Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月17日(2008.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサのキャッシュメモリを設定する方法であって、
前記キャッシュメモリの現在の利用率をモニタするステップと、
前記現在の利用率が、所定の利用値より低いかを決定するステップと、
前記現在の利用率が前記所定の利用値より低いという決定に応じて、前記キャッシュメモリの１以上の部分への供給電圧レベルを制御して、前記キャッシュメモリの１以上の部分を選択的に無効にするステップと、を含む、
方法。
【請求項２】
前記所定の利用値を設定可能なストレージ内に格納するステップを更に含む、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記利用率が、前記所定の利用値より低いかを決定するステップが、前記所定の利用値と前記現在の利用率とを比較するステップを含む、
請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記キャッシュメモリにおいて使用されているエントリ数を決定するとともに、前記キャッシュメモリへのアクセス頻度を決定することにより、前記現在の利用値を決定するステップを更に含む、
請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記キャッシュメモリにおいて使用されているエントリ数の決定が、犠牲を発生させる前記キャッシュメモリへの書き込み数をモニタするステップを含む、
請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記キャッシュメモリへのアクセス頻度の決定が、カウンタを使用して、前記キャッシュメモリへのアクセス数をカウントするステップを含む、
請求項４記載の方法。
【請求項７】
電力の除去又は電圧を低下させることで、前記キャッシュメモリの１以上の部分を無効にする、
請求項１記載の方法
【請求項８】
前記キャッシュメモリは、レベル２又はレベル３のキャッシュメモリである、
請求項１記載の方法。
【請求項９】
各々がキャッシュメモリを有する複数のプロセッサコアを含む処理ノードを、動的に構成するための方法であって、
前記キャッシュメモリの各々に対応する現在の利用率を独立にモニタするステップと、
各々の前記現在の利用率が、所定の利用値より低いかを決定するステップと、
各々の前記現在の利用率が、前記所定の利用値より低いという決定に応じて、対応する前記キャッシュメモリの１以上の部分を選択的に無効にするステップとを含む、
方法。
【請求項１０】
前記所定の利用値を設定可能なストレージ内に格納するステップを更に含む、
請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記キャッシュメモリにおいて使用されているエントリ数を決定するとともに、前記キャッシュメモリへのアクセス頻度を決定することにより、前記現在の利用値を決定するステップを更に含む、
請求項９記載の方法。
【請求項１２】
電力の除去又は電圧を低下させることで、対応する前記キャッシュメモリの１以上の部分を無効にする、
請求項９記載の方法。
【請求項１３】
前記キャッシュメモリは、レベル２のキャッシュメモリである、
請求項９記載の方法。
【請求項１４】
各プロセッサコアの前記キャッシュメモリの１以上の部分を無効にし、且つ異なるプロセッサコアの他のキャッシュメモリの現在の利用率が第２の所定の利用値を上回ると、前記異なるプロセッサコアの前記キャッシュメモリを共有にすることを選択的に可能にするステップを更に含む、
請求項９記載の方法。
【請求項１５】
複数のプロセッサコアにより共有された前記キャッシュメモリの各々の現在の利用率を独立にモニタするステップと、
前記現在の利用率が、所定の利用値より低いかを決定するステップと、
前記現在の利用率が、前記所定の利用値より低いという決定に応じて、共有された前記キャッシュメモリの１以上の部分を選択的に無効にするステップと、を更に含む、
請求項９記載の方法。
【請求項１６】
キャッシュメモリと、
前記キャッシュメモリに結合され、前記キャッシュメモリの現在の利用率をモニタするとともに、前記現在の利用率が、所定の利用値より低いかを決定するように構成されたキャッシュモニタユニットと、
前記キャッシュモニタユニット及び前記キャッシュメモリに結合されたコンフィギュレーションユニットと、を備え、
前記キャッシュコンフィギュレーションユニットは、前記現在の利用率が、前記所定の利用値より低いことを決定する前記キャッシュモニタユニットに応じて、前記キャッシュメモリの１以上の部分を選択的に無効にするように構成される、
プロセッサ。
【請求項１７】
複数のプロセッサコアを備える処理ノードであって、各プロセッサコアは、
キャッシュメモリと、
前記キャッシュメモリに結合されて、自身に結合された前記キャッシュメモリの現在の利用率を独立してモニタするとともに、前記現在の利用率が、所定の利用値より低いかを決定するように構成されたキャッシュモニタユニットと、
