Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月5日(2007.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両の衝突時における乗員の二次衝突エネルギを吸収する衝突エネルギ吸収手段と、
前記衝突エネルギ吸収手段による前記二次衝突エネルギの吸収量を変化させるエネルギ吸収量調整手段と
を備えた衝撃吸収式ステアリングコラム装置であって、
前記エネルギ吸収量調整手段が電磁アクチュエータを駆動源とすると共に、当該電磁アクチュエータのプランジャが永久磁石により所定の位置で吸着・保持されることを特徴とする衝撃吸収式ステアリングコラム装置。
【請求項２】
前記衝突エネルギ吸収手段が、前記ステアリングコラムと前記車体側ブラケットとの間に設けられ、当該ステアリングコラムの移動に伴って金属板または金属線を素材とするエネルギ吸収部材をしごき手段により塑性変形させるものであることを特徴とする、請求項１記載の衝撃吸収式ステアリングコラム装置。
【請求項３】
前記しごき手段が金属棒または金属球であり、前記エネルギ吸収量調整手段が当該しごき手段による前記エネルギ吸収部材の塑性変形部位と塑性変形量との少なくとも一方を変化させることを特徴とする、請求項１記載の衝撃吸収式ステアリングコラム装置。
【請求項４】
前記電磁アクチュエータは二次衝突エネルギーが異なる第１運転条件と第２運転条件でそれぞれ作動して前記プランジャを第１所定の位置または第２所定の位置に移動させる第１電磁石と第２電磁石とから成り、
前記永久磁石は前記プランジャを前記第１所定の位置または前記第２所定の位置に吸着・保持し、
前記エネルギ吸収量調整手段は前記プランジャが前記第１所定の位置をとる時と前記第２所定の位置をとる時とで前記二次衝突エネルギの吸収量を変化させることを特徴とする、請求項１に記載の衝撃吸収式ステアリングコラム装置。
【請求項５】
前記衝突エネルギ吸収手段が、前記ステアリングコラムと前記車体側ブラケットとの間に設けられ、当該ステアリングコラムの移動に伴って金属板または金属線を素材とするエネルギ吸収部材を塑性変形させる第１および第２のしごき手段から成り、
前記エネルギ吸収量調整手段は前記プランジャが前記第２所定の位置をとる時前記第２のしごき手段を非作動にすることを特徴とする、請求項４に記載の衝撃吸収式ステアリングコラム装置。
【請求項６】
前記第１および第２のしごき手段はそれぞれ金属棒または金属球であり、前記エネルギ吸収量調整手段が当該しごき手段による前記エネルギ吸収部材の塑性変形部位と塑性変形量との少なくとも一方を変化させることを特徴とする、請求項５に記載の衝撃吸収式ステアリングコラム装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月5日(2007.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【表１】
2002114881.tif 000001
＊１  エピコート  ６８２８（シエル化学社製）
＊２  ビスアシド（日本化成社製）
＊３  スリパックスＥ（日本化成社製）
＊４  ヘキサメチレンビスステアリル尿素
ハクリーンＳＨ（日本化成社製）
＊５  ＤＳ−４０３（ダイキン社製）
＊６  キマソープ  ９４４ＬＤ（チバガイギー社製）
＊７  ｛（Ｃ18Ｈ37Ｏ）3ＰＯＯ｝2Ｚｎ
＊８  ハウス天頂部のパイプとマイカ線の交わる部分（全５０箇所）における破れの発生した箇所の数
＊９  〇  ブルームが少ない
△  多少ブルームが見られる
×  ブルームがひどく透明性が悪い
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月2日(2007.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
重量平均分子量が１０，０００乃至５００，０００ダルトンの範囲にあり、かつ、アシル基による平均置換度が２．５を上回る多糖類のエステル誘導体を含んでなる塞栓材料。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月30日(2007.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】クロモグリク酸ナトリウム１質量／容量％に対して、マレイン酸クロルフェニラミン０．０１〜０．０２質量／容量％、グリチルリチン酸二カリウム０．１〜０．３質量／容量％を含有することを特徴とする、請求項６に記載の点眼剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月13日(2007.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、図面中(２０)はケーシング(６)の調圧発条(１０)側の側面に開口した外気導入口、(２１)は噴出口(１４)から減圧噴射されたエアゾール内容物を、適宜の位置まで誘導する誘導管、(２２)は、本発明装置の展示、配送、保存等を行う場合に、ピストン(１１)をステム(８)の非押圧状態に固定するための固定ナットである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
このピストン(１１)のステム(８)への押圧解除により、ステム(８)はエアゾール容器(１)のバルブ機構を閉止し、エアゾール内容物の噴出を停止する。この噴出停止と同時に、圧力調整室(１６)のエアゾール内容物は連通溝(１７)、連通管(１３)を介して外部に放出されるから、ピストン(１１)へのエアゾール内容物による押圧力は、調圧発条(１０)のピストン(１１)への押圧力よりも小さなものとなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
エアゾール内容物は同時に、連通溝(１７)を介して圧力調整室(１６)にも流入する。そして、この流入したエアゾール内容物は、調圧発条(１０)の復元力よりもガス圧が高いものであるから、調圧発条(１０)の復元力に抗してピストン(１１)を押圧し、ピストン(１１)のステム(８)への押圧を解除する。このピストン(１１)のステム(８)への押圧解除により、ステム(８)はエアゾール容器(１)のバルブ機構を閉止し、エアゾール内容物の噴出を停止する。この噴出停止と同時に、圧力調整室(１６)のエアゾール内容物は、連通溝(１７)、連通管(１３)を介して外部に放出されるから、ピストン(１１)へのエアゾール内容物による押圧力は、調圧発条(１０)のピストン(１１)への押圧力よりも小さなものとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月29日(2007.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
