Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月9日(2007.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
四方弁において、弁室を有するハウジング部材と、上記弁室に設けられた座面部を有する弁座と、この弁座の座面部に互いに隣接する開口部を有しそれぞれ該弁座を貫通して上記弁室の外に引き出された所定時に高温の流体の出口流路となる第１の流路及び低温の流体の出口流路となる第２の流路と、上記弁座の座面部に対して移動するように設けられた弁体とを備え、上記第１及び第２の流路相互間の上記開口部に近い位置に、これら流路相互間の熱移動を抑制する熱抵抗部を設けてなることを特徴とする四方弁。
【請求項２】
弁室を有するハウジング部材と、上記弁室に設けられた座面部を有する弁座と、この弁座の座面部に互いに隣接する開口部を有しそれぞれ該弁座を貫通して上記弁室の外に引き出された第１の流路、第２の流路、及び第３の流路と、上記ハウジング部材の弁室に向けて開口し高温の流体を流入させる第４の流路と、上記弁座の座面部に対して移動するように設けられ、上記第４の流路から流入された高温の流体を上記第１の流路に流出させるときに上記第３の流路から流入される低温の流体を上記第２の流路に流出させ、上記第４の流路から流入された高温の流体を上記第３の流路に流出させるときに上記第１の流路から流入される低温の流体を上記第２の流路に流出させるように流路を切り替える弁体とを備え、上記第１及び第２の流路相互間または上記第２及び第３の流路相互間の上記開口部に近い位置に、これら流路相互間の熱移動を抑制する熱抵抗部を設けてなることを特徴とする四方弁。
【請求項３】
上記熱抵抗部は、上記弁座の座面部とは反対側の面に、上記第１及び第２の流路間で熱が移動する方向に対し交わる方向に形成された切れ目からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の四方弁。
【請求項４】
上記切れ目は、上記弁座の座面部と、この座面部とは反対側の面に交互に設けられてなることを特徴とする請求項３に記載の四方弁。
【請求項５】
上記切れ目は、スリット状の溝からなることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の四方弁。
【請求項６】
上記切れ目は、上記弁座の座面部とは反対側の面における上記第１及び第２の流路の少なくとも一方の流路外周部に沿って環状に形成された凹部からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の四方弁。
【請求項７】
上記熱抵抗部は、上記弁座を薄肉に形成したものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の四方弁。
【請求項８】
上記熱抵抗部は、上記第１及び第２の流路の上記開口部近傍の内周面に設けられた熱伝導率の低いコーティング層からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の四方弁。
【請求項９】
上記熱抵抗部は、上記第１及び第２の流路の上記開口部近傍の内周面に設けられたリング状のガス滞留層形成部材によって形成されたガス滞留層からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の四方弁。
【請求項１０】
弁室を有するハウジング部材と、上記弁室に開口するように設けられた、高温の流体を流入させる第４の流路、低温の流体を流出させる第２の流路、流体の流出・流入方向が互いに逆になるように用いられる第１の流路、及び第３の流路からなる４つの流路と、上記第４の流路から流入された高温の流体を上記第１の流路に流出させるときに上記第３の流路から流入される低温の流体を上記第２の流路に流出させ、上記第４の流路から流入された高温の流体を上記第３の流路に流出させるときに上記第１の流路から流入される低温の流体を上記第２の流路に流出させるように流路を切り替える弁体とを備えた四方弁において、上記弁室における上記第４の流路の開口部に対向する位置に邪魔板を設けたことを特徴とする四方弁。
【請求項１１】
弁室を有するハウジング部材と、上記弁室に開口するように設けられた、高温の流体を流入させる第４の流路、低温の流体を流出させる第２の流路、流体の流出・流入方向が互いに逆になるように用いられる第１の流路、及び第３の流路からなる４つの流路と、上記第４の流路から流入された高温の流体を上記第１の流路に流出させるときに上記第３の流路から流入される低温の流体を上記第２の流路に流出させ、上記第４の流路から流入された高温の流体を上記第３の流路に流出させるときに上記第１の流路から流入される低温の流体を上記第２の流路に流出させるように流路を切り替える弁体とを備えた四方弁において、上記弁体の内部に整流板を設けたことを特徴とする四方弁。
【請求項１２】
上記４つの流路の内、低温の流体を流入もしくは流出させる流路は、上記弁室に向けて流路断面積が徐々に広がるように形成されてなることを特徴とする請求項１１に記載の四方弁。
【請求項１３】
弁室を有するハウジング部材と、上記弁室に開口するように設けられた、高温の流体を流入させる第４の流路、低温の流体を流出させる第２の流路、流体の流出・流入方向が互いに逆になるように用いられる第１の流路、及び第３の流路からなる４つの流路と、上記第４の流路から流入された高温の流体を上記第１の流路に流出させるときに上記第３の流路から流入される低温の流体を上記第２の流路に流出させ、上記第４の流路から流入された高温の流体を上記第３の流路に流出させるときに上記第１の流路から流入される低温の流体を上記第２の流路に流出させるように流路を切り替える弁体とを備えた四方弁において、上記弁室における弁体の外側に、上記第４の流路から流入された高温の流体を上記第１の流路もしくは第３の流路に導く整流部材を、該弁体と同時に移動するように設けたことを特徴とする四方弁。
【請求項１４】
上記ハウジング部材と上記弁座とは、一体で構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の四方弁。
【請求項１５】
上記ハウジング部材と上記弁座とは、厚みが略同一の薄肉材で構成されていることを特徴とする請求項１４に記載の四方弁。
【請求項１６】
