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【手続補正書】
【提出日】平成20年5月19日(2008.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下式（Ｉ）：
【化１】
2008506663.tif 000001
［式中、
Ｍは、元素周期表の３族、４族、５族、６族またはランタニド族もしくはアクチニド族に属する遷移金属であり；
ｐは０〜３の整数であり、金属Ｍの形式酸化状態から２を引いたものに等しく；
Ｘは、同じかまたは異なっていて、水素原子、ハロゲン原子、またはＲ、ＯＲ、ＯＳＯ2ＣＦ3、ＯＣＯＲ、ＳＲ、ＮＲ2またはＰＲ2の基（式中、Ｒは、直鎖または分岐鎖の環式または非環式のＣ1−Ｃ40アルキル、Ｃ2−Ｃ40アルケニル、Ｃ2−Ｃ40アルキニル、Ｃ6−Ｃ40−アリール、Ｃ7−Ｃ40−アルキルアリールまたはＣ7−Ｃ40−アリールアルキル基であり；元素周期表の１３−１７族に属するヘテロ原子を任意に含み）であり；または、２つのＸは、置換または未置換のブタジエニル基またはＯＲ’Ｏ基（式中、Ｒ’は、Ｃ1−
Ｃ40アルキリデン、Ｃ6−Ｃ40アリーリデン、Ｃ7−Ｃ40アルキルアリーリデンおよびＣ7−Ｃ40アリールアルキリデン基から選択される二価の基である）を任意に形成でき；
Ｌは、元素周期表の１３−１７族に属するヘテロ原子を任意に含む二価Ｃ1−Ｃ40炭化水素基であるかまたは５個以下のケイ素原子を含む二価シリリデン基であり；
Ｒ1は、元素周期表の１３−１７族に属するヘテロ原子を任意に含むＣ1−Ｃ40炭化水素基であり；
Ｔ1は、互いに同じかまたは異なり、下式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）；
【化２】
2008506663.tif 000002
（式中、記号＊は、式（Ｉ）の化合物において同じ記号でマークされている原子を結合し；Ｒ2およびＲ3は、互いに同じかまたは異なり、元素周期表の１３−１７族に属するヘテロ原子を任意に含むＣ1−Ｃ40炭化水素基であるか、または、Ｒ2およびＲ3は、一緒になって、元素周期表の１３−１６族に属するヘテロ原子を任意に含む縮合した飽和もしくは不飽和のＣ3−Ｃ7−員環を一緒に形成でき；該環を形成するすべての原子は、Ｒ8基で置換され；それは、該環を形成している各原子の原子価がＲ8基で満たされ、そしてその場合、Ｒ8は、互いに同じかまたは異なり、水素原子またはＣ1−Ｃ40炭化水素基であることを意味しており；Ｒ4は、元素周期表の１３−１７族に属するヘテロ原子を任意に含むＣ1−Ｃ40炭化水素基である）で表される基であり；
Ｔ2およびＴ3は、互いに同じかまたは異なり、下式（ＩＩＩａ）または（ＩＩＩｂ）;：
【化３】
2008506663.tif 000003
（式中、記号＊は、式（Ｉ）の化合物において同じ記号でマークされている原子を結合し；Ｒ6およびＲ7は、互いに同じかまたは異なり、水素、または、元素周期表の１３−１７族に属するヘテロ原子を任意に含むＣ1−Ｃ40炭化水素基であり；Ｒ5は、水素原子であるか、または、元素周期表の１３−１７族に属するヘテロ原子を任意に含むＣ1−Ｃ40炭化水素基である）で表される基であり；
その場合、Ｔ1が式（ＩＩａ）で表される基である場合、Ｔ2とＴ3の少なくとも１つは式（ＩＩＩｂ）で表される基であり、また、Ｔ1が式（ＩＩｂ）で表される基である場合、Ｔ2とＴ3の少なくとも１つは式（ＩＩＩａ）で表される基であるという条件が付く］で表されるメタロセン化合物。
【請求項２】
下式（ＩＶａ），（ｌＶｂ），（ＩＶｃ），または  （ＩＶｄ）：
【化４】
2008506663.tif 000004
（式中、Ｍ、Ｘ、ｐ、Ｌ、Ｒ1、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は、請求項１に記載の意味であり；Ｒ9およびＲ10は、互いに同じかまたは異なり、直鎖または分岐鎖の環式または非環式のＣ1−Ｃ40−アルキル基であり；Ｒ8は、水素原子であるか、または、直鎖または分岐鎖の飽和または不飽和のＣ1−Ｃ20−アルキル基である）を有する請求項１に記載のメタロセン化合物。
【請求項３】
下式（Ｖ）
【化５】
2008506663.tif 000005
（式中、Ｒ1，Ｔ1，Ｔ2，Ｔ3およびＬは請求項１〜５に記載の意味を有する）で表される配位子および／またはその二重結合異性体。
【請求項４】
ａ）請求項１〜３に記載のメタロセン化合物；および
ｂ）少なくとも１種のアルモキサン、またはアルキルメタロセンカチオンを形成できる化合物を接触させることによって得ることができる触媒系の存在下で１−ブテンおよび任意にエチレン、プロピレンまたはα−オレフィンを重合させる工程を含む、エチレン、プロピレンまたは式ＣＨ2＝ＣＨＺ（式中、ＺはＣ3−Ｃ10アルキル基である）で表される該α−オレフィンから選択される少なくとも１種のモノマーから誘導される単位を３０ｍｏｌ％以下任意に含む１−ブテンポリマーを調製する方法。
【請求項５】
以下の特性：すなわち、
−  曲げ弾性率（ＦＭ）（ＩＳＯ  ５２７−１）５０〜２００ＭＰａ；
−  融点（Ｔｍ）４０℃〜８０℃；
−  曲げ弾性率（ＦＭ）（Ｍｐａ）および融点（Ｔｍ）（℃）は、以下の関係を満たす：すなわちＦＭ＜０．００６Ｔｍ2.44；
−  １３５℃でテトラヒドロナフタレン（ＴＨＮ）中で測定した場合の固有粘度（Ｉ．Ｖ．）０．５ｄｌ／ｇ超；および
−  アイソタクチックペンタッド（ｍｍｍｍ）４０％〜８０％
を有する１−ブテンホモポリマー。
【請求項６】
Ａ）１〜９０重量％の１−ブテンホモポリマー、または、エチレン、プロピレンもしくは式ＣＨ2＝ＣＨＺ（式中、ＺはＣ3−Ｃ10アルキル基である）で表されるα−オレフィンの誘導単位を３０モル％以下含む１−ブテンコポリマー、前記ポリマーは、以下の特性：すなわち、
−  曲げ弾性率（ＦＭ）（ＩＳＯ  ５２７−１）５０〜２００ＭＰａ；
−  融点（Ｔｍ）４０℃〜８０℃；
−  曲げ弾性率（ＦＭ）（Ｍｐａ）および融点（Ｔｍ）（℃）は、以下の関係を満たす：すなわちＦＭ＜０．００６Ｔｍ2.44；
−  １３５℃でテトラヒドロナフタレン（ＴＨＮ）中で測定した場合の固有粘度（Ｉ．Ｖ．）０．５ｄｌ／ｇ超を有する；
Ｂ）１０〜９０重量％の１−ブテンホモポリマー、または、エチレン、プロピレンもしくは式ＣＨ2＝ＣＨＺ（式中、ＺはＣ3−Ｃ10アルキル基である）で表されるα−オレフィンの誘導単位を３０モル％以下含む１−ブテンコポリマー、前記ポリマーは、以下の特性：すなわち、
−  融点（Ｔｍ）９０℃超；および
−  アイソタクチックペンタッド（ｍｍｍｍ）９０％超
を有する；
を含む１−ブテンポリマー組成物。
【請求項７】
ａ）式（Ｉ）のメタロセン化合物；
ｂ）少なくとも１種のアルモキサン、またはアルキルメタロセンカチオンを形成できる化合物；および
ｃ）任意に有機アルミニウム化合物
を接触させることによって得ることができる生成物を含む触媒系。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月24日(2008.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルツハイマー病を治療しまたは予防するためのキットで；
-血漿中のアミロイドβ（Ａβ）の隔離を誘導する薬物、および
