Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月16日(2007.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】 （Ａ）吸収塔に、ｉ）少なくとも１種の炭化水素材料を分子酸素を含有するガスで接触酸化した混合生成物ガス、およびｉｉ）再循環された廃水および３．０重量％未満の酢酸を含む水性流れを供給し；
（Ｂ）該吸収塔中で混合生成物ガスを水性流れと接触させて、水性（メタ）アクリル酸流れを形成し；
（Ｃ）水性（メタ）アクリル酸流れを蒸留カラムに供給し、ここでこれを少なくとも１種の蒸留溶媒の存在下で共沸蒸留に付して、実質的に水を含まない（メタ）アクリル酸溶液を形成する段階を含む（メタ）アクリル酸の調製法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月22日(2006.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記ナノ接合部を主に構成する材料が、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ及びＣｏＦｅＮｉから選ばれる強磁性金属、又は、ＮｉＦｅＳｂ、ＮｉＭｎＳｂ、ＰｔＭｎＳｂ及びＭｎＳｂから選ばれる半金属であることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子。  
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の磁気抵抗効果素子は、上記磁気抵抗効果素子において、(i)前記ナノ接合部を主に構成する材料が、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ及びＣｏＦｅＮｉから選ばれる強磁性金属、又は、ＮｉＦｅＳｂ、ＮｉＭｎＳｂ、ＰｔＭｎＳｂ及びＭｎＳｂから選ばれる半金属であることが好ましく、また、(ii)前記第１の強磁性層及び前記第２の強磁性層が、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ及びＣｏＦｅＮｉから選ばれる強磁性金属で形成されていることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月7日(2006.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下面を開口とする凹部を有すると共に該凹部を囲む側壁底面に実装用パッド電極を備え
、前記凹部に電子部品を収容する構造の電子デバイス容器であって、
前記実装用パッド電極が前記側壁の凹部側に折り曲げて拡大形成されていることを特徴と
する電子デバイス容器。
【請求項２】
前記容器は上面を開口とする第２の凹部を備えており、該第２の凹部にも電子部品を収
容することが可能なことを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス容器。
【請求項３】
下面を開口とする第１の凹部と上面を開口とする第２の凹部とを有すると共に前記第１
の凹部を囲む側壁底面に実装用パッド電極を配設した容器と、前記容器の第２の凹部に収
容した圧電振動素子と、前記容器の第１の凹部に収容した発振回路を構成するための電子
部品とを備えており、
前記実装用パッド電極が前記側壁の凹部側に折り曲げて拡大形成されていることを特徴と
する圧電発振器。
【請求項４】
前記実装用パッド電極を、圧電振動子と接続するための接続電極として用いたことを特徴とする請求項１記載の電子デバイス容器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
図２は、圧電デバイスの従来例としての、特開２０００-１０１３４９号公報に開示さ
れた水晶発振器のパッケージ構造を示す縦断面図である。
同図に示されるように、本水晶発振器２０は、上面に凹部（第２の凹部）２１を形成し
た容器２２の前記凹部２１の底部に水晶振動子２３を装着し、金属蓋２４で前記凹部２１
を密封した、該容器２２の横断面形状が略長方形の振動子パッケージ２５の外底面に、そ
の横断面外周の形状が前記容器２２の横断面外周の形状と一致する環状の台座２６を固着
して、該環状台座２６と前記容器２２の外底面とで形成される凹部（第１の凹部）２７底
面に形成された図示しないパターン電極に発振回路部品２８を装着した構造を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
さらに、前記第２の接続電極５１は第２の容器４７内部に設けられた他の内部接続導体
５２によって、第２の容器４７の側壁４７ａ底面四隅に設けられた実装用パッド電極５３
に接続されている。
この実装用パッド電極５３が、装置等の印刷配線基板のパターン電極にはんだ付け等に
よって装着されることによって、装置側から水晶発振器４０への電源電圧の供給を受け、
あるいは、本水晶発振器４０から装置側へ発振出力を供給する。
【特許文献１】特開２０００-１０１３４９号公報
【特許文献２】特開２００１-１６０３６号公報
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体上に画像を形成し、当該記録媒体を排出する画像形成装置であって、
形成の対象となる画像データを含む画像形成指示を受け入れる手段と、
前記画像形成指示に関連する、記録媒体の排出条件の設定を取得する手段と、
前記取得した排出条件が予め定められた基準条件に合致するときに、前記形成の対象となる画像データに対して複写牽制模様を合成する手段と、
を含むことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
記録媒体上に画像を形成し、当該記録媒体を排出する画像形成装置であって、
形成の対象となる画像データを含む画像形成指示を受け入れる手段と、
前記画像データが予め定められた基準条件に合致するときに、当該画像データに対して複写牽制模様を合成する手段と、
を含むことを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の画像形成装置において、
前記複写牽制模様は、複写後に現出するパターンと消失するパターンとの少なくとも一方によって形成される画像要素を含み、
前記画像要素は、画像形成に係る日時情報を表す画像要素部分を含むことを特徴とする画像形成装置。
【請求項４】
記録媒体上に画像を形成する際の利用者認証の有無を設定可能な画像形成装置であって、
処理対象となった画像データに基づく画像の形成の際に、前記利用者認証有りと設定されている場合、前記処理対象となった画像データに所定の複写牽制模様を合成することを特徴とする画像形成装置。
【請求項５】
記録媒体上に画像を形成し、当該記録媒体を排出する画像形成装置をコンピュータに制御させるプログラムであって、
形成の対象となる画像データを含む画像形成指示を受け入れる手順と、
