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【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれがマルチピクセルブロック、ピクセルマクロブロック、または他の特定ピクセル領域を含む予測フレーム(P)および非予測フレーム(I)(または予測フィールドおよび非予測フィールド)を使用してピクチャシーケンス(IE)をエンコードする方法において、
・前記ピクチャシーケンスをエンコード(SUB、Q、ECOD、QE-1、DCTE-1、ADDE、FS_MC_E、SWE、CTRL)し、これにより
・非予測フレーム（I）(または非予測フィールド)にある現在のブロック（IN）(またはマクロブロック)のすべてのピクセルが、後続の予測フレーム(P)(または予測フィールド)にある相応するブロック(またはマクロブロック)の予測に使用されるか否かを決定し（CPDET）、前記相応するブロック(またはマクロブロック)は前記ピクチャシーケンスのピクチャ内容の動きに応じて置換され、
ここで前記予測ブロック(PN+1)(または予測マクロブロック)が少なくとも1つのピクセルを、現在のブロック(IN)(またはマクロブロック)と共通に有していれば、前記ブロック(またはマクロブロック)を非予測モード（I）でエンコードし；
前記予測ブロック(PN+1)(または予測マクロブロック)が、現在のブロック（IN）(またはマクロブロック)とピクセルを共有していなければ、前記ブロック(またはマクロブロック)を予測モード(P)でエンコードする、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項1記載の方法であって、
前記決定ステップは動き補償予分析ステップ(CPDET、ME)である方法。
【請求項３】
請求項1または2記載の方法であって、
前記エンコーディングはMPEGエンコーディングであり、前記予測フレーム(または予測フィールド)はPタイプであり、前記比予測フレーム(または非予測フィールド)はIタイプである方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法であって、
後続のBフレームまたはBフィールドにある予測マクロブロックを構築するためにちょうど使用されたIフレームまたはIフィールドにあるマクロブロックはPモードで同様にエンコードされる方法。
【請求項５】
請求項1から4までのいずれか一項記載の方法であって、
前記ピクセルブロック、ピクセルマクロブロック、または特定のピクセル領域は輝度ピクセルを含む方法。
【請求項６】
請求項1から5までのいずれか一項記載の方法であって、
前記ピクセルブロック、ピクセルマクロブロック、または特定のピクセル領域はクロミナンスピクセルを含む方法。
【請求項７】
請求項1から6までのいずれか一項記載の方法であって、
デジタル画像信号(OE)が符号化されている方法。
【請求項８】
それぞれがマルチピクセルブロック、ピクセルマクロブロック、または他の特定ピクセル領域を含む予測フレーム(P)および非予測フレーム(I)(または予測フィールドおよび非予測フィールド)を使用してピクチャシーケンス(IE)をエンコードする装置において、
・前記ピクチャシーケンスをエンコード(SUB、Q、ECOD、QE-1、DCTE-1、ADDE、FS_MC_E、SWE、CTRL)する手段を有し、
・非予測フレーム（I）(または非予測フィールド)にある現在のブロック（IN）(またはマクロブロック)のすべてのピクセルが、後続の予測フレーム(P)(または予測フィールド)にある相応するブロック(またはマクロブロック)の予測に使用されるか否かを決定する手段（CPDET、ME）をさらに有し、
前記相応するブロック(またはマクロブロック)は前記ピクチャシーケンスのピクチャ内容の動きに応じて置換され、
ここで前記予測ブロック(PN+1)(または予測マクロブロック)が少なくとも1つのピクセルを、現在のブロック(IN)(またはマクロブロック)と共通に有していれば、前記ブロック(またはマクロブロック)は非予測モード（I）でエンコードされ；
前記予測ブロック(PN+1)(または予測マクロブロック)が、現在のブロック(IN)(またはマクロブロック)とピクセルを共有していなければ、前記ブロック(またはマクロブロック)は予測モード(P)でエンコードされる、ことを特徴とする装置。
【請求項９】
請求項8記載の装置であって、
前記決定手段は動き補償予分析手段(CPDET、ME)である装置。
【請求項１０】
請求項8または9記載の装置であって、
前記エンコーディングはMPEGエンコーディングであり、前記予測フレーム(または予測フィールド)はPタイプであり、前記比予測フレーム(または非予測フィールド)はIタイプである装置。
【請求項１１】
請求項10記載の装置であって、
後続のBフレームまたはBフィールドにある予測マクロブロックを構築するためにちょうど使用されたIフレームまたはIフィールドにあるマクロブロックはPモードで同様にエンコードされる装置。
【請求項１２】
請求項8から11までのいずれか一項記載の装置であって、
前記ピクセルブロック、ピクセルマクロブロック、または特定のピクセル領域は輝度ピクセルを含む装置。
【請求項１３】
請求項8から12までのいずれか一項記載の装置であって、
前記ピクセルブロック、ピクセルマクロブロック、または特定のピクセル領域はクロミナンスピクセルを含む装置。
【請求項１４】
請求項8から13までのいずれか一項記載の装置であって、
デジタル画像信号(OE)が符号化されている装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月12日(2008.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
署名付きファイルのファイル名内に前記署名付きファイルを認証するために必要な証明書にアクセス可能なアドレスをエンコードする方法であって、
前記署名付きファイルを認証するために必要な前記証明書にアクセス可能な前記アドレスをエンコードするステップ（ステップ１１０）と、
前記ファイル名とエンコードされた前記アドレスを新しいファイル名内にマージするステップ（ステップ１１５）と、
前記新しいファイル名で前記署名付きファイルを名前変更するステップ（ステップ１２０）と、
を含み、
前記ファイル名とエンコードされた前記アドレスが制御文字によって分離される方法。
【請求項２】
前記署名付きファイルを認証するために必要な前記証明書にアクセス可能な前記アドレスをエンコードする前記ステップが、
前記署名付きファイルを認証するために必要な前記証明書にアクセス可能な前記アドレスを分析して、所定の文字を検出するステップ（ステップ１３５）と、
前記所定の文字を関連の文字で置き換えるステップ（ステップ１４０）と、
を含み、
前記所定の文字と前記関連の文字が辞書編集テーブル（１４５）に保管される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
エンコードされた前記アドレスを前記ファイル名の拡張子点の前に挿入することにより、エンコードされた前記アドレスが前記ファイル名とマージされる、請求項１または請求項２のいずれかに記載の方法。
