Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年7月20日(2007.7.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の現在の好適な実施例による容器の商業上許容性に影響を与える変異のための容器を検査する装置は、容器がその軸の回りを回転している間に容器を通って散乱性の偏光エネルギーを導く光源を含んでいる。第１カメラが光源から容器の一部分を通って送られる散乱性の偏光エネルギーを受け取るように配置され、別の明るい背景に対して不透明な変異が暗く現れる容器部分の像を第１カメラが受け取るようになっている。第２カメラは光源から実質的に容器の同じ部分を通って送られる光エネルギーを受け取り、光源の偏光子に交差する方向の偏光子を含んでいる。第２カメラは容器の応力変異の明るい像を受け取り、別の暗い背景に対して、容器を通過する散乱性の偏光エネルギーの偏光を変化させる。イメージプロセッサは両方のカメラに結合され、カメラにより見通される容器部分の対応した像を受け取り、容器の変異の間を検出すると共に識別する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
第１及び第２カメラはそれぞれ、お互い及び容器の軸と共面方向に向けておかれた線形配列のＣＣＤセンサを含んでいる。情報プロセッサは容器の回転を増分（インクリメント）させてカメラの線形配列センサをスキャンし、容器の検査部分の２次元に広げた像をそれぞれ出現させる。これらの２次元の像の比較に応じて、オペレータの分析のための２次元像の同時表示により、及び又は、像の個別の画素信号の自動電子比較により、変異が検出されると共に識別される。本発明の好適な実施例の第１カメラは容器の向こう側の光源に正反対であるが、第２カメラは第１カメラの下に配置され上向き角度で容器を見通す。第２カメラの視野は容器の下端を含み、使用中に容器の下端部分に通常加えられる衝撃力のため、光源の偏光に影響を与える応力変異は特に重大である。本発明の好適な実施例の光源は、可視範囲、好ましくは約３０００°から５０００°Ｋの色温度範囲で高出力を有する蛍光源を含んでいる。従って、本発明は、検査システムを通る容器の動く弧内に光源を配置することにより現存の検査システムの単一場所で容易に実行され、そのような動く弧の外部の他の上のシステム支持ブラケットのシステムにカメラを配置してもよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
通常、スターホイール（図示せず）及びスライドプレート３６を含むコンベヤー３４が配置されると共に容器の源に接続され、弓形進路３８（図２）を通って容器を連続的に移動させ、連続的に容器を装置１０の位置に運び、スターホイールコンベヤーの容器検査システムの１つの場所に配置する。コンベヤー３４及び全体の検査システムは、米国特許 No.4,230,319及び4,378,493に示されたもののような適当なタイプであってもよく、背景の目的のためここにインコーポレイテッドバイリファレンスされている。カメラ２４，２８はコンベヤーから外部に伸びるカメラ支持ブラケット３７の他の上の一つに調整可能に取付けられている。連続する容器は光源１６とカメラ２４，２８の間の一定位置に保持され、容器の中心軸回りのドライブローラー３９等により回転される。エンコーダー４０は容器回転機構に結合され、容器回転の増分を示す信号を供給する。そのような増分は回転の一定角度増分又は一定速度での回転の一定時間増分のいずれかで構成されていてもよい。情報プロセッサ４１はエンコーダー４０及びカメラ２４，２８に結合され、容器の回転を増分させてセンサ２６，３０をスキャンし、容器１４の対応する２次元電子像を出現させる。これらの２次元像は、第１次元はそれぞれの線形配列のセンサの連続要素からの信号によって形成され、第２次元は容器の回転の増加によって形成される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
動作において、連続する容器１４は光源１６とカメラ２４，２８の間のコンベヤー３４によって適所に導かれる。その後、容器は一定位置に保持され、その中心軸の回りに回転される。散乱性の光源１６からの偏光エネルギーは容器１４を通ってカメラ２４の配列２６上に導かれ、従って、明るい背景像を形成する。容器の不透明な変異は光源１６からカメラ配列２６への光エネルギーの伝達を遮り又は吸収し、そのような不透明な変異が別の明るい背景に対して暗い像を形成するようになっている。（不透明な変異という用語は、光エネルギーを遮り又は吸収する変異だけではなく、カメラを離れてそれを通じて伝達される光エネルギーを有効に屈折するような大きさの屈折変異とカメラから離れて光エネルギーを反射する反射エネルギーをも含む。換言すれば、容器の光エネルギーを遮り又は吸収する変異、カメラから離れて光エネルギーを屈折する変異、及びカメラから離れて光エネルギーを反射する変異は、別の明るい背景に対する暗い像のようなカメラ２４の配列２６ですべて現れるだろう。）同時に、光源１６からの偏光した散乱光エネルギーは容器１４を通ってカメラ２８の前の偏光子３２に伝達される。偏光子レンズ２２，３２の交差方向付けは通常、カメラ２８の配列３０で暗い背景又は地色を作り出す。しかし、容器の側壁での応力変異のような容器１４の変異は、それを通じて伝達される光エネルギーの偏光を変え、別の暗い地色又は背景に対する明るい像としてカメラ２８の配列２８に現れるだろう。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
図３Ａ及び３Ｂは容器の１回転中のそれぞれのカメラ２４，２８からの情報プロセッサ４１によりスキャンされた容器１４の広げた２次元像を示している。例えば、応力を作り出さない不純物が図３Ａの暗い像５０により示され、図３Ｂの同じｘ−ｙ位置には対応する像がない。応力を作り出す不純物は図３Ａで暗い像５２ａにより示され、図３Ｂで対応する暗い像５２ｂにより示され、該暗い像は不純物を取り囲む応力領域の明るい像５２ｃにより取り囲まれている。像５０，５２ａは不純物の寸法を示している。図３Ａの対応する位置に像がなく対応した図３Ｂの明るい像５４は透明な１点又は極少量の不透明な調理器具を含むことにより生成された応力変異を示し、前記不透明な調理器具は同様な透明特性を有しているが容器の側壁の周囲のガラスとは熱特性が異なっている。別の暗い背景に対する図３Ｂの細長い明るい像５６は容器の側壁での失透現象を示していてもよい。容器の応力生成変異は容器の弱い領域を示していてもよく、該弱い領域は容器の通常の取扱い中の衝撃の結果として、又は、容器が満たされ又は取扱われる時の熱応力の結果として破砕しやすい。容器の下端、すなわち、容器の側壁を容器の底部につなぐ容器の部分は、通常の使用中に応力及び衝撃を受けやすいので、応力変異の含有に特に敏感である。従って、図１に示されているような本発明の装置の特に重要な利点は、カメラ２８が容器の全体の下端部分を含む僅かに上向きの角度で容器１４を見通すという事実にある。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月10日(2007.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