当該画像形成指示に関連する記録媒体の排出条件の設定を取得する手順と、
前記取得した排出条件が予め定められた基準条件に合致するか否かを判断し、前記取得した排出条件が予め定められた基準条件に合致すると判断される場合に、前記形成の対象となる画像データに対して複写牽制模様を合成する手順と、
を実行させることを特徴とする画像形成装置の制御プログラム。
【請求項６】
記録媒体上に画像を形成し、当該記録媒体を排出する画像形成装置をコンピュータに制御させるプログラムであって、
形成の対象となる画像データを含む画像形成指示を受け入れる手順と、
当該画像データが予め定められた基準条件に合致するか否かを判断し、基準条件に合致すると判断される場合に、前記形成の対象となる画像データに対して複写牽制模様を合成する手順と、
を実行させることを特徴とする画像形成装置の制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置および画像形成装置の制御プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月21日(2006.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
原稿用紙の表裏に書かれた情報を同時に読み取る両面読み取り装置に関して、少なくとも光源、カバーガラス、レンズアレイ及び受光素子からなる第１及び第２のイメージセンサユニットを、前記原稿用紙を中心にして対向配置する構成を有し、かつ前記第１及び第２のイメージセンサユニットにそれぞれ内蔵されている光源には、対向するイメージセンサユニットの前記受光素子に向かう直射光を遮るための遮光部材を配置したことを特徴とする両面読み取り装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】両面読み取り装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、スキャナやファクシミリ、複写機に用いられる画像読み取り装置に関して、特に密着型イメージセンサユニットを用いた両面読み取り装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、原稿用紙の表裏に書かれた情報を同時に読み取る両面読み取り装置に関して、少なくとも光源、カバーガラス、レンズアレイ及び受光素子からなる第１及び第２のイメージセンサユニットを、前記原稿用紙を中心にして対向配置する構成を有し、かつ前記第１及び第２のイメージセンサユニットにそれぞれ内蔵されている光源には、対向するイメージセンサユニットの前記受光素子に向かう直射光を遮るための遮光部材を配置したことを特徴とする両面読み取り装置である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図１は、本発明の両面読み取り装置の機構断面を示した図である。２系統のイメージセンサユニットが対向して配置されており、その両側に原稿送りローラーが配置されている。１は導光体ユニットを含む光源３からの直進する照明光（原稿面で反射してレンズへ向かう光軸）を示す。照明光はカバーガラス５上に配置された紙原稿によって一部反射され、筐体６と一体化されたセルフォック（登録商標）レンズアレイ等のレンズアレイ４を通じて受光素子２に達する。受光素子部で光電変換されて電気的な画像情報に変換される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
９は本発明による光源から照明光の光軸以外へ拡散した光を吸収または反射する為の遮光部材である。光源３からの光は、遮光部材９により遮光されて、反対側のレンズアレイ４には入らない構成となっている。この遮光部材９の大きさは、反対側のレンズアレイ４に向かう直射光を遮ることが目的であり、反対側のレンズアレイ４の集光範囲にある光を遮る大きさであることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
サイズ１５×３４０ｍｍ、厚み３ｍｍのカバーガラス５のユニット側表面と、筐体６により支えられた光源３の間に、５×３３０ｍｍ、厚み０．５ｍｍの黒色プラスチック板（筒中プラスチック工業株式会社製：型番サンロイドバリアＣＨＩ７００）打ち抜き板でできた遮光部材９を挟み込む。上記導光体を含む光源３は、端部に赤、青、緑の３色発光用のＬＥＤ（日亜化学工業株式会社製）を備えた、自社製導光体である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記遮光部材の大きさは、反対側のレンズアレイ（三菱レイヨン株式会社製：型番ＲＡ−８８）に対して直接光が入り込むことないよう、副走査方向に十分の大きさを持たせた。この場合、対向側のレンズの口径が０．６ｍｍであり、その開口角度を含めた受光領域を完全に覆うために、幅５ｍｍとした。この外観図を図３に示す。このときの遮光部材９は照明光を完全に遮光できる能力を持っていた。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
受光素子２として、ＣＭＯＳ型イメージセンサ（キヤノン株式会社製：型番６Ｖ６）を用い、プリント配線基板上に、ライン状に切り出した複数のセンサチップを接着して配置した。これらを筐体６の中で、レンズアレイ４の焦点位置になる部位に位置決め固定した。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図１に於いて、遮光部材９の色は、黒色であっても良く、また白色であっても良い。反対側のイメージセンサユニットのレンズに直接光が入らない構成であればなんでも良い。比較的薄い厚さで効果がある部材としては、金属であることも好ましく、この場合カバーガラス基板上にスパッタ法にて金属薄膜を形成しても良い。さらに、材料、材質は使用時の押し圧によってレンズアレイとカバーガラス間の距離が変化しないことが好ましく、機械的な安定性が望まれる。
（比較例）
実施例１に示す構成から、遮光部材９が無い構成の両面読み取り装置を作成した。通常の事務用紙を用い、両面読み取りを行った時、反対側のイメージセンサユニットからの直射光が原稿用紙を透過し、レンズアレイに入射した。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
１．照明光の光軸
２．受光素子
３．光源
４．レンズアレイ
５．カバー(天板)ガラス
６．筐体
７．原稿送りローラー
８．原稿押さえローラー
９．本発明による遮光部材
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月25日(2006.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１の電極を備えた第１導電型半導体層上に、表面に第２の電極を備えた第２導電型半導体層を有する半導体発光素子において、
前記第１の電極および／または第２の電極は、半導体層からみて、第１の層と、第２の層と、第３の層とを順に有し、
