(57)【要約】【課題】測定機器との電気的接続が容易であると共に微細ピッチの高速・高周波信号の測定を容易且つ正確に行うことができ、また、複数チャンネルの信号測定に容易に対応することのできるコンタクトプローブ、及びその作製方法を提供する。【解決手段】測定対象への接触部となる信号電極１０ａ及びグランド電極１０ｂを有し、信号電極１０ａ及びグランド電極１０ｂが基板上の金属配線パターンにより形成された第一のプリント配線基板３と、信号線路１５ａ及び該信号線路１５ａの周りを絶縁層を介して取り囲むシールド電極１２，１７，１８を有する同軸線路構造の第二のプリント配線基板２とを備え、第一のプリント配線基板３の信号電極１０ａと第二のプリント配線基板２の信号線路１５ａとが電気的に接続され、第一のプリント配線基板３のグランド電極１０ｂと第二のプリント配線基板２のシールド電極１２，１７，１８とが電気的に接続されて構成される。
2007123185.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高速高周波特性の測定評価に用いるコンタクトプローブにおいて、
測定対象への接触部となる信号電極及びグランド電極を有し、前記信号電極及びグランド電極が基板上の金属配線パターンにより形成された第一のプリント配線基板と、
信号線路及び該信号線路の周りを絶縁層を介して取り囲むシールド電極を有する同軸線路構造の第二のプリント配線基板とを備え、
前記第一のプリント配線基板の信号電極と前記第二のプリント配線基板の信号線路とが電気的に接続され、前記第一のプリント配線基板のグランド電極と前記第二のプリント配線基板のシールド電極とが電気的に接続されて構成されることを特徴とするコンタクトプローブ。
【請求項２】
前記第二のプリント配線基板において、
前記シールド電極と導通するグランド線路が前記信号線路と同一平面上に形成され、
前記信号線路及び前記グランド線路の上下いずれかの面が所定面積露出するように切り欠き部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載されたコンタクトプローブ。
【請求項３】
前記信号電極と前記グランド電極との間の電極間ピッチは、１０μｍ以上〜５０μｍ未満に形成されていることを特徴とする請求項１に記載されたコンタクトプローブ。
【請求項４】
前記第一のプリント配線基板における信号電極及びグランド電極と、前記第二のプリント配線基板における信号線路及びシールド電極とは、夫々の基板に複数系統形成され、
前記第一のプリント配線基板の信号電極と前記第二のプリント配線基板の信号線路とが対応する系統毎に電気的に接続され、前記第一のプリント配線基板のグランド電極と前記第二のプリント配線基板のシールド電極とが対応する系統毎に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載されたコンタクトプローブ。
【請求項５】
高速高周波特性の測定評価に用いるコンタクトプローブの作製方法において、
測定対象への接触部となる信号電極及びグランド電極が金属配線パターンにより形成された第一のプリント配線基板を作製すると共に、信号線路及び該信号線路の周りを絶縁層を介して取り囲むシールド電極を有する同軸線路構造の第二のプリント配線基板を作製する工程と、
前記第一のプリント配線基板の信号電極に、前記第二の多層プリント配線基板の信号線路を電気的に接続し、前記第一のプリント配線基板のグランド電極に、前記第二のプリント配線基板のシールド電極を電気的に接続する工程とを実行することを特徴とするコンタクトプローブの作製方法。
【請求項６】
前記第一のプリント配線基板における信号電極及びグランド電極と、前記第二のプリント配線基板における信号線路及びシールド電極とを、夫々の基板に複数系統形成し、
前記第一のプリント配線基板の信号電極と前記第二のプリント配線基板の信号線路とを対応する系統毎に電気的に接続し、前記第一のプリント配線基板のグランド電極と前記第二のプリント配線基板のシールド電極とを対応する系統毎に電気的に接続することを特徴とする請求項５に記載されたコンタクトプローブの作製方法。
【請求項７】
前記第一のプリント配線基板を作製する工程において、
シリコンまたはガラスからなる基板上に薄膜の金属層を積層するステップと、
前記金属層上に絶縁層を積層するステップと、
信号電極及びグランド電極を形成するためのフォトレジストパターンを前記絶縁層上に形成するステップと、
前記フォトレジストパターンが形成された絶縁層上に金属層を積層するステップと、
前記フォトレジストパターンを除去し、前記絶縁層上に積層された金属層により信号電極及びグランド電極を形成するステップとを実行することを特徴とする請求項５に記載されたコンタクトプローブの作製方法。
【請求項８】
前記第一のプリント配線基板を作製する工程において、
シリコンまたはガラスからなる基板上に薄膜の金属層を積層するステップと、
前記金属層上に絶縁層を積層するステップと、
前記絶縁層上に金属層を積層するステップと、
最上層の金属層に信号電極及びグランド電極となる金属配線パターンをエッチングにより形成するステップとを実行することを特徴とする請求項５に記載されたコンタクトプローブの作製方法。
【請求項９】
前記第一のプリント配線基板を作製する工程において、
両面に薄膜の金属層が貼り合わせてなる絶縁層の上下いずれかの金属層に信号電極及びグランド電極となる金属配線パターンをエッチングにより形成するステップを実行することを特徴とする請求項５に記載されたコンタクトプローブの作製方法。
【請求項１０】
前記第二のプリント配線基板を作製する工程において、
両面に薄膜の金属層が貼り合わせてなる絶縁層の上下いずれかの金属層上に、片面に金属層を貼り合わせてなる絶縁層の絶縁面を積層するステップと、
最上面の金属層に信号線路及びグランド線路となる金属配線パターンをエッチングにより形成するステップと、
前記金属配線パターンが形成された面に対し、片面に金属層を貼り合わせてなる絶縁層の絶縁面を積層するステップと、
前記信号線路の延長方向に沿って該信号線路の両側に、上方から下方に向け、前記グランド線路と交差し、前記信号線路より下層の金属層に達するように夫々溝加工を施すステップと、
少なくとも前記溝加工を施した部分に対して金属メッキ処理を施し、前記信号線路の周りを絶縁層を介して取り囲むシールド電極を形成するステップと、
前記信号線路とグランド線路の上下いずれかの面が夫々所定面積露出するよう切削処理を施すステップとを実行することを特徴とする請求項５に記載されたコンタクトプローブの作製方法。
【請求項１１】
前記絶縁層に、ポリイミド系樹脂、ＢＣＢ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリオキサゾール系樹脂、エポキシ系樹脂、テフロン（登録商標）系樹脂、もしくはシクロオレフィン系樹脂のいずれかによるプリプレグを用いたことを特徴とする請求項７に記載されたコンタクトプローブの作製方法。
【請求項１２】
前記絶縁層に、ポリイミド系樹脂、ＢＣＢ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリオキサゾール系樹脂、エポキシ系樹脂、テフロン（登録商標）系樹脂、もしくはシクロオレフィン系樹脂のいずれかによるプリプレグを用いたことを特徴とする請求項８に記載されたコンタクトプローブの作製方法。
【請求項１３】
前記絶縁層に、ポリイミド系樹脂、ＢＣＢ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリオキサゾール系樹脂、エポキシ系樹脂、テフロン（登録商標）系樹脂、もしくはシクロオレフィン系樹脂のいずれかによるプリプレグを用いたことを特徴とする請求項９に記載されたコンタクトプローブの作製方法。
