【手続補正書】
【提出日】平成18年12月6日(2006.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷をソース端子に接続し、前記負荷の電源をドレイン端子に接続したｎＭＯＳ型ＦＥＴと、前記ｎＭＯＳ型ＦＥＴのゲート端子の印加電圧を所定の電圧に昇圧する昇圧回路とからなり、前記ｎＭＯＳ型ＦＥＴを前記所定の電圧で動作させるスイッチ電源装置であって、
前記負荷は、インダクタンスを有し、
前記ｎＭＯＳ型ＦＥＴのゲート端子と前記昇圧回路の出力端子の間に介在するスイッチと、
前記スイッチが切断されたときに前記負荷で発生する誘導起電力を用いて電荷を蓄積し、蓄積した電荷を用いて前記出力端子の電圧を前記所定の電圧以上に昇圧する昇圧手段と、
を備えたことを特徴とするスイッチ電源装置。
【請求項２】
負荷をソース端子に接続し、前記負荷の電源をドレイン端子に接続したｎＭＯＳ型ＦＥＴのゲート端子の印加電圧を所定の電圧以上に昇圧する昇圧回路であって、
前記負荷は、インダクタンスを有し、
前記昇圧回路は、
前記ｎＭＯＳ型ＦＥＴとスイッチを介して接続され、
前記スイッチが切断されたときに前記負荷で発生する誘導起電力を用いて電荷を蓄積し、蓄積した電荷を用いて前記出力端子の電圧を前記所定の電圧以上に昇圧する昇圧手段を備えたことを特徴とする昇圧回路。
【請求項３】
負荷をソース端子に接続し、前記負荷の電源をドレイン端子に接続したｎＭＯＳ型ＦＥＴのゲート端子の印加電圧を所定の電圧に昇圧する昇圧回路において用いられる昇圧方法であって、
前記負荷は、インダクタンスを有し、
前記昇圧回路は、
前記ｎＭＯＳ型ＦＥＴとスイッチを介して接続され、
前記スイッチが切断されたときに前記負荷で発生する誘導起電力を用いて電荷を蓄積し、蓄積された電荷を用いて前記出力端子の電圧を前記所定の電圧以上に昇圧する昇圧工程を含んだことを特徴とする昇圧方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、請求項２の発明に係る昇圧回路は、負荷をソース端子に接続し、前記負荷の電源をドレイン端子に接続したｎＭＯＳ型ＦＥＴのゲート端子の印加電圧を所定の電圧以上に昇圧する昇圧回路であって、前記負荷は、インダクタンスを有し、前記昇圧回路は、前記ｎＭＯＳ型ＦＥＴとスイッチを介して接続され、前記スイッチが切断されたときに前記負荷で発生する誘導起電力を用いて電荷を蓄積し、蓄積した電荷を用いて前記出力端子の電圧を前記所定の電圧以上に昇圧する昇圧手段を備えたことを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
この請求項２の発明によれば、負荷は、インダクタンスを有し、昇圧回路は、ｎＭＯＳ型ＦＥＴとスイッチを介して接続され、スイッチが切断されたときに負荷で発生する誘導起電力を用いて電荷を蓄積し、蓄積した電荷を用いて出力端子の電圧を所定の電圧以上に昇圧することとしたので、ｎＭＯＳ型ＦＥＴをスイッチング素子として用いて小型化／軽量化および低電力化／低発熱化ができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、請求項３の発明に係る昇圧方法は、負荷をソース端子に接続し、前記負荷の電源をドレイン端子に接続したｎＭＯＳ型ＦＥＴのゲート端子の印加電圧を所定の電圧に昇圧する昇圧回路において用いられる昇圧方法であって、前記負荷は、インダクタンスを有し、前記昇圧回路は、前記ｎＭＯＳ型ＦＥＴとスイッチを介して接続され、前記スイッチが切断されたときに前記負荷で発生する誘導起電力を用いて電荷を蓄積し、蓄積された電荷を用いて前記出力端子の電圧を前記所定の電圧以上に昇圧する昇圧工程を含んだことを特徴とする。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
この請求項３の発明によれば、負荷は、インダクタンスを有し、昇圧回路は、ｎＭＯＳ型ＦＥＴとスイッチを介して接続され、スイッチが切断されたときに負荷で発生する誘導起電力を用いて電荷を蓄積し、蓄積された電荷を用いて出力端子の電圧を所定の電圧以上に昇圧することとしたので、ｎＭＯＳ型ＦＥＴをスイッチング素子として用いて小型化／軽量化および低電力化／低発熱化ができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、請求項２の発明によれば、負荷は、インダクタンスを有し、昇圧回路は、ｎＭＯＳ型ＦＥＴとスイッチを介して接続され、記スイッチが切断されたときに負荷で発生する誘導起電力を用いて電荷を蓄積し、蓄積した電荷を用いて出力端子の電圧を所定の電圧以上に昇圧するよう構成したので、ｎＭＯＳ型ＦＥＴをスイッチング素子として用いて小型化／軽量化および低電力化／低発熱化ができるという効果を奏する。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、請求項３の発明によれば、負荷は、インダクタンスを有し、昇圧回路は、ｎＭＯＳ型ＦＥＴとスイッチを介して接続され、スイッチが切断されたときに負荷で発生する誘導起電力を用いて電荷を蓄積し、蓄積された電荷を用いて出力端子の電圧を所定の電圧以上に昇圧するよう構成したので、ｎＭＯＳ型ＦＥＴをスイッチング素子として用いて小型化／軽量化および低電力化／低発熱化ができるという効果を奏する。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】