【手続補正書】
【提出日】平成19年11月9日(2007.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ：
【化１】
2007511523.tif 000001
（式中、
Ｘ1は、カルボキシ、ハロカルボニル、ハロカルボニルオキシ、メルカプト、イソシアナト、ハロシリル、アルコキシシリル、アシロキシシリル、アジド、アジリジニル、第一級芳香族アミノ、第二級芳香族アミノ、ジスルフィド、アルキルジスルフィド、ベンゾトリアゾリル、ホスホノ、ホスホロアミドまたはホスファトから選択される基材反応性官能基であり；
Ｙ1は、単結合、またはアルキレン、ヘテロアルキレン、アリーレン、カルボニル、カルボニルオキシ、カルボニルイミノ、オキシ、チオ、−ＮＲa−もしくはそれらの組み合わせから選択される二価の基であって、Ｒaは、水素、アルキルまたはアリールであり；
Ｒ1およびＲ2は、それらが結合しているジカルボキシイミド基と一緒になって、芳香族基、飽和もしくは不飽和環式基、または飽和もしくは不飽和二環式基に縮合可能な４員〜８員の複素環式または複素二環式基を形成し；
Ｘ1が一価の基である場合、ｒは１に等しく、またはＸ1が二価の基である場合、ｒは２に等しい）で表される化合物であって、
未置換であるか、またはハロ、アルキル、アルコキシもしくはそれらの組み合わせによって置換されている化合物。
【請求項２】
次式
【化４】
2007511523.tif 000002
【化５】
2007511523.tif 000003
（式中、
Ｒは、アルキルであり；
Ａｒ1は、アリーレンであり；
Ｙ1aは、単結合、アルキレン、ヘテロアルキレン、カルボニル、カルボニルオキシ、カルボニルイミノ、オキシ、チオ、−ＮＲa−またはそれらの組み合わせから選択され、Ｒaは、水素、アルキルまたはアリールである）の化合物であって、
未置換であるか、またはハロ、アルキル、アルコキシもしくはそれらの組み合わせによって置換されている、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
式Ｉａ：
【化１１】
2007511523.tif 000004
（式中、
Ｒ8は、水素、アルキルまたはアリールであり；
Ｌ1は、オキシ、−Ｃ（Ｒa）2−または−ＮＲa−であって、Ｒaは、水素、アルキルまたはアリールであり；
Ｙ3は、式−Ａｒ1−Ｙ3a−（式中、Ａｒ1は、スルホニル基に結合するアリーレンであり、またＹ3aは、単結合、アルキレン、ヘテロアルキレン、アリーレン、カルボニル、カルボニルオキシ、カルボニルイミノ、オキシ、チオ、−ＮＲa−またはそれらの組み合わせから選択される）の二価の基であって、Ｒaは、水素、アルキルまたはアリールであり；
Ｒ1およびＲ2は、それらが結合しているジカルボキシイミド基と一緒になって、芳香族基、飽和もしくは不飽和環式基、または飽和もしくは不飽和二環式基に縮合可能な４員〜８員の複素環式または複素二環式基を形成する）の化合物であって、
未置換であるか、またはハロ、アルキル、アルコキシもしくはそれらの組み合わせによって置換されている、化合物。
【請求項４】
式ＩＩ：
【化１５】
2007511523.tif 000005
（式中、
Ｘ2は、カルボキシ、ハロカルボニル、ハロカルボニルオキシ、シアノ、ヒドロキシ、メルカプト、イソシアナト、ハロシリル、アルコキシシリル、アシロキシシリル、アジド、アジリジニル、ハロアルキル、第一級芳香族アミノ、第二級芳香族アミノ、ジスルフィド、アルキルジスルフィド、ベンゾトリアゾリル、ホスホノ、ホスホロアミド、ホスファトまたはエチレン性不飽和基から選択される基材反応性官能基であり；
Ｒ4およびＲ5は、それらが結合しているジカルボキシイミド基と一緒になって、芳香族基、飽和もしくは不飽和環式基、または飽和もしくは不飽和二環式基に縮合可能な４員〜８員の複素環式または複素二環式基を形成し；
Ｙ2は、単結合、またはアルキレン、ヘテロアルキレン、アリーレン、カルボニル、カルボニルオキシ、カルボニルイミノ、オキシ、チオ、−ＮＲa−もしくはそれらの組み合わせから選択される二価の基であって、Ｒaは、水素、アルキルまたはアリールであり；
Ｒ3は、アルキル、アリール、アラルキルまたは−ＮＲbＲcであって、ＲbおよびＲcは、それぞれアルキル基であるか、またはそれらが結合している窒素原子と一緒になって４員〜８員の複素環式基を形成し；
