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【手続補正書】
【提出日】平成19年9月10日(2007.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第２のフレームに関連付けられた少なくとも１つのサブフレームを送信するステップからなる、無線通信の方法であって、前記送信するステップは、
第１のフレームに関連付けられた肯定応答メッセージが受信される場合、少なくとも第１および第２の無線リソースを使用するステップと、
前記第１のフレームに関連付けられた否定応答メッセージが受信される場合、少なくとも第２の無線リソースを使用するステップとを含む、無線通信の方法。
【請求項２】
第２のフレームに関連付けられた複数のサブフレームのうちの１つのサブフレームを受信するステップからなる、無線通信の方法であって、前記受信するステップは、
第１のフレームに関連付けられた肯定応答メッセージが送信される場合、少なくとも第１および第２の無線リソースを使用するステップと、、
前記第１のフレームに関連付けられた否定応答メッセージが送信される場合、少なくとも第２の無線リソースを使用するステップとを含む、無線通信の方法。
【請求項３】
前記少なくとも第１および第２の無線リソースは、チャネル化コード、チャネル化トーン、および割り当てられた伝送パワー・レベルのうちの少なくとも１つを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも前記第１の無線リソースを使用して、前記第１のフレームに関連付けられた少なくとも１つのサブフレームを送信するステップ、
少なくとも前記第１の無線リソースを使用して、前記第１のフレームに関連付けられた少なくとも１つのサブフレームを受信するステップ、および
タイムアウトの前に前記第１のフレームに関連付けられたいずれかのサブフレームの受信を行わないステップのうちの、少なくとも１つのステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のフレームに関連付けられた前記否定応答メッセージの受信に応答して、少なくとも前記第１の無線リソースを使用して、前記第１のフレームから少なくとも他のサブフレームを送信するステップをさらに含み、前記第１の無線リソースを使用する前記第１のフレームの前記少なくとも他のサブフレームは、前記第１のフレームに関連付けられた否定応答メッセージの受信に応答して、前記第２の無線リソースを使用する前記第２のフレームからの前記少なくとも１つのサブフレームの送信と同時に送信される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１および第２のフレームのうちの少なくとも１つは複数の増加的冗長サブフレームを含み、前記第１および第２のフレームのうちの少なくとも１つは少なくとも１つの非伝送サブフレームを含み、前記第１および第２のフレームは単一のユーザに割り当てられ、さらに、前記第１および第２のフレームのうちの少なくとも１つは、音声サブフレーム、ビデオ・サブフレーム、および無線ゲーム・サブフレームのうちの少なくとも１つを含むものである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のフレームの最後に送信されたサブフレームに関連付けられた否定応答メッセージに応答して、前記第１のフレームの前記複数の増加的冗長サブフレームの後続のサブフレームを送信するステップ、および
前記第１のフレームの最後に送信されたサブフレームに関連付けられた肯定応答メッセージの受信に応答して、前記第１のフレームの前記複数の増加的冗長サブフレームの残りのサブフレームの送信を終了するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
後続のフレームから少なくとも１つのサブフレームを送信するステップを含み、前記後続のフレームから少なくとも１つのサブフレームを送信するステップは、
前記第２のフレームに関連付けられた否定応答メッセージが受信される場合、少なくとも前記第１の無線リソースを使用するステップと、
前記第２のフレームに関連付けられた肯定応答メッセージが受信される場合、少なくとも前記第１および第２の無線リソースを使用するステップとを含み、
前記第２のフレームに関連付けられた前記肯定応答メッセージは、前記第２のフレームの前記増加的冗長サブフレームの１つの受信に応答して受信される、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のフレームに関連付けられた前記否定応答メッセージの送信に応答して、少なくとも前記第１の無線リソースを使用する前記第１のフレームに関連付けられた複数のサブフレームのうちの１つのサブフレームの受信を待つステップ、および
前記第１のフレームの最後に受信されたサブフレームに関連付けられた否定応答メッセージに応答して、前記第１のフレームの前記複数の増加的冗長サブフレームの後続のサブフレームの受信を待つステップのうちの、少なくとも１つのステップを含み、
前記第１の無線リソースを使用する前記第１のフレームの前記１つのサブフレームは、前記第１のフレームに関連付けられた否定応答メッセージの送信に応答して、前記第２の無線リソースを使用する前記第２のフレームからの前記１つのサブフレームの受信と同時に受信され、前記第１および第２のフレームは単一のユーザに割り当てられる、請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
後続のフレームに関連付けられた複数のサブフレームのうちの１つのサブフレームを受信するステップであって、
前記第２のフレームに関連付けられた否定応答メッセージが送信される場合、少なくとも前記第１の無線リソースを使用するステップと、
前記第２のフレームに関連付けられた肯定応答メッセージが送信される場合、少なくとも前記第１および第２の無線リソースを使用するステップとからなるステップを含み、
前記第２のフレームに関連付けられた前記肯定応答メッセージは、前記第２のフレームの前記増加的冗長サブフレームの１つの受信に応答して送信される、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月15日(2007.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気音響変換方法であって、
アレイ（３０４）の１対の電気音響変換器（３０２）に供給されるオーディオ電気信号を制御して、音量制御（５０８）または検出された信号レベル（１００６）の関数として指向性および音響音量特性を達成して、前記アレイの電気音響変換器からの音響出力信号の相殺を減少させ、前記信号を制御することによって、前記特性の変化に伴って、前記アレイの放射音響パワー・スペクトルの変化を生じさせ、
等化（５０２）を調節して、前記アレイの放射音響パワー・スペクトルの変化を補償する、
