【手続補正書】
【提出日】平成19年2月16日(2007.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバＭＴコネクタのプラグに対し、当該ＭＴコネクタ専用のガイドピンと、当該ＭＴコネクタ専用のクランプスプリングとを用いて結合可能な形状及び寸法のモジュール本体と、
前記モジュール本体に設けられ、前記ガイドピンの挿入により前記プラグと前記モジュール本体とを結合したときに光軸合わせされる光素子とを備えており、
前記モジュール本体は、前記プラグに使用される樹脂材料よりも高放熱性の材料を主体として構成されていることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記モジュール本体は、前記ガイドピンを挿入可能なガイドピン穴が開口形成された先端面と、前記先端面とは反対側に位置し、前記クランプスプリングにより前記プラグ側に押圧される後端面とを有することを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記モジュール本体は、セラミック基板を主体として構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記セラミック基板の基板主面に対して垂直な側端面には充填凹部が開口形成され、前記充填凹部内には前記セラミック基板よりも加工性のよい材料からなる充填材が充填され、前記充填材には前記ガイドピン穴の少なくとも一部を構成する精密加工穴が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記モジュール本体には、光素子駆動用の半導体集積回路素子及び光信号増幅用の半導体集積回路素子のうちの少なくともいずれかが設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項６】
前記光素子は前記セラミック基板の前記側端面側に配置され、前記半導体集積回路素子は前記セラミック基板の前記基板主面側に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の光モジュール。
【請求項７】
前記モジュール本体において前記先端面及び前記後端面以外の面上には、金属体が設けられていることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項８】
前記モジュール本体には、複数の電気接続端子が設けられていることを特徴とする請求項２乃至７のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項９】
光ファイバコネクタのプラグに対し、ガイドピンを用いて結合可能な形状及び寸法を有する光モジュールに使用されるセラミック基板であって、
基板主面及びその基板主面に対して垂直な側端面を備えるとともに、前記側端面に充填凹部が開口形成され、前記充填凹部内に基板材料よりも加工性のよい材料からなる充填材が充填され、前記充填材にガイドピン穴の少なくとも一部を構成する精密加工穴が形成されている
ことを特徴とする光モジュール用セラミック基板。
【請求項１０】
光ファイバコネクタのプラグに対し、当該コネクタ専用のガイドピンと、当該コネクタ専用のクランプスプリングとを用いて、プラグ−ガイドピン−プラグ結合方式で結合可能な形状及び寸法のモジュール本体と、
前記モジュール本体に設けられ、前記ガイドピンの挿入により前記プラグと前記モジュール本体とを結合したときに光軸合わせされる光素子と
を備えることを特徴とする光モジュール。
【請求項１１】
光ファイバコネクタのプラグに対し、前記プラグにおける光ファイバ先端露出面と自身の先端面とを突き合わせた状態で、当該コネクタ専用のガイドピンを用いて結合可能なモジュール本体と、
前記モジュール本体に設けられ、前記ガイドピンの挿入により前記プラグと前記モジュール本体とを結合したときに光軸合わせされる光素子と
を備えることを特徴とする光モジュール。
【請求項１２】
モジュール本体に光素子を設けた光モジュールと光ファイバコネクタのプラグとの結合構造であって、
前記プラグにおける光ファイバ先端露出面と前記光モジュールの先端面とを突き合わせた状態で、前記プラグ及び前記光モジュールにガイドピンを挿入することにより、前記プラグと前記光モジュールとが結合されかつ光軸合わせされたことを特徴とする、光モジュールと光ファイバコネクタのプラグとの結合構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の課題を解決するための第１の手段としては、光ファイバＭＴコネクタのプラグに対し、当該ＭＴコネクタ専用のガイドピンと、当該ＭＴコネクタ専用のクランプスプリングとを用いて結合可能な形状及び寸法のモジュール本体と、前記モジュール本体に設けられ、前記ガイドピンの挿入により前記プラグと前記モジュール本体とを結合したときに光軸合わせされる光素子とを備えており、前記モジュール本体は、前記プラグに使用される樹脂材料よりも高放熱性の材料を主体として構成されていることを特徴とする光モジュールがある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
従って、上記手段によると、ガイドピンの挿入によりプラグとモジュール本体とを機械的に結合する際に、併せて光ファイバと光素子とが光軸合わせされる。このため、比較的簡単な方法であるにもかかわらず、光ファイバと光素子とを高い効率で光結合することができる。また、上記形状及び寸法に設定されたモジュール本体であれば、ＭＴコネクタ専用のガイドピン及びＭＴコネクタ専用のクランプスプリングをそのまま利用して、ＭＴコネクタのプラグとの接続を図ることが可能である。ゆえに、汎用性及びコスト性に優れた光モジュールを実現することができる。
また、前記モジュール本体は、プラグに使用される樹脂材料よりも高放熱性の材料（つまり熱伝導率が高い材料）を主体として構成されている。即ち、光素子を動作させると熱が発生するが、プラグに使用される樹脂材料は一般に放熱性があまり高くないため、その熱を外部に効率よく放散できず、このことが動作の不安定化の原因となる。これに対して、高放熱性材料を主体として構成されたモジュール本体であれば、熱を外部に効率よく放散でき、安定した動作を得ることが可能となるからである。プラグに使用される樹脂材料よりも高放熱性の材料の好適例としては、金属やセラミックなどの無機材料を挙げることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
図１２に示されるように、この光モジュール２６１は、いわば送受信用光モジュールであることから異なる２種類の光素子を備えており、具体的にはＶＣＳＥＬ８１及びフォトダイオード２７１を１個ずつ備えている。それゆえ、この光モジュール２６１は、ドライバＩＣ８２ばかりでなくレシーバＩＣ２７２（光信号増幅用の半導体集積回路素子）も備えている。ドライバＩＣ８２及びＶＣＳＥＬ８１は、フレキシブル基板７６の配線パターンを介して電気的に接続されている。レシーバＩＣ２７２及びフォトダイオード２７１も、フレキシブル基板７６における別の配線パターンを介して電気的に接続されている。セラミック基板５１の上端面５５側には、ドライバＩＣ８２を配置するためのキャビティ５９と、レシーバＩＣ２７２を配置するためのキャビティ５９とが別個に形成されている。これらのキャビティ５９の内面には導体めっき層が形成されている。また、これらキャビティ５９同士は仕切壁２７３により隔てられている。そして、これらの構成により、送信側の構成であるドライバＩＣ８２と、受信側の構成であるレシーバＩＣ２７２とが電磁的に分離されている。また、ＶＣＳＥＬ８１とフォトダイオード２７１との間には、基板の表面に導体めっきを施したシールド部材２６２が配設されている。そして、このようなシールド部材２６２の介在により、送信側の構成であるＶＣＳＥＬ８１と、受信側の構成であるフォトダイオード２７１とが電磁的に分離されている。前記シールド部材２６２は、スペーサ７４の表面に導体めっきを施したものであってもよい。