前記キャッシュモニタユニット及び前記キャッシュメモリに結合されたコンフィギュレーションユニットと、を備え、
前記キャッシュコンフィギュレーションユニットは、前記現在の利用率が、前記所定の利用値より低いことを決定する前記キャッシュモニタユニットに応答して、前記コンフィギュレーションユニットが結合された、対応する前記キャッシュメモリの１以上の部分を選択的に無効にするように構成される、
処理ノード。
【請求項１８】
複数のプロセッサコアの各々によりアクセス可能な共有のキャッシュメモリを更に備える、
請求項１７記載の処理ノード。
【請求項１９】
それぞれ前記共有のキャッシュメモリに接続された、増設のキャッシュモニタユニット及び増設のコンフィギュレーションユニットを備えており、
前記増設のキャッシュモニタユニットは、前記共有のキャッシュメモリの現在の利用率をモニタして、前記共有のキャッシュメモリの現在の利用率が、所定の第２利用値よりも低いかを決定する、
請求項１８記載の処理ノード。
【請求項２０】
前記増設のコンフィギュレーションユニットは、前記共有のキャッシュメモリの現在の利用率が、前記所定の第２利用値よりも低いことが決定されると、前記共有のキャッシュメモリの１以上の部分を選択的に無効にするように構成される、
請求項１９記載の処理ノード。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月18日(2008.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２線式プロセス制御ループに連結するためのプロセスデバイスであって、
プロセスデバイスまたはプロセスの動作を診断するように構成された診断回路と、
２つ以上の診断状態を示すループに出力されたアナログ電流を供給するように構成された２線式プロセス制御ループに連結されるように構成された出力部と、
を含むプロセスデバイス。
【請求項２】
ループアナログ電流出力が４ｍＡ〜２０ｍＡの間である、請求項１記載のプロセスデバイス。
【請求項３】
ループアナログ電流出力が予測診断情報を示す、請求項１記載のプロセスデバイス。
【請求項４】
プロセスデバイスがプロセス変数トランスミッタを含む、請求項１記載のプロセスデバイス。
【請求項５】
プロセスデバイスがプロセスコントローラを含む、請求項１記載のプロセスデバイス。
【請求項６】
プロセスデバイスが、安全計装システムで用いられるように構成される、請求項１記載のプロセスデバイス。
【請求項７】
プロセスデバイスが、プロセス制御ループを通して受ける電力により完全に電力供給される、請求項１記載のプロセスデバイス。
【請求項８】
プロセス制御ループがＨＡＲＴ（登録商標）プロトコルに従って動作する、請求項１記載のプロセスデバイス。
【請求項９】
診断状態が、特定の電流レベルにマッピングされた規格化された診断状態に関する、請求項１記載のプロセスデバイス。
【請求項１０】
第２の２線式プロセス制御ループに連結するように構成された第２の出力を含む第２のプロセス制御ループを含み、第２の出力が感知されたプロセス変数に関する、請求項１記載のプロセスデバイス。
【請求項１１】
プロセスデバイスの回路が、第２のプロセス制御ループを通して受ける電力により完全に電力供給される、請求項１０記載のプロセスデバイス。
【請求項１２】
少なくとも１つの出力および第２の出力に関連づけられた回路が、非活動中には電源を遮断するように構成される、請求項１０記載のプロセスデバイス。
【請求項１３】
診断回路が、プロセスデバイスのセンサモジュールに連結された機能モジュールで実行される、請求項１記載のプロセスデバイス。
【請求項１４】
アナログ電流出力が、診断状態を示す所定のパターンで経時変化する、請求項１記載のプロセスデバイス。
【請求項１５】
アナログ電流レベルが半連続的な値を含む、請求項１記載のプロセスデバイス。
【請求項１６】
２線式プロセス制御ループに連結するためのプロセスデバイスであって、
プロセスデバイスまたはプロセスの動作を診断するように構成された診断回路と、
診断状態を示し、かつ４ミリアンペア〜２０ミリアンペアの間の値を有するループに出力されたアナログ電流を供給するように構成された２線式プロセス制御ループに連結されるように構成された出力部と、
を含むプロセスデバイス。
【請求項１７】
２線式プロセス制御ループに連結するためのプロセスデバイスであって、
プロセスデバイスまたはプロセスの動作を診断するように構成された診断回路と、
予測診断情報を示すループに出力されたアナログ電流を供給するように構成された２線式プロセス制御ループに連結されるように構成された出力部と
を含むプロセスデバイス。
【請求項１８】
工業用プロセスの診断に用いるためのインターフェイス回路であって、
プロセスデバイスに連結する第１の２線式プロセス制御ループに連結するように構成され、第１の２線式プロセス制御ループが、診断状態およびプロセス変数に関する情報を伝えるように構成された第１のループ接続部と、
第２のプロセス制御ループに連結するように構成された第２のループ接続部であって、インターフェイス回路が、プロセス変数に応じて第２のプロセス制御ループの電流レベルを制御する第２のループ接続部と、
