【手続補正書】
【提出日】平成19年7月9日(2007.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助パターンとが配列されたマスクを光で照明し当該マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露光方法に適した前記マスクの製造方法であって、
前記補助パターンを、前記コンタクトホールパターンのうちあるコンタクトホールパターンから周期方向に対して垂直方向に伸ばした線と、前記あるコンタクトホールパターンから前記垂直方向に最も近い前記補助パターンと前記あるコンタクトホールパターンとを結ぶ線とのなす角度が０度で配置される第１の補助パターンと、
前記角度が０度から４５度未満で配置される第２の補助パターンと、
前記角度が４５度で配置される第３の補助パターンのうちから選択するステップを有することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記選択するステップでは、前記コンタクトホールパターンの半周期を以下の式で表されるｋ１で換算した場合に、当該ｋ１換算値に基づいて、
前記補助パターンを、第１の補助パターンと、第２の補助パターンと、第３の補助パターンのうちから選択することを特徴とする請求項１記載の製造方法。
ｋ１＝ＨＰ（ＮＡ／λ）
但し、ＨＰ：前記コンタクトホールパターンの半周期  λ：前記光の波長  ＮＡ：前記投影光学系の開口数
【請求項３】
前記選択ステップでは、前記ｋ１換算値が０．２５乃至０．３２の場合に、第１の補助パターンを選択することを特徴とする請求項２記載の製造方法。
【請求項４】
前記選択ステップでは、前記ｋ１換算値が０．４５乃至０．６２の場合に、第３の補助パターンを選択することを特徴とする請求項２記載の製造方法。
【請求項５】
コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助パターンとが配列されたマスクの製造方法であって、
前記コンタクトホールパターンの周期に基づいて、
前記コンタクトホールパターンのうちあるコンタクトホールパターンから周期方向に対して垂直方向に伸ばした線と、前記あるコンタクトホールパターンから前記垂直方向に最も近い補助パターンと前記あるコンタクトホールパターンとを結ぶ線とのなす角度を設定することを特徴とする製造方法。
【請求項６】
コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助パターンとが配列されたマスクを光で照明し当該マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露光方法に適した前記マスクの設計方法であって、
前記補助パターンを、前記コンタクトホールパターンのうちあるコンタクトホールパターンから周期方向に対して垂直方向に伸ばした線と、前記あるコンタクトホールパターンから前記垂直方向に最も近い前記補助パターンと前記あるコンタクトホールパターンとを結ぶ線とのなす角度が０度で配置される第１の補助パターンと、
前記角度が０度から４５度未満で配置される第２の補助パターンと、
前記角度が４５度で配置される第３の補助パターンのうちから選択するステップを有することを特徴とする設計方法。
【請求項７】
コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助パターンとが配列されたマスクの設計方法であって、
前記コンタクトホールパターンの周期に基づいて、
前記コンタクトホールパターンのうちあるコンタクトホールパターンから周期方向に対して垂直方向に伸ばした線と、前記あるコンタクトホールパターンから前記垂直方向に最も近い補助パターンと前記あるコンタクトホールパターンとを結ぶ線とのなす角度を設定することを特徴とする設計方法。
【請求項８】
請求項６又は７記載の設計方法を実行するためのプログラム。
【請求項９】
コンタクトホールパターンが解像され、且つ、補助パターンの解像が抑制されるように請求項１乃至５のいずれか一項に記載の製造方法で製造したマスクを照明して前記マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影することによって、前記コンタクトホールパターンで前記被露光体を露光することを特徴とする露光方法。
【請求項１０】
孤立ホールパターンと、当該孤立ホールパターンよりも寸法の小さな複数の補助パターンとを有し、
前記複数の補助パターンは、前記孤立ホールパターンを中心に、六角形を形成するように配置されていることを特徴とするマスク。
【請求項１１】
コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助パターンとが配列されたマスクであって、
