Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月11日(2008.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
絶縁部分３４の好ましい構成は、図９に示しており、図９Ａは断面図、図９Ｂは平面図である。図面は、周囲に分散した４つの貫通孔３４２と、導電性接着剤３５を受け入れるために設けられた中心貫通孔３４１とを示している。図９Ｂから、本実施形態では、絶縁部分３４は、円形の外側周辺を有しておらず、外側に延びる部分３４３を複数の場所に有することが判る。これらの外側に延びる部分３４３は、絶縁部分をハウジング内部に固定し、センタリングするために機能する。これらの外側に延びる部分の間では、領域３４４での絶縁部分３４が、ハウジング内壁に対して直接に支えられておらず、絶縁部分３４とハウジングとの間に間隙が存在している。この間隙は、エッジにおけるダイヤフラムの振動能力を改善する。この領域でのダイヤフラムの振動の際、この構成がより良好な空気の排出フローを確保するからである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月1日(2008.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムにおいて、無線ネットワーク制御装置（ＲＮＣ）によって実行される、欠落しているデータ・ブロックがあるために以前にまだ転送されていない不連続データ・ブロック群を転送する方法であって、
複数のデータ・ブロックを含むデータ送信を受信するステップと、
前記複数のデータ・ブロックの中で欠落しているデータ・ブロックを認識するステップと、
不連続データ・ブロック群を転送するためのタイマを初期化するステップと、
欠落したデータブロックを認識すると直ぐに、監視開始コマンドを送信するステップと、
前記欠落したデータ・ブロックの破棄を示す送信失敗メッセージを受信するステップと、
前記送信失敗メッセージを受信すると直ぐに、前記タイマが満了する前に、前記不連続データ・ブロック群を上位層群に転送するステップと
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記監視開始コマンドは、前記欠落しているデータ・ブロックのフレーム番号、優先度および送信シーケンス番号（ＴＳＮ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
欠落しているデータ・ブロックがあるために、以前にまだ転送されていない不連続データ・ブロック群を転送する無線ネットワーク制御装置（ＲＮＣ）であって、前記ＲＮＣは、
複数のデータブロックを含むデータ送信を受信し、
前記複数のデータ・ブロックの中で欠落しているデータ・ブロックを認識し、
不連続データ・ブロック群を転送するためのタイマを初期化し、
欠落したデータブロックを認識すると直ぐに、監視開始コマンドを送信し、
前記欠落したデータ・ブロックの破棄を示す送信失敗メッセージを受信し、
前記送信失敗メッセージの受信をすると直ぐに、前記タイマが満了する前に、前記不連続データ・ブロック群を上位層群に転送する
ように構成されていることを特徴とするＲＮＣ。
【請求項４】
前記監視開始コマンドは、前記欠落しているデータ・ブロックのフレーム番号、優先度および送信シーケンス番号ＴＳＮを含むことを特徴とする請求項３に記載のＲＮＣ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月2日(2008.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−  クエリメッセージを送信するように動作可能な送信機と、
−  少なくとも１つのアンテナを有し、前記クエリメッセージの受信の際に応答メッセージを送信するように動作可能なトランスポンダと、
−  使用の際、前記送信機と前記少なくとも１つのアンテナとの間で可動に挿置可能である無線周波数シールドであって、前記少なくとも１つのアンテナにおいて受信される前に、前記クエリメッセージの信号強度を減衰するように動作可能である無線周波数シールドと、
−  前記応答メッセージを受信するように動作可能な受信機と、
を有するアプリケーションの空間的感知のための無線システムであって、
−  前記のようなシールドは、前記送信機と前記少なくとも１つのアンテナとの間に挿置され、前記トランスポンダは前記クエリメッセージを受信するように動作可能であり、前記応答メッセージは、１つ以上の前記アンテナにおいて受信された前記クエリメッセージの前記信号強度に従って決定されるデータを含んでいる、
アプリケーションの空間的感知のための無線システム。
【請求項２】
前記無線システムは、前記トランスポンダを支持する第１要素を有する物理的オブジェクトと協動するように配される、請求項１に記載の無線システム。
【請求項３】
前記トランスポンダのアンテナは、前記第１要素の表面上に位置されている、請求項２に記載の無線システム。
【請求項４】
前記トランスポンダのアンテナは、前記第１要素のボディ内に埋め込まれている、請求項２又は３に記載の無線システム。
【請求項５】
前記物理的オブジェクトが、前記第１要素に対して移動可能に動作可能である第２要素を更に有しており、前記第２要素は、前記シールドを支持している、請求項２ないし４の何れか一項に記載の無線システム。
【請求項６】
前記第１要素が前記シールドを支持している、請求項２ないし４の何れか一項に記載の無線システム。
【請求項７】
前記第１要素が平面である、請求項２ないし６の何れか一項に記載の無線システム。
【請求項８】
前記第１要素が円筒状である、請求項２ないし６の何れか一項に記載の無線システム。
【請求項９】
前記第１要素が球状である、請求項２ないし６の何れか一項に記載の無線システム。
【請求項１０】
前記トランスポンダは、前記応答メッセージのデータが、前記第１及び第２要素の相対位置の判断を可能にするように前記シールドに関して配されている複数のアンテナを有する、請求項５ないし９の何れか一項に記載の無線システム。
【請求項１１】
前記第１要素は密封された円筒状のキャビティを有しており、前記密封された円筒状のキャビティは、水平方向に対して前記円筒状のキャビティを傾斜させることにより該円筒状のキャビティの軸に沿って重力により移動可能な液滴を有する前記第２要素を含んでおり、前記少なくとも１つのアンテナは、前記のような円筒状の要素の表面上に配されており、前記液滴は、前記円筒状のキャビティの所定の傾斜において、前記アンテナの無線周波数シールドを提供する、請求項５、６、８又は１０に記載の無線システムにおいて使用するための傾斜センサ。
【請求項１２】
前記トランスポンダがＲＦＩＤタグを有する、請求項１ないし１１の何れか一項に記載の無線システムにおいて使用するためのトランスポンダ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月19日(2008.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイライト抽出フォトニックデバイスを製造する方法であって、
