【手続補正書】
【提出日】平成19年8月24日(2007.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも約３００ｎｍの波長の出力光を生成する半導体光源と、
前記半導体光源と発光装置によって生成される出力光との間に配置された波長制御体とを含む発光装置であって、
前記装置の前記光源と前記出力光が、下記式（Ｉ）で表される蛍光体を含む発光装置。
［（ＢｖＳｉＯ３）ｘ（Ｍｖ２ＳｉＯ）ｙ（Ｔｖ２（ＳｉＯ３）３）ｚ］ｍ・（ＳｉＯ２）ｎ：Ｒε，Ｘ  （Ｉ）
（式中、
ｘ、ｙ、ｚの各々はｘ＋ｙ＋ｚ＝１となる任意の値であり、
Ｂｖは少なくとも１種の二価のアルカリ土類金属イオンであり、
Ｍｖは少なくとも１種の一価のアルカリ金属イオンであり、
Ｔｖは少なくとも１種の三価の金属イオンであり、
ＲεはＥｕ２＋、及びＭｎ２＋から選択される少なくとも１種の活性剤であり、
Ｘは少なくとも１種のハロゲン化物イオンであり、
ｍは１または０であり、但し、ｍが１であり、有用な発光を与えるのに有効なシリカの量を提供する場合、ｎは３よりも大きく、または、ｍ＝０である場合、ｎは１である）
【請求項２】
Ｍｖの少なくとも一つの一価のアルカリ金属イオンがＬｉ、Ｎａ、及びＫで構成されるグループから選択される請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
Ｂｖの少なくとも一つの二価のアルカリ土類金属イオンがＢｅ、Ｍｇ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｎ、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，及びＨｇイオンで構成されるグループから選択される請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
Ｂｖの少なくとも一つの一価のアルカリ土類金属イオンがＣａ、及びＳｒイオンで構成されるグループから選択される請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
Ｔｖの少なくとも一つの三価の金属イオンが、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、及びＬａイオンで構成されるグループから選択される請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
ＲεがＥｕ２＋イオンを含む請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
ＲεがＭｎ２＋イオンを含む請求項１に記載の発光装置。
【請求項８】
ＲεがＥｕ２＋、及びＭｎ２＋イオンを含む請求項１に記載の発光装置。
【請求項９】
前記波長制御体が、前記発光装置によって生成される出力光を調整する少なくとも一つの追加の蛍光体を含む請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記発光装置の出力光が白色光であるように前記波長制御体が半導体光源の出力光を変化させる請求項９に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記半導体光源がｐ型クラッド層とｎ型クラッド層の間に挟まれた発光層を有する量子井戸構造を含む請求項１に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記ｐ型クラッド層がＡｌｑＧａ１−ｑＮ（式中、０＜ｑ＜１）から形成され、
前記ｎ型クラッド層がＡｌｒＧａ１−ｒＮ（式中、０≦ｒ＜１）から形成され、
前記ｐ型クラッド層が前記ｎ型クラッド層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを場合によって有する請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記半導体光源が、インジウム及び少なくとも一つの量子井戸構造を含む発光層をさらに含む請求項１に記載の発光装置。
【請求項１４】
少なくとも一つの量子井戸構造が少なくとも一つのＩｎＧａＮの井戸層、及び少なくとも一つのＧａＮのバリア層を場合によって含み、
少なくとも一つの量子井戸構造が少なくとも一つのＩｎＧａＮの井戸層、及び少なくとも一つのＡｌＧａＮのバリア層を場合によって含み、
少なくとも一つの量子井戸構造が少なくとも一つのＡｌＩｎＧａＮの井戸層、及び少なくとも一つのＡｌＩｎＧａＮのバリア層を場合によって含み、
