Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月14日(2019.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスの製作の方法であって、
デバイスの論理デバイスに結合された第１のメタライゼーション層を形成するステップと、
前記デバイスの磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）モジュールに結合された専用メタライゼーション層を形成するステップであって、前記専用メタライゼーション層が前記第１のメタライゼーション層とは異なる、ステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１のメタライゼーション層が、バック・エンド・オブ・ライン（ＢＥＯＬ）メタライゼーションプロセスを使用して形成され、前記専用メタライゼーション層が、前記ＭＲＡＭモジュールに関連する１つまたは複数の構成要素を形成することを専用とするメタライゼーションプロセスを使用して形成される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＢＥＯＬメタライゼーションプロセスが、メタライゼーション層の正の整数ｎを指定し、前記デバイスが少なくともｎ＋１個のメタライゼーション層を含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記専用メタライゼーション層が、ダマシンプロセスを実施して前記１つまたは複数の構成要素を形成し、前記１つまたは複数の構成要素が、前記ＭＲＡＭモジュールのビット線または前記ＭＲＡＭモジュールのアレイ接点の１つまたは複数を含む請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記専用メタライゼーション層を形成した後に、第３のメタライゼーション層を形成するステップをさらに含み、前記第１のメタライゼーション層が、前記第３のメタライゼーション層に関連する第２のピッチ未満の第１のピッチに関連付けられ、前記専用メタライゼーション層が、前記第１のメタライゼーション層の前記第１のピッチを利用して、前記ＭＲＡＭモジュールに関連する１つまたは複数の構成要素を形成するように構成され、前記１つまたは複数の構成要素が抵抗ベースの記憶素子を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のメタライゼーション層を形成する前記ステップ、および前記専用メタライゼーション層を形成する前記ステップが、命令を実行するプロセッサによって開始され、前記専用メタライゼーション層が前記論理デバイスと共有されない請求項１に記載の方法。
【請求項７】
デバイスの製作中にプロセッサに動作を開始させるように前記プロセッサによって実行可能である命令を記憶するコンピュータ可読媒体であって、前記動作が、
デバイスの論理デバイスに結合された第１のメタライゼーション層を形成すること、および
前記デバイスの磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）モジュールに結合された専用メタライゼーション層を形成することであって、前記専用メタライゼーション層が前記第１のメタライゼーション層とは異なること
を含むことを特徴とするコンピュータ可読媒体。
【請求項８】
第１のメタライゼーション層の第１の構造であって、集積回路の論理デバイスに結合された第１の構造と、
専用メタライゼーション層の第２の構造であって、前記集積回路の磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）モジュールの１つまたは複数の抵抗ベースの記憶素子に結合され、前記第１の構造とは異なる、第２の構造と
を備えることを特徴とする装置。
【請求項９】
前記ＭＲＡＭモジュールが、モジュール接点と、前記モジュール接点に結合された結合素子と、アレイ接点とをさらに含む請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１の構造および前記第２の構造を含む半導体ダイをさらに備える請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
データファイルを生成する方法であって、
半導体デバイスの少なくとも１つの物理的性質を表す設計情報を受け取るステップであって、前記半導体デバイスが、
第１のメタライゼーション層の第１の構造であって、集積回路の論理デバイスに結合された第１の構造と、
専用メタライゼーション層の第２の構造であって、前記集積回路の磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）モジュールの１つまたは複数の抵抗ベースの記憶素子に結合され、前記第１の構造とは異なる、第２の構造と
を備える、ステップと、
ファイルフォーマットに準拠するように前記設計情報を変換するステップと、
変換した設計情報を含むデータファイルを生成するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記データファイルがＧＤＳＩＩフォーマットを有し、前記設計情報がライブラリファイルを含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記設計情報が、前記論理デバイスを表現する論理デバイス設計情報を含み、前記ＭＲＡＭモジュールを表現するＭＲＡＭモジュール設計情報をさらに含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の構造が接点またはビアを含み、前記専用メタライゼーション層が前記論理デバイスと共有されない請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２の構造が、前記ＭＲＡＭモジュールのビット線または前記ＭＲＡＭモジュールのアレイ接点を含む請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月20日(2019.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層の間に配置される活性層を含み、前記第２導電型半導体層と前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層の一部領域まで配置される複数の第１リセスを含む発光構造物；
前記複数の第１リセスの内部で前記第１導電型半導体層と電気的に連結される第１電極；
前記第１電極と電気的に連結される導電性支持基板；
前記第２導電型半導体層と電気的に連結される第２電極；及び
前記導電性支持基板と前記第２導電型半導体層の間に配置される絶縁層を含み、
前記第１導電型半導体層、前記第２導電型半導体層及び前記活性層を貫通して前記絶縁層の一部領域まで第２リセスが配置され、
前記第２リセスは、
前記第２リセスの下面を形成する光抽出部下面；
前記第２リセスの一側面を形成する第１光抽出部側面部；及び
前記第２リセスの他側面を形成する第２光抽出部側面部；を含み、
前記第１光抽出部側面部は、前記絶縁層と前記活性層から発生する光が前記第２光抽出部側面部に再吸収されないようにするための第１角度を有するように配置され、
前記絶縁層が前記第２リセスの光抽出部下面をなす、発光素子。
【請求項２】
