(57)【要約】  タングステンによる基板の汚染を防止する。  基板処理方法はタングステンを含む基板を酸素含有ガスで酸化処理する本処理工程と、タングステン酸化物を水素含有ガスにより除去するクリーニング工程と、を有する。本処理工程は金属を含む基板を処理室へ搬入するステップと、酸素含有ガスを処理室へ供給するステップと、ガス供給後に高周波電源に電力を供給し酸素成分含有プラズマを形成し基板を処理するステップと、高周波電源への電力の供給を停止するステップと、基板を処理室から搬出するステップとを有する。クリーニング工程は基板搬出後に処理室へ水素含有ガスを供給するステップと、水素含有ガスを供給後に高周波電源に電力を供給し水素成分含有プラズマを形成しクリーニングを行うステップと、高周波電源への電力の供給を停止するステップと、を有する。
2007077718.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タングステンを含む基板を酸素含有ガスで酸化処理する本処理工程と、
タングステン酸化物を水素含有ガスにより除去するクリーニング工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記本処理工程を所定回数行った後、前記クリーニング工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
金属を含む基板を処理室へ搬入するステップと、酸素含有ガスを前記処理室へ供給するステップと、前記ガス供給後、高周波電源に電力を供給し、酸素成分含有プラズマを形成し、前記基板を処理するステップと、前記高周波電源への電力の供給を停止するステップと、前記基板を前記処理室から搬出するステップと、を有する本処理工程および、
前記基板搬出後、前記処理室へ水素含有ガスを供給するステップと、水素含有ガスを供給後、高周波電源に電力を供給し、水素成分含有プラズマを形成し、クリーニングを行うステップと、前記高周波電源への電力の供給を停止するステップと、を有するクリーニング工程、
を具備する基板処理方法。
【請求項４】
前記本処理工程において、前記高周波電源への電力の供給を停止するときには、階段的に電力を停止することを特徴とする請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記クリーニング工程の後、前記処理室内のガスを排気することを特徴とする請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
ガスを処理室内へ供給するガス供給部と、
電力を供給してプラズマを生成するプラズマ生成部と、
基板を保持する基板保持部と、
前記処理室内を排気する排気部と、
前記基板載置部に前記基板が搬入された後、酸素含有ガスを前記処理室へ供給し、酸素成分含有プラズマを形成し、前記基板を処理し、前記プラズマ形成を停止し、前記処理室内で前記基板に本処理工程を施し、その後、前記処理室へ水素含有ガスを供給し、水素成分含有プラズマを形成しクリーニング工程を施す制御部と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理方法および基板処理装置に関する。
特に、ＭＭＴ（Modified Magnetron Typed）装置を使用した選択酸化における処理室内のクリーニング技術に係り、例えば、半導体素子を含む半導体集積回路装置の一例であるフラシュメモリの製造方法におけるタングステン（原子記号Ｗ）を使用したゲート構造体の選択酸化工程に利用して有効な基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、フラシュメモリにおいては、ゲート電極の低抵抗化により、タングステン／ポリシリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）の積層ゲート構造体が使用されている。