ことを含む電気音響変換方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記音響パワー・スペクトルの変化の補償は、放射相対音響パワー・スペクトルを実質上均一に維持することを含む方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、前記制御は、より高い音響音量レベルに対して、前記オーディオ電気信号の１つの振幅を低下させる方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、前記オーディオ電気信号の制御は、限定された周波数範囲にわたって前記信号の１つのレベルを調節することを含む方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、前記オーディオ電気信号の制御は、ハイ・パス・フィルタ（６１２）において前記信号の１つを処理し、相補的オール・パス・フィルタ（６１４）において前記信号の他方を処理する方法。
【請求項６】
電気音響変換装置であって、
入力オーディオ電気信号を受ける入力端子と、
アレイ（３０４）内の複数の電気音響変換器（３０２）と、
前記電気音響変換器に結合される前記入力オーディオ信号から２つの関係する出力オーディオ電気信号（６０２，６０６）を発生し、音量制御（５０８）または検出された信号レベル（１００６）の関数として所定の指向性および音響音量特性を達成して、前記アレイの電気音響変換器からの音響出力信号の相殺を減少させるように構成配置されている回路（５０４）、および前記信号の制御によって生ずる前記アレイの放射音響パワー・スペクトルの変化を補償するように調節される等化（５０２）と、
を備えた電気音響変換装置。
【請求項７】
請求項６記載の装置において、前記等化（５０２）はダイナミック・イコライザを備えている装置。
【請求項８】
請求項７記載の装置において、前記ダイナミック・イコライザは、１対の信号処理経路（９０２，９０４）と、前記２つの経路上で処理される信号を合成するコンバイナ（９１４）と、を含む装置。
【請求項９】
電気音響変換器アレイであって、
関係する電気信号成分のソースと、
前記関係する電気信号成分によってそれぞれ駆動される複数の電気音響変換器と、
請求項６〜８のいずれかに記載の電気音響変換装置であって、前記関係する電気信号成分のソースが入力オーディオ電気信号を供給する電気音響変換装置と、
を備えた電気音響変換器アレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月21日(2007.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（I）
【化１】
2001026571.tif 000001
（式中、Φはフェニル基を示し、Rは水素原子、C１〜C８(イソ)アルキル基、C４〜C１０シクロアルキル基、もしくはC６〜C１２芳香族基を示し、ｎは１、もしくはそれ以上であって、官能価を２〜４とする整数である）をもつジアミノジフェニルメタンとその高級同族体の製造方法であって、
２．５〜１９（２．５、及び１９を含む）の空隙率をもつ酸の形のゼオライトの存在下で、一般式（II）
【化２】
2001026571.tif 000002
をもつ中間体の転位反応を行うことを含んでなる、前記製造方法。
【請求項２】
２．５〜１９の空隙率をもつゼオライトが、組成式（III）
【化３】
2001026571.tif 000003
（式中、ｘは１未満であり、ｐは１以上の整数、一般的には１〜２０の整数であり、Mは第IA族、もしくは第IIA族の金属、又はランタニドであり、ｎはMの原子価である。ここでMは、H＋、（NH４）＋イオン、もしくは（NR’４）＋カチオン（R’はアルキル基、もしくはアリール基）で部分的に、もしくは全体的に交換されていてよい）をもつ結晶性の合成物質からなるものである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ゼオライトをそのまま用いるか、ホウ素、鉄、もしくはガリウムから選ばれる金属でアルミニウムを部分的に同形置換して変性して用いるか、又はリガンドと混合し、押出しペレットにして用いる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ゼオライトが、ベータゼオライト、ZSM-12、MCM-22、及びERB-1から選ばれるものである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ゼオライトがベータゼオライトである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
転位反応を５０〜２００℃の温度で行う、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
転位反応を、脂肪族もしくは芳香族炭化水素、ハロゲン化芳香族炭化水素、及びアニリンから選ばれる溶剤の存在下で行う、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
溶剤が、アニリン、ｍ−ジクロロベンゼン、及びクロロベンゼンから選ばれるものである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
一般式（II）をもつ中間体が水を３重量％以下含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
アニリン、もしくはその誘導体の内の一つと、ホルムアルデヒド、もしくは反応条件下でホルムアルデヒドを生成することのできる化合物を、２．５〜１９の空隙率をもつ酸の形のゼオライトであって、ベータゼオライト、モルデナイト、ＺＳＭ−１２、ＭＣＭ−２２、及びＥＲＢ−１から選ばれるゼオライトの存在下で反応させることからなる、一般式（I）をもつジアミノジフェニルメタンの製造方法。
【請求項１１】
アニリン、もしくはその誘導体の内の一つが試薬と溶剤の役目を同時に果たすよう、アニリン、もしくはその誘導体の内の一つを過剰に用いて反応を行う、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  芳香族化合物のアルキル化およびアルキル交換方法であって、
（ａ）ベンゼンを含有する原料を本明細書に示すゼオライト−Ｙの平均孔サイズより小さい孔サイズを有するモレキュラーシーブである芳香族アルキル化用触媒が各々に入っている複数の直列連結した触媒床を有する多段階アルキル化反応ゾーンに供給し、前記アルキル化用触媒は０．５μ以下の結晶サイズを有する単斜晶系シリカライトを主に含んで成っていて少なくとも６０インチ-1の表面積／体積比を有する触媒粒子が生じるようにアルミナ結合剤と一緒に調合されている、
（ｂ）エチレン化剤を前記反応ゾーンに供給し、
（ｃ）前記反応ゾーンを前記原料が気相中に保持されかつ前記エチレンによる前記ベンゼンの気相アルキル化が前記触媒の存在下で起こってモノアルキル化芳香族成分とポリアルキル化芳香族成分の混合物を含んで成るアルキル化生成物が生じるのを促す温度および圧力条件下で操作し、
