Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月11日(2007.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）主面と、前記主面に対向する裏面と、前記主面上に形成された複数の装置形成領域と、前記複数の装置形成領域のそれぞれの外側に位置する切断部と、複数の配線を有する配線基板を準備する工程と、
（ｂ）複数の電極が形成された主面を有する半導体チップを準備する工程と、
（ｃ）前記配線基板の前記複数の装置形成領域のそれぞれに前記半導体チップを搭載する工程と、
（ｄ）前記複数の配線のそれぞれの一部と前記半導体チップの複数の電極とを電気的に接続する工程と、
（ｅ）前記半導体チップを覆うように、前記装置形成領域と前記切断部とを樹脂で一体に封止する工程と、
（ｆ）前記切断部に形成された封止体と前記複数の配線とをブレードによって切断し、前記配線基板を個片化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ）工程では、樹脂成形金型の１つのキャビティで１つの前記装置形成領域を覆った状態で封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記切断部に形成された封止体の厚さは、前記装置形成領域に形成された封止体の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記切断部に形成された封止体の厚さは、前記装置形成領域に形成された封止体の厚さと同じであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｆ）工程では、回転するブレードを使用して切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記配線は導体リードからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記配線は金属配線からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記配線は銅配線からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記配線の一部には電解メッキを施されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ）工程の後、前記配線基板の裏面に複数の外部端子を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程では、前記複数の配線の一部と前記半導体チップの複数の電極とをそれぞれ複数のワイヤを介して電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板の厚さと交差する平面形状は長方形であり、前記複数の装置形成領域は前記配線基板の長手方向に沿って並んで形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板の長手方向に沿って、かつ、前記装置形成領域の両側にスリットが形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、前記切断部に形成された封止体は前記配線基板の短手方向に沿って、かつ、前記装置形成領域の両側に形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月27日(2007.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に非晶質の半導体薄膜を形成し、さらに当該半導体薄膜上にゲート絶縁膜を介してゲート電極をパターン形成する第１工程と、
前記ゲート電極をマスクにして前記半導体薄膜に不純物を導入する第２工程と、
前記ゲート電極をマスクにして前記半導体薄膜に対して所定速度で照射位置を移動させながら当該半導体薄膜にレーザ光を連続照射することにより、当該半導体薄膜を結晶化すると共に当該半導体薄膜中において水素イオンをガス化膨張させることなく当該レーザ光の照射部から余剰水素を除去する第３工程とを行う
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記第３工程では、前記レーザ光の照射位置の移動にともなって前記半導体薄膜中において前記余剰水素を移動させ、当該半導体薄膜中における当該レーザ光の照射終了端に当該余剰水素を析出させる
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記第３工程では、前記マスクに重なる位置を前記レーザ光の照射開始位置とする
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記第１工程では、前記ゲート電極をマスクにして前記ゲート絶縁膜をエッチングし、前記半導体薄膜の表面を露出させ、
前記第３工程では、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜から露出された前記半導体薄膜の表面に対して前記レーザ光を照射する
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記第３工程では、波長３５０ｎｍ〜４７０ｎｍのレーザ光を用いる
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記第３工程では、ＧａＮ系化合物の半導体レーザ発振器から発振される前記レーザ光を前記半導体薄膜に対して照射する
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記第３工程では、前記半導体薄膜の選択領域のみに前記レーザ光を連続照射する
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記第３工程では、前記選択領域を含む形状にパターニングされた前記半導体薄膜に対してレーザ光を連続照射する
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記第３工程では、前記半導体薄膜に設定された複数の前記選択領域に対して前記レーザ光を同時に多点照射する
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記第３工程では、前記半導体薄膜に対する前記レーザ光の照射位置の移動速度を０．１ｍ／秒〜１０ｍ／秒に設定する
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記第３工程では、前記半導体薄膜に対して照射スポット径が１０μｍを越えない範囲の照射面積を有する前記レーザ光が照射される
