Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月7日(2007.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数種の絵柄が周方向に付された複数の周回体と、
前記各周回体について各絵柄のうち一部の絵柄を視認可能とする表示窓と、
前記各周回体の回転を開始させるべく操作される始動操作手段と、
前記各周回体毎に設けられ、該各周回体を回転させる駆動手段と、
前記各周回体の回転を停止させるべく操作される停止操作手段と、
前記始動操作手段の操作に基づいて前記各周回体の回転を開始させ、前記停止操作手段の操作に基づいて前記各周回体の回転を停止させるように、前記各駆動手段を駆動制御する駆動制御手段と
を備え、前記各周回体が停止した際、前記表示窓から視認できる有効位置に前記絵柄によって形成される特定絵柄の組合せが成立している場合に遊技者に特典を付与するように構成された遊技機において、
前記駆動制御手段は、
前記各周回体の回転を開始させて予め定めた所定回転速度に至らしめるべく前記各駆動手段を初期駆動制御する初期駆動制御手段と、
前記初期駆動制御手段による初期駆動制御の実行後、前記回転速度が維持されるよう前記各駆動手段を定速駆動制御する定速駆動制御手段と、
前記初期駆動制御手段による初期駆動制御の実行中に、前記特定絵柄の組合わせに揃えた同期絵柄を形成し、該同期絵柄が前記表示窓を介して視認可能な位置を少なくとも１度は通過するよう前記各駆動手段を駆動制御する同期絵柄形成手段と、
前記各周回体の絵柄位置を検出する絵柄位置検出手段の検出結果に基づき、前記各周回体に付された前記特定絵柄の位置関係を把握する絵柄位置把握手段と
を備え、
さらに、該絵柄位置把握手段の把握結果に基づき前記表示窓を介して視認可能な位置を前記同期絵柄が通過していると判断されるときは該同期絵柄を他の絵柄よりも強調する同期絵柄強調手段を、前記駆動制御手段とは独立して設けたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記同期絵柄強調手段は、前記表示窓を介して視認できる位置を通過する前記各周回体を照らすように光を照射する発光手段と、前記絵柄位置把握手段の把握結果に基づき前記表示窓を介して視認できる位置を通過している前記同期絵柄に光が照射されるよう前記発光手段をオンオフ制御する発光制御手段とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記発光手段を前記各周回体の内周側にそれぞれ配置することにより前記各周回体の内周面に向けて光を照射する構成としたことを特徴とする請求項２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記表示窓は前記各周回体について各絵柄のうち少なくとも２個の絵柄を同時に視認可能な構成とし、さらに前記発光手段を少なくとも前記各周回体の回転方向に複数配置し、前記発光制御手段は前記絵柄位置把握手段の把握結果に基づき前記同期絵柄が付された内周面付近にのみ光が照射されるよう前記複数の発光手段を個別に又は所定数をまとめてオンオフ制御する構成としたことを特徴とする請求項３に記載の遊技機。
【請求項５】
前記同期絵柄強調手段は、前記各周回体に近接した位置において前記各周回体の回転方向に延び且つ前記表示窓を介して視認可能な同期絵柄強調領域と、該同期絵柄強調領域において前記表示窓を介して視認できる位置を通過している前記同期絵柄の位置を間接的に強調する位置強調手段と、前記絵柄位置把握手段の把握結果に基づき前記表示窓を介して視認できる位置を通過している前記同期絵柄の位置を明示するよう前記位置強調手段を制御する位置強調制御手段とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月26日(2007.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部に形成されている開口部と、前記開口部に対して略並行に延びる上面と、前記上面と底面との間に位置する側面と、を備え、
前記側面と前記上面とが、前記開口部下に対する浴槽拡張部の一部を形成する浴槽。
【請求項２】
前記開口部に対して、前記底面が１．５倍以上の大きさである請求項１記載の浴槽。
【請求項３】
前記上面は、前記側面のいずれかに対して開口可能である請求項１記載の浴槽。
【請求項４】
前記浴槽拡張部内には、浴槽内を洗浄する超音波発振子が設けられている請求項１記載の浴槽。
【請求項５】
請求項１記載の浴槽と、前記上面の上に形成される洗い場とを備えるユニットバス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の浴槽は、上部に形成されている開口部と、前記開口部に対して略並行に延びる上面と、前記上面と底面との間に位置する側面と、を備え、前記側面と前記上面とが、前記開口部下に対する浴槽拡張部の一部を形成する。
また、本発明のユニットバスは、上記浴槽と、前記上面の上に形成される洗い場とを備える。
すなわち、本発明は、洗い場の下の空間を有効利用する構造を備えたユニットバスであって、洗い場と、洗い場の下部に拡張された浴槽との２階建て構造としたことにより、洗い場の一部または全部の下部に浴槽拡張部が配置されたユニットバスであることを特徴としている。
洗い場の下の空間を有効利用し、洗い場の下の空間に浴槽を拡張して、洗い場と浴槽を２階建て構造としたものであり、従来建物にユニットバスを設置している時に使われていない洗い場の下の空間を有効利用し、地面及び土間コンクリートまたは鉄筋コンクリート構造の建物においては床スラブより洗い場の底までの空間を浴槽に使うことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、ユニットバスの浴槽の形状は、洗い場の２階建て構造の下部の浴槽拡張部の空間において、浴槽に入った入浴者の足を、洗い場方向に向けて挿入可能な形状とするとよい。
従来のユニットバスでは一般に上方より見た時に四角い形の場合がほとんどであり、浴槽と洗い場を並べて配置する関係で、人が浴槽に入る場合は洗い場と平行にすわる構造となっていたが、浴槽と洗い場を２階建て構造にすることにより、出現する空間を有効利用するため、足を洗い場に向けて座る構造とする。好ましい一例は成人２人またはそれ以上が並んで足を洗い場に向けて座る構造とするようなものである。結果として０．７５坪サイズなどの上方から見て長方形のユニットバスであっても長手方向に足を伸ばして入浴することで、１坪サイズとほぼ同じ浴槽空間を持つことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記開口部に対して、前記底面が１．５倍以上の大きさとするとよい。すなわち、２階建て構造の浴槽下部の浴槽拡張部を含む浴槽全体の面積が、２階建て構造上部の浴槽拡張部を含まない浴槽面積の１．５倍以上あってもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、前記上面は、前記側面のいずれかに対して開口可能としてもよい。すなわち、２階建て構造下部の浴槽拡張部は、２階建て構造上部の洗い場から開閉または開口可能にされた構造としてもよい。
