Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月8日(2008.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルを含む半導体装置であって、メモリセルが、
書き込みトランジスタゲート、第１の書き込みトランジスタ電極および第２の書き込みトランジスタ電極が設けられた書き込みトランジスタと、
読み出しトランジスタゲート、第１の読み出しトランジスタ電極および第２の読み出しトランジスタ電極が設けられた読み出しトランジスタと、
センストランジスタゲート、第１のセンストランジスタ電極および第２のセンストランジスタ電極が設けられたセンストランジスタとを備え、前記第１のセンストランジスタ電極が前記第２の読み出しトランジスタ電極に接続されていて、前記センストランジスタゲートが、フローティングゲートとして構成され、前記フローティングゲートが、センストランジスタ酸化物層（ＴＨＩＮＯＸ）によって前記第２のセンス電極から、かつトンネル酸化物層（ＴＵＮＯＸ）によって前記第２の書き込みトランジスタ電極から、分離され、
実質的に応力誘起漏れ電流が前記センストランジスタ酸化物（ＴＨＩＮＯＸ）
に全く生じないように、電圧源装置が、プログラミングおよび消去中、前記第２のセンストランジスタ電極に所定の電圧を供給するように構成されることを特徴する半導体装置。
【請求項２】
制御ゲート絶縁層によって前記フローティングゲートから分離される制御ゲートが、備えられていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記制御ゲートが、前記フローティングゲートのために使用されたポリシリコン層以外のポリシリコン層で作られていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記書き込みトランジスタゲートおよび前記読み出しトランジスタゲートが、
別々に制御されることを特徴とする前述の請求項のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記センストランジスタ酸化物層（ＴＨＩＮＯＸ）および前記トンネル酸化物層（ＴＵＮＯＸ）が、５．０と１０．０ｎｍとの間の厚さを有することを特徴とする前述の請求項のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記センストランジスタ酸化物層（ＴＨＩＮＯＸ）およびトンネル酸化物層（ＴＵＮＯＸ）が、６．０と８．０ｎｍとの間の厚さを有することを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記所定の電圧が、０．５と３．６Ｖとの間であることを特徴とする前述の請求項のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
複数のメモリセルを含むメモリセル構造であって、各メモリセルが、
書き込みトランジスタゲート、第１の書き込みトランジスタ電極および第２の書き込みトランジスタ電極が設けられた書き込みトランジスタと、
読み出しトランジスタゲート、第１の読み出しトランジスタ電極および第２の読み出しトランジスタ電極が設けられた読み出しトランジスタと、
センストランジスタゲート、第１のセンストランジスタ電極および第２のセンストランジスタ電極が設けられたセンストランジスタとを備え、前記第１のセンストランジスタ電極が前記第２の読み出しトランジスタ電極に接続されていて、前記センストランジスタゲートが、フローティングゲートとして構成され、前記フローティングゲートが、センストランジスタ酸化物層（ＴＨＩＮＯＸ）によって前記第２のセンス電極から、かつトンネル酸化物層（ＴＵＮＯＸ）によって前記第２の書き込みトランジスタ電極から、分離され、
実質的に応力誘起漏れ電流が前記少なくとも１つの選択メモリセルの前記センストランジスタ酸化物層（ＴＨＩＮＯＸ）に全く生じないように、電圧源装置が、プログラミングおよび消去中、少なくとも１つの選択メモリセルの前記第２のセンストランジスタ電極に所定の電圧を供給するように構成されることを特徴するメモリセル構造。
【請求項９】
メモリセルを制御する方法であって、前記メモリセルが、
書き込みトランジスタゲート、第１の書き込みトランジスタ電極および第２の書き込みトランジスタ電極が設けられた書き込みトランジスタと、
読み出しトランジスタゲート、第１の読み出しトランジスタ電極および第２の読み出しトランジスタ電極が設けられた読み出しトランジスタと、
センストランジスタゲート、第１のセンストランジスタ電極および第２のセンストランジスタ電極が設けられたセンストランジスタとを備え、前記第１のセンストランジスタ電極が前記第２の読み出しトランジスタ電極に接続されていて、前記センストランジスタゲートが、フローティングゲートとして構成され、前記フローティングゲートが、センストランジスタ酸化物層（ＴＨＩＮＯＸ）によって前記第２のセンス電極から、かつトンネル酸化物層（ＴＵＮＯＸ）によって前記第２の書き込みトランジスタ電極から、分離され、
前記方法が、実質的に応力誘起漏れ電流が前記センストランジスタ酸化物層（ＴＨＩＮＯＸ）に全く生じないように、プログラミングおよび消去中、前記第２のセンストランジスタ電極に所定の電圧を供給する電圧源装置を制御するステップを含むことを特徴とするメモリセルを制御する方法。
【請求項１０】
複数のメモリセルを含むメモリセル構造を制御する方法であって、各メモリセルが、
書き込みトランジスタゲート、第１の書き込みトランジスタ電極および第２の書き込みトランジスタ電極が設けられた書き込みトランジスタと、
読み出しトランジスタゲート、第１の読み出しトランジスタ電極および第２の読み出しトランジスタ電極が設けられた読み出しトランジスタと、
センストランジスタゲート、第１のセンストランジスタ電極および第２のセンストランジスタ電極が設けられたセンストランジスタと
を備え、前記第１のセンストランジスタ電極が前記第２の読み出しトランジスタ電極に接続されていて、前記センストランジスタゲートが、フローティングゲートとして構成され、前記フローティングゲートが、センストランジスタ酸化物層（ＴＨＩＮＯＸ）によって前記第２のセンス電極から、かつトンネル酸化物層（ＴＵＮＯＸ）によって前記第２の書き込みトランジスタ電極から、分離され、
前記方法が、少なくとも１つの所定のメモリセルを選択するステップと、
実質的に応力誘起漏れ電流が前記少なくとも１つの選択メモリセルの前記センストランジスタ酸化物層（ＴＨＩＮＯＸ）に全く生じないように、プログラミングおよび消去中、少なくとも１つの選択メモリセルの前記第２のセンストランジスタ電極に所定の電圧を供給する電圧源装置を制御するステップとを含むことを特徴とするメモリセル構造を制御する方法。
【請求項１１】
前記センストランジスタ酸化物層および前記トンネル酸化物層が同じ製造工程で作られることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月24日(2008.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  コンピュータ・ネットワーク内のパケットを処理する方法であって、