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記基板としてプラスチック基板が用いられている
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
半導体薄膜と、当該半導体薄膜上にゲート絶縁膜を介してパターン形成されたゲート電極とを備えた薄膜半導体装置において、
前記半導体薄膜は、前記ゲート電極下の非晶質のチャネル部と、前記ゲート電極をマスクにしたレーザ光の照射によって多結晶化させた結晶化領域とを備え、
前記結晶化領域は、前記ゲート電極の延設方向に垂直な方向に凸となる三日月形の結晶粒を当該三日月形の凸方向に配列してなる
ことを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の薄膜半導体装置において、
前記結晶化領域における前記三日月形の結晶粒の配列方向端部にボイドが析出している
ことを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項１５】
請求項１３記載の薄膜半導体装置において、
前記結晶化領域には、前記凸方向に配列された前記三日月形の結晶粒が複数列設けられている
ことを特徴とする薄膜半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜半導体装置の製造方法および薄膜半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は薄膜半導体装置の製造方法および薄膜半導体装置に関し、特には半導体薄膜の結晶化のためのアニール工程を有する薄膜半導体装置の製造方法およびこれによって得られる薄膜半導体装置に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月27日(2007.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質の半導体薄膜にレーザ光を照射することにより当該半導体薄膜を結晶化するアニール工程を備えた薄膜半導体装置の製造方法において、
前記アニール工程では、前記半導体薄膜に対して所定速度で照射位置を移動させながら当該半導体薄膜にレーザ光を連続照射することにより、当該半導体薄膜中において水素イオンをガス化膨張させることなく当該レーザ光の照射部から余剰水素を除去する
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記アニール工程では、前記レーザ光の照射位置の移動にともなって前記半導体薄膜中において前記余剰水素を移動させ、当該半導体薄膜中における当該レーザ光の照射終了端に当該余剰水素を析出させる
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記アニール工程では、波長３５０ｎｍ〜４７０ｎｍのレーザ光を用いる
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記アニール工程では、ＧａＮ系化合物の半導体レーザ発振器から発振される前記レーザ光を前記半導体薄膜に対して照射する
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記アニール工程では、前記半導体薄膜の選択領域のみに前記レーザ光を連続照射する
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記半導体薄膜は、前記選択領域を含む形状にパターン形成されている
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記アニール工程では、前記半導体薄膜に設定された複数の前記選択領域に対して前記レーザ光を同時に多点照射する
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記アニール工程では、前記半導体薄膜に対する前記レーザ光の照射位置の移動速度を０．１ｍ／秒〜１０ｍ／秒に設定する
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記アニール工程では、前記半導体薄膜に対して照射スポット径が１０μｍを越えない範囲の照射面積を有する前記レーザ光が照射される
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
前記半導体薄膜がプラスチック基板上に設けられている
ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
レーザ光の照射によって多結晶化させた結晶化領域を有する半導体薄膜を備えると共に、
前記結晶化領域は、一方向に凸となる三日月形の結晶粒を当該三日月形の凸方向に配列してなる
ことを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の薄膜半導体装置において、
前記結晶化領域の中央を横切る形状のゲート電極が設けられている
ことを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項１３】
請求項１１記載の薄膜半導体装置において、
前記結晶化領域における前記三日月形の結晶粒の配列方向端部にボイドが析出している
ことを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項１４】
請求項１１記載の薄膜半導体装置において、
前記結晶化領域には、前記凸方向に配列された前記三日月形の結晶粒が複数列設けられている
ことを特徴とする薄膜半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜半導体装置の製造方法および薄膜半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は薄膜半導体装置の製造方法および薄膜半導体装置に関し、特には半導体薄膜の結晶化のためのアニール工程を有する薄膜半導体装置の製造方法およびこれによって得られる薄膜半導体装置に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月23日(2007.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを生成し、試料に高周波電圧を印加することにより被処理材をエッチングする装置を用いて、ＡｒＦレジストマスクを用いてＳｉＯＣＨ膜のエッチングを行うエッチングプロセスにおいて、
ＣＦ４とＣＨＦ３の混合ガスまたはＣＨＦ３とＮ２の混合ガスもしくはＣＦ４とＮ２の混合ガスを用い、