基板上にエピタキシャル半導体デバイス構造を成長させるステップであって、前記エピタキシャル半導体構造および基板は、バイアスに応答して光を放出するように構成されたエミッタを備える、エピタキシャル半導体デバイス構造を成長させるステップと、
前記エピタキシャル半導体デバイス構造が、サブマウントと前記基板との間にはさまれるように、前記サブマウント上に前記エミッタをフリップチップマウントするステップと、
前記ミラーが、前記フリップチップマウントするステップの後に、前記エピタキシャル半導体構造と前記サブマウントとの間にはさまれるように、第１のミラー層を配置するステップと、
前記基板を、前記エピタキシャル半導体構造より実質的に速くエッチングするエッチング環境を利用して、前記基板を前記エピタキシャル半導体デバイスからエッチングして除去するステップと
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記エピタキシャル半導体構造は、第３族窒化物半導体材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板は、単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記エッチング環境は、反応性イオンエッチングを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記エッチング環境は、三弗化窒素（ＮＦ３）を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記エミッタの前記フリップチップマウントするステップの前に、前記基板構造の対向する側で前記エピタキシャル半導体構造上に第１のミラー層を堆積するステップをさらに含み、前記ミラーは、前記フリップチップマウントするステップの後で、前記エピタキシャル半導体構造と前記サブマウントとの間ではさまれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のミラー層は、反射性金属を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のミラー層は、複数の誘電体材料の交互層対を含む分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記基板がエッチングされた後、前記エピタキシャル半導体構造上に第２のミラー層を堆積するステップをさらに含み、前記第２のミラー層は、前記エピタキシャル半導体構造が、前記サブマウントと前記第２のミラー層との間ではさまれるように配置されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２のミラー層は、反射性金属を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２のミラー層は、複数の誘電体材料の交互層対を含む分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記エピタキシャル半導体構造を成長させるステップは、
前記基板上に第１のエピタキシャル半導体層を成長させるステップと、
前記第１のエピタキシャル半導体層上に第２のエピタキシャル半導体層を成長させるステップと
を含み、前記第１のエピタキシャル半導体層が、前記基板と前記第２のエピタキシャル半導体層との間にはさまれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記エピタキシャル半導体構造を成長させるステップは、薄いドープされた層を成長させるステップと、共振空洞光発光ダイオードを形成するステップとを含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ハイライト抽出フォトニックデバイスを製造する方法であって、
基板上にエピタキシャル半導体構造を成長させるステップと、
前記エピタキシャル半導体構造が、第１のミラー層と前記基板との間にはさまれるように、前記エピタキシャル半導体構造上に前記第１のミラー層を堆積するステップと、
前記基板をエッチング環境に導入することによって、前記エピタキシャル構造から前記基板を取り除くステップと、
前記エピタキシャル半導体デバイス構造が、前記第１のミラー層と第２のミラー層との間にはさまれるように、前記エピタキシャル半導体構造上に前記第２のミラー層を堆積するステップと
を有することを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記エッチング環境は、前記基板を前記エピタキシャル半導体構造より実質的に速くエッチングし、実質的に任意の前記エピタキシャル半導体構造をエッチングして除去することなく、実質的に全ての前記基板をエッチングして除去することを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
共振空洞発光ダイオード（ＲＣＬＥＤ）であって、
薄膜エピタキシャル半導体構造と、
前記エピタキシャル半導体構造の一方の表面上の第１のミラー層と、
前記エピタキシャル半導体構造の他方の表面上の第２のミラー層であって、前記エピタキシャル半導体構造は、前記第１のミラーと前記第２のミラーとの間にはさまれ、前記第２のミラー層は、前記第１のミラー層より反射が少ない、第２のミラー層と、
第１および第２のミラーを有する前記エピタキシャル半導体構造がマウントされたサブマウントと
を備え、前記第１のミラー層は、前記サブマウントに隣接し、前記第２のミラー層が、主要な放出表面であることを特徴とする共振空洞発光ダイオード（ＲＣＬＥＤ）。
【請求項１７】
前記エピタキシャル半導体デバイスは、光を放出し、前記光のための共振空洞を提供するための厚みを有することを特徴とする請求項１６に記載のＲＣＬＥＤ。
【請求項１８】
前記第１または第２のミラー層のいずれかは、金属を含むことを特徴とする請求項１６に記載のＲＣＬＥＤ。
【請求項１９】
前記第１または第２のミラー層は、分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）を含むことを特徴とする請求項１６に記載のＲＣＬＥＤ。
【請求項２０】
第３族窒化物エピタキシャル半導体材料から炭化ケイ素基板を取り除く方法であって、
炭化ケイ素基板上に第３族窒化物エピタキシャル半導体材料を成長させるステップと、
前記炭化ケイ素基板をエッチング環境に導入するステップであって、前記炭化ケイ素がエッチング除去された後に、前記エッチングステップが実質的に停止するように、前記エッチング環境は、前記第３族窒化物エピタキシャル材料より速く炭化ケイ素をエッチングする、前記炭化ケイ素基板をエッチング環境に導入するステップと
を有することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月16日(2008.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板へのプラズマイオン注入のための方法であって、
プロセスチャンバ、該プロセスチャンバにプラズマを形成する発生源、プロセスチャンバに基板を保持するプラテン、およびプラズマから基板にイオンを加速する電圧源を含むプラズマイオン注入システムを用意する工程と、
プロセスチャンバで実施されるプラズマイオン注入プロセスと適合するコーティング膜をプロセスチャンバの内側表面に付着する工程と、
