【手続補正書】
【提出日】平成20年4月15日(2008.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】          明細書
【発明の名称】      太陽電池の製造方法、及び該方法により製造される太陽電池
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型伝導性不純物ドープ層（３）とｎ型伝導性不純物ドープ層（４）を同時に形成することにより、隣接するｐ＋ｎ＋−接合部間の電気的絶縁が形成されること
を特徴とする結晶シリコン製太陽電池の製造方法。
【請求項２】
結晶シリコン（１）は、ｐ型伝導性に構成されること
を特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記ｎ型伝導性不純物ドープ層（４）は、リンドープシリコンから形成されること
を特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記ｐ型伝導性不純物ドープ層（３）は、アルミニウムドープシリコンから形成されること
を特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記ｐ型伝導性不純物ドープ層（３）は、ｐ型伝導性ドーパント（２）を堆積し、次いで、上昇した高い温度において高温熱処理拡散導入（Eintempern）することにより形成されること
を特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
前記ｐ型伝導性ドーパント（２）は、アルミニウム又はアルミニウム含有物から構成されること
を特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記アルミニウムないし前記アルミニウム含有物は、蒸着されること
を特徴とする請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記ｎ型伝導性不純物ドープ層（４）は、気相からの拡散によって形成されること
を特徴とする請求項１又は３に記載の製造方法。
【請求項９】
前記気相からの拡散により形成される層は、リンドープシリコンから形成されること
を特徴とする請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
まず、ｐ型伝導性ドーパント層が、前記ｐ型伝導性結晶シリコンに堆積させられ、リンの拡散と同時に、（結晶シリコン内に）合金化拡散導入（einlegiert）されること
を特徴とする請求項１〜９の一に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記同時的拡散導入は、高温下で行なわれること
を特徴とする請求項１〜１０の一に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記拡散導入後は、窒素導入ステップも酸素導入ステップも行われるか又は、導入（Drive-in）ステップは行なわれ得ないこと
を特徴とする請求項１〜１１の一に記載の製造方法。
【請求項１３】
ｐ型伝導性不純物ドープ層とｎ型伝導性不純物ドープ層との間の電気的絶縁を形成するよう、ｐ型ドーパント含有層がｎ型（伝導性不純物ドープ）層に堆積され、これが高い温度（複数）に晒され（加熱され）、そして、該ドーパント含有層（９）が除去されること
を特徴とする結晶シリコン製太陽電池の製造方法。
【請求項１４】
結晶シリコン（１）は、ｐ型伝導性に構成されること
を特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記ｎ型伝導性不純物ドープ層（４）は、リンドープシリコンから形成されること
を特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記ｎ型伝導性不純物ドープ層（４）は、気相から導入形成されること
を特徴とする請求項１５に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記ｐ型伝導性不純物ドープ層（３）は、アルミニウムドープシリコンから形成されること
