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【手続補正書】
【提出日】平成18年11月28日(2006.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のワード線と、前記ワード線と交差する複数のビット線と、前記ワード線と前記ビット線との各交点に設けられた情報記憶部と選択素子とからなり、前記情報記憶部が相変化材料を含む複数のメモリセルと、を備え、
前記情報記憶部に異なる抵抗値を記憶するために前記選択素子を用いて、リセット動作において前記相変化材料は第１の抵抗値状態にリセットされ、さらにセット動作において前記相変化材料は、前記相変化材料がリセットされることを回避するように制限された電流によって前記第１の抵抗値の状態より低い抵抗値を有する第２の抵抗値状態にセットされるように前記選択素子を流れる電流が制御されることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記情報記憶部が、第１の電極層と、相変化材料層と、第２の電極層からなる積層物であることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記相変化材料は、少なくともＴｅを含有することを特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記選択素子がＭＩＳ型トランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記選択素子がバイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記選択素子が接合からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
前記情報記憶部が接地電極と前記選択素子の間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
前記選択素子が接地電極と前記情報記憶部との間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項９】
前記選択素子に接続されたワード電圧が、前記選択素子を流れる電流を制御するために３値で制御されることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記情報記憶部が、第１の電極層と、相変化材料層と、第２の電極層からなる積層物であることを特徴とする請求項９に記載の半導体記憶装置。
【請求項１１】
前記相変化材料は、少なくともＴｅを含有することを特徴とする請求項１０に記載の半導体記憶装置。
【請求項１２】
前記選択素子がＭＩＳ型トランジスタであることを特徴とする請求項９に記載の半導体記憶装置。
【請求項１３】
前記選択素子がバイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項９に記載の半導体記憶装置。
【請求項１４】
前記選択素子が接合からなることを特徴とする請求項９に記載の半導体記憶装置。
【請求項１５】
前記情報記憶部が接地電極と前記選択素子の間に配置されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体記憶装置。
【請求項１６】
前記選択素子が接地電極と前記情報記憶部の間に配置されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体記憶装置。
【請求項１７】
前記選択素子に流れる電流を制御するために前記選択素子につながるビット線の各々に接続されたカレントミラー回路を、さらに有することを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項１８】
複数の電源が前記選択素子を流れる電流を制御するために前記選択素子につながるビット線に接続され、記憶された情報に応じて前記複数の電源から選択が行われることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項１９】
前記選択素子に接続されたワード電圧を、前記選択素子を流れる電流を制御するために４値以上１７値以下の範囲の値に制御することを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項２０】
請求項１記載の前記半導体記憶装置がマイコンに搭載されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２１】
加熱により結晶化比率を変化できる相変化材料を含む情報記憶部を有するメモリセルと、
前記結晶化比率を変化するために前記メモリセル内で電流の流れを制御し、前記メモリセルにより記憶された情報を変化するための制御回路と、を備え、
リセット動作状態では、前記制御回路は、前記相変化材料をその融点以上に加熱するために第１の電流を前記メモリセル内で発生させ、
セット動作状態では、前記制御回路は、前記相変化材料の結晶化比率を増加させるために前記メモリセル内で第２の電流を発生させ、前記第２の電流は前記第１の電流より少なく、その融点以上に前記相変化材料を加熱するのを回避するように制限が掛けられていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２２】
複数のワード線と、
前記ワード線と交差する複数のビット線と、
前記ワード線と前記ビット線とが交差する各点において設けられた情報記憶部と選択素子とからなる複数のメモリセルと、
前記複数のビット線と結合されたカレントミラー回路と、を有し、
前記複数のメモリセルへの書き込み動作において、前記カレントミラーは前記複数のメモリセルの選択されたメモリセルへ電流を供給することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２３】
前記情報記憶部は、相変化材料を含むことを特徴とする請求項２２に記載の半導体記憶装置。
【請求項２４】
前記カレントミラー回路は、第１のカレントミラー回路と前記第１のカレントミラーより大きな電流を供給できる第２のカレントミラー回路とを有し、
前記第１あるいは第２のカレントミラー回路は、前記書き込み情報に基づいて選択されることを特徴とする請求項２２に記載の半導体記憶装置。
【請求項２５】
前記情報記憶部は、相変化材料を含み、
前記相変化材料を結晶化する際に、前記第１の電流回路が選択され、前記相変化部をアモルファス化する際には、前記第２の電流回路が選択されることを特徴とする請求項２４に記載の半導体記憶装置。
【請求項２６】
前記カレントミラーは、第１のカレントミラー回路と第２のカレントミラー回路とを有し、
前記情報記憶部は、相変化材料を含み、
前記相変化材料を結晶化する際に、前記第１の電流回路が選択され、前記相変化部をアモルファス化する際には、前記第１および第２の電流回路が選択されることを特徴とする請求項２４に記載の半導体記憶装置。
