Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月4日(2007.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下記一般式〔１〕
【化１】
2002069180.tif 000001
で示される構造単位からなり、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中、濃度０.５ｇ／ｄｌ、温度３０±０.０１℃で測定された対数粘度数が０.１〜５.０ｄｌ／ｇであるポリアミド酸をイミド化した後、偏光紫外線を照射することにより得られるポリイミドからなる薄膜を用いた液晶表示素子用配向膜。
（但し、一般式〔１〕において、
Ｒ1は炭素数１〜５のアルキレン基、
Ｘは単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−若しくは−ＣＯ−を示し、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン、フェニル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、チオシアノ基、チオール基、カルボキシル基、水素原子がフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基若しくはアルコキシ基、水素原子の１個がカルボキシル基により置換されている炭素数１〜５のアルキル基または炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基若しくはアリーロキシカルボニル基を示し、
Ｒ5は炭素数６〜３０の４価の芳香族基、または炭素数４〜３０の４価の脂環式基若しくは複素環式基を示す。）
【請求項２】  請求項１に記載されたポリアミド酸をイミド化した後、偏光紫外線を照射し、ポリイミドの側鎖の一部を光反応させることで得られる液晶表示素子用配向膜。
【請求項３】  請求項１若しくは２に記載された液晶表示素子用配向膜を備えることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項４】  下記一般式〔１〕
2002069180.tif 000002

で示される構造単位からなり、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中、濃度０.５ｇ／ｄｌ、温度３０±０.０１℃で測定された対数粘度数が０.１〜５.０ｄｌ／ｇであるポリアミド酸。
（但し、一般式[１]において、Ｒ1はメチレン基を示し、Ｘは−ＯＣＯ−を示し、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立に水素原子または炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基を示すが、何れか一方は水素原子であり、Ｒ4は水素原子を示し、Ｒ5は炭素数６〜３０の４価の芳香族基、または炭素数４〜３０の４価の脂環式基若しくは複素環式基を示す。）
【請求項５】  請求項４に記載されたポリアミド酸をイミド化した後、偏光紫外線を照射することにより得られるポリイミド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち本発明の構成は下記の通りである。
（１）  下記一般式〔１〕
【化２】
2002069180.tif 000003
で示される構造単位からなり、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中、濃度０.５ｇ／ｄｌ、温度３０±０.０１℃で測定された対数粘度数が０.１〜５.０ｄｌ／ｇであるポリアミド酸をイミド化した後、偏光紫外線を照射することにより得られるポリイミドからなる薄膜を用いた液晶表示素子用配向膜。
（但し、一般式〔１〕において、Ｒ1は炭素数１〜５のアルキレン基、Ｘは単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−若しくは−ＣＯ−を示し、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン、フェニル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、チオシアノ基、チオール基、カルボキシル基、水素原子がフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基若しくはアルコキシ基、水素原子の１個がカルボキシル基により置換されている炭素数１〜５のアルキル基または炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基若しくはアリーロキシカルボニル基を示し、Ｒ5は炭素数６〜３０の４価の芳香族基、または炭素数４〜３０の４価の脂環式基若しくは複素環式基を示す。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（２）  （１）項に記載されたポリアミド酸をイミド化した後、偏光紫外線を照射し、ポリイミドの側鎖の一部を光反応させることで得られる液晶表示素子用配向膜。
（３）  （１）若しくは（２）項に記載された液晶表示素子用配向膜を備えることを特徴とする液晶表示素子。
（４）  下記一般式〔１〕
2002069180.tif 000004

で示される構造単位からなり、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中、濃度０.５ｇ／ｄｌ、温度３０±０.０１℃で測定された対数粘度数が０.１〜５.０ｄｌ／ｇであるポリアミド酸。
（但し、一般式[１]において、Ｒ1はメチレン基を示し、Ｘは−ＯＣＯ−を示し、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立に水素原子または炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基を示すが、何れか一方は水素原子であり、Ｒ4は水素原子を示し、Ｒ5は炭素数６〜３０の４価の芳香族基、または炭素数４〜３０の４価の脂環式基若しくは複素環式基を示す。）
（５）  （４）項に記載されたポリアミド酸をイミド化した後、偏光紫外線を照射することにより得られるポリイミド。
以  上
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月23日(2007.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置、薄膜、および電子部品