薫香は、古くから、加熱して香気を立ち上らせて味わう香気成分含有物として広く知られ、通常、香木粉末、香料、色素などを水と混合してペースト状物とし、多くの場合、これを線状に押し出し成形し、乾燥して製造されている。このようにして製造される薫香は、一般にその保存中に香気が揮散及び／又は変質などして劣化し易く、商品価値の低下することが知られている。また、成形薫香は、製造時、輸送時、使用時などにおける環境変化、とりわけ湿度などの水分変化に伴う変形や、衝撃などの圧力変化に伴う折損などを起し易い、すなわち、物理的強度が不十分であるという欠点があることも知られている。以上の問題点を解消する薫香として、同じ特許出願人は、先に特願２０００−１３７７８８号明細書（特開２００１−４８７６５号公報）に、トレハロース、マルチトール及びプルランから選ばれる１種又は２種以上の糖質、又は、この１種又は２種以上の糖質とともに環状糖質を配合した成形薫香を開示した。この成形薫香は、それまでの公知の薫香が抱えていた上記の欠点をともに解消するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決することを目的に、成形薫香の構造と組成について鋭意研究を重ね、同じ特許出願人による特願２０００−１３７７８８号明細書（特開２００１−４８７６５号公報）に開示された成形薫香にさらに別の配合成分を種々加えて鋭意検討を加えたところ、物理的強度の強化にはある程度の成果が見られるものの、その物理的強度はなお十分ではないことが判明した。そこで、本発明者らは観点を変えて、上記明細書に開示された成形薫香を膜状物で被覆して、香気の劣化の抑制ならびに物理的強度を調べたところ、膜状物で被覆された該成形薫香は、香気の劣化が十分に抑制されていながら、さらなる物理的強度が達成できることが確認された。この発明は、本発明者らによる以上の知見に基づいて完成されたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
複数香成形薫香の製造を目的とする場合、上記（１）の方法による場合には、例えば、香気の異なる混合物どうしを同じ特許出願人による特願２０００−１３７７８８号明細書（特開２００１−４８７６５号公報）に開示された方法などにより一体化すればよく、また、上記（２）の方法による場合には、例えば、異なる香気の成形物どうしを後述する膜状物で被覆する方法により一体化すればよく、さらにまた、上記（３）の方法による場合には、例えば、香気を示さない成形物の所望の部分がそれぞれ異なる香気を示すように互いに香気の異なる植物由来の物質を含有せしめればよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月3日(2007.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】活性成分としてα−グルコシダーゼ阻害薬と、レパグリニド及びミチグリニドから選ばれる非スルホニルウレア系インスリン分泌促進薬のみを組み合わせてなる医薬。
【請求項２】α−グルコシダーゼ阻害薬がボグリボースである請求項１記載の医薬。
【請求項３】α−グルコシダーゼ阻害薬がアカルボースである請求項１記載の医薬。
【請求項４】α−グルコシダーゼ阻害薬がミグリトールである請求項１記載の医薬。
【請求項５】α−グルコシダーゼ阻害薬がエミグリテートである請求項１記載の医薬。
【請求項６】α−グルコシダーゼ阻害薬の１日あたりの投与量が０．１〜５００ｍｇである請求項１記載の医薬。
【請求項７】ボグリボースの１日あたりの投与量が０．１〜２ｍｇである請求項２記載の医薬。
【請求項８】非スルホニルウレア系インスリン分泌促進薬がレパグリニドである請求項１記載の医薬。
【請求項９】レパグリニドの１日あたりの投与量が０．５〜１５ｍｇである請求項８記載の医薬。
【請求項１０】非スルホニルウレア系インスリン分泌促進薬がミチグリニドである請求項１記載の医薬。
【請求項１１】ミチグリニドの１日あたりの投与量が１〜５０ｍｇである請求項１０記載の医薬。
【請求項１２】α−グルコシダーゼ阻害薬がボグリボースであり、非スルホニルウレア系インスリン分泌促進薬がレパグリニドである請求項１記載の医薬。
【請求項１３】α−グルコシダーゼ阻害薬がボグリボースであり、非スルホニルウレア系インスリン分泌促進薬がミチグリニドである請求項１記載の医薬。
【請求項１４】糖尿病の予防・治療剤である請求項１記載の医薬。
【請求項１５】糖尿病合併症の予防・治療剤である請求項１記載の医薬。
【請求項１６】耐糖能異常の予防・治療剤である請求項１記載の医薬。
【請求項１７】経口剤である請求項１記載の医薬。
【請求項１８】錠剤である請求項１記載の医薬。
【請求項１９】活性成分として、レパグリニド及びミチグリニドから選ばれる非スルホニルウレア系インスリン分泌促進薬のみと組み合わせて用いられる糖尿病の予防・治療剤製造のためのα−グルコシダーゼ阻害薬の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月30日(2006.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】少なくとも可塑剤及び安定剤を含む塩化ビニル系樹脂組成物を成形して得られる塩化ビニル系樹脂製フィルムであって、塩化ビニル系樹脂１００重量部に対して、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタアクリレートのホモポリマーを０．５〜５重量部添加したことを特徴とする塩化ビニル系樹脂製フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月24日(2007.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【化１】
2001316477.tif 000001
（式中、Ｘは−ＣＨ２−、＞Ｃ（ＣＨ３）２、＞Ｃ（ＣＦ３）２、−Ｏ−、−Ｓ−、又は＞ＳＯ２を示し、Ｒ及びＲ’は水素又はＣ１〜Ｃ５のアルキル基を示し、ｎ及びｍは、１≦ｎ＋ｍ≦４を満足する数である。）樹脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月24日(2007.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  可塑化ポリビニルアセタール樹脂からなる合わせガラス用中間膜であって、
