Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月25日(2007.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のリードと、
前記複数のリードそれぞれの端部と接続するシート部材と、
その主面に半導体素子および複数の電極を有しており、前記複数のリードの内側に配置され、さらに前記シート部材と接続する半導体チップと、
前記半導体チップの電極と前記複数のリードとをそれぞれ電気的に接続する導電性の複数のワイヤと、
前記半導体チップと前記複数のリードとの間の領域において前記ワイヤの下部に配置された表面実装部品であるチップ部品とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、前記半導体チップと前記複数のリードとの間の領域に１本または複数の共通リードが前記複数のリードのリード列に沿って配置され、前記共通リード上に前記チップ部品が搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、前記チップ部品は、前記共通リードと半田接続で電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２記載の半導体装置において、前記チップ部品は、前記共通リードと絶縁性接着剤を介して接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置において、前記半導体チップと前記複数のリードとの間の領域に複数の共通リードが前記複数のリードのリード列に沿って配置されており、さらに前記複数の共通リードのうち最も内側に配置された共通リードと前記半導体チップとの間の領域に前記チップ部品が配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置において、前記チップ部品は、抵抗素子、インダクタ素子およびコンデンサ素子の何れかを有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置において、前記チップ部品は、ＥＳＤ保護素子を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置において、前記チップ部品は、ＥＭＣ保護素子を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置において、前記チップ部品は、バイパスコンデンサ素子を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置において、前記チップ部品は、ダンピング抵抗素子を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
複数のリードと、
前記複数のリードそれぞれの端部と接続するシート部材と、
その主面に半導体素子および複数の電極を有しており、前記複数のリードの内側に配置され、さらに前記シート部材と接続する半導体チップと、
前記半導体チップの電極と前記複数のリードとをそれぞれ電気的に接続する導電性の複数のワイヤと、
前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する封止体と、
前記半導体チップの外部で、かつ前記封止体の内部に配置されており、インダクタ素子を備えた第１の受動部品とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置において、コンデンサ素子を有する第２の受動部品が前記半導体チップの外部で、かつ前記封止体の内部に配置されており、前記第１の受動部品と前記第２の受動部品とを含む降圧回路を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１１記載の半導体装置において、コンデンサ素子を有する第２の受動部品が前記半導体チップの外部で、かつ前記封止体の内部に配置されており、前記第１の受動部品と前記第２の受動部品とを含む昇圧回路を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１１記載の半導体装置において、コンデンサ素子を有する第２の受動部品が前記半導体チップの外部で、かつ前記封止体の内部に配置されており、前記半導体チップと前記複数のリードとの間の領域に１本または複数の共通リードが前記複数のリードのリード列に沿って配置され、前記共通リード上に前記第１および第２の受動部品が搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１１記載の半導体装置において、コンデンサ素子を有する第２の受動部品が前記半導体チップの外部で、かつ前記封止体の内部に配置されており、前記半導体チップと前記複数のリードとの間の領域に複数の共通リードが前記複数のリードのリード列に沿って配置されており、さらに前記複数の共通リードのうち最も内側に配置された共通リードと前記半導体チップとの間の領域に前記第１および第２の受動部品が配置されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、チップ部品を有する半導体装置に適用して有効な技術に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の目的は、チップ部品を有する半導体装置において小型化を図ることができる技術を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の他の目的は、チップ部品を有する半導体装置において電気的特性の向上を図ることができる技術を提供することにある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに、本発明の他の目的は、実装工程の簡略化を図ることができる技術を提供することにある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月10日(2007.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被調理物を加熱する熱源と、被調理物の温度を検出する温度センサと、上記熱源による加熱条件等を入力する入力手段と、この入力手段による入力内容等を表示する表示手段と、上記温度センサからの温度データや入力手段からの入力データに基づいて上記熱源や表示手段を制御する制御手段とを備えたものにおいて、この制御手段を、上記被調理物の水量を入力手段にて入力し、入力された水量に応じて予め設定した所定時間上記熱源を作動することで湯沸し調理を行う様に構成した事を特徴とする電磁調理器。
【請求項２】
上記制御手段を、上記温度センサにて検出する被調理物の温度に応じて上記所定時間を補正する様に構成した事を特徴とする、上記請求項１に記載の電磁調理器。
【請求項３】