【請求項１４】
前記絶縁層に、ポリイミド系樹脂、ＢＣＢ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリオキサゾール系樹脂、エポキシ系樹脂、テフロン（登録商標）系樹脂、もしくはシクロオレフィン系樹脂のいずれかによるプリプレグを用いたことを特徴とする請求項１０に記載されたコンタクトプローブの作製方法。
【請求項１５】
前記金属層は、金、銀、銅のいずれかにより形成されることを特徴とする請求項７に記載されたコンタクトプローブの作製方法。
【請求項１６】
前記金属層は、金、銀、銅のいずれかにより形成されることを特徴とする請求項８に記載されたコンタクトプローブの作製方法。
【請求項１７】
前記金属層は、金、銀、銅のいずれかにより形成されることを特徴とする請求項９に記載されたコンタクトプローブの作製方法。
【請求項１８】
前記金属層は、金、銀、銅のいずれかにより形成されることを特徴とする請求項１０に記載されたコンタクトプローブの作製方法。
【請求項１９】
前記溝加工を施した部分になされる金属メッキが、銅メッキであることを特徴とする請求項１０に記載されたコンタクトプローブの作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路、半導体集積回路用パッケージ、及びプリント回路基板等において、その高周波特性の測定に用いられ、特に複数チャンネル信号に対応するコンタクトプローブ、及びその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近来、電子機器の高速化・高周波化に伴い、機器を構成する電子デバイス、電子部品、実装部品等について、その高速・高周波信号に対する電気特性を測定検査する需要が従来に比べ増加している。この測定検査の際に用いられるのが、高周波コンタクトプローブである。従来の高周波コンタクトプローブは、細線リジッド同軸ケーブルの先端に微細な金属コンタクトパッドを接続した構成のものが主流であった。製品としては、例えば、ＧＧＢ社、カスケード・マイクロテック社、ズース・マイクロテック社の高周波コンタクトプローブが広く普及している。【０００３】
しかしながら、従来から広く用いられているコンタクトプローブの多くは、その先端の電極間ピッチ（信号電極とグランド電極の間隔）が、微細なものでも１００μｍ程度であり、５０μｍ未満の微細ピッチを有する集積回路用インターポーザ等の特性評価を行うのが困難であるという課題があった。
このような課題を解決する技術として、測定対象に接触する信号電極及びグランド電極を有するプローブ先端部材をプリント回路基板で作製し、同軸ケーブルの先端に前記プローブ先端部材を半田付けにより電気的に接続する構成が特許文献１に開示される。
特許文献１に開示される構成によれば、プリント配線基板の作製技術によりプローブ先端部材の電極間ピッチを５０μｍ未満に形成することができ、微細ピッチを有する測定対象であっても高速・高周波信号の測定が可能となる。
【特許文献１】特開２００６−１０６７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示のコンタクトプローブにあっては、測定機器からの同軸ケーブルをプローブ先端部材に直接的に接続する際、そのプローブ先端部材が微小であるために、半田付けによる正確な接続が困難であるという課題があった。【０００５】
また、複数の測定対象が存在する場合、各測定対象間のピッチが広ければ、特許文献１に示されるような単一チャンネルの高周波プローブを複数用いて測定可能であるが、各測定対象間のピッチが狭い場合には、２チャンネル以上の複数チャンネル信号に対応した高周波コンタクトプローブの利用が不可欠となっている。【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示のプローブを含む従来の単一チャンネルの高周波コンタクトプローブを用いて複数チャンネル対応の高周波プローブを構成する場合、複数のプローブ先端を例えば横一列に並べる必要があり、５０μｍ以下の微細ピッチで複数のプローブを並べるのは技術的に困難であるという課題があった。【０００７】
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、測定機器との電気的接続が容易であると共に微細ピッチの高速・高周波信号の測定を容易且つ正確に行うことができ、また、複数チャンネルの信号測定に対応することのできるコンタクトプローブ、及びその作製方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するためになされた、本発明にかかるコンタクトプローブは、高速高周波特性の測定評価に用いるコンタクトプローブにおいて、測定対象への接触部となる信号電極及びグランド電極を有し、前記信号電極及びグランド電極が基板上の金属配線パターンにより形成された第一のプリント配線基板と、信号線路及び該信号線路の周りを絶縁層を介して取り囲むシールド電極を有する同軸線路構造の第二のプリント配線基板とを備え、前記第一のプリント配線基板の信号電極と前記第二のプリント配線基板の信号線路とが電気的に接続され、前記第一のプリント配線基板のグランド電極と前記第二のプリント配線基板のシールド電極とが電気的に接続されて構成されることに特徴を有する。尚、前記信号電極と前記グランド電極との間の電極間ピッチは、１０μｍ以上〜５０μｍ未満に形成されていることが望ましい。【０００９】
このように、コンタクトプローブをプリント配線基板により作製することによって、電極間ピッチが微細（例えば５０μｍ未満）なプローブ先端部（第一のプリント配線基板）を容易且つ精度よく形成することができる。したがって、そのプローブ先端を、半導体集積回路、半導体集積回路用パッケージ、及びプリント回路基板等に形成された微細ピッチに押し当て、その高速・高周波測定を実現することができる。
また、第一のプリント回路基板（プローブ先端部）と測定機器（の同軸ケーブル）との電気的接続に、同軸線路構造を有する第二のプリント回路基板を介すため、その接続を容易且つ正確に行うことができる。特に微小な構成となる第一のプリント回路基板と、第二のプリント回路基板との接続は、基板同士の接続であるため、微細バンプ等を介して行うことができ、容易且つ正確な電気的接続を実現することができる。【００１０】
また、第二のプリント回路基板は、同軸線路構造を有するため、高速・高周波信号の伝送効率を向上すると共に、外来ノイズ及び配線間のクロストーク発生を低減することができる。
また、先端部が非常に微小な構造となる第一のプリント回路基板と、第二のプリント回路基板との電気接続とは、微細バンプを介して行なうため、接続部分での特性インピーダンスの変動が小さく抑えられ、伝送特性を大幅に向上することができる。
尚、第一のプリント回路基板と、第二のプリント回路基板とを１枚のプリント回路基板上に一体に作製することは可能であるが、その場合にはビア接続構造を用いる必要がある。しかしながら、従来のビア接続構造は、高周波特性が悪いため、本発明では微細バンプ接続を採用している。【００１１】
また、前記第二のプリント配線基板において、前記シールド電極と導通するグランド線路が前記信号線路と同一平面上に形成され、前記信号線路及び前記グランド線路の上下いずれかの面が所定面積露出するように切り欠き部が形成されていることが望ましい。
このように第二のプリント配線基板において、切り欠き部を形成することにより第一のプリント配線基板との接続部を設けられ、その接続を容易に行うことができる。【００１２】
