【手続補正書】
【提出日】平成31年4月26日(2019.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置であって、
ａ）プロセスチャンバを備える、トロイダル形状のプラズマ容器と、
ｂ）前記トロイダル形状のプラズマ容器の一部を囲繞する、磁気コアと、
ｃ）前記磁気コアに電気的に接続された出力を有するＲＦ電力供給源であって、前記ＲＦ電力供給源は、前記磁気コアを励起させ、それによって、トロイダルプラズマループ放電を前記トロイダル形状のプラズマ容器内に形成する、ＲＦ電力供給源と、
ｄ）成長の間、前記ワークピースを支持する、少なくとも１つの面を備える、ワークピースホルダと、
ｅ）プラズマのある区分を前記トロイダルプラズマループ放電内に閉じ込め、成長の間、ワークピースを支持する、前記少なくとも１つの面の法線と略垂直に進行するように成形および定寸される、プラズマ誘導構造と
を備える、プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記ワークピースホルダは、略円筒形形状に形成される、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記ワークピースホルダは、略六角形形状に形成される、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記プラズマ誘導構造は、前記プラズマに暴露されるワークピース表面が前記プラズマの中心線から略等距離であるような形状に形成および定寸される、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記プラズマの中心線から前記ワークピースを支持する前記少なくとも１つの面までの距離は、約０．５ｃｍ〜２．５ｃｍである、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記プラズマの中心線から前記ワークピースを支持する前記少なくとも１つの面までの距離は、約１．０ｃｍである、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記ワークピースホルダは、モリブデン、モリブデンの合金、銅、アルミニウム、ニッケル、ステンレス鋼、ニッケルを含有する合金、タングステン、タングステンを含有する合金、窒化アルミニウム、および酸化アルミニウムから成る群から選択された材料から形成される、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記ワークピースホルダは、プラズマ処理のためのワークピースを支持するための陥凹付き部分を備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
成長の間、前記ワークピースを支持する前記少なくとも１つの面は、少なくとも１つの平坦面を備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
成長の間、前記ワークピースを支持する前記少なくとも１つの面は、少なくとも１つの丸みを帯びた面を備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
成長の間、前記ワークピースを支持する前記少なくとも１つの面は、少なくとも１つの管状形状の面を備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記ワークピースホルダの外側部分は、視認ポートを備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記視認ポートに光学的に結合される、光学高温計をさらに備える、請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】
前記ワークピースホルダへのプラズマアーク放電を阻止する、前記ワークピースホルダ上に位置付けられる電気絶縁材料をさらに備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】
前記ワークピースホルダはさらに、少なくとも１つのガス導入開口を備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１６】
前記少なくとも１つのガス導入開口は、前記ワークピースホルダの表面上の少なくとも１つのサンプル搭載位置に近接して位置付けられる、請求項１５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１７】
前記ワークピースホルダに取り付けられる、流体冷却温度コントローラをさらに備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１８】
前記トロイダル形状のプラズマ容器を囲繞する、第２の磁気コアをさらに備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１９】
前記ＲＦ電力供給源は、前記第２の磁気コアに電気的に接続された第２の出力を有する、請求項１８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項２０】
