【手続補正書】
【提出日】平成19年5月17日(2007.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の集積回路チップ上にあり、２つの出力端子と１つの制御端子を有する第１のパワー・トランジスタと、
前記第１の集積回路チップ上にあり、第１のドライバ回路入力と第１のドライバ回路出力を有する第１のドライバ回路と、
第２の集積回路チップ上にあり、２つの出力端子と１つの制御端子を有する第２のパワー・トランジスタと、
第２の集積回路チップ上にあり、第２のドライバ回路入力と第２のドライバ回路出力を有する第２のドライバ回路とから構成され、前記第１のパワー・トランジスタの２つの出力端子はそれぞれ前記第２のパワー・トランジスタの２つの出力端子に接続し、第１および第２の前記ドライバ回路入力端は単一の制御信号を受けるように接続し、前記第１のドライバ回路の出力端は前記第１のパワー・トランジスタの制御端子に接続して単一の制御信号で前記第１のパワー・トランジスタを切換え、前記第２のドライバ回路は前記第２のパワー・トランジスタに接続して単一の制御信号で前記第２のパワー・トランジスタを切換えることを特徴とする集積回路装置。
【請求項２】
前記第１、第２のドライバ回路が、すべて単一の電源によって給電されるように結合されている請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１、第２のパワー・トランジスタが電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含む請求項１に記載の装置。
【請求項４】
第１、第２のパワー・トランジスタが金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を含む請求項３に記載の装置。
【請求項５】
第１、第２のパワー・トランジスタがバイポーラ・トランジスタを含む請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記単一の制御信号が前記第１の集積回路チップ上に含まれた制御回路の出力である請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記制御回路が、前記第１のパワー・トランジスタを通る電流を検知するために前記第１のパワー・トランジスタと結合された電流検知回路を備えており、前記制御回路は前記第１のパワー・トランジスタを通る電流と前記第２のパワー・トランジスタを通る電流を単一の制御信号を用いて制御するように結合されている請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記制御回路が、前記第１のパワー・トランジスタの温度を検知するために前記第１のパワー・トランジスタと結合された温度検知回路を備えており、前記制御回路は前記第１と前記第２のパワー・トランジスタ内での電力放散を単一の制御信号を用いて制御するように結合されている請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記制御回路が切り替えモード調節器回路を含む請求項６に記載の装置。
【請求項１０】
前記制御回路が力率コントローラ回路を含む請求項６に記載の装置。
【請求項１１】
前記制御回路が増幅器回路を含む請求項６に記載の装置。
【請求項１２】
切り替えモード電源の内部に含まれている請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
交流（ＡＣ）から直流（ＤＣ）への電源の内部に含まれている請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
直流（ＤＣ）からＤＣへの電源の内部に含まれている請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
力率補正回路の内部に含まれている請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
電力増幅器回路の内部に含まれている請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
２つのマスタ・スイッチ端子と１つのマスタ制御端子を有するマスタ半導体スイッチと、前記マスタ半導体スイッチの前記マスタ制御端子を駆動するように結合されたマスタ・ドライバ出力とマスタ・ドライバ入力を有するマスタ・ドライバ回路と、さらにマスタ制御信号を出力するように結合されたマスタ制御回路とを含むマスタ集積回路チップと；
スレーブ・ドライバ出力とスレーブ・ドライバ入力を有するスレーブ・ドライバ回路とを含む少くとも１つのスレーブ集積回路チップと；から構成され：前記マスタ集積回路チップの２つのマスタ・スイッチ端子と前記少くとも１つのスレーブ集積回路チップの２つのスレーブ・スイッチ端子に接続しており、前記マスタ集積回路チップのマスター・ドライバ入力端と前記少くとも１つのスレーブ集積回路チップのスレーブ・ドライバ入力端はマスタ制御信号を受けるように接続しており、前記マスター・ドライバ出力は前記マスタ半導体スイッチのマスタ制御端子を励振して前記マスタ制御信号で前記マスタ半導体スイッチを切換え、前記スレーブ・ドライバ出力は前記スレーブ半導体スイッチのスレーブ制御端子を励振して前記マスタ制御信号で前記マスタ制御信号で前記スレーブ半導体スイッチを切換えることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１８】
前記マスタ・ドライバ回路と前記スレーブ・ドライバ回路が、すべて単一の電源によって給電されるように結合されている請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記マスタ半導体スイッチと前記スレーブ半導体スイッチが電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含む請求項１７に記載の装置。
【請求項２０】
