【手続補正書】
【提出日】平成19年6月4日(2007.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、半導体層と、前記半導体層に接して形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極に接続されたゲート配線とを有する半導体装置において、
前記ゲート電極と前記ゲート配線とは、前記ゲート絶縁膜に接した導電層から成り、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、一導電型の第１の不純物領域と、前記チャネル形成領域と前記一導電型の第１の不純物領域とに挟まれ、かつ、前記チャネル形成領域に接する前記一導電型の第２の不純物領域とを有し、
前記一導電型の第２の不純物領域の一部は、前記ゲート電極と重なっている第１の領域と、前記ゲート電極と重ならない第２の領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ｎチャネル型薄膜トランジスタで形成された画素部を有する半導体装置において、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極と、該ゲート電極に接続するゲート配線とは、ゲート絶縁膜に接した導電層から成り、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、チャネル形成領域と、一導電型の第１の不純物領域と、前記チャネル形成領域と前記一導電型の第１の不純物領域とに挟まれ、かつ、前記チャネル形成領域に接する前記一導電型の第２の不純物領域とを有し、
前記一導電型の第２の不純物領域は、前記ゲート電極と重なっている第１の領域と、前記ゲート電極と重ならない第２の領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ｎチャネル型薄膜トランジスタとｐチャネル型薄膜トランジスタとで形成されたＣＭＯＳ回路を有する半導体装置において、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極と、該ゲート電極に接続するゲート配線とは、ゲート絶縁膜に接した導電層から成り、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、チャネル形成領域と、一導電型の第１の不純物領域と、前記チャネル形成領域と前記一導電型の第１の不純物領域とに挟まれ、かつ、前記チャネル形成領域に接する前記一導電型の第２の不純物領域とを有し、
前記一導電型の第２の不純物領域は、前記ゲート電極と重なっている第１の領域と、前記ゲート電極と重ならない第２の領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ｎチャネル型薄膜トランジスタで形成された画素部と、ｎチャネル型薄膜トランジスタとｐチャネル型薄膜トランジスタと、で形成されたＣＭＯＳ回路を有する半導体装置において、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極と、該ゲート電極に接続するゲート配線とは、ゲート絶縁膜に接した第１の導電層から成り、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、チャネル形成領域と、一導電型の第１の不純物領域と、前記チャネル形成領域と前記一導電型の第１の不純物領域とに挟まれ、かつ、前記チャネル形成領域に接する前記一導電型の第２の不純物領域とを有し、
前記一導電型の第２の不純物領域は、前記ゲート電極と重なっている第１の領域と、前記ゲート電極と重ならない第２の領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４のいずれか一項において、前記ｐチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極と、該ゲート電極に接続するゲート配線とは、ゲート絶縁膜に接した導電層から成り、
前記ｐチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、チャネル形成領域と、一導電型の導電型の第３の不純物領域を有し、
前記一導電型の導電型の第３の不純物領域は、前記ゲート電極と重なっている第１の領域と、前記ゲート電極と重ならない第２の領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
一つの画素に、第１のｎチャネル型薄膜トランジスタと第２のｎチャネル型薄膜トランジスタとを有する半導体装置において、
前記第１のｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極と、と第２のｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極と、前記第１のｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極及び前記第２のｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極に接続するゲート配線とは、ゲート絶縁膜に接した導電層から成り、
前記第１のｎチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、第１のチャネル形成領域と、一導電型の第１の不純物領域と、前記第１のチャネル形成領域と前記一導電型の第１の不純物領域とに挟まれ、かつ、前記第１のチャネル形成領域に接する前記一導電型の第２の不純物領域とを有し、
前記一導電型の第２の不純物領域は、前記第１のｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極と重なっている第１の領域と、前記ゲート電極と重ならない第２の領域とを有し、
前記第２のｎチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、第２のチャネル形成領域と、前記一導電型の第３の不純物領域と、前記第２のチャネル形成領域と前記一導電型の第３の不純物領域とに挟まれ、かつ、前記第２のチャネル形成領域に接する前記一導電型の第４の不純物領域とを有し、
前記一導電型の第４の不純物領域は、前記第２のｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、前記第１のｎチャネル型薄膜トランジスタはマルチゲート構造で
あることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６において、前記第２のｎチャネル型薄膜トランジスタには、発光層を有する
素子が接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
一つの画素に、ｎチャネル型薄膜トランジスタとｐチャネル型薄膜トランジスタとを
有する半導体装置において、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極とｐチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極と、前記ｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極及び前記ｐチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極に接続するゲート配線とは、ゲート絶縁膜に接した導電層から成り、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、第１のチャネル形成領域と、一導電型の第１の不純物領域と、前記第１のチャネル形成領域と前記一導電型の第１の不純物領域とに挟まれ、かつ、前記第１のチャネル形成領域に接する前記一導電型の第２の不純物領域とを有し、
前記一導電型の第２の不純物領域は、前記ゲート電極と重なっている第１の領域と、前記ゲート電極と重ならない第２の領域とを有し、
前記ｐチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、第２のチャネル形成領域と、前記一導電型とは反対の導電型の第３の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域は、前記ｐチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極とは重ならないことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
一つの画素に、ｎチャネル型薄膜トランジスタとｐチャネル型薄膜トランジスタとを有する半導体装置において、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極とｐチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極と、前記ｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極及び前記ｐチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極に接続するゲート配線とは、ゲート絶縁膜に接した導電層から成り、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、第１のチャネル形成領域と、一導電型の第１の不純物領域と、前記第１のチャネル形成領域と前記一導電型の第１の不純物領域とに挟まれ、かつ、前記第１のチャネル形成領域に接する前記一導電型の第２の不純物領域とを有し、
前記一導電型の第２の不純物領域は、前記ゲート電極と重なっている第１の領域と、前記ゲート電極と重ならない第２の領域とを有し、
前記ｐチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、チャネル形成領域と、前記一導電型とは反対の導電型の第３の不純物領域とを有し、前記第３の不純物領域は、前記ゲート電極と重なっている第１の領域と、前記ゲート電極と重ならない第２の領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、前記ｎチャネル型薄膜トランジスタはマルチゲート構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項９または請求項１０において、前記ｐチャネル型薄膜トランジスタには、発光層を有する素子が接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項３または請求項４のいずれか一項において、前記ｐチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極と、該ゲート電極に接続するゲート配線とは、ゲート絶縁膜に接した導電層から成り、
前記ｐチャネル型薄膜トランジスタの半導体層は、チャネル形成領域と、一導電型とは反対の導電型の第３の不純物領域を有し、
前記一導電型とは反対の導電型の第３の不純物領域の一部は、前記ゲート電極の外側に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、前記導電層は、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）から選ばれた一種または複数種の元素、あるいは前記元素を主成分とする化合物であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、前記半導体装置は、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、またはイメージセンサであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項において、前記半導体装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、プロジェクションＴＶ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、または携帯型情報端末から選ばれた一つであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の一部を除去して少なくとも第１の島状半導体層と第２の島状半導体層とを形成する工程と、
前記第１の島状半導体層と第２の島状半導体層とに接してゲート絶縁膜を形成する工程と、
一導電型の不純物元素を前記第１の島状半導体層の選択された領域に添加して第２の不純物領域を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜に接して導電層を形成する工程と、
前記導電層から前記第２の島状半導体層のチャネル形成領域に重なる第２のゲート電極を形成する工程と、