上記制御手段を、上記入力手段より入力された水量を上記表示手段にて表示する様に構成した事を特徴とする、上記請求項１または２に記載の電磁調理器。
【請求項４】
上記制御手段を、上記入力手段より入力された水量に応じた残り時間を上記表示手段により表示する様に構成した事を特徴とする、上記請求項１〜３の何れかに記載の電磁調理器。
【請求項５】
上記制御手段を、上記所定時間又は所定時間より設定時間前迄熱源を作動して被調理物を加熱した後、熱源の火力を下げて更に加熱する様に構成した事を特徴とする、上記請求項１〜４の何れかに記載の電磁調理器。
【請求項６】
上記制御手段を、上記被調理物の水量を設定して加熱する手動加熱と、上記温度センサの検出温度に応じて加熱する自動加熱を切換え可能に構成した事を特徴とする、上記請求項１〜５の何れかに記載の電磁調理器。
【請求項７】
上記制御手段を、上記所定時間は上記入力手段により設定可能な最大火力にて加熱した後、加熱開始から上記所定時間経過迄上記熱源に入力された積算入力電力を予め設定した設定電力と比較し、積算入力電力が設定電力より不足時には、不足分追加加熱する様に構成した事を特徴とする、上記請求項１〜７の何れかに記載の電磁調理器。
【請求項８】
上記追加加熱時には熱源の火力を下げる様に構成した事を特徴とする、上記請求項７に記載の電磁調理器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の請求項３の構成は、請求項１または２の構成において、制御手段を、入力手段より入力された水量を表示手段にて表示する様に構成したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の請求項４の構成は、請求項１〜３の何れかに記載の構成において、制御手段を、入力手段より入力された水量に応じた残り時間を表示手段により表示する様に構成したものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の請求項５の構成は、請求項１〜４の何れかに記載の構成において、制御手段を、所定時間又は所定時間より設定時間前迄熱源を作動して被調理物を加熱した後、熱源の火力を下げて更に加熱する様に構成したものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の請求項６の構成は、請求項１〜５の何れかに記載の構成において、制御手段を、被調理物の水量を設定して加熱する手動加熱と、温度センサの検出温度に応じて加熱する自動加熱を切換え可能に構成したものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の請求項７の構成は、請求項１〜７の何れかに記載の構成において、制御手段を、所定時間は入力手段により設定可能な最大火力にて加熱した後、加熱開始から所定時間経過迄熱源に入力された積算入力電力を予め設定した設定電力と比較し、積算入力電力が設定電力より不足時には、不足分追加加熱する様に構成したものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
一方、上記湯沸しキー１７を更にオン操作すると手動による湯沸し調理のモードに設定され、ここで摘み１１ａを回転操作して調理容器４２内に入れた水量を設定入力した後、再度湯沸しキー１７をオン操作すれば、設定可能な最大火力である例えば３ＫＷの出力にて誘導加熱コイル４に通電されて加熱を開始する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
一方、上記手動による湯沸し調理モードにて誘導加熱コイル４に通電して加熱を開始すると、例えば図５にて示す様に上記表示２０に残り時間を表示すると共に、表示２１はそのまま残し、設定された水量を常時確認出来る様に制御回路３５を構成している。これにより、表示２０にて残り時間を常に確認でき、他の作業を効率的に行う事が出来るものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
更に上記実施例では、例えば図６にて示す様に、上記所定時間Ｔに達する設定時間前Ｔａに誘導加熱コイル４の火力を例えば２ＫＷに下げる様に制御回路３５を構成しており、これにより、水量が少ない場合の突沸現象を防止すると共に、調理容器４２と天板２の温度差を少なくして、温度センサ４１による検出精度を向上させる事が出来るものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
更に、上記実施例では手動加熱による湯沸し調理時には設定水量に基づき加熱時間を設定しているが、自動加熱時の理想的な温度特性データを記憶し、温度センサ４１で検出する温度上昇特性が記憶データに近い場合には、この温度センサの出力を優先させ、温度センサ４１の検出温度に基づいて調理時間を設定する様に制御回路３５を構成しても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月24日(2007.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状で中央部に切込みを有する板弁と該板弁を押圧する弁押さえ蓋を電槽蓋に備えた制御弁式鉛蓄電池であって、該板弁の切込みに当たる弁押さえ蓋の部分に凹部を設けたことを特徴とする制御弁式鉛蓄電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、（１）前記制御弁式鉛蓄電池では、板弁が凸形形状で、切込みが頂部から周辺に向かって形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、（２）前記制御弁式鉛蓄電池では、切込みが直線状または十字状であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、（３）前記制御弁式鉛蓄電池では、板状の上面の切込み寸法がその下面の切込み寸法より大きいことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、（４）前記制御弁式鉛蓄電池では、弁押さえ蓋の凹部の直径より、電槽蓋の排気構造に設けられた排気筒の内径が小さいことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、（５）前記制御弁式鉛蓄電池では、板弁の下面が接する排気構造に、排気筒の開口部の周囲を囲むように突起を備えたことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項１の発明では、排気構造を低くできるので電池の小型化が可能となり、また、長期間にわたり信頼性のすぐれた制御弁式鉛蓄電池を低コストで得ることができ、具体的には、前記（２）〜（５）のような構造のものが考えられる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、（１）のように、板弁が凸形形状で、切込みが頂部から周辺に向かって形成されていることにより、請求項１の効果に加え、電池内圧が低下した場合の気密性を更に向上せしめることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月31日(2007.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
