【手続補正書】
【提出日】平成19年9月27日(2007.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  密閉容器内に載置される固体のドーパントを加熱し、蒸発させ
る蒸発工程と、
前記蒸発工程の後に、前記密閉容器内の前記固体のドーパントとは異なる位
置に載置される基板にレーザ光を照射し、前記ドーパントをドープするドー
プ工程と、
を備えることを特徴とするドーピング方法。
【請求項２】  前記蒸発工程における前記ドーパントの加熱は、前記レーザ光
の光源と同一の光源のレーザ光を前記ドーパントに照射することにより行うこと
を特徴とする請求項１記載のドーピング方法。
【請求項３】  ドーピング工程を備える半導体装置の製造方法において、
前記ドーピング工程は、
密閉容器内に載置される固体のドーパントを加熱し、蒸発させる蒸発工程と、
前記蒸発工程の後に、前記密閉容器内の前記固体のドーパントとは異なる
位置に載置される基板にレーザ光を照射し、前記ドーパントをドープする
ドープ工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】  基板の両面に電極を備える半導体装置の製造方法において、
前記基板の一方の面に電極を形成させる第１工程と、
前記第１工程の後に、前記基板の他方の面を研磨し、前記基板を所定の厚さに
する第２工程と、
前記第２工程の後に密閉容器内に前記基板および固体のドーパントを異な
る位置に載置する工程と、
前記ドーパントを加熱し、蒸発させる工程と、
前記基板の他方の面にレーザ光を照射し、前記ドーパントをドープするドープ
工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】  Ｓｉウエハに形成されたＳｉチップの裏面に電極を形成するに
際し、前記Ｓｉチップに不純物をドーピングさせ、かつ、熱処理によりドーピン
グさせた不純物を活性化させた後、導電金属を堆積させて前記Ｓｉチップの裏面
電極を形成する半導体素子の製造方法において、
前記Ｓｉチップへの前記不純物のドーピングと、このドーピングされた不純物
の活性化とは同一の加熱工程によりおこなうことを特徴とする半導体素子の製造
方法。
【請求項６】  前記不純物のドーピングは、前記密閉容器内に固体の不純物を
載置し、その不純物を前記加熱手段で加熱して発生させた蒸気を用いておこなう
ことを特徴とする請求項５記載の半導体素子の製造方法。
【請求項７】  前記不純物のドーピングは、前記密閉容器内に固体の不純物を
載置し、その不純物を前記加熱手段で加熱して発生させた蒸気をガスで前記Ｓｉ
ウエハへ移送することを特徴とする請求項５記載の半導体素子の製造方法。
【請求項８】  前記ドーピングさせる不純物は、３族または５族元素から選ば
れた一種又は複数種の元素を用いることを特徴とする請求項５記載の半導体素子
の製造方法。
【請求項９】  前記加熱手段は、レーザ加熱、ランプ加熱又は抵抗加熱のうち
いずれかを用いていることを特徴とする請求項５記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１０】  前記加熱手段が前記レーザ加熱の場合は、照射するパルスレ
ーザはＸｅＣｌエキシマレーザもしくはＫｒＦエキシマレーザで、かつ、レーザ
光の強度は前記Ｓｉウエハ面で０．５Ｊ／ｃｍ２以上２．５Ｊ／ｃｍ２以下であ
ることを特徴とする請求項５記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１１】  前記加熱手段による前記ドーピングさせる不純物を加熱する
温度は、前記不純物である固体金属固有の蒸気圧特性により前記密閉容器内にこ
の不純物の蒸気が発生する温度であることを特徴とする請求項６記載の半導体素
子の製造方法。
【請求項１２】  Ｓｉウエハを載置するヒータを固定したＸＹテーブルと、こ
のＸＹテーブルと離間して設けられた金属加熱手段とを具備するとともに外壁に
透光性窓を有し前記ＸＹテーブルを収容している密閉容器と、この密閉容器の前
記透過窓から光学系を介してレーザ光を照射するレーザ発振器を備えた半導体素
子の製造装置において、
前記金属加熱手段により加熱して前記不純物の蒸気を発生させて前記Ｓｉチッ