前記第２の磁気コアに電気的に接続された出力を有する、第２のＲＦ電力供給源をさらに備え、前記第２のＲＦ電力供給源は、前記第２の磁気コアを励起させる、請求項１８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項２１】
前記ワークピースホルダは、個々のワークピースを固着させるための少なくとも１つの支柱を備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項２２】
プロセスガスが、前記少なくとも１つの支柱に近接して供給される、請求項２１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項２３】
前記ワークピースホルダはさらに、前記成長の間、前記ワークピースを平行移動させる、結晶引上機を備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項２４】
前記ワークピースホルダおよび前記プラズマ誘導構造は、同一構造である、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項２５】
前記ワークピースホルダおよび前記プラズマ誘導構造は、物理的に別個の構造である、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項２６】
前記プラズマ誘導構造は、前記ワークピースの表面への原子水素の送達を改良するように位置付けられる、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項２７】
プラズマ処理装置であって、
ａ）プロセスチャンバを備える、トロイダル形状のプラズマ容器と、
ｂ）前記トロイダル形状のプラズマ容器の一部を囲繞する、磁気コアと、
ｃ）前記磁気コアに電気的に接続された出力を有するＲＦ電力供給源であって、前記ＲＦ電力供給源は、前記磁気コアを励起させ、それによって、トロイダルプラズマループ放電を前記トロイダル形状のプラズマ容器内に形成する、ＲＦ電力供給源と、
ｄ）第１および第２の区分を備えるワークピースホルダであって、前記第１および第２の区分の各々は、プラズマのある区分を前記トロイダルプラズマループ放電内に閉じ込め、前記第１および第２の区分の少なくとも１つの面の法線表面と略垂直に進行するように成形および定寸される、少なくとも１つの面を備える、ワークピースホルダと
を備える、プラズマ処理装置。
【請求項２８】
前記ワークピースホルダの第１の区分は、前記ワークピースホルダの第１の半分を構成し、前記ワークピースホルダの第２の区分は、前記ワークピースホルダの第２の半分を構成する、請求項２７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項２９】
前記ワークピースホルダの第１の区分は、第１の材料から形成され、前記第２の区分は、前記第１の材料と異なる第２の材料から形成される、請求項２７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３０】
前記ワークピースホルダの第１および第２の区分のうちの少なくとも１つは、耐熱金属から形成される、請求項２８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３１】
前記ワークピースホルダの第１および第２の区分は、略円筒形形状に形成される、請求項２７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３２】
前記ワークピースホルダの第１および第２の区分は、略六角形形状に形成される、請求項２７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３３】
前記ワークピースホルダの第１および第２の区分は、前記プラズマに暴露される表面が前記プラズマの中心線から略等距離であるような形状に形成および定寸される、請求項２７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３４】
前記プラズマの中心線から前記ワークピースホルダの第１および第２の区分の前記少なくとも１つの面までの距離は、約０．５ｃｍ〜２．５ｃｍである、請求項２７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３５】
前記プラズマの中心線から前記ワークピースホルダの第１および第２の区分の前記少なくとも１つの面までの距離は、約１．０ｃｍである、請求項２７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３６】
前記ワークピースホルダは、プラズマ処理のためのワークピースを支持するための陥凹付き部分を備える、請求項２７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３７】
前記ワークピースホルダの第１および第２の区分上の少なくとも１つの面は、少なくとも１つの平坦面を備える、請求項２７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３８】
前記ワークピースホルダの第１および第２の区分の前記少なくとも１つの面は、少なくとも１つの丸みを帯びた面を備える、請求項２７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３９】
