【手続補正書】
【提出日】平成20年6月19日(2008.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源であって、
プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
前記プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアと、
エネルギーの少なくとも１つのパルスを前記磁気コアに供給し、前記プラズマ放電領域内に形成されファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマに電力を送り、前記プラズマは局所的高輝度ゾーンを有する、パルス電力システムとを備える光源。
【請求項２】
前記プラズマは、前記プラズマ内の電流経路にそって電流密度を実質的に変化させる請求項１に記載の光源。
【請求項３】
前記ゾーンは、高輝度光の点源である請求項１に記載の光源。
【請求項４】
前記ゾーンは、前記プラズマがピンチ効果で収縮し、ネックを形成する領域である請求項１に記載の光源。
【請求項５】
前記室内の特徴は、前記ゾーンを形成する請求項１に記載の光源。
【請求項６】
ガス圧力は、前記ゾーンを形成する請求項１に記載の光源。
【請求項７】
前記プラズマの電流は、前記ゾーンを形成する請求項１に記載の光源。
【請求項８】
前記特徴は、前記プラズマによる発光を実質的に局在化するように構成される請求項５に記載の光源。
【請求項９】
前記特徴は、前記磁気コアに関して離れた場所に配置される請求項５に記載の光源。
【請求項１０】
前記特徴は、前記プラズマによる発光を局在化するためネック状領域を定める請求項５に記載の光源。
【請求項１１】
前記特徴は、ガス入口を含む請求項５に記載の光源。
【請求項１２】
前記特徴は、冷却機能を備える請求項５に記載の光源。
【請求項１３】
前記冷却機能は、水の加圧された過冷却対流沸騰を伴う請求項１２に記載の光源。
【請求項１４】
前記磁気コアに供給されるエネルギーの前記少なくとも１つのパルスは、前記プラズマを形成する請求項１に記載の光源。
【請求項１５】
前記パルス電力システムは、毎秒約１００パルスから毎秒約１５，０００パルスまでの範囲の周波数のエネルギーのそれぞれのパルスを供給する請求項１に記載の光源。
【請求項１６】
エネルギーのそれぞれのパルスは、約１０ｎｓから約１０μｓまでの持続時間の間に、供給される請求項１に記載の光源。
【請求項１７】
前記パルス電力システムは、エネルギー蓄積装置を備える請求項１に記載の光源。
【請求項１８】
前記エネルギー蓄積装置は、少なくとも１つのキャパシタを備える請求項１７に記載の光源。
【請求項１９】
前記パルス電力システムは、磁気パルス圧縮発生器を備える請求項１に記載の光源。
【請求項２０】
前記パルス電力システムは、エネルギーのそれぞれのパルスを前記磁気コアに選択的に送出するための磁気スイッチを備える請求項１に記載の光源。
【請求項２１】
前記パルス電力システムは、可飽和インダクタを備える請求項１に記載の光源。
【請求項２２】
前記磁気コアは、前記室内に配置されたチャネル領域内に少なくとも本質的に１つのＺピンチを発生させるように構成される請求項１に記載の光源。
【請求項２３】
前記磁気コアは、前記室内に配置されたチャネル領域内に少なくとも本質的に１つのキャピラリ放電を発生させるように構成される請求項１に記載の光源。
【請求項２４】
さらに、前記イオン性媒体を前記室内に導入するための少なくとも１つの口を備える請求項１に記載の光源。
【請求項２５】
前記イオン性媒体は、キセノン、リチウム、スズ、窒素、アルゴン、ヘリウム、フッ素、アンモニア、スタンナン、クリプトン、およびネオンからなる群から選択された少なくとも１つまたは複数のガスである請求項１に記載の光源。
【請求項２６】
前記イオン性媒体をあらかじめイオン化するためのイオン源を備える請求項１に記載の光源。
【請求項２７】
前記イオン源は、紫外線灯、ＲＦ源、スパークプラグ、およびＤＣ放電源からなる群から選択された発生源である請求項２６に記載の光源。
【請求項２８】
少なくとも部分的に前記磁気コアを取り囲むエンクロージャを備える請求項１に記載の光源。
【請求項２９】
前記エンクロージャは、複数の孔を定める請求項２８に記載の光源。
【請求項３０】
複数のプラズマループは、前記磁気コアが前記プラズマに電力を送るときに前記複数の孔を通る請求項２９に記載の光源。
【請求項３１】
前記エンクロージャは、２つの平行板を備える請求項２９に記載の光源。
【請求項３２】
前記平行板は、導電性であり、前記コアの周りに一次巻線を形成する請求項３１に記載の光源。
【請求項３３】
冷却剤は、前記局所的高輝度ゾーンに隣接する場所を冷却するため前記エンクロージャ内を貫流する請求項２８に記載の光源。
【請求項３４】
前記エンクロージャは、銅、タングステン、アルミニウム、および銅タングステン合金からなる群から選択された物質を含む請求項２８に記載の光源。
【請求項３５】
前記プラズマは、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマループである請求項１に記載の光源。
【請求項３６】
前記特徴は、回転円盤内の少なくとも１つのアパーチャである請求項５に記載の光源。
【請求項３７】
薄ガス層は、前記円盤から冷却された表面に熱を伝達する請求項３６に記載の光源。
【請求項３８】
前記光源は、前記光源がプラズマ放電を発生するときに約１００ｎｍよりも短い波長の光を発生するように構成される請求項１に記載の光源。
【請求項３９】
光源であって、
プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
前記プラズマ放電領域の一部を囲む第１の磁気コアを備えるトランスと、