を特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記アルミニウムドープシリコンは、アルミニウム又はアルミニウム含有物の析着によって形成可能に構成されること
を特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１９】
まず、リン含有層が、次いで、アルミニウム含有層が堆積させられること
を特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【請求項２０】
前記アルミニウム含有層は、前記リン含有層を過剰補償する（ueberkompensiert）こと
を特徴とする請求項１９に記載の製造方法。
【請求項２１】
合金化（導入）ステップ中に、高濃度不純物ドープｐ＋−領域が形成されること
を特徴とする請求項１３〜２０の一に記載の製造方法。
【請求項２２】
過剰のアルミニウム−シリコン混合層は、合金化（導入）ステップ後、除去されること
を特徴とする請求項１３〜２１の一に記載の製造方法。
【請求項２３】
前記高濃度不純物ドープｐ＋−領域に、より幅の狭い新たなコンタクト部（電極）が配されること
を特徴とする請求項１３〜２２の一に記載の製造方法。
【請求項２４】
入り組んだ構造ないしグリッド状の（verschachtelt）電極フィンガ（Kontaktfinger）が、異なる複数の不純物ドープ領域の相互当接部分を介して、互いに電気的に絶縁されること
を特徴とする結晶シリコン製太陽電池。
【請求項２５】
前記異なる複数の不純物ドープ領域は、請求項１〜２３のいずれか１項に記載の方法によって、互いに電気的に絶縁されること
を特徴とする請求項２４に記載の結晶シリコン製太陽電池。
【請求項２６】
前記入り組んだ構造ないしグリッド状の電極フィンガは、太陽電池の１つの面に形成されること
を特徴とする請求項２４に記載の結晶シリコン製太陽電池。
【請求項２７】
太陽電池は、シリコンディスクから形成されること、
該シリコンディスクの一の面における一方のタイプのドーパントによる不純物ドープ領域は、複数の孔によって、該一の面に相対する面における該ドーパントと同じタイプのドーパントによる不純物ドープ領域と電気的に接続されること
を特徴とする請求項２６に記載の結晶シリコン製太陽電池。
【請求項２８】
太陽電池は、シリコンディスクから形成されること、
該シリコンディスクの一の面における一方のタイプのドーパントによる不純物ドープ領域は、外部に形成された（複数の）電気的コンタクト部（電極）によって、該一の面に相対する面における該ドーパントと同じタイプのドーパントによる不純物ドープ領域と電気的に接続されること
を特徴とする請求項２７に記載の結晶シリコン製太陽電池。
【請求項２９】
太陽電池は、シリコンディスクから形成され、該シリコンディスクは、一の面に、請求項１〜２３の一に記載の方法により互いに電気的に絶縁された互いに当接する異なる複数の不純物ドープ領域を有し、かつ他の面に、一方のタイプのドーパントによる１つの不純物ドープ領域を有すること、
一の面の１つの不純物ドープ領域に、（複数の）電気的コンタクト部（電極）が配され、前記他の面の他方のタイプのドーパントによる不純物ドープ領域に、（複数の）電気的コンタクト部（電極）が配されること
を特徴とする結晶シリコン製太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、結晶シリコン製太陽電池の製造方法、並びに該方法によって製造される結晶シリコン製太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電気的に活性なｎ型伝導性エミッタを過剰補償（逆のタイプの不純物（ドーパント）の過剰導入：Ueberkompensation）することにより結晶シリコン製太陽電池の基底部の接合部では、短絡が生じる（図１参照）。この短絡は、ｐ＋−層を介してｐ型伝導性ベース部に接続する金属製背面電極が、周囲のｎ＋−層と導電的に結合するエミッタ領域に直接結合することによって引き起こされる。
【０００３】
このような短絡形成を阻止するために、従来の結晶シリコン製太陽電池を工業的に製造する場合では、ｐ＋ｎ＋−接合部の絶縁は、プラズマエッチング、機械的エッジ研磨、Ｐ（リン）−拡散を行なう前の絶縁層の形成、及びレーザ照射によって行なわれる。
