Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月1日(2008.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浚渫物若しくはその他のスラッジ又は残滓物質、バインダー、バインダー遅延剤、及び有機繊維物質を含む流動性建設混合物。
【請求項２】
発泡剤を含む、請求項１に記載の建設混合物。
【請求項３】
有機繊維物質が、木材繊維、羊毛、葦、藁、乾燥された草（干し草）及び亜麻からなる群から選択された、請求項1又は２のいずれか１項に記載の建設混合物。
【請求項４】
金属繊維、ポリマー繊維、及びガラス繊維からなる群から選択された少なくとも１の繊維物質を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の建設混合物。
【請求項５】
1より大きい、好ましくは1.5〜10の範囲、より好ましくは2〜9の範囲の水：バインダーの重量比を与える水が存在する、請求項1〜４のいずれか１項に記載の建設混合物。
【請求項６】
前記混合物中のバインダーの量が約50〜約400kg/m3スラッジである、好ましくは約75 kg/m3〜約200kg/m3スラッジである、請求項1〜５のいずれか１項に記載の建設混合物。
【請求項７】
バインダーが、フライアッシュ、セメント、及び酸化カルシウム、酸化マグネシウムシリカ、酸化第二鉄、酸化アルミニウム、並びにその他の石灰をベースとするバインダーからなる群、好ましくはフライアッシュからなる群から選択される、請求項1〜６のいずれか１項に記載の建設混合物。
【請求項８】
建設混合物中のスラッジの量が少なくとも約50％（体積による）、好ましくは50〜98％（体積による）、より好ましくは約65〜95％（体積による）である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の建設混合物。
【請求項９】
バインダー遅延剤が、環境条件下でその製造から少なくとも1日、混合物をポンプ輸送可能に保つために有効な量で存在する、請求項1〜８のいずれか1項に記載の建設混合物。
【請求項１０】
バインダー遅延剤が、ポリホスフェート、スルホン化ナフタレン、及びリグノスルホネートからなる群から選択される、請求項1〜９のいずれか１項に記載の建設混合物。
【請求項１１】
発泡剤が、混合物を発泡させるのに有効な量で、好ましくは0.5〜約5kg/m3スラッジの量で存在する、請求項1〜10のいずれか１項に記載の建設混合物。
【請求項１２】
発泡剤が、アルキルスルホネート及び窒素含有界面活性剤からなる群から選択される、好ましくは発泡剤が、スルホヒドロキポリ(オキシ−１，２−エタンジイル)−C10〜C16−アルキルエーテル（例えばナトリウム塩）、ココスアルキルジメチルアミノオキシド及びオレフィン（C14/C16）スルホン酸ナトリウムから選択される、請求項1〜11のいずれか１項に記載の建設混合物。
【請求項１３】
好ましくは、混合物の平均比重より高い比重を有する鉱物からなる群から、好ましくは、バライト、ヘマタイト、及びマグネタイトからなる群から選択された加重物を含む、請求項1〜１２のいずれか１項に記載の建設混合物。
【請求項１４】
スラッジ又は残滓物質、バインダー、バインダー遅延剤、繊維物質、場合により発泡剤、及び場合により加重物を混合することを含む、請求項1〜1３のいずれか１項に記載の流動性建設混合物を製造する方法。
【請求項１５】
混合する前に、レンガ、自転車など、家庭用備品、梱包材料、及びその他の所望されない巨視的な物体が、スラッジ又は残滓物質から除去される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
有機汚染物質、特に酸化する汚染物質が、スラッジ、残滓物質、又は混合物から好ましくは曝気により除去される、請求項１４又は１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
請求項1〜１３のいずれか１項に記載の流動性建設混合物を固化することを含む、固体建設資材を製造する方法。
【請求項１８】
バインダー開始剤を流動性建設混合物に添加し、そうすることにより前記混合物を固化させることを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
バインダー開始剤が、環境条件下で、添加後10秒〜３日内に固化させるのに有効な量で添加される、請求項１７又は１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
バインダー開始剤が、約25〜約250kg/m3スラッジの量で添加される、請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
バインダー開始剤が、水ガラス、及び水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アルミン酸ナトリウム、並びにその他のアルカリ性水酸化物からなる群から選択される、請求項１７〜２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
固化した後、建設資材が粒状化される、請求項１７〜２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
請求項１７〜２１のいずれか１項に記載の方法により得られ得る、特にレンガ、ブロック、又は粒状化物質の形態における固体建設資材。
【請求項２４】
75％までの多孔率を有する閉じた及び／又は開いた孔を有する、請求項２３に記載の固体建設資材。
【請求項２５】
10-４ m/s〜10-１１ m/s（Darcyによる）、好ましくは10-４ m/s〜10-７m/sの水の透過性範囲を有する、請求項２３又は２４のいずれか１項に記載の固体資材。
【請求項２６】
請求項1〜１３のいずれか１項において定義された流動性建設混合物又は請求項23〜２５のいずれか１項において定義された固体建設資材を、インフラストラクチャー要素の供給において使用する方法。
【請求項２７】
インフラストラクチャー要素が道路、駐車場、飛行機の着陸滑走路、埠頭、防波堤、堤防、土手、道路盛土、鉄道盛土、ダム、防音壁、及び土地造成プロジェクトからなる群から選択される、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
請求項1〜１３のいずれか１項において定義されたポンプ輸送可能な建設混合物、又は請求項２３〜２５のいずれか１項において定義された固体建設資材を含むインフラストラクチャー要素。
【請求項２９】
アスファルト層、又はその他の水透過性の上層(1)、請求項２３〜２５のいずれか１項に記載の固体建設資材を含む水透過性支持層(2)、上層(1)から支持層(2)を通して透過する水が、これら層から排水されることを許すためのドレイン(3)を含むインフラストラクチャー要素において、前記ドレイン(3)が、前記層を通して透過した水から成分を除去するための設備（6、7、8）と流体連絡しているところの、請求項28に記載のインフラストラクチャー要素。
【請求項３０】
