Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月20日(2008.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−  各々が光混合チャンバを有し、互いに隣接して配されている第１ＬＥＤモジュール及び少なくとも１つの第２ＬＥＤモジュール、並びに、前記光混合チャンバ内に及びモジュール光窓を介して前記混合チャンバの外側へ向かって、光を発する少なくとも１つのＬＥＤと、
−  関連する前記モジュール光窓からの知覚される光を均等化するために、前記第１ＬＥＤモジュール及び前記第２ＬＥＤモジュールのうちの１つからの光が隣接する前記第１ＬＥＤモジュール及び前記第２ＬＥＤモジュールのうちの他のＬＥＤモジュールの前記光混合チャンバ内へ通過する、及び前記他のＬＥＤモジュールからの光が前記第１ＬＥＤモジュール及び前記第２ＬＥＤモジュールのうちの１つの前記光混合チャンバ内へ通過するのを可能にする、前記第１ＬＥＤモジュール及び前記第２ＬＥＤモジュールのうちの１つと前記他のＬＥＤモジュールとの間の少なくとも１つの光開口と、
を有する照明システム。
【請求項２】
前記第１ＬＥＤモジュール及び前記少なくとも１つの第２ＬＥＤモジュールが、隣接するＬＥＤモジュールのマトリックスを形成するように、二次元において配されている、請求項１に記載の照明システム。
【請求項３】
各ＬＥＤモジュールが、前記少なくとも１つの光開口を有する構造によってフレーム化されている内蔵ユニットである、請求項１又は２に記載の照明システム。
【請求項４】
前記混合チャンバが反射性のものであり、この結果、前記ＬＥＤの光を拡散する、請求項１ないし３の何れか一項に記載の照明システム。
【請求項５】
前記第１ＬＥＤモジュール及び前記少なくとも１つの第２ＬＥＤモジュールの各々が、長方形の平行六面体、三角形又は六角形の形状を実質的に有する、二次元傾斜のための請求項１ないし４の何れか一項に記載の照明システム。
【請求項６】
前記開口は、ＬＥＤ発光された前記光に対して透過的である、プラスチック又はガラスを有している、請求項１ないし５の何れか一項に記載の照明システム。
【請求項７】
前記少なくとも１つのＬＥＤがＬＥＤの群である、請求項１ないし６の何れか一項に記載の照明システム。
【請求項８】
前記ＬＥＤの群が、前記第１ＬＥＤモジュール及び前記少なくとも１つの第２ＬＥＤモジュールの光窓に対して、前記第１ＬＥＤモジュール及び前記少なくとも１つの第２ＬＥＤモジュール内で中心を合わされている、請求項７に記載の照明システム。
【請求項９】
前記ＬＥＤの群が、異なる色を有する少なくとも２つのＬＥＤを有している、請求項７又は８に記載の照明システム。
【請求項１０】
請求項１ないし９の何れか一項において規定されている照明システムにおいて使用するための、光モジュールであって、
−  光混合チャンバを規定しているフレーム構造と、
−  前記光混合チャンバ内に及びモジュール光窓を介して前記光混合チャンバの外側に向かって、光を発する、少なくとも１つのＬＥＤと、
−  前記光モジュールが互いに隣接して配された場合、関連する前記モジュール光窓からの知覚される光を均等化するために、前記少なくとも１つのＬＥＤからの光が、前記光混合チャンバから他の前記光モジュールの混合チャンバ内へ通過する、及び前記他の光モジュールの前記混合チャンバ内から前記光混合チャンバへ通過するのを可能にするように、前記フレーム構造内に配されている少なくとも１つの光開口と、
を有する光モジュール。
【請求項１１】
前記第１ＬＥＤモジュール及び前記少なくとも１つの第２ＬＥＤモジュールは、長方形の平行六面体の形状を実質的に有する、請求項１０に規定されている、光モジュール。
【請求項１２】
前記光混合チャンバは、反射性のものである、請求項１０又は１１に規定されている、光モジュール。
【請求項１３】
各ＬＥＤモジュールはＬＥＤからの光を拡散する及び混合するチャンバを有している、照明システムにおける隣接するＬＥＤモジュールからの光を改善する方法であって、関連するモジュール光窓からの知覚される光を均等化するために、前記ＬＥＤモジュールのうちの１つからのＬＥＤ光を、隣接するＬＥＤモジュールの光混合チャンバ内に伝達し、及び、前記隣接するＬＥＤモジュールからのＬＥＤ光を前記ＬＥＤモジュールのうちの１つの光混合チャンバ内に伝達するステップを有する方法。
【請求項１４】
前記ＬＥＤ光を前記ＬＥＤモジュールを規定するフレーム構造内に光開口を介して伝達するステップを更に有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
関連するモジュール光窓からの知覚される光を均等化するように、光モジュールの混合チャンバ間の光の伝達を可能にする、一般照明システムの隣接する前記光モジュールのフレーム構造における少なくとも１つの開口の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月20日(2008.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランプであって、
アークエンベロープと、
前記アークエンベロープに結合され、アーク電極を支持し、ドージング材料を前記アークエンベロープ内に受け入れるように適合された少なくとも１つの開口部を備える、端部構造とを備えるランプ。
【請求項２】
前記少なくとも１つの開口部は、アーク電極を支持するように適合されたアーク電極リセプタクルおよびドージング材料を受け入れるように適合されたドージング通路を備える請求項１記載のランプ。
【請求項３】
前記アーク電極リセプタクルは、前記アーク電極の周りに焼き嵌めされる請求項２記載のランプ。
【請求項４】
前記ドージング通路内に配置され、前記端部構造に気密封止されたプラグを備える請求項２記載のランプ。
【請求項５】
前記少なくとも１つの開口部は、前記アーク電極の周りに配置されたドージング管を含む請求項１記載のランプ。
【請求項６】
前記ドージング管と前記アーク電極の間に配置されたコイルまたは中間サイズの管を含む請求項５記載のランプ。
【請求項７】
前記コイルまたは中間サイズの管は、モリブデンを含む請求項６記載のランプ。
【請求項８】
前記ドージング管、前記コイル、および前記アーク電極は、前記端部構造に気密封止される請求項６記載のランプ。
【請求項９】
前記ドージング管は、モリブデンを含む請求項５記載のランプ。
【請求項１０】
前記ドージング管は、モリブデンレニウムの合金を含む請求項５記載のランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月13日(2008.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光学特性を含む光を放出する光源と、
出力面を含む光導波路であって、前記光源により放出された前記光の少なくとも一部分
を前記出力面に対して向けるように構成された光導波路と、
前記光導波路の前記出力面からの光を受光するように配置されている電子放出性物質で
あって、前記第１の光学特性を含む光で照明されると第２の光学特性を含む光を放出する
電子放出性物質と、
前記光導波路の前記出力面と前記電子放出性物質との間に配置されている第１の干渉反
射体であって、前記第１の光学特性を含む光を実質的に透過するとともに前記第２の光学
特性を含む光を実質的に反射する第１の干渉反射体と、
を含む照明システム。
【請求項２】
