Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月3日(2007.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像に対して重み付き平均化処理を施して加工画像を生成する重み付き平均化手段と、
前記加工画像に対してエッジ判定を行う判定手段と、
前記加工画像に対して平滑化処理を行う平滑化手段と、
前記入力画像に対してエッジ強調処理を行うエッジ強調手段と、
前記入力画像の各画素について、前記判定手段の判定結果に基づいて前記平滑化手段又は前記エッジ強調手段のいずれかの処理結果を選択し、該画素の処理結果として出力する出力手段と、を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
入力画像に対して重み付き平均化処理を施して加工画像を生成する重み付き平均化手段と、
前記加工画像に対してエッジ判定を行う判定手段と、
前記加工画像に対して平滑化処理を行う平滑化手段と、
前記加工画像に対してエッジ強調処理を行うエッジ強調手段と、
前記入力画像の各画素について、前記判定手段の判定結果に基づいて前記平滑化手段又は前記エッジ強調手段のいずれかの処理結果を選択し、該画素の処理結果として出力する出力手段と、を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】
前記入力画像のモードとして、平滑化優先モード又はエッジ強調優先モードのいずれかを記憶する記憶手段を備え、
前記重み付き平均化手段は、前記記憶手段に記憶された前記入力画像のモードが前記平滑化優先モードである場合、前記エッジ強調優先モードである場合に比較して、入力画像の重み付き平均化処理における着目画素の重みを小さくすることを特徴とする請求項１又は２記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記重み付き平均化手段は、以下の式に従って加工画像を生成し、
Ｋ（ｉ、ｊ）＝（Ｖ（ｉ−１、ｊ−１）＋Ｖ（ｉ−１、ｊ）＋Ｖ（ｉ−１、ｊ＋１）＋Ｖ（ｉ、ｊ−１）＋Ｖ（ｉ、ｊ）＋Ｖ（ｉ、ｊ＋１）＋Ｖ（ｉ＋１、ｊ−１）＋Ｖ（ｉ＋１、ｊ）＋Ｖ（ｉ＋１、ｊ＋１）＋ｋ×Ｖ（ｉ、ｊ））／（９＋ｋ）；
ここで、Ｋ（ｉ、ｊ）は加工画像における着目画素の画素値であり、Ｖ（ｉ、ｊ）は入力画像における着目画素の画素値であり、ｋは重みパラメータであり、
前記平滑化優先モードの重みパラメータｋの値は、前記エッジ強調優先モードに対応する重みパラメータｋの値よりも小さくなるように設定されている請求項３記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記入力画像のモードとして、平滑化優先モード又はエッジ強調優先モードのいずれかを記憶する記憶手段を備え、
前記エッジ強調手段は、前記記憶手段に記憶された入力画像のモードが前記平滑化優先モードである場合、前記エッジ強調優先モードである場合に比較して、エッジ強調の程度を抑制することを特徴とする請求項１又は２記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記エッジ強調手段は、以下の式に従ってエッジ強調処理を行い、
Ｅ（ｉ、ｊ）＝ｒ×Ｋ（ｉ、ｊ）−（ｒ−１）×Ｈ（ｉ、ｊ）；
ここで、Ｅ（ｉ、ｊ）はエッジ強調画像における着目画素の画素値であり、Ｋ（ｉ、ｊ）は加工画像における着目画素の画素値であり、Ｈ（ｉ、ｊ）は平滑化画像における着目画素の画素値であり、ｒはエッジ強調処理における強調パラメータであり、
前記平滑化優先モードの強調パラメータｒの値は、前記エッジ強調優先モードに対応する重み強調パラメータｒの値よりも小さくなるように設定されている請求項５記載の画像処理装置。
【請求項７】
入力画像に対して平滑化処理を行う平滑化手段と、
前記入力画像に対してエッジ強調処理を行うエッジ強調手段と、
前記入力画像の各画素について、前記平滑化手段又は前記エッジ強調手段のいずれかの処理結果を選択し、該画素の処理結果として出力する出力手段と、を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項８】
入力画像に対して重み付き平均化処理を施して加工画像を生成する重み付き平均化手段と、
前記加工画像に対してエッジ判定を行う判定手段と、
前記加工画像に対して平滑化処理を行う平滑化手段と、
前記入力画像に対してエッジ強調処理を行うエッジ強調手段と、
前記入力画像の各画素について、前記判定手段の判定結果に基づいて前記平滑化手段又は前記エッジ強調手段のいずれかの処理結果を選択し、該画素の処理結果として出力する出力手段と、
原稿画像を読み取り、画像を入力する入力手段と、を備えることを特徴とするスキャナ装置。
【請求項９】
前記画像処理装置は、写真原稿の読み取りに適したスキャンモードを指定した場合に、前記記憶手段に入力画像のモードとして平滑化優先モードを記憶し、テキスト原稿の読み取りに適したスキャンモードを指定した場合に、前記記憶手段に入力画像のモードとしてエッジ強調優先モードを記憶することを特徴とする、請求項８記載のスキャナ装置。
【請求項１０】
入力画像に対して重み付き平均化処理を施して加工画像を生成する重み付き平均化手段と、
前記加工画像に対してエッジ判定を行う判定手段と、
前記加工画像に対して平滑化処理を行う平滑化手段と、
前記入力画像に対してエッジ強調処理を行うエッジ強調手段と、
前記入力画像の各画素について、前記判定手段の判定結果に基づいて前記平滑化手段又は前記エッジ強調手段のいずれかの処理結果を選択し、該画素の処理結果として出力する出力手段と、
前記出力手段の出力結果に基づき印刷処理を実行する印刷手段と、を備えることを特徴とする、プリンタシステム。
【請求項１１】
入力画像に対して重み付き平均化処理を施して加工画像を生成する重み付き平均化工程と、
前記加工画像に対してエッジ判定を行う判定工程と、
前記加工画像に対して平滑化処理を行う平滑化工程と、
前記入力画像に対してエッジ強調処理を行うエッジ強調工程と、
前記入力画像の各画素について、前記判定工程の判定結果に基づいて前記平滑化工程又は前記エッジ強調工程のいずれかの処理結果を選択し、該画素の処理結果として出力する出力工程と、を備えることを特徴とする画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置及びその方法、スキャナ装置、プリンタシステム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
Ｅ（ｉ、ｊ）＝ｒ×Ｋ（ｉ、ｊ）−（ｒ−１）×Ｈ（ｉ、ｊ）                （３）
なお、Ｅ（ｉ、ｊ）はエッジ強調画像データにおける着目画素の画素値である。また、（３）式中のＨ（ｉ、ｊ）は、平滑化モジュールの処理結果を参照するように構成してもよいし、エッジ強調モジュールにおいて別途（２）式に基づいて求めるように構成してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月27日(2007.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図１は本発明の一実施例に係る半導体製造装置全体を示す斜視図である。半導体製造装置内の環境を制御するチャンバ１の前面左上方には、レチクル（基板）用のＳＭＩＦシステムの開閉手段である複数のインデクサ２が配設され、チャンバ１の内部には、各ＳＭＩＦインデクサ２により半導体製造装置内に導入されたレチクルを搬送するレチクル搬送手段と、積層状に構成された基板収容棚である、レチクルを保管するレチクルストッカ１ａが設けられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
