Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月17日(2007.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質を挟持する一対の基板からなる第１光学パネルと、
電気光学物質を挟持する一対の基板からなるとともに、前記第１光学パネルと平面的に重なるように配置され、前記第１光学パネルより平面寸法の小さい第２光学パネルと、
光を射出する光源と、前記第１光学パネルと前記第２光学パネルとの間に配されるとともに前記第１光学パネルと前記第２光学パネルとのそれぞれに前記光源から射出された光を入射させる導光部材とを有する照明装置と、
前記第２光学パネルの周辺部に形成された遮光膜と、
前記第１光学パネルと前記第２光学パネルとの間の前記第２光学パネルの表示領域以外に設けられた光吸収部材とを備え、
前記光吸収部材には、前記導光部材から射出された光を前記第２光学パネルの表示領域に入射させるための開口部が形成され、
該開口部の縁が、前記第２光学パネルの周辺部の遮光膜と重なる領域に位置していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記光吸収部材は、前記導光部材の前記第２光学パネル側に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記導光部材の前記第１光学パネル側に、前記導光部材から射出された光を前記第１光学パネルの表示領域に入射させるための開口部を有する遮光部材が設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記光吸収部材が、黒色の樹脂フィルムであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記光吸収部材に形成された開口部及び前記第２光学パネルの表示領域は矩形であり、前記開口部が前記第２光学パネルの表示領域の４辺の周囲の領域に配置されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５いずれか１項に記載の電気光学装置を表示部として備えていることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明の電気光学装置は、電気光学物質を挟持する一対の基板からなるとともに、前記第１光学パネルと平面的に重なるように配置され、前記第１光学パネルより平面寸法の小さい第２光学パネルと、光を射出する光源と、前記第１光学パネルと前記第２光学パネルとの間に配されるとともに前記第１光学パネルと前記第２光学パネルとのそれぞれに前記光源から射出された光を入射させる導光部材とを有する照明装置と、前記第２光学パネルの周辺部に形成された遮光膜と、前記第１光学パネルと前記第２光学パネルとの間の前記第２光学パネルの表示領域以外に設けられた光吸収部材とを備え、前記光吸収部材には、前記導光部材から射出された光を前記第２光学パネルの表示領域に入射させるための開口部が形成され、該開口部の縁が、前記第２光学パネルの周辺部の遮光膜と重なる領域に位置していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに、前記光吸収部材に形成された開口部及び前記第２光学パネルの表示領域は矩形であり、前記開口部が前記第２光学パネルの表示領域の４辺の周囲の領域に配置されることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
例えば、光吸収部材４０は、図２に示すように、第１液晶パネル１０と第２液晶パネル２０との間に配されるとともに、導光板３２の他方の面３２ｂ側に設けられた構成としたが、これに限ることはなく、導光板３２の一方の面３２ａ側に設けられていても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月25日(2007.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２以上の記録層を備える追記型記録媒体であって、
前記記録層毎に、
記録データを記録するためのデータエリアと、
前記データエリアのディフェクト管理情報を記録するための確定的ディフェクト管理エリアを含み、前記データエリアへの記録及び読取の少なくとも一方を制御する情報を記録するための制御情報記録エリアと、
前記制御情報記録エリアと前記データエリアとの間に配置され、前記データエリアのディフェクト管理情報を一時的に記録するための且つ前記データエリアにおけるディフェクトが存在する場所に記録すべき記録データである退避データを記録するための共用エリアと
を備えることを特徴とする追記型記録媒体。
【請求項２】
２以上の記録層を備える追記型記録媒体であって、前記記録層毎に、(i)記録データを記録するためのデータエリアと、(ii)前記データエリアのディフェクト管理情報を記録するための確定的ディフェクト管理エリアを含み、前記データエリアへの記録及び読取の少なくとも一方を制御する情報を記録するための制御情報記録エリアと、(iii)前記制御情報記録エリアと前記データエリアとの間に配置され、前記データエリアのディフェクト管理情報を一時的に記録するための且つ前記データエリアにおけるディフェクトが存在する場所に記録すべき記録データである退避データを記録するための共用エリアとを備える追記型記録媒体に前記記録データを記録するための記録装置であって、
前記記録データを前記データエリアに記録する第１記録手段と、
前記退避データ又は前記ディフェクト管理情報を前記共用エリアに記録する第２記録手段と
を備えることを特徴とする記録装置。
【請求項３】
２以上の記録層を備える追記型記録媒体であって、前記記録層毎に、(i)記録データを記録するためのデータエリアと、(ii)前記データエリアのディフェクト管理情報を記録するための確定的ディフェクト管理エリアを含み、前記データエリアへの記録及び読取の少なくとも一方を制御する情報を記録するための制御情報記録エリアと、(iii)前記制御情報記録エリアと前記データエリアとの間に配置され、前記データエリアのディフェクト管理情報を一時的に記録するための且つ前記データエリアにおけるディフェクトが存在する場所に記録すべき記録データである退避データを記録するための共用エリアとを備える追記型記録媒体に前記記録データを記録するための記録方法であって、
前記記録データを前記データエリアに記録する第１記録工程と、
前記退避データ又は前記ディフェクト管理情報を前記共用エリアに記録する第２記録工程と