希ガス（例えばＡｒ）を用いないことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理方法において、低圧力（２．０Ｐａ以下）の圧力でプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載のプラズマ処理方法において、
磁場を用いてプラズマを生成することを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月26日(2007.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、処理室内へガスを供給するガス供給装置と、被処理材を載置可能な基板電極と、基板電極に被処理材を吸着させるための静電吸着膜と、基板電極に静電吸着用直流電圧を印加する静電吸着用直流電源と、被処理材を温調するための冷却ガス導入機構と、基板電極に対向するプラズマを発生するための電磁波を放射するアンテナ電極と、基板電極へ接続された高周波電源と、アンテナ電極へ接続された高周波電源からなるプラズマ処理装置のプラズマ処理方法において、
処理終了時に被処理材の裏面に処理材上昇用のプッシャーピンを密着させ、前記静電吸着膜から脱離する方向に力を印加しつつ、基板電極に高周波電圧を印加する
ことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理方法において、高周波電圧は、基板電極に印加する静電吸着用直流電源の極性を所定の周波数で切替えることによって得られることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載のプラズマ処理方法において、高周波電圧の周波数は、０．１Ｈｚから１０Ｈｚであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２記載のプラズマ処理方法において、高周波電圧の電圧振幅は、前記基板電極に印加する静電吸着用電圧以上とすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、処理室内へガスを供給するガス供給装置と、被処理材を載置可能な基板電極と、基板電極に被処理材を吸着させるための静電吸着膜と、基板電極に静電吸着用直流電圧を印加する静電吸着用直流電源と、被処理材を温調するための冷却ガス導入機構と、基板電極に対向するプラズマを発生するための電磁波を放射するアンテナ電極と、基板電極へ接続された高周波電源と、アンテナ電極へ接続された高周波電源と、処理材を静電吸着膜から脱離する方向に力を印加するプッシャーピンと、装置全体を制御する制御部からなるプラズマ処理装置であって、
プッシャーピンの圧力変化またはプッシャーピンの変位を検出する手段と、
プッシャーピンの圧力または変位を検出する手段がプッシャーピンの圧力変化または変位を検出したときにプッシャーピンに印加する力を制御する手段と、
プラズマ処理終了時に基板電極に高周波電圧を印加する手段を
設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項５記載のプラズマ処理装置において、プラズマ処理終了時に基板電極に高周波電圧を印加する手段は、静電吸着用直流電源の極性を所定の周波数で切替えることによって得る手段であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６記載のプラズマ処理装置において、プラズマ処理終了時に基板電極に印加する高周波電圧の周波数は、０．１Ｈｚから１０Ｈｚであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項５または請求項６記載のプラズマ処理装置において、高周波電圧の電圧振幅は、基板電極に印加する静電吸着用電圧以上とすることを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月11日(2007.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極が形成された主面と、前記主面と反対側の裏面とを有する半導体チップと、
前記半導体チップの外形寸法よりも小さいチップ搭載部と、
第１主面と、前記第１主面と反対側の第２主面とを有し、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、
前記半導体チップの複数の電極と前記複数のリードとを電気的に接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップ、前記複数のワイヤを封止する封止体と、
を含み、
前記複数のリードのそれぞれは、第１部分と、前記第１部分よりも厚さが薄く、前記第１部分よりも前記チップ搭載部側に位置し、前記半導体チップの裏面と平面的に重なる領域に位置する第２部分とを有し、
前記ワイヤは、前記リードの前記第１部分における前記第２主面に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記リードの前記第２主面の幅は、前記リードの前記第１主面の幅よりも太いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、前記リードの第１部分における前記第２主面の幅は、前記リードの前記第１主面の幅よりも太いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２記載の半導体装置において、前記リードの第１部分における前記第２主面の幅は、前記リードの第２部分における前記第２主面の幅よりも太いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置において、前記第１部分における前記第２主面の長さは、前記第１主面の長さの１／２以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置において、前記封止体の形状は直方体であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置において、前記リードの前記第２部分に、複数の窪み、又は凹凸が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置において、前記チップ搭載部の裏面は、前記封止体から露出していることを特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、本発明は、複数の電極が形成された主面と、前記主面と反対側の裏面とを有する半導体チップと、前記半導体チップの外形寸法よりも小さいチップ搭載部と、第１主面と、前記第１主面と反対側の第２主面とを有し、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、前記半導体チップの複数の電極と前記複数のリードとを電気的に接続する複数のワイヤと、前記半導体チップ、前記複数のワイヤを封止する封止体と、を含み、前記複数のリードのそれぞれは、第１部分と、前記第１部分よりも厚さが薄く、前記第１部分よりも前記チップ搭載部側に位置し、前記半導体チップの裏面と平面的に重なる領域に位置する第２部分とを有し、前記ワイヤは、前記リードの前記第１部分における前記第２主面に接続されているものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月26日(2006.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放熱性基板と、