さらには、原料の石灰質および珪酸質粉粒体を混合粉砕処理することが望ましい。混合粉砕処理によって、メカノケミカル反応が生起し、粉粒体中に非晶質珪酸カルシウム水和物（Ｃ−Ｓ−Ｈ）が生成される。この非晶質珪酸カルシウム水和物（Ｃ−Ｓ−Ｈ）は、結晶質珪酸カルシウム（トバモライトなど）と違って結晶構造が乱れているためエネルギー的に不安定である。したがって、水熱反応に対してＣａ2 +イオンが溶出され易くなり、結晶質珪酸カルシウム水和物に比べて速やかに結晶質珪酸カルシウム水和物が析出されるようになる。併せて、原料の混合粉砕処理によって、分子レベルの混合が十分なされるため石灰質原料の濃集された部分がなくなる。この作用により、反応時間が短縮できるばかりか、高強度の水熱硬化体を得ることが可能となるのである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月7日(2007.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下記の工程(A)、(B)及び(C)：
(A)  250〜300℃の温度、0.5〜2時間の平均滞留時間、及び6〜10MPaの自然発生圧力の条件下で、9〜12のpHと、メラミン、アンメリン、アンメリド及びシアヌル酸からなる群より選ばれる1種又は2種以上のトリアジン化合物を0.5〜2重量％のトリアジン化合物濃度として有する廃水を加水分解させる工程、
(B)  (A)工程で得られた廃水を蒸留操作により15〜35重量％の水蒸気濃度を有するアンモニアと二酸化炭素との混合ガスと、実質的にトリアジン化合物とアンモニアとを含有しない缶出液とに分離させる工程、及び
(C)  (B)工程で得られたアンモニアと二酸化炭素との混合ガスを尿素製造工程よりの工程液に吸収させて、65〜75重量％の水分を有するアンモニア過剰カルバミン酸アンモニウム溶液を調整させて、尿素製造工程へ供給する工程、
からなるトリアジン化合物含有廃水の処理による尿素合成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、トリアジン化合物（メラミン、アンメリン、アンメリド、シアヌル酸など）を含有する廃水を連続的に加水分解により処理すると共に、そのトリアジン化合物の加水分解により得られるアンモニアと二酸化炭素とを回収し、尿素合成する方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本願発明は、トリアジン化合物含有廃水の処理による尿素合成方法は、下記の工程(A)、(B)及び(C)：
(A)  250〜300℃の温度、0.5〜2時間の平均滞留時間、及び6〜10MPaの自然発生圧力の条件下で、9〜12のpHと、メラミン、アンメリン、アンメリド及びシアヌル酸からなる群より選ばれる1種又は2種以上のトリアジン化合物を0.5〜2重量％のトリアジン化合物濃度として有する廃水を加水分解させる工程、
(B)  (A)工程で得られた廃水を蒸留操作により15〜35重量％の水蒸気濃度を有するアンモニアと二酸化炭素との混合ガスと、実質的にトリアジン化合物とアンモニアとを含有しない缶出液とに分離させる工程、及び
(C)  (B)工程で得られたアンモニアと二酸化炭素との混合ガスを尿素製造工程よりの工程液に吸収させて、65〜75重量％の水分を有するアンモニア過剰カルバミン酸アンモニウム溶液を調整させて、尿素製造工程へ供給する工程からなる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月17日(2007.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  枚葉紙を加工する機械の個別化機構のための持ち上げ・前進用吸い口伝動装置において、
少なくとも１つの持ち上げ用吸い口が設けられており、
少なくとも１つの前進用吸い口が設けられており、
前記少なくとも１つの持ち上げ用吸い口の運動のための駆動可能な制御カムが設けられており、
前記少なくとも１つの前進用吸い口の運動のための駆動可能な制御カムが設けられており、
前記少なくとも１つの持ち上げ用吸い口の持ち上げ運動と前記少なくとも１つの前進用吸い口の前進運動とを同期化させるための旋回可能な制御カムが設けられていることを特徴とする、枚葉紙を加工する機械の個別化機構のための持ち上げ・前進用吸い口伝動装置。
【請求項２】  持ち上げ用吸い口から前進用吸い口への枚葉紙の引き渡しポジションと、枚葉紙の搬送高さとが、前記旋回可能な制御カムによって調節可能である、請求項１記載の持ち上げ・前進用吸い口伝動装置。
【請求項３】  持ち上げ用吸い口が、持ち上げ用吸い口の運動のための駆動可能な制御カムによって制御可能に支承されていて、前進用吸い口が、前進用吸い口の運動のための駆動可能な制御カムによって制御可能に支承されている、請求項１記載の持ち上げ・前進用吸い口伝動装置。
【請求項４】  前記駆動可能な制御カムが、１つの共通の軸に支承されている、請求項３記載の持ち上げ・前進用吸い口伝動装置。
【請求項５】  持ち上げ用吸い口と前進用吸い口とが、枚葉紙が持ち上げられた状態で、枚葉紙パイルに対して所定の角度を成している、請求項１記載の持ち上げ・前進用吸い口伝動装置。
【請求項６】  持ち上げ用吸い口の運動のための制御カムに制御ローラを当接させること、および、前記旋回可能な制御カムに制御ローラを当接させることを確実に行うための圧縮ばねが設けられており、前進用吸い口の運動のための駆動可能な制御カムに制御ローラを当接させること、および、前記旋回可能な制御カムに制御ローラを当接させることを確実に行うための圧縮ばねが設けられている、請求項１記載の持ち上げ・前進用吸い口伝動装置。
