Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月21日(2007.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モル％表示で実質的に、
ＳｉＯ2      ５６〜７５、
Ａｌ2Ｏ3      ０〜２０、
ＭｇＯ          ０〜２０、
ＣａＯ          ０〜１．９９、
ＳｒＯ      ０．１〜２０、
ＺｎＯ          ０〜４、
ＴｉＯ2        ０〜１０、
ＺｒＯ2        ０〜７、
Ｌｉ2Ｏ        ０〜２０、
Ｎａ2Ｏ        ０〜１０、
Ｋ2Ｏ          ０〜１０、
からなる情報記録媒体基板用ガラス。
【請求項２】
Ａｌ2Ｏ3が１％以上である請求項１に記載の情報記録媒体基板用ガラス。
【請求項３】
ヤング率が８５ＧＰａ以上である請求項１または２に記載の情報記録媒体基板用ガラス。
【請求項４】
ガラス転移点が５５０℃以上である請求項１、２または３に記載の情報記録媒体基板用ガラス。
【請求項５】
液相温度をＴL（単位：℃）、粘度が１０4Ｐとなる温度をＴ4（単位：℃）として、ＴL−Ｔ4＜５０である請求項１、２、３または４に記載の情報記録媒体基板用ガラス。
【請求項６】
請求項１、２、３、４または５に記載の情報記録媒体基板用ガラスからなる情報記録媒体用ガラス基板。
【請求項７】
請求項６に記載の情報記録媒体用ガラス基板であって、１２０℃、２気圧の水蒸気雰囲気に２０時間保持した該ガラス基板表面に存在する、大きさが１０μｍ以上の付着物の数が１個／ｃｍ2以下であり、大きさが１μｍ以上１０μｍ未満の付着物の数が１０5個／ｃｍ2以下である情報記録媒体用ガラス基板。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月23日(2007.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  原料金属シリコンを粉砕した後、該粒体シリコンを酸洗処理してＦｅ，Ｔｉなどの酸可溶性金属不純物を除去する酸洗精錬と、該酸洗精錬を経た粒体シリコンをコールドクルーシブルにより誘導加熱溶解して、真空中でＰやＭｎなどの蒸気圧の高い不純物金属を蒸発させて除去する真空精錬と、該真空精錬を経た溶融体シリコンをコールドクルーシブルにより誘導加熱溶解して、アルゴンガス中で酸素または／および水蒸気を添加してＣ，Ｂなどの酸化性不純物を酸化して除去する酸化精錬と、該酸化精錬を経た溶融体シリコンをコールドクルーシブルにより誘導加熱溶解し一方向凝固を行ってＦｅ，Ｔｉなどの残部不純物を除去する凝固精錬とを溶融状態で連続して行うことにより高純度金属シリコンを製造することを特徴とする太陽電池用シリコンの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この間、溶融状態のシリコンは第１、第２黒鉛ハース３、４と水冷銅るつぼ５において表面が真空に曝されて、Ｐ，Ｍｎ，Ｓｎ，Ｓｂなどの蒸気圧の高い不純物が蒸発して溶融シリコンの純度が向上する。この真空精錬されたシリコンは水冷銅るつぼ５で冷却されて半精錬されたシリコンインゴットにされ、粉砕されて次の酸化精錬の原料にされる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の太陽電池用シリコンの製造方法は、原料金属シリコンを粉砕した後、該粒体シリコンを酸洗処理してＦｅ，Ｔｉなどの酸可溶性金属不純物を除去する酸洗精錬と、該酸洗精錬を経た粒体シリコンをコールドクルーシブルにより誘導加熱溶解して、真空中でＰやＭｎなどの蒸気圧の高い不純物金属を蒸発させて除去する真空精錬と、該真空精錬を経た溶融体シリコンをコールドクルーシブルにより誘導加熱溶解して、アルゴンガス中で酸素または／および水蒸気を添加してＣ，Ｂなどの酸化性不純物を酸化して除去する酸化精錬と、該酸化精錬を経た溶融体シリコンをコールドクルーシブルにより誘導加熱溶解し一方向凝固を行ってＦｅ，Ｔｉなどの残部不純物を除去する凝固精錬とを溶融状態で連続して行うことにより高純度金属シリコンを製造することを特徴とするものである。この各精練における溶解は、スカル溶解によることが不純物の混入を減少させるために望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
このようにすれば、凝固偏析効果によって、真空精錬、酸化精錬によって除去されなかった残存不純物が溶融体上部の最終凝固部中に残って精錬できるので、凝固精錬を簡易な構造で果たすことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
まず図１によって、製造工程の全体について説明する。図１において、原料金属シリコンは、通常の粉砕機で１ｍｍ程度の粒度に粉砕される。その後、この粒体シリコンは酸洗処理される。この酸洗処理により原料金属シリコンの粒界に偏析しているＦｅ，Ｔｉなどの不純物の５０％以上が除かれる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
次に、この酸洗処理された粒体シリコンは、誘導加熱により溶解されて真空精錬され、ＰやＭｎなどの蒸気圧の高い不純物元素が除去される。ついでこの溶解された溶融体シリコンは、酸化精錬されてＣ，Ｂなどの元素が酸化されて除去される。さらに、溶融体シリコンは凝固精錬されて残存不純物が除かれて純度が上がり太陽電池用シリコンが得られる。本発明の製造方法では、上記の真空精錬、酸化精錬、凝固精錬がシリコンの溶融の状態で一つの装置内で連続して行われる。
以下、上記真空精錬、酸化精錬、凝固精錬について、図２を用いて詳細に説明する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
こうして、第２誘導溶解炉４４から連続供給されて誘導加熱炉６４により受けられた溶融体シリコンは、上部は加熱された溶融状態で、引下げ棒６７により底部から冷却して連続的に下方に引き下げられて一方向凝固する。これにより、前の精錬により除去されなかったＦｅ，Ｔｉなどの残存不純物が上方のインゴット頭部に残ってシリコンの純度が向上する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
以上説明したように、本発明の太陽電池用シリコンの製造方法および装置によれば、溶融状態で連続操業ができ、所要の純度の太陽電池用シリコンが得られた。これにより、下記の効果が認められた。
１．乾式精錬前に、前置工程で酸洗処理を行うことにより粒界に偏析している金属不純物をあらかじめ除去するので、従来方法では２回の凝固精錬を必要とした純度のシリコンが１回の凝固精錬で得られる。
２．誘導加熱炉はコイル一体型コールドクルーシブル炉であるので、投入電力効率が高いとともに、シリコンスカル溶解するので、不純物の混入が防止できる。
