Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月26日(2008.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯無線通信装置（１０）であって、
前記携帯無線通信装置（１０）の筐体（１２）に一体化され、ユーザの音声を入力するためのマイクロホン（２８）と、
前記筐体（１２）に一体化され、被写体の画像を入力するためのカメラ（１８）と、
前記被写体を照射するフラッシュ・デバイス（４４）と、
前記ユーザの音声及び入力された前記画像を半二重モードで遠隔の相手に送信するための送受信機（３８）と、
前記筐体（１２）と一体化され、動作状態を有するプッシュ・ツー・トーク作動装置（２６）と、
前記プッシュ・ツー・トーク作動装置（２６）の前記動作状態を検知し、該検知した動作状態に基づいて、前記ユーザの音声を入力するために前記マイクロホン（２８）を起動し、前記画像を入力するために前記カメラ（１８）を起動し、照明が必要である場合に前記被写体を照明するために前記フラッシュ・デバイス（４４）を起動し、前記ユーザの音声及び入力された前記画像を前記遠隔の相手に送信するために前記送受信機（３８）を起動する制御装置（３２）と
を備えることを特徴とする携帯無線通信装置。
【請求項２】
前記制御装置（３２）は、無線通信網（６０）からの発言許可の受信後に、前記マイクロホン（２８）、前記カメラ（１８）、前記送受信機（３８）、及び照明が必要であれば前記フラッシュ・デバイス（４４）を起動させることを特徴とする請求項１に記載の携帯無線通信装置。
【請求項３】
前記制御装置（３２）は、さらに、
前記プッシュ・ツー・トーク作動装置（２６）が押下状態にあるときに、前記マイクロホン（２８）、前記カメラ（１８）、及び照明が必要であれば前記フラッシュ・デバイス（４４）を起動させる第１制御信号を生成し、
前記プッシュ・ツー・トーク作動装置（２６）が解放状態にあるときに、前記マイクロホン（２８）、及び前記カメラ（１８）を停止させる第２制御信号を生成することを特徴とする請求項１に記載の携帯無線通信装置。
【請求項４】
前記制御装置（３２）は、さらに、
前記プッシュ・ツー・トーク作動装置（２６）が押下状態にあるときに、前記マイクロホン（２８）、前記カメラ（１８）、及び照明が必要であれば前記フラッシュ・デバイス（４４）を起動させる第１制御信号を生成し、
前記プッシュ・ツー・トーク作動装置（２６）が解放状態にあるときに、前記マイクロホン（２８）及び前記カメラ（１８）を起動させないために、前記第１制御信号の生成を停止することを特徴とする請求項１に記載の携帯無線通信装置。
【請求項５】
前記制御装置（３２）は、さらに、
前記プッシュ・ツー・トーク作動装置（２６）が押下状態にあるときに、前記マイクロホン（２８）を起動させる第１制御信号を生成し、
前記プッシュ・ツー・トーク作動装置（２６）が押下状態にあるときに、前記カメラ（１８）を起動させる第２制御信号を生成し、
前記プッシュ・ツー・トーク作動装置（２６）が解放状態にあるときに、前記マイクロホン（２８）及び前記カメラ（１８）を起動させないために、前記第１制御信号及び前記第２制御信号の生成を停止することを特徴とする請求項１に記載の携帯無線通信装置。
【請求項６】
無線通信網を介して遠隔の相手に音声データ及び画像データを送信するための方法であって、
無線通信網（６０）を介して遠隔の相手とプッシュ・ツー・トーク通信セッションを確立するステップと、
無線通信装置（１０）の筐体（１２）と一体化されたプッシュ・ツー・トーク作動装置（２６）の押下状態及び解放状態を含む動作状態を検知するステップと、
前記プッシュ・ツー・トーク作動装置（２６）が前記押下状態であることを検知すると、前記筐体（１２）と一体化され、ユーザの音声を入力するためのマイクロホン（２８）を起動させるステップと、
前記プッシュ・ツー・トーク作動装置（２６）が前記押下状態であることを検知すると、前記筐体（１２）と一体化され、被写体の画像を入力するためのカメラ（１８）を起動させるステップと、
前記プッシュ・ツー・トーク作動装置（２６）が前記押下状態であることを検知し、照明が必要である場合に、前記カメラ（１８）に付随し、前記被写体を照明するためのフラッシュ・デバイス（４４）を起動させるステップと、
前記プッシュ・ツー・トーク作動装置（２６）が前記押下状態であることを検知すると、前記ユーザの音声及び入力された前記画像を、前記遠隔の相手に半二重モードで送信するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
前記プッシュ・ツー・トーク作動装置（２６）が解放状態であることを検知すると、前記マイクロホン（２８）及び前記カメラ（１８）を停止するステップをさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記プッシュ・ツー・トーク作動装置（２６）が前記押下状態であることを検知すると、前記マイクロホン（２８）、前記カメラ（１８）、及び照明が必要である場合に前記フラッシュ・デバイス（４４）を起動させる１以上の制御信号を生成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
静止画像を入力するモード及び映像を入力するモードの何れかで前記カメラ（１８）を動作させるために、動作モードを選択するステップと、
検知された前記動作モードに基づき、選択された前記動作モードで動作させるために、前記カメラ（１８）及び前記マイクロホン（２８）を起動させるステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
画像を入力する前記カメラ（１８）を起動させる前記ステップは、前記無線通信網（６０）からの発言許可の受信後に、前記カメラ（１８）を起動させるステップを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月28日(2008.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディジタル加入者線システムにおいてチャンネル切り替えを可能にするセット・トップ・ボックスであって、チャンネル切り替え要求を受信すると通常ストリーム及びチャンネル切り替えストリームの参加要求を送出するチャンネル切り替え処理装置を備えるセット・トップ・ボックス。
【請求項２】
請求項１記載のセット・トップ・ボックスであって、前記通常ストリームにおいてイントラ符号化ピクチャを受信すると前記チャンネル切り替えストリームについて離脱要求が送出されるセット・トップ・ボックス。
【請求項３】
請求項１記載のセット・トップ・ボックスであって、一定期間表示するために、前記チャンネル切り替えストリームにおけるチャンネル切り替えストリーム・ピクチャを復号化し、その後表示するために前記通常ストリームにおける通常ストリーム・ピクチャを復号化する復号器を更に備えるセット・トップ・ボックス。
【請求項４】
請求項１記載のセット・トップ・ボックスであって、チャンネル切り替えストリーム符号化ピクチャは、通常ストリーム符号化ピクチャよりも低い分解能のものであるセット・トップ・ボックス。
【請求項５】
