Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月7日(2007.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】流体滴発生器およびその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板と、
前記基板の第１の表面上に形成された複数の薄膜層とを含む流体滴発生器であって、
前記層のうちの少なくとも１つが複数の流体噴出要素を形成し、前記層のうちの１つが第１の材料を含み、前記層のうちの１つが前記第１の材料層の上の保護層を含み、前記薄膜層が流体供給穴を有し、
前記基板が、前記基板の第２の表面から前記基板を通って、前記薄膜層内の前記流体供給穴への流体路を提供する少なくとも１つの開口部を有し、
前記第１の材料層が、エッチングされて前記流体供給穴から後退し、前記流体供給穴に入ってくるいかなる流体からも前記保護層によって保護されるようになっている流体滴発生器。
【請求項２】  前記第１の材料がリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）である、請求項１に記載の流体滴発生器。
【請求項３】  前記薄膜層が、
その上に前記ＰＳＧ層が形成される、フィールド酸化物（ＦＯＸ）層と、
抵抗層とを含み、
前記保護層が、前記抵抗層および前記ＰＳＧ層の上にある、請求項２に記載の流体滴発生器。
【請求項４】  前記薄膜層が、その上に前記ＰＳＧ層が形成されるフィールド酸化物（ＦＯＸ）層を含み、前記ＦＯＸ層および前記ＰＳＧ層が、２つの基板部同士の間にブリッジを形成する、請求項２に記載の流体滴発生器。
【請求項５】  前記薄膜層は、その上に前記ＰＳＧ層が形成されるフィールド酸化物（ＦＯＸ）層を含み、前記ＦＯＸ層および前記ＰＳＧ層が、各流体噴出要素付近の基板の上にある、請求項２に記載の流体滴発生器。
【請求項６】  前記薄膜層が、その上に前記ＰＳＧ層が形成されるフィールド酸化物（ＦＯＸ）層を含み、前記ＦＯＸ層が、前記基板内の前記少なくとも１つの開口部を形成する際のエッチングストッパ層を含む、請求項２に記載の流体滴発生器。
【請求項７】  基板を設ける段階と、
前記基板の第１の表面上に複数の薄膜層を形成する段階であって、前記層のうちの少なくとも１つが複数の流体噴出要素を形成し、前記層のうちの１つが第１の材料を含む段階と、
前記第１の材料層をエッチングして、次に形成する流体供給穴から後退させる段階と、
前記第１の材料の上に保護層をデポジットして、前記流体供給穴に入ってくるいかなる流体からも前記第１の材料層を保護する段階と、
前記薄膜層を貫いて前記流体供給穴を形成する段階と、
前記基板の第２の表面から前記基板を通って、前記薄膜層内に形成された前記流体供給穴への流体路を提供する少なくとも１つの開口部を、前記基板内に形成する段階とを含む、流体滴発生器の製造方法。
【請求項８】  前記第１の材料がリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】  複数の薄膜層を形成する前記段階が、前記ＰＳＧ層の上に抵抗層を形成する段階を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】  前記基板内に少なくとも１つの開口部を形成する前記段階が、前記ＰＳＧ層が２つの基板部同士の間にブリッジを形成するように前記流体供給穴付近の前記基板をエッチングする段階を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】  前記基板内に少なくとも１つの開口部を形成する前記段階が、前記流体供給穴付近に前記ＰＳＧ層の下にある前記基板をもたらす、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】  複数の薄膜層を形成する前記段階が、その上に前記ＰＳＧ層が形成されるフィールド酸化物（ＦＯＸ）層を形成する段階を含む、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月6日(2007.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】    支持構造部材と、
オンデマンド方式でインクを吐出する、プリントヘッド内に配置され、少なくとも１つの金属珪窒化物の組成物から構成される、少なくとも一つの抵抗体素子と、
を含むことを特徴とするインク送出プリントヘッド。
【請求項２】 金属珪窒化物の組成物が、一般式ＭXＳｉYＮZ（ただしＭは少なくとも１つの金属元素、Ｘは１２〜３８の整数、Ｙは２７〜４５の整数、およびＺは２０〜６０の整数）で表されることを特徴とする請求項１に記載のインク送出プリントヘッド。
【請求項３】 前記一般式中のＭが、タンタル、タングステン、クロム、モリブデン、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、およびそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１つの金属元素であることを特徴とする請求項２に記載のインク送出プリントヘッド。
【請求項４】 支持構造部材と、この部材を貫通する少なくとも一つの開口部を含む少なくとも１つの材料層と、前記支持構造部材と前記材料層との間に配置されてオンデマンド方式でインクを吐出する、少なくとも１つの金属珪窒化物の組成物から構成される少なくとも１つの抵抗体素子とを備えるプリントヘッドと、
このプリントヘッドと動作可能に接続され、かつ液通しているインク貯留容器と、
を備え、印字画像の生成に用いることを特徴とするインク送出システム。
【請求項５】 前記プリントヘッド内に設ける前記抵抗体素子に用いる前記金属珪窒化物が、一般式ＭXＳｉYＮZ（ただしＭは少なくとも１つの金属元素、Ｘは１２〜３８の整数、Ｙは２７〜４５の整数、およびＺは２０〜６０の整数）で表されることを特徴とする請求項４に記載のインク送出システム。
【請求項６】 オンデマンド方式でインクを吐出する、少なくとも１つの抵抗体素子を備えており、かつこの抵抗体素子が少なくとも１つの金属珪窒化物の組成物から構成されているプリントヘッドと、
前記抵抗体素子と液通状態にある少なくとも１つのインク組成物の貯留物と、
を備え、印字画像の生成に用いることを特徴とするインク送出システム。
【請求項７】 支持構造部材を設ける段階と、
少なくとも１つの金属珪窒化物から構成される少なくとも１つの抵抗体素子を、前記支持構造部材上に形成する段階と、
前記部材を貫通する少なくとも一つの開口部を含む少なくとも１つの材料層を設ける段階と、
前記プリントヘッドを作成するために、前記開口部を含む前記材料層を、前記支持構造および前記抵抗体素子の上方の所定位置に固定する段階と、
を含むことを特徴とするインク送出システムに用いるプリントヘッドの製造方法。
【請求項８】 支持構造部材を設ける段階と、
少なくとも１つの金属珪窒化物からなる少なくとも１つの抵抗体素子を、前記支持構造部材上に形成する段階と、
