【手続補正書】
【提出日】令和1年10月25日(2019.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路内にタングステン構造をスパッタ堆積させる方法であって、
基板をプラズマ処理チャンバに入れ、不純物として存在する１００万分の１０以下の炭素および１００万分の１０以下の酸素を含むタングステンターゲットを備えるスパッタターゲットアセンブリに対向するように、基板支持体上へ動かすステップと、
前記プラズマ処理チャンバ内へクリプトンを流すステップと、
前記クリプトンをプラズマ内に励起させ、前記基板支持体によって支持された基板の材料層上にタングステン膜層をスパッタリングによって堆積させるステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記スパッタターゲットアセンブリは、前記タングステンターゲットに結合されたバッキング板をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記バッキング板は、チタンバッキング板であり、前記スパッタターゲットアセンブリは、前記チタンバッキング板とタングステンターゲットとの間に配置されたアルミニウムボンディング層をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記タングステンターゲットは、約８．７５〜約９．０μΩ・ｃｍの抵抗を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記タングステンターゲットは、
少なくとも５００オングストローム（Å）の厚さ、または
約１９〜約１９．３５ｇ／ｃｍ3の密度および約８．７５〜約９．０μΩ・ｃｍの抵抗の少なくとも１つを有する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記タングステン膜層は、約２５０〜約３００オングストローム（Å）の厚さで約９．０μΩ・ｃｍ未満の抵抗を有する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記クリプトンをプラズマ内に励起させるステップは、ＲＦ電力供給から前記基板へバイアスＲＦ電力を送達し、ＤＣ電源から前記タングステンターゲットへＤＣ電力を送達することを含む、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記材料層は、窒化タングステンまたはケイ化タングステンを含む、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
プラズマ処理チャンバ内で使用するためのターゲットであって、
不純物として存在する１００万分の１０以下の炭素および１００万分の１０以下の酸素を含むタングステンターゲットを備えるスパッタターゲットアセンブリを備える、ターゲット。
【請求項１０】
不純物として存在する１００万分の１０以下の炭素および１００万分の１０以下の酸素を含むタングステンターゲットを備えるスパッタターゲットアセンブリであって、処理領域に接触している第１の表面、および前記第１の表面とは反対側の第２の表面を有するタングステンターゲットと、
前記タングステンターゲットの下に配置された基板受け表面を有する基板支持体と、
前記タングステンターゲットに結合されたＤＣ電力供給と、
前記基板支持体に結合されたＲＦ電力供給と、
前記タングステンターゲットの前記第２の表面に隣接して配置されたマグネトロンとを備え、前記マグネトロンは、
複数の磁石を備える外側極と、
複数の磁石を備える内側極とを含み、前記外側極および内側極は、閉ループマグネトロンアセンブリを形成し、前記外側極および前記内側極は各々、磁場を生じさせる、
プラズマ処理チャンバ。
【請求項１１】
前記スパッタターゲットアセンブリは、前記タングステンターゲットに結合されたバッキング板をさらに含む、請求項１０に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１２】
前記バッキング板は、チタンバッキング板であり、前記スパッタターゲットアセンブリは、前記チタンバッキング板とタングステンターゲットとの間に配置されたアルミニウムボンディング層をさらに含む、請求項１１に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１３】
前記タングステンターゲットは、約８．７５〜約９．０μΩ・ｃｍの抵抗を有する、請求項１１に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１４】
前記タングステンターゲットは、少なくとも５００オングストローム（Å）の厚さを有する、請求項１０から１３までのいずれか１項に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１５】
前記タングステンターゲットは、約１９．０〜約１９．３０ｇ／ｃｍ3の密度および約８．７５〜約９．０μΩ・ｃｍの抵抗を有する、請求項１０から１３までのいずれか１項に記載のプラズマ処理チャンバ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【発明の名称】タングステン膜の低抵抗物理的気相堆積のためのシステムおよび方法
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、一般に、基板処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
最近の集積回路の導電性相互接続層は、概して、非常に微細なピッチおよび高い密度のものである。集積回路の金属相互接続層を最終的に形成する前駆体金属膜内の１つのわずかな欠陥が、集積回路の動作の完全性に重大な損傷を与えるような位置にくる可能性がある。
【０００３】
集積回路の金属膜は、典型的には、物理的気相堆積（ＰＶＤ）または化学気相堆積（ＣＶＤ）によって形成される。１つのＰＶＤ手法は、たとえばカリフォルニア州のＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｉｎｃ．から入手可能なＥｎｄｕｒａ（登録商標）システムなどのＤＣマグネトロン装置を使用する。前述のタイプのＤＣマグネトロン装置では、金属または金属合金ターゲットのイオン衝撃により、ターゲット材料の原子または分子が基板上へスパッタされる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＰＶＤシステムは、高品質の金属膜を比較的低い欠陥密度で作製することができるが、本明細書の発明者らは、そのようなシステムによって実現することができるビット線の小型化の程度が、かなりの程度で金属膜の抵抗によって決まることを観察した。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本明細書では、基板上に配置されたバリア層上へ高融点金属層をスパッタするシステムおよび方法が開示される。１つまたは複数の実施形態では、集積回路内にタングステン構造をスパッタ堆積させる方法は、基板をプラズマ処理チャンバに入れ、不純物として存在する１００万分の１０以下の炭素および１００万分の１０以下の酸素を含むタングステンターゲットを備えるスパッタターゲットアセンブリに対向するように、基板支持体上へ動かすステップと、プラズマ処理チャンバ内へクリプトンを流すステップと、クリプトンをプラズマ内に励起させ、ペデスタルによって支持された基板の材料層上にタングステン膜層をスパッタリングによって堆積させるステップとを含む。いくつかの実施形態では、ターゲットアセンブリは、チタンバッキング板と、チタンバッキング板とタングステンターゲットとの間に配置されたアルミニウムボンディング層とをさらに含む。
