(57)【要約】  除草剤の薬害に対して、除草効果を低減することなく栽培植物の薬害を軽減することに極めて好適であるフェニルスルホニルカーバメイト誘導体又はその塩を有効成分として含有することを特徴とする除草剤の薬害軽減剤を提供する。  本発明は、一般式［Ｉ］2007023764.tif 000038  （式中、Ｒ１は水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基その他明細書記載の置換基を示し、Ｒ２は水素原子、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基その他明細書記載の置換基を示し、Ｒ３は水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基その他明細書記載の置換基を示し、Ｙはハロゲン原子、ニトロ基その他明細書記載の置換基を示し、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立に水素原子又はＣ１−Ｃ６アルキル基を示し、ｎは０から４の整数を示し、Ｘ及びＺは酸素原子又は硫黄原子を示す。）で表されるフェニルスルホニルカーバメイト誘導体又はその塩を有効成分として含有することを特徴とする除草剤の薬害軽減剤である。【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式［Ｉ］
【化１】
2007023764.tif 000034
［式中、
Ｒ１は、水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、Ｃ２−Ｃ６アルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、ベンジル基（該基は、１〜５個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基又はシアノ基で置換されていてもよい。）、Ｃ１−Ｃ６アルコキシＣ１−Ｃ６アルキル基又はフェニル基（該基は、１〜５個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基又はシアノ基で置換されていてもよい。）を示し、
Ｒ２は、水素原子、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、Ｃ２−Ｃ６アルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシカルボニルＣ１−Ｃ６アルキル基、ベンジル基（該基は、１〜５個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基又はシアノ基で置換されていてもよい。）、Ｃ１−Ｃ６アルコキシＣ１−Ｃ６アルキル基、フェニル基（該基は、１〜５個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ６アルキルチオ基又はシアノ基で置換されていてもよい。）又は同一若しくは相異なってよい酸素原子、硫黄原子及び窒素原子から選択される１個以上のヘテロ原子を有する炭素数３乃至１０の複素環基（該基は、１〜５個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基又はシアノ基で置換されていてもよい。）を示し、
Ｒ３は、水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、Ｃ２−Ｃ６アルキニル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、シアノＣ１−Ｃ６アルキル基、ベンジル基（該基は、１〜５個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基又はシアノ基で置換されていてもよい。）又はＣ１−Ｃ６アルコキシＣ１−Ｃ６アルキル基を示し、
Ｙはハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシＣ１−Ｃ６アルキル基又はＮＲ４Ｒ５を示し、
Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立に水素原子又はＣ１−Ｃ６アルキル基を示し、
ｎは、０から４の整数を示し、
Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を示し、
Ｚは、酸素原子又は硫黄原子を示す。］
で表されるフェニルスルホニルカーバメイト誘導体又はその塩を有効成分として含有することを特徴とする除草剤の薬害軽減剤。
【請求項２】
一般式［Ｉ］において
Ｒ１が、水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、Ｃ２−Ｃ６アルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、ベンジル基（該基は、１〜５個のハロゲン原子、
Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基又はシアノ基で置換されていてもよい。）又はＣ１−Ｃ６アルコキシＣ１−Ｃ６アルキル基であり、
Ｒ２が、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、Ｃ２−Ｃ６アルキニル基、ベンジル基（該基は、１〜５個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基又はシアノ基で置換されていてもよい。）、Ｃ１−Ｃ６アルコキシＣ１−Ｃ６アルキル基又はフェニル基（該基は、１〜５個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ６アルキルチオ基又はシアノ基で置換されていてもよい。）であり、
Ｒ３が、水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、シアノＣ１−Ｃ６アルキル基又はＣ１−Ｃ６アルコキシＣ１−Ｃ６アルキル基であり、
Ｙが、ハロゲン原子又はＣ１−Ｃ６アルキル基であり、
ｎが、０又は１である、
請求項１に記載の除草剤の薬害軽減剤。
【請求項３】
一般式［Ｉ］において
Ｒ１が、水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基又はＣ２−Ｃ６アルキニル基であり、
Ｒ２が、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、Ｃ２−Ｃ６アルキニル基又はベンジル基（該基は、１〜５個のハロゲン原子又はＣ１−Ｃ６アルキル基で置換されていてもよい。）であり、
Ｒ３が、水素原子又はＣ１−Ｃ６アルキル基であり、
Ｘが、酸素原子であり、
Ｙが、ハロゲン原子又はＣ１−Ｃ６アルキル基であり、
ｎが、０又は１である、
請求項１に記載の除草剤の薬害軽減剤。
【請求項４】
一般式［Ｉ］において
Ｒ１が、水素原子又はＣ１−Ｃ６アルキル基であり、
Ｒ２が、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基又はベンジル基（該基は、１〜２個のハロゲン原子又はＣ１−Ｃ６アルキル基で置換されていてもよい。）であり、
Ｒ３が、水素原子であり、
Ｘが、酸素原子であり、
Ｙが、ハロゲン原子又はＣ１−Ｃ６アルキル基であり、
Ｚが、酸素原子であり、
ｎが、０又は１である、
請求項１に記載の除草剤の薬害軽減剤。
【請求項５】
（ａ）請求項１乃至４のいずれかに記載の一般式［Ｉ］で表されるフェニルスルホニルカーバメイト誘導体又はその塩と、
（ｂ）ピリミスルファン、ベンゾビシクロン、ピラクロニル、オキサジクロメホン、スルホニル尿素系化合物、トリアゾロピリミジン系化合物、ピリミジニルオキシ（チオ）安息香酸系化合物、トリケトン系化合物、クロロアセトアミド系化合物、オキサゾリジンジオン系化合物、トリアゾール系化合物、チオカーバメート系化合物、テトラゾリノン系化合物、一般式［Ａ］を有するイソオキサゾリン誘導体又はその薬理上許容される塩：
【化２】
2007023764.tif 000035
｛式中、ｎは０から２の整数を表し、ｍは１から３の整数を表し、Ｒ５及びＲ６は互いに独立して、水素原子、シアノ基、アルコキシカルボニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、ハロゲン原子又はＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を表し、
Ｒ１及びＲ２は、水素原子、［Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ６アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ６アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルアミノ基、ジ（Ｃ１−Ｃ６アルキル）アミノ基、水酸基、シアノ基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルアミノカルボニル基、ジ（Ｃ１−Ｃ６アルキル）アミノカルボニル基、（Ｃ１−Ｃ６アルキルチオ）カルボニル基、カルボキシル基、（置換されていてもよい）ベンジルオキシ基、（置換されていてもよい）フェノキシ基若しくは（置換されていてもよい）フェニル基で置換されていてもよい］Ｃ１−Ｃ８アルキル基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルアミノカルボニル基、ジ（Ｃ１−Ｃ６アルキル）アミノカルボニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルチオカルボニル基、カルボキシル基又は置換されていてもよいフェニル基を表し、或いはＲ１及びＲ２はこれらの結合した炭素原子と共にＣ３−Ｃ７のスピロ環を形成してもよく、
Ｒ３及びＲ４は、水素原子、（同一若しくは相異なる１から３個のハロゲン原子、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基又はＣ１−Ｃ６アルコキシ基で置換されていてもよい）Ｃ１−Ｃ８アルキル基又はＣ３−Ｃ８シクロアルキル基を表し、Ｒ３及びＲ４はこれらの結合した炭素原子と共にＣ３−Ｃ７のスピロ環を形成してもよく、或いはＲ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はこれらの結合した炭素原子と共に５から８員環を形成してもよく、
Ｙは、水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、［同一若しくは相異なる１から３個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基、Ｃ２−Ｃ６アルケニルオキシ基、Ｃ２−Ｃ６アルキニルオキシ基、（置換されていてもよい）ベンジルオキシ基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、水酸基又はホルミル基で置換されていてもよい］Ｃ１−Ｃ１０アルキル基或いは（１から５個の同一若しくは相異なるＲ７で置換された）フェニル基を表し、
Ｒ７は、水素原子、［同一若しくは相異なる１から３個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基、水酸基、Ｃ１−Ｃ６アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ６アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルアミノ基、ジ（Ｃ１−Ｃ６）アルキルアミノ基、シアノ基又は（置換されていてもよい）フェノキシで置換されていてもよい］Ｃ１−Ｃ６アルキル基、（同一若しくは相異なる１から３個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、Ｃ２−Ｃ６アルキニル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルカルボニル基又はＣ３−Ｃ８シクロアルキル基で置換されていてもよい）Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキルオキシ基、（同一若しくは相異なる１から３個のハロゲン原子又はＣ１−Ｃ６アルコキシ基で置換されていてもよい）Ｃ１−Ｃ６アルキルチオ基、（同一若しくは相異なる１から３個のハロゲン原子又はＣ１−Ｃ６アルコキシ基で置換されていてもよい）Ｃ１−Ｃ６アルキルスルフィニル基、（同一若しくは相異なる１から３個のハロゲン原子又はＣ１−Ｃ６アルコキシ基で置換されていてもよい）Ｃ１−Ｃ６アルキルスルホニル基、（置換されていてもよい）ベンジルオキシ基、（Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルカルボニル（Ｃ１−Ｃ６アルキル）基又はＣ１−Ｃ６アルキルスルホニル（Ｃ１−Ｃ６アルキル）基で置換されていてもよい）アミノ基、ジ（Ｃ１−Ｃ６アルキル）アミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシカルボニル基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキルオキシカルボニル基、カルボキシル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニルオキシカルボニル基、Ｃ２−Ｃ６アルキニルオキシカルボニル基、（置換されていてもよい）ベンジルオキシカルボニル基、（置換されていてもよい）フェノキシカルボニル基或いはＣ１−Ｃ６アルキルカルボニルオキシ基を表す。｝
及び一般式［Ｂ］を有するイソオキサゾリン誘導体又はその薬理上許容される塩：
【化３】
2007023764.tif 000036
｛式中、Ｒ１及びＲ２は、同一又は異なって、水素原子、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基又はＣ３−Ｃ８シクロアルキルＣ１−Ｃ３アルキル基を示すか、或いはＲ1とＲ2とが一緒になって、これらの結合した炭素原子と共にＣ３−Ｃ７のスピロ環を示し、
Ｒ３及びＲ４は、同一又は異なって、水素原子、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基又はＣ３−Ｃ８シクロアルキル基を示すか、或いはＲ３とＲ４とが一緒になって、これらの結合した炭素原子と共にＣ３−Ｃ７のスピロ環を示し、さらにＲ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はこれらの結合した炭素原子と共に５から８員環を形成することもでき、
Ｒ５及びＲ６は、同一又は相異なって、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基又はＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を示し、
Ｙは窒素原子、酸素原子及び硫黄原子より選択される任意のヘテロ原子を有する５から６員の芳香族ヘテロ環基又は芳香族ヘテロ縮合環基を示し、これらのヘテロ環基は置換基群αより選択される、０から６個の同一又は相異なる基で置換されていてもよく、又、隣接したアルキル基同士、アルコキシ基同士、アルキル基とアルコキシ基、アルキル基とアルキルチオ基、アルキル基とアルキルスルホニル基、アルキル基とモノアルキルアミノ基又はアルキル基とジアルキルアミノ基が２個結合して１から４個のハロゲン原子で置換されてもよい５から８員環を形成されていてもよく、又、これらのヘテロ環基のヘテロ原子が窒素原子の時は酸化されてＮ−オキシドになってもよく、
ｎは０から２の整数を示す。｝
「置換基群α」