抵抗の変動を制御するために、前記抵抗体素子を安定化する段階と、
を含むことを特徴とするインク送出システムに用いるインク送出プリントヘッドの製造方法。
【請求項９】 前記抵抗体素子を８００〜１０００℃に加熱して前記抵抗体素子を安定化することを特徴とする請求項８に記載のインク送出プリントヘッドの製造方法。
【請求項１０】 前記抵抗体素子の安定化が、パルス幅が０．６〜１００μｓｅｃ、パルス周波数が５〜１００ｋＨｚ、パルス電圧が１０〜１６０ボルト、及びパルス電流が０．０３〜０．２アンペアである１×１０2〜１×１０7パルスの電気エネルギーを前記抵抗体素子に印加することを特徴とする請求項８に記載のインク送出プリントヘッドの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月18日(2007.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  所定方向に配列され各々からインク滴を吐出するノズルを複数有する記録ヘッドを、前記ノズルの配列方向と略直交する方向に記録媒体上を走査させて記録を行うインクジェット記録装置であって、
前記ノズルを複数のブロックのタイミングで時分割駆動する駆動手段を備え、
各記録領域を異なったノズルで複数回走査して記録を行うマルチパス記録を行うときに、
前記駆動手段は、同じラスタの記録に使用されるノズルを、少なくとも２つ以上の異なったブロックのタイミングで駆動することを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項２】  前記駆動手段は、同じラスタの記録に使用される各ノズルを、異なったブロックのタイミングで駆動することを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項３】  前記ブロックの駆動順に番号を付けたとき、前記同じラスタの記録に使用されるノズルを駆動する前記ブロックの前記番号が、前半に属する番号と後半に属する番号との対で構成されることを特徴とする請求項１または２に記載のインクジェット記録装置。
【請求項４】  前記ブロックの駆動順に番号を付けたとき、前記同じラスタの記録に使用されるノズルを駆動する前記ブロックの前記番号の合計が、各ラスタで等しくなることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項５】  前記マルチパス記録の走査回数が偶数であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項６】  前記ブロックの数が、前記ノズルの数を前記マルチパス記録の走査回数で割った数であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項７】  前記同じラスタの記録に使用されるノズルを駆動する前記ブロックの前記番号が、隣接する２つのラスタで相補的であることを特徴とする請求項３または４に記載のインクジェット記録装置。
【請求項８】  前記記録ヘッドは、熱エネルギーを利用してインクを吐出する記録ヘッドであって、各ノズル毎にインクに与える熱エネルギーを発生するための電気熱変換体を備えていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項９】  所定方向に配列され各々からインク滴を吐出するノズルを複数有する記録ヘッドを、前記ノズルの配列方向と略直交する方向に記録媒体上を走査させて記録を行うインクジェット記録装置の記録ヘッド駆動方法であって、
前記ノズルを複数のブロックのタイミングで時分割駆動する駆動工程を備え、
各記録領域を異なったノズルで複数回走査して記録を行うマルチパス記録を行うときに、
前記駆動工程は、同じラスタの記録に使用されるノズルを、少なくとも２つ以上の異なったブロックのタイミングで駆動することを特徴とするインクジェット記録装置の記録ヘッド駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月5日(2007.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ハウジング内を定圧室と変圧室とに画成するパワーピストンと、該パワーピストンに支持されたバルブボディ内に設けられブレーキペダルに連動する入力ロッドに連結されたプランジャの移動により前記変圧室への作動流体の供給を制御する弁機構と、前記入力ロッドの作動とは別に前記弁機構を作動する可動子を有する電磁付勢手段と、を備え、前記弁機構の作動に基づく前記変圧室と前記定圧室との間に発生した差圧によって前記パワーピストンに生じた推力を出力する制御ブースタであって、前記入力ロッドの前記バルブボディに対する相対移動を検出するスイッチと、該スイッチを作動させるスイッチ操作ロッドと、該スイッチ操作ロッドを前記スイッチの接点稼働子押し込み方向側に付勢するスイッチ用バネと、を備え、前記入力ロッドがブースタ出力が増加する方向へ作動された際には前記スイッチ操作ロッドは前記スイッチに対して相対的に移動して前記スイッチが反転することを特徴とする制御ブースタ。
【請求項２】  前記スイッチ用バネによる前記スイッチの接点稼働子に対するスイッチ操作ロッドの押圧を抑えるようにスイッチ操作ロッド移動規制機構を有したことを特徴とする請求項１記載の制御ブースタ。
【請求項３】  前記スイッチ操作ロッドは前記バルブボディを貫通して設けられ、前記スイッチ操作ロッド移動規制機構は、前記スイッチ操作ロッドに形成され前記バルブボディの貫通孔に比して大径の大径部であることを特徴とする請求項２記載の制御ブースタ。
【請求項４】  ハウジング内を定圧室と変圧室とに画成するパワーピストンと、該パワーピストンに支持されたバルブボディ内に設けられブレーキペダルに連動する入力ロッドに連結されたプランジャの移動により前記変圧室への作動流体の供給を制御する弁機構と、前記入力ロッドの作動とは別に前記弁機構を作動する可動子を有する電磁付勢手段と、を備え、前記弁機構の作動に基づく前記変圧室と前記定圧室との間に発生した差圧によって前記パワーピストンに生じた推力を出力する制御ブースタであって、前記入力ロッドの前記バルブボディに対する相対移動を検出するスイッチと、該スイッチを作動させるスイッチ操作ロッドと、該スイッチ操作ロッドを前記スイッチの接点稼働子押し込み方向側に付勢するスイッチ用バネと、を備え、前記スイッチ操作ロッドは、自動ブレーキモードにおけるブレーキペダル非操作状態で、前記プランジャに揺動可能に支持された揺動レバーを介して前記バルブボディに押されて前記スイッチから離間した状態にされ、該自動ブレーキモードにおけるブレーキペダル非操作状態で前記入力ロッドがブースタ出力が増加する方向へ作動された際には前記揺動レバーを介した前記バルブボディからの押圧が解除されて前記スイッチに当接することを特徴とする制御ブースタ。
【請求項５】  前記揺動レバーは前記プランジャに一体化されたストップキーに揺動可能に支持されることを特徴とする請求項４に記載の制御ブースタ。
