【手続補正書】
【提出日】平成19年3月30日(2007.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体薄膜と、その表面に接して形成された絶縁膜と、該半導体薄膜の表面側または裏面側に配されたゲート電極とを含む積層構成を有し、基板上に所定の平面形状で形成される薄膜トランジスタの製造方法であって、
清浄な表面を有する半導体薄膜を基板の上一面に形成する第一工程と、
該半導体薄膜の清浄な表面を被覆するように保護膜を形成する第二工程と、
該薄膜トランジスタの平面形状に合わせて該半導体薄膜を該保護膜と共にパタニングする第三工程と、
パタニングされた半導体薄膜の上から該保護膜を除去して清浄な表面を露出する第四工程と、
該半導体薄膜の露出した表面に接して絶縁膜を形成する第五工程とを含む
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】  前記第一工程は、非晶質性又は比較的粒径の小さな多結晶性のシリコンからなる半導体薄膜を成膜した後、レーザ光を照射して比較的粒径の大きな多結晶性のシリコンに転換することを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】  前記第一工程は、非晶質性又は比較的粒径の小さな多結晶性のシリコンからなる半導体薄膜を成膜した後、加熱処理により比較的粒径の大きな多結晶性のシリコンに固相成長させることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】  前記第二工程は、絶縁物質からなる保護膜を形成することを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】  前記第二工程は、シリコンからなる半導体薄膜の表面を熱酸化して酸化シリコンからなる保護膜を形成することを特徴とする請求項４記載の薄膜トランジスタの製造法。
【請求項６】  前記第二工程は、化学気相成長により酸化シリコンを堆積して保護膜を形成することを特徴とする請求項４記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】  前記第二工程は、半導体物質を堆積して該保護膜を形成することを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】  前記第二工程は、厚さが５ｎｍ以上の保護膜を形成することを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】  前記第四工程は、溶解作用を有する薬品を循環使用することなく流動的に作用させる湿式エッチングで該保護膜を除去することを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタの製造法。
【請求項１０】  該半導体薄膜の清浄な表面に接して形成された該絶縁膜の上にゲート電極を形成する第六工程を含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタの製造法。
【請求項１１】  半導体薄膜と、その表面に接して形成された絶縁膜と、該半導体薄膜の表面側または裏面側に配されたゲート電極とを含む積層構成を有し、基板上に所定の平面形状で形成される薄膜トランジスタであって、
前記半導体薄膜は、清浄な表面を有する状態で基板の上一面に形成した後、該清浄な表面を被覆するように保護膜を形成し、次いで該所定の平面形状に合わせて該保護膜と共にパタニングし、更に該保護膜を除去して清浄な表面を露出したものであり、
前記絶縁膜は、該半導体薄膜の露出した表面に接して形成されたものであることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１２】  前記半導体薄膜は、非晶質性又は比較的粒径の小さな多結晶性のシリコンを成膜した後、レーザ光を照射して比較的粒径の大きな多結晶性のシリコンに転換したものであることを特徴とする請求項１１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１３】  前記半導体薄膜は、非晶質性又は比較的粒径の小さな多結晶性のシリコンを成膜した後、加熱処理により比較的粒径の大きな多結晶性のシリコンに固相成長させたものであることを特徴とする請求項１１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１４】  前記保護膜は、絶縁物質からなることを特徴とする請求項１１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１５】  前記絶縁物質は、シリコンからなる半導体薄膜の表面を熱酸化して得られた酸化シリコンであることを特徴とする請求項１４記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１６】  前記絶縁物質は、化学気相成長により堆積した酸化シリコンであることを特徴とする請求項１４記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１７】  前記保護膜は、半導体物質からなることを特徴とする請求項１１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１８】  前記保護膜は、厚さが５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１９】  前記保護膜は、溶解作用を有する薬品を循環使用することなく流動的に作用させる湿式エッチングで除去することを特徴とする請求項１１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項２０】  前記ゲート電極は、該半導体薄膜の清浄な表面に接して形成された該絶縁膜の上に配されることを特徴とする請求項１１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項２１】  互いに間隙を介して接合した一対の基板と、該間隙に配した液晶とからなり、一方の基板には画素電極とこれを駆動する薄膜トランジスタを形成し、他方の基板には対向電極を形成した液晶表示装置の製造方法において、
前記薄膜トランジスタは、半導体薄膜と、その表面に接して形成された絶縁膜と、該半導体薄膜の表面側または裏面側に配されたゲート電極とを含む積層構成を有し、
