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【手続補正書】
【提出日】平成19年12月20日(2007.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ、出力信号Ｕ１＝Ｕ０ｓｉｎ（２α）、Ｕ２＝Ｕ０ｃｏｓ（２α）を供給する２つのフルブリッジを伴う磁気抵抗角度センサに対する外部磁界の角度αを決定する方法であって、α＝１／２＊（（Ｕ１／（｜Ｕ１｜＋｜Ｕ２｜））−１）＊ｓｇｎ（Ｕ２）という関係を利用したアナログ方法によって角度αが決定されることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、ＡＭＲブリッジ、特に、ホイートストンブリッジが利用されることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法であって、前記ブリッジの出力信号は、アナログ素子を利用することによって処理されることを特徴とする方法。
【請求項４】
自動車技術、特に、ペダルモニタリング及び／又はスロットルモニタリングに利用されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月10日(2008.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明者等は、キレート剤の添加により増強され得るＡＴＰおよびＡＤＰの分光スペクトルに相違があることを明確にした。更に具体的には、特定の状況下では、図１で立証されているように、ＡＤＰおよびＡＴＰの分子の螢光スペクトルにおいて、約４５０〜５５０ｎｍにおける蛍光発光には可なり一貫した相違がある。本発明者等はこれに加えて、エチレンジアミン四酢酸(ＥＤＴＡ)のようなキレート剤の存在下において、図２に示されるように、ＡＴＰ蛍光が対応して増加することなく、ＡＤＰ蛍光が４５０〜５５０ｎｍの範囲において相当に増加することを測定した。同様に、図３に示されるように、キレート剤のエチレングリコール−ビス(２−アミノエチルエーテル)−Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'−四酢酸(ＥＧＴＡ)の存在下において、ＡＴＰ蛍光の増加を伴うことなく、ＡＤＰ蛍光は大きく増加する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本明細書において使用されるように、用語“キレート剤”とは、共役的にまたは非共役的に、金属に配位することができる少なくとも一つの官能基を有する任意の分子を指す。キレート剤は多座配位であるか、または単座配位様式で配位し得る。キレート剤は、ポルフィリンのような大環状であってもよい。キレート剤は、パイ電子を供与するか、または共有することにより金属と配位することができる。分光検出を増加するようにさらに誘導体化されたキレート剤も含まれる。キレート剤の官能基は、マイナスもしくはプラスに荷電されているか、または中性であってもよい。適当な官能基の例としては、カルボキシラト、チオラト、ヒドリド、シアノ、カルボナト、チオカルバメート、チオカルボキシラト、チオホスフィナトアミノ、ホスホロ、ヒドラジノ、ニトリロ、ヒドラジド、オキシム、およびチオエーテルが挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月10日(2008.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸の周りに構成されたギアクラッチアセンブリ（２）であって、
前記軸に向って内向きに開放され、軸方向に延びる複数の溝（１０ｃ）を有するギア（１０）と、
前記ギア（１０）の内部に配置され、前記ギア（１０）内部で回転可能なハブ（１２）であって、前記軸から離れる方向に外向きに開放され、軸方向に延びる複数の溝（１２ｋ）を有するハブ（１２）と、
前記ハブ（１２）の前記複数の溝（１２ｋ）の内部に配置され、前記軸に向って、そして、前記軸から離れる方向に径方向に移動可能な複数のキー（１７）であって、前記複数のキー（１７）が、前記軸から離れる方向に移動することが許容されたとき、少なくとも１つが、前記ギア（１０）の前記複数の溝（１０ｃ）のうちの１つに入って、前記ギア（１０）とハブ（１２）とを、これらが同時に回転するように結合するように構成され、前記複数のキー（１７）の数が、前記ハブ（１２）と前記ギア（１０）との間の溝（１０ｃ、１２ｋ）の数の差によって均等に分けることができるところの複数のキー（１７）と、
前記複数のキー（１７）の径方向の変位をもたらすためのアクチュエータ（３）と
を含むギアクラッチアセンブリ。
【請求項２】
前記複数のキー（１７）を前記軸から離れる方向に外側に押し付けるための複数のばね（１８）をさらに含み、前記アクチュエータ（３）が、付勢時に、前記複数のキー（１７）を前記軸に向って内側に移動させる、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記アクチュエータ（３）が、
前記複数のキー（１７）の周りに軸方向に固定された電気コイル（２１）と、
前記複数のキー（１７）の周りに軸方向に移動可能なプランジリング（２３）と
を含み、
前記電気コイル（２１）が、付勢時に、前記プランジリング（２３）を軸方向に前記電気コイル（２１）に向って移動させて、前記プランジリング（２３）が前記複数のキー（１７）の傾斜面を押し付け、それによって前記複数のキーを軸に向って内側に移動させ、
前記電気コイル（２１）の消勢時に、前記複数のばねが、前記複数のキーを前記軸から外側に押し付けて、前記複数のキー（１７）の前記複数の傾斜面が前記プランジリング（２３）に対して押し付けられて、前記プランジリング（２３）を前記電気コイル（２１）から軸方向に離れる方向に移動させる、請求項３に記載のアセンブリ。
【請求項４】
捩り衝撃荷重を吸収するための手段をさらに含む、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項５】
捩り衝撃荷重を吸収するための前記手段が、
前記ハブの内部に配置された内面スプライン付きリング（１５）であって、傾斜面（１５ｂ）を有し、前記内面スプライン付きリングが支持シャフト（３０）と共に回転するように、前記支持シャフト（３０）に係合される複数のスプライン（１５ｃ）を有する内面スプライン付きリング（１５）と、
前記ハブ（１２）の内部に配置された外面スプライン付きリング（１６）であって、前記内面スプライン付きリング（１５）の前記傾斜面（１５ｂ）に係合される傾斜面（１６ｂ）を有し、前記外面スプライン付きリング（１６）が前記ハブ（１２）と共に回転し、そして、前記ハブ（１２）内で軸方向に移動するように、前記ハブ（１２）と係合する複数のスプライン（１６ｃ）を有する外面スプライン付きリング（１６）と、
前記ハブ（１２）の内部に配置され、前記外面スプライン付きリング（１６）を前記内面スプライン付きリング（１５）に対して軸方向に偏倚させるばね（１４）、
とを含み、前記外面スプライン付きリング（１６）に対する前記内面スプライン付きリング（１５）の回転によって、ばね（１４）が圧縮される、請求項４に記載のアセンブリ。
【請求項６】
軸の周りに構成されたギアクラッチアセンブリ（２）を動作させる方法であって、
前記軸に向って内向きに開放され、軸方向に延びる複数の溝（１０ｃ）を有するギア（１０）を設けるステップと、