高周波信号入力端子３４に高周波信号が供給されていない状態では、トランジスタ４０の導通、非導通に従ってバイアス電流が増減を繰り返す。その結果、レーザーダイオード２０の発光状態が変化する。これによってレーザーダイオード２０の発振波長がわずかに変化する。光ファイバー４でレーザー光を伝送する場合、光ファイバー４の僅かな不純物等によってレーリー散乱光が発生する。このレーリー散乱光同士、レーリー散乱光と高周波信号で変調された変調光信号とが干渉し、干渉ノイズを発生する。特に、光送信機２から無変調の光信号が伝送されている場合、この無変調の光信号の復調信号が他の光送信機からの変調光信号の復調信号に干渉することもある。この実施形態では、レーザーダイオード２０の光のスペクトル幅が拡張されているので、干渉ノイズが低減されている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月30日(2007.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部を含む画素が行列状に配列された画素エリアと、前記画素エリアの一画素列に対して２つ以上設けられたアナログ−デジタル変換器（ＡＤＣ）と、を有し、
前記画素列の複数の画素からの出力を振り分けて前記２つ以上のＡＤＣに入力してなる固体撮像装置。
【請求項２】
前記画素エリアの一画素列の複数の画素が接続される出力線を複数有し、前記出力線に対して前記２つ以上のＡＤＣが接続され、
前記出力線と各ＡＤＣとの間にスイッチを有し、
前記スイッチにより前記出力線に出力される複数の画素からの出力を振り分けて各ＡＤＣに入力することを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記画素エリアの一画素列の複数の画素が振り分けられてそれぞれ接続され、該一画素列に対して設けられた複数の出力線を有し、各出力線に対して一つの前記ＡＤＣが接続されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記画素エリアを複数の画素領域に分けて、前記画素領域の一画素列の複数の画素が接続される出力線を有し、各出力線に対して一つの前記ＡＤＣが接続されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記スイッチは前記出力線に対して二つ設けられ、二つの前記スイッチは極性の異なる二つのトランジスタからなるとともに、
二本の前記出力線に対して前記ＡＤＣを二つ設け、前記ＡＤＣは二本の出力線で共用されており、
一の出力線に接続される一極性の第１のトランジスタと他の出力線に接続される他極性の第２のトランジスタとが一のＡＤＣに接続され、前記一の出力線に接続される他極性の第３のトランジスタと前記他の出力線に接続される一極性の第４のトランジスタとが他のＡＤＣに接続され、
前記第１乃至第４のトランジスタのゲートは共通接続されていることを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記ＡＤＣは演算器を含んでいることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記演算器は積分器であることを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記積分器はマルチスロープ積分型ＡＤＣであることを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
複数の基準電圧に対して複数の積分器を有することを特徴とする請求項６から８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
画素列ごとに接続された前記ＡＤＣと前記出力線の間にノイズ除去回路を有することを特徴とする請求項２から９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
光電変換部を含む画素がＣＭＯＳセンサで構成されていることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれかの請求項に記載の固体撮像装置と、該固体撮像装置へ光を結像するレンズ系と、該固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを有することを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の固体撮像装置は、光電変換部を含む画素が行列状に配列された画素エリアと、前記画素エリアの一画素列に対して２つ以上設けられたアナログ−デジタル変換器（ＡＤＣ）と、を有し、
前記画素列の複数の画素からの出力を振り分けて前記２つ以上のＡＤＣに入力してなることを特徴とし、並列処理による高速化もしくはスクランブル化によるばらつきの低減が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月21日(2007.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体の操作のための第１モードにおいて専用に使用される専用キーと、外部装置の操作のための第２モードと前記第１モードとにおいて兼用して使用される兼用キーと、前記第１モードから前記第２モードへ制御モードを変更する変更キーと、キー操作に応じてコード信号を放射光として送信する第１発光部と、前記第１モード時に前記専用キー又は兼用キーを連続的に押下されると、押下されたキーのキーコードと連続押下を意味する連続コードを送信し、前記第２モード時に前記専用キーを連続的に押下されると、前記専用キーのキーコードのみを送信するべく前記発光部を制御する制御部をもつリモコン部と、
情報を記録し再生する記録再生部と、
前記外部装置にコード信号を放射光として送信する第２発光部と、
前記リモコン部の前記第１発光部からの前記コード信号を受け、これに基づき前記第１モードが選ばれる時、前記受けたコード信号に応じて前記記録再生処理部を制御して記録再生処理を施し、又、前記第２モードが選ばれる時、前記第１発光部からの前記コード信号に応じて、前記第２発光部を介して所定コード信号を外部装置に供給するべく制御する主制御部を具備することを特徴とする記録再生装置。
【請求項２】
前記制御部は、制御モードが前記第２モードに移行してから所定時間経過した後に、自動的に前記第１モードへと制御モードを変更することを特徴とする請求項１記載の記録再生装置。
