【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年4月8日(2008.4.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
しかし、絶縁トレンチゲート１１,１６を形成した後に注入を実行するこのシーケンスにより、図１に示されるように、ＭＯＳＦＥＴのエッジには注入がなされない。かくして、Ｐボディ（またはより深いＰ型領域）が、例えば、アクティブデバイスエリア１２０のエッジ終端にあるゲート接合パッド１１４および／またはフィールドプレート１１４へのゲート配線１１０の下側に封入されることは妨げられる。Ｐボディ（またはより深いｐ型領域）の不存在は、早期の電圧破壊と、耐久性の喪失とを生じさせる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
本発明は、ＭＯＳＦＥＴ装置のゲート配線の下に（チャネル収容領域の終端拡張部分、ガードリングおよび耐久性領域の少なくとも一つのような）エッジ領域を設けるために使用できる点で有利である。これは、トレンチゲート型セル型パワーＭＯＳＦＥＴに非常に有利に使用することができる。具体的なトレンチゲートの特徴は、請求項１から５,１１および１２に記載されている。しかし、本発明は、他のタイプの半導体装置、例えば、バイポーラトランジスタ、或いは、場合によっては集積回路におけるエッジ領域の上に配線を設けるため使用できる点で有利である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
典型的には、導電性フィンガーは、導電的にドープされたポリシリコンから形成される。この導電性ドーピングは、ポリシリコンに対して特別のステップおよび／または装置領域のため使用されるドーピングステップで実行してもよい。ポリシリコン製フィンガーの導電率は、ポリシリコンの少なくとも一部を金属シリサイドに変換することによって高められる。このシリサイド化は、エッジ領域のためのドーピングステップ（ｂ）の前または後に実行することが可能である。しかし、フィンガーのために他の材料を用いることが可能である。かくして、例えば、フィンガーは、耐熱性金属および／または金属の組み合わせから製作してもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
エッジ領域は、チャネル収容領域よりも深く、かつより高濃度での少なくとも一方にてドープされる。好ましくは、その場合、ドーピングステップ（ｂ）は、耐久性注入によって実現される。かくして、ステップ（ｂ）は、
マスクを用いてアクティブ装置エリアに耐久性注入用のパターンを画成するステップ（b.i）と、
マスクの窓にラグドネス領域を形成し、アクティブ装置エリアの周りにガードリングエッジ領域を形成するため耐久性注入を実行するステップ（b.ii）と、
その後、マスクを取り除くステップ（b.iii）と、
を含む。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
図２の特定の装置の実施形態は、パワーＭＯＳＦＥＴであり、このパワーＭＯＳＦＥＴは、装置のアクティブセル型エリア１２０にトレンチゲート回路１１を含む。（典型的にポリシリコンからなる）配線１１０は、このトレンチゲート回路を、ＭＯＳＦＥＴ周縁周りのフィールド酸化膜６０上のフィールドプレート１１４、すなわちゲートパッド１１４に接続する。この配線のポリシリコン製フィンガー１１１は、フィンガー１０の間のギャップにドーパントを注入し、次に、フィンガー１０の下に単一の連続した領域を形成するためドーパントを拡散することによって、ドープされた領域１５ａを配線１１０よりも下の装置基板１０に形成させることができる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
これらのトレンチゲートＭＯＳＦＥＴのアクティブ装置セルは、任意の公知のレイアウト幾何学、例えば、最密六方、正方マトリックス、または、細長い縞状の構造を有する。
一例として、図２,１２,１７および１９は、六方トレンチ回路構造を示し、図８は正方マトリックス構造を示す。各ＭＯＳＥＦＥＴの実施形態は、アクティブセル型エリア１２０の周縁周りに、環状終端構造体を有し、この環状終端構造体は、フィールド絶縁体６０と、エッジ領域１５ａの形のガードリングと、を含む。（フィンガー１１１により構成される）ゲート配線１１０は、このガードリング領域１５ａを越えて、アクティブセル型エリア１２０のトレンチゲート回路１１と、装置終端のゲート接合パッドおよびフィールドプレート１１４の少なくとも一方との間に延びる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
（図３から図１１の実施形態）
パワーＭＯＳＦＥＴの実施形態では、エッジ領域１５ａは、いわゆるＡＰ注入を用いて形成される。ＡＰ注入は、チャネル収容領域１５を形成するＰボディ（チャネル）注入よりも深く高ドーズ量である。典型的に高ドーズ量（２×１０１５ｃｍ−２未満）のボロンを用いるこのＡＰ注入は、図３Ａおよび３Ｂに示されるように、アクティブ装置エリア１２０の少なくとも一部のセルにＰ＋耐久性領域１５ｂを設けるため使用される。耐久性とは、ＭＯＳＦＥＴ装置がアバランシェ条件で動作する間にエネルギーを散逸する能力である。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