また、前記第一のプリント配線基板における信号電極及びグランド電極と、前記第二のプリント配線基板における信号線路及びシールド電極とは、夫々の基板に複数系統形成され、前記第一のプリント配線基板の信号電極と前記第二のプリント配線基板の信号線路とが対応する系統毎に電気的に接続され、前記第一のプリント配線基板のグランド電極と前記第二のプリント配線基板のシールド電極とが対応する系統毎に電気的に接続されていることが望ましい。【００１３】
このようにプリント配線基板により複数チャンネル（複数系統）の電極を形成することで、コンタクトプローブ先端において、電極間ピッチが微細（例えば５０μｍ未満）な複数チャンネルの電極を並べて形成することができる。したがって、複数チャンネルの測定対象が微細ピッチで存在する場合であっても、この複数チャンネルに対応するコンタクトプローブによって、各チャンネルについて高速・高周波信号の測定を行うことができる。
また、第二のプリント配線基板の形状を後端（同軸ケーブルとの接続側）の幅が広い扇状に形成することによって、その後端の隣り合うチャンネルの電極間のピッチを広くすることができ、測定機器からの同軸ケーブルとの接続を容易に行うことができる。【００１４】
また、前記課題を解決するためになされた、本発明にかかるコンタクトプローブの作製方法は、高速高周波特性の測定評価に用いるコンタクトプローブの作製方法において、測定対象への接触部となる信号電極及びグランド電極が金属配線パターンにより形成された第一のプリント配線基板を作製すると共に、信号線路及び該信号線路の周りを絶縁層を介して取り囲むシールド電極を有する同軸線路構造の第二のプリント配線基板を作製する工程と、前記第一のプリント配線基板の信号電極に、前記第二の多層プリント配線基板の信号線路を電気的に接続し、前記第一のプリント配線基板のグランド電極に、前記第二のプリント配線基板のシールド電極を電気的に接続する工程とを実行することに特徴を有する。【００１５】
このような方法により、プリント配線基板により形成されたコンタクトプローブを作製することができ、このコンタクトプローブのプローブ先端を、半導体集積回路、半導体集積回路用パッケージ、及びプリント回路基板等に形成された微細ピッチに押し当て、その高速・高周波測定を実現することができる。【００１６】
また、前記第一のプリント配線基板における信号電極及びグランド電極と、前記第二のプリント配線基板における信号線路及びシールド電極とを、夫々の基板に複数系統形成し、前記第一のプリント配線基板の信号電極と前記第二のプリント配線基板の信号線路とを対応する系統毎に電気的に接続し、前記第一のプリント配線基板のグランド電極と前記第二のプリント配線基板のシールド電極とを対応する系統毎に電気的に接続することが望ましい。
このような方法により、複数の測定対象が存在する場合、各測定対象間のピッチが例えば５０μｍ未満と微細であっても、それに対応する複数チャンネル（複数系統）のコンタクトプローブを作製することができ、各チャンネルについて高速・高周波信号の測定を行うことができる。
尚、第一のプリント配線基板及び第二のプリント配線基板を作製する工程については、所謂シリコンインターポーザの作製工程に準ずる作製方法を採用することも可能である。その場合には、微細線路パターン形成の精度が向上して線路の特性インピーダンス制御性が改善し、伝送特性を向上することができる。【００１７】
また、前記第一のプリント配線基板を作製する工程において、シリコンまたはガラスからなる基板上に薄膜の金属層を積層するステップと、前記金属層上に絶縁層を積層するステップと、信号電極及びグランド電極を形成するためのフォトレジストパターンを前記絶縁層上に形成するステップと、前記フォトレジストパターンが形成された絶縁層上に金属層を積層するステップと、前記フォトレジストパターンを除去し、前記絶縁層上に積層された金属層により信号電極及びグランド電極を形成するステップとを実行することが望ましい。【００１８】
尚、前記第一のプリント配線基板を作製する工程において、シリコンまたはガラスからなる基板上に薄膜の金属層を積層するステップと、前記金属層上に絶縁層を積層するステップと、前記絶縁層上に金属層を積層するステップと、最上層の金属層に信号電極及びグランド電極となる金属配線パターンをエッチングにより形成するステップとを実行してもよい。
或いは、前記第一のプリント配線基板を作製する工程において、両面に薄膜の金属層が貼り合わせてなる絶縁層の上下いずれかの金属層に信号電極及びグランド電極となる金属配線パターンをエッチングにより形成するステップを実行してもよい。
このようなステップを実行することにより、電極間ピッチが微細（例えば５０μｍ未満）なプローブ先端部（第一のプリント配線基板）を容易且つ精度よく形成することができる。【００１９】
また、前記第二のプリント配線基板を作製する工程において、両面に薄膜の金属層が貼り合わせてなる絶縁層の上下いずれかの金属層上に、片面に金属層を貼り合わせてなる絶縁層の絶縁面を積層するステップと、最上面の金属層に信号線路及びグランド線路となる金属配線パターンをエッチングにより形成するステップと、前記金属配線パターンが形成された面に対し、片面に金属層を貼り合わせてなる絶縁層の絶縁面を積層するステップと、前記信号線路の延長方向に沿って該信号線路の両側に、上方から下方に向け、前記グランド線路と交差し、前記信号線路より下層の金属層に達するように夫々溝加工を施すステップと、少なくとも前記溝加工を施した部分に対して金属メッキ処理を施し、前記信号線路の周りを絶縁層を介して取り囲むシールド電極を形成するステップと、前記信号線路とグランド線路の上下いずれかの面が夫々所定面積露出するよう切削処理を施すステップとを実行することが望ましい。【００２０】
このようなステップを実行することにより、同軸線路構造の第二の回路基板を作製することができる。また、第一のプリント配線基板と測定機器からの同軸ケーブルとの接続をこの第二のプリント配線基板を介して行うことで、夫々との接続を容易に行うことができる。【００２１】
尚、前記各絶縁層に、ポリイミド系樹脂、ＢＣＢ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリオキサゾール系樹脂、エポキシ系樹脂、テフロン（登録商標）系樹脂、もしくはシクロオレフィン系樹脂のいずれかによるプリプレグを用いることが望ましい。
また、前記絶縁層に貼り合わされる金属層が、金、銀、銅のいずれかにより形成されることが望ましい。
また、前記溝加工を施した部分になされる金属メッキが、銅メッキであることが望ましい。【００２２】
本発明によれば、測定機器との電気的接続が容易であると共に微細ピッチの高速・高周波信号の測定を容易且つ正確に行うことができ、また、複数チャンネルの信号測定に対応することのできるコンタクトプローブ、及びその作製方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、本発明に係るコンタクトプローブの第一の実施の形態を示す側面図である。
【図２】図２は、図１のコンタクトプローブの下面図である。
【図３】図３は、図１のコンタクトプローブのプローブ本体とプローブ先端部の上方からの斜視図である。
【図４】図４は、図１のコンタクトプローブのプローブ本体とプローブ先端部の下方からの斜視図である。
【図５】図５は、プローブ本体の作製方法を示すフローである。
【図６Ａ】図６Ａは、図５のフローに対応した工程図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６Ａに続く図５のフローに対応した工程図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、図６Ｂに続く図５のフローに対応した工程図である。
【図６Ｄ】図６Ｄは、図６Ｃに続く図５のフローに対応した工程図である。
【図６Ｅ】図６Ｅは、図６Ｄに続く図５のフローに対応した工程図である。
【図６Ｆ】図６Ｆは、図６Ｅに続く図５のフローに対応した工程図である。
