Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月3日(2008.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のプロセッシングエレメント（ＰＥ）を含む単一命令複数データ処理デバイス（ＳＩＭＤ）であって、
前記各ＰＥが、複数のビットを格納するための実行マスクカウント（ＥＭＣ）レジスタ並びに複数の事前定義判定値の１つについて判定を行う関連する判定論理ユニット（２１）と、前記ＥＭＣレジスタ内に格納されたマルチビットデータに応じて前記ＰＥ内のレジスタへのデータの書き込みをイネーブル及びディスエーブルにする手段とを含み、前記関連する事前定義ＥＭＣ判定の結果を含むＰＥ毎の信号のセットが制御ユニット（ＣＵ）に供給される、
ことを特徴とする単一命令複数データ処理デバイス（ＳＩＭＤ）。
【請求項２】
前記ＰＥは、前記ＥＭＣレジスタ内に格納された前記データの事前決定値との比較に応じてディスエーブル及びイネーブルにされることを特徴とする請求項１に記載のＳＩＭＤ。
【請求項３】
イネーブル及びディスエーブルにするための前記手段は、条件又はループ命令の実行中に動作することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＳＩＭＤ。
【請求項４】
ＰＥの前記ＥＭＣレジスタ内に格納された前記データを修正する手段を含む請求項１、請求項２、又は請求項３に記載のＳＩＭＤ。
【請求項５】
前記ＥＭＣレジスタ内に格納された前記データを修正する手段は、前記データへの複数の修正のうちの選択されたものを行う手段を含むことを特徴とする請求項４に記載のＳＩＭＤ。
【請求項６】
前記ＥＭＣレジスタ内に格納された前記データを修正する手段は、前記データ値を事前決定量だけインクリメントする手段を含むことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載のＳＩＭＤ。
【請求項７】
前記ＥＭＣレジスタ内に格納された前記データを修正する手段は、前記データ値に事前決定量を乗算する手段を含むことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載のＳＩＭＤ。
【請求項８】
前記ＥＭＣレジスタ内に格納された前記データを修正する手段は、前記データ値を事前決定量で除算する手段を含むことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載のＳＩＭＤ。
【請求項９】
前記ＥＭＣレジスタ内に格納された前記データを修正する手段は、前記データ値を事前決定量で除算する手段を含むことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載のＳＩＭＤ。
【請求項１０】
前記ＥＭＣレジスタ内の前記データ値は、プリミティブ多項式に基づくフィールドを用いることを特徴とする前記請求項のいずれかに記載のＳＩＭＤ。
【請求項１１】
同一の命令を実行するように構成された複数のプロセッサ要素ＰＥを含み、該各ＰＥがマルチビットＥＭＣレジスタと複数の事前定義値の１つについて判定を行う関連する判定論理ユニット（２１）とを含むＳＩＭＤデバイス上でプログラムフローを制御する方法であって、
前記ＰＥによって実行されるべき条件命令を含む実行命令を前記各ＰＥに供給する段階と、
格納された前記ＥＭＣ値と実行中の条件命令で行われる条件判定とに応じて前記ＰＥ内のレジスタへのデータの書き込みをイネーブル／ディスエーブルにする段階と、
を含み、
前記関連する事前定義ＥＭＣ判定の結果を含むＰＥ毎の信号のセットが制御ユニット（ＣＵ）に供給される、
ことを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記各ＰＥの前記ＥＭＣレジスタ内に格納された前記データを修正する段階を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＥＭＣレジスタ内に格納された前記データへの複数の可能な修正の中から選択する段階を含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
複数のＰＥ内のレジスタへのデータの書き込みがイネーブル又はディスエーブルのいずれであるかを判断し、該判断結果に応じて新しい命令に分岐する段階を含む請求項４から請求項１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記修正段階は、前記ＥＭＣレジスタ内に格納された前記データを事前決定量だけインクリメントする段階を含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記修正段階は、前記ＥＭＣレジスタ内に格納された前記データに事前決定量を乗算する段階を含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記修正段階は、前記ＥＭＣレジスタ内に格納された前記データに事前決定量を乗算する段階を含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記修正段階は、前記ＥＭＣレジスタ内に格納された前記データを事前決定量で除算する段階を含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
前記ＥＭＣレジスタ内の前記データ値が、プリミティブ多項式に基づくフィールドを用いることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】
複数のＰＥを含むＳＩＭＤ上でプログラムフローを制御するための方法であって、
前記ＰＥに命令及びデータのシーケンスを供給する段階と、
前記ＰＥ上で前記命令を実行する段階と、
各ＰＥ上のＥＭＣレジスタ内に格納されたマルチビットデータ値に応じて前記各ＰＥ内のレジスタへのデータの書き込みをイネーブル及びディスエーブルにする段階と、
ＰＥでのレジスタへのデータの書き込みがディスエーブルにされ、他のＰＥのレジスタへのデータの書き込みがイネーブルにされているときに、当該ＰＥのＥＭＣレジスタ内のマルチビット値を修正する段階と、
を含み、
前記各ＰＥが、事前定義判定からの値を報告することができる関連する判定論理ユニット（２１）を有し、前記関連する事前定義ＥＭＣ判定の結果を含むＰＥ毎の信号のセットが制御ユニット（ＣＵ）に供給される、
ことを特徴とする方法。
【請求項２１】
全てのＰＥにおけるレジスタへのデータの書き込みがディスエーブルであるか否かを判定し、該判定の結果に応じて別の命令に分岐する段階を含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
複数のＰＥから構成され、該各ＰＥが、ＥＭＣレジスタと、実行のために前記ＰＥに命令及びデータのシーケンスを供給する手段と、前記各ＰＥのＥＭＣレジスタ内に格納されたマルチビットデータ値に応じて前記各ＰＥ上のレジスタへのデータの書き込みをイネーブル及びディスエーブルにする手段と、あるＰＥ内のレジスタへのデータの書き込みがディスエーブルにされ、他のＰＥ内のレジスタへのデータの書き込みがイネーブルにされているときに前記あるＰＥのＥＭＣレジスタ内のマルチビット値を修正する手段と、
を含み、
前記各ＰＥが、事前定義判定からの値を報告することができ、且つ前記関連する事前定義ＥＭＣ判定の結果を含むＰＥ毎の信号のセットが制御ユニット（ＣＵ）に供給される関連する判定論理ユニット（２１）を有する、
ことを特徴とするＳＩＭＤ。
【請求項２３】
