Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月7日(2007.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上に画素部、データ信号側駆動回路及びゲート信号側駆動回路を有したＥＬ表示装置であって、
前記画素部、データ信号側駆動回路及びゲート信号側駆動回路はＴＦＴで形成されており、
前記ＴＦＴの活性層は｛１１０｝配向に対応する電子線回折像を示す半導体膜で形成されていることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項２】
同一基板上に画素部、データ信号側駆動回路、ゲート信号側駆動回路及び時分割階調データ信号発生回路を有したＥＬ表示装置であって、
前記画素部、データ信号側駆動回路、ゲート信号側駆動回路及び時分割階調データ信号発生回路はＴＦＴで形成されており、
前記ＴＦＴの活性層は｛１１０｝配向に対応する電子線回折像を示す半導体膜で形成されていることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項３】
同一基板上に画素部、データ信号側駆動回路、ゲート信号側駆動回路及び時分割階調データ信号発生回路を有したＥＬ表示装置であって、
前記画素部、データ信号側駆動回路及びゲート信号側駆動回路はＴＦＴで形成され、前記時分割階調データ信号発生回路はＩＣチップで実装されており、
前記ＴＦＴの活性層は｛１１０｝配向に対応する電子線回折像を示す半導体膜で形成されていることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、前記時分割階調データ信号発生回路には、
１フレームをｎビット（ｎは２以上の整数）の階調に対応したｎ個のサブフレーム（ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３…ＳＦ（ｎ−１）、ＳＦ（ｎ）と表す）に分割する第１の手段と、
前記ｎ個のサブフレームにおいて、アドレス期間（Ｔａ）及びサステイン期間（Ｔｓ：但し、ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３…ＳＦ（ｎ−１）、ＳＦ（ｎ）に対応するサステイン期間を各々Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｓ３…Ｔｓ（ｎ−１）、Ｔｓ（ｎ）と表す）を選択する第２の手段と、
前記ｎ個のサブフレームにおいて、前記サステイン期間がＴｓ１：Ｔｓ２：Ｔｓ３：…：Ｔｓ（ｎ−１）：Ｔｓ（ｎ）＝２０：２−１：２−２：…：２−（ｎ−２）：２−（ｎ−１）となるように設定する第３の手段と、
が含まれることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記画素部には、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ素子と、前記ＥＬ素子に供給する電流を制御する電流制御用ＴＦＴとを有する画素が複数配置され、
前記スイッチング用ＴＦＴには、ｎチャネル型ＴＦＴが用いられていることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記画素部には、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ素子と、前記ＥＬ素子に供給する電流を制御する電流制御用ＴＦＴとを有する画素が複数配置され、
前記スイッチング用ＴＦＴには、直列に接続された二つ以上のチャネル形成領域を有するマルチゲート構造のＴＦＴが用いられていることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記データ信号側駆動回路及び前記ゲート信号側駆動回路は、ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴとを有するＣＭＯＳ回路から構成されていることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項８】
ＥＬ表示装置を表示部に用いた電子装置であって、
前記ＥＬ表示装置はＴＦＴで形成された画素部、データ信号側駆動回路及びゲート信号側駆動回路を有し、
前記ＴＦＴの活性層は｛１１０｝配向に対応する電子線回折像を示す半導体膜で形成されていることを特徴とする電子装置。
【請求項９】
ＥＬ表示装置を表示部に用いた電子装置であって、
前記ＥＬ表示装置はＴＦＴで形成された画素部、データ信号側駆動回路、ゲート信号側駆動回路及び時分割階調データ信号発生回路を有し、
前記ＴＦＴの活性層は｛１１０｝配向に対応する電子線回折像を示す半導体膜で形成されていることを特徴とする電子装置。
【請求項１０】
ＥＬ表示装置を表示部に用いた電子装置であって、
前記ＥＬ表示装置はＴＦＴで形成された画素部、データ信号側駆動回路及びゲート信号側駆動回路並びにＩＣで実装された時分割階調データ信号発生回路を有し、
前記ＴＦＴの活性層は｛１１０｝配向に対応する電子線回折像を示す半導体膜で形成されていることを特徴とする電子装置。
【請求項１１】
請求項９又は請求項１０において、前記時分割階調データ信号発生回路には、
１フレームをｎビット（ｎは２以上の整数）の階調に対応したｎ個のサブフレーム（ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３…ＳＦ（ｎ−１）、ＳＦ（ｎ）と表す）に分割する第１の手段と、
前記ｎ個のサブフレームにおいて、アドレス期間（Ｔａ）及びサステイン期間（Ｔｓ：但し、ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３…ＳＦ（ｎ−１）、ＳＦ（ｎ）に対応するサステイン期間を各々Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｓ３…Ｔｓ（ｎ−１）、Ｔｓ（ｎ）と表す）を選択する第２の手段と、
前記ｎ個のサブフレームにおいて、前記サステイン期間がＴｓ１：Ｔｓ２：Ｔｓ３：…：Ｔｓ（ｎ−１）：Ｔｓ（ｎ）＝２０：２−１：２−２：…：２−（ｎ−２）：２−（ｎ−１）となるように設定する第３の手段と、
が含まれることを特徴とする電子装置。
【請求項１２】
少なくとも画素部と、前記画素部に入力されるデジタルデータ信号が形成される時分割階調データ信号発生回路とを有し、
前記時分割階調データ信号発生回路には、
１フレームをｎビット（ｎは２以上の整数）の階調に対応したｎ個のサブフレーム（ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３…ＳＦ（ｎ−１）、ＳＦ（ｎ）と表す）に分割する第１の手段と、
前記ｎ個のサブフレームにおいて、アドレス期間（Ｔａ）及びサステイン期間（Ｔｓ：但し、ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３…ＳＦ（ｎ−１）、ＳＦ（ｎ）に対応するサステイン期間を各々Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｓ３…Ｔｓ（ｎ−１）、Ｔｓ（ｎ）と表す）を選択する第２の手段と、
前記ｎ個のサブフレームにおいて、前記サステイン期間をＴｓ１：Ｔｓ２：Ｔｓ３：…：Ｔｓ（ｎ−１）：Ｔｓ（ｎ）＝２０：２−１：２−２：…：２−（ｎ−２）：２−（ｎ−１）となるように設定する第３の手段と、が含まれ、
