【手続補正書】
【提出日】平成20年1月15日(2008.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
偏光変調光学素子であって、
当該偏光変調光学素子は厚さプロファイルを有しており、または厚さプロファイルを含み、
光軸を有する旋光性結晶から成り、または光軸を有する旋光性結晶を含み、
前記旋光性結晶の前記光軸の方向において測定される前記厚さプロファイルは可変であり、
前記偏光変調光学素子は、第１の直線偏光分布を有する入射光束を、第２の直線偏光分布を有する出射光束に変換し、前記第１の直線偏光分布は前記第２の直線偏光分布と異なり、
前記出射光束の偏光分布は近似的に接線偏光分布であるか、または近似的に放射状偏光分布である、
ことを特徴とする偏光変調光学素子。
【請求項２】
第１の直線偏光光線および第２の直線偏光光線の各振動面はそれぞれ、第１の回転角度および第２の回転角度によって回転され、前記第１の回転角度は前記第２の回転角度と異なる、請求項１記載の偏光変調光学素子。
【請求項３】
前記旋光性結晶は水晶、ＴｅＯ２またはＡｇＧａＳ２である、請求項１または２記載の偏光変調光学素子。
【請求項４】
前記偏光変調光学素子は実質的に旋光性結晶の光軸の方向に配向されている素子軸を有しており、
前記厚さプロファイルは当該素子軸に関連して変化し、当該変化は方位角θにのみ依存し、当該方位角θは基準軸から測定され、当該基準軸は前記素子軸に対して垂直に延在し、前記素子軸と交差する、
請求項１から３までのいずれか１項記載の偏光変調光学素子。
【請求項５】
前記厚さプロファイルは半径に沿って一定の値を有しており、
当該半径は、前記素子軸に対して垂直に、かつ前記基準軸に相対して角度θで配向されている、請求項４記載の偏光変調光学素子。
【請求項６】
前記厚さプロファイルの方位部分ｄ（ｒ＝定数，θ）は、方位角１０°＜θ＜３５０°の領域において、かつ前記素子軸から一定の距離ｒで、方位角θの一次関数であり、
前記方位部分はスロープｍを有しており、当該スロープは式
【数１】
2007527549.tif 000001
に実質的に一致し、ここでαは旋光性結晶の比旋光度をあらわしている、
請求項４または５記載の偏光変調光学素子。
【請求項７】
前記方位部分ｄ（ｒ＝定数，θ）は、実質的に、方位角θ＝０°で跳躍のような３６０°／αの上昇を有する、請求項６記載の偏光変調光学素子。
【請求項８】
前記厚さプロファイルｄ（ｒ，θ）の方位部分ｄ（ｒ＝定数，θ）は、方位角１０°＜θ＜１７０°および１９０°＜θ＜３５０°の領域において、かつ前記素子軸から一定の距離ｒで前記方位角θの一次関数であり、
当該方位部分はスロープｍを有しており、当該スロープは式
【数２】
2007527549.tif 000002
に実質的に一致し、ここでαは旋光性結晶の比旋光度をあらわしている、
請求項４または５記載の偏光変調光学素子。
【請求項９】
前記方位部分ｄ（ｒ＝定数，θ）は、実質的に、方位角θ＝０°およびθ＝１８０°で跳躍のような１８０°／αの上昇を有する、請求項８記載の偏光変調光学素子。
【請求項１０】
前記厚さプロファイルｄ（ｒ，θ）の方位部分ｄ（ｒ＝定数，θ）は前記素子軸から一定の距離ｒで、かつ１０°＜θ＜１７０°の第１方位角領域において前記方位角θの一次関数であり、ここで第１のスロープｍを伴っており、
１９０°＜θ＜３５０°の第２方位角領域において、前記方位部分は前記方位角θの一次関数であり、ここで第２のスロープｎを伴っており、
前記スロープｍとｎは同じ絶対値を有しているが、反対の符号を有しており、前記スロープｍとｎの大きさは、
【数３】
2007527549.tif 000003
と一致し、ここでαは旋光性結晶の比旋光度をあらわしている、請求項４または５記載の偏光変調光学素子。
【請求項１１】
前記偏光変調光学素子は、異なる厚さまたは異なる光学的有効厚さを有する少なくとも２つの平面平行部分から成る、または、異なる厚さまたは異なる光学的有効厚さを有する少なくとも２つの平面平行部分を含む、請求項１から５までのいずれか１項記載の偏光変調光学素子。
【請求項１２】
第１の平面平行部分の対が、前記偏光変調光学素子の中央素子軸の向かいあっている側に配置されており、第２の平面平行部分の対が前記素子軸の向かいあっている側に配置され、前記第１の平面平行部分に関連して前記素子軸の周りで円周方向にずらされており、