【請求項６】  前記スイッチは定圧室に設けたことを特徴とする請求項１ないし請求項５のうちいずれかに記載の制御ブースタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、ハウジング内を定圧室と変圧室とに画成するパワーピストンと、該パワーピストンに支持されたバルブボディ内に設けられブレーキペダルに連動する入力ロッドに連結されたプランジャの移動により前記変圧室への作動流体の供給を制御する弁機構と、前記入力ロッドの作動とは別に前記弁機構を作動する可動子を有する電磁付勢手段と、を備え、前記弁機構の作動に基づく前記変圧室と前記定圧室との間に発生した差圧によって前記パワーピストンに生じた推力を出力する制御ブースタであって、前記入力ロッドの前記バルブボディに対する相対移動を検出するスイッチと、該スイッチを作動させるスイッチ操作ロッドと、該スイッチ操作ロッドを前記スイッチの接点稼働子押し込み方向側に付勢するスイッチ用バネと、を備え、前記入力ロッドがブースタ出力が増加する方向へ作動された際には前記スイッチ操作ロッドは前記スイッチに対して相対的に移動して前記スイッチが反転することを特徴とする。請求項２記載の発明は、請求項１記載の構成において、前記スイッチ用バネによる前記スイッチの接点稼働子に対するスイッチ操作ロッドの押圧を抑えるようにスイッチ操作ロッド移動規制機構を有したことを特徴とする。請求項３記載の発明は、請求項２記載の構成において、前記スイッチ操作ロッドは前記バルブボディを貫通して設けられ、前記スイッチ操作ロッド移動規制機構は、前記スイッチ操作ロッドに形成され前記バルブボディの貫通孔に比して大径の大径部であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
【発明の効果】
請求項１記載の発明によれば、入力ロッドが作動された際には前記スイッチ操作ロッドは前記スイッチに対して相対的に移動して前記スイッチが反転するので、自動ブレーキ作動中のブレーキペダル（ひいては入力ロッド）操作時にスイッチに入力ロッド操作に伴う荷重がかかるようなことがなく、従来技術で惹起する虞があったスイッチの破損を招くことがない。請求項２記載の発明によれば、スイッチ操作ロッド移動規制機構がスイッチの接点稼働子に対するスイッチ操作ロッドの押圧を抑えるので、スイッチにかかる負荷が低減されスイッチの破損が防止される。請求項３記載の発明によれば、スイッチ操作ロッド移動規制機構として大径部が簡易に構成できることから、スイッチにかかる負荷の低減及びその破損の防止を装置全体の複雑化を招くことなく果たすことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月26日(2007.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記のような構造の車両用空力ブレーキは、車両が減速してブレーキを作動させる時に平板ブレーキ４２を車両上面に垂直に立てて空気抵抗を増加させ、ブレーキとして作用する。この空力ブレーキ作動時には、図７に示すように、平板ブレーキ４２に空気流５０が作用すると、その平板ブレーキ４２の左右両側から背後にカルマン渦５１ａ，５１ｂの渦列が発生し、このカルマン渦５１ａ，５１ｂにより平板４２に左右の振動５２を発生させ、この振動が車両を振動させる現象が生ずる。従って、現状の高速車両の空力ブレーキにおいては、空力ブレーキ作動時の車両振動を低減させる対策が必要とされていた。
【特許文献１】実開平６−７９６７５号公報（図２）
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月4日(2007.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機性汚泥が供給され、この有機性汚泥に対して下方部からオゾンガスを導入してオゾン処理を行うオゾン反応槽と、
前記オゾン反応槽内の前記有機性汚泥が発泡して形成されたオゾン含有汚泥を流出させる流出手段と、
前記流出手段からの発泡したオゾン含有汚泥が流入され、発泡したオゾン含有汚泥を貯留する汚泥受容槽と、を備えたことを特徴とする有機性汚泥のオゾン処理装置。
【請求項２】
流出手段は、前記オゾン反応槽の上部に設けられた越流手段からなることを特徴とする請求項１記載の有機性汚泥のオゾン処理装置。
【請求項３】
有機性汚泥が供給され、この有機性汚泥に対して下方部からオゾンガスを導入し、オゾン含有汚泥としてオゾン処理するオゾン反応槽と、
オゾン反応槽から流出するオゾン含有汚泥を貯留する汚泥受容槽とを備え、
オゾン反応槽は、下方に位置するとともに有機性汚泥に対してオゾンガスが気液接触する液相領域と、液相領域の上方に形成され有機性汚泥が発泡してなるオゾン含有汚泥が滞留する泡沫領域と、泡沫領域の上方に形成され発泡したオゾン含有汚泥が汚泥受容槽側へ越流する越流領域とを有していることを特徴とする有機性汚泥のオゾン処理装置。
【請求項４】
汚泥受容槽は、返送ポンプを有する返送管によりオゾン反応槽に接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の有機性汚泥のオゾン処理装置。
【請求項５】
汚泥受容槽内に前記有機性汚泥が発泡して形成されたオゾン含有汚泥を消泡する消泡手段を設けたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の有機性汚泥のオゾン処理装置。
【請求項６】
汚泥受容槽にｐＨ調整剤投入部が連結されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか記載の有機性汚泥のオゾン処理装置。
【請求項７】
汚泥受容槽に減圧機構が設けられていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか記載の有機性汚泥のオゾン処理装置。
【請求項８】
汚泥受容槽に加温機構が設けられていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか記載の有機性汚泥のオゾン処理装置。
【請求項９】
汚泥受容槽に冷却機構が設けられていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか記載の有機性汚泥のオゾン処理装置。
【請求項１０】
汚泥受容槽内に撹拌装置が設けられていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか記載の有機性汚泥のオゾン処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月9日(2007.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  硫化された水素化処理触媒を製造する方法において、
（ａ）少なくとも５０重量％のアルミナを含む触媒担体を少なくとも一つの水素化金属成分と組成する工程、
（ｂ）工程（ａ）の生成物を、少なくとも一つの共有結合された窒素原子及び少なくとも一つのカルボニル部分を含む有機化合物と一緒にする工程、ここで該有機化合物と水素化金属合計含有量との間のモル比が、少なくとも０．０１：１であること、そして
