【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気光学装置及びプロジェク
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、
前記第１基板上に、マトリクス状に配列された複数の画素電極と、前記各画素電極に電気的に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに電気的に接続されており第１方向に伸びる走査線と、該走査線に重なるように形成され且つ前記第１方向に伸びる導電膜とを備えており、
前記第２基板上に、前記画素電極に対向する対向電極を備えており、
前記第１基板における前記画素電極の下地表面は、前記走査線及び前記導電膜の存在に対応して前記走査線に沿った領域において、前記走査線が延在する方向に直交する断面で略台形に盛り上がっており、
前記第１方向に交差する第２方向に相隣接する画素電極は、前記下地表面における前記略台形に盛り上がっていない領域から前記略台形に盛り上がった領域の上面上に至るまで形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】  前記下地表面は、前記走査線及び前記導電膜上並びにそれらの周辺に積層されている層間絶縁膜の表面からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】  前記層間絶縁膜の膜厚は、前記走査線及び前記導電膜のうちの上側にあるものの膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】  前記導電膜は、第１の導電膜とその下層側に形成された第２の導電膜とを含み、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とは、前記断面において幅が相異なることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】  前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜は、前記走査線の上層側に積層されており、前記第１の導電膜は前記第２の導電膜よりも前記断面で幅が広いことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】  前記導電膜は、前記走査線の上層側に積層されており前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を上方から覆う上側遮光膜を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】  前記導電膜は、前記画素電極に付加される蓄積容量の固定電位側容量電極を含む容量線を含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】  前記導電膜は、前記画素電極に付加される蓄積容量の画素電位側容量電極を含む中間導電層を含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】  前記導電膜は、前記画素電極と前記薄膜トランジスタとを中継接続する中間導電層を含むことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】  前記導電膜は、前記薄膜トランジスタの下側に形成されており少なくとも前記チャネル領域を下方から覆う下側遮光膜を含むことを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】  前記略台形の両斜辺の傾斜角は相等しいことを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】  前記略台形の両斜辺の傾斜角は相異なり、
前記画素電極上の配向膜に対するラビング処理が擦り下げとなる側の斜辺の傾斜角が擦り上げとなる側の斜辺の傾斜角より小さいことを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】  前記画素電極上の配向膜に対するラビング処理が擦り上げとなる側における前記略台形の斜辺の凹凸を平均化した平均傾斜角度は、８０度以下であることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１４】  前記略台形の斜辺と、前記略台形の底辺とのなす角度は、９０度以下であることを特徴とする請求項１３に記載の電気光学装置。
【請求項１５】  前記走査線と前記導電膜とは、前記断面における幅が相異なることを特徴とする請求項１から１６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１６】  請求項１から１５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とするプロジェクタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、前記第１基板上に、マトリクス状に配列された複数の画素電極と、該画素電極に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続されており第１方向に伸びる走査線と、該走査線に対して積層され且つ前記第１方向に伸びる導電膜とを備えており、前記第２基板上に、前記画素電極に対向する対向電極を備えており、前記第１基板における前記画素電極の下地表面は、前記走査線及び前記導電膜の存在に対応して前記走査線に沿った領域において前記走査線が延在する方向に直交する断面で略台形に盛り上がっており、前記第１方向に交差する第２方向に相隣接する画素電極は、前記下地表面における前記略台形に盛り上がっていない領域から前記略台形に盛り上がった領域の上面上に至るまで形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の一の態様では、前記下地表面は、前記走査線及び前記導電膜上並びにそれらの周辺に積層されている層間絶縁膜の表面からなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の他の態様では、前記導電膜は、第１の導電膜とその下層側に形成された第２の導電膜とを含み、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とは、前記断面において幅が相異なることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
この態様によれば第１の導電膜と第２の導電膜との幅の相違に応じて、略台形の斜辺の傾斜を緩やかにできる。即ち、仮に両者の幅を相等しくしてしまうと、両者の合計膜厚だけ、一挙に上るか又は下る斜辺が構成されるため、当該斜辺の傾斜角は大きくならざるを得ない。逆に、この態様の如く両者の幅を相異ならせれば、両者の合計膜厚をより長い水平距離で上るか又は下る斜辺が構成されるため、当該斜辺の傾斜角を簡単に小さくできる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の他の態様では、前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜は、前記走査線の上層側に積層されており、前記第１の導電膜は前記第２の導電膜よりも前記断面で幅が広いことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
この態様によれば、上側にある第１の導電膜の幅が広い分だけ、その上方で略台形に盛り上がる下地表面の傾斜の始まりと終りとを滑らかにできる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の他の態様では、前記導電膜は、前記走査線の上層側に積層されており前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を上方から覆う上側遮光膜を含むことを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
この態様によれば、導電膜は、下地表面を略台形に盛り上げる機能の他、薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を上方から覆う上側遮光膜としても機能する。よって、薄膜トランジスタのチャネル領域に光が入射することで光リーク電流が発生して薄膜トランジスタの特性が変化するのを当該上側遮光膜により効果的に防止できる。従って、薄膜トランジスタを遮光可能であると共に下地表面を略台形に盛り上げる構成を積層構造及び製造プロセスの簡略化を図りつつ実現できる。また、前記上側遮光膜は、その下方に積層された前記走査線を含む他の導電膜よりも、前記断面で幅が広いように構成してもよい。このように構成すれば、上側遮光膜は、走査線を含む他の導電膜を上方から覆うことができ、薄膜トランジスタのチャネル領域を確実に覆うことができる。  
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
しかも、位置Ｐ１で不連続面が生じているものの、下り斜面４０１Ｄ側にある画素電極９ａの端は上面４０１Ｔ上に配置されているため、当該不連続面の位置Ｐ１は下り斜面４０１Ｄの平面領域内に位置することになる。即ち、図６に示した特性曲線Ｃ１から分かるように、横電界の発生領域における横電界による一次的な動作不良と、不連続面における横電界による二次的な動作不良と（加えて、液晶層５０の層厚の凹凸に起因した液晶分子５０ａの配向不良と）が発生する平面領域を重複させることが可能となる。