第３のプロセス制御ループに連結するように構成された第３のループ接続部であって、インターフェイス回路が、診断状態に応じて第３のプロセス制御ループの電流レベルを制御する第３のループ接続部と
を含むインターフェイス回路。
【請求項１９】
インターフェイス回路が制御室内に位置付けられる、請求項１８記載のインターフェイス回路。
【請求項２０】
インターフェイス回路が危険のない領域内に位置付けられる、請求項１８記載のインターフェイス回路。
【請求項２１】
インターフェイス回路が、危険領域内に位置付けられ、かつ本質的安全規格を満たす、請求項１８記載のインターフェイス回路。
【請求項２２】
インターフェイス回路が、第３のプロセス制御ループで伝えられる電流レベルに、さまざまな診断状態をマッピングする、請求項１８記載のインターフェイス回路。
【請求項２３】
第３のプロセス制御ループの電流レベルが、診断状態を示す半連続的な値を含む、請求項１８記載のインターフェイス回路。
【請求項２４】
第３のプロセス制御ループの電流レベルが、診断状態を示すパターンに従って制御される、請求項１８記載のインターフェイス回路。
【請求項２５】
第３のプロセス制御ループの電流レベルが、予測診断情報を示す、請求項１８記載のインターフェイス回路。
【請求項２６】
インターフェイス回路が診断を行う、請求項１８記載のインターフェイス回路。
【請求項２７】
第２のプロセスデバイスに連結するための第４のループ接続部を含む、請求項１８記載のインターフェイス回路。
【請求項２８】
２線式プロセス制御ルーピングに連結されたプロセスデバイスまたはプロセスに関する診断情報を報知する方法であって、
プロセスデバイスまたはプロセスの動作を診断することと、
２つ以上の診断状態を示す２線式プロセス制御ループに、アナログ電流レベルを出力することと
を含む方法。
【請求項２９】
２線式プロセス制御ループに連結されたプロセスまたはプロセスデバイスに関する診断情報を報知する方法であって、
プロセスデバイスまたはプロセスの動作を診断することと、
診断状態を示し、４ミリアンペア〜２０ミリアンペアの間の値を有する２線式プロセス制御ループに、アナログ電流レベルを出力することと
を含む方法。
【請求項３０】
２線式プロセス制御ループに連結されたプロセスまたはプロセスデバイスに関する診断情報を報知する方法であって、
プロセスデバイスまたはプロセスの動作を診断することと、
予測診断情報を示す２線式プロセス制御ループ上に、アナログ電流レベルを出力することと
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月29日(2008.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バス・マスタとシステム・バスとを有するデータ処理システムにおけるアクセス取り消しの方法であって、該バス・マスタは該システム・バスに結合され、該方法は、
取り消しが許される、または許されない少なくとも１つの条件を示すアクセス取り消し制御情報を記憶すること、
該システム・バス上の現在待ち状態にあるアクセス要求の取り消しを要求すること、
該要求することに応答して、該アクセス取り消し制御情報を使用して、該現在待ち状態にあるアクセス要求の少なくとも１つの特性に基づいて該現在待ち状態にあるアクセス要求を選択的に取り消すこと
を備える方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの特性は前記現在待ち状態にあるアクセス要求のアクセス・タイプを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記データ処理システムは、前記システム・バスに結合された第２のバス・マスタを含み、前記少なくとも１つ特性は、いずれのバス・マスタが前記現在待ち状態にあるアクセス要求を行ったかを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記アクセス要求は対応するアクセス・アドレスを有し、前記少なくとも１つの特性は該アクセス・アドレスが含まれるアドレス範囲を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
バス・マスタと該バス・マスタが結合されたシステム・バスとを有するデータ処理システムにおけるアクセス取り消しの方法であって、
取り消しが許される、または許されない少なくとも１つの条件を示すアクセス取り消し制御情報を記憶すること、
後続のアクセス要求を受け取ること、
該システム・バス上の現在待ち状態にあるアクセス要求の取り消しを要求することであって、該後続のアクセス要求は、該現在待ち状態にあるアクセス要求が該マスタから受け取られた後に該マスタから受け取られること、
該要求することに応答して、該アクセス取り消し制御情報を使用して、該後続のアクセス要求の少なくとも１つの特性に基づいて該現在待ち状態にあるアクセス要求を選択的に取り消すこと
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月12日(2008.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホログラフィックデータ記憶媒体の製造方法であって、フォトクロミック色素を有機材料又は無機材料と混合してホログラフィック組成物を形成し、ホログラフィック組成物をある容量を有するホログラフィックデータ記憶媒体に成形することを含んでなるホログラフィックデータ記憶媒体の製造方法であって、前記フォトクロミック色素がニトロンである方法。
