【手続補正書】
【提出日】平成19年10月16日(2007.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】基板の吸着時に負圧となる負圧領域に均等に配置され、前記基板の支持面を構成する複数のピン状凸部と、前記ピン状凸部が配置される位置よりも基板の外周側に離れて配置され、前記負圧領域を外気からシールしてその内側に構成するためのシール用縁堤部とを備え、このシール用縁堤部の上面は前記支持面より低いことを特徴とする基板吸着保持装置。
【請求項２】各隣接ピン状凸部間の平均間隔をＮとすれば、前記シール用縁堤部と、それに直近の前記ピン状凸部との間の距離は、０．３〜０．４×Ｎであることを特徴とする請求項１に記載の基板吸着保持装置。
【請求項３】基板の吸着時に負圧となる負圧領域に均等に配置され、前記基板の支持面を構成する複数のピン状凸部と、前記ピン状凸部が配置される位置よりも基板の外周側に離れて配置され、前記負圧領域を外気からシールしてその内側に構成するためのシール用縁堤部とを備え、このシール用縁堤部の外側に、前記基板の支持面を構成する１または２以上のピン状凸部を有することを特徴とする基板吸着保持装置。
【請求項４】前記シール用縁堤部の上面は前記支持面より低いことを特徴とする請求項３に記載の基板吸着保持装置。
【請求項５】前記シール用縁堤部内側の各隣接ピン状凸部間の平均間隔をＮとすれば、前記シール用縁堤部と、その内側でかつ直近の前記ピン状凸部との間の距離は、０．５〜０．７×Ｎであることを特徴とする請求項３または４に記載の基板吸着保持装置。
【請求項６】前記シール用縁堤部内側の各隣接ピン状凸部間の平均間隔をＮとすれば、前記外側のピン状凸部と、前記シール用縁堤部の内側でかつそれに直近の前記ピン状凸部との間の距離は２×Ｎ以下であることを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載の基板吸着保持装置。
【請求項７】前記外側と内側のピン状凸部は、上面の面積が等しいことを特徴とする請求項３〜６のいずれか１項に記載の基板吸着保持装置。
【請求項８】前記基板の吸着時には、前記基板と前記シール用縁堤部の上面は接触しないものであることを特徴とする請求項１または２または４〜７のいずれか１項に記載の基板吸着保持装置。
【請求項９】前記基板の吸着時には、前記基板と前記シール用縁堤部の上面は接触するものであることを特徴とする請求項１または２または４〜７のいずれか１項に記載の基板吸着保持装置。
【請求項１０】基板の吸着時に負圧となる負圧領域に均等に配置され、前記基板の支持面を構成する複数のピン状凸部と、前記負圧領域において開口した１または２以上の前記基板のリフトピン用の穴部と、前記ピン状凸部と離れて配置され、前記穴部と前記負圧領域との間をシールするシール用縁堤部とを備え、このシール用縁堤部の上面は前記支持面より低く、かつ前記基板の吸着時に前記基板と接触しないものであることを特徴とする基板吸着保持装置。
【請求項１１】基板の吸着時に負圧となる負圧領域に均等に配置され、前記基板の支持面を構成する複数のピン状凸部と、前記負圧領域において開口した１または２以上の前記基板のリフトピン用の穴部と、前記ピン状凸部と離れて配置され、前記穴部と前記負圧領域との間をシールするシール用縁堤部とを備え、このシール用縁堤部よりも前記穴部側に、前記基板の支持面を構成する１または２以上のピン状凸部を有することを特徴とする基板吸着保持装置。
【請求項１２】前記シール用縁堤部の上面は前記支持面より低いことを特徴とする請求項１１に記載の基板吸着保持装置。
【請求項１３】前記基板の吸着時には、前記基板と前記シール用縁堤部の上面は接触しないものであることを特徴とする請求項１２に記載の基板吸着保持装置。
【請求項１４】前記基板の吸着時には、前記基板と前記シール用縁堤部の上面は接触するものであることを特徴とする請求項１２に記載の基板吸着保持装置。
【請求項１５】前記基板の吸着時において前記基板の裏面と、前記ピン状凸部または前記ピン状凸部および前記シール用縁堤部とが接触する部分の面積の、前記基板の裏面の面積に対する割合は１％以下であることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の基板吸着保持装置。
【請求項１６】前記基板の吸着時において前記基板の裏面と前記負圧領域に配置されたピン状凸部とが接触する部分の面積をＭとし、前記負圧領域に配置された各隣接ピン状凸部間の平均間隔をＮとすれば、Ｍ／Ｎ＾２＜０．０１となる関係を有することを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の基板吸着保持装置。
【請求項１７】前記負圧領域に配置された各隣接ピン状凸部間の平均間隔をＮとすれば、前記シール用縁堤の幅は０．２×Ｎ以下であることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１項に記載の基板吸着保持装置。