電流によって前記第１の磁気コアとリンクされた第２の磁気コアと、
第１の信号を前記第２の磁気コアに供給する電源であって、前記第２の磁気コアは、前記第２の磁気コアが飽和したときに第２の信号を前記第１の磁気コアに供給し、前記第１の磁気コアは、前記第２の信号に対する応答として前記イオン性媒体から前記プラズマ放電領域内に形成されファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマに電力を送る、電源とを備える光源。
【請求項４０】
前記第１の磁気コアの周りに一次巻線を形成し、前記第１および第２の磁気コアをリンクする前記電流を伝導する２つの平行板を備える請求項３９に記載の光源。
【請求項４１】
前記第２の磁気コアから前記プラズマ放電領域の前記一部を囲む前記磁気コアに流れる誘導漏れ電流は、前記イオン性媒体をあらかじめイオン化する請求項３９に記載の光源。
【請求項４２】
光源であって、
チャネル領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
前記チャネル領域の一部を囲む磁気コアと、
エネルギーの少なくとも１つのパルスを前記磁気コアに供給し、前記イオン性媒体を励起し、前記チャネル領域内のファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマに少なくとも本質的な１つのＺピンチを形成するためのパルス電力システムとを備える光源。
【請求項４３】
前記プラズマの電流密度は、約１ＫＡ／ｃｍ２よりも高い請求項４２に記載の光源。
【請求項４４】
前記チャネル領域内の圧力は、約１００ｍＴｏｒｒ未満である請求項４２に記載の光源。
【請求項４５】
光源であって、
発光の実質的部分を放出する局所的高輝度ゾーンとともに発光プラズマを含む室と、
前記発光プラズマの一部を囲む磁気コアと、
エネルギーの少なくとも１つのパルスを前記磁気コアに供給し、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成する前記プラズマに電力を送るためのパルス電力システムとを備える光源。
【請求項４６】
光源であって、
プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
前記プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアと、
エネルギーの少なくとも１つのパルスを前記磁気コアに供給し、前記プラズマ放電領域内に形成されファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマに電力を送り、前記プラズマは局所的高輝度ゾーンを有する、手段とを備える光源。
【請求項４７】
プラズマ源であって、
プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
前記プラズマ放電領域の一部を囲み、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成する前記プラズマ内にＺピッチを形成するのに十分な電流を誘導する磁気コアとを備えるプラズマ源。
【請求項４８】
光信号を発生する方法であって、
プラズマを発生することができるイオン性媒体を室内に導入する工程と、
磁気コアが前記プラズマに電力を送るように前記室内のプラズマ放電領域の一部を囲む前記磁気コアにエネルギーの少なくとも１つのパルスを印加し、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成する前記プラズマは、局所的高輝度ゾーンを有する、工程とを含む方法。
【請求項４９】
前記プラズマは、前記プラズマ内の電流経路にそって電流密度を実質的に変化させる請求項４８に記載の方法。
【請求項５０】
前記ゾーンは、高輝度光の点源である請求項４８に記載の方法。
【請求項５１】
前記ゾーンは、前記プラズマがピンチ効果で収縮し、ネックを形成する領域である請求項４８に記載の方法。
【請求項５２】
前記プラズマによる発光を局在化するためネック状領域を定める工程を含む請求項４８に記載の方法。
【請求項５３】
前記パルス電力システムは、エネルギー蓄積装置を備える請求項４８に記載の方法。
【請求項５４】
前記エネルギー蓄積装置は、少なくとも１つのキャパシタを備える請求項５３に記載の方法。
【請求項５５】
前記パルス電力システムは、第２の磁気コアを備える請求項４８に記載の方法。
【請求項５６】
前記第２の磁気コアからエネルギーのそれぞれのパルスを前記第１の磁気コアに放出し、前記プラズマに電力を送る工程を含む請求項５５に記載の方法。
【請求項５７】
前記第２の磁気コアから前記プラズマ放電領域の前記一部を囲む前記磁気コアに流れる誘導漏れ電流を使用して前記イオン性媒体をあらかじめイオン化する工程を含む請求項５５に記載の方法。
【請求項５８】
エネルギーのそれぞれのパルスを、エネルギーの前記パルスを前記磁気コアに印加するのに先立って圧縮する工程を含む請求項４８に記載の方法。
【請求項５９】
前記室内に配置されたチャネル領域内に少なくとも本質的に１つのＺピンチを発生させる工程を含む請求項４８に記載の方法。
【請求項６０】
前記室内に配置されたチャネル領域内に少なくとも本質的に１つのキャピラリ放電を発生させる工程を含む請求項４８に記載の方法。
【請求項６１】
少なくとも１つの口を介して前記イオン性媒体を前記室内に導入する工程を含む請求項４８に記載の方法。
【請求項６２】
キセノン、リチウム、スズ、窒素、アルゴン、ヘリウム、フッ素、アンモニア、スタンナン、クリプトン、およびネオンからなる群から選択された少なくとも１つまたは複数のガスを含むイオン性媒体を供給する工程を含む請求項４８に記載の方法。
【請求項６３】
イオン源で前記イオン性媒体をあらかじめイオン化する工程を含む請求項４８に記載の方法。
