【手続補正書】
【提出日】平成19年3月9日(2007.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上にＩＴＯ膜を有する物品であって、前記ＩＴＯ膜のＸ線回折法における（２２２）の回折強度Ｉ1と（４００）の回折強度Ｉ2との比（Ｉ2／Ｉ1）が０．３以下、（２２２）の回折強度Ｉ1と（４４０）の回折強度Ｉ3との比（Ｉ3／Ｉ1）が０．３以下であることを特徴とする物品。
【請求項２】
前記ＩＴＯ膜がＩｎ／Ｓｎの原子数比で１００／０．１〜１００／１５の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の物品。
【請求項３】
前記Ｉ2／Ｉ1が０．０５〜０．２５の範囲にあり、Ｉ3／Ｉ1が０．０５〜０．２５の範囲にあることを特徴とする請求項１または２に記載の物品。
【請求項４】
前記ＩＴＯ膜の炭素含有量が０．１〜５．０原子数濃度の範囲であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の物品。
【請求項５】
前記基材が、透明樹脂フィルムであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の物品。
【請求項６】
前記ＩＴＯ膜の表面の凹凸が１０ｎｍ以内であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の物品。
【請求項７】
前記透明樹脂フィルムが、タッチパネル用フィルム基材、液晶素子プラスチック基板、有機ＥＬ素子プラスチック基板、ＰＤＰ用電磁遮蔽フィルムまたは電子ペーパー用フィルム基板であることを特徴とする請求項５または６に記載の物品。
【請求項８】
前記基材上に形成した前記ＩＴＯ膜の限界曲率半径が８ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の物品。
【請求項９】
前記ＩＴＯ膜がパターニングされた電極であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の物品。
【請求項１０】
前記ＩＴＯ膜が、大気圧または大気圧近傍の圧力下で、反応性ガスを放電空間に導入してプラズマ状態とし、前記基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に形成されたことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の物品。
【請求項１１】
前記反応性ガスが、還元ガスを含有することを特徴とする請求項１０に記載の物品。
【請求項１２】
前記放電空間に印加する電界が、周波数１００ｋＨｚを越えており、且つ、出力密度が１Ｗ／ｃｍ2以上であることを特徴とする請求項１０または１１に記載の基材上にＩＴＯ膜を有する物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＩＴＯ膜を有する物品
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の上記目的は、以下１〜１２の構成によって達成された。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
１．基材上にＩＴＯ膜を有する物品であって、前記ＩＴＯ膜のＸ線回折法における（２２２）の回折強度Ｉ1と（４００）の回折強度Ｉ2との比（Ｉ2／Ｉ1）が０．３以下、（２２２）の回折強度Ｉ1と（４４０）の回折強度Ｉ3との比（Ｉ3／Ｉ1）が０．３以下であることを特徴とする物品。
２．前記ＩＴＯ膜がＩｎ／Ｓｎの原子数比で１００／０．１〜１００／１５の範囲であ ３．前記Ｉ2／Ｉ1が０．０５〜０．２５の範囲にあり、Ｉ3／Ｉ1が０．０５〜０．２５の範囲にあることを特徴とする請求項１または２に記載の物品。
４．前記ＩＴＯ膜の炭素含有量が０．１〜５．０原子数濃度の範囲であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の物品。
５．前記基材が、透明樹脂フィルムであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の物品。
６．前記ＩＴＯ膜の表面の凹凸が１０ｎｍ以内であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の物品。
７．前記透明樹脂フィルムが、タッチパネル用フィルム基材、液晶素子プラスチック基板、有機ＥＬ素子プラスチック基板、ＰＤＰ用電磁遮蔽フィルムまたは電子ペーパー用フィルム基板であることを特徴とする請求項５または６に記載の物品。
８．前記基材上に形成した前記ＩＴＯ膜の限界曲率半径が８ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の物品。
９．前記ＩＴＯ膜がパターニングされた電極であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の物品。
１０．前記ＩＴＯ膜が、大気圧または大気圧近傍の圧力下で、反応性ガスを放電空間に導入してプラズマ状態とし、前記基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に形成されたことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の物品。
１１．前記反応性ガスが、還元ガスを含有することを特徴とする請求項１０に記載の物品。
１２．前記放電空間に印加する電界が、周波数１００ｋＨｚを越えており、且つ、出力密度が１Ｗ／ｃｍ2以上であることを特徴とする請求項１０または１１に記載の基材上にＩＴＯ膜を有する物品。
また、（１）〜（３５）の構成は好ましい態様としてあげられる。
（１）
大気圧または大気圧近傍の圧力下で、反応性ガスを放電空間に導入してプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に透明導電膜を形成する透明導電膜形成方法において、前記反応性ガスが、還元ガスを含有することを特徴とする透明導電膜形成方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（２）
前記還元ガスが水素であることを特徴とする前記（１）に記載の透明導電膜形成方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（３）
