Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月1日(2007.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドアの後面を形成し、且つ外面に凹陥した少なくとも一つのスロットが水平方向に長く形成されたドアライナーと、
前記スロットに対応して前記ドアライナーの裏面に設けられたスロット対応突部を断熱層形成のための発泡圧から保護するスロット保護具と、
内部に収納空間が設けられ、且つ前記スロットに嵌挿でき且つ左右に摺動する構成の少なくとも一つの取り付け突起が設けられたドアバスケットとを含むことを特徴する冷蔵庫用ドアバスケットの取り付け構造体。
【請求項２】
前記スロット保護具は、前記ドアライナーの内面から所定間隔を置いた位置に設けられ且つ前記スロット対応突部の先端に隣接するカバー本体と、
前記カバー本体の一側から前記スロット対応突部に向って突出し且つ前記スロット対応突部の上下面形状に対応する形状を有する一対の上下端カバー部とを含むことを特徴する請求項１に記載の冷蔵庫用ドアバスケットの取り付け構造体。
【請求項３】
前記スロットは入口部が内部に比べて相対的に幅狭く形成され、且つ前記上下端カバー部のうちのいずれかの先端は、前記スロットの入口部に対応して前記スロット対応突部の基底部に向って所定角度で傾斜し且つ前記スロット対応突部に密着する構成の傾斜カバー部を含むことを特徴する請求項２に記載の冷蔵庫用ドアバスケットの取り付け構造体。
【請求項４】
前記スロット対応突部が前記上下端カバー部間に嵌挿されることにより、前記スロット保護具が前記ドアライナーの内面に仮固定されることを特徴する請求項２に記載の冷蔵庫用ドアバスケットの取り付け構造体。
【請求項５】
前記スロット保護具の一側は、前記ドアの内部の断熱のために注入される発泡液を前記ドアライナーとスロット保護具との間に形成された空間に流動可能にする複数の発泡孔を含むことを特徴する請求項２に記載の冷蔵庫用ドアバスケットの取り付け構造体。
【請求項６】
前記スロット保護具は、前記上下端カバー部が形成された面と反対の面に補強リブを有することを特徴する請求項２に記載の冷蔵庫用ドアバスケットの取り付け構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の目的を達成するため、本発明による冷蔵庫用ドアバスケットの取り付け構造体においては、ドアの後面を形成し、且つ外面に凹陥した少なくとも一つのスロットが左右即ちドアを横切る水平方向に長く形成されたドアライナーと、前記ドアライナーの裏面に設けられた少なくとも一つの前記スロットに対応するスロット対応突部を取り囲むように設けられたスロットカバー、即ちスロット保護具と、前記スロットに嵌挿でき且つ左右に摺動するように構成された少なくとも一つの取り付け突起が設けられたドアバスケットとを含むことを特徴する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記スロット保護具は、前記ドアライナーの裏面後方に上下に設けられ、前記スロット対応突部の端部に密着する構成のカバー本体と、前記カバー本体の一側から前方に突出し且つ前記スロット対応突部の上下面にそれぞれ密着する構成の一対の上下端カバー部とを含んでよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記スロット対応突部が前記上下端カバー部間に嵌挿されることにより、前記スロット保護具が前記ドアの裏面に固定される構成であることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
前記スロット保護具の一側は、前記ドアの内部断熱のために注入される発泡液を前記ドアライナーとスロット保護具との間に形成された空間に流動可能にする複数の発泡孔を有することが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
前記スロット保護具は、前記上下端カバー部が形成された面と反対の面に補強リブを有することが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
更に、本発明による冷蔵庫用ドアバスケットの取り付け構造によれば、ドアの製造過程でドアライナーに設けられたスロットの形状の変形を防止するために、スロット保護具を使用している。これにより、断熱層の形成過程でスロットが変形することを防止し、不良発生が無くなる効果がある。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明では、ドアライナーに形成されたスロットの変形がスロット保護具により防止されるため、ドアライナーの厚さを設計可能な最小値にすることができ、ドアの製造コストを低減する効果がある。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図３は、本発明による冷蔵庫用ドアバスケットの取り付け構造の好ましい実施例を示す正面図であり、図４は、本発明の実施例による構成を示す断面図であり、図５は、本発明の実施例を構成するスロットカバー、即ちスロット保護具４５を示す断面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月15日(2007.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
打撃機構に設けられた少なくとも２つの機械部分（１０，１１，１２）を結合するための装置であって、機械部分（１０，１１，１２）が孔（１４，１５）を有しており、該孔（１４，１５）内に、締付けエレメント（１６）、特に締付けボルトまたは締付けねじが収容されており、該締付けエレメント（１６）が、少なくとも一方の端部で機械部分（１１）にねじ山結合部（１３，１８）を介して螺合されており、かつ両端部間に、少なくとも１つの、振動を減衰する材料から成っていて鍔（１９）として形成された保持または支持部分を有しており、該保持または支持部分が圧縮応力下で孔（１５）と締付けエレメント外周との間の環状領域に当付けられる形式のものにおいて、鍔（１９）が縦軸線の方向で、孔に対して間隔を置いた少なくとも１つの外周領域（２３，２９）を有していることを特徴とする、打撃機構に設けられた少なくとも２つの機械部分を結合するための装置。
【請求項２】
鍔が、複数の、互いに間隔を置いていて、環状、螺旋状または縦軸方向に延びる突起（２４，２６）を有しており、該突起（２４，２６）の外周面が圧縮応力下で孔周面（２５）に当付けられる、かつ／または突起（２４，２６）が孔直径に対して０．２ｍｍ〜１．５ｍｍ、有利には０．５ｍｍ〜１ｍｍの締めしろを有しており、かつ鍔の、突起（２４，２６）に隣接する周面の外径が０．２ｍｍ〜１．５ｍｍ、有利には０．５ｍｍ〜１ｍｍの分だけ孔直径よりも小さい、請求項１記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記課題を解決した本発明の構成によれば、鍔が縦軸線の方向で、孔に対して間隔を置いた少なくとも１つの外周領域を有しているようにした。