単一の基板を基板支持台と蓋部とで密閉収納したポッドＰ（図１でＰポッドの名が付されている直方体形状のもの。ＰはＰＯＤのＰである）の開閉を行なうＳＭＩＦインデクサ２のポッド載置面の高さは、レチクルストッカ１ａに対するレチクルの搬送面の高さより所定量高く設定されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
チャンバ外であるチャンバ１の側面には、複数のポッドＰを保管するポッドストッカ１０が配置されている。ポッドストッカ１０には、ポッド昇降台２０と、該ポッド昇降台２０を、床面からの高さが略９００ｍｍの第１の高さ位置にあり、この位置でポッドを装填する第１位置Ｓ1 から、床面からの高さが略1600ｍｍ以上の第２の高さ位置にある第２位置Ｓ2 まで、略鉛直方向に往復移動させる昇降手段３０とが配設され、ポッドストッカ１０の頂部の第２位置Ｓ2にポッド昇降台２０が上昇したときには、後述するようにポッドストッカ１０の開口１１から上にポッド昇降台２０が露出する。なお、この第2位置S２にて、前記ポッドＰを外部から装填することもできる。この第２位置Ｓ2 に搬送または装填されたポッドＰは、ポッドＰに形成されたハンドリング用部材を把持するロボットハンド３ａとこれを上下、および水平移動させるための昇降水平移動手段３ｂを有する水平搬送ロボット３によって各ＳＭＩＦインデクサ２へ搬送される。なお、昇降水平移動手段３ｂの機構は公知の機構、例えばパルスモーター、ボールネジ、リニアガイド等により構成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
前記第２位置Ｓ2 の後方に位置する第３位置Ｓ3 にはポッド待機台４０が配設され、さらに、ポッド昇降台２０が第１位置Ｓ1から第２位置Ｓ2 へ上昇するエリアの後方には、複数の棚を有するポッド保持棚（ポッド収納棚）５０が、積層状に配置されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図３は、任意のＳＭＩＦインデクサ２から回収される空の回収ポッドＰ1 と任意のＳＭＩＦインデクサ２へ供給される供給ポッドＰ2 を交換するシーケンスを説明するための図である。回収ポッドＰ1 は、図３の（ａ）に示すように、ロボットハンド３ａと昇降水平移動手段３ｂにより第２位置Ｓ2 より高い位置に運ばれ、供給ポッドＰ2 はポッド昇降台２０上に載置され、昇降手段３０により第２位置Ｓ2 より少し低い位置に待機する。続いて、図３の（ｂ）に示すように、第３位置Ｓ3のポッド待機台４０のスライド板４２が第２位置Ｓ2 へ移動し、ロボットハンド３ａから回収ポッドＰ1 を受け取る。該第２位置がポットの受渡位置である。ロボットハンド３ａが回収ポッドＰ1 を開放したら、図３の（ｃ）に示すように、ポッド待機台４０のスライド板４２が台板４１を第３位置Ｓ3 へ後退させ、ポッド昇降台２０が第２位置Ｓ2 まで上昇する。ロボットハンド３ａが回収ポッドＰ1 を受け取った後、開放するまでが第２のポット搬送手段である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
図１１は、特定のレチクルＲ００６をレチクルストッカ１aまで搬送するシーケンスを説明したフローチャートである。
レチクルＲ００６をＲＳ６へ収納する動作開始は、まず、レチクルＲ006が不図示のコントローラ内のデータベースに存在するかどうかの確認から始まる。ステップＳ２０でレチクルＲ００６をテーブルで検出し、当レチクルの存在を確認した場合（ステップＳ２１）、ポッド保持棚５０、インデクサ2、及びレチクルストッカ１aのどこに所在しているかをテーブル上（図12）で探す。本実施例ではポッド保持棚５０の棚PS６にポッドＰ006内に収納されたレチクルＲ006を確認したため（ステップＳ２２）、第１の搬送手段であるポッド昇降台２０がポッドＰ006を棚ＰＳ6から取り出し第２位置Ｓ２に搬送する（ステップＳ２３）。Ｐ006は、ポッド保持棚５０の棚PS６の１つのショットに与えられたIDである。これに伴いテーブルデータ変更（ステップＳ２４）を行う。ステップＳ２５では、第２位置Ｓ２からは第２の搬送手段である水平ハンドが当該ポッドＰ006を受け取ってインデクサ２のＬＰ１に搬送する。ステップＳ２６でポッドＰ006がインデクサ2のＬＰ１に搬送されたことが確認された時に、ステップＳ２７で管理テーブルの内容が変更される（図１３）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
そして、ＬＰ１にてポッドＰ006が蓋２aと支持台２bの分離がされた後、レチクル搬送ロボットがレチクルＲ006をつかんでレチクルストッカ１aの中の１のスロットのIDであるＲＳ6に搬送して収納する（ステップＳ２８）。テーブルデータ変更（ステップＳ２９）を行い、レチクルストッカ１aのスロットRS6に存在を確認（ステップＳ３０）した後、管理テーブルを書き換える（ステップＳ３１）。このシーケンスでは、その後インデクサＬＰ１が上昇して中にレチクルＰ006が存在していない空のポッドＰ006が前記第２の搬送手段である水平搬送ロボット3で前記第２位置S２に運ばれ（ステップＳ３２）、この位置にて第１の搬送手段であるポッド昇降台２０に受け渡される。テーブルデータ変更（ステップＳ３３）後、ポッド昇降台は下降して、空のポッドＰ006をポッド保持棚５０内の棚ＰＳ6に収納し（ステップＳ３４）、その所在を確認（ステップＳ３５）した後、ステップＳ３６にて管理テーブルを書き換えて（図１４）、一連の搬送シーケンスを終了する。
なお、上記の説明では、次のレチクルＲをレチクルストッカ１aに収納するために空のポッドをポッドストッカ１aに収納したが、途中のＬＰ１にて空のポッドを待機させてもかまわない。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月1日(2007.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層を含む半導体層を有し、実装面側に第１および第２の電極が設けられるフリップチップ型の発光素子において、
前記半導体層は、形成基板を除去したものであり、
前記半導体層の光放射面側に設けられる前記形成基板以上の屈折率材料からなる透光性高屈折率材料層とを有することを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記透光性高屈折率材料層は、表面に凹凸状の粗面部を有する請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記半導体層は、形成基板を除去したものであり、前記透光性高屈折率材料層は前記発光素子幅の１／５以上の厚みを有する請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記透光性高屈折率材料層は、前記半導体層に接する第１の層と、前記第１の層に積層される第２の層からなる請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