（ｃ）工程（ｂ）の生成物を硫化すること
を含む方法。
【請求項２】  有機化合物が、少なくとも二つの窒素原子及び少なくとも二つのカルボニル部分を含むところの請求項１記載の方法。
【請求項３】  少なくとも一つのカルボニル部分が、カルボキシル基に存在するところの請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】  少なくとも一つの窒素原子が、少なくとも二つの炭素原子に共有結合されているところの請求項１〜３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項５】  有機化合物が、式（Ｉ）
2000325797.tif 000001
（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１’及びＲ２’は独立して、カルボニル、カルボキシル、エステル、エーテル、アミノ、又はアミドから選ばれる一つ又はそれ以上の基により置換されていてもよいところの最大１０個の炭素原子を持つアルキル、アルケニル、及びアリルから選ばれ、かつＲ３は、‐Ｏ‐又は‐ＮＲ４‐により分断されていてよいところの最大１０個の炭素原子を持つアルキレン基であり、Ｒ４は、Ｒ１について上に示されたと同じ基から選ばれ、ここで、Ｒ３アルキレン基は、カルボニル、カルボキシル、エステル、エーテル、アミノ、又はアミドから選ばれる一つ又はそれ以上の基により置換されていてよく、但し、式(Ｉ)の有機化合物は、少なくとも一つのカルボニル部分を含む）
の化合物であるところの請求項１〜４のいずれか一つに記載の方法。
【請求項６】  Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１’及びＲ２’の少なくとも二つが、式‐Ｒ５‐ＣＯＯＸ
（ここで、Ｒ５は、１〜４個の炭素原子を持つアルキレン基であり、かつＸは、水素又は他のカチオンであり、ここで、Ｘが多価のカチオンであるなら、一つのＸは、二つ又はそれ以上の‐Ｒ５‐ＣＯＯ基に結合されることができる）
を有するところの請求項５記載の方法。
【請求項７】  硫化が別の場で実行されるところの請求項１〜６のいずれか一つに記載の方法。
【請求項８】  硫化が、任意的にスパイク炭化水素フィードを伴ってその場で実行されるところの請求項１〜６のいずれか一つに記載の方法。
【請求項９】  少なくとも０．０１：１の有機化合物対水素化金属合計含有量のモル比を維持するべく十分に低い温度で、水素化金属成分及び有機化合物を含む該担体が乾燥される請求項１〜８のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１０】  アルミナが転移アルミナを含むところの請求項１〜９のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１１】  炭化水素フィードが、請求項１〜１０のいずれか一つに記載の方法により得られ得る触媒と水素化処理条件下において接触されるところの炭化水素フィードを水素化処理する方法。
【請求項１２】  炭化水素フィードが、Ｓとして計算された少なくとも０．２重量％の硫黄を含むところの請求項１１記載の方法。
【請求項１３】有機化合物と水素化金属合計含有量との間のモル比が、０．０１：１〜０．５５：１の間である請求項1〜10のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１４】工程(a)の生成物が、工程(b)の前に焼成される請求項1〜10および13のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１５】焼成が、400〜850℃の温度で行われる請求項14記載の方法。
【請求項１６】水素化金属成分が、第VIB族の水素化金属成分およびニッケルの少なくとも一つである請求項1〜10および13〜15のいずれか一つに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月11日(2007.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】Ｎ2Ｏ含有ガスを単一あるいは複数の換熱式熱交換器あるいは蓄熱式熱交換器内に通し、熱交換器内の熱伝達物質層を通過させる間に反応ガスを８００℃から１２００℃の範囲の温度に加熱して含有Ｎ2Ｏを熱分解する段階、及び、浄化後のガスで熱伝達物質層及び反応ガスを加熱するようにして熱交換によって浄化後のガスを冷却する段階、を含む８００℃から１２００℃の温度下でＮ2Ｏ含有ガス中のＮ2Ｏを熱分解する方法。
【請求項２】反応開始後は他の外部からのエネルギー供給を必要としないように再生的に熱交換器を操作することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】単一または複数の熱交換器に導入するガスの温度が１０℃〜３００℃であることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】熱交換物質層の高温域に蒸気発生器を設置して蒸気を発生させることにより過剰の反応熱を除去することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】単一または複数の蓄熱式熱交換器を気流の方向を反転させる方式で操作することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】回転式の蓄熱式熱交換器を用いることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】高温域あるいは高温域の下流から浄化後のガス流の一部を除去することにより熱を除去することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】除去した高温ガスをエネルギー回収のために外部の熱交換器中に通すことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月14日(2007.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
次に本発明に関して実施例の図面により詳細に説明する。
図１〜図４は本発明になる曲げ加工品の加工される状況を示す実施例を示す図であつて、坪量１５０ｇ／ｍ２のクラフト紙にフェノール樹脂が８０ｗｔ％含浸されたコアー紙６枚と坪量１２０ｇ／ｍ２の酸化チタン紙にメラミン樹脂が６０ｗｔ％含浸された表面層用シートが表裏に積層されて熱圧成形され表面層（２）とコアー層（１）とが一体とされた
厚物化粧板（３）の適所において表面層（２）を残して凹部（１ａ）が切削加工される。
また、該コア−層（１）には表面層（２）と平行に切削溝（１ｂ）が設けられる。
