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【手続補正書】
【提出日】平成19年9月19日(2007.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１主面およびその反対側の第２主面を有する配線基板と、
（ｂ）前記配線基板の第１主面側に実装されたメモリ回路を有する第１半導体チップと、
（ｃ）前記配線基板の第１主面側に実装され、前記メモリ回路を制御する回路を有する第２半導体チップと、
（ｄ）前記配線基板の第１主面側に第１、第２半導体チップを封止するように設けられた封止体とを備え、
前記配線基板の第１主面には、前記第１半導体チップの複数の端子が電気的に接続された複数の第１端子と、前記第２半導体チップの複数の端子が電気的に接続された複数の第２端子とが配置されており、
前記配線基板の第２主面には、前記配線基板の内部の配線を通じて第２半導体チップに電気的に接続された複数の第１外部端子と、前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップを電気的に接続する前記配線基板内の複数の配線に電気的に接続された複数の第２外部端子とが配置されており、
前記複数の第１外部端子は、前記配線基板の第２主面の外周に沿って複数列を成すように配置されており、
前記複数の第２外部端子は、前記複数の第１外部端子よりも内側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、前記複数の第２外部端子は、前記配線基板の第２主面の最表層に形成された絶縁層によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、前記絶縁層はソルダレジストであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、前記複数の第２外部端子は、前記配線基板の第２主面の最表層に形成された絶縁層から露出されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置において、前記メモリ回路は、シンクロナスＤＲＡＭであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、前記シンクロナスＤＲＡＭは、ＤＤＲ−シンクロナスＤＲＡＭであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置において、前記複数の第１外部端子には半田バンプが接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置において、前記複数の第１外部端子には半田バンプが接続され、前記複数の第２外部端子には半田バンプが接続されていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置において、前記第２半導体チップと前記第１半導体チップとが積層されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置において、
前記第２半導体チップは、前記第２半導体チップの複数の端子が複数の半田バンプを介して前記配線基板の第１主面の前記複数の第２端子と電気的に接続された状態で前記配線基板の第１主面上に実装されており、
前記第１半導体チップは、前記第２半導体チップ上に積層されており、前記第１半導体チップの複数の端子は複数のボンディングワイヤを介して前記配線基板の第１主面の前記複数の第１端子と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
（ａ）第１主面およびその反対側の第２主面を有する配線基板と、
（ｂ）前記配線基板の第１主面側に実装されたメモリ回路を有する第１半導体チップと、
（ｃ）前記配線基板の第１主面側に実装され、前記メモリ回路を制御する回路を有する第２半導体チップと、
（ｄ）前記配線基板の第１主面側に第１、第２半導体チップを封止するように設けられた封止体とを備え、
前記配線基板の第１主面には、前記第１半導体チップの複数の端子が電気的に接続された複数の第１端子と、前記第２半導体チップの複数の端子が電気的に接続された複数の第２端子とが配置されており、
前記配線基板の第２主面には、前記配線基板の内部の配線を通じて第２半導体チップに電気的に接続された複数の第１外部端子と、前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップを電気的に接続する前記配線基板内の複数の配線に電気的に接続された複数の第２外部端子とが配置されており、
前記複数の第１外部端子は、前記配線基板の第２主面の外周から内側に向かって複数列を成すように配置されており、
前記複数の第２外部端子は、前記複数の第１外部端子よりも内側に配置されており、
前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップを電気的に接続する前記配線基板内の複数の配線は、前記第１半導体チップのメモリ回路と、前記メモリ回路を制御する前記第２半導体チップ内の回路とを電気的に接続するデータ線であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置において、前記複数の第２外部端子は、前記配線基板の第２主面の最表層に形成された絶縁層によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置において、前記絶縁層はソルダレジストであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１１記載の半導体装置において、前記複数の第２外部端子は、前記配線基板の第２主面の最表層に形成された絶縁層から露出されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１１記載の半導体装置において、前記メモリ回路は、シンクロナスＤＲＡＭであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体装置において、前記シンクロナスＤＲＡＭは、ＤＤＲ−シンクロナスＤＲＡＭであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１１記載の半導体装置において、前記複数の第１外部端子には半田バンプが接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１１記載の半導体装置において、前記複数の第１外部端子には半田バンプが接続され、前記複数の第２外部端子には半田バンプが接続されていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１１記載の半導体装置において、前記第２半導体チップと前記第１半導体チップとが積層されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１９記載の半導体装置において、前記複数の第２外部端子は、前記第１、第２半導体チップの平面領域よりも内側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
