【手続補正書】
【提出日】平成18年12月6日(2006.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１パネルと第２パネルとが真空層を挟んで対向配置され、画素が配列されて成る有効領域を有する平面型表示装置であって、
第１パネル及び第２パネルの少なくとも一方の有効領域に、真空層の真空度を維持するためのゲッターが設けられていることを特徴とする平面型表示装置。
【請求項２】
第１パネルは、有効領域に冷陰極電界電子放出素子を備え、
第２パネルは、有効領域にアノード電極と蛍光体層とを備え、
冷陰極電界電子放出素子は、
（Ａ）支持体上に設けられた絶縁層、
（Ｂ）絶縁層上に設けられたゲート電極、
（Ｃ）ゲート電極を貫通し、且つ、絶縁層に設けられた開口部、並びに、
（Ｄ）開口部内に設けられた電子放出部、
から成り、
前記ゲッターは、ゲート電極上及び／又は隣り合うゲート電極の間の絶縁層上に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項３】
第１パネルは、有効領域に冷陰極電界電子放出素子を備え、
第２パネルは、有効領域にアノード電極と蛍光体層とを備え、
冷陰極電界電子放出素子は、
（Ａ）支持体上に設けられた絶縁層、
（Ｂ）絶縁層上に設けられたゲート電極、
（Ｃ）ゲート電極及び絶縁層上に設けられた第２絶縁層、
（Ｄ）第２絶縁層上に設けられた収束電極、
（Ｅ）収束電極と第２絶縁層とゲート電極とを貫通し、且つ絶縁層に設けられた開口部、
（Ｆ）開口部内に設けられた電子放出部、
から成り、
前記ゲッターは、収束電極上及び／又は隣り合う収束電極の間の第２絶縁層上に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項４】
第１パネルは、有効領域に冷陰極電界電子放出素子を備え、
第２パネルは、有効領域にアノード電極と蛍光体層とを備え、
冷陰極電界電子放出素子は、
（Ａ）支持体上に設けられた絶縁層、
（Ｂ）絶縁層上に設けられ、少なくとも一部分がガス捕捉材料から成るゲート電極、
（Ｃ）ゲート電極を貫通し、且つ、絶縁層に設けられた開口部、並びに、
（Ｄ）開口部内に設けられた電子放出部、
から成り、
該ゲート電極は、前記ゲッターとして機能することを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項５】
第１パネルは、有効領域に冷陰極電界電子放出素子を備え、
第２パネルは、有効領域にアノード電極と蛍光体層とを備え、
冷陰極電界電子放出素子は、
（Ａ）支持体上に設けられた絶縁層、
（Ｂ）絶縁層上に設けられたゲート電極、
（Ｃ）ゲート電極及び絶縁層上に設けられた第２絶縁層、
（Ｄ）第２絶縁層上に設けられ、少なくとも一部分がガス捕捉材料から成る収束電極、
（Ｅ）収束電極と第２絶縁層とゲート電極とを貫通し、且つ絶縁層に設けられた開口部、
（Ｆ）開口部内に設けられた電子放出部、
から成り、
該収束電極は、前記ゲッターとして機能することを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項６】
第１パネルは、有効領域に冷陰極電界電子放出素子を備え、
第２パネルは、有効領域にアノード電極と蛍光体層とを備え、
冷陰極電界電子放出素子は、
（Ａ）支持体上に配設された、絶縁材料から成るスペーサ、
（Ｂ）複数の開口部が形成され、少なくとも一部分がガス捕捉材料から成るガス捕捉材料層から構成されたゲート電極、並びに、
（Ｃ）支持体上に形成された電子放出部、
から成り、
スペーサの頂面に接するように、且つ、電子放出部の上方に開口部が位置するようにガス捕捉材料層が張架されていることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項７】
画素が配列されて成る有効領域を有する第１パネルと第２パネルとが真空層を挟んで対向配置され、第１パネルと第２パネルとが周縁部において接合された平面型表示装置の製造方法であって、
第１パネル及び第２パネルの少なくとも一方の有効領域にゲッターを形成する工程を含むことを特徴とする平面型表示装置の製造方法。
【請求項８】
第１パネルは、有効領域に冷陰極電界電子放出素子を備え、
第２パネルは、有効領域にアノード電極と蛍光体層とを備え、
第１パネルを、
（ａ）支持体上に絶縁層を形成する工程と、
（ｂ）絶縁層上にゲート電極形成用の導電材料層を形成する工程と、
（ｃ）導電材料層上にゲッター形成層を形成する工程と、
（ｄ）ゲッター形成層と導電材料層とをパターニングすることにより、ゲッターが上面に設けられたゲート電極を形成する工程と、
（ｅ）少なくとも絶縁層に開口部を形成する工程と、
（ｆ）開口部内に、電子放出部を形成し、若しくは露出させる工程、
とを経て形成することを特徴とする請求項７に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項９】