【請求項２７】
前記情報記憶部は、少なくともＴｅを含むことを特徴とする請求項２２に記載の半導体記憶装置。
【請求項２８】
前記選択素子が、ＭＩＳ型トランジスタであることを特徴とする請求項２２に記載の半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月30日(2006.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置にバンプ電極を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記半導体装置には、検査用のバンプ電極を前記バンプ電極とともに作成する工程と、
形成されたバンプ電極に衝撃力を負荷して、前記検査用のバンプ電極の接続強度を試験する工程とを有し、
前記試験の結果が接続強度規格を満たしている場合には、良品として以降の工程に搬送し、規格を満たさなかった場合には、リフロー条件の変更等により、接続強度の改善を行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
被検体である半導体装置の試験部位に衝撃力を負荷して前記試験部位の強度を試験する半導体装置の試験方法において、
垂直方向を前記衝撃力の負荷方向として前記被検体をステージに固定し、前記衝撃力の負荷方向に可動可能なピストンの前記負荷方向の一端を、前記被検体の試験部位に接触させ、前記ピストンの前記負荷方向の直上に位置する錘体を解放して衝撃力の負荷方向に自由落下させ前記ピストンの他端に衝突させて、前記ピストンを介して錘体が被検体に衝撃力を負荷することを特徴とする半導体装置の試験方法。
【請求項３】
前記錘体が鋼球であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の試験方法。
【請求項４】
前記被検体の試験部位が半導体装置のバンプ電極であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の試験方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法及び半導体装置の試験方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
このため、従来からハンダを介して搭載された電子部品の接続部における接続強度を評価する方法として、せん断試験等が行なわれている。せん断試験として、例えば、定歪み速度せん断試験方法では、図１に示すように、測定対象物である基板２３に形成されたバンプ電極２４に接触ツール２５を接触させて、接触ツール２５に加える荷重を一定の割合で徐々に増加させてバンプ電極２４をせん断破壊させ、破壊に要した最大荷重をせん断破壊強度として測定している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
これは、リフロー等の加熱により、バリアメタルに含まれるＮｉとハンダボールに含まれるＳｎとが反応して、ハンダボールとバリアメタルとの界面にＮｉＳｎからなる金属化合物層１７が形成され、この金属化合物層１７によってバンプ電極８ｂの接続強度が変化しているためと考えられる。
図５に示すのは、金属化合物層１７の厚さを変えて、本実施の形態の試験装置によって行なった衝撃試験の結果を従来のせん断試験の結果と比較したグラフである。これを見れば金属化合物層１７の厚さが０．５μｍ〜０．６μｍを越えると衝撃性の機械強度が低下していくことが解る。しかし、従来のせん断試験では０．５μｍ〜０．６μｍを越えても略一定の強度となっており、このような強度低下を把握することができなかった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
【図１】従来のせん断試験の要部を示す部分側面図である。
【図２】本発明の一実施の形態である半導体装置の試験装置を示す側面図である。
【図３】図２中のａ部を拡大して示す部分縦断面図である。
【図４】従来の破壊と衝撃破壊との破壊モードの相違を示す部分縦断面図である。
【図５】金属化合物層の厚さを変えて行なった衝撃試験の結果と従来のせん断試験の結果とを比較して示すグラフである。
【図６】本実施の形態の試験装置をチップ部品と実装基板との接続強度の試験に適用した例を示す部分縦断面図である。
【図７】本実施の形態の試験装置をＭＥＭＳ構成部品の曲げ強度の試験に適用した例を示す部分縦断面図である。
【図８】衝撃試験を製造工程に取り入れた半導体装置の製造方法を示すフロー図である。
【図９】本実施の形態の半導体装置を示す底面図である。
【図１０】本実施の形態の衝撃試験を示す部分縦断面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光束を利用してマスク又はレチクル上のパターンを被処理体に転写する露光装置であって、
第１の雰囲気に維持された第１の空間を形成する第１の筐体と、
前記第１の雰囲気と隔離されると共に前記第１の筐体に収納され、第２の雰囲気に維持された第２の空間を形成する第２の筐体とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記第１の筐体は、前記光束の光路上に配置される光学部材を収納し、
前記第２の筐体は、前記光学部材を駆動するモーターを収納することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記モーターを保持するフランジを更に有し、
前記フランジは、前記第２の筐体と共に前記第２の空間を規定する隔壁を有することを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項４】
前記第２の空間を不活性ガスでパージするパージ手段を更に有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項５】
前記第２の空間を所定の真空度に保持する真空保持手段を更に有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項６】
前記第２の空間の圧力は、前記第１の空間の圧力よりも低いことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項７】
前記第２の筐体は、前記モーターの駆動軸を収納することを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項８】
前記モーターを保持するフランジと、
前記駆動軸と前記フランジとの間に設けられ、前記駆動軸と前記フランジとを密着させるシール部材とを更に有することを特徴とする請求項７記載の露光装置。
【請求項９】
前記シール部材は、テフロン又はフッ素ゴムから構成されることを特徴とする請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】
前記光学部材は、前記光束を調光する度合いが異なる複数種類のフィルターを搭載するターレットからなり、
