
前記第２のエッチングストッパ膜および前記導電層を覆うように形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜を厚さ方向に貫通し、前記導電層及び前記第２のエッチングストッパ膜に接触するように形成された接続配線とを備えた、半導体装置。
【請求項２】
前記第１のエッチングストッパ膜および前記第２のエッチングストッパ膜は、それぞれ、シリコン窒化膜およびシリコンリッチ酸化膜のうちのいずれか一方を含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
第１の絶縁膜を形成するステップと、
前記第１の絶縁膜の上に第１のエッチングストッパ膜を形成するステップと、
前記第１のエッチングストッパ膜の上に導電層を形成するステップと、
前記第１のエッチングストッパ膜および前記導電層を覆うように第２のエッチングストッパ膜を形成するステップと、
前記第２のエッチングストッパ膜の上に第２の層間絶縁膜を形成するステップと、
前記第２の層間絶縁膜を厚さ方向に貫通し、前記導電層に至るホールを形成するステップと、
前記ホール内に接続配線を形成するステップとを備え、
前記ホールを形成するステップは、
第１のエッチング条件で前記第２の層間絶縁膜をエッチングするステップと、
前記第１のエッチング条件とは異なる第２のエッチング条件で、前記第２のエッチングストッパ膜をエッチングするステップとを有する、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１のエッチングストッパ膜および前記第２のエッチングストッパ膜は、それぞれ、シリコン窒化膜およびシリコンリッチ酸化膜のうちのいずれか一方を含む、請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２のエッチングストッパ膜は、前記第１のエッチングストッパ膜と、前記導電層の側面と、前記導電層の上面とに直接接するように形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２のエッチングストッパ膜は、前記第１のエッチングストッパ膜と、前記導電層の側面と、前記導電層の上面とに直接接するように形成されている、請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の半導体装置は、第１の層間絶縁膜と、第１の層間絶縁膜の上に形成された第１のエッチングストッパ膜と、第１のエッチングストッパ膜の上に形成された導電層と、第１のエッチングストッパ膜と、導電層の側面と、導電層の上面とを覆うように形成された第２のエッチングストッパ膜とを備えている。また、その半導体装置は、第２のエッチングストッパ膜および導電層を覆うように形成された第２の層間絶縁膜と、第２の層間絶縁膜を厚さ方向に貫通し、導電層及び第２のエッチングストッパ膜に接触するように形成された接続配線とを備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前述の第１のエッチングストッパ膜および第２のエッチングストッパ膜は、それぞれ、シリコン窒化膜およびシリコンリッチ酸化膜のうちのいずれか一方を含んでいてもよい。
前述の第２のエッチングストッパ膜は、第１のエッチングストッパ膜と、導電層の側面と、導電層の上面とに直接接するように形成されていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月20日(2007.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置であって、
他の通信装置のパワーセーブ状態を解除するための制御情報を送信する解除手段と、
データを送信する送信手段と、を有し、
前記送信手段により前記他の通信装置にデータを送信する場合は、前記他の通信装置のパワーセーブ状態を識別することなく、前記解除手段は前記制御情報を送信することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記解除手段は、前記送信手段により前記他の通信装置にデータを送信する度に、前記制御情報を必ず送信することを特徴とする通信装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記解除手段は、報知信号の送信タイミングから始まる一定の期間内に前記制御情報を送信することを特徴とする通信装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項において、
ネットワークを形成する他の通信装置がパワーセーブ状態か否かに係わらずに受信処理を行う期間を判別する判別手段を有し、
前記解除手段は、前記判別手段により判別した前記期間内に、前記制御信号を送信することを特徴とする通信装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項において、
前記制御情報とは、ＩＥＥＥ８０２．１１で定義されるＡＴＩＭであることを特徴とする通信装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項において、
前記通信装置のパワーセーブ状態の変更を他の通信装置に対し通知する通知手段を有することを特徴とする通信装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記パワーセーブ状態の変更とは、間欠受信をおこなう状態と、非間欠受信を行う状態のいずれか一方から他方へ状態を変化することであることを特徴とする通信装置。
【請求項８】
請求項６において、
前記通知手段は、前記パワーセーブ状態の変更を示す情報を、前記制御情報により通知することを特徴とする通信装置。
【請求項９】
請求項６において、
前記通知手段は、前記制御情報の送信後に、前記パワーセーブ状態の変更を示す情報を送信することを特徴とする通信装置。
【請求項１０】
請求項６において、
前記通知手段は、前記パワーセーブ状態の変更を示す情報をブロードキャストすることを特徴とする通信装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項において、