前記電子放出性物質が不連続である、請求項１に記載の照明システム。
【請求項３】
前記不連続電子放出性物質が電子放出性物質の多数のドットを含む、請求項２に記載の
照明システム。
【請求項４】
前記第１の光学特性が第１の波長域を含むとともに、前記第２の光学特性が前記第１の
波長域とは異なる第２の波長域を含み、少なくとも第１の蛍光体ドットが前記第２の波長
域内の第１のピーク波長を有する光を放出するとともに、少なくとも第２の蛍光体ドット
が前記第１のピーク波長とは異なる前記第２の波長域内の第２のピーク波長を有する光を
放出する、請求項３に記載の照明システム。
【請求項５】
前記第１の光学特性が第１の波長域を含むとともに、前記第２の光学特性が前記第１の
波長域とは異なる第２の波長域を含み、前記電子放出性物質が前記第１の波長域において
第１の屈折率を含む、請求項１に記載の照明システム。
【請求項６】
前記第１の干渉反射体と前記電子放出性物質との間で前記電子放出性物質と接している
ＴＩＲ促進層をさらに含み、さらに前記ＴＩＲ促進層が前記第１の波長域において前記第
１の屈折率より小さい第２の屈折率を含む、請求項５に記載の照明システム。
【請求項７】
前記電子放出性物質が第２の干渉反射体と前記第１の干渉反射体との間にあるように配
置された第２の干渉反射体をさらに含み、前記第２の干渉反射体が前記第２の光学特性を
含む光を実質的に透過するとともに前記第１の光学特性を含む光を実質的に反射する、請
求項１に記載の照明システム。
【請求項８】
請求項１に記載の照明システムを含む標識。
【請求項９】
照明システムであって、
第１の光学特性を含む光を放出する光源と、
出力面を含む光導波路であって、前記光源により放出された光の少なくとも一部分を
前記出力面に対して向けるように構成された光導波路と、
前記光導波路の前記出力面からの光を受光するように配置されている電子放出性物質
であって、前記第１の光学特性を含む光で照明されると第２の光学特性を含む光を放出す
る電子放出性物質と、前記電子放出性物質と前記光導波路の前記出力面との間に配置され
ている第１の干渉反射体であって、前記第１の光学特性を含む光を実質的に透過すると共に前記第２の光学特性を含む光を実質的に反射する第１の干渉反射体と、を含む照明シ
ステムと、
前記照明システムに光学的に結合されている空間光変調器であって、前記照明システム
からの光の少なくとも一部分を変調するように動作可能な多数の制御可能要素を含む空間
光変調器と、を含むディスプレイ。
【請求項１０】
前記照明システムは、前記電子放出性物質が第２の干渉反射体と前記第１の干渉反射体
との間にあるように配置された第２の干渉反射体をさらに含み、前記第２の干渉反射体が
前記第２の光学特性を含む光を実質的に透過するとともに前記第１の光学特性を含む光を
実質的に反射する、請求項９に記載のディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月6日(2008.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光学特性を含む光を放出する光源と、
出力面を含み、前記光源により放出された光の少なくとも一部分を前記出力面を介して方向付けるように構成された光導波路と、
前記光導波路の前記出力面からの光を受光するように配置され、前記第１の光学特性を含む光で照明されると第２の光学特性を含む光を放出する電子放出性物質と、
前記電子放出性物質が前記光導波路の前記出力面と干渉反射体との間にあるように配置され、前記第２の光学特性を含む光を実質的に透過するとともに前記第１の光学特性を含む光を実質的に反射する干渉反射体とを含む照明システム。
【請求項２】
第１の光学特性を含む光を放出する光源と、
出力面を含み、前記光源により放出された光の少なくとも一部分を前記出力面を介して方向付けるように構成された光導波路と、
前記光導波路の前記出力面からの光を受光するように配置され、前記第１の光学特性を含む光で照明されると第２の光学特性を含む光を放出する電子放出性物質と、
前記光導波路の前記出力面と前記電子放出性物質との間に配置され、前記第２の光学特性を含む光を実質的に透過するとともに前記第１の光学特性を含む光を実質的に反射する第１の干渉反射体とを含む照明システム。
【請求項３】
第２の干渉反射体であって、前記電子放出性物質が該第２の干渉反射体と前記第１の干渉反射体との間にあるように配置され、前記第２の光学特性を含む光を実質的に通過するとともに前記第１の光学特性を含む光を実質的に反射する第２の干渉反射体をさらに含む、請求項２に記載の照明システム。
【請求項４】
第１の光学特性を含む光を放出する光源と、
出力面を含み、前記光源により放出された光の少なくとも一部分を前記出力面を介して方向付けするように構成された光導波路と、
前記光導波路の前記出力面からの光を受光するように配置され、前記第１の光学特性を含む光で照明されると第２の光学特性を含む光を放出する電子放出性物質と、
第１の干渉反射体であって、前記電子放出性物質と前記光導波路の前記出力面との間に配置され、前記第１の光学特性を含む光を実質的に透過するとともに前記第２の光学特性を含む光を実質的に反射する第１の干渉反射体とを含む照明システムと、
前記照明システムに光学的に結合され、前記照明システムからの光の少なくとも一部分を変調するように動作可能な複数の制御可能要素を含む空間光変調器とを含むディスプレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】照明システム及びディスプレイ
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月9日(2008.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光学特性を有する光を放出する光源と、
出力面を有する光導波路と、
前記光源と前記光導波路の前記出力面との間に配置され、前記第１の光学特性を有する光で照明されると第２の光学特性を有する光を放出する電子放出性物質と、
前記電子放出性物質と前記光導波路の前記出力面との間に配置され、前記第２の光学特性を有する光を実質的に透過するとともに前記第１の光学特性を有する光を実質的に反射する干渉反射体とを具備する、照明システム。
【請求項２】
第１の光学特性を有する光を放出する光源と、
出力面を有する光導波路と、
前記光源と前記光導波路の前記出力面との間に配置され、前記第１の光学特性を有する光を実質的に透過するとともに第２の光学特性を有する光を実質的に反射する第１の干渉反射体と、
前記第１の干渉反射体と前記光導波路の前記出力面との間に配置され、前記第１の光学特性を有する光で照明されると前記第２の光学特性を有する光を放出する電子放出性物質とを具備する、照明システム。
【請求項３】
前記第２の光学特性を有する光を実質的に透過するとともに前記第１の光学特性を有する光を実質的に反射する第２の干渉反射体であって、該第２の干渉反射体と前記第１の干渉反射体との間に前記電子放出性物質があるように配置された第２の干渉反射体を更に有する、請求項２に記載の照明システム。
【請求項４】
第１の光学特性を有する光を放出する光源と、
出力面を有する光導波路と、
前記光源と前記光導波路の前記出力面との間に配置され、第１の光学特性を有する光を実質的に透過するとともに前記第２の光学特性を有する光を実質的に反射する第１の干渉反射体と、