【請求項７】  前記旋回可能な制御カムが、セグメントカムとして形成されている、請求項１記載の持ち上げ・前進用吸い口伝動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月18日(2007.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  引張応力を持った繊維を巻き取るためのボビンであって、巻き取られた前記繊維がその引張残留応力により損傷することなしに前記引張残留応力を減少させることができるように、２％乃至２０％の範囲で内方に収縮することができるようになった胴部を備えることを特徴とするボビン。
【請求項２】  前記繊維が中空繊維である、請求項１記載のボビン。 
【請求項３】  前記繊維の３０℃における収縮率が、０．１％乃至５．０％である、請求項１又は請求項２記載のボビン。
【請求項４】  前記ボビンの胴部が１００mm乃至３００mmの直径を有する、
請求項１乃至請求項３のいずれか一項記載のボビン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明のボビンは、引張応力を持った繊維を巻き取るためのボビンであって、巻き取られた前記繊維がその引張残留応力により損傷することなしに前記引張残留応力を減少させることができるように、２％乃至２０％の範囲で内方に収縮することができるようになった胴部を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明によれば、前記繊維が中空繊維であるのが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
更に、本発明によれば、前記繊維の３０℃における収縮率が、０．１％乃至５．０％であるのが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明の巻取ボビンに巻き取るポリオレフィン系中空繊維の３０℃における収縮率は、０．１％乃至５．０％であることが好ましい。ここで、収縮率とは、１００cmの長さに調整した中空繊維を３０℃の乾熱雰囲気に２４時間、無張力下で放置した後、再度、中空繊維の長さを計測し、下記式より求めたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月7日(2007.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基板の表面側及び裏面側に対向配置され、前記基板を加熱する複数のヒータと、前記基板および前記複数のヒータを囲む熱反射部材と、が内部に配置されたチャンバを備え、
前記基板の周端面と前記熱反射部材との間の領域に、仕切り部材が配置された加熱装置を用い、前記チャンバを排気してなる減圧雰囲気下で、前記ヒータと前記熱反射部材とにより前記基板を加熱する加熱方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
基板の表面側及び裏面側に対向配置され、前記基板を加熱する複数のヒータと、前記基板および前記複数のヒータを囲む熱反射部材と、が内部に配置されたチャンバを備え、前記基板の周端面と前記熱反射部材との間の領域に、仕切り部材が配置された加熱装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の加熱方法は、基板の表面側及び裏面側に対向配置され、前記基板を加熱する複数のヒータと、前記基板および前記複数のヒータを囲む熱反射部材と、が内部に配置されたチャンバを備え、前記基板の周端面と前記熱反射部材との間の領域に、仕切り部材が配置された加熱装置を用い、前記チャンバを排気してなる減圧雰囲気下で、前記ヒータと前記熱反射部材とにより前記基板を加熱する方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の加熱装置は、基板の表面側及び裏面側に対向配置され、前記基板を加熱する複数のヒータと、前記基板および前記複数のヒータを囲む熱反射部材と、が内部に配置されたチャンバを備え、前記基板の周端面と前記熱反射部材との間の領域に、仕切り部材が配置された装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月23日(2007.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
パッケージ内に、燃料電池スタックと、水素リッチガスを供給する水素リッチガス供給手段と、前記パッケージ内の前記水素リッチガス又はその原料の漏洩を検知する可燃性ガス検知器と、前記水素リッチガス又は前記原料を前記パッケージ内の空間に導入する可燃性ガス導入管と、制御装置とを備え、
前記制御装置が、間欠的に前記水素リッチガス又は前記原料を前記可燃性ガス導入管から噴射させ、かつ前記可燃性ガス検知器の機能が正常であるか否かの自己診断を行う、燃料電池発電システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記可燃性ガス導入管は可燃性ガス流通経路から分岐され先端を前記可燃性ガス検知器近傍に臨ませるように構成され、
前記制御装置が、間欠的に可燃性ガスを前記可燃性ガス導入管から前記可燃性ガス検知器に向けて噴射させ、かつ前記可燃性ガス検知器の機能が正常であるか否かの自己診断を行う、請求項１記載の燃料電池発電システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の燃料電池発電システムは、パッケージ内に、燃料電池スタックと、水素リッチガスを供給する水素リッチガス供給手段と、前記パッケージ内の前記水素リッチガス又はその原料の漏洩を検知する可燃性ガス検知器と、前記水素リッチガス又は前記原料を前記パッケージ内の空間に導入する可燃性ガス導入管と、制御装置とを備え、前記制御装置が、間欠的に前記水素リッチガス又は前記原料を前記可燃性ガス導入管から噴射させ、かつ前記可燃性ガス検知器の機能が正常であるか否かの自己診断を行う（請求項１）。かかる構成とすると、燃料電池発電システムが可燃性ガス検知器の機能を燃料電池発電システムで実際に用いるガスによって自己診断するので、可燃性ガス検知器の動作不良等の発生を確実に防ぐことが可能になる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この場合、前記可燃性ガス導入管は可燃性ガス流通経路から分岐され先端を前記可燃性ガス検知器近傍に臨ませるように構成され、前記制御装置が、間欠的に可燃性ガスを前記可燃性ガス導入管から前記可燃性ガス検知器に向けて噴射させ、かつ前記可燃性ガス検知器の機能が正常であるか否かの自己診断を行う（請求項２）。かかる構成とすると、燃料電池発電システムが可燃性ガス検知器の機能を自己診断するので、可燃性ガス検知器の動作不良等の発生を未然に防ぐことが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月22日(2007.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記構造式（１）または（２）で表されることを特徴とする発光性銅配位化合物。
