【手続補正書】
【提出日】平成18年12月6日(2006.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を駆動する画素において、
容量素子と、前記容量素子に電荷を充電する充電手段と、前記容量素子から前記発光素子に電荷を放電する放電手段と、前記充電手段による前記容量素子への充電若しくは前記放電手段による前記容量素子からの放電の有無を制御する階調手段とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
容量素子に電荷を充電し、
前記容量素子の電荷を発光素子に放電し、
前記発光素子を発光させ、
前記容量素子への電荷の充電若しくは前記発光素子への電荷の放電の有無を制御することにより、前記発光素子の発光輝度を制御することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項３】
発光素子を駆動する画素において、
容量素子と、前記容量素子に電荷を充電する充電手段と、前記容量素子から前記発光素子に電荷を放電する放電手段と、前記充電手段による前記容量素子への充電電荷量を制御する階調手段とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
容量素子に電荷を充電し、
前記容量素子の電荷を発光素子に放電し、
前記発光素子を発光させ、
前記容量素子への充電電圧を制御することにより充電電荷量を制御し、前記発光素子の発光輝度を制御することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項５】
発光素子を駆動する画素において、
容量素子と、前記容量素子に電荷を充電する充電手段と、前記容量素子から前記発光素子に電荷を放電する放電手段と、前記充電手段による前記容量素子への充電若しくは前記放電手段による前記容量素子からの放電の有無を制御する階調手段と、前記発光素子の閾値電圧を前記容量素子の充電電圧に上乗せする発光素子閾値補正手段とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
発光素子を駆動する画素において、
容量素子と、前記容量素子に充電する充電手段と、前記容量素子から前記発光素子に放電する放電手段と、前記充電手段による前記容量素子への充電電荷量を制御する階調手段と、前記発光素子の閾値電圧を前記容量素子の充電電圧に上乗せする発光素子閾値補正手段とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
容量素子に電荷を充電し、
前記容量素子の電荷を発光素子に放電し、
前記発光素子を発光させ、
前記容量素子への充電電圧に前記発光素子の閾値電圧を上乗せすることにより、前記発光素子の閾値電圧の影響を補正することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項８】
容量素子に電荷を充電し、
前記容量素子の電荷を発光素子に放電し、
前記発光素子を発光させ、
前記容量素子への電荷の充電若しくは前記発光素子への電荷の放電の有無を制御することにより、前記発光素子の発光輝度を制御し、
前記容量素子への充電電圧に前記発光素子の閾値電圧を上乗せすることにより、前記発光素子の閾値電圧の影響を補正することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項９】
容量素子に電荷を充電し、
前記容量素子の電荷を発光素子に放電し、
前記発光素子を発光させ、
前記容量素子への充電電圧を制御することにより充電電荷量を制御し、前記発光素子の発光輝度を制御し、
前記容量素子への充電電圧に前記発光素子の閾値電圧を上乗せすることにより、前記発光素子の閾値電圧の影響を補正することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項１０】
発光素子を駆動する画素において、