前記通信装置は、中継装置を介さずに、通信装置間で直接通信を行うことを特徴とする通信装置。
【請求項１２】
通信装置の通信方法であって、
他の通信装置のパワーセーブ状態を解除するための制御情報を送信する解除工程と、
データを送信する送信工程と、を有し、
前記送信工程において前記他の通信装置にデータを送信する場合は、前記他の通信装置のパワーセーブ状態を識別することなく、前記解除工程において前記制御情報を送信することを特徴とする通信方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の通信方法をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明は、通信装置であって、他の通信装置のパワーセーブ状態を解除するための制御情報を送信する解除手段と、データを送信する送信手段と、を有し、前記送信手段により前記他の通信装置にデータを送信する場合は、前記他の通信装置のパワーセーブ状態を識別することなく、前記解除手段は前記制御情報を送信することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、本発明は、通信装置の通信方法であって、他の通信装置のパワーセーブ状態を解除するための制御情報を送信する解除工程と、データを送信する送信工程と、を有し、前記送信工程において前記他の通信装置にデータを送信する場合は、前記他の通信装置のパワーセーブ状態を識別することなく、前記解除工程において前記制御情報を送信することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月20日(2007.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置であって、
電力モードを変更する変更手段と、
省電力モードの他の通信装置が通信可能状態になる間に、前記他の通信装置に対して電力モードの変更を通知する通知手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記通知手段は、電力モードの変更をネットワーク上へブロードキャストで通知することを特徴とする通信装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記通知手段は、特定の機器に対して前記通知を行うことを特徴とする通信装置。
【請求項４】
請求項１において、
省電力モードの他の通信装置が通信可能状態になる期間を判別する判別手段を有し、
前記通知手段は、前記判別手段により判別された期間に、電力モードの変更を通知することを特徴とする通信装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記通知手段は、ＩＥＥＥ８０２．１１で定義されるＡＴＩＭ  Ｗｉｎｄｏｗ期間に、電力モードの変更を通知することを特徴とする通信装置。
【請求項６】
請求項１において、
前記通知手段は、ＡＴＩＭパケットを用いて電力モードの変更を通知することを特徴とする通信装置。
【請求項７】
請求項１において、
前記通知手段は、ＲＴＳ（ｒｅｑｕｅｓｔ  ｔｏ  ｓｅｎｄ）パケットを用いて電力モードの変更を通知することを特徴とする通信装置。
【請求項８】
請求項１において、
前記通信装置は、中継装置を介さずに、前記他の通信装置と直接通信を行うことを特徴とする通信装置。
【請求項９】
通信装置であって、
電力モードを変更する変更手段と、
電力モードの変更を他の通信装置に通知する通知手段と、
電力モードの変更を通知する相手装置が省電力モードか否かを判別する判別手段と、を有し、
前記通知手段は、前記判別手段による判別結果に基づいて、電力モードの変更を前記相手装置へ通知することを特徴とする通信装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記通知手段は、ヌルパケットを用いて電力モードの変更を通知することを特徴とする通信装置。
【請求項１１】
請求項９において、
前記判別手段は、前記相手装置からの報知信号を受信したか否かに基づいて、前記相手装置が省電力モードか否かを判別することを特徴とする通信装置。
【請求項１２】
請求項９において、
前記通知手段による通知に対する応答を検知する検知手段を有し、
前記判別手段は、前記検知手段による検知に基づいて、前記相手装置が省電力モードか否かを判別することを特徴とする通信装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記通知手段は、前記判別手段による判別結果に基づいて、前記相手装置に対して再び電力モードの変更を通知することを特徴とする通信装置。
【請求項１４】
通信装置の通信方法であって、
電力モードを変更する変更工程と、
省電力モードの他の通信装置が通信可能状態になる間に、前記他の通信装置に対して電力モードの変更を通知する通知工程と、
を有することを特徴とする通信方法。
【請求項１５】
通信装置の通信方法であって、
電力モードを変更する変更工程と、
電力モードの変更を他の通信装置に通知する通知工程と、
電力モードの変更を通知する相手装置が省電力モードか否かを判別する判別工程と、を有し、
前記通知工程において、前記判別工程における判別結果に基づいて、電力モードの変更を前記相手装置へ通知することを特徴とする通信方法。
【請求項１６】
