【手続補正書】
【提出日】平成20年5月30日(2008.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  式（Ｉ）：
ＲxＨａｌ3-xＳｉ-ＮＲ1−ＢＲyＨａｌ2-y
［式中、
Ｈａｌはそれぞれ無関係にＣｌ、Ｂｒ又はＩを表し、
Ｒはそれぞれ無関係に１〜２０個のＣ原子を有する炭化水素基又は水素を表し、
Ｒ1は１〜２０個のＣ原子を有する炭化水素基を表し、
ｘは０，１又は２でありかつ
ｙは０又は１である］の化合物を製造する方法において、アミン成分Ｒ1ＮＨ2を順次にシラン成分ＳｉＨａｌ4-xＲx及びボラン成分ＢＨａｌ3-yＲyと任意の順序で反応させることを特徴とする、前記式（Ｉ）の化合物の製造方法。
【請求項２】  第１工程で、シラン化合物を気相内でアミン化合物と連続的に又は分割してキャリアガスを用いて又は用いないで反応させる、請求項１記載の方法。
【請求項３】  第２工程でボラン成分を濃縮した相で、不活性溶剤内又は気相内で、シラン成分とアミン成分との反応の際に形成された中間生成物と反応させる、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】  脱ヒドロハロゲン化工程を補助塩基で支援する、前記請求項のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】  式（ＩＩ）：
ＲxＨａｌ3-xＳｉ-ＮＲ1ＢＲyＨａｌ2-y
［式中、
Ｈａｌはそれぞれ無関係にＣｌ、Ｂｒ又はＩを表し、
Ｒはそれぞれ無関係に１〜２０個のＣ原子を有する炭化水素基又は水素を表し、
Ｒ1は１〜２０個のＣ原子を有する炭化水素基を表し、
ｘは０，１又は２でありかつ
ｙは０又は１である］のボリル−シリル−アミン、但しトリクロルシリルアミノジクロルボラン、Ｃｌ3Ｓｉ−ＮＨ−ＢＣｌ2又はクロルジメチルシリルメチルアミノジクロルボラン、（ＣＨ3）2ＣｌＳｉ−Ｎ（ＣＨ3）−ＢＣｌ2を除く。
【請求項６】  Ｒ1が１〜１０個のＣ原子を有する炭化水素基を表す、請求項５記載の化合物。
【請求項７】  Ｈａｌがそれぞれ登場する際にＣｌを表す、請求項５又は６記載の化合物。
【請求項８】  Ｒ及びＲ1がそれぞれ登場する際に互いに無関係にＣ1〜Ｃ6−アルキル、フェニル、ビニル又はアリルである、請求項５から７までのいずれか１項記載の化合物。
【請求項９】  式（ＩＩ）：
(R’R"N)qRxHal3-x-qSi-N（R1）−BRyHal2-y-z(NR’R")z
［式中、
Ｒ’、Ｒ"、Ｒは相互に無関係に１〜２０個のＣ原子を有する炭化水素基又は水素を表し、
ＨａｌはＣｌ．Ｂｒ又はＩを表し、
ｑは０，１又は２であり
ｘは０，１又は２であり、
ｙは０又は１であり、
ｚは０，１又は２でありかつ
ｘ＋ｑ≦３及びｙ＋ｚ≦２である
］のボロシラザン化合物、但しトリス（ジメチルアミノ）シリルアミノビス（ジメチルアミノ）ボラン、（（ＣＨ3）2Ｎ3Ｓｉ−ＮＨ−Ｂ（Ｎ（ＣＨ3）2）2を除く。
【請求項１０】  基Ｒ1が１〜１０個の炭素原子を有する炭化水素基である、請求項９記載のボロシラザン化合物。
【請求項１１】  請求項９又は１０記載のボロシラザン化合物を製造する方法において、請求項１から４までのいずれか１項に基づき製造されたボリル−シリル−アミン又は請求項５から８までのいずれか１項記載のボリル−シリル−アミンをアミン化合物とＲ’Ｒ"ＮＨと−９０℃〜＋３００℃の温度で反応させる、ボロシラザン化合物の製造方法。
【請求項１２】  反応を気相内で、濃縮した形で又は溶剤内で実施する、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】  式（Ｉ）：
ＲxＨａｌ3-xＳｉ-ＮＲ1ＢＲyＨａｌ2-y
［式中、
Ｈａｌはそれぞれ無関係にＣｌ、Ｂｒ又はＩを表し、
Ｒはそれぞれ無関係に１〜２０個のＣ原子を有する炭化水素基又は水素を表し、
ｘは０，１又は２でありかつ
ｙは０又は１である］の１種以上のホウ素−シリル−アミン化合物又は請求項１から４までのいずれか１項に基づき得られるホウ素−シリル−アミン化合物（但し、トリクロルシリルアミノジクロルボラン、Ｃｌ3Ｓｉ−ＮＨ−ＢＣｌ2を除く）及び／又は請求項９又は１０記載のボロシラザンオリゴマー混合物をアミン化合物Ｒ’Ｒ"ＮＨと反応させることにより得られるオリゴ−又はポリボロシラザン化合物において、構造特徴Ｓｉ−Ｎ−Ｂを有することを特徴とする、オリゴ−又はポリボロシラザン化合物。
【請求項１４】  窒化珪素ホウ素セラミックを製造する方法において、請求項５から８までのいずれか１項記載の又は請求項１から４までのいずれか１項記載の方法に基づき製造されたボリル−シリル−アミン又は請求項９又は１０の１項記載のボロシラザン化合物をアンモニアと−２００℃〜１４００℃の温度でアンモノリシスしかつ生成した中間生成物を不活性雰囲気及び／又はアンモニア中で８００℃〜１４００℃の温度で焼成することを特徴とする、窒化珪素ホウ素セラミックの製造方法。