容量素子と、前記容量素子に電荷を充電する充電手段と、前記容量素子から前記発光素子に電荷を放電する放電手段と、前記充電手段による前記容量素子への充電若しくは前記放電手段による前記容量素子からの放電の有無を制御する階調手段と、前記発光素子の閾値電圧を前記容量素子の充電電圧に上乗せする発光素子閾値補正手段と、前記充電手段が有するトランジスタの閾値電圧を補正するトランジスタ閾値電圧補正手段とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
発光素子を駆動する画素において、
容量素子と、前記容量素子に充電する充電手段と、前記容量素子から前記発光素子に放電する放電手段と、前記充電手段による前記容量素子への充電電荷量を制御する階調手段と、前記発光素子の閾値電圧を前記容量素子の充電電圧に上乗せする発光素子閾値補正手段と、前記充電手段が有するトランジスタの閾値電圧を補正するトランジスタ閾値電圧補正手段とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項４、請求項７、請求項８又は請求項９において、
前記容量素子への充電がトランジスタのドレインからソースに流れた電流によって行なわれ、
前記トランジスタのソース電極とゲート電極の電位差が、前記トランジスタの閾値電圧よりも小さくなると充電が停止する半導体装置の駆動方法であって、
前記トランジスタのゲート電圧にあらかじめ前記トランジスタの閾値電圧を上乗せして印加することにより、前記トランジスタの閾値電圧の影響を補正することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項１３】
請求項１、請求項３、請求項５、請求項６、請求項１０、または請求項１１のいずれか１項において、
充電スイッチと、放電スイッチと、容量線と、充電端子とを有し、
前記容量素子の第１の電極は前記充電スイッチの第１の電極と前記放電スイッチの第２の電極と電気的に接続し、第２の電極は前記容量線と接続し、
前記充電スイッチの第２の電極は前記充電端子と接続し、
前記放電スイッチの第１の電極は前記発光素子と接続し、
前記容量線と前記充電端子は互いに異なる電位であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３において、
階調スイッチと、書込スイッチと、信号線と、階調容量と、階調容量線とを有し、
前記階調スイッチの制御電極は前記書込スイッチの第２の電極と前記階調容量の第１の電極と電気的に接続し、第１の電極と第２の電極は前記容量素子と前記充電端子、前記容量素子と前記容量線又は前記容量素子と前記発光素子との間に設けられ、
前記書込スイッチの第１の電極は前記信号線と電気的に接続し、
前記階調容量は前記階調容量線と電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１３において、
階調スイッチと、書込スイッチと、信号線と、階調容量と、階調容量線と、消去スイッチと、消去線とを有し、
前記階調スイッチの制御電極は前記書込スイッチの第２の電極と前記消去スイッチの第２の電極と前記階調容量の第１の電極と電気的に接続し、第１の電極と第２の電極は前記容量素子と前記充電端子、前記容量素子と前記容量線又は前記容量素子と前記発光素子との間に設けられ、
前記書込スイッチの第１の電極は前記信号線と電気的に接続し、
前記消去スイッチの第１の電極は前記消去線と電気的に接続し、
前記階調容量は前記階調容量線と電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１３において、
階調トランジスタと、書込スイッチと、信号線と、階調容量と、階調容量線とを有し、
前記階調トランジスタのゲートは前記書込スイッチの第２の電極と前記階調容量の第１の電極と電気的に接続し、第１の電極と第２の電極は前記容量素子と前記充電端子との間に設けられ、
前記書込スイッチの第１の電極は前記信号線と電気的に接続し、
前記階調容量は前記階調容量線と電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１３乃至請求項１５のいずれか１項において、
ＥＬ閾値容量と、充電バイアス端子と、ＥＬ閾値印加スイッチと、ＥＬ閾値印加トランジスタと、ＥＬ閾値取込スイッチとを有し、
前記ＥＬ閾値印加トランジスタのゲートは前記ＥＬ閾値印加スイッチの第１の電極と電気的に接続し、第１の電極と第２の電極は前記容量素子と前記充電端子との間に設けられ、
