Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月3日(2007.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端末（１０、１２）と、
データ処理手段（２２）を含む独立の携帯デバイス（２０）と、
前記端末と前記携帯デバイスとの間で個人識別データを交換するための無線結合手段（ＲＦ通信）とを備える、電子取引で個人を識別するためのシステムであって、
該システムが、
端末中のトランスミッタ（５０〜６２）と携帯デバイス中のレシーバ（２６）とを含む、身体を媒体とする通信手段（ＯＳＣ通信）であって、
端末と携帯デバイスとの間の、個人によって確立される物理的接触による取引の開始時に、端末から携帯デバイスへ接続コード（接続コード）を送信するように構成された身体を媒体とする通信手段と、
所定の基準に従った前記接続コードに応じて、前記取引のさらなる実行を可能にするために、受信された前記接続コードを確認し、前記無線結合手段（ＲＦ通信）を介して、信号を端末に条件付で発生するように構成された、携帯デバイス中の制御手段とをさらに含むことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記制御手段が、前記取引のさらなる実行の前に、前記無線結合手段の動作を可能にするために信号を条件付で発生するようにさらに構成された請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
携帯デバイスの前記確認手段が、個人によって確立される物理的接触による個人の生物測定データを確認するための生物測定センサ（３０）を含む請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記生物測定センサ（３０）が、指紋センサ、声紋センサ、および皮下超音波センサのうちの１つである請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
端末と携帯デバイスとの間の、個人によって確立される前記物理的接触の妨害を検出するための手段をさらに含む請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記身体を媒体とする通信手段（ＯＳＣ通信）が、直接拡散式スペクトル拡散手段を含む請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記身体を媒体とする通信手段（ＯＳＣ通信）が、単方向の通信手段である請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記身体を媒体とする通信手段（ＯＳＣ通信）が、ノンセキュアの通信手段である請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
携帯デバイスに送信される前記接続コード（接続コード）が、端末型識別データ（Ｃ）を含み、
前記制御手段が、携帯デバイスに記憶された対応のデータに関して、携帯デバイスによって受信された前記端末型識別データを確認するようにさらに構成され、
前記制御手段が、携帯デバイスに記憶された対応のデータに従った前記端末型識別データに応じて、取引のさらなる実行を可能にするために、前記信号を条件付で発生するようにさらに構成された請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
携帯デバイスに送信される前記接続コードが第１ランダムデータ（Ｂ）を含み、
前記制御手段が、前記無線結合手段（ＲＦ通信）を介して、前記第１ランダムデータを端末に再送信するようにさらに構成され、
端末が、接続コードの中の送信された前記第１データに関して、前記再送信された第１ランダムデータを確認するように構成された請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
携帯デバイスに送信された前記接続コード（接続コード）が第２ランダムデータ（Ａ）を含み、
前記制御手段が、受信された前記第２ランダムデータを記憶するようにさらに構成され、
端末が前記無線結合手段（ＲＦ通信）を介して、携帯デバイスに再送信要求（ＲＴＳＡ）を発生するようにさらに構成され、
前記制御手段が、前記再送信要求を受信すると、前記記憶された第２ランダムデータを端末に再送信するようにさらに構成され、
端末が最初に送信された第２ランダムデータに関して、前記再送信された第２ランダムデータを確認するようにさらに構成された請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
データ処理手段（２２）と、
端末（１０、１２）と個人識別データを交換するための無線結合手段（ＲＦ通信）とを含む、電子取引で個人を識別するための、請求項１から１１のいずれかによるシステムでの使用のための独立の携帯デバイス（２０）であって、
該携帯デバイスが、
端末と携帯デバイスとの間の、個人によって確立される物理的接触による取引の開始時に、端末から接続コード（接続コード）を受信するように構成された、身体を媒体とする通信レシーバ（２６）と、
所定の基準に従った前記接続基準に応じて、前記取引のさらなる実行を可能にするために、受信された前記接続コードを確認し、信号を条件付で発生するように構成された制御手段とをさらに含むことを特徴とする携帯デバイス。
【請求項１３】
携帯デバイス（２０）と個人識別データを交換するための無線結合手段（ＲＦ通信）を含む、電子取引で個人を識別するための、請求項１から１１のいずれかによるシステムでの使用のための端末（１０、１２）であって、
該端末が、
端末と携帯デバイスとの間の、個人によって確立される物理的接触による取引の開始時に、携帯デバイスに接続コード（接続コード）を送信するように構成された身体を媒体とする通信トランスミッタと、
所定の基準に従った前記接続コードに応じて、前記取引のさらなる実行を可能にするために、前記無線結合手段を介して携帯デバイスによって発生された信号を受信する手段とをさらに含むことを特徴とする端末。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月15日(2007.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を投影するための配列であって、
該配列は、
レーザービームを生成するレーザー供給源と、
該レーザービームを第１の走査レートで掃引することにより、第１の方向に沿って配置された複数のピクセルを有する走査線を生成するスキャナであって、該第１の方向に直交する第２の方向に沿って該走査線を第２の走査レートで掃引することにより、投影面に走査線のラスタパターンを生成するスキャナと、
該レーザー供給源に加圧して、該走査線上の選択されたピクセルを照らすことにより、該投影面上に該画像を形成するコントローラであって、掃引中に、該スキャナを制御して、該走査レートのうちの少なくとも１つを変更することにより、該投影面上の異なるピクセル解像度の複数の画像領域を形成するコントローラと
を備えている、配列。
【請求項２】
前記レーザー供給源は、レーザーであり、
前記スキャナは、前記コントローラによって前記第１の走査レートで駆動される第１の振動可能走査ミラーと、該コントローラによって前記第２の走査レートで駆動される第２の振動可能走査ミラーとを含んでおり、該第１の走査レートと該第２の走査レートとは異なる、請求項１に記載の配列。