【０００６】
いくつかの実施形態では、本開示と一致する１つまたは複数の実施形態によるプラズマ処理チャンバ内で使用するためのターゲットは、不純物として存在する１００万分の５以下の炭素および１００万分の１０以下の酸素を含むタングステンターゲットを備えるスパッタターゲットアセンブリを含む。
【０００７】
本開示と一致する１つまたは複数の実施形態によって構築されるプラズマ処理チャンバは、不純物として存在する１００万分の１０以下の炭素および１００万分の１０以下の酸素を含むタングステンターゲットを備えるスパッタターゲットアセンブリを備え、タングステンターゲットは、処理領域に接触している第１の表面、および第１の表面とは反対側の第２の表面を有する。プラズマ処理チャンバは、タングステンターゲットの下に配置された基板受け表面を有する基板支持体と、タングステンターゲットに結合されたＤＣ電力供給と、基板支持体に結合されたＲＦ電力供給と、ターゲットの第２の表面に隣接して配置されたマグネトロンとをさらに含み、マグネトロンは、複数の磁石を備える外側極と、複数の磁石を備える内側極とを含み、外側極および内側極は、閉ループマグネトロンアセンブリを形成し、外側極および内側極は各々、磁場を生じさせる。一実施形態では、ターゲットアセンブリは、チタンバッキング板と、チタンバッキング板とタングステンターゲットとの間に配置されたアルミニウムボンディング層とをさらに含む。
【０００８】
追加の実施形態および特徴は、一部は以下の説明に記載されており、一部は本明細書を確かめれば当業者には明らかになり、または開示する実施形態を実行することによって習得することができる。開示する実施形態の特徴および利点は、本明細書に記載する手段、組合せ、および方法によって実現および達成することができる。
【０００９】
開示する実施形態の性質および利点のさらなる理解は、本明細書の残り部分および図面を参照することによって実現することができる。添付の図面は、添付の開示と一致する例示的な実施形態のみを示すものであり、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容することができるため、限定的に解釈されるべきではない。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】本開示の１つまたは複数の実施形態による改善された特性を有するＤＲＡＭメモリ内のダイナミックメモリセルの回路図である。
【図１Ｂ】図１ＡのＤＲＡＭセルに適用可能なゲート電極スタックを示し、ゲート電極スタックが、本開示の１つまたは複数の実施形態によるタングステン低抵抗薄膜の堆積によって形成される特徴を含む図である。
【図２】本開示の１つまたは複数の実施形態によるタングステン低抵抗薄膜の堆積によって基板上に特徴を形成する方法のプロセス図である。
【図３】本開示の１つまたは複数の実施形態による基板上のタングステンの薄膜堆積によって形成される特徴を含む回路構造を形成するための複数のチャンバを有するプラットフォームシステムを示す図である。
【図４Ａ】本開示の一実施形態によるプラズマ処理チャンバの横断面図である。
【図４Ｂ】本開示の一実施形態によるチャンバの等角図である。
【図５】本開示の１つまたは複数の実施形態によるタングステン低抵抗薄膜の堆積によって基板上に特徴を形成する際に使用するためのマグネトロンの一部分の上面図である。
【図６】本開示の１つまたは複数の実施形態によるタングステン低抵抗薄膜の堆積によって基板上に特徴を形成する際に使用するための代替マグネトロンの一部分の上面図である。
【図７】本開示と一致する実施形態によるスパッタリングによって得られる薄膜タングステン層の抵抗と厚さとの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
理解を容易にするために、可能な場合、同一の参照番号を使用して、これらの図に共通する同一の要素を指す。これらの図は、原寸に比例して描かれたものではなく、見やすいように簡略化されていることがある。さらに、一実施形態の要素および特徴は、さらなる記載がなくても、本開示と一致する他の実施形態に有益に組み込むことができる。
【００１２】
本開示と一致する実施形態は、概して、ゲート電極スタック内またはビット線構造内で実施することができる、たとえばタングステンなどの薄膜高融点金属から形成された１つまたは複数の低抵抗特徴を含む構造を提供するものであり、これを形成する方法および装置を含む。例として、本開示の実施形態によって形成されるゲート電極スタック構造は、ＤＲＡＭタイプの集積回路など、メモリタイプの半導体デバイスとすることができる。
【００１３】
図１Ａを次に参照すると、ＤＲＡＭメモリ内で使用することができる１つのトランジスタセルなどの回路図が示されている。本開示による修正形態に適したトランジスタメモリセルの別の例は、カリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｉｎｃ．に譲渡された２０１４年２月１３日公開のＣａｏらの米国特許出願公開第２０１４／００４２０１５１号に記載されている。図１Ａに示すトランジスタメモリセルは、ストレージコンデンサ１０および選択トランジスタ２０を備える。選択トランジスタ２０は、電界効果トランジスタとして形成され、第１のソース／ドレイン電極２１および第２のソース／ドレイン電極２３を有し、これらの電極間に活性領域２２が配置される。活性領域２２の上には、ゲート絶縁層または誘電体層２４およびゲート電極２５が位置し、合わせて平板コンデンサのように作用し、活性領域２２内の電荷密度に影響を与えて、第１のソース／ドレイン電極２１と第２のソース／ドレイン電極２３との間の電流伝導チャネルを形成または閉鎖することができる。
【００１４】
選択トランジスタ２０の第２のソース／ドレイン電極２３は、接続線１４を介してストレージコンデンサ１０の第１の電極１１に接続される。ストレージコンデンサ１０の第２の電極１２は、コンデンサ極板１５に接続される。コンデンサ極板１５は、ＤＲＡＭメモリセル配置の複数のストレージコンデンサに共通とすることができる。選択トランジスタ２０の第１のソース／ドレイン電極２１は、電荷の形でストレージコンデンサ１０内に記憶された情報を書き込みかつ読み出すことができるように、ビット線１６にさらに接続される。書き込みまたは読み出し動作は、選択トランジスタ２０のゲート電極２５に接続されたワード線１７を介して制御される。書き込みまたは読み出し動作は、第１のソース／ドレイン電極２１と第２のソース／ドレイン電極２３との間の活性領域２２内に電圧を印加して電流伝導チャネルを作製することによって行われる。
【００１５】
