【手続補正書】
【提出日】平成20年5月26日(2008.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プラズマを用いて基板を処理するためのプラズマ処理装置であって、
第１のＲＦ周波数を有する第１のＲＦ電源と、
プロセスチャンバと、
前記第１のＲＦ電源に動作可能に結合され、基板が前記処理のために前記プロセスチャンバ内に配置されるときに、前記基板によって定義される面の上方に配置される実質的に円形のアンテナであって、前記第１のＲＦ電源によって生成された第１のＲＦエネルギを用いて、前記プロセスチャンバ内に電場を誘起するように構成され、第１の面における第１の対の同心状の輪および第２の面における第２の同心状の輪を少なくとも含み、前記第１の対の同心状の輪および前記第２の対の同心状の輪が、互いに実質的に同一でありかつ対称に配置されていると共に、前記プロセスチャンバ内に方位的に対称なプラズマを形成する前記アンテナと、
該アンテナおよび前記プロセスチャンバ間に配置された結合窓であって、前記アンテナから前記プロセスチャンバ内部への前記第１のＲＦエネルギの通過を許容するように構成され、第１の層および第２の層を有し、前記第２の層が、前記実質的に円形のアンテナおよび前記プラズマ間に形成される容量結合を実質的に抑制するように構成されている結合窓と、
を備え、
前記実質的に円形のアンテナおよび前記結合窓は、前記基板表面にわたって実質的に均一なプロセス速度を生成するように協働するプラズマ処理装置。
【請求項２】  請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第１の対の同心状の輪は、前記第２の対の同心状の輪と近接しているプラズマ処理装置。
【請求項３】  請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第１の対の同心状の輪は、前記第２の対の同心状の輪の上に積層されているプラズマ処理装置。
【請求項４】  請求項３に記載のプラズマ処理装置において、
前記第２の対の同心状の輪は、前記第１の対の同心状の輪によって生成された端子電圧をシールドするプラズマ処理装置。
【請求項５】  請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第１の対の同心状の輪は、第１の巻き線および第４の巻き線を有し、前記第２の対の同心状の輪は、第２の巻き線および第３の巻き線を有し、前記第４の巻き線は、前記第１の巻き線よりも大きな直径を有し、そして、前記前記第３の巻き線は、前記第２の巻き線よりも大きな直径を有し、前記第１の巻き線は、前記第２の巻き線と実質的に同一であり、前記第３の巻き線は、前記第４の巻き線と実質的に同一であり、前記第１の巻き線は、前記第２の巻き線の上に配置され、前記第４の巻き線は、前記第３の巻き線の上に配置され、前記第１の巻き線は、前記第２の巻き線に動作可能に接続され、前記第２の巻き線は、前記第３の巻き線に動作可能に接続され、前記第３の巻き線は、前記第４の巻き線に動作可能に接続され、各巻き線は配列されているため、前記各巻き線内の電流の流れは同一の方向であるプラズマ処理装置。
【請求項６】  請求項５に記載のプラズマ処理装置において、
前記第１の巻き線は、前記第４の巻き線に近接し、前記第２の巻き線は、前記第３の巻き線に近接し、前記第１の巻き線の前記第４の巻き線に対する前記近接と、前記第２の巻き線の前記第３の巻き線に対する前記近接とは、前記実質的に円形のアンテナにおける放射方向の変動を実質的に低減するプラズマ処理装置。
【請求項７】  請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記実質的に円形のアンテナは、前記基板が前記プロセスチャンバ内に配置されたときに、前記プロセスチャンバおよび前記基板の中心に対して対称に配置され、
前記実質的に円形のアンテナは、前記基板が前記プロセスチャンバ内に配置されたときに、前記基板の上方に配置されているプラズマ処理装置。
【請求項８】  請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記実質的に円形のアンテナは、前記結合窓に近接して配置されているプラズマ処理装置。
【請求項９】  請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記結合窓の前記第１および第２の層は一体的に固定されているプラズマ処理装置。
【請求項１０】  請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第２の層は、前記プロセスチャンバの内周面の一部を形成するプラズマ処理装置。