前記第１の層は、透光性を有し、第１の金属を含む金属酸化物層であり、
前記第２の層は、透光性を有し、第１の金属と異なる第２の金属の酸化物からなる金属酸化物層であり、
前記第３の層は、第１の金属および第２の金属と異なる第３の金属を含む金属層である
ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
少なくとも第１の電極を備えた第１導電型半導体層上に、表面に第２の電極を備えた第２導電型半導体層を有する半導体発光素子において、
前記第１の電極および／または第２の電極は、半導体層からみて、第１の層と、第２の層と、第３の層とを順に有し、
前記第１の層は、透光性を有し、第１の金属を含む金属酸化物層であり、
前記第２の層は、透光性を有し、第１の金属と異なる第２の金属を含み、かつ前記第１の層とは組成が異なる金属酸化物層であり、
前記第３の層は、第１の金属および第２の金属と異なる第３の金属を含む金属層である
ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項３】
前記第２の金属は、前記第１の金属より酸素との結合エネルギーが大きい請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記第２の金属は、前記第３の金属より酸素との結合エネルギーが大きい請求項１乃至３に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記第３の金属は、前記第１の金属より酸素との結合エネルギーが大きい請求項１乃至４のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記第１の金属がＳｎである請求項１乃至５のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記第１の層は、さらに前記第２の金属が添加されてなる金属酸化物層である請求項１乃至６のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記第２の金属がＳｎであり、前記第１の層はＩＴＯであり、前記第２の層は酸化錫である請求項７に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記第３の層は、光反射層である請求項１乃至８のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記第２の電極は、前記第１の層と、前記第２の層と、前記第３の層とを有し、前記第２の電極側が、支持体に接してなる請求項９に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
前記半導体発光素子は、前記第２の電極と同一面側に第１導電型半導体層露出面を有し、該露出面に第１の電極を備える請求項１乃至１０のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
前記半導体発光素子は、第１導電型半導体層側に透光性基板を有する請求項１乃至１１のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項１３】
前記第１導電型半導体層は、ｎ型窒化物半導体層であり、前記第２導電型半導体層は、ｐ型窒化物半導体層である請求項１乃至１２のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
以上の目的を達成するために本発明に係る半導体発光素子は、
少なくとも第１の電極を備えた第１導電型半導体層上に、表面に第２の電極を備えた第２導電型半導体層を有する半導体発光素子において、第１の電極および／または第２の電極は、半導体層からみて、第１の層と、第２の層と、第３の層とを順に有し、第１の層は、透光性を有し、第１の金属を含む金属酸化物層であり、第２の層は、透光性を有し、第１の金属と異なる第２の金属の酸化物からなる金属酸化物層であり、第３の層は、第１の金属および第２の金属と異なる第３の金属を含む金属層である。
また、少なくとも第１の電極を備えた第１導電型半導体層上に、表面に第２の電極を備えた第２導電型半導体層を有する半導体発光素子において、第１の電極および／または第２の電極は、半導体層からみて、第１の層と、第２の層と、第３の層とを順に有し、第１の層は、透光性を有し、第１の金属を含む金属酸化物層であり、第２の層は、透光性を有し、第１の金属と異なる第２の金属を含み、かつ前記第１の層とは組成が異なる金属酸化物層であり、第３の層は、第１の金属および第２の金属と異なる第３の金属を含む金属層である。
さらに、本発明の別の形態に係る半導体発光素子は、以下の通りである。
（１）本発明の半導体発光素子は、少なくとも第１の電極を備えた第１導電型半導体層上に、表面に第２の電極を備えた第２導電型半導体層を有する半導体発光素子において、前記第１の電極および／または第２の電極は、半導体層からみて、第１の層と、第２の層と、第３の層とを順に有し、前記第１の層は、透光性を有しかつ少なくとも第１の金属を含む金属酸化物からなり、前記第２の層は、透光性を有しかつ少なくとも第１の金属と異なる第２の金属を含む金属酸化物からなり、前記第３の層は、第１の金属および第２の金属と異なる第３の金属を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月16日(2006.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図３は、実施例に係るバーストフォーマットの構成の別の態様を示す。このバーストフォーマットは、ＩＥＥＥ８０２．１１ａ規格の通話チャネルに相当する。バースト信号には、ＯＦＤＭ変調方式が使用されており、ＯＦＤＭ変調方式では、一般にフーリエ変換のサイズとガードインターバルのシンボル数の合計をひとつの単位とする。このひとつの単位を本実施例ではＯＦＤＭシンボルとする。バーストの先頭から４ＯＦＤＭシンボルの間に、主としてタイミング同期とキャリア再生に使用するためのプリアンブルが配置されている。また、図２と同様に、プリアンブルに続いて、ヘッダ、データが配置される。また、図３は、ＩＥＥＥ８０２．１１ｇ規格にも使用され、ここでは、これを「ＯＦＤＭ型フォーマット」という。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月2日(2007.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
公衆網回線又は専用網回線を利用して無線通信を行なう無線通信端末を、構内ネットワーク回線に接続可能にして、呼の交換処理をする交換処理システムであって、
上記公衆網回線又は上記専用網回線と上記構内ネットワーク回線とを収容し、呼の交換処理を行なう交換装置と、
上記無線通信端末と接続した場合に、上記無線通信端末が有する端末情報と当該無線通信端末アダプタ装置に割り当てられている識別番号とを含む番号変換情報を上記交換装置に与えると共に、上記無線通信端末と上記交換装置との間の通信を行なう無線通信端末アダプタ装置と
