(57)【要約】【課題】遮断周波数を下げることなくしかも放熱の問題も少ない、高周波用半導体装置を提供すること。【解決手段】本発明の一例の高周波用半導体装置は、放熱機能を有する接地基板と、この接地基板上に設けられた高周波用半導体素子と、前記高周波用半導体素子に接続された入力側整合回路と、前記高周波用半導体素子に接続された出力側整合回路と、少なくとも前記高周波用半導体素子、前記入力側整合回路、及び前記出力側整合回路を囲む側壁部と、前記入力側整合回路に接続された入力用端子と、前記出力側整合回路に接続された出力用端子とを備える単位半導体装置を２つ備え、前記２つの単位半導体装置の前記側壁部の上端が互いに合わせられていることを特徴とする。
2007125633.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放熱機能を有する接地基板と、この接地基板上に設けられた高周波用半導体素子と、前記高周波用半導体素子に接続された入力側整合回路と、前記高周波用半導体素子に接続された出力側整合回路と、少なくとも前記高周波用半導体素子、前記入力側整合回路、及び前記出力側整合回路を囲む側壁部と、前記入力側整合回路に接続された入力用端子と、前記出力側整合回路に接続された出力用端子とを備える単位半導体装置を２つ備え、
前記２つの単位半導体装置の前記側壁部の上端が互いに合わせられていることを特徴とする高周波用半導体装置。
【請求項２】
請求項１の半導体装置の一方の側を埋設する放熱性を有する接地導体と、埋設されていない他方の側を挟み込むように設けられた放熱性を有する補助接地導体と、前記半導体装置の入力側に設けられ入力用端子と接続された入力側外部回路と、前記半導体装置の出力側に設けられ出力用端子と接続された出力側外部回路と、
を有することを特徴する高周波用半導体装置。
【請求項３】
前記入力用端子はその少なくとも一部がねじられて前記入力側外部回路と接続されることを特徴とする請求項２記載の高周波用半導体装置。
【請求項４】
前記出力用端子はその少なくとも一部がねじられて前記出力側外部回路と接続されることを特徴とする請求項２記載の高周波用半導体装置。
【請求項５】
放熱機能を有する接地基板と、この接地基板上に設けられた高周波用半導体素子と、前記高周波用半導体素子に接続された入力側整合回路と、前記高周波用半導体素子に接続された出力側整合回路と、少なくとも前記高周波用半導体素子、前期入力側整合回路、及び前記出力側整合回路を囲む側壁部と、前記入力側整合回路に接続された入力用端子と、前記出力側整合回路に接続された出力用端子とを備える単位半導体装置を２つ備え、
前記２つの単位半導体装置の前記側壁部の上端が導体板を介して互いに合わせられていることを特徴とする高周波用半導体装置。
【請求項６】
請求項５の半導体装置の一方の側を埋設する放熱性を有する接地導体と、埋設されていない他方の側を挟み込むように設けられた放熱性を有する補助接地導体と、前記半導体装置の入力側に設けられ入力用端子と接続された入力側外部回路と、前記半導体装置の出力側に設けられ出力用端子と接続された出力側外部回路と、
を有することを特徴する高周波用半導体装置。
【請求項７】
前記入力用端子はその少なくとも一部がねじられて前記入力側外部回路と接続されることを特徴とする請求項６記載の高周波用半導体装置。
【請求項８】
前記出力用端子はその少なくとも一部がねじられて前記出力側外部回路と接続されることを特徴とする請求項６記載の高周波用半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、空間を有する外囲器に半導体素子を収容した高周波用半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近は、マイクロ波通信などの大電力化の要求が高まるとともに外囲器に収納されるマイクロ波半導体素子のチップの大きさ及びチップの合成数が増大する傾向にある。したがって、外囲器のサイズが大きくなり、外囲器のマイクロ波伝搬方向に直交する方向（横方向）の長さにより決定される遮断周波数が、使用周波数付近まで低下する。この遮断周波数の低下によって、内部で励振される導波管伝搬モード及び導波管共振モードによる出力側から入力側へのアイソレーションの劣化や周波数特性の劣化を生ずる。【０００３】
