【手続補正書】
【提出日】平成20年9月8日(2008.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特性解析しようとする分子を含む液体溶液を収容している第１リザーバー；
特性解析済みの分子を含む液体溶液を収容するための第２リザーバー；
第１リザーバーに流体接続を与える分子入口及び第２リザーバーに流体接続を与える分子出口を有するアパーチャを含む固体状態支持構造物；
第１及び第２電子輸送プローブであって、そのプローブの少なくとも１つはフラーレン構造物からなり、各プローブは支持構造物上に配置されており且つアパーチャの外周に接している表面を有している、プローブ；
電圧バイアスをアパーチャを横切って印加するためのプローブ間に接続されている電圧源；及び
アパーチャを通過する分子の移動に対応するプローブ間の電子輸送の変化をモニターするためにプローブ間に接続されている電流モニター；
を含む分子特性解析デバイス。
【請求項２】
特性解析しようとする分子が生体分子からなる請求項１に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項３】
分子がポリマー分子からなる請求項１に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項４】
分子がバイオポリマー分子からなる請求項１に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項５】
分子がタンパク質、ポリ核酸、ＤＮＡ及びＲＮＡからなる群から選択される請求項４に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項６】
特性解析しようとする分子がカーボンナノチューブにカップリングしている分子からなる請求項１に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項７】
カーボンナノチューブにカップリングしている分子がカーボンナノチューブにカップリングしているＤＮＡの少なくとも１本の鎖からなる請求項６に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項８】
カーボンナノチューブにカップリングしている分子がカーボンナノチューブにカップリングしているＲＮＡの少なくとも１本の鎖からなる請求項６に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項９】
分子がカップリングしているカーボンナノチューブが、該ナノチューブをアパーチャを通って移動させるために片持ち式作動チップに接続されている請求項６に記載の分子特性解析デバイス
【請求項１０】
第１及び第２電子輸送プローブの各々がフラーレン構造物からなる請求項１に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項１１】
フラーレン構造物がカーボンナノチューブからなる請求項１０に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項１２】
カーボンナノチューブが半導体ナノチューブからなる請求項１１に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項１３】
カーボンナノチューブが金属ナノチューブからなる請求項１１に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項１４】
カーボンナノチューブが単層ナノチューブからなる請求項１１に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項１５】
カーボンナノチューブ電子輸送プローブの少なくとも１つが、ナノチューブ端部がアパーチャ外周に接する向きに置かれている請求項１１に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項１６】
カーボンナノチューブ電子輸送プローブの各々が、ナノチューブ端部がアパーチャ外周に接する向きに置かれている請求項１５に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項１７】
カーボンナノチューブ電子輸送プローブの少なくとも１つが、ナノチューブ側面がアパーチャ外周に接する向きに置かれている請求項１１に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項１８】
カーボンナノチューブ電子輸送プローブの１つが、ナノチューブ端部がアパーチャ外周に接する向きに置かれており、カーボンナノチューブ電子輸送プローブの１つが、ナノチューブ側面がアパーチャ外周に接する向きに置かれている請求項１７に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項１９】
