(57)【要約】  損失を低減可能なＤＣ−ＤＣコンバータの提供を課題とする。ＥｉｎとＣ１とが直列接続される。Ｑ１とＱ２とが、それぞれの逆並列ダイオードが同一方向を向くように直列接続される。Ｃ１のＥｉｎと非接続の端子と、Ｑ２のＱ１と非接続の端子とが接続される。ＥｉｎのＣ１と非接続の端子と、Ｑ１のＱ２と非接続の端子とが接続される。ＥｉｎとＣ１との接続点と、Ｑ１とＱ２との接続点との間にＴの巻線Ｎ１が接続され、巻線Ｎ２の１対の端子のうち巻線Ｎ１のＥｉｎに接続される端子と同一の極性の端子がＤ１を介してＣ１とＱ２との接続点に接続され、他方の端子がＥｉｎとＣ１との接続点に接続される。巻線Ｎ３は、整流回路を介して平滑回路に接続される。Ｄ１の向きは、Ｑ１が導通状態の時巻線Ｎ２からＣ１にエネルギーを移送できるように定められる。整流回路は、Ｑ１、Ｑ２のどちらが導通状態の時も同一極性の電圧を平滑回路に印加する。
2007139148.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源と、
第１コンデンサと、
逆並列ダイオードを備える第１半導体スイッチ素子と、
逆並列ダイオードを備える第２半導体スイッチ素子と、
第１ダイオードと、
第１巻線、第２巻線、第３巻線とを備えるトランスと、
整流回路と、
平滑回路と
を備えるフォワード型のＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、
前記直流電源と前記第１コンデンサとが直列に接続され、
前記第１半導体スイッチ素子と前記第２半導体スイッチ素子とが、それぞれの逆並列ダイオードが同一方向を向くように直列接続され、
前記第１コンデンサの前記直流電源とは接続されていない端子と、前記第２半導体スイッチ素子の前記第１半導体スイッチ素子とは接続されていない端子とが接続され、
前記直流電源の前記第１コンデンサとは接続されていない端子と、前記第１半導体スイッチ素子の前記第２半導体スイッチ素子とは接続されていない端子とが接続され、
前記直流電源と前記第１コンデンサとの接続点と、前記第１半導体スイッチ素子と前記第２半導体スイッチ素子との接続点との間に、前記トランスの前記第１巻線が接続され、
前記トランスの前記第２巻線の１対の端子のうち前記第１巻線の前記直流電源に接続される端子と同一の極性の端子が前記第１ダイオードを介して前記第１コンデンサと前記第２半導体スイッチ素子との接続点に接続され、他方の端子が前記直流電源と第１コンデンサとの接続点に接続され、
前記トランスの前記第３巻線は、前記整流回路を介して前記平滑回路に接続され、
前記第１ダイオードの向きは、前記第１半導体スイッチ素子が導通状態の時前記トランスの前記第２巻線から前記第１コンデンサにエネルギーを移送できるように定められ、
前記整流回路は、前記第１半導体スイッチ素子、前記第２半導体スイッチ素子のどちらが導通状態の時も同一の極性の電圧を前記平滑回路に印加する
ことを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項２】
前記平滑回路が、平滑コイルと平滑コンデンサと転流ダイオードとからなることを特徴とする請求項１に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項３】
前記整流回路は第２ダイオードと第３ダイオードとからなり、
前記トランスの前記第３巻線は中間端子を備え、
前記第２ダイオードの第１極性端子が前記第３巻線の一端に接続され、
前記第３ダイオードの第１極性端子が前記第３巻線の他端に接続され、
前記第２ダイオード、前記第３ダイオードそれぞれの第２極性端子がともに前記平滑回路の一対の入力端子の一端に接続され、
前記中間端子が前記平滑回路の入力端子の他端に接続される
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項４】
前記整流回路が、ダイオード４個からなるダイオードブリッジであることを特徴とする請求項１又は２に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項５】
前記第１半導体スイッチ素子の前記逆並列ダイオードが導通状態である期間に前記第１半導体スイッチ素子がターンオンされ、
前記第２半導体スイッチ素子の前記逆並列ダイオードが導通状態である期間に前記第２半導体スイッチ素子がターンオンされることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項６】
前記第１半導体スイッチ素子と並列接続される第２コンデンサと、
前記第２半導体スイッチ素子と並列接続される第３コンデンサと
を備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項７】
前記第１コンデンサの容量は、前記第３コンデンサの容量に比して大きくされることを特徴とする請求項６に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【請求項８】
前記第２コンデンサが非充電状態である期間に前記第１半導体スイッチ素子がターンオンされ、
前記第３コンデンサが非充電状態である期間に前記第２半導体スイッチ素子がターンオンされることを特徴とする請求項６又は７に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＤＣ−ＤＣコンバータに関するものであり、特に、損失を低減することができるＤＣ−ＤＣコンバータに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図３１に示すように、特許文献１に開示されているフライバック型のＤＣ−ＤＣコンバータ１００は、トランジスタＱ１０１のオフ時に、漏れインダクタンスｌｔに蓄えられた電力を、トランジスタＱ１０２の寄生ダイオード、トランス巻線Ｎ１０３を通して、コンデンサＣ１０１に蓄える。コンデンサＣ１０１に蓄えられたエネルギーは、トランジスタＱ１０２をオンすることによりトランスＴを通して２次側へ出力される。【０００３】
また図３２に示すように、特許文献２に開示されているフライバック型のＤＣ−ＤＣコンバータ２０１は、直流入力を交流に変換して後段に設けられるトランス２０２の１次側コイルに伝えるコンバータ回路２０３と、トランス２０２の後段に設けられ、トランス２０２の２次側コイルから得られる交流を整流する整流回路２０４とを備える。コンバータ回路２０３は、ＭＯＳＦＥＴ２０９及び２１０がブリッジ接続されてハーフブリッジを構成し、直列に接続されるコンデンサ２１１及び２１２がＭＯＳＦＥＴ９及び１０に並列に接続されている。また、トランス２０２の１次側コイルのプラス端子がＭＯＳＦＥＴ２０９とＭＯＳＦＥＴ２１０との間に接続され、トランス２０２の１次側コイルのマイナス端子がコンデンサ２１１とコンデンサ２１２との間に接続されている。【０００４】
ＭＯＳＦＥＴ２１０が導通したときには、１次側の電流経路は、コンデンサ２１２からトランス２０２およびＭＯＳＦＥＴ２１０を介してコンデンサ２１２へ戻る経路となる。またＭＯＳＦＥＴ２０９が導通したときには、１次側の電流経路は、コンデンサ２１１からＭＯＳＦＥＴ２０９およびトランス２０２を介してコンデンサ２１１へ戻る経路となる。【０００５】
図３３に、特許文献３に開示されているＤＣ−ＤＣコンバータ３００を示す。半導体スイッチ素子１０５Ａのターンオフ時に、トランスに蓄えられていたエネルギーをスナバコンデンサ１０８Ａと１０７に蓄える。半導体スイッチ素子１０５Ａがターンオンする直前に半導体スイッチ素子１０６Ｂをターンオンすることで、スナバコンデンサ１０７に蓄えられていたエネルギーを電源１０１に回生すると共に、スナバコンデンサ１０８Ａに蓄えられていたエネルギーも電源１０１に回生する。【０００６】
尚、その他の関連技術として、特許文献４乃至９に開示されているＤＣ−ＤＣコンバータがある。【０００７】
【特許文献１】特開２０００−２６２０５５号公報
【特許文献２】特開２００５−２６９７９２号公報
【特許文献３】特開平１１−１４６６４８号公報
【特許文献４】特開平６−２６１５４６号公報
【特許文献５】特開平９−３１２９７号公報
【特許文献６】特開平１１−２２５４７３号公報
【特許文献７】特開平１１−３５６０４５号公報
【特許文献８】特開平５−６４４４８号公報
【特許文献９】特開平８−１０７６７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記特許文献１のフライバック型のＤＣ−ＤＣコンバータ１００の構成を、フォワード型のＤＣ−ＤＣコンバータに適用する場合には、２次側のトランス巻線Ｎ１０２の極性を反転させる必要がある。しかしトランス巻線Ｎ１０２の極性を反転させると、トランジスタＱ１０１のターンオフ時の励磁電流の向きが、トランス巻線Ｎ１０１とＮ１０３とで逆になり、極めて高いサージ電圧が発生するおそれがある。よって、ＤＣ−ＤＣコンバータ１００の構成を、フォワード型のＤＣ−ＤＣコンバータに適用することができないため問題である。【０００９】
また上記特許文献２のフライバック型のＤＣ−ＤＣコンバータ２０１は、ハーフブリッジであるため、トランスの１次巻線には電源電圧の半分の電圧しか印加できない。このため、同一の電力を変換する場合、トランスの１次巻線に流れる電流が大きくなり、それに伴いスイッチング素子における損失が増大するため問題である。【００１０】
