【手続補正書】
【提出日】平成20年4月9日(2008.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単極双投（「ＳＰＤＴ」）マイクロ電子機械システム（「ＭＥＭＳ」）スイッチに接続された入力導体上に存在する電気信号を、少なくとも第１の出力導体と第２の出力導体とを含むグループから選択された出力導体に選択的に結合するよう適合され、両方の前記出力導体が該ＳＰＤＴ ＭＥＭＳスイッチに接続されるようにした、ＳＰＤＴ ＭＥＭＳスイッチであって、
前記ＳＰＤＴ ＭＥＭＳスイッチは、
ａ．  １対の前に直面するトグルと１対の後に直面するトグルとを含むグループから選択された整列形態の少なくとも１対のトグルと、
ｂ．  前記トグルの数より少なくない複数対のトーションバーであって、それぞれのトーションバーの対が：
ｉ．    それぞれ前記トグルの１つの対抗する側に配置され、それと結合され、また、
ｉｉ．  そのようなトグルが回転できる軸を構築している、
トーションバーと；
ｃ．  前記トグルから最も遠いトーションバーの端部が結合されたフレームであって、前記トーションバーによって構築された軸の周りで回転するために前記トーションバーを介して前記トグルを支持するフレームと；
を内部にマイクロマシン加工された材料のモノリシック層：
前記トグルの数より少なくない電気伝導性の複数の短絡バーであって、１つの短絡バーが上記のようなトグルの回転軸からそれぞれのトグル先端の端部にそれぞれ運ばれるような短絡バー；
前記モノリシック層の第１の表面に接続されるベース；および、
前記ベースが接続されるその第１の表面より先端のモノリシック層の第２の表面に接着された基板であって、その上部には、
ａ．  前記トグルの数より少なくない電極であって、該トグルの回転軸の一側に移動されたトグルの表面に並置され、該電極とトグルの間への電圧の印加が、結合されたトーションバーにより構築された自身の回転軸の周りに前記トグルを回転させるよう駆動するような電極と；
ｂ．  前記トグルの数より少なくない複数対のスイッチ接点であって、それぞれのスイッチ接点の対が前記入力導体と前記出力導体の１つにそれぞれ接続可能なよう適合され、かつスイッチ接点のそれぞれの対が：
ｉ．    前記トグルに力がかけられない時に、前記トグルの１つによって運ばれる短絡バーに近接するが、スペースをあけられ；
ｉｉ．   前記トグルに力がかけられない時に、お互い電気的に絶縁され；また、
ｉｉｉ．トーションバーにより構築された回転軸の周りに前記トグルを回転させるよう駆動するトグルへの十分強い力の適用の下に、前記近接する短絡バーによって接続される接点と；
が形成された基板：
を有し、
それによって、短絡バーが前記スイッチ接点に接触するような範囲に結合にされたトーションバーにより構築された回転軸の周りのそれぞれのトグルの回転の際に、接触短絡バーが、前記トグルによって運ばれる短絡バーに近接するスイッチ接点と電気的に連結することを特徴とするＳＰＤＴ ＭＥＭＳスイッチ。
【請求項２】
前記電極は、段階的な断面形状を持ち、それによって、トーションバーのそれぞれの対により構築された回転軸の周りに前記トグルを回転させるのに十分な強さの力を発生するために、印加されるべき電圧を減らすことを特徴とする請求項１に記載のＳＰＤＴ ＭＥＭＳスイッチ。
【請求項３】
フリット材料が前記基板にモノリシック層を接着させ、フリット材料が前記フレーム、前記トーションバー、および前記トグルの対を取り囲むように配置され、接着の際に前記フリット材料が前記フレーム、前記トーションバー、および前記トグルの周りに位置する突出したレールによって圧縮されることを特徴とする請求項１に記載のＳＰＤＴ ＭＥＭＳスイッチ。
【請求項４】
前記レールは前記フリット材料を収容するフリットトレンチの中に配置されることを特徴とする請求項３に記載のＳＰＤＴ ＭＥＭＳスイッチ。
【請求項５】
前記レールは前記モノリシック層の中に形成されることを特徴とする請求項３または４に記載のＳＰＤＴ ＭＥＭＳスイッチ。
【請求項６】
融着接着剤が前記モノリシック層と前記ベースとを接合することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のＳＰＤＴ ＭＥＭＳスイッチ。
【請求項７】
前記モノリシック層を形成する材料は単結晶シリコン（Ｓｉ）であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のＳＰＤＴ ＭＥＭＳスイッチ。
【請求項８】
電気的絶縁材料のシートが、前記トグルと上部に運ばれる前記短絡バーとの間に挿入されることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のＳＰＤＴ ＭＥＭＳスイッチ。
【請求項９】
前記ベースは前記モノリシック層の第１の表面に近接する内部に形成されたキャビティを含むことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載のＳＰＤＴ ＭＥＭＳスイッチ。
【請求項１０】
前記基板は、前記スイッチ接点と入力出力導体との間に電気信号をそれぞれ運ぶ電気導体を面上に形成し、
前記ＳＰＤＴ ＭＥＭＳスイッチは、前記電気導体に近接して配置され、そこから電気的に絶縁される接地板を含む
ことを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載のＳＰＤＴ ＭＥＭＳスイッチ。
【請求項１１】
前記接地板は前記モノリシック層の上に配置されることを特徴とする請求項１０に記載のＳＰＤＴ ＭＥＭＳスイッチ。
【請求項１２】
前記接地板は前記基板の上に配置されることを特徴とする請求項１０に記載のＳＰＤＴ ＭＥＭＳスイッチ。
【請求項１３】
第１の材料の層と；
第２の材料の層であって、フリット材料が前記第１の材料の層を前記第２の材料の層に接合し、接着の際に、前記フリット材料が、前記第１の材料の層および前記第２の材料の層を含むグループから選択された材料の層の中に位置するレールによって圧縮されるようにした第２の層と；
を有することを特徴とするＭＥＭＳデバイス。
【請求項１４】
前記レールは前記フリット材料を収容するフリットトレンチの中に配置されることを特徴とする請求項１３に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１５】
前記フリット材料は、前記第１の材料の層と前記第２の材料の層との間に陽極接合されることを特徴とする請求項１３または１４に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１６】
前記第１の材料の層と前記第２の材料の層の間にフリット接合が構築され、一方、百（１００）ボルト未満の電圧が前記第１の材料の層と前記第２の材料の層に亘って印加されることを特徴とする請求項１５に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１７】
ＭＥＭＳデバイスの、対にされた第１の材料の層と第２の材料の層との間にフリット材料を配置する段階と、
対にされた第１の材料の層と第２の材料の層とに亘って圧力をかける段階と、
対にされた第１の材料の層と第２の材料の層とを加熱する段階と、
対にされた第１の材料の層と第２の材料の層とに亘って電圧を印加する段階と、
を有することを特徴とするＭＥＭＳデバイスの層を接着するための方法。
【請求項１８】
対にされた第１の材料の層と第２の材料の層とに亘ってかけられる圧力は少なくとも１８００ニュートン(Newtons)であることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
対にされた第１の材料の層と第２の材料の層とは少なくとも４００℃に加熱されることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記フリット材料は、前記第１の材料の層と第２の材料の層とを含むグループから選択された材料の層の中に位置するレールによって圧縮されることを特徴とする請求項１７から１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
前記レールは前記フリット材料を収容するフリットトレンチの中に配置されることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
対にされた第１の材料の層と第２の材料の層とに亘って印加される電圧は、１００ボルト未満であることを特徴とする請求項１７から１９のいずれか１項に記載の方法。