【手続補正書】
【提出日】平成19年8月24日(2007.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延在して第１の方向と交差する第２の方向に並設された多数の第１電極と、前記第１電極を覆って形成された層間絶縁膜と、前記絶縁膜上で前記第２の方向に延在して前記第１の方向に並設された多数の第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との交叉部付近に設けられた電子源を有する多数の画素を備えた表示領域を背面基板上に形成した背面パネルと、
前記背面パネルの前記表示領域に有する前記電子源から取り出される電子の励起で発光する複数色の蛍光体層と第３電極を前面基板に形成した前面パネルと、
前記背面パネルと前記前面パネルの周辺部に介在して両パネルを封止する封止枠とを具備し、
前記第１電極の少なくとも一端は前記表示領域から前記背面パネルと前記封止枠とが対向する封止領域を通して外側に引き出された第１電極引出端子を有し、
前記第２電極の少なくとも一端は前記表示領域から前記背面パネルと前記封止枠とが対向する封止領域を通して外側に引き出された第２電極引出端子を有し、
前記第１電極引出端子と前記第２電極引出端子の一方または両方は、少なくとも前記封止枠の内側までは平行であり、該封止枠の外側では平行でないことを特徴とする自発光平面表示装置。
【請求項２】
第１の方向に延在して第１の方向と交差する第２の方向に並設された多数の第１電極と、前記第１電極を覆って形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上で前記第２の方向に延在して前記第１の方向に並設された多数の第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との交叉部付近に設けられた電子源を有する多数の画素を備えた表示領域を背面基板上に形成した背面パネルと、
前記背面パネルの前記表示領域に有する前記電子源から取り出される電子の励起で発光する複数色の蛍光体層と第３電極を前面基板に形成した前面パネルと、
前記背面パネルと前記前面パネルの周辺部に介在して両パネルを封止する封止枠とを具備し、
前記第１電極の少なくとも一端には前記表示領域から前記背面パネルと前記封止枠とが対向する封止領域を通して外側に引き出された第１電極引出端子を有し、
前記第２電極の少なくとも一端には前記表示領域から前記背面パネルと前記封止枠とが対向する封止領域を通して外側に引き出された第２電極引出端子を有し、
前記第１電極引出端子と前記第２電極引出端子の一方または両方の一部には、前記封止枠の内側近傍に外部設置の駆動回路に向かって引き出すための折れ曲り部を有し、該折れ曲り部を形成したことにより前記層間絶縁膜または前記背面基板の表面に露呈部分を有し、
前記折れ曲り部と前記封止枠の間の距離をＬ１、前記封止枠の高さをＨ、前記第3電極の周縁と前記封止枠の間の距離をＬ２としたとき、
１２mm≦（Ｌ１＋Ｈ＋Ｌ２）≦３８mm
であることを特徴とする自発光平面表示装置。
【請求項３】
第１の方向に延在して第１の方向と交差する第２の方向に並設された多数の第１電極と、前記第１電極を覆って形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上で前記第２の方向に延在して前記第１の方向に並設された多数の第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との交叉部付近に設けられた電子源を有する多数の画素を備えた表示領域を背面基板上に形成した背面パネルと、
前記背面パネルの前記表示領域に有する前記電子源から取り出される電子の励起で発光する複数色の蛍光体層と第３電極を前面基板に形成した前面パネルと、
前記背面パネルと前記前面パネルの周辺部に介在して両パネルを封止する封止枠とを具備し、
前記第１電極の少なくとも一端には前記表示領域から前記背面パネルと前記封止枠とが対向する封止領域を通して外側に引き出された第１電極引出端子を有し、
前記第２電極の少なくとも一端には前記表示領域から前記背面パネルと前記封止枠とが対向する封止領域を通して外側に引き出された第２電極引出端子を有し、