浴槽拡張部の空間を有効利用するため、浴槽に出入りする時にまたぐ浴槽の縁を開閉式また可動式の構造とし、同じく洗い場も開閉または可動式とし、浴槽及び洗い場の清掃とメンテナンスを容易とすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記浴槽拡張部内には、浴槽内を洗浄する超音波発振子が設けられているとよい。すなわち、２階建て構造下部の浴槽拡張部の、浴槽内部の水または湯に接触する位置に、少なくとも一つの超音波発振子が備えられ、超音波照射による自動洗浄が可能にされるとよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月16日(2007.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】磁気共鳴イメージング装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体の解剖学的画像と神経繊維の走行状態を表す神経繊維画像をそれぞれ計測する計測手段と、前記解剖学的画像と前記神経繊維画像を表示する表示手段と、前記被検体を指示するための指示器と、前記指示器の指示点及び指示方向を検出する検出器と、前記指示器の実空間上の座標と画像データの座標とを対応付けるレジストレーション手段と、を備えた磁気共鳴イメージング装置において、
前記表示手段は、検出された前記指示点及び指示方向を前記解剖学的画像と前記神経線維画像の内の少なくとも一方の画像上に表示することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
請求項１又は２に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記表示手段は、前記解剖学的画像として互いに異なる３つの断面画像を表示し、前記神経繊維画像として３次元神経繊維画像データの投影像と前記指示器で指示された断面像とを表示することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記計測手段は、前記神経繊維画像をマルチスライスで複数回撮影する場合に、異なる撮影間でスライス厚の一部がオーバーラップする様にスライス位置をずらすことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記計測手段は拡散強調イメージング法を用いて、前記神経繊維画像を計測することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の目的を達成するために本発明は以下のように構成される。即ち、
被検体の解剖学的画像と神経繊維の走行状態を表す神経繊維画像をそれぞれ計測する計測手段と、前記解剖学的画像と前記神経繊維画像を表示する表示手段と、前記被検体を指示するための指示器と、前記指示器の指示点及び指示方向を検出する検出器と、前記指示器の実空間上の座標と画像データの座標とを対応付けるレジストレーション手段と、を備えた磁気共鳴イメージング装置において、前記表示手段は、検出された前記指示点及び指示方向を前記解剖学的画像と前記神経線維画像の内の少なくとも一方の画像上に表示する。
これにより、指示器によって指示された点と方向とに対応して解剖学的画像と神経繊維画像を撮影して表示し、それら画像上に指示点及び指示方向を表示することができるようになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
好ましい実施態様は、前記計測手段は、前記神経繊維画像をマルチスライスで複数回撮影する場合に、異なる撮影間でスライス厚の一部がオーバーラップする様にスライス位置をずらす。
これにより、神経繊維画像のスライス厚を増加させつつ、実効的なスライス厚を薄くすることができるので、分解能を低減させることなく神経繊維画像のSNRを向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月29日(2007.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
ＦＥ２＝｛（ａ＋ｃ）−（ｂ＋ｄ）｝＋Ｋ２・［｛（ｅ＋ｇ）−（ｆ＋ｈ）｝＋｛（ｉ＋ｋ）−（ｊ＋ｌ）｝］
（∵Ｋ２は係数）
また、トラッキングエラー信号としては、主受光部１８からの光検出信号ａ，ｂ，ｃ，ｄを用いて、いわゆる差動位相差法（ディファレンシャルフェイズディテクション法：ＤＰＤ法）により生成することも可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
主スポットと副スポットとが光ディスク上においてこのような位置関係をとるためには、上述したように、光ディスクの信号記録面上に形成された記録トラックの法線方向の主スポットに対する距離をＳ、記録トラックのトラックピッチをＴｐ、ｎを整数としたときに、以下の式が成立している必要がある。
Ｓ≒Ｔｐ・ｎ／２
特に、各副スポットは、以下の式（Ｉ）乃至（III）が成立する２つの位置に形成されていることが望ましい。
（Ｉ）Ｓ≒＋Ｐ／２
Ｓ≒−Ｐ／２
（II）Ｓ＝０
（III）Ｓ≒＋Ｐ，Ｓ≒−Ｐ
しかし、各副スポットは、主スポットに対して対称な位置に形成される必要はない。
Ｓ≒＋ｎＰ／２
Ｓ≒−ｍＰ／２
（∵ｎ＞ｍ、ｎ＜ｍ、または、ｎ＝ｍ）
特に、上記式（II）が成立する場合については、主スポットと副スポットとが全て同一記録トラック上に形成されるため、トラックピッチの異なる複数の光ディスクに対しても、常に副スポットの記録トラックに対する関係を同じ状態にすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月2日(2007.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ファイルサーバ及び電子マネーサーバを含むデータ入出力システムにおいて、
前記電子マネーサーバに対して電子マネーによる決済を申請する申請手段と、
前記申請手段による申請に対して前記電子マネーサーバにより承認が得られた場合に、データ入力装置により入力されたデータを前記ファイルサーバにてスプールするスプール手段と、
前記ファイルサーバにてスプールされたデータをデータ出力装置から出力する場合に、電子マネーによる決済をする決済手段と、
を備えたことを特徴とするデータ入出力システム。
【請求項２】  前記決済手段は、前記電子マネーサーバにて電子マネーによる決済をすることを特徴とする請求項１に記載のデータ入出力システム。