前記可塑化ポリビニルアセタール樹脂中に、錫ドープ酸化インジウム粒子、並びに、炭素数２〜１８のα−ヒドロキシカルボニル化合物及び／又は炭素数２〜１８のβ−ヒドロキシカルボニル化合物が分散され、前記炭素数２〜１８のα−ヒドロキシカルボニル化合物及び／又は前記炭素数２〜１８のβ−ヒドロキシカルボニル化合物の添加量は、前記錫ドープ酸化インジウム粒子１００重量部に対して、０．１〜３００重量部であることを特徴とする合わせガラス用中間膜。
【請求項２】  請求項１記載の合わせガラス用中間膜を用いてなることを特徴とする合わせガラス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月20日(2007.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転方向に所定間隔を存して配列される複数枚の羽根を有し、第１の速度で回転することにより前記羽根間に紙葉類を進入させて所定方向に案内する羽根車と、
この羽根車によって案内される紙葉類を集積させる集積部と、
前記羽根車の羽根間に進入する紙葉類の先端部が前記羽根の先端部に衝突するか否かを判別し、衝突すると判別した場合には、前記羽根車の回転速度を前記第１の速度よりも高速な第２の速度に可変制御する制御手段とを具備することを特徴とする紙葉類の集積装置。
【請求項２】
回転方向に所定間隔を存して配列される複数枚の羽根を有し、第１の速度で回転することにより前記羽根間に紙葉類を進入させて所定方向に案内する羽根車と、
この羽根車によって案内される紙葉類を集積させる集積部と、
前記羽根車の羽根間に進入する紙葉類を検出する第１の検出手段と、
前記紙葉類が進入する前記羽根車の羽根先端位置を検出する第２の検出手段と
、
前記第１及び第２の検出手段の検出情報に基づいて前記羽根車の羽根間に進入
する紙葉類が前記羽根の先端部に衝突するか否かを判別し、衝突すると判別した
場合には、前記羽根車の回転速度を前記第１の速度よりも高速な第２の速度に可
変制御する制御手段とを具備することを特徴とする紙葉類の集積装置。
【請求項３】
前記羽根車は進入してくる一枚の紙葉類に対し、複数個の羽根間を配置させることを特徴とする請求項１又は２記載の紙葉類の集積装置。
【請求項４】
前記羽根車を回転駆動するインバータモータを備え、前記制御手段は前記インバータモータの駆動を制御することにより前記羽根車の回転速度を前記第１の速度から前記第２の速度に可変制御することを特徴とする請求項１又は２記載の紙葉類の集積装置。
【請求項５】
回転方向に所定間隔を存して配列される複数枚の羽根を有する羽根車を第１の速度で回転させることにより前記羽根間に紙葉類を進入させて所定方向に案内する案内工程と、
この案内工程によって案内される紙葉類を集積部に集積させる集積工程と、
前記羽根車の羽根間に進入する紙葉類の先端部が前記羽根の先端部に衝突する
か否かを判別し、衝突すると判別した場合には、前記羽根車の回転速度を前記第１
の速度よりも高速な第２の速度に可変制御する制御工程とを具備することを特徴と
する紙葉類の集積方法。
【請求項６】
回転方向に所定間隔を存して配列される複数枚の羽根を有する羽根車を第１の速度で回転させることにより前記羽根間に紙葉類を進入させて所定方向に案内する案内工程と、
この羽根車によって案内される紙葉類を集積部に集積させる集積工程と、
前記羽根車の羽根間に進入する紙葉類を検出する第１の検出工程と、
前記紙葉類が進入する前記羽根車の羽根先端位置を検出する第２の検出工程と
、
前記第１及び第２の検出工程の検出情報に基づいて前記羽根車の羽根間に進入
する紙葉類が前記羽根の先端部に衝突するか否かを判別し、衝突すると判別した
場合には、前記羽根車の回転速度を前記第１の速度よりも高速な第２の速度に可変制御する制御工程とを具備することを特徴とする紙葉類の集積方法。
【請求項７】
前記羽根車は進入してくる一枚の紙葉類に対し、複数個の羽根間を配置させて前記紙葉類を進入させることを特徴とする請求項５又は６記載の紙葉類の集積方法。
【請求項８】
前記羽根車を回転駆動するインバータモータを備え、このインバータモータを駆動制御することにより、前記羽根車の回転速度を前記第１の速度から第２の速度に可変制御することを特徴とする請求項５又は６記載の紙葉類の集積方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１記載のものは、回転方向に所定間隔を存して配列される複数枚の羽根を有し、第１の速度で回転することにより前記羽根間に紙葉類を進入させて所定方向に案内する羽根車と、この羽根車によって案内される紙葉類を集積させる集積部と、前記羽根車の羽根間に進入する紙葉類の先端部が前記羽根の先端部に衝突するか否かを判別し、衝突すると判別した場合には、前記羽根車の回転速度を前記第１の速度よりも高速な第２の速度に可変制御する制御手段とを具備する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項２記載のものは、回転方向に所定間隔を存して配列される複数枚の羽根を有し
、第１の速度で回転することにより前記羽根間に紙葉類を進入させて所定方向に案内する羽根車と、この羽根車によって案内される紙葉類を集積させる集積部と、前記羽根車の羽根間に進入する紙葉類を検出する第１の検出手段と、前記紙葉類が進入する前記羽根車の羽根先端位置を検出する第２の検出手段と、前記第１及び第２の検出手段の検出情報に基づいて前記羽根車の羽根間に進入する紙葉類が前記羽根の先端部に衝突するか否かを判別し、衝突すると判別した場合には、前記羽根車の回転速度を前記第１の速度よりも高速な第２の速度に可変制御する制御手段とを具備する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項５記載のものは、回転方向に所定間隔を存して配列される複数枚の羽根を有す
る羽根車を第１の速度で回転させることにより前記羽根間に紙葉類を進入させて所定方向に案内する案内工程と、この案内工程によって案内される紙葉類を集積部に集積させる集積工程と、前記羽根車の羽根間に進入する紙葉類の先端部が前記羽根の先端部に衝突するか否かを判別し、衝突すると判別した場合には、前記羽根車の回転速度を前記第１の速度よりも高速な第２の速度に可変制御する制御工程とを具備する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項６記載のものは、回転方向に所定間隔を存して配列される複数枚の羽根を有する羽根車を第１の速度で回転させることにより前記羽根間に紙葉類を進入させて所定方向に案内する案内工程と、この羽根車によって案内される紙葉類を集積部に集積させる集積工程と、前記羽根車の羽根間に進入する紙葉類を検出する第１の検出工程と、前記紙葉類が進入する前記羽根車の羽根先端位置を検出する第２の検出工程と、前記第１及び第２の検出工程の検出情報に基づいて前記羽根車の羽根間に進入する紙葉類が前記羽根の先端部に衝突するか否かを判別し、衝突すると判別した場合には、前記羽根車の回転速度を前記第１の速度よりも高速な第２の速度に可変制御する制御工程とを具備する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月6日(2007.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
