【手続補正書】
【提出日】平成19年3月20日(2007.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
島状の半導体膜及び島状のゲート絶縁膜と、前記島状の半導体膜の側面に形成された絶縁材料でなるサイドウォールと、前記島状のゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、前記ゲート電極は、前記サイドウォールを介して前記島状の半導体膜の側面と重なっていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
島状の半導体膜及び島状のゲート絶縁膜と、前記島状の半導体膜及び前記島状のゲート絶縁膜の側面に形成された絶縁材料でなるサイドウォールと、前記島状のゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、前記ゲート電極は、前記サイドウォールを介して前記島状の半導体膜の側面と重なっていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
島状の半導体膜及び島状のゲート絶縁膜と、前記島状のゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、前記島状の半導体膜の側面は絶縁化され、前記ゲート電極は、前記絶縁化された島状の半導体膜の側面と重なっていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
島状の半導体膜及び島状のゲート絶縁膜と、前記島状の半導体膜及び前記島状のゲート絶縁膜の側面と前記島状のゲート絶縁膜の上面の周辺部のみとを覆うようにパターニングされた絶縁膜と、前記島状のゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、前記ゲート電極は、前記島状の半導体膜及び前記島状のゲート絶縁膜の側面と前記島状のゲート絶縁膜の上面の周辺部のみとを覆うようにパターニングされた絶縁膜を介して、前記島状の半導体膜の側面と重なっていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項１または請求項２において、
前記島状の半導体膜の側面を覆う部分における前記サイドウォールの当該側面に垂直な方向の実効的な厚さを、前記島状のゲート絶縁膜の実効的な厚さ以上とすることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項６】
請求項３において、
前記島状の半導体膜の側面の絶縁化した部分の当該側面に垂直な方向の実効的な厚さを、前記島状のゲート絶縁膜の実効的な厚さ以上とすることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項７】
請求項４において、
前記島状の半導体膜及び前記島状のゲート絶縁膜の側面と前記島状のゲート絶縁膜の上面の周辺部のみとを覆うようにパターニングされた絶縁膜の実効的な厚さを、前記島状のゲート絶縁膜の実効的な厚さ以上とすることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記薄膜トランジスタを用いたことを特徴とする電子機器。
【請求項９】
半導体膜と第１の絶縁膜とを順に積層して形成し、
前記半導体膜と前記第１の絶縁膜とを島状にパターニングして、島状の半導体膜と島状のゲート絶縁膜とを形成し、
前記島状のゲート絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜を異方性エッチングして、前記島状の半導体膜の側面を覆うサイドウォールを形成し、
前記サイドウォールを形成した後、前記島状のゲート絶縁膜上に導電性膜を形成し、
前記導電性膜をパターニングしてゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
半導体膜と絶縁膜とを順に積層して形成し、
前記半導体膜と前記絶縁膜とを島状にパターニングして、島状の半導体膜と島状のゲート絶縁膜とを形成し、
前記島状の半導体膜をパターニングしたレジストマスクを除去せずに、前記島状の半導体膜の側面に酸素または窒素を添加し前記半導体膜の側面を絶縁化させ、
その後、前記島状のゲート絶縁膜上に導電性膜を形成し、
前記導電性膜をパターニングしてゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１１】
半導体膜と第１の絶縁膜とを順に積層して形成し、
前記半導体膜と前記第１の絶縁膜とを島状にパターニングして、島状の半導体膜と島状のゲート絶縁膜とを形成し、
前記島状のゲート絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記島状の半導体膜及び前記島状のゲート絶縁膜の端部と前記島状のゲート絶縁膜の上面の周辺部のみとを覆うように、前記第２の絶縁膜をパターニングし、
その後、前記島状のゲート絶縁膜上に導電性膜を形成し、
前記導電性膜をパターニングしてゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１２】
半導体膜と第１の絶縁膜と第１の導電性膜とを順に積層して形成し、
前記半導体膜と前記第１の絶縁膜と前記第１の導電性膜とを島状にパターニングして、島状の半導体膜と島状のゲート絶縁膜と島状の第１の導電性膜とを形成し、
前記島状の第１の導電性膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜を異方性エッチングして、前記島状の半導体膜の側面を覆うサイドウォールを形成し、
前記サイドウォールを形成した後、前記島状の第１の導電性膜上に第２の導電性膜を形成し、
前記島状の第１の導電性膜及び前記第２の導電性膜をパターニングしてゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１３】
半導体膜と絶縁膜と第１の導電性膜とを順に積層して形成し、
前記半導体膜と前記絶縁膜と前記第１の導電性膜とを島状にパターニングして、島状の半導体膜と島状のゲート絶縁膜と島状の第１の導電性膜とを形成し、
前記島状の半導体膜をパターニングしたレジストマスクを除去せずに、前記島状の半導体膜の側面に酸素または窒素を添加し前記半導体膜の側面を絶縁化させ、
その後、前記島状の第１の導電性膜上に第２の導電性膜を形成し、
前記島状の第１の導電性膜及び前記第２の導電性膜をパターニングしてゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１４】
半導体膜と第１の絶縁膜と第１の導電性膜とを順に積層して形成し、
前記半導体膜と前記第１の絶縁膜と前記第１の導電性膜とを島状にパターニングして、島状の半導体膜と島状のゲート絶縁膜と島状の第１の導電性膜とを形成し、
前記島状の第１の導電性膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記島状の半導体膜、前記島状のゲート絶縁膜及び前記島状の第１の導電性膜の端部と前記島状の第１の導電性膜の上面の周辺部のみとを覆うように、前記第２の絶縁膜をパターニングし、
その後、前記島状のゲート絶縁膜上に第２の導電性膜を形成し、
前記第１の導電性膜及び前記第２の導電性膜をパターニングしてゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１５】
請求項９、請求項１１、請求項１２、請求項１４のいずれか一において、
前記半導体膜と前記第１の絶縁膜を島状にパターニングして、島状の半導体膜と島状のゲート絶縁膜とを形成する前に、加熱処理を行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１６】
請求項１０または請求項１３において、
前記半導体膜と前記絶縁膜を島状にパターニングして、島状の半導体膜と島状のゲート絶縁膜とを形成する前に、加熱処理を行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１７】
請求項１５において、
前記半導体膜と前記第１の絶縁膜の前記加熱処理は、６００〜８００℃で行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１８】
請求項１６において、
前記半導体膜と前記絶縁膜の前記加熱処理は、６００〜８００℃で行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１９】
請求項１７または請求項１８において、
前記半導体膜は絶縁基板上に形成され、前記絶縁基板の歪み点は、６００℃以下であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２０】
請求項９乃至請求項１９いずれか一において、
前記ゲート電極は、前記島状の半導体膜の外へ引き回されていることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。