【請求項３】  前記決済手段は、前記申請手段による申請に対する前記電子マネーサーバによる承認に従って発行された電子財布に入っている電子マネーによる決済をすることを特徴とする請求項１に記載のデータ入出力システム。
【請求項４】  ユーザＩＤを前記データ出力装置にて入力するユーザＩＤ入力手段と、
前記ユーザＩＤ入力手段により入力されたユーザＩＤを前記データ出力装置から前記ファイルサーバに送信するユーザＩＤ送信手段と、
前記ユーザＩＤ送信手段により送信されたユーザＩＤに対応するデータを前記ファイルサーバから前記データ出力装置に送信するデータ送信手段とを備え、
前記データ出力装置は、前記データ送信手段により送信されたデータを出力することを特徴とする請求項１に記載のデータ入出力システム。
【請求項５】  前記データ出力装置によるデータの出力に対して課金される金額を算出する算出手段と、
前記算出手段により算出された金額と、前記ユーザ入力手段により入力されたユーザＩＤとを前記マネーサーバに送信する送信手段とを備え、
前記決済手段は、前記送信手段により送信された金額とユーザＩＤとに基づいて、前記マネーサーバにて決済をすることを特徴とする請求項４に記載のデータ入出力システム。
【請求項６】  前記算出手段は、前記データ送信手段により送信されたデータのデータ量、または前記データ送信手段により送信されたデータが前記データ出力装置から出力された場合の印刷部数に基づいて、前記金額を算出することを特徴とする請求項５に記載のデータ入出力システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ネットワーク上でデータ入力及びデータ出力を行うデータ入出力システムに関し、特に課金技術に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係るデータ入出力システムは、ファイルサーバ及び電子マネーサーバを含むデータ入出力システムにおいて、前記電子マネーサーバに対して電子マネーによる決済を申請する申請手段と、前記申請手段による申請に対して前記電子マネーサーバにより承認が得られた場合に、データ入力装置により入力されたデータを前記ファイルサーバにてスプールするスプール手段と、前記ファイルサーバにてスプールされたデータをデータ出力装置から出力する場合に、電子マネーによる決済をする決済手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ネットワーク上でデータ入力及びデータ出力を行うシステムにおいて、電子マネーを利用して効率的に自己のデータを入力且つ出力することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月28日(2007.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】無機粉末と、感光性有機成分として少なくともアルカリ可溶性のアクリル系共重合体と、光重合開始剤を必須成分とするペーストであり、前記無機粉末としてガラス粉末、金属酸化物系の黒色無機顔料、導電性粉末を含有する感光性黒色ペーストであって、導電性粉末の含有量が、無機粉末全量に対して１重量％以上２５重量％未満であり、ガラス粉末として、軟化点が４００℃以上５２０℃未満のものを含むことを特徴とする感光性黒色ペースト。
【請求項２】ガラス粉末の平均粒子径が０．５μｍ以上５μｍ未満であることを特徴とする請求項１記載の感光性黒色ペースト。
【請求項３】黒色無機顔料の含有量が無機粉末全量の１重量％以上２５重量％未満であることを特徴とする請求項１または２に記載の感光性黒色ペースト。
【請求項４】黒色無機顔料が、鉄、銅、マンガン、コバルトのうちから選ばれた少なくとも１つの金属の酸化物、あるいはこれらのうちから選ばれた少なくとも２種の金属の複合酸化物を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の感光性黒色ペースト。
【請求項５】黒色無機顔料として少なくとも酸化二コバルト(III)コバルト(II)を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の感光性黒色ペースト。
【請求項６】黒色無機顔料の平均粒子径が、１０ｎｍ以上１００ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の感光性黒色ペースト。
【請求項７】導電性粉末がニッケルを含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の感光性黒色ペースト。
【請求項８】導電性粉末が、酸化スズまたはＩＴＯを含有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の感光性黒色ペースト。
【請求項９】導電性粉末の平均粒子径が、０．１μｍ以上５μｍ未満であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の感光性黒色ペースト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、無機粉末と、感光性有機成分として少なくともアルカリ可溶性のアクリル系共重合体と、光重合開始剤を必須成分とするペーストであり、前記無機粉末としてガラス粉末、金属酸化物系の黒色無機顔料、導電性粉末を含有する感光性黒色ペーストであって、導電性粉末の含有量が、無機粉末全量に対して１重量％以上２５重量％未満であり、ガラス粉末として、軟化点が４００℃以上５２０℃未満のものを含むことを特徴とする感光性黒色ペーストである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月23日(2007.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
トラッキングジェネレーターから０（ｄＢｍ）（但し、周波数範囲は、１００（MHz）〜１（GHz））を入力し、磁界プローブ（ループアンテナ）にて被測定面から７ｍｍ上部をＸ（横）方向と、Ｙ（縦）方向に測定（近傍磁界測定）した結果、グランドプレーン端からの垂直距離が０．１６（ｍｍ）のケースと、グランドプレーン端からの垂直距離が１２．５（ｍｍ）のケースとの、両ケースにおいて、広範囲に磁界レベルが下がっている（最大１２（ｄＢ）となる）事実を確認した。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月13日(2007.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