前記ギア（１０）の内部に、前記ギア（１０）内で回転可能なハブ（１２）を設けるステップであって、前記ハブ（１２）が、前記軸から離れる方向に外向きに開放され、軸方向に延びる複数の溝（１０ｃ）を有しているところのステップと、
前記ハブ（１２）の前記複数の溝（１２ｋ）内に複数のキー（１７）を設けるステップであり、前記複数のキー（１７）が前記軸に向って、また、前記軸から離れる方向に径方向に移動することができ、前記キー（１７）が前記軸から離れる方向に移動することが可能なとき、前記キーの少なくとも１つが、前記ギア（１０）の前記複数の溝（１０ｃ）の１つに入って、前記ギア（１０）及びハブ（１２）が同時に回転するように、前記ギアとハブとを結合するステップであって、前記複数のキー（１７）の数が、前記ハブ（１２）と前記ギア（１０）との間の溝（１２ｋ、１０ｃ）の数の差によって均等に分けることができるところのステップと、
前記複数のキー（１７）の径方向の変位をもたらすためのアクチュエータ（３）を設けるステップと、
前記アクチュエータ（３）を付勢して、前記複数のキー（１７）を前記ギア（１０）から連結解除するステップと、
前記アクチュエータ（３）を消勢して、前記ギア（１０）から前記複数のキー（１７）を連結させるステップとを含む方法。
【請求項７】
捩り衝撃荷重を吸収するための手段を設けるステップをさらに含む、請求項６の方法。
【請求項８】
捩り衝撃荷重を吸収するための前記手段が、
前記ハブ（１２）の内部に配置された内面スプライン付きリング（１５）であって、傾斜面（１５ｂ）を有し、前記内面スプライン付きリング（１５）が支持シャフト（３０）と共に回転するように、前記支持シャフト（３０）に係合される複数のスプライン（１５ｃ）を有する内面スプライン付きリング（１５）と、
前記ハブ（１２）の内部に配置された外面スプライン付きリング（１６）であって、前記内面スプライン付きリング（１５）の前記傾斜面（１５ｂ）に係合される傾斜面（１６ｂ）を有し、前記外面スプライン付きリング（１６）が前記ハブ（１２）と共に回転し、そして、前記ハブ（１２）内で軸方向に移動するように、前記ハブ（１２）と係合する複数のスプライン（１６ｃ）を有する外面スプライン付きリング（１６）と、
前記ハブ（１２）の内部に配置され、前記外面スプライン付きリング（１６）を前記内面スプライン付きリング（１５）に対して軸方向に偏倚させるばね（１４）、
とを含み、前記外面スプライン付きリング（１６）に対する前記内面スプライン付きリング（１５）の回転によって、ばね（１４）が圧縮される、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月27日(2007.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項５記載のターボチャージャ過給型内燃機関であって、迂回弁手段が電子コントローラにより制御される電気制御弁であるターボチャージャ過給型内燃機関。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図３に示したエンジンにおいては、運転時に、空気濾過器３１０を介し低圧ターボチャージャ３０１のコンプレッサ部内に空気を引き込んで圧縮し、加圧した空気を流路３１１上へと流して迂回弁３０６や高圧スーパチャージャ３０２のコンプレッサ部へと送る。高圧スーパチャージャ３０２のコンプレッサ部では圧縮済空気を更に圧縮して流路３０７へと流し出す。他方、迂回弁３０６は例えばエンジン管理システムにより制御される弁であり、この制御により、圧縮済空気のうちスーパチャージャ３０２のコンプレッサ部に流れ込む空気の量を制御することができる。また、迂回弁３０６は所定圧力で開く単純な機械式予荷重弁とすることもでき、その予荷重によって、ターボチャージャ吐出空気の圧力がどういった圧力範囲ならスーパチャージャ３０２のコンプレッサ部に流れ込ませるのかを、決めることができる。スーパチャージャ３０２を迂回したターボチャージャ吐出空気とスーパチャージャ３０２から出てくる圧縮済空気は、混合の上インタクーラ３０８に流され、インタクーラ３０８を通り抜けた後吸気弁ｉを介してシリンダ３０３、３０４及び３０５へと送り込まれる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2007518019.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
前記ゲッタは、放電ランプの寿命の間水素に対するゲッタとして作用することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の高圧放電ランプを製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月26日(2007.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面を有する可とう性の基板と、
（a）可とう性の基板の上面上に位置するスパッタ堆積させた薄膜p型熱電素子；
（b）可とう性の基板の上面上にp型熱電素子に隣接して位置するスパッタ堆積させた薄膜n型熱電素子；
（c）可とう性の基板上に位置し、p型熱電素子の第1の端部をn型熱電素子の第2の端部に電気的に接続する導電部材
を含む熱電対とを含む、熱電電源であって、
該p型またはn型熱電素子が、BixTey合金、SbxTey合金、またはBixSey合金を含み、xが約2であり、yが約3である、熱電電源。
【請求項２】
p型またはn型熱電素子のL/A比が約20cm-1を超える、請求項1記載の熱電電源。
【請求項３】
p型またはn型熱電素子のL/A比が約100cm-1を超える、請求項1記載の熱電電源。
【請求項４】
p型またはn型熱電素子がBixTeyを含み、xが約2であり、yが約3である、請求項1記載の熱電電源。
【請求項５】
少なくとも約50個の熱電対をさらに含み、電圧が少なくとも0.25ボルトで、少なくとも1μWの電力出力を有する、請求項1記載の熱電電源。
【請求項６】
p型またはn型熱電素子の長さが少なくとも約1mmであり、幅が少なくとも約0.1mmである、請求項5記載の熱電電源。
【請求項７】
p型またはn型熱電素子の厚さが少なくとも約20オングストロームである、請求項5記載の熱電電源。
【請求項８】
少なくとも約1000個の熱電対をさらに含み、電圧が少なくとも約1ボルトで、約1Wの電力出力を有する、請求項1記載の熱電電源。
【請求項９】
p型熱電素子がそれぞれ第1の幅を有し、n型熱電素子がそれぞれ第2の幅を有し、かつ第1の幅が第2の幅とは異なる、請求項1記載の熱電電源。
【請求項１０】
2つ以上のp型熱電素子が位置し、かつ互いに電気的に並列接続しており、並列に位置したp型熱電素子は、n型熱電素子に電気的に直列接続している、請求項1記載の熱電電源。
【請求項１１】
可とう性の基板がコイル構成である、請求項1記載の熱電電源。
【請求項１２】
体積が約10cm3未満であり、約1μWから約1Wの電力出力を有する、請求項1記載の熱電電源。
【請求項１３】
体積が約10cm3未満であり、約1ボルトを超える電圧を供給する、請求項1記載の熱電電源。
【請求項１４】
約20℃以下の温度差で電力を発生させる、請求項13記載の熱電電源。
【請求項１５】
2つ以上のn型熱電素子が位置し、かつ互いに電気的に並列接続しており、並列に位置したn型熱電素子は、p型熱電素子に電気的に直列接続している、請求項1記載の熱電電源。
