【手続補正書】
【提出日】平成19年3月30日(2007.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体基板と、該窒化物半導体基板上に積層されたｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層からなる窒化物半導体層とを備え、該窒化物半導体層にストライプ状の光導波路領域を有する窒化物半導体レーザ素子であって、
前記窒化物半導体基板は、表面に２以上の異なる面方位を有する下層基板と、該下層基板の面方位と周期が異なる面方位を有する上層基板とが積層されてなり、
前記下層基板と前記上層基板との界面に、層成長抑止領域を有してなる窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
下層基板は、２以上の異なる面方位を周期的に有し、少なくとも１つの面方位が高転位密度領域である請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
窒化物半導体基板と、該窒化物半導体基板上に積層されたｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層からなる窒化物半導体層とを備え、該窒化物半導体層にストライプ状の光導波路領域を有する窒化物半導体レーザ素子であって、
前記窒化物半導体基板は、高転位密度領域及び、該高転位密度領域よりも転位の少ない低転位密度領域とを有する下層基板と、該下層基板とは異なる周期で高転位密度領域及び低転位密度領域を有する下層基板とが積層されてなり、
前記下層基板と前記上層基板との界面に、層成長抑止領域を有してなる窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
層成長抑止領域は、下層基板上に形成された空洞からなる請求項１〜３のいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
層成長抑制領域は、下層基板上に設けられた凹部からなる請求項１〜３のいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】
層成長抑止領域は、ストライプ状の成長抑止膜からなる請求項１〜３のいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】
下地基板は、高転位密度領域と低転位密度領域とが、周期的に設けられている請求項３〜６のいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】
下層基板が、ルミネッセンス領域を有する請求項１〜７のいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項９】
窒化物半導体基板が、２種以上のｎ型不純物を含む請求項１〜８のいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１０】
窒化物半導体基板とｎ型半導体層とが異なるｎ型不純物を含有する請求項１〜９のいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１１】
窒化物半導体基板と、該窒化物半導体基板上に積層されたｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層からなる窒化物半導体層とを備え、該窒化物半導体層にストライプ状の光導波路領域を有する窒化物半導体レーザ素子であって、
前記窒化物半導体基板は、高転位密度領域及び、該高転位密度領域よりも転位の少ない低転位密度領域とを有する基板であり、
前記基板上に、下地層が積層されてなり、
前記基板には、前記下地層との界面に、凹部からなる層成長抑止領域を有してなる窒化物半導体レーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第１の窒化物半導体レーザ素子は、  窒化物半導体基板と、該窒化物半導体基板上に積層されたｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層からなる窒化物半導体層とを備え、該窒化物半導体層にストライプ状の光導波路領域を有する窒化物半導体レーザ素子であって、
前記窒化物半導体基板は、表面に２以上の異なる面方位を有する下層基板と、該下層基板の面方位と周期が異なる面方位を有する上層基板とが積層されてなり、
前記下層基板と前記上層基板との界面に、層成長抑止領域を有してなることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この窒化物半導体レーザ素子においては、下層基板は、２以上の異なる面方位を周期的に有し、少なくとも１つの面方位が高転位密度領域であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の第２の窒化物半導体レーザ素子は、窒化物半導体基板と、該窒化物半導体基板上に積層されたｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層からなる窒化物半導体層とを備え、該窒化物半導体層にストライプ状の光導波路領域を有する窒化物半導体レーザ素子であって、
前記窒化物半導体基板は、高転位密度領域及び、該高転位密度領域よりも転位の少ない低転位密度領域とを有する下層基板と、該下層基板とは異なる周期で高転位密度領域及び低転位密度領域を有する下層基板とが積層されてなり、
前記下層基板と前記上層基板との界面に、層成長抑止領域を有してなることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらに、上述した窒化物半導体レーザ素子においては、層成長抑止領域は、下層基板上に形成された空洞からなるか、層成長抑制領域は、下層基板上に設けられた凹部からなるか、あるいは層成長抑止領域は、ストライプ状の成長抑止膜からなることを特徴とする。
特に、第２の窒化物半導体レーザ素子では、下地基板は、高転位密度領域と低転位密度領域とが、周期的に設けられていることを特徴とする。
また、下層基板は、ルミネッセンス領域を有することを特徴とする。
さらに、窒化物半導体基板は、２種以上のｎ型不純物を含むことを特徴とする。
また、窒化物半導体基板とｎ型半導体層とが異なるｎ型不純物を含有することを特徴とする。
本発明の第３の窒化物半導体レーザ素子は、窒化物半導体基板と、該窒化物半導体基板上に積層されたｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層からなる窒化物半導体層とを備え、該窒化物半導体層にストライプ状の光導波路領域を有する窒化物半導体レーザ素子であって、
前記窒化物半導体基板は、高転位密度領域及び、該高転位密度領域よりも転位の少ない低転位密度領域とを有する基板であり、
前記基板上に、下地層が積層されてなり、
前記基板には、前記下地層との界面に、凹部からなる層成長抑止領域を有してなることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
なお、窒化物半導体基板の内部、つまり、下層基板と上層基板との界面には、空洞が形成されていてもよい。通常、上述した成長抑止膜の材料、幅（大きさ）及び厚さ、凹凸の周期及び深さ等を調整することにより、その上に成長させる上層基板を構成する半導体の横成長を制御することができ、これによって、成長抑止膜の上、凹部又は凸部の上に、空洞を形成することができる。成長抑止膜の幅、凹部又は凸部の幅は、例えば、２〜４００μｍ程度、好ましくは後述するストライプ状の光導波路領域の幅の２倍以上、下層基板の高転位密度領域よりも小さい幅で、成長抑止膜の厚さ又は凹凸の高さは、例えば、０．１〜２μｍ程度が挙げられる。空洞の大きさは特に限定されることなく、後述するストライプ状の光導波路領域の幅の２倍以上であることが好ましい。具体的には、３μｍ以上の幅、好ましくは１０μｍ以上の幅が挙げられる。また、その高さは、例えば、３μｍ程度以下、好ましくは０．１〜２μｍ程度が挙げられる。言い換えると、成長抑止膜（成長抑止領域）は、その上に形成される窒化物半導体レーザ素子の光導波路領域の位置に対応させて形成することが好ましく、窒化物半導体基板の下層基板表面における面方位、転位密度等にかかわらず、任意の幅、大きさ、形状等で形成することができる。つまり、成長抑止膜（成長抑止領域）は、下層基板の低転位密度領域をほぼ完全に被覆する、高転位密度領域をほぼ完全に被覆する又は中転位密度領域をほぼ完全に被覆するように形成することは要せず、例えば、それらの領域よりも小さい幅、形状等で形成することが適当である。