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【手続補正書】
【提出日】平成19年3月6日(2007.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数帯域で分割したキャリアについて時間帯域で分割したスロットをチャネルとして利用して基地局と複数の端末とが通信する無線通信方法において、
前記基地局は、
前記端末に、連続する複数の前記キャリアからなるチャネルセット及び／又は連続する複数の前記スロットからなるチャネルセットを割り当て、
前記チャネルセットに含まれるチャネルを該端末へのパケットの送信に割り当てること特徴とする無線通信方法。
【請求項２】
前記基地局は、前記端末から受信したチャネルの伝搬路状況の推定結果を使って、前記チャネルを前記端末へのパケットの送信に割り当てることを特徴とする請求項１に記載の無線通信方法。
【請求項３】
前記基地局は、前記端末に、前記チャネルセットを通知することを特徴とする請求項１に記載の無線通信方法。
【請求項４】
前記端末は、前記チャネルセットの通知を受信し、前記チャネルセットによって監視するチャネルを定めることを特徴とする請求項３に記載の無線通信方法。
【請求項５】
前記端末に送信する情報を蓄積する情報蓄積部と、
情報を送信する前記端末を決定するスケジューラと、
送信する情報により変調をする変調部と、
変調した信号を送信する送信部とを備え、
周波数帯域で分割したキャリアについて時間帯域で分割したスロットをチャネルとして利用して複数の前記端末と通信する無線通信基地局において、
前記端末の受信能力を取得し、該端末の受信能力を満たすように連続する複数のキャリアからなるチャネルセット及び／又は連続する複数のスロットからなるチャネルセットを割り当て、割り当てた前記チャネルセットを記憶するチャネル条件部を備えることを特徴とする無線通信基地局。
【請求項６】
端末から信号を受信する受信部を備え、前記受信部が前記端末から受信する信号から前記受信能力を取得することを特徴とする請求項５に記載の無線通信基地局。
【請求項７】
端末から信号を受信する受信部を備え、前記端末の前記受信能力を記憶する基地局制御装置から前記受信能力を取得することを特徴とする請求項５に記載の無線通信基地局。
【請求項８】
アンテナが受信した信号から特定の周波数の信号を抽出するフィルタと、該信号をデジタル変換するＡ／Ｄ変換器とを備える無線受信部と、
信号を周波数ごとに分離して復調するベースバンド部と、
無線通信端末の全体の動作を制御する制御部を備え、
周波数帯域で分割したキャリアについて時間帯域で分割したスロットをチャネルとして利用して基地局と通信する無線通信端末において、
前記無線受信部は、前記基地局から、割り当てられた連続する複数のキャリアからなるチャネルセット及び／又は連続する複数のスロットからなるチャネルセットを受信し、前記受信したチャネルセットを前記制御部に通知し、
前記制御部は、前記チャネルセットによって、前記フィルタが取り出す周波数の幅又は中心周波数を変更することを特徴とする無線通信端末。
【請求項９】
基地局に送信する情報によって変調をして、信号を送信する無線送信部を備え、
前記制御部は、受信能力を通知する能力制御信号を作成し、
前記無線送信部は、前記基地局に前記能力制御信号を送信することを特徴とする請求項８に記載の無線通信端末。
【請求項１０】
前記制御部は、前記チャネルセットに含まれるチャネルでは前記受信部を動作させ、前記チャネルセットに含まれないチャネルでは受信部を休止するように制御することを特徴とする請求項８に記載の無線通信端末。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月26日(2006.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１―３０７４７０号公報
【特許文献２】特開２００１―３３２０７４号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１の構成によれば、液晶画像表示装置に記録再生装置を設ける際、記録再生装置を操作する記録再生装置用操作ボタンの取付位置が前記ＬＣＤ用操作ボタンの取付位置と異なる以外、前記取付カバーを共通化できるので、コストの低減を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月3日(2007.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に設けられ、互いに直列に接続された複数の発電セルとを具備し、前記複数の発電セルの各々は、前記基板上に設けられる表面電極層と、前記表面電極層上に設けられ、光により発電する光発電層と、前記発電層上に設けられた裏面電極層とを備え、前記裏面電極層は、前記光発電層上に設けられ、銀を含む第１裏面電極層と、前記第１裏面電極層上に設けられる第２裏面電極層とを含み、隣り合う前記発電セルの間に、前記第２裏面電極層の表面から前記表面電極層へ延びる分離溝を有する太陽電池の裏面電極層の膜厚設計方法であって、
（ａ）前記第２裏面電極層の表面から前記表面電極層へ延びる分離溝を、前記基板側からレーザを照射して前記分解溝の位置の前記発電層と前記第１裏面電極層と前記第２裏面電極層とを除去して形成する場合、除去される前記発電層と前記第１裏面電極層と前記第２裏面電極層の重量は、前記レーザによる前記発電層の発熱が前記表面電極層にダメージを与えない出力の前記レーザにより除去可能な重量範囲に設定するステップと、
（ｂ）前記裏面電極層の膜厚を、前記除去可能な重量範囲から前記発電層の重量を引いた範囲の膜厚に設定するステップと
を備える太陽電池の裏面電極層の膜厚設計方法。
【請求項２】
（ａ）基板上に透明で導電性を有する表面電極層を形成するステップと、
（ｂ）前記表面電極層上に、光により発電する光発電層を形成するステップと、
（ｃ）前記光発電層の上に、銀を含む第１裏面電極層を形成するステップと、
（ｄ）前記第１裏面電極層の上に、前記第１裏面電極層の腐食を抑制する第２裏面電極層を形成するステップと、
（ｅ）前記第２裏面電極層の表面から前記表面電極層へ延びる分離溝を、前記基板側からレーザを照射して前記分解溝の位置の前記発電層と前記第１裏面電極層と前記第２裏面電極層とを除去して形成するステップとを具備し、
除去される前記発電層と前記第１裏面電極層と前記第２裏面電極層の重量は、前記レーザによる前記発電層の発熱が前記表面電極層にダメージを与えない出力の前記レーザにより除去可能な重量範囲であり、