また上記特許文献３のＤＣ−ＤＣコンバータ３００では、半導体スイッチ素子１０５Ａについては、スナバコンデンサ１０８Ａを備えることで、スイッチング損失が低減されている。しかしながら、半導体スイッチ素子１０６Ｂのスイッチング損失を低減させる手段については何ら開示されていない。すると、ＤＣ−ＤＣコンバータ３００の半導体スイッチ素子のスイッチング損失を充分に低減させることができないため問題である。【００１１】
またＤＣ−ＤＣコンバータ３００は、１石フォワード型直流−直流変換装置であり、トランスのリセットが必要となる。このＤＣ−ＤＣコンバータ３００は動作デューティを５０％程度にしかできないため、スイッチング損失が大きくなり問題である。【００１２】
本発明は前記従来技術の課題を解消するためになされたものであり、損失を低減することが可能である、新規な回路からなるフォワード型のＤＣ−ＤＣコンバータを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するために、請求項１に係るＤＣ−ＤＣコンバータは、直流電源と、第１コンデンサと、逆並列ダイオードを備える第１半導体スイッチ素子と、逆並列ダイオードを備える第２半導体スイッチ素子と、第１ダイオードと、第１巻線、第２巻線、第３巻線とを備えるトランスと、整流回路と、平滑回路とを備えるフォワード型のＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、直流電源と第１コンデンサとが直列に接続され、第１半導体スイッチ素子と第２半導体スイッチ素子とが、それぞれの逆並列ダイオードが同一方向を向くように直列接続され、第１コンデンサの直流電源とは接続されていない端子と、第２半導体スイッチ素子の第１半導体スイッチ素子とは接続されていない端子とが接続され、直流電源の第１コンデンサとは接続されていない端子と、第１半導体スイッチ素子の第２半導体スイッチ素子とは接続されていない端子とが接続され、直流電源と第１コンデンサとの接続点と、第１半導体スイッチ素子と第２半導体スイッチ素子との接続点との間に、トランスの第１巻線が接続され、トランスの第２巻線の１対の端子のうち第１巻線の直流電源に接続される端子と同一の極性の端子が第１ダイオードを介して第１コンデンサと第２半導体スイッチ素子との接続点に接続され、他方の端子が直流電源と第１コンデンサとの接続点に接続され、トランスの第３巻線は、整流回路を介して平滑回路に接続され、第１ダイオードの向きは、第１半導体スイッチ素子が導通状態の時トランスの第２巻線から第１コンデンサにエネルギーを移送できるように定められ、整流回路は、第１半導体スイッチ素子、第２半導体スイッチ素子のどちらが導通状態の時も同一の極性の電圧を平滑回路に印加することを特徴とする。【００１４】
なお、巻線の端子の極性は、励磁される巻線に印加される電圧の向きと他の巻線に発生する電圧の向きとの相対関係を示すもので、「一方の巻線の端子の極性が他方の巻線の端子の極性と同じである」とは、トランスが励磁状態の時に、一方の巻線の当該端子を基準とした他の端子の電圧の向き（電圧が高いか低いか）が、他方の巻線の当該端子を基準とした他の端子の電圧の向きと同じであることを意味する。【００１５】
第１半導体スイッチ素子が導通状態となると、直流電源からトランスの第１巻線に電流が流れトランスが励磁される。そして、第２巻線、第３巻線に電圧が発生する。第２巻線に発生した電圧により第１ダイオードが導通状態となり、第２巻線から第１コンデンサに電流が流れ、第１コンデンサは充電される。すなわち、第２巻線から第１コンデンサにエネルギーが移送される。また、第３巻線に電圧が発生するので、第３巻線から整流回路を介して平滑回路にエネルギーが供給される。この時、第１巻線には流れる電流によってエネルギーが蓄えられる。【００１６】
第１半導体スイッチ素子が非導通状態に変わると、第１巻線に蓄えられたエネルギーの影響で、第１半導体スイッチ素子に印加される電圧が急上昇する。このとき、第１半導体スイッチ素子においてターンオフ損失が発生する。しかし、本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータでは、第１半導体スイッチ素子に印加される電圧が上昇すると、第２半導体スイッチ素子の逆並列ダイオードが導通して、第１巻線からの電流が第１コンデンサに流れる。すなわち、第１半導体スイッチ素子に印加される電圧は、直流電源の電圧と第１コンデンサの電圧の和の電圧でクランプされる。これにより、第１半導体スイッチ素子のターンオフ損失が低減される。また、第１半導体スイッチ素子の導通期間内に第１巻線に蓄えられたエネルギーの一部が、第１コンデンサに蓄えられる。これにより、ＤＣ−ＤＣコンバータの損失を低減させることができる。【００１７】
第２半導体スイッチ素子が導通状態となると、第１コンデンサからトランスの第１の巻線に電流が流れてトランスが励磁され、これに伴い第２巻線、第３巻線に電圧が発生する。この時、第２巻線に発生する電圧の向きは、第１半導体スイッチ素子が導通状態の時とは逆向きである。そのため、第１ダイオードは遮断状態となる。第３巻線に発生する電圧も、第１半導体スイッチ素子が導通状態となったときとは向きが逆であるが、第１半導体スイッチ素子が導通状態となったときと同様に整流回路を介して平滑回路にエネルギーが供給される。【００１８】
第２半導体スイッチ素子が非導通状態に変わると、第１巻線に蓄えられたエネルギーの影響で、第２半導体スイッチ素子に印加される電圧が急上昇する。第２半導体スイッチ素子に印加される電圧が上昇すると、第１半導体スイッチ素子の逆並列ダイオードがオンして、第１巻線から直流電源に電流が流れる。これにより、第２半導体スイッチ素子に印加される電圧は、直流電源の電圧とコンデンサの電圧の和の電圧でクランプされるため、ターンオフ損失が低減される。また、第２半導体スイッチ素子の導通期間内に第１巻線に蓄えられたエネルギーの一部が、直流電源に回生する。これにより、ＤＣ−ＤＣコンバータの損失を低減させることができる。【００１９】
以上説明したように、フォワード型のＤＣ−ＤＣコンバータの新規な回路が構成される。【００２０】
また請求項２に係るＤＣ−ＤＣコンバータは、請求項１に記載のＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、平滑回路が、平滑コイルと平滑コンデンサと転流ダイオードとからなることを特徴とする。【００２１】
このように構成することにより、請求項１に記載の発明の効果を維持したまま、第１半導体スイッチ素子および第２半導体スイッチ素子の導通期間（オン期間）と非導通期間（オフ期間）との比を調整することで出力電圧を制御することが可能となる。【００２２】
また請求項３に係るＤＣ−ＤＣコンバータは、請求項１又は２に記載のＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、整流回路は第２ダイオードと第３ダイオードとからなり、トランスの第３巻線は中間端子を備え、第２ダイオードの第１極性端子が第３巻線の一端に接続され、第３ダイオードの第１極性端子が第３巻線の他端に接続され、第２ダイオード、第３ダイオードそれぞれの第２極性端子がともに平滑回路の一対の入力端子の一端に接続され、中間端子が平滑回路の入力端子の他端に接続されることを特徴とする。【００２３】
この発明においても、請求項１に記載の発明と同等の効果が得られる。【００２４】
また請求項４に係るＤＣ−ＤＣコンバータは、請求項１又は２に記載のＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、整流回路が、ダイオード４個からなるダイオードブリッジであることを特徴とする。【００２５】
この発明においても、請求項１に記載の発明と同等の効果が得られる。【００２６】
また請求項５に係るＤＣ−ＤＣコンバータは、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、第１半導体スイッチ素子の逆並列ダイオードが導通状態である期間に第１半導体スイッチ素子がターンオンされ、第２半導体スイッチ素子の逆並列ダイオードが導通状態である期間に第２半導体スイッチ素子がターンオンされることを特徴とする。【００２７】
この発明では、第１半導体スイッチ素子の逆並列ダイオードが導通状態である期間に第１半導体スイッチ素子がターンオンされる。この状態では、第１半導体スイッチ素子の端子間電圧は０（Ｖ）であるため、ゼロボルトスイッチング（ＺＶＳ）が行われ、スイッチング損失を低減することができる。同様にして、第２半導体スイッチ素子の逆並列ダイオードが導通状態である期間に第２半導体スイッチ素子がターンオンされることで、ゼロボルトスイッチング（ＺＶＳ）が行われ、スイッチング損失を低減することができる。【００２８】
また請求項６に係るＤＣ−ＤＣコンバータは、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、第１半導体スイッチ素子と並列接続される第２コンデンサと、第２半導体スイッチ素子と並列接続される第３コンデンサとを備えることを特徴とする。【００２９】
この発明では、第１半導体スイッチ素子が導通状態とされる間、第３コンデンサが直流電源と第１コンデンサの電圧との合計電圧まで充電され、第２コンデンサが非充電状態となる。【００３０】