パルス発生回路１５は、インバータＧ２１〜Ｇ２３，Ｇ２５及びＮＯＲゲートＧ２４から構成され、インバータＧ２１〜Ｇ２３は直列に接続され、インバータＧ２１の入力にクロック信号ＣＬＯＣＫを受ける。ＮＯＲゲートＧ２４は一方入力にインバータＧ２３の出力を受け、他方入力にクロック信号ＣＬＯＣＫを受ける。インバータＧ２５の入力にＮＯＲゲートＧ２４の出力を受ける。インバータＧ２５の出力がパルス信号Ｓ１５としてラッチ回路１２に出力され、ＮＯＲゲートＧ２４の出力が事前パルス信号ＳＰ１５として高速化パス回路１３に出力される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
以降、パルス信号Ｓ１６がパルス信号Ｓ１８に置き換わった点を除き、図８で示した実施の形態３と同様の動作を行う。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の実施の形態１であるＲＡＭの構成を示すブロック図である。
【図２】  図１で示した遅延回路の一構成例を示す回路図である。
【図３】  実施の形態１のタイミング生成回路の内部構成を示す回路図である。
【図４】  実施の形態１のタイミング生成回路の制御信号生成動作を示すタイミング図である。
【図５】  実施の形態２のタイミング生成回路の内部構成を示す回路図である。
【図６】  実施の形態２のタイミング生成回路の制御信号生成動作を示すタイミング図である。
【図７】  実施の形態３のタイミング生成回路の内部構成を示す回路図である。
【図８】  実施の形態３のタイミング生成回路の制御信号生成動作を示すタイミング図である。
【図９】  実施の形態４のタイミング生成回路の内部構成を示す回路図である。
【図１０】  実施の形態４のタイミング生成回路の制御信号生成動作を示すタイミング図である。
【図１１】  従来のＲＡＭの構成を示すブロック図である。
【図１２】  図１１のタイミング生成回路の内部構成を示す回路図である。
【図１３】  図１２のタイミング生成回路の制御信号生成動作を示すタイミング図である。
【符号の説明】
１  タイミング生成回路、２  ワード線ドライバ、３  Ｉ／Ｏ回路、４  メモリセルアレイ、５  遅延回路、１１，１５，１６，１８  パルス発生回路、１２，１７  ラッチ回路、１３  高速化パス回路、１４  制御信号生成回路。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月29日(2007.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  前記強制電流供給制御回路は、前記所定期間において強制電流供給制御信号を活性化する強制電流供給期間制御回路を含み、
前記強制電流供給期間制御回路は、前記制御信号の非活性化以前に前記強制電流供給制御信号を非活性化する、請求項１記載の電源回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】  前記強制電流供給制御回路は、前記所定期間において強制電流供給制御信号を活性化する強制電流供給期間制御回路を含み、
前記負荷回路は、設定された動作状態に応じて消費電流が異なり、
前記強制電流供給期間制御回路は、前記動作状態に応じて前記所定期間における前記強制電流供給制御信号の活性化を中止する、請求項１記載の電源回路。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項３記載の電源回路は、請求項１記載の電源回路であって、強制電流供給制御回路は、所定期間において強制電流供給制御信号を活性化する強制電流供給期間制御回路を含み、強制電流供給期間制御回路は、制御信号の非活性化以前に強制電流供給制御信号を非活性化する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
請求項８記載の電源回路は、請求項１記載の電源回路であって、強制電流供給制御回路は、所定期間において強制電流供給制御信号を活性化する強制電流供給期間制御回路を含む。そして、負荷回路は、設定された動作状態に応じて消費電流が異なり、強制電流供給期間制御回路は、動作状態に応じて所定期間における強制電流供給制御信号の活性化を中止する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
遅延ユニットＤＵｒは、さらに、ノードＮｒ１の信号レベルを反転してノードＮｒ２に伝達するインバータＩＶ１８と、ノードＮｒｉおよびＮｒ２のＮＡＮＤ論理演算結果を出力する論理ゲートＬＧ１８と、論理ゲートＬＧ１８の出力を反転して出力ノードＮｒｏに伝達するインバータＩＶ２０とを有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
内部電源制御回路１１５は、さらに、ノードＮ３と接地配線８５との間に結合されるＮ型ＭＯＳトランジスタＱＮ１０を有する。トランジスタＱＮ１０のゲートには、インバータＩＶ１０によって反転されたワード線活性化信号ＷＬＡＣＴが入力される。これにより、少なくともワード線活性化信号ＷＬＡＣＴの非活性化時においては、制御信号ＳＤＲＶの信号レベルはＬレベルにリセットされることから、少なくともこの期間において、内部電源回路１００において電流供給トランジスタＱＤ１による強制的な電流供給が実行されることはない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
一方、図５に示した時刻ｔｂに相当する時刻ｔ３において、センスアンプ活性化信号ＳＥＡＣＴが活性化されると、これに応答してセンスアンプＳＡにおける電流消費が開始されて、負荷電流Ｉｌｏａｄが流れ始める。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９３】
一方、リフレッシュモード信号／ＲＥＦがＬレベルに設定される場合、すなわちリフレッシュ動作が実行される場合、もしくは通常動作時であってページサイズが８ｋｂｉｔと大きい場合、すなわち負荷であるセンスアンプの消費電流が大きくなる動作状態においては、負荷の電流消費期間に対応して、強制電流供給制御信号ＺＤＲＶ´およびＤＲＶ´を活性化させることによって、内部電源電位ｉｎｔ．Ｖｄｄの電位レベルを良好に維持することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月8日(2006.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】 
【請求項１】
挿入方向の先端部に複数の接点が設けられた矩形状回路板を、ソケット本体への挿入操作によって着脱可能に装着するためのエッジ型ソケットコネクタであって、前記ソケット本体に設けられ、前記回路板の装着によりその回路板の各接点にそれぞれ接触する複数のコンタンクと、前記ソケット本体に設けられ、挿入操作により装着される回路板に対してその挿入方向に力を加えるための挿入用ペグと、装着された回路板をソケット本体から離脱させる方向に力を加えるための離脱用ペグとを備えている、エッジ型ソケットコネクタ。 