【請求項２】
前記フォトクロミック色素がジアリールエテン及び／又はニトロンを、ホログラフィック組成物の全重量を基準にして０．１〜０．５重量％含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ニトロンがアリールニトロンである、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記ニトロンが次の構造を有する、請求項１記載の方法。
【化１】
2008515023.tif 000001
【請求項５】
前記ニトロンが式（ＸＸＸＸＶＩ）で表されるアリールニトロン構造を含む、請求項１記載の方法。
【化２】
2008515023.tif 000002
式中、Ｚは（Ｒ３）ａ−Ｑ−Ｒ４−又はＲ５−であり、Ｑは一価、二価又は三価の置換基又は連結基であり、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は各々独立に水素、炭素原子数１〜８のアルキルもしくは置換アルキル基又は炭素原子数６〜１３の芳香族基であり、Ｒ４は炭素原子数６〜１３の芳香族基であり、Ｒ５は酸素、窒素又は硫黄の１種以上のヘテロ原子を含む置換基を有する炭素原子数６〜２０の芳香族基であり、Ｒ６は炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素基であり、Ｘはハロ、シアノ、ニトロ、脂肪族アシル、炭素原子数１〜８のアルキル、置換アルキル、炭素原子数６〜２０のアリール、カルバルオキシ、或いは以下の群から選択されるオルト又はパラ位の電子求引基である。
【化３】
2008515023.tif 000003
式中、Ｒ７は炭素原子数１〜８のアルキル基であり、ａは２以下であり、ｂは３以下であり、ｎは４以下である。
【請求項６】
前記ニトロンがα−（４−ジエチルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルニトロン、α−（４−ジエチルアミノフェニル）−Ｎ−（４−クロロフェニル）−ニトロン、α−（４−ジエチルアミノフェニル）−Ｎ−（３，４−ジクロロフェニル）−ニトロン、α−（４−ジエチルアミノフェニル）−Ｎ−（４−カルボエトキシフェニル）−ニトロン、α−（４−ジエチルアミノフェニル）−Ｎ−（４−アセチルフェニル）−ニトロン、α−（４−ジメチルアミノフェニル）−Ｎ−（４−シアノフェニル）−ニトロン、α−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−（４−シアノフェニル）ニトロン、α−（９−ジュロリジニル）−Ｎ−フェニルニトロン、α−（９−ジュロリジニル）−Ｎ−（４−クロロフェニル）ニトロン、α-［２−（１，１−ジフェニルエテニル）］−Ｎ−フェニルニトロン、α−［２−（１−フェニルプロペニル）］−Ｎ−フェニルニトロン又はこれらのニトロンの１種以上を含む混合物である、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記ニトロンがアリールニトロンであって、該ニトロンが電磁波に曝露されるとオキサジリジンへと単分子環化する、請求項１記載の方法。
【請求項８】
単分子環化するニトロンが構造（ＸＸＸＸＶＩＩ）を有する、請求項７記載の方法。
【化４】
2008515023.tif 000004
式中、Ｚは（Ｒ３）ａ−Ｑ−Ｒ４−又はＲ５−であり、Ｑは一価、二価又は三価の置換基又は連結基であり、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は各々独立に水素、炭素原子数１〜８のアルキルもしくは置換アルキル基又は炭素原子数６〜１３の芳香族基であり、Ｒ４は炭素原子数６〜１３の芳香族基であり、Ｒ５は酸素、窒素又は硫黄の１種以上のヘテロ原子を含む置換基を有する炭素原子数６〜２０の芳香族基であり、Ｒ６は炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素基であり、Ｘはハロ、シアノ、ニトロ、脂肪族アシル、炭素原子数１〜８のアルキル、置換アルキル、炭素原子数６〜２０のアリール、カルバルオキシ、或いは以下の群から選択されるオルト又はパラ位の電子求引基である。
【化５】
2008515023.tif 000005
式中、Ｒ７は炭素原子数１〜８のアルキル基であり、ａは２以下であり、ｂは３以下であり、ｎは４以下である。
【請求項９】
前記アリールニトロンがα−（４−ジエチルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルニトロンである、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
前記有機材料が光透過性有機ポリマーである、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
