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【手続補正書】
【提出日】平成19年6月26日(2007.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走行可能に車輪を具備した下部フレームと、該下部フレームに立設した支柱と、該支柱上部に付設した平面視において前後方向が長くて左右方向が短い略矩形状の載置台とからなるストレッチャーにおいて、前記載置台側部には軸受を介して、サイドレールを前後方向に摺動可能かつ該軸受の軸心周りに回動可能に取り付け、さらに、前記軸受及びサイドレール端部に夫々係合部を設け、少なくとも立設状態が保持されるよう構成し、サイドレール内部に枢止されたレバーの操作により、サイドレールを前後方向に摺動可能とするとともに、この摺動によって前記係合部の係合状態が解除され、前記サイドレールが前記軸受周りを回動自在となるよう構成されたことを特徴とするストレッチャーにおけるサイドレールの立位保持機構。
【請求項２】
走行可能に車輪を具備した下部フレームと、該下部フレームに立設した支柱と、該支柱上部に付設した平面視において前後方向が長くて左右方向が短い略矩形状の載置台とからなるストレッチャーにおいて、前記載置台側部にはサイドレールを構成するサイドレールパイプが軸受を介して該軸受軸心周りに回動自在かつ前後方向に摺動可能に設けられており、さらに前記軸受及びサイドレールパイプ端部には夫々係合部が設けられており、少なくともサイドレールが立設状態で保持され、該係合部の係合を解除する手段として、前記サイドレールパイプ内にはレバーが枢着されており、前記軸受側には該軸受軸心周りに回動可能な回動軸受が前後方向の摺動を規制された状態で枢止され、該回動軸受に固着されたプレートにピンが止着され、前記レバーに固着されたプレートに設けられたロック部と作動部とからなる規制孔に前記ピンを挿通させ、該ピンが相対的にレバーの回動に伴い回動中心から略同一距離にあるロック部から徐々に遠ざかるように形成された作動部へ移動することによって、回動軸受に摺動が規制された軸受と、レバーの枢着されているサイドレールの係合状態が解除されるよう構成したことを特徴とするストレッチャーにおけるサイドレールの立位保持機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、走行可能に車輪を具備した下部フレームと、該下部フレームに立設した支柱と、該支柱上部に付設した平面視において前後方向が長くて左右方向が短い略矩形状の載置台とからなるストレッチャーにおいて、前記載置台側部には軸受を介して、サイドレールを前後方向に摺動可能かつ該軸受の軸心周りに回動可能に取り付け、さらに、前記軸受及びサイドレール端部に夫々係合部を設け、少なくとも立設状態が保持されるよう構成し、サイドレール内部に枢止されたレバーの操作により、サイドレールを前後方向に摺動可能とするとともに、この摺動によって前記係合部の係合状態が解除され、前記サイドレールが前記軸受周りを回動自在となるよう構成されたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、走行可能に車輪を具備した下部フレームと、該下部フレームに立設した支柱と、該支柱上部に付設した平面視において前後方向が長くて左右方向が短い略矩形状の載置台とからなるストレッチャーにおいて、前記載置台側部にはサイドレールを構成するサイドレールパイプが軸受を介して該軸受軸心周りに回動自在かつ前後方向に摺動可能に設けられており、さらに前記軸受及びサイドレールパイプ端部には夫々係合部が設けられており、少なくともサイドレールが立設状態で保持され、該係合部の係合を解除する手段として、前記サイドレールパイプ内にはレバーが枢着されており、前記軸受側には該軸受軸心周りに回動可能な回動軸受が前後方向の摺動を規制された状態で枢止され、該回動軸受に固着されたプレートにピンが止着され、前記レバーに固着されたプレートに設けられたロック部と作動部とからなる規制孔に前記ピンを挿通させ、該ピンが相対的にレバーの回動に伴い回動中心から略同一距離にあるロック部から徐々に遠ざかるように形成された作動部へ移動することによって、回動軸受に摺動が規制された軸受と、レバーの枢着されているサイドレールの係合状態が解除されるよう構成したことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
さらに、以下に説明する移乗装置２０を設けたストレッチャー２に該立位保持機構１を備えたサイドレール７を付設することによって、患者等の移載作業が非常に簡単に行えるようになる。このストレッチャー２は、前後にそれぞれ設けられる前フレーム４ａと後フレーム４ｂとを前後方向の縦フレーム４ｃ，４ｄで連結して略Ｈ型状に構成し、四隅にはキャスター型の車輪３，３，・・が取り付けられた下部フレーム４を備えており、前後及び左右何れの方向にも移動自在に設けられ、またベッドＢ下に侵入可能なように背丈の低い構造となっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
次に、展開しておいたサイドレールを略９０度起こす。すると、スプリングによって付勢されているので立設状態となったときに自動的に軸受９と段付支軸１４が係合され、この状態で保持される。然る後、ペタル（図示しない）を操作して載置台を上昇させれば、自由に目的場所へ患者を移動させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月10日(2007.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記選別コンベアの左右両側には、選別コンベア上で選別作業を行う作業者が座る座席が設けられ、これらの座席に座った作業者により選別された収穫物をコンテナに収容するようにしている。一方、収穫機の後部は風が自由に通り抜けられる程度に開放状態となっており、このため、風が吹いているときに収穫作業を行うと、風が選別コンベア部位に吹き上げられ、掘取りコンベア装置や選別コンベアにより搬送されてきて舞い上がるようにして発生する土ぼこりや砂ぼこりが、作業者に掛かることがある、という問題点があった。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月21日(2007.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膵管内に挿入されて留置されることにより、十二指腸への膵液の排出通路を確保する膵管用ドレナージチューブにおいて、
