【手続補正書】
【提出日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 
ＲＦパワー信号の印加によって発生させたプラズマによるプラズマ処理中の不適正なチャッキングを検出する方法であって、
前記プラズマの特性を測定して検出信号を生成する工程と、
前記検出信号を処理して、前記検出信号のうち前記ＲＦパワー信号の周波数よりも低い周波数を有する周波数成分を示す第一信号を生成する工程と、
前記第一信号の大きさの変化を経時的にモニタする工程と、
前記モニタされた第一信号に基づいて、前記プラズマ処理に特有の指紋を生成する工程と、
前記プラズマ処理に特有の指紋に、前記プラズマ処理中の不適正なチャッキングを示す少なくとも１つの特徴があるかどうかを調べる工程と、
前記少なくとも１つの特徴が存在すれば、前記プラズマ処理中の不適正なチャッキングを検出したと判断する工程と、
を備える方法。
【請求項２】
前記検出信号を処理する工程は、前記検出信号を処理して、前記検出信号のうち前記ＲＦパワー信号の周波数よりもそれぞれ低い周波数を有する周波数成分を各々が示す複数の前記第一信号を生成し、
前記モニタする工程は、前記複数の第一信号のそれぞれの大きさをモニタする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記周波数成分は、前記プラズマ処理の化学反応レートに関連した周波数を有する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記プラズマの特性を測定する工程は、検波電流を生成する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記プラズマの特性を測定する工程は、ウェーハペデスタルの順方向及び反射方向ＲＦパワーの少なくとも１つを測定する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記プラズマの特性を測定する工程は、広帯域光電磁放射特性以外の特性を測定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記プラズマの特性を測定する工程は、
前記プラズマ中の化学種からの電磁放射を通す光フィルタリング機構を用意する工程と、
前記光フィルタリング機構を通った電磁放射を収集する工程と、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記光フィルタリング機構は、グラスフィルタ及びモノクロメーターからなる群から選択される光フィルタリング機構を含んでいる請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記化学種は、ＢＣｌ，Ａｌ，ＡｌＣｌ，Ａｒ，Ｃｌ及びＳｉからなる群から選択される化学種である、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記周波数成分は、１３ＭＨｚよりも低い周波数を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記周波数成分は、５０ｋＨｚよりも低い周波数を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記周波数成分は、０〜３００Ｈｚの範囲にある周波数を有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
不良の可能性のあるチャンバ内で不良を検出する方法であって、
不良のないチャンバ内でのＲＦパワー信号の印加によって発生させたプラズマによるプラズマ処理中に該プラズマの特性を測定して第一検出信号を生成する工程と、
前記第一検出信号を処理して、前記第一検出信号のうち前記ＲＦパワー信号の周波数よりも低い周波数を有する周波数成分を示す第一信号を生成する工程と、
前記第一信号の大きさの変化を経時的にモニタする工程と、
前記モニタされた第一信号に基づいて、前記不良のないチャンバ内での前記プラズマ処理に特有の指紋を生成する工程と、
前記不良の可能性のあるチャンバ内でのプラズマ処理中にプラズマの特性を測定して第二検出信号を生成する工程と、
前記第二検出信号を処理して、前記第二検出信号のうち前記ＲＦパワー信号の周波数よりも低い周波数を有する周波数成分を示す第二信号を生成する工程と、
前記第二信号の大きさの変化を経時的にモニタする工程と、
前記モニタされた第二信号に基づいて、前記不良の可能性のあるチャンバ内での前記プラズマ処理に特有の指紋を生成する工程と、
前記不良のないチャンバ内での前記プラズマ処理に特有の指紋と、前記不良の可能性のあるチャンバ内での前記プラズマ処理に特有の指紋とを比較する工程と、
前記不良のないチャンバ内での前記プラズマ処理に特有の指紋と、前記不良の可能性のあるチャンバ内での前記プラズマ処理に特有の指紋とが、予め決めた量よりも大きく異なっている場合、前記不良の可能性のあるチャンバを不良であると判断する、方法。
【請求項１４】 
前記不良のないチャンバと前記不良の可能性のあるチャンバとが同じチャンバである請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記各検出信号を処理する工程は、前記検出信号を処理して、前記検出信号のうち前記ＲＦパワー信号の周波数よりもそれぞれ低い周波数を有する周波数成分を各々が示す複数の前記信号を生成し、
前記各モニタする工程は、前記複数の信号のそれぞれの大きさをモニタする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記各周波数成分は、前記プラズマ処理の化学反応レートに関連した周波数を有する請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記各プラズマの特性を測定する工程は、検波電流を生成する請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】 
