【手続補正書】
【提出日】平成20年10月2日(2008.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対誘電率１０以上を有する物質、及び相対誘電透磁率≠１を有する物質からなるグループから選択される少なくとも１つの物質から構成されている少なくとも１つのセラミック誘電性介在物を含む複合誘電体であって、該少なくとも１つのセラミック誘電性介在物が、該複合誘電体が有効誘電率４以上を有するように、非晶質シリカ、チタニア、タンタル酸化物、純アルミナ、その混合物、及び有機媒質からなるグループから選択される誘電性ホスト物質に埋め込まれており、前記誘電性介在物がそれぞれ５０ナノメートル未満の最大名目粒度を有し、前記複合誘電体の前記有効誘電率が温度の関数５×１０-2℃-1以下として変化する複合誘電体と、
該複合誘電体に隣接し、接地平面及び少なくとも１つのコンタクトパッドを含む金属化層と、
該金属化層に平行に配置され、該少なくとも１つのコンタクトパッドと電気的に接続される少なくとも１つの導電性素子であって、該導電素子が周波数のバンド上で共鳴しやすく、該複合誘電体を使わずに同じ共振を維持するために必要とされるであろう長さの５０％以下である長さを有するように、各該導電素子が該複合誘電体を基準にして配置される少なくとも１つの導電素子と、
を備えるアンテナモジュール。
【請求項２】
複合誘電体が、該複合誘電体の上面に配置され、ポリフルオロテトラエチレン、ビスベンゾシクロブテン（ｂｉｓ−ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリビニルホルマール、ポリビニルブチラール、Ｒｏｇｅｒｓ  Ｄｕｒｏｉｄ及びポリイミドカプトンからなるグループから選択される物質から構成される少なくとも１つの反射防止キャップ層をさらに備える請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
金属化層に隣接する半導体ウェハの中に含まれる少なくとも１つの半導体金型をさらに備え、該少なくとも１つの半導体金型が、少なくとも１つのコンタクトパッドを通して少なくとも１つの導電性素子と電気的に通信する請求項１に記載のモジュール。
【請求項４】
少なくとも１つの導電性素子が複数のアンテナ素子を備える請求項１に記載のモジュール。
【請求項５】
アンテナ素子のそれぞれが、異なった周波数帯域幅で動作可能である請求項４に記載のモジュール。
【請求項６】
少なくとも１つの導電性素子が帯域幅内で異なった動作周波数を有した複数のアンテナ素子を備えており、
その接地平面が、
第１平面と第２平面とを有し、３Ｘ１０-3以下の損失正接を有したホスト物質本体と、該ホスト物質本体内に埋設された少なくとも１つの接地平面セラミック誘電性介在物とを含んだ接地平面誘電体と、
前記接地平面誘電体の前記第１平面に隣接した電気接地平面と、
周期的配列の容量性パッドであって、前記接地平面誘電体の前記第２平面に設置され、該接地平面誘電体を介して電気短絡されており、±９０°以内の所望する位相シフトが前記接地平面に対する入射電磁波の反射電界成分内に誘発されるように均一な周期性を有し、前記容量性パッド間に間隔を有しており、周波数帯域幅内に周波数を有している容量性パッドと、
を備えている請求項１に記載のモジュール。
【請求項７】
少なくとも１つの導電性素子が２から１０オームの固有インピーダンスを有している請求項１に記載のモジュール。
【請求項８】
少なくとも１つの半導体金型に接続可能なアンテナモジュールであって、
第１の表面及び第２の表面を有するアンテナ誘電体と、