【請求項２】
前記挿入用ペグが、前記回路板のソケット本体からの離脱防止機能を備えている、請求項１記載のエッジ型ソケットコネクタ。 
【請求項３】
前記ソケット本体は、前記回路板の先端部を受け入れる挿入溝を有し、その挿入溝に沿って前記複数のコンタクトが配列されている装着部と、前記回路板の挿入方向の両サイドをガイドする左右のガイド部とを備え、それら左右のガイド部に前記挿入用ペグがそれぞれ設けられている、請求項１又は２記載のエッジ型ソケットコネクタ。 
【請求項４】
前記離脱用ペグは、前記回路板の先端面に当接可能な当接面を有し、その当接面が回路板の後端面方向に回動可能に設けられた可動部と、その可動部を手動操作するための操作レバーとを備えている、請求項１〜３の何れかに記載のエッジ型ソケットコネクタ。 
【請求項５】
前記離脱用ペグは、前記装着部と前記ガイド部との境界付近に支持された回転軸を中心に回動可能に設けられている、請求項３又は４記載のエッジ型ソケットコネクタ。 
【請求項６】 
ソケット本体への挿入によって装着される矩形状回路板の先端部の各接点とそれぞれ接触する複数のコンタクトを備えたエッジ型ソケットコネクタであって、前記ソケット本体は、前記複数のコンタクトが固定されるハウジングを備え、前記各コンタクトは、形状及び長さの異なる第１コンタクトと第２コンタクトに区別され、それら第１コンタクトと第２コンタクトが交互に間隔をおいて配列され、前記第１コンタクト及び第２コンタクトは、それぞれ前記ハウジングへ固定する固定片と、前記接点に対する接触片とを備え、且つ、前記各固定片は断面長方形の長板状に形成され、前記第１コンタクトの各固定片は、その幅方向の表面が間隔をおいて面一に並ぶ形態であり、前記第２コンタクトの各固定片は
その幅方向の表面が前記第１コンタクトの固定片の表面とほぼ直角に交差する形態である、エッジ型ソケットコネクタ。 
【請求項７】
前記ハウジングに、前記第１コンタクトを挿入する第１挿入孔と、前記第２コンタクトを挿入する第２挿入孔とがそれぞれ設けられ、それら第１挿入孔と第２挿入孔とが交互に間隔をおいて配列されている、請求項６記載のエッジ型ソケットコネクタ。 
【請求項８】
前記第１挿入孔はその断面形状が略Ｔ字状であり、そのＴ字の横線に相当する孔の部分が前記第１コンタクトの固定片を保持する保持孔であり、Ｔ字の縦線に相当する部分が前記第１コンタクトの接触片を通過させる通過孔である、請求項６又は７記載のエッジ型ソケットコネクタ。 
【請求項９】
前記第２挿入孔は断面長方形で、前記通過孔間に配置されている、請求項７又は８記載のエッジ型ソケットコネクタ。 
【請求項１０】
前記ハウジングに、前記回路板の先端部が挿入される挿入溝が形成され、その挿入溝の両側に前記第１挿入孔及び第２挿入孔がそれぞれ配置され、それら第１挿入孔及び第２挿入孔は前記挿入溝の壁面にそれぞれ開口していて、その開口から前記各コンタクトの接触片が前記挿入溝内に露出している、請求項６〜９の何れかに記載のエッジ型ソケットコネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月7日(2007.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【背景技術】
誘導加熱方式の加熱装置は、磁性金属部材（電磁誘導発熱性部材、誘導磁性材、磁界吸収導電材）に磁場を作用させて、磁性金属部材に発生する誘導電流（高周波誘導電流、渦電流）による発熱により被加熱材の加熱を行うものであり、たとえば、電子写真方式、静電記録方式、磁気記録方式等の画像形成装置において未定着トナー画像を形成担持させた記録材を加熱して未定着トナー画像を固着画像として加熱定着させる画像加熱定着装置として有効である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
そして、磁性金属層の発熱は良熱伝導性の特性を有する非磁性金属層により加熱用回転体の長手方向や円周方向に伝わり易くなり、予熱時間の短縮化が図られるとともに、最大通紙巾よりも小形サイズの被加熱材を連続で通紙するモードの場合でも、加熱用回転体の通紙領域における温度と、非通紙領域における温度との温度差が小さくなり発生する温度ムラを小さくでき、加熱用回転体の温度ムラが抑制される結果、周辺部材の耐熱寿命が低下したり、熱的損傷を被ったりすることがなくなり、さらには、画像加熱定着装置の場合にあっては大形サイズの記録紙を前記モードの直後に通紙したときでも、定着性に部分的なムラが発生するのを防止することができ、通紙モードにおいても安定した定着性能を確保・実現することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月22日(2007.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数のデータ転送チャンネルを有する双方向伝送媒体を介して相互接続されたネットワークに用いられる通信装置であって、
所定の１もしくは複数のデータ転送チャンネルのデータを受信する受信手段と、
前記受信手段が受信したデータから所定のデータパケットを選択的に抽出するフィルタ手段と、
前記フィルタ手段が抽出したデータパケットを、前記受信手段が受信したデータ転送チャンネルとは異なる１もしくは複数のデータ転送チャンネルにより送信する送信手段と
を有する通信装置。
【請求項２】  複数のデータ転送チャンネルを有する双方向伝送媒体を介して相互接続されたネットワークに用いられる通信装置であって、
所定の１もしくは複数のデータ転送チャンネルのデータを受信する受信手段と、
前記受信手段が受信したデータから所定のデータパケットを選択的に抽出するフィルタ手段と、
前記フィルタ手段が抽出したデータパケットの種類に対応した処理を行うデータ処理手段と、
前記データ処理手段が処理したデータパケットを、前記受信手段が受信したデータ転送チャンネルとは異なる１もしくは複数のデータ転送チャンネルにより送信する送信手段と
を有する通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