を備えることを特徴とする記録方法。
【請求項４】
２以上の記録層を備える追記型記録媒体であって、前記記録層毎に、(i)記録データを記録するためのデータエリアと、(ii)前記データエリアのディフェクト管理情報を記録するための確定的ディフェクト管理エリアを含み、前記データエリアへの記録及び読取の少なくとも一方を制御する情報を記録するための制御情報記録エリアと、(iii)前記制御情報記録エリアと前記データエリアとの間に配置され、前記データエリアのディフェクト管理情報を一時的に記録するための且つ前記データエリアにおけるディフェクトが存在する場所に記録すべき記録データである退避データを記録するための共用エリアとを備える追記型記録媒体に記録された前記記録データを再生するための再生装置であって、
前記共用エリアに記録された前記ディフェクト管理情報を読み取る読取手段と、
前記ディフェクト管理情報に基づいて、前記データエリアに記録された記録データ又は前記共用エリアに記録された退避データを再生する再生手段と
を備えていることを特徴とする再生装置。
【請求項５】
２以上の記録層を備える追記型記録媒体であって、前記記録層毎に、(i)記録データを記録するためのデータエリアと、(ii)前記データエリアのディフェクト管理情報を記録するための確定的ディフェクト管理エリアを含み、前記データエリアへの記録及び読取の少なくとも一方を制御する情報を記録するための制御情報記録エリアと、(iii)前記制御情報記録エリアと前記データエリアとの間に配置され、前記データエリアのディフェクト管理情報を一時的に記録するための且つ前記データエリアにおけるディフェクトが存在する場所に記録すべき記録データである退避データを記録するための共用エリアとを備える追記型記録媒体に記録された前記記録データを再生するための再生方法であって、
前記共用エリアに記録された前記ディフェクト管理情報を読み取る読取工程と、
前記読み取られたディフェクト管理情報に基づいて、前記データエリアに記録された記録データ又は前記共用エリアに記録された退避データを再生する再生工程と
を備えていることを特徴とする再生方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月9日(2007.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
２以上の記録層を備える追記型記録媒体であって、前記記録層毎に、(i)記録データを記録するためのデータエリアと、(ii)前記データエリアのディフェクト管理情報を記録するための確定的ディフェクト管理エリアを含み、前記データエリアへの記録及び読取の少なくとも一方を制御する情報を記録するための制御情報記録エリアと、(iii)前記制御情報記録エリアと前記データエリアとの間に配置され、前記データエリアのディフェクト管理情報を一時的に記録するための且つ前記データエリアにおけるディフェクトが存在する場所に記録すべき記録データである退避データを記録するための共用エリアとを備える追記型記録媒体に前記記録データを記録するための記録方法であって、
前記記録データを前記データエリアに記録する第１記録工程と、
前記退避データ又は前記ディフェクト管理情報を前記共用エリアに記録する第２記録工程と
を備えており、
前記第２記録工程は、前記共用エリア中に存在する所定の一の地点を起点として前記退避データを記録し、且つ前記一の地点とは異なる位置に存在する所定の他の地点を起点として前記ディフェクト管理情報を記録することを特徴とする記録方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年9月5日(2007.9.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項４】
１以上の実質的に非混和性である物質が（１）Ｓｉ置換および／または（２）フッ素置換を含み、および／または（３）超分岐ポリマーである、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年10月12日(2006.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板(40)と、
前記基板(40)に電気的に相互接続され、光ダイオード・センサ(54)で受け取った光の強度に比例する速度で電荷を伝導する光ダイオード・センサ(54)のアレイと、
前記光ダイオード・センサ(54)のアレイの周囲に配置された保護光ダイオード・センサ(52)の環であって、各保護光ダイオード・センサ(52)が、所定の陽極電圧(49)に接続された保護ダイオード陽極と、静止保護陰極電圧(50)に接続された保護ダイオード陰極とを有するように構成された、保護光ダイオード・センサ(52)の環と
からなるイメージ・センサ・アレイ。
【請求項２】
前記静止保護陰極電圧(50)は所定の一定電圧である、請求項１に記載のイメージ・センサ・アレイ。
【請求項３】
前記光ダイオード・センサ(54)はＰＩＮダイオードからなる、請求項１に記載のイメージ・センサ・アレイ。
【請求項４】
前記保護光ダイオード・センサ(52)はＰＩＮダイオードからなる、請求項１に記載のイメージ・センサ・アレイ。
【請求項５】
前記光ダイオード・センサ(54)のアレイは、該アレイの上に形成された透明な導電性の層(48)であって、前記光ダイオード・センサ(54)の陽極、及び、前記保護光ダイオード・センサ(52)の陽極を固定の陽極電圧に相互接続する透明な導電性の層(48)を更に含む、請求項１に記載のイメージ・センサ・アレイ。
【請求項６】
前記所定の一定電圧は、各保護光ダイオード・センサ(52)の両端の保護電圧電位が、前記光ダイオード・センサ(54)の陽極陰極間の平均感知電圧に等しくなるように選択される、請求項２に記載のイメージ・センサ・アレイ。
【請求項７】
各保護光ダイオード・センサ(52)の両端の前記保護電圧電位は、前記所定の陰極電圧を調節することによって調節される、請求項６に記載のイメージ・センサ・アレイ。
【請求項８】
前記光ダイオード・センサ(54)及び前記保護光ダイオード・センサ(52)は、薄膜光検出器からなる、請求項１に記載のイメージ・センサ・アレイ。
【請求項９】
前記光ダイオード・センサ(54)及び前記保護光ダイオード・センサ(52)は、非結晶シリコンからなる、請求項８に記載のイメージ・センサ・アレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月27日(2006.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  それぞれが直交する２チャンネルの一方となる一対の入れ子状の導電性コイルと、