前記第１の干渉反射体と前記光導波路の前記出力面との間に配置され、前記第１の光学特性を有する光で照明されると前記第２の光学特性を有する光を放出する電子放出性物質とを備える照明システムと、
前記照明システムに光学的に結合され、前記照明システムからの光の少なくとも一部分を変調するように動作可能な複数の制御可能要素を有する空間光変調器とを具備する、ディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月17日(2008.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
利用ツールに対する光源として送出するための出力レーザ光パルスを含む出力レーザビームを生成するガス放電レーザであって、
ビーム経路と、
前記ビーム経路における透過性ビームホモジナイザーと、
を含むことを特徴とするレーザ。
【請求項２】
前記ビームホモジナイザーは、
少なくとも１つのビーム像インバータ、
を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ビームホモジナイザーは、
少なくとも１つのビーム空間回転子、
を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記ビームホモジナイザーは、
少なくとも１つの空間的干渉セル位置移動機器、
を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記ビームホモジナイザーは、ソースビームの時間的干渉長さよりも長いがそれとほぼ同じ遅延である遅延経路を包含している、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記ビームホモジナイザーは、
部分反射コーティングを各々の相互接合面に有する一対の相互接合ダブプリズム、
を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記ビームホモジナイザーは、
前記ソースビームに面する斜辺面と全反射する隣接する側面とを含む直角三角形プリズム、
を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記ビームホモジナイザーは、前記ソースビームに面する面と全反射する隣接する側面とを有する二等辺三角形プリズムを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記ビームホモジナイザーは、
ソースビーム多重交替反転像作成機構、
を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
出力レーザビームの帯域幅を測定する帯域幅検出器であって、
光学分光計に至るビーム経路と、
前記ビーム経路におけるビームホモジナイザーと、
を含むことを特徴とする検出器。
【請求項１１】
数十フェムトメートル以内の精度で５００フェムトメートル未満の範囲の出力レーザ光パルスを含む出力レーザビームの帯域幅を測定する波長計であって、
ビーム経路と、
前記ビーム経路における光を拡散する該ビーム経路における拡散器と、
前記拡散した光を平行化する前記ビーム経路におけるコリメータと、
エタロンに入射する前記平行化した光に基づいて出力を作り出す共焦点エタロンと、
前記共焦点エタロンの前記出力を検出する検出器と、
を含むことを特徴とする波長計。
【請求項１２】
前記共焦点エタロンに入射する前記平行化した光の入射角を走査する走査機構、
を更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記走査機構は、前記共焦点エタロンにわたって前記平行化した光を走査する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記走査機構は、前記平行化した光にわたって前記エタロンを走査する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記検出器は、前記走査機構によって誘発された光の変動する波長に対する強度パターンを検出する光電子増倍管である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月12日(2008.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体材料の活性領域と、
前記活性領域上の第１のコンタクトであって、ボンディングパッド領域を有する第１のコンタクトと、
前記第１のコンタクトの前記ボンディングパッド領域の下の活性領域に配置され、かつ前記第１のコンタクトの前記ボンディングパッド領域の下の領域において前記活性領域を流れる電流の流れを減少させるように構成された伝導性減少領域と、
前記活性領域に電気的に結合された第２のコンタクトと
を備えることを特徴とする発光デバイス。
【請求項２】
前記伝導性減少領域は、前記第１のコンタクトから前記活性領域まで延びていることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記伝導性減少領域は、前記第１のコンタクトから前記活性領域の中まで延びていることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記伝導性減少領域は、前記第１のコンタクトから前記活性領域を通じて延びていることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記伝導性減少領域は、前記活性領域を通じて延びていることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記第１のコンタクトと前記活性領域との間に配置されたｐ型半導体材料をさらに備え、
前記伝導性減少領域は、前記第１のコンタクトから前記ｐ型半導体材料を通じ、さらに前記活性領域を通じて延びていることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記活性領域は、ＩＩＩ族窒化物ベースの活性領域を備えていることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項８】
前記ボンディングパッド領域の前記第１のコンタクトの上にボンディングパッドをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項９】
前記伝導性減少領域は、前記ボンディングパッドと自己整合されていることを特徴とする請求項８に記載の発光デバイス。
【請求項１０】
前記伝導性減少領域は、絶縁領域を備えることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１１】
前記伝導性減少領域は、光を吸収しない領域を備えることを特徴とする請求項１０に記載の発光デバイス。
【請求項１２】
前記伝導性減少領域は、注入領域を備えることを特徴とする請求項１０に記載の発光デバイス。
【請求項１３】
半導体材料の活性領域を形成するステップと、
前記活性領域の上に第１のコンタクトを形成するステップであって、前記第１のコンタクトは、ボンディングパッドを有するステップと、
前記第１のコンタクトの前記ボンディングパッド領域の下の活性領域に配置され、かつ前記第１のコンタクトの前記ボンディングパッド領域の下の領域において、前記活性領域を流れる電流の流れを阻止するように構成された伝導性減少領域を形成するステップと、
