【手続補正書】
【提出日】平成19年2月14日(2007.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に画素ＴＦＴと端子部を有し、
前記画素ＴＦＴは、Ｃｒを含有する第１の層と、ＡｌおよびＮｄを含有する第２の層とを積層してなるゲート電極を有し、
前記端子部には、前記ゲート電極と同一材料からなる配線と、前記配線に電気的に接続された透明導電膜が設けられ、
前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、他の基板に設けられた回路の配線に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
基板上に画素ＴＦＴと端子部を有し、
前記画素ＴＦＴは、Ｃｒを含有する第１の層と、ＡｌおよびＮｄを含有する第２の層とを積層してなるゲート電極を有し、
前記端子部には、前記ゲート電極と同一材料からなる配線と、前記配線に電気的に接続された酸化インジウム酸化亜鉛合金を含む透明導電膜が設けられ、
前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、他の基板に設けられた回路の配線に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
基板上に画素ＴＦＴと端子部を有し、
前記画素ＴＦＴは、Ｃｒを含有する第１の層と、ＡｌおよびＮｄを含有する第２の層とを積層してなるゲート電極を有し、
前記端子部には、前記ゲート電極と同一材料からなる配線と、前記配線に電気的に接続された透明導電膜が設けられ、
前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、他の基板に設けられた回路の配線に電気的に接続されており、
前記Ｎｄは、第２の層中に０．０１〜５ａｔｏｍｉｃ％の濃度で含有されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
基板上に画素ＴＦＴと複数の端子部を有し、
前記画素ＴＦＴは、Ｃｒを含有する第１の層と、ＡｌおよびＮｄを含有する第２の層とを積層してなるゲート電極を有し、
前記複数の端子部には、前記ゲート電極と同一材料からなる配線と、前記配線に電気的に接続された透明導電膜が設けられ、
前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、他の基板に設けられた回路の配線に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
基板上に画素ＴＦＴと、端子部と、前記画素ＴＦＴに電気的に接続された画素電極を有し、
前記画素ＴＦＴは、Ｃｒを含有する第１の層と、ＡｌおよびＮｄを含有する第２の層とを積層してなるゲート電極を有し、
前記端子部には、前記ゲート電極と同一材料からなる配線と、前記配線に電気的に接続された酸化インジウム酸化亜鉛合金を含む透明導電膜が設けられ、
前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、他の基板に設けられた回路の配線に電気的に接続されており、
前記画素電極は、前記透明導電膜と同一材料からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
基板上に画素ＴＦＴと、端子部と、前記画素ＴＦＴに電気的に接続されたソース配線を有し、
前記画素ＴＦＴは、Ｃｒを含有する第１の層と、ＡｌおよびＮｄを含有する第２の層とを積層してなるゲート電極を有し、
前記端子部には、前記ゲート電極と同一材料からなる配線と、前記配線に電気的に接続された酸化インジウム酸化亜鉛合金を含む透明導電膜が設けられ、
前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、他の基板に設けられた回路の配線に電気的に接続されており、
前記ソース配線上には、前記透明導電膜と同一材料からなる透明導電膜が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
基板上に画素ＴＦＴと端子部を有し、
前記画素ＴＦＴは、Ｃｒを含有する第１の層と、ＡｌおよびＮｄを含有する第２の層とを積層してなるゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた非晶質半導体膜と、
前記非晶質半導体膜上に設けられた一導電型の不純物元素を含有する半導体膜と、
前記一導電型の不純物元素を含有する半導体膜上に設けられたＡｌおよびＣｒを含む金属膜と、を有し、
前記端子部には、前記ゲート電極と同一材料からなる配線と、前記配線に電気的に接続された透明導電膜が設けられ、
前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、他の基板に設けられた回路の配線に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
基板上に画素ＴＦＴと端子部を有し、
前記画素ＴＦＴは、Ｃｒを含有する第１の層と、ＡｌおよびＮｄを含有する第２の層とを積層してなるゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた非晶質半導体膜と、
前記非晶質半導体膜上に設けられた一導電型の不純物元素を含有する半導体膜と、
前記一導電型の不純物元素を含有する半導体膜上に設けられたＡｌを含む金属膜と、を有し、
前記金属膜は、酸化インジウム酸化亜鉛合金を含む画素電極に接しており、
前記端子部には、前記ゲート電極と同一材料からなる配線と、前記配線に電気的に接続された前記画素電極と同一材料からなる透明導電膜が設けられ、
前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、他の基板に設けられた回路の配線に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記画素ＴＦＴは、逆スタガ型のＴＦＴであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項７又は８において、
前記ゲート絶縁膜、前記非晶質半導体膜、前記一導電型の不純物元素を含有する半導体膜および前記金属膜は、大気に晒すことなく連続して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項１、３、４および７のいずれか一項において、
前記透明導電膜は、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化インジウム酸化亜鉛合金、酸化インジウム酸化スズ合金（ＩＴＯ）から選ばれた少なくとも一つの材料を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、
前記端子部は、前記画素ＴＦＴに電気的に接続されたソース配線の端子部であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、
前記端子部は、前記画素ＴＦＴの前記ゲート電極を含むゲート配線の端子部であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項において、
前記Ｃｒを含有する第１の層の膜厚は、１０〜１００ｎｍであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一項において、
前記ＡｌおよびＮｄを含有する第２の層の膜厚は、２００〜４００ｎｍであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一項において、
前記異方性導電材は、金がメッキされた導電性表面を有する粒子を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一項において、
前記配線の上方には、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化タンタル膜から選ばれた少なくとも一つの無機絶縁膜が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれか一項において、
前記他の基板に設けられた回路は、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１９】
請求項１８において、前記ＦＰＣには、ＬＳＩチップで形成された駆動回路が電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２０】
請求項１９において、前記ＦＰＣと前記駆動回路の接続部分は、樹脂材料で封止されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２１】
請求項１８乃至２０のいずれか一項において、前記ＦＰＣの端部は、樹脂層によって覆われていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２２】
請求項１８乃至２１のいずれか一項において、前記ＦＰＣには、銅配線が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２３】
請求項２２において、前記銅配線は、プリント基板に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２４】
請求項１乃至２３のいずれか一項において、前記アクティブマトリクス基板には、ＩＣチップが、ＣＯＧ方式、ＴＡＢ方式又はワイヤボンディング方式によって実装されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２５】
請求項１乃至２４のいずれか一項において、前記アクティブマトリクス基板は、スペーサを介して筐体に固定されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２６】
請求項１乃至２５のいずれか一において、前記液晶表示装置は、前記透明導電膜と同一材料でなる透明導電膜を含む保護回路を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２７】
請求項１乃至２６のいずれか一項において、前記液晶表示装置は、対角１０インチ以上のアクティブマトリクス型液晶ディスプレイであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２８】
請求項１乃至２７のいずれか一項において、前記液晶表示装置は、対角３０インチ以上のアクティブマトリクス型液晶ディスプレイであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２９】
請求項１乃至２６のいずれか一項において、前記液晶表示装置は、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、携帯型情報端末、デジタルカメラ、デジタルビデオディスクプレーヤー又は電子遊戯機器であることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
図１〜図６、及び図９を用いて本発明の実施例を説明する。本実施例は液晶表示装置の作製方法を示し、基板上に画素部のＴＦＴを逆スタガ型で形成し、該ＴＦＴに接続する保持容量を作製する方法について工程に従って詳細に説明する。また、同図には該基板の端部に設けられ、他の基板に設けられた回路の配線と電気的に接続するための入力端子部の作製工程を同時に示す。