【請求項１５】  アモルファス窒化珪素ホウ素セラミック粉末を製造する、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】  セラミック材料を製造する方法において、請求項１３記載のオリゴ−又はポリボロシラザン化合物を不活性又はアンモニア含有雰囲気内で８００℃〜１８００℃の温度で熱分解することを特徴とする、セラミック材料の製造方法。
【請求項１７】  セラミック内にＳｉ−Ｎ−Ｂ構造単位が存在する、請求項１４から１６までのいずれか１項に基づき得られる窒化珪素ホウ素セラミック。
【請求項１８】  無定形材料である、請求項１７記載の窒化珪素ホウ素セラミック。
【請求項１９】  少なくとも部分的に結晶質のセラミック材料である、請求項１７記載の窒化珪素ホウ素セラミック。
【請求項２０】  成分ＳｉＣ、Ｓｉ3Ｎ4、ＢＮ及びＢ4Ｃの少なくとも１つを有する複合セラミックを製造する方法において、請求項１７から１９までのいずれか１項記載の炭ホウ素窒化珪素セラミックを＞１７００℃の温度で貯蔵する、複合セラミックの製造方法。
【請求項２１】  少なくとも部分的に結晶質の複合セラミックを製造する、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】  請求項１７から１９までのいずれか１項記載の炭ホウ素窒化珪素セラミックの結晶化により請求項２０又は２１記載のの方法に基づき得られる複合セラミックにおいて、ＳｉＣ、Ｓｉ3Ｎ4、ＢＮ及びＢ4Ｃが分子分散分布で存在することを特徴とする複合セラミック。
【請求項２３】  請求項１７から１９又は２２までのいずれか１項記載の又は請求項１４から１６又は２０から２１までのいずれか１項に基づき製造されたセラミック材料の、セラミック成形体、セラミック繊維、セラミック被覆又はセラミック微細構造を製造するための使用。
【請求項２４】  請求項９又は１０の１つに記載のボロシラザン化合物の、セラミック繊維、セラミック被覆、セラミック成形体、セラミックシート及び／又はセラミック微細構造を製造するための使用。
【請求項２５】  請求項１３記載のオリゴ−又はポリボロシラン化合物の、セラミック成形体、セラミック繊維、セラミック被覆又はセラミック微細構造を製造するための使用。
【請求項２６】  微細構造を射出成形又はリソグラフィー方法により製造する、請求項２３から２５までのいずれか１項記載の使用。
【請求項２７】  セラミック繊維から、織物、編み物又はフェルト製造する、請求項２３から２５までのいずれか１項記載の使用。
【請求項２８】  請求項９又は１０記載のボロシラザン化合物の、化学蒸着（ＣＶＤ）又は物理蒸着（ＰＶＤ）における使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記課題は、本発明により、式（Ｉ）：
ＲxＨａｌ3-xＳｉ-ＮＲ1−ＢＲyＨａｌ2-y  （Ｉ）
［式中、Ｈａｌはそれぞれ無関係にＣｌ、Ｂｒ又はＩを表し、Ｒはそれぞれ無関係に１〜２０個のＣ原子、有利には１〜１０個のＣ原子を有する炭化水素基又は水素を表し、Ｒ1は１〜２０個のＣ原子、有利には１〜１０個のＣ原子を有する炭化水素基を表し、ｘは０，１又は２でありかつｙは０又は１である］の化合物を製造する方法により解決される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
更に、本発明の基礎とする課題は、  式（Ｉ）：
ＲxＨａｌ3-xＳｉ-ＮＲ1ＢＲyＨａｌ2-y   （Ｉ）
［式中、Ｈａｌはそれぞれ無関係にＣｌ、Ｂｒ又はＩを表し、Ｒはそれぞれ無関係に１〜２０個のＣ原子を有する炭化水素基又は水素を表し、Ｒ1は１〜２０個のＣ原子のＣ原子を有する炭化水素基を表し、ｘは０，１又は２でありかつｙは０又は１である］のボル−シリル−アミン化合物、但しトリクロルシリルアミノジクロルボラン、Ｃｌ3Ｓｉ−ＮＨ−ＢＣｌ2又はクロルジメチルシリル−メチルアミノジクロルボラン、（ＣＨ3）2ＣｌＳｉ−Ｎ（ＣＨ3）−ＢＣｌ2を除く、により解決される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
一般式（Ｉ）の本発明による化合物から、第一又は第二アミンとの反応によりモノマー、オリゴマー又はポリマーのボロラザン化合物を製造することができる。このようなボロシラザン化合物においては、式（Ｉ）の化合物のハロゲン原子は完全に又は部分的にアミノ基より置換されている。従って、本発明は、式（ＩＩ）：
(R’R"N)qRxHal3-x-qSi-N(R1)−BRyHal2-y-z(NR’R")z    （ＩＩ）
［式中、Ｒ’、Ｒ"、Ｒは相互に無関係に１〜２０個のＣ原子、１〜１０個のＣ原子を有する炭化水素基又は水素を表し、Ｒ1は１〜２０個のＣ原子、１〜１０個のＣ原子を有する炭化水素基を表し、ＨａｌはＣｌ．Ｂｒ又はＩを表し、ｑは０，１又は２であり、ｘは０，１又は２であり、ｙは０又は１であり、かつｚは０，１又は２でありかつｘ＋ｑ≦３及びｙ＋ｚ≦２である］のボロシラザン化合物、但しトリス（ジメチルアミノ）シリルアミノビス（ジメチルアミノ）ボラン、（（ＣＨ3）2Ｎ3Ｓｉ−ＮＨ−Ｂ（Ｎ（ＣＨ3）2）2を除く、に関する。