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【手続補正書】
【提出日】平成18年10月27日(2006.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  可とう性高分子支持体の少なくとも一方の面に、ガスバリヤ層、下地層および磁性層をこの順に形成した磁気記録媒体であって、上記磁性層は強磁性金属合金と非磁性酸化物からなるグラニュラ構造をもち、上記下地層と磁性層の総厚が１０ｎｍ以上４５ｎｍ以下であり、上記ガスバリヤ層が非金属元素単体またはＴｉと非金属元素の化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】  前記下地層と磁性層の総厚が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】  前記磁性層が強磁性金属合金割合が多い部分と、非磁性酸化物が多い部分とに分かれている構造を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】  前記強磁性金属合金が、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ−Ｂ合金またはＣｏ−Ｒｕ−Ｃｒ合金であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】  前記非磁性酸化物が、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｎａ、Ｌａ、ＩｎおよびＰｂのうちの少なくとも１つの酸化物であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】  前記非磁性酸化物がＳｉを含むことを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】  前記下地層が、Ｒｕ系合金を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】  前記ガスバリヤ層の厚みが５ｎｍ〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】  前記ガスバリヤ層の厚みが５ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項８に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】  さらに、下塗り層を、可とう性高分子支持体、下塗り層、ガスバリヤ層の順に有することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】  前記下塗り層が、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコン樹脂及びフッ素系樹脂のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１０に記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】  前記下塗り層が、熱硬化型ポリイミド樹脂及び熱硬化型シリコン樹脂のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１０に記載の磁気記録媒体。
【請求項１３】  前記下塗り層の厚みが０．１μｍ〜３．０μｍであることを特徴とする請求項１０に記載の磁気記録媒体。
【請求項１４】  前記可とう性高分子支持体の厚みが１０μｍ〜２００μｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項１５】  前記ガスバリヤ層が炭素を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月8日(2007.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷装置の交換可能なモジュールであって、
保存データを保持するメモリ素子と、
入力情報を受け取る入力端子と、
前記メモリ素子に接続され、前記保存データおよび前記入力情報に基づき計算を行うことで、前記交換可能なモジュールの性能に関する結果を生成するマイクロプロセッサと、
を備える交換可能なモジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の交換可能なモジュールであって、前記結果を前記印刷装置に通信する通信要素をさらに備える、交換可能なモジュール。
【請求項３】
請求項２に記載の交換可能なモジュールであって、前記入力端子は、前記印刷装置の動作に関する印刷入力情報を前記印刷装置から受け取るために前記通信要素に接続されている、交換可能なモジュール。
【請求項４】
請求項２に記載の交換可能なモジュールであって、
前記交換可能なモジュールは、前記交換可能なモジュールの状態を検出するための状態センサをさらに備え、
前記入力端子は、前記状態センサから状態入力情報を受け取るために前記状態センサに接続されている、交換可能なモジュール。
【請求項５】
請求項４に記載の交換可能なモジュールであって、
前記交換可能なモジュールには、消耗材料が収容されており、
前記状態センサによって、消耗材料の残量が検知される、交換可能なモジュール。
【請求項６】
請求項１に記載の交換可能なモジュールであって、調整可能な動作パラメータを有する動作要素をさらに備える交換可能なモジュールにおいて、前記動作要素は、前記マイクロプロセッサからの結果によって、前記動作要素の前記動作パラメータを調整することが可能なように接続されている、交換可能なモジュール。
【請求項７】
請求項２に記載の交換可能なモジュールであって、
前記マイクロプロセッサは、前記入力情報に基づいて前記交換可能なモジュールの状態に関する状態判断を計算するように構成されており、
前記通信要素は、前記状態判断を前記印刷装置に通信するように構成されている、交換可能なモジュール。
【請求項８】
印刷装置における交換可能なモジュールの状態を判断するための方法であって、前記印刷装置は、第１の機械処理手順を用いることで、前記交換可能なモジュールによって前記印刷装置に提供されたモジュールデータを用いて、前記交換可能なモジュールについてのモジュール状態結果を計算するように構成されており、
前記交換可能なモジュールに取り付けられたマイクロプロセッサにおいてモジュールデータを受け取って、
前記マイクロプロセッサにおいて、前記モジュールデータから変更されたモジュールデータを計算して、