前記第２リセスの光抽出部下面をなす前記絶縁層が前記第１リセスの周囲に延びて前記第１リセスの側壁をなす、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記光抽出部下面の幅は前記活性層から発生する光を抽出するための第１幅を有するように配置される、請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１幅は３μｍ以上である、請求項３に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１角度は８０度以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１リセスの表面の第３幅は、前記第１リセスが前記第１電極と接触する領域の第２幅より小さい、請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項７】
前記発光構造物はＵＶ−Ｂ又はＵＶ−Ｃ波長領域の光を放出する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項８】
前記第１導電型半導体層又は第２導電型半導体層内でアルミニウム（Ａｌ）の組成比は４０％以上である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第２導電型半導体層の上面、前記第１光抽出部側面部及び前記第２光抽出部側面部の少なくとも一つに粗さを有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１０】
キャビティが形成されたパッケージ本体；及び
前記キャビティに少なくとも一部が挿入されて配置される請求項１〜９のいずれか一項に記載の発光素子を含む、発光素子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月30日(2019.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザシステムに適したパージシステムにおいて、レーザシステムの筺体に形成されたキャビティ内に取外し可能に機械的に取り付けられたカートリッジと、前記カートリッジ内に収容された乾燥剤とを具え、前記カートリッジの片面のみが、前記カートリッジが前記キャビティ内に取り付けられたときに前記カートリッジ内に収容された乾燥剤へ流体が流れる手段を提供する第１のメッシュ層を具え、前記パージシステムが、前記筐体に取り付られ、前記カートリッジが前記キャビティ内に取り付けられたときに前記第１のメッシュ層の上に位置する膜をさらに具える、ことを特徴とするパージシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のパージシステムにおいて、前記乾燥剤が固体ゲッタ材料を含むことを特徴とするパージシステム。
【請求項３】
請求項１または２に記載のパージシステムにおいて、前記パージシステムが、前記第１のメッシュ層の上に前記膜を配置するフレームを具えることを特徴とするパージシステム。 
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載のパージシステムにおいて、前記膜が、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を含むことを特徴とするパージシステム。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１項に記載のパージシステムにおいて、前記パージシステムが、流体検出器をさらに具えることを特徴とするパージシステム。
【請求項６】
請求項５に記載のパージシステムにおいて、前記流体検出器が湿度計を具えることを特徴とするパージシステム。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか１項に記載のパージシステムにおいて、前記パージシステムが、流体再循環回路をさらに具えており、当該流体再循環回路が、前記カートリッジの出力バルブに取り付ける導管と、前記出力バルブから流体をポンピングする手段を提供するポンプとを具えることを特徴とするパージシステム。
【請求項８】
請求項７に記載のパージシステムにおいて、前記流体再循環回路が、前記導管内に配置されて粒状物質をフィルタする手段を提供するフィルタユニットをさらに具えることを特徴とするパージシステム。
【請求項９】
請求項８に記載のパージシステムにおいて、前記フィルタユニットが、高性能粒子捕捉器（ＨＥＰＡ）フィルタを具えることを特徴とするパージシステム。 
【請求項１０】
請求項７乃至９の何れか１項に記載のパージシステムにおいて、前記流体再循環回路が、前記導管内に配置した有機蒸気捕捉フィルタをさらに具えることを特徴とするパージシステム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のパージシステムにおいて、前記有機蒸気捕捉フィルタが、前記出力バルブと前記フィルタユニットとの間に配置されており、有機蒸気を捕捉する手段を提供することを特徴とするパージシステム。
【請求項１２】
請求項７乃至１１の何れか１項に記載のパージシステムにおいて、前記流体再循環回路が、前記導管内に位置するバルブをさらに具えることを特徴とするパージシステム。
【請求項１３】
請求項１乃至１２の何れか１項に記載のパージシステムを具えることを特徴とするレーザシステム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のレーザシステムにおいて、前記レーザシステムが、流体再循環回路の導管に取付けるのに適した入口バルブを具えることを特徴とするレーザシステム。
【請求項１５】
レーザシステムをパージする方法において、前記方法が、
−第１のメッシュ層を有するカートリッジを提供するステップであって、前記第１のメッシュ層が、前記カートリッジの片面のみに位置する、ステップと、
−レーザシステムの筺体に形成されたキャビティ内に前記カートリッジを取り外し可能に機械的に取り付けて、前記第１のメッシュ層を介して、前記筺体の内部容積から前記カートリッジ内に収容された乾燥剤への流体の流れを確立するステップと、
−膜を前記筐体に取り付けて、前記筐体の内部容積から前記乾燥剤への流体の流れの中に前記膜を配置する、ステップと、
を具えることを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載のレーザシステムをパージする方法において、前記流体の流れの中に前記膜を配置するステップが、前記キャビティ内に配置したフレーム内に前記膜を配置するステップを具えることを特徴とする方法。 
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載のレーザシステムをパージする方法において、前記方法が、前記筺体の内部容積内の流体内容物を監視するステップをさらに具えることを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載のレーザシステムをパージする方法において、前記監視される流体が、水蒸気であることを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１５または１６に記載のレーザシステムをパージする方法において、前記方法が、前記カートリッジから抽出された流体を前記筺体の内部容積に再循環させるステップをさらに具えることを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載のレーザシステムをパージする方法において、粒状物質が、前記再循環された流体からフィルタされることを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項１９または２０に記載のレーザシステムをパージする方法において、有機蒸気が前記再循環された流体からフィルタされることを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項１５乃至２１の何れか１項に記載のレーザシステムをパージする方法において、前記方法が、前記筺体の内部容積に不活性ガスを供給するステップを具えることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月7日(2019.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャックの支持表面を仕上げる方法において、