上記給排気孔の排気孔部分とともに排気通路を構成する排気通路本体と、上記外側シェルの内側に配された衝撃吸収ライナとを備え、
上記衝撃吸収ライナの外側面に設けた凹部と、この凹部に連なるように上記衝撃吸収ライナに設けた開孔と、上記給気通路形成部材の仕切り板部とから上記排気通路本体を構成したことを特徴とする請求項３または４に記載のヘルメット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
上記給排気孔を外側シェルの顎領域に左右一対設け、
上記給気通路を上記頭部保護体の顎領域の水平方向におけるほゞ中央部分に設けるとともに、
上記排気通路を上記頭部保護体の顎領域の左右両側部分に左右一対設け、
上記左右一対の給排気孔のうちの上記水平方向における中央側の一半部分が上記給気通路のための給気孔部分を構成するとともに、
上記左右一対の給排気孔のうちの上記水平方向における中央側とは反対側の一半部分が上記左右一対の排気通路のための排気孔部分を構成するようにしたことを特徴とする請求項１〜５のうちのいずれか１つに記載のヘルメット。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第２および第３の実施態様は、その第４の実施態様によれば、上記給排気孔の排気孔部分とともに排気通路を構成する排気通路本体と、上記外側シェルの内側に配された衝撃吸収ライナとを備え、上記衝撃吸収ライナの外側面に設けた凹部と、この凹部に連なるように上記衝撃吸収ライナに設けた開孔と、上記給気通路形成部材の仕切り板部とから上記排気通路本体を構成している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
さらに、請求項８に記載の発明によれば、頭部保護体内の空気を頭部空気通路の空気流出口から効果的に流出させることができるので、頭部保護体内をさらに良好に換気することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月16日(2007.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】熱可塑性樹脂組成物および樹脂成形体の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  連続的な塊状重合または溶液重合によって［Ａ］メチルメタクリレート単位およびアルキル基の炭素数が１〜８であるアルキルアクリレート単位からなるメタクリル樹脂を製造し、そのメタクリル樹脂と［Ｘ］ポリオルガノシロキサンおよびポリアルキルアクリレートから得られる複合ゴムにシアン化ビニル単量体とアルケニル置換芳香族単量体とがグラフト重合されたグラフト共重合体とを混練する熱可塑性樹脂組成物の製造方法（但し、［Ａ］＋［Ｘ］＝１００重量部）。
【請求項２】  ［Ａ］メタクリル樹脂の割合が２０〜９０重量部である、請求項１記載の熱可塑性樹脂組成物の製造方法。
【請求項３】  請求項１または２に記載した熱可塑性樹脂組成物を成形加工する樹脂成形体の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、成形体の耐候（光）性、耐衝撃性、顔料着色性および熱安定性に優れ、射出成形時の熱分解による銀条（シルバー）外観不良を抑制することが可能な熱可塑性樹脂組成物の製造方法およびその成形体の製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は、
連続的な塊状重合または溶液重合によって［Ａ］メチルメタクリレート単位およびアルキル基の炭素数が１〜８であるアルキルアクリレート単位からなるメタクリル樹脂を製造し、そのメタクリル樹脂と［Ｘ］ポリオルガノシロキサンおよびポリアルキルアクリレートから得られる複合ゴムにシアン化ビニル単量体とアルケニル置換芳香族単量体とがグラフト重合されたグラフト共重合体とを混練する熱可塑性樹脂組成物の製造方法（但し、［Ａ］＋［Ｘ］＝１００重量部）である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、また、上記した本発明の熱可塑性樹脂組成物を成形加工する樹脂成形体の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月13日(2007.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  メタロセン担持型触媒もしくは予備活性化メタロセン触媒と、有機アルミニウム化合物とからなるオレフィン（共）重合用触媒系の存在下に、プロピレンとα，ω−ジエンとを共重合して得られる、α，ω−ジエンを０．００００１重量％〜２重量％含有するプロピレン・α，ω−ジエン系共重合体に発泡核剤が含有された発泡成形用ポリプロピレン系樹脂組成物。
【請求項２】  メタロセン担持型触媒が、下記（ａ）工程〜（ｃ）工程を順次実施して得られるものであることを特徴とする請求項１に記載の発泡成形用ポリプロピレン系樹脂組成物。
（ａ）：π電子共役配位子を少なくとも１個有する有機遷移金属化合物とアルミノキサンとを不活性溶媒中で反応させてメタロセン触媒である反応生成物−ａを製造する工程、
（ｂ）：(ａ)工程で得られたメタロセン触媒である反応生成物−ａと無機微粒子状担体とを、不活性溶媒の存在下、８５〜１５０℃の温度で接触させて、該メタロセン触媒を無機微粒子単体に担持させて粗製メタロセン担持型触媒である固体生成物−ｂを製造する工程、
（ｃ）：（ｂ）工程で得られた粗製メタロセン担持型触媒である固体生成物−ｂを、−５０〜５０℃の温度で脂肪族炭化水素を使用して少なくとも２回洗浄する工程、
を順次実施して得られる精製されたメタロセン担持型触媒を製造する工程。
【請求項３】  予備活性化メタロセン触媒が、下記（ａ）工程〜（ｄ）工程を順次実施して得られるものであることを特徴とする請求項１または２に記載の発泡成形用ポリプロピレン系樹脂組成物。
（ａ）：π電子共役配位子を少なくとも１個有する有機遷移金属化合物とアルミノキサンとを不活性溶媒中で反応させてメタロセン触媒である反応生成物−ａを製造する工程、
（ｂ）：(ａ)工程で得られたメタロセン触媒である反応生成物−ａと無機微粒子状担体とを、不活性溶媒の存在下、８５〜１５０℃の温度で接触させて、該メタロセン触媒を無機微粒子単体に担持させて粗製メタロセン担持型触媒である固体生成物−ｂを製造する工程、