ここで、フローティングゲート電極層には、例えばポリシリコンが使用され、コントロールゲート電極層には、例えばタングステン等の金属材料およびその化合物が使用されている。
この積層ゲート構造体が薄膜化および小型化されるに従い、各層間のリーク電流が無視できないものとなっている。
また、素子の微細化に伴いサイドウォールからのリーク電流もまた無視できないものとなっている。
そこで、リーク電流を抑制し、電気的特性を改善するために、積層ゲート構造体のポリシリコンの側壁を酸化する必要がある。
しかしながら、ただ側壁を酸化させた場合には、ポリシリコン以外でコントロール電極層も合わせて酸化されてしまう。
コントロール電極層が酸化されると、ゲート電極部分の抵抗率が上がったり、ホイスカと呼ばれるひげ状結晶が隣接した膜を貫通して成長して半導体素子を破壊したりしてしまうため、フラッシュメモリの性能や製造歩留りを下げかねない。
そこで、その際、ポリシリコンを水素と酸素とを含んだガスによって酸化し、金属からなるコントロール電極を酸化しないという所謂選択酸化法を用いた基板処理方法が考えられている。例えば、特許文献１参照。
【特許文献１】特開２００２−１７６０５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
前記したフローティングゲート層およびコントロール電極層を選択的に酸化する選択酸化法を低温で実現するために、水素と酸素とを含んだプラズマによって行う選択酸化法が考えられる。
しかしながら、タングステン／ポリシリコンの積層ゲート構造体において、プラズマによってポリシリコンを選択的に酸化する場合には、プラズマのエッチングによるタングステンや微量なタングステン酸化物の昇華によるタングステンによって、処理室内が汚染されるという問題点がある。【０００４】
本発明の目的は、タングステンによる汚染を防止することができる基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を解決するための手段は、タングステンを含む基板を酸素含有ガスで酸化処理する本処理工程と、タングステン酸化物を水素含有ガスにより除去するクリーニング工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００６】
タングステン酸化物を水素含有ガスにより除去することにより、プラズマのエッチングによるタングステンや微量なタングステン酸化物の昇華によるタングステンによって、処理室内がタングステンによって汚染されるのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第一実施形態を示す制御ブロック図を含む正面断面図である。
【図２】本発明の第二実施形態を示す制御ブロック図を含む正面断面図である。
【図３】本発明の第三実施形態を示す制御ブロック図を含む正面断面図である。
【符号の説明】
【０００８】
１…ウエハ、１０…ＭＭＴ装置（基板処理装置）、１１…処理容器、１２…下側容器、１３…上側容器、１４…処理室、１５…筒状電極、１６…プラズマ生成領域、１７…高周波電源、１８…整合器、１９…筒状磁石、２０…遮蔽板、２１…サセプタ、２１ａ…貫通孔、２２…インピーダンス可変機構、２３…サセプタ昇降機構、２４…ウエハ突き上げピン、２５…ゲートバルブ、２６…ガスヘッド、２７…キャップ状の蓋体、２８…ガス導入口、２９…バッファ室、３０…開口、３１…遮蔽プレート、３２…ガス吹出口、３３…ガス供給管、３４…バルブ、３５…マスフローコントローラ、３６…ガス排気口、３７…ガス排気管、３８…ＡＰＣ、３９…バルブ、４０…真空ポンプ、４１…コントローラ。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。【００１０】
本実施の形態では、フラシュメモリの製造方法におけるタングステンを使用したゲート電極層、および、ポリシリコンを使用したフローティング層を含む積層ゲート構造体の選択酸化工程をＭＭＴ装置を使用して実施するものとして構成されている。
