【手続補正書】
【提出日】平成20年6月12日(2008.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  式：
【化１】
2004505019.tif 000001
（ここで、Ｍは元素の周期律表の３−１０族又はランタニド系列から選ばれる金属である；Ｚ’は
ＳｉＲ６２、ＣＲ６２、ＳｉＲ６２ＳｉＲ６２、ＣＲ６２ＣＲ６２、ＣＲ６＝ＣＲ６、ＣＲ６２ＳｉＲ６２、ＢＲ６、ＢＲ６Ｌ”、又はＧｅＲ６２；Ｙは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ５−、−ＰＲ５−、−ＮＲ５２、又は−ＰＲ５２；Ｒ５は、それぞれの場合独立に、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、又はトリヒドロカルビルシリルヒドロカルビルであり、該Ｒ５は水素を計算に入れないで２０までの原子をもつ、そして所望により２個のＲ５
基又はＲ５はＹとお互いに環系を形成する；Ｒ６は、それぞれの場合独立に、水素、又はヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ、シリル、ハロゲン化アルキル、ハロゲン化アリール、−ＮＲ５２
、及びそれらの組み合わせから選択される１員であり、該Ｒ６は水素ではない２０までの原子をもち、そして所望により２個のＲ６基
は環系を形成する；Ｌ”は所望によりＲ６に結合した単座配位又は多座配位のルイス塩基；Ｘは水素又は水素を計算に入れないで６０までの原子をもつ１価のアニオン性配位子；Ｌはそれぞれの場合独立に水素を計算に入れないで２０までの原子をもつ中性配位結合性化合物であり、そして所望によりＬとＸはお互いに結合する；Ｘ’は水素を計算に入れないで６０までの原子をもつ２価アニオン性配位子であり；ｘは０、１、２、又は３；ｌは０から２までの数であり、そしてｘ’は０又は１である；Ｔはそれぞれの場合独立に炭素、珪素、窒素、リン、酸素、硫黄、又はホウ素であり；Ｊはそれぞれの場合独立に水素、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、トリヒドロカルビルゲルミル、ハライド、ヒドロカルビルオキシ、トリヒドロカルビルシロキシ、ビス（トリヒドロカルビルシリル）アミノ、ジ（ヒドロカルビル）アミノ、ヒドロカルビレンアミノ、ヒドロカルビルイミノ、ジ（ヒドロカルビル）ホスフィノ、ヒドロカルビレンホスフィノ、ヒドロカルビルスルフィド、ハロ−置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ−置換ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル−置換ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシロキシ−置換ヒドロカルビル、ビス（トリヒドロカルビルシリル）アミノ−置換ヒドロカルビル、ジ（ヒドロカルビル）アミノ−置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンアミノ−置換ヒドロカルビル、ジ（ヒドロカルビル）ホスフィノ−置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンホスフィノ−置換ヒドロカルビル、又はヒドロカルビルスルフィド−置換ヒドロカルビルであり、該Ｊ基は水素を計算に入れないで４０までの原子をもち、そして所望により２個のＪ基はお互いに２価誘導体を形成しそれによって飽和又は不飽和環を形成する、但し少なくとも１の場合は異なった原子（その少なくとも１はＴである）上の前述のＪ基の２以上が、お互いに２価誘導体を形成し、それによって７、又は８員環に縮合している少なくとも１個の芳香族環を生成することを条件とする；ｔは０、１又は２である）で表される多環式縮合環化合物。
【請求項２】  式：
【化２】
2004505019.tif 000002
（ここで、Ｊ＊はそれぞれの場合独立に水素、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、トリヒドロカルビルゲルミル、ハライド、ヒドロカルビルオキシ、トリヒドロカルビルシロキシ、ビス（トリヒドロカルビルシリル）アミノ、ジ（ヒドロカルビル）アミノ、ヒドロカルビレンアミノ、ヒドロカルビルイミノ、ジ（ヒドロカルビル）ホスフィノ、ヒドロカルビレンホスフィノ、ヒドロカルビルスルフィド、ハロ−置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ−置換ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル−置換ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシロキシ−置換ヒドロカルビル、ビス（トリヒドロカルビルシリル）アミノ−置換ヒドロカルビル、ジ（ヒドロカルビル）アミノ−置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンアミノ−置換ヒドロカルビル、ジ（ヒドロカルビル）ホスフィノ−置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンホスフィノ−置換ヒドロカルビル、又はヒドロカルビルスルフィド−置換ヒドロカルビルであり、該Ｊ＊基は水素を計算に入れないで４０までの原子をもち、そして所望により２個のＪ＊基はお互いに又は１個のＪ＊基と１個のＪ’基はお互いに２価誘導体を形成しそれによって飽和又は不飽和環を形成する、但し少なくとも１の場合は異なった原子上の前述のＪ＊基の２以上が、お互いに２価誘導体を形成し、それによって６、７、又は８員環に縮合している少なくとも１個の芳香族環を生成することを条件とする；Ｊ’はそれぞれの場合独立に水素、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、トリヒドロカルビルゲルミル、ハライド、ヒドロカルビルオキシ、トリヒドロカルビルシロキシ、ビス（トリヒドロカルビルシリル）アミノ、ジ（ヒドロカルビル）アミノ、ヒドロカルビレンアミノ、ヒドロカルビルイミノ、ジ（ヒドロカルビル）ホスフィノ、ヒドロカルビレンホスフィノ、ヒドロカルビルスルフィド、ハロ−置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ−置換ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル−置換ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシロキシ−置換ヒドロカルビル、ビス（トリヒドロカルビルシリル）アミノ−置換ヒドロカルビル、ジ（ヒドロカルビル）アミノ−置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンアミノ−置換ヒドロカルビル、ジ（ヒドロカルビル）ホスフィノ−置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンホスフィノ−置換ヒドロカルビル、又はヒドロカルビルスルフィド−置換ヒドロカルビルであり、該Ｊ’基は水素を計算に入れないで４０までの原子をもち、そして所望により２個のＪ’基はお互いに又は１個のＪ’基と１個のＪ＊基はお互いに２価誘導体を形成しそれによって飽和又は不飽和縮合環を形成する；Ｔは炭素、ホウ素、窒素又は酸素であり：ｔは１又は２；ｔ’は０、１又は２であり；そしてＭ、Ｘ、Ｌ、Ｘ’、ｘ、ｌ、及びｘ’は請求項１で既に定義したとおりである）で表される請求項１の化合物又は錯体。
【請求項３】  式：
【化３】
2004505019.tif 000003
（ここで、Ｔは炭素、又は窒素；Ｔが炭素のときは、ｔ’は２、そしてＴが窒素のときはｔ’は１；Ｍはチタン；Ｒ１はそれぞれの場合独立に水素又はヒドロカルビル、アミノ又はアミノ−置換された水素を計算に入れないで２０までの原子をもつヒドロカルビル基、そして所望により２個のＲ１はお互いに結合していてもよい；Ｙは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ５−、−ＰＲ５−、−ＮＲ５２、又は−ＰＲ５２；Ｚ’はＳｉＲ６２、ＣＲ６２、ＳｉＲ６２ＳｉＲ６２、ＣＲ６２ＣＲ６２、ＣＲ６＝ＣＲ６、ＣＲ６２ＳｉＲ６２、ＢＲ６、ＢＲ６Ｌ”、又はＧｅＲ６２；Ｒ５はそれぞれの場合独立にヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、又はトリヒドロカルビルシリルヒドロカルビル、該Ｒ５
は水素を計算に入れないで２０までの原子をもち、そして所望により２個のＲ５ 基又はＲ５ はＹとお互いに環系を形成する；Ｒ６は、それぞれの場合独立に、水素、又はヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ、シリル、ハロゲン化アルキル、ハロゲン化アリール、−ＮＲ５２
、及びそれらの組み合わせから選択される基であり、該Ｒ６は２０までの水素ではない原子をもち、そして所望により２個のＲ６基
は環系を形成する；Ｘ、Ｌ、Ｌ’’、及びＸ’は既に請求項１で定義したとおりである；ｘは０、１又は２；ｌは０又は１；そしてｘ’は０又は１；但し次の条件付きである：ｘが２のときは、ｘ’は０、Ｍは＋４形式酸化状態（又はもしＹが−ＮＲ５２、又は−ＰＲ５２ならＭは＋３形式酸化状態）、そしてＸはハライド、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ、ジ（ヒドロカルビル）アミド、ジ（ヒドロカルビル）ホスフィド、ヒドロカルビルスルフィド、及びシリル基、同様にハロ−、ジ（ヒドロカルビル）アミノ−、ヒドロカルビルオキシ−、及びジ（ヒドロカルビル）ホスフィノ−で置換されたそれらの誘導体からなる群から選択されたアニオン性配位子、該Ｘ基は水素を計算に入れないで３０までの原子をもつ、ｘが０でｘ’が１のときは、Ｍは＋４形式酸化状態であり、そしてＸ’はヒドロカルバジイル、オキシヒドロカルビレン、及びヒドロカルビレンジオキシ基からなる群から選択されたジアニオン性配位子であり、該Ｘ’基は３０までの水素ではない原子をもつ、ｘが１でｘ’が０のときは、Ｍは＋３形式酸化状態であり、そしてＸはアリル、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）フェニル、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル）フェニル、及び２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ベンジルからなる群から選択された安定化アニオン性配位子である、そしてｘとｘ’が共に０のときは、ｌは１、Ｍは＋２形式酸化状態、そしてＬは所望により１以上のヒドロカルビル基で置換されていてもよい中性の共役又は非共役ジエンであり、該Ｌは４０までの炭素原子をもちそしてそれらの非局在化π−電子によってＭに結合している）で表される請求項１記載の金属錯体。