発光層を含み形成基板を除去した半導体層と、
前記半導体層に貼り付けられ前記形成基板以上の屈折率材料からなる透光性高屈折率材料層とを有し、前記透光性高屈折率材料層はガラスであることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
前記透光性高屈折率材料層は、蛍光体を含むことを特徴とする請求項４又は５に記載の発光素子。
【請求項７】
前記透光性高屈折率材料層は、表面に凹凸形状部が設けられていることを特徴とする請求項５又は６に記載の発光素子。
【請求項８】
前記透光性高屈折率材料層は、コーナーカットされた形状であることを特徴とする請求項５に記載の発光素子。
【請求項９】
前記半導体層と前記透光性高屈折率材料層との界面に凹凸形状部を有することを特徴とする請求項５から８のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記凹凸形状部は、柱面形状であることを特徴とする請求項９に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記半導体層は、サファイア基板上に結晶成長に基づいて形成されたＧａＮ系半導体層であり、前記透光性高屈折率材料層は、屈折率ｎ＝１．７以上であることを特徴とする請求項３から１０のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記蛍光体は、蛍光錯体あるいは粒子状の蛍光体であることを特徴とする請求項６に記載の発光素子。
【請求項１３】
下地基板を準備する基板準備工程と、
前記下地基板に半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層から前記下地基板をリフトオフするリフトオフ工程と、
前記下地基板をリフトオフされた前記半導体層の前記下地基板取り付け側に前記下地基板以上の屈折率材料からなる透光性高屈折率材料層を設ける透光性高屈折率材料層形成工程と、
前記透光性高屈折率材料層を設けられた前記半導体層に電極を形成する電極形成工程とを含むことを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記半導体層形成工程は、前記下地基板としてのサファイア基板上に前記半導体層としてのＧａＮ系半導体層を形成することを特徴とする請求項１３に記載の発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上記の目的を達成するため、発光層を含む半導体層を有し、実装面側に第１および第２の電極が設けられるフリップチップ型の発光素子において、前記半導体層は、形成基板を除去したものであり、前記半導体層の光放射面側に設けられる前記形成基板以上の屈折率材料からなる透光性高屈折率材料層とを有する発光素子を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明は、上記の目的を達成するため、発光層を含み形成基板を除去した半導体層と、前記半導体層に貼り付けられ前記形成基板以上の屈折率材料からなる透光性高屈折率材料層とを有し、前記透光性高屈折率材料層はガラスである発光素子を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、上記の目的を達成するため、下地基板を準備する基板準備工程と、前記下地基板に半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層から前記下地基板をリフトオフするリフトオフ工程と、前記下地基板をリフトオフされた前記半導体層の前記下地基板取り付け側に前記下地基板以上の屈折率材料からなる透光性高屈折率材料層を設ける透光性高屈折率材料層形成工程と、前記透光性高屈折率材料層を設けられた前記半導体層に電極を形成する電極形成工程とを含む製造方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月24日(2007.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
上記した構成を有する支持部７では、駆動部７５が制御部８０からの駆動信号によって図示省略する駆動連結部を介して可動ロッド７３を上昇駆動させることにより、可動ロッド７３の先端部がフィルム７１の円筒状凹部の上底面に当接してそのままフィルム７１の上面中央部を押上げる。これにより、スピンベース５の上面側に埋設されているフィルム７１の上面がスピンベース５の延出部５ａの上面から突出する。このため、複数の支持部７のフィルム７１の全て（若しくは少なくとも３個以上）を突出させることで、フィルム７１を基板Ｗの下面と当接させつつ基板Ｗをスピンベース５の延出部５ａの上面から離間（例えば、１ｍｍ程度）させて水平支持することが可能となる（図５）。一方で、駆動部７５が可動ロッド７３を下降駆動させると、可動ロッド７３の先端部はフィルム７１の円筒状凹部の上底面から離間されて、フィルム７１の上面をスピンベース５の延出部５ａの上面と同一平面内に収容する。このため、突出させた複数の支持部７のフィルム７１のうち少なくとも３個を残して、その一部を下降させることで、下降させたフィルム７１を基板Ｗの下面から離間させることが可能となる。なお、このようなフィルム７１は、可撓性を有するとともに処理液に対する耐腐食性を有する樹脂により成形される。好ましくは、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）等のフッ素樹脂が用いられる。このように、この実施形態ではフィルム７１が本発明の「支持部材」に相当している。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月7日(2007.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の突起状電極が形成された半導体チップと、電気配線が表面に形成された回路基板と、前記半導体チップと前記回路基板に挟持され、絶縁性樹脂および絶縁性樹脂中に分散された異方性導電粒子からなる異方性導電部材とを有する半導体装置であって、前記突起状電極は、前記半導体チップと前記回路基板の熱圧着時の前記異方性導電部材の流動を阻害する形状であり、前記異方性導電部材中の前記異方性導電粒子の密度が一様ではないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記突起状電極は、めっきにより柱状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記突起状電極の形状は、端部に張り出しを有する鉤形の多角形であって、凹部を有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記突起状電極の形状は、弓形であって、凹部を有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記突起状電極の形状は、四角形であって、その一辺が前記異方性導電部材の流動方向と対向するように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記突起状電極の形状は、平行四辺形であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記突起状電極の形状は、台形であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
