【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  柱状の部材と該柱状の部材を取り囲む領域を含む構造体を用意する工程、該構造体から該柱状の部材を除去して多孔質体を形成する工程、及び該多孔質体に機能性材料を充填する工程を有することを特徴とする機能デバイスの製造方法。
【請求項２】  前記構造体は、第１の材料を含み構成される前記柱状の部材が、第２の材料を含み構成される前記領域に取り囲まれており、且つ該構造体には該第２の材料が、該第１の材料と第２の材料の全量に対して２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下の割合で含まれている請求項１記載の機能デバイスの製造方法。
【請求項３】  前記柱状の部材の直径が５０ｎｍ以下である請求項１あるいは２記載の機能デバイスの製造方法。
【請求項４】  前記柱状の部材間の中心間距離が３０ｎｍ以下である請求項１あるいは２記載の機能デバイスの製造方法。
【請求項５】  前記第１の材料がアルミニウムであり、前記第２の材料がシリコンあるいはシリコンとゲルマニウムの混合物である請求項２に記載の機能デバイスの製造方法。
【請求項６】  前記機能性材料が、導電性材料、磁性材料、発光材料、半導体材料を含む請求項１乃至５のいずれかの項に記載の機能デバイスの製造方法。
【請求項７】  前記多孔質体が有する柱状の孔の深さ方向の長さと、該孔を取り囲む領域の厚さが等しい請求項１乃至６のいずれかの項に記載の機能デバイスの製造方法。
【請求項８】  柱状の部材とそれを取り囲む領域を含み構成される構造体から、該柱状の部材を除去して得られる多孔質体に機能性材料を充填して得られることを特徴とする機能デバイス。
【請求項９】  前記構造体は、第１の材料を含み構成される前記柱状の部材が、第２の材料を含み構成される前記領域に取り囲まれており、且つ該構造体には該第２の材料が、該第１の材料と第２の材料の全量に対して２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下の割合で含まれている請求項８記載の機能デバイス。
【請求項１０】  前記第１の材料がアルミニウムであり、前記第２の材料がシリコンあるいはシリコンとゲルマニウムの混合物である請求項８あるいは９に記載の機能デバイス。
【請求項１１】  前記機能性材料が、導電性材料、磁性材料、発光材料、半導体材料を含む請求項８乃至１０のいずれかの項に記載の機能デバイス。
【請求項１２】  前記多孔質体が有する柱状の孔の深さ方向の長さと、該孔を取り囲む領域の厚さが等しい請求項８乃至１１のいずれかの項に記載の機能デバイス。
【請求項１３】  多孔質体に機能性材料を充填して得られる機能デバイスであって、該多孔質体は、複数の柱状の孔とそれを取り囲む領域を備え、該領域はＣ、Ｓｉ、Ｇｅあるいはこれらの組み合わせ材料を含み構成される非晶質領域であることを特徴とする機能デバイス。
【請求項１４】  前記非晶質領域は、酸化物を含む領域である請求項１３記載の機能デバイス。
【請求項１５】  前記柱状の孔は、分岐していない請求項１３記載の機能デバイス。
【請求項１６】  前記複数の孔同士の平均中心間距離が３０ｎｍ以下である請求項１３から１５のいずれかに記載の機能デバイス。
【請求項１７】  前記柱状の孔の径が２０ｎｍ以下である請求項１３から１６のいずれかに記載の機能デバイス。
【請求項１８】  前記複数の孔の深さ方向が同一である請求項１３から１７のいずれかに記載の機能デバイス。
【請求項１９】  前記酸化物非晶質領域には、アルミニウムが含まれている請求項１３から１８のいずれかに記載の機能デバイス。
【請求項２０】  前記多孔質体は基板上に形成されており、前記柱状の孔の深さ方向が、該基板に対して垂直である請求項１３から１９のいずれかに記載の機能デバイス。
【請求項２１】  基板上に下地層と記録層を有する磁気記録媒体であって、該記録層は磁性材料を含み構成される柱状の部材と、シリコン、ＳｉＧｅ、あるいはこれらの酸化物を含み構成され、且つ該柱状の部材を取り囲む領域とを備え、該下地層は該基板の面内方向に正方状の結晶配列を有し、且つ該柱状の部材は該基板の垂直方向にｃ軸配向したＬ１0 規則構造からなる硬磁性体部分を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２２】  該柱状の部材のＬ１0 規則構造からなる硬磁性体部分は、ＭＰｔ（Ｍ＝Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ）を主成分とする請求項２１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項２３】  該Ｌ１0 規則構造からなる硬磁性体部分は、Ａｇ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｐ，Ｂのうち少なくとも１つ以上の元素を含んでいる請求項２１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項２４】  該柱状の部材のＬ１0 規則構造からなる硬磁性体部分を除く部分は、基板面に対して平行に正方状の結晶配列を有する構造物である請求項２１乃至２３のいずれかの項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項２５】  