【手続補正書】
【提出日】平成19年6月15日(2007.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に触媒元素を添加した後に加熱して、第１の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性半導体膜上に不純物元素を有する第２の半導体膜を形成した後、前記第１の結晶性半導体膜及び前記第２の半導体膜を加熱して、第２の結晶性半導体膜及び第３の結晶性半導体膜を形成し、
前記第２の結晶性半導体膜及び前記第３の結晶性半導体膜をエッチングして、第１の半導体領域及び第２の半導体領域を形成し、
前記第２の半導体領域に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして前記第２の半導体領域の露出部をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記不純物元素はリン、窒素、ヒ素、アンチモン、ビスマスから選ばれた元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に触媒元素を添加した後に加熱して、第１の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性半導体膜上に希ガス元素を有する第２の半導体膜を形成した後、前記第１の結晶性半導体膜及び前記第２の半導体膜を加熱して、第２の結晶性半導体膜及び第３の結晶性半導体膜を形成し、
前記第３の結晶性半導体膜を除去し、
前記第２の結晶性半導体膜上に導電性を有する第３の半導体膜を形成し、
前記第２の結晶性半導体膜及び前記第３の半導体膜をエッチングして、第１の半導体領域及び第２の半導体領域を形成し、
前記第２の半導体領域に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして前記第２の半導体領域の露出部をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記導電性を有する第３の半導体膜は、１３族元素または１５族元素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に第１のゲート電極及び第２のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に触媒元素を添加した後に加熱して、第１の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性半導体膜上に第１の不純物元素を有する第２の半導体膜を形成した後、前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜を加熱して、第２の結晶性半導体膜及び第３の結晶性半導体膜を形成し、
前記第２の結晶性半導体膜及び前記第３の結晶性半導体膜をエッチングして、第１の半導体領域及び第２の半導体領域、並びに第３の半導体領域及び第４の半導体領域を形成し、
前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域を第１のマスクで覆い、かつ前記
第４の半導体領域の一部を第２のマスクで覆った後、前記第４の半導体領域に第２の不純物元素を添加し、
前記第１のマスク及び前記第２のマスクを除去した後、前記第２の半導体領域及び前記第４の半導体領域を加熱し、
前記第２の半導体領域に接するソース電極及びドレイン電極、並びに前記第４の半導体領域に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記第２の半導体領域に接するソース電極及びドレイン電極、並びに前記第４の半導体領域に接するソース電極及びドレイン電極をマスクとして前記第２の半導体領域の露出部及び前記第４の半導体領域の露出部をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域をそれぞれ形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に第１のゲート電極及び第２のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に触媒元素を添加した後に加熱して、第１の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性半導体膜をエッチングして第１の半導体領域及び第２の半導体領域を形成し、
前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域それぞれの一部を覆う第１のマスクを形成した後、前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域に第１の不純物元素を添加し、
前記第１のマスクを除去した後、前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域を加熱し、
前記第１の半導体領域、及び前記第２の半導体領域の一部を第２のマスクで覆った後、前記第２の半導体領域に第２の不純物元素を添加し、
前記第２のマスクを除去した後、前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域を加熱し、
前記第１の半導体領域において前記第１の不純物元素が添加された領域に接するソース電極及びドレイン電極、並びに前記第２の半導体領域において前記第２の不純物元素が添加された領域に接するソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に第１のゲート電極及び第２のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に触媒元素を添加した後に加熱して、第１の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性半導体膜上に希ガス元素を有する第２の半導体膜を形成した後、前記第１の結晶性半導体膜及び前記第２の半導体膜を加熱して、第２の結晶性半導体膜及び第３の結晶性半導体膜を形成し、
前記第３の結晶性半導体膜を除去し、
前記第２の結晶性半導体膜をエッチングして第１の半導体領域及び第２の半導体領域を形成し、
前記第１の半導体領域の一部及び前記第２の半導体領域を第１のマスクで覆った後、前記第１の半導体領域に第１の不純物元素を添加し、
前記第１のマスクを除去し、
前記第１の半導体領域、及び前記第２の半導体領域の一部を第２のマスクで覆った後、前記第２の半導体領域に第２の不純物元素を添加し、
前記第２のマスクを除去した後、前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域を加熱し、
前記第１の半導体領域において前記第１の不純物元素が添加された領域に接するソース電極及びドレイン電極、並びに前記第２の半導体領域において前記第２の不純物元素が添加された領域に接するソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に第１のゲート電極及び第２のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に触媒元素を添加した後に加熱して、第１の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性半導体膜上に第１の不純物元素を有する第２の半導体膜を形成した後、前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜を加熱して、第２の結晶性半導体膜及び第３の結晶性半導体膜を形成し、
前記第２の結晶性半導体膜及び前記第３の結晶性半導体膜をエッチングして、第１の半導体領域及び第２の半導体領域、並びに第３の半導体領域及び第４の半導体領域を形成し、
前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域をマスクで覆った後、前記第４の半導体領域に第２の不純物元素を添加し、
前記マスクを除去した後、前記第２の半導体領域及び前記第４の半導体領域を加熱し、
前記第２の半導体領域に接するソース電極及びドレイン電極、並びに前記第４の半導体領域に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記第２の半導体領域に接するソース電極及びドレイン電極、並びに前記第４の半導体領域に接するソース電極及びドレイン電極をマスクとして前記第２の半導体領域の露出部及び前記第４の半導体領域の露出部をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域をそれぞれ形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか一において、前記第１の不純物元素はリン、窒素、ヒ素、アンチモン、ビスマスから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項５乃至９のいずれか一において、前記第２の不純物元素は、ボロンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項３または７において、前記希ガス元素は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記触媒元素は、タングステン、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、コバルト、ニッケル、及び白金から選ばれる一つ又は複数であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一により形成された半導体装置を有するＥＬテレビジョン。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のいずれか一により形成された半導体装置を有する液晶テレビジョン。