【手続補正書】
【提出日】平成20年4月14日(2008.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１）７０℃より高い温度で、かつ、１２０分以下の滞留時間にて、第１の反応領域において、第１の触媒成分、１つ以上の活性化剤、および１つ以上のＣ２〜Ｃ４０のオレフィンを接触させ、１００，０００以下のＭｗおよび２０％以下の結晶化度を有するポリマーを生成する工程、
２）７０℃より高い温度で、かつ、１２０分以下の滞留時間にて、第２の反応領域において、第２の触媒成分、１つ以上の活性化剤、および１つ以上のＣ２〜Ｃ４０のオレフィンを接触させ、１００，０００以下のＭｗおよび２０％以上の結晶化度を有するポリマーを生成する工程、
３）オプションとして、７０℃より高い温度で、かつ、１２０分の滞留時間にて、第３の反応領域において、第1の触媒成分または第２の触媒成分、１つ以上の活性化剤、および１つ以上のＣ２〜Ｃ４０のオレフィンを接触させる工程、および
４）少なくとも５０モル％の１つ以上のＣ３〜Ｃ４０のオレフィンを含む分岐オレフィンポリマーを回収する工程であって、少なくとも１つの反応領域において、前記Ｃ２〜Ｃ４０のオレフィンはＣ３〜Ｃ４０アルファ−オレフィンである工程、
を含むことを特徴とする、分岐オレフィンポリマーの製造方法。
【請求項２】
５０から１００モル％のプロピレンを含むことを特徴とする、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
エチレンは第１の反応領域に存在することを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
第１の触媒成分は、1,1’-ビス（4-トリエチルシルフェニル）メチレン（シクロペンタジエニル）（2,7-ジ-第３ブチル-9-フルオレニル）ハフニウムジメチルおよび／または1,1’-ビス（4-トリエチルシルフェニル）メチレン（シクロペンタジエニル）（3,8-ジ-第３ブチル-フルオレニル）ハフニウムジメチルを含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかの項に記載の製造方法。
【請求項５】
第２の触媒成分は、ジメチルシリルビス（２-メチル-5-フェニルインデニル）ジルコニウムジクメチルおよび／またはジメチルシリルビス（２-メチル-４-フェニルインデニル）ジルコニウムジクメチルを含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかの項に記載の製造方法。
【請求項６】
少なくとも１の反応領域は気相反応装置であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかの項に記載の製造方法。
【請求項７】
少なくとも１の反応領域は液相反応装置であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかの項に記載の製造方法。
【請求項８】
少なくとも１の反応領域はスラリー相反応装置であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかの項に記載の製造方法。
【請求項９】
第１の触媒成分、第２の触媒成分および活性化剤は１つ以上の次の（１）〜（５４ａ）の組み合わせを含むことを特徴とする、請求項１〜８のいずれかの項に記載の製造方法。（ここで、Ｍeはメチル、Ｐhはフェニル、Ｅtはエチル、Ｃpはシクロペンタジエニル、3,6-di-t-BuFluは3,8-di-tert-ブチルフェニル、2-Me-4-PhIndは2-メチル-4-フェニルインデニル、2-MeIndは2-メチルインデニル、c-C12H23はシクロドデシル、Me4C5はテトラメチルシクロペンタジエニル、H4Indはテトラヒドロインデニル、およびIndはインデニルに等しい）
（１）アルモキサンを用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−ｃ−Ｃ１２Ｈ２３）ＴｉＣｌ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２；
（２）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−ｃ−Ｃ１２Ｈ２３）ＴｉＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（２ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−ｃ−Ｃ１２Ｈ２３）ＴｉＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（３）アルモキサンを用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−ｃ−Ｃ１２Ｈ２３）ＴｉＣｌ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２（２−ＭｅＩｎｄ＝２−メチル−インデニル）；
（４）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−ｃ−Ｃ１２Ｈ２３）ＴｉＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（４ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−ｃ−Ｃ１２Ｈ２３）ＴｉＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（５）アルモキサンを用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−１−アダマンチル）ＴｉＣｌ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２；
（６）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−１−アダマンチル）ＴｉＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（６ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−１−アダマンチル）ＴｉＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（７）アルモキサンを用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−１−アダマンチル）ＴｉＣｌ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２；
（８）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−１−アダマンチル）ＴｉＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（８ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−１−アダマンチル）ＴｉＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（９）アルモキサンを用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−ｔ−ブチル）ＴｉＣｌ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２；
（１０）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−ｔ−ブチル）ＴｉＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（１０ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−ｔ−ブチル）ＴｉＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（１１）アルモキサンを用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−ｔ−ブチル）ＴｉＣｌ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）；
