【手続補正書】
【提出日】平成19年8月31日(2007.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィプロセスで使用するための解重合可能なトップコート材料を製造する方法であって、下記の工程：
少なくとも１つのシリカ源をゾル−ゲル法で処理することによって調製されたシリコン含有重合体を含む組成物の層をフォトレジストの層に隣接して適用すること；及び
トップコート材料の層を５０〜２００℃の温度に付し、トップコート材料中のシリコン含有重合体を含塩基水溶液に対する曝露により解重合すること；
を含んでなることを特徴とするトップコート材料を製造する方法。
【請求項２】
少なくとも１つのシリカ源が、少なくとも１つの、式ＲaＳｉ（ＯＲ1）4-aのシリカ源を含み、式中、
Ｒは独立して、水素原子、フッ素原子、フルオロアルキル基、ペルフルオロアルキル基、又は一価の有機基を表わし、
Ｒ1は独立して、一価の有機基を表わし、そして
ａは１〜３の範囲の整数である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
式中のＲが水素原子である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも１つのシリカ源が、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリ−ｎ−プロポキシシラン、トリイソプロポキシシラン、トリ−ｎ−ブトキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン及びトリフェノキシシランからなる群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つのシリカ源がトリエトキシシランを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１つのシリカ源がＳｉ、Ｏ、Ｈ、Ｃ及びＦを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記シリカ源が少なくとも１つのフルオロアルキル基を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記シリカ源が少なくとも１つのペルフルオロアルキル基を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも１つのシリカ源が、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルトリメトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）−トリエトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）−トリメトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロデシルトリエトキシシラン、ノナフルオロヘキシルトリメトキシシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリメトキシシラン及び（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシランからなる群から選択された少なくとも１つの化合物を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも１つのシリカ源が３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシランを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１つのシリカ源が、
メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリ−ｎ−プロポキシシラン、トリイソプロポキシシラン、トリ−ｎ−ブトキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン及びトリフェノキシシランからなる群から選択される少なくとも１つの化合物、及び
３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルトリメトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリエトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリメトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロデシルトリエトキシシラン、ノナフルオロヘキシルトリメトキシシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリメトキシシラン及び（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシランからなる群から選択される少なくとも１つの化合物
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも１つのシリカ源が、トリエトキシシラン及び３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシランを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
トップコートがさらに発色団を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１４】
前記発色団が５，８−ジヒドロキシ−１，４−ナフトキノンを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記発色団が２，４−ヘキサジエン酸を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
物品の上にパターン化された層を形成する方法であって、下記の工程：
材料層を含む物品を提供すること；
前記材料層上にフォトレジスト層を形成すること；
前記フォトレジスト層に隣接して、少なくとも１つのシリカ源をゾル−ゲル法で処理することにより調製されたシリコン含有重合体を含むトップコート材料を適用してコーティング済み物品を形成すること；
前記フォトレジスト層を、パターン化されたマスク及びトップコート材料を介して、画像形成用放射線に露光すること；
前記物品を含塩基水溶液と接触させてトップコート材料とフォトレジスト層の一部分を同時に除去し、パターン化されたフォトレジスト層を前記材料層上に形成すること；及び
フォトレジスト層内のパターンを前記材料層に転写し、その際、トップコート材料の重合体構成要素を含塩基水溶液との接触により解重合させること；
を含んでなることを特徴とするパターン化された層を形成する方法。
【請求項１７】
少なくとも１つのシリカ源が、少なくとも１つの、式ＲaＳｉ（ＯＲ1）4-aのシリカ源を含み、式中、
Ｒは独立して、水素原子、フッ素原子、フルオロアルキル基、ペルフルオロアルキル基、又は一価の有機基を表わし、
Ｒ1は独立して、一価の有機基を表わし、そして
ａは１〜３の範囲の整数である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
式中のＲが水素原子である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
少なくとも１つの、式ＲaＳｉ（ＯＲ1）4-aのシリカ源が、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリ−ｎ−プロポキシシラン、トリイソプロポキシシラン、トリ−ｎ−ブトキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン及びトリフェノキシシランからなる群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記化合物がトリエトキシシランである、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
少なくとも１つのシリカ源がＳｉ、Ｏ、Ｈ、Ｃ及びＦを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
前記シリカ源が少なくとも１つのフルオロアルキル基を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
前記シリカ源が少なくとも１つのペルフルオロアルキル基を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】
少なくとも１つのアルキル基が少なくとも１つのフルオロアルキル基を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２５】
