Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月18日(2008.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第１シャフト３の角度位置を調整するメカニズムは、例えば、第１シャフト３の回転軸との関係において垂直である２つの平行なネジ１２０によって定義可能である。一端において、これらのネジ１２０は、第１シャフト３に対して堅固に拘束され、且つ、ネジ１２０に対して垂直である２つの表面１２１と相互に作用している。これらのネジ１２０は、ねじ込まれると、表面１２１を押圧する。１つのネジが抜かれ、別のものがねじ込まれると、第１シャフト３がその軸を中心として回転する。両方のネジ１２０をねじ込むことにより、第１シャフト３は、定位置にブロックされる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2007536163.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月18日(2008.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一繊維パネルと、
第一繊維パネルに取り付けられた第二繊維パネルであって第一繊維パネルと第二繊維パネルとが第一の膨張可能なクッションを画成する第二繊維パネルと、
第二繊維パネルに取り付けられた第三繊維パネルであって第二繊維パネルと第三繊維パネルとが第二の膨張可能なクッションを画成する第三繊維パネルと、
第一の膨張可能なクッションを第二の膨張可能なクッションから分離して第一の膨張可能なクッションと第二の膨張可能なクッションとの間で流体的に連通するのを防止するシールとを具備する、膨張可能なエアバッグ組立体。
【請求項２】
上記第一の膨張可能なクッション内に配置されたディフューザフードをさらに具備する、請求項１に記載のエアバッグ組立体。
【請求項３】
上記第二の膨張可能なクッションは上記第一の膨張可能なクッションと重なり合う、請求項１に記載のエアバッグ組立体。
【請求項４】
上記シールは、上記第二の繊維パネルの中央部分を横方向に延びて上記第一の膨張可能なクッションから上記第二の膨張可能なクッションを分離させる継ぎ目である、請求項１に記載のエアバッグ組立体。
【請求項５】
上記第一繊維パネルと第三繊維パネルとはステッチにより上記第二繊維パネルに取り付けられる、請求項１に記載のエアバッグ組立体。
【請求項６】
上記第三繊維パネルは上記第一繊維パネルと上記第二繊維パネルとの間に配置される、請求項１に記載のエアバッグ組立体。
【請求項７】
上記第一の膨張可能なクッションは上記第二の膨張可能なクッションよりも大きい、請求項１に記載のエアバッグ組立体。
【請求項８】
上記第一繊維パネル及び第二繊維パネルはエアバッグのインフレータを受容するためのスロートを画成する、請求項１に記載のエアバッグ組立体。
【請求項９】
起動されたときに上記第一の膨張可能なクッションと第二の膨張可能なクッションとを同時に膨張させるインフレータを更に具備する、請求項１に記載のエアバッグ組立体。
【請求項１０】
上記インフレータは上記第一の膨張可能なクッションに流体的に連通する第一オリフィスと上記第二の膨張可能なクッションに流体的に連通する第二オリフィスとを備えたガスガイドを有する一つのインフレータである、請求項９に記載のエアバッグ組立体。
【請求項１１】
上記インフレータは上記第一の膨張可能なクッションよりも迅速に上記第二の膨張可能なクッションを膨張させるように構成されている、請求項１０に記載のエアバッグ組立体。
【請求項１２】
上記第二の膨張可能なクッションは上記第一の膨張可能なクッションよりも高い圧力で膨張する、請求項１０に記載のエアバッグ組立体。
【請求項１３】
上記第一の膨張可能なクッションに流入する膨張ガスは上記第二の膨張可能なクッションに近接した第一の膨張可能なクッションの部分に最初に向けられる、請求項９に記載のエアバッグ組立体。
【請求項１４】
車両の乗員の推定乗車位置の胸部領域及び骨盤領域を衝撃から保護するように形作られた第一の膨張可能なクッションと、
上記第一の膨張可能なクッションとは独立して膨張可能な第二の膨張可能なクッションであって、上記乗員の推定乗車位置の骨盤領域を衝撃から保護するように形作られ且つ第一の膨張可能なクッションの乗員の推定乗車位置から離れる側に近接して配置される第二の膨張可能なクッションと、
上記第一の膨張可能なクッションよりも高い圧力で第二の膨張可能なクッションを膨張させるように構成されたインフレータとを具備する、側面衝突用の膨張可能なエアバッグシステム。
【請求項１５】
車両の乗員の胸部領域及び骨盤領域を衝撃から保護するための膨張可能な第一の手段と、
乗員の骨盤領域を衝撃から保護するための膨張可能な第二の手段とを具備し、該衝撃から保護するための第二の手段は上記衝撃から保護するための第一の手段とは独立して膨張する、車両安全拘束システム。
【請求項１６】
上記衝撃から保護するための第二の手段は上記衝撃から保護するための第一の手段と重なり合う、請求項１５に記載の車両安全拘束システム。
【請求項１７】
上記衝撃から保護するための第一の手段及び第二の手段を膨張させるための手段を更に具備する、請求項１５に記載の車両安全拘束システム。
【請求項１８】
上記膨張させるための手段は、上記衝撃から保護するための第一の手段よりも高い圧力で上記衝撃から保護するための第二の手段を膨張させる、請求項１７に記載の車両安全拘束システム。
【請求項１９】
上記乗員の骨盤領域を衝撃から保護するための第二の手段を位置決めする手段を更に具備する、請求項１５に記載の車両安全拘束システム。
【請求項２０】
上記位置決め手段は、乗員の骨盤領域に近接した上記衝撃から保護するための第一の手段の部分に膨張ガスを向ける手段を備える、請求項１９に記載の車両安全拘束システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月2日(2008.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート組立体であって、このシート組立体が、
（ａ）シートと、
（ｂ）シートを略水平な向きに取り付けるシート取付組立体であって、上に凹である弓形のシート経路に沿ってシートが動けるようにして、弓形のシート経路における曲率半径のひとつの中心は、シート上に座る人物の重心の近くに配置されているような、上記シート取付組立体と、
（ｃ）シート取付組立体の近くに略垂直に延設されるバックレスト部材を具備してなるバックレスト組立体であって、バックレスト部材は、垂直に延びる方向に動くようにバックレスト組立体に取り付けられた上部バックレスト部分と、シートに対して可動に結合された下部バックレスト部分とを有しているバックレスト組立体と、
を備えていることを特徴とするシート組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月21日(2008.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン−ゲルマニウム（Ｓｉ−Ｇｅ）層（７０）上に歪み格子を有するシリコン層（Ｓｉ）（７１）を含む基板を有し、