次いで該表面層（２）の上部よりヒーター（４）により該表面層（２）を加熱したのち、先端が円弧状となっている治具（５）を該凹部（１ａ）内に押し進めて該治具（５）に密着するまで該表面層（２）を曲げ加工し、該治具（５）を抜き取り、該厚物化粧板（３）が曲げられたのち、該切削溝（１ｂ）に突起（７ａ）が差し込まれた状態で端部（１ｃ）間に接続具（７）がはめ込まれ、該接続具（７）と表面層（２）により形成された空間に硬化性樹脂液（６）を注入し、硬化させて厚物化粧板（３）がＬ状に外曲げ加工された状態に仕上げられる。
このように仕上げられた曲げ加工品は接続具と硬化樹脂により強固に接合一体化されるため、従来使用されていた裏打ち材などは不要となり、デザイン的に優れたものとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月28日(2007.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
始動条件の成立に基づき複数種類の図柄を可変表示部にて可変表示すると共に、該可変表示部に表示された表示態様が特定変動態様となる場合、最初に実行される基本型の特定変動態様と、該基本型の特定変動態様を所定条件の成立に基づいて途中変更する発展型の特定変動態様と、を表示可能な可変表示装置を備えた遊技機において、
前記基本型の特定変動態様は、特定変動演出が複数種類設けられ、
前記基本型の特定変動態様が実行される場合には、前記複数種類の特定変動演出の中から選択された１つの特定変動演出が行われ、
前記発展型の特定変動態様を複数段階的に設けると共に、
各段階における前記発展型の特定変動態様の特定変動演出の種類が、それぞれ前記基本型の特定変動態様の特定変動演出の種類よりも少なく、かつ、段階が上がる毎に減少するように設定されたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記発展型の特定変動態様として、少なくとも前記基本型の特定変動態様の特定変動演出の種類よりも少ない種類の特定変動演出が設けられた第１段階の発展型の特定変動態様と、当該第１段階の発展型の特定変動態様の特定変動演出の種類よりも少ない種類の特定変動演出が設けられた第２段階の発展型の特定変動態様とを複数段階的に設けたことを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月30日(2007.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
逆浸透膜を用いた脱塩装置は、海水淡水化やかん水の淡水化に限らず、下排水の脱塩再利用や食塩工業などにおける有価物の濃縮等、さまざまな分野で使用されており、さらには、半導体デバイス製造工程で使用される洗浄用超純水の製造装置から排出される脱塩排水の脱塩処理に用いられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
実施例２
下記装置仕様及び運転条件において、ｐＨ調整手段８ｂとスケール防止剤添加手段９ｂを省略した以外は、図２と同様の構成の逆浸透膜モジュール集合体を使用した。結果を図５及び図６に示す。図５は運転日数に対する透過流束保持率（％）の変化を示し、図６は運転日数に対するナトリウム阻止率（％）の変化を示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本例では、被処理水は、カルシウムとフッ化物イオンについて、フッ化カルシウムとしてのイオン濃度積が、その溶解度積である３．５×１０-11 を超えて、１５．９×１０-11 となっており、過飽和の状態である。本例のＲＯでは回収率が７５％であり、濃縮水は元の濃度の約４倍となるため、上記イオン濃度積は６４倍の１０．２×１０-9となる。このような状態では、フッ化カルシウムがＲＯの膜面に析出し、透過水流量や阻止率が低下してしまう。すなわち、３０日間の脱塩工程で、初期の透過水流量の７０％まで、ナトリウムの阻止率は初期値９５％に対して、８８％に低下してしまう（比較例２）。実施例２においては、１５日経過後、逆浸透膜モジュール配置変換脱塩工程を行ったため、後段側のＲＯの膜が洗浄され透過水量が徐々に回復し、全体の透過水量が増加した。一方、前段側のＲＯの膜が新たに汚染され、徐々に水が透過し難くなり、全体の透過水量は減少に転じた。３０日以降の再度の脱塩工程により、再び透過水流量は初期の９０％まで減少したので、逆浸透膜モジュール配置変換脱塩工程に切替え、回復させた。以上の操作を繰り返し、薬品洗浄を実施することなく、透過水流束保持率９０％以上を維持して９０日間、運転することができた。また、ナトリウム阻止率も透過水流束保持率と同様の低下傾向を示し、ナトリウム阻止率９０％以上を維持して９０日間、運転することができた（図６）。一方、比較例２は９０日後、透過水流束保持率６０％程度まで減少した。また、ナトリウム阻止率は８７％に低下した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
本例では、被処理水は、カルシウムとフッ化物イオンについて、フッ化カルシウムとしてのイオン濃度積が０．２７×１０-11 であり、原水のままであれば、その溶解度積である３．５×１０-11 を超えてはいない。しかし、本例のＲＯでは回収率が７５％であり、濃縮水は元の濃度の約４倍となるため、上記イオン濃度積は６４倍の１７×１０-11 となる。このような状態では、フッ化カルシウムがＲＯの膜面に析出し、透過水流量や阻止率が低下してしまう。また、この水はシリカ濃度が１０９mg as SiO2 /l であり、ほぼ飽和濃度に達している。濃縮水は元の濃度の約４倍となるため、シリカは４４０mg as SiO2 /l もの濃度に達し、膜面にスケールとして析出し、透過水流量や阻止率が低下してしまう。本例の装置では、３０日間の脱塩工程で、初期の透過水流量の７５％に、シリカの阻止率は初期値９８％に対して、９０％にそれぞれ低下してしまう（比較例３）。このように、比較例３ではｐＨを６以下に調整しても、また、スケール防止剤を添加してもフッ化カルシウムの析出による膜面の汚染を同時に防止することはできない。実施例３においては、１５日間の脱塩工程の実施により、透過水量は徐々に減少し、初期の９０％まで達する。ここで、逆浸透膜モジュール配置変換脱塩工程を行ったため、後段側のＲＯの膜が洗浄され透過水量が徐々に回復し、全体の透過水量が増加する。一方、前段側のＲＯの膜が新たに汚染され、徐々に水が透過し難くなり、全体の透過水量は減少に転じた。３０日以降の再度の脱塩工程により、再び透過水流量は初期の９０％まで減少したので、逆浸透膜モジュール配置変換脱塩工程に切替え、回復させた。以上の操作を繰り返し、薬品洗浄を実施することなく、透過水流束保持率９０％以上を維持して９０日間、運転することができた。また、シリカ阻止率も透過水流束保持率と同様の低下傾向を示し、シリカ阻止率９５％以上を維持して９０日間、運転することができた（図８）。一方、比較例３は９０日後、透過水流束保持率６０％程度まで減少した。また、シリカの阻止率は８８％に低下した。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月30日(2007.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】  オゾン水により被処理物を洗浄する洗浄部と、過酸化水素水貯留タンクと、過酸化水素水送液用ポンプと、前記洗浄部から排出されるオゾン含有排水に過酸化水素水を合流させるための配管と、過酸化水素水を混合後または混合前後のオゾン含有排水中の残留溶存オゾン濃度を測定するための溶存オゾン濃度計と、該溶存オゾン濃度計で測定した溶存オゾン濃度を過酸化水素水混合後から５分以内に１mgO3/L以下に到達させるように過酸化水素水送液用ポンプの吐出量を制御する制御部からなるオゾン含有排水処置装置と、を備え、且つこれらの構成部材を一つの枠体に収納したことを特徴とする洗浄ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
