【手続補正書】
【提出日】平成19年5月25日(2007.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＭＯＳ型センサおよびその駆動方法、並びに撮像方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサの駆動方法であって、
前記撮像部の複数の画素の全てを同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次選択して、選択された画素の信号を出力することを特徴とするＭＯＳ型センサの駆動方法。
【請求項２】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサの駆動方法であって、
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタと信号増幅回路とを有しており、
前記撮像部の複数の画素の全てを同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次選択して、選択された画素の信号を出力することを特徴とするＭＯＳ型センサの駆動方法。
【請求項３】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサの駆動方法であって、
前記撮像部の複数の画素の全てを同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次選択して、選択された画素の信号を出力し、
前記リセットをした時から、前記選択された画素の信号が飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定することを特徴とするＭＯＳ型センサの駆動方法。
【請求項４】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサの駆動方法であって、
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタと信号増幅回路とを有しており、
前記撮像部の複数の画素の全てを同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次選択して、選択された画素の信号を出力し、
前記リセットをした時から、前記選択された画素の信号が飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定することを特徴とするＭＯＳ型センサの駆動方法。
【請求項５】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサの駆動方法であって、
前記撮像部の複数の画素の全てを同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次、複数個選択して、選択された画素の信号を出力し、
前記リセットをした時から、前記選択された画素の信号の中で、最も信号振幅が大きい信号が飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定することを特徴とするＭＯＳ型センサの駆動方法。
【請求項６】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサの駆動方法であって、
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタと信号増幅回路とを有しており、
前記撮像部の複数の画素の全てを同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次、複数個選択して、選択された画素の信号を出力し、
前記リセットをした時から、前記選択された画素の信号の中で、最も信号振幅が大きい信号が飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定することを特徴とするＭＯＳ型センサの駆動方法。
【請求項７】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサの駆動方法であって、
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタを有しており、
前記撮像部の複数の画素の全てを同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次選択して、選択された画素の信号を出力し、
前記リセットをした時から、前記選択された画素の光電変換素子が飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定することを特徴とするＭＯＳ型センサの駆動方法。
【請求項８】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサの駆動方法であって、
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタを有しており、
前記撮像部の複数の画素の全てを同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次、複数個選択して、選択された画素の信号を出力し、
前記リセットをした時から、前記選択された画素の光電変換素子のいずれか１つが飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定することを特徴とするＭＯＳ型センサの駆動方法。
【請求項９】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサの駆動方法であって、  
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタと信号増幅回路とを有しており、
前記光電変換素子の一方の端子は、前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子に接続されており、他方の端子は、光電変換素子側電源線に接続されており、  
前記リセット用トランジスタのゲート端子は、リセット用信号線に接続されており、  
前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子の一方は、前記光電変換素子及び前記信号増幅回路の入力端子に接続されており、他方はリセット側電源線に接続されており、  
前記撮像部の複数の画素の全てを同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次選択して、選択された画素の信号を出力することを特徴とするＭＯＳ型センサの駆動方法。  
【請求項１０】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサの駆動方法であって、  
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタと信号増幅回路とを有しており、