【請求項３】
前記制御部は、制御モードが前記第２モードに移行してから、前記兼用キー以外のキーが押下されたことを検出すると、前記第１モードへと制御モードを変更することを特徴とする請求項１記載の記録再生装置。
【請求項４】
前記リモコン部は、前記制御部が制御モードとして前記第２モードを選択していることを表示する表示部を更に有することを特徴とする請求項１記載の記録再生装置。
【請求項５】
前記制御部が前記変更キーの押下を検出した時は、前記発光部から、前記第１モードから前記第２モードへの制御モードの変更を意味するコード信号の発光を所定時間の間隔で所定回数反復するべく制御することを特徴とする請求項１記載の記録再生装置。
【請求項６】
情報を記録し再生する記録再生部と、前記外部装置にコード信号を放射光として送信する第２発光部とを有する記録再生装置を制御する際に、
本体の操作のための第１モードにおいて専用に使用される専用キーと、外部装置の操作のための第２モードと前記第１モードとにおいて兼用して使用される兼用キーと、前記第１モードから前記第２モードへ制御モードを変更する変更キーと、キー操作に応じてコード信号を放射光として送信する第１発光部とを有するリモコンを用いて、
前記リモコンにおいては、前記第１モード時に前記専用キー又は兼用キーを連続的に押下されると、押下されたキーのキーコードと連続押下を意味する連続コードを送信し、前記第２モード時に前記専用キーを連続的に押下されると、前記専用キーのキーコードのみを送信するべく前記発光部を制御し、
前記記録再生装置においては、前記リモコンの前記第１発光部からの前記コード信号を受け、これに基づき前記第１モードが選ばれる時、前記受けたコード信号に応じて前記記録再生処理部を制御して記録再生処理を施し、又、前記第２モードが選ばれる時、前記第１発光部からの前記コード信号に応じて、前記第２発光部を介して所定コード信号を外部装置に供給するべく制御することを特徴とする記録再生装置の制御方法。
【請求項７】
前記リモコンにおいては、制御モードが前記第２モードに移行してから所定時間経過した後に、自動的に前記第１モードへと制御モードを変更することを特徴とする請求項６記載の記録再生装置の制御方法。
【請求項８】
前記リモコンにおいては、制御モードが前記第２モードに移行してから、前記兼用キー以外のキーが押下されたことを検出すると、前記第１モードへと制御モードを変更することを特徴とする請求項６記載の記録再生装置の制御方法。
【請求項９】
前記リモコンにおいては、前記制御モードとして前記第２モードを選択していることを表示する表示部を用いることを特徴とする請求項６記載の記録再生装置の制御方法。
【請求項１０】
前記リモコンにおいては、前記変更キーの押下を検出した時は、前記発光部から、前記第１モードから前記第２モードへの制御モードの変更を意味するコード信号の発光を所定時間の間隔で所定回数反復するべく制御することを特徴とする請求項６記載の記録再生装置の制御方法。
【請求項１１】
第１モードにおいて専用に使用される専用キーと、
前記第１モードと第２モードとにおいて兼用して使用される兼用キーと、
前記第１モードから前記第２モードへ制御モードを変更する変更キーと、
前記専用キー又は前記兼用キーの押下に応じてコードを発光する発光部と、
前記第１モード時に前記専用キー又は兼用キーを連続的に押下されると、押下されたキーのキーコードと連続押下を意味する連続コードを送信し、前記第２モード時に前記専用キーを連続的に押下されると、前記専用キーのキーコードのみを送信するべく前記発光部を制御する制御部を具備することを特徴とするリモコン装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月26日(2006.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記映像信号処理部が、少なくとも、クロマ部、水平ドライブ回路部及び垂直ドライブ回路部によって構成され、前記ＴＶプリント基板が、操作ボタンやリモコン受光部などを備えるオペレーション部を備えたことを特徴とする請求項１記載のＣＲＴ受像機又は請求項２記載の高精細度対応ＣＲＴ受像機又は請求項３記載のデジタル放送対応ＣＲＴ受像機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記映像信号変換部が、少なくとも、アナログチューナ装置、３Ｄ  Ｙ／Ｃ分離部、Ｉ／Ｐ変換部、スケーラ部及び制御部によって構成され、前記音声信号処理部が、少なくとも、前記アナログチューナ装置、音多部、サウンドプロセッサ部及び前記制御部によって構成され、前記ＡＶプリント基板が、ＡＶスイッチ部、Ａ／Ｄコンバータ部及び外部入出力端子部を備えたことを特徴とする請求項１若しくは請求項４記載のアナログ放送を受信するＣＲＴ受像機又は請求項２若しくは請求項４記載の高精細度対応ＣＲＴ受像機。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記デジタル映像信号変換部が、少なくとも、デジタルチューナ装置、情報圧縮伸張部及び制御部によって構成され、前記デジタル音声処理部が、少なくとも、前記デジタルチューナ装置、前記情報圧縮伸張部、サウンドプロセッサ部及び前記制御部によって構成され、前記ＡＶプリント基板が、ＡＶスイッチ部及び外部入出力端子部を備えたことを特徴とする請求項１若しくは請求項４記載のデジタル放送を受信するＣＲＴ受像機又は請求項３若しくは請求項４記載のデジタル放送対応ＣＲＴ受像機。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項４のＣＲＴ受像機は、請求項１記載のＣＲＴ受像機又は請求項２記載の高精細度対応ＣＲＴ受像機又は請求項３記載のデジタル放送対応ＣＲＴ受像機であって、前記映像信号処理部が、少なくとも、クロマ部、水平ドライブ回路部及び垂直ドライブ回路部によって構成され、前記ＴＶプリント基板が、操作ボタンやリモコン受光部などを備えるオペレーション部を備えたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記構成によれば、映像信号処理部・サウンドアンプ部・電源部・フライバックトランス及びオペレーション部が、ＴＶプリント基板に形成され、当該ＴＶプリント基板が高精細度対応ＣＲＴ受像機とデジタル放送対応ＣＲＴ受像機との間で共通化される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項５のＣＲＴ受像機は、請求項１若しくは請求項４記載のアナログ放送を受信するＣＲＴ受像機又は請求項２若しくは請求項４記載の高精細度対応ＣＲＴ受像機であって、前記映像信号変換部が、少なくとも、アナログチューナ装置、３Ｄ  