４つのコンタクトホールパターンのそれぞれの中心を頂点とした四角形の対角線が交わる位置に、前記補助パターンが配置されていることを特徴とするマスク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、マスク及びその製造方法、並びに、露光方法に関する。ここで、マイクロメカニクスは、半導体集積回路製造技術を微細構造体の製作に応用し、高度な機能を持ったミクロン単位の機械システムやそれを作る技術をいう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
マスクパターンは、近接した周期的なライン・アンド・スペース（Ｌ＆Ｓ）パターン、近接及び周期的な（即ち、ホール径と同レベルの間隔で並べた）コンタクトホール列、近接せずに孤立した孤立コンタクトホールその他の孤立パターン等を含む。しかし、高解像度でパターンを転写するためには、パターンの種類に応じて最適な露光条件（照明条件や露光量など）を選択する必要がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明者らは、バイナリーマスクの所望パターン周辺に、その所望パターンより寸法が小さく、解像しないくらいの大きさの補助パターンを配置した。さらに、特殊な斜入射照明を行うことによって微細なコンタクトホールパターンをウェハ等の被露光体に露光することに成功している（例えば、特許文献１参照。）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の一側面としての製造方法は、コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助パターンとが配列されたマスクを光で照明し当該マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露光方法に適した前記マスクの製造方法であって、前記補助パターンを、前記コンタクトホールパターンのうちあるコンタクトホールパターンから周期方向に対して垂直方向に伸ばした線と、前記あるコンタクトホールパターンから前記垂直方向に最も近い前記補助パターンと前記あるコンタクトホールパターンとを結ぶ線とのなす角度が０度で配置される第１の補助パターンと、前記角度が０度から４５度未満で配置される第２の補助パターンと、前記角度が４５度で配置される第３の補助パターンのうちから選択するステップを有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の別の側面としての製造方法は、コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助パターンとが配列されたマスクの製造方法であって、前記コンタクトホールパターンの周期に基づいて、前記コンタクトホールパターンのうちあるコンタクトホールパターンから周期方向に対して垂直方向に伸ばした線と、前記あるコンタクトホールパターンから前記垂直方向に最も近い補助パターンと前記あるコンタクトホールパターンとを結ぶ線とのなす角度を設定することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の別の側面としての設計方法は、コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助パターンとが配列されたマスクを光で照明し当該マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露光方法に適した前記マスクの設計方法であって、前記補助パターンを、前記コンタクトホールパターンのうちあるコンタクトホールパターンから周期方向に対して垂直方向に伸ばした線と、前記あるコンタクトホールパターンから前記垂直方向に最も近い前記補助パターンと前記あるコンタクトホールパターンとを結ぶ線とのなす角度が０度で配置される第１の補助パターンと、前記角度が０度から４５度未満で配置される第２の補助パターンと、前記角度が４５度で配置される第３の補助パターンのうちから選択するステップを有することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の別の側面としての設計方法は、コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助パターンとが配列されたマスクの設計方法であって、前記コンタクトホールパターンの周期に基づいて、前記コンタクトホールパターンのうちあるコンタクトホールパターンから周期方向に対して垂直方向に伸ばした線と、前記あるコンタクトホールパターンから前記垂直方向に最も近い補助パターンと前記あるコンタクトホールパターンとを結ぶ線とのなす角度を設定することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の別の側面としての露光方法は、コンタクトホールパターンが解像され、且つ、補助パターンの解像が抑制されるように上記製造方法で製造したマスクを照明して前記マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影することによって、前記コンタクトホールパターンで前記被露光体を露光することを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の別の側面としてのマスクは、コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助パターンとが配列されたマスクであって、４つのコンタクトホールパターンのそれぞれの中心を頂点とした四角形の対角線が交わる位置に、前記補助パターンが配置されていることを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下、露光装置として仮定されているものは、特に断らない限り、光源がＫｒＦエキシマレーザー（露光波長λ＝２４８ｎｍ）でその投影光学系の開口数ＮＡが０．７３であり、縮小比４：１の縮小露光装置とする。投影露光装置は、縮小投影露光が一般的である。縮小投影露光の場合、形成したいパターンサイズとマスクパターンは露光装置に依存した倍率だけ異なる。露光装置の倍率は、それぞれの機種において様々であるので、以下においては、マスク上のパターンサイズをウェハ上の寸法に換算する。例えば、投影露光装置の倍率が０．２５倍の場合、１２０ｎｍのパターンを形成したいとき、実際にはマスク上に４８０ｎｍのパターンを作成しなければならない。また、投影露光装置の倍率が０．２０倍の場合はマスク上に６００ｎｍのパターンを作成しなくてはならない。しかし、以下では、これらの状況に対する区別をなくすためマスクパターンの大きさをウェハ上の寸法に換算し、１２０ｎｍのパターンと呼ぶ。また、各パターンは一又は複数のコンタクトホールから構成されているが、本出願においては、「パターン」という用語はパターンの一部又は一のコンタクトホールを意味する場合もある。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明者らは、所望のパターンと補助パターンの形成されたマスクを、所望のパターンを解像するために解像力の強い照明光と、補助パターンの解像を抑制する解像力の弱い照明光で照明した。そして、微細なコンタクトホールパターンを露光することに既に成功したのは上述した通りである。一例をあげると、図２（ｃ）のような所望のパターン３４があったとし、かかる所望のパターン３４のホール径は１１０ｎｍ、最小ホール間隔も１１０ｎｍであったとする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
上述の露光装置を使用した場合、通常では、図２（ａ）に示したように、所望のパターン３４に応じて透光部（所望のパターン）３１と遮光部３３を配置したマスクを用いて、円形状の照明分布の有効光源を有する照明でそのマスクを照明する。そして、ウェハを露光するが、この方法ではパターンは解像しない。対して、図２（ｂ）に示す所望のパターン３４に対する透光部３１の周囲に微小透光部（補助パターン）３２を遮光部３３に配置したマスクと、図３（ａ）に示す十字型の遮光部４２を持つ有効光源形状を有する照明系により、ウェハを露光した。そうしたところパターンが解像した。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
かかる露光方法は、所望のコンタクトホールパターンと、当該パターンのホール径よりも小さなホール径を有するダミーコンタクトホールパターンとが配置されたマスクを形成し、所望のコンタクトホールパターンのみを解像させる。本出願では、かかる露光方法を露光方法Ｉと呼ぶ場合もある。また、本発明者らは、露光方法Ｉに使用される有効光源形状として、図３（ｂ）、図３（ｃ）、図３（ｄ）、図３（ｅ）、図３（ｆ）に示したような照明を用いても同様の結果を得られることを確認した。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図３（ｄ）に示す有効光源形状を説明する。まず、図３（ａ）に示す有効光源形状の寸法を図７のように規定した場合において、ａをｃ以上にすると有効光源が４箇所に分割される。さらに、幅がｃ−ｂ以下で高さが２ｂの四角形をその中心のｘ方向の座標がｂ以上ｃ以下で、ｙ方向の座標が０になるように配置した。