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【手続補正書】
【提出日】平成19年10月9日(2007.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルロースアセテートプロピオネートおよび／またはセルロースアセテートブチレート７０〜９５ｗｔ％と可塑剤５〜３０ｗｔ％とを含有する熱可塑性組成物からなり、伸度が５〜４０％、繊維長が２５〜１５０ｍｍであるセルロースエステル短繊維。
【請求項２】
繊維のガラス転移温度が１００〜１８０℃であることを特徴とする請求項１記載のセルロースエステル短繊維。
【請求項３】
強度が０．５〜２．０ｃＮ／ｄｔｅｘであることを特徴とする請求項１〜２のいずれか１項に記載のセルロースエステル短繊維。
【請求項４】
セルロースアセテートプロピオネートおよび／またはセルロースアセテートブチレート７０〜９５ｗｔ％と可塑剤５〜３０ｗｔ％とを含有する熱可塑性組成物を、紡糸温度１８０〜２８０℃の条件で溶融紡糸し、紡出糸を回転ローラーにて引き取った後、繊維長２５〜１５０ｍｍにカッティングすることを特徴とするセルロースエステル短繊維の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上述した本発明の課題は、セルロースアセテートプロピオネートおよび／またはセルロースアセテートブチレート７０〜９５ｗｔ％と可塑剤５〜３０ｗｔ％とを含有する熱可塑性組成物からなり、伸度が５〜４０％、繊維長が２５〜１５０ｍｍであるセルロースエステル短繊維によって解決が可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、本発明のセルロースエステル短繊維は、繊維のガラス転移温度が１００〜１８０℃であることが好適に採用できる。また、繊維の強度が０．５〜２．０ｃＮ／ｄｔｅｘであることも好適に採用できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本願発明の短繊維は次の方法で製造できる。すなわち、セルロースアセテートプロピオネートおよび／またはセルロースアセテートブチレート７０〜９５ｗｔ％と可塑剤５〜３０ｗｔ％とを含有する熱可塑性組成物を、紡糸温度１８０〜２８０℃の条件で溶融紡糸し、紡出糸を回転ローラーにて引き取った後、繊維長２５〜１５０ｍｍにカッティングすることを特徴とするセルロースエステル短繊維の製造方法によって製造することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明におけるセルロースエステルは、セルロースエステルのアシル基の少なくとも一部が、炭素数３以上のものであるセルロースアセテートプロピオネートおよび／またはセルロースアセテートブチレートであることが重要である。炭素数が２であるアセチル基のみによって置換されたセルロースアセテートでは、それ自身の熱可塑性が不十分であるため、融着加工や熱セット加工が困難であり、また、剛直であるために容易にフィブリル化してしまうという問題がある。これに対し、例えば炭素数３のアシル基であるプロピオニル基を有するセルロースエステルを用いた場合には、可塑剤の配合によって組成物が良好な熱流動性を有するために、得られる短繊維は融着加工や熱セット加工が可能であることに加え、溶融紡糸によって繊維化が可能であるという大きな利点を有している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の熱可塑性組成物中のセルロースエステル、すなわちセルロースアセテートプロピオネートおよび／またはセルロースアセテートブチレートの含有量は、７０〜９５ｗｔ％である。セルロースエステルの含有量を７０ｗｔ％以上とすることによって、強度を受け持つセルロースエステルの比率が十分高くなり、短繊維の機械的特性が向上する。熱可塑性組成物中のセルロースエステルの含有量は、７５ｗｔ％以上であることがより好ましく、８０ｗｔ％以上であることが最も好ましい。また、組成物の熱流動性を高めて溶融紡糸を可能にするという観点に加え、得られる短繊維の柔軟性を高めるためには、熱可塑性組成物中のセルロースエステルの比率は９５ｗｔ％以下であることが好ましい。より好ましくは、９０ｗｔ％以下であり、最も好ましくは８５ｗｔ％以下である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明で用いられる熱可塑性組成物は、可塑剤５〜３０ｗｔ％を少なくとも含有する。５ｗｔ％以上の可塑剤を含有することで、組成物の熱流動性が良好となり、溶融紡糸によって繊維化することが可能となるとともに、短繊維は、可塑剤を含有しない場合に比べて柔軟性が高くなり、フィブリル発生などの工程トラブルを避けることができる。また、３０ｗｔ％以下の可塑剤量とすることで、短繊維表面への可塑剤のブリードアウトを抑制することができ、室温での膠着などのトラブルを回避することができる。熱可塑性組成物の可塑剤含有量は、フィブリル化を抑制する観点から、１０ｗｔ％以上であることがより好ましく、１５ｗｔ％以上であることが最も好ましい。また、ブリードアウトを抑制する観点からは、２５ｗｔ％以下であることがより好ましく、２０ｗｔ％以下であることが最も好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明のセルロースエステル短繊維は、セルロースアセテートプロピオネートおよび／またはセルロースアセテートブチレート７０〜９５ｗｔ％と可塑剤５〜３０ｗｔ％とを含有する熱可塑性組成物を、溶融紡糸することにより得ることができる。具体的には、セルロースアセテートプロピオネートおよび／またはセルロースアセテートブチレート７０〜９５ｗｔ％と可塑剤５〜３０ｗｔ％とを含有する熱可塑性組成物を、公知の溶融紡糸機を用いて加熱溶融した後、口金から紡出し、紡出糸を回転ローラーによって引き取ることができる。この際、紡糸温度は１８０℃〜２８０℃の範囲が好ましく、より好ましくは２２０℃〜２６０℃の範囲であり、最も好ましくは２３０〜２５０℃である。紡糸温度を１８０℃以上とすることにより、溶融粘度が低くなり溶融紡糸における曳糸性が向上する。また、紡糸温度を２８０℃以下にすることにより、組成物の熱劣化が抑制され、繊維の着色が少なくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月28日(2007.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シアン系化合物を含有しない非シアン無電解金めっき液において、該無電解金めっき液には、金の安定化錯化剤として、下記化１で表される化合物又はその塩が添加されていることを特徴とする非シアン無電解金めっき液。