前記第１裏面電極層及び前記第２裏面電極層としての裏面電極層の膜厚は、前記除去可能な重量範囲から前記発電層の重量を引いた範囲の膜厚を有する太陽電池の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の太陽電池の製造方法において、
前記第２裏面電極層は、前記第１裏面電極層の腐食を抑制可能な膜厚を有する太陽電池の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の太陽電池の製造方法において、
前記第１裏面電極層は、膜厚が１５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である太陽電池の製造方法。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の太陽電池の製造方法において、
前記第２裏面電極層は、チタンを含み、膜厚が１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下である太陽電池の製造方法。
【請求項６】
請求項２に記載の太陽電池の製造方法において、
前記第１裏面電極層は、長波長の反射率を高くするような膜厚を有し、
前記第２裏面電極層は、前記第１裏面電極層の腐食を抑制可能な膜厚を有する太陽電池の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の太陽電池の製造方法において、
前記第１裏面電極層は、膜厚が３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である太陽電池の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の太陽電池の製造方法において、
前記第２裏面電極層は、アルミニウムを含み、膜厚が２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である太陽電池の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内線通話に利用されるＩＰ電話端末装置であって、
ローカルネットワークを構成する通信回線を介して他の端末装置と通信を行う通信手段と、
前記他の端末装置を検索する検索メッセージを生成して、前記通信手段を介して前記ローカルネットワーク内の前記他の端末装置に同報送信する検索メッセージ生成手段と、
前記通信手段を介して、前記検索メッセージに対する応答として、前記他の端末装置から、その端末装置のＩＰアドレス及び識別子を含む応答メッセージを受信した場合に、前記ＩＰアドレス及び識別子を対応付けた管理情報を生成するアドレス−識別子管理手段と、
通信先の候補として前記識別子を表示する表示手段と、
を備えるＩＰ電話端末装置。
【請求項２】
請求項１記載のＩＰ電話端末装置であって、
前記表示された前記識別子から通信先の識別子を決定する通信先決定手段と、前記管理情報を参照して前記決定した識別子に対応するＩＰアドレスに対して発信処理を行う発信手段と、を更に備えるＩＰ電話端末装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載のＩＰ電話端末装置であって、
前記識別子の候補を記憶する識別子記憶手段と、前記識別子記憶手段に記憶された識別子の候補から自端末の識別子を設定する識別子設定手段と、を更に備えるＩＰ電話端末装置。
【請求項４】
請求項３記載のＩＰ電話端末装置であって、
前記他の端末装置を検索する検索メッセージを受信した場合に、自端末に割り当てられたＩＰアドレスと、前記設定された識別子とを含む応答メッセージを前記他の端末へ送信する応答メッセージ生成手段を更に備えるＩＰ電話端末装置。
【請求項５】
内線通話に利用されるＩＰ電話端末装置の通信方法であって、
ローカルネットワークを構成する他の端末装置を検索する検索メッセージを生成するステップと、
前記他の端末装置を検索する検索メッセージを生成して、前記通信手段を介して前記ローカルネットワーク内の前記他の端末装置に同報送信するステップと、
前記検索メッセージに対する応答として、前記他の端末装置から、その端末装置のＩＰアドレス及び識別子を含む応答メッセージを受信した場合に、前記ＩＰアドレス及び識別子を対応付けて管理情報を生成するステップと、
通信先の候補として前記識別子を表示するステップと、
を有するＩＰ電話端末装置の通信方法。
【請求項６】
請求項５記載の通信方法であって、
前記表示された前記識別子から通信先の識別子を決定するステップと、前記管理情報を参照して前記決定した識別子に対応するＩＰアドレスに対して発信処理を行うステップと、を更に有する通信方法。
【請求項７】
請求項５又は６記載の通信方法であって、
識別子記憶手段に記憶された識別子の候補から自端末の識別子を設定するステップを更に有する通信方法。
【請求項８】
請求項７記載の通信方法であって、
前記他の端末装置を検索する検索メッセージを受信した場合に、自端末に割り当てられたＩＰアドレスと、前記設定された識別子とを含む応答メッセージを前記他の端末へ送信するステップを更に有する通信方法。
【請求項９】
コンピュータに、請求項５ないし８のいずれか一項記載の各ステップを実行させるプロ
グラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月7日(2007.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、単一の画素２１から外部の信号線２７i、２８i、２９iおよび垂直読出し線３０jに接続する線が４本であり、従来のＣＭＯＳ固体撮像素子（図５参照）における５本に比べて少なくなる。接続する線の低減に伴い、画素２１から接続する線を通すスルーホール１８も減らすことが可能である。したがって、これらの接続する線およびスルーホール１８を画素２１に形成する必要が無いため、ＰＤ２２が受光するための開口を広げることに有利である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月19日(2007.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
（実施例１）
上記第１の実施の形態と同様にして駆動用基板１１上に有機発光素子１０Ｇを形成した。その際、第１電極１４の直上に、ｍ−ＭＴＤＡＴＡよりなる正孔注入層１７Ａを２０ｎｍの厚みで形成し、駆動用基板１１を正孔注入層１７Ａのガラス転移点よりも５℃高い温度で１０分間加熱した。加熱したのち、駆動用基板１１を精査して第１電極１４に付着した異物１４Ｃを発見し、その周辺の正孔注入層１７Ａの状態を観察した。その結果を図２０に示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
（実施例２）