【化１】
2005129499.tif 000001
［式中Ｃｕは銅、Ｘはハロゲンを表し、Ａは炭素と窒素を含み窒素を配位原子とする２座配位子、Ｂは炭素とりんを含み２つのりんを配位原子とする２座配位子である。］
【請求項２】
前記構造式（１）における２座配位子Ａが下記構造式（３）または（４）で表され、前記構造式（２）における２座配位子Ｂが下記構造式（５）で表される請求項１に記載の発光性銅配位化合物。
【化２】
2005129499.tif 000002
［式中、Ｒ1〜Ｒ4は、炭素数１〜４の分岐状または直鎖状のアルキル基である。Ｒ0は−Ｏ−、−ＮＲ5−、−Ｃ（Ｒ6）2−で、Ｒ5とＲ6は水素原子、メチル基またはフェニル基である。］
【請求項３】
有機発光素子において、該有機発光素子を構成する発光層中に請求項１または２に記載の発光性銅配位化合物を含むことを特徴とする有機発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光性銅配位化合物及び有機発光素子
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の発光性銅配位化合物は、下記構造式（１）または（２）で表されることを特徴とする。
【化１】
2005129499.tif 000003
式中Ｃｕは銅、Ｘはハロゲンを表し、Ａは炭素と窒素を含み窒素を配位原子とする２座配位子、Ｂは炭素とりんを含み２つのりんを配位原子とする２座配位子である。
また、好ましくは、前記構造式（１）における２座配位子Ａが下記構造式（３）または（４）で表され、前記構造式（２）における２座配位子Ｂが下記構造式（５）で表される。
【化２】
2005129499.tif 000004
式中、Ｒ1〜Ｒ4は、炭素数１〜４の分岐状または直鎖状のアルキル基である。Ｒ0は−Ｏ−、−ＮＲ5−、−Ｃ（Ｒ6）2−で、Ｒ5とＲ6は水素原子、メチル基またはフェニル基である。
本発明の有機発光素子は、該有機発光素子を構成する発光層中に上記本発明の発光性銅配位化合物を含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
以下の実施例１乃至２１において、本発明の実施例は実施例１乃至４、１０，１１，１４乃至２１であり、実施例５乃至９、１２，１３は参考例である。
（実施例１〜９）
以下の化合物を前記反応式（Ａ）〜（Ｃ）に従って合成した。これらの構造は、1Ｈ−ＮＭＲ（Ｂｒｕｋｅｒ  ＤＰＸ−４００  ＮＭＲ）及び元素分析（Ｖａｒｉｏ  ＥＬ  ＣＨＮＯＳ）によって同定した。元素分析では、ＣＨＮの元素重量比の計算値に対し、０．５％以下の誤差でよく一致した。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
（実施例１３）
実施例１２と発光層以外は実施例１２と同様にして発光素子を作製した。発光層は、例示化合物４００５を１００質量％で３０ｎｍの膜厚でスピンコートで形成した。ＥＬ発光は、２００ｃｄ／ｃｍ2で発光させた時、良好な発光を示し、１０時間通電しても良好な発光が得られた。実施例１２より、発光効率が高く１００％で発光層を形成することにより、高い効率が得られることが判った。結果を表６に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月10日(2007.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光センサー素子と増幅回路を有する光センサー装置であって、
前記光センサー素子と前記増幅回路は絶縁基板上に一体形成されていることを特徴とした光センサー装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記増幅回路は薄膜トランジスタで構成されていることを特徴とした光センサー装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２おいて、
前記増幅回路は演算増幅器であることを特徴とした光センサー装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記増幅回路はカレントミラー回路であることを特徴とした光センサー装置。
【請求項５】
光センサー素子と増幅回路と帰還抵抗を有する光センサー装置であって、
前記増幅回路は薄膜トランジスタで構成された演算増幅器であり、
前記光センサー素子と前記増幅回路は絶縁基板上に一体形成され、
前記帰還抵抗は前記絶縁基板外に有することを特徴とした光センサー装置。
【請求項６】
光センサー素子と増幅回路とＩＶ変換抵抗を有する光センサー装置であって、
前記増幅回路は薄膜トランジスタで構成された演算増幅器であり、
前記光センサー素子と前記増幅回路は絶縁基板上に一体形成され、
前記ＩＶ変換抵抗は前記絶縁基板外に有することを特徴とした光センサー装置。
【請求項７】
光センサー素子と増幅回路と抵抗とレベルシフト回路を有する光センサー装置であって、
前記増幅回路と前記レベルシフト回路は薄膜トランジスタで構成され、
前記光センサー素子と前記増幅回路と前記レベルシフト回路は絶縁基板上に一体形成され、
前記抵抗は前記絶縁基板外に設けられた帰還抵抗またはＩＶ変換抵抗であることを特徴とした光センサー装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記レベルシフト回路はＰチャネル型薄膜トランジスタと定電流源によって構成されていることを特徴とした光センサー装置。
【請求項９】
請求項７において、
前記レベルシフト回路はＮチャネル型薄膜トランジスタと定電流源によって構成されていることを特徴とした光センサー装置。
【請求項１０】
光センサー素子と増幅回路を有する光センサー装置であって、
