【手続補正書】
【提出日】平成19年2月6日(2007.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ照射方法、半導体装置の作製方法、レーザ照射装置、および半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に成膜された非単結晶半導体膜にレーザを照射する方法であって、
前記レーザは、連続発光レーザであり、
前記連続発光レーザの出力Ｌｗ（Ｗ）と、照射面でのスポットサイズＳｐ（ｃｍ２）とが、
Ｌｗ＞１×１０５Ｓｐ、且つ、
Ｓｐ＞２．５×１０−５
の関係を満たしていることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項２】
ガラス基板上に成膜された非単結晶半導体膜にレーザを照射する方法であって、
前記レーザは、連続発光レーザであり、
前記連続発光レーザの出力Ｌｗ（Ｗ）と、照射面でのスポットサイズＳｐ（ｃｍ２）とが、
Ｌｗ＞２×１０５Ｓｐ、且つ、
Ｓｐ＞２．５×１０−５
の関係を満たしていることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項３】
ガラス基板上に成膜された非単結晶半導体膜にレーザを照射する方法であって、
前記レーザは、連続発光レーザであり、
前記連続発光レーザの出力Ｌｗ（Ｗ）と、照射面でのスポットサイズＳｐ（ｃｍ２）とが、
Ｌｗ＞２×１０３Ｓｐ、且つ、
Ｓｐ＞２．５×１０−５
の関係を満たしていることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
照射面での前記レーザのビーム形状は、線状であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記レーザの線方向におけるエネルギー分布は、±５％以内であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項６】
請求項４において、
前記レーザの線方向におけるエネルギー分布は、±３％以内であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項７】
請求項４において、
前記レーザの線方向におけるエネルギー分布は、±１％以内であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
基板１枚に照射する間における前記レーザのエネルギーの変動は、±１０％以内であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一において、
基板１枚に照射する間における前記レーザのエネルギーの変動は、±３％以内であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１０】
請求項１乃至７のいずれか一において、
基板１枚に照射する間における前記レーザのエネルギーの変動は、±１％以内であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記レーザは、エキシマレーザであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１２】
ガラス基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に非単結晶半導体膜を形成し、
前記非単結晶半導体膜に連続発光レーザを照射し、
照射面での前記連続発光レーザのビーム形状は、線状であり、
前記連続発光レーザの出力Ｌｗ（Ｗ）と、照射面でのスポットサイズＳｐ（ｃｍ２）とが、
Ｌｗ＞１×１０５Ｓｐ、且つ、
Ｓｐ＞２．５×１０−５
の関係を満たしていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
ガラス基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に非単結晶半導体膜を形成し、
前記非単結晶半導体膜に連続発光レーザを照射し、
照射面での前記連続発光レーザのビーム形状は、線状であり、
前記連続発光レーザの出力Ｌｗ（Ｗ）と、照射面でのスポットサイズＳｐ（ｃｍ２）とが、
Ｌｗ＞２×１０５Ｓｐ、且つ、
Ｓｐ＞２．５×１０−５
の関係を満たしていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
ガラス基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に非単結晶半導体膜を形成し、
前記非単結晶半導体膜に連続発光レーザを照射し、
照射面での前記連続発光レーザのビーム形状は、線状であり、
前記連続発光レーザの出力Ｌｗ（Ｗ）と、照射面でのスポットサイズＳｐ（ｃｍ２）とが、
Ｌｗ＞２×１０３Ｓｐ、且つ、
Ｓｐ＞２．５×１０−５
の関係を満たしていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１２乃至１４のいずれか一において、
前記レーザの線方向におけるエネルギー分布は、±５％以内であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１２乃至１４のいずれか一において、
前記レーザの線方向におけるエネルギー分布は、±３％以内であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１２乃至１４のいずれか一において、
前記レーザの線方向におけるエネルギー分布は、±１％以内であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１２乃至１７のいずれか一において、
基板１枚に照射する間における前記レーザのエネルギーの変動は、±１０％以内であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１２乃至１７のいずれか一において、
基板１枚に照射する間における前記レーザのエネルギーの変動は、±３％以内であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１２乃至１７のいずれか一において、
基板１枚に照射する間における前記レーザのエネルギーの変動は、±１％以内であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１２乃至２０のいずれか一において、
前記レーザは、エキシマレーザであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
連続発光レーザを発振するレーザ発振装置と、
前記レーザを照射面にて線状に加工する光学系と、
前記照射面を設置できる移動可能な照射台と、を有し、
レーザ出力Ｌｗ（Ｗ）と、照射面でのスポットサイズＳｐ（ｃｍ２）とが、
Ｌｗ＞１×１０５Ｓｐ、且つ、
Ｓｐ＞２．５×１０−５
の関係を満たしていることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２３】
連続発光レーザを発振するレーザ発振装置と、
前記レーザを照射面にて線状に加工する光学系と、
前記照射面を設置できる移動可能な照射台と、を有し、
レーザ出力Ｌｗ（Ｗ）と、照射面でのスポットサイズＳｐ（ｃｍ２）とが、
Ｌｗ＞２×１０５Ｓｐ、且つ、
Ｓｐ＞２．５×１０−５
の関係を満たしていることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２４】
連続発光レーザを発振するレーザ発振装置と、
前記レーザを照射面にて線状に加工する光学系と、
前記照射面を設置できる移動可能な照射台と、を有し、
レーザ出力Ｌｗ（Ｗ）と、照射面でのスポットサイズＳｐ（ｃｍ２）とが、
Ｌｗ＞２×１０３Ｓｐ、且つ、
Ｓｐ＞２．５×１０−５
の関係を満たしていることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２５】
請求項２２乃至２４のいずれか一において、
前記照射面での前記レーザの線方向におけるエネルギー分布は、±５％以内であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２６】
請求項２２乃至２４のいずれか一において、
前記照射面での前記レーザの線方向におけるエネルギー分布は、±３％以内であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２７】
請求項２２乃至２４のいずれか一において、
前記照射面での前記レーザの線方向におけるエネルギー分布は、±１％以内であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２８】
請求項２２乃至２７のいずれか一において、
基板１枚に照射する間における前記レーザのエネルギーの変動は、±１０％以内であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２９】
請求項２２乃至２７のいずれか一において、
基板１枚に照射する間における前記レーザのエネルギーの変動は、±３％以内であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３０】
請求項２２乃至２７のいずれか一において、
基板１枚に照射する間における前記レーザのエネルギーの変動は、±１％以内であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３１】
請求項２２乃至３０のいずれか一において、
前記レーザは、エキシマレーザであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３２】
請求項１２乃至２１に記載の半導体装置の作製方法を用いて作製されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３３】
請求項３２において、
前記半導体装置とは、アクティブマトリクス型液晶表示装置、アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置、またはアクティブマトリクス型ＥＣディスプレイであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３４】
請求項３２または３３に記載の半導体装置を表示部に用いたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３５】
請求項３４において、
前記半導体装置とは、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、または携帯情報端末であることを特徴とする半導体装置。