【手続補正書】
【提出日】平成20年8月22日(2008.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの誘電体を処理するための方法であって、
（ｉ）導体基板あるいは半導体基板またはそれら両方の上にある少なくとも１つの誘電体を準備するステップであって、前記少なくとも１つの誘電体が少なくとも部分的に電解液または溶融物に浸漬され、前記電解液または溶融物が電気化学プロセスのための少なくとも１つの活性成分を含む、ステップと、
（ｉｉ）前記電解液または溶融物に少なくとも部分的に浸漬された少なくとも１つの補助電極を設けるステップと、
（ｉｉｉ）前記基板と補助電極との間に電流または電圧を印加し、前記電流を前記誘電体経由で前記補助電極に通して、前記誘電体において電気化学プロセスを可能とするステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記電気化学プロセスが、
（ｉ）前記誘電体上の導体または半導体材料の電気めっきまたは電着、
（ｉｉ）前記誘電体の電気化学的な変更、
（ｉｉｉ）電気化学エッチング、
（ｉｖ）電解研磨、
（ｖ）前記電解液からの絶縁体または酸化物の電着、
から成る群から選択される少なくとも１つのステップまたは結果を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの誘電体が、導体層または半導体層の少なくとも部分的な保護膜を有する誘電体を含む、請求項２に記載の方法。    
【請求項４】
前記電気化学プロセスが非選択的であり、前記誘電体の層の表面にわたって比較的均一である、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記電気化学プロセスが選択的であり、前記誘電体の選択した領域上のみで行われる、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの誘電体が、電気化学処理が必要とされる少なくとも１つの第１の領域において第１の合計厚さを有し、電気化学処理が必要とされない少なくとも１つの第２の領域において第２の合計厚さを有するようにすることによって、前記選択的な電気化学プロセスを実行する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
選択した領域における前記誘電体の材料を変更して前記誘電体の電流に対する抵抗を大きくまたは小さくすることによって前記選択的な電気化学プロセスを実行し、前記方法が、前記誘電体に損傷を与えることと、前記誘電体を別の材料と反応させることと、前記誘電体を別の誘電体によって置換することと、前記誘電体を別の誘電体によって増強させることと、から成る群から選択される少なくとも１つのことを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
電気化学処理が必要とされる第１のキャリア・タイプおよび密度を有する少なくとも第１の基板領域、および、電気化学処理が必要とされない第２のキャリア・タイプおよび密度を有する少なくとも１つの第２の基板領域を有する基板を選択することによって、前記選択的な電気化学処理を実行する、請求項５に記載の方法。    
【請求項９】
電気化学処理が必要とされる第１の組成を有する少なくとも１つの第１の基板領域、および、電気化学処理が必要とされない第２の組成を有する少なくとも１つの第２の基板領域を有する基板を選択することによって、前記選択的な電気化学処理を実行する、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
光照明に対するパターニング露光によって前記選択的な電気化学処理を実行し、第１の電気化学プロセスが必要とされる少なくとも１つの第１の基板領域を光照明に露光し、電気化学処理が必要とされない少なくとも１つの第２の基板領域を光照明に露光しない、請求項５に記載の方法。    
【請求項１１】
前記パターニング露光が書き込み可能レーザによって実行される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記パターニング露光が、前記誘電体の前に配置されたかまたは前記誘電体上に配置された光遮蔽マスクによって実行される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）チップまたは走査トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）チップによって前記選択的な電気化学処理を実行し、前記チップが電気化学処理を必要とする少なくとも１つの基板領域上に配置され、前記チップを前記誘電体の表面上で所望のパターンを追って移動させることによって電気処理された構造の書き込みを行う、請求項５に記載の方法。
【請求項１４】
前記電気化学プロセスが包括的な光照明によって補助され、前記プロセスが前面あるいは裏面またはそれら両方の照明を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１５】
前記誘電体の層が、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属ホウ化物、金属酸窒化物、金属シリコン酸化物、金属シリコン酸窒化物、金属ゲルマン酸、および金属ゲルマニウム酸窒化物から成ると共に導体を除いた群から選択され、前記金属が、Ａｌ、Ｂａ、Ｂｅ、Ｂｉ、Ｃ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｄ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｌａ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、Ｚｎ、およびＺｒ、ならびにその合金、混合物、および多層から成る群から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項１６】