図２は、半導体チップ１の基板側表面に形成されているバンプ５の形状を示した平面図である。平行四辺形柱形状のバンプ５の配置を模式的に示したものである。
バンプ５は、図２の様に、長方形の半導体チップ１の対向する１対の長辺に沿って配列されている。
バンプ５は、図２の紙面に対して手前方向に柱状（突起状）になっている。
そして、平行四辺形柱形状のバンプ５は、図２のように傾けて配置されている。
回路基板４と半導体チップ１との間に配置された異方性導電フィルム２は、絶縁性樹脂及び絶縁性樹脂中に分散された異方性導電粒子６からなり、半導体チップ１と回路基板４とを熱圧着することにより、それらは接合される。
図２中の矢印は、実装時における異方性導電部材（異方性導電粒子を分散した絶縁性樹脂）の流れる方向を示したものである。
図中のバンプ５はそれぞれが、半導体チップ１を回路基板４に接続する際の圧力によって半導体チップ１の中心方向から外縁部に向かう異方性導電部材の移動を阻害する配置となっており、この配置によって異方性導電粒子６の捕捉数を増大させるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図３の例では、バンプは端部に張り出しを有する鉤形をしており、鉤形によって凹部を形成している。この鉤形の凹部が異方性導電部材の流動方向の上流方向を向くように鉤形バンプを配置することで、異方性導電部材の流れを阻止し、鉤形バンプの凹部で異方性導電粒子をせきとめ、より多くの異方性導電粒子を捉えることができる。図４の例では、バンプは弓形をしており、一方が凹、もう一方が凸形状をしている。異方性導電部材の流動方向の上流方向に凹形状が向くように弓形バンプを配置することで、弓形バンプの凹部で異方性導電粒子をせきとめ、より多くの異方性導電粒子を捉えることができる。図５の例では、平行四辺形バンプであり、鉤形バンプや弓形バンプのように凹部はないが、矩形バンプと比較して、異方性導電部材の流動方向に対し、より直角に近い角度の側面を持っており、従来技術のように矩形バンプを平行に整列させたものと比較して、異方性導電粒子をせきとめる効果が高く、より多くの異方性導電粒子を捉えることができる。ここで、図５の例は必ずしも平行四辺形バンプである必要はなく、傾斜して配置された長方形バンプや、片側のみが傾斜した側面をもつ台形バンプのようなものでも同様の効果が得られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
１  半導体チップ
２  異方性導電フィルム（絶縁性樹脂および異方性導電粒子を含む）
３  電気配線
４  回路基板
５  バンプ（突起状電極）
６  異方性導電粒子
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月1日(2007.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
III族元素窒化物結晶基板上にIII族元素窒化物結晶層が積層されたIII族元素窒化物半導体デバイスであって、前記基板が、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含む融解液（フラックス）中において、窒素含有ガスの窒素とIII族元素とを反応させて結晶化させることにより製造されたものであり、前記基板上に、薄膜層が形成されており、前記薄膜層における前記基板中の不純物の拡散係数が、前記基板における前記基板中の不純物の拡散係数よりも小さいことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
前記基板に、貫通転位が存在し、前記貫通転位の領域に不純物としてアルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方が存在する請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記不純物が、ＮａおよびＬｉの少なくとも一方である請求項１又は２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記貫通転位に対応する部分に前記薄膜層が形成されている請求項２又は３に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記薄膜層が、前記基板の表面全体に形成されている請求項１から４のいずれかに記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記薄膜層が、窒化シリコン（ＳｉＮ）である請求項１から５のいずれかに記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記薄膜層の厚みが、５ｎｍ以下である請求項６に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記薄膜層の厚みが、３ｎｍ以下である請求項６に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記薄膜層が、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌxＧａ1-xＮ（ただし、０＜ｘ＜１））および炭化シリコン（ＳｉＣ）からなる群から選択される少なくとも一つである請求項１から５のいずれかに記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記基板と前記結晶層との間に、前記薄膜層が形成されている請求項１から９のいずれかに記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記基板と前記薄膜層との間に、さらに、III族元素窒化物結晶層が形成されている請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
前記結晶層が、気相成長により形成されたものである請求項１から１１のいずれかに記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
前記融解液中のアルカリ金属が、Ｎａ、Ｌｉ、Ｋ、Ｒｂ、ＣｓおよびＦｒからなる群から選択される少なくとも一つである請求項１から１２のいずれかに記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記融解液中のアルカリ金属が、ＮａおよびＬｉの少なくとも一方である請求項１から１２のいずれかに記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記融解液中のアルカリ土類金属が、ＣａおよびＭｇの少なくとも一方である請求項１から１４のいずれかに記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
前記III族元素が、Ｇａ、ＡｌおよびＩｎからなる群から選択される少なくとも一つである請求項１から１５のいずれかに記載の半導体デバイス。
【請求項１７】