【請求項４】
エンコードされた前記アドレスのサイズを低減するための圧縮ステップをさらに含む、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
署名付きファイルを認証するために必要な証明書にアクセス可能なアドレスがエンコードされているファイル名を有する前記署名付きファイルを認証する方法であって、
エンコードされた前記アドレスを抽出するステップと、
エンコードされた前記アドレスをデコードするステップ（ステップ２２５）と、
デコードされた前記アドレスを使用して、前記署名付きファイルを認証するために必要な前記証明書にアクセスするステップ（ステップ２３０および２３５）と、
アクセスされた前記証明書を使用して、前記署名付きファイルを認証するステップ（ステップ２４０〜２５５）と、
を含む方法。
【請求項６】
前記署名付きファイルを認証する前に前記証明書をチェックするステップをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記署名付きファイルを認証するために必要な前記証明書にアクセスする前記ステップが、
前記証明書に含まれる情報に応じた認証機能をダウンロードするステップ
をさらに含む、請求項５または請求項６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記署名付きファイルを認証する前記ステップが、前記署名付きファイルの保全性をチェックするステップと前記署名を検証するステップのうちの少なくとも１つを含む、請求項５ないし７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記証明書から公開鍵を抽出するステップをさらに含み、前記公開鍵が前記署名付きファイルを認証するために使用される、請求項５ないし８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記証明書が認証局のサーバに保管される、請求項１ないし９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の前記方法の各ステップを実行するために適合された手段を含む装置。
【請求項１２】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の前記方法の各ステップをコンピュータに実行させるための命令を含むプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月27日(2008.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
a）アノードと；
b）該アノードの上に配置された第1の発光層と；
c）該第1の発光層と接触して配置された第2の発光層と；
d）有機電子輸送材料と低仕事関数金属とを含んでいて、該第2の発光層の上に該第1の発光層と該第2の発光層との界面から5〜50nm離れた状態で配置されている、金属ドープ有機層と；
e）該金属ドープ有機層の上に配置されたカソードとを備えるOLEDデバイス。
【請求項２】
該第2の発光層が金属オキシノイド材料を含む、請求項１に記載のOLEDデバイス。
【請求項３】
a）アノードと；
b）該アノードの上に配置された第1の発光層と；
c）該第1の発光層と接触して配置された第2の発光層と；
d）該第2の発光層と接触して配置された第3の発光層と；
e）有機電子輸送材料と低仕事関数金属とを含んでいて、該第3の発光層の上に該第2の発光層と該第3の発光層との界面から5〜50nm離れた状態で配置されている、金属ドープ有機層と；
f）該金属ドープ有機層の上に配置されたカソードとを備えることによって白色光を発生させる、白色発光OLEDデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月19日(2008.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１金属層をウェハの第２領域のゲート誘電体の上には堆積させずに、ウェハの第１領域のゲート誘電体の上に選択的に堆積させる工程と、
第２金属層を第２領域のゲート誘電体の上に堆積させる工程と、
第１金属層により形成される構造物を有した、第１トランジスタの第１ゲート電極積層構造を第１領域に形成する工程と、
第２金属層により形成される構造物を有する、第２トランジスタの第２ゲート電極積層構造を第２領域に形成する工程と、
第１金属層が第２領域のゲート誘電体の上に堆積することを阻止するための阻止構造を第２領域のゲート誘電体の上に形成する工程とを備える、トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記阻止構造による阻止は、核形成サイトが第２領域のゲート誘電体の上に形成されることを阻止することによって行なわれる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１金属層を堆積させた後に、かつ第２金属層を堆積させる前に、阻止構造を無効にする工程をさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
阻止構造をウェハの第２領域の誘電体の上には形成せずに、ウェハの第１領域の誘電体の上に選択的に形成する工程と、
金属層を第２領域の誘電体の上に選択的に堆積させ、阻止構造によって、金属層が第１領域の誘電体の上に堆積するのを阻止する工程と、
金属層により形成される構造物を備えた、トランジスタのゲート電極積層構造を第２領域に形成する工程とを備える、トランジスタの製造方法。
【請求項５】
阻止構造をウェハの第２領域のゲート誘電体の上には形成せずに、ウェハの第１領域のゲート誘電体の上に選択的に形成する工程と、
原子層堆積プロセスを使用して、第１金属層が第１領域のゲート誘電体の上に堆積するのを阻止しながら、第１金属層を第２領域のゲート誘電体の上に選択的に堆積させる工程と、
第２金属層を第１領域のゲート誘電体の上に堆積させる工程と、
第２金属層により形成される構造物を備えた、第１トランジスタの第１ゲート電極積層構造を第１領域に形成する工程と、
第１金属層により形成される構造物を備えた、第２トランジスタの第２ゲート電極積層構造を第２領域に形成する工程とを備える、トランジスタの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月7日(2008.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手軸（Ｘ）に沿って整列された、光ファイバ（２０）の入力端部と、光源（４０）および該光源（４０）を前記光ファイバ（２０）に連結する結合アセンブリ（５０）を有する少なくとも光注入器（３０）と、を備える発光性の細長い素子であって、前記光源（４０）は単一のＬＥＤ（４１）を備え、前記結合アセンブリ（５０）は、前記ＬＥＤ（４１）の周囲に取り付けられた狭い方の端部（５４１）と、前記光ファイバ（２０）に向かって開口している広い方の端部（５４２）とを有する漏斗形状の反射スクリーン（５４）を備えることを特徴とする発光性の細長い素子。
【請求項２】
前記反射スクリーン（５４）は適切な支持材の上に適用される反射フィルムから作製される、請求項１に記載の発光性の細長い素子。
