【手続補正書】
【提出日】平成19年9月27日(2007.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ヘッド用読み取りセンサを形成するのに用いる方法であって、
複数の読み取りセンサ層上に化学的機械研磨（ＣＭＰ）保護層を形成し、前記複数の読み取りセンサ層上の中央領域に第１フォトレジスト層を形成し、
リアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）により前記ＣＭＰ保護層の端部を除去し、中央部に前記第１フォトレジスト層の下に前記ＣＭＰ保護層と前記読み取りセンサ層とを残し、
イオンミリングにより前記読み取りセンサ層の端部をエッチングし、前記読み取りセンサ層の中央部を残し、これにより、前記読み取りセンサのストライプ高さを決定し、
該読み取りセンサの周囲に絶縁層を形成し、該絶縁層の端部を除去し、
前記第１フォトレジスト層をＣＭＰパッドにより機械的に押し付けて、前記ＣＭＰパッドが、前記読み取りセンサを前記ＣＭＰパッドから保護する物理的障壁となる前記ＣＭＰ保護層の最上面に達するまで押し付けられることにより、前記第１フォトレジスト層を除去し、
前記読み取りセンサ層上の中央領域に第２フォトレジスト層を形成し、さらに、前記読み取りセンサ層の端部を除去し、中央部は前記第２フォトレジスト層の下に残るように、前記読み取りセンサ層をエッチングし、これにより前記読み取センサのトラック幅を決定することを含む磁気ヘッド用読み取りセンサ形成方法。
【請求項２】
前記フォトレジスト層は、アンダーカット無しで形成される請求項１に記載の磁気ヘッド用読み取りセンサ形成方法。
【請求項３】
前記フォトレジスト層は、第１フォトレジスト層を有し、前記読み取りセンサのストライプ高さを決定した後に、該読み取りセンサ層上の中央領域に第２フォトレジスト層を形成し、そして、該読み取りセンサ層の端部は除去され、中央部は前記第２フォトレジスト層の下に残るように、該読み取りセンサ層をエッチングし、これにより該読み取りセンサのトラック幅を決定し、該読み取りセンサの周囲にハードバイアス層とリード層を堆積し、さらに、前記ＣＭＰパッドを用いた機械的相互作用により前記第２フォトレジスト層を除去することをさらに含む請求項１に記載の磁気ヘッド用読み取りセンサ形成方法。
【請求項４】
前記フォトレジスト層を除去する操作は該フォトレジスト層を前記ＣＭＰパッドにより機械的に押し付けることからなる請求項１に記載の磁気ヘッド用読み取りセンサ形成方法。
【請求項５】
前記ＣＭＰ保護層は、第１ＣＭＰ保護層を有し、前記第１フォトレジスト層を除去する前に、前記読み取りセンサ層を囲む材料の上に第２保護層を形成することを更に含み、そして、そこにおいて当該材料は絶縁材料及びリード材料の一からなる請求項１に記載の磁気ヘッド用読み取りセンサ形成方法。
【請求項６】
前記フォトレジスト層の除去の前に、前記読み取りセンサ層及び周囲の材料の上に、約５０〜２００オングストロームの間の厚さになるようにＣＭＰ保護層を形成することをさらに含む請求項１に記載の磁気ヘッド用読み取りセンサ形成方法。
【請求項７】
前記ＣＭＰ保護層は、第１ＣＭＰ保護層を有し、前記第１フォトレジスト層の除去の前に、前記読み取りセンサ層及び周囲の材料の上に、第２保護層を形成することを更に含み、前記第１保護層及び前記第２保護層はカーボンをさらに含む請求項１に記載の磁気ヘッド用読み取りセンサ形成方法。
【請求項８】
前記第２フォトレジスト層の除去の前に、前記ＣＭＰ保護膜の中央部をＲＩＥにより除去することを含む請求項１に記載の磁気ヘッド用読み取りセンサ形成方法。
【請求項９】
磁気ヘッド用読み取りセンサの形成に用いられる方法であって、
複数の読み取りセンサ層上に第１化学的機械研磨（ＣＭＰ）保護層を形成し、
前記複数の読み取りセンサ層上の中央領域に第１フォトレジスト層を形成し、
該読み取りセンサ層の端部を除去し、中央部は前記第１フォトレジスト層の下に残るように該読み取りセンサ層をエッチングし、
リアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）により前記第１ＣＭＰ保護層の端部を除去し、中央部に前記フォトレジスト層の下に前記第１ＣＭＰ保護層と前記読み取りセンサ層とを残し、
イオンミリングにより前記読み取りセンサ層の端部をエッチングし、前記読み取りセンサ層の中央部を残し、
前記第１ＣＭＰ保護層の中央部周辺に第２保護層を形成し、
前記第１フォトレジスト層をＣＭＰパッドにより機械的に押し付けて、前記ＣＭＰパッドが、前記読み取りセンサを前記ＣＭＰパッドから保護する物理的障壁となる前記第１及び第２ＣＭＰ保護層の最上面に達するまで押し付けられることにより、前記第１フォトレジスト層を除去することにより、前記読み取りセンサのストライプ高さを決定し、
前記読み取りセンサ層上の中央領域に第２フォトレジスト層を形成し、
前記読み取りセンサ層の端部を除去し、中央部は前記第２フォトレジスト層の下に残るように、前記読み取りセンサ層をエッチングし、
