【手続補正書】
【提出日】令和1年6月4日(2019.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高電圧デバイスであって、
第１の基板上に形成され、第１のドレインノードと第１の制御ゲートと第１のソースノードとを含む低電圧トランジスタ（ＬＶＴ）と、
第２の基板上に形成される高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）であって、
前記第２の基板の上に配置される２次元電子ガス（２ＤＥＧ）層と、
前記２ＤＥＧ層の上に配置され、高電圧源を受け取るように構成される第２のドレインノードと、
前記２ＤＥＧ層の上に配置され、前記ＬＶＴの前記第１のドレインノードと接続される第２のソースノードと、
前記２ＤＥＧ層の上に配置され、前記第２のドレインノードと前記第２のソースノードと前記２ＤＥＧ層とによって連帯的に画定されるチャネルをレギュレートするように構成される第２の制御ゲートと、
前記チャネルの上に配置され、前記チャネルに沿って電荷を分布させるように構成されるフィールド電極であって、前記第２の制御ゲートと前記第２のソースノードとに電気的に結合される、前記フィールド電極と、
を含む、前記ＨＥＭＴと、
前記ＨＥＭＴのフィールド電極を前記ＬＶＴの第１のソースノードに接続する第１のボンディングワイヤと、
前記ＨＥＭＴの第２の制御ゲートを前記ＬＶＴの第１のソースノードに接続し、前記第１のボンディングワイヤから分離されている第２のボンディングワイヤと、
を含む、高電圧デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の高電圧デバイスであって、
前記フィールド電極が、前記第２の制御ゲートよりも前記２ＤＥＧ層からより遠くに位置する、高電圧デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載の高電圧デバイスであって、
前記第２の基板の上に形成され、前記ＨＥＭＴの前記フィールド電極と接続される第１のボンディングパッドと、
前記第２の基板の上に形成され、前記第１のボンディングパッドから分離される第２のボンディングパッドであって、前記ＨＥＭＴの第２の制御ゲートと接続される、前記第２のボンディングパッドと、
前記第２の基板の上に形成され、前記第１のボンディングパッドから分離される第３のボンディングパッドであって、前記ＨＥＭＴの第２のソースノードと接続される、前記第３のボンディングパッドと、
を更に含む、高電圧デバイス。
【請求項４】
請求項１に記載の高電圧デバイスであって、
前記ＬＶＴの前記第１のソースノードがソース電圧を受け取るように構成される、高電圧デバイス。
【請求項５】
請求項４に記載の高電圧デバイスであって、
前記ＨＥＭＴの前記フィールド電極を前記ＬＶＴの前記第１のソースノードに接続する第１のリンギング抑制器であって、前記第１のボンディングワイヤと直列である、前記第１のリンギング抑制器と、
前記ＨＥＭＴの前記第２の制御ゲートを前記ＬＶＴの前記第１のソースノードに接続する第２のリンギング抑制器であって、前記第２のボンディングワイヤと直列であり、前記第１のリンギング抑制器から電気的に独立している、前記第２のリンギング抑制器と、
を更に含む、高電圧デバイス。
【請求項６】
請求項１に記載の高電圧デバイスであって、
前記ＨＥＭＴの前記第２の制御ゲートが前記チャネルをレギュレートするために第１の電圧を受け取るように構成され、
前記ＨＥＭＴの前記フィールド電極が前記第１の電圧とは異なる第２の電圧を受け取るように構成され、前記第２の電圧が前記チャネルに沿って前記電荷を分布させるためのものである、高電圧デバイス。
【請求項７】
請求項１に記載の高電圧デバイスであって、
前記ＨＥＭＴの前記フィールド電極が、
前記チャネルの第１の領域の上に配置され、前記第２の制御ゲートと接していない第１のフィールド電極であって、前記チャネルの前記第１の領域における電荷を分布させるように構成される、前記第１のフィールド電極と、
