【手続補正書】
【提出日】平成19年9月5日(2007.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面に接する接触金属層をその少なくとも一部に含む電極を前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面上に形成する方法であって、
前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面のうち前記接触金属層の形成箇所に対応する領域にフォトレジストを形成する工程と、
前記フォトレジストの表面および前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面を覆うように、酸化物、窒化物および酸窒化物からなる群から選択された少なくとも１種からなる誘電体膜を形成する工程と、
前記フォトレジスト上の前記誘電体膜の一部を前記フォトレジストのリフトオフにより前記フォトレジストとともに除去することによって前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面を露出させる工程と、
前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の露出表面に前記接触金属層を形成する工程と、を含み、
前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面のうち前記接触金属層の形成箇所に対応する領域が、酸化物、窒化物および酸窒化物からなる群から選択された少なくとも１種からなる誘電体に接することなく前記電極を形成することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体の電極形成方法。
【請求項２】  前記誘電体膜を形成する工程の後に、前記誘電体膜の表面上に積層金属層を形成する工程を含み、
前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面を露出させる工程において、前記積層金属層の一部が前記誘電体膜とともに除去されることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体の電極形成方法。
【請求項３】  前記積層金属層は、Ａｌ、Ｍｇ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖ、ＺｒおよびＴｉからなる群から選択された少なくとも１種であることを特徴とする請求項２に記載のＩＩＩ族窒化物半導体の電極形成方法。
【請求項４】  前記フォトレジストを形成する工程の後に、前記フォトレジストをマスクとして前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の一部を除去することによって、リッジを形成する工程を含むことを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の電極形成方法。
【請求項５】  ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面に接する接触金属層をその少なくとも一部に含む電極を前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面上に形成する方法であって、
前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面のうち前記接触金属層の形成箇所に対応する領域に開口部を有するフォトレジストを前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面上に形成する工程と、
前記フォトレジストの前記開口部から露出している前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の露出表面に前記接触金属層を形成する工程と、を含み、
前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面のうち前記接触金属層の形成箇所に対応する領域が、酸化物、窒化物および酸窒化物からなる群から選択された少なくとも１種からなる誘電体に接することなく前記電極を形成することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体の電極形成方法。
【請求項６】  前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面のうち前記接触金属層の形成箇所に対応する領域に隣接する部分を除去することによって、前記接触金属層の形成箇所に対応する領域を頂部とするリッジを形成する工程を含むことを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の電極形成方法。
【請求項７】  ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面に接する接触金属層をその少なくとも一部に含む電極を前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面上に形成する方法であって、
前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面上に第１のフォトレジストを形成する工程と、
前記第１のフォトレジストをマスクとして前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の一部を除去することによって、リッジを形成する工程と、
前記リッジの頂部に第２のフォトレジストを形成する工程と、
少なくとも前記第２のフォトレジストを覆うように、酸化物、窒化物および酸窒化物からなる群から選択された少なくとも１種からなる誘電体膜を形成する工程と、
前記第２のフォトレジスト上の前記誘電体膜の一部を前記第２のフォトレジストのリフトオフにより前記第２のフォトレジストとともに除去することによって前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面を露出させる工程と、
前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の露出表面に前記接触金属層を形成する工程と、を含み、
前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面のうち前記接触金属層の形成箇所に対応する領域が、酸化物、窒化物および酸窒化物からなる群から選択された少なくとも１種からなる誘電体に接することなく前記電極を形成することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体の電極形成方法。
【請求項８】  前記接触金属層は、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｃｏ、Ｃｒのいずれかを含んでなることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の電極形成方法。
【請求項９】  前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体は、Ｍｇをドーパントとして含有するＡｌＧａＩｎＮであることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の電極形成方法。
【請求項１０】  前記誘電体膜は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＳｉＯx、ＳｉＯＮ、ＺｒＯ2のいずれかを含んでなることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の電極形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の電極形成方法は、ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面に接する接触金属層をその少なくとも一部に含む電極を前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面上に形成する方法であって、前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面のうち前記接触金属層の形成箇所に対応する領域にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストの表面および前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面を覆うように、酸化物、窒化物および酸窒化物からなる群から選択された少なくとも１種からなる誘電体膜を形成する工程と、前記フォトレジスト上の前記誘電体膜の一部を前記フォトレジストのリフトオフにより前記フォトレジストとともに除去することによって前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面を露出させる工程と、前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の露出表面に前記接触金属層を形成する工程と、を含み、前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面のうち前記接触金属層の形成箇所に対応する領域が、酸化物、窒化物および酸窒化物からなる群から選択された少なくとも１種からなる誘電体に接することなく前記電極を形成することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の電極形成方法は、前記誘電体膜を形成する工程の後に、前記誘電体膜の表面上に積層金属層を形成する工程を含み、前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面を露出させる工程において、前記積層金属層の一部が前記誘電体膜とともに除去されることを特徴とする。また、本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の電極形成方法において、前記積層金属層は、Ａｌ、Ｍｇ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖ、ＺｒおよびＴｉからなる群から選択された少なくとも１種であることを特徴とする。また、本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の電極形成方法は、前記フォトレジストを形成する工程の後に、前記フォトレジストをマスクとして前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の一部を除去することによって、リッジを形成する工程を含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の電極形成方法は、ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面に接する接触金属層をその少なくとも一部に含む電極を前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面上に形成する方法であって、前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面のうち前記接触金属層の形成箇所に対応する領域に開口部を有するフォトレジストを前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面上に形成する工程と、前記フォトレジストの前記開口部から露出している前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の露出表面に前記接触金属層を形成する工程と、を含み、前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面のうち前記接触金属層の形成箇所に対応する領域が、酸化物、窒化物および酸窒化物からなる群から選択された少なくとも１種からなる誘電体に接することなく前記電極を形成することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の電極形成方法は、前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面のうち前記接触金属層の形成箇所に対応する領域に隣接する部分を除去することによって、前記接触金属層の形成箇所に対応する領域を頂部とするリッジを形成する工程を含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の電極形成方法は、ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面に接する接触金属層をその少なくとも一部に含む電極を前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面上に形成する方法であって、前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面上に第１のフォトレジストを形成する工程と、前記第１のフォトレジストをマスクとして前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の一部を除去することによって、リッジを形成する工程と、前記リッジの頂部に第２のフォトレジストを形成する工程と、少なくとも前記第２のフォトレジストを覆うように、酸化物、窒化物および酸窒化物からなる群から選択された少なくとも１種からなる誘電体膜を形成する工程と、前記第２のフォトレジスト上の前記誘電体膜の一部を前記第２のフォトレジストのリフトオフにより前記第２のフォトレジストとともに除去することによって前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面を露出させる工程と、前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の露出表面に前記接触金属層を形成する工程と、を含み、前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の表面のうち前記接触金属層の形成箇所に対応する領域が、酸化物、窒化物および酸窒化物からなる群から選択された少なくとも１種からなる誘電体に接することなく前記電極を形成することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の電極形成方法は、前記接触金属層は、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｃｏ、Ｃｒのいずれかを含んでなることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の電極形成方法は、前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体は、Ｍｇをドーパントとして含有するＡｌＧａＩｎＮであることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の電極形成方法は、前記誘電体膜は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＳｉＯx、ＳｉＯＮ、ＺｒＯ2のいずれかを含んでなることを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】