前記ＥＬ閾値印加スイッチの第２の電極は前記ＥＬ閾値容量の第１の電極と前記ＥＬ閾値取込スイッチの第２の電極と電気的に接続し、
前記ＥＬ閾値取込スイッチの第１の電極は発光素子と電気的に接続し、
前記ＥＬ閾値容量の第２の電極は前記充電バイアス端子と電気的に接続し、
前記充電バイアス端子は前記ＥＬ閾値取込スイッチの電気的な導通の有無に応じて電位を変化されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１３において、
階調トランジスタと、書込スイッチと、信号線と、階調容量と、階調容量線と、ＥＬ閾値容量と、ＥＬ閾値印加スイッチと、ＥＬ閾値取込スイッチとを有し、
前記階調トランジスタのゲートは前記書込スイッチの第１の電極と電気的に接続し、第１の電極と第２の電極は前記容量素子と前記充電端子との間に設けられ、
前記ＥＬ閾値印加スイッチの第２の電極は前記ＥＬ閾値容量の第１の電極と前記ＥＬ閾値取込スイッチの第２の電極と電気的に接続し、
前記ＥＬ閾値取込スイッチの第１の電極は発光素子と電気的に接続し、
前記ＥＬ閾値容量を第２の電極は前記書込スイッチの第２の電極と前記階調容量の第１の電極と電気的に接続し、
前記書込スイッチの第１の電極は前記信号線と電気的に接続し、
前記階調容量は前記階調容量線と電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１７において、
トランジスタ閾値容量と、トランジスタ閾値第１取込スイッチと、トランジスタ閾値第２取込スイッチと、トランジスタ閾値第３取込スイッチと、トランジスタ閾値第４取込スイッチと、トランジスタ閾値容量線とを有し、
前記トランジスタ閾値容量は前記ＥＬ閾値印加トランジスタのゲートと前記ＥＬ閾値印加スイッチの第１の電極との間に設けられ、
前記トランジスタ閾値第１取込スイッチの第１の電極は前記トランジスタ閾値容量の前記ＥＬ閾値印加トランジスタのゲートが接続されている側と反対側と電気的に接続し、
前記トランジスタ閾値第１取込スイッチの第２の電極は前記ＥＬ閾値印加トランジスタの第１の電極と前記トランジスタ閾値第２取込スイッチの第１の電極と電気的に接続し、
前記トランジスタ閾値第３取込スイッチは前記ＥＬ閾値印加トランジスタの第２の電極とゲートの間に電気的に接続し、
前記トランジスタ閾値第４取込スイッチは、前記ＥＬ閾値トランジスタの第２の電極と前記充電端子との間に設けられ、
前記トランジスタ閾値第２取込スイッチの第２の電極はトランジスタ閾値容量線と接続し、
前記トランジスタ閾値容量線は固定電位であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１６または請求項１８において、
トランジスタ閾値容量と、トランジスタ閾値第１取込スイッチと、トランジスタ閾値第２取込スイッチと、トランジスタ閾値第３取込スイッチと、トランジスタ閾値第４取込スイッチと、トランジスタ閾値容量線とを有し、
前記トランジスタ閾値容量は前記階調トランジスタのゲートと前記ＥＬ閾値印加スイッチの第１の電極との間に設けられ、
前記トランジスタ閾値第１取込スイッチの第１の電極は前記トランジスタ閾値容量の前記階調トランジスタのゲートが接続されている側と反対側と電気的に接続し、
前記トランジスタ閾値第１取込スイッチの第２の電極は前記階調トランジスタの第１の電極と前記トランジスタ閾値第２取込スイッチの第１の電極と電気的に接続し、
前記トランジスタ閾値第３取込スイッチは前記階調トランジスタの第２の電極とゲートの間に電気的に接続し、
前記トランジスタ閾値第４取込スイッチは、前記ＥＬ閾値トランジスタの第２の電極と前記充電端子との間に設けられ、
前記トランジスタ閾値第２取込スイッチの第２の電極はトランジスタ閾値容量線と接続し、
前記トランジスタ閾値容量線は固定電位であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項１、請求項３、請求項５、請求項６、請求項１０、または請求項１１のいずれか１項において、
容量線と、充電端子とを有し、
充電状態において前記容量素子の第１の電極は前記充電端子と接続し、第２の電極は前記容量線と接続し、
放電状態において前記容量素子の第１の電極は前記発光素子と接続し、第２の電極は前記容量線と接続し、
