【手続補正書】
【提出日】平成19年9月27日(2007.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の電源電位を受ける第１の端子と、
第２の電源電位を受ける第２の端子と、
前記第１の端子から動作電源電位を受け、前記第２の端子の電位を検知する検知回路と、
前記第２の端子の電位に応じて与えられる入力信号を受け、前記検知回路の出力に応じて動作を行なう内部回路とを備える、半導体装置。
【請求項２】  前記内部回路は、
前記検知回路の出力に応じて活性化され、前記第２の電源電位に応じた振幅を有する入力信号を前記第１の電源電位に応じた振幅を有する出力信号に変換するレベル変換回路と、
前記第１の端子から動作電流の供給を受け、前記レベル変換回路の出力に応じて動作する回路とを含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  前記第１の電源電位は、前記第２の電源電位よりも高い電位である、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】  前記第２の電源電位は、前記第１の電源電位以上の電位である、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】  前記レベル変換回路は、
前記入力信号を受ける入力ノードを前記検知回路の出力に応じて第１の固定電位と結合する第１のスイッチ回路を有する、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】  前記レベル変換回路は、
前記出力信号を出力する出力ノードを前記検知回路の出力に応じて第２の固定電位と結合する第２のスイッチ回路をさらに有する、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】  前記内部回路は、
前記検知回路の出力に応じて活性化し、前記第１の電源電位から内部電源電位を発生する内部電源回路と、
前記内部電源回路から動作電流の供給を受け、前記入力信号に応じて動作する回路とを含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】  前記検知回路は、前記第２の端子の電位が所定の電位に達していないときは、前記内部電源回路に対し、前記内部電源電位の発生を停止させる、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】  前記内部電源回路は、
前記内部電源電位が所定の電位に到達しているか否かを検出するレベル検出回路と、
前記レベル検出回路の出力と前記検知回路の出力とに応じて活性化して発振する発振器と、
前記発振器の出力に応じて前記第１の電源電位を昇圧して前記内部電源電位を発生するチャージポンプ回路とを有する、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１０】  前記内部電源回路は、
前記内部電源電位を供給する出力ノードを前記第１の電源電位に結合する駆動トランジスタと、
前記検知回路の出力に応じて活性化し、前記出力ノードの電位を参照電位と比較して前記駆動トランジスタの導通状態を制御する比較回路とを有し、
前記比較回路は、自己が非活性化時に前記駆動トランジスタを非導通状態とする、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１１】  前記第２の端子の電位を観測してリセット信号を出力するパワーオンリセット回路をさらに備え、
前記内部回路は、
前記入力信号を受ける入力ノードと、
通常動作時において前記入力ノードの電位に応じた信号が伝達される内部ノードと、
前記リセット信号の非活性化時において前記入力ノードの電位に応じて前記内部ノードを駆動し、前記リセット信号の活性化時に前記内部ノードに影響を与えないように前記入力ノードを前記内部ノードから分離する入力分離回路と、
前記内部ノードを前記検知回路の出力に応じて所定の固定電位に結合するスイッチ回路と、
前記第１の端子から動作電流の供給を受け、前記内部ノードの電位に応じて動作する回路とを含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１２】  前記第１の電源電位から安定した第１の参照電位を発生する参照電位発生回路と、
前記第１の参照電位を用いて動作を行なう第１の回路をさらに備え、
前記検知回路は、
前記参照電位発生回路の出力に応じて、第２の参照電位を発生する電位発生部と、
前記第２の参照電位と前記第２の端子の電位とを比較する第１の電位比較部とを含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１３】  前記第１の回路は、