【請求項４】  （２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＩ）１，３−ペンタジエン、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＩＩ）２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ベンジル、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＶ）ジクロライド、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＶ）ジメチル、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＶ）ジベンジル、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（シクロヘキシル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（シクロヘキシル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＩ）１，３−ペンタジエン、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（シクロヘキシル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＩＩ）２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ベンジル、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（シクロヘキシル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＶ）ジクロライド、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（シクロヘキシル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＶ）ジメチル、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−２−イル）−Ｎ−（シクロヘキシル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＶ）ジベンジル、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＩ）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＩ）１，３−ペンタジエン、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＩＩ）２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ベンジル、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＶ）ジクロライド、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＶ）ジメチル、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＶ）ジベンジル、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（シクロヘキシル）ジメチル−シランアミドチタン（Ｉ���）１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（シクロヘキシル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＩ）１，３−ペンタジエン、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（シクロヘキシル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＩＩ）２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ベンジル、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（シクロヘキシル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＶ）ジクロライド、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（シクロヘキシル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＶ）ジメチル、（２，８−ジヒドロジベンゾ［ｅ，ｈ］アズレン−１−イル）−Ｎ−（シクロヘキシル）ジメチル−シランアミドチタン（ＩＶ）ジベンジル、又はそれらの混合物である請求項１記載の金属錯体。
【請求項５】  １以上のオレフィンモノマーを重合条件下で請求項１−４のいずれか１項に記載の金属錯体と活性化助触媒からなる触媒組成物と接触させることからなるオレフィンの重合方法。
【請求項６】  溶液、スラリー又は高圧重合条件下で実施される請求項５記載の方法。
【請求項７】  触媒が更に不活性な、粒子状担体を含む、スラリー又は気相重合条件下で実施される請求項６記載の方法。