Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月2日(2008.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グリッド・ワークロード・コントローラで、コンピュータ・グリッド環境の中の複数の異種のグリッド・アプリケーション環境からのアプリケーション・レベルにおけるリアルタイム・グリッド・アクティビティをモニタするステップと、
前記コンピュータ・グリッド環境の管理についての決定を行うために前記リアルタイム・グリッド・アクティビティを要求するグリッド・モジュールの選択を決定するステップと、
前記グリッド・ワークロード・コントローラから、前記リアルタイム・グリッド・アクティビティを、グリッド・モジュールの前記選択に振り分けるステップであって、グリッド・モジュールの前記選択が前記グリッド環境の中で自動決定を行い、前記コンピュータ・グリッド環境の中のワークロード・パフォーマンス要件を保持するものと
を有する、グリッド環境の中の作業負荷を管理する方法。
【請求項２】
グリッド・ワークロード・コントローラで、コンピュータ・グリッド環境の中の複数の異種のグリッド・アプリケーション環境からのアプリケーション・レベルにおけるリアルタイム・グリッド・アクティビティをモニタするステップが、
前記グリッド・ワークロード・コントローラで、前記グリッド・ワークロード・コントローラにより使用される特定のプロトコルに適合することを要求する複数のプロトコル内に受信される前記リアルタイム・グリッド・アクティビティをモニタするステップをさらに含む、請求項１に記載の作業負荷を管理する方法。
【請求項３】
グリッド・ワークロード・コントローラで、コンピュータ・グリッド環境の中の複数の異種のグリッド・アプリケーション環境からのアプリケーション・レベルにおけるリアルタイム・グリッド・アクティビティをモニタするステップが、
前記グリッド・ワークロード・コントローラで、前記リアルタイム・グリッド・アクティビティの中の複数の種類のグリッド特性を受信するステップと、
複数のモニタ規則に基づいて、前記リアルタイム・グリッド・アクティビティの中の前記複数の種類のグリッド特性をフィルタリングするステップであって、前記複数のモニタ規則が、前記複数の種類のグリッド特性の選択と、前記複数の異種のグリッド・アプリケーション環境の選択とを規定し、この前記複数の異種のグリッド・アプリケーション環境から前記リアルタイム・グリッド・アクティビティが収納されるものと
をさらに含む、請求項１に記載の作業負荷を管理する方法。
【請求項４】
グリッド・ワークロード・コントローラで、コンピュータ・グリッド環境の中の複数の異種のグリッド・アプリケーション環境からのアプリケーション・レベルにおけるリアルタイム・グリッド・アクティビティをモニタするステップが、
前記リアルタイム・グリッド・アクティビティについて複数のマネージャ・モジュールに問い合わせるステップであって、前記複数のマネージャ・モジュールの各々が、前記コンピュータ・グリッド環境の中の前記複数の異種のグリッド・アプリケーション環境のうちの１つに割り当てられた資源ノードの分類の少なくとも１つのリアルタイム・パフォーマンス特性を追跡するものをさらに含む、請求項１に記載の作業負荷を管理する方法。
【請求項５】
前記コンピュータ・グリッドの管理についての決定を行うために前記リアルタイム・グリッド・アクティビティを要求するグリッド・モジュールの選択を決定するステップが、
システム管理者および自動決定コントローラの中の少なくとも１つにより設定される複数の振り分け規則を介して、前記リアルタイム・グリッド・アクティビティをフィルタリングするステップをさらに含む、請求項１に記載の作業負荷を管理する方法。
【請求項６】
前記リアルタイム・グリッド・アクティビティが、ジョブ要求の受信、保留中のジョブ提供、新たに予定されたグリッド・ジョブ、現在実行処理中のグリッド・ジョブ・パフォーマンス、将来のジョブ・スケジュール、現在の価格設定スケジュール、将来の価格設定スケジュール、現在の資源利用性、および予測される資源利用性の中の少なくとも１つについてのデータを含む、請求項１に記載の作業負荷を管理する方法。
【請求項７】
グリッド・モジュールの前記選択が、グリッド資源割り当てモジュール、グリッド処分モジュール、グリッド・ディスカウンタ・モジュール、グリッド課金処理モジュール、およびグリッド価格設定モジュールの中の少なくとも１つを含む、請求項１に記載の作業負荷を管理する方法。
【請求項８】
前記グリッド・ワークロード・コントローラがグリッド・サービスである、請求項１に記載の作業負荷を管理する方法。
【請求項９】
コンピュータ・グリッド環境の中に実現されるグリッド・ワークロード・コントローラを含み、
前記グリッド・ワークロード・コントローラは、
前記コンピュータ・グリッド環境の中の複数の異種のグリッド・アプリケーション環境からのアプリケーション・レベルにおけるリアルタイム・グリッド・アクティビティをモニタする手段と、
前記コンピュータ・グリッド環境の管理についての決定を行うために前記リアルタイム・グリッド・アクティビティを要求するグリッド・モジュールの選択を決定する手段と、
前記リアルタイム・グリッド・アクティビティを、グリッド・モジュールの前記選択に振り分ける手段であって、グリッド・モジュールの前記選択が前記グリッド環境の中で自動決定を行い、前記コンピュータ・グリッド環境の中のワークロード・パフォーマンス要件を保持するものと
を含む、グリッド環境の中の作業負荷を管理するシステム。
【請求項１０】
コンピュータ上で実行されるとき、請求項１〜８に記載の発明を達成するソフトウェア・コード部を含む、デジタル・コンピュータの内部メモリにロードできるコンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月23日(2008.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
地上ベースのソフトウェアツールを実行するように構成されたコンピュータと、
制御ロジックに基づいて冗長オペレーションを実施する少なくとも２つのデータ処理システム、および
データ値を記憶するメモリ
を備える装置と
を備え、
前記地上ベースのソフトウェアツールは、前記制御ロジックで使用される前記記憶されたデータ値のうちの少なくとも１つをユーザが変更することを可能にするように構成された構成要素を含む、
システム。
【請求項２】
前記データ値は、重み値、時限値、および交換しきい値のうち少なくとも１つを含み、前記装置は航空機であり、前記少なくとも２つの冗長データ処理システムは通信管理ユニットを含む請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
冗長管理ロジックに関連する少なくとも１つの冗長管理データ値をコンピュータで変更するステップと、
前記変更したデータ値を取外し可能記憶装置上に保存するステップと、
前記少なくとも１つの変更された冗長管理データ値を、前記取外し可能記憶装置から、装置に含まれるメモリに送るステップとを含み、
前記装置は少なくとも２つのデータ処理システムを含み、前記少なくとも２つのデータ処理システムは、冗長オペレーションを実施し、前記メモリに記憶された前記１つまたは複数の冗長管理データ値に基づいて、冗長管理を実行する、
方法。
【請求項４】