-血液流または血漿流と接触させることができ、アミロイドβ-前駆体タンパク（ＡＰＰ）と結合する受容体を有する固体の担体を含むアフェレーシス器具、を含むキット。
【請求項２】
ＡＰＰ結合受容体が、抗ＡＰＰ抗体、Ａβ結合受容体、特に抗Ａβ４０抗体若しくは抗Ａβ４２抗体、ＡＰＰ結合タンパク、特にゲルソリン、アポＪ若しくはアポＥ、ＡＰＰ結合ペプチド、ＡＰＰ結合グリコリピド、好ましくはガングリオシド、特にＧＭ１、またはＡＰＰ結合核酸、特にアプタマー、およびこれら受容体の混合物から選択されることを特徴とする、請求項１のキット。
【請求項３】
該担体が発熱物質を含まず無菌のカラムであることを特徴とする、請求項１または２のキット。
【請求項４】
血漿中のアミロイドβ（Ａβ）の隔離を誘導する該薬物が、Ａβに高い親和性を有する薬物、特にゲルソリンまたはＧＭ１、Ａβ特異的抗体、ペプチド若しくは核酸、またはＡβ特異的な能動的若しくは受動的ワクチンから選択されることを特徴とする、請求項１から３のいずれかのキット。
【請求項５】
該Ａβ特異的な能動的ワクチンがＡβ誘導体またはＡβミモトープである、請求項１から４のいずれかのキット。
【請求項６】
該Ａβ誘導体が、その一部若しくは全部がＤ−アミノ酸および／または非天然アミノ酸で構成されるペプチドから選択される、請求項５のキット。
【請求項７】
該Ａβミモトープが下式ペプチド
【化１】
2008506665.tif 000001
〔式中、Ｘ１はＣ以外のアミノ酸、
Ｘ２はＣ以外のアミノ酸、
Ｘ３はＣ以外のアミノ酸、
Ｘ４はＣ以外のアミノ酸、
Ｘ５はＣ以外のアミノ酸、
Ｘ６はＣ以外のアミノ酸であって、Ｘ１Ｘ２Ｘ３Ｘ４Ｘ５Ｘ６はＤＡＥＦＲＨではなく、該ペプチドは天然のＮ−末端Ａβ４２配列ＤＡＥＦＲＨに特異的な抗体に結合する能力を有し、またその５量体が天然のＮ末端Ａβ４２配列ＤＡＥＦＲＨに特異的な抗体に結合する能力を有する。〕
を含み、または、により構成されることを特徴とする、請求項５のキット。
【請求項８】
その式Ｘ１Ｘ２Ｘ３Ｘ４Ｘ５Ｘ６において、
Ｘ１はＧ、ヒドロキシル基を有するアミノ酸または負に荷電したアミノ酸であって、好ましくはＥ、Ｙ、Ｓ若しくはＤであり；
Ｘ２は疎水性アミノ酸または正に荷電したアミノ酸であって、好ましくはＩ、Ｌ、Ｖ、Ｋ、Ｗ、Ｒ、Ｙ、Ｆ若しくはＡであり；
Ｘ３は負に荷電したアミノ酸であって、好ましくはＤ若しくはＥであり；
Ｘ４は芳香族アミノ酸またはＬであって、好ましくはＹ、Ｆ若しくはＬであり；
Ｘ５はＨ、Ｋ、Ｙ、ＦまたはＲであって、好ましくはＨ、Ｆ若しくはＲであり；
Ｘ６はＳ、Ｔ、Ｎ、Ｑ、Ｄ、Ｅ、Ｒ、Ｉ、Ｋ、ＹまたはＧであって、好ましくはＴ、Ｎ、Ｄ、Ｒ、Ｉ若しくはＧであり；
特に同ペプチドが、ＥＩＤＹＨＲ、ＥＬＤＹＨＲ、ＥＶＤＹＨＲ、ＤＩＤＹＨＲ、ＤＬＤＹＨＲ、ＤＶＤＹＨＲ、ＤＩＤＹＲＲ、ＤＬＤＹＲＲ、ＤＶＤＹＲＲ、ＤＫＥＬＲＩ、ＤＷＥＬＲＩ、ＹＲＥＦＦＩ、ＹＲＥＦＲＩ、ＹＡＥＦＲＧ、ＥＡＥＦＲＧ、ＤＹＥＦＲＧ、ＥＬＥＦＲＧ、ＤＲＥＬＲＩ、ＤＫＥＬＫＩ、ＤＲＥＬＫＩ、ＧＲＥＦＲＮ、ＥＹＥＦＲＧ、ＤＷＥＦＲＤＡ、ＳＷＥＦＲＴ、ＤＫＥＬＲ、ＤＡＥＦＲＷＰ、ＤＮＥＦＲＳＰ、ＳＡＥＦＲＴＱ、ＳＡＥＦＲＡＴ、ＳＷＥＦＲＮＰ、ＳＷＥＦＲＬＹ、ＳＷＥＬＲＱＡ、ＳＶＥＦＲＹＨ、ＳＹＥＦＲＨＨ、ＳＱＥＦＲＴＰ、ＳＳＥＦＲＶＳ、ＤＷＥＦＲＤ、ＤＡＥＬＲＹ、ＤＷＥＬＲＱ、ＳＬＥＦＲＦ、ＧＰＥＦＲＷ、ＧＫＥＦＲＴ、またはＳＦＥＦＲＧであることを特徴とする、請求項７のキット。
【請求項９】
ＡＤを予防し又は治療するための請求項１の併用療法で用いる薬物を製造するための、請求項７または８で定義された、Ａβミモトープの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月27日(2008.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】糖尿病の治療用の血糖値低下活性成分として使用するためのホスホチロシン・ホスファターゼ１Ｂ(ＰＴＰ１Ｂ)阻害剤としてのジフェニルアミン置換サリチルチアゾール誘導体及び関連化合物
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月10日(2008.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス製品成形機械（１０）における首部リング（１６）に冷却空気を導くための装置であって、軸線を備えた少なくともひとつのプランジャシリンダ（７６）を有する、少なくともひとつの静止したブランク成形ステーションを具備し、この装置が、
ブランク成形ステーションに選択的に整列される、少なくともひとつの首部リングアーム（１４）と、
首部リングアームによって支持されて、前記軸線と同軸的な前記ブランク成形ステーションにおける成形位置へと可動であるような、少なくともひとつの首部リング（１６）とを具備し、前記装置が、
前記ブランク成形ステーションに静止して配置された少なくともひとつの空気プレナム（４８）であって、前記空気プレナムは、前記軸線に向かって横方向内方へ流れる冷却空気を受け入れる内部キャビティ（８６）を有し、前記軸線に隣接した少なくともひとつの出口開口部（９０）を有してなる、上記空気プレナム（４８）と、
前記空気プレナムの少なくとも一部分に重なるように静止して配置されたプランジャ摩耗板（９２）であって、前記空気プレナムから導かれた空気のための軸線方向に向けられた開口部（９８）の配列を有している、上記プランジャ摩耗板（９２）と、
前記首部リングアームに設けた複数の開口部（１１０）であって、前記首部リングアームが前記プランジャ摩耗板に重なったとき、前記首部リングアームと前記プランジャ摩耗板との間の隙間を横切って、前記プランジャ摩耗板に設けた前記開口部から空気を受け入れるような、上記複数の開口部（１１０）と、
前記首部リングアームの開口部から空気を受け入れるための、前記首部リングに設けた複数の空気通路（１１５，１１６）と、
を備えていることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記ブランク成形ステーションは、中空の区画箱（２０）に取り付けられ、区画箱の内部は冷却空気で加圧されており、前記区画箱の内部から前記プレナム内部キャビティに連通してなる空気通路をさらに具備していることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記空気通路は、前記首部リングアームが前記プランジャ摩耗板に重なったとき、前記プレナムへ冷却空気を供給すべく選択的に動作可能な制御弁（２４）を具備していることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記空気通路は、前記制御弁が開かれたとき、オペレータが前記プレナムへの空気流を調節するための、ダンパー弁（３０）を具備していることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記ダンパー弁は、前記区画箱に調節可能に密封式に取り付けられた、円筒形のハウジング（３６）に取り囲まれていることを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記ハウジング（３６）は、区画箱に対して軸線方向に可動に受け入れられていることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記ダンパー弁（３０）は、ダンパー弁を通る空気流量の複数に対応した、複数の位置にダンパー弁を解放可能に維持するための止め具機構（５４，５５，５６）を具備していることを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項８】
