【手続補正書】
【提出日】平成19年11月16日(2007.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製造方法であって、
加工ステップでワークピースを加工し、
前記加工ステップで前記ワークピースに対して行なわれる加工に特有のパラメータを測定し、
前記特有のパラメータの測定に応答してパラメータ特徴モデリングプロセスを行ない、
前記パラメータ特徴モデリングプロセスに基づいて出力信号を形成し、
前記出力信号に基づいて、前記加工ステップで行なわれる前記加工のためのフィードバックとしてターゲット値を設定することを含む、方法。
【請求項２】
前記特有のパラメータの測定は、トランジスタのウェハ電気テスト（ＷＥＴ）パラメータ値の測定を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
測定された前記特有のパラメータに対応する前記出力信号の形成は、測定されたＷＥＴパラメータ値をトランジスタモデルへの入力として用いることを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記出力信号に基づく、前記加工ステップで行なわれる前記加工のための前記ターゲット値の設定は、前記トランジスタモデルを反転して、前記測定されたＷＥＴパラメータ値を仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、前記加工ステップで行なわれる前記加工の変更を規定することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記トランジスタモデルを反転して、前記加工ステップで行なわれる前記加工の変更を規定することは、前記測定されたＷＥＴパラメータ値を前記仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、前記加工ステップで形成されるフィーチャの臨界寸法の変更を規定することを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記加工ステップで形成される前記フィーチャの前記臨界寸法の変更の規定は、ＭＯＳトランジスタのポリゲートライン幅の臨界寸法の変更を規定することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記加工ステップで形成される前記フィーチャの前記臨界寸法の変更の規定は、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域と構造層との接合深さの臨界寸法の変更を規定することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記トランジスタモデルを反転して、前記加工ステップで行なわれる前記加工の変更を規定することは、前記測定されたＷＥＴパラメータ値を前記仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、前記加工ステップで形成されるフィーチャのドーピングレベルの変更を規定することを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記加工ステップで形成される前記フィーチャの前記ドーピングレベルの変更の規定は、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域のドーピングレベルの変更を規定することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記加工ステップで形成される前記フィーチャの前記ドーピングレベルの変更の規定は、ＭＯＳトランジスタの薄くドープされたドレイン（ＬＤＤ）領域のドーピングレベルの変更を規定することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
製造方法であって、
第１および第２の加工ステップでワークピースを加工し、
前記第１および第２の加工ステップで前記ワークピースに対して行なわれる加工に特有のパラメータを測定し、
前記特有のパラメータの測定に応答してパラメータ特徴モデリングプロセスを行ない、
前記パラメータ特徴モデリングプロセスに基づいて出力信号を形成し、
前記出力信号に基づいて、前記第１および第２の加工ステップの少なくとも１つで行なわれる前記加工のためのターゲット値を設定することを含む、方法。
【請求項１２】
前記特有のパラメータの測定は、トランジスタの少なくとも１つのウェハ電気テスト（ＷＥＴ）パラメータ値の測定を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
測定された前記特有のパラメータに対応する前記出力信号の形成は、測定された少なくとも１つのＷＥＴパラメータ値をトランジスタモデルへの入力として用いることを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記出力信号に基づく、前記第１および第２の加工ステップの少なくとも１つで行なわれる前記加工のための前記ターゲット値の設定は、前記トランジスタモデルを反転して、前記測定された少なくとも１つのＷＥＴパラメータ値を仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、前記第１および第２の加工ステップの少なくとも１つで行なわれる前記加工の変更を規定することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記トランジスタモデルを反転して、前記第１および第２の加工ステップの少なくとも１つで行なわれる前記加工の変更を規定することは、前記測定された少なくとも１つのＷＥＴパラメータ値を前記仕様値の範囲内にもってくるのに必要な、前記第１および第２の加工ステップの少なくとも１つで形成されるフィーチャのドーピングレベルと臨界寸法とのうち１つの変更を規定することを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
製造方法であって、
複数の加工ステップでワークピースを加工し、
前記ワークピースが完全に加工された後に、前記複数の加工ステップで前記ワークピースに対して行なわれる加工に特有のパラメータを測定し、
前記特有のパラメータの測定に応答してパラメータ特徴モデリングプロセスを行ない、
前記パラメータ特徴モデリングプロセスに基づいて出力信号を形成し、
前記出力信号に基づいて、前記複数の加工ステップの少なくとも１つで行なわれる前記加工のためのターゲット値を設定することを含む、方法。
【請求項１７】
前記特有のパラメータの測定は、トランジスタのウェハ電気テスト（ＷＥＴ）パラメータ値の測定を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
