【手続補正書】
【提出日】平成19年4月18日(2007.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれガリウム砒素（GaAs）を含む第１の障壁層及び第２の障壁層と、
前記第１と第２の障壁層の間に挟まれ、インジウムガリウム砒素窒素（InGaAsN）を含む量子井戸層と、
前記量子井戸層と前記第１の障壁層の間に挟まれ、GaAs及び他の元素を含む材料からなる第１の層とを含み、
前記第１の層の前記材料が、前記第１の障壁層のバンドギャップエネルギーと前記量子井戸層のバンドギャップエネルギーの間のバンドギャップエネルギーを有し、
前記他の元素の割合が変化し、その割合が前記量子井戸層に向かって増大する発光素子。
【請求項２】
前記他の元素が窒素であり、
前記割合が、前記第１の障壁層における０％から前記量子井戸層における約１％まで増大する請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記他の元素がインジウムであり、
前記割合が、前記第１の障壁層における０％から前記量子井戸層における約10〜20％まで増大する請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
さらに、前記量子井戸層と前記第２の障壁層の間に挟まれている第２の層を含み、この第２の層がガリウム砒素（GaAs）及び他の元素を含み、
前記第２の層が、前記第２の障壁層のバンドギャップエネルギーと前記量子井戸層のバンドギャップエネルギーの間のバンドギャップエネルギーを有する請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
さらに、前記量子井戸層に対して協働するように配置されているキャリヤ捕獲要素を含み、このキャリヤ捕獲要素と前記量子井戸層との組み合わせにより、前記量子井戸層単独で捕獲するより多くのキャリヤが捕獲される請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
前記キャリヤ捕獲要素が、前記量子井戸層に近接した付加的な量子井戸層を含み、
前記付加的な量子井戸層の基底状態エネルギーが、前記量子井戸層の非基底状態エネルギーと実質上調整され、前記付加的な量子井戸層から前記量子井戸層へのキャリヤの共鳴トンネリングがもたらされる請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
前記キャリヤ捕獲要素が、前記量子井戸層に近接したキャリヤ反射器を含み、このキャリヤ反射器が、前記量子井戸層によって捕獲されなかったキャリヤを反射して、前記量子井戸層に向けて戻す請求項５に記載の発光素子。
【請求項８】
約1200ナノメートル又はそれ以上の波長を有する光学信号を発生する垂直共振器面発光レーザ（VCSEL）を含む請求項１に記載の発光素子。
【請求項９】
量子井戸を画定する量子井戸構造と、
前記量子井戸に隣接して配置され、前記量子井戸の有効キャリヤ捕獲断面積を増大させるキャリヤ捕獲要素とからなり、
前記キャリヤ捕獲要素が第１の付加的な量子井戸を含み、この第１の付加的な量子井戸の基底状態エネルギーが、前記量子井戸の非基底状態エネルギーと実質上調整され、前記第１の付加的な量子井戸から前記量子井戸へのキャリヤの共鳴トンネリングがもたらされる発光素子。
【請求項１０】
さらに、前記量子井戸の前記第１の付加的な量子井戸とは反対側に配置されている第２の付加的な量子井戸を含み、
前記第２の付加的な量子井戸の基底状態エネルギーが、前記量子井戸の非基底状態エネルギーと実質上調整され、前記第２の付加的な量子井戸から前記量子井戸へのキャリヤの共鳴トンネリングがもたらされる請求項９に記載の発光素子。
【請求項１１】
さらに、前記量子井戸の前記第１の付加的な量子井戸と同じ側に配置されている第２の付加的な量子井戸を含み、
前記第２の付加的な量子井戸の基底状態エネルギーが、前記第１の付加的な量子井戸の非基底状態エネルギーと実質上調整され、前記第２の付加的な量子井戸から前記第１の付加的な量子井戸へのキャリヤの共鳴トンネリングがもたらされる請求項９に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第１及び第２の付加的な量子井戸の少なくとも１つが、ガリウム砒素窒素（GaAsN）を含む請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
窒素の割合が変化し、その割合が前記量子井戸に向かって増大する請求項１２に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記第１及び第２の付加的な量子井戸の少なくとも１つが、インジウムガリウム砒素（InGaAs）含をむ請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１５】
インジウムの割合が変化し、その割合が前記量子井戸に向かって増大する請求項１４に記載の発光素子。