【化１】
2006111960.tif 000001
【請求項２】
金の安定化錯化剤が、メルカプトエタンスルホン酸ナトリウム、メルカプトプロパンスルホン酸ナトリウム又はアミノエタンチオールである請求項１記載の非シアン無電解金めっき液。
【請求項３】
無電解金めっき液のｐＨ値が７以下である請求項１又は請求項２記載の非シアン無電解金めっき液。
【請求項４】
無電解金めっき液にタリウム（Ｔｌ）が添加されている請求項１〜３のいずれか一項記載の非シアン無電解金めっき液。
【請求項５】
金供給源が、亜硫酸金塩又は塩化金酸塩である請求項１〜４のいずれか一項記載の非シアン無電解金めっき液。
【請求項６】
基板の一面側を覆う樹脂から成るマスク層に開口した凹部の底面に露出する金属面に、無電解金めっきによって金層を形成する際に、
該基板を浸漬する無電解金めっき液として、請求項１記載の非シアン無電解金めっき液を用いることを特徴とする無電解金めっき方法。
【請求項７】
基板の凹部の底面に金属面が露出する金属層を、リン含有量が１〜４重量％の無電解ニッケルめっき液を用いて形成する請求項６記載の無電解金めっき方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち、本発明は、シアン系化合物を含有しない非シアン無電解金めっき液において、該無電解金めっき液には、金の安定化錯化剤として、下記化２で表される化合物又はその塩が添加されていることを特徴とする非シアン無電解金めっき液にある。
【化２】
2006111960.tif 000002
かかる本発明において、金の安定化錯化剤として、メルカプトエタンスルホン酸ナトリウム、メルカプトプロパンスルホン酸ナトリウム又はアミノエタンチオールを好適に用いることができる。
更に、無電解金めっき液のｐＨ値を７以下の酸性領域とすることによって、ソルダレジスト等の樹脂から成るマスク層が一面側を覆う基板を非シアン無電解金めっき液に浸漬して無電解金めっきを施しても、マスク層の侵食を防止できる。
この無電解金めっき液にタリウム（Ｔｌ）を添加することによって、金の析出速度を向上できる。
尚、金供給源としては、亜硫酸金塩又は塩化金酸塩を好適に用いることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この様に、酸性領域に調整された本発明に係る非シアン無電解金めっき液に、図１に示すソルダレジスト等の樹脂から成るマスク層１８が一面側を覆う基板１０を浸漬しても、マスク層１８が侵食されることを防止できる。
また、本発明に係る非シアン無電解金めっき液にタリウム（Ｔｌ）を添加することによって、金の析出速度を向上できる。タリウム（Ｔｌ）は、硫酸タリウム又は酢酸タリウムとして添加できる。
この場合、亜硫酸金塩とメルカプトエタンスルホン酸ナトリウムとを添加した非シアン無電解金めっき液に、タリウム（Ｔｌ）を添加したとき、最も金の析出速度が向上する傾向がある。
尚、タリウム（Ｔｌ）の添加量は、０．１〜１００ｐｐｍとすることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
実施例１と同様に、Ｐ含有量が１〜２重量％の低リンタイプの無電解ニッケルめっき液を用いて形成した、図１に示すNi-Pから成る金属層２２上に、実施例１の表１の液１に示す無電解金めっき液を用いて厚さ０．０６μｍの金層２４を形成した。
次いで、この金層２４を市販の剥離剤を用いて剥離した後、金属層２２の表面を電子顕微鏡写真で観察した結果、図４に示す様に、金属層２２の表面には、ニッケルと金との置換反応時の腐食によるピンホールは観察されず均整な表面であった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
実施例１と同様に、Ｐ含有量が１〜２重量％の低リンタイプの無電解ニッケルめっき液を用いて形成した、図１に示すNi-Pから成る金属層２２上に、下記表２に示すシアン含有無電解金めっき液を用いて厚さ０．０６μｍの金層２４を形成した。
次いで、この金層２４を市販の剥離剤を用いて剥離した後、金属層２２の表面を電子顕微鏡写真で観察した結果、図５に示す如く、金属層２２の表面にはニッケルと金との置換反応時の腐食による微細なピンホールが多数観察された。
【表２】
2006111960.tif 000003
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
比較例１において、図１に示すNi-Pから成る金属層２２を、Ｐ含有量が７〜９重量％の中リンタイプの無電解ニッケルめっき液を用いて形成した他は、比較例１と同様にして厚さ０．０６μｍの金層２４を形成した。
次いで、この金層２４を市販の剥離剤を用いて剥離した後、金属層２２の表面を電子顕微鏡写真で観察した結果、図６に示す如く、金属層２２の表面にはニッケルと金との置換反応時の腐食によって、比較例１の金属層２２の表面に形成された図５に示すピンホールよりも大径のピンホールが多数観察された。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月5日(2007.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
芳香族二官能エポキシ樹脂のジアクリレート（Ａ２）と、芳香族二官能エポキシ樹脂のモノアクリレート（Ａ１）および／または芳香族二官能エポキシ樹脂（Ｂ）とを、リン系触媒（Ｃ）を含有する反応系内で、芳香族二官能エポキシ樹脂ジアクリレート（Ａ２）および芳香族二官能エポキシ樹脂のモノアクリレート（Ａ１）中の水酸基とアクリロイル基を反応させて、この反応により高分子量化されてなる分岐型ポリエーテル樹脂（Ｘ）と、芳香族二官能ジアクリレート（Ａ２）、芳香族二官能エポキシ樹脂のモノアクリレート（Ａ１）および芳香族エポキシ化合物（Ｂ）からなる群から選ばれる１種以上の未反応樹脂成分を含有する樹脂組成物とすることを特徴とする分岐型ポリエーテル樹脂組成物の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
【表２】
2006111841.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月20日(2007.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分子内に下記化１で表される単位構造を２つ以上有することを特徴とする重合性モノマー。
【化１】
2006111843.tif 000001
式中、ＶＰはビニル基が置換したフェニル基を表し、Ｌ1、Ｌ2は２価の連結基を表す。
【請求項２】
前記請求項１に記載の光重合性モノマーを含有することを特徴とする感光性組成物。
【請求項３】