前記冗長管理データ値は、重み値、時限値、および交換しきい値のうち少なくとも１つを含み、前記装置は航空機であり、前記少なくとも２つの冗長データ処理システムは通信管理ユニットを含む請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月9日(2008.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波アプリケーションのためのスイッチモード電力増幅器であって、
ａ）第１端子と、第２端子と、そして制御端子とを有し、かつ、前記第１端子と第２端子との間に内部キャパシタンスを有するトランジスタと、
ｂ）前記制御端子に結合された信号入力端子と、
ｃ）前記第２端子に伝導的に結合された電力端子と、
ｄ）前記第１端子に結合されたアース端子と、
ｅ）前記第２端子を出力端子に結合する共振回路と、
ｆ）前記出力端子をアース端子に結合する抵抗と
を備え、
それによって、入力信号が、前記トランジスタの伝導を制御し、電源から前記第２端子への電流が増加する状態で前記トランジスタが伝導する時には、前記第２端子がアースに結合され、そして、前記トランジスタがオフにされた時には、前記電源からの電流が前記トランジスタの前記内部キャパシタンスへと流れ、前記第２端子での電圧を最大値へと上昇させ、次いで、下降させ、前記第２端子の電圧が、前記共振回路を通じて前記出力端子の電圧と等しくなっており、
前記トランジスタが、前記第１端子はソース端子であり、かつ、前記第２端子はドレイン端子であるような化合物半導体電界効果トランジスタであり、化合物半導体基板と、基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成されたチャネル層と、チャネル上に形成されたバリア層とを備えたことを特徴とするスイッチモード電力増幅器。
【請求項２】
前記トランジスタが高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を備えることを特徴とする、請求項１によって定義されたスイッチモード電力増幅器。
【請求項３】
前記化合物半導体基板が広バンドギャップ化合物材料であることを特徴とする、請求項２によって定義されたスイッチモード電力増幅器。
【請求項４】
前記半導体材料が、シリコンカーバイドとＩＩＩ族窒化物とで構成されるグループから選択されることを特徴とする、請求項２によって定義されたスイッチモード電力増幅器。
【請求項５】
前記基板がシリコンカーバイドを備え、前記他の層がＩＩＩ族窒化物材料を備えることを特徴とする、請求項１によって定義されたスイッチモード電力増幅器。
【請求項６】
前記基板がシリコンカーバイドを備え、前記バッファ層がＩｎＡｌＧａＮを備え、前記チャネル層がＩｎＡｌＧａＮを備え、そして前記バリア層が第１ＩＩＩ族窒化物を備えることを特徴とする、請求項５によって定義されたスイッチモード電力増幅器。
【請求項７】
前記トランジスタが、前記バリア層上に形成された第２ＩＩＩ族窒化物層をさらに含み、前記第２ＩＩＩ族窒化物層が、前記第１ＩＩＩ族窒化物層より低いバンドギャップを有することを特徴とする、請求項６によって定義されたスイッチモード電力増幅器。
【請求項８】
前記第２ＩＩＩ族材料がＡｌＧａＮを備えることを特徴とする、請求項７によって定義されたスイッチモード電力増幅器。
【請求項９】
前記トランジスタが、前記トランジスタに対するコンタクトの形成を容易にするため、前記第２ＩＩＩ族窒化物層上に形成されたキャップ層をさらに含むことを特徴とする、請求項７によって定義されたスイッチモード電力増幅器。
【請求項１０】
前記キャップ層がＩＩＩ族窒化物を備えることを特徴とする、請求項９によって定義されたスイッチモード電力増幅器。
【請求項１１】
前記キャップ層がＩｎＡｌＧａＮを備えることを特徴とする、請求項１０によって定義されたスイッチモード電力増幅器。
【請求項１２】
前記化合物半導体基板が、広バンドギャップ化合物材料を備えることを特徴とし、かつ、前記スイッチモード増幅器が、１．９ＧＨｚを上回る周波数において４０ｄＢｍを上回る出力を生成するように構成されていることを特徴とする、請求項１によって定義されたスイッチモード電力増幅器。
【請求項１３】
前記化合物半導体基板が、広バンドギャップ化合物材料を備えることを特徴とし、かつ、前記スイッチモード増幅器が、１．９ＧＨｚを上回る周波数において７５％を上回る電力付加効率を示すように構成されていることを特徴とする、請求項１によって定義されたスイッチモード電力増幅器。
【請求項１４】
前記化合物半導体基板が、広バンドギャップ化合物材料を備えることを特徴とし、かつ、前記スイッチモード増幅器が、１．９ＧＨｚ乃至２．１ＧＨｚの帯域全体で、４０ｄＢｍを上回る出力を生成し、かつ、７５％を上回る電力付加効率を示すように構成されていることを特徴とする、請求項１によって定義されたスイッチモード電力増幅器。
【請求項１５】
前記化合物半導体基板が、広バンドギャップ化合物材料を備えることを特徴とし、かつ、前記スイッチモード増幅器が、２．７ＧＨｚを上回る周波数において３９ｄＢｍを上回る出力を生成するように構成されていることを特徴とする、請求項１によって定義されたスイッチモード電力増幅器。
【請求項１６】
前記化合物半導体基板が、広バンドギャップ化合物材料を備えることを特徴とし、かつ、前記スイッチモード増幅器が、２．７ＧＨｚを上回る周波数において７５％を上回る電力付加効率を示すように構成されていることを特徴とする、請求項１によって定義されたスイッチモード電力増幅器。
【請求項１７】
前記化合物半導体基板が、広バンドギャップ化合物材料を備えることを特徴とし、かつ、前記スイッチモード増幅器が、２．７ＧＨｚ乃至２．９ＧＨｚの帯域全体で３７ｄＢｍを上回る出力を生成し、かつ、７５％を上回る電力付加効率を示すように構成されていることを特徴とする、請求項１によって定義されたスイッチモード電力増幅器。
【請求項１８】
前記トランジスタが、６０ワットの出力が可能な３０ｍｍ  ＧａＮ  ＨＥＭＴを備えることを特徴とする、請求項１によって定義されたスイッチモード電力増幅器。
【請求項１９】
前記トランジスタが、１．９ＧＨｚにおいて５１ｄＢｍを上回る出力を生成することを特徴とする、請求項１８によって定義されたスイッチモード電力増幅器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月20日(2008.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結合計算オブジェクトを用いて１個もしくはそれ以上のコンテンツ・ファイルを暗号化しもしくは解読するための暗号化システムであって、
結合計算オブジェクトを定義する手段と、
コンテンツ情報を用いて前記結合計算オブジェクト中の第１の暗号化キーを計算する手段であって、前記第１の暗号化キーが現在暗号化キーとなる手段と、
前記現在暗号化キーに０、１もしくはそれ以上のレベルの不正を加える手段と、
前記現在暗号化キーから０、１もしくはそれ以上のレベルの不正を除去する手段と、
前記現在暗号化キーを用いて一片のコンテンツを暗号化する手段と、
前記現在暗号化キーを用いて一片のコンテンツを解読する手段と
を含む暗号化システム。
【請求項２】
前記不正のレベルを加える手段が、
前記結合計算オブジェクトが、ランダムな不正キーを選択する手段と、
前記現在暗号化キーで以って前記不正キーを暗号化する手段と、
前記現在暗号化キーを前記不正とされたキーと交換する手段と、
前記暗号化された不正とされたキーをユーザーに配信する手段と
を含む、請求項１に記載の暗号化システム。
【請求項３】
前記不正のレベルを加える手段が、
暗号化され、不正とされたキーを前記結合計算オブジェクトに特定する手段と、
前記暗号化され不正とされたキーを前記現在暗号化キーで以って解読する手段と、