【請求項６４】
エンクロージャの２つの平行板で前記コアの周りに一次巻線を形成する工程を含む請求項４８に記載の方法。
【請求項６５】
約１００ｎｍよりも短い波長の光を発生する工程を含む請求項４８に記載の方法。
【請求項６６】
半導体製造のためのリソグラフィシステムであって、
少なくとも１つの光収集光学系と、
前記少なくとも１つの光収集光学系と光で連絡する少なくとも１つの集光器光学系と、
前記少なくとも１つの光収集光学系により収集するために光を発生することができる光源であって、
ｉ．プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
ｉｉ．前記プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアと、
ｉｉｉ．エネルギーの少なくとも１つのパルスを前記磁気コアに供給し、前記プラズマ放電領域内に形成されファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマに電力を送り、前記プラズマは局所的高輝度ゾーンを有する、パルス電力システムとを備える、光源とを備えるリソグラフィシステム。
【請求項６７】
前記プラズマにより放射される光は、前記少なくとも１つの光収集光学系により収集され、前記少なくとも１つの集光器光学系により集光され、少なくとも部分的にリソグラフィマスクに通される請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項６８】
前記プラズマは、前記プラズマ内の電流経路にそって電流密度を実質的に変化させる請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項６９】
前記ゾーンは、高輝度光の点源である請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項７０】
前記ゾーンは、前記プラズマがピンチ効果で収縮し、ネックを形成する領域である請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項７１】
前記室内の特徴は、前記ゾーンを形成する請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項７２】
ガス圧力は、前記ゾーンを形成する請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項７３】
前記プラズマの電流は、前記ゾーンを形成する請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項７４】
前記特徴は、前記プラズマによる発光を実質的に局在化するように構成される請求項７１に記載のリソグラフィシステム。
【請求項７５】
前記特徴は、前記磁気コアに関して離れた場所に配置される請求項７１に記載のリソグラフィシステム。
【請求項７６】
前記特徴は、前記プラズマによる発光を局在化するためネック状領域を定める請求項７１に記載のリソグラフィシステム。
【請求項７７】
前記特徴は、ガス入口を含む請求項７１に記載のリソグラフィシステム。
【請求項７８】
前記特徴は、冷却機能を備える請求項７１に記載のリソグラフィシステム。
【請求項７９】
前記冷却機能は、水の加圧された過冷却対流沸騰を伴う請求項７８に記載のリソグラフィシステム。
【請求項８０】
前記磁気コアに供給されるエネルギーの前記少なくとも１つのパルスは、前記プラズマを形成する請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項８１】
前記パルス電力システムは、毎秒約１００パルスから毎秒約１５，０００パルスまでの範囲の周波数のエネルギーのそれぞれのパルスを供給する請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項８２】
エネルギーのそれぞれのパルスは、約１０ｎｓから約１０μｓまでの持続時間の間に、供給される請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項８３】
前記パルス電力システムは、エネルギー蓄積装置を備える請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項８４】
前記エネルギー蓄積装置は、少なくとも１つのキャパシタを備える請求項８３に記載のリソグラフィシステム。
【請求項８５】
前記パルス電力システムは、第２の磁気コアを備える請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項８６】
前記第２の磁気コアは、エネルギーのそれぞれのパルスを前記第１の磁気コアに放出し、前記プラズマに電力を送る請求項８５に記載のリソグラフィシステム。
【請求項８７】
前記第２の磁気コアから前記プラズマ放電領域の前記一部を囲む前記磁気コアに流れる誘導漏れ電流は、前記イオン性媒体をあらかじめイオン化する請求項８５に記載のリソグラフィシステム。
【請求項８８】
前記パルス電力システムは、磁気圧縮パルス発生器を備える請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項８９】
前記パルス電力システムは、エネルギーの前記パルスを前記磁気コアに選択的に送出するための磁気スイッチを備える請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項９０】
前記パルス電力システムは、可飽和インダクタを備える請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項９１】