該アンテナ誘電体の該第１の表面に配置される少なくとも１つの導電性素子と、第１の表面及び第２の表面を有し、相対誘電率１０以上を有する物質及び相対誘電透磁率≠１を有する物質からなる該グループから選択される少なくとも１つの物質から構成される少なくとも１つのセラミック誘電性介在物であって、複合誘電体が有効誘電率４以上を有するように、非晶質シリカと純アルミナ、及びその混合剤、ならびに有機媒質からなるグループから選択され、それぞれ５０ナノメートル未満の最大名目粒度を有し、前記複合誘電体の前記有効誘電率が温度の関数５×１０-2℃-1以下として変化する誘電ホスト物質内に埋め込まれる少なくとも１つのセラミック誘電性介在物を備えた複合誘電体と、該複合誘電体の前記第１の表面に配置される金属化層であって、電気的な接地平面及び少なくとも１つのコンタクトパッドとを含み、各コンタクトパッドが、前記複合誘電体の中、及び前記アンテナ誘電体の中の少なくとも１つのビアを通して前記少なくとも１つの導電性素子の関連付けられる１つに電気的に接続され、半導体素子に電気的に接続可能である該金属化層と、前記複合誘電体の前記第２の表面に配置される周期的配列の容量性パッドであって、該容量性パッドが前記複合誘電体を通して電気的に短絡され、前記接地平面構造に入射し、周波数のバンドギャップ範囲内の周波数を有する電磁波の反射される電場成分が、前記反射される電場成分と、該反射される電場成分と同じ指向性伝搬を実質的に共用する前記少なくとも１つの導電性素子から生じる電場成分の間に建設的な干渉の状態を生じさせる、誘発された位相シフトを経験するように、前記容量性パッド間で一様な周期性及び間隔を有する容量性パッドとを備える接地平面構造と、
を備えるアンテナモジュール。
【請求項９】
少なくとも１つのコンタクトパッドと接触する少なくとも１つの導電性コネクタと、
該少なくとも１つの導電性コネクタと該少なくとも１つのコンタクトパッドを通して対応する導電性素子と電気的に通信する半導体金型と、
をさらに備える請求項８に記載のアンテナモジュール。
【請求項１０】
少なくとも１つの導電性素子が少なくとも１つのアンテナ素子を備える請求項１または８に記載のアンテナモジュールと、
該少なくとも１つのアンテナ素子に電気的に接続される少なくとも１つの電力増幅器と、
該少なくとも１つのアンテナ素子からの信号伝送に関連する周波数で変調された信号を合成するために、
該少なくとも１つの電力増幅器の振幅及び位相入力を変調するための信号処理装置と、
を備えるＲＦフロントエンド。
【請求項１１】
少なくとも１つのアンテナ素子が、それぞれが対応する複数の信号伝送周波数の１つで狭帯域共振を有するように同調されるアンテナ素子の配列と、信号受信周波数で信号を受信するように適応されるアンテナと、受信された信号を処理するための手段とを備える請求項１０に記載のＲＦフロントエンド。
【請求項１２】
少なくとも１つのアンテナ素子が、それぞれが複数の信号受信周波数の１つで狭帯域共振を有するように同調されたアンテナ素子の配列を備える請求項１０に記載のＲＦフロントエンド。
【請求項１３】
少なくとも１つの半導体金型が少なくとも１つの電力増幅器を備え、該少なくとも１つの追加超小型電子構成部品が少なくとも１つのアンテナ素子とを備える請求項１または８に記載の回路モジュールと、
前記少なくとも１つのアンテナ素子が配置される表面を有する基部誘電体層と、
該基部誘電体層に隣接し、電気接地平面と、該セラミック誘電体の該第１の表面に埋め込まれている該少なくとも１つの導電性コンタクトパッドと電気的に接触する少なくとも１つのコンタクトパッドを含む金属化層と、
前記少なくとも１つのアンテナ素子からの信号伝送に関連する周波数で変調された信号を合成するために前記少なくとも１つの電力増幅器の振幅及び位相入力を変調するための信号処理装置と、
を備えるＲＦフロントエンド。
【請求項１４】
少なくとも１つのアンテナ素子が、それぞれが対応する複数の信号伝送周波数の１つで狭帯域共振を有するように同調されるアンテナ素子の配列を備える請求項１３に記載のＲＦフロントエンド。
【請求項１５】