すなわち、本発明は、第１主面およびその反対側の第２主面を有する配線基板と、前記配線基板の第１主面側に実装されたメモリ回路を有する第１半導体チップと、前記配線基板の第１主面側に実装され、前記メモリ回路を制御する回路を有する第２半導体チップと、前記第１、第２半導体チップを封止する封止体とを有し、前記メモリ回路とそれを制御する回路とで所望のシステムを構成する半導体装置において、前記配線基板の第２主面の外周には前記第２半導体チップと電気的に接続された複数の第１外部端子が複数列を成すように配置され、前記複数の第１外部端子よりも内側には前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップを電気的に接続する前記配線基板内の複数の配線に電気的に接続された複数の第２外部端子が配置されているものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月12日(2007.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子を放出するカソードと、
外部から電位が与えられるアノードと、
前記アノードが配置された第１の基板と、
前記カソードが配置され、前記第１の基板に間隔をあけて対向して設けられた第２の基板と、
前記第２の基板に設けられ、該第２の基板の外面側から前記アノードに前記電位を供給する貫通孔と、
前記第２の基板の内面上に前記貫通孔を取り囲む部分を有し、前記電位が供給される導電性部材と、
を有する表示装置。
【請求項２】
前記導電性部材と前記アノードとの間に位置して設けられ、該導電性部材と該アノードのそれぞれと電気的に接続された導電性易変形部材を有する、請求項１に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月27日(2007.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に放電空間を有する発光管と、前記放電空間に突出して対向する一対の電極とを有し、前記放電空間には、水銀を含まず、室温において少なくとも３気圧のキセノンガスと、少なくともヨウ化インジウムからなる金属ハロゲン化物とが封入されたメタルハライドランプにおいて、
前記放電空間の容積をＶ（ｍｍ３）、前記発光管に印加される電力をＰ（Ｗ）、前記ヨウ化インジウムの重量をＸ（μｇ）としたときに、
(Ｐ／Ｖ)(Ｘ／Ｖ)０．２＞３．０
なる関係を満たし、可視波長全域にわたるインジウムによる連続発光スペクトルが生成することを特徴とする水銀フリーメタルハライドランプ。
【請求項２】
請求項１に記載の水銀フリーメタルハライドランプにおいて、
１．６≦(Ｐ／Ｖ)≦２．４、かつ、
２０≦(Ｘ／Ｖ)≦６０
であることを特徴とする水銀フリーメタルハライドランプ。
【請求項３】
請求項２に記載の水銀フリーメタルハライドランプにおいて、
１．８≦(Ｐ／Ｖ)≦２．４、かつ、
２０≦(Ｘ／Ｖ)≦４０、かつ、
(Ｐ／Ｖ)(Ｘ／Ｖ)０．２＞３．６
であることを特徴とする水銀フリーメタルハライドランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明では、放電空間には、水銀を含まず、室温において少なくとも３気圧のキセノンガスと、少なくともヨウ化インジウムからなる金属ハロゲン化物とを封入し、放電空間の容積をＶ（ｍｍ３）、発光管に印加される電力をＰ（Ｗ）、ヨウ化インジウムの重量をＸ（μｇ）としたときに、
(Ｐ／Ｖ)(Ｘ／Ｖ)０．２＞３．０
なる関係を満たすようにする。これにより、可視波長全域にわたるインジウムによる連続発光スペクトルが生成され、優れた白色光源となる水銀フリーメタルハライドランプが得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月4日(2007.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視光透過性体上に設けられた非単結晶半導体薄膜層を有する基板であって、この基板に、レーザ光を受光して可視光を発する発光層または発光領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記発光層または発光領域は、前記非単結晶半導体薄膜層を除く他の少なくとも１層に設けられることを特徴とする請求項１の前記半導体装置。
【請求項３】
前記発光層または発光領域の厚さは、１μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記発光層または発光領域の厚さは、０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記発光層または発光領域から発せられる、最も光強度の高い波長における全高半値幅は、０．０５μｍ以内であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記発光層は、ＳｉＯｘ膜、ＳｉＯＮ膜、Ｓｉ３Ｎ４膜のうちいずれかを含む請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記発光層は、ＴｂまたはＥｕがドープされたＳｉ０２の薄膜、ナノ粒子、ピラニンのうちいずれかを含む請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
基板上に形成された非単結晶半導体薄膜層平面での光強度分布を測定するための方法であって、
前記基板に、レーザ光を受光して光を発する前記発光層または発光領域を設ける工程と、
前記基板の前記発光層または発光領域に向けて前記レーザ光を照射する工程と、
前記レーザ光を受光した前記発光層または発光領域から発せられた光強度分布を、前記基板の裏面側から撮像光学系を用いて二次元的に拡大して撮像する工程と、を具備し、
このようにして撮像して得られた発光の光強度分布情報から、前記レーザ光の前記基板表面での光強度分布を求めることを特徴とするレーザ光の光強度分布測定方法。
【請求項９】
非単結晶半導体薄膜層を有する基板に、レーザ光に対して可視光を発する発光層または発光領域を設け、前記非単結晶半導体薄膜層にレーザ光を照射して、非単結晶薄膜から結晶粒を成長させるレーザアニール装置であって、
