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【手続補正書】
【提出日】平成19年5月14日(2007.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  情報を通信することにより、ドキュメントデータを処理するための情報処理装置であって、
特許庁との間での書類の送受信記録を格納する第１の記憶手段と、
前記書類のドキュメントデータを記憶する第２の記憶手段と、
前記第１の記憶手段に記憶された送受信記録から、出願番号を取得する取得手段と、
出願番号と出願人名との対応を示すデータベースと、
前記取得手段により取得された出願番号をキーとして前記データベースを参照することにより、前記第２の記憶手段に記憶された、前記出願番号に係る書類のドキュメントデータを抽出する抽出手段とを有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】  更に、前記抽出手段により抽出されたドキュメントデータを出願人別のフォルダに保存する保存手段を有することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】  更に、前記フォルダに保存されたドキュメントデータを対応する出願人に送信する送信手段を有することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】  更に、前記フォルダに保存されたドキュメントデータを出願人別に印刷する印刷手段を有することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項５】  前記テーブルは、前記出願番号に対応する出願の出願人が保有することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項６】  情報を通信することにより、ドキュメントデータを処理するための情報処理方法であって、
特許庁との間での書類の送受信記録を第１の記憶手段に格納する格納工程と、前記書類のドキュメントデータを第２の記憶手段に記憶する記憶工程と、
前記第１の記憶手段に記憶された送受信記録から、出願番号を取得する取得工程と、
前記出願番号をキーとして、出願番号と出願人名との対応を示すデータベースを参照することにより、前記第２の記憶手段に記憶された、前記出願番号に係る書類のドキュメントデータを抽出する抽出工程とを有することを特徴とする情報処理方法。
【請求項７】  情報を通信することにより、ドキュメントデータを処理するための情報処理方法を実現するためのプログラムを記憶したプログラム記憶媒体であって、
特許庁との間での書類の送受信記録を第１の記憶手段に格納する格納工程を実現するコードと、
前記書類のドキュメントデータを第２の記憶手段に記憶する記憶工程を実現するコードと、
前記第１の記憶手段に記憶された送受信記録から、出願番号を取得する取得工程を実現するコードと、
前記出願番号をキーとして、出願番号と出願人名との対応を示すデータベースを参照することにより、前記第２の記憶手段に記憶された、前記出願番号に係る書類のドキュメントデータを抽出する抽出工程を実現するコードとを有することを特徴とするプログラム記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本願の情報処理装置は、特許庁との間での書類の送受信記録を格納する第１の記憶手段と、前記書類のドキュメントデータを記憶する第２の記憶手段と、前記第１の記憶手段に記憶された送受信記録から、出願番号を取得する取得手段と、出願番号と出願人名との対応を示すデータベースと、前記取得手段により取得された出願番号をキーとして前記データベースを参照することにより、前記第２の記憶手段に記憶された、前記出願番号に係る書類のドキュメントデータを抽出する抽出手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月11日(2007.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  情報を一覧表示する方法であって、ユーザの操作により項目をキーとして表示の並べ替えが行われた場合において、該並べ替えのキー項目の内容が、並べ替えと同じ評価方法を用いて共通と判定された情報について同じ設定で表示することを特徴とする一覧表示方法。
【請求項２】  情報を一覧表示する方法であって、ユーザの操作により項目をキーとして表示の並べ替えが行われ、且つ、ユーザによって特定の情報が選択された場合に、前記並べ替えのキー項目の内容が、並べ替えと同じ評価方法を用いて共通と判定された情報について同じ設定で表示することを特徴とする一覧表示方法。
【請求項３】  情報を一覧表示する方法であって、ユーザの操作により項目をキーとして表示の並べ替え表示され、且つ、ユーザによって特定の情報が選択された場合に、該選択されている情報と前記並べ替えのキー項目の内容が、並べ替えと同じ評価方法を用いて共通と判定された情報だけを識別して表示することを特徴とする一覧表示方法。
【請求項４】  前記並べ替えに連動した識別表示を行う場合で、どの項目についての並べ替えを対象とするかを、ユーザがあらかじめ記憶させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示方法。
【請求項５】  前記並び替えのキー項目の内容が、同一の情報が設定された範囲の個数の場合に、並べ替えによるグループ識別表示を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示方法。
【請求項６】  請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表示方法を実現する表示手段を備えたことを特徴とする情報処理装置。
【請求項７】  請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表示方法を、コンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月15日(2007.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイに表示される編集対象オブジェクトの属性を変更するオブジェクト属性変更処理装置であり、
