Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月29日(2008.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
肥満症用装置であって、
内腔を画定する壁を有する本体を備え、
前記壁は、
ｉ）腹部食道、ｉｉ）胃食道接合部、及びｉｉｉ）胃の上部噴門部分から選択される少なくとも１つの形状及びサイズとほぼ一致するように構成され、且つ
ｉ）腹部食道、ｉｉ）胃食道接合部、及びｉｉｉ）胃の上部噴門部分から選択される少なくとも１つに半径方向圧力を加え、
それにより、患者の神経ホルモンフィードバック機構に影響を及ぼして、
食物が引き起こす飽満感を高めることによって及び食物がない場合に飽満感を装うことによって、
少なくとも部分的な満腹感をもたらすようになっている、
肥満症用装置。
【請求項２】
前記本体は、長手方向軸に沿って細長く、且つ該長手方向軸に関して長手方向に非対称である、請求項１に記載の肥満症用装置。
【請求項３】
前記本体の少なくとも一部は、前記長手方向軸に関して半径方向に非対称である、請求項２に記載の肥満症用装置。
【請求項４】
前記壁は、
腹部食道、胃食道接合部、及び胃の上部噴門部分のサイズ及び形状とほぼ一致するサイズであり、且つ
少なくとも腹部食道及び胃の上部噴門部分に前記半径方向圧力を加えるようになっている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の肥満症用装置。
【請求項５】
前記本体は、第１の幾何学的形状部分及び第２の幾何学的形状部分を有し、
該第１の幾何学的形状部分はほぼ円筒形であり、
該第２の幾何学的形状部分はほぼ円錐台形である、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の肥満症用装置。
【請求項６】
前記壁は、
前記半径方向圧力を加えるようになっている自己拡張部分と、
該半径方向圧力を加えないようになっている実質的に非自己拡張部分とを含む、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の肥満症用装置。
【請求項７】
前記非自己拡張部分は、胃食道括約筋に位置決めされるようになっている、請求項６に記載の肥満症用装置。
【請求項８】
前記壁は、ほぼ一定の半径方向圧力を加えるようになっている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の肥満症用装置。
【請求項９】
前記壁は、調整可能な半径方向圧力を加えるようになっている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の肥満症用装置。
【請求項１０】
前記壁は、室を画定し、
該室内の流体の量が、前記壁によって加えられる前記半径方向圧力を調整する、請求項９に記載の肥満症用装置。
【請求項１１】
前記室への外部アクセスを提供するポートを含む、請求項１０に記載の肥満症用装置。
【請求項１２】
制御器を含み、
該制御器は、前記壁が加える半径方向圧力の量を制御するようになっている、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の肥満症用装置。
【請求項１３】
前記制御器は、前記壁が加える半径方向圧力の量を時間的に調整するようになっている、請求項１２に記載の肥満症用装置。
【請求項１４】
前記本体の遠位移動に抵抗するようになっている少なくとも１つの固定機構を含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の肥満症用装置。
【請求項１５】
前記固定機構は、棘、Ｖ字形付属物、前記本体から半径方向に延びる金属アンカー、ステープル、及び縫合糸から選択される少なくとも１つを含む、請求項１４に記載の肥満症用装置。
【請求項１６】
前記固定機構は、膨張可能なアンカーブラダを含む、請求項１４に記載の肥満症用装置。
【請求項１７】
前記固定機構は、組織の内部成長を促すようになっている前記本体の少なくとも一部を含む、請求項１４に記載の肥満症用装置。
【請求項１８】
前記固定機構は、胃食道接合部に位置決めされるようになっている前記壁の一部にある、請求項１４〜１７のいずれか一項に記載の肥満症用装置。
【請求項１９】
前記内腔は、９ｃｍ未満の長さを有する、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の肥満症用装置。
【請求項２０】
前記内腔は、約６ｃｍ〜約７ｃｍの範囲の長さを有する、請求項１９に記載の肥満症用装置。
【請求項２１】
患者に少なくとも部分的な満腹感をもたらす方法であって、
内腔を画定する壁を有する本体を設けること、
ｉ）腹部食道、ｉｉ）胃食道接合部、及びｉｉｉ）胃の上部噴門部分から選択される少なくとも１つに前記本体を位置決めすること、並びに
ｉ）腹部食道、ｉｉ）胃食道接合部、及びｉｉｉ）胃の上部噴門部分から選択される少なくとも１つに、前記壁によって半径方向圧力を加えることであって、それにより患者の神経ホルモンフィードバック機構に影響を及ぼして、食物が引き起こす飽満感を高めることによって及び食物がない場合に飽満感を装うことによって、少なくとも部分的な満腹感をもたらす、半径方向圧力を加えること
を含む、患者に少なくとも部分的な満腹感をもたらす方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月16日(2008.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リステリアの高細胞密度増殖のための方法であって、３．０よりも高いＯＤ６００を達成するのに十分な条件下及び十分な時間、培地でリステリア細胞の流加培養を行うことを含む、前記方法。
【請求項２】
リステリアベースのワクチンの製造方法であって、ａ）３．０よりも高いＯＤ６００を達成するのに十分な条件下及び十分な時間、培地でリステリア細胞の流加培養を行うこと、及びｂ）リステリアベースのワクチンを前記培地から回収することを含む、前記方法。
【請求項３】
前記培養が、前記リステリア培養が定常期に到達した後に更なる炭素源を給餌することを含む、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
約８．０より高い、約１５．０より高い、又は約２５．０より高いＯＤ６００が達成される、請求項１、２、又は３記載の方法。
【請求項５】
前記ＯＤ６００が培地の濃縮なしに達成される、請求項１、２、３、又は４記載の方法。
【請求項６】
前記炭素源が、グルコース、酵母抽出物又はその組合せである、請求項３記載の方法。
【請求項７】
前記更なる炭素源が、指数関数的に増加する速度で加えられる、請求項３記載の方法。
【請求項８】
１つ以上の更なる栄養素が前記更なる炭素源と共に加えられる、請求項３記載の方法。
【請求項９】
前記１つ以上の更なる栄養素が、ビタミン又はアミノ酸である、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記培地が、トリプシン大豆培地又は酵母増殖培地である、請求項１〜９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
