【手続補正書】
【提出日】平成20年2月26日(2008.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素並びにチタノシリケート上に、金、銀、白金族金属、ランタニド希土類金属及びこれらの混合物から選択された１種又はそれ以上の触媒金属を付着させてなるヒドロ酸化触媒の存在下に、部分的に酸化された炭化水素を製造するのに十分な接触条件下で炭化水素を酸素と接触させることを含んでなり、前記チタノシリケートがマイクロ波加熱によって製造されたものであることを特徴とするヒドロ酸化方法。
【請求項２】
炭化水素がＣ1〜Ｃ20アルカン又はＣ2〜Ｃ20オレフィンである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
触媒金属が金又は銀、白金族金属、ランタニド希土類金属及びこれらの組合せからなる群から選択された１種又はそれ以上の金属と組合わせた金である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
触媒金属が、触媒金属（群）及びチタノシリケートの合計重量基準で、０．００１重量％よりも多くそして２０重量％よりも少ない量で存在する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
触媒が、周期表の第１族金属、第２族金属、ランタニド希土類金属及びアクチニド金属及びこれらの混合物から選択された１種又はそれ以上のプロモーター金属並びに任意的に、ハライド、炭酸塩、リン酸塩、カルボン酸アニオン及びこれらの混合物からなる群から選択された１種又はそれ以上のプロモーターアニオンを更に含み、そして更に、１種又はそれ以上のプロモーター金属が、触媒の全重量基準で、０．００１重量％よりも多くそして２０重量％よりも少ない全量で、触媒中に存在する請求項１に記載の方法。
【請求項６】
触媒がリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、バリウム、エルビウム、ルテチウム及びこれらの混合物からなる群から選択された１種又はそれ以上のプロモーター金属を更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
チタノシリケートが５／１〜２０，０００／１の範囲内のＳｉ／Ｔｉ原子比を有する結晶性、準結晶性及び無定形チタノシリケートから選択される請求項１に記載の方法。
【請求項８】
チタノシリケートがＴＳ−１、ＴＳ−２、Ｔｉ−ベータ、Ｔｉ−ＺＳＭ−５、Ｔｉ−ＺＳＭ−１２、Ｔｉ−ＺＳＭ−４８、Ｔｉ−ＭＣＭ−４１、Ｔｉ−ＭＣＭ−４８及びＳＭＡのファミリーのチタノシリケートからなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項９】
触媒が（ａ）チタン源、ケイ素源、構造指定剤（又はテンプレート）及び水を含む合成溶液を、チタノシリケートを製造するのに十分な条件下で、マイクロ波放射線によって加熱し、（ｂ）合成溶液からチタノシリケートを回収し、そしてチタノシリケートを酸素又は空気の下でか焼して、構造指定剤（又はテンプレート）を除去し、（ｃ）１種又はそれ以上の触媒金属を、チタノシリケート上に付着させ、並びに任意的に（ｄ）得られる触媒金属（群）−チタノシリケートコンポジットを、酸素下で又は還元剤下で又は不活性ガス下で、触媒を製造するのに十分な条件下で加熱する
ことによって製造される請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
チタン源が、チタンテトラ（アルコキシド）、四ハロゲン化チタン、オキシハロゲン化チタン及びこれらの混合物からなる群から選択される請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
チタン源がチタンテトラ（エトキシド）、チタンテトラ（イソプロポキシド）、チタンテトラ（ｎ−ブトキシド）、四フッ化チタン、四塩化チタン、オキシ塩化チタン及びこれらの混合物からなる群から選択される請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
ケイ素源がオルトケイ酸テトラアルキル及びヒュームドシリカ又は沈殿シリカからなる群から選択される請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
テンプレート又は構造指定剤がトリアルキルアミン、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、テトラアルキルアンモニウムハライド及びこれらの混合物からなる群から選択される請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
チタノシリケートが、モル基準で、５〜２０，０００の範囲内のＳｉＯ2／ＴｉＯ2比、１．７〜８．３の範囲内のＳｉＯ2の構造指定剤に対する比及び０．００５〜０．４９の範囲内のＳｉＯ2／Ｈ2Ｏ比で含む合成溶液から製造される請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