【０００４】
ｐ型伝導性領域及びｎ型伝導性領域が入り組んで出来た、より複雑な構造の太陽電池の場合（例えば、EWT- (J.M. Gee, W.K. Schubert, P.A. Basore; “Emitter Wrap-Through Solar Cell”; 23ｒｄ IEEE Photo. Spec. Conf., 1993, p. 265-70), POWER-Solarzellen (G. Willeke, P. Fath; “The POWER silicon solar cell concept”; 12ｔｈ EC PVSEC, Amsterdam, 1994, Vol. 1, p. 766-68),...）、実験室レベルでのｐ＋ｎ＋−接合部の絶縁は、以下の方法によって行なわれる：
・  プラズマエッチング
・  （例えば、ウェハソー（Wafersaege）又はレーザによる）背面側エミッタの部分的除去
・  フォトリソグラフィック法及びプリント技術並びに湿式化学処理ステップと組み合わせた、拡散障壁としての誘電体層の使用
【０００５】
過去数年間、企業の側からも（S. Roberts, K.C. Heasman, T.M. Bruton, R.W. Russel, D.W. Cunningham, “Interdigitated-contact Silicon Solar Cells Made without Photolithography”, 2ｎｄ World Conference and Exhibition on PVSEC, Wien 1998, p. 1449-51）、先端的なPV-研究機関によっても、例えばリンの拡散後にアルミニウムを拡散導入するような本発明に類似する方法によって、ｐ型伝導性層とｎ型伝導性層とを絶縁しようと試みられたが、失敗に終わっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
既知の解決手段の欠点は、以下のようにまとめることができる：
・  時間及びコストが大
とりわけ電池の構造がより複雑な場合、ｐ型伝導性領域とｎ型伝導性領域とを絶縁（分離）するための複数の付加的な処理ステップは、工業レベルでの製造を行なう場合、非常に不利である。その結果生じるコストは、これまで、例えば背面電極太陽電池が、そのモジュラー回路において多数の長所があるにもかかわらず、工業レベルでの製造で実用化されなかった理由の１つであった。
【０００７】
・  物理的欠点
１．機械的端部分離時の、開放された、即ちパッシベーション化されないｐ−ｎ−接合部の形成
２．プラズマエッチングにより引き起こされる表面の損傷。この損傷は、それと関連する更なる結合部分の増加によって、太陽電池の品質に不利な影響を及ぼす。
３．シリコンウェハの背面部における局所的機械的切削加工（フライス盤による仕上加工）により電池の表面際に生じる空間帯電領域（Raumladungszone）の形成。この表面を介してもたらされるノイズレベル（Stoerniveau）は、更なる結合部分の増加を引き起こす（「ジャンクションエッジ効果（Junction Edge Effects）」）→とりわけＶＯＣ（開放電圧）及びＦＦ（曲線因子：curve fill factor）に対するマイナスの影響。
【０００８】
本発明の基礎を成す問題は、伝統的な結晶シリコン製太陽電池においても、新式の結晶シリコン製太陽電池においても、ｐ−型伝導性不純物ドープ層とｎ−型伝導性不純物ドープ層との間の電気的絶縁形成に困難が生じるということである。これは、本発明によって、単純かつエレガントな仕方で解決される。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明の第１の視点により、ｐ型伝導性不純物ドープ層とｎ型伝導性不純物ドープ層を同時に形成することにより、隣接するｐ＋ｎ＋−接合部間の電気的絶縁が形成されることを特徴とする結晶シリコン製太陽電池の製造方法を提供する（形態１・第１基本構成）。
上記の課題を解決するために、本発明の第２の視点により、ｐ型伝導性不純物ドープ層とｎ型伝導性不純物ドープ層との間の電気的絶縁を形成するよう、ｐ型ドーパント含有層がｎ型（伝導性不純物ドープ）層に堆積され、これが高い温度（複数）に晒され（加熱され）、そして、該ドーパント含有層が除去されることを特徴とする結晶シリコン製太陽電池の製造方法を提供する（形態１３・第２基本構成）。