撮影対象人体の所定部位を受け入れるように適合された前記入れ子状の導電性コイル内の開口部と、
を具備し、
前記一対のコイルのそれぞれは、それぞれが２つの隣接するコイル巻線部を有する２つの平行な直線部を有し、該直線部は前記開口部の周辺にほぼ等間隔に配列され、
直線部は前記開口部の周縁部を形成する弓状部に接続されること、
を特徴とする磁気共鳴イメージング装置用の直交コイル装置。
【請求項２】  前記開口部を覆うプリント配線部をさらに具備し、
前記弓状部は当該プリント配線部上に形成されていること、
を特徴とする請求項１記載の直交コイル装置。
【請求項３】  前記各コイルが有する第１及び第２の直線部は、前記弓状部が含まれる平面に垂直に配置されていることを特徴とする請求項１記載の直交コイル装置。
【請求項４】  前記各伝導性コイルが有する前記各弓状部は半円形であり、前記開口部を囲む円を形成するように配置されていること、
を特徴とする請求項１記載の直交コイル装置。
【請求項５】  それぞれが少なくとも２つの巻線部を有し、直交する２チャンネルの一方となる一対の入れ子状の導電性コイルと、
撮影対象人体の所定部位を受け入れるように適合された前記入れ子状の導電性コイル内への開口部を有する第１のプリント配線基板と、
を具備し、
前記各コイルは２つの直線部を有し、各直線部は少なくとも２つの隣接するコイル巻線部を有し、該コイル巻線部は前記プリント配線基板に直交し、前記開口部の周辺にほぼ等間隔に配列され、前記プリント配線基板上の弓状の配線部に接続されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用の直交コイル装置。
【請求項６】  前記第１の開口部と略同軸な第２の開口部を備え、前記コイル巻線部を接続する弓状の配線部を有する第２のプリント配線基板をさらに具備すること、を特徴とする請求項５記載の磁気共鳴イメージング装置用の直交コイル装置。
【請求項７】  前記弓状部は前記プリント配線基板の両面に設けられることを特徴とする磁気共鳴イメ請求項５記載の直交コイル装置。
【請求項８】  前記弓状部は前記第１プリント配線基板の開口部を囲む環を形成するように接続されていることを特徴とする請求項５記載の直交コイル装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月27日(2006.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直交コイルと当該直交コイルを支持する支持機構とを具備する磁気共鳴イメージング装置であって、
前記支持機構は、
底面部と、
乳房を受け入れる開口部をそれぞれ有する、第１の上側部分と第２の上側部分とからなる上面部と、
前記上面部と前記底面部とを接続し、前記開口部のそれぞれの周囲に配置される脚部と、を有し、
前記直交コイルは、
前記第１の上側部分の開口部周囲沿って配置される第１のコイル部分と前記第１の上側部分の開口部周囲に配置された前記複数の脚部中に収容される第２のコイル部分とを有した第１のＲＦコイルと、
前記第２の上側部分の開口部周囲沿って配置される第１のコイル部分と前記第２の上側部分の開口部周囲に配置された前記複数の脚部中に収容される第２のコイル部分とを有した第２のＲＦコイルと、
を具備する磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
前記第１の上側部分及び前記第２の上側部分は、前記開口部を囲む上面上に、前記コイル部分を受け入れるための浅い円形の溝を有する請求項１記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
前記第１の上側部分及び前記第２の上側部分のそれぞれは、前記開口部の周辺に配置された溝と電気的に絶縁された溝カバーであって、液体の流入に対し前記溝を封印し且つ前記溝内に前記コイル部分を包むためのものを有するを特徴とする請求項１記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
前記第１の上面部分と前記底面部との間及び第２の上面部分と前記底面部との間には、当該前記第１の面部分及び第２の面部分が有する開口部に挿入された乳房の組織に対して、前記支持機構を介してのアクセスを提供するための傾斜した隙間が存在することを特徴とする請求項１記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
直交コイルと当該直交コイルを支持する支持機構とを具備する磁気共鳴イメージング装置であって、
前記支持機構は、
底面部と、
乳房を受け入れる開口部をそれぞれ有する、第１の面部分と第２の面部分とからなる上面部と、
前記上面部と前記底面部とを接続し、前記開口部のそれぞれの周囲に配置される脚部と、を有し、
前記直交コイルは、
前記第１の面部分の開口部周囲沿って配置される第１のコイル部分と前記第１の面部分の開口部周囲に配置された前記複数の脚部中に収容される第２のコイル部分とを有した第１のＲＦコイルと、
前記第２の面部分の開口部周囲沿って配置される第１のコイル部分と前記第２の面部分の開口部周囲に配置された前記複数の脚部中に収容される第２のコイル部分とを有した第２のＲＦコイルと、
前記複数の脚部において前記コイル部と連結されるコイル底曲部であって、前記底部に含まれ、且つ前記底部の側壁を介して通されたケーブルに接続されるものと、
を具備する磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】
前記底部は、コイルチューニング及びマッチングのための回路を含むプリント基板有する請求項５記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】
平面底部と、
身体の所定部位を挿入する開口部を共に有した第１の面部分と第２の面部分とによりＶ字型に形成された上面部と、
前記開口部のそれぞれの周囲に配置され、頂部と前記上面部とを接続する複数の前記平面底部と垂直な脚部と、
それぞれ、前記開口部の縁部に含まれる曲部と前記開口部の周囲に配置された前記複数の脚部のそれぞれに含まれる曲部と、ベースサポート筐体部とを有する一対の直交コイルと、
を具備する磁気共鳴イメージング装置。
【請求項８】
前記各開口部は第１の面部分と第２の面部分との中央部に形成されており、曲部を受け入れる溝で囲まれていること、を特徴とする請求項７記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項９】