前記活性領域に電気的に結合された第２のコンタクトを形成するステップと
を含むことを特徴とする発光デバイスを作製する方法。
【請求項１４】
前記伝導性減少領域は、前記第１のコンタクトから前記活性領域まで延びることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記伝導性減少領域は、前記第１のコンタクトから前記活性領域の中まで延びることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記伝導性減少領域は、前記第１のコンタクトから前記活性領域を通じて延びることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記伝導性減少領域は、前記活性領域を通じて延びることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１のコンタクトと前記活性領域の間に配置されたｐ型半導体材料を形成するステップさらに含み、
前記伝導性減少領域は、前記第１のコンタクトから前記ｐ型半導体材料を通じ、さらに前記活性領域を通じて延びることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
前記活性領域は、ＩＩＩ族窒化物ベースの活性領域を備えることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記ボンディングパッド領域の前記第１のコンタクトの上にボンディングパッドを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項２１】
前記伝導性減少領域は、前記ボンディングパッドと自己整合されることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
伝導性減少領域を形成する前記ステップは、
前記第１のオーミックコンタクトの上にマスク層を形成するステップであって、前記マスク層は、前記ボンディングパッドに対応する開口を有するステップと、
前記マスク層の前記開口を通じて前記活性領域に原子を注入するステップと
を含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項２３】
前記マスク層の前記開口にボンディングパッドを形成するステップをさらに含むことを
特徴とする請求項２２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月29日(2008.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体層上に歪みＳｉ1-yＧｅy層を形成する方法であって、
第一結晶質半導体基板上に弛緩Ｓｉ1-xＧｅx層を形成するステップと、
前記弛緩Ｓｉ1-xＧｅx層上に歪みＳｉ1-yＧｅy層を形成するステップと、
前記歪みシリコン層上にＳｉ1-zＧｅz層を形成するステップと、
前記弛緩Ｓｉ1-xＧｅx層内に水素リッチな欠陥層を形成するステップと、
絶縁体層を有する第二結晶質半導体基板を準備するステップと、
前記第一結晶質半導体基板上の前記Ｓｉ1-zＧｅz層の上面を前記第二結晶質半導体基板上の前記絶縁体層に結合するステップと、
前記弛緩Ｓｉ1-xＧｅx層を前記水素リッチな欠陥層において分離して、前記絶縁体層を有する前記第二結晶質半導体基板と、前記絶縁体層上の前記Ｓｉ1-zＧｅz層と、前記Ｓｉ1-zＧｅz層上の前記歪みＳｉ1-yＧｅy層と、前記歪みＳｉ1-yＧｅy層上の前記弛緩Ｓｉ1-xＧｅx層の一部分とからなる構造を形成するステップと、
前記弛緩Ｓｉ1-xＧｅx層の前記一部分を除去するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記第一結晶質半導体基板が、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣおよびＳｉＣで構成されたグループから選択された材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記弛緩Ｓｉ1-xＧｅx層が、
ＳｉＧｅの傾斜層を成長させるステップと、
前記ＳｉＧｅの傾斜層上にＳｉＧｅの一定濃度の層を成長させるステップと、
化学機械的研磨を使用して、前記ＳｉＧｅの一定濃度の層を平滑化するステップと、
を含む方法で形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記弛緩Ｓｉ1-xＧｅx層が、
ＳｉＧｅの層を成長させるステップと、
前記ＳｉＧｅ層にＨｅを注入するステップと、
前記ＳｉＧｅ層をアニールするステップと
を含む方法で形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記弛緩Ｓｉ1-xＧｅx層が０．０５から１．０のＧｅ濃度ｘを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記弛緩Ｓｉ1-xＧｅx層が０．１５から０．４０のＧｅ濃度ｘを有する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記歪みＳｉ1-yＧｅy層が、前記弛緩Ｓｉ1-xＧｅx層上にエピタキシャル成長によって形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記歪みＳｉ1-yＧｅy層が０から０．０５までのＧｅ濃度ｙを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記歪みＳｉ1-yＧｅy層が０のＧｅ濃度ｙを有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記Ｇｅ濃度ｙが前記Ｇｅ濃度ｘより低い、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記Ｓｉ1-zＧｅz層が、前記歪みＳｉ1-yＧｅy層上にエピタキシャル成長によって形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記Ｓｉ1-zＧｅz層が０．０５から１．０のＧｅ濃度ｚを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記Ｓｉ1-zＧｅz層が０．１０から０．３０のＧｅ濃度ｚを有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記水素リッチな欠陥層が、水素イオンを前記弛緩Ｓｉ1-xＧｅx層に注入することによって形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記第二結晶質半導体基板が、単結晶シリコン、多結晶シリコン、ＳｉＧｅおよびＧａＡｓで構成されたグループから選択された材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記絶縁体層が、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミ酸化膜、シリコン窒化酸化膜、ハフニウム酸化膜、ジルコン酸化膜およびドーピングしたアルミ酸化膜で構成されたグループから選択された材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