上記第１の実施の形態と同様にして駆動用基板１１上に有機発光素子１０Ｇを形成した。その際、第１電極１４の直上に、ｍ−ＭＴＤＡＴＡよりなる正孔注入層１７Ａを１５ｎｍの厚みで形成し、駆動用基板１１を正孔注入層１７Ａのガラス転移点よりも５℃高い温度で１０分間加熱した。そののち、有機層１７の残りの層および第２電極１８を形成し、駆動用基板１１上に有機発光素子１０Ｇを有する駆動パネル１０を完成した。得られた駆動パネル１０について、発光状態を調べた。その結果を図２１に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月6日(2007.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
抵抗体における上面電極と重ならない部分の最大幅で、上記辺部と直角の方向である辺部間方向の最大幅が、上記一対の上面電極間の該辺部間方向の長さよりも長く形成されていることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７に記載のチップ抵抗器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、第８には、上記第１から第７までのいずれかの構成において、抵抗体における上面電極と重ならない部分の最大幅で、上記辺部と直角の方向である辺部間方向の最大幅が、上記一対の上面電極間の該辺部間方向の長さよりも長く形成されていることを特徴とする。これにより、上面電極が形成されている辺部に沿った領域も抵抗体形成領域に利用しているので、抵抗体の面積を大きくすることができるので、チップ抵抗器のサイズを小型としつつ耐サージ性に優れ、高電力化が可能なチップ抵抗器を得ることが可能となる。なお、この第８の構成を、基板の上面における上面電極が形成された辺部に沿った領域で、上面電極の側方の領域に抵抗体が形成されていることを特徴とするものとしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月10日(2007.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ここで、オニウムカチオンとは、ルイス塩基が、その非結合電子対を用いて配位結合を作ってできた陽イオンのことで、例えば、ＮＲ4+、ＰＲ4+、ＳＲ3+などがある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
さらに、ルイス酸を溶解していなくても、ＬｉＰＦ6などの電解質塩を溶解させておき、電池組み立て後に電池全体を加熱することにより、電池内でＰＦ5のようなルイス酸を発生させることもできる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
このような作用効果を示す（化３）または（化４）で示されるルイス酸には、トリブトキシボレート（Ｒ１＝Ｒ２＝Ｒ３＝Ｃ4Ｈ9Ｏ）、トリフェノキシボレート（Ｒ１＝Ｒ２＝Ｒ３＝ＰｈＯ）、トリベンジロキシボレート（Ｒ１＝Ｒ２＝Ｒ３＝ＰｈＣＨ2Ｏ）、トリス（トリフルオロアセチル）ボレート（Ｒ１＝Ｒ２＝Ｒ３＝ＣＦ3Ｃ（＝Ｏ）Ｏ）、トリス（ペンタフルオロアセチル）ボレート（Ｒ１＝Ｒ２＝Ｒ３＝ＣＦ3ＣＦ2Ｃ（Ｃ＝Ｏ）Ｏ）、トリス（トリフルオロメチル）ボレート（Ｒ１＝Ｒ２＝Ｒ３＝ＣＦ3）、トリフルオロメチルジフルオロボレート（Ｒ１＝Ｒ２＝Ｆ，Ｒ３＝ＣＦ3）、ビス（トリフルオロメチル）フルオロボレート（Ｒ１＝Ｆ，Ｒ２＝Ｒ３＝ＣＦ3）、トリス（ペンタフルオロエチル）ボレート（Ｒ１＝Ｒ２＝Ｒ３＝Ｃ2Ｆ5）、トリス（ペンタフルオロメチル）ジフルオロホスフェート（Ｒ４＝Ｒ５＝Ｆ，Ｒ６＝Ｒ７＝Ｒ８＝ＣＦ3）、トリス（ペンタフルオロエチル）ジフルオロホスフェート（Ｒ４＝Ｒ５＝Ｆ，Ｒ６＝Ｒ７＝Ｒ８＝Ｃ2Ｆ5）またはフッ化ホスホリル（Ｒ４＝Ｒ５＝Ｒ６＝Ｆ，Ｒ７＝Ｏ、Ｒ８無し）などがあるが、コスト的にＢＦ3またはＰＦ5であることことが好ましい。ここで、フッ化ホスホリルは、（化４）に含まれる化合物で、Ｒ７の官能基がＯのため、Ｒ８が無しとなっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
このようにして組み立てた電池を、０.３５ｍＡの電流で２０時間充電した後、１０ｍｍＨｇで１０秒間、脱気し、さらに、注液した開口部を溶着により封止した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
【数１】
2006019070.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
（表１）より、１１０℃加熱した電解液においてサイクル劣化率が低減していることがわかる。また、サイクル劣化率の低減は、ＬｉＰＦ6量が多いほど効果が大きくなっていることがわかる。これは、ＬｉＰＦ6量が多いほど、電解液中で解離していないＬｉＰＦ6が増加し、ＬｉＦとＰＦ5に分解しやすくなるためであると考えられる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
（表２）より、２３０℃加熱した電解液においてサイクル劣化率が低減していることがわかる。また、サイクル劣化率の低減はＬｉＢＦ4量が多いほど効果が大きくなっていることがわかる。これは、ＬｉＢＦ4量が多いほど、電解液中で解離していないＬｉＢＦ4が増加し、ＬｉＦとＢＦ3に分解しやすくなるためであると考えられる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
このようにして組み立てた電池を、８５℃で１０時間加熱した。そして、０.３５ｍＡの電流で２０時間充電した後、１０ｍｍＨｇで１０秒間、脱気し、さらに、注液した開口部を溶着により封止した。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
【表５】
2006019070.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月22日(2007.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
特許文献１及び特許文献２の照明装置では、主照明光源と補助照明光源（常夜灯）との切換え時の両照明光源の光束または照度の連続性がなく、そのため使用者に切換えによる違和感による不快感を与えることを避けることができなかった。
