【手続補正書】
【提出日】平成19年11月7日(2007.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板上にシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜をパターニングする工程と、
パターニングされたシリコン窒化膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることで、前記半導体基板にトレンチを形成する工程と、
前記トレンチの内部が埋め込まれるように、シリコン酸化膜を堆積する工程と、
前記トレンチからはみ出したシリコン酸化膜をＣＭＰ法により除去することで、前記半導体基板のトレンチ内部に分離酸化膜を形成する工程と、
前記分離酸化膜の膜厚を測定する工程と、
測定された前記分離酸化膜の膜厚に基づいてフィードフォワード方式により設定された条件で、前記分離酸化膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】  請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記分離酸化膜をエッチングする工程では、測定された前記分離酸化膜の膜厚に基づいて、予め生成された複数の条件の中から１つの条件が選択され、選択された条件で前記分離酸化膜がエッチングされることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】  請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記分離酸化膜を形成した後、前記シリコン窒化膜を除去する工程を更に含み、
前記シリコン窒化膜を除去した後に、前記分離酸化膜の膜厚を測定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体装置の製造方法であって、
半導体基板上にシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜をパターニングする工程と、
パターニングされたシリコン窒化膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることで、前記半導体基板にトレンチを形成する工程と、
前記トレンチの内部が埋め込まれるように、シリコン酸化膜を堆積する工程と、
前記トレンチからはみ出したシリコン酸化膜をＣＭＰ法により除去することで、前記半導体基板のトレンチ内部に分離酸化膜を形成する工程と、
前記分離酸化膜の膜厚を測定する工程と、
測定された前記分離酸化膜の膜厚に基づいてフィードフォワード方式により設定された条件で、前記分離酸化膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
【発明の効果】
この発明は以上説明したように構成されているので、以下に示すような効果を奏する。
本発明によれば、処理の対象となるウェハの状態を、フィードフォワードの手法でそのウェハの処理条件に反映させることができる。従って、本発明によれば、品質の安定した半導体装置を高い歩留まりで製造することができる。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
本発明によれば、被処理膜の物理量をその膜のエッチング条件に反映させることができる。このため、本発明によれば、被処理膜のエッチングを精度良く行うことができる。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
本発明によれば、被処理膜の膜厚をエッチング条件に反映させることができる。このため、本発明によれば、膜厚のばらつきに関わらず、被処理膜を精度良くエッチングすることができる。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
本発明によれば、被処理膜に含有される不純物濃度をエッチング条件に反映させることができる。このため、本発明によれば、不純物濃度の相違に起因するエッチング速度の相違に関わらず、被処理膜を精度良くエッチングすることができる。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
本発明によれば、被処理膜の屈折率をエッチング条件に反映させることができる。このため、本発明によれば、屈折率の相違に起因するエッチング速度の相違に関わらず、被処理膜を精度良くエッチングすることができる。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
本発明によれば、被処理膜の寸法をエッチング条件に反映させることができる。このため、本発明によれば、エッチング処理の開始時点における寸法の相違に関わらず、被処理膜を精度良く所望の寸法まで縮小させることができる。
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
本発明によれば、測定値に応じた処理条件をメインコンピュータ内で決定し、その条件を処理装置に設定することができる。
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
本発明によれば、測定値に応じた処理条件を、処理装置の内部で決定することができる。
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
本発明によれば、薬液の状態に応じてウェットエッチングの条件を補正することができる。このため、本発明によれば、薬液の変質に関わらず、常に被処理膜を精度良くウェットエッチングすることができる。
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
本発明によれば、安定した品質を有し、かつ、高い歩留まりで製造し得る特性を持つ半導体装置を実現することができる。