前記請求項２に記載の感光性組成物を利用した平版印刷版。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月25日(2007.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この低温水蒸気改質反応器８は、その内部にニッケル、ルテニウムのいずれかもしくはこれらの両方の金属を酸化アルミニウムなどの担体に担持してなる触媒が充填された触媒床が備えられたものであり、この反応器８では、原料ガス中の炭素数２以上の炭化水素類が触媒の作用により水蒸気と反応してメタンに変換され、少量の酸化炭素が副生成物として副生される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
低温水蒸気改質反応器８からのメタンと少量の酸化炭素を含む生成ガスは、管９から管１０からの水蒸気とともに第２熱交換器１１に送られ、ここで３００〜５５０℃に加熱された後、混合器１２に送られる。
この混合器１２には、別途管１３からの酸素が供給され、ここで酸素が上記生成ガスと水蒸気との混合ガスに混合される。ここで添加される水蒸気は、接触部分酸化反応器１５の触媒のコーキングを防ぐためのものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月15日(2007.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記昇降制御手段が前記シート積載手段を緊急停止させたとき、異常状態を報知する報知手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記目的を達成する本発明の画像形成装置は、シートに画像を形成する画像形成手段と、前記画像形成手段によって画像を形成されたシートを積載処理するシート処理装置と、を備え、前記シート処理装置が、上記いずれか１項に記載のシート処理装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月11日(2007.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
例えばそれらカルシウムを含有する粉末成分は、牛骨粉、魚骨粉、卵殻カルシウム、乳清カルシウム、ドロマイト等として入手することができる。
また、本発明の顆粒は、本発明の効果を損なわない限り、上記カルシウムを含有する粉末とキシロオリゴ糖のほか、任意の所望成分を含有することができる。例えば、マグネシウム塩、ビタミンA、ビタミンB2、ビタミンB6、ビタミンB12、ビタミンC、ビタミンD3、ビタミンK2等のビタミン類、イソフラボン、イヌリン、オリゴフルクトース、グリセリン脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル等の滑沢剤、乳糖、ショ糖、デキストリン、セルロース、コーンスターチ等の賦型剤、香料、アミノ酸、オリゴ糖、たんぱく分解物等があげられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
結果を表4に示す。その結果、いずれの試料で造粒性は良好であった。
この中で流動層造粒で調製した試料は、押出造粒で得られた試料に比較して、嵩密度が低く、流動性が良好であり、打錠用顆粒として好適にもちいることができる性状を有していた。一方、押出造粒によって得られた顆粒は嵩密度が高く、粒度が大きく、顆粒として用いる際の取り扱い性に優れていた。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月2日(2007.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排出された原稿が積載される排出原稿積載手段を備えた原稿送り装置において、
前記排出原稿積載手段の一端上方に配置されて前記排出原稿積載手段に前記原稿を搬送して排出する一対の排出回転部材と、
前記一対の排出回転部材を加圧方向に付勢して前記原稿の挟み込み力を発生させる付勢手段と、を有し、
前記一対の排出回転部材は、円筒面をそれぞれ有して相互に突き当てるとともに、
前記一対の排出回転部材の少なくとも一方は、ローレット形状の凹凸を形成したローレット形状面を有することを特徴とする原稿送り装置。
【請求項２】
前記円筒面と前記ローレット形状面とを有する前記排出回転部材は、柔軟な弾性体材料で全体が一体に成型されていることを特徴とする請求項１記載の原稿送り装置。
【請求項３】
前記排出回転部材の軸方向中央に前記円筒面を配置してその両側に前記ローレット形状面を配置したことを特徴とする請求項１または２記載の原稿送り装置。
【請求項４】
前記両側の前記ローレット形状面の長さが等しいことを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の原稿送り装置。
【請求項５】
前記ローレット形状面と前記円筒面はその外周の直径が等しいことを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載の原稿送り装置。
【請求項６】
前記ローレット形状面の外周の直径は、前記円筒面の外径よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載の原稿送り装置。
【請求項７】
前記一対の排出回転部材の一方は側面全体が円筒面であることを特徴とする請求項１乃至６いずれかに記載の原稿送り装置。
【請求項８】
全体が円筒面に形成されて前記原稿を排出方向へ駆動する搬送回転部材と、
前記円筒面と前記ローレット形状面とが配置されて、前記原稿の移動に追従して回転する従動回転部材と、によって前記一対の排出回転部材を構成したことを特徴とする請求項７記載の原稿送り装置。
【請求項９】
前記原稿を読み取る原稿読取位置から前記一対の排出回転部材へ前記原稿を案内する第１搬送経路を有し、
前記第１搬送経路を搬送された前記原稿を前記一対の排出回転部材を経由して前記排出原稿積載手段へ排出することを特徴とする請求項１乃至８いずれかに記載の原稿送り装置。
【請求項１０】
前記原稿を読み取る原稿読取位置から前記一対の排出回転部材へ前記原稿を案内する第１搬送経路と、
前記一対の排出回転部材に挟み込まれた状態の前記原稿を前記原稿読取位置へ案内する第２搬送経路と、を有し、
表面側を読み取られて前記第１搬送経路を搬送された前記原稿を前記一対の排出回転部材でスイッチバックさせることにより、前記第２搬送経路を経由して前記原稿読取位置へ前記原稿の裏面側を通過させることを特徴とする請求項１乃至８いずれかに記載の原稿送り装置。
【請求項１１】
前記原稿読取位置で前記原稿の画像を読み取る読取手段を備えた画像読取装置において、
請求項９または１０記載の原稿送り装置を備えたことを特徴とする画像読取装置。
