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【手続補正書】
【提出日】平成19年8月7日(2007.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バルブの先端に設けられた導電性で且つ熱伝導性の出力窓保持部に固定された出力窓の内面に、接地電位をなすターゲットが固着され、前記ターゲットに向けて電子ビームを照射するカソードをもったＸ線管と、このＸ線管を駆動させる電源部とを保護ケース内に収容したＸ線発生装置であって、
前記出力窓保持部に形成されて外方に突出するフランジ部を、熱伝導性を有する前記保護ケースに熱的及び電気的に連結させ且つ固定させたことを特徴とするＸ線発生装置。
【請求項２】
前記電源部を収容する電源ケースにＸ線管収容部を設け、このＸ線管収容部の前端に形成された第１保持板と、前記保護ケースの前端に設けられて前記第１保持板に対峙する第２保持板とで、前記フランジ部を挟持したことを特徴とする請求項１記載のＸ線発生装置。
【請求項３】
前記第１保持板と第２保持板との間に熱伝導性をもつ中間部材を配置し、この中間部材を介して、前記フランジ部を前記第１保持板と前記第２保持板とで挟持したことを特徴とする請求項２記載のＸ線発生装置。
【請求項４】
前記中間部材は、シリコンラバーであることを特徴とする請求項３記載のＸ線発生装置。
【請求項５】
前記電源部と前記Ｘ線管を収容するＸ線管収容部とが並列に配置され、前記Ｘ線管収容部内に前記Ｘ線管のバルブが収容されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載のＸ線発生装置。
【請求項６】
前記フランジ部が前記出力窓保持部に一体的に形成され、前記フランジ部が前記保護ケースの内側に接触固定している請求項１−５のいずれか一項記載のX線発生装置。
【請求項７】
保護ケースの正面には円形のＸ線照射口が形成されており、前記照射口と前記Ｘ線管の前記出力窓が位置合わせされており、前記保護ケース内からＸ線が保護ケース外に放射される請求項１−６のいずれか一記載のX線発生装置。
【請求項８】
バルブとターゲットで発生した熱が、前記出力窓保持部と前記フランジ部を介し保護ケースに伝導され、前記保護ケースを介して、空冷環境が形成され、バルブと標的を冷却させるように構成されていること特徴とする請求項６又は７記載のX-線発生装置。
【請求項９】
前記X線管が軟X線を発生するように構成され、かつ発生した軟X線が用いて静電除去に利用される請求項１−７のいずれか一記載のX線発生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月16日(2007.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の読み出しメモリセルについての消去動作時および書込動作時に、前記複数の読み出しメモリセルのメモリ電流をメモリセル毎に読み出しセンスしながら各読み出しメモリセルのしきい値電圧を所定値に調整する消去制御手段および書込制御手段と、
読み出し動作時に、前記消去制御手段および書込制御手段が同一データを記憶させた前記複数の読み出しメモリセルにおける２以上の読み出しメモリセルを選択して前記２以上の読み出しメモリセルの総電流をセンスする読み出し制御手段と、
を備えたことを特徴とする半導体フラッシュメモリ。
【請求項２】
複数の読み出しメモリセルについての読み出し動作時に、２以上の読み出しメモリセルを選択して前記２以上の読み出しメモリセルの総電流をセンスする第１読み出し制御手段、および一つの読み出しメモリセルのみを選択して前記一つの読み出しメモリセルの電流をセンスする第２読み出し制御手段と、
前記複数の読み出しメモリセルについての消去動作時および書込動作時に、前記複数の読み出しメモリセルのメモリ電流をメモリセル毎に読み出しセンスしながら各読み出しメモリセルのしきい値電圧を所定値に調整する消去制御手段および書込制御手段とを備え、  前記消去制御手段および書込制御手段は、前記第１読み出し制御手段が選択する２以上の読み出しメモリセルを含む第１メモリブロックと前記第２読み出し制御手段が一つずつ選択する読み出しメモリセルを含む第２メモリブロックとでベリファイ電圧を互いに異なる値に設定するとともに、前記第１メモリブロックでは、前記２以上の読み出しメモリセルに同一のデータを記憶させることを特徴とする半導体フラッシュメモリ。
【請求項３】
前記消去制御手段および書込制御手段は、読み出し動作時に選択する２以上の読み出しメモリセルについてのしきい値電圧調整では、書込しきい値下限を設定するワード線電圧と読み出しワード線電圧との差が、消去しきい値下限を設定するワード線電圧と非選択ワード線電圧との差よりも大きくなるようにしきい値電圧の調整を行うことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体フラッシュメモリ。
【請求項４】
センスアンプが読み出しメモリセルのメモリ電流に対応する論理値を判定するために参照するリファレンスメモリセルと、
前記リファレンスメモリセルのしきい値を前記読み出しメモリセルの消去しきい値上限値と書込しきい値下限値との間に設定するリファレンス設定手段とを備え、
前記リファレンスメモリセルを含むアレイが、前記読み出しメモリセルを含むアレイと同一のメモリセルアレイ内に配置され、前記リファレンスメモリセルと前記読み出しメモリセルとがビット線を共用することを特徴とする半導体フラッシュメモリ。
【請求項５】
センスアンプが読み出しメモリセルのメモリ電流に対応する論理値を判定するために参照するリファレンスメモリセルと、
前記リファレンスメモリセルのしきい値を前記読み出しメモリセルの消去しきい値上限値と書込しきい値下限値との間に設定するリファレンス設定手段とを備え、
前記リファレンスメモリセルを含むアレイは、前記読み出しメモリセルを含むアレイと同一のウエル内に配置され、
前記リファレンスメモリセルは、前記読み出しメモリセルと前記センスアンプとを接続するビット線と、異なるビット線で前記センスアンプに接続されることを特徴とする半導体フラッシュメモリ。
【請求項６】
前記半導体フラッシュメモリは複数の前記リファレンスメモリセルを備え、
当該半導体フラッシュメモリの非アクセス時に、前記複数のリファレンスメモリセルに対する読み出し動作を行い、しきい値電圧が所定値よりも低い場合は追加書き込みを実行し、高い場合はビット毎の消去を実行する制御手段を備えることを特徴とする請求項４または５に記載の半導体フラッシュメモリ。
【請求項７】
前記半導体フラッシュメモリは複数の前記読み出しメモリセルを備え、
当該半導体フラッシュメモリの非アクセス時に、前記複数の読み出しメモリセルに対する読み出し動作を行い、しきい値電圧が所定値よりも低い場合は追加書き込みを実行し、高い場合はビット毎の消去を実行する制御手段を備えることを特徴とする請求項４または５に記載の半導体フラッシュメモリ。