請求項２３〜２５のいずれか１項において定義された固体建設資材を、バラスト、特に船舶のためのバラスト、クレーンの平衡錘、又は水面下のパイプライン又は水面下の建造物のためのバラスト物質として使用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月28日(2007.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
約0.5〜約5wt-%のペルオキシオクタン酸；
約1〜約10wt-%のオクタン酸；
約5〜約97wt-%の水；
約1〜約20wt-%の陰イオン性界面活性剤；
約5〜約10wt-%の酸化剤；
約15〜約35wt-%の無機酸；及び
約1〜約5wt-%の金属イオン封鎖剤、
を含んで成る、マイクロエマルジョンを形成する組成物。
【請求項２】
少なくとも1種類の短鎖カルボン酸及び短鎖ペルオキシカルボン酸をさらに含んで成り；そして
8重量部の短鎖カルボン酸、短鎖ペルオキシカルボン酸、又はその混合物に対して少なくとも約1重量部のペルオキシオクタン酸を含んで成る、請求項1に記載の組成物。
【請求項３】
60℃にて1週間後に、中鎖ペルオキシカルボン酸の濃度が、保存1日目のレベルの約80%より高い、請求項1に記載の組成物。
【請求項４】
約0.0005〜約5wt-%の中鎖ペルオキシカルボン酸；
約0.001〜約10wt-%の中鎖カルボン酸；
約0.001〜約99.99wt-%の担体；及び
約0.001〜約80wt-%の、上記中鎖ペルオキシカルボン酸及び上記中鎖カルボン酸を可溶化するのに有効な可溶化剤、
を含んで成り；
7重量部の中鎖カルボン酸に対して約2重量部以上の中鎖ペルオキシカルボン酸を含んで成る、マイクロエマルジョンを形成する組成物。
【請求項５】
前記中鎖ペルオキシカルボン酸が、ペルオキシペンタン酸、ペルオキシヘキサン酸、ペルオキシヘプタン酸、ペルオキシオクタン酸、ペルオキシノナン酸、ペルオキシデカン酸、ペルオキシウンデカン酸、及びペルオキシドデカン酸の中の少なくとも1つを含んで成る、請求項4に記載の組成物。
【請求項６】
前記中鎖カルボン酸が、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、及びドデカン酸の中の少なくとも1つを含んで成る、請求項4に記載の組成物。
【請求項７】
前記可溶化剤が、ポリアルキレンオキシド、キャップしたポリアルキレンオキシド、及び非イオン性界面活性剤の中の少なくとも1つを含んで成る、請求項4に記載の組成物。
【請求項８】
酸化剤、無機酸、及び安定化剤の中の少なくとも1つをさらに含んで成る、請求項4に記載の組成物。
【請求項９】
抗微生物性溶媒、追加の抗微生物剤、湿潤剤、消泡剤、増粘剤、発泡剤、固化剤、及び美観向上剤の中の少なくとも1つをさらに含んで成る、請求項8に記載の組成物。
【請求項１０】
約0.3〜約7wt-%の中鎖ペルオキシカルボン酸；
約1〜約10wt-%の中鎖カルボン酸；
約5〜約97wt-%の担体；及び
約1〜約25wt-%のマイクロエマルジョン・フォーマー、
を含んで成る、マイクロエマルジョンを形成する組成物。
【請求項１１】
前記中鎖ペルオキシカルボン酸が、ペルオキシヘキサン酸、ペルオキシヘプタン酸、ペルオキシオクタン酸、ペルオキシノナン酸、ペルオキシデカン酸、ペルオキシウンデカン酸、及びペルオキシドデカン酸の中の少なくとも1つを含んで成る、請求項10に記載の組成物。
【請求項１２】
前記中鎖カルボン酸が、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、及びドデカン酸の中の少なくとも1つを含んで成る、請求項10に記載の組成物。
【請求項１３】
前記中鎖ペルオキシカルボン酸が、ペルオキシオクタン酸及びペルオキシデカン酸の中の少なくとも1つを含んで成り；そして前記中鎖カルボン酸が、オクタン酸及びデカン酸の中の少なくとも1つを含んで成る、請求項10に記載の組成物。
【請求項１４】
非イオン性界面活性剤及び半極性非イオン性界面活性剤の中の少なくとも1つをさらに含んで成る、請求項13に記載の組成物。
【請求項１５】
短鎖カルボン酸及び短鎖ペルオキシカルボン酸の中の少なくとも1つをさらに含んで成り；そして
8重両部の短鎖カルボン酸、短鎖ペルオキシカルボン酸、又はその混合物に対して約1重量部以上の中鎖ペルオキシカルボン酸を含んで成る、請求項10に記載の組成物。
【請求項１６】
酸化剤、無機酸、及び安定化剤の中の少なくとも1つをさらに含んで成る、請求項10に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月5日(2007.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製剤上許容される担体と、（ｉ）コポリマー１、（ｉｉ）コポリマー１関連ペプチド、（ｉｉｉ）コポリマー１関連ポリペプチド、及び（ｉｖ）（ｉ）、（ｉｉ）又は（ｉｉｉ）で活性化されたＴ細胞からなる群から選択される活性剤とを含む、精神医学的な障害、疾患又は状態の治療用の薬剤組成物。
【請求項２】
活性剤がコポリマー１である、請求項１に記載の薬剤組成物。
【請求項３】
活性剤が、コポリマー１で活性化されたＴ細胞である、請求項１に記載の薬剤組成物。
【請求項４】
精神医学的な障害、疾患又は状態が、（ｉ）不安障害、（ｉｉ）気分障害、（ｉｉｉ）統合失調症及びその関連障害、（ｉｖ）薬物の使用及び依存、並びに（ｖ）記憶喪失障害からなる群から選択される、請求項１から３までのいずれか一項に記載の薬剤組成物。
【請求項５】
不安障害が、恐怖症、強迫症、心的外傷後ストレス障害（ＰＴＳＤ）、急性ストレス障害及び全般性不安障害を含む、請求項４に記載の薬剤組成物。
【請求項６】
不安障害が、心的外傷後ストレス障害（ＰＴＳＤ）であり、活性な作用物質がコポリマー１である、請求項５に記載の薬剤組成物。
【請求項７】
気分障害が、抑うつ、気分変調性障害、双極性障害及び気分循環性障害を含む、請求項４に記載の薬剤組成物。
【請求項８】
精神医学的な障害、疾患又は状態が、統合失調症であり、活性剤がコポリマー１である、請求項４に記載の薬剤組成物。
【請求項９】
統合失調症の関連障害が、短期的な精神障害、統合失調症様障害、統合失調性感情障害及び妄想性障害を含む、請求項４に記載の薬剤組成物。
【請求項１０】
薬物の使用及び依存が、アルコール依存、アヘン依存、コカイン依存、アンフェタミン依存、幻覚剤依存及びフェンシクリジンの使用を含む、請求項４に記載の薬剤組成物。
【請求項１１】
記憶喪失障害が、認識障害である、請求項４に記載の薬剤組成物。
【請求項１２】
精神医学的な障害、疾患又は状態の治療用の薬剤組成物を調製するための、（ｉ）コポリマー１、（ｉｉ）コポリマー１関連ペプチド、（ｉｉｉ）コポリマー１関連ポリペプチド、及び（ｉｖ）（ｉ）、（ｉｉ）又は（ｉｉｉ）で活性化されたＴ細胞からなる群から選択される活性剤の使用。
【請求項１３】
精神医学的な障害、疾患又は状態に罹った個人を免疫感作するワクチンを調製するための、コポリマー１、コポリマー１関連ペプチド、及びコポリマー１関連ポリペプチドからなる群から選択される活性剤の使用。
【請求項１４】
活性剤がコポリマー１である、請求項１２または１３に記載の使用。
【請求項１５】