本発明の有利な構成では、鍔が、複数の、互いに間隔を置いていて、環状、螺旋状または縦軸方向に延びる突起を有しており、該突起の外周面が圧縮応力下で孔周面に当付けられる、かつ／または突起が孔直径に対して０．２ｍｍ〜１．５ｍｍ、有利には０．５ｍｍ〜１ｍｍの締めしろを有しており、かつ鍔の、突起に隣接する周面の外径が０．２ｍｍ〜１．５ｍｍ、有利には０．５ｍｍ〜１ｍｍの分だけ孔直径よりも小さい。
本発明の別の有利な構成では、鍔が、少なくとも部分的に円錐形に形成された外周を有しており、該外周が、弛緩された状態では、縦軸方向の部分領域でのみ、孔に対する締めしろを有している、かつ／または鍔が３ｍｍ〜８ｍｍ、有利には４ｍｍ〜６ｍｍの幅（すなわち肉厚）を有している。
本発明のさらに別の有利な構成では、鍔の、締付けエレメントにおける軸方向での位置によりかつ／または異なる孔直径により、締付けエレメントの組付け時に、締付けエレメントが機械部分の受容孔のねじ山に係入して初めて、鍔により生ぜしめられる圧縮応力が効力を発する。
本発明のさらに別の有利な構成では、突起、または鍔の、圧縮応力下で孔内に当付けられる部分面が、横断面で見て円形または多角形の外周プロファイルを有している、かつ／または締付けエレメントが、一方の端部に雄ねじ山を、対向して位置する端部にねじ頭を有している。
本発明のさらに別の有利な構成では、鍔が縦軸線の方向で、ウェッジ形に形成された周面を有しており、ねじ山を備えた締付けエレメント端部からの間隔が増すにつれ、周面の直径が拡大する。
本発明のさらに別の有利な構成では、さらに別の鍔が設けられており、該鍔が、機械部分を緊締した状態において、機械部分と締付けエレメント端部との間のねじ山結合部に対して有利には５ｍｍ〜３０ｍｍの間隔を置いている、かつ／またはボルト頭またはねじ頭に対して有利には５ｍｍ〜３０ｍｍの間隔を置いて、付加的な鍔が配置されており、その際、有利には少なくとも１つの鍔がポリウレタン、さらに有利には８５〜９５のショアＡ硬度を有するポリウレタンから成る。
本発明のさらに別の有利な構成では、締付けエレメントのねじ山が、ノッチ効果を減じるために、丸ねじ山として形成されている。
本発明のさらに別の有利な構成では、互いに結合された機械部分の孔の直径が飛躍的に締付けエレメントの導入方向で、有利にはパーティングラインの領域で減少し、かつ鍔がこの領域に位置するので、結合された機械部分が付加的に回動に抗して保持される。
本発明のさらに別の有利な構成では、機械部分の受容ねじ山に、螺旋の形状をした、有利には実質的に菱形の横断面を有するワイヤから成るねじ山インサートがはめ込まれており、該ねじ山インサートに、締付けエレメントのねじ山が係入し、その際有利にはねじ山面、特に受容ねじ山面、および／またはねじ山インサートの面が被覆されている、さらに有利にはアルミニウム合金または銀合金で被覆されている。
本発明のさらに別の有利な構成では、機械部分の受容ねじ山が、締付けエレメントを挿入した際に、両側で締付けエレメントのねじ山を越えて突出する、かつ／または締付けエレメントのセンタリングのために、締付けエレメントの頭に面した円錐形の内周領域を備えた座金が使用され、該内周領域の円錐角の大きさが、締付けエレメント頭の下端に設けられた、傾斜した外周面の円錐角の大きさに等しい。
本発明のさらに別の有利な構成では、座金のセンタリングのために、座金が、機械部分に面した側に、環状の付設部を有しており、該付設部の外径が孔の内径に相当する、かつ／または座金のセンタリングのために、機械部分が孔に切欠きを有しており、該切欠きの内径が座金の外径に相当し、かつそれにより座金がほぼ遊びなしに切欠き内にはめ込まれることができる、かつ／または座金のセンタリングのために、座金の外周面が機械部分に向かって円錐形の領域を有しており、該領域の円錐角が、機械部分の孔に設けられた、傾斜した受容面の円錐角に等しい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月20日(2006.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
筒状部材である内筒と、内筒よりも大きな基本径を持つ外筒と、内筒と外筒の間に配置され両筒を結合する弾性体とを有するブッシュを含み、
前記外筒の基本径よりも小さく、且つ、ブッシュの内筒内に軸部が挿通されるボルトの頭部の径よりも小さい径が、前記外筒における前記ボルトの頭部側端部の少なくとも一部に付与されていることを特徴とする、ブッシュ構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明のその他の一局面によれば、筒状部材である内筒と、内筒よりも大きな基本径を持つ外筒と、内筒と外筒の間に配置され両筒を結合する弾性体とを有するブッシュを含み、
前記外筒の基本径よりも小さく、且つ、ブッシュの内筒内に軸部が挿通されるボルトの頭部の径よりも小さい径が、前記外筒における前記ボルトの頭部側端部の少なくとも一部に付与されていることを特徴とする、ブッシュ構造が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月18日(2007.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  研磨工具の工具軸中心線の方向に荷重を加え、前記研磨工具を被加工物表面の各加工点において揺動運動をさせて被加工物を研磨する研磨方法であって、前記研磨工具が各加工点において移動する平面を仮想工具面とし、該仮想工具面に予め定めておいた複数の点を被加工物の表面に合わせた状態における前記仮想工具面の面法線を前記加工点における前記研磨工具の工具軸中心線として研磨することを特徴とする研磨方法。
【請求項２】  前記複数の点は、前記仮想工具面の外周と工具が走査する方向の中心軸とが交わる点、及び前記仮想工具面の外周と前記走査する方向と直交する方向の中心軸とが交わる点であることを特徴とする請求項１記載の研磨方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係わる研磨方法は、研磨工具の工具軸中心線の方向に荷重を加え、前記研磨工具を被加工物表面の各加工点において揺動運動をさせて被加工物を研磨する研磨方法であって、前記研磨工具が各加工点において移動する平面を仮想工具面とし、該仮想工具面に予め定めておいた複数の点を被加工物の表面に合わせた状態における前記仮想工具面の面法線を前記加工点における前記研磨工具の工具軸中心線として研磨することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月24日(2007.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置の上部に配置された液分配器と装置の下部に配置された液集合器との間において多数の流路を区画する内部構造を有し、気体と液体間の物質移動、熱交換または混合を行なう装置において、