上記の課題を解決するために、本発明の第３の視点により、入り組んだ構造ないしグリッド状の（verschachtelt）電極フィンガ（Kontaktfinger）が、異なる複数の不純物ドープ領域の相互当接部分を介して、互いに電気的に絶縁されることを特徴とする結晶シリコン製太陽電池を提供する（形態２４・第３基本構成）。
上記の課題を解決するために、本発明の第４の視点により、太陽電池は、シリコンディスクから形成され、該シリコンディスクは、一の面に、上記の何れかの方法により互いに電気的に絶縁された互いに当接する異なる複数の不純物ドープ領域を有し、かつ他の面に、一方のタイプのドーパントによる１つの不純物ドープ領域を有すること、
一の面の１つの不純物ドープ領域に、（複数の）電気的コンタクト部（電極）が配され、前記他の面の他方のタイプのドーパントによる不純物ドープ領域に、（複数の）電気的コンタクト部（電極）が配されることを特徴とする結晶シリコン製太陽電池を提供する（形態２９・第４基本構成）。
【００１０】
本発明の課題、即ち、互いに接して境界をなす（接合する）ｐ−型伝導性領域とｎ−型伝導性領域との間の短絡形成を阻止すること、それも当該各領域間を絶縁するための付加的な処理ステップを加えることなしにこれを行なうことは、以下のようにして解決される。
【００１１】
この問題は、同時的拡散処理（Codiffusionsprozess）を使用することにより阻止することができる。これは、高温ステップ（加熱ステップ）におけるエミッタと背面領域（ＢＳＦ）の同時的形成と理解される。この処理シークエンス（過程）では、最初の洗浄ステップ直後に、アルミニウム層（ｐ−型伝導性を付与するガリウム、ホウ素等の他のドーパントも使用可能である）がウェハ背面に形成される。これは、工業生産レベルでは、例えば加熱蒸着又は電子ビーム加熱蒸着並びにスパッタリング又はスクリーン印刷（Siebdruck）等のＰＶＤ（物理的気相析着）法によって行なうことができる。例えば、背面電極太陽電池、両面太陽電池、高圧（Hochvolt）太陽電池又は浮遊接合（Floating Junction）太陽電池で必要とされるような互いの内部へと入り組んだ（櫛状ないしフィンガ状に入り込んだ：verschachtelt）ｐ型及びｎ型不純物ドープ領域を規定（形成）すべき場合、これは、ｐ−型格子（グリッド）を有するパターン遮敝マスク（Abschattungsmasken）を使用することによって行なうことができる。そして、アルミニウム層は、エミッタ拡散中に、（拡散）導入される。Ｐ（リン）−拡散は、例えばＰＯＣｌ３、ＰＨ３、ＰＢｒ３等のリン含有不純物ドープ剤を使用する気相拡散によって行われるのが好ましい。また、不純物ドープ媒体（リン含有ペースト及びリン含有溶液）の塗付ないし印刷（Aufdrucken）、スプレ又はスピンコーティング（Aufspinnen）、並びにＬＰＣＶＤ（減圧化学的気相成長）又はＡＰＣＶＤ（常圧化学的気相成長）のようなリン含有誘電体層−Ｐ：ＳｉＯ２−の析着（形成）のような他の方法を使用することも可能である。
【００１２】
要約すると、本発明の方法は、背面電極太陽電池、両面光受容太陽電池及び高圧太陽電池のような新規な太陽電池を簡単な仕方で製造する際に本質的な改善をもたらすということができる。更に、本発明の方法は、薄型のシリコンウェハを使用する将来の低コストな工業生産太陽電池の製造及びその際に必要な局所的背面電極形成の際に大きな衝撃を与えるであろう。更に、本発明の方法は、伝統的な（従来の）工業生産太陽電池の現在の製造方法を単純化することも可能である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の利点は、以下に挙げる通りである：
・  単純化された処理プロセス→コスト低減：
同時的拡散プロセスの使用で、標準的な製造プロセスの次の３つの処理ステップ
→  エミッタ形成
→  ＢＳＦ形成
→  ｐｎ接合部の（電気的）絶縁のための処理ステップ