を備え、
上記交換装置が、
上記無線通信端末アダプタ装置から上記番号変換情報を受け取り、上記無線通信端末アダプタ装置の識別番号と、上記無線通信端末の上記端末情報とを対応付けて登録し、上記無線通信端末アダプタ装置に接続する上記無線通信端末の位置情報を管理する位置情報管理手段と、
収容電話機又は音声通信機能を有する構内収容通信端末から発呼を受けた場合、発信先番号に基づいて、上記位置情報管理手段の上記端末情報の有無を検索し、発信先番号と対応する上記端末情報があるときに、その端末情報に対応する上記無線通信端末アダプタ装置の識別番号を発信先番号として呼の交換処理を制御する呼交換処理制御手段と
を有することを特徴とする交換処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
かかる課題を解決するために、本発明の交換処理システムは、公衆網回線又は専用網回線を利用して無線通信を行なう無線通信端末を、構内ネットワーク回線に接続可能にして、呼の交換処理をする交換処理システムであって、公衆網回線又は専用網回線と構内ネットワーク回線とを収容し、呼の交換処理を行なう交換装置と、無線通信端末と接続した場合に、無線通信端末が有する端末情報と当該無線通信端末アダプタ装置に割り当てられている識別番号とを含む番号変換情報を交換装置に与えると共に、無線通信端末と交換装置との間の通信を行なう無線通信端末アダプタ装置とを備え、交換装置が、無線通信端末アダプタ装置から番号変換情報を受け取り、無線通信端末アダプタ装置の識別番号と、無線通信端末の端末情報とを対応付けて登録し、無線通信端末アダプタ装置に接続する無線通信端末の位置情報を管理する位置情報管理手段と、収容電話機又は音声通信機能を有する構内収容通信端末から発呼を受けた場合、発信先番号に基づいて、位置情報管理手段の端末情報の有無を検索し、発信先番号と対応する端末情報があるときに、その端末情報に対応する無線通信端末アダプタ装置の識別番号を発信先番号として呼の交換処理を制御する呼交換処理制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月24日(2007.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子の領域内に基板との接続のために設けられた外部電極と、
前記半導体素子と前記外部電極とを電気的に接続する配線と、
前記半導体素子及び前記配線の上に設けられた応力緩和部であって、前記配線とオーバーラップする領域の少なくとも一部に形成された穴を有し、前記基板に実装された時に、前記基板との熱膨張係数の差によって生じる応力を緩和する前記応力緩和部と、
前記穴の内周面及び開口端部にかけて形成され、前記配線と前記外部電極を電気的に接続する接続部と、
前記外部電極から前記応力緩和部に対して応力を伝える応力伝達部と、
を有し、
前記応力伝達部は、前記応力緩和部の上において前記接続部に一体的に形成される半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記応力緩和部は、前記配線から前記応力伝達部に至る厚みで形成される半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記応力緩和部には、前記応力伝達部の外側に溝が形成される半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、
前記応力緩和部には、前記配線上で接触する部位と、前記応力伝達部下で接触する部位と、の間に空間が形成される半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、
応力緩和部は、前記配線から前記応力伝達部に至る厚みで形成されてから、前記応力伝達部の外側から下方に至るまでエッチングされて形成される半導体装置。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置において、
前記接続部は、前記半導体素子を基準として、前記穴の前記開口端部よりも高い位置まで形成されている半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月7日(2006.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理を指示する指示記述と、該処理により処理される予定の処理予定データと、を受信する受信手段と、
前記受信された処理予定データに対し、前記指示記述により指示された処理を実行する処理実行手段と、
前記受信された前記指示記述及び前記処理予定データと、前記処理実行手段による前記処理の実行状態と、を記憶する記憶手段と、
前記処理の実行状態を所定の通知先に通知する通知手段と、
前記記憶手段により記憶された情報を削除するタイミングか否かを判断する第１の判断手段と、
前記通知手段により前記処理の実行状態を通知できたか否かを判断する第２の判断手段と、
前記第１の判断手段により前記記憶手段に記憶された情報を削除するタイミングと判断されかつ前記第２の判断手段により前記処理の実行状態が通知されなかったと判断された場合には、少なくとも前記処理の実行状態を残しかつ前記処理予定データを削除するように前記記憶手段を制御する制御手段と、
を備えた処理実行装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記第１の判断手段により前記記憶手段に記憶された情報を削除するタイミングと判断されかつ前記第２の判断手段により前記処理の実行状態が通知されたと判断された場合には、前記記憶手段に記憶された前記指示記述、前記処理予定データ、及び前記処理の実行状態を削除することを特徴とする請求項１記載の処理実行装置。
【請求項３】
前記記憶手段は、前記指示記述、前記処理予定データ、及び前記処理の実行状態を記憶する第１の記憶領域と、第１の記憶領域と異なる第２の記憶領域と、を備え、
前記制御手段は、前記第１の判断手段により前記記憶手段に記憶された情報を削除するタイミングと判断されかつ前記第２の判断手段により前記処理の実行状態が通知されなかったと判断された場合には、前記第１の記憶領域から前記指示記述、前記処理予定データ、及び前記処理の実行状態を削除し、少なくとも前記処理の実行状態を前記第２の記憶領域に記憶するように前記記憶手段を制御する、
ことを特徴とする請求項２記載の処理実行装置。
【請求項４】
前記第２の記憶領域の情報の読出速度は、前記第１の記憶領域より早いことを特徴とする請求項３記載の処理実行装置。
【請求項５】
前記受信手段は、前記処理の実行状態の問合せを更に受信可能に構成され、
前記通知手段は、前記受信手段により前記問い合わせが受信された場合に、前記処理の実行状態を通知する、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の処理実行装置。
【請求項６】