（ａ）前記支持表面に接触し、且つその上を通過するように構成されたわずかにドーナツ状の表面を含む処理ツールを含む機械を提供するステップと、
（ｂ）補正を必要とする前記支持表面上の１つ又は複数の領域に関する情報を前記機械に提供するステップと、
（ｃ）前記処理ツールの前記わずかにドーナツ状の表面を前記支持表面に物理的又は機械的に接触させるステップと、
（ｄ）仕上げられる前記チャック支持表面の少なくとも一部分上で印加圧力において前記処理ツールを移動させるステップであって、それにより、前記機械は、補正を必要とする前記支持表面の前記領域のみを実質的に処理するために、前記入力された情報を使用する、ステップと
を含み、
（ｅ）前記支持表面の直径は、前記処理ツールのわずかにドーナツ状の直径よりも大きいことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記処理ツールは、トロイドとして成形されていることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記処理ツールは、前記支持表面とほぼ同じ硬度を有することを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、前記入力された情報は、前記領域の形状又は高さを補正するように前記機械に命令することを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、前記入力された情報は、前記領域のテクスチャを補正するように前記機械に命令することを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、前記支持表面に接触するように構成された前記平らな表面は、ＳｉＣを含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法において、前記支持表面に接触するように構成された前記平らな表面は、反応接合ＳｉＣを含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法において、
（ｆ）前記処理ツールは、複数の処理ツールを含み、
（ｇ）当該方法がさらに、仕上げられる前記チャック支持表面の少なくとも一部分上で印加圧力において前記複数の処理ツールの少なくとも２つを同時に移動させるステップを含み、
（ｈ）前記支持表面に対する前記複数のうちのそれぞれの前記印加圧力は、前記複数のうちの他のものの前記印加圧力とは独立しており且つ制御可能であることを特徴とする方法。
【請求項９】
チャックの支持表面を仕上げる方法において、
（ａ）わずかにドーナツ状であり、前記支持表面に接触し、且つその上を通過するように構成された表面をそれぞれ含む複数の処理ツールを提供するステップと、
（ｂ）前記処理ツールのそれぞれの前記平らな表面を前記支持表面に接触させるステップと、
（ｃ）仕上げられる前記チャック支持表面の少なくとも一部分上で印加圧力において前記複数の処理ツールの少なくとも２つを同時に移動させるステップと
を含み、
（ｄ）前記支持表面に対する前記複数のうちのそれぞれの前記印加圧力は、前記複数のうちの他のものの前記印加圧力とは独立しており且つ制御可能であり、
（ｅ）更に、前記支持表面の直径は、前記複数の有効直径よりも大きいことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法において、前記処理ツールのそれぞれと前記支持表面との間の接触は、円として成形されていることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法において、前記複数は、同心状に配置されていることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の方法において、前記複数は、前記平らな表面に対して垂直である共通軸を共有しないクラスタとして配置されていることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項９に記載の方法において、前記移動させるステップは、前記支持表面の高さを望ましいプロファイルに工学処理するために前記支持表面から材料を除去するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項９に記載の方法において、前記移動させるステップは、前記支持表面の望ましい粗度又は平滑度を工学処理するために前記支持表面から材料を除去するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１３又は１４に記載の方法において、前記材料を除去するステップは、決定論的に実行されることを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法において、前記補正は、前記支持表面からデブリを取り除くことを含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月24日(2019.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像をキャプチャするためのＩＲセンサー装置であって、
光を電流に変換するように構成されたセンサーピクセルのアレイを備え、センサーピクセルの前記アレイの各センサーピクセルが、
前記光を電流に変換するように構成された光検出器領域と、
レンズに入射した光を前記光検出器領域に合焦させるように構成されたレンズであって、前記入射光が前記レンズを通って前記光検出器領域内に伝搬するように前記光検出器領域に隣接して位置付けられたレンズと、
前記光検出器領域が基板と前記レンズとの間に位置するように配設された基板であって、１つまたは複数のトランジスタが内部に形成された基板とを備え、
センサーピクセルの前記アレイの各センサーピクセルが、前記光検出器領域の一部が１つまたは複数の反射性構造と前記レンズとの間に位置するように前記光検出器領域内に位置付けられた１つまたは複数の反射性構造であって、前記光検出器領域の少なくとも前記一部を通過した前記光を前記光検出器領域内で反射させるように構成された１つまたは複数の反射性構造をさらに備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記１つまたは複数の反射性構造は、反射性構造のアレイを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記反射性構造の前記アレイは、前記光を反射させる複数の表面を有する格子を備える、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記反射性構造の前記アレイは、各々が、前記光検出器領域を横切って延びる長さを有する複数の構造を備え、前記反射性構造の前記アレイは、隣接する反射性構造間に配設された隙間をさらに備える、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記反射性構造の前記アレイは、二周期２次元アレイとして配置された構造を備える、請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記反射性構造の前記アレイは、周期的２次元アレイとして配置された構造を備える、請求項３に記載の装置。
