【手続補正書】
【提出日】平成19年7月18日(2007.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜にアラインメント用の開口を形成する工程と、
前記開口に凹部を形成するように、前記開口内及び前記層間絶縁膜の上にタングステン層を形成する工程と、
前記タングステン層を研磨し前記開口に前記アラインメント用の段差を残す工程とを含み、
前記研磨する前の前記層間絶縁膜の厚さをアラインメントのために識別可能な最低段差と前記研磨量との和より厚く形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜にアラインメント用の開口を形成する工程と、
前記開口に凹部を形成するように、前記開口内及び前記層間絶縁膜の上にタングステン層を形成する工程と、
前記タングステン層をエッチングして所定厚さ減少させる工程と、
前記タングステン層を研磨し前記開口に前記アラインメント用の段差を残す工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記タングステン層の前記エッチングを等方性エッチングにより行なうことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記等方性エッチングをアンモニア加水を用いて行なうことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の所定部分を除去する工程と、
前記半導体基板の上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の前記ゲート電極が除去された位置にコンタクトアラインメント用の開口を形成する工程と、
前記開口に凹部を形成するように、前記開口内及び前記層間絶縁膜の上にタングステン層を形成する工程と、
前記タングステン層を研磨し前記開口に前記アラインメント用の段差を残す工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板上の所定領域に埋込絶縁層を形成する工程と、
前記半導体基板の上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の前記埋込絶縁層が形成された位置に前記埋込絶縁層を貫通するコンタクトアラインメント用の開口を形成する工程と、
前記開口に凹部を形成するように、前記開口内及び前記層間絶縁膜の上にタングステン層を形成する工程と、
前記タングステン層を研磨し前記開口にアラインメント用の段差を残す工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体基板上にアルミ配線を形成する工程と、  
前記アルミ配線の所定部分を除去する工程と、 
前記半導体基板の上に層間絶縁膜を形成する工程と、  
前記層間絶縁膜の前記アルミ配線が除去された位置にスルーホールアラインメント用の開口を形成する工程と、  
前記開口に凹部を形成するように、前記開口内及び前記層間絶縁膜の上にタングステン層を形成する工程と、  
前記タングステン層を研磨し前記開口にアラインメント用の段差を残す工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記アラインメント用の段差を残す工程の後、その上にメタルバリア層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記メタルバリア層を形成する工程の後、その上に導電層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記導電層を形成する工程の後、その上にさらに他のメタルバリア層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体基板と、  
前記半導体基板上に形成され所定部分が除去されたゲート電極と、 
前記半導体基板の上に形成された層間絶縁膜と、  
前記層間絶縁膜の前記ゲート電極が除去された位置に形成されたコンタクトアラインメント用の開口と、  
前記開口に埋め込まれ表面にアラインメント用の段差を有するタングステン層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
半導体基板と、  
前記半導体基板上の所定領域に形成された埋込絶縁層と、  
前記埋込絶縁層を含む前記半導体基板の上に形成された層間絶縁膜と、  
前記層間絶縁膜の前記埋込絶縁層の位置に前記埋込絶縁層を貫通するように形成されたコンタクトアラインメント用の開口と、  
前記開口に埋め込まれ表面にアラインメント用の段差を有するタングステン層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
半導体基板と、  
前記半導体基板上に形成され所定部分が除去されたアルミ配線と、 
前記半導体基板の上に形成された層間絶縁膜と、  
前記層間絶縁膜の前記アルミ配線が除去された位置に形成されたコンタクトアラインメント用の開口と、  
前記開口に埋め込まれ表面にアラインメント用の段差を有するタングステン層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
前記アラインメント用の段差を有するタングステン層の上にメタルバリア層を有することを特徴とする請求項１１〜１３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記メタルバリア層の上に導電層を有することを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記導電層の上に形成されたさらに他のメタルバリア層を有することを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
請求項１〜１０のいずれかの半導体装置の製造方法により製造されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
前記開口に前記アラインメント用の前期段差を残す工程において、異方性エッチングにより前記段差を残すことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、 
前記層間絶縁膜に開口を形成する工程と、 
前記開口内及び前記層間絶縁膜の上にタングステン層を形成して、前記開口内の前記タングステン層の表面に第一段差を形成する工程と、 
前記タングステン層をCMP法により研磨して前記第一段差の高さを低減することにより第二段差を残しつつ、前記研磨により前記層間絶縁膜の表面を露出させる工程と、
前記層間絶縁膜上及び前記第二段差を有する前記タングステン層上に導電層を形成して、前期第二段差上の前記導電層表面に第三段差を形成する工程と、
前記導電層上にレジストを形成する工程と、
前記第三段差に可視光またはレーザーを当てて前期第三段差のエッジを検出してアライメントを行う工程と、
を含み、 
前記研磨する前の前記層間絶縁膜の厚さを前記アラインメントのために識別可能な最低段差と前記研磨量との和より厚く形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、 
前記層間絶縁膜に開口を形成する工程と、 
前記開口内及び前記層間絶縁膜の上にタングステン層を形成して、前記開口内の前記タングステン層の表面に第一段差を形成する工程と、
前記タングステン層をエッチングして所定厚さ減少させる工程と、 