樹脂材料によって形成され、その平均硬度がショアＤで４０〜６０の範囲内に設定されていることを特徴とする膵管用ドレナージチューブ。
【請求項２】
酢酸ビニル含有率が１％〜３０％の範囲であるエチレン−酢酸ビニル共重合体と、Ｘ線不透過性粉末と、を主成分とすることを特徴とする請求項1に記載の膵管用ドレナージチューブ。
【請求項３】
前記ドレナージチューブは第１の湾曲部と第２の湾曲部とを有してＳ字形状を成したことを特徴とする請求項1または請求項２に記載の膵管用ドレナージチューブ。
【請求項４】
前記ドレナージチューブはサイドホールを設けたことを特徴とする請求項1、請求項２または請求項３に記載の膵管用ドレナージチューブ。
【請求項５】
前記ドレナージチューブの遠位端開口近傍の段差から近位端までの長さよりも長く且つその外径が前記ドレナージチューブの内孔径よりも小さい遠位端細径部と、前記遠位端細径部の近位端に接続され且つその外径が前記ドレナージチューブの内孔径よりも大きい基端部とからなり、その遠位端から近位端まで連通した内孔を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の膵管用ドレナージチューブを膵管内に挿入するための挿入具。
【請求項６】
前記ドレナージチューブは、第１の湾曲部と第２の湾曲部とを有してＳ字形状を成したことを特徴とする請求項５に記載の挿入具。
【請求項７】
前記ドレナージチューブは、サイドホールを設けたことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の挿入具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、請求項３に記載された発明は、請求項１または請求項２に記載のドレナージチューブが第１の湾曲部と第２の湾曲部とを有してＳ字形状を成したことを特徴とする。
また、請求項４に記載された発明は、請求項１、請求項２または請求項３に記載のドレナージチューブにサイドホールを設けたことを特徴とする。
また、請求項５に記載された発明の挿入具は、前記ドレナージチューブの遠位端開口近傍の段差から近位端までの長さよりも長く且つその外径が前記ドレナージチューブの内孔径よりも小さい遠位端細径部と、前記遠位端細径部の近位端に接続され且つその外径が前記ドレナージチューブの内孔径よりも大きい基端部とからなり、その遠位端から近位端まで連通した内孔を有することを特徴とする。
また、請求項６に記載された発明は、請求項５に記載のドレナージチューブが第１の湾曲部と第２の湾曲部とを有してＳ字形状を成していることを特徴とする挿入具である。
また、請求項７に記載された発明は、請求項５または請求項６に記載のドレナージチューブがサイドホールを設けたものであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月16日(2007.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
便座を回動可能に支持した便座駆動軸と、便ふたを回動可能に支持した便ふた駆動軸と、該便座駆動軸及び便ふた駆動軸を動作させ、前記便座および便ふたを独立して回動せしめる便座駆動ユニット及び便ふた駆動ユニットと、前記便座及び便ふたの開閉状況を検知する検知手段とを有し、前記便ふたと便座を同時に駆動開始する便座装置において、前記便座駆動ユニット及び便ふた駆動ユニットのギアのバックラッシュおよびガタを回動方向に対して最小になるように前記便座駆動ユニットを連接する前記便座駆動軸又は前記便ふた駆動ユニットを連接する前記便ふた駆動軸に一定の捻り角度を設けたことを特徴とする便座装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、便座を回動可能に支持した便座駆動軸と、便ふたを回動可能に支持した便ふた駆動軸と、該便座駆動軸及び便ふた駆動軸を動作させ、前記便座および便ふたを独立して回動せしめる便座駆動ユニット及び便ふた駆動ユニットと、前記便座及び便ふたの開閉状況を検知する検知手段とを有し、前記便ふたと便座を同時に駆動開始する便座装置において、前記便座駆動ユニット及び便ふた駆動ユニットのギアのバックラッシュおよびガタを回動方向に対して最小になるように前記便座駆動ユニットを連接する前記便座駆動軸又は前記便ふた駆動ユニットを連接する前記便ふた駆動軸に一定の捻り角度を設けたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月22日(2007.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  Ｄ−プシコース及び／又はＬ−プシコースを含有する溶液にＤ−キシロース・イソメラーゼを作用させて、Ｄ−プシコースからはＤ−アロースとＤ−アルトロースを、Ｌ−プシコースからはＬ−アルトロースを生成せしめ、これらＤ−アロース、Ｄ−アルトロース及びＬ−アルトロースから選ばれる１種又は２種以上のアルドヘキソースを採取することを特徴とするアルドヘキソースの製造方法。
【請求項２】  Ｄ−キシロース・イソメラーゼが、固定化Ｄ−キシロース・イソメラーゼであることを特徴とする請求項１記載のアルドヘキソースの製造方法。
【請求項３】  採取されるアルドヘキソースが、Ｄ−プシコース及び／又はＬ−プシコースを含有する溶液にＤ−キシロース・イソメラーゼを作用させて得られる反応液を、強酸性カチオン交換樹脂を用いるカラムクロマトグラフィーにより分画して得られる、Ｄ−アロース、Ｄ−アルトロース及びＬ−アルトロースから選ばれる１種又は２種以上のアルドヘキソース高含有画分であることを特徴とする請求項１又は２記載のアルドヘキソースの製造方法。
【請求項４】  アルドヘキソースが甘味料であることを特徴とする請求項１、２又は３記載のアルドヘキソースの製造方法。
【請求項５】  Ｄ−プシコース及び／又はＬ−プシコースを含有する溶液にＤ−キシロース・イソメラーゼを作用させて、Ｄ−プシコースをＤ−アロースとＤ−アルトロースに、Ｌ−プシコースをＬ−アルトロースに変換することを特徴とするＤ−プシコース及び／又はＬ−プシコースの変換方法。
