【手続補正書】
【提出日】平成19年9月20日(2007.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に、少なくとも第１誘電体層、結晶化促進層、記録層、第２誘電体層及び反射放熱層が積層され、前記記録層の主要な構成元素が、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅである光情報記録媒体の製造方法であって、前記記録層の成膜中、あるいは、成膜後の少なくともいずれかの工程で、所定波長の光照射を行うことを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
【請求項２】  前記光照射する光の波長が、４００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の光情報記録媒体の製造方法。
【請求項３】  前記光照射は、前記基板を回転させつつ、前記記録層の成膜面側から行うことを特徴とする請求項１または請求項２記載の光情報記録媒体の製造方法。
【請求項４】  前記基板の裏面側に、前記光照射された光を当該光の波長に対して反射率が７０％以上を有する部材を設けることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の光情報記録媒体の製造方法。
【請求項５】  前記結晶化促進層は、ＢｉまたはＢｉ−Ｔｅを材料として形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の光情報記録媒体の製造方法。
【請求項６】  前記結晶化促進層は、ＳｂまたはＳｂ−Ｔｅを材料として形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の光情報記録媒体の製造方法。
【請求項７】  前記結晶化促進層は、その膜厚が２ｎｍから６ｎｍの厚さに形成されていることを特徴とする請求項５記載の光情報記録媒体の製造方法。
【請求項８】  前記結晶化促進層は、その膜厚が５ｎｍから１０ｎｍの厚さに形成されていることを特徴とする請求項６記載の光情報記録媒体の製造方法。
【請求項９】  前記結晶化促進層は、５ｎｍ／ｓｅｃ以下の成膜速度で成膜されていることを特徴とする請求項５から請求項８のいずれかに記載の光情報記録媒体の製造方法。
【請求項１０】  請求項１から請求項９のいずれかの光情報記録媒体の製造方法で製造されたことを特徴とする光情報記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
そこで、請求項１記載の発明は、基板上に、少なくとも第１誘電体層、結晶化促進層、記録層、第２誘電体層及び反射放熱層が積層され、前記記録層の主要な構成元素が、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅである光情報記録媒体を製造するに際して、記録層の成膜中、あるいは、成膜後の少なくともいずれかの工程で、所定波長の光照射を行うことにより、膜形成段階で、記録層に照射した光のフォトンエネルギーを補助的に利用して、結晶化促進層だけでは不十分な記録層の結晶化を確実かつ安価に行い、生産性を向上させることのできる光情報記録媒体の製造方法を提供することを目的としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項２記載の発明は、記録層に光照射する光として、４００μｍ以上の波長の光を用いることにより、光吸収波長帯が４００ｎｍ以下であるポリカーボネート等の基板の影響を少なくして、記録層に照射した光のフォトンエネルギーをより効率的に利用して、結晶化促進層だけでは不十分な記録層の結晶化をより一層確実かつ安価に行い、より一層生産性を向上させることのできる光情報記録媒体の製造方法を提供することを目的としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項９記載の発明は、結晶化促進層を、５ｎｍ／ｓｅｃ以下の成膜速度で成膜することにより、結晶化促進層の膜厚を精度よく制御し、記録層の結晶化をより一層確実かつ安価に行って、より一層生産性を向上させることのできる光情報記録媒体の製造方法を提供することを目的としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明