前記基板上に形成されたソース／ドレイン領域とゲート電極（７２）とを有してこれらの間にゲート誘電体層（７３）が設けられたトランジスタを有し、
前記ゲート電極の側面上と前記ソース／ドレイン領域上とに形成された応力誘電体ライナー（９０、１２０）を有する、半導体デバイス。
【請求項２】
前記ソース／ドレイン領域は、前記歪みＳｉ層上に成長した緩和Ｓｉ層に形成され、また、前記応力誘電体ライナーは高圧縮応力（９０）あるいは高引っ張り応力（１２０）を示す、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記ゲート電極の側面に誘電性サイドウォールスペーサを有し、
前記ゲート電極の上面に金属シリサイド層を有し、前記応力誘電体ライナーは前記サイドウォールスペーサ上にあり、
前記サイドウォールスペーサは、前記ゲート電極の側面と前記歪みＳｉ層の上面部分に形成された酸化物ライナーと、前記酸化物ライナー上に形成された窒化物層と、を有し、
前記応力誘電体ライナーは、前記窒化物層上と、前記酸化物ライナーの下部と緩和Ｓｉ層との間と、に形成される、請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記トランジスタはＰ-チャンネルトランジスタであり、
前記応力誘電体ライナー（９０）は高圧縮応力を与える、請求項３に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記トランジスタはＮ-チャンネルトランジスタであり、
前記応力誘電体ライナー（１２０）は高引っ張り応力を与える、請求項３に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記トランジスタは、ＮＭＯＳトランジスタとＰＭＯＳトランジスタとを含むＣＭＯＳトランジスタであり、
前記誘電体ライナーは、前記ゲート電極の側面上と前記ＮＭＯＳトランジスタの前記ソース／ドレイン領域上とに形成された高引っ張り応力を示す誘電体ライナーと、前記ゲート電極の側面上と前記ＰＭＯＳトランジスタの前記ソース／ドレイン領域上とに形成された高圧縮応力を示す誘電体ライナーと、を含む、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項７】
シリコン−ゲルマニウム（Ｓｉ−Ｇｅ）層（７０）上に歪み格子を有するシリコン（Ｓｉ）層（７１）を有する基板を形成し、
ソース／ドレイン領域と、上面と側面とを備えたゲート電極（７２）と、を備えるとともにこれらの間にゲート誘電体層（７３）を備えたトランジスタを前記基板上に形成し、
前記ゲート電極の前記側面上および前記ソース／ドレイン領域上に応力誘電体ライナー（９０、１２０）を形成し、前記歪みＳｉ層（７１）は全体的に歪んでいるか、あるいは、前記ソース／ドレイン領域において局所的に歪んでいる、半導体デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記ゲート電極の前記側面にサイドウォールスペーサを形成し、
前記歪みＳｉ層上に緩和Ｓｉ層をエピタキシャル成長させ、
前記緩和Ｓｉ層にソース／ドレイン領域を形成し、
前記応力誘電体ライナーを、前記サイドウォールスペーサ上、前記緩和ソース／ドレイン領域上、および、前記サイドウォールスペーサと前記緩和ソース／ドレイン領域の間の前記歪みＳｉ層部分上に堆積し、前記応力誘電体ライナーは、窒化シリコン層、シリコンカーバード層、あるいは酸窒化シリコン層を約２００Å〜約１０００Åの厚さで備える、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
歪みＳｉ層（７１）に前記ソース／ドレイン領域を形成し、
前記ゲート電極（７６）の上面に第１金属シリサイド層を形成するとともに、前記ソース／ドレイン領域（７１）上に第２金属シリサイド層を形成し、
前記誘電性サイドウォールスペーサを除去し、前記ゲート電極の前記側面に隣接する前記歪みＳｉ層の一部をさらし、
前記応力誘電体ライナー（９０、１２０）を、前記第１金属シリサイド層（７６）上、前記ゲート電極（７２）の前記側面上、および、前記歪みＳｉ層（７１）の前記隣接するさらされた部分上に形成する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記トランジスタは
Ｐ−チャンネルトランジスタであって、前記方法では、高圧縮応力を示す条件下プラズマエンハンスト化学蒸着により誘電体層を堆積することによって前記応力誘電体層（９０）を形成するか、又は、
前記トランジスタはＮ−チャネルトランジスタであって、前記方法では、高引っ張り応力を示す条件で、プラズマエンハンスト化学蒸着によって前記応力誘電体ライナーを形成するか、のいずれかである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
シリコン−ゲルマニウム（Ｓｉ−Ｇｅ）層（７０）上に歪み格子を有するシリコン（Ｓｉ）（７１）層を含む基板を形成し、
ＮＭＯＳトランジスタとＰＭＯＳトランジスタを有するＣＭＯＳトランジスタを前記基板上に形成し、前記各トランジスタはそれぞれソース／ドレイン領域と、上面および側面を備えたゲート電極（７２）と、を有してこれらの間にゲート誘電体層（７３）を備えており、
前記各ゲート電極の側面上にサイドウォールスペーサを形成し、
前記各ゲート電極（７２）の上面および前記各トランジスタのソース／ドレイン領域面に金属シリサイド層（７６、７７）を形成し、
前記ゲート電極（７２）の各々の前記側面から前記サイドウォールスペーサを除去し、
高圧縮応力を示す窒化シリコン層（９０）を前記ＮＭＯＳトランジスタとＰＭＯＳトランジスタ上に堆積し、
高圧縮応力を示す前記窒化シリコン層（９０）上に酸化物ライナーあるいは酸窒化物ライナー（１００）を堆積し、
高圧縮応力を示す前記酸化物ライナーあるいは酸窒化物ライナー（１００）と窒化シリコン層（９０）とを前記ＮＭＯＳトランジスタから選択的に除去し、
高引っ張り応力を示す窒化シリコン層（１２０）を前記ＮＭＯＳトランジスタと前記ＰＭＯＳトランジスタ上に堆積し、
前記ＮＭＯＳトランジスタとＰＭＯＳトランジスタ上で、高引っ張り応力を示す前記窒化シリコン層上に酸化物ライナーあるいは酸窒化物ライナーを堆積し、
高引っ張り応力を示す前記窒化シリコン層と前記酸化物ライナーあるいは酸窒化物ライナーとを前記ＰＭＯＳトランジスタから選択的に除去する、半導体デバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月14日(2008.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極を基板の上に形成する工程と、
ライナー酸化膜をゲート電極の側壁の上に形成する工程と、
窒化シリコンから成るオフセットスペーサをライナー酸化膜に隣接するように形成する工程と、
酸化シリコンから成る中間ライナーをオフセットスペーサに隣接するように形成する工程と、
窒化シリコンから成る使い捨てスペーサを中間ライナーに隣接するように形成する工程と、
隆起ソース／ドレインを基板の上に、かつゲート電極の側壁から横方向に使い捨てスペーサの分だけ離れて位置するように形成する工程と、