前記画素部は複数のＴＦＴを有し、
前記ＴＦＴの活性層は｛１１０｝配向に対応する電子線回折像を示す半導体膜で形成されていることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載のＥＬ表示装置を表示部に用いたことを特徴とする電子装置。
【請求項１４】
ＥＬ表示装置の駆動方法であって、
活性層が｛１１０｝配向に対応する電子線回折像を示す半導体膜で形成されているＴＦＴを複数有する時分割階調データ信号発生回路を用いて、
１フレームをｎビット（ｎは２以上の整数）の階調に対応したｎ個のサブフレーム（ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３…ＳＦ（ｎ−１）、ＳＦ（ｎ）と表す。）に分割し、
前記ｎ個のサブフレームにアドレス期間（Ｔａ）及びサステイン期間（Ｔｓ：但し、ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３…ＳＦ（ｎ−１）、ＳＦ（ｎ）に対応するサステイン期間を各々Ｔｓ１、Ｔｓ２、Ｔｓ３…Ｔｓ（ｎ−１）、Ｔｓ（ｎ）と表す。）を設け、
前記ｎ個のサブフレームにおいて、前記サステイン期間をＴｓ１：Ｔｓ２：Ｔｓ３：…：Ｔｓ（ｎ−１）：Ｔｓ（ｎ）＝２０：２−１：２−２：…：２−（ｎ−２）：２−（ｎ−１）とすることを特徴とするＥＬ表示装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月9日(2007.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電源によって電力が供給される第１の信号駆動回路を含む第１のモジュールであって、前記第１の信号駆動回路が少なくとも部分的に前記第１のモジュールが故障したかどうかに基づいて動作する、第１のモジュールと、
第２の電源によって電力が供給される第２の信号駆動回路を含む第２のモジュールであって、前記第２の信号駆動回路が少なくとも部分的に前記第１のモジュールが故障したかどうかに基づいて動作する、第２のモジュールと、
前記第１および第２のモジュールに結合され、前記第１のモジュールが故障していることを特定するためのステータスインジケータ回路とを含み、
前記第１の信号駆動回路および前記第２の信号駆動回路が、前記ステータスインジケータ回路を駆動するための論理結合機能を提供する、システム。
【請求項２】
前記論理結合機能が、論理的ＯＲの機能からなる、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記第２の電源が、前記第１の電源と無関係である、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記ステータスインジケータ回路が、発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記第１および第２の信号駆動回路がそれぞれ、トランジスタと直列に結合されたドライバ装置を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記第１および第２の信号駆動回路がそれぞれ、ダイオードと直列に結合されたドライバ装置を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記ステータスインジケータ回路が、前記第１のモジュールの一部である、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記第１のモジュールが、前記第１の電源によって電力が供給される第３の信号駆動回路を含み、
前記第２のモジュールが、前記第２の電源によって電力が供給される第４の信号駆動回路を含み、
前記第３の信号駆動回路および前記第４の信号駆動回路は、前記第２のモジュールが故障している際に他のステータスインジケータ回路を駆動するための第２の論理結合機能を提供する、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
第１の電源によって電力が供給される第１の信号駆動回路、及び前記第１の電源によって電力が供給される第３の信号駆動回路を含む第１のモジュールと、
第２の電源によって電力が供給される第２の信号駆動回路、及び前記第２の電源によって電力が供給される第４の信号駆動回路を含む第２のモジュールと、
前記第１および第２のモジュールに結合され、前記第１のモジュールが故障している時を示すためのステータスインジケータ回路とを含み、
前記第１の信号駆動回路および前記第２の信号駆動回路が、前記ステータスインジケータ回路を駆動するための論理結合機能を提供し、
前記第３の信号駆動回路および前記第４の信号駆動回路は、前記第２のモジュールが故障している際に、前記ステータスインジケータ回路のインジケータを駆動するための論理的ＯＲの機能を提供する、システム。
【請求項１０】
当該装置が故障していることを示す第１の信号を提供すると共に、別の装置により生成されて当該装置が故障していることを示す第２の信号と前記第１の信号とに対して、論理的にＯＲをとる信号駆動回路と、
前記第１および第２の信号の論理的ＯＲに基づいて、当該装置が故障しているという表示を提供するステータスインジケータ回路とを含む、装置。
【請求項１１】
前記ステータスインジケータ回路が、発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記信号駆動回路が、トランジスタと直列に結合されたドライバ装置を含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記ステータスインジケータ回路は、前記別の装置ではなくて当該装置が故障しているという表示を提供することになっている、請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
第１のモジュールと第１の電源とに内部故障信号を関連付け、前記内部故障信号は、前記第１のモジュールが故障しているかどうかを特定するために使用され、
第２のモジュールと第２の電源とに外部故障信号を関連付け、前記外部故障信号は、前記第１のモジュールが故障しているかどうかを特定するために使用され、
前記内部故障信号と前記外部故障信号とを論理的に結合して、ステータスインジケータを駆動することを含む、方法。
【請求項１５】
前記論理的に結合することが、前記内部故障信号と前記外部故障信号とに対して論理的にＯＲをとることを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ステータスインジケータが、視覚的インジケータからなる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２の電源が、前記第１の電源と無関係である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
コンピュータが請求項１４に記載の方法を実行するために実行可能であるコンピュータプログラムを含むコンピュータ読出し可能メモリ。
【請求項１９】
前記第２のモジュールと前記第２の電源とに別の内部故障信号を関連付け、
前記第１のモジュールと前記第１の電源とに別の外部故障信号を関連付け、