の光情報記録媒体の製造方法は、基板上に、少なくとも第１誘電体層、結晶化促進層、記録層、第２誘電体層及び反射放熱層が積層され、前記記録層の主要な構成元素が、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅである光情報記録媒体の製造方法であって、前記記録層の成膜中、あるいは、成膜後の少なくともいずれかの工程で、所定波長の光照射を行うことにより、上記目的を達成している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記構成によれば、基板上に、少なくとも第１誘電体層、結晶化促進層、記録層、第２誘電体層及び反射放熱層が積層され、前記記録層の主要な構成元素が、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅである光情報記録媒体を製造するに際して、記録層の成膜中、あるいは、成膜後の少なくともいずれかの工程で、所定波長の光照射を行うので、膜形成段階で、記録層に照射した光のフォトンエネルギーを補助的に利用して、結晶化促進層だけでは不十分な記録層の結晶化を確実かつ安価に行うことができ、生産性を向上させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
この場合、例えば、請求項２に記載するように、前記光照射する光の波長は、４００ｎｍ以上であってもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
上記構成によれば、記録層に光照射する光として、波長が４００μｍ以上の光を用いるので、光吸収波長帯が４００ｎｍ以下であるポリカーボネート等の基板の影響を少なくして、記録層に照射した光のフォトンエネルギーをより効率的に利用して、結晶化促進層だけでは不十分な記録層の結晶化をより一層確実かつ安価に行うことができ、より一層生産性を向上させることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、例えば、請求項９に記載するように、前記結晶化促進層は、５ｎｍ／ｓｅｃ以下の成膜速度で成膜されていてもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
上記構成によれば、結晶化促進層を、５ｎｍ／ｓｅｃ以下の成膜速度で成膜しているので、結晶化促進層の膜厚を精度よく制御することができ、記録層の結晶化をより一層確実かつ安価に行って、より一層生産性を向上させることができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
基板２は、１２０ｍｍφのポリカーボネート基板であり、トラックピッチが、０．７４μｍで、グルーブ（凹部）幅が、０．３μｍ、深さが、５０ｎｍの溝形状を有している。
第１誘電体層３は、ＺｎＳ・ＳｉＯ２を成膜速度９ｎｍ／ｓｅｃで、１８０ｎｍの厚さに成膜されており、結晶化促進層４は、Ｂｉを成膜速度２ｎｍ／ｓｅｃで、５ｎｍの厚さに成膜されている。記録層５は、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅを成膜速度５ｎｍ／ｓｅｃで、２０ｎｍの厚さに成膜されており、第２誘電体層６は、ＺｎＳ・ＳｉＯ２を成膜速度９ｎｍ／ｓｅｃで、２０ｎｍの厚さに成膜されている。反射放熱層７は、Ａｌ合金を成膜速度１５ｎｍ／ｓｅｃで、１２０ｎｍの厚さに成膜されている。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
以上のことから、本実施の形態の光情報記録媒体１は、効率よくかつ均一な光照射の効果が得られることが判明した。なお、この比較例の実験で用いた反射率調整用の光学薄膜の種類などは、何ら制限されるものではない。
＜比較例１７〜２１＞
比較例１７〜２１の光情報記録媒体は、上記実施の形態と同様の作成工程で作成するが、結晶化促進層に関して、各比較例１７〜２１において、以下のような膜厚とした。
＜比較例１７＞  結晶化促進層：Ｂｉ、膜厚：１ｎｍ
＜比較例１８＞  結晶化促進層：Ｂｉ、膜厚：２ｎｍ
＜比較例１９＞  結晶化促進層：Ｂｉ、膜厚：３ｎｍ
＜比較例２０＞  結晶化促進層：Ｂｉ、膜厚：６ｎｍ
＜比較例２１＞  結晶化促進層：Ｂｉ、膜厚：７ｎｍ
