【手続補正書】
【提出日】平成20年1月22日(2008.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式Va、Vb、VIIIa、VIIIb、XIVa、XIVb、XVIa、XVIbまたはXXの化合物：
【化１】
2007530602.tif 000001
【化２】
2007530602.tif 000002
【化３】
2007530602.tif 000003
【化４】
2007530602.tif 000004
【化５】
2007530602.tif 000005
【化６】
2007530602.tif 000006
【化７】
2007530602.tif 000007
［式中、R1およびR2は、同じかまたは異なり、水素、またはヒドロキシ保護基を表し、R5は、水素、またはヒドロキシ保護基を表す］
を製造する方法であって、一般式IIIa、IIIb、VIa、VIb、XIIIa、XIIIb、XVa、XVbまたはIXXの化合物：
【化８】
2007530602.tif 000008
【化９】
2007530602.tif 000009
【化１０】
2007530602.tif 000010
【化１１】
2007530602.tif 000011
【化１２】
2007530602.tif 000012
【化１３】
2007530602.tif 000013
【化１４】
2007530602.tif 000014
［式中、R1、R2およびR5は、先に定義したとおりである］
を、塩基の存在下に、一般構造VIIのホスホネート：
【化１５】
2007530602.tif 000015
［式中、R3およびR4は、同じかまたは異なり、アルキル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニルまたはアリールを表し、それらは、それぞれ、アルキル、アラルキル、シクロアルキル、シクロアルケニル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニル、アリール、オキソ、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシ、スルホおよびヒドロキシから成る群から選択される1個またはそれ以上の置換基によって任意に置換されていてもよい］
と反応させることを含んでなる製造法。
【請求項２】
一般構造Vaの化合物：
【化１６】
2007530602.tif 000016
［式中、R1およびR2は、同じかまたは異なり、水素、またはヒドロキシ保護基を表す］
を製造する請求項１に記載の製造法であって、一般構造IIIaの化合物：
【化１７】
2007530602.tif 000017
［式中、R1およびR2は、先に定義したとおりである］
を、塩基の存在下に、一般構造VIIのホスホネート：
【化１８】
2007530602.tif 000018
［式中、R3およびR4は、同じかまたは異なり、アルキル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニルまたはアリールを表し、それらは、それぞれ、アルキル、アラルキル、シクロアルキル、シクロアルケニル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニル、アリール、オキソ、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシ、スルホおよびヒドロキシから成る群から選択される1個またはそれ以上の置換基によって任意に置換されていてもよい］
と反応させることを含んでなる製造法。
【請求項３】
一般構造Vbの化合物：
【化１９】
2007530602.tif 000019
［式中、R1およびR2は、同じかまたは異なり、水素、またはヒドロキシ保護基を表す］
を製造する請求項１に記載の製造法であって、一般構造IIIbの化合物：
【化２０】
2007530602.tif 000020
［式中、R1およびR2は、先に定義したとおりである］
を、塩基の存在下に、一般構造VIIのホスホネート：
【化２１】
2007530602.tif 000021
［式中、R3およびR4は、同じかまたは異なり、アルキル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニルまたはアリールを表し、それらは、それぞれ、アルキル、アラルキル、シクロアルキル、シクロアルケニル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニル、アリール、オキソ、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシ、スルホおよびヒドロキシから成る群から選択される1個またはそれ以上の置換基によって任意に置換されていてもよい］
と反応させることを含んでなる製造法。
【請求項４】
一般構造VIIIaまたはVIIIbの化合物：
【化２２】
2007530602.tif 000022
［式中、R1およびR2は、同じかまたは異なり、水素、またはヒドロキシ保護基を表す］