前記基板に向けてレーザ光を照射するレーザ光源と、
前記基板の裏面側に配置された撮像光学系と、
この撮像光学系によって撮像された発光の光強度分布を測定する光強度分布測定装置と、
前記レーザ光が前記非単結晶半導体薄膜層を照射したとき当該照射位置をアニールし、前記レーザ光が前記発光層または発光領域を照射したとき前記レーザ光の光強度分布を測定することを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項１０】
非単結晶半導体薄膜層を有する基板に、位相変調されたレーザ光を照射して結晶化領域を形成する結晶化方法であって、
レーザ光を受光すると発光する発光層を前記基板の予め定められた部分または全面に設けておき、
結晶化のために前記基板に照射するレーザ光の照射前または後の所望するときに前記発光層の発光した光学像を二次元的に拡大して撮像してレーザ光の光強度分布情報を得ることを特徴とする結晶化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月26日(2007.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層を含む半導体部と、
前記半導体部の光取り出し面に設けられ、前記発光層から放射される光を前記半導体部から外部放射させる中間屈折率材料を有する発光素子において、
前記中間屈折率材料の膜厚ｔは、前記発光素子が発する光の波長をλ、前記中間屈折率材料の屈折率をｎとすると、
ｔ＝λ／（３ｎ）
であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
発光層を含む半導体部と、
前記半導体部の光取り出し面に形状加工により設けられ、前記形状加工によって形成された部分を含む光取り出し面に中間屈折率材料による層を有する発光素子において、
前記中間屈折率材料は、前記発光素子の周囲媒体より大きく、前記半導体部の屈折率より小なる屈折率であることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
前記形状加工は、前記半導体部の端部に傾斜面を設けていることを特徴とする請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記形状加工は、前記半導体部の表面に凹凸面を設けていることを特徴とする請求項２または３に記載の発光素子。
【請求項５】
前記凹凸面は、菱形状に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記中間屈折率材料の膜厚ｔは、前記発光素子が発する光の波長をλ、前記中間屈折率材料の屈折率をｎとすると、
ｔ＝λ／（３ｎ）
であることを特徴とする請求項２から５のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項７】
前記発光素子は、フリップチップタイプであることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項８】
前記半導体部は、ＧａＮ系半導体材料によって形成されることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項９】
前記中間屈折率材料は、ＳｉＮからなることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記目的を達成するため、発光層を含む半導体部と、前記半導体部の光取り出し面に設けられ、前記発光層から放射される光を前記半導体部から外部放射させる中間屈折率材料を有する発光素子において、前記中間屈折率材料の膜厚ｔは、前記発光素子が発する光の波長をλ、前記中間屈折率材料の屈折率をｎとすると、ｔ＝λ／（３ｎ）であることを特徴とする発光素子を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月10日(2007.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ラッピング後のウェーハは上記エッチング液中で回転数２５ｒｐｍ、揺動数２０ｃｐｍの運動条件下で、両面でのエッチング量が２５μｍになるようにエッチング時間を調整した。エッチング後のウェーハは超純水で洗浄し、乾燥した。図１には平坦性をウルトラゲージ９７００で測定した結果から算出されたΔＴＴＶが示されている。また図２に得られたエッチング代形状（＝エッチング前形状−エッチング後形状）を示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
【図１】実施例１〜３及び比較例１におけるΔＴＴＶを示す図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2006093453.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月25日(2007.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハに露光を行う露光装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置された本体と、
前記本体を冷却する媒体と冷却水とを熱交換させる第１の熱交換手段と、
前記チャンバ外に配置された光源と、
前記光源に外気を導入し且つ前記光源に導入された該外気を排出する排気手段と、
前記光源と前記排気手段との間における該外気の経路中の該外気と前記第１の熱交換手段からの該冷却水とを熱交換させる第２の熱交換手段と、
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記第１の熱交換手段と前記チャンバとの間の該媒体の経路中において該媒体の温度を調節する温度調節手段をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記光源と前記排気手段との間における該外気の経路中の該外気と前記第１の熱交換手段からの該媒体とを熱交換させる第３の熱交換手段をさらに有することを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の露光装置を用いてウエハに露光を行う工程と、