【請求項７】
前記反射性構造の前記アレイは、前記基板に隣接する前記光検出器領域の縁部に沿って位置付けられる、請求項３に記載の装置。
【請求項８】
センサーピクセルの前記アレイの各センサーピクセルは、前記レンズと前記光検出器領域との間に配設された反射防止層をさらに備える、請求項３に記載の装置。
【請求項９】
センサーピクセルの前記アレイの各センサーピクセルは、前記基板内に配設され、前記光検出器領域を通って伝搬する前記光を前記光検出器領域内に反射させ返すように揃えられた表面を有するリフレクタをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記光検出器領域の少なくとも前記一部を通って伝搬する前記光を屈折性膜を介して前記光検出器領域を通して屈折させ返すように構成された屈折性層であって、前記屈折性膜が前記基板よりも高い屈折率を有する屈折性層をさらに備え、前記屈折性膜が、前記基板と前記１つまたは複数の反射性構造との間であって、前記反射性構造の上部に位置付けられる、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
センサーピクセルのアレイを有するＩＲセンサーによって画像をキャプチャするための方法であって、
光をレンズを介してセンサーピクセルの前記アレイのピクセルの光検出器領域上に合焦させるステップと、
前記光を前記光検出器領域を介して電流に変換するステップと、
前記光検出器領域の少なくとも一部を通って伝搬する前記光を、前記ピクセルの前記光検出器領域内に位置付けられた１つまたは複数の反射性構造を介して前記光検出器領域内に反射させるステップであって、前記光が前記光検出器領域内で移動する距離を延ばす、ステップとを含む方法。
【請求項１２】
前記１つまたは複数の反射性構造は、前記光検出器領域内に配設された反射性構造のアレイを備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記反射性構造の前記アレイは、光を反射させる複数の表面を有する格子を備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記光検出器領域から前記レンズへの光を前記レンズと前記光検出器領域との間に配設された反射防止層を介して妨げるステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
センサーピクセルのアレイを含む、画像をキャプチャするためのＩＲセンサー装置のセンサーピクセルを製造するための方法であって、
光を電流に変換するように構成された光検出器領域を形成するステップと、
レンズに入射した前記光を前記光検出器領域内に合焦させるように構成されたレンズであって、前記入射光が前記レンズを通って前記光検出器領域内に伝搬するように前記光検出器領域に隣接して位置付けられたレンズを形成するステップと、
前記光検出器領域が基板と前記レンズとの間に位置するように配設された基板であって、１つまたは複数のトランジスタが内部に形成された基板を形成するステップとを含み、
前記光検出器領域の少なくとも一部が１つまたは複数の反射性構造と前記レンズとの間に位置するように前記光検出器領域内に位置付けられた１つまたは複数の反射性構造であって、前記光検出器領域の少なくとも前記一部を通過した前記光を前記光検出器領域内で反射させるように構成された１つまたは複数の反射性構造を形成するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月18日(2019.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
[糸の断面直径] 
以下の公式により、糸の断面直径を算出する：
【数１】
2018525542.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月21日(2019.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を選択的に閉じるためのスライディングクロージャであって、
経路に沿ってスライド可能になるように開口部に対して取り付けられたパネルであって、前記経路が、前記パネルの面に平行な方向に開口部の少なくとも１つを越えて伸長する、パネル；
前記経路に対して固定して配置される当接表面；および
回転の軸の周囲に回転自在に支持される止め部材であって、前記経路に沿った前記パネルのスライドを妨げるように前記当接表面と前記パネルの領域との間に前記止め部材が置かれる係合状態と、前記止め部材が前記経路に沿った前記パネルのスライドを可能にする非係合状態との間で回転自在である、止め部材とを含み、
ここで前記止め部材は、前記係合状態で、前記パネルの領域と前記当接表面との間で前記止め部材にかけられる圧縮力により前記経路に沿った前記パネルのスライドが対抗されるように構成されている、スライディングクロージャ。
【請求項２】
前記開口部の少なくとも一部がフレームを有し、当接表面が、前記フレームと堅く相互連結され又は一体的に形成された細長い部材により設けられる、請求項１に記載のスライディングクロージャ。
【請求項３】
前記止め部材が、前記経路に対して横方向に配置される細長い要素である、請求項１に記載のスライディングクロージャ。
【請求項４】
前記止め部材を支持し、前記止め部材を前記係合状態に促進するように構成されている、戻し機構をさらに含む、請求項１に記載のスライディングクロージャ。
【請求項５】
前記係合状態から前記非係合状態へと前記止め部材を変位させるために前記止め部材と機械的に関連付けられるハンドルをさらに含む、請求項１に記載のスライディングクロージャ。
【請求項６】
前記ハンドルが前記パネルに取り付けられる、請求項５に記載のスライディングクロージャ。
【請求項７】
前記当接表面が、前記経路に沿った位置で前記経路に対して横方向に配置される保持部材により設けられ、前記保持部材が、前記経路の反対側に第１の側部と第２の側部とを有し、それにより前記パネルの少なくとも一部がそれらの間を通り、前記当接表面が前記第１の側部に対して堅く支持され、前記第２の側部は前記当接表面に対して反対にパネル当接領域を設け、それにより、前記止め部材が前記係合状態に入り且つ力が加えられることで前記経路に沿って前記パネルをスライドさせると、前記第２の側部の前記パネル当接領域は、前記当接表面からの前記パネルの分離に対抗する、請求項１に記載のスライディングクロージャ。
【請求項８】
開口部を選択的に閉じるためのスライディングクロージャであって、
経路に沿ってスライド可能になるように開口部に対して取り付けられたパネルであって、前記経路が、前記パネルの面に平行な方向に開口部の少なくとも１つを越えて伸長する、パネル；
前記経路に対して固定して配置される当接表面；および
回転の軸の周囲に回転自在に支持される止め部材であって、前記回転の軸から可変の半径輪郭を備えた接触表面を有しており、それにより、前記経路に沿った前記パネルのスライドを妨げるように前記接触表面が前記パネルの領域に対して締め付けられる係合状態と、前記止め部材が前記経路に沿った前記パネルのスライドを可能にする非係合状態との間で回転自在となる、止め部材とを含み、
