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【手続補正書】
【提出日】平成19年6月25日(2007.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生化学処理装置であって、
核酸を増幅させるための溶液を所定の温度に加熱するサイクルを繰り返し行うためのサーマルサイクル部と、
前記サーマルサイクル部にて用いられる溶液の保冷を行なうための保冷部と、
前記サーマルサイクル部にて増幅された核酸を含む核酸溶液を精製するための精製部とを有し、
前記サーマルサイクル部と前記保冷部の間に、前記精製部が設けられていることを特徴とする生化学処理装置。
【請求項２】
少なくとも標識された標的核酸を増幅させるためのＰＣＲを行うウェル、
核酸溶液の精製を行うウェル、
前記ＰＣＲにて用いられる溶液を収容するウェル、
が一体化された反応・保存容器を有する請求項１記載の生化学処理装置。
【請求項３】
前記サーマルサイクル部のサーマルサイクルブロックと、前記保冷部の冷却ブロックとを保持する上下に移動可能な保持板を有する請求項１記載の生化学処理装置。
【請求項４】
前記サーマルサイクル部は、核酸を増幅させるためのウェルの上方に加熱ユニットを有する請求項１記載の生化学処理装置。
【請求項５】
前記精製部の溶液を吸引するためのピペット又は前記精製部に溶液を吐出するためのピペットを備える請求項１記載の生化学処理装置。
【請求項６】
前記精製部に磁石が近づくように動く、磁石固定部材を備える請求項１記載の生化学処理装置。
【請求項７】
核酸を増幅させる第１ＰＣＲを行うための溶液が収容された第１のウェルと、
磁性粒子溶液が収容された第２のウェルと、
標識された標的核酸を増幅させる第２ＰＣＲを行うため溶液が収容された第３のウェルと、を有し、少なくとも
前記第１のウェルと、前記第３のウェルとの間に前記第２のウェルが配置されていることを特徴とする保存容器。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月25日(2007.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を収容可能な複数の収容部を有する容器を使用して生化学の反応を行なうための生化学処理装置であって、
前記多数の収容部のうち、核酸を増幅する生化学の反応を行うために、収容された液体の加熱を行う一部の前記収容部を選択的に密閉する密閉手段を有することを特徴とする生化学処理装置。
【請求項２】
前記密閉手段を構成する蓋部材の上部に、密閉された収容部に収容された溶液を加熱するための加熱手段を有する請求項１に記載の生化学処理装置。
【請求項３】
前記加熱手段を前記収容部から退避する動作と前記蓋部材の開閉の動作とを時間差をおいて行い、前記加熱手段を収容部から退避する動作を先に行うことを特徴とする請求項２記載の生化学処理装置。
【請求項４】
前記多数の収容部の全てが予めラミネートフィルムで密閉されている密閉する請求項１から３のいずれかに記載の生化学処理装置。
【請求項５】
前記密閉手段を構成する蓋部材によって、前記収容部が密閉されるように、前記容器を前記蓋部材に向けて付勢する付勢手段を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか記載の生化学処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月30日(2007.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
撮像光学系を介して入射した光を撮影画像信号に変換する撮像センサを有し、シャッター操作部の１回の操作により、複数枚の画像を連続撮影して撮影画像信号を生成する連写モードでの撮影が可能な撮像装置であって、
連写モードに設定するための操作手段と、
閃光発生手段と、
前記操作手段の操作に応答して、前記閃光発生手段の発生許可及び禁止を行う閃光発生制御手段と、
前記連続撮影された複数枚の画像を記録する記録手段とを備え、
前記操作手段により連写モードに設定された場合には、前記シャッター操作部の１回の操作に応答して、前記撮像センサに入射する画像が前記閃光発生制御手段によって閃光許可された状態の撮影と、禁止された状態の撮影とが連続して行われることを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
撮像光学系を介して入射した光を撮影画像信号に変換する撮像センサを有し、シャッター操作部の１回の操作により、複数枚の画像を連続撮影して撮影画像信号を生成する連写モードでの撮影が可能な撮像装置であって、
連写モードに設定するための操作手段と、
閃光発生手段と、
前記閃光発生手段により発光される閃光の量を制御する閃光発光量制御手段と、
前記連続撮影された複数枚の画像を記録する記録手段とを備え、
前記操作手段により連写モードに設定された場合には、前記シャッター操作部の１回の操作に応答して、前記閃光発光量制御手段により発光量をそれぞれ変えて、連続して撮影が行われることを特徴とする撮像装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
撮影画像を表示する表示手段をさらに備え、
前記撮影された複数枚の画像は前記表示手段に表示可能であることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の目的は以下の構成を備えた撮像装置によって達成される。
撮像光学系を介して入射した光を撮影画像信号に変換する撮像センサを有し、シャッター操作部の１回の操作により、複数枚の画像を連続撮影して撮影画像信号を生成する連写モードでの撮影が可能な撮像装置であって、
連写モードに設定するための操作手段と、
閃光発生手段と、
操作手段の操作に応答して、閃光発生手段の発生許可及び禁止を行う閃光発生制御手段と、
連続撮影された複数枚の画像を記録する記録手段とを備え、
操作手段により連写モードに設定された場合には、シャッター操作部の１回の操作に応答して、撮像センサに入射する画像が閃光発生制御手段によって閃光許可された状態の撮影と、禁止された状態の撮影とが連続して行われる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の目的は以下の構成を備えた撮像装置によって達成される。
撮像光学系を介して入射した光を撮影画像信号に変換する撮像センサを有し、シャッター操作部の１回の操作により、複数枚の画像を連続撮影して撮影画像信号を生成する連写モードでの撮影が可能な撮像装置であって、
連写モードに設定するための操作手段と、
閃光発生手段と、
閃光発生手段により発光される閃光の量を制御する閃光発光量制御手段と、
連続撮影された複数枚の画像を記録する記録手段とを備え、
