【手続補正書】
【提出日】平成20年4月30日(2008.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に圧潰可能なライナを設ける剛性容器を用いて超高純度材料の処理時における固体粒子の生成を最小限にする方法であって、
前記ライナの内部容積から気体を除去するように、前記ライナを圧潰する工程と、
前記ライナの内部容積に液体含有超高純度材料を供給する工程と、
前記ライナを圧縮するように、前記ライナと前記剛性容器との間の中間領域を加圧する工程と、
前記ライナを圧縮する時に、前記ライナの内部容積内の気体が出て行くことを可能にするように前記ライナを排気する工程と、
を含む方法。
【請求項２】
前記ライナを圧縮した後、前記ライナを封止する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ライナの内部容積に前記液体含有超高純度材料が供給される時に、前記中間領域を排気する工程を更に含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記液体含有超高純度材料を供給する工程は、前記超高純度材料を前記ライナの内部容積に導入する時に、浸漬管の先端を前記超高純度材料中に水没させる工程を含む、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記液体含有超高純度材料を供給する工程は、前記超高純度材料を前記ライナの内部容積に導入する時に、ノズルを前記超高純度材料中に水没させる工程を含む、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記容器は第１の容器であり、前記超高純度材料を前記ライナ内に供給する工程は、前記超高純度材料を第２の容器から前記ライナ内にサイフォンで移す工程を含み、サイフォン作用が中断しないように前記サイフォンが制御される、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記超高純度材料は、酸、塩基、有機溶剤、フォトリソグラフィー化学薬品、ＣＭＰスラリおよびＬＣＤ市販化学薬品からなる群から選択される、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記容器は第１の容器であり、前記超高純度材料を前記ライナ内に供給する工程は、初期固体粒子濃度を有する前記超高純度材料を第２の容器から前記ライナに搬送する工程を含み、前記超高純度材料が前記ライナ内にある時の前記液体含有超高純度材料の最終固体粒子濃度が、前記初期固体粒子濃度を実質的に超えないように、搬送時の空気−液体界面が制御される、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記第２の容器は、剛性容器内に設けられるライナを備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記超高純度材料を供給後のライナ内の前記超高純度材料は、約０．２μｍの粒子サイズを有する固体粒子の場合、１ｍＬ当たり約２粒子未満の粒子濃度を有する請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記中間領域を加圧することにより、前記超高純度材料を前記ライナから分配することによって、前記第ライナから前記超高純度材料を分配する工程をさらに含む、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記容器は第１の容器であり、前記ライナは第１のライナであり、前記超高純度材料を前記第１のライナから分配する工程は、前記超高純度材料を前記第１のライナから第２の剛性容器内に配置された第２のライナに搬送する工程を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１のライナと前記第２のライナとの間に流体接続を設ける工程と、
前記第２のライナ内の気体を除去するように、前記第２剛性容器内の前記第２のライナを圧潰する工程と、
前記超高純度材料を前記第１のライナから前記第２のライナに移動させるように、前記第１の容器の中間領域を加圧する工程と、
前記第２のライナに前記第１のライナからの前記超高純度材料が供給される時、前記第２ライナと前記第２の剛性容器との間に位置する中間領域を排気する工程と、
をさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
超高純度材料パッケージであって、
剛性容器と、
前記剛性容器内に設置されるように構成され、液体含有超高純度材料を保持する内部容積を有するライナと、
充填・分配通路を含み、加圧気体源に接続するよう構成された気体供給通路を含むアセンブリであり、前記アセンブリは前記充填・分配通路が前記ライナの内部容積と連通するように前記剛性容器に接続されるように構成され、前記気体供給通路は前記剛性容器と前記ライナとの間の中間領域と連通し、前記アセンブリは、前記超高純度材料が前記ライナの内部容積内にあるとき前記超高純度材料の上の気体−液体界面を最小限にするよう構成されたアセンブリであって、
（ａ）前記ライナは、圧潰状態で前記剛性容器に設置され、そのような圧潰状態において前記充填・分配通路を通して前記超高純度材料を充填されるように構成される、特徴と、
（ｂ）前記アセンブリは前記剛性容器と前記ライナとの間の前記中間領域に設けられる膨張可能な空気袋を備える、特徴とのうち、
少なくとも１つの特徴を有する、超高純度材料パッケージ。
【請求項１５】
前記ライナは、圧潰状態で前記剛性容器に設置され、そのような圧潰状態において前記充填・分配通路を通して前記超高純度材料を充填されるように構成される、請求項１４に記載の超高純度材料パッケージ。
【請求項１６】
前記アセンブリは前記剛性容器と前記ライナとの間の前記中間領域に設けられる膨張可能な空気袋を備える、請求項１４に記載の超高純度材料パッケージ。
【請求項１７】
前記ライナ内に浸漬管を更に備え、前記浸漬管は前記ライナに対する前記超高純度材料の浸入および排出のいずれかを許可するように構成される、請求項１４〜１６のいずれかに記載の超高純度材料パッケージ。
【請求項１８】
酸、塩基、有機溶剤、フォトリソグラフィー化学薬品、ＣＭＰスラリおよびＬＣＤ市販化学薬品からなる群から選択される前記超高純度材料を含む、請求項１４〜１７のいずれかに記載の超高純度材料パッケージ。
【請求項１９】
前記超高純度材料は、約０．２μｍの粒子サイズを有する粒子の場合、１ｍＬ当たり約２粒子未満の粒子濃度を有する請求項１４〜１８のいずれかに記載の超高純度材料パッケージ。
【請求項２０】
液体含有超高純度材料を超小型電子製品製造プロセスに供給するために、動作可能に接続される、請求項１４〜１９のいずれかに記載の、超高純度材料パッケージ。
【請求項２１】
前記気体供給通路は、前記中間領域の選択的な加圧が可能となるように加圧気体源に動作可能に接続される、請求項１４〜２０のいずれかに記載の超高純度材料パッケージ。
【請求項２２】
第２の容器から内部にライナが設けられた第１の剛性容器への超高純度材料の搬送時における固体粒子の生成を最小限にする方法であって、
前記高純度材料を前記第２の容器から前記第１の容器の前記ライナ内にサイフォンで移す工程と、
サイフォン作用が中断しないように前記サイフォンを制御することにより、前記超高純度材料内に生成される粒子の量が最小限となるように、搬送時の空気−液体界面を制御する、方法。
【請求項２３】
超高純度材料の処理時における前記超高純度材料中の固体粒子の生成を最小限にする方法であって、
前記高純度材料を第１の容器から第２の容器にサイフォンで移す工程であって、前記超高純度材料が、前記第１の容器内に存在する時に初期粒子濃度を有する工程と、
前記超高純度材料が、前記第２の容器に存在するときに最終粒子濃度が前記初期粒子濃度を実質的に超えないように、サイフォン作用が中断しないよう前記サイフォンを制御することにより搬送時の空気−液体界面を制御する工程と、を含む方法。
【請求項２４】
超高純度材料の処理時における前記超高純度材料中の粒子の生成を最小限にする方法であって、
初期粒子濃度を有する液体含有超高純度材料を超高純度材料源から容器へとスマートサイフォンシステムによるサイフォンで搬送する工程であって、前記容器内に気体を含むヘッドスペースが残るように、前記容器に最大容量未満まで前記高純度材料を充填する工程を含む工程と、
混入気体によりサイフォン作用を中断しないように前記サイフォンを制御される工程と、
不活性空気袋を前記ヘッドスペース内に挿入して、ヘッドスペースの気体を減少させる工程と、を含む方法において、
前記容器内に配置された時の前記超純度材料の最終粒子濃度が初期粒子濃度を実質的に超えない、方法。