当該磁気共鳴イメージングコイル支持機構の全ての側面から前記第１の平面と前記第２の平面の開口部に挿入された前記身体の所定部位の組織に対してアクセス可能な隙間が、前記上面部と前記底面部との間に形成されていることを特徴とする請求項８記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１０】
底面部と、
人体の所定の部位を受け入れる開口部を有する上面部と、
前記底面部と前記上面部とを接続し、前記開口部の周囲に配置される複数の脚部と、
前記上面部の前記開口部の周囲に環状に設けられた巻線と前記各脚部に収容される伝導巻線とを有するＲＦコイルと、
を具備し、
前記底面部、前記上面部、前記各脚部、前記直交コイルに接触することなく前記人体の所定の部位にアクセス可能な隙間が前記上面部と前記底面部との間に形成されていることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月10日(2007.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御部と入力部と表示部とを備えるゲーム装置の前記制御部が、仮想三次元空間内でゴルフボールオブジェクトを打撃する時、前記ボールオブジェクトの回転方向を設定するために前記ボールの打点を決定する処理を実行する、ゴルフシミュレーションゲーム処理方法であって、
前記制御部は、
前記ゴルフボールオブジェクトの回転方向を設定するためのダミーゴルフボールオブジェクトと、当該ダミーゴルフオブジェクト内に形成される打点オブジェクトと、当該打点オブジェクトの位置を変更させ得る範囲を限定する形状を持った領域と、を前記表示部に表示する第１の処理と、
前記入力部からの第１の入力情報に応じて前記ダミーゴルフボールオブジェクトの範囲内での前記領域の位置を決定する第２の処理と、
前記入力部から発せられる、前記第１の入力情報の後の第２の入力情報に応じて、前記位置が決定された前記領域内で前記打点オブジェクトを移動して当該打点オブジェクトの位置を決定する第３の処理と、
当該決定された前記打点オブジェクトの位置に打力を与えて前記ゴルフボールオブジェクトを前記仮想三次元空間内に打ち出す第４の処理と、
を実行する、ゴルフシミュレーションゲーム処理方法。
【請求項２】
前記第３の処理は、前記領域の形状を前記ダミーゴルフボールオブジェクトの外郭線に対応して変形する、請求項１記載の処理方法。
【請求項３】
前記第３の処理は、前記領域を前記ダミーゴルフボールオブジェクトの中心からずれた位置に形成する、請求項１記載の処理方法。
【請求項４】
制御部と入力部と表示部とを備えるゲーム装置の前記制御部が、仮想三次元空間内でゴルフボールオブジェクトを打撃する時、前記ボールオブジェクトの回転方向を設定するために前記ボールの打点を決定する処理を実行する、ゴルフシミュレーションゲーム装置であって、
前記制御部は、
前記ゴルフボールオブジェクトの回転方向を設定するためのダミーゴルフボールオブジェクトと、当該ダミーゴルフオブジェクト内に形成される打点オブジェクトと、当該打点オブジェクトの位置を変更させ得る範囲を限定する形状を持った領域と、を前記表示部に表示する第１の手段と、
前記入力部からの第１の入力情報に応じて前記ダミーゴルフボールオブジェクトの範囲内での前記領域の位置を決定する第２の手段と、
前記入力部から発せられる、前記第１の入力情報の後の第２の入力情報に応じて、前記位置が決定された前記領域内で前記打点オブジェクトを移動して当該打点オブジェクトの位置を決定する第３の手段と、
当該決定された前記打点オブジェクトの位置に打力を与えて前記ゴルフボールオブジェクトを前記仮想三次元空間内に打ち出す第４の手段と、
を実行する、ゴルフシミュレーションゲーム装置。
【請求項５】
仮想三次元空間内でゴルフボールオブジェクトを打撃する時、前記ボールオブジェクトの回転方向を設定するために前記ボールの打点を決定する処理を実行する、ゴルフシミュレーションゲームを、制御部と入力部と表示部とを備えるゲーム装置の前記制御部に実行させるプログラムが記録された記憶媒体であって、
前記プログラムは、
前記ゴルフボールオブジェクトの回転方向を設定するためのダミーゴルフボールオブジェクトと、当該ダミーゴルフオブジェクト内に形成される打点オブジェクトと、当該打点オブジェクトの位置を変更させ得る範囲を限定する形状を持った領域と、を前記表示部に表示する第１の処理と、
前記入力部からの第１の入力情報に応じて前記ダミーゴルフボールオブジェクトの範囲内での前記領域の位置を決定する第２の処理と、
前記入力部から発せられる、前記第１の入力情報の後の第２の入力情報に応じて、前記位置が決定された前記領域内で前記打点オブジェクトを移動して当該打点オブジェクトの位置を決定する第３の処理と、
当該決定された前記打点オブジェクトの位置に打力を与えて前記ゴルフボールオブジェクトを前記仮想三次元空間内に打ち出す第４の処理と、
を前記制御部に実行させる、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
図１０は、操作部材２１の操作（傾斜）方向と、ダミーゴルフボール４１０へ付与した打点４１２の位置、並びに飛行方向が示されている。図１０において、４１４は打点を変更させ得る方向を示した細幅部である。アナログ操作キー２１を上または下に倒すと、ダミーゴルフボールの上下方向に前記細幅部４１４が形成される（（Ａ）、（Ｂ））、操作部材２１を左右に倒すと、ダミーゴルフボールの中心より左右方向にずれた細幅部４１４が形成される（（Ｃ），（Ｄ））。例えば、ダミーゴルフボールの右又は左の１／４を占有する形で形成される（（Ｅ））。アナログ操作キー２１を斜め方向に倒すと、左右方向への傾きが小さいので、細幅部４１４がダミーゴルフボール４１０の中心部分より少しずれた位置に形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
さらに既述のようにテイクバックの間、遊戯者はさらにアナログキーを前記細幅部が形成されている上下方向に倒すと、クラブがボールに当たる迄の間、打点を前記細幅部の領域中でアナログ操作キーを倒している方向に移動させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月20日(2007.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
挿入端にベース(１１)を有するスリーブ(１０)と、
前記ベース(１１)に連結されてなると共にそこから遠位端へと延在する本体(１３)であって、前記ベース(１１)と共に、第１の溝(１２)および第２の溝(１２)を形成している本体(１３)と、