３．第１、第２誘導溶解炉は、角型水平巻きコイルの複数るつぼ型なので、反応表面積が拡大され、かつ誘導加熱により強撹拌が行われるので、反応速度が増し反応時間を大幅に短縮できる。
４．従来工程のように中間冷却工程がなく、シリコンの溶融状態のまま全精錬工程を連続で行うので、生産性の向上と電力源単位の低減ができる。
５．溶湯温度、雰囲気の制御が容易であるので、最適な反応条件に設定でき、反応時間を短縮し効率化できる。
６．酸化精錬において、溶湯下方から酸素などを吹き込んでバブリングを行うので、他の方法では除去しにくいＢを効率的に除去でき純度を上げることができる。
７．石英るつぼを使用しないので、不純物の混入を防止でき、かつコスト低減できる。
８．シリコンの蒸発を抑制でき、製品歩留まりが向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月2日(2007.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ダイパッド４ａに樹脂封止領域５から０．１〜１．０ｍｍ程度離間した領域に半導体素子（図示せず）との実装性に優れた第三の皮膜１１として例えば銀めっき皮膜を０．５〜２μｍ選択的に形成する（図３（ｅ））。このとき、リードフレーム１表面の非樹脂封止領域６に発生した樹脂バリ（図示せず）は、封止樹脂との密着性に劣る第一の皮膜９が奏する作用により、容易に除去することができる。また、樹脂封止領域５に形成した樹脂外囲器１０は、封止樹脂との密着性に優れる第二の皮膜８が奏する作用により、強固に密着しており剥離することを防止している。さらに、樹脂封止領域５表面に予め選択的に粗面化処理を施すことで、機械的結合と化学的結合との相乗効果を奏することができる。樹脂封止領域５と第三の皮膜１１の領域とを０．１〜１．０ｍｍ程度離間することで樹脂封止工程における成形位置ズレによって、樹脂バリ（図示せず）が第三の皮膜１１の領域に形成されることがない。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月30日(2006.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図２は、出力映像解像度設定画面の表示例を示している。この出力映像解像度設定画面４１にはチェックボックス４２および４３が設けられている。図２においてはチェックボックス４２が選択されている。ユーザはチェックボックス４２を選択することによって、HDMI I/F１９に接続されているモニタの解像度を優先させる（以下、HDMI解像度優先と記述する）ように設定することができる。また、ユーザはチェックボックス４３を選択することによって、アナログ系I/F２１に接続されているモニタの解像度を優先させる（以下、D1/2/3/4設定優先と記述する）ように設定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣチップを備えた識別対象との間でループアンテナを使用して電磁誘導作用により非接触通信を行い、前記識別対象が備える前記ＩＣチップを駆動する電力を送信するリーダライタ装置であって、
前記ループアンテナは、導線により構成される１つのアンテナであって同一形状或いは略同一形状のアンテナ要素を複数有する形状であり、
前記複数のアンテナ要素は一方向に連接された形状であり、隣接するアンテナ要素の接続点のところにおいて導線同士が交差するように折り曲げられている、
ことを特徴とするリーダライタ装置。
【請求項２】
ＩＣチップを備えた識別対象との間でループアンテナを使用して電磁誘導作用により非接触通信を行い、前記識別対象が備える前記ＩＣチップを駆動する電力を送信するリーダライタ装置であって、
前記ループアンテナは、導線により構成される１つのアンテナであって同一形状或いは略同一形状のアンテナ要素を複数有する形状であり、
前記複数のアンテナ要素は一方向に連接された形状であり、前記アンテナ要素は前記複数のアンテナ要素の連接方向とは非平行な線を組み合わせて構成された、
ことを特徴とするリーダライタ装置。
【請求項３】
ＩＣチップを備えた識別対象との間でループアンテナを使用して電磁誘導作用により非接触通信を行い、前記識別対象が備える前記ＩＣチップを駆動する電力を送信する非接触通信装置であって、
前記ループアンテナは、長方形の面に設けられ、導線により構成される１つのアンテナであって同一形状或いは略同一形状のアンテナ要素を複数有する形状であり、
前記複数のアンテナ要素は前記長方形の長手方向に連接された形状である、
ことを特徴とする非接触通信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月22日(2007.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に電子部品を実装する部品実装装置において、基板を搬送する基板搬送ユニットと、前記基板搬送ユニットにより搬送された基板の縁部を支持するバックアップツールと、前記基板を挟んで前記バックアップツールに対向して設けられ前記基板の縁部に電子部品を圧着する圧着ツールとを備え、前記基板搬送ユニットは、搬送ステージと、この搬送ステージの縁部に設けられ前記基板の下面を吸着する複数の吸着パッドと、前記搬送ステージの縁部に設けられ前記吸着パッドと協働して前記基板の下面を支持する複数の支持部とを有し、前記吸着ヘッドおよび前記支持部は各々、前記搬送ステージに対する前記吸着パッドおよび前記支持部の高さを調整するための機構を個別に有することを特徴とする部品実装装置。
【請求項２】
基板上に電子部品を実装する部品実装装置において、基板を搬送する基板搬送ユニットと、前記基板搬送ユニットにより搬送された基板の縁部を支持するバックアップツールと、前記基板を挟んで前記バックアップツールに対向して設けられ前記基板の縁部に電子部品を圧着する圧着ツールとを備え、前記基板搬送ユニットは、搬送ステージと、この搬送ステージの縁部に設けられ前記基板の下面を吸着する複数の吸着パッドと、この吸着パッドと別体を構成し、前記搬送ステージの縁部に設けられ前記吸着パッドと協働して前記基板の下面を支持する複数の支持部とを有し、前記吸着パッドによる下方向への吸着力と前記支持部による上方向への反力とによって、前記基板の変形を矯正するとともに、前記支持部の上端の高さを基準として前記基板の高さを均一に保つことを特徴とする部品実装装置。
【請求項３】
前記支持部は金属を有することを特徴とする請求項１および請求項２記載の部品実装装置。
【請求項４】
基板上に電子部品を実装する部品実装方法において、搬送ステージに設けられた複数の吸着パッドと複数の支持部とにより当該搬送ステージ上で基板を支持する工程と、前記搬送ステージ上で支持された前記基板の変形状態を測定する工程と、測定された前記基板の変形状態に応じて、前記吸着パッドの吸着力の調整、前記搬送ステージ上での前記吸着パッドの取付位置の調整、前記搬送ステージ上での前記支持部の取付位置の調整、および前記吸着ヘッドおよび前記支持部に個別に設けられた高さ調整機構により行なう調整、のうちの少なくとも一つを行う工程と、前記搬送ステージを移動させることにより、前記搬送ステージ上で支持されている前記基板を実装位置へ搬送する工程と、