【請求項８】
データ読み出し時にワード線が１本のみ選択され、選択されたワード線にて駆動される単一のメモリセルに１ビットの情報を保持する第１ブロックと、
データ読み出し時にワード線が複数本選択され、選択された複数本のワード線にて駆動される複数のメモリセルに１ビットの情報を保持する複数の第２ブロックとを備え、
その第２ブロックの複数個が近接して配置され、かつそれぞれが共通のプリデコード信号をワード線ドライバの電源側端子に印加してワード線の選択動作を行うことを特徴とする半導体フラッシュメモリ。
【請求項９】
前記第２ブロックでは、選択する複数本のワード線の組が複数ある場合に、各組の複数のワード線ドライバの電源側端子には、他の組とは異なるプリデコード信号が印加されることを特徴とする請求項８に記載の半導体フラッシュメモリ。
【請求項１０】
データ読み出し時にワード線が１本のみ選択され、選択されたワード線にて駆動される単一のメモリセルに１ビットの情報を保持する１以上の第１ブロックと、
通常のデータ読み出し時にはワード線が複数本選択され、通常のデータ読み出し時以外の動作時には前記通常のデータ読み出し時よりも少ない１以上のワード線が選択され、選択された１以上のワード線にて駆動される１以上のメモリセルに１ビットの情報を保持する複数の第２ブロックとを備え、
前記複数の第２ブロックは、近接して配置され、かつそれぞれが共通のプリデコード信号をワード線ドライバの電源側端子に印加してワード線の選択動作を行うことを特徴とする半導体フラッシュメモリ。
【請求項１１】
通常のデータ読み出し時とその通常のデータ読み出し時以外の動作時とを識別する第１制御信号と、通常のデータ読み出し時に選択する複数本のワード線の中で通常のデータ読み出し時以外の動作時に選択するワード線を指定する第２制御信号とに基づき、前記各第２ブロックにおける各ワード線ドライバの電源側端子に印加する互いに異なる前記プリデコード信号を生成する回路、
を備えることを特徴とする請求項１０に記載の半導体フラッシュメモリ。
【請求項１２】
前記第２制御信号は、通常のデータ読み出し時以外の動作時に選択するワード線として通常のデータ読み出し時に選択する複数本のワード線を個別に指定するアドレス信号であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体フラッシュメモリ。
【請求項１３】
前記アドレス信号には、前記第１ブロックでは使用されないアドレス信号が用いられることを特徴とする請求項１２に記載の半導体フラッシュメモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月13日(2007.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法において、前記補強導体の開口部の面積は、前記絶縁基板の開口部の面積よりも広く、前記絶縁基板の開口部は、前記補強導体の開口部の内部領域に設けられていることを特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（２）テープ状の絶縁基板の長手方向に沿って開口部（パーフォレーション孔）が設けられ、前記絶縁基板の表面に導体配線が設けられ、前記絶縁基板の前記開口部の周辺に、前記開口部上が開口した補強導体が設けられている配線基板の製造方法において、前記補強導体の開口部の面積は、前記絶縁基板の開口部の面積よりも広く、前記絶縁基板の開口部は、前記補強導体の開口部の内部領域に設けられている配線基板の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月31日(2007.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
一方の端部が前記発光素子に電気接続されると共に、前記発光素子に電源を供給するための端子として機能するリードと、
前記発光素子が搭載されると共に、前記発光素子の熱を放熱する金属ベース部と、
前記発光素子を覆う透光性の樹脂又はガラスによる封止部材とを備え、
前記リードは、金属板材からなり、前記金属ベース部にガラス材からなる耐熱性絶縁性部材によって保持されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
発光素子と、
一方の端部が前記発光素子に電気接続されると共に、前記発光素子に電源を供給するための端子として機能するリードと、
前記発光素子が搭載されると共に、前記発光素子の熱を放熱する金属ベース部と、
前記発光素子を覆う透光性の樹脂又はガラスによる封止部材とを備え、
前記リードは、前記金属ベース部にセラミックス材からなる耐熱性絶縁性部材によって保持され、前記セラミックス材に形成された金属パターンであることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
前記発光素子と前記リードとの接続を電極又は配線層を介して行うサブマウントを有し、
前記発光素子は、前記サブマウントを介して、前記金属ベース部に搭載されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記金属ベース部に重なるように接合され又は前記金属ベース部に一体加工された金属製の反射鏡部を有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の発光装置。
【請求項５】
前記金属ベース部あるいは前記反射鏡部の少なくとも一方に、放熱フィンが形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の発光装置。
【請求項６】
前記金属ベース部は、シート状のヒートシンクが装着されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上記の目的を達成するため、発光素子と、一方の端部が前記発光素子に電気接続されると共に、前記発光素子に電源を供給するための端子として機能するリードと、前記発光素子が搭載されると共に、前記発光素子の熱を放熱する金属ベース部と、前記発光素子を覆う透光性の樹脂又はガラスによる封止部材とを備え、前記リードは、金属板材からなり、前記金属ベース部にガラス材からなる耐熱性絶縁性部材によって保持されていることを特徴とする発光装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明は、上記の目的を達成するため、発光素子と、一方の端部が前記発光素子に電気接続されると共に、前記発光素子に電源を供給するための端子として機能するリードと、前記発光素子が搭載されると共に、前記発光素子の熱を放熱する金属ベース部と、前記発光素子を覆う透光性の樹脂又はガラスによる封止部材とを備え、前記リードは、前記金属ベース部にセラミックス材からなる耐熱性絶縁性部材によって保持され、前記セラミックス材に形成された金属パターンであることを特徴とする発光装置を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記発光素子と前記リードとの接続を電極又は配線層を介して行うサブマウントを有し、前記発光素子は、前記サブマウントを介して、前記金属ベース部に搭載されていることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