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  成膜材料からなるターゲット本体を具備するスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット本体の少なくとも非エロージョン部の一部に、エッチング処理またはポリッシング処理が施された表面処理領域を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】  請求項１記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記表面処理領域は、前記ターゲット本体のスパッタ面を含む露出表面全面に設けられていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項３】  請求項１または請求項２記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット本体はバッキングプレートにより支持されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項４】  成膜材料からなるターゲット本体と、前記ターゲット本体を支持するバッキングプレートとを具備するスパッタリングターゲットにおいて、
前記バッキングプレートの露出表面の少なくとも一部に、エッチング処理またはポリッシング処理が施された表面処理領域を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項５】  請求項４記載のスパッタリングターゲットにおいて、
さらに、前記ターゲット本体の少なくとも非エロージョン部の一部に、エッチング処理またはポリッシング処理が施された表面処理領域を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項６】  請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記表面処理領域はＲａで1.5μm以下でかつＲｙで10μm以下の表面粗さを有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項７】  請求項６記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記表面処理領域の表面粗さのバラツキが15％以内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項８】  請求項１ないし請求項７のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット本体は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｃｕ、ＳｉおよびＧｅから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物からなることを特徴するスパッタリングターゲット。
【請求項９】  真空容器と、前記真空容器内に配置される被成膜試料保持部と、前記真空容器内に前記被成膜試料保持部と対向して配置されるターゲット部とを具備するスパッタリング装置において、
前記ターゲット部は、請求項１ないし請求項８のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを有することを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項１０】  請求項１ないし請求項８のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とする薄膜。
【請求項１１】  請求項１ないし請求項８のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成された薄膜を具備することを特徴とする電子部品。
【請求項１２】  請求項１１記載の電子部品において、
前記薄膜は配線膜、電極、または素子構成膜であることを特徴とする電子部品。
【請求項１３】  請求項１１または請求項１２記載の電子部品において、
半導体素子であることを特徴とする電子部品。
【請求項１４】  請求項１１または請求項１２記載の電子部品において、
液晶表示素子であることを特徴とする電子部品。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種電子部品の配線膜、電極、素子構成膜などを形成する際に用いられるスパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置、薄膜、および電子部品に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明のスパッタリング装置は、請求項９に記載したように、真空容器と、前記真空容器内に配置される被成膜試料保持部と、前記真空容器内に前記被成膜試料保持部と対向して配置されるターゲット部とを具備するスパッタリング装置において、前記ターゲット部は上記した本発明のスパッタリングターゲットを有することを特徴としている。
本発明の薄膜は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴としている。本発明の電子部品は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成された薄膜を具備することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月8日(2007.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鍛造インゴットをホットプレスすることを特徴とする、スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項２】
スパッタリングターゲット原料を溶解、鋳造することによって鋳造インゴットを形成し、該インゴット形成物の押し湯部分を除去したのち、得られた鋳造インゴットに対してホットプレスを行うことによって所定形状に圧縮加工することを特徴とする、スパッタリングターゲットの製造方法
【請求項３】
追加的な圧延工程、特に初期段階の圧延工程を実質的に含まない、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記スパッタリングターゲット原料を溶解、鋳造を、ＣａＯ製ルツボ中において行う、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記スパッタリングターゲット原料を溶解、鋳造を、ＣａＯ製ルツボ中において、Ｔｉを添加して行う、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記ホットプレスを、非酸化性雰囲気中において、前記鋳造インゴットを構成する合金材料の相変化点を超える温度条件で行う、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記ホットプレスを、非酸化性雰囲気中において、前記鋳造インゴットを構成する合金材料の相変化点を超える温度条件で融点を超えない温度条件下で行う、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記ホットプレスを、温度１０００〜１２００℃、圧力５０〜５００ｋｇ／ｃｍ２、加工率５〜９０％の条件で行う、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記ホットプレスの後、さらに比較的短時間の圧延を行う、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
スパッタリングターゲットが、圧延加工が困難な材料系からなる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
スパッタリングターゲットが、ＰｔＭｎ系合金からなる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
スパッタリングターゲットが、ＣｏＺｒＮｂ系合金、ＦｅＴａ系合金、またはＣｏＣｒＰｔＴａＺｒ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金およびＣｏＣｒＰｔＴａ系合金からなる群から選ばれた１種からなる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
鍛造インゴットをホットプレスして得られた、スパッタリングターゲット。
【請求項１４】
スパッタリングターゲット原料を溶解、鋳造することによって鋳造インゴットを形成し、該インゴット形成物の押し湯部分を除去したのち、得られた鋳造インゴットに対してホットプレスを行うことによって所定形状に圧縮加工することによって得られた、スパッタリングターゲット。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月23日(2007.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スパッタリングターゲットとそれを用いたＧｅ系薄膜および光ディスク、半導体デバイス、液晶表示素子、ＰＤＰ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  高純度Ｇｅ、もしくはＡｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＢおよびＣから選ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原子％の範囲で含むＧｅ合金からなるスパッタリングターゲットであって、
前記高純度ＧｅまたはＧｅ合金は、Ａｇ含有量およびＡｕ含有量がそれぞれ5ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】  請求項１記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット全体としての前記Ａｇ含有量およびＡｕ含有量のバラツキがそれぞれ30％以内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項３】  請求項１記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記高純度ＧｅまたはＧｅ合金は、前記ＡｇおよびＡｕの合計含有量が8ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項４】  請求項３記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット全体としての前記ＡｇおよびＡｕの合計含有量のバラツキが30％以内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項５】  請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはバッキングプレートと接合されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項６】  請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットは光ディスクの構成層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項７】  請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットは光ディスクの中間層を構成するＧｅ層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項８】  請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とするＧｅ系薄膜。
【請求項９】  請求項８記載のＧｅ系薄膜において、
Ｇｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜またはＧｅ合金膜であることを特徴とするＧｅ系薄膜。
【請求項１０】  請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜またはＧｅ合金膜を具備することを特徴とする光ディスク。
【請求項１１】  請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜またはＧｅ合金膜を具備することを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１２】  請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜またはＧｅ合金膜を具備することを特徴とする液晶表示素子。
【請求項１３】  請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜またはＧｅ合金膜を具備することを特徴とするＰＤＰ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば光ディスクの構成層としてのＧｅ層、Ｇｅ化合物層、Ｇｅ合金層などを形成する際に用いられるスパッタリングターゲットとそれを用いたＧｅ系薄膜および光ディスク、半導体デバイス、液晶表示素子、ＰＤＰに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のスパッタリングターゲットは、例えば請求項６に記載したように、光ディスクの構成層を形成する際に用いられるものである。特に、請求項７に記載したように、光ディスクの中間層を構成するＧｅ層、Ｇｅ化合物層またはＧｅ合金層の形成用として好適である。
また、本発明のＧｅ系薄膜は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴としている。本発明の光ディスクは、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜またはＧｅ合金膜を具備することを特徴としている。本発明の半導体デバイス、液晶表示素子、ＰＤＰは、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたＧｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜またはＧｅ合金膜を具備することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月7日(2007.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材の表面に形成された粗面化表面と、最外層を形成する塗膜層を有する表面処理アルミニウム材であり、粗面化表面の表面粗さＲzが表面処理アルミニウム材の素地のビッカース硬さＨＶに応じた値を有すると共に、塗膜層の鉛筆硬度が６Ｈ以上であって、