【請求項３】
前記結合アセンブリ（５０）は、
−内部円筒形の空洞（５１２）を有する中空の本体（５１）であって、前記空洞（５１２）の中に提供された前記ＬＥＤ（４１）を前記空洞（５１２）の基部（５１３）の中心で支持する中空の本体（５１）と、
−前記空洞（５１２）に合致する外部円筒形側面（５５１）と、前記反射スクリーン（５４）の前記広い方の端部（５４２）と係合する内部円錐形側面（５５２）と、を有するリング状のブッシング（５５）と、
−前記空洞（５１２）の前記基部（５１３）に向かって前記ブッシング（５５）を圧迫し、それにより前記ＬＥＤ（４１）の周囲に前記反射スクリーン（５４）を保持する圧力手段（５６）と、
を備える、請求項１又は２に記載の発光性の細長い素子。
【請求項４】
前記結合アセンブリ（５０）は水密性である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光性の細長い素子。
【請求項５】
前記本体（５１）は、前記本体（５１）の前記空洞（５１２）の前記基部（５１３）に隣接するフィン部分（５１５）を有する、請求項３又は４に記載の発光性の細長い素子。
【請求項６】
前記光ファイバ（２０）は、可視光の波長帯にわたる光を伝送するように適合されたコア径の大きいプラスチック光ファイバである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光性の細長い素子。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月27日(2008.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（a）基板と；
（b）この基板の上に配置された第1の電極層と；
（c）この第1の電極層の上に配置された無機短絡低減層と；
（d）この無機短絡低減層の上に配置された電荷注入層と；
（e）この電荷注入層の上に配置された有機EL素子と；
（f）この有機EL素子の上に配置された第2の電極層を備えていて、上記短絡低減層が、短絡に起因する漏れ電流と、それに付随する発光効率の損失とを減らすのに十分な厚さと抵抗率を持つように選択されているOLEDデバイス。
【請求項２】
（a）基板と；
（b）この基板の上に配置された第1の電極層と；
（c）この第1の電極層の上に配置された有機EL素子と；
（d）この有機EL素子の上に配置された電荷注入層と；
（e）この電荷注入層の上に配置された無機短絡低減層と；
（f）この無機短絡低減層の上に配置された第2の電極層を備えていて、上記短絡低減層が、短絡に起因する漏れ電流と、それに付随する発光効率の損失とを減らすのに十分な厚さと抵抗率を持つように選択されているOLEDデバイス。
【請求項３】
（a）基板と；
（b）この基板の上に配置された第1の電極層と；
（c）この第1の電極層の上に配置された無機短絡低減層と；
（d）この無機短絡低減層の上に配置された有機EL素子と；
（e）この有機EL素子の上に配置された第2の電極層を備えていて、上記短絡低減層が、10Ωcm2〜1500Ωcm2という厚さ方向抵抗率を持つように選択されている、画素化された高解像度OLEDディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月19日(2008.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
さらに、隣接する前記導電片の間の前記誘電性基板にスロットを備えた請求項１６に記載の接触機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ＲＪ−４５に適合するジャックとプラグに関し、８個の接触片（図示せず）が、通信ケーブル１８の導体２０のツイストペアを電気的に終端処理するコネクタ１０の内側に配置されている。同様に、ケーブル１４の８本の導体は、プラグ１６の前面３０に沿って露出し、符号２８で示す８個の端子接触子によって個々に終端処理されている。プラグ１６がコネクタ１０に挿入されたとき、コネクタ１０の接触片は、プラグ１６の端子接触子２８と接触し、それによって、プラグ１６とコネクタ１０間で導体経路を提供し、その結果、ケーブル１４の導体と通信ケーブル１８の導体が相互接続する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月28日(2008.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペロブスカイト格子を有する絶縁材料の層（５２）を含む基板と、
前記絶縁層上に形成される半導体材料の層（５４）と、
そのチャネル領域中に半導体材料の層が組み入れられるＭＯＳＦＥＴと、を含み、
前記ペロブスカイト格子を有する絶縁材料（５２）は、ガドリニウム・スカンデート（GdScO3）、ジスプロシウム・スカンデート（DyScO3）、およびガドリニウムとジスプロシウム・スカンデートとの合金（Gd1-xDyXScO3）のうちのいずれか１つであるレアアース・スカンデートである、
ＳＯＩ（semiconductor on insulator）デバイス。
【請求項２】
前記半導体材料の層（５４）は、前記ペロブスカイト格子によって引張歪みが与えられるシリコン層である、請求項１記載のデバイス。
【請求項３】
前記半導体材料の層（５４）は、前記ペロブスカイト格子によって圧縮歪みが与えられるシリコンゲルマニウム層である、請求項１記載のデバイス。
【請求項４】
前記半導体材料の層（５４）は、ダイヤモンド型格子を有する化合物半導体材料である、請求項１記載のデバイス。
【請求項５】
ガドリニウム・スカンデート（GdScO3）、ジスプロシウム・スカンデート（DyScO3）、およびガドリニウムとジスプロシウム・スカンデートとの合金（Gd1-xDyXScO3）のうちのいずれか１つであるレアアース・スカンデートであるペロブスカイト格子を有する絶縁材料の層（５２）を含む基板を形成し、
前記絶縁材料（５２）の前記ペロブスカイト格子の（００１）面上に、ダイヤモンド型格子を有する半導体材料の層（５４）を成長させ、
そのチャネル領域中に、前記半導体材料（５４）を組み入れたＭＯＳＦＥＴを形成する、
ＳＯＩ（semiconductor on insulator）ＭＯＳＦＥＴデバイス上に半導体を形成する方法。
【請求項６】
ペロブスカイト格子を有する絶縁材料の層（５２）を含む基板と、
前記絶縁層（５２）上に形成される第１半導体材料（７２）の領域であって、前記絶縁層（５２）により引っ張り歪みが与えられる第１半導体材料（７２）の領域と、
前記第１半導体材料（７２）の領域中に形成され、そのチャネル領域中に、前記第１半導体材料を組み入れる、第１ＭＯＳＦＥＴ（７０）と、
前記絶縁材料の層（５２）上に形成される第２半導体材料（７６）の領域であって、前記絶縁層により圧縮歪みが与えられる第１半導体材料（７６）の領域と、
前記第２半導体材料（７６）の領域中に形成され、そのチャネル領域中に、前記第２半導体材料を組み入れる、第２ＭＯＳＦＥＴ（７４）と、を含む、
ＳＯＩ（semiconductor on insulator）デバイス。
【請求項７】
前記絶縁層（５２）は、レアアース・スカンデートである、請求項６記載のデバイス。