前記変更されたモジュールデータを前記印刷装置に通信することを含み、
前記変更されたモジュールデータは、前記第１の機械処理手順を用いて処理された場合において、前記印刷装置が、前記モジュールデータを用いて前記モジュール状態結果を計算するために、第２の機械処理手順を用いたかのように、前記モジュール状態結果を生成する、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
通信要素、また、特に、ワイヤレス通信要素は、印刷装置以外の機構と通信するために用いることが可能である。ワイヤレス通信要素が、交換可能なユニットを入れて出荷される梱包を通過可能な無線信号によって動作するようなものである場合には、ワイヤレス通信要素を用いることで、交換可能なユニットの倉庫保管時および出荷時において、データを受け取るとともに、処理要素にプログラム設定することが可能である。そのようなプログラム設定に続いて、ワイヤレス通信要素を使用不可（disabled）にして、配線通信素子を、プリンタに接続するために残すようにすることが可能であり、あるいは、印刷装置と交換可能なモジュールとの間におけるワイヤレス通信に用いるために、ワイヤレス通信要素が動作可能な状態のままであることも可能である。配線通信素子６３およびワイヤレス通信素子６２をＣＰＵインターフェース７６に接続するヒューズ１０８，１１０によれば、いずれかの通信リンクがもはや必要ない場合にその通信リンクを切断することを可能にするための具体例としての手段が提供される。代替的な方法では、情報伝達は、ワイヤレス通信素子６２を介して行われて、ハードワイヤ通信素子は、電力のみを伝達するにすぎない。そのような配置において、シリアル／パラレル通信コントローラ７８は、不必要である場合もある。
［付記１］
請求項５に記載の交換可能なモジュールであって、前記消耗材料が、静電印刷装置のための乾式トナーである、交換可能なモジュール。
［付記２］
請求項５に記載の交換可能なモジュールであって、前記消耗材料が、ダイレクトマーキング印刷装置のためのインクである、交換可能なモジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月1日(2007.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル画像信号により表現される画像の画素のコントラストと濃度の少なくとも１つを修正する方法に於いて、該方法が、
−前記画像を表示スクリーン上に表示する過程と、
−濃度軸線とコントラスト増幅軸線とを表示する過程と、
−前記軸線の少なくとも１つの方向にインデイシアムを動かす過程と、
−前記コントラスト増幅軸線の方向の前記インデイシアムの移動時、該表示された画像のコントラストを変える過程と、
−前記濃度軸線の方向の前記インデイシアムの移動時、該表示された画像の濃度を変える過程と、を具備しており、
そこでは前記画像の多数スケール表現を修正することによりコントラストと濃度との独立の変更が得られており、該修正は異なるスケールで決定される少なくとも２つの勾配関数から誘導され、特定スケールでの勾配関数は１つのスケールでのコントラスト増幅がどれ程濃度に依るかを指定していることを特徴とする該方法。
【請求項２】
画像処理及び表示ユニット用のユーザーインターフエースに於いて、該インターフエースが
処理される画像が表示されるウインドウと、
２方向の少なくとも１つの方向に移動可能なインデイシアムと、を具備しており、第１方向の前記インデイシアムの移動は該表示される画像の濃度の変更を引き起こし、第２方向の前記インデイシアムの移動は該表示される画像のコントラストの変更を引き起こしており、そこではコントラストと濃度との独立の変更は前記画像の多数スケール表現を修正することにより得られており、該修正は異なるスケールで決定される少なくとも２つの勾配関数から誘導され、特定スケールでの勾配関数は１つのスケールでのコントラスト増幅がどれ程濃度に依るかを指定していることを特徴とする該方法。
【請求項３】
コンピュータ上でランさせられた時、請求項１の何等かの方法を実行するよう適合されたコンピュータプログラム製品。
【請求項４】
請求項１の過程を実行するよう適合されたコンピュータ実行可能なコードを具備するコンピュータ読み出し可能な媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月7日(2006.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子データを比較先画像として記憶する記憶手段と、
印刷物を電子的に読み取り、その印刷物の電子データを比較元画像として入力する入力手段と、
前記比較元画像に含まれるページ画像の数に基づいて、前記比較元画像に含まれるページ画像を含む処理対象領域の特徴量を抽出する抽出手段と、
前記抽出手段で抽出した特徴量を用いて、前記比較元画像に対応する比較先画像を前記記憶手段から検索する検索手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記検索手段の検索結果である画像に対して処理を行う処理手段と
を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記比較元画像に含まれるページ画像のページ数を指定する指定手段を更に備え、
前記抽出手段は、前記指定手段で指定されたページ数に基づいて決定される処理対象領域毎に、その処理対象領域の特徴量を抽出する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記抽出手段は、前記処理対象領域の画像特徴量及び文字特徴量のいずれかまたは両方を抽出する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記画像特徴量は、色特徴量、輝度特徴量、テクスチャ特徴量、形状特徴量のいずれか１つ、或いは、それらの組み合わせである
ことを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記文字特徴量は、文字コードである
ことを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記検索手段による検索結果を表示する表示手段と、
前記検索手段による検索結果として、前記表示手段に複数の比較先画像が表示された場合、該複数の比較先画像から所望の画像を選択する選択手段と