前記溝間に形成された前記スリーブ(１０)の変形可能領域(１４)と、
前記第１の溝(１２)と前記第２の溝(１２)との間で、前記ベース(１１)の内部に配置された第一の爪(１８)と、を具備してなる器具であって、
前記第一の爪(１８)において前記変形可能領域(１４)を外側に変形させるよう、前記本体(１３)の外側から前記本体(１３)に向って半径方向内側に押圧力を加えた際、前記第一の爪(１８)を係合位置から解放するための手段(１６,６６,８６)をさらに具備してなることを特徴とする器具。
【請求項２】
前記ベース(１１)の内部に配置された複数の爪(２０)をさらに具備してなり、前記爪(２０)は、前記第一の爪(１８)と共に、スリーブ接続される物体の環状フランジ(２８)と係合するよう構成されていることを特徴とする請求項１に記載の器具。
【請求項３】
前記爪(１８,２０)は三角形の頂点を形成しており、一つの頂点は、前記溝(１２)間において、前記ベース(１１)上に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の器具。
【請求項４】
前記解放手段(１６,６６,８６)は、前記溝(１２)間で前記スリーブ(１０)に対して連結されてなると共に前記本体(１３)の前記遠位端に向って延在するアーム(１６)を具備してなることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の器具。
【請求項５】
前記アーム(１６)は前記ベース(１１)に隣接していることを特徴とする請求項４に記載の器具。
【請求項６】
前記アーム(１６)は前記第一の爪(１８)と概ね整列していることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の器具。
【請求項７】
前記アーム(１６)は、前記ベース(１１)に隣接する第１の端部において前記変形可能領域(１４)に対して連結されており、かつ、前記スリーブ(１０)に沿って前記ベース(１１)から、より離間した自由端を有することを特徴とする請求項４ないし請求項６のいずれか１項に記載の器具。
【請求項８】
前記アーム(１６)の前記自由端は、距離(４２)によって、前記本体(１３)から離間させられていることを特徴とする請求項７に記載の器具。
【請求項９】
前記アーム(１６)は厚み(４０)を具備してなると共に、前記距離は前記アーム(１６)の前記厚み(４０)よりも小さなものであることを特徴とする請求項８に記載の器具。
【請求項１０】
前記解放手段(１６,６６,８６)は、
前記ベース(１１)に隣接する前記溝間の剛い領域(６４)と、
前記剛い領域(６４)に隣接する溝間にあって、前記ベース(１１)から離間している柔軟領域(６６)と、を具備してなることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の器具。
【請求項１１】
前記解放手段(１６,６６,８６)は、前記本体(１３)内において前記溝(１２)間に配置されたピボット突出部(８６)を具備してなり、
前記ピボット突出部(８６)は、スリーブ接続される物体のハブ(２６)と当接するよう構成されており、前記溝(１２)間において前記ピボット突出部(８６)から離れて作用する押圧力によって、前記第一の爪(１８)が、スリーブ接続される物体の環状フランジ(２８)から離れる方向に平行移動させられるようになっていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の器具。
【請求項１２】
前記ベース(１１)と前記本体(１３)との間に段を形成するショルダー部を、さらに具備してなることを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の器具。
【請求項１３】
単一ユニットとして一体的に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項１２のいずれか１項に記載の器具。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月25日(2007.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  予め決められたより小さな直径のワイヤを提供するために、その末端に向かって前記ワイヤに沿って少なくとも予め決められた１個の位置で先細にされた、予め決められた直径の導電性の絶縁ワイヤに電気的に接続された、少なくとも１個の電極を含み、これによって中心に近い方の比較的太い主リードセグメントと比較的細い末端リードセグメントを与え、心臓洞のカテーテル挿入と特に選択された冠状小脈中への前記電極の配送を可能とする、末端及び中心に近い方の端部を有する脈管内リード。
【請求項２】  １個以上の導電性のワイヤが前記リードの製作のために使用される、請求項１に記載の脈管内リード。
【請求項３】  ４本の絶縁導電性ワイヤが前記リードの製作において使用される、請求項２に記載の脈管内リード。
【請求項４】  実質的に一定の直径の内腔が前記リードを通して保持され、前記リードの移植及び位置決めを補助するために、標準の又は先細の探り針を使用することを可能とする、請求項１、２、３のいずれか１項記載の脈管内リード。
【請求項５】  １個の４接続電気コネクタがその中心に近い方の端部に設けられている、請求項１に記載の脈管内リード。
【請求項６】  前記リードの前記末端部には、１個の４電極アレイが設けられている、請求項５に記載の脈管内リード。
【請求項７】  前記細いリードセグメントは、冠状静脈洞及び心臓の小脈のカテーテルに必要な予め決められた長さを有している、請求項１に記載の脈管内リード。
【請求項８】  前記リードの細いセグメントのワイヤ断面積の前記先細は、前記リードの太いセグメントの元の断面積から３０〜７０％の範囲内である、請求項１に記載の脈管内リード。
【請求項９】  前記中心に近い方の比較的太い主リードセグメント直径は、２〜（８／３）×１０-3ｍの大きさである、請求項１に記載の脈管内リード。
【請求項１０】  前記中心に近い方の比較的太いリードセグメント長は、３０〜４０ｃｍの間の大きさである、請求項１に記載の脈管内リード。
【請求項１１】  前記細い末端リードセグメント長は、５〜１０ｃｍの間の大きさである、請求項１に記載の脈管内リード。
【請求項１２】  前記中心に近い方の比較的太いセグメントは５〜２０Ωの間の抵抗を示す、請求項１に記載の脈管内リード。
【請求項１３】  前記末端の比較的細いリードセグメントは、１０〜４０Ωの間の抵抗を示す、請求項１に記載の脈管内リード。