【請求項８】
前記第１半導体材料（７２）は、前記絶縁材料（５２）の有効な格子定数より少ない格子定数を有するシリコンゲルマニウム合金であり、
前記第２半導体材料（７６）は、前記絶縁材料（５２）の有効な格子定数より大きい格子定数を有するシリコンゲルマニウム合金である、請求項６記載のデバイス。
【請求項９】
ガドリニウム・スカンデート（GdScO3）絶縁材料の層を含む基板を形成し、
前記絶縁材料の層の上に半導体材料の層を成長させ、
MOSFETを形成すべく、半導体材料の分離領域を形成するために前記半導体材料の層をエッチングし、
前記半導体材料の分離領域にゲート絶縁体を形成し、
前記ゲート絶縁体にゲートを形成する、
ＳＯＩ（semiconductor on insulator）ＭＯＳＦＥＴデバイス上に半導体を形成する方法。
【請求項１０】
前記半導体材料の層は、シリコンゲルマニウム層であり、
前記ガドリニウム・スカンデート（GdScO3）格子は、前記ガドリニウム・スカンデート（GdScO3）格子上に成長した前記シリコンゲルマニウム層に引張歪みを与える、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
ジスプロシウム・スカンデート（DyScO3）絶縁材料の層を含む基板を形成し、
前記絶縁材料の層の上に半導体材料の層を成長させ、
MOSFETを形成すべく、半導体材料の分離領域を形成するために前記半導体材料の層をエッチングし、
前記半導体材料の分離領域にゲート絶縁体を形成し、
前記ゲート絶縁体にゲートを形成する、
ＳＯＩ（semiconductor on insulator）ＭＯＳＦＥＴデバイス上に半導体を形成する方法。
【請求項１２】
前記半導体材料の層は、シリコンゲルマニウム層であり、前記ジスプロシウム・スカンデート（DyScO3）格子は、前記ジスプロシウム・スカンデート（DyScO3）格子上に成長した前記シリコンゲルマニウム層に引張歪みを与える、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
ガドリニウムとジスプロシウム・スカンデートとの合金（Gd1-xDyXScO3）を含む絶縁材料の層を含む基板を形成し、
前記絶縁材料の層の上に半導体材料の層を成長させ、
MOSFETを形成すべく、半導体材料の分離領域を形成するために前記半導体材料の層をエッチングし、
前記半導体材料の分離領域にゲート絶縁体を形成し、
前記ゲート絶縁体にゲートを形成する、
ＳＯＩ（semiconductor on insulator）ＭＯＳＦＥＴデバイス上に半導体を形成する方法。
【請求項１４】
前記半導体材料の層は、シリコン層であり、前記ガドリニウムとジスプロシウム・スカンデートとの合金（Gd1-xDyXScO3）格子は、前記シリコン層に引張歪みを与える、請求項１３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月14日(2008.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生物適合性で生物分解性のポリマーでできた管の形状の部分を含む、吻合の保護のための医療用装置。
【請求項２】
コンドームの形状である請求項１記載の装置。
【請求項３】
該ポリマーが、弾性で生物適合性で生物分解性の合成ポリマーであり、このポリマーは、最大で哺乳動物の体温である少なくとも１つの軟化点（ガラス転移温度）を有する請求項１または２のいずれか１項記載の装置。
【請求項４】
該ポリマーがポリウレタンを含み、該ポリウレタンはポリエーテル化合物と結合した1,4-ブタンジオールにより開始される開環重合により得ることができる、請求項１〜３のいずれか１項記載の装置。
【請求項５】
該ポリウレタンがDL-ラクチドおよびε-カプロラクトンに基づく、請求項４記載の装置。
【請求項６】
該ポリウレタンが1500〜2300の分子量を有する、請求項４〜５のいずれか１項記載の装置。
【請求項７】
該ポリウレタンのモノマー比が50/50〜70/30（モル／モル）である、請求項４〜６のいずれか１項記載の装置。
【請求項８】
該ポリウレタン中のPEG含量が1〜25重量％である、請求項４〜７のいずれか１項記載の装置。
【請求項９】
該ポリウレタン中のPEG含量が5〜20重量％である、請求項４〜７のいずれか１項記載の装置。
【請求項１０】
該ポリウレタン中のPEG含量が2〜10重量％である、請求項４〜７のいずれか１項記載の装置。
【請求項１１】
該PEGの分子量が600〜2000である請求項８〜１０のいずれか１項記載の装置。
【請求項１２】
１つ以上の以下の寸法：15〜50cmの長さ；15〜50mmの直径；および50〜90μmの壁厚を有する請求項１〜１１のいずれか１項記載の装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項記載の装置を含む医療用キット。
【請求項１４】
ステープルをさらに含む請求項１３記載のキット。
【請求項１５】
該ステープルが生物分解性ステープルである請求項１４記載のキット。
【請求項１６】
留めキャップをさらに含む請求項１３〜１５のいずれか１項記載のキット。
【請求項１７】
ステープラーをさらに含む請求項１３〜１６のいずれか１項記載のキット。
【請求項１８】
接着剤をさらに含む請求項１３〜１７のいずれか１項記載のキット。
【請求項１９】
該接着剤がシアノアクリレート接着剤である請求項１８記載のキット。
【請求項２０】
非ヒト動物生物体の処置方法であって、請求項１〜１２のいずれか１項記載の医療用装置を施与して、管腔の自然内容物から該生物体における吻合を本質的に保護し、その後に該吻合が行われる方法。
【請求項２１】
該医療用装置が、留めることによって施与される請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
該医療用装置を内側にひっくり返すことを含む請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
該吻合が、結腸肛門の吻合であり、該医療用装置が、本質的に肛門の括約筋により腸に到達することにより施与される請求項２０〜２２のいずれか１項記載の方法。
【請求項２４】
吻合または吻合に関連する手術のための医療用装置の製造において、請求項３〜１１のいずれか１項記載の組成物を使用する方法。
【請求項２５】
吻合を行うためのキットの製造において、請求項１〜１２のいずれか１項記載の装置を使用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月21日(2008.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
治療用として可能性のある化合物を同定する方法であって、
ａ）非ヒト雌動物にヒトヘルペスウイルスを感染させる工程、
ｂ）治療用として可能性のある供試化合物を前記非ヒト雌動物に投与する工程、
ｃ）ヒトヘルペスウイルスに感染させた前記非ヒト雌動物を、この雌と同種に属する非ヒト雄動物と交配させる工程、および
ｄ）ヒトヘルペスウイルスに感染させた前記非ヒト雌動物の後代においてヒトヘルペスウイルスの有無を分析し、かつ／または前記後代もしくはヒトヘルペスウイルスに感染させた前記非ヒト雌動物に対する治療用として可能性のある前記化合物の作用を判定する工程