前記基板が、金属、導電性金属酸化物、導電性金属硫化物、導電性金属リン化物、導電性金属ホウ化物、導電性金属窒化物、導電性金属シリサイド、導電性金属炭化物、導電性ポリマ、ならびにその合金、混合物、および多層から成る群から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項１７】
前記金属が、Ａｇ、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｈｆ、Ｉｒ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｚｎ、およびＺｒ、ならびにその合金、混合物、および多層から成る群から選択される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記基板が非平面のトポロジを有する、請求項２に記載の方法。
【請求項１９】
電着した材料を平坦化して前記誘電体の少なくとも１つの選択した領域を露出させるステップを更に含む、請求項５に記載の方法。
【請求項２０】
前記基板が、
（ｉ）Ｓｉ、Ｇｅ、およびその組み合わせ、およびＣを含むその組み合わせを含む、１つ以上のドーピングされたまたはドーピングされていない半導体、
（ｉｉ）Ｇａ、Ａｓ、Ｐ、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｓｅ、およびＡｌから成る群から選択された少なくとも２つの材料を含む、ドーピングされたまたはドーピングされていない、２成分、３成分、および４成分の半導体、
（ｉｉｉ）Ｃｄ、Ｚｎ、Ｔｅ、Ｓｅ、およびＳを含む、ドーピングされたまたはドーピングされていないＩＩ−ＶＩ半導体、
（ｉｖ）ドーピングされたまたはドーピングされていない酸化物半導体、
（ｖ）半導体またはエレクトロルミネッセント・ポリマ、
（ｖｉ）半導体多層および混合層、  
（ｖｉｉ）絶縁体上半導体の組み合わせ、
から成る群から選択された少なくとも１つの材料を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項２１】
前記誘電体の層が、ＳｉＯ2、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、ＧｅＯ2、ＧｅＯＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｌａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、およびＹ2Ｏ3、ならびにこれの合金、混合物、および多層であって窒素、シリコン、および炭素を含むものから成る群から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項２２】
前記電気めっきした導体材料が、金属、金属酸化物、金属リン化物、金属硫化物、および金属ホウ化物から成る群から選択される材料を含み、前記金属が、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｔｃ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｂ、これらの合金、混合物、および多層、ならびに、これとＡｌ、Ｍｇ、Ｗ、Ｖ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｓｒ、Ｔｌ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｂから成る群から選択される少なくとも１つの追加の金属との合金、混合物、および多層から成る群から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項２３】
前記電解液が、
（ｉ）０．００１モル／リットルから０．１モル／リットルの範囲の濃度を有する（ＮＨ4）2ＰｔＣｌ6および１モル／リットルまでの濃度を有するＮａ2ＨＰＯ4を含み、ｐＨが２から９までの範囲であるめっき溶液、
（ｉｉ）１から３０ｇ／ｌのＲｈ2ＳＯ4および１から１００ｍ／ｌのＨ2ＳＯ4を含むめっき溶液、
（ｉｉｉ）１ｇ／ｌから２０ｇ／ｌのＲｕＣｌ3．ｘＨ2Ｏ、１ｇ／ｌから１０ｇ／ｌのＮａＮＯ2、４０ｍｌ／ｌまでのＮＨ4ＯＨ（２８ｗｔ％）、および４０ｍｌ／ｌまでのＨＣｌ（３８ｗｔ％）を含み、ｐＨが１から９までの範囲であるめっき溶液、
（ｉｖ）０．００１モル／リットルから０．０２５モル／リットルのＲｕＣｌ3、１モル／リットルまでのＨＣｌ、および１モル／リットルまでのＨ3ＢＯ3を含むめっき溶液、
（ｖ）１ｇ／ｌから１００ｇ／ｌのＮＨ4ＲｅＯ4および１ｍｌ／ｌから２５０ｍｌ／ｌのＨＣｌ（３８％）を含むめっき溶液、
から成る群から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項２４】
乾式固体コンタクトおよび湿式電気化学コンタクトから成る群から選択されるコンタクト構成によって前記基板に対する電気コンタクトを生成する、請求項２に記載の方法。
【請求項２５】
