【手続補正書】
【提出日】平成20年2月4日(2008.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エミッターラップスルー（ＥＷＴ）太陽電池の製造方法であって、
半導体ウェハーに前面と拡散バッファーでコーティングされていない背面とを提供し、該前面を該背面に接続する複数の孔をさらに提供するステップと、
前記背面の孔を含んだパターンで第１ドーパント拡散ソースを前記背面の第１選択領域にのみ提供するステップと、
前記背面の孔を含まないパターンで第２ドーパント拡散ソースを前記背面の第２選択領域にのみ提供するステップと、
前記第１ドーパント拡散ソースと前記第２ドーパント拡散ソースからのドーパントを燃焼処理によって前記半導体ウェハー内に拡散させるステップと、
を含んでいることを特徴とする方法。
【請求項２】
半導体ウェハーはシリコンを含んでおり、第１ドーパント拡散ソースは燐を含んでおり、第２ドーパント拡散ソースはホウ素を含んでいることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
燐を含んだ第１ドーパント拡散ソースを前面の孔を含んだパターンで前面に提供するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
第１ドーパント拡散ソースを提供するステップにおいて、少なくとも一部の孔は第１ドーパント拡散ソースで充填されていることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
拡散ステップに続いて半導体ウェハーを酸溶液でエッチングするステップと、
パッシベーション加工のために誘電層をエッチングされた半導体ウェハーの少なくとも前面に提供するステップと、
第１導電タイプ金属グリッドを少なくとも一部の第１ドーパント拡散ソースパターンを含んだパターンで背面に提供し、第２導電タイプ金属グリッドを少なくとも一部の第２ドーパント拡散ソースパターンを含んだパターンで背面に提供するステップと、
をさらに含んでいることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
ＥＷＴ太陽電池を製造する方法であって、
半導体ウェハーに前面と背面とを提供し、該前面を該背面に接続する複数の孔をさらに提供するステップと、
前記背面の孔を含まないパターンで拡散バリアーを前記背面の第１選択領域にのみ形成するように物質を印刷するステップと、
前記ウェハーを洗浄するステップと、
該ウェハー内に第１ドーパントを拡散させるステップと、
該ウェハーをエッチングするステップと、
第１導電タイプ金属グリッドを背面の孔を含んだパターンで背面に提供し、第２導電タイプ金属グリッドを拡散バリアーパターンにより該第１導電タイプ金属グリッドとは別個のパターンで背面に提供するステップと、
を含んでいることを特徴とする方法。
【請求項７】
半導体ウェハーはｐ導電タイプシリコンを含んでおり、第１ドーパントは燐を含んでおり、第１導電タイプ金属グリッドは銀を含んでおり、第２導電タイプ金属グリッドはアルミニウムを含んでいることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
エッチングステップに続いて、パッシベーション加工のために誘電層をｐ導電タイプシリコンウェハーの表面の少なくとも一部に提供するステップをさらに含んでおり、
第１ドーパント燐ソースの提供によって３０から６０Ω/ｓｑの抵抗が提供され、
第１導電タイプ金属グリッドと第２導電タイプ金属グリッドを提供するステップはグリッドパターンを印刷し、燃焼処理するステップを含んでいることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
拡散バッファーは第１ドーパントとは反対の導電タイプの第２ドーパントを含んでいることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項１０】
第１ドーパントは燐を含んでおり、第２ドーパントはホウ素を含んだ拡散バリアーの一部を形成することを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
第１ドーパントと第２ドーパントはウェハーに同時拡散されることを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１２】
ＥＷＴ太陽電池を製造する方法であって、
半導体ウェハーに前面と背面とを提供し、該前面を該背面に接続する複数の孔をさらに提供するステップと、
第１スピンオングラス（ＳＯＧ）拡散バリアーを前記背面に提供するステップと、
前記背面の孔を含まないパターンでレジストを提供するステップと、
パターン化されたレジストでカバーされていない第１ＳＯＧを除去するためにウェハーをエッチングするステップと、
ウェハーから前記レジストを剥ぎ取るステップと、
ウェハーに第１ドーパントを拡散させるステップと、
少なくとも第１ＳＯＧの残りを除去するためにウェハーをエッチングするステップと、
背面の孔を含んだパターンで第１導電タイプ金属グリッドを背面に提供し、前記レジストパターンを含んだパターンで第２導電タイプ金属グリッドを背面に提供するステップと、
を含んでいることを特徴とする方法。
【請求項１３】
半導体ウェハーはシリコンを含んでおり、第１ドーパントは燐を含んでおり、第１ＳＯＧを提供するステップはスピン処理またはスプレー処理及び溶炉高密度化の適用を含んでいることを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