Ｙ／Ｃ分離部、Ｉ／Ｐ変換部、スケーラ部及び制御部によって構成され、前記音声信号処理部が、少なくとも、前記アナログチューナ装置、音多部、サウンドプロセッサ部及び前記制御部によって構成され、前記ＡＶプリント基板が、ＡＶスイッチ部、Ａ／Ｄコンバータ部及び外部入出力端子部を備えたことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項６のＣＲＴ受像機は、請求項１若しくは請求項４記載のデジタル放送を受信するＣＲＴ受像機又は請求項３若しくは請求項４記載のデジタル放送対応ＣＲＴ受像機であって、前記デジタル映像信号変換部が、少なくとも、デジタルチューナ装置、情報圧縮伸張部及び制御部によって構成され、前記デジタル音声処理部が、少なくとも、前記デジタルチューナ装置、前記情報圧縮伸張部、サウンドプロセッサ部及び前記制御部によって構成され、前記ＡＶプリント基板が、ＡＶスイッチ部及び外部入出力端子部を備えたことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の請求項４の、前記映像信号処理部が、少なくとも、クロマ部、水平ドライブ回路部及び垂直ドライブ回路部によって構成され、前記ＴＶプリント基板が、操作ボタンやリモコン受光部などを備えるオペレーション部及び外部入力端子部を備えたことを特徴とする請求項１記載のアナログ放送を受信するＣＲＴ受像機又は請求項２記載の高精細度対応ＣＲＴ受像機又は請求項３記載のデジタル放送対応ＣＲＴ受像機によれば、映像信号処理部・サウンドアンプ部・電源部・フライバックトランス及びオペレーション部が、ＴＶプリント基板に形成され、当該ＴＶプリント基板が高精細度対応ＣＲＴ受像機とデジタル放送対応ＣＲＴ受像機との間で共通化されるため、さらに共通化部分が増加し、アナログテレビからデジタルテレビへの移行時の製品の開発・製造コストや、機能（グレード）の異なる製品群の開発・製造コストを低減させることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本実施例のデジタル放送対応ＣＲＴ受像機６（以下単にデジタルＣＲＴ受像機６）は、図６〜図８に示されるように、フロントキャビネット１１及びリアキャビネット１２によって構成される筐体内に、ＣＲＴ表示管１５・ＴＶプリント基板５０・ＡＶプリント基板９０・スピーカー１６等が備えられる。ＡＶプリント基板９０は、上下に重なるように配置される第１基板９１０と第２基板９２０とによって構成される。なお、本実施例のデジタル放送対応ＣＲＴ受像機６は有効走査線が１０８０ｉである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月13日(2007.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イミノ二酢酸（塩）基を有し、炭素原子数と窒素原子数とが炭素原子数／窒素原子数＞７（ただし、この計算は、イミノ二酢酸塩基を有する場合におけるその塩部分の炭素原子数と窒素原子数は除いてなされること）の関係を満たす水溶性化合物を含む、研磨剤用添加剤。
【請求項２】
前記水溶性化合物は、イミノ二酢酸（塩）のＮＨ基と反応する化合物とイミノ二酢酸（塩）との反応を用いて得られる化合物である、請求項１に記載の研磨剤用添加剤。
【請求項３】
前記水溶性化合物は、分子量が２０００未満の化合物である、請求項１または２に記載の研磨剤用添加剤。
【請求項４】
前記水溶性化合物は、分子量が２０００以上の化合物である、請求項１または２に記載の研磨剤用添加剤。
【請求項５】
イミノ二酢酸（塩）基を有する水溶性高分子化合物を含む、研磨剤用添加剤。
【請求項６】
前記水溶性高分子化合物は、重合性の不飽和二重結合を有しイミノ二酢酸（塩）のＮＨ基と反応することができる化合物とイミノ二酢酸（塩）とを反応させてなるモノマーを重合させることにより得られる化合物である、請求項５に記載の研磨剤用添加剤。
【請求項７】
半導体中の金属の化学機械研磨用の研磨剤に用いられる、請求項１から６までのいずれかに記載の研磨剤用添加剤。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれかに記載の研磨剤用添加剤を含む、研磨剤。
【請求項９】
固体砥粒を含む、請求項８に記載の研磨剤。
【請求項１０】
界面活性剤を含む、請求項８または９に記載の研磨剤。
【請求項１１】
無機塩を含む、請求項８から１０までのいずれかに記載の研磨剤。
【請求項１２】
保護膜形成剤を含む、請求項８から１１までのいずれかに記載の研磨剤。
【請求項１３】
半導体中の金属の化学機械研磨に用いられる、請求項８から１２までのいずれかに記載の研磨剤。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月30日(2007.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
ここで、図４（ａ）は、図１や図２に示す板状電極（円筒状電極）１２を示したものであり、垂直吹き付けガス流のガス流れ方向中心軸２０から等距離に位置するように１枚の連続した円筒状電極１２が設けられている。
図４（ａ）に示す例は、垂直吹き付けガス流のガス流れ方向中心軸２０から等距離に放電面が位置しており、理想的な電極形状ではある。しかし、半導体製造装置のメンテナンス性の向上や、装置構造の簡素化等、実用的な面も考慮した場合、図４（ｂ）（ｃ）に示すように、１枚の連続した円筒状電極を４つの部分に分割（電極３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄ）したものであってもよく、放電面が平坦な電極（電極３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄ）を４つ用いたものであってもよい。
この場合、４つの電極の各々に図１や図２に示されるようなアース配線が接続されたアース電極が電極の外周側に配置されると共に、ＲＦ（高周波）導入端子が接続される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月30日(2007.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
外部接続媒体と、前記外部接続媒体上に載置された第１の半導体チップと、前記第１の半導体チップ上に載置された第２の半導体チップと、を具備する半導体装置であって、
前記外部接続媒体は、前記第１の半導体チップ下に延びるようにして形成された接続部を有し、
前記第１の半導体チップは、当該表面に形成された第１の電子デバイスと、当該第１の半導体チップの裏面に形成された配線層と、を有し、