前記培地がタンパク質抽出物を含まない、請求項１〜５、又は７〜１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
前記培地が化学的に規定されている、請求項１〜１１のいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
前記リステリアが弱毒化されている、請求項１〜１２のいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
前記リステリアが異種ペプチドを組換えで発現する、請求項１〜１３のいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
前記異種ペプチドが腫瘍関連抗原である、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記腫瘍関連抗原がＥｐｈＡ２である、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
リステリアベースのワクチンの収量を高める方法であって、ａ）３．０よりも高いＯＤ６００を達成するのに十分な条件下及び十分な時間、培地でリステリア細胞の流加培養を行うこと、及びｂ）リステリアベースのワクチンを前記培地から回収することを含み、前記リステリアベースのワクチンの収量が、同じリステリア細胞を用いたバッチ培養によって達成されるものと比較して少なくとも２倍高い、前記方法。
【請求項１８】
前記培養が、前記リステリア培養が定常期に到達した後に更なる炭素源を給餌することを含む、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記収量が少なくとも３倍高い、又は少なくとも５倍高い、請求項１７又は１８記載の方法。
【請求項２０】
（１）流加培養され、かつ（２）３．０を超えるＯＤ６００を有するリステリア培養物。
【請求項２１】
約８．０より高い、約１５．０より高い、又は約２５．０より高いＯＤ６００を有する、請求項２０記載のリステリア培養物。
【請求項２２】
前記ＯＤ６００が培地の濃縮なしに達成される、請求項２０又は２１記載のリステリア培養物。
【請求項２３】
前記リステリアが弱毒化されている、請求項２０、２１、又は２２記載のリステリア培養物。
【請求項２４】
前記リステリアが、異種ペプチドを組換えで発現する、請求項２０、２１、又は２２記載のリステリア培養物。
【請求項２５】
前記異種ペプチドが腫瘍関連抗原である、請求項２４記載のリステリア培養物。
【請求項２６】
前記腫瘍関連抗原がＥｐｈＡ２である、請求項２５記載のリステリア培養物。
【請求項２７】
少なくとも１００リットルである、請求項２０〜２６のいずれか１項記載のリステリア培養物。
【請求項２８】
リステリア細胞の流加培養物、及び前記リステリア細胞によって適正化された細胞培養培地を含む、バイオリアクター又は容器であって、前記適正化培地が３．０よりも高いＯＤ６００を有する、前記バイオリアクター又は容器。
【請求項２９】
前記適正化培地がタンパク質抽出物を含む、請求項２８記載のバイオリアクター又は容器。
【請求項３０】
前記タンパク質抽出物が酵母抽出物である、請求項２９記載のバイオリアクター又は容器。
【請求項３１】
前記適正化培地がビタミンを含む、請求項２８、２９、又は３０記載のバイオリアクター又は容器。
【請求項３２】
前記リステリア細胞が弱毒化されている、請求項２８〜３１のいずれか１項記載のバイオリアクター又は容器。
【請求項３３】
前記リステリアが、異種タンパク質を組換えで発現する、請求項２８〜３２のいずれか１項記載のバイオリアクター又は容器。
【請求項３４】
前記異種タンパク質が腫瘍関連抗原である、請求項３３記載のバイオリアクター又は容器。
【請求項３５】
前記腫瘍関連抗原がＥｐｈＡ２である、請求項３４記載のバイオリアクター又は容器。
【請求項３６】
前記リステリア細胞がリステリアモノサイトゲネス菌株である、請求項２８〜３５のいずれか１項記載のバイオリアクター又は容器。
【請求項３７】
前記ＯＤ６００が、８．０より高い、１０．０より高い、１５．０より高い、又は２０．０より高い、請求項２８〜３６のいずれか１項記載のバイオリアクター又は容器。
【請求項３８】
前記ＯＤ６００が前記適正化培地の濃縮なしに達成される、請求項２８〜３７のいずれか１項記載のバイオリアクター又は容器。
【請求項３９】
少なくとも３リットル、少なくとも１００リットル、又は少なくとも５００リットルの適正化培地が存在する、請求項２８〜３８のいずれか１項記載のバイオリアクター又は容器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５１】
【表３】
2008516614.tif 000001
最高１４．２のＯＤ６００が達成された。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５３】
【表４】
2008516614.tif 000002
最高１８．７のＯＤ６００が達成された。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月10日(2008.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
哺乳動物の味覚細胞の培養方法であって、
ａ．味覚受容体細胞を含む哺乳動物の味覚細胞を、適切な細胞培養培地中、コートされた細胞培養容器にて培養すること、および
ｂ．培地の最初の交換から、少なくとも約５日の間隔で培地を交換すること、
を含み、ここで、前記味覚受容体細胞は、少なくとも１つの味覚刺激に対する反応性を維持している、前記方法。
【請求項２】
哺乳動物の味覚細胞の単離・培養方法であって、
ａ．タンパク質分解酵素に対する舌上皮の味覚受容体細胞の暴露の長さが最小化されているように、味覚受容体細胞を含む哺乳動物の舌上皮を単離すること、
ｂ．味覚受容体細胞を含む単離した哺乳動物の味覚細胞上皮を、適切な細胞培養培地中、コートされた細胞培養容器にてインキュベートすること、および
ｃ．培地の最初の交換から、少なくとも５日の間隔で培地を交換すること、
を含み、ここで、前記味覚受容体細胞は、少なくとも１つの味覚刺激に対する反応性を維持している、前記方法。
【請求項３】
細胞培養培地が、イスコーブ培地を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
イスコーブ培地が、ＭＣＤＢ１５３培地、ＦＢＳ、インシュリンおよび抗生物質の１つまたはそれ以上を添加したものである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
イスコーブ培地が、ＭＣＤＢ１５３培地、ＦＢＳ、インシュリンおよび抗生物質を添加したものである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