を含んでなり、
工程ａ）およびｂ）が任意の順序で行われる、方法。
【請求項２】
工程ａ）が工程ｂ）の前に行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程ｂ）が工程ａ）の前に行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
治療用として可能性のある化合物を同定する方法であって、
ｉ）非ヒト雌動物にヒトヘルペスウイルスを感染させる工程、
ii）ヒトヘルペスウイルスに感染させた前記非ヒト雌動物を、この雌と同種に属する非ヒト雄動物と交配させる工程、
iii)ヒトヘルペスウイルスに感染させた前記非ヒト雌動物の後代においてヒトヘルペスウイルスの有無を分析し、ヒトヘルペスウイルスを保有する子孫を選抜する工程、
iv）治療用として可能性のある供試化合物を、ヒトヘルペスウイルスを保有する前記子孫に投与する工程、および
ｖ）ヒトヘルペスウイルスを保有する前記子孫に対する治療用として可能性のある前記供試化合物の作用を判定する工程
を含んでなる、方法。
【請求項５】
前記非ヒト動物が魚類または非ヒト哺乳類である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記非ヒト哺乳類が齧歯類、霊長類およびブタから選択されるものである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記齧歯類がマウス、ラットおよびモルモットから選択されるものである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ヒトヘルペスウイルスが１型単純ヘルペスウイルス（ＨＳＶ−１）、２型単純ヘルペスウイルス（ＨＳＶ−２）、水痘−帯状疱疹ウイルス（ＶＺＶ）、サイトメガロウイルス（ＣＭＶ）、ヒトヘルペスウイルス６（ＨＨＶ−６）、ヒトヘルペスウイルス７（ＨＨＶ−７）、エプスタイン−バーウイルス（ＥＢＶ）およびカポジヘルペスウイルス（ＨＨＶ−８）、ならびにその混合物から選択されるものである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
供試化合物の作用の判定が、（１）生存力分析、（２）挙動分析、（３）画像研究、（４）細胞遺伝学的分析および（５）神経病理学的研究から選択される少なくとも１つの分析または研究を行うことを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
ヒトヘルペスウイルスを保有する非ヒト動物を得る方法であって、
ａ）非ヒト雌動物にヒトヘルペスウイルスを感染させる工程、
ｂ）ヒトヘルペスウイルスに感染させた前記非ヒト雌動物を、この雌と同種に属する非ヒト雄動物と交配させる工程、および
ｃ）ヒトヘルペスウイルスを保有する子孫を選抜する工程
を含んでなる、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法に従って得られる、ヒトヘルペスウイルスを保有する非ヒト動物。
【請求項１２】
ヒトヘルペスウイルスに感染させた非ヒト雌動物の子孫であることを特徴とする、ヒトヘルペスウイルスを保有する非ヒト動物。
【請求項１３】
前記ヒトヘルペスウイルスが主として脳、脊髄および／または血液中に存在している、請求項１１または１２に記載の非ヒト動物。
【請求項１４】
ヒトヘルペスウイルスを保有する非ヒト動物を作出する方法であって、
ａ）請求項１１〜１３のいずれか一項に記載のヒトヘルペスウイルスを保有する第一の非ヒト動物を、前記第一の動物と同種に属するが性の異なる第二の非ヒト動物と交配させる工程、および
ｂ）ヒトヘルペスウイルスを保有する子孫を選抜する工程
を含んでなる、方法。
【請求項１５】
前記第二の動物が、ＭＯＣＫ動物およびヒトヘルペスウイルスを保有する非ヒト動物から選択されるものである、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月5日(2007.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者の中に通気路を維持するためにマスクを有する器具であって、そのマスクは、マスクが喉頭咽頭に位置するとき、喉頭にシールを形成しうるように弾性を有し且つ柔軟な周縁部形状を有し、それによって喉頭への異質な流体の浸入を防ぎ、マスクの周縁部は、マスクが喉頭咽頭に挿入されたとき、喉頭咽頭と食道の間に流体を通じるようにするための少なくとも一つの空洞を画定し、マスクが適切に喉頭咽頭に挿入されたとき、喉頭まで気体が達するようにマスクに連結されるか又はマスクに形成された通気管とを有する器具。
【請求項２】
マスクの周縁部は上向きの端部を有し、この上向きの端部は少なくとも一つの空洞を画定する請求項１記載の器具。
【請求項３】
マスクの周縁部は、マスクの喉頭側から離れてマスクの側面に沿って、且つマスクの外端に対して内側に向かって伸びている壁部分を有する請求項１または２記載の器具。
【請求項４】
壁部分は、マスクの側面からマスクの喉頭側に向かって伸びている内側部分を有する請求項３記載の器具。
【請求項５】
マスクの周縁部は、マスクの側面に沿って折り返した折り返し部分を有し、それによって少なくとも一つの空洞を形成し、上記折り返し部分はマスクの少なくとも一つの側面の一部に沿って伸びている請求項１、２、３または４記載の器具。
【請求項６】
少なくとも一つの空洞は、マスクの相対する端部に沿って伸びている２つの空洞を有する請求項１、２、３、４または５記載の器具。
【請求項７】
空洞は、マスクの周縁部に形成されるか又はマスクの周縁部を形成する一つ以上の溝によって形成される請求項１または２記載の器具。
【請求項８】
一つ以上の溝がマスクの周縁部の上を向いた端部と一体になっている開放端を有する請求項７記載の器具。
【請求項９】
マスクは喉頭側と喉頭咽頭側を有し、その喉頭咽頭側は、マスクが挿入されたとき、喉頭咽頭の壁と接触するための接触部材を有し、その接触部材は喉頭咽頭の壁とマスクの周縁部の間に間隔をあけ、それによって喉頭にシールを形成するのが容易になる請求項１、２、３、４、５、６、７または８記載の器具。
【請求項１０】
接触部材は、マスクに連結されるか又はマスクに形成されたフードを有する請求項９記載の器具。
【請求項１１】
フードは、マスクの周縁部に沿って伸びている端部を有する請求項１０記載の器具。
【請求項１２】
接触部材は、マスクの喉頭側から伸びている一つ以上の突起部を有する請求項９記載の器具。
【請求項１３】
マスクは、さらに、少なくとも一つの空洞内に達する少なくとも一つの流体管を有し、少なくとも一つの流体管はマスクから離れる方向に伸び、少なくとも一つの流体管は、使用時に、マスクの喉頭咽頭側から流体を除去するのに適したものである請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１または１２記載の器具。
【請求項１４】
少なくとも一つの流体管は、マスクの周縁部に位置する出口を有する請求項１３記載の器具。
【請求項１５】
マスクは、少なくとも一つの空洞と流体によって通じる二つの流体管を有する請求項１３または１４記載の器具。
【請求項１６】