前記磁気コアは、前記室内に配置されたチャネル領域内に少なくとも本質的に１つのＺピンチを発生させるように構成される請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項９２】
前記磁気コアは、前記室内に配置されたチャネル領域内に少なくとも本質的に１つのキャピラリ放電を発生させるように構成される請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項９３】
さらに、前記イオン性媒体を前記室内に導入するための少なくとも１つの口を備える請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項９４】
前記イオン性媒体は、キセノン、リチウム、スズ、窒素、アルゴン、ヘリウム、フッ素、アンモニア、スタンナン、クリプトン、およびネオンからなる群から選択された少なくとも１つまたは複数のガスである請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項９５】
前記イオン性媒体をあらかじめイオン化するためのイオン源を備える請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項９６】
前記イオン源は、紫外線灯、ＲＦ源、スパークプラグ、およびＤＣ放電源からなる群から選択された発生源である請求項９５に記載のリソグラフィシステム。
【請求項９７】
少なくとも部分的に前記磁気コアを取り囲むエンクロージャを備える請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項９８】
前記エンクロージャは、複数の孔を定める請求項９７に記載のリソグラフィシステム。
【請求項９９】
複数のプラズマループは、前記磁気コアが前記プラズマに電力を送るときに前記複数の孔を通る請求項９８に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１００】
前記エンクロージャは、２つの平行板を備える請求項９７に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１０１】
前記平行板は、導電性であり、前記コアの周りに一次巻線を形成する請求項１００に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１０２】
冷却剤は、前記局所的高輝度ゾーンに隣接する場所を冷却するため前記エンクロージャ内を貫流する請求項９７に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１０３】
前記エンクロージャは、銅、タングステン、アルミニウム、および銅タングステン合金からなる群から選択された物質を含む請求項９７に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１０４】
前記プラズマは、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマループである請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１０５】
前記特徴は、回転円盤内の少なくとも１つのアパーチャである請求項７１に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１０６】
薄ガス層は、前記円盤から冷却された表面に熱を伝達する請求項１０５に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１０７】
前記光源は、前記光源がプラズマ放電を発生するときに約１００ｎｍよりも短い波長の光を発生するように構成される請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１０８】
リソグラフィシステム内の半導体ウェハを照射する方法であって、
プラズマを発生することができるイオン性媒体を室内に導入する工程と、
磁気コアがファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成する前記プラズマに電力を送るように前記室内のプラズマ放電領域の一部を囲む前記磁気コアにエネルギーの少なくとも１つのパルスを印加し、前記プラズマは、局所的高輝度ゾーンを有する、工程と、
前記プラズマにより放射された光を収集する工程と、
前記収集された光を集光する工程と、
前記集光された光の少なくとも一部をマスクに通し、半導体ウェハの表面上に送る工程とを含む方法。
【請求項１０９】
リソグラフィシステム内の半導体ウェハを照射する方法であって、
プラズマを発生することができるイオン性媒体を室内に導入する工程と、
磁気コアがファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成する前記プラズマに電力を送るように前記室内のプラズマ放電領域の一部を囲む前記磁気コアにエネルギーの少なくとも１つのパルスを印加し、前記プラズマは、局所的高輝度ゾーンを有する、工程と、
前記プラズマにより放射された光を収集する工程と、
前記収集された光を集光する工程と、
前記集光された光の少なくとも一部をマスクから反射し、半導体ウェハの表面上に送る工程とを含む方法。
【請求項１１０】
半導体製造のためのリソグラフィシステムであって、
少なくとも１つの光収集光学系と、
前記少なくとも１つの収集光学系と光で連絡する少なくとも１つの集光器光学系と、
前記少なくとも１つの光収集光学系により収集するために光を発生することができる光源であって、
ｉ．プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
ｉｉ．前記プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアと、
