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【手続補正書】
【提出日】平成20年1月24日(2008.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸線（Ａ）と、底部又は軸線方向下面によって形成される支承面（６２）とを有する容器（３４）の傾斜度を検査する装置であって、
前記容器（３４）を定位置に保持し、前記容器を軸線（Ａ）を中心に回転させるための手段（２４，２６，２８）と、
前記容器に光を差し向けるための光源（５０）と、
前記容器からの光を受け取る光センサ（５４）と、
前記容器の傾斜度を測定するための情報プロセッサ（５６）とを有し、
前記光源（５０）が、前記手段（２４，２６，２８）の前記容器の支承面（６２）に光線を差し向けることができるように、前記容器（３４）の下方に位置決めされ、
前記光センサ（５４）が、前記容器の支承面（６２）から反射された、前記光源（５０）からの光線の一部を受け取るように、前記容器（３４）の下方に位置決めされ、
前記情報プロセッサ（５６）が、反射された前記光線と前記容器の回転との組合せ関数として、前記軸線（Ａ）に対して垂直な平面からの前記容器の支承面のずれを求めることができるように、前記光センサ（５４）に結合された、
装置。
【請求項２】
前記容器（３４）は、前記容器支承面（６２）の周囲周りに設けられた刻み（１３４，１３６）を有し、前記情報プロセッサ（５６）は、前記刻みの深さを求めるように前記反射光線に応答する、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記情報プロセッサ（５６）は、前記光センサを第１の容器回転増分で走査するプリプロセッサ（９６）と、前記プリプロセッサからの走査データを前記第１の増分よりも大きな第２の容器回転増分で受け取るメインプロセッサ（９８）とを含む、請求項１又は２記載の装置。
【請求項４】
前記容器（３４）を定位置に保持し、前記容器をその軸線を中心に回転させる前記手段（２４，２６，２８）は、
前記容器の外部に係合する、間隔を置いて設けられたバックアップローラ（２６，２８）と、
前記容器の幾何学的形状と、前記バックアップローラ（２６，２８）間の間隔とに応じて前記軸線（Ａ）を平均回転軸線（Ａ）として定めるように、前記容器を前記バックアップローラに当接保持しながら前記容器に係合して前記容器を回転させる駆動ローラ（２４）とを有する、
請求項１、２又は３記載の装置。
【請求項５】
前記軸線の直径方向反対側に１対ずつ位置決めされた、２つの前記光源（５０）、２つの前記光センサ（５４）を有し、前記情報プロセッサは、前記光センサの出力の圧縮に応答して、検査すべき前記容器（３４）の傾斜度を指示する、請求項１、２、３又は４記載の装置。
【請求項６】
複数個の刻みを有する支承面（６２）を検査する請求項１〜５のうちいずれか一に記載の装置であって、前記光源（５０）及び前記センサ（５４）は、前記刻みにより前記光センサ（５４）が刻みの山（１３４）及び刻みの谷（１３６）からの非連続反射光を受け取るように構成されている、装置。
【請求項７】
前記センサ（５４）が出力信号を有し、該出力信号が、少なくとも、前記刻み山（１３４）からの反射光を表す第１の出力と、前記刻み谷（１３６）からの反射光を表す第２の出力とを含む、請求項６記載の装置。
【請求項８】
回転軸線（Ａ）と、底部又は軸線方向下面によって形成される容器支承面（６２）とを有する容器（３４）の傾斜度を検査する方法であって、
（ａ）下方から全体的に前記支承面（６２）に向いた光源（５０）を用意し、
（ｂ）下方から全体的に前記支承面（６２）に向いた光センサ（５４）を用意し、
（ｃ）前記容器（３４）を前記軸線（Ａ）を中心に回転させ、
（ｄ）前記光源により前記支承面（６２）の或る位置で反射する光を放出させ、
（ｅ）前記光センサ（５４）により、前記反射された光が前記光センサ（５４）に当たる箇所を記録させ、
（ｆ）前記位置データから、前記軸線（Ａ）に対して垂直な平面からの前記支承面（６２）のずれを分析することを含む、
方法。
【請求項９】
検査される前記面（６２）は刻み付き表面である、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記工程（ｅ）は、前記記録された位置データからのデータを圧縮することを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
前記工程（ｆ）は、前記容器（３４）の前記支承面をモデル化するようシヌソイド表現式を利用することを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１２】
最小二乗当て嵌め法を用いて前記シヌソイド表現式の１つ又は２つ以上の変数について解を求める、請求項８記載の方法。
【請求項１３】
前記情報プロセッサ（５６）は、前記第１の出力を利用して容器の傾斜度を求めるようになっている、請求項８記載の方法。
【請求項１４】
前記情報プロセッサ（５６）は、前記第１の出力と前記第２の出力の両方を利用して刻みの深さを求めるようになっている、請求項８又は１３記載の方法。
【請求項１５】
前記情報プロセッサ（５６）は、前記支承面上の２つの互いに間隔を置いた位置間の高さの差を表すシヌソイド表現式を発生させるようになっている、請求項８〜１４のいずれか一に記載の方法。
【請求項１６】
前記情報プロセッサ（５６）は、最小二乗当て嵌め法を使用して前記シヌソイド表現式の１つ又は２つ以上の変数について値を導き出す、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記導き出された値を用いて容器傾斜度を求める、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記情報プロセッサ（５６）は、前記シヌソイド表現式に関する制限サイクルを求める反復探索法を使用する、請求項１６又は１７記載の方法。
【請求項１９】
前記反復探索法は黄金分割探索である、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記情報プロセッサ（５６）は、最小二乗当て嵌め法の効率を向上させるように最小／最大データ点を含む分割法を使用する、請求項１６記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月11日(2008.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バインダー、並びに、反応するように組み合わされた、イミノ基を含有する化合物を含む非感光性の被還元性銀イオン源、及び前記非感光性の被還元性銀イオン源のための還元剤を含んで成る熱現像可能な組成物であって、
該還元剤が、下記構造(I)：
【化１】