【請求項１６】
n型熱電素子が実質的にセレンを含まない、請求項1記載の熱電電源。
【請求項１７】
可とう性の基板がポリイミドである、請求項1記載の熱電電源。
【請求項１８】
上面を有する可とう性の基板と、
可とう性の基板の上面上で互いに電気的に接続された複数の熱電対
とを含む熱電電源であって、
該熱電対が、
スパッタ堆積させた薄膜p型熱電素子；
p型熱電素子に隣接して交互に位置するスパッタ堆積させた薄膜n型熱電素子
を含み、
該熱電電源の体積が約10cm3未満であり、電力出力が約1μWから約1Wであり、かつ
該p型またはn型熱電素子が、BixTey合金、SbxTey合金、またはBixSey合金を含み、xが約2であり、yが約3である、熱電電源。
【請求項１９】
互いに電気的に接続された複数の熱電対が直並列である、請求項18記載の熱電装置。
【請求項２０】
p型熱電素子が第1の幅を有し、n型熱電素子が第2の幅を有し、かつ第1の幅は第2の幅と同じではない、請求項18記載の熱電電源。
【請求項２１】
コイル構成、折り畳み構成、または巻構成である可とう性の基板を設ける段階；
n型熱電材料の複数の薄膜を可とう性の基板上にスパッタ堆積させる段階；
p型熱電材料の複数の薄膜を可とう性の基板上にスパッタ堆積させる段階；
p型熱電材料の薄膜をn型熱電材料の薄膜に電気的に接続することによって可とう性の基板上に複数の熱電対を形成する段階
を含む、熱電電源を製造する方法であって、
該p型またはn型熱電素子が、BixTey合金、SbxTey合金、またはBixSey合金を含み、xが約2であり、yが約3である、方法。
【請求項２２】
熱電電源が、約10cm3未満の体積であり、かつ約1ボルトを超える電圧を供給するように製造される、請求項21記載の方法。
【請求項２３】
p型またはn型熱電素子材料が、L/A比が約20cm-1を超えるようにスパッタ堆積される、請求項21記載の方法。
【請求項２４】
p型またはn型熱電素子材料が、BixTey合金の薄膜を形成するようにスパッタ堆積され、xは約2であり、yは約3である、請求項21記載の方法。
【請求項２５】
熱電電源を約20℃以下の温度勾配によって作動させる段階をさらに含む、請求項22記載の方法。
【請求項２６】
熱電モジュールの高温接続部に接続された高温熱パイプ；および
熱電モジュールの低温接続部に接続された低温熱パイプ
をさらに含む、請求項1記載の熱電電源。
【請求項２７】
熱パイプが、熱パイプ内に貯蔵された作動流体をさらに含み、該作動流体が、水、アルコール、またはそれらの混合物を含む、請求項26記載の熱電電源。
【請求項２８】
可とう性の基板がリールの周りに巻かれ、該リールが熱電モジュールの高温接続部および／または低温接続部として働く、請求項26記載の熱電電源。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月19日(2007.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィン形のチャネル領域を形成する方法であって、
絶縁層上に化合物半導体層を供給するステップ、
前記化合物半導体層にトレンチを供給するステップ、
前記化合物半導体層上および前記フィン形のチャネル領域に関連づけられた前記トレンチ内に歪み半導体層を供給するステップ、
前記化合物半導体層上から前記歪み半導体層を除去し、その結果、前記歪み半導体層を前記トレンチ内に残すステップ、および、
前記歪み半導体層を残し、かつ、前記フィン形のチャネル領域を形成するために、前記化合物半導体層を除去するステップ、
を含む方法。
【請求項２】
前記フィン形のチャネル領域の側壁に隣接して酸化物材料を供給するとともに、前記酸化物材料上にゲート電極を提供するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記フィン形のチャネル領域はシリコンを含み、前記化合物半導体層はシリコンゲルマニウム層である、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記歪み半導体層を除去するステップは研磨ステップである、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記化合物半導体層を除去するステップはシリコンゲルマニウムに対して選択性を持つエッチングステップである、請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記第２の除去ステップは、ソース領域とドレイン領域の化合物半導体層部分を保護するマスクを利用する、請求項１記載の方法。
【請求項７】
ＦｉｎＦＥＴチャネル構造の形成方法であって、
シリコンおよびゲルマニウムを含む第１層を基板上の絶縁層に供給するステップ、
前記絶縁層まで延びる開口部を前記第１層に供給するステップ、
前記開口部内に歪み材料を供給するステップ、および、
前記歪み材料を残すように前記第１層を除去するステップ、
を含む方法。
【請求項８】
前記歪み材料の側壁および上部に沿ってゲート絶縁構造を形成するステップをさらに含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記歪み材料は選択的エピタキシーによって前記第１層上に供給される、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記歪み材料は化学機械研磨によって前記第１層上から除去される、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記第１層は、ソース位置およびドレイン位置の除去ステップの際に、マスクによって保護される、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
フィンベースのトランジスタを含む集積回路の製造方法であって、
絶縁材料を供給するステップ、
前記絶縁材料上に歪み誘発層を供給するステップ、
前記歪み誘発層に開口部を供給するステップ、
選択的エピタキシャル成長によって前記開口部に歪み材料を形成するステップ、
前記歪み誘発層の少なくとも一部を除去し、フィン構造として前記歪み材料を残すステップ、および、
前記フィン構造のためにゲート構造を提供するステップ、
を含む方法。
【請求項１３】
フィンベースのトランジスタを持つＦｉｎＦＥＴを含む集積回路の製造方法であって、
絶縁材料の上にシリコンおよびゲルマニウムを含む化合物半導体層を供給するステップ、
前記化合物半導体層に開口部を供給するステップ、
選択的エピタキシャル成長によって前記開口部に歪み材料を形成するステップ、
前記化合物半導体層の少なくとも一部を除去し、フィン構造として前記歪み材料を残すステップ、および、
前記フィン構造のためにゲート構造を提供するステップ、
を含む方法。
【請求項１４】
前記開口部の幅はおおよそ２０から１２０ｎｍである、請求項１２または１３記載の方法。
【請求項１５】
前記除去ステップは、シリコンゲルマニウムに対して選択性を持つエッチングステップである、請求項７、１２または１３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を形成するステップと、
前記半導体基板）上にゲート絶縁膜を形成するステップと、
前記ゲート絶縁膜上にゲートを形成するステップと、
前記半導体基板にソース／ドレイン接合部を形成するステップと、
