【手続補正書】
【提出日】平成20年10月21日(2008.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造ツール、少なくとも１つの構成部品、又はそれらの組み合わせからなる真空室を洗浄する方法であって、
（ａ）エッチャント容器から前記真空室にエッチャントガスを導入する工程と、
（ｂ）前記真空室内の所定圧力の達成時に、前記真空室への前記エッチャントガスの導入を終了する工程と、
（ｃ）前記真空室、その中に収容された少なくとも１つの構成部品、又はそれらの組み合わせの内部から残留物を少なくとも部分的に除去するのに十分な時間、前記エッチャントガスと前記真空室内の前記残留物とを反応させる工程と、
を含み、
前記エッチャントガスが、前記真空室、その中に収容された前記構成部品、又はそれらの組み合わせの内部と本質的に非反応性でありつつ、前記真空室内の前記残留物、その中に収容された前記構成部品上の前記残留物、又はそれらの組み合わせと選択的に反応するように選択される方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの構成部品が、前記真空室と連通して配置され、かつ、前記真空室をポンピングするために使用されるターボ分子ポンプである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記エッチャント容器が、エッチャント材料を含み、かつ、前記エッチャント容器が、前記エッチャント材料の前記エッチャントガスへの物理的変換速度を増すために、ヒータによって加熱される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記エッチャントガスを前記真空室に搬送するために、不活性ガスがエッチャント容器に導入される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記エッチャント容器が、前記真空室に配置されるか、又は前記真空室の上流に配置される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
半導体製造ツール、少なくとも１つの内部構成部品、又はそれらの組み合わせからなる真空室を洗浄する方法であって、
（ａ）エッチャント容器から前記真空室にエッチャント材料を導入する工程と、
（ｂ）所定圧力の達成時に、前記真空室への前記エッチャント材料の導入を終了する工程と、
（ｃ）前記真空室に配置されたプラズマ源を使用して、前記真空室内で前記エッチャント材料を反応性ハロゲン化物種に解離する工程と、
（ｄ）前記真空室、前記少なくとも１つの内部構成部品、又はそれらの組み合わせから残留物を少なくとも部分的に除去するのに十分な時間、前記反応性ハロゲン化物種と前記真空室内の前記残留物とを反応させる工程と、を含む方法。
【請求項７】
前記エッチャント材料が、ＸｅＦ２、ＸｅＦ６、ＸｅＦ４、ＮＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６及びＦ２からなる群から選択された材料を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記エッチャント材料を解離するのに先立って、不活性ガス源から前記真空室に不活性ガスを導入する工程をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
半導体製造ツール、少なくとも１つの内部構成部品、又はそれらの組み合わせからなる真空室を洗浄する装置であって、
（ａ）内部にエッチャント材料が配置されたエッチャント材料源であって、前記真空室に連通して接続され、かつ前記真空室の上流に配置されるエッチャント材料源と、
（ｂ）前記エッチャント材料源と前記真空室との間のバルブと、
を有し、
前記装置が、次の構成部品（Ｉ）及び（ＩＩ）の少なくとも一方を有することをさらに特徴とする装置：、
（Ｉ）前記エッチャント材料源を加熱するためのヒータ、及び
（ＩＩ）内部に不活性ガスが配置された不活性ガス源であって、前記エッチャント材料源に連通して接続され、かつ前記エッチャント材料源の上流に配置され、前記エッチャント材料が、ＸｅＦ２、ＸｅＦ６、ＸｅＦ４、ＩＦ５、ＩＦ７、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６及びＦ２からなる群から選択される材料を含む、不活性ガス源。
【請求項１０】
半導体製造ツールの少なくとも１つの構成部品をｅｘ−ｓｉｔｕ洗浄する方法であって、
（ａ）前記構成部品をｅｘ−ｓｉｔｕ真空室に配置する工程と、
（ｂ）エッチャント容器から前記ｅｘ−ｓｉｔｕ真空室にエッチャントガスを導入する工程と、
（ｃ）前記真空室内の所定圧力の達成時に、前記真空室への前記エッチャントガスの導入を終了する工程と、
（ｄ）前記真空室に収容された前記少なくとも１つの構成部品から残留物を少なくとも部分的に除去するのに十分な時間、前記エッチャントガスと前記真空室内の前記残留物とを反応させる工程と、
を含み、
前記エッチャントガスが、前記真空室及び前記構成部品材料それ自体の内部と実質的に非反応性でありつつ、前記少なくとも１つの構成部品上の前記残留物と選択的に反応するように選択され、  
前記半導体製造ツールが、イオン注入装置である方法。
【請求項１１】
前記エッチャントガスが、ＸｅＦ２、ＸｅＦ６、ＸｅＦ４、ＮＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６及びＦ２からなる群から選択されたガスを含む、請求項１〜１０いずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記所定圧力が、大気圧未満である、請求項１〜１０いずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記所定圧力が、約０．３Ｔｏｒｒ〜約４．０Ｔｏｒｒである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記時間が、約０．５分〜約５分である、請求項１〜１０いずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