少なくとも１つのシリカ源が、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルトリメトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）−トリエトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）−トリメトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロデシルトリエトキシシラン、ノナフルオロヘキシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリメトキシシラン及び（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシランからなる群から選択された少なくとも１つの化合物を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
前記シリカ源が３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシランを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
少なくとも１つのシリカ源が、
メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリ−ｎ−プロポキシシラン、トリイソプロポキシシラン、トリ−ｎ−ブトキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン及びトリフェノキシシランからなる群から選択される少なくとも１つの化合物、及び
３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルトリメトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）−トリエトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）−トリメトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロデシルトリエトキシシラン、ノナフルオロヘキシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリメトキシシラン及び（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシランからなる群から選択される少なくとも１つの化合物
を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２８】
少なくとも１つのシリカ源が、トリエトキシシラン及び３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシランを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
トップコートがさらに発色団を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項３０】
前記発色団が５，８−ジヒドロキシ−１，４−ナフトキノンを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記発色団が２，４−ヘキサジエン酸を含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
少なくとも１つのシリカ源のゾル−ゲル法による処理によって調製されたシリコン含有重合体；
安定剤；
溶媒；
任意に触媒；及び
任意に水；
を含み、かつｐＨが８未満である組成物。
【請求項３３】
少なくとも１つのシリカ源が、少なくとも１つの、式ＲaＳｉ（ＯＲ1）4-aのシリカ源を含み、式中、
Ｒは独立して、水素原子、フッ素原子、フルオロアルキル基、ペルフルオロアルキル基、又は一価の有機基を表わし、
Ｒ1は独立して、一価の有機基を表わし、
ａは１〜３の範囲の整数である、請求項３２に記載の組成物。
【請求項３４】
式中のＲが水素原子である、請求項３３に記載の組成物。
【請求項３５】
前記シリカ源が少なくとも１つのペルタフルオロスルフラニル基を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項３６】
リソグラフィプロセスで使用するためのトップコートであって、下記の工程：
少なくとも１つのシリカ源をゾル−ゲル法で処理することによって調製されたシリコン含有重合体を含む組成物の層を、その層がトップコートとして使用できる状態で、フォトレジスト層に隣接して適用すること；及び
任意に、前記トップコート材料の層を５０〜２００℃の温度に付すこと；
によって調製され、かつ
前記トップコート材料中のシリコン含有重合体が、含塩基水溶液に対する曝露により解重合することを特徴とするトップコート。
【請求項３７】
少なくとも１つのシリカ源が、少なくとも１つの、式ＲaＳｉ（ＯＲ1）4-aのシリカ源を含み、式中、
Ｒは独立して、水素原子、フッ素原子、フルオロアルキル基、ペルフルオロアルキル基、又は一価の有機基を表わし、
Ｒ1は独立して、一価の有機基を表わし、そして
ａは１〜３の範囲の整数である、請求項３６に記載のトップコート。
【請求項３８】
式中のＲが水素原子である、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
少なくとも１つのシリカ源が、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリ−ｎ−プロポキシシラン、トリイソプロポキシシラン、トリ−ｎ−ブトキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン及びトリフェノキシシランからなる群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項３７に記載の方法。
【請求項４０】
少なくとも１つのシリカ源がトリエトキシシランを含む、請求項３９に記載のトップコート。
【請求項４１】
少なくとも１つのシリカ源がＳｉ、Ｏ、Ｈ、Ｃ及びＦを含む、請求項３７に記載のトップコート。
【請求項４２】
前記シリカ源が少なくとも１つのフルオロアルキル基を含む、請求項３７に記載のトップコート。
【請求項４３】
前記シリカ源が少なくとも１つのペルフルオロアルキル基を含む、請求項３７に記載のトップコート。
【請求項４４】
少なくとも１つのシリカ源が、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルトリメトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）−トリエトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）−トリメトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロデシルトリエトキシシラン、ノナフルオロヘキシルトリメトキシシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリメトキシシラン及び（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシランからなる群から選択された少なくとも１つの化合物を含む、請求項４１に記載のトップコート。
【請求項４５】
少なくとも１つのシリカ源が３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシランを含む、請求項４１に記載のトップコート。
【請求項４６】
少なくとも１つのシリカ源が、
メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリ−ｎ−プロポキシシラン、トリイソプロポキシシラン、トリ−ｎ−ブトキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン及びトリフェノキシシランからなる群から選択される少なくとも１つの化合物、及び
３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルトリエトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）−トリエトキシシラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）−トリメトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロデシルトリエトキシシラン、ノナフルオロヘキシルトリメトキシシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリメトキシシラン及び（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル）トリエトキシシランからなる群から選択される少なくとも１つの化合物
を含む、請求項３６に記載のトップコート。
【請求項４７】
少なくとも１つのシリカ源が、トリエトキシシラン及び３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシランを含む、請求項４６に記載のトップコート。
【請求項４８】
トップコートがさらに発色団を含む、請求項３７に記載のトップコート。
【請求項４９】
前記発色団が５，８−ジヒドロキシ−１，４−ナフトキノンを含む、請求項４８に記載のトップコート。
【請求項５０】
前記発色団が２，４−ヘキサジエン酸を含む、請求項４８に記載のトップコート。