ＭＭＴ装置は、電界と磁界とによって高密度プラズマを生成することができる変形マグネトロン型プラズマ源（Modified Magnetron Typed Plasma Source）を用いてウエハ等の基板をプラズマ処理するプラズマ処理装置である。
このＭＭＴ装置においては、気密性を確保した処理室に基板を設置し、シャワープレートを介して反応ガスを処理室に導入し、処理室をある一定の圧力に保ち、放電用電極に高周波電力を供給して電界を形成するとともに磁界をかけてマグネトロン放電を起こす。
そして、放電用電極から放出された電子がドリフトしながらサイクロイド運動を続けて周回することにより、長寿命となって電離生成率を高めるので、高密度プラズマを生成することができる。
このように、ＭＭＴ装置においては、反応ガスを励起分解させて基板表面を酸化または窒化等の拡散処理を施したり、基板表面に薄膜を形成したり、基板表面をエッチングしたりする等、基板へ各種のプラズマ処理を施すことができる。【００１１】
図１は本発明の第一実施形態に係る基板処理装置であるＭＭＴ装置を示している。
図１に示されたＭＭＴ装置１０は処理容器１１を備えている。処理容器１１は下側容器１２と上側容器１３とによって形成されており、処理室１４を形成している。
下側容器１２はアルミニウムが使用されて碗形状に形成されており、上側容器１３は酸化アルミニウムまたは石英等の非金属材料が使用されてドーム形状に形成されている。上側容器１３は下側容器１２の上に被せられている。【００１２】
処理容器１１の上側容器１３の外周には、反応ガスを励起させる放電手段としての筒状電極１５が設置されており、筒状電極１５は処理室１４内のプラズマ生成領域１６を囲んでいる。筒状電極１５は筒状、例えば円筒状に形成されている。
筒状電極１５には高周波電力を印加する高周波電源１７が、インピーダンスの整合を行う整合器１８を介して接続されている。【００１３】
筒状電極１５の外側表面には磁界形成手段としての筒状磁石１９が上下で一対、筒状電極１５の上端部および下端部の近傍にそれぞれ設置されている。筒状磁石１９は筒状、例えば円筒状の永久磁石によって構成されている。
上下の筒状磁石１９、１９は、処理室１４の半径方向に沿った両端（内周端と外周端）に磁極を持ち、上下の筒状磁石１９、１９の磁極の向きが逆向きに設定されている。したがって、内周部の磁極同士が異極となっており、これにより、筒状電極１５の内周面に沿って円筒軸方向に磁力線を形成するようになっている。【００１４】
筒状電極１５および筒状磁石１９の周囲には、筒状電極１５および筒状磁石１９によって形成された電界や磁界を遮蔽する遮蔽板２０が設けられている。遮蔽板２０は筒状電極１５および筒状磁石１９によって形成された電界や磁界が外部環境や他の基板処理装置等の装置に悪影響を及ぼさないようになっている。【００１５】
処理室１４の底側中央には、基板であるウエハ１を保持するための基板保持部としてのサセプタ２１が配置されている。サセプタ２１の内部には加熱機構（加熱手段）としてのヒータ（図示せず）が一体的に埋め込まれている。サセプタ２１はウエハ１を保持するとともに、加熱することができるように構成されている。すなわち、サセプタ２１はヒータ一体型の基板保持部として構成されている。ヒータは電力が印加されることにより、ウエハ１を５００℃程度にまで加熱することができるように構成されている。
サセプタ２１は例えば窒化アルミニウムやセラミックスまたは石英等の非金属材料によって形成されている。このような非金属材料によってサセプタ２１を形成することにより、処理の際に膜中に取り込まれる金属汚染を低減することができる。【００１６】
さらに、サセプタ２１の内部には、インピーダンスを変化させるためのインピーダンス用電極（図示せず）が装備されている。インピーダンス用電極はインピーダンス可変機構２２を介して接地されている。
インピーダンス可変機構２２はコイルや可変コンデンサから構成されており、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することによって、インピーダンス用電極およびサセプタ２１を介してウエハ１の電位を制御することができるようになっている。【００１７】