請求項１記載のセット・トップ・ボックスであって、チャンネル切り替えストリーム符号化ピクチャは、通常ストリーム符号化ピクチャよりも低いフレーム・レートのものであるセット・トップ・ボックス。
【請求項６】
請求項１記載のセット・トップ・ボックスであって、チャンネル切り替えストリーム符号化ピクチャは、通常ストリーム・ピクチャよりも低いビットレートで符号化されるセット・トップ・ボックス。
【請求項７】
請求項１記載のセット・トップ・ボックスであって、表示装置に接続されており、更に、
ピクチャインピクチャモードにおける表示装置上の表示のために前記通常ストリームの通常ストリーム・ピクチャを復号化する標準分解能復号器と、
ピクチャインピクチャモードにおける表示装置上の表示のために前記チャンネル切り替えストリームの低分解能ピクチャを復号化する低分解能復号器とを備えるセット・トップ・ボックス。
【請求項８】
接続された表示装置上でピクチャインピクチャモードをサポートするセット・トップ・ボックスであって、前記セット・トップ・ボックスは更に、ディジタル加入者線システムに結合されており、前記セット・トップ・ボックスは、
前記ピクチャインピクチャモードにおける前記表示装置上の表示のために通常ストリームの通常ストリーム・ピクチャを復号化する標準分解能復号器と、
前記ピクチャインピクチャモードにおける前記表示装置上の表示のために並列符号化ストリームの低分解能ピクチャを復号化する低分解能復号器とを備えるセット・トップ・ボックス。
【請求項９】
ディジタル加入者線システムに結合されており、チャンネル切り替え要求を出すためのユーザ・インタフェースを有するセット・トップ・ボックスにおいて、チャンネル切り替えを可能にする方法であって、チャンネル切り替え要求を受信すると、通常ストリーム及びチャンネル切り替えストリームの参加要求を送出する工程を備える方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法であって、前記通常ストリームにおいてイントラ符号化ピクチャを受信すると、前記チャンネル切り替えストリームの離脱要求を送出する工程を更に備える方法。
【請求項１１】
請求項９記載の方法であって、
一定期間表示するために前記チャンネル切り替えストリームにおいてチャンネル切り替えストリーム・ピクチャを復号化する工程と、
その後表示するために前記通常ストリームにおける通常ストリーム・ピクチャを復号化する工程とを更に備える方法。
【請求項１２】
請求項９記載の方法であって、チャンネル切り替えストリーム符号化ピクチャは、通常ストリーム符号化ピクチャよりも低い分解能のものである方法。
【請求項１３】
請求項９記載の方法であって、チャンネル切り替えストリーム符号化ピクチャは、通常ストリーム符号化ピクチャよりも低いフレーム・レートのものである方法。
【請求項１４】
請求項９記載の方法であって、チャンネル切り替えストリーム符号化ピクチャは、通常ストリーム・ピクチャよりも低いビットレートで符号化される方法。
【請求項１５】
請求項９記載の方法であって、前記セット・トップ・ボックスは表示装置に接続されており、前記方法は更に、
ピクチャインピクチャモードにおける表示装置上の表示のために前記通常ストリームの通常ストリーム・ピクチャを、標準分解能復号器を用いて復号化する工程と、
ピクチャインピクチャモードにおける表示装置上の表示のために前記チャンネル切り替えストリームの低分解能ピクチャを低分解能復号器を用いて復号化する工程とを備える方法。
【請求項１６】
ディジタル加入者線システム及び表示装置に接続されたセット・トップ・ボックスにおいて、前記表示装置上でピクチャインピクチャモードをサポートする方法は、
前記ピクチャインピクチャモードにおける前記表示装置上の表示のために通常ストリームの通常ストリーム・ピクチャを、標準分解能復号器を用いて復号化する工程と、
前記ピクチャインピクチャモードにおける前記表示装置上の表示のために並列符号化ストリームの低分解能ピクチャを低分解能復号器を用いて復号化する工程とを備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月28日(2008.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レコードの系列をイベントに、前記レコードそれぞれに関連した特徴値に基づいて分類する方法であって、
連続した前記レコード間の特徴差を判定する工程と、
前記特徴差をランク付けする工程と、
前記特徴差の３つ以上のクラスタの系列を、イベント間の間隔を表すそれぞれの前記特徴差の相対的尤度の降順に計算する工程とを備える方法。
【請求項２】
レコードの系列をイベントに、前記レコードそれぞれに関連した特徴値に基づいて分類する方法であって、
連続した前記レコードの前記特徴値間の差を判定して特徴差を得る工程と、
前記特徴差をランク付けして、クラスタリングされていない差の組を得る工程と、
前記クラスタリングされていない差の組からの前記特徴差の複数のクラスタを順次分割する工程であって、前記クラスタが相互排他的であり、前記分割が、イベント間の間隔を表すそれぞれの前記特徴差の相対的尤度の降順で行われる工程を備える方法。
【請求項３】
レコードのデータベースをイベントに分類する方法であって、前記レコードはそれぞれ、関連した特徴値を有しており、前記特徴値は序数であり、1又は複数の次元を有しており、前記レコードは、それぞれの前記特徴値の順にランク付けされ、前記方法は、
連続した前記レコード間の特徴値差を判定する工程と、
前記特徴値差をランク付けして、クラスタリングされていない差の組を得る工程と、
前記クラスタリングされていない差の組の前記特徴値差から境界を算出する工程であって、前記境界は、イベント間の間隔を表す可能性が比較的高い前記クラスタリングされていない差の組の前記差のクラスタを規定し、前記境界は、前記クラスタを除外するよう、前記クラスタリングされていない差の組を再規定する工程と、
前記算出を少なくとも一度繰り返す工程とを備える方法。
【請求項４】
イベントに分割された画像ファイルのデータベースを、前記画像ファイルそれぞれに関連した日時情報に基づいて編成する装置であって、
連続したレコード間の特徴差を判定する手段と、
前記特徴差をランク付けする手段と、
イベント間の間隔を表すそれぞれの前記特徴差の相対的尤度の降順に前記特徴差の3つ以上のクラスタの系列を計算する手段と、
前記降順において最低の前記クラスタにおけるそれぞれの前記特徴差がイベント内にあるものとして指定し、前記降順において最高の前記クラスタにおけるそれぞれの前記特徴差がイベント間にあるものとして指定する手段とを備える装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月29日(2008.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気回路を制御するためのノーマリークローズマイクロスイッチであって、
（ａ）相対する固定端縁を有するくぼみ部が形成されたベース素子と、
（ｂ）前記ベース素子により支持される間隔保持構造と、
（ｃ）前記間隔保持構造によって支持される第一のスイッチ電極と、前記第一のスイッチ電極と離間させて配置される第二のスイッチ電極と、前記第一と第二のスイッチ電極を電気的に連結して前記電気回路を閉じるための制御電極と、