【請求項１８】請求項１〜１７のいずれか１項の基板吸着保持装置により基板を吸着保持する工程と、この吸着保持された基板に対して露光を行う工程とを具備することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】 
【従来の技術】
近年、半導体素子製造に用いられる縮小投影露光装置は、素子の微細化に対応するため、レンズの高ＮＡ化が進んでいる。しかし、高ＮＡ化によって解像力は向上するものの、有効な焦点深度は逆に減少してしまう。そこで、解像力は維持し、かつ十分な実用深度を確保するために、投影光学系の像面湾曲の軽減や、基板の厚みムラ改善や、チャック（基盤吸着保持装置）の平面精度の向上などの種々の改善が図られつつある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
半導体製造工程の中でも基板上に微細なパターンを露光転写するリソグラフィ工程では素子の微細化に伴って焦点深度が減少してきており、その実用深度は１μｍ以下の世代に突入しつつある。素子製造のプロセスマージンを考慮すると、ウェハチャック（基盤吸着保持装置）上で平面矯正されるウェハは少なくとも焦点深度の１／５〜１／１０程度の平面度に平坦化する必要がある。特に重要となるチャックの機能は、プロセスを経てそりの発生したウェハであっても、ウェハ外周周辺まで全面にわたって平面矯正することである。現状は、ベアウェハで１００μｍ、薄膜を形成した処理ウェハにおいては２００μｍを超えるそりをもつものも存在する。真空チャックのそりウェハに対する平面矯正は、そり上がったウェハの上面から押し付ける大気圧力の作用によって達成する。特に外周部に反りの発生しやすいプロセスウェハの場合、チャック外周部の真空度を確保することが重要となる。従来のチャックでは、この外周部における矯正能力が十分でない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するため、本発明の基板吸着保持装置は、基板の吸着時に負圧となる負圧領域に均等に配置され、前記基板の支持面を構成する複数のピン状凸部と、前記ピン状凸部が配置される位置よりも基板の外周側に離れて配置され、前記負圧領域を外気からシールしてその内側に構成するためのシール用縁堤部とを備え、このシール用縁堤部の上面は前記支持面より低いことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
さらに本発明の基板吸着保持装置は、基板の吸着時に負圧となる負圧領域に均等に配置され、前記基板の支持面を構成する複数のピン状凸部と、前記ピン状凸部が配置される位置よりも基板の外周側に離れて配置され、前記負圧領域を外気からシールしてその内側に構成するためのシール用縁堤部とを備え、このシール用縁堤部の外側に、前記基板の支持面を構成する１または２以上のピン状凸部を有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに本発明の基板吸着保持装置は、基板の吸着時に負圧となる負圧領域に均等に配置され、前記基板の支持面を構成する複数のピン状凸部と、前記負圧領域において開口した１または２以上の前記基板のリフトピン用の穴部と、前記ピン状凸部と離れて配置され、前記穴部と前記負圧領域との間をシールするシール用縁堤部とを備え、このシール用縁堤部の上面は前記支持面より低く、かつ前記基板の吸着時に前記基板と接触しないものであることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに本発明の基板吸着保持装置は、基板の吸着時に負圧となる負圧領域に均等に配置され、前記基板の支持面を構成する複数のピン状凸部と、前記負圧領域において開口した１または２以上の前記基板のリフトピン用の穴部と、前記ピン状凸部と離れて配置され、前記穴部と前記負圧領域との間をシールするシール用縁堤部とを備え、このシール用縁堤部よりも前記穴部側に、前記基板の支持面を構成する１または２以上のピン状凸部を有することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
［ウェハチャックの実施形態］
図３は、チャック５の第１の実施形態を示す平面図である。図１は、このチャック５の外周部付近の断面図である。ウェハ２を載置する支持面は、複数のピン状凸部５１ａで構成され、ピン状凸部５１ａの先端面は、高精度のラップ加工によって超平面を形成している。ピン状凸部５１ａは、ピン径がφ０．２ｍｍであり、配列ピッチ２ｍｍで格子状に並んでいる。また、この格子状に並んだピン状凸部の他にも、後述するシール用土手部（縁堤部）５３の内側に沿って環状にピン状凸部が配列されている。チャックの上面側には、真空源に連通する真空吸着用の穴５２が少なくとも１個設けられている。ピン状凸部５１ａの配列としてはこの例に限らず、図４のように円周状に配置したり、６０度千鳥格子配置や、平均ピンピッチが一定のランダムなピン配置であってもよい。ただしいずれの場合にも、平均ピンピッチが２ｍｍ程度となるものが、吸着時のウェハたわみ（負圧力によるウェハ変形）が少なく、良好な結果を示している。