【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に剥離層を選択的に形成し、前記第１の基板と前記剥離層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に少なくともソース領域とドレイン領域を含むトランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に第２の絶縁層を形成し、
前記第１の基板の一部が露出するように、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層に第１の開口部を形成し、
前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域が露出するように、前記第２の絶縁層に第２の開口部を形成し、
前記第１の開口部と前記第２の開口部を充填し、前記ソース領域又はドレイン領域と接続するように第１の導電層を形成し、
前記剥離層が露出するように、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層に第３の開口部を形成し、
前記第３の開口部にエッチング剤を導入して前記剥離層を除去し、
前記第１の基板から前記トランジスタを含む積層体を剥離して、前記第１の導電層を露出させ、
前記露出された第１の導電層と、第２の基板上に設けられたアンテナとして機能する導電層とが前記トランジスタの下方で接するように、前記トランジスタを含む積層体と前記第２の基板を貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板上に剥離層を選択的に形成し、
前記第１の基板と前記剥離層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に少なくともソース領域とドレイン領域を含むトランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に第２の絶縁層を形成し、
前記第１の基板の一部が露出するように、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層に第１の開口部を形成し、
前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域が露出するように、前記第２の絶縁層に第２の開口部を形成し、
前記第１の開口部と前記第２の開口部を充填し、前記ソース領域又はドレイン領域と接続するように第１の導電層を形成し、
前記剥離層が露出するように、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層に第３の開口部を形成し、
前記第３の開口部にエッチング剤を導入して前記剥離層を選択的に除去し、
物理的手段を用いて、前記第１の基板から前記トランジスタを含む積層体を剥離して、前記第１の導電層を露出させ、
前記露出された第１の導電層と、第２の基板上に設けられたアンテナとして機能する導電層とが接するように、前記トランジスタを含む積層体と前記第２の基板を貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記第１の基板は、ガラス基板又は石英基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、前記剥離層として、タングステン又はモリブデンを含む層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１又は請求項２において、前記剥離層として、酸素雰囲気下で、スパッタリング法により、タングステン又はモリブデンの酸化物を含む層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１又は請求項２において、前記剥離層としてタングステン又はモリブデン含む層を形成し、前記第１の絶縁層として珪素の酸化物を含む層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１又は請求項２において、前記エッチング剤は、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
アンテナとして機能する導電層と、
前記アンテナとして機能する導電層上に設けられたチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を含むトランジスタと、
前記トランジスタを覆う第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に設けられた第１の開口部を介して前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続された第１の導電層とを有し、
前記第１の導電層は、前記第１の絶縁層を貫通して設けられた第２の開口部を介して前記トランジスタの下方で露出され、前記露出された第１の導電層は前記アンテナとして機能する導電層と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
アンテナとして機能するアンテナとして機能する導電層と、
前記アンテナとして機能する導電層上に設けられたチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を含むトランジスタと、
前記トランジスタを覆う第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に設けられた第１の開口部を介して前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続された第１の導電層と、
前記第１の導電層と同一層に形成された外部端子との接続用導電層とを有し、
前記第１の導電層は、前記第１の絶縁層を貫通して設けられた第２の開口部を介して前記トランジスタの下方で露出され、前記露出された第１の導電層は前記アンテナとして機能する導電層と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
基板上に設けられたアンテナとして機能する導電層と、
前記アンテナとして機能する導電層を覆う第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に設けられ、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を含むトランジスタと、
前記トランジスタを覆う第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層に設けられた第１の開口部を介して前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続された第１の導電層とを有し、
前記第１の導電層は、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層を貫通して設けられた第２の開口部を介して前記トランジスタの下方で露出され、かつ前記露出された第１の導電層は前記アンテナとして機能する導電層に接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
基板上に設けられたアンテナとして機能する導電層と、
前記アンテナとして機能する導電層を覆う第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層を覆う第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に設けられ、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を含むトランジスタと、
前記トランジスタを覆う第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層に設けられた第１の開口部を介して前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続された第１の導電層と、
前記第１の導電層と同一層に形成された外部端子との接続用導電層とを有し、
前記第１の導電層は、前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層、及び前記第３の絶縁層を貫通して設けられた第２の開口部を介して前記トランジスタの下方で露出され、かつ前記露出された第１の導電層は前記アンテナとして機能する導電層に接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１において、前記基板は、可撓性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一項において、前記第１の導電層は、アンテナとして機能することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一項において、前記トランジスタは、サイドウォール絶縁層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一項において、前記第１の導電層と前記第２の導電層の間に設けられた樹脂を有し、前記樹脂は導電性粒子を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一項において、前記第１の導電層と前記第２の導電層の間に設けられた樹脂とバンプを有し、前記樹脂は導電性粒子を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項８乃至請求項１６のいずれか一項に記載の前記半導体装置を有することを特徴とする電子機器。