【請求項１２】
前記原稿読取位置で前記原稿から読み取った画像情報に基づいて画像を記録媒体に形成する画像形成手段を有する画像形成装置において、
請求項１１に記載の画像読取装置を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の原稿送り装置は、排出された原稿が積載される排出原稿積載手段を備えた原稿送り装置において、前記排出原稿積載手段の一端上方に配置されて前記排出原稿積載手段に前記原稿を搬送して排出する一対の排出回転部材と、前記一対の排出回転部材を加圧方向に付勢して前記原稿の挟み込み力を発生させる付勢手段と、を有し、前記一対の排出回転部材は、円筒面をそれぞれ有して相互に突き当てるとともに、前記一対の排出回転部材の少なくとも一方は、ローレット形状の凹凸を形成したローレット形状面を有するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月4日(2007.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本実施例における洗浄物である複写機の定着ユニットの外観を図１に模式的に示す。すなわち、この定着ユニットＷは図示しない現像ユニット側からトナー現像された複写用紙が受け渡される給紙部Ｗ１と、この給紙部Ｗ１から搬送部Ｗ２を介して送り込まれる複写用紙のトナー像を定着させる定着部Ｗ３と、この定着部Ｗ３からトナー像が定着された複写用紙を定着ユニットＷの外に排出するための排紙部Ｗ４と、これら給紙部Ｗ１，搬送部Ｗ２，定着部Ｗ３，排紙部Ｗ４を駆動するための駆動系Ｗ５と、この駆動系Ｗ５の作動を制御するための図示しない制御部と、これら給紙部Ｗ１，搬送部Ｗ２，定着部Ｗ３，排紙部Ｗ４，駆動系Ｗ５，制御部が取り付けられるフレームＷ６とを具えている。複写機においては、その使用頻度や使用環境に応じて複写機内部の各種ユニットが汚れたり汚染したりする。汚れや汚染の原因は、複写機内部に収容されたトナーの飛散による汚れや、各ユニットの修理やメンテナンスの際のトナーの飛散に伴う汚れ、複写用紙の複写機内部での滞留のメンテナンスの際の紙紛、各種ユニットに設けられた電気回路で発生する静電気による塵埃の吸引付着など種々の原因がある。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月25日(2007.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下地膜を形成する第１の工程と、
前記下地膜上に非晶質半導体膜を形成する第２の工程と、
前記非晶質半導体膜を加熱処理により結晶化する第３の工程と、
前記非晶質半導体膜を結晶化した結晶質半導体膜表面の汚染不純物を除去する第４の工程と、
前記第４の工程を行った結晶質半導体膜にレーザー処理を行う第５の工程とを有する半導体装置の作製方法であって、
前記第４の工程と第５の工程は連続して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に下地膜を形成する第１の工程と、
前記下地膜上に非晶質半導体膜を形成する第２の工程と、
前記半導体膜表面に結晶化を助長する触媒元素を添加する第３の工程と、
前記触媒元素を添加した非晶質半導体膜上に絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記非晶質半導体膜に不純物を添加する第５の工程と、
前記不純物の添加をした非晶質半導体膜を加熱処理により結晶化する第６の工程と、
前記非晶質半導体膜を結晶化した結晶質半導体膜表面の汚染不純物を除去する第７の工程と、
前記第７の工程を行った結晶質半導体膜にレーザー処理を行う第８の工程とを有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１乃至前記第４の工程は大気雰囲気に曝されることなく連続的に処理し、かつ前記第７の工程と第８の工程は連続して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に下地膜を形成する第１の工程と、
前記下地膜上に非晶質半導体膜を形成する第２の工程と、
前記非晶質半導体膜上に絶縁膜を形成する第３の工程と、
前記絶縁膜を介して前記非晶質半導体膜に不純物を添加する第４の工程と、
前記不純物を添加した非晶質半導体膜を加熱処理により結晶化する第５の工程と、
前記非晶質半導体膜を結晶化した結晶質半導体膜表面の汚染不純物を除去する第６の工程と、
前記第６の工程を行った結晶質半導体膜にレーザー処理を行う第７の工程とを有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１乃至前記第３の工程は大気雰囲気に曝されることなく連続して行い、かつ前記第６の工程と第７の工程は連続して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に下地膜を形成する第１の工程と、
前記下地膜上に非晶質半導体膜を形成する第２の工程と、
前記半導体膜表面に結晶化を助長する触媒元素を添加する第３の工程と、
前記第３の工程を行った非晶質半導体膜上に絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記非晶質半導体膜を加熱処理により結晶化する第５の工程と、
前記非晶質半導体膜を結晶化した結晶質半導体膜に不純物を添加する第６の工程と、
前記不純物を添加した結晶質半導体膜表面の汚染不純物を除去する第７の工程と、
前記第７の工程を行った結晶質半導体膜にレーザー処理を行う第８の工程とを有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１乃至前記第４の工程は大気雰囲気に曝されることなく連続的に処理し、かつ前記第７の工程と第８の工程は連続して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記結晶質半導体膜表面の汚染不純物を除去する工程は、フッ素を含有する酸性溶液で表面を処理する工程であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４において、前記結晶質半導体膜表面の汚染不純物を除去する工程は、オゾンを容存させた純水で洗浄を行った後に、フッ素を含有する酸性溶液で表面を処理する工程であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項３において、前記汚染不純物とは、大気雰囲気中に存在する１元素又は複数元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に下地膜を形成する第１の工程と、