しかしながら、例えば、上記した電子部品の洗浄などに見られるように、洗浄後に排出されるオゾン含有排水の排出に、一般に排水用配管として用いられる塩化ビニル製配管を用いる場合、該塩化ビニル製配管がオゾンにより劣化し、内面に微細なひび割れを発生して白濁する。場合によっては、配管が破損する恐れがある。このような配管の劣化を防ぐために、オゾン耐性を有するフッ素樹脂製配管を使用するか、又は洗浄機外部にオゾン含有排水処理装置を設ける必要があるが、コスト、設置面積等で問題が多い。オゾン水に溶存するオゾンの分解を促進して、オゾンによる配管の劣化を防ぐ必要がある。そこで、オゾン水の分解を促進する手段としては、活性炭に通ずる方法が工業的に用いられている。この方法を用いることによって、オゾンの分解時間を大幅に短縮することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、紫外線照射を行うための紫外線照射装置は初期投資に多額の費用が必要であるだけでなく、高価な紫外線照射灯の交換が一年ごとに推奨されることが多く、また運転には高電圧を必要とするため、エネルギーを大量に消費してしまう。オゾン水を製造するには高価なオゾン水製造装置の購入が必要であるが、使用後に排出されるオゾン含有排水を処理するために更に多大な費用をかけ、さらにエネルギーを大量に消費することは望ましくない。従って、オゾン含有排水を低い費用で且つ低エネルギーで処理することができ、更に、処理後のオゾン含有排水を純水回収用として利用することができれば製造費用の低減および環境負荷低減の両方の面からも好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
すなわち、本発明（１）の発明は、オゾン含有排水に過酸化水素水を混合することによってオゾン含有排水中の残留オゾンを処理する方法であって、前記オゾン含有排水は、全有機炭素濃度が１１０μgC/L以下のものであることを特徴とするオゾン含有排水の処理方法を提供するものである。かかる構成とすることにより、自己分解によるオゾン濃度の半減期を短くすることができるとともに、微量の過酸化水素により、残留オゾンの分解速度を飛躍的に向上させることができる。この結果として、オゾン含有排水を安価で簡便に、且つ低エネルギーで極めて高効率で処理することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【発明の実施の形態】
本発明において、オゾン含有排水としては、オゾン水を用いて被洗浄物を処理した後の排水又は被洗浄物未処理の排水を意味し、被洗浄物の種類や状態、あるいは被洗浄物の処理方法などで限定されるものではない。被洗浄物を洗浄するオゾン水としては、例えば、超純水にオゾンガスを溶解させたものが使用できる。超純水は、原水中から金属、有機物、微粒子、生菌などを極限まで取り除いた水であるが、その製造方法には例えば次のようなものがある。すなわち、原水を凝集沈殿装置、砂ろ過装置、活性炭ろ過装置、逆浸透膜装置、２床３塔式イオン交換装置、混床式イオン交換装置、精密フィルター等の１次純水処理系の装置で処理して１次純水を得、該１次純水を１次純水槽に貯留し、紫外線照射装置、混床式ポリッシャー、限外ろ過膜装置、逆浸透膜装置又は膜脱気装置のような膜処理装置を用いて順次２次処理し、前記１次純水中に残留する微粒子、コロイダル物質、有機物、金属、陰イオン、溶存酸素などを可及的に取り除いて、電子部品などの洗浄に適する超純水（２次純水）とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
第１の実施の形態におけるオゾン含有排水の処理装置を示す。
【図２】
第２の実施の形態におけるオゾン含有排水の処理装置を示す。
【図３】
第３の実施の形態にかかるオゾン含有排水の処理装置を示す。
【図４】
第４の実施の形態にかかるオゾン含有排水の処理装置を示す。
【図５】
第５の実施の形態にかかるオゾン含有排水の処理装置を示す。
【図６】
従来のオゾン含有排水の処理装置を示す。
【図７】
実施例及び比較例の実験を行う実験装置を示す。
【符号の説明】
１                    超純水製造装置
２                    超純水供給配管
３                    洗浄部
４、２５、２６、２８、２９、３１、３６  配管
５                    オゾン水製造装置
６                    オゾン水供給配管
７                    オゾン含有排水配管                        
８                    排水貯留タンク
９                    純水回収用排水配管
１０、１１、１２        洗浄槽
１３                    過酸化水素水貯留タンク
１４                    過酸化水素水
１５、１５ａ〜１５ｃ    薬注ポンプ
１６、１６ａ〜１６ｃ    過酸化水素水注入配管
１７、１７ａ〜１７ｃ    溶存オゾン濃度計
１８                    スタティックミキサー
１９                    噴霧ノズル
２０                    攪拌機
２２                    制御部
２３                    信号線
２４                    流量計
２７                    三方弁
３０                    送水ポンプ
３２                    流路切替え器
３３                    IPA 貯留槽
３４                    IPA 供給ポンプ
３５                    紫外線照射装置