前記別の内部故障信号と前記別の外部故障信号とを論理的に結合して、別のステータスインジケータを駆動することを更に含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記論理的に結合することは、前記内部故障信号と前記外部故障信号とを論理的に結合して、前記第２のモジュールではなくて前記第１のモジュールが故障していることを特定するためのステータスインジケータを駆動することを含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月6日(2006.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ｎを法とするモジュラー乗算axbx2-Nを実行するためのシステムであって、ここでａ，ｂおよびｎはＮビット整数であり：
Ｙビット数とＺビット数とを乗算するための乗算器と；
整数ａを各々がＹの倍数である複数の第１区部に区分し、整数ｂを各々がＺの倍数である複数の第２区部に区分するための区分ロジックと；
乗算器を制御して前記第１区部の１つと前記第２区部の１つとを乗算する乗算シーケンスを実行して、乗算ユニットで実行される後続の演算で使用するための多数の出力被演算数（オペランド）を生成するための演算を適用する乗算ユニットと；
前記第１区部の１つと前記第２区部の１つを、乗算ユニットで実行された先行の演算から前記出力被演算数の予め定められたものに従って、各々の第１区部が各々の第２区部と乗算されるまで乗算ユニットの中に、順番に入力するための制御装置とを含む、前記システム。
【請求項２】  請求項１記載のシステムにおいて、第１および第２区部のサイズが共にＫであり、ここでＮはＫの倍数である、前記システム。
【請求項３】  請求項１記載のシステムにおいて、出力被演算数が行積算値を含み、整数ａの最下位ビットを表す第１区部以外の第１区部Ｖが、整数ｂの最上位ビットを表す第２区部以外の第２区部Ｗと乗算される場合、生成された行積算値が第１区部Ｖ−１と第２区部Ｗ＋１を乗算するために乗算ユニットで実行される後続の演算で使用するために出力される、前記システム。
【請求項４】  請求項１記載のシステムにおいて、出力被演算数が列桁上げ値を含み、整数ａの最上位ビットを表す第１区部以外の第１区部Ｖが、第２区部Ｗと乗算される場合、生成された列桁上げ値が第１区部Ｖ＋１と第２区部Ｗを乗算するために乗算ユニットで実行される後続の演算で使用するために出力される、前記システム。
【請求項５】  請求項１記載のシステムにおいて、区分ロジックが更に整数ｎを複数の第３区部に区分するように構成されており、各々の第３区部のサイズはＹの倍数であり、乗算ユニットは乗算器を制御して前記第３区部の１つと補正値とを乗算するための乗算シーケンスを実行させるように構成されている、前記システム。
【請求項６】  請求項５記載のシステムにおいて、第１区部および第３区部が同一サイズである、前記システム。
【請求項７】  請求項５記載のシステムにおいて、乗算ユニットが整数ａの最下位ビットを表す第１区部を含んで乗算を実行するようになされている場合、乗算ユニットは乗算ユニットから出力された行積算値がゼロの値を有するような補正値を計算するように構成されている、前記システム。
【請求項８】  請求項７記載のシステムにおいて、特定の第２区部に対して、乗算ユニットがその第２区部が任意の第１区部と乗算されるようにする場合、同一の補正値が使用される、前記システム。
【請求項９】  請求項１記載のシステムにおいて、乗算ユニットが乗算器と制御装置で供給される第１および第２区部と、乗算ユニットで実行される演算中に生成された出力被演算数を格納するための複数のレジスタとを含む、前記システム。
【請求項１０】  ｎを法とするモジュラー乗算axbx2-Nを実行するための方法であって、ここでａ，ｂおよびｎはＮビット整数であり：
（ａ）Ｙビット数とＺビット数とを乗算するための乗算器を用い；
（ｂ）整数ａを各々がＹの倍数である複数の第１区部に区分し；
（ｃ）整数ｂを各々がＺの倍数である複数の第２区部に区分し；
（ｄ）乗算器を制御して前記第１区部の１つと前記第２区部の１つとを乗算する乗算シーケンスを実行して、乗算ユニットで実行される後続の演算で使用するための複数の出力被演算数を生成するための演算を適用する乗算ユニットを採用し；
（ｅ）前記第１区部の１つと前記第２区部の１つを乗算ユニットの中に、乗算ユニットで実行された先行の演算から前記出力被演算数の予め定められたものに従って順番に入力し、そして各々の第１区部が各々の第２区部と乗算されるまでステップ（ｄ）を繰り返す、以上のステップを含む、前記方法。
【請求項１１】  ｎを法とするモジュラー乗算axbx2-Nを実行するためのコンピュータシステムを動作させるためのコンピュータプログラムであって、ここでａ，ｂおよびｎはＮビット整数であり、このコンピュータシステムはＹビット数とＺビット数とを乗算するための乗算器を有し；コンピュータプログラムは：
整数ａを各々がＹの倍数である複数の第１区部に区分し、整数ｂを各々がＺの倍数である複数の第２区部に区分するように動作するように構成された区分ルーチンと；
乗算器を制御して前記第１区部の１つと前記第２区部の１つとを乗算する乗算シーケンスを実行して、乗算ユニットで実行される後続の演算で使用するための複数の出力被演算数を生成するための演算を適用するように構成された乗算ユニットの動作を管理するためのコントローラとを含み；
そのコントローラが前記第１区部の１つと前記第２区部の１つを乗算ユニットの中に、乗算ユニットで実行された先行の演算から前記出力被演算数の予め定められたものに従って、各々の第１区部が各々の第２区部と乗算されるまで順番に入力動作するように構成されている、前記コンピュータプログラム。
【請求項１２】  請求項１１記載のコンピュータプログラムにおいて、このコンピュータプログラムが更に乗算ユニットを含む、前記コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月28日(2007.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  バス・ベース・システム内のデータ転送又はアドレッシング方式を試験する試験ユニットであって、
前記システム内の送信ユニットから送信された送信装置データ・パターンに応答してデータ・パターンを受信するようにされた受信ユニットを備え、
該受信ユニットは、予測データ・パターンと前記バス・ベース・システム内の送信ユニットから受信したデータ・パターンとを比較する比較装置と、前記予測データ・パターンを生成するデータ生成装置とを備えており、
前記データ生成装置は、前記システム内での前記データ・パターンのルーティングが正しく動作しているかどうか、あるいは、前記システム内の情報が変更されているかどうかの判定結果を得るために、前記送信装置データ・パターンのデータ生成に対してある設定関係にある前記予測データ・パターンを生成するようにされており、
前記予測データ・パターンの生成が、前記試験ユニットと前記送信ユニットとの間における共通知識に基づくものとなる、試験ユニット。
【請求項２】  前記設定関係がアルゴリズム上の関係である、請求項１に記載の試験ユニット。
【請求項３】  前記設定関係又はアルゴリズム上の関係が前記試験ユニットのアドレスに基づくものであり、好適には前記予測データ・パターンが当該試験ユニットの受信ユニットのアドレスであるか又はそこから導出されるアドレスである、請求項１又は２に記載の試験ユニット。