ここで前記止め部材は、前記係合状態で、前記止め部材と前記当接表面との間で圧縮力により前記経路に沿った前記パネルのスライドが対抗されるように、前記当接表面に対して配置される、スライディングクロージャ。
【請求項９】
前記開口部の少なくとも一部がフレームを有し、当接表面が、前記フレームと堅く相互連結され又は一体的に形成された細長い部材により設けられる、請求項８に記載のスライディングクロージャ。
【請求項１０】
前記止め部材が、前記経路に対して横方向に配置される細長い要素である、請求項８に記載のスライディングクロージャ。
【請求項１１】
前記止め部材を支持し、前記止め部材を前記係合状態に促進するように構成されている、戻し機構をさらに含む、請求項８に記載のスライディングクロージャ。
【請求項１２】
前記係合状態から前記非係合状態へと前記止め部材を変位させるために前記止め部材と機械的に関連付けられるハンドルをさらに含む、請求項８に記載のスライディングクロージャ。
【請求項１３】
前記ハンドルが前記パネルに取り付けられる、請求項１２に記載のスライディングクロージャ。
【請求項１４】
前記当接表面が、前記経路に沿った位置で前記経路に対して横方向に配置される保持部材により設けられ、前記保持部材が、前記経路の反対側に第１の側部と第２の側部とを有し、それにより前記パネルの少なくとも一部がそれらの間を通り、前記当接表面が前記第１の側部に対して堅く支持され、前記第２の側部は前記当接表面に対して反対にパネル当接領域を設け、それにより、前記止め部材が前記係合状態に入り且つ力が加えられることで前記経路に沿って前記パネルをスライドさせると、前記第２の側部の前記パネル当接領域は、前記当接表面からの前記パネルの分離に対抗する、請求項８に記載のスライディングクロージャ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月10日(2019.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
５００Ｗ／ｍ２／Ｋを超える熱伝達係数を有し、かつ少なくとも２つの層、すなわち非多孔質モノリシック酸化物セラミックスの層と酸化物繊維複合セラミックスの層とを含む、多層複合チューブ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月10日(2019.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ねじ切りされた部分を含む金属留め具であって、前記ねじ切りされた部分の少なくとも一部は、周囲温度において硬質かつ接触に耐える組成物でコートされており、成分およびそれらの量は２０１５年に設定された米国食品医薬品局の要件を満たしており、前記組成物は、
（ａ）５０℃から７０℃の範囲の、ＡＳＴＭ法Ｄ９３８−７１（再認可１９８１）によって定められた凝結温度を有するパラフィンワックスと、
（ｂ）パラフィンワックスのｐｂｗ当り１重量部から５重量部（ｐｂｗ）の樹脂と、
（ｃ）パラフィンワックスのｐｂｗ当り０．１ｐｂｗから０．２５ｐｂｗのグラファイトと、
（ｄ）パラフィンワックスのｐｂｗ当り０．０５ｐｂｗから０．３０ｐｂｗ、好ましくは０．０８ｐｂｗから０．２５ｐｂｗのＦＤＡ認可シリカと
から本質的になる、金属留め具。
【請求項２】
前記樹脂はロジン、グリセリンロジンエステル、合成ポリテルペン樹脂、Ｃ９−芳香族炭化水素樹脂、Ｃ５−脂肪族炭化水素樹脂、混合Ｃ９−芳香族／Ｃ５−脂肪族樹脂、およびそれらの混合物からなる群より選択される、請求項１に記載の留め具。
【請求項３】
前記樹脂はコロホニーまたはダマールからなる、請求項２に記載の留め具。
【請求項４】
前記シリカはフュームドシリカである、請求項１から３のいずれか一項に記載の留め具。
【請求項５】
前記留め具はスタッド、ねじ、ボルト、ナット、およびそれらの混合物からなる群より選択される、請求項１から４のいずれか一項に記載の留め具。
【請求項６】
ねじ山に対するコーティング組成物であって、前記組成物は周囲温度において硬質かつ接触に耐え、成分およびそれらの量は２０１５年に設定された米国食品医薬品局の要件を満たしており、前記組成物は、
（ａ）５０℃から７０℃の範囲の、ＡＳＴＭ法Ｄ９３８−７１（再認可１９８１）によって定められた凝結温度を有するパラフィンワックスと、
（ｂ）パラフィンワックスのｐｂｗ当り１重量部から５重量部（ｐｂｗ）の樹脂と、
（ｃ）パラフィンワックスのｐｂｗ当り０．１ｐｂｗから０．２５ｐｂｗのグラファイトと、
（ｄ）パラフィンワックスのｐｂｗ当り０．０５ｐｂｗから０．３０ｐｂｗ、好ましくは０．０８ｐｂｗから０．２５ｐｂｗのシリカと
から本質的になる、組成物。
【請求項７】
少なくとも１．０Ｐａ．ｓの５０℃における力学的粘性率を有する、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
ねじ切りされた部分を含む金属留め具をコートするためのプロセスであって、前記プロセスは次のステップ、
（ｉ）請求項６または７において定義されるとおりの組成物を提供するステップと、
（ｉｉ）３０℃から７０℃の範囲の温度に前記留め具を維持するか、または前記留め具を３０℃から７０℃の範囲の温度にするステップと、
（ｉｉｉ）１００℃から１７０℃の範囲の温度にて前記組成物を塗布するステップと、
（ｉｖ）任意には、余剰の組成物を除去するステップと、
（ｖ）前記留め具を１００℃未満に冷却するステップと、
（ｖｉ）水浴中で前記留め具を仕上げるステップと、
（ｖｉｉ）前記留め具を乾燥するステップと
を含む、プロセス。
【請求項９】
前記留め具の製造プロセスの一部である、請求項８に記載のプロセス。
【請求項１０】
前記組成物は、前記留め具の温度よりも高い温度に、好ましくは１３０℃から１５０℃に加熱される、請求項８または９に記載のプロセス。
【請求項１１】
ステップ（ｖ）における前記留め具は、６０℃から７５℃の間の温度に冷却される、請求項８から１０のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１２】
ステップ（ｖｉ）における前記水浴は、３０℃から５０℃の間の温度にて維持される、請求項８から１１のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１３】
ねじ切りされた部分を含む金属留め具を粉末コートするためのプロセスであって、前記プロセスは次のステップ、
（ｉ）請求項６または７において定義されるとおりの組成物を提供するステップと、
（ｉｉ）前記組成物の粉末を生成するステップと、
（ｉｉｉ）粉末化した前記組成物を電着して、前記金属留め具の前記ねじ切りされた部分にコーティングを形成するステップと、
（ｉｖ）任意には、余剰の組成物を除去するステップと、
（ｖ）１００℃から２００℃の範囲の温度にて、塗布された粉末化した前記組成物を溶融接合するステップと、
（ｖｉ）前記留め具を冷却するステップと
を含む、プロセス。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和1年6月7日(2019.6.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
本明細書で具体化するように、天然青色着色料組成物は、水溶液中50ppm及び100ppmのFD&C青色1号のL*a*b*値で定義される色に比べて約12以下のΔE値を有する色を与え得る。特定実施形態では、ΔE値は約11以下であり得る。天然青色着色料組成物は、約14日間より長く色安定性を示すことができる。