【請求項３】
前記レーザー供給源は、結合されて前記レーザービームを形成する複数の成分ビームをそれぞれ生成する複数のレーザーを含んでおり、
前記スキャナは、前記コントローラによって前記第１の走査レートで駆動される第１の振動可能走査ミラーと、該コントローラによって前記第２の走査レートで駆動される第２の振動可能走査ミラーとを含んでおり、該第１の走査レートと該第２の走査レートとは異なる、請求項１に記載の配列。
【請求項４】
前記コントローラは、前記スキャナを制御して、共通面にある別個の領域であって、相互に離間している別個の領域として、前記投影面上に前記複数の画像領域を形成するように作用する、請求項１に記載の配列。
【請求項５】
前記投影面は、単一のスクリーンである、請求項４に記載の配列。
【請求項６】
前記投影面は、複数のスクリーンである、請求項４に記載の配列。
【請求項７】
前記コントローラは、前記スキャナを制御して、交差する複数の面にある別個の領域であって、相互に離間している別個の領域として、前記投影面上に前記複数の画像領域を形成するように作用する、請求項１に記載の配列。
【請求項８】
前記スキャナは、前記レーザービームを走査角度にわたって掃引することにより、長さの次元を有する前記走査線を生成し、前記コントローラは、該スキャナを制御することにより、該走査角度を変更し、該走査線の該長さの次元を変化させるように作用する、請求項１に記載の配列。
【請求項９】
前記コントローラは、前記スキャナを制御して、平行な複数の面にある別個の領域として、前記複数の画像領域を形成するように作用し、該複数の面のうちの１つの面は、該複数の面のうちの他の面よりも前記レーザー供給源に近い、請求項１に記載の配列。
【請求項１０】
前記複数の画像領域のうちの１つの画像領域は、キーボードを描写し、該複数の画像領域のうちの別の画像領域は、グラフィカルユーザーインタフェースを描写する、請求項１に記載の配列。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月22日(2008.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピューターシステム内のタスク実行を制御するための方法であって、
異なるタスクとそれぞれが関係付けられる複数のタスク要素、
複数の接続場所を有するリソース要素、および、
前記複数の接続場所で、前記タスク要素を前記リソース要素に結合するリンク要素であって、前記リソース要素上の接続場所へのタスク要素の結合は、前記タスク要素と関係付けられる前記タスクに関する実行順序制約を規定する、リンク要素を有するタスク依存関係のグラフ表現の仕様を受け入れるステップを含む方法。
【請求項２】
更に、タスク依存関係の前記グラフ表現に従って前記タスクを実行するステップを含む請求項１の方法。
【請求項３】
前記タスク要素が、前記グラフ表現内にノードを含み、前記リンク要素が、前記グラフ表現内にリンクを含む請求項１の方法。
【請求項４】
前記リソース要素はタイムラインを備え、前記接続場所が前記タイムライン上の点と関係付けられている請求項１の方法。
【請求項５】
前記リソース要素が、前記タスクによるアクセスのために計算リソースと関係付けられている請求項１の方法。
【請求項６】
前記計算リソースが格納リソースを含む請求項５の方法。
【請求項７】
前記計算リソースがデータテーブルを含む請求項５の方法。
【請求項８】
コンピュータ可読媒体上に格納したデータ構造であって、
複数のタスク要素のデータ表現と、
複数の接続場所のデータ表現と、
前記タスク要素を前記接続場所に関係付けるデータであって、タスク要素の接続場所への関係付けは、前記タスク要素と関係付けられるタスクに関する順序制約を規定する、データとを含むデータ構造。
【請求項９】
前記データ構造は、リソースと関係付けられる請求項８のデータ構造。
【請求項１０】
前記リソースが、前記タスクによるアクセスのために計算リソースと関係付けられる請求項８のデータ構造。
【請求項１１】
前記計算リソースが格納リソースを含む請求項１０のデータ構造。
【請求項１２】
前記計算リソースがデータテーブルを含む請求項１０のデータ構造。
【請求項１３】
タスク実行システムであって、
データモデルに適合するデータを含む収納庫であって、前記データモデルは、
異なるタスクとそれぞれ関係付けられる複数のタスク要素、
複数の接続場所を有するリソース要素、および、
前記複数の接続場所で前記タスク要素を前記リソース要素と結合するリンク要素であって、前記リソース要素上の接続場所へのタスク要素の結合は、前記タスク要素と関係付けられる前記タスクに関する実行順序制約を規定する、リンク要素を含む、収納庫と、
前記収納庫へのアクセスを有するとともに、タスク依存関係の前記グラフ表現に従って、前記タスクを実行するよう構成されるタスク実行モデルとを含むシステム。
【請求項１４】
前記タスク要素は、前記グラフ表現内にノードを備え、前記リンク要素は、前記グラフ表現内にリンクを備える請求項１３のシステム。
【請求項１５】
前記リソース要素はタイムラインを備え、前記接続場所が前記タイムライン上の点と関係付けられている請求項１３のシステム。
【請求項１６】
前記リソース要素が、前記タスクによるアクセスのために計算リソースと関係付けられる請求項１３のシステム。
【請求項１７】
前記計算リソースが格納リソースを含む請求項１６のシステム。
【請求項１８】
前記計算リソースがデータテーブルを含む請求項１６のシステム。
【請求項１９】
タスク実行システムであって、
異なるタスクとそれぞれが関係付けられる複数のタスク要素、
複数の接続場所を有するリソース要素、および、
前記複数の接続場所で、前記タスク要素を前記リソース要素に結合するリンク要素であって、前記リソース要素上の接続場所へのタスク要素の結合は、前記タスク要素と関係付けられる前記タスクに関する実行順序制約を規定するリンク要素を有するタスク依存関係のグラフ表現の仕様を受け入れるための手段と、
タスク依存関係の前記グラフ表現に従って前記タスクを実行するための手段とを含むシステム。
【請求項２０】
前記タスク要素が、前記グラフ表現内にノードを含み、前記リンク要素が、前記グラフ表現内にリンクを含む請求項１９のシステム。
【請求項２１】
前記リソース要素はタイムラインを備え、前記接続場所が前記タイムライン上の点と関係付けられている請求項１９のシステム。
【請求項２２】
前記リソース要素が、前記タスクによるアクセスのために計算リソースと関係付けられる請求項１９のシステム。
【請求項２３】
前記計算リソースが格納リソースを含む請求項２２のシステム。
【請求項２４】
前記計算リソースがデータテーブルを含む請求項２２のシステム。
【請求項２５】
コンピューターシステム内のタスク実行を制御するための方法であって、
異なるタスクとそれぞれが関係付けられる複数のタスク要素、
リソース要素、および、
前記複数の接続場所で、前記タスク要素と関係付けられる前記タスクに関する実行順序制約を定義する時間順シーケンスで、前記タスク要素を前記リソース要素に結合するリンク要素、
を有するタスク依存関係のグラフ表現の仕様を受け入れるステップと、
タスク依存関係の前記グラフ表現に従って、前記タスクを実行するステップとを含む方法。
【請求項２６】
前記リソース要素上の前記複数の接続場所の相対位置が前記順序制約を定義する請求項１の方法。
【請求項２７】
前記複数の接続場所が少なくとも４つの接続場所を備えている請求項２６の方法。