2007519978.tif 000001
（上記式中、R1及びR2は独立して水素、又は炭素原子数11以下のアシル基であるが、ただし、R1及びR2のうちの少なくとも一方はアシル基であるものとする）
によって表される化合物、又はそれらの混合物である熱現像可能な組成物。
【請求項２】
R1及びR2が、同じ又は異なるアシル基である、請求項1に記載の組成物。
【請求項３】
該還元剤が、構造Iで定義され、そして記載されたR1及びR2基を有する下記リスト：
【表１】
2007519978.tif 000002
に特定される1種又は2種以上の化合物を含む、請求項1又は2に記載の組成物。
【請求項４】
さらに感光性ハロゲン化銀を含む、請求項1〜3に記載の組成物。
【請求項５】
大部分が平板状粒子として提供される、予め形成された感光性ハロゲン化銀をさらに含み、そして該バインダーが、親水性バインダー又は水分散性高分子ラテックスである、請求項1〜4に記載の組成物。
【請求項６】
支持体、並びに該支持体の少なくとも一方の側に、バインダー、及び反応するように組み合わされた、イミノ基を含有する化合物の銀塩を含む非感光性の被還元性銀イオン源、及び前記非感光性の被還元性銀イオン源のための還元剤を含んで成る熱現像可能な画像形成層を1つ又は2つ以上有する熱現像可能な画像形成材料であって、
該還元剤が、下記構造(I)：
【化２】
2007519978.tif 000003
（上記式中、R1及びR2は独立して水素、又は炭素原子数11以下のアシル基であるが、ただし、R1及びR2のうちの少なくとも一方はアシル基であるものとする）
によって表される化合物、又はそれらの混合物である熱現像可能な画像形成材料。
【請求項７】
支持体、並びに該支持体の少なくとも一方の側に、バインダー、及び反応するように組み合わされた、感光性ハロゲン化銀、イミノ基を含有する化合物の銀塩を含む非感光性の被還元性銀イオン源、前記非感光性の被還元性銀イオン源のための還元剤を含む1つ又は2つ以上の熱現像可能な画像形成層、並びに随意選択的に、該1つ又は2つ以上の熱現像可能な画像形成層上に配置された最も外側の保護層を含んで成る黒白フォトサーモグラフィ材料であって、
該還元剤が、下記構造(I)：
【化３】
2007519978.tif 000004
（上記式中、R1及びR2は独立して水素、又は炭素原子数11以下のアシル基であるが、ただし、R1及びR2のうちの少なくとも一方はアシル基であるものとする）
によって表される化合物、又はそれらの混合物である黒白フォトサーモグラフィ材料。
【請求項８】
該非感光性の被還元性銀イオン源が、ベンゾトリアゾールの銀塩又はその置換型誘導体、又はこのような銀塩の混合物を含み、該材料が、水性材料であって、該1つ又は2つ以上の熱現像可能な画像形成層内に、主に1種又は2種以上の親水性バインダー又は1種又は2種以上の水分散性高分子ラテックス・バインダーを含み、そして該感光性ハロゲン化銀が、大部分が平板状粒子として提供される、1種又は2種以上の予め形成された感光性ハロゲン化銀を含む、請求項7に記載の材料。
【請求項９】
該還元剤が、総銀量1モル当たり0.3〜1.0モルの量で存在し、該アシル基が、環状基又は分枝状アルキル基を含む、請求項7又は8に記載の材料。
【請求項１０】
a)  親水性ポリマー・バインダー又は水分散性ポリマー・ラテックス・バインダー、及び反応するように組み合わされた、感光性ハロゲン化銀、イミノ基を含有する化合物の銀塩を含む非感光性の被還元性銀イオン源、該非感光性の被還元性銀イオン源のための還元剤を含む1つ又は2つ以上の表側の熱現像可能な画像形成層を
を表側に有して成る支持体を含む黒白フォトサーモグラフィ材料であって、
そして、
該材料が、該支持体の裏側に、親水性ポリマー・バインダー又は水分散性ポリマー・ラテックス・バインダー、及び反応するように組み合わされた、感光性ハロゲン化銀、イミノ基を含有する化合物の銀塩を含む非感光性の被還元性銀イオン源、及び該非感光性の被還元性銀イオン源のための還元剤を含む1つ又は2つ以上の裏側の熱現像可能な画像形成層を含み、そして、
b)  該支持体のいずれか又は両方の側で、該1つ又は2つ以上の熱現像可能な画像形成層上に配置された最も外側の随意選択的な保護層を有し、そして、
ここで、該支持体の両側の該1つ又は2つ以上の熱現像可能な画像形成層、又は存在する場合は該1つ又は2つ以上の保護層は、同じ又は異なる組成を有しており、そして、
該支持体の両側の該還元剤は同じ又は異なるものであって、各還元剤が、下記構造(I)：
【化４】
2007519978.tif 000005
（上記式中、R1及びR2は独立して水素、又は炭素原子数11以下のアシル基であり、ただし、R1及びR2のうちの少なくとも一方はアシル基であるものとする）
によって表される化合物、又はそれらの混合物である、
黒白フォトサーモグラフィ材料。
【請求項１１】
(A)  請求項7〜10のいずれか一項に記載のフォトサーモグラフィ材料に像様露光を施すことにより、潜像を形成し、
(B)  同時に又は続いて、該露光されたフォトサーモグラフィ材料を加熱することにより、該潜像を現像して可視像にする
ことを含む可視像形成方法。
【請求項１２】
該像様露光が、可視光又はX線を使用して行われる、請求項11に記載の方法。
【請求項１３】
該熱現像可能な材料が、画像形成中に1種又は2種以上の燐光増感スクリーンと組み合わされて配置される、請求項11に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月18日(2007.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルの製造の間、限界寸法バイアスを減少させる方法であって、
（ａ）ベース基板層と、前記ベース基板層の上にある放射線阻止層と、前記放射線阻止層の上にある少なくとも１つのハードマスク層と、該ハードマスキング層の上にある化学的に増幅したフォトレジスト層とを備えているレクチル開始基板を準備するステップと、
（ｂ）前記化学的に増幅したフォトレジスト層に潜像を直接書込むステップと、
（ｃ）前記潜像を含む前記フォトレジストをパターン形成フォトレジストに現像するステップと、
（ｄ）プラズマエッチング技術を用いて前記フォトレジストから前記少なくとも１つのハードマスク層に転写するステップと、
（ｅ）プラズマエッチング技術を用いて前記パターンを前記少なくとも１つのハードマスク層から前記放射線阻止層に転写し、それにより、現像された前記フォトレジストからパターン形成した後の前記放射線阻止層の限界寸法の増加が約７％以下であるステップと、