（ｄ）前記アルキル化生成物を前記反応ゾーンから回収しそして前記生成物を前記反応ゾーンからベンゼン回収ゾーンに供給してベンゼン基質を前記アルキル化生成物から分離し、
（ｅ）前記ベンゼン回収ゾーンをモノアルキル化芳香族成分とポリアルキル化芳香族成分の混合物を含んで成る高沸点溜分とベンゼンを含有する低沸点溜分が生じるように操作し、
（ｆ）ベンゼンを前記ベンゼン回収ゾーンから前記反応ゾーンに再循環させ、
（ｇ）前記高沸点溜分を前記ベンゼン回収ゾーンから２番目の分離ゾーンに供給し、
（ｈ）前記２番目の分離ゾーンをモノアルキル化芳香族成分を含んで成る２番目の低沸点溜分と重質ポリアルキル化芳香族成分を含んで成る高沸点溜分が生じるように操作し、
（ｉ）前記ポリアルキル化成分中のジアルキル化芳香族およびトリアルキル化芳香族を包含する前記ポリアルキル化芳香族成分の少なくとも一部を５００ｍ2／ｇ以下の表面積を有する高間隙率のゼオライト−Ｙモレキュラーシーブが入っているアルキル交換反応ゾーンに供給し、
（ｊ）ベンゼンを前記アルキル交換ゾーンに供給し、
（ｋ）前記アルキル交換反応ゾーンを前記ベンゼンが液相中に保持されかつ前記ポリアルキル化芳香族溜分の不均化が起こってポリアルキルベンゼンの含有量が低下してモノアルキルベンゼンの含有量が上昇した不均化生成物に到達するのを促すに有効な温度および圧力条件下で操作し、
（ｌ）前記不均化生成物の少なくとも一部を前記ベンゼン回収ゾーンに供給する、
ことを含んで成る方法。
【請求項２】  パラグラフ（ｉ）の操作を行う前に、前記重質ポリアルキル化芳香族成分の少なくともいくらかを前記２番目の分離ゾーンから３番目の分離ゾーンに振り分けて、この分離ゾーン内で前記重質ポリアルキル化芳香族成分をジアルキルおよびトリアルキル化芳香族を含んで成る前記ポリアルキル化芳香族成分の３番目の低沸点溜分と重質の高沸点残溜分に分離しそして前記ポリアルキル化芳香族成分の前記３番目の低沸点溜分をパラグラフ（ｉ）に従う前記アルキル交換反応ゾーンに供給する請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記重質ポリアルキル化芳香族成分の１番目の部分を請求項２記載の前記３番目の分離ゾーンそして次に前記３番目の分離ゾーンから前記アルキル交換ゾーンに供給しかつ前記重質ポリアルキル化芳香族成分の２番目の部分を前記２番目の分離ゾーンから前記アルキル交換ゾーンに直接供給する請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記高間隙率のゼオライト−Ｙモレキュラーシーブが約４００ｍ2／ｇ以下の表面積を有する請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月9日(2007.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
下記一般式（１）で示される、（ａ）ベンジル基を有する(メタ)アクリル酸アルキル第４級アンモニウム塩、あるいは（ｂ）ベンジル基を有する(メタ)アクリルアミドアルキル第４級アンモニウム塩をモノマーに有する重合物であって、前記重合物の２０％水溶液粘度が５０〜１０００ｍＰa・sであるインクジェット記録用添加物。
一般式（１）
【化１】
2001026179.tif 000001
(式中、Ｒは水素またはメチル基、Ｒ1及びＲ2は、同一または異なって、水素あるいはアルキル基、Ｒ3は水酸基１個を有しうる低級アルキレン基を示す。Ｘ-は陰イオンを表す。ＹはＯまたはＮＨを表す。)
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月19日(2007.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材およびネガ型放射線感応性層を有し、前記ネガ型放射線感応性層がジアゾニウム塩、金属を含まない有機着色顔料および重合体状バインダーを含む記録材料であって、金属を含まない有機着色顔料が有機重合体状バインダー中に分散していること、および前記層が、1.0ml/gを超える細孔容積を有する透明なスペーサー顔料を含むことを特徴とする記録材料。
【請求項２】
透明なスペーサー顔料の細孔容積が1.5ml/g を超えている、請求項１に記載の記録材料。
【請求項３】
有機重合体状バインダーが水酸基を含み、前記水酸基の一部または全部が分子内ジまたはポリカルボン酸無水物と、バインダーの酸価が20〜200になる様に反応している、請求項１または２に記載の記録材料。
【請求項４】
放射線感応性層が、重合可能なモノマーまたはオリゴマーおよび光重合開始剤の組合せをさらに含む、請求項１または２に記載の記録材料。
【請求項５】
水酸基を含む重合体状バインダーが、ビニルアルコール単位を有する重合体である、請求項３に記載の記録材料。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月27日(2007.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタが設けられた液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタは、半導体膜と、前記半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介し前記半導体膜上に設けられたゲート電極とを有し、
前記薄膜トランジスタの上方に、有機層を有し、
前記液晶表示装置のバックライトにＬＥＤを用いることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタが設けられたアクティブマトリクス部と、前記アクティブマトリクス部に電気的に接続されたソース信号線駆動回路とを有する液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタは、半導体膜と、前記半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介し前記半導体膜上に設けられたゲート電極とを有し、
前記薄膜トランジスタの上方に、有機層を有し、
前記アクティブマトリクス部と、前記ソース信号線駆動回路とは２０μｍ以上の間隔を有し、
前記液晶表示装置のバックライトにＬＥＤを用いることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
第１のＩＴＯ膜、コモン線、薄膜トランジスタが設けられたアクティブマトリクス部と、第２のＩＴＯ膜が引き出し端子上に設けられたＦＰＣとを有する液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタは、半導体膜と、前記半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介し前記半導体膜上に設けられたゲート電極とを有し、
前記薄膜トランジスタの上方に、有機層を有し、
前記第１のＩＴＯ膜は、前記コモン線と接続し、
前記ＦＰＣの引き出し端子は、前記第２のＩＴＯ膜及び前記第１のＩＴＯ膜を介して、フィラーが混入された樹脂によって、アクティブマトリクス部と接続されており、