前記配線層が前記第２の半導体チップと電気的に接続され、かつ前記配線層がボンディングワイヤを介して前記接続部と電気的に接続されることにより、前記第２の半導体チップから前記外部接続媒体に至って、前記第１の半導体チップの前記第１の電子デバイスから電気的に独立した導通路が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月31日(2007.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央部分に透孔を設けた封口板と該封口板の外面に固着されたキャップとで囲まれた弁室内に、圧縮されたゴム製弾性体と融点が１００〜２００℃の熱可塑性樹脂成形体を積層させた弁体を配置し、前記ゴム製弾性体で前記透孔を気密に封止してなる密閉形蓄電池用排気弁を備えた密閉形蓄電池であって、前記排気弁の圧縮されたゴム製弾性体の弁体に対する厚さの比を０．３〜０．７とし、前記弁室内に空き空間を設け、該空き空間の弁室に対する容積の比を０．２〜０．４としたことを特徴とする密閉形蓄電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、蓄電池の排気弁の構成を以下の構成とすることによって前記課題を解決するものである。
本発明に係る密閉形蓄電池は、中央部分に透孔を設けた封口板と該封口板の一方の面に固着されたキャップとで囲まれた弁室内に、圧縮されたゴム製弾性体と融点が１００〜２００℃の熱可塑性樹脂成形体を積層させた弁体を配置し、前記ゴム製弾性体で前記透孔を気密に封止してなる密閉形蓄電池用排気弁を備えた密閉形蓄電池であって、前記排気弁の圧縮されたゴム製弾性体の弁体に対する厚さの比を０．３〜０．７とし、前記弁室内に空き空間を設け、該空き空間の弁室に対する容積の比を０．２〜０．４とした密閉形蓄電池である。
なお、ここでいう融点とは示差熱（ＤＴＡ）法で求めた値であって、融解ピーク温度をいう。
また、ここでいうゴム弾性体の弁体の厚さに対する比率とは、ゴム製弾性体を含む弁体の厚さを１としたときにゴム製弾性体の厚さが弁体の厚さに占める比をいい、空き空間の弁室に対する容積の比率とは、弁室の容積を１としたときの弁室内の空き空間の大きさをいう。
本発明に係る密閉形蓄電池は、前記排気弁の熱可塑性樹脂成形体の厚さを０．６〜１．４ｍｍとし、該熱可塑性樹脂成形体をキャップの上壁とゴム製弾性体の間に配置したものであることが好ましい。
本発明に係る密閉形蓄電池は、周囲温度２５℃における排気弁の弁作動圧の大きさを１００％としたときに、周囲温度１００℃における排気弁の弁作動圧の大きさが７０％以下であることが好ましい。
本発明に係る密閉形蓄電池は、周囲温度２５℃における排気弁の弁作動圧の大きさを１００％としたときに、周囲温度１５０℃における排気弁の弁作動圧の大きさが４０％以下であることが好ましい。
なお、上記で定める周囲温度が２５℃、１００℃、１５０℃における排気弁の弁作動圧とは、密閉形蓄電池をそれぞれ前記所定の温度に設定した恒温槽内に配置し、蓄電池表面の温度が前記恒温層内の雰囲気温度と等しい状態で１ＩｔＡの電流で充電したときに、排気弁が開弁したときの蓄電池内部の圧力をいう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の密閉形蓄電池によれば、蓄電池の温度が上昇したり、キャップが変形した場合においても排気弁の動作の信頼性が高く、蓄電池の温度が上昇したり、蓄電池を落下させ、キャップに押圧が加わった後でも破裂する虞のない密閉形蓄電池を提供することができる。
本発明の密閉形蓄電池では、熱可塑性樹脂成形体の厚さを０．６〜１．４ｍｍとし、該熱可塑性樹脂成形体をキャップの上壁とゴム製弾性体の間に配置する構成とすることによって、蓄電池を落下させるなど、蓄電池に衝撃が加わったときにキャップの変形を抑制することができる。
本発明の密閉形蓄電池では、周囲温度２５℃における排気弁の弁作動圧の大きさを１００％としたときに、周囲温度１００℃における排気弁の弁作動圧の大きさを７０％以下とすることによって、圧力スイッチ内蔵形の密閉形蓄電池を約１５分間で充電を完了させるという急速充電（以下１５分間充電という）を行ったときに、前記圧力スイッチが機能しない場合においても排気弁を機能させ、蓄電池内部の圧力上昇を抑制することにより蓄電池が破裂（ここではクリンプシールなど蓄電池のシールが破壊される状況を破裂という）に至るのを防ぐことができる。
本発明の密閉形蓄電池では、周囲温度２５℃における排気弁の弁作動圧の大きさを１００％としたときに、周囲温度１５０℃における排気弁の弁作動圧の大きさを４０％以下とすることによって、蓄電池を外部短絡させるなどして蓄電池の温度が異常に上昇した場合において、排気弁の動作の機能を維持することができる。
本発明の密閉形蓄電池によれば、蓄電池の温度が異常に昇温したときやキャップに押圧力が加わった後も排気弁の機能が失われない密閉形蓄電池を提供することができ、誤って蓄電池を短絡させたとき、圧力スイッチが故障して機能しない状況で蓄電池を１５分間充電しても破裂する虞のない密閉形蓄電池を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉄とコバルトとパラジウムとからなり、前記パラジウムのモル含有率が１％乃至７％に設定された合金膜であることを特徴とする磁気デバイス用磁性膜。
【請求項２】
前記合金膜が、スパッタ法により形成されてなることを特徴とする請求項１記載の磁気デバイス用磁性膜。
【請求項３】
前記モル含有率に設定された鉄とコバルトとパラジウムとからなる合金をターゲットとして形成されたことを特徴とする請求項２記載の磁気デバイス用磁性膜。
【請求項４】
強磁性膜と，パラジウム膜またはパラジウムを含む合金膜とが交互に積層され、前記パラジウム膜またはパラジウムを含む合金膜の各層の層厚が0.05nm乃至0.28nmに設定された多層膜であることを特徴とする磁気デバイス用磁性膜。
【請求項５】
前記多層膜が、スパッタ法または蒸着法により形成されてなることを特徴とする請求項４記載の磁気デバイス用磁性膜。
【請求項６】
前記多層膜に前記強磁性膜が少なくとも２層以上含まれていることを特徴とする請求項４または５記載の磁気デバイス用磁性膜。
【請求項７】
前記強磁性膜は、鉄−コバルトまたは鉄−コバルトを含む合金からなり，鉄とコバルトの含有モル量の比(CFe/CCo)が0.667乃至9.0であることを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項記載の磁気デバイス用磁性膜。  
【請求項８】
前記強磁性膜の一層当りの層厚が、2.3nm以下であることを特徴とする請求項７記載の磁気デバイス用磁性膜。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項記載の磁気デバイス用磁性膜を用いたハードディスクドライブ用磁気ヘッド 。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか一項記載の磁気デバイス用磁性膜を用いた固体デバイス。  
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は上記目的を達成するため、次の構成を備える。