低バイアス出力プラズマエンハンスト化学気相成長法プロセスを使用して、前記ゲートの周りに側壁スペーサを形成するステップと、
前記ソース／ドレイン接合部および前記ゲート上に超低速のシリサイド金属たい積速度でシリサイドを形成するステップと、
前記半導体基板上に層間絶縁層をたい積するステップと、
前記層間絶縁層中に前記シリサイドへのコンタクトを形成するステップと、
を含む、集積回路を形成する方法。
【請求項２】
前記側壁スペーサを形成するステップは、約１００ワットから約２００ワットの範囲の低バイアス出力プラズマエンハンスト化学気相成長法プロセスを使用する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記シリサイドを形成するステップは、極薄のシリサイド金属を使用する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記層間絶縁層をたい積するステップは、中誘電率、低誘電率、超低誘電率のうちの少なくとも１つの誘電率を有する絶縁材料をたい積する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記シリサイドへのコンタクトを形成するステップは、タンタル、チタン、タングステン、銅、金、銀、これらの合金、これらの化合物、およびこれらの組み合わせのうちの少なくとも１つを使用する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記シリサイドを形成するステップは、ニッケルシリサイドを形成する、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記シリサイドを形成するステップは、ヒ素でドープされたニッケルシリサイドを形成する、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記シリサイドを形成するステップは、低バイアス出力たい積技術を使用する、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記シリサイドを形成するステップは、コバルト、チタン、ニッケル、これらの合金、これらの化合物、およびこれらの組合せのうちの少なくとも１つからなるシリサイドを形成する、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記側壁スペーサを形成するステップは、窒素、酸素、これらの化合物、およびこれらの組合せのうちの少なくとも１つからなる絶縁材料を形成する、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
超低速のシリサイド金属たい積速度を用いて前記シリサイドを形成するステップと、
約１００ワットから約２００ワットの範囲の低バイアス出力プラズマエンハンスト化学気相成長法プロセスを用いて前記側壁スペーサを形成するステップと、
を含む、集積回路における側壁スペーサの下のシリサイドのパイピングを低減する方法。
【請求項１２】
前記シリサイドの形成には極薄のシリサイド金属を使用する、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記シリサイドはニッケルシリサイドを含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
前記シリサイドは、ヒ素でドープされたニッケルシリサイドを含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
前記シリサイドは、コバルト、チタン、ニッケル、これらの合金、これらの化合物、およびこれらの組合せのうちの少なくとも１つからなるシリサイドを含む、請求項１１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィンを形成するステップと、
前記フィンの第１端部上にソース領域、前記フィンの第２端部上にドレイン領域を形成するステップと、
前記フィン、ソース領域、およびドレイン領域の上面に、酸化物キャップを形成するステップと、
前記酸化物キャップの形成後に、前記フィン、ソース領域およびドレイン領域上に犠牲酸化層を形成するステップと、
前記フィンの表面から損傷部を除去すべく、前記犠牲酸化層を除去するステップと、
前記フィン上に、第１パターンで、第１半導体材料のダミーゲートを形成するステップと、
前記ダミーゲートの周りに絶縁層を形成するステップと、
前記第１パターンに対応する前記絶縁層中にトレンチを残すように、前記第１半導体材料を除去するステップと、
前記トレンチ内に露出した前記フィンの一部分を細型化するステップと、
前記トレンチ内に露出した前記フィンの前記表面にゲート絶縁層を形成するステップと、
前記ゲート絶縁層上の前記トレンチ内に金属ゲートを形成するステップと、を含む、
フィン電界効果トランジスタを形成する方法。
【請求項２】
前記金属ゲートは、前記フィンの少なくとも３つの表面と接続する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記フィン電界効果トランジスタは、トライゲートフィン電界効果トランジスタを含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記絶縁層は、テトラエチルオルトシリケートを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記ゲート絶縁膜は、SiO、SiO2、SiN、SiON、HFO2、ZrO2、A12O3、HFSiO(x)ZnS、およびMgF2のうちの少なくとも１つを含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記第１半導体材料はポリシリコンを含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記ダミーゲートを形成する前に、前記フィン上にダミーの酸化膜を形成するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記ダミーゲートを形成するステップは、  前記フィン上に前記第１半導体材料の層をたい積するステップと、
前記第１パターンで前記ダミーゲートを形成するように、前記第１半導体材料の層をエッチングするステップと、を含む請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記金属ゲートを形成するステップは、前記トレンチ内に金属材料をたい積するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記犠牲酸化層を形成するステップは、
前記犠牲酸化層を熱成長させるステップを含み、
前記犠牲酸化層を除去するステップは、前記フィンの表面から損傷部を除去するように、前記犠牲酸化層をエッチングするステップを含む、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
これに対して請求項１の特徴を有する本発明の装置及び請求項６の特徴を有する本発明の方法は、大きい構成要素がその全表面にわたって均質に作用するプラズマで加工され得る。この加工は、外面及び内面の双方をカバーする。隙間，継目，中空空間及びアンダーカットが同様に加工される。このような領域は、特に多数の要素から構成されている構成要素で発生する。