水酸基、チオール基、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、置換基群βより選択される任意の基でモノ置換されたＣ１−Ｃ１０アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、置換基群γより選択される任意の基でモノ置換されたＣ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキルオキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキルＣ１−Ｃ３アルキルオキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルチオ基、置換基群γより選択される任意の基でモノ置換されたＣ１−Ｃ１０アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニルオキシ基、Ｃ２−Ｃ６アルキニル基、Ｃ２−Ｃ６アルキニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルスルフィニル基、置換基群γより選択される任意の基でモノ置換されたＣ１−Ｃ１０アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルスルホニル基、置換基群γより選択される任意の基でモノ置換されたＣ１−Ｃ１０アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、置換基群γより選択される任意の基でモノ置換されたＣ１−Ｃ１０アルキルスルホニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルスルホニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニルオキシ基、置換されていてもよいフェニル基、置換されていてもよいフェノキシ基、置換されていてもよいフェニルチオ基、置換されていてもよい芳香族ヘテロ環基、置換されていてもよい芳香族ヘテロ環オキシ基、置換されていてもよい芳香族ヘテロ環チオ基、置換されていてもよいフェニルスルフィニル基、置換されていてもよいフェニルスルホニル基、置換されていてもよい芳香族ヘテロ環スルホニル基、置換されていてもよいフェニルスルホニルオキシ基、アシル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、置換されていてもよいベンジルカルボニル基、置換されていてもよいベンゾイル基、カルボキシル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシカルボニル基、置換されていてもよいベンジルオキシカルボニル基、置換されていてもよいフェノキシカルボニル基、シアノ基、カルバモイル基（該基の窒素原子は同一又は異なって、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基又は置換されていてもよいフェニル基で置換されていてもよい。）、Ｃ１−Ｃ６アシルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニルオキシ基、置換されていてもよいベンジルカルボニルオキシ基、置換されていてもよいベンゾイルオキシ基、ニトロ基、アミノ基（該基の窒素原子は同一又は異なって、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、置換されていてもよいフェニル基、Ｃ１−Ｃ６アシル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、置換されていてもよいベンジルカルボニル基、置換されていてもよいベンゾイル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、置換されていてもよいベンジルスルホニル基又は置換されていてもよいフェニルスルホニル基で置換されていてもよい。）
「置換基群β」
水酸基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基（該基はハロゲン原子又はアルキル基で置換されてもよい）、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシカルボニル基、Ｃ２−Ｃ６ハロアルケニル基、アミノ基（該基の窒素原子は同一又は異なって、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、Ｃ１−Ｃ６アシル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基で置換されていてもよい）、カルバモイル基（該基の窒素原子は同一又は異なって、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基で置換されていてもよい）、Ｃ１−Ｃ６アシル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシイミノ基、シアノ基、置換されていてもよいフェニル基、置換されていてもよいフェノキシ基
「置換基群γ」
Ｃ１−Ｃ１０アルコキシカルボニル基、置換されていてもよいフェニル基、置換されていてもよい芳香族ヘテロ環基、シアノ基、カルバモイル基（該基の窒素原子は同一又は異なって、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基で置換されていてもよい。）
よりなる群から選ばれる少なくとも１種の除草活性化合物
とを含有することを特徴とする薬害軽減された除草剤組成物。
【請求項６】
スルホニル尿素系化合物が、
アミドスルフロン、アジムスルフロン、ベンスルフロン・メチル、クロリムロン・エチル、クロルスルフロン、シノスルフロン、シクロスルファムロン、エタメトスルフロン・メチル、エトキシスルフロン、フラザスルフロン、フルピルスルフロン、フォラムスルフロン、ハロスルフロン・メチル、イマゾスルフロン、イオドスルフロン、メソスルフロン・メチル、メトスルフロン・メチル、ニコスルフロン、オキサスルフロン、プリミスルフロン、プロスルフロン、ピラゾスルフロン・エチル、リムスルフロン、スルホメツロン・メチル、スルフォスルフロン、チフェンスルフロン・メチル、トリアスルフロン、トリベヌロン・メチル、トリフロキシスルフロン、トリフルスルフロン・メチル及びトリトスルフロンよりなる群から選ばれる少なくとも１種
である請求項５に記載の薬害軽減された除草剤組成物。
【請求項７】
トリアゾロピリミジン系化合物が、
クロランスラム・メチル、ジクロスラム、フロラスラム、フルメツラム、メトスラム及びペノキススラムよりなる群から選ばれる少なくとも１種
である請求項５に記載の薬害軽減された除草剤組成物。
【請求項８】
ピリミジニルオキシ（チオ）安息香酸系化合物が、
ピリチオバック、ピリチオバックナトリウム塩、ピリミノバック・メチル、ビスピリバック、ビスピリバックナトリウム塩、ピリベンゾキシム及びピリフタリドよりなる群から選ばれる少なくとも１種
である請求項５に記載の薬害軽減された除草剤組成物。
【請求項９】
トリケトン系化合物が、メソトリオン、スルコトリオン又は式
【化４】
2007023764.tif 000037
で表される化合物よりなる群から選ばれる少なくとも１種
である請求項５に記載の薬害軽減された除草剤組成物。
【請求項１０】
クロロアセトアミド系化合物が、
プロパクロール、ジメタクロール、メタザクロール、テニルクロール、アラクロール、ブタクロール、プレチラクロール、アセトクロ−ル、プロピソクロール、メトラクロール、Ｓ−メトラクロール、ジメテナミド及びペトキサミドよりなる群から選ばれる少なくとも１種
である請求項５に記載の薬害軽減された除草剤組成物。
【請求項１１】
オキサゾリジンジオン系化合物が、ペントキサゾンである請求項５に記載の薬害軽減された除草剤組成物。
【請求項１２】
トリアゾール系化合物が、カフェンストロールである請求項５に記載の薬害軽減された除草剤組成物。
【請求項１３】
チオカーバメート系化合物が、
ピリブチカルブ、ブチレート、シクロエート、ジメピペレート、ＥＰＴＣ、エスプロカルブ、モリネート、オルベンカルブ、ペブレート、プロスルホカルブ、チオベンカルブ、チオカルバジル及びトリアレートよりなる群から選ばれる少なくとも１種
である請求項５に記載の薬害軽減された除草剤組成物。
【請求項１４】
テトラゾリノン系化合物が、フェントラザミドである請求項５に記載の薬害軽減された
除草剤組成物。
【請求項１５】
更に界面活性剤を含有する請求項５乃至１４に記載の除草剤組成物。
【請求項１６】
請求項１乃至４のいずれかに記載の一般式［Ｉ］で表されるフェニルスルホニルカーバメイト誘導体又はその塩を、
（ａ）除草剤と同時に施用するか、
（ｂ）除草剤と近接施用するか、又は
（ｃ）栽培植物自体の種子又は苗に処理すること
を特徴とする除草剤の薬害軽減方法。
【請求項１７】
栽培植物が、コムギ、ライムギ、オオムギ、エンバク、イネ、トウモロコシ、ソルガム、ワタ又はダイズである請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
栽培植物が、水田のイネである請求項１６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、除草剤の薬害から栽培植物を保護する作用を有する化合物を有効成分とする薬害軽減剤及び薬害が軽減された除草剤組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば特許文献１には、フェニルスルホニルカーバメイト誘導体が植物病害防除活性を有することが記載されている。更に特許文献２〜１２にはフェニルスルホニルカーバメイト誘導体が記載されている。しかし、いずれの文献にも除草剤の薬害軽減剤に関する記載はない。【０００３】
【特許文献１】ＷＯ２００４／１０８６６２号公報
【特許文献２】特開昭５１−１４３６９３号公報
【特許文献３】特開昭５７−１２６４０４号公報
【特許文献４】特開昭５７−１４０７６３号公報
【特許文献５】特開昭５９−３９８７８号公報
【特許文献６】特開昭６３−１２２６７１号公報
【特許文献７】特開平４−２３４３５２号公報
【特許文献８】特開平４−３４６９８３号
【特許文献９】ＥＰ−１２７４６９号
【特許文献１０】ＷＯ９６１４２８９号
【特許文献１１】欧州特許公開ＥＰ−４６７１８３号
【特許文献１２】欧州特許公開ＥＰ−１０１４０７号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般に、栽培植物に除草剤を使用した場合、浅植苗、移植直後、播種直後の苗等に対して、或いは、温度、土壌、水管理等の不良環境条件下において、望ましくない薬害が発生することがある。又、大多数の除草剤は、全ての栽培植物に対して十分に選択的であるというわけではないため、不本意に又は偶発的に過剰量が施用される場合には、薬害が生じることがある。従って、除草剤を適用することができる栽培植物の範囲は、除草剤毎に限定されるか、又は、栽培植物に対して所望の広範な除草効果が保証されないような低い使用量においてしか使用し得ないことがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、上記問題点を解決すべく鋭意検討の結果、フェニルスルホニルカーバメイト化合物が、除草剤の薬害に対して、除草効果を低減することなく栽培植物の薬害を軽減することに極めて好適であることを見出し、本発明を完成するに至った。【０００６】
即ち、本発明は、
（１）一般式［Ｉ］【０００７】
【化１】
2007023764.tif 000002
［式中、
Ｒ１は、水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、Ｃ２−Ｃ６アルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、ベンジル基（該基は、１〜５個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基又はシアノ基で置換されていてもよい。）、Ｃ１−Ｃ６アルコキシＣ１−Ｃ６アルキル基又はフェニル基（該基は、１〜５個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基又はシアノ基で置換されていてもよい。）を示し、
Ｒ２は、水素原子、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、Ｃ２−Ｃ６アルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシカルボニルＣ１−Ｃ６アルキル基、ベンジル基（該基は、１〜５個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基又はシアノ基で置換されていてもよい。）、Ｃ１−Ｃ６アルコキシＣ１−Ｃ６アルキル基、フェニル基（該基は、１〜５個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ６アルキルチオ基又はシアノ基で置換されていてもよい。）又は同一若しくは相異なってよい酸素原子、硫黄原子及び窒素原子から選択される１個以上のヘテロ原子を有する炭素数３〜１０の複素環基（該基は、１〜５個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基又はシアノ基で置換されていてもよい。）を示し、
Ｒ３は、水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、Ｃ２−Ｃ６アルキニル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、シアノＣ１−Ｃ６アルキル基、ベンジル基（該基は、１〜５個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基又はシアノ基で置換されていてもよい。）又はＣ１−Ｃ６アルコキシＣ１−Ｃ６アルキル基を示し、
Ｙは、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシＣ１−Ｃ６アルキル基又はＮＲ４Ｒ５を示し、
Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立に水素原子又はＣ１−Ｃ６アルキル基を示し、
ｎは、０から４の整数を示し、
Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を示し、
Ｚは、酸素原子又は硫黄原子を示す。］
で表されるフェニルスルホニルカーバメイト誘導体又はその塩を有効成分として含有することを特徴とする除草剤の薬害軽減剤。【０００８】
（２）一般式［Ｉ］において
Ｒ１が、水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、Ｃ２−Ｃ６アルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、ベンジル基（該基は、１〜５個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基又はシアノ基で置換されていてもよい。）又はＣ１−Ｃ６アルコキシＣ１−Ｃ６アルキル基であり、
Ｒ２が、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、Ｃ２−Ｃ６アルキニル基、ベンジル基（該基は、１〜５個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基又はシアノ基で置換されていてもよい。）、Ｃ１−Ｃ６アルコキシＣ１−Ｃ６アルキル基又はフェニル基（該基は、１〜５個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ６アルキルチオ基又はシアノ基で置換されていてもよい。）であり、
Ｒ３が、水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、シアノＣ１−Ｃ６アルキル基又はＣ１−Ｃ６アルコキシＣ１−Ｃ６アルキル基であり、
Ｙが、ハロゲン原子又はＣ１−Ｃ６アルキル基であり、
ｎが、０又は１である、
前記（１）に記載の除草剤の薬害軽減剤。【０００９】
（３）一般式［Ｉ］において
Ｒ１が、水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基又はＣ２−Ｃ６アルキニル基であり、
Ｒ２が、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、Ｃ２−Ｃ６アルキニル基又はベンジル基（該基は、１〜５個のハロゲン原子又はＣ１−Ｃ６アルキル基で置換されていてもよい。）であり、
Ｒ３が、水素原子又はＣ１−Ｃ６アルキル基であり、
Ｘが、酸素原子であり、
Ｙが、ハロゲン原子又はＣ１−Ｃ６アルキル基であり、
ｎが、０又は１である、
前記（１）に記載の除草剤の薬害軽減剤。  【００１０】
（４）一般式［Ｉ］において
Ｒ１が、水素原子又はＣ１−Ｃ６アルキル基であり、
Ｒ２が、Ｃ１−Ｃ１２アルキル基又はベンジル基（該基は、１〜２個のハロゲン原子又はＣ１−Ｃ６アルキル基で置換されていてもよい。）であり、
Ｒ３が、水素原子であり、
Ｘが、酸素原子であり、
Ｙが、ハロゲン原子又はＣ１−Ｃ６アルキル基であり、
Ｚが、酸素原子であり、
ｎが、０又は１である、
前記（１）に記載の除草剤の薬害軽減剤。【００１１】
（５）（ａ）前記（１）〜（４）のいずれかに記載の一般式［Ｉ］で表されるフェニルスルホニルカーバメイト誘導体又はその塩と、
（ｂ）ピリミスルファン、ベンゾビシクロン、ピラクロニル、オキサジクロメホン、スルホニル尿素系化合物、トリアゾロピリミジン系化合物、ピリミジニルオキシ（チオ）安息香酸系化合物、トリケトン系化合物、クロロアセトアミド系化合物、オキサゾリジンジオン系化合物、トリアゾール系化合物、チオカーバメート系化合物、テトラゾリノン系化合物、一般式［Ａ］を有するイソオキサゾリン誘導体又はその薬理上許容される塩：
【化２】
2007023764.tif 000003
｛式中、ｎは０から２の整数を表し、ｍは１から３の整数を表し、Ｒ５及びＲ６は互いに独立して、水素原子、シアノ基、アルコキシカルボニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、ハロゲン原子又はＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を表し、