このような特性の劣化を防ぐために、図１に示すように、外囲器内の空間を接地導体により仕切り、遮断周波数の低下など特性劣化を防止する半導体装置が知られている（特許文献１参照）。この従来の半導体装置における寸法は、容器の縦方向の長さａ１、横方向の長さｂ１、高さをｃ１（図示せず）とする。すなわち、この従来の半導体装置は単位の半導体素子を複数個、横に並べた構成となっている。【０００４】
このように単位となる半導体素子を複数、横に並べた構造では、半導体装置の大電力化により、放熱が問題となる。すなわち、限られたパッケージの幅内に多くの半導体素子を並べるから互いに近接し、裏面からの熱の放散に限界があった。【０００５】
また、パッケージの内部に配設する仕切り板と蓋の間に空隙が生じやすく、特性劣化を招くので、生産性が低下する一因となっていた。
【特許文献１】日本特許公開特開平５−８３０１０号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記のような従来の高周波用半導体装置の問題点にかんがみてなされたもので、遮断周波数を下げることなくしかも放熱の問題も少ない、高周波用半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の請求項１によれば、放熱機能を有する接地基板と、この接地基板上に設けられた高周波用半導体素子と、前記高周波用半導体素子に接続された入力側整合回路と、前記高周波用半導体素子に接続された出力側整合回路と、少なくとも前記高周波用半導体素子、前記入力側整合回路、及び前記出力側整合回路を囲む側壁部と、前記入力側整合回路に接続された入力用端子と、前記出力側整合回路に接続された出力用端子とを備える単位半導体装置を２つ備え、前記２つの単位半導体装置の前記側壁部の上端が互いに合わせられていることを特徴とする高周波用半導体装置を提供する。【０００８】
本発明の請求項５によれば、放熱機能を有する接地基板と、この接地基板上に設けられた高周波用半導体素子と、前記高周波用半導体素子に接続された入力側整合回路と、前記高周波用半導体素子に接続された出力側整合回路と、少なくとも前記高周波用半導体素子、前期入力側整合回路、及び前記出力側整合回路を囲む側壁部と、前記入力側整合回路に接続された入力用端子と、前記出力側整合回路に接続された出力用端子とを備える単位半導体装置を２つ備え、前記２つの単位半導体装置の前記側壁部の上端が導体板を介して互いに合わせられていることを特徴とする高周波用半導体装置を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、遮断周波数を下げることなくしかも放熱の問題も少ない、高周波用半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】従来の半導体装置の構成を示す上面図。
【図２】本発明の第１の実施形態における単位半導体装置の構成を示す上面図。
【図３】本発明の第１の実施形態において２つの単位半導体装置を合わせる状態を示す正面図。
【図４】本発明の第１の実施形態において２つの単位半導体装置を合わせた状態を示す正面図。
【図５】本発明の第１の実施形態において、２つの単位半導体装置を合わせた状態の側面図。
【図６】図５に示した２つの単位半導体装置を合わせたものを立てた状態を示す図。
【図７】本発明の第２の実施形態における半導体装置の側面図。
【図８】本発明の第２の実施形態における半導体装置の上面図。
【図９】本発明の第３の実施形態における半導体装置の側面図。
【図１０】本発明の第４の実施形態において２つの単位半導体装置を合わせる状態を示す正面図。
【図１１】本発明の第４の実施形態において２つの単位半導体装置を合わせた状態を示す正面図。
【図１２】本発明の第４の実施形態において、２つの単位半導体装置を合わせた状態の側面図。
【図１３】図１２に示した２つの単位半導体装置を合わせたものを立てた状態を示す図。