潜在的に有害なパケットを認識するように学習された少なくとも１つの第１ヒューリスティック・ステージを使用してパケット・ストリームを分析するステップと、
前記分析されたパッケージの有害性に関する信頼水準によって、前記分析されたストリーム内の諸パケットに対して信頼性評価を割当てるステップと、
前記割当てられた信頼性評価による更なる分析のために諸パケットを選択するステップと、
を含む前記方法。
【請求項２】  コンピュータ・ウィルスとＴｒｏｊａｎｓとサービスの妨害とからなる前記グループの少なくとも１つのメンバーを指示する諸パケットを認識するための前記第１ヒューリスティック・ステージを事前学習することを更に含む請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記割当てられた信頼性評価による更なる分析のために諸パケットを選択することが、有害でないパケットの一層高い信頼性を指示する信頼性の水準を割当てられたパケット（「高信頼性パケット」）を解放するステップと、有害でないパケットの一層低い信頼性を指示する信頼水準を割当てられたパケット（「低信頼性パケット」）を更に分析するステップと、を含む請求項１記載の方法。
【請求項４】  低信頼性パケットを更に分析するステップが、第１ルール・ベースを使用して前記低信頼性パケットを分析することを含む請求項３記載の方法。
【請求項５】  少なくともいくつかのパケット（「限界信頼性パケット」）に対して、前記高信頼性パケットと前記低信頼性パケットとの信頼性評価の中間の信頼性評価を割当てて、第２ルール・ベースを使用して前記限界信頼性パケットを分析するステップを更に含む請求項４記載の方法。
【請求項６】  第２ヒューリスティック・ステージにより前記限界信頼性パケットを分析するステップを更に含む請求項４記載の方法。
【請求項７】  パケット・ストリーム内の少なくとも時相異常を指示する諸パケットを認識するために前記第２ヒューリスティック・ステージを学習させるステップを更に含む請求項６記載の方法。
【請求項８】  パケット・ストリーム内の少なくとも時相異常を指示する諸パケットを認識するために前記第２ヒューリスティック・ステージを学習させるステップは、時相攻撃シグネチャと、周波数シグネチャと、搬送中パケット修正と、偽造パケット・インディケータと、アウト・オブ・バンド（ＯＯＢ）通信と、秘密チャネル通信と、からなるグループの少なくとも１つを認識するために、前記第２ヒューリスティック・ステージを学習させるステップを含む請求項７記載の方法。
【請求項９】  前記第２ヒューリスティック・ステージにより割当てられる信頼性評価にしたがって、前記第１ルール・ベースにより分析されるパケットを選択的に解放するステップを更に含む請求項６記載の方法。
【請求項１０】  前記第１ヒューリスティック・ステージは、少なくともいくつかのパケット（「限界信頼性パケット」）に対して、前記高信頼性パケットと前記低信頼性パケットとの信頼性評価の中間の信頼性評価を割当てるステップと、
第２ルール・ベースを使用して前記限界信頼性パケットを分析するステップと、
前記第２ヒューリスティック・ステージにより割当てられる信頼性評価に従って前記第１ルール・ベースにより分析されたパッケージを選択的に解放するステップと、
前記第２ヒューリスティック・ステージにより割当てられる信頼性評価に従って前記第２ルール・ベースにより分析されたパッケージを選択的に解放するステップと、
を更に含む請求項９記載の方法。
【請求項１１】  ネットワーク・シミュレータに対して有害であると分析され決定されたパッケージを分路するステップを更に含む請求項１記載の方法。
【請求項１２】  入力パケット・ストリームと出力パケット・ストリームとの両方で遂行される請求項１記載の方法。
【請求項１３】  潜在的に有害なパケットを認識するために学習された少なくとも１つの第１ヒューリスティック・ステージを使用してパケット・ストリームを分析するステップは、それぞれに学習された複数のヒューリスティック・ステージを使用して１つのパケット・ストリームを分析するステップを含む請求項１記載の方法。
【請求項１４】  それぞれに学習された複数のヒューリスティック・ステージを使用して１つのパケット・ストリームを分析するステップは、１つの周波数領域へ変換されるパケット・ストリームを分析するステップを学習されたヒューリスティック・ステージを使用するパケット・ストリームを分析するステップを含む請求項１３記載の方法。
【請求項１５】  それぞれに学習された複数のヒューリスティック・ステージを使用して１つのパケット・ストリームを分析するステップは、前記パケット・ストリームの微分を分析することを学習されたヒューリスティック・ステージを使用するパケット・ストリームを分析するステップを含む請求項１３記載の方法。
【請求項１６】  それぞれに学習された複数のヒューリスティック・ステージを使用して１つのパケット・ストリームを分析するステップは、逐次的な微分比較を分析するように構成されたヒューリスティック・ステージを使用するパケット・ストリームを分析するステップを含む請求項１３記載の方法。
【請求項１７】  潜在的に有害なパケットを認識するために学習された少なくとも第１ヒューリスティック・ステージを使用してパケット・ストリームを分析するステップは、空間的時間的独立性により入力に応答するように学習された少なくとも１つのヒューリスティック・ステージを使用して１つのパケット・ストリームを分析するステップを含む請求項１記載の方法。
【請求項１８】  第１ヒューリスティック・ステージを使用してパケットストリームを分析するステップは、完全に接続された、２重隠蔽層と、逆伝播と、ｓｉｇｍｏｉｄ変換関数と、ニューラル・ネットワーク・アルゴリズムと、を使用して、前記パケット・ストリームを分析するステップを含む請求項１７記載の方法。
【請求項１９】  パケットに割当てられた信頼性評価により更なる分析のためにパケットを選択するステップは、
有害でないパケットの一層高い信頼性を示す信頼性の水準を割当てられたパケット（「高信頼性パケット」）を解放するステップと、
少なくとも第２のヒューリスティック・ステージにおいて使用して、有害でないパケットの一層低い信頼性を示す信頼水準を割当てられるパケット（「低信頼性パケット」）を更に分析するステップと、
を含む請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月8日(2008.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プロセスで起こりうる一組の障害を識別するステップと、
特定の障害に関するデータが他の障害に関するセンサ・データと有意に異なるように一組のセンサに関するプロセス中の位置を決定するステップと、
各決定ツリーが複数のセンサからの入力を有し、複数の障害のうちの１つを示す１つの出力を有する一組の決定ツリーを構成するステップと、
複数の制御動作の少なくとも１つを決定するステップと、を含み、
各制御動作は１つの決定ツリーの出力によって示される１つの障害を改善する、