操作手段により連写モードに設定された場合には、シャッター操作部の１回の操作に応答して、閃光発光量制御手段により発光量をそれぞれ変えて、連続して撮影が行われる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月1日(2007.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列中に超可変領域、ＣＤＲ１、ＣＤＲ２およびＣＤＲ３、この場合、ＣＤＲ１はアミノ酸配列Ser-Tyr-Trp-Ile-Glyを有し、ＣＤＲ２はアミノ酸配列Ile-Ile-Tyr-Pro-Ser-Asp-Ser-Asp-Thr-Arg-Tyr-Ser-Pro-Ser-Phe-Gln-Glyを有し、ＣＤＲ３はアミノ酸配列Tyr-Thr-Asn-Trp-Asp-Ala-Phe-Asp-Ileを有し、ならびにそれらの直接の等価物を含む少なくとも１つの免疫グロブリン重鎖可変ドメイン(ＶＨ)を含む抗原結合部位を含むＩＬ−１β結合分子。
【請求項２】
重鎖(ＶＨ)および軽鎖(ＶＬ)可変ドメインの両方を含むＩＬ−１β結合分子であって、
ａ)配列中に超可変領域、ＣＤＲ１、ＣＤＲ２およびＣＤＲ３含み、この場合、ＣＤＲ１はアミノ酸配列Ser-Tyr-Trp-Ile-Glyを有し、ＣＤＲ２はアミノ酸配列Ile-Ile-Tyr-Pro-Ser-Asp-Ser-Asp-Thr-Arg-Tyr-Ser-Pro-Ser-Phe-Gln-Glyを有し、ＣＤＲ３はアミノ酸配列Tyr-Thr-Asn-Trp-Asp-Ala-Phe-Asp-Ileを有する、免疫グロブリン重鎖可変ドメイン(ＶＨ)、
ｂ)アミノ酸配列Gln-Gln-Arg-Ser-Asn-Trp-Met-Phe-Proを有するＣＤＲ３'超可変領域を含む免疫グロブリン軽鎖可変ドメイン(ＶＬ)
およびそれらの直接の等価物
を含む少なくとも１つの抗原結合部位を含む当該ＩＬ−１β結合分子。
【請求項３】
免疫グロブリン軽鎖可変ドメイン(ＶＬ)が、配列中に超可変領域、ＣＤＲ１'、ＣＤＲ２'およびＣＤＲ３'、この場合、ＣＤＲ１'はアミノ酸配列Arg-Ala-Ser-Gln-Ser-Val-Ser-Ser-Tyr-Leu-Alaを有し、ＣＤＲ２'はアミノ酸配列Asp-Ala-Ser-Asn-Arg-Ala-Thrを有し、ＣＤＲ３'はアミノ酸配列Gln-Gln-Arg-Ser-Asn-Trp-Met-Phe-Proを有し、ならびにそれらの直接の等価物を含む請求項２のＩＬ−１β結合分子。
【請求項４】
ヒト抗体である請求項１、２または３のＩＬ−１β結合分子。
【請求項５】
１位のアミノ酸から始まり１２８位のアミノ酸で終わる配列番号１に示されるものと実質的に同一のアミノ酸配列を有する第一のドメイン、または上記のような第一のドメインおよび１位のアミノ酸から始まり１０７位のアミノ酸で終わる配列番号２に示されるものと実質的に同一のアミノ酸配列を有する第二のドメイン、のいずれかを含む少なくとも１つの抗原結合部位を含むＩＬ−１β結合分子。
【請求項６】
ＩＬ−１仲介疾患または異常の処置の使用のための、請求項１−５のいずれか１つのＩＬ−１β結合分子。
【請求項７】
ａ)フレームワークおよび超可変領域を代わりに含み、この場合、当該超可変領域は、配列ＣＤＲ１、ＣＤＲ２およびＣＤＲ３であり、そのアミノ酸配列は配列番号１で示される、可変ドメインをコードする第一の部分；この第一の部分は、可変ドメインの最初のアミノ酸をコードするコドンから始まり可変ドメインの最後のアミノ酸をコードするコドンで終わり、そして
ｂ)重鎖の定常部分の最初のアミノ酸をコードするコドンで始まりその定常部分またはそのフラグメントの最後のアミノ酸をコードするコドンで終わる重鎖定常部分またはそのフラグメント、その後に続くストップコドンをコードする第二の部分、
を含む重鎖またはそのフラグメントをコードする第一のＤＮＡ構成物。
【請求項８】
ａ)フレームワークおよび超可変領域を代わりに含み、この場合、当該超可変領域は、ＣＤＲ３'ならびに所望によりＣＤＲ１'およびＣＤＲ２'であり、そのアミノ酸配列は配列番号２で示される、可変ドメインをコードする第一の部分；この第一の部分は、可変ドメインの最初のアミノ酸をコードするコドンから始まり可変ドメインの最後のアミノ酸をコードするコドンで終わり、そして
ｂ)軽鎖の定常部分の最初のアミノ酸をコードするコドンで始まりその定常部分またはそのフラグメントの最後のアミノ酸をコードするコドンで終わる軽鎖定常部分またはそのフラグメント、その後に続くストップコドンをコードする第二の部分、
を含む軽鎖またはそのフラグメントをコードする第二のＤＮＡ構成物。
【請求項９】
請求項７または請求項８の少なくとも１つのＤＮＡ構成物を含む原核または真核細胞系において複製可能な発現ベクター。
【請求項１０】
(i)請求項９の発現ベクターで形質転換された生物を培養すること、および(ii)当該培養物からＩＬ−１β結合分子を回収すること、を含むＩＬ−１β結合分子の産生のための方法。
【請求項１１】
残基Ｇｌｙ２２、Ｐｒｏ２３、Ｔｙｒ２４およびＧｌｕ２５を含むループを含み、ＩＬ−１βによるそのレセプターへの結合を阻害することができる、成熟ヒトＩＬ−１βの抗原性エピトープに対し抗原結合特異性を有するＩＬ−１βに対する抗体。
【請求項１２】
残基Ｇｌｙ２２、Ｐｒｏ２３、Ｔｙｒ２４およびＧｌｕ２５を含むループを含む成熟ヒトＩＬ−１βの抗原性エピトープに対し抗原結合特異性を有し、そしてＩＬ−１βによるそのレセプターへの結合を阻害することができる、ＩＬ−１βに対する抗体を有効成分とする、ＩＬ−１仲介疾患または異常の処置のための医薬。
【請求項１３】
残基Ｇｌｙ２２、Ｐｒｏ２３、Ｔｙｒ２４およびＧｌｕ２５を含むループを含む成熟ヒトＩＬ−１βの抗原性エピトープに対し抗原結合特異性を有し、そしてＩＬ−１βによるそのレセプターへの結合を阻害することができる、ＩＬ−１βに対する抗体の、ＩＬ−１仲介疾患または異常の処置用の医薬の調製のための使用。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月25日(2007.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技者らにより随時押し操作されるスイッチ装置を遊技機前面に設けた遊技機において、
前記スイッチ装置は、
光透過性を持った前面部を有する押しボタン部材と、
該押しボタン部材の前面部に対向して設けられ、その対向面に発光部材を実装した回路基板と、
該回路基板において前記発光部材を設けた面の逆側の面であって前記押しボタン部材の略中央位置に設けられたセンサ部材と、
前記センサ部材により検出可能となる位置で該センサ部材に対して近接配置され、前記押しボタン部材に連動して変位する被検出体と、を備え、
前記押しボタン部材に連動して前記被検出体が変位した際、その変位を前記センサ部材により検出する構成としたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記センサ部材を、対向配置された発光素子と受光素子とを有するフォトインタラプタにより構成する一方、前記被検出体を、前記押しボタン部材の押し操作に伴い前記発光素子から前記受光素子への投光を許可又は遮断するための遮光部材としたことを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記押しボタン部材の前面部は扁平形状をなし、該押しボタン部材の長手方向の略中央位置に前記センサ部材を設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記回路基板には、前記センサ部材の設置面と同じ面に、別装置との電気的な接続を行うためのコネクタ部材を設置したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の遊技機。