ｉｉｉ．エネルギーの少なくとも１つのパルスを前記磁気コアに供給し、前記プラズマ放電領域内に形成されファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマに電力を送り、前記プラズマは局所的高輝度ゾーンを有する、手段とを備える、光源とを備えるリソグラフィシステム。
【請求項１１１】
顕微鏡システムであって、
光を収集するための第１の光学素子と、
試料の像を検出器上に投射するための第２の光学素子であって、前記検出器は前記第１および第２の光学素子と光で連絡する、第２の光学素子と、
前記第１の光学素子と光で連絡する光源であって、
ｉ．プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
ｉｉ．前記プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアと、
ｉｉｉ．エネルギーの少なくとも１つのパルスを前記磁気コアに供給し、前記プラズマ放電領域内に形成されるプラズマに電力を送り、前記プラズマは局所的高輝度の場所を有する、パルス電力システムとを備える、光源とを備える顕微鏡システム。
【請求項１１２】
前記第１の光学素子は、前記光源により放射される光を収集して前記試料を照射し、前記第２の光学素子は、前記試料の像を前記検出器上に投射する請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１１３】
前記プラズマは、前記プラズマ内の電流経路にそって電流密度を実質的に変化させる請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１１４】
前記ゾーンは、高輝度光の点源である請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１１５】
前記ゾーンは、前記プラズマがピンチ効果で収縮し、ネックを形成する領域である請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１１６】
前記室内の特徴は、前記ゾーンを形成する請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１１７】
ガス圧力は、前記ゾーンを形成する請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１１８】
前記プラズマの電流は、前記ゾーンを形成する請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１１９】
前記特徴は、前記プラズマによる発光を実質的に局在化するように構成される請求項１１６に記載の顕微鏡システム。
【請求項１２０】
前記特徴は、前記磁気コアに関して離れた場所に配置される請求項１１６に記載の顕微鏡システム。
【請求項１２１】
前記特徴は、前記プラズマによる発光を局在化するためネック状領域を定める請求項１１６に記載の顕微鏡システム。
【請求項１２２】
前記特徴は、ガス入口を含む請求項１１６に記載の顕微鏡システム。
【請求項１２３】
前記特徴は、冷却機能を備える請求項１１６に記載の顕微鏡システム。
【請求項１２４】
前記磁気コアに供給されるエネルギーの前記少なくとも１つのパルスは、前記プラズマを形成する請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１２５】
前記パルス電力システムは、毎秒約１００パルスから毎秒約１５，０００パルスまでの範囲の周波数のエネルギーのそれぞれのパルスを供給する請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１２６】
エネルギーのそれぞれのパルスは、約１０ｎｓから約１０μｓまでの持続時間の間に、供給される請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１２７】
前記パルス電力システムは、エネルギー蓄積装置を備える請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１２８】
前記エネルギー蓄積装置は、少なくとも１つのキャパシタを備える請求項１２７に記載の顕微鏡システム。
【請求項１２９】
前記パルス電力システムは、第２の磁気コアを備える請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１３０】
前記第２の磁気コアは、エネルギーのそれぞれのパルスを前記第１の磁気コアに放出し、前記プラズマに電力を送る請求項１２９に記載の顕微鏡システム。
【請求項１３１】
前記第２の磁気コアから前記プラズマ放電領域の前記一部を囲む前記磁気コアに流れる誘導漏れ電流は、前記イオン性媒体をあらかじめイオン化する請求項１２９に記載の顕微鏡システム。
【請求項１３２】
前記パルス電力システムは、磁気圧縮パルス発生器を備える請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１３３】
前記パルス電力システムは、エネルギーの前記パルスを前記磁気コアに選択的に送出するための磁気スイッチを備える請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１３４】
前記パルス電力システムは、可飽和インダクタを備える請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１３５】
前記磁気コアは、前記室内に配置されたチャネル領域内に少なくとも本質的に１つのＺピンチを発生させるように構成される請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１３６】