コンピュータに実現させる製造プロセスを制御する方法。
【請求項２】  複数の障害のうちの特定の障害に関するデータが複数の障害のうちの他の障害に関するセンサ・データと有意に異なるようにプロセス中の位置を有する複数のセンサと、
それぞれが複数のセンサからの入力を有し且つ複数の障害のうちの１つを示す出力を有する一組の決定ツリーと、
それぞれが決定ツリーの出力によって示される障害を改善する複数の制御動作と、を含むプロセスを有する、
複数の起こりうる障害を有する製造システム。
【請求項３】  プロセスのうちの１つで起こりうる一組の障害を識別し、複数の障害のうちの特定の障害に関するデータが複数の障害のうちの他の障害に関するセンサ・データと有意に異なるように一組のセンサに関する１つのプロセス中の位置を決定し、それぞれが複数のセンサからの入力を有し且つ複数の障害のうちの１つを示す出力を有する一組の決定ツリーを構成し、複数の制御動作を決定し、各制御動作が１つのプロセスに関する１つの決定ツリーの１つの出力によって示される１つの障害を改善する、プロセッサと、
障害、位置、決定ツリーおよび制御動作に関するデータを保持するメモリと、
製造プロセスに関するデータを受け取り、各決定ツリーと制御動作に関するデータを送る入出力装置と、
を含む、製造プロセスを開発するコンピュータ・システム。
【請求項４】  プロセス内の複数のノードを確立するステップと、
複数の障害に関するＭのシミュレーションと障害が１つもないシミュレーションとを実行するステップと、
少なくとも１つのプロセス・パラメータと、現在のシミュレーションの特定の反復を表す番号Ｉとに応答してプロセス・シミュレーション関数を確立するステップと、
障害のあるプロセス・シミュレーション関数と障害のないシミュレーションに関するプロセス・シミュレーション関数の間の差分を乗じた重み係数の、シミュレーション１からＭまでの範囲にある、合計に等しい目的関数を確立するステップと、
目的関数出力に対する許容可能な範囲を指定するステップと、
許容可能な範囲内の目的関数出力値を有しないノードを除外するステップと、および
複数のセンサを残りのノードに割当てるステップと、
を含む分散パラメータ・プロセスで最適センサ位置を決定する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月4日(2008.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】デューデリジェンスを実行するシステムであって、デューデリジェンスのチェックリストに対応するデータを備えるデータベースと、少なくとも１つの標準の文書ファイルを構成するために使われるデータを識別し、識別されたデータを収集する少なくとも１つのデータコレクタを識別し、識別されたデータの収集時間を識別するようにユーザを促すように構成されたサーバを備えるシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月2日(2008.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図１による駆動装置１は、ディスプレイ装置用の駆動信号を生成するために使用することができる。駆動装置１は、表示すべきデータを、データポート５を介して受け取るデータ処理ユニット３を備える。表示すべきデータは、データポート５を介して受け取られ、次にデータ処理ユニット３によりグラフィカルフォーマットの態様のデータに変換される。グラフィカルフォーマットの態様のこのデータは、次に、データ処理ユニット３の出力６で利用可能にされてディスプレイ装置用の駆動信号を生成するために波形生成ユニット７により使用される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月20日(2008.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種のシクロオレフィンコポリマーおよび少なくとも１種のアモルファスシクロオレフィンポリマーを含む、改良された緩和挙動および改良された収縮挙動を有するポリマー混合物であって、
前記少なくとも１種のシクロオレフィンコポリマーが、前記シクロオレフィンコポリマーの総重量をベースとして、式I、II、II'、III、IV、VまたはVI：
【化１】
2003531923.tif 000001
【化２】
2003531923.tif 000002
（式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及びR8は、同一でも異なっていてもよく、水素原子またはC1〜C20-炭化水素基であり、ここで種々の式Ｉ〜VIの中の同一の基R1〜R8は、別の意味をもっていてもよく、ｎは０〜５の整数を示す）の少なくとも１種の多環式オレフィンから誘導した重合単位を０．１〜１００重量％含有し、且つ
前記シクロオレフィンコポリマーの総重量をベースとして、式VII：
【化３】
2003531923.tif 000003
（式中、R9、R10、R11及びR12は同一でも異なっていてもよく、水素原子、または線状若しくは分岐、飽和若しくは不飽和のC1〜C20-炭化水素基である）の１種以上の非環式オレフィン類から誘導される重合単位を０〜９９．９重量％を含有する、前記ポリマー混合物。
【請求項２】
前記少なくとも１種のシクロオレフィンコポリマーが、前記シクロオレフィンコポリマーの総重量をベースとして、前記式I、II、II'、III、IV、VまたはVIの少なくとも１種の多環式オレフィンから誘導した重合単位を０．１〜９９．９重量％含有し、且つ、前記シクロオレフィンコポリマーの総重量をベースとして、前記式VIIの１種以上の非環式オレフィン類から誘導される重合単位を０．１〜９９．９重量％含有する、請求項１に記載のポリマー混合物。
【請求項３】
前記式I、II、II'、III、IV、VまたはVI中のR1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及びR8が、それぞれ、線状若しくは分岐C1〜C8-アルキル基、C6〜C18-アリール基、C7〜C20-アルキレンアリール基、または環式若しくは非環式C2〜C20-アルケニル基であるか、あるいは飽和、不飽和、または芳香族環を形成する、請求項１または２に記載のポリマー混合物。
【請求項４】
前記式VII中のR9、R10、R11及びR12が、それぞれ、C1〜C8-アルキル基またはC6〜C18-アリール基である、請求項１〜３のいずれかに記載のポリマー混合物。
【請求項５】
一軸延伸フィルム若しくは二軸延伸フィルム、ブリスターパック、または他のプラスチック類、特にポリオレフィン類との混合物を製造するための、請求項１〜４のいずれかに記載のポリマー混合物の使用。
【請求項６】
