【手続補正書】
【提出日】平成20年9月19日(2008.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インサイチュ溝を有するＣＭＰパッドを生成する方法であって：
パターン化された鋳型にＣＭＰパッド材料を付加する工程であって、該パターン化された鋳型は、上部鋳型プレートおよび下部鋳型プレートを備え、該ＣＭＰパッドに形成されるべき溝に対応する該パターン化された鋳型の隆起が、該上部鋳型プレートの表面にある、工程；ならびに
該ＣＭＰパッド材料を固化させて、硬化した該ＣＭＰパッド材料にインサイチュ溝を形成する工程、を包含する、方法。
【請求項２】
インサイチュ溝を有するＣＭＰパッドを製造する方法であって、
ＣＭＰパッド材料をパターン化された鋳型に付加する工程であって、該パターン化された鋳型が、上部鋳型プレートおよび下部鋳型プレートを備え、該ＣＭＰパッドに形成されるべき溝に対応する該パターン化された鋳型の縁部が、該下部鋳型プレートの表面にある、工程；ならびに
該ＣＭＰパッド材料を固化させて、硬化した該ＣＭＰパッド材料にインサイチュ溝を形成する工程、を包含する、方法。
【請求項３】
前記パターン化された鋳型が、前記隆起を有するシリコーンライニングを含み、該シリコーンライニングが、シリコーンエラストマーから作製される、請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４】
前記パターン化された鋳型が、リソグラフィーを用いて形成された隆起を有するシリコーンライニングを含む、請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記パターン化された鋳型が、エンボス加工を用いて形成された隆起を有するシリコーンライニングを含む、請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記シリコーンライニングを前記鋳型に接着する工程をさらに包含する、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記シリコーンライニングを前記鋳型に接着する工程が、該シリコーンライニングを該鋳型に、接着剤留め、テープ留め、クランプ留め、および圧力ばめすることからなる群から選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記鋳型が金属である、請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記鋳型が、アルミニウム、スチール、超鋳型材料、およびそれらの混合物からなる群から選択される材料から作製されている、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＣＭＰパッド材料が、熱可塑性材料を含む、請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＣＭＰパッド材料が、熱硬化性材料を含む、請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＣＭＰパッド材料が、ポリウレタンを含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記鋳型をパターン化する工程をさらに包含する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＣＭＰパッド材料が、１ステップで前記鋳型に付加される、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＣＭＰパッド材料が、２ステップで前記鋳型に付加される、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＣＭＰパッド材料が、２より多いステップで前記鋳型に付加される、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法により形成された、同軸円形インサイチュ溝および軸方向に湾曲したインサイチュ溝を備える、インサイチュ溝を有するＣＭＰパッド。
【請求項１８】
前記同軸円形インサイチュ溝が、セットで間隔を置いて離れている、請求項１７に記載のＣＭＰパッド。
【請求項１９】
前記軸方向に湾曲したインサイチュ溝が、重複している、請求項１７に記載のＣＭＰパッド。
【請求項２０】
前記軸方向に湾曲したインサイチュ溝が、不連続である、請求項１７に記載のＣＭＰパッド。
【請求項２１】
前記同軸円形インサイチュ溝と前記軸方向に湾曲したインサイチュ溝が、交差する、請求項１７に記載のＣＭＰパッド。
【請求項２２】
前記ＣＭＰパッドが、ポリウレタンを含む、請求項１７に記載のＣＭＰパッド。
【請求項２３】
逆対数インサイチュ溝を備える、インサイチュ溝を有するＣＭＰパッド。
【請求項２４】
前記ＣＭＰパッドが、ポリウレタンを含む、請求項２３に記載のＣＭＰパッド。
【請求項２５】
前記インサイチュ溝が、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法によって得られ得る、請求項２３に記載のＣＭＰパッド。
【請求項２６】
重複する円形インサイチュ溝を備える、インサイチュ溝を有するＣＭＰパッド。
【請求項２７】
前記重複する円形インサイチュ溝が、不釣合いである、請求項２６に記載のＣＭＰパッド。
【請求項２８】
前記ＣＭＰパッドが、ポリウレタンを含む、請求項２６に記載のＣＭＰパッド。
【請求項２９】
前記インサイチュ溝が、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法によって得られ得る、請求項２６に記載のＣＭＰパッド。
【請求項３０】
リサジューインサイチュ溝を備える、インサイチュ溝を有するＣＭＰパッド。
【請求項３１】
前記ＣＭＰパッドが、ポリウレタンを含む、請求項３０に記載のＣＭＰパッド。
【請求項３２】
前記インサイチュ溝が、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法によって得られ得る、請求項３０に記載のＣＭＰパッド。
【請求項３３】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法によって形成された、二重らせんインサイチュ溝を備える、インサイチュ溝を有するＣＭＰパッド。
【請求項３４】
前記ＣＭＰパッドが、ポリウレタンを含む、請求項３３に記載のＣＭＰパッド。
【請求項３５】
乗算重複軸方向湾曲インサイチュ溝を備える、インサイチュ溝を有するＣＭＰパッド。
【請求項３６】
前記ＣＭＰパッドが、ポリウレタンを含む、請求項３５に記載のＣＭＰパッド。
【請求項３７】
前記インサイチュ溝が、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法によって得られ得る、請求項３５に記載のＣＭＰパッド。
【請求項３８】
インサイチュ溝を有するＣＭＰパッドであって、該ＣＭＰパッドは、同軸円形インサイチュ溝および放射状インサイチュ溝を備え、該同軸円形インサイチュ溝は、該パッドの第一の領域、および該パッドの該第一の領域に隣接する第二の領域にあり、該放射状インサイチュ溝は、該パッドの該第一の領域において直線状に放射し、そして該パッドの該第二の領域において湾曲しており、該放射状インサイチュ溝は、該同軸円形インサイチュ溝を横切り、そして該ＣＭＰパッドは、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法によって形成される、ＣＭＰパッド。
【請求項３９】
前記第二の領域よりも前記第一の領域のほうが、前記パッドの中心軸に近い、請求項３８に記載のＣＭＰパッド。
【請求項４０】
前記ＣＭＰパッドがポリウレタンを含む、請求項３８に記載のＣＭＰパッド。
【請求項４１】
前記放射状のインサイチュ溝が連続的である、請求項３８に記載のＣＭＰパッド。
【請求項４２】
前記放射状のインサイチュ溝が連続的である、請求項３９に記載のＣＭＰパッド。
【請求項４３】
前記ＣＭＰパッドがポリウレタンを含む、請求項４２に記載のＣＭＰパッド。
【請求項４４】
前記円形インサイチュ溝が、前記パッドの表面の大部分を占める、請求項４３に記載のＣＭＰパッド。
【請求項４５】
前記放射状のインサイチュ溝が前記表面の大部分を横断する、請求項４４に記載のＣＭＰパッド。
【請求項４６】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法によって形成された、インサイチュ溝を有するＣＭＰパッド。