即ち、本発明のうち請求項１に記載の発明は、複数のデータ転送チャンネルを有する双方向伝送媒体を介して相互接続されたネットワークに用いられる通信装置であって、所定の１もしくは複数のデータ転送チャンネルのデータを受信する受信手段と、上記受信手段が受信したデータから所定のデータパケットを選択的に抽出するフィルタ手段と、上記フィルタ手段が抽出したデータパケットを、上記受信手段が受信したデータ転送チャンネルとは異なる１もしくは複数のデータ転送チャンネルにより送信する送信手段とを有するようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明のうち請求項２に記載の発明は、複数のデータ転送チャンネルを有する双方向伝送媒体を介して相互接続されたネットワークに用いられる通信装置であって、所定の１もしくは複数のデータ転送チャンネルのデータを受信する受信手段と、上記受信手段が受信したデータから所定のデータパケットを選択的に抽出するフィルタ手段と、上記フィルタ手段が抽出したデータパケットの種類に対応した処理を行うデータ処理手段と、上記データ処理手段が処理したデータパケットを、上記受信手段が受信したデータ転送チャンネルとは異なる１もしくは複数のデータ転送チャンネルにより送信する送信手段とを有するようにしたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月10日(2007.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  接続電極パッドを有する半導体装置に保護膜を形成し、接続電極パッドが開口するように保護膜をパターンニングする工程と、
保護膜上に有機材料より成る流動制御膜を半導体装置に形成する工程と、
流動制御膜を半導体装置の外周部において接続電極パッドのない部分に配置するようにパターンニングする工程と、
共通電極膜を半導体装置に形成する工程と、
メッキレジストを半導体装置に形成する工程と、
メッキレジストを突起電極形成領域が開口するようにパターンニングする工程と、
メッキレジスト開口部にメッキにより突起電極を形成する工程と、
メッキレジストを除去する工程と、
突起電極の付け根以外の部分の共通電極膜を除去する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】  半導体装置は長辺と短辺を有し、接続電極パッドは長辺のみに沿って配置されており、流動制御膜を半導体装置の接続電極を有しない短辺の二辺に配置されるようにパターンニングすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】  半導体装置の短辺に配置される流動制御膜を短辺に平行な棒状にパターンニングすることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】  流動制御膜を半導体装置の長辺における接続電極パッドのない部分にも配置されるようにパターンニングすることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】  流動制御膜を、その頂部が突起電極の頂部より高さが低くなるような厚さに形成したことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】  流動制御膜の頂部の高さを、突起電極の頂部の高さよりも３μｍ低く形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】  流動制御膜を、その頂部が突起電極の頂部と高さがほぼ同じになるような厚さに形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は異方性導電接着剤を用いて回路基板に接続する半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
〔発明の目的〕
本発明の目的は上記課題を解決し、半導体装置と基板との加圧加熱接続時に発生する異方性導電接着剤の流動を制御して、半導体装置の突起電極と基板との間に捕獲する異方性導電接着剤の導電粒子の数を確保し、このことによって低抵抗であるとともに高信頼性のある微細接続が可能な半導体装置の製造方法を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法においては、下記記載の手段を採用する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明の半導体装置の製造方法は、下記（１）の特徴を有する。
（１）接続電極パッドを有する半導体装置に保護膜を形成し、接続電極パッドが開口するように保護膜をパターンニングする工程と、
保護膜上に有機材料より成る流動制御膜を半導体装置に形成する工程と、
流動制御膜を半導体装置の外周部において接続電極パッドのない部分に配置するようにパターンニングする工程と、
共通電極膜を半導体装置に形成する工程と、
メッキレジストを半導体装置に形成する工程と、
メッキレジストを突起電極形成領域が開口するようにパターンニングする工程と、
メッキレジスト開口部にメッキにより突起電極を形成する工程と、
メッキレジストを除去する工程と、
突起電極の付け根以外の部分の共通電極膜を除去する工程と
を有すること。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明の半導体装置の製造方法においては、上記（１）の特徴に加えて更に下記（２）〜（７）の特徴を有することがある。
（２）（１）の特徴に加えて、半導体装置は長辺と短辺を有し、接続電極パッドは長辺のみに沿って配置されており、流動制御膜を半導体装置の接続電極を有しない短辺の二辺に配置されるようにパターンニングすること。
（３）（２）の特徴に加えて、半導体装置の短辺に配置される流動制御膜を短辺に平行な棒状にパターンニングすること。
（４）（２）または（３）の特徴に加えて、流動制御膜を半導体装置の長辺における接続電極パッドのない部分にも配置されるようにパターンニングすること。
（５）（１）〜（４）のいずれかの特徴に加えて、流動制御膜を、その頂部が突起電極の頂部より高さが低くなるような厚さに形成したこと。
（６）（５）の特徴に加えて、流動制御膜の頂部の高さを、突起電極の頂部の高さよりも３μｍ低く形成すること。
（７）（１）〜（４）のいずれかの特徴に加えて、流動制御膜を、その頂部が突起電極の頂部と高さがほぼ同じになるような厚さに形成すること。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
つぎに半導体装置１０の突起電極１７と基板２２の基板電極２３とを位置合わせして異方性導電接着剤３１の上に仮固定する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
また、図７に示すように、隣の端子との隙間の距離が広く開いて異方性導電接着剤３１の流動が変わる場合には、隣の端子と隙間の距離が広く開いた部分に流動制御膜１５を設けることで、半導体装置１０の端子レイアウトに影響されない実装が実現できる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月26日(2007.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層にチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域の外側に第１の不純物領域と、前記第１の不純物領域の外側に第２の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域は、一導電型を付与する不純物元素を前記第１の濃度で含み、