一方の基板上に所定の平面形状で該薄膜トランジスタを形成するために、
清浄な表面を有する半導体薄膜を基板の上一面に形成する第一工程と、
該半導体薄膜の清浄な表面を被覆するように保護膜を形成する第二工程と、
該薄膜トランジスタの平面形状に合わせて該半導体薄膜を該保護膜と共にパタニングする第三工程と、
パタニングされた半導体薄膜の上から該保護膜を除去して清浄な表面を露出する第四工程と、
該半導体薄膜の露出した表面に接して絶縁膜を形成する第五工程とを行なう
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２２】  前記第一工程は、非晶質性又は比較的粒径の小さな多結晶性のシリコンからなる半導体薄膜を成膜した後、レーザ光を照射して比較的粒径の大きな多結晶性のシリコンに転換することを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２３】  前記第一工程は、非晶質性又は比較的粒径の小さな多結晶性のシリコンからなる半導体薄膜を成膜した後、加熱処理により比較的粒径の大きな多結晶性のシリコンに固相成長させることを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２４】  前記第二工程は、絶縁物質からなる保護膜を形成することを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２５】  前記第二工程は、シリコンからなる半導体薄膜の表面を熱酸化して酸化シリコンからなる保護膜を形成することを特徴とする請求項２４記載の薄膜トランジスタの製造法。
【請求項２６】  前記第二工程は、化学気相成長により酸化シリコンを堆積して保護膜を形成することを特徴とする請求項２４記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２７】  前記第二工程は、半導体物質を堆積して該保護膜を形成することを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２８】  前記第二工程は、厚さが５ｎｍ以上の保護膜を形成することを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２９】  前記第四工程は、溶解作用を有する薬品を循環使用することなく流動的に作用させる湿式エッチングで該保護膜を除去することを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３０】  該半導体薄膜の清浄な表面に接して形成された該絶縁膜の上にゲート電極を形成する第六工程を含むことを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３１】  互いに間隙を介して接合した一対の基板と、該間隙に配した液晶とからなり、一方の基板には画素電極とこれを駆動する薄膜トランジスタを形成し、他方の基板には対向電極を形成した液晶表示装置において
前記薄膜トランジスタは、半導体薄膜と、その表面に接して形成された絶縁膜と、該半導体薄膜の表面側または裏面側に配されたゲート電極とを含む積層構成を有すると共に該一方の基板上に所定の平面形状で形成されており、
前記半導体薄膜は、清浄な表面を有する状態で基板の上一面に形成した後、該清浄な表面を被覆するように保護膜を形成し、次いで該所定の平面形状に合わせて該保護膜と共にパタニングし、更に該保護膜を除去して清浄な表面を露出したものであり、
前記絶縁膜は、該半導体薄膜の露出した表面に接して形成されたものであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３２】  前記半導体薄膜は、非晶質性又は比較的粒径の小さな多結晶性のシリコンを成膜した後、レーザ光を照射して比較的粒径の大きな多結晶性のシリコンに転換したものであることを特徴とする請求項３１記載の液晶表示装置。
【請求項３３】  前記半導体薄膜は、非晶質性又は比較的粒径の小さな多結晶性のシリコンを成膜した後、加熱処理により比較的粒径の大きな多結晶性のシリコンに固相成長させたものであることを特徴とする請求項３１記載の液晶表示装置。
【請求項３４】  前記保護膜は、絶縁物質からなることを特徴とする請求項３１記載の液晶表示装置。
【請求項３５】  前記絶縁物質は、シリコンからなる半導体薄膜の表面を熱酸化して得られた酸化シリコンであることを特徴とする請求項３４記載の液晶表示装置。
【請求項３６】  前記絶縁物質は、化学気相成長により堆積した酸化シリコンであることを特徴とする請求項３４記載の液晶表示装置。
【請求項３７】  前記保護膜は、半導体物質からなることを特徴とする請求項３１記載の液晶表示装置。
【請求項３８】  前記保護膜は、厚さが５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項３１記載の液晶表示装置。
【請求項３９】  前記保護膜は、溶解作用を有する薬品を循環使用することなく流動的に作用させる湿式エッチングで除去することを特徴とする請求項３１記載の液晶表示装置。
【請求項４０】  前記ゲート電極は、該半導体薄膜の清浄な表面に接して形成された該絶縁膜の上に配されることを特徴とする請求項３１記載の液晶表示装置。
【請求項４１】  基板の上にエレクトロルミネッセンス素子とこれを駆動する薄膜トランジスタを形成したエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記薄膜トランジスタは、半導体薄膜と、その表面に接して形成された絶縁膜と、該半導体薄膜の表面側または裏面側に配されたゲート電極とを含む積層構成を有し、
該基板の上に所定の平面形状で該薄膜トランジスタを形成するために、
清浄な表面を有する半導体薄膜を基板の上一面に形成する第一工程と、
該半導体薄膜の清浄な表面を被覆するように保護膜を形成する第二工程と、
該薄膜トランジスタの平面形状に合わせて該半導体薄膜を該保護膜と共にパタニングする第三工程と、
パタニングされた半導体薄膜の上から該保護膜を除去して清浄な表面を露出する第四工程と、
該半導体薄膜の露出した表面に接して絶縁膜を形成する第五工程とを行なう
ことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項４２】  前記第一工程は、非晶質性又は比較的粒径の小さな多結晶性のシリコンからなる半導体薄膜を成膜した後、レーザ光を照射して比較的粒径の大きな多結晶性のシリコンに転換することを特徴とする請求項４１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項４３】  前記第一工程は、非晶質性又は比較的粒径の小さな多結晶性のシリコンからなる半導体薄膜を成膜した後、加熱処理により比較的粒径の大きな多結晶性のシリコンに固相成長させることを特徴とする請求項４１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項４４】  前記第二工程は、絶縁物質からなる保護膜を形成することを特徴とする請求項４１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項４５】  前記第二工程は、シリコンからなる半導体薄膜の表面を熱酸化して酸化シリコンからなる保護膜を形成することを特徴とする請求項４４記載の薄膜トランジスタの製造法。
【請求項４６】  前記第二工程は、化学気相成長により酸化シリコンを堆積して保護膜を形成することを特徴とする請求項４４記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項４７】  前記第二工程は、半導体物質を堆積して該保護膜を形成することを特徴とする請求項４１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項４８】  前記第二工程は、厚さが５ｎｍ以上の保護膜を形成することを特徴とする請求項４１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項４９】  前記第四工程は、溶解作用を有する薬品を循環使用することなく流動的に作用させる湿式エッチングで該保護膜を除去することを特徴とする請求項４１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項５０】  該半導体薄膜の清浄な表面に接して形成された該絶縁膜の上にゲート電極を形成する第六工程を含むことを特徴とする請求項４１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項５１】  基板の上にエレクトロルミネッセンス素子とこれを駆動する薄膜トランジスタを形成したエレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記薄膜トランジスタは、半導体薄膜と、その表面に接して形成された絶縁膜と、該半導体薄膜の表面側または裏面側に配されたゲート電極とを含む積層構成を有すると共に該基板の上に所定の平面形状で形成されており、
前記半導体薄膜は、清浄な表面を有する状態で基板の上一面に形成した後、該清浄な表面を被覆するように保護膜を形成し、次いで該所定の平面形状に合わせて該保護膜と共にパタニングし、更に該保護膜を除去して清浄な表面を露出したものであり、
前記絶縁膜は、該半導体薄膜の露出した表面に接して形成されたものであることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５２】  前記半導体薄膜は、非晶質性又は比較的粒径の小さな多結晶性のシリコンを成膜した後、レーザ光を照射して比較的粒径の大きな多結晶性のシリコンに転換したものであることを特徴とする請求項５１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５３】  前記半導体薄膜は、非晶質性又は比較的粒径の小さな多結晶性のシリコンを成膜した後、加熱処理により比較的粒径の大きな多結晶性のシリコンに固相成長させたものであることを特徴とする請求項５１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５４】  前記保護膜は、絶縁物質からなることを特徴とする請求項５１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５５】  前記絶縁物質は、シリコンからなる半導体薄膜の表面を熱酸化して得られた酸化シリコンであることを特徴とする請求項５４記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５６】  前記絶縁物質は、化学気相成長により堆積した酸化シリコンであることを特徴とする請求項５４記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５７】  前記保護膜は、半導体物質からなることを特徴とする請求項５１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５８】  前記保護膜は、厚さが５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項５１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５９】  前記保護膜は、溶解作用を有する薬品を循環使用することなく流動的に作用させる湿式エッチングで除去することを特徴とする請求項５１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６０】  前記ゲート電極は、該半導体薄膜の清浄な表面に接して形成された該絶縁膜の上に配されることを特徴とする請求項５１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６１】  基板の上に前記薄膜トランジスタを形成し、該薄膜トランジスタの上に前記エレクトロルミネッセンス素子を形成した積層構造を有する前記エレクトロルミネッセンス表示装置において、該エレクトロルミネッセンス素子からの発光が、該エレクトロルミネッセンス素子の該薄膜トランジスタ側になる面と対向する面側から取り出されることを特徴とする請求項５１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６２】  前記エレクトロルミネッセンス素子は、前記薄膜トランジスタ側から順に、陽極、有機層、陰極が積層されていることを特徴とする請求項６１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６３】  前記陰極は、金属および透明導電層からなる光透過性の積層構造であることを特徴とする請求項６２記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。