前記乾式固体コンタクトが、Ａｓ、Ｐ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、およびＳｂから成る群から選択される少なくとも１つの元素によるイオン注入によって生成される、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記乾式固体コンタクトが金属付着によって形成され、前記金属が、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、これの合金、混合物、および多層から成る群から選択される、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記電気化学的な変更が、
（ｉ）ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、およびＩ）、
（ｉｉ）金属Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｌａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｂ、およびＩｎ、
（ｉｉｉ）Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｐ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｓ、およびこれらの組み合わせから成る群から選択される他の元素、
から成る群から選択される少なくとも１つの元素を組み込むことによる前記誘電体の表面に対する変更を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項２８】
前記電気化学的な変更が、
（ｉ）ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、およびＩ）、
（ｉｉ）金属Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｌａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｂ、およびＩｎ、
（ｉｉｉ）Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｐ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｓ、およびこれらの組み合わせから成る群から選択される他の元素、
から成る群から選択される少なくとも１つの元素を組み込むことによる前記誘電体の大部分に対する変更を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項２９】
前記電気化学的な変更が、トラップまたは界面状態等の構造的または電気的な欠陥状態の集中を低減させるための、前記誘電体の陽極酸化または窒化を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項３０】
前記電気化学的な変更が、界面の金属−シリコン結合の形成を最小限に抑えるための、Ｓｉゲート電極を付着する前の金属含有ゲート誘電体の陽極酸化または窒化を含む、請求項２に記載の方法。    
【請求項３１】
前記電気化学的な変更が、熱安定性を高めて酸素拡散およびホウ素浸透を高効率で抑えて誘電体を形成するための、ゲート誘電体膜内への窒素の組み込みを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項３２】
前記電気化学的な変更が、界面状態の集中を低減させるための前記誘電体−基板界面におけるダングリング・ボンドの水素化を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項３３】
前記電気化学的な変更が、高誘電率、高バンド・ギャップ、および高熱安定性から成る群から選択される少なくとも１つの特性を高めた誘電体を形成するための、ゲート誘電体膜内への金属または半導体の組み込みを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項３４】
前記電気化学的な変更が、前記ゲート誘電体スタックの一部を形成するために後で酸化または窒化される前記誘電体上の薄い金属または半導体膜の形成を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項３５】
前記方法が、後に形成される導体ゲートの仕事関数および閾値電圧を変更するように行われる、請求項２に記載の方法。
【請求項３６】
請求項２に記載の方法に従って誘電体層上に電気めっきされた金属または他の導体または半導体材料を含むゲート電極。
【請求項３７】
基板と、少なくとも１つの誘電体と、前記誘電体の上に直接電気めっきされた少なくとも１つの金属と、を含む、金属酸化膜半導体（ＭＯＳ）。
【請求項３８】
請求項３７に記載の金属酸化膜半導体（ＭＯＳ）を含む電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）。
【請求項３９】
複数のＦＥＴを含む電子回路であって、前記複数のＦＥＴが請求項３７に記載のＭＯＳ構造を有する少なくとも１つのＦＥＴを含む、電子回路。
【請求項４０】
前記複数のＦＥＴが少なくとも１つの第１のＦＥＴおよび少なくとも１つの第２のＦＥＴを含み、前記第１および第２のＦＥＴが請求項３７に記載のＭＯＳ構造を有し、前記少なくとも１つの第１のＦＥＴの金属が第１の金属を含み、前記少なくとも１つの第２のＦＥＴの金属が第２の金属を含み、前記第１の金属が前記第２の金属とは異なる、請求項３９に記載の電子回路。