前記磁気コアは、前記室内に配置されたチャネル領域内に少なくとも本質的に１つのキャピラリ放電を発生させるように構成される請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１３７】
さらに、前記イオン性媒体を前記室内に導入するための少なくとも１つの口を備える請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１３８】
前記イオン性媒体は、キセノン、リチウム、スズ、窒素、アルゴン、ヘリウム、フッ素、アンモニア、スタンナン、クリプトン、およびネオンからなる群から選択された少なくとも１つまたは複数のガスである請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１３９】
前記イオン性媒体をあらかじめイオン化するためのイオン源を備える請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１４０】
前記イオン源は、紫外線灯、ＲＦ源、スパークプラグ、およびＤＣ放電源からなる群から選択された発生源である請求項１３９に記載の顕微鏡システム。
【請求項１４１】
少なくとも部分的に前記磁気コアを取り囲むエンクロージャを備える請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１４２】
前記エンクロージャは、複数の孔を定める請求項１４１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１４３】
複数のプラズマループは、前記磁気コアが前記プラズマに電力を送るときに前記複数の孔を通る請求項１４２に記載の顕微鏡システム。
【請求項１４４】
前記エンクロージャは、２つの平行板を備える請求項１４１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１４５】
前記平行板は、導電性であり、前記コアの周りに一次巻線を形成する請求項１４４に記載の顕微鏡システム。
【請求項１４６】
冷却剤は、前記局所的高輝度ゾーンに隣接する場所を冷却するため前記エンクロージャ内を貫流する請求項１４１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１４７】
前記エンクロージャは、銅、タングステン、アルミニウム、および銅タングステン合金からなる群から選択された物質を含む請求項１４１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１４８】
前記プラズマは、トランスの二次側を形成する請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１４９】
前記特徴は、回転円盤内の少なくとも１つのアパーチャである請求項１１６に記載の顕微鏡システム。
【請求項１５０】
薄ガス層は、前記円盤から冷却された表面に熱を伝達する請求項１４９に記載の顕微鏡システム。
【請求項１５１】
前記光源は、前記光源がプラズマ放電を発生するときに約１００ｎｍよりも短い波長の光を発生するように構成される請求項１１１に記載の顕微鏡システム。
【請求項１５２】
顕微鏡法であって、
プラズマを発生することができるイオン性媒体を室内に導入する工程と、
磁気コアが前記プラズマに電力を送るように前記室内のプラズマ放電領域の一部を囲む前記磁気コアにエネルギーの少なくとも１つのパルスを印加し、前記プラズマは、局所的高輝度ゾーンを有する、工程と、
前記プラズマにより放射された光を第１の光学素子で収集する工程と、
前記収集された光を試料に投射して通す工程と、
前記試料を通して放射された前記光を検出器に投射する工程とを含む顕微鏡法。
【請求項１５３】
顕微鏡システムであって、
レンズと、
前記レンズと光で連絡している検出器と、
前記レンズと光で連絡する光源であって、
ｉ．プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
ｉｉ．前記プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアと、
ｉｉｉ．エネルギーの少なくとも１つのパルスを前記磁気コアに供給し、前記プラズマ放電領域内に形成されるプラズマに電力を送り、前記プラズマは局所的高輝度ゾーンを有する、手段とを備える、光源とを備える顕微鏡システム。
【請求項１５４】
誘導駆動プラズマ光源用の挿入物であって、
少なくとも１つの内部通路を定め、第１の開放端と第２の開放端とを備える本体と、
プラズマ放電領域内で誘導駆動プラズマ光源と結合するように適合された外面とを備える挿入物。
【請求項１５５】
前記少なくとも１つの内部通路は、前記プラズマ内に局所的高輝度ゾーンを形成する領域を定める請求項１５４に記載の挿入物。
【請求項１５６】
消耗品である請求項１５４に記載の挿入物。
【請求項１５７】
冷却構造物と熱で連絡する請求項１５４に記載の挿入物。
【請求項１５８】
前記外面は、前記プラズマ光源の室の内側のリセプタクルのねじ山により前記プラズマ源に結合される請求項１５４に記載の挿入物。
【請求項１５９】
前記プラズマ光源の室内のリセプタクルに滑りばめされ、前記プラズマ放電領域内のプラズマによる加熱のため締まる請求項１５４に記載の挿入物。
【請求項１６０】
前記挿入物の前記少なくとも１つの内部通路の少なくとも１つの表面は、プラズマスパッタ速度の遅い物質を含む請求項１５４に記載の挿入物。
【請求項１６１】
前記物質は、カーボン、チタン、タングステン、ダイヤモンド、黒鉛、炭化ケイ素、ケイ素、ルテニウム、および耐熱材料からなる群から選択される請求項１６０に記載の挿入物。
【請求項１６２】
前記挿入物の前記少なくとも１つの内部通路の少なくとも１つの表面は、プラズマスパッタ速度の遅い、熱伝導率の高い物質を含む請求項１５４に記載の挿入物。
【請求項１６３】