前記放熱性基板上に配置される少なくとも１個のLEDと、
前記LEDに接続される定電流回路と、
を備え、
前記定電流回路が、
供給電圧に対して逆方向に接続されるツェナーダイオードと、
前記LEDへ流れる電流を制御するためのトランジスタと、
前記トランジスタのエミッタ電流を制御するための第１の抵抗と、
前記ツェナーダイオードに流れる電流を制御するための第２の抵抗と、
前記供給電圧に対して順方向に接続されるダイオードと、
を含み、
前記トランジスタのコレクタが前記LEDに接続され、前記トランジスタのエミッタが前記第１の抵抗に接続され、前記トランジスタのベースがツェナーダイオードに接続されると共に前記第２の抵抗に接続され、前記第１の抵抗と前記ツェナーダイオードとが接続され、前記第２の抵抗と前記LEDとが接続される、LED照明装置。
【請求項２】
前記トランジスタと前記LEDとは基板の相対向する縁又は隅部に配置される、ことを特徴とする請求項１に記載のLED照明装置。
【請求項３】
前記LEDは２個のLEDが直列に接続された状態で使用される、ことを特徴とする請求項１に記載のLED装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は以上の目的の少なくとも一つを達成するために、次の構成からなる。即ち、
放熱性基板と、
前記放熱性基板上に配置される少なくとも１個のLEDと、
前記LEDに接続される定電流回路と、
を備え、
前記定電流回路が、
供給電圧に対して逆方向に接続されるツェナーダイオードと、
前記LEDへ流れる電流を制御するためのトランジスタと、
前記トランジスタのエミッタ電流を制御するための第１の抵抗と、
前記ツェナーダイオードに流れる電流を制御するための第２の抵抗と、
前記供給電圧に対して順方向に接続されるダイオードと、
を含み、
前記トランジスタのコレクタが前記LEDに接続され、前記トランジスタのエミッタが前記第１の抵抗に接続され、前記トランジスタのベースがツェナーダイオードに接続されると共に前記第２の抵抗に接続され、前記第１の抵抗と前記ツェナーダイオードとが接続され、前記第２の抵抗と前記LEDとが接続される、LED照明装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月27日(2007.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に放電部を有するプラズマ生成手段、及び該プラズマ生成手段で生成されたプラズマからイオンを引き出してイオンビームを出射するグリッドからなるイオンガンであって、
該イオンビームの被照射面における電流密度分布の複数の極大部分の位置を決める位置決め手段を備えたことを特徴とするイオンガン。
【請求項２】
請求項１記載のイオンガンであって、前記位置決め手段が、前記グリッドに穿設された複数の引き出し孔からなることを特徴とするイオンガン。
【請求項３】
請求項２記載のイオンガンであって、前記複数の引き出し孔が前記グリッド上で複数の群を形成することを特徴とするイオンガン。
【請求項４】
請求項３記載のイオンガンであって、前記複数の群の中心間距離を可変としたことを特徴とするイオンガン。
【請求項５】
請求項２から請求項４いずれか一項に記載のイオンガンであって、前記位置決め手段が、さらに、
前記引き出し孔の配置と電流密度分布との相関関係を記憶する記憶手段、及び
該記憶手段の記憶内容に基づいて所望の電流密度分布に対する該引き出し孔の配置を決定する配置決定手段
を備えることを特徴とするイオンガン。
【請求項６】
請求項２から請求項５いずれか一項に記載のイオンガンであって、前記位置決め手段が、さらに、
前記放電部の放電電流をモニタし所望の値に制御する放電電流モニタ制御機構からなることを特徴とするイオンガン。
【請求項７】
請求項６記載のイオンガンにおいて、前記放電電流モニタ制御機構が、
該放電電流に対する該電流密度分布の依存特性に基づいて所望の該電流密度分布に対する該放電電流の理論値を算出する算出手段、及び
前記放電電流を該理論値に維持する電流制御手段
を備えることを特徴とするイオンガン。
【請求項８】
内部に放電部を有するプラズマ生成手段、及び該プラズマ生成手段で生成されたプラズマからイオンを引き出してイオンビームを出射するグリッドからなるイオンガンにおけるイオン照射方法であって、
該イオンビーム被照射面における電流密度分布の複数の極大部分を位置決めするステップを含むことを特徴とするイオン照射方法。
【請求項９】
請求項８記載のイオン照射方法であって、前記位置決めするステップが前記グリッドに穿設された複数の引き出し孔の配置を決定するステップを含むことを特徴とするイオン照射方法。
【請求項１０】
請求項９記載のイオン照射方法であって、前記位置決めするステップが、さらに、前記放電部の放電電流を制御するステップを含むことを特徴とするイオン照射方法。
【請求項１１】
内部に複数の圧電素子を保持する真空室、イオンビームを出射して該複数の圧電素子上の電極をイオンビームエッチングするイオンガン、及び該圧電素子の共振周波数をモニタするモニタ手段からなる圧電素子の周波数調整装置であって、
該イオンガンが、該イオンビームの被照射面における複数の電流密度の極大部分の分布が該圧電素子のピッチに等しくなるよう該イオンビームの出射を制御する手段を備えたことを特徴とする圧電素子の周波数調整装置。
【請求項１２】
内部に複数の圧電素子を保持する真空室、イオンビームを出射して該複数の圧電素子上の電極をイオンビームエッチングする請求項１から請求項７いずれか一項に記載のイオンガン、及び該圧電素子の共振周波数をモニタするモニタ手段からなることを特徴とする圧電素子の周波数調整装置。
【請求項１３】
真空室内部に保持された該複数の圧電素子上の電極をイオンビームエッチングするイオンガン、及び該圧電素子の共振周波数をモニタするモニタ手段からなる圧電素子の周波数調整装置におけるイオンビーム制御方法であって、
該イオンビームの被照射面における電流密度分布に複数の極大部分を持たせ、該極大部分の分布が圧電素子のピッチに等しくなるように該イオンガンを制御するステップを含むことを特徴とするイオンビーム制御方法。