前記モーターは、前記ターレットを回転させることを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項１１】
前記第２の筐体は、前記モーターに電源を供給するためのコネクターを有することを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項１２】
光源からの光束を利用してマスク又はレチクル上のパターンを被処理体に転写する露光装置であって、
第１の雰囲気に維持された第１の空間を形成すると共に前記光束の光路上に配置される光学部材を収納する第１の筐体と、
前記第１の筐体に収納され、前記光学部材を駆動する駆動軸を有するモーターと、
前記モーターを保持し、前記第１の筐体に固定されるフランジと、
前記駆動軸と前記フランジとを密着するシール部材とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体に現像プロセスを行うステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】

【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】

【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体に現像プロセスを行うステップとを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ筐体と、前記チャンバ筐体の容積を変更する変更手段とを有することを特徴とするロードロック装置。
【請求項２】
前記変更手段は、前記チャンバ筐体の一部分を移動させる移動手段を含むことを特徴とする請求項１に記載のロードロック装置。
【請求項３】
前記チャンバ筐体の一部分は、物体を支持する台を含むことを特徴とする請求項２に記載のロードロック装置。
【請求項４】
前記チャンバ筐体の一部分と前記チャンバ筐体の他の部分との間をシールするシール手段を有することを特徴とする請求項２または３に記載のロードロック装置。
【請求項５】
前記チャンバ筐体内の減圧を行うための配管を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のロードロック装置。
【請求項６】
前記配管を、バルブを介して、物体を処理するメインチャンバに接続したことを特徴とする請求項５に記載のロードロック装置。
【請求項７】
前記配管を、バルブを介して排気ポンプに接続したことを特徴とする請求項５に記載のロードロック装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載のロードロック装置を備えたことを特徴とするデバイス製造装置。
【請求項９】
請求項８に記載のデバイス製造装置を用いたことを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれかに記載のロードロック装置を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１２】
チャンバ筐体内に物体を搬送する搬送工程と、
前記搬送工程の後に、前記チャンバ筐体の容積を小さくする容積変更工程と、
前記容積変更工程の後に、前記チャンバ筐体内の減圧を行う減圧工程と
を含むことを特徴とするロードロック方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明に係るロードロック方法は、チャンバ筐体内に物体を搬送する搬送工程と、前記搬送工程の後に、前記チャンバ筐体の容積を小さくする容積変更工程と、前記容積変更工程の後に、前記チャンバ筐体内の減圧を行う減圧工程とを含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月29日(2006.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒートシンクとファンからなる強制対流式の電子機器用冷却装置において、前記ヒートシンクはピンフィンと平板フィンを備え、前記ファンは冷却風を前記ピンフィンから前記平板フィンに向けて流すことを特徴とする電子機器用冷却装置。
【請求項２】
前記ファンと前記ピンフィンおよび前記平板フィンは、直列に配置され、前記ファンの冷却風が前記ヒートシンクに平行に流れることを特徴とする請求項１に記載の電子機器用冷
却装置。
【請求項３】
前記ファンは前記ヒートシンクの上部にあって、冷却風を前記ピンフィンに向けて垂直下向きに流すことを特徴とする請求項１に記載の電子機器用冷却装置。
【請求項４】
前記ファンは前記ヒートシンクの上部にあって、冷却風を前記ピンフィンに向けて俯角４５°で斜め下向きに流すことを特徴とする請求項１に記載の電子機器用冷却装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかの項に記載の電子機器用冷却装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器用冷却装置とこれを備えた電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１および請求項２に記載の電子機器用冷却装置の発明によれば、ファン近傍にピンフィンを配置して、ピンフィンから平板フィンに向けて冷却風を流すことにより、通風抵抗を減少させ、ファンからの冷却風を有効に活用することによって冷却能力を向上することができ、冷却装置全体を小型化することができるという効果がある。
また、請求項３に記載の発明によれば、冷却風をピンフィンに向けて垂直下向きに吹き付けるので、ファン直近の流速の大きい冷却風をピンフィンとヒートシンクのベース面に導くことができるため、更に冷却能力が向上する効果がある。
また、請求項４に記載の発明によれば、冷却風をピンフィンに向けて俯角４５°で斜め
下向きに吹き付けるので、請求項２の発明と請求項３の発明の中間の特性が得られ、各電
子装置に合わせた、高性能で小型の冷却装置が得られる効果がある。
また、請求項５に記載の電子機器の発明によれば、冷却装置を小形化した電子機器が得られるという効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン半導体基板上に成膜または付着したタングステン金属の除去液であって、オルト過ヨウ素酸、フッ化水素酸、及び水を含み、ただし、硫酸を含まない、前記除去液。
【請求項２】
オルト過ヨウ素酸の含有量が５〜５０質量％であり、およびフッ化水素酸の含有量が０．０１〜５質量％である、請求項１に記載の除去液。
【請求項３】
タングステン金属が半導体基板の素子形成領域以外の領域に成膜または付着したタングステン金属である、請求項１または２に記載の除去液。
【請求項４】