すなわち、本発明に係る第一の磁気デバイス用磁性膜は、鉄とコバルトとパラジウムとからなり、前記パラジウムのモル含有率が１％乃至７％に設定された合金膜であることを特徴とする。また、前記合金膜が、スパッタ法により形成されてなることを特徴とし、また、前記モル含有率に設定された鉄とコバルトとパラジウムとからなる合金をターゲットとし、スパッタ法により形成することにより、合金膜中におけるパラジウムのモル含有率を上記比率に正確に調製することができ、2.45Ｔを超える高飽和磁化Bsを有する磁気デバイス用磁性膜を確実に得ることが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明に係る第二の磁気デバイス用磁性膜は、強磁性膜と，パラジウム膜またはパラジウムを含む合金膜とが交互に積層され、前記パラジウム膜またはパラジウムを含む合金膜の各層の層厚が0.05nm乃至0.28nmに設定された多層膜であることを特徴とする。また、前記多層膜が、スパッタ法または蒸着法により形成されてなることを特徴とし、また、前記多層膜に前記強磁性膜が少なくとも２層以上含まれていることを特徴とし、前記強磁性膜は、鉄−コバルトまたは鉄−コバルトを含む合金からなり，鉄とコバルトの含有モル量の比(CFe/CCo)が0.667乃至9.0であることを特徴とする。
また、前記強磁性膜の一層当りの層厚が、2.3nm以下であることにより、2.45Ｔ以上の飽和磁化を有する磁気デバイス用磁性膜が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月24日(2007.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板上に、表面が窒化シリコンライナー膜で連続的に被覆されたトレンチ・アイソレーション溝を形成させる溝形成工程、
ポリシラザン、水素化シルセスキオキサン、およびそれらの混合物からなる群から選択されるケイ素含有ポリマーを有機溶媒に溶解させた溶液を前記基板上に塗布してケイ素含有ポリマー被膜を形成させる、塗布工程、
塗布済み基板を、９００℃以上１２００℃以下の温度で加熱処理してケイ素含有ポリマー被膜を二酸化シリコン膜に転換させる硬化工程、
を含んでなることを特徴とする、トレンチ・アイソレーション構造の形成方法。
【請求項２】
窒化シリコンライナー膜の厚さが８〜５０ｎｍである、請求項１に記載のトレンチ・アイソレーション構造の形成方法。
【請求項３】
硬化工程における加熱温度が１０００℃以上１２００℃以下である、請求項１または２に記載のトレンチ・アイソレーション構造の形成方法。
【請求項４】
加熱処理を水蒸気濃度５０％以上の不活性ガスまたは酸素雰囲気下で行う、請求項１〜３のいずれか１項に記載のトレンチ・アイソレーション構造の形成方法。
【請求項５】
塗布済み基板を加熱処理に先立って４００℃以下の温度でプリベークするプリベーク工程をさらに含んでなる、請求項１〜４のいずれか１項に記載のトレンチ・アイソレーション構造の形成方法。
【請求項６】
窒化シリコンライナー膜上にＣＶＤ法によりポリシリコン膜を形成させる、請求項１〜５のいずれか１項に記載のトレンチ・アイソレーション構造の形成方法。
【請求項７】
加熱処理によって窒化シリコンライナー膜の膜厚を１．３倍以上に増大させる、請求項１〜６のいずれか１項に記載のトレンチ・アイソレーション構造の形成方法。
【請求項８】
溝を少なくとも一つ有する基板と、
前記溝を埋封するように設けられたシリカ質膜と、
基板とシリカ質膜との間に連続的な窒化シリコンライナー膜と
を具備してなり、前記窒化シリコンライナー膜の少なくとも一部が酸化されていることを特徴とする、シリカ質膜付き基材。
【請求項９】
前記窒化シリコンライナー膜が、加熱により酸化された、請求項８に記載のシリカ質膜付き基材。
【請求項１０】
加熱により前記窒化ライナー膜の基板に接していない側の面から１．０ｎｍ以上が酸化されているものである、請求項８または９に記載のシリカ質膜付き基材。
【請求項１１】
シリカ質膜と窒化シリコンライナー膜との間に、ポリシリコン膜をさらに具備してなる、請求項８〜１０のいずれか１項に記載のシリカ質膜付き基材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このような背景から、本発明者らはポリシラザンを用いたトレンチ・アイソレーション構造の形成において、プリベーク温度を制御することによって二酸化シリコンの体積収縮を低減させ、良好なトレンチ・アイソレーション構造を形成できることを見出した（特願２００３−５８３６５号）。この方法は、構造欠陥の発生を防止することができる一つの方法である。
【特許文献１】特許第３１７８４１２号公報（段落０００５〜００１６）
【特許文献２】特開２００１−３０８０９０号公報
【特許文献３】特開２００２−８８１５６号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明によるシリカ質膜付き基材は、
溝を少なくとも一つ有する基板と、
前記溝を埋封するように設けられたシリカ質膜と、
基板とシリカ質膜との間に連続的な窒化シリコンライナー膜と
を具備してなり、前記窒化シリコンライナー膜の少なくとも一部が酸化されていることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月6日(2007.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された光電変換部を含む画素部と、当該光電変換部で光電変換された電気信号をアナログ−デジタル変換するアナログ−デジタル変換部と、前記光電変換部を駆動する回路部と、を備える固体撮像素子において、
前記画素部が形成されるウェル領域内に前記アナログ−デジタル変換部が形成され、前記回路部と前記アナログ−デジタル変換部とは電気的に分離されていることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記光電変換部はフォトダイオードを備え、前記ウェル領域は複数層から構成されており、最下層のウェル濃度が他の層より高濃度であることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記最下層のウェル濃度は、前記他の層よりもウェル濃度が少なくとも５倍であることを特徴とする請求項２記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記ウェル領域を構成する層は、不純物濃度のピークを有することを特徴とする請求項２又は３記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記光電変換部の電源電圧と前記アナログ−デジタル変換部の少なくとも一部分の電源電圧とをそれぞれ最適な値に個別に設定するようにしたことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載の固体撮像素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明は、前記光電変換部の電源電圧と前記アナログ−デジタル変換部の少なくとも一部分の電源電圧とをそれぞれ最適な値に個別に設定するようにしたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月9日(2007.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  放電灯を点灯させる放電灯点灯装置において、