【請求項４】  前記設定関係は、前記バス・ベース・システムに関係なく、前記試験ユニットと前記送信ユニットとの間で、好ましくはワイヤード又はワイヤレスの接続によって提供される、請求項１に記載の試験ユニット。
【請求項５】  前記設定関係は、事前情報を前記送信ユニットから当該試験ユニットに送信することによって供給され、当該試験ユニットに、前記送信ユニットから連続して送信されるデータ・パターンと比較される前記予測データ・パターンを生成するように命令する請求項１に記載の試験ユニット。
【請求項６】  前記設定関係は、前記予測データ・パターンを生成するための事前設定情報のみが利用されて供給されるか、又は、前記受信ユニットと前記送信ユニットとにおける前記データ生成の間において設定されたタイミング関係によって供給されるものである、請求項１に記載の試験ユニット。
【請求項７】  前記送信ユニットなどのバス・ベース・システムの他方の参加装置によって要求されたトランザクションを満足するためにバス・ベース・システムのバスに接続された受信装置をさらに備え、前記比較装置は、前記受信装置と前記データ生成装置とに結合されている、請求項１〜６のいずれか１つに記載の試験ユニット。
【請求項８】  前記データ生成装置によって生成された情報を、前記バスに送信する送信装置をさらに有する請求項７に記載の試験ユニット。
【請求項９】  請求項１〜８のいずれかに記載の試験ユニットと、
送信装置データ・パターンを生成し、該送信装置データ・パターンを試験ユニットに送信する送信ユニットと
を有するバス・ベース・システム内のデータ転送又はアドレッシング方式を試験するシステム。
【請求項１０】  バス・ベース・システム内の送信ユニットと受信ユニットとの間のデータ転送又はアドレッシング方式を試験する方法であって、
（ａ）前記送信ユニットによって送信装置データ・パターンを生成し、該データ・パターンを前記受信ユニットに送信する送信ステップと、
（ｂ）前記送信ユニットから送信された前記送信装置パターンに応答して、前記受信ユニットによってデータ・パターンを受信する受信ステップと、
（ｃ）前記送信ユニットと前記送信ユニットとの間における共通知識に基づいて、前記送信装置データ・パターンの生成に対する設定関係によって、前記受信ユニットによってデータ・パターンを生成する生成ステップと、
（ｄ）前記システム内での前記データ・パターンの前記ルーティングが正しく動作しているかどうか、あるいは、前記システム内のデータが変更されたかどうかの判定結果を得るために、前記受信データ・パターンを、前記受信ユニットによって生成された前記データ・パターンと比較する比較ステップと
を備える試験方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月20日(2007.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＭＲＩ装置から得られる水のみのＭＲ画像もしくは脂肪のみのＭＲ画像内の画像コントラストを変化させる方法において、
ａ）特定の予め決められた応答信号エコー時間（ＴＥ）を有するシングルスキャン・スリーポイント・ディクソン・イメージングシーケンスを使用してＮＭＲ画像データを取得し、
ｂ）前記ステップａ）で取得されたエコー信号Ｓm から、振幅補正されたエコー信号Ｓ′m を計算し、前記スリーポイント・ディクソン・シーケンスによる各エコー信号は次式で与えられ、
【数１９】
2000300539.tif 000001
ここで、Ｓ′m ＝ξm Ｓm 、ｎｅｗＴＥは前記ＮＭＲ画像データを得るのに本来的に用いられるエコー時間（ＴＥ）と相違するエコー時間である、
ｃ）前記ステップｂ）で計算された振幅補正されたエコー信号データを、静磁場不均一補正を有するスリーポイント・ディクソン・水脂肪分離技術を用いてさらに処理し、
前記ｎｅｗＴＥは、水のみのＭＲ画像もしくは脂肪のみのＭＲ画像の画像コントラストの変化に影響することを特徴とする調整可能な緩和コントラストを有する水／脂肪分離ＭＲ画像を形成するための磁気共鳴イメージング方法。
【請求項２】  前記コントラストエコー時間（ｎｅｗＴＥ）はオペレータによって選択可能であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記イメージングシーケンスの詠み出し用傾斜磁場パルスのタイミングは、水信号と脂肪信号とがインター・エコー時間（ΔＴＥ）中にπの角度をなすように、前記水信号と脂肪信号との間の化学シフトの差にしたがって選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記エコー時間ＴＥが１０〜１００ｍｓの範囲にあるシングルスキャン・スリーポイント・ディクソン・イメージングシーケンスがＮＭＲ画像データを取得するために使用されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】  ＭＲＩシステム上でＮＭＲイメージングシーケンスから水または脂肪のいずれかの核種画像データを生成する装置において、前記装置は記憶メモリとＩ／Ｏデバイスとを有するコンピュータを有し、前記メモリはスリーポイント・ディクソンＮＭＲ信号解析を実行して緩和減衰を補正するためのルールを記憶し、前記コンピュータは、
特定の予め決められたＮＭＲ応答信号のエコー時間（ＴＥ）を有するシングルスキャン・スリーポイント・ディクソン・イメージングシーケンスからＮＭＲ信号データを取得し、
エコー信号データＳm から、振幅補正されたエコー信号Ｓ′m を計算し、前記スリーポイント・ディクソン・シーケンスによる各エコー信号は次式で与えられ、
【数２０】
2000300539.tif 000002
ここで、Ｓ′m ＝ξm Ｓm 、ｎｅｗＴＥは前記ＮＭＲ画像データを得るのに本来的に用いられるエコー時間（ＴＥ）と相違するエコー時間である、
前記振幅補正されたエコー信号データを、静磁場不均一補正を有するスリーポイント・ディクソン・水脂肪分離技術を用いてさらに処理し、
前記ｎｅｗＴＥは、水のみのＭＲ画像もしくは脂肪のみのＭＲ画像の画像コントラストの変化に影響することを特徴とする調整可能な緩和コントラストを有する水／脂肪分離ＭＲ画像を形成するようにプログラムされていることを特徴とする装置。
【請求項６】  前記コントラストエコー時間（ｎｅｗＴＥ）はオペレータによって選択可能であることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】  前記イメージングシーケンスの詠み出し用傾斜磁場パルスのタイミングは、水信号と脂肪信号とがインター・エコー時間（ΔＴＥ）中にπの角度をなすように、前記水信号と脂肪信号との間の化学シフトの差にしたがって選択されることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月28日(2007.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記フォーム生成手段は、前記格納手段の使用可能な空き容量に従って、複数の符合化手順のうちの一つを選択することを特徴とする請求項１に記載の画像出力装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】