前記指示記述には、前記通知先が指示されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の処理実行装置。
【請求項７】
コンピュータを、
処理を指示する指示記述により指示された処理を、処理予定データに対して実行する処理実行手段と、
前記指示記述、前記処理予定データ、及び前記処理実行手段による前記処理の実行状態を記憶手段に記憶する手段と、
前記処理の実行状態を所定の通知先に通知する通知手段と、
前記記憶手段に記憶された情報を削除するタイミングか否かを判断する第１の判断手段と、
前記通知手段により前記処理の実行状態を通知できたか否かを判断する第２の判断手段と、
前記第１の判断手段により前記記憶手段に記憶された情報を削除するタイミングであると判断されかつ前記第２の判断手段により前記処理の実行状態が通知されなかったと判断された場合に、少なくとも前記記憶手段に前記処理の実行状態を残しかつ前記記憶手段から前記処理予定データを削除する手段と、
として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月13日(2006.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放送番組に含まれる少なくとも画像情報が入力される画像情報入力手段と、
画像情報を記録するための記録媒体が内蔵された記録手段と、
少なくともチャンネル情報、録画開始情報、録画終了情報を含む録画予約情報を取得する録画予約情報取得手段と、
前記録画予約情報に従って放送番組を入力し、この放送番組に含まれる少なくとも画像情報を前記記録媒体に記録するように、前記入力手段及び前記記録手段を制御する録画制御手段と、
前記記録媒体に記録された画像情報から少なくとも一部を除去する編集手段と、
外部機器と通信するための通信手段と、
前記通信手段により前記外部機器と接続し、前記外部機器から前記放送番組の一部を除去するための除去開始情報と除去終了情報を含む除去情報を取得する除去情報取得手段と、
前記除去情報取得手段により取得された前記除去情報に従って前記記録媒体に記録されている前記放送番組に含まれる少なくとも画像情報の一部を除去するように、前記編集手段を制御する編集制御手段とを具備することを特徴とする画像記録装置。
【請求項２】
放送番組に含まれる少なくとも画像情報が入力される画像情報入力手段と、
画像情報を記録するための記録媒体が内蔵された記録手段と、
少なくともチャンネル情報、録画開始情報、録画終了情報を含む録画予約情報を取得する録画予約情報取得手段と、
前記録画予約情報に従って放送番組を入力し、この放送番組に含まれる少なくとも画像情報を前記記録媒体に記録するように、前記入力手段及び前記記録手段を制御する録画制御手段と、
前記記録媒体に記録された画像情報から少なくとも一部を除去する編集手段と、
外部機器と通信するための通信手段と、
前記放送番組の一部を除去するための除去開始情報と除去終了情報を含む除去情報を入力する除去情報入力手段と、
前記通信手段により前記外部機器に接続し、前記外部機器に前記除去情報を出力する出力手段とを具備することを特徴とする画像記録装置。
【請求項３】
前記除去情報入力手段に入力された前記除去情報に従って前記記録媒体に記録されている前記放送番組に含まれる少なくとも画像情報の一部を除去するように、前記編集手段を制御する編集制御手段とを具備することを特徴とする請求項２記載の画像記録装置。
【請求項４】
前記除去情報には編集を行う対象の番組情報を含み、前記番組情報を参照して前記記録媒体に記録された放送番組から対象となる放送番組を検索する検索手段とを具備することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の画像記録装置。
【請求項５】
前記通信手段により外部機器と接続し、前記録画予約情報を取得することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の画像記録装置。
【請求項６】
取得した前記録画予約情報の統計をとる統計実行手段と、
前記統計実行手段によりとられた統計に基づいて、録画予約する放送番組を選択する録画放送番組選択手段とを更に具備することを特徴とする請求項５に記載の画像記録装置。
【請求項７】
放送番組に含まれる少なくとも画像情報を入力するステップと、
少なくともチャンネル情報、録画開始情報、録画終了情報を含む録画予約情報を取得するステップと、
前記録画予約情報に従って放送番組を入力し、この放送番組に含まれる少なくとも画像情報を記録媒体に記録するステップと、
通信手段により外部機器に接続し、前記外部機器から前記放送番組の一部を除去するための除去開始情報と除去終了情報を含む除去情報を取得するステップと、
前記除去情報に従って前記記録媒体に記録されている前記放送番組に含まれる少なくとも画像情報の一部を除去するステップとを具備することを特徴とする画像記録方法。
【請求項８】
放送番組に含まれる少なくとも画像情報を入力するステップと、
少なくともチャンネル情報、録画開始情報、録画終了情報を含む録画予約情報を取得するステップと、
前記録画予約情報に従って放送番組を入力し、この放送番組に含まれる少なくとも画像情報を記録媒体に記録するステップと、
前記記録媒体に記録された放送番組の一部を除去するための除去開始情報と除去終了情報を含む除去情報を入力するステップと、
通信手段により外部機器に接続し前記外部機器に前記除去情報を出力するステップとを具備することを特徴とする画像記録方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月22日(2006.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路外へ出力信号を導出する出力ドライブ回路を備え、該出力信号の導出部に寄生トランジスタが形成される半導体集積回路において、
出力ドライブ回路の入力側に、出力信号の電圧が前記寄生トランジスタの所定の駆動範囲外では予め定める基準を超えて変化しないように、クランプするクランプ手段が設けられることを特徴とするドライブ回路を備える半導体集積回路。
【請求項２】
前記出力ドライブ回路は、出力側電極から前記出力信号のうちの少なくとも一部を導出する半導体素子を含み、
前記クランプ手段は、該半導体素子の入力側電極に、前記クランプ用の電圧を印加することを特徴とする請求項１記載の出力ドライブ回路を備える半導体集積回路。
【請求項３】
前記半導体素子は、相補的な２種類の導電形式のうちの１つの導電形式を有し、
前記出力ドライブ回路は、該半導体素子をハイサイド側に設け、該半導体素子と同一導電形式の半導体素子をローサイド側に設けるトーテムポール形式で、前記出力を導出することを特徴とする請求項２記載の出力ドライブ回路を備える半導体集積回路。
【請求項４】
前記半導体素子は、相補的な２種類の導電形式のうちの１つの導電形式を有し、
前記出力ドライブ回路は該半導体素子と、該半導体素子に対して相補的な関係にある導電形式を有する半導体素子とで、プッシュプル形式で前記出力を導出することを特徴とする請求項３記載の出力ドライブ回路を備える半導体集積回路。