前記第２の不純物領域は、前記一導電型と同型を付与する不純物元素を前記第２の濃度で含み、
前記第２の濃度は前記第１の濃度よりも高く、
前記第２の不純物領域における結晶粒径が、前記チャネル形成領域の表面における結晶粒径よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の濃度は、１×１０１９／ｃｍ３〜５×１０２１／ｃｍ３であり、前記第２の濃度は、前記第１の濃度の１．２倍から１０００倍であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体層にチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域の外側に第１の不純物領域と、
前記第１の不純物領域の外側に第２の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域は、一導電型を付与する不純物元素を前記第１の濃度で含み、
前記第２の不純物領域は、前記一導電型を付与する不純物元素を前記第１の濃度で含み、かつ、前記一導電型とは反対の導電型を付与する不純物元素を第２の濃度で含み、
前記第１の濃度は前記第２の濃度よりも高く、
前記第２の不純物領域における結晶粒径が、前記チャネル形成領域の表面における結晶粒径よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記第２の濃度は、１×１０１９／ｃｍ３〜５×１０２２／ｃｍ３であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記一導電型を付与する不純物元素は、Ｐであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記チャネル形成領域と前記第１の不純物領域との間にＬＤＤ領域が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記チャネル形成領域と前記第１の不純物領域との間にオフセット領域が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記チャネル形成領域は、結晶化を促進する金属を用いて形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記チャネル形成領域が結晶化を促進する金属としてＮｉを用いて形成されていることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体装置は、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、またはイメージセンサであることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか一記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体装置は、携帯電話、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、ＤＶＤプレイヤー、電子辞書、または携帯型情報端末から選ばれた１つであることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項１２】
チャネル形成領域を含む半導体層を形成し、
一導電型を付与する不純物元素を第１の濃度で導入して、前記半導体層のうちチャネル形成領域の外側に第１の不純物領域を形成し、
前記一導電型と同型を付与する不純物元素を前記第１の濃度よりも高い第２の濃度で導入して、前記第１の不純物領域の外側に第２の不純物領域を形成し、
前記チャネル形成領域にＮｉを導入して、結晶化させ、
前記第２の半導体領域における結晶粒径を、前記チャネル形成領域における結晶粒径よりも小さくすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
チャネル形成領域を含む半導体層を形成し、
一導電型を付与する不純物元素を第１の濃度で導入して、前記半導体層のうちチャネル形成領域の外側に第１の不純物領域を形成し、
前記一導電型を付与する不純物元素を前記第１の濃度で導入し、かつ、前記一導電型とは反対の導電型を付与する不純物元素を前記第１の濃度よりも低い第２の濃度で導入して、前記第１の不純物領域の外側に第２の不純物領域を形成し、
前記チャネル形成領域にＮｉを導入して、結晶化させ、
前記第２の半導体領域における結晶粒径を、前記チャネル形成領域における結晶粒径よりも小さくすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月22日(2007.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性表面上に半導体膜の結晶化を促進させることが可能な触媒元素を添加し、
前記触媒元素が添加された前記導電性表面上に、結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上にリンを含有する第２の半導体膜を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項２】
導電性表面上に半導体膜の結晶化を促進させることが可能な触媒元素を添加し、
前記触媒元素が添加された前記導電性表面上に、シリコンを含む気体を熱分解して結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上にシリコンとリンを含有する気体を分解してリンを含有する第２の半導体膜を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項３】
導電性表面上に半導体膜の結晶化を促進させることが可能な触媒元素を添加し、
前記触媒元素が添加された前記導電性表面上に、シリコンを含む気体とフッ素とを反応させて結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上にシリコンとリンを含む気体とフッ素とを反応させてリンを含有する第２の半導体膜を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項４】
導電性表面を有する基板上に、半導体膜の結晶化を促進させることが可能な触媒元素を添加し、
前記触媒元素が添加された前記導電性表面上に、前記基板を加熱して、結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に、前記基板を加熱して、リンを含有する第２の半導体膜を形成し、