前記フォーム生成工程は、前記格納手段により格納できる空き容量に従って、フォームデータから画像データを生成して保持するか、あるいは描画オブジェクトのまま格納するか、あるいはフォーム生成処理を中断するかを決定することを特徴とする請求項１５に記載の画像出力方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２７】
前記フォーム生成工程は、前記格納手段の使用可能な空き容量に従って、複数の符合化手順のうちの一つを選択することを特徴とする請求項１５に記載の画像出力方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月25日(2007.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来、空撮画像を用いた移動対象（例えば、車両）の速度を計測するに際し、背景が移動する空撮画像において、移動体の抽出が、背景差分に基づく手法（例えば、特許文献１参照）、動きベクトルに基づく手法（例えば、特許文献２参照）又はステレオ視に基づく手法（例えば、特許文献３参照）によって行われている。
【特許文献１】特開２００３−３０３３９７号公報
【特許文献２】特開２００１−３５７４０２号公報
【特許文献３】特開平１１−２１１７３８号公報
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月25日(2006.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  製造ラインにおいて前工程から供給されるワークをカセットに収納するワーク収納装置であって、
ワークを複数のカセットに収納する収納手段と、
前工程を制御する制御ユニットとの通信を行う通信手段と、
前記通信手段によって前記制御ユニットから受信したところの収納すべきワークに関する情報に応じて、そのワークを、前記収納手段によって前記複数のカセットの何れかに収納する制御手段と、
を備えることを特徴とするワーク収納装置。
【請求項２】  前記収納すべきワークに関する情報は、所定の時間周期で前記通信手段に書き込まれており、
前記制御手段は、前記通信手段に書き込まれた情報に対応するワークが前記ワーク収納装置に移管されるときに、該情報を判断することを特徴とする請求項１記載のワーク収納装置。
【請求項３】  前記制御手段は、前記複数のカセットのうち、前記ワークを通常収納するカセットが前記収納手段にセットされていないときに、その他のカセットに前記ワークを収納することを特徴とする請求項１記載のワーク収納装置。
【請求項４】  前記制御手段は、前記複数のカセットのうちのいずれかのカセットが前記収納手段にセットされていないときに、前記通信手段に、前記収納手段にセットされていないカセットがあることを前記制御ユニットに送信させることを特徴とする請求項１記載のワーク収納装置。
【請求項５】  前記複数のカセットには、前記ワークを収納する複数の収納エリアが設けられており、
前記制御手段は、前記収納すべきワークに関する情報に応じて、前記カセットの複数の収納エリアに異なる種類のワークを分別して収納すべく、前記収納手段を制御することを特徴とする請求項１記載のワーク収納装置。
【請求項６】  製造ラインにおける次工程にワークを供給するワーク供給装置であって、
複数のカセットに収納されているワークを次工程に供給する供給手段と、
前記次工程を制御する制御ユニットとの通信を行う通信手段と、
前記通信手段によって前記制御ユニットから受信したところの供給すべきワークに関する情報に応じて、前記複数のカセットからワークを選択し、その選択したワークを、前記供給手段によって前記次工程に供給する制御手段と、
を備えることを特徴とするワーク供給装置。
【請求項７】  前記制御手段は、前記複数のカセットのうち、前記次工程に通常供給すべきワークが収納されているカセットが収納手段にセットされていないときに、その他のカセットに収納されているワークを、前記次工程に供給することを特徴とする請求項６記載のワーク供給装置。
【請求項８】  前記複数のカセットには、複数の収納エリアが設けられ、その複数の収納エリアには、前記収納すべきワークに関する情報に対応する異なる種類のワークが収納されており、
前記制御手段は、前記収納すべきワークに関する情報に応じて、前記複数の収納エリアの何れかからワークを選択し、その選択したワークを、前記供給手段によって前記次工程に供給することを特徴とする請求項６記載のワーク供給装置。
【請求項９】  請求項１記載のワーク収納装置と共通構造を有することを特徴とする請求項６記載のワーク供給装置。
【請求項１０】  請求項６記載のワーク供給装置と共通構造を有することを特徴とする請求項１記載のワーク収納装置。
【請求項１１】  製造ラインにおいて前工程から供給されるワークをカセットに収納するワーク収納方法であって、
前工程を制御する制御ユニットとの通信を行う通信工程と、
前記通信工程で前記制御ユニットから受信したところの収納すべきワークに関する情報に応じて、そのワークを、複数のカセットの何れかに収納する収納工程と、
を有することを特徴とするワーク収納方法。
【請求項１２】  前記制御ユニットから、前記収納すべきワークに関する情報を、所定の時間周期で所定のメモリエリアに書き込み、
前記メモリエリアに書き込まれた情報に対応するワークが前記ワーク収納装置に移管されるときに、該情報を判断することを特徴とする請求項１１記載のワーク収納方法。
【請求項１３】  製造ラインにおける次工程にワークを供給するワーク供給方法であって、
前記次工程を制御する制御ユニットとの通信を行う通信工程と、
前記通信工程で前記制御ユニットから受信したところの供給すべきワークに関する情報に応じて、複数のカセットからワークを選択し、その選択したワークを、前記次工程に供給する供給工程と、
を有することを特徴とするワーク供給方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
即ち、製造ラインにおける次工程にワークを供給するワーク供給方法であって、前記次工程を制御する制御ユニットとの通信を行う通信工程と、前記通信工程で前記制御ユニットから受信したところの供給すべきワークに関する情報に応じて、複数のカセットからワークを選択し、その選択したワークを、前記次工程に供給する供給工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月26日(2007.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】脱臭触媒、該触媒の製造方法、該触媒製造用の触媒スラリーおよび該触媒を取り付けた冷蔵庫
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）アルミニウム、ステンレス及びコーディライトのいずれかの担体に、（ｂ）マンガン酸化物、銅とマンガンの複合酸化物、白金族元素、鉄族元素および希土類元素よりなる群から選択される１種または２種以上の脱臭触媒成分を、（ｃ）シリカゾル、アルミナゾル、水性アクリル樹脂および水溶性ポリアミド樹脂のいずれか１種または２種以上のバインダーによって、触媒層を形成してなる、脱臭触媒。
【請求項２】
触媒層中に水性アクリル樹脂および水溶性ポリアミド樹脂のいずれか、または両方の有機バインダーを、有機バインダーと脱臭触媒成分との重量比で１／５〜１／４０の範囲に含む、請求項１に記載の脱臭触媒。