【請求項２８】
前記複数の接続場所の相対位置が前記順序制約を定義する請求項８のデータ構造。
【請求項２９】
前記複数の接続場所が少なくとも４つの接続場所を備えている請求項２８のデータ構造。
【請求項３０】
前記リソース要素上の前記複数の接続場所の相対位置が前記順序制約を定義する請求項１３のシステム。
【請求項３１】
前記複数の接続場所が少なくとも４つの接続場所を備えている請求項３０のシステム。
【請求項３２】
前記リソース要素上の前記複数の接続場所の相対位置が前記順序制約を定義する請求項１９のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月22日(2008.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒトインフルエンザウイルス株による感染からヒト患者を防御するためのワクチンであって、ここで該ワクチンは、高度病原性トリインフルエンザを引き起こし得るトリインフルエンザウイルス株に由来する抗原を含む、ワクチン。
【請求項２】
前記抗原は、前記患者において抗体応答をもたらし、該抗体応答は、同種トリインフルエンザ株および新生の異種ヒトインフルエンザ株を中和することができる、請求項１に記載のワクチン。
【請求項３】
前記新生の異種ヒトインフルエンザ株は、同じ血球凝集素型を含む、請求項２に記載のワクチン。
【請求項４】
前記血球凝集素型は、Ｈ５およびＨ９からなる群より選択される、請求項３に記載のワクチン。
【請求項５】
アジュバントをさらに含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のワクチン。
【請求項６】
１種以上のヒトインフルエンザウイルス株に由来する抗原をさらに含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載のワクチン。
【請求項７】
１種以上のさらなるトリインフルエンザ株に由来する抗原をさらに含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載のワクチン。
【請求項８】
前記抗原は、精製ウイルスタンパク質、成分ウイルスまたは完全ウイルスの形態である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のワクチン。
【請求項９】
ヒトインフルエンザウイルス株による感染からヒト患者を防御するためのワクチンを調製する方法であって、該方法は、高度病原性トリインフルエンザを引き起こし得るインフルエンザウイルス株に由来する抗原と、薬学的に受容可能なキャリアとを混合する工程を包含する、方法。
【請求項１０】
前記抗原とアジュバントとを混合する工程をさらに包含する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記抗原は、卵中で増殖させたウイルスまたは細胞培養で増殖させたウイルスに由来する、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
ヒトインフルエンザウイルス株による感染からヒト患者を防御するためのワクチンの製造における、高度病原性トリインフルエンザを引き起こし得るトリインフルエンザウイルス株に由来する抗原の使用であって、ここで該ワクチン中の抗原は、該患者において抗体応答をもたらすことができ、該抗体応答は、該ヒトインフルエンザウイルス株を中和することができる、使用。
【請求項１３】
ヒトインフルエンザウイルス株による感染からヒト患者を防御するための組成物であって、該組成物は、高度病原性トリインフルエンザを引き起こし得るトリインフルエンザウイルス株に由来する抗原を含む、組成物。
【請求項１４】
以下を含む、キット：
（ａ）病原性トリインフルエンザウイルス株に由来する抗原を含む第１の容器；および
（ｂ）１種以上のヒトインフルエンザウイルス株に由来する抗原を含む第２の容器。
【請求項１５】
容器（ａ）は、アジュバントをさらに含む、請求項１４に記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月21日(2008.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基体と、該基体の上に堆積又は形成された１個の電極とを有するセンサーであって、
前記電極が、結合剤と一緒に混合されて、前記基体に施用される、ドープされたダイヤモンド粒子を含有する導電性材料とを含有している、上記センサー。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月6日(2008.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開放キャビティを有する基体に結合された硬質ポリウレタンフォームの形成方法であって、ポリイソシアネート成分をポリオール成分と、少なくとも１種の、ポリオールとポリイソシアネートとの反応用の触媒及び発泡剤の存在下で、混合する工程、得られた混合物を、開放キャビティを規定する基体の上に分配する工程並びにこの混合物を、混合物を硬化させて、基体に接着性である、３〜４０ポンド／立方フート（４８〜６４０ｋｇ／ｍ3）の嵩密度を有するフォームを形成させるのに十分な条件に付す工程を含んでなり、（ａ）ポリイソシアネート成分が、少なくとも１種の、複数個の遊離イソシアネート基を有する化合物を含有し、（ｂ）ポリオール成分が、少なくとも２．３の平均官能度を有し、そして少なくとも１種のポリオールを含むイソシアネート反応性材料を含有し、そして（ｃ）ポリイソシアネート成分のポリオール成分に対する体積比が、５：１以下で且つ１：５以上であり、（ｄ）ポリイソシアネート成分中のイソシアネート基の、ポリオール成分中のイソシアネート反応性基の数に対する比が、０．７：１〜１．５：１であり、（ｅ）発泡剤にアルカノールアミンのカルバメートが含まれ、そして（ｆ）混合物のクリーム時間が２秒間未満である硬質ポリウレタンフォームの形成方法。
【請求項２】
カルバメートが非水性媒体中に含有されている請求項１に記載の方法。
【請求項３】
カルバメートが、二酸化炭素と、Ｎ−メチル−２−アミノエタノール、Ｎ−エチル−２−アミノエタノール、２−（２−Ｎ−メチル−アミノエチル）−１，２−エタンジオール、Ｎ，Ｎ’−ビス（β−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（β−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（β−ヒドロキシエチル）−１，２−プロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（β−ヒドロキシプロピル）−１，３−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（β−ヒドロキシエチル）−１−メチル−２，４−ジアミノシクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ビス（β−ヒドロキシエチル）−１−メチル−２，６−ジアミノシクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ビス（β−ヒドロキシプロピル）−ｐ−キシリレンジアミン、Ｎ−（β−ヒドロキシエチル）−Ｎ’−（β−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン又はトリス（β−ヒドロキシエチル）−１，６，１１−トリアミノウンデカンとの反応生成物である請求項２に記載の方法。