該内部構造を構成する規則充填体であって、複数の充填体構成要素からなり、各充填体構成要素は、装置の内壁および隣り合う充填体構成要素と非接触状態で互いに平行に垂直方向に延長する規則充填体と、
該液分配器と該規則充填体を連結し、該液分配器から液体を該規則充填体に供給する複数のアダプターと、
該液集合器と該規則充填体を連結し、該規則充填体からの液体を該液集合器に供給する複数のコレクターとを備えることを特徴とする物質移動等を行なう装置内の気液接触機構。
【請求項２】
該充填体構成要素は糸状および帯状のいずれかの形状を有し、該アダプターは該充填体構成要素と一体的に形成されており、１または複数の該アダプターが他のアダプターから分岐することなく該液分配器に直接連結されていることを特徴とする請求項１記載の気液接触機構。
【請求項３】
該液分配器は１または複数のトラフ状の形状を有するものであり、該充填体構成要素はシート状の形状を有し、該アダプターは該充填体構成要素と一体的に形成されており、１または複数の該アダプターが他のアダプターから分岐することなく該トラフ状の液分配器に直接連結されていることを特徴とする請求項１記載の気液接触機構。
【請求項４】
該液分配器は１または複数の管状の形状を有するものであり、該充填体構成要素は全体としてシート状の形状を有し、該アダプターは該シート状の充填体構成要素がその上端部において上下方向に複数の部分に裁断されることにより形成されており、複数の該裁断された部分が集合して該管状の液分配器の内部に保持されていることを特徴とする請求項１記載の気液接触機構。
【請求項５】
該規則充填体は、さらに、該複数の充填体構成要素と交差するようにして水平方向に延長し所定間隔で配置された複数の長い部材からなるスペーサを備え、該スペーサは該充填体構成要素との交差点において該充填体構成要素に固定されることによって隣り合う該充填体構成要素間に所定の間隔を維持させることを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の気液接触機構。
【請求項６】
該充填体構成要素はそれぞれ平板状のシートと波状のシートを重ね合わせた形状を有し、該波状のシートが隣り合う充填体構成要素との間に所定の間隔を維持するスペーサとして機能することを特徴とする請求項１記載の気液接触機構。
【請求項７】
該充填体構成要素はそれぞれ平板状シートと横断面が円弧状のシートが一体的に織られた織物であり、該断面円弧状のシートが隣り合う充填体構成要素との間に所定の間隔を維持するスペーサとして機能することを特徴とする請求項１記載の気液接触機構。
【請求項８】
該充填体構成要素は折れ線状の糸状の形状を有することを特徴とする請求項１または２記載の気液接触機構。
【請求項９】
該充填体構成要素はらせん状の糸状の形状を有することを特徴とする請求項１または２記載の気液接触機構。
【請求項１０】
該充填体構成要素は折れ線状の帯状の形状を有することを特徴とする請求項１または２記載の気液接触機構。
【請求項１１】
該充填体構成要素はらせん状の帯状の形状を有することを特徴とする請求項１または２記載の気液接触機構。
【請求項１２】
装置の上部に配置された液分配器と装置の下部に配置された液集合器との間において多数の流路を区画する規則充填体を有し、気体と液体間の物質移動、熱交換または混合を行なう装置において、該液分配器と該規則充填体を連結し、該液分配器から液体を該規則充填体に供給するアダプターであって、他のアダプターから分岐することなく他のアダプターとは独立に該液分配器に直接連結されることを特徴とする液体供給用アダプター。
【請求項１３】
装置の上部に配置された液分配器と装置の下部に配置された液集合器との間において多数の流路を区画する内部構造を有し、気体と液体間の物質移動、熱交換または混合を行なう装置において、
該内部構造を構成する規則充填体であって、複数の充填体構成要素からなり、各充填体構成要素は、装置の内壁および隣り合う充填体構成要素と非接触状態で互いに平行に垂直方向に延長する規則充填体を備えることを特徴とする物質移動等を行なう装置内の気液接触機構。
【請求項１４】
装置の上部に配置された液分配器と装置の下部に配置された液集合器との間において多数の流路を区画する規則充填体を有し、気体と液体間の物質移動、熱交換または混合を行なう装置において、該規則充填体と該液集合器を連結し、該規則充填体から液体を該液集合器に供給するコレクターであって、他のコレクターから分岐することなく、他のコレクターとは独立に該液集合器に直接連結されることを特徴とする液体供給用コレクター。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月7日(2007.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
次に図２を参照すると、パワーインダクタ２０は、通常、磁心材３４を貫通する導体３０を備え、導体３０は１以上の巻き（ｔｕｒｎ）を有する。例えば、磁心材３４は正方形の外側断面３６と、磁心材３４の長さだけ延設する正方形の中心キャビティ３８とを有し得る。導体３０は中心キャビティ３８を貫通する。導体３０の中を流れる比較的高いの直流電流は、磁心材３４の飽和を引き起こす傾向があり、この飽和によって、パワーインダクタ２０およびパワーインダクタ２０が組み込まれた装置の性能の低下が生じる。
なお、本出願に対応する外国の特許出願においては下記の文献が発見または提出されている。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００１／００５２８３７号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００２／００３９０６１号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２００３／０２２７３６６号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２００６／０１１６６２３号明細書
【特許文献５】米国特許第３５７９２１４号明細書
【特許文献６】米国特許第４５２７０３２号明細書
【特許文献７】米国特許第４５３６７３３号明細書
【特許文献８】米国特許第４５７８６６４号明細書
【特許文献９】米国特許第４６７５６２９号明細書
【特許文献１０】米国特許第４８０３６０９号明細書
【特許文献１１】米国特許第５２０４８０９号明細書
【特許文献１２】米国特許第５３６３０３５明細書
【特許文献１３】米国特許第５４８１２３８号明細書
【特許文献１４】米国特許第５５００６２９号明細書
【特許文献１５】米国特許第５８０８５３７号明細書
【特許文献１６】米国特許第５８８９３７３号明細書
【特許文献１７】米国特許第６０４９２６４号明細書