を製造する請求項１に記載の製造法であって、一般構造VIaまたはVIbの化合物：
【化２３】
2007530602.tif 000023
［式中、R1およびR2は、先に定義したとおりである］
を、塩基の存在下に、一般構造VIIのホスホネート：
【化２４】
2007530602.tif 000024
［式中、R3およびR4は、同じかまたは異なり、アルキル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニルまたはアリールを表し、それらは、それぞれ、アルキル、アラルキル、シクロアルキル、シクロアルケニル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニル、アリール、オキソ、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシ、スルホおよびヒドロキシから成る群から選択される1個またはそれ以上の置換基によって任意に置換されていてもよい］
と反応させることを含んでなる製造法。
【請求項５】
一般構造XIVaの化合物：
【化２５】
2007530602.tif 000025
［式中、R1は、水素、またはヒドロキシ保護基を表す］
を製造する請求項１に記載の製造法であって、一般構造XIIIaの化合物：
【化２６】
2007530602.tif 000026
［式中、R1は、先に定義したとおりである］
を、塩基の存在下に、一般構造VIIのホスホネート：
【化２７】
2007530602.tif 000027
［式中、R3およびR4は、同じかまたは異なり、アルキル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニルまたはアリールを表し、それらは、それぞれ、アルキル、アラルキル、シクロアルキル、シクロアルケニル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニル、アリール、オキソ、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシ、スルホおよびヒドロキシから成る群から選択される1個またはそれ以上の置換基によって任意に置換されていてもよい］
と反応させることを含んでなる製造法。
【請求項６】
一般構造XIVbの化合物：
【化２８】
2007530602.tif 000028
［式中、R1は、水素、またはヒドロキシ保護基を表す］
を製造する請求項１に記載の製造法であって、一般構造XIIIbの化合物：
【化２９】
2007530602.tif 000029
［式中、R1は、先に定義したとおりである］
を、塩基の存在下に、一般構造VIIのホスホネート：
【化３０】
2007530602.tif 000030
［式中、R3およびR4は、同じかまたは異なり、アルキル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニルまたはアリールを表し、それらは、それぞれ、アルキル、アラルキル、シクロアルキル、シクロアルケニル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニル、アリール、オキソ、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシ、スルホおよびヒドロキシから成る群から選択される1個またはそれ以上の置換基によって任意に置換されていてもよい］
と反応させることを含んでなる製造法。
【請求項７】
一般構造XVIaまたはXVIbの化合物：
【化３１】
2007530602.tif 000031
［式中、R1は、水素、またはヒドロキシ保護基を表す］
を製造する請求項１に記載の製造法であって、一般構造XVaまたはXVbの化合物：
【化３２】
2007530602.tif 000032
［式中、R1は、先に定義したとおりである］
を、塩基の存在下に、一般構造VIIのホスホネート：
【化３３】
2007530602.tif 000033
［式中、R3およびR4は、同じかまたは異なり、アルキル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニルまたはアリールを表し、それらは、それぞれ、アルキル、アラルキル、シクロアルキル、シクロアルケニル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニル、アリール、オキソ、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシ、スルホおよびヒドロキシから成る群から選択される1個またはそれ以上の置換基によって任意に置換されていてもよい］
と反応させることを含んでなる製造法。
【請求項８】
一般構造XXの化合物：
【化３４】
2007530602.tif 000034
［式中、R5は、水素、またはヒドロキシ保護基を表す］
を製造する請求項１に記載の製造法であって、一般構造IXXの化合物：
【化３５】
2007530602.tif 000035
［式中、R5は、先に定義したとおりである］
を、塩基の存在下に、一般構造VIIのホスホネート：