前記下地膜上に非晶質半導体膜を形成する第２の工程と、
前記非晶質半導体膜を結晶化するための第１のレーザー処理を行う第３の工程と、
前記第１のレーザー処理を行った半導体膜上に絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記絶縁膜を介して前記半導体膜に不純物を添加する第５の工程と、
前記不純物を添加した半導体膜の結晶化していない領域を完全に結晶化するために第２のレーザー処理を行う第６の工程とを有し、
前記第１乃至前記第６の工程は連続して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月17日(2007.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の光源からの光を被照明面に導光する照明装置であって、
前記複数の光源からの光束の各々を略平行な光束にする複数の第１光学手段と、
前記複数の第１光学手段からの略平行な光束の各々が入射すると、前記複数の光源の重なり合った像を形成する第２光学手段とを有することを特徴とする照明装置。
【請求項２】  前記第２光学手段は前記第１光学手段よりも焦点距離が長いことを特徴とする請求項１記載の照明装置。
【請求項３】  前記複数の第１光学手段からの略平行な光束の各々が前記第２光学手段に隣接して入射するよう、前記複数の第１光学手段の少なくとも１つからの光束を偏向する偏向手段を有することを特徴とする請求項１または２に記載された照明装置。
【請求項４】  楕円ミラーを有し、
前記楕円ミラーの第１焦点に前記光源が配置され、前記楕円ミラーの第２焦点に前記光源の像を形成し、
前記第１光学手段の焦点は前記楕円ミラーの第２焦点に略一致することを特徴とする請求項１乃至３いずれか一つに記載された照明装置。
【請求項５】  前記楕円ミラーの開口径は、前記第１光学手段により形成される略平行な光束の径よりも大きいことを特徴とする請求項４記載の照明装置。
【請求項６】  前記被照明面を均一に照明するオプティカルインテグレーターを有し、
前記複数の光源の重なり合った像は前記オプティカルインテグレーターの入射面に形成されることを特徴とする請求項１乃至５いずれか一つに記載された照明装置。
【請求項７】  前記第２光学手段から射出する光束は、テレセントリックであることを特徴とする請求項６記載の照明装置。
【請求項８】  複数の光源からの光を被照明面に導光する照明装置であって、
前記複数の光源の発光管が伸びる方向を鉛直に配置すると共に、前記光源からの光を偏向する偏向手段を有することを特徴とする照明装置。
【請求項９】  前記被照明面としてのマスク面を照明する、請求項１乃至８いずれか一つに記載された照明装置と、
前記マスク面上のパターンを感光基板に投影する投影光学系とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１０】  ウエハに感光材を塗布する工程と、
マスク面上のパターンを請求項９に記載された露光装置を用いて前記感光材に露光転写する工程と、
前記パターンが露光転写された前記感光材を現像する工程とを含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するための本願第１発明は、複数の光源からの光を被照明面に導光する照明装置であって、前記複数の光源からの光束の各々を略平行な光束にする複数の第１光学手段と、前記複数の第１光学手段からの略平行な光束の各々が入射すると、前記複数の光源の重なり合った像を形成する第２光学手段とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
又、本願第２発明は、複数の光源からの光を被照明面に導光する照明装置であって、前記複数の光源の発光管が伸びる方向を鉛直に配置すると共に、前記光源からの光を偏向する偏向手段を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
しかし、ハエの目レンズ７の代わりにインテグレータとして、特公平４−７８００２号公報に開示されたシリンドリカルハエの目を用いても構わない。シリンドリカルハエの目レンズは矩形の照明領域を形成する場合によく使われるものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
また、インテグレータとして、光学パイプ（ロッド）と呼ばれる光学素子を用いても良い。この光学パイプ（ロッド）は断面が矩形、円形、六角など用途によって異なるが、いずれもパイプ（ロッド）の側面は全反射面となっており、万華鏡のように入射端面での光強度分布を射出端で平滑化するために用いられるものである。ただし、光学パイプ（ロッド）を用いた場合は光学パイプの射出面をコンデンサ８を用いてスリット面１０をケーラー照明したのでは、スリット面に第二コリメータ６の入射瞳面上の像（すなわち楕円ミラーの開口状の輝度分布が複数並列に写ってしまう）の光強度分布が現れてしまい、均一な照射領域が得られなくなってしまう。この場合は、光学パイプ（ロッド）の後にハエの目レンズを配置したり（ハエの目レンズの入射面の光学パイプの射出面に対する大きさおよび形状は、同等またはそれ以上とする）、または、光学パイプ（ロッド）の後に結像系を設けた後ハエの目レンズを配置し（光学パイプ射出面をハエの目レンズ群入射面に再結像させる）、ハエの目レンズ射出面を改めてコンデンサ８を用いてスリット面１０をケーラー照明してやればよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
図８は、ステップ４のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウエハ上に電極を蒸着等によって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光材を塗布する。ステップ１６（露光）では、上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月7日(2007.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に絶縁膜からなる下地膜を形成する工程と、
前記絶縁膜からなる下地膜上に非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記非晶質半導体膜を形成する工程の前後に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を添加する工程及びフッ素化処理を施す工程と、
前記非晶質半導体膜を結晶化させる工程と、
を有する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に絶縁膜からなる下地膜を形成する工程と、
