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【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基体の表面からアルミニドコーティングを除去する方法であって、当該方法が、
（１）脂肪族スルホン酸又は芳香族スルホン酸と（２）１種類以上の添加剤とを含む１種以上のストリッピング組成物を基体の表面と接触させる段階、及び
コーティングを除去する段階
を含んでなり、前記添加剤が、以下の（ａ）〜（ｃ）：
（ａ）硝酸、塩酸、リン酸、過塩素酸、トリフルオロメタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、硫酸、ホウ酸、次亜リン酸及びこれらの組合せからなる群から選択される第二の酸、
（ｂ）ハロゲン化物、オキシハロゲン化物、硫酸塩、リン酸塩、硝酸塩、置換芳香族化合物であってニトロ、ヒドロキシ、カルボキシル及び硫酸置換基を有するもの、及び置換アルキルカルボン酸からなる群から選択される錯化剤、並びに
（ｃ）アルカリ土類水酸化物、Ａｌ（ＯＨ）3、ホウ酸塩、リン酸塩、次亜リン酸ナトリウム、ケイ酸塩、アルミン酸塩、Ｎａ3ＡｌＦ6、Ｎａ2ＳｉＦ6及びＮａ2ＳｉＯ3からなる群から選択される還元剤
からなる群から選択される、方法。
【請求項２】  第二の酸が０．１〜１０．０重量％の量でストリッピング組成物中に存在する、請求項２記載の方法。
【請求項３】  還元剤が０．１〜１０重量％の量で存在する、請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項４】  ストリッピング溶液がアルコール類、置換アルキルエーテル類、置換ケトン類及びグリコール類からなる群から選択される溶媒を含んでなる、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】  アルミニドコーティングが白金アルミニド領域と白金を含まない白金不含アルミニド領域とを含んでいる、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月15日(2007.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 
少なくとも１つの孔（１４２）が形成された壁（１３６〜１４１）で隔てられた第一及び第二の内部冷却通路（１２０〜１２４、１２８、１３２）を含み、前記孔（１４２）が当該翼形部（１１２）の鋳造時に使用されたコアタイで形成され、
前記孔（１４２）両側の圧力差を最小限にするため該孔（１４２）近傍の局所静圧を変化させる手段（１４４）を更に含み、該局所静圧を変化させる手段が、壁（１３６〜１４１）上に孔（１４２）に隣接して配設されたデフレクタ（１４４）を含んでなる翼形部（１１２）。
【請求項２】 
デフレクタ（１４４）が孔（１４２）の上流に配設される、請求項１記載の翼形部（１１２）。
【請求項３】 
デフレクタ（１４４）が孔（１４２）の下流に配設される、請求項１記載の翼型（１１２）。
【請求項４】 
壁（１３６〜１４１）上に孔（１４２）に隣接して配設された第二のデフレクタ（１４４）をさらに含んでなり、前記最初に述べたデフレクタ（１４４）が第一の通路（１２０〜１２４、１２８、１３２）に配設され、上記第二のデフレクタ（１４４）が第二の通路（１２０〜１２４、１２８、１３２）に配設される、請求項１記載の翼形部（１１２）。
【請求項５】 
第一の通路（１２０〜１２４、１２８、１３２）が第二の通路（１２０〜１２４、１２８、１３２）よりも高い圧力をもつ、請求項４記載の翼形部（１１２）。
【請求項６】 
前記最初に述べたデフレクタ（１４４）が孔（１４２）の上流に配設され、前記第二のデフレクタ（１４４）が孔（１４２）の下流に配設される、請求項５記載の翼形部（１１２）。
【請求項７】 
前記最初に述べたデフレクタ（１４４）と前記第二のデフレクタ（１４４）が共に傾斜面と鈍面を有し、前記最初に述べたデフレクタ（１４４）は傾斜面が上流に向くように配置され、前記第二のデフレクタ（１４４）は鈍面が上流を向くように配置される、請求項５記載の翼形部（１１２）。
【請求項８】 
前記デフレクタ（１４４）が孔の直径に略等しい高さをもつ、請求項１記載の翼形部（１１２）。
【請求項９】
前記第一の通路（１２０〜１２４、１２８、１３２）が前記第二の通路（１２０〜１２４、１２８、１３２）よりも高い圧力をもち、
局所静圧を変化させる前記手段（１４４）が、前記第一の通路（１２０〜１２４、１２８、１３２）に孔（１４２）の上流に隣接して配設された第一のデフレクタ（１４４）と、第二の通路（１２０〜１２４、１２８、１３２）に孔（１４２）の下流に隣接して配設された第二のデフレクタ（１４４）とからなる、請求項１記載の翼形部（１１２）。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月19日(2007.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】動圧軸受構造および偏向走査装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  スリーブと、該スリーブに回転自在に嵌合する棒状軸とを備えており、前記スリーブおよび前記棒状軸のうちの少なくとも一方が動圧発生溝を有し、前記スリーブおよび前記棒状軸のうちの少なくとも一方の嵌合面に電着塗装膜が設けられていて、前記電着塗装膜が、樹脂に潤滑性をもつ無機物微粒子を分散させた膜であることを特徴とする動圧軸受構造。
【請求項２】電着塗装膜が、前記スリーブ上に設けられた化成処理膜の上に設けられていることを特徴とする請求項１記載の動圧軸受構造。
【請求項３】前記化成処理膜が、めっきによって形成される導電膜であることを特徴とする請求項２記載の動圧軸受構造。
【請求項４】請求項１ないし３いずれか１項記載の動圧軸受構造と、スリーブと棒状軸のうちの回転する方に設けられた光束を偏向走査する偏向走査手段とを有する偏向走査装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、動圧発生溝を有する動圧軸受構造と、その動圧軸受構造を有する偏向走査装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は上記従来の技術の有する未解決の課題に鑑みてなされたものであり、棒状軸やスリーブの少なくとも一方の嵌合面に耐摩耗性を向上させる電着塗装膜を形成することで摩耗粉の発生を回避して、すぐれた軸受性能を長期間維持できる安価で高性能な動圧軸受構造および偏向走査装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明の動圧軸受構造は、スリーブと、該スリーブに回転自在に嵌合する棒状軸とを備えており、前記スリーブおよび前記棒状軸のうちの少なくとも一方が動圧発生溝を有し、前記スリーブおよび前記棒状軸のうちの少なくとも一方の嵌合面に電着塗装膜が設けられていて、前記電着塗装膜が、樹脂に潤滑性をもつ無機物微粒子を分散させた膜であることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月26日(2007.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造装置のプラズマクリーニング方法であって、前記半導体製造装置の処理チャンバに内設した基板ホルダ上にカバーウェハを設置し、基板ホルダ表面を保護してチャンバをクリーニングするプラズマクリーニング方法において、