特定実施形態では、画分は赤キャベツ、紫サツマイモ、赤ジャガイモ、青ジャガイモ、赤ダイコン、黒ニンジン、紫ニンジン、紫トウモロコシ、赤トウモロコシ、赤タマネギ、紫ブロッコリー、赤ブロッコリー、紫カリフラワー、ダイオウ、黒豆、赤葉レタス、黒米、ナス、イチゴ、キイチゴ、クランベリー、コケモモ、赤ブドウ、リンゴ、クロフサスグリ、アカフサスグリ、サクランボ、ブルーベリー、エルダーベリー、ビルベリー、クロウベリー、ブラックベリー、チョークベリー、グースベリー、アサイー、ネクタリン、モモ、プラム、ブラッドオレンジ、青トマト、「ヘブンリーブルー(Heavenly Blue)」アサガオ花弁、「ベタータイムス(Better Times)」バラ花弁、及びその組み合わせから成る群より選択される天然物、又はその抽出物若しくは汁から得られる。特定実施形態では、画分は、赤キャベツから得られる。
本開示は、さらに緑色着色料組成物を提供する。緑色着色料組成物は、天然青色着色料組成物及び1種以上の黄色着色料を含み得る。1種以上の黄色着色料は、天然黄色着色料であり得る。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
本開示のアントシアニンは、天然源及び／又はその汁若しくは抽出物から得ることができる。例えば、限定としてではなく、本開示のアントシアニンは、野菜(又はその抽出物若しくは汁)、例えば赤キャベツ、紫サツマイモ、赤ジャガイモ、青ジャガイモ、赤ダイコン、黒ニンジン、紫ニンジン、紫トウモロコシ、赤トウモロコシ、赤タマネギ、紫ブロッコリー、赤ブロッコリー、紫カリフラワー、ダイオウ、黒豆、赤葉レタス、黒米、ナス又はその組み合わせから得ることができる。特定実施形態では、本開示のアントシアニンは、果実(又はその抽出物若しくは汁)、例えば、限定するものではないが、イチゴ、キイチゴ、クランベリー、コケモモ、赤ブドウ、リンゴ、クロフサスグリ、アカフサスグリ、サクランボ、ブルーベリー、エルダーベリー、ビルベリー、クロウベリー、ブラックベリー、チョークベリー、グースベリー、アサイー、ネクタリン、モモ、プラム、ブラッドオレンジ、青トマト又はその組み合わせから得ることができる。特定実施形態では、本開示のアントシアニンは、花弁(又はその抽出物若しくは汁)、例えば「ヘブンリーブルー」アサガオ、「ベタータイムス」バラ又はその組み合わせの花弁から得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月27日(2019.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基材と第二基材との間の接着を形成する方法であって、
前記第一基材は、エラストマーゴム基材であり、
前記第二基材は、金属基材であり、
（ａ）前記ゴム基材の被接着面にゴム処理剤、好ましくはゴムを酸化する処理剤、好ましくは一臭化ヨウ素／ジクロロヘキサン溶液および／またはプライマー組成物を塗布する工程、ここで、好ましくは、前記プライマー組成物は、少なくとも１種のシアノアクリレートを含み、
（ｂ）樹脂配合物および硬化剤配合物を含む予備混合した２成分接着剤、好ましくは２成分ポリ尿素接着剤または２成分エポキシ接着剤である接着剤組成物を前記金属基材の前記被接着面へ塗布して、接着剤に生強度を発現させる工程、および
（ｃ）前記ゴム基材の前記下塗り表面および前記金属基材の前記表面に、前記塗布された接着剤を加圧下で接触させて接着を形成する工程
を含む方法。
【請求項２】
前記ゴム処理剤は、酸化化合物、好ましくは一臭化ヨウ素または次亜塩素酸ナトリウムを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シアノアクリレートは、硬化が遅いシアノアクリレートであり、好ましくは前記シアノアクリレートは式（Ｉ）
H2C=C(CN)-COOR    （Ｉ）
［式中、Ｒは、ハロゲンＣ２−１６アルケニル基またはアルキニル基に置換されていてもよいＣ１−２０アルキル基、Ｃ５−８シクロアルキル基、Ｃ６−１４アリール基、アルキルアリール基、アルコキシアルキル基、およびアシルアルキル基からなる群から選択され、好ましくはＣ１−４アルキル基を示し、より好ましくはエチル基またはメチル基を示す］
の２−シアノアクリレートエステルである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記シアノアクリレートはエチルシアノアクリレートである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ゴム処理剤および／またはプライマー組成物は、有機溶媒をさらに含み、好ましくは前記プライマー組成物に対して４０重量％以下で有機溶媒をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記２成分接着剤は２成分エポキシ接着剤であり、
好ましくは、前記エポキシ接着剤のエポキシ樹脂配合物は、液体エポキシ樹脂、好ましくはフェノキシで任意に変性された、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂またはビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含み、および／または前記エポキシ接着剤の硬化剤配合物は、少なくとも１種の二官能性メルカプタン、および／またはメルカプタン−エポキシ付加物、およびポリアミン、ポリアミド、低分子量アミンおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記２成分接着剤は、アミン配合物および／またはイソシアナート配合物を含む２成分ポリ尿素接着剤であり、
好ましくは、前記アミン配合物は、少なくとも１種のオリゴマーアミン、およびポリアミン、低分子量アミン、前述したイソシアナートとのプレポリマー、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種のアミンを含み、
好ましくは、前記イソシアナート配合物は、少なくとも１種の脂肪族イソシアナート、芳香族イソシアナート、または前述したポリオールとのプレポリマーおよびそれらの組み合わせを含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
周囲温度、好ましくは１５〜４０℃の温度および８５％未満の任意の相対湿度で実施される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記接着剤組成物、特に前記２成分エポキシ接着剤組成物は、高い初期粘着力のために十分な生強度をいつ発現させたかを示す硬化指示薬、好ましくはアゾ色素を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
工程（ａ）および／または工程（ｂ）の前に、前記ゴム基材および／または前記金属基材の表面をクリーニングする工程をさらに含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１種のシアノアクリレートを含む前記プライマー組成物は、７０〜１９０ｇ／ｍ２、好ましくは８０〜１７０ｇ／ｍ２のシアノアクリレートの量、または３００〜５００ｇ／ｍ２、好ましくは３３０〜４７０ｇ／ｍ２、より好ましくは３５０〜４５０ｇ／ｍ２のシアノアクリレートの量で塗布される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