隆起ソース／ドレインの形成後、前記中間ライナー及び使い捨てスペーサを除去することによって基板表面を露出し、及び、前記露出された基板表面にハロイオン注入及びエクステンションイオン注入を行う工程と、
ハロイオン注入及びエクステンションイオン注入を行う工程の後で、前記中間ライナー及び使い捨てスペーサがあった位置に取り替え中間酸化物ライナー及び取り替えスペーサを形成する工程と、
前記ゲート電極の上に窒化シリコンからなる反射防止コーティング（ＡＲＣ）を形成する工程とを備える、半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
ゲート電極を形成する処理では、窒化シリコンキャップ層をポリシリコンゲート電極の上に形成する、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
オフセットスペーサはキャップ層とコンタクトして、ポリシリコンゲート電極を窒化シリコンで取り囲む、請求項２記載の製造方法。
【請求項４】
オフセットスペーサは、約１５０オングストロームの膜厚を有するシリコン窒化膜により形成される、請求項１記載の製造方法。
【請求項５】
使い捨てシリコン窒化膜スペーサは、約９００オングストロームの膜厚を有するシリコン窒化膜により形成される、請求項４記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月25日(2008.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースと、
下部区域と、前記下部区域よりも幅が広い上部区域とを備えたＴ字形である、前記ベースの上方のエミッタと、
前記エミッタの前記下部区域に隣接し、かつ前記エミッタの前記上部区域の下方にあるスペーサと、
前記スペーサに隣接し、かつ前記エミッタの前記上部区域の下方にあるシリサイド層とを有する、バイポーラ・デバイス。
【請求項２】
前記ベースの上方かつ前記スペーサの下方にある誘電体構造をさらに有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記ベースが前記誘電体構造よりも幅が広い、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記スペーサが、前記エミッタを前記シリサイドから分離する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記ベースが、
真性ベースと、
前記真性ベースの上方の外因性ベースとを有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記スペーサが絶縁体を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記シリサイド層がサリサイドを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
第１の種類の不純物を有する下部半導体構造と、
前記第１の種類の不純物に対して相補的な第２の種類の不純物を有する、前記下部半導体構造の上方の中間半導体領域と、
下部区域と、前記下部区域よりも幅が広い上部区域とを備えたＴ字形である、前記中間半導体領域の上方の上部半導体構造と、
前記上部半導体構造の前記下部区域に隣接し、かつ前記上部半導体構造の前記上部区域の下方にあるスペーサと、
前記スペーサに隣接し、かつ前記上部半導体構造の前記上部区域の下方にあるシリサイド層とを有する、トランジスタ・デバイス。
【請求項９】
真性ベースの上方に外因性ベースを形成するプロセスと、
前記外因性ベースの中心部の上方に配置される犠牲的マスクを用いて、前記外因性ベースの一部分を保護するプロセスと、
前記外因性ベースの露出部分をシリサイド化するとともに、前記外因性ベースの前記中心部の上方に非シリサイド化部分を残すプロセスと、
前記外因性ベースの前記非シリサイド化部分の中心部を貫通してエミッタ開口部を形成するプロセスと、
前記エミッタ開口部内にスペーサを形成するプロセスと、
前記エミッタ開口部内にエミッタを形成するプロセスとを有し、
前記スペーサが、前記エミッタを前記外因性ベースのシリサイド化部分から分離する、トランジスタを製造する方法。
【請求項１０】
前記外因性ベースを形成する前に、
前記真性ベースの前記中心部の上方に絶縁体をパターン形成するプロセスと、
前記絶縁体および前記真性ベースの上方に前記外因性ベースをエピタキシャル成長させるプロセスとをさらに有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記外因性ベースをエピタキシャル成長させる前記プロセスが、前記絶縁体の上方にポリシリコンを成長させ、かつ前記真性ベースの露出部分の上方に単結晶シリコンを成長させる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記スペーサが前記絶縁体上に形成される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記シリサイド・プロセスが、前記非シリサイド化部分に水平方向に隣接して前記外因性ベースの前記シリサイド化部分を形成する、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記エミッタ開口部を形成する前に、前記外因性ベースの上方に絶縁体層を形成するプロセスをさらに有し、前記エミッタ開口部が、前記絶縁体層を貫通して形成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
第１の種類の不純物を有する下部半導体構造を形成するプロセスと、
前記第１の種類の不純物に対して相補的な第２の種類の不純物を有する、前記下部半導体構造の上方の中間半導体領域を形成するプロセスと、
前記中間半導体領域の中心部の上方に配置される犠牲的マスクを用いて、前記中間半導体領域の一部分を保護するプロセスと、
前記中間半導体領域の露出部分をシリサイド化するとともに、前記中間半導体領域の前記中心部の上方に非シリサイド化部分を残すプロセスと、
前記中間半導体領域の前記非シリサイド化部分の中心部を貫通して上部半導体構造開口部を形成するプロセスと、
前記上部半導体構造開口部内にスペーサを形成するプロセスと、
前記上部半導体構造開口部内に上部半導体構造を形成するプロセスとを有し、
前記スペーサが、前記上部半導体構造を前記中間半導体領域のシリサイド化部分から分離する、トランジスタを製造する方法。
【請求項１６】
前記中間半導体領域を形成する前に、
前記下部半導体構造の上方にシリコン層を形成するプロセスと、
前記シリコン層の前記中心部の上方に絶縁体をパターン形成するプロセスと、
前記絶縁体および前記シリコン層の上方に前記中間半導体領域をエピタキシャル成長させるプロセスとをさらに有する、請求項２１に記載の方法。
【請求項１７】
コレクタを形成するプロセスと、
前記コレクタに隣接してシャロートレンチ分離領域を形成するプロセスと、
前記コレクタの上方に真性ベースを形成するプロセスと、
前記真性ベースの上方に隆起外因性ベースを形成するプロセスと、
前記外因性ベースの中心部の上方に配置される犠牲的マスクを用いて、前記外因性ベースの一部分を保護するプロセスと、