プラズマイオン注入プロセスにしたがって基板へのプラズマイオン注入を行う工程と、
を含む方法。
【請求項２】
コーティング膜を付着する工程が、Si、Si-Ge、Ge、GaAs、GaNおよびサファイアからなるグループから選択される材料を含むコーティング膜を付着する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
コーティング膜を付着する工程がコーティング前駆体をプロセスチャンバに導入する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
コーティング膜を付着する工程がさらに、コーティング前駆体をプラズマで分解する工程を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
コーティング膜を付着する工程がさらに、付着の間コーティング膜厚をモニターする工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
コーティング膜を付着する工程が、SiH4、Si2H6、SiF4、SiCl4、トリメチルシアンおよびトリエチルシラン（TES）からなるグループから選択されるシリコンを含む前駆体をプロセスチャンバに導入する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
コーティング膜を付着する工程が、シリコンを含む前駆体とともに、不活性ガスをプロセスチャンバに導入する工程を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
コーティング膜を付着する工程が、H2、O2、N2、BF3、B2H6、PH3、AsF5、PF5、PF3またはヒ素からなるグループから選択される反応ガスを、シリコンを含む前駆体とともにプロセスチャンバに導入する工程を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
コーティング膜を付着する工程が、シリコンを含むコーティング膜の組成を制御するために選択され反応性ガスを、シリコンを含むコーティング前駆体とともにプロセスチャンバに導入する工程を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
コーティング膜を付着する工程が、所定の割合でコーティング前駆体および反応性ガスをプロセスチャンバに導入する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
コーティング膜を付着する工程が、付着の間、プロセスチャンバの圧力およびガス流の一方または両方を制御することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
コーティング膜を付着する工程が、コーティング材料をプロセスチャンバの少なくとも一カ所の内側表面にDCパルスを使用して加速する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
コーティング膜を付着する工程が、プラテンのまわりに配置された中空リングの貫通穴を通して、コーティング材料を注入する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
基板へのプラズマイオン注入のための方法であって、
プロセスチャンバ、該プロセスチャンバにプラズマを形成する発生源、プロセスチャンバに基板を保持するプラテン、およびプラズマから基板にイオンを加速する電圧源を含むプラズマイオン注入システムを用意する工程と、
プロセスチャンバで実施されるプラズマイオン注入プロセスと適合するコーティング膜をプロセスチャンバの内側表面に付着する工程と、
プラズマイオン注入プロセスにしたがって基板へのプラズマイオン注入を行う工程と、
を含む方法。
【請求項１５】
コーティング膜を付着する工程がフッ素を含む前駆体のガスおよびシリコンを含む前駆体のガスをプロセスチャンバに導入する工程を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
コーティング膜が二層以上である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
コーティング膜を付着する工程が、基板の材料を含む膜を付着する工程と、それに続くドーパントの材料を含む膜を付着する工程を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
ドーパントの材料を含むコーティング膜を付着する工程が、ハロゲン化物のドーパント前駆体をプロセスチャンバに導入する工程を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
ドーパントの材料を含むコーティング膜を付着する工程が、ドーパント前駆体および不活性ガスをプロセスチャンバに導入する工程を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
ドーパントの材料を含むコーティング膜を付着する工程が、ドーパント前駆体および反応性ガスをプロセスチャンバに導入する工程を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
ドーパント前駆体および反応性ガスを導入する工程がドーパント前駆体および反応性ガスをプロセスチャンバに一つのノズルを通して流すことを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
ドーパント前駆体および反応性ガスを導入する工程がドーパント前駆体および反応性ガスをプロセスチャンバに異なるノズルを通して流すことを含む、請求項２０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月16日(2008.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ．ｉ）パーフルオロエラストマーと、ｉｉ）テトラフルオロエチレンと５〜１２重量パーセントのパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）との共重合単位を含む、パーフルオロエラストマー１００重量部当たり５１〜３００重量部の半結晶性コポリマーであって、前記半結晶性コポリマーは１００ｎｍを超える平均粒径および融点を有する半結晶性コポリマーと、ｉｉｉ）硬化性組成物を形成する硬化剤とを、１００℃未満の温度で乾式ブレンドする工程と、
Ｂ．前記組成物を硬化して硬化物品を形成する工程と、
Ｃ．前記硬化物品を、前記半結晶性コポリマーの融点を超える温度で後硬化する工程と、を含むことを特徴とする硬化物品を調製するための方法。
【請求項２】
Ａ．ｉ）パーフルオロエラストマーと、ｉｉ）テトラフルオロエチレンと５〜１２重量パーセントのパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）との共重合単位を含む、パーフルオロエラストマー１００重量部当たり５１〜３００重量部の半結晶性コポリマーであって、前記半結晶性コポリマーは、１００ｎｍを超える平均粒径および融点を有する半結晶性コポリマーとを、前記半結晶性コポリマーの融点を超える温度で溶融ブレンドし、これによりブレンドを形成する工程と、