前記増幅回路は薄膜トランジスタで構成されたカレントミラー回路であり、
前記光センサー素子と前記増幅回路は絶縁基板上に一体形成されていることを特徴とした光センサー装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記カレントミラー回路を構成する薄膜トランジスタの各々は、ゲートが共通に接続された、マルチゲート構造であることを特徴とした光センサー装置。
【請求項１２】
請求項１０において、
前記カレントミラー回路がカスコード接続で構成されていることを特徴とした光センサー装置。
【請求項１３】
請求項１０において、
前記カレントミラー回路がウィルソン型接続で構成されていることを特徴とした光センサー装置。
【請求項１４】
請求項１０において、
前記カレントミラー回路が改良ウィルソン型接続で構成されていることを特徴とした光センサー装置。
【請求項１５】
請求項１０乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記カレントミラー回路がＮチャネル型薄膜トランジスタによって構成されていることを特徴とした光センサー装置。
【請求項１６】
請求項１０乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記カレントミラー回路がＰチャネル型薄膜トランジスタによって構成されていることを特徴とした光センサー装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記光センサー素子は、アモルファスシリコンを用いたセンサー素子によって構成されていることを特徴とした光センサー装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記光センサー素子は、アモルファスシリコンフォトダイオードによって構成されていることを特徴とした光センサー装置。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記光センサー素子は、ポリシリコンを用いたセンサー素子によって構成されていることを特徴とした光センサー装置。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記光センサー素子は、ポリシリコンフォトダイオードによって構成されていることを特徴とした光センサー装置。
【請求項２１】
請求項１乃至請求項２０のいずれか一項において、
前記絶縁基板はプラスチック基板であることを特徴とした光センサー装置。
【請求項２２】
請求項１乃至請求項２０のいずれか一項において、
前記絶縁基板はガラス基板であることを特徴とした光センサー装置。
【請求項２３】
請求項１乃至請求項２２のいずれか一項に記載の光センサー装置を備えた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月2日(2007.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アモルファス磁性薄帯からなる巻鉄心と該巻鉄心を挿入する一次コイル及び二次コイルとを組立ててなる鉄心コイル組立体を具備するアモルファス鉄心変圧器において、
前記二次コイルは、アルミニウム導体からなるコイルであり、
前記一次コイルは、銅導体からなるコイルであって、コイル径方向内側に配置され、かつ、前記二次コイルより電気抵抗換算電流密度が高くなるよう銅導体断面積が小さく、
前記アルミニウム導体からなる二次コイルは、前記銅導体からなる一次コイルよりコイル軸方向の長さが長いことを特徴とするアモルファス鉄心変圧器。
【請求項２】
請求項１記載のアモルファス鉄心変圧器において、
前記銅導体は平角線であり、前記アルミニウム導体はアルミニウム条であることを特徴とするアモルファス鉄心変圧器。
【請求項３】
請求項２記載のアモルファス鉄心変圧器において、
前記鉄心コイル組立体を収納する変圧器容器を有し、
該変圧器容器は、絶縁性冷却媒体を充填し、
該変圧器容器の外側には、高さが１７ｍｍ〜２８０ｍｍの冷却フィンを有することを特徴とするアモルファス鉄心変圧器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、アモルファス磁性薄帯からなる巻鉄心と該巻鉄心を挿入する一次コイル及び二次コイルとを組立ててなる鉄心コイル組立体を具備するアモルファス鉄心変圧器において、前記二次コイルは、アルミニウム導体からなるコイルであり、前記一次コイルは、銅導体からなるコイルであって、コイル径方向内側に配置され、かつ、前記二次コイルより電気抵抗換算電流密度が高くなるよう銅導体断面積が小さく、前記アルミニウム導体からなる二次コイルは、前記銅導体からなる一次コイルよりコイル軸方向の長さが長いアモルファス鉄心変圧器である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、前記銅導体は平角線であり、前記アルミニウム導体はアルミニウム条であるアモルファス鉄心変圧器である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
そして、本発明は、前記鉄心コイル組立体を収納する変圧器容器を有し、該変圧器容器は、絶縁性冷却媒体を充填し、該変圧器容器の外側には、高さが１７ｍｍ〜２８０ｍｍの冷却フィンを有するアモルファス鉄心変圧器である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
以上の実施例の概要をまとめると、二次コイルにアルミニウムを使用することにより、巻回作業性を良くできるメリットが得られる。しかし、アルミニウムを使用したため、銅使用時よりもコイル体積が増大するデメリットが生じる。そのため、一次、二次コイルの合計体積を増大させない（二次コイルで増大した体積分を一次コイルの体積減少でカバーする）ため、一次コイルに銅を使用し、かつ、一次コイル導体の断面積を小さくする（体積は減少する）。そうすると、一次コイルの電気抵抗換算電流密度は、二次コイル側よりも高くなり、一次コイルの発熱が従来よりも高くなるデメリットが生じる。そこで、一次コイルをアモルファス鉄心のそばに設置し、一次コイルからの熱をアモルファス鉄心で吸収して冷却する。これにより、実施例のアモルファス鉄心変圧器は、デメリットが生じることなく、目的を達成することができる。