前記工程において露光されたウエハを現像する工程と、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置およびデバイス製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ウエハに露光を行う露光装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そこで、本発明は、光源からの廃熱の処理に係る設備の負担を軽減した露光装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明は、ウエハに露光を行う露光装置であって、チャンバと、前記チャンバ内に配置された本体と、前記本体を冷却する媒体と冷却水とを熱交換させる第１の熱交換手段と、前記チャンバ外に配置された光源と、前記光源に外気を導入し且つ前記光源に導入された該外気を排出する排気手段と、前記光源と前記排気手段との間における該外気の経路中の該外気と前記第１の熱交換手段からの該冷却水とを熱交換させる第２の熱交換手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明によれば、光源からの廃熱の処理に係る設備の負担を軽減した露光装置を提供することができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図３に示す実施例３では実施例２の構成で再粗加熱された温調媒体３９と分岐された温調媒体３０をバイパス路４０により温調媒体３９と混合する。温調媒体３９と温調媒体４０の混合は粗温調された温調媒体４１となるが、温調媒体４１の温度を温度センサ４２にて測定し、装置本体である温度制御対象３５の発熱状況に応じて２方制御弁（あるいは３方制御弁）４３の開度を調整し粗温調を行う。さらに粗温調された温調媒体４１は、該媒体の温度調節手段である精密温調部３１で温度センサ３２と温度制御対象３５の発熱状況に応じて最適な温調制御を施され温度制御対象３５の温調制御に使用される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月17日(2007.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一導電型半導体基板と、
前記第一導電型半導体基板の表面に形成される第一導電型ドリフト領域と、
前記第一導電型ドリフト領域の表面に形成される第二導電型ベース領域と、
前記第一導電型ドリフト領域内において、前記第二導電型ベース領域に接するとともに、当該第二導電型ベース領域に対して垂直な方向に所定の深さに設けられる複数の第二導電型コラム領域と、
前記各第二導電型コラム領域の深さ方向に沿った中心から等間隔離間して、前記第二導電型ベース領域を貫通して前記第一導電型ドリフト領域の一部に埋設されて設けられる複数のゲート電極と、
前記第二導電型ベース領域の表面に前記各ゲート電極を挟んで設けられる第一導電型ソース領域と、
前記第一導電型半導体基板の裏面に接続するドレイン電極と、
前記第一導電型ソース領域に接続するソース電極と
含み、
前記各第二導電型コラム領域の平面位置は各隣接するコラムの深さ方向に沿った中心が等間隔離間しており、
前記ゲート電極は前記第二導電型コラム領域の周囲をトレンチ状に形成され、
前記ゲート電極の近傍に形成される各チャネル面は全て等価な面方位であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記チャネル面は、Ｓｉ（１００）面と等価の面方位であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
平面視したときの単位セルが長方形状であり、長辺と短辺との比が略２：√３であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る半導体装置は、第一導電型半導体基板と、
前記第一導電型半導体基板の表面に形成される第一導電型ドリフト領域と、
前記第一導電型ドリフト領域の表面に形成される第二導電型ベース領域と、
前記第一導電型ドリフト領域内において、前記第二導電型ベース領域に接するとともに、当該第二導電型ベース領域に対して垂直な方向に所定の深さに設けられる複数の第二導電型コラム領域と、
前記各第二導電型コラム領域の深さ方向に沿った中心から等間隔離間して、前記第二導電型ベース領域を貫通して前記第一導電型ドリフト領域の一部に埋設されて設けられる複数のゲート電極と、
前記第二導電型ベース領域の表面に前記各ゲート電極を挟んで設けられる第一導電型ソース領域と、
前記第一導電型半導体基板の裏面に接続するドレイン電極と、
前記第一導電型ソース領域に接続するソース電極と
含み、
前記各第二導電型コラム領域の平面位置は各隣接するコラムの深さ方向に沿った中心が等間隔離間しており、
前記ゲート電極は前記第二導電型コラム領域の周囲をトレンチ状に形成され、
前記ゲート電極の近傍に形成される各チャネル面は全て等価な面方位であることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、図２に示した平面視したときの単位セル１１７（ｐ型コラム領域１６を取り囲むゲート電極よりなるトレンチパターン１１３の中線で囲まれた領域）が長方形状であり、長辺と短辺との比が略２：√３としたときに、トレンチパターン１１３の幅を最小にして、隣接するｐ型コラム領域１６の深さ方向に沿った中心間の間隔が一定になることが、本発明者により見出されている。したがって、各単位セルの間隔を最小とすることで、高耐圧を実現しつつ、半導体装置の小型化が可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月31日(2007.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードバックライトの製造方法において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードとして、同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードをその内部における配列を維持して上記基板上に配列する
ことを特徴とする発光ダイオードバックライトの製造方法。
【請求項２】
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードバックライトの製造方法において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードとして、それぞれ同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードをその内部における配列を維持して上記基板上に配列する
ことを特徴とする発光ダイオードバックライトの製造方法。
【請求項３】
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードバックライトの製造方法において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードとして、同一の発光ダイオードウェハから得られたものを用いる
ことを特徴とする発光ダイオードバックライトの製造方法。