Ｂ．硬化剤を、前記ブレンドに１５０℃未満の温度で添加する工程と、
Ｃ．前記組成物を硬化して硬化物品を形成する工程と
を含むことを特徴とする硬化物品を調製するための方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
この物品は、高温、悪条件の薬品および高圧状態などの環境に曝されることとなる、シール、ガスケット、チューブ、ワイヤー外被、およびローラなどの多種の用途において有用である。特定の最終使用用途としては、半導体製造機器、化学処理、食品および製薬工業および事務機器（すなわち複写機および印刷ローラ）が挙げられる。
なお、本発明の好ましい態様としては以下のものを挙げることができる。
１．Ａ．ｉ）パーフルオロエラストマーと、ｉｉ）テトラフルオロエチレンと５〜１２重量パーセントのパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）との共重合単位を含む、パーフルオロエラストマー１００重量部当たり５１〜３００重量部の半結晶性コポリマーであって、前記半結晶性コポリマーは１００ｎｍを超える平均粒径および融点を有する半結晶性コポリマーと、ｉｉｉ）硬化性組成物を形成する硬化剤とを、１００℃未満の温度で乾式ブレンドする工程と、
Ｂ．前記組成物を硬化して硬化物品を形成する工程と、
Ｃ．前記硬化物品を、前記半結晶性コポリマーの融点を超える温度で後硬化する工程と、を含むことを特徴とする硬化物品を調製するための方法。
２．硬化工程Ｂ）は、前記半結晶性コポリマーの融点未満の温度で行われること、を特徴とする１に記載の方法。
３．前記乾式ブレンド工程Ａ）は５０℃未満の温度で実施されることを特徴とする１に記載の方法。
４．Ａ．ｉ）パーフルオロエラストマーと、ｉｉ）テトラフルオロエチレンと５〜１２重量パーセントのパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）との共重合単位を含む、パーフルオロエラストマー１００重量部当たり５１〜３００重量部の半結晶性コポリマーであって、前記半結晶性コポリマーは、１００ｎｍを超える平均粒径および融点を有する半結晶性コポリマーとを、前記半結晶性コポリマーの融点を超える温度で溶融ブレンドし、これによりブレンドを形成する工程と、
Ｂ．硬化剤を、前記ブレンドに１５０℃未満の温度で添加する工程と、
Ｃ．前記組成物を硬化して硬化物品を形成する工程と
を含むことを特徴とする硬化物品を調製するための方法。
５．前記溶融ブレンド工程Ａ）は３００℃〜３５０℃の間の温度で実施されることを特徴とする４に記載の方法。
６．前記硬化剤は１００℃未満の温度で前記ブレンドに添加されることを特徴とする４に記載の方法。
７．前記硬化性組成物は、パーフルオロエラストマー１００重量部当たり６０〜２００重量部の前記半結晶性コポリマーを含有することを特徴とする１〜６のいずれか一項に記載の方法。
８．前記硬化性組成物は、パーフルオロエラストマー１００重量部当たり７５〜２００重量部の前記半結晶性コポリマーを含有することを特徴とする７に記載の方法。
９．前記パーフルオロエラストマーは、５３．０〜７９．９モルパーセントのテトラフルオロエチレンと、２０．０〜４６．９モルパーセントのパーフルオロ（メチルビニル）エーテルと、０．４〜１．５モルパーセントの硬化部位モノマーとの共重合単位を含むことを特徴とする１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月28日(2008.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式の化合物
【化１】
2007538112.tif 000001
式中、Ｒ２はＨであり；Ｒ３はＨ、ＯＨ、ＯＡｃ、ＯＭｅ、ＯＳＯ３Ｎａ、またはＮＨ２であり；そしてＲ６はＨ、ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、Ｉ、Ｎ３、ＳＨ、低級アルキル、Ｓ−アルキルグアニジル、Ｏ−アルキルグアニジル、Ｓ−アミノアルキル、Ｏ−アミノアルキル、アミノアルキル、アラルキル、アリール、ヘテロ環（１つまたは２つ以上）、またはＯＳＯ３Ｎａである。
【請求項２】
Ｒ６がＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、またはＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
下記式の化合物
【化２】
2007538112.tif 000002
式中、Ｒ２はＯＭｅであり；Ｒ３はＯＭｅであり；そしてＲ６はＨ、ＳＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、Ｉ、Ｎ３、ＳＨ、低級アルキル、Ｓ−アルキルグアニジル、Ｏ−アルキルグアニジル、Ｓ−アミノアルキル、Ｏ−アミノアルキル、アミノアルキル、アラルキル、アリール、またはヘテロ環（１つまたは２つ以上）である。
【請求項４】
下記式の化合物
【化３】
2007538112.tif 000003
式中、Ｒ２はＯＨであり；Ｒ３はＯＨであり；そしてＲ６はＳＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、低級アルキル、Ｓ−アルキルグアニジル、Ｏ−アルキルグアニジル、Ｓ−アミノアルキル、Ｏ−アミノアルキル、アラルキル、アリール、またはヘテロ環（１つまたは２つ以上）である。
【請求項５】
下記式の化合物
【化４】
2007538112.tif 000004
式中、Ｒ２はＯＡｃであり；Ｒ３はＯＡｃであり；そしてＲ６はＨ、ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、Ｉ、ＳＨ、低級アルキル、Ｓ−アルキルグアニジル、Ｏ−アルキルグアニジル、Ｓ−アミノアルキル、Ｏ−アミノアルキル、アミノアルキル、アラルキル、アリールまたはヘテロ環（１つまたは２つ以上）である。
【請求項６】
下記式の化合物
【化５】
2007538112.tif 000005
式中、Ｒ２はＯＭｅであり；Ｒ３はＯＳＯ３Ｎａであり；そしてＲ６はＨ、ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、Ｉ、Ｎ３、ＳＨ、低級アルキル、Ｓ−アルキルグアニジル、Ｏ−アルキルグアニジル、Ｓ−アミノアルキル、Ｏ−アミノアルキル、アミノアルキル、アラルキル、アリールまたはヘテロ環（１つまたは２つ以上）である。
【請求項７】
下記式の化合物
【化６】
2007538112.tif 000006
式中、Ｒ２はＯ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎであり；Ｒ３はＨ、ＯＡｃ、ＯＭｅ、ＯＳＯ３Ｎａ、またはＮＨ２であり；そしてＲ６はＨ、ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、Ｉ、Ｎ３、ＳＨ、低級アルキル、Ｓ−アルキルグアニジル、Ｏ−アルキルグアニジル、Ｓ−アミノアルキル、Ｏ−アミノアルキル、アミノアルキル、アラルキル、アリール、ヘテロ環（１つまたは２つ以上）、またはＯＳＯ３Ｎａである。
【請求項８】