前記外因性ベースの露出部分をシリサイド化するとともに、前記外因性ベースの前記中心部の上方に非シリサイド化部分を残すプロセスと、
前記外因性ベースの前記非シリサイド化部分の中心部を貫通してエミッタ開口部を形成するプロセスと、
前記エミッタ開口部内にスペーサを形成するプロセスと、
前記エミッタ開口部内にエミッタを形成するプロセスとを有し、
前記スペーサが、前記エミッタを前記外因性ベースのシリサイド化部分から分離する、バイポーラ相補型金属酸化膜半導体（ＢｉＣＭＯＳ）デバイスを製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月31日(2008.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリントヘッド本体を外部回路に接続する回路であって、
該回路は、
導電材料の１個以上の層を含む実質的な平面部であって、該プリントヘッド本体のトップ表面に実質的に平行なトップ表面を有する平面部と、
該平面部の上に実装された１個以上の集積回路と、
該１個以上の集積回路の各々から延びる複数のリード線であって、該プリントヘッド本体へ電気的に接続するように構成された複数のリード線と、
該平面部に付着された１個以上のアームであって、該１個以上のアームの各々は、該平面部に実質的に垂直な主部と、該平面部の該トップ表面に実質的に平行な遠位端部とを含み、該遠位端部は、該遠位端部が、該実質的な平面部および該プリントヘッド本体にわたり配置されるように、互いに向かって延びており、該遠位端部の各々は、該外部回路に接続するように構成された１個以上の外部コネクタを含む、１個以上のアームと
を備える、回路。
【請求項２】
複数のアパーチャであって、該複数のアパーチャの各々は、導電材料で被覆されており、前記プリントヘッド本体へ電気的接続を提供するように構成される、複数のアパーチャをさらに備え、
前記複数のリード線の各々は、集積回路から該複数のアパーチャのうちの一つに接続するように延びる、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記平面部は、少なくとも１個の銅層および少なくとも１個のポリイミド層を含む、請求項１に記載の回路。
【請求項４】
前記平面部は、
中央部と、
該中央部の両側に２個の遠位部と
をさらに備え、
該２個の遠位部は、前記プリントヘッド本体の前記トップ表面に付着され、該中央部は、該２個の遠位部に対して該プリントヘッド本体の該トップ表面から持ち上げられる、請求項１に記載の回路。
【請求項５】
前記中央部は、少なくとも１個の導電層を含む複数の層から構成され、前記遠位部は、少なくとも１個の導電層を含む複数の層から構成され、該中央部および該遠位部を構成する層の数は等しくない、請求項４に記載の回路。
【請求項６】
前記平面部は、
両側が銅層によって被覆された第１のポリイミド層、両側が銅層によって被覆された第２のポリイミド層、および、該第１の層を該第２の層に結合する接着剤の層から構成される中央部と、
該中央部の両側にある２個の遠位部であって、該２個の遠位部の各々は、銅層によって被覆されたポリイミド層から構成される、２個の遠位部と
をさらに備える、請求項１に記載の回路。
【請求項７】
前記２個の遠位部は、前記プリントヘッド本体の前記トップ表面に付着され、前記中央部は、該２個の遠位部に対して該プリントヘッド本体の該トップ表面から持ち上げられる、請求項６に記載の回路。
【請求項８】
前記リード線が、前記回路のトップ表面に付着された銅のトレースを備え、該トップ表面はポリイミドから形成される、請求項１に記載の回路。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月30日(2008.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
（ａ）少なくとも１つの群遅延補償イコライザ、および少なくとも１つの有限インパルス応答（ＦＩＲ）フィルタを備えたデジタルベースバンド回路と、
（ｂ）ラジオ、電力増幅器、および狭帯域フィルタを備えたアナログベースバンド回路であって、前記狭帯域フィルタは、前記電力増幅器により示される欠陥を補償し、前記群遅延補償イコライザは、前記狭帯域フィルタにより示される望ましくない特性を補償するアナログベースバンド回路と
を備えたワイヤレス通信ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
（ａ）少なくとも１つの群遅延補償イコライザ、および少なくとも１つの有限インパルス応答（ＦＩＲ）フィルタを備えたデジタルベースバンド回路と、
（ｂ）ラジオ、電力増幅器、および狭帯域フィルタを備えたアナログベースバンド回路であって、前記狭帯域フィルタは、前記電力増幅器により示される欠陥を補償し、前記群遅延補償イコライザは、前記狭帯域フィルタにより示される望ましくない特性を補償するアナログベースバンド回路と
を備えた集積回路（ＩＣ）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、近接したワイヤレス通信ユニット間の隣接チャンネル干渉を低減する装置に関する。各ワイヤレス通信ユニットは、デジタルベースバンド回路およびアナログベースバンド回路を備える。デジタルベースバンド回路は、少なくとも１つの群遅延補償イコライザ（ｇｒｏｕｐ  ｄｅｌａｙ  ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ  ｅｑｕａｌｉｚｅｒ）および少なくとも１つの有限インパルス応答（ＦＩＲ）フィルタを備える。アナログベースバンド回路は、ラジオ（ｒａｄｉｏ）（送信機部分）、電力増幅器、および狭帯域フィルタを備える。狭帯域フィルタは、歪みおよびラジオ周波数（ＲＦ）パワースピルオーバーを含む、電力増幅器の欠陥（ｄｅｆｉｃｉｅｎｃｙ）を補償する。群遅延補償イコライザは、狭帯域フィルタにより示される望ましくない特性（例えば、群遅延変動（ｇｒｏｕｐ  ｄｅｌａｙ  ｖａｒｉａｔｉｏｎ））を補償する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ある実施形態で、群遅延補償イコライザ２１０ＡとＦＩＲフィルタ２１５Ａとを組み合わせて第１の単一ユニットとし、群遅延補償イコライザ２１０ＢとＦＩＲフィルタ２１５Ｂとを組み合わせて第２の単一ユニットとすることができる。それゆえ、イコライザ２１０の係数は、各個別の組み合わせでＦＩＲフィルタ２１５と畳み込まれ、イコライザ２１０およびフィルタ２１５の両方の機能を実行する大量の係数を生成する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月11日(2008.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像化ユニット構造における５つまでの画像化ユニットを備えるプリンタを動作する方法であって、前記構造は、
少なくとも４つの色画像化ユニットと、１つの相互交換可能な第五色画像化ユニットとを含み、前記画像化ユニットは、特定色の全域をもたらし、当該方法は、
前記構造の前記特定色の全域の外側にある特定色を含むデジタルファイルを分析するステップと、
代替的構造の表を分析するステップと、