前記融解液がＮａおよびＬｉの少なくとも一方を含み、前記基板がＧａＮ基板であって、前記薄膜層が窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌxＧａ1-xＮ（ただし、０＜ｘ＜１））および炭化シリコン（ＳｉＣ）からなる群から選択される少なくとも一つである請求項１から１２のいずれかに記載の半導体デバイス。
【請求項１８】
前記基板が、ＮａおよびＬｉの少なくとも一方の不純物を含む請求項１７に記載の半導体デバイス。
【請求項１９】
前記融解液がＬｉ、ＮａおよびＳｎからなる群から選択される１つと、Ｃａとを含み、前記基板がＡｌＮ基板であって、前記薄膜層がダイヤモンドである請求項１から１２のいずれかに記載の半導体デバイス。
【請求項２０】
前記基板が、ＮａおよびＬｉの少なくとも一方の不純物を含む請求項１９に記載の半導体デバイス。
【請求項２１】
前記基板上に形成された前記薄膜層とともに、若しくは前記薄膜層に代えて側面に薄膜層が形成されている請求項１から２０のいずれかに記載の半導体デバイス。
【請求項２２】
レーザダイオード、発光ダイオードまたは電界効果トランジスタである請求項１から２１のいずれかに記載の半導体デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記薄膜層としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌxＧａ1-xＮ（ただし、０＜ｘ＜１））、炭化シリコン（ＳｉＣ）、窒化ゲルマニウム（ＧｅＮ2）、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモンド等があげられ、好ましくは窒化シリコン、窒化アルミニウムガリウム、窒化アルミニウムであり、より好ましくは窒化アルミニウムガリウムである。また、前記基板として、バルク結晶から形成されたIII族元素窒化物結晶基板を使用する場合、薄膜層が窒化アルミニウムであることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前記基板が、例えば、ＧａＮ基板である場合、薄膜層が窒化シリコン（ＳｉＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌxＧａ1-xＮ（ただし、０＜ｘ＜１））および炭化シリコン（ＳｉＣ）の少なくとも一つであることが好ましく、より好ましくは窒化アルミニウムガリウム、窒化アルミニウムであり、特に好ましくは窒化アルミニウムガリウムである。前記基板が、例えば、ＡｌＮ基板である場合、薄膜層がダイヤモンドであることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月20日(2007.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された、第１の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、
前記半導体基板上に形成され且つ前記第１の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの有する第１のゲート電極と絶縁膜を介して形成された第２のゲート電極を有する第２の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、を有し、
前記第１及び第２の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの各ゲート電極と交差する方向に、
第１の拡散層電極と、
前記第１の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの有する第１のゲート電極と当該第１のゲート電極に対応する第１のチャネル領域と、
前記第２の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの有する第２のゲート電極と当該第２のゲート電極に対応する第２のチャネル領域と、
前記第１の拡散層電極と、前記第１のチャネル領域と第２のチャネル領域を挟んで対向する第２の拡散層電極と、を有し、
前記第２の絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート絶縁膜は、電荷保持機能を有し、
前記第２のゲート電極による電圧特性の変化の寄与によって、前記第１の拡散層電極と前記第２の拡散層電極との間を流れる電流を制御し、且つ
前記第１の拡散層電極と前記第２の拡散層電極を結ぶチャネル方向に交差する方向に凸型半導体領域を有し、
前記第１の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの有する第１のチャネル領域が、前記凸型半導体領域の側壁に形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの有する第２のチャネル領域が、前記凸型半導体領域の側壁に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された、第１の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、
前記半導体基板上に形成され且つ前記第１の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの有する第１のゲート電極と絶縁膜を介して形成された第２のゲート電極を有する第２の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、を有し、
前記第１及び第２の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの各ゲート電極と交差する方向に、
第１の拡散層電極と、
前記第１の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの有する第１のゲート電極と当該第１のゲート電極に対応する第１のチャネル領域と、
前記第２の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの有する第２のゲート電極と当該第２のゲート電極に対応する第２のチャネル領域と、
前記第１の拡散層電極と、前記第１のチャネル領域と第２のチャネル領域を挟んで対向する第２の拡散層電極と、を有し、
前記第２の絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート絶縁膜は、電荷保持機能を有し、
前記第２のゲート電極による電圧特性の変化の寄与によって、前記第１の拡散層電極と前記第２の拡散層電極との間を流れる電流を制御し、且つ
前記第１の拡散層電極と前記第２の拡散層電極を結ぶチャネル方向に交差する方向に凸型半導体領域を有し、