ディスプレイに表示された処理対象である編集対象オブジェクトに関連づけられたオブジェクト領域と、前記ディスプレイおいて定義される属性変更定義領域との重なりの有無を判定し、該重なり判定に基づいて、前記編集対象オブジェクトの属性変更モードへの切り換え処理を実行する制御手段、
を有することを特徴とするオブジェクト属性変更処理装置。
【請求項２】
ディスプレイに表示される編集対象オブジェクトの属性を変更するオブジェクト属性変更処理方法であり、
ディスプレイに表示された処理対象である編集対象オブジェクトに関連づけられたオブジェクト領域と、前記ディスプレイおいて定義される属性変更定義領域との重なりの有無を判定する重なり判定ステップと、
前記重なり判定に基づいて、前記編集対象オブジェクトの属性変更モードへの切り換え処理を実行するモード切り換えステップと、
を有することを特徴とするオブジェクト属性変更処理方法。
【請求項３】
ディスプレイに表示される編集対象オブジェクトとしての３次元モデルの属性を変更する３次元モデル処理装置であり、
ディスプレイに表示された処理対象である３次元モデルに関連づけられたオブジェクト領域と、前記ディスプレイおいて定義される属性変更定義領域との重なりの有無を判定し、該重なり判定に基づいて、前記３次元モデルの属性変更モードへの切り換え処理を実行する制御手段、
を有することを特徴とする３次元モデル処理装置。
【請求項４】
ディスプレイに表示される編集対象オブジェクトとしての３次元モデルの属性を変更する３次元モデル処理方法であり、
ディスプレイに表示された処理対象である３次元モデルに関連づけられたオブジェクト領域と、前記ディスプレイおいて定義される属性変更定義領域との重なりの有無を判定する重なり判定ステップと、
前記重なり判定に基づいて、前記３次元モデルの属性変更モードへの切り換え処理を実行するモード切り換えステップと、
を有することを特徴とする３次元モデル処理方法。
【請求項５】
ディスプレイに表示される編集対象オブジェクトの属性を変更するオブジェクト属性変更処理をコンピュータ・システム上で実行せしめるコンピュータ・プログラムを提供するプログラム提供媒体であって、前記コンピュータ・プログラムは、
ディスプレイに表示された処理対象である編集対象オブジェクトに関連づけられたオブジェクト領域と、前記ディスプレイおいて定義される属性変更定義領域との重なりの有無を判定する重なり判定ステップと、
前記重なり判定に基づいて、前記編集対象オブジェクトの属性変更モードへの切り換え処理を実行するモード切り換えステップと、
を有することを特徴とするプログラム提供媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月14日(2007.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  並列アクセス可能な複数のメモリバンクを有するメモリシステムにおいて、
パーシャルストア第１リクエストでストア先アドレスのデータをメモリバンクからフェッチしてストアデータとマージし、前記パーシャルストア第１リクエスト処理後、パーシャルストア第２リクエストでマージデータを当該メモリバンクにストアするパーシャルストア処理方法であって、
パーシャルストア第１リクエスト処理のマージデータとパーシャルストア第２リクエストとを、メモリバンク毎に保持し、
パーシャルストア第１ストアリクエスト処理後、他のメモリバンクでの後続の他のリクスト処理と並行に、ビジーでないメモリバンクが保持するパーシャルストア第２リクエストを処理することを特徴とするパーシャルストア処理方法。
【請求項２】  並列アクセス可能な複数のメモリバンクを有するメモリシステムにおいて、
パーシャルストア第１リクエストによりメモリバンクからフェッチしたデータとストアデータとをマージしたデータ（マージデータ）を格納するパーシャルストアマージデータキューと、マージデータを当該メモリバンクにストアするパーシャルストア第２リクエストを格納するパーシャルストア第２リクエストキューと、メモリバンクがビジーか否かを判定する論理部とを、各メモリバンク毎に設け、
パーシャルストア第１ストアリクエスト処理後、他のメモリバンクでの後続の他のリクスト処理と並行に、ビジーでないメモリバンクが保持するパーシャルストア第２リクエストを処理可能としたことを特徴とするメモリシステム。
【請求項３】  請求項２記載のメモリシステムを実装する大規模集積回路であって、各メモリバンク毎に設ける各パーシャルストアマージデータキューを、各々、対応するメモリバンクの近傍に配置してなる大規模集積回路。
【請求項４】  並列アクセス可能な複数のメモリバンクを有するメモリシステムにおいて、
メモリリクエストを格納する少なくとも２つのリクエストキューと、各メモリバンクがビジーか否かを判定する手段と、あるリクエストキューから切り出された第１のメモリリクエスト処理と並行に、ビジーでないメモリバンクに対する第２のメモリリクエストを他のリクエストキューから切り出して処理をする手段とを備えたことを特徴とするメモリシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月8日(2007.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第一国への特許出願に関連する技術文献を表示する情報処理装置であって、
前記第一国への特許出願に対応する第二国への特許出願に関連する、技術文献及び該技術文献の文献番号を入力する入力手段と、
前記入力手段で入力された技術文献を、前記文献番号に基づいて読出し可能に、蓄積する蓄積手段と、
前記第一国への特許出願の参照番号としてのケース番号と、前記第二国への特許出願に関連する技術文献の文献番号と、及び前記第二国に関する情報と、を共通の画面に表示する表示制御手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】  前記表示制御手段は、前記第二国への特許出願に関連する技術文献について、先行技術開示手続を行ったか否かを示すフラッグを表示させることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】  前記表示制御手段は、前記第二国への特許出願に関連する技術文献について、拒絶理由との関係を示す記載を表示させることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】  