【請求項１４】
イオンビームエッチング用のイオンガンにおいて使用されるイオンビームを出射するためのグリッドであって、
穿設された複数の引き出し孔を有し、前記複数の引き出し孔が前記グリッド上で複数の群を形成することを特徴とするグリッド。
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月17日(2006.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  各車両から車両情報を獲得し、顧客からの電話による配車依頼があるとき、前記各車両の中から配車する車両を選択する車両監視システムと、
顧客からの電話を前記配車する車両に転送することにより、前記顧客と配車する車両の乗務員との直接会話を可能とする電話転送装置と、
を具備することを特徴とする配車システム。
【請求項２】  前記車両監視システムは、前記配車する車両への配車指令を出力することを特徴とする請求項１に記載の配車システム。
【請求項３】  顧客からの電話の転送指令を入力する入力手段を具備する請求項１又は２に記載の配車システム。
【請求項４】  前記車両監視システムは、ＧＰＳ−ＡＶＭシステムである請求項１〜３のいずれか１項に記載の配車システム。
【請求項５】  前記車両監視システムは、前記乗務員との間の通話を電話で行うものである請求項１〜４のいずれか１項に記載の配車システム。
【請求項６】  前記車両監視システムは、各車両に備え付けられた電話機の電話番号を記憶した車両データベースを具備し、前記配車する車両が選択されると、前記車両データベースから配車する車両の電話番号を取得し、取得した電話番号に前記顧客からの電話を自動的に前記電話転送装置により転送させる手段を具備する請求項１〜５のいずれか１項に記載の配車システム。
【請求項７】  前記車両監視システムは、各車両に搭乗した乗務員が所有する電話機の電話番号を記憶した車両データベースを具備し、前記配車する車両が選択されると、前記車両データベースから配車する車両の電話番号を取得し、取得した電話番号に前記顧客からの電話を自動的に前記電話転送装置により転送させる手段を具備する請求項１〜５のいずれか１項に記載の配車システム。
【請求項８】  乗務員が搭乗する車両を特定する車両特定手段と、
前記乗務員が所有する電話機の電話番号を検出する電話番号検出手段と、
前記検出された電話番号を前記特定された車両の電話番号として前記車両データベースに登録する電話番号登録手段とを具備することを特徴とする請求項７に記載の配車システム。
【請求項９】  各車両から車両情報を受信する受信手段と、
顧客からの電話による配車依頼を受け付けたとき、前記車両情報に基づいて前記各車両の中から配車する車両を選択する選択手段と、この選択手段で選択した車両に配車指令を行うための無線手段とを具備する配車システムにおいて、
前記選択手段で選択した車両に対応する電話に配車依頼を受け付けた顧客からの電話を転送する転送装置と、
を具備することを特徴とする配車システム。
【請求項１０】  各車両から車両情報を受信する受信手段と、
受信した車両情報に基づいて前記各車両の中から配車する車両を選択する選択手段と、
この選択手段で選択した車両に配車指令を行うための無線手段と、
顧客から配車依頼を受け付ける電話機とを具備する配車システムにおいて、
前記選択手段で選択した車両に対応する電話に、前記電話機で受け付けた電話を転送する転送装置を具備することを特徴とする配車システム。
【請求項１１】  各車両から車両情報を獲得するステップと、
顧客からの電話による配車依頼があるとき、獲得した車両情報に基づいて各車両の中から配車する車両を選択するステップと、
顧客からの電話の転送指令があったとき、当該顧客からの電話を前記配車する車両に転送するステップと、
を具備することを特徴とする配車方法。
【請求項１２】  コンピューターに請求項１〜５のいずれか１項に記載の配車システムを制御するためのプログラムを記憶した媒体であって、コンピューターに、車両監視の機能と、顧客からの電話を前記車両監視システムにより選択された配車する車両の電話に転送する電話転送の機能を実現させるためのプログラムを記憶した媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するため、各車両から車両情報を獲得し、顧客からの電話による配車依頼があるとき、前記各車両の中から配車する車両を選択する車両監視システムと、顧客からの電話を前記配車する車両に転送することにより、前記顧客と配車する車両の乗務員との直接会話を可能とする電話転送装置とから配車システムを構成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（ステップＳ１４）
顧客が常連の客であったり、顧客位置が良く知られた場所である場合は、乗務員は、直ちに顧客位置を把握できる。乗務員は、ステップＳ１３のやりとりで顧客６の位置が把握できれば（ステップＳ１４のＹ）、その旨を配車オペレータに告げる。この場合、この時点で配車オペレータは配車を完了する（ステップＳ１６）。また、乗務員が顧客６の位置を把握できない場合（ステップＳ１４のＮ）は、配車オペレータにその旨を告げて、顧客６からの電話が転送されるのを待つ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月9日(2007.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）戸外の「セキュリティの観点から安全と言える、安全領域」を記録するための安全領域記録手段と、
（２）戸外に居る対象者の現在位置を取得するための現在位置取得手段と、
（３）前記対象者が保持・携帯又は装着し、前記対象者又はその周囲の状況を撮像するための撮像手段と、
（４）前記現在位置取得手段により取得された対象者の現在位置が前記安全領域記録手段に記録された安全領域の外に在るとき、又は前記現在位置取得手段により取得された対象者の現在位置が前記安全領域記録手段に記録された安全領域の内から外に移動したとき、前記撮像手段により撮像された映像を、予め決められた送信先に送信するための映像送信手段と、
を含むことを特徴とする、携帯型機器を利用した安全システム。
【請求項２】
（１）戸外の「セキュリティの観点から安全と言える安全領域」もしくは「セキュリティの観点から安全とは言えない危険領域」の範囲内と範囲外とを区別するための位置データを記録するための安全領域位置データ記録手段と、
（２）戸外に居る対象者の現在位置を取得するための現在位置取得手段と、
（３）前記対象者が保持・携帯又は装着し、前記対象者又はその周囲の状況を撮像するための撮像手段と、