請求項１４又は１５記載の通信方法をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、通信装置であって、電力モードを変更する変更手段と、省電力モードの他の通信装置が通信可能状態になる間に、前記他の通信装置に対して電力モードの変更を通知する通知手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明は、通信装置であって、電力モードを変更する変更手段と、電力モードの変更を他の通信装置に通知する通知手段と、電力モードの変更を通知する相手装置が省電力モードか否かを判別する判別手段と、を有し、前記通知手段は、前記判別手段による判別結果に基づいて、電力モードの変更を前記相手装置へ通知することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、通信装置の通信方法であって、電力モードを変更する変更工程と、省電力モードの他の通信装置が通信可能状態になる間に、前記他の通信装置に対して電力モードの変更を通知する通知工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、通信装置の通信方法であって、電力モードを変更する変更工程と、電力モードの変更を他の通信装置に通知する通知工程と、電力モードの変更を通知する相手装置が省電力モードか否かを判別する判別工程と、を有し、前記通知工程において、前記判別工程における判別結果に基づいて、電力モードの変更を前記相手装置へ通知することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月6日(2007.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成する第１の工程と、
前記剥離層を選択的に除去する第２の工程と、
前記剥離層および前記基板上に接する下地絶縁層を形成する第３の工程と、
前記剥離層と重なる下地絶縁層上に複数の薄膜集積回路を含む層を形成する第４の工程と、
前記複数の薄膜集積回路を覆う保護層を形成する第５の工程と、
前記下地絶縁層を選択的に除去して、隣り合う薄膜集積回路の境界領域の剥離層を露呈させる第６の工程と、
前記露呈させた部分から前記剥離層をエッチングして、前記複数の薄膜集積回路の下方に空間を形成する第７の工程と、
前記複数の薄膜集積回路を、接着面を備える基体へ転置する第８の工程と、を有し、
前記エッチングの進行方向は、一方向に制御されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成する第１の工程と、
前記剥離層を選択的に除去する第２の工程と、
前記剥離層および前記基板上に接する下地絶縁層を形成する第３の工程と、
前記剥離層と重なる下地絶縁層上に複数の薄膜集積回路を含む層を形成する第４の工程と、
前記複数の薄膜集積回路を覆う保護層を形成する第５の工程と、
前記下地絶縁層を選択的に除去して、隣り合う薄膜集積回路の境界領域の剥離層を露呈させる第６の工程と、
前記露呈させた部分から前記剥離層をエッチングして、前記複数の薄膜集積回路の下方に空間を形成する第７の工程と、
前記複数の薄膜集積回路を第１のラミネートフィルムへ転置した後、当該第１のラミネートフィルムと第２のラミネートフィルムとで封止する第８の工程と、を有し、
前記エッチングの進行方向は、一方向に制御されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記第２の工程後の前記剥離層の上面形状は矩形であり、前記第６の工程における前記下地絶縁層の選択的な除去により、前記剥離層の４辺のうちの一辺が露呈され、他の３辺は前記下地絶縁層によって覆われたままであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成する第１の工程と、
前記剥離層を選択的に除去する第２の工程と、
前記剥離層および前記基板上に接する下地絶縁層を形成する第３の工程と、
前記剥離層と重なる下地絶縁層上に複数の薄膜集積回路を含む層を形成する第４の工程と、
前記複数の薄膜集積回路を覆う保護層を形成する第５の工程と、
前記下地絶縁層を選択的に除去して、隣り合う薄膜集積回路の境界領域の剥離層を露呈させる第６の工程と、
前記露呈させた部分から前記剥離層をエッチングして、前記複数の薄膜集積回路の下方に空間を形成する第７の工程と、
前記複数の薄膜集積回路を、接着面を備える基体へ転置する第８の工程と、を有し、
前記エッチングの進行方向は、対向する２方向に制御されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成する第１の工程と、
前記剥離層を選択的に除去する第２の工程と、
前記剥離層および前記基板上に接する下地絶縁層を形成する第３の工程と、
前記剥離層と重なる下地絶縁層上に複数の薄膜集積回路を含む層を形成する第４の工程と、
前記複数の薄膜集積回路を覆う保護層を形成する第５の工程と、
前記下地絶縁層を選択的に除去して、隣り合う薄膜集積回路の境界領域の剥離層を露呈させる第６の工程と、
前記露呈させた部分から前記剥離層をエッチングして、前記複数の薄膜集積回路の下方に空間を形成する第７の工程と、
前記複数の薄膜集積回路を第１のラミネートフィルムへ転置した後、当該第１のラミネートフィルムと第２のラミネートフィルムとで封止する第８の工程と、を有し、
前記エッチングの進行方向は、対向する２方向に制御されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項３または４において、前記第２の工程後の前記剥離層の上面形状は矩形であり、前記第６の工程における前記下地絶縁層の選択的な除去により、前記剥離層の４辺のうち対向する２辺が露呈され、他の２辺は前記下地絶縁層によって覆われたままであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記第８の工程の後に、前記複数の薄膜集積回路を個々に又は各組ごとに分断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を用いて前記剥離層をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記下地絶縁層として、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体と化学反応しない材料を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記保護層として、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体と化学反応しない有機樹脂を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。