さらに、前記結合ステップの前に前記Ｓｉ1-zＧｅz層の上面を研磨するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記Ｓｉ1-zＧｅz層の前記上面が、
２時間から５０時間の期間にわたって５０℃から５００℃の温度でアニールするステップ
を含む方法によって前記絶縁体層に結合される、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記水素リッチな欠陥層にある前記弛緩Ｓｉ1-xＧｅx層が、
２００℃から６００℃の温度でアニールするステップ
を含む方法によって分離される、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記弛緩Ｓｉ1-xＧｅx層の前記一部分が、
過酸化水素、フッ化水素酸および酢酸を使用してエッチングするステップ
を含む方法によって除去される、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月14日(2008.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理チャンバを含むプラズマ処理システムにおいて、基板の加工処理工程における処理の選択性を改善する方法であって：
処理ガス混合物と親和性を有するプレコート（pre-coat）ガス混合物を前記プラズマ処理チャンバ内に流入させる工程；
前記プレコートガス混合物の第一プラズマを照射する工程；
前記基板を前記プラズマ処理チャンバに導入する工程；
前記プラズマ処理チャンバ内に処理ガス混合物を流入させる工程；
前記処理ガス混合物の第二プラズマを照射する工程；
前記第二プラズマにより前記基板をエッチングと積層の少なくとも１つを実施する工程；を含み、
前記第一プラズマが、前記プラズマ処理チャンバ内の表面にプレコート膜を形成して、前記第二プラズマ中の少なくともいくらかの量のラジカルを引きつけるように構成されていることを特徴とする処理の選択性を改善する方法。
【請求項２】
前記プレコートガス混合物を流入させる前に、ウエハのない状態で前記プラズマ処理チャンバを清浄化する工程をさらに有する請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記処理ガス混合物が、エッチング種（etchant species）を含む請求項１記載の
方法。
【請求項４】
前記プレコート膜が保護膜形成種のため前記エッチング種と化学的に反応する請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記保護膜形成種が前記基板の少なくとも一部を被覆する請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記処理の選択性が、フォトレジストのエッチングの選択性である請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記処理の選択性が、ＢＡＲＣのエッチングの選択性である請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記処理の選択性が、無機材料のエッチングの選択性である請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記処理の選択性が、がシリコンのエッチングの選択性である請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記プレコートガス混合物がＯ２を含む請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記プレコートガス混合物がＨＢｒを含む請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記プレコートガス混合物がＣｌ２を含む請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記プレコートガス混合物がＨｅを含む請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記プレコートガス混合物がＮ２を含む請求項１記載の方法。
【請求項１５】
前記プレコートガス混合物がＡｒを含む請求項１記載の方法。
【請求項１６】
前記プレコートガス混合物がＣＦ４を含む請求項１記載の方法。
【請求項１７】
前記プレコートガス混合物がＣＨ２Ｆ２を含む請求項１記載の方法。
【請求項１８】
前記プレコートガス混合物がＣＨＦ３を含む請求項１記載の方法。
【請求項１９】
前記プレコートガス混合物がＣＨｘＦｙ（ｘ、ｙは共に整数）を含む請求項１記載の方法。
【請求項２０】
前記プレコートガス混合物がＳｉＣｌ４を含む請求項１記載の方法。
【請求項２１】
前記プレコートガス混合物がＳＦ６を含む請求項１記載の方法。
【請求項２２】
前記プレコートガス混合物がＮＦ３を含む請求項１記載の方法。
【請求項２３】
前記基板が半導体ウエハである請求項１記載の方法。
【請求項２４】
前記基板がガラスパネルである請求項１記載の方法。
【請求項２５】
基板をプラズマで加工処理するためのプラズマ処理システムであって、このプラズマ処理システムは：
プラズマ処理チャンバ；
前記プラズマ処理チャンバの表面に形成されるプレコート；を含み、
前記プレコートは、前記プラズマが前記プラズマ処理チャンバの中の前記基板に対してエッチングと積層の少なくとも１つの処理を実施する時に、前記プラズマの少なくともいくらかの量の処理ラジカルを引きつけるように構成されていることを特徴とする、プラズマ処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月19日(2008.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電層に接続された第１端子と、前記導電層の第１の部分はショットキー接合であることと、
前記ショットキー接合の下にある第１導電型の第１領域と、前記第１領域の第１の部分は前記ショットキー接合の直下にあることと、
前記第１領域の下にあり、第２導電型である第２領域と、前記第２領域の第１の部分は前記第１領域の第１の部分の直下にあることと、前記第２導電型は前記第１導電型と反対のものであることと、
前記第２領域の下にあり、前記第１導電型である第３領域と、前記第３領域の第１の部分は前記第２領域の直下にあることと、
前記第１領域の上方にあり前記第１領域及び前記第３領域に電気接続されている第２端子と、
前記第１領域と水平方向にて隣接し、第２導電型である第４領域と、前記第４領域は前記第１端子に電気接続されていることと、前記第４領域の第１の部分は前記第２領域と水平方向にて隣接していることと、前記第２領域は前記第４領域の接続領域を介して前記導電層に電気接続されていることと、前記第４領域の接続領域は前記第４領域のうちの他の部分よりも高いドーパント濃度を有していることとからなる、デバイス。
【請求項２】
前記第１領域は第１の交互配列構造からなり、
前記第４領域は前記第１の交互配列構造と交互に配列する第２の交互配列構造からなる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第１領域と第２領域は、第１の方向を指向する第１の表面をなし、前記第１領域と第４領域は、第２の方向を指向する第２の表面をなし、前記第１の方向と第２の方向はほぼ直行している、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記第１領域と第４領域は第３の方向を指向する第３の表面をなし、前記第３の方向と第１の方向はほぼ直行し、前記第３の方向と第２の方向はほぼ直行している、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