前記実装位置へ搬送された前記基板上に部品を実装する工程とを含むことを特徴とする
部品実装方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、基板上に電子部品を実装する部品実装装置において、基板を搬送する基板搬送ユニットと、前記基板搬送ユニットにより搬送された基板の縁部を支持するバックアップツールと、前記基板を挟んで前記バックアップツールに対向して設けられ前記基板の縁部に電子部品を圧着する圧着ツールとを備え、前記基板搬送ユニットは、搬送ステージと、この搬送ステージの縁部に設けられ前記基板の下面を吸着する複数の吸着パッドと、前記搬送ステージの縁部に設けられ前記吸着パッドと協働して前記基板の下面を支持する複数の支持部とを有し、前記吸着ヘッドおよび前記支持部は各々、前記搬送ステージに対する前記吸着パッドおよび前記支持部の高さを調整するための機構を個別に有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、基板上に電子部品を実装する部品実装装置において、基板を搬送する基板搬送ユニットと、前記基板搬送ユニットにより搬送された基板の縁部を支持するバックアップツールと、前記基板を挟んで前記バックアップツールに対向して設けられ前記基板の縁部に電子部品を圧着する圧着ツールとを備え、前記基板搬送ユニットは、搬送ステージと、この搬送ステージの縁部に設けられ前記基板の下面を吸着する複数の吸着パッドと、この吸着パッドと別体を構成し、前記搬送ステージの縁部に設けられ前記吸着パッドと協働して前記基板の下面を支持する複数の支持部とを有し、前記吸着パッドによる下方向への吸着力と前記支持部による上方向への反力とによって、前記基板の変形を矯正するとともに、前記支持部の上端の高さを基準として前記基板の高さを均一に保つことを特徴とする。
なお、前記支持部は金属を有することが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明は、基板上に電子部品を実装する部品実装方法において、搬送ステージに設けられた複数の吸着パッドと複数の支持部とにより当該搬送ステージ上で基板を支持する工程と、前記搬送ステージ上で支持された前記基板の変形状態を測定する工程と、測定された前記基板の変形状態に応じて、前記吸着パッドの吸着力の調整、前記搬送ステージ上での前記吸着パッドの取付位置の調整、前記搬送ステージ上での前記支持部の取付位置の調整、および前記吸着ヘッドおよび前記支持部に個別に設けられた高さ調整機構により行なう調整、のうちの少なくとも一つを行う工程と、前記搬送ステージを移動させることにより、前記搬送ステージ上で支持されている前記基板を実装位置へ搬送する工程と、前記実装位置へ搬送された前記基板上に部品を実装する工程とを含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部電極層を含む素子本体を有する電子部品であって、
前記内部電極層が、合金を含み、
該合金が、
ニッケル（Ｎｉ）と、
ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ）および白金（Ｐｔ）の群から選ばれる少なくとも１種の元素と、
を有し、
各成分の含有量が、
Ｎｉ：８０〜１００モル％（ただし、１００モル％は除く）、
Ｒｕ、Ｒｈ、ＲｅおよびＰｔの合計：０〜２０モル％（ただし、０モル％は除く）である電子部品。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月7日(2007.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図９にグローバルテーブルのデータ構造を示す。このデータ構造９００はテーブルへのエントリポイントを５個有している。エントリポイント９０１はＩＡＮＡ予約ＩＰアドレス性違背用の、エントリポイント９０２はＩＣＭＰネットワーク到達不能通知性違背用の、エントリポイント９０３はＩＣＭＰホスト到達不能通知性違背用の、エントリポイント９０４はＩＣＭＰプロトコル到達不能通知性違背用の、エントリポイント９０５はＩＣＭＰポート到達不能通知性違背用の、エントリポイントである。これらエントリポイントには、それぞれ、同様の構成を有する下部データ構造が一組ずつ対応付けられている。例えばエントリポイント９０３に対応付けられているのは、８個一組のデータ構造９１０〜９１７であり、これらはそれぞれ送信元ＩＰアドレスエントリ、累算的計数値エントリ及びタイムスタンプエントリから構成されており、また送信元ＩＰアドレスエントリに従いソートされてその順番に並んでいる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図９にグローバルテーブルのデータ構造を示す。このデータ構造９００はテーブルへのエントリポイントを５個有している。エントリポイント９０１はＩＡＮＡ予約ＩＰアドレス性違背用の、エントリポイント９０２はＩＣＭＰネットワーク到達不能通知性違背用の、エントリポイント９０３はＩＣＭＰホスト到達不能通知性違背用の、エントリポイント９０４はＩＣＭＰプロトコル到達不能通知性違背用の、エントリポイント９０５はＩＣＭＰポート到達不能通知ＩＰパケット性違背用の、エントリポイントである。これらエントリポイントには、それぞれ、同様の構成を有する下部データ構造が一組ずつ対応付けられている。例えばエントリポイント９０３には、８個一組のデータ構造９１０〜９１７が対応付けられている。データ構造９０１〜９１７は、それぞれ送信元ＩＰアドレスエントリ、累算的計数値エントリ及びタイムスタンプエントリから構成されており、送信元ＩＰアドレスエントリに従いソートされてその順番に並んでいる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2006319982.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2006319982.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2006319982.tif 000003
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2006319982.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月28日(2007.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