ダンパー弁（３０）を支持するブラケット（４６）を備え、その片端は、ダンパー弁から流出する空気を受けるべくダンパー弁に連通し、その他端は、空気プレナムを備えてダンパー弁から空気プレナムへと空気を導くように連通させるような通路（６４）を具備していることを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項９】
ブラケット（４６）における前記通路（６４）は、空気プレナムに向けて略半径方向内方へ向けられた部分と、空気プレナムの軸線方向に延びた部分とを具備していることを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記首部リングにおける前記空気通路（１１５，１１６）は、半径方向外方へ空気を導くように構成された部分（１１６）を具備していることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記首部リングの前記空気通路における前記部分（１１６）は、前記首部リングの内部を軸線方向に延び、半径方向外方へのテーパが付けられていることを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
首部リング（１６）は、首部リングアーム（１４）に受け入れられる部分（１１４）と、首部リングアームから延出している部分とを具備し、前記空気通路は、少なくともその一部分が、首部リングにおける前記部分のそれぞれから形成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記区画箱（２０）から前記空気プレナム（４８）への冷却空気の流れを制御すべく適合してなるダンパー弁（３０）を具備していることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項１４】
前記ダンパー弁（３０）は、出口を具備しており、出口の流路面積を変化させるように調節可能になっていることを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
ダンパー弁（３０）は、空気プレナム（４８）によって支持されており、区画箱（２０）に対して軸線方向に調節可能になっていることを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
冷却空気の供給を提供する区画箱（２０）と、軸線を有するプランジャシリンダ（７６）とを具備してなる、ガラス製品成形機械（１０）における首部リング（１６）を冷却するための方法であって、この方法が、
前記軸線に向かう半径方向及び出口への軸線方向に延びた流路を形成する、内部キャビティ（８６）を有する空気プレナム（４８）を提供する段階と、
前記首部リングに隣接した空気通路（１１５，１１６）であって、前記空気通路は空気プレナムの出口に対して整列されているような、上記空気通路（１１５，１１６）を提供する段階と、
前記区画箱から前記空気通路へと冷却空気を導く段階であって、前記冷却空気を前記空気プレナムの内部において前記軸線へ向けて半径方向に流し、次に、首部リングを冷却すべく前記出口から前記空気通路へと軸線方向に流すような、上記冷却空気を導く段階と、  を備えていることを特徴とする方法。
【請求項１７】
首部リング（１６）は首部リングアーム（１４）によって支持され、前記空気通路（１１５，１１６）は、少なくともその一部分が前記首部リングアームによって形成され、前記冷却空気を導く段階が、冷却空気を首部リングアームの少なくとも一部分に提供する段階を備えていることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
区画箱と空気プレナムとの間にダンパー弁（３０）を提供する段階であって、空気プレナムへの冷却空気の流量を制御すべく、前記ダンパー弁が調節可能な出口を具備している上記段階を備えていることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記空気プレナム（４８）は、前記区画箱（２０）に調節可能に支持されており、区画箱に対して空気プレナムの位置を調節する段階を具備していることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
空気プレナムと区画箱との間の流路にシールを提供し、空気プレナムのすべての位置において、区画箱と空気プレナムとの間の流路に、流体に対して密なシールを維持する段階を具備していることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月11日(2008.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つのＳｉ−アリーレン結合、および
少なくとも１つの（メタ）アクリレート部分を含み
Ｓｉ−Ｏ結合を含まない、
重合性カルボシラン含有モノマーと、
前記カルボシラン含有モノマーとは異なる重合性（メタ）アクリレート成分と
を含み、
前記カルボシラン含有モノマーが下記式Ｉ
【化１】
2008506698.tif 000001
（式中、
Ａｒはアリーレン基であり、
各Ａは独立して脂肪族、脂環式、芳香族基、またはそれらの組み合わせであり、
各Ｒは独立して脂肪族基、脂環式基、またはそれらの組み合わせであって、任意に１つ以上のＯ、Ｂｒ、Ｃｌ、またはＳｉ原子、またはそれらの組み合わせを含み、二環式基を含むことができ、
各Ｑは独立して単結合、もしくは脂肪族基、脂環式基、芳香族基、またはそれらの組み合わせであって、任意に１つ以上のＯ、Ｂｒ、Ｃｌ、またはＳｉ原子、またはそれらの組み合わせを含み、二環式基を含むことができ、
各Ｒ'は独立して水素またはメチルであり、
ｎは少なくとも２である）
を有する、歯科用組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月10日(2008.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：
【化１】
2008506697.tif 000001
（式中、
Ａは、それぞれ炭素原子数が１〜３０で、１つ以上の炭素および／又は水素原子が任意に１つ以上のＢｒ、Ｃｌ、Ｎ若しくはＯ原子又はこれらの組み合わせで置換されている、直鎖又は分岐鎖のアルキレン、シクロアルキレン、アリールアルキレン又はアリールシクロアルキレンを表し、
各Ｒは独立してアルキル、アリール又はエポキシアルキルを表し、
ｎは０〜４であり、そして
ａは２〜４である）
の構造を有するエポキシ官能性エーテルモノマー、および
開始剤系、
を含む歯科用組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月25日(2008.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ac-D-Tyr-D-Trp-Asn-Thr-Phe-AzaGly-Leu-Arg(Me)-Trp-NH2 （化合物番号550）またはその塩。
【請求項２】