下記式の化合物
【化７】
2007538112.tif 000007
式中、Ｒ２はＯ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎであり；Ｒ３はＯＨであり；そしてＲ６はＨ、ＳＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、Ｉ、Ｎ３、ＳＨ、低級アルキル、Ｓ−アルキルグアニジル、Ｏ−アルキルグアニジル、Ｓ−アミノアルキル、Ｏ−アミノアルキル、アミノアルキル、アラルキル、アリール、ヘテロ環（１つまたは２つ以上）、またはＯＳＯ３Ｎａである。
【請求項９】
下記式の化合物
【化８】
2007538112.tif 000008
式中、Ｒ２はＯＨであり；Ｒ３はＨ、ＯＡｃ、ＯＭｅ、ＯＳＯ３Ｎａ、またはＮＨ２であり；そしてＲ６はＨ、ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、Ｉ、Ｎ３、ＳＨ、低級アルキル、Ｓ−アルキルグアニジル、Ｏ−アルキルグアニジル、Ｓ−アミノアルキル、Ｏ−アミノアルキル、アミノアルキル、アラルキル、アリール、ヘテロ環（１つまたは２つ以上）、またはＯＳＯ３Ｎａである。
【請求項１０】
下記式の化合物
【化９】
2007538112.tif 000009
式中、Ｒ２はＯＡｃであり；Ｒ３はＨ、ＯＨ、ＯＭｅ、ＯＳＯ３Ｎａ、またはＮＨ２であり；そしてＲ６はＨ、ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、Ｉ、Ｎ３、ＳＨ、低級アルキル、Ｓ−アルキルグアニジル、Ｏ−アルキルグアニジル、Ｓ−アミノアルキル、Ｏ−アミノアルキル、アミノアルキル、アラルキル、アリール、ヘテロ環（１つまたは２つ以上）、またはＯＳＯ３Ｎａである。
【請求項１１】
下記式の化合物
【化１０】
2007538112.tif 000010
式中、Ｒ２はＯＭｅであり；Ｒ３はＨ、ＯＨ、ＯＡｃまたはＮＨ２であり；そしてＲ６はＨ、ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、Ｉ、Ｎ３、ＳＨ、低級アルキル、Ｓ−アルキルグアニジル、Ｏ−アルキルグアニジル、Ｓ−アミノアルキル、Ｏ−アミノアルキル、アミノアルキル、アラルキル、アリール、ヘテロ環（１つまたは２つ以上）、またはＯＳＯ３Ｎａである。
【請求項１２】
Ｒ６がＳＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、またはＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２である、請求項４に記載の化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月1日(2008.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(A)  5.2〜10の多分散度指数値、および25℃におけるキシレン不溶フラクションの13C-NMRによる測定で97.5モル％より高いアイソタクッチクペンタッド(mmmm)含量を有する結晶性プロピレンポリマーを50〜80重量％；該ポリマーはプロピレンホモポリマーならびにプロピレン由来の繰返し単位を少なくとも95重量％含む、プロピレンと、エチレンおよび式H2C=CHR（ここで、RはC2-6の直鎖状または分枝鎖状のアルキル基である）のα-オレフィンから選択される少なくとも一つのコモノマーとのコポリマーから選択される；
(B)  エチレンと、プロピレンおよび式H2C=CHR（ここで、RはC2-6の直鎖状または分枝鎖状のアルキル基である）の別のα-オレフィンから選択される少なくとも一つのコモノマーとの、第一の弾性コポリマーを5〜20重量％；該第一の弾性コポリマーはエチレンを25重量％〜40重量％未満含み、室温で85より高く95重量％までの量でキシレンに可溶であり、そのキシレン可溶のフラクションの極限粘度[η]は2.5〜4.5 dL/gの範囲にある
；および
(C)  エチレンと、プロピレンおよび式H2C=CHR（ここで、RはC2-6の直鎖状または分枝鎖状のアルキル基である）の別のα-オレフィンから選択される少なくとも一つのコモノマーとの、第二の弾性コポリマーを10〜40重量％；該第二の弾性コポリマーはエチレンを50〜75重量％まで含み、50〜85重量％の量で室温でキシレンに可溶で、そのキシレン可溶のフラクションの極限粘度[η]は1.8〜4.0 dL/gの範囲にある；を含むヘテロ相ポリオレフィン組成物であり、
ここで、成分(A)〜(C)の全量に基づいて、コポリマー(B)およびコポリマー(C)の量の和は20〜45重量％の範囲であり、成分(A)〜(C)の全量に基づいてエチレンの全量は23重量％までであり、室温でキシレンに不溶なフラクションの重量％(％XIF)を掛けた、室温でキシレンに不溶なフラクションのエチレン含量(C2xif)と、室温でキシレンに可溶なフラクションの重量％(％SXF)を掛けた、室温でキシレンに可溶なフラクションのエチレン含量(C2xsf)との比、すなわち、(C2xif×％XIF)/(C2xsf×％SXF)は、次の関係(I)：
【数１】
2007538119.tif 000001
（ここで、xはエチレンの全量である）
を満たす、前記ヘテロ相ポリオレフィン組成物。
【請求項２】
最初の工程以外の各工程において、先の工程で形成されたポリマーおよび先の工程で用いられた触媒の存在下に操作され、成分(A)、(B)および(C)が別々の連続した工程で製造される、少なくとも三つの連続工程を含む、請求項１に記載のオレフィンポリマー組成物を製造するための重合方法。
【請求項３】
重合触媒が、
a)  Mg、Tiおよびハロゲンならびにスクシネート、好ましくは、次の式(I)：
【化１】
2007538119.tif 000002
（式中、基R1およびR2は、互いに同一または異なって、任意にヘテロ原子を含んでいてもよい、C1-C20の直鎖状または分枝鎖状のアルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アリールアルキルもしくアルキルアリール基であり；基R3〜R6は、互いに同一または異なって、水素、あるいは任意にヘテロ原子を含んでいてもよい、C1-C20の直鎖状または分枝鎖状のアルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アリールアルキルもしくはアルキルアリール基であり、同一の炭素原子に結合した基R3〜R6は一緒になって環を形成し得る；但し、R3〜R5が同時に水素であるとき、R6は3〜20の炭素原子を有する、一級の分枝状の、二級のまたは三級のアルキル基、シクロアルキル、アリール、アリールアルキルまたはアルキルアリール基、または任意にヘテロ原子を含んでいてもよい、少なくとも四つの炭素原子を有する直鎖状アルキル基から選択される基である）；または、次の式(II)：
【化２】
2007538119.tif 000003
（式中、基R1およびR2は、互いに同一または異なって、任意にヘテロ原子を含んでいてもよい、C1-C20の直鎖状または分枝鎖状のアルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール、アリールアルキルもしくはアルキルアリール基であり、基R3は任意にヘテロ原子を含んでいてもよい、少なくとも四つの炭素原子を有する直鎖状アルキル基である）
