【手続補正書】
【提出日】平成18年11月28日(2006.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  膜面に対し垂直方向に磁化される少なくとも２つの磁性層が非磁性層の両側に設けられた磁気抵抗効果素子が行列状に複数配され、
前記磁気抵抗効果素子の上方、下方にそれぞれ位置し、互いが交差するように設けられた第１、第２の配線を有し、
前記第１の配線は、電流が流れることで誘起される磁場の向きが前記膜面方向に垂直となるように配置され、前記第２の配線は、電流が流れることで誘起される磁場の向きが前記膜面方向に平行となるように配置されていることを特徴とする磁気メモリ装置。
【請求項２】  前記第１の配線は、前記磁気抵抗効果素子の直上から所定の距離だけずれた位置に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気メモリ装置。
【請求項３】  前記第１の配線は、前記磁気抵抗効果素子の抵抗値を検出するためのビット線よりなることを特徴とする請求項２に記載の磁気メモリ装置。
【請求項４】  前記磁気抵抗効果素子の抵抗値を検出するためのビット線をさらに有し、
前記第１の配線は、前記ビット線に沿って形成されていることを特徴とする請求項２に記載の磁気メモリ装置。
【請求項５】  前記第２の配線は、前記複数配置された磁気抵抗効果素子の列毎に配置され、
前記第１の配線は、前記複数配置された磁気抵抗効果素子の行間にそれぞれ配置されており、隣接する第１の配線にて誘起された磁場が、該配線の間に位置する磁気抵抗効果素子に対して同じ向きで印加されるように構成されていることを特徴とする請求項２または３に記載の磁気メモリ装置。
【請求項６】  前記磁気抵抗効果素子の抵抗値を検出するためのビット線を有し、各ビット線の配線部は抵抗値を検出する磁気抵抗効果素子の直上に配され、記録を行う際に、前記磁気抵抗素子に隣接する磁気抵抗素子に接続されたビット線に電流を流すことによって膜面に対し垂直方向に磁界が印加されることを特徴とする請求項１に記載の磁気メモリ装置。
【請求項７】  膜面に対し垂直方向に磁化される少なくとも２つの磁性層が非磁性層の両側に設けられた磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の上方、下方にそれぞれ位置し、互いが交差するように設けられた第１、第２の配線とを有する磁気メモリ装置の駆動方法であって、
前記第１の配線に所定の方向に電流を流して、該第１の配線にて誘起された、磁場の向きが前記膜面方向に垂直な第１の磁場を前記磁気抵抗効果素子に印加すると同時に、前記第２の配線に所定の方向に電流を流して、該第２の配線にて誘起された、磁場の向きが前記膜面方向に平行な第２の磁場を前記磁気抵抗効果素子に印加することを含む磁気メモリ装置の駆動方法。
【請求項８】  前記第１の配線として、前記磁気抵抗効果素子の抵抗値を検出するためのビット線を使用することを特徴とする請求項７に記載の磁気メモリ装置の駆動方法。
【請求項９】  膜面に対し垂直方向に磁化される少なくとも２つの磁性層が非磁性層の両側に設けられ、行列状に配置された複数の磁気抵抗効果素子と、配線部が前記複数の磁気抵抗効果素子の直上を通るように行毎に設けられた第１の配線群と、前記複数の磁気抵抗効果素子の直下を通るように列毎に設けられた第２の配線群とを有する磁気メモリ装置の駆動方法であって、
前記複数の磁気抵抗効果素子のうちから選択された磁気抵抗効果素子を所定の向きに磁化するステップを含み、
前記ステップは、
前記第１の配線群から、前記選択された磁気抵抗効果素子の直上を通る配線の両側に隣接する配線を選択し、これら選択した配線に、電流の向きが互いに反対となるように電流を供給するステップと、
前記第２の配線群から、前記選択された磁気抵抗効果素子の直下を通る配線を選択し、該選択した配線に、所定の方向に電流を供給するステップとを含む磁気メモリ装置の駆動方法。
【請求項１０】  膜面に対し垂直方向に磁化される少なくとも２つの磁性層が非磁性層の両側に設けられ、行列状に配置された複数の磁気抵抗効果素子と、配線部が前記複数の磁気抵抗効果素子の行間に設けられ、それぞれが各行の磁気抵抗効果素子の上方に位置する第１の配線群と、前記複数の磁気抵抗効果素子の列に沿って設けられ、それぞれが各列の磁気抵抗効果素子の直下を通る第２の配線群とを有する磁気メモリ装置の駆動方法であって、
前記複数の磁気抵抗効果素子のうちから選択された磁気抵抗効果素子を所定の向きに磁化するステップを含み、