【図６Ｇ】図６Ｇは、図６Ｆに続く図５のフローに対応した工程図である。
【図６Ｈ】図６Ｈは、図６Ｇに続く図５のフローに対応した工程図である。
【図７】図７は、プローブ先端部の作製方法を示すフローである。
【図８Ａ】図８Ａは、図７のフローに対応した工程図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、図８Ａに続く図７のフローに対応した工程図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、図８Ｂに続く図７のフローに対応した工程図である。
【図８Ｄ】図８Ｄは、図８Ｃに続く図７のフローに対応した工程図である。
【図８Ｅ】図８Ｅは、図８Ｄに続く図７のフローに対応した工程図である。
【図９】図９は、プローブ先端部の他の作製方法を示すフローである。
【図１０Ａ】図１０Ａは、図９のフローに対応した工程図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、図１０Ａに続く図９のフローに対応した工程図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、図１０Ｂに続く図９のフローに対応した工程図である。
【図１０Ｄ】図１０Ｄは、図１０Ｃに続く図９のフローに対応した工程図である。
【図１０Ｅ】図１０Ｅは、図１０Ｄに続く図９のフローに対応した工程図である。
【図１０Ｆ】図１０Ｆは、図１０Ｅに続く図９のフローに対応した工程図である。
【図１１】図１１は、プローブ先端部の他の作製方法を示すフローである。
【図１２Ａ】図１２Ａは、図１１のフローに対応した工程図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、図１２Ａに続く図１１のフローに対応した工程図である。
【図１２Ｃ】図１２Ｃは、図１２Ｂに続く図１１のフローに対応した工程図である。
【図１２Ｄ】図１２Ｄは、図１２Ｃに続く図１１のフローに対応した工程図である。
【図１３】図１３は、プローブ先端部のコンタクトバンプの作製方法を示すフローである。
【図１４Ａ】図１４Ａは、図１３のフローに対応した工程図である。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、図１４Ａに続く図１３のフローに対応した工程図である。
【図１４Ｃ】図１４Ｃは、図１４Ｂに続く図１３のフローに対応した工程図である。
【図１４Ｄ】図１４Ｄは、図１４Ｃに続く図１３のフローに対応した工程図である。
【図１５】図１５は、本発明に係るコンタクトプローブの第二の実施の形態を示す平面図である。
【図１６Ａ】図１６Ａは、図１５のコンタクトプローブのプローブ本体の構成を示す平面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、図１６ＡにおけるＡ−Ａ断面図である。
【図１７Ａ】図１７Ａは、図１５のコンタクトプローブのプローブ先端部の構成を示す平面図である。
【図１７Ｂ】図１７Ｂは、図１７ＡにおけるＢ−Ｂ断面図である。
【図１８Ａ】図１８Ａは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図）である。
【図１９Ａ】図１９Ａは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。
【図１９Ｂ】図１９Ｂは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図）である。
【図２０Ａ】図２０Ａは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。
【図２０Ｂ】図２０Ｂは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図）である。
【図２１Ａ】図２１Ａは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。
【図２１Ｂ】図２１Ｂは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図）である。
【図２２Ａ】図２２Ａは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。
【図２２Ｂ】図２２Ｂは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図）である。
【図２３Ａ】図２３Ａは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。
【図２３Ｂ】図２３Ｂは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図）である。
【図２４Ａ】図２４Ａは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。
【図２４Ｂ】図２４Ｂは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図）である。
【図２５Ａ】図２５Ａは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。
【図２５Ｂ】図２５Ｂは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図）である。
【図２６Ａ】図２６Ａは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。
【図２６Ｂ】図２６Ｂは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図）である。
【図２７Ａ】図２７Ａは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。
【図２７Ｂ】図２７Ｂは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図）である。
【図２８Ａ】図２８Ａは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（正面図）である。
【図２８Ｂ】図２８Ｂは、切り欠き部を形成する他の方法を説明するための工程図（側面図）である。
【図２９】図２９は、切り欠き部を形成する他の方法を説明するためのフローである。
【図３０Ａ】図３０Ａは、基板に形成した同軸線路に対し、同軸ケーブルを接続する方法を説明するための図である。
【図３０Ｂ】図３０Ｂは、基板に形成した同軸線路に対し、同軸ケーブルを接続する方法を説明するための図である。
【図３０Ｃ】図３０Ｃは、基板に形成した同軸線路に対し、同軸ケーブルを接続する方法を説明するための図である。
【図３１Ａ】図３１Ａは、基板に形成した同軸線路に対し、同軸ケーブルを接続する方法を説明するための図である。
【図３１Ｂ】図３１Ｂは、基板に形成した同軸線路に対し、同軸ケーブルを接続する方法を説明するための図である。
【図３１Ｃ】図３１Ｃは、基板に形成した同軸線路に対し、同軸ケーブルを接続する方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００２４】
２        プローブ本体（第二のプリント配線基板）
２ａ      切り欠き部
３        プローブ先端部（第一のプリント配線基板）
４        微細バンプ
５        基板
６        補強板
７        コンタクトバンプ
８        絶縁層
９        金属層
１０      金属層
１０ａ    信号電極
１０ｂ    グランド電極
１１      絶縁層