【特許文献１】ヨーロッパ特許出願公開第 1 354 640号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第 2003/217813号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第 4 781 145号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月17日(2007.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス流れ中に保持される材料を蒸発させるための蒸発系であって、噴霧器からのエアロゾルを受け取る蒸発チャンバーを含み、該エアロゾルは、一方がガスで他方が液体の第一及び第二の供給源からのガス及び液体の小滴を含んでなり、前記蒸発チャンバーが、入口及び出口を有する該蒸発チャンバーを規定するハウジングと、それを通る複数の通路を有する加熱された表面を提供する第一の金属ブロックを含んでなる加熱された表面部材と、該入口と並べられた該第一の金属ブロックを通る内腔であって、それを通って該エアロゾルが該蒸発チャンバー中に排出される該内腔と、該入口と一直線に並べられた該第一の金属ブロック中のオリフィスとを含み、前記オリフィスが、該第一の金属ブロック中の該内腔につながる開口部を形成し、該エアロゾル小滴が該金属ブロックの該加熱された表面により蒸発させられる蒸発系。
【請求項２】
該オリフィスが、該内腔と実質的に同じ寸法よりも大きくない寸法である、請求項１に記載の蒸発系。
【請求項３】
該エアロゾルが、該入口を通るガスジェットを形成する、請求項１に記載の蒸発系。
【請求項４】
それを通る複数の通路を有する該蒸発チャンバー中に第二の金属ブロックが存在し、該第二の金属ブロックが、第一の金属ブロックと間隔が開けられ、更に、該第一の金属ブロックと該蒸発チャンバー出口との間に位置する、請求項１に記載の蒸発系。
【請求項５】
請求項１に記載の蒸発チャンバーであって、該第一及び第二の供給源の少なくとも１が、複数の異なる個別に選択可能なガス又は液体を含んでなる蒸発チャンバー。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィンを形成するステップと、
前記フィンの第１端部に隣接するソース領域および前記フィンの第２端部に隣接するドレイン領域を形成するステップと、
前記フィン、ソース領域、およびドレイン領域の上面に、酸化物キャップを形成するステップと、
前記酸化物キャップの形成後、前記フィン、ソース領域、およびドレイン領域上に、犠牲酸化層を形成するステップと、
前記フィンの表面から損傷部を除去するように前記犠牲酸化層を除去するステップと、
前記フィン上に、第１パターンで、第１材料を含んでいるダミーゲートを形成するステップと、
前記ダミーゲートの側面に隣接する絶縁層を形成するステップと、
前記第１パターンに対応する前記絶縁層中にトレンチを形成するように、前記第１材料を除去するステップと、
前記トレンチ内に露出する前記フィンの表面にゲート絶縁層を形成するステップと、
前記ゲート絶縁層上の前記トレンチ中に金属ゲートを形成するステップと、を含む、
フィン電界効果トランジスタを形成する方法。
【請求項２】
前記金属ゲートは、前記フィンの少なくとも３つの表面と接触する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記フィン電界効果トランジスタは、トライゲートフィン電界効果トランジスタを含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記絶縁層は、テトラエチルオルトシリケートを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記ゲート絶縁膜は、SiO、SiO2、SiN、SiON、HFO2、ZrO2、A12O3、HFSiO(x)ZnS、およびMgF2のうちの少なくとも１つを含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記第１材料はポリシリコンを含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記ダミーゲートを形成する前に、前記フィン上にダミー酸化膜を形成するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記ダミーゲートを形成するステップは、
前記フィン上に前記第１材料の層をたい積するステップと、
前記第１パターンで前記ダミーゲートを形成するように、前記第１材料の層をエッチングするステップと、を含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記金属ゲートを形成するステップは、前記トレンチを充てんするように、金属材料をたい積するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
フィンを形成するステップと、
前記フィンの第１端部に隣接するソース領域および前記フィンの第２端部に隣接するドレイン領域を形成するステップと、
前記フィン、ソース領域、およびドレイン領域の上面に、酸化物キャップを形成するステップと、
前記酸化物キャップの形成後に、前記フィン、ソース領域、およびドレイン領域上に、犠牲酸化層を形成するステップと、
前記フィンの表面から損傷部を除去するように、前記犠牲酸化層を除去するステップと、
前記フィン上にダミー酸化膜を形成するステップと、
前記フィンおよび前記ダミー酸化膜上に第１材料の層をたい積するステップと、
第１パターンでダミーゲートを形成するように、前記第１材料の層をエッチングするステップと、
前記ダミーゲート、前記ソース領域および前記ドレイン領域上に絶縁層をたい積するステップと、
前記ダミーゲートの上面が露出するように、前記絶縁層をプレーナ化するステップと、
前記第１パターンに対応する前記絶縁層中にトレンチを形成するように、前記第１材料を除去するステップと、
前記トレンチ内に露出する前記フィンの表面上の前記トレンチ中に、ゲート絶縁膜を形成するステップと、
前記ゲート絶縁層上の前記トレンチ中に金属ゲートを形成するステップと、を含む、
フィン電界効果トランジスタを形成する方法。
【請求項１１】
前記金属ゲートは、前記フィンの少なくとも３つの表面と接触する、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記フィン電界効果トランジスタは、トライゲートフィン電界効果トランジスタを含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
前記絶縁層は、テトラエチルオルトシリケートを含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
前記第１材料は、ポリシリコンを含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１５】
金属ゲートを形成するステップは、
前記トレンチを充てんするように金属材料をたい積するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項１６】
前記犠牲酸化層を形成するステップは、
前記犠牲酸化層を熱成長させるステップを含み、