導電層に接続されている第１端末と、前記導電層の第１の部分はショットキー接合であることと、
前記ショットキー接合の下にある第１導電型の第１領域と、前記第１領域の第１の部分は前記ショットキー接合の直下にあることと、
前記第１領域の前記第１の部分の直下にあり、第２導電型である第２領域と、前記第２導電型は前記第１導電型と反対のものであることと、
前記第２領域の直下にあり、前記第１導電型である第３領域と、
前記第１領域の上方にあり前記第１領域及び前記第３領域に電気接続されている第２端子と、
前記第１領域と水平方向にて隣接し、第２導電型である第４領域と、前記第４領域は前記第１端子に電気接続されていることと、前記第４領域の第１の部分は前記第２領域と水平方向にて隣接していることと、前記第２領域は前記第４領域の接続領域を介して前記導電層に電気接続されていることと、前記第４領域の接続領域は前記第４領域のうちの他の部分よりも高いドーパント濃度を有していることとからなる、デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月22日(2008.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されて第１の特徴を有する第１結晶性半導体層に形成された凹部に誘電領域を形成するステップと、
前記誘電領域および前記第１結晶性半導体層上に前記第１の特徴とは異なる第２の特徴を有する第２結晶性半導体層を位置決めするように少なくとも１つのプロセスオペレーションを実行するステップと、
前記第１結晶性半導体層の一部分をさらすために、前記第２結晶性半導体層の第１部分を除去する一方、前記第２結晶性半導体層の第２部分は前記誘電領域上に配置したままにしておくステップ、を含む方法。
【請求項２】
前記第２結晶性半導体層を前記誘電領域および前記第１結晶性半導体層上に位置決めするように少なくとも１つのプロセス オペレーションを実行するステップは、前記第２結晶性半導体層を第２基板上に供給し、前記第２基板を前記基板に接合するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第１結晶性半導体層の前記さらされた部分に半導体材料を選択的にエピタキシャル成長させるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記凹部に前記誘電領域を形成するステップは、前記第１結晶性半導体層の第１部分に前記凹部を、第２部分にアイソレーショントレンチを、ともに形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記凹部および前記アイソレーショントレンチを完全に充填するとともに、前記第１結晶性半導体層上に、誘電材料からなる 第１層を供給するために、前記第１結晶性半導体層上に誘電材料を蒸着するステップをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第２結晶性半導体層が形成された前記第２基板は、前記第２結晶性半導体層が誘電材料からなる前記第１層に接触した状態で前記基板に接合される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２結晶性半導体層上に第２誘電層を形成し、第２誘電層を備えた前記第２基板を、前記基板に接合するステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記第２誘電層を形成する前に、特定の歪みを有する第２結晶性半導体層を形成するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第２結晶性半導体層の一部分を除去するステップは、前記誘電領域上に設けられた前記第２結晶性半導体層の一部に第２アイソレーショントレンチを形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１結晶性半導体層のさらされた部分と前記第２結晶性半導体層の残りの部分との間にアイソレーション領域を維持するために、前記第２結晶性半導体層の前記部分を除去するステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１結晶性半導体層は、歪み層である、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１結晶性半導体層は、歪みバッファ層を含み、前記半導体材料は、前記第１結晶性半導体層の前記さらされた部分に歪み半導体層を形成するために、前記歪みバッファ層上に選択的に成長される、請求項３に記載の方法。
【請求項１３】
前記半導体材料を選択的にエピタキシャル成長させるステップは、バッファ層を蒸着するステップ、前記バッファ層上に前記半導体材料を蒸着するステップ、 および、前記蒸着した半導体材料に歪みを生成するために、前記バッファ層を緩和させるステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１特徴は、第１の結晶方向を表し、前記第２特徴は、第２の結晶方向を表す、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１結晶性半導体層および前記第２結晶性半導体層の少なくとも１つに形成された凹部に第２誘電領域を形成するステップと、
前記第２誘電領域および前記第１および第２結晶性半導体層上に、前記第１および第２の特徴とは異なる第３の特徴を有した第３結晶性半導体層を形成するステップと、
前記第１および第２結晶性半導体層をさらすために、前記第３結晶性半導体層を除去するステップと、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１結晶性半導体層に形成された第１チャネル領域を有する第１トランジスタを形成するステップと、
前記第２結晶性半導体層に形成された第２チャネル領域を有する第２トランジスタを形成するステップと、をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項１７】
前記第１結晶性半導体層の前記さらされた部分の一部は第１デバイス領域を形成し、前記誘電領域上に形成された前記第２結晶性半導体層の一部は第２デバイス領域を形成する、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月15日(2008.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の背面の上にマスク層を形成するマスク層形成工程と、
半導体基板からダイが形成される場所を規定するトレンチ領域をマスク層に形成するトレンチ領域形成工程と、
トレンチ領域形成工程に続いて、マスク層および半導体基板をエッチングし、マスク層を除去すると同時に半導体基板にトレンチ領域を形成するエッチング工程と、
エッチング工程に続いて、半導体基板の背面からエッチングし、半導体基板を薄化すると同時に半導体基板を複数のダイへ個片化する背面エッチング工程と、からなる半導体基板の処理方法。
【請求項２】