トレンチコンデンサ、積層型コンデンサ、および平面コンデンサなど、様々なタイプのコンデンサをＤＲＡＭタイプのメモリセル内のストレージコンデンサ１０として使用することができる。ＤＲＡＭタイプのメモリセルがますます小型化され、トレンチコンデンサの横断面が減少すると、回路、たとえばＤＲＡＭタイプのメモリセルのＭＯＳデバイスのＲＣ時定数の低減が有益になる。ＲＣ時定数は、抵抗器を通って完全充電の割合までコンデンサを充電することまたは初期電圧の数分の１までコンデンサを放電することに関連する時間である。ＲＣ時定数は、回路抵抗と回路静電容量の積に等しい。ゲート電極は、回路抵抗の一因である。したがって、ＤＲＡＭタイプのメモリセル内のＭＯＳデバイスのＲＣ時定数を低減させる１つのやり方は、ゲート電極の抵抗を低減させることとなりうる。
【００１６】
図１Ｂは、図１Ａの選択トランジスタ２０などのＤＲＡＭタイプのメモリセル内で使用することができるＭＯＳデバイス２０Ｂのゲート電極スタック２５Ｂの一実施形態を示す。ＭＯＳデバイス２０Ｂなどの半導体デバイスは、基板３０上に形成される。この基板は、シリコン、ゲルマニウムなどの任意のタイプの半導体材料から形成することができる。ＭＯＳデバイス２０Ｂは、ソースおよびドレイン領域２１Ｂおよび２３Ｂを基板３０上に含む。ソースおよびドレイン領域２１Ｂおよび２３Ｂは、従来のドーピング技法を使用して基板３０をドープすることによって形成することができる。ゲート電極スタック２５Ｂの下の区域は、基板３０の低濃度ドープ領域２２Ｂとすることができ、ドーパントは、ソースおよびドレイン領域２１Ｂ、２３Ｂを形成するために使用されるドーパントとは異なる伝導率を有する。加えて、浅いトレンチ隔離領域３２も基板３０上に形成することができる。
【００１７】
ゲート電極スタック２５Ｂは、ソースおよびドレイン領域２１Ｂおよび２３Ｂ間に形成される。基板のうち低濃度ドープ領域２２Ｂの上の区域上に、ゲート誘電体層２４Ｂを形成することができる。ゲート誘電体層は、ゲートを基板３０から絶縁するために、高誘電率誘電体材料を含む様々な誘電体材料から作ることができる。
【００１８】
ゲート誘電体層２４Ｂ上に導電膜層２６が形成され、ゲート電極スタック２５Ｂの一部を形成する。導電膜層２６は、多結晶シリコンとすることができ、またはゲート電極スタックに使用される他のタイプの導電膜とすることができる。一実施形態では、ゲート電極スタック２５Ｂは、導電膜層２６上に高融点金属窒化物膜層２７Ｂをさらに含む。高融点金属窒化物膜は、いくつか例を挙げると、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、ならびにジルコニウム、ハフニウム、タンタル、バナジウム、クロムなどの他の高融点金属の窒化物を含むことができる。高融点金属膜層は、約５０オングストローム（Å）〜約１５０Åの厚さを有することができる。一実施形態では、高融点金属膜層の厚さは、約１００Åである。
【００１９】
一実施形態では、高融点金属窒化物膜層２７Ｂ上にシリコン含有膜層２８Ｂが形成される。シリコン含有膜は、ＰＶＤ、ＣＶＤ、およびＡＬＤ技法などの様々な技法を使用して堆積させたシリコン薄膜とすることができる。シリコン含有膜層は、ホウ素などのドーパントを含むことができる。一実施形態では、シリコン含有膜層は、ケイ化タングステン膜とすることができる。シリコン含有膜層は、約１０Å〜３０Å、たとえば２０Åの厚さを有することができる。他の実施形態では、図１Ｂに示すシリコン含有膜層２８Ｂは省略される。
【００２０】
ゲート電極スタック２５Ｂはまた、シリコン含有膜層２８Ｂ上、または省略された場合は高融点金属窒化物膜層２７Ｂ上に、タングステン膜層２９Ｂを含む。タングステンは、α相またはβ相とすることができる。一実施形態では、タングステン膜層２９Ｂはα相で形成することができ、これはタングステンの抵抗を低減させるのに役立つ。タングステン膜層は、約２００Å〜約５００Åの厚さを有することができる。いくつかの実施形態では、タングステン膜層は、約２００Å〜約３００Åの厚さを有する。一実施形態では、タングステン膜層は、２００Åの厚さで１０μΩ・ｃｍ未満の抵抗、２５０Åの厚さで９μΩ・ｃｍ未満の抵抗、および３００Åの厚さで約８．５μΩ・ｃｍの抵抗を有する。
【００２１】
多結晶シリコン上にＷＮまたはＷＳｉＮから形成されるゲート電極スタックは、堆積中または堆積後に多結晶シリコンと反応して、金属層と多結晶シリコンとの間に絶縁層を形成することがある。この絶縁層は、特に後の高温処理中に形成されがちである。加えて、ＷＮの堆積中、使用される反応性の窒素プラズマは、多結晶シリコンまたは多結晶シリコン上の自然酸化物と反応し、窒化ケイ素（ＳｉＮ）を形成することがある。これも一種の絶縁層である。加えて、ポリゲートスタック上にＷ／ＡＮ／Ｔｉが位置する場合、Ｔｉは非常に反応性が強く、多結晶シリコン上の酸化物を取り除いて、後の熱処理中にＴｉＳｉＮまたはＴｉＯxＮyを形成する。タングステン膜層２９Ｂと高融点金属窒化物膜層２７Ｂとの間にシリコン含有膜層２８Ｂを介在させることで、他のタイプのゲート電極スタックのこれらの欠点を克服するのに役立つことができる。
【００２２】
図２は、本明細書で一実施形態に記載するゲート電極スタックを形成するプロセス２００を示す流れ図を示す。開始ブロック２０２からプロセス２００に入る。プロセス２００は、ブロック２０４に示すように、不純物として１００万分の１０（ｐｐｍ）未満の炭素（Ｃ）および１０ｐｐｍ未満の酸素（Ｏ2）を含むタングステンターゲットを有するスパッタターゲットアセンブリを含むプラズマ処理チャンバを提供することを含むことができる。プラズマ処理チャンバ内のＯ2およびＣの汚染物質源としてのタングステンターゲットの寄与を最小にすることによって、本発明者らは、ターゲット材料のスパッタリングによって導出されるタングステン膜の抵抗に不純物の散乱が与える有害な影響を大幅に低減させることができることを理論化した。
【００２３】
実施形態では、タングステンターゲットの密度は、約１９〜約１９．３０ｇ／ｃｍ3であり、タングステンターゲットの厚さは、約５００Åより大きく、タングステンターゲットの抵抗は、約８．７５〜約９．０μΩ・ｃｍである。実施形態では、タングステンターゲットの相対密度（すなわち、純粋なタングステンの理想密度と比較）は、約９９．１５〜９９．８５パーセントであり、一実施形態では、タングステンターゲットの相対密度は、約９９．７０〜約９９．８０％である。
【００２４】
プロセス２００はまた、ブロック２０６で、処理チャンバ内に基板を位置決めすることを含むことができ、基板は、ソースおよびドレイン領域と、ソースおよびドレイン領域間のゲート誘電体層と、ゲート誘電体層上の導電膜層とを備える。ブロック２０６で、高融点金属窒化物膜層または高融点金属ケイ素化合物を導電膜層上に形成することができる。いくつかの実施形態では、基板は高融点金属窒化物膜層を含み、その上にシリコン含有膜層が形成される。プロセス２００は、ブロック２０８で、プラズマ処理チャンバ内へクリプトンガス（Ｋｒ）を流すことと、ブロック２１０で、Ｋｒを励起させてプラズマを生成することと、ブロック２１２で、タングステンターゲット材料のスパッタ堆積によって３００Å未満の厚さを有するタングステン薄膜を堆積させることとをさらに含む。
【００２５】
プロセス２００の一実施形態では、約数ミリトル（ｍＴｏｒｒ）の圧力で維持されたプラズマ処理チャンバ内へ、約１２標準立方センチメートル／分（ｓｃｃｍ）の流量でＫｒを流し、ターゲットにＤＣ電力を印加し、基板にＲＦバイアス電力を印加して、約２２．３０秒後に約１５０〜５００Åの厚さを有するタングステン層を実現する。
【００２６】