シリコン、アルミの元素を排除して構成されるイットリア、酸化イッテルビウム、酸化ランタン、酸化ルテシウム等の焼結体から構成されるカバーウェハを用いたことを特徴とするプラズマクリーニング方法。
【請求項２】
半導体製造装置のプラズマクリーニング方法であって、前記半導体製造装置の処理チャンバに内設した基板ホルダ上にカバーウェハを設置し、基板ホルダ表面を保護してチャンバをクリーニングするプラズマクリーニング方法において、
シリコン、アルミの元素を排除して構成されるイットリア、酸化イッテルビウム、酸化ランタン、酸化ルテシウム等の焼結体から構成されるカバーウェハを用い、光学的検出手法にてプラズマクリーニングを自動制御することを特徴とするプラズマクリーニング方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の半導体製造装置のプラズマクリーニング方法であって、プラズマクリーニングにＣｌ２、ＨＢｒ、ＳＦ６ガスを使用する事を特徴とするプラズマクリーニング方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２記載の半導体製造装置のプラズマクリーニング方法であって、カバーウェハは、シリコンウェハ、またはアルミナセラミック基板にイットリア、酸化イッテルビウム、酸化ランタン、酸化ルテシウム等の溶射膜を被膜したことを特徴とするプラズマクリーニング方法。
【請求項５】
処理チャンバを有し、プラズマを用いて被処理体を処理する半導体製造装置であって、処理チャンバに内に設けた基板ホルダ上に、シリコンおよびアルミの元素を排除して構成されるイットリア、酸化イッテルビウム、酸化ランタン、酸化ルテシウム等の焼結体から構成されるカバーウェハを設置して処理チャンバのクリーニングを行う半導体製造装置において、
処理チャンバ内部のプラズマ発光の波長毎の発光強度を取得する光学的検出手段と、光学的検出手段が処理チャンバのクリーニング終点を検出したときにクリーニングを停止させる自動制御手段とを設け、
処理チャンバのプラズマクリーニング時、クリーニング中のプラズマ発光状態を光学的検出手段により検出することによって、クリーニングの終点を検出することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体製造装置において、光学的検出手段が検出したプラズマの各発光強度の微分値０を検出した時点をクリーニングの終点とし、自動制御手段に設定された時間の間オーバークリーニングを施した後、高周波電源、流量制御手段に停止信号を送信し、クリーニング処理を停止することを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月1日(2007.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の操作ボタンと、
前記第１の操作ボタンに対応する第１のスイッチと、
前記第１のスイッチが配置され、切り欠き部が形成される第１の基板と、
ライトガイド部材を備えた第２の操作ボタンと、
前記第１の基板の前記切り欠き部の下に配置される前記第２の操作ボタンに対応する第２のスイッチと、
前記第１の基板の前記切り欠き部の下であって、かつ前記ライトガイド部材の下に配置される光源とを有することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記第２のスイッチと前記光源とは、前記第１の基板と異なる第２の基板に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記光源は、前記第２の操作ボタンと前記第２のスイッチとの間に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電子機器に関し、特に電子機器の照光式操作ボタンの配置構造に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、第１の操作ボタンと、前記第１の操作ボタンに対応する第１のスイッチと、前記第１のスイッチが配置され、切り欠き部が形成される第１の基板と、ライトガイド部材を備えた第２の操作ボタンと、前記第１の基板の前記切り欠き部の下に配置される前記第２の操作ボタンに対応する第２のスイッチと、前記第１の基板の前記切り欠き部の下であって、かつ前記ライトガイド部材の下に配置される光源とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月18日(2007.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化１で表される繰り返し単位を含むことを特徴とするプロトン伝導性ポリマー。
【化１】
2006100142.tif 000001
但し、Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、それぞれ置換基であり、Ｖ，Ｗ及びＸは正の整数である。
【請求項２】
前記Ｒ１は芳香族性官能基であることを特徴とする請求項１記載のプロトン伝導性ポリマー。
【請求項３】
前記Ｒ１はベンゼン誘導型官能基であることを特徴とする請求項１記載のプロトン伝導性ポリマー。
【請求項４】
前記Ｒ２はイオン性芳香族官能基であることを特徴とする請求項１記載のプロトン伝導性ポリマー。
【請求項５】
前記Ｒ２はアントラキノン誘導型官能基であることを特徴とする請求項１記載のプロトン伝導性ポリマー。
【請求項６】
前記Ｒ３は芳香族性官能基であることを特徴とする請求項１記載のプロトン伝導性ポリマー。
【請求項７】
前記Ｒ３はベンゼン誘導型官能基であることを特徴とする請求項１記載のプロトン伝導性ポリマー。
【請求項８】
前記Ｒ１は芳香族性官能基で、前記Ｒ２はイオン性芳香族官能基で、かつ前記Ｒ３は芳香族性官能基であることを特徴とする請求項１記載のプロトン伝導性ポリマー。
【請求項９】
前記Ｒ１はベンゼン誘導型官能基で、前記Ｒ２はアントラキノン誘導型官能基で、前記Ｒ３はベンゼン誘導型官能基であることを特徴とする請求項１記載のプロトン伝導性ポリマー。
【請求項１０】
前記Ｖは１〜１２０のうちから選ばれる整数で、前記Ｗは１〜４００のうちから選ばれる整数で、前記Ｘは１０〜４０００のうちから選ばれる整数であることを特徴とする請求項１記載のプロトン伝導性ポリマー。