少なくとも１つのアンテナ素子は送信周波数で狭帯域共振を有するように同調されるアンテナと、信号受信周波数で狭帯域共振を有するように同調されるアンテナとを備える請求項１３に記載のＲＦフロントエンド。
【請求項１６】
少なくとも１つの半導体金型を、関連付けられた少なくとも１つの超小型電子構成部品に接続するための低損失電気相互接続構造を含む回路モジュールであって、
少なくとも１つの超小型電子構成部品と、
電気接地平面と少なくとも１つのコンタクトパッドを含む金属化層であって、該少なくとも１つのコンタクトパッドのそれぞれが関連付けられた超小型電子構成部品に電気的に接続される金属化層と、
該金属化層に隣接し、前記少なくとも１つのコンタクトパッドと少なくとも１つの超小型電子構成部品の間の該電気的接続を収容するために少なくとも１つのビアを有する基部誘電体層であって、該少なくとも１つの超小型電子構成部品が前記金属化層に対向する前記基部誘電体の表面に配置される基部誘電体層と、
相対誘電率４．５以下を有するホスト誘電物質の少なくとも２つの層から構成される複合セラミック誘電体であって、第１表面、第２表面およびそれぞれ５０ナノメートル未満の最大名目粒度を有た誘電性介在物を有し、前記複合誘電体の前記有効誘電率が温度の関数５×１０-2℃-1以下として変化する複合誘電体と、
前記複合セラミック誘電体の中に埋め込まれている少なくとも１本の伝送回線と、
前記複合セラミック誘電体の前記第１表面を通して前記少なくとも１本の伝送回線の関連付けられた１つに、前記コンタクトパッドの１つを電気的に接続する第１導電性コネクタ手段と、
前記複合誘電体の前記第２表面に配置され、接地平面と、半導体金型が前記少なくとも１本の伝送回線の前記関連付けられた１つに電気的に接続できる第２導電性コネクタ手段とを含む相互接続金属化層と、
を備える回路モジュール。
【請求項１７】
少なくとも１つのコンタクトパッドと接触する少なくとも１つの導電性コネクタと、
該少なくとも１つの導電性コネクタと前記少なくとも１つの導電性コンタクトパッドを通して対応する導電性素子と電気的に通信する半導体金型と、
をさらに備える請求項１６に記載の回路モジュール。
【請求項１８】
少なくとも１つの導電性素子が少なくとも１つのアンテナ素子を備える請求項１６に記載の回路モジュールと、
該少なくとも１つのアンテナ素子に電気的に接続される少なくとも１つの電力増幅器と、
該少なくとも１つのアンテナ素子からの信号伝送に関連する周波数で変調された信号を合成するために、前記少なくとも１つの電力増幅器の振幅及び位相入力を変調するための信号処理装置と、
を備えるＲＦフロントエンド。
【請求項１９】
少なくとも１つのアンテナ素子が信号受信周波数で信号を受信するように適応されたアンテナと、該受信信号を処理する手段とを備えた請求項１８に記載のＲＦフロントエンド。
【請求項２０】
少なくとも１つのアンテナ素子が、それぞれが対応する複数の信号伝送周波数の１つで狭帯域共振を有するように同調されるアンテナ素子の配列を備える請求項１８に記載のＲＦフロントエンド。
【請求項２１】
少なくとも１つの半導体金型が少なくとも１つの電力増幅器を備え、少なくとも１つの追加超小型電子構成部品が少なくとも１つのアンテナ素子とを備える請求項１６に記載の回路モジュールと、
前記少なくとも１つのアンテナ素子が配置される表面を有する基部誘電体層と、
該基部誘電体層に隣接し、電気接地平面と、セラミック誘電体の該第１の表面に埋め込まれている少なくとも１つの導電性コンタクトパッドと電気的に接触する少なくとも１つのコンタクトパッドを含む金属化層と、
前記少なくとも１つのアンテナ素子からの信号伝送に関連する周波数で変調された信号を合成するために前記少なくとも１つの電力増幅器の振幅及び位相入力を変調するための信号処理装置と、
を備えるＲＦフロントエンド。
【請求項２２】