精神医学的な障害、疾患又は状態が、（ｉ）不安障害、（ｉｉ）気分障害、（ｉｉｉ）統合失調症及びその関連障害、（ｉｖ）薬物の使用及び依存、並びに（ｖ）記憶喪失障害からなる群から選択される、請求項１２または１３に記載の使用。
【請求項１６】
不安障害が、恐怖症、強迫症、心的外傷後ストレス障害（ＰＴＳＤ）、急性ストレス障害及び全般性不安障害を含む、請求項１５に記載の使用。
【請求項１７】
不安障害が、心的外傷後ストレス障害（ＰＴＳＤ）であり、活性剤がコポリマー１である、請求項１６記載の使用。
【請求項１８】
気分障害が、抑うつ、気分変調性障害、双極性障害及び気分循環性障害を含む、請求項１５に記載の使用。
【請求項１９】
精神医学的な障害、疾患又は状態が、統合失調症であり、活性剤がコポリマー１である、請求項１５に記載の使用。
【請求項２０】
統合失調症の関連障害が、短期的な精神障害、統合失調症様障害、統合失調性感情障害及び妄想性障害を含む、請求項１５に記載の使用。
【請求項２１】
薬物の使用及び依存が、アルコール依存、アヘン依存、コカイン依存、アンフェタミン依存、幻覚剤依存及びフェンシクリジンの使用を含む、請求項１５に記載の使用。
【請求項２２】
記憶喪失障害が、認識障害である、請求項１５に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月18日(2008.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クエチアピンまたはその製薬的に許容し得る塩を含む、患者の１種またはそれ以上の気分障害の鬱病症状を治療するための医薬組成物。
【請求項２】
クエチアピンの製薬的に許容し得る塩がクエチアピンフマル酸塩である、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項３】
鬱病症状が不安症である、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項４】
鬱病症状が睡眠の質の低下である、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項５】
鬱病症状が生活の質の低下である、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項６】
クエチアピンを患者に対して３００mg／日〜６００mg／日の用量で使用する、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項７】
クエチアピンを３００mg／日の用量で使用する、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項８】
クエチアピンを６００mg／日の用量で使用する、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項９】
クエチアピンを１日に１回使用する、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項１０】
治療中に発生する躁病の割合を低下させる量のクエチアピンを含む、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項１１】
気分障害が双極性障害である、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項１２】
双極性障害が双極Ｉ型である、請求項１１記載の医薬組成物。
【請求項１３】
双極性障害が双極II型である、請求項１１記載の医薬組成物。
【請求項１４】
治療上有効な量の式（Ｉ）
【化１】
2007520488.tif 000001
の化合物またはその製薬的に許容し得る塩を含む、双極性障害の鬱病症状を治療するための医薬組成物。
【請求項１５】
クエチアピンの製薬的に許容し得る塩がクエチアピンフマル酸塩である、請求項１４記載の医薬組成物。
【請求項１６】
クエチアピンまたはその製薬的に許容し得る塩を含む、患者の１種またはそれ以上の気分障害の鬱病症状を単剤で治療するための医薬組成物。
【請求項１７】
気分障害が双極性障害である、請求項１６記載の医薬組成物。
【請求項１８】
双極性障害が双極Ｉ型である、請求項１６記載の医薬組成物。
【請求項１９】
双極性障害が双極II型である、請求項１６記載の医薬組成物。
【請求項２０】
2−[2−(4−ジベンゾ[b,f] [1,4]チアゼピン−11−イル−1−ピペラジニル)エトキシ]−エタノールフマル酸塩を含む、患者の双極性障害の鬱病症状を単剤で治療するための医薬組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
不安症
HAM-A スコアにより測定された不安症の平均ベースラインレベルは処置群を越えて同様であった: 18.6-18.9。クエチアピン約３００mg／日および約６００mg／日を服用した患
者は、最初の評価（８日目）から始めた全ての評価で平均HAM-Aスコア対プラセボにおい
て有意に（Ｐ＜0.05）大きな改善を有し、そしてエンドポイント（８週目）まで（-8.6および-8.7対-5.5）を維持した。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月25日(2007.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
頂部面を有する活性領域を備えた基板を提供する工程と、
酸素リッチ型半導体材料層からなる第一の層を、前記頂部面上に形成する工程と、
前記第一の層に、半導体材料層からなる第二の層を直接的にエピタキシャル成長させる工程と、
前記第一の層を半導体酸化物の層に変換する工程と、
そのチャネルが前記第二の層にのみ形成されているトランジスタを形成する工程と、
からなる方法。
【請求項２】
前記トランジスタの深いソース及び深いドレインは前記第二の層においてのみ形成されている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
頂部面を有する活性領域を備えた基板を提供する工程と、
酸素リッチ型半導体材料層からなる第一の層を、前記頂部面上に形成する工程と、
前記第一の層に、半導体材料層からなる第二の層を直接的にエピタキシャル成長させる工程と、
前記第一の層を半導体酸化物の層に変換する工程と、
前記第二の層にゲート誘電体を形成する工程と、
からなり、前記ゲート誘電体と前記第二の層との間には半導体層が存在していない、方法。
【請求項４】
前記ゲート誘電体は、前記第二の層上に直接的に形成される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
頂部面を有する活性領域と、第一の分離領域と、第二の分離領域と、を備えた基板を提供する工程と、
前記第一の分離領域と前記第二の分離領域との間であって、かつ前記頂部面上に酸素リッチ型半導体材料層からなる第一の層を選択的に形成する工程と、
前記第一の分離領域と前記第二の分離領域との間にある前記第一の層上に、半導体材料層からなる第二の層を直接的かつ選択的にエピタキシャル成長させる工程と、
前記第一の層を半導体酸化物の層に変換する工程と、