第１半導体スイッチ素子が非導通状態に変わると、第１巻線に流れる電流の連続性によって第２コンデンサが充電される。同時に第３コンデンサに蓄えられたエネルギーが、第１コンデンサおよび第１の巻線を通る経路によって、第１コンデンサに移送される。第２コンデンサの電圧が直流電源と第１コンデンサの電圧との合計電圧まで充電されると、第３コンデンサは非充電状態となり、第２半導体スイッチ素子の逆並列ダイオードが導通状態となる。第１巻線の電流は第２半導体スイッチ素子の逆並列ダイオード、第１コンデンサと流れ、第１巻線に蓄えられたエネルギーが第１コンデンサに移送される。【００３１】
ここで第２コンデンサがない場合には、第１半導体スイッチ素子が導通状態から非導通状態に変わる際、トランスの第１巻線に蓄えられたエネルギーの影響で、第１半導体スイッチ素子に電流が流れ続ける。この電流により、ターンオフ損失が発生する。しかし、本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータでは、第２コンデンサを備えることにより、第１半導体スイッチ素子に流れていた電流の一部が第２コンデンサに分流され、第１半導体スイッチ素子に流れる電流が少なくなる。これにより、第１半導体スイッチ素子のターンオフ損失が低減される。【００３２】
第２半導体スイッチ素子が導通状態から非導通状態に変わると、第１巻線に流れる電流の連続性によって第３コンデンサが充電される。同時に第２コンデンサに蓄えられたエネルギーが、直流電源および第１の巻線を通る経路によって、直流電源に回生される。第３コンデンサの電圧が直流電源と第１コンデンサの電圧との合計電圧まで充電されると、第２コンデンサは非充電状態となり、第１半導体スイッチ素子の逆並列ダイオードが導通状態となる。第１巻線の電流は第１半導体スイッチ素子の逆並列ダイオード、直流電源と流れ、第１巻線に蓄えられたエネルギーが直流電源に回生される。【００３３】
ここで第３コンデンサがない場合には、第２半導体スイッチ素子が導通状態から非導通状態に変わる際、トランスの第１巻線に蓄えられたエネルギーの影響で、第２半導体スイッチ素子に電流が流れ続ける。この電流により、ターンオフ損失が発生する。しかし、本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータでは、第３コンデンサを備えることにより、第２半導体スイッチ素子に流れていた電流の一部が第３コンデンサに分流され、第２半導体スイッチ素子に流れる電流が少なくなる。これにより、第２半導体スイッチ素子のターンオフ損失が低減される。  また、上述したように、第２コンデンサ、第３コンデンサに蓄えられたエネルギーはそれぞれ、直流電源、第１コンデンサに回生、移送されるので、損失にはならない。【００３４】
また請求項７に係るＤＣ−ＤＣコンバータは、請求項６に記載のＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、第１コンデンサの容量は、第３コンデンサの容量に比して大きくされることを特徴とする。【００３５】
第１コンデンサの容量を、第３コンデンサの容量に比して充分に大きくすることで、第３コンデンサに蓄えられた電荷が第１コンデンサに移送される際に、第１コンデンサの電圧の変動を小さくすることができる。【００３６】
また請求項８に係るＤＣ−ＤＣコンバータは、請求項６又は７に記載のＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、第２コンデンサが非充電状態である期間に第１半導体スイッチ素子がターンオンされ、第３コンデンサが非充電状態である期間に第２半導体スイッチ素子がターンオンされることを特徴とする。【００３７】
第２コンデンサの電荷は、第１の巻線を経由して直流電源に回生される。そして回生が終了した後の、第２コンデンサが非充電状態である期間において、トランジスタＱ１がターンオンされる。この状態では、第１半導体スイッチ素子の端子間電圧は０（Ｖ）とされるため、ゼロボルトスイッチング（ＺＶＳ）が行われ、スイッチング損失を低減することができる。同様にして、第３コンデンサが非充電状態である期間において、トランジスタＱ２がターンオンされることで、ゼロボルトスイッチング（ＺＶＳ）が行われ、スイッチング損失を低減することができる。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、損失を低減することができるＤＣ−ＤＣコンバータを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】ＤＣ−ＤＣコンバータ１の回路図である。
【図２】ＤＣ−ＤＣコンバータ１の動作状態を示す図（その１）である。
【図３】ＤＣ−ＤＣコンバータ１の動作状態を示す図（その２）である。
【図４】ＤＣ−ＤＣコンバータ１の動作状態を示す図（その３）である。
【図５】ＤＣ−ＤＣコンバータ１の動作状態を示す図（その４）である。
【図６】ＤＣ−ＤＣコンバータ１の動作状態を示す図（その５）である。
【図７】ＤＣ−ＤＣコンバータ１の動作波形図である。
【図８】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂの回路図である。
【図９】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂの動作状態を示す図（その１）である。
【図１０】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂの動作状態を示す図（その２）である。
【図１１】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂの動作状態を示す図（その３）である。
【図１２】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂの動作状態を示す図（その４）である。
【図１３】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂの動作状態を示す図（その５）である。
【図１４】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂの動作状態を示す図（その６）である。
【図１５】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂの動作状態を示す図（その７）である。
【図１６】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｃの回路図である。
【図１７】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｃの動作状態を示す図（その１）である。
【図１８】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｃの動作状態を示す図（その２）である。
【図１９】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｃの動作状態を示す図（その３）である。
【図２０】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｃの動作状態を示す図（その４）である。
【図２１】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｃの動作状態を示す図（その５）である。
【図２２】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｄの回路図である。
【図２３】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｄの動作状態を示す図（その１）である。
【図２４】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｄの動作状態を示す図（その２）である。
【図２５】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｄの動作状態を示す図（その３）である。
【図２６】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｄの動作状態を示す図（その４）である。
【図２７】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｄの動作状態を示す図（その５）である。
【図２８】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｅの回路図である。
【図２９】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｆの回路図である。
【図３０】ＤＣ−ＤＣコンバータ１ａの回路図である。
【図３１】特許文献１に開示されているフライバック型のＤＣ−ＤＣコンバータ１００の回路図である。
【図３２】特許文献２に開示されているフライバック型のＤＣ−ＤＣコンバータ２０１の回路図である。
【図３３】特許文献３に開示されているＤＣ−ＤＣコンバータ３００の回路図である。
【符号の説明】
【００４０】
Ｅｉｎ  直流電源
Ｃ１  第１コンデンサであるコンデンサ
Ｃ２  平滑コンデンサであるコンデンサ