少なくとも１つのアンテナ素子が、それぞれが対応する複数の信号伝送周波数の１つで狭帯域共振を有するように同調されるアンテナ素子の配列を備える請求項２１に記載のＲＦフロントエンド。
【請求項２３】
少なくとも１つのアンテナ素子は送信周波数で狭帯域共振を有するように同調されるアンテナと、信号受信周波数で狭帯域共振を有するように同調されるアンテナとを備える請求項２１に記載のＲＦフロントエンド。
【請求項２４】
少なくとも１つの半導体金型を、関連付けられた少なくとも１つの超小型電子構成部品に接続するための低損失電気相互接続構造を含む回路モジュールであって、
少なくとも１つの超小型電子構成部品と、
電気接地平面と少なくとも１つのコンタクトパッドを含む金属化層であって、該少なくとも１つのコンタクトパッドのそれぞれが関連付けられた超小型電子構成部品に電気的に接続される金属化層と、
該金属化層に隣接し、前記少なくとも１つのコンタクトパッドと少なくとも１つの超小型電子構成部品の間の該電気的接続を収容するために少なくとも１つのビアを有する基部誘電体層であって、該少なくとも１つの超小型電子構成部品が前記金属化層に対向する前記基部誘電体の表面に配置される基部誘電体層と、
損失正接３Ｘ１０-3以下を有するホスト誘電物質の少なくとも２つの層から構成される複合セラミック誘電体であって、第１表面、第２表面およびそれぞれ５０ナノメートル未満の最大粒度を有た誘電性介在物を有し、前記複合誘電体の前記有効誘電率が温度の関数５×１０-2℃-1以下として変化する複合誘電体と、
前記複合セラミック誘電体の中に埋め込まれている少なくとも１本の伝送回線と、
前記複合セラミック誘電体の前記第１表面を通して前記少なくとも１本の伝送回線の関連付けられた１つに、前記コンタクトパッドの１つを電気的に接続する第１導電性コネクタ手段と、
前記複合誘電体の前記第２表面に配置され、接地平面と、半導体金型が前記少なくとも１本の伝送回線の前記関連付けられた１つに電気的に接続できる第２導電性コネクタ手段とを含む相互接続金属化層と、
を備える回路モジュール。
【請求項２５】
少なくとも１つの半導体金属が少なくとも１つの電力増幅器を備え、少なくとも１つの追加超小型電子構成部品が少なくとも１つのアンテナ素子とを備える請求項２４に記載の回路モジュールと、
前記少なくとも１つのアンテナ素子が配置される表面を有する基部誘電体層と、
該基部誘電体層に隣接し、電気接地平面と、該セラミック誘電体の該第１の表面に埋め込まれている該少なくとも１つの導電性コンタクトパッドと電気的に接触する少なくとも１つのコンタクトパッドを含む金属化層と、
前記少なくとも１つのアンテナ素子に電気的に接続される低雑音増幅器と、
前記受信信号を処理するための信号処理装置と、
を備えるＲＦフロントエンド。
【請求項２６】
少なくとも１つのアンテナ素子が、それぞれが複数の信号受信周波数の１つで狭帯域共振を有するように同調されるアンテナ素子の配列を備える請求項２５に記載のＲＦフロントエンド。
【請求項２７】
信号受信周波数を分離するための低雑音増幅器の出力に電気的に接続されているフィルタリング段をさらに備える請求項２５に記載のＲＦフロントエンド。
【請求項２８】
相対誘電率４．５以下を有するホスト材料からなる誘電体に埋め込まれた少なくとも１つのセラミック誘電性介在物を含む複合誘電体と、
該複合誘電体に隣接し、接地面と少なくとも１つのコンタクトパッドを含む金属化層と、
該金属化層に対して平行に配置され、少なくとも１つのコンタクトパッドと接触する少なくとも１つの導電性素子と、
を備え、前記誘電性介在物はそれぞれ５０ナノメートル未満の最大名目粒度を有し、前記複合誘電体の有効誘電率が温度の関数５×１０-2℃-1以下として変化する回路モジュール。
【請求項２９】
少なくとも１つの導電性素子が少なくとも１つのアンテナ素子を備える請求項２８に記載の回路モジュールと、