Ｒ１及びＲ２は、水素原子、［Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ６アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ６アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルアミノ基、ジ（Ｃ１−Ｃ６アルキル）アミノ基、水酸基、シアノ基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルアミノカルボニル基、ジ（Ｃ１−Ｃ６アルキル）アミノカルボニル基、（Ｃ１−Ｃ６アルキルチオ）カルボニル基、カルボキシル基、（置換されていてもよい）ベンジルオキシ基、（置換されていてもよい）フェノキシ基若しくは（置換されていてもよい）フェニル基で置換されていてもよい］Ｃ１−Ｃ８アルキル基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルアミノカルボニル基、ジ（Ｃ１−Ｃ６アルキル）アミノカルボニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルチオカルボニル基、カルボキシル基又は置換されていてもよいフェニル基を表し、或いはＲ１及びＲ２はこれらの結合した炭素原子と共にＣ３−Ｃ７のスピロ環を形成してもよく、
Ｒ３及びＲ４は、水素原子、（同一若しくは相異なる１から３個のハロゲン原子、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基又はＣ１−Ｃ６アルコキシ基で置換されていてもよい）Ｃ１−Ｃ８アルキル基又はＣ３−Ｃ８シクロアルキル基を表し、Ｒ３及びＲ４はこれらの結合した炭素原子と共にＣ３−Ｃ７のスピロ環を形成してもよく、或いはＲ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はこれらの結合した炭素原子と共に５から８員環を形成してもよく、
Ｙは、水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、［同一若しくは相異なる１から３個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基、Ｃ２−Ｃ６アルケニルオキシ基、Ｃ２−Ｃ６アルキニルオキシ基、（置換されていてもよい）ベンジルオキシ基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、水酸基又はホルミル基で置換されていてもよい］Ｃ１−Ｃ１０アルキル基或いは（１から５個の同一若しくは相異なるＲ７で置換された）フェニル基を表し、
Ｒ７は、水素原子、［同一若しくは相異なる１から３個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基、水酸基、Ｃ１−Ｃ６アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ６アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルアミノ基、ジ（Ｃ１−Ｃ６）アルキルアミノ基、シアノ基又は（置換されていてもよい）フェノキシで置換されていてもよい］Ｃ１−Ｃ６アルキル基、（同一若しくは相異なる１から３個のハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、Ｃ２−Ｃ６アルキニル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシカルボニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルカルボニル基又はＣ３−Ｃ８シクロアルキル基で置換されていてもよい）Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキルオキシ基、（同一若しくは相異なる１から３個のハロゲン原子又はＣ１−Ｃ６アルコキシ基で置換されていてもよい）Ｃ１−Ｃ６アルキルチオ基、（同一若しくは相異なる１から３個のハロゲン原子又はＣ１−Ｃ６アルコキシ基で置換されていてもよい）Ｃ１−Ｃ６アルキルスルフィニル基、（同一若しくは相異なる１から３個のハロゲン原子又はＣ１−Ｃ６アルコキシ基で置換されていてもよい）Ｃ１−Ｃ６アルキルスルホニル基、（置換されていてもよい）ベンジルオキシ基、（Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ６アルキルカルボニル（Ｃ１−Ｃ６アルキル）基又はＣ１−Ｃ６アルキルスルホニル（Ｃ１−Ｃ６アルキル）基で置換されていてもよい）アミノ基、ジ（Ｃ１−Ｃ６アルキル）アミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシカルボニル基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキルオキシカルボニル基、カルボキシル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニルオキシカルボニル基、Ｃ２−Ｃ６アルキニルオキシカルボニル基、（置換されていてもよい）ベンジルオキシカルボニル基、（置換されていてもよい）フェノキシカルボニル基或いはＣ１−Ｃ６アルキルカルボニルオキシ基を表す。｝
及び一般式［Ｂ］を有するイソオキサゾリン誘導体又はその薬理上許容される塩：
【化３】
2007023764.tif 000004
｛式中、Ｒ１及びＲ２は、同一又は異なって、水素原子、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基又はＣ３−Ｃ８シクロアルキルＣ１−Ｃ３アルキル基を示すか、或いはＲ1とＲ2とが一緒になって、これらの結合した炭素原子と共にＣ３−Ｃ７のスピロ環を示し、
Ｒ３及びＲ４は、同一又は異なって、水素原子、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基又はＣ３−Ｃ８シクロアルキル基を示すか、或いはＲ３とＲ４とが一緒になって、これらの結合した炭素原子と共にＣ３−Ｃ７のスピロ環を示し、さらにＲ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はこれらの結合した炭素原子と共に５から８員環を形成することもでき、
Ｒ５及びＲ６は、同一又は相異なって、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基又はＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を示し、
Ｙは窒素原子、酸素原子及び硫黄原子より選択される任意のヘテロ原子を有する５から６員の芳香族ヘテロ環基又は芳香族ヘテロ縮合環基を示し、これらのヘテロ環基は置換基群αより選択される、０から６個の同一又は相異なる基で置換されていてもよく、又、隣接したアルキル基同士、アルコキシ基同士、アルキル基とアルコキシ基、アルキル基とアルキルチオ基、アルキル基とアルキルスルホニル基、アルキル基とモノアルキルアミノ基又はアルキル基とジアルキルアミノ基が２個結合して１から４個のハロゲン原子で置換されてもよい５から８員環を形成されていてもよく、又、これらのヘテロ環基のヘテロ原子が窒素原子の時は酸化されてＮ−オキシドになってもよく、
ｎは０から２の整数を示す。｝
「置換基群α」
水酸基、チオール基、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、置換基群βより選択される任意の基でモノ置換されたＣ１−Ｃ１０アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、置換基群γより選択される任意の基でモノ置換されたＣ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキルオキシ基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキルＣ１−Ｃ３アルキルオキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルチオ基、置換基群γより選択される任意の基でモノ置換されたＣ１−Ｃ１０アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ２−Ｃ６アルケニル基、Ｃ２−Ｃ６アルケニルオキシ基、Ｃ２−Ｃ６アルキニル基、Ｃ２−Ｃ６アルキニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルスルフィニル基、置換基群γより選択される任意の基でモノ置換されたＣ１−Ｃ１０アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルスルホニル基、置換基群γより選択される任意の基でモノ置換されたＣ１−Ｃ１０アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、置換基群γより選択される任意の基でモノ置換されたＣ１−Ｃ１０アルキルスルホニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルスルホニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニルオキシ基、置換されていてもよいフェニル基、置換されていてもよいフェノキシ基、置換されていてもよいフェニルチオ基、置換されていてもよい芳香族ヘテロ環基、置換されていてもよい芳香族ヘテロ環オキシ基、置換されていてもよい芳香族ヘテロ環チオ基、置換されていてもよいフェニルスルフィニル基、置換されていてもよいフェニルスルホニル基、置換されていてもよい芳香族ヘテロ環スルホニル基、置換されていてもよいフェニルスルホニルオキシ基、アシル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、置換されていてもよいベンジルカルボニル基、置換されていてもよいベンゾイル基、カルボキシル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシカルボニル基、置換されていてもよいベンジルオキシカルボニル基、置換されていてもよいフェノキシカルボニル基、シアノ基、カルバモイル基（該基の窒素原子は同一又は異なって、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基又は置換されていてもよいフェニル基で置換されていてもよい。）、Ｃ１−Ｃ６アシルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニルオキシ基、置換されていてもよいベンジルカルボニルオキシ基、置換されていてもよいベンゾイルオキシ基、ニトロ基、アミノ基（該基の窒素原子は同一又は異なって、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、置換されていてもよいフェニル基、Ｃ１−Ｃ６アシル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、置換されていてもよいベンジルカルボニル基、置換されていてもよいベンゾイル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、置換されていてもよいベンジルスルホニル基又は置換されていてもよいフェニルスルホニル基で置換されていてもよい。）
「置換基群β」
水酸基、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基（該基はハロゲン原子又はアルキル基で置換されてもよい）、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシカルボニル基、Ｃ２−Ｃ６ハロアルケニル基、アミノ基（該基の窒素原子は同一又は異なって、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、Ｃ１−Ｃ６アシル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基で置換されていてもよい）、カルバモイル基（該基の窒素原子は同一又は異なって、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基で置換されていてもよい）、Ｃ１−Ｃ６アシル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシイミノ基、シアノ基、置換されていてもよいフェニル基、置換されていてもよいフェノキシ基
「置換基群γ」
Ｃ１−Ｃ１０アルコキシカルボニル基、置換されていてもよいフェニル基、置換されていてもよい芳香族ヘテロ環基、シアノ基、カルバモイル基（該基の窒素原子は同一又は異なって、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基で置換されていてもよい。）
よりなる群から選ばれる少なくとも１種の除草活性化合物
とを含有することを特徴とする薬害軽減された除草剤組成物。【００１２】
（６）スルホニル尿素系化合物が、
アミドスルフロン、アジムスルフロン、ベンスルフロン・メチル、クロリムロン・エチル、クロルスルフロン、シノスルフロン、シクロスルファムロン、エタメトスルフロン・メチル、エトキシスルフロン、フラザスルフロン、フルピルスルフロン、フォラムスルフロン、ハロスルフロン・メチル、イマゾスルフロン、イオドスルフロン、メソスルフロン・メチル、メトスルフロン・メチル、ニコスルフロン、オキサスルフロン、プリミスルフロン、プロスルフロン、ピラゾスルフロン・エチル、リムスルフロン、スルホメツロン・メチル、スルフォスルフロン、チフェンスルフロン・メチル、トリアスルフロン、トリベヌロン・メチル、トリフロキシスルフロン、トリフルスルフロン・メチル及びトリトスルフロンよりなる群から選ばれる少なくとも１種
である前記（５）に記載の薬害軽減された除草剤組成物。【００１３】
（７）トリアゾロピリミジン系化合物が、
クロランスラム・メチル、ジクロスラム、フロラスラム、フルメツラム、メトスラム及びペノキススラムよりなる群から選ばれる少なくとも１種
である前記（５）に記載の薬害軽減された除草剤組成物。【００１４】
（８）ピリミジニルオキシ（チオ）安息香酸系化合物が、
ピリチオバック、ピリチオバックナトリウム塩、ピリミノバック・メチル、ビスピリバック、ビスピリバックナトリウム塩、ピリベンゾキシム及びピリフタリドよりなる群から選ばれる少なくとも１種
である前記（５）に記載の薬害軽減された除草剤組成物。【００１５】
（９）トリケトン系化合物が、メソトリオン、スルコトリオン又は式
【化４】
2007023764.tif 000005
で表される化合物（以下「ＡＶＨ−３０１」という）よりなる群から選ばれる少なくとも１種である前記（５）に記載の薬害軽減された除草剤組成物。【００１６】
（１０）クロロアセトアミド系化合物が、
プロパクロール、ジメタクロール、メタザクロール、テニルクロール、アラクロール、ブタクロール、プレチラクロール、アセトクロ−ル、プロピソクロール、メトラクロール、Ｓ−メトラクロール、ジメテナミド及びペトキサミドよりなる群から選ばれる少なくとも１種
である前記（５）に記載の薬害軽減された除草剤組成物。【００１７】
（１１）オキサゾリジンジオン系化合物が、ペントキサゾンである前記（５）に記載の薬害軽減された除草剤組成物。【００１８】
（１２）トリアゾール系化合物が、カフェンストロールである前記（５）に記載の薬害軽減された除草剤組成物。【００１９】
（１３）チオカーバメート系化合物が、
ピリブチカルブ、ブチレート、シクロエート、ジメピペレート、ＥＰＴＣ、エスプロカルブ、モリネート、オルベンカルブ、ペブレート、プロスルホカルブ、チオベンカルブ、チオカルバジル及びトリアレートよりなる群から選ばれる少なくとも１種
である前記（５）に記載の薬害軽減された除草剤組成物。【００２０】
（１４）テトラゾリノン系化合物が、フェントラザミドである前記（５）に記載の薬害軽減された除草剤組成物。【００２１】
（１５）更に界面活性剤を含有する前記（５）〜（１４）に記載の除草剤組成物。【００２２】
（１６）前記（１）〜（４）のいずれかに記載の一般式［Ｉ］で表されるフェニルスルホニルカーバメイト誘導体又はその塩を、
（ａ）除草剤と同時に施用するか、
（ｂ）除草剤と近接施用するか、又は
（ｃ）栽培植物自体の種子又は苗に処理すること
を特徴とする除草剤の薬害軽減方法。【００２３】
（１７）栽培植物が、コムギ、ライムギ、オオムギ、エンバク、イネ、トウモロコシ、ソルガム、ワタ又はダイズである前記（１６）に記載の方法。【００２４】
（１８）栽培植物が、水田のイネである前記（１６）に記載の方法。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の除草剤の薬害軽減剤及び除草剤組成物は、除草活性成分を単に施用した場合にコムギ、ライムギ、オオムギ、エンバク、イネ、トウモロコシ、ソルガム、ワタ、ダイズ等の栽培植物の生育障害や生育抑制、黄化等の薬害症状が発現するような除草活性成分量に相当するものであっても、対象作物の薬害症状を軽減又は防止しうるという顕著な効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本明細書に記載された記号及び用語について説明する。【００２７】