サセプタ２１は下側容器１２と絶縁されており、サセプタ２１を昇降させるサセプタ昇降機構（昇降手段）２３が設けられている。
サセプタ２１には貫通孔２１ａが設けられており、下側容器１２の底面上にはウエハ１を突上げるためのウエハ突上げピン２４が少なくとも３箇所に設けられている。
そして、貫通孔２１ａおよびウエハ突上げピン２４は、サセプタ昇降機構２３によってサセプタ２１が下降させられた時には、ウエハ突上げピン２４がサセプタ２１と非接触な状態で貫通孔２１ａを突き抜けるような位置関係となるように配置されている。【００１８】
下側容器１２の側壁には仕切弁となるゲートバルブ２５が設けられている。
ゲートバルブ２５が開いている時には、図示しない搬送機構（搬送手段）により処理室１４に対してウエハ１を搬入または搬出することができる。また、ゲートバルブ２５が閉まっている時には、処理室１４を気密に閉じることができる。【００１９】
処理室１４の上部にはガスヘッド２６が設けられている。ガスヘッド２６はキャップ状の蓋体２７とガス導入口２８とバッファ室２９と開口３０と遮蔽プレート３１とガス吹出口３２とを備えている。バッファ室２９はガス導入口２８より導入されたガスを分散するための分散空間を構成している。【００２０】
ガス導入口２８にはガスを供給するガス供給管３３が接続されており、ガス供給管３３は開閉弁であるバルブ３４および流量制御器（流量制御手段）であるマスフローコントローラ３５を介して反応ガスのガスボンベ（図示せず）に接続されている。【００２１】
下側容器１２の側壁にはガスを排気するガス排気口３６が設けられており、ガス排気口３６にはガスを排気するガス排気管３７が接続されている。ガス排気管３７は圧力調整器であるＡＰＣ３８、開閉弁であるバルブ３９を介して排気装置である真空ポンプ４０に接続されている。
ガス排気口３６は、ガスヘッド２６から処理室１４に供給されたガスをサセプタ２１の周囲から処理室１４の底方向へ流すように、設定されている。【００２２】
ＭＭＴ装置１０は制御部としてのコントローラ４１を備えている。
コントローラ４１の主な構成は、次の通りである。
コントローラ４１はＡＰＣ３８、バルブ３９、真空ポンプ４０を信号線Ａを通じて制御するように構成されている。
コントローラ４１はサセプタ昇降機構２３を信号線Ｂを通じて制御するように構成されている。
コントローラ４１はゲートバルブ２５を信号線Ｃを通じて制御するように構成されている。
コントローラ４１は整合器１８、高周波電源１７を信号線Ｄを通じて制御するように構成されている。
コントローラ４１は、バルブ３４、マスフローコントローラ３５を信号線Ｅを通じて制御するように構成されている。
さらに、コントローラ４１はサセプタ２１に埋め込まれたヒータや、インピーダンス用電極のためのインピーダンス可変機構２２を、図示しない信号線を通じて制御するように構成されている。
コントローラ４１は以上の各部を主に制御するが、それに限るものではなく、ＭＭＴ装置に関連する制御を行うように構成されている。【００２３】
次に、本発明の一実施の形態に係る基板処理方法を、前記構成に係るＭＭＴ装置１０を使用してフラッシュメモリのタングステンを使用した積層ゲート構造体に選択酸化を施す方法について説明する。
本発明の一実施の形態であるタングステン使用積層ゲート構造体選択酸化方法は、タングステンを含むウエハを酸素含有ガスで酸化処理する本処理工程と、タングステン酸化物を水素含有ガスにより除去するクリーニング工程と、を有している。【００２４】
まず、本処理工程を説明する。
コントローラ４１は、バルブ３４、マスフローコントローラ３５を制御し、窒素ガスもしくは他の不活性ガスを処理室１４内に供給しつつ、ＡＰＣ３８、バルブ３９、真空ポンプ４０を制御して処理室１４内の雰囲気を排気し、処理室１４内を予め設定されたウエハ搬入時の圧力に調圧する。
調圧後、ウエハ１は処理室１４の外部からウエハを搬送する図中省略の搬送機構によって処理室１４に搬入され、サセプタ２１の上に移載される。【００２５】
