Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月6日(2008.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非ヒト霊長類における生理的形質と関連づけられてきた、または関連することがあり得る非ヒト霊長類のＩＣＡＭ−１ポリヌクレオチド配列が、当該生理的形質をもっと少ない程度に示すヒトに比べて、進化的に有意な変化を受けたかどうかを決定する方法であって、
ａ．  何らかのヌクレオチド変化を同定するために、非ヒトＩＣＡＭ−１ポリヌクレオチド配列を対応するヒト霊長類ポリヌクレオチド配列と比較すること；および
ｂ．  部分的若しくは完全なタンパク質コードポリヌクレオチド配列における、同義置換速度（ＫＳ）に対する非同義置換速度（ＫＡ）の比（Ｋａ／Ｋｓ）、＝０．７５、によって、前記非ヒトヌクレオチド変化が進化的に有意かどうかを決定すること：
を含む、前記方法。
【請求項２】
当該生理的形質が完全発症エイズへの進行に対する増強した抵抗性である、請求項１の方法。
【請求項３】
当該非ヒト霊長類がヒト科群のメンバーである、請求項１の方法。
【請求項４】
当該非ヒト霊長類がチンパンジー、ボノボ、ゴリラおよびオランウータンより成る群から選ばれる、請求項３の方法。
【請求項５】
当該非ヒト霊長類がチンパンジーである、請求項３の方法。
【請求項６１】
当該ＫＡ／ＫＳ比が少なくとも約１．００である、請求項１の方法。
【請求項７】
当該ＫＡ／ＫＳ比が少なくとも約１．２５である、請求項１の方法。
【請求項８】
当該ＫＡ／ＫＳ比が少なくとも約１．５０である、請求項１の方法。
【請求項９】
当該ＫＡ／ＫＳ比が少なくとも約２．００である、請求項１の方法。
【請求項１０】
ヒトＩＣＡＭ−１ポリペプチド上の標的部位を同定するための方法であって、
チンパンジーＩＣＡＭ−１の進化的に有意なヌクレオチド変化に対応する、ヒトＩＣＭＡ−１中のアミノ酸変化を標的部位として同定すること、
ここにおいて、進化的に有意なヌクレオチド変化は、部分的若しくは完全なタンパク質コードポリヌクレオチド配列における、同義置換速度（ＫＳ）に対する非同義置換速度（ＫＡ）の比（Ｋａ／Ｋｓ）、＝０．７５、によって決定される、
を含む、前記方法。
【請求項１１】
ヒトＩＣＡＭ−１ポリヌクレオチド上の標的部位を同定するための方法であって、
チンパンジーＩＣＡＭ−１の進化的に有意なヌクレオチド変化に対応する、ヒトＩＣＭＡ−１中のヌクレオチド変化を標的部位として同定すること、
ここにおいて、進化的に有意なヌクレオチド変化は、部分的若しくは完全なタンパク質コードポリヌクレオチド配列における、同義置換速度（ＫＳ）に対する非同義置換速度（ＫＡ）の比（Ｋａ／Ｋｓ）、＝０．７５、によって決定される、
を含む、前記同定方法。
【請求項１２】
ＡＩＤＳの進行に対する抵抗性を変調することがあり得る作用物質を同定する方法であって、
前記方法が、試験される予定の少なくとも１つの作用物質を、進化的に有意なヌクレオチド変化を有するチンパンジーＩＣＡＭ−１に対応するヒトＩＣＡＭ−１ポリヌクレオチド配列で形質移入されている細胞に接触させること、
ここにおいて、進化的に有意なヌクレオチド変化は、部分的若しくは完全なタンパク質コードポリヌクレオチド配列における、同義置換速度（ＫＳ）に対する非同義置換速度（ＫＡ）の比（Ｋａ／Ｋｓ）、＝０．７５、によって決定される、
ここにおいて、作用物質がＡＩＤＳの進行に対する抵抗性増加する能力によって同定される、
を含む、前記方法。
【請求項１３】
ＡＩＤＳの進行に対する抵抗性を変調することがあり得る作用物質を同定する方法であって、
前記方法が、試験される予定の少なくとも１つの作用物質を、進化的に有意なヌクレオチド変化を有するチンパンジーＩＣＡＭ−１に対応するヒトＩＣＡＭ−１ポリヌクレオチド配列によってコードされるポリペプチド、または前記ポリペプチドを含む組成物に接触させること、
ここにおいて、進化的に有意なヌクレオチド変化は、部分的若しくは完全なタンパク質コードポリヌクレオチド配列における、同義置換速度（ＫＳ）に対する非同義置換速度（ＫＡ）の比（Ｋａ／Ｋｓ）、＝０．７５、によって決定される、
ここにおいて、作用物質がＡＩＤＳの進行に対する抵抗性増加する能力によって同定される、
を含む、前記方法。
【請求項１４】
進化的に有意なヌクレオチド変化を有する非ヒト霊長類における進化的に有意なヌクレオチド変化を非ヒト霊長類における生理的状態へ相関させるための方法であって、
ここにおいて、進化的に有意なヌクレオチド変化は、部分的若しくは完全なタンパク質コードポリヌクレオチド配列における、同義置換速度（ＫＳ）に対する非同義置換速度（ＫＡ）の比（Ｋａ／Ｋｓ）、＝０．７５、によって決定される、
前記方法であって、
非ヒト霊長類ＩＣＡＭ−１ポリヌクレオチド配列が適当なモデル系でＴ細胞のＨＩＶ−１感染を減少させるかを分析すること、
ここにおいて、Ｔ細胞のＨＩＶ−１感染の減少は、進化的に有意なヌクレオチド変化と当該生理的状態との間の相関関係を示す、
を含む、前記方法。
【請求項１５】
進化的に有意なヌクレオチド変化を有する非ヒト霊長類における進化的に有意なヌクレオチド変化を非ヒト霊長類における生理的状態へ相関させるための方法であって、
ここにおいて、進化的に有意なヌクレオチド変化は、部分的若しくは完全なタンパク質コードポリヌクレオチド配列における、同義置換速度（ＫＳ）に対する非同義置換速度（ＫＡ）の比（Ｋａ／Ｋｓ）、＝０．７５、によって決定される、
前記方法であって、
非ヒト霊長類ＩＣＡＭ−１ポリヌクレオチド配列によってコードされるポリペプチドが、適当なモデル系でＨＩＶ−１に対する減少した結合を示すかを分析すること、
ここにおいて、ＨＩＶ−１に対する減少した結合は、進化的に有意なヌクレオチド変化と当該生理的状態との間の相関関係を示す、
を含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月6日(2008.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  周辺光において生体対象内の目標組織を検出する方法であって、
（ａ）光源からの追加光を用いて周辺光において対象を照明し、目標組織が前記照明光と相互作用して前記照明光を変更し得るように前記光源が選択されている段階と、
（ｂ）ゲート光検出器を準備する段階と、
（ｃ）前記光検出器を前記対象と光学的に結合させる段階と、
（ｄ）前記変更された光において前記周辺光に対して実質的に強化された光を前記検出器が検出するように実行される、前記検出器をゲート制御する段階と、
（ｅ）前記ゲート制御段階により更に正確又は確実に決定可能である前記目標組織の測定可能なパラメータを、前記検出された光の分析を用いて決める段階と、
（ｆ）前記決定に応答して出力信号を生成する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】  前記検出器は、画像化デジタルカメラであり、前記出力信号は画像であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  検出器のゲート制御と同期した短い光パルスで照明する追加光を用いて照明する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】  目標細胞の弱い自然信号を強化することにより、周辺光において生体対象内の目標細胞を画像化する方法であって、