【特許文献１８】米国特許第６１３７３８９号明細書
【特許文献１９】米国特許第６１９１６７３号明細書
【特許文献２０】米国特許第６３１０５３４号明細書
【特許文献２１】米国特許第６３５６１７９号明細書
【特許文献２２】米国特許第６３５６１７９号明細書
【特許文献２３】米国特許第６３６２９８６号明細書
【特許文献２４】米国特許第６４５９３４９号明細書
【特許文献２５】米国特許第６６８３５２２号明細書
【特許文献２６】米国特許第６６８６８２３号明細書
【特許文献２７】米国特許第６８２０３２１号明細書
【特許文献２８】米国特許第６９６７５５３号明細書
【特許文献２９】欧州特許出願公開第０４８４０７４号明細書
【特許文献３０】欧州特許出願公開第０８９５２５７号明細書
【特許文献３１】独国特許出願公開第３６２２１９０号明細書
【特許文献３２】英国特許出願公開第２３１８６９１号明細書
【特許文献３３】特表２００２-５７００３９号公報
【特許文献３４】特開平１１−０７４１２５号公報
【特許文献３５】特開２００３−３３２１４１号公報
【特許文献３６】特開平１１−２０４３５４号公報
【特許文献３７】特開昭５７−１９３００７号公報
【特許文献３８】特開平０２−２５１１０７号公報
【特許文献３９】特開平０６−２６０８６９号公報
【特許文献４０】特開平１１−００８１２３号公報
【特許文献４１】国際公開第００／０７４０８９号パンフレット
【特許文献４２】国際公開第０２／０９５７７５号パンフレット
【特許文献４３】特開昭５８−２２４４２０号公報
【非特許文献１】"Understanding Ferrite Bead Inductors", http://www.murata.com, pp. 23-25(unknown date of publication)
【非特許文献２】"Using Ferrite Beads to Keep RF Out Of TV Sets, Telephones, VCR's, Burglar Alarms and Other Electronic Equipment,"http://www.antennex.com, pp. 1-4(unknown date of publication)
【非特許文献３】European Search Report for Application No. 04020571.8 3 pages
【非特許文献４】European Search Report for Application No. 04020568.4 3 pages
【非特許文献５】European Search Report for Application No. 04010841; 2 pages
【非特許文献６】European Search Report for Application No. 04011558.6 2 pages
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月24日(2007.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ照射装置及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基本波と、前記基本波以下の波長を有するレーザ光を出力するレーザ共振器と、
被照射物と前記レーザ光とを相対的に移動させる手段と、
前記レーザ光を線状レーザに加工する手段と、を有し、
前記線状レーザに加工する手段は、前記基本波と、前記基本波以下の波長を有するレーザ光を集光する手段を有することを特徴するレーザ照射装置。
【請求項２】
基本波と、前記基本波以下の波長を有するレーザ光を出力するレーザ共振器と、
前記レーザ光を線状レーザに加工する手段と、を有し、
前記線状レーザに加工する手段は、前記基本波と、前記基本波以下の波長を有するレーザ光を集光する手段を有することを特徴するレーザ照射装置。
【請求項３】
基本波と、前記基本波以下の波長を有するレーザ光を出力するレーザ共振器と、
被照射物と前記レーザ光とを相対的に移動させる手段と、
前記レーザ光を線状レーザに加工する手段と、を有し、
前記レーザ共振器は、励起源、レーザ媒体、及び非線形光学素子を有し、
前記線状レーザに加工する手段は、前記基本波と、前記基本波以下の波長を有するレーザ光を集光する手段を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
基本波と、前記基本波以下の波長を有するレーザ光を出力するレーザ共振器と、
前記レーザ光を線状レーザに加工する手段と、を有し、
前記レーザ共振器は、励起源、レーザ媒体、及び非線形光学素子を有し、
前記線状レーザに加工する手段は、前記基本波と、前記基本波以下の波長を有するレーザ光を集光する手段を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
基本波を有するレーザ光を出力するレーザ共振器と、
前記レーザ光の基本波を前記基本波以下の波長に変換する非線形光学素子と、
被照射物と、前記基本波と、前記基本波以下の波長を有するレーザ光とを相対的に移動させる手段と、
前記基本波と、前記基本波以下の波長を有するレーザ光を線状レーザに加工する手段と、を有し、
前記レーザ共振器は、励起源とレーザ媒体を有し、
前記線状レーザに加工する手段は、前記基本波と、前記基本波以下の波長を有するレーザ光を集光する手段を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
基本波を有するレーザ光を出力するレーザ共振器と、
前記レーザ光の基本波を前記基本波以下の波長に変換する非線形光学素子と、
前記基本波と、前記基本波以下の波長を有するレーザ光を線状レーザに加工する手段と、を有し、
前記レーザ共振器は、励起源とレーザ媒体を有し、
前記線状レーザに加工する手段は、前記基本波と、前記基本波以下の波長を有するレーザ光を集光する手段を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
請求項３乃至６のいずれか一において、前記基本波以下の波長は、前記非線形光学素子により前記基本波が変換された高調波であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】
請求項３乃至６のいずれか一において、前記基本波以下の波長は、前記非線形光学素子により前記基本波が変換された第２高調波であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記レーザ共振器はパルス発振型、又は連続発振型のレーザ共振器であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記基本波と、前記基本波以下の波長を有するレーザ光を集光する手段は、凹面鏡、又はアクロマートレンズであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記レーザ共振器は、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｏ、ＥｒイオンをドープしたＹＡＧ、ＹＬＦ、ＹＶＯ４、Ｙ２Ｏ３、ガラス、サファイヤ、フォルステライト、ＬｕＡｇ、及びＬｕＬｉＦ４のいずれかの固体をレーザ媒質として有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１２】