この搬送動作の詳細は、次の通りである。
サセプタ２１がウエハ搬送位置まで下降する。このとき、ウエハ突上げピン２４の先端がサセプタ２１の貫通孔２１ａを通過する。これにより、サセプタ２１の表面よりも所定の高さ分だけ、突き上げピン２４が突き出された状態となる。
次に、下側容器１２に設けられたゲートバルブ２５が開かれる。
続いて、図中省略の搬送機構がウエハ１をウエハ突上げピン２４の先端に移載する。
搬送機構が処理室１４の外へ退避すると、ゲートバルブ２５が閉じられる。
サセプタ２１がサセプタ昇降機構２３によって上昇される。それにより、サセプタ２１の上面にウエハ１が移載される。
ウエハ１が移載され、ゲートバルブ２５が閉じたら、コントローラ４１は窒素ガスの供給を停止し、真空ポンプ４０およびＡＰＣ３８によって処理室１４内の雰囲気を排気する。
ゲートバルブ２５を閉じた後、サセプタ２１はウエハ１を処理するための位置までサセプタ昇降機構２３によって上昇される。
なお、サセプタ２１の上昇動作は処理室１４を排気しながらでもよいし、排気後であっても排気前であってもよい。【００２６】
サセプタ２１に埋め込まれたヒータは予め加熱されている。ヒータはサセプタ２１に移載されたウエハ１を室温〜７００℃の範囲内の所定の温度に加熱する。
処理室１４内の圧力は０．１〜１００Ｐａの範囲内の所定の圧力に、真空ポンプ４０およびＡＰＣ３８によって維持される。【００２７】
ウエハ１の温度が所定の処理温度（例えば、４００℃）に達して安定すると、水素ガスおよび酸素ガスが反応ガスＧとして、ガス導入口２８から遮蔽プレート３１のガス吹出口３２を介して処理室１４に配置されたウエハ１の上面（処理面）に向けて導入される。
タングステンを使用した積層ゲート構造体を選択酸化するステップにおいては、反応ガスとしての水素ガスと酸素ガスとの流量比（水素ガス／酸素ガス）は、８以上になるように制御される。
流量比を８以上とするために、図示しない各ガスの流量制御部は、事前に水素ガスおよび酸素ガスの流量を制御する。例えば、各ガスの流量制御部は水素ガス流量を３５６ｓｃｃｍ、酸素ガス流量を４４ｓｃｃｍとなるよう制御する。
水素ガスと酸素ガスとの流量比を８以上として水素リッチになるように設定した理由は、流量比がこれよりも下がると（酸素ガスの割合が大きくなると）、タングステンとポリシリコンとの間で選択酸化することができなくなるからである。
なお、水素ガスの割合が増大すれば、それだけ還元性が高くなるために、タングステンの表面への酸化を一層抑制することができる。
逆に、水素ガスの割合が増大すれば、ポリシリコンの酸化レートが低下する。
つまり、酸化レートの低下を許容することができる範囲内であれば、水素ガスと酸素ガスとの流量比は８超とするのが、好ましい。
さらに、水素ガスのみ供給する場合に比べて、水素ガスが希釈されるため、水素ガスの爆発を安価な構成で抑止することができる。【００２８】
他方、高周波電力が筒状電極１５に高周波電源１７から整合器１８を介して印加される。印加する電力は１５０〜５００Ｗの範囲内の所定の出力値である。このとき、インピーダンス可変機構２２は予め所望のインピーダンス値となるように制御しておく。
筒状磁石１９、１９の磁界の影響を受けてマグネトロン放電が発生し、ウエハ１の上方空間に電荷をトラップしてプラズマ生成領域１６に高密度プラズマが生成される。【００２９】
処理室１４内へ反応ガスＧとして導入された水素ガスおよび酸素ガスは、プラズマ生成領域１６において乖離し、Ｈ（水素原子）およびＯＨ（水酸基）等を生成する。
ＯＨはポリシリコンおよびタングステンに作用してそれぞれの膜を酸化する。
Ｈはタングステンに対して還元性を持つために、酸化されたタングステン膜を効果的に還元する。Ｈはポリシリコンに対しては還元する力が弱いために、ポリシリコン膜は殆ど還元されない。
その結果として、ポリシリコン膜は酸化されるが、タングステン膜は酸化されない。つまり、ポリシリコン膜が選択的に酸化される。【００３０】