前記第１の部分はそれぞれ、前記各第２の部分の厚さまたは光学的有効厚さと異なる厚さまたは光学的有効厚さを有している、請求項１１記載の偏光変調光学素子。
【請求項１３】
偏光変調光学素子を通る直線偏光光の振動面は、第１の回転角度β１で前記第１の平面平行部分の少なくとも１つ内で回転され、第２の回転角度β２で前記第２の平面平行部分の少なくとも１つ内で回転され、
従ってβ１およびβ２は実質的に式｜β２−β１｜＝（２ｎ+１）・９０°に一致し、ここでｎは整数をあらわす、請求項１２記載の偏光変調光学素子。
【請求項１４】
前記厚さプロファイルまたは有効光学厚さのプロファイルは連続的な形状を有している、請求項１から５までのいずれか１項記載の偏光変調光学素子。
【請求項１５】
素子直径Ｄおよび最小厚さｄｍｉｎを有しており、当該最小厚さｄｍｉｎは少なくとも、前記素子直径Ｄの０．００２倍に等しい、請求項１から１４までのいずれか１項記載の偏光変調光学素子。
【請求項１６】
前記厚さプロファイルは最小厚さ
【数４】
2007527549.tif 000004
を有しており、ここでαは旋光性結晶の比旋光度をあらわしており、Ｎは正の整数をあらわしている、請求項１から１５までのいずれか１項記載の偏光変調光学素子。
【請求項１７】
前記偏光変調光学素子は中央開口部または中央掩蔽部を有している、請求項１から１６までのいずれか１項記載の偏光変調光学素子。
【請求項１８】
前記偏光変調光学素子は、第１の直線偏光分布を有する入射光束を、第２の直線偏光分布を有する出射光束に変換し、前記入射光束は複数の光線から成り、当該光線は、旋光性結晶の光軸に対して相対的に角度分布を有しており、当該角度分布は１００ｍｒａｄを超えない最大入射角度を有している、請求項１から１７までのいずれか１項記載の偏光変調光学素子。
【請求項１９】
偏光変調光学素子であって、
第１の直線偏光光線の振動面と、第２の直線偏光光線の振動面はそれぞれ第１の回転角度と第２の回転角度で回転され、
前記第１の回転角度は前記第２の回転角度は異なっており、
前記偏光変調光学素子は旋光性材料から成る、または旋光性材料を含む、
ことを特徴とする偏光変調光学素子。
【請求項２０】
異なる厚さまたは異なる有効光学厚さの少なくとも２つの平面平行部分を有している、請求項１９記載の偏光変調光学素子。
【請求項２１】
第１の平面平行部分の対が前記偏光変調光学素子の中央素子軸の反対側に配置されており、第２の平面平行部分の対が前記素子軸の反対側に配置されており、かつ前記第１の平面平行部分に関連して前記素子軸の周りで円周方向にずらされており、
前記第１の部分はそれぞれ、前記各第２の部分の厚さまたは有効光学厚さと異なる厚さまたは有効光学厚さを有している、請求項１９または２０記載の偏光変調光学素子。
【請求項２２】
請求項１から２１までのいずれか１項記載の偏光変調光学素子を有する光学装置であって、
前記光学装置が構成され、少なくとも１つのさらなる偏光変調光学素子が光路内に挿入される、
ことを特徴とする光学装置。
【請求項２３】
前記さらなる偏光変調光学素子は、請求項１から２１の少なくとも１項に記載された偏光変調光学素子を含む、請求項２２記載の光学装置。
【請求項２４】
前記さらなる偏光変調光学素子は、旋光性結晶の平面平行板および／または旋光性液体または非旋光性液体を伴うキュベットを含む、請求項２２記載の光学装置。
【請求項２５】
前記さらなる偏光変調光学素子は、相互に相対して４５°回転されている２つの半波長板から成るロテータを含む、請求項２２記載の光学装置。
【請求項２６】
さらなる偏光変調光学素子は、前記光学装置を通過する直線偏光光線の振動面を９０°回転させる、請求項２２記載の光学装置。
【請求項２７】
補償板が光学システムの光路内に配置されており、当該補償板は厚さプロファイルを有しており、当該厚さプロファイルは、前記偏光変調光学素子によって生じた、透過された放射線の角度偏差を実質的に補償するように構成されている、請求項２２から２６までのいずれか１項記載の光学装置。
【請求項２８】
投影システムであって、
当該投影システムは放射源と、構造化されたマスクを照明するように操作される照明システムと、前記マスク構造のイメージを感光性基板上に投影する投影対物レンズとを含み、
請求項１から２１までのいずれか１項に記載された前記偏光変調光学素子が前記照明システム内に配置されている、
ことを特徴とする投影システム。
【請求項２９】