タングステン金属を成膜した半導体基板を水平に保持して回転させ、該半導体基板の素子形成領域以外の領域に、請求項１に記載の除去液を吹き付けることをによる、該半導体基板の素子形成領域以外の領域に成膜または付着したタングステン金属の除去方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、半導体素子製造においては、酸化シリコン絶縁膜及びタングステン金属膜がシリコン基板端面及び裏面に積層した状態となるが、タングステン金属膜を除去する工程と酸化シリコンを除去する工程が同一装置で行われており、酸化シリコン膜の除去は通常フッ化水素酸などの酸性の薬液が用いられる。したがって、タングステン金属膜の除去をアンモニアなどを含む塩基性の薬液を用いて行うと、エッチング室や排気配管内にフッ化アンモニウムなどの塩が析出する問題がある。
塩の析出を防止するための酸性のタングステン除去液としては、フッ化水素酸と硝酸とを含む水溶液が考えられるが、この水溶液はシリコン、酸化シリコンをも腐食するので、デバイス製造において適さないことが報告されている（特許文献２）。
一方、除去対象金属が異なるが、半導体基板周縁部に成膜または付着したルテニウム金属を除去する酸性除去液として、オルト過ヨウ素酸と硝酸とを含む組成物が報告されている（特許文献５）。しかし、タングステン金属の除去については何ら開示されていない。
また、本願に類似する組成物として、フッ化水素酸、過ヨウ素酸、及び硫酸を含むエッチング液が報告されている（特許文献６）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【特許文献１】特開昭６２−１４３４２２号公報
【特許文献２】特開平８−２５０４６２号公報
【特許文献３】特開平１１−２１９９４６号公報
【特許文献４】特開２０００−３１１８９１号公報
【特許文献５】特開２００１−６８４６３号公報
【特許文献６】米国特許第６４６１９７８号
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち、本発明は、シリコン半導体基板上に成膜または付着したタングステン金属の除去液であって、オルト過ヨウ素酸、フッ化水素酸、及び水を含み、ただし、硫酸を含まない、前記除去液に関する。
また、本発明は、オルト過ヨウ素酸の含有量が５〜５０質量％であり、およびフッ化水素酸の含有量が０．０１〜５質量％である、前記除去液に関する。
さらに、本発明は、タングステン金属が半導体基板の素子形成領域以外の領域に成膜または付着したタングステン金属である、前記除去液に関する。
また、本発明は、タングステン金属を成膜した半導体基板を水平に保持して回転させ、該半導体基板の素子形成領域以外の領域に、前記除去液を吹き付けることをによる、該半導体基板の素子形成領域以外の領域に成膜または付着したタングステン金属の除去方法に関する。
に関する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
実施例１
シリコン基板上にタングステン金属を成膜したもの（膜厚５００ｎｍ）を約１５ｍｍ角のチップに切り出し、試料を作製した。この試料を本発明の除去液に処理温度５０℃にて浸漬した。使用した本発明の除去液の組成を表１に示す。各成分の含量は、除去液全体に対する質量％の値で示した。残部は水である。タングステン金属膜が消失するまで浸漬し、タングステン金属膜が消失するまでに要した時間からタングステン金属の溶解速度を求めた。その結果を表１、２及び３に示す。表中の溶解速度はｎｍ／ｍｉｎである。
表１〜３に示した結果から、オルト過ヨウ素酸、または、オルト過ヨウ素酸とフッ化水素酸を組み合わせた場合に顕著なタングステン金属の除去効果が得られたことが判る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【表３】
2005166924.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
【図１】タングステン膜成膜後のシリコン基板の外観を示す図である。
【図２】タングステン膜成膜後のシリコン基板の外観を示す図である。
【図３】除去液を用いてタングステン金属を除去する方法を説明するための図である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被搬送体を収納し、大気圧に維持された供給部と、減圧又は真空雰囲気に維持されて前記被処理体に所定の処理を行う処理チャンバとを有し、前記供給部と前記処理チャンバとの間で前記被搬送体を搬送する処理システムであって、
前記供給部と前記処理チャンバとの間に設けられ、雰囲気が置換可能であると共に前記被搬送体を１００Ｐａ以下の圧力で収納可能な真空室と、
前記供給部と前記真空室との間に設けられ、雰囲気が置換可能であると共に前記供給部と前記真空室との間で前記被搬送体を受け渡すための第１のロードロック室とを有することを特徴とする処理システム。
【請求項２】
前記真空室と前記処理チャンバとの間に設けられ、雰囲気が置換可能であると共に前記真空室と前記処理チャンバとの間で前記被搬送体を受け渡すための第２のロードロック室を更に有することを特徴とする請求項１記載の処理システム。
【請求項３】
前記真空室は、前記供給部と前記処理チャンバとの間で前記被搬送体を搬送する搬送手段を有することを特徴とする請求項１記載の処理システム。
【請求項４】
前記被搬送体は、ウェハに転写する所望のパターンが形成されたパターン面を有するマスクであって、
前記搬送手段は、前記パターン面を重力方向に向けて搬送することを特徴とする請求項３記載の処理システム。
【請求項５】
前記真空室は、前記被搬送体に付着したパーティクルを前記被搬送体から除去する除去手段を有することを特徴とする請求項１記載の処理システム。
【請求項６】
前記除去手段は、パルスレーザーを用いて前記パーティクルを除去することを特徴とする請求項５記載の処理システム。
【請求項７】
前記除去手段は、前記被搬送体に前記パルスレーザーを照射する照射部と、
前記照射部と前記被搬送体との間に配置され、帯電した金属部とを有することを特徴とする請求項６記載の処理システム。
【請求項８】
前記除去手段は、前記パルスレーザーを照射する照射部と、
前記照射部から照射された前記パルスレーザーを反射して、前記被搬送体に照射するミラーとを有することを特徴とする請求項６記載の処理システム。
【請求項９】
前記除去手段は、マイクロ波又は赤外線により前記パーティクルを燃焼させることを特徴とする請求項５記載の処理システム。
【請求項１０】
前記除去手段は、所定の粒子を前記被搬送体に吹き付けることで前記パーティクルを除去することを特徴とする請求項５記載の処理システム。
【請求項１１】
前記所定の粒子は、真空雰囲気で気化することを特徴とする請求項１０記載の処理システム。
【請求項１２】
前記所定の粒子は、二酸化炭素の凝固粒子であることを特徴とする請求項１０記載の処理システム。
【請求項１３】
前記真空室は、前記被搬送体にパーティクルが付着することを抑止する抑止手段を有することを特徴とする請求項１記載の処理システム。
【請求項１４】
前記抑止手段は、熱泳動力を用いることを特徴とする請求項１３記載の処理システム。
【請求項１５】