エッチング工程に先立って、半導体基板の正面の上に取り扱い基板を付着する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数のダイのうちの１つのダイの背面の上に背面金属層を形成する背面金属層形成工程を含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
背面金属層形成工程の後に、前記複数のダイから取り扱い基板を取り除く工程を含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
第１の厚さを有する半導体基板の背面内にトレンチ領域を形成するトレンチ領域形成工程と、
トレンチ領域形成工程に続いて、半導体基板の背面からエッチングし、半導体基板から所望の厚さの複数のダイを形成するダイ形成工程と、
所望の厚さは第１の厚さ未満であることと、からなる半導体基板の処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月27日(2008.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
アルミニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ガドリニウム及びルテチウム元素のフッ化物及びオルトリン酸塩と、アルミニウム、イットリウム及びランタンの酸化物と、アルミニウムの窒化物との群から選択されたコーティングを有する、請求項１３に記載の燐光体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月28日(2008.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる光反射率の部分を有するインディシアを電気光学的に読み取るイメージングリーダの照準パターン生成器であって、該リーダは、発散するレーザービームを生成するレーザーダイオード（１８）を有し、
該照準パターン生成器は、
波長とビーム寸法Ｄを有するビーム断面とを有する可視平行レーザービームへと該発散するレーザービームを光学的に修正するための前面レンズ部分と、複数の屈折構造（２４、２６、２８）を有するように形成された背面部分とを有している光学コンポーネント（２０）であって、該構造（２４、２６、２８）の各々は、構造寸法Ｔを有し、該平行レーザービームは、光軸（３０）に関して測定される最大角度で、該読み取られるインディシア上に照準光パターンを投影するために、該光軸（３０）に沿って、屈折のための該屈折構造（２４、２６、２８）を介するように方向付けられ、該ビーム寸法Ｄは、該構造寸法Ｔよりも大きく、該構造寸法Ｔは、該波長を該最大角度の正弦値で除算した値よりも大きい、光学コンポーネント（２０）を特徴とする、照準パターン生成器。
【請求項２】
前記発散するレーザービームの経路中の開口絞り（２２）を含む、請求項１に記載の照準パターン生成器。
【請求項３】
前記屈折構造（２４、２６、２８）は、単一の照準線（３４）として、該照準線（３４）に沿って均一な光強度を有するように前記照準光パターンを生成するための湾曲表面を有する、請求項１に記載の照準パターン生成器。
【請求項４】
各湾曲表面は、凸面湾曲または凹面湾曲を有する、請求項３に記載の照準パターン生成器。
【請求項５】
前記屈折構造（２４、２６、２８）は、線強度を有する単一の照準線（３８）、および、該照準線（３８）上に該線強度よりも大きいスポット強度を有する単一の照準スポット（３６）として、前記照準光パターンを生成するための平らな表面および湾曲表面を有する、請求項１に記載の照準パターン生成器。
【請求項６】
前記屈折構造（２４、２６、２８）のうちの少なくとも１つは、前記平らな表面のうちの１つの表面（Ｔ１）であって、前記湾曲表面のうちの２つを側面に配置した表面を有する、請求項５に記載の照準パターン生成器。
【請求項７】
前記屈折構造（２４、２６、２８）は、複数の照準スポット（４６、４８、５０）を生成するための複数の平らな表面（４０、４２、４４）を有する、請求項１に記載の照準パターン生成器。
【請求項８】
前記複数の平らな表面のうちの１つは、中央の平らな表面（４０）であり、該複数の平らな表面のうちのさらなる２つの表面（４２、４４）は、該中央の平らな表面（４０）に対して傾いている、請求項７に記載の照準パターン生成器。
【請求項９】
前記屈折構造（２４、２６、２８）は、複数のグループにアレンジされ、
該複数のグループのうちの１つは、中央の行（５８）にアレンジされ、
該複数のグループのうちのさらなる２つは、該中央の行（５８）に直交するそれぞれのサイドの行（６２、６４）に沿ってアレンジされ、該中央の行（５８）の互いに反対のサイドに位置し、
該屈折構造の中央の行（５８）は、照準線（６０）を生成するための湾曲表面を有し、
該屈折構造のサイドの行（６２、６４）は、全体として別の照準線（６６）を生成するための湾曲表面を有し、
前記照準パターンは、前記インディシア上に、直交する十字線として現れる照準線（６０、６６）をともに備える、請求項１に記載の照準パターン生成器。
【請求項１０】
前記屈折構造は、複数のグループにアレンジされ、
該複数のグループのうちの１つは、１つの行（６８）に沿ってアレンジされ、
別の１つのグループは、該１つの行（６８）に垂直な別の１つの行（７０）に沿ってアレンジされ、
前記ビームの断面は、前記行（６８、７０）の両方に対して斜めに延びている主軸を有する楕円形（７２）であり、
該屈折構造の該行（６８、７０）の両方は、前記インディシア上に、直交する十字線として現れる２つの照準線（７４、７６）を全体として生成するための湾曲表面を有する、請求項１に記載の照準パターン生成器。
【請求項１１】
前記光学コンポーネント（２０）は、中央の細長い平らな面（７８）を有し、該面（７８）を介して前記平行レーザービームが前記インディシア上に中央照準スポット（８６）として投影し、
前記屈折構造（２４、２６、２８）は、該中央の面の互いに反対のサイドにある２つのサイドの行にアレンジされ、該中央の細長い平らな面（７８）の長手方向に対して互いに反対方向の傾斜角度で傾き、
該２つのサイドの行のうちの一方の行の各屈折構造は、該中央照準スポット（８６）から離間された一対のエンド照準スポット（８８、９４）を生成するための一対の平らな表面（８０、８２）を有し、
該２つのサイドの行のうちの他方の行の各屈折構造は、該中央照準スポット（８６）から離間された別の一対のエンド照準スポット（９０、９２）を生成するための一対の平らな表面（８０、８２）を有し、
前記照準パターンは、５つの照準スポット（８６、８８、９０、９２、９４）を備える、請求項１に記載の照準パターン生成器。
【請求項１２】
前記屈折構造（２４、２６、２８）は、周期的に離間されており、各屈折構造は、放物線湾曲を有する、請求項１に記載の照準パターン生成器。
【請求項１３】
前記光学コンポーネント（２０）は、１．５の屈折率を有するモールド成形材料から形成される、請求項１に記載の照準パターン生成器。
【請求項１４】
前記屈折構造（２４、２６、２８）のうちの少なくとも１つは、チャネルである、請求項１に記載の照準パターン生成器。
【請求項１５】
前記屈折構造（２４、２６、２８）のうちの少なくとも１つは、コブである、請求項１に記載の照準パターン生成器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月20日(2008.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項６記載のカメラにおいて、