(ａ)インビボの目標細胞に対して測定可能なコントラストをもたらすように選択された光学造影剤を対象に投与する段階と、
(ｂ)前記造影剤が体内で十分に機能的な分布及び定位を達成するまで待機する段階と、
(ｃ)インビボの前記造影剤が前記照明光と相互作用して前記照明光を変更し得るように選択され、強度が時間的に可変であるように更に構成された光源からの光で前記対象を照明する段階と、
(ｄ)前記対象と光学的に結合された時間ゲート制御カメラを設け、前記対象をモニタリング又は画像化するために前記カメラを使用する段階と、
(ｅ)前記カメラが前記変更光において周辺光に対して強化された光を検出するように、光源強度の前記時間的変動の関数として前記カメラをゲート制御する段階と、
(ｆ)前記造影剤の分布及び定位の機能に基づき、前記検出光を使用して前記目標細胞の測定可能なパラメータを決める段階と、
(ｇ)前記決定に応答して出力信号を生成する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項５】  背景室内光において生体対象の体内の目標組織を外部的又は内部的に測定するためのシステムであって、
（ａ）前記目標組織と他の組織との間の異なるコントラストを形成するように選択され、体内で分布及び定位を達成するように前記対象に投与され、コントラストの供給源を提供する光学造影剤と、
（ｂ）前記対象の一部分を照射光で照明する光源であって、前記分布された造影剤が少なくとも潜在的に前記照射光と相互作用してそれを変更するように配置されるような光源と、
（ｃ）前記変更された照射光の一部分を収集するゲート集光器であって、前記ゲート制御された部分が前記変更された照射光において前記背景光に対して強化され、更に前記収集された部分に応答して検出信号を準備するゲート集光器と、
（ｄ）前記検出信号に基づき、また、前記造影剤の前記分布及び定位の測定機能に基づいて前記目標組織の測定可能なパラメータを決定する手段と、
（ｅ）前記決定に応答して出力信号を生成する手段と、
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項６】  前記背景室内光は、外科手術室の周辺光であることを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項７】  前記光源は、更に複数の光源で構成されることを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項８】  前記照射光は、２００ナノメートルと２ミクロンとの間の少なくとも１つの波長を有することを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項９】  前記集光器は、更に複数の光検出器構成品で構成されることを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項１０】  前記複数の検出器構成品は、ＩＣＣＤデジタルカメラを含むことを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】  前記測定可能なパラメータは、体内の前記目標組織の有無であることを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項１２】  前記測定可能なパラメータは、体内における前記目標組織の少なくとも１次元の定位であることを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項１３】  前記定位は、前記目標組織の方向であることを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項１４】  前記定位は、前記目標組織までの距離であることを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項１５】  前記定位は、前記目標組織の深さの関数であることを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１６】  前記測定機能は、身体の領域内における前記目標組織の分布の画像であることを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項１７】  前記測定機能は、吸光度、蛍光性、ラマンシフト、励起・発光マップ、旋光度、蛍光衰滅、位相シフト、時間遅延、又は、前記造影剤の前記照射光との相互作用に関連する他の光学特性から成る特性グループから選択された光学特性に基づくことを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月15日(2008.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  物質がタンパク質の結合ドメインに対する阻害剤またはリガンドであるかどうかを決定する方法であって、
ａ）少なくとも１つの触媒ドメインと少なくとも１つの結合ドメインとを含むタンパク質を用いること、
ｂ）前記触媒ドメインに結合し、変換される少なくとも１つのマーカー基質を用いること、
ｃ）前記触媒ドメインと前記結合ドメインとに結合可能な少なくとも１つの基質を用いること、
ｄ）前記タンパク質、前記マーカー基質および前記基質を、前記物質と共にインキュベートすること、および、
ｅ）前記マーカー基質が前記タンパク質によって変換されたかどうかを決定すること、
ｆ）前記物質の非存在下で、工程ａ）〜ｄ）の方法を繰り返すこと、および、
ｇ）前記物質の存在下、および、非存在下におけるインキュベーションの測定値を比較すること、
を含み、ここで前記結合ドメインは触媒ドメインではない、上記方法。
【請求項２】  用いられるタンパク質はコラーゲナーゼであり、用いられる基質はコラーゲンであり、用いられるマーカー基質は（７−メトキシクマリン−４−イル）アセチル−Ｐｒｏ−Ｌｅｕ−Ｇｌｙ−Ｌｅｕ−（３−［２,４−ジニトロフェニル］−Ｌ−２,３−ジアミノ−プロピオニル）−Ａｌａ−Ａｒｇ−ＮＨ2である、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月9日(2008.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ケイ素及びキャリア材料を含むケイ素複合材料であって、該キャリア材料及びケイ素が、該ケイ素の少なくとも一部分が該キャリア材料の少なくとも一部分と接触するように配置されており、該ケイ素及びキャリア材料が、該ケイ素の少なくとも一部分が該キャリア材料の少なくとも一部分において生理活性を誘導するような構造及び組成を有していることを特徴とする複合材料。
【請求項２】  ケイ素が、生理活性ケイ素、再吸収性ケイ素、生体適合性ケイ素、多孔質ケイ素、多結晶質ケイ素、非晶質ケイ素及びバルク結晶質ケイ素の一種以上から選ばれる、請求項１に記載のケイ素複合材料。
【請求項３】  キャリア材料が、該キャリア材料が再吸収性であるような構造及び組成を有していてもよい、請求項１に記載のケイ素複合材料。
【請求項４】  キャリア材料が、生理不活性である材料を含む、請求項１に記載のケイ素複合材料。