いくつかの実施形態では、高融点金属窒化物および／または高融点金属ケイ素化合物膜層、シリコン含有膜層、ならびにタングステン膜層は、図３に示す後述の処理システム３００内など、インシトゥで形成される。別の実施形態では、これらの膜は別個の処理システム内で形成され、その場合、いくつかの膜層の形成間に真空破壊が生じる。言い換えれば、様々な膜層の形成は、エクスシトゥで形成することができる。たとえば、シリコン含有膜は、タングステン膜層とは異なる処理システム内で形成することができる。したがって、シリコン含有膜は、酸素に露出されて、シリコン含有層上にＳｉＯ2などの自然酸化物層を形成することがある。一実施形態では、タングステン膜層の形成前に、自然酸化物膜は除去され、シリコン含有層は清浄にされる。
【００２７】
たとえば図１Ｂに示すゲート電極スタックなど、本開示と一致する実施形態による薄い低抵抗のタングステン膜を利用する回路構造の形成は、図３に示すクラスタツール３００などの処理システム内で実行することができる。クラスタツール３００は、デュアルバッファチャンバ、複数プロセスチャンバ半導体処理ツール、またはデュアルバッファチャンバクラスタツールとすることができる。クラスタツール３００は、カリフォルニア州サンタクララ所在のＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手可能な、様々な付属チャンバを有するＥｎｄｕｒａ（登録商標）プラットフォームとすることができる。クラスタツール３００には、基板の取扱いおよび半導体製造工場の１つの区域から別の区域への輸送のために、１つまたは複数のＦＯＵＰ３３２を有するファクトリインターフェース（ＦＩ）３３０を取り付けることができる。ＦＩ３３０は、ＦＯＵＰ３３２から基板３５８を取り出して、処理シーケンスを開始する。クラスタツール３００は、多角形構造３４４内に配置された第１のバッファチャンバ３４６および第２のバッファチャンバ３５０、ならびに第１の基板移送位置３１４および第２の基板移送位置３１６を有する。第１のバッファチャンバ３４６は、低品質の真空バッファとすることができ、第２のバッファチャンバ３５０は、高品質の真空バッファとすることができる。基板移送位置は、チャンバとすることができる。
【００２８】
多角形構造３４４の一方の側に、第１のロードロックチャンバ３２６および第２のロードロックチャンバ３２８を配置することができる。多角形構造の概して両側で、第１のロードロックチャンバ３２６および第２のロードロックチャンバ３２８に隣接して、第１のガス抜きチャンバ３１８および第２のガス抜きチャンバ３２０を配置することができる。多角形構造３４４の概して両側で、第１のガス抜きチャンバ３１８、第２のガス抜きチャンバ３２０、および第１のバッファチャンバ３４６などのチャンバに隣接して、第１の対のプロセスチャンバ３０２および３０４を配置することができる。第１の対のプロセスチャンバ３０２、３０４は、カリフォルニア州サンタクララ所在のＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手可能な、基板上にタングステン膜を形成するためのＶｅｒｓａ（商標）Ｗ  ＰＶＤチャンバとすることができる。多角形構造３４４の概して両側で、バッファチャンバ３５０に隣接して、第２の対のプロセスチャンバ３０６および３０８を配置することができる。第２の対のプロセスチャンバは、カリフォルニア州サンタクララ所在のＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．からやはり入手可能なＥｘｔｅｎｓａ（商標）ＴＴＮ  ＰＶＤチャンバとすることができる。多角形構造３４４の概して両側で、第２の対のプロセスチャンバ３０６、３０８および第２のバッファチャンバ３５０に隣接して、第３の対のプロセスチャンバ３１０および３１２を配置することができる。第３の対のプロセスチャンバは、カリフォルニア州サンタクララ所在のＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．からやはり入手可能な、ＷＳｉｘなどのシリコン含有層を堆積させるためのチャンバとすることができる。
【００２９】
プロセスおよびロードロックチャンバは、複数のスリットバルブ（図示せず）によって第１のバッファチャンバ３４６および第２のバッファチャンバ３５０から選択的に分離することができ、それぞれ第１の環境３７４および第２の環境３７６を生じさせる。多角形構造３４４は、第１のバッファチャンバ３４６および第２のバッファチャンバ３５０を分離する中心壁３４２を有する。中心壁３４２は、第１のバッファチャンバ３４６および第２のバッファチャンバ３５０を分離する。基板移送位置３１４および３１６は、中心壁３４２を通って第１のバッファチャンバ３４６および第２のバッファチャンバ３５０へつながる個別の通路を提供する。基板移送位置３１４および３１６は、複数のスリットバルブ（図示せず）によって隣接する第１のバッファチャンバ３４６および第２のバッファチャンバ３５０から選択的に分離される。たとえば、第１のバッファチャンバ３４６と第１の基板移送位置３１４との間に１つのスリットバルブを設けることができ、第１の移送位置３１４と第２のバッファチャンバ３５０との間に１つの追加のスリットバルブを設けることができ、第１のバッファチャンバ３４６と第２の基板移送位置３１６との間に１つのスリットバルブを設けることができ、第２のバッファチャンバ３５０と第２の基板移送位置３１６との間に１つのスリットバルブを設けることができる。スリットバルブを使用することで、各チャンバ内の圧力を個別に制御することが可能になる。加えて、第１の基板移送位置３１４および第２の基板移送位置３１６は各々、対応する基板を各位置で支持するための基板ペデスタル（図示せず）をそれぞれ有することができる。
【００３０】
第１のバッファチャンバ３４６は、第１のロードロックチャンバ３２６、第２のロードロックチャンバ３２８、第１のガス抜きチャンバ３１８、第２のガス抜きチャンバ３２０、第１のプロセスチャンバ３０２、第２のプロセスチャンバ３０４、第１の基板移送位置３１４、および第２の基板移送位置３１６によって取り囲まれる。第１のプロセスチャンバ３０２および第２のプロセスチャンバ３０４、第１のガス抜きチャンバ３１８および第２のガス抜きチャンバ３２０、ならびにロードロックチャンバ３２６、３２８は各々、スリットバルブ（図示せず）によって第１のバッファチャンバ３４６から選択的に分離される。第１のバッファチャンバ３４６内には、第１のロボット基板輸送機構３４８、たとえば多ブレードロボットが位置する。他のタイプの輸送機構に置き換えることもできる。図示の第１のロボット基板輸送機構３４８は、基板３５８の１つまたは複数を支持する基板輸送ブレード３６０を有することができる。基板輸送ブレード３６０は、第１のバッファチャンバ３４６を取り囲むチャンバとの間で基板３５８を個別に運ぶために、第１のロボット基板輸送機構３４８によって使用される。
【００３１】
第２のバッファチャンバ３５０は、プロセスチャンバ３０６、３０８、３１０、および３１２、ならびに第１の基板移送位置３１４および第２の基板移送位置３１６によって取り囲まれる。第２のバッファチャンバ３５０内には、第２のロボット基板輸送機構３５２、たとえば多ブレードロボットが位置する。他のタイプの輸送機構に置き換えることもできる。図示の第２のロボット基板輸送機構３５２は、基板３５８の１つまたは複数を支持する基板輸送ブレード３６０を有することができる。基板輸送ブレード３６０は、第２のバッファチャンバ３５０を取り囲むチャンバとの間で個別の基板を運ぶために、第２のロボット基板輸送機構３５２によって使用される。