マイクロ波加熱が合成溶液１リットル当たり１００〜６，０００ワットのエネルギー入力を有するマイクロ波発生器により与えられ、そして、０．５℃／分よりも大きく、４０℃／分よりも小さい加熱速度でマイクロ波加熱を実施する請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
８０℃よりも高く１５０℃よりも低い第一の温度で、０分間よりも長く１２０分間よりも短い第一の温度保持時間、そして１４０℃よりも高く２５０℃よりも低い最終温度で、３分間よりも長く１６時間よりも短い最終温度保持時間の２段階でマイクロ波加熱を実施する請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
１４０℃よりも高く２５０℃よりも低い最終温度で、３分間よりも長く１６時間よりも短い最終温度保持時間の１段階でマイクロ波加熱を実施する請求項９に記載の方法。
【請求項１８】
マイクロ波加熱によって製造されたチタノシリケート生成物が、直径（又は非球状粒子について限界断面寸法）が０．０１ミクロンよりも大きく、５ミクロンよりも小さい平均結晶サイズを有する請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
２０℃よりも高く３００℃よりも低い温度で、そして１５ｐｓｉｇよりも高く６００ｐｓｉｇよりも低い圧力で、そして任意的に、ヘリウム、窒素、プロパン、メタン、アルゴン、二酸化炭素、スチーム及びこれらの混合物からなる群から選択された希釈剤の存在下に、ヒドロ酸化を実施する請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
炭化水素がオレフィンであり、オレフィン転化率が０．５モル％よりも高く、そしてオレフィンオキシドへの選択率が７０モル％よりも高く、そして任意的に、水／オレフィンオキシドモル比によって測定して、１０／１よりも小さい効率で、水素を使用する請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
プロピレンをプロピレンオキシドにヒドロ酸化し、そしてチタノシリケートを、
（ａ）マイクロ波発生器が、合成溶液１リットル当たり、１００ワットよりも大きく６，０００ワットよりも小さいエネルギー入力を与え、そして、０．５℃／分よりも大きく４０℃／分よりも小さい加熱速度で、１４０℃よりも高く２５０℃よりも低い最終温度で、３分間よりも長く、１６時間よりも短い最終温度保持時間の１段階でマイクロ波加熱を実施して、チタノシリケートＴＳ−１を製造する条件下に、テトラエチルオルトシリケート、チタンテトラ（ｎ−ブトキシド）、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド及び水を含む合成溶液を、マイクロ波放射線により加熱し、
（ｂ）チタノシリケートＴＳ−１を合成溶液から、濾過、遠心分離又はフロキュレーションとそれに続く濾過若しくは遠心分離によって回収し、そして
（ｃ）回収したチタノシリケートをか焼して、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシドを除去する
ことを含む方法によって製造する請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
金、銀、白金族金属、ランタニド希土類金属及びこれらの混合物から選択された、１種又はそれ以上の触媒金属をチタノシリケート上に付着させてなる、ヒドロ酸化触媒組成物であって、チタノシリケートがマイクロ波加熱によって製造されることを特徴とする触媒組成物。
【請求項２３】
触媒金属が金、又は銀、１種若しくはそれ以上の白金族金属、１種若しくはそれ以上のランタニド希土類金属若しくはこれらの混合物と組合わせた金であり、そして任意的に、触媒金属が、触媒金属（群）及びチタノシリケートの合計重量基準で、０．００１重量％よりも多く、そして２０重量％よりも少ない量で存在する請求項２２に記載の触媒組成物。
【請求項２４】
触媒が、更に、周期表の第１族金属、第２族金属、ランタニド希土類金属及びアクチニド金属並びにこれらの混合物から選択された１種又はそれ以上のプロモーター金属を更に含み、そして任意的に、触媒が、ハライド、炭酸塩、リン酸塩、カルボン酸アニオン及びこれらの混合物からなる群から選択された１種又はそれ以上のプロモーターアニオンを更に含み、そして更に、１種又はそれ以上のプロモーター金属が、触媒の全重量基準で、０．００１重量％よりも多くそして２０重量％までの全量で、触媒中に存在する請求項２２に記載の触媒組成物。
【請求項２５】
１種又はそれ以上のプロモーター金属がリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、バリウム、エルビウム、ルテチウム及びこれらの混合物からなる群から選択される請求項２４に記載の触媒組成物。