からなり、前記第二の層は前記第一の分離領域及び前記第二の分離領域には形成されていない、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体と前記導体の周りにペースト押出されたＰＴＦＥファインパウダーの絶縁体を含む絶縁線であって、前記絶縁体は前記導体から離間して配置された少なくとも１つの閉連続長手方向空気チャネルを有することを特徴とする絶縁線。
【請求項２】
請求項１に記載の絶縁線を含むことを特徴とする同軸ケーブル。
【請求項３】
導体の周りに絶縁体を形成する方法であって、押出装置において潤滑性ＰＴＦＥファインパウダーをペースト押出する工程を具え、
前記押出装置がダイ、心棒および少なくとも１つのチャネル形成部材を含み、前記ダイと心棒は押出オリフィスに至る収束チャンバーを形成し、前記チャネル形成部材は前記オリフィスに位置決めされ、前記心棒は前記導体を供給する中心穴を有しており、
前記ペースト押出する工程は、潤滑性ＰＴＦＥファインパウダーを前記チャンバーに通して、前記導体の周りの潤滑性未加工押出物として前記オリフィス出口から押出し、前記導体から離間して配置された少なくとも１つの閉長手方向空気チャネルを有する絶縁体を形成することを含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
さらに、最も一般に使用される重合体のうちＰＴＦＥの損失は最も低い（散逸率）。したがって、ポリエチレンまたは溶融流動性のフッ素重合体、たとえばＰＦＡ［ＴＦＥ／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体］およびＦＥＰ（ＴＦＥ／ヘキサフルオロプロピレン共重合体）などの他の重合体は、溶融押出技法を使って容易に形成されるが、それらの損失はＰＴＦＥほど低くない。たとえば、１ＭＨｚの周波数においてＰＴＦＥの散逸率はＰＦＡより２倍を超えて低く、ポリエチレンまたはＦＥＰより３倍を超えて低い。本発明の方法は、ＰＴＦＥファインパウダーの所望の特性、すなわち低誘電率と低損失をうまく利用し、ＰＴＦＥを大口径高周波数ケーブル用の絶縁として形成することが可能である。さらに、ＰＴＦＥの高熱安定性のために、このフッ化重合体がほかの一般的に使用される重合体よりも望ましいものとなっている。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］
導体と前記導体の周りにペースト押出されたＰＴＦＥファインパウダーの絶縁体を含む絶縁線であって、前記絶縁体は前記導体から離間して配置された少なくとも１つの閉連続長手方向空気チャネルを有することを特徴とする絶縁線。
［２］
前記絶縁体が互いに離間して配置された複数の閉連続長手方向空気チャネルを有することを特徴とする［１］に記載の絶縁線。
［３］
前記長手方向空気チャネルが導体の周りに対称的に配置されていることを特徴とする［２］に記載の絶縁線。
［４］
前記絶縁体が焼結されていることを特徴とする［１］に記載の絶縁線。
［５］
［１］に記載の絶縁線を含むことを特徴とする同軸ケーブル。
［６］
前記絶縁体が約８ｍｍを超える直径を有することを特徴とする［１］に記載の絶縁線。
［７］
前記絶縁体が約１０ｍｍを超える直径を有することを特徴とする［１］に記載の絶縁線。
［８］
導体の周りに絶縁体を形成する方法であって、押出装置において潤滑性ＰＴＦＥファインパウダーをペースト押出する工程を具え、
前記押出装置がダイ、心棒および少なくとも１つのチャネル形成部材を含み、前記ダイと心棒は押出オリフィスに至る収束チャンバーを形成し、前記チャネル形成部材は前記オリフィスに位置決めされ、前記心棒は前記導体を供給する中心穴を有しており、
前記ペースト押出する工程は、潤滑性ＰＴＦＥファインパウダーを前記チャンバーに通して、前記導体の周りの潤滑性未加工押出物として前記オリフィス出口から押出し、前記導体から離間して配置された少なくとも１つの閉長手方向空気チャネルを有する絶縁体を形成することを含む方法。
［９］
前記チャネル形成部材が前記オリフィスの上流で押出装置によって支持されていることを特徴とする［８］に記載の方法。
［１０］
潤滑性未加工押出物を乾燥させるステップをさらに含むことを特徴とする［８］に記載の方法。
［１１］
乾燥させた押出物を焼結するステップをさらに含むことを特徴とする［１０］に記載の方法。
［１２］
前記押出装置が互いに離間して配置された複数の閉長手方向空気チャネルを形成する複数のチャネル形成部材を有することを特徴とする［８］に記載の方法。
［１３］
前記複数のチャネル形成部材が前記オリフィスにおいて前記導体の周りに対称的に配置されることを特徴とする［１２］に記載の方法。
［１４］
前記潤滑性ＰＴＦＥファインパウダーが前記チャネル形成部材の周りおよび前記導体と前記チャネル形成部材間のスペース内に押し込まれ、前記潤滑性ＰＴＦＥファインパウダーを圧力融合させて前記導体の周りの前記未加工押出物とすることを特徴とする［８］に記載の方法。
［１５］
前記押出装置は前記チャンバーと前記オリフィスとの接合部で高せん断領域を有し、これにより前記潤滑性ＰＴＦＥの実質的なフィブリル化が生じ、前記圧力融合が前記高せん断領域の上流で行なわれることを特徴とする［１４］に記載の方法。
［１６］
前記チャネル形成部材は前記高せん断領域の上流で押出装置によって支持されることを特徴とする［１５］に記載の方法。
［１７］
前記導体の前記供給は前記潤滑性ＰＴＦＥファインパウダーが前記オリフィスに押し込まれる速度と近似の速度で行なわれることを特徴とする［８］に記載の方法。
［１８］
前記絶縁体は約８ｍｍを超える直径を有することを特徴とする［８］に記載の方法。
［１９］
前記絶縁体は約１０ｍｍを超える直径を有することを特徴とする［８］に記載の方法。
［２０］
前記乾燥中に、潤滑性未加工押出物中の前記長手方向空気チャネルの中にガスを循環させることをさらに含むことを特徴とする［１０］に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月19日(2007.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を投影面に投影するためのレーザービーム調整配列であって、
該配列は、
ａ）複数の異なる方向に沿うように配向された複数のレーザービームをそれぞれ生成する複数の加圧可能レーザーであって、該複数の異なる方向は、互いに斜めになっている、複数の加圧可能レーザーと、
ｂ）軸の周りを振動可能な走査鏡であって、該走査鏡に入射する該レーザービームを、反射されたレーザービームとして反射するように作用する走査鏡と、
ｃ）該複数のレーザーに作用可能に接続されたコントローラであって、該コントローラは、該走査鏡の振動中に、複数の異なる時間に該複数のレーザーに加圧して、該反射されたレーザービームを共通経路にそって共線的に移動させ、投影面の共通点を照らし、該複数の異なる時間は、人間の眼には知覚不可能である、コントローラと
を備えている、配列。
【請求項２】
前記複数のレーザーは、異なる波長を有しており、前記複数のレーザービームは、異なる色を有している、請求項１に記載の配列。
【請求項３】
前記複数のレーザービームの前記複数の異なる方向は、前記走査鏡の前記軸において交差する、請求項１に記載の配列。
【請求項４】
前記複数のレーザービームは、前記走査鏡上の共通ビームスポットを照らし、