【００３２】
バッファチャンバ３４６、３５０は、第１のバッファチャンバ３４６および第２のバッファチャンバ３５０の環境を排気することが可能なターボ分子ポンプなどのポンピング機構（図示せず）に接続された真空ポートを有することができる。真空ポートの構成および位置は、個別のシステムに対する設計基準に応じて変更することができる。
【００３３】
たとえば基板処理は、第１のバッファチャンバ３４６および第２のバッファチャンバ３５０がポンピング機構によって真空条件まで減圧されることによって開始することができる。第１のロボット基板輸送機構３４８は、ロードロックチャンバの１つ（たとえば３２６）から基板３５８を取り出し、その基板を第１の処理段階へ、たとえば第１のガス抜きチャンバ３１８へ運ぶ。第１のガス抜きチャンバ３１８は、後の処理のための準備として、基板３５８をその上に形成された構造も含めてガス抜きするために使用することができる。たとえば基板３０は、ゲート電極スタック２５Ｂの導電膜層２６も含めて、ゲート電極の残りの層を形成する前にガス抜きすることができる。
【００３４】
次の処理段階で、基板をプロセスチャンバ３０６、３０８のいずれかへ運び、ブロック２０６に例示するプロセスによって位置決めされた基板の１つまたは複数の層を製作することができる。第１のロボット基板輸送機構３４８が１つの基板を運び終えた後、第１のロボット基板輸送機構３４８は、バッファチャンバ３４６を取り囲む他のチャンバ内の基板を扱うことができる。基板が処理され、ＰＶＤ段階で基板上に材料を堆積させた後、この基板を次いで第２の処理段階へ動かすことができ、以下同様である。たとえば、基板は、次いで上述したプロセス２０６を実行するために、処理チャンバ３１０、３１２のいずれかへ動かすことができる。
【００３５】
処理チャンバが第２のバッファチャンバ３５０に隣接して位置する場合、基板移送位置の１つ（たとえば第１の基板移送位置３１４）から基板を輸送することができる。バッファチャンバ３４６および第１の基板移送位置３１４を分離するスリットバルブは開かれる。第１のロボット基板輸送機構３４８は、第１の基板移送位置３１４内へ基板を輸送する。第１のロボット基板輸送機構３４８に接続された基板輸送ブレード３６０は、第１の基板移送位置３１４から取り外されて、ペデスタル上の基板を離れる。第１のバッファチャンバ３４６および第１の基板移送位置３１４を分離するスリットバルブが閉じられた後、第２のバッファチャンバ３５０および第１の基板移送位置３１４を分離する第２のスリットバルブが開かれ、第２のロボット基板輸送機構３５２に接続された基板輸送ブレード３６０を第１の基板移送位置３１４内へ挿入して基板を取り出すことが可能になる。基板が第２のバッファチャンバ３５０に入った後、第２のスリットバルブは閉じられ、第２のロボット基板輸送機構３５２は、第２のバッファチャンバ３５０および第２のロボット基板輸送機構３５２によって扱われる適当な処理チャンバまたは一続きのチャンバへ基板を自由に動かすことができる。
基板処理が終了した後、基板をＦＩ３３０上のＦＯＵＰ３３２の１つに装填し、適宜基板移送位置を通って基板を戻す。
【００３６】
上述したブロック２１２に例示するプロセス中、様々な方法を使用してタングステン膜を形成することができる。図４Ａ〜７の参照を使用して、プロセスについて説明することができる。一実施形態では、タングステン膜を形成する方法は、ターゲットアセンブリ１３２に結合された直流（ＤＣ）電力供給１８２を使用して、プラズマ処理チャンバ（たとえば、チャンバ１００）の処理領域１１０内にプラズマを形成することを含み、ターゲットアセンブリ１３２は、チャンバ１００内にタングステンターゲット（ターゲット１３２Ａ）、アルミニウムボンディング層１３２Ｂ、およびチタンバッキング板１３２Ｃを含む。タングステンターゲット１３２Ａは、チャンバ１００の処理領域１１０に接触している第１の表面１３３と、第１の表面１３３とは反対側の第２の表面１３５とを有する。ＤＣ電力供給１８２からターゲット１３２Ａへエネルギーが送達され、チャンバの処理領域１１０内にプラズマが形成される。約５００Ｗ〜約３．０ｋＷの範囲内、たとえば約１．５ｋＷまたは２．０ｋＷの電力レベルのＤＣ電力を、タングステンターゲットに印加することができる。いくつかの実施形態では、低い抵抗を有する薄いタングステン膜を形成するプロセスは、タングステンターゲット（ターゲット１３２Ａ）に結合されたＤＣ電源のみを、基板支持体に結合されたＲＦバイアスとともに使用することができる。しかし、図４Ａはターゲットに結合されたＤＣ電源のみを示すが、いくつかの実施形態では、チャンバは、タングステンターゲットに結合されたＲＦおよびＤＣ電源の両方を有することができる。
【００３７】
実施形態では、マグネトロンシステム１８９が、ターゲット１３２Ａの中心点の周りを回転することができ、マグネトロンシステム１８９は、ターゲット１３２Ａの第２の表面１３５に隣接して配置される。マグネトロンシステム１８９は、複数の磁石４２３を備える外側極４２４と、複数の磁石４２３を備える内側極４２５とを含むことができる。外側極４２４および内側極４２５は、閉ループマグネトロンアセンブリを形成することができる。マグネトロンシステム、その結果生じる磁場は、堆積プロセス中のクリプトン（Ｋｒ）イオンの衝撃に影響を与え、粒径および膜密度などの薄膜特性の制御を可能にする。一実施形態では、チャンバ１００は短距離チャンバであり、ターゲットと基板との間隔は、５５ｍｍ〜７５ｍｍの範囲、たとえば７３ｍｍまたは６５ｍｍである。実施形態では、プラズマは、Ｋｒによって着火される。一実施形態では、プラズマは、約１０〜約１５ｓｃｃｍの範囲内の流量を有するＫｒガスから生成することができる。
【００３８】
プロセスはまた、チャンバ内で基板支持体１２６を加熱することを含むことができる。基板支持体１２６、またはその上に配置された基板は、約１００℃〜約４００℃の範囲内の温度まで加熱することができる。一実施形態では、基板または支持体は、約１５０℃〜約４００℃の範囲内の温度まで加熱することができる。たとえば、基板または基板支持体は、２００℃、２５０℃、３００℃、またはさらに４００℃まで加熱することができる。
【００３９】
本明細書の発明者らは、ＤＣ電力のみの物理的気相堆積プロセスは、低エネルギーのタングステン種をもたらし、低エネルギーの種により成長したタングステン膜は、高エネルギー粒子にこれらのタングステン膜を貫通させるのに十分な多孔性を有する傾向があることを観察した。この多孔性現象を利用するために、ブロック２１０に例示するプロセスの実施形態では、ＲＦ電力供給を介して基板支持体（および基板）にＲＦバイアスを印加する。ＲＦバイアスは、約１００Ｗ〜約１２００Ｗの範囲内の電力レベルを有することができる。一実施形態では、ＲＦバイアスは、約２００Ｗ〜約４００Ｗの範囲内の電力レベルを有することができ、１３．５ＭＨｚのＲＦ周波数で印加される。
【００４０】