【請求項６】  Ｄ−キシロース・イソメラーゼが、固定化Ｄ−キシロース・イソメラーゼであることを特徴とする請求項５記載のＤ−プシコース及び／又はＬ−プシコースの変換方法。
【請求項７】  Ｄ−プシコース及び／又はＬ−プシコースを含有する溶液にＤ−キシロース・イソメラーゼを作用させて得られるＤ−アロース、Ｄ−アルトロース又はＬ−アルトロースを含有する酵素反応液。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月28日(2007.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 アルギニン生産能及び酢酸資化能を有するエシェリヒア・コリ。
【請求項２】 酢酸又は酢酸塩を唯一の炭素源として含む寒天培地において培養したときに、３７℃で２日以内にコロニーを形成する請求項１記載のエシェリヒア・コリ。
【請求項３】 前記エシェリヒア・コリが、エシェリヒア・コリＫ１２株の誘導体である請求項１記載のエシェリヒア・コリ。
【請求項４】 請求項１〜３のいずれか一項に記載のエシェリヒア・コリを培地に培養し、培地中にアルギニンを生成蓄積せしめ、該培地からアルギニンを採取することを特徴とするアルギニンの製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月29日(2007.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  同一の保護回路に接続された複数のステッピングモータを駆動するモータ駆動装置において、
前記ステッピングモータのロータを所定回転位置に安定させるために、前記ステッピングモータの所定相の巻線を励磁状態にする補正駆動シーケンスを実行する際、２つ以上のグループに分けられた前記複数のステッピングモータの所定相をグループごとに励磁時間が重ならないよう励磁させる制御手段を有することを特徴とするモータ駆動装置。
【請求項２】  前記複数のステッピングモータは、画像形成装置の給紙機構の給紙ローラを駆動し、前記制御手段は、前記画像形成装置の電源投入時に前記補正駆動シーケンスを実行することを特徴とする請求項１に記載のモータ駆動装置。
【請求項３】  前記複数のステッピングモータは、画像形成装置の給紙機構の給紙ローラを駆動し、前記制御手段は、前記給紙機構を覆う開閉可能なドアの開閉状態の検出に基いて、前記補正駆動シーケンスを実行することを特徴とする請求項１に記載のモータ駆動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は複数のステッピングモータを駆動するモータ駆動装置に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明によれば、同一の保護回路に接続された複数のステッピングモータを駆動するモータ駆動装置において、前記ステッピングモータのロータを所定回転位置に安定させるために、前記ステッピングモータの所定相の巻線を励磁状態にする補正駆動シーケンスを実行する際、２つ以上のグループに分けられた前記複数のステッピングモータの所定相をグループごとに励磁時間が重ならないよう励磁させる構成を採用した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
【発明の効果】
以上の説明より明らかなように、本発明によれば、前記ステッピングモータのロータを所定回転位置に安定させるために、前記ステッピングモータの所定相の巻線を励磁状態にする補正駆動シーケンスを実行する際、２つ以上のグループに分けられた前記複数のステッピングモータの所定相をグループごとに励磁時間が重ならないよう励磁させるので、相ずれ補正のためのモータ励磁によりモータ束線の線かみや回路の異常が発生した時のためのヒューズなどの保護回路を遮断する弊害を生じることなく、複数のステッピングモータのロータとステータのずれを確実に修正できるため、モータの脱調を防ぐことができ、安定したモータ駆動を行なえる、また、相ずれ補正のためのモータ励磁によりヒューズなどの保護回路を遮断する問題がないため、従来のように保護回路の定格値を過大に設定する必要がなく、回路保護を確実に行なうことができる、という優れた効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月5日(2007.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 車両に搭載され、車両固有の情報と利用者情報とを保持する車載無線装置と、
前記車載無線装置と無線通信する無線通信手段と、
前記車両の搭乗者から購入依頼を受けた商品の情報を入力する入力手段と、
前記入力手段から入力された購入商品の情報と、前記無線通信手段により前記車載無線装置から取得された利用者情報と車両固有の情報とを表示する表示手段と、
前記車載無線装置から取得された利用者情報に基づいて前記購入商品の料金精算を行う料金精算手段と
を具備したことを特徴とする無線精算システム。
【請求項２】 車両に搭載された車載無線装置に車両固有の情報と利用者情報とを保持する段階と、
前記車載無線装置と無線通信する段階と、
前記車両の搭乗者から購入依頼を受けた商品の情報を入力する段階と、
前記入力された購入商品の情報と、無線通信により前記車載無線装置から取得された利用者情報と車両固有の情報とを表示する段階と、
前記車載無線装置から取得された利用者情報に基づいて前記購入商品の料金精算を行う段階と
を有することを特徴とする無線精算方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月28日(2007.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  所定の画像に変形処理を施して特殊効果を発生させる画像変形装置において、
変形対象のオブジェクトに対してポリゴン単位の頂点演算を行ない、前記ポリゴンの縮小率に応じたプリフィルタ係数を算出するモデリング手段と、
前記オブジェクトに予め決められた画像をマッピングするためのテクスチャアドレスを設定するテクスチャアドレス設定手段と、
前記変形処理の手法の選択に関する指定情報を前記テクスチャアドレスとともに前記オブジェクトに関連付けて記憶するテクスチャアドレス記憶手段と、
必要に応じて前記予め決められた画像の画像データを入力し、前記プリフィルタ係数に応じてプリフィルタ処理を行なうプリフィルタ処理手段と、