ハロゲン原子とはフッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子である。【００２８】
Ｃ１−Ｃ６等の表記は、これに続く置換基の炭素数が、この場合では１〜６であることを示している。【００２９】
Ｃ１−Ｃ６アルキル基とは、特に限定しない限り、炭素数が１〜６の直鎖又は分岐鎖状のアルキル基を示し、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、s−ブチル、ｉ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、１−メチルブチル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、１−エチルプロピル、１，１−ジメチルプロピル、１，２−ジメチルプロピル、ネオペンチル、ｎ−へキシル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、４−メチルペンチル、１−エチルブチル、２−エチルブチル、１，１−ジメチルブチル、１，２−ジメチルブチル、１，３−ジメチルブチル、２，２−ジメチルブチル、２，３−ジメチルブチル、３，３−ジメチルブチル、１，１，２−トリメチルプロピル、１，２，２−トリメチルプロピル、１−エチル−１−メチルプロピル、１−エチル−２−メチルプロピル等の基をあげることができる。【００３０】
Ｃ１−Ｃ１２アルキル基とは、特に限定しない限り、炭素数が１〜１２の直鎖又は分岐鎖状のアルキル基を示し、前記したＣ１−Ｃ６アルキル基の例示に加え、例えばｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシル、５−メチルヘキシル、１，１−ジメチルペンチル、２，２−ジメチルペンチル、４，４−ジメチルペンチル、１−エチルペンチル、２−エチルペンチル、１，１，３−トリメチルブチル、１，２，２−トリメチルブチル、１，３，３−トリメチルブチル、２，２，３−トリメチルブチル、２，３，３−トリメチルブチル、１−プロピルブチル、１，１，２，２−テトラメチルプロピル、ｎ−オクチル、１−メチルヘプチル、３−メチルヘプチル、６−メチルヘプチル、２−エチルヘキシル、５，５−ジメチルヘキシル、２，４，４−トリメチルペンチル、１−エチル−１−メチルペンチル、ｎ−ノニル、１−メチルオクチル、２−メチルオクチル、３−メチルオクチル、７−メチルオクチル、１−エチルヘプチル基、１，１−ジメチルヘプチル、６，６−ジメチルヘプチル、ｎ−デシル、１−メチルノニル、２−メチルノニル、６−メチルノニル、１−エチルオクチル、１−プロピルヘプチル、ｎ−ウンデシル又はｎ−ドデシル等の基をあげることができる。【００３１】
Ｃ２−Ｃ６アルケニル基とは、特に限定しない限り、炭素数が２〜６の直鎖又は分岐鎖状のアルケニル基を示し、例えばビニル、１−プロペニル、ｉ−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、１−メチル−１−プロペニル、２−ブテニル、１−メチル−２−プロペニル、３−ブテニル、２−メチル−１−プロペニル、２−メチル−２−プロペニル、１，３−ブタジエニル、１−ペンテニル、１−エチル−２−プロペニル、２−ペンテニル、１−メチル−１−ブテニル、３−ペンテニル、１−メチル−２−ブテニル、４−ペンテニル、１−メチル−３−ブテニル、３−メチル−１−ブテニル、１，２−ジメチル−２−プロペニル、１，１−ジメチル−２−プロペニル、２−メチル−２−ブテニル、３−メチル−２−ブテニル、１，２−ジメチル−１−プロペニル、２−メチル−３−ブテニル、３−メチル−３−ブテニル、１，３−ペンタジエニル、１−ビニル−２−プロペニル、１−ヘキセニル、１−プロピル−２−プロペニル、２−へキセニル、１−メチル−１−ペンテニル、１−エチル−２−ブテニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル、５−ヘキセニル、１−メチル−４−ペンテニル、１−エチル−３−ブテニル、１−(ｉ−ブチル)ビニル、１−エチル−１−メチル−２−プロペニル、１−エチル−２−メチル−２−プロペニル、１−(ｉ−プロピル)−２−プロペニル、２−メチル−２−ペンテニル、３−メチル−３−ペンテニル、４−メチル−３−ペンテニル、１，３−ジメチル−２−ブテニル、１，１−ジメチル−３−ブテニル、３−メチル−４−ペンテニル、４−メチル−４−ペンテニル、１，２−ジメチル−３−ブテニル、１，３−ジメチル−３−ブテニル、１，１，２−トリメチル−２−プロペニル、１，５−ヘキサジエニル、１−ビニル−３−ブテニル又は２，４−ヘキサジエニル等の基をあげることができる。【００３２】
Ｃ２−Ｃ６アルキニル基とは、特に限定しない限り、炭素数が２〜６の直鎖又は分岐鎖状のアルキニル基を示し、例えばエチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１−ブチニル、１−メチル−２−プロピニル、２−ブチニル、３−ブチニル、１−ペンチニル、１−エチル−２−プロピニル、２−ペンチニル、３−ペンチニル、１−メチル−２−ブチニル、４−ペンチニル、１−メチル−３−ブチニル、２−メチル−３−ブチニル、１−ヘキシニル、１−(ｎ−プロピル)−２−プロピニル、２−ヘキシニル、１−エチル−２−ブチニル、３−ヘキシニル、１−メチル−２−ペンチニル、１−メチル−３−ペンチニル、４−メチル−１−ペンチニル、３−メチル−１−ペンチニル、５−ヘキシニル、１−エチル−３−ブチニル、１−エチル−１−メチル−２−プロピニル、１−(ｉ−プロピル)−２−プロピニル、１，１−ジメチル−２−ブチニル又は２，２−ジメチル−３−ブチニル等の基をあげることができる。【００３３】
Ｃ３−Ｃ６シクロアルキルとは特に限定しない限り、炭素数が３〜６のシクロアルキル基を示し、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル又はシクロヘキシル等の基をあげることができる。【００３４】
Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基とは、ハロゲン原子によって置換された、炭素数が１〜６の直鎖又は分岐鎖状のアルキル基を示し、例えばフルオロメチル、クロロメチル、ブロモメチル、ジフルオロメチル、ジクロロメチル、トリフルオロメチル、トリクロロメチル、クロロジフルオロメチル、ブロモジフルオロメチル、２−フルオロエチル、１−クロロエチル、２−クロロエチル、１−ブロモエチル、２−ブロモエチル、２，２−ジフルオロエチル、１，２−ジクロロエチル、２，２−ジクロロエチル、２，２，２−トリフルオロエチル、２，２，２−トリクロロエチル、１，１，２，２−テトラフルオロエチル、ペンタフルオロエチル、２−ブロモ−２−クロロエチル、２−クロロ−１，１，２，２−テトラフルオロエチル、１−クロロ−１，２，２，２−テトラフルオロエチル、１−クロロプロピル、２−クロロプロピル、３−クロロプロピル、２−ブロモプロピル、３−ブロモプロピル、２−ブロモ−１−メチルエチル、３−ヨードプロピル、２，３−ジクロロプロピル、２，３−ジブロモプロピル、３，３，３−トリフルオロプロピル、３，３，３−トリクロロプロピル、３−ブロモ−３，３−ジフルオロプロピル、３，３−ジクロロ−３−フルオロプロピル、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル、１−ブロモ−３，３，３−トリフルオロプロピル、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル、２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチルエチル、ヘプタフルオロプロピル、１，２，２，２−テトラフルオロ−１−トリフルオロメチルエチル、２，３−ジクロロ−１，１，２，３，３−ペンタフルオロプロピル、２−クロロブチル、３−クロロブチル、４−クロロブチル、２−クロロ−１，１−ジメチルエチル、４−ブロモブチル、３−ブロモ−２−メチルプロピル、２−ブロモ−１，１−ジメチルエチル、２，２−ジクロロ−１，１−ジメチルエチル、２−クロロ−１−クロロメチル−２−メチルエチル、４，４，４−トリフルオロブチル、３，３，３−トリフルオロ−１−メチルプロピル、３，３，３−トリフルオロ−２−メチルプロピル、２，３，４−トリクロロブチル、２，２，２−トリクロロ−１，１−ジメチルエチル、４−クロロ−４，４−ジフルオロブチル、４，４−ジクロロ−４−フルオロブチル、４−ブロモ−４，４−ジフルオロブチル、２，４−ジブロモ−４，４−ジフルオロブチル、３，４−ジクロロ−３，４，４−トリフルオロブチル、３，３−ジクロロ−４，４，４−トリフルオロブチル、４−ブロモ−３，３，４，４−テトラフルオロブチル、４−ブロモ−３−クロロ−３，４，４−トリフルオロブチル、２，２，３，３，４，４−ヘキサフルオロブチル、２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチル、２，２，２−トリフルオロ−１−メチル−１−トリフルオロメチルエチル、３，３，３−トリフルオロ−２−トリフルオロメチルプロピル、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル、２，３，３，３−テトラフルオロ−２−トリフルオロメチルプロピル、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル、ノナフルオロブチル、４−クロロ−１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル、５−フルオロペンチル、５−クロロペンチル、５，５−ジフルオロペンチル、５，５−ジクロロペンチル、５，５，５−トリフルオロペンチル、６，６，６−トリフルオロヘキシル基又は５，５，６，６，６−ペンタフルオロヘキシル等の基をあげることができる。【００３５】
Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基とは、アルキル部分が前記の意味を有する炭素数が１〜６の（アルキル）−Ｏ−基を示し、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ又はヘキシルオキシ等の基をあげることができる。【００３６】
Ｃ１−Ｃ６アルキルチオ基とは、アルキル部分が前記の意味を有する炭素数が１〜６の（アルキル）−Ｓ−基を示し、例えばメチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、ペンチルチオ又はヘキシルチオ等の基をあげることができる。【００３７】
Ｃ１−Ｃ６アルコキシＣ１−Ｃ６アルキル基とはアルキル部分及びアルコキシ部分が前記の意味を有する炭素数が１〜６のアルコキシにより置換された炭素数が１〜６のアルキル基を示し、例えばメトキシメチル、エトキシメチル、イソプロポキシメチル、ペンチルオキシメチル、メトキシエチル又はブトキシエチル等の基をあげることができる。【００３８】
Ｃ１−Ｃ６ハロアルコキシ基とは、ハロアルキル部分が前記の意味を有する同一又は相異なるハロゲン原子１〜１３で置換されている炭素数が１〜６の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基を示し、例えばクロロメトキシ、ジフルオロメトキシ、クロロジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ又は２，２，２−トリフルオロエトキシ等の基をあげることができる。【００３９】
Ｃ１−Ｃ６アルコキシカルボニル基とは、アルコキシ部分が前記の意味を有する炭素数が１〜６の（アルコキシ）−（Ｃ＝Ｏ）−基を示し、例えば、メトキシカルボニル基、エ
トキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基又はヘキシルオキシカルボニル基等の基をあげることができる。【００４０】
同一若しくは相異なってよい酸素原子、硫黄原子及び窒素原子から選択される１個以上のヘテロ原子を有する炭素数３〜１０の複素環基とは、例えばフラン、チオフェン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モリホリン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンズイミダゾール等をあげることができる。【００４１】
一般式［Ｉ］で表されるフェニルスルホニルカーバメイト誘導体の代表的な化合物例を表１〜表１１に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。【００４２】
本明細書における表中の次の表記は下記の通りそれぞれ該当する基を表す。例えばＭｅとはメチル基を示し、Ｅｔとはエチル基を示し、Ｐｒ−ｎとはｎ−プロピル基を示し、Ｐｒ−ｉとはイソプロピル基を示し、Ｂｕ−ｎとはｎ−ブチル基を示し、Ｂｕ−ｓとはセカンダリーブチル基を示し、Ｂｕ−ｉとはイソブチル基を示し、Ｂｕ−ｔとはターシャリーブチル基を示し、Ｐｎとはｎ−ペンチル基を示し、Ｐｎ−ｃとはシクロペンチル基を示し、Ｃ６Ｈ１３−ｎとはｎ−ヘキシル基を示し、Ｃ７Ｈ１５−ｎとはｎ−ヘプチル基を示し、Ｃ８Ｈ１７−ｎとはｎ−オクチル基を示し、Ｃ９Ｈ１９−ｎとはｎ−ノニル基を示し、Ｃ１０Ｈ２１−ｎとはｎ−デシル基を示し、Ｃ１１Ｈ２３−ｎとはｎ−ウンデシル基を示し、Ｃ１２Ｈ２５−ｎとはｎ−ドデシル基を示し、Ｐｈとはフェニル基を示す。又、例えばＰｈ（４−Ｃｌ）とは４−クロロフェニル基を示す。【００４３】
【表１】
2007023764.tif 000006
【００４４】
【表２】
2007023764.tif 000007
【００４５】
【表３】
2007023764.tif 000008
【００４６】
【表４】
2007023764.tif 000009
【００４７】
【表５】
2007023764.tif 000010
【００４８】
【表６】
2007023764.tif 000011
【００４９】
【表７】
2007023764.tif 000012
【００５０】
【表８】
2007023764.tif 000013
【００５１】
【表９】
2007023764.tif 000014
【００５２】
【表１０】
2007023764.tif 000015
【００５３】
【表１１】
2007023764.tif 000016
【００５４】
一般式［Ｉ］で表される化合物の代表的な製造方法を以下に例示するが、本化合物の製造方法はこれらの方法に限定されるものではない。【００５５】
＜製造方法１＞
【化５】
2007023764.tif 000017
（式中、Ｙ、Ｚ、ｎ及びＲ２はそれぞれ前記と同じ意味を表す。）【００５６】
（工程１）
一般式［ＩＶ］で表される化合物は、一般式［Ｖ］で表される化合物と一般式［ＶＩＩＩ］で表される化合物から、一般に知られている方法〔例えば、 ケミッシェ・ベリヒテ（ChemischeBerichte）、第５６巻、第１８１０頁（１９２３年）；ジャーナル・オブ・ファーマシューティカル・サイエンス（Journal of Pharmaceutical Science）第５０巻、第６７２頁（１９６１年）；特開昭４９−２０７７９号公報記載の方法〕により製造することができる。【００５７】
本工程で使用する一般式［ＶＩＩＩ］で表される化合物の使用量は、一般式［Ｖ］で表される化合物１モルに対して０．５〜１０モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは１〜１．２モルである。【００５８】
（工程２）
一般式［Ｉｄ］で表される化合物は、一般式［ＩＶ］で表される化合物を適当な条件下で加水分解させた後、酸性化することにより製造することができる。【００５９】
加水分解の条件としては塩基性条件が好ましく、本反応で使用できる塩基としては、例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸水素ナトリウム又は炭酸水素カリウム等の金属炭酸塩類、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸カルシウム又は酢酸マグネシウム等の金属酢酸塩類、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムターシャリーブトキシド、カリウムメトキシド又はカリウムターシャリーブトキシド等の金属アルコキシド、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム又は水酸化マグネシウム等の金属水酸化物等をあげることができる。【００６０】
酸性化に用いられる酸としては、例えば塩酸又は硫酸等の鉱酸、酢酸又はくえん酸等の有機酸等をあげることができる。【００６１】
塩基の使用量は、一般式［ＩＶ］で表される化合物１モルに対して０．１〜１０モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは１．５〜３モルである。【００６２】
本反応で使用できる溶媒としては、本反応の進行を阻害しないものであればよく、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、モノグライム又はジグライム等のエーテル類、アセトニトリル等のニトリル類、アセトン等のケトン類、水等を使用することができ、更にこれらの混合溶媒も使用することができる。【００６３】