上記粗面化表面の表面粗さＲzは、表面処理アルミニウム材の素地が１種類のアルミニウム材で構成されている場合には、このアルミニウム材の粗面化表面の表面粗さＲzが下記の関係式
Ｒz ≧ １．８×１０4／ＨＶ2
を満足し、また、表面処理アルミニウム材の素地が２種以上のアルミニウム材からなる素地構成材で構成されている場合には、この素地の粗面化表面の表面粗さＲzが下記の関係式
Ｒz ≧ １．８×１０4／（ＨＶｎ）2
（但し、ＨＶｎは素地を構成する２種以上の素地構成材のうちでビッカース硬さの値が最小となる素地構成材のビッカース硬さを示す。）
を満足する
ことを特徴とする表面処理アルミニウム材。
【請求項２】
粗面化表面が形成されたアルミニウム材の表面に塗膜層を設けるのに先駆けて、このアルミニウム材の表面に下地処理として化成処理により形成された化成皮膜層が設けられている請求項１に記載の表面処理アルミニウム材。
【請求項３】
アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材の表面に予め求められた表面処理アルミニウム材の素地のビッカース硬さＨＶに応じて決められた表面粗さＲzの粗面化表面を形成し、次いでこの粗面化表面が形成されたアルミニウム材の表面に最外層として塗膜層を設け、塗膜層の鉛筆硬度が６Ｈ以上である表面処理アルミニウム材を製造するに際し、
上記粗面化表面の表面粗さＲzは、表面処理アルミニウム材の素地が１種類のアルミニウム材で構成されている場合には、このアルミニウム材の粗面化表面の表面粗さＲzが下記の関係式
Ｒz ≧ １．８×１０4／ＨＶ2
を満足し、また、表面処理アルミニウム材の素地が２種以上のアルミニウム材からなる素地構成材で構成されている場合には、この素地の粗面化表面の表面粗さＲzが下記の関係式
Ｒz ≧ １．８×１０4／（ＨＶｎ）2
（但し、ＨＶｎは素地を構成する２種以上の素地構成材のうちでビッカース硬さの値が最小となる素地構成材のビッカース硬さを示す。）
を満足する
ことを特徴とする表面処理アルミニウム材の製造方法。
【請求項４】
表面処理アルミニウム材の素地のビッカース硬さＨＶは、粗面化表面及び塗膜層を有する表面処理アルミニウム材の試作品を形成して予め測定される請求項３に記載の表面処理アルミニウム材の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月23日(2007.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置、薄膜、および電子部品
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  外周側に段状部を有するターゲット本体と、前記ターゲット本体の下面側を支持するバッキングプレートと、前記ターゲット本体の外周部外側に配置され、前記ターゲット本体の前記段状部の段面を保持するターゲット押え治具とを具備するスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット本体の外周側に設けられた前記段状部の段面に、凹状のダスト抑制部が形成されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】  外周側に段状部を有するターゲット本体と、前記ターゲット本体の下面側を支持するバッキングプレートと、前記ターゲット本体の外周部外側に配置され、前記ターゲット本体の前記段状部の段面を保持するターゲット押え治具とを具備するスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット本体の外周側に設けられた前記段状部の段差面に、凹状のダスト抑制部が形成されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項３】  外周側に段状部を有するターゲット本体と、前記ターゲット本体の下面側を支持するバッキングプレートと、前記ターゲット本体の外周部外側に配置され、前記ターゲット本体の前記段状部の段面を保持するターゲット押え治具とを具備するスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット本体の外周側に設けられた前記段状部の段面および段差面に、それぞれ凹状のダスト抑制部が形成されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項４】  請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記凹状のダスト抑制部は、深さ0.5mm以上の形状を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項５】  請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット本体は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＣｏおよびＦｅから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項６】  真空容器と、前記真空容器内に配置される被成膜試料保持部と、前記真空容器内に前記被成膜試料保持部と対向して配置されるターゲット部とを具備するスパッタリング装置において、
前記ターゲット部は、請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを有することを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項７】  請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とする薄膜。
【請求項８】  請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成された薄膜を具備することを特徴とする電子部品。
【請求項９】  請求項８記載の電子部品において、
前記薄膜は配線膜、電極、またはバリア層であることを特徴とする電子部品。
【請求項１０】  請求項８または請求項９記載の電子部品において、
半導体素子であることを特徴とする電子部品。
【請求項１１】  請求項８または請求項９記載の電子部品において、
液晶表示素子であることを特徴とする電子部品。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置、薄膜、および電子部品に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明のスパッタリング装置は、請求項６に記載したように、真空容器と、前記真空容器内に配置される被成膜試料保持部と、前記真空容器内に前記被成膜試料保持部と対向して配置されるターゲット部とを具備するスパッタリング装置において、前記ターゲット部は上記した本発明のスパッタリングターゲットを有することを特徴としている。