該少なくとも１つのアンテナ素子に電気的に接続される少なくとも１つの電力増幅器と、
該少なくとも１つのアンテナ素子からの信号伝送に関連する周波数で変調された信号を合成するために、前記少なくとも１つの電力増幅器の振幅及び位相入力を変調するための信号処理装置と、
を備えるＲＦフロントエンド。
【請求項３０】
少なくとも１つのアンテナ素子が、それぞれが対応する複数の信号伝送周波数の１つで狭帯域共振を有するように同調されるアンテナ素子の配列を備える請求項２９に記載のＲＦフロントエンド。
【請求項３１】
少なくとも１つのアンテナ素子が信号受信周波数で信号を受信するように適応されるアンテナと、該受信された信号を処理する手段とを備えた請求項２９に記載のＲＦフロントエンド。
【請求項３２】
少なくとも１つのアンテナ素子は送信周波数で狭帯域共振を有するように同調されるアンテナと、信号受信周波数で狭帯域共振を有するように同調されるアンテナとを備える請求項２９に記載のＲＦフロントエンド。
【請求項３３】
請求項２８に記載のＲＦフロントエンドを含む無線通信装置。
【請求項３４】
装置が携帯電話である請求項３３に記載の無線通信装置。
【請求項３５】
装置が同時に、１つまたは複数の伝送周波数で信号を送信し、１つまたは複数の信号受信周波数で信号を受信するように動作可能である請求項３３に記載の無線通信装置。
【請求項３６】
３Ｘ１０-3以下である損失正接を有するホスト物質を含む複合誘電体であって、少なくとも１つの誘電性介在物が、前記複合誘電体が有効相対誘電率４以上を有するように前記ホスト物質に埋め込まれている複合誘電体と、
該複合誘電体に隣接し、接地平面と、少なくとも１つのコンタクトパッドを含む金属化層と、
該金属化層に平行に配置され、前記少なくとも１つのコンタクトパッドと接触する少なくとも１つの導電性素子と、
を備え、前記誘電性介在物はそれぞれ５０ナノメートル未満の最大名目粒度を有し、前記複合誘電体の有効誘電率が温度の関数５×１０-2℃-1以下として変化する回路モジュール。
【請求項３７】
３Ｘ１０-3以下である損失正接を有するホスト物質を含む複合誘電体であって、少なくとも１つの誘電性介在物が、前記複合誘電体が有効相対誘電率４以上を有するように前記ホスト物質に埋め込まれている複合誘電体と、
該複合誘電体に隣接し、接地面と少なくとも１つのコンタクトパッドを含む金属化層と、
該金属化層に対して平行に配置され、少なくとも１つのコンタクトパッドと接触する少なくとも１つの導電性素子と、
を備え、前記誘電性介在物はそれぞれ５０ナノメートル未満の最大名目粒度を有し、前記複合誘電体の有効誘電率が温度の関数５×１０-2℃-1以下として変化する回路モジュール。
【請求項３８】
接地平面及び少なくとも１つのコンタクトパッドを含む金属化層を形成するステップと、
非晶質シリカ、チタニア、タンタル酸塩、純アルミナ、その混合剤、及び有機媒質からなるグループから選択される誘電ホスト物質の中に、相対誘電率１０以下を有する物質と、相対誘電透磁率≠１を有する物質からなるグループから選択される少なくとも１つの物質から構成される少なくとも１つのセラミック誘電性介在物を埋め込むことによって前記金属化層に隣接する複合誘電体を形成し、その結果該複合誘電体が有効誘電率４以上を有し、前記複合誘電体の有効誘電率が温度の関数５×１０-2℃-1以下として変化するステップと、
少なくとも１つの導電性素子を前記少なくとも１つのコンタクトパッドに少なくとも部分的に該複合誘電体を通して電気的に接続し、該少なくとも１つの導電性素子が周波数のバンド上で共鳴しやすく、前記複合誘電体がない場合に同じ共振を維持するために必要とするであろう長さの５０％以下である長さを有するように、前記金属化層に平行に、及び前記複合誘電体を基準にして向けられる前記少なくとも１つの導電性素子を配置するステップと、
を含むアンテナモジュールを構築する方法。