を含む前記方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つのハードマスク層が、前記放射線阻止層の表面から光学放射線の反射をかなり減少させることができる反射防止特性を示す、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つのハードマスク層が２層を示し、前記放射線阻止層と接触している第一ハードマスク層が前記放射線阻止層の表面から光学放射線の反射をかなり減少させることができる反射防止特性を有し、前記第一層の上にある第二ハードマスク層がこのような反射防止特性を持たない、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記ベース基板層が、石英、ホウケイ酸塩ガラス、ソーダライムガラス、及びそれらの組合せからなる群より選ばれる、請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】
前記化学的に増幅したフォトレジストが、メタクリレート含有ポリマー、ノボラック、ヒドロキシフェニルポリマー、芳香族アクリルポリマー、イソボルニル含有ポリマー、及びそれらの組合せからなる群より選ばれた樹脂を含んでいる、請求項２又は３に記載の方法。
【請求項６】
前記パターンが、約１９８〜約２５７ｎｍの範囲にある波長で作動させる連続波レーザを用いて前記フォトレジスト上に直接書込まれる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つのハードマスクが反射防止特性を示し、酸窒化クロム、酸窒化シリコン、シリコンを多く含む酸化物、シリコンを多く含む窒化物、シリコンを多く含む酸窒化物、窒化チタン、ケイ化モリブデン、及びＳｉＣ；ＳｉＣ：Ｈ；ＳｉＣ：Ｏ、Ｈ；ＳｉＣ：Ｎ、Ｈ；ＳｉＣ：Ｏ、Ｎ、Ｈを含む炭化シリコンからなる群より選ばれる、請求項１記載の方法。
【請求項８】
反射防止特性を有する前記ハードマスクが、酸窒化クロム、酸窒化シリコン、シリコンを多く含む酸化物、シリコンを多く含む窒化物、シリコンを多く含む酸窒化物、窒化チタン、ケイ化モリブデン、及びＳｉＣ；ＳｉＣ：Ｈ；ＳｉＣ：Ｏ、Ｈ；ＳｉＣ：Ｎ、Ｈ；ＳｉＣ：Ｏ、Ｎ、Ｈを含む炭化シリコンからなる群より選ばれる、請求項２又は請求項３記載の方法。
【請求項９】
反射防止特性を有する前記ハードマスクが、プラズマ増強型化学気相堆積を用いて堆積される、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
反射防止特性を有する前記ハードマスクが、プラズマ増強型化学気相堆積を用いて堆積される、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
反射防止特性を持たない前記第二ハードマスクが、ダイヤモンド状炭素、酸化シリコン、シリコン、炭素、タングステン、及びＳｉ３Ｎ４からなる群より選ばれる、請求項３記載の方法。
【請求項１２】
レチクルを用いる半導体構造の製造の間、限界寸法バイアスを減少させる方法であって、
（ａ）反射防止特性を有する少なくとも１つのハードマスク層を備えたレチクルを準備し、前記反射防止特性を有するハードマスク層が、ベース基板層の上にある放射線阻止層の上にあるステップと、
（ｂ）前記半導体構造の表面上の画像化層を前記レチクルを通過した放射線にさらすステップと、
を含む前記方法。
【請求項１３】
反射防止特性を示す前記少なくとも１つのハードマスク層が、前記半導体基板の表面から光学放射線の反射をかなり減少させることができる、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つのハードマスク層が２層からなり、前記放射線阻止層と接触している第一ハードマスク層が前記放射線阻止層の表面から光学放射線の反射をかなり減少させることができる反射防止特性を有し、前記第一層の上にある第二ハードマスク層がこのような反射防止特性を持たない、請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１つのハードマスクが反射防止特性を示し、酸窒化クロム、酸窒化シリコン、シリコンを多く含む酸化物、シリコンを多く含む窒化物、シリコンを多く含む酸窒化物、窒化チタン、ケイ化モリブデン、及びＳｉＣ；ＳｉＣ：Ｈ；ＳｉＣ：Ｏ、Ｈ；ＳｉＣ：Ｎ、Ｈ；ＳｉＣ：Ｏ、Ｎ、Ｈを含む炭化シリコンからなる群より選ばれる、請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
反射防止特性を有する前記ハードマスクが、酸窒化クロム、酸窒化シリコン、シリコンを多く含む酸化物、シリコンを多く含む窒化物、シリコンを多く含む酸窒化物、窒化チタン、ケイ化モリブデン、及びＳｉＣ；ＳｉＣ：Ｈ；ＳｉＣ：Ｏ、Ｈ；ＳｉＣ：Ｎ、Ｈ；ＳｉＣ：Ｏ、Ｎ、Ｈを含む炭化シリコンからなる群より選ばれる、請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
反射防止特性を有する前記ハードマスクが、プラズマ増強型化学気相堆積を用いて堆積される、請求項１５又は１６に記載の方法。
【請求項１８】
反射防止特性を示さない前記少なくとも１つのハードマスクが、ダイヤモンド状炭素、酸化シリコン、シリコン、炭素、タングステン、及びＳｉ３Ｎ４からなる群より選ばれる、請求項１４記載の方法。
【請求項１９】
反射防止特性を示さない前記ハードマスクが、プラズマ増強型化学気相堆積を用いて堆積される、請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月4日(2007.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属色相を有し、金属顔料を含んで成るトナーであって、前記金属顔料が、
ａ）脂肪酸、少なくとも１種の酸のアミド、少なくとも１種の酸の塩、オレフィン系材料、天然ワックス、合成ワックス、ポリマー、およびそれらの組み合わせから選ばれる有機層；および
ｂ）任意選択的に、シリケート、チタネートまたはアルミネートのコーティング；
を含み、前記トナーが、任意選択的に、疎水性のヒュームド金属酸化物でコーティングされたものであるトナー。
【請求項２】
トナー用の金属顔料であって、
ａ）脂肪酸、少なくとも１種の酸のアミド、少なくとも１種の酸の塩、オレフィン系材料、天然ワックス、合成ワックス、ポリマー、およびそれらの組み合わせから選ばれる有機層；および
ｂ）任意選択的に、前記金属顔料の２質量％〜１０質量％のシリケート、チタネートまたはアルミネートのコーティング；
を含む、金属顔料。
【請求項３】
ａ）金属顔料に、
ｉ）脂肪酸、少なくとも１種の酸のアミド、少なくとも１種の酸の塩、オレフィン系材料、天然ワックス、合成ワックス、ポリマー、およびそれらの組み合わせから選ばれる有機層；および
ii）任意選択的に、シリケート、チタネートまたはアルミネートのコーティング；
を付与することにより、被覆された金属顔料を得、
ｂ）前記被覆された金属顔料をトナー材料と組み合わせ、
ｃ）任意選択的に、得られたトナー材料に疎水性ヒュームド金属酸化物を表面コーティングすること、