Ｃ３  第２コンデンサであるコンデンサ
Ｃ４  第３コンデンサであるコンデンサ
Ｑ１  第１半導体スイッチ素子であるトランジスタ
Ｑ２  第２半導体スイッチ素子であるトランジスタ
Ｄ１  第１ダイオードであるダイオード
Ｄ２  第２ダイオードであるダイオード
Ｄ３  第３ダイオードであるダイオード
Ｄ４  転流ダイオード
Ｎ１  第１巻線である巻線
Ｎ２  第２巻線である巻線
Ｎ３ないしＮ５  第３巻線である巻線
Ｔ  トランス
Ｌ４  平滑コイル
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、本発明のＤＣ−ＤＣコンバータについて具体化した第１実施形態を図１乃至図７に基づき図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は、第１実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１の回路図である。直流電源Ｅｉｎの正極と第１コンデンサであるコンデンサＣ１の一端とが、接続点であるノードＮＤ１で直列接続される。第１半導体スイッチ素子であるＮＭＯＳ型トランジスタＱ１のドレイン端子と、第２半導体スイッチ素子であるＮＭＯＳ型トランジスタＱ２のソース端子とが、接続点であるノードＮＤ２で直列接続される。直流電源Ｅｉｎの負極およびトランジスタＱ１のソース端子は、共にグランドに接続される。またコンデンサＣ１の他端とトランジスタＱ２のドレイン端子とが接続される。トランジスタＱ１、Ｑ２のゲート端子には、不図示のコントローラからの制御信号ＶＧ１、ＶＧ２が入力される。ここでコンデンサＣ１の容量は、トランジスタＱ１が導通状態の時に直流電源Ｅｉｎから供給される電力と同等の電力を、トランジスタＱ２が導通状態の時供給できる程度に大きな値にする。またトランジスタＱ１およびＱ２のソース−ゲート間の電圧を、それぞれＶＱ１ｇｓおよびＶＱ２ｇｓとする。またトランジスタＱ１およびＱ２のドレイン−ソース間の電圧を、それぞれＶＱ１ｄｓおよびＶＱ２ｄｓとする。更に、直流電源Ｅｉｎの電圧をＶＥとし、コンデンサＣ１の両端電圧をＶＣ１とする。ＶＱ１ｄｓとＶＱ２ｄｓとの和と、直流電源Ｅｉｎの電圧（ＶＥ）とコンデンサＣ１の電圧（ＶＣ１）との和とが、等しくなる関係が成立する。【００４２】
ＤＣ−ＤＣコンバータ１は、トランスＴを備える。トランスＴは、第１巻線Ｎ１（巻数ｎ１）と第２巻線Ｎ２（巻数ｎ２）と第３巻線Ｎ３、Ｎ４（巻数ｎ３，ｎ４）とを備える。本実施形態では、巻線Ｎ１と巻線Ｎ２との巻数比ｎ１：ｎ２は１：１である。巻線Ｎ２の一端がダイオードＤ１のアノード端子に接続され、ダイオードＤ１のカソード端子がコンデンサＣ１およびトランジスタＱ２に接続される。また巻線Ｎ１の一端が、ノードＮＤ２に接続される。また巻線Ｎ１の他端、巻線Ｎ２の他端がともにノードＮＤ１に接続される。ここで、巻線Ｎ１に流れる電流をＩＴ１とする。また、巻線Ｎ１およびＮ２の電圧を、それぞれＶＴ１およびＶＴ２とする。またトランジスタＱ１およびＱ２に流れる電流を、それぞれＩＱ１およびＩＱ２とする。【００４３】
トランスＴの第３の巻線Ｎ３、Ｎ４には、整流回路を構成するダイオードＤ２およびＤ３、平滑回路を構成するコンデンサＣ２、出力端子ＯＴ１およびＯＴ２が接続される。巻線Ｎ３、Ｎ４はそれぞれの一端が共通端子で接続され、この共通端子が出力端子ＯＴ２に接続される。巻線Ｎ３の他端がダイオードＤ２のアノードに接続され、巻線Ｎ４の他端がダイオードＤ３のアノードに接続される。ダイオードＤ２、Ｄ３のカソードはともに出力端子ＯＴ１に接続される。また出力端子ＯＴ１、ＯＴ２間に平滑用のコンデンサＣ２が接続される。【００４４】
本実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１の動作を説明する。まず立ち上げ時の動作を説明する。ＤＣ−ＤＣコンバータ１の立ち上げに伴い、まず巻線Ｎ２とダイオードＤ１とによって、コンデンサＣ１への充電が行われる。ここでＤＣ−ＤＣコンバータ１の立ち上げ時におけるコンデンサＣ１の充電は、コンデンサＣ１への突入電流の発生を防止するために、ソフトスタート制御が行われる。ソフトスタート制御は、不図示の制御回路により、トランジスタＱ１およびＱ２のオンデューティを除々に大きくすることで行われる。【００４５】
コンデンサＣ１への充電は、巻線Ｎ２によって行われる。ここでＶＣ１の値は、巻線Ｎ１の巻数ｎ１と巻線Ｎ２の巻数ｎ２との巻数比で決まる。本実施形態では、巻数の比はｎ１：ｎ２＝１：１である。よってＶＣ１の値は、直流電源Ｅｉｎの電圧（ＶＥ）と等しい値まで上昇する。【００４６】
次に、ＤＣ−ＤＣコンバータ１の定常状態時の動作を、図２乃至図７を用いて説明する。図２乃至図６には、各動作における回路の動作状態を示す。また図７には動作波形図を示す。時刻ｔ１において、ＶＱ１ｇｓがハイレベルとされ、トランジスタＱ１が導通することで、期間（１）に移行する。【００４７】
期間（１）（図２）において、トランジスタＱ１が導通状態となる（ターンオン）と、直流電源ＥｉｎからトランスＴの巻線Ｎ１に励磁電流が流れ、これにより巻線Ｎ２、Ｎ３、Ｎ４に電圧が発生する。【００４８】
ＶＴ２の値は、巻線Ｎ１とＮ２との巻数の比で決まる値である。本実施形態では、巻数比は１：１であるため、ＶＴ２の値は、ＶＴ１と等しい値（ＶＥ）となる。そして、巻線Ｎ２から、ダイオードＤ１を介して、コンデンサＣ１を通る電流径路が確立され、コンデンサＣ１が充電される。【００４９】
また、トランスＴの巻線Ｎ３、Ｎ４に発生する電圧は、巻線Ｎ１との巻数比で決まる。本実施形態では巻数ｎ３とｎ４とは等しくしてあるので、巻線Ｎ３、Ｎ４には、（ｎ３／ｎ１）×ＶＥの電圧が発生する。そして、ダイオードＤ２が導通状態になるとともにダイオードＤ３が遮断状態になり、巻線Ｎ３から整流回路、平滑回路を介して、不図示の負荷に電圧が印加される。【００５０】
トランジスタＱ１のオン期間が経過すると、時刻ｔ２において、ＶＱ１ｇｓがローレベルに遷移することにより、トランジスタＱ１が非導通状態となり、期間（２）に移行する（図３）。期間（２）においては、巻線Ｎ１のＶＴ１は−ＶＥとなる。このとき、トランスＴの巻線Ｎ１に蓄えられたエネルギーの影響により、ＶＱ１ｄｓが上昇する。ＶＱ１ｄｓが直流電源Ｅｉｎの電圧（ＶＥ）とコンデンサＣ１の電圧（ＶＥ）との和（２×ＶＥ）まで上昇すると、トランジスタＱ２の逆並列ダイオードが導通し、巻線Ｎ１に流れる電流はコンデンサＣ１を流れコンデンサＣ１を充電する。従って、ＶＱ１ｄｓは２×ＶＥに固定されるため、巻線Ｎ１に流れる電流によるドレイン−ソース間電圧の上昇に対する対策を施さない場合に比べて、トランジスタＱ１のターンオフ損失を低減することができる。また、巻線Ｎ１に流れる電流の一部によりコンデンサＣ１が充電され、次に説明する期間（３）で、コンデンサＣ１からトランスＴを介して負荷にエネルギーが供給されるため、ＤＣ−ＤＣコンバータの変換効率が向上する。【００５１】
時刻ｔ３においてＶＱ２ｇｓをハイレベルへ遷移させることにより、トランジスタＱ２が導通状態となり（ターンオン）、期間（３）に移行する（図４）。時刻ｔ３で、巻線Ｎ１、トランジスタＱ２の逆並列ダイオード、コンデンサＣ１と電流が流れ続けていると、ＶＱ２ｄｓは０（Ｖ）であるため、ゼロボルトスイッチング（ＺＶＳ）が行われ、スイッチング損失を低減することができる。【００５２】
この状態では、コンデンサＣ１からトランジスタＱ２、トランスＴの巻線Ｎ１を通る電流経路ができ、コンデンサＣ１からトランスＴの巻線Ｎ１に励磁電流が流れ、巻線Ｎ２、Ｎ３、Ｎ４に電圧が発生する。このとき、巻線Ｎ１が励磁される方向が、トランジスタＱ１が導通状態となった場合と逆になる。よってＶＴ２の極性が反転するため、ダイオードＤ１は遮断状態となり、巻線Ｎ２からコンデンサＣ１への充電経路は遮断される。また、ダイオードＤ２も遮断状態となり、ダイオードＤ３が導通状態となる。このため、巻線Ｎ４から整流回路、平滑回路を介して不図示の負荷に電圧が印加される。このとき、トランジスタＱ２およびトランスＴの巻線Ｎ１に流れる電流は、励磁電流と、巻線Ｎ４に流れる電流の（ｎ４／ｎ１）倍の電流との和になる。【００５３】
ここで、トランジスタＱ１のオン期間中に巻線Ｎ２とダイオードＤ１とによってコンデンサＣ１が充電されるので、コンデンサＣ１には、トランジスタＱ２のオン期間内に直流電源Ｅｉｎと同等のエネルギーを供給できるだけのエネルギーが蓄えられている。これにより、トランジスタＱ１が導通するオン期間（１）とトランジスタＱ２が導通するオン期間（３）との間において、平滑回路のコンデンサＣ２に印加される電圧の差を小さくすることができるため、出力端子ＯＴ１、ＯＴ２間の出力電圧ＶＯ１のリプル分を小さくすることが可能となる。また期間（１）と期間（３）とでコンデンサＣ２に印加される電圧の差を小さくできるため、コンデンサＣ２に流れる電流を小さくすることができ、コンデンサＣ２の寿命が短くなることを防止することが可能となる。【００５４】