【化３６】
2007530602.tif 000036
［式中、R3およびR4は、同じかまたは異なり、アルキル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニルまたはアリールを表し、それらは、それぞれ、アルキル、アラルキル、シクロアルキル、シクロアルケニル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニル、アリール、オキソ、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシ、スルホおよびヒドロキシから成る群から選択される1個またはそれ以上の置換基によって任意に置換されていてもよい］
と反応させることを含んでなる製造法。
【請求項９】
カルシポトリオールまたはカルシポトリオール一水和物の製造法であって、方法は、請求項１〜８のいずれかに記載の方法である製造法。
【請求項１０】
（i）  一般構造IIIaの化合物：
【化３７】
2007530602.tif 000037
［式中、R1およびR2は、同じかまたは異なり、水素、またはヒドロキシ保護基を表す］
を、塩基の存在下に、一般構造VIIのホスホネート：
【化３８】
2007530602.tif 000038
［式中、R3およびR4は、同じかまたは異なり、アルキル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニルまたはアリールを表し、それらは、それぞれ、アルキル、アラルキル、シクロアルキル、シクロアルケニル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニル、アリール、オキソ、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシ、スルホおよびヒドロキシから成る群から選択される1個またはそれ以上の置換基によって任意に置換されていてもよい］
と反応させて、一般構造Vaの化合物：
【化３９】
2007530602.tif 000039
［式中、R1およびR2は、先に定義した通りである］
を得る工程；
（ii）  一般構造Vaの化合物を、適当な還元剤によって還元して、一般構造IXaの化合物、または一般構造IXaおよびIXbの化合物の混合物：
【化４０】
2007530602.tif 000040
［式中、R1およびR2は、先に定義した通りである］
を得る工程；
（iii）  場合により、一般構造IXaの化合物を、一般構造IXaおよびIXbの化合物の混合物から分離する工程；
（iv）  一般構造IXaの化合物を一般構造Xaの化合物に光異性化する工程：
【化４１】
2007530602.tif 000041
［式中、R1およびR2は、先に定義した通りである］；
（v）  R1および／またはR2が水素でない場合、一般構造Xaの化合物のヒドロキシ保護基R1および／またはR2を除去して、カルシポトリオールを得る工程；および
（vi）  場合により、カルシポトリオールを、有機溶媒と水の混合物から結晶化して、カルシポトリオール一水和物を得る工程
を含んで成る、請求項９に記載のカルシポトリオールまたはカルシポトリオール一水和物の製造方法。
【請求項１１】
（i）  一般構造IIIbの化合物：
【化４２】
2007530602.tif 000042
［式中、R1およびR2は、同じかまたは異なり、水素、またはヒドロキシ保護基を表す］
を、塩基の存在下に、一般構造VIIのホスホネート：
【化４３】
2007530602.tif 000043
［式中、R3およびR4は、同じかまたは異なり、アルキル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニルまたはアリールを表し、それらは、それぞれ、アルキル、アラルキル、シクロアルキル、シクロアルケニル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニル、アリール、オキソ、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシ、スルホおよびヒドロキシから成る群から選択される1個またはそれ以上の置換基によって任意に置換されていてもよい］
と反応させて、一般構造Vbの化合物：
【化４４】
2007530602.tif 000044
［式中、R1およびR2は、先に定義した通りである］
を得る工程；
（ii）  一般構造Vbの化合物を、適当な還元剤によって還元して、一般構造Xaの化合物、または一般構造XaおよびXbの化合物の混合物：
【化４５】
2007530602.tif 000045
［式中、R1およびR2は、先に定義した通りである］
を得る工程；
（iii）  場合により、一般構造Xaの化合物を、一般構造XaおよびXbの化合物の混合物から分離する工程；
（iv）  R1および／またはR2が水素でない場合、一般構造Xaの化合物のヒドロキシ保護基R1および／またはR2を除去して、カルシポトリオールを得る工程；および
（v）  場合により、カルシポトリオールを、有機溶媒と水の混合物から結晶化して、カルシポトリオール一水和物を得る工程