前記第２の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの有する第２のチャネル領域が、前記凸型半導体領域の側壁に形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記第１の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの有する第１のチャネル領域が、前記半導体基板の前記凸型半導体領域を除く基板面或いはこの半導体基板の上面と平行な面に形成されたことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体基板に、請求項１より請求項４の少なくともいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置の複数個と、絶縁ゲート型電界効果トランジスタとを有し、少なくとも一つの絶縁ゲート型電界効果トランジスタのチャネルが、前記半導体基板の前記凸型半導体領域を除く基板面或いはこの半導体基板の上面と平行な面に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
半導体基板と、
前記半導体基板に形成された第１素子分離酸化膜と、
前記半導体基板に形成された第２素子分離酸化膜と、
前記半導体基板上に、第１絶縁膜を介して形成された第１ゲート電極と、
前記半導体基板上に、第２絶縁膜を介して形成された、前記第１ゲート電極に隣接する第２ゲート電極とを有し、
前記第２絶縁膜は、電荷蓄積膜を有し、
前記第１ゲート電極は、前記第１素子分離酸化膜上に形成され、
前記第２ゲート電極は、前記第２素子分離酸化膜上に形成され、
前記第２素子分離絶縁膜の表面は、前記第１素子分離酸化膜の表面よりも後退していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置において、
更に、前記半導体基板に形成された第３素子分離酸化膜と、
前記半導体基板上に、第３絶縁膜を介して形成された第３ゲート電極とを有し、
前記第３ゲート電極は、前記第３素子分離酸化膜上に形成され、
前記第２素子分離酸化膜の表面は、前記第３素子分離酸化膜の表面よりも後退していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置において、
前記第１ゲート電極および前記第２ゲート電極は、メモリアレー領域内に形成され、前記第３ゲート電極は、周辺回路領域内に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
所望に準備された半導体基板に、不揮発性半導体記憶装置を形成する領域に対応して、少なくとも一つの絶縁ゲート型電界効果型トランジスタの形成する領域を覆うマスクを介する、或いは当該絶縁ゲート型電界効果型トランジスタのゲート電極を介して前記半導体基板に半導体凸型領域を形成する工程、前記半導体凸型領域の少なくとも側壁に絶縁物層を介してゲート電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月30日(2007.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版を保持する原版ステージと、
前記基板を保持する基板ステージと、
前記原版のパターンを前記基板に投影する投影系と、
前記原版ステージを支持する原版ステージ定盤と、
前記基板ステージを支持する基板ステージ定盤と、
前記投影系を支持する投影系マウント定盤と、を有し、
前記基板を真空チャンバ内で露光する露光装置であって、
前記原版ステージ、前記基板ステージ、前記投影系、前記原版ステージ定盤、前記基板ステージ定盤および前記投影系マウント定盤の少なくとも１つを除振機構を介して前記真空チャンバから支持し、
前記原版ステージ、前記基板ステージ、前記投影系、前記原版ステージ定盤、前記基板ステージ定盤および前記投影系マウント定盤を取り囲む前記真空チャンバは、分離及び結合可能な複数のチャンバ分割体を組み合わせたモジュール構造から成ることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記除振機構がゴムベローズ等の空圧型アクチュエータを使用した除振機構であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記モジュール構造をなし分割可能な複数のチャンバ分割体を分離・結合する面には気密を保持するシール構造を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記シール構造にはＯリング或いは金属ガスケットを使用したことを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記モジュール構造をなし分割可能なチャンバ分割体には自立移動可能な自立移動手段が具備されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の露光装置。
【請求項６】
前記自立移動手段が油圧シリンダによる昇降機構及びエアキャスタによる移動機構であることを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の露光装置を用いて露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置及びデバイス製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明の露光装置は、原版を保持する原版ステージと、前記基板を保持する基板ステージと、前記原版のパターンを前記基板に投影する投影系と、前記原版ステージを支持する原版ステージ定盤と、前記基板ステージを支持する基板ステージ定盤と、前記投影系を支持する投影系マウント定盤と、を有し、前記基板を真空チャンバ内で露光する露光装置であって、前記原版ステージ、前記基板ステージ、前記投影系、前記原版ステージ定盤、前記基板ステージ定盤および前記投影系マウント定盤の少なくとも１つを除振機構を介して前記真空チャンバから支持し、前記原版ステージ、前記基板ステージ、前記投影系、前記原版ステージ定盤、前記基板ステージ定盤および前記投影系マウント定盤を取り囲む前記真空チャンバは、分離及び結合可能な複数のチャンバ分割体を組み合わせたモジュール構造から成ることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月27日(2007.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版面に描かれたパターンを、投影光学系を介して基板に投影転写する露光装置において、
該原版に当接し保持位置決めを行なう為の原版保持面が設けられた第１の原版保持部位と、前記第１の原版保持部位の原版保持面に対して異なる位置で該原版に当接し保持を行ない、前記第１の原版保持部位に対して相対的に変位可能に支持された第２の原版保持部位が設けられたことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記第１の原版保持部位及び前記第２の原版保持部位の少なくともいずれかの原版保持面に、真空吸引手段または静電吸引手段が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第１の原版保持部位と前記第２の原版保持部位は、該原版を保持する際に、両者の該原版保持部位の該原版保持面が該原版に当接することを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項４】