イスコーブ培地が、１５〜２０％ＭＣＤＢ１５３培地、５〜２０％ＦＢＳ、１０ｎｇ／ｍｌインシュリンおよび抗生物質を添加したものである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
タンパク質分解酵素に対する味覚細胞の暴露の長さが、約３０分以下である、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
細胞培養容器が、コラーゲンでコートされている、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の方法で培養された味覚受容体細胞。
【請求項１０】
約３７℃で、１０日を越えて培養される、請求項９に記載の味覚受容体細胞。
【請求項１１】
約１８〜３７℃で、２０日を越えて培養される、請求項９に記載の味覚受容体細胞。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれかに記載の味覚受容体細胞の培養物。
【請求項１３】
４８時間を越える細胞培養において分裂する哺乳動物の味覚受容体細胞。
【請求項１４】
約５日間を越える細胞培養において分裂する、請求項１３に記載の細胞。
【請求項１５】
約２週間を越える細胞培養において分裂する、請求項１３に記載の細胞。
【請求項１６】
培養哺乳動物味覚受容体細胞をトランスフェクトする方法であって、培養哺乳動物味覚受容体細胞を核酸と接触させることを含む、前記方法。
【請求項１７】
核酸が、ベクターＤＮＡを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１６または１７に記載の方法で調製された、トランスフェクトされた培養哺乳動物味覚受容体細胞。
【請求項１９】
候補味覚刺激に対する味覚応答の評価方法であって、
ａ．培養した味覚細胞を候補味覚刺激に暴露すること、および
ｂ．候補味覚刺激に対する味覚細胞の１以上の細胞応答を、標準の味覚刺激に対する培養された味覚細胞の応答と比較すること、
ここで、培養された味覚細胞による候補味覚刺激に対する細胞応答が標準の味覚刺激に対する細胞応答と同じであることは、候補味覚刺激が標準の味覚刺激と同じ味覚応答を味覚細胞に引き起こすことを示す、
を含む、前記評価方法。
【請求項２０】
候補味覚細胞の味覚応答の評価方法であって、
ａ．候補培養味覚細胞を既知の味覚刺激に暴露すること、および、
ｂ．既知の味覚刺激に対する候補培養味覚細胞の細胞応答と標準の味覚細胞の細胞応答とを比較すること、
ここで、候補味覚細胞による既知の味覚刺激に対する細胞応答が標準の味覚細胞による前記既知の味覚刺激に対する細胞応答と同じであることは、候補味覚細胞が標準の味覚細胞の前記味覚刺激に対する応答を共有することを示す、
を含む、前記評価方法。
【請求項２１】
味覚修飾物質の同定方法であって、
ａ．培養味覚細胞を、既知の味覚刺激の存在下、候補味覚修飾物質に暴露すること、および、
ｂ．候補味覚修飾物質に対する味覚細胞の１以上の細胞応答を、候補修飾物質の不存在下での細胞応答と比較すること、
ここで、候補修飾物質の存在下での刺激に対する前記細胞応答における変化が、味覚修飾物質を示す、
を含む、前記同定方法。
【請求項２２】
オスモル濃度が約３００〜３２０ミリオスモルで、ｐＨが７．０〜７．３である味覚細胞アッセイ緩衝液。
【請求項２３】
味覚細胞の維持方法であって、味覚細胞をオスモル濃度が約３００〜３２０ミリオスモルで、ｐＨが約７．０〜約７．３である緩衝液において維持することを含む、前記維持方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
味物質同定／特徴付けアッセイ：
未知の味物質の候補に応答する味覚細胞は、既知の味物質のそれと比較され、細胞応答における差異または相同性を同定される。味覚細胞は、例８に記載するように、既知の味物質に対する応答によって、または当業者が知っている匹敵する細胞応答アッセイを用いることにより、同定される。候補に対する細胞応答はモニターされ、味物質に対する同一の細胞の細胞応答と比較される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年8月25日(2008.8.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  鉛直方向に離隔した２つの熱電対を含む溶融金属の熱分析装置において、該熱分析装置が、一方の熱電対（３）が中央部を延在するように配置された球形キャビティ（２）と、キャビティ（２）に通じる円筒ダクト（５）と、キャビティ（２）の下部に通じる円筒部分（７）とを有するモールド（１）を含み、キャビティ（２）と円筒部分（７）の間の遷移部分に他方の熱電対（６）が配置されていることを特徴とする溶融金属の熱分析装置。
【請求項２】  ダクト（５）の直径が球形キャビティ（２）の直径の３０〜５０％で、その長さが球形キャビティの直径の少なくとも５０％であることを特徴とする請求項１に記載された装置。
【請求項３】  円筒部分（７）が球形キャビティの直径の３０〜４０％の直径を有し、その長さがその直径の少なくとも５０％であることを特徴とする請求項１に記載された装置。
【請求項４】  請求項１にしたがって構成された装置によって溶融金属を熱分析する方法であって、中央に配置した熱電対と周辺に配置した下方の熱電対に関する温度／時間曲線において、中央に配置した熱電対（３）で測定した温度が固相線温度に達したときの温度差（１１）を熱伝導率の測定値として使用することを特徴とする方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明によれば、球形キャビティの中央に配置した熱電対と、球形キャビティの周辺でその球形キャビティおよび円筒部分の間の遷移部分に配置した熱電対との温度差を測定することにより、熱伝導率の間接的な測定が達成される。本発明の好ましい実施例によれば、中央に配置した熱電対が合金の固相線温度に達したときにこの温度差が測定される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
典型的な冷却曲線が図３に示されている。曲線９は周辺熱電対の温度変化を示し、曲線１０は中央熱電対の温度変化を示す。中央に配置した熱電対３が固相線温度となった時間位置は、この目的のために時間／温度曲線の一次導関数が最小の位置として定義される。この時間位置を選んだ理由は、凝固の後になってはじめて熱伝導率の差が明確となるからである。鋳造特性などを予測できるようにするために、最高可能温度で熱伝導率の測定値を得ることが重要である。この時間位置において、熱電対の間の温度差１１が計算される。溶融ネズミ鋳鉄に関する温度差は通常約９０゜Ｃであり、これより小さい熱伝導率を有するノジュラー鉄合金では約１２０゜Ｃである。温度差は、鋳造鉄の形式を分類するだけでなく、例えばノジュラー鉄合金の球状化や、稠密黒鉛合金におけるバーミキュラ黒鉛（ｖｅｒｍｉｃｕｌａｒ  ｇｒａｐｈｉｔｅ）の断片に関する情報も与えるために十分なものとなる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年1月23日(2008.1.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