（ｃ）：（ｂ）工程で得られた粗製メタロセン担持型触媒である固体生成物−ｂを、−５０〜５０℃の温度で脂肪族炭化水素を使用して少なくとも２回洗浄する工程、
を順次実施して得られる精製されたメタロセン担持型触媒を製造する工程、
（ｄ）：（ｃ）工程で得られたメタロセン担持型触媒に、少なくとも１種のオレフィンを接触させて、該オレフィンを予備（共）重合させ、メタロセン担持型触媒にオレフィン予備（共）重合体を担持させて予備活性化メタロセン担持型触媒を製造する工程。
【請求項４】  プロピレン・α，ω−ジエン系共重合体１００重量部に対して、発泡剤を０．１〜５０重量部の割合で含有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の発泡可能なポリプロピレン系樹脂組成物。
【請求項５】  請求項１〜３のいずれか１項に記載の発泡成形用ポリプロピレン系樹脂組成物を、押出機を用いて高温、高圧下に加熱、溶融、混錬した後、該溶融樹脂中に気体もしくは揮発性液体を分散させ、低圧下に押し出して発泡させ、冷却固化させて得られるポリプロピレン系樹脂発泡体。
【請求項６】  請求項４に記載の発泡可能なポリプロピレン系樹脂組成物を、押出機を用いて高温、高圧下に加熱、溶融、混錬した後、低圧下に押し出して発泡させ、冷却固化させて得られるポリプロピレン系樹脂発泡体。
【請求項７】  請求項１〜３のいずれか１項に記載の発泡成形用ポリプロピレン系樹脂組成物を、押出機を用いて高温、高圧下に加熱、溶融、混錬した後、該溶融樹脂中に気体もしくは揮発性液体を分散させ、低圧下に押し出して発泡させ、冷却固化させることを特徴とするポリプロピレン系樹脂発泡体の製造方法。
【請求項８】  請求項４記載の発泡可能なポリプロピレン系樹脂組成物を、押出機を用いて高温、高圧下に加熱、溶融、混錬した後、低圧下に押し出して発泡させ、冷却固化することを特徴とするポリプロピレン系樹脂発泡体の製造方法。
【請求項９】  請求項５または６に記載のポリプロピレン系樹脂発泡体を熱成形してなる発泡成形体。
【請求項１０】  請求項７または８に記載の製造方法で得られたポリプロピレン系樹脂発泡体を熱成形してなる発泡成形体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、均一で緻密な発泡セル（気泡）および高い発泡倍率を持つ発泡体の得られるポリプロピレン系樹脂組成物を得るべく、鋭意研究した。その結果、メタロセン担持型触媒もしくはメタロセン担持型触媒とオレフィンとを接触させてオレフィンを予備（共）重合し、該予備（共）重合されたオレフィン重合体をさらに担持させた予備活性化メタロセン触媒と、有機アルミニウム化合物とからなるオレフィン（共）重合用触媒系の存在下にプロピレンとα，ω−ジエンとを共重合させて得られる、特定量のα，ω−ジエンを含有するプロピレン・α，ω−ジエン系共重合体を用いて発泡成形すると、得られる発泡体が均一で緻密な発泡セル（気泡）および高い発泡倍率を持つ発泡体になることを見いだし、この知見に基づいて、本発明を完成した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
（１）メタロセン担持型触媒もしくは予備活性化メタロセン触媒と、または、下記（ａ）工程〜（ｃ）工程を順次実施して得られるメタロセン担持型触媒もしくは下記（ａ）工程〜（ｄ）工程を順次実施して得られる予備活性化メタロセン触媒と、有機アルミニウム化合物とからなるオレフィン重合用触媒系の存在下に、プロピレンとα，ω−ジエンとを共重合して得られる、α，ω−ジエンを０．００００１重量％〜２重量％含有するプロピレン・α，ω−ジエン系共重合体に発泡核剤が含有された発泡成形用ポリプロピレン系樹脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月16日(2007.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を収納したカセットを載置するカセット載置台を設置したカセットステージと、第一開口部を設けた第一隔壁で隔てられ前記カセットステージに隣接して配置され、かつ、内部に半導体基板の第一搬送装置を収納したカセットステーションと、第二開口部を設けた第二隔壁で隔てられ前記カセットステーションに隣接して配置され、かつ、内部に半導体基板の第二搬送装置を収納したプロセスステーションと、を備え、前記第二搬送装置の周囲に配置され、かつ、ゲートバルブの開閉により半導体基板の搬入・搬出を可能にした密閉構造の少なくとも１個以上のメッキ処理モジュールを配置した、ことを特徴とするメッキ処理システム。
【請求項２】
前記プロセスステーションが、半導体基板にメッキ処理を行うメッキ処理モジュール、メッキ処理後の半導体基板の洗浄・乾燥を行う洗浄・乾燥モジュール、半導体基板の一時収納を行うバッファ、のいずれかのうちの少なくとも一つ以上からなる請求項１に記載のメッキ処理システム。
【請求項３】
前記メッキ処理モジュールの頂部には給気口を、かつ、前記メッキ処理モジュールの底部には排気口を設け、さらに前記給気口と前記排気口とを連通する循環管路を設け、前記循環管路には、風量調整手段を備えた外気導入口が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のメッキ処理システム。
【請求項４】
前記循環管路に設けた風量調整手段が、前記メッキ処理モジュール内の圧力と、その外部との圧力差を電気信号として検出する検出手段と、前記検出された信号を予め記憶された情報値と比較演算して制御信号を得る制御手段と、前記制御信号により前記外気導入口から供給する風量を制御する圧力調整手段と、からなることを特徴とする請求項３に記載のメッキ処理システム。
【請求項５】
メッキ処理手段内に設置した半導体基板搬送部の雰囲気を清浄化する工程と、メッキ槽部のメッキ液から発生するミストを排気し水溶解させる工程と、前記半導体基板搬送部の雰囲気を清浄化させる工程と前記メッキ槽部のメッキ液から発生するミストを排気し水溶解させる工程とを開始した後に半導体基板を前記半導体基板搬送部に搬入する工程と、半導体基板を前記半導体基板搬送部から前記メッキ槽部へ搬送し前記メッキ槽部内で半導体基板にメッキ処理する工程と、メッキ処理された半導体基板を前記メッキ槽部から前記半導体基板搬送部へ搬送し前記メッキ処理手段から搬出する工程と、からなるメッキ処理方法。
【請求項６】