前記表示制御手段は、前記第二国への特許出願に関連する技術文献について、前記第二国への特許出願に関連する技術文献の文献番号が引用された出願の一覧を表示させることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項５】  前記蓄積手段には、ネットワークを介して第二国への特許出願に関連する技術文献及び該技術文献の文献番号が入力されことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項６】  蓄積手段にネットワークを介して接続される複数のクライアントコンピュータが存在し、各クライアントコンピュータに対する情報の流出の度合いは複数段階に制限されることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項７】  前記第一国への特許出願の内容と、前記第二国への特許出願の内容が等価であることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項８】  コンピュータを、第一国への特許出願に関連する技術文献を表示する情報処理装置として機能させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記第一国への特許出願に対応する第二国への特許出願に関連する、技術文献及び該技術文献の文献番号を入力する入力手段と、
前記入力手段で入力された技術文献を、前記文献番号に基づいて読出し可能に、蓄積する蓄積手段と、
前記第一国への特許出願の参照番号としてのケース番号と、前記第二国への特許出願に関連する技術文献の文献番号と、及び前記第二国に関する情報と、を共通の画面に表示する表示制御手段と、
として機能させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項９】  コンピュータを、第一国への特許出願に関連する技術文献を表示する情報処理方法であって、
入力手段が、前記第一国への特許出願に対応する第二国への特許出願に関連する、技術文献及び該技術文献の文献番号を入力する入力工程と、
蓄積手段が、前記入力手段で入力された技術文献を、前記文献番号に基づいて読出し可能に、蓄積する蓄積工程と、
表示制御手段が、前記第一国への特許出願の参照番号としてのケース番号と、前記第二国への特許出願に関連する技術文献の文献番号と、及び前記第二国に関する情報と、を共通の画面に表示する表示制御工程と、
を備えることを特徴とする情報処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月15日(2007.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
紙又は不織布からなる基材と、この基材に塗布又は含浸させた酸化亜鉛粒子及び／又は酸化チタン粒子を分散含有する親水性バインダーとからなる導電性膜。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月30日(2007.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
捕捉するイオンを受け入れる入口開口部と、複数回の振動を受けるようにイオンが注入される静電場を生成する一組の静電捕捉電極と、を有する静電捕捉部にイオンを注入する方法であって、
前記静電捕捉部の前記入口開口部付近にイオン注入電場を発生させるステップと、
前記入口開口部に向けてポテンシャルの谷を有するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記イオン注入電場の前記ポテンシャルの谷の側面の勾配を徐々に増大させ、前記入口開口部付近のイオンを前記ポテンシャルの谷に収束させるステップをさらに含む方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法であって、
イオン注入電場を発生させる前記ステップが、前記静電捕捉電極から離れた一組の注入電極に注入電圧を印加するステップを含む方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、
注入電圧を前記一組の注入電極に印加する前記ステップは、前記注入電場を生成する第１注入電圧を印加するステップと、前記ポテンシャルの谷の側面の勾配を増大させるように、続いて第２の増加する注入電圧を印加するステップとを含む方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、
注入電圧を印加する前記ステップがさらに、前記第２の増加する注入電圧を印加するステップに続いて、前記静電捕捉部の外側にあるイオンが失われるように前記イオン注入電圧を調整するさらなるステップを含む方法。
【請求項６】
イオンを静電捕捉部に注入するイオン注入装置であって、
前記静電捕捉部は、イオンを前記捕捉部に受け入れる入口開口部と、複数回の振動を受けるようにイオンが注入される静電場を生成する一組の静電捕捉電極とを有し、
前記イオン注入装置は、さらに、前記入口開口部付近に注入電場を生成するように構成された注入電場生成手段を有し、
前記注入電場は、イオンを前記注入電場に進入させ、ポテンシャルの谷の内部にあるらせん状の軌道をたどらせ、前記静電捕捉部に注入させるように、前記入口開口部に向けてポテンシャルの谷を有する、イオン注入装置。
【請求項７】
請求項６に記載のイオン注入装置であって、
前記注入電場生成手段は、注入電圧を一組の注入電極に供給する電圧供給手段を含む、イオン注入装置。
【請求項８】
請求項７に記載のイオン注入装置であって、
前記電圧供給手段は、前記イオン注入電場を生成する第１注入電圧を供給し、続いて、前期ポテンシャルの谷の側面の勾配を徐々に増加させ、且つ結果的にイオンを前記静電捕捉部の前記入口開口部の方へ収束するように、第２の増加する注入電圧を供給するように構成されたイオン注入装置。
【請求項９】
請求項７または８に記載のイオン注入装置であって、
前記一組の注入電極は、第１および第２の同心の円筒形電極を有し、使用時にはそれらの電極の間で前記イオン注入電場が生成される、イオン注入装置。
【請求項１０】
請求項９に記載のイオン注入装置であって、
前記第１および第２の同心の円筒形電極のうちのどちらか一方の壁は、前記ポテンシャルの谷の形成を助ける手段を含む、イオン注入装置。
【請求項１１】
静電捕捉部を含む質量分析計であって、
前記捕捉部にイオンを受け入れる入口開口部と、
複数回の振動を受けるようにイオンが注入される静電場を生成する一組の静電捕捉電極と、