前記プリフィルタ処理手段により処理された画像データ、及び必要に応じて外部にて生成された画像データとを前記テクスチャアドレスに基づいて記憶する画像データ記憶手段と、
前記プリフィルタ処理手段により処理された画像データ及び前記外部にて生成された画像データの前記画像データ記憶手段への書き込み及び前記画像データ記憶手段に記憶された画像データの読み出しを制御する画像データ制御手段と、
前記テクスチャアドレスに基づき、前記画像データ制御手段経由で読み出した前記画像データ記憶手段の画像データを前記指定情報に応じた変形処理の手法を用いて補間処理してマッピングを行なうテクスチャマッピング手段と、
を有することを特徴とする画像変形装置。
【請求項２】  前記テクスチャアドレス記憶手段に記憶される指定情報は、前記テクスチャマッピング手段で行なう変形処理の手法を、画像の縮小率に応じてプリフィルタリングした画像を前記画像データ記憶手段に記憶し、これを用いて画像変形を行なうプリフィルタ方式とするか、あるいは、予め決められた異なる縮小率の画像を前記画像データ記憶手段に記憶しておき、これを用いて画像変形を行なうミップマップ方式とするか、の選択であることを特徴とする請求項１記載の画像変形装置。
【請求項３】  前記テクスチャマッピング手段は、
前記画像データ記憶手段に記憶された画像データを読み出し、前記プリフィルタ方式に応じて近傍点画像データを補間するプリフィルタ方式インタポレーション手段と、
前記画像データ記憶手段に記憶された画像データを読み出し、前記ミップマップ方式に応じて近傍点画像データを補間するミップマップ方式インタポレーション手段と、
前記テクスチャアドレスとともに記憶されている指定情報に基づいて前記プリフィルタ方式インタポレーション手段、あるいは、前記ミップマップ方式インタポレーション手段のいずれかを選択する選択手段と、
を有することを特徴とする請求項２記載の画像変形装置。
【請求項４】  前記テクスチャアドレス記憶手段に前記テクスチャアドレスとともに記憶されている指定情報は、前記テクスチャアドレスを記憶する領域のうち、前記テクスチャアドレス格納において未使用となる領域に設定されることを特徴とする請求項１記載の画像変形装置。
【請求項５】  前記画像変形装置は、ミップマップ方式のテクスチャマッピングを行なう際に、必要に応じて、
前記プリフィルタ処理手段が、所定の縮小率の画像データを予め生成し、
前記画像データ制御手段が、前記プリフィルタ処理手段により生成された異なる縮小率の画像データを前記画像データ記憶手段に記憶することを特徴とする請求項１記載の画像変形装置。
【請求項６】  所定の画像に変形処理を施して特殊効果を発生させる画像変形方法において、
変形対象のオブジェクトに対してポリゴン単位の頂点演算及び前記ポリゴンの縮小率に応じたプリフィルタ係数を算出し、
前記オブジェクトに予め決められた画像をマッピングするためのテクスチャアドレスを設定し、
前記変形処理の手法の選択に関する指定情報を前記テクスチャアドレスとともに前記オブジェクトに関連付けてテクスチャアドレス記憶手段に記憶し、
必要に応じて前記予め決められた画像の画像データを入力して前記プリフィルタ係数に応じてプリフィルタ処理を施し、
前記プリフィルタ処理された画像データ及び必要に応じて外部にて生成された画像データとを前記テクスチャアドレスに基づいて画像データ記憶手段に記憶し、
前記テクスチャアドレスに基づき、前記プリフィルタ処理された画像データを読み出し、前記指定情報に応じた変形処理の手法を用いて補間処理してマッピングを行なう手順を有することを特徴とする画像変形方法。
【請求項７】  画像データに変形処理を行う画像変形装置において、
変形処理対象のオブジェクトに対してポリゴン単位の頂点演算を行ない、前記ポリゴンの縮小率に応じたプリフィルタ処理を行なうプリフィルタ処理手段と、
前記オブジェクトに予め決められた画像をマッピングするためのテクスチャアドレスを設定するテクスチャアドレス設定手段と、
前記変形処理の選択に関する指定情報を、前記テクスチャアドレス設定手段により設定されたテクスチャアドレスとともに、前記プリフィルタ処理手段によりプリフィルタ処理されたオブジェクトに関連付けて記憶する記憶手段と、
前記記憶手段により記憶されたテクスチャアドレスを利用して、前記記憶手段により記憶された画像データに対して前記指定情報に応じた変形処理を行う変形処理手段と、
を有することを特徴とする画像変形装置。
【請求項８】  画像データに変形処理を行う画像変形方法において、
プリフィルタ処理手段が、変形処理対象のオブジェクトに対してポリゴン単位の頂点演算を行ない、前記ポリゴンの縮小率に応じたプリフィルタ処理を実行し、
テクスチャアドレス設定手段が、前記オブジェクトに予め定められた画像をマッピングするためのテクスチャアドレスを設定し、設定された前記テクスチャアドレスと、前記変形処理の選択に関する指定情報と、前記プリフィルタ処理手段によりプリフィルタ処理されたオブジェクトとを関連付けて記憶手段に記憶し、
変形処理手段が、前記記憶手段により記憶されたテクスチャアドレスを利用して、前記記憶手段により記憶された画像データに対して前記指定情報に応じた変形処理を行う、
手順を有することを特徴とする画像変形方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月5日(2007.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に絶縁膜を形成する第１の工程と、
前記第１の工程後、希ガスと水素ガスを用いてプラズマ処理を行う第２の工程と、
前記第２の工程後、前記絶縁膜上に非晶質シリコン膜を形成する第３の工程と、
前記非晶質シリコン膜を結晶化する第４の工程とを有し、
前記第１乃至前記第３の工程は同一成膜室において連続処理されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に絶縁膜を形成する第１の工程と、
前記第１の工程後、希ガスと水素ガスを用いてプラズマ処理を行う第２の工程と、
前記第２の工程後、前記絶縁膜上に非晶質シリコン膜を形成する第３の工程と、
前記非晶質シリコン膜に結晶化を助長する元素を添加する第４の工程と、
前記第４の工程を行った非晶質シリコン膜を結晶化する第５の工程とを有し、