そして、二次コイルと一次コイルのコイル軸方向の長さについて、一次・二次コイルは、同軸上にタイトに巻回されており、一次・二次コイルを電気的 (距離、絶縁紙厚さ・枚数)に絶縁する必要がある。この際、コイル径方向へは絶縁紙厚さ・枚数で絶縁特性をたかくすることができるが、コイル軸方向にも距離を取る必要があることから、一次(高圧)巻線が二次(低圧)巻線高さより低くなるよう設計を行う。こうすることを短絡強度で見た場合、二次(条導体)巻線高さを一次(丸線、角線)巻線高さより高くすることで、コイル軸方向への一次巻線座屈変形を防止する働きも兼ねることができる。もし、これが逆の位置関係になると、二次巻線と対向しない一次巻線端部が上下方向に座屈することになる。
なお、以上実施例等の説明で、変圧器容器４に絶縁油を充填したアモルファス鉄心変圧器について説明したが、モールド樹脂を充填したアモルファス鉄心変圧器でも同様な効果を奏することができる。また、５脚鉄心を有する３相変圧器以外に、単相変圧器でも実施可能であり、その例を図１６に示す。このアモルファス鉄心変圧器の鉄心コイル組立体３、鉄心１、コイル２を有しており、コイルは一次コイル２１、二次コイル２２、巻枠２６、巻枠スペーサ２６２を有している。巻枠２６には、１ターンのコイルを形成させないようスリットに絶縁部材２６１を挿入している。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月26日(2007.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成し、
前記基板及び前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に島状の半導体膜を形成し、
前記ゲート電極と重なるように前記島状の半導体膜上にマスクパターンを液滴吐出法によって選択的に形成し、
前記マスクパターンを用いて前記島状の半導体膜にソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域と、前記ソース領域及びドレイン領域として機能する不純物領域上にそれぞれ設けられたソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上にパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜上の前記ソース電極又は前記ドレイン電極と重なる領域に第１の有機膜を選択的に形成し、
前記第１の有機膜にプラズマ処理を施すことにより撥液性を持たせ、
前記第１の有機膜が形成された領域を除いて、第２の有機膜を形成し、
前記第１の有機膜を除去することによって前記第１の有機膜が形成されていた部分に前記ソース電極又は前記ドレイン電極に達するコンタクトホールを形成し、
前記第２の有機膜上及び前記コンタクトホール内に、前記コンタクトホールにおいて前記ソース電極又は前記ドレイン電極と接する導電膜を形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項２】
基板上にゲート電極を形成し、
前記基板及び前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に島状の半導体膜を形成し、
前記ゲート電極と重なるように前記島状の半導体膜上にマスクパターンを液滴吐出法によって選択的に形成し、
前記マスクパターンを用いて前記島状の半導体膜にソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域と、前記ソース領域及びドレイン領域として機能する不純物領域上にそれぞれ設けられたソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上にパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜上の前記ソース電極又は前記ドレイン電極と重なる領域に第１の有機膜を液滴吐出法によって選択的に形成し、
前記第１の有機膜にプラズマ処理を施すことにより撥液性を持たせ、
前記第１の有機膜が形成された領域を除いて、第２の有機膜を形成し、
前記第１の有機膜を除去することによって前記第１の有機膜が形成されていた部分に前記ソース電極又は前記ドレイン電極に達するコンタクトホールを形成し、
前記第２の有機膜上及び前記コンタクトホール内に、前記コンタクトホールにおいて前記ソース電極又は前記ドレイン電極と接する導電膜を液滴吐出法によって選択的に形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記第１の有機膜は、水溶性樹脂を含むことを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記水溶性樹脂は、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）であることを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記プラズマ処理は、フッ素系ガスを用いることを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、前記フッ素系ガスは、ＣＦ４であることを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項７】
基板上にゲート電極を形成し、
前記基板及び前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に島状の半導体膜を形成し、
前記ゲート電極と重なるように前記島状の半導体膜上にマスクパターンを液滴吐出法によって選択的に形成し、
前記マスクパターンを用いて前記島状の半導体膜にソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域と、前記ソース領域及びドレイン領域として機能する不純物領域上にそれぞれ設けられたソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上にパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜上の前記ソース電極又は前記ドレイン電極と重なる領域に撥液性を有する第１の有機膜を選択的に形成し、
前記第１の有機膜が形成された領域を除いて、第２の有機膜を形成し、