請求項６から１０のいずれかに記載のイオン注入装置と、
を有する質量分析計。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】イオンを注入する方法、イオン注入装置、質量分析計
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月10日(2007.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のワード線と、それぞれのワード線に複数のメモリセルが接続される不揮発性メモリであって、消去動作にあっては選択されたワード線に接続される全てのメモリセルのしきい値電圧が消去状態に遷移するように、前記選択されたワード線に接続される全てのメモリセルに所定の電圧が印加する制御がされ、
書き込み動作にあっては、書き込み動作の前において選択されたワード線に接続される複数のメモリセルのうち一部のメモリセルについてはデータが書き込まれており、残りのメモリセルについては消去状態とされ、
当該残りのメモリセルに書き込まれるべきデータを外部から入力される段階と、
前記選択されたワード線に接続される複数のメモリセルの全てに、消去動作において選択されたワード線に接続されるメモリセルに印加される電圧を印加する段階と、
前記残りのメモリセルに書き込まれるべきデータを当該残りのメモリセルに書き込むと共に、前記一部のメモリセルについては書き込み動作の前において書き込まれているデータを維持させる不揮発性メモリの書き込み方法。
【請求項２】
前記一部のメモリセルには、前記書き込み動作の前において管理情報が書き込まれており、前記書き込み動作の後においても当該管理情報が書き込まれている請求項１の不揮発性メモリの書き込み方法。
【請求項３】
前記書込動作において外部から入力されるデータは５１２バイトのデータ量を有し、１のワード線に接続される前記複数のメモリセルは５１２バイト以上のデータを書き込むことができる数である請求項１又は２の不揮発性メモリの書き込み方法。
【請求項４】
前記書込動作において、前記選択されたワード線に接続されるメモリセルの全てに前記消去動作においてメモリセルに印加される電圧を印加する時間は、前記消去動作においてメモリセルに電圧を印加する時間よりも短い時間である請求項１の不揮発性メモリの書き込み方法。
【請求項５】
前記書込動作において、前記選択されたワード線に接続されるメモリセルの全てに前記消去動作においてメモリセルに電圧を印加する時間よりも短い時間だけ前記消去動作においてメモリセルに印加される電圧を印加することにより、前記書込動作の前において書き込み状態にあるメモリセルのしきい値電圧は書き込み状態と消去状態との間の電圧状態に遷移される請求項４の不揮発性メモリの書き込み方法。
【請求項６】
前記書込動作において、前記選択されたワード線に接続されるメモリセルの全てに前記消去動作においてメモリセルに印加される電圧を印加することにより、前記書込動作の前において書き込み状態にあるメモリセルのしきい値電圧は書き込み状態と消去状態との間の電圧状態とされる請求項１の不揮発性メモリの書き込み方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月19日(2007.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部のプロセスを制御しているプロセス制御器から採取される複数の選択信号から選択された一対の信号間の関係を表す閉ループ上で互いに反対の位置にある複数対のポイントを表すべく、制御中にデータを採取する方法であって、
前記制御中に、実質的に同時に収集される前記選択信号の強度値の一連の集合を採取することと、
前記一連の集合から選択された集合を格納することと、
前記一連の集合から第一の格納された集合と第二の格納された集合とを選択することとを含んでおり、
前記第一の格納された集合が前記選択された一対の信号に対応する一対の要素を有し、該一対の要素のうちの第一の要素の強度値が所定の参照値に実質的に等しくされており、
前記第二の格納された集合が前記選択された一対の信号に対応する他の一対の要素を有し、該一対の要素のうちの第一の要素が前記第一の格納された集合の前記第一の要素に対応し、この第二の格納された集合は、前記一連の集合のうちの前記第一の格納された集合のあとの格納された集合であり、かつ、前記所定の参照値と実質的に等しい強度値である前記第一の要素を有する最後の格納された集合であり、
前記選択信号の各々の値によって前記各集合の要素が形成され、
前記第一の格納された集合および前記第二の格納された集合の各々に対応する前記一対の要素が、前記一対のポイントを規定する、データ採取方法。
【請求項２】
前記第一の格納された集合および前記第二の格納された集合における前記一対の要素の各々が第二の要素を有しており、該第二の要素の強度間の強度差を求めることをさらに含んでなる、請求項１記載のデータ採取方法。
【請求項３】
前記強度差が所定のしきい値を上回るとき、警報信号を発生する、請求項１記載のデータ採取方法。
【請求項４】
少なくとも一部のプロセスを制御しているプロセス制御器から採取される複数の選択信号から選択された一対の信号間の関係を表す閉ループ上で互いに反対の位置にある複数対のポイントを表すべく、制御中にデータを採取する採取システムであって、
前記制御中に、実質的に同時に収集される前記選択信号の強度値の一連の集合を採取するための採取手段と、
前記一連の集合から選択された集合を格納するための格納手段と、
前記一連の集合から第一の格納された集合と第二の格納された集合とを選択するための選択手段とを備えており、
前記第一の格納された集合が前記選択された一対の信号に対応する一対の要素を有し、該一対の要素のうちの第一の要素の強度値が所定の参照値に実質的に等しくされており、
前記第二の格納された集合が前記選択された一対の信号に対応する他の一対の要素を有し、該一対の要素のうちの第一の要素が前記第一の格納された集合の前記第一の要素に対応し、この第二の格納された集合は、前記一連の集合のうちの前記第一の格納された集合のあとの格納された集合であり、かつ、前記所定の参照値と実質的に等しい強度値である前記第一の要素を有する最後の格納された集合であり、
前記選択信号の各々の値によって前記各集合の要素が形成され、
前記第一の格納された集合および前記第二の格納された集合の各々に対応する前記一対の要素が、前記一対のポイントを規定するように構成されている、データ採取システム。
【請求項５】