全ての前記ＰＥ内のレジスタへのデータの書き込みがディスエーブルであるか否かを判定する手段と、前記判定の結果に応じて別の命令に分岐する手段とを含む請求項２２に記載のＳＩＭＤ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月14日(2008.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル画像における赤目を補正する方法であって、
前記画像は少なくとも一つの赤目欠陥対を有し、
前記方法は、
欠陥対間隔を測定し、
前記欠陥対間隔に応じて前記欠陥対の欠陥のサイズを調整し、
前記調整された欠陥の色を変更する、方法。
【請求項２】
デジタル画像における赤目を補正する方法であって、
前記画像における成長前欠陥対を検出し、
前記成長前欠陥のそれぞれを成長させて、成長済欠陥対とし、
前記成長前欠陥対と前記成長済欠陥対の一つの要素の間隔を測定して、欠陥対間隔を求め、
前記欠陥対間隔に応じて前記成長済欠陥のサイズを調整して、調整済欠陥とし、
前記調整済欠陥の色を変更して、赤目を軽減する、方法。
【請求項３】
デジタル画像における赤目を補正するためのコンピュータプログラム製品であって、
処理を行うためのコンピュータプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を有し、
前記処理は、
欠陥対間隔を測定し、
前記欠陥対間隔に応じて前記欠陥のサイズを調整し、
前記調整された欠陥の色を変更する、製品。
【請求項４】
デジタル画像における赤目を補正するためのシステムであって、
前記画像は少なくとも一つの赤目欠陥対を有し、
前記システムは、
欠陥対間隔を測定する距離測定部と、
前記欠陥対間隔を受け取り、前記欠陥対間隔に応じて前記欠陥のサイズを調整して、調整済欠陥とする欠陥成長部と、
前記調整済欠陥の色を変更する色修正部と、
を有する、システム。
【請求項５】
複数の画素を有するデジタル画像における赤目を補正する方法であって、
前記画素のそれぞれは三色の色成分の値を有し、
前記色成分は少なくとも赤色から最も離れた成分と他の二つの成分とを含み、
前記赤色から最も離れた成分は前記他の成分に比べ赤色スペクトルに対する感度が低く、
前記方法は、
画像における赤目欠陥の位置を確認し、
調整済欠陥の各画素の前記色成分の前記値を、それぞれ前記赤色から最も離れた成分の値に設定する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月3日(2008.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の端部から第２の端部まで延び各端部から挿入された光ファイバを受ける通路を有し、かつ前記第１及び第２の端部間に前記通路と連通状態の開口部を有するフェルールと、
前記フェルールを中で保持するように構成されたハウジングと、
前記光ファイバを融着接続するために、前記ハウジング内かつ前記フェルールの開口部に隣接して配置された少なくとも１つの電極と、を備えている、
ことを特徴とする光ファイバ接続部品。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月18日(2008.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記システムの上記不透水ベルトは比較的新しいため、このようなベルトに必要な条件はあまり知られていない。ウェブのウェットエンド及びドライエンドのワイヤや乾燥領域のフェルトなどのウェブを支持する典型的な繊維は、適宜掃除しない場合には、繊維材料及び不純物を吸収し、それらが次第に繊維を塞ぎ、該繊維からの水の移動を妨げる。そのため、調整装置においては、例えば、繊維がガイドロール又は類似の装置を通過する時に繊維を洗浄する繊維リターンループ（fabric return loop）において、透水性の繊維が共に使用されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月28日(2008.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々がボディバイアス電圧に曝される複数の被試験デバイスと、
前記被試験デバイスに前記ボディバイアス電圧を提供するための電圧源と、
前記被試験デバイスおよび前記電圧源を結合するための配線板と、
を含み、
前記ボディバイアス電圧は、ボディバイアス電圧値によって索引付けられた漏れ電流値を含む情報から選択され、かつ、前記ボディバイアス電圧は、前記被試験デバイスに関連付けられる漏れ電流を実質的に最小化するように選択される、
バーンイン試験用の装置。
【請求項２】
前記ボディバイアス電圧が、前記被試験デバイスで所望の接合部温度を達成するように選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記配線板を介して前記被試験デバイスに結合される試験制御装置をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記被試験デバイスに動作電圧を提供するための第２電圧源をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記被試験デバイスがｐ型金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）デバイスを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記ボディバイアス電圧が約０〜５ボルトの範囲内である、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記被試験デバイスがｎ型金属酸化物半導体（ＮＭＯＳ）デバイスを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記ボディバイアス電圧が約０〜−１０ボルトの範囲内である、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
複数の被試験デバイスのバーンイン試験方法であって、
前記被試験デバイスに動作電圧を印加するステップと、
前記被試験デバイスにボディバイアス電圧を印加するステップと、
を含み、前記ボディバイアス電圧は、ボディバイアス電圧値によって索引付けられた漏れ電流値を含む情報から選択され、前記ボディバイアス電圧の印加により、前記被試験デバイスに関連付けられる漏れ電流が実質的に最小化されるように構成された方法。
【請求項１０】
前記ボディバイアス電圧が、前記被試験デバイスで所望の接合部温度を達成するように選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記被試験デバイスがｐ型金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）デバイスを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記ボディバイアス電圧が約０〜５ボルトの範囲内である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記被試験デバイスがｎ型金属酸化物半導体（ＮＭＯＳ）デバイスを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記ボディバイアス電圧が約０〜−１０ボルトの範囲内である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
複数の被試験デバイスのバーンイン試験方法であって、
ボディバイアス電圧によって索引付けられた漏れ電流を含む情報の記憶にアクセスするステップと、
前記被試験デバイスに関連付けられる漏れ電流を実質的に最小化するボディバイアス電圧を選択するステップと、
前記被試験デバイスに印加される動作電圧に加えて、前記ボディバイアス電圧を前記被試験デバイスに印加するステップと、