前記第２の原版保持部位の該原版保持面に真空吸引溝を有し、該真空吸引溝に該原版面と部分当接する部位を複数箇所設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記第２の原版保持部位は、該原版面に対して略鉛直方向に弾性変位可能であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記第２の原版保持部位は、前記第１の原版保持部位の外周部に設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
複数の前記第１の原版保持部位間に前記第２の原版保持部位が一体的に設けられていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記第２の原版保持部位は、該原版面の位置決め計測手段の計測光透過孔が設けられていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記第２の原版保持部位は、複数の分割体を備えてなり、各分割体の原版保持面が該原版に対して独立して変位可能なことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の露光装置を用いて露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明では、前記第２の原版保持部位は、該原版面に対して略鉛直方向に弾性変位可能であることを特徴としてもよく、前記第２の原版保持部位は、前記第１の原版保持部位の外周部に設けられていることを特徴としてもよく、複数の前記第１の原版保持部位間に前記第２の原版保持部位が一体的に設けられていることを特徴としてもよく、前記第２の原版保持部位は、該原版面の位置決め計測手段の計測光透過孔が設けられていることを特徴としてもよく、前記第２の原版保持部位は、複数の分割体を備えてなり、各分割体の原版保持面が該原版に対して独立して変位可能なことが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
まず、図１〜図４を用いて本発明の実施例１に係る露光装置を説明する。ここで、１は、照明系ユニットであり、露光光を光源から導出し、成形均一な露光光とする。２は、レチクルステージであり、露光原版（レチクル）を搭載し、露光光に対して原版（レチクル）をスキャン露光させる。３は、縮小投影レンズであり、原版（レチクル）面に描かれたパターンを、シリコン基板より成るウエハ上に縮小投影する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
ここで、図５（１）は、レチクルクランプ７の上面に、レチクル６がクランプ位置決め保持されている状態を示す。
図５（２）にクランプ状態を断面図にて示す。
ここで、レチクルクランプ７は、レチクル６をZ方向で位置決めする、第１の原版保持部位であるZ位置決め７Bと、レチクル６に対して弾性的に真空クランプする第２の原版保持部位であるレチクル弾性チャック７Aとが設けられている。
さらに、Z位置決め７Bのピンチャックの外周部を含む周辺部に、Z位置決め７Bのピンチャックに対して、相対的に変位可能に支持された弾性変位可能なレチクル弾性チャック７Aが配置される。レチクル弾性チャック７Aはレチクル面に対して略鉛直方向に弾性変位可能である。第１の原版保持部位であるZ位置決め７Bが複数ある場合において、該複数のZ位置決め７Bの間に第２の原版保持部位であるレチクル弾性チャック７Aを一体的に設けることも可能である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
レチクル弾性チャック７Aの実装状態を、図６に示す。
レチクル弾性チャック７Aは、レチクル６との当接面に吸着するために、吸引溝７Hおよび部分的にレチクル６に当接する、即ち、真空吸引溝に原版面と部分当接するピン７Fが設けられ、吸引溝７Hに対しては真空吸引する為の真空吸引手段７Dと配管のバキューム孔７Gが設けられている。そして、最終的に図６（２）に示すように、吸引溝７Hを真空状態にすることにより、レチクル６に対してレチクル弾性チャック７Aが吸引クランプする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の実施例２に係るレチクルステージでレチクルをクランプした状態を、図８に示す。  実施例１では、レチクル弾性チャック７Aを、Z位置決め７Bに対して、片側に構成していたが、本実施例では、図８（１）及び（２）に示すように、Z位置決め７Bに対して両側に、レチクル弾性チャック７Jを設けることにより、非吸着時位置７Cから真空吸引手段７Dによる真空吸引圧力を、バキューム孔７G及びバキューム孔７Kを介して、レチクル弾性チャック７Jに与え、レチクル６に対してレチクル弾性チャック７Jを添わせて、吸引クランプする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月27日(2007.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基体を反応容器内でプラズマにより処理する装置であって、
プラズマ発生初期の所定時間前記反応容器内のガス圧力を増加する圧力制御手段を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
被処理基体を反応容器内でプラズマにより処理する装置であって、
プラズマ発生初期の所定時間プラズマ発生部と前記被処理基体との間に配置されプラズマ中のイオンの被処理基体への入射を遮断するシャッタ手段を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
被処理基体を反応容器内でプラズマにより処理する装置であって、
プラズマ発生初期の所定時間イオンが照射されない位置に前記被処理基体を退避させるステージを有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
被処理基体を反応容器内でプラズマにより処理する装置であって、
プラズマ発生初期の所定時間前記被処理基体を移動してプラズマ発生部から離間させるステージを有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記プラズマがマイクロ波プラズマであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
被処理基体を反応容器内でプラズマにより処理する方法であって、
プラズマ発生初期の所定時間前記反応容器内のガス圧力を増加させることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】
前記プラズマがマイクロ波プラズマであることを特徴とする請求項６に記載のプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明では、被処理基体を反応容器内でプラズマにより処理する際、プラズマ発生開始後の所定時間プラズマ中のイオンの被処理基体への入射を抑える手段を有することを特徴とする。
ここで、所定時間とはプラズマの発生を開始してプラズマの分布が被処理基体の窒化均一性を損ねない程度に安定するまでの時間であり、実測により求めることができるが、例えば１秒〜５秒である。
上記所定時間、前記入射を抑える手段は、プラズマ中のイオンを被処理基体に実質的に入射させない。実質的に入射させないとは、イオンフラックスを本処理時の略１／１０以下にすることである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