を含む、金属色相を有するトナーの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この目的は、幾つかの方法により本発明によって達成できる。１つの方法は、まず、金属顔料にシリケート、チタネートまたはアルミネートのコーティングを付与し、次に有機層を付与し、そうして得られた粒子をトナー材料と組み合わせることを伴う。トナー材料としては、例えば、ポリマー、電荷調節剤、任意の着色剤、および疎水性表面被覆が施されたシリカ、チタニアまたはアルミナのようなヒュームド金属酸化物が挙げられる。別の方法は、金属顔料上に有機層のコーティングを付与し、そして、得られた粒子と、ポリマー樹脂、任意の電荷調節剤およびシリカ、チタニアまたはアルミナなどのコーティングにより疎水性にされた任意のヒュームド金属酸化物粒子からなるトナー材料とを組み合わせることを伴う。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
最後に、本発明のトナーに、シリカ、アルミナまたはチタニアのような疎水性ヒュームド金属酸化物からなる表面にさらなる成分を約０．１％〜約３％の濃度でコートしてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
好ましくは、金属顔料に、いわゆるゾル−ゲル法によりシリケートをコートすることができる。これは、特に薄いコーティングをもたらすことができる。この目的のために滑剤としてステアリン酸を使用することおよび／または顔料をエタノールと水とシリカ、チタニアもしくはアルミナ前駆体との混合物に分散させることが考えられる。シリカ前駆体はテトラエトキシシランであることができる。シランの量は、当然のことながら顔料の粒径に依存する。さらに触媒を使用することが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらなる態様において、上記混合物を加熱してシリカ、チタニアまたはアルミナ前駆体を加水分解させ反応させてシリケート、チタネートまたはアルミネートを形成する反応を加速させる。シリケート、チタネートまたはアルミネートは、薄い皮膜として顔料上に付着する。次に、望ましくない副生成物、例えば触媒、金属化合物またはステアリン酸を濾過により除去するために、濾過を行なってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月9日(2008.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ライトバルブを照明する装置であって、第一の複数の放射ビームを放出できる第一のレーザアレイと、以下のものを備えるライトパイプと、２つの反射面と、前記２つの反射面は相互に間隔を空けて対向しており、前記第一の複数の放射ビームを受けるよう動作できる入力端と、前記第一の複数の放射ビームの少なくとも第一の部分と第二の部分は前記入力端で重ならず、前記第一の複数の放射ビームの前記少なくとも第一の部分と第二の部分は前記第一の複数の放射ビームの全体より小さく、出射光を放出するよう動作できる出力端、前記出力端の下流に設置され、前記出力端を前記ライトバルブに結像することにより、前記ライトバルブを照明するよう動作できる少なくともひとつの光学素子と、を備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
ライトバルブを照明する方法であって、第一のレーザアレイからの第一の複数の放射ビームを、入力端と出力端と、入力端と出力端の間に相互に間隔を空けて設置された対向する一対の表面を備えるライトパイプの中に放出するステップと、前記第一の複数の放射ビームで前記入力端を照明するステップと、前記入力端を照明するステップは、前記入力端で前記第一の複数の放射ビームの少なくとも第一の部分と第二の部分を重ねないステップであり、前記第一の複数の放射ビームの前記少なくとも第一の部分と第二の部分は前記第一の複数の放射ビームの全体より小さく、前記出力端で出射光を生成するステップと、前記出力端を前記ライトバルブに結像することにより、前記ライトバルブを照明するステップと、を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
照明系であって、少なくとも２つのレーザと、前記少なくとも２つのレーザの各々は、対応する放射ビームを放出することができ、入力端と出力端を有するライトパイプと、前記ライトパイプは、前記出力端において、前記対応する放射ビームの各々から複合照明光線を生成するよう動作でき、前記ライトパイプの下流に設置された位置センサと、前記位置センサは、前記複合照明光線を受け、前記対応する放射ビームの各々の位置を検出し、位置フィードバック信号を発生するよう動作でき、前記位置フィードバック信号に応答して、前記対応する放射ビームの少なくともひとつの指向方向を変更するための少なくともひとつのアクチュエータと、を備えることを特徴とする照明系。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
１５０μｍのエミッタを１９個またはそれ以上有し、総光出力が８３０μｍの波長で約５０Ｗのレーザダイオードアレイが現在、市販されている。より高い出力を目指した努力が常に続けられている一方で、材料と製造技術は依然として、ある構成で実現できる出力の限定要因となっている。総光出力が１００Ｗ程度の照明光線を提供するためには、光学系の設計者には、複数のレーザダイオードアレイからの放射光を複合すること以外の選択肢が残されていない。そこで、二重複合レーザアレイが、オレンらによる特許文献３とシンプソンによる特許文献４において開示されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
レーザダイオードアレイ以外のレーザアレイもまた、光源として使用できる。たとえば、レーザダイオードに連結され、ファイバチップが相互に間隔を空けた関係で保持された複数のファイバでアレイを構成し、これによってレーザビームのアレイを形成してもよい。このようなファイバの出力も同様にライトパイプに連結され、スクランブルされて均質の照明光線が生成される。別の例において、ファイバは出力が固定された関係で整列される複数のファイバレーザであってもよい。本発明の好ましい実施形態は、赤外線レーザを採用する。１５０μｍのエミッタを使用し、８３０μｍの波長での総光出力が約５０Ｗの赤外線ダイオードレーザアレイは、本発明においても問題なく使用されている。当業者にとって、可視光レーザをはじめとするその他のレーザも本発明に使用できることは明確であろう。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月25日(2007.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