を更に備えることを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記比較元画像が複数のページ画像から構成されている場合、該複数のページ画像から所望のページ画像を指定する指定手段を更に備え、
前記抽出手段は、前記指定手段で指定されたページ画像を含む処理対象領域の特徴量を抽出する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記処理手段は、前記検索手段で検索された画像を、指定された印刷条件で印刷する
ことを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記検索結果の画像に対する処理の種類を指示する指示手段を更に備え、
前記処理の種類は、印刷、配信、蓄積、編集のいずれかである
ことを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記比較元画像に複数のページ画像が存在するか否かを判定する第１判定手段と、
前記第１判定手段による判定の結果、前記比較元画像に複数のページ画像が存在する場合、前記比較元画像に含まれるページ画像とのページ数を判定する第２判定手段とを更に備え、
前記抽出手段は、前記第２判定手段で判定されたページ数に基づいて決定される処理対象領域毎に、その処理対象領域の特徴量を抽出する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
前記第１判定手段は、前記比較元画像中に含まれるページ番号を検出し、前記ページ番号が特定領域内で等間隔に存在しているか否かを判定することで、前記比較元画像に複数のページ画像が存在するか否かを判定する
ことを特徴とする請求項１１に記載の画像処理装置。
【請求項１３】
前記第１判定手段は、前記比較元画像の最右端余白または最左端余白と、それ以外の中間余白を検出し、検出した中間余白が、前記最右端余白または前記最左端余白よりも大きいか否かを判定することで、前記比較元画像に複数のページ画像が存在するか否かを判定する
ことを特徴とする請求項１１に記載の画像処理装置。
【請求項１４】
前記第１判定手段の判定結果を表示する表示手段と、
前記判定結果を修正する修正手段と
を更に備えることを特徴とする請求項１１に記載の画像処理装置。
【請求項１５】
前記比較先画像を入力する入力手段と、
前記入力手段で入力される比較先画像に含まれるページ画像のページ数を指定する指定手段とを更に備え、
前記抽出手段は、前記指定手段で指定されたページ数に基づいて決定される処理対象領域毎に、その処理対象領域の特徴量を抽出し、
前記記憶手段は、前記比較先画像と、前記抽出手段で抽出した特徴量とを対応づけて記憶する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項１６】
前記比較先画像を入力する入力手段と、
前記比較先画像に複数のページ画像が存在するか否かを判定する第１判定手段と、
前記第１判定手段による判定の結果、前記比較元画像に複数のページ画像が存在する場合、前記比較元画像に含まれるページ画像とのページ数を判定する第２判定手段とを更に備え、
前記抽出手段は、前記第２判定手段で判定されたページ数に基づいて決定される処理対象領域毎に、その処理対象領域の特徴量を抽出し、
前記記憶手段は、前記比較先画像と、前記抽出手段で抽出した特徴量とを対応づけて記憶する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項１７】
印刷物を電子的に読み取ることによって得た電子データを比較元画像として入力する入力工程と、
前記比較元画像に含まれるページ画像の数に基づいて、前記比較元画像に含まれるページ画像を含む処理対象領域の特徴量を抽出する抽出工程と、
前記抽出工程で抽出した特徴量を用いて、記憶媒体に比較先画像として記憶されている複数の電子データから、前記比較元画像に対応する比較先画像を検索する検索工程と、
を備えることを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項１８】
画像処理の制御をコンピュータで実行させるためのコンピュータプログラムであって、
印刷物を電子的に読み取ることによって得た電子データを比較元画像として入力する入力工程と、
前記比較元画像に含まれるページ画像の数に基づいて、前記比較元画像に含まれるページ画像を含む処理対象領域の特徴量を抽出する抽出工程と、
前記抽出工程で抽出した特徴量を用いて、記憶媒体に比較先画像として記憶されている複数の電子データから、前記比較元画像に対応する比較先画像を検索する検索工程と、
を備えることを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月14日(2007.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と第１の記憶回路と第２の記憶回路とを有する画素と、
前記画素を複数個配置した表示部と、
前記表示部を制御する複数のデコーダと、
前記複数のデコーダを制御する表示制御回路とを有し、
前記表示制御回路は、
前記第１の記憶回路に記憶された第１のデジタル信号を読み出して発光素子へ送り、前記第２の記憶回路に第２のデジタル信号を入力する場合と、
前記第２の記憶回路に記憶された前記第２のデジタル信号を読み出して発光素子へ送り、前記第１の記憶回路に第３のデジタル信号を入力する場合と、を切り替える手段を有し、
前記第２のデジタル信号の入力が終了してから前記第３のデジタル信号を入力するまでの期間において、前記画素へのデジタル信号の入力を停止する手段とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記表示制御回路は、
前記表示制御信号線を介して前記発光素子の発光時間を制御する手段を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記表示制御回路は、前記発光素子の発光時間を前記デジタル信号の各ビットに応じて制御することによって階調を表現する手段を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記表示制御回路は、
一定の周期でデジタル信号を受信する手段と、
フレーム期間が始まるときに、前記フレーム期間の最初のデータを前記第１記憶回路または前記第２の記憶回路の一方に書き込む手段と、
前記２つのフレーム期間で同じデータを受信する場合において、前記２つのフレーム期間で同じデータを表示させる手段と、