【図１４】本発明の第５の実施形態における半導体装置の側面図。
【図１５】本発明の第５の実施形態における半導体装置の上面図。
【図１６】本発明の第６の実施形態における半導体装置の側面図。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。本発明では、単位となる単位半導体装置を２つ、上方で合わせることにより高周波半導体装置を構成する。【００１２】
＜第１の実施形態＞
図２に本発明の第１の実施形態に用いられる単位半導体装置１１の正面図を示す。この単位半導体装置は、ＣｕやＷにより形成された放熱機能を有する接地基板すなわち放熱接地基板１２の上に高周波用半導体素子、例えばマイクロ波トランジスタ１３を挟んで、入力用端子15a、入力側整合回路15bと、出力側整合回路15c、出力用端子15dとが設けられる。【００１３】
そして、入力用端子15aと入力側整合回路１５ｂはリード線、例えば金ワイヤ１７ａにより接続され、入力側整合回路１５ｂとマイクロ波トランジスタ１３は金ワイヤ１７ｂにより接続され、マイクロ波トランジスタ１３と出力側整合回路１５ｃは金ワイヤ１７ｃにより接続され、出力側整合回路１５ｃと出力用端子15dとは金ワイヤ１７ｄにより接続されている。【００１４】
これらのマイクロ波トランジスタ１３と整合回路は、図２に示すように、入力用端子15aの一部及び出力用端子１５ｄの一部を残して側壁部１８により囲まれている。【００１５】
図３に示すように、上述のようにして構成された単位半導体装置１１の上に、同じ構造の単位半導体装置２１が上下反転して置かれ、矢印１９に示すように上の単位半導体装置２１の側壁部２８が下の単位半導体装置１１の側壁部１８と合うように配置される。【００１６】
そして、図４に示すように単位半導体装置２１の側壁部２８の上端と単位半導体装置１１の側壁部１８の上端が合わせられて、例えば金とすずの合金半田により接着、密封される。この状態の側面図を図５に示す。【００１７】
ところで、使用可能な周波数の上限は容器内部の共振周波数によって制限される。この共振周波数以上の周波数では、端子間のアイソレーションが劣化し、電力が空間に放出されてしまう。いま、半導体装置の容器の縦、横及び高さをａ，ｂ，ｃとすると、そのときの共振周波数ｆは次式で表される。ここで、λｃは大気中の光の速度であり、ｍ，ｎ，ｋは整数である。【００１８】
ｆ＝（λｃ／２）× SQRT [（m／ａ）２＋（n／ｂ）２＋（k／ｃ）２]
共振周波数ｆは容器内に発生する電磁界分布によって異なる。問題となるのは低い共振周波数を有するモードであり、それら７つモードにおける共振周波数は以下に示す（１）式から（７）式により得られる。ここでＳＱＲＴは、平方根を表す。【００１９】
ｆ（ＴＥ１００）＝（λｃ／２）×（１／ａ）・・・・・（１）式
ｆ（ＴＥ０１０）＝（λｃ／２）×（１／ｂ）・・・・・（２）式
ｆ（ＴＥ００１）＝（λｃ／２）×（１／ｃ）・・・・・（３）式
ｆ（ＴＥ１１０）＝（λｃ／２）×ＳＱＲＴ［（１／ａ）２＋（１／ｂ）２］・・・・・（４）式
ｆ（ＴＥ１０１）＝（λｃ／２）×ＳＱＲＴ［（１／ａ）２＋（１／ｃ）２］・・・・・（５）式
ｆ（ＴＥ０１１）＝（λｃ／２）×ＳＱＲＴ［（１／ｂ）２＋（１／ｃ）２］・・・・・（６）式
ｆ（ＴＥ１１１）＝（λｃ／２）×ＳＱＲＴ［（１／ａ）２＋（１／ｂ）２＋（１／ｃ）２］・・・・・（７）式
従来の縦方向に２分割したとき半導体装置の容器の縦、横及び高さの寸法をａ１，ｂ１，ｃ１とし、本発明のこの実施形態による半導体装置における容器の縦、横及び高さの寸法をａ２，ｂ２，ｃ２とする。この実施形態の容器の縦の寸法ａ２及び横の寸法ｂ２は図２に示されており、高さの寸法ｃ２は、図４に示されている。【００２０】
容器の縦方向の長さａ１，ａ２は整合回路により決定され、本発明のこの実施形態においても変わらないので、ａ１＝ａ２となる。容器の横方向の長さは実装する半導体チップの数に依存しないで、一定である。従来の半導体装置では、２つ横に並べた構造であり本発明のこの実施形態では、横方向に２分割した構造となるから、横方向の長さは従来の装置の場合の１／２となる。すなわちｂ２＝ｂ１／２となる。【００２１】
