【手続補正書】
【提出日】平成30年11月22日(2018.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１焦点（Ｆ１）から出た電磁線を反射してそれらを第２焦点（Ｆ２）に集束させる光学有効ミラー面（１１７）を有する光学格子（１１２）を備えたミラーであって、前記第１焦点（Ｆ１）及び前記第２焦点（Ｆ２）は、前記光学格子（１１２）のうち前記ミラー面（１１７）に面する側にあり光軸（ＯＡ）を規定し、前記光学格子（１１２）は、ファセット面（１１５）をそれぞれが有する複数のミラーファセット（１１４）を含み、前記ファセット面（１１５）は、前記格子（１１２）の前記ミラー面を形成するミラーにおいて、前記ファセット面（１１５）は、前記光軸（ＯＡ）を含む断面（１１６）において複数の仮想楕円シェル（１１８ａ〜１１８ｊ）上に配置され、該複数の仮想楕円シェル（１１８ａ〜１１８ｊ）は、前記光軸（ＯＡ）に沿って相互に変位し且つ共通の数学的焦点位置が前記第１焦点（Ｆ１）及び前記第２焦点（Ｆ２）と一致し、前記ファセット面（１１５）は、該ファセット面（１１５）が仮想円形線（２０４）の少なくとも一部との前記楕円シェル（１１８ａ〜１１８ｊ）の交点（Ｐｎ）に配置されるように前記楕円シェル（１１８ａ〜１１８ｊ）に沿って分配され、前記円形線上の点（Ｐ）毎に、前記第１焦点から前記点（Ｐ）までの距離と該点（Ｐ）から前記第２焦点までの距離との比が同じ値を有することを特徴とするミラー。
【請求項２】
請求項１に記載のミラーにおいて、前記ミラーファセット（１１５）の基点（１１５ｎ）が、前記交点（Ｐｎ）に配置されることを特徴とするミラー。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のミラーにおいて、前記ミラー面（１１７）は、前記光軸（ＯＡ）の完全に外側に配置されることを特徴とするミラー。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のミラーにおいて、前記ミラー面（１７；１１７）は、前記仮想楕円シェル（１８ａ〜１８ｊ；１１８ａ〜１１８ｊ）に沿って延び、隣接するミラーファセット対の周縁領域側ミラーファセット（１４；１１４）が第１楕円シェル（１８ａ〜１８ｊ；１１８ａ〜１１８ｊ）上に配置され、前記ミラーファセット対の頂点領域側ミラーファセット（１４；１１４）が前記第１楕円シェル（１８ａ〜１８ｊ；１１８ａ〜１１８ｊ）に隣接した第２楕円シェル（１８ａ〜１８ｊ；１１８ａ〜１１８ｊ）上に配置され、前記第１楕円シェル（１８ａ〜１８ｊ；１１８ａ〜１１８ｊ）は、前記光軸（ＯＡ）に沿って前記第２楕円シェル（１８ａ〜１８ｊ；１１８ａ〜１１８ｊ）から前記第１焦点（Ｆ１）の方に変位することを特徴とするミラー。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のミラーにおいて、前記光学格子（１１２）は、ブレーズド格子又はフレネル構造であることを特徴とするミラー。
【請求項６】
請求項５に記載のミラーにおいて、前記ブレーズド格子（１２）は、前記ファセット面（１５）が格子表面（５０）に対してそれぞれ局所的に傾斜するブレーズ角（６０）を有し、該ブレーズ角（６０）は、周縁領域（２２）から頂点領域（２０）に向かって増加することを特徴とするミラー。
【請求項７】
請求項６に記載のミラーにおいて、前記光学有効ミラー面（１７；１１７）は、第１焦点（Ｆ１）から出たＥＵＶスペクトル域の電磁使用線（２３、２５、３５、４２、４３）を反射してそれらを第２焦点（Ｆ２）に集束させ、前記光学格子（１２；１１２）は、前記第２焦点（Ｆ２）に配置された絞り（３８）と相互作用して、前記使用線（２３、２５、３５、４２、４３）を前記絞り（３８）に通過させ且つＥＵＶスペクトル域以外の残留スペクトル域の電磁残留線（３６、４７）を遮断するよう設計され、前記格子（１２；１１２）は、前記残留線（３６、４７）を回折させる回折格子を含み、前記ミラー面（１７；１１７）で反射された前記使用線（２３、２５、３５、４２、４３）は、０次回折の回折残留線（４７’）から前記ブレーズ角（６０）の少なくとも２倍で偏向され、且つ／又は０次回折の前記回折残留線（４７’、５１）と１次回折の前記回折残留線（４７’、５１）との間を通ることを特徴とするミラー。