前記フレーム期間が終了した後、１フレーム分のデジタル信号の受信が終わるまでの期間は前記画素へのデジタル信号の入力を停止させる手段とを有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月11日(2007.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置および表示装置の駆動方法、並びにそれを用いた電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを記憶する第１および第２のメモリと、前記第１および第２のメモリの書き込みまたは読み込みを選択する第１および第２のメモリセレクタと、前記第１および第２のメモリへの書き込みを行う論理回路と、前記第１および第２のメモリからの読み取りを行い出力を行う論理回路と、垂直方向同期信号の開始点を判定する回路と、から構成される制御回路を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
データを記憶する第１および第２のメモリと、前記第１および第２のメモリの書き込みまたは読み込みを選択する第１および第２のメモリセレクタと、前記第１および第２のメモリへの書き込みを行う論理回路と、前記第１および第２のメモリからの読み取りを行い出力を行う論理回路と、垂直方向同期信号の開始点を判定する回路と、から構成される制御回路を有し、
前記制御回路は供給された信号を時間階調で表示するための信号に変換する手段を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
データを記憶する第１および第２のメモリと、前記第１および第２のメモリの書き込みまたは読み込みを選択する第１および第２のメモリセレクタと、前記第１および第２のメモリへの書き込みを行う論理回路と、前記第１および第２のメモリからの読み取りを行い出力を行う論理回路と、垂直方向同期信号の開始点を判定する回路と、から構成される制御回路と、
垂直方向同期信号を表す第１の信号と、
水平方向同期信号を表す第２の信号と、
前記第１の信号がもたらすタイミングにしたがって、前記第１および第２のメモリへの書き込みと読み込みの役割を決定し、前記第１の信号の開始毎に前記第１および第２のメモリの役割を入れ替える第３の信号と、
前記第１の信号と前記第２の信号の状態によって前記第１および第２のメモリからの読み取りを行い出力を行う論理回路の状態を決定する第４の信号と、を有していることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
発光素子を有し、点灯時間の長さで階調を表現する表示装置において、
第１乃至第４の信号と、第１および第２のメモリと、読み取り装置および書き込み装置からなる制御回路を有し、
前記第１の信号は垂直方向同期信号を表し、
前記第２の信号は水平方向同期信号を表し、
前記第３の信号は前記第１の信号がもたらすタイミングにしたがって、前記第１のメモリ及び前記第２のメモリへの書き込みと読み込みの役割を決定し、前記第１の信号の開始毎に前記第１のメモリ及び前記第２のメモリの役割を入れ替え、
前記第４の信号は前記第１の信号と前記第２の信号の状態によって決定され、
前記第１の信号が開始かつ前記第２の信号が開始の場合、前記第４の信号は読み込み開始の状態になり、
前記第１の信号が開始かつ前期第２の信号が待機の場合、前記第４の信号は読み込み待機の状態になり、
前記第１のメモリが読み込みで前記第２のメモリが書き込み、または前記第１のメモリが書き込みで前記第２のメモリが読み込みの状態によって、読み取り装置及び書き込み装置の同期を取ることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１および第２のメモリと前記第１および第２のメモリへの書き込みを行う論理回路と前記第１および第２のメモリからの読み取りを行い出力を行う論理回路が表示部と基板上に一体形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記データを記憶する第１および第２のメモリと、映像信号をシリアルからパラレルに変換する変換回路と、第１のスイッチと第２のスイッチを有し、
前記映像信号は前記変換回路によってパラレルに変換されたのち前記第１のスイッチを介して前記第１のメモリまたは前記第２のメモリに入力され、前記第１のメモリまたは前記第２のメモリの出力信号は前記第２のスイッチを介してディスプレイに入力される事を特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記メモリをＦＰＣ上に実装することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記メモリを基板上に実装することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一を用いた電子機器。
【請求項１０】
データを記憶する第１および第２のメモリと、前記第１および第２のメモリの書き込みまたは読み込みを選択する第１および第２のメモリセレクタと、前記第１および第２のメモリへの書き込みを行う論理回路と、前記第１および第２のメモリからの読み取りを行い出力を行う論理回路と、垂直方向同期信号の開始点を判定する回路と、から構成される制御回路と、
垂直方向同期信号を表す第１の信号と、
水平方向同期信号を表す第２の信号と、
前記第１の信号がもたらすタイミングにしたがって、前記第１および第２のメモリへの書き込みと読み込みの役割を決定し、第１の信号の開始毎に前記第１および第２のメモリの役割を入れ替える第３の信号と、
前記第１の信号と前記第２の信号の状態によって前記第１および第２のメモリからの読み取りを行い出力を行う論理回路の状態を決定する第４の信号と、を備えており、
前記第１乃至第４の信号によって、前記第１および第２のメモリへの書き込みを行う論理回路と前記第１および第２のメモリからの読み取りを行い出力を行う論理回路と、の同期を取ることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第１の信号が開始かつ前記第２の信号が開始の場合に前記第４の信号が読み込み開始の状態になり、
前記第１の信号が開始かつ前記第２の信号が待機の場合に前記第４の信号が読み込み待機の状態になることによって、前記第１および第２のメモリへの書き込みを行う論理回路と前記第１および第２のメモリからの読み取りを行い出力を行う論理回路と、の同期を取ることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月8日(2007.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