を含む方法。
【請求項１６】
前記動作電圧が前記ボディバイアス電圧と共に、前記被試験デバイスで所望の接合部温度を達成する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記被試験デバイスがｐ型金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）デバイスを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記ボディバイアス電圧が約０〜５ボルトの範囲内である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記被試験デバイスがｎ型金属酸化物半導体（ＮＭＯＳ）デバイスを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記ボディバイアス電圧が約０〜−１０ボルトの範囲内である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記ボディバイアス電圧が、ボディバイアス電圧値によって索引付けられる漏れ電流値を含む情報から選択され、前記ボディバイアス電圧が、前記被試験デバイスに関連付けられる漏れ電流を実質的に最小化するように選択される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２２】
前記ボディバイアス電圧が、ボディバイアス電圧値によって索引付けられる漏れ電流値を含む情報から選択され、前記ボディバイアス電圧の印加により前記漏れ電流が実質的に最小化される、請求項９〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月28日(2008.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バーンイン試験中の集積回路間の温度のばらつきを低減するコンピュータ実現方法であって、
被試験集積回路によって消費される電力を測定するステップと、
前記被試験集積回路に関連付けられる周囲温度を測定するステップと、
前記被試験集積回路のボディバイアス電圧を調整して前記被試験集積回路の所望の接合温度を達成するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
バーンイン試験中の集積回路間の温度のばらつきを低減するコンピュータ実現方法であって、
被試験集積回路によって消費される電力の測定値にアクセスするステップと、
前記被試験集積回路に関連付けられる周囲温度の測定値にアクセスするステップと、
前記被試験集積回路のボディバイアス電圧を調整して前記被試験集積回路の所望の接合温度を達成するステップと、
を含む方法。
【請求項３】
前記被試験集積回路のみを含む領域について前記周囲温度が測定される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
２つ以上の被試験集積回路を含む領域について前記周囲温度が測定される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
前記電力を測定するステップが前記被試験集積回路への電流を測定するステップを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項６】
前記被試験集積回路の動作電圧が前記測定および前記調整中に一定に維持される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項７】
前記ボディバイアス電圧が前記被試験集積回路に対し個別に制御可能である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項８】
前記被試験集積回路が、前記ボディバイアス電圧を受け入れるボディバイアスウェル構造を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項９】
集積回路を結合するための動作電圧源と、
前記集積回路の動作電流を測定するために前記集積回路を結合するための電流測定装置と、
ボディバイアス電圧を提供するために前記集積回路に結合するためのボディバイアス電圧源と、
前記集積回路に近接する領域の周囲温度を決定するための周囲温度センサと、
前記集積回路を結合し、かつ前記電流測定装置、前記バイアス電圧源、および前記周囲温度センサを結合するための試験制御装置であって、前記集積回路によって消費される電力の測定値にアクセスするステップと、前記集積回路に関連付けられる周囲温度の測定値にアクセスするステップと、前記集積回路の前記ボディバイアス電圧を調整して前記集積回路の所望の接合部温度を達成するステップと、を含む、バーンイン試験中の集積回路間の温度のばらつきを低減するための方法を実施するための試験制御装置と、
を含む、集積回路を試験するためのシステム。
【請求項１０】
前記集積回路のみを含む領域について前記周囲温度が測定される、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
２つ以上の被試験集積回路を含む領域について前記周囲温度が測定される、請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記電力の測定値にアクセスするステップが、前記集積回路への電流の測定値にアクセスするステップを含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】
前記集積回路の動作電圧が一定である、請求項９に記載のシステム。
【請求項１４】
前記ボディバイアス電圧が前記集積回路に対し個別に制御可能である、請求項９に記載のシステム。
【請求項１５】
前記集積回路が、前記ボディバイアス電圧を受け入れるボディバイアスウェル構造を含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１６】
前記試験制御装置によって実現される前記方法が、前記集積回路を試験のために刺激するステップをも含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１７】
プロセッサ上で実行されたときに、バーンイン試験中に集積回路間の温度のばらつきを低減する方法を実現するコンピュータ使用可能命令を含むコンピュータ使用可能媒体であって、
前記方法は、
前記被試験集積回路によって消費される電力を測定するステップと、
前記集積回路に関連付けられる周囲温度を測定するステップと、
前記集積回路の前記ボディバイアス電圧を調整して前記集積回路の所望の接合部温度を達成するステップと、
を含む、コンピュータ使用可能媒体。
【請求項１８】
前記集積回路のみを含む領域について前記周囲温度が測定される、請求項１７に記載の媒体。
【請求項１９】
２つ以上の被試験集積回路を含む領域について前記周囲温度が測定される、請求項１７に記載の媒体。
【請求項２０】
前記電力を測定するステップが前記集積回路への電流を測定するステップを含む、請求項１７に記載の媒体。
【請求項２１】
前記集積回路の動作電圧が一定である、請求項１７に記載の媒体。
【請求項２２】
前記ボディバイアス電圧が前記集積回路に対し個別に制御可能である、請求項１７に記載の媒体。
【請求項２３】
前記集積回路が、前記ボディバイアス電圧を受け入れるボディバイアスウェル構造を含む、請求項１７に記載の媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月28日(2008.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボディバイアス電圧を受け取るように適応された被試験デバイスと、