絶縁表面に半導体膜を形成し、
前記半導体膜に、一つのレーザ共振器から射出された基本波と、前記基本波が非線形光学素子により変換された前記基本波以下の波長を有するレーザ光を照射し、
前記基本波と、前記基本波以下の波長とを分離させずに、同時かつ同一照射面に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
絶縁表面に半導体膜を形成し、
前記半導体膜に、非線形光学素子を有する一つの共振器から射出された、基本波と、前記基本波以下の波長を有するレーザ光を照射し、
前記基本波と、前記基本波以下の波長とを分離させずに、同時かつ同一照射面に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１２又は１３において、
前記半導体膜は非晶質半導体膜であり、
前記レーザ光を照射することにより、前記非晶質半導体膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１２乃至１４のいずれか一において、前記基本波以下の波長は、前記非線形光学素子により前記基本波が変換された高調波であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１２乃至１４のいずれか一において、前記基本波以下の波長は、前記非線形光学素子により前記基本波が変換された第２高調波であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１２乃至１６のいずれか一において、前記レーザ光は、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｏ、ＥｒイオンをドープしたＹＡＧ、ＹＬＦ、ＹＶＯ４、Ｙ２Ｏ３、ガラス、サファイヤ、フォルステライト、ＬｕＡｇ、及びＬｕＬｉＦ４のいずれかの固体をレーザ媒質として発振することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１２乃至１７のいずれか一において、前記レーザ共振器から射出されるレーザ光は、パルス発振、又は連続発振のレーザ光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月27日(2007.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｒ（ＲはＹを含む希土類元素の少なくとも１種である）、ＴＭ（ＴＭはＦｅまたはＦｅ及びＣｏである）及びＢを主成分とするＲ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石と、前記Ｒ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石に被覆された樹脂膜を有し、前記樹脂膜は、電着塗装膜と、前記電着塗装膜に被覆された静電粉体塗装膜を有することを特徴とする希土類永久磁石。
【請求項２】
Ｒ（ＲはＹを含む希土類元素の少なくとも１種である）、ＴＭ（ＴＭはＦｅまたはＦｅ及びＣｏである）及びＢを主成分とするＲ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石と、前記Ｒ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石に被覆された樹脂膜を有し、前記樹脂膜は、第１の樹脂膜と、前記第１の樹脂膜に被覆された第２の樹脂膜を有し、前記第１の樹脂膜および前記第２の樹脂膜は金属元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｃａから選ばれる少なくとも１種である）を含有し、前記第２の樹脂膜は前記第１の樹脂膜よりも金属元素Ｍを多く含有することを特徴とする希土類永久磁石。
【請求項３】
Ｒ（ＲはＹを含む希土類元素の少なくとも１種である）、ＴＭ（ＴＭはＦｅまたはＦｅ及びＣｏである）及びＢを主成分とするＲ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石と、前記Ｒ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石に被覆された樹脂膜を有し、前記樹脂膜は、第１の樹脂膜と、前記第１の樹脂膜に被覆された第２の樹脂膜を有し、前記第２の樹脂膜は前記第１の樹脂膜よりもＴｉ若しくはＣａの少なくとも１種の元素を多く含有することを特徴とする希土類永久磁石。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の希土類永久磁石を備えることを特徴とする回転機。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれかに記載の希土類永久磁石を備えることを特徴とする風力発電機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記第１の樹脂膜は電着塗装で形成され、前記第２の樹脂膜は静電粉体塗装で形成されることが望ましい。より具体的には前記第１の樹脂膜および前記第２の樹脂膜は、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＣａＣＯ３から選ばれる少なくとも１種の化合物を添加剤として原料に配合して塗装・硬化された膜であることが望ましい。添加剤を配合する際に第１の樹脂膜よりも第２の樹脂膜に多く配合すると絶縁膜の耐食性が更に良くなる。ただし、金属元素Ｍの含有量が多いと永久磁石との密着性が低下する。そこで、第２の樹脂膜には金属元素Ｍを多く含有させて耐食性向上を図り、第１の樹脂膜には金属元素Ｍを第２の樹脂膜よりも少なく含有させて永久磁石との密着性を維持することが望ましい。金属元素Ｍの含有量は、各々の樹脂膜をＳＥＭ−ＥＤＸ等で組成分析し、単位質量当たりに含有される金属元素Ｍの合計質量に相当する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記本発明のいずれかの希土類永久磁石は、５％ＮａＣｌ溶液を３５℃で噴霧する塩水噴霧試験で２４００時間以上の耐食性を発揮する。すなわち、２４００時間経過しても樹脂膜のフクレや発錆がない。本発明の回転機は、上記いずれかの希土類永久磁石を備えることを特徴とする。また、本発明の風力発電機は、上記いずれかの希土類永久磁石を備えることを特徴とする。本発明に係る希土類永久磁石を搭載することにより、回転機若しくは風力発電機を高耐食性の要求される場所で用いることができる。好ましくは前記希土類永久磁石をローターに組み込んで回転機若しくは発電機を構成する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月21日(2007.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電層上に形成された絶縁膜に前記導電層が露出する開口部を設け、