該走査鏡は、前記画像の一つの次元に沿って延びている走査線として、前記共線的に移動する反射されたレーザービームを掃引し、
該一つの次元に直交する別の次元に沿って該走査線を掃引ことにより、走査線のラスターパターンを作成する別の走査鏡をさらに備えている、請求項１に記載の配列。
【請求項５】
前記コントローラは、前記走査鏡が前記軸に対して一つの角度位置にあるときに、前記複数の時間のうちの１つの時間において前記複数のレーザーのうちの１つのレーザーに加圧し、
該コントローラは、該走査鏡が該軸に対して別の角度位置にあるときに、該複数の時間のうちの別の時間において該複数のレーザーのうちの別のレーザーに加圧する、請求項１に記載の配列。
【請求項６】
画像を投影面に投影するためのレーザービーム調整方法であって、
該方法は、
ａ）複数の異なる方向に沿うように複数のレーザービームを配向させるステップであって、該複数の異なる方向は、互いに斜めになっている、ステップと、
ｂ）軸の周りで走査鏡を振動させるステップであって、該走査鏡は、該走査鏡に入射する該レーザービームを、反射されたレーザービームとして反射する、ステップと、
ｃ）該走査鏡の振動中に、複数の異なる時間に該複数のレーザービームを生成して、該反射されたレーザービームを共通経路にそって共線的に移動させ、投影面の共通点を照らすステップであって、該複数の異なる時間は、人間の眼には知覚不可能である、ステップと
を包含する、方法。
【請求項７】
異なる色を有するように前記複数のレーザービームを構成するステップをさらに包含する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記レーザービームを生成するステップは、前記複数の異なる時間において、異なるレーザーに加圧することによって実行される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記複数のレーザービームの前記複数の異なる方向を配列することにより、前記走査鏡の前記軸において該複数のレーザービームを交差させるステップをさらに備える、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記配向させるステップは、
前記複数のレーザービームを配列させて、前記走査鏡上の共通ビームスポットを照らすことによって実行され、
前記振動させるステップは、
前記画像の一つの次元に沿って延びている走査線として、前記共線的に移動する反射されたレーザービームを掃引することと、
該一つの次元に直交する別の次元に沿って該走査線を掃引して、走査線のラスターパターンを作成することと
によって実行される、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記生成するステップは、
前記走査鏡が前記軸に対して一つの角度位置にあるときに、前記複数の時間のうちの１つの時間において前記複数のレーザーのうちの１つのレーザーを生成することと、
該走査鏡が該軸に対して別の角度位置にあるときに、該複数の時間のうちの別の時間において該複数のレーザーのうちの別のレーザーを生成することと
によって実行される、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月28日(2007.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）バインダー層であって、該バインダー層の１つの主面に、該バインダー層の該主面に部分的に埋め込まれた部分を有しかつそれから部分的に突き出る部分を有する微小球の層を有するバインダー層と、（ｉｉ）前記微小球の前記埋め込まれた部分上に配置された反射層とを含む再帰反射シートを、
（ｉ）１個以上のフッ素化基と１個以上の加水分解可能な基を有する１個以上のシリル基とを有するフッ素化化合物と、
（ｉｉ）（１）１分子当たり少なくとも１個の加水分解可能な基を有するＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｖ、ＰｂおよびＳｎからなる群から選択された元素Ｍの非フッ素化化合物１つ以上、（２）Ｓｉ−Ｈ基を有する有機化合物、およびそれらの混合物からなる群から選択された補助化合物と、を含む処理組成物と接触させる工程を含む、処理方法。
【請求項２】
（ｉ）１個以上のフッ素化基と１個以上の加水分解可能な基を有する１個以上のシリル基とを有するフッ素化化合物と、
（ｉｉ）Ｓｉ−Ｈ基を有する有機化合物からなる群から選択された補助化合物と、を含む組成物。
【請求項３】
請求項１に記載の方法によって得ることができる再帰反射物品。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月25日(2007.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージセンサは、
（ａ）第１の導電型の基板、
（ｂ）前記基板の少なくとも一部に亘る第１の導電型のチャネル、
（ｃ）ある所定部分において前記チャネルと基板との間に位置し、またある所定部分において前記基板と前記チャネルとの間に位置しない第２の導電型のウェルであって、それらウェルは全て実質的に連続している第２の導電型のウェル、および
（ｄ）前記ウェルへの接続部を備え、
前記基板および前記チャネル間に存在しない前記ウェルの抵抗は、前記チャネルおよび前記基板間に存在する前記ウェルの総抵抗の実質的に２５％以上であることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項２】
請求項１記載のイメージセンサにおいて、前記チャネルは埋め込みチャネルであることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項３】
イメージセンサを備えたカメラであって、
このイメージセンサは、
（ａ）第１の導電型の基板、
（ｂ）前記基板の少なくとも一部に亘る第１の導電型のチャネル、
（ｃ）ある所定部分において前記チャネルと基板との間に位置し、またある所定部分において前記基板と前記チャネルとの間に位置しない第２の導電型のウェルであって、それらウェルは全て実質的に連続している第２の導電型のウェル、および
（ｄ）前記ウェルへの接続部を備え、
前記基板および前記チャネル間に存在しない前記ウェルの抵抗は、前記チャネルおよび前記基板間に存在する前記ウェルの総抵抗の実質的に２５％以上であることを特徴とするイメージセンサを備えたカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は前述の一つ以上の課題を克服することを目的とする。要約すると、本発明の第１の態様によれば、本発明はイメージセンサであって、第１の導電型の基板、実質的に基板上に亘る第１の導電型のチャネル、ある所定部分においてチャネルと基板との間に位置し、またある所定部分において基板とチャネルとの間に位置しない第２の導電型のウェルであって、それらウェルは全て実質的に連続している第２の導電型のウェル、および前記ウェルへの接続部を有するイメージセンサであり、前記基板およびチャネル間に存在しないウェルの抵抗は、前記チャネルおよび基板間に存在するウェルの総抵抗の実質的に２５％以上になっている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月19日(2007.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造を形成する方法であって、