前記光電変換素子の一方の端子は、前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子に接続されており、他方の端子は、光電変換素子側電源線に接続されており、  
前記リセット用トランジスタのゲート端子は、リセット用信号線に接続されており、  
前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子の一方は、前記光電変換素子及び前記信号増幅回路の入力端子に接続されており、他方はリセット側電源線に接続されており、  
前記撮像部の複数の画素の全てを同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次選択して、選択された画素の信号を出力し、  
前記リセットをした時から、前記選択された画素の信号が飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定することを特徴とするＭＯＳ型センサの駆動方法。  
【請求項１１】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサの駆動方法であって、  
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタと信号増幅回路とを有しており、  前記光電変換素子の一方の端子は、前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子に接続されており、他方の端子は、光電変換素子側電源線に接続されており、  
前記リセット用トランジスタのゲート端子は、リセット用信号線に接続されており、  
前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子の一方は、前記光電変換素子及び前記信号増幅回路の入力端子に接続されており、他方はリセット側電源線に接続されており、  
前記撮像部の複数の画素の全てを同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次、複数個選択して、選択された画素の信号を出力し、  
前記リセットをした時から、前記選択された画素の信号の中で、最も信号振幅が大きい信号が飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定することを特徴とするＭＯＳ型センサの駆動方法。
【請求項１２】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサの駆動方法であって、  
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタと信号増幅回路とを有しており、  前記光電変換素子の一方の端子は、前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子に接続されており、他方の端子は、光電変換素子側電源線に接続されており、  
前記リセット用トランジスタのゲート端子は、リセット用信号線に接続されており、  
前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子の一方は、前記光電変換素子及び前記信号増幅回路の入力端子に接続されており、他方はリセット側電源線に接続されており、  
前記撮像部の複数の画素の全てを同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次選択して、選択された画素の信号を出力し、  
前記リセットをした時から、前記選択された画素の光電変換素子が飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定することを特徴とするＭＯＳ型センサの駆動方法。  
【請求項１３】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサの駆動方法であって、  
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタと信号増幅回路とを有しており、  前記光電変換素子の一方の端子は、前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子に接続されており、他方の端子は、光電変換素子側電源線に接続されており、  
前記リセット用トランジスタのゲート端子は、リセット用信号線に接続されており、  
前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子の一方は、前記光電変換素子及び前記信号増幅回路の入力端子に接続されており、他方はリセット側電源線に接続されており、  
前記撮像部の複数の画素の全てを同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次、複数個選択して、選択された画素の信号を出力し、  
前記リセットをした時から、前記選択された画素の光電変換素子のいずれか１つが飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定することを特徴とするＭＯＳ型センサの駆動方法。
【請求項１４】
請求項３乃至請求項８、及び請求項１０乃至請求項１３のいずれか１項において、  
被写体で反射されて前記撮像部に入射する光の中で、最も強い強度の光を前記撮像部に照射して、前記蓄積時間の値を設定することを特徴とするＭＯＳ型センサの駆動方法。  
【請求項１５】
請求項３乃至請求項８、及び請求項１０乃至請求項１４のいずれか１項において、  
前記蓄積時間を用いて、被写体の撮像を行うことを特徴とするＭＯＳ型センサの駆動方法。  
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか１項において、  
前記撮像部の複数の画素のうち、限定した領域の画素のみから信号を出力することを特徴とするＭＯＳ型センサの駆動方法。  
【請求項１７】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサであって、  
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタと信号増幅回路とを有しており、  前記光電変換素子の一方の端子は、前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子に接続されており、他方の端子は、光電変換素子側電源線に接続されており、  
前記リセット用トランジスタのゲート端子は、リセット用信号線に接続されており、  
前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子の一方は、前記光電変換素子及び前記信号増幅回路の入力端子に接続されており、他方はリセット側電源線に接続されており、  
