【手続補正書】
【提出日】平成30年11月22日(2018.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＥＭＳ部品（ＭＢ）において以下を備える：
ベースウエハ（ＢＷ）と、その上に配置されるカバーウエハ（ＤＷ）と、
前記ベースウエハ（ＢＷ）と前記カバーウエハ（ＤＷ）との間の第１中空空間（Ｈ１）と、前記第１中空空間（Ｈ１）内の第１部品構造体（ＢＳ１）と、
前記カバーウエハ（ＤＷ）上方の第２中空空間（Ｈ２）と、前記第２中空空間（Ｈ２）内の第２部品構造体（ＢＳ２）と、
前記第１中空空間（Ｈ１）を側方において囲むフレーム（Ｒ）と、
前記第２中空空間（Ｈ２）を覆う薄膜カバー（ＤＳＡ）、
さらに以下を備える、
誘電材料と信号導体（ＳＬ）を含み、前記薄膜カバー（ＤＳＡ）上方に配置される再配線層（ＵＳ）。
【請求項２】
封止層（ＶＳ）を更に備え、前記薄膜カバー（ＤＳＡ）は孔（Ｌ）を含み、前記封止層（ＶＳ）は前記薄膜カバー（ＤＳＡ）上方に配置され、前記孔（Ｌ）を封止する、請求項１に記載のＭＥＭＳ部品。
【請求項３】
補強層（ＶＳＴ）を更に備え、前記補強層（ＶＳＴ）は前記薄膜カバー（ＤＳＡ）上方に配置され、これを機械的に補強する、請求項１又は２に記載のＭＥＭＳ部品。
【請求項４】
平坦化層（ＰＳ）を更に備え、前記平坦化層（ＰＳ）は前記薄膜カバー（ＤＳＡ）上方に配置され、平坦な上面を有する、請求項１〜３の何れか１項に記載のＭＥＭＳ部品。
【請求項５】
回路素子を更に備え、前記回路素子は、前記再配線層内に配置され、パッシブ回路素子、誘導性素子、容量性素子、抵抗素子、及びストリップラインから選択される、請求項１〜４の何れか１項に記載のＭＥＭＳ部品。
【請求項６】
パッシベーション層（ＰＡＳ）を更に備え、前記パッシベーション層（ＰＡＳ）は前記薄膜カバー（ＤＳＡ）上方に配置される、請求項１〜５の何れか１項に記載のＭＥＭＳ部品。
【請求項７】
前記部品（ＭＢ）の上面上に第１電気的接続面と、信号導体（ＳＬ）とを更に備え、前記信号導体は、前記第１部品構造体（ＢＳ１）を前記第１接続面と接続し、少なくとも部分的に前記部品（ＭＢ）の外側面（ＡＳＦ）に延在する、請求項１〜６の何れか１項に記載のＭＥＭＳ部品。
【請求項８】
前記部品（ＭＢ）の上面上に第２接続面と、めっきスルーホール（ＤＫ）とを更に備え、前記めっきスルーホール（ＤＫ）は前記第２部品構造体（ＢＳ２）を前記第２接続面と接続する、請求項１〜７の何れか１項に記載のＭＥＭＳ部品。
【請求項９】
前記カバーウエハ（ＤＷ）を貫通するめっきスルーホール（ＤＫ）を含まない、請求項１〜８の何れか１項に記載のＭＥＭＳ部品。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか１項に記載のＭＥＭＳ部品において、前記第１部品構造体（ＢＳ１）及び前記第２部品構造体（ＢＳ２）は以下から選択される：ＳＡＷ構造体、ＢＡＷ構造体、ＧＢＡＷ構造体、マイクロホン膜、ＭＥＭＳ構造体。
【請求項１１】
請求項１〜１０の何れか１項に記載のＭＥＭＳ部品は、以下を備える：
材料が誘電材料、有機材料、ポリマー、ＢＣＢ、無機材料、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウムから選択される封止層（ＶＳ）と、
材料が誘電材料、有機材料、ポリマー、ＢＣＢ、無機材料、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウムから選択される補強層（ＶＳＴ）と、
材料が誘電材料、有機材料、ポリマー、ＢＣＢ、ラミネート、無機材料、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウムから選択される平坦化層（ＰＳ）と、