カーボンナノチューブ電子輸送プローブの１つが、第１ナノチューブ端部が分子入口でアパーチャ外周に接する向きに置かれており、第２ナノチューブ端部が分子出口でアパーチャ外周に接する向きに置かれている請求項１１に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項２０】
カーボンナノチューブ電子輸送プローブの少なくとも１つが、分子がアパーチャを通って移動しながらカップリングし得るナノチューブ表面がアパーチャ外周に接する向きに置かれている請求項１１に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項２１】
分子が、アパーチャを通って移動しながらナノチューブ表面にカップリングし得るヌクレオシド塩基からなる請求項２０に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項２２】
更に、支持構造物上に配置されており、分子がカップリングし得る表面が分子入口でアパーチャ外周に接している分子移動速度コントロールナノチューブを含む請求項１１に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項２３】
アパーチャが支持構造物の厚さを貫いて延びる細孔からなり、該細孔は一度に１つの分子しかその細孔を通って移動できないくらい十分に小さい直径を有している請求項１に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項２４】
細孔が約１００ｎｍ未満の直径を有するナノ細孔からなる請求項２３に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項２５】
ナノ細孔が約５０ｎｍ未満の直径を有する請求項１に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項２６】
ナノ細孔が約２０ｎｍ未満の直径を有する請求項１に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項２７】
ナノ細孔が約１０ｎｍ未満の直径を有する請求項１に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項２８】
アパーチャが電気絶縁材料層で被覆されている請求項１に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項２９】
電子輸送プローブがアパーチャ外周に接している部分を除いて電気絶縁材料層で被覆されている請求項１に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項３０】
支持構造物がアパーチャが設けられている電気絶縁膜からなる請求項１に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項３１】
膜が窒化ケイ素膜からなる請求項３０に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項３２】
プローブ間に接続されている電流モニターが、アパーチャを通過する分子の移動に対応するプローブ間の電子トンネリングの変調を検出するように構成されている請求項１に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項３３】
特性解析しようとする分子−ナノチューブ複合体中のカーボンナノチューブにカップリングしている少なくとも１つの分子を含む液体溶液を収容している第１リザーバー；
特性解析済みの分子−ナノチューブ複合体を含む液体溶液を収容するための第２リザーバー；
第１リザーバーに対して流体接続を与える分子入口及び第２リザーバーに対して流体接続を与える分子出口を有するアパーチャを含む固体状態支持構造物；
アパーチャを通過する分子−ナノチューブ複合体の移動を検出するためのアパーチャに対する電気接続；
を含む分子特性解析デバイス。
【請求項３４】
アパーチャに対する電気接続が、分子−ナノチューブ複合体がアパーチャを通って移動するときのアパーチャを通るイオン電流の遮断を検出するように構成されている請求項３３に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項３５】
アパーチャが一度に１つの分子−ナノチューブ複合体しか細孔を通って移動できないくらい十分に小さい直径を有する細孔からなる請求項３３に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項３６】