前記第２のゲート電極を形成後、前記一導電型とは反対の導電型の不純物元素を前記第２の島状半導体層の選択された領域に添加して第３の不純物領域を形成する工程と、
前記導電層から前記第１の島状半導体層のチャネル形成領域及び前記第２の不純物領域の一部に重なる第１のゲート電極を形成する工程と、
前記第１のゲート電極を形成後、前記一導電型の不純物元素を前記第１の島状半導体層の選択された領域に添加して第１の不純物領域を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の一部を除去して少なくとも第１の島状半導体層と第２の島状半導体層とを形成する工程と、
前記第１の島状半導体層と第２の島状半導体層とに接してゲート絶縁膜を形成する工程と、
一導電型の不純物元素を前記第１の島状半導体層の選択された領域に添加して第２の不純物領域を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜に接して導電層を形成する工程と、
前記導電層から前記第１の島状半導体層のチャネル形成領域及び前記第２の不純物領域の一部に重なる第１のゲート電極と前記第２の島状半導体層のチャネル形成領域に重なる第２のゲート電極とを形成する工程と、
前記第１のゲート電極の形成後、一導電型の不純物元素を前記第１の島状半導体層の選択された領域に添加して第１の不純物領域を形成する工程と、
前記第２のゲート電極の形成後、前記一導電型とは反対の導電型の不純物元素を前記第２の島状半導体層の選択された領域に添加して第３の不純物領域を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の一部を除去して少なくとも第１の島状半導体層と第２の島状半導体層とを形成する工程と、
前記第１の島状半導体層と前記第２の島状半導体層とに接してゲート絶縁膜を形成する工程と、
一導電型の導電型の不純物元素を前記第２の島状半導体層の選択された領域に添加して第３の不純物領域を形成する工程と、
前記一導電型とは反対の不純物元素を前記第１の島状半導体層の選択された領域に添加して第２の不純物領域を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜に接して導電層を形成する工程と、
前記導電層から前記第１の島状半導体層のチャネル形成領域及び前記第２の不純物領域の一部に重なる第１のゲート電極と、前記第２の島状半導体層のチャネル形成領域に重なる第２のゲート電極とを形成する工程と、
前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極の形成後、前記一導電型とは反対の導電型の不純物元素を前記第１の島状半導体層の選択された領域に添加して第１の不純物領域を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の一部を除去して少なくとも第１の島状半導体層と第２の島状半導体層とを形成する工程と、
前記第１の島状半導体層と前記第２の島状半導体層とに接してゲート絶縁膜を形成する工程と、
一導電型の導電型の不純物元素を前記第２の島状半導体層の選択された領域に添加して第３の不純物領域を形成する工程と、
前記一導電型とは反対の導電型の不純物元素を前記第１の島状半導体層の選択された領域に添加して第１の不純物領域を形成する工程と、
前記一導電型とは反対の導電型の不純物元素を前記第１の島状半導体層の選択された領域に添加して前記第１の不純物領域とチャネル形成領域との間に第２の不純物領域を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜に接して導電層を形成する工程と、
前記導電層から前記第１の島状半導体層の前記チャネル形成領域及び前記第２の不純物領域の一部に重なる第１のゲート電極と、前記第２の島状半導体層のチャネル形成領域に重なる第２のゲート電極とを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の一部を除去して少なくとも第１の島状半導体層と第２の島状半導体層とを形成する工程と、
前記第１の島状半導体層と前記第２の島状半導体層とに接してゲート絶縁膜を形成する工程と、
一導電型の不純物元素を前記第１の島状半導体層の選択された領域に添加して第１の不純物領域を形成する工程と、
前記一導電型の不純物元素を前記第１の島状半導体層の選択された領域に添加して前記第１の不純物領域とチャネル形成領域との間に第２の不純物領域を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜に接して導電層を形成する工程と、
前記導電層から前記第２の島状半導体層のチャネル形成領域に重なる第２のゲート電極を形成する
工程と、
前記一導電型とは反対の導電型の不純物元素を前記第２の島状半導体層の選択された領域に添加して第３の不純物領域を形成する工程と、
前記導電層から前記第１の島状半導体層の前記チャネル形成領域及び前記第２の不純物領域の一部に重なる第１のゲート電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の一部を除去して少なくとも第１の島状半導体層と第２の島状半導体層とを形成する工程と、
前記第１の島状半導体層と前記第２の島状半導体層とに接してゲート絶縁膜を形成する工程と、
一導電型の不純物元素を前記第１の島状半導体層の選択された領域に添加して第１の不純物領域を形成する工程と、
前記一導電型とは反対の導電型の不純物元素を前記第２の島状半導体層の選択された領域に添加して第３の不純物領域を形成する工程と、
前記一導電型の不純物元素を前記第１の島状半導体層の選択された領域に添加して前記第１の不純物領域とチャネル形成領域との間に第２の不純物領域を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜に接して導電層を形成する工程と、
前記導電層から前記第１の島状半導体層の前記チャネル形成領域及び前記第２の不純物領域の一部に重なる第１のゲート電極と前記第２の島状半導体層のチャネル形成領域に重なる第２のゲート電極とを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１７乃至請求項２２のいずれか一項において、前記導電層は、チタン
（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）から選ばれた
一種または複数種の元素、あるいは前記元素を主成分とする化合物で形成することを特
徴とする半導体装置の作製方法。