【請求項３】
脱臭触媒が、オゾン分解用、冷蔵庫内の臭気脱臭用、アルコール類の分解用、メルカプタン類の分解用、アルデヒド類の分解用、窒素化合物の分解用のいずれかである、請求項１〜２のいずれか１項に記載の脱臭触媒。
【請求項４】
アルミニウム担体に担持した触媒層に、担体から溶出したアルミニウム成分が取り込まれて析出し、一体化している、請求項１〜３のいずれか１項に記載の脱臭触媒。
【請求項５】
アルミニウム担体がアルミニウム箔ハニカム担体である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の脱臭触媒。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の脱臭触媒を、冷蔵庫内の冷却部の近傍にとりつけた、冷蔵庫。
【請求項７】
マンガン酸化物、銅とマンガンの複合酸化物、白金族元素、鉄族元素および希土類元素よりなる群から選択される１種または２種以上の脱臭触媒成分と、水性アクリル樹脂および水溶性ポリアミド樹脂のいずれか、または両方の有機バインダーを、有機バインダーと脱臭触媒成分との重量比で１／５〜１／４０の範囲に含む、スラリーを作成する工程；
および、
アルミニウム担体に、該スラリーを塗布して、該担体上に触媒層を形成する工程、を含む、
脱臭触媒の製造方法。
【請求項８】
スラリー中に、シリカゾルおよびアルミナゾルのいずれか、または両者の無機バインダーを、無機バインダーと脱臭触媒成分との重量比で、１／６〜１／２０の範囲に含む、請求項７に記載の、脱臭触媒の製造方法。
【請求項９】
触媒層を形成したアルミニウム担体を、弱アルカリ性水溶液で浸漬処理する工程を含む、請求項７〜８のいずれか１項に記載の、脱臭触媒の製造方法。
【請求項１０】
弱アルカリ性水溶液のｐＨが８．５〜９．５である、請求項９に記載の、脱臭触媒の製造方法。
【請求項１１】
（ａ）マンガン酸化物、銅とマンガンの複合酸化物、白金族元素、鉄族元素および希土類元素よりなる群から選択される１種または２種以上の脱臭触媒成分と、（ｂ）水性アクリル樹脂および水溶性ポリアミド樹脂のいずれか、または両方の有機バインダーを、有機バインダーと脱臭触媒成分との重量比で１／５〜１／４０の範囲に含む水のスラリーである、アルミニウム、ステンレスおよびコーディライトのいずれかの担体に、脱臭触媒層を形成するための触媒スラリー。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月24日(2007.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サブマウントと、
前記サブマウントに電気的に接続されるセンサを備えるダイと、
前記サブマウントに取り付けられ、前記ダイを包囲するキャビティを形成するキャップと、
光信号を前記センサの光電領域上に集光するレンズと
を備えることを特徴とするデバイス。
【請求項２】
前記レンズが前記ダイの裏の面上に存在することを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記ダイが前記サブマウントに取り付けられ、前記ダイの表の面が前記サブマウントに隣接することを特徴とする、請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記レンズが前記キャップ内に集積されることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記センサまでの光学経路に沿って、前記キャップに取り付けられた位置決めポストをさらに備えることを特徴とする、請求項１から４の何れか一つに記載のデバイス。
【請求項６】
ボアを有するスリーブであって、前記ボアが、前記ボアの第１端部に前記位置決めポストを、前記ボアの第２端部に光ファイバコネクタを収容可能なボアサイズに形成されたスリーブをさらに備えることを特徴とする、請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
前記サブマウントが、前記センサの電気出力信号に対して作用する能動回路を有することを特徴とする、請求項１から６の何れか一つに記載のデバイス。
【請求項８】
前記ダイを包囲する前記キャビティが気密封止されることを特徴とする、請求項１から７の何れか一つに記載のデバイス。
【請求項９】
フォトセンサを有するパッケージを製造する方法であって、
複数のサブマウント領域を含む第１ウェハを製造する処理と、
各々のダイがフォトセンサを有する複数のダイを前記複数のサブマウント領域のそれぞれに取り付けて、電気的に接続する処理と、
複数のキャップを前記第１ウェハにボンドする処理であって、前記複数のダイが、前記第１ウェハと前記複数のキャップのそれぞれとの間の個々のキャビティ内において包囲され、前記複数のダイのそれぞれでは、前記ダイ上のフォトセンサが光信号を受信するように配置される処理と、
前記の各処理によって得られる構造を分割して、前記ダイを含む複数のパッケージに分離する処理と
を有することを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記第１ウェハを製造する処理が、前記複数のサブマウント領域の各々に能動回路を形成することを有することを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
基板を加工する処理であって、光電領域を有するフォトセンサを前記基板の表の面に形成するように基板を加工する処理と、
レンズを前記基板の裏の面に形成して、光を前記光電領域上に集光するようにする処理と
をさらに有することを特徴とする、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
複数のポストを前記パッケージに取り付ける処理であって、前記複数のポストのそれぞれが、前記パッケージ内のダイまでの光信号の経路に沿うように取り付けられる、前記取り付ける処理をさらに有することを特徴とする、請求項９から１１の何れか一つに記載の方法。
【請求項１３】
前記複数のキャップが、第２ウェハに形成された個々の領域を有し、
前記複数のキャップを前記第１ウェハにボンドする処理が、前記第１ウェハに前記第２ウェハをボンドする処理を含むことを特徴とする、請求項９から１２の何れか一つに記載の方法。
【請求項１４】
前記キャップが前記第１ウェハにボンドされた時に、前記光信号の経路に配置されるレンズを有するように前記キャップを製造することを特徴とする、請求項９から１３の何れか一つに記載の方法。
【請求項１５】
デバイスを製造するための方法であって、
光電領域を前記基板の表の面に有するセンサを形成するように基板を処理することと、
光信号を前記光電領域上に集光するレンズを、前記基板の裏の面に形成することとを有することを特徴とする方法。
【請求項１６】
前記レンズが屈折光学素子であることを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月24日(2007.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
欠陥性半導体結晶材料の材料品質を改善する方法であって、