ＲＦバイアス電力を印加することで、イオンエネルギーが増大し、高エネルギー粒子がタングステン膜を貫通し、膜表面の下にいくつかの原子面を残し、膜の密度を高くすることが可能になる。そのような貫通は、膜応力を引っ張り応力から圧縮応力へ変化させることができ、膜内の空格子点を埋めて膜抵抗を低減させることができる。ただし後者の作用は、侵入型点欠陥が生じることによって相殺される可能性がある。ＲＦバイアスはまた、基板に対するイオンの衝撃を制御して、粒径、膜密度、および他の特性などの薄膜特性に有益な影響を与えるのに役立つ。ＲＦバイアスは、衝突するイオンに余分の運動エネルギーを提供し、大幅な粒子の成長を促すことができる。
【００４１】
上述した様々な変数を使用することによって、チャンバ１００内の基板支持体１２６上に位置決めされた基板１０５上にタングステン膜を堆積させることができる。さらに、堆積圧力および温度、ＤＣ電力、ならびにＲＦバイアスを制御するとともに、アルミニウム中間層によってチタンバッキング板に結合された不純物が非常に少ない高密度のタングステンターゲットを含むターゲットアセンブリを使用することによって、約８．５μΩ・ｃｍの抵抗を有する厚さ３００Å程度のタングステン膜を形成することができ、約９μΩ・ｃｍまたはさらにそれ以下（たとえば、最低で約８．９５μΩ・ｃｍ）の抵抗を有する厚さ２５０Å程度のタングステン膜を形成することができる。
【００４２】
さらに、本開示と一致する実施形態によれば、また、特定の範囲内で不均衡な比を有するマグネトロンアセンブリを使用することで、特に不均衡な比が外側磁気ループに比べて内側磁気ループ上でより大きい磁場強度を有するとき、イオン衝撃を改善することができる。加えて、マグネトロンの不均衡な比を調整することによって、厚さの均一性が改善される。また、イオン衝撃が改善されることで、薄膜内へのＫｒ、Ｏ2などの閉じ込めまたは取り込みをより少なくすることができ、またそれにより、薄いタングステン膜の抵抗が低減される。
【００４３】
図４Ａは、上部プロセスアセンブリ１０８、プロセスキット１５０、およびペデスタルアセンブリ１２０を有する例示的なプラズマ処理チャンバ（チャンバ１００）を示し、チャンバ１００は、処理領域１１０内に配置された基板１０５を処理するように構成することができる。チャンバ１００は、図３に示すクラスタツール３００上のプロセスチャンバ３０２または３０４などのタングステンＰＶＤ堆積チャンバとすることができる。プロセスキット１５０は、一体型の接地シールド１６０、下部プロセスキット１６５、および絶縁リングアセンブリ１８０を含む。図示の形態では、チャンバ１００は、ターゲット１３２Ａから基板１０５上へ単一の材料を堆積させることが可能な物理的気相堆積またはＰＶＤチャンバとも呼ばれるスパッタリングチャンバを構成する。チャンバ１００はまた、タングステンを堆積させるために使用することができる。本明細書の発明者らは、他の製造者からのものも含む他の処理チャンバも、本開示の実施形態の１つまたは複数から利益を得るように適合することができることを企図する。
【００４４】
チャンバ１００は、処理領域１１０またはプラズマゾーンを密閉する側壁１０４、底壁１０６、および上部プロセスアセンブリ１０８を有するチャンバ本体１０１を含む。チャンバ本体１０１は、典型的には、溶接されたステンレス鋼板または単体のアルミニウムブロックから製作される。一実施形態では、側壁はアルミニウム板を含み、底壁はステンレス鋼板を含む。側壁１０４は、概して、チャンバ１００からの基板１０５の入口および出口を提供するために、スリットバルブ（図示せず）を含む。チャンバ１００の上部プロセスアセンブリ１０８内の構成要素は、接地シールド１６０、ペデスタルアセンブリ１２０、およびカバーリング１７０と協働して、処理領域１１０内に形成されたプラズマを基板１０５より上の領域に閉じ込める。
【００４５】
ペデスタルアセンブリ１２０は、チャンバ１００の底壁１０６から支持される。ペデスタルアセンブリ１２０は、処理中に基板１０５とともに堆積リング５０２を支持する。ペデスタルアセンブリ１２０は、リフト機構１２２によってチャンバ１００の底壁１０６に結合され、リフト機構１２２は、上部処理位置と下部移送位置との間でペデスタルアセンブリ１２０を動かすように構成される。加えて、下部移送位置では、単ブレードロボット（図示せず）などのチャンバ１００の外に配置された基板移送機構による基板の交換を容易にするために、ペデスタルアセンブリ１２０を通ってリフトピン１２３を動かし、ペデスタルアセンブリ１２０から距離をあけて基板を位置決めする。典型的には、処理領域１１０をペデスタルアセンブリ１２０の内部およびチャンバの外部から分離するために、ペデスタルアセンブリ１２０と底壁１０６との間にベローズ１２４が配置される。
【００４６】
ペデスタルアセンブリ１２０は、概して、プラットフォームハウジング１２８に密閉して結合された基板支持体１２６を含む。プラットフォームハウジング１２８は、典型的には、ステンレス鋼またはアルミニウムなどの金属材料から製作される。概して、基板支持体１２６を熱的に調節するために、プラットフォームハウジング１２８内に冷却板（図示せず）が配置される。
【００４７】
基板支持体１２６は、アルミニウムまたはセラミックから構成することができる。基板支持体１２６は、処理中に基板１０５を受け取って支持する基板受け表面１２７を有し、基板受け表面１２７は、ターゲットアセンブリ１３２のターゲット１３２Ａのスパッタリング表面（たとえば、第１の表面１３３）に対して実質上平行である。基板支持体１２６はまた、基板１０５の張り出しエッジ１０５Ａより手前で終了する周囲エッジ１２９を有する。基板支持体１２６は、静電チャック、セラミック体、ヒータ、またはこれらの組合せとすることができる。一実施形態では、基板支持体１２６は、中に埋め込まれた電極（たとえば、導電層１２５）を有する誘電体を含む静電チャックである。誘電体は、典型的には、熱分解性窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、アルミナ、または同等の材料などの高熱伝導率の誘電体材料から製作される。ペデスタルアセンブリ１２０および基板支持体１２６の他の態様について、以下でさらに説明する。一実施形態では、導電層１２５は、基板１０５と基板支持体１２６との間の熱伝達を改善するために、ＤＣ電圧が導電層１２５に印加されるとき、静電チャック電力供給１４３によって、基板受け表面１２７上に配置された基板１０５がそこに静電チャックされるように構成される。別の実施形態では、ＲＦバイアスコントローラ１４１も導電層１２５に結合され、したがって基板１０５の表面とのプラズマ相互作用に影響を与えるように、処理中に基板上で電圧を維持することができる。
【００４８】