工程（ａ）は、前記プライマー組成物および／またはゴム処理剤を塗布した後に、前記基材表面を乾燥する工程を含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
工程（ｂ）は、周囲温度で０．５〜１０時間、好ましくは１〜６時間、より好ましくは２〜４時間、その上に塗布された前記接着剤を用いて前記金属基材をインキュベートして、接着剤に生強度を発現させる工程を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
工程（ｃ）は、ローリングすることにより実施される、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法によって得られる接着生成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第一態様では、本発明は
第一基材と第二基材との間の接着を形成する方法であって、前記第一基材は、エラストマーゴム基材であり、前記第二基材は、金属基材であり、
（ａ）前記ゴム基材の被接着面にゴム処理剤、好ましくはゴムを酸化する処理剤、好ましくは一臭化ヨウ素／ジクロロヘキサン溶液および／またはプライマー組成物を塗布する工程、ここで、好ましくは、前記プライマー組成物は、少なくとも１種のシアノアクリレートを含み、
（ｂ）樹脂配合物および硬化剤配合物を含む予備混合した２成分接着剤、好ましくは２成分ポリ尿素接着剤または２成分エポキシ接着剤である接着剤組成物を前記金属基材の前記被接着面へ塗布して、接着剤に生強度を発現させる工程、および
（ｃ）前記ゴム基材の前記下塗り表面および前記金属基材の前記表面に、前記塗布された接着剤を加圧下で接触させて接着を形成する工程を含む方法
に関する。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月22日(2019.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ：
【化１】
2018525447.tif 000001
に従う構造を有する化合物であって、式中、
Ｒ１は、ハロゲン化ヘテロアリールであり；
Ｒ２は、任意選択でハロゲン化されていてもよい低級アルコキシ基または任意選択でハロゲン化されていてもよいＮ−アルキルアミノ基であり；
Ｒ３は、Ｈ、ハロゲン、または任意選択でハロゲン化されていてもよい低級アルキルである、
化合物。
【請求項２】
前記ヘテロアリールが、ピリジニル、ピリミジニルまたはオキサゾリルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ２がハロゲン化アルコキシ基である、請求項１〜２の何れか１項に記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ３がＨまたは任意選択でハロゲン化されていてもよい低級アルキルである、請求項１〜３の何れか１項に記載の化合物。
【請求項５】
Ｒ２がハロゲン化アルコキシ基である、請求項１に記載の化合物。
【請求項６】
Ｒ３がＨまたは任意選択でハロゲン化されていてもよい低級アルキルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項７】
式ＩＩ：
【化２】
2018525447.tif 000002
に従う構造を有する、請求項１に記載の化合物であって、式中、
Ｒ２は、任意選択でハロゲン化されていてもよい低級アルコキシ基または任意選択でハロゲン化されていてもよいＮ−アルキルアミノ基であり；
Ｒ３は、Ｈ、ハロゲン、または任意選択でハロゲン化されていてもよい低級アルキルであり；
Ｒ４は、ハロゲン化ピリジニル、ピリミジニルまたはオキサゾリルである、
化合物。
【請求項８】
Ｒ４がハロゲン化ピリジニルである、請求項７に記載の化合物。
【請求項９】
Ｒ４がピリミジニルである、請求項７に記載の化合物。
【請求項１０】
Ｒ４がオキサゾリルである、請求項７に記載の化合物。
【請求項１１】
Ｒ２がハロゲン化アルコキシ基である、請求項７〜１０の何れか１項に記載の化合物。
【請求項１２】
Ｒ３がＨまたは任意選択でハロゲン化されていてもよい低級アルキルである、請求項７〜１０の何れか１項に記載の化合物。
【請求項１３】
Ｒ２がハロゲン化アルコキシ基である、請求項７に記載の化合物。
【請求項１４】
Ｒ３がＨである、請求項７に記載の化合物。
【請求項１５】
Ｒ３が、ハロゲン化された低級アルキルである、請求項７に記載の化合物。
【請求項１６】
式ＩＩＩ：
【化３】
2018525447.tif 000003
に従う構造を有する、請求項１に記載の化合物であって、式中、
Ｒ２は、任意選択でハロゲン化されていてもよい低級アルコキシ基または任意選択でハロゲン化されていてもよいＮ−アルキルアミノ基であり；
Ｒ３は、Ｈ、ハロゲン、または任意選択でハロゲン化されていてもよい低級アルキルであり；
Ｒ５は、ハロゲンであり；
ＸおよびＱは、独立にＣＨまたはＮであり、ＸおよびＱは同じではない、
化合物。
【請求項１７】
Ｒ５がＦである、請求項１６に記載の化合物。
【請求項１８】
Ｒ２がハロゲン化アルコキシ基である、請求項１６に記載の化合物。
【請求項１９】
Ｒ３がＨである、請求項１６に記載の化合物。
【請求項２０】
式ＩＶ：
【化４】
2018525447.tif 000004
に従う構造を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項２１】
式Ｖ：
【化５】
2018525447.tif 000005
に従う構造を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項２２】
式ＶＩまたはＸＩＩＩ：
【化６】
2018525447.tif 000006
に従う構造を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項２３】
式ＶＩＩ：
【化７】
2018525447.tif 000007
に従う構造を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項２４】
式ＶＩＩＩ：
【化８】
2018525447.tif 000008
に従う構造を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項２５】
式ＩＸ：
【化９】
2018525447.tif 000009
に従う構造を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項２６】
式Ｘ：
【化１０】
2018525447.tif 000010
に従う構造を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項２７】
式ＸＩ：
【化１１】
2018525447.tif 000011
に従う構造を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項２８】
式ＸＩＩ：
【化１２】
2018525447.tif 000012
に従う構造を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項２９】
薬学的に許容可能な担体と組み合わせて請求項１〜２８の何れか１項に記載の化合物を含む、医薬組成物。
【請求項３０】
患者に投与された場合に患者においてＢＡＣＥを阻害するのに有効な量で前記化合物が存在する、請求項２９に記載の医薬組成物。
【請求項３１】
経口投与用または注射用に製剤化されている、請求項２９または請求項３０に記載の医薬組成物。