本発明の薄膜は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴としている。本発明の電子部品は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成された薄膜を具備することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月7日(2007.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  超微粒子生成室で生成された超微粒子をキャリアガスとともに搬送管を通して膜形成室に導き、ノズルを通じて前記膜形成室内のステージ上に設置された基板上に成膜するガスデポジション法を用いた超微粒子膜の製造方法であって、
蒸発材料固有の発光スペクトル強度あるいは前記キャリアガス固有の発光スペクトル強度、またはこれらの両方を用いて前記蒸発材料の蒸発量または前記基板上に形成される膜の膜厚を制御することを特徴とする超微粒子膜の製造方法。
【請求項２】  請求項１記載の超微粒子膜の製造方法において、
前記蒸発材料固有の発光スペクトル強度が、成膜中一定になるように、前記蒸発材料と電極の間隔あるいは電流値、またはこれらの両方を制御することを特徴とする超微粒子膜の製造方法。
【請求項３】 アーク加熱により前記蒸発材料を溶融し、超微粒子膜を製造することを特徴とする請求項１または２に記載の超微粒子膜の製造方法。
【請求項４】  原材料を気化する工程と、前記原材料とは異なるガスと気化した前記原材料とを接触させることにより、気化した前記原材料を粒子化させる工程と、粒子化された該粒子を前記ガスとともに搬送し、前記粒子を基板に衝突させて該基板上に膜を形成する工程とを有する成膜方法であって、
前記原材料を気化させた際に生じる前記原材料固有の発光スペクトル強度あるいは前記ガス固有の発光スペクトル強度、またはこれら両方に基づいて、前記原材料の気化する量または前記基板上に形成される膜の膜厚を制御することを特徴とする成膜方法。
【請求項５】  原材料を気化する手段と、気化した前記原材料と接触させて、気化した前記原材料が粒子化するように、前記原材料とは異なるガスを放出する手段と、粒子化された該粒子を前記ガスとともに搬送し、前記粒子を基板に衝突させる搬送手段と、前記基板の位置を制御する手段とを有する成膜装置であって、
気化した前記原材料の発光スペクトルを検知するスペクトル検出手段と、前記スペクトル検出手段の検出値に基づいて、前記粒子を形成するための前記原材料を気化させる条件を制御する手段と、を有することを特徴とする成膜装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の超微粒子膜の製造方法は、超微粒子生成室で生成された超微粒子をキャリアガスとともに搬送管を通して膜形成室に導き、ノズルを通じて前記膜形成室内のステージ上に設置された基板上に成膜するガスデポジション法を用いた超微粒子膜の製造方法であって、蒸発材料固有の発光スペクトル強度あるいは前記キャリアガス固有の発光スペクトル強度、またはこれらの両方を用いて前記蒸発材料の蒸発量または前記基板上に形成される膜の膜厚を制御することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の成膜方法は、原材料を気化する工程と、前記原材料とは異なるガスと気化した前記原材料とを接触させることにより、気化した前記原材料を粒子化させる工程と、粒子化された該粒子を前記ガスとともに搬送し、前記粒子を基板に衝突させて該基板上に膜を形成する工程とを有する成膜方法であって、前記原材料を気化させた際に生じる前記原材料固有の発光スペクトル強度あるいは前記ガス固有の発光スペクトル強度、またはこれら両方に基づいて、前記原材料の気化する量または前記基板上に形成される膜の膜厚を制御することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の成膜装置は、原材料を気化する手段と、気化した前記原材料と接触させて、気化した前記原材料が粒子化するように、前記原材料とは異なるガスを放出する手段と、粒子化された該粒子を前記ガスとともに搬送し、前記粒子を基板に衝突させる搬送手段と、前記基板の位置を制御する手段とを有する成膜装置であって、気化した前記原材料の発光スペクトルを検知するスペクトル検出手段と、前記スペクトル検出手段の検出値に基づいて、前記粒子を形成するための前記原材料を気化させる条件を制御する手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材の表面に、陽極酸化処理により形成された陽極酸化皮膜層と最外層を形成する塗膜層とを有する表面処理アルミニウム材であり、陽極酸化皮膜層は表面処理アルミニウム材の素地のビッカース硬さＨＶに応じた膜厚を有しており、また、塗膜層はその鉛筆硬度が６Ｈ以上であって、
上記表面処理アルミニウム材は、その素地が１種のアルミニウム材で構成されており、
上記陽極酸化皮膜層の膜厚は、表面処理アルミニウム材の素地のビッカース硬さが４０ＨＶ未満のとき１５〜２５μmであり、表面処理アルミニウム材の素地のビッカース硬さが４０ＨＶ以上５０ＨＶ未満のとき７〜２０μmであり、また、表面処理アルミニウム材の素地のビッカース硬さが５０ＨＶ以上のとき０．１〜１２μmである
ことを特徴とする表面処理アルミニウム材。
【請求項２】
アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材の表面に、陽極酸化処理により形成された陽極酸化皮膜層と最外層を形成する塗膜層とを有する表面処理アルミニウム材であり、陽極酸化皮膜層は表面処理アルミニウム材の素地のビッカース硬さＨＶに応じた膜厚を有しており、また、塗膜層はその鉛筆硬度が６Ｈ以上であって、
上記表面処理アルミニウム材は、その素地が２種以上のアルミニウム材で構成されており、
上記陽極酸化皮膜層の膜厚は、表面処理アルミニウム材の素地を構成する全ての素地構成材がビッカース硬さ４０ＨＶ未満のとき１５〜２５μmであり、表面処理アルミニウム材の素地がビッカース硬さ４０ＨＶ未満の素地構成材とビッカース硬さ４０ＨＶ以上５０ＨＶ未満の素地構成材とで構成されているとき１５〜２０μmであり、表面処理アルミニウム材の素地を構成する全ての素地構成材がビッカース硬さ４０ＨＶ以上５０ＨＶ未満のとき７〜２０μmであり、表面処理アルミニウム材の素地がビッカース硬さ４０ＨＶ以上５０ＨＶ未満の素地構成材とビッカース硬さ５０ＨＶ以上の素地構成材とで構成されているとき７〜１２μmであり、また、表面処理アルミニウム材の素地を構成する全ての素地構成材がビッカース硬さ５０ＨＶ以上のとき０．１〜１２μmである
ことを特徴とする表面処理アルミニウム材。
【請求項３】
陽極酸化皮膜層が電解着色されている請求項１又は２に記載の表面処理アルミニウム材。
【請求項４】
表面処理アルミニウム材の素地のビッカース硬さＨＶは、陽極酸化皮膜層及び塗膜層を有する表面処理アルミニウム材のモデルを形成して測定された値である請求項１〜３のいずれかに記載の表面処理アルミニウム材。
【請求項５】
アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材の表面に、陽極酸化処理により、予め求められた表面処理アルミニウム材の素地のビッカース硬さＨＶに応じて決められた膜厚の陽極酸化皮膜層を形成し、最外層として塗膜層を設け、塗膜層の鉛筆硬度が６Ｈ以上である表面処理アルミニウム材を製造するに際し、
上記表面処理アルミニウム材は、その素地が１種のアルミニウム材で構成されており、
上記陽極酸化皮膜層の膜厚は、表面処理アルミニウム材の素地のビッカース硬さが４０ＨＶ未満のとき１５〜２５μmであり、表面処理アルミニウム材の素地のビッカース硬さが４０ＨＶ以上５０ＨＶ未満のとき７〜２０μmであり、また、表面処理アルミニウム材の素地のビッカース硬さが５０ＨＶ以上のとき０．１〜１２μmである
ことを特徴とする表面処理アルミニウム材の製造方法。
【請求項６】
アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材の表面に、陽極酸化処理により、予め求められた表面処理アルミニウム材の素地のビッカース硬さＨＶに応じて決められた膜厚の陽極酸化皮膜層を形成し、最外層として塗膜層を設け、塗膜層の鉛筆硬度が６Ｈ以上である表面処理アルミニウム材を製造するに際し、
上記表面処理アルミニウム材は、その素地が２種以上のアルミニウム材で構成されており、
上記陽極酸化皮膜層の膜厚は、表面処理アルミニウム材の素地を構成する全ての素地構成材がビッカース硬さ４０ＨＶ未満のとき１５〜２５μmであり、表面処理アルミニウム材の素地がビッカース硬さ４０ＨＶ未満の素地構成材とビッカース硬さ４０ＨＶ以上５０ＨＶ未満の素地構成材とで構成されているとき１５〜２０μmであり、表面処理アルミニウム材の素地を構成する全ての素地構成材がビッカース硬さ４０ＨＶ以上５０ＨＶ未満のとき７〜２０μmであり、表面処理アルミニウム材の素地がビッカース硬さ４０ＨＶ以上５０ＨＶ未満の素地構成材とビッカース硬さ５０ＨＶ以上の素地構成材とで構成されているとき７〜１２μmであり、また、表面処理アルミニウム材の素地を構成する全ての素地構成材がビッカース硬さ５０ＨＶ以上のとき０．１〜１２μmである
ことを特徴とする表面処理アルミニウム材の製造方法。
【請求項７】
表面処理アルミニウム材の素地のビッカース硬さＨＶは、陽極酸化皮膜層及び塗膜層を有する表面処理アルミニウム材のモデルを形成して測定される請求項５又は６に記載の表面処理アルミニウム材の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月25日(2007.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ポリフェニレンエーテル系樹脂３０〜９９重量部と、
（Ｂ）液晶ポリエステル７０〜１重量部とからなる樹脂組成物から成形すること
により得られ、
前記ポリフェニレンエーテル系樹脂が、式（１）または式（２）で表されるフェノール性水酸基をフェニレンエーテルユニットの１００個に対して１．５０個以下含有する耐熱部品。
【化１】
2002069290.tif 000001
【化２】
2002069290.tif 000002
（Ｒ1、Ｒ4は、それぞれ独立して、水素、第一級もしくは第二級の低級アルキル、フェニル、アミノアルキル、炭化水素オキシを表わす。Ｒ2、Ｒ3は、それぞれ独立して、水素、第一級もしくは第二級の低級アルキル、フェニルを表わす。）
【請求項２】
比重が１．３０以下、かつ該部品の最大厚みが０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の耐熱部品。
【請求項３】
耐熱部品が自動車用耐熱部品であることを特徴とする請求項１又は２に記載の耐熱部品。
【請求項４】
耐熱部品が事務機器用耐熱部品であることを特徴とする請求項１又は２に記載の耐熱部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を達成するため鋭意研究を重ねた結果、特定量のポリフェニレンエーテル系樹脂と特定量の液晶ポリエステルを配合することにより、ハロゲン元素を含まず、環境上好ましく、リサイクル可能で、かつ軽量で、かつ耐熱性と難燃性と流動性に優れる樹脂組成物から得られる耐熱部品が提供されることを見いだした。さらにポリフェニレンエーテル系樹脂のフェノール性水酸基の数を特定の範囲内に選択することにより、特に流動性が改良されることを見出し、本発明を完成するに至った。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち本発明は、
１．（Ａ）ポリフェニレンエーテル系樹脂３０〜９９重量部と、
（Ｂ）液晶ポリエステル７０〜１重量部とからなる樹脂組成物から成形することにより得られ、
（Ａ）ポリフェニレンエーテル系樹脂が、式（１）または式（２）で表されるフェノール性水酸基をフェニレンエーテルユニットの１００個に対して１．５０個以下含有する耐熱部品、
２．比重が１．３０以下、かつ該部品の最大厚みが０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする上記１に記載の耐熱部品、
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
３．耐熱部品が自動車用耐熱部品であることを特徴とする上記１又は２に記載の耐熱部品、
４．耐熱部品が事務機器用耐熱部品であることを特徴とする上記１又は２に記載の耐熱部品、を提供するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
本発明の耐熱部品の例として、自動車用耐熱部品と事務機器用耐熱部品がある。以下、これらの部品について説明する。自動車用耐熱部品は、自動車のエンジン周辺部位やランプまわりなどの部位に使用される部品である。自動車のエンジン及びランプは使用されていると発熱し熱源部となり、１５０℃以上に到達することがある。継続的に使用する場合によっては１７０℃以上に到達することがある。さらに該耐熱部品は、熱源部と該耐熱部品の間の最短距離が０．２ｍｍ以上５０ｍｍ以下、好ましくは０．３ｍｍ以上３０ｍｍ以下、さらに好ましくは０．５ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲にある部位に用いられるものである。例えば、該耐熱部品は、自動車のランプ部品、ランプエクステンション、ランプリフレクターなどとして用いられる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
【発明の効果】
本発明により、ハロゲン元素を含まず、環境上好ましく、リサイクル可能で、
かつ軽量で、かつ耐熱性と難燃性と流動性に優れる樹脂組成物から得られ、１５０℃以上に達する熱源部に近接した部位に使用可能な耐熱部品を提供することが可能となった。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月22日(2007.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】防錆潤滑組成物を塗布したプラスチック成形物