（１２）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−ｔ−ブチル）ＴｉＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（１２ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−ｔ−ブチル）ＴｉＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（１３）アルモキサンを用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−ｅｘｏ−ノルボルニル）ＴｉＣｌ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２；
（１４）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−ｅｘｏ−ノルボルニル）ＴｉＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（１４）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−ｅｘｏ−ノルボルニル）ＴｉＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（１５）アルモキサンを用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−ｅｘｏ−ノルボルニル）ＴｉＣｌ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２；
（１６）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−ｅｘｏ−ノルボルニル）ＴｉＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（１６ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したＭｅ２Ｓｉ（Ｍｅ４Ｃ５）（Ｎ−ｅｘｏ−ノルボルニル）ＴｉＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（１７）アルモキサンを用いて活性化した（ｐ−(Ｅｔ３Ｓｉ)Ｐｈ）２Ｃ（Ｃｐ）（３，８−ジ−ｔ−ＢｕＦｌｕ）ＨｆＣｌ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２；
（１８）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化した（ｐ−(Ｅｔ３Ｓｉ)Ｐｈ）２Ｃ（Ｃｐ）（３，８−ジ−ｔ−ＢｕＦｌｕ）ＨｆＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（１８ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化した（ｐ−(Ｅｔ３Ｓｉ)Ｐｈ）２Ｃ（Ｃｐ）（３，８−ジ−ｔ−ＢｕＦｌｕ）ＨｆＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（１９）アルモキサンを用いて活性化した（ｐ−(Ｅｔ３Ｓｉ)Ｐｈ）２Ｃ（Ｃｐ）（３，８−ジ−ｔ−ＢｕＦｌｕ）ＨｆＣｌ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２；
（２０）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化した（ｐ−(Ｅｔ３Ｓｉ)Ｐｈ）２Ｃ（Ｃｐ）（３，８−ジ−ｔ−ＢｕＦｌｕ）ＨｆＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（２０ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化した（ｐ−(Ｅｔ３Ｓｉ)Ｐｈ）２Ｃ（Ｃｐ）（３，８−ジ−ｔ−ＢｕＦｌｕ）ＨｆＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（２１）アルモキサンを用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（Ｉｎｄ）２ＺｒＣｌ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（Ｈ４Ｉｎｄ）２ＺｒＣｌ２（Ｉｎｄ＝インデニル，Ｈ４Ｉｎｄ＝テトラヒドロインデニル）；
（２２）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（Ｈ４Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（２２ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（Ｈ４Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（２３）アルモキサンを用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（Ｉｎｄ）２ＺｒＣｌ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２及び；
（２４）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（２４ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（２５）アルモキサンを用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（Ｉｎｄ）２ＺｒＣｌ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（Ｈ４Ｉｎｄ）２ＺｒＣｌ２；
（２６）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（Ｈ４Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（２６ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（Ｈ４Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（２７）アルモキサンを用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（Ｉｎｄ）２ＺｒＣｌ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２；
（２８）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（２８ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（２９）アルモキサンを用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２；
（３０）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（３０ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（３１）アルモキサンを用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２；
（３２）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（３２ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（３３）アルモキサンを用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２；
（３４）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（３４ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（３５）アルモキサンを用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２；
（３６）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（３６ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（３７）アルモキサンを用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２；