予め設定された処理時間が経過すると、コントローラ４１は筒状電極１９、１９へ印加する電力を段階的に低くする。これにより徐々に放電が弱まる。
電力供給を急に停止してしまうと、ウエハ１が帯電してしまい、サセプタ２１に吸着されてしまうことがある。この場合、ウエハ１を搬出する際に、ウエハ１をサセプタから容易に持ち上げることができなくなる。その結果、ウエハ１の搬出遅延や、無理にウエハ１を持ち上げようとするときのウエハ割れが起こることがある。
それらの現象を防止するためには、終了直前、段階的に放電を弱め、ウエハ１での帯電を少なくする必要がある。
バルブ３４が閉じられて、ガス吹出口３２からの水素ガスおよび酸素ガスの供給が停止されるとともに、筒状電極１５への高周波電力の印加が停止される。【００３１】
次いで、コントローラ４１は、バルブ３４、マスフローコントローラ３５を制御し、窒素ガス、もしくは他の不活性ガスを処理室１４内に供給しつつ、ＡＰＣ３８、バルブ３９、真空ポンプ４０を制御して処理室１４内の雰囲気を排気し、処理室１４内を予め設定されたウエハ搬入時の圧力に調圧する。
処理室１４内の圧力が搬送機構の設置室である真空搬送室（図示せず）と同圧化された後に、処理済みのウエハ１は前述したウエハ搬入時と逆の手順で処理室１４外へ搬送される。【００３２】
次に、クリーニング工程を説明する。
ところで、前述した選択酸化を施す本処理工程においては、水素の還元作用によってタングステン酸化物の昇華を抑制することができるので、処理室１４内のタングステン汚染を低減することができる。
しかし、前述した積層ゲート構造体の選択酸化を施す本処理工程を繰り返すに連れて、処理室１４内にはプラズマのエッチングによるタングステンや微量なタングステン酸化物の昇華によるタングステンが少しずつ蓄積されて行く。【００３３】
そこで、本実施の形態においては、処理室１４内のクリーニング工程が定期的または不定期的に実施される。
クリーニング工程はウエハ１が処理室１４内から搬出された状態で実施される。
このクリーニング工程においては、処理室１４内の温度が所定のクリーニング温度（例えば、４００℃）に加熱される。
処理室１４内の温度が所定の温度に達して安定すると、水素ガスおよび酸素ガスがクリーニングガスとして、ガス導入口２８から遮蔽プレート３１のガス吹出口３２を介して処理室１４に導入される。
導入後、コントローラ４１は、バルブ３４、マスフローコントローラ３５を制御し、酸素および水素ガスを処理室１４内に供給しつつ、ＡＰＣ３８、バルブ３９、真空ポンプ４０を制御して処理室１４内の雰囲気を排気し、処理室内を予め設定されたクリーニング時の圧力（例えば、１００Ｐａ）に調圧する。
このクリーニング工程においては、クリーニングガスとしての水素ガスと酸素ガスとの流量比（水素ガス／酸素ガス）は、２以上になるように制御される。
高周波電力は筒状電極１５に高周波電源１７から整合器１８を介して印加される。印加する電力は１５０〜５００Ｗの範囲内の所定の出力値（例えば、１５０Ｗ）である。
処理室１４内へクリーニングガスとして導入された水素ガスおよび酸素ガスは、処理室１４において乖離し、ＨおよびＯＨ等を生成する。
Ｈはタングステンに対して還元性を持つので、処理室１４内に堆積したタングステン酸化物を還元してタングステンに戻す。このタングステンは真空ポンプ４０の排気力によって処理室１４内から効率よく排出される。
また、処理室１４内に付着したタングステンは水素イオンによって叩き出され、真空ポンプ４０の排気力によって処理室１４内から効率よく排出される。
叩き出されないタングステンはＯＨによって酸化されてタングステン酸化物に昇華される。昇華されたタングステン酸化物はＨの還元反応によってタングステンに戻されるために、真空ポンプ４０の排気力によって処理室１４内から効率よく排出される。【００３４】
なお、処理室１４内のポリシリコン堆積物はＯＨによって酸化されるために、真空ポンプ４０の排気力によって処理室１４内から効率よく排出される。
ポリシリコンは処理室１４の金属汚染の原因とはならないが、ポリシリコンの付着物がある厚さまで堆積すると、剥離してパーティクルの発生源になるために、クリーニングする必要がある。