トランジスタＱ２のオン期間が経過すると、時刻ｔ４において、ＶＱ２ｇｓをローレベルへ遷移させることにより、トランジスタＱ２が非導通状態となり、期間（４）（図５）に移行する。トランジスタＱ２が非導通状態になると、トランスＴの巻線Ｎ１に蓄えられたエネルギーの影響により、ＶＱ２ｄｓが上昇する。ＶＱ２ｄｓが直流電源Ｅｉｎの電圧（ＶＥ）とコンデンサＣ１の電圧（ＶＥ）との和（２×ＶＥ）まで上昇すると、トランジスタＱ１の逆並列ダイオードが導通し、巻線Ｎ１に流れる電流が直流電源Ｅｉｎに回生する。従って、ＶＱ２ｄｓは２×ＶＥに固定されるため、巻線Ｎ１に流れる電流によるドレイン−ソース間電圧の上昇に対する対策を施さない場合に比べて、トランジスタＱ２のターンオフ損失を低減することができる。また、巻線Ｎ１に流れる電流の一部が直流電源Ｅｉｎに回生されるため、ＤＣ−ＤＣコンバータの変換効率が向上する。【００５５】
ＶＱ２ｄｓの電圧が直流電源Ｅｉｎの電圧（ＶＥ）とコンデンサＣ１の電圧（ＶＥ）との和（２×ＶＥ）まで上昇した後の期間（５）において、巻線Ｎ１を流れる電流は、巻線Ｎ１からトランジスタＱ１を介して直流電源Ｅｉｎに回生する経路か、または、巻線Ｎ２からダイオードＤ１を介してコンデンサＣ１を充電する経路かの何れかの経路で流れる（図６）。なお、励磁電流が何れの経路を流れるかは、回路構成等に応じて決まる。【００５６】
時刻ｔ５においてＶＱ１ｇｓがハイレベルへ遷移されることで、トランジスタＱ１が導通状態となり（ターンオン）、期間（１）へ移行する。以後、期間（１）ないし（５）が繰り返される。【００５７】
以上詳細に説明したとおり、本実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１により、フォワード型のＤＣ−ＤＣコンバータの新規な回路が構成される。そして、トランジスタＱ１、Ｑ２が非導通状態になったときに、ＶＱ１ｄｓ、ＶＱ２ｄｓが一定の電圧（２×ＶＥ）で固定されるため、トランジスタＱ１およびＱ２のターンオフ損失を低減することができる。また、トランジスタＱ１のオフ時に巻線Ｎ１に蓄えられたエネルギーがコンデンサＣ１に移送され、トランジスタＱ２のオフ時に巻線Ｎ１に蓄えられたエネルギーが直流電源Ｅｉｎに回生する。これにより、ＤＣ−ＤＣコンバータの変換効率を向上させることができる。【００５８】
また、コンデンサＣ１の充電は、巻線Ｎ１に蓄えられたエネルギーによる充電のみならず、巻線Ｎ２とダイオードＤ１とによっても行われる。よって、コンデンサＣ１に、トランジスタＱ２のオン期間内に直流電源Ｅｉｎと同等のエネルギーを供給できるだけのエネルギーを蓄えることができる。これにより、トランジスタＱ１が導通するオン期間（１）とトランジスタＱ２が導通するオン期間（３）との間において、平滑回路のコンデンサＣ２に印加される電圧の差を小さくすることができるため、出力端子ＯＴ１、ＯＴ２間の出力電圧ＶＯ１のリプル分を小さくすることが可能となる。またコンデンサＣ２に流れる電流を小さくすることができるため、コンデンサＣ２の寿命が短くなることを防止することが可能となる。【００５９】
また、巻線Ｎ１とＮ２との巻数の比をｎ１：ｎ２＝１：１とすることにより、ＶＴ２は、ＶＴ１と等しくなる。すると、直流電源Ｅｉｎの電圧とコンデンサＣ１の電圧とが等しくなる。これにより、期間（１）と（３）との間で、トランスＴの巻線Ｎ３、Ｎ４に発生する電圧の最大値が等しくなる。これにより、出力電圧ＶＯ１のリプル分を更に小さくすることができる。【００６０】
また、フォワード型のＤＣ−ＤＣコンバータ１を構成することができるため、同じ出力電圧のフライバック型ＤＣ−ＤＣコンバータに比べて、トランスＴのコアを小さくすることができ、ＤＣ−ＤＣコンバータ１の小型化を図ることが可能となる。またフォワード型のコンバータであるため、フライバック型のコンバータに比して、より制御性を向上させることや、より大電力を供給することが可能となる。【００６１】
また、図１に示す本願のＤＣ−ＤＣコンバータ１は、図３２に示す従来のＤＣ−ＤＣコンバータ２０１に対して、ハーフブリッジ回路の下側のコンデンサ２１２を直流電源Ｅｉｎで置き換えて、巻線Ｎ２とダイオードＤ１とを追加した形態を有する。これにより、期間（１）で巻線Ｎ２から上側コンデンサであるコンデンサＣ１を電圧ＶＥに充電し、期間（３）でコンデンサＣ１から巻線Ｎ１へ放電することができるため、コンデンサＣ１を電圧ＶＥの直流電源として用いることができる。するとトランスの１次巻線に入力電源電圧の半分しか印加することができない従来のＤＣ−ＤＣコンバータ２０１に対して、本願のＤＣ−ＤＣコンバータ１では、直流電源Ｅｉｎの全電圧である電圧ＶＥを巻線Ｎ１に印加することが可能となる。つまり、同じ電力を変換する場合、巻線Ｎ１に印加する電圧を高くすることができると、巻線Ｎ１、トランジスタＱ１，Ｑ２に流れる電流を小さくすることができ、損失を低減できる。また、トランスＴの巻線Ｎ１に対して巻線Ｎ３、Ｎ４の巻数を減少させることができる。【００６２】
以下、本発明のＤＣ−ＤＣコンバータについて具体化した第２実施形態を図８乃至図１５に基づき図面を参照しつつ詳細に説明する。図８は、第２実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂの回路図である。直流電源Ｅｉｎの正極と第１コンデンサであるコンデンサＣ１の一端とが、接続点であるノードＮＤ１で直列接続される。第１半導体スイッチ素子であるＮＭＯＳ型トランジスタＱ１のドレイン端子と、第２半導体スイッチ素子であるＮＭＯＳ型トランジスタＱ２のソース端子とが、接続点であるノードＮＤ２で直列接続される。またトランジスタＱ１と並列に、第２コンデンサであるコンデンサＣ３が接続される。またトランジスタＱ２と並列に、第３コンデンサであるコンデンサＣ４が接続される。直流電源Ｅｉｎの負極およびトランジスタＱ１のソース端子は、共にグランドに接続される。またコンデンサＣ１の他端とトランジスタＱ２のドレイン端子とが接続される。トランジスタＱ１、Ｑ２のゲート端子には、不図示のコントローラからの制御信号ＶＧ１、ＶＧ２が入力される。ここでコンデンサＣ１の容量は、トランジスタＱ１が導通状態の時に直流電源Ｅｉｎから供給される電力と同等の電力を、トランジスタＱ２が導通状態の時供給できる程度に大きな値にする。またコンデンサＣ１の容量は、コンデンサＣ４の容量に比して充分に大きい値とされる。またトランジスタＱ１およびＱ２のソース−ゲート間の電圧を、それぞれＶＱ１ｇｓおよびＶＱ２ｇｓとする。またトランジスタＱ１およびＱ２のドレイン−ソース間の電圧を、それぞれＶＱ１ｄｓおよびＶＱ２ｄｓとする。更に、直流電源Ｅｉｎの電圧をＶＥとし、コンデンサＣ１の両端電圧をＶＣ１とする。ＶＱ１ｄｓとＶＱ２ｄｓとの和と、直流電源Ｅｉｎの電圧（ＶＥ）とコンデンサＣ１の電圧（ＶＣ１）との和とが、等しくなる関係が成立する。【００６３】
ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂは、トランスＴを備える。トランスＴは、第１巻線Ｎ１（巻数ｎ１）と第２巻線Ｎ２（巻数ｎ２）と第３巻線Ｎ３、Ｎ４（巻数ｎ３，ｎ４）とを備える。本実施形態では、巻線Ｎ１と巻線Ｎ２との巻数比ｎ１：ｎ２は１：１である。巻線Ｎ２の一端がダイオードＤ１のアノード端子に接続され、ダイオードＤ１のカソード端子がコンデンサＣ１およびトランジスタＱ２に接続される。また巻線Ｎ１の一端が、ノードＮＤ２に接続される。また巻線Ｎ１の他端および巻線Ｎ２の他端がともにノードＮＤ１に接続される。ここで、巻線Ｎ１に流れる電流をＩＴ１とする。また、巻線Ｎ１およびＮ２の電圧を、それぞれＶＴ１およびＶＴ２とする。またトランジスタＱ１およびＱ２に流れる電流を、それぞれＩＱ１およびＩＱ２とする。【００６４】
トランスＴの第３巻線Ｎ３、Ｎ４には、整流回路を構成するダイオードＤ２およびＤ３、平滑回路を構成するコンデンサＣ２、出力端子ＯＴ１およびＯＴ２が接続される。巻線Ｎ３、Ｎ４はそれぞれの一端が共通端子で接続され、この共通端子が出力端子ＯＴ２に接続される。巻線Ｎ３の他端がダイオードＤ２のアノードに接続され、巻線Ｎ４の他端がダイオードＤ３のアノードに接続される。ダイオードＤ２、Ｄ３のカソードは出力端子ＯＴ１に接続される。また出力端子ＯＴ１、ＯＴ２間に平滑用のコンデンサＣ２が接続される。【００６５】
第２実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂの動作を説明する。まず立ち上げ時の動作を説明する。ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂの立ち上げに伴い、まず巻線Ｎ２とダイオードＤ１とによって、コンデンサＣ１への充電が行われる。ここでＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂの立ち上げ時におけるコンデンサＣ１の充電は、コンデンサＣ１への突入電流の発生を防止するために、ソフトスタート制御が行われる。ソフトスタート制御は、不図示の制御回路により、トランジスタＱ１およびＱ２のオンデューティを除々に大きくすることで行われる。【００６６】
コンデンサＣ１への充電は、巻線Ｎ２によって行われる。ここでＶＣ１の値は、巻線Ｎ１の巻数ｎ１と巻線Ｎ２の巻数ｎ２との巻数比で決まる。本実施形態では、巻数の比はｎ１：ｎ２＝１：１である。よってＶＣ１の値は、直流電源Ｅｉｎの電圧（ＶＥ）と等しい値まで上昇する。【００６７】
次に、ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂの定常状態時の動作を、図９乃至図１５を用いて説明する。図９乃至図１５には、各動作における回路の動作状態を示す。時刻ｔ１においてＶＱ１ｇｓがハイレベルとされ、トランジスタＱ１が導通することで、期間（１）に移行する。【００６８】