前記ワークピースホルダの第１および第２の区分の前記少なくとも１つの面は、少なくとも１つの管状形状の面を備える、請求項２７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４０】
前記ワークピースホルダはさらに、前記第１および第２の区分のうちの少なくとも１つ上に少なくとも１つのガス導入開口を備える、請求項２７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４１】
前記ガス導入開口の少なくともいくつかは、前記ワークピースホルダの表面上の陥凹に近接して位置付けられる、請求項４０に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４２】
前記ワークピースホルダの第１および第２の区分間に位置付けられる、高温間隔シムをさらに備える、請求項２７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４３】
前記トロイダル形状のプラズマ容器を囲繞する、第２の磁気コアをさらに備える、請求項２７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４４】
前記ＲＦ電力供給源は、前記第２の磁気コアに電気的に接続された第２の出力を有する、請求項４３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４５】
前記第２の磁気コアに電気的に接続された出力を有する、第２のＲＦ電力供給源をさらに備え、前記第２のＲＦ電力供給源は、前記第２の磁気コアを励起させる、請求項４３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４６】
単結晶ダイヤモンド材料を成長させるための方法であって、
ａ）プロセスチャンバを備える、トロイダル形状のプラズマ容器を提供するステップと、
ｂ）磁気コアを前記トロイダル形状のプラズマ容器の一部を囲繞するように位置付けるステップと、
ｃ）前記磁気コアをＲＦ放射で励起させ、それによって、トロイダルプラズマループ放電を前記トロイダル形状のプラズマ容器内に形成するステップと、
ｄ）成長の間、ワークピースを支持する少なくとも１つの面を備える、ワークピースホルダを提供するステップと、
ｅ）プラズマのある区分を前記トロイダルプラズマループ内に閉じ込め、成長の間、前記ワークピースを支持する、前記少なくとも１つの面の法線と略垂直に進行するように成形および定寸される、プラズマ誘導構造を提供するステップと、
ｆ）単結晶ダイヤモンド材料を前記ワークピース上に成長させるステップと
を含む、方法。
【請求項４７】
成長の間、前記ワークピースホルダを平行移動させるステップをさらに含む、請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】
成長の間、前記ワークピースホルダを平行移動させる率は、前記単結晶ダイヤモンド材料の成長率と略等しい、請求項４７に記載の方法。
【請求項４９】
前記ワークピース上の成長表面が、前記成長の間、略同一位置にあるように、前記ワークピースホルダを平行移動させるステップをさらに含む、請求項４６に記載の方法。
【請求項５０】
少なくとも１つの位置においてプロセスガスを前記プロセスチャンバ内に導入するステップをさらに含む、請求項４６に記載の方法。
【請求項５１】
前記少なくとも１つの位置は、堆積条件を改良するように選定される、請求項５０に記載の方法。
【請求項５２】
前記少なくとも１つの位置は、前記プロセスチャンバの壁上の望ましくない堆積物を低減させるように選定される、請求項５０に記載の方法。
【請求項５３】
冷却要素を前記ワークピースホルダに隣接して位置付け、前記ワークピースの温度を所望の動作温度に制御するステップをさらに含む、請求項４６に記載の方法。
【請求項５４】
前記単結晶ダイヤモンド材料を前記ワークピース上に成長させるステップは、前記単結晶ダイヤモンド材料を１．５センチメートルを上回る寸法まで成長させるステップを含む、請求項４６に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
プラズマ処理装置であって、
ａ）プロセスチャンバを備える、トロイダル形状のプラズマ容器と、
ｂ）前記トロイダル形状のプラズマ容器の一部を囲繞する、磁気コアと、
ｃ）前記磁気コアに電気的に接続された出力を有するＲＦ電力供給源であって、前記ＲＦ電力供給源は、前記磁気コアを励起させ、それによって、トロイダルプラズマループ放電を前記トロイダル形状のプラズマ容器内に形成する、ＲＦ電力供給源と、
ｄ）成長の間、前記ワークピースを支持する、少なくとも１つの面を備える、ワークピースホルダと、
ｅ）プラズマのある区分を前記トロイダルプラズマループ放電内に閉じ込め、成長の間、ワークピースを支持する、前記少なくとも１つの面の法線と略垂直に進行するように成形および定寸される、プラズマ誘導構造と、
を備える、プラズマ処理装置。
（項目２）
前記ワークピースホルダは、略円筒形形状に形成される、項目１に記載のプラズマ処理装置。
（項目３）
前記ワークピースホルダは、略六角形形状に形成される、項目１に記載のプラズマ処理装置。
（項目４）
前記プラズマ誘導構造は、前記プラズマに暴露されるワークピース表面が前記プラズマの中心線から略等距離であるような形状に形成および定寸される、項目１に記載のプラズマ処理装置。
（項目５）