１２      金属層
１３      金属層
１４      絶縁層
１５      金属層
１５ａ    信号線路
１５ｂ    グランド線路
１６      絶縁層
１７      金属層
１８      金属メッキ層
１９      溝部
２０      プローブ本体（第二のプリント配線基板）
３０      プローブ先端部（第一のプリント配線基板）
１００    コンタクトプローブ
１０１    コンタクトプローブ
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明にかかるコンタクトプローブ及びその作製方法の実施の形態につき、図に基づいて説明する。図１は、本発明に係るコンタクトプローブの第一の実施の形態を示す側面図、図２は、図１のコンタクトプローブの下面図である。尚、第一の実施の形態に示すコンタクトプローブは、単一チャンネル（単一系統）に対応する構造のプローブである。【００２６】
図示するようにコンタクトプローブ１００は、測定対象との接触部となるプローブ先端部３と、図示しない同軸ケーブル等を介し高周波測定機器と接続されるプローブ本体２とを有する。
プローブ先端部３（第一のプリント配線基板）とプローブ本体２（第二のプリント配線基板）は、夫々プリント配線基板により形成され、それらが微細バンプ４を用いた１００℃〜１５０℃の熱圧着により相互に接合されている。尚、この微細バンプ４は、金、金合金、銀、銀合金のいずれかにより形成されるのが好ましい。
尚、プローブ先端部３とプローブ本体２との電気接続については、微細バンプを用いるものの、熱圧着による接合を形成せずに、圧接により実施することもできる。その場合、プローブ先端部３とプローブ本体２との隙間に熱硬化樹脂を塗布した後、互いに圧接させ、加熱による硬化収縮によって接触圧力を高め、電気接続を確保することが可能となる。このような方法はＮＣＰ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）工程と呼ばれている。【００２７】
また、微細バンプ４による接合のみではプローブとして強度が不十分の虞があるため、図１に示すようにプローブ本体２の上層にシリコンまたはガラスからなる基板５が形成され、これにより面一状態になされたプローブ本体２とプローブ先端部３の上面に、樹脂板または金属板等からなる補強板６が接着剤により接着されて設けられている。
尚、基板５をガラスにより形成した場合、プローブ先端部３において透過性が得られ、電極位置に対する視認性が向上するため、測定対象との接触時に位置合わせを容易とすることができる。その場合には、補強板も透明樹脂等により形成されていることが望ましい。
また、前記したようにプローブ先端部３とプローブ本体２との電気接続を圧接により実現する場合、補強板６の接着剤、及び、プローブ先端部３とプローブ本体２の隙間に封入された樹脂を剥離用の溶媒、酸などで溶解させてやれば、プローブ先端部３を交換することができる。【００２８】
また、図２に示すように、プローブ先端部３の下面の金属配線パターン１０には３つの線路が形成され（１本の信号電極１０ａと２本のグランド電極１０ｂ）、夫々の先端に測定対象と接触するためのコンタクトバンプ７（１つの信号用コンタクトバンプ７ａと２つのグランド用コンタクトバンプ７ｂ）が設けられている。即ち、中央の信号電極１０ａの先端に設けられた信号用コンタクトバンプ７ａは測定対象から信号を拾うためのコンタクトバンプであり、両側のグランド電極１０ｂの先端に設けられたグランド用コンタクトバンプ７ｂは、測定対象側のグランドレベル信号を拾うためのコンタクトバンプである。尚、信号用コンタクトバンプ７ａとグランド用コンタクトバンプ７ｂとの電極間ピッチは、例えば１０〜５０μｍに設定されている。【００２９】
また、プローブ本体２の、プローブ先端部３が接続されている側と反対側（後端側）には、図示しない同軸ケーブルが接続可能になされ、その同軸ケーブルを高周波測定機器等に接続することによって高周波信号の測定が可能になされている。
即ち、このコンタクトプローブ１００によれば、プリント配線基板によりプローブ先端部３が作製されるため、例えば５０μｍ未満の所望の電極間ピッチを容易に形成することができ、測定対象の微細ピッチに対する測定が可能になされている。また、プローブ本体２は、詳細に後述するように同軸線路構造を有しており、これにより、高速・高周波信号の伝送効率を向上すると共に、外来ノイズ及び配線間のクロストーク発生を低減するようになされている。尚、プローブ本体２の同軸線路の延長方向の長さ寸法は任意に設定され形成される。【００３０】
また、プローブ本体２は、前記のように同軸線路構造を有するプリント配線基板により作製されるため、そのプローブ先端部３との接続、及び測定機器からの同軸ケーブルとの接続を夫々容易なものとすることができる。即ち、プローブ先端部３と測定機器との電気的接続を容易且つ正確に行うことができる。特に微小な構成となるプローブ先端部３と、プローブ本体２との接続は、基板同士の接続であるため、微細バンプ４を介して行うことができ、容易且つ正確な電気的接続を実現することができる。【００３１】
続いて、プローブ本体２とプローブ先端部３の構造について、さらに詳細に説明する。図３は、プローブ本体２とプローブ先端部３の上方からの斜視図であり、図４は下方からの斜視図である。
先ず、プローブ本体２の構造について説明する。図３に示すように、プローブ本体２は、多層構造になされたプリント配線基板であって、最下層であるグランド層１３の上に絶縁層１１、金属層１２、絶縁層１４、金属層１５、絶縁層１６、金属層１７、金属メッキ層１８が順に積層されている。このうち、金属層１５は、信号線路１５ａと、その両側に絶縁層１４を介し形成されたグランド線路１５ｂとで構成される。即ち、信号線路１５ａは、グランド線路１５ｂと電気的に絶縁された状態になされている。【００３２】
また、図３に示すように、信号線路１５ａ及びグランド線路１５ｂの延長方向に沿って、プローブ本体２の上面から下方に向け、信号線路１５ａの両側に（２つの）溝部１９が形成され、その溝部１９の表面にも金属メッキ層１８が形成されている。ここで溝部１９は、グランド線路１５ｂと交差し、さらに金属層１２に達する深さまで形成されるため、金属メッキ層１８により、金属層１２とグランド線路１５ｂと金属層１７とが相互に導通状態となされる。即ち、信号線路１５ａの周囲を、絶縁層を介して取り囲むシールド電極が形成された同軸線路構造となされている。
また、図３に示すように、プローブ本体２の上部先端には、信号線路１５ａ及びグランド線路１５ｂの上面が露出し、プローブ先端部３との接続部が形成されるように切り欠き部２ａが設けられている。【００３３】
次に、プローブ先端部３の構成について説明する。プローブ先端部３は、図３、図４に示すように、絶縁層８の上層に金属層９、下層に金属層１０が形成された構造になされ、金属層１０は、前記したように中央に信号電極１０ａ、その両側にグランド電極１０ｂが形成されている。【００３４】
このプローブ先端部３がプローブ本体２に接続される際には、信号電極１０ａの後端部１０ｃ（図４参照）と切り欠き部２ａにおける信号線路１５ａの上面（図３参照）、及びグランド電極１０ｂの後端部１０ｄ（図４参照）と切り欠き部２ａにおけるグランド線路１５ｂの上面（図３参照）が、前記の微細バンプ４により電気的に接続されるようになされる。
尚、図４に示す信号電極１０ａの先端部１０ｅとグランド電極１０ｂの先端部１０ｆに、図２に示したコンタクトバンプ７ａ、７ｂが夫々設けられるようになされている。【００３５】
続いて、プローブ本体２とプローブ先端部３の作製方法について説明する。最初に、図５のフロー及び、そのフローに対応した図６Ａ乃至図６Ｈの工程図に従い、同軸線路構造を有するプローブ本体２の作製方法について説明する。【００３６】