期間（１）（図９）において、トランジスタＱ１が導通状態となる（ターンオン）と、直流電源ＥｉｎからトランスＴの巻線Ｎ１に励磁電流が流れ、これにより巻線Ｎ２、Ｎ３、Ｎ４に電圧が発生する。このとき、トランジスタＱ２と並列接続されるコンデンサＣ４は、電圧（２×ＶＥ）で充電されているため、ＶＱ２ｄｓは電圧（２×ＶＥ）である。また、ＶＱ１ｄｓは０（Ｖ）である。【００６９】
ＶＴ２の値は、巻線Ｎ１とＮ２との巻数の比で決まる値である。本実施形態では、巻数比は１：１であるため、ＶＴ２の値はＶＴ１と等しい値（ＶＥ）となる。そして、巻線Ｎ２から、ダイオードＤ１を介して、コンデンサＣ１を通る電流径路が確立され、コンデンサＣ１が充電される。【００７０】
また、トランスＴの巻線Ｎ３、Ｎ４に発生する電圧は、巻線Ｎ１との巻数比で決まる。本実施形態では巻数ｎ３とｎ４とは等しくしてあるので、巻線Ｎ３、Ｎ４には、（ｎ３／ｎ１）×ＶＥの電圧が発生する。そして、ダイオードＤ２が導通状態となるとともにダイオードＤ３が遮断状態となり、巻線Ｎ３から整流回路、平滑回路を介して、不図示の負荷に電圧が印加される。【００７１】
トランジスタＱ１のオン期間が経過すると、時刻ｔ２において、ＶＱ１ｇｓがローレベルに遷移することにより、トランジスタＱ１が非導通状態となり、期間（２）に移行する（図１０、図１１）。トランジスタＱ１がターンオフされると、トランスＴの巻線Ｎ１に流れる電流の連続性により、トランジスタＱ１に流れていた電流はコンデンサＣ３に分流され、コンデンサＣ３の充電が開始される。（図１０、矢印Ａ４−１）。【００７２】
ここで、コンデンサＣ３が備えられていない場合には、トランジスタＱ１のターンオフ時に、トランジスタＱ１に流れる電流によりスイッチング損失が発生していた。しかし本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂでは、コンデンサＣ３を備えることにより、第１に、トランジスタＱ１のターンオフ時においてトランジスタＱ１に流れる電流が少なくなるため、トランジスタＱ１でのターンオフ損失を低減できる。また第２に、トランジスタＱ１で消費されていた、巻線Ｎ１に蓄えられたエネルギーを、一度コンデンサＣ３に蓄えた上で後述するように直流電源Ｅｉｎへ回生させることができるため、ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂの変換効率を向上させることが可能となる。【００７３】
またトランジスタＱ１のターンオフにより、コンデンサＣ４に蓄えられた電荷は、コンデンサＣ１および巻線Ｎ１を通る経路によって放電される（図１０、矢印Ａ４−２）。これにより、コンデンサＣ４に蓄えられたエネルギーが、コンデンサＣ１に移送される。なおここで、コンデンサＣ４に蓄えられていたエネルギーは、１つ前の動作サイクルのトランジスタＱ２のターンオフ時に巻線Ｎ１に流れる電流によって蓄えられたエネルギーである。また、コンデンサＣ３の充電およびコンデンサＣ４の放電は、コンデンサＣ３の電圧とＣ４の電圧との和が、直流電源Ｅｉｎの電圧（ＶＥ）とコンデンサＣ１の電圧（ＶＥ）との和（２×ＶＥ）に等しくなるように行われる。【００７４】
また期間（２）では、漏れインダクタンスに蓄えられたエネルギーが放出されるまでの間巻線Ｎ１が励磁されるため、巻線Ｎ２からコンデンサＣ１へ電流が流れ、また巻線Ｎ３から負荷へ電流が流れる（図１０、矢印Ａ４−３）。【００７５】
コンデンサＣ３が（２×ＶＥ）まで充電され、コンデンサＣ４が０（Ｖ）まで放電されると、図１１に示すように、トランジスタＱ２の逆並列ダイオードが導通し、巻線Ｎ１に流れる電流はコンデンサＣ１を流れコンデンサＣ１を充電する。よって、巻線Ｎ１に流れる電流の一部によりコンデンサＣ１が充電され、次に説明する期間（３）で、コンデンサＣ１からトランスＴを介して負荷にエネルギーが供給されるため、ＤＣ−ＤＣコンバータの変換効率が向上する。【００７６】
時刻ｔ３においてＶＱ２ｇｓをハイレベルへ遷移させることにより、トランジスタＱ２が導通状態となり（ターンオン）、期間（３）に移行する（図１２）。時刻ｔ３は、コンデンサＣ４に蓄えられたエネルギーが全てコンデンサＣ１に回生され、コンデンサＣ４が非充電状態とされている時間である。よって、ＶＱ２ｄｓは０（Ｖ）であるため、ゼロボルトスイッチング（ＺＶＳ）が行われ、スイッチング損失を低減することができる。【００７７】
この状態では、コンデンサＣ１からトランジスタＱ２、トランスＴの巻線Ｎ１を通る電流経路ができ、コンデンサＣ１からトランスＴの巻線Ｎ１に励磁電流が流れ、巻線Ｎ２、Ｎ３、Ｎ４に電圧が発生する。このとき、巻線Ｎ１が励磁される方向が、トランジスタＱ１が導通状態となった場合と逆になる。よってＶＴ２の極性がトランジスタＱ１が導通状態の場合と逆になるため、ダイオードＤ１は遮断状態となり、巻線Ｎ２からコンデンサＣ１への充電経路は遮断される。また、ダイオードＤ２も遮断状態となり、ダイオードＤ３が導通状態となる。このため、巻線Ｎ４から整流回路、平滑回路を介して不図示の負荷に電圧が印加される。このとき、トランジスタＱ２およびトランスＴの巻線Ｎ１に流れる電流は、励磁電流と、巻線Ｎ４に流れる電流の（ｎ４／ｎ１）倍の電流との和になる。【００７８】
ここで、トランジスタＱ１のオン期間中に巻線Ｎ２とダイオードＤ１とによってコンデンサＣ１が充電されることにより、コンデンサＣ１には、トランジスタＱ２のオン期間内に直流電源Ｅｉｎと同等のエネルギーを供給できるだけのエネルギーが蓄えられている。これにより、トランジスタＱ１が導通するオン期間（１）とトランジスタＱ２が導通するオン期間（３）との間において、平滑回路のコンデンサＣ２に印加される電圧の差を小さくすることができるため、出力端子ＯＴ１、ＯＴ２間の出力電圧ＶＯ１のリプル分を小さくすることが可能となる。また期間（１）と期間（３）とでコンデンサＣ２に印加される電圧の差を小さくできるため、コンデンサＣ２に流れる電流を小さくすることができ、コンデンサＣ２の寿命が短くなることを防止することが可能となる。【００７９】
トランジスタＱ２のオン期間が経過すると、時刻ｔ４において、ＶＱ２ｇｓをローレベルへ遷移させることにより、トランジスタＱ２が非導通状態となり、期間（４）（図１３、図１４）に移行する。トランジスタＱ２がターンオフされると、トランスＴの巻線Ｎ１に流れる電流の連続性により、トランジスタＱ２に流れていた電流はコンデンサＣ４に分流され、コンデンサＣ４の充電が開始される。（図１３、矢印Ａ７−１）。【００８０】
このようにコンデンサＣ４を備えることにより、第１に、トランジスタＱ２のターンオフ時においてトランジスタＱ２に流れる電流が少なくなるため、トランジスタＱ２でのターンオフ損失を低減できる。また第２に、トランジスタＱ２で消費されていたエネルギーを、一度コンデンサＣ４に蓄えた上で後述するようにコンデンサＣ１へ移送させることができるため、ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂの変換効率を向上させることが可能となる。【００８１】
またトランジスタＱ２のターンオフにより、コンデンサＣ３に蓄えられたエネルギーが、直流電源Ｅｉｎに回生される（図１３、矢印Ａ７−２）。なおここで、コンデンサＣ３に蓄えられていたエネルギーは、期間（２）におけるトランジスタＱ１のターンオフ時において蓄えられたエネルギーである。また、コンデンサＣ４の充電およびコンデンサＣ３の放電は、コンデンサＣ３の電圧とＣ４の電圧との和が、直流電源Ｅｉｎの電圧（ＶＥ）とコンデンサＣ１の電圧（ＶＥ）との和（２×ＶＥ）に等しくなるように行われる。また期間（４）では、漏れインダクタンスに蓄えられたエネルギーが放出されるまでの間巻線Ｎ１が励磁されるため、巻線Ｎ４から負荷へ電流が流れる（図１３、矢印Ａ７−３）。【００８２】
コンデンサＣ４が（２×ＶＥ）まで充電され、コンデンサＣ３が０（Ｖ）まで放電されると、図１４に示すように、トランジスタＱ１の逆並列ダイオードが導通し、巻線Ｎ１に流れる電流は直流電源Ｅｉｎに回生する。よって、巻線Ｎ１に流れる電流の一部が直流電源Ｅｉｎに回生されるため、ＤＣ−ＤＣコンバータの変換効率が向上する。【００８３】
ＶＱ２ｄｓの電圧が直流電源Ｅｉｎの電圧（ＶＥ）とコンデンサＣ１の電圧（ＶＥ）との和（２×ＶＥ）まで上昇した後の期間（５）において巻線Ｎ１を流れる電流は、巻線Ｎ１からトランジスタＱ１を介して直流電源Ｅｉｎに回生する経路か、または、巻線Ｎ２からダイオードＤ１を介してコンデンサＣ１を充電する経路かの何れかの経路で流れる（図１５）。なお、励磁電流が何れの経路を流れるかは、回路構成等に応じて決まる。【００８４】
時刻ｔ５においてＶＱ１ｇｓがハイレベルへ遷移されることで、トランジスタＱ１が導通状態となり（ターンオン）、期間（１）へ移行する。時刻ｔ５は、コンデンサＣ３に蓄えられたエネルギーが全て直流電源Ｅｉｎに回生され、コンデンサＣ３が非充電状態とされている時間である。この状態では、トランジスタＱ１のドレイン−ソース間電圧ＶＱ１ｄｓは０（Ｖ）であるため、ゼロボルトスイッチング（ＺＶＳ）が行われ、スイッチング損失を低減することができる。以後、期間（１）ないし（５）が繰り返される。【００８５】