（３８）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（３８ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（３９）アルモキサンを用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２及びｒａｃ−ＣＨ２ＣＨ２（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２；
（４０）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−ＣＨ２ＣＨ２（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（４０ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−ＣＨ２ＣＨ２（２−Ｍｅ−４−ＰｈＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（４１）アルモキサンを用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２及びｒａｃ−ＣＨ２ＣＨ２（２−ＭｅＰｈＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２；
（４２）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−ＣＨ２ＣＨ２（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（４２ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−ＣＨ２ＣＨ２（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（４３）アルモキサンを用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（Ｉｎｄ）２ＺｒＣｌ２及びｒａｃ−ＣＨ２ＣＨ２（Ｉｎｄ）２ＺｒＣｌ２；
（４４）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−ＣＨ２ＣＨ２（Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（４４ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−ＣＨ２ＣＨ２（Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（４５）アルモキサンを用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（Ｉｎｄ）２ＺｒＣｌ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（Ｉｎｄ）２ＺｒＣｌ２；
（４６）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（４６ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−Ｍｅ２Ｓｉ（Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（４７）アルモキサンを用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（Ｉｎｄ）２ＺｒＣｌ２及びｒａｃ−ＣＨ２ＣＨ２（４，７−Ｍｅ２Ｉｎｄ）２ＺｒＣｌ２（４，７−Ｍｅ２Ｉｎｄ＝４，７−ジメチルインデニル）；
（４８）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−ＣＨ２ＣＨ２（４，７−Ｍｅ２Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（４８ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−ＣＨ２ＣＨ２（４，７−Ｍｅ２Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（４９）アルモキサンを用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（Ｉｎｄ）２ＺｒＣｌ２及びｒａｃ−ＣＨ２ＣＨ２（４，７−Ｍｅ２Ｉｎｄ）２ＺｒＣｌ２；
（５０）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−ＣＨ２ＣＨ２（４，７−Ｍｅ２Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（５０ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−ＣＨ２ＣＨ２（４，７−Ｍｅ２Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（５１）アルモキサンを用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２及びｒａｃ−ＣＨ２ＣＨ２（４，７−Ｍｅ２Ｉｎｄ）２ＺｒＣｌ２（４，７−Ｍｅ２Ｉｎｄ＝４，７−ジメチルインデニル）；
（５２）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−ＣＨ２ＣＨ２（４，７−Ｍｅ２Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（５２ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したメソ−ＣＨ２ＣＨ２（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−ＣＨ２ＣＨ２（４，７−Ｍｅ２Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２；
（５３）アルモキサンを用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＣｌ２及びｒａｃ−ＣＨ２ＣＨ２（４，７−Ｍｅ２Ｉｎｄ）２ＺｒＣｌ２；
（５４）非配位アニオン活性化剤を用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−ＣＨ２ＣＨ２（４，７−Ｍｅ２Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２；または
（５４ａ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素および／またはトリフェニルカルボニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を用いて活性化したメソ−Ｍｅ２Ｓｉ（２−ＭｅＩｎｄ）２ＺｒＭｅ２及びｒａｃ−ＣＨ２ＣＨ２（４，７−Ｍｅ２Ｉｎｄ）２ＺｒＭｅ２。
【請求項１０】
１）     第1の触媒成分は、選ばれた重合条件において、80,000以下のＮwおよび１５％以下の結晶化度を有するポリマーを生成することが可能であることを特徴とし、
２）     第２の触媒成分は、選ばれた重合条件において、80,000以下のＮwおよび５０％以上の結晶化度を有するポリマーを生成することが可能であることを特徴とし、
３）     反応領域の温度は１０５℃より高いことを特徴とし、
４）     反応領域の滞留時間は１０分以下であることを特徴とし、
５）     第2の触媒に対する第1の触媒の比は１：１〜２０：１であることを特徴とし、
６）     ここで触媒成分の活性化度は触媒成分のグラム当たり少なくとも１００キログラムのポリマーであり、少なくとも８０％のオレフィン類がポリマーへ変換されることを特徴とする、
請求項１〜９のいずれかの項に記載の製造方法。
【請求項１１】
ａ）上記オレフィン類はプロピレンおよび１つ以上のブテン、ペンテン、ヘキセン、ペンテン、オクテン、ノネン、デセン、ドデセンを含むことを特徴とし、
ｂ）上記温度は１１０℃より高いことを特徴とし、
ｃ）上記滞留時間は５分以下であることを特徴とし、
ｄ）第2の触媒に対する第1の触媒の比は１：１〜１：１０であることを特徴とする、
請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
反応領域の温度は変化していることを特徴とする、請求項１に記載の装置。