前記雰囲気清浄化工程が、前記メッキ処理手段内の圧力を前記メッキ処理手段外の圧力より低く制御する工程を含むことを特徴とする、請求項５に記載のメッキ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のメッキ処理システムは、半導体基板を収納したカセットを載置するカセット載置台を設置したカセットステージと、第一開口部を設けた第一隔壁で隔てられ前記カセットステージに隣接して配置され、かつ、内部に半導体基板の第一搬送装置を収納したカセットステーションと、第二開口部を設けた第二隔壁で隔てられ前記カセットステーションに隣接して配置され、かつ、内部に半導体基板の第二搬送装置を収納したプロセスステーションと、を備え、前記第二搬送装置の周囲に配置され、かつ、ゲートバルブの開閉により半導体基板の搬入・搬出を可能にした密閉構造の少なくとも１個以上のメッキ処理モジュールを配置した、ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、メッキ処理手段内に設置した半導体基板搬送部の雰囲気を清浄化する工程と、メッキ槽部のメッキ液から発生するミストを排気し水溶解させる工程と、前記半導体基板搬送部の雰囲気を清浄化させる工程と前記メッキ槽部のメッキ液から発生するミストを排気し水溶解させる工程とを開始した後に半導体基板を前記半導体基板搬送部に搬入する工程と、半導体基板を前記半導体基板搬送部から前記メッキ槽部へ搬送し前記メッキ槽部内で半導体基板にメッキ処理する工程と、メッキ処理された半導体基板を前記メッキ槽部から前記半導体基板搬送部へ搬送し前記メッキ処理手段から搬出する工程と、からなるメッキ処理方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月1日(2007.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
０．９オーム−ｃｍ未満の電気抵抗率を有する化学蒸着された低抵抗率炭化珪素を含む独立した物品。
【請求項２】
さらに、少なくとも１９５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有することを特徴とする請求項１記載の独立した物品。
【請求項３】
さらに、少なくとも６．３×１０１８Ｎ原子／ｃｍ３の窒素濃度を特徴とする請求項１記載の独立した物品。
【請求項４】
さらに、少なくとも１９５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有することを特徴とする請求項３記載の独立した物品。
【請求項５】
さらに、１０ｐｐｍｗ未満の微量元素を含有することを特徴とする請求項３記載の独立した物品。
【請求項６】
さらに、５ｐｐｍｗ未満の微量元素を含有することを特徴とする請求項５記載の独立した物品。
【請求項７】
さらに、少なくとも３．０ｇ／ｃｃの密度を特徴とする請求項３記載の独立した物品。
【請求項８】
さらに、少なくとも３９０ＭＰａの曲げ強さを特徴とする請求項３記載の独立した物品。
【請求項９】
さらに、少なくとも２５０Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有することを特徴とする請求項３記載の独立した物品。
【請求項１０】
さらに、１０ｐｐｍｗ未満の微量元素を含有することを特徴とする請求項１記載の独立した物品。
【請求項１１】
さらに、５ｐｐｍｗ未満の微量元素を含有することを特徴とする請求項１０記載の独立した物品。
【請求項１２】
さらに、少なくとも３．０ｇ／ｃｃの密度を特徴とする請求項１記載の独立した物品。
【請求項１３】
さらに、少なくとも３．２ｇ／ｃｃの密度を特徴とする請求項１記載の独立した物品。
【請求項１４】
少なくとも１．０×１０１９Ｎ原子／ｃｍ３の窒素濃度を有することを特徴とする請求項１記載の独立した物品。
【請求項１５】
０．５オーム−ｃｍ以下の電気抵抗率を有する請求項１記載の独立した物品。
【請求項１６】
少なくとも３９０ＭＰａの曲げ強さを特徴とする請求項１記載の独立した物品。
【請求項１７】
少なくとも２５０Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有することを特徴とする請求項１記載の独立した物品。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッキ形成を促進させる材料とメッキ形成を抑制させる材料とを含む処理剤を被処理基板面に付着させる工程と、
前記処理剤が付着された前記被処理基板面にメッキを施す工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記付着させる工程は、前記被処理基板を回転させて前記処理剤を前記被処理基板に付着させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
表面にメッキの種付け層が形成された被処理基板を処理空間に導入する工程と、
前記導入された前記被処理基板を前記処理空間で還元処理する工程とをさらに有し、
前記付着させる工程は、前記処理剤を前記還元処理された被処理基板面に付着させることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記処理剤は、濡れ性を増大させる成分を含有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記メッキを施す工程によりメッキされた被処理基板面に洗浄液を供給する工程をさらに有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
被処理基板を回転可能に保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記被処理基板面にメッキ形成を促進させる材料とメッキ形成を抑制させる材料とを含む処理剤を供給する処理剤供給ノズルとを備えた処理剤付着ユニットと、
前記処理剤が付着された前記被処理基板面にメッキを施すメッキ処理ユニットと、
前記処理剤付着ユニットから前記処理剤が付着された被処理基板を搬出して前記メッキ処理ユニットに搬入する搬送機構と
を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、表面にメッキの種付け層が形成された被処理基板を処理空間に導入する工程と、前記導入された前記被処理基板を前記処理空間で還元処理する工程とをさらに有し、付着させる工程が、還元処理された被処理基板面に当該処理剤を付着させるものであってもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明に係る半導体装置の製造装置は、被処理基板を回転可能に保持する基板保持部と、基板保持部に保持された被処理基板面にメッキ形成を促進させる材料とメッキ形成を抑制させる材料とを含む処理剤を供給する処理剤供給ノズルとを備えた処理剤付着ユニットと、処理剤が付着された被処理基板面にメッキを施すメッキ処理ユニットと、処理剤付着ユニットから処理剤が付着された被処理基板を搬出してメッキ処理ユニットに搬入する搬送機構とを有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層が形成され電解液中に浸漬された被処理基板の前記金属層に電気的に接触する複数の針状体と、