【請求項５】
前記クランプ手段は、
前記出力ドライブ回路への入力信号に応じてスイッチング動作を行うスイッチング素子と、
該スイッチング素子と該出力ドライブ回路の入力側との間に接続され、該スイッチング素子がＯＮ状態の時に、該出力ドライブ回路に前記クランプするための電圧が印加されるように設定するクランプ電圧設定手段とを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の出力ドライブ回路を備える半導体集積回路。
【請求項６】
前記クランプ電圧設定手段は、ダイオードによって前記クランプするための電圧を設定することを特徴とする請求項５記載の出力ドライブ回路を備える半導体集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明は、半導体集積回路外へ出力信号を導出する出力ドライブ回路を備え、該出力信号の導出部に寄生トランジスタが形成される半導体集積回路において、
出力ドライブ回路の入力側に、出力信号の電圧が前記寄生トランジスタの所定の駆動範囲外では予め定める基準を超えて変化しないように、クランプするクランプ手段が設けられることを特徴とするドライブ回路を備える半導体集積回路である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明によれば、半導体集積回路には、出力ドライブ回路の入力側に、出力信号の電圧が寄生トランジスタの所定の駆動範囲外では予め定める基準を超えて変化しないように、クランプするクランプ手段が設けられるので、出力ドライブ回路を介して、出力側もクランプすることができる。クランプ手段がクランプする基準を、寄生トランジスタがＯＮ動作しない範囲に設定することによって、クランプ手段を出力ドライブ回路の出力側に設ける場合と同様に、誤動作を防ぐことができる。クランプ電圧の設定に出力ドライブ回路を介在させるので、クランプ手段は、出力ドライブ回路の出力側を直接クランプする必要はなく、出力ドライブ回路の少なくとも一部を利用して、構成を簡単にすることができる。さらに、部品点数の削減を図り、製造コストの低減を図ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本実施形態の出力素子ドライブ回路４１は、駆動トランジスタ４５のコレクタとハイサイドトランジスタ４３のベースとの間に、クランプ電圧設定部５４を設ける。すなわち、半導体集積回路外へ出力信号を導出する出力ドライブ回路としての出力素子ドライブ回路４１を備え、該出力信号の導出部に寄生トランジスタ５３が形成される半導体集積回路において、出力素子ドライブ回路４１の入力側に、出力信号の電圧が、寄生トランジスタ５３の所定の駆動範囲外では予め定める基準を超えて変化しないように、クランプするクランプ手段としてのクランプ電圧設定部５４が設けられる。クランプ電圧設定部５４は、ハイサイドトランジスタ４３のベース電位を、駆動トランジスタ４５がＯＮの状態で、ハイサイドトランジスタがＯＮになる電位よりは低く、接地電位よりは高い電位に設定する。駆動トランジスタ４５がＯＮのときは、そのコレクタ・エミッタ間には、一般にベース・エミッタ間の順方向電圧ＶBE、たとえばシリコントランジスタでは０．７Ｖ程度よりも小さい０．数Ｖ程度の飽和電圧Ｖｓａｔが発生する。駆動トランジスタ４５のＯＮ状態では、この飽和電圧Ｖｓａｔと、クランプ電圧設定部５４で設定される電圧Ｖ１との和だけ接地電位に対して高い電位がハイサイドトランジスタ４３のベースに印加される。この電位から、ハイサイドトランジスタ４３のベース・エミッタの順方向電圧ＶBEよりも低い電圧分だけ出力端子５１の電位が低下すると、ハイサイドトランジスタ４３はＯＮになる。ハイサイドトランジスタ４３がＯＮになると、出力端子５１に負サージが印加されても、電源の正電圧側から電流が供給されて、負サージが解消され、電圧低下を抑制し、寄生トランジスタ５３がＯＮにならないようにクランプすることができる。クランプする電位は、接地電位に対して、次の（１）式で示す電位となる。
クランプ電位＝Ｖｓａｔ＋Ｖ１−ＶBE                              …（１）
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月14日(2007.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性カーボン繊維のクロスまたはフェルトからなる導電性多孔質基材に、熱可塑性を有する第１のフッ素樹脂を含む第１の分散液を含浸させ、前記第１のフッ素樹脂の融点以上でかつ前記第１のフッ素樹脂の分解温度未満の第１の焼成温度で焼成し、前記導電性多孔質基材の硬度を高める工程（１）と、
前記工程（１）の後、導電性カーボン粒子と熱可塑性を有する第２のフッ素樹脂とを含む第２の分散液に剪断力を加え、前記導電性多孔質基材の一方の面に塗布し、前記第２のフッ素樹脂の融点未満の第２の焼成温度で焼成して導電性撥水層を形成する工程（２）と、を有し、
前記工程（１）において、前記第１のフッ素樹脂がテトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体およびテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体からなる群より選択される少なくとも１種であり、
前記工程（２）において、前記第２のフッ素樹脂がポリテトラフルオロエチレンであること、を特徴とする燃料電池用ガス拡散層の製造方法。
【請求項２】
前記工程（１）において、前記第１の分散液を、前記第１のフッ素樹脂の塗布量が０．５〜４ｍｇ／ｃｍ2となるように、前記導電性多孔質基材に含浸させること、を特徴とする請求項１に記載の燃料電池用ガス拡散層の製造方法。
【請求項３】
前記工程（１）において、前記第１の焼成温度が２５０〜３５０℃であること、を特徴とする請求項１または２に記載の燃料電池用ガス拡散層の製造方法。
【請求項４】
前記工程（２）において、前記第２の分散液中の前記導電性カーボン粒子と前記第２のフッ素樹脂との質量比が、２０：１〜１：１であること、を特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の燃料電池用ガス拡散層の製造方法。
【請求項５】
前記工程（２）において、前記第２の分散液を、前記第２のフッ素樹脂の塗布量が３〜８ｍｇ／ｃｍ2となるように、前記導電性多孔質基材に塗布すること、を特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の燃料電池用ガス拡散層の製造方法。
【請求項６】