前記プラズマの中心線から前記ワークピースを支持する前記少なくとも１つの面までの距離は、約０．５ｃｍ〜２．５ｃｍである、項目１に記載のプラズマ処理装置。
（項目６）
前記プラズマの中心線から前記ワークピースを支持する前記少なくとも１つの面までの距離は、約１．０ｃｍである、項目１に記載のプラズマ処理装置。
（項目７）
前記ワークピースホルダは、モリブデン、モリブデンの合金、銅、アルミニウム、ニッケル、ステンレス鋼、ニッケルを含有する合金、タングステン、タングステンを含有する合金、窒化アルミニウム、および酸化アルミニウムから成る群から選択された材料から形成される、項目１に記載のプラズマ処理装置。
（項目８）
前記ワークピースホルダは、プラズマ処理のためのワークピースを支持するための陥凹付き部分を備える、項目１に記載のプラズマ処理装置。
（項目９）
成長の間、前記ワークピースを支持する前記少なくとも１つの面は、少なくとも１つの平坦面を備える、項目１に記載のプラズマ処理装置。
（項目１０）
成長の間、前記ワークピースを支持する前記少なくとも１つの面は、少なくとも１つの丸みを帯びた面を備える、項目１に記載のプラズマ処理装置。
（項目１１）
成長の間、前記ワークピースを支持する前記少なくとも１つの面は、少なくとも１つの管状形状の面を備える、項目１に記載のプラズマ処理装置。
（項目１２）
前記ワークピースホルダの外側部分は、視認ポートを備える、項目１に記載のプラズマ処理装置。
（項目１３）
前記視認ポートに光学的に結合される、光学高温計をさらに備える、項目１２に記載のプラズマ処理装置。
（項目１４）
前記ワークピースホルダへのプラズマアーク放電を阻止する、前記ワークピースホルダ上に位置付けられる電気絶縁材料をさらに備える、項目１に記載のプラズマ処理装置。
（項目１５）
前記ワークピースホルダはさらに、少なくとも１つのガス導入開口を備える、項目１に記載のプラズマ処理装置。
（項目１６）
前記少なくとも１つのガス導入開口は、前記ワークピースホルダの表面上の少なくとも１つのサンプル搭載位置に近接して位置付けられる、項目１５に記載のプラズマ処理装置。
（項目１７）
前記ワークピースホルダに取り付けられる、流体冷却温度コントローラをさらに備える、項目１に記載のプラズマ処理装置。
（項目１８）
前記トロイダル形状のプラズマ容器を囲繞する、第２の磁気コアをさらに備える、項目１に記載のプラズマ処理装置。
（項目１９）
前記ＲＦ電力供給源は、前記第２の磁気コアに電気的に接続された第２の出力を有する、項目１８に記載のプラズマ処理装置。
（項目２０）
前記第２の磁気コアに電気的に接続された出力を有する、第２のＲＦ電力供給源をさらに備え、前記第２のＲＦ電力供給源は、前記第２の磁気コアを励起させる、項目１８に記載のプラズマ処理装置。
（項目２１）
前記ワークピースホルダは、個々のワークピースを固着させるための少なくとも１つの支柱を備える、項目１に記載の方法。
（項目２２）
プロセスガスが、前記少なくとも１つの支柱に近接して供給される、項目２１に記載の方法。
（項目２３）
前記ワークピースホルダはさらに、前記堆積の間、前記ワークピースを平行移動させる、結晶引上機を備える、項目１に記載の方法。
（項目２４）
前記ワークピースホルダおよび前記プラズマ誘導構造は、同一構造である、項目１に記載のプラズマ処理装置。
（項目２５）
前記ワークピースホルダおよび前記プラズマ誘導構造は、物理的に別個の構造である、項目１に記載のプラズマ処理装置。
（項目２６）
前記プラズマ誘導構造は、前記ワークピースの表面への原子水素の送達を改良するように位置付けられる、項目１に記載のプラズマ処理装置。
（項目２７）
プラズマ処理装置であって、
ａ）プロセスチャンバを備える、トロイダル形状のプラズマ容器と、
ｂ）前記トロイダル形状のプラズマ容器の一部を囲繞する、磁気コアと、
ｃ）前記磁気コアに電気的に接続された出力を有するＲＦ電力供給源であって、前記ＲＦ電力供給源は、前記磁気コアを励起させ、それによって、トロイダルプラズマループ放電を前記トロイダル形状のプラズマ容器内に形成する、ＲＦ電力供給源と、
ｄ）第１および第２の区分を備えるワークピースホルダであって、前記第１および第２の区分の各々は、プラズマのある区分を前記トロイダルプラズマループ放電内に閉じ込め、前記少なくとも１つの面の法線表面と略垂直に進行するように成形および定寸される、少なくとも１つの面を備える、ワークピースホルダと、
を備える、プラズマ処理装置。
（項目２８）
前記ワークピースホルダの第１の区分は、前記ワークピースホルダの第１の半分を構成し、前記ワークピースホルダの第２の区分は、前記ワークピースホルダの第２の半分を構成する、項目２７に記載のプラズマ処理装置。
（項目２９）
前記ワークピースホルダの第１の区分は、第１の材料から形成され、前記第２の区分は、前記第１の材料と異なる第２の材料から形成される、項目２７に記載のプラズマ処理装置。
（項目３０）
前記ワークピースホルダの第１および第２の区分のうちの少なくとも１つは、耐熱金属から形成される、項目２８に記載のプラズマ処理装置。
（項目３１）
前記ワークピースホルダの第１および第２の区分は、略円筒形形状に形成される、項目２７に記載のプラズマ処理装置。
（項目３２）
前記ワークピースホルダの第１および第２の区分は、略六角形形状に形成される、項目２７に記載のプラズマ処理装置。
（項目３３）