（ｄ）前記相対する固定端縁に接合され、前記制御電極を圧迫して前記第一と第二のスイッチ電極と電気的に接触させる変形素子であって、低い熱膨張率を有する第一の材料の第一の層と高い熱膨張率を有する第二の材料の第二の層とを含む平坦積層構造として構成され、前記固定端縁に隣接する固定部分と前記固定部分の間の中央部分を有し、前記固定部分の曲げ剛性が前記中央部分の曲げ剛性より実質的に低い変形素子と、
（ｅ）前記変形素子に熱パルスを印加し、前記変形素子の温度を急上昇させる装置であって、前記変形素子が前記制御電極を前記第一のスイッチ電極と接触させない方向にたわみ、それによって前記電気回路を開け、その後、温度が下降すると、たわみが解放され、前記電気回路を閉じるようにする装置と、
を備えることを特徴とするノーマリークローズマイクロスイッチ。
【請求項２】
電気回路を制御するためのノーマリーオープンマイクロスイッチであって、
（ａ）相対する固定端縁を有するくぼみ部が形成されたベース素子と、
（ｂ）前記ベース素子により支持される間隔保持構造と、
（ｃ）前記間隔保持構造によって支持される第一のスイッチ電極と、前記第一のスイッチ電極と離間させて配置される第二のスイッチ電極と、前記第一と第二のスイッチ電極を電気的に連結して前記電気回路を閉じるための制御電極と、
（ｄ）前記相対する固定端縁に接合され、前記制御電極を前記第一のスイッチ電極の近位に位置づける変形素子であって、低い熱膨張率を有する第一の材料の第一の層と高い熱膨張率を有する第二の材料の第二の層とを含む平坦積層構造として構成され、前記固定端縁に隣接する固定部分と前記固定部分の間の中央部分を有し、前記固定部分の曲げ剛性が前記中央部分の曲げ剛性より実質的に低い変形素子と、
（ｅ）前記変形素子に熱パルスを印加し、前記変形素子の温度を急上昇させる装置であって、前記変形素子が前記制御電極を前記第一のスイッチ電極及び第二のスイッチ電極と接触させる方向にたわみ、それによって前記電気回路を閉じ、その後、温度が下降すると、たわみが解放され、前記電気回路を開けるようにする装置と、
を備えることを特徴とするノーマリーオープンマイクロスイッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月7日(2008.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合表面配向をもつ単一のチップ上に、ディープ・トレンチ・キャパシタ記憶デバイス及び論理デバイス（３２、４０）を形成する方法であって、
第１の表面配向を有するバルク・シリコン基板（１２）と、その上に第２の異なる表面配向を有するシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）領域（１４）とを準備するステップと、
ハード・マスク（８４）を用いて、前記ＳＯＩ領域（１４）を貫通して前記バルク・シリコン基板（１２）までの、第１及び第２の開口（８０、８２）を形成するステップと、
各前記開口（８０、８２）の内部にスペーサ（８６）を形成するステップと、
前記第２の開口（８２）内に、誘電体でキャップされたエピタキシャル・シリコンを形成するステップと、
前記第１の開口（８０）を通して、前記バルク・シリコン基板（１２）内にディープ・トレンチを形成するステップと、
前記ディープ・トレンチ内に、ディープ・トレンチ・キャパシタを形成するステップと、
浅いトレンチ分離（３３、４４）を形成するステップと、
前記論理デバイス（３２、４０）を形成するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記第１の表面配向は（１１０）であり、前記第２の表面配向は（１００）である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１及び第２の開口（８０、８２）を形成するステップは、単一のマスクを用いて、パターン付け及びエッチングするステップを含む、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記誘電体でキャップされたエピタキシャル・シリコンを形成するステップは、
前記エピタキシャル・シリコンが前記第１の表面配向を有するように、各前記開口内に、エピタキシャルにシリコンを成長させるステップと、
各前記開口内の前記エピタキシャル・シリコンの上を覆う誘電体キャップ（９０）を形成するステップと、
前記第１の開口（８０）内の前記誘電体キャップ（９０）を、前記エピタキシャル・シリコンに至るまで除去するステップと
を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記誘電体キャップ（９０）を形成するステップは、各前記開口内の前記エピタキシャル・シリコンを平坦化し、リセスするステップと、前記エピタキシャル・シリコン上に誘電体を堆積させるステップと、前記誘電体を平坦化するステップとを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の開口（８０）は、前記第２の開口（８２）よりも狭く、前記誘電体でキャップされたエピタキシャル・シリコンを形成するステップは、
前記第１の開口（８０）を実質的に充填し、前記第２の開口（８２）を部分的に充填するように、第１の誘電体をコンフォーマルに堆積するステップと、
前記第１の誘電体を、前記第２の開口（８２）から除去するステップと、
前記エピタキシャル・シリコンが前記第１の表面配向を有するように、前記第２の開口（８２）内にエピタキシャルにシリコンを成長させるステップと、
前記第２の開口（８２）内の前記エピタキシャル・シリコンの上を覆う第２の誘電体キャップ（９６）を形成するステップと、
前記第１の誘電体を前記第１の開口（８０）から除去するステップと
を含む、請求項１から請求項３までのいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記バルク・シリコン基板内において、前記ＳＯＩ領域（１４）より下で前記ディープ・トレンチを拡幅するステップと、
前記拡幅されたディープ・トレンチ内に、埋込プレート（５２）を形成するステップと、
をさらに含む、請求項１から請求項３までのいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記トレンチ・キャパシタを形成するステップは、
前記第１の開口（８０）及び前記ディープ・トレンチの内部に、ノード誘電体を堆積するステップと、
前記第１の開口（８０）及び前記ディープ・トレンチをドープされたノード・ポリシリコンで充填するステップと、
前記第１の開口（８０）内の前記ドープされたノード・ポリシリコンをリセスするステップと、
前記第１の開口部（８０）の側壁から前記ノード誘電体を、前記ＳＯＩ領域（１４）の埋込酸化膜上で除去するステップと、
前記第１の開口（８０）をポリシリコンで充填し、平坦化する第２の充填ステップと
を含む、請求項１から請求項３までのいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記第２の充填ステップの前に、前記第１の開口（８０）の前記側壁上に、側壁窒化物を形成するステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月5日(2008.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放送コンテンツを受信する装置において、
