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【手続補正書】
【提出日】平成20年8月19日(2008.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着剤によって支持基板に取り付けられたばね接触要素を含み、
前記接着剤がエポキシを含み、
前記接着剤が非導電性であり、前記ばね接触要素を前記支持基板から電気的に絶縁する、装置。
【請求項２】
前記ばね接触要素の少なくとも一部にわたって連続的なビーズで施される接着剤をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記支持基板が透明である、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記支持基板がガラスである、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記支持基板が、前記ばね接触要素の少なくとも１つの下にある接地プレート領域を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記接着剤が非導電性であり、前記接地プレートを前記ばね接触要素から電気的に絶縁する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
ボンドパッドを有する追加基板と、
前記支持基板を前記追加基板に接続する弾性要素と、
前記ばね接触要素を前記ボンドパッドに接続するフレキシブル導電要素と、
をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
ボンドパッドを有する追加基板と、
前記支持基板を前記追加基板に接続する弾性要素と、
前記ばね接触要素を前記支持基板上のボンドパッドに接続するフレキシブル導電要素と、
前記追加基板の前記ボンドパッドを前記支持基板上のボンドパッドに接続するワイヤボンドと、
をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
ボンドパッドを有する追加基板であって、前記支持基板が取り付けられた追加基板と、
前記ばね接触要素を前記ボンドパッドに接続するワイヤボンドと、
をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記支持基板が取り付けられた追加基板と、
前記支持基板に設けられたトレースであって、前記支持基板が前記追加基板上の電気接点を前記トレースに接続する信号ビアを含む、トレースと、
前記ばね接触要素を前記トレースに接続するワイヤボンドと、
をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
ボンドパッドを有する追加基板であって、前記支持基板が取り付けられた追加基板と、
前記支持基板に設けられたトレースと、
前記ばね接触要素を前記トレースの第１の端部に接続する第１のワイヤボンドと、
前記トレースを前記ボンドパッドに接続する第２のワイヤボンドと、
をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記トレースの少なくとも１つが薄膜抵抗器を含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記トレースの少なくとも１つがコンデンサを含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記支持基板が信号ビアを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記ばね接触要素が、前記信号ビアの導電性バンプにワイヤボンディングされる、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記支持基板が、前記ばね接触要素の下にある前記信号ビアから電気的に絶縁された接地プレートを含み、前記接地プレートが、前記支持基板内の少なくとも１つの追加ビアに接続されている、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
請求項１に記載の装置によってテストされるデバイス。
【請求項１８】
リソグラフィで形成され、エポキシに捕捉されたばね接触要素を含む装置。
【請求項１９】
リソグラフィで形成され、ガラス基板に取り付けられたばね接触要素を含む装置。
【請求項２０】
リソグラフィで形成され、透明支持基板に取り付けられたばね接触要素を含む装置。
【請求項２１】
前記透明支持基板を介して、前記ばね接触要素に接続可能なデバイスに光信号を供給するための光源をさらに含む、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記ばね接触要素に接続された電気ルーティング線を含む前記透明基板に取り付けられた追加基板であって、透明基板を介した光信号の伝送のために光が通過可能な開口部を有する追加基板をさらに含む、請求項２０に記載の装置。
【請求項２３】
請求項２０に記載の装置によってテストされるデバイス。
【請求項２４】
導電性伝送線にワイヤボンディングされたばね接触要素を含む装置。
【請求項２５】
請求項２４に記載の装置によってテストされるデバイス。
【請求項２６】
ワイヤボンディングに適した表面を有するばね接触要素。
【請求項２７】
多数のプローブリード線を単一の基板に形成すること、および、
前記基板を別個のユニットにダイシングすること、
を含む方法。
【請求項２８】
ばね接点に隣接して設けられた接地プレートのサイズを調節して、前記ばね接点のインピーダンスを制御することを含む方法。
【請求項２９】
接触要素を支持基板に形成する方法であって、
犠牲基板を設けること、
前記犠牲基板に、前記接触要素のための接触先端部を形成するための貫入部を形成すること、
フォトレジストの第１の層を施し、かつ前記フォトレジストをパターニングして、前記貫入部および前記貫入部に隣接する前記犠牲基板の領域の上に開口部を形成すること、
前記露出した犠牲基板上の導電層および第２のフォトレジスト層を施すこと、
フォトレジストの第２の層を施しかつパターニングして、前記第１のフォトレジスト層の一部、および前記貫入部とは別個の前記犠牲基板上に開口部を形成すること、
フォトレジストの前記第２の層の領域間に形成された開口部に弾性金属材料を施し、フォトレジストの前記第２の層を除去すること、
前記貫入部とは別個の、前記接触要素の一部の上に接着剤を施すこと、
前記支持基板を前記接着剤に付着させること、
前記第１のフォトレジスト材料を除去すること、および、
前記犠牲基板を除去すること、
を含む方法。
【請求項３０】
前記支持基板を、自身内のルーティング線にボンドパッドを付着させたスペース変換基板に取り付けること、および、
前記接触要素を前記ボンドパッドの１つにワイヤボンディングすること、