Ac-D-Tyr-D-Trp-Asn-Thr-Phe-AzaGly-Leu-Arg(Me)-Trp-NH2 （化合物番号550）またはその塩を含有してなる医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月30日(2008.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、前記発光素子を覆う透光性の封止部とを備えた発光装置であって、
前記封止部は、前記発光素子の外面を覆う第１の封止層と、前記第１の封止層を覆う第２の封止層と、前記第２の封止層を覆う第３の封止層とを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記発光装置は、前記発光素子が実装された基板と、前記基板の上に配置された反射部材とをさらに含み、
前記反射部材は、前記発光素子の周囲を囲み、
前記第３の封止層は、前記反射部材を覆い、かつ前記基板と密着している請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第２の封止層は、ガラス転移温度が１００℃以上の透光性材料から形成されている請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１の封止層、前記第２の封止層及び前記第３の封止層から選ばれた少なくとも１つの封止層は、前記発光素子が放つ光によって励起されて発光する蛍光材料を含む請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１の封止層は、シリコーン材料から形成されている請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第２の封止層は、シリコーン材料又はエポキシ材料から形成されている請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第３の封止層は、エポキシ材料から形成されている請求項１に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第１の封止層を形成する封止材料の線膨張係数と、前記第２の封止層を形成する封止材料の線膨張係数とは、ほぼ等しい請求項１に記載の発光装置。
【請求項９】
前記第２の封止層を形成する封止材料の線膨張係数と、前記第３の封止層を形成する封止材料の線膨張係数とは、ほぼ等しい請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記第３の封止層の屈折率、前記第２の封止層の屈折率及び前記第１の封止層の屈折率は、前記第３の封止層から前記第１の封止層に向ってこの順番に順次低くなる請求項１に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記発光装置は、前記発光素子を複数含む請求項１に記載の発光装置。
【請求項１２】
基板と、前記基板の上に実装された複数の発光素子と、前記発光素子を覆う透光性の封止部と、前記発光素子の周囲を囲むように配置された反射部材とを備えた発光装置であって、
前記封止部は、前記発光素子の外面を覆う第１の封止層と、前記第１の封止層を覆う第２の封止層と、前記第２の封止層を覆う第３の封止層とを含み、
前記第３の封止層は、前記反射部材を覆い、かつ前記基板と密着していることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
前記第２の封止層は、ガラス転移温度が１００℃以上の透光性材料から形成されている請求項１２に記載の発光装置。
【請求項１４】
前記第１の封止層、前記第２の封止層及び前記第３の封止層から選ばれた少なくとも１つの封止層は、前記発光素子が放つ光によって励起されて発光する蛍光材料を含む請求項１２に記載の発光装置。
【請求項１５】
前記第１の封止層は、シリコーン材料から形成されている請求項１２に記載の発光装置。
【請求項１６】
前記第２の封止層は、シリコーン材料又はエポキシ材料から形成されている請求項１２に記載の発光装置。
【請求項１７】
前記第３の封止層は、エポキシ材料から形成されている請求項１２に記載の発光装置。
【請求項１８】
前記第１の封止層を形成する封止材料の線膨張係数と、前記第２の封止層を形成する封止材料の線膨張係数とは、ほぼ等しい請求項１２に記載の発光装置。
【請求項１９】
前記第２の封止層を形成する封止材料の線膨張係数と、前記第３の封止層を形成する封止材料の線膨張係数とは、ほぼ等しい請求項１２に記載の発光装置。
【請求項２０】
前記第３の封止層の屈折率、前記第２の封止層の屈折率及び前記第１の封止層の屈折率は、前記第３の封止層から前記第１の封止層に向ってこの順番に順次低くなる請求項１２に記載の発光装置。
【請求項２１】
前記第２の封止層と前記第３の封止層との境界面において、前記第２の封止層が凸レンズ状に形成されている請求項１〜２０のいずれかに記載の発光装置。
【請求項２２】
前記第２の封止層と前記第３の封止層との境界面において、前記第２の封止層が凹レンズ状に形成されている請求項１〜２０のいずれかに記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月1日(2008.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一連のイメージ・フレームを表示するシステムであって、
複数の一連のイメージ・フレームを受信するよう適合された第１の回路であって、前記複数の一連のイメージ・フレームのそれぞれは、更新レート（Ｕｒ）で受信され、且つ一連の更新同期化信号と関連付けられる、前記第１の回路と、
前記複数の一連のイメージのうちの各一連のイメージの表示をリフレッシュ・レート（Ｒｒ）で制御するよう適合された第２の回路であって、Ｒｒ＝Ｕｒ×［（Ｎ＋１）／Ｎ］であり、前記複数の一連のイメージのそれぞれが前記更新同期化信号から駆動される一連のリフレッシュ同期化信号と関連付けられる、前記第２の回路とを備え、
前記の表示することが、前記複数の一連のイメージを複数のディスプレイ上の５個の窓の中に表示することを備える、システム。
【請求項２】
Ｎ番目の更新同期化信号と（Ｎ＋１）番目のリフレッシュ同期化信号とが、実質的に同時に発生されるよう適合されている請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記一連の更新同期化信号を受信し、且つ前記リフレッシュ同期化信号を発生するよう適合されている請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記第２の回路が、各イメージ・フレームを、フレーム・バッファを備えるディスプレイに送り、且つ前記リフレッシュ同期化信号を前記ディスプレイに与えるよう適合されている請求項１記載のシステム。
【請求項５】
前記一連の更新同期化信号を受信するよう適合されている請求項１記載のシステム。
【請求項６】
前記第１の回路に結合され、各イメージ・フレームを表示する前に当該各イメージ・フレームを事前処理するイメージ・コンバータを更に備える請求項１記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月20日(2008.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレームをフィルタリングするシステム（１０）であって、