射出成形、射出吹き込み成形、またはインフレーションにおける、請求項１〜４のいずれかに記載のポリマー混合物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月15日(2007.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  オレフィンおよび硫黄化合物を含有するガソリンストリームから硫黄化合物を除去する方法であって、硫黄化合物を抽出物ストリーム中に濃縮するとともにオレフィンをラフィネートストリームに向けて排除するためにガソリンストリームを、２液相領域が実質的にない抽出蒸留プロセスに供する工程と、硫黄化合物を除去するために前記抽出物ストリームのみを水素化脱硫に供する工程とを含む方法。
【請求項２】  前記ガソリンストリームは、約５０℃〜約２５０℃の範囲の沸点を有する単環芳香族化合物、多環芳香族化合物、単環ナフテン、多環ナフテン、オレフィン、パラフィン、チオフェン、ベンゾチオフェン、スルフィド、ジスルフィド、チオール、テトラヒドロチオフェンおよびジヒドロベンゾチオフェンを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】  抽出蒸留塔内で前記抽出蒸留を行う工程と、前記抽出蒸留プロセスにおける２液相領域を最小にするように溶媒、還流比および塔圧力を用いて前記塔を運転する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】  前記沸点は約５０℃〜約２２０℃の間の範囲であり、前記ガソリンストリームからベンゾチオフェンおよび高分子量硫黄化合物を除去するためにプレ分留塔をさらに含むことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項５】  前記プレ分留塔からのオーバーヘッドストリームを前記抽出蒸留プロセスに供給する工程と、前記プレ分留塔からの塔底ストリームを水素化脱硫プロセスに供給する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】  前記溶媒は、スルホラン、３−メチルスルホラン、２，４−ジメチルスルホラン、３−エチルスルホラン、Ｎ−メチルピロリドン、２−ピロリドン、Ｎ−エチルピロリドン、Ｎ−プロピルピロリドン、Ｎ−ホルミルモルホリン、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、メチルエチルスルホン、ジプロピルスルホン、ジブチルスルホン、テトラエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジメチレングリコール、エチレングリコール、炭酸エチレン、炭酸プロピレンおよびそれらの混合物から成る群から選択されることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項７】  前記溶媒は、３−メチルスルホラン、Ｎ−ホルミルモルホリン、２−ピロリドン、ジプロピルスルホン、テトラエチレングリコール、水、ＦＣＣガソリンからの重質硫黄残留物または共溶媒としてのそれらの混合物と合わせたスルホランを含むことを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】  前記溶媒はストリッピングされ、重質硫黄残留物は溶媒選択性を強化するために有効な量でストリッピング後に前記溶媒のリーン留分中に残ることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】  前記重質硫黄残留物の蓄積を防ぐために、前記リーン溶媒のスリップストリームを水で抽出する工程をさらに含むことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】  抽出物ストリームを水素化脱硫に供する前記工程後に前記抽出物ストリームをラフィネートストリームと組み合わせる工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１１】  ベンゼンまたは全範囲芳香族化合物を生成させるために、前記抽出プロセスから生じるストリームを芳香族精製装置または改質油精製装置に供給する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】  前記芳香族精製装置はエチレンプラントの一部であることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１３】  前記ガソリンストリームは流動接触分解反応器から提供されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１４】  前記ラフィネートストリームは前記流動接触分解反応器に再循環されることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１５】  前記ラフィネートストリームは、オレフィンを低分子量オレフィンに転化する装置に供給されることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１６】  前記装置は前記ラフィネートストリーム中のオレフィンをＣ２〜Ｃ６オレフィンに転化することを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１７】  前記ガソリンストリームは、流動接触分解装置、コーカーナフサ源または熱蒸気分解源から誘導されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月9日(2008.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  セントラライザ装置であって、
中央取付けロッドと、
中央取付けロッドに取り付けられていて、少なくともその長さの一部に沿って自由に動くことができる２つの浮動ばね機構と、
中央取付けロッドの周りに互いに間隔を置いて設けられた３以上の相互に結合されたアームとを有し、各アームは、ヒンジによって連結された長さの等しい２つのアーム部分で構成され、ヒンジから見て遠くに位置したアーム部分の端部は、それぞれ対応関係にある浮動ばね機構に設けられたピボットに連結されていて、相互結合アームが２つの浮動ばね機構相互間に吊り下げられると共に側方に開閉できるようになっており、
相互結合アームは各々、ヒンジの近くに位置して、ボアホールの壁に係合するようになっており、
浮動ばね機構は、各々、全体として軸方向に動くことができるばねと、軸方向力をばねから伝達して相互結合アーム部分の各々に設けられているピボット回りの回転力にし、アーム部分が側方に開放するよう付勢されるようにする手段とを有し、
取付けロッドに取り付けられた遮断手段と、
浮動ばね機構のばねに連結されたリンク装置と、を有し、リンク装置は、浮動ばね機構と遮断手段が係合する前に取付けロッドの遮断手段に係合し、それにより取付けロッドに作用する軸方向力を伝達して浮動ばね機構のばねに作用する力にするように配置されていることを特徴とするセントラライザ装置。
【請求項２】  遮断手段は、各浮動ばね機構の内部で取付けロッドに設けられたカラーであることを特徴とする請求項１記載のセントラライザ装置。
【請求項３】  浮動ばね機構は、ピボットの近くに位置したばねの端部に作用する圧力板を有していることを特徴とする請求項２記載のセントラライザ装置。