前記絶縁膜からなる下地膜表面にフッ素化処理を施す工程と、
前記フッ素化処理を行った絶縁膜からなる下地膜上に非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記非晶質半導体膜表面に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を添加する工程と、
前記非晶質半導体膜を結晶化させる工程と、
を有する半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に絶縁膜からなる下地膜を形成する工程と、
前記絶縁膜からなる下地膜表面に非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を添加する工程と、
前記触媒元素を添加した絶縁膜からなる下地膜上に非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記非晶質半導体膜表面にフッ素化処理を施す工程と、
前記非晶質半導体膜を結晶化させる工程と、
を有する半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に絶縁膜からなる下地膜を形成する工程と、
前記絶縁膜からなる下地膜表面にフッ素化処理を施す工程と、
前記フッ素化処理を行った絶縁膜からなる下地膜表面に非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を添加する工程と、
前記フッ素化処理と触媒元素を添加した絶縁膜からなる下地膜上に非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記非晶質半導体膜を結晶化させる工程と、
を有する半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に絶縁膜からなる下地膜を形成する工程と、
前記絶縁膜からなる下地膜表面に非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を添加する工程と、
前記触媒元素を添加した絶縁膜からなる下地膜表面をフッ素化処理する工程と、
前記触媒元素の添加と前記フッ素化処理を施した絶縁膜からなる下地膜上に非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記非晶質半導体膜を結晶化させる工程と、
を有する半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記触媒元素としてＮｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂから選ばれた一種又は複数種類の元素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記触媒元素を添加する方法は、触媒元素を含有する溶液の添加或いは触媒元素からなる極薄膜の形成であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記触媒元素を添加された被膜の触媒元素の面内濃度が、１×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２から１×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ２であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記フッ素化処理の方法は、フッ素プラズマ処理或いはフッ素を含有する非晶質半導体膜の形成であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、非晶質半導体膜を結晶化させる工程とは、加熱処理と光照射の両工程或いはどちらか１工程であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、形成される結晶質半導体膜は（１１０）配向を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記フッ素化処理には、ＳｉＦ４又はＮＦ３のフッ素化物のガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項２において、前記絶縁膜からなる下地膜を形成する工程、前記フッ素化処理を施す工程、前記非晶質半導体膜を形成する工程及び前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を添加する工程は、プラズマＣＶＤ装置を用いて連続処理されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月17日(2007.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ被写体の明るさを電気信号に変える受光部と該受光部出力を増幅する画素内増幅部と該画素内増幅部から画素外へ信号を読み出す読出し部とからなる複数の画素と、
各画素から読み出された信号を増幅する画素外増幅部と、
各画素から読み出された信号を記憶する複数の記憶部と、
１以上の記憶部から読み出された信号を演算する演算部と、
前記演算部による演算結果を画素毎に記憶するデジタル・メモリと、
デジタル・メモリ出力を外部に出力する出力部と、
前記各部の駆動を制御する駆動制御部とを具備し、
前記駆動制御部は、前記演算部における演算内容に応じて、信号を読み出す画素の数並びに読み出した信号を記憶する記憶部の数を可変とする駆動制御モードを有することを特徴とする演算機能付き撮像素子。
【請求項２】
前記演算部及び前記画素外増幅部は複数の画素間で共有されることを特徴とする請求項１に記載の演算機能付き撮像素子。
【請求項３】
前記駆動制御部は、前記演算部に供給する駆動パルスの組み合わせ及びそのタイミングによって前記演算部における演算内容を決定することを特徴とする請求項１に記載の演算機能付き撮像素子。
【請求項４】
前記駆動制御部は、同じタイミングで検出した２個以上の画素読み出し信号を１つの記憶部に記憶させる駆動制御モードを有することを特徴とする請求項１に記載の演算機能付き撮像素子。
【請求項５】
前記駆動制御部は、各タイミングで検出した２個以上の画素読み出し信号をそれぞれ同じ記憶部に記憶させるとともに、各記憶部から読み出された信号に基づいて該２個以上の画素における画素読み出し信号の時間軸に沿った比較処理を前記演算部に行わせる駆動制御モードを有することを特徴とする請求項１に記載の演算機能付き撮像素子。
【請求項６】
前記駆動制御部は、