を含んで成る、請求項９に記載のカルシポトリオールまたはカルシポトリオール一水和物の製造方法。
【請求項１２】
（i）  一般構造VIaおよび／またはVIbの化合物：
【化４６】
2007530602.tif 000046
［式中、R1およびR2は、同じかまたは異なり、水素、またはヒドロキシ保護基を表す］
を、塩基の存在下に、一般構造VIIのホスホネート：
【化４７】
2007530602.tif 000047
［式中、R3およびR4は、同じかまたは異なり、アルキル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニルまたはアリールを表し、それらは、それぞれ、アルキル、アラルキル、シクロアルキル、シクロアルケニル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニル、アリール、オキソ、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシ、スルホおよびヒドロキシから成る群から選択される1個またはそれ以上の置換基によって任意に置換されていてもよい］
と反応させて、一般構造VIIIaおよび／またはVIIIbの化合物：
【化４８】
2007530602.tif 000048
［式中、R1およびR2は、先に定義した通りである］
を得る工程；
（ii）  一般構造VIIIaおよび／またはVIIIbの化合物を、塩基の存在下に60℃より高い温度に加熱して、一般構造Vaの化合物：
【化４９】
2007530602.tif 000049
［式中、R1およびR2は、先に定義した通りである］
を得る工程；
（iii）  一般構造Vaの化合物を、適当な還元剤によって還元して、一般構造IXaの化合物、または一般構造IXaおよびIXbの化合物の混合物：
【化５０】
2007530602.tif 000050
［式中、R1およびR2は、先に定義した通りである］
を得る工程；
（iv）  場合により、一般構造IXaの化合物を、一般構造IXaおよびIXbの化合物の混合物から分離する工程；
（v）  一般構造IXaの化合物を一般構造Xaの化合物：
【化５１】
2007530602.tif 000051
［式中、R1およびR2は、先に定義した通りである］
に光異性化する工程；
（vi）  R1および／またはR2が水素でない場合、一般構造Xaの化合物のヒドロキシ保護基R1および／またはR2を除去して、カルシポトリオールを得る工程；および
（vii）  場合により、カルシポトリオールを、有機溶媒と水の混合物から結晶化して、カルシポトリオール一水和物を得る工程
を含んで成る、請求項９に記載のカルシポトリオールまたはカルシポトリオール一水和物の製造方法。
【請求項１３】
（i）  一般構造VIaおよび／またはVIbの化合物：
【化５２】
2007530602.tif 000052
［式中、R1およびR2は、同じかまたは異なり、水素、またはヒドロキシ保護基を表す］
を、塩基の存在下に、一般構造VIIのホスホネート：
【化５３】
2007530602.tif 000053
［式中、R3およびR4は、同じかまたは異なり、アルキル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニルまたはアリールを表し、それらは、それぞれ、アルキル、アラルキル、シクロアルキル、シクロアルケニル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニル、アリール、オキソ、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシ、スルホおよびヒドロキシから成る群から選択される1個またはそれ以上の置換基によって任意に置換されていてもよい］
と反応させて、一般構造VIIIaおよび／またはVIIIbの化合物：
【化５４】
2007530602.tif 000054
［式中、R1およびR2は、先に定義した通りである］
を得る工程；
（ii）  一般構造VIIIaおよび／またはVIIIbの化合物を、不活性溶媒中で適当な還元剤によって還元して、一般構造XIaaおよび／またはXIbaの化合物、または一般構造XIaaおよび／またはXIbaならびにXIabおよび／またはXIbbの化合物：
【化５５】
2007530602.tif 000055
【化５６】
2007530602.tif 000056
［式中、R1およびR2は、先に定義した通りである］
の混合物を得る工程；
（iii）  場合により、一般構造XIaaおよび／またはXIbaの化合物を、反応混合物から分離する工程；
（iv）  一般構造XIaaおよび／またはXIbaの化合物を、塩基の存在下に、60℃より高い温度に加熱して、一般構造IXaの化合物：
【化５７】
2007530602.tif 000057
［式中、R1およびR2は、先に定義した通りである］
を得る工程；
（v）  場合により、一般構造IXaの化合物を、反応混合物から分離する工程；
（vi）  一般構造IXaの化合物を、一般構造Xaの化合物：
【化５８】