【請求項８】
請求項７に記載のミラーにおいて、前記残留スペクトル域は赤外スペクトル域を含み、前記０次回折及び前記１次回折は、前記残留スペクトル域の最小波長を有する前記回折残留線（４７’、５１）に関係することを特徴とするミラー。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載のミラーにおいて、それぞれ唯一のファセット面（１５；１１５）が前記楕円シェル（１８ａ〜１８ｊ；１１８ａ〜１１８ｊ）上に配置されることを特徴とするミラー。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載のミラーにおいて、前記楕円シェル（１８ａ〜１８ｊ；１１８ａ〜１１８ｊ）は、前記光軸（ＯＡ）に沿って相互から実質的に等距離に離間していることを特徴とするミラー。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載のミラーにおいて、少なくとも２つのミラーファセット（１４）は、少なくとも約０の焦点距離逆数値を有すること、又は少なくとも２つのミラーファセット（１４；１１４）は、同一の焦点距離逆数値を有することを特徴とするミラー。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載のミラーにおいて、前記ファセット面（１５）は、前記断面（１６）においてそれぞれファセット長（６４）を有し、少なくとも２つのファセット長（６４）が異なり、且つ／又は該ファセット長（６４）は、前記残留スペクトル域の最小波長（λｍｉｎ）に応じて選択された最大ファセット長を超えないことを特徴とするミラー。
【請求項１３】
請求項１２に記載のミラーにおいて、前記ファセット長（６４）は、１０μｍ〜２００μｍの範囲にあることを特徴とするミラー。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載のミラーにおいて、前記格子（１２）は、０ｎｍ〜０．２ｎｍの範囲の表面粗さを有することを特徴とするミラー。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載のミラーにおいて、前記格子（１２）は、０μｍ〜１μｍの範囲の半径を有する縁丸みを有することを特徴とするミラー。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１項に記載のミラーにおいて、前記格子（１２）は、加工工具（７０）を格子工作物（７１）に対して螺旋状経路（８２）及び／又は同心円（８４ａ〜８４ｊ）から構成される経路配置（８４）に沿って移動させる超精密旋削法で前記格子工作物（７１）から作製されることを特徴とするミラー。
【請求項１７】
請求項１６に記載のミラーにおいて、前記ミラーファセット（１４）は、前記ミラー面（１７）を前記加工工具（７０）のうち前記ミラー面（１７）に面する圧力側（７２）と係合させる単一の機械加工プロセスでそれぞれ作製されることを特徴とするミラー。
【請求項１８】
請求項１６又は１７に記載のミラーにおいて、前記ファセット面（１５）は、前記超精密旋削法の下流で、イオンビーム及び／又は少なくとも１つの液膜を用いて平滑化法で表面加工されることを特徴とするミラー。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか１項に記載のミラーにおいて、前記ファセット面（１５）は、モリブデン及びケイ素の複数の交互個別層を含む層スタックでコーティングされ、前記個別層の層厚が、個々の前記ファセット面（１５）に関する局所光線入射角（４５）に応じて選択されることを特徴とするミラー。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか１項に記載のミラーにおいて、前記ミラーは、ＥＵＶマイクロリソグラフィシステム用のコレクタミラーであることを特徴とするミラー。