【請求項１１】
前記Ｖは２０〜８０のうちから選ばれる整数で、前記Ｗは４０〜３００のうちから選ばれる整数で、前記Ｘは８０〜３０００のうちから選ばれる整数であることを特徴とする請求項１記載のプロトン伝導性ポリマー。
【請求項１２】
アノードと、
カソードと、
前記アノード及び前記カソードの間に配置され、下記化２で表される繰り返し単位を含むポリマーを含有するプロトン伝導膜と
を具備することを特徴とする燃料電池。
【化２】
2006100142.tif 000002
但し、Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、それぞれ置換基であり、Ｖ，Ｗ及びＸは正の整数である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月18日(2007.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタノール排除性化合物単位とプロトン伝導性化合物単位とを含有することを特徴とするプロトン伝導性ポリマー。
【請求項２】
芳香族性立体化合物単位とプロトン伝導性化合物単位とを含むことを特徴とするプロトン伝導性ポリマー。
【請求項３】
前記芳香族性立体化合物単位は、芳香族環及び脂肪族性環状化合物が一つの炭素を中心に化学結合した構造を基本骨格とすることを特徴とする請求項２記載のプロトン伝導性ポリマー。
【請求項４】
前記プロトン伝導性化合物単位は、プロトン伝導性官能基が結合した芳香族性化合物から構成されることを特徴とする請求項２記載のプロトン伝導性ポリマー。
【請求項５】
前記プロトン伝導性官能基は、スルホン酸基であることを特徴とする請求項４記載のプロトン伝導性ポリマー。
【請求項６】
下記化１で表される構造式を有することを特徴とする請求項２記載のプロトン伝導性ポリマー。
【化１】
2006100144.tif 000001
但し、Ｘは前記芳香族性立体化合物単位で、Ｙは前記プロトン伝導性化合物単位で、Ｐは１〜２００のうちから選ばれる整数で、Ｑは１〜２００のうちから選ばれる整数で、Ｍは８０〜３００００のうちから選ばれる整数である。
【請求項７】
前記Ｐは２０〜１２０うちから選ばれる整数で、前記Ｑは２０〜１２０のうちから選ばれる整数で、前記Ｍは３０００〜２５０００のうちから選ばれる整数であることを特徴とする請求項６記載のプロトン伝導性ポリマー。
【請求項８】
前記芳香族性立体化合物単位と前記プロトン伝導性化合物単位から構成された下記化２で表される繰り返し単位を有することを特徴とする請求項２記載のプロトン伝導性ポリマー。
【化２】
2006100144.tif 000002
但し、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は互いに同じでも異なっていても良く、それぞれ炭素数が１〜10の置換基で、Ｐ，Ｑ及びＭはそれぞれ正の整数である。
【請求項９】
前記Ｐは１〜２００のうちから選ばれる整数で、前記Ｑは１〜２００のうちから選ばれる整数で、前記Ｍは８０〜３００００のうちから選ばれる整数であることを特徴とする請求項８記載のプロトン伝導性ポリマー。
【請求項１０】
前記Ｐは２０〜１２０うちから選ばれる整数で、前記Ｑは２０〜１２０のうちから選ばれる整数で、前記Ｍは３０００〜２５０００のうちから選ばれる整数であることを特徴とする請求項８記載のプロトン伝導性ポリマー。
【請求項１１】
前記Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は互いに同じでも異なっていても良く、それぞれ炭素数が１〜10の炭化水素基、カルボキシル基、または炭素数が１〜10のエーテル基である請求項８記載のプロトン伝導性ポリマー。
【請求項１２】
アノードと、
カソードと、
前記アノード及び前記カソードの間に配置され、芳香族性立体化合物単位とプロトン伝導性化合物単位とを含むポリマーを含有するプロトン伝導膜と
を具備することを特徴とする燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月18日(2007.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピリジン誘導体と、立体化合物とを含有することを特徴とする付臭剤。
【請求項２】
前記ピリジン誘導体は、硫黄元素を含む官能基と、酸性官能基と、塩基性官能基とを有することを特徴とする請求項１記載の付臭剤。
【請求項３】
前記ピリジン誘導体は、下記化１で表される構造式を有することを特徴とする請求項１記載の付臭剤。
【化１】
2006100141.tif 000001
但し、Ｒ１は硫黄元素を含む官能基で、Ｒ２は酸性官能基であり、Ｒ３は塩基性官能基である。
【請求項４】
前記Ｒ１はチオール基を含む官能基であることを特徴とする請求項３記載の付臭剤。
【請求項５】
前記Ｒ２は、カルボキシル基、スルホン酸基及び燐酸基よりなる群から選択される少なくとも１種類を含む酸性官能基であることを特徴とする請求項３記載の付臭剤。
【請求項６】
前記立体化合物は、４つの炭素原子により囲まれた平面とこの平面内に含まれない少なくともひとつの炭素原子とを有する立体構造を持つ炭素数が５〜２０の炭化水素化合物か、前記炭化水素化合物の誘導体であることを特徴とする請求項１記載の付臭剤。
【請求項７】
前記炭化水素化合物の炭素数は８〜１４であることを特徴とする請求項６記載の付臭剤。
【請求項８】
前記炭化水素化合物の誘導体は、炭素数が６以下（０を含む）の官能基を有することを特徴とする請求項６記載の付臭剤。
【請求項９】
前記立体化合物は、アダマンタンもしくはその誘導体であることを特徴とする請求項１記載の付臭剤。
【請求項１０】
前記ピリジン誘導体と前記立体化合物との混合比は、重量比（ピリジン誘導体Ｐ：立体化合物Ｔ）で４０：６０〜６０：４０の範囲であることを特徴とする請求項１記載の付臭剤。
【請求項１１】
液体燃料と、前記液体燃料に溶解された付臭剤とを含有することを特徴とする燃料電池用液体燃料。
【請求項１２】
アノードと、
カソードと、
前記アノード及び前記カソードの間に配置される固体電解質膜と、
前記アノードに供給され、付臭剤を含む液体燃料と
を具備することを特徴とする燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月18日(2007.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
次に、ＭＰＥＧ−２の圧縮方式では、picture_header（）内にテンポラル・リファレンス（temporal_reference）が定義されている。テンポラル・リファレンスは、ＧＯＰ単位でピクチャの表示順番を示すパラメータである。スプライスされたストリームでは、挿入されるダミーＢピクチャ（Ｂｄ）が第２のストリームの第１ＧＯＰに吸収される。従って、第２のストリームの第１ＧＯＰに属していたピクチャデータは表示順番が変わり、テンポラル・リファレンスの書き換え処理が必要となる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月11日(2006.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ処理をするコンピュータ装置と、