ａ）コンテンツ提供者から放送チャンネルを通じて受信された放送ストリームに基づいてコンテンツを生成する受信部と、
ｂ）所定のコンテンツキーを利用して、前記コンテンツを暗号化するコンテンツ暗号化部と、
ｃ）ユーザ機器とリンクメッセージを交換することによって、前記ユーザ機器との安全なリンクを生成するとともに、前記リンクメッセージの１つを介して前記コンテンツキーをユーザ機器に伝送するリンク生成部と、を備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記ｃ）リンク生成部は、
前記ユーザ機器からのリンク要請メッセージをカウントし、現在リンク数を最大リンク数と比較することによって、前記現在リンクの回数を制限することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
ｃ）前記リンク生成部は、
前記ユーザ機器の公開キーを利用して前記受信装置の個人キーを暗号化した後に、前記ユーザ機器に伝送し、
前記受信装置の公開キーを利用して前記コンテンツキーを暗号化した後に、前記ユーザ機器に伝送することによって、
前記コンテンツキーを前記ユーザ機器に伝送することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
ｃ）前記リンク生成部は、
前記ユーザ機器の公開キーを利用して前記受信装置の秘密キーを暗号化した後に、前記ユーザ機器に伝送し、
前記受信装置の秘密キーを利用して前記コンテンツキーを暗号化した後に、前記ユーザ機器に伝送することによって、
前記コンテンツキーを前記ユーザ機器に伝送することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
ｃ）前記リンク生成部は、
前記受信装置の公開キーを利用して暗号化された前記ユーザ機器の秘密キーを受信し、
前記受信されたユーザ機器の秘密キーを利用して前記コンテンツキーを暗号化した後に、前記ユーザ機器に伝送することによって、
前記コンテンツキーを前記ユーザ機器に伝送することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
放送コンテンツを受信する方法において、
ａ）コンテンツ提供者から放送チャンネルを通じて受信された放送ストリームに基づいてコンテンツを生成するステップと、
ｂ）所定のコンテンツキーを利用して前記コンテンツを暗号化するコンテンツ暗号化ステップと、
ｃ）ユーザ機器と放送受信装置との間でリンクメッセージを交換することによって、前記ユーザ機器と前記放送受信装置との間の安全なリンクを生成するとともに、前記安全なリンクを通じて前記リンクメッセージの１つを介して前記コンテンツキーをユーザ機器に伝送するリンク生成ステップと、を含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
前記ｃ）リンク生成ステップは、
前記ユーザ機器からのリンク要請メッセージをカウントすることによって現在リンク数を生成するステップと、
現在リンク数を最大リンク数と比較することによって、前記現在リンクの回数を制限するステップと、を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ｃ）前記リンク生成ステップは、
前記ユーザ機器の公開キーを利用して前記受信装置の個人キーを暗号化した後に、前記ユーザ機器に伝送するステップと、
前記受信装置の公開キーを利用して前記コンテンツキーを暗号化した後に、前記ユーザ機器に伝送するステップと、を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
ｃ）前記リンク生成ステップは、
前記ユーザ機器の公開キーを利用して前記受信装置の秘密キーを暗号化した後に、前記ユーザ機器に伝送するステップと、
前記受信装置の秘密キーを利用して前記コンテンツキーを暗号化した後に、前記ユーザ機器に伝送するステップと、を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
ｃ）前記リンク生成ステップは、
前記受信装置の公開キーを利用して暗号化された前記ユーザ機器の秘密キーを受信するステップと、
前記受信されたユーザ機器の秘密キーを利用して前記コンテンツキーを暗号化した後に、前記ユーザ機器に伝送するステップと、を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
ａ）コンテンツ提供者から放送チャンネルを通じて受信された放送ストリームに基づいてコンテンツを生成するステップと、
ｂ）所定のコンテンツキーを利用して前記コンテンツを暗号化するコンテンツ暗号化ステップと、
ｃ）ユーザ機器と放送受信装置との間でリンクメッセージを交換することによって、前記ユーザ機器と前記放送受信装置との間の安全なリンクを生成するとともに、前記安全なリンクを通じて前記リンクメッセージの１つを介して前記コンテンツキーをユーザ機器に伝送するリンク生成ステップと、を含むことを特徴とする放送コンテンツを受信する方法をコンピュータで実行させるためのプログラムを記録したコンピュータで読み取り可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月8日(2008.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光デバイスと電子デバイスとを半導体基板に集積するための方法であって、
活性半導体層を有する半導体基板を提供すること、
前記半導体基板の電子デバイス部に対応する第１領域における、活性半導体層に開口を形成し、且つ前記第１領域の活性半導体層に開口を前記形成している間、前記半導体基板の光デバイス部に対応する第２領域における、前記活性半導体層を保護すること、
前記半導体基板の前記電子デバイス部における前記活性半導体層の前記開口を充填物質で充填すること、
前記半導体基板の前記第２領域における前記活性半導体層の一部を露光し、且つ前記第２領域における前記活性半導体の露光の間、前記半導体基板の前記第１領域を保護すること、
前記第２領域における前記露光された活性半導体層を覆う半導体層をエピタキシャル成長させて、光デバイス領域に対応する半導体層を形成すること、
前記半導体基板の前記電子デバイス部における前記活性半導体層上に電子デバイスの少なくとも一部を形成すること、
前記半導体基板の前記光デバイス部の前記エピタキシャル生長した半導体層に、光デバイスの１つ以上の特徴を形成する開口を形成すること、
前記半導体基板の前記電子デバイス部に電子デバイス部の更なる部分を形成すること
を備える方法。
【請求項２】
