【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年10月29日(2008.10.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを含む基板を処理する方法であって、
該基板上にアモルファス炭素を含む層を堆積させるステップであって、該層が６００ｎｍ〜１０００ｎｍの波長をもつ電磁放射線に対して０．８４以上の放射率を有する、ステップと、
その後、該層を少なくとも３００℃の温度に加熱するのに十分な条件下で該基板を６００ｎｍ〜１０００ｎｍの波長をもつ電磁放射線にさらすステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２】
該基板を電磁放射線にさらすステップが、該基板をレーザアニールするステップを含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
該レーザアニールするステップが、該基板の表面全体に伸びているラインに連続波電磁放射線の焦点を合わせるステップを含んでいる、請求項２記載の方法。
【請求項４】
該電磁放射線がランプで供給される、請求項１記載の方法。
【請求項５】
アモルファス炭素を含む該層が、プラズマ増強型化学気相堆積によって堆積される、請求項１記載の方法。
【請求項６】
該基板を電磁放射線にさらすステップの後に該基板から該層を除去するステップを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
アモルファス炭素を含む層を堆積させるステップの前に該基板にドーパントイオンを注入するステップを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
該基板が、注入した該ドーパントイオンを活性化するのに十分な時間、該電磁放射線にさらされる、請求項７記載の方法。
【請求項９】
シリコンを含む基板を処理する方法であって、
アモルファス炭素と窒素とを含む層を該基板上に堆積させるステップと、その後、
該層を少なくとも３００℃の温度に加熱するのに十分な条件下で該基板を６００ｎｍ〜１０００ｎｍの波長をもつ電磁放射線にさらすステップと、
を含む、前記方法。
【請求項１０】
該基板を電磁放射線にさらすステップが、該基板をレーザアニールするステップを含んでいる、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
該レーザアニールするステップが、該基板の表面全体に伸びているラインに連続波電磁放射線の焦点を合わせるステップを含んでいる、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
該電磁放射線がランプで供給される、請求項９記載の方法。
【請求項１３】
該層を２５０℃〜４５０℃の温度で堆積させる、請求項９記載の方法。
【請求項１４】
該層をプラズマ増強型化学気相堆積によって堆積させる、請求項９記載の方法。
【請求項１５】
該基板を電磁放射線にさらすステップの後に該基板から該層を除去するステップを更に含む、請求項９記載の方法。
【請求項１６】
アモルファス炭素を含む層を堆積させるステップの前に該基板にドーパントイオンを注入するステップを更に含む、請求項９記載の方法。
【請求項１７】
該基板が、注入した該ドーパントイオンを活性化するのに十分な時間、該電磁放射線にさらされる、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
シリコンを含む基板であって、
前記基板上にはアモルファス炭素と窒素とを含む層が堆積され、
前記基板が、前記層を少なくとも３００℃の温度に加熱するのに十分な条件下で６００ｎｍ〜１０００ｎｍの波長をもつ電磁放射線にさらされることで、アニールされた状態になる、
基板。
【請求項１９】
シリコンを含む基板であって、
アモルファス炭素を含み、６００ｎｍ〜１０００ｎｍの波長をもつ電磁放射線に対して０．８４以上の放射率を有する層を堆積させる前に、前記基板にドーパントイオンが注入され、
前記基板上に前記層が堆積され、
前記基板が、前記層を少なくとも３００℃の温度に加熱するのに十分な条件下で６００ｎｍ〜１０００ｎｍの波長をもつ電磁放射線にさらされることで、アニールされた状態になる、
基板。
【請求項２０】
該基板が、注入した該ドーパントイオンを活性化するのに十分な時間該電磁放射線にさらされている、請求項１９記載の基板。
【請求項２１】
シリコンを含む基板を処理する方法であって、
該基板上にアモルファス炭素を含む層を堆積させるステップと、その後、
該層を少なくとも３００℃の温度に加熱するのに十分な条件下で該基板を電磁放射線の複数のパルスにさらすステップと、を含み、
基板を電磁放射線にさらすステップは、該基板の最上表面層を１１００℃〜１４１０℃の温度に加熱する、前記方法。
【請求項２２】
シリコンを含む基板を処理する方法であって、
アモルファス炭素と窒素とを含む層を該基板上に堆積させるステップと、その後、
該層を少なくとも３００℃の温度に加熱するのに十分な条件下で該基板を電磁放射線の複数のパルスにさらすステップと、を含む、前記方法。
【請求項２３】
シリコンを含む基板を処理する方法であって、
該基板上にアモルファス炭素を含む層を堆積させるステップと、その後、
該層を少なくとも３００℃の温度に加熱するのに十分な条件下で該基板を電磁放射線の複数のパルスにさらすステップと、その後、
該基板を電磁放射線にさらすステップの後に該基板から該層を除去するステップと、を含む、前記方法。
【請求項２４】
シリコンを含む基板を処理する方法であって、
該基板にドーパントイオンを注入するステップと、その後、
該基板上にアモルファス炭素を含む層を堆積させるステップと、その後、
該層を少なくとも３００℃の温度に加熱するのに十分な条件下で該基板を電磁放射線の複数のパルスにさらすステップと、を含む、前記方法。
【請求項２５】
シリコンを含む基板を処理する方法であって、
該基板上にアモルファス炭素を含む層を堆積させるステップであって、該層が６００ｎｍ〜１０００ｎｍの波長をもつ電磁放射線に対して０．８４以上の放射率を有する、ステップと、その後、
該層を少なくとも３００℃の温度に加熱するのに十分な条件下で該基板をランプで供給される電磁放射線にさらすステップと、を含み、
該基板を電磁放射線にさらすステップは、該基板の最上表面層を１１００℃〜１４１０℃の温度に加熱する、前記方法。
【請求項２６】
シリコンを含む基板を処理する方法であって、
アモルファス炭素と窒素とを含む層を該基板上に堆積させるステップと、その後、
該層を少なくとも３００℃の温度に加熱するのに十分な条件下で該基板をランプで供給される電磁放射線にさらすステップと、を含む、前記方法。
【請求項２７】
シリコンを含む基板を処理する方法であって、
該基板上にアモルファス炭素を含む層を堆積させるステップであって、該層が６００ｎｍ〜１０００ｎｍの波長をもつ電磁放射線に対して０．８４以上の放射率を有する、ステップと、その後、
該層を少なくとも３００℃の温度に加熱するのに十分な条件下で該基板をランプで供給される電磁放射線にさらすステップと、
該基板を電磁放射線にさらすステップの後に該基板から該層を除去するステップと、を含む、前記方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
[0028]層が基板上に堆積した後、基板は、層を少なくとも約３００℃の温度に加熱するのに十分な条件下で約６００ｎｍ〜約１０００ｎｍの波長を１つ以上もつ電磁放射線にさらされる。好ましくは、基板はレーザから放出された連続波電磁放射線でレーザアニールされる。本明細書に定義される“連続波電磁放射線”は連続的に、即ち、バースト又はパルスではなく放出される放射線である。或いは、基板は、電磁放射線の複数のパルスでレーザアニールされてもよい。他の実施形態においては、電磁放射線は、ランプのような広範囲電磁放射線源、例えば、キセノンアークランプで供給される。