【請求項４】  リンク装置は、圧力板に取り付けられていて、浮動ばね機構を貫通して浮動ばね機構の内縁部を越えたところまで延びるスリーブを有し、スリーブは、軸方向に動いてばねに当たり、遮断手段の作用を受けてばねに作用するよう設けられていることを特徴とする請求項３記載のセントラライザ装置。
【請求項５】  リンク装置は、圧力板に取り付けられていて、浮動ばね機構の中を軸方向に延びるスリーブを有し、スリーブは、遮断手段と係合し、浮動ばね機構と遮断手段の係合の前に前記ばねに作用し始めるように、浮動ばね機構が初期の非圧縮状態にあるとき、浮動ばね機構の端部縁部分を軸方向に越えて延びるように構成されていることを特徴とする請求項３記載のセントラライザ装置。
【請求項６】  軸方向力を浮動ばね機構のばねから伝達して相互結合アーム部分の各々に設けられているピボット回りの回転力にする手段は、圧力板を有し、更に、
相互結合アーム対のアーム部分が浮動ばね機構のピボットのところで互いに連結されている相互結合アーム対のアーム部分の端部のところに設けられたカムと、
圧力板に連結されていて、カムに係合するアクチュエータロッドとを有し、
ばねにより得られた軸方向力が、カム、アクチュエータロッド及び圧力板を介して伝達されてピボット回りの回転力になり、該回転力は、相互結合アームを押圧して側方へ開くようにし、ボアホールの壁により相互結合アームに及ぼされる力が、ばねに作用するようになっていることを特徴とする請求項２記載のセントラライザ装置。
【請求項７】  前記各浮動ばね機構のばねは全体として、中央取付けロッドの長さの少なくとも一部に沿って、中央取付けロッドに対して軸方向に動くことができることを特徴とする請求項１記載のセントラライザ装置。
【請求項８】  セントラライザ装置であって、
中央取付けロッドと、
中央取付けロッドに取り付けられていて、少なくともその長さの一部に沿って自由に動くことができる２つの浮動ばね機構と、
中央取付けロッドの周りに互いに間隔を置いて設けられた３以上の相互に結合されたアームとを有し、各アームは、ヒンジによって連結された長さの等しい２つのアーム部分で構成され、ヒンジから見て遠くに位置したアーム部分の端部は、それぞれ対応関係にある浮動ばね機構に設けられたピボットに連結されていて、相互結合アームが２つの浮動ばね機構相互間に吊り下げられると共に側方に開閉できるようになっており、
相互結合アームは各々、ヒンジの近くに位置して、ボアホールの壁に係合するようになっており、
浮動ばね機構は、ばねと、軸方向力をばねから伝達して相互結合アーム部分の各々に設けられているピボット回りの回転力にし、アーム部分が側方に開放するよう付勢されるようにする手段とを有し、
アーム部分の少なくとも１つが、ピボット近傍の凹状プロフィール切欠の部分を有し、プロフィールに作用する力が、部分の凹状プロフィール切欠かれていない場合よりもピボットからさらに離れて作用するようになっていることを特徴とするセントラライザ装置。
【請求項９】  凹状のプロフィールが、次の数学公式によって近似的に表され、
【数１】
2003531979.tif 000001
上式において、ｘ及びｙは、ピボットを中心とする、水平軸線及び垂直軸線に関して測定した部分の表面の要素のｘ座標及びｙ座標を表していることを特徴とする請求項８記載のセントラライザ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月4日(2008.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  溶融マグネシウムを空気中の酸素との反応から保護するために溶融マグネシウムを処理する方法であって、
溶融マグネシウムを提供して、該マグネシウムをペルフルオロケトン、ハイドロフルオロケトン、およびこれらの混合物から成る群より選択されるフルオロカーボンを含有するガス状混合物に露出させること
を含む溶融マグネシウムを処理する方法。
【請求項２】  露出表面を含んでなる溶融マグネシウムを空気中の酸素との反応から保護するための方法であって、
(a)溶融マグネシウムを提供すること、
(b)該マグネシウムを、ペルフルオロケトン、ハイドロフルオロケトン、およびこれらの混合物から成る群より選択されるフルオロカーボンを含有するガス状混合物と接触させること、および
(c)該マグネシウムの表面に膜を形成すること
を含む、溶融マグネシウムを空気中の酸素との反応から保護するための方法。
【請求項３】  請求項１または２記載の方法に従って空気中の酸素と反応することから保護された溶融マグネシウム。
【請求項４】  その表面に保護膜が形成される溶融マグネシウムであって、前記膜が、該マグネシウムと、ペルフルオロケトン、ハイドロフルオロケトン、およびこれらの混合物から成る群より選択されるフルオロカーボンを含有するガス状混合物との反応によって形成される、溶融マグネシウム。
【請求項５】  マグネシウムの表面で火を消す方法であって、ペルフルオロケトン、ハイドロフルオロケトン、およびこれらの混合物から成る群より選択されるフルオロカーボンを含有するガス状混合物を前記表面に接触させることを含む、マグネシウムの表面で火を消す方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月18日(2008.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ほぼ平坦な状態と設置時の組立てられた状態との間で折り畳むことができる、ほぼ方形または矩形の構成である折り畳み可能なフレームを含む建築パネルであって、前記フレームは、間隔をあけられて前記フレームの両側の領域に沿って長さ方向にほぼ平行な関係で延びる２つのウェブによって前記フレームの前記組立てられた状態では間隔をあけられ、かつほぼ平行である、上に重なる上部シートと底部シートとを含み、前記ウェブは、前記組立てられた状態では前記上部シートと前記底部シートとに対して実質的に垂直に延び、前記折り畳まれた状態では前記上部シートおよび前記底部シートに実質的に平行に配置され、前記パネルはさらに、前記フレームが前記組立てられた状態にあるときに、前記上部シートと前記底部シートとの間に挿入される補強部材を含んで前記パネルを補強して折り畳みを防ぐ、建築パネル。
【請求項２】  前記補強部材は、シートの形であり、ほぼ平坦な状態と組立てられた状態との間で折り畳むことができ、前記補強部材は、前記組立てられた状態の中に形成されて前記フレームの前記上部シートと前記底部シートとの間に挿入される、請求項１に記載のパネル。
【請求項３】  前記補強部材は、前記フレームの前記上部シートと前記底部シートとの間に挿入される準備が整った形状を持つ部材として形成され、前記補強部材の前記形状は、複数の前記補強部材の間での入れ子を可能にするようなものである、請求項１に記載のパネル。
【請求項４】  前記補強部材は、前記フレームへの挿入のために波形の形を有し、前記波形の形は、それぞれが延びて前記フレームの前記上部シートおよび前記底部シートに接触する連続的な反対方向を向いた尖頭部を規定する、請求項１から３のいずれかに記載のパネル。
【請求項５】  前記波形の形はほぼ湾曲した形である、請求項４に記載のパネル。
【請求項６】  前記波形の形は、ほぼのこ歯の形状を含む、請求項４に記載のパネル。