前記活性半導体層と前記エピタキシャル成長した半導体層とは、導波管を形成するに十分な組み合わされた合計の厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記エピタキシャル成長した半導体層の前記開口を形成することは、前記半導体基板の前記光デバイス部の前記光デバイス領域に光導波管を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記半導体基板の前記光デバイス部は、光格子結合器、導波管、波長選択性フィルタ、光変調器又は導波管格子アレイの一つ以上を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
光デバイスと電子デバイスとを半導体基板に集積するための方法であって、
活性半導体層を有する半導体基板を提供すること、
前記半導体基板の電子デバイス部に対応する第１領域における、活性半導体層に開口を形成し、且つ前記第１領域の活性半導体層に開口を前記形成している間、前記半導体基板の光デバイス部に対応する第２領域における、前記活性半導体層を保護すること、
前記半導体基板の前記電子デバイス部における前記活性半導体層の前記開口を充填物質で充填すること、
前記半導体基板の前記電子デバイス部の前記活性半導体層の電子デバイスの少なくとも一部を形成すること、
前記半導体基板の前記第１及び第２領域を覆う第１絶縁層と第２絶縁層とを堆積すること、
前記半導体基板の前記第２領域における前記活性半導体層の一部を露光し、且つ前記第２領域における前記活性半導体の前記露光の間、前記半導体基板の前記第１領域を保護すること、
前記第２領域における前記露光された活性半導体層を覆う半導体層をエピタキシャル成長させて、光デバイス領域に対応する半導体層を形成すること、
前記第２絶縁層をパターニング及びエッチングして、前記ゲート電極と前記側壁スペーサとの間の前記第１絶縁層の一部を有する前記ゲート電極の側壁の側壁スペーサを形成すること、
前記半導体基板の前記光デバイス部の前記エピタキシャル生長した半導体層に、光デバイスの１つ以上の特徴を形成する開口を形成すること、
前記半導体基板の前記電子デバイス部に電子デバイスの更なる一部を形成すること
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月30日(2008.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソースおよびドレイン拡散領域を有する半導体基板であって、前記ソースおよびドレイン拡散領域がデバイス・チャネルによって分離され、前記デバイス・チャネルの上にゲート・スタックが位置し、前記ゲート・スタックがゲート誘電体とＶt安定化層とゲート電極とを含み、前記Ｖt安定化層が前記ゲート誘電体と前記ゲート電極との間に位置し、前記Ｖt安定化層が構造のしきい電圧およびフラットバンド電圧を目標値に安定化することができ、前記Ｖt安定化層が半導体窒化金属酸化物または窒素なし金属酸化物を含み、前記Ｖt安定化層が窒素なし金属酸化物を含む条件で前記半導体基板または前記ゲート誘電体のうちの少なくとも一方が窒素を含む、半導体構造。
【請求項２】
前記ゲート誘電体が、ＨｆＯ2、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｌａ2Ｏ3、ＳｒＴｉＯ3、ＬａＡｌＯ3、Ｙ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、ＧｄＧａＯ、シリケート、窒化物または窒化金属シリケート、あるいはこのような材料の混合物または多層を含む高ｋ材料である、請求項１または２に記載の半導体構造。
【請求項３】
第１のデバイス領域と第２のデバイス領域とを有する半導体基板であって、前記第１のデバイス領域が、第１のゲート誘電体と第１のゲート電極とを含む少なくとも１つの第１のゲート・スタックを含み、前記第２のデバイス領域が、第２のゲート誘電体と、前記第２のゲート誘電体の上のＶt安定化層と、前記Ｖt安定化層の上の第２のゲート導体とを含む少なくとも１つの第２のゲート・スタックを含み、前記Ｖt安定化層が窒化金属酸化物または窒素なし金属酸化物を含み、前記Ｖt安定化層が窒素なし金属酸化物を含む条件で前記半導体基板または前記第２のゲート誘電体のうちの少なくとも一方が窒素を含む、半導体構造。
【請求項４】
前記Ｖt安定化層が、Ａｌ2Ｏ3、酸化ホウ素（ＢxＯy）、酸化ガリウム（ＧａxＯy）、または酸化インジウム（ＩｎxＯy）を含む前記窒素なし金属酸化物である、請求項１または３に記載の半導体構造。
【請求項５】
ゲート誘電体とＶt安定化層とゲート電極とを含むゲート・スタックを半導体基板上に設けるステップであって、前記Ｖt安定化層が前記ゲート誘電体と前記ゲート電極との間に位置し、前記Ｖt安定化層が窒化金属酸化物または窒素なし金属酸化物を含み、前記Ｖt安定化層が窒素なし金属酸化物を含む条件で前記半導体基板または前記ゲート誘電体のうちの少なくとも一方が窒素を含むステップと、前記ゲート・スタックにバイアスを加えるステップであって、前記Ｖt安定化層が構造のしきい電圧およびフラットバンド電圧を目標値に安定化するステップと、
を含む、半導体構造を形成する方法。
【請求項６】
前記Ｖt安定化層が前記金属酸化物であり、イオン注入、気相ドーピング、または窒化により、前記半導体基板または前記ゲート誘電体のうちの少なくとも一方に窒素が導入される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
第１のデバイス領域と第２のデバイス領域とを有する半導体基板を設けるステップと、
前記第１のデバイス領域と前記第２のデバイス領域とを含む前記半導体基板の上に誘電体スタックを形成するステップであって、前記誘電体スタックがゲート誘電体の上にＶt安定化層を含み、前記Ｖt安定化層が窒化金属酸化物または窒素なし金属酸化物を含み、前記Ｖt安定化層が窒素なし金属酸化物を含む条件で前記半導体基板または前記ゲート誘電体のうちの少なくとも一方が窒素を含むステップと、
前記第２のデバイス領域から前記Ｖt安定化層を除去せずに、前記第１のデバイス領域から前記Ｖt安定化層を除去するステップと、
前記第２のデバイス領域内の前記Ｖt安定化層および前記第１のデバイス領域内の前記ゲート誘電体の上にゲート導体を形成するステップと、
前記ゲート導体、前記Ｖt安定化層、および前記ゲート誘電体にエッチングを施して、前記第２のデバイス領域内に少なくとも１つのゲート・スタックを設け、前記第１のデバイス領域内に少なくとも１つのゲート・スタックを設けるステップと、
を含む、半導体構造を形成する方法。
【請求項８】
前記Ｖt安定化層が、まず金属酸化物層を付着させ、次にそこに窒素を導入することによって形成された前記窒化金属酸化物である、請求項５または７に記載の方法。
【請求項９】
前記窒素がプラズマ窒化によって導入される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記Ｖt安定化層が前記窒素なし金属酸化物であり、イオン注入、気相ドーピング、または窒化により、前記半導体基板または前記ゲート誘電体のうちの少なくとも一方に窒素が導入される、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月31日(2008.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの電子構成部品を含む第一の面と、前記第一の面の反対側にあり、空洞を形成する第二の面と、を有するＳＯＩウエハと、
