【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年6月23日(2008.6.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）シリコン基板をエッチングして得られた金属被覆ナノ結晶性多孔質シリコン基板を準備する段階と、
ｂ）前記基板を少なくとも１個の被分析試料試を含む試料にさらす段階と、
ｃ）少なくとも１個の被分析試料を検出および／または同定のためにレーザー励起および分光を用いる段階と
を備える、方法。
【請求項２】
前記シリコン基板がナノ結晶性シリコン、単結晶シリコン、多結晶シリコンからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
金属ナノ粒子が前記金属被覆ナノ結晶性多孔質シリコン基板に添加される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記金属被覆が銀、金、白金、銅および／またはアルミニウムを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記分光がラマン分光である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ラマン分光が表面増強ラマン分光（ＳＲＲＳ）、表面増強共鳴ラマン分光（ＳＥＲＲＳ）、ハイパーラマンおよび／または反ストークスラマン分光（ＣＡＲＳ）である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記被分析試料がアミノ酸、ペプチド、ポリペプチド、タンパク質、糖タンパク質、リポタンパク質、ヌクレオシド、ヌクレオシド、オリゴヌクレオチド、核酸、糖、炭水化物、オリゴ糖、多糖、脂肪酸、脂質、ホルモン、代謝物、サイトカイン、ケモカイン、受容体、神経伝達物質、抗原、抗体、基質、代謝物、コファクター、阻害剤、薬剤、医薬品、栄養物、プリオン、毒素、毒、爆発性物質、殺虫剤、化学兵器、生物兵器、バクテリア、ウイルス、放射性同位元素、ビタミン、複素環式芳香族化合物、発癌性物質、突然変異原、麻酔剤、アンフェタミン、バルビツール酸塩、幻覚発現物質、廃棄物および／または汚染物を含む群から選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記被分析試料がヌクレオシド、ヌクレオチド、オリゴヌクレオチド、核酸、アミノ酸、ペプチド、ポリペプチドまたはタンパク質である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１個の被分析試料が少なくとも１個のラマン標識でラベルされている、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
各被分析試料が識別可能なラマン標識でラベルされている、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１個の捕捉分子が金属被覆多孔質シリコン基板に付着している、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記捕捉分子がオリゴヌクレオチド、核酸、抗体、抗体断片、抗原、エピトープ、レシチン、タンパク質、ポリペプチド、ペプチド、受容体タンパク質、リガンド、ホルモン、ビタミン、代謝物、基質、阻害剤、コファクター、医薬品、アプタマー、サイトカインおよび神経伝達物質を含む群から選ばれる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ナノ結晶性多孔質シリコン基板を準備する段階は、前記シリコン基板をエッチングした後、前記シリコン基板を酸化する段階を有する、
請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記ナノ結晶性多孔質シリコン基板を準備する段階は、
前記シリコン基板を電気化学セル中でエッチングして、前記シリコン基板に細孔を形成する段階と、
前記細孔を形成する段階の後、前記シリコン基板をエッチングして、前記細孔を広げる段階と、
を有する、請求項１から請求項１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
ａ）シリコン基板をエッチングして得られた金属被覆ナノ結晶性多孔質シリコン基板と、
ｂ）レーザーと
ｃ）ラマン検出器と
を備える、装置。
【請求項１６】
ａ）エッチングされた多孔質の表面を有する金属被覆ナノ結晶性多孔質シリコン基板と、
ｂ）レーザーと
ｃ）ラマン検出器と
を備える、装置。
【請求項１７】
前記多孔質シリコンを犠牲層として使用する、請求項１５または請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記犠牲層が金属で置き換えられる、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