（ｅ）前記反応の完了に続き、前記真空室を排気する工程をさらに含む、請求項１〜１０いずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
（ｂ）〜（ｅ）を少なくとも１回繰り返すことをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
半導体製造ツール、少なくとも１つの構成部品、又はそれらの組み合わせからなる真空室を洗浄する方法であって、
（ａ）エッチャント容器から前記真空室にエッチャントガスを導入する工程と、
（ｂ）前記真空室を通して前記エッチャントガスの連続的な流れを実施するために、真空ポンプを使用して前記真空室から複数のガス種を引く工程と、
（ｃ）前記真空室及び／又は前記真空室に収容された少なくとも１つの構成部品から前記残留物を少なくとも部分的に除去するために、前記エッチャントガスと前記残留物とを反応させるのに十分な時間、前記真空室を通して前記エッチャントガスを流す工程と、を含み、
前記エッチャントガスが、ＸｅＦ２、ＸｅＦ６、ＸｅＦ４、ＩＦ５、ＩＦ７、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６及びＦ２からなる群から選択されたガスを含み、また前記エッチャントガスが、前記真空室又は前記真空室に収容された前記構成部品の内部と実質的に非反応性でありつつ、前記真空室内の前記残留物と選択的に反応するように選択される方法。
【請求項１８】
前記半導体製造ツールが、イオン注入装置であり、前記真空室がイオン源領域又はビームライン真空室を含む、請求項１、６及び１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
ドーパント源から前記真空室にドーパントガスを流して、前記真空室のイオン注入を実施する工程をさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
（ａ）〜（ｄ）を少なくとも１回繰り返すことをさらに含む、請求項１〜１９いずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
エネルギー源を使用して、前記真空室で前記エッチャントガスを反応性ハロゲン化物種に解離する工程をさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記反応性ハロゲン化物種が、前記残留物と反応して、前記真空室から前記残留物を少なくとも部分的に除去する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
前記残留物が、ホウ素、リン、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、アルミニウム、及びヒ素からなる群から選択された元素を含む、請求項１、６、１０及び１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
前記エネルギー源が、プラズマ発生器を有する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
前記プラズマ発生器が、傍熱型陰極源、フリーマン源及びベルナス源からなる群から選択されたイオン源を有する、請求項１、６、１０及び２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記エネルギー源が、前記真空室内又は前記真空室の直接上流に配置される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
前記エッチャントガスと前記残留物との反応が、エネルギー的活性化なしに実施される、請求項１〜１７いずれか１項に記載の方法。
【請求項２８】
前記エッチャントガスが、アルゴン、窒素、キセノン及びヘリウムからなる群から選択された不活性種をさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２９】
前記エッチャントガスが、酸化種及び窒素含有種を含まず、前記窒素含有種が、Ｏ、Ｆ、及びＢｒからなる群から選択された少なくとも１つの追加元素を含むものである、請求項１〜１７いずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
蓄積した処理排出物をクライオポンプの内部から洗浄する方法であって、前記方法が、少なくとも２つのパージガスで前記クライオポンプをパージする工程を含み、前記パージガスが、窒素と、酸素、オゾン、窒素酸化物、酸素ラジカルをその場（ｉｎ−ｓｉｔｕ）発生する種、及びそれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも１つの反応性ガスとを含み、
前記方法が、次のパージ処理工程（Ｉ）、（ＩＩ）、及び（ＩＩＩ）の少なくとも１つを含むことを特徴とし：
（Ｉ）（ａ）時間ｘの間、実質的に純粋な窒素でパージし、そして
（ｂ）時間ｙの間、実質的に純粋である少なくとも１つの反応性ガスでパージする工程、
（ＩＩ）（ａ）時間ゼロに、実質的に純粋な窒素でパージし、
（ｂ）前記実質的に純粋な窒素と、少なくとも１つの反応性ガスとを混合する工程であって、前記窒素及び前記少なくとも１つの反応性ガスがもはや実質的に純粋でない工程、
（ＩＩＩ）（ａ）窒素と少なくとも１つの反応性ガスとの混合気でパージする工程、
前記蓄積された処理排出物が、前記クライオポンプの内部から実質的に除去される方法。
【請求項３１】
前記反応性ガスが、酸素を含む、請求項３０に記載の方法。