以上詳細に説明したとおり、第２実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂにより、フォワード型のＤＣ−ＤＣコンバータの新規な回路が構成される。ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂでは、トランジスタＱ１が非導通状態とされると、トランジスタＱ１に流れていた電流はコンデンサＣ３に分流される。また同様にして、トランジスタＱ２が非導通状態とされると、トランジスタＱ２に流れていた電流はコンデンサＣ４に分流される。これにより、トランジスタＱ１およびＱ２のターンオフ時において、トランジスタＱ１およびＱ２に流れる電流が少なくなるため、ターンオフ損失を低減することが可能となる。【００８６】
また、ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂでは、トランジスタＱ１のターンオフ時に、巻線Ｎ１に流れる電流の一部がコンデンサＣ３の充電に供される。そしてその後のトランジスタＱ２のターンオフ時に、コンデンサＣ３に蓄えられたエネルギーが、直流電源Ｅｉｎに回生される。また同様にして、トランジスタＱ２のターンオフ時に、巻線Ｎ１に流れる電流の一部がコンデンサＣ４の充電に供される。そしてその後のトランジスタＱ１のターンオフ時に、コンデンサＣ４に蓄えられたエネルギーが、コンデンサＣ１に移送される。すなわち、巻線Ｎ１に蓄えられていたエネルギー等を、コンデンサＣ３およびＣ４に一度蓄えた上で、直流電源ＥｉｎおよびコンデンサＣ１に回生させることができるため、ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂの変換効率を向上させることが可能となる。トランジスタＱ１のターンオンを、コンデンサＣ３の非充電状態の期間中に行うことにより、ゼロボルトスイッチング（ＺＶＳ）が可能となる。コンデンサＣ３が非充電状態となるのは、トランジスタＱ１の逆並列ダイオードが導通状態となっているときである。しかし、トランジスタＱ１の逆並列ダイオードに流れる電流が、トランジスタＱ１のターンオン前になくなったとしても、コンデンサＣ３の電圧保持機能により、コンデンサＣ３がない場合に比べて、トランジスタＱ１がターンオンするときのＶＱ１ｄｓが低くなる。これにより、例えトランジスタＱ１のターンオン前に逆並列ダイオードに流れる電流がなくなっても、コンデンサＣ３がない場合に比べて、トランジスタＱ１のターンオン損失を低減できる。また、コンデンサＣ４により、トランジスタＱ２のターンオン損失も低減できる。【００８７】
なお、コンデンサＣ１の容量を、コンデンサＣ４の容量に比して充分に大きくすることで、コンデンサＣ４に蓄えられた電荷がコンデンサＣ１へ移送される際の、コンデンサＣ１の電圧の変動を小さくすることができる。これにより、第１コンデンサＣ１から巻線Ｎ１への供給電流を一定値に保持することができるため、２次側の回路へ供給される電流のリプルを低減することができる。【００８８】
図１６は、第３実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１ｃの回路図である。ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｃの２次側には、図１に示す第１実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１の２次側に加えて、転流ダイオードＤ４および平滑コイルＬ４が備えられる。転流ダイオードＤ４のアノードは、巻線Ｎ３およびＮ４の共通端子と出力端子ＯＴ２に接続される。また転流ダイオードＤ４のカソードが、ダイオードＤ２のカソードとＤ３のカソードとの共通接続点に接続されると共に、平滑コイルＬ４の一端に接続される。また平滑コイルＬ４の他端が出力端子ＯＴ１に接続される。なお、その他の構成は第１実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。【００８９】
ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｃの定常状態時の動作を、図１７乃至図２１を用いて説明する。時刻ｔ１において、トランジスタＱ１のＶＱ１ｇｓがハイレベルとされ、トランジスタＱ１が導通することで、期間（１）に移行する。【００９０】
期間（１）（図１７）において、トランジスタＱ１が導通状態となる（ターンオン）と、直流電源ＥｉｎからトランスＴの巻線Ｎ１に励磁電流が流れ、これにより巻線Ｎ２、Ｎ３、Ｎ４に電圧が発生する。【００９１】
ＶＴ２の値は、巻線Ｎ１とＮ２との巻数の比で決まる値である。本実施形態では、巻数比は１：１であるため、ＶＴ２の値は、ＶＴ１と等しい値（ＶＥ）となる。そして、巻線Ｎ２から、ダイオードＤ１を介して、コンデンサＣ１を通る電流径路が確立され、コンデンサＣ１が充電される。【００９２】
また、トランスＴの巻線Ｎ３、Ｎ４に発生する電圧は、巻線Ｎ１との巻数比で決まる。本実施形態では巻数ｎ３とｎ４とは等しくしてあるので、巻線Ｎ３、Ｎ４には、（ｎ３／ｎ１）×ＶＥの電圧が発生する。そして、ダイオードＤ２が導通状態となるとともにダイオードＤ３が遮断状態となり、巻線Ｎ３からダイオードＤ２、平滑コイルＬ４を介して、不図示の負荷に電圧が印加される。このとき、巻線Ｎ３からダイオードＤ２および平滑コイルＬ４を介して不図示の負荷に電流が流れるとともに、平滑コイルＬ４にエネルギーが蓄積される。【００９３】
トランジスタＱ１のオン期間が経過すると、時刻ｔ２において、ＶＱ１ｇｓがローレベルに遷移することにより、トランジスタＱ１が非導通状態となり、期間（２）に移行する（図１８）。期間（２）では、トランジスタＱ１およびＱ２が非導通状態とされ、トランスＴの２次側へエネルギーが供給されない。しかし平滑コイルＬ４から負荷、転流ダイオードＤ４を介して平滑コイルＬ４へ戻る電流経路が形成され、平滑コイルＬ４に蓄えられたエネルギーが負荷に供給される。すなわち、平滑コイルＬ４に流れる電流の連続性により、負荷には電流が流れ続ける。また、平滑コイルＬ４とコンデンサＣ２により、出力電圧が平均化される。【００９４】
時刻ｔ３においてＶＱ２ｇｓをハイレベルへ遷移させることにより、トランジスタＱ２が導通状態となり（ターンオン）、期間（３）に移行する（図１９）。この状態では、コンデンサＣ１からトランジスタＱ２、トランスＴの巻線Ｎ１を通る電流経路ができ、コンデンサＣ１からトランスＴの巻線Ｎ１に励磁電流が流れ、巻線Ｎ２、Ｎ３、Ｎ４に電圧が発生する。このとき、巻線Ｎ４が励磁される方向が、トランジスタＱ１が導通状態となった場合と逆になる。よってダイオードＤ２は遮断状態となり、ダイオードＤ３が導通状態となる。このため、巻線Ｎ４からダイオードＤ３、平滑コイルＬ４を介して不図示の負荷に電圧が印加される。このとき巻線Ｎ４からダイオードＤ３および平滑コイルＬ４を介して不図示の負荷に電流が流れるとともに、平滑コイルＬ４にエネルギーが蓄積される。【００９５】
トランジスタＱ２のオン期間が経過すると、時刻ｔ４において、ＶＱ２ｇｓをローレベルへ遷移させることにより、トランジスタＱ２が非導通状態となり、期間（４）（図２０）に移行する。期間（４）では、期間（２）と同様に、トランジスタＱ１およびＱ２が非導通状態とされ、トランスＴの２次側へエネルギーが供給されない。しかし平滑コイルＬ４から負荷、転流ダイオードＤ４を介して平滑コイルＬ４へ戻る電流経路が形成され、平滑コイルＬ４に蓄えられたエネルギーが負荷に供給される。すなわち、平滑コイルＬ４に流れる電流の連続性により、負荷には電流が流れ続ける。また、平滑コイルＬ４とコンデンサＣ２により、出力電圧が平均化される。【００９６】
ＶＱ２ｄｓの電圧が直流電源Ｅｉｎの電圧（ＶＥ）とコンデンサＣ１の電圧（ＶＥ）との和（２×ＶＥ）まで上昇した後の期間（５）において巻線Ｎ１を流れる電流は、巻線Ｎ１からトランジスタＱ１を介して直流電源Ｅｉｎに回生する経路か、または、巻線Ｎ２からダイオードＤ１を介してコンデンサＣ１を充電する経路かの何れかの経路で流れる（図２１）。また期間（５）においても、平滑コイルＬ４から負荷、転流ダイオードＤ４を介して平滑コイルＬ４へ戻る電流経路によって、平滑コイルＬ４に蓄えられたエネルギーが負荷に供給される。【００９７】
時刻ｔ５においてＶＱ１ｇｓがハイレベルへ遷移されることで、トランジスタＱ１が導通状態となり（ターンオン）、期間（１）へ移行する。以後、期間（１）ないし（５）が繰り返される。【００９８】
以上詳細に説明したとおり、第３実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１ｃでは、トランジスタＱ１およびＱ２が共に非導通状態である期間（２），（４）においても、平滑コイルＬ４に蓄えられたエネルギーを負荷へ供給することができる。また、平滑コイルＬ４、コンデンサＣ２により、巻線Ｎ３、Ｎ４に発生する電圧を平均化するため、トランジスタＱ１、Ｑ２のデューティを調整することにより、出力電圧を制御することができる。【００９９】
図２２は、第４実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１ｄの回路図である。ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｄの２次側には、図１に示す第１実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１の２次側のダイオードＤ２、Ｄ３に代えて、ダイオードＤ５ないしＤ８からなるダイオードブリッジが備えられる。また平滑コイルＬ４が備えられる。【０１００】