【請求項３９】
金属化層は少なくとも１つの半導体金型を含む半導体ウェハの上に形成され、その結果、該少なくとも１つの半導体金型が少なくとも１つのコンタクトパッドを通して少なくとも１つの導電性素子の対応する１つと電気的に通信する請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
少なくとも１つの導電性素子と対向する該金属化層の側面に配置される酸化物セラミック体を構築するステップと、
該酸化物セラミック体の第１表面で少なくとも第１導電性接点を埋め込むステップと、
該酸化物セラミック体の第２表面で少なくとも第２導電性接点を形成するステップと、
接地平面上、均一な距離にある前記酸化物セラミック体の中に少なくとも１本の伝送回線を埋め込み、該少なくとも１本の伝送回線が該酸化物セラミック体を通して前記第１導電性接点と前記第２導電性接点の間に電気経路を設けるステップと、
前記少なくとも１つのコンタクトパッドに該第１導電性接点または該第２導電性接点を電気的に接続するステップと、
を通して相互接続構造を構築することをさらに含む請求項３８に記載の方法。
【請求項４１】
複合誘電体を形成することが、該接地平面に隣接して相対誘電率εRである１０以上を有し、少なくとも１つのコンタクトパッドに電気的に接続されるときに、少なくとも１つの導電性素子の入力インピーダンスを修正し、少なくとも１つの半導体金型の出力インピーダンスを実質的に整合するように均一な寸法で作られる高−ｋセラミック材料の基部誘電体層を配置することをさらに含む請求項３８に記載の方法。
【請求項４２】
金属化層を形成することが、
第１表面と第２表面を有する接地平面誘電体を形成するステップと、
該接地平面誘電体の該第１表面に隣接して電気接地平面を形成するステップと、
該接地平面誘電体の第２表面に、該設置平面誘電体を通して電気的に短絡される容量性パッドの周期的配列を構築し、該配列が、所望される位相シフトが前記接地平面に入射する電磁波の反射される電場で引き起こされるように前記容量性パッドの間に均一な周期性及び間隔を有し、周波数バンドギャップ範囲内に周波数を有するステップと、
をさらに含む請求項３８に記載の方法。
【請求項４３】
第１表面と第２表面及び少なくとも１つの導電性素子を有するアンテナ誘電体を形成するステップと、
非晶質シリカ、純アルミナ、その混合剤、及び有機媒質からなるグループから選択される誘電ホスト物質の中に、相対誘電率１０以上を有する物質と、相対誘電透磁率≠１を有する物質からなるグループから選択される少なくとも１つの物質から構成される少なくとも１つのセラミック誘電性介在物を埋め込むことによって第１表面と第２表面を有する複合誘電体を形成し、その結果、該複合誘電体が有効誘電率４以上を有し、前記複合誘電体の有効誘電率が温度の関数５×１０-2℃-1以下として変化するステップと、
該複合誘電体の前記第１表面に金属化層を形成し、該金属化層が電気接地平面及び少なくとも１つのコンタクトパッドを含み、各コンタクトパッドが前記複合誘電体の中、及び前記アンテナ誘電体の中の少なくとも１つのビアを通して少なくとも１つの導電性素子の関連付けられた１つに電気的に接続されるステップと、
前記複合誘電体の前記第２表面に配置される容量性パッドの周期的配列を構築し、該容量性パッドが該複合誘電体を通して電気的に短絡され、該配列が、前記接地平面構造に入射し、周波数バンドギャップ範囲の中に周波数を有する電磁波の反射された電場成分が、該反射された電場成分と、該反射された電場成分と同じ方向伝搬ベクトルを実質的に共用する該少なくとも１つの導電性素子から生じる電場成分の間に建設的な干渉の状態を生じさせる誘発位相シフトを経験するように、前記容量性パッド間に一様な周期性及び間隔を有するステップと、
を通して接地平面を構築するステップと、
を含む少なくとも１つの半導体金型に接続可能なアンテナモジュールを構築する方法。