流体管は、真空源または空気排出源と接続できるだけの十分な長さを有する請求項１５記載の器具。
【請求項１７】
マスクの喉頭側は窪みを画定し、通気管は窪みと流体によって通じている請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５または１６記載の器具。
【請求項１８】
マスクの喉頭側の窪みはマスクの内壁によって画定され、マスクの内壁は相対的に幅が大きい領域と相対的に幅が小さい領域を有し、相対的に幅が大きい領域は、マスクが挿入されたとき、窪みの中に凹みを形成し、その凹みは内壁と患者の喉頭蓋の間に間隙を形成する請求項１７記載の器具。
【請求項１９】
マスクの喉頭側の窪みはマスクの内壁によって画定され、マスクの内壁は通気路の深さの維持を容易にし、胃液が喉頭に浸入するのを防ぐようにシールを維持するために喉頭の周囲の領域に対する圧力を維持し、通気路に正圧による空気の流通を促すものである請求項１７または１８記載の器具。
【請求項２０】
マスクの末端部は、使用時に食道まで伸びる縦方向に伸びる部分を有し、その縦方向に伸びる部分は、少なくとも一つの空洞と流体によって通じている請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８または１９記載の器具。
【請求項２１】
縦方向に伸びる部分は、食道の上部まで伸びる請求項２０記載の器具。
【請求項２２】
縦方向に伸びる部分は、少なくとも一つの空洞の末端を開放位置に偏倚させるような形状である請求項２０または２１記載の器具。
【請求項２３】
縦方向に伸びる部分は、その上部に沿って開口部を有する通路を備えている請求項２２記載の器具。
【請求項２４】
縦方向に伸びる部分は、管状部分を有する請求項２２記載の器具。
【請求項２５】
縦方向に伸びる部分は、患者へのマスクの挿入を容易にし、一旦挿入された後、延長位置まで移動しうるように、折り重ねるか又は折り畳むことができるコンチェルティーナ部分を有する請求項２０、２１、２２、２３または２４記載の器具。
【請求項２６】
コンチェルティーナ部分は、複数のリブ、波形の管または複数の折り目を有する請求項２５記載の器具。
【請求項２７】
縦方向に伸びる部分は、マスクの周縁部を縦方向に延長したものである請求項２０、２１、２２、２３、２４、２５または２６記載の器具。
【請求項２８】
マスクの基部の管状部は、マスクの基端近くからマスクから離れる方向に伸びている湾曲部を有するような形状である請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６または２７記載の器具。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月5日(2007.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
アルコールの抽出後、蒸留所廃物の水溶性物質は、酵母の通気培養に使用できる；得られた酵母を乾燥物質含有率５〜１０％まで濃縮して、４５〜５５℃にて２４〜４８時間の間、自己分解によって処理する。アミノ酸のバリン、ロイシンおよびイソロイシンをアミノ窒素濃度３０００〜８０００ｍｇ／ｌで含有する、得られた自己分解物質は、炭水化物基質の発酵における酵母の窒素栄養として使用する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
対応するイソアルコールから得られたイソブタンおよびイソペンタンを使用すること、また予め２００±５０℃の温度に加熱されたテルペンを使用することによって、低級Ｃ2
−Ｃ5アルコールの脱水で得られた不飽和炭化水素をアルキル化することが提案される。
０〜１０℃および０．５〜１ＭＰａの圧力で、触媒としての９０〜１００％硫酸の存在下で実施されるアルキル化の結果は、Ｃ6−Ｃ15炭化水素の混合物の獲得であった。アルキ
ル化は、ＡｌＣｌ3触媒の存在下で５０〜６０℃の温度および１〜２ＭＰａの圧力でも実
施できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
(実施例５)
破砕したコムギ粒を水と１：３．５の比で混合した。穀物デンプンの酵素加水分解は、第１の段階において熱安定性アミラーゼＺｙｍａｊｕｎｔ−３４０Ｃ（ｐＨ６．５、９０℃、消費  穀物デンプン１ｋｇ当たり０．２５ｍｌ）、第２の段階においてグリコアミラーゼＧｌｕｃｏｚｙｍ  Ｌ−４００Ｃ（ｐＨ５．０、６０℃、消費  穀物デンプン１ｋｇ当たり０．８ｍｌ）を使用して実施した。Ｅｎｄｅ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ  Ｉｎｃ．，
ＵＳＡによって製造された工業用酵素を使用した。酵素加水分解の結果として、基質中の炭水化物の濃度は１６％に達した。基質には：Ｐ2Ｏ5２００ｍｇ／ｌの含有率を提供する量の過リン酸塩、および５０ｍｌ／ｌの量のアルコール酵母の液体自己分解物質（アミノ窒素３２０ｍｇ／ｌ）を添加した。酵母スターターバイオマスＳ．セレビシエを基質に５ｇ／ｌの量で添加した。発酵は、温度３８℃およびｐＨ６．０で実施した。発酵の速度は４．０ｌ／ｇ*ｈであり、発酵終了時のエタノール濃度は８．８体積％、イソペンタノール
濃度は４８０ｍｇ／ｌ、そしてイソブタノール濃度は２７０ｍｇ／ｌであった。Ｃ3−Ｃ5アルコールの全含有率はエタノールの体積の１．１％であった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４１】
脱水で得られた不飽和Ｃ2−Ｃ5炭化水素の混合物を、バイオガスから得られた、比ＣＯ：Ｈ2＝１：１を有する合成ガスと混合して、コバルト−ロジウム触媒を含むリアクターに送達した。リアクター内の温度を９０±１０℃に、圧力を２±１ＭＰａに維持した。ヒドロホルミル化の反応の結果として、Ｃ3−Ｃ6アルデヒドの混合物が得られた。Ｃ3−Ｃ6アルデヒドの混合物からプロピオンアルデヒドを抽出して、Ｎｉ触媒の存在下で再生可能源の水素によって水素添加してプロパノールとした。次にプロパノールをＣ2−Ｃ5アルコール脱水の段階に戻す。Ｃ4−Ｃ6アルデヒドの混合物を最初に縮合して不飽和Ｃ8−Ｃ12アルデヒドの混合物とし、次に再生可能水素によってＮｉ触媒の存在下で水素添加して飽和Ｃ8−Ｃ12アルコールの混合物とする。Ｃ8−Ｃ12アルコールの混合物からＣ8アルコールを抽出して、次にＡｌ2Ｏ3の存在下で温度２００±２５℃にて脱水してイソオクタンとして、次に再生可能水素によってＮｉ触媒の存在下で水素添加してイソオクタンの混合物とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月25日(2008.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微生物増殖が起こりやすい物質を、微生物増殖を抑制するために効果的な量の非腐植コケに接触させる工程を含み、前記コケは、イボミズゴケ、スファグナム・クリスタツム、およびそれらの混合物からなる群から選択される、微生物増殖を抑制する方法。
【請求項２】