制御トルクは、フィードフォワード減衰フィルタ６２３ｆによって生成されたトルク値によって調節することができる。減衰フィルタ６２３ｆは、２つの分離した慣性、１つはギヤボックスと発電機によるものと、もうひとつはタービンのブレードによるもの、をカップリングすることにより引き起こされる非剛性（従順な）シャフト（本発明が不明確になることを避けるために図示せず）の（共振における）振動動作を検出する。この検出に応じて、減衰フィルタ６２３ｆは負のトルクを適用し、２つの慣性の間の相対的な動きを減少する。ひとつの実施の形態において、減衰フィルタ６２３ｆは、通過帯域の中央が２つの慣性とシャフトの共振周波数になる帯域幅フィルタを含む。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年9月2日(2008.9.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
本発明の方法で使用するために適当なジエチレン性不飽和モノマーを非限定的に例示すれば次のものである。
ジビニルベンゼン、ビス−（４−エテニルフェニル）メタン、ジビニルジオキサン、ジビニルエーテル、１，４−ブタンジオールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル，シクロヘキサンジオールジビニルエーテル、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシラザン、ジビニル−１，３−ジフェニル−１，３−ジメチルジシラザン、ジビニル−テトラエトキシ−１，３−ジシラザン、ジビニル−テトラメトキシ−１，３−ジシラザン、ジビニル１，３−ジフェニル−１，３−ジメチル−ジシロキサン、ジビニルアセチレン、Ｎ，Ｎ−ジビニルアニリン、ジビニルカルビノール、ジビニルカーボネート、１，２−ジビニルシクロブタン、cis-１，２−ジビニルシクロヘキサン、trans-１，２−ジビニルシクロヘキサン、１，４−ジビニルシクロヘキサンジメタノールジエーテル、ジビニルジブチルスズ、２，５−ジビニルジオキサン、１，１’−ジビニルフェロセン、ジビニホルマル、ジビニルグリコール、１，４−ジビニルペルフルオロブタン、１，６−ジビニルペルフルオロヘキサン、ジビニルフェニルホスフィン、３，９−ジビニルスピロバイム−ジオキサン、ジビニルスルホン、１，４−ジビニル−１，１，４，４−テトラメチルジシリルエチレン、ジビニル二塩化スズ、ジビニルトリエチレングリコールジエーテル、１，５−ビス−ジビニルオキシ−３−オキサペンタン、ジビニルシラン、ジビニルジエトキシシラン、ジビニルジメチルシラン、ジビニルジフェニルシラン、１，１’−ビス（２−ビニルオキシエトキシ）−４，４’−イソプロピリデンジフェノール、エチレングリコールジメタクリレート、ビスフェノールＡジメタクリレート、ビスフェノールＡ２−ヒドロキシエチルジメタクリレート、１，３−ブチレングリコールジメタクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、ブテンジオールジメタクリレート、２−ブチル−２−エチル−１，３−プロパンジオールジメタクリレート、２−ブチン−１，４−ジイルジメタクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジメタクリレート、デカメチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、２，３−ジヒドロキシプロピルジメタクリレート、１，６−ジメチルヘキサンジオールジメタクリレート、２，５−ジメチルヘキサンジオールジメタクリレート、ジプロピレングリコールジメタクリレート、ジウレタンジメタクリレート、１，１２−ドデカンジオールジメタクリレート、エチリデンジメタクリレート、グリセロールジメタクリレート、１，５−テトラヒドロペルフルオロペンチルジメタクリレート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジメタクリレート、ヘキシレングリコールジメタクリレート、水素化ビスフェノールＡジメタクリレート、メチレングリコールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロヘキサンジオール１，６−ジメタクリレート、ペンタエリトリトールジメタクリレート、１，５−ペンタンジオールジメタクリレート、ペルフルオロシクロヘキシル１，４−ジメチ��ジメタクリレート、ｏ−フェニレンジメタクリレート、ｐ−フェニレンジメタクリレート、スチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコール６００ジメタクリレート、ポリエチレングリコール４００ジメタクリレート、１，２−プロピレングリコールジメタクリレート、プロピレングリコールジメタクリレート、ソルビトールジメタクリレート、４，４’−スルホニルジフェニルジメタクリレート、テトラブロモビスフェノールＡジメタクリレート、テトラクロロビスフェノールＡジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、２，２，３，３−テトラフルオロブタンジオールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、トリメチルペンタンジオールジメタクリレート、ウレタンジメタクリレート、亜鉛ジメタクリレート、ジルコニウム（IV）ジメタクリレート、ブタンジオールジアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジアクリロイルアクリルアミド、ビスフェノールＡジアクリレート、ビスフェノールＡ２−ヒドロキシエチルジアクリレート、１，３−ブチレングリコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，１０−デカンジオールジアクリレート、プロポキシル化ネオペンチルグリコールジアクリレート、エトキシル化ビスフェノールＡジアクリレートおよびジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、トリ−プロピレングリコールジメタクリレート、ジエチル１，３−プロパンジオールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジメチルビスフェノールＡジアクリレート、ジプロピレングリコールジアクリレート、エチル１，３−ヘキサンジオールジアクリレート、エチレンジアクリレート、エチリデンジアクリレート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、２，５−ヘキサンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロポキル化ネオペンチルグリコールジアクリレート、１，９−ノナメチレンジアクリレート、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロヘキサンジオール１，６−ジアクリレート、１，５−ペンタンジオールジアクリレート、ｐ−フェニレンジアクリレート、ポリエチレングリコール４００ジアクリレート、１、２−プロピレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ソルビトールジアクリレート、テトラブロモビスフェノールＡジアクリレート、ポリエチレングリコール２００ジアクリレート、２，２，３，３−テトラフルオロブタンジオールジアクリレート、チオールジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ウレタンジアクリレート、亜鉛ジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリルオキシプロピオネート、ビス−アクリロイルピペラジン、ジアリルマレエートである。