被搬送体を収納し、大気圧に維持された供給部と、減圧又は真空雰囲気に維持されて前記被搬送体に所定の処理を行う処理チャンバとを有し、前記供給部と前記処理チャンバとの間で前記被搬送体を搬送する処理システムであって、
前記供給部と前記処理チャンバとの間に設けられ、雰囲気が置換可能であると共に前記被搬送体を１００Ｐａ以下の圧力で収納可能な真空室と、
前記真空室に設けられ、前記被搬送体に付着したパーティクルを前記被搬送体から除去する除去手段とを有することを特徴とする処理システム。
【請求項１６】
被搬送体を収納し、大気圧に維持された供給部と、減圧又は真空雰囲気に維持されて前記被搬送体に所定の処理を行う処理チャンバとを有し、前記供給部と前記処理チャンバとの間で前記被搬送体を搬送する処理システムであって、
前記供給部と前記処理チャンバとの間に設けられ、雰囲気が置換可能であると共に前記供給部と前記処理チャンバとの間で前記被搬送体を受け渡すためのロードロック室と、
前記ロードロック室に設けられ、前記被処理体に付着したパーティクルを前記被搬送体から除去する除去手段とを有することを特徴とする処理システム。
【請求項１７】
被搬送体を収納し大気圧に維持された供給部から、減圧又は真空雰囲気に維持されて前記被搬送体に所定の処理を行う処理チャンバに、前記被搬送体を搬送する搬送方法であって、
前記被搬送体を１００Ｐａ以下の圧力の雰囲気に維持された空間に保持するステップと、
前記保持ステップで１００Ｐａ以下の圧力の雰囲気下に保持された前記被搬送体に付着したパーティクルを除去するステップとを有することを特徴とする搬送方法。
【請求項１８】
請求項１乃至１６のうちいずれか一項記載の処理システムを有し、前記被搬送体に形成された所望のパターンをウェハに露光する露光装置、を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体に現像プロセスを行うステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１９】
請求項１乃至１６のうちいずれか一項記載の処理システムを有し、前記被搬送体に所望のパターンを露光する露光装置、を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体に現像プロセスを行うステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の処理システムを有し、前記被搬送体に形成された所望のパターンをウェハに露光する露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の処理システムを有し、前記被搬送体に所望のパターンを露光する露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】

【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバー内に収容された光学系を用いて照明光を導くことにより原版に形成されたパターンを基板に投影露光する露光装置であって、
前記チャンバー内に不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記チャンバー内の雰囲気を該チャンバー外に排気するガス排気部とを有し、
前記ガス供給部による前記チャンバーへの不活性ガスの供給速度を０ではない供給速度に下げるとき、前記供給速度を下げると同時、又はそれ以前に、前記ガス排気部による前記チャンバー内の雰囲気の排気速度を０ではない排気速度に下げることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記ガス供給部による前記チャンバーへの不活性ガスの供給速度を不連続に下げるとき、前記供給速度を下げると同時、又はそれ以前に、前記ガス排気部による前記チャンバー内の雰囲気の排気速度を不連続に下げることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記チャンバー内の不純物濃度を検出する濃度検出手段を有し、
前記濃度検出手段によって検出された前記不純物濃度が所定濃度以下となった場合に前記ガス供給部による不活性ガスの供給速度を低減させることを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】
前記不純物とは、酸素又は水分のうち少なくともいずれか一方であることを特徴とする請求項３記載の露光装置。
【請求項５】
チャンバー内に収容された光学系を用いて照明光を導くことにより原版に形成されたパターンを基板に投影露光する露光装置であって、
前記チャンバー内に不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記チャンバー内の雰囲気を該チャンバー外に排気するガス排気部とを有し、
前記ガス供給部による不活性ガスの前記チャンバーへの供給パワーを０ではない供給パワーに下げるとき、前記供給パワーを下げると同時、又はそれ以前に、前記ガス排気部による雰囲気を前記チャンバー内から排気する排気パワーを０ではない排気パワーに下げることを特徴とする露光装置。
【請求項６】
前記チャンバー内の不純物濃度を検出する濃度検出手段を有し、
前記濃度検出手段によって検出された前記不純物濃度が所定濃度以下となった場合に、前記ガス供給部の供給パワーを下げることを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項７】
前記不純物とは、酸素又は水分のうち少なくともいずれか一方であることを特徴とする請求項６記載の露光装置。
【請求項８】
請求項１乃至７いずれかに記載の露光装置によって被処理体を投影露光する工程と、前記投影露光された被処理体に現像プロセスを行う工程とを有するデバイスの製造方法。
【請求項９】
排気口を有するチャンバー内に収容された光学系を用いて照明光を導くことにより、原版に形成されたパターンを基板に投影露光する露光装置における前記チャンバー内を不活性ガスによりパージする方法であって、
前記チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ステップと、
該チャンバー内雰囲気を第１の排気流量で該チャンバー外に排気する第１排気ステップと、
前記不活性ガス供給流量を低減させる供給流量低減ステップと、
前記不活性ガス供給流量の低減と同時又はそれ以前に前記チャンバー内雰囲気を前記第１の排気流量よりも低い第２の排気流量で該チャンバー外に排気する第２排気ステップとを有することを特徴とする不活性ガスパージ方法。
【請求項１０】
排気口を有するチャンバー内に収容された光学系を用いて照明光を導くことにより、原版に形成されたパターンを基板に投影露光する露光装置における前記チャンバー内を不活性ガスによりパージする方法であって、
前記チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ステップと、
該チャンバー内雰囲気を第１の排気流量で該チャンバー外に排気する第１排気ステップと、