また、従来ＬＥＤを使用する場合には、点灯時に発生する熱を放熱するために、特別な放熱構造を設ける必要があるという課題があった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記のように、相当品による相対比較ではあるが、ケース（１）の直管蛍光灯の照明器具にＬＥＤ４を取り付けに相当する場合とケース（２）のＬＥＤ４の専用の放熱対策を講じないことに相当する場合とで、Ｔjの比較を行うと、４８[deg.]の温度差があり、また、ＬＥＤ４の専用の放熱対策を講じないことに相当する場合には、Ｔjは、１０９．９５[℃]まで上昇することより、ＬＥＤ４には放熱対策が必要であること、また、直管蛍光灯の照明器具は、ＬＥＤ４を取り付けることによりＬＥＤ４の放熱板として有効に機能することがわかる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
次に、図１１、図１２及び図１４〜図１７により、前記基本形２の照明装置の構造を説明する。
図１４は、図１（ｂ）の照明装置の断面図であり、図１５は、同じく、照明装置の照明器具へＬＥＤユニットを取り付けることを説明する説明図であり、図１６は、同じく、照明装置の照明器具へ取付ける導光体タイプのＬＥＤユニットを示す斜視図であり、図１７は、同じく、照明装置の照明器具へ取付ける蛍光灯タイプのＬＥＤユニットを示す斜視図である。
これらの図において、本照明装置の照明器具３は、前記の基本形１と同様２灯用直管蛍光灯を主照明光源とするものであるが、図１４に示すように、安定器６は反射板側と反対側（図１４の上部）に設置する。そこで、直管蛍光灯２は、照明器具３の長手方向に平行に並列配置するが、この両蛍光灯間に、長手方向にスペースが形成されている。本照明装置の補助光源を形成するＬＥＤ光源部１をこのスペースに形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
【図１】本発明の実施の形態１の照明装置を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態１の照明装置のシステム構成を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態１の照明装置の主照明光源と補助照明光源の使用例を示す図である。
【図４】図１の一方の照明装置の断面図である。
【図５】図１の一方の照明装置の斜視図である。
【図６】図１の一方の照明装置の照明器具の端部にＬＥＤ用反射板を取付けることを説明する要部斜視図である。
【図７】図１の一方の照明装置の照明器具のＬＥＤ用反射板の取付けを説明する図である。
【図８】図１の一方の照明装置の照明器具のＬＥＤ用反射板にカバーの取付けを説明する図である。
【図９】図１の一方の照明装置の照明器具のＬＥＤ用反射板に集光レンズ付ＬＥＤの設置を説明する図である。
【図１０】図１の一方の照明装置の照明器具のＬＥＤ用反射板にＬＥＤの設置を説明する図である。
【図１１】図１の一方の照明装置の照明器具のＬＥＤ用反射板に設置する集光レンズ付ＬＥＤを示す斜視図である。
【図１２】図１の一方の照明装置の照明器具のＬＥＤ用反射板に設置するＬＥＤを示す斜視図である。
【図１３】放熱板にＬＥＤを取り付けた場合の放熱板による放熱を説明する放熱等価回路を示す図である。
【図１４】図１のもう一方の照明装置の断面図である。
【図１５】図１のもう一方の照明装置の照明器具へＬＥＤユニットを取り付けることを説明する説明図である。
【図１６】図１のもう一方の照明装置の照明器具に設置する導光体タイプのＬＥＤユニットを示す斜視図である。
【図１７】図１のもう一方の照明装置の照明器具に設置する蛍光灯タイプのＬＥＤユニットを示す斜視図である。
【図１８】本発明の実施の形態１の照明装置の切換え調光率５％とした場合の照明光源の切換えフローを示す図である。
【図１９】本発明の実施の形態１の照明装置の照明光源の調光、切換えのパターンＡを示す図である。
【図２０】本発明の実施の形態１の照明装置の照明光源の調光、切換えのパターンＢを示す図である。
【図２１】本発明の実施の形態１の照明装置の照明光源の調光、切換えのパターンＣを示す図である。
【図２２】本発明の実施の形態１の照明装置の照明光源の調光、切換えのパターンＤを示す図である。
【図２３】本発明の実施の形態１の照明装置の照明光源の調光、切換えのパターンＥを示す図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2006019060.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月28日(2007.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上述した材料の制約により、従来の外装缶材料は、封口板材料よりも熱伝導率が低いものが使用されている。また、機械的強度の観点から、封口板には外装缶の厚みよりも厚い材料が使用されている。このため、通常のレーザー溶接法により、従来の外装缶と封口板とを溶接すると、封口板に照射されたレーザーによる熱は封口板の中心側方向に逃げやすため封口板の溶融が不十分になる。このため、図５（ｂ）に示すように、外装缶が主として溶融し凝固して、外装缶材料側が大きく溶け込んだ肩落ち形状の溶融凝固部が形成される。このため、レーザー溶接の強度を示す指標となる溶け込み深さＬ３が小さくなり、十分な溶接強度が得られない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
〔実験例〕
以下に示すサイズの外装缶（厚み０．２ｍｍ）１と、封口板２とを作製した後、両者をレーザー溶接（電解液を挿入しないで）して、本発明セルＡ１、Ａ２及び比較セルＸ１、Ｘ２を作製した。このセルのサイズ及びセルの溶接条件を下記表１、２に示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
なお、本発明セルに係る封口板２は、平面状の封口板の周縁部をＮＣ加工する（切削する）ことにより、図２に示すように、切り欠き面を形成した。ここでの切り欠き面の幅Ｌ１は０．２ｍｍであり、深さＬ２は０．２ｍｍである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
他方、比較セルでは、図６に示すように、封口板２は周縁部が突出面２ｅを有する構成とした。この突出面の幅Ｌ４は０．２ｍｍであり、高さＬ５は０．２ｍｍである。これは、平板状の封口板をプレス加工することにより作製した。このセルにおいては、被照射体である嵌合面の封口板２の上端と外装缶１の開口部上端との距離にズレがないので、両上端を焦点として、レーザー溶接により開口部と封口板２とを溶接した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
【図１】図１は、本発明電池を示す図であって、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は溶融凝固部の断面拡大図である。