前記第１の参照電位と内部電源電位とを比較する第２の電位比較部と、
前記第１の電源電位を受け前記電位比較部の出力に応じて前記内部電源電位を駆動する駆動回路とを含む、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
第１の電源電位に応じた振幅を有する入力信号を前記第１の電源電位よりも高い第２の電源電位に応じた振幅を有する出力信号に変換するレベル変換回路、
前記第１の電源電位の電位状態に応じて制御信号を出力する信号発生回路、
前記制御信号に応じて前記入力信号を受ける入力ノードを第１の固定電位と接続させる第１のスイッチ回路を備える、半導体装置。
【請求項１５】
前記制御信号に応じて前記出力信号を出力する出力ノードを第２の固定電位と接続させる第２のスイッチ回路をさらに備える、請求項１４記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の目的は、複数の電源電位が内部回路において用いられる半導体装置において、貫通電流を低減させることが可能な半導体装置を提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
請求項１１に記載の半導体装置は、請求項１に記載の半導体装置の構成に加えて、第２の端子の電位を観測してリセット信号を出力するパワーオンリセット回路をさらに備え、内部回路は、入力信号を受ける入力ノードと、通常動作時において入力ノードの電位に応じた信号が伝達される内部ノードと、リセット信号の非活性化時において入力ノードの電位に応じて内部ノードを駆動し、リセット信号の活性化時に内部ノードに影響を与えないように入力ノードを内部ノードから分離する入力分離回路と、内部ノードを検知回路の出力に応じて所定の固定電位に結合するスイッチ回路と、第１の端子から動作電流の供給を受け、内部ノードの電位に応じて動作する回路とを含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
請求項１２に記載の半導体装置は、請求項１に記載の半導体装置の構成に加えて、第１の電源電位から安定した第１の参照電位を発生する参照電位発生回路と、第１の参照電位を用いて動作を行なう第１の回路をさらに備え、検知回路は、参照電位発生回路の出力に応じて、第２の参照電位を発生する電位発生部と、第２の参照電位と第２の端子の電位とを比較する第１の電位比較部とを含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
請求項１３に記載の半導体装置は、請求項１２に記載の半導体装置の構成に加えて、第１の回路は、第１の参照電位と内部電源電位とを比較する第２の電位比較部と、第１の電源電位を受け電位比較部の出力に応じて内部電源電位を駆動する駆動回路とを含む。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図１を参照して、半導体装置１は、制御信号Ｅｘｔ．／ＲＡＳ，Ｅｘｔ．／ＣＡＳ，Ｅｘｔ．／ＷＥをそれぞれ受ける制御信号入力端子２〜６と、アドレス入力端子群８と、データ信号Ｄｉｎが入力される入力端子群１４と、データ信号Ｄｏｕｔを出力する出力端子群１６と、接地電位Ｖｓｓが与えられる接地端子１２と、電源電位Ｅｘｔ．Ｖｃｃ１が与えられる電源端子１０と、電源電位Ｅｘｔ．Ｖｃｃ２が与えられる電源端子１１を備える。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
定電流発生回路９１は、さらに、ノードＮＤにドレインおよびバックゲートが接続されゲートがドレインが接続されているＰチャネルＭＯＳトランジスタ１２６と、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１２６のドレインと接地ノードとの間に接続されるＮチャネルＭＯＳトランジスタ１３２と、ソースが接地ノードに接続されゲートおよびドレインがＮチャネルＭＯＳトランジスタ１３２のゲートと接続されるＮチャネルＭＯＳトランジスタ１３４と、ドレインがＮチャネルＭＯＳトランジスタ１３４のドレインと接続されゲートがＰチャネルＭＯＳトランジスタ１２６のドレインと接続されるＰチャネルＭＯＳトランジスタ１２８と、一方端にＰチャネルＭＯＳトランジスタ１２８のソースおよびバックゲートが接続され他方端がノードＮＤに接続される抵抗１３０とを含む。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
したがって、外部電源電位Ｅｘｔ．Ｖｃｃ２を動作電源電位とする回路系から内部電源電位ｉｎｔ．Ｖｃｃを動作電源電位とする回路系への信号のレベル変換に用いられるレベル変換回路においても貫通電流を低減させることができる。