【請求項５】  請求項１に記載のケイ素複合材料を含む、整形用インプラント材料。
【請求項６】  請求項１に記載のケイ素複合材料を含む、骨セメント。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月24日(2008.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体構成要素の製造方法において、
１つの表面を有する、デルタドープのヘテロエピタキシャル半導体構造基板を設ける工程と、
前記デルタドープのヘテロエピタキシャル半導体構造基板の前記表面上にアンドープヒ化ガリウムの層を６〜９ナノメートルの厚さに設ける工程と、
前記アンドープヒ化ガリウムの層の第１の部分の上にゲートコンタクトを形成する工程と、
前記アンドープヒ化ガリウムの層の第２の部分を除去して前記デルタドープのヘテロエピタキシャル半導体構造基板の前記表面の一部を露出させる工程とを有し、前記アンドープヒ化ガリウムの層の残されている第１の部分は前記ゲートコンタクトの横方向の外形を超えて延在することがない、半導体構成要素の製造方法。
【請求項２】  前記アンドープヒ化ガリウムの層の第２の部分を除去した後に、前記アンドープヒ化ガリウムの層の第１の部分をアンドープに維持する方式にて前記デルタドープのヘテロエピタキシャル半導体構造基板にソース及びドレイン領域を注入する工程と、
前記アンドープヒ化ガリウムの層の第２の部分を除去した前に、前記アンドープヒ化ガリウムの層の第１の部分をアンドープに維持する方式にて前記デルタドープのヘテロエピタキシャル半導体構造基板にソース及びドレイン領域を注入する工程と、
から選択される１つの工程をさらに備える、請求項１に記載の半導体構成要素の製造方法。
【請求項３】  前記デルタドープのヘテロエピタキシャル半導体構造基板は、
半絶縁性ヒ化ガリウムからなる支持層と、
前記支持層を覆い、１００〜３００ナノメートルの厚さを有する緩衝層と、
前記緩衝層を覆うドーピング層と、
前記ドーピング層を覆い、２〜４ナノメートルの厚さを有するスペーサー層と、
前記スペーサー層を覆い、１０〜２０ナノメートルの厚さを有するチャンネル層と、
前記チャンネル層を覆い、１５〜３５ナノメートルの厚さを有する障壁層とを備えている、請求項１に記載の半導体構成要素の製造方法。
【請求項４】  前記ゲートコンタクトと、前記アンドープヒ化ガリウムの層の残されている第１の部分と、デルタドープのヘテロエピタキシャル半導体構造基板が露出された部分とよりも上方に、２０〜６０ナノメートルの厚さの絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を通して、かつ前記デルタドープのヘテロエピタキシャル半導体構造基板の表面よりも内部にソース領域及びドレイン領域を注入する工程であって、前記ソース領域及びドレイン領域は前記デルタドープのヘテロエピタキシャル半導体構造基板の表面から前記基板の緩衝層内部に至るまで広がっているが、前記基板の支持層まで広がることはなく、前記アンドープヒ化ガリウムの層の第１の部分はアンドープのまま維持されている方式で、ソース領域及びドレイン領域を注入する工程と、
前記ソース領域及びドレイン領域に注入されたドーパントを活性化し、前記絶縁層の密度を増加させるために、前記ソース領域及びドレイン領域をアニールする工程と、
前記ソース領域及びドレイン領域上における対応するソースコンタクトバイア及びドレインコンタクトバイア内にソースコンタクト及びドレインコンタクトを形成する工程であって、前記ソースコンタクトバイア及びドレインコンタクトバイアは前記絶縁層を貫通し、前記デルタドープのヘテロエピタキシャル半導体構造基板の表面から前記基板の緩衝層内部に至るまで延伸しているが、前記基板の支持層に到達するまでは延伸していない、ソースコンタクト及びドレインコンタクトを形成する工程とをさらに備える、請求項１に記載の半導体構成要素の製造方法。
【請求項５】  半導体構成要素の製造方法において、
１つの表面を有する、デルタドープのヘテロエピタキシャル半導体構造基板を設ける工程と、
前記デルタドープのヘテロエピタキシャル半導体構造基板は、
半絶縁性ヒ化ガリウムからなる支持層と、
前記支持層を覆い、アンドープのヒ化ガリウムからなり、１００〜３００ナノメートルの厚さを有する緩衝層と、
前記緩衝層を覆い、シリコンにデルタドープした材料からなるドーピング層と、
前記ドーピング層を覆い、アンドープのヒ化ガリウムからなり、２〜４ナノメートルの厚さを有するスペーサー層と、
前記スペーサー層を覆い、インジウムヒ化ガリウムからなり、１０〜２０ナノメートルの厚さを有するチャンネル層と、
前記チャンネル層を覆い、アルミニウムヒ化ガリウムからなり、１５〜３５ナノメートルの厚さを有する障壁層と、前記障壁層は前記デルタドープのヘテロエピタキシャル半導体構造基板の表面を画成することとを備えていることと、
前記デルタドープのヘテロエピタキシャル半導体構造基板の前記表面上にアンドープヒ化ガリウムのキャッピング層を６〜９ナノメートルの厚さに設ける工程と、
ゲートコンタクトが前記アンドープヒ化ガリウムのキャッピング層の第１の部分を覆うとともに第２の部分の上には存在しない方式にて、前記アンドープヒ化ガリウムのキャッピング層の上にゲートコンタクトを形成する工程と、
前記アンドープヒ化ガリウムの層の残されている第１の部分は前記ゲートコンタクトの横方向の外形を超えて延在することがない方式にて、前記アンドープヒ化ガリウムの層の第２の部分を除去して前記デルタドープのヘテロエピタキシャル半導体構造基板の前記表面の一部を露出させる工程と、
前記ゲートコンタクトに隣接してスペーサーを形成する工程と、
前記デルタドープのヘテロエピタキシャル半導体構造基板内にソース領域及びドレイン領域を形成する工程と、前記ソース領域及びドレイン領域上における対応するソースコンタクトバイア及びドレインコンタクトバイア内にソースコンタクト及びドレインコンタクトを形成する工程であって、前記ソースコンタクトバイア及びドレインコンタクトバイアは前記絶縁層を貫通し、前記デルタドープのヘテロエピタキシャル半導体構造基板の表面から前記基板の緩衝層内部に至るまで延伸しているが、前記基板の支持層に到達するまでは延伸していない、ソースコンタクト及びドレインコンタクトを形成する工程とを備える、半導体構成要素の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月24日(2008.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１及び第２ウェルにゲート誘電体を形成する工程と、
ゲート誘電体の上方に第１金属型の第１金属層を形成する工程と、
第２ウェルの上方にある前記第１金属層の第１部分を除去する工程と、
その後第１及び第２ウェルの上方に、前記第１の金属型と異なる第２金属型の第２金属層を形成する工程と、
前記第１及び第２ウェルの上方にゲートマスクを形成する工程と、
第１ウェル上の第１ゲートと第２ウェル上の第２ゲートを残すべくマスクによって前記第１金属層および第２金属層をパターニングする工程と、
前記第１ゲートに隣接している前記第１ウェルに第２の導電型の第１ソース及び第１ドレインを形成して第２トランジスタを形成する工程と、