【請求項２６】
チタノシリケートが５／１〜２０，０００／１の範囲内のＳｉ／Ｔｉ原子比を有する結晶性、準結晶性及び無定形チタノシリケートから選択される請求項２２に記載の触媒組成物。
【請求項２７】
チタノシリケートがＴＳ−１、ＴＳ−２、Ｔｉ−ベータ、Ｔｉ−ＺＳＭ−５、Ｔｉ−ＺＳＭ−１２、Ｔｉ−ＺＳＭ−４８、Ｔｉ−ＭＣＭ−４１、Ｔｉ−ＭＣＭ−４８及びＳＭＡのファミリーのチタノシリケートからなる群から選択される請求項２２に記載の触媒組成物。
【請求項２８】
触媒がシリカ、アルミナ、アルミノシリケート、マグネシア、チタニア、炭素及びこれらの混合物からなる群から選択された第二の担体上に担持されている請求項２２に記載の触媒組成物。
【請求項２９】
チタノシリケートが（ａ）チタン源、ケイ素源、テンプレート又は構造指定剤及び水を含む合成溶液をマイクロ波加熱し、そして（ｂ）合成溶液からチタノシリケートを回収し、そして回収したチタノシリケートを、構造指定剤（又はテンプレート）を除去するのに十分な条件下でか焼することによって製造される請求項２２に記載の触媒組成物。
【請求項３０】
チタン源がチタンテトラ（アルコキシド）、四ハロゲン化チタン、オキシハロゲン化チタン及びこれらの混合物からなる群から選択され、そしてケイ素源がオルトケイ酸テトラアルキル及びヒュームドシリカ又は沈殿シリカからなる群から選択され、そしてテンプレート又は構造指定剤がトリ（アルキル）アミン、テトラ（アルキル）アンモニウムヒドロキシド及びテトラ（アルキル）アンモニウムハライドから選択される請求項２９に記載の触媒組成物。
【請求項３１】
チタノシリケートが、モル基準で、５〜２０，０００の範囲内のＳｉＯ2／ＴｉＯ2比、１．７〜８．３の範囲内のＳｉＯ2の構造指定剤に対する比及び０．００５〜０．４９の範囲内のＳｉＯ2／Ｈ2Ｏ比で、ケイ素源、チタン源、構造指定剤（又はテンプレート）及び水を含む合成溶液をマイクロ波加熱することによって製造される請求項２９に記載の触媒組成物。
【請求項３２】
マイクロ波加熱が、合成溶液１リットル当たり、１００〜６，０００ワットのエネルギー入力を有するマイクロ波発生器により与えられ、そしてマイクロ波加熱が０．５℃／分よりも大きく４０℃／分よりも小さい加熱速度で実施される請求項２２に記載の触媒組成物。
【請求項３３】
マイクロ波加熱が、８０℃よりも高く１５０℃よりも低い第一の温度へ、０分間よりも長く１２０分間よりも短い第一の温度保持時間上昇させ、次いで１４０℃よりも高く２５０℃よりも低い最終温度へ、３分間よりも長く１６時間よりも短い最終温度保持時間上昇させる、２段階で実施される請求項２２に記載の触媒組成物。
【請求項３４】
マイクロ波加熱が、１４０℃よりも高く２５０℃よりも低い最終温度へ、３分間よりも長く１６時間よりも短い最終温度保持時間上昇させることにより実施される請求項２２に記載の触媒組成物。
【請求項３５】
マイクロ波加熱によって製造されたチタノシリケート生成物が、直径（又は非球状粒子について限界断面寸法）が０．０１ミクロンよりも大きく、５ミクロンよりも小さい平均結晶サイズを有する請求項２２に記載の触媒組成物。
【請求項３６】
チタノシリケートが、
（ａ）マイクロ波発生器が、合成溶液１リットル当たり、１００ワットよりも大きく６，０００ワットよりも小さいエネルギー入力を有し、そしてマイクロ波加熱が０．５℃／分よりも大きく４０℃／分よりも小さい加熱速度で、１４０℃よりも高く２５０℃よりも低い最終温度で、３分間よりも長く１６時間よりも短い最終温度保持時間の１段階で実施されて、チタノシリケートＴＳ−１を製造する条件下に、マイクロ波放射線により、加熱し、テトラエチルオルトシリケート、チタンテトラ（ｎ−ブトキシド）、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド及び水を含む合成溶液を
（ｂ）チタノシリケートＴＳ−１を合成溶液から、濾過、遠心分離又はフロキュレーションとこれに続く濾過若しくは遠心分離によって回収し、そして
（ｃ）回収したチタノシリケートをか焼して、構造指定剤（又はテンプレート）を除去する
ことを含んでなる方法によって製造される請求項２２に記載の触媒組成物。
【請求項３７】
（ａ）チタン源、ケイ素源、構造指定剤（又はテンプレート）及び水を含む合成溶液を、チタノシリケートを製造するのに十分な条件下で、マイクロ波放射線によって加熱し、
（ｂ）合成溶液からチタノシリケートを回収し、そしてチタノシリケートを、構造指定剤（又はテンプレート）を除去するのに十分な条件下にか焼し、
（ｃ）触媒金属を、チタノシリケートの上に付着させて（触媒金属は、金、銀、１種又はそれ以上の白金族金属、１種又はそれ以上のランタニド希土類金属及びこれらの混合物から選択される）、金属−チタノシリケートコンポジットを形成させ、そして
任意的に（ｄ）金属−チタノシリケートコンポジットを、酸素含有ガス下で又は還元雰囲気下で又は不活性ガス下で、ヒドロ酸化触媒を製造するのに十分な条件下で加熱することを含んでなるヒドロ酸化触媒組成物の製造方法。