【請求項７】  前記補強手段は前記ウェブに係合するように構成される、請求項４から６のいずれかに記載のパネル。
【請求項８】  前記パネルは、前記フレームの前記両側の領域の前記ウェブの間に配置され、さらにはそれらに対してほぼ平行に延びて前記フレームの前記組立てられた状態
では前記上部シートと前記底部シートとに対して実質的に垂直に延び、さらには前記フレームの前記折り畳まれた状態では前記上部シートと前記底部シートとに対して実質的に平行に配置される少なくとも１つのさらなるウェブを含み、前記補強手段は、少なくとも１対の隣接するウェブの間に設けられる、請求項１から７のいずれかに記載のパネル。
【請求項９】  単一のさらなるウェブを含む、請求項８に記載のパネル。
【請求項１０】  前記さらなるウェブは、前記両側の領域の前記ウェブの実質的には中ほどに配置される、請求項９に記載のパネル。
【請求項１１】  １対のさらなるウェブを含む、請求項８に記載のパネル。
【請求項１２】  前記フレームは、前記上部層と前記底部層との間に、かつそれらに対して実質的に平行に配置され、さらにはそれらと実質的に同じ平面寸法を有する中間シートを含み、前記ウェブは、間隔をあけた関係で前記上部シートおよび前記底部シートならびに前記中間シートを支持するように構成される、請求項１から１１のいずれかに記載のパネル。
【請求項１３】  前記上部シートおよび前記底部シートならびに前記ウェブは、厚紙または厚紙様の材料から形成される、請求項１から１２のいずれかに記載のパネル。
【請求項１４】  前記パネルは断熱バットとして形成され、前記上部層および前記底部層は反射断熱材料から形成される、請求項１から１３のいずれかに記載のパネル。
【請求項１５】  前記補強部材は反射断熱材料から形成される、請求項１４に記載のパネル。
【請求項１６】  ほぼ平坦な状態と組立てられた状態との間で折り畳むことのできる、ほぼ方形または矩形の構成の折り畳み可能なフレームを有する建築パネルを組立てるための方法であって、前記フレームは、間隔をあけられて前記フレームの両側の領域に沿って長さ方向にほぼ平行な関係で延びる２つのウェブによって前記フレームの前記組立てられた状態では間隔をあけられ、かつほぼ平行である、上に重なる上部シートと底部シートとを含み、前記ウェブは、前記組立てられた状態では前記上部シートと前記底部シートとに対して実質的に垂直に延び、前記折り畳まれた状態では前記上部シートおよび前記底部シートに対して実質的に平行に配置され、前記方法は、前記フレームを前記組立てられた状態にまで広げるステップと、前記フレームの前記上部層と前記底部層との間に補強手段を挿入するステップとを含む、方法。
【請求項１７】  ほぼ平坦な状態と組立てられた状態との間で折り畳むことのできる、ほぼ方形または矩形の構成の折り畳み可能なフレームを有する建築パネルを設置するための方法であって、前記フレームは、間隔をあけられて前記フレームの両側の領域に沿って長さ方向にほぼ平行な関係で延びる２つのウェブによって前記フレームの前記組立てられた状態では間隔をあけられ、かつほぼ平行である、上に重なる上部シートと底部シートとを含み、前記ウェブは、前記組立てられた状態では前記上部シートと前記底部シートとに対して実質的に垂直に延び、前記折り畳まれた状態では前記上部シートと前記底部シートとに対して実質的に平行に配置され、前記方法は、第１のステップとして、前記フレームを設置現場にまで輸送するステップ、または前記フレームを前記組立てられた状態にまで広げて前記フレームの前記上部層と前記底部層との間に補強手段を挿入するステップのいずれかを含み、前記方法はさらに、次にこれらのステップのうちの他方を行なうステップと、その後前記パネルを設置位置に置くステップとを含む、方法。
【請求項１８】  前記輸送ステップは、行なわれる第１のステップであり、そのステップでは、前記フレームは前記折り畳まれた状態で輸送される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】  前記補強手段はほぼ平坦な状態と組立てられた状態との間で折り畳むことができ、前記方法は、前記平坦な状態で前記補強手段を前記設置現場にまで輸送するステップと、その後、前記補強手段を前記組立てられた状態にまで広げてそれを前記フレームに挿入するステップとを含む、請求項１７または１８に記載の方法。
【請求項２０】  前記補強手段は、他の補強部材とともに入れ子にできる部材として形成され、前記方法は、複数の前記補強部材を入れ子の状態で前記設置現場にまで輸送す
るステップを含む、請求項１７または１８に記載の方法。
【請求項２１】  前記パネルは断熱バットである、請求項１７から２０のいずれかに記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】  ほぼ矩形であり、さらには平行で、かつ上に重なる関係で配置された上部層３１と底部層３２とを有するフレームを含む断熱バット３０を示す。
【図２】  図１の断熱バット３０の特性のいくつかを有する代替的な断熱バット５０を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月28日(2008.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ドア及びドア装置移動用のトラックを有する自動車のドア装置に連結されるように構成された自動化組立体であって、
前記ドアに固定され且つ前記ドア装置のトラックと摺動自在に係合したフレームと、
前記フレームに固定され、動力を受入れてこの動力を回転出力に変換するように構成されたモーターと、を有し、前記ドアが移動するとき、前記モーターは、前記ドアと一緒に移動可能であり、
更に、前記フレームに沿う予め決められた位置で前記フレームに固定された一組のローラーと、
第１端部と第２端部との間を延びるベルトと、を有し、前記第１端部及び前記第２端部の各々は、自動車に固着され、前記回転出力は、前記モーターによって発生し、前記フレーム及び前記ドア装置は、前記トラックに沿って開位置と閉位置との間を移動する、自動化組立体。
【請求項２】  更に、前記ドアを手動で移動させるときに前記ベルトのテンションを吸収するテンション装置を含む、請求項１記載の自動化組立体。
【請求項３】  前記テンション装置は、第１テンションプランジャー及び第２テンションプランジャーを含む、請求項２記載の自動化組立体。
【請求項４】  前記第１テンションプランジャー及び前記第２テンションプランジャーは、前記モーターの両側に前記フレームに沿って位置決めされる、請求項３記載の自動化組立体。
【請求項５】  前記モーターは、ピニオン歯車を含む、請求項４記載の自動化組立体。