それぞれ材料が誘電材料、有機材料、ポリマー、ＢＣＢ、ソルダーレジスト、無機材料、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウムから選択されるパッシベーション層（ＰＡＳ）及び／又は再配線層（ＵＳ）。
【請求項１２】
前記ベースウエハ（ＢＷ）及び前記カバーウエハ（ＤＷ）は、同一の材料又は略同一の熱膨張係数を有する材料からなる、請求項１〜１１の何れか１項に記載のＭＥＭＳ部品。
【請求項１３】
ＭＥＭＳ部品（ＭＢ）の製造方法において、以下のステップを備える：
ベースウエハ（ＢＷ）を設け、
前記ベースウエハ（ＢＷ）上に、第１部品構造体（ＢＳ１）とフレーム（Ｒ）とを形成し、
カバーウエハ（ＤＷ）を設け、
前記カバーウエハ（ＤＷ）上に第２部品構造体（ＢＳ２）を形成し、
前記フレーム上（Ｒ）に前記カバーウエハ（ＤＷ）を配置し、ベースウエハ（ＢＷ）、カバーウエハ（ＤＷ）、及びフレーム（Ｒ）の間に第１中空空間（Ｈ１）を形成し、
前記第２部品構造体（ＢＳ２）上方に薄膜カバー（ＤＳＡ）を形成し、
前記薄膜カバー（ＤＳＡ）上方に再配線層（ＵＳ）を形成し、前記再配線層（ＵＳ）は、誘電材料と信号導体（ＳＬ）を含む。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法において、前記薄膜カバー（ＤＳＡ）の形成ステップは以下のサブステップを備える：
前記第２部品構造体（ＢＳ２）に犠牲材（ＯＭ）を被着し、
前記犠牲材（ＯＭ）上に層の成膜方法により薄層の形状で薄膜カバー（ＤＳＡ）を成膜し、
前記薄膜カバー（ＤＳＡ）に少なくとも１つの孔（Ｌ）を形成し、
前記薄膜カバー（ＤＳＡ）下の前記犠牲材（ＯＭ）を除去する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
部品又は部品の製造方法は、記載された実施形態例に限定されない。更なる中空空間、更なるウエハ、若しくは更なる薄膜カバーを有する部品、又は対応する包括的部品の製造方法は、同様に請求項によっても包含される。
以下に本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[Ｃ１]  ＭＥＭＳ部品（ＭＢ）において以下を備える：
ベースウエハ（ＢＷ）と、その上に配置されるカバーウエハ（ＤＷ）と、
前記ベースウエハ（ＢＷ）と前記カバーウエハ（ＤＷ）との間の第１中空空間（Ｈ１）と、前記第１中空空間（Ｈ１）内の第１部品構造体（ＢＳ１）と、
前記カバーウエハ（ＤＷ）上方の第２中空空間（Ｈ２）と、前記第２中空空間（Ｈ２）内の第２部品構造体（ＢＳ２）と、
前記第１中空空間（Ｈ１）を側方において囲むフレーム（Ｒ）と、
前記第２中空空間（Ｈ２）を覆う薄膜カバー（ＤＳＡ）。
[Ｃ２]  封止層（ＶＳ）を更に備え、前記薄膜カバー（ＤＳＡ）は孔（Ｌ）を含み、前記封止層（ＶＳ）は前記薄膜カバー（ＤＳＡ）上方に配置され、前記孔（Ｌ）を封止する、Ｃ１に記載のＭＥＭＳ部品。
[Ｃ３]  補強層（ＶＳＴ）を更に備え、前記補強層（ＶＳＴ）は前記薄膜カバー（ＤＳＡ）上方に配置され、これを機械的に補強する、Ｃ１又は２に記載のＭＥＭＳ部品。
[Ｃ４]  平坦化層（ＰＳ）を更に備え、前記平坦化層（ＰＳ）は前記薄膜カバー上方に配置され、平坦な上面を有する、Ｃ１〜３の何れか１項に記載のＭＥＭＳ部品。
[Ｃ５]  再配線層（ＵＳ）を更に備え、前記再配線層（ＵＳ）は誘電材料と信号導体（ＳＬ）を含み、前記薄膜カバー（ＤＳＡ）上方に配置される、Ｃ１〜４の何れか１項に記載のＭＥＭＳ部品。