かくして、（例えば、EP-A-1009035のように）アクティブエリア１２０と装置エッジ終端との間に従来技術の境界面を形成する早期に分離したガードリング注入（ＤＰ）を避けることができる。その結果として、従来の３フォトマスクプロセスフローＤＰ／ＯＤ／ＡＰ（ガードリング注入、フィールド酸化エッチング、および、ラグドネス注入）は、ＯＤマスクとＡＰマスクだけを含むプロセスフロー（２フォトマスクプロセスフロー：フィールド酸化エッチング、ガードリングおよび耐久性注入）によって置き換えられる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
ＴＲマスクを取り除いた後、プロセスは、続いてゲート酸化膜１６を成長させる。この膜１６は、トレンチ回路２０を含む、アクティブエリア１２０内で露出したシリコン表面の熱酸化によって成長させられる。次に、ポリシリコンの膜２４は、ゲート１１と、ゲートバスバーおよび配線（例えば、１１０）と、ゲートパッドおよびフィールドプレート１１４と、を設けるため堆積させられる。この特定の実施形態では、一例として、装置部分１１,１１０および１１４の各々は、この段階で堆積させられたポリシリコン膜２４から形成される。ポリシリコン２４の伝導性は、ドーピングおよびアニーリングによって決まる。この特定の実施形態では、ゲートおよびその配線は、導電的にドープされたポリシリコンとして保たれる。しかし、ポリシリコンはシリサイド化してもよく、または、電気抵抗を下げるため耐熱性金属を使用してもよい。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
図２、図９Ａおよび図９Ｂは、最も簡単な配置構造を例示し、ポリシリコンフィンガー１１１は、アクティブエリアのエッジの近傍のトレンチゲート回路１１すなわちガードリング領域１５ａが設けられるエリア５０の内側の周辺トレンチ２０を介して連結している。フィンガー１１１は、エッジ領域１５ａが形成されるべきエリア５０を越えて誘電体膜１６へ延ばすことができる。典型的に、ポリシリコンフィンガー１１１は、０．６μｍから２μｍの範囲の幅を有する。フィンガー１１１は、注入されたＡＰドーパント１５０がフィンガー１１１の下で拡散できるように、意図的に狭く作られる。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
次のプロセス段階は、図１０に示されるように、ドーパント１５０（本例では、高ドーズ量のボロンイオン）によるマスクＡＰ（ラグドネス）注入である。典型的にフォトレジスト製であるＡＰマスクは、アクティブ装置エリア１２０内のＰ＋耐久性領域１５ｂ用のドーパント１５０の注入を限定し、エッジガードリング領域１５ａ用の注入エリア５０を限定する。図１０に概略的に示されるように、ガードリング領域１５ａの内周はＡＰマスクによって画成され、この領域１５ａの外周はフィールド酸化膜６０の内側エッジによって画成される。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
ＡＰ注入およびその拡散はゲート酸化膜１６の成長後に行われるので、注入されたドーパント１５０は、この酸化膜の成長とは無関係に拡散させることができる。実際には、ＡＰ注入およびその拡散は、ゲート１１とその配線１１０用のポリシリコン材料の堆積およびエッチングの後でさえ実行される。かくして、本発明によれば、絶縁トレンチゲート１１およびゲート配線１１０の用意とは無関係に、ガードリング領域１５ａを設けるため、耐久性ＡＰの注入および拡散を使用することが可能である。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
より詳細には、図１０および図１１に示されるように、ＡＰプロセスシーケンスは以下の通り進行する。フォトリソグラフィーレジストマスクＡＰが塗布される。次に、ＡＰ注入１５０が実行され、レジストマスクＡＰが剥ぎ取られる。この段階で、チャネル注入が実行される前に、注入されたＡＰドーパント１５０をアニール処理し、拡散させるかどうかの選択の余地がある。これは、耐久性と、チャネル注入熱使用量の別々の最適化を可能にさせる。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７２】
上記の説明では、ｎチャネル装置を形成するため、ｐ型注入が言及されている。勿論、ｐチャネル装置を形成するため、ｎ型注入を使用することが可能である。このように、上述の具体的な実施例はｎチャネル装置であり、そこでは、ソース領域１３およびドレイン領域１４はｎ型導電性を持ち、領域３２,２６はｐ型であり、電子反転チャネル１２はトレンチゲートによってアクティブ領域３２に誘起される。反対の導電型ドーパントを用いることにより、ｐチャネル装置は本発明に従って製造することができる。この場合、ソース領域１３およびドレイン領域１４はｐ型導電性をもち、領域３２,２６はｎ型であり、ホール反転チャネル１２はトレンチゲートによってアクティブ領域３２に誘起される。ＰボディおよびＡＰ注入に関する上記の説明は、対応したチャネル（Ｎボディ）および耐久性／ガードリング（ＡＮ）注入の説明に関して参照することができる。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７３】
本発明は、（トレンチゲート型の代わりに）プレーナーＤＭＯＳ型の、即ち、ＭＯＳゲートが（トレンチ内ではなく）ボディ表面の誘電体層に存在するパワーＭＯＳＦＥＴにも適用できる。本発明は、（ＭＯＳＦＥＴではなく）他の半導体装置において、例えば、バイポーラトランジスタにおいて、類似した問題を解決するために適用される。このような装置のアクティブ装置エリアはセル型でも、そうでなくてもよい。このように、本発明は、一般的に、エッジ領域上のアクティブ装置エリアから（導電性フィンガーの形式の）配線を設けるために使用でき、このエッジ領域は、フィンガーの間にドーパントを注入し、注入されたドーパントをフィンガーの下に拡散させることによって、装置ボディに形成される。