絶縁体４２ａ，４２ｂは“Ｌ”字形の断面形状を有し、反射鏡部４１ｃの外周面に密着するように配設されている。ここでは、絶縁体４２ａ，４２ｂは“Ｌ”字形の２つの部品から成るものとしているが、“Ｌ”字形の断面形状を有するリングであってもよい。絶縁体４２ａ，４２ｂとしては、耐熱性と絶縁性を備える材料、例えば、ガラス、セラミックス等で、リード部１６ａ，１６ｂやヒートシンク４１と同等の熱膨張率を有することが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月5日(2007.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソード、ゲート及びアノードと、
前記カソードに設けられ、カソードとアノードとの間のみ電圧を印加した状態において電子放出を行い得る電子放出体と、
前記電子放出体に対向して配置され、前記電子放出体から放出された電子が衝突することによる発光を利用して画像を形成する画像形成部材と、
カソードとゲートとの間に遮断電圧を印加し、前記電子放出体からの電子放出を停止するための駆動手段と、
カソードとアノードとの間の電圧によって前記電子放出体から放出され、前記アノードに向かう電子の軌跡を偏向させる偏向手段と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記カソードはリアプレートに設けられ、前記アノードと前記画像形成部材と電子の衝突による画像形成を妨げる部材とが前記リアプレートに対向するフェースプレートに設けられており、
前記電子の衝突による画像形成を妨げる部材が、前記電子放出体の直上に位置することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記カソードはリアプレートに設けられ、前記アノード及び前記画像形成部材は前記リアプレートに対向するフェースプレートに設けられており、
前記カソードとアノードとの間のみ電圧を印加した状態において前記電子放出体から放出された電子の前記画像形成部材側への到達を阻止する電子遮蔽部材が前記リアプレートと前記フェースプレートの間に設けられている請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記電子遮蔽部材には、前記カソードとアノードとの間に印加される電圧による電界を乱さないように、前記カソードとアノードとの間の電圧と同極性の電圧が印加されている請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記電子遮蔽部材には、前記カソードとアノードとの間に印加される電圧をＶａ、前記電子遮蔽部材と前記カソード間の距離をａ、前記電子遮蔽部材と前記アノード間の距離をｂとして、Ｖｓ＝ａ／（ａ＋ｂ）×Ｖａの電圧が印加されている請求項３に記載の画像形
成装置。
【請求項６】
前記電子放出体は、炭素を主成分とする膜状部材である請求項１乃至５のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記炭素を主成分とする膜状部材は、フラーレン、ダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、繊維状カーボン（カーボンファイバー）、グラファイトナノファイバー（ＧＮＦ）のいずれかである請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記偏向手段は、前記カソードに対する電位を前記ゲートとは独立に制御し得る別のゲートを含む請求項１乃至７のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記偏向手段は、前記ゲートとアノードの間に設けられ、前記カソードとアノードとの間の電位分布の偏りを生じさせる電位が与えられる偏向電極を含む請求項１に記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月22日(2006.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
標本に対して光ビームを走査するための複数の走査光学系と、
標本の共焦点走査画像を得るための少なくとも一つの検出光学系とを備えており、
走査光学系は、それぞれ、光ビームを発するレーザー光源と、光ビームを走査する走査光学ユニットとを有しており、
検出光学系は、複数の走査光学系の一つの走査光学ユニットを介して標本と光学的に結合されており、共焦点ピンホールと、共焦点ピンホールを通過した光を検出する光検出器とを有しており、
複数の走査光学系のうち、前記検出光学系と前記標本との光学的結合に介在する走査光学系を除いた所望の一つの走査光学系の共焦点位置と検出光学系の共焦点ピンホールの位置とを一致させるための共焦点位置調整手段をさらに備えている、走査型レーザー顕微鏡。
【請求項２】
請求項１において、共焦点位置調整手段は、共焦点ピンホールを検出光学系の光軸にほぼ直交する方向に移動させるピンホール移動手段を備えている、走査型レーザー顕微鏡。
【請求項３】
請求項２において、走査光学系ごとの共焦点ピンホールの位置を記憶しておくとともに、走査光学系の振幅と周期を同一にするための制御手段とを備えている、走査型レーザー顕微鏡。
【請求項４】
請求項３において、制御手段に対して情報を入力するための入力手段をさらに備えており、制御手段は、入力された情報に対応する共焦点ピンホールの位置を読み出して、その位置に共焦点ピンホールを配置するようにピンホール移動手段を制御する、走査型レーザー顕微鏡。
【請求項５】
請求項１において、共焦点位置調整手段は、共焦点ピンホールに向かう光ビームの光路を横切って配置された平行平面板と、検出光学系の光軸に対する平行平面板の傾斜角度を調整するための角度調整手段とを備えている、走査型レーザー顕微鏡。
【請求項６】
請求項５において、走査光学系ごとの平行平面板の傾斜角度を記憶しておくとともに、走査光学系の振幅と周期を同一にするための制御手段とを備えている、走査型レーザー顕微鏡。
【請求項７】
請求項６において、制御手段に対して情報を入力するための入力手段をさらに備えており、制御手段は、入力された情報に対応する平行平面板の傾斜角度を読み出し、その傾斜角度に平行平面板の傾斜角度を合わせるように角度調整手段を制御する、走査型レーザー顕微鏡。
【請求項８】