前記工程（２）において、前記第２の焼成温度が２５０〜３２５℃であること、を特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の燃料電池用ガス拡散層の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のうちのいずれかに記載の製造方法により作製されたガス拡散層を用いた、燃料電池用電極の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の製造方法により作製された電極を用いた、燃料電池用膜電極接合体の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜６のうちのいずれかに記載の製造方法により作製された燃料電池用ガス拡散層。
【請求項１０】
請求項７に記載の製造方法により作製された燃料電池用電極。
【請求項１１】
請求項８に記載の製造方法により作製された燃料電池用膜電極接合体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
第１のフッ素樹脂としては、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）およびテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）からなる群より選択される少なくとも１種を用いる。これらの共重合体は、融点が比較的低いため比較的容易に溶融し、また粘度が低いことから、導電性多孔質基材を構成する導電性カーボン繊維をコーティングするとともに、導電性カーボン繊維が交差する部分を容易かつ確実に接着させることができ、好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
つぎに、本発明のガス拡散層の製造方法においては、前記工程（１）の後、導電性カーボン粒子と熱可塑性を有する第２のフッ素樹脂とを含む第２の分散液に剪断力を加え、導電性多孔質基材の一方の面に塗布し、第２のフッ素樹脂の融点未満の第２の焼成温度で焼成して導電性撥水層を形成する工程（２）を行う。
これにより、第２の分散液を塗布する際には、導電性多孔質基材に付与された第１の分散液に含まれる撥水剤成分である第１のフッ素樹脂が既に焼成されているから、第２の分散液が導電性多孔質基材中へ染み込まない。したがって、導電性多孔質基材のガス拡散性を阻害しない最適な状態で導電性撥水層を形成することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
また、第２のフッ素樹脂としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を用いる。ＰＴＦＥを用いれば、第２のフッ素樹脂の粒子をフィブリル化させることが容易となり、第２のフッ素樹脂によって導電性多孔質基材の細孔を極力埋めさせずに、導電性撥水層を形成することができる。また、フィブリル化した第２のフッ素樹脂粒子の存在により、導電性撥水層と導電性多孔質基材との接着力を高めることができ、電子伝導性を向上させることもできる。さらには、ガス拡散性および耐フラッディング特性に優れた、信頼性の高い燃料電池用ガス拡散層を確実に得ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
ここで、以上のような本発明の燃料電池用ガス拡散層の製造方法によって得られるガス拡散層においては、特に工程（１）によって、低粘度の第１のフッ素樹脂が導電性カーボン繊維全体をコーティングし、導電性カーボン繊維同士を接着して接合力が加わり、硬度が向上する。これらは以下の分析方法によって確認することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月4日(2006.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体ウェハの裏面を研削して、前記半導体ウェハの厚さを薄くする工程と、
（ｂ）前記（ａ）工程の後に、前記半導体ウェハの裏面を平坦化する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後に、前記半導体ウェハを複数の半導体チップに分割する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後に、前記複数の半導体チップのそれぞれの電極上に突起電極を形成する工程と、
（ｅ）配線基板の主面に樹脂接着剤を配置する工程と、
（ｆ）前記（ｅ）工程の後に、前記複数の半導体チップにおける第１半導体チップを前記配線基板の主面上に前記樹脂接着剤を介して配置し、前記第１半導体チップの裏面を押圧して前記第１半導体チップを前記配線基板に前記突起電極を介してフリップチップ接続する工程と、
（ｇ）第２半導体チップを前記第１半導体チップ上にダイボンド剤を介して搭載する工程と、
（ｈ）前記第２半導体チップと前記配線基板を複数の配線を介して電気的に接続する工程と、
（ｉ）前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ、および前記複数のワイヤを樹脂で封止する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｂ）工程では、前記半導体ウェハの裏面がポリッシングにより平坦化されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｂ）工程では、前記半導体ウェハの裏面がエッチングにより平坦化されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｆ）工程では、前記半導体ウェハの裏面はシート状部材を介してブロックにより押圧されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、前記シート状部材は、フッ素樹脂から成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記樹脂接着剤は非導電性で、かつ熱硬化性樹脂から成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記ダイボンド剤は熱硬化性樹脂から成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｉ）工程における樹脂は、熱硬化性樹脂から成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｉ）工程の後に、外部端子として複数のはんだボールを前記配線基板の裏面上に設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ）工程の前に、前記配線基板の主面のフリップチップ接続が行われる複数の電極上に、はんだをプリコートすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、前記プリコートされたはんだを用いて、フリップチップ接続の際に、突起電極である金バンプをはんだ接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ）工程で、ペースト状の前記非導電性の樹脂接着剤を前記配線基板の主面上に