【手続補正書】
【提出日】平成19年8月29日(2007.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともその一部が透明石英からなる上部材、下部材、中部材、および各部材間を気密に保つように設けられたシール部材からなり、メッキ処理を施した半導体基板の処理面を上向きに載置するサセプタおよび前記半導体基板の周縁部から水平方向に設延する保熱部材を内部に有する処理室と、
前記上部材に対向して前記処理室外に設けられ前記処理室内に前記上部材を通して熱線を照射する第１の熱放射ランプユニットと、
前記下部材に対向して前記処理室外に設けられ前記処理室内に前記下部材を通して熱線を照射する第２の熱放射ランプユニットと、
前記処理室に設けられ、少なくとも一つ以上の半導体基板を搬入・搬出するための開口部と、
前記開口部を気密に閉塞可能なシャッターと、
前記処理室に接続して設けられ、前記シャッターによって気密に閉塞された前記処理室内部にガスを導入しまたは前記処理室内部からガスを排出するガス導入・排出管と、
を有することを特徴とするアニール装置。
【請求項２】
前記上部材および下部材は、サセプタに対して湾曲した形状を有することを特徴とする請求項１記載のアニール装置。
【請求項３】
前記第１の熱放射ランプユニットと第２の熱放射ランプユニットは、それぞれ、発生する熱線の中心波長域が異なる複数のランプを備え、前記上部材および下部材の湾曲に沿って配置されていることを特徴とする請求項２記載のアニール装置。
【請求項４】
前記第１の熱放射ランプユニットと第２の熱放射ランプユニットは、それぞれ、独立して制御可能な複数のランプを備え、前記上部材および下部材の湾曲に沿って配置されていることを特徴とする請求項２記載のアニール装置。
【請求項５】
前記サセプタに載置された半導体基板の少なくとも１箇所以上の領域の温度を検出する温度検出部と、
前記検出された温度に基づき前記第１の熱放射ランプユニットと第２の熱放射ランプユニットを制御する制御部と、
をさらに有することを特徴とする請求項４記載のアニール装置。
【請求項６】
前記サセプタを垂直方向に上下動させる上下動機構と、
前記サセプタを垂直軸回りに回転する回転機構とをさらに有し、
前記上下動機構は、前記処理室に搬入される半導体基板を前記サセプタが受け取るべく動作し、
前記回転機構は、前記サセプタに載置された半導体基板の前記垂直軸回りの向きを修正すべく動作すること
を特徴とする請求項１記載のアニール装置。
【請求項７】
前記シャッターが前記開口部を気密に閉塞するためのシール材をさらに有し、
前記処理室のうち前記開口部近傍および前記シャッターは、不透明石英ガラスからなり、
前記処理室の開口部近傍には、冷媒を循環させるための空洞が形成されていること
を特徴とする請求項１記載のアニール装置。
【請求項８】
半導体基板の処理面にメッキを施すメッキ処理ユニットと、
請求項１ないし７のいずれか１項記載のアニール装置と、
前記メッキ処理ユニットでメッキが施された半導体基板を前記メッキ処理ユニットから前記アニール装置に搬送する搬送機構と、
を有することを特徴とするメッキ処理システム。
【請求項９】
半導体基板の処理面にメッキを施すメッキ処理ユニットと、
前記メッキが施された半導体基板を洗浄する洗浄ユニットと、
請求項１ないし７のいずれか１項記載のアニール装置と、
前記メッキ処理ユニットでメッキが施された半導体基板を前記メッキ処理ユニットから前記洗浄ユニットに搬送しかつ前記洗浄された半導体基板を前記洗浄ユニットから前記アニール装置に搬送する搬送機構と、
を有することを特徴とするメッキ処理システム。
【請求項１０】
少なくともその一部が透明石英からなる上部材、下部材、中部材、および各部材間を気密に保つように設けられたシール部材からなり、メッキ処理を施した半導体基板の処理面を上向きに載置するサセプタおよび前記半導体基板の周縁部から水平方向に設延する保熱部材を内部に有する処理室と、
前記上部材に対向して前記処理室外に設けられ前記処理室内に前記上部材を通して熱線を照射する第１の熱放射ランプユニットと、
前記下部材に対向して前記処理室外に設けられ前記処理室内に前記下部材を通して熱線を照射する第２の熱放射ランプユニットと、
前記処理室に設けられ、少なくとも一つ以上の半導体基板を搬入・搬出するための開口部と、