前記被試験デバイスに前記ボディバイアス電圧を提供するための電圧源と、
前記被試験デバイスおよび前記電圧源を結合するための配線板と、
を含み、
前記被試験デバイスが前記ボディバイアス電圧の調整によって調節されるバーンイン試験温度に曝されるように構成された、バーンイン試験用の装置。
【請求項２】
前記ボディバイアス電圧が、前記被試験デバイスで測定される特定の試験温度を達成するように選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記配線板を介して前記被試験デバイスに結合される試験制御装置をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記被試験デバイスに動作電圧を提供するための第２電圧源をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記被試験デバイスがｐ型金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）デバイスを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記ボディバイアス電圧が約０〜５ボルトの範囲内である、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記被試験デバイスがｎ型金属酸化物半導体（ＮＭＯＳ）デバイスを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記ボディバイアス電圧が約０〜−１０ボルトの範囲内である、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
被試験デバイスのバーンイン試験方法であって、
前記被試験デバイスに動作電圧を印加するステップと、
前記被試験デバイスで測定される特定の試験温度を達成するように選択されたボディバイアス電圧を、前記被試験デバイスに印加するステップと、
前記被試験デバイスで温度を測定するステップと、
を含む方法。
【請求項１０】
前記被試験デバイスの温度を調整するために前記ボディバイアス電圧を調整するステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記被試験デバイスがｐ型金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）デバイスを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記ボディバイアス電圧が約０〜５ボルトの範囲内である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記被試験デバイスがｎ型金属酸化物半導体（ＮＭＯＳ）デバイスを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記ボディバイアス電圧が約０〜−１０ボルトの範囲内である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
各被試験デバイスがボディバイアス電圧を受け取るように適応され、各被試験デバイスの温度が監視されるように構成された、複数の被試験デバイスと、
前記被試験デバイスに印加されるボディバイアス電圧を提供するための電圧源であって、前記ボディバイアス電圧は、ボディバイアス電圧値によって索引付けられた漏れ電流値を含む情報から選択され、かつ、前記ボディバイアス電圧は、前記被試験デバイスに関連付けられる漏れ電流を実質的に最小化するように選択される、電圧源と、
各被試験デバイスが異なるボディバイアス電圧を受け取ることができるように、各被試験デバイスを前記電圧源に個別に結合する回路を含む配線板と、
を含む、バーンイン試験用の装置。
【請求項１６】
各被試験デバイスがボディバイアス電圧を受け取るように適応され、各被試験デバイスの温度が監視されるように構成された、複数の被試験デバイスと、
前記被試験デバイスに印加されるボディバイアス電圧を提供するための電圧源と、
各被試験デバイスが異なるボディバイアス電圧を受け取ることができるように、各被試験デバイスを前記電圧源に個別に結合する回路を含む配線板と、
を含み、
一つの被試験デバイスに印加されるボディバイアス電圧は、当該被試験デバイスにおいて測定される特定の試験温度を獲得するように選択される、バーンイン試験用の装置。
【請求項１７】
前記配線板を介して前記被試験デバイスに結合された試験制御装置をさらに含む、請求項１５または１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記被試験デバイスに動作電圧を供給するための電圧源をさらに含む、請求項１５または１６に記載の装置。
【請求項１９】
前記被試験デバイスがｐ型金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）デバイスを含む、請求項１５または１６に記載の装置。
【請求項２０】
前記ボディバイアス電圧が約０〜５ボルトの範囲内である、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記被試験デバイスがｎ型金属酸化物半導体（ＮＭＯＳ）デバイスを含む、請求項１９に記載の装置。
【請求項２２】
前記ボディバイアス電圧が約０〜−１０ボルトの範囲内である、請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
一つの被試験デバイスに印加されるボディバイアス電圧が、当該被試験デバイスで測定される特定の試験温度を達成するように選択される、請求項１５、１７ないし２２のいずれか１項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月19日(2007.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
計器パネルを有している乗物内に画像を投影するための配列であって、
該配列は、
ａ）該乗物によって支持されている画像プロジェクターであって、相互に直交する複数の方向に沿って光線ビームを走査することにより、二次元画像を投影するように作用する画像プロジェクターと、
ｂ）該計器パネルに据え付けられた光透過性投影面であって、裏面と表面とを有しており、該裏面上で該画像プロジェクターによって投影された画像を受け取り、該乗物の乗員が見るために該表面上に該画像を表示するように作用する、光透過性投影面と
を備えている、配列。
【請求項２】
フロントガラスと計器パネルとを有している乗物内に画像を投影するための配列であって、
該配列は、
ａ）該乗物によって支持されている画像プロジェクターであって、相互に直交する複数の方向に沿って光線ビームを走査することにより、二次元画像を投影するように作用する画像プロジェクターと、
ｂ）該乗物によって支持されている投影面であって、該フロントガラスの内面部上の第１のディスプレイ面と、該計器パネル上の第２のディスプレイ面とを含んでおり、該乗物の乗員が見るために該投影面の該第１のディスプレイ面および該第２のディスプレイ面に投影された画像を表示するように作用する、投影面と
を備えている、配列。
【請求項３】
前記フロントガラスの前記内面部は、前記投影された画像を前記乗物の乗員に反射するように反射性を有する、請求項２に記載の配列。
【請求項４】
前記画像の一部を前記第１のディスプレイ面へと反射し、該画像の別の部分を前記第２のディスプレイ面へと反射する鏡をさらに備えている、請求項２に記載の配列。
【請求項５】
前記画像プロジェクターは、前記乗物内の頭上位置に据え付けられており、
前記投影面は、前記フロントガラスからそれた方向に向いている第３のディスプレイ面を含んでいる、請求項２に記載の配列。