【請求項３２】
神経学的状態の処置に適切な第２の医薬品をさらに含む、請求項２９に記載の医薬組成物。
【請求項３３】
前記神経学的状態がアルツハイマー病である、請求項３２に記載の医薬組成物。
【請求項３４】
薬剤の製造における、請求項１〜２８の何れか１項に記載の化合物の使用。
【請求項３５】
前記薬剤が神経変性疾患の処置のためのものである、請求項３４に記載の使用。
【請求項３６】
前記薬剤が患者におけるＢＡＣＥ活性の低下のためのものである、請求項３４に記載の使用。
【請求項３７】
アルツハイマー病の処置のための、請求項１〜２８の何れか１項に記載の化合物の使用。
【請求項３８】
ＢＡＣＥ活性を低下させるための、請求項１〜２８の何れか１項に記載の化合物の使用。
【請求項３９】
ＢＡＣＥ活性の低下がインビボである、請求項３８に記載の使用。
【請求項４０】
アルツハイマー病であるという診断を受けたかまたは軽度認知低下の疾患進行のリスクがある患者を処置する方法であって、それを必要とする患者に、前記患者を処置するのに有効な量で請求項１〜２８の何れか１項に記載の化合物を含む医薬組成物を投与する段階を含む、方法。
【請求項４１】
前記有効な量が、前記医薬組成物が前記患者に投与された場合にインビボでＢＡＣＥ活性を低下させる量である、請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
ＢＡＣＥ活性を低下させる方法であって、ＢＡＣＥを請求項１〜２８の何れか１項に記載の化合物と接触させることを含む、方法。
【請求項４３】
前記化合物が１μＭ未満のＩＣ５０を有する、請求項４２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月18日(2019.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抗生物質耐性細菌が原因となる感染の処置に有用な組成物であって、前記耐性が、ペニシリン結合タンパク質２ａ（ＰＢＰ２ａ）駆動機序によるものであり、前記組成物が、
ｉ）少なくとも１種の、ＰＢＰ２ａのアロステリック部位と結合可能なカルバペネムまたは他の好適なβラクタム、
ｉｉ）少なくとも１種のβラクタマーゼ阻害薬、及び
ｉｉｉ）少なくとも１種の、ＰＢＰ２ａの活性部位の開放構造と結合するβラクタム
を含む、前記組成物。
【請求項２】
前記抗生物質耐性細菌がＳｔａｐｈｙｌｏｃｏｃｃｕｓ属由来である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記抗生物質耐性細菌が、Ｓ．ａｕｒｅｕｓ、Ｓ．ｅｐｉｄｅｒｍｉｄｉｓ、Ｓ．ｈｏｍｉｎｉｓ、Ｓ．ｌｕｇｄｕｎｅｎｓｉｓ、Ｓ．ｘｙｌｏｓｕｓ、及びＳ．ｆｅｌｉｓからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記抗生物質耐性細菌が、メチシリン耐性Ｓｔａｐｈｙｌｏｃｏｃｃｕｓ  ａｕｒｅｕｓ（ＭＲＳＡ）である、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記少なくとも１種の、ＰＢＰ２ａのアロステリック部位と結合可能なカルバペネムまたは他の好適なβラクタムが、メロペネム、イミペネム、トモペネム、セフタロリン、及びセフトビプロールからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記少なくとも１種の、ＰＢＰ２ａのアロステリック部位と結合可能なカルバペネムまたは他の好適なβラクタムが、メロペネム及びイミペネムからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記少なくとも１種のβラクタマーゼ阻害薬が、クラブラン酸（クラブラネート）、スルバクタム、タゾバクタム、及びアビバクタムからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記少なくとも１種のβラクタマーゼ阻害薬が、タゾバクタム及びクラブラネートからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記少なくとも１種の、ＰＢＰ２ａの活性部位の開放構造と結合するβラクタムが、カルバペネム、アミノペニシリン、カルボキシペニシリン、ウレイドペニシリン、オキサシリン、メチシリン、及び一部のセファロスポリンからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記カルバペネムが、メロペネム、イミペネム、ドリペネム、エルタペネム、ファロペネム、及びテビペネムからなる群から選択される、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
前記オキサシリンまたはメチシリンが、クロキサシリン、ジクロキサシリン、フルクロキサシリン、オキサシリン、メチシリン、及びナフシリンからなる群から選択される、請求項９に記載の組成物。
【請求項１２】
前記セファロスポリンが、セフェピム、セフォゾプラン、セフピロム、セフキノム、セフタロリン、及びセフトビプロールからなる群から選択される、請求項９に記載の組成物。
【請求項１３】
前記アミノペニシリンが、アモキシシリン、アンピシリン、ピバンピシリン、ヘタシリン、バカンピシリン、メタンピシリン、タランピシリン、及びエピシリンからなる群から選択される、請求項９に記載の組成物。
【請求項１４】
前記カルボキシペニシリンが、カルベニシリン、カリンダシリン、チカルシリン、及びテモシリンからなる群から選択される、請求項９に記載の組成物。
【請求項１５】
前記ウレイドペニシリンが、アズロシリン、メズロシリン、及びピペラシリンからなる群から選択される、請求項９に記載の組成物。
【請求項１６】
前記少なくとも１種の、ＰＢＰ２ａの活性部位の開放構造と結合するβラクタムが、メシリナム、セフラジン、及びチエナマイシンではない、請求項９に記載の組成物。
【請求項１７】
前記少なくとも１種の、ＰＢＰ２ａの活性部位の開放構造と結合するβラクタムが、ピペラシリン及びアモキシシリンからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項１８】
前記カルバペネムがメロペネムであり、前記βラクタマーゼ阻害薬がタゾバクタムであり、ＰＢＰ２ａの活性部位の開放構造と結合する前記βラクタムがピペラシリンである、請求項１に記載の組成物。
【請求項１９】
前記カルバペネムがイミペネムであり、前記βラクタマーゼ阻害薬がクラブラネートであり、ＰＢＰ２ａの活性部位の開放構造と結合する前記βラクタムがピペラシリンである、請求項１に記載の組成物。
【請求項２０】
前記カルバペネムがメロペネムであり、前記βラクタマーゼ阻害薬がタゾバクタムであり、ＰＢＰ２ａの活性部位の開放構造と結合する前記βラクタムがアモキシシリンである、請求項１に記載の組成物。
【請求項２１】
（ｉ）、（ｉｉ）、及び（ｉｉｉ）の比が１：１：１である、請求項１に記載の組成物。
【請求項２２】
前記組成物が、前記組成物に対する耐性の進化を抑制する、請求項１に記載の組成物。
【請求項２３】
対象における、抗生物質耐性細菌が原因となる感染を処置するための薬剤であって、前記耐性が、ペニシリン結合タンパク質２ａ（ＰＢＰ２ａ）駆動機序によるものであり、請求項１から２２のいずれか１項に記載の組成物を含む、前記薬剤。
【請求項２４】
メチシリン耐性Ｓｔａｐｈｙｌｏｃｏｃｃｕｓ  ａｕｒｅｕｓ（ＭＲＳＡ）が原因となる感染を処置するための薬剤であって、請求項１から２２のいずれか１項に記載の組成物を含む、前記薬剤。