前記コンピュータ装置で使用されるデータを記憶するストレージ装置と、
前記端末と前記ストレージ装置とを接続するスイッチと、を備えるネットワークシステムにおいて、ネットワークの運用を管理する方法であって、
前記ストレージ装置は、専ら制御データを転送する制御ＶＬＡＮ及び前記制御データ以外のデータを転送するユーザＶＬＡＮと、前記ＶＬＡＮごとの優先度と、を前記スイッチに設定し、
前記スイッチは、高い優先度が設定された前記ＶＬＡＮを優先してデータを転送することを特徴とするネットワークシステムの運用管理方法。
【請求項２】
前記ストレージ装置は、前記制御ＶＬＡＮの優先度を、前記ユーザＶＬＡＮの優先度より高く設定することを特徴とする請求項１に記載のネットワークシステムの運用管理方法。
【請求項３】
前記ストレージ装置は、前記制御ＶＬＡＮのイベント情報の優先度を、前記制御ＶＬＡＮのトラフィック情報の優先度より高く設定することを特徴とする請求項１に記載のネットワークシステムの運用管理方法。
【請求項４】
前記ストレージ装置は、前記制御ＶＬＡＮの優先度の高いイベント情報の優先度を高くに設定することを特徴とする請求項１に記載のネットワークシステムの運用管理方法。
【請求項５】
前記ストレージ装置は、前記制御ＶＬＡＮの優先度の高いトラフィック情報の優先度を、前記制御ＶＬＡＮの優先度の低いトラフィック情報の優先度より高く設定することを特徴とする請求項１に記載のネットワークシステムの運用管理方法。
【請求項６】
前記ストレージ装置は、前記ストレージ装置と直接接続されている前記スイッチに優先度変更パケットを送信することによって、
前記ユーザＶＬＡＮの優先度を、該スイッチに設定することを特徴とする請求項１に記載のネットワークシステムの運用管理方法。
【請求項７】
前記ストレージ装置と直接接続されている前記スイッチは、前記ストレージ装置からの優先度変更パケットによって設定された前記ユーザＶＬＡＮの優先度を、他の前記スイッチに通知し、
前記設定されたユーザＶＬＡＮの優先度を、他の前記スイッチに設定することを特徴とする請求項１に記載のネットワークシステムの運用管理方法。
【請求項８】
前記ストレージ装置は、前記ＶＬＡＮごとの優先度を記憶することを特徴とする請求項１に記載のネットワークシステムの運用管理方法。
【請求項９】
前記ストレージ装置は、
前記制御ＶＬＡＮからイベント情報を受信すると、
該イベント情報に応じて、前記ユーザＶＬＡＮの優先度を前記スイッチに設定することを特徴とする請求項１に記載のネットワークシステムの運用管理方法。
【請求項１０】
前記スイッチは、前記端末からイベント情報を取得すると、前記制御ＶＬＡＮで前記ストレージ装置にイベント情報を送信することを特徴とする請求項９に記載のネットワークシステムの運用管理方法。
【請求項１１】
前記ストレージ装置は、
前記制御ＶＬＡＮからトラフィック情報を受信すると、
該トラフィック情報に応じて、前記ユーザＶＬＡＮの優先度を前記スイッチに設定することを特徴とする請求項１に記載のネットワークシステムの運用管理方法。
【請求項１２】
前記ストレージ装置は、
前記受信したトラフィック情報を格納し、
前記格納されたトラフィック情報の変化を監視し、
前記トラフィック情報が変化すると、前記ユーザＶＬＡＮの優先度を前記スイッチに設定することを特徴とする請求項１１に記載のネットワークシステムの運用管理方法。
【請求項１３】
前記スイッチは、
前記ＶＬＡＮのトラフィックを測定し、
前記測定されたトラフィックに基づくトラフィック情報を、前記制御ＶＬＡＮを介して、前記ストレージ装置に送信することを特徴とする請求項１１に記載のネットワークシステムの運用管理方法。
【請求項１４】
前記ストレージ装置は、前記制御ＶＬＡＮの使用を禁止する旨を、前記スイッチに設定とすることを特徴とする請求項１に記載のネットワークシステムの運用管理方法。
【請求項１５】
前記ストレージ装置は、
前記スイッチに、２以上の制御ＶＬＡＮを設定し、
前記複数の制御ＶＬＡＮの双方を使用することによって、制御データを転送し、
一方の前記制御ＶＬＡＮから制御データを受信しない場合、該制御ＶＬＡＮに障害が発生したと判定することを特徴とする請求項１に記載のネットワークシステムの運用管理方法。
【請求項１６】
前記ストレージ装置は、
一方の前記制御ＶＬＡＮで障害が発生すると、該制御ＶＬＡＮを閉塞し、
他方の前記制御ＶＬＡＮを用いて制御データを転送することを特徴とする請求項１５に記載のネットワークシステムの運用管理方法。
【請求項１７】
前記ストレージ装置は、
前記制御ＶＬＡＮに発生した障害が回復すると、前記回復した制御ＶＬＡＮを再び使用して、制御データを転送することを特徴とする請求項１６に記載のネットワークシステムの運用管理方法。
【請求項１８】
データを記憶するディスクドライブへのデータの入出力を制御する制御部と、ネットワークに対するデータの送受信を制御するネットワークインターフェースと、を備えるストレージ装置において、
前記ストレージ装置から提供されるデータを使用して処理をするコンピュータ装置と、前記ネットワークに設けられたスイッチを介して接続されており、
専ら制御データを転送する制御ＶＬＡＮ及び前記制御データ以外のデータを転送するユーザＶＬＡＮと、前記ＶＬＡＮごとの優先度と、を前記スイッチに設定することを特徴とするストレージ装置。
【請求項１９】
前記制御ＶＬＡＮの優先度を、前記ユーザＶＬＡＮより高く設定し、
前記制御ＶＬＡＮからイベント情報を受信すると、
該イベント情報に応じて、ユーザＶＬＡＮの優先度を前記スイッチに設定することを特徴とする請求項１８に記載のストレージ装置。
【請求項２０】
データ処理をするコンピュータ装置と、
データを記憶するディスクドライブと、前記ディスクドライブへのデータの入出力を制御する制御部と、ネットワークに対するデータの送受信を制御するネットワークインターフェースと、を備えるストレージ装置と、
前記コンピュータ装置と前記ストレージ装置とを接続するＬ２スイッチと、を備えるネットワークシステムの運用管理方法において、
前記ストレージ装置は、
前記Ｌ２スイッチに、専ら制御データを転送する制御ＶＬＡＮ及び前記制御データ以外のデータを転送するユーザＶＬＡＮを設定し、
前記制御ＶＬＡＮから制御情報を受信すると、前記ストレージ装置と直接接続されている前記Ｌ２スイッチに優先度変更パケットを送信することによって、前記ユーザＶＬＡＮの優先度を、該Ｌ２スイッチに設定し、
該Ｌ２スイッチは、前記ユーザＶＬＡＮの優先度を、他の前記Ｌ２スイッチに通知し、