半導体基板を提供するステップと、
前記半導体基板を覆う第一トンネル型誘電体を形成するステップと、
前記第一トンネル型誘電体を覆う第一浮遊ゲートを形成するステップと、
前記第一浮遊ゲート上に予め形成された複数の個別素子を析出するステップと、
予め形成された複数の個別素子を覆う制御誘電体を形成するステップと、
前記制御誘電体を覆う制御ゲートを形成するステップと
を備える半導体構造を形成する方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法は、更に、
前記半導体基板に分離溝を形成するステップと、
前記分離溝に溝充填材料を充填するステップと、
前記半導体基板を覆う第二トンネル型誘電体を形成するステップと、
前記第二トンネル型誘電体を覆う第二浮遊ゲートを形成するステップとを備え、
前記溝充填材料は、前記第一浮遊ゲートと前記第二浮遊ゲートとの間に設けられる方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、
前記第一浮遊ゲート上に予め形成された複数の個別素子を析出するステップは、更に、前記溝充填材料及び前記第二浮遊ゲート上に予め形成された複数の個別素子を析出するステップからなる方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、
前記第一浮遊ゲート上に予め形成された複数の個別素子を析出するステップは、
ガス相での核生成中に、予め形成された複数の個別素子の少なくとも一つを形成するステップと、
予め形成された複数の個別素子の少なくとも一つを形成した後、前記第一浮遊ゲート上の前記半導体基板の表面に、予め形成された複数の個別素子の少なくとも一つを吸着させるステップとを備え、
前記吸着は、静電気力と熱泳動力とからなる群より選択された力を用いて行なわれる方法。
【請求項５】
半導体基板と、
前記半導体基板を覆う第一トンネル型誘電体と、
前記第一トンネル型誘電体を覆う第一浮遊ゲートと、
前記第一浮遊ゲート上に設けられ、互いに間隔を空けている複数の個別素子と、
複数の個別素子を覆う制御誘電体と、
前記制御誘電体を覆う制御ゲートと
を備える半導体構造。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月26日(2007.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露出された導電材料を不動態化する方法であって、
複数の特徴形状に形成された不均一性を有する余剰部分を有する基板をエッチング処理チャンバ内に配置する工程と、
前記余剰部分のバルクの除去と、前記複数の特徴形状に応力を加えることなく行われる実質的な前記不均一性の除去と、を行うために前記基板を平坦化する工程と、
ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＣＨ4、および、ＮＨ3、の内の少なくとも１つの種を含む水素を前記処理チャンバ内に注入する工程と、
前記処理チャンバ内で前記種を含む水素のプラズマを形成する工程と、
ハロゲン化物、および、窒化物、の内の少なくとも１つを含む表面層の種を前記基板の上面から除去する工程と、
前記除去された表面層の種を前記処理チャンバから取り除く工程と、
を備える、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記導電材料は、銅含有材料、銅元素、Ｎ ｉ Ｆ ｅ 、Ｃｏ Ｆ ｅ 、Ｎ ｉ 元素、Ｃ ｏ 、Ｒ ｕ 、Ａ ｌ Ｏ 、Ｔ ａ 、Ｔ ａ Ｎ 、Ｐ ｔ 、および、Ｉ ｒ 、の内の少なくとも１つを備える、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記不動態化の処理は、その場で実行される、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記処理チャンバは、約３ ０ から約２ ０ ０ ℃ の間の温度を有する、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記処理チャンバは、小容量のプラズマチャンバである、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記処理チャンバは、誘導結合システム、Ｅ Ｃ Ｒ システム、および、マイクロ波システム、の内の少なくとも１つを備える、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記処理チャンバは、約１ ｍ Ｔ ｏ ｒ ｒ から約５ ０ ０ ｍＴ ｏ ｒ ｒ の間の圧力を有する、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
前記処理チャンバは、容量結合システムである、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記種を含む水素を注入する工程は、搬送ガスを注入する工程を備える、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記搬送ガスは、アルゴン、窒素、ヘリウム、ネオン、および、キセノン、の内の少なくとも１つを備える、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、
前記水素種によってプラズマを形成する工程は、前記基板と前記処理チャンバの内壁との少なくとも一方における残留物を揮発させる工程を備え、
前記除去された表面層の種を前記処理チャンバから取り除く工程は、前記揮発した残留物を取り除く工程を備える、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板の前記上面から前記表面層の種を除去する工程は、
前記基板の前記上面を活性化する工程と、
前記上面を粗面化する工程であって、前記上面の基質を露出させて基質上に形成される次の層への付着性を増大させる工程と、
を備える、方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法であって
前記露出された導電材料は、所定の期間で不動態化され、前記所定の期間は、前記基板の前記上面から前記表面層の種を所望の量だけ除去するのに十分である、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
前記所定の期間は、約１５秒よりも長い、方法。
【請求項１５】
露出された銅相互接続を不動態化する方法であって、
摂氏３０度乃至約２００度の温度において約５１ｍＴｏｒｒ乃至約５００ｍＴｏｒｒの圧力の処理チャンバ内に基板を配置する工程と、
ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＣＨ4、および、ＮＨ3、の内の少なくとも１つの種を含む水素を前記処理チャンバ内に注入する工程と、