欠陥性半導体結晶材料の領域を部分的にまたは完全にアモルファス化させるステップであって、前記欠陥性半導体結晶材料はエピタキシャル成長に関係する欠陥を含むヘテロ構造を含み、前記アモルファス化される領域は前記欠陥性半導体結晶材料内に埋め込まれた絶縁層まで伸びないステップと、
前記アモルファス化領域を熱処理して前記部分的にまたは完全にアモルファス化した領域を再結晶させ、それによって前記欠陥性半導体結晶材料に比べて前記エピタキシャル成長に関係する欠陥の密度が低減した再結晶領域を形成するステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記欠陥性半導体結晶材料がＳｉＧｅ合金層上に形成されたＳｉ層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記Ｓｉ層が引っ張り歪みを受けており、前記ＳｉＧｅ合金層が部分的にまたは完全に緩和されている、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＳｉＧｅ合金層が耐Ｇｅ拡散性のバリア層上に設置されている、請求項に２記載の方法。
【請求項５】
前記欠陥性半導体結晶材料が、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、シリコン・オン・インシュレータ、およびＳｉＧｅオン・インシュレータからなる群から選択された半導体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記アモルファス化ステップが前記アモルファス化領域を形成できるイオンを使用して実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記イオンが、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、希ガスイオン、あるいはそれらの任意の同位体または混合物からなる群から選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記アモルファス化ステップがイオン注入によって実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記欠陥性半導体結晶材料が前記イオン注入中２０℃より低い温度に維持される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記アモルファス化ステップがプラズマ浸入（イオン）注入によって実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記アモルファス化ステップがプラズマ放電源によって実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記アモルファス化領域が、前記欠陥性半導体結晶材料の上表面から１〜２００ｎｍの深さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記アモルファス化ステップが、１０１２〜１０１６原子／ｃｍ２のイオン注入によって実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記熱処理ステップが希ガス雰囲気中で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記希ガスがＨｅ、Ａｒ、Ｎ２、Ｘｅ、Ｋｒ、Ｎｅまたはそれらの混合物を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記希ガスが酸素含有ガスで希釈される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記熱処理ステップが５００℃以上で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記熱処理ステップが炉アニールで、５００℃以上の温度、１５分以上の時間で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記熱処理ステップが高速熱アニール（ＲＴＡ）で、８００℃以上の温度、１０分以下の時間で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記熱処理ステップがスパイク・アニールで、９００℃以上の温度、５秒以下の時間で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
欠陥性半導体結晶材料の材料品質を改善する方法であって、
前記欠陥性半導体結晶材料の領域に導入して前記欠陥性半導体結晶材料中にアモルファス領域を形成するステップであって、前記欠陥性半導体結晶材料はエピタキシャル成長に関係する欠陥を含むヘテロ構造を含み、前記アモルファス化される領域は前記欠陥性半導体結晶材料内に埋め込まれた絶縁層まで伸びないステップと、
前記アモルファス化欠陥性半導体結晶材料を加熱して前記アモルファス化領域を再結晶させ、それによって前記欠陥性半導体結晶材料に比べて前記エピタキシャル成長に関係する欠陥の密度が低減した再結晶領域を形成するステップと、を含む方法。
【請求項２２】
欠陥性半導体結晶材料の材料品質を改善する方法であって、
１０１２〜１０１６原子／ｃｍ２のイオンを前記欠陥性半導体結晶材料の領域に注入して前記欠陥性半導体結晶材料中にアモルファス領域を形成するステップであって、前記欠陥性半導体結晶材料はエピタキシャル成長に関係する欠陥を含むヘテロ構造を含み、前記アモルファス化される領域は前記欠陥性半導体結晶材料内に埋め込まれた絶縁層まで伸びないステップと、
前記アモルファス化欠陥性半導体結晶材料を加熱して前記アモルファス化領域を再結晶させ、それによって前記欠陥性半導体結晶材料に比べて前記エピタキシャル成長に関係する欠陥の密度が低減した再結晶領域を形成するステップであって、前記加熱ステップが８００℃以上の温度、１０分以下の時間で実施される高速熱アニールを用いて実施されるステップとを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月30日(2006.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゴルフ場で競技中のプレーヤの妨げになることなく、限られた場所だけに可聴域の音波を発生する放射器を備え、ギャラリーだけに向けて音声を拡声する音響システム。
【請求項２】
放射器を複数台設置することにより、必要な範囲内のみに均一な音場を形成することを特徴とする請求項１記載の音響システム。
【請求項３】
放射器は、ギャラリースタンドの構造に応じた設置角度としたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の音響システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
ここで、パラメトリックスピーカの基本的な原理について説明する。
パラメトリックスピーカは、強力な超音波が空気を伝搬する過程で発生するひずみ成分を使用することによって、可聴帯域の音を得る原理を採用している。図２はパラメトリックスピーカの原理について説明する図である。図２では、二つの周波数成分ｆ１，ｆ２、およびその差成分ｆ２−ｆ１、和成分ｆ２＋ｆ１を示す。パラメトリックスピーカは二つの周波数成分ｆ１，ｆ２とその差成分ｆ２−ｆ１の関係を利用するものであり、その際二つの周波数成分ｆ１，ｆ２は人間には聞こえない超音波とし、差成分ｆ２−ｆ１はオーディオ帯域に存在するようにすることにより可聴音が得られる。これが基本原理であるが、超音波の相互作用は、強力な超音波が伝搬過程で歪んでいくという空気の非線形性を利用するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