上記第２の流路の一端は、上記弁座の座面より上記弁室の中に突き出るよう設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の四方弁。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月6日(2007.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機関のクランクシャフトによって回転駆動される駆動回転体と、
機関弁を開閉作動させるカムが設けられたカムシャフトあるいは該カムシャフトに結合された別部材からなる従動回転体と、
前記駆動回転体と従動回転体に対して相対回転可能に設けられ、回転方向に沿って縮径するガイドが形成された中間回転体と、
前記ガイドによって誘導されて径方向へ移動するように構成され、前記ガイドに係合する先端頭部の根元部領域に該先端頭部の最大直径より小径となる縮径部が設けられたピンと、
前記中間回転体に回転操作力を付与する操作力付与機構と、
前記ピンの径方向の変位を駆動回転体と従動回転体の相対回転位相の変位に変換する運動変換機構と、
を備えたことを特徴とする内燃機関のバルブタイミング制御装置。
【請求項２】
機関のクランクシャフトによって回転駆動される駆動回転体と、
機関弁を開閉作動させるカムが設けられたカムシャフトあるいは該カムシャフトに結合された別部材からなる従動回転体と、
前記駆動回転体と従動回転体に対して相対回転可能に設けられ、回転方向に沿って縮径するガイドが形成された中間回転体と、
前記ガイドによって誘導されて径方向へ移動するように構成され、前記ガイドに係合する部位の先端側と根元側を縮径させた係合部材と、
前記中間回転体に回転操作力を付与する操作力付与機構と、
前記従動回転体の回転中心から離間した部位と前記係合部材とを連結し、前記係合部材の径方向の移動に伴って前記従動回転体に回転力を付与するリンクと、
を備えたことを特徴とする内燃機関のバルブタイミング制御装置。
【請求項３】
内燃機関のクランクシャフトによって回転される駆動回転体とカムシャフトに結合されて前記駆動回転体から回転を伝達される従動回転体とを備え、内燃機関の運転状況に応じて前記クランクシャフトと前記カムシャフトの相対回転位相を可変制御する内燃機関のバルブタイミング制御装置であって、
内側方向若しくは外側方向に移動するように構成された係合部材と、
周方向に縮径する溝を有する中間回転体と、
前記溝に沿って前記係合部材を内側方向若しくは外側方向に移動させて前記駆動回転体に対する前記従動回転体の組付角を調整する運動変換機構と、
前記中間回転体に回転操作力を付与して前記係合部材を前記溝に沿って径方向に変位させて前記クランクシャフトと前記カムシャフトの相対回転位相を可変制御する操作力付与機構と、を備え、
前記係合部材が傾いた際に前記溝の縁部に対する当接を回避する逃げ部を前記係合部材に形成したことを特徴とする内燃機関のバルブタイミング制御装置。
【請求項４】
内燃機関のクランクシャフトによって回転される駆動回転体とカムシャフトに結合されて前記駆動回転体から回転を伝達される従動回転体とを備え、内燃機関の運転状況に応じて前記クランクシャフトと前記カムシャフトの相対回転位相を可変制御する内燃機関のバルブタイミング制御装置であって、
内側方向若しくは外側方向に移動するように構成された係合部材と、
周方向に縮径するガイドを有する中間回転体と、
前記ガイドによって誘導されて径方向へ移動するように構成され、前記ガイドに係合する先端頭部の先端部と根元部が縮径するように外周面が同じ曲率半径の球面状に形成された係合部材と、
前記ガイドに沿って前記係合部材を内側方向若しくは外側方向に移動させて前記駆動回転体に対する前記従動回転体の組付角を調整する運動変換機構と、
前記中間回転体に回転操作力を付与して前記係合部材を前記ガイドに沿って径方向に変位させて前記クランクシャフトと前記カムシャフトの相対回転位相を可変制御する操作力付与機構と、
を備えたことを特徴とする内燃機関のバルブタイミング制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月7日(2007.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バスバーと、ギャップ部を有し、前記バスバーを貫通させたコアと、前記バスバーと前記コアをモールドしたケースと、前記コアのギャップ部に配置される磁束密度検出素子と、前記磁束密度検出素子を搭載する回路基板とを有することを特徴とする電流センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の電流センサにおいて、
前記バスバーは、ボルトによって接続されることを特徴とする電流センサ。
【請求項３】
請求項１に記載の電流センサにおいて、
前記バスバーは、ナットによって接続されることを特徴とする電流センサ。
【請求項４】
請求項１に記載の電流センサにおいて、
前記バスバーは、屈曲構造であることを特徴とする電流センサ。
【請求項５】
請求項１に記載の電流センサにおいて、
前記バスバーは、少なくとも２つ以上の部材により接合されてなることを特徴とする電流センサ。
【請求項６】
請求項１に記載の電流センサにおいて、
前記ケースは、前記バスバーに設けられたコア貫通部と平行にケース固定用の穴を有することを特徴とする電流センサ。
【請求項７】
請求項１に記載の電流センサにおいて、
前記ケースに設けられた前記バスバーと前記コアとをモールドしているモールド部は、前記回路基板と前記バスバーとの沿面をモールドしていることを特徴とする電流センサ。
【請求項８】
バスバーと、前記バスバーをモールドした第１のケースと、前記バスバーを貫通し、前記第１のケースに固定される第２のケースと、前記第２のケース内に固定され前記バスバーを貫通するギャップ付きコアと、前記コアのギャップ部に配置される磁束密度検出素子と、前記磁束密度検出素子を搭載する回路基板を有する電流センサ。
【請求項９】
バスバーと、ギャップ部を有し、前記バスバーを貫通するコアと、前記バスバーと前記コアをモールドしたケースと、前記コアのギャップ部に配置される磁束密度検出素子と、前記磁束密度検出素子を搭載する回路基板とを有してなる電流センサと、前記電流センサを出力端子台として前記バスバーを介して半導体モジュールまたは前記半導体モジュールを有するコントローラに接続されていることを特徴とする電力変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月24日(2007.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