【図２】図２は、本発明電池に用いる封口板を示す図であって、図２（ａ）は正面図、図２（ｂ）は平面図である。
【図３】図３は、本発明電池のレーザー溶接を説明する図であって、図３（ａ）は溶接前の要部拡大図、図３（ｂ）は溶接後の要部拡大図である。
【図４】図４は、本発明電池に用いる封口板の変形例を示す図である。
【図５】図５は、従来の技術に係る電池を示す図であって、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は溶融凝固部の断面拡大図である。
【図６】図６は、従来の技術に係る電池に用いる封口板を示す図であって、図６（ａ）は正面図、図６（ｂ）は平面図である。
【図７】図７は、従来の技術に係る電池のレーザー溶接を説明する図であって、図７（ａ）は溶接前の要部拡大図、図７（ｂ）は溶接後の要部拡大図である。
【図８】図８は、保存試験を行った結果を示すグラフである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月5日(2006.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷の向きが横の場合に、印刷の向きが縦の場合に対して時計回りに９０度回転して用紙に配置して印刷データを生成するプリンタドライバを備える画像処理装置であって、
印刷データに対するとじ代の位置および幅の入力を受け付ける受信手段と、
前記受信手段により受け付けたとじ代の位置および幅から印刷可能領域を算出する領域算出手段と、
とじ代なしにおける印刷可能領域と前記領域算出手段により算出したとじ代ありにおける印刷可能領域から、とじ代ありにおける前記印刷データの縮小率を算出する縮小率算出手段と、
１つの印刷ジョブ中に印刷の向きが縦・横混在したデータの場合に予め指定されたページにおけるとじ位置を印刷ジョブ全体のとじ位置とするとじ位置設定手段と、
発行される描画命令に含まれる座標情報を変更する座標情報変更手段と、
前記座標変換した描画命令に基づいて描画処理を行う描画手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記受信手段が受け付ける前記印刷データは、印刷の向きが縦かつとじ代の位置が左となるページと印刷の向きを横に設定した場合にとじ代の位置を上とするページとを含むことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記受信手段が受け付ける前記印刷データは、印刷の向きが縦かつとじ代の位置が右となるページと印刷の向きを横に設定した場合にとじ代の位置を下とするページとを含むことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記受信手段が受け付ける前記印刷データは、印刷の向きが縦かつとじ代の位置が上となるページと印刷の向きを横に設定した場合にとじ代の位置を左とするページとを含むことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記受信手段が受け付ける前記印刷データは、印刷の向きが縦かつとじ代の位置が下となるページと印刷の向きを横に設定した場合にとじ代の位置を右とするページとを含むことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記とじ位置設定手段は、１ページ目におけるとじ位置を印刷ジョブ全体のとじ位置とすることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
印刷の向きが横の場合に、印刷の向きが縦の場合に対して時計回りに９０度回転して用紙に配置して印刷データを生成する画像処理方法であって、
印刷データに対するとじ代の位置および幅の入力を受け付ける受信工程と、
前記受信工程により受け付けたとじ代の位置および幅から印刷可能領域を算出する領域算出工程と、
とじ代なしにおける印刷可能領域と前記領域算出工程により算出したとじ代ありにおける印刷可能領域から、とじ代ありにおける縮小率を算出する縮小率算出工程と、
１つの印刷ジョブ中に印刷の向きが縦・横混在したデータの場合は予め指定されたページにおけるとじ位置を印刷ジョブ全体のとじ位置とするとじ位置設定工程と、
発行される描画命令に含まれる座標情報を変更する座標情報変更工程と、
前記座標変更された描画命令に基づいて描画処理を行う描画工程と、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
前記受信工程で受け付けられる前記印刷データは、印刷の向きが縦かつとじ代の位置が左となるページと印刷の向きを横に設定した場合にとじ代の位置を上とするページとを含むことを特徴とする請求項７に記載の画像処理方法。
【請求項９】
前記受信工程で受け付けられる前記印刷データは、印刷の向きが縦かつとじ代の位置が右となるページと印刷の向きを横に設定した場合にとじ代の位置を下とするページとを含むことを特徴とする請求項７に記載の画像処理方法。
【請求項１０】
前記受信工程で受け付けられる前記印刷データは、印刷の向きが縦かつとじ代の位置が上となるページと印刷の向きを横に設定した場合にとじ代の位置を左とするページとを含むことを特徴とする請求項７に記載の画像処理方法。
【請求項１１】
前記受信工程で受け付けられる前記印刷データは、印刷の向きが縦かつとじ代の位置が下となるページと印刷の向きを横に設定した場合にとじ代の位置を右とするページとを含むことを特徴とする請求項７に記載の画像処理方法。
【請求項１２】
前記とじ位置設定工程では、１ページ目におけるとじ位置を印刷ジョブ全体のとじ位置と設定されることを特徴とする請求項７乃至１１の何れか１項に記載の画像処理方法。
【請求項１３】
請求項７乃至１２の何れか１項に記載の画像処理方法をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