請求項１において、走査光学系は、それぞれ、レーザー光源からの光ビームを適宜遮断する遮断手段を備えている、走査型レーザー顕微鏡。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の走査型レーザー顕微鏡は、標本に対して光ビームを走査するための複数の走査光学系と、標本の共焦点走査画像を得るための少なくとも一つの検出光学系とを備えている。走査光学系は、それぞれ、光ビームを発するレーザー光源と、光ビームを走査する走査光学ユニットとを有している。検出光学系は、複数の走査光学系の一つの走査光学ユニットを介して標本と光学的に結合されている。検出光学系は、共焦点ピンホールと、共焦点ピンホールを通過した光を検出する光検出器とを有している。走査型レーザー顕微鏡は、さらに、複数の走査光学系のうち、前記検出光学系と前記標本との光学的結合に介在する走査光学系を除いた所望の一つの走査光学系の共焦点位置と検出光学系の共焦点ピンホールの位置とを一致させるための共焦点位置調整手段を備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月20日(2007.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検溶液中の特定成分に起因する前記被検溶液の光学特性を変化させる試薬を混入する前後の前記被検溶液の透過光強度および散乱光強度を測定し、これらの計測値にもとづいて、前記被検溶液中の前記特定成分の濃度を求める方法であって、
前記試薬混入前後の透過光強度の計測値と前記試薬混入前後の散乱光強度の計測値とを照合することにより、前記被検溶液中の浮遊粒子による誤計測の有無を検知することを特徴とする溶液濃度計測方法。
【請求項２】
濃度が既知の基準溶液と前記被検溶液とについて、前記試薬混入前後の透過光強度および散乱光強度の少なくとも一方を同条件で計測し、前記基準溶液の計測値により、前記被検溶液の計測値を補正して前記被検溶液中の前記特定成分の濃度を求めることを特徴とする請求項１記載の溶液濃度計測方法。
【請求項３】
前記基準溶液が、前記特定成分を含まない水であることを特徴とする請求項２記載の溶液濃度計測方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の溶液濃度計測方法によって前記被検溶液のタンパク質濃度を求め、前記試薬混入以前に前記被検溶液の旋光度を計測することによって前記被検溶液中の旋光性物質濃度を求め、ついで前記タンパク質濃度および前記旋光性物質濃度から、前記タンパク質以外の旋光性物質の濃度を求めることを特徴とする溶液濃度計測方法。
【請求項５】
被検溶液に光を照射する光源と、前記光が前記被検溶液を透過するように前記被検溶液を保持するサンプルセルと、前記被検溶液を透過した光を検知する光センサー１と、前記被検溶液中を前記光が伝搬する際に発生した散乱光を検知する光センサー２と、前記被検溶液に前記被検溶液中の特定成分のみの光学特性を変化させる試薬を混入する混入機と、前記混入機を制御し、前記光センサーの出力信号を解析するコンピューターとを備え、前記試薬混入前後の前記光センサー１および２の出力信号の計測値から、前記被検溶液中の特定成分の濃度を求める溶液濃度計測装置であって、
前記試薬混入前後の前記光センサー１の出力信号の計測値と前記試薬混入前後の前記光センサー２の出力信号の計測値とを照合することにより、前記被検溶液中の浮遊粒子による誤計測の有無を検知することを特徴とする溶液濃度計測装置。
【請求項６】
さらに、略平行光を投射する単色光源と、前記略平行光のうち特定方向の偏光成分のみを透過する偏光子と、前記被検溶液に磁場を印加する手段と、前記磁場を制御する磁場制御手段と、前記磁場を制御する際に前記磁場を振動変調する磁場変調手段と、前記被検溶液を透過した光のうち特定方向の偏光成分のみを透過する検光子と、前記検光子を透過した光を検知する光センサー３と、前記光センサー３の出力信号を前記磁場変調手段の振動変調信号を参照信号として位相敏感検波するロックインアンプと、前記磁場制御手段の磁場制御信号と前記ロックインアンプの出力信号にもとづいて前記被検溶液の旋光度を算出し、これを旋光性物質の濃度に換算する手段とを備え、前記サンプルセルは前記偏光子を透過した光が透過するように前記被検溶液を保持しており、
前記試薬混入前後に計測した被検溶液の透過光強度の計測値から、または前記光センサー３の出力信号を前記透過光の信号と見なして、前記光センサー３の出力信号の計測値から、前記被検溶液のタンパク質濃度を求め、前記算出された旋光度と前記タンパク質濃度から、前記被検溶液の前記タンパク質濃度と前記タンパク質以外の旋光性物質の濃度を確定することを特徴とする請求項５記載の溶液濃度計測装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記問題点を解決すべく、本発明は、被検溶液中の特定成分に起因する前記被検溶液の光学特性を変化させる試薬を混入する前後の前記被検溶液の透過光強度および散乱光強度を測定し、これらの計測値にもとづいて、前記被検溶液中の前記特定成分の濃度を求める方法であって、前記試薬混入前後の透過光強度の計測値と前記試薬混入前後の散乱光強度の計測値とを照合することにより、前記被検溶液中の浮遊粒子による誤計測の有無を検知することを特徴とする溶液濃度計測方法を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、濃度が既知の基準溶液と前記被検溶液とについて、前記試薬混入前後の透過光強度および散乱光強度の少なくとも一方を同条件で計測し、前記基準溶液の計測値により、前記被検溶液の計測値を補正して前記被検溶液中の前記特定成分の濃度を求めるのが有効である。
前記基準溶液は、前記特定成分を含まない水であるのが有効である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
このＩＰＮゲル粒子を大量の純水に加えて膨潤させた。温度、１０℃における平衡膨潤状態の吸水量は約３ｇ／ｇであった。ところが、これを５０℃に加熱するとさらに膨潤し、約８０ｇ／ｇの吸水量を示すことがわかった。また、相転移点は３０−４０℃の温度範囲にあった。つまり、相転移点よりも高温では膨潤し、低温では、収縮する。この変化は可逆的であり、膨潤・収縮によって粒子の粒径は約３倍、すなわち体積で約２７倍の変化が得られた。膨潤液として、ポリアクリル酸（Ｍ．ｗ．２５００００）０．２質量％、エチレングリコール３０質量％の水溶液を用い、３質量％のゲル分散液を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月22日(2006.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体内にポリゴンミラーを回転可能に収容し、前記ポリゴンミラーに光源からの光が入射し、その走査光が前記筐体に設けた透光性の像面側カバー部材を介して出射するように構成されたポリゴンモータと、前記走査光を像面に結像させるためのレンズを含む光学系と、を備える光走査装置において、