反応温度は−２０℃から使用する不活性溶媒の沸点域から選択すればよく、好ましくは０℃〜８０℃の範囲で行うのがよい。反応時間は反応温度、反応基質、反応量等により異なるが、一般的には３０分〜４８時間である。【００６４】
反応の目的物である一般式［Ｉｄ］で表される化合物は、反応終了後、常法により反応系から採取され、必要に応じてカラムクロマトグラフィー、再結晶等の操作によって精製することもできる。【００６５】
＜製造方法２＞
【化６】
2007023764.tif 000018
（式中、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ｎ、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ前記と同じ意味を表し、Ｍはリチウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子等のアルカリ金属原子を表す。）【００６６】
一般式［Ｉｅ］で表される化合物は、日本化学会誌第４巻、第５８２頁（１９７８年）記載の方法により、一般式［ＩＶ］で表される化合物と［ＩＸ］で表わされる化合物とを、塩基の存在下に適当な溶媒中で反応させた後、酸性化することによって製造することができる。【００６７】
本反応で使用する、一般式［ＩＸ］で表わされる化合物の使用量は、一般式［ＩＶ］で表される化合物１モルに対して０．５〜１０モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは１〜１．２モルである。【００６８】
本反応で使用できる塩基としては、前記製造方法１の工程２で用いられる塩基と同様のものがあげられる。塩基の使用量は、一般式［ＩＶ］で表される化合物１モルに対して０．５〜１０モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは１〜１．２モルである。【００６９】
酸性化に用いられる酸としては、例えば、塩酸又は硫酸等の鉱酸、酢酸又はくえん酸等の有機酸等をあげることができる。【００７０】
本反応で使用できる溶媒としては、本反応の進行を阻害しないものであればよく、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、モノグライム又はジグライム等のエーテル類、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素又はテトラクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、クロロベンゼン、ニトロベンゼン又はトルエン等の芳香族炭化水素類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド又はＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、１，３−ジメチル−２−イミダゾリノン等のイミダゾリノン類、ジメチルスルホキシド等の硫黄化合物類、アセトニトリル等のニトリル類等を使用することができ、更にこれらの混合溶媒も使用することができる。【００７１】
反応温度は−２０℃から使用する不活性溶媒の沸点域から選択すればよく、好ましくは０℃〜８０℃の範囲で行うのがよい。反応時間は反応温度、反応基質、反応量等により異なるが、一般的には３０分〜４８時間である。【００７２】
反応の目的物である一般式［Ｉｅ］で表される化合物は、反応終了後、常法により反応系から採取され、必要に応じてカラムクロマトグラフィー、再結晶等の操作によって精製することもできる。【００７３】
＜製造方法３＞
【化７】
2007023764.tif 000019
（式中、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ｎ、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ前記と同じ意味を表す。）【００７４】
一般式［Ｉｅ］で表される化合物は、一般に知られている方法（例えば、特開昭５７−１２６４０４号公報記載の方法）により、一般式［ＶＩ］で表される化合物と一般式［Ｘ］で表される化合物とを適当な溶媒中で反応させることで製造することもできる。【００７５】
本反応で使用できる溶媒としては、本反応の進行を阻害しないものであればよく、前記製造方法２で例示した溶媒と同様の溶媒を使用できる。反応温度は−２０℃から使用する不活性溶媒の沸点域から選択すればよく、好ましくは０℃〜８０℃の範囲で行うのがよい。反応時間は反応温度、反応基質、反応量等により異なるが、一般的には３０分〜４８時間である。【００７６】
反応の目的物である一般式［Ｉｅ］で表される化合物は、反応終了後、常法により反応系から採取され、必要に応じてカラムクロマトグラフィー、再結晶等の操作によって精製することもできる。【００７７】
＜製造方法４＞
【化８】
2007023764.tif 000020
（式中、Ｘ、Ｙ、Ｚ，ｎ、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３はそれぞれ前記と同じ意味を表す。）【００７８】
一般式［Ｉ］で表される化合物は、一般に知られている方法〔例えば、特開昭５７−１２６４０４号公報記載の方法〕により、一般式［ＶＩＩ］で表される化合物と一般式［ＶＩＩＩ］で表される化合物とを塩基の存在下、適当な溶媒中で反応させることにより製造することができる。【００７９】
本反応で使用する一般式［ＶＩＩＩ］で表される化合物の使用量は、一般式［ＶＩＩ］で表される１モルに対して１〜１０モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは１〜１．２モルである。【００８０】
ここで使用できる塩基としては、例えば前記製造方法１の工程２で用いられる塩基と同様のものがあげられる。塩基の使用量は、一般式［ＶＩＩ］で表される化合物１モルに対して１〜１０モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは１〜１．２モルである。【００８１】
本反応で使用できる溶媒としては、本反応の進行を阻害しないものであればよく、前記製造方法２で例示した溶媒と同様の溶媒を使用できる。反応温度は−２０℃から使用する不活性溶媒の沸点域から選択すればよく、好ましくは０℃〜８０℃の範囲で行うのがよい。反応時間は反応温度、反応基質、反応量等により異なるが、一般的には３０分〜４８時間である。【００８２】
反応の目的物である一般式［Ｉ］で表される化合物は、反応終了後、常法により反応系から採取され、必要に応じてカラムクロマトグラフィー、再結晶等の操作によって精製することもできる。【００８３】
＜製造方法５＞
【化９】
2007023764.tif 000021
（式中、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ｎ、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３はそれぞれ前記と同じ意味を表す。）【００８４】
一般式［Ｉ］で表される化合物は、一般式［Ｉｂ］で表される化合物と、一般式［ＸＩ］で表される化合物とを、一般に知られている公知の方法により通常用いられる溶媒、反応温度でエステル化することにより製造できる。【００８５】
反応の目的物である一般式［Ｉ］で表される化合物は、反応終了後、常法により反応系から採取され、必要に応じてカラムクロマトグラフィー、再結晶等の操作によって精製することもできる。【００８６】
＜製造方法６＞
【化１０】
2007023764.tif 000022
（式中、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ｎ、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３はそれぞれ前記と同じ意味を表し、Ｌは、メタンスルホニルオキシ基等のアルキルスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基等のハロアルキルスルホニルオキシ基、パラトルエンスルホニルオキシ基等の（置換）フェニルスルホニルオキシ基又はハロゲン原子を示す。）【００８７】
一般式［Ｉ］で表される化合物は、日本化学会誌第４巻、第５８２頁（１９７８年）記載の方法により、一般式［Ｉｄ］で表される化合物と一般式［ＸＩＩ］で表される化合物とを溶媒中、塩基の存在下反応させることにより製造することができる。【００８８】
本工程で使用する一般式［ＸＩＩ］で表される化合物の使用量は、一般式［Ｉｄ］で表される化合物１モルに対して０．５〜１０モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは１〜１．２モルである。【００８９】
本工程で使用できる塩基としては、前記製造方法１の工程２で用いられる塩基と同様のものがあげられる。塩基の使用量は一般式［Ｉｄ］で表される化合物１モルに対して０．５〜１０モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは１．０〜１．２モルである。【００９０】
本反応で使用できる溶媒としては、本反応の進行を阻害しないものであればよく、例えば、前記製造方法２で例示した溶媒と同様の溶媒を使用できる。【００９１】
反応温度は−２０℃から使用する不活性溶媒の沸点域の範囲から選択すればよく、好ましくは０℃〜１００℃の範囲で行うのがよい。反応時間は反応温度、反応基質、反応量等により異なるが、一般的には３０分〜４８時間である。【００９２】
反応の目的物である一般式［Ｉ］で表される化合物は、反応終了後、常法により反応系から採取され、必要に応じてカラムクロマトグラフィー、再結晶等の操作によって精製することもできる。【００９３】
本発明による除草剤の薬害軽減剤は、以上のようなフェニルスルホニルカーバメイト誘導体又はその塩を有効成分として含有することを特徴とするものであり、更に具体的には、上記（５）に記載した除草活性化合物、即ち（ｂ）成分と共に、本発明の薬害軽減された除草剤組成物を構成するものである。【００９４】
尚、一般式［Ｉ］で表される化合物の「塩」としては、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属の塩、カルシウム等のアルカリ土類金属の塩、アンモニア、トリエチルアミン又はジイソプロピルアミン等のアミン類の塩、メタンスルホン酸又はパラ−トルエンスルホン酸等の有機スルホン酸類の塩があげられる。【００９５】
又、一般式［Ｉ］で表される化合物の塩は、一般式［Ｉ］で表される化合物に水酸基、カルボキシル基、アミノ基等がその構造中にある場合、一般式［Ｉ］と、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、水素化ナトリウム等のアルカリ金属水素化物、水素化カルシウム等のアルカリ土類金属水素化物、ナトリウムメトキシド等のアルカリ金属アルコラート、アンモニア、トリエチルアミン又はジイソプロピルアミン等のアミン、塩酸又は硫酸等の鉱酸、酢酸等のカルボン酸、或いは、メタンスルホン酸又はパラ−トルエンスルホン酸等の有機スルホン酸等とを、無溶媒或いは適当な溶媒中で反応させることによって製造することができる。【００９６】
以下、本発明において用いる一般式［Ｉ］で表される化合物の製造例を詳細に説明するが、本発明はこれらに何ら制約されるものではない。尚、以下の説明において「％」は重量百分率を示し、化合物番号は表１から１１中の番号に対応する。【００９７】
＜製造例１＞
２−エトキシカルボニルアミノスルホニル安息香酸（化合物番号Ｉ−２）
２−エトキシカルボニル−１，２−ベンゾイソチアゾリン−３−オキソ−１，１−ジオキシド（３．５ｇ）をテトラヒドロフラン（１００ｍＬ）に溶解し、５％炭酸水素ナトリウム水溶液（７０ｍＬ）を加え、室温で２時間撹拌した。反応溶液を水１００ｍＬに注加し、酢酸エチルで洗浄した。水溶液に１０％塩酸を酸性になるまで加え、酢酸エチルで抽出した。抽出液を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下濃縮した。得られた固体をｎ−ヘキサンで洗浄し、白色粉末（融点１４９−１５１℃）の目的物２．７ｇを得た。【００９８】
＜製造例２＞
２−エトキシカルボニルアミノスルホニル安息香酸プロピル（化合物番号ＩＩＩ−２）
プロピルアルコール（０．１５ｇ）をテトラヒドロフラン（１５ｍＬ）に溶解し、６０％水素化ナトリウム（０．１ｇ）を加えた。この混合物を室温で１時間撹拌した後、２−エトキシカルボニル−１，２−ベンゾイソチアゾリン−３−オキソ−１，１−ジオキシド（０．６ｇ）を加え、５時間加熱還流させた。反応液を冷却後、水５０ｍＬを加え、酢酸エチルで洗浄した。水溶液に１０％塩酸を酸性になるまで加え、析出物を酢酸エチルで抽出した。抽出液を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下濃縮して得られた固体をｎ−ヘキサンで洗浄し、白色粉末（融点６９−７０℃）の目的物０．４６ｇを得た。【００９９】
＜製造例３＞
Ｎ−エトキシカルボニル−Ｎ−メトキシメチル−２−アリルオキシカルボニル）ベンゼンスルホンアミド（化合物番号Ｉ−１４５）
（１）アリルアルコール（８．８９ｇ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（２００ｍＬ）に溶解し、５５％水素化ナトリウム（６．６８ｇ）を加えた。この混合物を室温で１時間撹拌した後、２−エトキシカルボニル−１，２−ベンゾイソチアゾリン−３−オキソ−１，１−ジオキシド（３７．２ｇ）を加え、室温で２時間撹拌した。反応液に水５００ｍＬを加え、酢酸エチルで抽出した。抽出液を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、白色粉末（融点７８−８０℃）の２−エトキシカルボニルアミノスルホニル安息香酸アリル１５．５ｇを得た。【０１００】
（２）２−エトキシカルボニルアミノスルホニル安息香酸アリル（１０．０ｇ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１００ｍｌ）に溶解し、５５％水素化ナトリウム（１．３９ｇ）を加えた。この混合物を室温で３０分間撹拌した後、クロロメチルメチルエーテル（２．８３ｇ）を加え、室温で２時間撹拌した。反応液に水２００ｍＬを加え、酢酸エチルで抽出した抽出液を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、無色アメ状物質のＮ−エトキシカルボニル−Ｎ−メトキシメチル−２−アリルオキシカルボニル）ベンゼンスルホンアミド１０．９８ｇを得た。
1H-NMRデータ（CDCl3/TMS  δ(ppm)）：1.16(3H,t)、3.51(3H,s)、4.15(2H,q)、4.84(2H,d)、5.26(2H,s)、5.33(1H,d)、5.43(1H,d)、6.02(1H,m)、7.64(3H,m)、8.31(1H,m)【０１０１】
＜製造例４＞
２−イソブチルオキシカルボニルアミノスルホニル安息香酸  カルシウム塩（化合物番号Ｉ−１９９）
（１）２−イソブチルオキシカルボニル−１，２−ベンゾイソチアゾリン−３−オキソ−１，１−ジオキシド（２２．０ｇ）をテトラヒドロフラン（１００ｍＬ）に溶解し、２５％水酸化ナトリウム水溶液３７．２ｇを加え、室温で２時間撹拌した。反応溶液を水２００ｍＬにあけ、酢酸エチルで洗浄した。この水溶液に１０％塩酸を酸性になるまで加え、酢酸エチルで抽出した。抽出液を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下濃縮して得られた固体をイソプロピルエーテルで洗浄し、白色粉末（融点１４９−１５２℃以上）の２−イソブチルオキシカルボニルアミノスルホニル安息香酸１７．５６ｇを得た。【０１０２】
（２）２−イソブチルオキシカルボニルアミノスルホニル安息香酸（２．０ｇ）をテトラヒドロフラン（５０ｍＬ）に溶解し、水素化カルシウム０．２７ｇを加え２日間加熱還流させた。反応液を冷却後、不溶物をロ別した。得られた個体をイソプロピルエーテルで洗浄し、更にジエチルエーテル洗浄、ヘキサン洗浄して、灰色粉末（融点３００℃以上）の目的物０．８４ｇを得た。
1H-NMRデータ（d-DMSO/TMS  δ(ppm)）：0.81(6H,d)、1.76(1H,m)、3.57(2H,d)、7.36(3H,m)、7.77(1H,d)【０１０３】
＜製造例５＞
２−メチルチオカルボニルアミノスルホニル安息香酸（化合物番号ＩＩ−１）
（１）無水サッカリンナトリウム３．７ｇ（１８．０ミリモル）をアセトニトリル（５０ｍＬ）に溶解し、クロロチオールぎ酸メチル２．５ｇ（２３.０ミリモル）を加えた。反応溶液を加熱還流下、５時間撹拌した。反応終了確認後、反応溶液を室温に冷却後水中にあけ、酢酸エチルにて抽出した。得られた有機層を水洗し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。無機物を濾別した後、減圧下溶媒を留去した。残渣をテトラヒドロフランで再結晶し、白色粉末（融点２１７−２２２℃）の２−メチルチオカルボニル−１，２−ベンゾイソチアゾリン−３−オキソ−１，１−ジオキシド１．１ｇ（収率：２４％）を得た。
1H-NMRデータ（CDCl3/TMS  δ(ppm)）：2.50(3H,s)、7.95(3H,m)、8.17(1H,d)【０１０４】