カーボンナノチューブにカップリングしている分子がタンパク質、ポリ核酸、ＤＮＡ及びＲＮＡからなる群から選択されるポリマー生体分子からなる請求項３３に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項３７】
アパーチャへの電気接続が、第１及び第２電子輸送プローブからなり、その各プローブがアパーチャの外周に接して支持構造物上に設置されている請求項３３に記載の分子特性解析デバイスであって、
更に、電圧バイアスをアパーチャを横切って印加するためにプローブ間に接続されている電圧源、及び
アパーチャを通過する分子−ナノチューブ複合体の移動に対応するプローブ間の電子輸送の変化をモニターするためにプローブ間に接続されている電流モニターを含む、
分子特性解析デバイス。
【請求項３８】
電子輸送プローブの少なくとも１つがフラーレン構造物からなる請求項３７に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項３９】
電子輸送プローブの各々がカーボンナノチューブからなる請求項３８に記載の分子特性解析デバイス。
【請求項４０】
分子を、特性解析しようとする分子を含む液体溶液を収容している第１リザーバーから特性解析済みの分子を含む液体溶液を収容するための第２リザーバーに、支持構造物中のアパーチャを通って移動させ、
分子をカーボンナノチューブの表面にカップリングさせ、
アパーチャの外周にそれぞれ接している２つの電子輸送プローブ間の、アパーチャを通過する分子の移動に対応するアパーチャを横切る電子輸送の変化をモニターする
ことを含む分子特性解析方法。
【請求項４１】
分子がアパーチャを通って移動するときに、分子がカーボンナノチューブの表面にカップリングする、請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
分子がカップリングするカーボンナノチューブ表面がアパーチャの外周に接している請求項４０に記載の方法。
【請求項４３】
分子がカップリングするカーボンナノチューブ表面が、第１リザーバーと流体接続状態にあるアパーチャへの分子入口でアパーチャの外周に接している請求項４０に記載の方法。
【請求項４４】
分子がカップリングするカーボンナノチューブ表面がナノチューブ端部である請求項４０に記載の方法。
【請求項４５】
分子をカップリングさせるカーボンナノチューブ表面がナノチューブ側面である請求項４０に記載の方法。
【請求項４６】
更に、アパーチャを通過する分子移動速度をコントロールするために液体溶液に対するナノチューブの電圧バイアスを一時的にコントロールすることを含む請求項４０に記載の方法。
【請求項４７】
電子輸送プローブの各々がカーボンナノチューブからなる請求項４０に記載の方法。
【請求項４８】
分子がＤＮＡヌクレオシド塩基からなり、ＤＮＡ塩基のカーボンナノチューブ表面へのカップリングがナノチューブ表面に対して塩基を空間的に配向させる請求項４０に記載の方法。
【請求項４９】
分子がＲＮＡヌクレオシド塩基からなり、ＲＮＡ塩基のカーボンナノチューブ表面へのカップリングがナノチューブ表面に対して塩基を空間的に配向させる請求項４０に記載の方法。
【請求項５０】
分子のカーボンナノチューブ表面へのカップリングが、まずアパーチャ分子入口でアパーチャ外周に接しているナノチューブ配置の前記カーボンナノチューブ表面に分子をカップリングさせ、次いで電子輸送プローブとして構成した第２カーボンナノチューブの表面に分子をカップリングさせることを含む請求項４０に記載の方法。
【請求項５１】
分子を液体溶液中のカーボンナノチューブにカップリングさせて、分子−ナノチューブ複合体を形成し；
カップリングさせた分子−ナノチューブ複合体を、特性解析しようとするカップリングさせた分子−ナノチューブ複合体を含む液体溶液を収容する第１リザーバーから特性解析済みの分子−ナノチューブ複合体を含む液体溶液を収容するための第２リザーバーに、支持構造物中のアパーチャを通って移動させ；
アパーチャを通過する分子−ナノチューブ複合体の移動を検出すること
を含む分子特性解析方法。
【請求項５２】
分子−ナノチューブ複合体の移動の検出が、分子−ナノチューブ複合体がアパーチャを通って移動するときのアパーチャを通るイオン電流の遮断の検出を含む請求項５１に記載の方法。
【請求項５３】
分子−ナノチューブ複合体の移動の検出が、支持構造物上に配置されており、各々がアパーチャの外周に接する表面を有している２つの電子輸送プローブ間の電子輸送の変化を、電圧バイアスをアパーチャを横切って印加しながらモニターすることを含む請求項５１に記載の方法。
【請求項５４】
カーボンナノチューブにカップリングさせる分子がタンパク質、ポリ核酸、ＤＮＡ及びＲＮＡからなる群から選択されるポリマー生体分子からなる請求項５１に記載の方法。
【請求項５５】
分子を、特性解析しようとする分子を含む液体溶液を収容する第１リザーバーから特性解析済みの分子を含む液体溶液を収容するための第２リザーバーに、支持構造物中のアパーチャを通って移動させ；