のスクシネートから選択される電子供与体；
b)  アルキルアルミニウム化合物および、任意に
c)  一以上の電子供与性化合物（外部供与体）
を含む、固形触媒成分を含むチーグラー-ナッタ触媒である、請求項３に記載の重合方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月19日(2008.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性合金用のペレット化された形態である非架橋改質剤であって、
エチレンとα−オレフィンから成る２０〜８０重量％のインターポリマーであって、当該α−オレフィンは４〜１２の炭素原子を有し、更にグラフト化前の状態においてメルト・インデックス０．３〜１００及び密度０．８５〜０．９１を有する０．１〜４重量％の無水マレイン酸を用い、前記改質剤に基づき、当該α−オレフィンはグラフト化されていることを特徴とするインターポリマーと、
インターポリマーを含むグラフト化されていない８０〜２０重量％のジエンであって、当該インターポリマーはNMRによって決定される少なくとも４０重量％のエチレン由来の誘導単位成分と、3〜１２の炭素原子を有するα−オレフィンの成分とを有し、更に１５０℃以上の融点を有する縮合ポリマーを用いた後続の溶融混合の間に架橋させるのに有効量の架橋成分を含むジエンと、
から成ることを特徴とする前記非架橋改質剤
【請求項２】
前記グラフト化されたインターポリマーが、グラフト化前の状態において、５０未満のメルト・インデックスと、０．８９未満の密度を有することを特徴とする請求項１に記載の改質剤。
【請求項３】
前記グラフト化されたエチレン・インターポリマーが、グラフト化されていないＥＰＤＭに対して、４０重量％以上９５重量％以下の量で存在することを特徴とする請求項１又は2に記載の改質剤。
【請求項４】
インターポリマーを含む前記グラフト化されていないジエンが、１０〜１００のムーニー粘度［ＭＬ（１＋４）１２５℃］として表される分子量を有し、０．１〜３重量％のＶＮＢ誘導単位を含むエチレン・プロピレン・ビニルノルボルネン・インターポリマー、及び／又はエチレン・プロピレン・エチリデン・ノルボルネン・ビニルノルボルネン・インターポリマーであることを特徴とする請求項１〜3のいずれか１項に記載の改質剤。
【請求項５】
１０重量％以上及び／又は５０重量％未満のエキステンダーオイルを含むことを特徴とする請求項１〜4のいずれか１項に記載の改質剤。
【請求項６】
０．５〜５重量％の助剤と結合して用いられる過酸化架橋成分又はフェノール樹脂架橋成分を含むことを特徴とする請求項１〜5のいずれか1項に記載の改質剤。
【請求項７】
縮合ポリマーとの混合調製における、請求項１〜6のいずれか1項に記載のペレット化され、均一な非架橋改質剤の使用方法であって、前記縮合ポリマーが、架橋成分の硬化作用が引き起される温度以上の温度で全混合物を溶融混合することにより前記マトリックス成分を形成する方法。
【請求項８】
溶融混合によって得られる熱可塑性合金であって、
ａ）極性基、及び１５０℃以上の融点を有し、全ポリマー量の２０〜６０重量％を有する縮合ポリマーのポリマーと、
ｂ）８０重量％以下の架橋分散エラストマー性改質剤であって、
エチレンとα−オレフィンから成る２０〜８０重量％のインターポリマーであって、当該α−オレフィンは４〜１２の炭素原子を有し、更にグラフト化前の状態においてメルト・インデックス０．３〜１００及び密度０．８５〜０．９１を有する０．１〜４重量％の無水マレイン酸を用い、前記改質剤に基づき、当該α−オレフィンはグラフト化されていることを特徴とするインターポリマーと、
グラフト化されていない８０〜２０重量％のエチレン・プロピレン・ビニルノルボルネン・インターポリマー、及び／又はグラフト化されていないエチレン・プロピレン・エチリデン・ノルボルネン・ビニルノルボルネン・インターポリマーであって、当該インターポリマーは０．１〜３重量％のＶＮＢ誘導単位成分と、４０重量％以上のＮＭＲにより決定されるエチレン誘導単位成分を含み、１０〜１００のムーニー粘度［ＭＬ（１＋４）１２５℃］として表される分子量を有することを特徴とするインターポリマーとからなる架橋分散エラストマー性改質剤と、
から成る熱可塑性合金であり、
当該熱可塑性合金は１００ＭＰａ〜７００ＭＰａの曲げ弾性係数を有することを特徴とする熱可塑性合金。
【請求項９】
前記縮合ポリマーが、極性アミド基を有するポリアミドであり、好ましくはナイロン６であることを特徴とする請求項8に記載の合金。
【請求項１０】
前記縮合ポリマーが、ガラスビーズ、ガラス繊維又は無機充填剤及びそれらの組合わせのような充填剤を含み、前記縮合ポリマーは縮合ポリマーの重量を基準として５０重量%以上の当該充填剤を含むことを特徴とする請求項8又は9に記載の熱可塑性合金。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年3月31日(2008.3.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
ポリプロピレンをベースとし０．５〜１２ｇ／１０分のメルトインデックスＭＦＩ（２３０℃／２．１６ｋｇ）を有する５０〜９０重量％の合成樹脂およびポリエチレンをベースとし５０ｇ／１０分より小さいメルトインデックスＭＦＩ（１９０℃／２．１６ｋｇ）を有する１０〜５０重量％の合成樹脂を含有する、ポリオレフィンをベースとする密度０．０３〜０．２ｇ／ｃｍ３の合成樹脂発泡体材料において、該合成樹脂発泡体材料が架橋した２０〜７０重量％のポリオレフィン成分を含有しそしてポリエチレンをベースとする合成樹脂が２ｇ／１０分より小さくそして０．０５ｇ／１０分より大きいメルトインデックスＭＦＩ（１９０℃／２．１６ｋｇ）を有することを特徴とする、上記合成樹脂発泡体材料。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、ポリプロピレンをベースとし０．５〜１２ｇ／１０分のメルトインデックスＭＦＩ（２３０℃／２．１６ｋｇ）を有する５０〜９０重量％の合成樹脂およびポリエチレンをベースとし５０ｇ／１０分より小さいメルトインデックスＭＦＩ（１９０℃／２．１６ｋｇ）を有する１０〜５０重量％の合成樹脂を含有する、ポリオレフィンをベースとする密度０．０３〜０．２ｇ／ｃｍ３の合成樹脂発泡体材料およびそれを自動車、飛行機等において内装カバーまたは内装カバー部材の製造に用いる方法に関する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
従って、本発明の対象は、ポリプロピレンをベースとし０．５〜１２ｇ／１０分のメルトインデックスＭＦＩ（２３０℃／２．１６ｋｇ）を有する５０〜９０重量％の合成樹脂およびポリエチレンをベースとし５０ｇ／１０分より小さいメルトインデックスＭＦＩ（１９０℃／２．１６ｋｇ）を有する１０〜５０重量％の合成樹脂を含有しそして合成樹脂発泡体材料が０．０３〜０．２ｇ／ｃｍ３の密度を有する、ポリオレフィンをベースとする合成樹脂発泡体材料において、該合成樹脂発泡体材料が２０〜７０重量％の架橋したポリオレフィン成分を含有しそしてポリエチレンをベースとする合成樹脂が２ｇ／１０分より小さくそして０．０５ｇ／１０分より大きいメルトインデックスＭＦＩ（１９０℃／２．１６ｋｇ）を有することを特徴とする、上記合成樹脂発泡体材料である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
