【手続補正書】
【提出日】平成19年10月12日(2007.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されたゲート配線及び補助容量電極と、
前記ゲート配線及び前記補助容量電極を覆う第１層間絶縁膜と、
前記第１層間絶縁膜上に前記ゲート配線に対して交差するように形成されたソース配線と、
前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部分でスイッチング素子を構成するための半導体層と、
前記各スイッチング素子に対応して設けられたドレイン電極と、
前記ソース配線、前記半導体層及び前記ドレイン電極よりも上層に設けられた第２層間絶縁膜と、
前記第２層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通じて前記ドレイン電極に接続された画素電極とを備え、
前記ドレイン電極の一部が前記第１層間絶縁膜を挟んで前記補助容量電極に対向して設けられると共に、前記コンタクトホールが前記補助容量電極の配設領域を避けかつ前記補助容量電極の配設領域に囲まれた部分で前記ドレイン電極に達するように形成されており、前記補助容量電極の配設領域に囲まれた部分は、前記コンタクトホールのうち前記ドレイン電極の接触部分全体もしくは一部が、３方から或は２方向から前記補助容量電極の配設領域で囲まれる態様である、アクティブマトリクス基板。
【請求項２】
請求項１記載のアクティブマトリクス基板であって、
前記画素電極は、透明画素電極である、アクティブマトリクス基板。
【請求項３】
請求項１記載のアクティブマトリクス基板であって、
前記画素電極は、反射画素電極と透明画素電極とを含む、アクティブマトリクス基板。
【請求項４】
請求項３記載のアクティブマトリクス基板であって、
前記補助容量電極は前記反射画素電極の下層に形成された、アクティブマトリクス基板。
【請求項５】
請求項３記載のアクティブマトリクス基板であって、
前記補助容量電極は前記反射画素電極の形成領域全体に形成された、アクティブマトリクス基板。
【請求項６】
請求項１記載のアクティブマトリクス基板であって、
前記画素電極は、反射画素電極である、アクティブマトリクス基板。
【請求項７】
請求項３〜請求項６のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板であって、
前記反射画素電極は、モリブデン又はモリブデン合金の膜上に、アルミニウム又はアルミニウム合金の膜を形成したものである、アクティブマトリクス基板。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板であって、
前記第１層間絶縁膜は、窒化シリコン又は酸化シリコンを含む無形系絶縁膜で構成されているアクティブマトリクス基板。
【請求項９】
(a)基板上にゲート配線及び補助容量電極を形成する工程と、
(b)前記ゲート配線及び前記補助容量電極を覆うように第１層間絶縁膜を形成する工程と、
(c)スイッチング素子を構成する半導体層を形成する工程と、
(d)前記第１層間絶縁膜上に前記ゲート配線に対して交差するようにソース配線を形成する工程と、
(e)少なくとも一部が前記第１層間絶縁膜を挟んで前記補助容量電極に対向するようにドレイン電極を形成する工程と、
(f)前記半導体層、前記ソース配線及び前記ドレイン電極を覆うように第２層間絶縁膜を形成する工程と、
(g)前記補助容量電極の配設領域を避けかつ前記補助容量電極の配設領域に囲まれた部分で前記ドレイン電極に達するように、前記第２層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、
(h)前記第２層間絶縁膜上に、前記コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極に接続された画素電極を形成する工程と、
を備えたアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
前記補助容量電極の配設領域に囲まれた部分は、前記コンタクトホールのうち前記ドレイン電極の接触部分全体もしくは一部が、３方向から或は２方向から前記補助容量電極の配設領域で囲まれる態様である、アクティブマトリクス基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明に係るアクティブマトリクス基板は、基板と、前記基板上に形成されたゲート配線及び補助容量電極と、前記ゲート配線及び前記補助容量電極を覆う第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜上に前記ゲート配線に対して交差するように形成されたソース配線と、前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部分でスイッチング素子を構成するための半導体層と、前記各スイッチング素子に対応して設けられたドレイン電極と、前記ソース配線、前記半導体層及び前記ドレイン電極よりも上層に設けられた第２層間絶縁膜と、前記第２層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通じて前記ドレイン電極に接続された画素電極とを備え、前記ドレイン電極の一部が前記第１層間絶縁膜を挟んで前記補助容量電極に対向して設けられると共に、前記コンタクトホールが前記補助容量電極の配設領域を避けかつ前記補助容量電極の配設領域に囲まれた部分で前記ドレイン電極に達するように形成されており、前記補助容量電極の配設領域に囲まれた部分は、前記コンタクトホールのうち前記ドレイン電極の接触部分全体もしくは一部が、３方から或は２方向から前記補助容量電極の配設領域で囲まれる態様とされたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
より具体的には、例えば、第１絶縁膜１２ａとしてＳｉＮｘ（ｘは正数）等の無機系絶縁膜を１００ｎｍの厚さに成膜する。この後、スピンコート法等を用いて、感光性有機樹脂（例えば、ＪＳＲ株式会社製の製品番号ＰＣ３３５の樹脂材料）を３．２〜３．９μｍの膜厚になるように塗布し、感光性有機樹脂膜からなる第２絶縁膜１２ｂを形成する。そして、４回目の写真製版工程で感光性有機樹脂膜からなる第２絶縁膜１２ｂにコンタクトホール１４ａを形成する（この段階でのコンタクトホール１４ａについては図１０（ｄ）参照）。このコンタクトホール１４ａは、上記補助容量電極３の孔部３ｈの形成領域上方位置に形成される。次に、弗素ガスを用いた公知のドライエッチング法等で、コンタクトホール１４ａ下方の第１絶縁膜１２ａ（ＳｉＮｘ）をエッチング除去する。これにより、コンタクトホール１４は、第１及び第２絶縁膜１２ａ，１２ｂを貫通し、上記孔部３ｈの対応領域で、即ち、補助容量電極３の配設領域を避けた部分でドレイン電極１０に達するように形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
より具体的には、まず、第２層間絶縁膜１２上及びコンタクトホール１４の内周部からドレイン電極１０に達する表面上に透明導電性膜を成膜する。透明導電性膜は、例えば、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）と酸化スズ（ＳｎＯ２）を含むＩＴＯ（インジュウムスズ酸化物）を、スパッタリング法等を用いて１００ｎｍの厚さに成膜することにより形成される。次に、５回目の写真製版工程で、レジストパターンを形成した後、公知の塩酸と硝酸とを含む溶液で透明導電性膜をエッチングし、その後、レジストパターンを除去することで、透明な画素電極１５を形成することができる。この各画素電極１５は、コンタクトホール１４を通じて各ドレイン電極１０に接続されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
特に、補助容量電極３は孔部３ｈを有し、補助容量電極３のうち孔部３ｈの周縁部が画素電極１５とドレイン電極１０との接触部分の周囲でドレイン電極１０に対向するように設けられているため、画素電極１５に対して十分な保持容量を形成しつつ、画素電極１５と補助容量電極３との間の電気的短絡を効果的に防止できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
さらに、このＴＦＴアクティブマトリクス基板を用いることにより、開口率が高く表示特性に優れた表示装置を得ることが出来る。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
特に、本実施の形態２では、画素を表示するための画素電極部分が反射画素電極１１５ａと透明画素電極１１５ｂとを有しているため、反射画素電極１１５ａの形成領域全体に補助容量電極１０３を形成して補助容量電極１０３の面積を大きくすることができ、これにより補助容量をより大きくしてより表示特性に優れた構成とすることができる。