【手続補正書】
【提出日】平成19年5月21日(2007.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
読み書き可能な記憶装置を有する情報処理装置において放電を解析する解析方法であって、
メッシュ分割されたシミュレーションモデルの第１，第２の各節点と第２の面の各節点との電位差を、予め定められた各節点の放電前の電荷量および前記シミュレーションモデルの各要素の誘電率に基づいて前記情報処理装置の制御手段により算出する算出ステップと、
前記算出ステップより得られた電位差のうち、前記各節点間の距離から定まるパッシェン電圧を上回る電位差が求められた節点対に関する情報を前記記憶装置に記憶する記憶ステップと、
前記記憶ステップにおいて記憶された節点対に関する情報および前記各節点の放電前の電荷量に基づいて、放電によって移動する電荷量および放電後の電位分布を解析し、前記記憶装置に格納する解析ステップと、
を有することを特徴とする解析方法。
【請求項２】
請求項１において、前記算出ステップにおいて、前記第１の面が尖頭形状の部材のシミュレーションモデルの場合、前記シミュレーションモデルの尖頭部に対応する節点から前記第２の面の各節点との電位差を算出し、前記記憶ステップにおいて、予め得られた放電開始電圧のギャップ長依存性曲線の電圧を上回る電位差に対応する節点対に関する情報を前記記憶装置に記憶することを特徴とする解析方法。
【請求項３】
請求項１において、前記算出ステップにおいて、前記第１，第２の面に電荷を有する粒子が堆積しているシミュレーションモデルの場合、前記粒子の表層部分に位置する節点を電位差の算出の対象とすることを特徴とする解析方法。
【請求項４】
請求項３において、前記算出ステップにおいて、前記粒子が有する電荷は、前記粒子の表層部分に位置する節点の電荷として振り分けられることを特徴とする解析方法。
【請求項５】
請求項１において、前記算出ステップにおいて、前記第１の面の法線方向に対して所定角度以内に含まれる前記第２の面の節点を電位差の算出の対象とすることを特徴とする解析方法。
【請求項６】
請求項３において、前記各要素のシミュレーションモデルの誘電率は前記粒子が占める割合に基づいてそれぞれ定義されることを特徴とする解析方法。
【請求項７】
読み書き可能な記憶装置を有する情報処理装置において放電を解析する解析方法であって、
メッシュ分割されたシミュレーションモデルの第１，第２の面の各セルによって定義される電位差を、予め定められた各セルの放電前の電荷量および前記シミュレーションモデルの各セルによって定義される誘電率に基づいて前記情報処理装置の制御手段により算出する算出ステップと、
前記算出ステップより得られた電位差のうち、前記各節点間の距離から定まるパッシェン電圧を上回る電位差が求められたセル対に関する情報を前記記憶装置に記憶する記憶ステップと、
前記記憶ステップにおいて記憶されたセル対に関する情報および前記各節点の放電前の電荷量に基づいて放電によって移動する電荷量および放電後の電位分布を解析し、前記記憶装置に格納する解析ステップと、
を有することを特徴とする解析方法。
【請求項８】
請求項７において、前記算出ステップにおいて、前記第１の面が尖頭形状の部材のシミュレーションモデルの場合、前記シミュレーションモデルの尖頭部に対応するセルから前記第２の面の各セルとの電位差を算出し、前記記憶ステップにおいて、予め得られた放電開始電圧のギャップ長依存性曲線の電圧を上回る電位差に対応する節点対に関する情報を前記記憶装置に記憶することを特徴とする解析方法。
【請求項９】
請求項７において、前記算出ステップにおいて、前記第１，第２の面に電荷を有する粒子が堆積しているシミュレーションモデルの場合、前記粒子の表層部分に位置するセルを電位差の算出の対象とすることを特徴とする解析方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記各セルのシミュレーションモデルの誘電率は前記粒子が占める割合に基づいてそれぞれ定義されることを特徴とする解析方法。
【請求項１１】
請求項１ないし請求項１０のいずれかの解析方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１２】
放電を解析する情報処理装置であって、
メッシュ分割されたシミュレーションモデルの第１の面の各節点と第２の面の各節点との電位差を、予め定められた各節点の放電前の電荷量および前記シミュレーションモデルの各要素の誘電率に基づいて算出する制御手段と、
前記算出された電位差のうち、前記各節点間の距離から定まるパッシェン電圧を上回る電位差が求められた節点対に関する情報を記憶する記憶手段とを有し、
前記制御手段は、前記記憶手段に記憶された節点対に関する情報および前記各節点の放電前の電荷量に基づいて放電によって移動する電荷量および放電後の電位分布を解析し、前記記憶手段に格納することを特徴とする情報処理装置。
【請求項１３】
放電を解析する情報処理装置であって、
メッシュ分割されたシミュレーションモデルの第１，第２の面の各セルによって定義される電位差を、予め定められた各セルの放電前の電荷量および前記シミュレーションモデルの各セルの誘電率に基づいて算出する制御手段と、
前記算出ステップより得られた電位差のうち、前記各節点間の距離から定まるパッシェン電圧を上回る電位差が求められたセル対に関する情報を記憶する記憶手段とを有し、
前記制御手段は、前記記憶されたセル対に関する情報および前記各節点の放電前の電荷量に基づいて放電によって移動する電荷量および放電後の電位分布を解析することを特徴とする情報処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明は上述した課題を解決するため、読み書き可能な記憶装置を有する情報処理装置において放電を解析する解析方法であって、メッシュ分割されたシミュレーションモデルの第１，第２の各節点と第２の面の各節点との電位差を、予め定められた各節点の放電前の電荷量および前記シミュレーションモデルの各要素の誘電率に基づいて前記情報処理装置の制御手段により算出する算出ステップと、前記算出ステップより得られた電位差のうち、前記各節点間の距離から定まるパッシェン電圧を上回る電位差が求められた節点対に関する情報を前記記憶装置に記憶する記憶ステップと、前記記憶ステップにおいて記憶された節点対に関する情報および前記各節点の放電前の電荷量に基づいて、放電によって移動する電荷量および放電後の電位分布を解析し、前記記憶装置に格納する解析ステップと、を有することを特徴とする解析方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、読み書き可能なメモリを有する情報処理装置において放電現象を解析する解析方法であって、メッシュ分割されたシミュレーションモデルの第１，第２の面の各セルによって定義される電位差を、予め定められた各セルの放電前の電荷量および前記シミュレーションモデルの各セルによって定義される誘電率に基づいて前記情報処理装置の制御手段により算出する算出ステップと、前記算出ステップより得られた電位差のうち、前記各節点間の距離から定まるパッシェン電圧を上回る電位差が求められたセル対に関する情報を前記記憶装置に記憶する記憶ステップと、前記記憶ステップにおいて記憶されたセル対に関する情報および前記各節点の放電前の電荷量に基づいて放電によって移動する電荷量および放電後の電位分布を解析し、前記記憶装置に格納する解析ステップと、を有することを特徴とする解析方法を提供する。