この様にして行なった実験の結果を、図１５に示す。この図１５の横軸は上記ラジアルニードル軸受７の寿命を、竪軸は複数の試料のうちで寿命に達した試料の割合を、それぞれ表している。この様な図１５にその結果を示した実験には、前述の図９〜１０に示す様な、総ニードル型のラジアルニードル軸受７を使用した。又、上記リング１５の回転速度は５０００min-1 、負荷荷重は０．３Ｃ、使用した潤滑油１６は５Ｗ−２０のエンジンオイル、この潤滑油１６の温度は１００℃とした。この様な条件で行なった実験の結果を示す図１５中、実線ａは、上記支持軸５と上記各ニードル８、８とに、標準的な熱処理（所謂ズブ焼きによる焼き入れ）を施した場合を、破線ｂは、これら支持軸５と各ニードル８、８とに、浸炭窒化処理を施した（表面及び転動面に浸炭窒化層を形成した）場合を、それぞれ示している。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月16日(2007.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載のダイアフラムポンプにおいて、
前記弾性部材には、少なくとも一対の非直線状弾性部が互いに対称となるように設けられた
ことを特徴としたダイアフラムポンプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、上記の構成において、前記弾性部材には、少なくとも一対の非直線状弾性部が互いに対称となるように設けられることが好ましい。このような構成では、可動子に例えば軸心を中心として所定の回転方向に回転力が加わった場合、一方の電磁石部と対向する非直線状弾性部が所定の回転方向に対して回転を規制する規制力が小さくても、他方の電磁石部と対向する非直線状弾性部がこの回転方向に対して回転を規制する規制力が大きくなる。したがって、可動子にどのような回転方向の回転力が加わったとしても、その回転力に対する規制力があるので、可動子の回転を抑えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月15日(2007.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベンド配向モードの液晶セルおよび液晶セルの両側に配置された一対の第１及び第２偏光膜を有する液晶表示装置であって、少なくとも前記第１偏光膜と前記液晶セルとの間に少なくとも第１及び第２光学異方層を有し、
前記第１光学異方層が、含水率が１．０％以内のポリマーを含有し、且つ面内の最大屈折率方向と前記第１偏光膜の面内透過軸とが実質的に平行または実質的に垂直となり、
前記第２光学異方層が、ハイブリット配向した円盤状化合物を含有し、前記第２光学異方層の円盤状化合物の分子対称軸を面内に正射影した方向と前記第１偏光膜の面内の透過軸との角度が実質的に４５゜となるように偏光膜、第１光学異方層および第２光学異方層がこの順に配置され、
前記第１光学異方層が、前記第１偏光膜に直接もしくは下記式（Ｉ）および（II）を満足するセルロースアシレートフィルムを介して貼り合せられており、
さらに、前記液晶セル、前記第１光学異方層および第２光学異方層が、波長４５０ｎｍ、波長５５０ｎｍおよび波長６３０ｎｍのいずれの測定においても、下記式（III）を満足する光学特性を有する液晶表示装置：
（Ｉ）０≦Ｒｅ（６３０）≦１０かつ｜Ｒｔｈ（６３０）｜≦２５
（II）｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜≦３５
（III）０．０５＜（Δｎ×ｄ）／（Ｒｅ１（λ）×Ｒｔｈ２（λ））＜０．２０
［式中、Δｎは液晶セル中の液晶性分子の固有複屈折率であり；ｄはｎｍを単位とする液晶セルの液晶層の厚さであり；Ｒｅ（λ）は波長λｎｍにおける正面レターデーション値（単位：ｎｍ）であり；Ｒｔｈ（λ）は波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）であり；Ｒｅ１（λ）は第１光学異方層の波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）であり；Ｒｔｈ２（λ）は第２光学異方層の厚み方向のレターデーション値である］。
【請求項２】
前記第１光学異方層が液晶性化合物の配向状態を固定化した層である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１光学異方層が非液晶性化合物からなる層である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１光学異方層が非液晶性化合物からなる層であり、シクロオレフィン、ポリエーテルケトン、ポリアミド、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド及びポリエステルイミドの少なくとも１種を含有する請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
透明フィルム、並びにその表面に、第１及び第２光学異方層をこの順で有する光学補償フィルムであって、
前記第１光学異方層が、非液晶性化合物からなる層であり、シクロオレフィン、ポリエーテルケトン、ポリアミド、ポリエステル、ポリアミドイミド及びポリエステルイミドの少なくとも１種を含有し、
前記第２光学異方層が、ハイブリット配向した円盤状化合物を含有し、
前記第１光学異方性層の前記第２光学異方性層との接触面がラビング処理を施されていることを特徴とする光学補償フィルム。
【請求項６】
前記透明フィルムがセルロースアシレートであり、且つ下記式（Ｉ）及び（II）を満足していることを特徴とする請求項５に記載の光学補償フィルム：
（Ｉ）０≦Ｒｅ（６３０）≦１０かつ｜Ｒｔｈ（６３０）｜≦２５
（II）｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜≦３５
［式中、Ｒｅ（λ）は波長λｎｍにおける正面レターデーション値（単位：ｎｍ）であり；Ｒｔｈ（λ）は波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）である］。
【請求項７】
前記第１光学異方性層が、含水率が１．０％以内のポリイミドを含有することを特徴とする請求項５又は６に記載の光学補償フィルム。
【請求項８】
Δｎ×ｄの値が下記式(III)を満足するベンド配向モードの液晶セルと組合せて用いられることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の光学補償フィルム：
（III）０．０５＜（Δｎ×ｄ）／（Ｒｅ１（λ）×Ｒｔｈ２（λ））＜０．２０