前記液晶表示装置のバックライトにＬＥＤを用いることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記有機層は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、またはベンゾシクロブテンのいずれか一を用いたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記ゲート電極は、チタン、タンタル、タングステン、モリブデンから選ばれた一種または複数種の元素を有することを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月13日(2007.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の交差する光路と、
複数の交差点スイッチ素子と、ここで、前記複数の交差点スイッチ素子のそれぞれが、前記光路のうちの２つの交差点に関連しており、前記各交差点スイッチ素子と２つの光路の各前記交差点は、光スイッチポイントを含み、前記複数の交差点スイッチ素子のそれぞれが、２つの光路の前記交差点の第１の側に配置されて、第１のタイプの光スイッチポイントが構成されることになり、前記複数の第１のタイプの光スイッチポイントによって、前記交差点スイッチ素子が反射状態の場合、前記第１のタイプの光スイッチポイントのそれぞれに入射する光を反射可能にするコアマトリックスが構成されることになり、前記コアマトリックスは複数の行及び複数の列を含み、
コアマトリックスに追加されるテスト行及びテスト列を構成する複数の第２のタイプの光スイッチポイントと、ここで、前記第２のタイプの光スイッチポイントは２つの光路の前記交差点の第２の側に前記交差点スイッチ素子を配置することによって構成されており、
前記テスト行及び前記テスト列に光学的に結合されたテスト入力及びテスト出力と
を含む光スイッチ。
【請求項２】
光スイッチポイントの追加の列及び追加の行をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項３】
光スイッチポイントの前記追加の列及び前記追加の行は、第１のタイプの光スイッチポイントと、第２のタイプの光スイッチポイントとを含むことを特徴とする、請求項２に記載の光スイッチ。
【請求項４】
前記コアマトリックスにおける前記複数の第１のタイプの光スイッチポイントのそれぞれの裏側表面と光学的に通じているリフレクタをさらに含むことを特徴とする、請求項２に記載の光スイッチ。
【請求項５】
前記複数の第２のタイプの光スイッチポイントによって、前記テスト入力及び前記テスト出力を用いて、前記複数の第１のタイプの光スイッチポイントのそれぞれをテストすることが可能になることを特徴とする、請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項６】
前記光路が導波路セグメントであることを特徴とする、請求項１に記載の光スイッチ。
【請求項７】
前記光スイッチマトリックスは、複数の交差する光路と、前記複数の交差する光路のそれぞれの交差点に配置された交差点スイッチ素子を含んでおり、前記交差点スイッチ素子は、２つの光路の前記交差点の第１の側に配置されて、第１のタイプの光スイッチポイントを構成し、複数の第１のタイプの光スイッチポイントが、コアマトリックスをなすように構成されており、前記コアマトリックスが、複数の行と複数の列を備えていることを特徴とする光スイッチマトリックスの部材である光スイッチポイントを、テストするための方法であって、
２つの光路の前記交差点の第２の側に前記交差点スイッチ素子を配置することによって構成される、テスト行とテスト列を構成する複数の第２のタイプの光スイッチポイントを、前記複数の第１のタイプの光スイッチポイントに追加するステップと、
前記第１のタイプの光スイッチポイントの少なくとも１つ、前記テスト行における前記第２のタイプの光スイッチポイントの少なくとも１つ、及び、前記テスト列における前記第２のタイプの光スイッチポイントの少なくとも１つを反射性にして、テスト入力とテスト出力を利用することにより、前記複数の第１のタイプの光スイッチポイントのそれぞれをテストするステップと、
を含む方法。
【請求項８】
前記コアマトリックスに光スイッチポイントの列及び行を追加するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
光スイッチポイントの追加の列及び追加の行に、第１のタイプの光スイッチポイントと第２のタイプの光スイッチポイントの両方を含むことを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記コアマトリックスにある複数の第１のタイプの光スイッチングポイントのそれぞれに反射板を追加するステップをさらに含み、該反射板が、前記複数の第１のタイプの光スイッチングポイントのそれぞれの裏面と光学的に通信することを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記光スイッチマトリックスは、複数の交差する光路と、前記光路のうちの２つの交差点に配置された交差点スイッチ素子とを含んでいて、前記交差点スイッチと２つの光路の前記交差点によって、光スイッチポイントが構成されており、２つの光路の前記交差点の第１の側に前記交差点スイッチ素子を配置することによって、第１のタイプの光スイッチポイントが構成され、２つの光路の前記交差点の第２の側に前記交差点スイッチ素子を配置することによって、第２のタイプの光スイッチポイントが構成されることになる、光スイッチマトリックスの部材である光スイッチポイントを較正するための方法であって、
コアマトリックスをなすように配列された前記複数の第１のタイプの光スイッチポイントに、テスト行とテスト列を構成する複数の第２のタイプの光スイッチポイントを追加するステップと、
前記第１のタイプの光スイッチポイントの少なくとも１つ、前記テスト行における前記第２のタイプの光スイッチポイントの少なくとも１つ、及び、前記テスト列における前記第２のタイプの光スイッチポイントの少なくとも１つを反射性にして、テスト入力及びテスト出力を利用することにより、前記複数の第１のタイプの光スイッチポイントのそれぞれを較正するステップと、
前記複数の第１のタイプの光スイッチポイントのそれぞれの反射率を測定するステップと、
を含む方法。
【請求項１２】
前記コアマトリックスに光スイッチポイントの列及び行を追加するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
光スイッチポイントの追加の列及び追加の行に、第１のタイプの光スイッチポイントと第２のタイプの光スイッチポイントの両方を含むことを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記コアマトリックスにある複数の第１のタイプの光スイッチングポイントのそれぞれに反射板を追加するステップをさらに含み、該反射板のそれぞれが、前記複数の第１のタイプの光スイッチングポイントのそれぞれの裏面と光学的に通信することを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月2日(2007.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高密度パッドアレイでプローブ負荷及びクロストークを最小化するプローブチップ構造であって、