前記現在暗号化キーを前記不正とされたキーと交換する手段と
を含む、請求項１に記載の暗号化システム。
【請求項４】
不正のレベルを加えまたは除去する際に使用するために追加情報を受取る手段と、
不正計算のレベルを反復するとき、提供された情報の完全性を検証するために前記追加情報を用いる手段と
を更に含む、請求項２または３に記載の暗号化システム。
【請求項５】
前記解読するための手段が、解読され不正とされたキーへのユーザー・アクセスをブロックする、請求項１に記載の暗号化システム。
【請求項６】
結合計算オブジェクトを用いて１個もしくはそれ以上のコンテンツ・ファイルを暗号化しもしくは解読するための暗号化方法であって、
結合計算オブジェクトを生じるステップと、
コンテンツ情報から前記結合計算オブジェクト中の第１の暗号化キーを発生するステップであって、前記第１の暗号化キーが現在暗号化キーとなるステップと、
前記現在暗号化キーに０、１もしくはそれ以上のレベルの不正を加えるステップと、
前記現在暗号化キーから０、１もしくはそれ以上のレベルの不正を除去するステップと、
前記現在暗号化キーを用いて一片のコンテンツを暗号化するステップ、または
前記現在暗号化キーを用いて一片のコンテンツを解読するステップと
を含む暗号化方法。
【請求項７】
前記不正のレベルを加えるステップが、
前記結合計算オブジェクトにより、ランダムな不正キーを選択するステップと、
前記現在暗号化キーで以って前記不正キーを暗号化するステップと、
前記現在暗号化キーを前記不正とされたキーと交換するステップと、
前記暗号化された不正とされたキーをユーザーに配信するステップと
を含む、請求項６に記載の暗号化方法。
【請求項８】
前記不正のレベルを加えるステップが、
暗号化され、不正とされたキーを前記結合計算オブジェクトに特定するステップと、
前記暗号化され不正とされたキーを前記現在暗号化キーで以って解読するステップと、
前記現在暗号化キーを前記不正とされたキーと交換するステップと
を含む、請求項６に記載の暗号化方法。
【請求項９】
不正のレベルを加えまたは除去する際に使用するためにユーザー追加情報を提供するステップと、
不正計算のレベルを反復するとき、提供された情報の完全性を検証するために前記追加情報を用いるステップと
を更に含む、請求項７または８に記載の暗号化方法。
【請求項１０】
前記解読するステップが、解読され不正とされたキーへのユーザー・アクセスをブロックする、請求項６に記載の暗号化方法。
【請求項１１】
結合計算オブジェクトを用いる暗号化システムにおいて１個もしくはそれ以上のコンテンツ・ファイルを暗号化しまたは解読するために記号がリンクされたオブジェクト・ベースのシステムと迅速に通信するようにコンピュータが実行可能なコンピュータ・プログラムであって、該プログラムがコンピュータに、
結合計算オブジェクトを定義する機能と、
コンテンツ情報を用いて前記結合計算オブジェクト中の第１の暗号化キーを計算する機能であって、前記第１の暗号化キーが現在暗号化キーとなる機能と、
前記現在暗号化キーに０、１もしくはそれ以上のレベルの不正を加える機能と、
前記現在暗号化キーから０、１もしくはそれ以上のレベルの不正を除去する機能と、
前記現在暗号化キーを用いて一片のコンテンツを暗号化する機能と、
前記現在暗号化キーを用いて一片のコンテンツを解読する機能と
を実行させるコンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月17日(2008.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
符号化された画像を復号する方法であって、
符号化されたビットストリーム内で、現行の画像の第１の強化層のブロックについて第１の予測剰余を表わす情報を受信し、
第１の予測剰余と、前記現行の画像の第２層のブロックの予測剰余との和を表わす前記第１の強化層のブロックについての第２の予測剰余を記憶する、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
さらに、第１の予測剰余と、先に復号された画像の強化層に関する予測とに基づいて前記第１の強化層のブロックを復号する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
さらに、第２の予測剰余に基づいて前記現行の画像の第３層のブロックを復号する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の強化層のブロックが十分に再構築されていない、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第３層のブロックの復号が、前記第２の予測剰余と、先に復号された画像の強化層に関する予測とに基づいて実施される、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
さらに、前記第２の予測剰余の範囲を制限するため、前記第１の予測剰余と前記第２層のブロックの予測剰余との和をクリップする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第２層が前記現行の画像のベース層である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２層が前記現行の画像の第２の強化層である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第２層のブロックの予測剰余が、前記符号化されたビットストリーム内で受信される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２の予測剰余が変換係数を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
符号化された画像を復号するためのソフトウェアアプリケーションが記憶され、該ソフトウェアアプリケーションが、請求項１の方法を実施するためのプログラムコードを有する、コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１２】
スケーラブルビットストリーム内に画像を符号化する方法であって、
現行の画像の第１の強化層のブロックについての第１の予測剰余を計算し、
前記第１の予測剰余と前記現行の画像の第２のブロックの予測剰余との和を表わす前記第１の強化層のブロックについての第２の予測剰余を記憶する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１３】
さらに、第１の予測剰余と、先に復号された画像の強化層に関する予測とに基づいて前記第１の強化層のブロックを符号化する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
さらに、第２の予測剰余に基づいて前記現行の画像の第３層のブロックを符号化する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記第３層のブロックの符号化が、前記第２の予測剰余と、先に符号化された画像の強化層に関する予測とに基づいて実施される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