隣り合う第一の発光素子及び第二の発光素子がマトリクス状に配置された画素部を有し、
前記第一の発光素子は、基板の第一の面に発光が可能であり、前記第二の発光素子は前記基板の第一の面と反対側の第二の面に発光が可能であり、
前記第一の発光素子の前記第二の面側への発光は遮光されており、前記第二の発光素子の前記第一の面側への発光は遮光されており、
前記第一の発光素子は第一の半導体素子と接続し、前記第二の発光素子は第二の半導体素子と接続し、前記第一の半導体素子及び前記第二の半導体素子は、前記第一の発光素子又は前記第二の発光素子に覆われていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
隣り合う第一の発光素子及び第二の発光素子が、前記第一の発光素子及び前記第二の発光素子を駆動する半導体素子が設けられた基板上にマトリクス状に配置され、
前記第一の発光素子は、第一の透光性を有する電極、発光物質を含む層、及び第二の透光性を有する電極が、前記基板側から順に設けられた積層構造を有し、
前記第二の発光素子は、第三の透光性を有する電極、前記発光物質を含む層、及び前記第二の透光性を有する電極が、前記基板側から順に設けられた積層構造を有し、
前記第一の発光素子は第一の半導体素子と接続し、前記第二の発光素子は第二の半導体素子と接続し、
前記第一の発光素子は、第一の遮光膜、前記第一の半導体素子及び前記第二の半導体素子を覆設し、
前記第二の発光素子は、第二の遮光膜に覆設されることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項２において、前記第一の透光性を有する電極及び前記第三の透光性を有する電極は、同じ材料で形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
隣り合う第一の発光素子及び第二の発光素子が、前記第一の発光素子及び前記第二の発光素子を駆動する半導体素子が設けられた基板上にマトリクス状に配置され、
前記第一の発光素子は、第一の遮光性を有する電極、発光物質を含む層、及び第一の透光性を有する電極が、前記基板側から順に設けられた積層構造を有し、
前記第二の発光素子は、第二の透光性を有する電極、前記発光物質を含む層、及び前記第一の透光性を有する電極が、前記基板側から順に設けられた積層構造を有し、
前記第一の発光素子は第一の半導体素子と接続し、前記第二の発光素子は第二の半導体素子と接続し、
前記第一の発光素子は、前記第一の半導体素子及び前記第二の半導体素子を覆設し、
前記第二の発光素子は、第二の遮光膜に覆設されることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
隣り合う第一の発光素子及び第二の発光素子が、前記第一の発光素子及び前記第二の発光素子を駆動する半導体素子が設けられた基板上にマトリクス状に配置され、
前記第一の発光素子は、第一の透光性を有する電極、発光物質を含む層、及び第二の透光性を有する電極が、前記基板側から順に設けられた積層構造を有し、
前記第二の発光素子は、第三の透光性を有する電極、前記発光物質を含む層、及び第一の遮光性を有する電極が、前記基板側から順に設けられた積層構造を有し、
前記第一の発光素子は第一の半導体素子と接続し、前記第二の発光素子は第二の半導体素子と接続し、
前記第一の発光素子は、第二の遮光膜、前記第一の半導体素子及び前記第二の半導体素子を覆設することを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項５において、前記第一の透光性を有する電極及び前記第三の透光性を有する電極は、同じ材料で形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
隣り合う第一の発光素子及び第二の発光素子が、前記第一の発光素子及び前記第二の発光素子を駆動する半導体素子が設けられた基板上にマトリクス状に配置され、
前記第一の発光素子は、第一の遮光性を有する電極、発光物質を含む層、及び第一の透光性を有する電極が、前記基板側から順に設けられた積層構造を有し、
前記第二の発光素子は、第二の透光性を有する電極、前記発光物質を含む層、及び第二の遮光性を有する電極が、前記基板側から順に設けられた積層構造を有し、
前記第一の発光素子は第一の半導体素子と接続し、前記第二の発光素子は第二の半導体素子と接続し、
前記第一の発光素子は、前記第一の半導体素子及び前記第二の半導体素子を覆設することを特徴とする発光装置。
【請求項８】
隣り合う第一の発光素子及び第二の発光素子が、前記第一の発光素子及び前記第二の発光素子を駆動する半導体素子が設けられた基板上にマトリクス状に配置され、
前記第一の発光素子は、第一の遮光性を有する電極、第一の発光物質を含む層、及び第一の透光性を有する電極が、前記基板側から順に設けられた積層構造を有し、
前記第二の発光素子は、第二の透光性を有する電極、第二の発光物質を含む層、及び第二の遮光性を有する電極が、前記基板側から順に設けられた積層構造を有し、
前記第一の発光素子は第一の半導体素子と接続し、前記第二の発光素子は第二の半導体素子と接続し、
前記第一の発光素子は、前記第一の半導体素子、前記第二の半導体素子、及び前記第二の発光素子を覆設することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
隣り合う第一の発光素子及び第二の発光素子が、前記第一の発光素子及び前記第二の発光素子を駆動する半導体素子が設けられた基板上にマトリクス状に配置され、
前記第一の発光素子は、第一の遮光性を有する電極、第一の発光物質を含む層、及び第一の透光性を有する電極が、前記基板側から順に設けられた積層構造を有し、
前記第二の発光素子は、第二の透光性を有する電極、第二の発光物質を含む層、及び第二の遮光性を有する電極が、前記基板側から順に設けられた積層構造を有し、
前記第一の発光素子は第一の半導体素子と接続し、第二の発光素子は第二の半導体素子と接続し、
前記第一の発光素子は、前記第一の半導体素子、前記第二の半導体素子を覆設することを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項９において、前記第一の発光素子の前記第一の透光性を有する電極及び前記第二の発光素子の前記第二の透光性を有する電極は、同じ材料で形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一に記載の発光装置を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＬ層を有する基板と、前記ＥＬ層を間に挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間に、前記ＥＬ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなるシール材を設ける工程と、