各タイミングで検出した各画素の読み出し信号をそれぞれ別の記憶部に記憶させるとともに、各記憶部から読み出された信号に基づいて同じ画素におる画素読み出し信号の時間軸に沿った比較処理を前記演算部に行わせる第１の駆動制御モードと、
各タイミングで検出した２個以上の画素読み出し信号をそれぞれ同じ記憶部に記憶させるとともに、各記憶部から読み出された信号に基づいて該２個以上の画素における画素読み出し信号の時間軸に沿った比較処理を前記演算部に行わせる第２の駆動制御モードと、
を有することを特徴とする請求項１に記載の演算機能付き撮像素子。
【請求項７】
前記駆動制御部は、ある画素の基準信号レベルに相当する画素読み出し信号を１つの記憶部に記憶させるとともに、該画素の被写体の明るさに相当する画素読み出し信号を他の記憶部に記憶させ、各記憶部から読み出された画素読み出し信号に基づいて基準信号レベルと被写体の明るさを前記演算部において比較処理せしめて基準信号レベルに対する被写体の明るさを出力する駆動制御モードを有することを特徴とする請求項１に記載の演算機能付き撮像素子。
【請求項８】
各画素には各色のオンチップ・カラーフィルタが搭載され、
前記駆動制御部は、ある画素の基準信号レベルに相当する画素読み出し信号を１つの記憶部に記憶させるとともに、該画素の被写体の明るさに相当する画素読み出し信号を他の記憶部に記憶させ、各記憶部から読み出された画素読み出し信号に基づいて基準信号レベルと被写体の明るさを前記演算部において比較処理せしめて該画素における色信号を出力する駆動制御モードを有することを特徴とする請求項１に記載の演算機能付き撮像素子。
【請求項９】
各画素にはオンチップ・レンズが搭載され、
前記駆動制御部は、ある画素の基準信号レベルに相当する画素読み出し信号を１つの記憶部に記憶させるとともに、該画素の被写体の明るさに相当する画素読み出し信号を他の記憶部に記憶させ、各記憶部から読み出された画素読み出し信号に基づいて基準信号レベルと被写体の明るさを前記演算部において比較処理せしめて基準信号レベルに対する被写体の明るさを出力する駆動制御モードを有することを特徴とする請求項１に記載の演算機能付き撮像素子。
【請求項１０】
それぞれ被写体の明るさを電気信号に変える受光部と該受光部出力を増幅する画素内増幅部と該画素内増幅部から画素外へ信号を読み出す読出し部とからなる複数の画素が配列された画素エリアと、
各画素毎に２以上の記憶部が配置されたアナログ記憶エリアと、
各画素から読み出された信号を増幅する画素外増幅部並びに１以上の記憶部から読み出された信号を演算する演算部が配置された演算エリアと、
前記演算部による演算結果を画素毎に記憶する複数のデジタル・メモリが配設されたデジタル記憶エリアと、
デジタル・メモリ出力を外部に出力する複数の出力部が配設された出力エリアと、
を具備することを特徴とする演算機能付き撮像素子。
【請求項１１】
前記画素エリアでは、所定数の隣接画素が基本動作単位として駆動することを特徴とする請求項１０に記載の演算機能付き撮像素子。
【請求項１２】
前記演算部及び前記画素外増幅部は複数の画素間で共有されることを特徴とする請求項１０に記載の演算機能付き撮像素子。
【請求項１３】
さらに、前記演算部に供給する駆動パルスの組み合わせ及びそのタイミングによって前記演算部における演算内容を決定する駆動制御部を備えることを特徴とする請求項１０に記載の演算機能付き撮像素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【従来の技術】
昨今の半導体製造技術の急速な進歩とも相俟って、比較的安価な撮像素子が入手可能となってきた。この結果、携帯電話やＰＤＡ（Personal Digital Assistant）などの携帯端末において、小型のカメラを付属あるいは搭載した機器が開発され、市場に流通し始めている。ところが、これらの携帯端末は、小型軽量を特徴とするので、搭載されるカメラも小型軽量でなければならない。また、携帯型機器は、一般にバッテリ駆動式であるため、機器本体自体も付属・搭載部品も、低消費電力であることが求められる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月10日(2007.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  装置の制御を行うＣＰＵと、ユーザが前記装置に対する指示を入力する入力部と、ＴＶ放送を受信するＴＶチューナ部と、ＴＶ番組の放送内容データを保存する録画データ記憶部と、現在の日時を監視し、後述のタイマ録画情報記憶部の情報に基づいて、前記ＣＰＵに対して録画開始／録画終了の指示を行うタイマ部と、タイマ録画に必要な各種情報を保存しておくタイマ録画情報記憶部と、装置全体に電源を供給する電源部と、ユーザ操作により、装置に電源を供給するか否かを切り替える電源スイッチを備え、タイマ録画開始時刻に、すでに装置が電源ＯＮ状態である場合に、タイマ録画の実行を抑止するようにしたことを特徴とする録画装置。
【請求項２】  請求項１に記載の録画装置において、タイマ録画開始時刻に、すでに電源ＯＮ状態で、かつタイマ録画開始時刻に録画予定のＴＶ番組と同一チャンネルのＴＶ放送が表示中であれば、タイマ録画の実行を抑止するようにしたことを特徴とする録画装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の録画装置は、装置の制御を行うＣＰＵと、ユーザが前記装置に対する指示を入力する入力部と、ＴＶ放送を受信するＴＶチューナ部と、ＴＶ番組の放送内容データを保存する録画データ記憶部と、現在の日時を監視し、後述のタイマ録画情報記憶部の情報に基づいて、前記ＣＰＵに対して録画開始／録画終了の指示を行うタイマ部と、タイマ録画に必要な各種情報を保存しておくタイマ録画情報記憶部と、装置全体に電源を供給する電源部と、ユーザ操作により、装置に電源を供給するか否かを切り替える電源スイッチを備え、タイマ録画開始時刻に、すでに装置が電源ＯＮ状態である場合に、タイマ録画の実行を抑止するようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
更に、本発明は、前記録画装置において、タイマ録画開始時刻に、すでに電源ＯＮ状態で、かつタイマ録画開始時刻に録画予定のＴＶ番組と同一チャンネルのＴＶ放送が表示中であれば、タイマ録画の実行を抑止するようにしたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月16日(2007.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
市販性のある一般的な鍵を一つ又は複数個収納できる薄型のキーホルダーであって、鍵使用時はキーホルダーの一部を立体的に折り曲げることにより鍵先端部を突出させ、鍵使用後はホルダーに内蔵してある弾性体等の作用で自動的にフラットな形状に復帰する構造としたキーホルダー。