前記反応性ガスが、有機金属化合物から選ばれる少なくとも一種の材料ガスを含有することを特徴とする前記（１）または（２）に記載の透明導電膜形成方法。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（４）
前記放電空間には前記反応性ガスと不活性ガスを含有する混合ガスを導入し、前記不活性ガスがアルゴンまたはヘリウムを含有することを特徴とする前記（１）〜（３）のいずれか１項に記載の透明導電膜形成方法。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（５）
前記混合ガスに対する前記還元ガスの量が、０．０００１〜５．０体積％の範囲であることを特徴とする前記（４）に記載の透明導電膜形成方法。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（６）
前記放電空間に導入する混合ガスが、実質的に酸素を含まないことを特徴とする前記（４）または（５）に記載の透明導電膜形成方法。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（７）
前記放電空間に印加する電界が、周波数０．５ｋＨｚ以上であって、且つ、出力密度が１００Ｗ／ｃｍ2以下であることを特徴とする前記（１）〜（４）のいずれか１項に記載の透明導電膜形成方法。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（８）
前記放電空間に印加する電界が、周波数１００ｋＨｚを越えており、且つ、出力密度が１Ｗ／ｃｍ2以上であることを特徴とする前記（７）に記載の透明導電膜形成方法。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（９）
前記透明導電膜を形成する前記基材の表面温度が、３００℃以下であることを特徴とする前記（１）〜（８）のいずれか１項に記載の透明導電膜形成方法。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（１０）
前記（１）〜（９）のいずれか１項の透明導電膜形成方法で形成されたことを特徴とする透明導電膜。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（１１）
前記透明導電膜の比抵抗値が１×１０-3Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする前記（１０）に記載の透明導電膜。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
（１２）
前記透明導電膜のキャリア移動度が１０ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ以上であることを特徴とする前記（１０）または（１１）に記載の透明導電膜。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（１３）
前記透明導電膜のキャリア密度が１×１０19ｃｍ-3以上であることを特徴とする前記（１０）〜（１２）のいずれか１項に記載の透明導電膜。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（１４）
前記透明導電膜のキャリア密度が１×１０20ｃｍ-3以上であることを特徴とする前記（１０）〜（１３）のいずれか１項に記載の透明導電膜。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（１５）
前記透明導電膜が酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、Ｆドープ酸化錫、Ａｌドープ酸化亜鉛、Ｓｂドープ酸化錫、ＩＴＯ、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系アモルファス透明導電膜のうち、いずれかを主成分とすることを特徴とする前記（１０）〜（１４）のいずれか１項に記載の透明導電膜。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
（１６）
前記透明導電膜がＩＴＯ膜であって、前記ＩＴＯ膜がＩｎ／Ｓｎ原子数比で１００／０．１〜１００／１５の範囲であることを特徴とする前記（１５）に記載の透明導電膜。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
（１７）
前記透明導電膜の炭素含有量が０〜５．０原子数濃度の範囲であることを特徴とする前記（１５）または（１６）に記載の透明導電膜。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（１８）
基材上に前記（１０）に記載の透明導電膜を有する物品において、前記透明導電膜の比抵抗値が１×１０-3Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする物品。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
（１９）
前記透明導電膜のキャリア移動度が１０ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ以上であることを特徴とする前記（１８）に記載の物品。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
（２０）
前記透明導電膜のキャリア密度が１×１０19ｃｍ-3以上であることを特徴とする前記（１８）または（１９）に記載の物品。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
（２１）
前記透明導電膜のキャリア密度が１×１０20ｃｍ-3以上であることを特徴とする前記（１８）〜（２０）のいずれか１項に記載の物品。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
（２２）
前記透明導電膜が酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、Ｆドープ酸化錫、Ａｌドープ酸化亜鉛、Ｓｂドープ酸化錫、ＩＴＯ、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系アモルファス透明導電膜のうち、いずれかを主成分とすることを特徴とする前記（１８）〜（２１）のいずれか１項に記載の物品。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
