【手続補正書】
【提出日】平成20年1月9日(2008.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
臨界寸法を制御するための方法であって、
少なくとも１つのランの半導体素子を処理するステップと、
前記処理された半導体素子の少なくとも１つに臨界寸法の測定を行なうステップと、
前記臨界寸法の測定の分析を行なうステップと、
前記臨界寸法の分析に応答して、前記半導体素子に二次的プロセスを行なうステップとを含む、方法。
【請求項２】
半導体素子のプロセスランを行なうステップは、半導体ウェハを処理するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
臨界寸法の測定を行なうステップは、ポリシリコンゲートに臨界寸法の測定を行なうステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
臨界寸法の測定を行なうステップは、ポリシリコンラインの幅を測定するステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記半導体素子に二次的プロセスを行なうステップは、二次的エッチングプロセスを行なうステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
二次的エッチングプロセスを行なうステップは、
前記半導体素子に行なわれるべき臨界寸法の調整の量を決定するステップと、
前記二次的エッチングプロセスを制御するために、少なくとも１つの制御入力信号を変更するステップと、
マスクを用い、前記半導体素子の表面上でのエッチングを防ぐステップと、
前記半導体素子に等方性エッチングプロセスを行なうステップとをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも１つの制御入力信号を変更するステップは、プロセスガスの流量を制御する信号を変更するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも１つの制御入力信号を変更するステップは、エッチング時間を制御する信号を変更するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも１つの制御入力信号を変更するステップは、エッチングプロセスの電流レベルを制御する信号を変更するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも１つの制御入力信号を変更するステップは、エッチングプロセスの圧力レベルを制御する信号を変更するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１つの制御入力信号を変更するステップは、エッチングプロセス中に温度設定を制御する信号を変更するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
臨界寸法を制御するための装置であって、
半導体素子にフォトリソグラフィプロセスを行なうことのできるフォトリソグラフィプロセスツールと、
前記フォトリソグラフィプロセスツールに結合されたフォトリソグラフィ測定ツールとを含み、前記フォトリソグラフィ測定ツールはフォトリソグラフィ測定データを取得することができ、前記装置はさらに、
前記半導体素子を前記フォトリソグラフィ測定ツールから受取ることのできる標準エッチング処理ツールと、
前記標準エッチング処理プロセスツールに結合された標準エッチング処理測定ツールとを含み、前記標準エッチング処理測定ツールは標準エッチング処理測定データを取得することができ、前記装置はさらに、
前記半導体素子を前記標準エッチング処理測定ツールから受取ることのできる二次的エッチング処理ツールと、
前記二次的エッチング処理ツールに結合された二次的エッチング処理測定ツールとを含み、前記二次的エッチング処理測定ツールは二次的エッチング処理測定データを取得することができ、前記装置はさらに、
フォトリソグラフィ測定データ、標準エッチング処理測定データ、および二次的エッチング処理測定データのうちの少なくとも１つを受取ることのできる制御アルゴリズムを含み、前記制御アルゴリズムは、前記フォトリソグラフィ測定ツール、前記標準エッチング処理ツール、および前記二次的エッチング処理ツールのうちの少なくとも１つを制御することができる、装置。
【請求項１３】
前記制御アルゴリズムはプロセス制御システムに統合される、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記プロセス制御システムは高度プロセス制御フレームワークである、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