前記空洞の中に配置された少なくとも一つのチップと、
前記少なくとも一つのチップを、前記ウエハの一部を通して前記少なくとも一つの電子構成部品に接続するスルー・バイアと、
を含む半導体パッケージ。
【請求項２】
前記第一の面は上部シリコン層を含み、前記第二の面はシリコン基板を含み、前記上部シリコン層は、前記シリコン基板から埋め込み誘電体層によって分離される、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項３】
前記スルー・バイアは、前記埋め込み誘電体層を通って形成され、前記電子構成部品と前記少なくとも一つのチップとの間の接続を形成する、請求項２に記載のパッケージ。
【請求項４】
前記第一の面は、プロセッサとメモリ・デバイスとのうちの一方を含み、前記少なくとも一つのチップは、メモリ・デバイスとプロセッサとのうちの一方を含む、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項５】
前記少なくとも一つのチップは接点を含み、前記接点は前記スルー・バイアに接続可能な、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項６】
前記少なくとも一つのチップを少なくとも部分的に囲む伝熱充填材料をさらに含む、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項７】
前記少なくとも一つのチップの少なくとも一部の上に形成された伝熱層をさらに含む、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項８】
前記伝熱層の上に形成された吸熱源をさらに含む、請求項７に記載のパッケージ。
【請求項９】
前記空洞は、開口表面の下に深さを含み、前記少なくとも一つのチップはその内部に配置され、前記少なくとも一つのチップは、前記開口表面の下の前記深さの中に適合する、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項１０】
片面の上に空洞を有する少なくとも一つの親チップと、
前記空洞の中に取り付けられ、前記少なくとも一つの親チップの少なくとも一部を通って延在するスルー・バイアによって前記少なくとも一つの親チップに接続された少なくとも一つの子チップと、
を含み、これによって、前記少なくとも一つの親チップと前記少なくとも一つの子チップとが電気的に協同して機能を実行する半導体パッケージ。
【請求項１１】
前記少なくとも一つの親チップは、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウエハの中に形成され、前記ＳＯＩウエハは、上部シリコン層とシリコン基板とを含み、前記上部シリコン層は、前記シリコン基板から埋め込み誘電体層によって分離される、請求項１０に記載のパッケージ。
【請求項１２】
前記スルー・バイアは、前記埋め込み誘電体層を通って形成され、前記少なくとも一つの親チップの上の電子構成部品と、前記少なくとも一つの子チップの上の電子構成部品との間の接続を形成する、請求項１１に記載のパッケージ
【請求項１３】
前記少なくとも一つの親チップと、前記少なくとも一つの子チップとは、メモリ・デバイスとプロセッサとのうちの一方を含む、請求項１０に記載のパッケージ。
【請求項１４】
前記少なくとも一つの親チップの前記スルー・バイアは、前記少なくとも一つの子チップの接点にハンダ付けされる、請求項１０に記載のパッケージ。
【請求項１５】
前記少なくとも一つの子チップの周囲を少なくとも部分的に囲む伝熱材料をさらに含む、請求項１０に記載のパッケージ。
【請求項１６】
前記少なくとも一つの子チップの少なくとも一部の上に形成された伝熱層をさらに含む、請求項１０に記載のパッケージ。
【請求項１７】
前記伝熱層の上に形成された吸熱源をさらに含む、請求項１６に記載のパッケージ。
【請求項１８】
前記空洞は、開口表面の下にある深さを含み、前記開口の中に前記少なくとも一つの子チップが配置され、前記少なくとも一つの子チップは前記開口表面の下の前記深さの中に適合する、請求項１０に記載のパッケージ。
【請求項１９】
半導体パッケージを形成するための方法であって、
ウエハの第一の面を通るスルー・バイアを形成する工程と、
前記ウエハの第二の面の上に空洞を形成し、前記スルー・バイアの一部を露出させる工程と、
前記空洞の中に少なくとも一つのサブ・チップを配置し、前記サブ・チップを前記スルー・バイアに接続する工程と、
を含む方法。
【請求項２０】
前記ウエハは、シリコン・オン・インシュレータ・ウエハを含み、ウエハの第一の面を通るスルー・バイアを形成する前記工程は、上部シリコン層と埋め込み誘電体層とを通してバイア・ホールをエッチングすることと、前記バイア・ホールを導電体で充填することとを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記ウエハの第二の面の上に空洞を形成し、前記スルー・バイアの一部を露出させる前記工程は、前記ウエハのシリコン基板をエッチングして、前記スルー・バイアの前記一部を露出させることを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記スルー・バイアの一部を露出させることは、前記空洞の中の前記スルー・バイアの周りにポケットを開けることを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
前記スルー・バイアの前記露出された部分にハンダを選択的に堆積する工程をさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
前記空洞の中に少なくとも一つのサブ・チップを配置し、前記サブ・チップを前記スルー・バイアに接続する工程は、前記サブ・チップの接点を前記スルー・バイアにハンダ付けする工程を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２５】
前記サブ・チップの下に伝熱材料を充填する工程をさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２６】
前記サブ・チップの上に伝熱層を堆積する工程をさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２７】
前記サブ・チップからの熱の放散のための吸熱源を設ける工程をさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２８】
前記サブ・チップを前記スルー・バイアに接続することは、前記サブ・チップの接点を、ハンダ付けされたスルー・バイアに位置合わせして接触させ、熱を加えて前記接点を前記スルー・バイアにボンディングすることを含む、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月13日(2008.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイブリッドＳＯＩ基板材料を形成する方法であって、
第１の結晶配向の上部Ｓｉ含有層及び第２の結晶配向の下部Ｓｉ含有層を含む積層体を準備するステップであって、前記第１の結晶配向は前記第２の結晶配向とは異なる、ステップと、