第２ゲートに隣接している前記第２ウェルに前記第１導電型の第２ソース及び第２ドレインを形成して第１トランジスタを形成する工程とからなる、第１導電型の第１ウェルと第２導電型の第２ウェルとを有した半導体基板に第１導電型の第１トランジスタ及び第２導電型の第２にトランジスタを形成する方法。
【請求項２】  第１ウェル及び第２ウェルの少なくとも一部の上方にあるゲート誘電体と、
前記第１ウェルと前記ゲート誘電体の上方の第１ゲートと、該第１ゲートは第１金属型の第１領域と同第１金属型と異なる第２金属型の第２領域とを有することと、前記第１金属型及び第２金属型とは異なる第３金属型の第３領域と、前記第１領域は前記ゲート誘電体上にあることと、
前記第１ゲートに隣接している第１ウェルの中に形成された第１ソース及び第１ドレインと、
前記第２ウェル及び前記ゲート誘電体の上方にある第２ゲートと、該第２ゲートは第２金属型であり、前記ゲート誘電体の上方にあることと、
前記第２ゲートに隣接している第２ウェルに形成された第２ソース及び第２ドレインとからなる、第１導電型の第１ウェルと第２導電型の第２ウェルとを有した半導体基板中の半導体デバイス。
【請求項３】  第１及び第２ウェルにゲート誘電体を形成する工程と、
ゲート誘電体の上方に第１金属型の第１金属層を形成する工程と、
第２ウェルの上方にある前記第１金属層の第１部分を除去する工程と、
その後第１及び第２ウェルの上方に、前記第１の金属型と異なる第２金属型の第２金属層を形成する工程と、
前記第２金属層の上にドープしたポリシリコンの層を形成する工程と、
前記第１及び第２ウェルの上方にゲートマスクを形成する工程と、
第１ウェル上の第１ゲートと第２ウェル上の第２ゲートを残すべくマスクによって前記第１金属層および第２金属層をパターニングする工程とからなる、第１導電型の第１ウェルと第２導電型の第２ウェルとを有した半導体基板に第１導電型の第１トランジスタ及び第２導電型の第２にトランジスタを形成する方法。
【請求項４】  前記ゲート誘電体は遷移金属酸化材料からなる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】  前記第１金属層は第１の厚さを有し、前記第２金属層は第２の厚さを有し、前記第２の厚さは第１の厚さよりも大きい、請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月16日(2007.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板に装着される半導体ダイの上表面のボンディング区域を加熱する方法であって、ボンディング区域をダイの上表面に方向付けられた赤外線放射によって約４秒以内に摂氏約１９０度にまで加熱するステップを含む、方法。
【請求項２】  基板の上表面のボンディング区域に赤外線放射を方向付けるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  ボンディング区域を摂氏約１９０度にまで加熱するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  ダイの上表面に赤外線放射を方向付けながらボンディング区域にワイヤを付着させるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  ダイの上表面に赤外線放射を方向付けることに先立って基板を加熱するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  ワイヤの付着に先立って、またはその間にボンディング区域を摂氏約１９０度にまで加熱するステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】  ワイヤの付着に先立って、またはその間にボンディング区域を摂氏約１９０度にまで加熱するステップを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】  基板の底表面から熱伝導により基板を加熱するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項９】  フリップチップを基板に組立てる方法であって、
基板の上表面のボンディング区域を上表面に方向付けられた赤外線放射で加熱するステップを含み、
ボンディング区域がはんだを含み、さらに
ボンディング区域上にはんだを含むフリップチップを配置するステップと、
フリップチップおよび基板を押圧してボンディング区域のはんだおよびフリップチップのはんだを溶かし、フリップチップを基板に付着させるステップとを含む、方法。
【請求項１０】  基板の底表面を加熱するステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  基板を摂氏約２００度まで加熱するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  基板に装着された半導体ダイの上表面のボンディング区域を加熱するための装置であって、
ダイの上表面に方向付けられた赤外線放射でボンディング区域を加熱するための赤外ヒ
ータと、
基板の底表面を加熱するための第２のヒータとを含み、
赤外ヒータと第２のヒータとはボンディング区域を約４秒以内に摂氏約１９０度まで加熱するためのものである、装置。
【請求項１３】  第２のヒータは熱伝導ヒータである、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】  赤外ヒータは基板の上表面のボンディング区域を加熱するためのものでもある、請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】  ボンディング区域および基板にワイヤを付着するためのワイヤボンダーを含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１６】  赤外ヒータは赤外ランプまたは赤外線銃を含む、請求項１２に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月15日(2008.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管理・更新メッセージ（ＥＭＭ）を用いて、複数オペレータ受信システムにおける受信権利の更新を行う方法であって、加入者管理システムと一つ以上の有料テレビデコーダ間で、少なくとも一つのオペレータが管理メッセージ（ＥＭＭ）を含むビデオストリームを放送し、少なくとも一つのオペレータが管理メッセージ（ＥＭＭ）を含まないビデオストリームを放送し、前記メッセージ（ＥＭＭ）は、前記デコーダと関連付けされたセキュリティモジュール中の権利とパラメータを更新することを目的としており、前記デコーダの機能が、少なくとも一つの優先的オペレータからの管理（ＥＭＭ）・更新メッセージの受信内容に依存しており、前記デコーダは、ある条件下では待機状態に移行しなければならず、待機モードを実行する際には、前記方法は：
前記優先的オペレータ又は管理メッセージ（ＥＭＭ）を含むビデオストリームを放送するオペレータに受信を切り替えるステップと；
前記管理・更新メッセージ（ＥＭＭ）を受信して処理するステップと；
これらメッセージの全受信サイクルの終了を決定するステップと；