請求２２から２７までのいずれか１項に記載された光学装置が前記照明システム内に配置されている、請求項２８記載の投影システム。
【請求項３０】
空気とは異なる屈折率を有する浸液が、前記基板と当該基板に最も近い光学素子との間に存在する、請求項２８または２９記載の投影システム。
【請求項３１】
マイクロ構造化された半導体コンポーネントを製造する方法であって、
請求項２８から３０までのいずれか１項に記載された投影システムを使用するステップを含む、
ことを特徴とする、マイクロ構造化された半導体コンポーネントを製造する方法。
【請求項３２】
光学システムであって、
当該光学システムは、光学システムを通って伝播する光ビームの方向によって与えられる光軸または優先方向を含み、
前記光学システムは、座標系の座標によってあらわされる偏光変調光学素子を含み、
前記座標系の優先座標は前記光軸に対して平行である、または前記優先方向に対して平行であり、
前記偏光変調光学素子は旋光性材料と有効光学厚さのプロファイルを含み、
前記有効光学厚さは少なくとも、前記座標系の優先座標と異なる１つの座標の関数として変化する、
ことを特徴とする光学システム。
【請求項３３】
前記有効光学厚さは、前記偏光変調光学素子の比旋光度の変化によって変化する、請求項３２記載の光学システム。
【請求項３４】
前記有効光学厚さは、前記偏光変調光学素子の幾何学的形状厚さの変化によって変化する、請求項３２記載の光学システム。
【請求項３５】
前記偏光変調光学素子は、旋光性液体または非旋光性液体および／または旋光性結晶を含む、請求項３２から３４までのいずれか１項記載の光学システム。
【請求項３６】
前記偏光変調光学素子は、時計まわりおよび逆時計まわりの旋光性材料を含む、請求項３２から３５までのいずれか１項記載の光学システム。
【請求項３７】
異なる経路で前記光学システムを通って伝播し、前記偏光変調光学素子を通過する第１の直線偏光光線と第２の直線偏光光線の各振動面は、各第１の回転角度と各第２の回転角度によって回転され、
前記第１の角度は前記第２の角度と異なる、請求項３２から３６までのいずれか１項記載の光学システム。
【請求項３８】
前記偏光変調光学素子は、当該偏光変調光学素子に入射する第１の直線偏光分布を有する光束を、前記偏光変調光学素子を出射し、第２の直線偏光分布を有する光束に変換し、前記第２の直線偏光分布は前記第１の直線偏光分布と異なる、請求項３２から３７までのいずれか１項記載の光学システム。
【請求項３９】
偏光コントロールシステムを含み、当該偏光コントロールシステムは光学システムを通って伝播する光ビームの偏光分布を、光学システム内の予め定められた位置でコントロールし、
当該偏光コントロールシステムは、前記偏光変調光学素子の温度および／または温度分布を修正するために、少なくとも１つの加熱デバイスまたは冷却デバイスを含み、光学システム内の予め定められた位置で光ビームの偏光分布に影響を与える、請求項３２から３８までのいずれか１項記載の光学システム。
【請求項４０】
光学システムであって、
当該光学システムは、光軸または、光学システムを通って伝播する光ビームの方向によって与えられる優先方向を含み、
前記光学システムは、座標系の座標によってあらわされる偏光変調光学素子を含み、
前記座標系の優先座標は前記光軸に対して平行である、または前記優先方向に対して平行であり、
前記偏光変調光学素子は固体および／または液体の旋光性材料を含み、
前記有効光学厚さは、前記座標系の優先座標とは異なる少なくとも１つの座標の関数として一定であり、
前記光学システムはさらに、当該光学システムを通って伝播する光ビームの偏光分布を光学システム内の予め定められた位置でコントロールする偏光コントロールシステムを含み、
当該偏光コントロールシステムは、前記偏光変調光学素子の温度および／または温度分布を修正するために、少なくとも１つの加熱デバイスまたは冷却デバイスを含み、光学システム内の予め定められた位置で光ビームの偏光分布に影響を与える、
ことを特徴とする光学システム。
【請求項４１】
前記固体および／または液体の旋光性材料は平行板である、または平行板の形状を有しており、旋光性水晶を含み、当該旋光性水晶の光軸は前記光学システムの光軸に対して平行である、または前記光学システムの優先方向に対して平行である、請求項４０記載の光学システム。
【請求項４２】