（４）前記現在位置取得手段により取得された対象者の現在位置が前記安全領域位置データ記録手段に記録された「安全領域の範囲外」もしくは「危険領域の範囲内」に在るとき、又は前記現在位置取得手段により取得された対象者の現在位置が前記安全領域位置データ記録手段に記録された「安全領域の範囲の内から外に移動した」もしくは「危険領域の範囲の外から内に移動した」とき、前記撮像手段により撮像された映像を、予め決められた送信先に送信するための映像送信手段と、
を含むことを特徴とする、携帯型機器を利用した安全システム。
【請求項３】
（１）戸外の「セキュリティの観点から安全と言えない、危険領域」を記録するための危険領域記録手段と、
（２）戸外に居る対象者の現在位置を取得するための現在位置取得手段と、
（３）前記対象者が保持・携帯又は装着し、前記対象者又はその周囲の状況を撮像するための撮像手段と、
（４）前記現在位置取得手段により取得された対象者の現在位置が、前記危険領域記録手段に記録された危険領域の範囲内に在るとき又は範囲内となったとき、前記撮像手段により撮像された映像を、予め決められた送信先に送信するための映像送信手段と、
を含むことを特徴とする、携帯型機器を利用した安全システム。
【請求項４】
（１）戸外の「セキュリティの観点から安全と言える、安全領域」を記録するための安全領域記録手段と、
（２）戸外を歩行している対象者（歩行者）の現在位置を取得するための現在位置取得手段と、
（３）前記現在位置取得手段により取得された対象者の現在位置が前記安全領域記録手段に記録された安全領域の外に在るかどうか、又は前記現在位置取得手段により取得された対象者の現在位置が前記安全領域記録手段に記録された安全領域の内から外に移動したかどうかを判定するための判定手段と、
（４）前記現在位置取得手段により取得された対象者の現在位置が前記安全領域記録手段に記録された安全領域の外に在るとき、又は前記現在位置取得手段により取得された対象者の現在位置が前記安全領域記録手段に記録された安全領域の内から外に移動したとき、前記判定手段からの信号に基づいて、そのこと又はそのときの対象者の現在位置データを、予め決められた報知先に知らせるための報知手段と、
を含むことを特徴とする、携帯型機器を利用した安全システム。
【請求項５】
（１）戸外の「セキュリティの観点から安全と言える安全領域」もしくは「セキュリティの観点から安全とは言えない危険領域」の範囲内と範囲外とを区別するための位置データを記録するための安全領域位置データ記録手段と、
（２）戸外を歩行している対象者（歩行者）が履いている靴などの履物に備えられ、前記対象者の現在位置を取得するための現在位置取得手段と、
（３）前記現在位置取得手段により取得された対象者の現在位置が前記安全領域位置データ記録手段に記録された「安全領域の範囲外」もしくは「危険領域の範囲内」に在るかどうか、又は前記現在位置取得手段により取得された対象者の現在位置が前記安全領域位置データ記録手段に記録された「安全領域の範囲の内から外に移動した」もしくは「危険領域の範囲の外から内に移動した」かどうかを判定するための判定手段と、
（４）前記現在位置取得手段により取得された対象者の現在位置が前記安全領域位置データ記録手段に記録された「安全領域の範囲外」もしくは「危険領域の範囲内」に在るとき、又は前記現在位置取得手段により取得された対象者の現在位置が前記安全領域位置データ記録手段に記録された「安全領域の範囲の内から外に移動した」もしくは「危険領域の範囲の外から内に移動した」とき、前記判定手段からの信号に基づいて、そのこと又はそのときの対象者の現在位置データを、予め決められた報知先に知らせるための報知手段と、
を含むことを特徴とする、携帯型機器を利用した安全システム。
【請求項６】
（１）戸外の「セキュリティの観点から安全と言えない、危険領域」を記録するための危険領域記録手段と、
（２）戸外を歩行している対象者（歩行者）が履いている靴などの履物に備えられ、前記対象者の現在位置を取得するための現在位置取得手段と、
（３）前記対象者が履いている靴などの履物に備えられた判定手段であって、前記現在位置取得手段により取得された対象者の現在位置が、前記危険領域記録手段に記録された危険領域の範囲内に在るとき又は範囲内となったかどうかを判定するための判定手段と、
（４）前記対象者が履いている靴などの履物に備えられた報知手段であって、前記現在位置取得手段により取得された対象者の現在位置が、前記危険領域記録手段に記録された危険領域の範囲内に在るとき又は範囲内となったとき、前記判定手段からの信号に基づいて、そのこと又はそのときの対象者の現在位置データを、予め決められた報知先に知らせるための報知手段と、
を含むことを特徴とする、携帯型機器を利用した安全システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月21日(2007.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
トモシンセシスにおいて再構成されたデータセットは、トモシンセシス・データを収集するために用いられた投射の方向における構造のボケを示すことが多い。これは、３Ｄ再構成の深さ分解能不足又は深さのボケと表現される。被撮像構造に関連するこれらのアーチファクトは、収集ジオメトリに対する構造の向きに応じて変化することになる。例えば、線形Ｘ線トモシンセシス・システムの線形運動と整合する線形構造は、関心ボリュームの深さ全体にわたってボケて見えることになり、このような構造は、円形Ｘ線トモシンセシス・システムの円形運動によりボケがかなり低減されるようになる。構造のボケは、好ましくない画像アーチファクトを生成し、被撮像ボリュームの再構成の際に異なる高さに位置する構造の分離を妨げる可能性がある。
【特許文献１】米国特許第５１８７６５９号
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月2日(2007.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
再建の成功は、患者ができるだけ早く日常生活に戻りたいという願望を含む様々な因子に左右される。この目的を達成するためには、治癒を早めること、及び移植片の安定性及び固定を維持することが重要である。
【特許文献１】米国特許第４，９５０，２７０号明細書
【特許文献２】米国特許第５，８４９，０１３号明細書
【特許文献３】米国特許第６，２８０，４７２号明細書
【特許文献４】米国特許第５，８９１，１５０号明細書
【特許文献５】米国特許第５，８６８，７４９号明細書
【特許文献６】米国特許第５，６８８，２８４号明細書
【特許文献７】米国特許第５，６７４，２２４号明細書
【特許文献８】米国特許第５，６０１，５６２号明細書
【特許文献９】米国特許第５，５６２，６７１号明細書
【特許文献１０】米国特許第５，４３１，６５１号明細書
【特許文献１１】米国特許第５，３９７，３５６号明細書