なお、本実施の形態の光情報記録媒体１では、上述のように、結晶化促進層４は、Ｂｉを成膜速度２ｎｍ／ｓｅｃで、５ｎｍの厚さに成膜している。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
以上のことから、本実施の形態の光情報記録媒体１は、初期化工程を行うとこなく、初期化工程を行った場合と同等な結果が得られることが判明した。また、結晶化促進層を、Ｂｉ−Ｔｅで作製した場合にも、同様な結果が得られた。
＜比較例２２〜２７＞比較例２２〜２７の光情報記録媒体は、上記実施の形態と同様の作成工程で作成するが、結晶化促進層に関して、各比較例２２〜２７において、以下のような材料を用いて、以下のような膜厚とした。なお、Ｓｂの成膜速度は２ｎｍ／ｓｅｃである。
＜比較例２２＞  結晶化促進層：Ｓｂ、膜厚：３ｎｍ
＜比較例２３＞  結晶化促進層：Ｓｂ、膜厚：５ｎｍ
＜比較例２４＞  結晶化促進層：Ｓｂ、膜厚：７ｎｍ
＜比較例２５＞  結晶化促進層：Ｓｂ、膜厚：１０ｎｍ
＜比較例２６＞  結晶化促進層：Ｓｂ、膜厚：１１ｎｍ
＜比較例２７＞  結晶化促進層：Ｓｂ、膜厚：１２ｎｍ
なお、本実施の形態の光情報記録媒体１では、上述のように、結晶化促進層４は、Ｂｉを成膜速度２ｎｍ／ｓｅｃで、５ｎｍの厚さに成膜している。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
そこで、これらの比較例２２〜２７の光情報記録媒体にＤＶＤ−ＲＷに使用される記録条件で信号を記録して、それぞれのジッターを評価した。その結果、比較例２３、比較例２４、比較例２５及び本実施の形態の光情報記録媒体１で、約７％、比較例２６で、約９％、比較例２７で、約１１％となった。同様な記録条件で、比較例２の光情報記録媒体で約７％のジッターが得られたことから、初期化工程を行うとこなく、初期化工程を行った場合と同等な結果が得られることが判明した。また、結晶化促進層を、Ｓｂ−Ｔｅで作成した場合にも、同様な結果が得られた。
＜比較例２８〜３１＞比較例２８〜３１の光情報記録媒体は、上記実施の形態と同様の作成工程で作成するが、結晶化促進層に関して、各比較例２８〜３１において、以下のような成膜速度で作製した。
＜比較例２８＞  結晶化促進層：Ｂｉ、膜厚５ｎｍ、成膜速度４ｎｍ／ｓｅｃ
＜比較例２９＞  結晶化促進層：Ｂｉ、膜厚５ｎｍ、成膜速度５ｎｍ／ｓｅｃ
＜比較例３０＞  結晶化促進層：Ｂｉ、膜厚５ｎｍ、成膜速度６ｎｍ／ｓｅｃ
＜比較例３１＞  結晶化促進層：Ｂｉ、膜厚５ｎｍ、成膜速度７ｎｍ／ｓｅｃ
なお、本実施の形態の光情報記録媒体１では、上述のように、結晶化促進層４は、Ｂｉを成膜速度２ｎｍ／ｓｅｃで、５ｎｍの厚さに成膜している。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
【発明の効果】
請求項１記載の発明の光情報記録媒体の製造方法によれば、基板上に、少なくとも第１誘電体層、結晶化促進層、記録層、第２誘電体層及び反射放熱層が積層され、前記記録層の主要な構成元素が、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅである光情報記録媒体を製造するに際して、記録層の成膜中、あるいは、成膜後の少なくともいずれかの工程で、所定波長の光照射を行うので、膜形成段階で、記録層に照射した光のフォトンエネルギーを補助的に利用して、結晶化促進層だけでは不十分な記録層の結晶化を確実かつ安価に行うことができ、生産性を向上させることができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
請求項２記載の発明の光情報記録媒体の製造方法によれば、記録層に光照射する光として、４００μｍ以上の波長の光を用いるので、光吸収波長帯が４００ｎｍ以下であるポリカーボネート等の基板の影響を少なくして、記録層に照射した光のフォトンエネルギーをより効率的に利用して、結晶化促進層だけでは不十分な記録層の結晶化をより一層確実かつ安価に行うことができ、より一層生産性を向上させることができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
請求項９記載の発明の光情報記録媒体の製造方法によれば、結晶化促進層を、５ｎｍ／ｓｅｃ以下の成膜速度で成膜しているので、結晶化促進層の膜厚を精度よく制御することができ、記録層の結晶化をより一層確実かつ安価に行って、より一層生産性を向上させることができる。