成形ホログラフィック組成物を照射してホログラムを形成することをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記成形が射出成形、圧縮成形、真空成形又はブロー成形である、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項記載の方法で製造される物品。
【請求項１４】
フォトクロミック色素と光透過性有機材料とを含むホログラフィックデータ記憶媒体であって、上記フォトクロミック色素がニトロンであり、当該媒体がホログラフィックデータを記録するための干渉縞をその容量内に形成することができる媒体。
【請求項１５】
請求項１４記載のホログラフィックデータ記憶媒体に情報を記録する方法であって、上記ホログラフィックデータ記憶媒体に波長３５０〜１１００ｎｍの電磁エネルギーを照射し、前記フォトクロミック色素を反応させることを含んでなる方法。
【請求項１６】
請求項１４記載のホログラフィック記憶媒体を使用する方法であって、上記ホログラフィックデータ記憶媒体に第１波長を有する電磁エネルギーを照射し、第１波長で行う照射がデータの記憶を促進し、前記フォトクロミック色素を反応させ、前記物品に第２波長で照射して前記データを読み込むことを含んでなる方法。
【請求項１７】
ホログラフィック記憶媒体の製造方法であって、第１フィルムの表面上にニトロンを含む光活性材料の層を配置し、前記光活性材料の層上に第２フィルムを第１フィルムと対向して配置することを含んでなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月10日(2008.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報をキャッシュ・モジュールに与える装置であって、
第１及び第２の必須のデータ単位の検索を要求する指示を発生するよう適合された論理と、
前記のキャッシュ論理に結合された制御器であって、前記指示を受け取り、それに応答して、
単一のフェッチ・バースト中に検索可能なメモリ空間が前記第１及び第２の必須のデータ単位を備える場合、前記単一のフェッチ・バーストを開始し、
単一のフェッチ・バースト中に検索可能なメモリ空間が前記第１及び第２の必須のデータ単位を備えていない場合、複数のフェッチ・バーストを開始する
よう適合されている前記制御器と
を備える装置。
【請求項２】
フェッチ・バースト中に検索可能なメモリ空間の少なくとも１つの特性が、前記メモリ空間の場所に応答する請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記制御器が更に、投機型フェッチ・オペレーションを開始するよう適合されている請求項１記載の装置。
【請求項４】
情報をキャッシュ・モジュールに与える装置であって、
前記キャッシュ・モジュールに結合され、前記キャッシュ・モジュールから第１及び第２のデータ単位を検索する第１及び第２の要求を開始する少なくとも１つのプロセッサと、
前記要求を受け取り、前記第１及び第２のデータ単位が必須のデータ単位であるかどうかを決定するよう適合された論理と、
前記キャッシュ・モジュールに結合された制御器であって、単一のフェッチ・バースト中に検索可能なメモリ空間が前記第１及び第２の必須のデータ単位を備える場合前記単一のフェッチ・バーストを開始するよう適合され、且つ単一のフェッチ・バースト中に検索可能なメモリ空間が前記第１及び第２の必須のデータ単位を備えていない場合複数のフェッチ・バーストを開始するよう適合されている前記制御器と
を備える装置。
【請求項５】
キャッシュ・モジュールを更に備える請求項４記載の装置。
【請求項６】
フェッチ・バースト中に検索可能なメモリ空間の少なくとも１つの特性が、前記メモリ空間の場所に応答する請求項４記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月7日(2008.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
臨床的に適切な乳癌関連抗原ペプチドをコードする発現ベクター；および
ＩＲＭ化合物
を含むＤＮＡワクチン。
【請求項２】
前記ＩＲＭ化合物が、置換イミダゾキノリンアミン、テトラヒドロイミダゾキノリンアミン、イミダゾピリジンアミン、１，２−架橋イミダゾキノリンアミン、６，７−縮合シクロアルキルイミダゾピリジンアミン、イミダゾナフチリジンアミン、テトラヒドロイミダゾナフチリジンアミン、オキサゾロキノリンアミン、チアゾロキノリンアミン、オキサゾロピリジンアミン、チアゾロピリジンアミン、オキサゾロナフチリジンアミン、またはチアゾロナフチリジンアミンを含む、請求項１に記載のワクチン。
【請求項３】
前記ＩＲＭ化合物が、ＴＬＲ８選択性アゴニストを含む、請求項１に記載のワクチン。
【請求項４】
ＤＮＡワクチンの効力を増大させるために有効な量のＴＬＲ８選択性アゴニストを含むＤＮＡワクチンアジュバント。
【請求項５】