［式中、Δｎは液晶セル中の液晶性分子の固有複屈折率であり；ｄはｎｍを単位とする液晶セルの液晶層の厚さであり；Ｒｅ１（λ）は第１光学異方層の波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）であり；Ｒｔｈ２（λ）は第２光学異方層の厚み方向のレターデーション値である］。
【請求項９】
請求項５〜８のいずれか１項に記載の光学補償フィルムの製造方法であって、
長尺状の透明フィルムの表面に、シクロオレフィン、ポリエーテルケトン、ポリアミド、ポリエステル、ポリアミドイミド及びポリエステルイミドの少なくとも１種を含有する非液晶性組成物を塗布して、非液晶性組成物からなる層を形成すること、
非液晶性組成物からなる層の表面を長手方向に対して４５°の方向にラビング処理して第１光学異方性層を形成すること、及び
第１光学異方性層のラビング処理面上で、円盤状化合物の分子をハイブリッド配向させてその分子対称軸を長手方向に対して実質的に４５゜とし、第２光学異方性層を形成すること、
を含む光学補償フィルムの製造方法。
【請求項１０】
偏光膜と、請求項５〜８のいずれか１項に記載の光学補償フィルムとを少なくとも有する偏光板。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月31日(2007.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
（１１）    −５．０＜ＳＦ21＜−１．０
ただし、ＳＦ21＝（Ｒ21−Ｒ22）／（Ｒ21＋Ｒ22）で定義され、
Ｒ21：前記第２レンズ群の最も物体側の正レンズの物体側面の近軸曲率半径、
Ｒ22：前記第２レンズ群の最も物体側の正レンズの像側面の近軸曲率半径、
である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月31日(2007.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記第２レンズ群の最も物体側の正レンズが以下条件式を満足する非球面レンズであることを特徴とする請求項５から７の何れか１項記載のズームレンズ。
（７）      −５．０＜ＳＦ21＜−１．０
ただし、ＳＦ21＝（Ｒ21−Ｒ22）／（Ｒ21＋Ｒ22）で定義され、
Ｒ21：第２レンズ群の最も物体側の正レンズの物体側面の近軸曲率半径、
Ｒ22：第２レンズ群の最も物体側の正レンズの像側面の近軸曲率半径、
である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
（７）      −５．０＜ＳＦ21＜−１．０
ただし、ＳＦ21＝（Ｒ21−Ｒ22）／（Ｒ21＋Ｒ22）で定義され、
Ｒ21：第２レンズ群の最も物体側の正レンズの物体側面の近軸曲率半径、
Ｒ22：第２レンズ群の最も物体側の正レンズの像側面の近軸曲率半径、
である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月5日(2007.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮機、ガスクーラ、絞り及び蒸発器を環状に接続し、前記絞りの弁開度を電気的に調節可能な冷媒回路と、
給湯用の液体が水循環ポンプを介して前記ガスクーラを通過した後、圧縮機と接する熱交換部分を有する圧縮機シェル熱交換器を通って給湯タンクへ供給される水回路とを備え、前記圧縮機シェル熱交換器の水入口配管側を下部、水出口配管側を上部としたことを特徴とするヒートポンプ式給湯機。
【請求項２】
前記圧縮機は前記ガスクーラよりも上部に配設されており、前記圧縮機シェル熱交換器の水出口配管に空気抜き用の配管及び栓が接続されていることを特徴とする請求項１記載のヒートポンプ式給湯機。
【請求項３】
前記圧縮機の外形は円筒形状で、前記圧縮機シェル熱交換器は、前記圧縮機表面の円周部に１８０度以上接触していることを特徴とする請求項１記載のヒートポンプ式給湯機。
【請求項４】
前記圧縮機シェル熱交換器の前記圧縮機と接する熱交換部分は、水入口ヘッダー及び水出口ヘッダーに接続されていることを特徴とする請求項１記載のヒートポンプ式給湯機。
【請求項５】
圧縮機、ガスクーラ、絞り及び蒸発器を環状に接続し、前記絞りの弁開度を電気的に調節可能な冷媒回路と、
給湯用の液体が水循環ポンプを介して前記ガスクーラを通過した後、圧縮機と接する熱交換部分を有する圧縮機シェル熱交換器を通って給湯タンクへ供給される水回路と、
前記圧縮機シェル熱交換器の前記圧縮機と接する熱交換部分が接続され、複数に分割されて水中間ヘッダーを有する水入口ヘッダー及び水出口ヘッダーとを備えたことを特徴とするヒートポンプ式給湯機。
【請求項６】
前記圧縮機シェル熱交換器の前記圧縮機と接する熱交換部分が接続され、複数に分割されて水中間ヘッダーを有する水入口ヘッダー及び水出口ヘッダーとを備えたことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のヒートポンプ式給湯機。
【請求項７】
圧縮機、ガスクーラ、絞り及び蒸発器を環状に接続し、前記絞りの弁開度を電気的に調節可能な冷媒回路と、
給湯用の液体が水循環ポンプを介して前記ガスクーラを通過した後、圧縮機と接する熱交換部分を有する圧縮機シェル熱交換器を通って給湯タンクへ供給される水回路とを備え、前記圧縮機シェル熱交換器をジャケットタイプを２分割した構成とし、ジャケット間を接続配管で接続すると共に、水入口配管・水出口配管とガスクーラ、バルブ等への接続部は樹脂配管で構成することを特徴とするヒートポンプ式給湯機。
【請求項８】
前記圧縮機シェル熱交換器の水入口配管・水出口配管及び前記ジャケット間の接続配管はジャケット内に突き出して接合し、ジャケット内中間部に流路を蛇行させるように配置した流路形成部材を設けることを特徴とする請求項７記載のヒートポンプ式給湯機。
【請求項９】
前記圧縮機シェル熱交換器は、内面側に銅板をインサート成形した樹脂で構成することを特徴とする請求項７記載のヒートポンプ式給湯機。
【請求項１０】
前記圧縮機と前記圧縮機シェル熱交換器との間に薄肉樹脂シートを挟み込み、熱交換器の外側には断熱性部材を巻き、その外側からバンド等で締め込んで固定することを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載のヒートポンプ式給湯機。
【請求項１１】
デフロスト運転時に、前記圧縮機の吐出温度が１００℃以上の場合は、前記水循環ポンプを断続的に運転することを特徴とする請求項１又は請求項５又は請求項７記載のヒートポンプ式給湯機。