液滴吐出法によって前記開口部に選択的に導電性の微粒子を充填し、
前記絶縁膜上の前記導電性の微粒子を充填した開口部を含む位置に配線を形成し、前記導線層と前記配線を電気的に接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
導電層上に形成された絶縁膜に前記導電層が露出する開口部を設け、
液滴吐出法によって前記開口部に選択的に柱状の導電体を形成し、
前記絶縁膜上の前記導電体を形成した開口部を含む位置に配線を形成し、前記導線層と前記配線を電気的に接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、配線を形成した後、熱処理を行い前記配線表面の平坦性を増すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
導電層上に形成された絶縁膜に前記導電層が露出する開口部を設け、
前記開口部が形成された前記絶縁膜上に前記導電性微粒子を散布して前記開口部内に前記導電性微粒子を充填し、
前記導電性微粒子の充填後、超音波振動を与え、前記開口部外の前記導電性微粒子を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項の半導体装置の作製方法を用たことを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月5日(2007.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
０．３ａｔｏｍｉｃ％以上の希ガス元素を有し、ＨＦが４．７％、ＮＨ４Ｆが３６．３％含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが３０．０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化ケイ素膜。
【請求項２】
０．３ａｔｏｍｉｃ％以上の希ガス元素と２５ａｔｏｍｉｃ％未満の水素を有し、ＨＦが４．７％、ＮＨ４Ｆが３６．３％含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが３０．０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化ケイ素膜。
【請求項３】
０．３ａｔｏｍｉｃ％以上の希ガス元素と４．０ａｔｏｍｉｃ％以上の酸素を有し、ＨＦが４．７％、ＮＨ４Ｆが３６．３％含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが３０．０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化ケイ素膜。
【請求項４】
０．３ａｔｏｍｉｃ％以上の希ガス元素と４．０ａｔｏｍｉｃ％以上の酸素と２５ａｔｏｍｉｃ％未満の水素を有し、ＨＦが４．７％、ＮＨ４Ｆが３６．３％含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが３０．０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化ケイ素膜。
【請求項５】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記希ガス元素とはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びキセノンのうちいずれか一種であることを特徴とする窒化ケイ素膜。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一の窒化ケイ素膜を用いたことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一の窒化ケイ素膜を用いたことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一の窒化ケイ素膜を用いたことを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項５のいずれか一の窒化ケイ素膜を用いたことを特徴とする発光表示装置。
【請求項１０】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成され当該薄膜トランジスタと電気的に接続する電界発光素子と、前記電界発光素子を覆って形成された窒化ケイ素膜を有し、
前記窒化ケイ素膜が０．３ａｔｏｍｉｃ％以上の希ガス元素を有し且つＨＦが４．７％、ＮＨ４Ｆが３６．３％含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが３０．０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化ケイ素膜であることを特徴とする発光表示装置。
【請求項１１】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成され当該薄膜トランジスタと電気的に接続する電界発光素子と、前記電界発光素子を覆って形成された窒化ケイ素膜を有し、
前記窒化ケイ素膜が０．３ａｔｏｍｉｃ％以上の希ガス元素と２５ａｔｏｍｉｃ％未満の水素を有し、ＨＦが４．７％、ＮＨ４Ｆが３６．３％含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが３０．０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化ケイ素膜であることを特徴とする発光表示装置。
【請求項１２】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成され当該薄膜トランジスタと電気的に接続する電界発光素子と、前記電界発光素子を覆って形成された窒化ケイ素膜を有し、
前記窒化ケイ素膜が０．３ａｔｏｍｉｃ％以上の希ガス元素と４．０ａｔｏｍｉｃ％以上の酸素を有し、ＨＦが４．７％、ＮＨ４Ｆが３６．３％含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが３０．０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化ケイ素膜であることを特徴とする発光表示装置。
【請求項１３】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成され当該薄膜トランジスタと電気的に接続する電界発光素子と、前記電界発光素子を覆って形成された窒化ケイ素膜を有し、