前記撮像部の複数の画素の全てを同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次選択して、選択された画素の信号を出力することを特徴とするＭＯＳ型センサ。  
【請求項１８】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサであって、  
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタと信号増幅回路とを有しており、  前記光電変換素子の一方の端子は、前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子に接続されており、他方の端子は、光電変換素子側電源線に接続されており、  
前記リセット用トランジスタのゲート端子は、リセット用信号線に接続されており、  
前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子の一方は、前記光電変換素子及び前記信号増幅回路の入力端子に接続されており、他方はリセット側電源線に接続されており、  
前記撮像部の複数の画素の全てを同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次選択して、選択された画素の信号を出力し、  
前記リセットをした時から、前記選択された画素の信号が飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定することを特徴とするＭＯＳ型センサ。  
【請求項１９】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサであって、  
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタと信号増幅回路とを有しており、  前記光電変換素子の一方の端子は、前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子に接続されており、他方の端子は、光電変換素子側電源線に接続されており、  
前記リセット用トランジスタのゲート端子は、リセット用信号線に接続されており、  
前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子の一方は、前記光電変換素子及び前記信号増幅回路の入力端子に接続されており、他方はリセット側電源線に接続されており、  
前記撮像部の複数の画素の全てを同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次、複数個選択して、選択された画素の信号を出力し、  
前記リセットをした時から、前記選択された画素の信号の中で、最も信号振幅が大きい信号が飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定することを特徴とするＭＯＳ型センサ。  
【請求項２０】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサであって、  
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタと信号増幅回路とを有しており、  前記光電変換素子の一方の端子は、前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子に接続されており、他方の端子は、光電変換素子側電源線に接続されており、  
前記リセット用トランジスタのゲート端子は、リセット用信号線に接続されており、  
前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子の一方は、前記光電変換素子及び前記信号増幅回路の入力端子に接続されており、他方はリセット側電源線に接続されており、  
前記撮像部の複数の画素の全てを同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次選択して、選択された画素の信号を出力し、  
前記リセットをした時から、前記選択された画素の光電変換素子が飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定することを特徴とするＭＯＳ型センサ。  
【請求項２１】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサであって、  
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタと信号増幅回路とを有しており、  前記光電変換素子の一方の端子は、前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子に接続されており、他方の端子は、光電変換素子側電源線に接続されており、  
前記リセット用トランジスタのゲート端子は、リセット用信号線に接続されており、  
前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子の一方は、前記光電変換素子及び前記信号増幅回路の入力端子に接続されており、他方はリセット側電源線に接続されており、  
前記撮像部の複数の画素の全てを同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次、複数個選択して、選択された画素の信号を出力し、
前記リセットをした時から、前記選択された画素の光電変換素子のいずれか１つが飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定することを特徴とするＭＯＳ型センサ。  
【請求項２２】
請求項１８乃至請求項２１のいずれか１項において、  
被写体で反射されて前記撮像部に入射する光の中で、最も強い強度の光を前記撮像部に照射して、前記蓄積時間の値を設定することを特徴とするＭＯＳ型センサ。  
【請求項２３】
請求項１８乃至請求項２２のいずれか１項において、  
前記蓄積時間を用いて、被写体の撮像を行うことを特徴とするＭＯＳ型センサ。  
【請求項２４】
請求項１８乃至請求項２３のいずれか１項において、
前記蓄積時間を設定した後であって、前記撮像部の複数の画素を順次リセットしてから前記蓄積時間が経過した後に、前記撮像部の画素を順次選択することにより、被写体の撮像を行うことが可能なＭＯＳ型センサ。
【請求項２５】
請求項１７乃至請求項２４のいずれか１項において、  
前記撮像部の複数の画素のうち、限定した領域の画素のみから信号を出力することを特徴とするＭＯＳ型センサ。  
【請求項２６】
請求項１７乃至請求項２５のいずれか１項において、前記ＭＯＳ型センサは、単結晶シリコン基板を用いて形成されていることを特徴とするＭＯＳ型センサ。
【請求項２７】
請求項１７乃至請求項２６のいずれか１項に記載の前記ＭＯＳ型センサを用いたことを特徴とする電子機器。
【請求項２８】