前記カムは内部に溝を有するドラムカムであり、
カム従動子は前記プリズムに取着されており、これによって前記ドラムカムが回転すると前記プリズムが前記溝を従動するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
請求項１７記載のカメラにおいて、
前記通常螺旋形状は非前進部分を有し、これにより、前記レンズアセンブリの近接部および前記レンズアセンブリの先端部のうちの一方は前進を停止し、それと同時にもう一方は前記カムの回転に従って前進を継続するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
発明者の認識する限りにおいて、上述の目的を達成することに成功した先行技術による
装置は存在しない。先行技術による、レンズアセンブリを格納および／または保護するた
めの装置はすべて、カメラのサイズ、重量および／または複雑さという点で欠点があるか
、若しくは望ましいとされる程度に頑丈ではなく信頼性もなかった。カメラの光学部品を
「使用」位置にし、および／または望遠レンズ素子を位置決めするための、先行技術によ
る装置はすべて、比較的複雑、大型、さらに高価な機構を必要とし、また各機能を実行す
るのに別個の機構を必要とした。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
【特許文献１】米国特許第３，６５６，４２２号明細書
【特許文献２】米国特許第５，２９６，９７０号明細書
【特許文献３】米国特許第５，６３４，１４７号明細書
【特許文献４】米国特許第５，９３７，２１５号明細書
【特許文献５】米国特許第６，６７０，９８９号明細書
【特許文献６】米国特許第５，６７８，０９３号明細書
【特許文献７】米国特許第６，２５２，６２８号明細書
【特許文献８】米国特許第６，２９２，６３４号明細書
【特許文献９】米国特許第６，３３９，５０８号明細書
【特許文献１０】米国特許第６，４９８，９０３号明細書
【特許文献１１】米国特許出願公開第２００２／００６７４２６号明細書
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
次に図２を参照すると、記載した本発明の実施形態において、前記カム筒２０は、第１の動作部分１１０と、第２の動作部分１１２とを有し、現在説明している実施形態においては、各部分は当該カム筒２０の外周の約半分を占める。当然のことながら、前記カム溝３０、４０および５０の傾斜をより急傾斜にして、前記カム筒２０の動作範囲全体を移動するのに当該カム筒２０を３６０度１回転する必要がないようにすることが可能である。このような１実施形態においては、前記第１の動作部分１１０および前記第２の動作部分１１２のそれぞれは、通常、前記カム筒２０の外周の半分以下を占める。同様に、前記ポップアップ式プリズムレンズアセンブリ１１が動作範囲全体を移動するのに前記カム筒２０を１回転以上するように、前記カム溝３０、４０、および５０に傾斜を付けることが可能である。このような例においては、前記第１の動作部分１１０および前記第２の動作部分１１２は前記カム筒の外周の周りを重合する。上記の実施形態は、前記カム筒２０および当該カム筒２０上の前記カム溝３０、４０、および５０の形状における可能な変形実施形態の一部であり、本発明をある特定の用途に適合するのにこれらを使用することもできる。これらの形態のいずれにおいても、前記カム従動子２８、３８および４８が前記カム筒２０内を従動すると、上述したように前記ポップアップ式プリズムレンズアセンブリの素子が「使用」位置になるような前記カム筒２０の部分が存在する。さらに、前記カム従動子２８、３８、および４８が前記カム筒２０内を従動すると、前記プリズムアセンブリ２１は前記「使用」位置に維持され、一方前記ポップアップ式プリズムアセンブリ１１の他の素子は、必要であれば前記レンズの設定を変更（本明細書で説明したように、拡大比率の変更など）するために移動を継続するような前記カム筒２０の部分が存在する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2008505373.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月19日(2008.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子印刷又はコピー装置において、前もって電位像キャリア上に生ぜしめられた、像部分としての、印刷しようとする像を含有する電位像を現像するための装置において、
アプリケーションローラ（２０１）が設けられていて、該アプリケーションローラ（２０１）は、電位像の像部分を着色するために、電位像キャリア（１０１）とアプリケーションローラ（２０１）との間に設けられた現像液ギャプが完全に満たされるように、担体液及びトナー粒子を有する現像液を電位像キャリア（１０１）に導くようになっており、
０．１乃至８０ｍＰａ*ｓの粘性を有する担体液に、分散を促進する添加剤を添加することによってトナー粒子の部分が混合されて、１乃至９９ｍＰａ*ｓの低い粘性を有する現像液が得られ、それによって電位像の像部分の領域内で現像液内に分散するトナー粒子が電位像キャリア（１０１）に移行し、かつ現像する必要のない領域にトナー粒子が移行しないように、構成されている、
ことを特徴とする、電子印刷又はコピー装置において、前もって電位像キャリア上に生ぜしめられた、像部分としての、印刷しようとする像を含有する電位像を現像するための装置。
【請求項２】
アプリケーションローラ（２０１）が設けられていて、該アプリケーションローラ（２０１）が、電位像の像部分を着色するために、担体液及びトナー粒子の他に付加的に少なくとも１つの助剤を有する現像液を電位像キャリア（１０１）に導くようになっており、
担体液とトナー粒子と少なくとも１つの助剤とかなら成る集合体は、現像液が１乃至９９ｍＰａ*ｓの低い粘性を有するように、構成されている、請求項１記載の装置。
【請求項３】
担体液が、＞＝１０１０Ω*ｃｍの固有の抵抗を有している、請求項１記載の装置。
【請求項４】
電位像キャリア（１０１）への現像液の搬送が面に関連していて、かつ印刷速度とは無関係であって、種々異なる印刷速度において、時間単位毎に常に同じ量の現像液が現像ローラ（２０１）に達するようになっている、請求項１から３までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５】
電子印刷又はコピー装置において、前もって電位像キャリア上に生ぜしめられた、像部分としての、印刷しようとする像を含有する電位像を現像するための方法において、
請求項１から４までのいずれか１項記載の特徴を有する現像液を使用することを特徴とする、電子印刷又はコピー装置において、前もって電位像キャリア上に生ぜしめられた、像部分としての、印刷しようとする像を含有する電位像を現像するための方法。
【請求項６】
電子印刷又はコピー装置において、前もって電位像キャリア上に生ぜしめられた、像部分としての、印刷しようとする像を含有する電位像を現像するための方法において、
請求項１から４までのいずれか１項記載の特徴を有する装置を使用することを特徴とする、電子印刷又はコピー装置において、前もって電位像キャリア上に生ぜしめられた、像部分としての、印刷しようとする像を含有する電位像を現像するための方法。