前記基板の端部から内側の領域に、前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜が除去された開孔を形成し、
前記開孔とその上端部を覆う絶縁層を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項５】
導電性表面を有する基板上に、半導体膜の結晶化を促進させることが可能な触媒元素を添加し、
前記触媒元素が添加された前記導電性表面上に、前記基板を加熱して、シリコンを含む気体を熱分解して結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に、前記基板を加熱して、シリコンとリンを含有する気体を分解してリンを含有する第２の半導体膜を形成し、
前記基板の端部から内側の領域に、前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜が除去された開孔を形成し、
前記開孔とその上端部を覆う絶縁層を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項６】
導電性表面を有する基板上に、半導体膜の結晶化を促進させることが可能な触媒元素を添加し、
前記触媒元素が添加された前記導電性表面上に、前記基板を加熱して、シリコンを含む気体とフッ素とを反応させて結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に、前記基板を加熱して、シリコンとリンを含む気体とフッ素とを反応させてリンを含有する第２の半導体膜を形成し、
前記基板の端部から内側の領域に、前記第１の半導体膜及び第２の半導体膜が除去された開孔を形成し、
前記開孔とその上端部を覆う絶縁層を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項７】
請求項２、請求項３、請求項５、または請求項６において、
前記シリコンを含む気体は、シランであることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項８】
請求項２、請求項３、請求項５、または請求項６において、
前記シリコンを含む気体は、シランとゲルマンの混合気体であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項９】
請求項３乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の半導体膜を形成する際に、前記基板を５００℃〜７００℃に加熱することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記触媒元素は、前記導電性表面に形成されたｐ型に価電子制御可能な不純物元素を含む半導体膜に添加されることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記触媒元素がＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種の元素が用いられることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記触媒元素は、前記第２の半導体膜に偏析することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第２の半導体膜を形成した後に、前記触媒元素を前記第２の半導体膜に偏析させる熱処理を行うことを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１４】
導電性表面上に、結晶構造を有する第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜上にリンを含有する第２の半導体膜とを有し、
前記第２の半導体膜には、前記第１の半導体膜の結晶化温度を低下させることが可能な触媒元素が含有していることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１５】
導電性表面を有する基板上に、結晶構造を有する第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜上にリンを含有する第２の半導体膜とを有し、
前記第２の半導体膜には、前記第１の半導体膜の結晶化温度を低下させることが可能な触媒元素が含有し、
前記基板の端部から内側の領域に、前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜が除去された開孔が設けられ、前記開孔とその上端部には絶縁層が形成されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１６】
導電性表面上に、結晶構造を有する第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜上にリンを含有する第２の半導体膜とを有し、
前記第２の半導体膜には、前記第１の半導体膜の結晶化を促進させることが可能な触媒元素が含有していることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１７】
導電性表面を有する基板上に、結晶構造を有する第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜上にリンを含有する第２の半導体膜とを有し、
前記第２の半導体膜には、前記第１の半導体膜の結晶化を促進させることが可能な触媒元素が含有し、
前記基板の端部から内側の領域に、前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜が除去された開孔が設けられ、前記開孔とその上端部には絶縁層が形成されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１８】
請求項１４乃至請求項１７のいずれか一項において、
前記導電性表面は、ステンレス、チタン、窒化チタン、ニッケル、クロム、ニッケルークロム合金、モリブデンータングステン合金から選ばれた材料で形成されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１９】
請求項１４乃至請求項１８のいずれか一項において、
前記第１の半導体膜の前記導電性表面側の界面近傍に、ｐ型に価電子制御可能な不純物元素を含有する領域を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２０】
請求項１４乃至請求項１９のいずれか一項において、
前記触媒元素はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種の元素であることを特徴とする光電変換装置。