前記光学系が複数のレンズから構成され、
前記像面側カバー部材における反射光の光線経路が前記レンズの出射側に関する次の条件（２）を満たすように構成し、かつ前記像面側カバー部材または前記光源側カバー部材における反射光が前記複数のレンズの内のｎ番目のレンズ内を透過し、ｎ＋１番目のレンズの外側を通過するように構成することを特徴とする光走査装置。
−Ｈ＜ＲL-out、かつ、Ｈ＞ＲH-out ・・・（２）
但し、Ｈ：レンズ光軸からのレンズ高さ
ＲL-out：反射光(下方光線)のレンズ出射側のレンズ光軸からの光線高さ
ＲH-out：反射光(上方光線)のレンズ出射側のレンズ光軸からの光線高さ
【請求項２】
筐体内にポリゴンミラーを回転可能に収容し、前記ポリゴンミラーに光源からの光が入射し、その走査光が前記筐体に設けた透光性の像面側カバー部材を介して出射するように構成されたポリゴンモータと、前記走査光を像面に結像させるためのレンズを含む光学系と、を備える光走査装置において、
前記光学系が複数のレンズから構成され、
前記像面側カバー部材における反射光の光線経路が前記レンズの出射側に関する次の条件（２）を満たすように構成し、かつ前記複数のレンズの内のｎ番目のレンズと、ｎ＋１番目のレンズとの間に前記反射光をカットする遮光部材を配置したことを特徴とする光走査装置。
−Ｈ＜ＲL-out、かつ、Ｈ＞ＲH-out ・・・（２）
但し、Ｈ：レンズ光軸からのレンズ高さ
ＲL-out：反射光(下方光線)のレンズ出射側のレンズ光軸からの光線高さ
ＲH-out：反射光(上方光線)のレンズ出射側のレンズ光軸からの光線高さ
【請求項３】
光源と、筐体内にポリゴンミラーを回転可能に収容し、前記ポリゴンミラーに前記光源からの光が前記筐体に設けた透光性の光源側カバー部材を介して入射し、その走査光が像面に向けて出射するように構成されたポリゴンモータと、を備え、前記光源と前記光源側カバー部材との間に前記光源からの光を前記ポリゴンミラーに結合するためにレンズを含む光学系が配置された光走査装置において、
前記光学系が複数のレンズから構成され、
前記光源側カバー部材における反射光の光線経路が前記レンズの、反射光出射側に関する次の条件（４）を満たすように構成し、かつ前記像面側カバー部材または前記光源側カバー部材における反射光が前記複数のレンズの内のｎ番目のレンズ内を透過し、ｎ＋１番目のレンズの外側を通過するように構成することを特徴とする光走査装置。
−Ｈ＜ＲL-out、かつ、Ｈ＞ＲH-out ・・・（４）
但し、Ｈ：レンズ光軸からのレンズ高さ
ＲL-out：反射光(下方光線)のレンズ出射側のレンズ光軸からの光線高さ
ＲH-out：反射光(上方光線)のレンズ出射側のレンズ光軸からの光線高さ
【請求項４】
光源と、筐体内にポリゴンミラーを回転可能に収容し、前記ポリゴンミラーに前記光源からの光が前記筐体に設けた透光性の光源側カバー部材を介して入射し、その走査光が像面に向けて出射するように構成されたポリゴンモータと、を備え、前記光源と前記光源側カバー部材との間に前記光源からの光を前記ポリゴンミラーに結合するためにレンズを含む光学系が配置された光走査装置において、
前記光学系が複数のレンズから構成され、
前記光源側カバー部材における反射光の光線経路が前記レンズの、反射光出射側に関する次の条件（４）を満たすように構成し、かつ前記複数のレンズの内のｎ番目のレンズと、ｎ＋１番目のレンズとの間に前記反射光をカットする遮光部材を配置したことを特徴とする光走査装置。
−Ｈ＜ＲL-out、かつ、Ｈ＞ＲH-out ・・・（４）
但し、Ｈ：レンズ光軸からのレンズ高さ
ＲL-out：反射光(下方光線)のレンズ出射側のレンズ光軸からの光線高さ
ＲH-out：反射光(上方光線)のレンズ出射側のレンズ光軸からの光線高さ
【請求項５】
前記像面側カバー部材または前記光源側カバー部材より数えて前記複数のレンズの内のｎ番目のレンズ高さをｎ＋１番目のレンズ高さよりも高くすることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光走査装置。
【請求項６】
前記像面側カバー部材または前記光源側カバー部材における反射光が前記複数のレンズの内のｎ番目のレンズ内を透過し、ｎ＋１番目のレンズの外側を通過するように構成することを特徴とする請求項２または４に記載の光走査装置。
【請求項７】
前記像面側カバー部材または前記光源側カバー部材における反射光が前記複数のレンズの内のｎ＋１番目のレンズの上面または下面に反射光が当たるが、ｎ番目のレンズでは前記反射光がそのレンズ内を透過するように構成したことを特徴とする請求項２または４に記載の光走査装置。
【請求項８】
前記像面側カバー部材と前記光源からの光が前記ポリゴンモータに入射する光源側カバー部材とが１枚の共通部材からなることを特徴とする請求項１または２に記載の光走査装置。
【請求項９】
前記光源側カバー部材と、前記ポリゴンミラーから走査光が像面に向け出射する像面側カバー部材とが１枚の共通部材からなることを特徴とする請求項３または４に記載の光走査装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光走査装置を備え、前記像面において画像を形成する画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月25日(2007.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成された受光部と、
前記受光部の上にネガ型染料カラーレジストにより形成されたカラーフィルタとを備え、
前記カラーフィルタは、前記ネガ型染料カラーレジストを形成する工程と、
前記ネガ型染料カラーレジストの上部に酸素透過防止膜を形成する工程と、
前記酸素透過防止膜の上方から所定領域を露光する工程と、
現像液により、少なくとも前記所定領域外の前記ネガ型染料カラーレジストおよび前記酸素透過防止膜を除去する工程とにより形成される
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
半導体基板に形成された受光部と、
前記受光部の上にネガ型染料カラーレジストにより形成されたカラーフィルタと、
前記カラーフィルタの直上に形成された酸素透過防止膜と
を備え、
前記酸素透過防止膜は感光性を有する
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】
前記酸素透過防止膜は水溶性である
ことを特徴とする請求項１または２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記酸素透過防止膜は可視光あるいは紫外線露光を透過させる