【請求項６】  更に、前記ピニオン歯車と係合可能な駆動歯車を含む、請求項５記載の自動化組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月17日(2008.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明の硬化性組成物は任意に溶媒を上記組成物の９０％まで、より好ましくは６０％まで含むことができる。例えば、硬化シリコーン樹脂で被覆された基板を作成するために、（Ａ）と（Ｂ）とを溶媒中で混合し、生成した溶液を上記基板にコーティングし、上記コーティングを乾燥し、それを硬化条件にさらすという諸段階を行う。成形硬化シリコーン樹脂を製造するためには、（Ａ）と（Ｂ）とを溶媒中で混合し、生成した溶液を型に流し込み、溶媒を除去し、型の中の組成物を硬化させる。上記溶媒は一般に極性有機溶媒であり、例えばホルムアミド、ジメチルホルムアミドまたはジメチルアセタミド等のアミド、ジクロロメタンまたは１，１，１−トリクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、メタノール、エタノール、イソプロパノールまたはｔ−ブタノール等のアルコール、トルエンまたはキシレン等の芳香族炭化水素、２−メトキシプロパノール、２−ブトキシプロパノール、ブトキシエタノールまたはジプロピレングリコールメチルエーテル等のグリコールエーテル、またはジメチルスルホキシド等のスルホキシドである。アルコール類、ホルムアミドまたはジメチルスルホキシド等、比較的極性の大きい溶媒はオルガノビス（シラントリオール）類に溶解することが必要である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
（実施例１９−実施例２２）
樹脂組成物
９０重量％の基礎樹脂［（ＰｈＳｉＯ3/2）0.40（ＭｅＳｉＯ3/2）0.45（ＰｈＳｉＯ）0.1（Ｐｈ2ＳｉＯ）0.05］を、下記に列挙する適切な溶媒で溶液とし、１０重量％の化合物（Ｂ）と混合した。硬化触媒として亜鉛ジオクトエートとコリン オクトエートとの混合物０.２重量％を一緒に加えた。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月3日(2008.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  バンコマイシンまたはクロロオリエンチシンＡから選択されるグリコペプチドをアルキル化するための方法であって、以下：
（ａ）アルデヒドまたはケトン、第三級アミン、および該グリコペプチドまたはその塩を合わせて、反応混合物を提供する工程；
（ｂ）工程（ａ）から得られた該反応混合物を酸性化する工程；ならびに
（ｃ）工程（ｂ）から得られた該反応混合物と還元剤を合わせる工程、
を包含する方法。
【請求項２】  前記還元的アルキル化が溶媒の存在下で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記溶媒が、ハロゲン化炭化水素、直鎖または分岐鎖のエーテル、芳香族炭化水素、アルコール、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、水、１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミドン、テトラメチル尿素、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジエチルホルムアミド、１−メチル−２−ピロリジノン、テトラメチレンスルホキシド、グリセロール、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピレン尿素、またはジオキサン、あるいはそれらの混合物である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記溶媒が、アセトニトリル、水、ＤＭＦ、またはメタノール、あるいはそれらの混合物である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】  前記還元剤と合わせられる前記反応混合物が、プロトン性溶媒を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記還元的アルキル化が、約０℃〜約５０℃の範囲の温度で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】  前記酸がカルボン酸または鉱酸である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】  前記酸が、トリフルオロ酢酸である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】  前記還元剤が、シアノ水素化ホウ素ナトリウム、トリアセトキシ水素化ホウ素ナトリウム、ピリジン−ボラン錯体、水素化ホウ素ナトリウム、または水素化ホウ素亜鉛である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】  前記還元剤が、水素源および遷移金属触媒である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】  前記グリコペプチドがバンコマイシンである、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】  前記グリコペプチドがバンコマイシン塩酸塩である、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】  工程（ｂ）が０．２５時間〜６時間行われる、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月28日(2008.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 狭窄を横切るピークフロー速度を決定するための方法であって、 狭窄重篤度評価のための血管（１００）を位置特定するステップ（１２４）と、 フロー・エンコーディング傾斜値のユーザ制御を可能とするように、前記血管（１００）に対してリアルタイムの位相コントラスト・イメージングのパルス・シーケンス（１６０）を印加するステップ（１２６）と、 前記フロー・エンコーディング傾斜値をフロー速度エイリアシングの発現（１３６）と相関させることにより狭窄血管（１００）内のピークフロー速度を決定するステップと、を含む方法。
【請求項２】 狭窄重篤度の迅速な評価のための方法であって、 狭窄を疑われる第１の場所を特定する（１２４）ステップと、 リアルタイム・ユーザ制御ＶＥＮＣ値を有する位相コントラストＭＲイメージングのパルス・シーケンスを狭窄を疑われる前記第１の場所に印加するステップ（１２６）と、 ユーザがフロー関連のエイリアシングを観測するまで（１３６、１４０）、前記リアルタイム・ユーザ制御ＶＥＮＣ値を増加させる（１３２）と共に該パルス・シーケンスを再印加するステップ（１３４）と、 前記リアルタイム・ユーザ制御ＶＥＮＣ値を狭窄を疑われる第１の場所を横切るピークフロー速度の指示値として記録するステップ（１４２）と、 前記リアルタイム・ユーザ制御ＶＥＮＣ値をリセットするステップ（１２８）と、 パルス・シーケンスを狭窄を疑われる第２の場所に印加するステップ（１３０）と、 ユーザがフロー関連のエイリアシングを観測するまで（１３６、１４０）、前記リアルタイム・ユーザ制御ＶＥＮＣ値を増加させる（１３２）と共に該パルス・シーケンスを再印加するステップ（１３４）と、 前記リアルタイム・ユーザ制御ＶＥＮＣ値を狭窄を疑われる第２の場所を横切るピークフロー速度の指示値として記録するステップ（１４２）と、 第１の場所のリアルタイム・ユーザ制御ＶＥＮＣ値を第２の場所のＶＥＮＣ値と比較して、疑われる狭窄の重篤度を決定するステップ（１５０）と、を含む方法。
