【手続補正書】
【提出日】平成19年8月13日(2007.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
未変更の非円形偏光を有するレーザ・ビームを受け取り且つレーザ・ビームの偏光を変更するよう構成された偏光変更装置と、
前記偏光変更装置に接続された制御器であって、レーザ・ビームの偏光の変更を制御して、低エネルギと高エネルギとの間の使用可能なエネルギ範囲を有する処理エネルギ窓を与えるため、前記偏光変更装置への入力を調整するよう構成された制御器とを備え、
前記偏光変更装置は、その偏光変更装置により受け取られるレーザ・ビームを生成するレーザ処理システムであって、前記偏光変更装置により変更されたレーザ・ビームを、前記レーザ・ビームにより処理されるべき構造体を含む加工物、並びに前記レーザ・ビームにより損傷され得る周りの構造体及び基板上へ集束させるレーザ処理システムの中に組み込むよう構成されており、
前記制御器が、処理されるべき前記構造体と、損傷され得る前記周りの構造体及び基板と、前記偏光されたレーザ・ビームの向きとによって大きさが変わる前記処理エネルギ窓が最大又はその近くとなるよう前記偏光変更装置への入力を調整することにより、非円形偏光のレーザ・ビームによる前記構造体の処理がほぼ前記の最大処理エネルギ窓内で生じることにより、前記目標構造体が、前記低エネルギより上で且つ前記高エネルギより下のエネルギを用いて、実質的損傷が目標構造体に隣接している周りの構造体に生じること無しに処理されるように構成される
レーザ偏光制御装置。
【請求項２】
前記偏光変更装置が液晶可変リターダを備える請求項１記載のレーザ偏光制御装置。
【請求項３】
前記制御器は、レーザ・ビームの偏光を回転させてレーザ・ビームにより処理されるべき構造体のアライメントと一致するように、前記偏光変更装置への入力を調整するよう構成されている請求項１記載のレーザ偏光制御装置。
【請求項４】
レーザ・ビームが事前決定された方向に確実に直線偏光されるべく前記偏光変更装置により受け取られるレーザ・ビームを処理するよう構成されている偏光ビームスプリッタを更に備える請求項１記載のレーザ偏光制御装置。
【請求項５】
前記制御器が、レーザ・ビームにより処理されるべき構造体のアライメントを指定する記憶された情報に基づいて前記偏光変更装置への入力を調整する仕方を制御するようプログラムされたプロセッサを更に備える請求項１記載のレーザ偏光制御装置。
【請求項６】
レーザ・ビームを受け取り且つレーザ・ビームの偏光を変更するよう構成された偏光変更装置と、
前記偏光変更装置に接続された制御器であって、レーザ・ビームにより処理されるべき構造体に基づいてレーザ・ビームの偏光の変更を制御するため、使用可能なエネルギ範囲を有するエネルギ処理窓内で前記偏光変更装置への入力を調整することにより、前記処理エネルギ窓がそれより上では損傷が目標構造体を処理するとき周りの構造体又は基板に生じるであろう高エネルギより下であることに起因して、実質的損傷が前記目標構造体に隣接している前記周りの構造体に生じること無しに、前記目標構造体が処理されるように構成された制御器とを備え、
前記偏光変更装置は、その偏光変更装置により受け取られるレーザ・ビームを生成するレーザ処理システムであって、前記偏光変更装置により変更されたレーザ・ビームを、当該レーザ・ビームにより処理されるべき構造体を含む加工物上へ集束させるレーザ処理システムの中に組み込むよう構成されており、
前記偏光変更装置により変更されたレーザ・ビームを受け取るよう構成された解析器ツールを更に備え、
前記解析器ツールは、前記偏光変更装置によるレーザ・ビームの偏光の変更を測定するよう構成されている
レーザ偏光制御装置。
【請求項７】
前記解析器ツールは、前記レーザ処理システムの中へ取り外し可能に挿入可能である請求項６記載のレーザ偏光制御装置。
【請求項８】
レーザ・ビームを生成するレーザ処理システムであって、レーザ・ビームにより処理されるべき構造体を含む加工物上にレーザ・ビームを集束させるレーザ処理システムを得るステップと、
レーザ・ビームにより処理されるべき複数の構造体の各々のアライメントを決定するステップと、
前記複数の構造体のうちのそれぞれに関して、低エネルギより下では前記構造体が完全には処理されず且つ高エネルギより上では前記構造体を処理することにより前記基板に又は処理されるべき前記構造体の周りの形体に損傷を起こすようなエネルギ範囲を有する処理エネルギ窓であって、前記構造体の向き、前記周りの形体の向き及び前記構造体に対する偏光されたレーザ・ビームの向きによって大きさが変わる前記処理エネルギ窓を生じるように前記構造体と偏光されたレーザ・ビームとの相対的向きを決定することにより、当該偏光されたレーザ・ビームによる前記構造体の処理がほぼ前記の最大の処理エネルギ窓内で生じるステップと、
レーザ・ビームにより処理されるべき各構造体のアライメントに基づいてレーザ・ビームの偏光を変更するステップと、
前記レーザ処理システムを用いて、前記構造体と変更された非円形偏光を有するレーザ・ビームとが前記の決定された相対的向きにある状態で前記構造体上に前記変更された非円形偏光を有するレーザ・ビームを集束させることにより前記構造体を処理するステップであって、前記処理エネルギ窓内における前記処理は、実質的損傷が前記処理エネルギ窓が前記高エネルギより下であることに起因して目標構造体に隣接している前記周りの形体に生じること無しに、前記目標構造体が処理されることを与える、前記構造体を処理するステップと
