【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
複数の半導体レーザ素子３のそれぞれは、リッジ状に成形された凸部２５を有している。凸部２５は、第１の部分２５ａ及び第２の部分２５ｂからなる。第１の部分２５ａの一端は光出射面１ａに達しており、第１の部分２５ａの他端は第２の部分２５ｂの一端と繋がっている。第２の部分２５ｂの他端は、光反射面１ｂに達している。第１の部分２５ａ及び第２の部分２５ｂは、その長手方向が光出射面１ａ及び光反射面１ｂに対して斜めになるように設けられている。また、第１の部分２５ａ及び第２の部分２５ｂ同士も、互いの長手方向が交差するように繋がっている。半導体レーザ素子３には、凸部２５に対応して屈折率型の導波路が生成される。レーザ光出射端４ｅは、この導波路の光出射面１ａ側の端面である。複数の半導体レーザ素子３は、所定の軸Ａの方向と交差する方向に並んで配置されて一体に形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
リッジ部９の第２の部分９ｂは、端面９ｆと、互いに対向する一対の側面９ｉ及び９ｊとを有している。一対の側面９ｉ及び９ｊは、それぞれリッジ部９の第２の部分９ｂの領域を規定しており、第２の部分９ｂと薄厚部１０ｂとの境界となっている。端面９ｆは、光反射面１ｂ上にある。側面９ｉは端面９ｆの一端から第１の部分９ａの側面９ｇまで延び、側面９ｊは端面９ｆの他の一端から第２の部分９ｂの側面９ｈまで延びている。側面９ｉ及び９ｊは、厚さ方向から見た平面図において、光出射面１ａ及び光反射面１ｂに対し相対角度θ２（≠θ１）を有するように設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
ここで、図７（ａ）は、レーザ光Ｌの角度成分と第１の部分４ａの側面４ｇ及び４ｈにおける反射率との相関を示すグラフである。なお、図７（ａ）において、θｃａ１は先に述べたθｉの下限であり、θｃａと一致する。また、θｃａ２はθｉの上限であり、θ１＋（θ１−θｃａ）と一致する。また、図７（ａ）に基づく以下の作用は、第２の部分４ｂにおいても同様である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
第１の部分４２ａの側面４２ｇ及び４２ｈは、光出射面１ａ及び光反射面１ｂに対して相対角度θ１を有する。第２の部分４２ｂの側面４２ｉ及び４２ｊは、光出射面１ａ及び光反射面１ｂに対して相対角度θ２を有し、側面４２ｇ及び４２ｈと角θ１＋（π［ｒａｄ］−θ２）を成して繋がっている。角θ１及びθ２は、互いに異なる角度に設定される。第１の部分４２ａの側面４２ｇ及び４２ｈにおける全反射臨界角θｃａ、及び第２の部分４２ｂの側面４２ｉ及び４２ｊにおける全反射臨界角θｃｂのそれぞれは、θ１及びθ２それぞれがθｃａ及びθｃｂそれぞれに対して所定角度大きくなるように、薄厚部の厚さ等によって制御される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
図１５（ａ）及び図１５（ｂ）を参照すると、本実施形態の半導体レーザ素子３ｃは、第１の半導体部３３と、第２の半導体部３４と、第１の半導体部３３及び第２の半導体部３４の間に設けられた活性層３５とを備えている。第１の半導体部３３は、ｐ型クラッド層２７及び第１光ガイド層２６を含んでいる。第２の半導体部３４は、ｎ型半導体からなる基板１１、ｎ型クラッド層２３、及び第２光ガイド層２４を含んでいる。また、半導体レーザ素子３ｃは、ｐ型キャップ層２８を備えている。ｎ型クラッド層２３、第２光ガイド層２４、活性層３５、第１光ガイド層２６、ｐ型クラッド層２７、及びｐ型キャップ層２８は、順に基板１１上に積層されており、積層体７を構成している。積層体７は、図１５（ａ）に示す第１の部分７ａ及び図１５（ｂ）に示す第２の部分７ｂを有する。第１の部分７ａは、一対の側面７ｇ及び７ｈを有する。側面７ｇ及び７ｈは、積層体７の厚み方向からみて光出射面１ａ及び光反射面１ｂに対し相対角度θ１を有する。第２の部分７ｂは、一対の側面７ｉ及び７ｊを有する。側面７ｉ及び７ｊは、積層体７の厚み方向からみて光出射面１ａ及び光反射面１ｂに対し相対角度θ２（≠θ１）を有する。活性層３５の側面３５ｇ〜３５ｊは、それぞれ積層体７の側面７ｇ〜７ｊに含まれる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