さらに、前記第２の予測剰余の範囲を制限するため、前記第１の予測剰余と前記第２層のブロックの予測剰余との和をクリッピングする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２層が前記現行の画像のベース層である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２層が前記現行の画像の第２の強化層である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２の予測剰余が変換係数を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】
画像をスケーラブルビットストリーム内に符号化するためのソフトウェアアプリケーションが記憶され、該ソフトウェアアプリケーションが、請求項１２の方法を実施するためのプログラムコードを含む、コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２１】
請求項１に記載の方法に従って動作する装置。
【請求項２２】
請求項１２に記載の方法に従って動作する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月20日(2008.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保護デジタル・コンテンツへのアクセスを記録メディア内のメディア鍵ブロック（ＭＫＢ）の検証によって制御するコンピュータ実装方法であって、
ａ）ＭＫＢを記録デバイスに記憶するステップと、
ｂ）前記メディアがＭＫＢを有さない場合には、記憶済みの前記ＭＫＢを前記メディアに書き込んだ後に、前記コンテンツを前記メディアに書き込むステップと、
ｃ）前記メディアが記憶済みの前記ＭＫＢよりも古いＭＫＢを有する場合には、記憶済みの前記ＭＫＢを前記メディアに書き込み、前記コンテンツを再暗号化して前記メディアに書き込むステップと、
ｄ）前記メディアが記憶済みの前記ＭＫＢよりも新しいＭＫＢを有する場合には、前記メディア内の前記ＭＫＢをコンテンツ保護に使用するステップと
を有する方法。
【請求項２】
前記再暗号化は、前記メディア内のすべてのタイトルを新しいメディア鍵に基づく鍵で再暗号化することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ステップｄは、記憶済みの前記ＭＫＢを、前記記録デバイス内の不揮発性メモリ内にある新しい方の前記ＭＫＢに置き換えるステップをさらに有する、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記記録デバイスは、異なるフォーマットのコンテンツ毎に異なるフォーマット特有のＭＫＢを使用する、前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記記録デバイスは、認証ＭＫＢを前記メディアに書き込む、前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
ＭＫＢは、前記メディア内の予め定義された位置に所在する、前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記記録デバイスは、既知のフォーマットのＭＫＢだけを更新する、前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記記録デバイスが書き込み中に故障した場合にも、コンテンツがバックアップ用ＭＫＢプロトコルによって保護される、前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
製造時に認証ＭＫＢが前記メディアに書き込まれる、前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
ライセンス可能要素を前記メディアに追加するステップをさらに有する前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記ライセンス可能要素は、暗号化されていない一意のＩＤ部分と、ライセンスを有する場合にのみ利用可能な秘密鍵を用いた当該一意のＩＤの暗号化部分とを含むメディアＩＤを有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記メディアは、前記秘密鍵を使用した前記一意のＩＤの暗号化部分の復号結果が前記一意のＩＤと一致する場合に有効化される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
保護デジタル・コンテンツへのアクセスを記録メディア内のメディア鍵ブロック（ＭＫＢ）の検証によって制御するシステムであって、
ａ）ＭＫＢを記録デバイスに記憶する手段と、
ｂ）前記メディアがＭＫＢを有さない場合には、記憶済みの前記ＭＫＢを前記メディアに書き込んだ後に、前記コンテンツを前記メディアに書き込む手段と、
ｃ）前記メディアが記憶済みの前記ＭＫＢよりも古いＭＫＢを有する場合には、記憶済みの前記ＭＫＢを前記メディアに書き込み、前記コンテンツを再暗号化して前記メディアに書き込む手段と、
ｄ）前記メディアが記憶済みの前記ＭＫＢよりも新しいＭＫＢを有する場合には、前記メディア内の前記ＭＫＢをコンテンツ保護に使用する手段と
を有するシステム。
【請求項１４】
前記再暗号化は、前記メディア内のすべてのタイトルを新しいメディア鍵に基づく鍵で再暗号化することを含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記記録デバイスは、記憶済みの前記ＭＫＢを、前記記録デバイス内の不揮発性メモリ内にある新しい方の前記ＭＫＢに置き換える、請求項１３又は請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記記録デバイスは、異なるフォーマットのコンテンツ毎に異なるフォーマット特有のＭＫＢを使用する、請求項１３乃至１５のいずれかに記載のシステム。
【請求項１７】
前記記録デバイスは、認証ＭＫＢを前記メディアに書き込む、請求項１３乃至１６のいずれかに記載のシステム。
【請求項１８】
ＭＫＢは、前記メディア内の予め定義された位置に所在する、請求項１３乃至１７のいずれかに記載のシステム。
【請求項１９】
前記記録デバイスは、既知のフォーマットのＭＫＢだけを更新する、請求項１３乃至１８のいずれかに記載のシステム。
【請求項２０】
請求項１乃至１２のいずれかに記載される方法のすべてのステップをコンピュータに実行させるコンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月29日(2008.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分離トレンチ構造を、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）ウェハから成る活性層に形成する工程と、
活性層を薄くし、活性層を分離トレンチに対して選択的にエッチングすることによりチャネル構造を形成する工程と、
ゲート誘電体をチャネル構造の上に形成する工程と、
ゲート構造をゲート誘電体の上に形成する工程と、
ゲート構造をマスクとして使用してゲート誘電体、及び当該誘電体の下地となるチャネル構造の露出部分を除去し、これによってＳＯＩウェハの埋め込み酸化膜（ＢＯＸ）層の一部分を露出させる工程と、
ＢＯＸ層の露出部分を、当該部分を貫通するようにＳＯＩウェハの基板バルクの露出部分に達するまでエッチングし、分離トレンチ構造をＢＯＸの絶縁分離部分の上に設けることによりＢＯＸの絶縁分離部分が前記エッチングの間に除去されないように防止する工程と、
半導体ソース／ドレイン構造を基板バルクの露出部分からエピタキシャル成長させる工程とからなり、隣接する前記半導体ソース／ドレイン構造はＢＯＸ層の絶縁分離部分によって互いから絶縁分離される、半導体形成プロセス。