前記待機状態に切り替えるステップと；
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記デコーダが、二つ以上の優先的オペレータに接続され、各オペレータに対して前記各ステップを繰り返すことを特徴とする、請求項１に記載の更新方法。
【請求項３】
全サイクルの終了の決定は、所定の所要時間に従って決められることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記所要時間が、前記加入者管理システムによって決定されて、前記デコーダに送信されることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
全サイクルの終了は、
権利の管理に関する最初のメッセージを受信する段階と；
前記最初のメッセージが繰り返されるまでメッセージを受信する段階と；
により決定されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記最初のメッセージの繰り返しを待つ所要時間が所定時間を超えると、前記待機状態への切り替えがなされることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
全サイクルの終了は、前記待機モードの起動に先立って、前記デコーダが前記優先的オペレータに接続されていた時間に従って決定されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ユーザによって起動することが可能な待機デバイスと、複数のチャネルを受信することが可能な受信ユニットと、を備える有料テレビのデコーダであって、
前記複数のチャネルの少なくとも一部が、前記受信ユニットと関連付けされたセキュリティモジュール用の管理・受信権利更新メッセージ（ＥＭＭ）を含むビデオストリームを有し、
前記デコーダが、
前記待機モードを起動する際に、前記受信ユニットを、前記管理・更新メッセージ（ＥＭＭ）を含むチャネルに切り替える手段と、
前記管理・更新メッセージを受信して処理する手段と、
これらメッセージの全受信サイクルの終了を決定する手段と、
前記待機状態に切り替える手段と、
を備えることを特徴とするデコーダ。
【請求項９】
前記全受信サイクルの終了を決定する手段が、クロックを備えることを特徴とする、請求項８に記載の有料テレビのデコーダ。
【請求項１０】
前記全受信サイクルの終了を決定する手段は、最初の更新メッセージを記憶する手段と、更新の終了としてこの最初のメッセージの繰り返しを検出する手段と、を備えることを特徴とする、請求項８に記載の有料テレビのデコーダ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月13日(2008.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光反応性組成物の指定の体積エレメントにおいて光反応吸収を高める方法であって：
光反応性組成物を提供する段階；
光反応性組成物によって少なくとも２つの光子の同時吸収に十分な光源を提供する段階であって、前記光源が分割可能なビームを有する段階；
その光ビームを複数の等しい経路長の照射ビームに分割する段階；および
光反応性組成物の単一体積エレメントで実質的に非対伝搬方式で前記照射ビームを同時に集束して、前記光反応性組成物の少なくとも一部を反応させる段階；を含む方法。
【請求項２】  光反応性組成物を反応させる方法であって：
光反応吸収が可能な光反応性組成物を提供する段階；および
前記光反応性組成物を、複数の実質的に非対伝搬方向からのレーザー光に同時に暴露する段階であって、その光が時間および空間において所定の焦点で重なり合う段階；を含む方法。
【請求項３】  反応性組成物の指定の体積エレメントにおいて光反応吸収を高める方法であって：
光反応性組成物を提供する段階；
光反応性組成物によって少なくとも２つの光子の同時吸収に十分な光を提供する段階であって、前記光が、少なくとも２つの照射ビームを含む段階；
光反応性組成物の単一体積エレメントで実質的に非対伝搬方式で前記照射ビームを同時に集束して、光反応性組成物の少なくとも一部を反応させる段階；を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月9日(2008.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  周波数変調信号を形成し、
分散素子（３０）に前記信号を与え、前記分散素子がやがて前記信号を圧縮するように適合される、パルス列の発生方法であって、前記分散素子がチャープファイバブラッグ格子であることを特徴とする、パルス列の発生方法。
【請求項２】  急速に同調可能なレーザ（１０）と、
前記レーザとの光通信におけるパッシブ分散素子（３０）であって、（ｉ）ファイバブラッグ格子および（ｉｉ）サーキュレータ（２０）を含むパッシブ分散素子と、を含む周波数変調される信号を生成するための装置。
【請求項３】  請求項２に記載の装置を用いて、Ａ／Ｄ変換のための高速光サンプリングを実行するための方法。
【請求項４】  請求項２に記載の装置を用いて、変調信号を発生させるステップと、
前記変調信号に前記分散素子を合わせるステップと、を含む非線形光信号のピーク強度を最適化するための方法。
【請求項５】  請求項２に記載の装置を含む光通信システム。
【請求項６】  周波数変調信号を発生させるように適合された信号源（５０）と、
前記源との光通信におけるパッシブ分散素子（３０）であって、（ｉ）ファイバブラッグ格子および（ｉｉ）サーキュレータを含む前記分散素子と、を含む周波数変調される信号を生成するための装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月23日(2008.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  Ａ）レーザガスを含むレーザチャンバと、
Ｂ）前記レーザチャンバ内に配置された２つの細長い電極であって、該電極の少なくとも１つが、放電を支持するために前記レーザチャンバ内に配置された浸食性電極であり、該浸食性電極は浸食性部位及び電極支持部を有し、前記放電は放電形状を規定し、放電形状に実質的な変化をもたらすことなく寿命形状まで少なくとも８０億パルスにわたって徐々に放電ごとに有限の浸食を生成する、前記２つの細長い電極と、
Ｃ）前記電極に対して１，０００Ｈｚを超える周波数で少なくとも２ジュールの電気パルスを印加して、前記放電を生成させる、パルスパワーシステムと、
Ｄ）前記レーザガスを前記２つの電極間で秒速５ｍを超える速度で循環させるための、送風器システムと、
Ｅ）前記レーザガスから前記送風器システム及び前記放電により発生した熱を取り去るのに十分な能力をもつ、熱交換器と、
Ｆ）前記電極が新しい場合又は前記電極が該電極の寿命形状まで浸食された場合のいずれの場合でも、前記ガス内に著しい乱流を生じることなく前記浸食性電極を通過するガス流を案内するための、ガス流案内手段と、
を備えることを特徴とするガス放電レーザ。