前記窒化ケイ素膜が０．３ａｔｏｍｉｃ％以上の希ガス元素と４．０ａｔｏｍｉｃ％以上の酸素と２５ａｔｏｍｉｃ％未満の水素を有し、ＨＦが４．７％、ＮＨ４Ｆが３６．３％含まれたバッファードフッ酸における室温でのエッチングレートが３０．０ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する窒化ケイ素膜であることを特徴とする発光表示装置。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一において、前記希ガス元素とはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びキセノンのうちいずれか一種であることを特徴とする発光表示装置。
【請求項１５】
プラズマＣＶＤ法を用いた窒化ケイ素膜の作製方法であって、
成膜時に成膜チャンバ内にシランガスと窒素ガスと希ガス類のガスが供給され、反応圧力が０．０１Ｔｏｒｒ以上０．１Ｔｏｒｒ以下であることを特徴とする窒化ケイ素膜の作製方法。
【請求項１６】
プラズマＣＶＤ法を用いた窒化ケイ素膜の作製方法であって、
成膜時に成膜チャンバ内にシランガスと窒素ガスと希ガス類のガスが供給され、反応圧力が０．０１Ｔｏｒｒ以上０．１Ｔｏｒｒ以下であり、反応温度が６０℃以上８５℃未満であることを特徴とする窒化ケイ素膜の作製方法。
【請求項１７】
プラズマＣＶＤ法を用いた窒化ケイ素膜の作製方法であって、
成膜時に成膜チャンバ内にシランガスと窒素ガスと希ガス類のガスが供給され、前記シランガスの前記窒素ガスと希ガス類のガスの和に対する流量比［シラン／（窒素＋希ガス類）］が０．００２以上０．００６未満であり、反応圧力が０．０１Ｔｏｒｒ以上０．１Ｔｏｒｒ以下であることを特徴とする窒化ケイ素膜の作製方法。
【請求項１８】
プラズマＣＶＤ法を用いた窒化ケイ素膜の作製方法であって、
成膜時に成膜チャンバ内にシランガスと窒素ガスと希ガス類のガスが供給され、前記シランガスの前記窒素ガスと希ガス類のガスの和に対する流量比［シラン／（窒素＋希ガス類）］が０．００２以上０．００６未満であり、反応圧力が０．０１Ｔｏｒｒ以上０．１Ｔｏｒｒ以下であり、反応温度が６０℃以上８５℃未満であることを特徴とする窒化ケイ素膜の作製方法。
【請求項１９】
請求項１５乃至請求項１８のいずれか一において希ガス類とはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びキセノンのうちいずれか一種であることを特徴とする窒化ケイ素膜の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月4日(2007.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層とそれを挟む第１，２導電型層に、それぞれ設けられた第１電極、第２電極を同一面側に有する発光素子において、
前記電極形成面内において、
前記第１導電型層が露出された第１電極形成部に第１電極、下方に第１，２導電型層に挟まれた発光層を有する発光構造部の第２導電型層に第２電極が設けられ、
前記第２電極が、開口部を有する下部電極と、その上に設けられ台座部を有する上部電極と有し、
前記上部電極が、互いに異なる２方向に延伸する延伸部を有し、
前記下部電極面内において、前記開口部が２次元周期構造を有して、該周期構造が互いに直角方向から傾斜した２つの軸でもって２次元配列されており、
前記周期構造の軸方向と、前記延伸方向が異なることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
発光層とそれを挟む第１，２導電型層に、それぞれ設けられた第１電極、第２電極を同一面側に有する発光素子において、
前記電極形成面内において、
前記第１導電型層が露出された第１電極形成部に第１電極、下方に第１，２導電型層に挟まれた発光層を有する発光構造部の第２導電型層に第２電極が設けられ、
前記第２電極が、複数の開口部を有する下部電極と、その上に設けられ台座部を有する上部電極と有し、
前記第１電極に対向する上部電極の端部が、該対向する方向に傾斜した方向に延伸する延伸端部を有し、
前記下部電極面内において、前記開口部が２次元周期構造を有して、該周期構造が互いに直角方向から傾斜した２つの軸でもって２次元配列されており、
前記周期構造の軸方向と、前記対向する方向が異なることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
前記延伸端部が、互いに異なる２方向に延伸していることを特徴とする請求項２記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１電極が、前記第２電極の延伸端部に対向して延伸する電極延伸部を有し、いずれか一方の電極が、他方の電極延伸部の端部を囲む周縁電極部を有することを特徴とする請求項２記載の発光素子。
【請求項５】
前記下部電極が、電極形成面内において、第１電極と、上部電極延伸部若しくは延伸端部との間の発光構造部の上に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４記載の発光素子。
【請求項６】
前記下部電極が、前記開口部と、開口部を囲む電極形成部とを有し、該電極形成部が前記２つの軸方向に形成された格子状であることを特徴とする請求項１乃至５記載の発光素子。
【請求項７】
前記下部電極の開口部に対応して、前記第２導電型層にも凹部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至６記載の発光素子。
【請求項８】
前記発光素子が、電極形成面内において、発光構造部の側面に沿って、発光構造部の一部が分離して形成された凹凸部を有する請求項１乃至７記載の発光素子。
【請求項９】
前記凹凸部は、素子動作部内で、発光構造部、若しくは発光構造部と第１電極とに挟まれた領域に設けられている請求項８記載の発光素子。
【請求項１０】
前記凹凸部は、発光構造部内に切り込む拡張部を有する請求項８又は９記載の発光素子。
【請求項１１】
発光層とそれを挟む第１，２導電型層に、それぞれ設けられた第１電極、第２電極を同一面側に有する発光素子の製造方法において、
前記電極形成面内において、
下方に第１，２導電型層に挟まれた発光層を有する発光構造部の第２導電型層に第２電極として、下部電極と上部電極が設けられ、
前記第１導電型層が露出された第１電極形成部に第１電極を形成する工程、
下部電極を形成した後、マスクを形成して、化学的エッチングにより該下部電極層の一部を除去して、互いに直角方向から傾斜した２つの軸でもって２次元配列させた２次元周期構造の開口部を形成する工程と、
下部電極の上に、互いに異なる２方向であって、前記周期構造の軸方向と異なる方向に延伸する延伸部と、台座部とを有する上部電極を形成する工程と、