プラズマ中のイオンの被処理基体への入射を抑える手段としては、例えば、前記反応容器内のガス圧力を増加する圧力制御手段、プラズマ発生部と前記被処理基体との間に配置されプラズマ中のイオンの被処理基体への入射を遮断するシャッタ手段、イオンが照射されない位置に前記被処理基体を退避させるステージ、および被処理基体を移動してプラズマ発生部から離間させるステージのいずれかを用いることができる。
圧力制御手段は、イオンを実質的に入射させない時、前記反応容器内のガス圧力を通常処理時の５倍以上かつ１００Ｐａ以上とするとよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月5日(2007.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域と、高濃度不純物領域と、低濃度不純物領域とを有する半導体層と、
前記半導体層の上に絶縁膜を介して配置された、積層構造からなるゲート電極と、
前記絶縁膜の上に配置され、前記積層構造からなるゲート電極の側面を覆うサイドウォールと、を有し、
前記積層構造からなるゲート電極は、前記絶縁膜の上に配置された第１層ゲート電極と、前記第１層ゲート電極の上に配置された第２層ゲート電極と、を有し、
前記第１層ゲート電極の幅は前記第２層ゲート電極の幅より小さく、
前記低濃度不純物領域は、前記チャネル形成領域と前記高濃度不純物領域との間に配置されており、
前記低濃度不純物領域は、前記サイドウォールと重なる位置に配置されており、
前記チャネル形成領域は、前記第１層ゲート電極と重なる位置に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
チャネル形成領域と、高濃度不純物領域と、低濃度不純物領域と、オフセット領域とを有する半導体層と、
前記半導体層の上に絶縁膜を介して配置された、積層構造からなるゲート電極と、
前記絶縁膜の上に配置され、前記積層構造からなるゲート電極の側面を覆うサイドウォールと、を有し、
前記積層構造からなるゲート電極は、前記絶縁膜の上に配置された第１層ゲート電極と、前記第１層ゲート電極の上に配置された第２層ゲート電極と、を有し、
前記第１層ゲート電極の幅は前記第２層ゲート電極の幅より小さく、
前記低濃度不純物領域及びオフセット領域は、前記チャネル形成領域と前記高濃度不純物領域との間に配置されており、
前記オフセット領域は、前記チャネル形成領域と前記低濃度不純物領域との間に配置されており、
前記低濃度不純物領域は、前記サイドウォールと重なる位置に配置されており、
前記チャネル形成領域は、前記第１層ゲート電極と重なる位置に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１層ゲート電極の端部の一方は、前記第２層ゲート電極の端部の一方よりもアンダーカット長だけ短くなっており、
前記アンダーカット長は、０．０５μｍ〜０．３μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
チャネル形成領域と、高濃度不純物領域と、低濃度不純物領域と、オフセット領域とを有する半導体層と、
前記半導体層の上に絶縁膜を介して配置された、積層構造からなるゲート電極と、
前記絶縁膜の上に配置され、前記積層構造からなるゲート電極の側面を覆うサイドウォールと、を有し、
前記積層構造からなるゲート電極は、前記絶縁膜の上に配置された第１層ゲート電極と、前記第１層ゲート電極の上に配置された第２層ゲート電極と、を有し、
前記第１層ゲート電極の幅は前記第２層ゲート電極の幅より小さく、
前記低濃度不純物領域及びオフセット領域は、前記チャネル形成領域と前記高濃度不純物領域との間に配置されており、
前記オフセット領域は、前記チャネル形成領域と前記低濃度不純物領域との間に配置されており、
前記低濃度不純物領域は、前記サイドウォールと重なる位置に配置されており、
前記チャネル形成領域は、前記第１層ゲート電極と重なる位置に配置されており、
前記第１層ゲート電極の端部の一方と前記第２層ゲート電極の端部の一方とは重なって形成されており、
前記低濃度不純物領域及び前記オフセット領域は、前記第１層ゲート電極の端部の他方と前記第２層ゲート電極の端部の他方とが配置された側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１層ゲート電極の端部の他方は、前記第２層ゲート電極の端部の他方よりもアンダーカット長だけ短くなっており、
前記アンダーカット長は、０．０５μｍ〜０．３μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
半導体層の上に配置された絶縁膜の上に、第１の導電膜と第２の導電膜とを順次形成し、
前記第２の導電膜を異方性エッチングして第２層ゲート電極を形成し、
前記第１の導電膜を等方性エッチングして前記第２層ゲート電極の幅より小さい幅を有する第１層ゲート電極を形成し、
前記第２層ゲート電極をマスクとして、前記半導体層に低濃度の不純物元素を添加し、
前記第１層ゲート電極及び前記第２層ゲート電極の側面を覆って、サイドウォールを形成し、
前記第２層ゲート電極及び前記サイドウォールをマスクとして、前記半導体層に高濃度の不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記低濃度の不純物元素が前記第１層ゲート電極の端部と隣接する領域に添加されないような条件で、前記低濃度の不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７において、
前記第１層ゲート電極の端部の一方は、前記第２層ゲート電極の端部の一方よりもアンダーカット長だけ短く、前記アンダーカット長が０．０５μｍ〜０．３μｍとなるように前記等方性エッチングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
半導体層の上に配置された絶縁膜の上に、第１の導電膜と第２の導電膜とを順次形成し、
前記第２の導電膜を異方性エッチングして第２層ゲート電極を形成し、
前記第１の導電膜の端部の一方が前記第２層ゲート電極の端部の一方の側に突出し、前記第１の導電膜の端部の他方と前記第２層ゲート電極の端部の他方とが重なる形状になるように、前記第１の導電膜をエッチングし、
前記第１の導電膜を等方性エッチングして前記第２層ゲート電極の幅より小さい幅を有する第１層ゲート電極を形成し、
前記第２層ゲート電極をマスクとして、前記半導体層に不純物元素を添加し、
前記第１層ゲート電極及び前記第２層ゲート電極の側面を覆って、サイドウォールを形成し、
前記第２層ゲート電極及び前記サイドウォールをマスクとして、前記半導体層に不純物元素を添加し、
前記第１層ゲート電極の端部の一方と前記第２層ゲート電極の端部の一方とは重なる位置になるように形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第１層ゲート電極の端部の他方は、前記第２層ゲート電極の端部の他方よりもアンダーカット長だけ短く、前記アンダーカット長が０．０５μｍ〜０．３μｍとなるように前記等方性エッチングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。