【請求項４】
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードバックライトにおいて、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードが、同一の発光ダイオードウェハから得られたものである
ことを特徴とする発光ダイオードバックライト。
【請求項５】
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードバックライトにおいて、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードが、同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードがその内部における配列を維持して上記基板上に配列されたものである
ことを特徴とする発光ダイオードバックライト。
【請求項６】
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板上にそれぞれ複数個配列することにより形成された発光ダイオードバックライトにおいて、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードが、それぞれ同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードがその内部における配列を維持して上記基板上に配列されたものである
ことを特徴とする発光ダイオードバックライト。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月20日(2007.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から放射される光を第１の光と第２の光に分割するビーム分割器と、
前記第１の光の光路中に配置されて前記第１の光の位相分布を変調する空間光変調器と、
前記第１の光と前記第２の光を重ね合わせるビーム結合器と、
前記ビーム結合器からの光を用いて基板上に前記空間光変調器のパターンを投影する投影光学系と、
前記空間光変調器に変調信号を供給する制御手段とを有し、
前記空間光変調器は１次元又は２次元に配列されたピクセルを有し、
前記ピクセルの各々が複数の反射エレメントを有し、
かつ同一ピクセル内の前記反射エレメントが同時に同一方向に変位することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記ピクセルの各々を構成する前記反射エレメントの数が２以上６以下であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第１の光又は前記第２の光の光路に配置された減衰フィルタを更に有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記第２の光の光路に配置された遮光用のシャッタを更に有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項５】
前記第２の光の光路に配置された別の空間光変調器を更に有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項６】
請求項１に記載の露光装置を用いて基板を投影露光するステップと、
前記投影露光された前記基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、露光に関し、特に感光剤が塗布された基板上に直接パターンを描画して高集積度のデバイスを得るマスクレス露光に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
マスクレス露光の一例として、位相変調型の空間光変調器を用いてパターンの像を基板上に投影する方法が注目されている。空間光変調器は並列型のデバイスであるため、単位時間に処理できるピクセル数を非常に大きくできる可能性がある。特に、反射体の表面の形状を変化させて光の変調を行う、いわゆるＤＭＤ（Ｄｅｆｏｒｍａｂｌｅ  Ｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）方式の空間変調器は、露光装置に好適である。これには高いコントラストが実現できること、環境に対して安定な動作が得られること、比較的に短い波長で使用できることなどの理由があげられる。そして、位相変調方式は、必要なミラーの変位が光の波長の１／４程度と小さく、高速な動作が可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
照明光学系からの光は光分割器／結合器３に入射し、信号光（第１の光）４と参照光（第２の光）５に分割される。光分割器／結合器３は、例えばキューブ型のプリズム、あるいは平板型の半透鏡とすればよい。空間光変調器６は信号光４の光路中に配置されている。空間光変調器６は、信号光４の空間的な位相分布を変調する。空間光変調器６は、例えば、液晶パネル、あるいは反射体の表面の形状を変化させて光の変調を行うＤＭＤとすればよい。ＤＭＤは、高いコントラストが実現できること、環境に対して安定な動作が得られること、比較的に短い波長で使用できることなどの点で露光装置に好適である。信号光４は空間光変調器６を通過した後に、光分割器／結合器３に戻る。また、参照光５は参照鏡７によって反射されて光分割器／結合器３に戻る。光分割器／結合器３において信号光４と参照光５は再び重ね合わされ、投影光学系８に入射する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
測距用レーザ干渉計１２はステージ制御装置１３と電子的に結ばれ、ステージ９の位置を制御する。ステージ制御装置１３及び空間光変調器６は電子制御装置１４と電子的に結ばれている。電子制御装置１４は、空間光変調器６に変調信号を供給しながらステージ制御装置１３を介してステージを移動させ、走査露光により基板１０に所望のパターンを形成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