【請求項１２】
ＣＯ２を冷媒とすることを特徴とする請求項１項乃至１１の何れかに記載のヒートポンプ式給湯機。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月16日(2007.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一面上に成長した半導体結晶層と、
前記基板の他面およびこれに連続して前記基板の側面に形成され、前記半導体結晶層が前記基板に付与する応力と同じ方向に前記基板に応力を付与する応力緩和層とを備えることを特徴とする半導体基板。
【請求項２】
前記半導体結晶層は、ＧａＮ系半導体層であることを特徴とする請求項１記載の半導体基板。
【請求項３】
前記基板は、ＧａＮ，ＳｉＣまたはサファイアであることを特徴とする請求項１または２記載の半導体基板。
【請求項４】
前記応力緩和層は、ＳｉＮ，ＷＳｉ，ＴｉＷ，ＴｉＮまたはＧａＮであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体基板。
【請求項５】
一面上に半導体結晶層が成長されるべき、半導体結晶成長用基板の他面およびこれに連続して前記半導体結晶成長用基板の側面に形成され、前記半導体結晶層が前記半導体結晶成長用基板に付与する応力と同じ方向に前記半導体結晶成長用基板に応力を付与する応力緩和層を備えることを特徴とする半導体結晶成長用基板。
【請求項６】
前記半導体結晶層は、ＧａＮ系半導体層であることを特徴とする請求項５記載の半導体結晶成長用基板。
【請求項７】
前記基板は、ＧａＮ，ＳｉＣまたはサファイアであることを特徴とする請求項５または６記載の半導体結晶成長用基板。
【請求項８】
前記応力緩和層は、ＳｉＮ，ＷＳｉ，ＴｉＷ，ＴｉＮまたはＧａＮであることを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の半導体結晶成長用基板。
【請求項９】
基板の一面上に設けられた電界効果型トランジスタの動作層となる半導体結晶層と、
チップに分割された前記基板の他面およびこれに連続して前記基板の側面に設けられ、前記半導体結晶層が前記基板に付与する応力と同じ方向に前記基板に応力を付与する応力緩和層とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体結晶層は、ＧａＮ系半導体層であることを特徴とする請求項９記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記基板は、ＧａＮ，ＳｉＣまたはサファイアであることを特徴とする請求項９または１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記応力緩和層は、ＳｉＮ，ＷＳｉ，ＴｉＷ，ＴｉＮまたはＧａＮであることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板、半導体結晶成長用基板および半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体基板、半導体結晶成長用基板および半導体装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、基板の反り、クラックの発生を効果的に抑制することができるとともに、半導体層各面における剥がれを防止することができる半導体基板、半導体結晶成長用基板および半導体装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月30日(2007.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
運転席および助手席との間に配置されるコンソールボックス内に収容される駆動用電池パックと、
前記コンソールボックス内において、前記駆動用電池パックの上に配置されるジャンクションボックスと、
前記運転席または前記助手席の下方に配置され、前記ジャンクションボックスにハーネスにより電気的に接続される機器と、
を備える、駆動用電池パック搭載構造。
【請求項２】
前記運転席および前記助手席は、車両の前後方向に延び、上向きに略凸形状のシートレッグ上に載置され、
前記ハーネスは、前記駆動用電池パックの車両後方側を回って下降し、前記シートレッグと床面とによって規定される空間を横断して、前記機器に電気的に接続される、請求項１に記載の駆動用電池パック搭載構造。
【請求項３】
前記駆動用電池パックは、第１組電池を有する第１電池パックと、この第１電池パックの上方に配置され、第２組電池を有する第２電池パックとを有し、
前記第１電池パックの車両後方端は、前記第２電池パックの車両後方端よりも車両前方側に位置することで、前記第２電池パックの車両後方側下面と床面との間に空間を規定し、
前記ハーネスを、前記電池パックの車両後方側を回って下降させ、前記空間を通過させ、前記シートレッグと床面とによって規定される空間を横断させる、請求項２に記載の駆動用電池パック搭載構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】駆動用電池パック搭載構造
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電気自動車等に搭載される駆動用電池パック搭載構造に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本願発明の課題は、駆動用電池パックを運転席と助手席との間のセンターコンソールボックス内に配置した場合に、駆動用電池パックと周辺機器との組み付け作業性が悪化するおそれがある点にある。したがって、本発明の目的は、駆動用電池パックをセンターコンソールボックス内に配置した場合であっても、駆動用電池パックと周辺機器との組み付け作業性が良好な構造を備える駆動用電池パック搭載構造を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明に基づいた駆動用電池パック搭載構造においては、運転席および助手席との間に配置されるコンソールボックス内に収容される駆動用電池パックと、上記コンソールボックス内において、上記駆動用電池パックの上に配置されるジャンクションボックスと、上記運転席または上記助手席の下方に配置され、上記ジャンクションボックスとハーネスにより電気的に接続される機器とを備えている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明に基づいた駆動用電池パック搭載構造によれば、車両に用いられる駆動用電池パックを車両室内空間に有効に配置するとともに、コンソールボックス内に収容される駆動用電池パックと、フロントシートの下方に配置されるジャンクションボックスとの間の距離が短いため、駆動用電池パックとジャンクションボックスとの電気的接続に用いられるハーネスの長さを短くし、駆動用電池パックと周辺機器との組み付け作業性を良好なものとする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