【請求項４】
カルバメートが、二酸化炭素と、構造：
ＨzＮ−［（ＣＨＲ’−ＣＨＲ”−Ｏ−）a−（ＣＨ2）x−ＯＨ］y
（式中、ｙは少なくとも１であり、ｚ＋ｙは３に等しく、Ｒ’及びＲ”は、独立に、水素、エチル又はメチルであり、ｘは１〜４の数であり、そしてａは１又は２であり、但し、ａ×ｙは２以下である）
を有するアルカノールアミンとの反応生成物である請求項２に記載の方法。
【請求項５】
アルカノールアミンが２−（２−アミノエトキシ）エタノール又は２−（２−（２−アミノエトキシ）エトキシ）エタノールである請求項４に記載の方法。
【請求項６】
イソシアネート末端停止プレポリマー成分が、有機ポリイソシアネートと少なくとも１種のポリオールとの反応生成物である請求項１に記載の方法。
【請求項７】
イソシアネート末端停止プレポリマーが、有機ポリイソシアネート、少なくとも１種のポリオール及びヒドロキシル官能性アクリレート又はメタクリレートの反応生成物である請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ポリイソシアネート成分に少なくとも１種の可塑剤が含有されている請求項６に記載の方法。
【請求項９】
ポリオール成分中の少なくとも１種のポリオールに第三級アミン基が含有されている請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ポリオール成分に少なくとも１種のアミン末端停止ポリエーテルが含有されている請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
発泡剤を、ポリオール成分とポリイソシアネート成分とを混合する前に、ポリオール成分中にブレンドする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
触媒を、ポリオール成分とポリイソシアネート成分とを混合する前に、ポリオール成分中にブレンドする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
クリーム時間が１秒間未満である請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
開放キャビティを有する基体が自動車部品である請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
フォーム配合物を適用し、そして発泡させるとき、自動車部品を、車両又は車両フレームの上に組立てる請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
車両部品がピラー、ロッカー、敷居、セイル、カウル、プレナム、シーム、フレームレール、車両サブアセンブリー、ハイドロ−フォームド部品、クロスカービーム及びエンジンクレイドルである請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月7日(2008.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テレフタル酸とエチレングリコールからポリエチレンテレフタレートを製造する方法であって、
(a)  アンチモン成分の含有量が約15 ppmから150 ppm未満の範囲にあるアンチモン化合物、および亜鉛成分の含有量が約40 ppmから約160 ppmの範囲にある亜鉛化合物を含む触媒組成物を調製し、ここで、重量ppm量が、ポリエチレンテレフタレートの理論収量に基づくものであり、
(b)  装置内に、前記触媒組成物、前記テレフタル酸、及び前記エチレングリコールを入れ、
(c)  エステル化工程及び重縮合工程において、前記テレフタル酸と前記エチレングリコールを反応させて、ポリエチレンテレフタレートを得る、
各工程を有してなることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記アンチモン化合物由来のアンチモン成分の含有量が約80から約140 ppmの範囲にあり、前記亜鉛化合物由来の亜鉛成分の含有量が約80から約140ppmの範囲にあることを特徴とする請求項１記載の方法。 
【請求項３】
前記アンチモン化合物が、三酢酸アンチモン、三酸化アンチモン、三炭酸アンチモン、グリコール酸アンチモン、またはこれらの混合物から成る群から選択されることを特徴とする請求項１または２記載の方法。 
【請求項４】
前記亜鉛化合物が、酢酸亜鉛、酸化亜鉛、過酸化亜鉛、硫化亜鉛、炭酸亜鉛、水酸化亜鉛、ハロゲン化亜鉛、金属亜鉛、またはこれらの混合物から成る群から選択されることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の方法。 
【請求項５】
前記エステル化工程が、約230から約260℃の温度で行われ、前記重縮合工程が、約270から約290℃の温度で行われることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記重縮合工程が、バッチ法において、高真空下の溶融相で行われることを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の方法。 
【請求項７】
前記重縮合工程が、エステル化と重縮合を一連にしたひと続きの反応装置を用いて、溶融相で連続した工程として行われることを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記重縮合工程が、最初の高真空下における溶融重縮合工程と、それに続く真空または窒素気流下での固相重合工程に分けて行われることを特徴とする請求項１から７いずれか１項記載の方法。 
【請求項９】
前記固相重合工程が、一括または連続した操作で行われることを特徴とする請求項８記載の方法。 
【請求項１０】
前記重縮合工程を始める前に、コモノマーを装置に付加で入れることを特徴とする請求項１から９いずれか１項記載の方法。 
【請求項１１】
前記コモノマーが、イソフタル酸、シクロヘキサンジメタノール、またはこれらの混合物であることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記装置に約10から約30 ppmのリン酸を加えることを特徴とする請求項１から１１いずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも1つの色相補正成分を前記装置に加えることを特徴とする請求項１から１２いずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
前記触媒成分を、エステル化工程の前、その間、またはその後に一緒に装置内に入れることを特徴とする請求項１から１３いずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
前記触媒成分を、エステル化工程の前、その間、またはその後といった別々の時間に分けて装置内に入れることを特徴とする請求項１から１３いずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月13日(2008.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上で、無機誘電体層とフォトレジストマスクとの間にＡＲＣ層を配した状態で、前記フォトレジストマスクを通して前記無機誘電体層をエッチングするための方法であって、