前記高密度パッドアレイ中に位置するパッドと、
該パッドに結合する第１の端部を備え、前記パッドに隣接する第１のプローブチップ抵抗器と、
該第１のプローブチップ抵抗器の有する第２の端部に結合し、前記高密度パッドアレイの外へと延びるアクセス伝送線と、
前記高密度パッドアレイの外に位置し、前記アクセス伝送線に結合する第２のプローブチップ抵抗器とを含むことを特徴とするプローブチップ構造。
【請求項２】
前記アクセス伝送線に近接して位置する少なくとも１つの侵略導体を更に含み、該侵略導体と前記アクセス伝送線との間に所定のキャパシタンスが作られることを特徴とする、請求項１に記載のプローブチップ構造。
【請求項３】
前記第１のプローブチップ抵抗器が第１の抵抗を持ち、前記第２のプローブチップ抵抗器が第２の抵抗を持ち、前記第１の抵抗及び前記第２の抵抗が、前記侵略導体と前記アクセス伝送線との間のクロストークが最小化されるように、且つ前記パッドの導体負荷を最小化するように事前に決められることを特徴とする、請求項２に記載のプローブチップ構成。
【請求項４】
集積回路と結合するように構成された高密度パッドアレイと、
各々が前記高密度パッドアレイ中のパッドに結合する第１の端部を備え、前記パッドにそれぞれ隣接する複数の第１のプローブチップ抵抗器と、
各々が前記第１のプローブチップ抵抗器の有する第２の端部に結合し、前記高密度パッドアレイの外に伸びる複数のアクセス伝送線と、
前記パッドアレイの外に位置し、各々が前記アクセス伝送線と結合する複数の第２のプローブチップ抵抗器とを含むことを特徴とするインターポーザ。
【請求項５】
前記アクセス伝送線のうちの少なくとも１つに近接して位置する少なくとも１つの侵略導体を更に含み、該侵略導体と前記アクセス伝送線のそれぞれとの間に所定のキャパシタンスが作られることを特徴とする、請求項４に記載のインターポーザ。
【請求項６】
前記第１のプローブチップ抵抗器が第１の抵抗を持ち、前記第２のプローブチップ抵抗器が第２の抵抗を持ち、前記第１の抵抗及び前記第２の抵抗が、前記侵略導体と前記アクセス伝送線のそれぞれとの間のクロストークを最小化するように、且つ前記パッドのそれぞれの導体負荷を最小化するように事前に決められたことを特徴とする、請求項５に記載のインターポーザ。
【請求項７】
高密度パッドアレイ中のパッドをプロービングする測定方法であって、
第１のプローブチップ抵抗器の第１の端部を、前記第１のプローブチップレジスタが前記パッドへと直接的に隣接するように、前記高密度パッドアレイの前記パッドに設ける工程と、
前記第１のプローブチップ抵抗器の第２の端部に結合し、前記高密度パッドアレイの外へと延びるアクセス伝送線を設ける工程と、
前記高密度パッドアレイの外で前記アクセス伝送線と結合する第２のプローブチップ抵抗器を設ける工程と、
外部解析装置を前記第２のプローブチップ抵抗器へと結合する工程と、
前記外部解析装置を用いて前記パッドから得た信号を解析する工程とを含むことを特徴とする測定方法。
【請求項８】
前記第１のプローブチップ抵抗器の前記第１の端部を設ける工程は、前記第１のプローブチップ抵抗器と前記パッドとの間の結合長を前記高密度パッドアレイ中の前記パッドとそれに最も近い位置に配設される侵略導体との間の距離よりも小さく設ける工程を更に含むことを特徴とする、請求項７に記載の測定方法。
【請求項９】
前記第１のプローブチップ抵抗器に第１の抵抗を設け、前記第２のプローブチップ抵抗器に第２の抵抗を設ける工程を更に含み、前記第１の抵抗及び前記第２の抵抗が、前記侵略導体と前記アクセス伝送線との間のクロストークを最小化するように、且つ前記パッドへの導体負荷を最小化するように事前に決められることを特徴とする、請求項８に記載の測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月24日(2007.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】 前記抵抗用合金は、銅・ニッケル合金、ニッケル・クロム合金、鉄・クロム合金、マンガン・銅・ニッケル合金、白金・パラジウム・銀合金、金・銀合金、金・白金・銀合金、のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の抵抗器の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】 前記第１の電極は、銅または銅を含む合金であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の抵抗器の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  前記第２の電極は、ボンディングパッドであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の抵抗器の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】 前記ボンディングパッドは、ニッケル、ニッケルを含む合金、アルミニウム、アルミニウムを含む合金、金、金を含む合金であることを特徴とする請求項６に記載の抵抗器の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月19日(2007.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】チップ抵抗器の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】特許請求の範囲    【請求項１】  抵抗体用合金からなる抵抗体と、高導電率の金属からなる電極とを有するチップ抵抗器の製造方法であって、  略板状の前記抵抗体用合金と略板状の前記高導電率の金属とを積層し、前記積層された抵抗体用合金と金属との接触界面を接合して接合体を形成する接合工程と、  前記抵抗体用合金に接合した前記金属の一部を除去することにより、前記金属を２分割して前記電極を形成する電極形成工程と、  前記電極を形成した接合体を複数のチップ抵抗器に分割する分割工程と、を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。    【請求項２】  さらに、前記チップ抵抗器の抵抗値を調整する調整工程を有し、 前記調整工程は、前記チップ抵抗器の抵抗体用合金の表面の一部を除去することを特徴とする請求項１記載のチップ抵抗器の製造方法。    【請求項３】  さらに、前記チップ抵抗器の抵抗値を調整する調整工程を有し、 前記調整工程は、前記チップ抵抗器の側面の一部を除去することを特徴とする請求項１記載のチップ抵抗器の製造方法。    