【請求項６】
乗物内に画像を投影するための配列であって、
該配列は、
ａ）該乗物によって支持されている画像プロジェクターであって、相互に直交する複数の方向に沿って光線ビームを走査することにより、該乗物に関連するアイコンを含んでいる二次元画像を投影するように作用する画像プロジェクターと、
ｂ）該乗物によって支持されている投影面であって、該乗物の乗員が見るために該投影面に投影された該アイコンを含んでいる画像を表示するように作用する投影面と
を備えている、配列。
【請求項７】
前記投影面は、前記乗物のフロントガラスの内面部である、請求項６に記載の配列。
【請求項８】
前記フロントガラスの内面部は、前記投影された画像を前記乗物の乗員に反射するように反射性を有する、請求項７に記載の配列。
【請求項９】
前記投影面は、前記乗物の計器パネルに据え付けられている、請求項６に記載の配列。
【請求項１０】
前記投影面は、光透過性であり、裏面と表面とを有しており、
前記画像プロジェクターは、前記画像を該裏面に投影し、該画像は、該投影面の該表面上で前記乗物の乗員にとって視覚可能である、請求項９に記載の配列。
【請求項１１】
前記投影面は、フロントガラスの内面部分上の第１のディスプレイ面と、計器パネル上の第２のディスプレイ面とを含んでおり、前記画像プロジェクターは、該第１のディスプレイ面と該第２のディスプレイ面とに前記画像を投影するように作用する、請求項６に記載の配列。
【請求項１２】
前記画像の一部を前記第１のディスプレイ面へと反射し、該画像の別の部分を前記第２のディスプレイ面へと反射する鏡をさらに備えている、請求項１１に記載の配列。
【請求項１３】
前記画像プロジェクターは、前記乗物内の頭上位置に据え付けられており、
前記投影面は、前記フロントガラスからそれた方向に向いている第３のディスプレイ面を含んでいる、請求項１１に記載の配列。
【請求項１４】
前記投影面は、前記乗物内の頭上位置に据え付けられている、請求項６に記載の配列。
【請求項１５】
前記投影面は、前記乗物の背ずりに配置されている、請求項６に記載の配列。
【請求項１６】
前記投影面は、前記乗物の２つの背ずりにわたって配置されている、請求項６に記載の配列。
【請求項１７】
前記アイコンが触れられたときを検出する検出器と、該アイコンが触れられたことの検出に応答して前記乗物を制御する制御器とをさらに備える、請求項６に記載の配列。
【請求項１８】
前記画像プロジェクターは、前記光線ビームとしてレーザービームを発するレーザーを含んでいる、請求項６に記載の配列。
【請求項１９】
前記画像プロジェクターは、前記光線ビームとして合成レーザービームを発する異なる波長の複数のレーザーを含んでいる、請求項６に記載の配列。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月19日(2007.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有毒な生物学的物質の存在を判断するシステムにおいて、
ａ．  複数のセンサ・ユニットであって、それぞれが
ｉ．  最適の感知能力を提供するように配される第１のリガンドと、
ｉｉ．  前記第１のリガンドが少なくとも１つの第１の有毒な生物学的ターゲットと結合したときに発生する作用により生成される第１の静電パルス・シグネチャ信号と、
ｉｉｉ．  前記第１のリガンドの近傍に配され、生成された前記第１の静電パルス・シグネチャ信号を検出するための静電感知面と、
ｉｖ．  前記感知面の近傍で提供される検出された前記第１の静電パルス・シグネチャ信号を測定するための測定手段と
ｖ．  複数の記憶された静電パルス・シグネチャ信号を格納するメモリを備え、それぞれの前記センサ・ユニットの動作を制御するプロセッサと、
ｖｉ．  前記測定手段と前記プロセッサとの間に接続され、前記測定手段により測定された静電パルス・シグネチャ信号と、前記記憶された静電パルス・シグネチャ信号とを比較し、比較情報を生成する比較デバイスと、
ｖｉｉ．  前記比較情報の送信および受信を行うためのアンテナと
を備えるセンサ・ユニットと、
ｂ．  前記複数のセンサ・ユニットの動作を制御する中央局であって、中央プロセッサと、中央メモリと、前記複数のセンサ・ユニットとの間で比較情報の送信および受信を行うためのアンテナとを含み、前記複数のセンサ・ユニットから受け取った前記比較情報に基づいて警報を生成する、中央局と
を備えるシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、
それぞれのリガンドが、リガンド感知面と、該リガンド感知面の反対側のリガンド配向面とを含む、複数のリガンドと、
前記複数のリガンドの第１のリガンドのリガンド感知面が、前記第１の生物学的ターゲットとのみ完全に結合して、第１の電気パルス・シグネチャ信号を生成することと、
複数のリガンドの第２のリガンドの前記リガンド感知面が、第２の生物学的ターゲットとのみ完全に結合して、第２の電気パルス・シグネチャ信号を生成することと、
を更に備えるシステム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、前記測定手段は、ソース領域、ゲート領域及びドレイン領域を備えた電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である、システム。
【請求項４】
請求項３に記載のシステムであって、前記電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）は電子感応型電界効果トランジスタ（ＥＳＦＥＴ）である、システム。
【請求項５】
請求項１に記載のシステムであって、電界効果トランジスタは、１つのタイプの生物学的物質のみと結合するように構成されたリガンドを更に備える、システム。
【請求項６】
請求項１に記載のシステムであって、前記測定手段は音響センサである、システム。
【請求項７】
請求項６に記載のシステムであって、前記音響センサは、生物学的物質が存在するときに或る周波数で振動するように構成された面を備える、システム。
【請求項８】
請求項１に記載のシステムであって、前記測定手段は光電センサである、システム。
【請求項９】
請求項８に記載のシステムであって、前記光電センサは、１つのタイプの生物学的物質のみと結合するように構成されたリガンドを備える感知面を更に備える、システム。
【請求項１０】
有毒な生物学的ターゲットの存在を検出する方法であって、
ａ．  請求項１に記載のシステムを、前記有毒な生物学的ターゲットを含むサンプルにさらすステップと、
ｂ．  前記第１のリガンドが前記有毒な生物学的ターゲットと結合したときに生じる作用により生成される前記静電パルス・シグネチャ信号を測定するステップと、
ｃ．  測定された前記静電パルス・シグネチャ信号と、前記記憶された静電パルス・シグネチャ信号とを比較するステップと、
ｄ．  比較情報を生成するステップと、
ｅ．  前記比較情報を送信するステップと、
ｆ．  前記中央局で前記比較情報を受信して、前記有毒な生物学的ターゲットを検出するステップと
を備える方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、前記システムの測定手段は、ソース領域、ゲート領域及びドレイン領域を備えた電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である、方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法であって、前記システムの前記測定手段は音響センサである、方法。
【請求項１３】