【請求項２】  前記電極の１つは、少なくとも部分的にガス圧を回復させて放電領域下流での実質的な乱流を防止する徐々に拡張する拡散器領域を規定する、整流器及びアノードであることを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項３】  前記徐々に拡張する拡散器領域は、約７°から１５°の角を規定することを特徴とする請求項２に記載のレーザ。
【請求項４】  前記浸食性電極は絶縁部位を備え、前記放電領域下流でガス流を更に改善するようになっていることを特徴とする請求項２に記載のレーザ。
【請求項５】  前記浸食性電極は、前記電極の前記浸食性部位に隣接して取り付けられ、前記放電領域のガスの乱流を低減するように構成されている少なくとも１つの絶縁スペーサを更に備えることを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項６】  前記浸食性電極は、放電表面を規定し、更に該放電表面の２つの側面上の絶縁表面を備えることを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項７】  前記絶縁表面は、アルミナ絶縁層を含むことを特徴とする請求項６に記載のレーザ。
【請求項８】  前記絶縁表面は、金属フッ化物を含むことを特徴とする請求項６に記載のレーザ。
【請求項９】  前記浸食性電極は、小さなパイルによってその電極支持部に結合され、レーザガスを前記浸食性部位と前記電極支持部との間に流し得ること特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項１０】  前記浸食性電極は放電表面を規定し、該放電表面の２つの側面に沿って長手方向に延びる溝を備えることを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項１１】  前記溝は、少なくとも部分的に絶縁材料が充填されていることを特徴とする請求項１０に記載のレーザ。
【請求項１２】  前記絶縁材料は、アルミナ及び金属フッ化物から成る群から選択されることを特徴とする請求項１１に記載のレーザ。
【請求項１３】  前記浸食性電極は、第１の電気コンダクタンスを有する第１の材料と、前記第１のコンダクタンスの７０パーセント未満の電気コンダクタンスを有する第２の材料とを含み、から成り、前記第１の材料は放電表面を規定することを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項１４】  前記第１の材料はステンレス鋼であることを特徴とする請求項１３に記載のレーザ。
【請求項１５】  前記浸食性電極は放電表面を規定し、前記放電表面の２つの側面上に配置されている絶縁シートを備えることを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項１６】  前記絶縁シートはアルミナであることを特徴とする請求項１５に記載のレーザ。
【請求項１７】  放電を所望の形状に形成するためのカレントリターン構造を更に備え、放電領域を通ってまたこれを超えてガス流を案内するための絶縁体スペーサを更に備えることを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項１８】  前記浸食性部位は、絶縁層を通る複数の放電キャビティを有する絶縁層で被覆されていることを特徴とする請求項１に記載のレーザ。
【請求項１９】  前記キャビティの大部分の主要寸法は、２００ミクロン未満であることを特徴とする請求項１８に記載のレーザ。
【請求項２０】  前記キャビティは、約０．５ｍｍの間隔をあけて配置されており、大部分の主要寸法は、２００ミクロン未満であることを特徴とする請求項１８に記載のレーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月28日(2008.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  多孔質膜で分離され、かつそれぞれリチウムイオン挿入材料を含むアノード層及びカソード層を含むリチウムイオン電池の製造方法であって、前記アノード層及びカソード層が、ポリマー結合剤をそれぞれ含み、
前記アノード層、前記多孔質膜及び前記カソード層を組み立てる工程、及び
可塑化溶剤中にリチウム塩を含む溶液で、該組み立て品を含浸する工程、
を含み、前記溶液が、前記ポリマー結合剤のポリマー及び前記多孔質膜のポリマーと異なり、かつ前記可塑化溶剤に可溶性であるポリマー材料を含み、もって前記組み立て品の含浸後前記溶液がゲル化することを特徴とする、方法。
【請求項２】  前記溶液のポリマー材料が、ポリアクリロニトリル、ポリビニリデンフルオライド（PVdF）ホモポリマー、又は主にビニリデンフルオライドから成るコポリマー又はターポリマー、又はポリマー鎖が主にビニリデンフルオライドから成り、該ポリマー鎖上にモノ不飽和カルボン、スルホン又はホスホン酸、エステル、アミド又は置換アミドをグラフトしているポリマーからなる、請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記多孔質膜のポリマー及び前記電極層のポリマー結合剤が、主にビニリデンフルオライドから成るが、前記溶液のポリマーと異なる、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】  前記可塑化溶剤が、エチレンカーボネート（EC）と、ジメチルカーボネート（DMC）又はメチルプロピルカーボネート（MPC）のいずれかとを含む、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月26日(2008.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  インバンド・オンチャンネル・デジタル音声放送方式においてＦＭ干渉を軽減する方法であって、
対象信号と干渉信号とを含む複合信号を受信し、
複合信号を復調して第１の復調信号を発生させ、
第１の復調信号から第１の二分軟判定値を計算し、
複合信号を処理して処理済み信号を発生させ、
処理済み信号を復調して第２の復調信号を発生させ、
第２の復調信号から第２の二分軟判定値を計算し、
第１及び第２の二分軟判定値を結合して出力信号を発生させるステップより成るＦＭ干渉の軽減方法。
【請求項２】  複合信号を処理して処理済み信号を発生させるステップは、
複合信号を正規化して正規化複合信号を発生させ、
複合信号に正規化複合信号の複素共役を乗算して実信号を発生させ、
実信号をろ波してろ波済み信号を発生させ、
ろ波済み信号に正規化複合信号を乗算して前記処理済み信号を発生させるステップより成る請求項１の方法。
【請求項３】  実信号をろ波してろ波済み信号を発生させるステップは、
キャリア振幅推定信号を発生させ、
実信号を遅延させて遅延実信号を発生させ、
遅延実信号からキャリア振幅推定信号を減算して前記ろ波済み信号を発生させるステップより成る請求項２の方法。
【請求項４】  インバンド・オンチャンネル・デジタル音声放送信号を受ける受信機であって、
対象信号と干渉信号とを含む複合信号を受信する手段と、
複合信号を復調して第１の復調信号を発生させる手段と、
第１の復調信号から第１の二分軟判定値を計算する手段と、
複合信号を処理して処理済み信号を発生させる手段と、
処理済み信号を復調して第２の復調信号を発生させる手段と、
第２の復調信号から第２の二分軟判定値を計算する手段と、