前記カバー材の前記基板とは反対側の面に遮光性を有するマスクを形成する工程と、
前記カバー材の前記基板とは反対側の面に紫外光を照射する工程と、を有し、
前記マスクは、前記ＥＬ層を覆うように形成され、
前記マスクが有する開口部は、前記シール材全体と重なるように形成されることを特徴とするＥＬパネルの作製方法。
【請求項２】
複数のＥＬ層を有する基板と、前記複数のＥＬ層を間に挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間に、前記複数のＥＬ層の各々を囲むように、紫外線硬化樹脂からなるシール材を設ける工程と、
前記カバー材の前記基板とは反対側の面に遮光性を有するマスクを形成する工程と、
前記カバー材の前記基板とは反対側の面に紫外光を照射する工程と、を有し、
前記マスクは、前記複数のＥＬ層の全てを覆うように形成され、
前記マスクが有する開口部は、前記シール材全体と重なるように形成されることを特徴とするＥＬパネルの作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記カバー材は透光性を有することを特徴とするＥＬパネルの作製方法。
【請求項４】
ＥＬ層を有する基板と、前記ＥＬ層を間に挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間に、前記ＥＬ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなるシール材を設ける工程と、
前記基板の前記カバー材とは反対側の面に遮光性を有するマスクを形成する工程と、
前記基板の前記カバー材とは反対側の面に紫外光を照射する工程と、を有し、
前記マスクは、前記ＥＬ層を覆うように形成され、
前記マスクが有する開口部は、前記シール材全体と重なるように形成されることを特徴とするＥＬパネルの作製方法。
【請求項５】
複数のＥＬ層を有する基板と、前記複数のＥＬ層を間に挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間に、前記複数のＥＬ層の各々を囲むように、紫外線硬化樹脂からなるシール材を設ける工程と、
前記基板の前記カバー材とは反対側の面に遮光性を有するマスクを形成する工程と、
前記基板の前記カバー材とは反対側の面に紫外光を照射する工程と、を有し、
前記マスクは、前記複数のＥＬ層の全てを覆うように形成され、
前記マスクが有する開口部は前記シール材全体と重なるように形成されることを特徴とするＥＬパネルの作製方法。
【請求項６】
請求項４又は５において、
前記基板は透光性を有することを特徴とするＥＬパネルの作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記紫外線硬化樹脂は、アクリル系紫外線硬化樹脂またはエポキシ系紫外線硬化樹脂であることを特徴とするＥＬパネルの作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記基板、前記カバー材、及び前記シール材に囲まれた空間に、吸湿性物質又は酸素を吸着しうる物質を含む充填材を設けることを特徴とするＥＬパネルの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月7日(2007.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を保持して回転可能な被処理体保持手段と、
前記被処理体保持手段が前記被処理体を保持し、回転させた状態で、前記被処理体の径方向の複数の供給位置に洗浄液を供給する処理液供給手段と、
を備え、
前記処理液供給手段は、前記被処理体の単位面積当たり又は処理面積当たりの処理液の供給量が一定となるように処理液を供給する、
ことを特徴とする液処理装置。
【請求項２】
前記処理液供給手段は、前記被処理体の径方向の異なる位置に配置された複数の供給穴から処理液を供給し、
前記供給穴は、前記被処理体の単位面積当たり又は処理面積当たりの処理液の供給量が一定となるように異なる径を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
【請求項３】
前記処理液供給手段は、前記被処理装置の径方向の異なる位置に配置された複数の供給穴から処理液を供給し、
前記供給穴は、前記被処理体の単位面積当たり又は処理面積当たりの処理液の供給量が一定となるように配置されている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液処理装置。
【請求項４】
前記被処理体を、その径方向に複数の領域に分け、
各領域に供給される処理液の量が、その面積に比例するように、複数の供給穴のサイズと数と位置とが設定されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液処理装置。
【請求項５】
被処理体を保持して回転し、
前記被処理体を保持して回転させた状態で、前記被処理体の被処理面の径方向の複数の位置に、前記被処理体の単位面積当たり又は処理面積当たりの処理液の供給量が一定となるように処理液を供給する、
ことを特徴とする液処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る液処理装置は、
被処理体を保持して回転可能な被処理体保持手段と、
前記被処理体保持手段が前記被処理体を保持し、回転させた状態で、前記被処理体の径方向の複数の供給位置に洗浄液を供給する処理液供給手段と、
を備え、
前記処理液供給手段は、前記被処理体の単位面積当たり又は処理面積当たりの処理液の供給量が一定となるように処理液を供給する、
ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記処理液供給手段は、前記被処理体の径方向の異なる位置に配置された複数の供給穴から処理液を供給し、前記供給穴は、前記被処理体の単位面積当たり又は処理面積当たりの処理液の供給量が一定となるように異なる径を有する、ように構成してもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記処理液供給手段は、前記被処理装置の径方向の異なる位置に配置された複数の供給穴から処理液を供給し、前記供給穴は、前記被処理体の単位面積当たり又は処理面積当たりの処理液の供給量が一定となるように配置されてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記被処理体を、その径方向に複数の領域に分け、各領域に供給される処理液の量が、その面積に比例するように、複数の供給穴のサイズと数と位置とが設定されている、ように構成してもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明の第２の観点に係る液処理方法は、