前記処理チャンバ内で前記種を含む水素のプラズマを形成する工程と、
前記露出された銅相互接続の上面から酸化銅を還元する工程と、
を備え、
前記還元する工程は、
前記基板の前記上面を活性化する工程と、
前記上面を粗面化する工程であって、前記上面の基質を露出させて基質上に形成される次の層への付着性を増大させる工程と、
前記還元された酸化銅を前記処理チャンバから取り除く工程と、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月5日(2007.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
温冷両用自動販売機（１００）であって、
製品用区画（１４０）；
冷蔵システム；
該冷蔵システムおよび該製品用区画（１４０）と連通する通風システム（１８０）；
該製品用区画と連通するように配置されたバルブ（２４０、２５０）を備える通風システム；ならびに
該製品用区画のまわりに配置されたヒーター（２７０）、
を備え、該バルブおよび該ヒーターが、該製品用区画が温められるかまたは冷却され得るように、選択的に活性化され、該冷蔵システムが、取り外し可能な冷蔵カセット（３００）を備える、温冷両用自動販売機。
【請求項２】
さらに、複数の製品用区画を備え、そして前記通風システムが、複数のバルブを備える、請求項１に記載の温冷両用自動販売機。
【請求項３】
さらに、複数の温かい区画および複数の冷たい区画を備える、請求項１または２に記載の温冷両用自動販売機。
【請求項４】
前記製品用区画が、複数の製品貯蔵容器（１５０）を備える、請求項１、２または３に記載の温冷両用自動販売機。
【請求項５】
前記複数の製品貯蔵容器が、該複数の製品貯蔵容器の中に配置される複数の通気口を備える、請求項４に記載の温冷両用自動販売機。
【請求項６】
前記通風システムが、前記製品用区画の第１の側面上の供給空気ダクト（１８０）および該製品用区画の第２の側面上の戻り空気ダクト（２２０）を備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載の温冷両用自動販売機。
【請求項７】
前記通風システムが、前記供給空気ダクトのまわりに配置される第１のバルブ（２４０）および前記戻り空気ダクトのまわりに配置される第２のバルブ（２５０）を備える、請求項６に記載の温冷両用自動販売機。
【請求項８】
前記バルブが、バタフライバルブを備える、請求項１〜７のいずれか１項に記載の温冷両用自動販売機。
【請求項９】
前記冷蔵システムが、冷蔵デバイス（３０５）を備える、請求項１〜８のいずれか１項に記載の温冷両用自動販売機。
【請求項１０】
前記冷蔵デバイスが、スターリングサイクル型クーラー（３１０）を備える、請求項９に記載の温冷両用自動販売機。
【請求項１１】
前記冷蔵デバイスが、ランキンサイクル型デバイスを含む、請求項９に記載の温冷両用自動販売機。
【請求項１２】
前記冷蔵システムが、前記冷蔵デバイスと連通する熱交換器（４４０）を備える、請求項９、１０または１１に記載の温冷両用自動販売機。
【請求項１３】
前記冷蔵システムが、前記熱交換器に隣接して配置されるファン（４４５）を備える、請求項１２に記載の温冷両用自動販売機。
【請求項１４】
前記冷蔵システムが、前記通風システムと連通する通風通路（４１０）を備える、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の温冷両用自動販売機。
【請求項１５】
多数の個々の製品用区画（１４０）を有する自動販売機（１００）を作動させる方法であって、該多数の個々の製品用区画の各々が、その中にヒーター（２７０）を備え、そして該自動販売機が通風システム（１８０）を介して、該個々の製品用区画の各々と連通する冷蔵システムを備え、該方法は、以下：
該製品用区画のうちのどれが温かくあり、該製品用区画のうちのどれが冷たくあるべきかを決定する工程；
冷たくあるべき製品用区画と連通する該通風システムを開くかまたは開いていることを確認する工程；および
温かくあるべき製品用区画と連通する該通風システムを閉じるかまたは閉じていることを確認する工程、
を包含し、
該冷蔵システムが、取り外し可能な冷蔵カセット（３００）を備え、そして
該方法が、該取り外し可能な冷蔵カセットを該通風システムと連通させて挿入する工程をさらに包含する、方法。
【請求項１６】
前記暖かくあるべき製品用区画中にある前記ヒーターをオンにする工程、をさらに包含する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記通風システムにより、前記冷蔵システムから、前記冷たくあるべき製品用区画を通して冷却空気を循環させる工程をさらに包含する、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記製品用区画のどれが室温にあるべきかを決定し、そして該室温にあるべき製品用区画と連通する前記通風システムを閉じるかまたは閉じていることを確認する工程、
をさらに包含する、請求項１５、１６または１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月15日(2008.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体膜に取り付けられた導電性バンプを形成する方法であって、
第１の側と、第２の側と、少なくとも１つのビアとを有する誘電体膜を提供するステップであって、前記少なくとも１つのビアが、前記誘電体膜の前記第１の側において露出した平坦面を有する金属プラグでふさがれているステップと、
前記金属プラグの前記平坦面周囲から前記誘電体膜を制御可能にエッチングして、そこから突出する金属突起を有する誘電体膜を提供するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
誘電体膜から突出する導電性バンプを形成する方法であって、
第１の側と第２の側とを有する誘電体膜を提供するステップと、
前記誘電体膜の少なくとも前記第１の側に停止層を適用するステップであって、前記停止層が、前記誘電体膜の前記第１の側と接触する底面を有するステップと、
前記誘電体膜を貫通して前記誘電体膜の前記第２の側から前記停止層まで延在する空隙を前記誘電体膜中に形成するステップと、
導電性材料を堆積させて前記空隙内に導電性プラグを形成するステップと、
前記誘電体膜の前記第１の側から前記停止層を除去して、前記導電性プラグの表面を露出させるステップと、
前記導電性プラグ表面の周囲から前記誘電体膜を制御可能にエッチングして、前記誘電体膜から突出する前記導電性バンプを形成するステップと、
を含む方法。
【請求項３】
誘電体膜から突出する導電性バンプを形成する方法であって、
第１の側と第２の側とを有する誘電体膜を提供するステップと、
前記誘電体膜を貫通して前記誘電体膜の前記第１の側から前記第２の側まで延在する開口部を前記誘電体膜中に形成するステップと、
前記第２の側と隣接する前記開口部の側の上の停止層によって前記開口部が閉じられるように、前記誘電体膜の前記第２の側に前記停止層を適用し、それによって空隙を形成するステップと、
導電性材料を堆積させて前記空隙内に導電性プラグを形成するステップと、