2007530602.tif 000058
［式中、R1およびR2は、先に定義した通りである］
に光異性化する工程；
（vii）  R1および／またはR2が水素でない場合、一般構造Xaの化合物のヒドロキシ保護基R1および／またはR2を除去して、カルシポトリオールを得る工程；および
（viii）  場合により、カルシポトリオールを、有機溶媒と水の混合物から結晶化して、カルシポトリオール一水和物を得る工程
（工程（vi）および（vii）は逆の順序でもよい）
を含んで成る、請求項９に記載のカルシポトリオールまたはカルシポトリオール一水和物の製造方法。
【請求項１４】
（i）  一般構造XIIIaの化合物：
【化５９】
2007530602.tif 000059
［式中、R1は、水素、またはヒドロキシ保護基を表す］
を、塩基の存在下に、一般構造VIIのホスホネート：
【化６０】
2007530602.tif 000060
［式中、R3およびR4は、同じかまたは異なり、アルキル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニルまたはアリールを表し、それらは、それぞれ、アルキル、アラルキル、シクロアルキル、シクロアルケニル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニル、アリール、オキソ、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシ、スルホおよびヒドロキシから成る群から選択される1個またはそれ以上の置換基によって任意に置換されていてもよい］
と反応させて、一般構造XIVaの化合物：
【化６１】
2007530602.tif 000061
［式中、R1は、先に定義した通りである］
を得る工程；
（ii）  一般構造XIVaの化合物を、適当なヒドロキシル化剤によってヒドロキシル化して、一般構造Vaの化合物：
【化６２】
2007530602.tif 000062
［式中、R1は水素またはヒドロキシ保護基を表し、R2は水素である］
を得る工程；
（iii）  場合により、R1は水素またはヒドロキシ保護基を表し、R2は水素である一般構造Vaの化合物を、適当な保護剤と反応させて、R1およびR2が、同じかまたは異なり、ヒドロキシ保護基を表す一般構造Vaの化合物を得る工程；
（iv）  一般構造Vaの化合物を、適当な還元剤によって還元して、一般構造IXaの化合物、または一般構造IXaおよびIXbの化合物の混合物：
【化６３】
2007530602.tif 000063
［式中、R1およびR2は、先に定義した通りである］
を得る工程；
（v）  場合により、一般構造IXaの化合物を、一般構造IXaおよびIXbの化合物の混合物から分離する工程；
（vi）  一般構造IXaの化合物を、一般構造Xaの化合物：
【化６４】
2007530602.tif 000064
［式中、R1およびR2は、先に定義した通りである］
に光異性化する工程；
（vii）  R1および／またはR2が水素でない場合、一般構造Xaの化合物のヒドロキシ保護基R1および／またはR2を除去して、カルシポトリオールを得る工程；および
（viii）  場合により、カルシポトリオールを、有機溶媒と水の混合物から結晶化して、カルシポトリオール一水和物を得る工程。
を含んで成る、請求項９に記載のカルシポトリオールまたはカルシポトリオール一水和物の製造方法。
【請求項１５】
（i）  一般構造XIIIbの化合物：
【化６５】
2007530602.tif 000065
［式中、R1は、水素、またはヒドロキシ保護基を表す］
を、塩基の存在下に、一般構造VIIのホスホネート：
【化６６】
2007530602.tif 000066
［式中、R3およびR4は、同じかまたは異なり、アルキル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニルまたはアリールを表し、それらは、それぞれ、アルキル、アラルキル、シクロアルキル、シクロアルケニル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニル、アリール、オキソ、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシ、スルホおよびヒドロキシから成る群から選択される1個またはそれ以上の置換基によって任意に置換されていてもよい］
と反応させて、R1は、先に定義した通りである一般構造XIVbの化合物を得る工程；
（ii）  一般構造XIVbの化合物を、一般構造XIVaの化合物：
【化６７】
2007530602.tif 000067
［式中、R1は、先に定義した通りである］
に光異性化する工程；
（iii）  一般構造XIVaの化合物を、適当なヒドロキシル化剤によってヒドロキシル化して、一般構造Vaの化合物：
【化６８】
2007530602.tif 000068
［式中、R1は水素またはヒドロキシ保護基を表し、R2は水素である］
を得る工程；
（iv）  場合により、R1は水素またはヒドロキシ保護基を表し、R2は水素である一般構造Vaの化合物を、適当な保護剤と反応させて、R1およびR2が、同じかまたは異なり、ヒドロキシ保護基を表す一般構造Vaの化合物を得る工程；