前記第１電極引出端子と前記第２電極引出端子の一方または両方の一部には、前記封止枠の内側近傍に外部設置の駆動回路に向かって引き出すための折れ曲り部を有し、該折れ曲り部を形成したことにより前記層間絶縁膜または前記背面基板の表面に形成される露呈部分に、前記第１電極引出端子と前記第２電極引出端子の一方又は両方の面積を拡大した拡大電極部分を形成してなることを特徴とする自発光平面表示装置。
【請求項４】
前記背面パネルと前記前面パネルの間、かつ前記封止枠の内側に、前記背面パネルと前記前面パネルの間を所定間隔に保持する１または複数の隔壁を有することを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の自発光平面表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、封止枠ＭＦＬは背面パネルＰＮＬ1と前面パネルＰＮＬ２との間の内周にフリットガラスなどの接着材で固着される。背面パネルＰＮＬ1と前面パネルＰＮＬ２および封止枠ＭＦＬで形成される内部の真空度は、例えば１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒとされる。表示画面サイズが大きいものでは、背面パネルと前面パネルの間に間隙保持部材（隔壁、あるいはスペーサ）を介挿して固定し、両基板の間を所定の間隔に保持している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
背面パネルＰＮＬ１に有するデータ線Dはデータ線引出端子で封止枠ＭＦＬの外部に引き出される。同様に、走査線Ｓは走査線引出端子ＳＴで封止枠ＭＦＬの外部に引き出される。これらの引出端子は、通常は背面パネルＰＮＬ１の外周部に搭載した駆動回路チップの端子に接続される。以下の説明では走査線Sと走査線引出端子ＳＴについてのみ示すが、データ線とデータ線引出端子についても同様である。すなわち、走査線引出端子ＳＴは走査線駆動回路チップＳＤＲの端子に接続される。走査線駆動回路チップＳＤＲは複数個搭載されており、一つの走査線駆動回路チップは複数本の電極引出端子に信号を供給する。走査線駆動回路チップＳＤＲの端子間隔は走査線Ｓの間隔よりも狭い。そのため、各走査線駆動回路チップＳＤＲに接続する複数の走査線引出端子ＳＴが対応する走査線駆動回路チップＳＤＲの端子に向けて収束するように、封止枠ＭＦＬの内側近傍に折り曲げ部が形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
実施例１の特徴は、データ線引出端子と走査線引出端子ＳＴの一方または両方を、少なくとも封止枠ＭＦＬの内側までは平行に形成して、隣接するデータ線駆動回路チップまたは走査線駆動回路チップSDRに接続された引出端子の折り曲げ部によって形成される隙間Qが背面パネルＰＮＬ１と封止枠ＭＦＬの封止領域（接着領域）から内側にはみ出さない位置に存在させた点である。なお、図１では走査線引出端子ＳＴについてのみ図示したが、データ線引出端子についても同様である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
実施例１により、データ線引出端子と走査線引出端子の一方または双方の折れ曲り部が形成されても、封止枠ＭＦＬ内側近傍で層間絶縁膜あるいは背面基板が大きく露呈することがなく、従って動作中での帯電が抑制され、封止枠の表面を伝って陽極との間で放電が発生するのを防止できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
この電子源の構造を、その製造工程で説明する。先ず、背面基板ＳＵＢ１上に下部電極ＤＥＤ、保護絶縁層ＩＮＳ１、絶縁層ＩＮＳ２を形成する。次に、層間絶縁膜ＩＮＳ３と、上部電極ＡＥＤへの給電線となる上部バス電極とスペーサを配置するためのスペーサ電極となる金属膜を、例えばスパッタリング法等で成膜する。層間絶縁膜ＩＮＳ３としては、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化物、シリコンなどを用いることができる。ここでは、シリコン窒化物を用い膜厚は１００ｎｍとした。この層間絶縁膜ＩＮＳ３は、陽極酸化で形成する保護絶縁層ＩＮＳ１にピンホールがあった場合、その欠陥を埋め、下部電極ＤＥＤと走査線となる上部バス電極（金属膜下層ＭＤＬと金属膜上層ＭＡＬの間に金属膜中間層ＭＭＬとして銅（Ｃｕ）を挟んだ３層の積層膜）間の絶縁を保つ役割を果たす。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