前記第一の格納された集合および前記第二の格納された集合における前記一対の要素の各々が第二の要素を有しており、該第二の要素の強度間の強度差を求めることをさらに含んでなる、請求項４記載のデータ採取システム。
【請求項６】
前記強度差が所定のしきい値を上回るとき、警報信号を発生するように構成されている、請求項４記載のデータ採取システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】データの採取方法およびデータの採取システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、材料(MATERIAL)プロセスを制御するための装置からのデータの採取方法、さらに詳しくは、上記プロセスの制御における通常運転中の上記装置からのデータ採取方法およびデータの採取システムに関する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月11日(2006.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サファイヤの基板を準備する工程と、
約１０００℃と約１１８０℃の間の温度で、有機金属化学気相成長法により約５００オングストロームと約５０００オングストロームの間の厚さを有するＡｌ1-xＧａxＮ（０≦ｘ＜１）の第１層を前記基板上に直接成長させる工程と（当該第１層を成長させる工程は、前記基板に隣接する前記第１層の第１部分を、ＩＩＩ族前駆体に対するＶ族前駆体の比率が第１の比率になるように成長させる工程を含んでいる）、
前記第１層の第２部分を成長させながらＩＩＩ族前駆体に対するＶ族前駆体の比率を前記第１の比率から第２の比率まで増加させる工程と、
前記第１層の上にＩＩＩ族窒化物の第２層を成長させる工程と、
を含む、発光デバイスを形成する方法。
【請求項２】
前記第１層を約１０６０℃と約１１６０℃の間の温度で成長させる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１層がＡｌＮである請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１層が約１０００オングストロームと約３０００オングストロームの間の厚さを有する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ｘが０≦ｘ≦０．５である請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２層を前記第１層と同じ温度で成長させる請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第２層を前記第１層よりも低い温度で成長させる請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２層がＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、及びＡｌＩｎＧａＮのうちの１つである請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第２層をドープする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２層が約５００オングストロームと約２ミクロンとの間の厚さを有する請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月11日(2006.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非周期特性を有するテクスチャ加工半導体層と、
該テクスチャ加工層の上に重なり、かつ非直接的にこれと接する少なくとも１つのIII族窒化物層と、
実質的に平面の発光領域とを有し、
前記テクスチャ加工層の屈折率が前記少なくとも1つのIII族窒化物層の屈折率よりもの小さいことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記テクスチャ加工層は、前記発光領域の上に重なっていることを特徴とする請求項１に記載の素子。
【請求項３】
前記テクスチャ加工層は、光学的に透明であることを特徴とする請求項１に記載の素子。
【請求項４】
前記テクスチャ加工層は、ＡｌＧａＮであることを特徴とする請求項１に記載の素子。
【請求項５】
前記テクスチャ加工層は、約５０％から約１００％のＡｌ組成を有するＡｌＧａＮであることを特徴とする請求項１に記載の素子。
【請求項６】
前記テクスチャ加工層は、ＡｌＮであることを特徴とする請求項１に記載の素子。
【請求項７】
前記テクスチャ加工層の上に重なる共形層を更に含み、
該共形層は、下に重なる該テクスチャ加工層と実質的に共形である、
ことを特徴とする請求項１に記載の素子。
【請求項８】
前記テクスチャ加工層は、λnを該テクスチャ加工層の前記発光領域によって放射された光の波長とすると、約λn／４に等しいか又はそれ以上の寸法を有する三次元形態を含むことを特徴とする請求項１に記載の素子。
【請求項９】
前記テクスチャ加工層の上に重なる前記少なくとも１つのＩＩＩ族窒化物層は、該テクスチャ加工層に隣接する平坦でない表面、及び該テクスチャ加工層の反対側の平面を含むことを特徴とする請求項１に記載の素子。
【請求項１０】
前記テクスチャ加工半導体層は複数の谷によって分離された複数の丘を備えた断面を有することを特徴とする請求項１に記載の素子。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月24日(2006.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷蓄積領域として半導体基板上に設けられた第１のパターンと、
前記第１のパターンと前記第１のパターンに隣接する複数のパターンの一つとを分離するための前記半導体基板上に設けられた第２のパターンと、
前記第１のパターンと前記第１のパターンに隣接する複数のパターンの他の一つとを分離するための前記半導体基板上に設けられた第３のパターンとを有し、
前記第１のパターンは、前記第２のパターンの側面と前記第３のパターンの側面とを覆うように形成され、
前記第１のパターンの一端が前記第２のパターンの上面に配置され、
前記第１のパターンの他に一端が前記第３のパターンの上面に配置され、