前記容量線と前記充電端子は互いに異なる電位であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項２１において、
階調スイッチと、信号線と、階調容量と、階調容量線とを有し、
階調書込状態において前記階調スイッチの制御電極は前記階調容量の第１の電極と前記信号線と電気的に接続し、
第１の電極と第２の電極は前記容量素子と前記充電端子、前記容量素子と前記容量線又は前記容量素子と前記発光素子との間に設けられ、
前記階調容量の第２の電極は前記階調容量線と電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】
請求項２１において、
階調スイッチと、信号線と、階調容量と、階調容量線と、消去線とを有し、
階調書込状態において前記階調スイッチの制御電極は前記階調容量の第１の電極と前記信号線と電気的に接続し、
第１の電極と第２の電極は前記容量素子と前記充電端子、前記容量素子と前記容量線又は前記容量素子と前記発光素子との間に設けられ、
前記階調容量の第２の電極は前記階調容量線と電気的に接続し、
階調消去状態において前記階調スイッチの制御電極は前記階調容量の第１の電極と前記消去線と電気的に接続し、
第１の電極と第２の電極は前記容量素子と前記充電端子、前記容量素子と前記容量線又は前記容量素子と前記発光素子との間に設けられ、
前記階調容量の第２の電極は前記階調容量線と電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２４】
請求項２１において、
階調トランジスタと、信号線と、階調容量と、階調容量線とを有し、
階調書込状態において前記階調トランジスタのゲートは前記階調容量の第１の電極と前記信号線と電気的に接続し、
第１の電極と第２の電極は前記容量素子と前記充電端子との間に設けられ、
前記階調容量の第２の電極は前記階調容量線と電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】
請求項２１乃至請求項２３のいずれか１項において、
ＥＬ閾値容量と、充電バイアス端子と、ＥＬ閾値印加トランジスタとを有し、
前記充電状態において前記ＥＬ閾値印加トランジスタのゲートは前記ＥＬ閾値容量の第１の電極と電気的に接続し、第１の電極と第２の電極は前記容量素子と前記充電端子との間に設けられ、前記ＥＬ閾値容量の第２の電極は第１の電位に保たれ、
前記放電状態において前記ＥＬ閾値容量の第１の電極は前記発光素子と電気的に接続し、第２の電極は第２の電位に保たれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２６】
請求項２１において、
階調トランジスタと、信号線と、階調容量と、階調容量線と、ＥＬ閾値容量とを有し、
階調書込状態において前記階調容量の第１の電極は前記信号線と電気的に接続し、第２の電極は階調容量線と電気的に接続し、前記階調容量線は第１の電位に保たれ、
前記充電状態において前記階調トランジスタのゲートと階調容量線の間には前記階調容量とＥＬ閾値容量とが設けられ、前記階調容量線は第１の電位に保たれ、前記階調トランジスタの第１の電極と第２の電極は前記容量素子と前記充電端子との間に設けられ、
前記放電状態において前記ＥＬ閾値容量の第１の電極が前記発光素子と接続し、第２の電極は第１又は第２の電位に保たれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２７】
請求項２５において、
トランジスタ閾値容量を有し、
前記充電状態において前記充電バイアス端子と前記ＥＬ閾値印加トランジスタのゲートの間に前記ＥＬ閾値容量と前記トランジスタ閾値容量が設けられ、
ＴＦＴ閾値取得状態において前記ＥＬ閾値印加トランジスタのゲートと第１の電極とが第３の電位に保たれ、第２の電極が第４の電位に保たれ、前記トランジスタ閾値容量に前記第３の電位と前記第４の電位の電位差が充電されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２８】
請求項２４において、
トランジスタ閾値容量を有し、
前記充電状態において前記充電バイアス端子と前記階調トランジスタのゲートの間に前記階調容量と前記トランジスタ閾値容量が設けられ、