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４０℃における粘度が１０〜５００ｍｍ２／ｓのポリαーオレフィン及び、ポリαーオレフィン１００重量部に対して、０．１重量部〜１０重量部のスルホネート系防錆潤滑剤を含む防錆潤滑組成物を塗布したプラスチック成型物であり、当該プラスチック成型物が、ポリカーボネート樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート−ＡＢＳ系樹脂から選ばれる樹脂の１種又は２種以上である防錆潤滑組成物を塗布したプラスチック成形物。
【請求項２】
プラスチック成型物が歯車、軸受けシャフト、等機械部品である請求項１に記載した防錆潤滑組成物を塗布したプラスチック成形物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、プラスチック成形物用防錆潤滑組成物を塗布した樹脂成形物に関する。より詳しくは、樹脂成形物で作成された歯車、軸受けシャフト、等機械部品に用いても、ケミカルアタックが生じないプラスチック成形物用防錆潤滑油を塗布したプラスチック成形物、代表的には歯車、軸受けシャフト、等機械部品に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の好適な実施の形態を、以下に示す。
（１）４０℃における粘度が１０〜５００ｍｍ２／ｓのポリαーオレフィン及び、ポリαーオレフィン１００重量部に対して、０．１重量部〜１０重量部のスルホネート系防錆潤滑剤を含む防錆潤滑組成物を塗布したプラスチック成型物であり、当該プラスチック成型物が、ポリカーボネート樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート−ＡＢＳ系樹脂から選ばれる樹脂の１種又は２種以上である防錆潤滑組成物を塗布したプラスチック成形物。
（２）  ポリαーオレフィンが、デセン-１のダイマー、トリマー、テトラマーなどデセン-１のオリゴマーから選ばれる１種または２種以上の混合物である上記（１）に記載のプラスチック成形物。
（３）  スルホネート系防錆剤が、Ｌｉ−スルホネート、Ｂａ−スルホネート、Ｃａ−スルホネート、Ｚｎ−スルホネートの１種又は２種以上である上記（１）又は（２）に記載のプラスチック成形物。
（４）プラスチック成型物が、歯車、軸受けシャフト、等機械部品である上記（１）〜上記（３）のいずれかひとつに記載した防錆潤滑組成物を塗布したプラスチック成形物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】前記移動可能に設けられている仕切板が、上方部仕切板と下方部仕切板とに分割され、該上方部仕切板が、該下方部仕切板に対し、上下方向に移動可能であることを特徴とする請求項１に記載の溶融紡糸装置。【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】前記移動可能に設けられている仕切板が、上方部仕切板と下方部仕切板とに分割され、該下方部仕切板が、該上方部仕切板に対し、上下方向に移動可能であることを特徴とする請求項１に記載の溶融紡糸装置。【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】この本発明の溶融紡糸装置において、前記移動可能に設けられている仕切板が、上方部仕切板と下方部仕切板とに分割され、該上方部仕切板が、該下方部仕切板に対し、上下方向に移動可能であることが好ましい。【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】また、前記移動可能に設けられている仕切板が、上方部仕切板と下方部仕切板とに分割され、該下方部仕切板が、該上方部仕切板に対し、上下方向に移動可能であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月27日(2007.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  ゴム状重合体が、ゴムに、芳香族アルケニル系単量体単位を必須成分とする単量体をグラフトさせたグラフト共重合体であることを特徴とする請求項１又は２記載の熱可塑性樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明に用いる熱可塑性樹脂は、ゴム状重合体を含有するものであり、ゴム状重合体は、ゴムに芳香族アルケニル系単量体単位を必須成分とする単量体をグラフトさせたグラフト共重合体であることが好ましい。
特に、前述したゴムが、ジエン系ゴム（ａ）、アルキル（メタ）アクリレート系ゴム（ｂ）、ジエン／アルキル（メタ）アクリレート系複合ゴム（ｃ）、ポリオルガノシロキサン／アルキル（メタ）アクリレート系複合ゴム（ｄ）、エチレン−プロピレン系共重合ゴム（ｅ）、ポリオルガノシロキサン系ゴム（ｆ）、からなる群から選ばれた少なくとも一種であると、物性バランスに優れた成形品を得ることができ好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この様なゴム状重合体を含有する熱可塑性樹脂を得る方法としては、前述したゴムの存在下で、芳香族アルケニル系単量体もしくは芳香族アルケニル系単量体と他の単量体との混合物を一部グラフトさせながら重合した後、得られたグラフト共重合体を回収することにより得ることができる。
なお、得られた熱可塑性樹脂には、更に他の熱可塑性樹脂が混合されていてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、ジエン系ゴムを肥大化させる際のラテックスの安定性に優れ、かつジエン系ゴムの平均粒子径を２００ｎｍ以上に制御しやすいことから、酸基含有重合体はその重量平均粒子径が１００〜２００ｎｍのものを用いることが好ましい。
酸基含有共重合体ラテックスの添加によるジエン系ゴムの肥大化は、乳化重合で得られた小粒子径のジエン系ゴムラテックス中に、上記酸基含有共重合体ラテックスを添加することによって行う。
以上の様にして調製したジエン系ゴムを基に、芳香族アルケニル系単量体単位を必須成分とした単量体または単量体混合物をグラフト重合させることにより、ジエン系ゴムグラフト共重合体を調製することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月30日(2007.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  活性化処理前の水素吸蔵合金を入れた少なくとも１つのタンクを含む、水素吸蔵合金を入れた複数のタンクを連通する水素配管および該水素配管に設けられた水素コンプレッサと、
複数の前記タンク同士を熱交換可能に接続する熱媒配管および該熱媒配管に設けられた熱媒ポンプと、
を有する水素吸蔵合金の活性化装置。
【請求項２】  活性化処理前の水素吸蔵合金を入れた少なくとも１つのタンクを含む、水素吸蔵合金を入れた複数のタンクを連通する水素配管および該水素配管に設けられた水素コンプレッサを有する水素吸蔵合金の活性化装置。