第１及び第２の二分軟判定値を結合して出力信号を発生させる手段とより成るインバンド・オンチャンネル・デジタル音声放送信号を受ける受信機。
【請求項５】  複合信号を処理する手段は、
複合信号を正規化して正規化複合信号を発生させる手段と、
複合信号に正規化複合信号の複素共役を乗算して実信号を発生させる手段と、
実信号をろ波してろ波済み信号を発生させる手段と、
ろ波済み信号に正規化複合信号を乗算して処理済み信号を発生させる手段とより成る請求項４の受信機。
【請求項６】実信号をろ波してろ波済み信号を発生させる手段は、
キャリア振幅推定信号を発生させる手段と、
実信号を遅延させて遅延実信号を発生させる手段と、
遅延実信号からキャリア振幅推定信号を減算してろ波済み信号を発生させる手段とより成る請求項５の受信機。
【請求項７】実信号をろ波してろ波済み信号を発生させる手段は、
ろ波済み信号に正規化複合信号を乗算する前に正規化複合信号を遅延させる手段をさらに含む請求項５または６の受信機。
【請求項８】  インバンド・オンチャンネル・デジタル音声放送信号を受ける受信機であって、
対象信号と干渉信号とを含む複合信号を受信する入力と、
複合信号を復調して第１の復調信号を発生させる第１の復調器と、
第１の復調信号から第１の二分軟判定値を計算する第１の処理器と、
複合信号を処理して処理済み信号を発生させるフィルターと、
処理済み信号を復調して第２の復調信号を発生させる第２の復調器と、
第２の復調信号から第２の二分軟判定値を計算する第２の処理器と、
第１及び第２の二分軟判定値を結合して出力信号を発生させる結合器とより成るＦＭ信号による干渉を受ける受信機。
【請求項９】  フィルターは、
複合信号を正規化して正規化複合信号を発生させる正規化器と、
複合信号に正規化複合信号の複素共役を乗算して実信号を発生させる第１の乗算器と、
実信号をろ波してろ波済み信号を発生させる実信号フィルターと、
ろ波済み信号に正規化複合信号を乗算して処理済み信号を発生させる第２の乗算器とより成る請求項８の受信機。
【請求項１０】  実信号フィルターは、
キャリア振幅推定信号を発生させる推定器と、
実信号を遅延させて遅延実信号を発生させる遅延器と、
遅延実信号からキャリア振幅推定信号を減算してろ波済み信号を発生させる結合器とより成る請求項９の受信機。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月12日(2008.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】３次元光学素子の加工方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ３次元光学素子の加工方法であって、
（ａ）（ｉ）硬化状態でガラス転移温度が少なくとも８０℃である、疎水性の光規定性ポリマーまたはオリゴマーと、
（ｉｉ）光開始剤及びこれとは別の光増感剤を含む多光子光開始剤系と、
を含む光硬化性組成物を提供する工程と、
（ｂ）３次元光学素子の少なくとも一部分を光規定可能に形成するために有効な条件下で前記組成物の一部分または複数部分を電磁エネルギーに像状露光する工程と、
を含む方法。
【請求項２】  前記多光子光開始剤系が電子供与化合物を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記光硬化性組成物が非光規定性結合剤を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記光学素子にブランケット照射する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記光学素子がポリイミドを含み、かつ前記方法が、少なくとも得られた光学素子にイミド化処理を行う工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月9日(2008.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  活性のある薬学的物質としての、E-セレクチン。
【請求項２】  有効量の、請求項1記載のE-セレクチンを含む、薬学的組成物。
【請求項３】  動物に寛容を誘導するために使用される、請求項1記載のE-セレクチン。
【請求項４】  バイスタンダー作用寛容がE-セレクチン投与により誘導される、請求項1記載のE-セレクチン。
【請求項５】  動物において脳卒中を治療するために使用される、請求項1記載のE-セレクチン。
【請求項６】  動物において脳卒中を予防するために使用される、請求項1記載のE-セレクチン。
【請求項７】  脳卒中後の脳損傷を軽減するために使用される、請求項1記載のE-セレクチン。
【請求項８】  高血圧、糖尿病、または高コレステロール血症を患う患者を治療するために使用される、請求項1記載のE-セレクチン。
【請求項９】  動物において脳卒中を治療する医薬を製造するための、E-セレクチンの使用。
【請求項１０】  動物において脳卒中を予防する医薬を製造するための、E-セレクチンの使用。
【請求項１１】  E-セレクチンが脳卒中後の脳損傷を軽減するために使用される、請求項9または10記載の使用。
【請求項１２】  高血圧、糖尿病、または高コレステロール血症を患う患者を治療する医薬を製造するための、E-セレクチンの使用。
【請求項１３】  動物において寛容を誘導する医薬を製造するための、請求項9〜12のいずれか一項記載のE-セレクチンの使用。
【請求項１４】  バイスタンダー作用寛容がE-セレクチン投与により誘導される、請求項9〜13のいずれか一項記載のE-セレクチンの使用。
【請求項１５】  E-セレクチンがヒトE-セレクチンである、請求項1〜14のいずれか一項記載のE-セレクチン、薬学的組成物、または使用。
【請求項１６】  E-セレクチンが鼻腔内投与される、請求項1〜14のいずれか一項記載のE-セレクチン、薬学的組成物、または使用。
【請求項１７】  E-セレクチンが2週間にわたって初回鼻腔内投される、請求項16記載のE-セレクチン、薬学的組成物、または使用。
【請求項１８】  E-セレクチンのブースター投与が初回鼻腔内投与の後に行われる、請求項16または17記載のE-セレクチン、薬学的組成物、または使用。
【請求項１９】  E-セレクチンレクチン、EGF、CR1、およびCR2ドメインを含む、請求項1記載のE-セレクチン。
【請求項２０】  E-セレクチンがE-セレクチンレクチン、EGF、CR1、およびCR2ドメインを含む、請求項2記載の薬学的組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月4日(2008.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  湿潤剤およびセレコキシブのマイクロ粒子を含む多孔質マトリックスを含有する、薬学的組成物であって：
ここで、該マイクロ粒子が、約０．０１μｍと５μｍとの間の平均直径、および約０．５ｍ２／ｍＬより大きな総表面積を有し；
ここで、該多孔質マトリックスが、１．０ｇ／ｍＬ以下のＴＡＰ密度を有し、そして／または０．２ｍ２／ｇ以上の総表面積を有し、そして乾燥粉末の形態であり；そして
ここで、該乾燥粉末が、非経口投与に適した水溶液中に懸濁されている、組成物。