Ｘ2が一価である場合、ｒは１に等しく、またはＸ2が二価の基である場合、ｒは２に等しい）で表される化合物であって、
未置換であるか、またはハロ、アルキル、アルコキシもしくはそれらの組み合わせによって置換されている化合物。
【請求項５】
次式
【化１７】
2007511523.tif 000006
の化合物であって、未置換であるか、またはハロ、アルキル、アルコキシもしくはそれらの組み合わせによって置換されている、請求項４に記載の化合物。
【請求項６】
式ＩＩａ：
【化１９】
2007511523.tif 000007
（式中、
Ｒ3は、アルキル、アリール、アラルキルまたは−ＮＲbＲcであって、ＲbおよびＲcは、それぞれアルキル基であるか、またはそれらが結合している窒素原子と一緒になって４員〜８員の複素環式基を形成し；
Ｒ4およびＲ5は、それらが結合しているジカルボキシイミド基と一緒になって、芳香族基、飽和もしくは不飽和環式基、または飽和もしくは不飽和二環式基に縮合可能な４員〜８員の複素環式または複素二環式基を形成し；
Ｙ4は、単結合、またはアルキレン、ヘテロアルキレン、アリーレン、カルボニル、カルボニルオキシ、カルボニルイミノ、オキシ、チオ、−ＮＲa−もしくはそれらの組み合わせから選択される二価の基であって、Ｒaは、水素、アルキルまたはアリールであり；
Ｌ2は、オキシ、−Ｃ（Ｒa）2−または−ＮＲa−であって、Ｒaは、水素、アルキルまたはアリールであり；
Ｒ8は、水素、アルキルまたはアリールである）の化合物であって、
未置換であるか、またはハロ、アルキル、アルコキシもしくはそれらの組み合わせによって置換されている、請求項４に記載の化合物。
【請求項７】
基材と、
基材に結合されたテザリング基と、
を含む物品であって、該テザリング基が、基材表面上の相補的な官能基Ｇと、式Ｉ
【化２２】
2007511523.tif 000008
（式中、
Ｘ1は、カルボキシ、ハロカルボニル、ハロカルボニルオキシ、シアノ、ヒドロキシ、メルカプト、イソシアナト、ハロシリル、アルコキシシリル、アシロキシシリル、アジド、アジリジニル、ハロアルキル、第三級アミノ、第一級芳香族アミノ、第二級芳香族アミノ、ジスルフィド、アルキルジスルフィド、ベンゾトリアゾリル、ホスホノ、ホスホロアミド、ホスファトまたはエチレン性不飽和基から選択される基材反応性官能基であり；
Ｙ1は、単結合、またはアルキレン、ヘテロアルキレン、アリーレン、カルボニル、カルボニルオキシ、カルボニルイミノ、オキシ、チオ、もしくは−ＮＲa−、もしくはそれらの組み合わせから選択される二価の基であって、Ｒaは、水素、アルキルまたはアリールであり；
Ｒ1およびＲ2は、それらが結合しているジカルボキシイミド基と一緒になって、芳香族基、飽和もしくは不飽和環式基、または飽和もしくは不飽和二環式基に縮合可能な４員〜８員の複素環式または複素二環式基を形成し；
Ｘ2が一価の基である場合、ｒは１であり、またはＸ2が二価の基である場合、ｒは２である）の化合物との反応生成物を含み、
Ｇは、Ｘ1と反応可能な相補的な官能基であり；そして
前記テザリング基が、未置換であるか、またはハロ、アルキル、アルコキシもしくはそれらの組み合わせによって置換されている物品。
【請求項８】
基材と、
基材に結合されたテザリング基と、
を含む物品であって、該テザリング基が、基材表面上の相補的な官能基Ｇと、式ＩＩ
【化２４】
2007511523.tif 000009
（式中、
Ｘ2は、カルボキシ、ハロカルボニル、ハロカルボニルオキシ、シアノ、ヒドロキシ、メルカプト、イソシアナト、ハロシリル、アルコキシシリル、アシロキシシリル、アジド、アジリジニル、ハロアルキル、第三級アミノ、第一級芳香族アミノ、第二級芳香族アミノ、ジスルフィド、アルキルジスルフィド、ベンゾトリアゾリル、ホスホノ、ホスホロアミド、ホスファトまたはエチレン性不飽和基から選択される基材反応性官能基であり；
Ｒ4およびＲ5は、それらが結合しているジカルボキシイミド基と一緒になって、芳香族基、飽和もしくは不飽和環式基、または飽和もしくは不飽和二環式基に縮合可能な４員〜８員の複素環式または複素二環式基を形成し；
Ｙ2は、単結合、またはアルキレン、ヘテロアルキレン、アリーレン、カルボニル、カルボニルオキシ、カルボニルイミノ、オキシ、チオ、−ＮＲd−もしくはそれらの組み合わせから選択される二価の基であって、Ｒdは、水素またはアルキルであり；