【請求項５】
前記押しボタン部材に一体動作可能に連結されるとともに、少なくとも一部が前記回路基板を挟んで前記押しボタン部材の逆側に配される可動部材を備え、その可動部材に前記被検出体を設けたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の遊技機。
【請求項６】
前記可動部材は、前記回路基板を跨ぐようにして延びる複数のアーム部を備え、該アーム部の先端部において前記押しボタン部材と連結されていることを特徴とする請求項５に記載の遊技機。
【請求項７】
前記回路基板を固定配置するとともに前記押しボタン部材を押し操作方向に移動可能に保持するケース部材を備え、該ケース部材に、前記押しボタン部材を非操作位置に付勢するための付勢部材を収容したことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の遊技機。
【請求項８】
絵柄を変動表示する絵柄表示装置と、該絵柄表示装置の表示内容を制御する表示用制御装置とを備えた遊技機において、
前記センサ部材により前記被検出体の変位が検出された際、前記スイッチ装置は、前記絵柄表示装置の表示内容を変更するためのトリガ信号を前記表示用制御装置に出力することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月5日(2006.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微細な電気回路が形成された被検査試料に一次電子ビームを照射して、当該一次電子ビーム照射により発生する二次電子または後方散乱電子を検出し検出信号として出力する電子光学手段と、
前記一次電子ビームの照射条件および前記二次電子または後方散乱電子の検出条件とが設定入力される制御部と、
前記検出信号により形成された画像信号が格納される画像記憶部と、
前記二次電子または後方散乱電子の発生数と前記被検査試料の表面帯電電位との対応関係を計算し、更に前記一次電子ビームの照射条件を元に、前記画像信号の信号レベルに対応する一次電子ビーム照射位置の電気抵抗ないし電気容量を計算する計算機部とを備えたことを特徴とする検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の検査装置において、
前記電子光学手段は、前記被検査試料に対してリターディング電位を印加する手段を備えることを特徴とする検査装置。
【請求項３】
微細な電気回路が形成された被検査試料に一次電子ビームを走査して、当該一次電子ビーム照射により発生する二次電子または後方散乱電子を検出し検出信号として出力する電子光学手段と、
前記一次電子ビームの照射条件および前記二次電子または後方散乱電子の検出条件とが設定入力される制御部と、
前記一次電子ビームの照射条件に基づき、該一次電子ビームの照射位置の電気抵抗または電気容量をパラメータとして前記一次電子ビームの走査領域の画像を形成し、当該形成された画像が前記電位コントラスト像と一致するように当該電気抵抗または電気容量を決定する画像処理部とを備えることを特徴とする検査装置。
【請求項４】
請求項３に記載の検査装置において、
前記画像処理部は、隣接する前記回路同士の画像を比較検査して、差信号レベルが所定の値よりも大きかった場合に当該画像の位置を欠陥部として認識する処理を実行することを特徴とする検査装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の検査装置において、
前記被検査試料は、ｐｎ接合部やショットキー接合部が形成された回路パターンを備えることを特徴とする検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷検出装置を備えた固体撮像装置であって、
前記電荷検出装置は、
半導体基板と、前記半導体基板内に形成され信号電荷を転送する転送部と、
前記転送部の上部に形成され前記信号電荷の出力制御を行う出力ゲートと、
前記出力ゲートの下部に位置する前記転送部に隣接して形成され、前記信号電荷を出力ゲートを介して入力し電圧に変換する電圧変換部と、
前記出力ゲートに隣接または重なりをもって、前記電圧変換部が存在しない領域の上部に形成され、所定の電位に設定された、１つまたは複数の第１の導電性膜とを備える
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
さらに、前記出力ゲートの側方に沿って、少なくとも前記電圧変換部の上部から前記第１の導電性膜に至る１つまたは複数の第２の導電性膜を備える
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
さらに、所定外の領域への光入射を防止する遮光膜を備え、
前記第１および第２の導電性膜は、前記遮光膜と同等材料である
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第１の導電性膜が、前記転送部と前記電圧変換部を挟む両側にそれぞれ１つ形成されている
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記所定の電位は、グランド電位である
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記所定の電位は、前記出力ゲートの電位と同電位またはより高い電位である
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
さらに、前記電圧変換部の電位をリセットするリセットゲートを備え、
前記所定の電位は、前記リセットゲートの電位と同電位である
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第２の導電性膜と前記電圧変換部との間隔が、前記出力ゲートと前記転送部との間隔よりも長い
ことを特徴とする請求項２〜７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
電荷検出装置を備える固体撮像装置の製造方法であって、
前記電荷検出装置は、半導体基板と、前記半導体基板内に形成され信号電荷を転送する転送部と、前記転送部の上部に形成され前記信号電荷の出力制御を行う出力ゲートと、前記出力ゲートの下部に位置する前記転送部に隣接して形成され、前記信号電荷を出力ゲートを介して入力し電圧に変換する電圧変換部と、前記出力ゲートに隣接または重なりをもって、前記電圧変換部が存在しない領域の上部に形成され、所定の電位に設定された、１つまたは複数の第１の導電性膜と、所定外の領域への光入射を防止する遮光膜とを備え、