請求項２７において、前記電子機器は、スキャナ、デジタルスチルカメラ、Ｘ線カメラ、携帯情報端末、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、テレビ電話又は指紋読み取り装置であることを特徴とする電子機器。
【請求項２９】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサを用いた撮像方法であって、
前記撮像部の複数の画素を同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次選択して、選択された画素の信号を出力することにより試行撮像を行い、前記リセットをした時から、前記選択された画素の信号が飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定し、
前記撮像部の複数の画素を順次リセットしてから前記蓄積時間が経過した後に、前記撮像部の画素を順次選択することにより、通常の撮像を行うことを特徴とする撮像方法。
【請求項３０】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサを用いた撮像方法であって、
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタと信号増幅回路とを有しており、  前記撮像部の複数の画素を同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次選択して、選択された画素の信号を出力することにより試行撮像を行い、前記リセットをした時から、前記選択された画素の信号が飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定し、
前記撮像部の複数の画素を順次リセットしてから前記蓄積時間が経過した後に、前記撮像部の画素を順次選択することにより、通常の撮像を行うことを特徴とする撮像方法。
【請求項３１】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサを用いた撮像方法であって、
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタと信号増幅回路とを有しており、
前記光電変換素子の一方の端子は、前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子に接続されており、他方の端子は、光電変換素子側電源線に接続されており、
前記リセット用トランジスタのゲート端子は、リセット用信号線に接続されており、
前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子の一方は、前記光電変換素子及び前記信号増幅回路の入力端子に接続されており、他方はリセット側電源線に接続されており、
前記撮像部の複数の画素を同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次選択して、選択された画素の信号を出力することにより試行撮像を行い、前記リセットをした時から、前記選択された画素の信号が飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定し、
前記撮像部の複数の画素を順次リセットしてから前記蓄積時間が経過した後に、前記撮像部の画素を順次選択することにより、通常の撮像を行うことを特徴とする撮像方法。
【請求項３２】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサを用いた撮像方法であって、
前記撮像部の複数の画素を同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次選択して、選択された画素の信号を出力することにより試行撮像を行い、前記リセットをした時から、前記選択された画素の信号の中で、最も信号振幅が大きい信号が飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定し、
前記撮像部の複数の画素を順次リセットしてから前記蓄積時間が経過した後に、前記撮像部の画素を順次選択することにより、通常の撮像を行うことを特徴とする撮像方法。
【請求項３３】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサを用いた撮像方法であって、
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタと信号増幅回路とを有しており、
前記撮像部の複数の画素を同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次選択して、選択された画素の信号を出力することにより試行撮像を行い、前記リセットをした時から、前記選択された画素の信号の中で、最も信号振幅が大きい信号が飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定し、
前記撮像部の複数の画素を順次リセットしてから前記蓄積時間が経過した後に、前記撮像部の画素を順次選択することにより、通常の撮像を行うことを特徴とする撮像方法。
【請求項３４】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサを用いた撮像方法であって、
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタと信号増幅回路とを有しており、
前記光電変換素子の一方の端子は、前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子に接続されており、他方の端子は、光電変換素子側電源線に接続されており、
前記リセット用トランジスタのゲート端子は、リセット用信号線に接続されており、
前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子の一方は、前記光電変換素子及び前記信号増幅回路の入力端子に接続されており、他方はリセット側電源線に接続されており、
前記撮像部の複数の画素を同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次選択して、選択された画素の信号を出力することにより試行撮像を行い、前記リセットをした時から、前記選択された画素の信号の中で、最も信号振幅が大きい信号が飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定し、
前記撮像部の複数の画素を順次リセットしてから前記蓄積時間が経過した後に、前記撮像部の画素を順次選択することにより、通常の撮像を行うことを特徴とする撮像方法。
【請求項３５】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサを用いた撮像方法であって、
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタとを有しており、