前記第１の有機膜を除去することによって前記第１の有機膜が形成されていた部分に前記ソース電極又は前記ドレイン電極に達するコンタクトホールを形成し、
前記第２の有機膜上及び前記コンタクトホール内に、前記コンタクトホールにおいて前記ソース電極又は前記ドレイン電極と接する導電膜を形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項８】
基板上にゲート電極を形成し、
前記基板及び前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に島状の半導体膜を形成し、
前記ゲート電極と重なるように前記島状の半導体膜上にマスクパターンを液滴吐出法によって選択的に形成し、
前記マスクパターンを用いて前記島状の半導体膜にソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域と、前記ソース領域及びドレイン領域として機能する不純物領域上にそれぞれ設けられたソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上にパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜上の前記ソース電極又は前記ドレイン電極と重なる領域に撥液性を有する第１の有機膜を液滴吐出法によって選択的に形成し、
前記第１の有機膜が形成された領域を除いて、第２の有機膜を形成し、
前記第１の有機膜を除去することによって前記第１の有機膜が形成されていた部分に前記ソース電極又は前記ドレイン電極に達するコンタクトホールを形成し、
前記第２の有機膜上及び前記コンタクトホール内に、前記コンタクトホールにおいて前記ソース電極又は前記ドレイン電極と接する導電膜を液滴吐出法によって選択的に形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項９】
請求項７又は請求項８において、前記第１の有機膜は、Ｒをアルキル基、ビニル基、アミノ基又はエポキシ基、Ｘをハロゲン、メトキシ基、エトキシ基又はアセトキシ基として、Ｒｎ−Ｓｉ−Ｘ４−ｎ（ｎ＝１、２、３）の化学式で表される物質からなることを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一において、前記第１の有機膜は、ＦＡＳ（フルオロアルキルシラン）であることを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記第２の有機膜は、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂又はシロキサン系樹脂を用いて形成されることを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、前記マスクパターンは前記パッシベーション膜の一部として機能することを特徴とする半導体素子の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月28日(2007.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜の上に第１の絶縁膜を形成し、
第１の気体を用いて、前記第１の絶縁膜を選択的に除去し、前記第２の絶縁膜に達する開口部を形成し、
第２の気体を用いて、前記開口部の前記第２の絶縁膜を選択的に除去し、コンタクトホールを形成し、
前記第１の気体または前記第２の気体の少なくとも一方には、不活性気体が添加されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の絶縁膜は、酸化珪素を含む耐熱性平坦化膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の絶縁膜はゲート絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の気体には、不活性気体の流量が総流量に対して２６％以上５０％以下となるように不活性気体が添加されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２の気体には、不活性気体の流量が総流量に対して６０％以上８５％以下となるように不活性気体が添加されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記不活性気体はＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の気体は、ＣＦ４、Ｏ２、Ｈｅ、Ａｒを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第２の気体は、ＣＨＦ３、Ａｒを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月28日(2007.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】配線基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に接するように第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層に接するように、導電性材料を含む組成物を選択的に吐出して、第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層と接しない前記第１の導電層を絶縁化することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項２】
基板上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に接するように第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層に接するように、導電性材料を含む組成物を選択的に吐出して、第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層と接しない前記第１の導電層をエッチングすることを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項３】
基板上に開口部が設けられた絶縁層を形成し、
前記絶縁層に接するように第１の導電層を形成し、