しかしながら、どちらの選択肢もトラッキング能力を低下させ、このためＧＳＣ１７０の干渉抑制を低下させてしまう。このトレードオフを避けるために、ＭＣ−ＢＲＦＤＡＦをブロッキング行列１８２と干渉キャンセラ１８６とに適用する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月27日(2007.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学素子と、
前記光学素子を搭載し、熱膨張率が同等の素子マウント部材と、
前記素子マウント部材を嵌合するための孔を備え、前記素子マウント部材より熱膨張率の大なる保持部材と、
前記光学素子を封止するとともに対象波長に対して透光性を有する透光性封止部材とを有し、
前記素子マウント部材は、前記光学素子を搭載する面が前記封止部材側に前記保持部材の前記孔から露出するように配置され、前記保持部材と前記透光性封止部材とが接合されるとともに前記光学素子が封止されていることを特徴とする光デバイス。
【請求項２】
前記透光性封止部材は、ガラス材で形成されていることを特徴する請求項１記載の光デバイス。
【請求項３】
前記透光性封止部材は、前記光学素子及びその周囲を封止する第１の封止部材と、前記第１の封止部材及び前記保持部材の上面の露出面を封止する第２の封止部材とを備え、
前記第１の封止部材は、前記素子マウント部と前記第２の封止部材との中間の熱膨張率を有し、
前記第２の封止部材は、前記保持部材と同等の熱膨張率であることを特徴とする請求項２記載の光デバイス。
【請求項４】
前記保持部材は、前記透光性封止部材と同等の熱膨張率であることを特徴する請求項１又は２記載の光デバイス。
【請求項５】
前記素子マウント部材は、前記保持部材と凹凸嵌合可能な断面凸状に形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の光デバイス。
【請求項６】
前記保持部材は、セラミック材料からなることを特徴する請求項１から５のいずれかに記載の光デバイス。
【請求項７】
前記保持部材は、ガラス含有のＡｌ２Ｏ３材料からなることを特徴する請求項６記載の光デバイス。
【請求項８】
前記保持部材は、配線パターンを断面内に積層した多層基板であることを特徴する請求項６又は７記載の光デバイス。
【請求項９】
前記光学素子は、発光素子であることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の光デバイス。
【請求項１０】
前記光学素子は、フリップチップ接合されることを特徴とする請求項９記載の光デバイス。
【請求項１１】
前記光学素子は、フェイスアップタイプの発光素子であり、前記発光素子と電気的に接続されるワイヤとともに耐熱性材料によって覆われていることを特徴とする請求項９記載の光デバイス。
【請求項１２】
前記素子マウント部材は、底面に放熱部を有することを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の光デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記透光性封止部材は、前記光学素子及びその周囲を封止する第１の封止部材と、前記第１の封止部材及び前記保持部材の上面の露出面を封止する第２の封止部材とを備え、前記第１の封止部材は、前記素子マウント部と前記第２の封止部材との中間の熱膨張率を有し、前記第２の封止部材は、前記保持部材と同等の熱膨張率であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月18日(2007.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を発生するランプユニットと、
前記光を受光する入射部を含む側面、前記側面の第１端部から延びて前記光を反射する反射面、及び前記側面の第２端部から延びて前記反射面と向い合い、前記光を出射する出射面で構成された導光板と、
底面及び前記底面から延びて収納空間を形成する側壁を具備して前記収納空間に前記ランプユニットと導光板を収納し、前記側壁の内側面は前記第１領域で凹陥され前記側壁の内側面と前記導光板の側面との離隔距離が第１領域より第２領域で小さい収納容器と、を含むことを特徴とするバックライトアセンブリー。
【請求項２】
前記収納容器は、実質的に矩形フレーム形状で構成され、第１乃至第４コーナー部を具備することを特徴とする請求項１記載のバックライトアセンブリー。
【請求項３】
前記第１領域は、前記第１乃至第４コーナー部であり、
前記第２領域は、前記第１乃至第４コーナー部の間の領域であることを特徴とする請求項２記載のバックライトアセンブリー。
【請求項４】
前記側壁の内側面が凹陥する深さは０．１〜０．５ｍｍであることを特徴とする請求項１記載のバックライトアセンブリー。
【請求項５】
前記収納容器と前記収納容器に収納された導光板との離隔距離は、前記第１領域より第２領域で０．１〜０．５ｍｍ小さいことを特徴とする請求項１記載のバックライトアセンブリー。
【請求項６】
前記側壁の内側面は、前記第２領域で凹凸構造を有し、前記第１領域でフラットな表面構造を有することを特徴とする請求項１記載のバックライトアセンブリー。
【請求項７】
前記導光板の側面は、前記第２領域で凹凸構造を有し、前記第１領域でフラットな表面構造を有することを特徴とする請求項６記載のバックライトアセンブリー。
【請求項８】
前記導光板は、前記側面から部分的に突出した突出部を更に具備し、
前記収納容器の側壁には、前記突出部を収納して前記導光板が前記ランプユニット側に移動することを防止する収納凹所が形成されることを特徴とする請求項１記載のバックライトアセンブリー。
【請求項９】
前記突出部の表面と前記収納凹所が形成された領域に対応する前記側壁の内側面は凹凸構造を有することを特徴とする請求項８記載のバックライトアセンブリー。
【請求項１０】
光を発生するランプユニットと、
前記光を受光する入射部を含む側面、前記側面の第１端部から延びて前記光を反射する反射面、及び前記側面の第２端部から延びて前記反射面と向い合って前記光を出射する出射面で構成された導光板と、
底面及び前記底面から延びて収納空間を形成する側壁を具備して前記収納空間に前記ランプユニットと導光板を収納し、前記側壁の内側面は前記第１領域で凹陥され前記側壁の内側面と前記導光板の側面との離隔距離は第１領域より第２領域で小さい第１収納容器と、
前記第１収納容器に装着され、前記導光板からの光によって画像を表示する表示パネルと、
前記第１収納容器と結合して前記表示パネルを前記第１収納容器に固定する第２収納容器と、を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
前記第１収納容器は、実質的に矩形フレーム形状で構成されて第１乃至第４コーナー部を具備することを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１領域は、前記第１乃至第４コーナー部であり、