前記撮像部の複数の画素を同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次選択して、選択された画素の信号を出力することにより試行撮像を行い、前記リセットをした時から、前記選択された画素の光電変換素子が飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定し、
前記撮像部の複数の画素を順次リセットしてから前記蓄積時間が経過した後に、前記撮像部の画素を順次選択することにより、通常の撮像を行うことを特徴とする撮像方法。
【請求項３６】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサを用いた撮像方法であって、
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタと信号増幅回路とを有しており、
前記光電変換素子の一方の端子は、前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子に接続されており、他方の端子は、光電変換素子側電源線に接続されており、
前記リセット用トランジスタのゲート端子は、リセット用信号線に接続されており、
前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子の一方は、前記光電変換素子及び前記信号増幅回路の入力端子に接続されており、他方はリセット側電源線に接続されており、
前記撮像部の複数の画素を同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次選択して、選択された画素の信号を出力することにより試行撮像を行い、前記リセットをした時から、前記選択された画素の光電変換素子が飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定し、
前記撮像部の複数の画素を順次リセットしてから前記蓄積時間が経過した後に、前記撮像部の画素を順次選択することにより、通常の撮像を行うことを特徴とする撮像方法。
【請求項３７】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサを用いた撮像方法であって、
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタとを有しており、
前記撮像部の複数の画素を同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次、複数個選択して、選択された画素の信号を出力することにより試行撮像を行い、前記リセットをした時から、前記選択された画素の光電変換素子のいずれか１つが飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定し、
前記撮像部の複数の画素を順次リセットしてから前記蓄積時間が経過した後に、前記撮像部の画素を順次選択することにより、通常の撮像を行うことを特徴とする撮像方法。
【請求項３８】
撮像部に複数の画素を有するＭＯＳ型センサを用いた撮像方法であって、
前記画素は、光電変換素子とリセット用トランジスタと信号増幅回路とを有しており、
前記光電変換素子の一方の端子は、前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子に接続されており、他方の端子は、光電変換素子側電源線に接続されており、
前記リセット用トランジスタのゲート端子は、リセット用信号線に接続されており、
前記リセット用トランジスタのソース端子もしくはドレイン端子の一方は、前記光電変換素子及び前記信号増幅回路の入力端子に接続されており、他方はリセット側電源線に接続されており、
前記撮像部の複数の画素を同時にリセットした後、前記撮像部の画素を順次、複数個選択して、選択された画素の信号を出力することにより試行撮像を行い、前記リセットをした時から、前記選択された画素の光電変換素子のいずれか１つが飽和する時までの時間を、蓄積時間の値に設定し、
前記撮像部の複数の画素を順次リセットしてから前記蓄積時間が経過した後に、前記撮像部の画素を順次選択することにより、通常の撮像を行うことを特徴とする撮像方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ここで、画素がリセットされてから、信号を出力する時までの期間は、蓄積時間と呼ばれる。つまり、蓄積時間とは、イメージセンサの受光部に光を照射し、信号を蓄積している時間のことであり、蓄積期間、または、露光時間とも言う。蓄積時間の間、フォトダイオード４０４では、光によって生成される電荷を蓄積している。よって、蓄積時間が異なると、たとえ同じ光強度であっても、光によって生成される電荷の総量が異なってくるため、信号値も異なってくる。例えば、強い光の場合、短い蓄積時間で飽和してしまう。弱い光の場合であっても、蓄積時間が長いと、いつかは飽和してしまう。つまり、信号は、光の強さと蓄積時間の積によって、決まる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
次に、バイアス用回路１１０３とサンプルホールド＆信号処理用回路１１０２の中から、１列分の回路として、ｊ列目周辺部回路１１０９の回路図を、図１４に示す。バイアス用回路１１０３には、バイアス用トランジスタ１４１１が配置されている。その極性は、各画素の増幅用トランジスタの極性と同じものである。よって、画素の増幅用トランジスタがＮチャネル型の場合は、バイアス用トランジスタもＮチャネル型になる。図１４では、バイアス用トランジスタ１４１１は、Ｎチャネル型である。バイアス用トランジスタ１４１１のゲート端子には、バイアス信号線１４１０が接続され、ソース端子とドレイン端子は、ｊ列目信号出力線１４０３と電源基準線１４１２に接続されている（バイアス用トランジスタがＰチャネル型の場合は、電源基準線の代わりに、電源線を用いる）。バイアス用トランジスタ１４１１は、各画素の増幅用トランジスタと対になって、ソースフォロワ回路として動作する。転送用トランジスタ１４１３のゲート端子には、転送信号線１４１４が接続され、ソース端子とドレイン端子は、ｊ列目信号出力線１４０３と負荷容量１４１５に接続されている。転送用トランジスタは、信号出力線１４０３の電位を負荷容量１４１５に転送するときに、動作させる。よって、Ｐチャネル型の転送用トランジスタを追加して、Ｎチャネル型転送用トランジスタ１４１４と並列に接続してもよい。負荷容量１４１５は、転送用トランジスタ１４１３と電源基準線１４１２に接続されている。負荷容量１４１５の役割は、信号出力線１４０３から出力される信号を一時的に蓄積することである。放電用トランジスタ１４１６のゲート端子は、プリ放電信号線１４１７に接続され、ソース端子とドレイン端子は、負荷容量１４１５と電源基準線１４１２に接続されている。放電用トランジスタ１４１６は、信号出力線１４０３の電位を負荷容量１４１５に入力する前に、いったん、負荷容量１４１５にたまっている電荷を放電するように動作する。