該柱状の部材のＬ１0 規則構造からなる硬磁性体部分を除く部分は、ｆｃｃ構造またはＬ１2 規則構造である請求項２１乃至２３のいずれかの項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項２６】  該柱状の部材のｆｃｃ構造部分は貴金属、ＣｕとＮｉＦｅのいずれかを主成分とする構造からなり、Ｌ１2 規則構造部分はＭ3 Ｐｔ（Ｍ＝Ｆｅ，Ｎｉ）またはＭＰｔ3 （Ｍ＝Ｃｏ，Ｆｅ）を主成分とする構造からなる請求項２５に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項２７】  該柱状の部材のＬ１2 規則構造部分がＦｅ3 ＰｔまたはＦｅＰｔ3 からなる請求項２６に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項２８】  該柱状の部材の上部から下地層にかけて、Ｆｅ3 ＰｔからなるＬ１2 規則構造／ＦｅＰｔからなるＬ１0 規則構造／下地層、またはＦｅＰｔからなるＬ１0 規則構造／ＦｅＰｔ3 からなるＬ１2 規則構造／下地層の順で配置されていることを特徴とする請求項２１乃至２７のいずれかの項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項２９】  該細孔を有する酸化シリコンを成分とする層は、（ＡｌX Ｓｉ1-X ）Y Ｏ1-Y からなり、Ｘ＝０．０１〜０．２の範囲であることを特徴とする請求項２１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３０】  該細孔中に充填されている柱状の部材の平均直径が１〜９ｎｍの範囲で、平均間隔が３〜１０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項２１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３１】  該細孔を有するＳｉＧｅ酸化物を成分とする層は、（Ａｌx （Ｓｉy Ｇｅ1-y ）1-x ）z Ｏ1-z からなりＸ＝０．０１〜０．２、０＜ｙ＜１の範囲であることを特徴とする請求項２１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３２】  該細孔に充填されている柱状の部材の平均直径の範囲が１〜１５ｎｍの範囲で、平均間隔が３〜２０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項２１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３３】  該下地層は、ｆｃｃ構造、またはＬ１0 、Ｌ１1 、Ｌ１2 の各規則構造のいずれかを有することを特徴とする請求項２１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３４】  該下地層が、貴金属、Ｃｕ、ＮｉＦｅのいずれかを主成分とするｆｃｃ構造、ＭＰｔ（Ｍ＝Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ）を主成分とするＬ１0 規則構造、ＣｕＰｔを主成分とするＬ１1 規則構造、あるいはＭ3 Ｐｔ（Ｍ＝Ｆｅ，Ｎｉ）またはＭＰｔ3 （Ｍ＝Ｃｏ，Ｆｅ）を主成分とするＬ１2 規則構造のいずれかを有することを特徴とする請求項２１または３１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３５】  該下地層の下にＭｇＯ（００１）層が配置されていることを特徴とする請求項２１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３６】  請求項２１乃至３５のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置。
【請求項３７】  請求項２１乃至３６のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を使用した情報処理装置。
【請求項３８】  基板上に下地層と記録層を有する垂直磁気記録媒体の製造方法において、
該基板の面内方向に正方状の結晶配列を有する下地層を形成する工程、
該下地層上に基板垂直方向に立ったアルミニウムを成分とする柱状アルミニウム部分と、該柱状アルミニウム部分の側面を囲むように配置されるシリコン、ＳｉＧｅを含む領域を有する構造体を形成する工程、
該構造体の柱状アルミニウム部分を除去して細孔を形成し、該シリコン部分あるいは該ＳｉＧｅ部分の酸化を行う工程、