以下、本発明に基づいた車両に搭載される駆動用電池パックの実施の形態について、図を参照しながら説明する。なお、各図中において、車両の前方側を「フロント側」、後方側を「リア側」、運転席側を「Ｄ席側」、助手席側を「Ｐ席側」と標記する。まず、図１および図２を参照して、車両室内の概略構成について説明する。なお、図１は、車両室内の外観を示す部分斜視図であり、図２は、フロントシートおよびセンターコンソールボックスを取り外した状態での車両室内の状態を示す部分斜視図である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（電池パックの中心位置ずれ）
次に、図７および図８を参照して、駆動用電池パックの中心位置ずれについて、説明する。なお、図７は、センターコンソールボックス内の車両横方向に沿った縦断面図であり、図８は、車両中心位置、駆動用電池パック中心位置、および、運転座席の位置関係を模式的に示す平面図である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
（ジャンクションボックスとＤＣＤＣコンバータとの連結）
次に、図２を参照して、本実施の形態における駆動用電池パック搭載構造におけるジャンクションボックス６０とＤＣＤＣコンバータ１１０との電気的連結に用いるハーネス１３０の配線について説明する。上記したように、本実施の形態においては、駆動用電池パックとして第１電池パック４０と、この第１電池パック４０の上方に配置される第２電池パック５０とを有し、第１電池パック４０の車両後方端は、第２電池パック５０の車両後方端よりも車両前方側に位置するように、第１電池パック４０および第２電池パック５０が配置されている。これにより、第２電池パック５０の車両後方側下面と床面１０との間の空間Ａ２が形成される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
以上、この駆動用電池パック搭載構造におけるハーネス１３０の配線においては、車両に用いられる第１および第２電池パック４０，５０を車両室内空間に有効に配置するとともに、センターコンソールボックス２１内に収容される第２電池パック５０と、運転席１１（または助手席１２）の下方に配置されるＤＣＤＣコンバータ１１０との間の距離を短くできることから、第２電池パック５０とＤＣＤＣコンバータ１１０との電気的接続に用いられるハーネスの長さを短くし、駆動用電池パックと周辺機器との組み付け作業性を良好なものとすることができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
なお、上記実施の形態においては、駆動用電池パックとして、上下２段に配置される電池パック構造を採用しているが、１段構造、または、複数段構造の電池パックであっても、同様の作用効果を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、従来の誘導加熱調理器は、落雷のような電源電圧のトラブルが発生した場合に、これに対する保護対策に不備があり、インバータ部の電子素子（ＩＧＢＴ）が破損するという問題点がある。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】韓国特許公開公報第１０−１９９９−００５０５０５号
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月14日(2007.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の第１の面に形成され、かつレーザ発振する共振器が形成される多層の半導体層と、
前記多層の半導体層上に形成される導体層を多層に積層した第１の電極と、
前記半導体基板の第１の面の反対面となる第２の面に形成される第２の電極とを有する光半導体素子と、
第１の面に前記光半導体素子の前記第１の電極を固定するための導体層からなる素子固定部を有する支持基板とを有し、
前記支持基板の前記素子固定部に接合材を介して前記光半導体素子の前記第１の電極が接続され、前記接合材と前記第１の電極を構成する前記導体層は相互に反応して反応層を形成してなる光半導体装置であって、
前記半導体基板と前記支持基板との接合は、
前記半導体基板に対して熱膨張係数差が±５０％以内での前記支持基板の接合であり、
前記第１の電極の最上層の前記導体層の内側には前記接合材と反応しない第２のバリアメタル層が形成され、前記最上層の前記導体層は前記接合材と反応して前記反応層を形成していることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記光半導体素子の前記多層の半導体層の中層には活性層が設けられ、前記活性層と前記半導体基板との間の各半導体層は第１導電型となり、前記活性層と前記第１の電極との間の各半導体層は第２導電型の半導体層となっていることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記光半導体素子の前記半導体基板の第１の面側には前記活性層の上層の途中深さを溝底とする２本の分離溝が設けられて前記２本の分離溝間に挟む突条部分でリッジを形成し、前記リッジの最上層の半導体層が前記第１の電極に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記半導体基板はＧａＡｓ基板であり、
前記第１の電極に接触する前記多層の半導体層の最上層はＧａＡｓ層であり、
前記支持基板はＡｌＮ基板であり、
前記第１の電極の最上層の導体層はＡｕ層であり、
前記第１の電極の前記最上層の導体層の内側の導体層はＮｉ層，Ｐｔ層，Ｐｄ層，Ｍｏ層のうちのいずれかの導体層であることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項５】