Ｒ3は、アルキル、アリール、アラルキルまたは−ＮＲbＲcであって、ＲbおよびＲcは、それぞれアルキル基であるか、またはそれらが結合している窒素原子と一緒になって４員〜８員の複素環式基を形成し；
Ｘ2が一価である場合、ｒは１に等しく、またはＸ2が二価の基である場合、ｒは２に等しい）の化合物との反応生成物を含み、
Ｇは、Ｘ2と反応可能な相補的な官能基であり；そして
前記テザリング基が、未置換であるか、またはハロ、アルキル、アルコキシもしくはそれらの組み合わせによって置換されている物品。
【請求項９】
アミン含有材料を固定化する方法であって、
式Ｉ
【化２６】
2007511523.tif 000010
（式中、
Ｘ1は、カルボキシ、ハロカルボニル、ハロカルボニルオキシ、シアノ、ヒドロキシ、メルカプト、イソシアナト、ハロシリル、アルコキシシリル、アシロキシシリル、アジド、アジリジニル、ハロアルキル、第三級アミノ、第一級芳香族アミノ、第二級芳香族アミノ、ジスルフィド、アルキルジスルフィド、ベンゾトリアゾリル、ホスホノ、ホスホロアミド、ホスファトおよびエチレン性不飽和基から選択される基材反応性官能基であり；
Ｙ1は、単結合、またはアルキレン、ヘテロアルキレン、アリーレン、カルボニル、カルボニルオキシ、カルボニルイミノ、オキシ、チオ、−ＮＲd−もしくはそれらの組み合わせから選択される二価の基であって、Ｒdは、水素またはアルキルであり；
Ｒ1およびＲ2は、それらが結合しているジカルボキシイミド基と一緒になって、芳香族基、飽和もしくは不飽和環式基、または飽和もしくは不飽和二環式基に縮合可能な４員〜８員の複素環式または複素二環式基を形成し；
Ｘ1が一価の基である場合、ｒは１であり、またはＸ1が二価の基である場合、ｒは２に等しい）の化合物であって、
未置換であるか、またはハロ、アルキル、アルコキシもしくはそれらの組み合わせによって置換されている化合物を選択する工程と；
Ｘ1と反応可能な相補的な官能基を有する基材を提供する工程と；
Ｘ1と、前記基材上の相補的な官能基とを反応させて、イオン結合、共有結合またはそれらの組み合わせを生じることによって、基材に結合されたテザリング基を調製する工程と；
前記基材に結合されたテザリング基のＮ−スルホニルジカルボキシイミド基と、アミン含有材料とを反応させて、前記基材と前記アミン含有材料との間にコネクター基を形成する工程と、
を含む方法。
【請求項１０】
アミン含有材料を固定化する方法であって、
未置換であるか、またはハロ、アルキル、カルボキシ、アルコキシカルボニル、ニトリルもしくはそれらの組み合わせによって置換されている、式ＩＩ
【化２７】
2007511523.tif 000011
（式中、
Ｘ2は、カルボキシ、ハロカルボニル、ハロカルボニルオキシ、シアノ、ヒドロキシ、メルカプト、イソシアナト、ハロシリル、アルコキシシリル、アシロキシシリル、アジド、アジリジニル、ハロアルキル、第三級アミノ、第一級芳香族アミノ、第二級芳香族アミノ、ジスルフィド、アルキルジスルフィド、ベンゾトリアゾリル、ホスホノ、ホスホロアミド、ホスファトおよびエチレン性不飽和基から選択される基材反応性官能基であり；
Ｒ4およびＲ5は、それらが結合しているジカルボキシイミド基と一緒になって、芳香族基、飽和もしくは不飽和環式基、または飽和もしくは不飽和二環式基に縮合可能な４員〜８員の複素環式または複素二環式基を形成し；
Ｙ2は、単結合、またはアルキレン、ヘテロアルキレン、アリーレン、カルボニル、カルボニルオキシ、カルボニルイミノ、オキシ、チオ、−ＮＲd−もしくはそれらの組み合わせから選択される二価の基であって、Ｒdは、水素またはアルキルであり；
Ｒ3は、アルキル、アリール、アラルキルまたは−ＮＲbＲcであって、ＲbおよびＲcは、それぞれアルキル基であるか、または一緒になって４員〜８員の複素環式基を形成し；
Ｘ3が一価である場合、ｒは１に等しく、またはＸ3が二価の基である場合、ｒは２に等しい）の化合物であって、
未置換であるか、またはハロ、アルキル、アルコキシもしくはそれらの組み合わせによって置換されている化合物を選択する工程と；
Ｘ2と反応可能な相補的な官能基を有する基材を提供する工程と；
Ｘ2と、前記基材上の相補的な官能基とを反応させて、イオン結合、共有結合またはそれらの組み合わせを生じることによって、基材に結合されたテザリング基を調製する工程と；
前記基材に結合されたテザリング基のＮ−スルホニルジカルボキシイミド基と、アミン含有材料とを反応させて、前記基材と前記アミン含有材料との間にコネクター基を形成する工程と、
を含む方法。