【請求項１１】  請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第１の層は、絶縁材料から形成されているプラズマ処理装置。
【請求項１２】  請求項１１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第１の層は、窒化ケイ素または窒化アルミニウムから本質的になるグループから選択された材料で形成されているプラズマ処理装置。
【請求項１３】  請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第２の層は、導電材料から形成されているプラズマ処理装置。
【請求項１４】  請求項１３に記載のプラズマ処理装置において、
前記第２の層は、約１００Ω・ｃｍから約１００００Ω・ｃｍまでの抵抗率を有するＳｉＣから形成されているプラズマ処理装置。
【請求項１５】  請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第２の層は、プロセス中に前記プロセスチャンバ内に存在する前記プラズマに対して実質的に抵抗となる材料から形成されているプラズマ処理装置。
【請求項１６】  請求項１５に記載のプラズマ処理装置において
前記第２の層は、ＳｉＣから形成されているプラズマ処理装置。
【請求項１７】  請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第２の層は、電気的に浮動するように構成されるプラズマ処理装置。
【請求項１８】  請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第１のＲＦ周波数は、約４ＭＨｚに設定されているプラズマ処理装置。
【請求項１９】  請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記プロセスチャンバは、実質的に円筒のプラズマプロセスチャンバであるプラズマ処理装置。
【請求項２０】  プロセスチャンバ内の基板を処理するための実質的に円形のアンテナの配置であって、第１のＲＦ電源に動作可能に結合されると共に、前記基板が前記処理のために前記プロセスチャンバ内に配置されるときに、前記基板によって定義される面の上方に配置される前記アンテナの配置において、
第１の面における第１の対の同心状の輪と、
第２の面における第２の対の同心状の輪と、
を備え、
前記第２の対の同心状の輪は、前記第１の対の同心状の輪に対して動作可能に結合され、前記第２の対の同心状の輪は、前記第２の対の同心状の輪と実質的に同一でありかつ対称に配置され、前記第２の対の同心状の輪は、前記第１の対の同心状の輪と近接しており、前記第１の対の同心状の輪は、前記第２の対の同心状の輪の上に配置されていると共に、
前記実質的に円形のアンテナの配置は、前記第１のＲＦ電源によって生成される第１のＲＦエネルギを用いて、前記プロセスチャンバ内に方位的に対称な電場を形成し、前記方位的に対称な電場は、実質的に方位的に対称なプラズマを形成し、該プラズマは、前記基板の表面にわたって実質的に均一なプロセス速度を生成するアンテナの配置。
【請求項２１】  請求項２０に記載のアンテナの配置において、
前記第１のＲＦ電源は、約４ＭＨｚの周波数に設定されているアンテナの配置。
【請求項２２】  プロセスチャンバ内のプラズマを用いて基板を処理するための結合窓の配置であって、前記結合窓はアンテナおよび前記プロセスチャンバ間に配置され、前記アンテナはＲＦエネルギを生成するように構成され、前記生成は前記アンテナおよび前記プラズマ間に容量結合を形成する前記結合窓の配置において、
絶縁材料から形成される第１の層と、
前記第１の層に接続された第２の層であって、プロセス中において前記プロセスチャンバ内に存在する前記プラズマに対して実質的に抵抗となる導電材料から形成され、前記プロセスチャンバの内周面の一部を形成する前記第２の層と、
を備え、
前記第１の層および第２の層は、前記アンテナから前記プロセスチャンバ内部への前記第１のＲＦエネルギの通過を許容するように構成されていることとを備える結合窓の配置。
【請求項２３】  請求項２２に記載の結合窓の配置において、
前記第２の層は、前記生成中に前記アンテナおよび前記プラズマ間に形成される前記容量結合を実質的に抑制するように構成されている結合窓の配置。
【請求項２４】  請求項２３に記載の結合窓の配置において、
前記第２の層は、導電材料から形成されている結合窓の配置。
【請求項２５】  請求項２４に記載の結合窓の配置において、