また容器の高さに関しては、本発明のこの実施形態では、上下に重ねるので２倍となる、すなわちｃ２＝２×ｃ１となる。【００２２】
本発明のこの実施形態によれば、放熱接地基板１２が２つに分割され、しかも外側に配置されることになり、従来の半導体装置では１つの面に放熱接地板が設けられている場合に比べて、放熱効果は大きくすることができる利点がある。【００２３】
＜第２の実施形態＞
ところで、上記実施形態では、上側の単位半導体装置２１は、上側にあるため、この装置の信号線の接続や接地を取ることが難しい場合がある。このような場合に適当な本発明の第２の実施形態について次に説明する。【００２４】
図５は上述した第１の実施形態における２つの単位半導体装置１１，２１を合わせた装置であり、第２の実施形態では、これを図６に示すように側面で立てた状態にする。【００２５】
その後、図７に示すように、放熱性を有する接地導体３３に半導体装置11,21の片側を埋め込んで固定する。その後、埋め込まれていない他方の側を挟み込むように放熱性を有する補助接地導体３１，３２を接続固定する。放熱性を有する接地導体３３の上の入力側に入力用端子の突起部１５eと接続されるように入力側外部回路３４を設ける。同様に出力側に出力用端子の突起部１５ｆと接続されるように出力側外部回路３７を設ける。【００２６】
図８に、この高周波用半導体装置を上面から見た図を示す。このようにして、信号線と接地が容易にとれる、２つの単位半導体装置から成る高周波用半導体装置が得られる。【００２７】
本発明のこの実施形態によれば、信号線が容易に取れると共に、放熱性を有する補助接地導体３１，３２により二面から放熱されるので放熱効果が大きい利点がある。【００２８】
＜第３の実施形態＞
本発明の第３の実施形態について説明する。この実施形態は、図５に示した、出力用端子の突起部１５ｆ及び入力用端子の突起部１５eをねじって外部に取り出すようにしたものである。【００２９】
すなわち、図９にこの第３の実施形態の構造を示す。この実施形態においては、出力用端子の突起部１５ｆをそのまま引き出してねじっている。他の接地の接続などは上記図７に示した実施形態の場合と同じである。この実施形態によれば、入力用端子の突起部１５eと入力側外部回路３４、出力用端子の突起部１５ｆと出力側外部回路３７がそれぞれ面で接するので、信号線の接続と接地が容易に取れる高周波用半導体装置が得られるという利点がある。【００３０】
本発明のこの実施形態においても、放熱性を有する補助接地導体３１，３２により二面から放熱されるので、放熱効果が大きい利点もある。【００３１】
＜第４の実施形態＞
ところで上述の実施形態の高周波用半導体装置はいずれも、２つの単位半導体装置１１，２１を互いに上方で直接合わせて、全体の高周波用半導体装置を構成していた。【００３２】
しかし、単位半導体装置間のマイクロ波の干渉を防止するために、これらの単位半導体装置の間に金属製の導体板を設けることも可能である。【００３３】
このような実施形態の構成を図１０及び図１１に示す。図１０は単位半導体装置１１と単位半導体２１の間に導体板４１を介在させることを示す図であり、図１１は、導体板４１を介在させて２つの単位半導体装置１１，２１を固定した構造を示す断面図である。【００３４】
単位半導体装置１１，２１の構成は図１に示したものと同じであり、この実施形態では、これらの単位半導体装置の間に導体板４１が挿入固定される点のみが異なる。即ち、上述のようにして構成された単位半導体装置１１の上に、導体板４１を挟んで、同じ構造の単位半導体装置２１が上下反転して置かれる。【００３５】
なお、導体板４１は、金属製であればよく、その膨張率が、放熱接地基板１２と同程度であることが望ましいので、放熱接地基板と同じ材料で構成することが望ましい。導体板４１の大きさは少なくとも側壁部１８まで覆う程度であればよい。またその厚さは、例えば５μｍ以上マイクロ波の電波が透過しない程度の厚さであればよいが、その扱い易さの程度を考慮すると、１ｍｍ程度の厚さであってもかまわない。【００３６】