そこで、この散乱光と所望のパターンに対応する光とを分離する。そのために、最小パターンサイズに対応する１ピクセルを複数の反射エレメントで構成し、各反射エレメントからの位相が同一であるように同一ピクセル内の各反射エレメントを同時に同一方向へ駆動してもよい。このようにすることによって、投影光学系のＮＡの外側に散乱光の回折成分を追い出して遮断し、所望のパターンに対応する光のみを通過させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図３は、本発明の第３の実施形態によるマスクレス露光装置の要部概略ブロック図である。本実施形態においては、参照光の光路に遮光用のシャッタ１６が配置されている点が第１の実施形態と異なり、その他の構成は同じである。これにより、参照光を必要に応じて遮断することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月25日(2007.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放熱する直方体状の半導体パッケージを線膨張係数が異なる基板上に実装したものであって、前記半導体パッケージの一つの面に設けた電極を前記基板の表面に設けたランドに半田付けした回路基板において、前記ランドを前記一つの面のコーナ部から周囲に向けて広がる半田フィレットを形成可能な形状とすると共に、前記半導体パッケージにおける前記一つの面と交差する各面の間の境界線に沿って切欠部を設け半田付け可能とし、前記半導体パッケージの一つの面のコーナ部において前記電極の前記基板側の面を凹ませて前記電極に段差を形成したことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記半導体パッケージの前記一つの面の周縁部から外方に向けて導出され、先端が前記基板に半田付けされる複数本の端子リードを有しており、この端子リードを、前記基板と前記半導体パッケージの線膨張係数の差によって生じる応力により変形するように形成したことを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
線膨張係数が前記基板と前記半導体パッケージの間のスペーサ又は絶縁基板を前記半導体パッケージと前記基板の間に介在させたことを特徴とする請求項２記載の回路基板。
【請求項４】
前記半導体パッケージにおける前記一つの面と反対側の面を前記基板に対向させた状態で前記半導体パッケージが前記基板に実装されると共に、前記電極と前記基板とを電気的に接続する冠電極を設けたことを特徴とする請求項２記載の回路基板。
【請求項５】
前記半導体パッケージの前記一つの面の周縁部から外方に向けて導出され、先端が前記基板に半田付けされる複数本の端子リードを有すると共に、前記半導体パッケージの前記一つの面の各辺における端子リードの本数が異なっており、前記端子リードの本数が少ない辺にダミーの端子リードを設けたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載の回路基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明は、放熱する直方体状の半導体パッケージを線膨張係数が異なる基板上に実装したものであって、前記半導体パッケージの一つの面に設けた電極を前記基板の表面に設けたランドに半田付けした回路基板において、前記ランドを前記一つの面のコーナ部から周囲に向けて広がる半田フィレットを形成可能な形状とすると共に、前記半導体パッケージにおける前記一つの面と交差する各面の間の境界線に沿って切欠部を設け半田付け可能とし、前記半導体パッケージの一つの面のコーナ部において前記電極の前記基板側の面を凹ませて前記電極に段差を形成したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月7日(2007.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像が記録された記録媒体から画像を読み取る画像読取手段と、
同画像読取手段を制御して第１の読取解像度で画像を読み取らせた第１画像データを取得し、同第１画像データに基づいて画像の種類を判定する画像判定手段と、
上記画像読取手段を制御して第２の読取解像度で画像を読み取らせるにあたり、上記画像判定手段における判定結果が示す画像の種類に応じた画像取得条件で第２画像データを取得する読取制御手段とを具備することを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
上記第１の読取解像度は、上記第２の読取解像度より低解像度であることを特徴とする上記請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】
上記画像判定手段は、人工的に作成された画像を含む画像の種類であるか自然画を含む画像の種類であるかを判定することを特徴とする上記請求項１または請求項２のいずれかに記載の画像読取装置。
【請求項４】
上記画像判定手段は、画像の種類をさらに詳細なサブ分類に分類することを特徴とする上記請求項３に記載の画像読取装置。
【請求項５】
上記画像判定手段は、上記第１画像データが示す画像の種類が第１の種類であるか否かを判定し、さらにその画像が第２の種類であるか否かを判定することを特徴とする上記請求項１〜請求項４のいずれかに記載の画像読取装置。
【請求項６】
上記読取制御手段は、第２画像データを構成する複数の色成分に対して所定の変化度合いで色成分を変化させる画像処理を行うにあたり、上記画像の種類毎に異なる変化度合いで色成分を変化させることを特徴とする上記請求項１〜請求項５のいずれかに記載の画像読取装置。
【請求項７】
画像が記録された記録媒体から画像を読み取って画像データを生成する画像読取装置の制御方法であって、
上記画像読取装置を制御して第１の読取解像度で画像を読み取らせた第１画像データを取得し、同第１画像データに基づいて画像の種類を判定する画像判定工程と、
上記画像読取装置を制御して第２の読取解像度で画像を読み取らせるにあたり、上記画像判定工程における判定結果が示す画像の種類に応じた画像取得条件で第２画像データを取得する読取制御工程とを具備することを特徴とする画像読取装置の制御方法。
【請求項８】
画像が記録された記録媒体から画像を読み取って画像データを生成する画像読取装置の制御プログラムであって、
上記画像読取装置を制御して第１の読取解像度で画像を読み取らせた第１画像データを取得し、同第１画像データに基づいて画像の種類を判定する画像判定機能と、
上記画像読取装置を制御して第２の読取解像度で画像を読み取らせるにあたり、上記画像判定機能における判定結果が示す画像の種類に応じた画像取得条件で第２画像データを取得する読取制御機能とをコンピュータに実現させることを特徴とする画像読取装置の制御プログラム。
【請求項９】
画像が記録された記録媒体から画像を読み取る画像読取手段と、
同画像読取手段を制御して第１の読取解像度で画像を読み取らせた第１画像データを取得し、同第１画像データに基づいて画像の種類を判定する画像判定手段と、
上記画像読取手段を制御して第２の読取解像度で画像を読み取らせるにあたり、上記画像判定手段における判定結果が示す画像の種類に応じた画像取得条件で第２画像データを取得する読取制御手段と、