前記第１の導電性膜は、前記遮光膜と同等材料であり、
前記固体撮像装置の製造方法は、
前記遮光膜の材料を堆積する工程と、
前記出力ゲートに隣接または重なりをもって、堆積された前記遮光膜の材料の上部における少なくとも１箇所にレジストを塗布および現像する塗布現像工程と、
前記遮光膜の材料をエッチング除去する工程と、
前記レジストを除去して、前記第１の導電性膜を形成する形成工程とを含む
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
さらに、
前記塗布現像工程において、前記出力ゲートの側方に沿って、少なくとも前記電圧変換部の上部から前記領域の上部にかけて堆積された前記遮光膜の材料の上部にレジストを塗布および現像し、
前記形成工程において、前記第２の導電性膜を形成する
ことを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記目的を達成するため、本発明に係る固体撮像装置は電化検出装置を備え、前記電荷検出装置は、半導体基板と、前記半導体基板内に形成され信号電荷を転送する転送部と、前記転送部の上部に形成され前記信号電荷の出力制御を行う出力ゲートと、前記出力ゲートの下部に位置する前記転送部に隣接して形成され、前記信号電荷を出力ゲートを介して入力し電圧に変換する電圧変換部と、前記出力ゲートに隣接または重なりをもって、前記電圧変換部が存在しない領域の上部に形成され、所定の電位に設定された、１つまたは複数の第１の導電性膜とを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、本発明に係る固体撮像装置は、前記電荷検出装置を備えることを特徴とする。
これにより、高感度な特性を有する固体撮像装置が実現できる。
また、本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、前記遮光膜の材料を堆積する工程と、前記出力ゲートに隣接または重なりをもって、堆積された前記遮光膜の材料の上部における少なくとも１箇所にレジストを塗布および現像する塗布現像工程と、前記遮光膜の材料をエッチング除去する工程と、前記レジストを除去して、前記第１の導電性膜を形成する形成工程とを含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月3日(2007.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に基板を載置したサセプタをフローライナーの壁部に形成した開口部に挿入し、前記サセプタを回転させながら該サセプタの裏面側に配置したヒーターにより前記サセプタを加熱し、該サセプタを介して基板を加熱するとともに、前記フローライナー内に気相原料を供給して基板面に薄膜を堆積させる気相成長装置において、前記サセプタの外周部、前記ヒーターの外周部の少なくともいずれか一箇所に、前記フローライナーの開口部と前記サセプタとの間からの気相原料の漏洩を抑制する手段を設けたことを特徴とする気相成長装置。
【請求項２】
表面に基板を載置したサセプタをフローライナーの壁部に形成した開口部に挿入し、前記サセプタを回転させながら該サセプタの裏面側外周を覆うリフレクター内に配置したヒーターにより前記サセプタを加熱し、該サセプタを介して基板を加熱するとともに、前記フローライナー内に気相原料を供給して基板面に薄膜を堆積させる気相成長装置において、前記サセプタの外周部、前記ヒーターの外周部及び前記リフレクターの外周部の少なくともいずれか一箇所に、前記フローライナーの壁部外面からサセプタの回転軸に平行な方向に延出するガス漏れ抑制板を設けたことを特徴とする気相成長装置。
【請求項３】
前記ガス漏れ抑制板と、該ガス漏れ抑制板を設けた前記サセプタの外周部又は前記ヒーターの外周部又は前記リフレクターの外周部との間隔が０．５〜５ｍｍの範囲に設定されていることを特徴とする請求項２記載の気相成長装置。
【請求項４】
前記ガス漏れ抑制板は、前記フローライナー側の端部がフローライナーの壁部外面に接着されていることを特徴とする請求項２記載の気相成長装置。
【請求項５】
前記ガス漏れ抑制板は、炭化物、窒化物、石英ガラス、モリブデン、サファイア及びステンレス鋼のいずれかで形成されていることを特徴とする請求項２記載の気相成長装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の気相成長装置は、表面に基板を載置したサセプタをフローライナーの壁部に形成した開口部に挿入し、前記サセプタを回転させながら該サセプタの裏面側に配置したヒーターにより前記サセプタを加熱し、該サセプタを介して基板を加熱するとともに、前記フローライナー内に気相原料を供給して基板面に薄膜を堆積させる気相成長装置において、前記サセプタの外周部、前記ヒーターの外周部の少なくともいずれか一箇所に、前記フローライナーの開口部と前記サセプタとの間からの気相原料の漏洩を抑制する手段を設けたことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の気相成長装置は、表面に基板を載置したサセプタをフローライナーの壁部に形成した開口部に挿入し、前記サセプタを回転させながら該サセプタの裏面側外周を覆うリフレクター内に配置したヒーターにより前記サセプタを加熱し、該サセプタを介して基板を加熱するとともに、前記フローライナー内に気相原料を供給して基板面に薄膜を堆積させる気相成長装置において、前記サセプタの外周部、前記ヒーターの外周部及び前記リフレクターの外周部の少なくともいずれか一箇所に、前記フローライナーの壁部外面からサセプタの回転軸に平行な方向に延出するガス漏れ抑制板を設けたことを特徴としている。さらに、前記ガス漏れ抑制板と、該ガス漏れ抑制板を設けた前記サセプタの外周部又は前記ヒーターの外周部又は前記リフレクターの外周部との間隔が０．５〜５ｍｍの範囲に設定されていること、前記ガス漏れ抑制板は、前記フローライナー側の端部がフローライナーの壁部外面に接着されていること、前記ガス漏れ抑制板が、炭化物、窒化物、石英ガラス、モリブデン、サファイア及びステンレス鋼のいずれかで形成されていることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月18日(2007.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子掲示板と記事との間の親子関係または記事と記事との間の親子関係を記述する親子関係情報を記憶する親子関係情報記憶手段と、
新たな記事を受け付ける新規記事受付手段と、
上記新規記事受付手段で受け付けた記事と、対応する既存の電子掲示板または既存の記事との間の親子関係を記述する親子関係情報を生成して上記親子関係情報記憶手段に書き込みを追加する新規記事親子関係追加手段と、
既存の電子掲示板または記事と既存の記事との間の新たな親子関係を記述する親子関係情報を生成して上記親子関係情報記憶手段に追加書き込みする既存記事親子関係追加手段と、