前記誘電体膜の前記第２の側から前記停止層を除去して、前記導電性プラグの表面を露出させるステップと、
前記導電性プラグ表面の周囲から前記誘電体膜を制御可能にエッチングして、前記誘電体膜から突出する前記導電性バンプを形成するステップと、
を含む方法。
【請求項４】
ｘ方向およびｙ方向に延びるように前記導電性バンプ上に金属を堆積させて、前記エッチングされた誘電体表面の一部を覆うステップをさらに含む請求項１、２または３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１組の電子部品の間に電気的接続を提供する物品であって、
第１の側と、第２の側と、少なくとも１つの金属充填ビアと、を有する誘電体膜であって、少なくとも前記第１の側の上にエッチングされたフィルム部分をさらに有し、前記エッチングされたフィルム部分が、前記金属充填ビアと隣接するエッチングされた表面を含む、誘電体膜と、
前記誘電体膜の前記第１の側において前記少なくとも１つの金属充填ビアから上方に延在する導電性バンプであって、前記少なくとも１組の電子部品の１つに電気的接続を提供する導電性バンプと、
を含む物品。
【請求項６】
前記導電性バンプが、前記少なくとも１つの金属充填ビアからｘ方向およびｙ方向において外側に延在して、前記エッチングされた表面の一部を覆っている請求項５に記載の物品。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月22日(2008.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチングデバイスの電極の上に構築され、前記電極に電気的に結合される、電気化学セルを具備する分子記憶デバイスであって、前記電気化学セルは、
作用電極と、
前記作用電極に共有結合される複数の記憶分子であって、複数のレドックス活性分子と
、複数の異なる識別可能な酸化状態とを有する記憶媒体を含む、複数の記憶分子と、
基準電極と、
前記作用電極と前記基準電極との間のイオン電流を支持する電解質とを含む、分子記憶デバイス。
【請求項２】
スイッチングデバイスの電極の上に構築され、前記電極に電気的に結合される、電気化学セルを具備する分子記憶デバイスであって、前記電気化学セルは、
作用電極と、
前記作用電極に取り付けられて電気的に結合される、複数の記憶分子と、
基準電極と、
前記作用電極と前記基準電極との間のイオン電流を支持する電解質とを含む、分子記憶デバイス。
【請求項３】
前記複数の記憶分子は、複数のレドックス活性分子と、複数の異なる識別可能な酸化状態とを有する記憶媒体を含む、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記記憶分子は、前記作用電極に共有結合される、請求項２に記載のデバイス。
【請求項５】
前記記憶分子は、モノマーポルフィリン、フェロセン誘導体化ポルフィリン、三量体ポルフィリン、ポルフィリン誘導体、またはポルフィリンポリマーである、請求項２に記載のデバイス。
【請求項６】
前記作用電極は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ、その酸化物、またはその窒化物を含む、請求項２に記載のデバイス。
【請求項７】
スイッチングデバイスと、
前記スイッチングデバイスに結合されたビット線と、
前記スイッチングデバイスに結合されたワード線と、
前記スイッチングデバイスの電極の上に構築され、前記電極に電気的に結合される、電気化学セルとを具備するメモリ素子であって、前記電気化学セルは、
作用電極と、
１つまたは複数のレドックス活性分子と、複数の異なる識別可能な酸化状態とを有し、前記作用電極に取り付けられて電気的に結合される、記憶媒体と、
基準電極と、
前記作用電極と前記基準電極との間のイオン電流を支持する電解質とを含む、メモリ素子。
【請求項８】
スイッチングデバイスと、
前記スイッチングデバイスに結合されたビット線と、
前記スイッチングデバイスに結合されたワード線と、
前記スイッチングデバイスの上に構築され、前記スイッチングデバイスに電気的に結合される、電気化学セルとを具備するメモリ素子であって、前記電気化学セルは、
作用電極と、
前記作用電極に取り付けられて電気的に結合される、複数の記憶分子と、
基準電極と、
前記作用電極と前記基準電極との間のイオン電流を支持する電解質とを含む、メモリ素子。
【請求項９】
前記メモリ素子は、６４ミリ秒を超える電荷保持時間を有する、請求項８に記載のメモリ素子。
【請求項１０】
前記ビット線に結合されたセンス増幅器を具備する、請求項８に記載のメモリ素子。
【請求項１１】
メモリ素子のアレイを具備するメモリアレイであって、前記メモリ素子の少なくとも一部は、
スイッチングデバイスの電極の上に構築され、前記電極に電気的に結合される、電気化学セルを具備し、前記電気化学セルは、
作用電極と、
前記作用電極に取り付けられて電気的に結合される、複数の記憶分子と、
基準電極と、
前記作用電極と前記基準電極との間のイオン電流を支持する電解質とを含む、メモリアレイ。
【請求項１２】
前記アレイは、少なくとも２５０，０００のメモリ素子を含む、請求項１１に記載のメモリアレイ。
【請求項１３】
センス増幅器と、
ビット線プリチャージ信号が前記センス増幅器をバイパスすることを可能にする、プリチャージパスゲートとを具備する、請求項１１に記載のメモリアレイ。
【請求項１４】
メモリ素子のアレイを含む分子メモリに結合された、中央処理装置を具備するコンピューティングデバイスであって、前記メモリ素子の少なくとも一部は、
スイッチングデバイスの電極の上に構築され、前記電極に電気的に結合される、電気化学セルを具備し、前記電気化学セルは、
作用電極と、
前記作用電極に取り付けられて電気的に結合される、複数の記憶分子と、
基準電極と、
前記作用電極と前記基準電極との間のイオン電流を支持する電解質とを含む、コンピューティングデバイス。
【請求項１５】
前記スイッチングデバイスはトランジスタである、請求項１４に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項１６】
分子メモリデバイスを読み出すための方法であって、
ビット線を、スイッチングデバイスを介して、前記スイッチングデバイスの電極の上に構築され前記電極に電気的に結合される電気化学セルに結合するステップと（ここで、前記電気化学セルは、
作用電極と、
前記作用電極に取り付けられて電気的に結合される、複数の記憶分子と、
基準電極と、
前記作用電極と前記基準電極との間のイオン電流を支持する電解質とを含む）、
前記ビット線を、前記記憶分子の酸化状態を示す電圧に駆動するステップとを含む方法。
【請求項１７】
分子メモリデバイスに書き込むための方法であって、
ビット線を、スイッチングデバイスを介して、前記スイッチングデバイスの電極の上に構築され前記電極に電気的に結合される電気化学セルに結合するステップと（ここで、前記電気化学セルは、
作用電極と、
前記作用電極に取り付けられて電気的に結合される、複数の記憶分子と、
基準電極と、
前記作用電極と前記基準電極との間のイオン電流を支持する電解質とを含む）、
前記記憶分子の酸化状態を設定するために、前記ビット線に電圧を印加するステップとを含む方法。