【手続補正書】
【提出日】平成19年2月19日(2007.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層上に、オーミック接触する第１電極と、その上に接し、前記第１電極と異なる形状からなる第２電極とを有する窒化物半導体素子であって、
前記第１電極と前記第２電極は、第１電極表面を形成する第１電極の上層と、熱処理された第１電極に堆積された第２電極の下層とからなる接合層領域を有し、
前記接合層領域が白金族元素からなることを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】
半導体層上に、オーミック接触する第１電極と、その上に接し、前記第１電極と異なる形状からなる第２電極とを有する窒化物半導体素子であって、
前記第１電極と前記第２電極は、第１電極表面を形成する第１電極の上層と、熱処理された第１電極に堆積された第２電極の下層とからなる接合層領域を有し、
前記第１電極の上層と前記第２電極の下層は同一元素もしくは同一材料からなることを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項３】
前記第１電極は、熱処理合金化材料からなる下層を有する請求項１又は請求項２記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】
前記第１電極の上層は、単一の白金族元素からなる白金族単一層、又は、白金族元素における同族元素で構成された合金化層からなる請求項１乃至請求項３記載の窒化物半導体素子。
【請求項５】
前記第２電極の下層は、単一の白金族元素からなる白金族単一層、又は、白金族元素の合金層からなる請求項１乃至請求項４記載の窒化物半導体素子。
【請求項６】
前記第１電極の上層は、Ｐｔからなる請求項１乃至請求項５記載の窒化物半導体素子。
【請求項７】
前記第２電極の下層は、Ｐｔからなる請求項１乃至請求項６記載の窒化物半導体素子。
【請求項８】
前記第１電極が設けられた半導体層表面は、電極形成領域と絶縁膜形成領域とを有し、前記第２電極は、前記電極形成領域から絶縁膜形成領域とを被覆する請求項１乃至請求項７記載の窒化物半導体素子。
【請求項９】
前記絶縁膜形成領域は、ストライプ状の前記電極形成領域を挟む複数の領域、又は、電極形成領域に分離された複数の領域である請求項８記載の窒化物半導体素子。
【請求項１０】
前記窒化物半導体素子は、凸部からなるリッジを備えたレーザ素子であり、前記第１電極は、前記リッジ上面に接して形成されている請求項１乃至請求項９記載の窒化物半導体素子。
【請求項１１】
前記リッジの両側面及びその側面から連続する半導体層の平面上に第１の絶縁膜を有するとともに、第１の絶縁膜上から前記半導体層の側面にかけて連続する第２の絶縁膜を有してなり、前記第１電極は、前記第２の絶縁膜と離間するよう形成されている請求項１０記載の窒化物半導体素子。
【請求項１２】
前記第１の絶縁膜及び／又は第２の絶縁膜は、単層又は多層構造の密着層で被覆されている請求項１０又は請求項１１記載の窒化物半導体素子。
【請求項１３】
前記密着層は、最上層が、白金族元素を含む層からなる請求項１２記載の窒化物半導体素子。
【請求項１４】
前記密着層は、最上層が、第１電極の上層と同一元素又は同一材料からなる請求項１２又は請求項１３記載の窒化物半導体素子。
【請求項１５】
前記密着層の上層は、Ｐｔである請求項１２乃至請求項１４記載の窒化物半導体素子。
【請求項１６】
前記密着層は、前記第１電極の上又は下に接して形成される請求項１２乃至請求項１５記載の窒化物半導体素子。
【請求項１７】
半導体層上に、オーミック接触する第１電極と、その上に接し、前記第１電極と異なる形状からなる第２電極とを有する窒化物半導体素子であって、
前記第１電極が設けられた半導体層表面は、電極形成領域と絶縁膜形成領域とを有し、
前記第２電極は、前記電極形成領域から絶縁膜形成領域とを被覆することを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項１８】
前記絶縁膜形成領域は、ストライプ状の前記電極形成領域を挟む複数の領域、又は、電極形成領域に分離された複数の領域である請求項１７記載の窒化物半導体素子。
【請求項１９】
前記窒化物半導体素子は、凸部からなるリッジを備えたレーザ素子であり、前記第１電極は、前記リッジ上面に接して形成されている請求項１７又は請求項１８記載の窒化物半導体素子。
【請求項２０】
前記リッジの両側面及びその側面から連続する半導体層の平面上に第１の絶縁膜を有するとともに、第１の絶縁膜上から前記半導体層の側面に掛けて連続する第２の絶縁膜を有してなり、前記第１電極は、前記第２の絶縁膜と離間するよう形成されている請求１９記載の窒化物半導体素子。