前記ＴＬＲ８選択性アゴニストが、イミダゾキノリンアミン、テトラヒドロイミダゾキノリンアミン、イミダゾピリジンアミン、１，２−架橋イミダゾキノリンアミン、６，７−縮合シクロアルキルイミダゾピリジンアミン、イミダゾナフチリジンアミン、テトラヒドロイミダゾナフチリジンアミン、オキサゾロキノリンアミン、チアゾロキノリンアミン、オキサゾロピリジンアミン、チアゾロピリジンアミン、オキサゾロナフチリジンアミン、またはチアゾロナフチリジンアミンを含む、請求項４に記載のＤＮＡワクチンアジュバント。
【請求項６】
被験者において乳癌を処置する方法のための医薬組成物の製造におけるＩＲＭ化合物の使用であって、前記方法が、
臨床的に適切な乳癌関連抗原ペプチドに対する免疫応答を発生させるために有効な量の、臨床的に適切な乳癌関連抗原ペプチドをコードする発現ベクターを被検者に投与すること；および
臨床的に適切な乳癌関連抗原ペプチドへの免疫応答を増強するために有効な量のＩＲＭ化合物を被検者に投与すること
を含む前記使用。
【請求項７】
乳癌を処置するためのＤＮＡワクチンの製造におけるＩＲＭ化合物の使用であって、前記ＤＮＡワクチンが、
臨床的に適切な乳癌関連抗原ペプチドをコードする発現ベクター；および
ＩＲＭ化合物
を含む前記使用。
【請求項８】
前記ＩＲＭ化合物が、イミダゾキノリンアミン、テトラヒドロイミダゾキノリンアミン、イミダゾピリジンアミン、１，２−架橋イミダゾキノリンアミン、６，７−縮合シクロアルキルイミダゾピリジンアミン、イミダゾナフチリジンアミン、テトラヒドロイミダゾナフチリジンアミン、オキサゾロキノリンアミン、チアゾロキノリンアミン、オキサゾロピリジンアミン、チアゾロピリジンアミン、オキサゾロナフチリジンアミン、またはチアゾロナフチリジンアミンを含む、請求項６または７に記載の使用。
【請求項９】
被験者において癌を処置する方法のための医薬組成物の製造におけるＴＬＲ８選択性アゴニストの使用であって、前記方法が、
臨床的に適切な癌関連抗原ペプチドに対する免疫応答を発生させるために有効な量の、臨床的に適切な癌関連抗原ペプチドをコードする発現ベクターを被検者に投与すること；および
臨床的に適切な癌関連抗原ペプチドへの免疫応答を増強するために有効な量のＴＬＲ８選択性アゴニストを被検者に投与すること
を含む前記使用。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月8日(2008.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
プロスタグランジン媒介疾患又は病態の治療又は予防のための医薬組成物の製造における、請求項１に記載の化合物、又はそのエステルの使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
薬学的に許容可能な担体と、請求項１に記載の化合物とを含む医薬製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月2日(2008.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ
【化１】
2008515940.tif 000001
（式中、Ｔｏｓはｐ−トルエンスルホニルを意味する）のペプチド誘導体又はその塩の製造方法であって、
ａ）カップリング剤／添加剤系の存在下における固相担体上のアミノ酸であるアルギニン、プロリン及びグリシンの連続カップリング、
ｂ）グリシン部分のＮ−α−アミノ基のトシル化、
ｃ）トシル化したペプチド又はアミノ側鎖が保護されたその誘導体の、固相担体からの開裂、
ｄ）カップリング剤／添加剤系の存在下における、式III
Ｒ−ＮＨ2                          III
（ここで、Ｒはｐ−アミノフェニルを意味し、１つのアミノ基はアミノ保護基で保護される）のアニリンとの、式II
【化２】
2008515940.tif 000002
のペプチド中間体又はアミノ側鎖が保護されたその誘導体の反応
を含む、方法。
【請求項２】
固相担体が、２−クロロトリチルクロリド−ポリスチレン樹脂であることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
アルギニンが、Ｐｂｆ又はＰｍｃ保護基で保護された側鎖であることを特徴とする、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
プロリンを、ＰＧ−Ｐｒｏ−ＯＰｆｐ、ＰＧ−Ｐｒｏ−ＯＳｕ及びＰＧ−Ｐｒｏ−ＯＢｔより選択される活性化誘導体、又はＰＧ−Ｐｒｏ−ＯＨ（ここで、ＰＧはアミノ保護基を意味する）の非活性化誘導体の形態で適用することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか記載の方法。
【請求項５】
プロリンを、Ｆｍｏｃ−（Ｌ）−Ｐｒｏ−ＯＨの形態で適用することを特徴とする、請求項４記載の方法。
【請求項６】
グリシンを、ＰＧ−Ｇｌｙ−ＯＰｆｐ、ＰＧ−Ｇｌｙ−ＯＳｕ及びＰＧ−Ｇｌｙ−ＯＢｔより選択される活性化誘導体、又はＰＧ−Ｇｌｙ−ＯＨ（ここで、ＰＧはアミノ保護基を意味する）の非活性化誘導体の形態で適用することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか記載の方法。
【請求項７】
グリシンを、Ｆｍｏｃ−Ｇｌｙ−ＯＨの形態で適用することを特徴とする、請求項６記載の方法。