【請求項２】
ゲート構造を形成する工程では、
導電層をゲート誘電体の上に形成し、
反射防止コーティング（ＡＲＣ）を導電層の上に形成し、及び
導電層及びＡＲＣをパターニングしてゲート電極を形成することにより、
ゲート電極を形成する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
ＡＲＣは窒化シリコンを含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
導電層は多結晶シリコンを含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】
シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）ウェハの埋め込み酸化膜（ＢＯＸ）層をパターニングするための方法であって、
誘電体分離構造をＳＯＩウェハの活性層に、誘電体分離構造がＢＯＸ層の絶縁分離部分の上に位置するように形成する工程と、
トランジスタチャネル構造をＢＯＸ層の上に、及び、ゲート誘電体をチャネル構造の上に形成する工程と、
ゲート構造をゲート誘電体の上に形成する工程と、
トランジスタチャネル構造、ゲート誘電体、及びＢＯＸ層の内、ゲート構造によって覆われない部分を全てエッチングし、前記エッチングの間は分離構造を保持して、前記エッチングによってＢＯＸ層の絶縁分離部分が除去されることを防止する工程とを備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月29日(2008.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのゲート領域が上に配置され、前記少なくとも１つのゲート領域が少なくとも１つの一次元ナノ構造体の層を含む、基板と、
前記基板の表面上に配置され、前記少なくとも１つの一次元ナノ構造体の層の縁と整合される金属カーバイド・コンタクトと、
を含む半導体構造体。
【請求項２】
前記少なくとも１つの一次元ナノ構造体の層は、少なくとも１つのナノチューブを含む、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項３】
前記基板は、誘電体層が上に配置された半導体層を含む、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項４】
前記誘電体層は、炭素含有化合物の埋め込み領域を含む、請求項３に記載の半導体構造体。
【請求項５】
前記炭素含有化合物はダイヤモンド状炭素である、請求項４に記載の半導体構造体。
【請求項６】
前記金属カーバイド・コンタクトは、ソース／ドレイン金属と、前記少なくとも１つの一次元ナノ構造体の任意のプレドープ領域とを含む、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項７】
前記ソース／ドレイン金属は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、又はＷの少なくとも１つを含む、請求項６に記載の半導体構造体。
【請求項８】
前記少なくとも１つの一次元ナノ構造体の前記任意のプレドープ領域は、ｎ型ドーパント又はｐ型ドーパントを含む、請求項６に記載の半導体構造体。
【請求項９】
前記ソース／ドレイン金属は、前記少なくとも１つの一次元ナノ構造体の周囲にスリーブを形成する、請求項６に記載の半導体構造体。
【請求項１０】
パターン形成されたスタックがさらにゲート誘電体とゲート電極とを含み、前記ゲート誘電体は、前記少なくとも１つの一次元ナノ構造体の層上に配置される、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項１１】
前記ゲート電極の側壁上に少なくとも１つのスペーサをさらに含む、請求項１０に記載の半導体構造体。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの一次元ナノ構造体は、導電性化合物領域内に埋め込まれる、請求項１０に記載の半導体構造体。
【請求項１３】
半導体基板を製造する方法であって、
少なくとも１つの一次元ナノ構造体の層の表面上に少なくとも１つのゲート・スタックを含む構造体を提供するステップと、
前記少なくとも１つの一次元ナノ構造体の層を少なくとも含む前記構造体上にソース／ドレイン金属を形成するステップと、
前記ソース／ドレイン金属と前記少なくとも１つの一次元ナノ構造体の層とを反応させることによって金属カーバイドを形成するステップと、
を含む方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの一次元ナノ構造体の層は、少なくとも１つのナノチューブを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記構造体は、前記一次元ナノ構造体の層の下に配置された基板を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記基板は半導体層と誘電体層とを含み、前記誘電体層に任意の炭素含有化合物領域が埋め込まれる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ソース／ドレイン金属を形成する前に、前記少なくとも１つのゲート・スタックによって保護されない前記少なくとも１つの一次元ナノ構造体の層の前記部分にドーピングするステップをさらに含み、前記ドーピングは、静電ドーピング、イオン注入、又は、気相ドーピングを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記ソース／ドレイン金属を形成するステップは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、又はＷの少なくとも１つを選択するステップと、これを堆積するステップとを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
前記ソース／ドレイン金属を形成する前に、前記少なくとも１つのゲート・スタックによって保護されない少なくとも１つの一次元ナノ構造体の層の部分に機能をもたせる金属化合物を形成するステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記金属カーバイドを形成するステップは、前記少なくとも１つの一次元ナノ構造体の層の露出部分と反応しない残りのソース／ドレイン金属を、アニーリングし除去するステップを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２１】
前記アニーリングは、６００℃以上の温度の不活性雰囲気中で行われる、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記金属カーバイドは、少なくとも１つの一次元ナノ構造体の層の一部を含むゲート・スタックの縁と整合される、請求項１３に記載の方法。
【請求項２３】
前記金属カーバイドは、アニーリングによって形成され、前記アニーリングはまた、前記少なくとも１つの一次元ナノ構造体を導電性化合物領域内に埋め込ませる、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月27日(2008.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザのセットからの所与のユーザ（１）が、機能のセットからの所与の機能を、少なくとも１つの基準によって類別されることができる、識別子を有するリソースのセットからの所与のリソース（２）に適用することができるかどうかを判定するためのアクセス制御方法であって、