測定された前記特有のパラメータに対応する前記出力信号の形成は、測定されたＷＥＴパラメータ値をトランジスタモデルへの入力として用いることを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記出力信号に基づく、前記加工ステップで行なわれる前記加工のための前記ターゲット値の設定は、前記トランジスタモデルを反転して、前記測定されたＷＥＴパラメータ値を仕様値のそれぞれの範囲内にもってくるのに必要な、前記複数の加工ステップの少なくとも１つで行なわれる前記加工の変更を規定することを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記トランジスタモデルを反転して、前記複数の加工ステップの少なくとも１つで行なわれる前記加工の変更を規定することは、前記測定されたＷＥＴパラメータ値を前記仕様値のそれぞれの範囲内にもってくるのに必要な、前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成されるフィーチャの臨界寸法の変更を規定することを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記臨界寸法の変更の規定は、ＭＯＳトランジスタのポリゲートライン幅の臨界寸法の変更を規定することを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記臨界寸法の変更の規定は、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域と構造層との接合深さの臨界寸法の変更を規定することを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記トランジスタモデルを反転して、前記複数の加工ステップの少なくとも１つで行なわれる前記加工の変更を規定することは、前記測定されたＷＥＴパラメータ値を前記仕様値のそれぞれの範囲内にもってくるのに必要な、前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成されるフィーチャのドーピングレベルの変更を規定することを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記ドーピングレベルの変更の規定は、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域のドーピングレベルの変更を規定することを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記ドーピングレベルの変更の規定は、ＭＯＳトランジスタの薄くドープされたドレイン（ＬＤＤ）領域のドーピングレベルの変更を規定することを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記トランジスタモデルを反転して、前記複数の加工ステップの少なくとも１つで行なわれる前記加工の変更を規定することは、前記測定されたＷＥＴパラメータ値を前記仕様値のそれぞれの範囲内にもってくるのに必要な、前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成されるフィーチャのドーピングレベルの変更を規定することをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２７】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記臨界寸法の変更の規定は、ＭＯＳトランジスタのポリゲートライン幅の臨界寸法の変更を規定することを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記臨界寸法の変更の規定は、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域と構造層との接合深さの臨界寸法の変更を規定することを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記ドーピングレベルの変更の規定は、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域のドーピングレベルの変更を規定することを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記ドーピングレベルの変更の規定は、ＭＯＳトランジスタの薄くドープされたドレイン（ＬＤＤ）領域のドーピングレベルの変更を規定することを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３１】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記ドーピングレベルの変更の規定は、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域のドーピングレベルの変更を規定することを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３２】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記ドーピングレベルの変更の規定は、ＭＯＳトランジスタの薄くドープされたドレイン（ＬＤＤ）領域のドーピングレベルの変更を規定することを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３３】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記ドーピングレベルの変更の規定は、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域のドーピングレベルの変更を規定することを含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３４】
前記複数の加工ステップの少なくとも１つで形成される前記フィーチャの前記ドーピングレベルの変更の規定は、ＭＯＳトランジスタの薄くドープされたドレイン（ＬＤＤ）領域のドーピングレベルの変更を規定することを含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３５】
コンピュータによって実行されると、ワークピースを製造するための方法を行なう命令でエンコードされるコンピュータ読出可能プログラム記憶装置であって、前記方法は、
加工ステップでワークピースを加工し、
前記加工ステップで前記ワークピースに対して行なわれる加工に特有のパラメータを測定し、
前記特有のパラメータの測定に応答してパラメータ特徴モデリングプロセスを行ない、
前記パラメータ特徴モデリングプロセスに基づいて出力信号を形成し、
前記出力信号に基づいて、前記加工ステップで行なわれる前記加工のためのターゲット値を設定することを含む、コンピュータ読出可能プログラム記憶装置。
【請求項３６】
製造方法を行なうようにプログラムされるコンピュータであって、前記方法は、
加工ステップでワークピースを加工し、
前記加工ステップで前記ワークピースに対して行なわれる加工に特有のパラメータを測定し、
前記特有のパラメータの測定に応答してパラメータ特徴モデリングプロセスを行ない、
前記パラメータ特徴モデリングプロセスに基づいて出力信号を形成し、
前記出力信号に基づいて、前記加工ステップで行なわれる前記加工のためのターゲット
値を設定することを含む、コンピュータ。
【請求項３７】
装置であって、
加工ステップでワークピースを加工するための手段と、
前記加工ステップで前記ワークピースに対して行なわれる加工に特有のパラメータを測定するための手段と、
前記特有のパラメータの測定に応答してパラメータ特徴モデリングプロセスを行なうための手段と、
前記パラメータ特徴モデリングプロセスに基づいて出力信号を形成するための手段と、
前記出力信号に基づいて、前記加工ステップで行なわれる前記加工のためのフィードバックとしてターゲット値を設定するための手段とを含む、装置。