【特許文献１２】米国特許第５，３９３，３０２号明細書
【特許文献１３】米国特許第５，３５４，３００号明細書
【特許文献１４】米国特許第５，３５０，３８０号明細書
【特許文献１５】米国特許第５，１２９，９０４号明細書
【特許文献１６】米国特許第４，２５７，４１１号明細書
【特許文献１７】米国特許公開第２００２／０１３３１６５号
【特許文献１８】米国特許公開第２００２／００８７１６０号
【特許文献１９】米国特許公開第２００１／００２１８５２号
【特許文献２０】米国特許公開第２００１／０００７０７４号
【特許文献２０】米国特許第６，０４８，３４３号
【特許文献２０】米国特許第５，８４９，０１３号
【特許文献２０】欧州特許公開第ＥＰ０  ４９１  ９８３号
【特許文献２０】ドイツ特許公開第ＤＥ１９９  ４９  ２８５号
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月21日(2007.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ディジタル・トモシンセシス・システムは、適当な機械的構造によって互いに接続されているＸ線源とディジタル検出器とを備えている。一般的には、撮像対象に対してＸ線源を異なる位置として、静止した撮像対象の一定数の二次元投影放射線画像を取得し、二次元投影放射線画像に対応するデータ・セットから撮像対象の三次元構造を再構成する。
【特許文献１】米国特許第６１９６７１５号
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月15日(2007.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
これらの本質的な限界を克服するために、磁場傾斜のそれぞれの印加ごとに複数のデータラインを事実上同時に収集するような幾つかの技法が開発されている。これらの技法は、一括して「並列イメージング技法」として特徴付けすることができ、無線周波数（ＲＦ）検出器コイルからの空間情報を用いることによって、磁場傾斜のみを用いて連続方式で取得しなければならないようなエンコードに代えている。複数のＲＦ検出器コイルの使用によって、画像収集時間が短縮されることが示唆されている。画像収集時間を強化するようにこれらの並列イメージング技法と共に使用するために、幾つかのコイル幾何学構成が試みられている。これらの幾何学構成は線形アレイ状のコイルを含むのが一般的であり、また空間情報はコイルを最小限に重複させて収集している。さらに、３つの構成コイルを有する円形対称をもった多重化アレイも示唆されている。これらの配列は、複素計算を使用することに関連する限界や、コイルの数がより多いことが望ましい場合の実現上の限界を有している。
【特許文献１】米国特許第５３８９８８０号
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月21日(2007.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
結腸癌（colon Cancer：大腸癌）は米国における癌が関連する死亡原因の第３位であり、２００３年には死亡者は５７０００人と推定される。結腸ポリープはこの疾患の前癌状態を形成し、これを除去すると患者の５年生存率は約９０％である。結腸癌を判別検査する１つの方法は、結腸鏡検査である。しかしながら、その侵襲的性質のため、結腸境検査を受診するのは約３７％である。ＣＴコロノグラフィの使用は有用であり、侵襲的な結腸境検査法の使用を最小限にしてＣＴコロノグラフィ検査により結腸境検査を受けるのが望ましいことが明らかになった患者に対してのみ使用することによって、結腸癌検査の受診を増やすことができる。
【特許文献１】特開２００５−０１３７２９号公報
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月8日(2007.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
２００２年３月２９日に出願された共通譲受人の米国特許出願第１０／１１２，６１９号明細書（発明の名称：Expandable Cable Anchor ）では、縫合糸又はケーブルを骨穴内に固定する骨繋留器具が開示されており、かかる米国特許出願明細書の記載内容を本明細書の一部を形成するものとしてここに引用する。骨繋留器具は、半径方向に拡張可能なシース、シースを拡張させるエキスパンダ部材及びワッシャを有している。本願において開示するように、２つの骨繋留器具をケーブルにより互いに連結し、脊椎固定術において隣り合う椎骨間に骨ブロックを保持するよう使用できる。
【特許文献１】米国特許出願第０９／８２２，１２６号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第ＵＳ２００２／０１４３３２９号明細書
【特許文献３】米国特許出願第１０／１１２，６１９号明細書
【特許文献４】米国特許第４，６３２，１００Ａ号
【特許文献５】米国特許第４，８７０，９５７Ａ号
【特許文献６】米国特許第５，１５６，６１６Ａ号
【特許文献７】米国特許第５，２０７，６７９Ａ号
【特許文献８】米国特許第５，２１７，４８６Ａ号
【特許文献９】米国特許第５，２６８，００１Ａ号
【特許文献１０】米国特許第５，３９５，３７２Ａ号
【特許文献１１】米国特許第５，４１１，５２３Ａ号
【特許文献１２】米国特許第５，５０７，８０１Ａ号
【特許文献１３】米国特許第５，５８４，８６０Ａ号
【特許文献１４】米国特許第５，６６２，６５８Ａ号
【特許文献１５】米国特許第５，７２５，５２９Ａ号
【特許文献１６】米国特許第５，８１４，０７２Ａ号
【特許文献１７】米国特許第５，８６８，７８９Ａ号
【特許文献１８】米国特許第５，９３５，１２９Ａ号
【特許文献１９】米国特許第５，９４８，００１Ａ号
【特許文献２０】米国特許第５，９４８，００２Ａ号
【特許文献２１】米国特許第５，９６８，０４４Ａ号
【特許文献２２】米国特許第５，９９３，４６３Ａ号
【特許文献２３】米国特許第５，９９７，５５２Ａ号
【特許文献２４】米国特許第６，０３３，４３０Ａ号
【特許文献２５】米国特許第６，１３６，００１Ａ号
【特許文献２６】米国特許第６，１３６，０３２Ａ号
【特許文献２７】米国特許第６，３１２，４４８Ｂ１号
【特許文献２８】米国特許第６，５５４，８５２Ｂ１号
【特許文献２９】米国特許第２００２／０１４３３２９Ａ１号
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月26日(2007.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  遊技領域を備える遊技盤と、前記遊技盤を着脱可能に支持する支持部材と、前面側から前記支持部材が着脱可能に取り付けられる本体基部とを有する弾球遊技機において、