【請求項４４】
少なくとも１つの半導体金型を関連付けられた少なくとも１つの超小型電子構成部品に接続するための低損失電気相互接続構造を含む回路モジュールを構築する方法であって、
少なくとも１つの超小型電子構成部品を提供するステップと、
電気接地平面及び少なくとも１つのコンタクトパッドを含む金属化層を形成し、前記少なくとも１つの超小型電子構成部品の関連付けられた１つに該少なくとも１つのコンタクトパッドのそれぞれを電気的に接続するステップと、
該少なくとも１つのコンタクトパッドと少なくとも１つの超小型電子構成部品の間の前記電気的な接続を収容するために少なくとも１つのビアを有する該金属化層に隣接する基部誘電体層を形成し、前記少なくとも１つの超小型電子構成部品が該金属化層に対向する該基部誘電体層の表面に配置されるステップと、
相対誘電率４．５以下を有するホスト誘電物質の少なくとも２つの層から構成される複合セラミック誘電体を形成するステップであって、該複合セラミック誘電体が第１表面、第２表面およびそれぞれ５０ナノメートル未満の最大粒度を有し、前記複合誘電体の有効誘電率が温度の関数５×１０-2℃-1以下として変化する誘電性介在物を有するステップと、
前記複合セラミック誘電体の中に少なくとも１本の伝送回線を埋め込むステップと、
前記複合セラミック誘電体の前記第１表面を通して前記少なくとも１本の伝送回線の関連付けられた１つに該コンタクトパッドの１つを、第１導電性コネクタを介して電気的に接続するステップと、
接地平面と、半導体金型が前記少なくとも１本の伝送回線の前記関連付けられた１つに電気的に接続できる第２導電性コネクタ手段とを含む前記複合誘電体の前記第２表面に相互接続金属化層を形成するステップと、
を含む方法。
【請求項４５】
少なくとも１つの半導体金型を関連付けられた少なくとも１つの超小型電子構成部品に接続するための低損失電気相互接続構造を含む回路モジュールを構築する方法であって、
少なくとも１つの超小型電子構成部品を提供するステップと、
電気接地平面及び少なくとも１つのコンタクトパッドを含む金属化層を形成し、前記少なくとも１つの超小型電子構成部品の関連付けられた１つに該少なくとも１つのコンタクトパッドのそれぞれを電気的に接続するステップと、
該少なくとも１つのコンタクトパッドと少なくとも１つの超小型電子構成部品の間の前記電気的な接続を収容するために少なくとも１つのビアを有する前記金属化層に隣接する基部誘電体層を形成し、前記少なくとも１つの超小型電子構成部品が該金属化層に対向する該基部誘電体層の表面に配置されるステップと、
損失正接３×１０-3以下を有するホスト誘電物質の少なくとも２つの層から構成される複合セラミック誘電体を形成し、該複合セラミック誘電体が第１表面、第２表面およびそれぞれ５０ナノメートル未満の最大粒度を有し、前記複合誘電体の有効誘電率が温度の関数５×１０-2℃-1以下として変化する誘電性介在物を有するステップと、
該複合セラミック誘電体の中に少なくとも１本の伝送回線を埋め込むステップと、
該複合セラミック誘電体の前記第１表面を通して前記少なくとも１本の伝送回線の関連付けられた１つに前記コンタクトパッドの１つを、第１導電性コネクタを介して電気的に接続するステップと、
接地平面と、半導体金型が前記少なくとも１本の伝送回線の前記関連付けられた１つに電気的に接続できる第２導電性コネクタ手段とを含む前記複合誘電体の前記第２表面に相互接続金属化層を形成するステップと、
を含む方法。
【請求項４６】
有効相対誘電率４以上を有する複合誘電体を得るために、３×１０-3以下である損失正接を有するホスト物質の中に、５０ナノメートル未満の最大粒度を有する少なくとも１つの誘電性介在物を埋め込むステップであって、該複合誘電体の有効誘電率が温度の関数５×１０-2℃-1以下として変化するメタマテリアル誘電体を形成する方法。