所与のユーザのグループ識別子を含有するユーザフィールド（６）と、
各基準フィールドが所与のリソースの特定の基準の値を含有する、少なくとも１つの基準フィールド（１４、１５）として構築されたフィールドのリストとを含むメッセージ（５）を、リソースの識別子を記憶していないアクセス制御モジュール（４）に送信するステップを含む、方法。
【請求項２】
フィールドのリストが、複数の基準フィールド（１４、１５）として構築される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
送信されるメッセージ（５）が、所与の機能の識別子を含有する機能フィールド（７）も含む、請求項１および２のいずれかに記載の方法。
【請求項４】
各基準フィールドが、特定の基準の識別子も含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
所与のユーザ（２）の認証の準備ステップを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
所与のリソース（２）のための各基準フィールド（１４、１５）の値の判定のステップを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
ユーザのセットからの所与のユーザ（１）が、機能のセットからの所与の機能を、識別子を有し、少なくとも１つの基準によって類別されることができるリソースのセットからの所与のリソース（２）に適用することができるかどうかを判定するためのアクセス制御モジュール（４）であって、
ユーザ変数と、
各基準変数が特定の基準に対応する、少なくとも１つの基準変数（１６、１７）として構築された基準変数のリストと、
アクセス権限判定手段（１３）とを含み、該アクセス権限判定手段が、
アクセス制御モジュールによって受信されたユーザグループ識別子およびアクセス制御モジュールによって受信される値のリストを使用し、該リストは、基準変数のリストからの少なくとも１つの基準変数のために、所与のリソースのための特定の基準の値を含み、
前記アクセス制御モジュールは前記リソースの識別子を記憶していない、アクセス制御モジュール（４）。
【請求項８】
請求項７に記載のアクセス制御モジュール（４）を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法を実施するためのアクセス制御デバイスであって、ユーザのセットからの所与のユーザ（１）が、機能のセットからの所与の機能を、ソフトウェアリソースを含むリソースのセットからの所与のリソース（２）に適用することができるかどうかを判定する、アクセス制御デバイス。
【請求項９】
ソフトウェアリソースは、コンピュータ遠距離通信ネットワークのネットワーク機器を含む、請求項８に記載の制御デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月9日(2008.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と、前記第１の主面と反対側の第２の主面とを含む基板と、
前記基板の前記第１の主面に取り付けられたＲＦＩＤアンテナと、
前記アンテナに取り付けられた集積回路と、
前記基板に取り付けられた第１の再パルプ化可能接着層とを備え、
前記ＲＦＩＤアンテナがスズ、アルミニウム、パラジウム、金、またはそれらの組み合わせから本質的になる、環境に優しい無線識別（ＲＦＩＤ）ラベル。
【請求項２】
前記ＲＦＩＤアンテナがスズ、アルミニウム、パラジウム、金、またはそれらの組み合わせからなる請求項１に記載の環境に優しいＲＦＩＤラベル。
【請求項３】
前記基板が紙基板である請求項１に記載の環境に優しいＲＦＩＤラベル。
【請求項４】
前記第１の再パルプ化可能接着層が前記ＲＦＩＤラベルを前記物体に取り付け、前記物体がセルロースまたは木質材料を備える、請求項１に記載の環境に優しいＲＦＩＤラベルと組み合わされた物体。
【請求項５】
第１の主面と、前記第１の主面と反対側の第２の主面とを含む基板と、
前記基板の前記第１の主面に取り付けられたＲＦＩＤアンテナと、
前記アンテナに接続された集積回路と、
前記基板に取り付けられた第１の再パルプ化可能接着層とを備え、
前記ＲＦＩＤアンテナが有意量の規制金属を含まない、環境に優しい無線識別（ＲＦＩＤ）ラベル。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月17日(2008.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２以上のチャンネル信号を含むマルチチャンネル信号のためのリミッタ制御の方法であって、
リミッタ係数を、前記チャンネル信号のうちの最低状態の信号がチャンネル毎の限界を超えることを防止するために必要とされる値として動的に計算する工程であって、前記チャンネル毎の限界が前記マルチチャンネル信号の少なくとも２つのチャンネル信号の間で異なる、工程と、
前記リミッタ係数により各チャンネル信号の所望の利得値をスケーリングすることにより、前記リミッタ係数を全てのチャンネル信号に共通に適用する工程と
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記チャンネル毎の限界は、最大振幅限界、ピーク限界及び所望の利得のうちの少なくとも１つにおいて、前記マルチチャンネル信号の少なくとも２つのチャンネル信号の間で異なることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記所望の利得値は、前記マルチチャンネル信号の少なくとも２つの信号の間で異なることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記リミッタ係数による各チャンネル信号の所望の利得値のスケーリングでは、前記リミッタ係数を、前記チャンネル信号の所望の利得値に乗ずることにより、各チャンネル信号のソフトリミッタ処理が行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記リミッタ係数を、前記チャンネル信号のうちの最低状態の信号がチャンネル毎の限界を超えることを防止するために必要とされる値として動的に計算する工程は、
各チャンネル信号についてリミッタ率を、チャンネル信号について定義される最大振幅値の、チャンネル信号について検出された現ピーク値及びチャンネル信号の現所望利得値の積に対する比率として計算する工程と、
１よりも小さいリミッタ率が存在しない場合には、前記リミッタ係数を該１に設定し、１よりも小さいリミッタ率が存在する場合は、前記リミッタ係数を最小のリミッタ率に設定する工程と
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記マルチチャンネル信号は、マルチチャンネル音声信号を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
２以上のチャンネル信号を含むマルチチャンネル信号にリミッタをかけるためのリミッタ（１０）であって、
１以上の処理回路（１２、１４、１６）を備え、該処理回路は、
リミッタ係数を、前記チャンネル信号のうちの最低状態の信号がチャンネル毎の限界を超えることを防止するために必要とされる値として動的に計算し、前記チャンネル毎の限界が前記マルチチャンネル信号の少なくとも２つのチャンネル信号の間で異なり、
