【手続補正書】
【提出日】平成20年2月26日(2008.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
白色光を出す有機発光ダイオード（OLED）デバイスであって、
a）アノードと；
b）このアノードの上に配置された正孔輸送層と；
c）この正孔輸送層の上に配置された青色発光層と；
d）この青色発光層の上に配置された電子輸送層と；
e）この電子輸送層の上に配置されたカソードとを備え；
f）上記正孔輸送層が、上記青色発光層の全体または一部と接触している層を備えていて、一般式（I）の発光ナフタセン化合物：
【化１】
2007529597.tif 000001
（ただし、
R1、R2、R3、R4、R5、R6は各環の置換基を表わし、各置換基は、独立に、炭素原子が1〜24個のアルキル基または置換されたアルキル基；炭素原子が6〜20個のアリール基または置換されたアリール基；縮合芳香族環を完成させるのに必要な4〜24個の炭素原子；5〜24個の炭素原子からなる複素環基または置換された複素環基で、単結合を通じて結合すること、または縮合した複素芳香族環系を完成させることができるもの；炭素原子が1〜24個のアルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシアミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基；フッ素置換基、塩素置換基、臭素置換基、シアノ置換基の中から選択され；
a、b、c、dは、独立に、0〜5の中から選択され；
eとfは、独立に、0〜4の中から選択され；
R1〜R4のうちの少なくとも1つは縮合環基ではなく、R1〜R6のうちの少なくとも1つは置換基であり；
さらに、R1とR4の両方が複素環であることはなく、R2とR3の両方が複素環であることもない）を含むことを特徴とするデバイス。
【請求項２】
a）R5とR6のうちの少なくとも一方が芳香族基と複素環基の中から選択され；
b）R1、R2、R3、R4のうちの少なくとも1つが、a）の芳香族基または複素環基と同じ少なくとも1個の置換基を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
上記ナフタセンが、一般式（II）：
【化２】
2007529597.tif 000002
（ただし、
a）2位と8位に同じ芳香族基または複素環基が存在しており；
b）5位と11位のフェニル環が、a）の芳香族基または複素環基と同じパラ置換基を含み；
c）6位と12位のフェニル環が、置換されている、または置換されていない）で表わされる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
a）R5とR6のうちの少なくとも一方が、オキシ基、アザ基、チオ基の中から選択され；
b）R1、R2、R3、R4のうちの少なくとも1つが、a）のオキシ基、アザ基、チオ基と同じ1個の置換基を含む、請求項1に記載のデバイス。
【請求項５】
a）R5とR6が、2位と8位に同じオキシ基、アザ基、チオ基を含み；
b）5位と11位のフェニル環が、a）のオキシ基、アザ基、チオ基と同じパラ置換基を含み；
c）6位と12位のフェニル環が、置換されている、または置換されておらず；
1個の置換基がc）の両方のフェニル環に存在している場合には、その置換基はパラ位置にあるメトキシ基ではない、請求項３に記載のデバイス。
【請求項６】
a）R5とR6のそれぞれが、少なくとも1個の同じアルキル基または非芳香族炭素環基を含み；
b）R1とR3のそれぞれが、a）のアルキル基または非芳香族炭素環基と同じ少なくとも1個の置換基を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
a）R5とR6のそれぞれが、2位と8位に少なくとも1個の同じ分岐アルキル基または非芳香族炭素環基を含み；
b）5位と11位のフェニル環が、a）の分岐アルキル基または非芳香族炭素環基と同じパラ置換基を含み；
c）6位と12位のフェニル環が、置換されている、または置換されていない、請求項３に記載のデバイス。
【請求項８】
上記縮合芳香族環の選択が、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、ペリレニル基の中からなされる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
上記複素環基または縮合複素環基系の選択が、チアゾリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、キノリニル基の中からなされ、これらの基は、単結合を通じて結合すること、または縮合した複素芳香族環系を完成させることができる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
a）アノードと；
b）このアノードの上に配置された正孔輸送層と；
c）この正孔輸送層の上に配置された青色発光層と；
d）この青色発光層の上に配置された電子輸送層と；
e）この電子輸送層の上に配置されたカソードとを備え；
f）上記正孔輸送層が、上記青色発光層の全体または一部と接触している層を備えていて、一般式（III）の発光ナフタセン化合物：
【化３】
2007529597.tif 000003
（ただし、
i）上記ナフタセンは、少なくとも1個のフッ素基またはフッ素含有基を含み；
ii）正確に2個のフッ素含有基が存在している場合には、その基がそれぞれ5位と12位に位置せず、それぞれ6位と11位にも位置していないことを特徴とするデバイス。
【請求項１１】
a）上記ナフタセン誘導体の昇華温度が、フッ素基またはフッ素含有基を含まない誘導体よりも少なくとも5℃低い；あるいは
b）上記ナフタセン誘導体が昇華し、フッ素基またはフッ素含有基を含まない誘導体が融解する、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
a）上記ナフタセンが、5位と6位と11位と12位、または1位〜4位、または7位〜10位に位置するフェニル基上に少なくとも1個のフッ素基またはフッ素含有基を含み；
b）正確に2個のフッ素基が存在している場合には、その基は、それぞれ5位と12位のフェニル基上に位置せず、それぞれ6位と11位のフェニル基上にも位置していない、請求項３に記載のデバイス。
【請求項１３】
上記ナフタセンが、一般式（IV）または（V）：
【化４】
2007529597.tif 000004
【化５】
2007529597.tif 000005
で表わされる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１４】
上記ナフタセンの選択が、
【化６】
2007529597.tif 000006
【化７】
2007529597.tif 000007
【化８】
2007529597.tif 000008
【化９】
2007529597.tif 000009
【化１０】
2007529597.tif 000010
【化１１】
2007529597.tif 000011
【化１２】
2007529597.tif 000012
【化１３】
2007529597.tif 000013
【化１４】
2007529597.tif 000014
【化１５】
2007529597.tif 000015
【化１６】
2007529597.tif 000016
【化１７】
2007529597.tif 000017
【化１８】
2007529597.tif 000018
【化１９】
2007529597.tif 000019
【化２０】
2007529597.tif 000020
【化２１】
2007529597.tif 000021
【化２２】
2007529597.tif 000022
【化２３】
2007529597.tif 000023
【化２４】
2007529597.tif 000024
【化２５】
2007529597.tif 000025
【化２６】
2007529597.tif 000026
からなるグループの中から行なわれる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１５】
上記正孔輸送層が、ホスト材料と黄色発光ナフタセン化合物とを含み、そのナフタセン化合物の濃度が、そのホスト材料の0体積％よりも多く50体積％未満である、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
上記ナフタセン化合物の濃度が、上記ホスト材料の0体積％よりも多く30体積％未満である、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
上記青色発光材料が、以下に示す一般式：
【化２７】
2007529597.tif 000027
のジスチリルアミン化合物またはその誘導体である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１８】
上記正孔輸送層が2つ以上のサブ層を含んでおり、上記青色発光層に最も近いサブ層に黄色発光材料がドープされている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１９】
上記電子輸送層に、緑色発光材料、または緑色発光材料と黄色発光材料の組み合わせがドープされている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２０】
上記電子輸送層内の緑色発光材料がクマリン化合物を含む、請求項１９に記載のデバイス。