前記設定されたユーザＶＬＡＮの優先度を、他の前記Ｌ２スイッチに設定することを特徴とするネットワークシステムの運用管理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月4日(2007.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された樹脂膜をパターニングする工程と、
前記樹脂膜に導電性膜又は半導電性膜の構成成分を含ませる工程と、
前記導電性膜又は半導電性膜の構成成分を含むパターニングされた樹脂膜に紫外線を照射する工程と、
前記紫外線が照射された樹脂膜を該樹脂の分解温度以上に加熱して、前記基板上に導電性膜又は半導電性膜を形成する工程と
を有することを特徴とする膜パターンの製造方法。
【請求項２】
前記紫外線の照射は、前記導電性膜又は半導電性膜の構成成分を含んだ樹脂膜を加熱しながら行われることを特徴とする請求項１に記載の膜パターンの製造方法。
【請求項３】
前記紫外線の照射は、オゾン存在下で行なわれることを特徴とする請求項１又は２に記載の膜パターンの製造方法。
【請求項４】
前記樹脂はイオン交換基を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の膜パターンの製造方法。
【請求項５】
前記導電性膜又は半導電性膜の構成成分は、金、銀、銅、ルテニウム、パラジウム、ロジウム、ビスマス、バナジウム、クロム、錫、鉛、ケイ素、亜鉛、インジウム、ニッケルから選択されるいずれかであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の膜パターンの製造方法。
【請求項６】
前記導電性膜又は半導電性膜の構成成分は、金属錯体であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の膜パターンの製造方法。
【請求項７】
前記樹脂膜に導電性膜又は半導電性膜の構成成分を含ませる工程は、該導電性膜又は半導電性膜の構成成分を含む液体を前記樹脂膜に与える工程を含み、前記液体は水系液体であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の膜パターンの製造方法。
【請求項８】
少なくとも一部に導電性又は半導電性の膜パターンを有する回路が設けられた基板を備えた電子デバイスの製造方法であって、前記膜パターンの少なくとも一部を、請求項１〜７のいずれかに記載の膜パターンの製造方法により形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項９】
導電性の膜パターンを有する電子放出素子の製造方法であって、該膜パターンを、請求項１〜７のいずれかに記載の膜パターンの製造方法により形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項１０】
基板上に設けられた複数の電子放出素子と、該電子放出素子を駆動するための配線とを備え、該電子放出素子および配線の少なくとも一部が導電性の膜パターンによって構成された電子源基板の製造方法において、前記膜パターンの少なくとも一部を、請求項１〜７のいずれかに記載の膜パターンの製造方法により形成することを特徴とする電子源基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０の製造方法により得られた電子源基板を、電子線の照射によって画像を形成する画像形成部材を有する基板と対向配置することを特徴とする画像形成装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち、本発明は、基板上に形成された樹脂膜をパターニングする工程と、
前記樹脂膜に導電性膜又は半導電性膜の構成成分を含ませる工程と、
前記導電性膜又は半導電性膜の構成成分を含むパターニングされた樹脂膜に紫外線を照射する工程と、
前記紫外線が照射された樹脂膜を該樹脂の分解温度以上に加熱して、前記基板上に導電性膜又は半導電性膜を形成する工程と
を有することを特徴とする膜パターンの製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月30日(2007.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
III族窒化物系化合物半導体の結晶成長によって生成される半導体層を複数積層することにより形成される半導体発光素子において、
Ｉｎ組成比ｘが０．０１以上０．７以下であるＩｎＧａＮ結晶から形成され、かつ、表面に電極が形成されている電極形成層を有し、
前記電極形成層の前記表面に、穴であるピットが１０5個／ｃｍ2以上の点在密度で形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記の課題を解決するためには、以下の手段が有効である。
即ち、本発明の第１の手段は、III族窒化物系化合物半導体の結晶成長によって生成される半導体層を複数積層することにより形成される半導体発光素子において、Ｉｎ組成比ｘが０．０１以上０．７以下であるＩｎＧａＮ結晶から形成され、かつ表面に電極が形成された電極形成層を設け、この電極形成層の表面に、穴であるピットを１０5個／ｃｍ2以上の点在密度で形成することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
以上の本発明の手段によって得られる効果は以下の通りである。
即ち、本発明の第１の手段によれば、電極形成層の結晶成長に伴い、その電極形成層の表面に多数のピットが形成されるので、電極形成層を結晶成長させるだけで電極形成層の表面に所望の非鏡面を形成することができる。電極形成層のＩｎ組成比ｘを０．０１以上０．７以下とすることにより、ピットが形成され易くなる理由は今のところ明確には判明していないが、我々の検証により少なくともインジウム組成比の上昇と共にこれらのピットが形成され易くなる傾向があることが判っている。そして、これらの各ピットは電極形成層の結晶成長と共に拡大していく。また、ピットを構成する傾斜面の傾斜角は十分に大きく確保することができるので、光の透過率も大きく確保することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月30日(2007.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
III族窒化物系化合物半導体の結晶成長によって生成される半導体層を複数積層することにより形成される発光ダイオードの製造方法であって、
表面に電極が形成される電極形成層の積層後に、当該電極形成層の結晶成長を実施した結晶成長炉の中でエッチングガスを流す気相エッチングにより、前記表面にピットを形成することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項２】
前記エッチングガスは、Ｈ2ガス、または水素化ハロゲンガスを含んでいることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項３】