前記基板を処理室の中に置き、
前記処理室の中に、エッチャントガスと、ＣＯおよびＣＨ3Ｆを含む重合ガスとを含むＡＲＣ開口用混合ガスを供給し、
前記ＡＲＣ開口用混合ガスからＡＲＣ開口用プラズマを形成し、
前記ＡＲＣ層が開口されるまで、前記ＡＲＣ開口用プラズマで前記ＡＲＣ層をエッチングし、
前記エッチング対象層が完全にエッチングされる前に、前記ＡＲＣ開口用混合ガスを停止させ、
前記無機誘電体層をエッチングする
方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
ＡＲＣ開口用プラズマは、前記エッチング対象層に対する選択性よりも高い選択性で前記ＡＲＣをエッチングする、方法。
【請求項３】
請求項１または２のいずれかに記載の方法であって、
前記ＣＯの流量は、少なくとも１５０ｓｃｃｍである、方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の方法であって、
前記ＡＲＣ開口用混合ガスは、更に、Ｏ2であるエッチング速度増進剤を含む、方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の方法であって、
前記エッチング対象層は、誘電体層であり、前記エッチャントガスは、Ｎ2およびＨ2の混合物と、ＣＨ4との少なくとも一方を含む、方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の方法であって、更に、
前記スタックの上にフォトレジストマスクを用意する方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の方法であって、
前記フォトレジストマスクは、１９３以上の生成フォトレジストで形成される、方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の方法であって、
前記ＡＲＣ層は、有機材料で形成される、方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の方法であって、
前記ＡＲＣ層は、有機材料で形成され、前記フォトレジストマスクは、１９３以上の生成フォトレジストで形成される、方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の方法であって、
前記ＡＲＣ開口用プラズマは、前記エッチング対象層に対する場合と比べて５０：１を超える選択性で前記ＡＲＣをエッチングする、方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の方法であって、
前記エッチング対象層は、シリコン酸化物である、方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の方法であって、
前記ＡＲＣ開口用プラズマは、前記エッチング対象層をエッチングしない、方法。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の方法で形成された半導体素子。
【請求項１４】
請求項１ないし１２のいずれかの方法を実施するための、コンピュータ可読媒体を伴う装置。
【請求項１５】
半導体素子を形成するための方法であって、
無機誘電体層を基板の上に置き、
前記無機誘電体層の上に有機ＡＲＣ層を形成し、
前記ＡＲＣ層の上にフォトレジストマスクを形成し、
前記基板を前記処理室の中に置き、
前記処理室の中に、エッチャントガスと、ＣＯおよびＣＨ3Ｆを含む重合ガスとを含むＡＲＣ開口用混合ガスを供給し、
前記ＡＲＣ開口用混合ガスからＡＲＣ開口用プラズマを形成し、
前記ＡＲＣ層が開口されるまで、前記ＡＲＣ開口用プラズマで前記ＡＲＣ層をエッチングし、
前記無機誘電体層が前記ＡＲＣ開口用プラズマでエッチングされないように、前記ＡＲＣ開口用混合ガスの供給を停止し、
前記ＡＲＣ開口用プラズマと異なるエッチング用プラズマを供給し、
前記無機誘電体層を前記エッチング用プラズマでエッチングする
方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
前記ＡＲＣ開口用混合ガスは、更に、Ｏ2であるエッチング速度増進剤を含む、方法。
【請求項１７】
請求項１５または１６のいずれかに記載の方法であって、
前記エッチング対象層は、誘電体層であり、前記ＡＲＣの開口を可能にするための前記エッチャントガスは、Ｎ2およびＨ2の混合と、ＣＨ4とのうち少なくとも一方を含む、方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の方法であって、前記基板は、２７ＭＨｚで０〜１０００Ｗ、２ＭＨｚで１００〜１０００Ｗの電力を供給する下部電極上に配置される、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、前記処理室内の温度は−２０℃〜４０℃の間である方法。
【請求項２０】
請求項１または１５に記載の方法であって、前記無機誘電体層はシリコン酸化物層である、方法。
【請求項２１】
請求項１または１５に記載の方法はさらに、
前記処理室内の圧力を２００〜３００ｍTorrの間に設定することを備える、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月7日(2008.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターニング済み配線層が当該半導体基板の上に形成される構成の半導体基板を設ける工程と、
第１誘電体材料をパターニング済み配線層の上に堆積させる工程と、
第１電極材料を第１誘電体材料の上に堆積させる工程と、
第２誘電体材料を第１電極材料の上に堆積させる工程と、
第２電極材料を第２誘電体材料の上に堆積させる工程と、
第２電極材料をパターニングして第１キャパシタの上部電極を形成する工程と、
第１電極材料をパターニングして、第２キャパシタの一の電極、及び第１キャパシタの一の電極を形成するとともに抵抗体を画定する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板上のパターニング済み配線層と、
前記パターニング済み配線層上の第１キャパシタと、
前記パターニング済み配線層上の第２キャパシタと、
前記パターニング済み配線層上の抵抗体とを備え、
第１キャパシタは電極材料層からなるとともに第１の数量の誘電体層を備え、
第２キャパシタは前記電極材料層からなるとともに第２の数量の誘電体層を備え、及び、
誘電体層の前記第１の数量は前記第２の数量よりも大きいことによって、第１キャパシタは第２キャパシタよりも大きい単位面積当たり容量を有する、半導体装置。
【請求項３】
パターニング済み配線層が当該半導体基板の上に形成され、及び、前記パターニング済み配線層の一部分が第１キャパシタの下部電極及び第２キャパシタの下部電極を画定している半導体基板を設ける工程と、
第１誘電体材料を前記パターニング済み配線層の上に堆積させる工程と、
第１誘電体材料をパターニングして前記パターニング済み配線層の一部分を露出させる開口を形成する工程と、
第１電極材料を第１誘電体材料の上に、かつ開口の内部に堆積させて、第１電極材料がパターニング済み配線層の前記部分とコンタクトする工程と、