前記開口部を気密に閉塞可能なシャッターと、
前記処理室に接続して設けられ、前記シャッターによって気密に閉塞された前記処理室内部にガスを導入しまたは前記処理室内部からガスを排出するガス導入・排出管と、
を有するアニール装置を用いるアニール方法であって、
前記保熱部材を予熱する工程と、
前記サセプタに半導体基板を載置すべく前記処理室内部に前記半導体基板を搬入する工程と、
前記サセプタに載置された半導体基板の処理面にはほぼ垂直に熱線を前記第１の熱放射ランプユニットにて照射しかつ前記処理面とは反対の面には斜め方向から前記第２の熱放射ランプユニットにて熱線を照射する工程と、
前記熱線が照射された半導体基板を前記処理室から搬出する工程と
を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するため、本発明に係るアニール装置は、少なくともその一部が透明石英からなる上部材、下部材、中部材、および各部材間を気密に保つように設けられたシール部材からなり、メッキ処理を施した半導体基板の処理面を上向きに載置するサセプタおよび前記半導体基板の周縁部から水平方向に設延する保熱部材を内部に有する処理室と、前記上部材に対向して前記処理室外に設けられ前記処理室内に前記上部材を通して熱線を照射する第１の熱放射ランプユニットと、前記下部材に対向して前記処理室外に設けられ前記処理室内に前記下部材を通して熱線を照射する第２の熱放射ランプユニットと、前記処理室に設けられ、少なくとも一つ以上の半導体基板を搬入・搬出するための開口部と、前記開口部を気密に閉塞可能なシャッターと、前記処理室に接続して設けられ、前記シャッターによって気密に閉塞された前記処理室内部にガスを導入しまたは前記処理室内部からガスを排出するガス導入・排出管と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、本発明に係るメッキ処理システムは、半導体基板の処理面にメッキを施すメッキ処理ユニットと、請求項１ないし７のいずれか１項記載のアニール装置と、前記メッキ処理ユニットでメッキが施された半導体基板を前記メッキ処理ユニットから前記アニール装置に搬送する搬送機構と、を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、半導体基板の処理面にメッキを施すメッキ処理ユニットと、前記メッキが施された半導体基板を洗浄する洗浄ユニットと、請求項１ないし７のいずれか１項記載のアニール装置と、前記メッキ処理ユニットでメッキが施された半導体基板を前記メッキ処理ユニットから前記洗浄ユニットに搬送しかつ前記洗浄された半導体基板を前記洗浄ユニットから前記アニール装置に搬送する搬送機構と、を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、本発明に係る半導体デバイスの製造方法は、少なくともその一部が透明石英からなる上部材、下部材、中部材、および各部材間を気密に保つように設けられたシール部材からなり、メッキ処理を施した半導体基板の処理面を上向きに載置するサセプタおよび前記半導体基板の周縁部から水平方向に設延する保熱部材を内部に有する処理室と、前記上部材に対向して前記処理室外に設けられ前記処理室内に前記上部材を通して熱線を照射する第１の熱放射ランプユニットと、前記下部材に対向して前記処理室外に設けられ前記処理室内に前記下部材を通して熱線を照射する第２の熱放射ランプユニットと、前記処理室に設けられ、少なくとも一つ以上の半導体基板を搬入・搬出するための開口部と、前記開口部を気密に閉塞可能なシャッターと、前記処理室に接続して設けられ、前記シャッターによって気密に閉塞された前記処理室内部にガスを導入しまたは前記処理室内部からガスを排出するガス導入・排出管と、を有するアニール装置を用いるアニール方法であって、前記保熱部材を予熱する工程と、前記サセプタに半導体基板を載置すべく前記処理室内部に前記半導体基板を搬入する工程と、前記サセプタに載置された半導体基板の処理面にはほぼ垂直に熱線を前記第１の熱放射ランプユニットにて照射しかつ前記処理面とは反対の面には斜め方向から前記第２の熱放射ランプユニットにて熱線を照射する工程と、前記熱線が照射された半導体基板を前記処理室から搬出する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】