近見部分及び遠見部分を有するコンタクトレンズであって、眼の上で、装用者の注視を前記近見部分に通して整合させることに対応する第一の位置と、装用者の注視を前記遠見部分に通して整合させることに対応する第二の位置との間で移動することができ、前記位置それぞれにおいて眼の上で位置的に安定し、前記第一の位置と前記第二の位置との間で移動させるために力を加えることを要するコンタクトレンズ。
【請求項２】
背面及び前面を有し、前記背面が、レンズ背面の主要部分を占める一つ又は二つの主背面カーブゾーンを有する、請求項１記載のコンタクトレンズ。
【請求項３】
前記主要部分が、合わせて背面の少なくとも５０％を構成する、請求項２記載のコンタクトレンズ。
【請求項４】
レンズの周辺縁が前記主背面カーブゾーンの一部を形成しない、請求項３記載のコンタクトレンズ。
【請求項５】
背面が重要な方及び重要でない方の凹面によって画定されている、請求項２〜４のいずれか１項記載のコンタクトレンズ。
【請求項６】
背面が、これらの凹面とうまく折り合うブレンドゾーンを含む、請求項５記載のコンタクトレンズ。
【請求項７】
背面の形状が連続二次導関数に適合する、請求項２〜６のいずれか１項記載のコンタクトレンズ。
【請求項８】
背面の形状が無限連続微分可能関数に適合する、請求項７記載のコンタクトレンズ。
【請求項９】
少なくともレンズの背面の中心部が、凹面又は二つの凹面の組み合わせを含み、任意のそのような凹面上の任意の２点が、それらの点の間でレンズの内部を通過しない直線によって接続される、請求項２記載のコンタクトレンズ。
【請求項１０】
凹面が、レンズの、その周辺縁を除く背面全体を覆う、請求項９記載のコンタクトレンズ。
【請求項１１】
前記面が狭いブレンドゾーンと組み合わさってそれらの接合部で連続性を達成する、請求項５記載のコンタクトレンズ。
【請求項１２】
前記レンズが、一方の位置で他方の位置よりも位置的に安定であり、したがって、比較的安定な方の位置から比較的不安定な方の位置まで移動させる場合には、その逆に移動させる場合よりも大きな力を要する、請求項１〜１１のいずれか１項記載のコンタクトレンズ。
【請求項１３】
レンズが、前記第一の位置と前記第二の位置との間で移動する際に断面形状が変化するように適合されている、請求項１〜１２のいずれか１項記載のコンタクトレンズ。
【請求項１４】
断面形状の前記変化の際にレンズの部分的な反転が起こる、請求項１３記載のコンタクトレンズ。
【請求項１５】
近見部分及び遠見部分を有するソフトコンタクトレンズを製造する方法であって、
球面状の強膜及び楕円形の角膜で構成される近似的な第一の眼形状を画定するステップと、
第一の眼形状を第一の方向に回転させて第二の眼形状を画定するステップと、
第一の眼形状を反対の方向に回転させて第二の眼形状を画定するステップと、
第二の形状と第三の形状とを重ね合わせて第四の眼形状を画定するステップと、
前記第四の眼形状にフィットするように適合した背面を有するソフトレンズを設計するステップと
を含む方法。
【請求項１６】
前記第一の方向では角膜を上に回転し及び前記第二の方向では角膜を下に回転するように、前記回転が、強膜球面の中心を中心にして起こり、第一の方向及び第二の方向における水平から離れる回転の距離が、レンズに必要な平行移動距離の概ね半分である、請求項１５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月10日(2007.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行及び列に配置された表示画素の配列を有するアクティブマトリクス電界発光表示装置であって、
夫々の画素は：
電界発光（ＥＬ）表示素子；
表示画素の夫々の列へ電力を夫々供給する結合された電源ラインからの電流を前記表示素子に流す駆動トランジスタ；
データラインからの画素駆動信号を前記駆動トランジスタのゲートへ供給するアドレストランジスタ；及び
前記駆動トランジスタを前記表示素子から分離する分離トランジスタ，
を有し、
前記分離トランジスタが夫々の画素に関して前記駆動トランジスタを前記表示素子から分離し、画素駆動信号が行毎に順に前記配列の全ての画素へ供給されるところの第１のモードと、前記分離トランジスタが前記駆動トランジスタを前記表示素子へ結合し、電流が前記表示素子に流されるところの第２のモードとから成る２つのモードで動作する、
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記ＥＬ表示素子及び前記駆動トランジスタは、第１の電源ラインと第２の電源ラインとの間に直列に接続されることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記分離トランジスタは、前記表示素子と前記駆動トランジスタとの間に接続されることを特徴とする請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記駆動トランジスタは、ポリシリコンＴＦＴであることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の装置。
【請求項５】
夫々の画素は、前記駆動トランジスタのゲートとソースとの間に蓄積キャパシタを更に有することを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の装置。
【請求項６】
夫々の画素は、前記表示素子の光出力に依存して前記蓄積キャパシタを放電する光依存性デバイスを更に有することを特徴とする請求項５記載の装置。
【請求項７】
前記光依存性デバイスは、放電フォトダイオードを有することを特徴とする請求項６記載の装置。
【請求項８】
前記第２のモードにおいて、画素の異なる行の前記分離トランジスタは、順に、画素の行に関して前記駆動トランジスタを前記表示素子へ結合するようオンとされることを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか一項記載の装置。
【請求項９】
電界発光（ＥＬ）表示素子と、該表示素子に電流を流す駆動トランジスタとを夫々が有する表示画素の行及び列の配列を有するアクティブマトリクス電界発光表示装置をアドレス指定する方法であって：
第１のモードで、夫々の画素において前記駆動トランジスタを前記表示素子から分離し、行毎に順に前記配列の全ての画素へ画素駆動信号を供給するステップ；及び
第２のモードで、夫々の画素において前記駆動トランジスタを前記表示素子へ結合し、列電源ラインからの電流を前記駆動トランジスタ及び前記表示素子を介して引き込むことによって前記表示素子に電流を流すステップ；
を有する方法。
【請求項１０】