請求項１０に記載の方法であって、前記システムの前記測定手段は光電センサである、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月4日(2008.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベクターγ-セクレターゼインヒビターへの曝露後の細胞死を検出する段階を含む、腫瘍試料において腫瘍形成性細胞の存在を同定するための方法。
【請求項２】
腫瘍が乳癌腫瘍を含む、請求項1記載の方法。
【請求項３】
腫瘍形成性細胞の存在または非存在に基づいて対象の処置方法を選択する段階をさらに含む、請求項1記載の方法。
【請求項４】
処置方法がNotch4経路インヒビターの対象への投与を含む、請求項3記載の方法。
【請求項５】
処置方法が、対象へのミトコンドリアのアポトーシスを引き起こす薬物の投与を含む、請求項3記載の方法。
【請求項６】
処置方法がγ-セクレターゼインヒビターの対象への投与を含む、請求項3記載の方法。
【請求項７】
処置方法がManic Fringeインヒビターの対象への投与を含む、請求項3記載の方法。
【請求項８】
以下の段階を含む、腫瘍形成性乳房細胞を有する対象を処置するための方法：
a)対象において腫瘍形成性乳房細胞の存在を同定する段階；および、
b)該対象をγ-セクレターゼインヒビターで処置する段階。
【請求項９】
転移を有することが疑われる対象へγ-セクレターゼインヒビターを投与する段階を含む、転移を予防するまたは低減させる方法。
【請求項１０】
投与が対象からの固形腫瘍の除去と共に行われる、請求項9記載の方法。
【請求項１１】
固形腫瘍が乳房腫瘍を含む、請求項10記載の方法。
【請求項１２】
γ-セクレターゼインヒビターを対象へ投与する段階を含む、乳癌対象において腫瘍形成性細胞を低減させるかまたは除去する方法。
【請求項１３】
a)腫瘍形成性癌細胞に曝露すると細胞死を引き起こす、第1の作用物質；および
b)非腫瘍形成性癌細胞に曝露すると細胞死を引き起こす、第2の作用物質
を含む組成物。
【請求項１４】
第1の作用物質がγ-セクレターゼインヒビターを含む、請求項13記載の組成物。
【請求項１５】
第2の作用物質が、微小管インヒビター、微小管安定剤、クロマチン機能インヒビター、トポイソメラーゼインヒビター、トポイソメラーゼIを標的にする作用物質、共有結合性DNA結合剤、ナイトロジェンマスタード、ニトロソ尿素、非共有結合性DNA結合剤、核酸インヒビター、アントラサイクリン、アントラセンジオン、ブレオマイシン、代謝拮抗剤、葉酸代謝拮抗剤、プリン代謝拮抗剤、ピリミジンアンタゴニスト、シトシンアラビノシド、グルココルチコイド、抗エストロゲン剤、非ステロイド性抗アンドロゲン剤、ならびにアロマターゼインヒビター、白金化合物、インターフェロン、インターロイキン、血管形成インヒビター、プロテオソームインヒビター、アセチル化および/またはメチル化のインヒビター、NFκBの修飾因子、細胞周期制御のインヒビター、ならびにp53タンパク質機能の修飾因子からなる群より選択される、請求項13記載の組成物。
【請求項１６】
第2の作用物質が、ビンクリスチン、ビンブラスチン、ビンデシン、パクリタキセル、ドセタキセル、エトポシド、テニポシド、カンプトテシン、イシリノテカン、メクロレタミン、クロラムブシル、シクロホスファミド、イフォスファミド、ブスルファン、カルムスチン、ロムスチン、セムスチン、ダカルバジン、ヒドロキシメチルメラミン、チオテパ、ミトマイシン、ダクチノマイシン、ダウノルビシン、ドキソルビシン、イダルビシン、ミトキサントロン、ブレオマイシン、プリカマイシン、メトトレキセート、FOLEX、MEXATE、6-メルカプトプリン、6-チオグアニン、アザチオプリン、アシクロビル、ガンシクロビル、クロロデオキシアデノシン、2-クロロデオキシアデノシン(CdA)、および2'-デオキシコホルマイシン、5-フルオロウラシル、5-フルオロデオキシウリジン、CYTOSAR(ara-C)、フルダラビン、L-アスパラギナーゼ、ヒドロキシ尿素、タモキシフェン、フルタミド、アナストロゾール、シスプラチンおよびカルボプラチン、IFN-α、IL-2、ならびにVELCADEからなる群より選択される、請求項13記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月23日(2008.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造中における半導体ウエハの化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）後の半導体ウエハの洗浄のための組成物であって、
（ａ）クエン酸アンモニウムを含む洗浄剤、および
（ｂ）アスコルビン酸およびシステインを含む腐食防止化合物
を含む組成物。
【請求項２】
界面活性剤をさらに含む請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記界面活性剤が、（ａ）ノニオン系界面活性剤、（ｂ）アニオン系界面活性剤、（ｃ）カチオン系界面活性剤、（ｄ）双性イオン系界面活性剤、（ｅ）両性界面活性剤および（ｆ）それらの混合物からなる群の中からから選ばれる請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
希釈剤をさらに含む請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
半導体装置の製造中における半導体ワークピースの化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）後に半導体ワークピースを洗浄するための方法であって、
（ａ）半導体ワークピースであって、
（ｉ）銅を含む金属ライン、
（ｉｉ）（ａ）Ｔａ、（ｂ）ＴａＮ、（ｃ）Ｔｉ、（ｄ）ＴｉＮ、（ｅ）Ｗおよび（ｆ）ＷＮからなる群の中から選ばれる物質を含むバリヤー物質、および
（ｉｉｉ）誘電体
を含む半導体ワークピースを提供する工程、
（ｂ）前記半導体ワークピースを、洗浄溶液であって、
（ｉ）クエン酸アンモニウム、および
（ｉｉ）アスコルビン酸およびシステインを含む腐食防止化合物
を含む洗浄剤を含む洗浄溶液と接触させる工程
を含む方法。
【請求項６】
前記洗浄溶液が、界面活性剤をさらに含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記界面活性剤が、（ａ）ノニオン系界面活性剤、（ｂ）アニオン系界面活性剤、（ｃ）カチオン系界面活性剤、（ｄ）双性イオン系界面活性剤、（ｅ）両性界面活性剤および（ｆ）それらの混合物からなる群の中からから選ばれる請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記洗浄溶液が、希釈剤をさらに含む請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記洗浄溶液が、約２〜約６のｐＨを有する請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月9日(2008.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体材料の層システムを含む拡散バリアまたはカプセル封入層システム（２，６，１１）であって、その層システムのうち少なくとも２つの隣接する層は同一の材料を含み、前記誘電体材料は、窒化物、酸化物、炭化物および酸窒化物のいずれかであるか、または、金属または半導体の、それらの組合せであって、前記層システムは、２０℃および湿度５０％で、１日あたり５．６６ｘ１０-4ｇ／ｍ2以下の水蒸気遷移速度を示す少なくとも４つの層を含むことを特徴とする、拡散バリアシステム。
【請求項２】
金属は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｎ、ＩｒＳｂ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒのいずれかであるか、またはそれらの組合せである、請求項１に記載の拡散バリアシステム。