以上の課題を解決するために、本発明による画像処理装置は、印刷の向きが横の場合に、印刷の向きが縦の場合に対して時計回りに９０度回転して用紙に配置する画像処理装置であって、印刷データに対するとじ代の位置および幅の入力を受け付ける受信手段と、前記受信手段により受け付けたとじ代の位置および幅から印刷可能領域を算出する領域算出手段と、とじ代なしにおける印刷可能領域と前記領域算出手段により算出したとじ代ありにおける印刷可能領域から、とじ代ありにおける前記印刷データの縮小率を算出する縮小率算出手段と、１つの印刷ジョブ中に印刷の向きが縦・横混在したデータの場合に予め指定されたページにおけるとじ位置を印刷ジョブ全体のとじ位置とするとじ位置設定手段と、発行される描画命令に含まれる座標情報を変更する座標情報変更手段と、前記座標変換した描画命令に基づいて描画処理を行う描画手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明による画像処理方法は、印刷の向きが横の場合に、印刷の向きが縦の場合に対して時計回りに９０度回転して用紙に配置する画像処理方法であって、印刷データに対するとじ代の位置および幅の入力を受け付ける受信工程と、前記受信工程により受け付けたとじ代の位置および幅から印刷可能領域を算出する領域算出工程と、とじ代なしにおける印刷可能領域と前記領域算出工程により算出したとじ代ありにおける印刷可能領域から、とじ代ありにおける縮小率を算出する縮小率算出工程と、１つの印刷ジョブ中に印刷の向きが縦・横混在したデータの場合は予め指定されたのページにおけるとじ位置を印刷ジョブ全体のとじ位置とするとじ位置設定工程と、発行される描画命令に含まれる座標情報を変更する座標情報変更工程と、前記座標変更された描画命令に基づいて描画処理を行う描画工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月26日(2007.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像装置に装着して用いられる、着脱可能な処理装置であって、
前記撮像装置で行われる複数の処理に対応した機能を実現する、複数の構成に変更可能な論理回路と、
前記論理回路が実現可能な構成を記憶した記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された構成に基づいて、前記論理回路の構成を変更する制御手段と
を有することを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記複数の処理は、前記撮像装置で得られた画像データを圧縮する処理と、圧縮された画像データをメモリに記憶する処理の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記論理回路は、前記撮像装置で行われる複数の処理を高速化する構成に変更可能であることを特徴とする請求項１または２に記載の処理装置。
【請求項４】
前記撮像装置の種類を判別する手段と、
前記撮像装置で得られた画像データを記憶するメモリとを更に有し、
前記制御手段は、前記判別した撮像装置の種類に応じて、前記論理回路を前記撮像装置で行われる複数の処理に対応した機能の構成にするか、前記論理回路を前記撮像装置で行われる複数の処理に対応した機能の構成にせずに前記メモリに対する前記画像データの書き込み機能の構成にするかを決定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項５】
前記撮像装置の性能を判別する手段を更に有し、
前記制御手段は、前記判別した撮像装置の性能に基づいて、前記論理回路の構成を変更することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項６】
前記撮像装置が使用可能な電力の残量を検知する手段を更に有し、
前記制御手段は、前記論理回路を前記検知した電力の残量に対応した構成にすることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項７】
前記撮像装置のコネクタと接続し、前記撮像装置に対して画像データを入出力するための接続端子を備えたことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項８】
前記撮像装置は、前記コネクタによりメモリカードの接続端子と接続可能であり、撮影した画像データに対して前記複数の処理を施して前記メモリカードに記憶し、前記接続端子は、前記メモリカードの接続端子と物理形状が等しいことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項９】
前記処理装置の外装の少なくとも一部を、放熱板で構成したことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項１０】
前記制御手段は、前記撮像装置における撮影の指示に応じて、決められた順序で前記論理回路の構成を変更することにより、前記撮像装置により得られた画像データを前記決められた順序で処理することを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の処理装置を装着可能な接続手段と、
前記処理装置が装着されたときに、前記処理装置により撮像装置の一部の処理が前記処理装置により実行されることを表示する表示手段と
を有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、撮像装置に装着して用いられる、着脱可能な本発明の処理装置は、前記撮像装置で行われる複数の処理に対応した機能を実現する、複数の構成に変更可能な論理回路と、前記論理回路が実現可能な構成を記憶した記憶手段と、前記記憶手段に記憶された構成に基づいて、前記論理回路の構成を変更する制御手段とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の撮像装置は、上記処理装置を装着可能な接続手段と、前記処理装置が装着されたときに、前記処理装置により撮像装置の一部の処理が前記処理装置により実行されることを表示する表示手段とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月26日(2007.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像信号を入力する映像信号入力手段と、
上記映像信号に基づいて所定の表示手段に画像を表示させる画像出力手段と、
上記映像信号入力手段が入力した映像信号を記憶する記憶手段と、
上記映像信号入力手段が入力した映像信号又は上記記憶手段に記憶された映像信号の少なくとも一方を上記画像出力手段に出力する切替手段と、
外部からの静止画像記録指示信号に応じて、上記記憶手段の記憶動作を制御するための制御信号を上記記憶手段に出力する制御手段とを備え、
上記記憶手段は、上記制御手段が出力した制御信号を受信した場合には、該制御信号を受信した際の映像信号を記憶する
ことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
上記切替手段が、上記映像入力手段が入力した映像信号と上記記憶手段に記憶された映像信号とを同時に上記画像出力手段に出力した場合には、上記画像出力手段は、上記切替手段が該画像出力手段に出力した双方の映像信号を同時に上記表示手段に表示させることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項３】