前記第２領域は、前記第１乃至第４コーナー部の間の領域であることを特徴とする請求項１１記載の表示装置。
【請求項１３】
前記側壁の内側面が凹陥する深さは０．１〜０．５ｍｍであることを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１収納容器と前記第１収納容器に収納された導光板の離隔距離は、前記第１領域より第２領域で０．１〜０．５ｍｍ小さいことを特徴とする請求項１３記載の表示装置。
【請求項１５】
前記側壁の内側面は、前記第２領域で凹凸構造を有し、前記第１領域でフラットな表面構造を有することを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
【請求項１６】
前記導光板の側面は、前記第２領域で凹凸構造を有し、前記第１領域でフラットな表面構造を有することを特徴とする請求項１５記載の表示装置。
【請求項１７】
前記導光板は、前記側面から部分的に突出した突出部を更に具備し、
前記第１収納容器の側壁には、前記突出部を収納して前記導光板が前記ランプユニット側に移動することを防止する収納凹所が形成されることを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
【請求項１８】
前記突出部の表面と前記収納凹所が形成された領域に対応する前記側壁の内側面は、凹凸構造を有することを特徴とする請求項１７記載の表示装置。
【請求項１９】
前記表示パネルは、液晶表示パネルであることを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
【請求項２０】
前記表示装置は、ラップトップコンピュータに適用されることを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月5日(2007.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、少なくとも一層の発光層を含む有機層を有する発光素子であって、
該発光層中に正孔輸送材料、電子輸送材料、及び発光材料を含み、これら正孔輸送材料
、電子輸送材料、発光材料のイオン化ポテンシャルをそれぞれＩｐ（ＨＬ）、Ｉｐ（ＥＬ
）、Ｉｐ（Ｌ）とすると、
Ｉｐ（Ｌ）≦Ｉｐ（ＨＬ）≦Ｉｐ（ＥＬ）
を満たすことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
発光層中の正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料の電子親和力をそれぞれＥａ（ＨＬ
）、Ｅａ（ＥＬ）、Ｅａ（Ｌ）とすると、
Ｅａ（Ｌ）≧Ｅａ（ＥＬ）≧Ｅａ（ＨＬ）
を満たすことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
一対の電極間に、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層を有する発光素子であって、
発光層中に正孔輸送材料、電子輸送性材料、及び発光材料を含み、
正孔輸送層中の正孔輸送材料、発光層中の正孔輸送材料、発光層中の電子輸送材料、電
子輸送層中の電子輸送材料のイオン化ポテンシャルをそれぞれＩｐ（ＨＨ）、Ｉｐ（ＨＬ
）、Ｉｐ（ＥＬ）、Ｉｐ（ＥＥ）としたときに、
Ｉｐ（ＨＨ）≦Ｉｐ（ＨＬ）≦Ｉｐ（ＥＬ）＜Ｉｐ（ＥＥ）
を満たすことを特徴とする発光素子。
【請求項４】
発光層中の電子輸送材料のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ（ＥＬ））と電子輸送層中の電
子輸送材料のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ（ＥＥ））とが、
Ｉｐ（ＥＥ）≧  Ｉｐ（ＥＬ）＋０．２（ｅＶ）
を満たすことを特徴とする請求項３記載の発光素子。
【請求項５】
電子輸送層中の電子輸送材料が、分子内にヘテロ原子を１個以上有する芳香族ヘテロ環
化合物であることを特徴とする請求項３又は４に記載の発光素子。
【請求項６】
発光層中の正孔輸送材料が、縮合芳香族化合物であることを特徴とする請求項１〜５の
いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項７】
発光層中の正孔輸送材料が下記一般式（１）で表される縮合芳香族化合物であることを
特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光素子。
【化１】
2005123164.tif 000001
一般式（１）中、Ａｒは多価の芳香族環基を表し、Ａｒ11，Ａｒ21，Ａｒ31は、それぞ
れ独立に、アリーレン基を表し、Ａｒ12，Ａｒ22，Ａｒ32は、それぞれ独立に、置換基又
は水素原子を表す。Ａｒ11，Ａｒ21，Ａｒ31，Ａｒ12，Ａｒ22，およびＡｒ32の少なくと
も２つは３環以上の縮合芳香族炭素環または縮合芳香族複素環である。
【請求項８】
発光層中の正孔輸送材料が、下記一般式（２）で表されるアントラセン化合物であるこ
とを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載の発光素子。
【化２】
2005123164.tif 000002
一般式（２）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、それぞれ独立に、アリール基、炭素数１〜２
４のアルキル基、又は水素原子を表す。
【請求項９】
発光層中の電子輸送材料が金属錯体化合物であることを特徴とする請求項１〜８のいず
れか一項に記載の発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【化４】
2005123164.tif 000003
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
【化１８】
2005123164.tif 000004
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
【化２０】
2005123164.tif 000005
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
【化２５】
2005123164.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月23日(2007.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を読み取って、前記画像に対応するデジタルデータを生成する画像読取手段と、
時刻認証を実行するサーバに前記デジタルデータの時刻認証を要求し、前記サーバによって実行された時刻認証の結果として時刻情報を前記サーバから取得する時刻認証要求手段と、