臨界寸法を制御するための装置であって、
少なくとも１つのランの半導体素子を処理するための手段と、
前記処理された半導体素子の少なくとも１つに臨界寸法の測定を行なうための手段と、
前記臨界寸法の測定の分析を行なうための手段と、
前記臨界寸法の分析に応答して、前記半導体素子に二次的プロセスを行なうための手段とを含む、装置。
【請求項１６】
命令で符号化されたコンピュータ読取可能なプログラム記憶装置であって、コンピュータにより実行されると臨界寸法を制御するための方法を実施し、前記方法は、
少なくとも１つのランの半導体素子を処理するステップと、
前記処理された半導体素子の少なくとも１つに臨界寸法の測定を行なうステップと、
前記臨界寸法の測定の分析を行なうステップと、
前記臨界寸法の分析に応答して、前記半導体素子に二次的プロセスを行なうステップとを含む、コンピュータ読取可能なプログラム記憶装置。
【請求項１７】
命令で符号化されたコンピュータ読取可能なプログラム記憶装置であって、コンピュータにより実行されると請求項１６に記載の方法を実施し、半導体素子のプロセスランを行なうステップは、半導体ウェハを処理するステップをさらに含む、コンピュータ読取可能なプログラム記憶装置。
【請求項１８】
命令で符号化されたコンピュータ読取可能なプログラム記憶装置であって、コンピュータにより実行されると請求項１６に記載の方法を実施し、臨界寸法の測定を行なうステップは、ポリシリコンゲートに臨界寸法の測定を行なうステップをさらに含む、コンピュータ読取可能なプログラム記憶装置。
【請求項１９】
命令で符号化されたコンピュータ読取可能なプログラム記憶装置であって、コンピュータにより実行されると請求項１８に記載の方法を実施し、臨界寸法の測定を行なうステップは、ポリシリコンラインの幅を測定するステップをさらに含む、コンピュータ読取可能なプログラム記憶装置。
【請求項２０】
命令で符号化されたコンピュータ読取可能なプログラム記憶装置であって、コンピュータにより実行されると請求項１６に記載の方法を実施し、前記半導体素子に二次的プロセスを行なうステップは、二次的エッチングプロセスを行なうステップをさらに含む、コンピュータ読取可能なプログラム記憶装置。
【請求項２１】
命令で符号化されたコンピュータ読取可能なプログラム記憶装置であって、コンピュータにより実行されると請求項２０に記載の方法を実施し、二次的エッチングプロセスを行なうステップは、
前記半導体素子に行なわれるべき臨界寸法の調整の量を決定するステップと、
前記二次的エッチングプロセスを制御するために、少なくとも１つの制御入力信号を変更するステップと、
ハードマスクを用い、前記半導体素子の表面上でのエッチングを防ぐステップと、
前記半導体素子に等方性エッチングプロセスを行なうステップとをさらに含む、コンピュータ読取可能なプログラム記憶装置。
【請求項２２】
命令で符号化されたコンピュータ読取可能なプログラム記憶装置であって、コンピュータにより実行されると請求項２１に記載の方法を実施し、少なくとも１つの制御入力信号を変更するステップは、プロセスガスの流量を制御する信号を変更するステップをさらに含む、コンピュータ読取可能なプログラム記憶装置。
【請求項２３】
命令で符号化されたコンピュータ読取可能なプログラム記憶装置であって、コンピュータにより実行されると請求項２１に記載の方法を実施し、少なくとも１つの制御入力信号を変更するステップは、エッチング時間を制御する信号を変更するステップをさらに含む、コンピュータ読取可能なプログラム記憶装置。
【請求項２４】
命令で符号化されたコンピュータ読取可能なプログラム記憶装置であって、コンピュータにより実行されると請求項２１に記載の方法を実施し、少なくとも１つの制御入力信号を変更するステップは、エッチングプロセスの電流レベルを制御する信号を変更するステップをさらに含む、コンピュータ読取可能なプログラム記憶装置。
【請求項２５】
命令で符号化されたコンピュータ読取可能なプログラム記憶装置であって、コンピュータにより実行されると請求項２１に記載の方法を実施し、少なくとも１つの制御入力信号を変更するステップは、エッチングプロセスの圧力レベルを制御する信号を変更するステップをさらに含む、コンピュータ読取可能なプログラム記憶装置。
【請求項２６】
命令で符号化されたコンピュータ読取可能なプログラム記憶装置であって、コンピュータにより実行されると請求項２１に記載の方法を実施し、少なくとも１つの制御入力信号を変更するステップは、エッチングプロセス中に温度設定を制御する信号を変更するステップをさらに含む、コンピュータ読取可能なプログラム記憶装置。