がただ１つの高温（加熱）処理ステップによって置き換えられる。これに関し、ｐｎ接合部の（電気的）絶縁のために一般的に使用される処理ステップは、少なくとも複数の大掛かりな処理ステップを含んでいる（例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）の堆積（析出）→エッチング（マスク）剤（Aetzlack）の塗布→塗布されなかった部分からのＳｉＮの除去→…が全面に亘って行なわれる）。
【００１４】
・  背面部の電気的に活性なエミッタに基づく非常に大きな電流。
【００１５】
・  更に、拡散導入（合金化）形成された背面電極の長さに対するシャント値（Shunt-Werte）の非依存性は、とりわけ複雑な構造の電池への適用可能性に関し、同時的拡散形成太陽電池の本質的な特徴を構成する、即ち、シャント値は、全面的な背面電極に対しても、フィンガグリッド状電極（Kontaktfingergrid）に対しても、統計平均で数１０００Ωｃｍ２である。
【００１６】
・  このプロセスの更なる利点は、同時的拡散プロセス中の選択されたパラメータのセット（温度、処理時間、Ｏ２−／Ｎ２−ドライブインステップ、…）に対するシャント値の非依存性である。これによって、工業生産太陽電池用の低インピーダンスエミッタも、高出力太陽電池用の高インピーダンスエミッタをも拡散（形成）する可能が開ける。
【００１７】
・  同時的拡散プロセスの文献から既知の更なる利点は、とりわけ比較的品質の劣るｍｃ−Ｓｉでの汚染物質のゲッタリングの改善である。
【００１８】
図１に、過剰補償により短絡形成が生じる様子を示した：即ち、
１．  ｐ型伝導性基底材料１
２．  気相からの拡散によるエミッタ形成（ｎ＋）４
３．  ｐ型伝導性不純物ドープ層の導入形成、このとき、背面のエミッタは、過剰補償され、高濃度不純物ドープｐ＋−ＢＳＦ−領域が形成される
４．  ｐ＋ｎ＋接合部８におけるシャント形成
【００１９】
以下に、本発明の好ましい実施の形態を示す。なお、形態２〜１２、１４〜２３、２５〜２８は従属請求項の対象である。
（形態１）  上記第１基本構成参照。
（形態２）  上記形態１の製造方法において、結晶シリコンは、ｐ型伝導性に構成されることが好ましい。
（形態３）  上記形態１の製造方法において、前記ｎ型伝導性不純物ドープ層は、リンドープシリコンから形成されることが好ましい。
（形態４）  上記形態１の製造方法において、前記ｐ型伝導性不純物ドープ層は、アルミニウムドープシリコンから形成されることが好ましい。
（形態５）  上記形態１の製造方法において、前記ｐ型伝導性不純物ドープ層は、ｐ型伝導性ドーパントを堆積し、次いで、上昇した高い温度において高温熱処理拡散導入（Eintempern）することにより形成されることが好ましい。
（形態６）  上記形態５の製造方法において、前記ｐ型伝導性ドーパントは、アルミニウム又はアルミニウム含有物から構成されることが好ましい。
（形態７）  上記形態６の製造方法において、前記アルミニウムないし前記アルミニウム含有物は、好ましくは、蒸着されることが好ましい。
（形態８）  上記形態１又は３の製造方法において、前記ｎ型伝導性不純物ドープ層は、好ましくは、気相からの拡散によって形成されることが好ましい。
（形態９）  上記形態８の製造方法において、前記気相からの拡散により形成される層は、好ましくは、リンドープシリコンから形成されることが好ましい。
（形態１０）  上記形態１〜９の何れかの製造方法において、まず、ｐ型伝導性ドーパント層が、前記ｐ型伝導性結晶シリコンに堆積させられ、リンの拡散と同時に、（結晶シリコン内に）合金化拡散導入（einlegiert）されることが好ましい。
（形態１１）  上記形態１〜１０の何れかの製造方法において、前記同時的拡散導入は、高温下、好ましくは７５０℃〜１０５０℃、で行なわれることが好ましい。
（形態１２）  上記形態１〜１１の何れかの製造方法において、前記拡散導入後は、窒素導入ステップも酸素導入ステップも行われるか又は、導入（Drive-in）ステップは行なわれ得ないことが好ましい。
（形態１３）  上記第２基本構成参照。
（形態１４）  上記形態１３の製造方法において、結晶シリコンは、ｐ型伝導性に構成されることが好ましい。
（形態１５）  上記形態１３の製造方法において、前記ｎ型伝導性不純物ドープ層は、好ましくは、リンドープシリコンから形成されることが好ましい。