をさらに含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記接着剤を用いて前記支持基板を前記接触要素に取り付ける前に、金属接地プレート領域を前記支持基板に施すことであって、前記接着剤が非導電性であり、前記接触要素を前記接地プレート領域から絶縁することをさらに含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記接地プレートを前記ボンドパッドの１つにワイヤボンディングすることをさらに含む、請求項３１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月12日(2008.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記環状ヒンジは、そこから径方向に外側に突出する第１および第２の環状リップを含み、前記環状リップは、前記環状ヒンジを前記環状フランジに封止可能に固定するために前記剛性キャリヤの前記環状フランジを受けるためのノッチを間に規定する、請求項７に記載のアセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記環状ヒンジは、前記封止要素の前記第１の端部を軸方向に保持するために、径方向に内側に突出し、前記封止要素の第１の端部と当接する第３のリップを含む、請求項８に記載のアセンブリ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
環状バッフル３０は、ごみおよび破片がシールに侵入することを防ぐためのラビリンス経路を規定するために、磨耗スリーブ２８に据付けられてもよく、剛性キャリヤ１８のＵ字型ベース部２０によって規定される環状チャンバ内に位置決めされてもよい。ごみおよび破片を閉じ込めることにさらに役立てるために、所望であれば、フィルタ２６がラビリンス内に配置されてもよく、キャリヤ１８または磨耗スリーブ２８に取付けられてもよい。フィルタ２６がキャリヤ１８に取付けられると、磨耗スリーブ２８および環状バッフル３０は、シャフト１６が動作軸Ａを中心に回転するときにフィルタ２６に対して回転する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月8日(2008.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水性液体サンプル流から揮発性成分を除去することを含む液体クロマトグラフィー法であって、
(a)揮発性成分を含む液体サンプル流中の分析対象をクロマトグラフィー的に分離する工程；および、
(b)液体サンプル流を、揮発性成分に対して透過性を持つポリマーでコートされた表面で、コーティング厚は10 μm未満である表面を持つ、少なくとも1つの多孔質壁を含む、揮発成分除去装置内を貫流させることによって、工程(a)からの液体サンプル流から揮発性成分の少なくとも一部を除去する工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
ポリマーコーティングが、シロキサンを含むことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
液体クロマトグラフィーシステムであって、
(a)入口および出口を有する液体クロマトグラフィーカラム、および
(b)ポリマーコーティングによってコートされた表面を有する少なくとも1つの多孔質壁を含む膜を含む揮発性成分除去装置を含み、前記コーティングは10 μm未満の厚さを持ち、前記装置は、入口および出口を有する液体サンプル流通チャンネルを定め、前記液体サンプル流通チャンネルの入口は、クロマトグラフカラムの出口に液的に連通することを特徴とするシステム。
【請求項４】
水性液体サンプル流から揮発性成分を除去することを含む液体クロマトグラフィー方法であって、
(a)揮発性成分の少なくとも一部を、該成分を含む液体サンプル流から、該液体サンプル流を除去装置の膜の一方側にそって流通することによって除去する工程であって、前記膜は、気体透過性ポリマーのコーティングでコートされた表面を有する少なくとも1つの多孔質壁を含み、前記コーティングの厚さは10 μm未満であり、および、
(b)工程(a)の後、前記液体サンプル流中の分析対象をクロマトグラフィー的に分離する工程、
を含む方法。
【請求項５】
(a)液体サンプル流通チャンネルを定める少なくとも1つの膜を含む揮発性成分除去装置であって、前記装置は入口と出口を持ち、前記膜は、ポリマーのコーティングでコートされた表面を有する少なくとも1つの多孔質壁を含み、前記コーティングの厚さは10 μm未満であるもの、および、
(b)液体クロマトグラフィーカラムであって、前記揮発性成分除去装置の出口が、前記クロマトグラフカラムの出口と液的に連通するもの、
を含むことを特徴とする液体クロマトグラフィーシステム。
【請求項６】
(a)液体サンプル流通チャンネルを定める、少なくとも1つの、揮発性成分透過性膜を含む揮発性成分除去装置であって、前記装置は入口と出口を持ち、前記膜は、パーフルオロ-2,2-ジメチル-1,3-ジオキソールの非晶質コポリマーを含むもの、および、
(b)液体クロマトグラフィーカラムであって、前記揮発性成分除去装置の出口が、前記クロマトグラフカラムと液的に連通するもの、
を含むことを特徴とする液体クロマトグラフィーシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月17日(2008.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力信号を与える電気化学的センサー；
前記出力信号に結合され、その中の確率論的ノイズに呼応して前記信号に伴われる信号処理パラメーターを調節する回路素子；
を含む装置。
【請求項２】
回路素子が、確率論的ノイズに呼応する利得調節回路を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
利得調節回路が、少なくとも一つの調節可能増幅器、又はプログラム可能なプロセッサーを含む、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
確率論的電流ノイズパラメーターを、予め記憶させたパラメーターと比較し、それに呼応する利得調節回路を有する回路素子を含む、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
センサーの寿命パラメーターを推定するための回路素子を含む、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
ノイズの温度補償を含む、請求項３に記載の装置。
【請求項７】
利得調節回路が、確率論的ノイズの中の変動に対して逆に利得パラメーターを変化させる、請求項３に記載の装置。
【請求項８】
利得調節回路が、確率論的ノイズの中の変動に対して逆に感度パラメーターを変化させる、請求項３に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月19日(2008.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水の酸素溶解度を高めるための装置であって、
ａ）それぞれが管路を形成する少なくとも１つのセル、
ｂ）前記セルの管路内にある少なくとも２つの電極プレート、および
ｃ）サイリスタを備え、前記電極プレートに接続された電気回路
を有しており、
前記電気回路を動作させることによって、前記管路を通って導かれる水および酸素に電気パルスを印加する装置。
【請求項２】
請求項１において、電極プレートが、セルによって形成される管路を通って延びる流れの経路の直角方向に対して基本的に直角に延びる主軸を備えており、前記セルが反応チャンバに収容されている装置。
【請求項３】
請求項１において、電極プレートが電磁気を発生する装置。
【請求項４】
請求項１において、電気回路が変圧器を備えている装置。
【請求項５】
請求項４において、変圧器が、複数タップの３相変圧器である装置。
【請求項６】
請求項１において、サイリスタが、所定の電流に達したときに電気パルスを通過させる装置。
【請求項７】
請求項２において、
ａ）容器、
ｂ）前記容器から反応チャンバへと延びる第２の管路、および
ｃ）前記第２の管路に位置するポンプ