ダイオードＤ５のアノードとダイオードＤ６のアノードが互いに共通接続された上で出力端子ＯＴ２へ接続される。またダイオードＤ７のカソードとダイオードＤ８のカソードが互いに共通接続された上で平滑コイルＬ４の一端へ接続される。ダイオードＤ６のカソードとダイオードＤ７のアノードとが互いに共通接続された上で巻線Ｎ５の一端に接続される。またダイオードＤ５のカソードとダイオードＤ８のアノードとが互いに共通接続された上で巻線Ｎ５の他端に接続される。また平滑コイルＬ４の他端は出力端子ＯＴ１に接続される。なお、その他の構成は第１実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。【０１０１】
第４実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１ｄの定常状態時の動作を、図２３乃至図２７を用いて説明する。時刻ｔ１において、トランジスタＱ１のＶＱ１ｇｓがハイレベルとされ、トランジスタＱ１が導通することで、期間（１）に移行する。【０１０２】
期間（１）（図２３）において、トランジスタＱ１が導通状態となる（ターンオン）と、直流電源ＥｉｎからトランスＴの巻線Ｎ１に励磁電流が流れ、これにより巻線Ｎ２、Ｎ５に電圧が発生する。【０１０３】
ＶＴ２の値は、巻線Ｎ１とＮ２との巻数の比で決まる値である。本実施形態では、巻数比は１：１であるため、ＶＴ２の値は、ＶＴ１と等しい値（ＶＥ）となる。そして、巻線Ｎ２から、ダイオードＤ１を介して、コンデンサＣ１を通る電流径路が確立され、コンデンサＣ１が充電される。【０１０４】
また、トランスＴの巻線Ｎ５に発生する電圧は、巻線Ｎ１との巻数比で決まる。そして、ダイオードＤ７およびＤ５が導通状態になるとともにダイオードＤ６およびＤ８が遮断状態となり、巻線Ｎ５からダイオードＤ７、平滑コイルＬ４、負荷、ダイオードＤ５を介して巻線Ｎ５へ至る電流経路が形成され、負荷に電力が供給される。またこのとき、平滑コイルＬ４にエネルギーが蓄積される。この時ダイオードブリッジを構成するダイオードＤ７およびＤ５が整流回路のダイオードとして機能している。【０１０５】
トランジスタＱ１のオン期間が経過すると、時刻ｔ２において、ＶＱ１ｇｓがローレベルに遷移することにより、トランジスタＱ１が非導通状態となり、期間（２）に移行する（図２４）。期間（２）では、トランジスタＱ１およびＱ２が非導通状態となり、トランスＴの巻線Ｎ５から負荷へはエネルギーが供給されない。しかし平滑コイルＬ４から負荷、ダイオードＤ６およびＤ７を介して平滑コイルＬ４へ戻る電流経路が形成され、平滑コイルＬ４に蓄えられたエネルギーが負荷に供給される。すなわち、平滑コイルＬ４に流れる電流の連続性により、負荷には電流が流れ続ける。また、平滑コイルＬ４とコンデンサＣ２により、出力電圧が平均化される。そして期間（２）では、ダイオードブリッジを構成するダイオードＤ６およびＤ７が、電流経路を形成するための転流ダイオードとして機能している。【０１０６】
時刻ｔ３においてＶＱ２ｇｓをハイレベルへ遷移させることにより、トランジスタＱ２が導通状態となり（ターンオン）、期間（３）に移行する（図２５）。この状態では、コンデンサＣ１からトランジスタＱ２、トランスＴの巻線Ｎ１を通る電流経路ができ、コンデンサＣ１からトランスＴの巻線Ｎ１に励磁電流が流れ、巻線Ｎ２、Ｎ５に電圧が発生する。このとき、巻線Ｎ５が励磁される方向が、トランジスタＱ１が導通状態となった場合と逆になる。よって、巻線Ｎ５からダイオードＤ８、平滑コイルＬ４、負荷、ダイオードＤ６を介して巻線Ｎ５へ至る電流経路が形成され、不図示の負荷に電流が流れるとともに、平滑コイルＬ４にエネルギーが蓄積される。この時ダイオードブリッジを構成するダイオードＤ８およびＤ６が整流回路のダイオードとして機能している。【０１０７】
トランジスタＱ２のオン期間が経過すると、時刻ｔ４において、ＶＱ２ｇｓをローレベルへ遷移させることにより、トランジスタＱ２が非導通状態となり、期間（４）（図２６）に移行する。期間（４）では、トランジスタＱ１およびＱ２が非導通状態となり、トランスＴの巻線Ｎ５から負荷へはエネルギーが供給されない。しかし平滑コイルＬ４から負荷、ダイオードＤ５およびＤ８を介して平滑コイルＬ４へ戻る電流経路が形成され、平滑コイルＬ４に蓄えられたエネルギーが負荷に供給される。すなわち期間（４）では、ダイオードブリッジを構成するダイオードＤ５およびＤ８が、電流経路を形成するための転流ダイオードとして機能している。【０１０８】
ＶＱ２ｄｓの電圧が直流電源Ｅｉｎの電圧（ＶＥ）とコンデンサＣ１の電圧（ＶＥ）との和（２×ＶＥ）まで上昇した後の期間（５）において巻線Ｎ１を流れる電流は、巻線Ｎ１からトランジスタＱ１を介して直流電源Ｅｉｎに回生する経路か、または、巻線Ｎ２からダイオードＤ１を介してコンデンサＣ１を充電する経路かの何れかの経路で流れる（図２７）。また期間（５）においても、平滑コイルＬ４から負荷、ダイオードＤ５およびＤ８を介して平滑コイルＬ４へ戻る電流経路によって、平滑コイルＬ４に蓄えられたエネルギーが負荷に供給される。【０１０９】
時刻ｔ５においてＶＱ１ｇｓがハイレベルへ遷移されることで、トランジスタＱ１が導通状態となり（ターンオン）、期間（１）へ移行する。以後、期間（１）ないし（５）が繰り返される。【０１１０】
以上詳細に説明したとおり、第４実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１ｄでは、トランジスタＱ１およびＱ２が共に非導通状態である期間（２），（４）においても、平滑コイルＬ４に蓄えられたエネルギーを負荷へ供給する。また、平滑コイルＬ４、コンデンサＣ２により、巻線Ｎ５に発生する電圧を平均化するため、トランジスタＱ１、Ｑ２のデューティを調整することにより、出力電圧を制御することができる。【０１１１】
また第４実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１ｄでは、ダイオードブリッジを用いることにより巻線Ｎ５の中間端子が不要となるため、トランスＴの小型化を図ることが可能となる。またダイオードブリッジを構成するダイオードＤ６およびＤ７のペア、ダイオードＤ５およびＤ８のペアが、転流ダイオードとしても利用される。【０１１２】
図２８は、第５実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１ｅの回路図である。ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｅの回路のうち、トランスの巻線Ｎ１、巻線Ｎ２に接続される回路は図８に示す第２実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂと同一であり、トランスの巻線Ｎ３、Ｎ４に接続される回路は図１６に示す第３実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１ｃと同一である。ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｅにおいても、コンバータ１ｂと同様に変換効率を向上させることが可能となる。また、コンバータ１ｃと同様に、トランジスタＱ１、Ｑ２のデューティを調整することにより、出力電圧を制御することができる。【０１１３】
図２９は、第６実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１ｆの回路図である。ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｆの回路のうち、トランスの巻線Ｎ１、巻線Ｎ２に接続される回路は図８に示す第２実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１ｂと同一であり、トランスの巻線Ｎ５に接続される回路は図２２に示す第４実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータ１ｃと同一である。ＤＣ−ＤＣコンバータ１ｆにおいても、コンバータ１ｂと同様に変換効率を向上させることが可能となる。また、コンバータ１ｄと同様に、トランジスタＱ１、Ｑ２のデューティを調整することにより、出力電圧を制御することができる。【０１１４】
尚、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能であることは言うまでもない。本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータは、図１に示すＤＣ−ＤＣコンバータ１の構成に限られない。図３０に示すＤＣ−ＤＣコンバータ１ａのように、グランドに対してコンデンサＣ１と直流電源Ｅｉｎとを逆に接続する構成としてもよい。この場合にも前述の効果が得られる。この構成は、第２実施形態ないし第６実施形態にも適用できる。【０１１５】
また、トランジスタＱ１、Ｑ２は逆並列ダイオードを備えるとした。ここで逆並列ダイオードは、トランジスタＱ１、Ｑ２のボディダイオードでもよいし、別途ダイオード素子を用いて構成してもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【国際調査報告】
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