金属ナノ粒子を更に有する、請求項１５または請求項１６に記載の装置。
【請求項２０】
前記金属が銀、金、白金、銅および／またはアルミニウムを有する、請求項１５または請求項１６に記載の装置。
【請求項２１】
前記ラマン検出器と動作可能に結合するコンピュータを更に備える、請求項１５または請求項１６に記載の装置。
【請求項２２】
ラマン検出器と動作可能に結合するフロースルーセルを更に備え、前記フロースルーセルの内部の前記金属被覆ナノ結晶性多孔質シリコン基板を通って流体が流れる、請求項１５または請求項１６に記載の装置。
【請求項２３】
前記金属被覆ナノ結晶性多孔質シリコン基板がマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）中に組み込まれる、請求項１５または請求項１６に記載の装置。
【請求項２４】
前記金属被覆ナノ結晶性多孔質シリコン基板が集積チップの一部として構成される、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
前記金属被覆ナノ結晶性多孔質シリコン基板がウェーハから取り出され、ＭＥＭＳに組み込まれる、請求項２３に記載の装置。
【請求項２６】
前記ナノ結晶性多孔質シリコン基板が、前記シリコン基板のエッチング後、前記シリコン基板を酸化して得られる、
請求項１５から請求項２５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２７】
前記ナノ結晶性多孔質シリコン基板は、前記シリコン基板を電気化学セル中でエッチングして細孔を形成した後、前記シリコン基板をエッチングして前記細孔を広げることで得られる、
請求項１５から請求項２６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２８】
シリコンウェーハをエッチングして得られた金属被覆ナノ結晶性多孔質シリコンの層を備えるウェーハ。
【請求項２９】
エッチングされた多孔質の表面を有する金属被覆ナノ結晶性多孔質シリコンの層を備えるウェーハ。
【請求項３０】
前記金属被覆が銀、金、白金、銅および／またはアルミニウムを含む、請求項２８または請求項２９に記載のウェーハ。
【請求項３１】
前記ナノ結晶性多孔質シリコンがシリコン、酸化シリコン、二酸化シリコンおよび／または窒化シリコンを含む、請求項２８または請求項２９に記載のウェーハ。
【請求項３２】
前記ナノ結晶性多孔質シリコンが金属で被覆される前に二酸化シリコンによって酸化される、請求項２８または請求項２９に記載のウェーハ。
【請求項３３】
前記ナノ結晶性多孔質シリコンは、シリコンを電気化学セル中でエッチングして細孔を形成した後、前記シリコンをエッチングして前記細孔を広げることで得られる、
請求項２８から請求項３２のいずれか一項に記載のウェーハ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
多孔質シリコン１１０、２１０は１９５０年代の末に、希弗化水素酸水溶液中でのシリコンの電解研磨で発見された。公知の様に、多孔質シリコン１１０、２１０は、電気化学セル１２０中での希弗化水素酸（ＨＦ）１５０中でのシリコン基板１１０、２１０のエッチングによって製造し得る。場合によっては、低電流密度でシリコンを最初にＨＦ１５０でエッチングしてもよい。最初の細孔形成後、シリコンを電気化学セル１２０から取り出し、電気化学セル１２０中で形成した細孔を広げるため、非常に希薄なＨＦ１５０中でエッチングする。シリコンがドープされているかどうか、ドーパントのタイプおよびドーピングの程度に依存して、シリコン基板１１０、２１０の組成も細孔サイズに影響する。シリコン細孔サイズに対するドーピングの効果は公知である。大きな生物分子の検出および／または同定を含む本発明の実施形態では、約２ｎｍ〜１００または２００ｎｍの細孔サイズが選ばれる。多孔質シリコン中の細孔の配向も、本発明の具体的な実施形態では選ばれる。例えば、エッチングした（１、０、０）結晶構造は結晶に垂直に配向した細孔を有するが、（１、１、１）または（１、１、０）結晶構造は結晶軸と対角線に配向した細孔を有する。細孔配向に対する結晶構造の効果は公知である。結晶組成と多孔質も、ラマン信号を増大しバックグラウンドの雑音を低減するために多孔質シリコンの光学的性質を変える様に制御し得る。多孔質シリコンの光学的性質は公知である（例えばクリス（Ｃｕｌｌｉｓｓ）ら、ジャーナル  オフ  アプライド  フィジクス（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．）、８２：９０９−９６５；コリンズ（Ｃｏｌｌｉｍｓ）ら、フィジクス  トゥデイ（Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｔｏｄａｙ）、５０：２４−３１、１９７７）。