上記画像出力手段は、フレームの異なる上記切替手段が出力した双方の映像信号を重ねた画像を生成する周波数変換部を有し、
上記画像出力手段は、上記周波数変換部が生成した画像を上記表示手段に表示させることを特徴とする請求項２記載の画像表示装置。
【請求項４】
上記制御手段は、上記記憶手段に記憶された映像信号を所定の形式に変換して記録媒体に記録させるように制御する記録制御部を有する
ことを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項５】
上記外部からの静止画像記録指示信号は、上記表示手段に表示された画像であって上記記憶手段に記憶された映像信号を上記記憶媒体に記録するための指示信号を含み、
上記制御手段が上記指示信号を受信した場合には、上記記録制御部は、上記記憶手段に記憶された映像信号を上記記録媒体に記録するように制御することを特徴とする請求項４記載の画像表示装置。
【請求項６】
上記記録制御部が上記記憶手段に記憶された映像信号を上記記録媒体に記録させる制御を終了した場合には、上記切替手段は、上記画像出力手段に出力する映像信号の入力元を上記記憶手段から上記映像信号入力手段に切替え、上記画像出力手段は、上記映像信号入力手段から入力された映像信号を上記表示手段に出力することを特徴とする請求項５記載の画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述した目的を達成するために、本発明にかかる画像表示装置は、映像信号を入力する映像信号入力手段と、映像信号入力手段が入力した映像信号に基づいて所定の表示手段に画像を表示させる画像出力手段と、映像信号入力手段が入力した映像信号を記憶する記憶手段と、映像信号入力手段が入力した映像信号又は記憶手段に記憶された映像信号の少なくとも一方を画像出力手段に出力する切替手段と、外部からの静止画像記録指示信号に応じて、記憶手段の記憶動作を制御するための制御信号を記憶手段に出力する制御手段とを備え、記憶手段は、制御手段が出力した制御信号を受信した場合には、制御信号を受信した際の映像信号を記憶することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の画像表示装置は、表示手段に表示された映像に対する記録指示を受けたとき、入力した映像信号を記憶手段に記憶し、記憶手段に記憶した映像信号を周波数変換手段に出力させる。周波数変換手段に出力された映像信号は、表示手段に表示されるため、ユーザは記録制御手段が記録する画像を実際に目で確認することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
上述した画像表示装置１は、静止画の記録が指示されると、再生中の画像の表示を停止して静止画をディスプレイに表示させた。次に、以下に示す画像表示装置１００では、再生中の画像と記録される静止画とを同時に表示させることにより、静止画の記録処理をしている間に、ユーザが再生中の画像を見ることを可能とし、テレビジョンなどでは大切な場面を見逃してしまうことを防止する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2006019959.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2006019959.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月10日(2007.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂を用いて樹脂パターンを形成する工程と、
上記樹脂に導電性パターンの構成材料を含ませる工程と、
上記導電性パターンの構成材料を含んだ樹脂パターンを焼成して金属酸化物の導電性膜を形成する工程と、
上記導電性膜の一部の領域をガス遮断層で覆い、真空或いは還元雰囲気下で、上記導電性膜を加熱して、上記ガス遮断層で覆った上記一部の領域以外の領域を還元する工程と、
を有することを特徴とする導電性パターンの形成方法。
【請求項２】
前記樹脂が、水溶性である請求項１に記載の導電性パターンの形成方法。
【請求項３】
上記樹脂に導電性パターンの構成材料を含ませる工程は、該導電性パターンの構成材料を含む液体を与える工程を含み、
前記液体は、水溶性の金属有機化合物を水系溶媒成分に溶解させた水系溶液である請求項１または２に記載の導電性パターンの形成方法。
【請求項４】
前記金属有機化合物が、ルテニウム、パラジウム、ニッケル、銅の少なくとも１種の錯体化合物である請求項３に記載の導電性パターンの形成方法。
【請求項５】
前記液体に、ロジウム、ビスマス、バナジウム、クロム、錫、鉛、ケイ素、及びこれらの化合物から選択される少なくとも１種が添加されている請求項３又は４に記載の導電性パターンの形成方法。
【請求項６】
電極を備えた電子放出素子の製造方法であって、該電極を請求項１乃至５のいずれかに記載の導電性パターンの形成方法により形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項７】
電極を有する複数の電子放出素子と、該電子放出素子を駆動するための配線とを備えた電子源の製造方法であって、上記電極或いは配線の少なくとも一方を請求項１乃至５のいずれかに記載の導電性パターンの形成方法により形成することを特徴とする電子源の製造方法。
【請求項８】
電極を有する複数の電子放出素子と、該電子放出素子を駆動するための配線とを備えた電子源、及び、上記電子放出素子から放出された電子の照射によって発光する画像形成部材を有する画像表示装置の製造方法であって、上記電子源を請求項７に記載の電子源の製造方法により製造することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第１は、樹脂を用いて樹脂パターンを形成する工程と、
上記樹脂に導電性パターンの構成材料を含ませる工程と、
上記導電性パターンの構成材料を含んだ樹脂パターンを焼成して金属酸化物の導電性膜を形成する工程と、
上記導電性膜の一部の領域をガス遮断層で覆い、真空或いは還元雰囲気下で、上記導電性膜を加熱して、上記ガス遮断層で覆った上記一部の領域以外の領域を還元する工程と、
を有することを特徴とする導電性パターンの形成方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月15日(2006.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