【請求項３】 狭窄重篤度を迅速に評価するＭＲＩ装置であって、 偏向磁場を印加するためにマグネット（５２）のボアの周りに配置させた複数の傾斜コイル（５０）と、ＲＦ送受信器システム（５８）と、ＲＦ信号をＲＦコイル・アセンブリ（５６）に送信してＭＲ画像を収集するためにパルス・モジュール（３８）により制御されるＲＦスイッチ（６２）と、を有する磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）システム（１０）と、 コンピュータ（２０）であって、 （Ａ）比較的同時刻に発生するフロー感作性の傾斜（１６２、１６４、１６６）を有するようなリアルタイムの位相コントラスト・パルス・シーケンス（１６０）を狭窄が疑われる血管（１００、１０８）に印加する動作と、 （Ｂ）ユーザに対して、速度エンコーディング傾斜のＶＥＮＣ値の調整（１３２）を可能とする動作と、 （Ｃ）ユーザによる調整に従って前記ＶＥＮＣ値をもつパルス・シーケンスを印加する動作（１３４）と、 （Ｄ）フロー関連のエイリアシングが明白であるか否かを判定する動作（１３６）と、 （Ｅ）前記ＶＥＮＣ値により疑われる狭窄（１０８）を横切るピークフロー速度に対応する判定可能なフロー関連のエイリアシング（１４０）が提供されるまで、前記動作（Ｂ）から動作（Ｄ）までを反復する動作と、を行うようにプログラムされたコンピュータ（２０）と、を備えるＭＲＩ装置。
【請求項４】 前記コンピュータ（２０）がさらに、フロー感作性の傾斜のリアルタイムでの回転を可能とするようにプログラムされている、請求項３に記載の装置。
【請求項５】 前記コンピュータ（２０）がさらに、フロー関連のエイリアシングが観測可能（１４０）となるまでＶＥＮＣ値の振幅を増加させる（１３２）ようにプログラムされている、請求項３に記載の装置。
【請求項６】 コンピュータにより実行させた際に、コンピュータに対して、 狭窄を疑われる第１の場所（１００、１０８）に、ユーザにより制御可能なＶＥＮＣ値を有する位相コントラストＭＲイメージング・パルス・シーケンス（１６０）を印加すること、 前記ＶＥＮＣ値をユーザ入力に基づいて変更し（１３２）、フロー関連のエイリアシングが検出される（１３６、１４０）までパルス・シーケンスを再印加する（１３４）こと、 前記ＶＥＮＣ値を狭窄を疑われる第１の場所（１０８）を横切るピークフロー速度の指示値として記録する（１４２）こと、 狭窄を疑われる第２の場所（１０８）に、ユーザにより制御可能なＶＥＮＣ値を有する別の位相コントラストＭＲイメージング・パルス・シーケンス（１６８）を印加すること、 前記ＶＥＮＣ値をユーザ入力に基づいて変更し（１３２）、フロー関連のエイリアシングが検出される（１３６、１４０）までパルス・シーケンスを再印加する（１３４）こと、 前記ＶＥＮＣ値を狭窄を疑われる第２の場所（１０８）を横切るピークフロー速度の指示値として記録する（１４２）こと、 第１の場所のＶＥＮＣ値を第２の場所のＶＥＮＣ値と比較（１５０）し、疑われる狭窄の重篤度（１０８）を決定すること、を行わせるような命令を含んだコンピュータ・プログラムをその上に格納しているコンピュータ読み取り可能な記憶媒体（２８）。
【請求項７】 前記コンピュータ・プログラムはさらに、コンピュータ（２０）に対して、比較的同時刻に発生するフロー感作性のバイポーラ傾斜波形（１６２、１６４、１６６）を有するような２Ｄ高速傾斜エコーパルス・シーケンス（１６０）としてＭＲパルス・シーケンスを生成させかつ印加させている、請求項６に記載のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体（２８）。
【請求項８】 前記コンピュータ・プログラムはさらに、コンピュータ（２０）に対して、速度エンコーディング傾斜の振幅を増加させることによりＶＥＮＣ値がピークフロー速度（１４０）に対応するまでＶＥＮＣ値を増加（１３２）させ、これにより狭窄の重篤度を特定させている、請求項６に記載のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体（２８）。
【請求項９】 前記コンピュータ・プログラムはさらに、コンピュータ（２０）に対して、ユーザによる合成したフロー感作性の傾斜（１６２、１６４、１６６）のリアルタイムでの回転を可能にさせている、請求項６に記載のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体（２８）。
【請求項１０】 ピークフロー速度を決定する前記ステップ（１４０）がリアルタイムで達成されると共に、信号エイリアシングに関連する画像アーチファクト（１３６）を最小限にするように引き続き２Ｄまたは３Ｄ診断位相コントラストＭＲＡを収集するために適切なＶＥＮＣ値（１４２）の決定を促進させかつ改良すること、並びに位相コントラストＭＲＡ画像上の血管信号を最適化することをさらに含んでおり、
ピークフロー速度（１４０）を判定する前記ステップにより、不正確なＶＥＮＣ値の付与（１４２）に続いて位相コントラストＭＲＡが反復される可能性を低下させることができる、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月16日(2007.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  フィルムの対向する端部に沿ってフィルムを複数のクリップで把握し、クリップを推進させてフィルムを伸張する工程を含み、前記複数のクリップは駆動クリップとアイドラクリップとを含み、駆動クリップの各対の間に少なくとも１個のアイドラクリップを有する、ポリマーフィルムの伸張方法において、
ａ）破断することなく相当量の伸張を可能とする十分に高い温度まで前記ポリマーフィルムを加熱する工程と、
ｂ）前記駆動およびアイドラクリップの間隔の均一性を改善するために、有効量で伸張したフィルムの幅の少なくとも一部に対して機械方向に冷却勾配を能動的に与える工程と、
を含むことを特徴とする、ポリマーフィルムを伸張する方法。
【請求項２】  フィルムの対向する端部に沿ってフィルムを複数のクリップで把握し、クリップを推進させてフィルムを伸張する工程を含み、前記複数のクリップは駆動クリップとアイドラクリップとを含み、駆動クリップの各対の間に少なくとも１個のアイドラクリップを有する、ポリマーフィルムの伸張方法において、
ａ）破断することなく相当量の伸張を可能とする十分に高い温度まで前記ポリマーフィルムの中央部および端部を加熱する工程と、
ｂ）伸張開始時に前記フィルムの前記端部が前記フィルムの前記中央部よりも熱くならないように維持する工程と、
ｃ）前記駆動およびアイドラクリップの間隔の均一性を改善するために、有効量で伸張したフィルムの幅の少なくとも一部に対して機械方向に冷却勾配を与える工程と、
を含むことを特徴とする、ポリマーフィルムを伸張する方法。