前記第１のパターンは、前記第２のパターンと前記第３のパターンとの隙間領域に配置され、凹み形状を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
前記第２のパターンの隙間領域内の側壁の面積をＡとし、前記第２のパターンの隙間領域の底面の面積をＢとし、前記第２のパターンの上面の平端部の面積をＣとし、前記第２のパターンの上部の側壁の面積をＤとするとき、
前記第１のパターンの上面の面積は、Ａ＞Ｂ＋Ｃ＋Ｄであることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
前記半導体基板の一主表面上に配置されたソース領域およびドレイン領域と、
前記ソース領域およびドレイン領域の間に形成されたチャネル領域と、を有し、
前記第１のパターンは、第１のゲート絶縁膜を介して前記ドレイン領域側のチャネル領域上に形成され、
前記第２のパターンは、第２のゲート絶縁膜を介して前記ソース領域側のチャネル領域上に形成され、
前記第２のパターンの側面は、第１の絶縁膜で覆われ、
前記第２のパターンは、ゲート部および前記ゲート部の上面を覆う第２の絶縁膜を有することを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
前記ゲート部は、前記第２のゲート絶縁膜を介して前記ソース領域側のチャネル領域を制御することを特徴とする請求項３に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
前記ゲート部は、消去ゲートの機能を有することを特徴とする請求項４に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
前記第２のゲート絶縁膜は、前記半導体基板上に形成された周辺回路の低電圧部を構成するＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜と同一であることを特徴とする請求項３に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
前記ゲート部の構成材料及びその膜厚は、前記半導体基板上に形成された周辺回路を構成するＭＯＳトランジスタのゲートと同一であることを特徴とする請求項３に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】
半導体基板の一主面側に形成されたソース領域およびドレイン領域と、
前記ソース領域と前記ドレイン領域間に形成されたチャネル領域と、
前記ドレイン側のチャネル領域上に第１ゲート絶縁膜を介して設けられた第１のゲートと、
前記ソース側のチャネル領域上には第２ゲート絶縁膜を介して設けられた第２のゲートと、
前記第１のゲート上に形成された第３絶縁膜を介して設けられた第３のゲートと、
前記第３のゲートを電気的に接続したワード線と、
前記ワード線上に形成されたコンタクト孔と、
前記コンタクト孔を介して前記ワード線に接続された金属配線とを備え、
前記コンタクト孔が、前記第２のゲートを形成する膜と同一の材料および膜厚を有する部材上に載置されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項９】
前記部材は、ポリシリコン膜であることを特徴とする請求項８に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記第２のゲートの側面は、前記第１の絶縁膜で覆われ、さらに前記第２のゲートの上面は、前記第２の絶縁膜で構成されていることを特徴とする請求項８に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１１】
半導体基板の一主面側に形成された第１導電型のウェルと、
前記第１導電型のウェルに形成されたソース領域およびドレイン領域と、
前記ソース領域と前記ドレイン領域間に形成されたチャネル領域と、
前記ドレイン側のチャネル領域上に第１ゲート絶縁膜を介して設けられた第１のゲートと、
前記ソース側のチャネル領域上には第２ゲート絶縁膜を介して設けられた第２のゲートと、
前記第１のゲート上に形成された第３絶縁膜を介して設けられた第３のゲートとを備え、
複数の前記第２のゲートを結束する結束領域が、第２導電型を有する不純物拡散層が選択的に形成された前記半導体基板の領域上に設けられ、
前記第２導電型を有する前記不純物拡散層が前記ソース領域と、前記ドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域とを選択する選択トランジスタの拡散層領域と、に接続されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１２】
前記第２のゲートの側面は、前記第１の絶縁膜で覆われ、さらに前記第２のゲートの上面は、前記第２の絶縁膜で構成されていることを特徴とする請求項１１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月6日(2006.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチを組み立てる方法であって、
基板上に液体スイッチング素子を堆積する段階と、
前記基板に隣接してチャネルプレートを配置する段階と、
前記チャネルプレートを前記基板に向かって移動させる段階と、を有し、
前記液体スイッチング素子の一部は、前記チャネルプレート内の主チャネルから前記チャネルプレート内の廃棄チャンバ内に分離されることを特徴とするスイッチの組立方法。
【請求項２】
前記液体スイッチング素子が均衡するように休止する段階を更に有することを特徴とする請求項１に記載のスイッチの組立方法。
【請求項３】
前記主チャネルに対して前記廃棄チャンバを密封する段階を更に有することを特徴とする請求項１に記載のスイッチの組立方法。
【請求項４】
前記チャネルプレートが前記基板に向かって移動した際に、前記液体スイッチング素子は、前記基板上の接触パッドと前記チャネルプレート上の封止ベルトを濡らすことを特徴とする請求項１に記載のスイッチの組立方法。
【請求項５】
前記チャネルプレートが前記基板に向かって移動した際に、前記液体スイッチング素子は、前記主チャネルと前記廃棄チャンバ間に延長する前記チャネルプレート上の封止ベルトを濡らすことを特徴とする請求項１に記載のスイッチの組立方法。
【請求項６】
内部に形成された主チャネルと少なくとも１つの廃棄チャンバを備えるチャネルプレートと、
少なくとも１つの接触パッドを備える基板と、