前記物質は、高配向熱分解黒鉛または熱分解黒鉛である請求項１６２に記載の挿入物。
【請求項１６４】
前記挿入物の前記少なくとも１つの内部通路の少なくとも１つの表面は、ＥＵＶ放射線の吸収率の低い物質を含む請求項１５４に記載の挿入物。
【請求項１６５】
前記物質は、ルテニウムおよびケイ素からなる群から選択される請求項１６４に記載の挿入物。
【請求項１６６】
前記少なくとも１つの内部通路の形状は、前記高輝度ゾーンのサイズおよび形状を制御するために使用される請求項１５５に記載の挿入物。
【請求項１６７】
前記少なくとも１つの内部通路は、前記第１の開放端と前記第２の開放端との中程の直線を中心に非対称的である幾何学的形状を有する内面を持つ請求項１６６に記載の挿入物。
【請求項１６８】
前記少なくとも１つの内部通路は、前記内部通路の端から端までの最小寸法よりも実質的に小さい曲率半径により定められる幾何学的形状を持つ内面を有する請求項１６６に記載の挿入物。
【請求項１６９】
前記少なくとも１つの内部通路は、前記内部通路の端から端までの最小寸法の約２５％から約１００％までの範囲の曲率半径により定められる幾何学的形状を持つ内面を有する請求項１６６に記載の挿入物。
【請求項１７０】
前記少なくとも１つの内部通路は、前記少なくとも１つの内部通路の縮小された寸法を定める内面を有する請求項１６６に記載の挿入物。
【請求項１７１】
前記本体は、２つまたはそれ以上の本体により定められる請求項１５４に記載の挿入物。
【請求項１７２】
誘導駆動プラズマ光源用の挿入物であって、
少なくとも１つの内部通路を定め、第１の開放端と第２の開放端とを備える本体と、
プラズマ放電領域内で誘導駆動プラズマ光源と結合するための手段とを備える誘導駆動プラズマ光源用の挿入物。
【請求項１７３】
前記本体内に少なくとも１つのガス入口孔を備える請求項１５４に記載の挿入物。
【請求項１７４】
前記本体を通過する少なくとも１つの冷却チャネルを備える請求項１５４に記載の挿入物。
【請求項１７５】
ロボットアームを使用して交換することができる請求項１５４に記載の挿入物。
【請求項１７６】
光源であって、
プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
前記プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアと、
エネルギーを前記磁気コアに供給し、前記プラズマ放電領域内に形成されるプラズマに電力を送り、前記プラズマは局所的高輝度ゾーンを備える、電力システムと、
間接的または直接的プラズマ放出物を減らすため前記光源に関して配置されているフィルタとを備える光源。
【請求項１７７】
前記フィルタは、前記高輝度ゾーンから発せられる放射線の方向に実質的に平行である壁、および前記壁と壁の間のチャネルを備える請求項１７６に記載の光源。
【請求項１７８】
前記放出物に曝される前記フィルタの表面は、プラズマスパッタ速度の低い物質を含む請求項１７６に記載の光源。
【請求項１７９】
前記物質は、カーボン、チタン、タングステン、ダイヤモンド、黒鉛、炭化ケイ素、ケイ素、ルテニウム、および耐熱材料からなる群から選択される請求項１７８に記載の光源。
【請求項１８０】
前記フィルタは、プラズマスパッタ速度の低い、熱伝導率の高い物質を含む請求項１７６に記載の光源。
【請求項１８１】
前記物質は、高配向熱分解黒鉛（ＨＯＰＧ）または熱分解黒鉛（ＴＰＧ）である請求項１８０に記載の光源。
【請求項１８２】
前記フィルタは、前記高輝度ゾーンから発せられる放射線に平行に進行しない放出物との衝突を最大にするように構成される請求項１７６に記載の光源。
【請求項１８３】
前記フィルタは、前記高輝度ゾーンから発せられる放射線に平行に進行する放出物の低減を最小にするように構成される請求項１７６に記載の光源。
【請求項１８４】
前記フィルタは、冷却チャネルを備える請求項１７６に記載の光源。
【請求項１８５】
ガスのカーテンは、前記フィルタと放射線以外の放出物との間の衝突を大きくするように前記フィルタの付近に保持される請求項１７６に記載の光源。
【請求項１８６】
光信号を発生する方法であって、
プラズマを発生することができるイオン性媒体を室内に導入する工程と、
磁気コアが前記プラズマに電力を送るように前記室内のプラズマ放電領域の一部を囲む前記磁気コアにエネルギーを印加し、前記プラズマは、局所的高輝度ゾーンを有する、工程と、
前記プラズマの前記局所的高輝度ゾーンから発せられる放出物をフィルタ処理する工程とを含む方法。
【請求項１８７】
前記フィルタ処理する工程は、前記高輝度ゾーンから発せられる放射線の方向に実質的に平行である壁、および前記壁と壁の間のチャネルを配置する工程を含む請求項１８６に記載の方法。
【請求項１８８】
前記放出物に曝される前記フィルタの表面は、プラズマスパッタ速度の低い物質を含む請求項１８６に記載の方法。
【請求項１８９】
前記物質は、カーボン、チタン、タングステン、ダイヤモンド、黒鉛、炭化ケイ素、ケイ素、ルテニウム、および耐熱材料からなる群から選択される請求項１８８に記載の方法。
【請求項１９０】
前記フィルタは、プラズマスパッタ速度の低い、熱伝導率の高い物質を含む請求項１８６に記載の方法。
【請求項１９１】
前記物質は、高配向熱分解黒鉛（ＨＯＰＧ）または熱分解黒鉛である請求項１９０に記載の方法。
【請求項１９２】
プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
前記プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアと、
エネルギーを前記磁気コアに供給し、前記プラズマ放電領域内に形成されるプラズマに電力を送り、前記プラズマは局所的高輝度ゾーンを備える、電力システムと、
前記高輝度ゾーンから放出される放射線の方向に実質的に平行に進行する放出物の低減を最小にするための手段と、