【請求項４】 さらに、前記電極の基板接合面上にはんだ膜を形成するはんだ膜形成工程を有することを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器の製造方法。【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】    【発明の属する技術分野】  本発明は、電流検出用のチップ抵抗器の製造方法に関する。【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】  本発明の目的は、電流の測定精度が高いチップ抵抗器の製造方法を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】    【課題を解決するための手段】  上記目的を達成するための本発明の抵抗器の製造方法は、以下の構成を有する。すなわち、抵抗体用合金からなる抵抗体と、高導電率の金属からなる電極とを有するチップ抵抗器の製造方法であって、略板状の前記抵抗体用合金と略板状の前記高導電率の金属とを積層し、前記積層された抵抗体用合金と金属との接触界面を接合して接合体を形成する接合工程と、前記抵抗体用合金に接合した前記金属の一部を除去することにより、前記金属を２分割して前記電極を形成する電極形成工程と、前記電極を形成した接合体を複数のチップ抵抗器に分割する分割工程と、を有することを特徴とする。【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】  また例えば、さらに、前記チップ抵抗器の抵抗値を調整する調整工程を有し、前記調整工程は、前記チップ抵抗器の抵抗体用合金の表面の一部を除去することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】  また例えば、さらに、前記チップ抵抗器の抵抗値を調整する調整工程を有し、前記調整工程は、前記チップ抵抗器の側面の一部を除去することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】  また例えば、さらに、前記電極の基板接合面上にはんだ膜を形成するはんだ膜形成工程を有することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】  【発明の効果】  以上説明したように、本発明によれば電流の測定精度が高いチップ抵抗器の製造方法を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月19日(2007.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一導電型の半導体基板上に形成されたフィールド酸化膜と、前記半導体基板上にゲート酸化膜を介して形成されたゲート電極と、前記フィールド酸化膜と前記ゲート電極とに囲まれていて低濃度の第二導電型ソース・ドレイン領域と、前記ゲート電極と前記低濃度第二導電型ソース・ドレインとそれらの上層に形成される配線とを電気的に絶縁する層間膜と、前記配線と前記ゲート電極と前記低濃度第二導電型ソース・ドレインとを電気的に接続を行うためのコンタクト孔と、前記コンタクト孔が開口している前記低濃度の第二導電型ソース・ドレイン領域だけを選択的に高濃度の第二導電型拡散層からなる領域とした事を特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記低濃度第二導電型ソース・ドレイン拡散領域に注入する不純物濃度を１×１０16〜１×１０18atoms/cm3としたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記高濃度第二導電型拡散層からなる領域に注入する不純物濃度を１×１０19〜５×１０20atoms/cm3とした事を特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ゲート電極の一端部と前記高濃度第二導電型拡散領域の一端部との距離を変える事により、前記低濃度第二導電型ソース・ドレイン領域の幅を変え、前記半導体基板上に異なる耐圧を有する複数のMOS型トランジスタを作成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
ＭＯＳ型トランジスタの製造方法において、半導体基板の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極をパターニングして形成する工程と、前記ゲート電極をマスクとして不純物を前記半導体基板の表面にイオン注入することにより低濃度拡散領域を形成する工程と、前面に不純物を含む層間膜を成膜し、熱処理により平坦化する工程と、前記層間膜を選択的にエッチングし前記低濃度拡散領域及び前記ゲート電極にコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールをマスクとして不純物を前記半導体基板の表面にイオン注入することにより高濃度拡散領域を形成する工程と、熱処理を行う工程と、真空蒸着あるいはスパッタリング等により金属材を全面的に成膜した後フォトリソグラフィ法及びエッチングを施すことで前記金属材をパターニングする工程と、前記半導体基板の全体を表面保護膜で被覆する工程とからなるMOS型トランジスタの製造方法。
【請求項６】
ＭＯＳ型トランジスタの製造方法において、半導体基板の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極をパターニングして形成する工程と、前記ゲート電極をマスクとして不純物を前記半導体基板の表面にイオン注入することにより低濃度拡散領域を形成する工程と、前面に不純物を含む層間膜を成膜し、熱処理により平坦化する工程と、前記層間膜を選択的にエッチングし前記低濃度拡散領域及び前記ゲート電極にコンタクトホールを形成する工程と、CVD法によりポリシリコンを全面的に成膜した後イオン注入ないし不純物核酸炉により不純物元素である燐を高濃度注入する工程と、フォトリソグラフィ法及びエッチングを行い前記ポリシリコンをパターニングする工程と、前記ポリシリコン中の不純物を熱処理を加えることにより前記半導体基板の表面に拡散させ高濃度拡散領域を形成する工程と、真空蒸着あるいはスパッタリング等により金属材を全面的に成膜した後フォトリソグラフィ法及びエッチングを施すことで前記金属材をパターニングする工程と、前記半導体基板の全体を表面保護膜で被覆する工程とからなるMOS型トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記不純物を含む層間膜がBPSG層間膜である事を特徴とする請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記不純物を含む酸化膜成膜後の活性化のための熱処理を８００〜１０５０℃の温度において３分以内で行う事を特徴とする請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月13日(2007.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、２５〜８０ｎｍの膜厚を有する非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を選択的にエッチングして、前記非晶質半導体膜が前記絶縁膜に覆われている第１の領域と、前記非晶質半導体膜が露出している第２の領域を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザビームを照射して、結晶質半導体膜を形成し、