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記酸素透過防止膜の膜厚は０．１nm以上１μm以下である
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記固体撮像装置はＣＣＤセンサーである
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記固体撮像装置はＭＯＳセンサーである
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の固体撮像装置を備える
ことを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体撮像装置およびカメラ
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月11日(2006.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側から像側へ順に、開口絞り、正の屈折力の第１レンズ、負の屈折力の第２レンズ、正の屈折力の第３レンズより構成されたレンズ系であって、該第２レンズを構成する材料はガラスであり、該第２レンズの像側のレンズ面と該第３レンズの物体側のレンズ面で構成される空気レンズの焦点距離をｆａ、全系の焦点距離をｆ、該第２レンズの材料の屈折率をＮ２、アッベ数をν２とするとき、
０．５＜ｆａ／ｆ＜０．９
−０．０１３ν２＋２．０５＜Ｎ２＜−０．０１３ν２＋２．３０
Ｎ２＞１．６５
なる条件を満足することを特徴とするレンズ系。
【請求項２】
前記第２レンズの焦点距離をｆ２とするとき、
０．１＜｜ｆ２／ｆ｜＜０．８
なる条件を満足することを特徴とする請求項１のレンズ系。
【請求項３】
物体側から像側へ順に、開口絞り、正の屈折力の第１レンズ、負の屈折力の第２レンズ、正の屈折力の第３レンズより構成されたレンズ系であって、該第３レンズを構成する材料はプラスチックであり、該第２レンズの像側のレンズ面と該第３レンズの物体側のレンズ面で構成される空気レンズの焦点距離をｆａ、全系の焦点距離をｆ、該第３レンズの材料の屈折率をＮ３、アッベ数をν３とするとき、
０．５＜ｆａ／ｆ＜０．９
−０．０１３ν３＋２．０５＜Ｎ３＜−０．０１３ν３＋２．３０
Ｎ３＜１．６５
なる条件を満足することを特徴とするレンズ系。
【請求項４】
前記第３レンズの物体側のレンズ面の曲率半径をＲ３１、像側のレンズ面の曲率半径をＲ３２、該第３レンズの焦点距離をｆ３とするとき、
０＜（Ｒ３２＋Ｒ３１）／（Ｒ３２−Ｒ３１）＜５．０
１．０＜ｆ３／ｆ＜３．０
なる条件を満足することを特徴とする請求項３のレンズ系。
【請求項５】
前記第１レンズの材料はガラスより成り、該第１レンズの材料の屈折率をＮ１、アッベ数をν１とするとき、
−０．０１３ν１＋２．３０＜Ｎ１＜−０．０１３ν１＋２．５５
なる条件を満足することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項のレンズ系。
【請求項６】
前記第１レンズの物体側のレンズ面の曲率半径をＲ１１、像側のレンズ面の曲率半径をＲ１２、前記第２レンズの物体側のレンズ面の曲率半径をＲ２１、像側のレンズ面の曲率半径をＲ２２とするとき、
−１．０＜（Ｒ１２＋Ｒ１１）／（Ｒ１２−Ｒ１１）＜−０．１
１．０＜（Ｒ２２＋Ｒ２１）／（Ｒ２２−Ｒ２１）＜３．０
なる条件を満足することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項のレンズ系。
【請求項７】
物体側から像側へ順に、開口絞り、正の屈折力の第１レンズ、負の屈折力の第２レンズ、正の屈折力の第３レンズより構成されたレンズ系であって、該第２レンズの材料はガラス、第３レンズの材料はプラスチックであり、該第２レンズの像側のレンズ面と該第３レンズの物体側のレンズ面で構成される空気レンズの焦点距離をｆａ、全系の焦点距離をｆ、該第ｉレンズの材料の屈折率をＮｉ、アッベ数をνｉとするとき、
０．５＜ｆａ／ｆ＜０．９
−０．０１３ν２＋２．０５＜Ｎ２＜−０．０１３ν２＋２．３０
Ｎ２＞１．６５
−０．０１３ν３＋２．０５＜Ｎ３＜−０．０１３ν３＋２．３０
Ｎ３＜１．６５
なる条件を満足することを特徴とするレンズ系。
【請求項８】
前記第２レンズの焦点距離をｆ２とするとき、
０．１＜｜ｆ２／ｆ｜＜０．８
なる条件を満足することを特徴とする請求項７のレンズ系。
【請求項９】
前記第３レンズの物体側のレンズ面の曲率半径をＲ３１、像側のレンズ面の曲率半径をＲ３２、該第３レンズの焦点距離をｆ３とするとき、
０＜（Ｒ３２＋Ｒ３１）／（Ｒ３２−Ｒ３１）＜５．０
１．０＜ｆ３／ｆ＜３．０
なる条件を満足することを特徴とする請求項７又は８のレンズ系。
【請求項１０】
前記第１レンズの材料はガラスより成り、該第１レンズの材料の屈折率をＮ１、アッベ数をν１とするとき、
−０．０１３ν１＋２．３０＜Ｎ１＜−０．０１３ν１＋２．５５
なる条件を満足することを特徴とする請求項７、８又は９のレンズ系。
【請求項１１】
前記第１レンズの物体側のレンズ面の曲率半径をＲ１１、像側のレンズ面の曲率半径をＲ１２、前記第２レンズの物体側のレンズ面の曲率半径をＲ２１、像側のレンズ面の曲率半径をＲ２２とするとき、
−１．０＜（Ｒ１２＋Ｒ１１）／（Ｒ１２−Ｒ１１）＜−０．１
１．０＜（Ｒ２２＋Ｒ２１）／（Ｒ２２−Ｒ２１）＜３．０
なる条件を満足することを特徴とする請求項７から１０のいずれか１項のレンズ系。
【請求項１２】
固体撮像素子に像を形成する為の光学系であることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項のレンズ系。
【請求項１３】
請求項１から１１のいずれか１項のレンズ系と、該レンズ系によって形成された像を光電変換する為の固体撮像素子を有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本願第１発明の対物レンズは、物体側から像側へ順に、開口絞り、正の屈折力の第１レンズ、負の屈折力の第２レンズ、正の屈折力の第３レンズより構成されたレンズ系であって、該第２レンズを構成する材料はガラスであり、該第２レンズの像側のレンズ面と該第３レンズの物体側のレンズ面で構成される空気レンズの焦点距離をｆａ、全系の焦点距離をｆ、該第２レンズの材料の屈折率をＮ２、アッベ数をν２とするとき、
０．５＜ｆａ／ｆ＜０．９
−０．０１３ν２＋２．０５＜Ｎ２＜−０．０１３ν２＋２．３０
Ｎ２＞１．６５
なる条件を満足することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本願第２発明の対物レンズは、物体側から像側へ順に、開口絞り、正の屈折力の第１レンズ、負の屈折力の第２レンズ、正の屈折力の第３レンズより構成されたレンズ系であって、該第３レンズを構成する材料はプラスチックであり、該第２レンズの像側のレンズ面と該第３レンズの物体側のレンズ面で構成される空気レンズの焦点距離をｆａ、全系の焦点距離をｆ、該第３レンズの材料の屈折率をＮ３、アッベ数をν３とするとき、