プにドーピングをおこない、かつ、前記加熱手段により前記ドーピングされた不
純物の活性化をおこなうことを特徴とする半導体素子の製造装置。
【請求項１３】  前記金属加熱手段は、抵抗加熱方式又はランプ加熱方式又は
レーザ加熱方式のうちいずれか１つであることを特徴とする請求項１２記載の半
導体素子の製造装置。
【請求項１４】  前記金属加熱手段がレーザ加熱方式である場合、照射するパ
ルスレーザはＸｅＣｌエキシマレーザもしくはＫｒＦエキシマレーザで、かつ、
レーザ光の強度は前記Ｓｉウエハ面で０．５Ｊ／ｃｍ２以上、２．５Ｊ／ｃｍ２
以下であることを特徴とする請求項１２記載の半導体素子の製造装置。
【請求項１５】  密閉容器と、
前記密閉容器内に基板を載置するための第１の支持手段と、
前記密閉容器内に固体のドーパントを載置するための第２の支持手段と、
前記ドーパントを加熱するための加熱手段と、
前記基板にレーザ光を照射して前記ドーパントをドープするためのレーザ光照
射手段と、
を備えることを特徴とするドーピング装置。
【請求項１６】  前記加熱手段は、前記ドーパントにレーザ光を照射するレー
ザ光照射手段であることを特徴とする請求項１５記載のドーピング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
このため、トランジスタ動作時のＯＮ電圧が高くなく不具合が発生する。さら
に、ウエハが薄いためイオン注入装置から拡散炉へ移送する工程で、ウエハの割
れが起こりやすく、生産プロセスの歩留まりを低下させている。本発明はこれら
の事情にもとづいて成されたもので、主にＳｉウエハへの不純物のドーピングと
活性化の処理の際に、レーザ照射による方法で理想的な不純物濃度プロファイル
を実現し、Ｓｉチップの裏面に電極を形成する技術を提供することを主目的とし
ている。
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、密閉容器内に基板および固体のドーパントを載置する載置工
程と、前記ドーパントを加熱し、蒸発させる蒸発工程と、前記蒸発工程の後に前
記密閉容器内の前記基板にレーザ光を照射し、前記ドーパントをドープするドー
プ工程と、を備えることを特徴とするドーピング方法である。このドーピング方
法を用いることにより、活性化を伴ってドープすることが可能になるという効果
を有する。また、密閉容器内に載置される固体のドーパントを加熱し、蒸発させ
る蒸発工程と、前記蒸発工程の後に、前記密閉容器内の前記固体のドーパントと
は異なる位置に載置される基板にレーザ光を照射し、前記ドーパントをドープす
るドープ工程と、を備えることを特徴とするドーピング方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、前記蒸発工程における前記ドーパントの加熱は、前記レーザ光の光源と
同一の光源のレーザ光を前記ドーパントに照射することにより行うことを特徴と
する前記ドーピング方法である。また、前記ドープ工程は、前記ドーパントの載
置位置から前記基板の載置位置の方向へ不活性ガスをフローさせながら前記ドー
プを行うことを特徴とする前記記載のドーピング方法である。また、ドーピング
工程を備える半導体装置の製造方法において、前記ドーピング工程は、密閉容器
内に載置される固体のドーパントを加熱し、蒸発させる蒸発工程と、前記蒸発工
程の後に、前記密閉容器内の前記固体のドーパントとは異なる位置に載置される
基板にレーザ光を照射し、前記ドーパントをドープするドープ工程と、を備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法である。また、基板の両面に電極を備え
る半導体装置の製造方法において、前記基板の一方の面に電極を形成させる第１
工程と、前記第１工程の後に、前記基板の他方の面を研磨し、前記基板を所定の
厚さにする第２工程と、前記第２工程の後に密閉容器内に前記基板および固体の
ドーパントを異なる位置に載置する工程と、前記ドーパントを加熱し、蒸発させ
る工程と、前記基板の他方の面にレーザ光を照射し、前記ドーパントをドープす
るドープ工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法である。