を具備してなることを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１０記載の発光素子が載置される載置部を有する発光装置であって、前記載置部に、発光素子が支持基板上に実装されて、載置されていることを特徴とする発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記下部電極２１が、前記開口部２１ｂと、開口部２１ｂを囲む電極形成部２１ａとを有し、該電極形成部２１ａが前記２つの軸３３方向３４に形成された格子状であることを特徴とする。図３に観るように、開口部２１ｂの周期構造の軸方向３３ａ，ｂ（及び３３ｃ）と、形成部２１ａの経路方向３４ａ，ｂ（及び３４ｃ）がほぼ同一な方向である格子状の形成部２１ａが設けられた下部電極層２１では、図１に示すような直交する経路方向３４ｚの形成部２１ａに比して、上部電極２２の延伸部１２ａの方向３１，３２、若しくは延伸部１２ａの各点における対向方向３５に対して、様々な電極間経路３６をとることができ、好ましい電流拡散ができる。このとき好ましくは、２軸３３ａ，ｂとの間に、第３軸３３ｃを設けてそれに対応する経路を有することで、さらに、様々な方向への電極間の電流拡散に対応でき好ましい。
下部電極の開口部に対応して、前記第２導電型層にも凹部が設けられていることを特徴とする。これにより、形成された凹凸の凸部上面（電極材料界面）と凹部底面（保護膜、絶縁膜材料界面）とでもって、異なる材料間の界面で凹凸部が形成されて、好適な光取出し、反射に寄与し、光取出し効率が向上する。
また、実施形態８に説明するように、上記発光素子構造において、その発光構造部の一部を分離した凹凸部６を、発光構造部に沿うように、発光素子（素子構造部５７）の外周縁部分、素子構造部５７内の発光構造部間、発光構造部と第１電極との間に設けることで、発光構造部から好適な光取り出しが可能となり、発光素子の指向性に優れたものとなる。具体的には、本発明の開口部を有する下部電極２１により、電極形成面に垂直な縦方向の指向性が高まり、更に開口部２１ｂ以外の被覆された電極部２１ａにより発光素子内部に反射される光も多くなるが、その発光構造部に沿って設けられた凹凸部６により、縦方向の光の取り出しが高まり、発光素子の指向性が向上し、発光効率が高まる。また、このような、凹凸部は、発光構造部の切り込み部、食い込み部を設けて凹凸部６の拡張部６ｘ−１，６ｙ−１形成すると、その効果を高められ、好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
前記窒化物系蛍光体が、一般式ＬXＳｉYＮα：Ｅｕ若しくはＬXＳｉYＯZＮβ：Ｅｕ（Ｌは、Ｓｒ若しくはＣａ、又は、Ｓｒ及びＣａ、のいずれか。）で表されることを特徴とする発光装置である。但しα＝(2/3)X+(4/3)Y、β＝(2/3)X+(4/3)Y-(2/3)Z。（ここで、本明細書中で、2/3Xなどの表記は、変数Xと分数の分子「２」との積を分母３で割る分数であることを示す）
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月16日(2007.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図１２及び１３を参照して、電力用インダクタ１４２は、第１及び第２の連結型空洞１４６及び１４８を定義する磁気コア材料１４４を含む。第１及び第２導体１５０及び１５２は、それぞれ第１及び第２空洞１４６及び１４８に配置される。磁気コア材料１４４の突出１５４は、導体１５０及び１５２間の磁気コア材料の下面から上側に延長される。突出１５４は、部分的に延長され、上面側に完全に延長されない。望ましい実施形態において、突出１５４の高さは、導体１５０及び１５２の高さより高い。認識するように、突出１５４は、また図１４において参照番号１５５により示されたように磁気コアより低く、かつ空気より高い透磁率を有する材料からなり得る。又は、図１５に示すように、突出及び磁気コア材料両方とも除去され得る。この実施形態において、相互結合Ｍは、略１と同じである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図１９を参照して、電力用インダクタ２００は、第１及び第２の空洞２０６及び２０８を定義する磁気コア材料２０４を含む。第１及び第２の導体２１０及び２１２は、それぞれ第１及び第２空洞２０６及び２０８を貫通する。中央部２１８は、第１及び第２空洞の間に位置される。認識するように、中央部２１８は、磁気コア材料及び／又は渦電流減少材料からなり得る。又は、導体が、外層を含むことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2005039214.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2005039214.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2005039214.tif 000003
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2005039214.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月12日(2007.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
好ましくは、第１の共振回路は、短絡させたい偶数次高調波成分の波長の１／２の電気長を有する分布定数線路であるとよい。これにより、第１の共振回路の両端から見たときのインピーダンスのずれを防止できると共に、素子点数を低減することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
好ましくは、共振回路は、インダクタおよびコンデンサが対称に配置された直列共振回路であるとよい。これにより、共振回路の両端から見たときのインピーダンスのずれを防止することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
好ましくは、共振回路は、前記短絡させたい偶数次高調波成分の波長の１／２の電気長を有する分布定数線路であるとよい。これにより、第１の共振回路の両端から見たときのインピーダンスのずれを防止できると共に、素子点数を低減することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
好ましくは、共振回路は、前記短絡させたい偶数次高調波成分の波長の１／２の電気長を有する分布定数線路であるとよい。これにより、第１の共振回路の両端から見たときのインピーダンスのずれを防止できると共に、素子点数を低減することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2005039799.tif 000001