をさらに備えている装置。
【請求項８】
請求項７において、ポンプが周波数インバータによって制御される装置。
【請求項９】
請求項７において、前記容器からの流体路に熱交換器をさらに備えており、この熱交換器によって前記容器内の流体の温度を制御することができる装置。
【請求項１０】
請求項７において、前記容器からの流体路に加圧空気の供給源をさらに備えている装置。
【請求項１１】
水の酸素溶解度を高める方法であって、
未処理の水に対して、その水の飽和点を超えて酸素を溶解させるための充分な量の電磁気パルスを印加することによって水を処理する工程を有している方法。
【請求項１２】
請求項１１において、処理済みの水を酸素と組み合わせる工程をさらに含んでいる方法。
【請求項１３】
請求項１１において、電磁気を発生する電極プレートに水を接触させることによって電磁気パルスが印加され、サイリスタが５アンペア〜１０アンペアの間の範囲の電気パルスを発生する方法。
【請求項１４】
請求項１３において、前記電気パルスの電流値を、セル当たり最大値９．５アンペアまで増加させる方法。
【請求項１５】
請求項１１において、サイリスタおよび電極プレートを、１２個のシリコン制御整流器を備え、四象限の動作をする電気回路の構成部品としている方法。
【請求項１６】
請求項１２において、水を３３°Ｆ〜３５°Ｆの間の範囲の温度に維持する方法。
【請求項１７】
請求項１２において、絶縁変圧器が、一次の６００ボルトの３相を、複数タップの二次の１０ボルト〜２０ボルトの間の範囲の３相へと降圧し、その３相の二次を変換のためにサイリスタに供給する方法。
【請求項１８】
請求項１３において、サイリスタが５００アンペアのサイリスタである方法。
【請求項１９】
請求項１８において、点弧ボードを介してゲートトリガされて導通状態となる反応器内の水に、電磁気パルスを印加する方法。
【請求項２０】
請求項１９において、電磁気を発生する電極プレートをセル内に配置し、セルを反応器の中に入れる方法。
【請求項２１】
請求項２０において、反応器内の少なくとも１つのセルを通って水を導く工程をさらに含む方法。
【請求項２２】
請求項２１において、層流状態のもとで少なくとも１つのセルを通って水を導く方法。
【請求項２３】
請求項２２において、各セルへと加えられる電流を、周期的に反転する方法。
【請求項２４】
請求項２３において、前記周期が、２０〜４０分の間の範囲にある方法。
【請求項２５】
請求項２４において、前記周期が３０分である方法。
【請求項２６】
請求項１２の方法によって得られた溶解度向上水。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
セルは、長さ約４７．５インチの３インチの剛体のＰＶＣ管で形成でき、密に閉じられたＰＶＣプレート・スペーサ挿入物を備える。別個の端部キャップにより、セル・アセンブリを所定の位置に保持される。最大の導通を達成するために、１００マイクロインチＵの白金コーティングがされたチタニウム製の長さ約４０インチの長さおよび幅約２インチの４枚の平坦なプレートからなる２つの部位が存在できる。プレートは、正および負の組の間に０．２５０インチの間隔を有することができる。これらは、セルから突き出る３１６ステンレス鋼の埋め込みボルトを終端とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月15日(2008.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変速ロータ（１１０）および別個のステップで動く可動ジンバル（１１３）を有する制御モーメント・ジャイロスコープ（１０６）を操縦する方法であって、
スペースクラフトの所望の姿勢変化を行うのに必要な運動量の変化を決定するステップと、
前記ジンバル（１１３）が前記運動量の変化の少なくとも一部分を提供するために進められる必要があるか否か決定するステップと、
前記運動量の変化が、前記ジンバル（１１３）を運動されることを要求しない場合は、前記ロータ（１１０）のスピンレートだけを変化するステップと、
前記必要な運動量の変化の少なくとも一部分を提供する必要がある場合は、前記ジンバル（１１３）のアライメントを変化するステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記制御モーメント・ジャイロスコープ（１０６）の全ての可能なアライメントによって達成可能な運動量空間内の全ての運動量ポイントを参照するテーブルを生成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
運動量の変化を決定する前記ステップは、前記制御モーメント・ジャイロスコープ（１０６）が回転させられる必要があるか否か決定するために現在の運動量ポイントを取り囲む前記制御モーメント・ジャイロスコープ（１０６）のアライメントによって達成可能な全運動量ポイントの前記空間内の各前記運動量ポイントを比較するステップをさらに含み、
前記制御モーメント・ジャイロスコープ（１０６）の前記アライメントを変化する前記ステップは、必要ないかなる追加の運動量をも提供するために前記制御モーメント・ジャイロスコープ（１０６）の前記アライメントを変化した後で、前記制御モーメント・ジャイロスコープ（１０６）の前記ロータの前記スピンレートを変化するステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月11日(2008.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水性ゼラチンゲルから本質的になるナノ粒子であって、ここで、該ナノ粒子の平均直径が３５０nm以下であり、かつ該ナノ粒子の多分散性指数が０．１５以下である、前記ナノ粒子。
【請求項２】
前記ナノ粒子の多分散性指数が０．１以下である、請求項１に記載のナノ粒子。
【請求項３】
前記ナノ粒子の平均直径が２００nm以下である、請求項１又は２に記載のナノ粒子。
【請求項４】
前記ナノ粒子の平均直径が１５０nm以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のナノ粒子。
【請求項５】
前記ナノ粒子の直径の変動範囲が、前記平均直径よりも２０nm以下小さい又は大きい範囲である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のナノ粒子。
【請求項６】
前記ナノ粒子中に含まれる全ゼラチンに対する、６５kDa未満の分子量のゼラチンの比率が４０重量％以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のナノ粒子。
【請求項７】
前記ナノ粒子中に含まれる全ゼラチンに対する、６５kDa未満の分子量のゼラチンの比率が３０重量％以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のナノ粒子。
【請求項８】
前記ナノ粒子中に含まれる全ゼラチンに対する、６５kDa未満の分子量のゼラチンの比率が２０重量％以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のナノ粒子。
【請求項９】
前記ナノ粒子中に含まれるゼラチンが架橋されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載のナノ粒子。
【請求項１０】
前記ゼラチンが、ホルムアルデヒド、ジアルデヒド、イソシアネート、ジイソシアネート、カルボジイミド又はアルキルジハライドによって架橋される、請求項９に記載のナノ粒子。
【請求項１１】
前記ゼラチンが酵素によって架橋される、請求項９に記載のナノ粒子。