前記第１のフィールド電極から分離される第２のフィールド電極であって、前記チャネルの第２の領域の上に配置され、前記第２の制御ゲートと接しておらず、前記チャネルの前記第２の領域における電荷を分布させるように構成される、前記第２のフィールド電極と、
を含む、高電圧デバイス。
【請求項８】
請求項１に記載の高電圧デバイスであって、
前記第１の基板が前記第２の基板から分離する、高電圧デバイス。
【請求項９】
請求項１に記載の高電圧デバイスであって、
前記第１の基板が共通基板上のＬＶＴ領域を占有し、
前記第２の基板が前記共通基板上のＨＥＭＴ領域を占有する、高電圧デバイス。
【請求項１０】
高電圧スイッチであって、
高電圧トランジスタ（ＨＶＴ）であって、
高電圧源を受け取るように構成されるドレインノードと、
前記ドレインノードと高電圧チャネルを画定するように構成されるソースノードと、
前記ドレインノードと前記ソースノードとの間に置かれる制御ゲートであって、前記高電圧チャネルをレギュレートするように構成される前記制御ゲートと、
前記高電圧チャネルの上に配置され、前記高電圧チャネルを再レギュレートするように構成されるフィールド電極であって、前記ＨＶＴ内で前記ドレインノードと前記ソースノードと前記制御ゲートとから隔離される、前記フィールド電極と、
を含む、前記ＨＶＴと、
低電圧トランジスタ（ＬＶＴ）であって、
前記ＨＶＴの前記ソースノードと結合され、出力電圧を搬送するように構成されるドレインノードと、
ソース電圧を受け取るように構成されるソースノードと、
前記ＨＶＴの前記制御ゲートと前記ＨＶＴの前記ソースノードとの間の電位差を調節
することによって、入力電圧に応答して前記出力電圧を制御するように構成される、制御ゲートと、
を含む、前記ＬＶＴと、
前記ＨＶＴの前記フィールド電極を前記ＬＶＴの前記ソースノードに接続する第１のボンディングワイヤと、
前記ＨＶＴの前記制御ゲートを前記ＬＶＴの前記ソースノードに接続し、前記第１のボンディングワイヤから分離される第２のボンディングワイヤと、
を含む、高電圧スイッチ。
【請求項１１】
請求項１０に記載の高電圧スイッチであって、
前記ＨＶＴの前記フィールド電極を前記ＬＶＴの前記ソースノードに接続する第１のリンギング抑制器であって、前記第１のボンディングワイヤと直列である、前記第１のリンギング抑制器と、
前記ＨＶＴの前記制御ゲートを前記ＬＶＴの前記ソースノードに接続する第２のリンギング抑制器であって、前記第２のボンディングワイヤと直列であり、前記第１のリンギング抑制器から電気的に独立している、前記第２のリンギング抑制器と、
を更に含む、高電圧スイッチ。
【請求項１２】
請求項１０に記載の高電圧スイッチであって、
前記ＨＶＴの前記フィールド電極が、前記ＨＶＴによって画定される領域にわたって、前記ＨＶＴの前記ドレインノードとソースノードと制御ゲートとのうちのいずれの１つとも接していない、高電圧スイッチ。
【請求項１３】
請求項１０に記載の高電圧スイッチであって、
前記ＨＶＴの前記制御ゲートが前記高電圧チャネルに沿って電荷を終結させるために第１の電圧を受け取るように構成され、
前記ＨＶＴの前記フィールド電極が前記第１の電圧とは異なる第２の電圧を受け取るように構成され、前記第２の電圧が前記終結された電荷を前記高電圧チャネルに沿って拡散するためのものである、高電圧スイッチ。
【請求項１４】
請求項１０に記載の高電圧スイッチであって、
前記ＨＶＴの前記フィールド電極が、
前記高電圧チャネルの第１の領域の上に配置され、前記高電圧チャネルの前記第１の領域における電荷を分布させるように構成される第１のフィールド電極と、
前記第１のフィールド電極から分離され、前記高電圧チャネルの第２の領域の上に配置され、前記高電圧チャネルの前記第２の領域における電荷を分布させるように構成される第２のフィールド電極と、
を含む、高電圧スイッチ。