また、幅が２ｂで高さがｃ−ｂ以下の四角形をその中心のｘ方向の座標が０で、ｙ方向の座標がｂ以上ｃ以下になるように配置し、その四角形を透光領域にしたものである。こうすれば、図３（ｃ）も同様に定義することができる。図３（ｃ）は図３（ｄ）を一般的にしたものである。図３（ｃ）の場合は、まず、図３（ａ）に示す有効光源形状の寸法を図７のように規定した場合において、ａをｃ以上にすると有効光源が４箇所に分割される。さらに、適当な幅と高さがある四角形をその中心が（ｄ，０）（ただし、ｄはｃより大きい）になるように配置し、前記四角形を９０度回転した四角形をその中心が（０，ｄ）になるように配置し、それら四角形を透光領域にしたものである。図３（ｅ）に示す有効光源形状は輪帯照明、図３（ｆ）に示す有効光源形状は四重極輪帯照明であり、中心部が暗い照明を用いることが補助パターンを配列したマスクに対しては効果的である。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
さて、図４（ａ）に模式的に示すように、所望のパターン３１が１列に並んでおり、横方向にパターン周期を有する場合を考える。縦方向及び横方向に対称性をもたせるため、かかるパターン周期で格子３６を形成し、その格子点上に補助パターン３２を配置する。換言すれば、所望のパターン３１のうち真中のパターンからパターンの周期方向に対して垂直な方向に伸ばした線がある。その線と、その真中の所望のパターンからその垂直な方向に最も近い補助パターン３２の中心とその真中のパターンの中心とを結ぶ線とのなす角度θが０度で配置されている（第１の補助パターン）。通常、所望のパターン３１のまわりに２周分だけ補助パターン３２を配置すればよい。このような補助パターン３２の配置を「通常の配置」と定義する。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
次に、図４（ｂ）に模式的に示すように、通常の配置において１行おきに補助パターン３２を周期の半分だけ横方向にずらした補助パターン３２の配置を「ずれた配置」と定義する。当然のことながら、所望のパターン３１の配置によっては通常の配置から１列おきに補助パターン３２を周期の半分だけ縦方向にずらした補助パターン３２の配置もずれた配置である。換言すれば、所望のパターン３１のうち真中のパターンからパターンの周期方向に対して垂直な方向に伸ばした線がある。その線と、その真中の所望パターンからその垂直な方向に最も近い補助パターン３２の中心とその真中のパターンの中心とを結ぶ線とのなす角度θが０度から４５度未満となるように補助パターン３２が配置されている（第２の補助パターン）。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
最後に、所望のパターン３１のパターン周期がある程度大きくなると、図４（ｃ）に模式的に示すように、通常の配置における格子３６を４５度傾けた格子３７の格子点上に補助パターン３２を配置することが可能になる。換言すれば、所望のパターン３１のうち真中のパターンからパターンの周期方向に対して垂直な方向に伸ばした線がある。その線と、その真中の所望パターンからその垂直な方向に最も近い補助パターン３２の中心とその真中のパターンの中心とを結ぶ線とのなす角度θが４５度となるように補助パターン３２が配置されている（第３の補助パターン）。このような補助パターン３２の配置を「対角配置」と定義する。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
このように、所望のパターンのパターン周期に応じて最適な補助パターンの配置があるわけだが、この理由は各パターンの配置における回折光をみればわかる。例えば、図５において、パターン周期ｐが３６０ｎｍ（半周期のｋ１換算値は約０．５２）であるとする。このとき、通常の配置による回折光は図９（ａ）に示すようになり、ずれた配置による回折光は図９（ｂ）に示すようになり、対角配置による回折光は図９（ｃ）に示すようになる。図９に示した座標の値は、ＮＡ／λで規格化してあり、半径１の円は瞳を表している。図９を参照するに、高次回折光が瞳に入るとパターンの形状はよくなるが、それだけ焦点深度が小さくなる。パターン周期ｐが３６０ｎｍのとき半周期のｋ１換算値は約０．５２であり、このとき一番焦点深度がよいのは対角配置であることが図６（ｃ）からわかるが、これは図９の回折光の分布を見てもわかるだろう。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