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月26日(2007.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】 フィルム内部に光拡散成分を有する内部光拡散性フィルムと、該内部光拡散性フィルムの少なくとも片側の面に共押出によって積層された二軸延伸ポリエステルフィルムからなることを特徴とする積層光拡散性フィルム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の積層光拡散性フィルムは、フィルム内部に光拡散成分を有する内部光拡散性フィルムと、該内部光拡散性フィルムの少なくとも片側の面に共押出によって積層された二軸延伸ポリエステルフィルムからなることを特徴とする積層光拡散性フィルムである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の積層光拡散性フィルムは、フィルム内部に光拡散成分を有する内部光拡散性フィルムの少なくとも片側の面に、少なくとも二軸延伸ポリエステルフィルムを共押出によって積層した構造を有するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
積層方法としては、内部光拡散性フィルムと未延伸ポリエステルフィルムを共押出しした後に共に延伸する方法である。接着層を介する方法は、接着層との界面で光の反射を招き、全光線透過率が低下する要因となるため、好ましくは、接着層は介さない方がよい。また、共押出し後に延伸する方法の場合、フィルム内にボイドが生成することがある。多量のボイドが生成した場合、全光線透過率を低下させることがあるため、熱処理によりボイドを消滅させる工程が必要な場合がある。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月26日(2007.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 フィルム内部に光拡散成分を有する全光線透過率が７０％以上でかつヘイズが７０％以上の光拡散性フィルムであって、該光拡散性フィルムが少なくともポリエチレンテレフタレートと、該ポリエチレンテレフタレートと互いに非相溶である熱可塑性樹脂の溶融混合物からなることを特徴とする光拡散性フィルム。
【請求項２】 光拡散性フィルムが、実質的にボイドを含有しないことを特徴とする請求項１記載の光拡散性フィルム。
【請求項３】光拡散性フィルムの内部構造が海島構造となっていることを特徴とする請求項１または２に記載の光拡散性フィルム。
【請求項４】 海島構造の島部分の全体に対する体積分率が５０％未満であることを特徴とする請求項３記載の光拡散性フィルム。
【請求項５】 海島構造の島部分の形状が、球状であることを特徴とする請求項３または４記載の光拡散性フィルム。
【請求項６】 海島構造の島部分の平均粒径が０．１〜５０μｍであることを特徴とする請求項３〜５いずれかに記載の光拡散性フィルム。
【請求項７】 海部分を構成する熱可塑性樹脂と島部分を構成する熱可塑性樹脂の屈折率差が０．０１以上であることを特徴とする請求項３〜６いずれかに記載の光拡散性フィルム。
【請求項８】 光拡散性フィルムの厚みが５００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜７いずれかに記載の光拡散性フィルム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の光拡散性フィルムは、フィルム内部に光拡散成分を有する全光線透過率が７０％以上でかつヘイズが７０％以上の光拡散性フィルムであって、該光拡散性フィルムが少なくともポリエチレンテレフタレートと、該ポリエチレンテレフタレートと互いに非相溶である熱可塑性樹脂の溶融混合物からなることを特徴とする光拡散性フィルムである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の光拡散性フィルムは、少なくともポリエチレンテレフタレートと、該ポリエチレンテレフタレートと互いに非相溶である熱可塑性樹脂の溶融混合物からなるものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の光拡散性フィルムは、上記熱可塑性樹脂の少なくともポリエチレンテレフタレートと、該ポリエチレンテレフタレートと互いに非相溶である熱可塑性樹脂の溶融混合物からなるものである。また、互いに非相溶な熱可塑性樹脂対以外にも、熱可塑性樹脂を含有することができる。ここでいう互いに非相溶な樹脂対とは、混合した際に相分離構造を示す樹脂対のことを表している。そして、これら非相溶な樹脂対を混合し、溶融してフィルム状に成形する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月12日(2007.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  インク受容層を感光性樹脂組成物を用いて形成し、パターン露光することにより、インク吸収性を変化させ、インク受容能を有する被着色部及び上記インクを混色させる混色領域と、該被着色部及び混色領域よりもインク受容能が低く、各被着色部及び混色領域間に位置する非着色部とを形成し、各被着色部に所定の色のインクをインクジェット方式により付与する際に、当該被着色部に隣接する混色領域にもインクを付与する請求項３に記載のカラーフィルタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、本発明においてインク受容層２の着色に用いられるインク８は、染料或いは顔料等着色剤を含有し、吐出時に液状であるものであれば、いずれでも好ましく用いられる。またインクジェット方式ではインク自体を３０℃〜７０℃の範囲内で温度調整を行ってインクの粘性を安定吐出範囲にあるように温度制御するものが一般的であるから、室温やそれ以下で固化するインクであっても用いることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2001272518.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2001272518.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月25日(2007.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明に第１実施例に基づきＣＧＨアレー原版からホログラム複製を行う配置を示す図である。
【図２】
図１のホログラム複製品から第１実施例のホログラム原版を作製する配置を示す図である。
【図３】
図２のホログラム原版から２倍焦点複製法により最終複製ホログラムを作製する配置を示す図である。
【図４】
図１のホログラム複製品から第２実施例のホログラム原版を作製する配置を示す図である。
【図５】
従来の２倍焦点複製法によりＣＧＨアレー原版からホログラム複製を行う配置を示す図である。
【図６】
図５の配置で得られた複製ホログラムを原版として再度複製を行うための配置を示す図である。
【符号の説明】
５″…ＣＧＨ
７…ＣＧＨアレー原版
８…ホログラム感材
９…レーザ光
９′…レーザ光
１０…収束回折光
１０′…発散回折光
１１…直進透過光
１１′…直進透過光
１２…ガラス基板
１３…感光層
Ｈ１…中間ホログラムアレー
２１…ＣＧＨアレー原版