塗布することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、フリップチップ接続に適用して有効な技術に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の目的は、信頼性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の他の目的は、薄型化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち、本発明は、（ａ）半導体ウェハの裏面を研削して、前記半導体ウェハの厚さを薄くする工程と、（ｂ）前記（ａ）工程の後に、前記半導体ウェハの裏面を平坦化する工程と、（ｃ）前記（ｂ）工程の後に、前記半導体ウェハを複数の半導体チップに分割する工程と、（ｄ）前記（ｃ）工程の後に、前記複数の半導体チップのそれぞれの電極上に突起電極を形成する工程と、（ｅ）配線基板の主面に樹脂接着剤を配置する工程と、（ｆ）前記（ｅ）工程の後に、前記複数の半導体チップにおける第１半導体チップを前記配線基板の主面上に前記樹脂接着剤を介して配置し、前記第１半導体チップの裏面を押圧して前記第１半導体チップを前記配線基板に前記突起電極を介してフリップチップ接続する工程と、（ｇ）第２半導体チップを前記第１半導体チップ上にダイボンド剤を介して搭載する工程と、（ｈ）前記第２半導体チップと前記配線基板を複数の配線を介して電気的に接続する工程と、（ｉ）前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ、および前記複数のワイヤを樹脂で封止する工程とを有するものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月21日(2006.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、前記主面に配置された複数の電極とを有する半導体チップと、
前記半導体チップの複数の電極に夫々電気的に接続された複数のリードと、
前記半導体チップ、前記複数のリードを封止する樹脂封止体とを有し、
前記複数のリードは、前記樹脂封止体の主面と前記主面とは反対側の裏面との間に位置する第１の面と、前記第１の面の反対側に位置し、かつ前記樹脂封止体の裏面から露出する第２の面と、前記第２の面から前記第１の面側に窪む凹部とを有し、
前記第２の面及び前記凹部の内壁面は、メッキ層で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記凹部は、前記第２の面に複数設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、
更に、前記複数のリードは、前記半導体チップ側に位置する第１の先端面と、前記第１の先端面の反対側に位置し、かつ前記樹脂封止体の側面から露出する第２の先端面とを有し、
前記複数の凹部のうち、最も前記第２の先端面側に位置する凹部は、前記リードの第２の先端面に連なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、
前記第１及び第２の面は、前記第２の先端面に連なり、
前記第２の先端面は、前記樹脂封止体の側面から突出し、
前記複数の凹部は、前記樹脂封止体の側面の外側と内側に亘って点在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置において、
更に、前記複数のリードは、前記半導体チップ側に位置する第１の先端面と、前記第１の先端面の反対側に位置し、かつ前記樹脂封止体の側面から露出する第２の先端面とを有し、
前記凹部は、前記第２の面から前記第１の面側に窪み、かつ前記第２の先端面に連なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記凹部は、前記リードの第２の先端面で終端し、前記第２の先端面から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記メッキ層は、前記リードの第２の先端面で終端し、前記第２の先端面から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記凹部は、前記リードの幅方向において互いに反対側に位置する前記リードの２つの側面から離間して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記第２の先端面は、切断面であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記第１及び第２の面は、前記第２の先端面に連なり、
前記第２の先端面は、前記樹脂封止体の側面から突出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置において、
前記凹部は、前記樹脂封止体の外側に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記凹部は、前記樹脂封止体の側面の外側と内側に亘って設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項５に記載の半導体装置において、
更に、前記半導体チップの複数の電極と前記複数のリードの第１の面とを夫々電気的に接続する複数のボンディングワイヤを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体装置において、
更に、前記リードよりも厚さが薄いチップ支持体を有し、
前記半導体チップは、その裏面が前記チップ支持体の第１の面に接着され、
前記チップ支持体の第１の面と反対側の第２の面は、前記樹脂封止体の樹脂で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記メッキ層は、前記リードの第２の先端面よりも半田濡れ性が高い層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１に記載の半導体装置において、
更に、チップ支持体を有し、
前記チップ支持体は、前記半導体チップが接着された第１の面と、前記第１の面の反対側に位置し、かつ前記樹脂封止体の裏面から露出する第２の面と、前記第２の面から前記第１の面側に窪み、かつ前記樹脂封止体の裏面から露出するチップ支持体用の凹部とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の半導体装置において、
半導体チップの複数の電極は、前記複数のリードの第１の面に突起状電極を介在して夫々電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１６に記載の半導体装置において、
前記チップ支持体用の凹部の内壁面は、前記リードの第２の先端面よりも半田濡れ性が高いメッキ層で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置