クリーニング処理後、コントローラ４１は筒状電極１９、１９への電力印加を停止し、放電を停止する。
次に、処理室１４の雰囲気を真空ポンプ４０で排気する。この排気を行うことにより、プラズマ処理中に排気し切れなかったタングステン等の金属物質をウエハ１に影響の無い範囲で、確実に排気することができる。【００３５】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。【００３６】
1)  タングステンを含むウエハを酸素含有ガスで酸化処理する本処理工程の実施後に、ウエハを搬出した状態で、処理室内のタングステン酸化物を水素含有ガスによって除去するクリーニング工程を実施することにより、処理室内におけるタングステンの清浄度を高く維持することができるので、タングステンによるウエハの汚染を未然に防止することができる。【００３７】
2)  クリーニングガスとして水素ガスと酸素ガスとを使用し、水素ガスと酸素ガスとの流量比を２以上に設定することにより、ＨおよびＯＨの還元反応および酸化反応を利用することができるので、タングステンおよびタングステン酸化物を効率よくクリーニングすることができる。【００３８】
3)  タングステンを使用した積層ゲート構造体のポリシリコンを選択酸化するに際して、反応ガスとして水素ガスと酸素ガスとを使用し、水素ガスと酸素ガスとの流量比が８以上になるように制御することにより、ポリシリコンがタングステンよりも酸化し易くなるために、ポリシリコンだけを確実に酸化させることができる。【００３９】
4)  ＭＭＴ装置は水素ガスと酸素ガスとの流量比を上げても（水素ガスの割合を増やしても）、酸化レートを低下しないという優れた特性を有するので、タングステンを使用した積層ゲート構造体のポリシリコンを選択酸化するに際して、水素ガスと酸素ガスとの流量比が８以上になるように制御することにより、ポリシリコンだけを確実に酸化させることができる。【００４０】
5)  ＭＭＴ装置を使用することにより、比較的に低温下で、タングステン／ポリシリコンの積層ゲート構造体のポリシリコンを選択的に酸化することができるので、フラッシュメモリ等の製品に対する熱的なダメージを軽減することができ、また、省エネルギによって生産性を向上させることができる。【００４１】
図２は本発明の第二実施形態に係る基板処理装置であるＩＣＰ方式プラズマ処理装置を示している。
本実施の形態に係る構成の詳細な説明は、前記実施形態と同様の機能を奏する構成要素に同一の符号を付して代える。
本実施形態に係るＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式プラズマ処理装置１０Ａは、電力を供給してプラズマを生成するプラズマ生成部としての誘導コイル１５Ａを備えており、誘導コイル１５Ａは処理容器１１の天井壁の外側に敷設されている。
本実施の形態においても、酸素成分含有プラズマおよび水素成分含有プラズマをプラズマ生成領域１６に生成することができるので、前記第一実施形態と同様の作用および効果が奏される。【００４２】
図３は本発明の第三実施形態に係る基板処理装置であるＥＣＲ方式プラズマ処理装置を示している。
本実施の形態に係る構成の詳細な説明は、前記第一実施形態と同様の機能を奏する構成要素に同一の符号を付して代える。
本実施形態に係るＥＣＲ（Ｅｌｅｃｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）方式プラズマ処理装置１０Ｂは、電力を供給してプラズマを生成するプラズマ生成部としてマイクロ波導入管１７Ｂを備えている。マイクロ波導入管１７Ｂは処理容器１１内のプラズマ生成領域１６全体にマイクロ波１８Ｂを上方から供給するように構成されている。
本実施の形態においても、酸素成分含有プラズマおよび水素成分含有プラズマをプラズマ生成領域１６に生成することができるので、前記第一実施形態と同様の作用および効果が奏される。【００４３】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。【００４４】