【請求項１２】
前記ゼラチンがトランスグルタミナーゼ又はラッカーゼによって架橋される、請求項１１に記載のナノ粒子。
【請求項１３】
前記ナノ粒子の水分含量が、１５重量％以下である、請求項１〜１２のいずれか1項に記載のナノ粒子。
【請求項１４】
医薬が前記ナノ粒子の表面に結合される、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のナノ粒子。
【請求項１５】
前記医薬の結合が、前記ナノ粒子の表面の化学的修飾によりもたらされる、請求項１４に記載のナノ粒子。
【請求項１６】
前記医薬が吸着により結合される、請求項１４又は１５に記載のナノ粒子。
【請求項１７】
前記医薬が、共有結合される、請求項１４又は１５に記載のナノ粒子。
【請求項１８】
前記医薬が、イオン結合される、請求項１４又は１５に記載のナノ粒子。
【請求項１９】
前記医薬がスペーサーを介して結合される、請求項１４〜１８のいずれか１項に記載のナノ粒子。
【請求項２０】
薬物の製造のための生物分解可能な担体媒体としての、請求項１〜１９のいずれか１項に記載のナノ粒子の使用。
【請求項２１】
前記ナノ粒子が、細胞内ドラッグデリバリーシステムの一部である、請求項２０に記載の使用。
【請求項２２】
前記細胞内ドラッグデリバリーシステムの一部が、核酸又はペプチドのための担体媒体である、請求項２１に記載の使用。
【請求項２３】
前記薬物が遺伝子治療のための薬物である、請求項２０〜２２のいずれか一項に記載の使用。
【請求項２４】
水性ゼラチンゲルから本質的に成るナノ粒子の製造方法であって、以下のステップ：
（ａ）全ゼラチンに対する、分子量６５kDa未満のゼラチンの比率が、４０重量％以下である、水性ゼラチン溶液の製造；
（ｂ）前記ゼラチン溶液のｐＨ値の７．０未満の値への調節；
（ｃ）沈殿剤を添加した結果としての前記ゼラチンの沈殿；及び
（ｄ）遠心分離の結果としての前記ナノ粒子の分離。
を含む、前記方法。
【請求項２５】
前記ステップ（ａ）において、全ゼラチンに対する分子量６５kDa未満のゼラチンの比率が３０重量％以下である、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記ステップ（ａ）において、全ゼラチンに対する分子量６５kDa未満のゼラチンの比率が２０重量％以下である、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記ステップ（ｂ）において、前記pH値が３．０以下の値に調節される、請求項２４〜２６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２８】
前記ステップ（ｂ）において、前記pH値が１．５〜３．０の範囲の値に調節される、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記ステップ（ｃ）において、前記沈殿剤がアセトン、アルコール、又は該２つの混合物であり、水性溶液中で適用可能である、請求項２４〜２８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
以下のステップ：
（ｃ’）前記ゼラチン溶液に架橋剤を添加する、
が前記ステップ（ｃ）及び（ｄ）の間に起こる、請求項２４〜２９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３１】
前記架橋剤が、ホルムアルデヒド、ジアルデヒド、イソシアネート、ジイソシアネート、カルボジイミド及びアルキルジハライドから選ばれる、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記架橋剤が酵素である、請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
前記架橋剤がラッカーゼ又はトランスグルタミナーゼである、請求項３２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月17日(2008.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の式（Ｉ）のテクネチウム錯体。
【化１】
2008510683.tif 000001
式中、
Ｘは−ＮＲ−、−ＣＯ2−、−ＣＯ−、−ＮＲ（Ｃ＝Ｓ）−、−ＮＲ（Ｃ＝Ｏ）−、−ＣＯＮＲ−又はＱ基であり、
各Ｙは独立にＤ−若しくはＬ−アミノ酸、−ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−又は−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−又はＸ基であり、
Ｚは合成生体ターゲティング部分であり、
ｎは１〜８の整数であり、
ｍは０〜３０の整数であり、
ＲはＨ、Ｃ1〜4アルキル、Ｃ2〜4アルコキシアルキル、Ｃ1〜4ヒドロキシアルキル又はＣ1〜4フルオロアルキルであり、
Ｑは次式の基であり、
【化２】
2008510683.tif 000002
Ａは対イオンであるが、
ヘテロ原子同士が直接結合した結合を原子鎖Ｘ1−（Ｙ）mが含まないことを条件とする。
【請求項２】
ｎが１〜６であり、Ｘが−ＣＯＮＲ−又は−ＮＲ（Ｃ＝Ｏ）−である、請求項１記載のテクネチウム錯体。
【請求項３】
Ｚが、
（ｉ）３〜３０量体ペプチド、及び
（ｉｉ）酵素の基質、酵素アンタゴニスト又は酵素阻害剤
から選択される、請求項１又は請求項２記載のテクネチウム錯体。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のテクネチウム錯体の調製に有用なキレーターコンジュゲートであって、当該コンジュゲートが次の式ＩＩのものであるキレーターコンジュゲート。
【化３】
2008510683.tif 000003
式中、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ｎ及びｍは請求項１で定義した通りであり、
Ｑ1〜Ｑ6は独立にＱ基であって、ＱはＨ又はアミン保護基である。
【請求項５】
Ａが薬学的に許容される対イオンである請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の式Ｉのテクネチウム錯体を、生体適合性担体と共にヒトへの投与に適した形態で含む放射性医薬品。
【請求項６】
請求項５記載の放射性医薬品の調製用キットであって、
（ｉ）請求項４記載のキレーターコンジュゲート、及び
（ｉｉ）生体適合性還元剤
を備えるキット。
【請求項７】
次の式ＩＩＩの化合物。
【化４】
2008510683.tif 000004
式中、
Ｑ1〜Ｑ6及びｎは請求項４で定義した通りであり、
Ｅは請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の生体ターゲティング部分（Ｚ）との結合に適した官能基であるが、
ａ．ｎ＝３のとき、Ｑ1〜Ｑ6の１以上がアミン保護基であり、
ｂ．ｎ＝３又は５のとき、ＥはＯＨではないことを条件とする。
【請求項８】
Ｅが−ＮＨ2、−ＣＯ2Ｍ（式中、ＭはＨ、陽イオン、保護基又は活性エステルである。）、−ＮＣＳ、−ＮＣＯ、マレイミド又はアクリルアミドである、請求項７記載の化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月10日(2008.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象における血液ガンを治療および／または予防することにおいて使用される場合の医薬組成物であって、血液ガンに溶解感染することができるピコルナウイルスまたはその改変形態の効果的な量を、医薬的に許容され得る賦形剤、希釈剤またはキャリアと一緒に含む、医薬組成物。