以上に述べたような、超指向性の音響システムでは、超音波を使用しているため反射の影響を受ける可能性がある。図４は変調信号の反射方向について説明する図である。図に示すように、ギャラリースタンド５は通常雛壇形式で構築される。放射器４はギャラリースタンド５の一番下の段に設置される。このように設置された放射器４は、図４に示すように斜め上方向に、ギャラリー７に向けて変調信号を放射する。したがって、反射音は図４の矢印の方向、すなわち斜め上方向に反射するため、プレーヤのいるグリーン上に反射することはない。なお、放射器４の設置角度はギャラリースタンド５の構造に応じて設計することが必要である。例えば、図５は、雛壇形式構造のギャラリースタンド５の傾斜を考慮して、放射器４の設置角度範囲を説明したもので、放射器の設置位置４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄから放射した変調信号Ｐ（ａ），Ｐ（ｂ），Ｐ（ｃ），Ｐ（ｄ）は、ギャラリースタンド５の傾斜面上の任意の点Ｏで入射角と同じ角度で反射する。設置位置４ｄから放射された変調信号Ｐ（ｄ）は、点Ｏからグリーン６上へ反射してしまうため設置位置４ｄの位置は適当ではない。一方、設置位置４ａからギャラリースタンド５の傾斜とほぼ同じ角度で放射された変調信号Ｐ（ａ）は、点Ｏでギャラリースタンド５の傾斜に沿った上部へ反射し、設置位置４ｂから放射された変調信号Ｐ（ｂ）は、点Ｏでギャラリースタンド５の傾斜法線方向に反射する。また、設置位置４ｃから放射された変調信号Ｐ（ｃ）は、点Ｏへ角度α1で入射し、グリーン６面と平行方向に反射する。よって、ギャラリースタンド５の傾斜面上の任意の点Ｏを基準とした放射器４の設置角度（α0とする）の範囲は、図５中にＡで示すとおり、α1≦α0≦１８０°であり、ギャラリースタンド５の雛壇形式構造の傾斜角度α1に応じて放射器の設置角度を決める必要がある。
図６は、ギャラリースタンド５でギャラリー７が立ち上がった場合を考慮した放射器４の設置角度範囲を説明したもので、放射器４の設置位置４ｅ，４ｆ，４ｇから放射した変調信号Ｐ（ｅ），Ｐ（ｆ），Ｐ（ｇ）は、ギャラリースタンド５上で立ち上がったギャラリー７で反射する。設置位置４ｇから斜め下方向に放射された変調信号Ｐ（ｇ）は、グリーン６上へ反射してしまうため設置位置４ｇの設置角度は適当ではない。一方、設置位置４ｅから放射された変調信号Ｐ（ｅ）は、放射角度がギャラリースタンド５の傾斜角度α1であり、ギャラリー７に入射角（９０°−α1）で入射し、ギャラリースタンド５の傾斜法線方向に反射する。また、設置位置４ｆから放射された変調信号Ｐ（ｆ）は、ギャラリー７に９０°で入射し、グリーン６面と平行方向に反射する。よって、ギャラリースタンド５に対する放射器の設置角度α0の範囲は、図５中にＢで示すとおり（１８０°−α1）≦α0≦１８０°であり、図５の場合と同様にギャラリースタンド５の雛壇形式構造の傾斜角度α1に応じて放射器の設置角度を決める必要がある。
なお、上記の反射音を考慮するため、図５、図６のいずれの場合もギャラリースタンド５の観客席の高さをグリーン６上のプレーヤの頭より高く設置する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【図１】この発明の実施の形態１による音響システムのブロック図である。
【図２】パラメトリックスピーカの原理について説明する図である。
【図３】この発明の実施の形態１による音響システムの使用例を示す図である。
【図４】変調信号の反射方向について説明する図である。
【図５】ギャラリースタンドの角度を考慮した放射器設置角度範囲例を示す図である。
【図６】ギャラリースタンドでギャラリーが立ち上がった場合を考慮した放射器設置角度範囲例を示す図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
１  音源、２  変調器、３  増幅器、４  放射器、４ａ〜４ｆ  放射器の設置位置例、５  ギャラリースタンド、６  グリーン、７  ギャラリー、８  プレイヤー、Ｏ  ギャラリースタンド傾斜上の任意の点、Ｐ（ａ）〜Ｐ（ｇ）  変調信号。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図５】
2005094235.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図６】
2005094235.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月6日(2007.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置の少なくとも一部に電源を供給するスイッチング電源と、
検出器アレーより信号を読み出す読出手段と、
前記読出手段で読出した信号をデジタルデータに順次に変換する変換手段と、
前記スイッチング電源の発振信号の変化点において、前記変換手段による変換処理を停止させる制御手段とを備えることを特徴とする信号読出装置。
【請求項２】
前記スイッチング電源に基準クロックを供給する供給手段を更に備え、
前記スイッチング電源は複数の系統を有し、各系統は前記基準クロックを変調することにより電圧を発生することを特徴とする請求項１に記載の信号読出装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記変化点より所定時間、前記変換手段を駆動させるためのクロックの前記変換手段への供給を停止することを特徴とする請求項１に記載の信号読出装置。
【請求項４】
前記読出手段によって信号が読み出される行の切り換え周期を、前記スイッチング電源の基準クロックの周期の整数倍とすることを特徴とする請求項１に記載の信号読出装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の信号読出装置と、
Ｘ線発生装置とを備え、
前記検出器アレーは前記Ｘ線発生装置から照射されたＸ線に基づく信号を保持することを特徴とするＸ線撮像装置。
【請求項６】
検出器アレーより信号を読み出すための信号読出方法であって、
前記検出器アレーより信号を読み出す読出工程と、
前記読出工程で読出した信号をデジタルデータに順次に変換する変換工程と、
装置の少なくとも一部に電源を供給するスイッチング電源の発振信号の変化点において、前記変換工程による変換処理を停止させる制御工程とを備えることを特徴とする信号読出方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の目的を達成するための本発明による信号読出装置は以下の構成を備える。すなわち、
装置の少なくとも一部に電源を供給するスイッチング電源と、
検出器アレーより信号を読み出す読出手段と、
前記読出手段で読出した信号をデジタルデータに順次に変換する変換手段と、
前記スイッチング電源の発振信号の変化点において、前記変換手段による変換処理を停止させる制御手段とを備える。