前記第１の電極はＴｉ層，Ｐｔ層，Ａｕ層，前記第２のバリアメタル層となるＮｉ層，Ａｕ層と順次積層された構造、Ｔｉ層，Ｐｔ層，Ａｕ層，前記第２のバリアメタル層となるＰｔ層，Ａｕ層と順次積層された構造のいずれかの積層構造であることを特徴とする請求項４に記載の光半導体装置。
【請求項６】
前記光半導体素子の前記多層の半導体層は前記半導体基板上に順次積層されるバッファ層，第１クラッド層，活性層，第２クラッド層及びコンタクト層で形成され、
前記コンタクト層から前記第２クラッド層の中層に亘って設けられる２本の分離溝によって形成される２本の分離溝で挟まれるリッジとを有し、
前記リッジの最上層の半導体層が前記第１の電極に接続され、
前記コンタクト層の前記分離溝に臨む側部には、前記分離溝に向かって徐々に側部の厚さが薄くなるように上面に斜面が設けられ、
前記半導体基板の第１の面側において、
前記リッジの前記分離溝に臨む各側面から前記分離溝を含みかつ前記分離溝を越えて前記半導体基板側縁に至る部分を覆う絶縁膜と、
前記リッジを構成する前記コンタクト層部分及び前記絶縁膜を覆う金属からなる第１のバリアメタル層と、
前記第１のバリアメタル層上に形成されるＡｕ層とを有し、
前記Ａｕ層上に前記第２のバリアメタル層が重なることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項７】
前記リッジを構成する前記コンタクト層部分を覆う前記第１のバリアメタル層と、前記リッジ側面を覆う前記絶縁膜は連続して繋がり、
前記リッジを構成する前記コンタクト層部分の表面は前記第１のバリアメタル層及び前記絶縁膜から露出していないことを特徴とする請求項６に記載の光半導体装置。
【請求項８】
前記半導体基板はＧａＡｓ基板からなり、
前記バッファ層はＧａＡｓ層からなり、
前記第１クラッド層はＡｌＧａＩｎＰ層からなり、
前記活性層はＡｌＧａＩｎＰ層を障壁層とし、ＧａＩｎＰ層を井戸層とする多重量子井戸構造からなり、
前記第２クラッド層はＡｌＧａＩｎＰ層からなり、
前記コンタクト層はＧａＡｓ層からなり、
前記半導体基板の第１の面はＧａＡｓ結晶の結晶面（００１）に対して傾斜する結晶面となり、
前記コンタクト層の上面側部の前記斜面はＧａＡｓ結晶の結晶面（１１１）であることを特徴とする請求項６に記載の光半導体装置。
【請求項９】
前記光半導体素子の前記多層の半導体層は前記半導体基板上に順次積層されるバッファ層，第１クラッド層，活性層，第１の第２クラッド層，エッチストップ層，第２の第２クラッド層及びコンタクト層で形成され、
前記コンタクト層から前記エッチストップ層にまで到達する２本の分離溝によって形成される２本の分離溝で挟まれるリッジとを有し、
前記リッジの最上層の半導体層が前記第１の電極に接続され、
前記コンタクト層の前記分離溝に臨む側部には、前記分離溝に向かって徐々に側部の厚さが薄くなるように上面に斜面が設けられ、
前記半導体基板の第１の面側において、
前記リッジの前記分離溝に臨む各側面から前記分離溝を含みかつ前記分離溝を越えて前記半導体基板側縁に至る部分を覆う絶縁膜と、
前記リッジを構成する前記コンタクト層部分及び前記絶縁膜を覆う金属からなる第１のバリアメタル層と、
前記第１のバリアメタル層上に形成されるＡｕ層とを有し、
前記Ａｕ層上に前記第２のバリアメタル層が重なることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体基板はＧａＡｓ基板からなり、
前記バッファ層はＧａＡｓ層からなり、
前記第１クラッド層はＡｌＧａＩｎＰ層からなり、
前記活性層はＡｌＧａＩｎＰ層を障壁層とし、ＧａＩｎＰ層を井戸層とする多重量子井戸構造からなり、
前記第１の第２クラッド層はＡｌＧａＩｎＰ層からなり、
前記エッチストップ層はＧａＩｎＰ層からなり、
前記第２の第２クラッド層はＡｌＧａＩｎＰ層からなり、
前記コンタクト層はＧａＡｓ層からなり、
前記半導体基板の第１の面はＧａＡｓ結晶の結晶面（００１）に対して傾斜する結晶面となり、
前記コンタクト層の上面側部の前記斜面はＧａＡｓ結晶の結晶面（１１１）であることを特徴とする請求項９に記載の光半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、基板とゲート電極間に位置する基板絶縁層と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース・ドレイン電極と、有機半導体層によって構成される複数の絶縁層を有するボトムゲート構造の有機トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層が、ソース・ドレイン電極に近接する部分で表面エネルギーが低く、ゲート電極に近接する部分で表面エネルギーが高く、膜厚方向に組成が異り、かつ前記基板絶縁層の表面自由エネルギーが前記ゲート絶縁層のゲート電極に近接する部分の表面自由エネルギーより低いことを特徴とする有機トランジスタ。
【請求項２】
基板と、基板とゲート電極間に位置する基板絶縁層と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース・ドレイン電極と、有機半導体層によって構成されるボトムゲート構造の有機トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層が、表面エネルギーの低い上層と、表面エネルギーの高い下層の二層構造からなり、かつ前記基板絶縁層の表面自由エネルギーが前記ゲート絶縁層の表面自由エネルギーが高い下層より低いことを特徴とする請求項１記載の有機トランジスタ。
【請求項３】
前記ゲート絶縁層が、上層の表面自由エネルギーが４０ｍＮ／ｍ以下、下層の表面自由エネルギーが４５ｍＮ／ｍ以上、前記基板絶縁層の表面自由エネルギーが４５ｍＮ／ｍ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機トランジスタ。
【請求項４】
前記ゲート絶縁層の上層がソース・ドレイン電極の一部または全てと隣接した部分の表面自由エネルギーが５０ｍＮ／ｍ以上の絶縁層であり、かつ前記基板絶縁層がゲート電極の一部または全てと隣接した部分の表面自由エネルギーが５０ｍＮ／ｍ以上の絶縁層であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかの項に記載の有機トランジスタ。
【請求項５】