先ず、図６Ａに示すように、絶縁層１１の両面に薄膜の金属層１２、１３が貼り合わせてなる両面金属貼り樹脂コア基板を用意する（図５のステップＳ１）。
次いで、図６Ｂに示すように、金属層１２上に、片面に金属層１５を貼り合わせてなる絶縁層１４を積層する。具体的には金属層１２上に片面金属貼り樹脂プリプレグを熱圧着する（図５のステップＳ２）。これにより、金属層１２の上に絶縁層１４、その上に金属層１５が形成される。
また、図６Ｂに示すように金属層１５の上にフォトレジストＲを塗布し（図５のステップＳ３）、露光・現像処理により所定のレジストパターンを形成する（図５のステップＳ４）。【００３７】
次いで、図６Ｃに示すように、レジストパターンをマスクとしてエッチング処理を行い、金属層１５に金属配線パターンを形成する（図５のステップＳ５）。これにより、信号線路１５ａ、グランド線路１５ｂの金属配線パターンが形成される。
金属層１５のパターン形成がなされフォトレジストＲが除去されると、図６Ｄに示すように、その上に片面に金属層１７を貼り合わせてなる絶縁層１６を積層する。具体的には、金属層１５（金属配線パターン）上に片面金属貼り樹脂プリプレグを熱圧着する（図５のステップＳ６）。これにより絶縁層１６、金属層１７が積層され、ストリップ線路（信号線路１５ａ）が形成される。【００３８】
次いで、図６Ｆに示すように、信号線路１５ａの延長方向に沿って信号線路１５ａの両側に、上方から下方に向け、グランド線１５ｂに交差し、且つ、信号線路１５ａよりも下層の金属層、即ち金属層１２に達するようレーザービーム照射、エンドミル等の方法により溝加工処理がなされる（図５のステップＳ７）。
そして、図６Ｇに示すように、上面及び溝部１９に金属メッキ処理がなされる（図５のステップＳ８）。この金属メッキ層１８により、金属層１２と金属層１７とが導通し、同軸線路構造のプリント配線基板が形成される。【００３９】
次いで、図６Ｈに示すように、この同軸線路構造のプリント配線基板の先端上部に切削加工により切り欠き部２ａが形成される。これにより、信号線路１５ａ及びグランド線路１５ｂの上面が所定面積露出し、プローブ先端部３との接続部が形成され、全体の成形処理後、プローブ本体２が完成する（図５のステップＳ９）。【００４０】
尚、前記各絶縁層は、ポリイミド系樹脂、ＢＣＢ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリオキサゾール系樹脂、エポキシ系樹脂、テフロン（登録商標）系樹脂、もしくはシクロオレフィン系樹脂のいずれかによるプリプレグであるのが好ましい。
また、前記各金属層は、金、銀、銅のいずれかにより形成されることが望ましく、金属メッキ層１８は、銅メッキであることが望ましい。
また、前記切り欠き部２ａを形成する方法については、特開平１０−２４２５９４号公報及び、特開２００１−１５６４４４号公報に開示の方法、即ち、プリント基板内に開口部を形成するプリント配線基板の製造方法を適用することも可能である。
その方法とは、予め切り欠きを形成したい部分に対応するプリント回路のプリプレグ層に切り欠きを設ける一方、通常の積層プロセスを経てプリント配線基板を作製し、それらを一体化させるものである。【００４１】
以下、その具体例を図１８Ａ乃至図２８Ｂの工程図を用い、図２９のフローに沿って説明する。尚、図１８Ａ、図１９Ａ、図２０Ａ、図２１Ａ、図２２Ａ、図２３Ａ、図２４Ａ、図２５Ａ、図２６Ａ、図２７Ａ、図２８Ａは夫々、作製されるプローブ本体２の正面側から見た図、図１８Ｂ、図１９Ｂ、図２０Ｂ、図２１Ｂ、図２２Ｂ、図２３Ｂ、図２４Ｂ、図２５Ｂ、図２６Ｂ、図２７Ｂ、図２８Ｂは、それらに対応する側面図である。【００４２】
先ず、図１８Ａ，図１８Ｂに示すように、絶縁層１４の両面に薄膜の金属層１５、１２が貼り合わせてなる両面金属貼り樹脂コア基板を用意する（図２９のステップＳＴ１）。
次いで、図１９Ａ、図１９Ｂに示すように金属層１５の上にフォトレジストＲを塗布し（図２９のステップＳＴ２）、露光・現像処理により所定のレジストパターンを形成する（図２９のステップＳＴ３）。
次いで、図２０Ａ、図２０Ｂに示すように、レジストパターンをマスクとしてエッチング処理を行い、金属層１５に金属配線パターンを形成する（図２９のステップＳＴ４）。これにより、金属配線パターンが形成される（以下、金属層１５を金属配線パターン１５とも呼ぶ）。【００４３】
金属層１５のパターン形成がなされフォトレジストＲが除去されると、図２１Ａ、図２１Ｂに示すように、上面に金属層１７を貼り合わせてなる半硬化性樹脂層５１を用意し（図２９のステップＳＴ５）、図２２Ａ、図２２Ｂに示すように、半硬化性樹脂層５１の先端部分に切削加工を施す（図２９のステップＳＴ６）。尚、半硬化性樹脂層５１は、一般にノンフロー樹脂、ローフロー樹脂とも呼ばれるプリキュア状態の樹脂層からなり、半硬化状態のエポキシ樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、ＢＴ樹脂、テフロン（登録商標）の樹脂等が用いられる。【００４４】
そして、図２３Ａ、図２３Ｂに示すように、半硬化性樹脂層５１を金属配線パターン１５上に熱プレスし、これにより半硬化性樹脂層５１が完全に硬化する（図２９のステップＳＴ７）。また、このとき、図示するように、切削加工を施した半硬化性樹脂５１の部位が中空状態となっている。
次に、図２４Ａ、図２４Ｂに示すように、下面に金属層１３を貼り合わせてなる絶縁層１１（片面金属貼り樹脂プリプレグ）を金属層１２の下面から補強のために熱圧着する（図２９のステップＳＴ８）。
補強され、図２５Ａ、図２５Ｂの状態となると、図２６Ａ、図２６Ｂに示すように、金属層１２に達するようレーザービーム照射、エンドミル等の方法により溝加工処理がなされる（図２９のステップＳＴ９）。【００４５】
そして、図２７Ａ、図２７Ｂに示すように、上面及び溝部１９に金属メッキ処理（無電解銅めっき処理）がなされる（図２９のステップＳＴ１０）。この金属メッキ層１８により、金属層１２と金属層１７とが導通し、同軸線路構造のプリント配線基板が形成される。
次いで、図２８Ａ、図２８Ｂに示すように、中空状態であった半硬化性樹脂層５１の部分が切削により取り除かれ、切り欠き部２ａが形成される（図２９のステップＳＴ１１）。【００４６】
続いて、図７のフロー及び、そのフローに対応した図８Ａ乃至図８Ｅの工程図に従い、図１に示す基板５上に、プローブ先端部３（コンタクトバンプ７無し）をリフトオフ法により作製する方法について説明する。【００４７】
先ず、図８Ａに示すように、シリコンまたはガラスからなる基板５の上面に、真空蒸着、スパッタ、ＣＶＤ、メッキ等のいずれかの手法により、金属層９を形成し（図７のステップＳ１１）、さらに、金属層９上に絶縁層８を形成する（図７のステップＳ１２）。
次に絶縁層８にフォトレジストＲを塗布し（図７のステップＳ１３）、露光、現像処理により図８Ｄに示すようにレジストパターンを形成する（図７のステップＳ１４）。【００４８】
次いで、図８Ｄに示すようにレジストパターンが形成された絶縁層８上に真空蒸着、スパッタ、ＣＶＤ、メッキ等のいずれかの手法により金属層１０を堆積する（図７のステップＳ１５）。
そして、図８Ｅに示すように、基板を溶媒に浸潤することにより、フォトレジストＲを除去する。これによりレジストパターン上の金属層１０が除去され、絶縁層８上に信号電極１０ａ及びグランド電極１０ｂの金属配線パターンが形成されてプローブ先端部３が完成する（図７のステップＳ１６）。【００４９】
続いて、図９のフロー及び、そのフローに対応した図１０Ａ乃至図１０Ｆの工程図に従い、図１に示す基板５上に、プローブ先端部３（コンタクトバンプ７無し）をエッチング法により作製する方法について説明する。【００５０】