既存の電子掲示板または記事と既存の記事との間の既存の親子関係を記述する親子関係情報を上記親子関係情報記憶手段において無効にする既存記事親子関係無効化手段としてコンピュータを機能させることを特徴とする電子掲示板用コンピュータプログラム。
【請求項２】
電子掲示板が複数設けられている請求項１記載の電子掲示板用コンピュータプログラム。
【請求項３】
電子掲示板の所定の記事に続く記事ツリーを所定の他の記事の後に移動させる移動要求入力手段をさらに有し、上記移動要求入力手段の指定に基づいて上記既存記事親子関係無効化手段により上記所定の記事に続く記事ツリーの記述する親子関係情報を無効化し、上記既存記事親子関係追加手段により上記所定の他の記事の後に上記所定の記事に続く記事ツリーを繋げるように親子関係情報を追加する請求項１または２記載の電子掲示板用コンピュータプログラム。
【請求項４】
電子掲示板の所定の記事以降の記事ツリーを所定の他の記事の後にコピーするコピー要求入力手段をさらに有し、上記コピー要求入力手段の指定に基づいて上記所定の記事以降の記事ツリーをなす記事のコピーを生成し、コピーの間の親子関係を生成し、上記既存記事親子関係追加手段により、上記所定の他の記事を親とし上記所定の記事のコピーを子とする親子関係情報を追加する請求項１、２または３記載の電子掲示板用コンピュータプログラム。
【請求項５】
電子掲示板の所定の記事以降の記事ツリーに対して、所定の他の記事の直後を登録先と追加する登録先追加要求入力手段をさらに有し、上記登録先追加要求入力手段の指定に基づいて上記既存記事親子関係追加手段により上記所定の他の記事を親とし上記所定の記事を子とする親子関係情報を追加する請求項１、２、３または４記載の電子掲示板用コンピュータプログラム。
【請求項６】
電子掲示板の所定の記事以降の記事ツリーを削除する削除要求入力手段をさらに有し、上記削除要求入力手段の指定に基づいて上記既存記事親子関係無効化手段により少なくとも上記所定の記事を子とする親子関係情報を無効化する請求項１、２、３、４または５記載の電子掲示板用コンピュータプログラム。
【請求項７】
電子掲示板と記事との間の親子関係または記事と記事との間の親子関係を記述する親子関係情報を記憶する親子関係情報記憶手段と、
新たな記事を受け付ける新規記事受付手段と、
上記新規記事受付手段で受け付けた記事と、対応する既存の電子掲示板または既存の記事との間の親子関係を記述する親子関係情報を生成して上記親子関係情報記憶手段に書き込みを追加する新規記事親子関係追加手段と、
既存の電子掲示板または記事と既存の記事との間の新たな親子関係を記述する親子関係情報を生成して上記親子関係情報記憶手段に追加書き込みする既存記事親子関係追加手段と、
既存の電子掲示板または記事と既存の記事との間の既存の親子関係を記述する親子関係情報を上記親子関係情報記憶手段において無効にする既存記事親子関係無効化手段とを有することを特徴とする電子掲示板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月6日(2007.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像装置により撮像された画像を取得する取得工程と、
前記画像から被写体の肌領域を抽出する抽出工程と、
前記肌領域の画像データを解析する解析工程と、
前記画像データの解析結果に基づいて前記被写体が斜光状態で撮影されたか否かを判定する判定工程と
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項２】
前記解析工程が、前記被写体の肌領域のそれぞれの輝度値と該肌領域の輝度平均値との差が所定値以上の領域を算出し、該領域が前記肌領域に占める面積比率を算出し、
前記判定工程が、前記面積比率に応じて前記画像が撮影されたときの斜光状態の程度を判定する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項３】
前記判定工程によって判定された前記画像の斜光状態の程度に基づいて、該画像を補正する際の補正目標値を変更する変更工程と、
前記変更工程により変更された前記補正目標値に従って前記画像を補正する補正工程と
をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の画像処理方法。
【請求項４】
前記抽出工程が、前記被写体の肌領域として前記画像から人物の顔領域を抽出することを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項に記載の画像処理方法。
【請求項５】
前記変更工程が、前記画像の露出を補正する際の露出補正目標値を変更し、
前記補正工程が、前記変更工程により変更された前記露出補正目標値に従って前記画像の露出を補正する
ことを特徴とする請求項３に記載の画像処理方法。
【請求項６】
撮像装置により撮像された画像を取得する取得手段と、
前記画像から被写体の肌領域を抽出する抽出手段と、
前記肌領域の画像データを解析する解析手段と、
前記画像データの解析結果に基づいて前記被写体が斜光状態で撮影されたか否かを判定する判定手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項７】
前記解析手段が、前記被写体の肌領域のそれぞれの輝度値と該肌領域の輝度平均値との差が所定値以上の領域を算出し、該領域が前記肌領域に占める面積比率を算出し、
前記判定手段が、前記面積比率に応じて前記画像が撮影されたときの斜光状態の程度を判定する
ことを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記判定手段によって判定された前記画像の斜光状態の程度に基づいて、該画像を補正する際の補正目標値を変更する変更手段と、
前記変更手段により変更された前記補正目標値に従って前記画像を補正する補正手段と
をさらに備えることを特徴とする請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記抽出手段が、前記被写体の肌領域として前記画像から人物の顔領域を抽出することを特徴とする請求項６から８までのいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記変更手段が、前記画像の露出を補正する際の露出補正目標値を変更し、
前記補正手段が、前記変更手段により変更された前記露出補正目標値に従って前記画像の露出を補正する
ことを特徴とする請求項８に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
コンピュータに、
撮像装置により撮像された画像を取得する取得手順と、
前記画像から被写体の肌領域を抽出する抽出手順と、
前記肌領域の画像データを解析する解析手順と、
前記画像データの解析結果に基づいて前記被写体が斜光状態で撮影されたか否かを判定する判定手順と