【請求項３】
誘電体材料は、窒化ケイ素または酸窒化ケイ素（ＳｉＯxＮy）を含む、請求項１に記載の拡散バリアシステム。
【請求項４】
層の厚さは、１５から１００ｎｍの範囲にある、請求項１に記載の拡散バリアシステム。
【請求項５】
物理的気相成長（ＰＶＤ）またはプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）プラズマ蒸着システムの単一のプロセスチャンバにおいて、請求項１に記載の拡散バリアシステムまたはカプセル封入層システム（２，６，１１）を製造する方法であって、
（１）このプロセスチャンバに処理対象の基板を投入するステップと、
（２）蒸着中に制御された態様で、プロセスチャンバにおけるプロセスパラメータであるガスフロー、パワー、圧力、温度のうち少なくとも１つを、それらプロセスパラメータを全く妨害することなく個別に変化させて、各々の変化によって異なる特性を備えた層を生じさせるステップと、
（３）前記基板を前記プロセスチャンバから取出すステップとを含む、方法。
【請求項６】
温度は８０℃から１７５℃の間の値に保たれる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ガラス、金属、高分子または紙からなる群から選択された基板を含み、請求項１に記載の拡散バリアシステムを有するディスプレイ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月4日(2008.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チオアルミネート発光体組成物の堆積に対する物理的気相成長法であって、
金属間バリウムアルミニウム化合物、バリウムアルミニウム合金、又は保護されたバリウム金属を含む、１又は２以上の供給源材料を提供すること、
活性剤種を提供すること、
硫黄含有雰囲気中で、１又は２以上の供給源材料及び前記活性剤種を、選択された基板上の発光体組成物として作用させること、
を含む、物理的気相成長法。
【請求項２】
チオアルミネート発光体組成物の堆積に対する物理的気相成長法であって、
金属間バリウムアルミネート化合物、バリウムアルミニウム合金、保護されたバリウム金属、及びこれらの組合せを含む、１又は２以上の供給源材料を提供すること、
前記１又は２以上の供給源材料又はそれぞれに活性剤種を提供すること、
前記供給源材料及び前記活性剤種の硫黄含有雰囲気中で、選択された基板上に発光体組成物として堆積を生じさせること、
を含む、物理的気相成長法。
【請求項３】
前記１又は２以上の供給源材料は、スパッタリングターゲット及び蒸着ペレットから選択される、請求項１に記載の物理的気相成長法。
【請求項４】
前記金属間バリウムアルミニウム化合物は、ＢａＡｌ４，Ｂａ７Ａｌ１３，及びＢａ４Ａｌ５からなる群から選択される、請求項１又は請求項２に記載の物理的気相成長法。
【請求項５】
前記金属間バリウムアルミニウム化合物は、ＢａＡｌ４である、請求項４に記載の物理的気相成長法。
【請求項６】
前記バリウムアルミニウム合金は、化学式ＢａｘＡｌで表される組成物であり、
ｘは、約０．１５から約０．４５の範囲である、請求項１又は請求項２に記載の物理的気相成長法。
【請求項７】
前記ｘは、約０．２０から約０．３５の範囲である、請求項６に記載の物理的気相成長法。
【請求項８】
前記保護されたバリウム金属は、バリウムアルミニウム合金及びアルミニウム金属の複合体を有する、請求項１又は請求項２に記載の物理的気相成長法。
【請求項９】
前記保護されたバリウム金属は、揮発性保護膜で覆われている、請求項１又は請求項２に記載の物理的気相成長法。
【請求項１０】
前記揮発性保護膜は、非プロトン性溶剤の層である、請求項９に記載の物理的気相成長法。
【請求項１１】
前記揮発性保護膜は、バリウム酸化物、バリウム硫酸塩、又は、不活性バリウム化合物の層である、請求項９に記載の物理的気相成長法。
【請求項１２】
前記１又は２以上の材料は、アルミニウム金属又はアルミニウム硫黄をさらに含む、請求項１又は請求項２に記載の物理的気相成長法。
【請求項１３】
前記発光体組成物は、バリウムチオアルミネートである、請求項１又は請求項２に記載の物理的気相成長法。
【請求項１４】
前記硫黄蒸気雰囲気は、Ｈ２Ｓである、請求項１、請求項２、又は請求項１１のいずれか１項に記載の物理的気相成長法。
【請求項１５】
前記硫黄蒸気雰囲気は、前記供給源材料から離れて生成されている、請求項１４に記載の物理的気相成長法。
【請求項１６】
前記硫黄蒸気雰囲気は、多硫化物化合物から生成されている、請求項１５に記載の物理的気相成長法。
【請求項１７】
前記堆積は、スパッタリング、熱蒸着、及び電子ビーム蒸着から選択される方法によって生じる、請求項１又は請求項２に記載の物理的気相成長法。
【請求項１８】
前記方法は、スパッタリングである、請求項１７に記載の物理的気相成長法。
【請求項１９】
前記方法は、熱蒸着である、請求項１７に記載の物理的気相成長法。
【請求項２０】
前記活性剤種は、ユーロピウム及びセリウムから選択される、請求項１又は請求項２に記載の物理的気相成長法。
【請求項２１】
前記活性剤種は、ユーロピウムである、請求項２０に記載の物理的気相成長法。
【請求項２２】
前記活性剤種は、前記１又は２以上の供給源材料内に組み込まれる、請求項２０に記載の物理的気相成長法。
【請求項２３】
前記活性剤種は、前記１又は２以上の供給源材料から別々に供給される、請求項２０に記載の物理的気相成長法。
【請求項２４】
前記方法は、金属間化合物ＢａＡｌ４の単一の供給源材料を備え、
前記活性剤種は、前記化合物内でドープされて提供され、
硫黄供給源は、前記化合物内に組み込まれる、請求項４に記載の物理的気相成長法。
【請求項２５】
前記方法は、金属間化合物ＢａＡｌ４を含む単一の供給源材料、活性剤種、及び硫黄を含む、請求項４に記載の物理的気相成長法。
【請求項２６】
チオアルミネート発光体組成物の堆積に対する物理的気相成長法であって、
ＢａＡｌ４を含む供給源材料及び活性剤種を提供することと、
前記供給源材料及び前記活性剤種の堆積を、硫黄含有雰囲気中で選択された基板上の発光体組成物として作用させること、
を含む、物理的気相成長法。
【請求項２７】
前記硫黄蒸気雰囲気は、Ｈ２Ｓである、請求項２６に記載の物理的気相成長法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月8日(2008.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準点に対して定められた位置にマークを備えるコードシンボルを印刷する方法であって、
解像度グリッドは、印刷装置のドット解像度によって定められ、複数のドット受け入れセルが並んだ二次元アレイを備えており、
前記方法は、
被印刷体上で前記解像度グリッドの中にマーキング材のドットを付けるように構成される印刷装置に、前記コードシンボルを表すデータを提供することと、
前記データに基づいて前記印刷装置を制御して、前記複数のドット受け入れセルの内の一つに前記コードシンボルの前記基準点を配置し、前記被印刷体上にマーキング材の少なくとも一つのドットを付けることによって、前記コードシンボルを印刷することと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記基準点が、前記ドット受け入れセルの幾何学的な中心に配置される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも一つのドットを、前記基準点に対して定められた位置に付けることをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記マークが、前記基準点から前記解像度グリッドのグリッド線に平行に変位される請求項１〜請求項３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項５】