前記コケは、イボミズゴケである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記コケは、スファグナム・クリスタツムである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記コケは、イボミズゴケのみを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記コケは、スファグナム・クリスタツムのみを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記コケは、イボミズゴケおよびスファグナム・クリスタツムの混合物のみを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記コケは、圧縮される、前記請求項の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記コケは、細長片の形態である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記コケは、殺菌されている、前記請求項の何れか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記コケは、酢酸溶液などの酸性溶液で洗浄される、前記請求項の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記コケは、酸性溶液で洗浄され、次いで、食塩水で洗浄される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記物質は、水である、前記請求項の何れか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記物質は、温泉の水、プール、またはアクアリウムの水である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記物質は、穀物である、請求項１乃至１１の何れか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記コケは非腐植コケであり、微生物増殖が起こりやすい物質に担体が接触する前に、前記非腐植コケが前記担体に入れられる、前記請求項の何れか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記物質は水であり、前記水は前記担体を通ってポンプされる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記担体は、ポリマーマトリクス、バイオマトリクス、または、１つ若しくは複数の膜である、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月26日(2008.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）ａ）発酵性炭素基質と共に生育させるとチロシンを作り、
ｂ）適切な調節配列に作動的に結合した、チロシンアンモニアリアーゼ活性を有するポリペプチドをコードする遺伝子を含んでなる
微生物生産宿主細胞を提供し、
（ｉｉ）生理的ｐＨの増殖培地中で（ｉ）の宿主細胞と発酵性炭素基質とを増殖培地中にチロシンを蓄積させるのに十分な時間接触させ、
（ｉｉｉ）増殖培地のｐＨを、パラ−ヒドロキシケイ皮酸を蓄積させるのに十分な時間約８．０〜約１１．０のｐＨに上昇させ、そして
（ｉｖ）場合により該パラ−ヒドロキシケイ皮酸を回収する、
ことを含んでなる、パラ−ヒドロキシケイ皮酸の生成方法。
【請求項２】
（ｉ）ａ）発酵性炭素基質と共に生育させるとフェニルアラニンを作り、
ｂ）適切な調節配列に作動的に結合した、フェニルアラニンアンモニアリアーゼ活性を有するポリペプチドをコードする遺伝子を含んでなる
微生物生産宿主細胞を提供し、
（ｉｉ）生理的ｐＨの増殖培地中で（ｉ）の宿主細胞と発酵性炭素基質とを増殖培地中にフェニルアラニンを蓄積させるのに十分な時間接触させ、
（ｉｉｉ）増殖培地のｐＨを、ケイ皮酸を蓄積させるのに十分な時間約８．０〜約１１．０のｐＨに上昇させ、そして
（ｉｖ）場合により該ケイ皮酸を回収する、
ことを含んでなる、ケイ皮酸の生成方法。
【請求項３】
（ｉ）発酵性炭素基質と共に生育させるとチロシンを作る微生物生産宿主細胞を提供し、
（ｉｉ）生理的ｐＨの増殖培地中で（ｉ）の生産宿主細胞と発酵性炭素基質とを増殖培地中にチロシンを蓄積させるのに十分な時間接触させ、
（ｉｉｉ）（ｉｉ）の増殖培地をチロシンアンモニアリアーゼと接触させ、
（ｉｖ）増殖培地のｐＨを、増殖培地中にパラ−ヒドロキシケイ皮酸を蓄積させるのに十分な時間約８．０〜約１１．０のｐＨに上昇させ、そして
（ｖ）場合により該パラ−ヒドロキシケイ皮酸を回収する、
逐次ステップを含んでなる、パラ−ヒドロキシケイ皮酸の生成方法。
【請求項４】
（ｉ）発酵性炭素基質と共に生育させるとフェニルアラニンを作る微生物生産宿主細胞を提供し、
（ｉｉ）生理的ｐＨの増殖培地中で（ｉ）の生産宿主細胞と発酵性炭素基質とを増殖培地中にフェニルアラニンを蓄積させるのに十分な時間接触させ、
（ｉｉｉ）（ｉｉ）の増殖培地をフェニルアラニンアンモニアリアーゼと接触させ、
（ｉｖ）増殖培地のｐＨを、増殖培地中にケイ皮酸を蓄積させるのに十分な時間約８．０〜約１１．０のｐＨに上昇させ、そして
（ｖ）場合により該ケイ皮酸を回収する、
逐次ステップを含んでなる、ケイ皮酸の生成方法。
【請求項５】
（ｉ）発酵性炭素基質と共に生育させるとチロシンを作る微生物生産宿主細胞を提供し、
（ｉｉ）生理的ｐＨの増殖培地中で（ｉ）の生産宿主細胞と発酵性炭素基質とを増殖培地中にチロシンを蓄積させるのに十分な時間接触させ、
（ｉｉｉ）（ｉｉ）で生成されたチロシンを増殖培地から単離し、
（ｉｖ）約８．０〜約１１．０のｐＨを有する溶液中で（ｉｉｉ）の単離されたチロシンとチロシンアンモニアリアーゼ源とをパラ−ヒドロキシケイ皮酸を蓄積させるのに十分な時間接触させ、そして
（ｖ）場合により該パラ−ヒドロキシケイ皮酸を回収する、
逐次ステップを含んでなる、パラ−ヒドロキシケイ皮酸の生成方法。
【請求項６】
（ｉ）発酵性炭素基質と共に生育させるとフェニルアラニンを作る微生物生産宿主細胞を提供し、
（ｉｉ）生理的ｐＨの増殖培地中で（ｉ）の生産宿主細胞と発酵性炭素基質とを増殖培地中にフェニルアラニンを蓄積させるのに十分な時間接触させ、
（ｉｉｉ）（ｉｉ）で生成されたフェニルアラニンを増殖培地から単離し、
（ｉｖ）約８．０〜約１１．０のｐＨを有する溶液中で（ｉｉｉ）の単離されたフェニルアラニンとフェニルアラニンアンモニアリアーゼ源とを増殖培地中からケイ皮酸を蓄積させるのに十分な時間接触させ、そして
（ｖ）場合により該ケイ皮酸を回収する、
逐次ステップを含んでなる、ケイ皮酸の生成方法。
【請求項７】
（ｉ）チロシンアンモニウムリアーゼ活性を有するポリペプチドをコードする遺伝子を発現する微生物生産宿主を提供し、そして
（ｉｉ）約８．０〜約１１．０のｐＨで（ｉ）の該微生物生産宿主とチロシンとを接触させて、パラ−ヒドロキシケイ皮酸が生成する
逐次ステップを含んでなるパラ−ヒドロキシケイ皮酸の生成方法。
【請求項８】
（ｉ）フェニルアラニンアンモニウムリアーゼ活性を有するポリペプチドをコードする遺伝子を発現する微生物生産宿主を提供し、そして
（ｉｉ）約８．０〜約１１．０のｐＨで（ｉ）の該微生物生産宿主とフェニルアラニンとを接触させて、ケイ皮酸が生成する、