前記ワークピースホルダの第１および第２の区分は、前記プラズマに暴露される表面が前記プラズマの中心線から略等距離であるような形状に形成および定寸される、項目２７に記載のプラズマ処理装置。
（項目３４）
前記プラズマの中心線から前記ワークピースホルダの第１および第２の区分の前記少なくとも１つの面までの距離は、約０．５ｃｍ〜２．５ｃｍである、項目２７に記載のプラズマ処理装置。
（項目３５）
前記プラズマの中心線から前記ワークピースホルダの第１および第２の区分の前記少なくとも１つの面までの距離は、約１．０ｃｍである、項目２７に記載のプラズマ処理装置。
（項目３６）
前記ワークピースホルダは、プラズマ処理のためのワークピースを支持するための陥凹付き部分を備える、項目２７に記載のプラズマ処理装置。
（項目３７）
前記ワークピースホルダの第１および第２の区分上の少なくとも１つの面は、少なくとも１つの平坦面を備える、項目２７に記載のプラズマ処理装置。
（項目３８）
前記ワークピースホルダの第１および第２の区分の前記少なくとも１つの面は、少なくとも１つの丸みを帯びた面を備える、項目２７に記載のプラズマ処理装置。
（項目３９）
前記ワークピースホルダの第１および第２の区分の前記少なくとも１つの面は、少なくとも１つの管状形状の面を備える、項目２７に記載のプラズマ処理装置。
（項目４０）
前記ワークピースホルダはさらに、前記第１および第２の区分のうちの少なくとも１つ上に少なくとも１つのガス導入開口を備える、項目２７に記載のプラズマ処理装置。
（項目４１）
前記ガス導入開口の少なくともいくつかは、前記ワークピースホルダの表面上の陥凹に近接して位置付けられる、項目４０に記載のプラズマ処理装置。
（項目４２）
前記ワークピースホルダの第１および第２の区分間に位置付けられる、高温間隔シムをさらに備える、項目２７に記載のプラズマ処理装置。
（項目４３）
前記トロイダル形状のプラズマ容器を囲繞する、第２の磁気コアをさらに備える、項目２７に記載のプラズマ処理装置。
（項目４４）
前記ＲＦ電力供給源は、前記第２の磁気コアに電気的に接続された第２の出力を有する、項目４３に記載のプラズマ処理装置。
（項目４５）
前記第２の磁気コアに電気的に接続された出力を有する、第２のＲＦ電力供給源をさらに備え、前記第２のＲＦ電力供給源は、前記第２の磁気コアを励起させる、項目４３に記載のプラズマ処理装置。
（項目４６）
単結晶ダイヤモンド材料を成長させるための方法であって、
ａ）プロセスチャンバを備える、トロイダル形状のプラズマ容器を提供するステップと、
ｂ）磁気コアを前記トロイダル形状のプラズマ容器の一部を囲繞するように位置付けるステップと、
ｃ）前記磁気コアをＲＦ放射で励起させ、それによって、トロイダルプラズマループ放電を前記トロイダル形状のプラズマ容器内に形成するステップと、
ｄ）成長の間、ワークピースを支持する少なくとも１つの面を備える、ワークピースホルダを提供するステップと、
ｅ）プラズマのある区分を前記トロイダルプラズマループ内に閉じ込め、成長の間、前記ワークピースを支持する、前記少なくとも１つの面の法線と略垂直に進行するように成形および定寸される、プラズマ誘導構造を提供するステップと、
ｆ）単結晶ダイヤモンド材料を前記ワークピース上に成長させるステップと、
を含む、方法。
（項目４７）
成長の間、前記ワークピースホルダを平行移動させるステップをさらに含む、項目４６に記載の方法。
（項目４８）
成長の間、前記ワークピースホルダを平行移動させる率は、前記単結晶ダイヤモンドの成長率と略等しい、項目４７に記載の方法。
（項目４９）
前記ワークピース上の成長表面が、前記成長の間、略同一位置にあるように、前記ワークピースホルダを平行移動させるステップをさらに含む、項目４６に記載の方法。
（項目５０）
少なくとも１つの位置においてプロセスガスを前記プロセスチャンバ内に導入するステップをさらに含む、項目４６に記載の方法。
（項目５１）
前記少なくとも１つの位置は、堆積条件を改良するように選定される、項目５０に記載の方法。
（項目５２）
前記少なくとも１つの位置は、前記プロセスチャンバの壁上の望ましくない堆積物を低減させるように選定される、項目５０に記載の方法。
（項目５３）
冷却要素を前記ワークピースホルダに隣接して位置付け、前記ワークピースの温度を所望の動作温度に制御するステップをさらに含む、項目４６に記載の方法。
（項目５４）
前記単結晶ダイヤモンド材料を前記ワークピース上に成長させるステップは、前記単結晶ダイヤモンド材料を１．５センチメートルを上回る寸法まで成長させるステップを含む、項目４６に記載の方法。
本教示は、概して、種々の材料を堆積する目的のための分子ガスを解離するためのプラズマ放電の使用に関する。本教示の装置および方法の一側面は、分子ガスを解離するためのプラズマ放電を使用して、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、グラフェン、および関連材料を形成することに関する。これらの材料のいくつかは、時として、概して、「合成ダイヤモンド」または「ラボで成長されたダイヤモンド」と称される。合成ダイヤモンド材料は、単結晶材料、多結晶材料、およびナノ結晶材料を含む、種々の形態で成長されることができる。これらの合成ダイヤモンド材料は、切断ツール、研磨、放射をＵＶからＩＲに透過するための窓、レーザ光学、分光計光学、量子コンピューティング、放熱板、宝石、電子デバイス、電気化学デバイス、および放熱板における用途を含む、多くの用途を有する。