被処理体を保持して回転し、
前記被処理体を保持して回転させた状態で、前記被処理体の被処理面の径方向の複数の位置に、前記被処理体の単位面積当たり又は処理面積当たりの処理液の供給量が一定となるように処理液を供給する、
ことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月7日(2007.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を保持し、かつ、該被処理体を該被処理体の平面上で回転可能な被処理体保持手段と、
前記被処理体の一方の面側に配置され、前記被処理体保持手段が前記被処理体を保持し、かつ、回転させている状態で、該被処理体の他方の面に、該被処理体の他方の面の周縁に所定の処理を施すための処理液を供給する処理液供給手段と、
前記被処理体の他方の面側に配置され、前記処理液供給手段により供給された処理液の、前記被処理体の他方の面中心部への回り込みを抑制する、回り込み抑制手段と
を備えることを特徴とする液処理装置。
【請求項２】
前記回り込み抑制手段は、前記被処理体のいずれかの面に近接して配置された部材から構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の液処理装置。
【請求項３】
前記回り込み抑制手段は、流体を前記被処理体のいずれかの面の周縁に向けて噴射することを特徴とする、請求項１に記載の液処理装置。
【請求項４】
前記回り込み抑制手段は、前記被処理体の周縁から内方への回り込みを抑制する手段から構成されることを特徴とする、請求項１、２又は３に記載の液処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る液処理装置は、
被処理体を保持し、かつ、該被処理体を該被処理体の平面上で回転可能な被処理体保持手段と、
前記被処理体の一方の面側に配置され、前記被処理体保持手段が前記被処理体を保持し、かつ、回転させている状態で、該被処理体の他方の面に、該被処理体の他方の面の周縁に所定の処理を施すための処理液を供給する処理液供給手段と、
前記被処理体の他方の面側に配置され、前記処理液供給手段により供給された処理液の、前記被処理体の他方の面中心部への回り込みを抑制する、回り込み抑制手段と
を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記液処理装置において、前記回り込み抑制手段は、流体を前記被処理体のいずれかの面の周縁に向けて噴射してもよい。
また、前記回り込み抑制手段は、例えば、前記被処理体の周縁から内方への回り込みを抑制する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月24日(2007.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板上に層間酸化膜を形成する第１の工程と、
上記層間酸化膜に上記半導体基板と接続するための接続孔を開口する第２の工程と、
該接続孔を埋め込んで上記層間酸化膜上の全面にプラグ用金属膜を形成する第３の工程と、
上記層間酸化膜上の上記プラグ用金属膜をＣＭＰ法を用いて除去して上記接続孔内に残存させ、プラグを形成する第４の工程と、
上記層間酸化膜をフッ酸系溶液によるウエットエッチングにより除去する第５の工程と、
上記層間酸化膜上に上記プラグと異なる導電材料から成る上層配線層を該プラグと接触するように形成する第６の工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】  上記第４の工程において、上記ＣＭＰ法で用いる研磨液に過酸化水素水を所定の濃度で含有させ、
上記第４の工程終了後、上記半導体基板に水洗処理を施し上記研磨液を除去した後、上記第５の工程での上記ウエットエッチングを行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】  上記第３の工程において、上記接続孔を埋め込んで上記層間酸化膜上に形成する上記プラグ用金属膜を、Ｔｉ膜を含むバリアメタル層を介して形成するものとし、
上記第４の工程において、上記ＣＭＰ法で用いる研磨液に過酸化水素水を０．５〜２．０％の濃度で含有させることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】  上記第５の工程において、上記ウエットエッチングを、ＨＦを１０〜２００倍程度に希釈し、室温での酸化膜のエッチングレートが２００〜２０ｎｍ／ｍｉｎ．程度のエッチング液を用いて、５〜６００秒程度のエッチング処理を行うものとすることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】  半導体基板上に形成された下層配線層を覆う層間酸化膜を形成する第１の工程と、
上記層間酸化膜に上記下層配線層に到達する接続孔を開口する第２の工程と、
選択ＣＶＤ法により上記接続孔内部にのみプラグ用金属膜を上記層間酸化膜表面から所定の膜厚で突出するまで成長させてプラグを形成する第３の工程と、
上記層間酸化膜上に上記プラグと異なる導電材料から成る上層配線層を該プラグと接触するように形成する第４の工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】  半導体基板上に形成された下層配線層を覆う層間酸化膜を形成する第１の工程と、
上記層間酸化膜に上記下層配線層に到達する接続孔を開口した後、Ａｒ等の不活性ガスによる逆スパッタエッチングを５〜３００ｎｍ程度のエッチング量で行い、上記接続孔上部をテーパ形状に加工する第２の工程と、
該接続孔を埋め込んで上記層間酸化膜上の全面にプラグ用金属膜を形成する第３の工程と、
上記層間酸化膜上の上記プラグ用金属膜をＣＭＰ法を用いて除去して上記接続孔内に残存させ、プラグを形成する第４の工程と、
上記層間酸化膜上に上記プラグと異なる導電材料から成る上層配線層を該プラグと接触するように形成する第６の工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