０．５＜ｆａ／ｆ＜０．９
−０．０１３ν３＋２．０５＜Ｎ３＜−０．０１３ν３＋２．３０
Ｎ３＜１．６５
なる条件を満足することを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本願第３発明の対物レンズは、物体側から像側へ順に、開口絞り、正の屈折力の第１レンズ、負の屈折力の第２レンズ、正の屈折力の第３レンズより構成されたレンズ系であって、該第２レンズの材料はガラス、第３レンズの材料はプラスチックであり、該第２レンズの像側のレンズ面と該第３レンズの物体側のレンズ面で構成される空気レンズの焦点距離をｆａ、全系の焦点距離をｆ、該第ｉレンズの材料の屈折率をＮｉ、アッベ数をνｉとするとき、
０．５＜ｆａ／ｆ＜０．９
−０．０１３ν２＋２．０５＜Ｎ２＜−０．０１３ν２＋２．３０
Ｎ２＞１．６５
−０．０１３ν３＋２．０５＜Ｎ３＜−０．０１３ν３＋２．３０
Ｎ３＜１．６５
なる条件を満足することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月15日(2007.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光を発生するレーザー光発生手段と、
前記レーザー光の輝度変調を行う輝度変調手段と、
前記輝度変調手段で輝度変調されたレーザー光により試料を走査する走査手段と、
前記走査手段で走査された試料の画像を生成する演算手段と、
前記演算手段で生成された試料の画像を画面上に表示する表示手段と、
照射すべきレーザー光の照射領域と照射光量とを前記演算手段に外部入力するための入力手段と、
を備え、
前記演算手段は、前記入力手段の入力に基づいて、前記照射領域と前記照射光量を、前記試料の画像に対応して前記表示手段に表示させることを特徴とするレーザー変調共焦点顕微鏡システム。
【請求項２】
請求項１記載のレーザー変調共焦点顕微鏡システムにおいて、
前記演算手段は、前記試料の画像上に前記試料の画像に対応して表示される前記照射光量の表示を、前記照射光量の設定後に前記画面上から前記表示手段に消去させることを特徴とするレーザー変調共焦点顕微鏡システム。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載のレーザー変調共焦点顕微鏡システムにおいて、
前記演算手段は、前記レーザー光発生手段から前記試料に照射されるレーザー光の種類を入力し、そのレーザー光の波長に応じた色で前記照射領域を前記表示手段に表示させることを特徴とするレーザー変調共焦点顕微鏡システム。
【請求項４】
請求項１または請求項２記載のレーザー変調共焦点顕微鏡システムにおいて、
前記演算手段は、前記試料に照射すべきレーザー光の照射光量を、照射光量に対応するレーザー光の波長色の明暗度で前記表示手段に表示させることを特徴とするレーザー変調共焦点顕微鏡システム。
【請求項５】
請求項１または請求項２記載のレーザー変調共焦点顕微鏡システムにおいて、
前記演算手段は、前記試料に照射すべきレーザー光の照射光量を、照射光量に対応する点密度で前記表示手段に表示させることを特徴とするレーザー変調共焦点顕微鏡システム。
【請求項６】
請求項１または請求項２記載のレーザー変調共焦点顕微鏡システムにおいて、
前記演算手段は、前記試料に照射すべきレーザー光の照射光量を、照射光量に対応して予め決められた設定色で前記表示手段に表示させることを特徴とするレーザー変調共焦点顕微鏡システム。
【請求項７】
請求項６記載のレーザー変調共焦点顕微鏡システムにおいて、
前記演算手段は、前記照射領域を表す枠線の色を前記設定色で前記表示手段に表示させることを特徴とするレーザー変調共焦点顕微鏡システム。
【請求項８】
請求項１または請求項２記載のレーザー変調共焦点顕微鏡システムにおいて、
前記演算手段は、前記試料に照射すべきレーザー光が複数種類あり、同じ照射領域にかかる場合に、その重なる部分を、レーザー光が有する波長色の混合色で前記表示手段に表示させることを特徴とするレーザー変調共焦点顕微鏡システム。
【請求項９】
請求項１または請求項２記載のレーザー変調共焦点顕微鏡システムにおいて、
前記演算手段は、前記照射すべきレーザー光の照射光量を数値で前記表示手段に表示させることを特徴とするレーザー変調共焦点顕微鏡システム。
【請求項１０】
異なる波長のレーザー光源を有する複数のレーザー光発生手段と、
前記レーザー光発生手段からのレーザー光により試料を走査する走査手段と、
前記走査手段で走査された試料の画像を生成する演算手段と、
照射すべき前記レーザー光の照射領域を前記演算手段に外部入力する入力手段と、
前記入力手段にて設定された複数の前記照射領域それぞれに対して、前記異なるレーザー光発生手段を選択する選択部材と、
前記入力手段の入力に基づいて前記照射領域、及び前記選択手段で選択されたレーザー光発生手段を示す表示を画面上に表示する表示手段と、
を備えたことを特徴とするレーザー変調共焦点顕微鏡システム。
【請求項１１】
請求項１０記載のレーザー変調共焦点顕微鏡システムにおいて、
前記入力手段は、前記照射領域に対応する照射光量を前記演算手段に外部入力し、
前記表示手段は、前記画面上に前記照射光量を示す識別表示を表示することを特徴とするレーザー変調共焦点顕微鏡システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項８のレーザー変調共焦点顕微鏡システムは、請求項１または請求項２記載のレーザー変調共焦点顕微鏡システムにおいて、前記演算手段は、前記試料に照射すべきレーザー光が複数種類あり、同じ照射領域にかかる場合に、その重なる部分を、レーザー光が有する波長色の混合色で前記表示手段に表示させることを特徴とする。
請求項９のレーザー変調共焦点顕微鏡システムは、請求項１または請求項２記載のレーザー変調共焦点顕微鏡システムにおいて、前記演算手段は、前記照射すべきレーザー光の照射光量を数値で前記表示手段に表示させることを特徴とする。
請求項１０のレーザー変調共焦点顕微鏡システムは、異なる波長のレーザー光源を有する複数のレーザー光発生手段と、前記レーザー光発生手段からのレーザー光により試料を走査する走査手段と、前記走査手段で走査された試料の画像を生成する演算手段と、照射すべき前記レーザー光の照射領域を前記演算手段に外部入力する入力手段と、前記入力手段にて設定された複数の前記照射領域それぞれに対して、前記異なるレーザー光発生手段を選択する選択部材と、前記入力手段の入力に基づいて前記照射領域、及び前記選択手段で選択されたレーザー光発生手段を示す表示を画面上に表示する表示手段とを備えたことを特徴とする。