【請求項１４】  前記リードの全インピーダンスは１５〜６０Ωの間である、請求項１に記載の脈管内リード。
【請求項１５】  前記絶縁された導電性ワイヤは前記リードの実質部分に沿ってコイル状とされている、請求項１に記載の脈管内リード。
【請求項１６】  前記絶縁された導電性ワイヤは、絶縁ジャケットで外部から被覆されている、請求項１に記載の脈管内リード。
【請求項１７】  実質的に一定の直径の内腔が前記リード内に保持されている、請求項１に記載の脈管内リード。
【請求項１８】  前記先細化は前記ワイヤ上の予め決められた遷移位置において、前記リードの製作において使用される前記ワイヤの直径の徐々の減少によって達成される、請求項１に記載の脈管内リード。
【請求項１９】  前記リードの先細化は、前記リードの製作においてフィラメントケーブルの使用によって達成され、前記フィラメントケーブルに沿った予め決められた位置において、前記ケーブルを形成するフィラメントワイヤの数が減少されている、請求項１に記載の脈管内リード。
【請求項２０】  前記リードは、前記リードに沿った数カ所で先細とされている、請求項１に記載の脈管内リード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
冠状静脈中に位置されるべき電極の脈管内配送のための長期間移植可能なリードは、さらに小さな小脈の効果的なカテーテル挿入を可能とするために、小さな直径（通常の大きさ＜（４／３）×１０-3ｍ）でなければならない。
更に、脈管内又は心臓内長期移植のためのリードは、それらが晒されている過酷な循環負荷状態（ｈａｒａｓｈ  ｃｙｃｌｉｃ  ｌｏａｄｉｎｇ  ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ）に耐えられる様に十分に柔軟でなければならない。この理由のために、これらのリードは通常、リードに望ましい機械的特性を与える一個又はそれ以上のワイヤコイルによって製作される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
例えば、平行コイルを形成するＭＰ３５Ｎ被覆ワイヤを有する長さが２０ｃｍで１〜（４／３）×１０-3ｍ幅の従来の４極リードは、１５０Ω〜２００Ωの範囲の端子−電極間抵抗値を有している。同時に、電気的筋肉制御のための典型的な電極は、約１５０Ωのイオン伝導インピーダンスを有している。この様に、ワイヤ抵抗は、組織に配送されるエネルギーの半分にも及ぶエネルギー損失を計上する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図２は、心臓の冠状静脈（ｃｏｒｏｎａｒｙ  ｖｅｉｎｓ）における本発明の同じ典型的な実施形態の使用方法を図示する。図示するように、リードの、典型的に２〜（８／３）×１０-3ｍの直径を有する太いセグメント（２）は、移植可能な装置から静脈中を右心房（５）まで全行程に渡って延びている。この太いリードセグメント（２）は３０〜４０ｃｍの長さを有し、移植可能装置の適正な位置決めを可能とし、同様に、予め決められた位置からの電極の転移（ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ）を伴わないで、置換（ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ）、回転（ｒｏｔａｔｉｏｎ）及び成長（ｇｒｏｕｗｔｈ）に適応するための十分な「ゆるみ」有する。一方、細い、末端のセグメント（３）は、冠状静脈のカテーテル挿入を可能とするために、５〜１０ｃｍのみの長さを持つことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月17日(2006.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素(25)のアレイ(24)により構成された感光性領域を有する撮像装置(22)において、
各画素が、
前記画素への入射光の強度に応じた光信号を発生する光センサ(36)であって、前記入射光の強度が対象シーンからの放射輝度に対応することからなる、光センサと、
前記光センサの可変長露光時間の関数として時間依存性信号を形成する為に前記光センサに動作可能に接続されたコンバータ(38,40,68,78)であって、前記可変長露光時間が、前記光信号の大きさとの数学的関係に基づいた継続時間長を有し、これにより前記時間依存性信号が、前記入射光の強度を表わすことからなる、コンバータ
を備えることからなる、撮像装置。
【請求項２】
前記光信号が、アナログ信号であり、前記コンバータ（３８、４０、６８、７８）が、前記アナログ光信号を受信するように接続されて、前記時間依存性信号をデジタル形式で生成する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記コンバータ（３８、４０、６８、７８）が、前記可変長露光時間の前記継続時間長を、前記入射光により発生した事前選択された電圧降下の検出に基づいて決定する為の回路（３８）を備える、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記コンバータ（３８、４０、６８、７８）が、積分信号を基準信号と比較する為に前記光センサに電気的に結合した比較器（３８）を備え、前記回路は、前記積分信号の大きさが前記基準信号の大きさと等しくなったときに終了信号を発生し、前記積分信号は、前記光信号の大きさにより規定される変化速度を有することからなる、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項５】
前記時間依存性信号のデジタル値のビットを記憶する為に前記コンバータに接続された複数のメモリセル（８２、８４）を更に含み、前記メモリセルが、対応する双方向ビットライン（７８）に電気的に結合しており、前記対応する双方向ビットラインの各々が、前記メモリセルの１つからのデータを伝送し、かつ、該メモリセルの１つへとデータを伝送するように構成されることからなる、請求項１乃至４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
対象シーンの撮像方法において、
イメージセンサ（２２）の画素領域（２５）においてアナログ形式で光信号を生成するステップ（１４８）であって、前記光信号が、前記画素領域で検出された入射光の強度に応じたものであることからなる、ステップと、
前記入射光の強度を判定する為に露光時間の継続時間を測定するステップ（１５０）であって、前記露光時間が、前記光信号の大きさに依存して可変であることからなる、ステップと、