【請求項２１】
前記第１の絶縁膜及び／又は前記第２の絶縁膜は、単層又は多層構造の密着層で被覆されている請求項２０記載の窒化物半導体素子。
【請求項２２】
前記密着層は、最上層が、白金族元素を含む層からなる請求項２１記載の窒化物半導体素子。
【請求項２３】
前記密着層の最上層は、Ｐｔである請求項２２記載の窒化物半導体素子。
【請求項２４】
半導体層上に、オーミック接触する第１電極と、その上に前記第１電極と異なる形状からなる第２電極とを有する窒化物半導体素子であって、
前記第１電極と前記第２電極は、第１電極表面を形成する第１電極の上層と、第１電極に堆積された第２電極の下層との間に密着層を有し、
前記第１電極の上層と第２電極の下層とが白金族元素からなることを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２５】
半導体層上に、オーミック接触する第１電極と、その上に前記第１電極と異なる形状からなる第２電極とを有する窒化物半導体素子であって、
前記第１電極と前記第２電極は、第１電極表面を形成する第１電極の上層と、第１電極に堆積された第２電極の下層との間に密着層を有し、
前記密着膜は導電性材料を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本発明の請求項１５に記載の窒化物半導体素子は、密着層の上層がＰｔであることを特徴とする。これにより、第２電極との密着性に優れた電極構造とすることができる。
本発明の窒化物半導体素子は、密着層が第１電極の上又は下に接して形成されていることを特徴とする。密着層は、第１の絶縁膜及び／又は第２の絶縁膜を被覆するものであるが、第２電極の形成時に、酸化物等からなる絶縁膜が露出しないようにするのが好ましい。そのため、上層の白金族元素の層を有する密着層を形成することで、第２電極を、より強固に密着させることができる。図３では、第１電極の上に密着層が形成されているが、第１電極よりも先に密着層を形成する場合は第１電極の下に密着層が形成される形態となる。この密着層は、半導体層への電流注入には関与しない層として形成するので、例えばＬＤのリッジ近傍に形成して、光学特性を制御する層として機能させることができる。特に、密着層の下層として、絶縁膜との密着性に優れたＴｉを形成させ、この層をリッジ近傍に形成させることで、光吸収領域として機能させて、光の閉じ込めを制御することも可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本発明の窒化物半導体素子は、半導体層上に、オーミック接触する第１電極と、その上に接し、前記第１電極と異なる形状からなる第２電極とを有する窒化物半導体素子であって、前記第１電極が設けられた半導体層表面は、電極形成領域と絶縁膜形成領域とを有し、前記第２電極は、前記電極形成領域から絶縁膜形成領域とを被覆することを特徴とする。
本発明の窒化物半導体素子は、前記絶縁膜形成領域は、ストライプ状の前記電極形成領域を挟む複数の領域、又は、電極形成領域に分離された複数の領域であることが好ましい。
本発明の窒化物半導体素子は、前記窒化物半導体素子は、凸部からなるリッジを備えたレーザ素子であり、前記第１電極は、前記リッジ上面に接して形成されていることが好ましい。
本発明の窒化物半導体素子は、前記リッジの両側面及びその側面から連続する半導体層の平面上に第１の絶縁膜を有するとともに、第１の絶縁膜上から前記半導体層の側面に掛けて連続する第２の絶縁膜を有してなり、前記第１電極は、前記第２の絶縁膜と離間するよう形成されていることが好ましい。
本発明の窒化物半導体素子は、前記第１の絶縁膜及び／又は前記第２の絶縁膜は、単層又は多層構造の密着層で被覆されていることが好ましい。
本発明の窒化物半導体素子は、前記密着層は、最上層が、白金族元素を含む層からなることが好ましい。
本発明の窒化物半導体素子は、前記密着層の最上層は、Ｐｔである請求項２２記載の窒化物半導体素子。
本発明の窒化物半導体素子は、半導体層上に、オーミック接触する第１電極と、その上に前記第１電極と異なる形状からなる第２電極とを有する窒化物半導体素子であって、前記第１電極と前記第２電極は、第１電極表面を形成する第１電極の上層と、第１電極に堆積された第２電極の下層との間に密着層を有し、前記第１電極の上層と第２電極の下層とが白金族元素からなることを特徴とする。
本発明の窒化物半導体素子は、半導体層上に、オーミック接触する第１電極と、その上に前記第１電極と異なる形状からなる第２電極とを有する窒化物半導体素子であって、前記第１電極と前記第２電極は、第１電極表面を形成する第１電極の上層と、第１電極に堆積された第２電極の下層との間に密着層を有し、前記密着膜は導電性材料を有することを特徴とする。