【手続補正書】
【提出日】平成20年8月13日(2008.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチチップ・ウェハレベル・パッケージを形成する方法であって、
複数のチップ基板上に複数の異種チップを形成するステップであって、前記複数のチップ基板の各々はただ１種のチップを形成するために用いられるステップと、
前記複数のチップ基板から前記複数の異種チップを取り外すステップと、
キャリア基板中にポケットを形成するステップであって、各々のポケットは前記異種チップの１つを保持するステップと、
前記複数のチップを前記キャリア基板中のそれらの対応するポケット内に、前記複数のチップの最表面が前記キャリア基板の最表面と実質的に同一平面になるように取り付けるステップとを含む、
方法。
【請求項２】
複数のチップ基板上に複数のチップを形成する前記ステップは、ウェハを各チップ基板中の浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）領域に、前記ＳＴＩ領域に隣接しかつ前記ウェハとチップ基板との間に空隙が形成されるように接合するステップを含み、前記ＳＴＩ領域上方の前記ウェハ中のエリアがチップ間エリアを画定し、前記空隙上方の前記ウェハ中のエリアがチップ・エリアを画定する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ウェハを前記ＳＴＩ領域に接合するステップの前に、
前記チップ基板上に誘電体層をパターン形成するステップと、
オフチップ・エリアを画定するために前記パターン形成された誘電体層をエッチングするステップと、
前記オフチップ・エリア中にＳＴＩ領域を形成するステップと、
前記オフチップ・エリアの間の前記誘電体層を除去するステップとを含む、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ウェハを薄化するステップと、
前記薄化されたウェハ中にデバイスを形成するステップと、
前記薄化されたウェハ上に後工程（ＢＥＯＬ）相互接続部を形成するステップと、
前記チップ・エリア中に最終仕上げデバイスおよび相互接続部を形成して、前記複数のチップの形成を完了するステップとをさらに含む、
請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記複数のチップを前記複数のチップ基板から取り外す前記ステップは、
前記薄化されたウェハの最表面をパッシベーション層でコーティングするステップと
前記薄化されたウェハの前記チップ・エリアを通り前記空隙までチャネルをダイシングし、それによって前記複数のチップを前記複数のチップ基板から取り外すステップとを含む、
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記キャリア基板中にポケットを形成する前記ステップは、
ウェハを前記キャリア基板中のＳＴＩ領域に、前記ＳＴＩに隣接しかつ前記ウェハと前記チップ基板との間に空隙が形成されるように接合するステップを含み、前記ＳＴＩ領域上方の前記ウェハ中のエリアはチップ間エリアを画定し、前記空隙上方の前記ウェハ中のエリアはチップ・エリアを画定する、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ウェハを前記ＳＴＩ領域に接合するステップの前に、
前記チップ基板上に誘電体層をパターン形成するステップと、
オフチップ・エリアを画定するために前記パターン形成された誘電体層をエッチングするステップと、
前記オフチップ・エリア中に浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）領域を形成するステップと、
前記オフチップ・エリアの間の前記誘電体層を除去するステップとをさらに含む、
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ウェハを薄化するステップと、
前記薄化されたウェハの上に後工程相互接続部を形成するステップと、
前記薄化されたウェハの最表面をパッシベーション層でコーティングするステップと、
前記薄化されたウェハの所定部分が取り外され、それによって前記薄化されたウェハ中にポケットを形成するように前記薄化されたウェハの前記チップ・エリア中にチャネルをダイシングするステップとをさらに含む、
請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記チップ基板の前記チップ間エリア中にディスクリート・デバイスを形成するステップをさらに含む、請求項２〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記複数のチップをそれらの対応するポケット内に取り付ける前記ステップは、
前記空隙と実質的に同じ厚さを有する誘電体層を前記チップ・エリア中に設けるステップと、
前記複数のチップをそれらの対応するポケット内に整列させるステップと含む、
請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記複数のチップをそれらの対応するポケット内に取り付けるステップは、
前記空隙と実質的に同じ厚さを有する接着剤層を前記チップ・エリア中に設けるステップと、
前記複数のチップをそれらの対応するポケット内で整列させるステップと含む、
請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
前記複数のチップを所定位置に保持するために前記キャリア基板上に絶縁層を設けるステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記キャリア基板上にグローバル相互接続部を形成するステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
マルチチップ・ウェハレベル・パッケージを形成する方法であって、
複数の異なるタイプのチップを、対応するチップ基板上に形成するステップと、
前記複数のチップを前記対応するチップ基板から取り外すステップと、
複数のポケットをキャリア基板上に、前記複数のポケットの各々が所定タイプのチップを保持するように形成するステップと、
前記複数のポケットの各々について前記所定タイプのチップに対応する前記複数の異なるタイプのチップからチップを選択するステップと、
前記選択されたチップをそれらの対応するポケット内に、前記選択されたチップの最表面が前記キャリア基板の最表面と実質的に同一平面になるように取り付けるステップとを含む、
方法。
【請求項１５】
前記選択されたチップがそれらの対応するポケット内に取り付けられた後に、前記キャリア基板上に絶縁層を設けるステップと、  前記キャリア基板上にグローバル相互接続部を形成するステップとをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記選択されたチップをそれらの対応するポケット内に取り付ける前記ステップは、
前記空隙と実質的に同じ厚さを有する接着剤層または熱ペーストを前記空隙中に設けるステップと、
前記選択されたチップをそれらの対応するポケット中に設置するステップとを含む、
請求項１４乃至１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
マルチチップ・ウェハレベル・パッケージを形成する方法であって、
チップ基板中に浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）領域を形成するステップと、
ウェハを前記チップ基板中のＳＴＩ領域に、前記ＳＴＩ領域に隣接しかつ前記ウェハと前記チップ基板との間に空隙が形成されるように接合するステップであって、前記ＳＴＩ領域上方の前記ウェハ中のエリアはチップ間エリアを画定し、前記空隙上方の前記ウェハ中のエリアはチップ・エリアを画定するステップと、
前記ウェハを薄化するステップと、
前記薄化されたウェハ中にデバイスを形成するステップと、
前記薄化されたウェハ上に後工程（ＢＥＯＬ）相互接続部を形成するステップと、
前記チップ・エリア中に最終仕上げデバイスおよび相互接続部を形成し、複数のチップの前記形成を完了するステップとを含む、
方法。
【請求項１８】
前記薄化されたウェハの最表面をパッシベーション層でコーティングするステップと
前記薄化されたウェハの前記チップ・エリアを通り前記空隙までチャネルをダイシングし、それによって前記複数のチップを前記複数のチップ基板から取り外すステップとをさらに含む、
請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記薄化されたウェハの所定部分が取り外され、それによって前記薄化されたウェハ内にポケットを形成するように、前記薄化されたウェハの前記チップ・エリア中にチャネルをダイシングするステップをさらに含む、
請求項１８に記載の方法。