（２３）
前記ＩＴＯ膜がＩｎ／Ｓｎの原子数比で１００／０．１〜１００／１５の範囲であることを特徴とする前記（２２）に記載の物品。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
（２４）
前記ＩＴＯ膜のＸ線回折法における（２２２）の回折強度Ｉ1と（４００）の回折強度Ｉ2との比（Ｉ2／Ｉ1）が０．３以下、（２２２）の回折強度Ｉ1と（４４０）の回折強度Ｉ3との比（Ｉ3／Ｉ1）が０．３以下であることを特徴とする前記（２２）または（２３）に記載の物品。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
（２５）
前記Ｉ2／Ｉ1が０．０５〜０．２５の範囲にあり、Ｉ3／Ｉ1が０．０５〜０．２５の範囲にあることを特徴とする前記（２４）に記載の物品。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
（２６）
前記透明導電膜の炭素含有量が０．１〜５．０原子数濃度の範囲であることを特徴とする前記（２２）〜（２５）のいずれか１項に記載の物品。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
（２７）
前記基材が、透明樹脂フィルムであることを特徴とする前記（２２）〜（２６）のいずれか１項に記載の物品。
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
（２８）
前記透明導電膜の表面の凹凸が１０ｎｍ以内であることを特徴とする前記（２２）〜（２７）のいずれか１項に記載の物品。
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
（２９）
前記透明樹脂フィルムが、タッチパネル用フィルム基材、液晶素子プラスチック基板、有機ＥＬ素子プラスチック基板、ＰＤＰ用電磁遮蔽フィルムまたは電子ペーパー用フィルム基板であることを特徴とする前記（２７）または（２８）に記載の物品。
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
（３０）
前記透明導電膜と前記基材上に形成した前記透明導電膜の限界曲率半径が８ｍｍ以下であることを特徴とする前記（１８）〜（２９）のいずれか１項に記載の物品。
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
（３１）
前記透明導電膜がパターニングされた電極であることを特徴とする前記（２２）〜（３０）のいずれか１項に記載の物品。
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
（３２）
基材上に透明導電膜を有する物品において、前記透明導電膜のダイナミックＳＩＭＳ測定による水素イオンと主金属元素イオンのピーク強度比Ｈ／Ｍの深さ方向におけるばらつきが、変動係数５％以下であることを特徴とする基材上に透明導電膜を有する物品。
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
（３３）
前記透明導電膜が、大気圧または大気圧近傍の圧力下で、反応性ガスを放電空間に導入してプラズマ状態とし、前記基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に透明導電膜を形成されたことを特徴とする前記（３２）に記載の物品。
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
（３４）
前記反応性ガスが、還元ガスを含有することを特徴とする前記（３３）に記載の物品。
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
（３５）
前記放電空間に印加する電界が、周波数１００ｋＨｚを越えており、且つ、出力密度が１Ｗ／ｃｍ2以上であることを特徴とする前記（３３）または（３４）に記載の基材上に透明導電膜を有する物品。
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
次いで、本発明に用いられる透明導電膜形成方法である大気圧プラズマＣＶＤ法について説明する。
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
本発明は大気圧または大気圧近傍の圧力下において、反応性ガスを放電空間に導入してプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に透明導電膜を形成する透明導電膜形成方法において、前記反応性ガスが、還元ガスを含有することを特徴とする透明導電膜形成方法により形成されることが好ましい。
【手続補正４１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６３】
不活性ガス：ヘリウム  ９８．５体積％
反応性ガス１：酸素  ０．２５体積％
反応性ガス２：トリス（２，４−ペンタンジオナト）インジウム  １．２体積％
反応性ガス３：ジブチル錫ジアセテート  ０．０５体積％
（実施例１１）
実施例１において反応性ガスの濃度を以下にしたこと以外は実施例１と同様にして錫ドープ酸化インジウム膜を作製し、評価を行った。
【手続補正４２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６７】
上記実施例１〜１１および比較例１〜６の評価結果を表１にまとめる。
【手続補正４３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６８】
【表１】
2005259628.tif 000001
【手続補正４４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６９】
（参考例１）
実施例１において反応性ガスを以下のようにしたこと以外は実施例１と同様にしてガラス基板上に製膜を行った。
【手続補正４５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７０】
不活性ガス：ヘリウム  ９８．６５体積％
反応性ガス１：水素  ０．１５体積％
反応性ガス２：ビス（２，４−ペンタンジオナト）亜鉛  １．２体積％
（参考例２）
実施例１において反応性ガスを以下のようにしたこと以外は実施例１と同様にしてガラス基板上に製膜を行った。