（２）２−メチルチオカルボニル−１，２−ベンゾイソチアゾリン−３−オキソ−１，１−ジオキシド０．６ｇ（２．３ミリモル）をテトラヒドロフラン（２０ｍＬ）に溶解し、５％水酸化ナトリウム水溶液４．６ｇ（５．８ミリモル）を加え、１時間室温にて撹拌した。反応終了確認後、反応溶液を水中にあけ、酢酸エチルにて洗浄した。水溶液に１０％塩酸を酸性になるまで加え、酢酸エチルにて抽出した。得られた有機層を水洗し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。無機物を濾別した後、減圧下溶媒を留去した。残渣をイソプロピルエーテルで洗浄し、白色粉末（融点１５９−１６１℃）の２−メチルチオカルボニルアミノスルホニル安息香酸０．５ｇ（収率：８０％）を得た。
1H-NMRデータ（CDCl3/TMS  δ(ppm)）：2.25(3H,s)、7.66(2H,m)、7.80(1H,d)、8.22(1H,d)、11.12(1H,br)【０１０５】
＜製造例６＞
２−ｎ−ペンチルチオカルボニルアミノスルホニル安息香酸（化合物番号ＩＩ−１２）
（１）無水サッカリンナトリウム２．０ｇ（９．７ミリモル）をアセトニトリル（５０ｍＬ）に溶解し、クロロチオールぎ酸ペンチル１．９ｇ（１１．６ミリモル）を加えた。反応溶液を加熱還流下、５時間撹拌した。反応終了確認後、反応溶液を室温に冷却後、水中にあけ、酢酸エチルにて抽出した。得られた有機層を水洗し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。無機物を濾別した後、減圧下溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、白色粉末（融点１０７−１０９℃）の２−ｎ−ペンチルチオカルボニル−１，２−ベンゾイソチアゾリン−３−オキソ−１，１−ジオキシド０．７２ｇ（収率：２４％）を得た。
1H-NMRデータ（CDCl3/TMS  δ(ppm)）：0.91(3H,t)、1.35(4H,m)、1.74(2H,quintet)、3.07(3H,t)、7.95(3H,m)、8.16(1H,d)【０１０６】
（２）２−ｎ−ペンチルチオカルボニル−１，２−ベンゾイソチアゾリン−３−オキソ−１，１−ジオキシド０．５ｇ（１．６ミリモル）をテトラヒドロフラン（２０ｍＬ）に溶解し、５％水酸化ナトリウム水溶液３．８ｇ（４．８ミリモル）を加え１時間室温にて撹拌した。反応終了確認後、反応溶液を水中にあけ、酢酸エチルにて洗浄した。水溶液に１０％塩酸を酸性になるまで加え、酢酸エチルにて抽出した。得られた有機層を水洗し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。無機物を濾別した後、減圧下溶媒を留去した。残渣をヘキサンで洗浄し、白色粉末（融点１３７−１３８℃）の２−ｎ−ペンチルチオカルボニルアミノスルホニル安息香酸０．４６ｇ（収率：８７％）を得た。
1H-NMRデータ（CDCl3/TMS  δ(ppm)）：0.85(3H,t)、1.28(4H,m)、1.57(2H,quintet)、2.86(2H,t)、7.75(2H,m)、7.94(1H,m)、8.35(1H,m)、9.49(1H,br)【０１０７】
＜製造例７＞
２−オクチルチオカルボニルアミノスルホニル安息香酸（化合物番号ＩＩ−１６）
（１）無水サッカリンナトリウム２．０ｇ（９．７ミリモル）をアセトニトリル（５０ｍＬ）に溶解し、クロロチオールぎ酸オクチル２．４ｇ（１１．６ミリモル）を加えた。反応溶液を加熱還流下、５時間撹拌した。反応終了確認後、反応溶液を室温に冷却後水中にあけ、酢酸エチルにて抽出した。得られた有機層を水洗し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。無機物を濾別した後、減圧下溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２−オクチルチオカルボニル−１，２−ベンゾイソチアゾリン−３−オキソ−１，１−ジオキシド１．０２ｇ（収率：３０％）を得た。
1H-NMRデータ（CDCl3/TMS  δ(ppm)）：0.88(3H,t)、1.40(10H,m)、1.73(2H,quintet)、3.07(3H,t)、7.95(3H,m)、8.16(1H,d)【０１０８】
（２）２−オクチルチオカルボニル−１，２−ベンゾイソチアゾリン−３−オキソ−１，１−ジオキシド０．５ｇ（１．４ミリモル）をテトラヒドロフラン（２０ｍＬ）に溶解し、５％水酸化ナトリウム水溶液３．４ｇ（４．２ミリモル）を加え１時間室温にて撹拌した。反応終了確認後、反応溶液を水中にあけ、酢酸エチルにて洗浄した。水溶液に１０％塩酸を酸性になるまで加え、酢酸エチルにて抽出した。得られた有機層を水洗し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。無機物を濾別した後、減圧下溶媒を留去した。残渣をヘキサンで洗浄し、白色粉末（融点１０４−１０６℃）の２−オクチルチオカルボニルアミノスルホニル安息香酸０．４５ｇ（収率：８５％）を得た。
1H-NMRデータ（CDCl3/TMS  δ(ppm)）：0.86(3H,t)、1.25(10H,m)、1.55(2H,quintet)、2.86(2H,t)、7.74(2H,m)、7.94(1H,m)、8.35(1H,m)、9.55(1H,br)【０１０９】
＜製造例８＞
２−(４−クロロベンジルチオカルボニル)アミノスルホニル安息香酸（化合物番号ＩＩ−４０）
（１）無水サッカリンナトリウム２．０ｇ（９．７ミリモル）をアセトニトリル（５０ｍＬ）に溶解し、クロロチオールぎ酸(４−クロロベンジル)２．４ｇ（１０．７ミリモル）を加えた。反応溶液を加熱還流下、３時間撹拌した。反応終了確認後、反応溶液を室温に冷却後、水中にあけ酢酸エチルにて抽出した。得られた有機層を水洗し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。無機物を濾別した後、減圧下溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、白色粉末（融点１９３−１９４℃）の２−(４−クロロベンジルチオカルボニル)−１，２−ベンゾイソチアゾリン−３−オキソ−１，１−ジオキシド０．９５ｇ（収率：２７％）を得た。
1H-NMRデータ（CDCl3/TMS  δ(ppm)）：4.26(2H,s)、7.32(4H,dd)、7.95(3H,m)、8.15(1H,d)【０１１０】
（２）２−(４−クロロベンジルチオカルボニル)−１，２−ベンゾイソチアゾリン−３−オキソ−１，１−ジオキシド０．５ｇ（１．４ミリモル）をテトラヒドロフラン（２０ｍＬ）に溶解し、５％水酸化ナトリウム水溶液３．２ｇ（４．１ミリモル）を加え１０分間室温にて撹拌した。反応終了確認後、反応溶液を水中にあけ、酢酸エチルにて洗浄した。水溶液に１０％塩酸を酸性になるまで加え、酢酸エチルにて抽出した。得られた有機層を水洗し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。無機物を濾別した後、減圧下溶媒を留去した。残渣をヘキサンで洗浄し、白色粉末（融点１４９−１５１℃）の２−(４−クロロベンジルチオカルボニル)アミノスルホニル安息香酸０．４６ｇ（収率：８８％）を得た。
1H-NMRデータ（CDCl3/TMS  δ(ppm)）：4.03(2H,s)、7.20(4H,dd)、7.74(2H,m)、7.93(1H,m)、8.33(1H,m)【０１１１】
一般式［Ｉ］で表されるフェニルスルホニルカーバメイト誘導体の代表的な化合物例の物性値を表１２〜１３に示す。【０１１２】
【表１２】
2007023764.tif 000023
【０１１３】
【表１３】
2007023764.tif 000024
【０１１４】
一方、本発明による薬害軽減された除草剤組成物に用いられる（ｂ）成分は、そのほとんどが例えば、ザ・ペスティサイド・マニュアル（The Pesticide Manual）第１３版［ブリティッシュ・クロップ・プロテクション・カウンシル（British Crop Protection Council）発行、２００４年］、シブヤ・インデックス第１０版、第１１版（SHIBUYA INDEX 10th Edition, 11th Edition）［シブヤインデックス研究会（SHIBUYA INDEX Research Group）発行、２００５年、２００６年］、ＷＯ００／２１９２４号公報、特開２０００−４４５４６号公報、ＷＯ０１／０１２６１３号、特開２００２−３０８８５７号公報、ＷＯ０２／０６７７０号又はＷＯ２００６／０２４８２０号に記載されている公知の化合物である。【０１１５】
尚、上記一般式［Ｉ］で表される化合物は、以下に示される除草活性化合物の薬害を軽減することもできる。
（１）アルカンアミド系化合物：ジフェナミド、ナプロパミド
（２）アニリド系化合物：ペンタノクロール、プロパニル、ナプロアニリド
（３）アリールアミノプロピオン酸系化合物：フラムプロップ・Ｍ
（４）アリールオキシアルカン酸系化合物：ＭＣＰＡ−ｔｈｉｏｅｔｈｙｌ
（５）アリールオキシフェノキシプロピオン酸系化合物：クロジナホップ、シハロホップ・ブチル、ジクロホップ・メチル、フェノキサプロップ・エチル、フェノキサプロップ・Ｐ・エチル、フェンチアプロップ・エチル、フルアジホップ、フルアジホップ・Ｐ、ハロキシホップ、ハロキシホップ・Ｐ、メタミホップ、プロパキザホップ、キザロホップ・エチル、キザロホップ・Ｐ・エチル
（６）ベンズアミド系化合物：イソキサベン
（７）ベンゼンジカルボン酸系化合物：クロルタル・ジメチル
（８）ベンゾフラン系化合物：ベンフレセート、エトフメセート
（９）安息香酸系化合物：ジカンバ、２，３，６−ＴＢＡ
（１０）ベンゾニトリル系化合物：ジクロベニル
（１１）ベンゾチアジアジノン系化合物：ベンタゾン
（１２）ベンゾチアゾロン系化合物：ベナゾリン
（１３）ビピリジリウム系化合物：ジクワット、パラコート
（１４）カーバメート系化合物：アシュラム、カルベタミド、クロルプロファム、プロファム
（１５）シクロヘキサンジオンオキシム系化合物：アロキシジム、ブトロキシジム、クレトジム、シクロキシジム、プロホキシジム、セトキシジム、テプラロキシジム、トラルコキシジム
（１６）ジニトロアニリン系化合物：ベンフルラリン、ブトラリン、エタルフルラリン、オリザリン、ペンジメタリン、トリフルラリン、ジニトラミン
（１７）ジニトロフェノール系化合物：ジノテルブ、ＤＮＯＣ
（１８）ジフェニルエーテル系化合物：アシフルオルフェン、ビフェノックス、フルオログリコフェン、ホメサフェン、ＨＣ−２５２、ラクトフェン、オキシフルオルフェン、アクロニフェン
（１９）グリシン系化合物：グリホサート、グリホサート・トリメシウム塩
（２０）ヒドロキシベンゾニトリル系化合物：アイオキシニル、ブロモキシニル
（２１）イミダゾリノン系化合物：イマザピル、イマザメタベンズ、イマザキン、イマゼタピル、イマザメメタピル（イマザピク）、イマザモックス
（２２）オキサジアゾール系除草剤オキサジアルギル、オキサジアゾン
（２３）イソキサゾリジノン系化合物：クロマゾン
（２４）Ｎ−フェニルフタルイミド系化合物：シニドン・エチル、フルミクロラック・ペンチル、フルミオキサジン
（２５）オキシアセトアミド系化合物：フルフェナセット、メフェナセット
（２６）フェノキシカルボン酸系化合物：２，４−Ｄ、２，４−ＤＢ、クロメプロップ、ジクロルプロップ、ジクロルプロップ−Ｐ、ＭＣＰＡ、ＭＣＰＢ、メコプロップ、メコプロップ−Ｐ
（２７）フェニルカーバメート系化合物：デスメディファム、フェンメディファム
（２８）フェニルピラゾール系化合物：ピラフルフェン・エチル
（２９）フェニルピリダジン系化合物：ピリデート
（３０）ホスフィン酸系化合物：ビアラホス、グルホシネート
（３１）ホスホロアミデート系化合物：ブタミホス
（３２）ホスホロジチオエート系化合物：ベンスリド
（３３）フタルアマート系化合物：ナプタラム
（３４）ピラゾール系化合物：ベンゾフェナップ、ピラゾレート（ピラゾリネート）、ピラゾキシフェン
（３５）ピラゾリウム系化合物：ジフェンゾコート
（３６）ピリダジノン系化合物：クロリダゾン、フルフェンピル、ノルフルラゾン
（３７）ピリジン系化合物：ジチオピル、チアゾピル
（３８）ピリジンカルボキサミド系化合物：ジフルフェニカン、ピコリナフェン
（３９）ピリジンカルボン酸系化合物：クロピラリド、ピクロラム、トリクロピル、フルロキシピル
（４０）ピリミジンジオン系化合物：ブタフェナシル
（４１）キノリンカルボン酸系化合物：キンクロラック、キンメラック
（４２）セミカルバゾン系化合物：ジフルフェンゾピル
（４３）スルホニルアミノカルボニルトリアゾリノン系化合物：フルカルバゾン・ナトリウム塩、プロポキシカルバゾン・ナトリウム塩
（４４）チアゾール系化合物：フルチアセット・メチル
（４５）トリアジン系化合物：アメトリン、アトラジン、シアナジン、ジメタメトリン、プロメトン、プロメトリン、プロパジン、シマジン、シメトリン、テルブメトン、テルブチラジン、テルブトリン、トリエタジン
（４６）トリアジノン系化合物：ヘキサジノン、メタミトロン、メトリブジン
（４７）トリアゾリノン系化合物：アミカルバゾン、カルフェントラゾン・エチル、スルフェントラゾン
（４８）ウラシル系化合物：ブロマシル、レナシル、ターバシル
（４９）尿素系化合物：クロロトルロン、ジメフロン、ジウロン、フルオメツロン、イソプロツロン、イソウロン、カルブチレート、リニュロン、メタベンズチアズロン、メトベンズロン、メトキスロン、モノリニュロン、ネブロン、シデュロン、テブチウロン、ベンズチアズロン、クミルロン、シクルロン、クロロクスロン、ダイムロン、フルオチウロン、メチルダイムロン、チジアズロン、エチジムロン、チアザフルロン、チジアズロン
（５０）チアジアゾール系除草剤フルチアセット・メチル
（５１）イソキサゾール系化合物：イソキサフルトール
（５２）その他の系の化合物：クロルフェナック、クロルフェンプロップ・メチル、シンメチリン、エンドタール、フルリドン、フルロクロリドン、フルルタモン、インダノファン、ピノキサデン、キノクラミン、チジアジミン、トリジファン【０１１６】
これらの化合物も、ザ・ペスティサイド・マニュアル（The Pesticide Manual）第１３版［ブリティッシュ・クロップ・プロテクション・カウンシル（BritishCrop Protection Council）発行、２００４年］又はシブヤ・インデックス第１０版、第１１版（SHIBUYA INDEX 10th Edition, 11th Edition）［シブヤインデックス研究会（SHIBUYA INDEX Research Group）発行、２００５年、２００６年］に記載されているか、公知のものである。【０１１７】
一般式［Ｉ］で表される化合物を有効成分とする、本発明による除草剤の薬害軽減剤の施用量については特に限定されるものではないが、農地１ヘクタール当たり、通常、１０〜１００００ｇ、好ましくは５０〜５０００ｇ、更に好ましくは１００〜３０００ｇの範囲で選ばれる。【０１１８】
本発明組成物において、（ａ）成分と、（ｂ）成分との使用割合は、両者の種類、対象作物の種類や生育時期、作物移植期などにより適宜変動することがあるが、（ｂ）成分の質量に対して（ａ）成分の質量が通常０．１〜１００、好ましくは、（ａ）成分の質量はピリミスルファンに対して０．２〜１００倍量、ベンゾビシクロンに対して２〜５０倍量、オキサジクロメホンに対して１〜５０倍量、スルホニル尿素系化合物に対して５〜１００倍量、トリアゾロピリミジン系化合物に対して５〜１００倍量、ピリミジニルオキシ（チオ）安息香酸系化合物に対して５〜５０倍量、トリケトン系化合物に対して１〜５０倍量、クロロアセトアニリド系化合物に対して０．５〜１０倍量、オキサゾリジンジオン系化合物に対して２〜５０倍量、チオカーバメート系化合物に対して０．２５〜１倍量、トリアゾール系化合物に対して２〜５０倍量、テトラゾリノン系化合物に対して３〜３０倍量の範囲で選ばれる。      【０１１９】
本発明の除草剤の薬害軽減剤及び除草剤組成物は、必要に応じ農薬製剤に通常用いられる添加成分を含有することができる。【０１２０】
この添加成分としては、固体担体又は液体担体等の担体、界面活性剤、結合剤や粘着付与剤、増粘剤、着色剤、拡展剤、展着剤、凍結防止剤、固結防止剤、崩壊剤、分解防止剤等があげられる。【０１２１】
その他必要に応じ、防腐剤や、植物片等を添加成分に用いてもよいし、これらの添加成分は１種用いてもよいし、又、２種以上を組み合わせて用いてもよい。【０１２２】
上記添加成分について説明する。【０１２３】
固体担体としては、例えば石英、クレー、カオリナイト、ピロフィライト、セリサイト、タルク、ベントナイト、酸性白土、アタパルジャイト、ゼオライト、珪藻土等の天然鉱物質類、炭酸カルシウム、硫酸アンモニウム、硫酸ナトリウム、塩化カリウム等の無機塩類、合成ケイ酸、合成ケイ酸塩、デンプン、セルロース、植物粉末等の有機固体担体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデン等のプラスチック担体等があげられる。これらは単独で用いてもよいし、又、２種以上を組み合わせて用いてもよい。【０１２４】