前記第２の領域に形成された前記結晶質半導体膜を用いてＴＦＴのチャネル形成領域を形成し、
前記絶縁膜に対する前記レーザビームの反射率が前記非晶質半導体膜に対する前記レーザビームの反射率よりも低くなるような膜厚を有するように前記絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に、２５〜８０ｎｍの膜厚を有する非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を選択的にエッチングして、前記非晶質半導体膜が前記絶縁膜に覆われている第１の領域と、前記非晶質半導体膜が露出している第２の領域を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザビームを照射して、結晶質半導体膜を形成し、
前記第２の領域に形成された前記結晶質半導体膜を用いてＴＦＴの活性層を形成し、
前記絶縁膜に対する前記レーザビームの反射率が前記非晶質半導体膜に対する前記レーザビームの反射率よりも低くなるような膜厚を有するように前記絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記絶縁膜として酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、または酸化窒化シリコン膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記基板の表面側から前記レーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記基板の表面側および裏面側から同時に前記レーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記半導体装置は、液晶表示装置またはＥＬ表示装置であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記半導体装置は、携帯電話、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、ＤＶＤプレイヤー、電子辞書、または携帯型情報端末であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月9日(2007.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数配列された、光電変換素子と薄膜トランジスタとの組と、
前記薄膜トランジスタのゲート電極に電気的に接続されたゲート線と、
前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極のうちの一方の電極に電気的に接続された信号線と、
前記光電変換素子の一方の電極に電気的に接続された共通電極バイアス線と、を基板上に有し、
前記光電変換素子の他方の電極が、前記薄膜トランジスタの前記ソース及びドレイン電極のうちの他方の電極に電気的に接続された光電変換装置であって、
前記ゲート線は、一方の端部にバイアス電圧印加手段が電気的に接続され、他方の端部に定電位手段が電気的に接続されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】  前記ゲート線と前記定電位手段とは、半導体層と金属配線とを介して接続されていることを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。
【請求項３】  前記組は、前記基板上に行列状に配列され、その基板はスライスされて複数枚貼り合わせられるとともに、
前記金属配線は、
前記基板のスライス辺に沿って配置されることを特徴とする請求項２記載の光電変換装置。
【請求項４】  前記半導体層は、前記薄膜トランジスタ及び前記光電変換素子を構成する半導体層と同一の層で形成されていることを特徴とする請求項２記載の光電変換装置。
【請求項５】  前記ゲート線の配線抵抗をＲvg、
前記半導体層による配線抵抗をＲn、前記金属配線による配線抵抗をＲm、
前記薄膜トランジスタの駆動時のゲートバイアス電圧のうち、
前記薄膜トランジスタをオンする際に印加するバイアス電圧をＶgＨ、
前記薄膜トランジスタをオフする際に印加するバイアス電圧をＶgＬ、
前記薄膜トランジスタに十分な転送効率を与えるバイアス電圧の最小値をＶg onとし、
前記薄膜トランジスタのスレッシュホールド電圧をＶth、前記定電位手段の電位を零電位としたときに、
【数１】
ＶgＨ−ＲVg（ＶgＨ−ＶgＬ）／２（Ｒvg＋Ｒn）＞（Ｖg on）
ＶgＨ−ＲVg・ＶgＨ／（Ｒvg＋Ｒn＋Ｒm）＞（Ｖg on）
ＶgＬ＋ＲVg（ＶgＨ−ＶgＬ）／２（Ｒvg＋Ｒn）＜Ｖth
ＶgＬ＋ＲVg・（−ＶgＬ）／（Ｒvg＋Ｒn＋Ｒm）＜Ｖth
を満たすことを特徴とする請求項２記載の光電変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この光電変換素子パネル６では、ゲートドライバ１３の各ドライバ（Ｄｒ１〜Ｄｒ４）から複数のＶg線（Ｃｒ配線からなるゲート線）４に印加されるバイアス電圧により、マトリックス状に配置された複数のＴＦＴ１（t11〜tm4）が駆動される。また、ソースドライバ（信号処理回路）１１から送られる信号が、複数の信号線（Ａｌ配線）５を通じて、各ＴＦＴ１と対になる、光電変換素子となるコンデンサ２（c11〜cm4）へ転送され、すべてのマトリックス素子に信号が伝えられる。そして、複数のＶs線（Ａｌ配線からなる共通電極バイアス線）３に接続された複数のコンデンサ２（c11〜m4）の第２電極に蓄積された電子が除去されて、この光電変換素子パネル６は駆動される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明は、複数配列された、光電変換素子と薄膜トランジスタとの組と、
前記薄膜トランジスタのゲート電極に電気的に接続されたゲート線と、
前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極のうちの一方の電極に電気的に接続された信号線と、
前記光電変換素子の一方の電極に電気的に接続された共通電極バイアス線と、を基板上に有し、
前記光電変換素子の他方の電極が、前記薄膜トランジスタの前記ソース及びドレイン電極のうちの他方の電極に電気的に接続された光電変換装置であって、
前記ゲート線は、一方の端部にバイアス電圧印加手段が電気的に接続され、他方の端部に定電位手段が電気的に接続されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月28日(2007.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】はんだボール