前記高輝度ゾーンから放出される放射線の方向に実質的に平行でない方向に進行する放出物の低減を最大にするための手段と
を備える光源。
【請求項１９３】
誘導駆動プラズマからの熱流束およびイオン流束を大きな表面領域上に拡散させるためのシステムであって、
誘導駆動プラズマ源内のプラズマの一領域内に配置された、外面を有する、少なくとも１つの物体と、
前記物体と熱で連絡している冷却チャネルとを備え、
前記物体の少なくとも前記外面は、前記プラズマに関して移動するシステム。
【請求項１９４】
前記少なくとも１つの物体の前記外面は、犠牲層を備える請求項１９３に記載のシステム。
【請求項１９５】
前記犠牲層は、前記外面上に連続的にコーティングされる請求項１９３に記載のシステム。
【請求項１９６】
前記犠牲層は、ＥＵＶ放射線を放出する物質を含む請求項１９３に記載のシステム。
【請求項１９７】
前記物質は、リチウムまたはスズである請求項１９６に記載のシステム。
【請求項１９８】
前記少なくとも１つの物体は、密集して並ぶ２本の棒である請求項１９３に記載のシステム。
【請求項１９９】
前記棒の間の空間は、前記プラズマ内に局所的高輝度ゾーンを形成する一領域を定める請求項１９８に記載のシステム。
【請求項２００】
前記少なくとも１つの物体の局所幾何学的形状は、局所的高輝度ゾーンを形成する一領域を定める請求項１９３に記載のシステム。
【請求項２０１】
誘導生成プラズマからの熱流束およびイオン流束を大きな表面領域上に拡散させるための方法であって、
誘導駆動プラズマを発生する工程と、
外面を有する物体を前記誘導駆動プラズマの一領域内に配置する工程と、
前記物体と熱で連絡する冷却チャネルを前記物体に備える工程と、
前記物体の少なくとも前記外面を、前記プラズマに関して移動する工程とを含む方法。
【請求項２０２】
前記プラズマは、前記物体の前記外面から犠牲層を腐食する請求項２０１に記載の方法。
【請求項２０３】
前記物体の前記外面を前記犠牲層で連続的にコーティングする工程を含む請求項２０２に記載の方法。
【請求項２０４】
前記犠牲層は、ＥＵＶ放射線を放出する物質を含む請求項２０３に記載の方法。
【請求項２０５】
前記物質は、リチウムまたはスズである請求項２０４に記載の方法。
【請求項２０６】
前記プラズマ内に局所的高輝度ゾーンを形成するために前記プラズマ内に前記物体を配置する工程を含む請求項２０１に記載の方法。
【請求項２０７】
前記プラズマ内に局所的高輝度ゾーンを形成する一領域を定めるために前記第１の物体に関して第２の物体を配置する工程を含む請求項２０６に記載の方法。
【請求項２０８】
光源であって、
プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
前記プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアと、
エネルギーの少なくとも１つのパルスを前記磁気コアに供給し、前記プラズマ放電領域内に形成されるプラズマに電力を送り、前記プラズマは局所的高輝度ゾーンを有する、パルス電力システムと、
前記プラズマの形状を修正するために前記室内に配置された磁石とを備える光源。
【請求項２０９】
前記磁石は、前記局所的高輝度ゾーンを形成する請求項２０８に記載の光源。
【請求項２１０】
前記磁石は、永久磁石または電磁石である請求項２０８に記載の光源。
【請求項２１１】
前記磁石は、前記高輝度ゾーンに隣接して配置される請求項２０８に記載の光源。
【請求項２１２】
プラズマＥＵＶ光源を動作させる方法であって、
プラズマにより室内にＥＵＶ光を発生させる工程と、
前記プラズマ内に高輝度の局所的領域を定める消耗品を備える工程と、
選択された基準に基づいて、前記室を大気条件に曝すことなく前記消耗品を交換する工程とを含む方法。
【請求項２１３】
前記選択された基準は、
所定の時間、前記消耗品の測定された劣化、または前記ＥＵＶ光源の動作と関連したプロセス制御変数の測定された劣化のうちの１つまたは複数である請求項２１２に記載の方法。
【請求項２１４】
前記プラズマ光源は、誘導駆動プラズマ光源である請求項２１２に記載の方法。
【請求項２１５】
前記消耗品の交換時に前記室内の真空状態を維持する工程を含む請求項２１２に記載の方法。
【請求項２１６】
前記消耗品は、前記室内に配置される挿入物である請求項２１２に記載の方法。
【請求項２１７】
前記消耗品は、ロボットアームにより交換される請求項２１２に記載の方法。
【請求項２１８】
前記プラズマループは、前記磁気コアを取り囲む請求項３７に記載の光源。
【請求項２１９】
前記磁気コア及び前記トランスの一次巻線の回りに導電路を形成する２枚の導電性の平行板を備えた請求項１の光源。
【請求項２２０】
前記磁気コア及び前記トランスの一次巻線の回りに導電路を形成する金属片を備えた請求項２１９に記載の光源。
【請求項２２１】
前記プラズマに供給される電力は、前記磁気コアにより形成される磁場及び前記トランスに供給されるエネルギーのパルスの周波数及び持続時間に基づく請求項２２０に記載の光源。
【請求項２２２】
前記プラズマループは、前記磁気コアを取り囲む請求項１０４に記載のリソグラフィシステム。
【請求項２２３】
前記磁気コア及び前記トランスの一次巻線の回りに導電路を形成する２枚の導電性の平行板を備えた請求項６６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項２２４】
前記磁気コア及び前記トランスの一次巻線の回りに導電路を形成する金属片を備えた請求項２２３に記載のリソグラフィシステム。
【請求項２２５】
前記プラズマに供給される電力は、前記磁気コアにより形成される磁場及び前記トランスに供給されるエネルギーのパルスの周波数及び持続時間に基づく請求項６６に記載のリソグラフィシステム。