上の単位半導体装置２１の側壁部１８の上端が、導体板４１を介して下の単位半導体装置１１の側壁部１８と合致するように配置され、例えば金とすずの合金半田により接着、密封される。【００３７】
導体板４１を有するこの実施形態では、ＴＥ００１モードの共振周波数を低下させることなく他のモードの共振周波数を上げることが可能となる。【００３８】
本発明のこの実施形態によれば、放熱接地基板が２つに分けられしかも外側に設けられるので、放熱効果が大きい利点がある。【００３９】
＜第５の実施形態＞
この実施形態を示す図１４、図１５及び図１６は、導体板４１が２つの単位半導体装置１１，２１の間に介在している以外は、図７、図８、図９に示した実施形態の場合と同様である。即ち、図１３は、上述の２つの単位半導体装置１１，２１を導体板４１を介在させて合わせた装置であり、この装置を図１４に示すように側面で立てた状態とする。その後、これらの単位半導体装置の放熱接地基板１２に、裏面から放熱性を有する補助接地導体３１，３２を接続固定する。【００４０】
そして、この放熱性を有する補助接地導体３１に固定した単位半導体装置１１及び放熱性を有する補助接地導体３２に固定した単位半導体装置２１をその間に介在固定された導体板４１と共に、放熱性を有する接地導体３３の中に、単位半導体装置１１，２１の片側を埋め込むようにして固定する（図１５参照）。【００４１】
その後、埋め込まれていない他方の側を挟み込むように放熱性を有する補助接地導体３１，３２を接続固定する。放熱性を有する接地導体３３の上の入力側に入力用端子の突起部１５eと接続されるように入力側外部回路３４を設ける。同様に出力側に出力用端子の突起部１５ｆと接続されるように出力側外部回路３７を設ける。【００４２】
図１５にこの高周波用半導体装置を上面から見た図を示す。このようにして、信号線の接続と接地が容易に取れる、２つの単位半導体装置とその間に導体板４１が介在した高周波用半導体装置が得られる。【００４３】
本発明のこの実施形態によれば、放熱性を有する補助接地導体３１，３２により2面から放熱されるので、放熱効果が大きい利点がある。【００４４】
＜第６の実施形態＞
本発明の更に他の実施形態について説明する。この実施形態は図１４に示した、出力用端子の突起部１５ｆ及び入力用端子の突起部１５eをねじって外部に出すようにしたものである。この実施形態の構造を図１６に示す。この実施形態では、出力用端子の突起部１５ｆをそのまま引き出してねじって引出導体としている。他の接地の接続などは上記図１４に示した第５の実施形態の場合と同じである。【００４５】
この実施形態によれば入力用端子の突起部１５eと入力側外部回路３４、出力用端子の突起部１５ｆと出力側外部回路３７がそれぞれ面で接するので、信号線の接続と接地が容易に取れる高周波用半導体装置が得られる。【００４６】
本発明のこの実施形態によれば、放熱性を有する補助接地導体３１，３２により二面から放熱されるので、放熱効果が大きい利点がある。【００４７】
また上述のように、本発明の第４、第５及び第６の実施形態では、２つの単位半導体装置の間に導体板を挿入させているので、これら単位半導体装置１１、１２相互の間のマイクロ波の干渉を防止することができる利点がある。【００４８】
従来の半導体装置と特許文献１の装置、第１の実施形態及び第４の実施形態の場合の共振周波数の結果を表１（容器の高さが比較的低い場合）及び表２（容器の高さが比較的高い場合）に示す。
【表１】
2007125633.tif 000003
【表２】
2007125633.tif 000004
【００４９】
容器の高さが比較的低い場合、具体的には容器の高さ（ｃ）を２倍しても縦（ａ）や横（ｂ）の長さよりも短い場合、例えば従来の半導体装置の容器の寸法をａ１＝１．０ｃｍ、ｂ１＝１．０ｃｍ、ｃ１＝０．４ｃｍとする。このとき、本発明のこの実施形態での寸法は、ａ２＝１．０ｃｍ、ｂ２＝０．５ｃｍ、ｃ２＝０．８ｃｍとなる。このように、容器の高さは従来の装置の２倍になるが、容器の幅を半分にすることができ、共振周波数を高くすることが可能となる。【００５０】