好ましいジエチレン不飽和モノマーはジビニルベンゼンである。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年7月22日(2008.7.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉａ）
【化１】
2003507475.tif 000001
［式中Ｓxは（−）ジアステレオマーである］
により示される化合物、またはその１つ以上の医薬的に許容される塩、水和物またはそれらの組み合わせを含む組成物であって、
式（Ｉｂ）
【化２】
2003507475.tif 000002
［式中、Ｓxは（−）ジアステレオマーである］
により示される化合物、またはその１つ以上の医薬的に許容される塩、水和物またはそれらの組み合わせを実質的に含まない組成物。
【請求項２】
式（Ｉａ）により示される前記化合物が、６−メトキシ−２−［［（４−メトキシ−３，５−ジメチル−２−ピリジニル）メチル］スルフィニル］−１Ｈ−ベンズイミダゾール、またはその１つ以上の医薬的に許容される塩、水和物またはそれらの組合せであり、式（Ｉｂ）により示される前記化合物が、５−メトキシ−２−［［（４−メトキシ−３，５−ジメチル−２−ピリジル）メチル］スルフィニル］−１Ｈ−ベンズイミダゾール、またはその１つ以上の医薬的に許容される塩、水和物またはそれらの組合せである請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
式（Ｉａ）および式（Ｉｂ）により示される前記化合物は、一部または全部が、共結晶化されている請求項１および／または２に記載の組成物。
【請求項４】
式（Ｉａ）または式（Ｉｂ）により示される化合物と金属カチオンとを含む錯体をさらに複数含む請求項１および／または２のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項５】
前記錯体がそれぞれ、式（Ｉａ）および式（Ｉｂ）により示される化合物の中から選択される少なくとも２つの分子（この少なくとも２つの分子は、同じ化合物であっても、異なる化合物であってもよい）と、少なくとも１つの金属カチオン原子とを含む請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記金属カチオンがマグネシウムである請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の組成物と、少なくとも１つの医薬的に許容される担体、希釈剤または賦形剤とを含む医薬製剤。
【請求項８】
１投与単位あたり、式（Ｉａ）および存在する場合には式（Ｉｂ）により示される前記化合物、または、式（Ｉａ）および式（Ｉｂ）により示される前記化合物の医薬的に許容される塩、溶媒和物、水和物または組み合わせを、約５ｍｇから約６０ｍｇの範囲内の量で有効成分としてさらに含み、カプセル剤または錠剤の形で経口投与に適合された単位投与形である請求項７に記載の医薬製剤。
【請求項９】
少なくとも１つのシクロデキストリンと配合された請求項１〜６のいずれか一項に記載の組成物と、少なくとも１つの医薬的に許容される担体、希釈剤または賦形剤とを含む医薬製剤。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年7月17日(2008.7.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】  研磨パッド及び／又は研磨材と共に使用して、銅又は銅合金である第１の金属層、及びタンタル、窒化タンタル又は二酸化ケイ素である第２の層を有する多層基体の１又は複数の層を研磨するための組成物であって、
（ｉ）液体キャリア、
（ｉｉ）０．１〜３０．０ｗｔ％の少なくとも１種の酸化剤、
（ｉｉｉ）基体の前記第１の層を研磨する速度を増加させ、且つリン酸塩、ホスホン酸及びその塩、並びにカルボキシル酸及びその塩からなる群より選択される、０．０５〜１０．０ｗｔ％の少なくとも１種の研磨添加剤、並びに
（ｉｖ）ポリエーテルアミン、ポリエチレンイミン、ポリアシルアミド、Ｎ4−アミノ（Ｎ，Ｎ’−ビス−［３−アミノプロピル］エチレンジアミン）、４，７，１０−トリオキサトリデカン−１，１３−ジアミン、３，３−ジメチル−４，４−ジアミノジシクロヘキシルメタン、２−フェニルエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルジプロピレントリアミン、３−［２−メトキシエトキシ］プロピルアミン、ジメチルアミノプロピルアミン、１，４−ビス（３−アミノプロピル）ピペラジン、又はそれらの混合物からなる群より選択される、カチオン性の窒素含有化合物である０．００１〜５．０ｗｔ％の少なくとも１種の停止化合物、
を含有する、多層基体の１又は複数の層を研磨するための組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
停止化合物は、アミン、イミン、アミド、イミド、それらのポリマー、及びそれらの混合からなる化合物の群より選択される任意の適当なカチオン性の窒素含有化合物でよい。また適当な停止化合物としては例えば、アミン、イミン、アミド、イミド、それらのポリマー、及びそれらの混合を含む化合物の群より選択されるカチオン性の窒素含有化合物を挙げることができる。適当な停止化合物としては例えば、第１アミン、第２アミン、第３アミン、第４アミン（すなわち第４アンモニウム塩）、エーテルアミン、オリゴマーアミン、オリゴマーイミン、オリゴマーアミド、オリゴマーイミド、ポリマーアミン、ポリマーイミン、ポリマーアミド、ポリマーイミド、又はそれらの混合を挙げることができる。また好ましい停止化合物としては例えば、ポリエーテルアミン、ポリエチレンイミン、ポリアシルアミド、Ｎ４−アミン（Ｎ，Ｎ’−ビス−［３−アミノプロピル］エチレンジアミン）、４，７，１０−トリオキサトリデカン−１，１３−ジアミン、３，３−ジメチル−４，４−ジアミノジシクロ−ヘキシルメタン、２−フェニルエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルジ−プロピレントリアミン、３−［２−メトキシエトキシ］プロピルアミン、ジメチルアミノプロピル−アミン、１，４−ビス（３−アミノプロピル）ピペラジン、及びそれらの混合を挙げることができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