前記時刻情報と対応付けられた前記デジタルデータを保存先に保存するよう制御する保存制御手段とを備えた画像処理装置。
【請求項２】
前記時刻情報の保存先を示す保存先情報を取得する保存先情報取得手段と、
前記保存先情報取得手段により取得した保存先情報と前記デジタルデータとをシートに印刷する印刷手段とを備えたことを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記シート上の前記保存先情報を読み出す保存先情報読出手段と、
前記保存先情報が示す保存先から前記時刻情報を読み出す時刻情報読出手段とを備えたことを特徴とする請求項２記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記時刻情報の検証を要求し、前記時刻情報の検証結果を取得する検証結果取得手段と、
前記検証結果が正しかった場合、前記時刻情報を出力する時刻情報出力手段とを備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記時刻情報に基づくタイムスタンプ画像を形成する画像形成手段と、
前記タイムスタンプ画像と前記デジタルデータとをシートに印刷する印刷手段とを備えることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項６】
時刻認証を実行するサーバを選択するための選択画面を表示する表示手段と、
前記選択画面上での選択にしたがって、時刻認証を実行するサーバを選択する選択手段とを備え、
前記時刻認証要求手段は、前記選択手段により選択されたサーバに要求することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記デジタルデータおよび前記時刻情報を保存する保存先を選択するための選択画面を表示する表示手段と、
前記選択画面上での選択にしたがって、前記デジタルデータおよび前記時刻情報の保存先を選択する保存先選択手段とを備え、
前記保存制御手段は、前記保存先選択手段により選択された保存先に保存するよう制御することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記タイムスタンプ画像と前記デジタルデータとを印刷するか、あるいは前記タイムスタンプ画像なしで前記デジタルデータを印刷するかの選択を含む選択画面を表示する表示手段と、
前記選択画面上での選択にしたがって、印刷様式を設定する印刷様式設定手段とを備えたことを特徴とする請求項５記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記検証された時刻情報および前記デジタルデータを印刷するか、あるいは前記デジタルデータなしで前記検証された時刻情報を印刷するかの選択を含む選択画面を表示する表示手段と、
前記選択画面上での選択にしたがって、印刷様式を設定する印刷様式設定手段とを備えたことを特徴とする請求項４記載の画像処理装置。
【請求項１０】
外部装置からデジタルデータを受信する受信手段を備え、
前記時刻認証要求手段は、前記画像読取手段によって生成されたデジタルデータの他、前記受信手段により受信したデジタルデータの時刻認証を要求し、前記サーバによって実行された時刻認証の結果として時刻情報を前記サーバから取得することを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記時刻認証要求手段は前記デジタルデータのハッシュ値を前記サーバに送信して、電子署名を前記サーバから取得し、
前記サーバは、前記時刻情報及び前記ハッシュ値に対応する前記電子署名を秘密鍵で生成することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項１２】
前記画像読取手段は紙上の画像を読み取って、前記画像に対応するデジタルデータを生成することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項１３】
画像読取装置で画像を読み取って、前記画像に対応するデジタルデータを生成する画像読取ステップと、
時刻認証を実行するサーバに前記デジタルデータの時刻認証を要求し、前記サーバによって実行された時刻認証の結果として時刻情報を前記サーバから取得する時刻認証要求ステップと、
前記時刻情報と対応付けられた前記デジタルデータを保存先に保存するよう制御する保存制御ステップとを有する画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の画像処理装置は、画像を読み取って、前記画像に対応するデジタルデータを生成する画像読取手段と、時刻認証を実行するサーバに前記デジタルデータの時刻認証を要求し、前記サーバによって実行された時刻認証の結果として時刻情報を前記サーバから取得する時刻認証要求手段と、前記時刻情報と対応付けられた前記デジタルデータを保存先に保存するよう制御する保存制御手段とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の画像処理方法は、画像読取装置で画像を読み取って、前記画像に対応するデジタルデータを生成する画像読取ステップと、時刻認証を実行するサーバに前記デジタルデータの時刻認証を要求し、前記サーバによって実行された時刻認証の結果として時刻情報を前記サーバから取得する時刻認証要求ステップと、前記時刻情報と対応付けられた前記デジタルデータを保存先に保存するよう制御する保存制御ステップとを有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１、１３に係る発明によれば、画像を読み取ってデジタルデータを生成し、この生成したデジタルデータの時刻認証をサーバに要求し、この要求に応じてサーバによって実行された時刻認証の結果として時刻情報を取得し、この取得した時刻情報と対応付けられた前記デジタルデータを保存先に保存するよう制御するので、読み取った画像に対応するデジタルデータの時刻認証を簡単に行うことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２に係る発明によれば、印刷されたシートからデジタルデータの保存先情報を取得できる。請求項３に係る発明によれば、取得した保存先情報からデジタルデータの時刻情報も取得できる。請求項４に係る発明によれば、取得した時刻情報の確認を簡単に行うことができる。請求項５に係る発明によれば、時刻情報のタイムスタンプ画像が付加されたシートを得ることができる。請求項６に係る発明によれば、ユーザは時刻認証を実行するサーバを容易に選択できる。請求項７に係る発明によれば、ユーザは、デジタルデータの保存先を容易に選択できる。請求項８、９に係る発明によれば、ユーザ所望の印刷様式で印刷できる。請求項１０に係る発明によれば、読み取った画像に限らず、外部装置から受信したデジタルデータに対しても、請求項１と同様の効果を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月7日(2006.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一導電型の半導体基板と、