を実行させるためのプログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月20日(2007.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏面とを貫通する貫通孔の内部に第１導電層と第２導電層とを有する貫通基板であって、
前記第１導電層は、前記貫通孔の内壁面に沿って導電層を形成することによって形成され、
前記第２導電層は、前記第１導電層の内壁面に沿って、間に絶縁層を介して形成されたことを特徴とする、貫通基板。
【請求項２】
前記第２導電層は、前記貫通基板の一方面側において、前記絶縁層の上にメッキ電極として金属のシード層を設け、前記シード層を他方面側まで成長させることによって形成される、請求項１に記載の貫通基板。
【請求項３】
前記第１導電層はシールド線として作動し、前記第２導電層は、信号線として作動する、請求項１に記載の貫通基板。
【請求項４】
前記基板は絶縁物基板を含む、請求項１に記載の貫通基板。
【請求項５】
前記基板は半導体基板を含み、
前記貫通孔の内壁面と前記第１導電層との間に絶縁層をさらに含む、請求項１に記載の貫通基板。
【請求項６】
前記貫通孔はインターポーザの貫通孔である、請求項１に記載の貫通基板。
【請求項７】
基板を準備するステップと、
前記基板に貫通孔を形成するステップと、
前記貫通孔の内壁面に沿って、内部に内壁面を有する第１導電層を形成するステップと、
前記第１導電層の内壁面に沿って、間に絶縁層を介して第２導電層を形成するステップとを含む、貫通基板の製造方法。
【請求項８】
前記基板を準備するステップは、半導体基板を準備するステップ含み、
前記貫通孔の内壁面に沿って、内部に内壁面を有する第１導電層を形成する前に、前記貫通孔の内壁面に沿って、内部に内壁面を有する絶縁層を形成するステップをさらに含み、その後、絶縁層の内壁面に沿って前記第２導電層を形成するステップを含む、請求項７に記載の貫通基板の製造方法。
【請求項９】
表裏面とを貫通する貫通孔の内部に第１導電層と第２導電層とを有するインターポーザであって、
前記第１導電層は、前記貫通孔の内壁面に沿って導電層を形成することによって形成され、
前記第２導電層は、前記第１導電層の内壁面に沿って、間に絶縁層を介して形成されたことを特徴とする、インターポーザ。
【請求項１０】
前記第２導電層は、前記貫通孔の一方面側において、前記絶縁層の上にメッキ電極として金属のシード層を設け、前記シード層を他方面側まで成長させることによって形成される、請求項９に記載のインターポーザ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】貫通基板、貫通基板の製造方法およびインターポーザ
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月20日(2007.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表裏面を貫通する貫通孔の内部に、第１導電層と、前記第１導電層に対して、間に絶縁層を介して設けられた第２導電層とを有するインターポーザであって、
前記第１導電層は、前記基板上に設けられた部分を有し、
前記第２導電層は、間に前記絶縁層を夾んで前記第１導電層の上に設けられる、インターポーザ。
【請求項２】
前記第１導電層と、前記第２導電層とは受動素子を構成する、請求項１に記載のインターポーザ。
【請求項３】
請求項１に記載のインターポーザの電位保持方法であって、
前記第１導電層を第１の電位に保持し、
前記第２導電層を、前記第１の電位と異なる第２の電位に保持する、インターポーザの電位保持方法。
【請求項４】
請求項１に記載のインターポーザの電位保持方法であって、
前記第１導電層および前記第２導電層を同じ電位に保持する、インターポーザの電位保持方法。
【請求項５】
前記第１導電層はシールド線として作動し、前記第２導電層は信号線として作動する、請求項１に記載のインターポーザ。
【請求項６】
請求項１に記載のインターポーザの電位保持方法であって、
前記基板は導電体または半導体の基板を含み、
前記基板が、導電体または半導体の基板であるときは、前記基板を、前記第１導電層および第２導電層の電位と異なる電位に保持する、インターポーザの電位保持方法。
【請求項７】
請求項１に記載のインターポーザの電位保持方法であって、
前記基板は導電体または半導体の基板を含み、
前記基板が、導電体または半導体の基板であるときは、前記基板を、前記第１導電層または第２導電層の少なくとも一方と同じ電位に保持するインターポーザの電位保持方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インターポーザおよびインターポーザの電位保持方法
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月9日(2007.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｐ型半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたＮ型の高濃度ソース・ドレイン領域と、
前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された第１の多結晶シリコンからなるゲート電極と
前記半導体基板上に形成された第２の多結晶シリコンからなるＰＮ接合ダイオードと、
前記ゲート電極及び前記ＰＮ接合ダイオードの上に形成された中間絶縁膜と、
前記ゲート電極と前記ＰＮ接合ダイオードのＮ型領域とを接続する第１の金属電極配線と、
前記ＰＮ接合ダイオードのＰ型領域と前記半導体基板に設けられた高濃度のＰ型領域とを接続する第２の金属電極配線と、
前記金属配線上に形成する窒化膜からなる保護膜とを有する事を特徴とするデプレッション型ＭＯＳトランジスタ。
【請求項２】
Ｐ型半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたＮ型の高濃度ソース・ドレイン領域と、
前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された第１の多結晶シリコンからなるゲート電極と
前記半導体基板上に形成された第２の多結晶シリコンからなる、２つのＰ型領域の間にＮ型領域が挟まれた双方向ダイオードと、
前記ゲート電極及び前記双方向ダイオードの上に形成された中間絶縁膜と、
前記ゲート電極と前記双方向ダイオードの一方のＰ型領域とを接続する第１の金属電極配線と、
前記双方向ダイオードの他方のＰ型領域と前記半導体基板に設けられた高濃度のＰ型領域とを接続する第２の金属電極配線と、
前記金属配線上に形成する窒化膜からなる保護膜とを有する事を特徴とするデプレッション型ＭＯＳトランジスタ。
【請求項３】
Ｐ型半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたＮ型の高濃度ソース・ドレイン領域と、
前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された第１の多結晶シリコンからなるゲート電極と
前記半導体基板上に形成された第２の多結晶シリコンからなる、２つのＮ型領域の間にＰ型領域が挟まれた双方向ダイオードと、