分子をカーボンナノチューブの表面にカップリングさせ；
アパーチャを通過する分子の移動に対応するナノチューブのコンダクタンスの変化をモニターすることを含む
分子特性解析方法。
【請求項５６】
カーボンナノチューブの側面がアパーチャでの分子カップリング表面としてアパーチャに配置されている、請求項５５に記載の方法。
【請求項５７】
カーボンナノチューブコンダクタンスの変化をモニターすることが、分子がアパーチャを通って移動するときにカーボンナノチューブを通る電流を測定することを含む請求項５５に記載の方法。
【請求項５８】
カーボンナノチューブコンダクタンスの変化をモニターすることが、電気的バイアス電圧をナノチューブ端部間に印加する電気回路中にカーボンナノチューブを構成することを含む請求項５５に記載の方法。
【請求項５９】
カーボンナノチューブコンダクタンスの変化をモニターすることが、ＦＥＴ構成に配置されたカーボンナノチューブを通る電流を測定することを含む請求項５５に記載の方法。
【請求項６０】
分子がタンパク質、ポリ核酸、ＤＮＡ及びＲＮＡからなる群から選択されるポリマー生体分子からなる請求項５５に記載の方法。
【請求項６１】
カーボンナノチューブが半導体ナノチューブからなる請求項５５に記載の方法。
【請求項６２】
カーボンナノチューブが単層ナノチューブからなる請求項５５に記載の方法。
【請求項６３】
分子が、アパーチャを通って移動しながらナノチューブ表面にカップリングし得るヌクレオシド塩基からなる請求項５５に記載の方法。
【請求項６４】
アパーチャが支持構造物の厚さを貫いて延びる細孔からなり、該細孔は一度に１つの分子しかその細孔を通って移動できないくらい十分に小さい直径を有している請求項５５に記載の方法。
【請求項６５】
アパーチャが電気絶縁材料層で被覆されている請求項５５に記載の方法。
【請求項６６】
支持構造物がアパーチャが設けられている電気絶縁膜からなる請求項５５に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
チップ載置したＤＮＡ−ナノ細孔複合体をナノ細孔を通って移動させるためにナノチューブをアクチュエーター構造物のチップ（例えば、ＡＦＭカンチレバービームのチップ）に載置させたい用途の場合、本発明は、参照により組み入れるＧｏｌｏｖｃｈｅｎｋｏらの米国特許出願第１１／００８，４０２号“Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ  ｂｙ  Ｅｎｅｒｇｅｔｉｃａｌｌｙ−Ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄ  Ｌｏｃａｌ  Ｒｅｍｏｖａｌ  ｏｆ  Ｓｏｌｉｄ−Ｃｏｎｄｅｎｓｅｄ−Ｇａｓ  Ｌａｙｅｒｓ  ａｎｄ  Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｗｉｔｈ  Ｓｕｃｈ  Ｌａｙｅｒｓ”（ＷＯ２００７／０４４０３５に対応）に教示されているように載置チップ上に選択ナノチューブ長さを生成する技術を提供する。この技術は、ナノチューブプローブとしてまたはＤＮＡ−ナノチューブハイブリッド複合体中で作動させるために所望のナノチューブ長さを生じさせるためにも適用され得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
図８Ｃ〜８Ｄを参照すると、次の方法ステップで、ナノチューブ−支持構造物アセンブリ上に選択したコーティングを堆積させる。特に適した堆積技術は上記した原子層堆積（ＡＬＤ）方法である。材料の堆積がコーティングを堆積させようとする材料の表面に近づきやすいヒドロキシまたは他の官能基と気相分子間の化学的相互作用に厳密に依存しているので、ＡＬＤ方法が特に適している。前記官能基が存在しないと、気相分子は堆積しない。合成したばかりのカーボンナノチューブは一般的には気相材料を堆積させるために必要なヒドロキシまたは他の官能基を有する官能化表面を持っていない。よって、絶縁材料（例えば、酸化アルミニウムまたは酸化ハフニウム）をシリコーン、窒化ケイ素及びナノチューブを含むデバイス構成上にＡＬＤにより堆積するならば、酸化アルミニウムまたは酸化ハフニウムは新しく形成された酸化アルミニウムまたは酸化ハフニウム表面を含めた構造物のすべての表面での化学反応により均一に成長するが、成長させるときその表面にヒドロキシ基のような官能基を有していないカーボンナノチューブからは成長しない。この条件を利用して、非支持ナノチューブ上にまたは前記チューブから直接ではなく（例えば、細孔またはボイド上に懸垂しているナノチューブの領域上ではなく）、支持構造物上に材料を部位特異的に堆積させることができる。材料がナノチューブ上に堆積したとしても、以下の製作シーケンスが使用され得る。