前記第五画像化ユニットを異なる第五色画像化ユニットのために交換するステップと、
前記表から代替的構造を選択するステップと、
前記プリンタを用いて印刷するステップとを含む、
方法。
【請求項２】
前記異なる第五色画像化ユニットを備える前記代替的構造は、異なる特定色の全域をもたらす、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記代替的構造の表を分析するステップは、前記構造の前記特定色の全域を前記代替的構造の前記異なる特定色の全域と比較するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記異なる特定色の全域は、前記特定色を含む、請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月22日(2008.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型基板（１）と、
前記基板（１）の上に配置された複数のセルと、
を備えるシリコン系光電子増倍管であって、前記複数のセルの各セルは、
前記基板（１）上に形成され、ドーピング濃度が空間的に勾配している前記第１導電型エピタキシャル層（２）と、
前記エピタキシャル層（２）上に形成された前記第１導電型の第１接合層（３）と、
前記第１接合層（３）上に形成された第２導電型の第２接合層（４）と、
前記第２接合層（４）上に形成された絶縁層（７）と、
前記絶縁層（７）上に形成され、前記第２接合層（４）に電気的に接続された抵抗層（５）と、
を備えることを特徴とするシリコン系光電子増倍管。
【請求項２】
第２導電型基板（９）と、
前記基板（９）上に形成された第１導電型のドーピング層（８）と、
前記ドーピング層（８）の上に配置された複数のセルと、
を備えるシリコン系光電子増倍管であって、前記複数のセルの各セルは、
前記ドーピング層（８）上に形成され、ドーピング濃度が空間的に勾配している前記第１導電型エピタキシャル層（２）と、
前記エピタキシャル層（２）上に形成された前記第１導電型の第１接合層（３）と、
前記第１接合層（３）上に形成された第２導電型の第２接合層（４）と、
前記第２接合層（４）上に形成された絶縁層（７）と、
前記絶縁層（７）上に形成され、前記第２接合層（４）に電気的に接続された抵抗層（５）と、
を備えることを特徴とするシリコン系光電子増倍管。
【請求項３】
ドーピング濃度が空間的に勾配している第１導電型エピタキシャル層（２）と、
前記エピタキシャル層（２）上に形成された前記第１導電型の第１接合層（３）と、
前記第１接合層（３）上に形成された第２導電型の第２接合層（４）と、
前記第２接合層（４）上に形成された絶縁層（７）と、
前記絶縁層（７）上に形成され、前記第２接合層（４）に電気的に接続された抵抗層（５）と、
を備えることを特徴とするシリコン系光電子増倍管用セル。
【請求項４】
請求項１又は２記載のシリコン系光電子増倍管又は請求項３記載のシリコン系光電子増倍管用セルにおいて、前記基板（１）又は前記ドーピング層（８）は１０18〜１０20ｃｍ-3のドーピング濃度を有することを特徴とするシリコン系光電子増倍管又はシリコン系光電子増倍管用セル。
【請求項５】
請求項１又は２記載のシリコン系光電子増倍管又は請求項３記載のシリコン系光電子増倍管用セルにおいて、前記エピタキシャル層（２）の前記ドーピング濃度の前記空間的な勾配は、１０14〜１０18ｃｍ-3の範囲の空間的な変化であることを特徴とするシリコン系光電子増倍管又はシリコン系光電子増倍管用セル。
【請求項６】
請求項１又は２記載のシリコン系光電子増倍管又は請求項３記載のシリコン系光電子増倍管用セルにおいて、前記エピタキシャル層（２）の前記ドーピング濃度の前記空間的な勾配は、前記ドーピング濃度が前記エピタキシャル層（２）の下側表面から上側表面に向かって減少するような空間的な勾配であることを特徴とするシリコン系光電子増倍管又はシリコン系光電子増倍管用セル。
【請求項７】
請求項１又は２記載のシリコン系光電子増倍管又は請求項３記載のシリコン系光電子増倍管用セルにおいて、前記第１接合層（３）の前記ドーピング濃度は、１０15ｃｍ-3〜１０17ｃｍ-3の範囲にあることを特徴とするシリコン系光電子増倍管又はシリコン系光電子増倍管用セル。
【請求項８】
請求項１又は２記載のシリコン系光電子増倍管又は請求項３記載のシリコン系光電子増倍管用セルにおいて、前記絶縁層（７）は酸化物層であり、特に酸化ケイ素層であることを特徴とするシリコン系光電子増倍管又はシリコン系光電子増倍管用セル。
【請求項９】
請求項１又は２記載のシリコン系光電子増倍管又は請求項３記載のシリコン系光電子増倍管用セルにおいて、前記抵抗層（５）の材料はポリシリコンであることを特徴とするシリコン系光電子増倍管又はシリコン系光電子増倍管用セル。
【請求項１０】
請求項１又は２記載のシリコン系光電子増倍管において、前記セル間には分離部分（１０）が設けられ、前記分離部分（１０）は前記シリコン内へのくぼみ部分で構成されることを特徴とするシリコン系光電子増倍管。
【請求項１１】
請求項１０記載のシリコン系光電子増倍管において、前記くぼみ部分は前記シリコンを異方性エッチングすることで得られる三角形状のＶ溝として形成されることを特徴とするシリコン系光電子増倍管。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月21日(2008.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
少なくとも２つの平行な主たる縁を含み且つ、主表面の少なくとも１つに凹凸状に形成した、繰り返しのピラミッド型起伏状表面模様を有する透明プレートであり、各表面模様が頂点、底面、及び頂点を底面につなぐ一組の稜線を含み、前記表面模様の少なくとも１つの稜線が、プレートの基本平面におけるその投影が前記２つの平行な主たる縁に実質的に平行であるようなものである透明プレートと、少なくとも１つの光電池とを含み、当該プレートの表面構造が周囲空気と接触しており、当該プレート及び当該電池が互いに平行に配置されているアセンブリー。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月7日(2006.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムの状態を知ることの出来る少なくともひとつのセンサと、
前記システムの状態を導出するための手段と、
前記システムからエネルギーを吸収するエネルギー溜めと、
予め定めてあった判断基準のひとつまたは複数に合致するシステム状態の不具合が発生した場合に、システムを損傷から守るために、前記システムから前記エネルギー溜めにエネルギーを制御可能に輸送する手段と、
を備えた安全停止装置。
【請求項２】
システムの状態を知ることの出来る少なくともひとつのセンサと、
前記システムの状態を導出するための手段と、
システムからエネルギーを吸収するエネルギー溜めと、
予め定めてあった判断基準のひとつまたは複数に合致するシステム状態の不具合が発生した場合に、システムを損傷から守るためにシステムからエネルギー溜めにエネルギーを制御可能に輸送する手段と、
を備えた振動試験装置用の安全停止装置。
【請求項３】