チャンバ１００は、システムコントローラ１９０によって制御され、システムコントローラ１９０は概して、チャンバ１００の制御および自動化を容易にするように設計されており、典型的には中央処理ユニット（ＣＰＵ）（図示せず）、メモリ（図示せず）、および支持回路（またはＩ／Ｏ）（図示せず）を含む。ＣＰＵは、様々なシステム機能、基板の動き、チャンバプロセス、および支持ハードウェア（たとえば、センサ、ロボット、モータなど）を制御し、プロセス（たとえば、基板支持体の温度、電力供給変数、チャンバプロセス時間、Ｉ／Ｏ信号など）を監視するために工業的な環境で使用される任意の形態のコンピュータプロセッサとすることができる。メモリは、ＣＰＵに接続され、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、または任意の他の形態のローカルまたは遠隔のデジタルストレージなど、容易に入手可能なメモリの１つまたは複数とすることができる。ソフトウェア命令およびデータは、ＣＰＵに命令するためにメモリ内にコード化および記憶することができる。支持回路もまた、従来どおりプロセッサを支持するためにＣＰＵに接続される。支持回路は、キャッシュ、電力供給、クロック回路、入出力回路、サブシステムなどを含むことができる。システムコントローラ１９０によって可読のプログラム（またはコンピュータ命令）は、基板上でどのタスクが実行可能であるかを判定する。実施形態では、プログラムは、システムコントローラ１９０によって可読のソフトウェアであり、チャンバ１００内で実行されている動きならびに様々なプロセスの方策タスクおよび方策プロセスの監視、実行、および制御に関するタスクを実行するためのコードを含む。たとえば、システムコントローラ１９０は、ペデスタルアセンブリ１２０を動作させるように設定された基板位置決め命令と、チャンバ１００へのスパッタリングガスの流れを設定するためにガス流量制御バルブを動作させるように設定されたガス流量制御命令と、チャンバ１００内の圧力を維持するためにスロットルバルブまたはゲートバルブを動作させるように設定されたガス圧力制御命令と、基板または側壁１０４それぞれの温度を設定するためにペデスタルアセンブリ１２０または側壁１０４内の温度制御システム（図示せず）を制御するように設定された温度制御命令と、チャンバ１００内のプロセスを監視するように設定されたプロセス監視命令とを含むプログラムコードを含むことができる。
【００４９】
チャンバ１００はまた、たとえば、構成要素の表面からスパッタリング堆積物を取り除くため、侵食された構成要素を交換もしくは修理するため、またはチャンバ１００を他のプロセスに適合させるために、チャンバ１００から容易に取り出すことができる様々な構成要素を備えるプロセスキット１５０を含む。一実施形態では、プロセスキット１５０は、絶縁リングアセンブリ１８０と、接地シールド１６０と、基板１０５の張り出しエッジより手前で終了する基板支持体１２６の周囲エッジ１２９の周りに配置するためのリングアセンブリ１６８とを備える。
【００５０】
図４Ｂは、クラスタツール３００の処理位置に結合されたチャンバ１００の等角図である。クラスタツール３００はまた、チャンバ１００内で堆積プロセスを実行する前または後に基板上で１つまたは複数の処理動作を実行するように適合された図３に示すような他の処理チャンバを含むことができる。例示的なクラスタツール３００は、カリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｉｎｃ．から入手可能なＣｅｎｔｕｒａ（登録商標）またはＥｎｄｕｒａ（登録商標）システムを含むことができる。一例では、クラスタツール３００は、周期的層堆積、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理的気相堆積（ＰＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、エッチング、前洗浄、ガス抜き、アニーリング、配向、および他の基板プロセスなどの複数の基板処理動作を実行するように構成された処理チャンバを有することができる。移送ツール、たとえば第１のバッファチャンバ３４６内に配置された第１のロボット基板輸送機構３４８を使用して、クラスタツール３００に取り付けられた１つまたは複数のチャンバとの間で基板を移送することができる。
【００５１】
上部プロセスアセンブリ１０８はまた、ＲＦ電力供給１８１、ＤＣ電力供給１８２、アダプタ１０２、モータ１９３、およびリッドアセンブリ１３０を備えることができる。リッドアセンブリ１３０は、概して、アルミニウム拡散接合中間層（アルミニウムボンディング層１３２Ｂ）によってチタンバッキング板１３２Ｃに結合されたタングステンターゲット（ターゲット１３２Ａ）を有するターゲットアセンブリ１３２と、マグネトロンシステム１８９と、リッド筐体１９１とを備える。上部プロセスアセンブリ１０８は、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、閉位置にあるとき、側壁１０４によって支持される。絶縁リングアセンブリ１８０と、ターゲットアセンブリ１３２と、リッドアセンブリ１３０のアダプタ１０２との間には、これらの間の真空漏れを防止するために、セラミックターゲット絶縁物１３６が配置される。アダプタ１０２は、側壁１０４に密閉可能に結合され、上部プロセスアセンブリ１０８および絶縁リングアセンブリ１８０を取り出すのを助けるように構成される。
【００５２】
処理位置にあるとき、ターゲット１３２Ａは、アダプタ１０２に隣接して配置され、チャンバ１００の処理領域１１０に露出される。ターゲット１３２Ａが形成されるタングステンは、ＰＶＤまたはスパッタリングプロセス中に基板１０５上に堆積される。絶縁リングアセンブリ１８０は、ターゲット１３２Ａをシールド１６０およびチャンバ本体１０１から電気的に分離するために、ターゲット１３２Ａと、シールド１６０と、チャンバ本体１０１との間に配置される。
【００５３】
処理中、ターゲット１３２Ａは、ＤＣ電力供給１８２内に配置された電源によって、処理チャンバの接地領域（たとえば、チャンバ本体１０１およびアダプタ１０２）に対してバイアスされる。一実施形態では、ＤＣ電力供給１８２内のＤＣ電源１８２Ａは、約０〜約９．０ｋＷのＤＣ電力を送達することが可能である。
【００５４】
処理中、ガス源１４２から導管１４４を介して処理領域１１０へ、高原子量の非反応性ガスが供給される。ガス源１４２は、ターゲット１３２Ａに勢いよく当たってターゲット１３２Ａから材料をスパッタすることが可能なクリプトンまたはキセノンなどの非反応性ガスを含むことができる。ガス源１４２はまた、スパッタリング材料と反応して基板上に層を形成することが可能な窒素含有ガスなどの反応性ガスを含むことができる。使用済みプロセスガスおよび副生成物は、排気口１４６を通ってチャンバ１００から排気される。排気口１４６は、使用済みプロセスガスを受け取り、チャンバ１００内の処理領域１１０内の圧力を制御するために調整可能な位置ゲートバルブ１４７を有する排気導管１４８へ使用済みプロセスガスを誘導する。排気導管１４８は、クライオポンプなどの１つまたは複数の排気ポンプ１４９に接続される。典型的には、処理中のチャンバ１００内のスパッタリングガスの圧力は、真空環境などの大気圧以下のレベル、たとえば約１．０ｍＴｏｒｒ〜約１０．０ｍＴｏｒｒの圧力に設定される。一実施形態では、処理圧力は、約２．５ｍＴｏｒｒ〜約６．５ｍＴｏｒｒに設定される。基板１０５とターゲット１３２Ａとの間にプラズマが形成され、プラズマ内のガスイオンは、ターゲット１３２Ａの方へ加速され、材料はターゲット１３２Ａから取り外される。取り外されたターゲット材料は、基板上に堆積する。
【００５５】
リッド筐体１９１は、概して、導電壁１８５、中心供給部１８４、および遮蔽部１８６を備える（図４Ａおよび図４Ｂ）。図示の構成では、導電壁１８５、中心供給部１８４、ターゲット１３２Ａ、およびモータ１９３の一部分が、裏側領域１３４を密閉および形成する。裏側領域１３４は、ターゲット１３２Ａの裏側に配置された密閉領域であり、概して処理中にターゲット１３２Ａで生成される熱を除去するために処理中に流動液で充填される。一実施形態では、導電壁１８５および中心供給部１８４は、モータ１９３およびマグネトロンシステム１８９を支持するように構成され、したがってモータ１９３は、処理中にマグネトロンシステム１８９を回転させることができる。一実施形態では、モータ１９３は、デルリン、Ｇ１０、またはアーデルなどの誘電体層を使用することによって、ＤＣ電力供給から送達されるＤＣ電力から電気的に分離される。