（形態１６）  上記形態１５の製造方法において、前記ｎ型伝導性不純物ドープ層は、好ましくは、気相から導入形成されることが好ましい。
（形態１７）  上記形態１３の製造方法において、前記ｐ型伝導性不純物ドープ層は、アルミニウムドープシリコンから形成されることが好ましい。
（形態１８）  上記形態１３の製造方法において、前記アルミニウムドープシリコンは、アルミニウム又はアルミニウム含有物の析着によって形成可能に構成されることが好ましい。
（形態１９）  上記形態１３の製造方法において、まず、リン含有層が、次いで、アルミニウム含有層が堆積させられることが好ましい。
（形態２０）  上記形態１９の製造方法において、前記アルミニウム含有層は、前記リン含有層を過剰補償する（ueberkompensiert）ことが好ましい。
（形態２１）  上記形態１３〜２０の製造方法において、合金化（導入）ステップ中に、高濃度不純物ドープｐ＋−領域が形成されることが好ましい。
（形態２２）  上記形態１３〜２１の製造方法において、過剰のアルミニウム−シリコン混合層は、合金化（導入）ステップ後、除去されることが好ましい。
（形態２３）  上記形態１３〜２２の製造方法において、前記高濃度不純物ドープｐ＋−領域に、より幅の狭い新たなコンタクト部（電極）が配されることが好ましい。
（形態２４）  上記第３基本構成参照。
（形態２５）  上記形態２４の結晶シリコン製太陽電池において、前記異なる複数の不純物ドープ領域は、形態１〜２３の何れかの方法によって、互いに電気的に絶縁されることが好ましい。
（形態２６）  上記形態２４の結晶シリコン製太陽電池において、前記入り組んだ構造ないしグリッド状の電極フィンガは、太陽電池の１つの面に形成されることが好ましい。
（形態２７）  上記形態２６の結晶シリコン製太陽電池において、太陽電池は、シリコンディスクから形成されること、
該シリコンディスクの一の面における一方のタイプのドーパントによる不純物ドープ領域は、複数の孔によって、該一の面に相対する面における該ドーパントと同じタイプのドーパントによる不純物ドープ領域と電気的に接続されることが好ましい。
（形態２８）  上記形態２７の結晶シリコン製太陽電池において、太陽電池は、シリコンディスクから形成されること、
該シリコンディスクの一の面における一方のタイプのドーパントによる不純物ドープ領域は、外部に形成された（複数の）電気的コンタクト部（電極）によって、該一の面に相対する面における該ドーパントと同じタイプのドーパントによる不純物ドープ領域と電気的に接続されることが好ましい。
（形態２９）  上記第４基本構成参照。
【００２０】
なお、特許請求の範囲に付した図面参照符号は専ら発明の理解を助けるためのものに過ぎず、本発明を図示の態様に限定することを意図するものではない。
【００２１】
【実施例】
本発明は、以下のようにして試験を行なった：
同時的拡散プロセスは、５×５ｃｍ２大の基準の電池に関し、平面状のＢＳＦのものについても、グリッド形状のＢＳＦのものについても適用された。数１０００Ωｃｍ２のシャント値は、何度も再現することができた。ｐ型伝導性領域とｎ型伝導性領域とを絶縁するための付加的な処理ステップを持たないこの同時的拡散形成太陽電池の（変換）効率は、１３．５％にまで達した。更に、処理プロセスが、新規な太陽電池構造（ＥＷＴ型（エミッタ・ラップ・スルー型：Emitter Wrap-Through；前面、及び背面にエミッタを有し、スルーホールによって両面のエミッタが接続される形式）−太陽電池）に適用された。このとき、（変換）効率は、９．５５％に到達し、最近では更に１０．１％（ＡＲＣ（反射防止膜）なし）にまで達することができた。ＥＷＴ−太陽電池の製造は、Ｃｚ（チョクラルスキ）法−Ｓｉについても、多結晶Ｓｉ及びＥＦＧ（Edge-defined Film-fed Growth）法−Ｓｉについても試験を行ない、成功に終わった。ＪＳＣ（短絡光電流密度）の値は、ＡＲＣなしの平坦なＣｚ法−Ｓｉ ＥＷＴ太陽電池では、２５．４ｍＡ／ｃｍ２であり、ＡＲＣなしの平坦なｍｃ（多結晶）−Ｓｉ ＥＷＴ太陽電池では、２３．４ｍＡ／ｃｍ２であった。このプロセスでの制限要因は、最適化されていない直列抵抗である。
【００２２】
本発明の２つの実施例を図面を参照して詳細に説明する。
【００２３】