【請求項２】
対象における血液ガンを治療および／または予防することにおいて使用される場合の医薬組成物であって、血液ガンに溶解感染することができるピコルナウイルスまたはその改変形態に由来する核酸分子の効果的な量を、医薬的に許容され得る賦形剤、希釈剤またはキャリアと一緒に含む、医薬組成物。
【請求項３】
対象における血液ガンを治療および／または予防するための医薬品の製造における、血液ガンに溶解感染することができるピコルナウイルスまたはその改変形態の使用。
【請求項４】
ピコルナウイルスは、ＣＶＡ１３、ＣＶＡ１５、ＣＶＡ１８、ＣＶＡ２０、ＣＶＡ２１からなる群から選択されるコクサッキーＡ群ウイルスである、請求項３に記載の使用。
【請求項５】
血液ガンは、多発性骨髄腫、Ｂ細胞リンパ腫、Ｂ前リンパ球性白血病および単球性白血病からなる群から選択される、請求項３に記載の使用。
【請求項６】
対象における血液ガンを治療および／または予防するための医薬品の製造における、血液ガンに溶解感染することができるピコルナウイルスまたはその改変形態に由来する核酸分子の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月2日(2008.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属化複合シートであって、
水蒸気透過性シート層であって、第１および第２外面、ならびに少なくともシート層の前記第１外面上の少なくとも１つの多層コーティングを有し、シート層が不織布、織布、不織布−フィルムラミネート、織布−フィルムラミネート、水蒸気透過性フィルムおよびそれらの複合体の少なくとも１つを含んでなり、水蒸気透過性シート層の第１外面が微小穿孔フィルム、織布および不織布よりなる群から選択された多孔質シートであり、
前記多層コーティングが、
シート層の第１外面に隣接した約１５ナノメートル〜２００ナノメートルの厚さを有する第１金属コーティング層と、
金属層上に蒸着された約０．２マイクロメートル〜２．５マイクロメートルの厚さを有する、有機ポリマー、有機オリゴマーおよびそれらの組み合わせよりなる群から選択された材料を含有する組成物の外側有機コーティング層と、
シート層と金属コーティング層との間の、水蒸気透過性シート層の第１外面上に蒸着された約０．０２マイクロメートル〜２マイクロメートルの厚さを有する、有機ポリマー、有機オリゴマーおよびそれらの組み合わせよりなる群から選択された材料を含有する組成物の中間有機コーティング層
を含んでなり、ここで、中間および外側有機コーティング層を組み合わせた全厚さが約２．５マイクロメートル以下である水蒸気透過性シート層
を含んでなり、
複合シートのＭＶＴＲが金属およびコーティング層を蒸着させる前に測定されたシート層のＭＶＴＲの少なくとも約８０％である金属化複合シート。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月31日(2008.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銀行券及び貴重なペーパー等セキュリティ文書の印刷方法であって、
特に、セキュリティ文書の表面に保護層を設けるラッカー塗布ステップと、前記セキュリティ文書上に少なくとも１つの印刷要素を印刷する印刷ステップとを有し、前記印刷ステップは前記ラッカー塗布ステップの後に行われ、少なくとも１つの印刷要素を受け入れる目的で、前記セキュリティ文書上に少なくとも１つの粗い領域を印刷ステップの前に形成すること、
を特徴とする印刷方法。
【請求項２】
前記印刷要素がアルファニュメリックの連続数、署名、発行日であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
粗い領域は、点及び/又はラインのスクリーン格子からなる凹凸であることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記粗い領域は、ラッカー塗布ステップの前後で、前記セキュリティ文書の表面の凹凸を局所的に大きくすることにより形成されることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記粗い領域は、保護層を設ける前後で、スタンピングにより形成されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記粗い領域は、保護層を設ける前後で、化学的処理により形成されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記粗い領域は、保護層を設ける前後で、前記文書の表面を打つビームを使う処理により形成されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記粗い領域は、保護層を設ける前後で、前記粗い領域を形成するための区域にインクが付けられる又は付けられない凹刻印刷プレートを使用する凹刻印刷プロセスにより形成されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項９】
粗い領域のサイズは印刷されるべき印刷要素のサイズより大きいことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記保護層はＵＶ硬化ラッカーにより生成されることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
特に銀行券又はセキュリティペーパー等セキュリティ文書であって、
基板を含み、
その基板面はプリントと、前記基板に設けられる保護層、及び、前記保護層に付着する印刷要素が印刷される粗い領域とを有するセキュリティ文書。
【請求項１２】
粗い面は、ラッカー塗布の前に前記基板の表面上に生成される凹凸で形成され、前記保護層表面に形成されることを特徴とする請求項１１に記載のセキュリティ文書。
【請求項１３】
粗い面は、前記保護層表面上に直接設けられた凹凸により構成されることを特徴とする請求項１１に記載のセキュリティ文書。
【請求項１４】
粗い面は、点及び/又はラインの網目スクリーンから構成される凹凸であることを特徴とする請求項１１乃至１３の何れか一項に記載のセキュリティ文書。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月1日(2008.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
順番に、支持体、シリケート層、及び中間層を含んで成る基板：ここで、
該支持体はアルミニウム又はアルミニウム合金を含み；
該中間層は中間層材料を含み；
該中間層材料は、KユニットとLユニットとを含むコポリマーであり；
該Kユニットは、-[CH2C(R1)C(O)(OCH2CH(R5))mOR2]-、-[CH2C(R3)CO2H]-、及びこれらの混合物から選択され；
該Lユニットは、-[CH2C(R4)C(O)(OCH2CH(R6))nOP(O)(OH)2]-、-[CH2CH2PO(OH)2]-、及びこれらの混合物から選択され；
（上式中、R1は水素又はメチルであり；R2は水素又は炭素原子数1〜4のアルキル基であり；R3は水素又はメチルであり；R4は水素又はメチルであり；そしてR5及びR6はそれぞれ独立して、水素、メチル、又はクロロメチルであり；mは1〜30であり；そしてnは1〜15である）；そして、
該コポリマーは、50 wt%〜90 wt%の該Kユニットと、10 wt%〜50 wt%の該Lユニットとを含む。