表1に示す結果から次のことが理解される。ＴＥ１００のモードでは、どの構造でも同じ共振周波数（１５．０ＧＨｚ）となる。ＴＥ０１０モード及びＴＥ１１０モードでは、従来の半導体装置に比して特許文献１及び実施形態１，４のいずれでも効果がある（共振周波数が上がる）。ＴＥ００１モード、ＴＥ１０１モード、ＴＥ０１１モードＴＥ１１モードでは、実施形態１の場合のみ逆効果である。【００５１】
導体板のない実施形態１の装置の構造では、端子間のアイソレーション特性に最も悪影響を与えるＴＥ０１０モードにおいて、共振周波数の改善がなされる。ＴＥ１００モードに対しては改善されないが、これはアイソレーションには影響しないモードである。他のモードに対しては、従来構造よりも共振周波数の低下を生ずるが、アイソレーションに影響する５つのモード（ＴＥ０１０、ＴＥ００１、ＴＥ１１０、ＴＥ０１１、ＴＥ１１１）の中で比較的低い共振周波数を有するＴＥ０１０，ＴＥ１１０の共振周波数がそれぞれ２倍、１．５倍となっており、大きな改善効果が得られている。【００５２】
一方、容器の高さが比較的高い場合、具体的には容器の高さ（ｃ）を２倍すると縦（ａ）や横（ｂ）の長さよりも長い場合、例えば従来の半導体装置の容器の寸法をａ１＝１．０ｃｍ、ｂ１＝１．０ｃｍ、ｃ１＝０．６ｃｍとする。このときの結果を表2に示す。【００５３】
ＴＥ１００モードでは、従来構造に比して、特許文献１、実施形態１，４のいずれでも変化はない。ＴＥ０１０モード、ＴＥ１１０モード、ＴＥ０１１モードでは、従来構造に比して、いずれの構造でも共振周波数を上げる効果がある。【００５４】
ＴＥ００１モードでは、実施形態１の構造では従来の構造の場合のどのモードよりも低い周波数で共振する。ＴＥ１０１モード及びＴＥ１１モードでは実施形態１の構造の場合のみ逆効果である。【００５５】
導体板のない実施形態１の構造では、端子間のアイソレーション特性に最も悪影響を与えるＴＥ１０１モードにおいて共振周波数の改善がなされる。ＴＥ１００モードに対しては改善されないがこれはアイソレーションには影響しないモードである。他のモードに対しては従来構造よりも共振周波数の低下を生ずるがアイソレーションに影響する５つのモード（ＴＥ０１０，ＴＥ００１，ＴＥ１１０，ＴＥ０１１，ＴＥ１１１）の中で比較的低い共振周波数を有するＴＥ０１０モードとＴＥ１１０モードの共振周波数がそれぞれ２倍、１．５倍となっていることで、大きな改善効果があったといえる。しかし、ＴＥ００１モードの共振周波数が低下するので、実施形態１の構造はその効果を失う。これに対して導体板を用いた構造ではＴＥ００１モードの共振周波数を低下させることなく他のモードの共振周波数を上げることができる。【００５６】
なお、本発明の上記実施形態では、マイクロ波トランジスタを用いる高周波用半導体装置について述べたが、これに限られず高周波用半導体素子であれば本発明を適用することが可能である。また、上記した単位半導体装置２１の側壁部２８の上端と単位半導体装置１１の側壁部１８の上端が合わせられる場合、電気的シールドがなされていれば必ずしも密封される必要はない。同様に上記した単位半導体装置２１の側壁部２８の上端が導体板４１を介して下の単位半導体装置１１の側壁部１８と合致するように配置される場合も、電気的シールドがなされていれば必ずしも密封される必要はない。【００５７】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術思想の範囲内で種々変形して実施可能である。
【図１】
2007125633.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2007125633.tif 000016
【図１３】
2007125633.tif 000017
【図１４】
2007125633.tif 000018
【図１５】
2007125633.tif 000019
【図１６】
2007125633.tif 000020
【国際調査報告】
2007125633.tif 000021
2007125633.tif 000022
2007125633.tif 000023
2007125633.tif 000024