前記マスタ半導体スイッチと前記スレーブ半導体スイッチが金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を含む請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記マスタ制御回路が、前記マスタ半導体スイッチを通る電流を検知するように前記マスタ半導体スイッチと結合された電流検知回路を備えている請求項１７に記載の装置。
【請求項２２】
前記マスタ半導体スイッチを通る電流が電流制限しきい値を超えたとき、前記マスタ制御信号を用いて前記マスタ半導体スイッチとスレーブ半導体スイッチをオフにさせるように、前記電流検知回路が前記マスタ制御回路に結合されている請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
前記電流回路が前記２つのマスタ・スイッチ端子に結合されている請求項２１に記載の装置。
【請求項２４】
前記電流検知回路が前記マスタ半導体スイッチのオン抵抗の両端の電圧降下を検出するように結合されている請求項２１に記載の装置。
【請求項２５】
前記マスタ制御回路が、前記マスタ半導体スイッチの温度を検知するように前記マスタ半導体スイッチと熱的に結合された温度検知回路であって、前記マスタ制御回路に、前記マスタ制御信号を用いて前記マスタ半導体スイッチと前記スレーブ半導体スイッチの電力放散を制御させるように結合した温度検知回路を備えている請求項１７に記載の装置。
【請求項２６】
前記マスタ制御回路が切り替えモード調節器回路を含む請求項１７に記載の装置。
【請求項２７】
前記マスタ制御回路が力率コントローラ回路を含む請求項１７に記載の装置。
【請求項２８】
前記マスタ制御回路がデジタル増幅器回路を含む請求項１７に記載の装置。
【請求項２９】
切り替えモード電源の内部に含まれている請求項１７に記載の装置。
【請求項３０】
交流（ＡＣ）対直流（ＤＣ）電源の内部に含まれている請求項１７に記載の装置。
【請求項３１】
直流（ＤＣ）対ＤＣ電源の内部に含まれている請求項１７に記載の装置。
【請求項３２】
力率補正回路の内部に含まれている請求項１７に記載の装置。
【請求項３３】
デジタル・電力増幅器回路の内部に含まれている請求項１７に記載の装置。
【請求項３４】
第１のパワー・トランジスタと第２のパワー・トランジスタを切換える制御信号を発生するステップと、
第１の集積回路チップ内の第１のドライバ回路と共に前記制御信号を受信して上記制御信号から第１のドライブ信号を発生させるステップと、
前記第１の集積回路チップ内の前記第１のパワー・トランジスタを前記第１のドライブ信号で駆動して前記第１のパワー・トランジスタを前記制御信号で切換えるステップと、
第２の集積回路チップ内の第２のドライバ回路で前記制御信号を受信して、この制御信号から第２のドライブ信号を発生させるステップと、
前記第２の集積回路チップ内の前記第２のパワー・トランジスタを前記第２ドライブ信号で駆動し、前記第２のパワー・トランジスタを前記制御信号で切換えるステップと、
から構成されることを特徴とする集積回路装置の駆動方法。
【請求項３５】
前記第１、第２のパワー・トランジスタの対応する出力端子を互いに結合されている請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記第１、第２のパワー・トランジスタを単一の電源に結合されている請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
回路の力率を補正するステップをさらに含む請求項３４に記載の方法。
【請求項３８】
第１のパワー・トランジスタと第２のパワー・トランジスタとを切換える制御信号を発生するステップは、第１の集積回路チップ内の制御回路で前記制御信号を発生するステップを更に有する請求項３４に記載の方法。
【請求項３９】
前記第１のパワー・トランジスタを通る電流を検知するステップをさらに含み、前記制御信号が前記第１のパワー・トランジスタを通る電流に応答する請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記第１のパワー・トランジスタの温度を検知するステップをさらに含み、前記制御信号が前記第１のパワー・トランジスタの温度に応答する請求項３８に記載の方法。
【請求項４１】
マスタ・パワー・トランジスタと少くとも１つのスレーブ・パワー・トランジスタとを切換える制御信号を発生させるステップと、
マスタ集積回路チップ内のマスタ・ドライバ・トランジスタで前記制御信号を受信するステップと、
前記マスタ集積回路チップ内の前記マスタ・パワー・トランジスタを前記マスタ・ドライブ信号で駆動し、前記マスタ・パワー・トランジスタを前記制御信号で切換えるステップと、
少くとも１つのスレーブ集積回路チップ内の少くとも１つのスレーブ・ドライバ回路を駆動して、前記制御信号から少くとも１つのスレーブ・ドライブ信号を発生させるステップと、
前記少くとも１つのスレーブ集積回路チップ内の少くとも１つのスレーブ・パワー・トランジスタを少くとも１つのスレーブ・ドライブ信号で駆動して少くとも１つのスレーブ・パワー・トランジスタを前記制御信号で切換えるステップと、
から構成される集積回路装置の駆動方法。
【請求項４２】
前記マスタ・パワー・トランジスタおよび前記少くとも１つのスレーブ・パワー・トランジスタの対応する出力端子が互いに結合されている請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
マスタ・パワー・トランジスタと少くとも１つのスレーブ・パワー・トランジスタを切換える制御信号を発生するステップは、更にマスタ集積回路チップ内の制御回路で制御信号を発生させるステップを有する請求項４１に記載の方法。
【請求項４４】
前記マスタ・パワー・トランジスタを通る電流を検知するステップをさらに含み、前記制御信号は前記マスタ・パワー・トランジスタを通る電流に応答する請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
前記マスタ・パワー・トランジスタの温度を検知するステップをさらに含み、前記制御信号が前記マスタ・パワー・トランジスタの温度に応答する請求項４３に記載の方法。