同第２画像データに基づいて上記画像を印刷する印刷手段とを具備することを特徴とする複写装置。
【請求項１０】
画像が記録された記録媒体から画像を読み取って画像データを取得する読取部と画像データに基づいて印刷を行う印刷部を備えた複写装置の制御方法であって、
上記読取部を制御して第１の読取解像度で画像を読み取らせた第１画像データを取得し、同第１画像データに基づいて画像の種類を判定する画像判定工程と、
上記読取部を制御して第２の読取解像度で画像を読み取らせるにあたり、上記画像判定工程における判定結果が示す画像の種類に応じた画像取得条件で第２画像データを取得する読取制御工程と、
上記印刷部を制御して上記第２画像データに基づいて上記画像を印刷する印刷工程とを具備することを特徴とする複写装置の制御方法。
【請求項１１】
画像が記録された記録媒体から画像を読み取って画像データを取得する読取部と画像データに基づいて印刷を行う印刷部を備えた複写装置の制御プログラムであって、
上記読取部を制御して第１の読取解像度で画像を読み取らせた第１画像データを取得し、同第１画像データに基づいて画像の種類を判定する画像判定機能と、
上記読取部を制御して第２の読取解像度で画像を読み取らせるにあたり、上記画像判定機能における判定結果が示す画像の種類に応じた画像取得条件で第２画像データを取得する読取制御機能と、
上記印刷部を制御して上記第２画像データに基づいて上記画像を印刷する印刷機能とをコンピュータに実現させることを特徴とする複写装置の制御プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月6日(2007.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
まず、前提として利用者が高画質モード「ＨＧ」を選択しているものとする。先に説明したように、アンテナ１で受信したＴＶ放送等の電波信号はチューナ２を介し、第１のＡ／Ｄ変換器３に入力される。説明の簡略化のため、第１のＡ／Ｄ変換器３、第１のエンコーダ４、第１のバッファメモリ５は、利用者が選択した録画画質モードでエンコードする場合の信号経路（第１の信号経路）であるものとする。これに対し、第２のＡ／Ｄ変換器１３、第２のエンコーダ１４、第２のバッファメモリ１５は、利用者が設定した録画画質モードではなく、それ未満の録画画質モードでエンコードする場合の信号経路（第２の信号経路）であるものとする。なお、後述するように第２の信号経路の録画画質も利用者が設定および選択可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
１  アンテナ
２  チューナ
３  第１のＡ／Ｄ変換器
４  第１のエンコーダ
５  第１のバッファメモリ
６  ハードディスクドライブ装置
７  バッファメモリ制御部
８  デコーダ
９  Ｄ／Ａ変換器
１０  出力端子 
１１  システム制御部
１２  操作部
１３  第２のＡ／Ｄ変換器
１４  第２のエンコーダ
１５  第２のバッファメモリ
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2006093843.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2006093843.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2006093843.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月14日(2007.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
このように移相器２０ａまたは２２ａのいずれかにおいて位相調整することによって、ダイポールアンテナ４、６の合成指向性を前側または後側いずれかに向かせることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
同様にして、移相器２４ａまたは２６ａのいずれかにおいて位相調整することによって、ダイポールアンテナ８、１０の合成指向性を右側または左側いずれかに向かせることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
このような指向性調整部１８ａ乃至１８ｄをそれぞれ個別に設け、それらの出力を端子４４ａ乃至４４ｄに個別に出力し、ＴＶ受信機４６ａ乃至４６ｄにそれぞれ供給しているので、１台の共同受信用アンテナ１の使用で、各ＴＶ受信機４６ａ乃至４６ｄにおいてそれぞれ異なる方向から到来する電波を受信することができる。なお、例えばアメリカ合衆国等において、このように異なる方向からそれぞれテレビジョン放送信号が送信されている。各指向性調整部１８ａ乃至１８ｄでの合成指向性の調整を各ＴＶ受信機４６ａ乃至４６ｄにおいて行えるように、ＴＶ受信機４６ａ乃至４６ｄは同軸ケーブル４８ａ乃至４８ｄを介して指向性可変制御信号を対応する端子４４ａ乃至４４ｄに供給する。この指向性可変制御信号は対応する重畳分離回路４２ａ乃至４４ｄから対応する制御部２８ａ乃至２８ｄに供給される。指向性可変制御信号は、移相器を制御する移相制御信号と、振幅調整器を制御する振幅制御信号とからなり、各ＴＶ受信機が受信しようとするチャンネルの最適な指向性を生成するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月11日(2007.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配信予定番組に関する番組情報を取得する取得手段と、
前記配信予定番組から所定の番組を検索するために、複数種類の検索条件を含む番組検索条件を設定可能とする設定手段と、
前記取得手段で取得された番組情報から、前記設定手段で設定された番組検索条件に基づいて番組検索を行なう検索手段とを具備することを特徴とする番組検索装置。
【請求項２】
前記設定手段は、それぞれが複数種類の検索条件を含む複数の番組検索条件を設定可能であり、
前記検索手段は、前記設定手段で設定された複数の番組検索条件のそれぞれに基づいて番組検索を行なうことを特徴とする請求項１記載の番組検索装置。
【請求項３】
前記設定手段で設定可能な複数の番組検索条件を一覧表示する検索条件表示手段を具備することを特徴とする請求項２記載の番組検索装置。
【請求項４】
前記検索手段により前記設定手段で設定された複数の番組検索条件のそれぞれに基づいて検索された番組を、いずれの番組検索条件に基づいて検索された番組であるかに無関係に混合して一覧表示する検索結果表示手段を具備することを特徴とする請求項２記載の番組検索装置。
【請求項５】
前記検索結果表示手段は、一覧表示された番組に対して、いずれの番組検索条件に基づいて検索された番組であるかを表示することを特徴とする請求項４記載の番組検索装置。