【請求項８】
Ｆｍｏｃ保護基を、ピペリジンでの処置により除去することを特徴とする、請求項５又は７記載の方法。
【請求項９】
工程ａ）におけるアミノ酸の連続カップリングのためのカップリング剤／添加剤系が、ＤＣＣ／ＨＯＢｔ、ＨＢＴＵ／ＨＯＢｔ、ＴＢＴＵ／ＨＯＢｔ、ＨＡＴＵ／ＨＯＡｔ、ＤＥＰＢＴ／ＨＯＯＢｔ、ＰｙＢｏＰ／Ｃｌ−ＨＯＢｔより選択されることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか記載の方法。
【請求項１０】
カップリング剤／添加剤系が、ＨＢＴＵ／ＨＯＢｔであることを特徴とする、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
式IIIのアニリンを用いる、式IIのペプチド中間体の反応のためのカップリング剤／添加剤系が、ＤＣＣ／ＨＯＢｔ、ＨＡＴＵ／ＨＯＡｔ、ＨＢＴＵ／ＨＯＢｔ、ＴＢＴＵ／ＨＯＢｔ、ＰｙＢＯＰ／Ｃｌ−ＨＯＢｔ及びＤＥＰＢＴ／ＨＯＯＢｔから選択されることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか記載の方法。
【請求項１２】
カップリング剤／添加剤系が、ＤＥＰＢＴ／ＨＯＯＢｔであることを特徴とする、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
４−トルエンスルホニルクロリドによりトシル化が行われることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
トリフルオロ酢酸を用いて固相担体からの開裂を行うことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項１５】
工程ｄ）における式IIIのアニリンとの反応を、式IIのペプチド中間体のアミノ側鎖が保護された誘導体としてＴｏｓ−Ｇｌｙ−Ｐｒｏ−Ａｒｇ（Ｐｂｆ）−ＯＨと行うことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか記載の方法により得られる、式Ｉのペプチド誘導体又はその塩。
【請求項１７】
請求項１〜１５のいずれか記載の方法により製造される式Ｉのペプチド誘導体の、タンパク質分解酵素の定量のための使用。
【請求項１８】
毛細管血中のトロンビンの定量測定のための、請求項１７記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月5日(2008.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
a) 式（Ｉ）：
R-CO-NR1R2                (Ｉ)
［式中、
RはC4-C19炭化水素基であり、
R1は第三級C4-C19炭化水素基であり、
R2は H、C1-C14炭化水素基又はC1-C14ヒドロキシ炭化水素基である］
で表される１又はそれ以上の溶媒、及び
b) １又はそれ以上の界面活性剤、
を含む界面活性剤／溶媒混合物。
【請求項２】
成分a)として、Rは(C4-C19)-アルキル、R1は第三級(C4-C7)-アルキル、そしてR2はH、(C1-C6)-アルキル、(C4-C10)シクロアルキル又は(C1-C6)ヒドロキシアルキルである式（Ｉ）の化合物を１又はそれ以上含む、請求項１に記載の界面活性剤／溶媒混合物。
【請求項３】
成分b)として、アルコキシル化されたC10-C24-アルコール及びそれらの陰イオン誘導体、アルコキシル化された植物油、アルコキシル化されたフェノール及びそれらの硫酸又はリン酸との反応物、並びにアルキルベンゼンスルホナートの群からの１又はそれ以上の化合物を含む、請求項１又は２に記載の界面活性剤／溶媒混合物。
【請求項４】
（１）１又はそれ以上の有効成分、
（２）請求項１〜３のいずれか１項に記載の界面活性剤／溶媒混合物の成分a)及び成分b)、
（３）場合により更なる有機溶媒、
（４）場合により慣用的な補助剤及び添加剤、並びに
（５）場合により水、
を含む、有効成分製剤。
【請求項５】
農薬有効成分、好ましくは除草剤、殺虫剤、殺菌剤及び薬害軽減剤の群からの１又はそれ以上を含む、請求項４に記載の有効成分製剤。
【請求項６】
液状である、請求項４又は５に記載の有効成分製剤。
【請求項７】
乳剤、マイクロエマルション製剤、油性懸濁製剤、サスポエマルション製剤、エマルション、マイクロエマルション、油性懸濁、サスポエマルション又は噴霧液の形態である、請求項４〜６のいずれか１項に記載の有効成分製剤。
【請求項８】
成分が互いに混合される、請求項４〜７のいずれか１項の記載により定義された有効成分製剤の製造方法。
【請求項９】
有効成分製剤を製造するための、請求項１〜３のいずれか１項に記載の界面活性剤／溶媒混合物の使用。
【請求項１０】
乳剤、マイクロエマルション製剤、油性懸濁製剤、サスポエマルション製剤、エマルション、マイクロエマルション、油性懸濁、サスポエマルション又は噴霧液を製造するための、請求項９に記載の使用。
【請求項１１】
請求項４〜７のいずれか１項に記載の有効量の農薬有効成分製剤を有害生物又は有害生物が発生している場所に施用する、有害生物の防除方法。
【請求項１２】
