【手続補正書】
【提出日】平成19年2月15日(2007.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保持体に被処理面を下方に向けて水平保持された被処理体を電解メッキ浴槽内のメッキ液に浸漬し、上記電解メッキ浴槽内に配置されたアノードと上記被処理体との間で第１の定電流電源による電気的導通により上記被処理面にメッキ処理を施す電解メッキ装置において、
上記電解メッキ浴槽内に少なくとも一つの電極が設けられ、上記電極と上記アノードとは電気的に接続されていることを特徴とする電解メッキ装置。
【請求項２】
上記電極は、第２の定電流電源を介して上記アノードと電気的に接続されており、上記アノードと上記被処理体との間での電気的導通によるメッキ処理を行わない時に、上記電極は、上記アノードに対して陽極となるように使用されることを特徴とする請求項１に記載の電解メッキ装置。
【請求項３】
保持体に被処理面を下方に向けて水平保持された被処理体を電解メッキ浴槽内のメッキ液に浸漬し、上記電解メッキ浴槽内に配置されたアノードと上記被処理体との間で第１の定電流電源による電気的導通により上記被処理面にメッキ処理を施す電解メッキ装置において、
上記電解メッキ浴槽には上記電解メッキ浴槽との間で上記メッキ液が循環する補助槽が接続され、上記補助槽の内部には第３の定電流電源により互い電気的に導通可能な第２のアノード及び第２のカソードがそれぞれ配置されていることを特徴とする電解メッキ装置。
【請求項４】
保持体に被処理面を下方に向けて水平保持された被処理体を電解メッキ浴槽内のメッキ液に浸漬し、上記電解メッキ浴槽内に配置されたアノードと上記被処理体との間で電気的導通により上記被処理面にメッキ処理を施す電解メッキ方法において、
上記電解メッキ浴槽内に少なくとも一つ配置され且つ上記アノードと電気的に接続された電極を、第２のアノードとして使用することを特徴とする電解メッキ方法。
【請求項５】
上記アノードと上記被処理体との間での電気的導通によるメッキ処理を行わない時に、上記電極を上記アノードに対して陽極となるように使用することを特徴とする請求項４に記載の電解メッキ方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に記載の電解メッキ装置は、保持体に被処理面を下方に向けて水平保持された被処理体を電解メッキ浴槽内のメッキ液に浸漬し、上記電解メッキ浴槽内に配置されたアノードと上記被処理体との間で第１の定電流電源による電気的導通により上記被処理面にメッキ処理を施す電解メッキ装置において、上記電解メッキ浴槽内に少なくとも一つの電極が設けられ、上記電極と上記アノードとは電気的に接続されていることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の請求項２に記載の電解メッキ装置は、請求項１に記載の発明において、上記電極は、第２の定電流電源を介して上記アノードと電気的に接続されており、上記アノードと上記被処理体との間での電気的導通によるメッキ処理を行わない時に、上記電極は、上記アノードに対して陽極となるように使用されることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の請求項３に記載の電解メッキ装置は、保持体に被処理面を下方に向けて水平保持された被処理体を電解メッキ浴槽内のメッキ液に浸漬し、上記電解メッキ浴槽内に配置されたアノードと上記被処理体との間で第１の定電流電源による電気的導通により上記被処理面にメッキ処理を施す電解メッキ装置において、上記電解メッキ浴槽には上記電解メッキ浴槽との間で上記メッキ液が循環する補助槽が接続され、上記補助槽の内部には第３の定電流電源により互い電気的に導通可能な第２のアノード及び第２のカソードがそれぞれ配置されていることを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の請求項４に記載の電解メッキ方法は、保持体に被処理面を下方に向けて水平保持された被処理体を電解メッキ浴槽内のメッキ液に浸漬し、上記電解メッキ浴槽内に配置されたアノードと上記被処理体との間で電気的導通により上記被処理面にメッキ処理を施す電解メッキ方法において、上記電解メッキ浴槽内に少なくとも一つ配置され且つ上記アノードと電気的に接続された電極を、第２のアノードとして使用することを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の請求項５に記載の電解メッキ方法は、請求項４に記載の発明において、上記アノードと上記被処理体との間での電気的導通によるメッキ処理を行わない時に、上記電極を上記アノードに対して陽極となるように使用することを特徴とするものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
更に、本実施形態ではアノード室１３内にはアノード１６を囲む第３の電極２８が配置されている。第３の電極２８は種々の金属によって形成することができるが、その材料としては例えば銅よりも酸化還元電位の高い金属、例えば白金、白金を主成分とする合金等の白金族系の金属が好ましい。この電極２８とアノード１６は、図１の（ａ）に示すように、配線２９を介して定電流電源３０に接続されている。そして、電解メッキ処理を中断している時に、第３の電極２８がアノードとして機能し、アノード１６がカソードとして機能するようにしてある。従って、定電流電源３０からの印加によりカソードとして機能するアノード１６表面に銅メッキが施され、アノード室１３内の銅イオンを減少させる。即ち、これらの両電極１６、２８が銅イオン濃度を低減させる手段として機能する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
メッキ液１１が循環している時、保持体１８を介して半導体ウエハＷが下降するとその被処理面がカソード室１４のメッキ液１１と接触し、所定の速度で回転する。そして、定電流電源２７を印加すると、アノード１６とカソード１７間がメッキ液１１を介して電気的に導通する。カソード室１４では銅イオンが半導体ウエハＷのシード層で電子を受け取って還元され、銅メッキが施される。この時メッキ液１１は上昇流で循環しているため、半導体ウエハＷの接液面全体の銅イオン濃度は略一定に保たれ、全面に均一なメッキ面が形成される。一方、アノード室１３ではアノード１６から銅イオンを放出し、銅イオン濃度が徐々に高くなる。アノード室１３内で不純物が生成してもカソード室１４が隔膜１５によってアノード室１３から隔離されているため、アノード室１３内からカソード室１４へ不純物が移動することはなくカソード室１４の清浄度を殆ど初期の状態のまま維持することができ、半導体ウエハＷに対して良好な銅メッキを施すことができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
ところが、電解メッキ処理を継続していると、アノード室１３内の銅イオン濃度が許容値を超え、銅がアノード室１３内に析出してその機能が低下する虞がある。そのため、銅イオン濃度がある程度高くなった場合には、電解メッキ処理を一時中断し、アノード室１３内の銅イオン濃度を初期値まで減少させる。それには、定電流電源３０からアノード室１３内のアノード１６及び第３の電極２８に電圧を印加し、メッキ液１１を介してアノード１６と第３の電極２８間で導通させる。この時、第３の電極２８がアノードとして機能し、アノード１６がカソードとして機能するため、高濃度化した銅イオンがカソードとして機能するアノード１６において電子の授受が起こり、カソードとして機能するアノード１６に銅メッキが施されてアノード室１３内の銅イオン濃度が低減する。この操作を例えば初期の銅イオン濃度になるまで行う。アノード室１３内のメッキ液１１が初期の銅イオン濃度に戻った時点で再び本来の銅メッキ処理を実施する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【発明の効果】
本発明によれば、金属イオンを含む廃液を格段に削減して環境への影響を防止すると共に、装置の小型化及び低コスト化を実現することができる電解メッキ装置及び電解メッキ方法を提供することができる。