先ず、図１０Ａに示すように、シリコンまたはガラスからなる基板５の上面に、真空蒸着、スパッタ、ＣＶＤ、メッキ等のいずれかの手法により金属層９を形成し（図９のステップＳ２１）、さらに、金属層９上に絶縁層８を形成する（図９のステップＳ２２）。
次いで、図１０Ｃに示すように、絶縁層８上に、真空蒸着、スパッタ、ＣＶＤ、メッキ等のいずれかの手法により金属層１０を形成する（図９のステップＳ２３）。
次に金属層１０上にフォトレジストＲを塗布し（図９のステップＳ２４）、露光、現像処理により図１０Ｄに示すようにレジストパターンを形成する（図９のステップＳ２５）。【００５１】
そして、図１０Ｅに示すように、化学またはプラズマエッチングによりレジストパターンをマスクとして金属層１０を加工し、信号電極１０ａ及びグランド電極１０ｂとなる金属配線パターンを形成する（図９のステップＳ２６）。
最後に、基板を溶媒に浸潤することにより、図１０Ｆに示すようにフォトレジストＲを除去する。これによりプローブ先端部３が完成する（図９のステップＳ２７）。
尚、以上の図９のフローに基づき説明した作製方法によれば、電極間ピッチを１０μｍ未満（下限は２μｍ）に形成することが可能である。【００５２】
続いて、図１１のフロー及び、そのフローに対応した図１２Ａ乃至図１２Ｄの工程図に従い、基板５を用いずにプローブ先端部３（コンタクトバンプ７無し）をエッチング法により作成する方法について説明する。【００５３】
先ず、図１２Ａに示すように、絶縁層８の両面に薄膜の金属層９、１０が貼り合わせてなる両面金属貼り樹脂コア基板を用意する（図１１のステップＳ３１）。
次に金属層１０にフォトレジストＲを塗布し（図１１のステップＳ３２）、露光、現像処理により図１２Ｂに示すようにレジストパターンを形成する（図１１のステップＳ３３）。【００５４】
そして、図１２Ｃに示すように、化学またはプラズマエッチングによりレジストパターンをマスクとして金属層１０を加工し、信号電極１０ａ及びグランド電極１０ｂとなる金属配線パターンを形成する（図１１のステップＳ３４）。
最後に、基板を溶媒に浸潤することにより、図１２Ｄに示すようにフォトレジストＲを除去する。これによりプローブ先端部３が完成する（図１１のステップＳ３５）。
尚、以上の図１１のフローに基づき説明した作製方法によれば、１０μｍを下限とする電極間ピッチを形成することが可能である。【００５５】
尚、図７〜図１２Ｄを用いて説明したプローブ先端部３の作製方法において、プローブ先端部３の各絶縁層は、ポリイミド系樹脂、ＢＣＢ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリオキサゾール系樹脂、エポキシ系樹脂、テフロン（登録商標）系樹脂、もしくはシクロオレフィン系樹脂のいずれかによるプリプレグであるのが好ましい。また、前記各金属層は、金、銀、銅のいずれかにより形成されることが望ましい。【００５６】
続いて、図１３のフロー及び、そのフローに対応した図１４Ａ乃至図１４Ｄの工程図に従い、プローブ先端部３にコンタクトバンプ７を形成する方法について説明する。尚、この説明においては、基板５上に形成されたプローブ先端部３に、コンタクトバンプ７を設ける場合を例に説明する。【００５７】
先ず、図１４Ａに示すように、図７または図９の工程により作製されたコンタクトバンプが未形成のプローブ先端部３（プリント配線基板）を用意する（図１３のステップＳ４１）。
次いで、金属層１０上にフォトレジストＲを塗布し（図１３のステップＳ４２）、図１４Ｂに示すように、露光、現像によりレジストパターンＲを形成する（図１３のステップＳ４３）。【００５８】
そして、図１４Ｃに示すようにレジストパターンＲ上に金、銀、銅等のいずれかを真空蒸着、スパッタ、ＣＶＤ、メッキ等のいずれかの手法により堆積し、コンタクト層７を形成する（図１３のステップＳ４４）。
そして、図１４Ｄに示すように、基板を溶媒に浸潤することにより、フォトレジストＲを除去する。これによりレジストパターン上のコンタクト層７が除去され、信号電極１０ａ上に信号用コンタクトバンプ７ａ、グランド電極１０ｂ上にグランド用コンタクトバンプ７ｂが形成される（図１３のステップＳ４５）。
尚、コンタクトバンプ７の金属材料として、コンタクト耐久性が必要な場合は、硬度の高い金属が望ましい。そのようなものとして、例えば、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｗ、Ｗ合金、Ｐｔ、Ｐｔ合金等が挙げられる。このうち、Ｎｉ、Ｎｉ合金については、表面の酸化を防ぐためにＡｕめっき処理を施すことが望ましい。【００５９】
以上のように、本発明に係る第一の実施の形態によれば、コンタクトプローブ１００をプリント配線基板により作製することによって、電極間ピッチが微細（例えば５０μｍ未満）なプローブ先端部３を容易に且つ精度よく形成することができる。
したがって、プローブ先端３を、半導体集積回路、半導体集積回路用パッケージ、及びプリント回路基板等に形成された微細ピッチに押し当て、その高速・高周波測定を実現することができる。【００６０】
また、プローブ先端部３と測定機器との電気的接続に、プローブ本体２を介すため、その接続を容易且つ正確なものとすることができる。即ち、プローブ本体２は、同軸線路構造を有するプリント配線基板により作製されるため、そのプローブ先端部３との接続、及び測定機器からの同軸ケーブルとの接続を夫々容易なものとすることができる。特に微小な構成となるプローブ先端部３と、同軸線路構造を有するプローブ本体２との接続は、基板同士の接続であるため、微細バンプ４を介して行うことができ、容易且つ正確な電気的接続を実現することができる。
また、プローブ本体２が同軸線路構造を有することにより、高速・高周波信号の伝送効率を向上すると共に、外来ノイズ及び配線間のクロストーク発生を低減することができる。【００６１】
尚、前記した第一の実施の形態においては、信号用コンタクトバンプ７ａとグランド用コンタクトバンプ７ｂとの電極間ピッチを１０〜５０μｍとしたが、本発明のコンタクトプローブはそれに限定されるものではなく、電極間ピッチを１０μｍ未満或いは５０μｍ以上に形成する場合であっても、本発明のコンタクトプローブ、及びその作製方法を適用することができ、前記の作用効果を得ることができる。【００６２】
続いて、図１５乃至図１７Ｂに基づき、本発明に係る第二の実施の形態として、複数チャンネル（複数系統）に対応するコンタクトプローブについて説明する。
図１５は、本発明に係るコンタクトプローブの第二の実施の形態を示す平面図である。図１６Ａは、図１５のコンタクトプローブのプローブ本体の構成を示す平面図であって、図１６Ｂはその正面図（Ａ−Ａ矢視図）である。また、図１７Ａは、図１５のコンタクトプローブのプローブ先端部の構成を示す平面図であって、図１７Ｂはその正面図（Ｂ−Ｂ矢視図）である。【００６３】
尚、第二の実施の形態に示すコンタクトプローブは、前記第一の実施の形態で示した作成方法と同様の工程により作製することができるため、その作製方法についての詳細な説明を省略する。また、同一部材については同一の符号で示し、その詳細な説明を省略する。【００６４】
図１５に示すコンタクトプローブ１０１は、プローブ本体２０とプローブ先端部３０とが図示しない微細バンプを用いた熱圧着により相互に接合され形成されている。図１５に示すコンタクトプローブ１０１は、複数チャンネル信号（図では例として８チャンネルを示す）に対応可能に構成されており、プローブ本体２０の後端に図示しない測定機器からの同軸ケーブル４０の先端が接続可能になされている。
図示するように、プローブ本体２０は、先端の幅が狭く後端の幅が広い扇状に形成され、隣接する同軸ケーブル間のピッチが広くなされているため、複数の同軸ケーブル４０を横並びに容易に接続することができる。【００６５】