請求項１１のレーザー変調共焦点顕微鏡システムは、請求項１０記載のレーザー変調共焦点顕微鏡システムにおいて、前記入力手段は、前記照射領域に対応する照射光量を前記演算手段に外部入力し、前記表示手段は、前記画面上に前記照射光量を示す識別表示を表示することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月25日(2007.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも３つの波長帯域からなる波長多重光を所定の帯域に分波または／および波長多重光に合波する波長合分波器であって、
当該波長合分波器は、１つの光学基板または複数の光学基板を一体にした構造を有し、  当該光学基板上に支持された少なくとも２つの異なる特性の第１の光学フィルタＡ及び第２の光学フィルタＢを備え、
前記３つの波長帯域の中心波長をλ１、λ２、λ３としたとき、０．９２≦λ２／λ１≦１．０８であり、０．２０≦λ３／λ１≦０．９２または１．０８≦λ３／λ１≦５．００であり、相対的にλ１とλ2は接近しており、λ3はこれらより離れている関係にあり、
前記第１の光学フィルタＡは、前記３つの波長多重光の光路上に配置され、前記波長帯域の中心波長がλ３の光を、前記波長帯域の中心波長がλ１とλ２の２つの波長多重光と合波もしくは分波し、
前記第２の光学フィルタＢは、前記２つの波長多重光の光路上に配置され、前記２つの波長多重光を、前記波長帯域の中心波長がλ１とλ２の光に合波もしくは分波する波長合分波器。
【請求項２】
前記第１の光学フィルタＡは、３つの波長多重光のうち、前記波長帯域の中心波長がλ３の光を反射するとともに、前記波長帯域の中心波長がλ１とλ２の２つの波長多重光を透過し、
前記第２の光学フィルタＢは、前記第１の光学フィルタＡを透過した２つの波長多重光のうち、前記波長帯域の中心波長がλ２の光を反射するとともに、前記波長帯域の中心波長がλ１の光を透過することを特徴とした請求項１記載の波長合分波器。
【請求項３】
前記第１の光学フィルタＡの入射媒質の屈折率をｎＡ、前記第１の光学フィルタＡへの３つの波長多重光と前記第１の光学フィルタＡのフィルタ面の法線とのなす角度をθＡとし、
前記第２の光学フィルタＢの入射媒質の屈折率をｎＢ、前記第２の光学フィルタＢへの２つの波長多重光と第２の光学フィルタＢのフィルタ面の法線とのなす角度をθＢとしたとき、
θＡ≧１５°、
ｎＡ・ＳｉｎθＡ≦０．９５、
θＢ≧１５°、
ｎＢ・ＳｉｎθＢ≦０．８５であることを特徴とする請求項２記載の波長合分波器。
【請求項４】
前記第１の光学フィルタＡと前記第２の光学フィルタＢとのなす角度をαとしたとき、６０°≦α≦１２０°であることを特徴とする請求項３記載の波長合分波器。
【請求項５】
前記第１の光学フィルタＡは、３つの波長多重光のうち、前記波長帯域の中心波長がλ３の光を透過するとともに、前記波長帯域の中心波長がλ１とλ２の２つの波長多重光を反射し、
前記第２の光学フィルタＢは、前記第１の光学フィルタＡを反射した２つの波長多重光のうち、前記波長帯域の中心波長がλ２の光を反射するとともに、前記波長帯域の中心波長がλ１の光を透過し、
前記第１の光学フィルタＡの入射媒質の屈折率をｎＡ、前記第１の光学フィルタＡへの３つの波長多重光と前記第１の光学フィルタＡのフィルタ面の法線とのなす角度をθＡとし、
前記第２の光学フィルタＢの入射媒質の屈折率をｎＢ、前記第２の光学フィルタＢへの２つの波長多重光と第２の光学フィルタＢのフィルタ面の法線とのなす角度をθＢとしたとき、
θＡ≧５°、
ｎＡ・ＳｉｎθＡ≦０．９５、
θＢ≧５°、
ｎＢ・ＳｉｎθＢ≦０．８５であることを特徴とする請求項１記載の波長合分波器。
【請求項６】
第１の光学フィルタＡと第２の光学フィルタＢとのなす角度をαとしたとき、α≧θＡ＋５、かつ、１０°≦α≦９０°であることを特徴とする請求項４記載の波長合分波器。
【請求項７】
前記波長合分波器は光通信用の波長合分波器であって、前記第１の光学フィルタＡで分離されたλ3の帯域の光はデータの送信に使用し、前記第２の光学フィルタＢで分離されたλ1の帯域の光とλ2の帯域の光はデータの受信に使用することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の波長合分波器。
【請求項８】
前記第１の光学フィルタＡは、エッジフィルタであり、
前記第２の光学フィルタＢは、バンドパスフィルタ若しくはエッジフィルタであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の波長合分波器。
【請求項９】
少なくとも３つの波長帯域からなる波長多重光を所定の帯域に分波または／および波長多重光に合波する波長合分波器であって、
当該波長合分波器は１つの光学基板または複数の光学基板を一体にした構造からなり、  当該光学基板上に支持された少なくとも２つの第１の光学フィルタＡ及び第２の光学フィルタＢを備え、
前記３つの波長帯域の中心波長をλ１、λ２、λ３としたとき、０．９４≦λ２／λ１≦０．９８であり、０．２０≦λ３／λ１≦０．９４の関係にあり、
前記第１の光学フィルタＡは、前記３つの波長多重光の光路上に配置され、前記波長帯域の中心波長がλ１の光を、前記波長帯域の中心波長がλ２とλ３の２つの波長多重光と合波もしくは分波し、
前記第２の光学フィルタＢは、前記２つの波長多重光の光路上に配置され、前記２つの波長多重光を、前記波長帯域の中心波長がλ２とλ３の光に合波もしくは分波する波長合分波器。
【請求項１０】
前記第１の光学フィルタＡは、３つの波長多重光のうち、前記波長帯域の中心波長がλ１の光を反射するとともに、前記波長帯域の中心波長がλ２とλ３の２つの波長多重光を透過し、
前記第２の光学フィルタＢは、前記第１の光学フィルタＡを透過する２つの波長多重光のうち、前記波長帯域の中心波長がλ２の光を反射するとともに、前記波長帯域の中心波長がλ３の光を透過し、
前記第１の光学フィルタＡへの３つの波長多重光と前記第１の光学フィルタＡのフィルタ面の法線とのなす角度をθＡとしたとき、
５°≦θＡ≦３０°であることを特徴とする請求項９記載の波長合分波器。
【請求項１１】
前記第１の光学フィルタＡによって反射された前記波長帯域の中心波長がλ１の光の光路上に配置されたミラーを、さらに備え、
当該ミラーの入射媒質の屈折率をｎＭ、前記第１の光学フィルタＡを反射した前記波長帯域の中心波長がλ１の光と前記ミラー面の法線とのなす角度をθＭとしたとき、
ｎＭ・ＳｉｎθＭ≧１、
θＭ≦８５°であることを特徴とする請求項１０記載の波長合分波器。
【請求項１２】
前記波長帯域の中心波長がλ３の光の波長合分波器への入射光がＰ偏光であることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれかに記載の波長合分波器。
【請求項１３】
前記第１の光学フィルタＡは、エッジフィルタであり、
前記第２の光学フィルタＢは、バンドパスフィルタ若しくはエッジフィルタであることを特徴とする請求項９乃至１２のいずれかに記載の波長合分波器。