請求項１または２の安全停止装置であって、運動エネルギー(KE)を吸収する手段を有するもの。
【請求項４】
請求項３の安全停止装置であって、前記運動エネルギーを吸収する手段は、運動エネルギー(KE)を電気エネルギーに変換するもの。
【請求項５】
請求項１または２の安全停止装置であって、過剰な電気エネルギーを吸収するために用いられるもの。
【請求項６】
請求項４または５の安全停止装置であって、エネルギー溜めは、可変負荷抵抗を含むもの。
【請求項７】
請求項６の安全停止装置であって、エネルギー溜めは、手動設定式の抵抗器と、ひとつまたはそれ以上の実行に先立って定まる条件によって決まる手動設定部とを含むもの。
【請求項８】
請求項６の安全停止装置であって、実行に先立って定まる条件に基づき自動設定するための手段を有するもの。
【請求項９】
請求項８の安全停止装置であって、動的に変化する条件に基づき可変負荷を自動的に変化させるための手段を有するもの。
【請求項１０】
請求項９の安全停止装置であって、条件によって発生する過渡応答に起因するエネルギースパイクからエネルギーを吸収するための手段を有するもの。
【請求項１１】
請求項５から１０のいずれかの安全停止装置であって、可変負荷抵抗が可変な熱応答時定数を有するもの。
【請求項１２】
請求項８から１１のいずれかの安全停止装置であって、可変抵抗のインピーダンスを変化させるためにマイクロプロセッサを備えているもの。
【請求項１３】
請求項８から１１のいずれかの安全停止装置であって、負荷抵抗が以下のグループの中のいずれかであるもの：可変インピーダンス抵抗、可変抵抗負荷、ダンプ抵抗、電力コンバータ。
【請求項１４】
請求項１３の安全停止装置であって、負荷抵抗が、エネルギーを熱の形で散逸させるように作られた巻線抵抗器を含むもの。
【請求項１５】
請求項１３の安全停止装置であって、負荷抵抗が、エネルギーを熱の形で散逸させるように作られたアルミ被覆炭素抵抗器を含むもの。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれかの安全停止装置であって、エネルギーをシステムからエネルギー溜めに制御可能に輸送する前記手段は、MOSFETを含むもの。
【請求項１７】
請求項１から１５のいずれかの安全停止装置であって、エネルギーをシステムからエネルギー溜めに制御可能に輸送する前記手段は、バイポーラトランジスタまたは絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）を含むもの。
【請求項１８】
請求項１から１５のいずれかの安全停止装置であって、エネルギーをシステムからエネルギー溜めに制御可能に輸送する前記手段は、サイリスタを含むもの。
【請求項１９】
請求項１から１８のいずれかの安全停止装置であって、エネルギーを制御可能に負荷抵抗に輸送する手段を有するもの。
【請求項２０】
請求項１９の安全停止装置であって、エネルギーをエネルギー溜めに制御可能に輸送する前記手段は、バック・ツー・バック接続または反平行ブリッジ構成されたユニポーラスイッチを備えているもの。
【請求項２１】
請求項６から２０のいずれかに従った、負荷抵抗の最適値を得る方法であって、前記最適化手順は次のステップを備えている：システムの運動エネルギーの最大値を求め、システムによって試験されている対象物の運動エネルギーの最大値を求め、システムや被試験物損傷を受けないようにシステムを減速させる最適値を求め、当該減速とシステムからエネルギーを予知可能な速さでの輸送とを両立させ得る負荷抵抗の値を選択する。
【請求項２２】
請求項１から２０のいずれかに従った、エネルギーをシステムからエネルギー溜めに制御可能に輸送するのを最適化する方法であって、以下のステップを備えた方法：システムの運動エネルギーの最大値を求め、システムによって試験されている対象物の運動エネルギーの最大値を求め、システムや被試験物損傷を受けないようにシステムを減速させる最適値を求めて、電流と電圧の波形の特性を定め、その波形を実現するためにコンバータ回路を使用する。
【請求項２３】
試験システムを制御可能に停止させる方法であって、以下のステップを備えた方法：システム内に非常状態が発生したことを検知し、ひとつまたは複数の基準に従いながらシステムからエネルギーを吸収するため該システムに並列に接続されたエネルギー溜めのスイッチを入れ、システムに損傷を与えることを避けるためにエネルギーを制御可能に散逸させる。
【請求項２４】
請求項２２の試験システムを制御可能に停止させる方法であって、前記エネルギー溜めは可変負荷抵抗であり、当該抵抗のインピーダンスの最適値を求めるステップを含むもの。
【請求項２５】
請求項２３の試験システムを制御可能に停止させる方法であって、さらに次のステップを含むもの：システムの初期条件を決め、試験を開始する前にシステムの特性を掌握して、振動試験実施中のシステムの動的特性を決める。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の第三の側面によれば、システムの異常状態を検知するステップ、予め定めてあった判断基準のひとつまたは複数に合致する事象発生の場合には該システムからエネルギーを吸収してシステムが損傷を受ける危険を除去するために、エネルギー吸収負荷またはエネルギー溜めを該システムに並列に接続するステップを備えた制御可能なシャットダウンの方法を提供することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
安全停止スイッチの実施例を用いて得られた試行結果と、それらと等価な条件によるシミュレーション結果が図８から１５にかけてそれぞれ示されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
抵抗値が大きい抵抗を使うと（図１５）、抵抗値が小さい場合に比べて最大変位が非常に大きくなる（0.05ｍ）。そしてこの場合は振動子が機械的ストッパーに当っている。一方、図１４の加速度応答は、抵抗値が小さすぎると最大加速度が大きくなりすぎることを示している。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月7日(2008.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低複屈折保護ポリマーフィルム、及び親水性ポリマーを含むポリ(ビニルアルコール)含有フィルムに対する接着促進層を含む、偏光子のための保護カバーシートを含んで成る偏光板であって、
該ポリ(ビニルアルコール)含有フィルムに対する接着促進層が、溶解ポリマーを実質的に含まず、そしてポリ(ビニルアルコール)のための架橋剤を含むグルー組成物によってPVA二色性偏光フィルムに接着により取り付けられている偏光板。
【請求項２】
(a)キャリヤ支持体、並びに低複屈折保護ポリマーフィルム及び親水性ポリマーを含むポリ(ビニルアルコール)含有フィルムに対する接着促進層を含む保護カバーシートを、それぞれが含む2つのガード型カバーシート複合体を用意すること；
(b)随意選択的に前記保護カバーシートから前記キャリヤ支持体を取り外すことにより、2つの無ガード型カバーシートを用意すること；
(c)PVA二色性フィルムを用意すること；及び