前記第２フォトレジスト層を前記ＣＭＰパッドとの機械的作用により除去することにより前記読み取センサのトラック幅を決定することを含む磁気ヘッド用読み取センサ形成方法。
【請求項１０】
前記第１フォトレジスト層を用いて前記読み取りセンサ層をエッチング後、前記端部が除去された前記読み取りセンサの周囲に絶縁層を形成し、前記絶縁層は、前記第１フォトレジスト層が除去されるときに前記ＣＭＰパッドから前記第２ＣＭＰ保護層によって保護されることを特徴とする請求項９に記載の磁気ヘッド用読み取りセンサ形成方法。
【請求項１１】
前記第１フォトレジスト層を用いて前記読み取りセンサ層をエッチング後、前記端部が除去された前記読み取りセンサの周囲に絶縁層を形成し、前記絶縁層は、前記第１フォトレジスト層が除去されるときに前記ＣＭＰパッドから前記第２ＣＭＰ保護層によって保護されることを特徴とし、
かつ、前記第２フォトレジストを用いて前記読み取りセンサ層をエッチング後、前記端部が除去された前記読み取りセンサの周囲にハードバイアスとリード層を形成することをさらに含む請求項９に記載の磁気ヘッド用読み取りセンサ形成方法。
【請求項１２】
前記第１および前記第２フォトレジスト層はアンダーカット無しに形成される請求項９に記載の磁気ヘッド用読み取りセンサ形成方法。
【請求項１３】
前記第１フォトレジスト層を除去する操作は該第１フォトレジスト層を前記ＣＭＰパッドにより機械的に圧迫することを含む請求項９に記載の磁気ヘッド用読み取りセンサ形成方法。
【請求項１４】
前記第１ＣＭＰ保護層及び第２ＣＭＰ保護層はカーボンを含む請求項９に記載の磁気ヘッド用読み取りセンサ形成方法。
【請求項１５】
前記第１ＣＭＰ保護層及び第２ＣＭＰ保護層は約２２ＧＰａの硬度を有するカーボンを含む請求項９に記載の磁気ヘッド用読み取りセンサ形成方法。
【請求項１６】
前記第１および第２フォトレジスト層はアンダーカット無しに形成され、前記第２フォトレジスト膜を除去する前に、前記第２フォトレジスト層を溶剤に浸すことを特徴とする請求項９に記載の磁気ヘッド用読み取りセンサ形成方法
【請求項１７】
磁気ヘッドの読み取りセンサの形成方法であって、
複数の読み取りセンサ層上に第１化学的機械研磨（ＣＭＰ）保護層を形成し、前記複数の読み取りセンサ層上の中央領域にアンダーカットのないフォトレジストを形成し、
リアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）により前記第１ＣＭＰ保護層の端部を除去し、中央部に前記フォトレジスト層の下に前記第１ＣＭＰ保護層と前記読み取りセンサ層とを残し、
イオンミリングにより前記読み取りセンサ層の端部をエッチングし、前記読み取りセンサ層の中央部を残し、これにより、前記読み取りセンサのストライプ高さを決定し、
該読み取りセンサの周囲に絶縁層を形成し、該絶縁層の端部を除去し、
前記第１ＣＭＰ保護層の中央部周辺に第２ＣＭＰ保護層を形成し、
前記フォトレジスト層をＣＭＰパッドとの機械的作用により除去し、前記読み取りセンサ及び前記絶縁層は、前記第１ＣＭＰ保護層の中央部と前記第２ＣＭＰ保護層とにより前記ＣＭＰパッドの機械的作用から保護されることを特徴とする磁気ヘッドの読み取りセンサ形成方法。
【請求項１８】
前記フォトレジストは第１フォトレジストを含み、前記読み取りセンサのストライプ高を決定した後に、該読み取りセンサ層上の中央領域にアンダーカットのない第２フォトレジスト層を形成し、そして、該読み取りセンサ層をエッチングして、該読み取りセンサ層の端部を除去し、中央部が前記第２フォトレジスト層の下に残るようにし、これにより該読み取りセンサのトラック幅を決定することをさらに含む請求項１７に記載の磁気ヘッドの読み取りセンサ形成方法。
【請求項１９】
前記フォトレジストは第１フォトレジストからなり、前記読み取りセンサのストライプ高を決定した後に、該読み取りセンサ層上の中央領域にアンダーカットのない第２フォトレジスト層を形成し、該読み取りセンサ層をエッチングして、該読取センサ層の端部を除去し、中央部が該第２フォトレジスト層の下に残るようにし、これにより読み取りセンサのトラック幅を決定し、そして、前記ＣＭＰパッドとの機械的な相互作用により前記第２フォトレジスト層を除去することをさらに含む請求項１７に記載の磁気ヘッドの読み取りセンサ形成方法。
【請求項２０】
前記第１ＣＭＰ保護層及び第２ＣＭＰ保護層はカーボンを含む請求項１７に記載の磁気ヘッドの読み取りセンサ形成方法。
【請求項２１】
前記第１ＣＭＰ保護層及び第２ＣＭＰ保護層は約２２ＧＰａの硬度を有するカーボンを含む請求項１７に記載の磁気ヘッドの読み取りセンサ形成方法。
【請求項２２】
前記第１ＣＭＰ保護層及び第２ＣＭＰ保護層は約５０〜２００オングストロームの間の厚さに形成される請求項１７に記載の磁気ヘッドの読み取りセンサ形成方法。
【請求項２３】
前記第１ＣＭＰ保護層及び第２ＣＭＰ保護層は前記読み取りセンサ層の上に形成される請求項１７に記載の磁気ヘッドの読み取りセンサ形成方法。
【請求項２４】
前記第１ＣＭＰ保護層の中央部及び第２ＣＭＰ保護層をＲＩＥにより除去することを含む請求項１７に記載の磁気ヘッドの読み取りセンサの形成方法。