【手続補正書】
【提出日】平成20年6月6日(2008.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのポリマーを検出するためのシステムであって、
前記ポリマーが通過可能な開口部を有する少なくとも１つの検出領域を有する少なくとも１つの半導体装置を含み、前記開口部は、約１００ｎｍ以下の断面を有し、前記少なくとも１つのポリマーが前記開口部を通過する間に少なくとも前記ポリマーの構成要素の電荷が前記領域に鏡像電荷を作成するよう構成されており、前記鏡像電荷は、前記構成要素の電荷に関連する量により、前記領域の導電性を高めるのに十分である、システム。
【請求項２】
前記構成要素が核酸鎖の塩基を含み；
前記検出領域が前記核酸鎖の前記塩基を表す前記電荷を検出するようになっている、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記検出領域がさらに前記検出された電荷を表す信号を生成するようになっている、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記開口部を通る前記ポリマーの動きを容易にするために前記半導体装置において動きを生成するようになっている励起装置をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記半導体装置が複数の前記検出領域を含み；
前記検出領域のそれぞれがその近くの前記少なくとも１つのポリマーの構成要素を表す電荷を検出するようになっている、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記半導体装置が少なくとも２つのドープ領域をさらに含み；
前記検出領域が前記検出領域の近くの前記構成要素の存在に応じて前記２つのドープ領域間に電流を送るようになっている、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記半導体装置が、複数のドープ領域、および対になった前記ドープ領域のそれぞれと関連するそれぞれの検出領域を含み、それぞれの前記検出領域がその近くの構成要素の存在に応じて前記対になったドープ領域のそれぞれの間に電流を送るようになっている、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
複数の前記半導体装置をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記検出領域によってその近くの前記構成要素に応じて生成された信号を検出するようになっている検出器をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記開口部は実質的に円形であり、前記断面は直径約１００ｎｍ以下である、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記直径は、約１ｎｍから約１０ｎｍの範囲である、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記断面は、約１ｎｍから約１０ｎｍの範囲である、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記開口部の前記断面は、複数の前記ポリマーが前記開口部を一度に通過するのを防ぐような寸法を有している、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記構成要素は、前記ポリマーの構成要素を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
少なくとも１つのポリマーを検出するための方法であって、
少なくとも１つの半導体装置の検出領域の開口部を通って前記ポリマーの一部を通過させ、前記開口部は、約１００ｎｍ以下の断面を有し、前記ポリマーの一部が前記開口部を通過する間に、少なくとも前記ポリマーの構成要素の電荷が前記領域に鏡像電荷を作成でき、前記鏡像電荷は、前記構成要素の電荷に関連する量により、前記領域の導電性を高めるのに十分であるステップと、
電位を前記領域に印加し、前記装置を通る電流を生成するステップと、
前記電流に基づき前記構成要素を特定するステップと、を含む方法。
【請求項１６】
前記構成要素が核酸鎖の塩基を含み；
前記検出ステップが前記核酸鎖の前記塩基を表す前記電荷を検出する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記検出領域において前記検出された電荷を表す信号を生成するステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記開口部を通る前記ポリマーの動きを容易にするために前記半導体装置において動きを生成するステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記半導体装置が複数の前記検出領域を含み；
前記検出ステップが、前記検出領域のそれぞれにおいて、その近くの前記少なくとも１つのポリマーの構成要素を表す電荷を検出するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記半導体装置が少なくとも２つのドープ領域をさらに含み；
前記方法が前記検出領域の近くの前記構成要素の存在に応じて前記２つのドープ領域間に電流を送るステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記半導体装置が、複数のドープ領域、および対になった前記ドープ領域のそれぞれと関連するそれぞれの検出領域を含み；