前記リミッタ係数により各チャンネル信号の所望の利得値をスケーリングすることにより、前記リミッタ係数を全てのチャンネル信号に共通に適用する
ように構成されていることを特徴とするリミッタ（１０）。
【請求項８】
前記１以上の処理回路は、前記リミッタ係数を、各チャンネル信号のリミッタパラメータを評価することにより計算するように構成されたリミッタ制御回路（１２）と、各チャンネル信号のためのスケーリング回路（２６）とを備え、
各スケーリング回路（２６）は、前記リミッタ係数によりチャンネル信号の所望の利得値をスケーリングし、スケーリングされた所望の利得値を前記チャンネル信号に適用することにより、対応する１つのチャンネル信号をスケーリングするように構成されていることを特徴とする請求項７に記載のリミッタ（１０）。
【請求項９】
請求項７に記載の前記リミッタ（１０）を含む移動体端末であって、
前記マルチチャンネル信号を音声出力するための２つの音声スピーカ（５０）を含み、
前記２つの音声スピーカ（５０）の大きさ、或いは、前記移動体端末（４０）内での配置位置は、前記マルチチャンネル信号の対応するチャンネルに異なる振幅限界を課すように定められていることを特徴とする移動体端末。
【請求項１０】
２以上のチャンネル信号を含むマルチチャンネル信号にリミッタをかける方法であって、
リミッタ係数を、チャンネル信号のいずれかが、該チャンネル信号について定義された最大振幅限界を超えることを防止するために必要な値に動的に設定する工程であって、前記最大振幅限界は、前記マルチチャンネル信号の少なくとも２つのチャンネル信号の間で異なる、工程と、
各チャンネル信号の所望の利得値を前記リミッタ係数によりスケーリングすることにより、前記リミッタ係数を全てのチャンネル信号に共通に適用する工程と
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記マルチチャンネル信号は、マルチチャンネル音声信号を含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年10月29日(2008.10.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種のマイクロカプセル化農薬及び少なくとも１つのフィルム形成結合剤の水性分散液を含んでなるコーティング組成物であって、当該組成物から調製したコーティングが、２０℃でのＡＳＴＭ Ｄ ８７０−２によると実質的に水不透性である前記コーティング組成物。
【請求項２】
殺虫有効量のマイクロカプセル化農薬及びフィルム形成有効量のポリマー結合剤を含んでなる、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項３】
マイクロカプセル壁がポリ尿素を含んでなる、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項４】
マイクロカプセル壁がアミノプラストを含んでなる、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項５】
マイクロカプセル壁がポリウレタンを含んでなる、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項６】
マイクロカプセル壁がポリアミドを含んでなる、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項７】
結合剤が少なくとも１種のラテックスポリマーを含んでなる、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項８】
ラテックスポリマーが、スチレン、アルキルスチレン、イソプレン、ブタジエン、アクリロニトリル、低級アルキルアクリレート及びメタクリレート、塩化ビニル、塩化ビニリデン、低級カルボン酸のビニルエステル及びアルファ、ベータ−エチレン性不飽和カルボン酸並びにシリコーンのポリマー、共重合体及びターポリマーから選択されるポリマーを含んでなる、請求項７に記載のコーティング組成物。
【請求項９】
結合剤が水性ポリウレタン分散液を含んでなる、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項１０】
結合剤が０．０３〜２０ミクロンの粒径を有するポリマー分散液を含んでなる、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項１１】
結合剤が０．１〜１０ミクロンの粒径を有するポリマー分散液を含んでなる、請求項１０に記載のコーティング組成物。
【請求項１２】
結合剤が、少なくとも約５０重量％の結合剤を含んでなる硬化コーティングを調製するのに十分な量でコーティング組成物中に存在する、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項１３】
少なくとも１種の多官能性モノマーを更に含んでなる、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項１４】
少なくとも１種の二官能性モノマーを更に含んでなる、請求項１３に記載のコーティング組成物。
【請求項１５】
抗微生物剤、非カプセル化農薬、レオロジー制御剤、増粘剤、界面活性剤、顔料、充填剤、分散剤、凍結融解安定剤及び合体剤から選択される少なくとも１つの添加剤を更に含んでなる、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項１６】
充填剤が、クレイ、炭酸カルシウム、ガラス繊維及び二酸化チタンから選択される、請求項１８に記載のコーティング組成物。
【請求項１７】
抗微生物剤がトリクロサンである、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項１８】
組成物から調製される硬化フィルムが、０〜５０℃のＭＦＦＴを有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１９】
（ａ）殺虫有効量の少なくとも１種のマイクロカプセル化農薬及びフィルム形成有効量の少なくとも１種のポリマー結合剤の水性分散液を含んでなるコーティング組成物を表面に適用すること、及び（ｂ）適用した組成物を合体させてバリアを形成することを含んでなる、表面にバリアを供するための方法。
【請求項２０】
請求項１に記載のコーティング組成物で建築材料を保護する方法であって、建築材料の少なくとも１つの表面に組成物を適用することを含んでなる前記方法。
【請求項２１】
建築材料が、木材、複合木材、石こうボード、セルロース断熱材、セメント若しくはセメント複合材、コンクリートブロック、天井タイル、公共の貫通物（ｕｔｉｌｉｔｙ  ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎｓ）、又は他の合成材料を含んでなる、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
建築材料が、防湿シート又は蒸発遅延剤を含んでなる、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
防湿シート又は蒸発遅延剤を、組成物の適用の前にコロナ処理する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
請求項１９又は２０に記載の方法により調製した、害虫の侵入に対するバリア。
【請求項２５】
マイクロカプセル化農薬が殺虫剤である、請求項１に記載の組成物。