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  Ｓｎと、１．０〜４．５質量％Ａｇと、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｐ、Ｍｎ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｉｎおよび不可避的不純物でなるその他の元素を合計で０．０１〜０．２質量％含有し、かつＧｅの含有量が０．１質量％以下であることを特徴とするはんだボール。
【請求項２】  Ｓｎと、０．３〜１．２質量％Ｃｕと、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｐ、Ｍｎ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｉｎおよび不可避的不純物でなるその他の元素を合計で０．０１〜０．２質量％含有し、かつＧｅの含有量が０．１質量％以下であることを特徴とするはんだボール。
【請求項３】  Ｓｎと、１．０〜４．５質量％Ａｇかつ０．３〜１．２質量％Ｃｕを含有し、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｐ、Ｍｎ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｉｎおよび不可避的不純物でなるその他の元素を合計で０．００６〜０．１質量％含有し、かつＧｅの含有量が０．１質量％以下であることを特徴とするはんだボール。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置などに使用されるはんだボールにおいて、特に表面形状が平滑であり、搬送性と搭載性に優れているはんだボールに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この他に、はんだボールには、表面が清浄であることも求められる。
はんだボール表面が汚れていると、フラックスを用いても酸化層を除去することが出来なくなり、接合強度を低下させることになる。このことを考えると、従来の油中冷却は、洗浄を行うにしても、品質の安定性や生産性の点から好ましくない。
液体窒素中のような極低温環境で冷却させることも技術的には可能であるが、Ｓｎを主とした組成のはんだボールでは、極低温の安定相であるαＳｎになるために非常に脆いものになる。この脆いはんだボールは分級などで欠けを生じるので、真球度の高いボールを得られなくなる。
本発明の目的は、はんだボールに要求される高い真球度と寸法精度を合せ持ちながら、平滑な表面形状と清浄な表面を有するはんだボールを提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
即ち本発明の第一は、Ｓｎと、１．０〜４．５質量％Ａｇと、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｐ、Ｍｎ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｉｎおよび不可避的不純物でなるその他の元素を合計で０．０１〜０．２質量％含有し、かつＧｅの含有量が０．１質量％以下であるはんだボールである。
また本発明の第二は、Ｓｎと、０．３〜１．２質量％Ｃｕと、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｐ、Ｍｎ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｉｎおよび不可避的不純物でなるその他の元素を合計で０．０１〜０．２質量％含有し、かつＧｅの含有量が０．１質量％以下であり、本発明の第三は、Ｓｎと、１．０〜４．５質量％Ａｇかつ０．３〜１．２質量％Ｃｕを含有し、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｐ、Ｍｎ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｉｎおよび不可避的不純物でなるその他の元素を合計で０．００６〜０．１質量％含有し、かつＧｅの含有量が０．１質量％以下であるはんだボールである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、これらの組成系において、その他の元素のうちＧｅを０．１質量％以下を添加することにより得られる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
次に本発明において、Ｓｎ−ＡｇあるいはＳｎ−Ｃｕを基本元素とする場合は、その他の元素の含有量を合計で０．０１質量％とした理由を説明する。
図３に示すように、その他の元素を０．０１質量％未満しか含まないＳｎ−３．５質量％Ａｇでは表面形状が非常に凹凸になる。一方、図２に示すように、その他の元素を０．０１質量％以上含有するＳｎ−３．５質量％Ａｇでは、平滑な表面になっている。このように、その他の元素が０．０１質量％以上含有していると、表面形状が平滑になることがわかる。
Ｓｎ−ＡｇあるいはＳｎ−Ｃｕを基本元素とする場合は、その他の元素が０．０１質量％未満になると、表面形状が凹凸になる原因は明らかに出来ていない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
一方、基本元素がＳｎ−Ａｇ−Ｃｕの３種類になる場合では、その他の元素の下限を０．００６質量％とした。この系では、ＳｎにＡｇとＣｕを共に含有しているので、微量元素として添加する場合に近い効果が得られ、少量でも表面が平滑になる効果が認められるためである。
また、基本元素がＳｎ―Ａｇ―Ｃｕの３種類の場合では、その他の元素の上限を０．１質量％とした。これは、この系では、その他の元素を０．１質量％含有した段階で、これを越えて含有した場合と表面形状改善の差異がなくなるからである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明者が検討した結果、油中冷却を採用した均一液滴噴霧法の装置、あるいは、はんだ片を油中で加熱溶融し冷却する方法では、形状を補正するために、加熱した油に入れ表面張力で球形にし、油に温度勾配をつくり徐々に凝固させることができる。すなわち、凝固速度を遅くできるものである。
これに対して、ガス雰囲気中で冷却を採用した均一液滴法の装置では、空中で球状に凝固するため、形状を補正する必要がないが、凝固は非常に急激に進むことになる。そのため本発明で課題となる表面形状の凹凸の問題が顕著になる。すなわち、本発明者は、清浄な表面を得るためにガス雰囲気中で冷却を行う場合には、その他の元素を適量含有させることが表面形状を平滑にするために非常に重要である。
このように、はんだボールの凹凸の発生は、凝固速度が早い場合に顕著になると推定されるため、本発明の適用は、冷却速度の速い空冷凝固のはんだボールに対して特に有効である。