図２〜図５（の実施例）では、半導体ディスク（好ましくは結晶シリコン１）に、エッチング工程及び洗浄工程後、（該ディスクと）同じ不純物型（不純物構成元素の原子価が等しいもの）のドーパント（添加不純物）２の層が形成される。次に、ドーパント２は、高温処理（熱処理）工程中、拡散導入（合金化：einlegiert）されて（不純物ドープ層）３を形成し、これと同時に、ドーパント２の堆積されていない部分にエミッタ４が形成される。エミッタの形成は、気相からの拡散によって行なわれるのが好ましい。これによって、前面コンタクト部（電極）が、必要に応じ付加的に背面コンタクト部（電極）５が形成される。
【００２４】
図６〜図１１（の実施例）では、（好ましくは結晶シリコン製の）半導体ディスク１の表面全体に沿って、エッチング工程及び洗浄工程後、エミッタ層４が拡散形成される。次に、部分的に、出発半導体ディスクと同じ不純物型のドーパント層２が形成され、そして高温下で導入（合金化）されて（不純物ドープ層）３を形成する。そして、高濃度ドープｐ＋−ＢＳＦ−領域７及び共晶組成（状態）の金属性背面コンタクト部（電極）９が形成される。ｐ＋−領域とｎ＋−領域との間の電気的絶縁を達成するため、後者（９）は除去される。（不純物）拡散導入（合金化）中、ドーパント層２によって覆われていた部分のエミッタ４は、過剰補償される（ueberkompensiert）。そして、ｐ＋−領域により小さい背面コンタクト部（電極）５が形成される。
【００２５】
本発明の２つの実施例について、更に説明する。
【００２６】
図２〜図５：  同時的拡散プロセス（についての実施例）
図２：  ｐ型伝導性結晶シリコンウェハ１
図３：  ｐ型伝導性ドーパント層２の堆積
図４：  同時的拡散プロセス、即ち、ｐ型伝導性不純物ドープ層３の拡散導入（合金化）形成と同時に行なわれる（ｎ型伝導性）エミッタ４の形成
図５：  前面コンタクト部（電極）の形成、更に、必要に応じ、導入形成されたｐ型伝導性不純物ドープ層より寸法が小さい背面コンタクト部（電極）５の形成。
【００２７】
図６〜図１１：  アルミニウム−シリコン−エッチング（についての実施例）  図６：  ｐ型伝導性結晶シリコンウェハ１
図７：  気相からの拡散によるｎ型伝導性エミッタ４の形成
図８：  ｐ型伝導性ドーパント層２の形成
図９：  高濃度ドープｐ＋−領域層７及び共晶組成の金属性背面コンタクト部（電極）９を形成するための、ｐ型ドーパント層の拡散導入（合金化）によるｎ型伝導性エミッタ４（の一部）の過剰補償
図１０：  高濃度ドープｐ＋−領域７のみを残すための、金属性背面コンタクト部（電極）９の除去
図１１：  ｐ＋ｎ＋−接合部（Uebergang）が金属化されずに留まるための、前面コンタクト部（電極）及びより小さいベースコンタクト部（電極）５の形成
【００２８】
図１２：  背面電極太陽電池
・  ｐ型伝導性基底材料１
・  同様にｐ型伝導性ドーパント層の形成。この層は、同時拡散プロセス後、高濃度ドープｐ＋−ＢＳＦ−領域７及び共晶組成の金属性背面コンタクト部（電極）９を形成する。金属性背面コンタクト部（電極）９は、場合によっては、ベースコンタクト部（電極）として利用可能である。或いは、良好な導電性を得るために、更に、より小さい寸法を持つ新たなベースコンタクト部（電極）５を形成することも可能である。
・  同時拡散プロセス中、ｎ型伝導性エミッタ４の形成と、ｐ型伝導性出発材料１の溶融相（Schmelze）部分及びその上に堆積させられたドーパント層２からの拡散導入（合金化）とが、同時に起こる。
・  次に、前面コンタクト部（電極）５が形成される。
【図面の簡単な説明】
【図１】
過剰補償による短絡形成。
【図２】
ｐ型伝導性結晶シリコンウェハ。
【図３】
ｐ型伝導性添加不純物層の堆積。
【図４】
同時的拡散プロセス。
【図５】
前面コンタクト部（電極）の形成、及び背面コンタクト部（電極）の形成。
【図６】
ｐ型伝導性結晶シリコンウェハ。
【図７】
気相からの拡散によるｎ型伝導性エミッタの形成。
【図８】
ｐ型伝導性ドーパント層の形成。
【図９】
ｐ型ドーパントの拡散導入（合金化）によるｎ型伝導性エミッタ（の一部）の過剰補償。
【図１０】
金属性背面コンタクト部（電極）の除去。
【図１１】
前面コンタクト部（電極）及びより小さいベースコンタクト部（電極）の形成。
【図１２】
背面電極太陽電池の一例。