該細孔中にＭＰｔ（Ｍ＝Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ）を主成分とする部分を電着により形成した後、アニールを行い、基板垂直方向にｃ軸配向したＬ１0 規則構造からなる硬磁性体部分を含む柱状の部材を備えた記録層を形成する工程を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３９】  基板上に軟磁性層と記録層を有する磁気記録媒体であって、該軟磁性層が柱状の軟磁性体と該軟磁性体を取り囲む非磁性体領域を含み構成されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項４０】  前記非磁性材料はＡｌx Ｓｉ1-x （ｘ＝０．０１〜０．２）またはその酸化物を主成分として含有する請求項３９に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４１】  前記非磁性材料はＡｌx Ｓｉ1-x （ｘ＝０．０１〜０．２）と柱状軟磁性体の構成材料を主成分として含有する請求項３９に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４２】  前記柱状軟磁性体の平均直径が１〜９ｎｍ、平均間隔が３〜１０ｎｍである請求項３９に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４３】  前記柱状軟磁性体はＮｉＦｅからなる請求項３９乃至４２のいずれかの項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４４】  前記基板と軟磁性層との間に単層または２層以上の非磁性導電膜からなる下地層が設けられている請求項３９に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４５】  前記軟磁性層と記録層との間に単層または２層以上の非磁性導電膜からなる下地層が設けられている請求項３９に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４６】  請求項３９乃至４５のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置。
【請求項４７】  請求項３９乃至４６のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を使用した情報処理装置。
【請求項４８】  基板と、該基板上に配置されている軟磁性層と記録層を有する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、基板上にアルミニウムを主成分とする柱状構造部分と該柱状構造部分の周囲を取り囲むように配置されるシリコンを主成分とする非磁性領域を形成する工程、該アルミニウムを主成分とする柱状構造部分を柱状軟磁性体に置換して軟磁性層を形成する工程を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４９】  第１の材料を含み構成される柱状の部材と、第２の材料を含み構成され、該柱状構造体を取り囲む領域を有する構造体であって、且つ該構造体には該第２の材料が該第１と第２の材料の全量に対して２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下の割合で含まれている該構造体を用意する第１の工程、該構造体から該柱状の部材を除去する第２の工程、及び前記第２の工程により形成される多孔質体に磁性材料を充填する第３の工程を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５０】  基板と記録層を含み構成される磁気記録媒体であって、該記録層は磁性材料を含み構成される柱状の部材と、該柱状の部材を取り囲むシリコン、ＳｉＧｅあるいはこれらの酸化物を成分とする領域とを備えていることを特徴とする磁気記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記機能性材料とは、例えば導電性材料、磁性材料、発光材料、半導体材料である。また前記多孔質体が有する柱状の孔の深さ方向の長さと、該孔を取り囲む領域の厚さが等しくすることもできる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記構造体は、第１の材料を含み構成される前記柱状の部材が、第２の材料を含み構成される前記領域に取り囲まれており、且つ該構造体には該第２の材料が、該第１の材料と第２の材料の全量に対して２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下の割合で含まれていてもよい。
前記多孔質体が有する柱状の孔の深さ方向の長さと、該孔を取り囲む領域の厚さが等しくすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ここで、前記非晶質領域は、酸化物を含む領域であってもよい。多孔質全体が酸化物でも、多孔質体全体ではなく、孔壁側面が主として酸化物になっていてもよい。
本発明によれば、前記柱状の孔を分岐していない構造にすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記複数の孔同士の平均中心間距離が３０ｎｍ以下であったり、前記柱状の孔の径が２０ｎｍ以下であるのが好ましい。
本発明によれば、前記複数の孔の深さ方向が実質的に同一でにすることができる。
ここで、前記酸化物非晶質領域には、アルミニウムが含まれていてもよい。
また、前記多孔質体は基板上に形成されており、前記柱状の孔の深さ方向が、該基板に対して垂直である事も好ましいものである。