銅ウェハー、タンタルウェハー及び二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）ウェハーを、以下の成分を含有する８つの異なる研磨系（系１Ａ〜１Ｇとする）でそれぞれ研磨した：３ｗｔ％のアルミナ（具体的にはＣａｂｏｔ社のＳｅｍｉ−Ｓｐｅｒｓｅ（商標）Ｗ−Ａ３５５製品）、２．５ｗｔ％の酸化剤（具体的にはＨ２Ｏ２）、様々な濃度の研磨添加剤（具体的には１．２５ｗｔ％の酒石酸、０．５ｗｔ％の１−ジ−ホスホン酸（すなわちＤｅｑｕｅｓｔ（商標）２０１０製品）、０．７５ｗｔ％のアミノトリ（メチレンホスホン酸）（すなわちＤｅｑｕｅｓｔ（商標）２０００製品）、０．８ｗｔ％のＤｅｑｕｅｓｔ（商標）２０１０製品、又は２．５ｗｔ％のＤｅｑｕｅｓｔ（商標）２０００製品）、並びに様々な濃度の停止化合物（具体的には０．２５ｗｔ％の、２５％のエチレンイミンポリマーを含有するＬｕｐａｓｏｌ（商標）ＳＫＡ（すなわち０．０６ｗｔ％のポリエチレンイミン）、０．１ｗｔ％のジシアノイミダゾール、０．５ｗｔ％のＬｕｐａｓｏｌ  ＳＫＡ（すなわち０．１２ｗｔ％のポリエチレンイミン）、０．５ｗｔ％のポリアシルアミド、又は０．５ｗｔ％の１，４−ビス（３−アミノプロピル）ピペラジン、又は０．５ｗｔ％の、セチルトリメチル塩化アンモニウムを含有するＶａｒｉｓｏｆｔ（商標）３００）。ここで、それぞれの系は、ｐＨが５（系１Ｅ）又はｐＨが７．７（系１Ａ〜Ｄ、１Ｆ〜１Ｇ）であった。更に系１Ｃは、０．００５ｗｔ％の界面活性剤（具体的にはＴｒｉｔｏｎ  ＤＦ−１６）を含有していた。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
【表１】
2003507896.tif 000001
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
表２に挙げたデータから明らかなように、研磨添加剤及び停止化合物を含有する系（系２Ａ〜２Ｃ）によって示される銅の除去とタンタルの除去との比（すなわちＣｕ：Ｔａ除去選択性）は、研磨添加剤及び停止化合物を含有していない標準対照系のＣｕ：Ｔａ除去選択性よりも大きかった。更に、停止化合物及びＤｅｑｕｅｓｔ（商標）２０６０製品を含有する系（系２Ｃ）の銅除去速度及びＣｕ：Ｔａ除去選択性は、停止化合物及びＤｅｑｕｅｓｔ（商標）２０００製品を含有する系（系２Ｂ）の銅除去速度及びＣｕ：Ｔａ除去選択性よりも大きかった。またこの系２Ｂの銅除去速度及びＣｕ：Ｔａ除去選択性は、停止化合物及びＤｅｑｕｅｓｔ（商標）２０１０製品を含有する系（系２Ａ）の銅除去速度及びＣｕ：Ｔａ除去選択性よりも大きかった。更に研磨添加剤及び停止化合物を含有する系（系２Ａ〜２Ｃ）によって示されるＳｉＯ２除去速度は、研磨添加剤及び停止化合物を含有しない標準対照系のＳｉＯ２の除去速度よりも小さかった。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月19日(2008.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下記を具備する、無線サービスを提供する方法：
第1のネットワークアクセスポイントにおいて第1の無線リンクメッセージを受信する、該第1の無線リンクメッセージは第1の利用者端末からのものであり、該第1の無線リンクメッセージは該第1の利用者端末を識別する；
アクセスネットワーク内のコントローラにＩＰアドレスを割り当てる、該ＩＰアドレスは該第1の利用者端末の操作を制御するために使用され、該コントローラは該第1の利用者端末に関する通信セッションの現在の状態を記憶する；
移動局識別子として使用するために前記第1の利用者端末に前記ＩＰアドレスを割り当てる、該ＩＰアドレスは、通信セッションを通して該第1の利用者端末の操作を制御するコントローラに指定される；
コントローラに該ＩＰアドレスに関するルートをインストールする；
該ＩＰアドレスを特定している前記利用者端末に第２の無線リンクメッセージを転送する；
該第1の利用者端末から第3の無線リンクメッセージを受信する、ここにおいて、該第1の利用者端末は、該ＩＰアドレスにより識別される；及び
該ＩＰアドレスを使用して該コントローラへの該第3の無線リンクメッセージのルートを決める。
【請求項２】  該コントローラの該ＩＰアドレスを決定するための該第3のメッセージを解析すること、及び該ＩＰアドレスを指定している少なくとも一つの標準IPパケットを作成すること、をさらに具備する請求項1の方法。
【請求項３】  下記を具備する、無線サービスを提供するシステム：
パケットルータ；及び
第1のカバレージエリアに対応する第1のネットワークアクセスポイント、該第1のネットワークアクセスポイントは該パケットルータに接続し、及び下記を具備する：
該第1のカバレージエリア内の利用者端末から無線リンク信号を受信するための手段；
該パケットルータ内のＩＰアドレスに関するルートを確立するための手段、該ＩＰアドレスは、該第1のネットワークアクセスポイント内の制御機能に対応する；
該ＩＰアドレスを移動局識別子として該利用者端末に割り当てるための手段；及び
移動局識別子（ＭＳＩＤ）としての該ＩＰアドレスで識別される該利用者端末からメッセージを受信し、該ＩＰアドレスを使用して該ネットワークアクセスポイントへの該メッセージのルートを決めるための手段。
【請求項４】  該パケットルータに接続する第２のネットワークアクセスポイントをさらに具備する請求項３のシステム、
該第２のネットワークアクセスポイントは、下記を具備する：
第２のカバレージエリア内の該利用者端末から無線リンクメッセージを受信するための手段；
該ＩＰアドレスを決定する無線リンクメッセージを解析するための手段；及び
該ＩＰアドレスを指定する標準IPパケットを作成し、前記パケットルータに該標準IPパケットを渡すための手段。
【請求項５】  下記工程を具備する、無線サービスを提供するシステム：
第1のネットワークアクセスポイントにおいて第1の無線リンクメッセージを受信するための手段、該第1の無線リンクメッセージは第1の利用者端末からのものであり、該第1の無線リンクメッセージは該第1の利用者端末を識別する；
移動局識別子（ＭＳＩＤ）としての使用のためにＩＰアドレスを該第1の利用者端末へ割り当てるための手段、該ＩＰアドレスは該第1のネットワークアクセスポイントにおいてコントローラに割り当てられ、該コントローラは通信セッションを通して該第1の利用者端末の操作を制御する、ここにおいて該コントローラは該第1の利用者端末に関する該通信セッションの現在の状態を記憶する；
コントローラに該ＩＰアドレスに関するルートをインストールするための手段；
該ＩＰアドレスを特定している該利用者端末に、第２の無線リンクメッセージを転送するための手段；及び