該半導体基板上に形成されたシリコン酸化膜でなるゲート絶縁膜と、
このゲート絶縁膜を介して前記半導体基板上に形成されたゲート電極と、
該半導体基板のゲート電極直下に位置するチャネル形成領域の両側に形成された第二導電型のソース／ドレイン領域とを備えたＭＯＳ型半導体装置において、
前記ゲート絶縁膜の厚さが２．０ｎｍ以下、前記ゲート電極のゲート長が０．３μｍ以下で、前記ゲート電極のチャネル方向の長さ（Ｌｇ）と前記ゲート絶縁膜の厚さ（Ｔox）の関係が以下の関係
Ｌg ≦１０(Tox-2.02)  このときＬg の単位は（μｍ）
Ｔoxの単位は（ｎｍ）
を満足することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ゲート電極のチャネル方向の長さ（Ｌｇ）と前記ゲート絶縁膜の厚さ（Ｔox）の関係が以下の関係
Ｌg ≦１０(Tox-2.３2)  このときＬg の単位は（μｍ）
Ｔoxの単位は（ｎｍ）
を満足することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
第一導電型の半導体基板と、
該半導体基板上に形成されたシリコン窒化膜でなるゲート絶縁膜と、
このゲート絶縁膜を介して前記半導体基板上に形成されたゲート電極と、
該半導体基板のゲート電極直下に位置するチャネル形成領域の両側に形成された第二導電型のソース／ドレイン領域とを備えたＭＯＳ型半導体装置において、
前記ゲート絶縁膜の厚さが５ｎｍ未満、前記ゲート電極のゲート長が０．３μｍ以下で、前記ゲート電極のチャネル方向の長さ（Ｌｇ）と前記ゲート絶縁膜のシリコン酸化膜換算厚さ（Ｔox）の関係が以下の関係
Ｌg ≦１０(Tox-2.02)  このときＬg の単位は（μｍ）
Ｔoxの単位は（ｎｍ）
を満足することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第一導電型の半導体基板と、
該半導体基板上に形成されたシリコン酸化窒化膜、またはシリコン窒化膜とシリコン酸化膜の積層膜でなるゲート絶縁膜と、
このゲート絶縁膜を介して前記半導体基板上に形成されたゲート電極と、
該半導体基板のゲート電極直下に位置するチャネル形成領域の両側に形成された第二導電型のソース／ドレイン領域とを備えたＭＯＳ型半導体装置において、
前記ゲート絶縁膜の厚さがシリコン酸化膜換算で２．５ｎｍ未満、前記ゲート電極のゲート長が０．３μｍ以下で、前記ゲート電極のチャネル方向の長さ（Ｌｇ）と前記ゲート絶縁膜のシリコン酸化膜換算厚さ（Ｔox）の関係が以下の関係
Ｌg ≦１０(Tox-2.02)  このときＬg の単位は（μｍ）
Ｔoxの単位は（ｎｍ）
を満足することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
一部に請求項１ないし４のいずれかの半導体装置を含むことを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明にかかる半導体装置の第１の態様によれば、
第一導電型の半導体基板と、
該半導体基板上に形成されたシリコン酸化膜でなるゲート絶縁膜と、
このゲート絶縁膜を介して前記半導体基板上に形成されたゲート電極と、
該半導体基板のゲート電極直下に位置するチャネル形成領域の両側に形成された第二導電型のソース／ドレイン領域とを備えたＭＯＳ型半導体装置において、
前記ゲート絶縁膜の厚さが２．０ｎｍ以下、前記ゲート電極のゲート長が０．３μｍ以下で、前記ゲート電極のチャネル方向の長さ（Ｌｇ）と前記ゲート絶縁膜の厚さ（Ｔox）の関係が以下の関係
Ｌg ≦１０(Tox-2.02)  このときＬg の単位は（μｍ）
Ｔoxの単位は（ｎｍ）
を満足することを特徴とする半導体装置が提供される。
本発明にかかる半導体装置の第２の態様によれば、
第一導電型の半導体基板と、
該半導体基板上に形成されたシリコン窒化膜でなるゲート絶縁膜と、
このゲート絶縁膜を介して前記半導体基板上に形成されたゲート電極と、
該半導体基板のゲート電極直下に位置するチャネル形成領域の両側に形成された第二導電型のソース／ドレイン領域とを備えたＭＯＳ型半導体装置において、
前記ゲート絶縁膜の厚さが５ｎｍ未満、前記ゲート電極のゲート長が０．３μｍ以下で、前記ゲート電極のチャネル方向の長さ（Ｌｇ）と前記ゲート絶縁膜のシリコン酸化膜換算厚さ（Ｔox）の関係が以下の関係
Ｌg ≦１０(Tox-2.02)  このときＬg の単位は（μｍ）
Ｔoxの単位は（ｎｍ）
を満足することを特徴とする半導体装置が提供される。
本発明にかかる半導体装置の第３の態様によれば、
第一導電型の半導体基板と、
該半導体基板上に形成されたシリコン酸化窒化膜、またはシリコン窒化膜とシリコン酸化膜の積層膜でなるゲート絶縁膜と、
このゲート絶縁膜を介して前記半導体基板上に形成されたゲート電極と、
該半導体基板のゲート電極直下に位置するチャネル形成領域の両側に形成された第二導電型のソース／ドレイン領域とを備えたＭＯＳ型半導体装置において、
前記ゲート絶縁膜の厚さがシリコン酸化膜換算で２．５ｎｍ未満、前記ゲート電極のゲート長が０．３μｍ以下で、前記ゲート電極のチャネル方向の長さ（Ｌｇ）と前記ゲート絶縁膜のシリコン酸化膜換算厚さ（Ｔox）の関係が以下の関係
Ｌg ≦１０(Tox-2.02)  このときＬg の単位は（μｍ）
Ｔoxの単位は（ｎｍ）
を満足することを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、ゲート絶縁膜の厚さをシリコン酸化膜の場合２．０ｎｍ以下とし、シリコン窒化膜の場合５．０ｎｍ未満とし、シリコン酸化窒化膜あるいはシリコン窒化膜とシリコン酸化膜の積層膜の場合シリコン酸化膜換算で２．５ｎｍ未満とし、ゲート長を０．３μｍ以下にし、ゲート電極のチャネル方向の長さとゲート絶縁膜のシリコン酸化膜換算厚さを所定の関係を有するようにしたことにより、ホットキャリアストレス下での信頼性が向上するとともに、ソース／ドレイン電極からゲート電極へのトンネル電流Ｉg を減少させることができ、トランジスタ特性の向上を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月5日(2007.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の曲面を有する凸部を備えた第１の電極と、
前記凸部と重なるように前記第１の電極上に形成された電界発光層と、
前記電界発光層上に前記凸部と重なるように形成され、なおかつ第２の曲面を有する凹部を備えた第２の電極とを有し、