前記第２のモードにおいて、前記駆動トランジスタは、順に、画素の行の表示素子へ結合されることを特徴とする請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月24日(2008.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞および／または粒子を含む液状試料に関する試料調製方法を実施するための一体型ラボオンチップ診断システムであって、共通の基板上に形成された
（ａ）液状試料の入口、
（ｂ）液状試料に含まれる細胞および／または粒子を溶解するための溶解ユニット、
（ｃ）液状試料に含まれる細胞および／または粒子から核酸を抽出するための核酸抽出ユニット、
（ｄ）溶解流体を収納する貯留所、
（ｅ）核酸抽出ユニットで集められる核酸を取り出すための溶離剤を収納する貯留所
を含み、
試料入口が溶解ユニットと流体連通接続されて、それらの間の流体の流れをコントロールする任意バルブが在り、
溶解ユニットが核酸抽出ユニットと流体連通接続されて、それらの間の流体の流れをコントロールする任意バルブが在り、
溶解流体を収納する貯留所が溶解ユニットと流体連通接続されて、それらの間の流体の流れをコントロールするバルブが在り、
溶離剤を収納する貯留所が核酸抽出ユニットと流体連通接続されて、それらの間の流体の流れをコントロールするバルブが在り、および
システムはさらに、すべての流体を駆動するための、単一のポンプまたは注射器を含んでいることを特徴とするシステム。
【請求項２】
溶解流体を収納する貯留所が、入口と流体連通接続されて、それらの間の流体の流れをコントロールする任意バルブが在る、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
溶離剤を収納する貯留所が、入口と流体連通接続されて、それらの間の流体の流れをコントロールする任意バルブが在る、請求項１または請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
さらに（ｇ）核酸反応ユニット、好ましくは核酸配列増幅および検出ユニットを含み、核酸抽出ユニットが、核酸反応ユニットと流体連通接続されて、それらの間の流体の流れをコントロールする任意バルブが在る、請求項１ないし３のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項５】
さらに（ｈ）廃棄ユニットを含み、廃棄ユニットが溶解ユニットと流体連通接続されて、それらの間の流体の流れをコントロールする任意バルブが在る、請求項１ないし４のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項６】
さらに（ｉ）洗浄溶媒、好ましくはエタノールを収納する貯留所を含み、貯留所が核酸抽出ユニットと流体連通接続されて、それらの間の流体の流れをコントロールする任意バルブが在る、請求項１ないし５のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項７】
さらに（ｊ）さらに洗浄溶媒、好ましくはイソプロパノールを収納する貯留所を含み、貯留所が核酸抽出ユニットと流体連通接続されて、それらの間の流体の流れをコントロールする任意バルブが在る、請求項１ないし６のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項８】
溶離剤を収納する貯留所が第一洗浄溶媒を収納する貯留所および／または第二洗浄溶媒を収納する貯留所と流体連通接続される、請求項６または請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
溶離剤、第一洗浄溶媒および／または第二洗浄溶媒が共通の貯留所に収納される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
溶離剤、第一洗浄溶媒および／または第二洗浄溶媒が共通の貯留所で流体、好ましくは空気で、互いに分離される、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
共通の貯留所が入口および溶解ユニットと流体連通接続において導管を含む、請求項９または請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
さらに（ｋ）液状試料および／または空気を入口に導入するための手段を含み、前記手段が好ましくはポンプまたは注射器を含む、請求項１ないし１１のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１３】
さらにろ過ユニットを含み、当該ユニットが溶解ユニットと流体連通接続されている、請求項１ないし１１のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１４】
ろ過ユニットが１つ以上の袋小路フィルター、クロスフローフィルター（例えば、微細構造チャンネル、多孔中空繊維または膜）、重力沈降機、遠心分離機、吸音セルフィルター、光学トラップ、誘電泳動法（ＤＥＰ）、電気泳動法、フローサイトメトリーおよび吸着に基づく方法を含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
溶解ユニットがさらに液状試料をろ過する手段を含む、請求項１ないし１１のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１６】
前記手段が１つ以上の袋小路フィルター、クロスフローフィルター（例えば、微細構造チャンネル、多孔中空繊維または膜）、重力沈降機、遠心分離機、吸音セルフィルター、光学トラップ、誘電泳動法（ＤＥＰ）、電気泳動法、フローサイトメトリーおよび吸着系の方法を含む、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
システムがさらに溶解ユニットおよび／または核酸抽出ユニットの内容物を加熱する手段を含む、請求項１ないし１６のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１８】
前記手段が溶解ユニットおよび／または核酸抽出ユニット内または隣接して位置する１つ以上のペルチェ素子を含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
核酸抽出ユニットの少なくとも１部がシリカビーズまたは粒子で満たされる請求項１ないし１８のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項２０】
核酸抽出ユニットがさらに溶離した核酸を収集および／または前濃縮するためシリカビーズまたは粒子に隣接する１組以上の電極を含む、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