液体担体としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール等の一価アルコール類や、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、グリセリン等の多価アルコール類に大別されるアルコール類、プロピレン系グリコールエーテル等の多価アルコール誘導体類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、エチルエーテル、ジオキサン、セロソルブ、ジプロピルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ノルマルパラフィン、ナフテン、イソパラフィン、ケロシン、鉱油等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、ソルベントナフサ、アルキルナフタレン等の芳香族炭化水素類、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、酢酸エチル、ジイソプロピルフタレート、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、アジピン酸ジメチル等のエステル類、γ−ブチロラクトン等のラクトン類、ジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−アルキルピロリジノン等のアミド類、アセトニトリル等のニトリル類、ジメチルスルホキシド等の硫黄化合物類、大豆油、ナタネ油、綿実油、ヒマシ油等の植物油、水等をあげることができる。これらは単独で用いてもよいし、又、２種以上を組み合わせて用いてもよい。【０１２５】
界面活性剤は特に制限されないが、好ましくは水中でゲル化するか、或いは膨潤性を示すものであり、例えばソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン樹脂酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸ジエステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンジアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルホルマリン縮合物、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー、アルキルポリオキシエチレンポリプロピレンブロックポリマーエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレン脂肪酸アミド、ポリオキシエチレン脂肪酸ビスフェニルエーテル、ポリアルキレンベンジルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレンスチリルフェニルエーテル、アセチレンジオール、ポリオキシアルキレン付加アセチレンジオール、ポリオキシエチレンエーテル型シリコン、エステル型シリコン、フッ素系界面活性剤、ポリオキシエチレンひまし油、ポリオキシエチレン硬化ひまし油等の非イオン性界面活性剤、アルキル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテル硫酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、リグニンスルホン酸塩、アルキルスルホコハク酸塩、ナフタレンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、ナフタレンスルホン酸のホルマリン縮合物の塩、アルキルナフタレンスルホン酸のホルマリン縮合物の塩、脂肪酸塩、ポリカルボン酸塩、Ｎ−メチル−脂肪酸サルコシネート、樹脂酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルリン酸塩等のアニオン性界面活性剤、ラウリルアミン塩酸塩、ステアリルアミン塩酸塩、オレイルアミン塩酸塩、ステアリルアミン酢酸塩、ステアリルアミノプロピルアミン酢酸塩、アルキルトリメチルアンモニウムクロライド、アルキルジメチルベンザルコニウムクロライド等のアルキルアミン塩等のカチオン界面活性剤、アミノ酸型又はベタイン型等の両性界面活性剤等があげられる。
これらの界面活性剤は１種用いてもよいし、又、２種以上を組み合わせて用いてもよい。【０１２６】
又、結合剤や粘着付与剤としては、例えばカルボキシメチルセルロースやその塩、デキストリン、水溶性デンプン、キサンタンガム、グアーガム、蔗糖、ポリビニルピロリドン、アラビアゴム、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート、ポリアクリル酸ナトリウム、平均分子量６０００〜２００００のポリエチレングリコール、平均分子量１０万〜５００万のポリエチレンオキサイド、天然燐脂質（例えばセフアリン酸、レシチン等）等があげられる。【０１２７】
増粘剤としては、例えばキサンタンガム、グアーガム、カルボキシメチルセルロース、ポリビニルピロリドン、カルボキシビニルポリマー、アクリル系ポリマー、デンプン誘導体、多糖類のような水溶性高分子、高純度ベントナイト、ホワイトカーボンのような無機微粉等があげられる。【０１２８】
着色剤としては、例えば酸化鉄、酸化チタン、プルシアンブルーのような無機顔料、アリザリン染料、アゾ染料、金属フタロシアニン染料のような有機染料等があげられる。【０１２９】
拡展剤としては、例えばシリコン系界面活性剤、セルロース粉末、デキストリン、加工デンプン、ポリアミノカルボン酸キレート化合物、架橋ポリビニルピロリドン、マレイン酸とスチレン類、メタアクリル酸共重合体、多価アルコールのポリマーとジカルボン酸無水物とのハーフエステル、ポリスチレンスルホン酸の水溶性塩等があげられる。【０１３０】
展着剤としては、例えばジアルキルスルホコハク酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステルなどの種々の界面活性剤、パラフィン、テルペン、ポリアミド樹脂、ポリアクリル酸塩、ポリオキシエチレン、ワックス、ポリビニルアルキルエーテル、アルキルフェノールホルマリン縮合物、合成樹脂エマルション等があげられる。【０１３１】
凍結防止剤としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン等の多価アルコール類等があげられる。【０１３２】
固結防止剤としては、例えばデンプン、アルギン酸、マンノース、ガラクトース等の多糖類、ポリビニルピロリドン、ホワイトカーボン、エステルガム、石油樹脂等があげられる。【０１３３】
崩壊剤としては、例えばトリポリリン酸ソーダ、ヘキサメタリン酸ソーダ、ステアリン酸金属塩、セルロース粉末、デキストリン、メタクリル酸エステルの共重合体、ポリビニルピロリドン、ポリアミノカルボン酸キレート化合物、スルホン化スチレン・イソブチレン・無水マレイン酸共重合体、デンプン・ポリアクリロニトリルグラフト共重合体等があげられる。【０１３４】
分解防止剤としては、例えばゼオライト、生石灰、酸化マグネシウムのような乾燥剤、フェノール系、アミン系、硫黄系、リン酸系等の酸化防止剤、サリチル酸系、ベンゾフェノン系等の紫外線吸収剤等があげられる。【０１３５】
防腐剤としては、例えばソルビン酸カリウム、１，２−ベンズチアゾリン−３−オン等があげられる。【０１３６】
植物片としては、例えばおがくず、やしがら、トウモロコシ穂軸、タバコ茎等があげられる。【０１３７】
本発明の除草剤の薬害軽減剤において、上記添加成分を含有させる場合、その含有割合については、質量基準で、担体では通常５〜９５％、好ましくは２０〜９０％、界面活性剤では通常０．１％〜３０％、好ましくは０．５〜１０％、その他の添加剤は０．１〜３０％、好ましくは０．５〜１０％の範囲で選ばれる。【０１３８】
本発明の除草剤の薬害軽減剤は、液剤、乳剤、水和剤、粉剤、油剤、顆粒水和剤、フロアブル剤、乳懸濁剤、粒剤、ジャンボ剤、サスポエマルション等の任意の剤型に製剤化して使用される。この製剤化時に、少なくとも１種の他の農薬、例えば他の除草剤、殺虫剤、殺菌剤、植物成長調節剤や、肥料等との混合組成物とすることもできる。【０１３９】
又、本発明の除草剤の薬害軽減剤は、上記任意の製剤を水溶性フィルムで包装した形態にしてもよく、このようにすると、その施用に際し、省力化に資し、又、安全性を高めることができる。【０１４０】
又、本発明の除草剤の薬害軽減剤をイネに対して用いる場合、イネを本田に移植する前に育苗箱に施用することによって用いることもできる。【０１４１】
一方、本発明による除草剤の薬害軽減方法は、前記フェニルスルホニルカーバメイト誘導体又はその塩を有効成分として含有する本発明による除草剤の薬害軽減剤、即ち（ａ）成分を、上記（８）に記載した除草活性化合物、即ち（ｂ）成分と共に、栽培植物に施用又はこれを処理するものであるが、この薬害軽減方法においては、上記（ａ）成分と（ｂ）成分を同時に施用してもよいし、又、近接施用してもよい。ここで近接施用とは、上記（ｂ）成分による対象作物の薬害が顕現しないうちに、上記（ｂ）成分の施用からの期間を近接させて上記（ａ）成分を施用することを意味する。【０１４２】
又、同時施用については、レディミックスの形態で適用することができ、例えばあらかじめ製剤化された本発明組成物を用いてもよいし、又、上記（ａ）成分と（ｂ）成分とを別個に用意し、使用時に混合される現場調合物の形態で、即ちタンクミックスの形態で適用することもできる。【０１４３】
更に、本発明による除草剤の薬害軽減方法は、上記（ａ）成分と（ｂ）成分により、栽培植物の種子又は苗を処理することもできる。【０１４４】
本発明による除草剤の薬害軽減方法は、コムギ、ライムギ、オオムギ、エンバク、イネ、トウモロコシ、ソルガム、ワタ又はダイズ等、特にイネに対して好適に採用することができる。【０１４５】
本発明の除草剤の薬害軽減剤及び除草剤組成物の製造方法は特に制限されないが、通常、以下の方法が用いられる。
１．全原料の混合品に適当量の水を加えて混練後、一定の大きさの穴を開けたスクリーンから押し出し造粒し乾燥する方法。
２、上記（ａ）成分と（ｂ）成分、及び、必要に応じ界面活性剤を有機溶剤に溶解又は懸濁し、担体に吸着させる方法。
３．全原料の混合品を、適当な粉砕機で混合粉砕する方法。【０１４６】
以下、本発明の薬害軽減剤及び組成物で用いる一般式［Ｉ］で表される化合物の製剤法及び効果を下記の実施例で詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら制約されるものではない。尚、各組成成分いついて、部は質量部を意味する。
【実施例】
【０１４７】
製剤法
実施例１
＜粉剤＞      
化合物番号Ｉ−３５（２部）、珪藻土（５部）及びクレー（９３部）を均一に混合粉砕して粉剤とした。又、化合物番号Ｉ−３５に代えて、表１〜１１に記載の化合物各々を用
いて同様に粉剤を得ることができた。【０１４８】
実施例２  
＜水和剤＞      
化合物番号Ｉ−３６（５０部）、珪藻土（４５部）、ジナフチルメタンジスルホン酸ナトリウム（２部）及びリグニンスルホン酸ナトリウム（３部）を均一に混合粉砕して水和剤とした。又、化合物番号Ｉ−３６に代えて、表１〜１１に記載の化合物各々を用いて同様に水和剤を得ることができた。【０１４９】
実施例３
＜水和剤＞
化合物番号ＩＩ−１（１０部）、ポリオキシエチレンアルキルエーテル（２部）、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物ナトリウム塩（２部）、珪藻土（２０部）、ホワイトカーボン（１５部）、クレー（５１部）を衝撃式粉砕機を用いて混合粉砕することにより、化合物番号ＩＩ−１を含有する水和剤を得た。又、化合物番号ＩＩ−１に代えて、表１〜１１に記載の化合物各々を用いて同様に水和剤を得ることができた。【０１５０】
実施例４
＜乳剤＞        
化合物番号Ｉ−３４（３０部）、シクロヘキサノン（２０部）、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル（１１部）、アルキルベンゼンスルホン酸カルシウム（４部）及びメチルナフタリン（３５部）を均一に溶解して乳剤とした。又、化合物番号Ｉ−３４に代えて、表１〜１１に記載の化合物各々を用いて同様に乳剤を得ることができた。  【０１５１】
実施例５
＜粒剤＞    
表２の化合物番号ＩＩ−４０（２４部）、ラウリルアルコール硫酸エステルのナトリウム塩（２部）、リグニンスルホン酸ナトリウム（５部）、カルボキシメチルセルロース（２部）及びクレー（６７部）を均一に混合粉砕する。この混合物に水（２０部）相当量を加えて練合し、押出式造粒機を用いて１４〜３２メッシュの粒状に加工したのち、乾燥して粒剤とした。又、化合物番号ＩＩ−４０に代えて、表１〜１１に記載の化合物各々を用いて同様に粒剤を得ることができた。  【０１５２】
効果の確認
実施例６
ムラシゲ・スクーグ培地（和光純薬工業株式会社製）を水で４倍に希釈した培地５０ ｍｌを５０ ｍｌフラスコに流し込んだ。この培地に実施例３に準じて調製したピリミスルファン水和剤（有効成分０．１ ｐｐｍ相当量）、および実施例２または実施例３に準じて調製した一般式[Ｉ]で表される化合物の水和剤（有効成分１０ ｐｐｍ相当量）を添加した。この培地に、根部を０．５ ｃｍに切りそろえた２〜２．１葉齢のイネ（金南風）を挿し、２５〜３０℃にて明期１４ 時間−暗期 １０ 時間の周期で１４日間水耕栽培を行った。試験開始から１４日目に、イネ茎葉部の長さを計測した。各試験は、それぞれ２連制で行い、計測値はその平均値をとった。結果を表１４に示した。【０１５３】
【表１４】
2007023764.tif 000025
【０１５４】
実施例７
１／１００００アールのワグネルポットに水田土壌（砂壌土）を充填し、入水、代かきの後、水深を４ｃｍに保持した。翌日、育苗用培土を用いて２葉期まで生育させたイネ（愛知旭）を、根部を０．５ｃｍの長さに切断し、基部の深さが３ｃｍになるように移植した。移植当日、実施例２に準じて調製した一般式［Ｉ］で示される化合物（化合物番号：Ｉ−３５、３６）の水和剤２４０ｇａｉ／１０アール相当量を、ワグネルポット内に均一になるように水面散布した。更に移植３日後、ピリミスルファン水和剤１３．４ｇａｉ／１０アール相当量を、ワグネルポット内に均一になるように水面散布した。移植４２日後及び２３日後に地上部及び地下部の生質量を計量し、結果を表１５（移植４２日後）及び表１６（移植２３日後）に示した。
尚、ピリミスルファン水和剤は、実施例３の化合物番号ＩＩ−１に代えてピリミスルファンを用いて同様に製剤した。【０１５５】
【表１５】
2007023764.tif 000026
【０１５６】
【表１６】
2007023764.tif 000027
【０１５７】
実施例８
１／５０００アールのワグネルポットに水田土壌（砂壌土）を充填し、入水、代かきの後、水深を４ｃｍに保持した。翌日、育苗用培土を用いて２葉期まで生育させたイネ（愛知旭）を、根部を０．５ｃｍの長さに切断し、基部の深さが３ｃｍになるように移植した。移植直後、実施例５に準じて調製した一般式［Ｉ］で示される化合物（化合物番号：Ｉ−３６、ＩＩ−４０）の２４％粒剤をそれぞれ、１株あたり４０ｍｇ相当量をイネの株元約２ｃｍの深さに埋め込んだ。更に移植３日後、ピリミスルファン水和剤（前記実施例７に記載した水和剤と同じもの）１３．４ｇａｉ／１０アール相当量を、ワグネルポット内に均一になるように水面散布した。移植３４日後、地上部及び地下部の生質量を計量し、結果を表１７に示した。【０１５８】
【表１７】
2007023764.tif 000028
【０１５９】
実施例９
１／２００００アールのワグネルポットに水田土壌（砂壌土）を充填し、入水、代かきの後、水深を４ｃｍに保持した。翌日、育苗用培土を用いて２葉期まで生育させたイネ（愛知旭）を、根部を０．５ｃｍの長さに切断し、基部の深さが３ｃｍになるように移植した。移植直後、実施例２に準じて調製した一般式［Ｉ］で示される化合物（化合物番号：Ｉ−３６）の水和剤２４０ｇａｉ／１０アール相当量を、ワグネルポット内に均一になるように水面散布した。更に移植４日後、ベンスルフロン・メチル水和剤１０ｇａｉ／１０アール相当量を、ワグネルポット内に均一になるように水面散布した。移植３８日後、地上部及び地下部の生質量を計量し、結果を表１８に示した。
尚、ベンスルフロン・メチル水和剤は、実施例３の化合物番号ＩＩ−１に代えてベンスルフロン・メチルを用いて同様に製剤した。【０１６０】
【表１８】
2007023764.tif 000029
【０１６１】
実施例１０
１／５０００アールのワグネルポットに水田土壌（埴壌土）を充填し、入水、代かきの後、水深を４ｃｍに保持した。翌日、育苗用培土を用いて２葉期まで生育させたイネ（金南風）を、根部を０．５ｃｍの長さに切断し、基部の深さが３ｃｍになるように移植した。移植翌日、製剤例２に準じて調製した一般式［Ｉ］で示される化合物（化合物番号：Ｉ−３６）の水和剤２４０ｇａｉ／１０アール相当量を、ワグネルポット内に均一になるように水面散布した。更に移植５日後、ベンゾビシクロン水和剤４０ｇａｉ／１０アール相当量を、ワグネルポット内に均一になるように水面散布した。移植２８日後、イネの生育状態を調査し、結果を表１９に示した。
尚、ベンゾビシクロン水和剤は、実施例３の化合物番号ＩＩ−１に代えてベンゾビシクロンを用いて同様に製剤した。【０１６２】
【表１９】
2007023764.tif 000030
【０１６３】
実施例１１