前記積層体内にイオンを注入し、内部にイオン・リッチ注入領域を形成するステップと、
前記イオン・リッチ注入領域内のイオンが前記積層体内への埋込み絶縁領域の形成を促進する温度まで、該積層体を加熱するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記積層体を準備する前記ステップは、少なくとも前記上部Ｓｉ含有層を含む第１のウェハと、少なくとも前記下部Ｓｉ含有層を含む第２のウェハとを選択し、接合するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記接合するステップは、前記第１及び第２のウェハを互いに緊密に接触させ、随意的に外力を加え、１５℃から４０℃、最大で４００℃までの温度でアニールするステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記アニールするステップの後、接合強化アニール・プロセスをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記接合するステップの後、前記上部Ｓｉ含有層を薄層化するステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記薄層化するステップは、接合するステップの前に前記上部Ｓｉ含有層内にイオンを注入し、接合するステップの後に分離アニール・ステップを行うこと、研削、研磨、エッチング、気体反応又は注入、及び平坦化のうちの少なくとも１つを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１及び第２の結晶配向は、（１１０）、（１１１）、（１００）、（４２２）、（３１１）、（５２１）及びＳｉ含有材料の任意の他の長軸又は短軸から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記注入するステップは、ブランケット・イオン注入プロセスまたはマスクされたイオン注入プロセスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記注入するステップは、酸素イオン、窒素イオン、ＮＯイオン、不活性ガス、又はこれらの混合物の１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記イオン・リッチ注入領域は、１×１０２２原子／ｃｍ−３又はそれより高い濃度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記イオン・リッチ注入領域は、損傷領域と、随意的なより浅いアモルファス領域とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記注入するステップは、前記イオン・リッチ注入領域が主として前記上部Ｓｉ含有層内または前記下部Ｓｉ含有層内に配置される、或いは前記上部Ｓｉ含有層と前記下部Ｓｉ含有層との界面を貫通して配置されるように行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記注入するステップは、ベースイオン注入ステップ及び第２のイオン注入ステップを含み、前記第２のイオン注入は、前記ベースイオン注入ステップより低い温度で行われる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記注入するステップは、ベースイオン注入ステップ及び低ドーズ量注入ステップを含み、前記低ドーズ量注入ステップは、４×１０１７原子／ｃｍ２又はそれより少ないイオンドーズ量を用いて行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記加熱するステップは、酸素含有雰囲気中で、９００℃から１３５０℃までの温度で行われるアニール・プロセスである、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記酸素含有雰囲気は、不活性ガス、塩素含有雰囲気、又はこれらの混合物をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記埋込み絶縁領域は、前記上部Ｓｉ含有層又は前記下部Ｓｉ含有層の少なくとも一方の中に、或いは該上部Ｓｉ含有層と該下部Ｓｉ含有層との間に位置する界面を貫通して配置される、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
少なくとも前記上部Ｓｉ含有層は、同位体的に純粋である、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記上部Ｓｉ含有層の上に歪み半導体を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
第１の結晶配向の上部Ｓｉ含有層及び第２の結晶配向の下部Ｓｉ含有層を含む積層体であって、前記第１の結晶配向は前記第２の結晶配向とは異なる、積層体と、
前記上部Ｓｉ含有層又は前記下部Ｓｉ含有層の少なくとも一方の中に、或いは該上部Ｓｉ含有層と該下部Ｓｉ含有層との間に位置する界面を貫通して配置された埋込み絶縁領域と
を備えるハイブリッドＳＯＩ基板材料。
【請求項２１】
前記下部Ｓｉ含有層及び前記上部Ｓｉ含有層は、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣ、予め形成されたＳＯＩ、予め形成されたＳｉＧｅオン・インシュレータ及び層状構造体から成る群から選択される、同じ又は異なるシリコン含有半導体材料を含む、請求項２０に記載のハイブリッドＳＯＩ基板材料。
【請求項２２】
前記埋込み絶縁領域は、前記上部Ｓｉ含有層内または前記下部Ｓｉ含有層内に存在する、あるいは前記界面を貫通して存在する、請求項２０に記載のハイブリッドＳＯＩ基板材料。
【請求項２３】
前記上部Ｓｉ含有層の一部は、前記埋込み絶縁領域の下方に配置される、または前記下部Ｓｉ含有層の一部は、前記埋込み絶縁領域の上方に配置される、請求項２２に記載のハイブリッドＳＯＩ基板材料。
【請求項２４】
前記上部Ｓｉ含有層の表面上に配置された歪み半導体層をさらに備える、請求項２０に記載のハイブリッドＳＯＩ基板材料。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月29日(2008.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種類の付加的な炭水化物消化酵素と、トランスグルコシダーゼとを含む、
自閉症の治療用医薬品組成物。
【請求項２】
前記トランスグルコシダーゼはＡｓｐｅｒｇｉｌｌｕｓ  ｎｉｇｅｒ由来である、請求
項１に記載の医薬品組成物。
【請求項３】
前記組成物は人間のイソマルターゼ又はパラチナーゼの欠損を補うのに有効な請求項１
に記載の医薬品組成物。
【請求項４】
前記少なくとも１種類の付加的な炭水化物消化酵素は、グルコアミラーゼ、マルターゼ
、モルトジアスターゼ、ラクターゼ、インベルターゼ及びアミラーゼからなる群から選択
される、請求項１に記載の医薬品組成物。
【請求項５】
少なくとも１種類の非炭水化物消化酵素を含む、請求項１に記載の医薬品組成物。
【請求項６】