該チャンバー内の不純物濃度を検出する濃度検出ステップと、
検出された前記不純物濃度が所定濃度以下となった場合に前記不活性ガス供給流量を低減させる供給流量低減ステップと、
前記不活性ガス供給流量の低減と同時又はそれ以前に前記チャンバー内雰囲気を前記第１の排気流量よりも低い第２の排気流量で該チャンバー外に排気する第２排気ステップとを有することを特徴とする不活性ガスパージ方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の他の側面としてのデバイスの製造方法は、上記の露光装置によって被処理体を投影露光する工程と、投影露光された被処理体に現像プロセスを行う工程とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と該第１の主面と対向する第２の主面を有する基板を有し、該第２の主面側にｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層からなる半導体層を有し、略ストライプ状の電流狭窄領域からなる導波路領域を有し、前記ｐ型半導体層に接するｐ電極、ｎ型半導体層又は基板の第１の主面に接するｎ電極を形成後、バー状レーザに分割して該バー状レーザの端面に端面膜を形成させる半導体レーザ素子の製造方法であって、
前記バー状レーザに分割する前に、前記基板の第１の主面又は第２の主面上に、レーザ素子を載置する支持体との接合部材を形成する工程と、
該接合部材上に、少なくとも該接合部材の一部を被覆するマスク部材を形成する工程と、
該マスク部材及び前記接合部材上に、表面膜を形成する工程と、
前記バー状レーザの端面に端面膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項２】
第１の主面及び第２の主面を有する基板の第２の主面上に半導体層を有し、該半導体層中に略ストライプ状の電流狭窄領域からなる導波路領域を有し、該導波路領域に垂直な方向の端面に端面膜を有する半導体レーザ素子の製造方法であって、
前記基板の第１の主面又は第２の主面上に、レーザ素子を載置する支持体との接合部材を形成する工程と、
該接合部材上に、少なくとも該接合部材の一部を被覆するマスク部材を形成する工程と、
前記導波路領域に垂直な方向でバー状レーザに分割する工程と、
前記マスク部材及び前記接合部材上に、表面膜を形成する工程と、
前記バー状レーザの端面に端面膜を形成する工程と、
前記マスク部材とマスク部材上に形成された表面膜とを除去する工程とを有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項３】
前記マスク部材は、前記ｎ電極の少なくとも一部を被覆するように形成されている請求項１又は２記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項４】
前記バー状レーザの端面に端面膜を形成後、前記マスク部材を除去する工程を有する請求項１乃至請求項３記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項５】
前記表面膜は、絶縁性である請求項１乃至請求項４記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項６】
前記表面膜は、前記端面膜と同時に形成する請求項１乃至請求項５記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項７】
前記表面膜は、前記端面膜より前に形成させる請求項１乃至請求項６記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項８】
前記表面膜は、前記端面膜と同一材料からなる請求項１乃至請求項７記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項９】
前記表面膜は、前記端面膜と異なる材料からなる請求項１乃至請求項８記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１０】
前記表面膜は、前記バー状レーザの第１の主面のうち、導波路領域と略垂直な方向の端部近傍に形成される請求項１乃至請求項９記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１１】
前記表面膜は、ストライプ状、又は格子状に形成される請求項１乃至請求項１０記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１２】
前記マスク部材は、亜鉛の酸化物からなる請求項１乃至請求項１１記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１３】
前記マスク部材は、レジストからなる請求項１乃至請求項１２記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１４】
前記マスク部材は、窒化アルミニウムを含有する請求項１乃至請求項１３記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１５】
前記マスク部材は、粘着シートからなる請求項１乃至請求項１４記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１６】
前記基板は、曲率半径０．１５〜３０ｍである請求項１乃至請求項１５記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１７】
前記基板は、前記第１の主面を凸側とする反りを有する請求項１乃至請求項１６記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１８】
前記基板は、前記第１の主面を凹側とする反りを有する請求項１乃至請求項１７記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１９】
前記端面は、劈開により形成される請求項１乃至請求項１８記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項２０】
前記請求項１乃至請求項１９によって得られる半導体レーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、第１の主面と第１の主面と対向する第２の主面を有する基板を有し、第２の主面側にｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層からなる半導体層を有し、略ストライプ状の電流狭窄領域からなる導波路領域を有し、ｐ型半導体層に接するｐ電極、ｎ型半導体層又は基板の第１の主面に接するｎ電極を形成後、バー状レーザに分割して該バー状レーザの端面に端面膜を形成させる半導体レーザ素子の製造方法であって、バー状レーザに分割する前に、基板の第１の主面又は第２の主面上に、レーザ素子を載置する支持体との接合部材を形成する工程と、接合部材上に、少なくとも接合部材の一部を被覆するマスク部材を形成する工程と、マスク部材及び接合部材上に、表面膜を形成する工程と、前記バー状レーザの端面に端面膜を形成する工程とを有することを特徴とする。