【請求項６】
前記検索結果表示手段に一覧表示された番組の中から所定の番組を選択可能とする選択手段と、
前記選択手段で選択された番組に対して番組予約の設定を可能とする番組予約手段とを具備することを特徴とする請求項４または５記載の番組検索装置。
【請求項７】
前記設定手段は、前記番組検索条件が含む複数種類の検索条件として、ジャンル、キーワード、チャンネルのいずれかを設定可能であることを特徴とする請求項１乃至６いずれかに記載の番組検索装置。
【請求項８】
前記検索手段は、前記設定手段により番組検索条件が設定された場合、予め設定された所定のタイミングで、前記取得手段で取得された番組情報から前記番組検索条件に基づいた番組検索を行ない、その検索結果を保持することを特徴とする請求項１乃至７いずれかに記載の番組検索装置。
【請求項９】
前記検索手段が番組検索を行なうタイミングは、予め設定された一定の時間が経過する毎、本体装置の電源が投入されたとき、前記番組情報が更新されたときのいずれかを含むことを特徴とする請求項８記載の番組検索装置。
【請求項１０】
配信予定番組に関する番組情報を取得する工程と、
前記配信予定番組から所定の番組を検索するために、複数種類の検索条件を含む番組検索条件を設定する工程と、
取得された番組情報から設定された番組検索条件に基づいて番組検索を行なう工程とを具備することを特徴とする番組検索方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月20日(2007.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同じ色相で明度の異なる濃記録材および淡記録材を用いる画像処理装置であって、
各色記録材のパッチパターンから各色の階調特性を取得する取得手段と、
前記各色の階調特性に基づき、前記各色の階調を補正する階調補正テーブルを作成する階調補正手段と、
前記濃記録材および淡記録材を混色した場合の濃度値を示す特性テーブルを参照して、前記各色の階調特性から前記濃記録材の一次色領域、前記淡記録材の一次色領域および前記濃記録材および淡記録材が混色した色領域を含む基本色の階調特性を算出する算出手段と、
前記特性テーブルおよび前記階調補正テーブルを参照して、前記基本色の階調特性を補正する濃度補正テーブルを作成する濃度補正手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
さらに、前記濃度補正テーブルおよび前記階調補正テーブルを用いて、前記各色記録材に対応する色信号を色処理する色処理手段を有することを特徴とする請求項1に記載された画像処理装置。
【請求項３】
さらに、前記濃度補正テーブルおよび前記階調補正テーブルを合成した補正テーブルを作成する合成手段と、
前記補正テーブルを用いて、前記各色記録材に対応する色信号を色処理する色処理手段とを有することを特徴とする請求項1に記載された画像処理装置。
【請求項４】
前記色処理手段は、前記濃度補正テーブルにより、前記濃記録材に対応する色信号のレベルを補正することを特徴とする請求項2または請求項3に記載された画像処理装置。
【請求項５】
前記階調補正手段は、前記パッチの濃度値が規定濃度値に達しない淡記録材について、到達可能な濃度値までは所定のリニアな特性、それ以降はフラットな特性の階調特性を得るための前記階調補正テーブルを作成することを特徴とする請求項1から請求項4の何れか一項に記載された画像処理装置。
【請求項６】
前記階調補正手段は、前記パッチの濃度値が規定濃度値を超える淡記録材について、前記規定濃度値に達する色信号のレベルまでは所定のリニアな特性、それ以降は前記パッチの最大濃度に向かう特性の階調特性を得るための前記階調補正テーブルを作成することを特徴とする請求項1から請求項4の何れか一項に記載された画像処理装置。
【請求項７】
前記特性テーブルは、予め、前記濃記録材および淡記録材を混色したパッチパターンから取得されたものであることを特徴とする請求項1から請求項6の何れか一項に記載された画像処理装置。
【請求項８】
同じ色相で明度の異なる濃記録材および淡記録材を用いる画像処理装置のキャリブレーション方法であって、
各色記録材のパッチパターンから各色の階調特性を取得し、
前記各色の階調特性に基づき、前記各色の階調を補正する階調補正テーブルを作成し、
前記濃記録材および淡記録材を混色した場合の濃度値を示す特性テーブルを参照して、前記各色の階調特性から前記濃記録材の一次色領域、前記淡記録材の一次色領域および前記濃記録材および淡記録材が混色した色領域を含む基本色の階調特性を算出し、
前記特性テーブルおよび前記階調補正テーブルを参照して、前記基本色の階調特性を補正する濃度補正テーブルを作成することを特徴とするキャリブレーション方法。
【請求項９】
同じ色相で明度の異なる濃記録材および淡記録材を用いる画像処理装置の画像処理方法であって、
各色記録材のパッチパターンから取得した各色の階調特性に基づき作成された、前記各色の階調を補正する階調補正テーブル、並びに、前記濃記録材および淡記録材を混色した場合の濃度値を示す特性テーブルを参照して、前記各色の階調特性から算出された前記濃記録材の一次色領域、前記淡記録材の一次色領域および前記濃記録材および淡記録材が混色した色領域を含む基本色の階調特性を補正する濃度補正テーブルを用いて、前記各色記録材に対応する色信号を色処理することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１０】
画像処理装置を制御して、請求項8に記載されたキャリブレーションを実行することを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１１】
画像処理装置を制御して、請求項9に記載された画像処理を実行することを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１２】
請求項10または請求項11に記載されたコンピュータプログラムが記録されたことを特徴とするコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月23日(2007.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
特に、従来より光導電性材料として知られるＢｉＩ3等は、塗布法で形成した場合、バインダーの不純物や実効的に密度が低いことなどに起因して発生電荷の捕集効果が低く、画像の粒状性が悪いといった問題があったが、本発明のＢｉＭＯ4からなる光導電層では、塗布法で形成しても感度を高くすることが可能である。加えて、塗布法による光導電層は低コストで製造することが可能であるため、放射線撮像パネルの製造コストを下げることができる。