【手続補正書】
【提出日】平成18年12月1日(2006.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と前記半導体層に接して形成されたゲート絶縁膜と前記ゲート絶縁膜に接して形成されたゲート電極とを有し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜に接して形成された半導体膜からなる第１の導電層と、前記第１の導電層に接し、チャネル長方向の長さが前記第１の導電層よりも短く形成された第２の導電層とを有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、前記チャネル形成領域と前記第１の不純物領域とに挟まれた第２の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域と前記第２の不純物領域とは一導電型を付与する不純物元素を含み、前記第２の不純物領域における前記不純物元素の濃度は、前記第１の不純物領域における前記不純物元素の濃度よりも低く、
前記第２の不純物領域の一部は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１の導電層と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ｎチャネル型薄膜トランジスタを含む画素部を有し、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極は、ゲート絶縁膜に接して形成された半導体膜からなる第１の導電層と、前記第１の導電層に接し、チャネル長方向の長さが前記第１の導電層よりも短く形成された第２の導電層とを有し、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、前記チャネル形成領域と前記第１の不純物領域とに挟まれた第２の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域と前記第２の不純物領域とは一導電型を付与する不純物元素を含み、前記第２の不純物領域における前記不純物元素の濃度は、前記第１の不純物領域における前記不純物元素の濃度よりも低く、
前記第２の不純物領域の一部は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１の導電層と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、一導電型の半導体層と、前記一導電型の半導体層に接して形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に接して形成された半導体膜からなる電極とを含む容量を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ｎチャネル型薄膜トランジスタとｐチャネル型薄膜トランジスタとで形成されたＣＭＯＳ回路を有し、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極は、ゲート絶縁膜に接して形成された半導体膜からなる第１の導電層と、前記第１の導電層に接し、チャネル長方向の長さが前記第１の導電層よりも短く形成された第２の導電層とを有し、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、前記チャネル形成領域と前記第１の不純物領域とに挟まれた第２の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域と前記第２の不純物領域とは一導電型を付与する不純物元素を含み、前記第２の不純物領域における前記不純物元素の濃度は、前記第１の不純物領域における前記不純物元素の濃度よりも低く、
前記第２の不純物領域の一部は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１の導電層と重なっており、
前記ｐチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極は、ゲート絶縁膜に接して形成された半導体膜からなる第３の導電層と、前記第３の導電層に接して形成された第４の導電層とを有し、
前記ｐチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、チャネル形成領域と、第３の不純物領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
ｎチャネル型薄膜トランジスタを含む画素部とｎチャネル型薄膜トランジスタとｐチャネル型薄膜トランジスタとで形成されたＣＭＯＳ回路とを有し、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極は、ゲート絶縁膜に接して形成された半導体膜からなる第１の導電層と、前記第１の導電層に接し、チャネル長方向の長さが前記第１の導電層よりも短く形成された第２の導電層とを有し、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、前記チャネル形成領域と第１の不純物領域とに挟まれた第２の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域と前記第２の不純物領域とは一導電型を付与する不純物元素を含み、前記第２の不純物領域における前記不純物元素の濃度は、前記第１の不純物領域における前記不純物元素の濃度よりも低く、
前記第２の不純物領域の一部は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記第１の導電層と重なっており、
前記ｐチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極は、ゲート絶縁膜に接して形成された半導体膜からなる第３の導電層と、前記第３の導電層に接して形成された第４の導電層とを有し、
前記ｐチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、チャネル形成領域と、第３の不純物領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、一導電型の半導体層と、前記一導電型の半導体層に接して形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に接して形成された半導体膜からなる電極とを含む容量を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、前記一導電型の半導体層は、前記ｎチャネル型薄膜トランジスタの反動体操または前記ｐチャネル型薄膜トランジスタの半導体層と連続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記第１の導電層の端部はテーパー形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、前記第１の導電層はシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）から選ばれた一種または複数種の元素、あるいは前記元素を主成分とする化合物であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、前記第２の導電層はチタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）から選ばれた一種または複数種の元素、あるいは前記元素を主成分とする化合物であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記半導体装置は液晶表示装置またはＥＬ表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、前記半導体装置はビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、プロジェクションＴＶ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、パーソナルコンピュータ、または携帯型情報端末から選ばれた一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層に接してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に接して半導体膜からなる第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜に接して第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜から第２の導電層を形成し、
前記第２導電層をマスクとして一導電型を付与する不純物元素を前記半導体層に添加することにより第１の不純物領域を形成した後、
前記第２の導電層よりも幅が狭くなるように前記第１の導電膜から第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層をマスクとして一導電型を付与する不純物元素を前記半導体層に添加することにより第２の不純物領域を形成した後、
前記第１の導電層の一部を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
基板上に第１の半導体層と第２の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層と第２の半導体層に接してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に接して半導体膜からなる第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜に接して第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜から前記第一の半導体層上の第２の導電層と、前記第２の半導体層上の第４の導電層とを形成し、
前記第２導電層をマスクとして一導電型を付与する不純物元素を少なくとも前記第１の半導体層に選択的に添加することにより第１の不純物領域を形成した後、
前記第４の導電層と同じ幅となるように前記第１の導電膜から第３の導電層を形成し、
前記第３の導電層及び前記第４の導電層をマスクとして一導電型とは逆の導電型を付与する不純物元素を前記第２の半導体層に選択的に添加することにより第３の不純物領域を形成し、
前記第２の導電層よりも幅が狭くなるように前記第１の導電膜から第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層をマスクとして一導電型を付与する不純物元素を少なくとも前記第１の半導体層に選択的に添加することにより第２の不純物領域を形成した後、
前記第１の導電層の一部を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１３または請求項１４において、前記第１の導電層は端部がテーパー形状となるように形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１３乃至請求項１５のいずれか一において、前記第１の導電層はシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）から選ばれた一種または複数種の元素、あるいは前記元素を主成分とする化合物から形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１３乃至請求項１６のいずれか一において、前記第２の導電層はチタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）から選ばれた一種または複数種の元素、あるいは前記元素を主成分とする化合物から形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６８】
そして、第１のドーピング処理よりもドーズ量を下げ高加速電圧の条件でｎ型を付与する不純物元素をドーピングする。例えば、加速電圧を７０〜１２０ｋｅＶとし、１×１０１３／ｃｍ２のドーズ量で行い、図２６（Ｂ）で島状半導体層に形成された第１の不純物領域の内側の領域に新な不純物領域を形成する。ドーピングは、第２の矩形状の導電層２５３９〜２５４３を不純物元素に対するマスクとして用い、第２のテーパー形状の導電層２５３４ａ〜２５３８ａの下側の領域にも不純物元素が添加されるようなドーピング条件を用いる。従って、第２のテーパー形状の導電層２５３４ａ〜２５３８ａと重なる第３の不純物領域２５４８〜２５５１と、第１の不純物領域と第３の不純物領域との間の第２の不純物領域とが形成される。ｎ型を付与する不純物元素は、第２の不純物領域で１×１０１７〜１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度となるようにし、第３の不純物領域で１×１０１６〜１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度となるようにする。