このように、本実施形態の半導体レーザ素子３ｄによれば、導波路６の側面６ｇ〜６ｊにおける全反射臨界角θｃａ（θｃｂ）を、側面６ｇ〜６ｊに対応するリッジ部６１ａ（６１ｂ）の側面６１ｇ〜６１ｊの高さを調整することによって任意に設定することができる。従って、半導体レーザ素子３ｄによれば、導波路６の側面のうち少なくとも一部分における全反射臨界角が他の部分における全反射臨界角と異なる構成を容易に実現できる。特に、本実施形態の半導体レーザ素子３ｄは、構造が比較的単純であり、半導体の再成長プロセスを必要としない。従って、信頼性が高い半導体レーザ素子３ｄを提供できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
【図１】本発明による半導体レーザ素子アレイの第１実施形態の構成を示す概略斜視図である。
【図２】（ａ）図１に示した半導体レーザ素子アレイのＩ−Ｉ断面を示す拡大断面図である。（ｂ）図１に示した半導体レーザ素子アレイのII−II断面を示す拡大断面図である。
【図３】第１の半導体部を含む積層体の斜視図である。
【図４】（ａ）積層体の平面図である。（ｂ）（ａ）に示した積層体のIII−III断面を示す断面図である。（ｃ）（ａ）に示した積層体のIV−IV断面を示す断面図である。
【図５】活性層内に形成される導波路の平面図である。
【図６】側面に様々な入射角で入射するレーザ光について説明するための図である。
【図７】（ａ）レーザ光の角度成分と第１の部分の側面における反射率との相関を示すグラフである。（ｂ）θ１をθｃａにより近づけた場合の、レーザ光の角度成分と第１の部分の側面における反射率との相関を示すグラフである。
【図８】（ａ）レーザ光の角度成分に対する第１の部分のフィルタ特性を示すグラフである。（ｂ）レーザ光の角度成分に対する第２の部分のフィルタ特性を示すグラフである。（ｃ）レーザ光の角度成分に対する導波路全体でのフィルタ特性を示すグラフである。
【図９】（ａ）〜（ｄ）半導体レーザ素子アレイの各製造工程における拡大断面図である。
【図１０】ｐ側電極層が第１の半導体部のリッジ部上のみに設けられた半導体レーザ素子を示す断面図である。
【図１１】第１の変形例による半導体レーザ素子が有する導波路を示す平面図である。
【図１２】第２の変形例による半導体レーザ素子が有する導波路を示す平面図である。
【図１３】第３の変形例による半導体レーザ素子が有する導波路を示す平面図である。
【図１４】（ａ）第２実施形態による半導体レーザ素子アレイの、図１に示したＩ−Ｉ断面と同様の断面における断面図である。（ｂ）第２実施形態による半導体レーザ素子アレイの、図１に示したII−II断面と同様の断面における断面図である。
【図１５】（ａ）第３実施形態による半導体レーザ素子アレイの、図１に示したＩ−Ｉ断面と同様の断面における拡大断面図である。（ｂ）第３実施形態による半導体レーザ素子アレイの、図１に示したII−II断面と同様の断面における拡大断面図である。
【図１６】第４実施形態の半導体レーザ素子アレイが備える第２の半導体部の一部を示す斜視図である。
【図１７】（ａ）図１６に示すV−V断面における半導体レーザ素子アレイの拡大断面図である。（ｂ）図１６に示すVI−VI断面における半導体レーザ素子アレイの拡大断面図である。
【図１８】（ａ）（ｂ）第４実施形態の半導体レーザ素子の変形例の構成を示す断面図である。
【図１９】第５実施形態の半導体レーザ素子アレイが備える半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
【図２０】第１の半導体部を含む積層体の斜視図である。
【図２１】（ａ）積層体の平面図である。（ｂ）（ａ）に示した積層体のVII−VII断面を示す断面図である。
【図２２】活性層内に形成される導波路の平面図である。
【図２３】（ａ）従来の共振器の構成を示す平面図である。（ｂ）（ａ）のVIII−VIII断面及びIX−IX断面における屈折率分布を示す図である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2006013075.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2006013075.tif 000002
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2006013075.tif 000003
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２３】
2006013075.tif 000004