前記表面は結晶ｃ面からなり、前記ピットは６角錐状の穴からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項４】
前記ピットの深さは、１０ｎｍ〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項５】
前記電極形成層をｐコンタクト層で構成し、前記ピットの深さを前記ｐコンタクト層の膜厚の５０％〜１００％とすることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項６】
前記気相エッチングの実行時の温度は、５００℃〜１２００℃であることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の発光ダイオードの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記の課題を解決するためには、以下の手段が有効である。
即ち、本発明の第１の手段は、III族窒化物系化合物半導体の結晶成長によって生成される半導体層を複数積層することにより形成される発光ダイオードの製造工程において、表面に電極が形成される電極形成層の積層後に、当該電極形成層の結晶成長を実施した結晶成長炉の中でエッチングガスを流す気相エッチングによりその表面にピットを形成することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の第４の手段は、上記の第１乃至第３の何れか１つの手段において、上記のピットの深さを１０ｎｍ〜２００ｎｍにすることである。
このピットの深さは、積層される電極形成層の膜厚などにも依るが、概ね５０ｎｍ以上が望ましく、更に望ましくは１００ｎｍ以上１８０ｎｍ以下が良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の第５の手段は、上記の第１乃至第４の何れか１つの手段において、上記の電極形成層をｐコンタクト層で構成し、上記のピットの深さをｐコンタクト層の膜厚の５０％〜１００％とすることである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の第６の手段は、上記の第１乃至第５の何れか１つの手段において、気相エッチングの実行時の温度を５００℃〜１２００℃にすることである。ただし、この温度範囲は、８００℃〜１１００℃が望ましく、９５０℃〜１０５０℃の間の範囲が更に望ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記の様なエッチングは、選択的なエッチングではなく、かつ、気相で実施できるので、極めて容易に実施することができる。即ち、上記の第１の手段に従えば、従来から行われてきた様な煩雑なエッチング工程を実行する必要がない。
したがって、本発明の第１の手段によれば、発光ダイオードにおける光取り出し効率（外部量子効率）の向上と、その高発光効率の発光ダイオードの生産性の確保とを容易に両立することができる。
また、電極形成層の結晶成長の工程に引き続いて、その結晶成長炉内から半導体ウェハを取り出すことなく、簡単に、気相エッチングを引き続き実施することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明の第４の手段によれば、電極形成層のエッチング前の最初の表面が各ピットの底面で概ね覆い尽くされる程度に、電極形成層の上方露出面に全面的に凹凸を形成することができる。これは、電極形成層を概ね良質に形成した場合、その電極形成層のエッチング前の最初の表面の転位密度が概ね１０8／cm2オーダーとなるためである。
エッチング後は、その表面に平頂部が残っても良いが、表面の平頂部は無くなっても良い。また、これらの状態には、局所的な差異が有っても良い。ただし、エッチング時間が長過ぎると、その分の工程時間が無駄になったり、或いは、例えばクラッド層などの下層まで削られてしまう場合もあるので注意を要する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、例えば、電極形成層をｐコンタクト層から形成する場合、ｐコンタクト層の膜厚の５０％〜１００％の深さのピットを形成すれば、下層まで削られてしまう恐れが無くなる（本発明の第５の手段）。そして、この場合には、各ｐ型半導体層の所定の機能が良好に保たれる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、本発明の第６の手段によれば、目的とする発光ダイオードを構成する各半導体層に熱的なダメージを与えることなく、上記の気相エッチングにおけるエッチング作用を効果的に引き出すことができる。この温度の最適値は、概ね１０００℃前後であるが、本発明は、５００℃〜１２００℃の範囲内で十分に適用可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月31日(2007.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体撮像素子と、
前記固体撮像素子の前方に配置された光学フィルタと、
前記固体撮像素子の撮像エリアを囲む枠体からなり、少なくとも前記枠体の内周と外周との間で空気を流通させる通気性を有し、前記固体撮像素子と前記光学フィルタとの間に配置されたスペーサ枠とを備え、
前記固体撮像素子と前記光学フィルタとを前記スペーサ枠を介して貼合わせたこと
を特徴とする撮像素子ユニット。
【請求項２】
スペーサ枠は弾性を有していることを特徴とする請求項１に記載の撮像素子ユニット。
【請求項３】
スペーサ枠は、連続気泡を有する発泡樹脂枠であることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像素子ユニット。
【請求項４】
スペーサ枠は、固体撮像素子の貼付け面と光学フィルタの貼付け面の少なくとも一方に、その内周縁から外周縁にわたる長さの複数の通気溝が形成された枠体であることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像素子ユニット。
【請求項５】
通気溝は、幅及び深さが１０μｍ以下の細溝であることを特徴とする請求項４に記載の撮像素子ユニット。
【請求項６】
通気溝は、スペーサ枠の各枠辺にそれぞれ略均等なピッチで形成されていることを特徴とする請求項５に記載の撮像素子ユニット。
【請求項７】
通気溝は、スペーサ枠の枠辺の長さ方向に対して斜めに交差する方向に沿わせて形成されていることを特徴とする請求項５に記載の撮像素子ユニット。
【請求項８】
通気溝は、スペーサ枠の枠辺の長さ方向に対して一方の方向に斜めに交差する方向と、前記枠辺の長さ方向に対して他方の方向に斜めに交差する方向との２つの方向に沿わせて網状に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の撮像素子ユニット。