２２…要素ホログラム
２３…レリーフ面
３１…ガラス基板
３２…感光層
３３…ホログラム感材
３４…レーザ光
３５…回折光
３６…直進透過光
３７…紫外線硬化型接着剤
４１…スペーサーガラス板
４２…ホログラム原版
５１…ガラス基板
５２…感光層
５３…ホログラム感材
５４…レーザ光
５５…回折光
５６…直進透過光
５７…吸収層
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月26日(2007.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォーカルプレーンシャッタの開閉動作によって、被写体像を銀塩フィルムに露光撮影する銀塩撮影手段と、
上記銀塩撮影手段の露光撮影動作に同期して被写体像を画像電気信号に変換するＸＹアドレス型のエリアセンサを有する電子撮像手段と、
被写体に向けてストロボ光を照射するストロボ発光手段と、
上記ストロボ発光手段から照射されるストロボ光を全速同調モードで発光制御するストロボ制御手段と、
を具備したことを特徴とする銀塩撮影及び電子撮像兼用カメラ。
【請求項２】
フォーカルプレーンシャッタの開閉動作によって、被写体像を銀塩フィルムに露光撮影する銀塩撮影手段と、
上記銀塩撮影手段の露光撮影動作に同期して被写体像を画像電気信号に変換するＸＹアドレス型のエリアセンサを有する電子撮像手段と、
上記電子撮像手段のＸＹアドレス型のエリアセンサは、複数の垂直ライン毎に設けられた複数の画素素子を順次異なるタイミングで蓄積電荷をリセットする垂直ラインリセット機能を有し、この垂直ラインリセット機能を用いて全画素素子の画像電気信号取込みに必要とされる時間よりも短い時間で全画素素子に被写体像の露光電荷蓄積を制御する電子シャッタ手段と、
被写体に向けてストロボ光を照射するストロボ発光手段と、
上記ＸＹアドレス型のエリアセンサを上記電子シャッタ手段を用いて駆動制御した際に、上記ストロボ発光手段から照射されるストロボ光を全速同調モードで発光制御するストロボ制御手段と、
を具備したことを特徴とする銀塩撮影及び電子撮像兼用カメラ。
【請求項３】
被写体像を画像電気信号に変換するＸＹアドレス型のエリアセンサを有する電子撮像手段と、
被写体に向けてストロボ光を照射するストロボ発光手段と、
上記ストロボ発光手段から照射されるストロボ光を全速同調モードで発光制御するストロボ制御手段と、
を具備したことを特徴とする電子撮像カメラ。
【請求項４】
上記ストロボ制御手段は、ＸＹアドレス型のエリアセンサによって撮像画面が露光される全期間において、全速同調発光制御することを特徴とする請求項３に記載の電子撮像カメラ。
【請求項５】
被写体像を画像電気信号に変換するＸＹアドレス型のエリアセンサを有する電子撮像手段と、
上記電子撮像手段のＸＹアドレス型のエリアセンサは、複数の垂直ライン毎に設けられた複数の画素素子を順次異なるタイミングで蓄積電荷をリセットする垂直ラインリセット機能を有し、この垂直ラインリセット機能を用いて全画素素子の画像電気信号取込みに必要とされる時間よりも短い時間で全画素素子に被写体像の露光電荷蓄積を制御する電子シャッタ手段と、
被写体に向けてストロボ光を照射するストロボ発光手段と、
上記ＸＹアドレス型のエリアセンサを上記電子シャッタ手段を用いて駆動制御した際に、上記ストロボ発光手段から照射されるストロボ光を全速同調モードで発光制御するストロボ制御手段と、
を具備したことを特徴とする電子撮像カメラ。
【請求項６】
上記ＸＹアドレス型のエリアセンサは、ＭＯＳ型エリアセンサ、ＣＭＯＳ型エリアセンサ、又はＡＭＩ型エリアセンサのいずれか１つを用いたことを特徴とする請求項１から５のいずれか１に記載の銀塩撮影及び電子撮像兼用カメラ、または電子撮像カメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＭＯＳ型あるいはＣＭＯＳ型エリアセンサで代表されるＸＹアドレス型のエリアセンサを使用した電子撮像機能を有する電子撮像カメラ、または同様の電子撮像機能と銀塩フィルムに被写体像を写し込む銀塩撮影機能の両方を有する電子撮像及び銀塩撮影兼用カメラの改良に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、電子撮像にＸＹアドレス型のエリアセンサを使用する場合に、最適露出制御を可能とする電子撮像カメラまたは、銀塩撮影及び電子撮像兼用カメラを提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
特に、電子撮像装置のＸＹアドレス型のエリアセンサを電子シャッタモードで動作させる高速シャッタ秒時で制御する際に、電子撮像装置または、電子撮像装置と銀塩撮影装置に効率よくストロボ光を与えることを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項３の本発明の電子撮像カメラは、被写体像を画像電気信号に変換するＸＹアドレス型のエリアセンサを有する電子撮像手段と、被写体に向けてストロボ光を照射するストロボ発光手段と、上記ストロボ発光手段から照射されるストロボ光を全速同調モードで発光制御するストロボ制御手段とを具備したことを特徴とする。
請求項５の本発明の電子撮像カメラは、被写体像を画像電気信号に変換するＸＹアドレス型のエリアセンサを有する電子撮像手段と、上記電子撮像手段のＸＹアドレス型のエリアセンサは、複数の垂直ライン毎に設けられた複数の画素素子を順次異なるタイミングで蓄積電荷をリセットする垂直ラインリセット機能を有し、この垂直ラインリセット機能を用いて全画素素子の画像電気信号取込みに必要とされる時間よりも短い時間で全画素素子に被写体像の露光電荷蓄積を制御する電子シャッタ手段と、被写体に向けてストロボ光を照射するストロボ発光手段と、上記ＸＹアドレス型のエリアセンサを上記電子シャッタ手段を用いて駆動制御した際に、上記ストロボ発光手段から照射されるストロボ光を全速同調モードで発光制御するストロボ制御手段と、を具備したことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明により、電子撮像にＸＹアドレス型のエリアセンサを使用して、消費電力が少なく、最適露出制御を可能とする電子撮像カメラまたは、銀塩撮影及び電子撮像兼用カメラの提供が可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
（４）
上記ストロボ制御手段は、フォーカルプレーンシャッタによって銀塩フィルムへの撮像画面が露光される期間と、ＸＹアドレス型のエリアセンサによって撮像画面が露光される全期間とを包括する全期間において、全速同調発光制御することを特徴とする付記１に記載の銀塩撮影及び電子撮像兼用カメラ。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２３】
さらに、電子撮像のためのＸＹアドレス型エリアセンサの全素子が露光するタイミングにおいて、ストロボを発光するように制御でき、１回のストロボ発光で有効にストロボ発光エネルギーを使用することができる。