【手続補正書】
【提出日】平成19年5月16日(2007.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液槽に溜められた液体状のレジスト剤を塗布ノズルにおける毛細管現象により上昇させ、基板の被塗布面を下方に向けて前記塗布ノズルの上端部に近接させ、前記塗布ノズルにより上昇されたレジスト剤を該塗布ノズルの上端部を介して前記被塗布面に接液させながら、前記塗布ノズル及び前記被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト剤を塗布するレジスト剤塗布工程を有するレジスト膜付基板の製造方法であって、
前記塗布ノズルの上端部を介して前記被塗布面に前記レジスト剤を接液させた後、前記塗布ノズルの上端部と前記被塗布面との間隔を、接液したレジスト剤が前記被塗布面より離液する離液間隔よりも小さい範囲内において、この離液間隔の５０％以上であって、かつ、１５０μｍ以上の間隔とする
ことを特徴とするレジスト膜付基板の製造方法。
【請求項２】
前記塗布ノズルの上端部を介して前記被塗布面に前記レジスト剤を接液させた後、前記塗布ノズルの上端部と前記被塗布面との間隔を、前記離液間隔の７０％乃至９５％の間隔とすることを特徴とする請求項１記載のレジスト膜付基板の製造方法。
【請求項３】
前記基板は、透明基板であって、
前記レジスト剤は、前記透明基板上に遮光膜パターンを形成してこの透明基板をフォトマスクとするためのレジスト膜を形成することを特徴とする請求項１、または、請求項２記載のレジスト膜付基板の製造方法。
【請求項４】
液槽に溜められた液体状のレジスト剤を塗布ノズルにおける毛細管現象により上昇させ、基板の被塗布面を下方に向けて前記塗布ノズルの上端部に近接させ、前記塗布ノズルにより上昇されたレジスト剤を該塗布ノズルの上端部を介して前記被塗布面に接液させながら、前記塗布ノズル及び前記被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト剤を塗布するレジスト剤塗布工程を有するレジスト膜付基板の製造方法であって、
前記塗布ノズルの上端部を介して前記被塗布面に前記レジスト剤を接液させた後、前記塗布ノズルの上端部と前記被塗布面との間隔を、接液したレジスト剤が前記被塗布面より離液する離液間隔よりも小さい範囲内において、この離液間隔の５０％以上とすることにより、膜厚分布を３％以下とする
ことを特徴とするレジスト膜付基板の製造方法。
【請求項５】
液槽に溜められた液体状のレジスト剤を塗布ノズルにおける毛細管現象により上昇させ、基板の被塗布面を下方に向けて前記塗布ノズルの上端部に近接させ、前記塗布ノズルにより上昇されたレジスト剤を該塗布ノズルの上端部を介して前記被塗布面に接液させながら、前記塗布ノズル及び前記被塗布面を相対的に走査させて、前記被塗布面に前記レジスト剤を塗布するレジスト剤塗布工程を有するレジスト膜付基板の製造方法であって、
前記レジスト剤塗布工程において、前記塗布ノズルの上端部と前記被塗布面との間隔を、塗布膜が所定の膜厚分布範囲内となるように設定し、
ついで、設定された前記間隔の値を前提として、膜厚に影響するその他の塗布条件を制御し、塗布膜を所定の膜厚とする
ことを特徴とするレジスト膜付基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項１記載の本発明は、液槽に溜められた液体状のレジスト剤を塗布ノズルにおける毛細管現象により上昇させ基板の被塗布面を下方に向けて前記塗布ノズルの上端部に近接させ前記塗布ノズルにより上昇されたレジスト剤を該塗布ノズルの上端部を介して前記被塗布面に接液させながら前記塗布ノズル及び前記被塗布面を相対的に走査させて前記被塗布面に前記レジスト剤を塗布する方法であって、前記塗布ノズルの上端部を介して前記被塗布面に前記レジスト剤を接液させた後、前記塗布ノズルの上端部と前記被塗布面との間隔を、接液したレジスト剤が前記被塗布面より離液する離液間隔よりも小さい範囲内において、この離液間隔の５０％以上であって、かつ、１５０μｍ以上の間隔とすることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
そして、請求項３記載の本発明は、請求項１、または、請求項２記載のレジスト膜付基板の製造方法において、前記基板を透明基板とし、前記レジスト剤は、前記透明基板上に遮光膜パターンを形成してこの透明基板をフォトマスクとするためのレジスト膜を形成するものであることを特徴とする。