１／５０００アールのワグネルポットに水田土壌（埴壌土）を充填し、入水、代かきの後、水深を４ｃｍに保持した。翌日、育苗用培土を用いて２葉期まで生育させたイネ（金南風）を、根部を０．５ｃｍの長さに切断し、基部の深さが１ｃｍになるように移植した。移植翌日、製剤例２に準じて調製した一般式［Ｉ］で示される化合物（化合物番号：Ｉ−３６）の水和剤２４０ｇａｉ／１０アール相当量を、ワグネルポット内に均一になるように水面散布した。更に移植５日後、ベンゾビシクロン水和剤（前記実施例１０に記載した水和剤と同じもの）４０ｇａｉ／１０アール相当量を、ワグネルポット内に均一になるように水面散布した。移植２８日後、イネの生育状態を調査し、結果を表２０に示した。【０１６４】
【表２０】
2007023764.tif 000031
【０１６５】
実施例１２
１／１００００アールのワグネルポットに水田土壌（砂壌土）を充填し、入水、代かきの後、水深を４ｃｍに保持した。翌日、育苗用培土を用いて２葉期まで生育させたイネ（愛知旭）を、根部を０．５ｃｍの長さに切断し、基部の深さが３ｃｍになるように移植した。移植当日、製剤例２に準じて調製した一般式［Ｉ］で示される化合物（化合物番号：Ｉ−３５、３６）の水和剤２４０ｇａｉ／１０アール相当量を、ワグネルポット内に均一になるように水面散布した。更に移植３日後、ベンスルフロン・メチル水和剤（前記実施例９に記載した水和剤と同じもの）１０ｇａｉ／１０アール相当量を、ワグネルポット内に均一になるように水面散布した。移植３７日後に地上部及び地下部の生質量を計量し、結果を表２１に示した。【０１６６】
【表２１】
2007023764.tif 000032
【０１６７】
実施例１３
１／５０００アールのワグネルポットに水田土壌（埴壌土）を充填し、入水、代かきの後、休眠覚醒済のタイヌビエの種子を播種した後、約０．５ｃｍの覆土を行い、適宜潅水してタイヌビエを育成した。タイヌビエが３葉期に達した時に水深を４ｃｍに保持した後、製剤例２に準じて調製した一般式［Ｉ］で示される化合物（化合物番号：Ｉ−３６）の１０％水和剤を２４０ｇａｉ／１０アール相当量と、ピリミスルファン水和剤（前記実施例７に記載した水和剤と同じもの）６．７ｇａｉ／１０アール、及び、３．４ｇａｉ／１０アール相当量とをワグネルポット内に均一になるように水面散布した。散布４０日後に除草効果を次の調査基準に従って調査し、結果を表２２に示した。
調査基準：除草効果（％）＝１００−残草量無処理区比（％）【０１６８】
【表２２】
2007023764.tif 000033
【０１６９】
以上より、一般式［Ｉ］で示される化合物を添加した試験区の方が、除草活性化合物のみを用いた比較区に比し、生育抑制度が小さく、更には除草剤による除草効果を低減することなく除草剤による薬害を軽減している。これより本発明の薬害軽減剤の有用性が確認できる。【０１７０】
以下、本発明による薬害軽減された除草剤組成物の各種製剤についてその例を示す。尚、各組成成分について、部は質量部を意味する。【０１７１】
実施例１４
ピリミスルファン（１部）、化合物番号  Ｉ−３５（３５）部、アルファー化デンプン３部、炭酸カルシウム（２０部）、クレー（４１部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、ピリミスルファン及び化合物番号Ｉ−３５を含有する粒剤を得た。【０１７２】
実施例１５
ベンスルフロン・メチル（０．７部）、化合物番号Ｉ−３５（３０部）、酵素変性デキストリン３部）、炭酸カルシウム（２０部）、クレー（４６．３部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、ベンスルフロン・メチル及び、化合物番号Ｉ−３５を含有する粒剤を得た。【０１７３】
実施例１６
ベンスルフロン・メチル（０．７部）、化合物番号Ｉ−３６（３０部）、アルファー化デンプン（３部）、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩１部）、炭酸カルシウム２０部）、クレー４５．３部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、ベンスルフロン・メチル及び化合物番号Ｉ−３６を含有する粒剤を得た。【０１７４】
実施例１７  
ベンゾビシクロン（１部）、化合物番号Ｉ−３６（１０部）、酵素変性デキストリン（３部）、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム（１部）、炭酸カルシウム（８５部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、ベンゾビシクロン及び化合物番号Ｉ−３６を含有する粒剤を得た。【０１７５】
実施例１８
ベンスルフロン・メチル（０．７部）、化合物番号ＩＩ−４０（３５部）、アルファー化デンプン（３部）、炭酸カルシウム（４１部）、クレー（２０．３部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、ベンスルフロン・メチル及び化合物番号ＩＩ−４０を含有する粒剤を得た。【０１７６】
実施例１９
ピリミスルファン（１部）、化合物番号Ｉ−３６（３０部）、アルファー化デンプン（３部）、ジステアリルジメチルアンモニウムクロライド（５部）、クレー（２０部）、炭酸カルシウム（４１部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、ピリミスルファン及び化合物番号Ｉ−３６を含有する粒剤を得た。【０１７７】
実施例２０
ベンゾビシクロン（２部）、化合物番号Ｉ−３６（２４部）、アルファー化デンプン（３部）、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩（３部）、クレー（１０部）、炭酸カルシウム（５８部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、ベンゾビシクロン及び、化合物番号Ｉ−３６を含有する粒剤を得た。【０１７８】
実施例２１  
ベンゾビシクロン（２部）、化合物番号Ｉ−３５（２０部）、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩（５部）、プロピレングリコール（１０部）、キサンタンガム０．３部）、水（６２．７部）を湿式粉砕機を用いて、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、ベンゾビシクロン及び化合物番号Ｉ−３５を含有するフロアブル剤を得た。【０１７９】
実施例２２  
ピリミスルファン（１部）、化合物番号ＩＩ−４０（３７部）、酵素変性デキストリン（３部）、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム（１部）、ベントナイト（１４部）、炭酸カルシウム（４４部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、ピリミスルファン及び化合物番号ＩＩ−４０を含有する粒剤を得た。【０１８０】
実施例２３  
ベンゾビシクロン（２部）、化合物番号Ｉ−３５（２０部）、酵素変性デキストリン（３部）、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム（１部）、ベントナイト（２０部）、炭酸カルシウム（５４部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、除草活性化合物及び化合物番号Ｉ−３５を含有する粒剤を得た。【０１８１】
実施例２４  
テニルクロール（１部）、化合物番号Ｉ−３６（１０部）、酵素変性デキストリン（３部）、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム（１部）、ベントナイト（２５部）、炭酸カルシウム（６０部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、テニルクロール及び化合物番号Ｉ−３６を含有する粒剤を得た。【０１８２】
実施例２５  
ベンスルフロン・メチル（０．２部）、化合物番号ＩＩ−４０（８部）、酵素変性デキストリン（３部）、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム（１部）、ベントナイト（２５部）、炭酸カルシウム（６２．８部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、ベンスルフロン・メチル及び化合物番号ＩＩ−４０を含有する粒剤を得た。【０１８３】
実施例２６  
ＡＶＨ−３０１（１部）、化合物番号Ｉ−３６（１０部）、酵素変性デキストリン（３部）、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム（１部）、ベントナイト（３０部）、炭酸カルシウム（５５部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、ＡＶＨ−３０１及び化合物番号Ｉ−３６を含有する粒剤を得た。【０１８４】
実施例２７  
ベンゾビシクロン（１部）、カフェンストロール（１部）、化合物番号Ｉ−３６（３０部）、酵素変性デキストリン（３部）、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム（１部）、ベントナイト（２０部）、炭酸カルシウム（４４部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、ベンゾビシクロン、カフェンストロール及び化合物番号Ｉ−３６を含有する粒剤を得た。【０１８５】
実施例２８  
ベンスルフロン・メチル（１部）及びオキサジクロメホン（２部）、化合物番号Ｉ−３５  （４０部）、酵素変性デキストリン（３部）、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム（１部）、ベントナイト（１５部）、炭酸カルシウム（３８部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、ベンスルフロン・メチル、オキサジクロメホン及び化合物番号Ｉ−３５を含有する粒剤を得た。【０１８６】
実施例２９  
ＡＶＨ−３０１（６部）、化合物番号ＩＩ−１（４０部）、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム（１０部）、珪藻土（１０部）、クレー（３４部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径０．６ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、ＡＶＨ−３０１及び化合物番号ＩＩ−１を含有する顆粒水和剤を得た。【０１８７】
実施例３０  
ベンスルフロン・メチル（０．５部）、化合物番号ＩＩ−４０（５０部）、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム（５部）、ラウリル硫酸ナトリウム（５部）、珪藻土（１０部）、クレー（２９．５部）を衝撃式粉砕機を用いて混合粉砕することにより、ベンスルフロン・メチル及び化合物番号ＩＩ−４０を含有する水和剤を得た。【０１８８】
実施例３１  
テニルクロール（１部）及び除草活性化合物ペントキサゾン（１部）、化合物番号Ｉ−３６（２０部）、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテル硫酸ナトリウム（１５部）、プロピレングリコール（１０部）、キサンタンガム（０．２部）、水（５２．８部）を湿式粉砕機を用いて、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、テニルクロール、ペントキサゾン及び化合物番号Ｉ−３６を含有するフロアブル剤を得た。【０１８９】
実施例３２
ベンゾビシクロン（３部）、ベンスルフロン・メチル（１部）、化合物番号ＩＩＩ−１（５０部）、酵素変性デキストリン（２部）、アセチレンジオール（３部）、含水プラスチック中空体（１０部）、無水硫酸ナトリウム（１５部）、尿素（１６部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径５ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し長さ３〜２０ｍｍに整粒したのち、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、ベンゾビシクロン、ベンスルフロン・メチル及び化合物番号ＩＩＩ−１を含有する浮遊拡散型粒剤を得た。【０１９０】
実施例３３
ピリミノバック・メチル（１部）、化合物番号ＩＩＩ−２（３０部）、酵素変性デキストリン（３部）、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム（１部）、ベントナイト（２０部）及び炭酸カルシウム（４５部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、ピリミノバック・メチル及び化合物番号ＩＩＩ−２を含有する粒剤を得た。【０１９１】
実施例３４
ピラゾスルフロン・エチル（０．７部）、化合物番号Ｉ−２（３０部）、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム（１０部）、珪藻土（１５部）及びクレー（４４．３部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径０．６ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、ピラゾスルフロン・エチル及び化合物番号Ｉ−２を含有する顆粒水和剤を得た。【０１９２】
実施例３５
ハロスルフロン・メチル（０．５部）、化合物番号Ｉ−１７（５０部）、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム（５部）、ラウリル硫酸ナトリウム（５部）、珪藻土（１０部）及びクレー（２９．５部）を衝撃式粉砕機を用いて混合粉砕することにより、ハロスルフロン・メチル及び化合物番号Ｉ−１７を含有する水和剤を得た。【０１９３】
実施例３６
フェントラザミド（３部）、化合物番号Ｉ−８９（３０部）、酵素変性デキストリン（３部）、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム（１部）、ベントナイト（２０部）及び炭酸カルシウム（４３部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、フェントラザミド及び化合物番号Ｉ−８９を含有する粒剤を得た。【０１９４】
実施例３７  
チオベンカルブ（１６部）、化合物番号Ｉ−１０４（８部）、酵素変性デキストリン（３部）、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム（１部）、フュームド  シリカ（ホワイトカーボン）（５部）、珪藻土（５部）、ベントナイト（２０部）及び炭酸カルシウム（４２部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、チオベンカルブ及び化合物番号Ｉ−１０４を含有する粒剤を得た。【０１９５】
実施例３８
ペノキススラム（０．２部）、化合物番号Ｉ−７０（２０部）、酵素変性デキストリン（３部）、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム（１部）、ベントナイト（２５部）及び炭酸カルシウム（５０．８部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、ペノキススラム及び化合物番号Ｉ−７０を含有する粒剤を得た。【０１９６】
次に、本発明による除草剤の薬剤軽減方法について、その例を示す。【０１９７】
実施例３９
ベンスルフロン・メチル（０．７部）、アルファー化デンプン（３部）、クレー（２０部）、炭酸カルシウム（７６．３部）に適量の水を加えて混練したのち、押し出し造粒機を用いて目開き径１ｍｍのスクリーンより押し出し造粒し、品温６０℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、ベンスルフロン・メチルを含有する粒剤を得た。別に、化合物番号Ｉ−３６（３０部）、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム塩（２部）、珪藻土（２０部）、クレー（４８部）を衝撃式粉砕機を用いて混合粉砕することにより、化合物番号Ｉ−３６を含有する水和剤を得た。この粒剤と水和剤を水田雑草へ同時に施用した。【０１９８】
実施例４０
前記実施例３９で製造したベンスルフロン・メチルを含有する粒剤を水田雑草に施用し、３日後、前記実施例３９で製造した化合物番号Ｉ−３６を含有する水和剤を水田雑草へ施用した。【０１９９】
実施例４１
前記実施例３９で製造した化合物番号Ｉ−３６を含有する水和剤を水田雑草へ施用し、２週間後、前記実施例３９で製造したベンスルフロン・メチルを含有する粒剤を水田雑草に施用した。
【国際調査報告】
2007023764.tif 000039
2007023764.tif 000040
2007023764.tif 000041
2007023764.tif 000042