前記ゲート電極及び前記双方向ダイオードの上に形成された中間絶縁膜と、
前記ゲート電極と前記双方向ダイオードの一方のＮ型領域とを接続する第１の金属電極配線と、
前記双方向ダイオードの他方のＮ型領域と前記半導体基板に設けられた高濃度のＰ型領域とを接続する第２の金属電極配線と、
前記金属配線上に形成する窒化膜からなる保護膜とを有する事を特徴とするデプレッション型ＭＯＳトランジスタ。
【請求項４】
Ｐ型半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたＮ型の高濃度ソース・ドレイン領域と、
前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された第１の多結晶シリコンからなるゲート電極と
前記半導体基板上に形成された第２の多結晶シリコンからなる、３つ以上の奇数のＰ型領域とそのおのおののＰ型領域の間に挟まれた偶数のＮ型領域からなる双方向ダイオードと、
前記ゲート電極及び前記双方向ダイオードの上に形成された中間絶縁膜と、
前記ゲート電極と前記双方向ダイオードの一方のＰ型領域とを接続する第１の金属電極配線と、
前記双方向ダイオードの他方のＰ型領域と前記半導体基板に設けられた高濃度のＰ型領域とを接続する第２の金属電極配線と、
前記金属配線上に形成する窒化膜からなる保護膜とを有する事を特徴とするデプレッション型ＭＯＳトランジスタ。
【請求項５】
Ｐ型半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたＮ型の高濃度ソース・ドレイン領域と、
前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された第１の多結晶シリコンからなるゲート電極と
前記半導体基板上に形成された第２の多結晶シリコンからなる、３つ以上の奇数のＮ型領域とそのおのおののＮ型領域の間に挟まれた偶数のＰ型領域からなる双方向ダイオードと、
前記ゲート電極及び前記双方向ダイオードの上に形成された中間絶縁膜と、
前記ゲート電極と前記双方向ダイオードの一方のＮ型領域とを接続する第１の金属電極配線と、
前記双方向ダイオードの他方のＮ型領域と前記半導体基板に設けられた高濃度のＰ型領域とを接続する第２の金属電極配線と、
前記金属配線上に形成する窒化膜からなる保護膜とを有する事を特徴とするデプレッションＭＯＳトランジスタ。
【請求項６】
Ｐ型半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたＮ型の高濃度ソース・ドレイン領域と、
前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された第１の多結晶シリコンからなるゲート電極と
前記半導体基板上に形成された第２の多結晶シリコンからなるＰＮ接合ダイオードと、
前記ゲート電極及び前記ＰＮ接合ダイオードの上に形成された中間絶縁膜と、
前記ゲート電極と前記ＰＮ接合ダイオードのＰ型領域とを接続する第１の金属電極配線と、
前記ＰＮ接合ダイオードのＮ型領域と前記半導体基板に設けられた高濃度のＮ型領域とを接続する第２の金属電極配線と、
前記金属配線上に形成する窒化膜からなる保護膜とを有する事を特徴とするデプレッション型ＭＯＳトランジスタ。
【請求項７】
前記窒化膜からなる保護膜が、前記第２の多結晶シリコン上のみ形成されていない事を特徴とする、請求項１から６記載のデプレッション型ＭＯＳトランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2006024601.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月15日(2007.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
よって、電極の空隙率（％）は下記式
［｛ｘe・ｙe・（ｔm−ｔb）｝−ｍm／｛（Ｗ1＋Ｗ2＋Ｗ3＋Ｗ4）／（Ｗ1／ｄ1＋Ｗ2／ｄ2＋Ｗ3／ｄ3＋Ｗ4／ｄ4）｝］／｛ｘe・ｙe・（ｔ1−ｔ2）｝×１００
で表され、キャパシタサンプル内の正電極内および負電極内の空間体積は、その電極総面積をＳmとすると、下記式で算出される。
｛Ｓm・（ｔm−ｔb）｝×その電極の空隙率／１００
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
したがって、セパレータの空隙率（％）は、下記式
［ｘs・ｙs・ｔs−ｍs／｛（ｗ1＋ｗ2＋ｗ3＋…＋ｗn）／（ｗ1／ｄ1＋ｗ2／ｄ2＋ｗ3／ｄ3＋…＋ｗn／ｄn）｝］／（ｘs・ｙs・ｔs）×１００
で表され、キャパシタサンプルのセパレータ内の空間体積は、そのセパレータ総面積をＳsとすると、下記式で算出される。
｛Ｓs・ｔs｝×そのセパレータの空隙率／１００
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
［実施例７］
上記実施例２と同様にして作製した電極群を、厚さ１．００ｍｍのポリプロピレン板で挟み、肉厚み０．４０ｍｍ、内寸幅（電極群の厚み方向の幅）が２．８８ｍｍのアルミニウム容器に挿入し、電解液を総空間体積に対して過剰量注液し、１０Ｔｏｒｒ以下で１時間減圧後、余剰液をダンピングし、容器を密閉して電気二重層キャパシタセルを得た。この際、キャパシタセル内に充填された電解液量は、電極群の総空間体積に対して９９体積％であった。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月14日(2007.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子銃から放出された電子線を矩形に成形し、試料上の視野を走査し、走査領域から放出された電子を二次光学系で拡大し、その拡大像をシンチレータに結像させ、光学系でＣＣＤに導き、二次元像を得る装置において、
前記シンチレータには複数の受光面が設けられ、前記ＣＣＤには前記シンチレータの受光面の画像を取得する受像面を前記シンチレータの複数の受光面と同数設けられ、前記ＣＣＤは、一方の前記受像面が拡大像を受像中に他の受像面の画像データを転送することを特徴とする電子線装置。
【請求項２】
前記電子線装置は、試料上の電子線を照射させる視野を複数の副視野に分割し、副視野単位で電子線を照射するように構成され、かつ、前記電子線の光軸から遠い副視野と光軸から近い副視野とで露光時間を可変とすることを特徴とする請求項１記載の電子線装置。
【請求項３】
前記副視野単位の照射では、前記電子線の光軸から遠い方向から法線と角度を有する方向で照射を行うことを特徴とする請求項２記載の電子線装置。
【請求項４】
前記二次光学系は、複数の拡大レンズと、前記複数の拡大レンズの間に配置された補助レンズと、ＮＡ開口と、偏向器とを備え、前記補助レンズより前段側の拡大レンズがつくるクロスオーバーの像を前記最終段の拡大レンズの主面近傍に形成することを特徴とする請求項３記載の電子線装置。
【請求項５】
デバイスの製造方法であって、