第２誘電体材料を第１電極材料の上に堆積させる工程と、
第２電極材料を第２誘電体材料の上に堆積させる工程と、
第２電極材料をパターニングして第１キャパシタの上部電極を形成する工程と、
第１電極材料をパターニングして第２キャパシタの上部電極、及び第１キャパシタの下部電極を形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
パターニング済み配線層が当該半導体基板の上に形成されている半導体基板を設ける工程と、
第１誘電体材料を前記パターニング済み配線層の上に堆積させる工程と、
第１誘電体材料をパターニングして第１開口及び第２開口を第１誘電体材料に形成する工程と、
第１電極材料を第１誘電体材料の上に、かつ第１及び第２開口の内部に堆積させる工程と、
第２誘電体材料を第１電極材料の上に堆積させる工程と、
第２電極材料を第２誘電体材料の上に堆積させる工程と、
第３誘電体材料を第２電極材料の上に堆積させる工程と、
第３電極材料を第３誘電体材料の上に堆積させる工程と、
第３電極材料をパターニングして第１キャパシタの上部電極を形成する工程と、
第３誘電体材料及び第２電極材料をパターニングして第１キャパシタの中間電極及び第２キャパシタの上部電極を形成する工程と、
第２誘電体材料及び第１電極材料をパターニングして第１キャパシタの下部電極、及び第２キャパシタの下部電極を形成する工程とを備える半導体装置の製造方法。
【請求項５】
パターニング済み配線層が当該半導体基板の上に形成されている半導体基板を設ける工程と、
第１誘電体材料を前記パターニング済み配線層の上に堆積させる工程と、
第１電極材料を第１誘電体材料の上に堆積させる工程と、
第２誘電体材料を第１電極材料の上に堆積させる工程と、
第２電極材料を第２誘電体材料の上に堆積させる工程と、
第２電極材料をパターニングして第１キャパシタの上部電極を形成する工程と、
第１電極材料をパターニングして第２キャパシタの一の電極及び第１キャパシタの一の電極を形成する工程と、
パターニング済み配線層は第２キャパシタの下部電極を構成し、かつ第１キャパシタには設けられない、半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月20日(2008.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ開始ターゲットを送出するようになったターゲット送出システムと、望ましいプラズマ開始サイトを定める焦点を有するＥＵＶ光集光光学器械とを含むレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）極紫外線（ＥＵＶ）光源制御システムであって、
ターゲット追跡及びフィードバックシステム、
を含み、
前記ターゲット追跡及びフィードバックシステムは、
ターゲットストリーム進路の画像を出力として供給する少なくとも１つの撮像装置と、  望ましいプラズマ開始サイトと交差する望ましいストリーム進路からの前記ターゲットストリーム進路にほぼ垂直な少なくとも１つ軸線における該ターゲットストリーム進路の位置の誤差を検出するストリーム進路誤差検出器と、
を含む、
ことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記ターゲット進路に照準し、かつ前記ターゲット進路内の選択スポットを通るターゲットの通過を検出する少なくとも１つのターゲット横断検出器、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の機器。
【請求項３】
前記少なくとも１つのターゲット横断検出器は、少なくとも第１のターゲット横断検出器及び第２のターゲット横断検出器である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の機器。
【請求項４】
駆動レーザ出力パルスが、前記ターゲット進路に沿って前記望ましいプラズマ開始サイトへのほぼその最も近い接近時に選択プラズマ開始サイトで前記プラズマ開始ターゲットと交差するために、前記ターゲット横断検出器の出力を利用して駆動レーザトリガのタイミングを判断する駆動レーザトリガ機構、
を更に含むことを特徴とする請求項２に記載の機器。
【請求項５】
前記ターゲット進路に照準し、それぞれのターゲットに対してプラズマ開始サイトの該ターゲット進路に沿った位置を検出するプラズマ開始検出器、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の機器。
【請求項６】
中間焦点に形成された開口を照らして前記少なくとも１つの撮像装置に該開口を撮像する中間焦点照明器、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の機器。
【請求項７】
前記少なくとも１つの撮像装置は、少なくとも２つの撮像装置であり、各々が、該少なくとも２つの撮像装置のそれぞれのものにおける画像の分析に基づいて、前記中間焦点の画像の垂直中心軸からの前記ターゲット進路の分離に関連する誤差信号を供給する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項６に記載の機器。
【請求項８】
ターゲット送出フィードバック及び制御システム、
を更に含み、
前記ターゲット送出フィードバック及び制御システムは、
ターゲット送出ユニットと、
少なくとも第１の撮像装置内の画像の分析から導出された第１の変位誤差信号に対応する軸線において、及び少なくとも第２の撮像装置内の画像の分析から導出された第２の変位誤差信号に対応する軸線において前記ターゲット送出機構を変位させるターゲット送出変位制御機構と、
を含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の機器。
【請求項９】
ＥＵＶ出力光エネルギ検出機構、
を更に含み、
前記ＥＵＶ出力光エネルギ検出機構は、
前記中間焦点に到達するＥＵＶ光エネルギを測定するために配置され、各々がそれぞれの検出器によって検出したＥＵＶ光エネルギの量を表す出力信号を供給する複数のＥＵＶ光エネルギ検出器と、
各ＥＵＶ光エネルギ検出器の出力を受信し、かつ前記それぞれのＥＵＶ光エネルギ検出器の前記出力信号のそれぞれの値の比較に基づいてＥＵＶ光エネルギ誤差信号を判断するＥＵＶ光エネルギ誤差信号発生器と、
を含む、
ことを特徴とする請求項８に記載の機器。
【請求項１０】
開始サイト誤差検出機構、
を更に含み、
前記開始サイト誤差検出機構は、
画像データを供給する前記少なくとも２つの撮像装置の１つ、
を含み、
前記画像データから、前記少なくとも２つの撮像装置の前記それぞれのものにおける該画像データの分析に基づく望ましいプラズマ開始サイトからの実際のプラズマ開始サイトの第１の軸線における分離と、該それぞれの撮像装置における該画像の分析に基づく前記中間焦点の前記画像の水平中心軸からの該プラズマ開始サイトの該第１の軸線と直交する第２の軸線における分離とに関連する第１の誤差信号を判断することができる、
ことを特徴とする請求項９に記載の機器。
【請求項１１】
移動プラズマ形成ターゲットを送出するターゲット送出システムと望ましいプラズマ開始サイトを定める焦点を有するＥＵＶ光集光光学器械とを含む制御システムを使用する段階を含む、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）極紫外線（ＥＵＶ）光を生成する方法であって、