前記針状体により電気的に接触された前記被処理基板に前記針状体から電流を供給する手段と、
前記電流の供給により前記電解液中を流れる電流を回収する電極と
を有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記針状体が前記金属層に接触する圧力を検出する手段と、
前記検出された圧力を一定にすべく前記針状体を前記被処理基板面にほぼ垂直方向に可動する手段と
をさらに有することを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記針状体は、板状のベース材に略垂直に起立して配設され、前記ベース材からの高さが略同一に形成されたことを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項４】
金属層が形成され電解液中に浸漬された被処理基板の前記金属層に複数の針状体を電気的に接触させ、
前記電気的に接触させた前記被処理基板に前記針状体から電流を供給し、
前記被処理基板から前記電解液に流された電流を前記電解液中に配設された電極から回収すること
を特徴とする半導体製造方法。
【請求項５】
前記電気的な接触は、前記針状体が前記金属層に接触する圧力を検出し、前記検出された圧力を一定にすべく前記針状体を前記被処理基板面にほぼ垂直方向に可動することによりなされることを特徴とする請求項４記載の半導体製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するため、本発明に係る半導体製造装置は、金属層が形成され電解液中に浸漬された被処理基板の前記金属層に電気的に接触する複数の針状体と、前記針状体により電気的に接触された前記被処理基板に前記針状体から電流を供給する手段と、前記電流の供給により電解液中を流れる電流を回収する電極とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明に係る半導体製造方法は、金属層が形成され電解液中に浸漬された被処理基板の前記金属層に複数の針状体を電気的に接触させ、前記電気的に接触させた前記被処理基板に前記針状体から電流を供給し、前記被処理基板から前記電解液に流された電流を前記電解液中に配設された電極から回収することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月5日(2007.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  
被処理体に所定の液処理を施すための処理液を貯留可能に構成された処理槽と、
この処理槽に設けられた処理液循環系と、
この処理液循環系に設けられた除去手段と、を備えた液処理装置であって、
前記除去手段は、前記処理液の循環を行っている際に、前記処理液に含まれ、かつ前記処理液により生成された反応生成物を、少なくとも除去可能に構成されていることを特徴とする液処理装置。
【請求項２】  
前記処理液中に有機系成分添加剤及び／又は硫黄系成分添加剤を供給可能な添加剤供給手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の液処理装置。
【請求項３】  
前記処理液中には予め有機系成分添加剤及び硫黄系成分添加剤が含まれており、これらの濃度を測定可能な濃度測定手段をさらに備えた請求項１〜２のいずれかに記載の液処理装置。
【請求項４】  
前記処理液の循環の後、処理液の体積又は重量を測定可能に構成された測定手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液処理装置。
【請求項５】  
前記除去手段は、前記反応生成物をトラップすることにより除去可能に構成されたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液処理装置。
【請求項６】
前記トラップはフィルタリングによって実行することを特徴とする請求項５に記載の液処理装置。
【請求項７】
前記フィルタリングは、粗さの異なる２以上のフィルタを用いて実施することを特徴とする請求項６に記載の液処理装置。
【請求項８】  
前記除去手段は、前記反応生成物を加熱により除去可能に構成されたことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の液処理装置。
【請求項９】
前記加熱は、４０〜５０℃の温度で実施することを特徴とする請求項８記載の液処理装置。
【請求項１０】
所定の処理液を施すための処理液を貯留可能に構成された処理槽と、
この処理槽に設けられた第１の処理液循環系と、
この第１の処理液循環系に設けられ、所定量の処理液を貯留可能に構成されたリサイクル槽と、
このリサイクル槽に設けられた第２の循環系と、を備えた液処理システムであって、
前記第２の循環系には、前記処理液の循環を行っている際に、前記処理液に含まれ、かつ前記処理液により生成された反応生成物を、少なくとも除去可能に構成された除去手段と、
を備えたことを特徴とする液処理システム。
【請求項１１】
前記除去手段はフィルタを含むことを特徴とする請求項１０記載の液処理システム。
【請求項１２】
前記フィルタは、粗さの異なる２以上のフィルタであることを特徴とする請求項１１記載の液処理システム。
【請求項１３】
前記除去手段は加熱手段を含むことを特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載の液処理システム。
【請求項１４】  
前記第１の循環系の、前記処理槽と前記リサイクル槽との間には、所定量の処理液を貯留可能に構成されたリザーバタンクを、さらに備えていることを特徴とする請求項１０に記載の液処理システム。
【請求項１５】  
前記第１の循環系の、前記リサイクル槽の下流側には、所定量の処理液を貯留可能に構成されたバッファ槽を、さらに備えていることを特徴とする請求項１０〜１４のいずれかに記載の液処理システム。
【請求項１６】
前記リザーバタンクから前記処理槽へ処理液を供給する第１の供給系及び第２の供給系を備えることを特徴とする請求項１０〜１５のいずれかに記載の液処理システム。
【請求項１７】  
被処理体に所定の液処理を施すための処理液を貯留可能に構成された処理槽と、
この処理槽に設けられた処理液循環系と、
この処理液循環系に設けられた除去手段と、を備えた液処理装置を用いて行う液処理方法であって、
前記被処理体に所定の液処理を施す際、又は所定の液処理後、前記処理液循環系で液の循環を行う工程と、
前記処理液の循環を行っている際、前記処理液に含まれ、かつ前記液処理により生成された反応生成物を、前記除去手段により除去する工程と、を備えたことを特徴とする液処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月19日(2007.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スパッタリングターゲットとそれを用いた薄膜および電子部品