前記方法が、前記検出領域のそれぞれにおいて、その近くの構成要素の存在に応じて前記対になったドープ領域のそれぞれの間に電流を送るステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２２】
前記位置決めステップが、複数の前記ポリマーのそれぞれの一部をそれぞれの半導体装置の検出領域の近くに位置決めし；
前記検出ステップが、前記検出領域のそれぞれにおいて、前記検出領域の近くの前記ポリマーの構成要素を表す電荷を検出する、請求項１５に記載の方法。
【請求項２３】
前記検出領域によってその近くの前記構成要素に応じて生成された信号を検出するステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２４】
前記開口部は実質的に円形であり、前記断面は直径約１００ｎｍ以下である、請求項１５に記載の方法。
【請求項２５】
前記直径は、約１ｎｍから約１０ｎｍの範囲である、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記断面は、約１ｎｍから約１０ｎｍの範囲である、請求項１５に記載の方法。
【請求項２７】
前記開口部の前記断面は、複数の前記ポリマーが前記開口部を一度に通過するのを防ぐような寸法を有している、請求項１５に記載の方法。
【請求項２８】
前記構成要素は、前記ポリマーの構成要素を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２９】
ポリマーを検出するための装置を製造するための方法であって、
少なくとも１つの半導体層を含む半導体構造を提供するステップと；
前記半導体構造に前記ポリマーが通過可能な開口部を有する検出領域を作成するステップと、を含み、前記開口部は、約１００ｎｍ以下の断面を有し、前記検出領域が、前記ポリマーが前記開口部を通過する間に少なくとも前記ポリマーの構成要素の電荷が前記領域に鏡像電荷を作成できるよう構成されており、前記鏡像電荷は、前記構成要素の電荷に関連する量により、前記領域の導電性を高めるのに十分である方法。
【請求項３０】
前記構成要素が核酸鎖の塩基を含み；
前記作成ステップが前記核酸鎖の前記塩基を表す前記電荷を検出するようになっている前記検出領域を作成する、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記開口部作成ステップが、前記開口部の前記断面を小さくするために前記開口部を形成する前記半導体層の壁面に絶縁層を形成するステップを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
前記半導体層に少なくとも２つのドープ領域を作成し、前記ドープ領域が、前記検出領域がその近くの前記ポリマーの前記構成要素に応じて前記ドープ領域間に電流を送るようになるように前記検出領域に対して位置決めされているステップをさらに含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３３】
前記ドープ領域作成ステップが、前記ドープ領域が第２のドーピングを有する前記半導体層の部分によって分離されるように第１のドーピングを有する前記ドープ領域を作成する、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記ドープ領域作成ステップが、それぞれが第１のドーピングを有し、第２のドーピングを有する層によって分離されたドープ領域の積み重ねとして前記ドープ領域を作成する、請求項３２に記載の方法。
【請求項３５】
前記ドープ領域のそれぞれがｐ型ドーピングを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３６】
前記ドープ領域のそれぞれがｎ型ドーピングを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３７】
前記開口部は実質的に円形であり、前記断面は直径約１００ｎｍ以下である、請求項２９に記載の方法。
【請求項３８】
前記直径は、約１ｎｍから約１０ｎｍの範囲である、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記断面は、約１ｎｍから約１０ｎｍの範囲である、請求項２９に記載の方法。
【請求項４０】
前記開口部の前記断面は、複数の前記ポリマーが前記開口部を一度に通過するのを防ぐような寸法を有している、請求項２９に記載の方法。
【請求項４１】
前記構成要素は、前記ポリマーの構成要素を含む、請求項２９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図２０および２１に示す水平の実施形態はまた、多数の核酸鎖１１１の存在を検出するためにも有利である。例えば、媒体として電気泳動ゲルを用いて、種々の長さの核酸鎖１１１を電極１１３および１１５間に置くことから始める。ドープ領域１３０を基準として負の電圧を電極１１３および１１５に印加する。そうすると、核酸鎖１１１は電荷検知領域へ向けて移動する。小さな鎖は速く移動し、大きな鎖はゆっくり移動する。したがって、小さな鎖がまず電荷検知領域に到着し、その後に大きなものが続く。したがって、電荷検知領域に蓄積された電荷は、およびそれゆえにチャネル２３０の鏡像電荷もまた、時間とともに「階段状に」増加する。この結果として、電流計１１４によって測定される電流が階段状に増加または減少する。