また、プローブ本体２０は、図１６Ａ、図１６Ｂに示すように先端部に切り欠き部２０ａが形成されており、この切り欠き部２０ａにプローブ先端部３０の後端が接続される。切り欠き部２０ａには、夫々が対応する同軸ケーブル４０に接続された複数の同軸線路２０ｂの先端が所定のピッチで横並びに形成されており、夫々の信号線路１５ａ及びグランド線路１５ｂの上面が露出した状態となされている。【００６６】
一方、プローブ先端部３０は、図１７Ａ、図１７Ｂに示すように、プローブ本体２０と同様に先端の幅が狭く後端の幅が広い扇状に形成され、後端において隣り合う信号電極１０ａのピッチは、プローブ本体２０の切り欠き部２０ａで横並びに露出した信号線路１５ａと同じピッチで形成されている。【００６７】
また、測定対象に対してコンタクト部となるプローブ先端部３０の先端は、複数チャンネルの信号電極１０ａ及びグランド電極１０ｂが横並びに形成される。尚、プローブ先端において隣り合う信号電極１０ａとグランド電極１０ｂとの間のピッチ、及び信号電極１０ａ間のピッチは、夫々例えば１０〜５０μｍの所定値に形成されている。
このように、複数チャンネルに対応するプローブ先端部３０は、第一の実施の形態で説明したようにプリント配線基板の形成技術により作製されるため、隣り合う電極間のピッチが例えば５０μｍ未満の微細ピッチであっても、所望のピッチで複数のコンタクト電極を容易に並べて形成することができる。【００６８】
以上のように、本発明に係る第二の実施の形態によれば、プローブ先端部３０をプリント配線基板で作製することにより、コンタクトプローブ先端において、電極間ピッチが微細（例えば５０μｍ未満）な複数チャンネルの電極を並べて形成することができる。したがって、複数チャンネルの測定対象が微細ピッチで存在する場合であっても、複数チャンネルに対応するコンタクトプローブ１０１によって、各チャンネルについて高速・高周波信号の測定を行うことができる。
また、プローブ本体２の形状を後端の幅が広い扇状に形成することによって、後端の隣り合うチャンネル間のピッチを広くすることができ、測定機器からの同軸ケーブルとの接続を容易に行うことができる。【００６９】
尚、前記した第二の実施の形態においては、信号電極１０ａとグランド電極１０ｂとの間のピッチ、及び信号電極１０ａ間のピッチを、夫々例えば１０〜５０μｍとしたが、本発明のコンタクトプローブはそれに限定されるものではない。即ち、本発明のコンタクトプローブの作製方法によれば、例えば電極間ピッチを夫々１０μｍ未満、或いは５０μｍ以上に形成する場合であっても、従来の作製方法では実現困難な８チャンネル、１６チャンネルといった多チャンネルのコンタクトプローブを容易に得ることができ、前記の作用効果を得ることができる。【００７０】
また、前記実施の形態で示した方法により、図３０Ａに示すような複数の同軸線路５５が並列に形成された基板５４を作製し、同軸線路５５と同軸ケーブルとを接続する場合には、次のように行なうことができる。
先ず、図３０Ｂに示すように、基板５４において、同軸ケーブルと接続する部分、即ち各同軸線路５５の先端部分において信号線路５６及びグランド電極５７が上側に露出するように切り欠き部５５ａを形成する。
一方、図３０Ｃに示すように、同軸ケーブル６０において、同軸線路５５と接続する部分、即ち同軸ケーブル６０の先端部に、信号線路６１及びグランド電極６２が上面に露出するように切り欠き部６０ａを形成する。【００７１】
そして、図３１Ａに示すように、基板５４における同軸線路５５の切り欠き部５５ａと、同軸ケーブル６０の切り欠き部６０ａとを互いに向かい合わせ、さらに図３１Ｂに示すように互いの信号線路とグランド電極とを電気的に接触させた状態で接合する。【００７２】
尚、同軸線路５５と同軸ケーブル６０との接合は、接合を行なう同軸線路５５のメタル部分と同軸ケーブル６０のメタル部分とを共に、予め、半田に馴染ませておき、接合部位同士の接触後に、全体を加熱することで実現される。
このような接合方法によれば、同軸構造が略維持された接続が可能となるため、接続部の伝送特性の劣化を抑えることができる。
また、前記接合方法により、図３１Ｃに示すように、複数の同軸線路５５に対して複数の同軸ケーブル６０を接続することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明にかかるコンタクトプローブは、半導体集積回路、半導体集積回路用パッケージ、及びプリント回路基板等において、その高速・高周波特性の測定評価に用いることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図６Ｇ】
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【図６Ｈ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１０Ｅ】
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【図１０Ｆ】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１２Ｄ】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１４Ｄ】
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【図１５】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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【図２５Ａ】
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【図２５Ｂ】
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【図２６Ａ】
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【図２６Ｂ】
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【図２７Ａ】
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【図２７Ｂ】
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【図２８Ａ】
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【図２８Ｂ】
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【図２９】
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【図３０Ａ】
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【図３０Ｂ】
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【図３０Ｃ】
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【図３１Ａ】
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【図３１Ｂ】
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【図３１Ｃ】
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【国際調査報告】
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