【請求項１６】
さらに、キャリヤ反射器を含み、このキャリヤ反射器が、前記量子井戸層によって捕獲されなかったキャリヤを反射して、前記量子井戸に向けて戻す請求項９に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記キャリア反射器及び前記量子井戸が、前記量子井戸から前記反射器へのトンネリングを阻止するのに十分な距離だけ離隔されている請求項１６に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記キャリア反射器が、当該反射器をわたってキャリアのコヒーレンスを維持するように寸法決めされている請求項１６に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記キャリア反射器が、ガリウム砒素窒素（GaAsN）とガリウム砒素（GaAs）の交互層からなる請求項１６に記載の発光素子。
【請求項２０】
ガリウム砒素窒素（GaAsN）の層が約２ナノメートルの厚みを有し、ガリウム砒素（GaAs）の層が約３ナノメートルの厚みを有する請求項１９に記載の発光素子。
【請求項２１】
前記キャリア反射器が、約300ミリ電子ボルト（meV）を越える障壁高さをもたらす請求項１６に記載の発光素子。
【請求項２２】
前記量子井戸構造が、第１の障壁層と第２の障壁層の間に挟まれているインジウムガリウム砒素窒素（InGaAsN）を含む量子井戸層からなり、前記第１及び第２の障壁層がガリウム砒素（GaAs）を含む請求項９に記載の発光素子。
【請求項２３】
さらに、前記量子井戸層と前記第１の障壁層の間に配置されている層を含み、この層がガリウム砒素（GaAS）及び他の元素を含む請求項２２に記載の発光素子。
【請求項２４】
前記他の元素の割合が前記層内で均一である請求項２３に記載の発光素子。
【請求項２５】
前記他の元素の割合が変化し、その割合が前記量子井戸に向かって増大する請求項２３に記載の発光素子。
【請求項２６】
前記他の元素が窒素又はインジウムである請求項２３に記載の発光素子。
【請求項２７】
垂直共振器面発光レーザ（VCSEL）を含む請求項９に記載の発光素子。
【請求項２８】
第１の障壁層及び第２の障壁層と、
前記第１と第２の障壁層の間に挟まれている量子井戸層と、
前記量子井戸層と前記第１の障壁層の間に挟まれ、前記第１の障壁層のバンドギャップエネルギーと前記量子井戸層のバンドギャップエネルギーの間のバンドギャップエネルギーを有する材料からなる第１の層と、この第１の層が、前記第１及び第２の障壁層に窒素を加えたのと同じ元素を含み、
前記量子井戸層に隣接して配置され、前記量子井戸層の有効キャリヤ捕獲断面積を増大させるキャリヤ捕獲要素とからなる発光素子。
【請求項２９】
前記窒素の割合が変化し、その割合が前記量子井戸層に向かって増大する請求項２８に記載の発光素子。
【請求項３０】
前記窒素の割合が前記第１の層内で均一である請求項２８に記載の発光素子。
【請求項３１】
前記キャリア捕獲要素が、前記量子井戸層に近接した付加的な量子井戸層を含み、
前記付加的な量子井戸層の基底状態エネルギーが、前記量子井戸層の非基底状態エネルギーと実質上調整され、前記付加的な量子井戸層から前記量子井戸層へのキャリヤの共鳴トンネリングがもたらされる請求項２８に記載の発光素子。
【請求項３２】
前記キャリヤ捕獲要素が、前記量子井戸層に近接したキャリヤ反射器を含み、このキャリヤ反射器が、前記量子井戸層によって捕獲されなかったキャリヤを反射して、前記量子井戸層に向けて戻す請求項２８に記載の発光素子。
【請求項３３】
前記第１及び第２の障壁層がガリウム砒素（GaAs）を含み、前記量子井戸層がインジウムガリウム砒素窒素（InGaAsN）を含み、前記第１の障壁層がガリウム砒素窒素（GaAsN）を含み請求項２８に記載の発光素子。
【請求項３４】
量子井戸を画定する量子井戸構造と、
前記量子井戸に隣接して配置され、前記量子井戸の有効キャリヤ捕獲断面積を増大させるキャリヤ捕獲要素とからなり、
前記キャリヤ捕獲要素がキャリア反射器を含み、このキャリヤ反射器が、前記量子井戸によって捕獲されなかったキャリヤを反射して、前記量子井戸に向けて戻す発光素子。
【請求項３５】
前記キャリア反射器及び前記量子井戸が、前記量子井戸から前記反射器へのトンネリングを阻止するのに十分な距離だけ離隔されている請求項３４に記載の発光素子。
【請求項３６】
前記キャリア反射器が、当該反射器をわたってキャリアのコヒーレンスを維持するように寸法決めされている請求項３４に記載の発光素子。
【請求項３７】
前記キャリア反射器が、ガリウム砒素窒素（GaAsN）とガリウム砒素（GaAs）の交互層からなる請求項３４に記載の発光素子。
【請求項３８】
ガリウム砒素窒素（GaAsN）の層が約２ナノメートルの厚みを有し、ガリウム砒素（GaAs）の層が約３ナノメートルの厚みを有する請求項３７に記載の発光素子。
【請求項３９】
前記キャリア反射器が、約300ミリ電子ボルト（meV）を越える障壁高さをもたらす請求項３４に記載の発光素子。