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｔ、ＡｌおよびＣｕから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物からなるスパッタリングターゲットであって、
表面粗さがＲyで10μm以下のスパッタ面を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】  請求項１記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記スパッタ面の表面粗さは、さらにＲaで1μm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項３】  請求項１または請求項２記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記スパッタ面に存在する深さ5μm以上の凹部の幅が、粗さ曲線の局部山頂の間隔として70μm以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項４】  請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記スパッタ面は、平面研削により仕上げ加工された表面を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項５】  請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはビッカース硬さでHv100以上の硬度を有する金属材料または化合物材料からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項６】  請求項５記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはＭｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＡｌおよびＣｕから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金またはケイ化物からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項７】  請求項１ないし請求項６のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とする薄膜。
【請求項８】  請求項１ないし請求項６のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成された薄膜を具備することを特徴とする電子部品。
【請求項９】  請求項８記載の電子部品において、
前記薄膜は配線膜、電極、または素子構成膜であることを特徴とする電子部品。
【請求項１０】  請求項８または請求項９記載の電子部品において、
前記薄膜はＳｉＯ2基板上に形成されていることを特徴とする電子部品。
【請求項１１】  請求項８ないし請求項１０のいずれか１項記載の電子部品において、
半導体素子であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１２】  請求項８ないし請求項１０のいずれか１項記載の電子部品において、
液晶表示素子であることを特徴とする電子デバイス。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種電子部品の配線膜、電極、素子構成膜などを形成する際に用いられるスパッタリングターゲットとそれを用いた薄膜および電子部品に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明のスパッタリングターゲットは、請求項１に記載したように、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｔ、ＡｌおよびＣｕから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物からなるスパッタリングターゲットであって、表面粗さがＲyで10μm以下のスパッタ面を有することを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の薄膜は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴としている。本発明の電子部品は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成された薄膜を具備することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月27日(2007.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
複写機、プリンタ等における電源装置においては、近年、安全性向上の要求が年々厳しくなってきている。電源装置には、従来から発煙発火や感電などの危険に結びつく異常動作に対する保護回路が設けられている。保護回路は、各種の異常を検知して、電源装置の動作停止処理を行ったり、商用電源としての交流電源からの入力をヒューズやリレーで遮断する構成が一般的である。なお、電気機器内の異常を検出したときに、電源の自動オフ処理を行って電気機器を安全な状態に設定する構成については例えば特許文献１（特開２０００−１１６０２８号公報）に記載されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
さらに、従来構成においては、異常発生時の各スイッチ素子の一斉遮断処理により、全ての電源回路に対する電力供給を停止して安全性の保持を実現しているものが多いが、このような対処を行うと、異常発生箇所の特定が不十分なまま電源が遮断されるという問題がある。異常発生箇所の特定が不十分なまま電源が遮断されると、異常個所の特定のためにオペレータが検査を行う必要があり、この際、それぞれの回路、負荷に個別に電力を供給させて検査を行うことが必要となる。その結果、故障箇所の特定処理に時間、コストがかかるという問題があった。
【特許文献１】特開２０００−１１６０２８号公報
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月16日(2007.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】  請求項５ないし８および１１および１２のいずれかに記載のデータ送信方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。