【請求項２】
該Kユニットが、該コポリマーの55 wt%〜70 wt%であり、そして該Lユニットが、該コポリマーの30 wt%〜45 wt%である請求項1に記載の基板。
【請求項３】
該Kユニットが、-[CH2C(R1)C(O)(OCH2CH(R5))mOR2]-から選択され；
該Lユニットが、-[CH2C(R4)C(O)(OCH2CH(R6))nOP(O)(OH)2]-から選択され；
ここで、R1はメチルであり；R2は水素又はメチルであり；R4はメチルであり；R5は水素であり；そしてR6は水素である請求項1又は2に記載の基板。
【請求項４】
該Lユニットが-[CH2CH2PO(OH)2]-であり；R1がメチルであり；R2が水素又はメチルであり；そしてR5が水素又はメチルである請求項1又は2に記載の基板。
【請求項５】
請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板と、
該中間層上の画像形成性層と
を含んで成る画像形成性要素であって、ここで、
該画像形成性層は画像形成性組成物を含む。
【請求項６】
該画像形成性組成物が、モノマーとフリーラジカル発生系とを含むネガ型画像形成性組成物である請求項5に記載の画像形成性要素。
【請求項７】
KユニットとLユニットとを含むコポリマーであって：
該Kユニットが、-[CH2C(R1)C(O)(OCH2CH(R5))mOR2]-、-[CH2C(R3)CO2H]-、及びこれらの混合物から選択され；
該Lユニットが、-[CH2C(R4)C(O)(OCH2CH(R6))nOP(O)(OH)2]-、-[CH2CH2PO(OH)2]-、及びこれらの混合物から選択され；
（上式中、R1は水素又はメチルであり；R2は水素又は炭素原子数1〜4のアルキル基であり；R3は水素又はメチルであり；R4は水素又はメチルであり；そしてR5及びR6はそれぞれ独立して、水素、メチル、又はクロロメチルであり；mは1〜30であり；そしてnは1〜15である）；そして、
該コポリマーが、50 wt%〜90 wt%の該Kユニットと、10 wt%〜50 wt%の該Lユニットとを含むコポリマー。
【請求項８】
画像形成方法であって、該方法は：
順番に、支持体、シリケート層、及び中間層を含む基板と、
該中間層上の画像形成性層と
を含む請求項5又は6に記載の画像形成性要素を準備し；
該画像形成性要素を熱画像形成し、そして該画像形成性層内に画像形成された領域と相補的な画像形成されていない領域とを含む画像形成された画像形成性要素を形成し；
該画像形成された画像形成性要素を現像し、そして該画像形成された領域及び該画像形成されていない領域のうちの一方を除去する
各工程を含む。
【請求項９】
現像が、インク及びファウンテン溶液で行われる請求項8に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月2日(2008.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
舌部（１０）が少なくとも１つのショルダーを有することを特徴とする、請求項４、５及び７のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月3日(2008.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効成分又は組成物をカプセル化する方法において、以下の段階：
ａ）有効成分又は組成物と、少なくとも１種の炭水化物材料及び場合により乳化剤の水溶液を有するマトリックスとを有効な温度及び撹拌条件下で合し、そしてブレンドして、適切な湿分含有率を有するこれらの均質溶融物を製造する段階；
ｂ）この均質溶融物を、ダイを介して押出する段階；
ｃ）この溶融物を冷却する段階；
ｄ）得られた材料を、それがダイを出る際か又はこの溶融物を冷却した後に細断、切断、粉砕又は粉末化する段階；及び
ｅ）場合により乾燥させる段階を含み、
段階ｃ）の溶融物の冷却を、押出された材料と−２５℃未満の温度を有する冷媒とを接触させることにより実施する方法。
【請求項２】
冷媒が−５０℃〜−２００℃の温度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
冷媒が液体窒素である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
全ての段階を連続的に実施し、かつ段階ａ）において形成された均質溶融物を、この連続法の段階ａ）の設計に適切に配置された２つの熱交換器により得る、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
炭水化物材料の水溶液を第１の熱交換器を介して濃縮してその水の量を減らし、そしてカプセル化されるべき有効材料と混合し、次いでこの混合物、すなわち炭水化物／有効材料混合物を第２の熱交換器の表面上を通過させ、押出されるべき前記混合物に所望の押出温度値をもたらす、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法により得られ、かつ冷媒を実質的に有しない、有効成分又は組成物の押出されたデリバリーシステム。
【請求項７】
ショ糖か又はショ糖誘導体のマトリックスを有する、請求項６に記載の押出されたデリバリーシステム。
【請求項８】
有効成分として請求項６に記載の押出されたデリバリーシステムを有する消費者製品。
【請求項９】
フレーバー付与された組成物か又はフレーバー付与用組成物、チューインガムか又は咀嚼が必要な軟質菓子、アイスクリーム、ビスケット、医薬組成物か又は練り歯磨の形である、請求項８に記載の消費者製品。
【請求項１０】
賦香された組成物か又は賦香用組成物、石鹸、化粧品調製物、消臭剤か又は固体界面活性剤もしくは洗浄用製品の形である、請求項８に記載の消費者製品。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月6日(2008.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式(I)：
【化１】
2008510693.tif 000001
[式中、
R1、R2、R3、R4、R5及びR6は、独立して、H、C1-7アルキル、C5-20アリール、C3-20ヘテロシクリル、ハロ、エステル、アミド、アシル、スルホ、スルホンアミド、エーテル、チオエーテル、アゾ及びアミノから選択されるか、又は、R1とR2はそれらが結合している環と一緒になって、3員〜8員の炭素環又はヘテロ環を最大3つ含んでいる飽和又は不飽和の炭素環式基又はヘテロ環式基(ここで、炭素環又はヘテロ環の各環は、1つ以上の他の炭素環又はヘテロ環に縮合していてもよい)を形成しており；
Xは、中性であるか又は負に荷電しているN-ドナー配位子又はS-ドナー配位子であり；
Yは、対イオンであり；
mは、0又は1であり；
qは、1、2又は3であり；
C'は、2つのA基に結合しているC1-12アルキレンであり；
pは、0又は1であり、pが0である場合はrは1であり、pが1である場合はrは2であり；
及び、
A及びBは、それぞれ独立して、O-ドナー配位子、N-ドナー配位子又はS-ドナー配位子であり、そして、互いに連結していてもよい]
で表される、ルテニウム(II)化合物又はその溶媒和物若しくはプロドラッグ。
【請求項２】
Xが、アジド、イソチオシアネート及び場合により置換されていてもよいピリジン配位子から選択される、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Xがチオラート配位子である、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