【表１】
2007538124.tif 000001
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
【表２】
2007538124.tif 000002
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
【表４】
2007538124.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月17日(2008.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
オートバイ（１００）の事故防止用ヘルメット（１）に対する安全システムであって、前記事故防止用ヘルメット（１）内に設置され、前記オートバイ（１００）内に設置された制御装置（１１０）と電波を介して（無線で）通信を行う安全装置（１０）を備え、
前記制御装置（１１０）は、前記オートバイの電源（１２０）と点火システム（１２１）の間に置かれ、前記事故防止用ヘルメットの安全装置（１０）内に設置された無線通信装置（１９）と通信を行う無線通信装置（１１９）により駆動される、通常は開いているスイッチ（Ｔ２）を備え、
前記安全装置（１０）は、ユーザーによる前記事故防止用ヘルメットの使用を検出するように適合され、従って、前記スイッチ（Ｔ２）を閉じ、前記オートバイの点火を可能にするように、前記事故防止用ヘルメットの通信システム（１９）を使用可能にして、前記オートバイの通信システム（１１９）と通信するための指令信号を送るように適合された検出手段（１５、５、１３、１４）を備えることを特徴とする安全システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上向きの非対称形状をしたチャンネル構造体（１１）を有し床構造体に沿って延在する細長いデッキ（１０）からなり、該デッキ（１０）の端部間を延在し該デッキ（１０）の中立軸線の下方において該デッキ（１０）の長手方向に沿うチャンネル内に位置しているテンションロッド（４０）を含んでいる、与圧されたデッキ構造の床構造体において、前記チャンネル構造体（１１）は非対称形状をしており、前記中立軸線が中央水平面よりも上方に位置していることを特徴とする床構造体。
【請求項２】
前記デッキ（１０）の各端部に取着された加圧ブラケット（２０）を含むことを特徴とする請求項１に記載の床構造体。
【請求項３】
前記テンションロッド（４０）が各加圧ブラケット（２０）に連結されていることを特徴とする請求項２に記載の床構造体。
【請求項４】
各加圧ブラケット（２０）が前記テンションロッド（４０）の上方で前記デッキ（１０）に取着されていることを特徴とする請求項２また３に記載の床構造体。
【請求項５】
前記加圧ブラケット（２０）が上向きに延びているチャンネル（１１）の側壁（１３）に取着されていることを特徴とする請求項４に記載の床構造体。
【請求項６】
前記テンションロッド（４０）が各加圧ブラケット（２０）内に位置するローディングブッシュ（４１）を貫通していることを特徴とする請求項５に記載の床構造体。
【請求項７】
各加圧ブラケット（２０）がローディング面（２１）並びに上部フランジ（２２）、下部フランジ（２３）および２つの対向する側フランジ（２４）を形成するよう曲げられたシート状材料により形成されていることを特徴とする請求項２〜６の何れか１項に記載の床構造体。
【請求項８】
各フランジ（２２、２３、２４）がローディング面（２１）に実質的に直交して延在することを特徴とする請求項７に記載の床構造体。
【請求項９】
前記ローディングブッシュ（４１）がローディング面（２１）の孔（２６）に位置されていることを特徴とする請求項７に記載の床構造体。
【請求項１０】
連結手段（５０）が前記テンションロッド（４０）を前記デッキ（１０）にその中間位置で連結していることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の床構造体。
【請求項１１】
前記連結手段（５０）がサポートクリップ（５０）であることを特徴とする請求項１０に記載の床構造体。
【請求項１２】
前記サポートクリップ（５０）が弾性材料製であることを特徴とする請求項１１に記載の床構造体。
【請求項１３】
前記サポートクリップ（５０）がばね鋼製であることを特徴とする請求項１２に記載の床構造体。
【請求項１４】
断熱材（５１）が前記テンションロッド（４０）と前記デッキ（１０）の間に設けられていることを特徴とする請求項１〜１３の何れか１項に記載の床構造体。
【請求項１５】
前記デッキ（１０）がチャンネル（１１）の横方向に延在する上部フランジ（１５）を有していることを特徴とする請求項１〜１４の何れか１項に記載の床構造体。
【請求項１６】
前記フランジ（１５）がその長手縁部に沿って延在する連結構造体（１６、１７）を有しており、デッキ（１０）が隣接するデッキ（１０）と互いにサイド  バイ  サイド配置で係合するようになっていることを特徴とする請求項１５に記載の床構造体。
【請求項１７】
前記デッキ（１０）が一つの上部フランジ（１５）の縁部に沿って延在する雄構造体（１７）と他の上部フランジ（１５）の縁部に沿って延在し他のデッキ（１０）の雄構造体（１７）を受け入れるようになっている雌構造体（１６）とを有していることを特徴とする請求項１６に記載の床構造体。
【請求項１８】
前記デッキ（１０）が取り付けられたサポート桁構造体（４４）を有していることを特徴とする請求項１〜１７の何れか１項に記載の床構造体。
【請求項１９】
スタッド（４５）がＩビーム（４４）の上部フランジの上方からデッキ（１０）により支承されたコンクリート床（５３）に延在していることを特徴とする請求項１８に記載の床構造体。
【請求項２０】
横方向ロッド（５２）が前記デッキ（１０）を横切って延在していることを特徴とする請求項１〜１９の何れか１項に記載の床構造体。
【請求項２１】
前記横方向ロッド（５２）を前記デッキ（１０）の上方で支持するスペーサーブロックを含んでいることを特徴とする請求項２６に記載の床構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月9日(2008.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モノクローナル抗体の治療的有効量と同時投与される、被検体において癌を処置するための、IL-21ポリペプチドまたはSEQ ID NO:2においてアミノ酸残基30位から残基162位までに示されるIL-21ポリペプチドの断片の治療的有効量を含む組成物。
【請求項２】
抗CD20モノクローナル抗体の治療的有効量と同時投与される、被験体において癌を処置するための、IL-21ポリペプチドまたはSEQ ID NO:2においてアミノ酸残基30位から残基162位までに示されるIL-21ポリペプチドの断片の治療的有効量を含む組成物。
【請求項３】
モノクローナル抗体がリツキシマブである、請求項2記載の組成物。
【請求項４】