前記犠牲酸化層を除去するステップは、前記フィンの側壁から損傷部を除去するように前記犠牲酸化層をエッチングするステップを含む、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月5日(2007.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１ウェルの形成工程であり、該第１ウェルが第１導電型のエピタキシャル層に、該第１ウェルの隣接する壁の間にエピタキシャル介在部が存在するように形成される、ところの第１ウェルの形成工程；及び
前記第１導電型と反対の第２導電型のダイオード電極構造の形成工程であり、該ダイオード電極構造が前記エピタキシャル介在部に形成された第２導電型の活性拡散層、及び前記エピタキシャル介在部内に形成された第２導電型の第２ウェルの一方であり、かつ該ダイオード電極構造が、該電極構造と前記第１ウェルとの間に前記エピタキシャル介在部の第１部分があるように形成される、ところのダイオード電極構造の形成工程；
を有する高感度撮像のための方法。
【請求項２】
第１導電型のエピタキシャル層に形成された第１導電型の第１ウェルであり、当該第１ウェルの隣接する壁の間にエピタキシャル介在部が存在するように形成されている第１ウェル；及び
前記第１導電型と反対の第２導電型のダイオード電極構造であり、当該ダイオード電極構造が、前記エピタキシャル介在部に形成された第２導電型の活性拡散層、及び前記エピタキシャル介在部内に形成された第２導電型の第２ウェルの一方であり、かつ当該電極構造と前記第１ウェルとの間に前記エピタキシャル介在部の第１部分があるように形成されているダイオード電極構造；
を有する撮像画素。
【請求項３】
第１導電型のエピタキシャル層に形成された第１導電型の第１ウェル手段であり、当該第１ウェル手段の隣接する壁の間にエピタキシャル介在部が存在するように形成されている第１ウェル手段；及び
前記第１導電型と反対の第２導電型のダイオード電極手段であり、当該ダイオード電極手段が、前記エピタキシャル介在部に形成された第２導電型の活性拡散層、及び前記エピタキシャル介在部内に形成された第２導電型の第２ウェル手段の一方であり、かつ当該電極手段と前記第１ウェル手段との間に前記エピタキシャル介在部の第１部分があるように形成されているダイオード電極手段；
を有する撮像画素。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月20日(2007.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク記憶媒体において、関連する第一のインデックスを有する第一のデータを更新する方法であって、
前記ディスク記憶媒体において、前記第一のデータ内のデータのストックを更新する第二のデータを記憶するステップと、
第二のインデックスを作成するステップと、
前記ディスク記憶媒体において、前記第二のインデックスを記憶するステップと、
を含み、
前記第二のインデックスは、前記第二のデータのみに関連し、前記第一のインデックスに対する補足として、前記ディスク記憶媒体に記憶される、前記方法。
【請求項２】
前記ディスク記憶媒体は、記憶サイクル数が限定された書き換え可能な光ディスクである、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第二のインデックスは、半径方向で、可能な限り前記第一のインデックスの近くに記憶される、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記第二のインデックスは、断片化していない形態で記憶される、請求項１乃至３に記載の方法。
【請求項５】
前記第二のデータ内のデータのストックを更新する第三のデータは、前記ディスク記憶媒体に記憶され、前記第二および第三のデータに関連する第三のインデックスは、前記第二のインデックスに上書きされる、請求項１乃至４に記載の方法。
【請求項６】
前記ディスク記憶媒体の特性、および／または、その前記第二または第三のデータとの関係を特徴付ける識別番号を決定し、所定の閾値と比較して、前記比較により、第二または第三のインデックスを使用するか、或いは、前記ディスク記憶媒体に記憶された前記データの全てに関連する新しいインデックスを作成するかが定義されるようにする、請求項１乃至５に記載の方法。
【請求項７】
前記所定の閾値を上回らないように、前記第二および第三のインデックスの要素を組み合わせる、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記所定の閾値は、前記ディスク記憶媒体の状態に依存する、請求項６または７記載の方法。
【請求項９】
ディスク記憶媒体にデータを記憶するための装置であって、
第一のデータと前記第一のデータ内のデータのストックを更新する第二のデータとを前記ディスク記憶媒体に対して書き込み、前記第一のデータに関連する第一のインデックスを前記ディスク記憶媒体に対して書き込むための書き込みデバイスと、
前記第一のインデックスを作成するための信号処理デバイスと、
を有し、
前記信号処理デバイスは、前記第二のデータのみに関連する第二のインデックスを作成するために使用してもよく、
前記書き込みデバイスは、前記第二のインデックスを前記第一のインデックスに対する補足として前記ディスク記憶媒体に対して書き込むために使用してもよい、前記装置。
【請求項１０】
前記ディスク記憶媒体は、書き換え可能な光ディスクである、請求項９記載の装置。
【請求項１１】
前記第二のデータ内のデータのストックを更新する第三のデータは、前記ディスク記憶媒体に記憶され、前記第二および第三のデータに関連する第三のインデックスは、前記第二のインデックスに上書きされる、請求項９または１０記載の装置。
【請求項１２】
前記ディスク記憶媒体の特性、および／または、その前記第二または第三のデータとの関係を特徴付ける識別番号を決定する識別番号決定デバイスと、前記識別番号を所定の閾値と比較し、比較を利用して、第二または第三のインデックスを使用する必要があるか、或いは、前記ディスク記憶媒体に記憶された前記データの全てに関連する新しい全体的なインデックスを作成する必要があるかを設定し得るようにする比較デバイスとを有する、請求項９乃至１１記載の装置。
【請求項１３】
前記信号処理デバイスを利用して、前記所定の閾値を上回らないように、前記第二および第三のインデックスの要素を組み合わせ得る、請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記比較デバイス内の前記所定の閾値は、前記ディスク記憶媒体の状態に依存する形態である、請求項１２または１３記載の装置。
【請求項１５】
ディスク記憶媒体であって、
記憶された第一のデータと、
前記第一のデータ内のデータのストックを更新する記憶された第二のデータと、
前記第一のデータに関連する記憶された第一のインデックスと、
を有し
前記第二のデータのみに関連し、前記第一のインデックスに対する補足として前記ディスク記憶媒体に記憶された第二のインデックスを特徴とする、前記ディスク記憶媒体。
【請求項１６】
前記ディスク記憶媒体は、書き換え可能な光ディスクである、請求項９記載のディスク記憶媒体。
【請求項１７】
前記第二のインデックスは、半径方向で前記第一のインデックスの近くまたはすぐ隣に記憶される、請求項１５または１６記載のディスク記憶媒体。
【請求項１８】