フレームの少なくとも一部分を処理して少なくとも１つの処理されたフレーム部分を与えるように命令を実行するよう適合された処理ユニット（４００）と、
前記処理ユニットに結合されたハードウエア・フィルタ（２００）であって、前記少なくとも１つの処理されたフレーム部分をデブロッキング・フィルタリングして、少なくとも１つのフィルタリングされたフレーム部分を与えるよう適合されたハードウエア・フィルタ（２００）と、
前記処理ユニットに結合されたメモリ・ユニット（４２０，４３０）であって、前記少なくとも１つのフィルタリングされたフレーム部分を格納するよう適合されたメモリ・ユニット（４２０，４３０）と、を備え、
前記処理ユニットが、前にフィルタリングされたフレーム部分に応答して前記少なくとも１つの部分を処理するよう適合されており、
前記ハードウエア・フィルタ（２００）が、フィルタリングされたフレームの発生を示すフィルタリングされたフレーム指示を発生するよう更に適合されており、
前記処理ユニット（４００）が、前記ハードウエア・フィルタ（２００）とは独立に動作する、システム（１０）。
【請求項２】
前記のフィルタリングされたフレーム部分が、少なくとも２つのブロック・シーケンスを備え、
各ブロック・シーケンスが、前記フレームの全体幅にわたり伸張している
請求項１記載のシステム（１０）。
【請求項３】
フレームをフィルタリングするシステム（１０）であって、
少なくとも１つの処理されたフレーム部分をデブロッキング・フィルタリングして、少なくとも１つのフィルタリングされたフレーム部分を与えるよう適合されているハードウエア・フィルタ（４００）と、
ループ・デブロッキング・フィルタリング又はポスト・デブロッキング・フィルタリングのいずれを実行すべきかを決定し、且つフレームの少なくとも一部分を処理して少なくとも１つの処理されたフレーム部分を与えるように命令を実行するよう適合されている処理ユニット（１００）を備え、
前記少なくとも１つのフィルタリングされたフレーム部分が、前記の決定に応答して利用される、システム（１０）。
【請求項４】
前記ハードウエア・フィルタが、前記処理ユニットが全フレームを処理した後で少なくとも１つのフレーム部分をデブロッキング・フィルタリングするよう適合されている請求項３記載のシステム（１０）。
【請求項５】
前記処理ユニット（１００）が、フレームが前記処理ユニットにより処理されたことを示す処理されたフレーム指示を発生するよう適合されている請求項３又は４記載のシステム（１０）。
【請求項６】
前記ハードウエア・フィルタ（４００）が、前記処理ユニットによるフレーム部分処理と並列にイメージ部分をデブロッキング・フィルタリングするよう適合されている請求項３から５のいずれか一項に記載のシステム（１０）。
【請求項７】
前記ハードウエア・フィルタが、フィルタリングされたフレームの発生を示すフィルタリングされたフレーム指示を発生するよう適合されている請求項３から６のいずれか一項に記載のシステム（１０）。
【請求項８】
前記処理ユニットが、フレームを処理するのを完了した後に低電力消費動作モードで動作するよう適合されている請求項１から７のいずれか一項に記載のシステム（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月12日(2008.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＵＳＢホストインタフェースと、ＵＳＢデバイスインタフェースと、ネットワークインタフェースと、を有し、入力した画像データに対して各種の処理を施す画像処理装置であって、
前記ＵＳＢホストインタフェースに接続された記憶媒体に対するアクセスを要求するファイルアクセスコマンドを、前記ネットワークインタフェースを介して入力する第１入力手段と、
前記画像処理装置の内部で発生した前記ファイルアクセスコマンドを入力する第２入力手段と、
前記第１入力手段で入力したファイルアクセスコマンドと、前記第２入力手段で入力したファイルアクセスコマンドとの間で排他制御するファイルアクセス制御手段と、
前記ファイルアクセス制御手段における排他制御の結果、選択されたファイルアクセスコマンドをＳＣＳＩコマンドに変換する変換手段と、
前記変換手段での変換によって生成されたＳＣＳＩコマンドと、前記ＵＳＢデバイスインタフェースを介して入力した前記記憶媒体に対するアクセスを要求するＳＣＳＩコマンドとの間で排他制御する記憶媒体アクセス制御手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記ファイルアクセス制御手段は、既にファイルがオープンになっている場合には、前記ファイルアクセスコマンドを受け付けないことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記第１入力手段又は前記第２入力手段で入力したファイルアクセスコマンドに関する情報を記録するアクセスファイルリストを記憶する記憶手段を更に備え、
前記ファイルアクセス制御手段は、
前記ファイルアクセスコマンドに応じてファイルオープンに成功した場合、前記アクセスファイルリストにファイルポインタおよびファイルアクセス属性を登録し、
すでにオープンされているファイルについて、ファイル書き込み中であることを示す前記ファイルアクセス属性が前記アクセスファイルリストに登録されておらず、かつ、新たに入力したファイルアクセスコマンドが読出しコマンドである場合に、前記ファイルアクセスコマンドを受け付けることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記記憶媒体アクセス制御手段は、前記記憶媒体にアクセスしようとする依頼元毎のアクセス状態により、記憶媒体に対するアクセスの許可及び不許可を判断することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
ＵＳＢホストインタフェースと、
ＵＳＢデバイスインタフェースと、
ネットワークインタフェースと、
前記ＵＳＢホストインタフェースに接続された記憶媒体に対するアクセスを要求するファイルアクセスコマンドを、前記ネットワークインタフェースを介して入力する第１入力手段と、
前記画像処理装置の内部で発生した前記ファイルアクセスコマンドを入力する第２入力手段と、
を備えた画像処理装置の制御方法であって、
前記第１入力手段で入力したファイルアクセスコマンドと、前記第２入力手段で入力したファイルアクセスコマンドとの間で排他制御するファイルアクセス制御工程と、
前記ファイルアクセス制御工程での排他制御の結果、選択されたファイルアクセスコマンドをＳＣＳＩコマンドに変換する変換工程と、
前記変換工程での変換によって生成されたＳＣＳＩコマンドと、前記ＵＳＢデバイスインタフェースを介して入力した前記記憶媒体に対するアクセスを要求するＳＣＳＩコマンドとの間で排他制御する記憶媒体アクセス制御工程と、
を含むことを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項６】
前記ファイルアクセス制御工程では、既にファイルがオープンになっている場合には、前記ファイルアクセスコマンドを受け付けないことを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項７】