該第1の利用者端末から第3の無線リンクメッセージを受信するための手段、ここにおいて、該第1の利用者端末は、該ＭＳＩＤとして該ＩＰアドレスにより識別される。
【請求項６】  下記を具備する、無線通信システムにおけるネットワークアクセスポイント、該ネットワークアクセスポイントはインターネットプロトコル（ＩＰ）ネットワークとの通信に適応されている：
利用者端末からメッセージを受信し、該利用者端末のＩＰアドレスを決定する該メッセージを解析するように適応された受信機、該ＩＰアドレスは移動局識別子（ＭＳＩＤ）としておよび該利用者端末に関するオリジネーティングアクセスポイントのコントローラの宛て先ＩＰアドレスとして使用される；
ラジオ連結層の管理、呼制御プロトコルの管理、及び無線リンクを通したデータリンク層の管理のためのコントローラ；
該ＩＰアドレスを該アドレスとして使用してＩＰパケットを作成するための手段；
該ＩＰアドレスにしたがって該パケットのルートを決めるパケットルータに該パケットを渡すための手段。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年2月14日(2008.2.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項９】  前記減衰閾値（ｋｕｐ）は、下記の方程式に従って計算される 、請求項８の方法。
ｋｕｐ＝α（（Ｍ*２３２*ｂｎＳ*Ｇｐｒｅｄ）／（１２*Ｅ））０．５ 
ここで、Ｅは、Ｍ標本に亘る前記入力波形のエネルギー推定値を表し、ｂｎＳは、一様分散不規則雑音発生器のための背景雑音目盛値であり、且つＧｐｒｅｄは、前記ＣＤＭＡ変調に関連するＬＰＣ整形濾波器の予測利得値である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１８】  前記第２番目の減衰値（ｋｄｏｗｎ）は、下記の方程式に従って計算される 、請求項１７の方法。
ｋｄｏｗｎ＝Ｂ（（Ｍ*２３２*ｂｎＳ*Ｇｐｒｅｄ）／（１２*Ｅ））０．５ 
ここで、Ｅは、Ｍ標本に亘る前記入力波形のエネルギー推定値を表し、ｂｎＳは、一様分散不規則雑音発生器のための背景雑音目盛値であり、且つＧｐｒｅｄは、前記ＣＤＭＡ変調に関連するＬＰＣ整形濾波器の予測利得値である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
ｋｕｐ＝α（（Ｍ*２３２*ｂｎＳ*Ｇｐｒｅｄ）／（１２*Ｅ））０．５ （１）
ここで、Ｅは、Ｍ標本に亘る入力波形ｅ（ｎ）のエネルギー推定値を表し、ｂｎＳは、ｗ（ｎ）を発生させるために使用される一様分散不規則雑音発生器（ｕｎｉｆｏｒｍｌｙ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ｒａｎｄｏｍ ｎｏｉｓｅ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）に関連する背景雑音目盛値（ｂａｃｋｇｒｏｕｎｄ ｎｏｉｓｅ ｓｃａｌｅ ｖａｌｕｅ）であり、且つＧｐｒｅｄは、基地局と移動局との間で通話信号ｘ（ｎ）の送信及び受信のために使用されるＣＤＭＡ変調に関連するＬＰＣ整形濾波器の予測利得値である。定数αは、好ましくは、１．０にセットされる。ｅ（ｎ）の減衰をより迅速に上昇させることが望ましい代わりの実施形態においては、αは、好ましくは、１．０より大きい値にセットされるだろう。値ｂｎＳ及びＧｐｒｅｄは、好ましくは、“エコー消去装置における雑音置換システム”と題する、米国特許第５，６４６，６９１号に述べられているように計算され、それは、ここに引用文献として組込まれている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
ｋｄｏｗｎ＝Ｂ（（Ｍ*２３２*ｂｎＳ*Ｇｐｒｅｄ）／（１２*Ｅ））０．５ （２）
ここで、Ｅは、Ｍ標本に亘る入力波形のエネルギー推定値を表し、ｂｎＳは、ｗ（ｎ）を発生させるために使用される一様分散不規則雑音発生器のための背景雑音目盛値であり、且つＧｐｒｅｄは、基地局と移動局との間で通話信号ｘ（ｎ）の送信及び受信のために使用されるＣＤＭＡ変調に関連するＬＰＣ整形濾波器の予測利得値である。定数Ｂは、好ましくは、１．０にセットされる。ｅ（ｎ）の減衰をより迅速に下降させることが望ましい代わりの実施形態においては、Ｂは、好ましくは、１．０より大きい値にセットされるだろう。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月25日(2008.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気管理システムにおけるエアムーバーのためのマウント（１０）であって、
中央部分（２０）と、
前記エアムーバーを前記空気管理システムの表面上で懸架するために前記中央部分（２０）に対して連結された３本のアーム（６０）と
を備え、
各アーム（６０）は、実質的に平坦な平坦部分（７０）と、円筒形部分（８０）と、フランジ（９０）とを含む、ことを特徴とするマウント（１０）。
【請求項２】
前記アーム（６０）は、前記中央部分（２０）の周囲に沿って互いに離間すると共に当該中央部分（２０）から半径方向に延びるアーム（６０）である、ことを特徴とする請求項１記載のマウント（１０）。
【請求項３】
前記エアムーバーはブロアーである、ことを特徴とする請求項１または２記載のマウント（１０）。
【請求項４】
前記中央部分（２０）は開口を画成する、ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のマウント（１０）。
【請求項５】
前記開口は円形である、ことを特徴とする請求項４記載のマウント（１０）。
【請求項６】
前記開口は、前記エアムーバー上のブッシュ径以上の直径を有する、ことを特徴とする請求項５記載のマウント（１０）。
【請求項７】
前記中央部分（２０）は環状である、ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のマウント（１０）。
【請求項８】
前記アーム（６０）は、約３５〜５０のデュロメータ硬さを有する、ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のマウント（１０）。
【請求項９】
前記アーム（６０）は、約４０〜４５のデュロメータ硬さを有する、ことを特徴とする請求項８記載のマウント（１０）。
【請求項１０】
高分子材料で構成されている、ことを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載のマウント（１０）。
【請求項１１】
前記高分子材料は熱可塑性ゴムである、ことを特徴とする請求項１０記載のマウント（１０）。
【請求項１２】
複数の穴（１４０）のある壁（１３０）を有するハウジング（１２０）と、
このハウジング内に配置された、請求項１から１１のいずれか１項に記載のマウント（１０）と、
このマウント（１０）と接するように前記ハウジング（１２０）内に配置されたエアムーバー（１１０）と
を備えたことを特徴とするエアムーバー組立体（１００）。
【請求項１３】