前記第２の層は、約１００Ω・ｃｍから約１０，０００Ω・ｃｍまでの抵抗率を有するＳｉＣから形成されている結合窓の配置。
【請求項２６】  請求項２４に記載の結合窓の配置において、
前記第２の層は、絶縁材料から形成されている結合窓の配置。
【請求項２７】  請求項２６に記載の結合窓の配置において、
前記第２の層は、１０6Ω・ｃｍよりも大きい抵抗率を有するＳｉＣから形成されている結合窓の配置。
【請求項２８】  請求項２２に記載の結合窓の配置において、
前記第１の層は、窒化ケイ素または窒化アルミニウムから本質的になるグループから選択された材料で形成されている結合窓の配置。
【請求項２９】  請求項２２に記載の結合窓の配置において、
前記第２の層はＳｉＣから形成されている結合窓の配置。
【請求項３０】  請求項２２に記載の結合窓の配置において、
前記第２の層は、電気的に浮動するように構成される結合窓の配置。
【請求項３１】
プロセスチャンバ内で電場を生成するためのアンテナの配置であって、
アンテナ軸の周りに配置された第１の輪と、
前記第１の輪に結合された第２の輪と、
を備え、
前記第２の輪は、前記第１の輪と形状と実質的に同一の形状を有し、前記第２の輪は、前記第１および第２の輪が前記アンテナ軸に関して対称的に配置されるように、前記第１の輪の下方かつ前記アンテナ軸の周りに配置されており、前記第１および第２の輪の各々は、前記アンテナ軸の周りで同一の方向に電流を流すよう配置されている、
アンテナの配置。
【請求項３２】
請求項３１に記載のアンテナの配置であって、前記第１および第２の輪は、複数の同心状の巻き線を備える、アンテナの配置。
【請求項３３】
請求項３２に記載のアンテナの配置であって、前記第１の輪は、少なくとも第１の巻き線と第４の巻き線とを有し、前記第２の輪は、少なくとも第２の巻き線と第３の巻き線とを有し、前記第１および第２の巻き線は、実質的に同一の第１の形状を有し、前記第３および第４の巻き線は、実質的に同一の第２の形状を有し、前記第１の巻き線は、前記第２の巻き線の上に配置され、前記第４の巻き線は、前記第３の巻き線の上に配置され、前記第１および第２の輪は、前記第１の巻き線から前記第２の巻き線に、前記第２の巻き線から前記第３の巻き線に、および、前記第３の巻き線から前記第４の巻き線に、電流が流れるように配置されている、アンテナの配置。
【請求項３４】
請求項３３に記載のアンテナの配置であって、前記第３および第４の巻き線は、前記第１および第２の巻き線よりも前記アンテナ軸から離れて配置されている、アンテナの配置。
【請求項３５】
請求項３４に記載のアンテナの配置であって、前記第３および第４の巻き線は、前記第１および第２の巻き線に近接して配置されている、アンテナの配置。
【請求項３６】
請求項３２ないし請求項３５のいずれかに記載のアンテナの配置であって、アークを排除するために、前記複数の巻き線の各々の間に、絶縁体が配置されている、アンテナの配置。
【請求項３７】
請求項３１に記載のアンテナの配置であって、前記第１および第２の輪を合わせた長さは、前記アンテナの配置を通して伝送されるエネルギの波長よりも短い、アンテナの配置。
【請求項３８】
請求項３１に記載のアンテナの配置であって、前記第２の輪は、前記第１の輪の端子電圧を効果的にシールドする、アンテナの配置。
【請求項３９】
請求項３１に記載のアンテナの配置であって、前記第１および第２の輪は、第１のＲＦ電源によって生成される第１のＲＦエネルギを用いて、前記プロセスチャンバ内に方位的に対称な電場を形成するよう協働し、前記方位的に対称な電場は、実質的に方位的に対称なプラズマを形成し、該プラズマは、前記プロセスチャンバ内に配置された基板の表面にわたって実質的に均一なプロセス速度を生成する、アンテナの配置。
【請求項４０】
請求項３１に記載のアンテナの配置であって、前記第１の輪は第１の面に位置し、前記第２の輪は第２の面に位置する、アンテナの配置。
【請求項４１】
基板を処理するためのプラズマ処理装置であって、
前記処理のために内部でプラズマが点火および維持されるプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバ内にＲＦエネルギによって電場を生成するよう構成された多層アンテナであって、上側の輪と下側の輪を有し、前記上側の輪および前記下側の輪は、実質的に互いに同一であり、アンテナ軸に関して対称的に配置されている、多層アンテナと、
前記アンテナから前記プロセスチャンバへの前記ＲＦエネルギの通過を許容するように構成された多層窓であって、第１の層と第２の層とを有し、前記第２の層は、前記プラズマと前記アンテナとの間に生じうる容量結合を実質的に抑制するように構成されている、多層窓と、
を備える、プラズマ処理装置。