【手続補正４６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７１】
不活性ガス：ヘリウム  ９８．６５体積％
反応性ガス１：水素  ０．１５体積％
反応性ガス２：ジブチル錫ジアセテート  １．２体積％
（参考例３）
実施例１において反応性ガスを以下のようにしたこと以外は実施例１と同様にしてガラス基板上に製膜を行った。
【手続補正４７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７２】
不活性ガス：アルゴン  ９８．６５体積％
反応性ガス１：水素  ０．１５体積％
反応性ガス２：ビス（２，４−ペンタンジオナト）錫  １．２体積％
（参考例４）
実施例１において反応性ガスを以下のようにしたこと以外は実施例１と同様にしてガラス基板上に製膜を行った。
【手続補正４８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７３】
不活性ガス：ヘリウム  ９８．６５体積％
反応性ガス１：水素  ０．１４体積％
反応性ガス２：ビス（２，４−ペンタンジオナト）錫  １．２体積％
反応性ガス３：４フッ化メタン  ０．０１体積％
（参考例５）
実施例１において反応性ガスを以下のようにしたこと以外は実施例１と同様にしてガラス基板上に製膜を行った。
【手続補正４９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８５】
（参考例６）
参考例５において水素ガスを酸素ガスとした事以外は実施例１５と同様にしてガラス基板上に製膜を行った。
【手続補正５０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８６】
（実施例２０）
実施例１６において水素ガスを酸素ガスとした事以外は実施例１６と同様にしてガラス基板上に製膜を行った。
【手続補正５１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８８】
上記実施例１６〜２０および比較例７〜１３、１６、又参考例１〜６の膜について実施例１と同様の方法で製膜速度、透過率、比抵抗、回折ピーク強度比、表面凹凸を測定した。評価結果を表２に示す。
【手続補正５２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９１】
【表２】
2005259628.tif 000002
【手続補正５３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９８】
（参考例７）
真空槽、スパッタリングターゲット、気体導入系を有する巻き取り式マグネトロンスパッタリング装置を用い、ポリエチレンテレフタレート上に錫ドープ酸化インジウム膜を作製した。装置内にフィルムを導入し、内部を４×１０-4Ｐａまで減圧した。尚、スパッタリングターゲットは酸化インジウム：酸化錫９５：５の組成のものを用いた。この後でフィルムの巻き返しを行い、脱ガス処理を行った。ついでアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガスを（Ａｒ：Ｏ2＝９８．８：１．２）を１×１０-3Ｐａとなるまで導入し、メインロールの温度を室温、フィルムの繰り出し速度を０．１ｍ／ｍｉｎ、投入電力密度１Ｗ／ｃｍ2として製膜を行い、実施例２０と同様に評価を行った。
【手続補正５４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９９】
実施例２０〜２３および参考例７の評価結果を表３に示す。
【手続補正５５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２００】
【表３】
2005259628.tif 000003
【手続補正５６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０１】
次に、以下に示す参考例８、９及び１０の透明導電膜を作製した。
【手続補正５７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０２】
（参考例８）
図７の平行平板型の大気圧プラズマ処理装置を用いて、以下の条件以外は上記実施例１と同様にして、透明導電膜を作製した。
【手続補正５８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０３】
電界条件  周波数：１３．５６ＭＨｚ、出力：５Ｗ／ｃｍ2
ガス条件  不活性ガス：ヘリウム  ９８．７４体積％
反応性ガス１：水  ０．０１体積％
反応性ガス２：インジウムアセチルアセトナト  １．２体積％
反応性ガス３：ジブチル錫ジアセテート  ０．０５体積％
（参考例９）
以下の条件以外は、参考例８と同様にして、大気圧プラズマ処理を行い、基材上にＩＴＯを作製した。
【手続補正５９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０４】
ガス条件  不活性ガス：ヘリウム  ９８．６０体積％
反応性ガス１：水素  ０．１５体積％
反応性ガス２：インジウムアセチルアセトナト  １．２体積％
反応性ガス３：ジブチル錫ジアセテート  ０．０５体積％
（参考例１０）
特開２０００−３０３１７５公報の実施例３に記載の大気圧プラズマ放電処理による製膜法を用いて、透明導電膜を作製した。ただし、基材、電極等については上記参考例８、９に記載のものと同様に行った。また、電界条件、ガス条件については、以下の条件を用いた。
【手続補正６０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０５】
電界条件  周波数：１０ｋＨｚ、出力：０．８Ｗ／ｃｍ2（ハイデン研究所製ＰＨＦ−４Ｋ）
ガス条件  不活性ガス：ヘリウム  ９８．７５体積％
反応性ガス１：水素  ０．５体積％
反応性ガス２：インジウムアセチルアセトナト  １．２体積％
反応性ガス３：ジブチル錫ジアセテート  ０．０５体積％
そして、これら本発明の参考例８、９および参考例１０によって作製した透明導電膜に対して、上述したダイナミックＳＩＭＳ測定により水素イオンと主金属元素イオンのピーク強度比Ｈ／Ｍの深さ方向における変動係数および水素濃度を求め、その結果を表４に示した。また、抵抗率、光透過率の評価についても表４に示した。
【手続補正６１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０６】
【表４】
2005259628.tif 000004