前記第１の曲面の曲率中心は前記第２の電極に対して反対側に位置し、
前記第２の曲面の曲率中心は前記第１の電極側に位置し、
前記電界発光層で発生した光が前記第１の電極と前記第２の電極の間で反射し、
前記第１の電極の曲率半径をｒ１、前記第２の電極の曲率半径をｒ２、前記第１の電極と前記第２の電極の間隔をＬとするとき、
ｒ１＜０、０＜ｒ２＜Ｌの条件を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の曲面を有する凸部を備えた第１の電極と、
前記凸部と重なるように前記第１の電極上に形成された電界発光層と、
前記電界発光層上に前記凸部と重なるように形成され、なおかつ第２の曲面を有する凹部を備えた第２の電極とを有し、
前記第１の曲面の曲率中心は前記第２の電極に対して反対側に位置し、
前記第２の曲面の曲率中心は前記第１の電極側に位置し、
前記電界発光層で発生した光が前記第１の電極と前記第２の電極の間で反射し、
前記第１の電極の曲率半径をｒ１、前記第２の電極の曲率半径をｒ２、前記第１の電極と前記第２の電極の間隔をＬとするとき、
ｒ１＜０、ｒ２＞Ｌ＋｜ｒ１｜の条件を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第１の曲面を有する凸部を備えた第１の電極と、
前記凸部と重なるように前記第１の電極上に形成された電界発光層と、
前記電界発光層上に前記凸部と重なるように形成され、なおかつ第２の曲面を有する凸部を備えた第２の電極とを有し、
前記第１の曲面の曲率中心は前記第２の電極に対して反対側に位置し、
前記第２の曲面の曲率中心は前記第１の電極に対して反対側に位置し、
前記電界発光層で発生した光が前記第１の電極と前記第２の電極の間で反射し、
前記第１の電極の曲率半径をｒ１、前記第２の電極の曲率半径をｒ２、前記第１の電極と前記第２の電極の間隔をＬとするとき、
ｒ１＜０、ｒ２＜０の条件を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
第１の曲面を有する凹部を備えた第１の電極と、
前記凹部と重なるように前記第１の電極上に形成された電界発光層と、
前記電界発光層上に前記凹部と重なるように形成され、なおかつ第２の曲面を有する凹部を備えた第２の電極とを有し、
前記第１の曲面の曲率中心は前記第２の電極側に位置し、
前記第２の曲面の曲率中心は前記第１の電極側に位置し、
前記電界発光層で発生した光が前記第１の電極と前記第２の電極の間で反射し、
前記第１の電極の曲率半径をｒ１、前記第２の電極の曲率半径をｒ２、前記第１の電極と前記第２の電極の間隔をＬとするとき、
０＜ｒ１＜Ｌ、ｒ２＞Ｌの条件を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
第１の曲面を有する凹部を備えた第１の電極と、
前記凹部と重なるように前記第１の電極上に形成された電界発光層と、
前記電界発光層上に前記凹部と重なるように形成され、なおかつ第２の曲面を有する凹部を備えた第２の電極とを有し、
前記第１の曲面の曲率中心は前記第２の電極側に位置し、
前記第２の曲面の曲率中心は前記第１の電極側に位置し、
前記電界発光層で発生した光が前記第１の電極と前記第２の電極の間で反射し、
前記第１の電極の曲率半径をｒ１、前記第２の電極の曲率半径をｒ２、前記第１の電極と前記第２の電極の間隔をＬとするとき、
０＜ｒ１＜Ｌ−ｒ２、０＜ｒ２＜Ｌ／２の条件を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
第１の曲面を有する凸部を備えた反射材と、
前記凸部と重なるように前記反射材上に形成された透光性を有する第１の電極と、
前記凸部と重なるように前記第１の電極上に形成された電界発光層と、
前記電界発光層上に前記凸部と重なるように形成され、なおかつ第２の曲面を有する凹部を備えた第２の電極とを有し、
前記反射材の曲率中心は前記第２の電極に対して反対側に位置し、
前記第２の曲面の曲率中心は前記反射材側に位置し、
前記電界発光層で発生した光が前記反射材と前記第２の電極の間で反射し、
前記反射材の曲率半径をｒ１、前記第２の電極の曲率半径をｒ２、前記反射材と前記第２の電極の間隔をＬとするとき、
ｒ１＜０、０＜ｒ２＜Ｌの条件を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
第１の曲面を有する凸部を備えた反射材と、
前記凸部と重なるように前記反射材上に形成された透光性を有する第１の電極と、
前記凸部と重なるように前記第１の電極上に形成された電界発光層と、
前記電界発光層上に前記凸部と重なるように形成され、なおかつ第２の曲面を有する凹部を備えた第２の電極とを有し、
前記反射材の曲率中心は前記第２の電極に対して反対側に位置し、
前記第２の曲面の曲率中心は前記反射材側に位置し、
前記電界発光層で発生した光が前記反射材と前記第２の電極の間で反射し、、
前記反射材の曲率半径をｒ１、前記第２の電極の曲率半径をｒ２、前記反射材と前記第２の電極の間隔をＬとするとき、
ｒ１＜０、ｒ２＞Ｌ＋｜ｒ１｜の条件を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
第１の曲面を有する凹部を備えた反射材と、
前記凹部と重なるように前記反射材上に形成された透光性を有する第１の電極と、
前記凹部と重なるように前記第１の電極上に形成された電界発光層と、
前記電界発光層上に前記凹部と重なるように形成され、なおかつ第２の曲面を有する凸部を備えた第２の電極とを有し、
前記反射材の曲率中心は前記第２の電極側に位置し、
前記第２の曲面の曲率中心は前記反射材に対して反対側に位置し、
前記電界発光層で発生した光が前記反射材と前記第２の電極の間で反射し、、
前記反射材の曲率半径をｒ１、前記第２の電極の曲率半径をｒ２、前記反射材と前記第２の電極の間隔をＬとするとき、
０＜ｒ１＜Ｌ、ｒ２＞Ｌの条件を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項９】
第１の曲面を有する凹部を備えた反射材と、
前記凹部と重なるように前記反射材上に形成された透光性を有する第１の電極と、
前記凹部と重なるように前記第１の電極上に形成された電界発光層と、
前記電界発光層上に前記凹部と重なるように形成され、なおかつ第２の曲面を有する凸部を備えた第２の電極とを有し、
前記反射材の曲率中心は前記第２の電極側に位置し、
前記第２の曲面の曲率中心は前記反射材に対して反対側に位置し、
前記電界発光層で発生した光が前記反射材と前記第２の電極の間で反射し、、
前記反射材の曲率半径をｒ１、前記第２の電極の曲率半径をｒ２、前記反射材と前記第２の電極の間隔をＬとするとき、
０＜ｒ１＜Ｌ−ｒ２、０＜ｒ２＜Ｌ／２の条件を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記発光装置を備えたことを特徴とするレーザポインタ。