なお、走査線となる上部バス電極は、上記の３層積層膜とは限らず、それ以上の層数とすることもできる。例えば、金属膜下層ＭＤＬ、金属膜上層ＭＡＬとしてアルミニウム（Ａｌ）やクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）などの耐酸化性の高い金属材料、またはそれらを含む合金やそれらの積層膜を用いることができる。なお、ここでは金属膜下層ＭＤＬ、金属膜上層ＭＡＬとしてアルミニウムとネオジム（Ａｌ−Ｎｄ）の合金を用いた。この他に、金属膜下層ＭＤＬとしてＡｌ合金とＣｒ、Ｗ、Ｍｏなどの積層膜を用い、金属膜上層ＭＡＬとしてＣｒ、Ｗ、ＭｏなどとＡｌ合金の積層膜を用いて、金属膜中間層ＭＭＬのＣｕに接する膜を高融点金属とした５層膜を用いることで、画像表示装置の製造プロセスにおける加熱工程の際に、高融点金属がバリア膜となってＡｌとＣｕの合金化を抑制できるので、配線の低抵抗化に特に有効である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
Ｍｏを用いた５層膜の場合も、エッチング液に硝酸を加えないことにより、ＭｏとＣｕをエッチングせずにＡｌ−Ｎｄ合金のみ選択的にエッチング加工することが可能である。ここでは、金属膜上層ＭＡＬを１ピクセルあたり１本形成したが、２本形成することも可能である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
続いて、スクリーン印刷によるレジストのパターニングとエッチング加工により金属膜下層ＭＤＬを、下部電極ＤＥＤと交差するストライプ形状に加工する。このエッチング加工は燐酸、酢酸の混合水溶液でのウェットエッチングで行う。その際、印刷するレジスト膜を金属膜上層ＭＡＬのストライプ電極の位置からずらすことにより、金属膜下層ＭＤＬの一方の片側端部ＥＧ１を金属膜上層ＭＡＬより張り出させて、後の工程で上部電極ＡＥＤとの接続を確保するコンタクト部とする。また、金属膜下層ＭＤＬの上記一方の片側端部ＥＧ１とは反対側の他方の片側端部ＥＧ２では、金属膜上層ＭＡＬと金属膜中間層ＭＭＬをマスクとしてオーバーエッチング加工がなされ、金属膜中間層ＭＭＬに庇を形成する如く後退した部分が形成される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
最後に、上部電極ＡＥＤの成膜を行う。この成膜にはスパッタ法を用いる。上部電極ＡＥＤとしては、例えばイリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）の積層膜を用い、その膜厚は例えば６ｎｍとした。この時、上部電極ＡＥＤは、上部を挟む２本の上部バス電極（金属膜下層ＭＤＬ、金属膜中間層ＭＭＬ、金属膜上層ＭＡＬの積層膜）の一方の端部（図５（ｃ）の右側）では、金属膜中間層ＭＭＬと金属膜上層ＭＡＬの庇構造による金属膜下層ＭＤＬの後退部（ＥＧ２）により切断される。そして、上部バス電極の他方の端部（図５（ｃ）の左側）では、上部電極ＡＥＤは、上部バス電極（金属膜下層ＭＤＬ、金属膜中間層ＭＭＬ、金属膜上層ＭＡＬの積層膜）とは金属膜下層ＭＤＬのコンタクト部（ＥＧ１）により断線を起こさずに成膜接続されて、電子放出部へ給電される構造となる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
この前面パネルPNL２と背面パネルPNL１とを対向させ、対向間を所定の間隔に保つために幅約８０μｍ、高さ約２．５ｍｍのリブ状のスペーサ（隔壁、図示せず）を走査線Sの上、かつ走査線Sの延在方向に沿ってフリットガラスを介在させて固定した。両パネルの周辺部にはガラスからなる封止枠MFLを設置し、両パネルに挟まれた内部空間が外部と隔絶された構造となるように図示しないフリットガラスを用いて両パネルと封止枠を固定した
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
フリットガラスを用いたスペーサの固着の際には、約４００℃での加熱を行なった。その後、装置内部を約１μＰａまで排気管ＥＸＣを通して排気した後に排気管ＥＸＣを封じ切った。