少なくとも一つのバリア層が少なくとも一つの井戸層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有し、
少なくとも一つの井戸層が多くて約１００オングストロームの厚さを場合によって有する請求項１３に記載の発光装置。
【請求項１５】
前記半導体光源が少なくとも一つの量子井戸構造を含む請求項１に記載の発光装置。
【請求項１６】
少なくとも一つの量子井戸構造が単一量子井戸構造である請求項１５に記載の発光装置。
【請求項１７】
少なくとも一つの量子井戸構造が多重量子井戸構造である請求項１５に記載の発光装置。
【請求項１８】
前記半導体光源が基板上に少なくとも一つの発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む請求項１に記載の発光装置。
【請求項１９】
前記蛍光体が、式、［（ＣａＳｉＯ３）］ｍ・（ＳｉＯ２）ｎ：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋，Ｉ−を有し、前記Ｅｕ２＋およびＭｎ２＋イオンが、約６２０ｎｍ〜約６６０ｎｍのピーク発光と、ｘ＝０．６２±０．０６、ｙ＝０．３０±０．０６の色度を与える濃度および比率を有する請求項１に記載の発光装置。
【請求項２０】
前記蛍光体が、式［（ＣａＳｉＯ３）］ｍ・（ＳｉＯ２）ｎ：Ｅｕ２＋，Ｉ−を有し、Ｅｕ２＋およびＭｎ２＋イオンが、約４４５ｎｍ〜約４８０ｎｍのピーク発光と、ｘ＝０．２０±０．０６、ｙ＝０．１０±０．０６の色度を与える濃度および比率を有する請求項１に記載の発光装置。
【請求項２１】
前記蛍光体が、式［（ＣａＳｉＯ３）］ｍ・（ＳｉＯ２）ｎ：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋，Ｃｌ−を有し、Ｅｕ２＋およびＭｎ２＋イオンが、ｘ＝０．４０±０．０６、ｙ＝０．２０±０．０６の色度を与える濃度および比率を有する請求項１に記載の発光装置。
【請求項２２】
前記シリカがクリストバライトの形を含む請求項１に記載の発光装置。
【請求項２３】
Ｂｖ、Ｍｖ、Ｔｖ、又はその化合物が方解石の形の金属ケイ酸塩を含む請求項２２に記載の発光装置。
【請求項２４】
Ｂｖ、Ｍｖ、Ｔｖ、又はその化合物がウォラストナイトの形の金属ケイ酸塩を含む請求項２２に記載の発光装置。
【請求項２５】
Ｂｖ、Ｍｖ、Ｔｖ、又はその化合物がエンスタライトの形の金属ケイ酸塩を含む請求項２２に記載の発光装置。
【請求項２６】
下記式（Ｉ）の発光体。
［（ＢｖＳｉＯ３）ｘ（Ｍｖ２ＳｉＯ３）ｙ（Ｔｖ２（ＳｉＯ３）３）ｚ］ｍ・（ＳｉＯ２）ｎ：Ｒε，Ｘ  （Ｉ）
（式中、
ｘ、ｙ、ｚの各々はｘ＋ｙ＋ｚ＝１となる任意の値であり、
Ｂｖは少なくとも一つの二価のアルカリ土類金属イオンであり、
Ｍｖは少なくとも一つの一価のアルカリ金属イオンであり、
Ｔｖは少なくとも一つの三価の金属イオンであり、
ＲεはＥｕ２＋及びＭｎ２＋イオンから選択される少なくとも一つの活性剤であり、
Ｘは少なくとも一つのハロゲン化物イオンであり、
ｍは１または０であり、但し、ｍが１であり、有用な発光を与えるのに有効なシリカの量を提供する場合、ｎは３よりも大きく、ｍ＝０である場合、ｎは１である）
【請求項２７】
Ｍｖの少なくとも一つの一価のアルカリ金属イオンがＬｉ、Ｎａ、及びＫで構成されるグループから選択される請求項２６に記載の蛍光体。
【請求項２８】
Ｂｖの少なくとも一つの二価のアルカリ土類金属イオンがＣａ、及びＳｒイオンで構成されるグループから選択される請求項２６に記載の蛍光体。
【請求項２９】
Ｂｖの少なくとも一つの二価のアルカリ土類金属イオンがＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、及びＨｇイオンで構成されるグループから選択される請求項２６に記載の蛍光体。
【請求項３０】
Ｔｖの少なくとも一つの三価の金属イオンがＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、及びＬａイオンで構成されるグループから選択される請求項２６に記載の蛍光体。
【請求項３１】
ＲεがＥｕ２＋イオンを含む請求項２６に記載の蛍光体。
【請求項３２】
ＲεがＭｎ２＋イオンを含む請求項２６に記載の蛍光体。
【請求項３３】
ＲεがＥｕ２＋、及びＭｎ２＋イオンを含む請求項２６に記載の蛍光体。
【請求項３４】