また、請求項４記載の本発明は、液槽に溜められた液体状のレジスト剤を塗布ノズルにおける毛細管現象により上昇させ基板の被塗布面を下方に向けて前記塗布ノズルの上端部に近接させ前記塗布ノズルにより上昇されたレジスト剤を該塗布ノズルの上端部を介して前記被塗布面に接液させながら、前記塗布ノズル及び前記被塗布面を相対的に走査させて前記被塗布面に前記レジスト剤を塗布するレジスト剤塗布工程を有するレジスト膜付基板の製造方法であって、前記塗布ノズルの上端部を介して前記被塗布面に前記レジスト剤を接液させた後、前記塗布ノズルの上端部と前記被塗布面との間隔を、接液したレジスト剤が前記被塗布面より離液する離液間隔よりも小さい範囲内において、この離液間隔の５０％以上とすることにより、膜厚分布を３％以下とすることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
なお、従来、塗布ギャップＧは、塗布膜の膜厚のパラメータとして、他のパラメータも考慮しつつ、塗布膜が所望の膜厚となるように、塗布が可能な範囲から設定していた。これに対し、本発明においては、塗布ギャップＧをなるべく大きく設定するために、塗布ギャップＧを優先的に設定し、塗布ギャップＧ以外の塗布膜の厚さに影響するパラメータについては、設定された塗布ギャップＧを前提として制御することにより、塗布膜が所望の膜厚となるようにするものである。
したがって、請求項５記載の本発明は、液槽に溜められた液体状のレジスト剤を塗布ノズルにおける毛細管現象により上昇させ基板の被塗布面を下方に向けて前記塗布ノズルの上端部に近接させ前記塗布ノズルにより上昇されたレジスト剤を該塗布ノズルの上端部を介して前記被塗布面に接液させながら前記塗布ノズル及び前記被塗布面を相対的に走査させて前記被塗布面に前記レジスト剤を塗布するレジスト剤塗布工程を有するレジスト膜付基板の製造方法であって、前記レジスト剤塗布工程において、前記塗布ノズルの上端部と前記被塗布面との間隔を、塗布膜が所定の膜厚分布範囲内となるように設定し、ついで、設定された前記間隔の値を前提として、膜厚に影響するその他の塗布条件を制御し、塗布膜を所定の膜厚とすることを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項１記載の本発明においては、塗布ノズルの上端部を介して被塗布面にレジスト剤を接液させた後、これら塗布ノズルの上端部と被塗布面との間隔を、接液したレジスト剤が被塗布面より離液する離液間隔よりも小さい範囲内において、この離液間隔の５０％以上であって、かつ、１５０μｍ以上の間隔とするので、塗布膜の膜厚分布を小さくし、レジスト膜の厚さの均一性を向上させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
そして、請求項３記載の本発明においては、基板を透明基板とし、レジスト剤は、透明基板上に遮光膜パターンを形成してこの透明基板をフォトマスクとするためのレジスト膜を形成するものであるので、厚さの均一性が良好なレジスト膜を有するフォトマスクを製造することができる。
また、請求項４記載の本発明においては、塗布ノズルの上端部を介して被塗布面にレジスト剤を接液させた後、塗布ノズルの上端部と被塗布面との間隔を、接液したレジスト剤が被塗布面より離液する離液間隔よりも小さい範囲内において、この離液間隔の５０％以上とすることにより、膜厚分布を３％以下とするので、塗布膜の膜厚分布を小さくし、レジスト膜の厚さの均一性を向上させることができる。
さらに、請求項５記載の本発明においては、レジスト剤塗布工程において、塗布ノズルの上端部と被塗布面との間隔を、塗布膜が所定の膜厚分布範囲内となるように設定し、ついで、設定された間隔の値を前提として、膜厚に影響するその他の塗布条件を制御し、塗布膜を所定の膜厚とするので、塗布膜の膜厚分布を小さくし、レジスト膜の厚さの均一性を向上させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
したがって、本発明においては、塗布ギャップＧを、離液間隔Ｇ´よりも小さい範囲内において、なるべく大きくすることが望ましい。本発明においては、塗布ギャップＧは、離液間隔Ｇ´の少なくとも５０％以上とし、かつ、離液間隔Ｇ´未満である間隔に制御されるべきである。
図２に示すように、塗布ギャップＧを離液間隔Ｇ´の５０％以上とすることにより、膜厚分布は、３％以下となる。また、塗布ギャップＧは、離液間隔Ｇ´の５０％以上であって、かつ、１５０μｍ以上とすることが望ましい。