第１ＳＯＧは第１ドーパントとは反対の導電タイプの第２ドーパントを含んでいることを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
ＥＷＴ太陽電池を製造する方法であって、
半導体ウェハーに前面と背面とを提供し、該前面を該背面に接続する複数の孔をさらに提供するステップと、
第１ドーパントを含んだ第１ＳＯＧを前記背面に提供するステップと、
前記背面の孔を含まないパターンでレジストを提供するステップと、
パターン化されたレジストでカバーされていない第１ＳＯＧを除去するためにウェハーをエッチングするステップと、
ウェハーから前記レジストを剥ぎ取るステップと、
第１ドーパントとは反対の導電タイプの第２ドーパントを含んだ第２ＳＯＧを背面に提供するステップと、
ウェハーを燃焼処理して前記第１ドーパントと前記第２ドーパントをウェハー内に拡散させるステップと、
少なくとも第１ＳＯＧと第２ＳＯＧの残りを除去するためにウェハーをエッチングするステップと、
背面の孔を含んだパターンで第１導電タイプ金属グリッドを背面に提供し、前記レジストパターンを含んだパターンで第２導電タイプ金属グリッドを背面に提供するステップと、
を含んでいることを特徴とする方法。
【請求項１６】
第３ＳＯＧをウェハーの前面に提供するステップをさらに含んでおり、該第３ＳＯＧは第２ＳＯＧの場合よりも低い濃度の第２ドーパントを含んでいることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
燃焼処理ステップは平行に前面から背面に配列された複数のウェハーを燃焼させるステップを含んでおり、第１ウェハーの背面の第２ＳＯＧからの第２ドーパントは隣接第２ウェハーの隣接前面に拡散されることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
特に好適な別実施例では、拡散バリアーはｐ+ドーパント、好適にはホウ素のソースを含んでいる。図４Ｅで示すように、１実施例では酸化ホウ素種であるホウ素化合物を含有したＴｉＯ2ペーストのごときスクリーン印刷されたホウ素拡散バリアー９４が提供される。ホウ素拡散バリアー９４のペーストは軽ホウ素拡散が以下のごとく提供されるように準備される。他のｐ型アクセプターでも代用として使用でき、アルミニウム、ガリウム、インジウム等（もっとも好適にはそれらの酸化物）のドーピングされた誘電ペーストを含有する拡散バリアーを形成する。１実施例では、拡散ペーストは複数のｐ+型ドーパントを、好適には酸化物形態を提供する。あるいは、ホウ素または他のｐ型ドーパントバリアーがスクリーン印刷以外のスプレー、インクジェット印刷等の方法で適用できる。ｎ+ドーピング領域を創出するために燐がシリコン内に拡散されると、好適には誘電体内のｐ型アクセプターは同時的に基板内に拡散し、ｐ型領域を創出し、処理ステップを単純化する。よって、ホウ素拡散バリアー９４のスクリーン印刷と硬化ステップに続いて、ＰＯＣｌ3（３０から６０Ω/ｓｑ）を使用したもののごとき燐拡散ステップが採用され、ホウ素と燐の共拡散が提供される。図４Ｆで示すように、ｎ+拡散層９２（好適には１実施例では３０から５０Ω/ｓｑに拡散）、ｐ+拡散層１００（好適には同実施例で１００から５００Ω/ｓｑに拡散）が得られる。続いてエッチングステップが適用され、ＰＯＣｌ3拡散時に形成された燐ガラスをエッチングする。ホウ素拡散バリアー９４はその場に残る。続いてＳｉＮがＰＥＣＶＤで着層され、あるいは他の表面パッシベーション法が適用される。両面でのＳｉＮ着層（図示せず）に続いて、陰コンタクトＡｇグリッドがスクリーン印刷され、さらに陽コンタクトＡｇ：Ａｌグリッド、好適にはＡｌグリッドがスクリーン印刷され、ウェハーは燃焼処理される。図４Ｇで示すように、ホウ素拡散バリアー９４、スクリーン印刷された陽Ａｇ：ＡｌまたはＡｌグリッド基板９６、及びスクリーン印刷された陰Ａｇグリッド基板９８を有した電池が得られる。図４Ｇで示すように、スクリーン印刷された陽グリッド基板９６は部分的にホウ素拡散バリアー９４の一部と重なり、あるいはホウ素拡散バリアーのサイドエッジ間で全体的に提供される。スクリーン印刷されたＡｌ（Ａｇ：ＡｌのごときＡｌ合金または実質的Ａｌ）が存在するｎ型拡散層に図４Ｇで示すように適用される。しかし、燃焼処理によってＡｌベースの金属化はｐ+層を存在するｎ+拡散層の代わりに形成する。フリットをスクリーン印刷された陽Ａｇ：ＡｌまたはＡｌグリッド基板９６に含ませることができる。よって、ｐ型コンタクトの下側のｎ+領域はオーバードーピングされる。すなわち、ｎ+領域を介するスパイクコンタクトがｐ型基板に提供される。別の方法では、Ａｌドーパント金属がＡｇ：Ａｌ共晶温度以上で燃焼処理され、コンタクトはシリコンと合金化される。よって、図４Hで示すように、燃焼処理によってスクリーン印刷された陽Ａｇ：ＡｌまたはＡｌグリッド基板９６に隣接するｎ+拡散層９２はグリッド基板でＡｌによってオーバードーピングされ、ｐ+拡散層１００に隣接して接触するコンタクト９６が得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４Ｇ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４Ｇ】
2007521668.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４Ｈ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４Ｈ】
2007521668.tif 000002