図９（ａ）では、瞳内に一直線上に３つの回折光が入ることによる３光束干渉が発生していることがわかる。例えば、規格化された座標において、（０，１．９）と（０，０．９５）と（０，０）の位置にある３つの一直線上にある回折光が３光束干渉している。一直線上にある３光束干渉は、デフォーカスに依存する干渉である。同様に、図９（ｂ）でも、一直線上に並んだ３光束干渉があることがわかる（例えば、規格化された座標において、（０，１．９）と（０，０．９５）と（０，０）の位置にある３つの一直線上にある回折光が３光束干渉している）。しかし、図９（ｃ）では、一直線上に並んだ３光束干渉はなく、２光束干渉だけである。２光束干渉は、３光束干渉に比べてデフォーカスに強いため、ｋ１換算値が約０．５２では対角配置が一番焦点深度がよいことになる。しかし、パターン周期が小さくなっていくと対角配置ができなくなる。この場合、通常の配置とずれた配置とを比較するわけであるが、通常の配置では２光束干渉で像を形成するが、ずれた配置では一直線上にない３光束が干渉して像を形成する。このことは、図９（ｂ）で６角形状に回折光が発生していることから予想されることである。この場合、単純な２光束干渉よりも、一直線上にない３光束干渉の方がコントラストが高いため、結果として、焦点深度がよくなる。それゆえ、ｋ１換算値が０．３５近傍では、ずれた配置がよいのである。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
投影露光装置の解像力は、０．２５と√２という数字を境に変化することが多い。そのため、図１０においては、解像する最小ホール径を決定するｇ１を０．２５以上０．２５×√２以下とすればよい。通常の露光方法で解像できるかできないかを判断するｇ２を０．２５×√２以上０．５以下とすればよい。２光束干渉と３光束干渉を判断するｇ３を１．０以上√２以下とすればよい。パターンの密度を判断するｇ４を０．５×√２以上１．０以下とすればよい。パターン間隔を判断するｇ５を０．２５以上０．２５×√２以下とすればよい。なお、ｇ１、ｇ２、ｇ３、ｇ４、ｇ５、ｇ６の値は、例えば、それぞれ０．２９、０．４０、１．２０、０．８０、０．２５としてもよい。孤立コンタクトホールパターン（孤立ホールパターン）に対しては、基本的にホール径を半周期とし、前述した周期パターンと同様の方法で正方格子を形成していけばよい。しかしながら、孤立パターンに対して「ずれた配置」を適用する場合には、図１８に示したように、所望の孤立コンタクトホールパターン１８１を中心に補助パターン１８２が略正六角形形状の格子１８３を形成するように補助パターン１８２を配置すると良い。この時も、所望のパターン１８１からそのホール径を半周期として、補助パターン１８２を配置すると良い。図１８は、孤立ホールに対する補助パターンの配置を示した図である。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
実施例１では、あるパターンに対して１種類の格子状に並べた補助パターンの配置を提案してきたが、複数種類の格子状に並べた補助パターンの配置を混在させてもよい。例えば、図１４に示したように、ホール径が１２０ｎｍ、横方向にパターン周期が３４０ｎｍ（半周期のｋ１換算値は約０．５０に相当）、縦方向にパターン周期が２８０ｎｍ（半周期のｋ１換算値は約０．４１に相当）の所望のパターン３１があるとする。まずは、補助パターン３２ａを４つのコンタクトホールパターン３１のそれぞれの中心を頂点とした四角形の対角線が交わる位置及びその周辺に配置する。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
さて、ここで、補助パターン３２ａは、ｋ１換算値が約０．５０のときに対角配置が非常に有効であることが図６及び図１２からわかるためそのような配置にした。しかし、ｋ１換算値が約０．４１のときは対角配置はそれほど効果をなさないこともそれらの図から分かる。ここで、図６及び図１２を更に検討すると、ｋ１換算値が約０．４１のときの対角配置より、ｋ１換算値が約０．４１のときの通常の配置の方が結像性能がよい。更にそれよりも、ｋ１換算値が約０．３５のとき（即ち、パターン周期がホール径の２倍の２４０ｎｍのとき）の通常の配置の方が結像性能がよいことが分かる。そこで、技巧的ではあるが、補助パターンは解像しないので自由に配置してよいという性質より、ｋ１換算値が約０．３５で通常の配置をとるように補助パターンを更に配置すればよい。図１４では、所望のパターン３１のまわりにｋ１換算値が約０．３５になるように、補助パターン３２ｂを通常配置した。こうした方が結像性能がよくなった。ここで、図１４は、複数種類の配置が混在したマスクを模式的に示した平面図である。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
なお、この実施例では、横方向のパターン周期に応じて配置した補助パターンと、ホール径に応じて配置した補助パターンとを混在させた。しかし、横方向のパターン周期に応じて配置した補助パターンと、縦方向のパターン周期に応じて配置した補助パターンとを混在させてもよい。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