（v）  一般構造Vaの化合物を、適当な還元剤によって還元して、一般構造IXaの化合物、または一般構造IXaおよびIXbの化合物の混合物：
【化６９】
2007530602.tif 000069
［式中、R1およびR2は、先に定義した通りである］
を得る工程；
（vi）  場合により、一般構造IXaの化合物を、一般構造IXaおよびIXbの化合物の混合物から分離する工程；
（vii）  一般構造IXaの化合物を、一般構造Xaの化合物：
【化７０】
2007530602.tif 000070
［式中、R1およびR2は、先に定義した通りである］
に光異性化する工程；
（viii）  R1および／またはR2が水素でない場合、一般構造Xaの化合物のヒドロキシ保護基R1および／またはR2を除去して、カルシポトリオールを得る工程；および
（ix）  場合により、カルシポトリオールを、有機溶媒と水の混合物から結晶化して、カルシポトリオール一水和物を得る工程
を含んで成る、請求項９に記載のカルシポトリオールまたはカルシポトリオール一水和物の製造方法。
【請求項１６】
（i）  一般構造XVaおよび／またはXVbの化合物：
【化７１】
2007530602.tif 000071
［式中、R1は、水素、またはヒドロキシ保護基を表す］
を、塩基の存在下に、一般構造VIIのホスホネート：
【化７２】
2007530602.tif 000072
［式中、R3およびR4は、同じかまたは異なり、アルキル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニルまたはアリールを表し、それらは、それぞれ、アルキル、アラルキル、シクロアルキル、シクロアルケニル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニル、アリール、オキソ、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシ、スルホおよびヒドロキシから成る群から選択される1個またはそれ以上の置換基によって任意に置換されていてもよい］
と反応させて、一般構造XVIaおよび／またはXVIbの化合物：
【化７３】
2007530602.tif 000073
［式中、R1は、先に定義した通りである］
を得る工程；
（ii）  一般構造XVIaおよび／またはXVIbの化合物を、塩基の存在下に60℃より高い温度に加熱して、一般構造XIVaの化合物：
【化７４】
2007530602.tif 000074
［式中、R1は、先に定義した通りである］
を得る工程；
（iii）  一般構造XIVaの化合物を、適当なヒドロキシル化剤によってヒドロキシル化して、一般構造Vaの化合物：
【化７５】
2007530602.tif 000075
［式中、R1は水素またはヒドロキシ保護基を表し、R2は水素である］
を得る工程；
（iv）  場合により、R1は水素またはヒドロキシ保護基を表し、R2は水素である一般構造Vaの化合物を、適当な保護剤と反応させて、R1およびR2が、同じかまたは異なり、ヒドロキシ保護基を表す一般構造Vaの化合物を得る工程；
（v）  一般構造Vaの化合物を、適当な還元剤によって還元して、一般構造IXaの化合物、または一般構造IXaおよびIXbの化合物の混合物：
【化７６】
2007530602.tif 000076
［式中、R1およびR2は、先に定義した通りである］
を得る工程；
（vi）  場合により、一般構造IXaの化合物を、一般構造IXaおよびIXbの化合物の混合物から分離する工程；
（vii）  一般構造IXaの化合物を、一般構造Xaの化合物：
【化７７】
2007530602.tif 000077
［式中、R1およびR2は、先に定義した通りである］
に光異性化する工程；
（viii）  R1および／またはR2が水素でない場合、一般構造Xaの化合物のヒドロキシ保護基R1および／またはR2を除去して、カルシポトリオールを得る工程；および
（ix）  場合により、カルシポトリオールを、有機溶媒と水の混合物から結晶化して、カルシポトリオール一水和物を得る工程
を含んで成る、請求項９に記載のカルシポトリオールまたはカルシポトリオール一水和物の製造方法。
【請求項１７】
（i）  一般構造IXXの化合物：
【化７８】
2007530602.tif 000078
［式中、R5は、水素、またはヒドロキシ保護基を表す］
を、塩基の存在下に、一般構造VIIのホスホネート：
【化７９】
2007530602.tif 000079
［式中、R3およびR4は、同じかまたは異なり、アルキル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニルまたはアリールを表し、それらは、それぞれ、アルキル、アラルキル、シクロアルキル、シクロアルケニル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニル、アリール、オキソ、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシ、スルホおよびヒドロキシから成る群から選択される1個またはそれ以上の置換基によって任意に置換されていてもよい］