第１パネルは、有効領域に冷陰極電界電子放出素子を備え、
第２パネルは、有効領域にアノード電極と蛍光体層とを備え、
第１パネルを、
（ａ）支持体上に絶縁層を形成する工程と、
（ｂ）絶縁層上にゲート電極を形成する工程と、
（ｃ）絶縁層及びゲート電極上に第２絶縁層を形成する工程と、
（ｄ）第２絶縁層上に収束電極形成用の導電材料層を形成する工程と、
（ｅ）導電材料層上にゲッター形成層を形成する工程と、
（ｆ）ゲッター形成層と導電材料層とをパターニングすることにより、ゲッターが上面に設けられた収束電極を形成する工程と、
（ｇ）少なくとも第２絶縁層と絶縁層とに開口部を形成する工程と、
（ｈ）開口部内に、電子放出部を形成し、若しくは露出させる工程、
とを経て形成することを特徴とする請求項７に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項１０】
第１パネルは、有効領域に冷陰極電界電子放出素子を備え、
第２パネルは、有効領域にアノード電極と蛍光体層とを備え、
第１パネルを、
（ａ）支持体上に絶縁層を形成する工程と、
（ｂ）絶縁層上にゲート電極を形成する工程と、
（ｃ）ゲート電極上及び／又は隣り合うゲート電極の間の絶縁層上にゲッターを形成する工程と、
（ｄ）少なくとも絶縁層に開口部を形成する工程と、
（ｅ）開口部内に、電子放出部を形成し、若しくは露出させる工程、
とを経て形成することを特徴とする請求項７に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項１１】
第１パネルは、有効領域に冷陰極電界電子放出素子を備え、
第２パネルは、有効領域にアノード電極と蛍光体層とを備え、
第１パネルを、
（ａ）支持体上に絶縁層を形成する工程と、
（ｂ）絶縁層上にゲート電極を形成する工程と、
（ｃ）絶縁層及びゲート電極上に第２絶縁層を形成する工程と、
（ｄ）第２絶縁層上に収束電極を形成する工程と、
（ｅ）収束電極上及び／又は隣り合う収束電極の間の第２絶縁層上にゲッターを形成する工程と、
（ｆ）少なくとも第２絶縁層と絶縁層とに開口部を形成する工程と、
（ｇ）開口部内に、電子放出部を形成し、若しくは露出させる工程、
とを経て形成することを特徴とする請求項７に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項１２】
第１パネルは、有効領域に冷陰極電界電子放出素子を備え、
第２パネルは、有効領域にアノード電極と蛍光体層とを備え、
第１パネルを、
（ａ）支持体上に絶縁層を形成する工程と、
（ｂ）絶縁層上に、少なくとも一部分がガス捕捉材料から成り、ゲッターとして機能するゲート電極を形成する工程と、
（ｃ）少なくとも絶縁層に開口部を形成する工程と、
（ｄ）開口部内に、電子放出部を形成し、若しくは露出させる工程、
とを経て形成することを特徴とする請求項７に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項１３】
第１パネルは、有効領域に冷陰極電界電子放出素子を備え、
第２パネルは、有効領域にアノード電極と蛍光体層とを備え、
第１パネルを、
（ａ）支持体上に絶縁層を形成する工程と、
（ｂ）絶縁層上にゲート電極を形成する工程と、
（ｃ）絶縁層及びゲート電極上に第２絶縁層を形成する工程と、
（ｄ）第２絶縁層上に、少なくとも一部分がガス捕捉材料から成り、ゲッターとして機能する収束電極を形成する工程と、
（ｅ）少なくとも第２絶縁層と絶縁層とに開口部を形成する工程と、
（ｆ）開口部内に、電子放出部を形成し、若しくは露出させる工程、
とを経て形成することを特徴とする請求項７に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項１４】
第１パネルは、有効領域に冷陰極電界電子放出素子を備え、
第２パネルは、有効領域にアノード電極と蛍光体層とを備え、
第１パネルを、
（ａ）支持体上に絶縁材料から成るスペーサを配設し、支持体上に電子放出部を形成する工程と、
（ｂ）複数の開口部が形成され、少なくとも一部分がガス捕捉材料から成るガス捕捉材料層から構成されたゲート電極を、スペーサの頂面に接するように、且つ、電子放出部の上方に開口部が位置するように張架する工程、
とを経て形成することを特徴とする請求項７に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項１５】
基体上に形成され、表面に凹凸を有し、若しくは多孔質体から成る支持部材と、支持部材の表面に沿って支持部材上に形成されたガス捕捉層とから構成されていることを特徴とするゲッター。
【請求項１６】
表面に凹凸を有する支持部材は、略半球状のシリコン粒子から成ることを特徴とする請求項１５に記載のゲッター。
【請求項１７】
多孔質体から成る支持部材は、酸化シリコン、窒化シリコン及び酸窒化シリコンから成る群から選択された少なくとも１種類の材料から成ることを特徴とする請求項１５に記載のゲッター。