前記各プラズマの特性を測定する工程は、ウェーハペデスタルの順方向及び反射方向ＲＦパワーの少なくとも１つを測定する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
前記各プラズマの特性を測定する工程は、広帯域光電磁放射特性以外の特性を測定することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記各プラズマの特性を測定する工程は、
前記プラズマ中の化学種からの電磁放射を通す光フィルタリング機構を用意する工程と、
前記光フィルタリング機構を通った電磁放射を収集する工程と、
を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２１】
前記光フィルタリング機構は、グラスフィルタ及びモノクロメーターからなる群から選択される光フィルタリング機構を含んでいる請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記化学種は、ＢＣｌ，Ａｌ，ＡｌＣｌ，Ａｒ，Ｃｌ及びＳｉからなる群から選択される化学種である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記各周波数成分は、１３ＭＨｚよりも低い周波数を有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項２４】
前記各周波数成分は、５０ｋＨｚよりも低い周波数を有する、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記各周波数成分は、０〜３００Ｈｚの範囲にある周波数を有する、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
第１のチャンバと第２のチャンバとをマッチングする方法であって、
前記第１のチャンバ内でのＲＦパワー信号の印加によって発生させたプラズマによるプラズマ処理中に該プラズマの特性を測定して第一検出信号を生成する工程と、
前記第一検出信号を処理して、前記第一検出信号のうち前記ＲＦパワー信号の周波数よりも低い周波数を有する周波数成分を示す第一信号を生成する工程と、
前記第一信号の大きさの変化を経時的にモニタする工程と、
前記モニタされた第一信号に基づいて、前記第１のチャンバ内での前記プラズマ処理に特有の指紋を生成する工程と、
第１のチャンバ内でのプラズマ処理中にプラズマの特性を測定して第二検出信号を生成する工程と、
前記第二検出信号を処理して、前記第二検出信号のうち前記ＲＦパワー信号の周波数よりも低い周波数を有する周波数成分を示す第二信号を生成する工程と、
前記第二信号の大きさの変化を経時的にモニタする工程と、
前記モニタされた第二信号に基づいて、前記第２のチャンバ内でのプラズマ処理に特有の指紋を生成する工程と、
前記第１のチャンバ内での前記プラズマ処理に特有の指紋と、前記第２のチャンバ内での前記プラズマ処理に特有の指紋とを比較する工程と、
前記第１のチャンバ内での前記プラズマ処理に特有の指紋と、前記第２のチャンバ内での前記プラズマ処理に特有の指紋との違いが、予め決めた量よりも少ない場合に、前記第１及び前記第２のチャンバがマッチングしていると判断する、方法。
【請求項２７】
前記各検出信号を処理する工程は、前記検出信号を処理して、前記検出信号のうち前記ＲＦパワー信号の周波数よりもそれぞれ低い周波数を有する周波数成分を各々が示す複数の前記信号を生成し、
前記各モニタする工程は、前記複数の信号のそれぞれの大きさをモニタする、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記各周波数成分は、前記プラズマ処理の化学反応レートに関連した周波数を有する請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記各プラズマの特性を測定する工程は、検波電流を生成する請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
前記各プラズマの特性を測定する工程は、ウェーハペデスタルの順方向及び反射方向ＲＦパワーの少なくとも１つを測定する、請求項２６に記載の方法。
【請求項３１】
前記各プラズマの特性を測定する工程は、広帯域光電磁放射特性以外の特性を測定することを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３２】
前記各プラズマの特性を測定する工程は、
前記プラズマ中の化学種からの電磁放射を通す光フィルタリング機構を用意する工程と、
前記光フィルタリング機構を通った電磁放射を収集する工程と、
を含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３３】
前記光フィルタリング機構は、グラスフィルタ及びモノクロメーターからなる群から選択される光フィルタリング機構を含んでいる請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記化学種は、ＢＣｌ，Ａｌ，ＡｌＣｌ，Ａｒ，Ｃｌ及びＳｉからなる群から選択される化学種である、請求項３２に記載の方法。
【請求項３５】
前記各周波数成分は、１３ＭＨｚよりも低い周波数を有する、請求項２６に記載の方法。
【請求項３６】
前記各周波数成分は、５０ｋＨｚよりも低い周波数を有する、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記各周波数成分は、０〜３００Ｈｚの範囲にある周波数を有する、請求項３６に記載の方法。