前記蛍光体が、式、［（ＣａＳｉＯ３）］ｍ・（ＳｉＯ２）ｎ：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋，Ｉ−を有し、前記Ｅｕ２＋およびＭｎ２＋イオンが、約６２０ｎｍ〜約６６０ｎｍのピーク発光と、ｘ＝０．６２±０．０６、ｙ＝０．３０±０．０６の色度を与える濃度および比率を有する請求項２６に記載の蛍光体。
【請求項３５】
前記蛍光体が、式、［（ＣａＳｉＯ３）］ｍ・（ＳｉＯ２）ｎ：Ｅｕ２＋，Ｉ−を有し、前記Ｅｕ２＋イオンが、約４４５ｎｍ〜約４８０ｎｍのピーク発光と、ｘ＝０．２０±０．０６、ｙ＝０．１０±０．０６の色度を与える濃度を有する請求項２６に記載の蛍光体。
【請求項３６】
前記蛍光体が、式、［（ＣａＳｉＯ３）］ｍ・（ＳｉＯ２）ｎ：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋，Ｃｌ−を有し、前記Ｅｕ２＋およびＭｎ２＋イオンが、ｘ＝０．４０±０．０６、ｙ＝０．２０±０．０６の色度を提供する濃度および比率を有する請求項２６に記載の蛍光体。
【請求項３７】
Ｂｖ、Ｍｖ、Ｔｖ、又はその化合物がウォラストナイトの形の金属ケイ酸塩を含み、前記シリカがクリストバライトの形を含む請求項２６に記載の蛍光体。
【請求項３８】
Ｂｖ、Ｍｖ、Ｔｖ、又はその化合物が方解石の形の金属ケイ酸塩を含み、前記シリカがクリストバライトの形を含む請求項２６に記載の蛍光体。
【請求項３９】
Ｂｖ、Ｍｖ、Ｔｖ、又はその化合物がエンスタライトの形の金属ケイ酸塩を含み、前記シリカがクリストバライトの形を含む請求項２６に記載の蛍光体。
【請求項４０】
Ｘが多くて約５％のＳｉＯ２のモルパーセントを有する請求項２６に記載の蛍光体。
【請求項４１】
下記式（Ｉ）の蛍光体を生成する方法。
［（ＢｖＳｉＯ３）ｘ（Ｍｖ２ＳｉＯ３）ｙ（Ｔｖ２（ＳｉＯ３）３）ｚ］ｍ・（ＳｉＯ２）ｎ：Ｒε，Ｘ  （Ｉ）
（式中、
ａ）ハロゲン化物源を場合によって含む適切な前駆体混合物を提供することと、
ｂ）前記蛍光体を生成するために、前記前駆体混合物を還元雰囲気中、ハロゲン化物源の存在下で、約９００℃〜約１３００℃で焼成することとを含み、
前記蛍光体中のＸは多くて約５％のＳｉＯ２のモルパーセントを有し、
ｘ、ｙ、ｚの各々はｘ＋ｙ＋ｚ＝１となる任意の値であり、
Ｂｖは少なくとも一つの二価のアルカリ土類金属イオンであり、
Ｍｖは少なくとも一つの一価のアルカリ金属イオンであり、
Ｔｖは少なくとも一つの三価の金属イオンであり、
ＲεはＥｕ２＋、及びＭｎ２＋イオンから選択される少なくとも一つの活性剤であり、
Ｘは少なくとも一つのハロゲン化物であり、
ｍは１または０であり、但し、ｍが１であり、有用な発光を与えるのに有効なシリカの量を提供する場合、ｎは３よりも大きく、ｍ＝０である場合、ｎは１である）
【請求項４２】
下記式（Ｉ）の蛍光体を生成する方法。
［（ＢｖＳｉＯ３）ｘ（Ｍｖ２ＳｉＯ３）ｙ（Ｔｖ２（ＳｉＯ３）３）ｚ］ｍ・（ＳｉＯ２）ｎ：Ｒε，Ｘ  （Ｉ）
（式中、
ａ）適切な前駆体を混合することと、
ｂ）スラリーを形成することと、
ｃ）場合によって、前記スラリーを粉砕することと、
ｄ）場合によって、前記スラリーを乾燥することと、
ｅ）場合によって、前記スラリーを還元ガス中第１温度で加熱することと、
ｆ）場合によって、Ｘの前駆体をさらに混合することと、
ｇ）ｅ）を行う場合、第１温度よりも高い第２温度で、ｂ）〜ｆ）のいずれかを生成物を生成するために還元ガス中で焼成することと、
ｈ）場合によって、未反応成分を除去するのに有効な溶媒でｇ）の生成物を洗浄することで、より整った生成物を生成することと、
ｉ）場合によって、ｈ）の前記整った生成物に後形成処理を適用することとを含み、
ｘ、ｙ、ｚの各々はｘ＋ｙ＋ｚ＝１となる任意の値であり、
Ｂｖは少なくとも一つの二価のアルカリ土類金属イオンであり、
Ｍｖは少なくとも一つの一価のアルカリ金属イオンであり、
Ｔｖは少なくとも一つの三価の金属イオンであり、
ＲεはＥｕ２＋、及びＭｎ２＋イオンから選択される少なくとも一つの活性剤であり、
Ｘは少なくとも一つのハロゲン化物であり、
ｍは１または０であり、但し、ｍが１であり、有用な発光を与えるのに有効なシリカの量を提供する場合、ｎは３よりも大きく、ｍ＝０である場合、ｎは１である）
【請求項４３】
前記焼成ステップの前に、還元雰囲気中、約７００℃〜約１１００℃で前記前駆体を加熱するステップをさらに含み、
前記加熱するステップの温度は、前記焼成するステップの温度より低い請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
ハロゲン化物源が前記焼成ステップの間に存在する請求項４２に記載の方法。