[Ｃ６]  回路素子を更に備え、前記回路素子は、前記再配線層内に配置され、パッシブ回路素子、誘導性素子、容量性素子、抵抗素子、及びストリップラインから選択される、Ｃ１〜５の何れか１項に記載のＭＥＭＳ部品。
[Ｃ７]  パッシベーション層（ＰＡＳ）を更に備え、前記パッシベーション層（ＰＡＳ）は前記薄膜カバー（ＤＳＡ）上方に配置される、Ｃ１〜６の何れか１項に記載のＭＥＭＳ部品。
[Ｃ８]  前記部品（ＭＢ）の上面上に第１電気的接続面と、信号導体（ＳＬ）とを更に備え、前記信号導体は、前記第１部品構造体（ＢＳ１）を前記第１接続面と接続し、少なくとも部分的に前記部品（ＭＢ）の外側面（ＡＳＦ）に延在する、Ｃ１〜７の何れか１項に記載のＭＥＭＳ部品。
[Ｃ９]  前記部品（ＭＢ）の上面上に第２接続面と、めっきスルーホール（ＤＫ）とを更に備え、前記めっきスルーホール（ＤＫ）は前記第２部品構造体（ＢＳ２）を前記第２接続面と接続する、Ｃ１〜８の何れか１項に記載のＭＥＭＳ部品。
[Ｃ１０]  前記カバーウエハ（ＤＷ）を貫通するめっきスルーホール（ＤＫ）を含まない、Ｃ１〜９の何れか１項に記載のＭＥＭＳ部品。
[Ｃ１１]  Ｃ１〜１０の何れか１項に記載のＭＥＭＳ部品において、前記第１部品構造体（ＢＳ１）及び前記第２部品構造体（ＢＳ２）は以下から選択される：ＳＡＷ構造体、ＢＡＷ構造体、ＧＢＡＷ構造体、マイクロホン膜、ＭＥＭＳ構造体。
[Ｃ１２]  Ｃ１〜１１の何れか１項に記載のＭＥＭＳ部品は、以下を備える：
材料が誘電材料、有機材料、ポリマー、ＢＣＢ、無機材料、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウムから選択される封止層（ＶＳ）と、
材料が誘電材料、有機材料、ポリマー、ＢＣＢ、無機材料、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウムから選択される補強層（ＶＳＴ）と、
材料が誘電材料、有機材料、ポリマー、ＢＣＢ、ラミネート、無機材料、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウムから選択される平坦化層（ＰＳ）と、
それぞれ材料が誘電材料、有機材料、ポリマー、ＢＣＢ、ソルダーレジスト、無機材料、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウムから選択されるパッシベーション層（ＰＡＳ）及び／又は再配線層（ＵＳ）。
[Ｃ１３]  前記ベースウエハ（ＢＷ）及び前記カバーウエハ（ＤＷ）は、同一の材料又は略同一の熱膨張係数を有する材料からなる、Ｃ１〜１２の何れか１項に記載のＭＥＭＳ部品。
[Ｃ１４]  ＭＥＭＳ部品（ＭＢ）の製造方法において、以下のステップを備える：
ベースウエハ（ＢＷ）を設け、
前記ベースウエハ（ＢＷ）上に、第１部品構造体（ＢＳ１）とフレーム（Ｒ）とを形成し、
カバーウエハ（ＤＷ）を設け、
前記カバーウエハ（ＤＷ）上に第２部品構造体（ＢＳ２）を形成し、
前記フレーム上（Ｒ）に前記カバーウエハ（ＤＷ）を配置し、ベースウエハ（ＢＷ）、カバーウエハ（ＤＷ）、及びフレーム（Ｒ）の間に第１中空空間（Ｈ１）を形成し、
前記第２部品構造体（ＢＳ２）上方に薄膜カバー（ＤＳＡ）を形成する。
[Ｃ１５]  Ｃ１４に記載の方法において、前記薄膜カバー（ＤＳＡ）の形成ステップは以下のサブステップを備える：
前記第２部品構造体（ＢＳ２）に犠牲材（ＯＭ）を被着し、
前記犠牲材（ＯＭ）上に層の成膜方法により薄層の形状で薄膜カバー（ＤＳＡ）を成膜し、
前記薄膜カバー（ＤＳＡ）に少なくとも１つの孔（Ｌ）を形成し、
前記薄膜カバー（ＤＳＡ）下の前記犠牲材（ＯＭ）を除去する。