例えば、プラズマ処理装置としては、ＭＭＴ装置やＩＣＰ方式プラズマ処理装置、ＥＣＲ方式プラズマ処理装置を使用するに限らず、その他のプラズマ処理装置を使用することができる。【００４５】
タングステンを含むウエハを酸化処理する工程の酸素含有ガスとしては、水素ガスと酸素ガスとの混合ガスを使用するに限らず、亜酸化窒素ガス（Ｎ2 Ｏ）ガス、一酸化窒素（ＮＯ）ガス等を使用してもよい。【００４６】
タングステン酸化物を除去するクリーニング工程の水素含有ガスとしては、水素ガスと酸素ガスとの混合ガスを使用するに限らず、水素ガス単独や水素ガスとシラン系ガスとの混合ガス等を使用してもよい。【００４７】
高スループットを実現するためには、本処理工程を複数回繰り返した後に、クリーニング工程を実施することが好ましい。【００４８】
さらに、好ましい形態を次に付記する。【００４９】
（１）タングステンを含む基板を酸素含有ガスで酸化処理する本処理工程と、
タングステン酸化物を水素含有ガスにより除去するクリーニング工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。【００５０】
（２）前記本処理工程を所定回数行った後、前記クリーニング工程を行うことを特徴とする前記（１）に記載の基板処理方法。
これにより、連続して基板を処理するときでも、金属汚染の無い、質の高い基板を、スループットを高めつつ生産することができる。【００５１】
（３）金属を含む基板を処理室へ搬入するステップと、酸素含有ガスを前記処理室へ供給するステップと、前記ガス供給後、高周波電源に電力を供給し、酸素成分含有プラズマを形成し、前記基板を処理するステップと、前記高周波電源への電力の供給を停止するステップと、前記基板を前記処理室から搬出するステップと、を有する本処理工程および、
前記基板搬出後、前記処理室へ水素含有ガスを供給するステップと、水素含有ガスを供給後、高周波電源に電力を供給し、水素成分含有プラズマを形成し、クリーニングを行うステップと、前記高周波電源への電力の供給を停止するステップと、を有するクリーニング工程、
を具備する基板処理方法。【００５２】
（４）前記本処理工程において、前記高周波電源への電力の供給を停止するときには、階段的に電力を停止することを特徴とする前記（３）に記載の基板処理方法。
段階的に電力を停止し、徐々に放電を弱めることにより、ウエハの帯電を抑制し、サセプタへの吸着を防止することができる。これにより、処理後のウエハ搬送において、基板の割れを防ぎ、また、基板搬出の容易性を確保することができる。【００５３】
（５）前記クリーニング工程の後、前記処理室内のガスを排気することを特徴とする前記（４）に記載の基板処理方法。
これにより、クリーニング工程で発生した金属成分等のパーティクルを排気することができ、次の基板処理工程の金属汚染を抑制することができる。【００５４】
（６）ガスを処理室内へ供給するガス供給部と、
電力を供給してプラズマを生成するプラズマ生成部と、
基板を保持する基板保持部と、
前記処理室内を排気する排気部と、
前記基板載置部に前記基板が搬入された後、酸素含有ガスを前記処理室へ供給し、酸素成分含有プラズマを形成し、前記基板を処理し、前記プラズマ形成を停止し、前記処理室内で前記基板に本処理を施し、その後、前記処理室へ水素含有ガスを供給し、水素成分含有プラズマを形成しクリーニング工程を施す制御部と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
これにより、本処理工程の後にクリーニング工程を実施することができるので、処理室内におけるタングステンの清浄度を高く維持することができ、その結果、タングステンによるウエハの汚染を未然に防止することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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