【請求項２】
夜間及び暗所で鍵穴やその他への対物照射ができるように照明機能を備えたキーホルダーであって、その照明は鍵使用時のキーホルダーの折り曲げ動作で自動的に点灯／消灯するキーホルダー。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月24日(2007.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
枠状の芯材の表裏に、それぞれシート体を張り付けて構成される仕切り戸であって、
前記芯材を構成する部材のうちの少なくとも１個の部材を前記芯材の表裏方向に湾曲させて形成し、前記仕切り戸が設置される場所における前記仕切り戸の両側空間部の温度および湿度の差から前記芯材の表裏に張り付けられる両シート体に発生する収縮力を考慮して、前記両シート体のうち、大きな収縮力が発生するシート体の側に、前記芯材における前記湾曲した部材が突出した面を向けてその面に前記大きな収縮力が発生するシート体を張り付けるとともに、前記芯材における他方の面にもう一方のシート体を張り付けたことを特徴とする仕切り戸。
【請求項２】
前記湾曲した部材が、前記芯材を構成する部材のうちの前記芯材の長手方向に沿った部材である請求項１に記載の仕切戸。
【請求項３】
枠状の芯材の表裏に、それぞれ異なるシート体を張り付けて構成される仕切り戸であって、
前記芯材を構成する部材のうちの前記芯材の長手方向に沿った少なくとも１個の部材を前記芯材の表裏方向に湾曲させて形成し、前記異なるシート体のうち、張り付け後の乾燥により大きな収縮力が発生するシート体を、前記芯材における前記湾曲した部材が突出した面に張り付けるとともに、前記芯材における他方の面にもう一方のシート体を張り付けたことを特徴とする仕切り戸。
【請求項４】
前記芯材が、周囲骨、中桟、額部等の縦部材と横部材とからなる枠状に形成されている請求項１ないし３のうちのいずれか一つに記載の仕切り戸。
【請求項５】
前記シート体が接着剤によって前記芯材に張り付けられ、前記接着剤が乾燥する際に、前記それぞれのシート体に発生する収縮力を加味して前記湾曲した部材の曲率が決定される請求項１ないし４のうちのいずれか一つに記載の仕切り戸。
【請求項６】
前記仕切り戸が配置される空間部の温度および湿度を加味して前記湾曲した部材の曲率が決定される請求項１ないし５のうちのいずれか一つに記載の仕切り戸。
【請求項７】
前記芯材が、立桟と横桟からなる四角枠状の周囲骨の内側に格子枠状、板状または網目状のコア部を組み付けて形成されたものである請求項１ないし６のうちのいずれか一つに記載の仕切り戸。
【請求項８】
前記仕切り戸が戸襖であり、前記シート体のうち、張り付け後に大きな収縮力が発生する一方のシート体が、防湿処理加工を施した板紙の表面に襖紙を張り付けて構成され、前記シート体のうちの他方のシート体が、防湿処理加工を施した板紙の表面にビニールクロスを張り付けて構成されている請求項１ないし７のうちのいずれか一つに記載の仕切り戸。
【請求項９】
洋室と和室との間に設置され、張り付け後に大きな収縮力が発生する一方のシート体が前記芯材における和室側の面に張り付けられ、他方のシート体が前記芯材における洋室側の面に張り付けられる請求項１ないし８のうちのいずれか一つに記載の仕切り戸。
【請求項１０】
前記シート体が前記芯材に張り付けられる前の前記湾曲した部材における長手方向の中央側部分の突出量が、前記湾曲した部材の立方向の長さの０．１０／１００〜１．２５／１００である請求項１ないし８のうちのいずれか一つに記載の仕切り戸。
【請求項１１】
請求項１ないし１０に記載の仕切り戸に使用される湾曲した湾曲部材。
【請求項１２】
湾曲部材を製造するための湾曲部材の製造方法であって、
厚みが、湾曲部材の厚みと略同一に設定された略四角形の板体の一辺を加工装置を用いて所定の湾曲状に形成する湾曲部形成工程と、
前記湾曲部形成工程で形成された湾曲部をガイド部に沿わせた状態で相対的に移動させながら、前記ガイド部と所定間隔で設置された切断刃で前記板体を切断することにより、前記板体を一定の幅の湾曲した部材に順次形成していく湾曲部材形成工程と
を備えたことを特徴とする湾曲部材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前述した目的を達成するため、本発明に係る仕切り戸の構成上の特徴は、枠状の芯材の表裏に、それぞれシート体を張り付けて構成される仕切り戸であって、芯材を構成する部材のうちの少なくとも１個の部材を芯材の表裏方向に湾曲させて形成し、仕切り戸が設置される場所における仕切り戸の両側空間部の温度および湿度の差から芯材の表裏に張り付けられる両シート体に発生する収縮力を考慮して、両シート体のうち、大きな収縮力が発生するシート体の側に、芯材における湾曲した部材が突出した面を向けてその面に大きな収縮力が発生するシート体を張り付けるとともに、芯材における他方の面にもう一方のシート体を張り付けたことにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、本発明では、仕切り戸が設置される場所における仕切り戸の両側空間部の温度や湿度の差から、芯材の表裏に張り付けられた両シート体のうち、大きな収縮力が発生する側のシート体を、芯材における湾曲した部材が突出した面に張り付けるようにしている。この場合、芯材の表裏に張り付けられる両シート体は同じものであってもよいし、異なるものであってもよい。要は、仕切戸における温度や湿度によって収縮する側の面を、湾曲した部材が突出した側の面にすればよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明に係る仕切り戸のさらに他の構成上の特徴は、枠状の芯材の表裏に、それぞれ異なるシート体を張り付けて構成される仕切り戸であって、芯材を構成する部材のうちの芯材の長手方向に沿った少なくとも１個の部材を芯材の表裏方向に湾曲させて形成し、異なるシート体のうち、張り付け後の乾燥により大きな収縮力が発生するシート体を、芯材における湾曲した部材が突出した面に張り付けるとともに、芯材における他方の面にもう一方のシート体を張り付けたことにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る仕切り戸では、収縮する際に生じる収縮力が異なる２種類のシート体のうち張り付け後の乾燥により大きな収縮力が発生する方のシート体（相対的に収縮力の大きな方で、２種類のシート体がともに伸張する場合には、伸張力が小さな方）が張り付けられる芯材の面に湾曲した部材における長手方向の中央側が上下両端部よりも突出した面が位置するようにしている。したがって、両シート体の伸縮力によって湾曲した部材が矯正される。