【手続補正書】
【提出日】平成31年1月30日(2019.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ内に配置された基板上に金属含有層を堆積させる方法であって、
前記ＰＶＤチャンバの処理領域にプラズマ形成ガスを提供するステップと、
前記基板に対向して配置されたターゲットアセンブリに第１の量のＲＦ電力を提供して、前記ＰＶＤチャンバの前記処理領域内にプラズマを形成するステップと、
前記ターゲットアセンブリからの原料をスパッタリングして、前記基板上へ金属含有層を堆積させるステップであって、前記原料が第１の浸食状態にある、堆積させるステップと、
原料をスパッタリングしながら、前記原料が前記第１の浸食状態から第２の浸食状態へ浸食されるときに前記基板の表面におけるイオンエネルギーを所定の範囲内で維持するように、基板支持体に結合された自動容量チューナを調節するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記自動容量チューナを調節するステップが、前記自動容量チューナの位置を前記自動容量チューナの所定の設定点位置と比較することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記自動容量チューナによって制御される前記基板におけるイオンエネルギーの量が、前記所定の設定点値より小さく、前記自動容量チューナを調節するステップが、前記自動容量チューナで測定される電流の量が前記所定の設定点値に等しくなるまで、前記自動容量チューナの前記位置を減少させることをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記自動容量チューナによって制御される前記基板におけるイオンエネルギーの量が、前記所定の設定点値より大きく、前記自動容量チューナを調節するステップが、前記自動容量チューナで測定される電流の量が前記所定の設定点値に等しくなるまで、前記自動容量チューナの前記位置を増大させることをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記自動容量チューナによって制御される前記基板におけるイオンエネルギーの量が、前記所定の設定点値より小さく、前記自動容量チューナを調節するステップが、前記自動容量チューナで測定される電流の量が前記所定の設定点値に等しくなるまで、前記自動容量チューナの前記位置を増大させることをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記自動容量チューナによって制御される前記基板におけるイオンエネルギーの量が、前記所定の設定点値より大きく、前記自動容量チューナを調節するステップが、前記自動容量チューナで測定される電流の量が前記所定の設定点値に等しくなるまで、前記自動容量チューナの前記位置を減少させることをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の浸食状態にある前記原料が、実質上浸食されていない、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記第２の浸食状態にある前記原料が、実質上浸食されている、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記原料が、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、またはアルミニウム（Ａｌ）の１つである、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記プラズマ形成ガスが、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、キセノン（Ｘｅ）、ネオン（Ｎｅ）、水素（Ｈ2）、窒素（Ｎ2）、酸素（Ｏ2）の１つまたは複数を含む、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＲＦ電力の第１の量が、約５００Ｗ〜約２０，０００Ｗである、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
実行されると基板上に金属含有層を堆積させる方法を物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバに実行させる命令が記憶されたコンピュータ可読媒体であって、前記方法が、
前記ＰＶＤチャンバの処理領域にプラズマ形成ガスを提供するステップと、
前記基板に対向して配置されたターゲットアセンブリに第１の量のＲＦ電力を提供して、前記ＰＶＤチャンバの前記処理領域内にプラズマを形成するステップと、
前記ターゲットアセンブリからの原料をスパッタリングして、前記基板上へ金属含有層を堆積させるステップであって、前記原料が第１の浸食状態にある、堆積させるステップと、
原料をスパッタリングしながら、前記原料が前記第１の浸食状態から第２の浸食状態へ浸食されるときに前記基板の表面におけるイオンエネルギーを所定の範囲内で維持するように、基板支持体に結合された自動容量チューナを調節するステップとを含む、コンピュータ可読媒体。
【請求項１３】
前記自動容量チューナを調節するステップが、前記自動容量チューナの位置を前記自動容量チューナの所定の設定点位置と比較することを含み、前記自動容量チューナによって制御される前記基板におけるイオンエネルギーの量が、前記所定の設定点値より小さく、前記自動容量チューナを調節するステップが、前記自動容量チューナで測定される電流の量が前記所定の設定点値に等しくなるまで、前記自動容量チューナの前記位置を調整することをさらに含む、請求項１２に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１４】
前記自動容量チューナを調節するステップが、前記自動容量チューナの位置を前記自動容量チューナの所定の設定点位置と比較することを含み、前記自動容量チューナによって制御される前記基板におけるイオンエネルギーの量が、前記所定の設定点値より大きく、前記自動容量チューナを調節するステップが、前記自動容量チューナで測定される電流の量が前記所定の設定点値に等しくなるまで、前記自動容量チューナの前記位置を調整することをさらに含む、請求項１２に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１５】
前記原料が、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、またはアルミニウム（Ａｌ）の１つであり、前記プラズマ形成ガスが、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、キセノン（Ｘｅ）、ネオン（Ｎｅ）、水素（Ｈ2）、窒素（Ｎ2）、酸素（Ｏ2）の１つまたは複数を含む、請求項１２に記載のコンピュータ可読媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図３は、自動容量チューナ１３６の一実施形態を示す。適した自動容量チューナのさらなる実施形態は、本願の権利者が所有するＲａｓｈｅｅｄらによる２０１１年９月１日公開の米国特許出願公開第２０１１／０２０９９９５号に記載されている。図３では、自動容量チューナ１３６は、可変帯域除去（「ノッチ」）フィルタのアレイ（すなわち、ノッチフィルタアレイ３５２）と、可変帯域通過（「パス」）フィルタのアレイ（すなわち、パスフィルタアレイ３５４）とを含む。ノッチフィルタアレイ３５２は、多くのノッチフィルタからなり、各ノッチフィルタは狭周波帯域を阻止し、当該周波数ごとに１つのノッチフィルタが提供される。各ノッチフィルタが呈するインピーダンスは、当該周波数ごとにインピーダンスの完全な制御を提供するように可変とすることができる。当該周波数は、バイアス周波数ｆｂ、ソース周波数ｆｓ、ｆｓの高調波、ｆｂの高調波、ｆｓおよびｆｂの相互変調積、ならびに相互変調積の高調波を含む。パスフィルタアレイ３５４は、多くのパスフィルタからなり、各パスフィルタは狭周波帯域を通過させ（狭周波帯域に対して低いインピーダンスを呈する）、当該周波数ごとに１つのパスフィルタが提供される。各パスフィルタが呈するインピーダンスは、当該周波数ごとにインピーダンスの完全な制御を提供するように可変とすることができる。当該周波数は、バイアス周波数ｆｂ、ソース周波数ｆｓ、ｆｓの高調波、ｆｂの高調波、ｆｓおよびｆｂの相互変調積、ならびに相互変調積の高調波を含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
プロセスチャンバ１０４は、プロセスチャンバ１０４の処理体積または中心領域を取り囲み、処理からの損傷および／または汚染から他のチャンバ部品を保護するために、プロセスキットシールドまたはシールド１３８をさらに含む。いくつかの実施形態では、シールド１３８は、プロセスチャンバ１０４の接地された上部囲壁１１６の棚状突起１４０に接続することができる。図１に示すように、チャンバリッド１０２は、接地された上部囲壁１１６の棚状突起１４０上に位置することができる。接地された下部囲壁１１０と同様に、接地された上部囲壁１１６は、接地された下部囲壁１１０と、チャンバリッド１０２の接地アセンブリ１０３との間に、ＲＦリターン経路の一部分を提供することができる。しかし、接地されたシールド１３８などを介して、他のＲＦリターン経路も可能である。