上記第１の工程によって、上記層間酸化膜が上記半導体基板上の下層配線層を覆い、上記第２の工程によって、上記接続孔が上記下層配線層に達することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
上記第５の工程の上記ウエットエッチングによって、上記層間酸化膜を所定の厚さで除去し、上記プラグの上部を上記層間酸化膜表面から突出させることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月2日(2007.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画像を貼り付けるための３次元モデル画像を生成する生成手段と、
前記３次元モデル画像内の空間に画像を貼り付ける貼付手段と、
前記３次元モデル画像内の空間に画像を貼り付ける余地があるか否かを判断する判断手段と、
前記判断手段によって余地が無いと判断された場合は、余地を生成するべく前記３次元モデル画像を拡大する拡大手段とを備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】  前記判断手段は、前記３次元モデル画像内における、画像貼付面の余地にとりうる矩形の面積を取得し、該取得された面積に基づいて前記余地の存否を判断することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】  前記貼付手段は、前記３次元モデル画像の空間内に画像を貼り付ける領域を特定する枠を予め設定しておき、指定された画像を指定された枠に貼り付けることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】  前記判断手段は、未使用の枠が存在するか否かに基づいて余地の存否を判断することを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】  前記拡大手段は、３次元モデルの３次元方向のうちの少なくとも１方向を拡大することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項６】  画像を貼り付けるための３次元モデル画像を生成する生成工程と、
前記３次元モデル画像内の空間に画像を貼り付ける貼付工程と、
前記３次元モデル画像内の空間に画像を貼り付ける余地があるか否かを判断する判断工程と、
前記判断工程によって余地が無いと判断された場合は、余地を生成するべく前記３次元モデル画像を拡大する拡大工程とを備えることを特徴とする情報処理方法。
【請求項７】  前記判断工程は、前記３次元モデル画像内における、画像貼付面の余地にとりうる矩形の面積を取得し、該取得された面積に基づいて前記余地の存否を判断することを特徴とする請求項６に記載の情報処理方法。
【請求項８】  前記貼付工程は、前記３次元モデル画像の空間内に画像を貼り付ける領域を特定する枠を予め設定しておき、指定された画像を指定された枠に貼り付けることを特徴とする請求項６に記載の情報処理方法。
【請求項９】  前記判断工程は、未使用の枠が存在するか否かに基づいて余地の存否を判断することを特徴とする請求項８に記載の情報処理方法。
【請求項１０】  前記拡大工程は、３次元モデルの３次元方向のうちの少なくとも１方向を拡大することを特徴とする請求項６に記載の情報処理方法。
【請求項１１】  コンピュータによって実行される制御プログラムを格納した記憶媒体であって、コンピュータに、
画像を貼り付けるための３次元モデル画像を生成する生成工程と、
前記３次元モデル画像内の空間に画像を貼り付ける貼付工程と、
前記３次元モデル画像内の空間に画像を貼り付ける余地があるか否かを判断する判断工程と、
前記判断工程によって余地が無いと判断された場合は、余地を生成するべく前記３次元モデル画像を拡大する拡大工程とを備える情報処理方法を実行させる制御プログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するための、本発明の情報処理装置は例えば以下の構成を備える。即ち、
画像を貼り付けるための３次元モデル画像を生成する生成手段と、
前記３次元モデル画像内の空間に画像を貼り付ける貼付手段と、
前記３次元モデル画像内の空間に画像を貼り付ける余地があるか否かを判断する判断手段と、
前記判断手段によって余地が無いと判断された場合は、余地を生成するべく前記３次元モデル画像を拡大する拡大手段とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
又、上記の目的を達成するための本発明の情報処理方法は例えば以下の工程を備える。すなわち、
画像を貼り付けるための３次元モデル画像を生成する生成工程と、
前記３次元モデル画像内の空間に画像を貼り付ける貼付工程と、
前記３次元モデル画像内の空間に画像を貼り付ける余地があるか否かを判断する判断工程と、
前記判断工程によって余地が無いと判断された場合は、余地を生成するべく前記３次元モデル画像を拡大する拡大工程とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月9日(2007.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】基板上に少なくとも隔壁および隔壁に対して垂直方向に形成された補助隔壁を有するプラズマディスプレイ用部材であって、補助隔壁が、補助隔壁の長手方向端部に向かってその幅が減衰していく形状を有し、隔壁幅Ａと補助隔壁の長手方向端部の幅Ｂが以下の関係を満たすことを特徴とするプラズマディスプレイ用部材。
０．５×Ａ≦Ｂ≦２×Ａ
【請求項２】補助隔壁の幅が長手方向端部に向かって減衰していく形状を有する領域の減衰を開始する部分が、補助隔壁の長手方向端部から０．８〜５ｍｍの範囲内であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ用部材。
【請求項３】請求項１または２に記載のプラズマディスプレイ用部材を背面板として用いたことを特徴とするプラズマディスプレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明のプラズマディスプレイ用部材は、基板上に少なくとも隔壁および隔壁に対して垂直方向に形成された補助隔壁を有するプラズマディスプレイ用部材であって、補助隔壁が、補助隔壁の長手方向端部に向かってその幅が減衰していく形状を有し、隔壁幅Ａと補助隔壁の長手方向端部の幅Ｂが以下の関係を満たすことを特徴とする。