直流電源と、
制御回路の高周波信号でスイッチング素子をオン・オフして前記直流電源の電圧を高周波電力に変換するインバータ回路と、
前記インバータ回路と前記放電灯の間に接続され、前記放電灯に流れる電流を制限するバラストチョーク及び前記放電灯に並列接続され、前記バラストチョークと共振する始動用コンデンサを有し、前記インバータ回路からの高周波電力により放電灯を点灯させる放電灯回路と、
前記バラストチョークと前記始動用コンデンサの共振周波数に近づくように前記制御回路の高周波信号の周波数を徐々に変化させて、前記放電灯を点灯させる電圧を前記放電灯の両端に発生させる周波数制御回路と、
前記放電灯に印加される電圧があらかじめ定められた電圧に達するとき、前記放電灯に印加される電圧はあらかじめ定められた電圧を維持するように前記制御回路を制御するフィードバック回路と、
を備えたことを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項２】  放電灯を点灯させる放電灯点灯装置において、
直流電源と、
制御回路の高周波信号でスイッチング素子をオン・オフして前記直流電源の電圧を高周波電力に変換するインバータ回路と、
このインバータ回路からの高周波電力により放電灯を点灯させる放電灯回路と、
可変可能な基準値を設定する基準値可変手段を有し、前記高周波電力を前記基準値と等しくなるように前記制御回路を制御するフィードバック回路と、
前記基準値可変手段によりあらかじめ定められた高周波信号に対応した基準共振電圧に設定し、前記放電検出回路により放電灯の点灯を検知したときには、前記基準値を変化させて前記放電灯の点灯状態を調光点灯にする放電検出回路と、
を備えたことを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項３】  制御回路の高周波信号があらかじめ定められた高周波信号となる間、前記制御回路の高周波信号を徐々に変化させる周波数制御手段を備えたことを特徴とする請求項２記載の放電灯点灯装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る放電灯点灯装置は、放電灯を点灯させる放電灯点灯装置において、直流電源と、制御回路の高周波信号でスイッチング素子をオン・オフして前記直流電源の電圧を高周波電力に変換するインバータ回路と、前記インバータ回路と前記放電灯の間に接続され、前記放電灯に流れる電流を制限するバラストチョーク及び前記放電灯に並列接続され、前記バラストチョークと共振する始動用コンデンサを有し、前記インバータ回路からの高周波電力により放電灯を点灯させる放電灯回路と、前記バラストチョークと前記始動用コンデンサの共振周波数に近づくように前記制御回路の高周波信号の周波数を徐々に変化させて、前記放電灯を点灯させる電圧を前記放電灯の両端に発生させる周波数制御回路と、前記放電灯に印加される電圧があらかじめ定められた電圧に達するとき、前記放電灯に印加される電圧はあらかじめ定められた電圧を維持するように前記制御回路を制御するフィードバック回路と、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、放電灯を点灯させる放電灯点灯装置において、直流電源と、制御回路の高周波信号でスイッチング素子をオン・オフして前記直流電源の電圧を高周波電力に変換するインバータ回路と、このインバータ回路からの高周波電力により放電灯を点灯させる放電灯回路と、可変可能な基準値を設定する基準値可変手段を有し、前記高周波電力を前記基準値と等しくなるように前記制御回路を制御するフィードバック回路と、前記基準値可変手段によりあらかじめ定められた高周波信号に対応した基準共振電圧に設定し、前記放電検出回路により放電灯の点灯を検知したときには、前記基準値を変化させて前記放電灯の点灯状態を調光点灯にする放電検出回路と、を備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、放電灯を点灯させる放電灯点灯装置において、直流電源と、制御回路の高周波信号でスイッチング素子をオン・オフして前記直流電源の電圧を高周波電力に変換するインバータ回路と、前記インバータ回路と前記放電灯の間に接続され、前記放電灯に流れる電流を制限するバラストチョーク及び前記放電灯に並列接続され、前記バラストチョークと共振する始動用コンデンサを有し、前記インバータ回路からの高周波電力により放電灯を点灯させる放電灯回路と、前記バラストチョークと前記始動用コンデンサの共振周波数に近づくように前記制御回路の高周波信号の周波数を徐々に変化させて、前記放電灯を点灯させる電圧を前記放電灯の両端に発生させる周波数制御回路と、前記放電灯に印加される電圧があらかじめ定められた電圧に達するとき、前記放電灯に印加される電圧はあらかじめ定められた電圧を維持するように前記制御回路を制御するフィードバック回路と、を備えたので、始動用コンデンサやバラストチョークが小形で安価なものを使用し、また、特別な保護回路を設けないで、放電灯が正常ランプであるにもかかわらず、インバータ回路が出力を停止してしまうことがないようにすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
また、放電灯を点灯させる放電灯点灯装置において、直流電源と、制御回路の高周波信号でスイッチング素子をオン・オフして前記直流電源の電圧を高周波電力に変換するインバータ回路と、このインバータ回路からの高周波電力により放電灯を点灯させる放電灯回路と、可変可能な基準値を設定する基準値可変手段を有し、前記高周波電力を前記基準値と等しくなるように前記制御回路を制御するフィードバック回路と、前記基準値可変手段によりあらかじめ定められた高周波信号に対応した基準共振電圧に設定し、前記放電検出回路により放電灯の点灯を検知したときには、前記基準値を変化させて前記放電灯の点灯状態を調光点灯にする放電検出回路と、を備えたので、調光用の回路を特に必要とせず調光をすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月23日(2007.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この送信機２は、筐体６内に図２に示すように、マイクロコンピュータ１８を有し、これには温度センサ１０からの温度信号、設定ボタン１２の操作による基準温度信号、解除ボタン１６の操作による解除指令信号が供給される。