前記第二のインデックスは、断片化していない形態で記憶される、請求項１５乃至１７記載のディスク記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月18日(2008.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学コヒーレンストモグラフィ（ＯＣＴ）システムを作り出すために出力アームと協働する、少なくとも一つの参照アームと少なくとも一つの測定アームとを有する全視域マイケルソン干渉計におけるフリンジのコントラストを測定するための装置であって、二つの垂直入射偏光を二つの異なった出現方向へ偏向させるための手段を有し、前記偏向手段が、単一の偏光子の代わりとして前記干渉計中に配置されている、フリンジのコントラストを測定するための装置。
【請求項２】
前記偏向手段が、ウォラストンプリズムを含んでいることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
λ／２又はλ／４だけ相違したパスディファレンスのための測定を実施するために配置されていることを特徴とする、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
厳密に同時で位相対立にある少なくとも二つの測定値を得るように配置されていることを特徴とする、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記装置が四度の測定を実施するために配置され、前記出力アームに入射するビームを少なくとも二つのビームに分離させるための手段と、それら二つのビームの一方において、前記干渉計の前記測定アームと前記参照アームから発せられる偏光間にλ／４の付加的な遅延を生じさせるための遅延手段と、前記遅延手段からの出力時に四つのビームが生ずるように、上記処理された二つのビームを一緒に前記ウォラストンプリズムへ再導入させるための手段とを更に有していることを特徴とする、請求項２〜４の何れか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記分離手段が、単一の非偏光分離板（ＢＳＰ／Ｍ）を含んでいることを特徴とする、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記遅延手段が、四分の一波長板（ＱＯＰ／Ｍ）を含んでいることを特徴とする、請求項５又は６に記載の装置。
【請求項８】
前記ウォラストンプリズムが、瞳孔平面内に配置されていることを特徴とする、請求項５〜７の何れか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記ウォラストンプリズムの軸に対して、四つの入射ビームの偏光を任意に配向させるための配向手段を更に含んでいることを特徴とする、請求項５〜８の何れか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記配向手段が、前記ウォラストンプリズムの前に配置された二分の一波長板（ＤＯＰ／Ｍ）を含んでいることを特徴とする、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
光学コヒーレンストモグラフィ（ＯＣＴ）システムを作り出すために出力アームと協働する、少なくとも一つの参照アームと少なくとも一つの測定アームとを有する全視域マイケルソン干渉計におけるフリンジのコントラストの測定方法であって、前記出力アーム内に配置されたウォラストンプリズムによって、二つの垂直入射偏光を二つの異なった出現方向へ偏向させる工程を含んでいる、全視域マイケルソン干渉計におけるフリンジのコントラストの測定方法。
【請求項１２】
λ／２又はλ／４だけ相違したパスディファレンスのための測定を行う工程を含んでいることを特徴とする、請求項１１に記載の測定方法。
【請求項１３】
厳密に同時に且つ位相反対で、少なくとも二度の測定を実施する工程を含んでいることを特徴とする、請求項１２に記載の測定方法。
【請求項１４】
四度の測定を実施する工程と、前記出力アームに入射するビームを二つに分離させる工程と、それら二つのビームの一方において、前記干渉計の前記測定アームと前記参照アームから発せられる偏光間にλ／４の付加的な遅延を生じさせる工程と、前記遅延手段からの出力時に四つのビームを生じさせるように、上記処理された二つのビームを前記ウォラストンプリズムへ再導入させるための工程とを含んでいることを特徴とする、請求項１１〜１３の何れか一項に記載の測定方法。
【請求項１５】
前記四つの入射ビームの偏光を前記ウォラストンプリズムの軸に相対して、任意に配向させる工程を更に含んでいることを特徴とする、請求項１４に記載の測定方法。
【請求項１６】
前記四つのビームに関する前記測定を同時に実施することを特徴とする、請求項１５に記載の測定方法。
【請求項１７】
前記測定アームにおいて、眼の焦点クロマティズムの効果を補正する工程を含んでいることを特徴とする、請求項１〜１６の何れか一項に記載の測定方法。
【請求項１８】
前記参照アームに、パスディファレンスの分散を補正するための手段を有していることを特徴とする、請求項１〜１７の何れか一項に記載の測定方法。
【請求項１９】
波面検光子（ＳＨ）をコントロールして、それを焦点がぼかされた態様で作動させる工程を含んでいることを特徴とする、請求項１〜１８の何れか一項に記載の測定方法。
【請求項２０】
生体内トモグラフィによる検眼システムであって、
全視域ＯＣＴセットアップを作り出すために出力アームと協働する、少なくとも一つの参照アームと少なくとも一つの測定アームとを有するマイケルソン干渉計と、
前記干渉計の前記測定アームと検査される眼との間、又は、前記測定アーム内に配置されて、眼からの波面と眼に達する波面の補正を行う適応光学系と、
前記干渉計のダウンストリーム、又は、前記出力アーム内に配置されて、光学コヒーレンストモグラフィ（ＯＣＴ）原理に従って干渉測定を実施することの可能な検出手段と、
全視域マイケルソン干渉計におけるフリンジのコントラストを測定するための装置を有し、
前記測定装置が、前記出力アームに、二つの入射偏光を二つの異なった出現方向へ偏向させるための手段を有している、生体内トモグラフィによる検眼システム。
【請求項２１】
適切なスクリーン上に表示され、検査中に両眼によって見ることができる、プログラム可能な形状と軌道を有する少なくとも一つの移動ターゲットを含んだ照準装置を更に有していることを特徴とする、請求項２０に記載の検眼システム。
【請求項２２】
参照ソース（ＳＬＤ）が、前記適応光学系（ＭＤ）と検査される眼（ＯＥＸ）との間の光路内に挿入されていることを特徴とする、請求項２０又は２１に記載の検眼システム。
【請求項２３】
前記測定アームに、眼の焦点クロマティズムの効果を補正するための手段を有していることを特徴とする、請求項２０〜２２の何れか一項に記載の検眼システム。
【請求項２４】
前記参照アームに、パスディファレンスの分散を補正するための手段を有していることを特徴とする、請求項２０〜２３の何れか一項に記載の検眼システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月7日(2008.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基礎フレームと、
複数の横に延びる輪状部品とを備え、
輪状部品の各々が前記基礎フレームと取り外し可能なように接続でき、前記輪状部品の少なくとも２つが、十字形の配置で、おおむね対角線状に前記フレームに交差して延び、