【００５６】
遮蔽部１８６は、クラスタツール３００（図４Ｂ）内に配置された他の処理チャンバに干渉して影響を与えるターゲット１３２Ａへ送達されるエネルギーを密閉および防止するように位置決めされた１つまたは複数の誘電体材料を含むことができる。一構成では、遮蔽部１８６は、デルリン、Ｇ１０、アーデル、もしくは他の類似の材料、および／または薄い接地金属シートＲＦシールドを含むことができる。
【００５７】
チャンバ１００の一実施形態では、ＲＦバイアスコントローラ１４１（図４Ａ）が、電極とＲＦ接地との間に結合されて、処理中に基板上のバイアス電圧を調整し、基板表面に対する衝撃の程度を制御する。一実施形態では、電極は、基板支持体１２６の基板受け表面１２７に隣接して配置され、電極（たとえば、導電層１２５）を備える。ＰＶＤリアクタ内では、接地に対する電極のインピーダンスを制御することによって、基板表面の衝撃を調節することで、粒径、膜応力、結晶配向、膜密度、粗さ、および膜組成などの堆積した膜の特性に影響を及ぼすであろう。したがって、ＲＦバイアスコントローラ１４１を使用して、基板表面の膜特性を変更することができる。一実施形態では、ＲＦバイアスコントローラ１４１は、ＲＦ電源（図示せず）およびＲＦマッチ（図示せず）を有する。ＲＦバイアス電力設定点は、基板上で実現すべき該当する処理結果に依存することができる。
【００５８】
図５Ａ〜５Ｃは、本開示と一致する１つまたは複数の実施形態によるターゲットＤＣバイアスおよび基板ＲＦバイアスの異なる条件下における抵抗とタングステン膜の厚さとの関係を示すグラフである。
【００５９】
図５は、本開示の１つまたは複数の実施形態によるタングステン低抵抗薄膜の堆積によって基板上に特徴を形成する際に使用するためのマグネトロンの第１の実施形態の一部分の上面図を示す。本開示の一実施形態によれば、図４Ａおよび図５の参照によって理解されるように、マグネトロンシステム１８９は、ソースマグネトロンアセンブリ４２０を含み、ソースマグネトロンアセンブリ４２０は、回転板４１３、外側極４２４、および内側極４２５を備える。概して、回転板４１３により、ソースマグネトロンアセンブリ４２０内の磁場生成構成要素の位置決めをチャンバ１００の中心軸１９４に対して動かすことが可能になる。
【００６０】
回転板４１３は、概して、垂直方向に第１の磁気極性を有する外側極４２４と、第１の磁気極性とは反対の第２の磁気極性を有する内側極４２５とを支持して磁気的に結合するように適合される。外側極４２４は、間隙４２７によって内側極４２５から分離され、極の各々は、概して、１つまたは複数の磁石と、磁極片（外側磁極片４２１、内側磁極片４２２）とを備える。外側極４２４と内側極４２５との間に延びる磁場は、ターゲット１３２Ａのスパッタリング面の第１の部分に隣接してプラズマ領域を生じさせる。プラズマ領域は、概して間隙４２７の形状に追従する高密度のプラズマ領域を形成する。
【００６１】
図５に示す例示的な実施形態では、マグネトロンシステム１８９は、閉ループ設計である。概して、「閉ループ」マグネトロン構成は、マグネトロンの外側極がマグネトロンの内側極を取り囲み、極間に間隙を形成し、これが連続ループになるように形成される。閉ループ構成では、ターゲットの表面から出現して再び入る磁場は、「閉ループ」パターンを形成し、これを使用してターゲットの表面付近に閉パターンで電子を閉じ込めることができ、これは多くの場合、「レーストラック」タイプのパターンと呼ばれる。開ループではなく閉ループのマグネトロン構成は、ターゲット１３２Ａの第１の表面１３３付近に電子を閉じ込めて高密度のプラズマを生成し、スパッタリング収率を増大させることが可能である。
【００６２】
マグネトロンシステム１８９の一実施形態では、モータ１９３によって電力供給される回転シャフト１９３Ａが、中心軸１９４に沿って延び、回転板４１３およびソースマグネトロンアセンブリ４２０を支持する。処理中、スパッタリングによりターゲット１３２Ａが大幅に加熱される。したがって、裏側領域１３４がターゲット１３２Ａの裏面に密閉され、冷却水の液体で充填される。冷却水は、冷却装置（図示せず）および冷却水を循環させる送水管系（図示せず）によって冷却される。回転シャフト１９３Ａは、回転シール（図示せず）を通ってチャンバ１００を貫通する。マグネトロンシステム１８９は、裏側領域１３４内に配置された液体中に浸漬される。
【００６３】
いくつかの実施形態では、ソースマグネトロンアセンブリ４２０は、不均衡なマグネトロンである。典型的には、不均衡性は、外側極４２４にわたって統合された総磁気強度または磁束を、内側極４２５にわたって統合された総磁気強度または磁束で割った比として定義される。本明細書の発明者らは、外側と内側の磁界強度の不均衡性を約１．５６〜約０．５７で維持することによって、タングステン膜の堆積プロセスを改善して衝撃および粒径を増大させることができることを観察した。一実施形態では、外側と内側の磁界強度の不均衡性は、約１．１５〜約０．９３の比である。磁気的な不均衡性により、内側極４２５から出る磁場の一部分が基板１０５の方へ突出し、イオン化されたスパッタ粒子を基板１０５へ案内する。しかし、ソースマグネトロンアセンブリ４２０は、スパッタされた粒子の大部分をイオン化させるプラズマを生じさせるであろう。イオン化された粒子は、不均衡な磁場によって基板１０５の方へ少なくとも部分的に案内され、膜の厚さの均一性を改善する。
【００６４】
図５の例示的な実施形態では、マグネトロンシステム１８９の一実施形態が示されており、外側極４２４および内側極４２５が、ターゲット１３２Ａの中心「Ｍ」の周りを中心とする閉ループリングマグネトロンを形成する。図６は、本開示の１つまたは複数の実施形態によるタングステン低抵抗薄膜の堆積によって基板上に特徴を形成する際に使用するための代替マグネトロンの一部分の上面図を示す。図６の実施形態では、内側極４２５Ａは、２重の同心円状アレイの磁石を含み、外側極４２４Ａは、単一アレイの磁石を有するいくつかの領域と、２重のアレイを構成する他の領域とを含む。
【００６５】
図５および図６の例示的な実施形態の各々では、プラズマ密度は、概して、最も低密度の磁石またはいくつかの実施形態ではゼロの磁石を有する領域に比べて、マグネトロンシステム１８９のうち第２の軸４９２（図５）または４９２Ａ（図６）より上の領域、または最も高密度の磁石を有する領域に隣接する処理領域内でより高いであろう。第１の軸４９１（図５）または４９１Ａ（図６）は、第２の軸４９２または４９２Ａにそれぞれ直交している。マグネトロンは、ターゲットおよびチャンバの上で、概して中心の軸上で回転し、したがって一実施形態では、処理中にモータ１９３によって幾何中心「Ｍ」の周りを回転させられるように構成される。
【００６６】
図７は、本開示と一致する実施形態によるスパッタリングによって得られる例示的な薄膜タングステン層の抵抗と厚さとの関係を示すグラフである。図７に示す結果は例示的であり、本開示の範囲を限定すると解釈されるべきではない。
上記は、本開示の実施形態を対象とするが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示と一致する他のさらなる実施形態を考案することができる。