前記画像処理装置は、前記第１入力手段又は前記第２入力手段で入力したファイルアクセスコマンドに関する情報を記録するアクセスファイルリストを記憶する記憶手段を更に備え、
前記ファイルアクセス制御工程では、
前記ファイルアクセスコマンドに応じてファイルオープンに成功した場合、前記アクセスファイルリストにファイルポインタおよびファイルアクセス属性を登録し、
すでにオープンされているファイルについて、ファイル書き込み中であることを示す前記ファイルアクセス属性が前記アクセスファイルリストに登録されておらず、かつ、新たに入力したファイルアクセスコマンドが読出しコマンドである場合に、前記ファイルアクセスコマンドを受け付けることを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項８】
前記記憶媒体アクセス制御工程では、前記記憶媒体にアクセスしようとする依頼元毎のアクセス状態により、記憶媒体に対するアクセスの許可及び不許可を判断することを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項９】
ＵＳＢホストインタフェースと、
ＵＳＢデバイスインタフェースと、
ネットワークインタフェースと、
前記ＵＳＢホストインタフェースに接続された記憶媒体に対するアクセスを要求するファイルアクセスコマンドを、前記ネットワークインタフェースを介して入力する第１入力手段と、
前記画像処理装置の内部で発生した前記ファイルアクセスコマンドを入力する第２入力手段と、
を備えた画像処理装置の制御プログラムであって、
コンピュータに、
前記第１入力手段で入力したファイルアクセスコマンドと、前記第２入力手段で入力したファイルアクセスコマンドとの間で排他制御するファイルアクセス制御工程と、
前記ファイルアクセス制御工程での排他制御の結果、選択されたファイルアクセスコマンドをＳＣＳＩコマンドに変換する変換工程と、
前記変換工程での変換によって生成されたＳＣＳＩコマンドと、前記ＵＳＢデバイスインタフェースを介して入力した前記記憶媒体に対するアクセスを要求するＳＣＳＩコマンドとの間で排他制御する記憶媒体アクセス制御工程と、
を実行することを特徴とする画像処理装置の制御プログラム。
【請求項１０】
前記ファイルアクセス制御工程では、既にファイルがオープンになっている場合には、前記ファイルアクセスコマンドを受け付けないことを特徴とする請求項９に記載の画像処理装置の制御プログラム。
【請求項１１】
前記画像処理装置は、前記第１入力手段又は前記第２入力手段で入力したファイルアクセスコマンドに関する情報を記録するアクセスファイルリストを記憶する記憶手段を更に備え、
前記ファイルアクセス制御工程では、
前記ファイルアクセスコマンドに応じてファイルオープンに成功した場合、前記アクセスファイルリストにファイルポインタおよびファイルアクセス属性を登録し、
すでにオープンされているファイルについて、ファイル書き込み中であることを示す前記ファイルアクセス属性が前記アクセスファイルリストに登録されておらず、かつ、新たに入力したファイルアクセスコマンドが読出しコマンドである場合に、前記ファイルアクセスコマンドを受け付けることを特徴とする請求項９に記載の画像処理装置の制御プログラム。
【請求項１２】
前記記憶媒体アクセス制御工程では、前記記憶媒体にアクセスしようとする依頼元毎のアクセス状態により、記憶媒体に対するアクセスの許可及び不許可を判断することを特徴とする請求項９に記載の画像処理装置の制御プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月4日(2008.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
新たなステーションをワイヤレスローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）に、該ＷＬＡＮの中央装置を介し提供されるアクセスポイントを介し関連付けることを可能にするワイヤレスローカルエリアネットワーク関連付け装置であって、
前記中央装置において前記ステーションからの信号を受信する受信手段と、
前記中央装置からの信号を前記ステーションに送信する送信手段と、
前記ステーションによって送信される関連付けリクエストによって開始される前記ステーションと前記中央装置との間の無線交換の下、前記ＷＬＡＮの一部として前記ステーションを記録する記録手段と、
前記ＷＬＡＮの識別子であるサービスセット識別子（ＷＬＡＮ ＳＳＩＤ）を管理する管理手段と、
前記記録手段は、時間ウィンドウのオープン中のみ初期的には起動可能である時間ウィンドウのオープンをトリガーするための時間ウィンドウ手段と、
から構成され、
前記管理手段は、前記時間ウィンドウ中の前記ステーションの記録のための一時的なサービスセット識別子である関連付けＳＳＩＤを自動的に起動することを特徴とする装置。
【請求項２】
請求項１記載の関連付け装置であって、
前記管理手段は、前記時間ウィンドウ中には前記関連付けＳＳＩＤを使用し、前記時間ウィンドウ外では前記ＷＬＡＮ
ＳＳＩＤを使用するため、前記ＷＬＡＮにおいて同時に１つのＳＳＩＤを起動することを特徴とする装置。
【請求項３】
請求項１記載の関連付け装置であって、
前記管理手段は、前記ＷＬＡＮにおいて同時に複数のＳＳＩＤを起動し、
前記関連付けＳＳＩＤと前記ＷＬＡＮ ＳＳＩＤは、前記時間ウィンドウ中に同時に起動される、
ことを特徴とする装置。
【請求項４】
請求項１乃至３何れか一項記載の関連付け装置であって、
前記時間ウィンドウの終わりに、前記管理手段は、前記ＷＬＡＮアクセス機能が次に再起動されるまで、前記関連付けＳＳＩＤへのアクセスをクローズすることを特徴とする装置。
【請求項５】
請求項１乃至４何れか一項記載の関連付け装置であって、
前記時間ウィンドウ中、前記受信手段は、当該関連付け装置以外のＭＡＣアドレスへのアクセスが許可されないようなものであることを特徴とする装置。
【請求項６】
請求項１記載の関連付け装置であって、
当該装置は、前記中央装置に少なくとも１つの中央秘密キーを自動的に提供するセキュア処理手段を有し、
前記中央秘密キーに対応する少なくとも１つのステーション秘密キーが、前記ステーションに利用可能であり、
前記セキュア処理手段は、前記無線交換が開始されるとき、前記ステーション秘密キーの少なくとも一部の前記ステーションへの送信をトリガーし、
前記記録手段はさらに、前記中央秘密キー及び前記ステーション秘密キーによりセキュア処理される、
ことを特徴とする装置。
【請求項７】
請求項１記載の関連付け装置であって、
前記時間ウィンドウ手段は、前記時間ウィンドウにおいて１つのステーションのみが前記ＷＬＡＮに関連付けされることを可能にすることを特徴とする装置。
【請求項８】
新たなステーションをワイヤレスローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）に、該ＷＬＡＮの中央装置を介し提供されるアクセスポイントを介し関連付けることを可能にするワイヤレスローカルエリアネットワーク関連付け方法であって、
前記中央装置と前記ステーションとの間で信号を交換するステップと、
前記ステーションによって送信される関連付けリクエストによって開始される前記ステーションと前記中央装置との間の無線交換の下、前記ＷＬＡＮの一部として前記ステーションを記録するステップと、