前記第１乃至前記第３の工程は同一成膜室において連続処理されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に絶縁膜を形成する第１の工程と、
前記第１の工程後、希ガスと水素ガスを用いてプラズマ処理を行う第２の工程と、
前記第２の工程後、前記絶縁膜上に非晶質シリコン膜を形成する第３の工程と、
前記非晶質シリコン膜に結晶化を助長する元素を添加する第４の工程と、
前記第４の工程を行った非晶質シリコン膜を熱結晶化する第５の工程と、
前記第５の工程により結晶化したシリコン膜にレーザー処理を行う第６の工程とを有し、
前記第１乃至前記第３の工程は同一成膜室において連続処理されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記希ガスは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種類であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２または請求項３において、前記第４の工程に用いられる触媒元素は、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂから選ばれた一種または複数種類の元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２または請求項３において、前記第４の工程の触媒元素を添加する方法は、触媒元素を含有する溶液の添加或いはプラズマＣＶＤ法による触媒元素からなる極薄膜の形成であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月30日(2007.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  絶縁基体上に形成された半導体薄膜において、該半導体薄膜の表面に微小突部を有することを特徴とする半導体薄膜。
【請求項２】  前記微小突部は略規則的に配置されていることを特徴とする請求項１記載の半導体薄膜。
【請求項３】  前記微小突部の高さは２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体薄膜。
【請求項４】  前記微小突部の径は０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体薄膜。
【請求項５】  前記微小突部の曲率半径は６０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体薄膜。
【請求項６】  前記微小突部の密度は１ｘ１０１０個／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体薄膜。
【請求項７】  前記半導体薄膜の厚さが５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体薄膜。
【請求項８】  前記微小突部は前記半導体薄膜内の多結晶粒の粒界部分が隆起して形成されてなるものであることを特徴とする請求項１記載の半導体薄膜。
【請求項９】  前記半導体薄膜は非単結晶、単結晶のいずれか又はそれらの組み合わせからなることを特徴とする請求項１記載の半導体薄膜。
【請求項１０】  前記半導体薄膜に形成された単結晶領域の大きさは１ｘ１０−８ｃｍ２以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体薄膜。
【請求項１１】  前記半導体薄膜に形成された単結晶領域の配向面が（１００）、（１１１）、（１１０）のいずれかであることを特徴とする請求項１記載の半導体薄膜。
【請求項１２】  絶縁基体上に非単結晶薄膜を形成する工程と、
該非単結晶薄膜に第１の熱処理を施して多結晶薄膜を形成する工程と、
該多結晶薄膜に第２の熱処理を施して半導体結晶化薄膜を形成する工程とを有し、
該半導体結晶化薄膜の表面の突部を前記多結晶薄膜の表面の突部より低くすることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項１３】  前記多結晶薄膜は高さが２５nm以上の突部を表面に有することを特徴とする請求項１２記載の半導体薄膜の製造方法。
【請求項１４】  前記半導体結晶化薄膜は高さが２０nm以下の突部を表面に有することを特徴とする請求項１２記載の半導体薄膜の製造方法。
【請求項１５】  前記第１及び第２の熱処理の少なくともいずれかがレーザー光照射であることを特徴とする請求項１２記載の半導体薄膜の製造方法。
【請求項１６】  前記第１及び第２の熱処理はレーザー光照射により行われ、前記第２の熱処理におけるレーザー光強度は前記第１の熱処理におけるレーザー光強度よりも低いことを特徴とする請求項１２記載の半導体薄膜の製造方法。
【請求項１７】  前記第２の熱処理は多結晶薄膜の融点よりも低い温度であることを特徴とする請求項１２記載の半導体薄膜の製造方法。
【請求項１８】  前記第１及び第２の熱処理の少なくともいずれかがエキシマレーザーのレーザー光照射であることを特徴とする請求項１２記載の半導体薄膜の製造方法。
【請求項１９】  前記第１及び第２の熱処理の少なくともいずれかが線状レーザー光照射であることを特徴とする請求項１２記載の半導体薄膜の製造方法。
【請求項２０】  前記線状レーザー光照射を光照射の長手方向に垂直な走査方向に重ね合わせ照射することを特徴とする請求項１９記載の半導体薄膜の製造方法。
【請求項２１】  前記第１及び第２の熱処理の少なくともいずれかが面状レーザー光照射であることを特徴とする請求項１２記載の半導体薄膜の製造方法。
【請求項２２】  前記面状レーザー光照射はマスクを用いて照射することを特徴とする請求項２１記載の半導体薄膜の製造方法。
【請求項２３】  前記第２の熱処理はファーネスアニ−ルであることを特徴とする請求項１２記載の半導体薄膜の製造方法。
【請求項２４】  前記第２の熱処理はランプアニ−ルであることを特徴とする請求項１２記載の半導体薄膜の製造方法。
【請求項２５】  前記第１及び第２の熱処理の少なくともいずれかは、実質的に真空中、不活性ガス雰囲気中、若しくは非酸化性ガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項１２記載の半導体薄膜の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月30日(2007.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】単結晶薄膜の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  絶縁基体上に非単結晶薄膜を形成する工程と、
