【手続補正書】
【提出日】平成19年7月27日(2007.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマのダメージを防止する方法において、
所定の素子が形成された基板の上に蝕刻止まり層を蒸着する段階と；
前記蝕刻止まり層上にＰＭＤ及びポリシリコーンを蒸着する段階と；
前記基板の上に絶縁膜を蒸着する段階と；
前記絶縁膜の上に金属配線を形成する段階と；
を含むことを特徴とするプラズマのダメージを防止する方法。
【請求項２】
前記蝕刻止まり層はシリコーン窒化膜であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマのダメージを防止する方法。
【請求項３】
前記ＰＭＤ及びポリシリコーンを蒸着する段階は、ポリシリコーンを先に蒸着し、ＰＭＤを後で蒸着することを特徴とする請求項１に記載のプラズマのダメージを防止する方法。
【請求項４】
前記ＰＭＤ及びポリシリコーンを蒸着する段階は、ＰＭＤを先に蒸着し、ポリシリコーンを後で蒸着することを特徴とする請求項１に記載のプラズマのダメージを防止する方法。
【請求項５】
前記ポリシリコーンは１５０乃至１０００Åの厚さに形成することを特徴とする請求項１に記載のプラズマのダメージを防止する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【発明の名称】プラズマのダメージを防止する方法
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマのダメージを防止する方法に関し、より詳しくは所定の素子が形成された基板の上に蝕刻止まり層を形成して、ＰＭＤ（Ｐｒｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ、以下  ＰＭＤと言う）及びポリシリコーンを蒸着した後、絶縁膜を形成して金属配線を形成することに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の製造工程は多くの段階（ｓｔｅｐ）でプラズマを利用している。このようなプラズマはトランジスター（ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）にチャージの形態にてダメージ（ｄａｍａｇｅ）を与える。特にトランジスターが形成された以後のダメージはゲートオキサイド（ｇａｔｅ  ｏｘｉｄｅ）の劣化に直接的な影響を与える。また金属配線の中で一番アンテナの割合（ａｎｔｅｎｎａ  ｒａｔｉｏ）が大きい一番目の金属配線が形成された以後から大きく現われる。特に一番目の金属配線はトランジスターと直接接触することによってチャージのダメージを与える可能性が一番大きい。そして半導体素子の集積度が高くなると、ゲートオキサイドの厚さは薄くなってチャージのダメージの影響は大きくなって行く。
【０００３】
しかし、従来のＰＭＤにはこのような問題を解決する物質を含んでいない。
【０００４】
図１に示されたように、所定の素子が形成された基板上１０に形成された従来のＰＭＤは蝕刻止まり層に窒化膜１１、前記窒化膜の上部にＢＰＳＧ１２及びキャッピング層（ｃａｐｐｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）に形成された酸化物層１３が形成されていて、その上部に金属配線１４が形成されている。そして前記金属配線の上部には第１ＩＬＤ（Ｉｎｔｅｒ−Ｌａｙｅｒ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ、以下ＩＬＤと言う）１５、二番目の絶縁膜１６、二番目の金属配線１７及び第２ＩＬＤ１８のように、金属配線が形成される層が繰り返される。
【０００５】
しかし、前記窒化膜、ＢＰＳＧ及び酸化物層はチャージの保全能力が劣る誘電体である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は前記のような従来技術の問題点を解決する事を目的とするものであり、従来のＰＭＤにチャージを無限に含むことができる物質を包含させることで、ＰＭＯＳのＴＤＤＢ（Ｔｉｍｅ  Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ、以下、ＴＤＤＢ）を向上し、またはゲート漏えい電流を効果的に抑制することができて、素子の信頼性に大きく寄与する方法を提供する事に本発明の目的がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の前記目的は  所定の素子が形成された基板の上に蝕刻止まり層を蒸着する段階と；前記蝕刻止まり層上にＰＭＤ及びポリシリコーンを蒸着する段階と；前記基板の上に絶縁膜を蒸着する段階と；及び前記絶縁膜の上に金属配線を形成する段階と；を含むことを特徴とするプラズマのダメージを防止する方法によって逹成される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のプラズマのダメージを防止する方法は、ＰＭＤにポリシリコーンを挿入することで、ＰＭＯＳのＴＤＤＢの向上またはゲート漏えい電流の抑制に効果が大きいので、素子の信頼性に大きく寄与する効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明に係る好ましい実施形態を添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
図２乃至図３は本発明によるプラズマのチャージングを防止するための方法を説明する断面図である。
【００１０】
本発明の第１の方法は、図２に示されたように、基板２１の上に酸化膜及びシリコーンを形成して蝕刻してゲート絶縁膜及びゲートを形成し、前記ゲート絶縁膜及びゲートをマスクに利用してソース／ドレーン２４及びＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ、以下ＬＤＤ）２５を形成した後、酸化膜及び窒化膜を蒸着して蝕刻してゲートスペーサ２６を形成する。
【００１１】
前記のように所定の素子が形成された基板の上に蝕刻止まり層に窒化膜２７を形成して、上部第１金属配線及び第２金属配線のような金属配線によって誘導されるチャージがゲート絶縁膜に劣化を起こさないようにするためにポリシリコーン２８を形成する。前記ポリシリコーンはチャージの保存能力が優秀な特性を持っている。
【００１２】
また前記ポリシリコーンは劣化またはプラズマの方法で形成して、１５０乃至１０００Åの厚さを維持してキャパシタンス（Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）によるディレイタイム（ｄｅｌａｙ  ｔｉｍｅ）増加を抑制しなければならない。そしてＢＰＳＧ２９を蒸着して、第１酸化膜３０、第１金属配線３１、第１ＩＬＤ３２、第２酸化膜３３、第２金属配線３４及び第２ＩＬＤ３５を順次に形成し、更に多くの階の金属配線が必要になれば前記の過程を継続的に繰り返して形成する。
【００１３】
図３は、本発明の第２の方法を示す図であり、図３では、蝕刻止まり層に利用する窒化物の形成までは図２で説明した工程で形成する。
【００１４】
そして、ＢＰＳＧ２９を形成してから前記で説明した目的にポリシリコーン２８を蒸着する。すなわち、ＢＰＳＧ２９を先に形成してポリシリコーン２８を後で形成する。
【００１５】
よって、図２及び図３を綜合して見れば、ＰＭＤであるＢＰＳＧを蒸着する前・後にポリシリコーンを蒸着することで、プラズマによって発生したチャージがゲートの上部に形成された金属配線の誘導でゲートに移動して発生するゲートオキサイドの劣化のようなプラズマのダメージを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、従来技術によるプラズマのダメージを受ける素子の断面図である。
【図２】図２は、本発明による第１のプラズマのダメージを防止する方法の断面図である。
【図３】図３は、本発明による第２のプラズマのダメージを防止する方法の断面図である。
【符号の説明】
【００１７】
１０  基板
１１  窒化膜
１２  ＢＰＳＧ
１３  酸化物層
１４  金属配線
１５  第１ＩＬＤ
１６  絶縁膜
１７  金属配線
１８  第２ＩＬＤ
２１  基板
２４  ソース／ドレーン
２５  ＬＤＤ
２６  ゲートスペーサ
２７  窒化膜
２８  ポリシリコーン
２９  ＢＰＳＧ
３０  第１酸化膜
３１  第１金属配線
３２  第１ＩＬＤ
３３  第２酸化膜
３４  第２金属配線
３５  第２ＩＬＤ