ＴＦＴ閾値取得状態において前記階調トランジスタのゲートと第１の電極とが第１の電位に保たれ、第２の電極が第２の電位に保たれ、前記トランジスタ閾値容量に前記第１の電位と前記第２の電位の電位差が充電されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２９】
請求項２６において、
トランジスタ閾値容量を有し、
前記充電状態において前記充電バイアス端子と前記階調トランジスタのゲートの間に前記階調容量と前記ＥＬ閾値容量と前記トランジスタ閾値容量とが設けられ、
ＴＦＴ閾値取得状態において前記階調トランジスタのゲートと第１の電極とが第３の電位に保たれ、第２の電極が第４の電位に保たれ、前記トランジスタ閾値容量に前記第３の電位と前記第４の電位の電位差が充電されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３０】
発光素子を駆動する画素を有し、
前記画素は、容量素子と、第１及び第２のスイッチ素子と、容量線と、電荷供給線とを有し、
前記第１のスイッチ素子の第１の電極は電荷供給線と接続し、第２の電極は前記容量素子の第１の電極と前記第２のスイッチ素子の第１の電極とに接続し、
前記容量素子の第２の電極は前記容量線と接続し、
前記第２のスイッチ素子の第２の電極は前記発光素子に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３１】
発光素子を駆動する画素を有し、
前記画素は、第１及び第２の容量素子と、第１乃至第４のスイッチ素子と、容量線と、電荷供給線と、信号線とを有し、
前記第１のスイッチ素子の第１の電極は電荷供給線と接続し、第２の電極は前記第１の容量素子の第１の電極と前記第２のスイッチ素子の第１の電極とに接続し、
前記第１の容量素子の第２の電極は前記容量線と接続し、
前記第２のスイッチ素子の第２の電極は前記第３のスイッチ素子の第１の電極に接続し、
前記第３のスイッチ素子の第１の電極は前記発光素子に接続し、制御電極は前記第２の容量素子の第１の電極と前記第４のスイッチ素子の第２の電極とに接続し、
前記第２の容量素子の第２の電極は前記容量線と接続し、
前記第４のスイッチ素子の第１の電極は前記信号線と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３２】
発光素子を駆動する画素を有し、
前記画素は、第１及び第２の容量素子と、第１乃至第３のスイッチ素子と、ＴＦＴと、容量線と、電荷供給線と、信号線とを有し、
前記ＴＦＴの第２の電極は前記電荷供給線と接続し、第１の電極は前記第１のスイッチ素子の第１の電極と接続し、ゲートは前記第３のスイッチ素子の第２の電極と前記第２の容量素子の第１の電極とに接続し、
前記第１のスイッチ素子の第２の電極は前記第１の容量素子の第１の電極と前記第２のスイッチ素子の第１の電極とに接続し、
前記第２のスイッチ素子の第２の電極は前記発光素子と接続し、
前記第３のスイッチ素子の第１の電極は前記信号線と接続し、
前記第１及び第２の容量素子の第２の電極は前記容量線と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３３】
発光素子を駆動する画素を有し、
前記画素は、第１乃至第３の容量素子と、第１乃至第６のスイッチ素子と、ＴＦＴと、容量線と、電荷供給線と、信号線と、充電電圧線を有し、
前記ＴＦＴの第２の電極は電荷供給線と接続し、第１の電極は前記第１のスイッチ素子の第１の電極と接続し、ゲートは前記第５のスイッチ素子の第１の電極と接続し、
前記第１のスイッチ素子の第２の電極は前記第１の容量素子の第１の電極と前記第２のスイッチ素子の第１の電極とに接続し、
前記第２のスイッチ素子の第２の電極は前記第３のスイッチ素子の第１の電極と前記第４のスイッチ素子の第２の電極とに接続し、
前記第３のスイッチ素子の第２の電極は前記発光素子と接続し、制御電極は前記第３の容量素子の第１の電極と前記第６のスイッチ素子の第２の電極とに接続し、
前記第４のスイッチ素子の第１の電極は前記第２の容量素子の第１の電極と前記第５のスイッチ素子の第２の電極とに接続し、
前記第６のスイッチ素子の第１の電極は前記信号線と接続し、
前記第１及び第３の容量素子の第２の電極は前記容量線と接続し、
