【手続補正書】
【提出日】平成20年9月4日(2008.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ソース電源装置及びバイアス電源装置を有する形式の基板処理チャンバに配置されたシリコン基板を処理する方法であって、
前記基板を基板処理チャンバヘ移送するステップと、
前記ソース電源装置からＲＦエネルギーを供給し、プラズマを基板に向けてバイアスすることによって、第１のエッチャントガスから形成されるプラズマへ基板を曝すことによって基板上にトレンチをエッチングするステップと、
バイアス電力を加えることなく、または最小のバイアス電力を加えて前記基板処理チャンバ内にハロゲン源を含む第２のエッチャントガスから形成されるプラズマを点弧することによって前記基板処理チャンバの内面に付着しているエッチング副産物を除去するステップと、
その後、前記基板をチャンバから取出すステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】  前記ハロゲン源は、ＳＦ6、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8、ＣＨＦ3およびＮＦ3のグループから選択される弧とを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記第２のエッチャントガスは、前記第２のエッチャントガスに含まれるハロゲン源の解離を増進するソースを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記第２のエッチャントガスは不活性ガスを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記第２のエッチャントガスは、ＣＦ4及びＯ2を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記最小のバイアス電力は、約０.０６ワット/cm2であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】  前記除去するステップは、前記エッチングステップ前に行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】  さらに、ドライクリーニングまたはウエットクリーニング動作のいずれかをチャンバで行なう前に、前記トレンチをエッチングするステップ及びエッチング副産物を除去するステップで少なくとも１００枚の基板を処理するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】  ソース電源装置及びバイアス電源装置を有する形式の基板処理チャンバに配置されたシリコン基板にトレンチを処理する方法であって、
(a)前記基板を基板処理チャンバヘ移送するステップと、
(b)異方性プラズマエッチングを用いて前記基板上にトレンチをエッチングするステップと、
(c)その後、プラズマを基板に向けてバイアスすることなく、実質的に酸素源、ハロゲン源、及び不活性ガスからなるエッチャントガスから形成されるプラズマにエッチングされたトレンチを曝すステップと、
(d)前記基板をチャンバから移送するステップと、
(e)ドライまたはウエットクリーニングステップのいずれも行うことなく前記(a)-(d)のステップを用いて少なくとも１００枚以上の基板を処理するステップと、を有することを特徴とする方法。
【請求項１０】  前記異方性プラズマエッチングプロセスは、
前記基板に向かってプラズマをバイアスするために、バイアス電力をチャンバに加えるステップと、
実質的にＣl2、Ｎ2、及びＯ2からなるガスの混合物を前記チャンバへ流すステップと、
前記ガスの混合物からプラズマを点弧するステップと、
を有することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  前記ステップ（c）は、チャンバへ供給されたバイアス電力をターンオフするステップと、
実質的にＣＦ4、Ｏ2及びＡrからなるエッチャントガスを流すステップと、
前記エッチャントガスからプラズマを点弧するステップと、
を有することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】  基板をエッチングするために前記基板がプロセスチャンバに配置され、基板の処理及びチャンバのクリーニングステップを一体化する方法であって、
基板をプロセスチャンバヘ移送するステップと、
バイアス電力を前記プロセスチャンバへ加えることによって、前記基板を第１のプロセスガスから点弧されたプラズマに曝して、前記基板をエッチングするステップと、
プロセスチャンバへバイアス電力を加えることなく、または最小のバイアス電力を加えて、ハロゲンガスを含む第２のプロセスガスから形成された第２のプラズマにおいて解離されたイオン及びラジカルへ前記チャンバを曝することによって、前記プロセスチャンバに付着しているエッチング副産物を除去するステップと、
その後、処理された基板をチャンバから取出すステップと、
ドライクリーニング又はウエットクリーニングステップで前記チャンバをクリーニングする前に、前記基板を曝すステップ及びエッチング副産物を除去するステップで少なくとも３０００枚以上の基板を処理するステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項１３】  前記第２のプラズマは、前記プロセスチャンバから離れて点弧されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  基板処理チャンバに配置されたシリコン基板上にトレンチを形成する方法であって、
ソース電力装置からＲＦエネルギーを供給し、前記トレンチをエッチングするためにバイアス電力を基板処理チャンバへ加えることによって基板に向けてプラズマをバイアスすることによって、第１のエッチャントガスから形成されるプラズマに前記基板を曝すステップと、
基板処理チャンバの内面に付着しているエッチング副産物を除去するために、バイアス電力を加えることなく、又は最小のバイアス電力を加えることによって前記基板処理チャンバに実質的にＣＦ4、Ｏ2及びＡrからなる第２のエッチャントガスから形成されるプラズマを点弧するステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項１５】  基板処理システムであって、
基板処理チャンバと、
前記基板処理チャンバへガスを流すように構成されたガス分配システムと、
前記基板処理チャンバ内に存在するガスから、前記基板処理チャンバ内にプラズマを形成するように構成されたプラズマ生成システムと、
バイアス電力をペデスタルへ供給するように構成されたバイアス電力発生システムと、
前記基板処理チャンバへ、及び基板処理チャンバから基板を移送するように構成された基板移送システムと、
前記ガス分配システム、前記プラズマ生成システム、前記バイアス電力発生システム及び前記基板移送システムを制御するための制御装置と、
前記制御装置に結合されたメモリであって、前記基板処理システムの動作を命令するため前記メモリに組込まれたコンピュータ読取可能なプログラムを有するコンピュータ読取可能な媒体を有するメモリと、
前記コンピュータ読取可能なプログラムは、
(i)基板を前記基板処理チャンバヘ移送するために前記基板移送システムを制御するコンピュータ命令と、
(ii)第１のプロセスガスを前記基板処理チャンバへ流すために前記ガス分配システムを制御するコンピュータ命令と、
(iii)前記第１のプロセスガスから前記基板処理チャンバ内に第１のプラズマを点弧して、前記基板をエッチングするために前記プラズマ生成システム及び前記バイアス電力発生システムを制御するコンピュータ命令と、
(iv)ハロゲン源を含む第２のプロセスガスを前記基板処理チャンバへ流すために前記ガス分配システムを制御するコンピュータ命令と、
(v)前記基板に向けて第２のプラズマをバイアスすることなく、又は前記基板に向けて第２のプラズマを最小にバイアスして、第２のプロセスガスから前記基板処理チャンバ内に前記第２のプラズマを点弧することによって前記基板処理チャンバの内壁に付着している粒子を除去するために、前記プラズマ生成システム及び前記バイアス電力発生システムを制御するコンピュータ命令と、
とを備え、
前記コンピュータ命令(i)-(v)は、前記チャンバをクリーニングする前に少なくとも９９枚以上の基板を処理するために、前記基板移送システム、ガス分配システム、プラズマ生成システム、及びバイアス電力発生システムを制御することを特徴とする基板処理システム。