ターゲット追跡及びフィードバック方法を利用する段階、
を含み、
前記方法は、
少なくとも１つの撮像装置を用いて、ターゲットストリーム進路の画像を準備する段階と、
ストリーム進路誤差検出器を用いて、望ましいプラズマ開始サイトと交差する望ましいストリーム進路からの前記ターゲットストリーム進路にほぼ垂直な少なくとも１つの軸線内の該ターゲットストリーム進路の位置の誤差を検出する段階と、
を含む、
ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月25日(2008.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸収体材料の第２の化合物を含む第１のサンドイッチ吸収体層と該吸収体材料の第３の化合物を含む第２のサンドイッチ吸収体層との中間にある該吸収体材料の第１の化合物を含むサンドイッチ吸収体層を含む吸収体層を含む複数の２元層、
を含むことを特徴とするプラズマ発生ＥＵＶ光源反射要素。
【請求項２】
前記吸収体材料の前記第２の化合物は、該吸収体材料の前記第３の化合物と同じである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の機器。
【請求項３】
前記第１の化合物と前記第２の化合物との界面は、相平衡の状態にあり、該第１の化合物の前記第３の化合物との界面も相平衡の状態にある、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の機器。
【請求項４】
前記第１の化合物は、該第１の化合物の吸収体特徴付けを担う吸収体材料成分を前記第２の化合物又は前記第３の化合物よりも高い割合で含有している、
ことを更に含むことを特徴とする請求項３に記載の機器。
【請求項５】
前記第１の化合物は、第１の金属ケイ化物であり、前記第２及び第３の化合物の少なくとも一方は、第２の金属ケイ化物である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の機器。
【請求項６】
前記第１の化合物は、Ｍｏ5Ｓｉ3であり、前記第２及び第３の化合物は、ＭｏＳｉ2である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項５に記載の機器。
【請求項７】
前記２元層は、前記第２及び第３の材料との界面が相平衡の状態にある材料を含むスペーサ層を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項６に記載の機器。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月18日(2007.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
有機トランジスタ２００はまた、図２に示されるようなトップゲートのトップコンタクト構造として構成されてもよい。導電層２２２が基板２１２上に積層され、パターン形成される。誘電体層２２０が導電層２２２上に積層される。半導体物質２１４の薄膜が誘電体層２２０の上に積層される。導電膜が有機半導体２１４上に積層され、パターン形成されて、下にあるゲート金属層２２４に重なるギャップ２２４が存在するように、導電ソースおよびドレインの領域２１６および２１８を形成する。ギャップ２２４はトランジスタ２００のチャネル領域として知られる。電界効果を通じて、電圧がゲート導電体２２２とのソース２１８との間に印加され、半導体領域２２４と誘電体２２０との間の界面の近くのギャップ領域２２４内の有機半導体２１４の抵抗を変化させる。他の電圧がソース２１８とドレイン２１６との間に印加される時、ゲート-ソース間電圧とドレイン-ソース間電圧の両方に依存する値の電流が、ドレインとソースの間を流れる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
有機トランジスタ３００はまた、図３に示されるようなトップゲート構造として構成されてもよい。導電膜が絶縁基板３１２上に積層され、パターン形成されて、導電領域３１８および３１６を形成する。これら導電領域のうちの１つはソース３１８として、もう１つはドレイン３１６として知られている。それらの間のギャップ３２４はトランジスタ３００のチャネル領域として知られている。これらの導電領域の上に、ギャップ３２４の全体と導電領域ソース３１８およびドレイン３１６の少なくとも一部分が覆われるように、薄い有機半導体層が積層される。誘電体層３２０が半導体層３２０の上に積層される。下にあるギャップ３２４において、およびソース３１８とドレイン３１６の少なくとも一部分とが覆われるように、導電層３２２が積層され、パターン形成される。ゲート３２０とソース３１８との間に電圧が印加されると、電界効果が、半導体３２０と誘電体３２０との間の界面近くのギャップ３２４内部の有機半導体３２０の抵抗を減少させるであろう。その他の電圧がソース３１８とドレイン３１６との間に印加される場合、電流がソース３１８とドレイン３１６との間を流れ、その値はゲート３００とソース３１８との間の電圧
に依存する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月22日(2008.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一半導体物質含有コア；及び該コア上の第二半導体物質含有オーバーコーティングを含む、半導体ナノクリスタルであって、深いトラップ発光部位が実質的になく、かつ励起された場合に青色光を発する、前記ナノクリスタル。
【請求項２】
励起された場合に、少なくとも１０％の量子効率で青色光を発する、請求項１記載のナノクリスタル。
【請求項３】
励起された場合に、少なくとも３０％の量子効率で青色光を発する、請求項１記載のナノクリスタル。
【請求項４】
励起された場合に、少なくとも５０％の量子効率で青色光を発する、請求項１記載のナノクリスタル。
【請求項５】
前記青色光が、４０ｎｍ以下の半値全幅を有する、請求項１〜４のいずれか１項記載のナノクリスタル。
【請求項６】
前記青色光が、３０ｎｍ以下の半値全幅を有する、請求項１〜４のいずれか１項記載のナノクリスタル。
【請求項７】
前記青色光が、２０ｎｍ以下の半値全幅を有する、請求項１〜４のいずれか１項記載のナノクリスタル。
【請求項８】
前記青色光が、４７０ｎｍよりも短いピーク波長を有する、請求項１記載のナノクリスタル。
【請求項９】
前記第一半導体物質が、ＣｄＳである、請求項１記載のナノクリスタル。
【請求項１０】
前記第二半導体物質が、ＺｎＳである、請求項９記載のナノクリスタル。
【請求項１１】
前記青色光が、深いトラップ発光の強度よりも少なくとも５倍大きい強度を有する、請求項１記載のナノクリスタル。
【請求項１２】
前記青色光が、深いトラップ発光の強度よりも少なくとも１０倍大きい強度を有する、請求項１記載のナノクリスタル。
【請求項１３】
前記青色光が、深いトラップ発光の強度よりも少なくとも２０倍大きい強度を有する、請求項１記載のナノクリスタル。
【請求項１４】
半導体ナノクリスタル集団であって、該集団の各ナノクリスタルが、請求項１〜１３のいずれか１項記載のナノクリスタルである、前記集団。
【請求項１５】
マトリックス含有層；該層に隣接する第一電極；該第一電極と向かい合う第二電極；及び該第一電極と該第二電極との間に配置された複数の半導体ナノクリスタルを含む、発光デバイスであって、各半導体ナノクリスタルは、請求項１〜１３のいずれか１項記載のナノクリスタルである、前記発光デバイス。