前記基準点に対して定められた位置は、前記マークの幾何学的な中心の前記基準点に対する変位として定められる請求項１〜請求項４のいずれか一つに記載の方法。
【請求項６】
前記ドット解像度が、前記印刷装置の定格フルドット解像度である請求項１〜請求項５のいずれか一つに記載の方法。
【請求項７】
前記印刷装置がデジタルプリンタである請求項１〜請求項６のいずれか一つに記載の方法。
【請求項８】
前記データをページ記述コードとして生成することと、
前記デジタルプリンタを制御して、前記ページ記述コードを印刷可能画像に変換することと、
をさらに含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記印刷装置が、デジタルプリンタの印刷エンジンである請求項１〜請求項６のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１０】
前記印刷装置を制御して、追加のコードシンボルを印刷することをさらに含み、
前記少なくとも一つの追加コードシンボルの基準点と前記コードシンボルの基準点との間の間隔が、前記ドット受け入れセルの整数個分にほぼ一致するように制御されている請求項１〜請求項９のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１１】
前記方法によりコーディング層が印刷され、前記コーディング層が複数のコードシンボルを含み、各コードシンボルの前記基準点が前記ドット受け入れセルの内の一つに配列されており、
前記方法は、
人間が読み取り可能な情報層を表す追加のデータを、前記印刷装置に提供することと、
前記データと前記追加データに基づいて前記印刷装置を制御して、前記情報層と前記コーディング層とを位置合わせして印刷することと、
をさらに含む請求項１〜請求項１０のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１２】
基準点に対して定められた位置にマークを備えるコードシンボルを印刷するためのシステムであって、
解像度グリッドは、印刷装置のドット解像度によって定められ、複数のドット受け入れセルが並んだ二次元アレイを備えており、
前記システムは、
被印刷体上で前記解像度グリッドの中にマーキング材のドットを付けるように構成される印刷装置に、前記コードシンボルを表すデータを提供する手段と、
前記データに基づいて前記印刷装置を制御して、前記複数のドット受け入れセルの内の一つに前記コードシンボルの前記基準点を配置し、前記被印刷体上にマーキング材の少なくとも一つのドットを付けることによって、前記コードシンボルを印刷する手段と、
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項１３】
基準点に対して定められた位置にマークを備えるコードシンボルの集合を印刷するための装置であって、
印刷装置のドット解像度によって、複数のドット受け入れセルが並んだ二次元アレイが、被印刷体に対して定められており、
前記コードシンボルの集合のデジタル表現を取得するための第一の入力手段と、
前記印刷装置のドット解像度に関する解像度データを取得するための第二の入力手段と、
前記デジタル表現と前記解像度データに基づいて前記印刷装置を制御する印刷命令を生成して、前記複数のドット受け入れセルの内の一つに前記コードシンボルの各々の基準点を配置し、前記被印刷体上にマーキング材の少なくとも一つのドットを付けることによって、前記コードシンボルの集合を印刷する命令生成手段と、
を備える前記装置。
【請求項１４】
前記印刷装置がデジタルプリンタである請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記命令生成手段が、前記プリンタによって印刷可能な画像に変換されるページ記述コードとして、前記命令を生成する請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記プリンタに備えられる請求項１４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月30日(2008.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデータブロックを含むデータストリームを復号化する復号化装置であって、
ａ．復号化されるべき第１のデータブロックの長さを決定するため、前記データストリームの情報の一部を処理するサイズ決定手段と、
ｂ．前記決定された長さに基づいて、前記データストリームから前記第１のデータブロックを分離する分離手段と、
ｃ．前記第１のデータブロックが復号化される間に、後の第２のデータブロックを復号化する並列処理手段と、
を備える装置。
【請求項２】
前記サイズ決定手段が、サイズ情報を発生し、前記サイズ情報（ｆ＿ｓｚ＿ｏｆ＿ｂｌｋ）を前記分離手段へ供給するように適応された、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記サイズ情報が、前記データストリームから前記第１のデータブロックを分離するため前記分離手段によって使用される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記サイズ決定手段の前記処理が、前記第１のデータブロックの所定の部分の決定されたビット数を累算する累算処理である、請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記複数のデータブロックがメディアアプリケーションフレームのオーディオブロックであり、前記所定の部分が仮数部である、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記決定されたビット数がビット割当処理から得られる、請求項４または５に記載の装置。
【請求項７】
前記ビット割当処理が少なくとも一つの心理音響モデルに基づき、電力スペクトル密度が、前記ビット数を明らかにするためマスキング曲線と比較される、請求項４から６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記並列処理手段が、前記データストリームの第１のフレームのビットストリーム情報を解析し、その後に、前記第１のフレームに設けられたオーディオブロックのサイド情報の解析の終了を待つことなく、後の第２のフレームの始まりへジャンプするようにアレンジされる、請求項５から７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記分離手段が、第１のオーディオブロックの前記サイド情報をアンパックし、その後に、指数情報を解析し、前記並列処理手段の第１の処理ユニットへ送信し、ビット割当情報を解析し、前記並列処理手段の第２の処理ユニットへ送信し、仮数ブロックを解析し、前記並列処理手段の第３の処理ユニットへ送信し、その後に、第２のオーディオブロックへジャンプするようにアレンジされる、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
複数のデータブロックを含むデータストリームを復号化する方法であって、
復号化されるべき第１のデータブロックの長さを決定するため、前記データストリームの情報の一部を処理するステップと、
前記決定された長さに基づいて、前記データストリームから前記第１のデータブロックを分離するステップと、
前記第１のデータブロックが復号化される間に、後の第２のデータブロックを復号化するステップと、
を備える方法。