更に、車両の風雨よけを形成するために、前記輪状部品と係合することができるフレキシブルなカバーを備えた、持ち運びできる車両カバー。
【請求項２】
前記輪状部品が、前記フレームに接続された場合にほぼアーチ形を形成するように、おおむね弾性体である、請求項１に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項３】
各輪状部品が、２以上の取り外し可能な接続ができる部品から形成される、請求項１又は請求項２に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項４】
各輪状部品が、単一の連続する部品から形成される、請求項１又は請求項２に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項５】
１以上の輪状部品が、前記基礎フレームにヒンジ接続されるように取り付けられる、前記請求項１から４のいずれか１項に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項６】
端部輪状部品が前記基礎フレームにヒンジ接続される、前記請求項１から５のいずれか１項に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項７】
前記フレキシブルなカバーが、前記端部輪状部品とスライドできるように係合するために、カバーの各端部に輪状部品と係合するスリーブを備える、請求項６に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項８】
前記フレキシブルなカバーが、選択的に調節できる長さを有する複数のフレキシブルなストラップ部品を用いて、前記基礎フレームに固定される、前記請求項１から７のいずれか１項に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項９】
前記基礎フレームが、２本の横に配置された、長手方向に延びる細長いフレーム部品を備える、前記請求項１から８のいずれか１項に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項１０】
細長いフレーム部品の各々が、ヒンジ接続された２つの細長い部分から形成される、請求項９に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項１１】
細長いフレーム部品の各々が、前記基礎フレームの長さを選択的に延ばすために、１以上の入れ子式の接続をされた延長部を有する、請求項９又は請求項１０に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項１２】
細長いフレーム部品の各々が、２つの入れ子式の接続をされた延長部を有する、請求項１１に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項１３】
前記細長いフレーム部品を離して配置するために、横に延びたフレキシブルで長さを調節できる接続部品を１つ以上備える、請求項９から１２のいずれか１項に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項１４】
前記接続部品が、フレキシブルなストラップである、請求項１３に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項１５】
前記基礎フレームが、前記持ち運びできる車両カバーを前記車両に関して保持するために、４つのタイヤパッドを備える、前記請求項１から１４のいずれか１項に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項１６】
前記タイヤパッドのうち少なくとも２つが、ヒンジ接続された２つの長さ調節部を備える、請求項１５に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項１７】
前記タイヤパッドのうち少なくとも２つが、前記基礎にヒンジ接続される、請求項１５又は請求項１６に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項１８】
前記基礎フレームが、複数の輪状部品係合用ソケットを備える、請求項９から１７のいずれか１項に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項１９】
前記輪状部品係合用ソケットの４つが、前記細長いフレーム部品にヒンジ接続される、請求項１８に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項２０】
前記輪状部品係合用ソケットが、前記持ち運びできる車両カバーから外側に斜めに配置される、請求項１８又は請求項１９に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項２１】
前記ソケットが、垂直面に対して１０から２０度の間の角度で傾けられる、請求項２０に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項２２】
輪状部品係合用ソケットの各々が、各輪状部品の端部を保持するために、取り外し可能な固定具を備える、請求項１８から２１のいずれか１項に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項２３】
前記持ち運びできる車両カバーが、少なくとも２つの輪状部品を取外し可能なように固定するために、輪状部品用クランプを備える、前記請求項１から２２のいずれか１項に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項２４】
前記輪状部品用クランプが、前記取り外し可能な接続ができる輪状部品の、１以上の端部を受け入れるためのハブの形状である、請求項２３に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項２５】
中央に延びる輪状部品１つと、２つの対角線状に延びる輪状部品と、ピボットで接続された２つの端部輪状部品とを備える、前記請求項１から２４のいずれか１項に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項２６】
前記中央に延びる輪状部品が、前記持ち運びできる車両カバーを前記車両に対して支えるために、ピボットで接続された１以上の延長アームを備える、請求項２５に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項２７】
前記延長アームが、選択的に延ばすことができる長さを有する、請求項２６に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項２８】
前記延長アームが、前記車両に係合するために、延長アームの末端に吸盤を有する、請求項２６又は請求項２７に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項２９】
前記輪状部品が、ガラス繊維又は適切なプラスチックのようなおおむね弾性を有する材料で形成される、前記請求項１から２８のいずれか１項に記載の持ち運びできる車両カバー。
【請求項３０】
細長いフレーム部品各々が、おおむね管状アルミニウムで形成される、請求項９から２９のいずれか１項に記載の持ち運びできる車両カバー。