【請求項１６】
半導体ナノクリスタルの単分散集団とＭ−含有化合物、Ｘ−ドナー、及びアミンとを、該ナノクリスタルを個々にオーバーコートするのに十分な温度で接触させることを含む、請求項１〜１３のいずれか１項記載のナノクリスタルの製造方法であって、該オーバーコートされたナノクリスタルは、深いトラップ発光部位が実質的になく、かつ励起された場合に青色光を発する、前記製造方法。
【請求項１７】
前記アミンが、第一級アルケニルアミンである、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記アミンが、Ｃ２−Ｃ２０の第一級アルケニルアミンである、請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
該アミンが、オレイルアミンである、請求項１７記載の方法。
【請求項２０】
前記半導体ナノクリスタルの単分散集団が、ＣｄＳナノクリスタルの単分散集団である、請求項１６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月30日(2008.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージセンサによって作成されたイメージにステガノグラフィックなコンポーネントを取り入れる方法で、前記イメージセンサが、物理的な特性を有する複数のピクセルを含む、前記方法であって、
前記複数のピクセルのセットの前記物理的な特性におけるバリエーションを提供するステップであり、前記バリエーションが、イメージの取り込み中に前記ステガノグラフィックなコンポーネントを取り入れるために提供される前記ステップと、
前記イメージセンサを使用してイメージを作成するステップであり、前記イメージが前記ステガノグラフィックなコンポーネントを含む前記ステップと
を含む方法。
【請求項２】
ピクセルの前記セットが、それぞれ光検出器を備え、前記バリエーションが、前記光検出器の電位、ドーピング特性又は次元のうちの少なくとも１つを変更することによって提供される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ピクセルの前記セット内のそれぞれのピクセルが、カラーフィルタを含み、前記バリエーションが、ピクセルの前記セットに関連付けられている前記カラーフィルタを通じて提供される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ピクセルの前記セット内のそれぞれのピクセルが、マイクロレンズを含み、前記バリエーションが、ピクセルの前記セットに関連付けられている前記マイクロレンズにおけるバリエーションを通じて提供される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記バリエーションが、それぞれのピクセルに関する色の値の変化あるいはデータのオフセットを取り入れる請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記バリエーションが、前記イメージセンサの製造中に提供される請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ステガノグラフィックなコンポーネントが、配向コンポーネントを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
列及び行に配列された複数のピクセルと、
前記複数のピクセルからイメージデータを選択的に読み出すための通信バスと
を備えるＣＭＯＳイメージャであって、
前記ピクセルのそのそれぞれが、
光検出器と、
カラーフィルタ部分と、
マイクロレンズとを含むピクセルと、
を含み、
前記複数のピクセルが、ピクセルの第１のセットを含み、ピクセルの前記第１のセットが、ＣＭＯＳイメージャによるイメージの取り込み中に電子透かしコンポーネントをイメージデータへ取り入れるために物理的な特性を有するＣＭＯＳイメージャ。
【請求項９】
前記物理的な特性が、ピクセルの前記第１のセット内に存在しないピクセルに関連する前記光検出器の電位、ドーピング特性又は次元のうちの少なくとも１つを含む請求項８に記載のＣＭＯＳイメージャ。
【請求項１０】
前記物理的な特性が、ピクセルの前記第１のセットに関連付けられているカラーフィルタ部分を通じて提供される請求項８に記載のＣＭＯＳイメージャ。
【請求項１１】
前記物理的な特性が、ピクセルの前記第１のセットに関連付けられているマイクロレンズを通じて提供される請求項８に記載のＣＭＯＳイメージャ。
【請求項１２】
前記透かしコンポーネントが、ピクセルの前記第１のセットに関するイメージピクセル値の変化によって取り入れられる請求項８に記載のＣＭＯＳイメージャ。
【請求項１３】
前記複数のピクセルのそれぞれが、別々の増幅器と通信し、前記物理的な特性が、前記別々の増幅器の様々な増幅率を含む請求項８に記載のＣＭＯＳイメージャ。
【請求項１４】
前記電子透かしコンポーネントが、前記イメージデータのさらなる処理を伴わずに前記ＣＭＯＳイメージャによって取り込まれたイメージデータへ取り入れられる請求項８に記載のＣＭＯＳイメージャ。
【請求項１５】
前記透かしコンポーネントが、配向コンポーネントを含む請求項１０に記載のＣＭＯＳイメージャ。
【請求項１６】
イメージャによって取り込まれたイメージデータ内に電子透かしを埋め込む方法で、透かしの埋め込みが、前記イメージャを使用してオンチップで行われ、前記イメージャが、それぞれフィルタにかけられて単一の色を表す複数のピクセルを備える、前記方法であって、
それぞれのピクセルに関する多色の値を概算する前に、前記取り込まれたイメージデータの選択ピクセルに関する単一の色の値を調整するステップであり、この調整によって、電子透かしが前記取り込まれたイメージデータ内へと取り入れられる前記ステップと、
ピクセルに関する多色の値を概算するステップと
を含む方法。
【請求項１７】
前記単一の色が、レッド、グリーン、及びブルーのうちの少なくとも１つを含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記調整するステップが、レッドの色の値のみを調整する請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記調整するステップが、レッド、ブルー、及びグリーンのチャネルにわたって透かし信号を重み付けする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
イメージアレイと共にオンチップで配置されている透かしエンベッダへ透かしメッセージを取り入れる方法であって、
前記イメージアレイから提供されるイメージデータの色を変換するステップであり、この色の変換によって、ピクセルごとの多色の概算が提供される前記ステップと、
色の変換されたイメージデータを前記透かしエンベッダにおいて受け取るステップと、
ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とチップインターフェースのうちの少なくとも１つからオンチップで前記透かしメッセージを受け取るステップと、
前記透かしメッセージを前記透かしエンベッダへ伝達するステップと、
前記透かしメッセージを前記色の変換されたイメージデータ内に埋め込むステップと
を含む方法。