【手続補正書】
【提出日】平成19年5月30日(2007.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に凹部と凸部を有し、該凹部と凸部が同一材料からなる基板と、  前記基板上に窒化物半導体多層膜構造とを備え、 該窒化物半導体多層膜構造は、前記凸部の上方において発光部を有するとともに、前記凹部の上方において窪みを有し、  前記窪みの幅は、前記凹部の幅よりも狭いことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記窒化物半導体多層膜構造は、前記凸部の上方において、前記発光部に電流を注入させる構造を備えることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
表面に複数の凹部と凸部を有し、該凹部と凸部が同一材料からなる基板と、  前記基板上にエピタキシャル成長させられた窒化物半導体下地層と、 該窒化物半導体下地層の表面において窪みと平坦化された部分とを有するエピウエハであって、  前記窪みは前記凹部の上方に形成され、かつ、前記窪みの幅は前記凹部の幅よりも狭く、 前記平坦化された部分の幅は前記凸部の幅よりも広いことを特徴とするエピウエハ。
【請求項４】
表面に複数の凹部と凸部を有し、該凹部と凸部が同一材料からなる基板と、 前記基板上にエピタキシャル成長させられた窒化物半導体多層膜構造と、 該窒化物半導体多層膜構造の表面において窪みと平坦化された部分とを有するエピウエハであって、 前記窒化物半導体多層膜構造が窒化物半導体下地層と発光層とを有し、 前記窪みは前記凹部の上方に形成され、かつ、前記窪みの幅は、前記凹部の幅よりも狭く、 前記平坦化された部分の幅は前記凸部の幅よりも広いことを特徴とするエピウエハ。
【請求項５】
前記窒化物半導体多層膜構造は、前記凸部の上方において発光部を有することを特徴とする、請求項４記載のエピウエハ。
【請求項６】
請求項５記載の前記エピウエハにおいて、前記凸部の上方に前記発光部に電流を注入させる構造を有し、前記エピウエハが個々のチップに分割されたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
前記発光部は、前記凸部の中央から幅方向に右または左側へ１μｍ以上離れた領域に形成されたことを特徴とする、請求項１、２、または６の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項８】
前記基板が単一材料からなることを特徴とする請求項１、２、または６の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項９】
前記基板の表面が窒化物半導体からなることを特徴とする請求項１、２、または６の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１０】
前記凹部の幅は１から１００μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１、２、または６の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１１】
前記凹部の深さは１μｍ以上であって、かつ前記凹部の底部と前記基板の裏面との間の残し厚が１００μｍ以上であることを特徴とする請求項１、２、または６の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１２】
前記凹部を複数備えるとともに、相対的に幅の広い前記凹部を有する窒化物半導体発光素子であって、前記相対的に幅の広い前記凹部の上方のみに窪みを有することを特徴とする請求項１、２、または６の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１３】
前記凹部を複数備えるとともに、相対的に深さの深い前記凹部を有する窒化物半導体発光素子であって、前記相対的に深さの深い前記凹部の上方のみに窪みを有することを特徴とする請求項１、２、または６の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１４】
基板の表面に凹部と凸部を形成する工程と、  前記基板上に、前記凸部の上方において発光部を有し、かつ表面において完全に埋まらない窪みを有する窒化物半導体多層膜構造を成長させる工程とを備えた窒化物半導体発光素子の製造方法であって、 前記凹部と前記凸部は同一材料からなり、  前記窪みは、前記凹部の上方に前記成長に伴って形成され、かつ、前記凹部の幅よりも狭いことを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】
基板の表面に凹部と凸部を形成する工程と、  前記基板上に、前記凸部の上方において発光部を有し、かつ表面において完全に埋まらない窪みを有する窒化物半導体多層膜構造を成長させる工程と、  前記凸部の上方において前記発光部に電流を注入させる構造を形成する工程とを備えた窒化物半導体発光素子の製造方法であって、 前記凹部と前記凸部は同一材料からなり、  前記窪みは、前記凹部の上方に前記成長に伴って形成され、かつ、前記凹部の幅よりも狭いことを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】  本発明は、表面に凹部と凸部を有し、該凹部と凸部が同一材料からなる基板と、前記基板上に窒化物半導体多層膜構造とを備え、該窒化物半導体多層膜構造は、前記凸部の上方において発光部を有するとともに、前記凹部の上方において窪みを有し、前記窪みの幅は、前記凹部の幅よりも狭いことを特徴とする窒化物半導体発光素子である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】  本発明は、表面に複数の凹部と凸部を有し、該凹部と凸部が同一材料からなる基板と、前記基板上にエピタキシャル成長させられた窒化物半導体下地層と、該窒化物半導体下地層の表面において窪みと平坦化された部分とを有するエピウエハであって、前記窪みは前記凹部の上方に形成され、かつ、前記窪みの幅は前記凹部の幅よりも狭く、前記平坦化された部分の幅は前記凸部の幅よりも広いことを特徴とするエピウエハである。 本発明は、表面に複数の凹部と凸部を有し、該凹部と凸部が同一材料からなる基板と、前記基板上にエピタキシャル成長させられた窒化物半導体多層膜構造と、該窒化物半導体多層膜構造の表面において窪みと平坦化された部分とを有するエピウエハであって、前記窒化物半導体多層膜構造が窒化物半導体下地層と発光層とを有し、前記窪みは前記凹部の上方に形成され、かつ、前記窪みの幅は、前記凹部の幅よりも狭く、前記平坦化された部分の幅は前記凸部の幅よりも広いことを特徴とするエピウエハである。 本発明によるエピウエハは、前記窒化物半導体多層膜構造が、前記凸部の上方において発光部を有することが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】  本発明による窒化物半導体発光素子は、前記エピウエハにおいて、前記凸部の上方に前記発光部に電流を注入させる構造を有し、前記エピウエハが個々のチップに分割されることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】  本発明による窒化物半導体発光素子は、前記発光部は、前記凸部の中央から幅方向に右または左側へ１μｍ以上離れた領域に形成されることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】  本発明による窒化物半導体発光素子は、前記基板が単一材料からなることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】  本発明による窒化物半導体発光素子は、前記凹部を複数備えるとともに、相対的に幅の広い前記凹部を有する窒化物半導体発光素子であって、前記相対的に幅の広い前記凹部の上方のみに窪みを有することが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】  本発明による窒化物半導体発光素子は、前記凹部を複数備えるとともに、相対的に深さの深い前記凹部を有する窒化物半導体発光素子であって、前記相対的に深さの深い前記凹部の上方のみに窪みを有することが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】  本発明は、基板の表面に凹部と凸部を形成する工程と、前記基板上に、前記凸部の上方において発光部を有し、かつ表面において完全に埋まらない窪みを有する窒化物半導体多層膜構造を成長させる工程とを備えた窒化物半導体発光素子の製造方法であって、前記凹部と前記凸部は同一材料からなり、前記窪みは、前記凹部の上方に前記成長に伴って形成され、かつ、前記凹部の幅よりも狭いことを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】  本発明は、基板の表面に凹部と凸部を形成する工程と、前記基板上に、前記凸部の上方において発光部を有し、かつ表面において完全に埋まらない窪みを有する窒化物半導体多層膜構造を成長させる工程と、前記凸部の上方において前記発光部に電流を注入させる構造を形成する工程とを備えた窒化物半導体発光素子の製造方法であって、前記凹部と前記凸部は同一材料からなり、前記窪みは、前記凹部の上方に前記成長に伴って形成され、かつ、前記凹部の幅よりも狭いことを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法である。