AとBが一緒になって、NRN4RN5-(CRC1RC2)n-NRN6RN7(ここで、RC1及びRC2は、独立して、H及びC1-4アルキルから選択され、RN4、RN5、RN6及びRN7は、独立して、H及びC1-4アルキルから選択され、nは、1〜4の整数である)を表す、請求項１〜３のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項５】
R14及びR15がいずれも水素である、請求項４に記載の化合物。
【請求項６】
nが2である、請求項４又は５のいずれかに記載の化合物。
【請求項７】
RN4、RN5、RN6及びRN7がHである、請求項４〜６のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項８】
R1とR2がそれらが結合している環と一緒になって、3員〜8員の炭素環又はヘテロ環を含んでいる飽和又は不飽和の炭素環式基又はヘテロ環式基(ここで、炭素環又はヘテロ環の各環は、1つ以上の他の炭素環又はヘテロ環に縮合していてもよい)を形成している、請求項１〜７のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項９】
R3、R4、R5及びR6がHである、請求項８に記載の化合物。
【請求項１０】
R1、R2、R3、R4、R5及びR6が、独立して、C1-7アルキル、C5-20アリール、C3-20ヘテロシクリル、ハロ、エステル、アミド、アシル、スルホ、スルホンアミド、エーテル、チオエーテル、アゾ及びアミノから選択される、請求項１〜７のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項１１】
R1、R2、R3、R4、R5及びR6が、独立して、H及びC1-7アルキルから選択される、請求項１０に記載の化合物。
【請求項１２】
R1、R2、R3、R4、R5及びR6のうちの少なくとも4つが水素である、請求項１０又は１１に記載の化合物。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか1項に記載の化合物及び製薬上許容される担体又は希釈剤を含んでいる、組成物。
【請求項１４】
癌を治療するための医薬の調製における、請求項１〜１２のいずれか1項に記載の化合物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月16日(2008.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板からフォトレジスト層を実質的に除去するプラズマ灰化チャンバと、
該プラズマ灰化チャンバに結合された第１半導体基板処理チャンバであって、該半導体基板を支持する基板支持体と、内部の分配ヘッドと、を有し、該基板支持体が該半導体基板を回転させることができ、該分配ヘッドが該半導体基板に半導体処理用の第１液体を分配するために該半導体基板の上に位置している、前記チャンバと、
内部に半導体基板液体浸漬装置を有する第２半導体基板処理チャンバと、
該半導体基板を該半導体基板支持体から該半導体基板液体浸漬装置に搬送する半導体基板搬送メカニズムと、
を備え、
該液体浸漬装置が、第２液体を含有する液体容器と、複数の蒸気ノズルと、該半導体基板をつかみ該第２液体中の浸漬位置に該半導体基板を入れ該液体から半導体基板を取り出す基板グリッパと、を含み、
各該蒸気ノズルは、該半導体基板が該第２液体から取り出されるときに、該半導体基板の表面のうち該第２液体の表面に接触している表面に蒸気を送り、
該半導体基板の前記回転によって、ほぼ全ての該第１液体が該半導体基板の上面から除去され、
該半導体基板搬送メカニズムが、該第２液体の中に該半導体基板を更に浸漬させ、前記浸漬後に該半導体基板の該上面の少なくとも一部が疎水性である、半導体基板処理装置。
【請求項２】
該半導体基板の前記回転が、該半導体基板の上面及び下面を伸びる軸の周りで生じる、請求項１記載の半導体基板処理装置。
【請求項３】
第１液体が該半導体基板の該上面に分配され該半導体基板を回転させる前に、該半導体基板の該上面の少なくとも一部が親水性である、請求項１記載の半導体基板処理装置。
【請求項４】
該液体浸漬装置が、注入口と排出口を更に備え、該注入口と該排出口が該液体容器に接続されている、請求項１記載の半導体基板処理装置。
【請求項５】
第２液体が、フッ化水素酸と脱イオン水の少なくとも１つである、請求項４記載の半導体基板処理装置。
【請求項６】
該第２液体が脱イオン水であり、該半導体基板が該第２液体から取り出されるときに該半導体基板の該上面の少なくとも一部が疎水性である、請求項５記載の半導体基板処理装置。
【請求項７】
半導体基板の表面に第１半導体処理液を分配させるステップと、
該半導体基板をスピンさせて、該半導体基板の該表面から該第１半導体基板液を除去するステップと、
該半導体基板を第２半導体処理液に浸漬させるステップと、
を含む方法。
【請求項８】
該半導体基板を該第２半導体処理液から取り出すステップと、
該半導体基板が該第２半導体処理液から取り出されるとともに該半導体基板の該表面が該第２半導体処理流体の表面と接触している該半導体基板の該表面に蒸気が送られるステップと、
を更に含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
分配し該基板をスピンさせる前記ステップの間は該基板の該表面が親水性であり、該基板を該第２半導体処理液から取り出す前記ステップの間は該基板の該表面が疎水性である、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
第３半導体基板処理液に該半導体基板を浸漬させるステップを更に含む、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
該蒸気がイソプロピルアルコール蒸気である、請求項８記載の方法。
【請求項１２】
該半導体基板の該表面が該第２半導体処理液の該表面にほぼ垂直であるとともに該半導体基板が該第２半導体処理流体に浸漬され且つその流体から取り出される、請求項８記載の方法。
【請求項１３】
該半導体基板の該表面をプラズマに曝して、フォトレジスト層を除去するステップを更に含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
該第１半導体処理流体を該半導体基板の該表面に分配する前記ステップと該半導体基板をスピンさせる前記ステップにより、該半導体基板の該表面から該フォトレジスト残渣のほぼ全部が除去され、分配されスピンされる前記ステップの間、該半導体基板の該表面の少なくとも一部が親水性である、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
該半導体基板を該第２半導体処理液に浸漬させる前記ステップの間、該半導体基板の該表面の少なくとも一部が疎水性である、請求項１４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月29日(2008.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＩＭＯ（multiple−input  multiple−output：多入力多出力）直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ）通信システム用の方法であって、
複数の送信アンテナのそれぞれのチャネルメトリックを入手することと、
前記チャネルメトリックに基づいて送信アンテナのサブセットを選択することと、