ａ）ウエハを準備する工程と、
ｂ）ウエハプロセスを行う工程と、
ｃ）プロセス後のウエハを請求項１ないし４のいずれかに記載の装置を用いて評価する工程と、
ｄ）前記ｂ）及びｃ）の工程を必要回数繰り返す工程と、
ｅ）ウエハを切断しデバイスに組み立てる工程と、
を備えるデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月18日(2007.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルと、該メモリセルに隣接する周辺回路とを有する不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、
基板の活性領域を分離する素子分離であって、その上面が該基板の表面よりも高い素子分離を該基板に形成する工程と、
前記基板上にシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記素子分離の間の前記シリコン酸化膜上にポリシリコン膜を自己整合的に形成する工程と、
前記周辺回路を覆う第１レジストパターンを形成した後、前記メモリセルにおける前記素子分離を所定の膜厚だけエッチングする工程と、
前記基板全面に多層絶縁膜を形成する工程と、
前記メモリセルを覆う第２レジストパターンを形成した後、前記周辺回路における前記多層絶縁膜と前記ポリシリコン膜と前記シリコン酸化膜とを除去する工程と、
前記周辺回路の前記基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記基板の全面に導電膜を形成する工程と、
前記周辺回路及び前記メモリセルにおける前記導電膜をパターニングする工程と、
前記メモリセルにおいて、パターニングされた前記導電膜をマスクとして前記多層絶縁膜及び前記ポリシリコン膜をパターニングする工程とを含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項２】
メモリセルと、該メモリセルに隣接する周辺回路とを有する不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、
基板の活性領域を分離する素子分離であって、その上面が該基板の表面よりも高い素子分離を該基板に形成する工程と、
前記基板上にトンネル酸化膜となるシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記素子分離の間の前記シリコン酸化膜上にフローティングゲート電極となるポリシリコン膜を自己整合的に形成する工程と、
前記周辺回路を覆う第１レジストパターンを形成した後、前記メモリセルにおける前記素子分離を所定の膜厚だけエッチングすることにより、前記メモリセルにおける前記ポリシリコン膜の側面上部を露出させる工程と、
前記第１レジストパターンを除去した後、前記基板全面に多層絶縁膜を形成する工程と、
前記メモリセルを覆う第２レジストパターンを形成した後、前記周辺回路における前記多層絶縁膜と前記ポリシリコン膜と前記シリコン酸化膜とを除去する工程と、
前記周辺回路における前記シリコン酸化膜を除去した後、周辺回路の前記基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記基板の全面にゲート電極又はコントロールゲート電極となる導電膜を形成する工程と、
前記周辺回路及び前記メモリセルにおける前記導電膜をパターニングすることにより、前記周辺回路の前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成すると共に、前記メモリセルの前記多層絶縁膜上にコントロールゲート電極を形成する工程と、
前記コントロールゲート電極をマスクとして前記メモリセルの前記多層絶縁膜及び前記ポリシリコン膜をパターニングすることにより、フローティングゲート電極を形成する工程とを含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記メモリセルにおける活性領域は、短手方向に複数並んで配置された短冊状の第１活性領域と、該第１活性領域の端部を相互に接続すると共に前記メモリセルを取り囲むように配置された第２活性領域とを有し、
前記第１レジストパターンの端部が前記第２活性領域に位置するように前記第１レジストパターンを形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３の何れかに記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記周辺回路における前記素子分離の上面が前記基板の表面と同等の高さとなるように若しくは該表面よりも高くなるように、前記周辺回路における前記多層絶縁膜と前記ポリシリコン膜と前記シリコン酸化膜とを除去することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項５】
メモリセルと、該メモリセルに隣接する周辺回路とを有する不揮発性半導体記憶装置であって、
基板の活性領域を分離する素子分離と、
前記活性領域に形成された半導体素子とを備え、
前記メモリセルにおける前記活性領域は、短手方向に複数並んで配置された短冊状の第１活性領域と、該第１活性領域の端部を相互に接続すると共に前記メモリセルを取り囲むように配置された第２活性領域とを有し、
前記周辺回路における前記素子分離の上面が、前記基板の表面と同等の高さであるか若しくは該表面よりも高いことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明に係る不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、メモリセルと、該メモリセルに隣接する周辺回路とを有する不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、
基板の活性領域を分離する素子分離であって、その上面が該基板の表面よりも高い素子分離を該基板に形成する工程と、
前記基板上にシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記素子分離の間の前記シリコン酸化膜上にポリシリコン膜を自己整合的に形成する工程と、
前記周辺回路を覆う第１レジストパターンを形成した後、前記メモリセルにおける前記素子分離を所定の膜厚だけエッチングする工程と、
前記基板全面に多層絶縁膜を形成する工程と、
前記メモリセルを覆う第２レジストパターンを形成した後、前記周辺回路における前記多層絶縁膜と前記ポリシリコン膜と前記シリコン酸化膜とを除去する工程と、
前記周辺回路の前記基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記基板の全面に導電膜を形成する工程と、
前記周辺回路及び前記メモリセルにおける前記導電膜をパターニングする工程と、
前記メモリセルにおいて、パターニングされた前記導電膜をマスクとして前記多層絶縁膜及び前記ポリシリコン膜をパターニングする工程とを含むことを特徴とするものである。