(d)前記2つのカバーシートの各々において、前記ポリ(ビニルアルコール)含有フィルムに対する接着促進層が前記PVA二色性フィルムと接触するように、前記無ガード型又はガード型のカバーシートを前記PVA二色性フィルムと同時に又は順次に接触させること、この際、接触前に、グルー組成物が前記PVA二色性フィルム又は前記2つのカバーシートに適用されており、そして、前記グルー組成物は、溶解ポリマーを実質的に含まず、そしてポリ(ビニルアルコール)を架橋する架橋剤を含んでいる、
を含んで成る偏光板の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月31日(2008.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリヤ支持体並びに低複屈折ポリマーフィルム、及び前記キャリヤの、該低複屈折ポリマーフィルムと同じ側に位置する、ポリビニルアルコールとの付着を促進する層を含むカバーシートを含む、ガード型カバーシート複合体。
【請求項２】
前記キャリヤシートがポリエチレンテレフタレートを含む、請求項1に記載の複合体。
【請求項３】
キャリヤ支持体並びにポリビニルアルコールとの付着を促進する層及び低複屈折ポリマーフィルムを含むカバーシートを、それぞれが含む2つのガード型カバーシート複合体を用意し、二色性フィルムを用意し、そして前記カバーシートを前記二色性フィルムと同時に接触させて、前記2つのカバーシートのそれぞれにおける該ポリビニルアルコールとの付着を促進する層が前記二色性フィルムと接触するようにすることを含む、偏光板の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月7日(2008.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリヤ支持体、並びに低複屈折ポリマーフィルム及び前記キャリヤの、該低複屈折ポリマーフィルムと同じ側に位置する、耐摩耗層、静電防止層、視野角補償層及び／又は湿分バリヤ層を含むカバーシートを含んで成るガード型カバーシート複合体。
【請求項２】
キャリヤ支持体及び低複屈折ポリマーフィルムを、それぞれが含む2つのガード型カバーシート複合体を用意し、二色性フィルムを用意し、そして前記低複屈折ポリマーフィルムを前記二色性フィルムの各側と接着により同時に接触させる、ことを含む、偏光板の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月1日(2008.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の屈折率とそこに形成される領域のパターンとを有する材料を含むフォトニック結晶格子を含み、前記領域は前記第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有し、
コアと、
内周、外周、および前記内周と前記外周との間の厚さを有するコア・リングとを含み、前記コア・リングは前記コアを囲み、前記厚さは、前記コア・リングによって支持されるリング表面モードの数を少なくするよう寸法付けられる、光ファイバ。
【請求項２】
前記コア・リングは前記材料を含む、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項３】
前記内周は前記外周におおむね平行である、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項４】
前記内周は前記外周に対して平行ではない、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項５】
前記領域のパターンが複数の幾何学的領域を含んでおり、各々の幾何学的領域がそれぞれ中心を有する断面を有するとともに、隣り合う幾何学的領域が中心間距離Λによって離間している、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項６】
前記コア・リングが、約０．０３Λ未満の厚さを有している、請求項５に記載の光ファイバ。
【請求項７】
前記コア・リングが、約０．０２Λ未満の厚さを有している、請求項５に記載の光ファイバ。
【請求項８】
前記コア・リングが、約０．０１Λ未満の厚さを有している、請求項５に記載の光ファイバ。
【請求項９】
前記コア・リングが、１．２Λ未満の外側半径を有する実質的に円形の断面を有している、請求項５に記載の光ファイバ。
【請求項１０】
前記コア・リングが、約０．９Λ〜約１．１３Λの間の外側半径を有している、請求項９に記載の光ファイバ。
【請求項１１】
前記コア・リングが、約０．７Λ〜約１．０５Λの間の外側半径を有している、請求項９に記載の光ファイバ。
【請求項１２】
前記コア・リングが、約０．８Λの外側半径を有している、請求項９に記載の光ファイバ。
【請求項１３】
前記コア・リングが、約１．２５Λ〜約１．４Λの間の外側半径を有する実質的に円形の断面を有している、請求項５に記載の光ファイバ。
【請求項１４】
前記コア・リングが、約１．６Λ〜約２．０Λの間の外側半径を有する実質的に円形の断面を有している、請求項５に記載の光ファイバ。
【請求項１５】
前記コア・リングが、約２．１Λ〜約２．２Λの間の外側半径を有する実質的に円形の断面を有している、請求項５に記載の光ファイバ。
【請求項１６】
前記コア・リングが、約２．６Λ〜約２．８Λの間の外側半径を有する実質的に円形の断面を有している、請求項５に記載の光ファイバ。
【請求項１７】
前記コア・リングが、約３．３Λ〜約３．４Λの間の外側半径を有する実質的に円形の断面を有している、請求項５に記載の光ファイバ。
【請求項１８】
幾何学的領域の各々が、０．５Λよりも小さい半径ρを有する実質的に円形の断面を有している、請求項５に記載の光ファイバ。
【請求項１９】
材料は誘電体材料であり、前記パターンは第２の材料を含む幾何学的領域の繰り返しパターンであって、幾何学的領域の各々が実質的に円形の断面を有しかつ隣接する幾何学的領域から離間していて、互いに隣接する３つの幾何学的領域からなるグループの各々が、前記３つの幾何学的隣接領域に正接する外周を有する内接円を囲むように寸法付けられた断面を有する前記誘電体材料の一部位を規定し、前記コア・リングの外周が前記内接円のいずれをも通過しない、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項２０】
前記材料がシリカを含む、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項２１】
前記領域が空気を含んでいる、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項２２】
前記コアが中空である、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項２３】
前記パターンが三角形である、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項２４】
前記コア・リングは光ファイバの基本モード分散曲線から実質的に切り離された分散曲線を有するリング表面モードを誘起する、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項２５】