該非単結晶薄膜に第１の熱処理を施して多結晶粒が略規則的に整列した多結晶薄膜を形成する工程と、
該多結晶薄膜に第２の熱処理を施して前記多結晶粒が結合した単結晶薄膜を形成する工程とを有することを特徴とする単結晶薄膜の製造方法。
【請求項２】  前記第１及び第２の熱処理の少なくともいずれかがレーザー光照射であることを特徴とする請求項１記載の単結晶薄膜の製造方法。
【請求項３】  前記第１及び第２の熱処理はレーザー光照射により行われ、前記第２の熱処理におけるレーザー光強度は前記第１の熱処理におけるレーザー光強度よりも低いことを特徴とする請求項１記載の単結晶薄膜の製造方法。
【請求項４】  前記第２の熱処理は多結晶薄膜の融点よりも低い温度であることを特徴とする請求項１記載の単結晶薄膜の製造方法。
【請求項５】  前記第１及び第２の熱処理の少なくともいずれかがエキシマレーザーのレーザー光照射であることを特徴とする請求項１記載の単結晶薄膜の製造方法。
【請求項６】  前記第１及び第２の熱処理の少なくともいずれかが線状レーザー光照射であることを特徴とする請求項１記載の単結晶薄膜の製造方法。
【請求項７】  前記線状レーザー光照射を光照射の長手方向に垂直な走査方向に重ね合わせ照射することを特徴とする請求項１記載の単結晶薄膜の製造方法。
【請求項８】  前記第１及び第２の熱処理の少なくともいずれかが面状レーザー光照射であることを特徴とする請求項１記載の単結晶薄膜の製造方法。
【請求項９】  前記面状レーザー光照射はマスクを用いて照射することを特徴とする請求項１記載の単結晶薄膜の製造方法。
【請求項１０】  前記第２の熱処理はファーネスアニ−ル、ランプアニ−ルまたはストリップヒーターアニールであることを特徴とする請求項１記載の単結晶薄膜の製造方法。
【請求項１１】  前記第１及び第２の熱処理の少なくともいずれかは、実質的に真空中、不活性ガス雰囲気中、若しくは非酸化性ガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項１記載の単結晶薄膜の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶ディスプレイなどに用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や、メモリーその他の電子デバイス等に適用される単結晶薄膜の製造方法に関するものであり、特にガラス基板などの絶縁基体上に単結晶薄膜を形成する方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで、本発明は従来の多結晶薄膜とは一線を画し高性能で特性の安定したデバイスの作成に好適であってしかもその製造工程も短い時間で十分な単結晶薄膜の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の単結晶薄膜の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月9日(2007.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置およびデバイス製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  マスクを介してウエハを露光する露光装置であって、
制御ソフトウェアにしたがって前記露光のシーケンスを制御するコンピュータ、
を有し、
前記コンピュータは、
書式付き出力関数を呼び出し、前記書式付き出力関数のパラメータをＦＩＦＯキューへ書き込む第１のタスクを実行し、かつ
前記ＦＩＦＯキューから前記パラメータを読み出し、前記パラメータに含まれるポインタにより指示される書式にしたがって前記露光装置内のデータを変換し、該変換されたデータを出力する、前記第１のタスクの優先度より低い優先度を有する第２のタスクを実行する、
ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】  前記露光装置内のデータは、バイナリーデータである、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】  前記露光装置内のデータは、計算処理途中のデータである、ことを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】  前記書式付き出力関数を利用するプログラムは、前記コンピュータ内のメモリに常駐させる、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項５】  前記書式付き出力関数を利用するプログラムは、該変換されたデータの出力が完了するまで、前記コンピュータ内のメモリに常駐させる、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項６】  前記ＦＩＦＯキューに書き込まれたパラメータのサイズを、スタック・ポインタ演算命令のオペランドを抽出することにより算出する、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の露光装置。
【請求項７】  請求項１乃至６のいずれかに記載の露光装置を用いてウエハを露光するステップと、
前記ステップにおいて露光されたウエハを現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マスクを介してウエハを露光する露光装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、露光装置のスループットを大幅に落とすことなく、内部データを外部へ出力可能にすることを課題とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の露光装置は、マスクを介してウエハを露光する露光装置であって、制御ソフトウェアにしたがって前記露光のシーケンスを制御するコンピュータ、を有し、前記コンピュータは、書式付き出力関数を呼び出し、前記書式付き出力関数のパラメータをＦＩＦＯキューへ書き込む第１のタスクを実行し、かつ前記ＦＩＦＯキューから前記パラメータを読み出し、前記パラメータに含まれるポインタにより指示される書式にしたがって前記露光装置内のデータを変換し、該変換されたデータを出力する、前記第１のタスクの優先度より低い優先度を有する第２のタスクを実行する、ことを特徴とする露光装置。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