【請求項２】  前記乾燥粉末形態の多孔質マトリックスが、１．０ｇ／ｍＬ以下のＴＡＰ密度を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】  前記マトリックスが、水性媒体と接触する際に、約０．１μｍと５μｍとの間の平均直径、および約０．５ｍ２／ｍＬより大きな総表面積を有するマイクロ粒子を与える、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】  前記マトリックスが、親水性ポリマー、糖類、張度剤、ペグ化賦形剤、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される賦形剤をさらに含有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】  前記マイクロ粒子の平均直径が、約０．０１μｍと５μｍとの間である、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】  前記マイクロ粒子の平均直径が、約０．５μｍと５μｍとの間である、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】  前記マイクロ粒子の平均直径が、約１μｍと５μｍとの間である、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】  請求項１〜７のいずれかに記載の組成物を含有する処方物中に、治療的または予防的に有効な量のセレコキシブを含有する組成物であって、該組成物は、非経口経路による投与に適している、組成物。
【請求項９】  前記非経口経路が、静脈内投与、動脈内投与、心臓内投与、鞘内投与、骨内投与、関節内投与、滑液胞内投与、皮内投与、皮下投与、および筋内投与からなる群より選択される、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】  薬物の多孔質マトリックスを作製するための方法であって、以下：
（ａ）揮発性溶媒にセレコキシブを溶解して、薬物溶液を形成する工程；
（ｂ）少なくとも１種の細孔形成剤を、該薬物溶液と混合して、エマルジョン、懸濁液、または第２の溶液を形成する工程；ならびに
（ｃ）該揮発性溶媒および細孔形成剤を、該エマルジョン、懸濁液、または第２の溶液から除去して、セレコキシブの多孔質マトリックスを得る工程、
を包含する、方法。
【請求項１１】  少なくとも１種の湿潤剤を、前記エマルジョン、懸濁液、または第２の溶液に組み込む工程をさらに包含する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  工程（ｃ）が、スプレードライ、エバポレーション、流動層乾燥、凍結乾燥、減圧乾燥、またはこれらの組み合わせから選択されるプロセスを使用して実施される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】  前記薬物溶液または多孔質形成剤が、親水性ポリマー、糖類、ペグ化賦形剤、および張度剤からなる群より選択される賦形剤をさらに含有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】  前記細孔形成剤が、揮発性の塩である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】  前記揮発性の塩が、重炭酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、塩酸アンモニウム、安息香酸アンモニウム、およびこれらの混合物からなる群より選択される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】  前記方法が、湿潤剤および薬物のマイクロ粒子から形成される多孔質マトリックスを与え、ここで、該マイクロ粒子が、約０．０１μｍと５μｍとの間の平均直径、および約０．５ｍ２／ｍＬより大きな総表面積を有し、そしてここで、該多孔質マトリックスが、乾燥粉末形態である、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月8日(2008.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  対象となる波長領域で少なくとも幅１００ｎｍの帯域の光を少なくとも５０％反射する複屈折性誘電性多層フィルム、及び複合的な湾曲を有する第１及び第２の基材を提供する工程と、
前記第１の基材と第２の基材の間に挟みかつ加熱したときに、複合的な湾曲に対して、実質的にしわが形成されずに適合するように前記フィルムが収縮できるように前記フィルムのヒートセットが行われる工程と、
前記第１の基材と第２の基材の間に前記フィルムを挟み、積層体を形成する工程と、
前記積層体を加熱し前記フィルムを収縮させて、実質的にしわが形成されずに複合的な湾曲にフィルムを適合させる工程
を含む物品の製造方法。
【請求項２】  前記対象となる波長領域が約７００ｎｍ〜約２０００ｎｍである請求項１に記載の方法。
【請求項３】  フィルム収縮を制御するために選択されたトーインを有するテンターで前記フィルムを延伸する工程をさらに含み、前記テンターが、最大テンター幅約１７７．８ｃｍで約０ｃｍ〜約５．０８ｃｍのトーインを有する請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記ヒートセットを行った後、加熱によって両方の面内方向で前記フィルムが少なくとも約０．４％収縮することができる、請求項１記載の方法。
【請求項５】  （ａ）第１の非平面グレージング材料層と、第１のエネルギー吸収層と、フィルムと、第２のエネルギー吸収層と、第２の非平面グレージング材料層とを含む積層体であって、前記フィルムが、対象となる波長領域で少なくとも幅１００ｎｍの帯域の光を少なくとも５０％を反射する複屈折性誘電性多層フィルムを含む積層体を組み立てる工程と、
（ｂ）前記積層体を加熱し、前記非平面層の間の残留空気を除去し、前記層を接合させる工程と、
（ｃ）前記積層体をさらに加熱し圧力を加えて、前記層を互いに接合させ、光学的構造体を形成させる工程と、
（ｄ）前記構造体を冷却させる工程と、を含み、前記エネルギー吸収層とフィルムが非平面層の形状に適合し、前記フィルムでしわが実質的に形成されない物品の製造方法。
【請求項６】  ニップローラーを用いて前記非平面層を互いにニップする工程をさらに含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】  複合的な湾曲を有する２つの基材、及び
前記基材の間に挟まれ、対象となる波長領域で少なくとも幅１００ｎｍの帯域の光を少なくとも５０％反射する複屈折性誘電性多層フィルム
を含み、前記フィルムが前記基材の間に配置され加熱されたときに、実質的にしわが形成されずに適合するように前記フィルムを収縮させるのに十分な温度でヒートセットが行われている物品。
【請求項８】  前記フィルムの対象となる波長領域が約７００ｎｍ〜約２０００ｎｍである請求項７に記載の物品。
【請求項９】  前記物品が乗り物用フロントガラスである請求項７又は８に記載の物品。
【請求項１０】  請求項９記載のフロントガラスを含む乗り物。