前記１組以上の電極がプラチナ電極を含む、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２２】
生物学上の流体、乳製品、環境上の流体または飲料水に存在する核酸を抽出するために用いられる、請求項１ないし２１のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項２３】
生物学上および／または環境上の試料を分析する装置であって、請求項１ないし２２のいずれか一項で定義されるシステムを含む装置。
【請求項２４】
生物学上および／または環境上の試料を分析する検定キットであって、キットが請求項１ないし２２のいずれか一項に定義されるシステムおよび試料を当該システムと接触させる手段を含む検定キット。
【請求項２５】
使い捨てである、請求項２３に記載の装置または請求項２４に記載の検定キット。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年10月21日(2008.10.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
２−１ パートＡ
７９．３部 およそ５５，０００mm2/sの粘度を有する、ジメチルビニルシロキシ末端ジメチルシロキサン
０．３部 ０．５重量％白金金属を含む、ポリジメチルシロキサンとの白金錯体
１５．０部 ヘキサメチルジシラザン処理されたヒュームドシリカ
０．２部 チタン酸テトラブチル
０．２部 トリメチロールプロパンジアリルエーテル
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
【表１】
2002536486.tif 000001
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
【表２】
2002536486.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月19日(2008.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  溶媒、界面活性剤、及び重合体からなる群から選ばれる少なくとも２つの成分を含む安定な非水性単相生体適合性粘性ビヒクルであって、ここで、（ｉ）該溶媒は、カルボン酸エステル又はラウリルアルコールであり、該界面活性剤は、モノラウリル酸グリセロール及びポリソルベート類からなる群から選ばれる群から選択され、該重合体は、ピロリドン類を含み、（ｉｉ）該成分は、同じタイプのものでなく、（ｉｉｉ）該ビヒクルは、有益な薬剤を懸濁し、体温で且つ低い流速で延長された時間期間にわたって該有益な薬剤を均質に分配することが出来る、前記安定な非水性単相生体適合性粘性ビヒクル；及び
前記ビヒクルに懸濁された、ペプチド又はたんぱく質である有益な薬剤
を含む、有益な薬剤の配合物を含有する液貯めを含む植え込み可能な医薬送り出し装置。
【請求項２】  前記ビヒクルが、溶媒、界面活性剤、及び重合体からなる群から選ばれる３成分を含み、しかもそれらの成分が同じタイプのものでない、請求項１に記載の装置。
【請求項３】  前記配合物がさらに酸化防止剤を含む、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】  前記酸化防止剤が、トコフェロール、アスコルビン酸、アスコルビン酸パルミテート、ブチル化ヒドロキシアニソール、ブチル化ヒドロキシトルエン、及び没食子酸プロピルからなる群から選ばれる、請求項３に記載の装置。
【請求項５】  前記有益な薬剤の配合物が、その配合物の出口剪断速度が約１〜１ｘ１０−７／秒（ｒｅｃｉｐｒｏｃａｌ  ｓｅｃｏｎｄ）であるように、植え込み可能な医薬送り出し装置から送り出されることが出来る、請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】  前記配合物が延長された時間期間にわたって体温で安定である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】  前記配合物が０．１〜５０％（重量／重量）の有益な薬剤を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】  前記有益な薬剤がたんぱく質である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】  前記たんぱく質がヒト成長ホルモンである、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】  前記配合物が少なくとも約２か月間６５℃で安定である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】  前記配合物が少なくとも約３か月間３７℃で安定である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】  前記配合物が少なくとも約１年間３７℃で安定である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】  前記有益な薬剤が、前記配合物中に導入される前に、低い水分含有量に乾燥されている、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】  前記カルボン酸エステルが乳酸ラウリルである、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１５】  前記重合体がポリビニルピロリドンである、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１６】  ビヒクル成分の割合は、溶媒が約３０％（重量／重量）〜約５０％（重量／重量）、界面活性剤が約５％（重量／重量）〜約２０％（重量／重量）、重合体が約５％（重量／重量）〜約６０（重量／重量）の範囲にある、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１７】  植え込み可能な装置からの流速が０．３〜１００μｌである、前記１〜１６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１８】  前記有益な薬物が噴霧乾燥により製造される、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月31日(2008.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  口頭コマンドにより移動電話ユーザが到来通話に応答できるようにして、ハンズフリー音声起動を実行する方法において、
前もって初期設定されていない場合に、初期設定を実行してユーザの音声挨拶を事前プログラムするステップと、