【作用】
本発明によれば、露光装置のスループットを大幅に落とすことなく、内部データを外部へ出力することができる。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
【実施例】
次に、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
［第１の実施例］
図１は、本発明の一実施例に係るデータ出力制御方法およびデータ出力制御装置のデータ出力手順の一例を示す図である。図１が示すように、printf()関数のような書式付き出力関数を呼び出す第1のタスク（図１（ａ））は、本実施例において、スタック上に形成されたパラメータ・リストをＦＩＦＯ（First-In First-Out）キューヘ書き込む（ステップＳ１０２）ことだけを行う。同時に、その呼び出しタスクよりも低い優先度に設定された第２のタスクである出力タスク（図１（ｂ））は、その呼び出しタスクが暇な（何等かのイベント待ち状態にある）時に（データ出力のための関数が呼ばれた時点と異なる時点で）ＦＩＦＯキューから一組のパラメータ・リスト（書式情報）を読み出し（ステップＳ１０３）、指示された書式に従ってパラメータ・リスト内の値を変換および出力する（ステップＳ１０４）処理を順次行う。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
【発明の効果】
本発明によれば、露光装置のスループットを大幅に落とすことなく、内部データを外部へ出力することができる。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月18日(2007.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｓｉから選ばれた一種の元素、または複数種の元素とタングステンとの化合物を主成分とする膜を有する配線を備え、
前記配線はアルゴンを含み、
前記配線に含まれるナトリウムの含有量は０．３ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｓｉから選ばれた一種の元素、または複数種の元素とタングステンとの化合物を主成分とする膜と、タングステンの窒化物膜とを含む積層構造を有する配線を備え、
前記配線はアルゴンを含み、
前記配線に含まれるナトリウムの含有量は０．３ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
導電型を付与する不純物元素が添加されたシリコン膜と、
Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｓｉから選ばれた一種の元素、または複数種の元素とタングステンとの化合物を主成分とする膜と、タングステンの窒化物膜とを含む積層構造を有する配線と、を備え、
前記配線はアルゴンを含み、
前記配線に含まれるナトリウムの含有量は０．３ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記シリコン膜を介して、前記配線の下にゲート絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｓｉから選ばれた一種の元素、または複数種の元素とタングステンとの化合物を主成分とする膜の内部応力は、−５×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２〜５×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｓｉから選ばれた一種の元素、または複数種の元素を含む金属膜、前記元素を主成分とする金属化合物膜、前記元素を組み合わせた合金膜、もしくは前記金属膜、金属化合物膜または合金膜から選ばれた薄膜を積層した積層膜からなる配線を備え、
前記配線はアルゴンを含み、
前記配線に含まれるナトリウムの含有量は０．３ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記配線に含まれるアルゴンは、前記配線に含まれる不活性元素の９０％以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記配線はＴＦＴのゲート配線を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項２および請求項５乃至請求項８のいずれか一項において、
前記ＴＦＴは、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート配線上に設けられた半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記ゲート配線上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上であって、前記ゲート配線の一部または全部と、ソース線またはドレイン線とが重なる領域に設けられた第２の絶縁膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記配線に含まれるアルゴン以外の不活性元素は、１ａｔｏｍｓ％以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記配線に含まれるアルゴン以外の不活性元素は、０．１ａｔｏｍｓ％以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２において、