【請求項２６】
マイクロカプセル化殺虫剤がシロアリ防除剤である、請求項２５に記載の組成物。
【請求項２７】
マイクロカプセル化農薬が殺真菌剤である、請求項１に記載の組成物。
【請求項２８】
少なくとも１つの非カプセル化農薬を更に含んでなる、請求項１に記載の組成物。
【請求項２９】
マイクロカプセル化農薬がシロアリ防除剤である、請求項１９に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
発明の概要
本発明は、少なくとも１つのフィルム形成結合剤及び少なくとも１つのマイクロカプセル化農薬の水性分散液を含んでなる殺虫コーティング組成物を提供する；ここで、このような組成物から調製されたコーティングは、硬化の際に実質的に水不透性である。本発明のコーティング組成物は、抗微生物剤、非カプセル化農薬、又は他の添加物、例えばレオロジー制御剤、増粘剤、界面活性剤、顔料、充填剤、分散剤、凍結融解安定剤及び合体剤も含み得る。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月7日(2008.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
本発明の硬化性組成物の実用時間および保存安定性の延長は、組成物中のホウ素原子に対するアミン基のモル比を増加させるために、追加のアミン化合物を導入することによって制御することができる。追加する有効な量は、成分(ii)に使用されるアミン:ホウ素比により決まる。しかし、重合が起こるのを可能にするために、全体的なアミン:ホウ素比は十分低いことが好ましい。適したアミン:ホウ素比は、10:1未満、好ましくは4:1未満になる。アミン反応性成分が既に硬化性組成物中に存在する場合、例えば、充填剤粒子上に残留するカルボン酸が存在する場合は、貯蔵安定性のために、このアミン反応性基を中和するまたは部分的に中和するためにより高いレベルのアミン化合物を加えることができる。このアミン化合物は、単官能性または多官能性アミン基を含んでよく、一級アミン、二級アミン、および/または三級アミンとすることができる。必要に応じて、このアミン化合物は、フリーラジカル重合性基または別の官能基、例えば加水分解性の基を含んでよい。このアミン化合物は、事実上モノマー、オリゴマー、またはポリマーとすることができる。この化合物のアミン基は、有機、有機ケイ素、またはオルガノポリシロキサン化合物に担持されてよい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月3日(2008.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５５】
前記複数の分離チャネルの各々に印加される電界が互いに同一であることを特徴とする請求項５４記載の対象物を分離するための電気泳動デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
次に、電気抵抗性材料層１１を設けた場合と、設けない場合との、夫々の場合に形成される電界の形状とその滑らかさとを、有限要素法アルゴリズムを用いて計算により求めた結果について説明する。第１の構成例は、電気抵抗性材料層１１を設けずに、分離チャネル２の側壁面にプラチナ電極を配設したものとした。隣り合う電極どうしの間隔は１ｍｍとし、電極の長手方向（ｚ方向）の寸法は１００μｍとした。図１８ａに示したのは、この構成例の平面図であり、同図には、ゲル９が充填された分離チャネル２と、そのゲル９に電気的に接触した３組の電極３”ａ１、３”ａ２、…、とが示されている。図１８ｂに示したのは、有限要素法アルゴリズムを用いて計算により求めた分離チャネル２の一部分の内部の電界ベクトルである。同図から明らかなように、電極の近傍領域では、電界の方向が長手方向から著しく偏位している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
図１８ｃに示したのは、分離チャネル２の中心に沿った（即ち、分離チャネル２の横断面の中心を通り、ｘ方向に延在する直線に沿った）電圧分布である。この電圧分布の電圧レンジは、電極に印加した電圧の電圧レンジの値と一致している（０〜７００Ｖ）。このグラフに示された線の形状は、次の式（２．１）で表されるものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
しかるに、この電界に対応した、分離チャネルに沿った方向である長手方向の電界分布を示した図１８ｄから明らかなように、この電界には、電極の近傍に顕著な歪みが発生している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
第２の構成例は、図１９ａに平面図で示したように、分離チャネル２の両側に夫々に電気抵抗性材料層１１を設けたものであり、それら電気抵抗性材料層１１の厚さは１ｍｍとした。分離チャネル２の側壁は、事実上それら電気抵抗性材料層１１によって形成されている。また、この構成例において、電気抵抗性材料の抵抗率は８０Ωｍとした。電極３”ａ１、３”ａ２、…、は、その幅寸法（ｚ方向の寸法）を２０μｍとし、電気抵抗性材料層１１の外側面に沿って１ｍｍ間隔で配設した。図１９ｂに示したのは、計算により求めたこの構成例における電界ベクトルである。同図から明らかなように、電界の歪みは電気抵抗性材料層１１の内部のみに限局されており、分離チャネル２の中の電界ベクトルの方向は、圧倒的にｚ方向を向いている。図１９ｃに示したのは、分離チャネル２の中心を通り、ｘ方向に延在する直線に沿った電圧分布である。ここでも、電圧分布の電圧レンジは電極に印加した電圧の電圧レンジの値に一致しており、また、電圧分布は二乗の法則に従っている。図１９ｄに示したのは電界の形状であり、図１８に示した構成例では発生していた強度の振動形状が、この構成例では発生していないことが分かる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５０】
以下に、本発明に係るデバイスの１つの用途例について説明する。ここで具体的に説明するのは、ＤＮＡシーケンシングを実行する場合の用途例である。その最初のステップでは、生体からＤＮＡを抽出し、必要に応じてＰＣＲ増幅を行い、更に酵素消化を行うのであるが、これはサンガー法及びその類似方法において規定されているステップであり、それゆえこのステップについては説明を省略する。ここでは、４種類のリアクション（Ａ、Ｔ、Ｇ、及びＣ）の調製が完了した時点から、ＤＮＡシーケンシングの手順の説明を始めることにする。先ず、シービング・ゲル（例えばポリアクリルアミドなど）が充填された分離チャネルにＡリアクションを注入し、この注入は先に説明した注入方法によって行えばよい。続いて、時間依存性を有する電界（時間と共に変化する電界）を印加してＤＮＡ分子を種別に分離させる。続いて、ＤＮＡ分子により形成された複数のバンドを撮影し、それによって得られる画像信号は、例えば図２５に示したような、一連のピークを有する信号となる。続いて、Ｔリアクションを注入すると、図２６に示したように、更に複数のＴピークが出現する。続いて（この時点ではＡリアクション及びＴリアクションの分離は完了しており、それらは分離チャネルの中を移動し続けている）、Ｇリアクション及びＣリアクションを順次注入する（図２７及び図２８）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２９ｃ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２９ｃ】
2008527320.tif 000001