図１０に示したフローチャートに従って、パターン周期を決定した例を示す。所望パターン３１として、図１５（ａ）に示すように、ホール径が１２０ｎｍで縦方向のパターン周期が２５０ｎｍ（半周期のｋ１換算値が約０．３７に相当）でホールが１３個並んでいる。なお、図１５（ａ）では中心の３つのホールだけを表示している。また、横方向にはホール中心の間隔が１０４０ｎｍ離れているとする。まず、図１０に示したフローチャートにおいて、ｇ１、ｇ２、ｇ３、ｇ４、ｇ５の値はそれぞれ０．２９、０．４０、１．２０、０．８０、０．２５とする。縦方向に関しては、Ｐ２が２５０ｎｍ（半周期のｋ１換算値が約０．３７）であることが求められ、横方向に関してはＰ２が２６０ｎｍ（半周期のｋ１換算値が約０．３８）であることがわかる。これらの周期に対してはずれた配置がよいので、図１５（ｂ）に示すように大きさ９０ｎｍの補助パターン３２を配置した。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
補助パターン３２を配置しない場合と、配置した場合の空中像を比較したので、結果を図１５（ｃ）に示す。補助パターン３２を配置した方が明らかに結像性能がよいことがわかる。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
例えば、図６（ａ）及び図１２から、パターンの半周期のｋ１換算値が０．２５乃至０．３４の範囲を第１の領域とする。また、そのｋ１換算値が０．３４乃至０．４２の範囲を第２の領域とする。ｋ１換算値が０．４２乃至０．６２の範囲を第３の領域とする。所望のパターンのｋ１換算値が第１の領域の範囲にある場合には第１の補助パターンを、第２の領域の範囲にある場合には第２の補助パターンを、第３の領域の範囲にある場合には第３の補助パターンを選択するようにする。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
光源部３１２は、例えば、光源としては、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、波長約１５７ｎｍのＦ２レーザーなどを使用することができる。しかし、光源の種類は限定されないし、その光源の個数も限定されない。また、光源部３１２にレーザーが使用される場合、レーザー光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントなレーザー光束をインコヒーレント化するインコヒーレント化光学系を使用することが好ましい。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
投影光学系３３０は、屈折系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系（反射屈折系）、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの回折光学素子とを有する光学系、反射系の光学系等を使用することができる。色収差の補正が必要な場合には、互いに分散値（アッベ値）の異なるガラス材からなる複数のレンズ素子を使用したり、回折光学素子をレンズ素子と逆方向の分散が生じるように構成したりする。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
露光において、光源部３１２から発せられた光束は、照明光学系３１４によりマスク３２０を、例えば、ケーラー照明する。マスク３２０を通過してマスクパターンを反映する光は、投影光学系３３０によりプレート３４０に結像される。露光装置３００が使用するマスク３２０は、補助パターンが所望のパターンの結像性能を高め（例えば、円形に近づける）、焦点深度を増加するので作業性を高めて従来よりも高品位なデバイスを提供することができる。
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
次に、図１６及び図１７を参照して、上述の露光装置３００を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。図１６は、デバイスの製造方法を実行するためのプログラムを説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターン形成に適したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いて本発明のリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。