を備えるレーザ偏光を制御する方法。
【請求項９】
レーザ・ビームの偏光を変更する前記ステップは、直線偏光されたレーザ・ビームを生成する請求項８記載の方法。
【請求項１０】
レーザ・ビームの偏光を変更する前記ステップは、楕円偏光されたレーザ・ビームを生成する請求項８記載の方法。
【請求項１１】
前記レーザ処理システムが半導体デバイスの中のリンクを切断するよう構成され、
レーザ・ビームにより処理されるべき前記構造体がリンクである
請求項８記載の方法。
【請求項１２】
レーザ・ビームを生成するレーザ処理システムであって、レーザ・ビームにより処理されるべき構造体を含む加工物上にレーザ・ビームを集束させるレーザ処理システムを設けるステップと、
レーザ・ビームを受け取り且つレーザ・ビームの偏光を変更するよう構成された偏光変更装置を前記レーザ処理システムに設けるステップと、
目標構造体に応答してレーザ・ビームの偏光を変更することにより、前記目標構造体が、それより下では前記目標構造体が完全には処理されない低エネルギとそれより上では前記目標構造体に隣接している周りの構造体が前記目標構造体の処理中に悪影響を及ぼされるであろう高エネルギとの間の使用可能なエネルギ範囲を有するエネルギ窓内で処理されるステップと、
レーザ・ビームの偏光の変更を制御するため複数の入力を前記偏光変更装置へ印加するステップと、
前記偏光変更装置によるレーザ・ビームの偏光の変更を測定するため前記偏光変更装置により変更されたレーザ・ビームを解析するステップと、
前記偏光変更装置への入力とレーザ・ビームの偏光の変更との間の関係を記憶するステップと
備えるレーザ偏光を制御する方法。
【請求項１３】
変更された偏光のレーザ・ビームを受け取るよう構成された解析器ツールであってレーザ・ビームの偏光を解析するよう構成されている前記解析器ツールを前記レーザ処理システムに設けるステップを更に備える請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
レーザ・ビームの偏光を解析する前記ステップは、前記偏光変更装置を前記レーザ処理システムに組み付ける地点で実行される請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
処理されるべき構造体を設けるステップと、
非円形偏光されたレーザ・ビームを生成するレーザ処理システムを設けるステップと、
高エネルギより下で且つ低エネルギより上の使用可能なエネルギ範囲を有する処理エネルギ窓であって、そのエネルギ範囲が前記構造体と非円形偏光されたレーザ・ビームとの相対的向きによって大きさが変わる前記処理エネルギ窓を生じるように前記構造体と非円形偏光されたレーザ・ビームとの相対的向きを決定することにより、前記非円形偏光されたレーザ・ビームによる前記構造体の処理がほぼ前記使用可能なエネルギ範囲内で生じることにより、実質的損傷が前記エネルギ窓が前記高エネルギより下であることに起因して目標構造体に隣接している周りの構造体に生じること無しに、前記目標構造体が処理されるステップと、
前記構造体と前記非円形偏光されたレーザ・ビームとが前記の決定された相対的向きにある状態で前記構造体上に前記非円形偏光されたレーザ・ビームを集束させることにより前記構造体を処理するステップと
を備える構造体のレーザ処理方法。
【請求項１６】
前記決定された向きは、非円形偏光されたレーザ・ビームに平行である請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記決定された向きは、非円形偏光されたレーザ・ビームに垂直である請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
処理されるべき構造体を設けるステップと、
非円形偏光されたレーザ・ビームを生成するレーザ処理システムを設けるステップと、
それより下では目標構造体が完全には処理されない低エネルギとそれより上では前記目標構造体に隣接している周りの構造体に損傷を与え得る高エネルギとの間の使用可能なエネルギ範囲を有する処理エネルギ窓を生じるように、前記構造体と非円形偏光されたレーザ・ビームとの相対的向きを決定するステップであって、前記エネルギが、前記構造体と非円形偏光されたレーザ・ビームとの相対的向きによってその大きさが変わり、それにより前記目標構造体が、実質的損傷が前記エネルギ窓が前記高エネルギより下であることに起因して前記目標構造体に隣接している前記周りの構造体に生じること無しに処理される、前記決定するステップと、
前記構造体と前記非円形偏光されたレーザ・ビームとが前記の決定された相対的向きにある状態で前記構造体上に前記非円形偏光されたレーザ・ビームを集束させることにより前記構造体を処理するステップとを備え、
構造体を処理する前記ステップが、前記エネルギ窓が前記低エネルギと前記高エネルギとの間にあることに起因して隣接の構造体への許容できない損傷を回避しながら前記構造体をきれいに除去するステップを備える、構造体のレーザ処理方法。