前記非炭水化物消化酵素は、ペプチダーゼ、プロテアーゼ、システインプロテアーゼ、
フィターゼ、α−ガラクトシダーゼ、セルラーゼ、リパーゼ及びキシラナーゼからなる群
から選択される、請求項５に記載の医薬品組成物。
【請求項７】
前記ペプチダーゼはジペプチジルペプチダーゼＩＶである、請求項６に記載の医薬品組
成物。
【請求項８】
前記システインプロテアーゼはブロメライン及びパパインからなる群から選択される、
請求項６に記載の医薬品組成物。
【請求項９】
グルコアミラーゼ、マルターゼ、モルトジアスターゼ、ラクターゼ、インベルターゼ及
びアミラーゼからなる群から選択される少なくとも１種類の酵素と、トランスグルコシダ
ーゼとを含む、自閉症の治療用医薬品組成物。
【請求項１０】
前記組成物は、トランスグルコシダーゼ、グルコアミラーゼ、モルトジアスターゼ、ラ
クターゼ、インベルターゼ及びアミラーゼを含む、請求項９に記載の医薬品組成物。
【請求項１１】
（ａ）トランスグルコシダーゼと、
（ｂ）グルコアミラーゼ、マルターゼ、モルトジアスターゼ、ラクターゼ、インベルター
ゼ及びアミラーゼからなる群から選択される少なくとも１種類の成分と、
（ｃ）ペプチダーゼ、プロテアーゼ、システインプロテアーゼ、フィターゼ、α−ガラク
トシダーゼ、セルラーゼ、リパーゼ及びキシラナーゼからなる群から選択される少なくと
も１種類の成分とを含む、自閉症の治療用医薬品組成物。
【請求項１２】
前記組成物は、トランスグルコシダーゼ、アミラーゼ、モルトジアスターゼ、ラクター
ゼ、インベルターゼ、アミラーゼ、ペプチダーゼ、プロテアーゼ、システインプロテアー
ゼ、α−ガラクトシダーゼ、セルラーゼ及びキシラナーゼを含む、請求項１１に記載の医
薬品組成物。
【請求項１３】
トランスグルコシダーゼを含む組成物の自閉症の治療用医薬品組成物を製造するための
使用。
【請求項１４】
前記トランスグルコシダーゼはＡｓｐｅｒｇｉｌｌｕｓ  ｎｉｇｅｒ由来である、請求
項１３に記載の使用。
【請求項１５】
前記組成物は少なくとも１種類の付加的な炭水化物消化酵素を含む、請求項１３に記載
の使用。
【請求項１６】
前記少なくとも１種類の付加的な炭水化物消化酵素は、グルコアミラーゼ、マルターゼ
、モルトジアスターゼ、ラクターゼ、インベルターゼ及びアミラーゼからなる群から選択
される、請求項１５に記載の使用。
【請求項１７】
前記組成物は少なくとも１種類の非炭水化物消化酵素をさらに含む、請求項１３に記載
の使用。
【請求項１８】
前記非炭水化物消化酵素は、ペプチダーゼ、プロテアーゼ、システインプロテアーゼ、
フィターゼ、α−ガラクトシダーゼ、セルラーゼ、リパーゼ及びキシラナーゼからなる群
から選択される、請求項１７に記載の使用。
【請求項１９】
前記ペプチダーゼはジペプチジルペプチダーゼＩＶである、請求項１８に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月5日(2008.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
局所的に投与可能な眼用組成物であって、該組成物は、
ａ）０．０９〜０．１１％（ｗ／ｖ）のネパフェナク；
ｂ）０．４〜０．６％（ｗ／ｖ）のカルボマー；
ｃ）非イオン性界面活性剤；
ｄ）該組成物に２５０〜３５０ｍＯｓｍ／ｋｇの重量オスモル濃度を持たせるのに十分な量の張度調整剤；
ｅ）該組成物に７．０〜７．８のｐＨを持たせるのに十分な量のｐＨ調整剤；および
ｆ）水；
から本質的になり、該組成物は保存剤およびキレート剤からなる群から選択される成分を必要に応じて含む、組成物。
【請求項２】
前記組成物が０．１％（ｗ／ｖ）のネパフェナクを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記組成物が０．５％（ｗ／ｖ）のカルボマーを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記カルボマーがアリルスクロースまたはアリルペンタエリトリトールと架橋されたアクリル酸重合体である、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記非イオン性界面活性剤がチロキサポールである、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記組成物が０．０１％（ｗ／ｖ）のチロキサポールを含む、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記張度調整剤が金属塩化物塩およびマンニトールからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記張度調整剤が塩化ナトリウムおよびマンニトールを含む、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
前記組成物が０．３〜０．５％（ｗ／ｖ）の塩化ナトリウムおよび２〜３％（ｗ／ｖ）のマンニトールを含む、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
前記組成物が０．４％（ｗ／ｖ）の塩化ナトリウムおよび２．４％（ｗ／ｖ）のマンニトールを含む、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
前記ｐＨ調整剤が、塩酸および水酸化ナトリウムからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項１２】
前記組成物が７．３〜７．７のｐＨを持つ、請求項１に記載の組成物。
【請求項１３】
前記組成物が保存剤およびキレート剤の両方を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１４】
前記保存剤がハロゲン化ベンザルコニウム；ポリクオタニウム−１；および二酸化塩素からなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項１５】
前記保存剤が塩化ベンザルコニムである、請求項１に記載の組成物。
【請求項１６】
前記組成物が０．００５％の塩化ベンザルコニウムを含む、請求項１５に記載の組成物。
【請求項１７】
前記キレート剤がエデト酸二ナトリウム；エデト酸三ナトリウム；エデト酸四ナトリウム；およびジエチレンアミンペンタアセテートからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項１８】
前記組成物が０．００１〜０．１％（ｗ／ｖ）のエデト酸二ナトリウムを含む、請求項１７に記載の組成物。
【請求項１９】
患者における眼の炎症障害を処置するための、請求項１に記載の組成物。
【請求項２０】
局所的に投与可能な眼用組成物であって、該組成物は、
ａ）０．１％（ｗ／ｖ）のネパフェナク；
ｂ）０．５％（ｗ／ｖ）のカルボマー；
ｃ）０．０１％（ｗ／ｖ）のチロキサポール；
ｄ）０．４％（ｗ／ｖ）の塩化ナトリウム；
ｅ）２．４％（ｗ／ｖ）のマンニトール；
ｆ）該組成物に７．３〜７．７のｐＨを持たせるのに十分な量のｐＨ調整剤；
ｇ）０．００５％（ｗ／ｖ）の塩化ベンザルコニウム
ｈ）０．０１％のエデト酸二ナトリウム；および
ｉ）精製水
から本質的になる、組成物。