【手続補正書】
【提出日】平成19年9月26日(2007.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被照射面においてビームスポットの長方形状の長辺方向または短辺方向のエネルギー分布を均一化する光学素子を有し、
前記光学素子は前記エネルギー分布を均一化する方向にレーザビームを反射する向い合う二つの反射面および前記レーザビームの入射側面に曲面形状を有することを特徴とするビームホモジナイザ。
【請求項２】
被照射面においてビームスポットの長方形状の長辺方向または短辺方向のエネルギー分布を均一化する光学素子と、
前記光学素子により形成されるエネルギー分布の均一な面を前記被照射面に投影する一つもしくは複数のシリンドリカルレンズとを有し、
前記光学素子は前記エネルギー分布を均一化する方向にレーザビームを反射する向い合う二つの反射面および前記レーザビームの入射側面に曲面形状を有することを特徴とするビームホモジナイザ。
【請求項３】
請求項１または２において、前記光学素子はライトパイプであることを特徴とするビームホモジナイザ。
【請求項４】
請求項１または２において、前記光学素子は光導波路であることを特徴とするビームホモジナイザ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記曲面形状はシリンドリカル面であることを特徴とするビームホモジナイザ。
【請求項６】
請求項１または２において、前記光学素子は二つのミラーとシリンドリカルレンズとから構成されていることを特徴とするビームホモジナイザ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記曲面形状は前記エネルギー分布を均一化する方向に曲率を有することを特徴とするビームホモジナイザ。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記長方形状のビームスポットのアスペクト比は１０以上であることを特徴とするビームホモジナイザ。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記長方形状のビームスポットのアスペクト比は１００以上であることを特徴とするビームホモジナイザ。
【請求項１０】
レーザ発振器と、
前記レーザー発振器より発振されたレーザビームの被照射面における長方形状のビームスポットの長辺方向または短辺方向のエネルギー分布を均一化する光学素子とを有し、
前記光学素子は前記エネルギー分布を均一化する方向に前記レーザビームを反射する向い合う二つの反射面および前記レーザビームの入射側面に曲面形状を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１１】
レーザ発振器と、
前記レーザー発振器より発振されたレーザビームの被照射面における長方形状のビームスポットの長辺方向または短辺方向のエネルギー分布を均一化する光学素子と、
前記光学素子により形成されるエネルギー分布の均一な面を前記被照射面に投影する一つもしくは複数のシリンドリカルレンズとを有し、
前記光学素子は前記エネルギー分布を均一化する方向に前記レーザビームを反射する向い合う二つの反射面および前記レーザビームの入射側面に曲面形状を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１２】
請求項１０または１１において、前記光学素子はライトパイプであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１３】
請求項１０または１１において、前記光学素子は光導波路であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれか一項において、前記曲面形状はシリンドリカル面であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１５】
請求項１０または１１において、前記光学素子は二つのミラーとシリンドリカルレンズとから構成されていることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１６】
請求項１０乃至１５のいずれか一項において、前記曲面形状は、前記エネルギー分布を均一化する方向に曲率を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１７】
請求項１０乃至１６のいずれか一項において、前記長方形状のビームスポットのアスペクト比は１０以上であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１８】
請求項１０乃至１６のいずれか一項において、前記長方形状のビームスポットのアスペクト比は１００以上であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１９】
請求項１０乃至１８のいずれか一項において、前記レーザ発振器は、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、Ａｒレーザ、ＧｄＶＯ４レーザのいずれかであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２０】
請求項１０乃至１９のいずれか一項において、前記被照射面を有する被照射体を前記被照射面に照射されたビームスポットに対し相対的に移動させる走査ステージを有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２１】
請求項２０において、前記被照射面を有する被照射体を前記走査ステージに運搬する自動搬送装置を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２２】
基板上に非単結晶半導体膜を形成する工程と、
レーザ発振器で発振したレーザビームを、前記非単結晶半導体膜を被照射面として、前記被照射面において長方形状のビームスポットの長辺方向または短辺方向に前記レーザビームのエネルギー分布を均一化する光学素子を有する光学系を用いて、前記被照射面において長方形状のビームスポットに整形して、前記ビームスポットの位置を移動させながら前記非単結晶半導体膜をレーザアニールする工程とを有し、
前記光学素子は前記エネルギー分布を均一化する方向にレーザビームを反射する向い合う二つの反射面および前記レーザビームの入射側面に曲面形状を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
基板上に非単結晶半導体膜を形成する工程と、
レーザ発振器で発振したレーザビームを、前記非単結晶半導体膜を被照射面として、前記被照射面において長方形状のビームスポットの長辺方向または短辺方向に前記レーザビームのエネルギー分布を均一化する光学素子と前記光学素子により形成されるエネルギー分布の均一な面を前記被照射面に投影する一つまたは複数のシリンドリカルレンズとを有する光学系を用いて、前記被照射面において長方形状のビームスポットに整形して、前記ビームスポットの位置を移動させながら前記非単結晶半導体膜をレーザアニールする工程とを有し、
前記光学素子は前記エネルギー分布を均一化する方向にレーザビームを反射する向い合う二つの反射面および前記レーザビームの入射側面に曲面形状を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項２２又は２３において、前記光学素子はライトパイプであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項２２又は２３において、前記光学素子は光導波路であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項２２乃至２５のいずれか一項において、前記曲面形状はシリンドリカル面であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項２２または２３において、前記光学素子は二つのミラーとシリンドリカルレンズとから構成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２８】
請求項２２乃至２７のいずれか一項において、前記曲面形状は前記エネルギー分布を均一化する方向に曲率を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２９】
請求項２２乃至２８のいずれか一項において、前記長方形状のビームスポットのアスペクト比は１０以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３０】
請求項２２乃至２８のいずれか一項において、前記長方形状のビームスポットのアスペクト比は１００以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３１】
請求項２２乃至３０のいずれか一項において、前記レーザ発振器は、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、Ａｒレーザ、ＧｄＶＯ４レーザのいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。