と反応させて、一般構造XXの化合物：
【化８０】
2007530602.tif 000080
［式中、R5は、先に定義した通りである］
を得る工程；
（ii）  一般構造XXの化合物を、適当な還元剤によって還元して、一般構造XXIaの化合物、または一般構造XXIaおよびXXIbの化合物の混合物：
【化８１】
2007530602.tif 000081
［式中、R5は先に定義した通りであり、R6は水素である］
を得る工程；
（iii）  場合により、一般構造XXIaの化合物を、一般構造XXIaおよびXXIbの化合物の混合物から分離する工程；
（iv）  一般構造XXIaの化合物のアリルヒドロキシ基を、適当なヒドロキシ保護試薬で保護して、R6がヒドロキシ保護基であり、R5が先に定義した通りである一般構造XXIaの化合物を得る工程；
（v）  R5が水素でない場合、一般構造XXIaの化合物のヒドロキシ保護基R5を除去して、R5が水素である一般構造XXIaの化合物を得る工程；
（vi）  一般構造XXIaの化合物のヒドロキシ基を、適当な酸化剤によって酸化して、一般構造XXIIの化合物：
【化８２】
2007530602.tif 000082
［式中、R6は先に定義した通りである］
を得る工程；
（vii）  一般構造XXIIの化合物を、塩基の存在下に、ウイッティッヒ試薬XXIIIaまたはウイッティッヒ・ホルナー試薬XXIIIb：
【化８３】
2007530602.tif 000083
［式中、R1およびR2は水素またはヒドロキシ保護基を表し、R3およびR4は先に定義した通りである］
とカップリングして、一般構造XXIVaの化合物：
【化８４】
2007530602.tif 000084
［式中、R1およびR2は、同じかまたは異なり、水素またはヒドロキシ保護基を表し、R6は先に定義した通りである］
を得る工程；
（viii）  R6が水素でない場合、一般構造XXIVaの化合物のヒドロキシ保護基R6を除去する工程；
（ix）  場合により、一般構造XXIVaの化合物を分離する工程；
（x）  R1およびR2が水素でない場合、一般構造XXIVaの化合物のヒドロキシ保護基R1およびR2を除去して、カルシポトリオールを得る工程；および
（xi）  場合により、カルシポトリオールを、有機溶媒と水の混合物から結晶化して、カルシポトリオール一水和物を得る工程
を含んで成る、請求項９に記載のカルシポトリオールまたはカルシポトリオール一水和物の製造方法。
【請求項１８】
R3およびR4が、（C1〜C6）アルキルである請求項１〜１７のいずれかに記載の製造法。
【請求項１９】
R3およびR4が、メチルまたはエチルである請求項１〜１７のいずれかに記載の製造法。
【請求項２０】
R1およびR2が、水素またはアルキルシリルを表す請求項１〜１９のいずれかに記載の製造法。
【請求項２１】
R1およびR2が、水素またはtert−ブチルジメチルシリルを表す請求項１〜１９のいずれかに記載の製造法。
【請求項２２】
R5がトリエチルシリルを表し、R3がメチルまたはエチルである請求項８または１９に記載の製造法。
【請求項２３】
一般構造VIIのホスホネートとの反応を相間移動条件下に行う請求項１〜２２のいずれかに記載の製造法。
【請求項２４】
一般構造VIIのホスホネートとの反応を、相間移動条件下に、水とトルエンまたはキシレンとの混合物中で、相間移動触媒としてテトラアルキルアンモニウムハライドまたはテトラアルキルアンモニウム硫酸水素塩を使用し、塩基としてアルカリ金属水酸化物および／またはテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドを使用して行う請求項１〜２２のいずれかに記載の製造法。
【請求項２５】
一般構造VIIのホスホネートとの反応を、１０℃〜５０℃の間の温度で行う請求項１〜２４のいずれかに記載の製造法。
【請求項２６】
一般構造Vb：
【化８５】
2007530602.tif 000085
［式中、R1およびR2は、同じかまたは異なり、それぞれヒドロキシ保護基を表すか、またはR1は水素を表し、R2はヒドロキシ保護基を表すか、またはR2は水素を表し、R1はヒドロキシ保護基を表す］
の化合物。
【請求項２７】
20（R）,1（S）,3（R）−ビス（tert−ブチルジメチルシリルオキシ）−20−（3'−シクロプロピル−3'−オキソプロパ−1'（E）−エニル）−9,10−セコプレグナ−5（Z）,7（E）,10（19）−トリエンである請求項２６に記載の化合物。
【請求項２８】
一般構造XIVa：
【化８６】
2007530602.tif 000086
［式中、R1は、水素またはヒドロキシ保護基を表す。但し、R1はtert−ブチルジメチルシリルであることはできない］
の化合物。
【請求項２９】
一般構造XIVbの化合物：
【化８７】
2007530602.tif 000087
［式中、R1は、水素またはヒドロキシ保護基を表す］。
【請求項３０】
一般構造VII：
【化８８】
2007530602.tif 000088