前記少なくとも１つの接触パッド上に堆積された液体スイッチング素子と、を有し、
前記チャネルプレートを前記基板に組み立てた際に、前記液体スイッチング素子の一部が前記主チャネルから前記少なくとも１つの廃棄チャンバ内に分離されることを特徴とするスイッチ。
【請求項７】
前記チャネルプレート上に少なくとも１つの障壁を更に有し、前記少なくとも１つの障壁は、前記液体スイッチング素子を前記少なくとも１つの廃棄チャンバと前記主チャネル間で分離することを特徴とする請求項６に記載のスイッチ。
【請求項８】
前記チャネルプレートの前記主チャネル内に少なくとも１つの封止ベルトを更に有し、前記液体スイッチング素子は、前記少なくとも１つの封止ベルトを濡らすことを特徴とする請求項６に記載のスイッチ。
【請求項９】
前記少なくとも１つの封止ベルトは、前記主チャネルと前記少なくとも１つの廃棄チャンバ間に延長することを特徴とする請求項８に記載のスイッチ。
【請求項１０】
第１封止ベルトが前記主チャネルの内部にすべて配置されており、第２封止ベルトが前記主チャネルと前記少なくとも１つの廃棄チャンバ間に延長していることを特徴とする請求項８に記載のスイッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月6日(2006.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチを組み立てる方法であって、
基板上に液体スイッチング素子を堆積する段階と、
前記基板に隣接してチャネルプレートを配置する段階と、
前記チャネルプレートを前記基板に向かって移動させる段階と、を有し、
前記液体スイッチング素子の余剰部分が前記チャネルプレート内の主チャネルから、前記主チャネルに流体的に接続されている貯槽内に流入することを特徴とするスイッチの組立方法。
【請求項２】
前記液体スイッチング素子は、前記基板上の隣接する接触パッド間の少なくとも１つのブリッジにおいて溶解することを特徴とする請求項１に記載のスイッチの組立方法。
【請求項３】
前記液体スイッチング素子は、前記チャネルプレート上の隣接する封止ベルト間の少なくとも１つのブリッジにおいて溶解することを特徴とする請求項１に記載のスイッチの組立方法。
【請求項４】
前記液体スイッチング素子が均衡するように休止する段階を更に有する請求項１に記載のスイッチの組立方法。
【請求項５】
前記チャネルプレートが前記基板に向かって移動した際に、前記液体スイッチング素子が前記基板上の少なくとも１つの接触パッドと前記チャネルプレート上の少なくとも１つの封止ベルトを濡らすことを特徴とする請求項１に記載のスイッチの組立方法。
【請求項６】
内部に形成された主チャネルと、前記主チャネルに流体的に接続された少なくとも１つの貯槽と、を備えるチャネルプレートと、
少なくとも１つの接触パッドを備える基板と、
前記少なくとも１つの接触パッド上に堆積された液体スイッチング素子と、を有し、
前記チャネルプレートを前記基板に組み立てる際に、前記液体スイッチング素子の一部が前記主チャネルから前記少なくとも１つの貯槽内に流入することを特徴とするスイッチ。
【請求項７】
前記少なくとも１つの貯槽は、前記主チャネルから外に向かって先太になっていることを特徴とする請求項６に記載のスイッチ。
【請求項８】
前記基板上の隣接する接触パッド間に延長するブリッジを更に有し、前記ブリッジは、前記隣接する接触パッド間の前記液体スイッチング素子を受け入れることを特徴とする請求項６に記載のスイッチ。
【請求項９】
前記ブリッジは溶解可能である請求項８記載のスイッチ。
【請求項１０】
前記チャネルプレート上の複数の封止ベルトと、
前記チャネルプレート上の少なくとも２つの隣接する封止ベルト間に延長するブリッジと、を更に有し、
前記液体スイッチング素子は前記複数の封止ベルト及び前記ブリッジを濡らすことを特徴とする請求項６に記載のスイッチ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
（実施態様６）
スイッチ（１００）であって、
内部に形成された主チャネル（１２０）と、前記主チャネルに流体的に接続された少なくとも１つの貯槽（２１０、２１２）と、を備えるチャネルプレート（１１０）と、
少なくとも１つの接触パッド（１６０、１６２、１６４）を備える基板（１５０）と、
前記少なくとも１つの接触パッド上に形成された液体スイッチング素子（１８０）と、を有し、
前記チャネルプレートを前記基板に組み立てる際に、前記液体スイッチング素子の一部が前記主チャネルから前記少なくとも１つの貯槽内に流入することを特徴とするスイッチ（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月6日(2006.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体ベースのスイッチ用のチャネルプレートであって、
（ａ）セラミックグリーンシートで複数のチャネルプレート層を形成する段階と、
（ｂ）前記チャネルプレート層の少なくとも１つの中に少なくとも１つのチャネルプレート特徴を形成する段階と、
（ｃ）前記チャネルプレート層を張り合わせて前記チャネルプレートを形成する段階と、によって製造されることを特徴とするチャネルプレート。
【請求項２】
前記チャネルプレート層を張り合わせる段階の前に、前記チャネルプレート特徴の少なくとも１つがチャネルプレート層から打ち抜かれることを特徴とする請求項１に記載のチャネルプレート。
【請求項３】
前記チャネルプレート層を張り合わせる段階の前に、前記チャネルプレート特徴の少なくとも１つがチャネルプレート層内にレーザー切削で形成されることを特徴とする請求項１に記載のチャネルプレート。
【請求項４】
大きなチャネルプレート特徴は、１つ又は複数の前記チャネルプレート層から打ち抜かれ、小さなチャネルプレート特徴は、１つ又は複数の前記チャネルプレート層内にレーザー切削されて形成されることを特徴とする請求項１に記載のチャネルプレート。
【請求項５】
前記大きなチャネルプレート特徴は、約２００ミクロン以上の幅によって定義され、前記小さなチャネルプレート特徴は、約２００ミクロン以下の幅によって定義されることを特徴とする請求項４に記載のチャネルプレート。
【請求項６】
前記チャネルプレート特徴は、スイッチング流体チャネル、作動流体チャネル、及び前記スイッチング及び作動流体チャネルを接続するチャネルを有することを特徴とする請求項１に記載のチャネルプレート。
【請求項７】