前記エアムーバー（１１０）はブロアーである、ことを特徴とする請求項１２記載の組立体（１００）。
【請求項１４】
前記中央部分（２０）は開口（５０）を有する、ことを特徴とする請求項１３記載の組立体（１００）。
【請求項１５】
前記ブロアーはブッシュを有し、前記開口（５０）は前記ブッシュと係合するように形成されている、ことを特徴とする請求項１４記載の組立体（１００）。
【請求項１６】
前記エアムーバー（１１０）と前記マウント（１０）とが互いに接着剤によって接続される、ことを特徴とする請求項１２から１５のいずれか１項に記載の組立体（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月13日(2007.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＮＯX貯蔵触媒の下流に配設されたＮＯＸ感知測定装置を用いて内燃機関の排気ガス通路に配設されたＮＯX貯蔵触媒を制御する方法であって、内燃機関を、（Ａ）下降する信号曲線（ＳＶ）が正の勾配へ移行すること、及び（Ｂ）信号値が所定の閾値を下回ること、からなる群から選択される少なくとも一つの所定の判定基準に関する希薄燃焼運転モードに切換えた後に、ＮＯＸ感知測定装置の信号曲線（ＳＶ）の分析を行い、かつ、少なくとも一つの所定の判定基準を満たす時期を、ＮＯＸ貯蔵触媒のＮＯＸ再生段階及び／又は脱硫段階を制御するための基準時期（ｔ0）として定義することを特徴とする方法。
【請求項２】  測定装置の信号曲線（ＳＶ）の分析を、（１）内燃機関を希薄燃焼運転モードに切換えるとき、又は（２）短時間の遅れの後、のいずれかで開始する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  所定の判定基準が、信号値が所定の閾値を下回ると同時に測定装置の下降する信号曲線（ＳＶ）が正の勾配へ移行することである、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】  所定の判定基準（Ｂ）が、信号曲線の分析の開始から所定の最小期間にわたって、所定の閾値を下回る持続的な信号レベルである、請求項１〜３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項５】  所定の判定基準（Ｂ）が、所定の最小期間にわたって、所定の閾値を下回る持続的な信号レベルである、請求項１〜４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項６】  信号曲線（ＳＶ）の分析の開始の後、所定の最大期間又は所定の排気ガス処理量が基準時期（ｔ0）の有効な決定が行われずに経過する場合、基準時期（ｔ0）を、分析の終了の時期もしくはその他の所定の時期から選択する、請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】  信号曲線（ＳＶ）の分析の開始の後、所定の最大期間又は所定の排気ガス処理量が基準時期（ｔ0）の有効な決定が行われずに経過する場合、ＮＯx貯蔵触媒の新たな再生を開始する、請求項１〜６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】  信号曲線の分析が成果なく経過した場合、得られた情報を内燃機関及び／又はＮＯＸ貯蔵触媒の更なる制御プロセスのために使用する、請求項６又は７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項９】  信号曲線（ＳＶ）を分析の前に平滑化する、請求項１〜８のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１０】基準時期（ｔ0）の決定の後直ちに、信号曲線（ＳＶ）の分析を終了し、ＮＯＸ貯蔵触媒の制御のために測定装置の信号の評価を出す、請求項１〜９のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１１】  ＮＯＸ貯蔵触媒のＮＯＸ再生及び／又は脱硫の制御のために、基準時期（ｔ0）をＮＯＸ貯蔵触媒のＮＯＸ貯蔵の開始のための計算開始時期として使用する、請求項１〜１０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】  ＮＯＸ貯蔵触媒を通過したＮＯＸ質量の積分及び／又はＮＯＸ貯蔵触媒に貯蔵されたＮＯＸ質量の計算が基準時期（ｔ0）に始まる、請求項１〜１１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】  基準時期（ｔ0）の信号値を測定装置の修正のための定常偏差として使用する、請求項１〜１２のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１４】  ＮＯＸ再生及び脱硫のつど基準時期（ｔ0）を決定する、請求項１〜１３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１５】  内燃機関を希薄燃焼運転モードに再び切換えるまで、及び／又は測定装置の位置に希薄排気ガスが現われるまで、基準時期（ｔ0）が有効である、請求項１〜１４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１６】  内燃機関を化学量論的運転モード又は濃厚燃焼運転モードに切換えるまで、又は測定装置の位置に化学量論的排気ガス又は濃厚な排気ガスが現われるまで、基準時期（ｔ0）が有効である、請求項１ないし１５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１７】  ＮＯＸ貯蔵触媒の下流の排気ガス通路に配設されたＮＯＸ感知測定装置を用いて内燃機関の排気ガス流のＮＯＸ濃度を決定するための装置であって、少なくとも一つの所定の判定基準に関して、内燃機関を希薄燃焼運転モードに切換えた後にＮＯＸ感知測定装置の信号曲線（ＳＶ）を分析し、前記少なくとも一つの所定の判定基準を満たす時期をＮＯＸ貯蔵触媒のＮＯＸ再生段階及び／又は脱硫段階を制御するための基準時期（ｔ０）として決定する段階を実行する手段を含み、所定の判定基準が、（Ａ）下降する信号曲線（ＳＶ）が正の勾配へ移行すること、及び（Ｂ）信号値が所定の閾値を下回ること、からなる群の少なくとも一つとして選択されるものである、ことを特徴とする装置。
【請求項１８】  前記手段が、ＮＯＸ貯蔵触媒を制御するための段階の制御手順をデジタル形式で格納した制御ユニットを含む、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】  制御ユニットがエンジン制御装置に組込まれている、請求項１８に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】  反応体物質が硫酸アンモニウムを２と２０組成重量パーセントの間の量にて含む、請求項１７に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３６】  反応体物質が硫酸アンモニウムを２と２０組成重量パーセントの間の量にて含む、請求項３５に記載の方法。