時間ウィンドウのオープン中のみ前記記録するステップが初期的には起動可能である時間ウィンドウをオープンするステップと、
から構成され、
当該関連付け方法は、前記時間ウィンドウ中の前記ステーションの記録のための一時的な関連付けサービスセット識別子である関連付けＳＳＩＤを自動的に起動するステップを有し、
当該関連付け方法は、好ましくは、請求項１乃至７何れか一項記載の関連付け装置により実行される、
ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月30日(2008.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
高バンドギャップエネルギーオフセット因子
本発明の実施形態のInGaAs/AlxGa1-xAs量子井戸構造300は、従来の量子井戸構造よりも高いバンドギャップエネルギーオフセット因子Qcを有する。バンドギャップエネルギーオフセット因子は、量子井戸層と障壁層の間のバンドギャップエネルギーのオフセットに対して、伝導帯と価電子帯の相対的な寄与を特徴付ける。バンドギャップエネルギーオフセット因子を以下の式３に示す。
Qc=ΔEc/ΔEg      （３）
式３において、ΔEcは上記のように、障壁層の高さΔEc 340に関する。ΔEgは、以下の式４に示すように、障壁層のバンドギャップエネルギー（すなわちEgb 360）と量子井戸層320のバンドギャップエネルギー（すなわちEgq 330）の間の差である。
ΔEg=Egb-Egq      （４）
InGaAs/AlxGa1-xAs量子井戸構造300の実施形態は、特に従来のInGaAs/GaAsP量子井戸と比較した際に、高い値のQcを与える。例えば、従来のInGaAs/GaAsP量子井戸構造がおおよそ0.4のQcの値を有するのに対して、InGaAs/AlxGa1-xAs量子井戸構造300はおおよそ0.65のQcの値を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月1日(2008.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチリアクタ・分析チップのテスト用のテスト装置であって、
１）前記テストは、
ａ）スポッティングによってサンプルを付着させるステップ、
ｂ）前記リアクタ内の残留サンプルの流動性を低減するステップ、
ｃ）残留サンプルを有する前記リアクタの一方向洗浄を行うステップ、
のうち少なくとも１つ又は任意の組み合わせを含み、
２）前記装置は、
ａ）前記一方向洗浄のための一方向洗浄システム、及び／又は、
ｂ）前記残留サンプルの流動性を低減するための流動性低減システム、及び／又は、
ｃ）前記スポッティングによるサンプル付着のためのサンプルスポッティングシステム
を含み、
３）前記一方向洗浄は、Ｑ個の各液体をＮ個のリアクタにそれぞれ付けることを含み、
それにより、前記残留サンプルは前記リアクタから洗浄され、このとき、Ｑ≧Ｎ≧２であ
る、装置。
【請求項２】
前記Ｑ個の液体はそれぞれ前記Ｎ個のリアクタにほぼ同時に付けられる、請求項１に記
載の装置。
【請求項３】
前記一方向洗浄システムは、前記Ｑ個の液体が生成されるＱ個の排出口を有するノズル
を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
ａ）前記リアクタに到達する前記液体の直線速度は１−１０００ｃｍ／秒であり、及び
／又は、
ｂ）前記排出口の直径は０．１−１．０ｍｍであり、及び／又は、
ｃ）前記ノズルの前記排出口の密度は、１ユニット／ｃｍ２以上であり、及び／又は、
ｄ）前記各液体と、前記プローブ領域との間の時計回りの角度は、１−１７９度であり
、及び／又は、
ｅ）前記排出口のいずれかと、これに最も近い、前記リアクタのプローブ領域との間の
距離は０．１−１０．０ｃｍである、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記時計回りの角度は９０±１０度である、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記流動性低減システムは、
ａ）前記残留サンプルの粘性を増大するために用いられる、温度制御システム及び又は
湿度制御システムと、
ｂ）前記流動性を低減する添加剤を前記残留サンプルに添加するための装荷システムと
、
ｃ）吸水材を含む吸水システムと、
のうち少なくとも１つからなる、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項７】
前記流動性を低減する添加剤は化学的／生物学的に安定した添加剤を含み、炭水化物、
ポリマー粉末、クロマトグラフィー・ゲル、多孔性粒子である１つ以上のグループを含む
、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記サンプルスポッティングシステムは、１つ以上の接触スポッティングチップを含む
、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項９】
ａ）前記サンプルが前記リアクタに付けられる直線速度は、０．１ｃｍ／秒以上であり
、及び／又は、
ｂ）前記接触スポッティングにより形成されたサンプル・スポットは前記リアクタの面
積を覆い、前記面積は、前記リアクタのプローブ領域の面積の１．５から５．０倍である
、請求項１又は８に記載の装置。
【請求項１０】
光信号検出システムを更に含み、
ａ）前記検出システムは、検出されるチップの背景領域に、光を放射及び／又は反射す
る構造を含む背景信号増強システムを含み、及び／又は、
ｂ）前記検出システムは、前記検出されるチップの背景領域に、光を吸収する構造を含
む背景信号減衰システムを含み、
前記光吸収構造の光吸収率は９５％以上である、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項１１】
マルチプル・リアクタの分析チップを更に含み、
前記チップは、少なくとも基板、前記基板に固定されたプローブ・スポット、及び、前
記基板に連結されるリアクタ・パーティション構造とを含み、
前記パーティション構造の少なくとも一部の高さは、１ｍｍ未満である、請求項１又は
２に記載の装置。
【請求項１２】
前記パーティション構造は、疎水性構造及び／又は疎水性−疎油性構造を含み、
前記パーティション構造は、疎水性−疎油性構造を含み、前記疎水性−疎油性構造の表
面は前記基板の表面より疎水性及び疎油性である、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
ａ）前記疎水性−疎油性構造の前記表面の水接触角度は、前記基板の前記表面より４０
度大きく、
ｂ）前記疎水性−疎油性構造の前記表面の油接触角度は、前記基板の前記表面より１０
度大きい、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記疎水性−疎油性構造は、疎水性−疎油性材料を含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記疎水性−疎油性材料は、疎水性−疎油性有機材料、及び／又は、疎水性−疎油性ナ
ノ材料を含む、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記リアクタは、非プローブ領域と、最小化面積のプローブ領域とを含み、