前記偏光コントロールシステムは少なくとも１つの温度センサとコントロール回路を含み、前記温度センサは、前記偏光変調光学素子の温度および／または温度分布をあらわす、または前記偏光変調光学素子の温度および／または温度分布に等しい温度センサ値を提供し、
前記コントロール回路は、少なくとも１つの加熱または冷却デバイスを前記温度センサ値に依存して、開ループコントロールまたは閉ループコントロールによってコントロールする、請求項３９から４１までのいずれか１項記載の光学システム。
【請求項４３】
前記偏光コントロールシステムは偏光測定デバイスとコントロール回路を含み、前記偏光測定デバイスは、前記光学システム内の予め定められた位置での光ビームの偏光または偏光分布をあらわす、または前記光学システム内の予め定められた位置での光ビームの偏光または偏光分布に等しい偏光値を提供し、
前記コントロール回路は、少なくとも１つの加熱または冷却デバイスを前記温度センサ値および／または前記偏光値に依存して、開ループコントロールまたは閉ループコントロールによってコントロールする、請求項４２記載の光学システム。
【請求項４４】
前記偏光変調光学素子と、前記光学システム内の予め定められた位置との間に少なくとも１つの付加的な光学素子を含み、前記偏光変調光学素子から前記光学システム内の予め定められた位置へ伝播するときに、光ビームは少なくとも１つの付加的な光学素子と接触する、請求項３９から４３までのいずれか１項記載の光学システム。
【請求項４５】
前記付加的な光学素子は、レンズ、プリズム、ミラー、屈折性または回折性の光学素子または線形複屈折材料を含む光学素子を含む、請求項４４記載の光学システム。
【請求項４６】
前記偏光変調光学素子は、請求項１から２１までの少なくとも１項に記載された偏光変調光学素子を含む、請求項３２から４５までのいずれか１項記載の光学システム。
【請求項４７】
光学システムであって、
当該光学システムは、光軸または、該光学システムを通って伝播する光ビームの方向によって与えられる優先方向を含み、
当該光学システムは、座標系の座標によってあらわされる温度補償された偏光変調光学素子を含み、
前記座標系の１つの優先座標は前記光軸に対して平行である、または前記優先方向に対して平行であり、
前記温度補償された偏光変調光学素子は、第１および第２の偏光変調光学素子を含み、
当該第１および／または第２の偏光変調光学素子は、固体および／または液体の旋光性材料および有効光学厚さを含み、
前記有効光学厚さは、少なくとも、前記座標系の優先座標とは異なる１つの座標の関数として変化し、
付加的または択一的に前記第１および／または第２の偏光変調光学素子は固体および／または液体の旋光性材料を含み、
前記有効光学厚さは、前記座標系の優先座標とは異なる少なくとも１つの座標の関数として一定であり、
前記第１および第２の偏光変調光学素子は、反対の符号の比旋光度を伴う旋光性材料を含み、または、前記第１の偏光変調光学素子は、前記第２の偏光変調光学素子の旋光性材料と比べて反対の符号の比旋光度を伴う旋光性材料を含む、
ことを特徴とする光学システム。
【請求項４８】
前記第１および第２の偏光変調光学素子は、伝播光ビームの方向において第１および第２の厚さを有する平面板であって、当該板は、時計まわりおよび逆時計まわりの比旋光度を有する旋光性水晶から成る、請求項４７記載の光学システム。
【請求項４９】
前記第１および第２の厚さの差の絶対値は、より小さい板の厚さよりも小さい、請求項４８記載の光学システム。
【請求項５０】
少なくとも１つの偏光変調光学素子は旋光性材料または非旋光性材料を含み、当該旋光性材料または非旋光性材料は、当該偏光変調光学素子を通って伝播する光ビームの方向に平行な磁界成分を伴う磁界の影響を受ける、請求項４７から４９までのいずれか１項記載の光学システム。
【請求項５１】
投影システムであって、
当該投影システムは放射源と、構造化されたマスクを照明するように操作される照明システムと、感光性基板上にマスク構造のイメージを投影する投影対物レンズと、請求項３２から５０までのいずれか１項記載の光学システムを含む、
ことを特徴とする投影システム。
【請求項５２】
空気とは異なる屈折率を有する液浸媒体が、前記基板と当該基板に最も近い光学素子の間に存在する、請求項５１記載の投影システム。
【請求項５３】
請求項５１または５２のいずれか１項に記載された投影システムを使用するステップを含む、
ことを特徴とする、マイクロ構造化された半導体コンポーネントを製造する方法。