【手続補正書】
【提出日】平成20年2月28日(2008.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量分析計の焦点面検出器アセンブリであって：
該質量分析計の焦点面に平行な第１の平面にある第１の面を有するイオン検出器であって、該イオン検出器が：
第１のマイクロチャネルプレート電子増倍管であって、該第１のマイクロチャネルプレート電子増倍管の第１の面が該イオン検出器の第１の面を規定する第１のマイクロチャネルプレート電子増倍管；および
該第１のマイクロチャネルプレート電子増倍管の第２の面から発する電子を検出するように位置決めされ、かつ形態とされるＣＣＤ検出器アレイ、を備える、イオン検出器；ならびに
該質量分析計の焦点面に平行な第２の平面にあり、そして第１の電圧電位を有する電気伝導性メッシュであって、該質量分析計の磁石を出るイオンが、該イオン検出器に接触する前に該メッシュを通過するよう配置されている、メッシュ、を備える、アセンブリ。
【請求項２】
前記第２の平面が、前記焦点面と同一平面にある、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記第２の平面が、前記焦点面から１ミリメートル未満だけ分離されている、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記第１の平面および第２の平面が、２ミリメートル未満だけ分離されている、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記メッシュが、イオンに対し８０％を超える透明度を有する、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項６】
前記メッシュが前記磁石の面の上に取り付けられ、そして該磁石と電気的に連続している、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項７】
前記第１の電圧電位が、約１００ボルト絶対値以下である、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項８】
前記磁石の面が、第２の電圧電位を有する、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記第１の電圧電位と第２の電圧電位との差異が、５００ボルトより少ない、請求項８に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
前記第１のマイクロチャネルプレート電子増倍管の第１の面が、前記第１の電圧電位に対して負の電圧電位を有する、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１１】
前記マイクロチャネルプレート電子増倍管の第１の面が、該マイクロチャネルプレート電子増倍管の第２の面に対して負の電圧電位を有する、請求項１０に記載のアセンブリ。
【請求項１２】
前記マイクロチャネルプレート電子増倍管の第１の面が、該マイクロチャネルプレート電子増倍管の第２の面に対して−５００ボルトより大きい電圧電位を有する、請求項１０に記載のアセンブリ。
【請求項１３】
前記イオン検出器が：
前記第１のマイクロチャネルプレート電子増倍管と前記ＣＣＤ検出器アレイとの間に位置決めされる少なくとも第２のマイクロチャネルプレート電子増倍管を備える、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１４】
前記第１および第２のマイクロチャネルプレート電子増倍管が、絶縁体によって分離される、請求項１３に記載のアセンブリ。
【請求項１５】
前記第１のマイクロチャネルプレート電子増倍管の第２の面および前記第２のマイクロチャネルプレート電子増倍管の第１の面が、２ミリメートル未満だけ分離される、請求項１３に記載のアセンブリ。
【請求項１６】
前記第１のマイクロチャネルプレート電子増倍管の第２の面および前記第２のマイクロチャネルプレート電子増倍管の第１の面が、０．５ミリメートル未満だけ分離される、請求項１３に記載のアセンブリ。
【請求項１７】
前記イオン検出器が：前記第１のマイクロチャネルプレート電子増倍管および前記検出器アレイが連結されるアセンブリホルダーを備える、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１８】
前記メッシュが、前記アセンブリホルダーに連結される、請求項１７に記載のアセンブリ。
【請求項１９】
質量分析計の焦点面検出器アセンブリであって：
第１のマイクロチャネルプレート電子増倍管であって、該第１のマイクロチャネルプレート電子増倍管の第１の面が、該質量分析計の焦点面に平行な第１の平面にあり、そして該質量分析計の磁石に面し、該磁石に対して１００ボルト未満の電圧差異を有する第１のマイクロチャネルプレート電子増倍管；および
該第１のマイクロチャネルプレート電子増倍管の第２の面から発する電子を検出するように位置決めされ、かつ形態にあるＣＣＤ検出器アレイ、を備える、アセンブリ。
【請求項２０】
さらに：
前記第１のマイクロチャネルプレート電子増倍管と前記検出器アレイとの間に位置決めされる少なくとも第２のマイクロチャネルプレート電子増倍管を備える、請求項１９に記載のアセンブリ。
【請求項２１】
質量分析計であって：
焦点合わせされたストリームでイオンを発するような形態であるイオン供給源；
該イオンのストリームのイオンの少なくとも一部分を受容するような形態である焦点面検出器であって、該焦点面検出器が：
マイクロチャネルプレート電子増倍管；および
該マイクロチャネルプレート電子増倍管から発する電子を検出するように位置決めされるＣＣＤ検出器アレイを備える、焦点面検出器；ならびに
該イオンが該分析計の焦点面に到達するまで、該焦点面検出器における電圧電位から該ストリームのイオンを遮蔽するための遮蔽手段、を備える、質量分析計。
【請求項２２】
前記遮蔽手段が、前記質量分析計の焦点面に平行な平面中にある電気伝導性メッシュを備える、請求項２１に記載の質量分析計。
【請求項２３】
前記メッシュが、前記質量分析計の回路接地に対し１００ボルト未満の電圧電位を有する、請求項２２に記載の質量分析計。
【請求項２４】
前記マイクロチャネルプレート電子増倍管の第１の面が、前記質量分析計の焦点面に平行な平面中にある、請求項２１に記載の質量分析計。
【請求項２５】
前記遮蔽手段が、前記マイクロチャネルプレート電子増倍管の第１の面を構成し、該第１の面が、前記質量分析計の回路接地に対して１００ボルト未満の電圧電位を有する、請求項２４に記載の質量分析計。
【請求項２６】
イオンのビームを生成する工程；
個々のイオンの電荷／質量比に従って該ビームのイオンを曲げる工程；
該ビームのイオンに影響し得る電場をマイクロチャネルプレート電子増倍管において生成する工程；
該ビームのイオンが電気伝導性メッシュを通過するまで、該電場から該ビームのイオンを遮蔽する工程；
該ビームのイオンを該マイクロチャネルプレート電子増倍管に受容する工程；および
ＣＣＤ検出器アレイを用いて、該マイクロチャネルプレート電子増倍管を出る電子を検出する工程、を包含する、方法。
【請求項２７】
前記遮蔽する工程が、遮蔽されるイオンと前記マイクロチャネルプレート電子増倍管との間に置かれたメッシュに低電圧電荷を与えることを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記低電圧電荷が、回路接地に等しい、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記質量分析計の焦点面に平行な第２の平面にあり、そして前記質量分析計の第１の平面と磁石との間にある電気伝導性メッシュをさらに備える、請求項１９に記載のアセンブリ。
【請求項３０】
質量分析計であって：
焦点合わせされたストリームでイオンを発するような形態であるイオン供給源；
該イオンストリームのイオンの少なくとも一部を受容するような形態であるマイクロチャネルプレート電子増倍管；および
該マイクロチャネルプレート電子増倍管から発する電子を検出するように位置決めされるＣＣＤ検出器アレイ、を備える、質量分析計。