送信アンテナの前記選択されたサブセットのそれぞれの前記チャネルメトリックに従って送信アンテナの該選択されたサブセットのそれぞれに副搬送波を割り振ることであって、前記副搬送波の潜在的割振り（potential allocation）は、前記副搬送波のすべてではない、割り振ることと、
送信アンテナの前記選択されたサブセットのそれぞれで前記割り振られた副搬送波を使用して信号を送信することと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
送信アンテナの選択されたサブセットごとに適応変調符号化（ＡＭＣ）を実行するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＡＭＣは、アンテナベースごとに実行されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＡＭＣは、さらに、副搬送波ベースごとに実行されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ＡＭＣは、副搬送波のグループベースごとに実行されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記割り振られた副搬送波のアンテナごとの電力制御を適用するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
各副搬送波の送信電力は、前記チャネルメトリックに従って調整されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
送信アンテナのサブセットを選択し、それによって、該選択された送信アンテナについてのみ各副搬送波の送信電力を調整するステップをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
選択される送信アンテナの個数は、事前に決定されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記チャネルメトリックは、信号対雑音比（ＳＮＲ）であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記チャネルメトリックは、チャネル応答であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記チャネルメトリックは、開ループ方法で送信器によって推定されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記チャネルメトリックは、閉ループ方法で前記送信器に報告されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
データストリームを送信アンテナの前記選択されたサブセットにマッピングし、交差接続するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ）通信システム内で信号を送信する送信器であって、
複数の送信アンテナと、
複数の送信アンテナのそれぞれのチャネルメトリックを入手するチャネル推定器と、
送信アンテナのサブセットを選択し、送信アンテナの該選択されたサブセットのそれぞれの前記チャネルメトリックに従って送信アンテナの該選択されたサブセットのそれぞれに副搬送波を割り振るコントローラであって、前記副搬送波の潜在的割振りは前記副搬送波のすべてではない、コントローラと
を含むことを特徴とする送信器。
【請求項１６】
前記コントローラは、送信アンテナの前記選択されたサブセットごとに適応変調符号化（ＡＭＣ）を実行することを特徴とする請求項１５に記載の送信器。
【請求項１７】
前記ＡＭＣは、アンテナベースごとに実行されることを特徴とする請求項１６に記載の送信器。
【請求項１８】
前記ＡＭＣは、副搬送波ベースごとに実行されることを特徴とする請求項１７に記載の送信器。
【請求項１９】
前記ＡＭＣは、副搬送波のグループベースごとに実行されることを特徴とする請求項１６に記載の送信器。
【請求項２０】
前記コントローラは、前記割り振られた副搬送波のアンテナごとの電力制御を実行することを特徴とする請求項１５に記載の送信器。
【請求項２１】
各副搬送波の送信電力は、前記チャネルメトリックに従って調整されることを特徴とする請求項１５に記載の送信器。
【請求項２２】
前記コントローラは、送信アンテナのサブセットを選択し、それによって、各副搬送波の送信電力は、前記選択された送信アンテナについてのみ調整されることを特徴とする請求項２１に記載の送信器。
【請求項２３】
選択される送信アンテナの個数は、事前に決定されることを特徴とする請求項２２に記載の送信器。
【請求項２４】
チャネルメトリックは、信号対雑音比（ＳＮＲ）であることを特徴とする請求項２１に記載の送信器。
【請求項２５】
チャネルメトリックは、チャネル応答であることを特徴とする請求項２１に記載の送信器。
【請求項２６】
チャネルメトリックは、開ループ方法で送信器によって推定されることを特徴とする請求項１５に記載の送信器。
【請求項２７】
チャネルメトリックは、閉ループ方法で前記送信器に報告されることを特徴とする請求項１５に記載の送信器。
【請求項２８】
データストリームを送信アンテナの前記選択されたサブセットにマッピングし、交差接続するマッパ（mapper）をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の送信器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月6日(2008.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造を形成する方法であって、
セミコンダクター・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）構成を有するウエハを提供することと、ウエハは、絶縁体上に第１半導体層を備え、第１半導体層は少なくとも２つの成分より形成され、第１半導体層は、第１半導体層の第２部分に重なる第１部分を備え、第１部分は前記少なくとも２つの成分のうちの０％よりも大きい第１濃度の第１成分を含み、第２部分は少なくとも２つの成分のうちの０％よりも大きい第２濃度の第１成分を含み、第１濃度は第２濃度よりも小さいことと、
ウエハを提供した後で、第１半導体層上で凝縮プロセスを行い、第１半導体層の一部分を消費し、かつ第１半導体層の残りの部分の上に前記少なくとも２つの成分のうちの第２成分を含む材料を形成することと、
材料を除去することと、
材料を除去した後に、残りの部分の上に第２成分を含む第２半導体層を形成することと、
を含む方法。
【請求項２】
前記第２半導体層を形成することは、第１半導体層の残りの部分をテンプレート層として使用することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２半導体層はエピタキシ成長層である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第１成分はゲルマニウムであり、第２成分はシリコンである請求項１に記載の方法。
【請求項５】
チャネル領域の少なくとも一部が第２半導体層に位置する、チャネル領域を含むトランジスタを形成することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
第１半導体層は、第１部分と第２部分との間に位置する第３部分を備え、第３部分は０％よりも大きい第３濃度の第１成分を含み、第３濃度は第２濃度よりも小さいが第１濃度よりも大きい請求項１に記載の方法。