前記ゲート絶縁層において、前記上層の絶縁層の表面自由エネルギーの水素結合成分が１．０ｍＮ／ｍ以下、前記下層の絶縁層の表面自由エネルギーの水素結合成分が２．０ｍＮ／ｍ以上であり、かつ前記上層の絶縁層と連続し、前記ソース・ドレイン電極の一部または全てと隣接した絶縁層部分の表面自由エネルギーの水素結合成分が５．０ｍＮ／ｍ以上であり、かつ前記基板絶縁層において、表面自由エネルギーの水素結合成分が１．０ｍＮ／ｍ以下であり、かつ前記基板絶縁層と連続し、前記ゲート電極の一部または全てと隣接した絶縁層部分の表面自由エネルギーの水素結合成分が５．０ｍＮ／ｍ以上あることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかの項に記載の有機トランジスタ。
【請求項６】
前記基板絶縁層と前記ゲート絶縁層において、前記基板絶縁層と前記上層のゲート絶縁層が側鎖にアルキル基を有するポリイミドであり、かつ前記下層のゲート絶縁層が側鎖にアルキル基を有しないポリイミドであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかの項に記載の有機トランジスタ。
【請求項７】
前記基板絶縁層と前記ゲート絶縁層において、前記基板絶縁層と前記上層のゲート絶縁層が側鎖にアルキル基を有するポリイミドであり、かつ前記下層のゲート絶縁層が無機材料絶縁層であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかの項に記載の有機トランジスタ。
【請求項８】
前記基板絶縁層と前記ゲート絶縁層において、前記基板絶縁層の膜厚と前記上層のゲート絶縁層の膜厚が、前記下層のゲート絶縁層の膜厚より薄いことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかの項に記載の有機トランジスタ。
【請求項９】
前記基板絶縁層と前記ゲート絶縁層において、前記基板絶縁層の膜厚と前記上層のゲート絶縁層の膜厚が２ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、かつ前記下層のゲート絶縁層の膜厚が１００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかの項に記載の有機トランジスタ。
【請求項１０】
基板と、基板とゲート電極間に位置する基板絶縁層と、ゲート電極と、二層以上の積層ゲート絶縁層と、ソース・ドレイン電極と、有機半導体層によって構成される複数の絶縁層を有する有機トランジスタの製造方法において、前記基板絶縁層と前記ゲート絶縁層に２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の波長帯の紫外線（ＵＶ光）でマスク露光を行う工程、前記基板絶縁層のマスク露光された部分の一部分又は全てにはゲートとなる電極材料をインクジェット法で吐出し、マスク露光された部分に電極材料が広がりゲート電極を形成する工程、かつ前記ゲート絶縁層のマスク露光された部分にはソース・ドレイン電極となる電極材料をインクジェット法で吐出し、マスク露光された部分と露光されない部分の表面自由エネルギー差で電極材料が分離され、チャネルを形成する工程を有することを特徴とする有機トランジスタの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月19日(2007.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の半導体素子を接着する工程と、
第２の半導体素子となる複数の素子領域を有する半導体ウエハの裏面に、厚さが50μm以上140μm以下で常温弾性率が30MPa以上120MPa以下のダイシングフィルムと厚さが30μm以上で硬化前の常温弾性率が500MPa以上1200MPa以下の接着剤フィルムとを一体化した複合フィルムを貼り付ける工程と、
前記複合フィルムが貼り付けられた半導体ウエハを、前記接着剤フィルムと共に前記素子領域毎に分割して前記第２の半導体素子を作製する工程と、
前記第２の半導体素子を前記ダイシングフィルムからピックアップする工程と、
前記ピックアップした第２の半導体素子を、その裏面に貼り付けられた前記接着剤フィルムを接着剤層として前記第１の半導体素子上に接着する工程と
を具備することを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の積層型半導体装置の製造方法において、
さらに、前記基板の電極部と前記第１の半導体素子の電極パッドとをボンディングワイヤを介して電気的に接続する工程を具備することを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の積層型半導体装置の製造方法において、
前記ボンディングワイヤの一部を前記接着剤層内に取り込むことを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載の積層型半導体装置の製造方法において、
前記接着剤フィルムは接着時粘度が1kPa・s以上100kPa・s未満の範囲の絶縁性樹脂層を有することを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載の積層型半導体装置の製造方法において、
前記接着剤フィルムは、前記第１の半導体素子側に配置され、接着時粘度が1kPa・s以上100kPa・s未満の範囲の第１の絶縁性樹脂層と、前記第２の半導体素子側に配置され、接着時粘度が100kPa・s以上の第２の絶縁性樹脂層とを有することを特徴とする積層型電子部品の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載の積層型半導体装置の製造方法において、
前記接着剤フィルムは60μm以上150μm以下の範囲の厚さを有することを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一態様に係る積層型半導体装置の製造方法は、基板上に第１の半導体素子を接着する工程と、第２の半導体素子となる複数の素子領域を有する半導体ウエハの裏面に、厚さが50μm以上140μm以下で常温弾性率が30MPa以上120MPa以下のダイシングフィルムと厚さが30μm以上で硬化前の常温弾性率が500MPa以上1200MPa以下の接着剤フィルムとを一体化した複合フィルムを貼り付ける工程と、前記複合フィルムが貼り付けられた半導体ウエハを、前記接着剤フィルムと共に前記素子領域毎に分割して前記第２の半導体素子を作製する工程と、前記第２の半導体素子を前記ダイシングフィルムからピックアップする工程と、前記ピックアップした第２の半導体素子を、その裏面に貼り付けられた前記接着剤フィルムを接着剤層として前記第１の半導体素子上に接着する工程とを具備することを特徴としている。