逐次ステップを含んでなるケイ皮酸の生成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月15日(2008.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
揮発性気体を供給するマットであって、
第１基板部分及び第２基板部分を有する基板であって、前記第１基板部分が、第１揮発性材料を有し、前記第１揮発性材料が、昆虫防除剤、芳香剤、脱臭剤及びそれらの組合せからなる群より選択される反応性物質を含み、前記第２基板部分が、第２揮発性材料を有し、前記第２の揮発性材料が、昆虫防除剤、芳香剤、脱臭剤及びそれらの組合せからなる群より選択される反応性物質を含み、前記基板が、熱成形型が接触したときには溶融するように熱に反応するが、ヒータからの熱が存在するときに使用されるのが適当であるように耐熱性でもある多孔性材料で形成されている基板と、
前記基板中に少なくとも部分的に伸び、かつ前記第１基板部分と、前記第２基板部分とを画成する堀状凹部であって、前記基板の上部壁の一部に熱成形型を押し付けることによって形成される堀状凹部と、
を備えるマット。
【請求項２】
前記堀状凹部が、前記第１基板部分の径方向外側に位置しており、前記第２基板部分が、前記堀状凹部の径方向外側に位置している、請求項１に記載のマット。
【請求項３】
前記堀状凹部の凹部壁に沿った微細孔は、前記熱成形型によって引き起こされた前記基板の溶融により閉塞され、それにより、凹部壁に沿ったバリアの形成が生じ、これにより、前記第１基板部分から前記第２基板部分への前記第１の揮発性材料の滲み出し（ブリーディング）を阻止する、請求項１に記載のマット。
【請求項４】
ディスペンスマットを構成する方法であって、
熱成形型が接触した際に溶融するように、熱に反応するが、ヒータからの熱が存在する場合に溶融しないように、耐熱性でもある多孔性基板材料からなる厚板を得るステップと、
前記厚板の一部に熱成形型を押し付けて、堀状凹部を形成するステップであって、前記凹部が、前記厚板内に少なくとも部分的に伸びており、かつ第１厚板部分と第２厚板部分とを画成する、ステップと、
揮発性材料を、前記第１厚板部分上に配置するステップと、
揮発性材料を、前記第２厚板部分上に配置するステップと、
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月27日(2007.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
皮膚の顔料を入れた部分を除去するための装置であって、
ａ）振動手段が設けられた皮膚穿刺装置と、
ｂ）前記皮膚穿刺装置に接続された１本以上の針のアレイと、
ｃ）前記皮膚穿刺装置および吸引手段に装着された仲介部材と
を備え、
前記皮膚穿刺装置が前記針を振動させて前記顔料を入れた部分での皮膚を繰り返し穿刺し、前記吸引手段が、皮膚の前記穿刺された部分の表面を清浄化するようになっている装置。
【請求項２】
前記仲介部材が、皮膚の前記穿刺された部分より上の本質的に分離された区域を形成することができ、穿刺するために且つ前記区域を吸引するのに適している、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記仲介部材が、１つ以上の開口を備え、該開口を通って前記吸引手段が、顔料と細胞液との混合物を収集するようになっている、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記仲介部材が、前記穿刺された皮膚へ前記清浄材料を加えるために、前記部材を清浄材料源へ接続するための手段をさらに備え、それによって、皮膚の前記顔料を入れた部分の除去中に、前記穿刺された区域を清浄にする、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記仲介部材を前記清浄材料源へ接続するための手段が、１つ以上の開口であり、それを通って清浄材料を送出することができる、請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記仲介部材が、前記開口が前記針のアレイの鋭い縁に隣接して位置するようなやり方で、前記皮膚穿刺装置に装着される、請求項３または５に記載の装置。
【請求項７】
１本以上の針が中空であり、前記中空針が、前記穿刺された皮膚へ前記清浄材料を加えるために清浄材料源へ接続されるのに適切な開口を有し、それによって、皮膚の前記顔料を入れた部分から顔料を除去する間に、前記穿刺された区域を清浄にする、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記清浄材料が、流体か、圧力下の空気か、または、流体および空気圧力の組み合わせ、である、請求項４に記載の装置。
【請求項９】
前記仲介部材が、１つ以上のねじで前記穿刺装置に装着される、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記皮膚穿刺装置が、入れ墨入れマシンである、請求項１記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月3日(2007.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複数の布地層と、樹脂層とを含む防弾複合物であって、一方向性の防弾繊維を有する布地層を少なくとも二層有し、該防弾繊維の層は相互に90°±5°であり、該防弾繊維は第二の織物中に織り込まれて固定化され、該第二の織物は防弾繊維よりも十分低いテナシティおよび伸び弾性率を持つ繊維で形成されており、該防弾繊維は少なくともデニール当たり約15グラムのテナシティおよび少なくともデニール当たり約400グラムのモジュラスを有しており、および樹脂層は、このような複数層の各層間にあり、防弾繊維に付着しているが、それを包み込んではおらず、かつ布地層に浸み込んではいなく、該樹脂層中の樹脂は、少なくとも約7000psiのモジュラスを有している防弾複合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
樹脂層が、約２５，０００〜約３０，０００psiのモジュラスを持つ樹脂で形成されることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の複合物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一観点からは、複数の布地層と、樹脂層とを含む防弾複合物であって、一方向性の防弾繊維を有する布地層を少なくとも二層有し、該防弾繊維の層は相互に90°±5°であり、該防弾繊維は第二の織物中に織り込まれて固定化され、該第二の織物は防弾繊維よりも十分低いテナシティおよび伸び弾性率を持つ繊維で形成されており、該防弾繊維は少なくともデニール当たり約15グラムのテナシティおよび少なくともデニール当たり約400グラムのモジュラスを有しており、および樹脂層は、このような複数層の各層間にあり、防弾繊維に付着しているが、それを包み込んではおらず、かつ織物層に浸み込んではいなく、該樹脂層中の樹脂は、少なくとも約7000psi．のモジュラスを有している防弾複合物が提供される。