前記ステップは、
前記第１の配線群から、前記選択された磁気抵抗効果素子の両側に位置する配線を選択し、これら選択した配線に、電流の向きが互いに反対となるように電流を供給するステップと、
前記第２の配線群から、前記選択された磁気抵抗効果素子の直下を通る配線を選択し、該選択した配線に、所定の方向に電流を供給するステップとを含む磁気メモリ装置の駆動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の磁気メモリ装置は、膜面に対し垂直方向に磁化される少なくとも２つの磁性層が非磁性層の両側に設けられた磁気抵抗効果素子が行列状に複数配され、前記磁気抵抗効果素子の上方、下方にそれぞれ位置し、互いが交差するように設けられた第１、第２の配線を有し、前記第１の配線は、電流が流れることで誘起される磁場の向きが前記膜面方向に垂直となるように配置され、前記第２の配線は、電流が流れることで誘起される磁場の向きが前記膜面方向に平行となるように配置されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
さらに、前記磁気抵抗効果素子の抵抗値を検出するためのビット線を有し、各ビット線の配線部は抵抗値を検出する磁気抵抗効果素子の直上に配され、記録を行う際に、前記磁気抵抗素子に隣接する磁気抵抗素子に接続されたビット線に電流を流すことによって膜面に対し垂直方向に磁界が印加されるように構成されてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の第１の磁気メモリ装置の駆動方法は、膜面に対し垂直方向に磁化される少なくとも２つの磁性層が非磁性層の両側に設けられた磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の上方、下方にそれぞれ位置し、互いが交差するように設けられた第１、第２の配線とを有する磁気メモリ装置の駆動方法であって、前記第１の配線に所定の方向に電流を流して、該第１の配線にて誘起された、磁場の向きが前記膜面方向に垂直な第１の磁場を前記磁気抵抗効果素子に印加すると同時に、前記第２の配線に所定の方向に電流を流して、該第２の配線にて誘起された、磁場の向きが前記膜面方向に平行な第２の磁場を前記磁気抵抗効果素子に印加することを含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の第２の磁気メモリ装置の駆動方法は、膜面に対し垂直方向に磁化される少なくとも２つの磁性層が非磁性層の両側に設けられ、行列状に配置された複数の磁気抵抗効果素子と、配線部が前記複数の磁気抵抗効果素子の直上を通るように行毎に設けられた第１の配線群と、前記複数の磁気抵抗効果素子の直下を通るように列毎に設けられた第２の配線群とを有する磁気メモリ装置の駆動方法であって、前記複数の磁気抵抗効果素子のうちから選択された磁気抵抗効果素子を所定の向きに磁化するステップを含み、前記ステップは、前記第１の配線群から、前記選択された磁気抵抗効果素子の直上を通る配線の両側に隣接する配線を選択し、これら選択した配線に、電流の向きが互いに反対となるように電流を供給するステップと、前記第２の配線群から、前記選択された磁気抵抗効果素子の直下を通る配線を選択し、該選択した配線に、所定の方向に電流を供給するステップとを含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の第３の磁気メモリ装置の駆動方法は、膜面に対し垂直方向に磁化される少なくとも２つの磁性層が非磁性層の両側に設けられ、行列状に配置された複数の磁気抵抗効果素子と、配線部が前記複数の磁気抵抗効果素子の行間に設けられ、それぞれが各行の磁気抵抗効果素子の上方に位置する第１の配線群と、前記複数の磁気抵抗効果素子の列に沿って設けられ、それぞれが各列の磁気抵抗効果素子の直下を通る第２の配線群とを有する磁気メモリ装置の駆動方法であって、前記複数の磁気抵抗効果素子のうちから選択された磁気抵抗効果素子を所定の向きに磁化するステップを含み、前記ステップは、前記第１の配線群から、前記選択された磁気抵抗効果素子の両側に位置する配線を選択し、これら選択した配線に、電流の向きが互いに反対となるように電流を供給するステップと、前記第２の配線群から、前記選択された磁気抵抗効果素子の直下を通る配線を選択し、該選択した配線に、所定の方向に電流を供給するステップとを含むことを特徴とする。