【手続補正書】
【提出日】平成18年12月28日(2006.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理室と、
前記プラズマ処理室内に配置される載置台と、
前記載置台上に形成され、被処理基板をその上に載置する静電チャックと、
前記被処理基板の外周縁部から間隔を設けて前記被処理基板の周囲を囲むように配置されたリング部材と、
前記被処理基板及び前記リング部材の下側に位置するように配置された下側リング部材と、
を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理装置であって、
前記被処理基板の単位面積あたりのインピーダンスに対する、前記リング部材の単位面積あたりのインピーダンスの比は、約５以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２記載のプラズマ処理装置であって、
前記被処理基板の単位面積あたりのインピーダンスに対する、前記リング部材の単位面積あたりのインピーダンスの比は、約３以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項３記載のプラズマ処理装置であって、
前記被処理基板の単位面積あたりのインピーダンスに対する、前記リング部材の単位面積あたりのインピーダンスの比は、約１．５以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、
前記リング部材を構成する材料は、前記被処理基板と実質的にインピーダンスが同一の材料であり、
前記リング部材の厚さは、前記被処理基板の厚さの約５倍以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、
前記リング部材を構成する材料は、前記被処理基板と同一の材料であり、
前記リング部材の厚さは、前記被処理基板の厚さの約５倍以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項６記載のプラズマ処理装置であって、
前記被処理基板は、厚さ約０．８ｍｍのシリコン製の半導体ウエハであり、
前記リング部材は、厚さ約４ｍｍ以下のシリコン製部材から構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項６記載のプラズマ処理装置であって、
前記被処理基板は、シリコン製の半導体ウエハであり、
前記リング部材は、前記半導体ウエハと略同じ厚さのシリコン製部材から構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項９】
請求項１記載のプラズマ処理装置であって、
前記リング部材は、ＳｉＣ、又は表面に溶射膜が形成されたアルミニウム、又は石英、又はセラミックスから構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項１記載のプラズマ処理装置であって、
前記載置台は、導電性の下部電極を有し、
前記リング部材は、前記下部電極表面に溶射によって形成されたものであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１１】
請求項１記載のプラズマ処理装置であって、
前記下側リング部材は、前記プラズマ処理室内に形成されたプラズマから前記載置台を保護することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１２】
プラズマ処理室と、
前記プラズマ処理室内に配置される載置台と、
前記載置台上に形成され、被処理基板をその上に載置する静電チャックと、
前記被処理基板の外周縁部から間隔を設けて前記被処理基板の周囲を囲むように配置されたリング部材とを有し、
前記静電チャックは、前記被処理基板及び前記リング部材の下側に位置するように配置されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１３】
プラズマ処理室と
前記プラズマ処理室内に配置され、被処理基板が載置される載置台と、
前記被処理基板の外周縁部から間隔を設けて前記被処理基板の周囲を囲むように配置されたリング部材とを有し、
前記被処理基板の単位面積あたりのインピーダンスに対する、前記リング部材の単位面積あたりのインピーダンスの比は、約５以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１４】
プラズマ処理装置のプラズマ処理室内に配置された載置台上に、被処理基板の周囲を囲むように設けられたフォーカスリングであって、
前記被処理基板の外周縁部から間隔を設けて前記被処理基板の周囲を囲むように配置されたリング部材と、
前記被処理基板及び前記リング部材の下側に位置するように配置された下側リング部材とから構成されていることを特徴とするフォーカスリング。
【請求項１５】
請求項１４記載のフォーカスリングであって、
前記被処理基板の単位面積あたりのインピーダンスに対する、前記リング部材の単位面積あたりのインピーダンスの比は、約５以下であることを特徴とするフォーカスリング。
【請求項１６】
請求項１４記載のフォーカスリングであって、
前記リング部材を構成する材料は、前記被処理基板と実質的にインピーダンスが同一の材料であり、
前記リング部材の厚さは、前記被処理基板の厚さの約５倍以下であることを特徴とするフォーカスリング。
【請求項１７】
請求項１４記載のフォーカスリングであって、
前記リング部材を構成する材料は、前記被処理基板と同一の材料であり、
前記リング部材の厚さは、前記被処理基板の厚さの約５倍以下であることを特徴とするフォーカスリング。
【請求項１８】
請求項１４記載のフォーカスリングであって、
前記リング部材は、ＳｉＣ、又は表面に溶射膜が形成されたアルミニウム、又は石英、又はセラミックスから構成されていることを特徴とするフォーカスリング。
【請求項１９】
請求項１４記載のフォーカスリングであって、
前記リング部材は、導電性の下部電極表面に溶射により形成されたものであることを特徴とするフォーカスリング。
【請求項２０】
プラズマ処理装置のプラズマ処理室内に配置された載置台上に、被処理基板の周囲を囲むように設けられたフォーカスリングであって、
前記被処理基板の周囲を囲むように配置されたリング部材からなり、
前記被処理基板の単位面積あたりのインピーダンスに対する、前記リング部材の単位面積あたりのインピーダンスの比は、約５以下であることを特徴とするフォーカスリング。
【請求項２１】
請求項１記載のプラズマ処理装置であって、
前記リング部材は、前記載置台の直上に配置されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２２】
請求項２１記載のプラズマ処理装置であって、
前記下側リング部材は、その全体が前記被処理基板の外周部および前記リング部材の内周部の下側に位置することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２３】
請求項１２記載のプラズマ処理装置であって、
前記載置台の上面は全て、前記静電チャックにより覆われることを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項１の発明は、プラズマ処理室と、前記プラズマ処理室内に配置される載置台と、前記載置台上に形成され、被処理基板をその上に載置する静電チャックと、前記被処理基板の外周縁部から間隔を設けて前記被処理基板の周囲を囲むように配置されたリング部材と、前記被処理基板及び前記リング部材の下側に位置するように配置された下側リング部材と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項１２の発明は、プラズマ処理室と、前記プラズマ処理室内に配置される載置台と、前記載置台上に形成され、被処理基板をその上に載置する静電チャックと、前記被処理基板の外周縁部から間隔を設けて前記被処理基板の周囲を囲むように配置されたリング部材とを有し、前記静電チャックは、前記被処理基板及び前記リング部材の下側に位置するように配置されることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
請求項２０の発明は、プラズマ処理装置のプラズマ処理室内に配置された載置台上に、被処理基板の周囲を囲むように設けられたフォーカスリングであって、前記被処理基板の周囲を囲むように配置されたリング部材からなり、前記被処理基板の単位面積あたりのインピーダンスに対する、前記リング部材の単位面積あたりのインピーダンスの比は、約５以下であることを特徴とする。
請求項２１の発明は、請求項１記載のプラズマ処理装置であって、前記リング部材は、前記載置台の直上に配置されることを特徴とする。
請求項２２の発明は、請求項２１記載のプラズマ処理装置であって、前記下側リング部材は、その全体が前記被処理基板の外周部および前記リング部材の内周部の下側に位置することを特徴とする。
請求項２３の発明は、請求項１２記載のプラズマ処理装置であって、前記載置台の上面は全て、前記静電チャックにより覆われることを特徴とする。