前記タングステン層をCMP法により研磨して前記第一段差の高さを低減することにより第二段差を残しつつ、前記研磨により前記層間絶縁膜の表面を露出させる工程と、
前記層間絶縁膜上及び前記第二段差を有する前記タングステン層上に導電層を形成して、前期第二段差上の前記導電層表面に第三段差を形成する工程と、
前記導電層上にレジストを形成する工程と、
前記第三段差に可視光またはレーザーを当てて前期第三段差のエッジを検出してアライメントを行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記タングステン層の前記エッチングを等方性エッチングにより行なうことを特徴とする請求項２０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記等方性エッチングをアンモニア加水を用いて行なうことを特徴とする請求項２１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
前記所定厚さ減少させる工程は、異方性エッチングで行われることを特徴とする請求項２０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
半導体基板上にゲート電極を形成する工程と、 
前記ゲート電極の所定部分を除去する工程と、 
前記半導体基板の上に層間絶縁膜を形成する工程と、 
前記層間絶縁膜の前記ゲート電極が除去された位置に開口を形成する工程と、 
前記開口に凹部を形成するように、前記開口内及び前記層間絶縁膜の上にタングステン層を形成する工程と、 
前記タングステン層を研磨し前記開口に第一段差を残しつつ、前記層間絶縁膜を露出させる工程と、
前記開口上及び前記層間絶縁膜上に導電層を形成して、前記第一段差上の前記導電層表面に第二段差を形成する工程と、
前記導電層上にレジストを形成する工程と、
前記第二段差に可視光またはレーザーを当てて前期第二段差のエッジを検出してアライメントを行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜にアラインメント用の開口を形成する工程と、前記開口に凹部を形成するように、前記開口内及び前記層間絶縁膜の上にタングステン層を形成する工程と、前記タングステン層を研磨し前記開口に前記アラインメント用の段差を残す工程とを含み、前記研磨する前の前記層間絶縁膜の厚さをアラインメントのために識別可能な最低段差と前記研磨量との和より厚く形成するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項２の発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜にアラインメント用の開口を形成する工程と、前記開口に凹部を形成するように、前記開口内及び前記層間絶縁膜の上にタングステン層を形成する工程と、前記タングステン層をエッチングして所定厚さ減少させる工程と、前記タングステン層を研磨し前記開口に前記アラインメント用の段差を残す工程とを含むものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項３の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項２に記載の製造方法において、前記タングステン層の前記エッチングを等方性エッチングにより行なうものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項５の発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の所定部分を除去する工程と、前記半導体基板の上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の前記ゲート電極が除去された位置にコンタクトアラインメント用の開口を形成する工程と、前記開口に凹部を形成するように、前記開口内及び前記層間絶縁膜の上にタングステン層を形成する工程と、前記タングステン層を研磨し前記開口に前記アラインメント用の段差を残す工程とを含むものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項６の発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板上の所定領域に埋込絶縁層を形成する工程と、前記半導体基板の上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の前記埋込絶縁層が形成された位置に前記埋込絶縁層を貫通するコンタクトアラインメント用の開口を形成する工程と、前記開口に凹部を形成するように、前記開口内及び前記層間絶縁膜の上にタングステン層を形成する工程と、前記タングステン層を研磨し前記開口にアラインメント用の段差を残す工程とを含むものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項７の発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板上にアルミ配線を形成する工程と、前記アルミ配線の所定部分を除去する工程と、前記半導体基板の上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の前記アルミ配線が除去された位置にスルーホールアラインメント用の開口を形成する工程と、前記開口に凹部を形成するように、前記開口内及び前記層間絶縁膜の上にタングステン層を形成する工程と、前記タングステン層を研磨し前記開口にアラインメント用の段差を残す工程とを含むものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項１１の発明にかかる半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成され所定部分が除去されたゲート電極と、前記半導体基板の上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の前記ゲート電極が除去された位置に形成されたコンタクトアラインメント用の開口と、前記開口に埋め込まれ表面にアラインメント用の段差を有するタングステン層とを有するものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
請求項１３の発明にかかる半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成され所定部分が除去されたアルミ配線と、前記半導体基板の上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の前記アルミ配線が除去された位置に形成されたコンタクトアラインメント用の開口と、前記開口に埋め込まれ表面にアラインメント用の段差を有するタングステン層とを有するものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項１７の発明にかかる半導体装置は、請求項１〜１０のいずれかの半導体装置の製造方法により製造されたものである。
なお、その他の請求項の発明にかかる半導体装置の製造方法は、特許請求の範囲に記載したとおりである。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
請求項８〜１０または１４〜１６の発明によれば、バリア層あるいは導電層を形成しても、アラインメント段差が確保でき、アラインメント精度が向上する。
なお、その他の請求項の発明による効果は、発明の実施の形態に記載したとおりである。