前記開口部を充填するように、導電性材料を含む組成物を選択的に吐出して、第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層と接しない前記第１の導電層を絶縁化することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項４】
基板上に開口部が設けられた絶縁層を形成し、
前記絶縁層に接するように第１の導電層を形成し、
前記開口部を充填するように、導電性材料を含む組成物を選択的に吐出して、第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層と接しない前記第１の導電層をエッチングすることを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１または２において、前記絶縁層を、珪素の酸化物材料又は窒化物材料で形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項６】
請求項３または４において、前記絶縁層を、有機材料又は珪素と酸素との結合で骨格構造が形成された材料で形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項７】
請求項３または４において、前記絶縁層を、１００ｎｍ〜２μｍの厚さで形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１または３において、前記第２の導電層と接しない前記第１の導電層を自然酸化により絶縁化することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記第１の導電層を、０．０１〜１０ｎｍの厚さで形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記第１の導電層を、スパッタリング法、蒸着法、ディップ法又はスピンコート法で形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記第１の導電層を、高融点金属を用いて形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記第１の導電層を、チタン、タングステン、クロム、アルミニウム、タンタル、ニッケル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、イリジウム、ニオブ、鉛、白金、モリブデン、コバルト又はロジウムを用いて形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記導電性材料は、銀、金、銅又はインジウム錫酸化物であることを特徴とする配線基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月10日(2007.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板との電気的接続を行うための端子を有するコネクタを基板に固定するためのコネクタ固定構造であって、
前記端子は、プレスフィット形状を有するものであり、
前記コネクタのハウジングには、前記端子が前記基板に挿入された場合に、前記基板に設けられた孔部に挿入されるプレスフィット形状を有する足部が設けられてなることを特徴とするコネクタ固定構造。
【請求項２】
基板との電気的接続を行うための端子を有するコネクタを基板に固定するためのコネクタ固定構造であって、
前記基板を収容するための筐体を備え、
前記端子は、プレスフィット形状を有するものであり、
前記コネクタのハウジングと前記筐体とが接する部分には、両者を嵌合するための嵌合部が設けられてなることを特徴とするコネクタ固定構造。
【請求項３】
前記嵌合部は、プレスフィット形状を有する足部と該足部が挿入される孔部とからなることを特徴とする請求項２記載のコネクタの固定構造。
【請求項４】
基板との電気的接続を行うための端子を有するコネクタであって、
前記端子は、プレスフィット形状を有するものであり、
前記コネクタは、前記基板に固定するためのプレスフィット形状を有する足部を含むことを特徴とするコネクタ。
【請求項５】
基板との電気的接続を行うための端子を有するコネクタと、前記基板を収容するための筐体とを備える電子制御機器であって、
前記端子は、プレスフィット形状を有するものであり、
前記コネクタは、前記基板に固定するためのプレスフィット形状を有する足部を含み、
前記基板は、前記足部を固定するための挿入孔を有することを特徴とする電子制御機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】コネクタ、コネクタ固定構造および電子制御機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、プリント配線基板などで、外部との電気的接続を行うためのコネクタと、はんだ付けを行わなくても、このコネクタを装着可能なプレスフィット端子用のコネクタ固定構造およびこれらのコネクタを使用する電子制御機器に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の目的は、ねじ止め並みの保持が行えるコネクタと、プレスフィット端子の挿入時に、同時にハウジングを固定することが可能なコネクタ固定構造およびコネクタと基板を収容する筐体とを備える電子制御機器を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また本発明で、前記嵌合部は、プレスフィット形状を有する足部と該足部が挿入される孔部とからなることを特徴とする。
また本発明は、基板との電気的接続を行うための端子を有するコネクタであって、
前記端子は、プレスフィット形状を有するものであり、
前記コネクタは、前記基板に固定するためのプレスフィット形状を有する足部を含むことを特徴とするコネクタである。
また本発明は、基板との電気的接続を行うための端子を有するコネクタと、前記基板を収容するための筐体とを備える電子制御機器であって、
前記端子は、プレスフィット形状を有するものであり、
前記コネクタは、前記基板に固定するためのプレスフィット形状を有する足部を含み、
前記基板は、前記足部を固定するための挿入孔を有することを特徴とする電子制御機器である。