前記前記第２の容量素子の第２の電極は前記充電電圧線と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３４】
発光素子を駆動する画素を有し、
前記画素は、第１乃至第３の容量素子と、第１乃至第５のスイッチ素子と、ＴＦＴと、容量線と、電荷供給線と、信号線とを有し、
前記ＴＦＴの第２の電極は前記電荷供給線と接続し、第１の電極は前記第１のスイッチ素子の第１の電極と接続し、ゲートは前記第４のスイッチ素子の第１の電極と接続し、
前記第１のスイッチ素子の第２の電極は前記第１の容量素子の第１の電極と前記第２のスイッチ素子の第１の電極とに接続し、
前記第２のスイッチ素子の第２の電極は前記第３のスイッチ素子の第２の電極と前記発光素子とに接続し、
前記第３のスイッチ素子の第１の電極は前記第２の容量素子の第１の電極と前記第４のスイッチ素子の第２の電極とに接続し、
前記第２の容量素子の第２の電極は前記第３の容量素子の第１の電極と前記第５のスイッチ素子の第２の電極とに接続し、
前記第５のスイッチ素子の第１の電極は前記信号線と接続し、
前記第１及び第３の容量素子の第２の電極は前記容量線と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３５】
発光素子を駆動する画素を有し、
前記画素は、第１乃至第４の容量素子と、第１乃至第９のスイッチ素子と、ＴＦＴと、容量線と、電荷供給線と、信号線と、充電電圧線とを有し、
前記ＴＦＴの第２の電極は電荷供給線と前記第８のスイッチ素子の第１の電極とに接続し、第１の電極は前記第１のスイッチ素子の第１の電極と、前記第７のスイッチ素子の第２の電極と、前記第９のスイッチ素子の第１の電極とに接続し、ゲートは前記第８のスイッチ素子の第２の電極と前記第４の容量素子の第１の電極とに接続し、
前記第１のスイッチ素子の第２の電極は前記第１の容量素子の第１の電極と前記第２のスイッチ素子の第１の電極とに接続し、
前記第２のスイッチ素子の第２の電極は前記第３のスイッチ素子の第１の電極と前記第４のスイッチ素子の第２の電極とに接続し、
前記第３のスイッチ素子の第２の電極は前記発光素子と接続し、制御電極は前記第３の容量素子の第１の電極と前記第６のスイッチ素子の第２の電極とに接続し、
前記第４のスイッチ素子の第１の電極は前記第２の容量素子の第１の電極と前記第５のスイッチ素子の第２の電極とに接続し、
前記第５のスイッチ素子の第１の電極は前記第７のスイッチ素子の第１の電極と前記第４の容量素子の第２の電極とに接続し、
前記第６のスイッチ素子の第１の電極は前記信号線と接続し、
前記第１及び第３の容量素子の第２の電極と前記第９のスイッチ素子の第２の電極は前記容量線と接続し、
前記第２の容量素子の第２の電極は前記充電電圧線と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３６】
発光素子を駆動する画素を有し、
前記画素は、第１乃至第４の容量素子と、第１乃至第８のスイッチ素子と、ＴＦＴと、容量線と、電荷供給線と、信号線とを有し、
前記ＴＦＴの第２の電極は前記電荷供給線と前記第７のスイッチ素子の第１の電極とに接続し、第１の電極は前記第１のスイッチ素子の第１の電極と、前記第６のスイッチ素子の第２の電極と、前記第８のスイッチ素子の第１の電極とに接続し、ゲートは前記第４の容量素子の第１の電極と前記第７のスイッチ素子の第２の電極とに接続し、
前記第１のスイッチ素子の第２の電極は前記第１の容量素子の第１の電極と前記第２のスイッチ素子の第１の電極とに接続し、
前記第２のスイッチ素子の第２の電極は前記第３のスイッチ素子の第２の電極と前記発光素子とに接続し、
前記第３のスイッチ素子の第１の電極は前記第２の容量素子の第１の電極と前記第４のスイッチ素子の第２の電極とに接続し、
前記第４のスイッチ素子の第１の電極は前記第４の容量素子の第２の電極と前記第６のスイッチ素子の第１の電極とに接続し、
前記第２の容量素子の第２の電極は前記第３の容量素子の第１の電極と前記第５のスイッチ素子の第２の電極とに接続し、
前記第５のスイッチ素子の第１の電極は前記信号線と接続し、
前記第１及び第３の容量素子の第２の電極と前記第８のスイッチ素子の第２の電極は前記容量線と接続されていることを特徴とする半導体装置。