無加湿ポリマー電解質膜の例は、特許文献１に紹介されている。この文献では、無加湿ポリマー電解質として、ポリベンゾイミダゾール、硫酸または燐酸がドーピングされたポリベンゾイミダゾールのような数種の材料を開示している。
【特許文献１】特表平１１−５０３２６２号公報
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月4日(2007.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子を放出する陰極と、該陰極から放出される電子を照射することによりＸ線を放出する陽極とを真空容器に収納してなるX線管において、前記真空容器内の第一の導体と第二の導体との間を接続するガラス絶縁体の真空側の表面に、凹凸が形成されてなることを特徴とするＸ線管。
【請求項２】
請求項１に記載のＸ線管において、
前記凹凸の形成部は、算術平均粗さ１．０μm以上１０μm以下の凹凸であることを特徴とするＸ線管。
【請求項３】
請求項１に記載のＸ線管において、
前記凹凸の形成部の幅が２ｍｍ以上で前記ガラス絶縁体の全範囲以下であることを特徴とするＸ線管。
【請求項４】
請求項１に記載のＸ線管において、
前記第一の導体は前記陰極と同電位の導体であり、
前記凹凸の形成部の位置が前記第一の導体の近傍であることを特徴とするＸ線管。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明のＸ線管は、真空容器内の第１の導体と第２の導体との間を接続するガラス絶縁体の真空側の表面に、凹凸が形成されてなることを特徴とする
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、ガラス管球などのガラス絶縁体内面の絶縁性能を向上できることを実験的に確認している。特に、絶縁性能向上の効果は安定しており、従来技術のような不安定な絶縁性能を解消することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、凹凸は、算術平均粗さ１．０μm以上１０μm以下の凹凸であることが好ましい。ここで、凹凸の算術平均粗さは、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｂ０６０１−１９９４に規定されている。凹凸の算術平均粗さの上限を１０μmとしたのは、ガラス絶縁体の機械的強度が低下するのを抑制するためである。また、下限は１．０μmであれば、凹凸による絶縁耐電圧の向上を達成することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、凹凸を形成する幅は、２ｍｍ以上でガラス絶縁体の全範囲以下とする。ただし、凹凸を形成する範囲が２ｍｍ以上であっても、耐電圧性の向上効果は余り変わらないから（図４参照）、機械的な強度を考慮して凹凸を形成する範囲を決めることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
特に、陰極または陰極と同電位の第一の導体の端からガラス絶縁体の真空側表面に本発明の凹凸を形成することが望ましい。これにより、陰極からガラス絶縁体の表面に放出される電子の初動を抑制して、効果的に絶縁性能を向上できる。しかし、本発明は、これに限らず、陰極と同電位の導体にガラス絶縁体を介して対向する接地電位の第二の導体の端から一定範囲にわたって、上記の凹凸を形成することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
ここで、本発明の特徴部に係る他の実施の形態のＸ線管の陰極ステム部の構成を、図１を参照して説明する。陰極ステム部６は、主電極１２とヒータ電極１３が挿通された円板状のセラミック製のステム６ａと、このステム６ａの外周に固着された金属導体６ｂを介して固着された筒状のガラス製のステム６ｃとで形成されている。ステム６ｃは、例えば、ほう珪酸ガラスで形成されている。ステム６ｃの他端は、金属導体６ｄを介してガラス管球１の中央の大径部１ａに連結されている。ステム６ｃの内側に、ステム６ａから起立させて円筒状の陰極ホルダ１６が設けられ、陰極ホルダ１６の先端に陰極の集束体３が取り付けられている。集束体３は、主電極１２に接続されるとともに、ヒータ電極１３から供給される電流によって加熱されるようになっている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2006019223.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月6日(2006.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
半導体基材の一面に機能素子、第１の配線及びパッドを設けてなる第１の基板に対して、第２の基板を機能素子が内側になるようにして封止材を用いて接合する工程と、前記半導体基材の他方の面に所定のパターンを有するマスクを形成する工程と、前記半導体基材を前記マスクを介してエッチングして前記パッドに対応する位置に該パッドに達する孔を形成するとともに、前記機能素子、第１の配線及びパッドを取り囲むように前記封止材に達する溝を形成する工程と、該溝の底部にある封止材をエッチング除去して第２の基板を露出させる工程と、前記孔及び溝の内面に絶縁膜を形成する工程と、該孔の底部に形成された絶縁膜をエッチング除去する工程と、該孔内に第１の導電体を充填して貫通電極を形成する工程と、前記第２の基板まで達する溝の内壁に沿って切断する工程とを含むことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の半導体パッケージの製造方法の一つは、半導体基材の一面に機能素子、第１の配線及びパッドを設けてなる第１の基板に対して、第２の基板を機能素子が内側になるようにして封止材を用いて接合する工程と、前記半導体基材の他方の面に所定のパターンを有するマスクを形成する工程と、前記半導体基材を前記マスクを介してエッチングして前記パッドに対応する位置に該パッドに達する孔を形成するとともに、前記機能素子、第１の配線及びパッドを取り囲むように前記封止材に達する溝を形成する工程と、該溝の底部にある封止材をエッチング除去して第２の基板を露出させる工程と、前記孔及び溝の内面に絶縁膜を形成する工程と、該孔の底部に形成された絶縁膜をエッチング除去する工程と、該孔内に第１の導電体を充填して貫通電極を形成する工程と、前記第２の基板まで達する溝の内壁に沿って切断する工程とを含む製造方法とした。
このような製造方法とすれば、貫通電極形成工程を利用して絶縁物層も形成できるので工程数の増加は少なく、その上優れた気密性、耐湿性、あるいは耐薬品性を有する半導体パッケージを得ることができる。