前記露光時間の継続時間をデジタルデータとしてデジタル化するステップ（１５２）であって、前記デジタルデータを前記イメージセンサのメモリ（４０）に記憶するステップ（１５４）を含むステップ
を含む、方法。
【請求項７】
前記露光時間の前記継続時間長を測定する前記ステップ（１５０）が、消失しうる露光信号の変化をモニターするステップを含み、前記変化が、前記光信号の大きさに依存する減少速度（図２の３つの線、１６、１８及び２０で示す）を有することからなる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記露光信号の変化をモニターする前記ステップが、前記露光信号を基準信号と比較するステップを含み、前記基準信号が、前記露光時間の終了を規定するために前記露光信号のしきい値として機能することからなる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記露光時間の前記継続時間長をデジタル化する前記ステップ（１５２）が、複数のデュアルポートメモリセル（８２、８４）及び関連する双方向ビットライン（７８）を使用することを含み、前記双方向ビットラインの各々が、前記デュアルポートメモリセルの１つからのデータを伝送し、かつ、該デュアルポートメモリセルの１つへとデータを伝送するように構成されることからなる、請求項６乃至８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記露光時間の前記継続時間長をデジタル化する前記ステップ（１５２）が、前記露光時間の前記継続時間長をデジタル化する前記ステップを、前記画素領域（２５）内で実行することを含む、請求項６乃至９のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月17日(2006.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法、表示装置の作製方法、および発光装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に金属層を形成し、
前記金属層上に酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に水素を含み非晶質構造を有する半導体膜を形成し、
水素を拡散する加熱処理を行い、
前記半導体膜を一部に有する複数の薄膜トランジスタを含む素子形成層を形成し、
前記素子形成層と接して第１の接着層を形成し、前記第１の接着層に第２の基板を接着させ、
前記第１の基板および前記金属層を前記素子形成層から物理的手段で分離し、分離により露出した前記素子形成層の面に第１のフッ素系樹脂を含む膜を形成し、
前記第１のフッ素系樹脂を含む膜と接して第２の接着層を形成し、前記第２の接着層に第３の基板を接着させ、
前記第１の接着層および前記第２の基板を前記素子形成層から分離し、分離により露出した前記素子形成層の面に第２のフッ素系樹脂を含む膜を形成し、
前記第２の接着層および前記第３の基板を前記素子形成層から分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板上に金属層を形成し、
前記金属層上にスパッタリング法によって酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に水素を含み非晶質構造を有する半導体膜を形成し、
水素を拡散する加熱処理を行い、
前記半導体膜を一部に有する複数の薄膜トランジスタを含む素子形成層を形成し、
前記素子形成層と接して第１の接着層を形成し、前記第１の接着層に第２の基板を接着させ、
前記第１の基板および前記金属層を前記素子形成層から物理的手段で分離し、分離により露出した前記素子形成層の面に第１のフッ素系樹脂を含む膜を形成し、
前記第１のフッ素系樹脂を含む膜と接して第２の接着層を形成し、前記第２の接着層に第３の基板を接着させ、
前記第１の接着層および前記第２の基板を前記素子形成層から分離し、分離により露出した前記素子形成層の面に第２のフッ素系樹脂を含む膜を形成し、
前記第２の接着層および前記第３の基板を前記素子形成層から分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の接着層および前記第２の接着層は、光照射により接着性が弱まる材料、または水溶性の材料を用いたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記酸化物層の膜応力と前記金属層の膜応力が異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記加熱処理は、水素の拡散工程と前記半導体膜の結晶化工程を兼ねることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記第１のフッ素系樹脂を含む膜及び前記第２のフッ素系樹脂を含む膜は、スパッタリング法またはスピンコート法によって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記第１のフッ素系樹脂を含む膜及び前記第２のフッ素系樹脂を含む膜は、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、ポリビニルフルオライド、またはポリビニリデンフルオライドを用いて形成されたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記第１のフッ素系樹脂を含む膜及び前記第２のフッ素系樹脂を含む膜は、ポリテトラフルオロエチレンを用いて形成され、ＣＦ、ＣＦ２、及びＣＦ３のうち、ＣＦ２が最も多く含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記金属層は、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、またはＰｔを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の半導体装置の作製方法を用いたことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の半導体装置の作製方法を用いたことを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月30日(2006.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品との組合わせに於て、
