【手続補正書】
【提出日】平成19年12月19日(2007.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するプラズマ処理装置であって、
チャンバ壁を持つプラズマ処理チャンバ、
前記チャンバ壁内の基板支持部、
前記チャンバ壁内に前記チャンバ壁から離れて配置された少なくとも１つの閉じ込めリングであって、前記閉じ込めリングおよび前記基板支持部はプラズマ空間を定義する、閉じ込めリング、
前記少なくとも１つの閉じ込めリングによって提供される物理的閉じ込めを磁気的に向上させる磁界を発生する磁界源
を備え、
前記磁界源は、前記少なくとも１つの閉じ込めリングの第１側に前記第１側から離れて配置された第１磁気要素を備え、前記第１磁気要素は、前記少なくとも１つの閉じ込めリングよりも前記基板支持部に近く、前記磁界源は、前記少なくとも１つの閉じ込めリングの第２側に前記第２側から離れて配置された第２磁気要素を備え、前記第２磁気要素は、前記少なくとも１つの閉じ込めリングよりも前記基板支持部から離れており、前記第１磁気要素から前記第２磁気要素に向かう磁力線が、前記閉じ込めリングを通る、プラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、前記磁界源は、前記少なくとも１つの閉じ込めリングを通る前記磁界が前記少なくとも１つの閉じ込めリングとの帯電粒子の衝突を増すように構成されているプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプラズマ処理装置であって、前記第１磁気要素は、直径を持つリング形状を形成し、前記第２磁気要素は、直径を持つリング形状を形成し、前記少なくとも１つの閉じ込めリングは、内側直径および外側直径を有し、前記第１磁気要素および前記第２磁気要素の前記直径は、前記少なくとも１つの閉じ込めリングの前記外側直径よりも小さく、前記少なくとも１つの閉じ込めリングの前記内側直径よりも大きいプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ処理装置であって、前記第１磁気要素の前記直径は、前記第２磁気要素の前記直径に等しくないプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記磁界は前記少なくとも１つの閉じ込めリングの領域を通るプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記少なくとも１つの閉じ込めリングは、可変ギャップを定義するよう移動可能であり、前記可変ギャップは前記プラズマ空間中の圧力を変えるよう用いられるプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載のプラズマ処理装置であって、前記第１磁気要素および第２磁気要素は、前記可変ギャップに交わらないプラズマ処理装置。
【請求項８】
基板を処理する方法であって、
処理チャンバ中に前記基板を置くこと、
前記処理チャンバにガス源からのガスを供給すること、
前記処理チャンバ中で前記ガスからプラズマを発生すること、
前記プラズマの物理的閉じ込めを提供するために、少なくとも１つの閉じ込めリングに隣接するギャップを通して前記ガスを流すこと、および
前記プラズマの前記物理的閉じ込めを向上させるために前記プラズマの磁気的閉じ込めを提供すること
を含む方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、前記磁気的閉じ込めを提供することは、前記閉じ込めリングの前記領域中に磁界を提供することを含む方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、前記磁界は、前記閉じ込めリングとの帯電粒子の衝突を増す方法。
【請求項１１】
請求項９ないし請求項１０のいずれかに記載の方法であって、前記磁界は前記少なくとも１つの閉じ込めリングを通る方法。
【請求項１２】
請求項８ないし請求項１１のいずれかに記載の方法であって、更に、前記少なくとも１つの閉じ込めリングを移動させて、プラズマ圧力を制御する方法。
【請求項１３】
請求項８ないし請求項１２のいずれかに記載の方法であって、前記磁気的閉じ込めは、半径方向に対称的な磁界を提供する方法。
【請求項１４】
請求項８に記載の方法によって製造される半導体デバイス。
【請求項１５】
請求項５に記載のプラズマ処理装置であって、前記第１磁気要素は、直径を持つリング形状を形成し、前記第２磁気要素は、直径を持つリング形状を形成し、前記少なくとも１つの閉じ込めリングは、内側直径および外側直径を有し、前記第１磁気要素および前記第２磁気要素の前記直径は、前記少なくとも１つの閉じ込めリングの前記内側直径よりも小さいプラズマ処理装置。
【請求項１６】
請求項１ないし請求項７および請求項１５のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記第１磁気要素は、前記第１磁気要素のＮ極から前記第１磁気要素のＳ極までの極を有し、前記第１磁気要素の前記極は、チャンバ上部からチャンバ下部に向かう方向を有し、前記第２磁気要素は、前記第２磁気要素のＮ極から前記第２磁気要素のＳ極までの極を有し、前記第２磁気要素の前記極は、前記チャンバ上部から前記チャンバ下部に向かう方向を有するプラズマ処理装置。
【請求項１７】
請求項１ないし請求項７および請求項１５のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記少なくとも１つの閉じ込めリングは、第１閉じ込めリングと、前記第１閉じ込めリングから離れて配置された第２閉じ込めリングとを備え、前記第１磁気要素は、前記第１閉じ込めリングおよび第２閉じ込めリングの第１側に配置され、前記第２閉じ込めリングに対するよりも前記第１閉じ込めリングに対して近い位置にあり、前記第２磁気要素は、前記第１閉じ込めリングおよび第２閉じ込めリングの第２側に配置され、前記第１閉じ込めリングに対するよりも前記第２閉じ込めリングに対して近い位置にあり、前記第１磁気要素から前記第２磁気要素に向かう磁力線が、前記第１閉じ込めリングおよび前記第２閉じ込めリングを通るプラズマ処理装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載のプラズマ処理装置であって、前記第１磁気要素は、前記第１磁気要素のＮ極から前記第１磁気要素のＳ極までの極を有し、前記第１磁気要素の前記極は、前記第１閉じ込めリングから前記第２閉じ込めリングに向かう方向を有するプラズマ処理装置。
【請求項１９】
請求項１および請求項２、請求項５ないし請求項７、請求項１６ないし請求項１８のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記閉じ込めリングは、前記閉じ込めリングの最大の表面を形成する側面を有し、前記第１磁気要素から前記第２磁気要素に向かう前記磁力線が、前記閉じ込めリングの最大の表面を形成する前記閉じ込めリングの前記側面に対して垂直から４５°の間の角度で、前記閉じ込めリングの最大の表面を形成する前記閉じ込めリングの前記側面を通るプラズマ処理装置。
【請求項２０】
請求項１ないし請求項７および請求項１５ないし請求項１９のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記第１磁気要素および前記第２磁気要素は、前記チャンバ壁の中に配置されるプラズマ処理装置。
【請求項２１】
請求項１および請求項２、請求項５ないし請求項７、請求項１６ないし請求項２０のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記第１磁気要素は、第１の直径を持つリング形状に構成され、前記第２磁気要素は、前記第１の直径とは異なる第２の直径を持つリング形状に構成され、前記第１磁気要素から前記第２磁気要素に向かう前記磁力線が、勾配を付けられて前記閉じ込めリングを通るプラズマ処理装置。
【請求項２２】
請求項２１に記載のプラズマ処理装置であって、前記第２の直径は前記第１の直径よりも大きいプラズマ処理装置。
【請求項２３】
請求項１および請求項２、請求項５ないし請求項７、請求項１６ないし請求項２０のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記第１磁気要素は、前記少なくとも１つの閉じ込めリングの内側端の近くに配置され、前記第２磁気要素は、前記少なくとも１つの閉じ込めリングの外側端の近くに配置されるプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
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