癌が非ホジキンリンパ腫である、請求項2記載の組成物。
【請求項５】
被験体がヒト患者である、請求項2記載の組成物。
【請求項６】
リツキシマブおよびIL-21ポリペプチドが、最長で連続した8週間、週に1回、投与される、請求項3記載の組成物。
【請求項７】
最長で連続した8週間、リツキシマブが週に1回投与され、かつIL-21ポリペプチドが週に5回まで投与される、請求項3記載の組成物。
【請求項８】
IL-21ポリペプチド用量が10 μg/kg/用量から500 μg/kg/用量までである、請求項3記載の組成物。
【請求項９】
患者が以前にリツキシマブで処置され、感知できる腫瘍寛解または退縮を示さなかった、請求項5記載の組成物。
【請求項１０】
患者がリツキシマブ治療を受けた後再発した、請求項5記載の組成物。
【請求項１１】
抗CD20モノクローナル抗体の治療的有効量と同時投与される、被験体において癌を処置するための、IL-21ポリペプチドまたはSEQ ID NO:2においてアミノ酸残基30位から残基162位までに示されるIL-21ポリペプチドの断片の治療的有効量を含む組成物であって、IL-21の投与が最適な免疫学的応答をもたらす、組成物。
【請求項１２】
Her-2/neu受容体に結合するモノクローナル抗体と同時投与される、被験体において癌を処置するための、IL-21ポリペプチドまたはSEQ ID NO:2においてアミノ酸残基30位から残基162位までに示されるIL-21ポリペプチドの断片を含む組成物。
【請求項１３】
被験体がヒト患者である、請求項12記載の組成物。
【請求項１４】
モノクローナル抗体がトラスツツマブ(trastuzumab)である、請求項13記載の組成物。
【請求項１５】
細胞傷害性Tリンパ球関連抗原4(CTLA-4)に結合するモノクローナル抗体と同時投与される、被験体において癌を処置するための、IL-21ポリペプチドまたはSEQ ID NO:2においてアミノ酸残基30位から残基162位までに示されるIL-21ポリペプチドの断片を含む組成物。
【請求項１６】
被験体がヒト患者である、請求項15記載の組成物。
【請求項１７】
抗CTLA-4モノクローナル抗体が、3週間ごとに4サイクル間、3 mg/kgの用量で投与され、かつIL-21ポリペプチドまたは断片が、最長で8週間、週に1回から5回投与される、請求項16記載の組成物。
【請求項１８】
IL-21ポリペプチド用量が10 μg/kg/用量から500 μg/kg/用量までである、請求項17記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月15日(2008.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒトを別の抗癌療法に増感させるための医薬の製造におけるカンホスファミドまたはその塩の使用。
【請求項２】
ヒトにおける別の抗癌療法の副作用を軽減するための医薬の製造におけるカンホスファミドまたはその塩の使用。
【請求項３】
該カンホスファミドの塩がカンホスファミド・塩酸である請求項1または2記載の使用。
【請求項４】
該別の抗癌療法が化学療法、分子標的療法、生物学的療法、および放射線療法の1またはそれ以上から選ばれる請求項1〜3のいずれかに記載の使用。
【請求項５】
該別の抗癌療法が、アルキル化剤、抗代謝薬、天然産物、ホルモンまたはホルモンアンタゴニスト、種々の薬剤、機能的療法剤、遺伝子療法剤、アンチセンス療法剤、チロシンキナーゼインヒビター、遺伝子発現モジュレーター、表現型指向療法剤、モノクローナル抗体、イムノトキシン、ラジオイムノコンジュゲート、癌ワクチン、インターフェロン、およびインターロイキンの1またはそれ以上の投与である請求項4記載の使用。
【請求項６】
該別の抗癌療法が、ブスルファン、チオテパ、クロランブシル、サイクロホスファミド、エストラムスチン、イホスファミド、メクロレタミン、メルファラン、ウラムスチン、カルムスチン、ロムスチン、ストレプトゾシン、ダカルバジン、プロカルバジン、テモゾラミド、シスプラチン、カルボプラチン、オキサリプラチン、サトラプラチン、ピコプラチン、メトトレキセート、ペルメトレキセド、ラルチトレキセド、トリメトレキセート、クラドリビン、クロロデオキシアデノシン、クロファラビン、フルダラビン、メルカプトプリン、ペントスタチン、チオグアニン、アザシチジン、カペシタビン、シタラビン、エダトレキセート、フロクスウリジン、フルオロウラシル、ゲムシタビン、トロキサシタビン、ブレオマイシン、ダクチノマイシン、ミトラマイシン、マイトマイシン、ミトキサントロン、ポルフィロマイシン、ダウノルビシン、 ドキソルビシン、リポソーマルドキソルビシン、エピルビシン、イダルビシン、バルルビシン、L-アスパラギナーゼ、PEG-L-アスパラギナーゼ、パクリタキセル、ドセタキセル、ビンブラスチン、ビンクリスチン、ビンデシン、ビノレルビン、イリノテカン、トポテカン、アムサクリン、エトポシド、テニポシド、フルオキシメステロン、テストラクトン、ビカルタミド、シプロテロン、フルタミド、ニルタミド、アミノグルテチミド、アナストロゾール、メキセメスタン、ホルメスタン、レトロゾール、デキサメサゾン、プレドニゾン、ジメチルスチルベストロール、フルベストラント、ラロキシフェン、タモキシフェン、トレミフィン、ブセレリン、ゴセレリン、ロイプロリド、トリプトレリン、メドロキシプロゲステロンアセテート、メゲストロールアセテート、レボチロキサン、リオチロニン、アルトレタミン、アルセニックトリオキシド、硝酸ガリウム、ヒドロキシウレア、レバミゾール、マイトタン、オクトレオチド、 スラミン、タリドミド、レナリドミド、メトクスサレン、ナトリウムポルフィマー、ボルテゾミブ、エルロチニブ・塩酸、ゲフィチニブ、イマチニブメシレート、セマキサニブ、アダパレン、ベキサロテン、トランス-レチノイン酸、9-シス-レチノイン酸、N-(4-ヒドロキシフェニル)レチナミド、アレムツズマブ、ベバシズマブ、セツキシマブ、イブリツモマブチウキセタン、リツキシマブ、トラスツズマブ、ゲムツズマブオゾガミシン、131I-トシツモマブ、インターフェロン-α2a、インターフェロン-α2b、アルデスロイキン、デニロイキンジフチトックス、およびオプレルヴェキンの1またはそれ以上の投与である請求項5記載の使用。
【請求項７】
該別の抗癌療法が、所望によりさらにゲムシタビンまたはタキサンと組み合わせたプラチナ化合物；ゲムシタビン；タキサン；アントラサイクリン；所望によりさらにカペシタビンまたはフルオロウラシル/ロイコボリンと組み合わせたオキサリプラチン；およびさらにビンカアルカロイドと組み合わせたゲムシタビンまたはプラチナ化合物の投与である請求項5記載の使用。
【請求項８】
該別の抗癌療法がシスプラチンまたはカルボプラチンの投与である請求項7記載の使用。
【請求項９】
該別の抗癌療法が単独療法としてシスプラチンまたはカルボプラチンの投与である請求項8記載の使用。
【請求項１０】
該別の抗癌療法が、化学療法、分子標的療法、生物学的療法、または放射線療法の2またはそれ以上の投与である請求項5記載の使用。
【請求項１１】
該別の抗癌療法が2またはそれ以上の化学療法剤の投与である請求項5記載の使用。
【請求項１２】
該別の抗癌療法が放射線療法を含む請求項4記載の使用。
【請求項１３】
該別の抗癌療法が放射線療法を含む請求項12記載の使用。