［式中、R3およびR4は、同じかまたは異なり、アルキル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニルまたはアリールを表し、それらは、それぞれ、アルキル、アラルキル、シクロアルキル、シクロアルケニル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニル、アリール、オキソ、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシ、スルホおよびヒドロキシから成る群から選択される1個またはそれ以上の置換基によって任意に置換されていてもよい。但し、該化合物は（2−シクロプロピル−2−オキソエチル）−ホスホン酸ジエチルエステルではない］
の化合物。
【請求項３１】
一般構造IIIa：
【化８９】
2007530602.tif 000089
［式中、R1およびR2は、同じかまたは異なり、水素またはヒドロキシ保護基を表す。但し、R1およびR2の両方ともがtert−ブチルジメチルシリル、tert−ブチルジフェニルシリルまたはトリイソプロピルシリルであることはできず、さらに、R2がtert−ブチルジメチルシリルであるとき、R1はtert−ブチルジフェニルシリルあることはできない］
の化合物。
【請求項３２】
一般構造IIIb：
【化９０】
2007530602.tif 000090
［式中、R1はヒドロキシ保護基を表し、R2は水素またはヒドロキシ保護基を表し；または、R1は水素またはヒドロキシ保護基を表し、R2はアセチル以外のヒドロキシ保護基を表す。但し、R1およびR2の両方ともがtert−ブチルジメチルシリルであることはできない］
の化合物。
【請求項３３】
一般構造VIaまたはVIb：
【化９１】
2007530602.tif 000091
［式中、R1およびR2は、同じかまたは異なり、水素またはヒドロキシ保護基を表す。但し、R1およびR2の両方ともがtert−ブチルジメチルシリルであることはできない］
の化合物。
【請求項３４】
一般構造XIIIaの化合物：
【化９２】
2007530602.tif 000092
［式中、R1は、水素、またはtert−ブチルジメチルシリル以外のヒドロキシ保護基を表す］
の化合物。
【請求項３５】
一般構造XIIIb：
【化９３】
2007530602.tif 000093
［式中、R1は、tert−ブチルジメチルシリル以外のヒドロキシ保護基を表す］
の化合物。
【請求項３６】
一般構造XVaまたはXVb：
【化９４】
2007530602.tif 000094
［式中、R1は、tert−ブチルジメチルシリル、トリイソプロピルシリル、アセチルまたはトリエチルシリル以外のヒドロキシ保護基を表す］
の化合物。
【請求項３７】
一般構造XX：
【化９５】
2007530602.tif 000095
［式中、R5は、水素またはヒドロキシ保護基を表す］
の化合物。
【請求項３８】
一般構造XXIa：
【化９６】
2007530602.tif 000096
［式中、R5はおよびR6は、同じかまたは異なり、水素またはヒドロキシ保護基を表す。但し、R5が水素であるとき、R6はtert−ブチルジメチルシリルではなく、R5がベンゾエートであるとき、R6はtert−ブチルジメチルシリルまたは水素ではない］
の化合物。
【請求項３９】
一般構造XXII：
【化９７】
2007530602.tif 000097
［式中、R6は、水素、またはtert−ブチルジメチルシリル以外のヒドロキシ保護基を表す］
の化合物。
【請求項４０】
一般構造XXIIIb：
【化９８】
2007530602.tif 000098
［式中、R1およびR2は、同じかまたは異なり、水素またはヒドロキシ保護基を表し、R3およびR4は、同じかまたは異なり、アルキル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニルまたはアリールを表し、それらは、それぞれ、アルキル、アラルキル、シクロアルキル、シクロアルケニル、ハロアルキル、ヒドロキシアルキル、アルケニル、アルキニル、アラルキル、アラルケニル、アラルキニル、アリール、オキソ、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、ハロゲン、アルコキシ、カルボキシ、スルホおよびヒドロキシから成る群から選択される1個またはそれ以上の置換基によって任意に置換されていてもよい］
の化合物。
【請求項４１】
一般構造XVIaまたはXVIb：
【化９９】
2007530602.tif 000099
［式中、R1は、水素またはヒドロキシ保護基を表す］
の化合物。
【請求項４２】
請求項２６〜２９のいずれかまたは請求項３１〜４１のいずれかに記載の化合物の、カルシポトリオールまたはカルシポトリオール一水和物の製造における中間体としての使用。
【請求項４３】
（2−シクロプロピル−2−オキソエチル）ホスホン酸ジエチルエステルの、カルシポトリオールまたはカルシポトリオール一水和物の製造における中間体としての使用。
【請求項４４】
請求項３０に記載の化合物の、カルシポトリオールまたはカルシポトリオール一水和物の製造における使用。