前記アルゴン以外の不活性元素は、ＸｅまたはＫｒであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記配線の線幅は５μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記配線の膜厚は０．１μｍ〜０．７μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記配線との接触面積１μｍ２あたりの抵抗値が４０Ω以下であるアルミニウム配線を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６に記載された半導体装置は、アクティブマトリクス型液晶ディスプレイ、アクティブマトリクス型ＥＬディスプレイまたはアクティブマトリクス型ＥＣディスプレイであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７に記載された半導体装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、または携帯情報端末であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
本発明は、膜中に含まれるナトリウムが０．３ｐｐｍ以下であり、且つ、熱処理後も低い電気抵抗率（４０μΩ・ｃｍ以下）を有し、応力が−５×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２〜５×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２、好ましくは−１×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２〜１×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２に制御されたタングステン膜をＴＦＴのゲート配線材料やその他の配線材料として用いることにより、ＴＦＴを備えた半導体装置の動作性能や信頼性を大幅に向上させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７０】
【発明の効果】
本願発明を用いることで配線に含まれるナトリウムが０．３ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下であり、且つ、低い電気抵抗率（４０μΩ・ｃｍ以下）を有し、応力が−５×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２〜５×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２、好ましくは−２×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２〜２×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２、さらに好ましくは−１×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２〜１×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２に制御された配線を形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月3日(2007.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板層と、前記基板層の表面に形成された第１乃至第３の有機ＥＬ素子と、を有する発光装置は、
前記基板層と平行な方向から光を取り出す光の取り出し口を有し、
前記光の取り出し口以外の部分は光反射性部材で覆われ、
前記第１乃至第３の有機ＥＬ素子は、陽極層と、第１乃至第３の有機ＥＬ層と、第１乃至第３の陰極層と、を有し、
前記第１乃至第３の陰極層は、光反射性を有し、
前記発光装置の前記第１乃至第３の有機ＥＬ層が順次発光し、
前記発光が前記第１乃至第３の陰極層と前記光反射性部材とで反射し、前記光の取り出し口から放出される導波光を用いてフィールドシーケンシャル方式によりカラー表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１乃至第３の有機ＥＬ素子の間隙に、壁状に形成された光反射性部材を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
第１の光反射性部材、第１の基板、第１の有機ＥＬ素子、第２の光反射性部材、第２の基板、第２の有機ＥＬ素子、第３の光反射性部材、第３の基板、第３の有機ＥＬ素子及び第４の光反射性部材が、順に積層された発光装置は、
前記基板層と平行な方向から光を取り出す光の取り出し口を有し、
前記光の取り出し口以外の部分は光反射性部材で覆われ、
前記第１乃至第３の有機ＥＬ素子は、第１乃至第３の陽極層と、第１乃至第３の有機ＥＬ層と、第１乃至第３の陰極層と、をそれぞれ有し、
前記第１乃至第３の陰極層は、光反射性を有し、
前記発光装置の前記第１乃至第３の有機ＥＬ層が順次発光し、
前記発光が前記第１乃至第３の陰極層と前記光反射性部材とで反射し、前記光の取り出し口から放出される導波光を用いてフィールドシーケンシャル方式によりカラー表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
光反射性基板層と、前記光反射性基板層上に形成された有機ＥＬ素子と、を有する発光装置は、
前記有機ＥＬ素子が、第１の陽極層、第１の有機ＥＬ層、第１の陰極層、第２の有機ＥＬ層、第２の陽極層、第３の有機ＥＬ層、第２の陰極層の順に積層されており、
前記第１及び第２の陰極層及び前記第２の陽極層は、光反射性を有し、
前記発光装置の前記第１乃至第３の有機ＥＬ層が順次発光し、
前記発光が前記第１及び第２の陰極層、前記第２の陽極層及び前記光反射性部材とで反射した導波光を用いてフィールドシーケンシャル方式によりカラー表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
基板層と、前記基板層上に形成された有機ＥＬ素子と、を有する発光装置は、
前記有機ＥＬ素子が、第１の陽極層、第１の有機ＥＬ層、第１の陰極層、第２の有機ＥＬ層、第２の陽極層、第３の有機ＥＬ層、第２の陰極層の順に積層されており、
前記第１及び第２の陽極層及び前記第１及び第２の陰極層は、光反射性を有し、
前記発光装置の前記第１乃至第３の有機ＥＬ層が順次発光し、
前記発光が前記第１及び第２の陽極層及び前記第１及び第２の陰極層とで反射した導波光を用いてフィールドシーケンシャル方式によりカラー表示を行うことを特徴とする液晶表示装置。