【請求項９】
通気溝面に異物付着膜が設けられていることを特徴とする請求項５に記載の撮像素子ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかし、固体撮像素子と光学フィルタとを枠状に塗布した接着剤により接着した従来の撮像素子ユニットは、前記固体撮像素子と光学フィルタとの間の空間が密閉されているため、温度変化により、前記空間内の空気中の水分が固体撮像素子及び光学フィルタの対向面に結露して曇りを生じ、撮像性能を著しく低下させてしまうという問題をもっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明は、固体撮像素子と光学フィルタとを貼合わせて１つのユニットとしたものでありながら、温度変化による固体撮像素子及び光学フィルタの対向面の曇りを無くして常に良好な撮像性能を維持することができる撮像素子ユニットを提供することを目的としたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明の撮像素子ユニットは、固体撮像素子と、前記固体撮像素子の前方に配置された光学フィルタと、前記固体撮像素子の撮像エリアを囲む枠体からなり、少なくとも前記枠体の内周と外周との間で空気を流通させる通気性を有し、前記固体撮像素子と前記光学フィルタとの間に配置されたスペーサ枠とを備え、前記固体撮像素子と前記光学フィルタとを前記スペーサ枠を介して貼合わせたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前記通気性を有するスペーサ枠は、連続気泡を有する発泡樹脂枠でも、前記固体撮像素子の貼付け面と前記光学フィルタの貼付け面の少なくとも一方に、その内周縁から外周縁にわたる長さの複数の通気溝を形成した枠体でもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明の撮像素子ユニットは、固体撮像素子と光学フィルタとを、少なくとも前記枠体の内周と外周との間で空気を流通させる通気性を有しスペーサ枠を介して貼合わせたものであるため、固体撮像素子と光学フィルタとを貼合わせて１つのユニットとしたものでありながら、温度変化による固体撮像素子及び光学フィルタの対向面の曇りを無くして常に良好な撮像性能を維持することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、前記通気性を有するスペーサ枠は、少なくともその内周と外周との間に通気性を有するものであれば、連続気泡を有する発泡樹脂枠でも、固体撮像素子の貼付け面と前記光学フィルタの貼付け面の少なくとも一方に、その内周縁から外周縁にわたる長さの複数の通気溝を形成した枠体でもよく、いずれのスペーサ枠を用いても、前記固体撮像素子と光学フィルタとの間の空間内の温度を、前記空間内と撮像素子ユニット外の空気流通により、撮像素子ユニット外の温度変化に追従させて変化させることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
前記スペーサ枠を前記通気溝を形成した枠体とする場合、前記通気溝は、幅及び深さが１０μｍ以下の細溝が好ましく、このようにすることにより、撮像素子ユニット外から前記通気溝内を通って固体撮像素子と光学フィルタとの間の空間内に異物が入り込むのを防ぐことができ、したがって、前記固体撮像素子による撮像画像に、外部からの異物の入り込みによる影欠陥を生じさせることは無い。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記通気溝は、前記スペーサ枠の各枠辺にそれぞれ略均等なピッチで形成するのが望ましく、このようにすることにより、前記固体撮像素子と光学フィルタとの間の空間内の空気と撮像素子ユニット外の空気との相互流通量をさらに多くし、温度変化による固体撮像素子及び光学フィルタの対向面の曇りをさらに効果的に無くすことができるとともに、前記スペーサ枠が弾性を有している場合は、撮像素子ユニットの耐衝撃性をさらに良くすることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
さらに、前記通気溝は、前記スペーサ枠の枠辺の長さ方向に対して一方の方向に斜めに交差する方向と、前記枠辺の長さ方向に対して他方の方向に斜めに交差する方向との２つの方向に沿わせて網状に形成するのがより好ましく、このようにすることにより、外部からの異物の入り込みを効果的に防ぐとともに、前記固体撮像素子と光学フィルタとの間の空間内の空気と撮像素子ユニット外の空気との相互流通量を多くし、温度変化による固体撮像素子及び光学フィルタの対向面の曇りをより効果的に無くすことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月20日(2007.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
更に、前記凹凸板状電極として、例えば、図１１に示すように、平行に設けた多数の帯状溝３５０ａと帯状突起３５０ｂとを有する凹凸板状電極３５０を挙げることができる。前記の帯状溝及び帯状突起は、直線状のみでなく、平行に設けた多数の曲線状であることもできる。また、前記凹凸板状電極としては、例えば、図１２に示すように、断面が略半円状の帯状溝３６０ａと断面が略半円状の帯状突起３６０ｂとによって、表面に波形を形成する凹凸板状電極３６０を挙げることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月21日(2007.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の方向に沿って配設された第１電極と、該第１電極上に配設された有機ＥＬ発光層と、該有機ＥＬ発光層上に前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って配設された第２電極とを具備した表示領域を有する有機ＥＬ表示装置において、
前記表示領域は、互いに同じ時間帯に表示が可能な複数の画素領域に分割されており、
前記第１電極と前記第２電極との間に位置する前記有機ＥＬ発光層が前記各画素領域で略同一面上に位置していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第１電極は、前記画素領域の境界部で分断されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
複数の前記画素領域は、前記第１の方向に沿って配列されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記基板および前記第１電極は、前記有機ＥＬ発光層が発する光に対して透光性であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記各画素領域の前記第１電極は、その一部が前記表示領域外まで導出されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