前記本体基部に形成された第１貫通孔と、
前記遊技盤と支持部材との少なくともいずれか一方に形成され、前記第１貫通孔の前方に位置する第２貫通孔と、
前記第１貫通孔と第２貫通孔とに挿通する挿通部材とを備え、
前記挿通部材は、
操作つまみと、
前記操作つまみから延びる軸と、
前記操作つまみと前記軸の基端とを連結するとともに前記軸よりも径が細い切断部と、
前記軸の周面に形成された第１係止突起と、
前記軸の周面でかつ前記第１係止突起よりも前記軸の基端側に形成された第２係止突起と、
前記軸の周面でかつ前記第２係止突起よりも前記軸の基端側に形成された回転防止突起とを備え、
前記第１係止突起と係合して前記挿通部材を手前側に抜き取り不能にする第１係合爪を前記第１貫通孔に設け、
前記第２係止部と係合して前記挿通部材を手前側に抜き取り不能にする第２係合爪及び前記回転防止突起を固定して前記挿通部材を回転不能にする固定部を前記第２貫通孔に設けて、
前記挿通部材を前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に挿通し、前記操作つまみに前記軸周り方向への負荷をかけると前記操作部材が前記切断部で破断して前記操作つまみと前記軸とが分離することを特徴とする弾球遊技機。
【請求項２】  前記挿通部材を前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に挿通した状態で前記挿通部材の先端と対峙する発光体を前記本体基部に設けたことを特徴とする請求項１記載の弾球遊技機。
【請求項３】  前記挿通部材は透光可能な部材からなり、前記支持部材は、前記遊技盤の遊技領域を視認可能な窓扉部を支持し、前記窓扉部に挿通部材を介して通過された光を当該窓扉部の外部から視認可能にする光視認部を設けたことを特徴とする請求項１または２記載の弾球遊技機。
【請求項４】  前記挿通部材を介して通過された光を光視認部に導くための導光部材を窓扉部に取り付け、この導光部材を一方の先端が前記挿通部材の前側端部に近接するように形成したことを特徴とする請求項３記載の弾球遊技機。
【請求項５】  前記遊技盤の裏面に着脱可能に取り付けられ、制御装置を支持する裏機構盤を備え、この裏機構盤に前記挿通部材を挿通可能とする裏機構盤貫通孔を設けたことを特徴とする請求項１ないし４いずれか１つ記載の弾球遊技機。
【請求項６】  前記遊技盤の遊技領域側の表面に着脱可能に取り付けられ、遊技球を遊技領域へ案内する遊技球案内部材を備え、この遊技球案内部材に前記挿通部材を挿通可能とする案内部材貫通孔を設けたことを特徴とする請求項１ないし５いずれか１つ記載の弾球遊技機。
【請求項７】  前記第１係止突起、前記第２係止突起、前記回転防止突起をそれぞれ前記軸対象に一対設け、前記第１係止突起と前記第２係止突起との前記軸周りの相対的な位置を同一にするとともに、前記第１係止突起及び前記第２係止突起と前記回転防止突起とを前記軸周りに９０°間隔にし、
前記第２貫通孔を略十字形状に形成して、
前記挿通部材を前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に挿通すると前記回転防止突起が前記第２貫通孔の内壁に当接して前記挿通部材が回転不能になることを特徴とする請求項１ないし６いずれか１つ記載の弾球遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の弾球遊技機は、遊技領域を備える遊技盤と、前記遊技盤を着脱可能に支持する支持部材と、前面側から前記支持部材が着脱可能に取り付けられる本体基部とを有する弾球遊技機において、前記本体基部に形成された第１貫通孔と、前記遊技盤と支持部材との少なくともいずれか一方に形成され、前記第１貫通孔の前方に位置する第２貫通孔と、前記第１貫通孔と第２貫通孔とに挿通する挿通部材とを備え、前記挿通部材は、操作つまみと、前記操作つまみから延びる軸と、前記操作つまみと前記軸の基端とを連結するとともに前記軸よりも径が細い切断部と、前記軸の周面に形成された第１係止突起と、前記軸の周面でかつ前記第１係止突起よりも前記軸の基端側に形成された第２係止突起と、前記軸の周面でかつ前記第２係止突起よりも前記軸の基端側に形成された回転防止突起とを備え、前記第１係止突起と係合して前記挿通部材を手前側に抜き取り不能にする第１係合爪を前記第１貫通孔に設け、前記第２係止部と係合して前記挿通部材を手前側に抜き取り不能にする第２係合爪及び前記回転防止突起を固定して前記挿通部材を回転不能にする固定部を前記第２貫通孔に設けて、前記挿通部材を前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に挿通し、前記操作つまみに前記軸周り方向への負荷をかけると前記操作部材が前記切断部で破断して前記操作つまみと前記軸とが分離するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
なお、前記挿通部材を前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に挿通した状態で前記挿通部材の先端と対峙する発光体を前記本体基部に設けることが好ましい。また、前記挿通部材は透光可能な部材からなり、前記支持部材は、前記遊技盤の遊技領域を視認可能な窓扉部を支持し、前記窓扉部に挿通部材を介して通過された光を当該窓扉部の外部から視認可能にする光視認部を設けることが好ましい。さらに、前記挿通部材を介して通過された光を光視認部に導くための導光部材を窓扉部に取り付け、この導光部材を一方の先端が前記挿通部材の前側端部に近接するように形成することが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記遊技盤の裏面に着脱可能に取り付けられ、制御装置を支持する裏機構盤を備え、この裏機構盤に前記挿通部材を挿通可能とする裏機構盤貫通孔を設けることが好ましい。さらに、前記遊技盤の遊技領域側の表面に着脱可能に取り付けられ、遊技球を遊技領域へ案内する遊技球案内部材を備え、この遊技球案内部材に前記挿通部材を挿通可能とする案内部材貫通孔を設けることが好ましい。また、前記第１係止突起、前記第２係止突起、前記回転防止突起をそれぞれ前記軸対象に一対設け、前記第１係止突起と前記第２係止突起との前記軸周りの相対的な位置を同一にするとともに、前記第１係止突起及び前記第２係止突起と前記回転防止突起とを前記軸周りに９０°間隔にし、前記第２貫通孔を略十字形状に形成して、前記挿通部材を前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に挿通すると前記回転防止突起が前記第２貫通孔の内壁に当接して前記挿通部材が回転不能になることが好ましい。