また、本発明の半導体レーザ素子の別の製造方法は、第１の主面及び第２の主面を有する基板の第２の主面上に半導体層を有し、該半導体層中に略ストライプ状の電流狭窄領域からなる導波路領域を有し、該導波路領域に垂直な方向の端面に端面膜を有する半導体レーザ素子の製造方法であって、前記基板の第１の主面又は第２の主面上に、レーザ素子を載置する支持体との接合部材を形成する工程と、該接合部材上に、少なくとも該接合部材の一部を被覆するマスク部材を形成する工程と、前記導波路領域に垂直な方向でバー状レーザに分割する工程と、前記マスク部材及び前記接合部材上に、表面膜を形成する工程と、前記バー状レーザの端面に端面膜を形成する工程と、前記マスク部材とマスク部材上に形成された表面膜とを除去する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月6日(2007.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下記工程を含む支持体上の導電性ポリマーにおいて電極パターンを製造するための方法：
−  １０〜５０００ｍｇ／ｍ２の導電性ポリマーを含有する層を支持体上に適用して導電性層を作る、及び
−  ＣｌＯ−，ＢｒＯ−，ＭｎＯ４−，Ｃｒ２Ｏ７−−，Ｓ２Ｏ８−−及びＨ２Ｏ２からなる群から選択された酸化剤を含有する印刷溶液を使用して前記層上に電極パターンを印刷する。
【請求項２】  前記導電性ポリマーが下記式を有する請求項１記載の方法：
【化１】
2001035276.tif 000001
式中、Ｒ１及びＲ２の各々は独立して水素又はＣ１−４アルキル基を表すか、又は所望により置換されたＣ１−４アルキレン基又はシクロアルキレン基、好ましくはエチレン基、所望によりアルキル置換されたメチレン基、所望によりＣ１−１２アルキル又はフェニル置換された１，２−エチレン基、１，３−プロピレン基又は１，２−シクロへキシレン基をともに表す。
【請求項３】  前記印刷がオフセット印刷、スクリーン印刷及びインクジェット印刷からなる群から選択された印刷方法によって行われる請求項１又は２記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月30日(2007.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本願明細書に記載されるような、組み合わせ髄膜炎ワクチン。
【請求項２】
同時の分離投与または連続投与のためのＨｉｂオリゴサッカライド結合物およびＭｅｎＣオリゴサッカライド結合物。
【請求項３】
同時の分離投与または連続投与のためのＨｉｂオリゴサッカライド結合物、ＭｅｎＣオリゴサッカライド結合物、およびＭｅｎＢオリゴサッカライド結合物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】周辺駆動回路
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスタを複数段接続して構成されるブロックと、
前記ブロックを複数段接続して構成されるシフトレジスタと、
前記ブロック毎に接続され、電源を供給する回路とを有し、
前記ブロックは、Ｐチャネル型薄膜トランジスタ及び抵抗により構成され、
前記電源を供給する回路は、Ｐチャネル型薄膜トランジスタにより構成され、
第Ｎ番目のブロックに入力信号が印加されているとき、前記電源を供給する回路は、第（Ｎ＋ｘ）番目［ｘ≧２］以降のブロックと、第（Ｎ−ｙ）番目［ｙ≧２］以前のブロックとに対して電源の供給を停止することを特徴とする周辺駆動回路。
【請求項２】
レジスタを複数段接続して構成されるブロックと、
前記ブロックを複数段接続して構成されるシフトレジスタと、
前記ブロック毎に接続され、電源を供給する回路と、
Ｐチャネル型薄膜トランジスタにより構成されるクリア回路とを有し、
前記クリア回路のＰチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極にクリア信号が印加されることにより、前記レジスタの記憶ループの値が確定され、
前記ブロックは、Ｐチャネル型薄膜トランジスタ及び抵抗により構成され、
前記電源を供給する回路は、Ｐチャネル型薄膜トランジスタにより構成され、
第Ｎ番目のブロックに入力信号が印加されているとき、前記電源を供給する回路は、第（Ｎ＋ｘ）番目［ｘ≧２］以降のブロックと、第（Ｎ−ｙ）番目［ｙ≧２］以前のブロックとに対して電源の供給を停止することを特徴とする周辺駆動回路。
【請求項３】
レジスタを複数段接続して構成されるブロックと、
前記ブロックを複数段接続して構成されるシフトレジスタと、
前記ブロック毎に接続され、電源を供給する回路と、
Ｐチャネル型薄膜トランジスタにより構成されるクロック供給回路とを有し、
前記クロック供給回路のＰチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極にクロック供給信号が印加されることにより、当該Ｐチャネル型薄膜トランジスタを介して前記ブロックにクロック線が接続され、
前記ブロックは、Ｐチャネル型薄膜トランジスタ及び抵抗により構成され、
前記電源を供給する回路は、Ｐチャネル型薄膜トランジスタにより構成され、
第Ｎ番目のブロックに入力信号が印加されているとき、前記電源を供給する回路は、第（Ｎ＋ｘ）番目［ｘ≧２］以降のブロックと、第（Ｎ−ｙ）番目［ｙ≧２］以前のブロックとに対して電源の供給を停止することを特徴とする周辺駆動回路。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記電源を供給する回路のＰチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極に電源を供給する信号が印加されることにより、当該Ｐチャネル型薄膜トランジスタを介して前記ブロックにプラス側の電源線が接続されることを特徴とする周辺駆動回路。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月20日(2007.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
９０℃で３０分間加熱したときに放出されるホルムアルデヒドを除く揮発性有機化合物の総量が、１０〜１００重量ｐｐｍであることを特徴とするポリアセタール樹脂。
【請求項２】
更に、６０℃で３時間加熱したときに放出されるホルムアルデヒド量が、１０重量ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のポリアセタール樹脂。
【請求項３】
ポリアセタール樹脂が、酸化防止剤として立体障害性フェノールの少なくとも１種、熱安定剤としてホルムアルデヒド反応性窒素を含有する化合物および／または重合体の
