【手続補正書】
【提出日】平成19年7月30日(2007.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板と、
複数の第１金属配線と、前記複数の第１金属配線の側面および上面に形成されるフッ素化ケイ酸塩ガラス膜とを有し、前記半導体基板上に形成される第１層と、
複数の第２金属配線と、前記複数の第２金属配線の側面および上面に形成されるシリコン窒化膜とを有し、前記第１層上に形成される第２層と、
前記フッ素化ケイ酸塩ガラス膜と、前記シリコン窒化膜との間に形成される接着層と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  請求項１に記載の半導体装置において、
前記接着層が、プラズマＣＶＤ法により形成されたＰ−ＳｉＯ膜またはＰ−ＳｉＯＮ膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】  請求項１に記載の半導体装置において、
前記接着層が、プラズマ加速ＣＶＤ法により形成されたＰＥ−ＳｉＯ膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】  請求項３に記載の半導体装置において、
前記接着層の膜厚が、５０〜２０００ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】  半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板上に複数の第１配線を形成する工程と、
前記複数の第１配線上及び前記複数の第１配線の配線間にフッ素化ケイ酸塩ガラス膜を形成する工程と、
前記フッ素化ケイ酸塩ガラス膜上に接着層を形成する工程と、
前記接着層の形成後に、前記接着剤層上に複数の第２配線を形成する工程と、
前記接着剤層上及び前記複数の第２配線上にシリコン窒化膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】  請求項５に記載の製造方法において、
前記接着層を形成する工程では、プラズマＣＶＤ法により、前記接着層としてのＰ−ＳｉＯ膜またはＰ−ＳｉＯＮ膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】  請求項５に記載の製造方法において、
前記接着層を形成する工程では、プラズマ加速ＣＶＤ法により、前記接着層としてのＰＥ−ＳｉＯ膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置は、半導体基板と、
複数の第１金属配線と、前記複数の第１金属配線の側面および上面に形成されるフッ素化ケイ酸塩ガラス膜とを有し、前記半導体基板上に形成される第１層と、
複数の第２金属配線と、前記複数の第２金属配線の側面および上面に形成されるシリコン窒化膜とを有し、前記第１層上に形成される第２層と、
前記フッ素化ケイ酸塩ガラス膜と、前記シリコン窒化膜との間に形成される接着層と、
を備えることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に係る半導体装置において、
前記接着層が、プラズマＣＶＤ法により形成されたＰ−ＳｉＯ膜またはＰ−ＳｉＯＮ膜であることが好適である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明に係る半導体装置において、
前記接着層が、プラズマ加速ＣＶＤ法により形成されたＰＥ−ＳｉＯ膜であることが好適である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明に係る半導体装置において、
前記接着層の膜厚が、５０〜２０００ｎｍであることが好適である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板上に複数の第１配線を形成する工程と、
前記複数の第１配線上及び前記複数の第１配線の配線間にフッ素化ケイ酸塩ガラス膜を形成する工程と、
前記フッ素化ケイ酸塩ガラス膜上に接着層を形成する工程と、
前記接着層の形成後に、前記接着剤層上に複数の第２配線を形成する工程と、
前記接着剤層上及び前記複数の第２配線上にシリコン窒化膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とするものである。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明に係る半導体装置の製造方法において、
前記接着層を形成する工程では、プラズマＣＶＤ法により、前記接着層としてのＰ−ＳｉＯ膜またはＰ−ＳｉＯＮ膜を形成することが好適である。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明に係る半導体装置の製造方法において、
前記接着層を形成する工程では、プラズマ加速ＣＶＤ法により、前記接着層としてのＰＥ−ＳｉＯ膜を形成することが好適である。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
【発明の効果】
本発明によれば、フッ素化ケイ酸塩ガラス膜と、シリコン窒化膜との間に形成された接着層によって、フッ素化ケイ酸塩ガラス膜とシリコン窒化膜との密着性が向上する。従って、シリコン窒化膜の膨れや剥離を防止でき、半導体装置の信頼性が向上する。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
本発明によれば、フッ素化ケイ酸塩ガラス膜と、シリコン窒化膜との間に形成されたＰ−ＳｉＯ膜またはＰ−ＳｉＯＮ膜によって、フッ素化ケイ酸塩ガラス膜とシリコン窒化膜との密着性が向上する。
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
本発明によれば、ＰＥ−ＳｉＯ膜を接着層とすることにより、シリコン窒化膜の段差被覆性が向上するため、フッ素化ケイ酸塩ガラス膜とシリコン窒化膜との密着性が更に向上する。
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
本発明によれば、フッ素化ケイ酸塩ガラス膜とシリコン窒化膜との間に接着層を形成することにより、シリコン窒化膜の膨れや剥離を防止できる。
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
本発明によれば、接着層としてのＰ−ＳｉＯ膜またはＰ−ＳｉＯＮ膜の形成方法として、プラズマＣＶＤ法を適用できる。
【手続補正４５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
本発明によれば、接着層としてのＰＥ−ＳｉＯ膜の形成方法として、プラズマ加速ＣＶＤ法を適用できる。