前記コア・リングの厚さが、リングによって誘起される表面モードを最大でも１つしか支持しないように充分に小さい、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項２６】
前記フォトニック結晶格子の第１の部分は最高周波数のバルク・モードの強度ローブを
支持し、前記フォトニック結晶格子の第２の部分は最高周波数のバルク・モードの強度ローブを支持せず、前記コア・リングの外側の縁は前記フォトニック結晶格子の第２の部分を通過し、前記フォトニック結晶格子の第１の部分を通過しない、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項２７】
第１の屈折率を有する誘電体材料からなり、該誘電体材料が、各々が実質的に円形の断面を有しかつ前記第１の屈折率よりも低い第２の屈折率を有している領域の繰り返しパターンを、自身に形成して有しているフォトニック結晶格子と、
コアと、
おおむね円形の断面および外側半径を有するコア・リングとを含み、前記コア・リングは前記コアを囲み、前記コア・リングは前記光ファイバの基本モード分散曲線から実質的に切り離された分散曲線を有するリング表面モードを誘起する、光ファイバ。
【請求項２８】
コアとフォトニック結晶格子とを含む光ファイバを設計する方法であって、前記コアを囲むとともに、外側半径、内側半径、および外側半径と内側半径との間の厚さを有しており、前記外側半径、前記内側半径、および前記厚さのうちの少なくとも１つがリングに誘起される表面モードの数を少なくするように選択されている、実質的に円形のコア・リングを設計するステップを含んでいる、方法。
【請求項２９】
前記外側半径、前記内側半径、および前記厚さのうちの少なくとも１つが、リングによって誘起される表面モードの数を少なくするように、あるいはリングによって誘起される表面モードと当該光ファイバの基本モードとの間の結合を弱めるように、あるいはこの両者であるように選択されている、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記厚さが、リングによって誘起される表面モードの数を少なくするように選択されている、請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
前記外側半径が、リングによって誘起される表面モードと当該光ファイバの基本モードとの間の結合を弱めるように選択されている、請求項２８に記載の方法。
【請求項３２】
光信号を伝搬する方法であって、
コアを囲むフォトニック結晶格子を形成するために領域のパターンがそこに形成された材料を含む光ファイバを与えるステップを含み、前記材料は第１の屈折率を有して前記領域のパターンは前記第１の屈折率よりも低い第２の屈折率を有しており、光ファイバはさらに、前記コアを囲むとともに外側半径、内側半径、および外側半径と内側半径との間の厚さを有しているコア・リングを含み、前記厚さが、前記コア・リングによって支持されるリング表面モードの数を少なくするように寸法付けられており、さらに
前記光ファイバを通して光を伝搬するステップを含んでいる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月1日(2008.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物品上に実質的に滑らかな外面を有する防汚染性光学ディスプレイを形成するためのフィルムであって、
光学基材と；
前記光学基材の主面上に配置されたハードコート組成物の層であって、前記ハードコート組成物が、炭化水素をベースとするハードコート組成物、少なくとも１個の一価ヘキサフルオロポリプロピレンオキシド部分を有するモノまたはマルチ（メタ）アクリル化合物、およびフルオロアルキル基含有相溶化剤およびフルオロアルキレン基含有相溶化剤からなる群から選択されるフリーラジカル反応性相溶化剤を含む層と；
任意の接着性材料であって、前記光学基材が前記層と当該接着性材料との間に位置するように、前記光学基材のもう一面に適用された任意の接着性材料と；
前記接着性材料に適用された任意の取外し可能な剥離層と；
を含むフィルム。
【請求項２】
前記フルオロアルキル基含有相溶化剤が化学式：ＲfＱ（Ｘ）n（式中、Ｒfはフルオロアルキルであり；Ｑはアルキレン基、アリーレン基、アリーレン−アルキレン基およびアルキレン−アリーレン基からなる群から選択される連結基であり；Ｘはメタ（アクリル）反応性基、ＳＨ−反応性基、アリル反応性基およびビニル反応性基からなる群から選択されるフリーラジカル反応性基であり；そしてｎは１〜３である）を有する、請求項１に記載のフィルム。
【請求項３】
前記フルオロアルキレン基含有相溶化剤が化学式：（（Ｘ）nＱＲf2Ｑ（Ｘ）n）（式中、Ｒfはフルオロアルキレンであり；Ｑはアルキレン基、アリーレン基、アリーレン−アルキレン基およびアルキレン−アリーレン基からなる群から選択される連結基であり；Ｘはメタ（アクリル）基、ＳＨ基、アリル基およびビニル基からなる群から選択されるフリーラジカル反応基であり；そしてｎは１〜３である）を有する、請求項１に記載のフィルム。
【請求項４】
炭化水素をベースとするハードコート組成物と；
少なくとも１個の一価ヘキサフルオロポリプロピレンオキシド部分を有するモノまたはマルチ（メタ）アクリル化合物と；
フルオロアルキル基含有相溶化剤およびフルオロアルキレン基含有相溶化剤からなる群から選択されるフリーラジカル反応性相溶化剤と；
を含む光学ディスプレイにおいて実質的に滑らかなハードコート層として使用するための組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月15日(2008.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
以下の記載は、第一変調器が後置変調器１２を備え、第二変調器が前置変調器１４を備える、図１の例を参照する。しかし、本発明に従うシステムは、第一変調器が第二変調器を照射する任意のタイプの二重変調表示システムに関連して利用されてもよいことは理解されるべきである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
プロセッサは、ブロック２１６で生成される現在のフレームの前置変調器用信号と前置変調器駆動回路１８の適切な値の範囲との比較に基づいて、主要フレームが更新されるべきか否かをブロック２１８において判定する。このような比較は、現在のフレームの前置変調器用信号が前置変調器駆動回路１８の適切な値の範囲外にある画素（本明細書では、「問題画素」と呼ぶ）の数を、プロセッサが記録することで画素毎に行われる。プロセッサはまた、問題画素の位置を記録してもよい。プロセッサは、問題画素の数が所定の閾値を越えたとき、主要フレームが更新されるべきであることを判定する。別例では、問題画素が適切な値の範囲外であることによる平均値が所定の閾値を越えた場合、問題画素が適切な値の範囲外であることによる累積値が所定の閾値を越えた場合、又は個々の問題画素が、所定の閾値を超える適切な値の範囲外にある場合、プロセッサは主要フレームが更新されるべきことを判定する。