到来通話が受信された場合に、口頭コマンドにより到来通話に応答して、到来通話を受け入れまたは拒否するステップとを含み、
到来通話に応答するステップは、
ユーザにアラートを行って、口頭コマンドを入力するステップと、
ユーザの口頭コマンドを待つステップと、
ユーザが口頭コマンドにより応答し、前もって初期設定されていない場合に、工場でプログラミングされた音声挨拶を出力するステップと、
ユーザが口頭コマンドにより応答し、前もって初期設定されている場合に、ユーザの口頭コマンドと記憶されているユーザ事前プログラム音声挨拶との一致が見つかるか否かを決定し、一致が見つかった場合に、一致したユーザ事前プログラム音声挨拶を出力するステップとを含む方法。
【請求項２】  初期設定ステップは、
ユーザを促して、ユーザの音声挨拶を入力するステップと、
ユーザを促して、音声挨拶を記憶させるための移動電話メモリデータベース位置を入力するステップと、
指定された移動電話メモリデータベース位置にデジタル化音声パターンとして表される音声挨拶を記憶させるステップとを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】  デジタル化音声パターンは圧縮または非圧縮形態である請求項２記載の方法。
【請求項４】  初期設定ステップは、
パスワードを入力するステップと、
ユーザが音声挨拶を記憶できるようにする前にパスワードを確認するステップとをさらに含む請求項２記載の方法。
【請求項５】  ページ応答メッセージを移動電話の基地局に送信して、到来通話を継続するステップをさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項６】  口頭コマンドにより移動電話の到来通話に応答して、自動車キット上に配置されている移動電話のハンズフリー音声起動を可能にする方法において、
到来通話が受信されるまで待つステップと、
到来通話の受信後に、ユーザにアラートを行って、音声挨拶を入力するか、または移動電話のキーパッドキーを押するステップと、
ユーザの音声挨拶または移動電話のキーパッドを通しての入力を待つステップと、
任意のキーパッドキーが押された場合に、電話モードで通話に応答するステップと、
ユーザが音声挨拶により応答した場合に、自動車キットモードで通話に応答するステップと、
ページ応答メッセージを移動電話の基地局に送信して、到来通話を継続するステップとを含み
自動車キットモードで通話に応答するステップは、移動電話自動車キットスピーカーに事前プログラムされた音声挨拶を出力するステップを含む方法。
【請求項７】  自動車キットモードで通話に応答するステップは、前もって初期設定されている場合に、工場でプログラミングされた音声挨拶またはユーザの事前プログラムされた音声挨拶を選択するステップをさらに含む請求項６記載の方法。
【請求項８】  ユーザの事前プログラムされた音声挨拶を選択するステップは、ユーザの音声挨拶と記憶されているユーザの事前プログラムされた音声挨拶との間の一致が見つかるか否かを決定し、一致が見つかった場合に、一致したユーザの事前プログラムされた音声挨拶を出力するステップをさらに含む請求項７記載の方法。
【請求項９】  音声挨拶は圧縮または非圧縮形態で、デジタル化音声パターンとして表される請求項７記載の方法。
【請求項１０】  到来通話を待つステップは、到来通話が受信されず、前もって初期設定されていない場合に、初期設定を実行して、ユーザの音声挨拶を事前プログラムするステップをさらに含む請求項８記載の方法。
【請求項１１】  初期設定ステップは、
ユーザを促して、ユーザの音声挨拶を入力するステップと、
ユーザを促して、音声挨拶を記憶させるための移動電話メモリデータベース位置を入力するステップと、
指定された移動電話メモリデータベース位置にデジタル化音声パターンとして表された音声挨拶を記憶させるステップとを含む請求項１０記載の方法。
【請求項１２】  初期設定ステップは、
パスワードを入力するステップと、
ユーザが音声挨拶を記憶させることができる前にパスワードを確認するステップとをさらに含む請求項１１記載の方法。
【請求項１３】  ユーザの口頭コマンドにより移動電話の到来通話に応答して、ハンズフリー音声起動を可能にする移動電話システムにおいて、
ユーザの音声挨拶を事前プログラムするためのプログラミングキーと、
電話モードで通話に応答するためのキーパッド手段と、
自動車キットモードで通話に応答するときに、ユーザの口頭コマンドを受け取って入力するマイクロフォン手段と、
マイクロフォン手段に接続され、自動車キットモードでユーザの口頭コマンドのスペクトル解析と特徴抽出を実行するデジタル処理手段と、
デジタル処理手段に接続され、ユーザの事前プログラムされた音声挨拶のデジタル化音声パターンを記憶するデータベースを有するメモリと、
を備えた移動電話と、
移動電話を保持する受け台と事前プログラムされた音声挨拶を出力するスピーカーを備えた自動車キットとを具備する移動電話システム。
【請求項１４】  事前プログラムされた音声挨拶は、プログラミングキーを押した後に前もって初期設定されている場合に、工場でプログラミングされた音声挨拶とユーザの事前プログラムされた音声挨拶とを含む請求項１３記載のシステム。
【請求項１５】  音声挨拶のデジタル化音声パターンは圧縮または非圧縮形態で記憶される請求項１３記載のシステム。
【請求項１６】  デジタル処理手段は、ユーザの口頭コマンドと記憶されているユーザの事前プログラムされた音声挨拶との間に一致が存在するか否かを決定するために、ユーザの口頭コマンドのスペクトル解析を実行するスペクトル解析手段と、ユーザの口頭コマンドの特徴抽出を実行する特徴抽出手段とを備えている請求項１３記載のシステム。
【請求項１７】  デジタル処理手段は、一致が確認された場合に、ユーザの口頭コマンドが事前プログラムされた合格／失敗音声しきい値レベルに達しているか否かをチェックする手段を備えている請求項１６記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月17日(2008.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
医薬製剤からミルタザピンの昇華を防御する方法であって、前記製剤はミルタザピンの鏡像的精製形態を固形形態で含有し、少なくとも１種の薬剤として許容される賦形剤をミルタザピンの鏡像異性体の固形形態に添加することにより前記製剤を作製し、前記鏡像的精製形態がＳ−又はＲ−ミルタザピンの薬剤として適切な非昇華性固形塩であることを特徴とする、前記防御方法。
【請求項２】
Ｓ−ミルタザピンマレイン酸塩、Ｓ−ミルタザピンメタンスルホン酸塩、Ｓ−ミルタザピンフマル酸塩水和物、またはＳ−ミルタザピン臭化水素酸塩一水和物。
【請求項３】
請求項２に記載の塩を含む医薬製剤。