複数の前記画素領域のうち、少なくとも一部の前記画素領域は、前記表示領域外まで導出された前記第１電極が多層配線構造となっていることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記多層配線構造を構成する複数の配線層のうち、前記基板側に位置する配線層は、前記有機ＥＬ発光層側に位置する配線層よりも幅が広いことを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記多層配線構造を構成する複数の配線層のうち、前記基板側に位置する配線層は、前記有機ＥＬ発光層側に位置する配線層よりも厚みが大きいことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板上に第１の方向に沿って配設された第１電極と、該第１電極上に配設された有機ＥＬ発光層と、該有機ＥＬ発光層上に前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って配設された第２電極とを具備した表示領域を有する有機ＥＬ表示装置において、前記表示領域は、互いに同じ時間帯に表示が可能な複数の画素領域に分割されており、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する前記有機ＥＬ発光層が前記各画素領域で略同一面上に位置していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また本発明の有機ＥＬ表示装置は、上記有機ＥＬ表示装置において、前記第１電極は、前記画素領域の境界部で分断されていることを特徴とする。
また本発明の有機ＥＬ表示装置は、上記有機ＥＬ表示装置において、複数の前記画素領域は、前記第１の方向に沿って配列されていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また本発明の有機ＥＬ表示装置は、上記有機ＥＬ表示装置において、前記各画素領域の前記第１電極は、その一部が前記表示領域外まで導出されていることを特徴とする。
また本発明の有機ＥＬ表示装置は、上記有機ＥＬ表示装置において、複数の前記画素領域のうち、少なくとも一部の前記画素領域は、前記表示領域外まで導出された前記第１電極が多層配線構造となっていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また本発明の有機ＥＬ表示装置は、上記有機ＥＬ表示装置において、前記多層配線構造を構成する複数の配線層のうち、前記基板側に位置する配線層は、前記有機ＥＬ発光層側に位置する配線層よりも幅が広いことを特徴とする。
また本発明の有機ＥＬ表示装置は、上記有機ＥＬ表示装置において、前記多層配線構造を構成する複数の配線層のうち、前記基板側に位置する配線層は、前記有機ＥＬ発光層側に位置する配線層よりも厚みが大きいことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月26日(2007.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された上部電極層、強誘電体層、下部電極層の積層構造からなるＦｅＲＡＭデバイスの試料を一括若しく数回に分けてエッチング加工を行なうプラズマ処理方法において、
下部電極層のパターンを形成するエッチング加工に酸素、塩素、フッ素含有化合物の混合ガスを用いたプラズマ処理を行なうことを特徴とする試料処理方法。
【請求項２】
請求項１記載の試料処理方法において、上部電極層および下部電極層のパターンを形成する被エッチング材料が貴金属材料もしくはその酸化物であることを特徴とする試料処理方法。
【請求項３】
請求項２記載の試料処理方法において、前記被エッチング材料が、イリジウム（Ｉｒ）、酸化イリジウム（ＩｒＯｘ）、プラチナ（Ｐｔ）、酸化プラチナ（ＰｔＯｘ）、イリジウムプラチナ合金（ＩｒＰｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、酸化ルテニウム（ＲｕＯｘ）、金（Ａｕ）、酸化金（ＡｕＯｘ）、銀（Ａｇ）、酸化銀（ＡｇＯｘ）、パラジウム（Ｐｄ）、酸化パラジウム（ＰｄＯｘ）、ロジウム（Ｒｈ）、酸化ロジウム（ＲｈＯｘ）であることを特徴とする試料処理方法。
【請求項４】
請求項１記載の試料処理方法において、試料若しくは試料保持する電極温度を２０〜５００℃に温調することを特徴とする試料処理方法。
【請求項５】
請求項１記載の試料処理方法において、下部電極層のパターンを形成するエッチング加工に、酸素６８〜９５％、塩素３〜３０％、フッ素２〜１５％の範囲内の混合ガスとすることを特徴とする試料処理方法。
【請求項６】
請求項１記載の試料処理方法において、下部電極層のパターンを形成するエッチング加工でジャストエッチングを判定したのち、０〜２００％の範囲内のオーバーエッチングを実施することを特徴とする試料処理方法。
【請求項７】
請求項１記載の試料処理方法において、原料ガスであるフッ素含有化合物の混合ガス中に水素（Ｈ）を含まない混合ガスを用いてプラズマ処理を行なうことを特徴とする試料処理方法。
【請求項８】
酸素ガスおよび塩素ガスからなる処理ガスを使用したエッチング処理により不揮発性ガスを生成する試料のエッチング処理方法を実行する試料の処理装置において、
プラズマ形成ガスの供給を受け、ガスプラズマを発生し、基板上に形成された貴金属材料の単層膜または積層膜をエッチングするエッチング処理装置を備え、前記記載の単層膜または積層膜を酸素ガスおよび塩素ガスならびにフッ素またはフッ素を含有するガスの混合ガスを用いたガスプラズマによりエッチングすることを特徴とする試料の処理装置。
【請求項９】
請求項８記載の試料の処理装置において、エッチング処理室には発光モニタリング方式による終点判定機能を付加し、下部電極層のエッチング終点波長をＩｒ系λ＝３５２ｎｍ、Ｐｔ系λ＝３４１ｎｍ、Ｒｕ系λ＝３７３ｎｍとする試料の処理装置。
【請求項１０】
ファラデーシールドの外周にコイル状の誘電結合アンテナを配置したプラズマ生成部を形成する放電部と、試料を配置するための電極を具備した処理室と、処理室に処理ガスを供給するガス供給装置と、プラズマを生成するための第１の高周波電源と、電極にバイアス電圧を印加する第２の高周波電源と、発光モニタリング装置とを有し、半導体基板上に形成された試料をエッチングする試料の処理装置であって、
処理室の内側に設置したインナーカバーの表面および電極の表面に粗面加工を施したことを特徴とする試料の処理装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の試料の処理装置において、試料を電極上に設置するためのサセプタを設け、サセプタの裏面に金属溶射を施したことを特徴とする試料の処理装置。