電子部品に接続されたポスト部品；
ポスト部品と接続され、第一の平面化された表面を有するビーム部品；及び
ポスト部品とビーム部品とを接合しているシード層
を有し、
シード層は、ビーム部品におけるポスト部品が接合された面の略全面に形成され；
ポスト部品は、ビーム部品と別個に構成された、
接触要素。
【請求項２】
ビーム部品が第二の平面化された表面を有する、請求項１の接触要素。
【請求項３】
ポスト部品及びビーム部品の中の第一のものの上に堆積され且つこれに対し一体的に接続されたシード層を更に含む、請求項１の接触要素。
【請求項４】
シード層の上に堆積され且つこれに対し一体的に接続されたポスト部品及びビーム部品の中の第二のものを更に含む、請求項３の接触要素。
【請求項５】
シード層がシード材料の多数の層を有することを更に含む請求項３の接触要素。
【請求項６】
ポスト部品がビーム部品に対し直接又は間接に接続される平面化された表面を有することを更に含む、請求項１の接触要素。
【請求項７】
ビーム部品が第一の平面状表面を有し、その一部がポスト部品に対し直接又は間接に接続されることを更に含む請求項１の接触要素。
【請求項８】
ビーム部品が第一の平面化された表面を有し、これはポスト部品に対し直接又は間接にその一部が接続される第二の表面に対し対向していることを更に含む請求項１の接触要素。
【請求項９】
ビーム部品がポスト部品に対しビーム部品とポスト部品との間の一又はより多くのめっきされた層を通して接合されていることを更に含む、請求項１の接触要素。
【請求項１０】
チップ構造部品がビーム部品に対し、ビーム部品とチップ構造部品との間の一又はより多くのめっきされた層を通して接合されていることを更に含む請求項１の接触要素。
【請求項１１】
ビーム部品が細長く、一端部及び反対端部を有し、且つポスト部品がビーム部品の一端部に対して接合されている、請求項１の接触要素。
【請求項１２】
ビーム部品の反対端部に対し接合されたチップ部品を更に含む請求項１１の接触要素。
【請求項１３】
ビーム部品が一つの表面と反対側の表面とを有し、ポスト部品がビーム部品の一つの表面に対し接合され、且つチップ部品がビーム部品の反対側の表面に対し接合されている、請求項１２の接触要素。
【請求項１４】
ビーム部品の一つの表面が平面化されている請求項１３の接触要素。
【請求項１５】
ポスト部品が電子部品に対し接合されている請求項１の接触要素。
【請求項１６】
電子部品との組合わせに於て、
チップ構造部品；
ビーム部品；及び
チップ構造部品とビーム部品を接合しているシード層
を有し、
ビーム部品が第一の平面化された表面を有し；
シード層は、ビーム部品におけるチップ構造部品が接合された面の略全面に形成された、
接触要素。
【請求項１７】
ビーム部品が第二の平面化された表面を有する、請求項１６の接触要素。
【請求項１８】
チップ構造部品及びビーム部品の中の第一のものの上に堆積され且つこれに対し一体的に接続された導電性材料の層を更に含む、請求項１６の接触要素。
【請求項１９】
チップ構造部品及びビーム部品の中の第二のものが導電性材料の層に対し堆積され且つこれに対して一体的に接続されていることを更に含む、請求項１８の接触要素。
【請求項２０】
導電性材料の層がシード層であることを更に含む、請求項１８の接触要素。
【請求項２１】
導電性材料の層が導電性材料の多数層を有することを更に含む請求項１８の接触要素。
【請求項２２】
チップ構造部品がビーム部品に対し直接又は間接に接続されている平面化された表面を有することを更に含む請求項１６の接触要素。
【請求項２３】
ビーム部品が第一の平面状表面を有し、その一部がチップ構造部品に対し直接又は間接に接続されていることを更に含む、請求項１６の接触要素。
【請求項２４】
ビーム部品が第一の平面化された表面を有し、これはその第二の表面に対し対向しており、第二の表面の一部はチップ構造部品に対して直接又は間接に接続されていることを更に含む、請求項１６の接触要素。
【請求項２５】
ビーム部品がチップ構造部品に対しビーム部品とチップ構造部品との間の一又はより多くのめっきされた層を通して接合されている、請求項１６の接触要素。
【請求項２６】
ポスト部品がビーム部品に対しビーム部品とポスト部品との間の一又はより多くのめっきされた層を通して接合されていることを更に含む、請求項１６の接触要素。
【請求項２７】
基板上に複数のマスク材料層を連続的にパターン化し、各マスク材料層は開口を有し；
各パターン化ステップの後に導電性材料を堆積して、
基板に対して接合され且つ第一のマスク材料層内の開口中に形成されたポスト部品と、
第一の場所に於てポスト部品に対し結合され且つポスト部品から延び且つ第二のマスク材料層内の開口中に形成されたビーム部品と、
第二の場所に於てビーム部品に対し結合され且つポスト部品に対向するチップ部品と、を有する、
接触要素を形成し；
導電性材料を堆積するステップの前に、シード材料を第二のマスク材料の区域の略全部にシードし；
複数のマスク材料層を除去すること：
を含む接触要素の形成方法。
【請求項２８】
前記チップ部品が第三のマスク材料層内の開口中に形成される、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
導電性材料を堆積した後に導電性材料及び第一のマスク材料層の表面を平面化することを更に含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
導電性材料を堆積した後に導電性材料及び第二のマスク材料層の表面を平面化することを更に含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
シード材料が導電性材料の隣接する層を接合することに貢献する請求項２７に記載の方法。
【請求項３２】
基板が電子部品であり、且つポスト部品が基板上の接点に対し結合される請求項２７に記載の方法。
【請求項３３】
第一の基板上に複数のマスク材料層を連続的にパターン化し、各マスク材料層は開口を有し；
各パターン化ステップの後に導電性材料を堆積して、
基板に対して接合され且つ第一のマスク材料層内の開口中に形成されたポスト部品と、
第一の場所に於てポスト部品に対し結合され且つポスト部品から延び且つ第二のマスク材料層内の開口中に形成されたビーム部品とを有する、
接触要素を形成し；
導電性材料を堆積するステップの前に、シード材料を第二のマスク材料の区域の略全部にシードし；
複数のマスク材料層を除去し；
接触要素を第一の基板から除去し；及び
接触要素を第二の基板に対し取付けること：
を含む接触要素の形成方法。