少なくとも１種、および蟻酸捕捉剤の少なくとも１種をそれぞれ含有していることを特徴とする請求項１又は２に記載のポリアセタール樹脂。
【請求項４】
該蟻酸捕捉剤が、アルカリ土類金属のカルボン酸塩であることを特徴とする請求項３に記載のポリアセタール樹脂。
【請求項５】
該ポリアセタール樹脂が、ポリオキシメチレンコポリマーであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のポリアセタール樹脂。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のポリアセタール樹脂から得られる成形体。
【請求項７】
該成形体を９０℃で３０分間加熱したときに放出されるホルムアルデヒドを除く揮発性有機化合物の総量が、１０〜１００重量ｐｐｍであることを特徴とする成形体。
【請求項８】
該成形体が、自動車部品である請求項６または７に記載の成形体。
【請求項９】
９０℃で３０分間加熱したときに放出されるホルムアルデヒドを除く揮発性有機化合物の総量が、１０〜１００重量ｐｐｍであるポリアセタール樹脂を製造する方法において、該ポリアセタールコポリマーペレットを真空ベント付き２軸押出機で必要な回数溶融脱揮することを特徴とするポリアセタール樹脂の製造方法。
【請求項１０】
６０℃で３時間加熱したときに放出されるホルムアルデヒド量が、１０重量ｐｐｍ以下であるポリアセタール樹脂を製造する方法において、該ポリアセタールコポリマーペレットを真空ベント付き２軸押出機で必要な回数溶融脱揮することを特徴とする請求項９記載のポリアセタール樹脂の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、９０℃で３０分間加熱したときに放出されるホルムアルデヒドを除く揮発性有機化合物の総量が１０〜１００重量ｐｐｍであるポリアセタール樹脂パウダー、又は、ペレット、又は成形体を用いることによってその目的を達成できることを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。
すなわち、本発明は、
１．９０℃で３０分間加熱したときに放出されるホルムアルデヒドを除く揮発性有機化合物の総量が、１０〜１００重量ｐｐｍであることを特徴とするポリアセタール樹脂、
２．更に、６０℃で３時間加熱したときに放出されるホルムアルデヒド量が、１０重量ｐｐｍ以下であることを特徴とする上記１に記載のポリアセタール樹脂、
３．ポリアセタール樹脂が、酸化防止剤として立体障害性フェノールの少なくとも１種、熱安定剤としてホルムアルデヒド反応性窒素を含有する化合物および／または重合体の少なくとも１種、および蟻酸捕捉剤の少なくとも１種をそれぞれ含有していることを特徴とする上記１又は２に記載のポリアセタール樹脂、
４．該蟻酸捕捉剤が、アルカリ土類金属のカルボン酸塩であることを特徴とする上記３に記載のポリアセタール樹脂、
５．該ポリアセタール樹脂が、ポリオキシメチレンコポリマーであることを特徴とする上記１〜４のいずれかに記載のポリアセタール樹脂、
６．上記１〜５のいずれかに記載のポリアセタール樹脂から得られる成形体、
７．該成形体を９０℃で３０分間加熱したときに放出されるホルムアルデヒドを除く揮発性有機化合物の総量が、１０〜１００重量ｐｐｍであることを特徴とする成形体、
８．該成形体が、自動車部品である上記６または７に記載の成形体、
９．９０℃で３０分間加熱したときに放出されるホルムアルデヒドを除く揮発性有機化合物の総量が、１０〜１００重量ｐｐｍであるポリアセタール樹脂を製造する方法において、該ポリアセタールコポリマーペレットを真空ベント付き２軸押出機で必要な回数溶融脱揮することを特徴とするポリアセタール樹脂の製造方法。
１０．６０℃で３時間加熱したときに放出されるホルムアルデヒド量が、１０重量ｐｐｍ以下であるポリアセタール樹脂を製造する方法において、該ポリアセタールコポリマーペレットを真空ベント付き２軸押出機で必要な回数溶融脱揮することを特徴とする上記９記載のポリアセタール樹脂の製造方法。
に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月19日(2006.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水性媒質と、
（a）コロイド形態の金粒子
（b）疎水性芳香族残基を介して、該芳香族残基の一部であってもよいより弱いアルカリ基と共役した極性第三アミノ基を有する化合物、及び
（c）メルカプト基（−ＳＨ）及び酸性基を含んでなる安定剤
とを含んでなる、コロイド金水溶液。
【請求項２】
コロイド金粒子が、１〜２０ｎｍの平均直径を有する請求項１記載のコロイド金水溶液。
【請求項３】
化合物（b）の芳香族残基が、その窒素原子をより弱いアルカリ基として有するＮ−ヘテロ芳香族残基である請求項１又は２記載のコロイド金水溶液。
【請求項４】
ヘテロ芳香族残基がピリジン残基である請求項３記載のコロイド金水溶液。
【請求項５】
化合物（b）が４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）である請求項１、３又は４記載のコロイド金水溶液。
【請求項６】
安定剤（c）がスルホン酸基（−ＳＯ３−）を含んでなる請求項１〜５のいずれか１項に記載のコロイド金水溶液。
【請求項７】
安定剤（c）がメルカプト−（Ｃ１−５）−アルキルスルホン酸塩である請求項６記載のコロイド金水溶液。
【請求項８】
安定剤（c）が２−メルカプトエタンスルホン酸塩である請求項７記載のコロイド金水溶液。
【請求項９】
更に、蒸発遮断剤として、（d）ビシナルジヒドロキシ基を有する極性有機化合物又はそのオリゴマーを含んでなる、請求項１〜８のいずれか１項に記載のコロイド金水溶液。
【請求項１０】
化合物（d）がエチレングリコールである請求項９記載のコロイド金水溶液。
【請求項１１】
各々が水性組成物の総重量に基づいて、
（a）６〜１０重量％の金ナノ粒子
（b）０．１〜３重量％の、第三アミノ基を有する化合物
（c）０．２〜０．６重量％の安定剤、及び、
場合によって
（d）１〜８重量％の蒸発遮断剤
の組成物を有する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のコロイド金水溶液。
【請求項１２】
８〜１１のｐＨを有する請求項１〜１１のいずれか１項に記載のコロイド金水溶液。
【請求項１３】
請求項１〜１２のコロイド金溶液を含有するインク又はプリンターカートリッジ。
【請求項１４】
プリンターカートリッジがインクジェットプリンターカートリッジである、請求項１３記載のプリンターカートリッジ。
【請求項１５】
請求項１〜１２のいずれかのコロイド金溶液を基材上に適用するか、又は該基材に含浸させ、そしてその水性媒質を蒸発させることにより得られる金被覆又は金含浸基材。
【請求項１６】
基材が紙である、請求項１５記載の金被覆基材。
【請求項１７】
基材が触媒粒子である、請求項１５記載の金含浸基材。
【請求項１８】
基材が回路基板である、請求項１５記載の金被覆基材。