【請求項３】  活性化処理前の水素吸蔵合金を入れた少なくとも１つのタンクを含む、水素吸蔵合金を入れた複数のタンクのうち水素放出中の第１のタンクから水素吸蔵の第２のタンクに水素を圧縮して移動させるとともに、水素吸蔵の第２のタンクで発生する熱を水素放出の第１のタンクに熱媒にて供給し水素放出の第１のタンクでの水素放出を促進する第１の工程と、
水素の移動方向と熱の供給方向を第１の工程と逆転させて水素を第２のタンクから第１のタンクに戻す第２の工程と、
を有し、第１の工程および第２の工程を、複数回繰り返す、水素吸蔵合金の活性化方法。
【請求項４】  活性化処理前の水素吸蔵合金を入れた少なくとも１つのタンクを含む、水素吸蔵合金を入れた複数のタンクのうち水素放出中の第１のタンクから水素吸蔵の第２のタンクに水素を圧縮して移動させる第１の工程と、
水素の移動方向を第１の工程と逆転させて水素を第２のタンクから第１のタンクに戻す第２の工程と、
を有し、第１の工程および第２の工程を、複数回繰り返す、水素吸蔵合金の活性化方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明はつぎの通りである。
（１）  活性化処理前の水素吸蔵合金を入れた少なくとも１つのタンクを含む、水素吸蔵合金を入れた複数のタンクを連通する水素配管および該水素配管に設けられた水素コンプレッサと、
複数の前記タンク同士を熱交換可能に接続する熱媒配管および該熱媒配管に設けられた熱媒ポンプと、
を有する水素吸蔵合金の活性化装置。
（２）  活性化処理前の水素吸蔵合金を入れた少なくとも１つのタンクを含む、水素吸蔵合金を入れた複数のタンクを連通する水素配管および該水素配管に設けられた水素コンプレッサを有する水素吸蔵合金の活性化装置。
（３）  活性化処理前の水素吸蔵合金を入れた少なくとも１つのタンクを含む、水素吸蔵合金を入れた複数のタンクのうち水素放出中の第１のタンクから水素吸蔵の第２のタンクに水素を圧縮して移動させるとともに、水素吸蔵の第２のタンクで発生する熱を水素放出の第１のタンクに熱媒にて供給し水素放出の第１のタンクでの水素放出を促進する第１の工程と、
水素の移動方向と熱の供給方向を第１の工程と逆転させて水素を第２のタンクから第１のタンクに戻す第２の工程と、
を有し、第１の工程および第２の工程を、複数回繰り返す、水素吸蔵合金の活性化方法。
（４）  活性化処理前の水素吸蔵合金を入れた少なくとも１つのタンクを含む、水素吸蔵合金を入れた複数のタンクのうち水素放出中の第１のタンクから水素吸蔵の第２のタンクに水素を圧縮して移動させる第１の工程と、
水素の移動方向を第１の工程と逆転させて水素を第２のタンクから第１のタンクに戻す第２の工程と、
を有し、第１の工程および第２の工程を、複数回繰り返す、水素吸蔵合金の活性化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月21日(2007.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  式（Ｉ）
【化１】
2002069030.tif 000001
で表される２−｛４−［（２−オキソシクロペンチル）メチル］フェニル｝プロピオン酸を、式（ＩＩ）
【化２】
2002069030.tif 000002
（式中、Ｒ1およびＲ2は同一または異なって、水素原子、または低級アルキルを表すか、あるいはＲ1とＲ2が隣接する炭素原子といっしょになってシクロアルキルを表す）で表される溶媒と水の存在下、式（ＩＩＩ）
【化３】
2002069030.tif 000003
（式中、Ｒ3は水素原子、低級アルキル、アリール、低級アルケニルまたはアラルキルを表す）で表される塩基にてナトリウム塩化後、該反応液より、式（ＩＶ）
【化４】
2002069030.tif 000004
で表される、ナトリウム ２−｛４−［（２−オキソシクロペンチル）メチル］フェニル｝プロピオネート ２水和物を結晶化することを特徴とするナトリウム２−｛４−［（２−オキソシクロペンチル）メチル］フェニル｝プロピオネート２水和物の製造法。
【請求項２】  Ｒ1およびＲ2が同一または異なって低級アルキルである請求項１記載の製造法。
【請求項３】  式（ＩＩ）で表される溶媒が、アセトン、メチルエチルケトンまたはメチルイソブチルケトンである請求項１または２記載の製造法。
【請求項４】  式（ＩＩ）で表される溶媒が、アセトンである請求項１または２記載の製造法。
【請求項５】  Ｒ3が水素原子または低級アルキルである請求項１〜４のいずれかに記載の製造法。
【請求項６】  式（ＩＩＩ）で表される塩基が水酸化ナトリウム、ナトリウムメトキシドまたはナトリウムエトキシドである請求項１〜５のいずれかに記載の製造法。
【請求項７】  式（ＩＩＩ）で表される塩基が水酸化ナトリウムである請求項１〜５のいずれかに記載の製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月23日(2007.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アクリロニトリルの製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  流動層反応器を用いたプロピレンまたはプロパンのアンモ酸化反応によりアクリロニトリルを製造する方法において、触媒層の上部に設置したガス導入口からメタノールとメタノール１に対して０．５ないし１０（モル比）の範囲の水蒸気とを含むメタノール含有ガスを、ガス導入口開口部から触媒層へ吹き出す時の速度が５ないし７０ｍ／秒で触媒層へ送入することを特徴とするアクリロニトリルの製造方法。
【請求項２】  メタノール含有ガスがメタノール１に対し酸素０．０１ないし０．５（モル比）の範囲の酸素を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】  メタノール含有ガスを触媒層に吹き出す開口部がガス分散管から分岐したノズルであって、その長さが１ｃｍないし５０ｃｍであることを特徴とする請求項１または２のいずれか１項記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、流動層反応器を用いプロピレンまたはプロパンのアンモ酸化反応によりアクリロニトリルを製造するに当たり、メタノールを特定条件下に反応帯域に送入し青酸生産量を増大させるアクリロニトリルの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、本発明は、流動層反応器を用いたプロピレンまたはプロパンのアンモ酸化反応によりアクリロニトリルを製造する方法において、触媒層の上部に設置したガス導入口からメタノールとメタノール１に対して０．５ないし１０（モル比）の範囲の水蒸気とを、ガス導入口開口部から触媒層へ吹き出す時の速度が５ないし７０ｍ／秒で触媒層へ送入することを特徴とするアクリロニトリルの製造方法に関する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明をより効果的に実施するためには、メタノール含有ガス吹き出し口の数についても考慮することが望ましい。すなわち、メタノール含有ガス吹き出し口の数は触媒層下部に配置されたプロピレンまたはプロパン・アンモニア吹き出し口の数の３０ないし３００％、好ましくは５０ないし２００％の範囲が良い。