前記スイッチング及び作動流体チャネルは、１つ又は複数の前記チャネルプレート層から打ち抜かれて形成され、前記スイッチング及び作動流体チャネルを接続する前記チャネルは、１つ又は複数の前記チャネルプレート層内にレーザー切削されて形成されることを特徴とする請求項６に記載のチャネルプレート。
【請求項８】
（ａ）基部として機能する第１のチャネルプレート層が第２のチャネルプレート層に張り合わされ、前記第２のチャネルプレートは、内部に形成されたスイッチング流体チャネルを有しており、
（ｂ）前記第２のチャネルプレート層は、第３のチャネルプレート層に張り合わされ、前記第３のチャネルプレート層は、内部に形成されたスイッチング流体チャネル、作動流体チャネル、及び前記スイッチング及び前記作動流体チャネルを接続するチャネルを有している
ことを特徴とする請求項１に記載のチャネルプレート。
【請求項９】
（ａ）複数の空洞の少なくとも一部を定義するセラミックチャネルプレートであって、前記複数の空洞の第１の空洞が前記セラミックチャネルプレート内に形成された第１チャネルによって定義されているセラミックチャネルプレートと、
（ｂ）１つ又は複数の前記空洞内に保持されたスイッチング流体であって、前記スイッチング流体に印加される力に応答し、少なくとも第１及び第２のスイッチ状態間で移動可能なスイッチング流体と、
を有することを特徴とするスイッチ。
【請求項１０】
前記セラミックチャネルプレートは、複数のチャネルプレート層を張り合わせて有する請求項９に記載のスイッチ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】チャネルプレート及びスイッチ
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月6日(2006.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチにおける液体スイッチング素子の容積を調節する方法であって、
基板上に前記液体スイッチング素子を堆積する段階と、
前記基板に向かって板状部材を移動させ、前記液体スイッチング素子の余剰部分を前記板状部材内の少なくとも１つの収集チャンバ内に移動させる段階と、
前記板状部材を前記液体スイッチング素子の余剰部分と共に前記基板から除去する段階と、を有することを特徴とする容積調節方法。
【請求項２】
前記液体スイッチング素子は、前記少なくとも１つの収集チャンバを濡らすことを特徴とする請求項１に記載の容積調節方法。
【請求項３】
前記板状部材上の移動タブを前記基板上の液体スイッチング素子の別個の容積間に配置する段階を更に有することを特徴とする請求項１に記載の容積調節方法。
【請求項４】
スイッチ用の容積調節装置であって、前記スイッチ内の主チャネル上に適合するサイズであり、前記スイッチの前記主チャネルから液体スイッチング素子の余剰部分を移動させる板状部材と、前記板状部材内に形成され、前記スイッチの前記主チャネルと少なくとも部分的に重畳し、前記移動した余剰の液体スイッチング素子を受け入れる少なくとも１つの収集チャンバと、を具備することを特徴とする容積調節装置。
【請求項５】
前記液体スイッチング素子は、前記少なくとも１つの収集チャンバを濡らすことを特徴とする請求項４に記載の容積調節装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの収集チャンバは、略楕円形の形状を備えることを特徴とする請求項４に記載の容積調節装置。
【請求項７】
前記板状部材上に前記少なくとも１つの収集チャンバに隣接して整列された移動タブを更に有する請求項４に記載の容積調節装置。
【請求項８】
前記液体スイッチング素子は、前記移動タブを濡らすことを特徴とする請求項７に記載の容積調節装置。
【請求項９】
前記板状部材が前記スイッチに接触した際に、前記移動タブが前記スイッチの前記主チャネル内に少なくとも部分的に延長していることを特徴とする請求項７に記載の容積調節装置。
【請求項１０】
前記移動タブは、前記スイッチの前記主チャネル内の液体スイッチング素子の別個の容積間に整列されることを特徴とする請求項７に記載の容積調節装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月8日(2006.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
個々の燃料電池は低電圧の電力、通常は電池ごとに約１ボルトを発生する。従って、通常、有用な電圧の電力を発生するために、電池は燃料電池スタックとして電気的に直列に組み立てられる。燃料電池スタックを製造するときには、隣接する燃料電池を電気的に直列に互いに接続するために、配線部材が使用される。多くの場合、この配線部材は燃料電池スタックを通って流れる反応物を分離する機能も果たす。一体に結合できる燃料電池の数及び／又は燃料電池スタックの動作効率が配線部材により悪影響を受けることがある。例えば、少なくともいくつかの周知の燃料電池配線部材は、燃料電池が約摂氏６００℃から１０００℃のような高い温度で動作されたときに、燃料電池を流れる反応物の分離を適切に維持できないであろう。
【特許文献１】米国特許 ６４７９１７８号明細書
【特許文献２】米国特許 ６４９２０５３号明細書
【特許文献３】米国特許 ６４８９０５０号明細書
【特許文献４】米国特許 ６４８８７３９号明細書
【特許文献５】米国特許 ６４６８６８２号明細書
【特許文献６】米国特許 ６３８７５５６号明細書
【特許文献７】米国特許 ６３４４２９０号明細書
【特許文献８】米国特許 ６３２２９１９号明細書
【特許文献９】米国特許 ６２９６９６２号明細書
【特許文献１０】米国特許 ６２１８０３５号明細書
【特許文献１１】米国特許 ６１１０６１２号明細書
【特許文献１２】米国特許 ６０９６４４９号明細書
【特許文献１３】米国特許 ５７８６１０５号明細書
【特許文献１４】米国特許 ５７７０３２７号明細書
【特許文献１５】米国特許 ５６８８６１０号明細書
【特許文献１６】米国特許 ５５４９９８３号明細書
【特許文献１７】米国特許出願公開第２００２／００２４１８５号明細書
【非特許文献１】“Design and Materials for Metallic Housing in the SOFC Spray Concept at DLR”, by PATRIC SZABO, et al., 806-813頁, the Institute for Technical Thermodynamics in Stuttgart, Germany