前記パーティション構造の少なくとも一部の表面は前記基板の表面より疎水性である、
請求項１１に記載の装置。
【請求項１７】
ａ）前記最小化面積は、４．０ｍｍ２以下であり、かつ、前記非プローブ領域よりも小
さく、及び／又は、
ｂ）前記パーティション構造の最低部分の高さは、０．０１ｍｍから０．８０ｍｍであ
り、及び／又は、
ｃ）パーティション構造の前記表面の水接触角度は、前記基板の表面より２０度前後大
きい、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
ａ）前記最小化面積は、１ｍｍ２以下であり、及び／又は、
ｂ）前記プローブ領域の密度は、９個のプローブのスポット／ｍｍ２より大きい、請求
項１７に記載の装置。
【請求項１９】
プローブ領域の前記面積、パーティション構造の前記高さ、及び前記水接触角度は、前
記チップが３６０度で回転する時に、前記リアクタのいずれからも前記プローブ領域に付
けた水サンプルが流出しないよう決められる、請求項１７に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月14日(2008.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる可変領域を有する異なる既知の相同タンパク質またはかかるタンパク質を産生する細胞を含むと予測される試料を、該タンパク質の個々のメンバーまたはそれらのコード配列の相対的比率または存在に関する情報が得られるように特徴付ける方法であって、１種類以上のタンパク質特徴決定技術により、および／またはタンパク質コード配列の１種類以上の遺伝子分析により該試料のアリコートを分析することを含む、方法。
【請求項２】
該遺伝子分析が、ＲＦＬＰ、Ｔ−ＲＦＬＰ、マイクロアレイ分析、定量的ＰＣＲ、および核酸配列決定から選択されるものである、請求項１記載の方法。
【請求項３】
試料が該培養物の細胞を含む細胞培養物フラクションである、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
該タンパク質特徴決定技術が、ｉ）物理化学的特性によりタンパク質を分離するクロマトグラフ分析、ｉｉ）相同タンパク質のタンパク分解消化産物の分析、ｉｉｉ）「大量」Ｎ−末端配列決定、およびｉｖ）相同タンパク質に特異的な検出分子を用いた分析から選択されるものである、請求項１記載の方法。
【請求項５】
該クロマトグラフ分析がサイズよりむしろ別の物理化学的特性に基づくものである、請求項４記載の方法。
【請求項６】
個々のクロマトグラフ分析が、ｉ）正味電荷、ｉｉ）疎水性、ｉｉｉ）等電点、およびｉｖ）アフィニティーから選択される物理化学的特性に基づくものである、請求項４記載の方法。
【請求項７】
クロマトグラフ分析が多次元クロマトグラフィーとして行われる、請求項４から６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
相同タンパク質のタンパク分解性消化産物の分析が、特徴的なアミノ酸側鎖官能基を有するＮ−末端マーカーペプチドまたはペプチドを単離するために行われる、請求項４記載の方法。
【請求項９】
該特異的検出分子が、抗イディオタイプペプチドまたは抗イディオタイプ抗体である、請求項４記載の方法。
【請求項１０】
該抗イディオタイプペプチドまたは抗イディオタイプ抗体が、ポリクローナル細胞株における個々のタンパク質産生細胞の決定において利用される、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
該試料が細胞培養上清からもたらされるものである、請求項１または４から９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
該特徴決定が該試料に存在する１種類以上のセンチネルタンパク質またはセンチネル核酸配列の分析に基づくものである、請求項１から１１のいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも２種類の分析技術が該試料を分析するのに適用される、請求項１から１２のいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
一方の分析技術が請求項４から９のいずれか１項記載のタンパク質特徴決定技術であり、そしてもう一方の分析技術が請求項２記載の遺伝子分析である、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
該試料が培養中の異なる時間ポイントで単一のポリクローナル細胞培養物から得られものであり、そして該個々の相同タンパク質および／またはコード配列の相対的比率が比較される、請求項１から１４のいずれか１項記載の方法。
【請求項１６】
該試料が特定の時間ポイントで異なるポリクローナル細胞培養物から得られものであり、そして該個々の相同タンパク質および／またはコード配列の相対的比率が比較される、請求項１から１４のいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】
異なる可変領域を有する異なる相同タンパク質が組換えタンパク質である、請求項１から１６のいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
組換えタンパク質が組換えポリクローナルタンパク質を構成するものである、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
異なる可変領域を有する異なる相同タンパク質が異なるＣＤＲ領域を有する抗体である、請求項１から１８のいずれか１項記載の方法。
【請求項２０】
異なる可変領域を有する異なる相同タンパク質が異なるＣＤＲ領域を有するＴ細胞受容体である、請求項１から１８のいずれか１項記載の方法。
【請求項２１】
ポリクローナル細胞株における個々のタンパク質産生細胞の単離および／または決定のための、抗イディオタイプペプチドまたは抗イディオタイプ抗体の使用。
【請求項２２】
ポリクローナル抗体またはモノクローナル抗体の混合物からの多様性に関する個々の抗体分子の分離における、多次元クロマトグラフィーの使用。
【請求項２３】
ポリクローナルＴ細胞受容体またはモノクローナルＴ細胞受容体の混合物からの多様性に関する個々のＴ細胞受容体分子の分離における、多次元クロマトグラフィーの使用。
【請求項２４】
Ｎ−末端グルタミン残基を別のアミノ酸に置換することを含み、正味電荷に基づくクロマトグラフ分析を適用する、請求項１から２１のいずれか１項記載の方法または使用であって、Ｎ−末端グルタミン残基の環化により引き起こされる電荷不均一性を示すタンパク質が、組換えタンパク質中のＮ−末端グルタミン残基の環化により引き起こされるＮ−末端の電荷不均一性を解消するための方法に供されるものである方法。
【請求項２５】
該置換が該タンパク質をコードする核酸配列の部位指定変異誘発により行われる、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
該置換がポリクローナルタンパク質の１種類以上の個々のメンバーにおいて行われる、請求項２４または２５記載の方法。
【請求項２７】
該タンパク質が抗体またはＴ細胞受容体である、請求項２４から２６のいずれか１項記載の方法。