有害生物を防除するための、請求項４〜７のいずれか１項に記載の農薬有効成分製剤の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
それ故、本発明は、
a)  式（Ｉ）：
R-CO-NR1R2          (Ｉ)
［式中、
Rは、例えばC4-C19-アルキル、C4-C19-アルケニル、 C4-C19-アルキニル、C4-C19-シクロアルキル、C4-C19-シクロアルケニル又は C4-C19-シクロアルキニルのようなC4-C19炭化水素基であり、
R1は、例えば第三級C4-C19-アルキルのような第三級C4-C19炭化水素基であり、
R2は H、C1-C14-アルキル、C2-C14-アルケニル、C2-C14-アルキニル、C4-C14-シクロアルキル、C4-C14-シクロアルケニル若しくは C4-C14-シクロアルキニルのようなC1-C14-炭化水素基、又はC1-C14-ヒドロキシアルキル、C2-C14-ヒドロキシアルケニル、C2-C14-ヒドロキシアルキニル、C4-C14-ヒドロキシシクロアルキル、C4-C14-ヒドロキシシクロアルケニル若しくは C4-C14-ヒドロキシシクロアルキニルのようなC1-C14-ヒドロキシ炭化水素基である］で表される１又はそれ以上の溶媒、及び
b)  １又はそれ以上の界面活性剤、
を含む、界面活性剤／溶媒混合物を提供するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
式（Ｉ）において、炭化水素基R及びR2 、並びにヒドロキシ炭化水素基R2は、直鎖、分枝鎖又は環式であってもよい。炭化水素基R、R1及びR2、並びにヒドロキシ炭化水素基R2は置換されていてもよい。置換された炭化水素基及びヒドロキシ炭化水素基、例えば置換されたアルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、シクロアルキニル、ヒドロキシアルキル、ヒドロキシアルケニル若しくはヒドロキシアルキニルは、例えば、置換されていない親物質由来の置換された置換基であり、ここにおいて、当該置換基は、例えば、ハロゲン、アルコキシ、ハロアルコキシ、アルキルチオ、アミノ、ニトロ、カルボキシ、シアノ、アジド、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニル、ホルミル、カルバモイル、モノ-及びジアルキルアミノカルボニル、アシルアミノ、モノ−及びジアルキルアミノのような置換されたアミノ、並びにアルキルスルフィニル、ハロアルキルスルフィニル、アルキルスルホニル、ハロアルキルスルホニル、そして環式置換基の場合は、更にアルキル、ヒドロキシ及びハロアルキル、並びに、当該飽和炭化水素を含む置換基に対応する、アルケニル、アルキニル、アルケニルオキシ、アルキニルオキシ等のような不飽和の脂肪族置換基の群からの１又はそれ以上、好ましくは１、２又は３個の置換基である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る界面活性剤／溶媒混合物中に存在する溶媒a)には、例えば、N-第三級-ブ
チルN-メチルへキサン酸アミド、N-第三級-ブチル N-エチルイソオクテン酸アミド、N-第三級-ペンチル N-イソプロピルデカノン酸アミド、N-第三級-ヘキシル N-イソブチルペンタン酸アミド、N-第三級-ブチル N-シクロヘキシル-ヘプタン酸アミド、N-第三級-ヘプチル N-メチルノナン酸アミド、N-第三級-ブチルN-エチル-イソペンタン酸アミド、N-第三級-ブチルN-エタノールイソヘキサン酸アミド、N,N-ジイソプロパノールオクタン酸アミド、N-エタノール N-ブタノールデカン酸アミド、N-プロパノール N-ヘキシルドデカン酸アミド、N-第三級-ブチル N-エチルペンタン酸アミド、がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
【表１】
2008515938.tif 000001
説明:
ＡＡＳＣＡ(R)60 (Rhodia社) ＝ カルシウム ドデシルベンゼンスルホナート(イソブタノール中６０％)
Antarox(R)724P (Rhodia社) ＝ 18 EO／PO単位を有するエチレンオキシド／プロピレンオキシド-(p-ノニルフェノール) コポリマー
Solvesso(R)150 (Exxon社) ＝ 芳香族鉱油
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月8日(2008.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれか一項に記載の化合物、又は前記化合物の塩、水和物、若しくはエステルを有効成分として含む、プロスタグランジン媒介疾患又は病態の治療又は予防のための医薬製剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
前記疾患又は病態が、
痛み、リウマチ熱・インフルエンザ若しくは他のウイルス感染と関連する発熱及び炎症、風邪、月経困難症、頭痛、片頭痛、捻挫及び挫傷、筋炎、神経痛、滑膜炎、慢性関節リウマチ・変形性関節疾患（変形性関節症）を含む関節炎、痛風及び強直性脊椎炎、滑液嚢炎、放射線及び腐食性薬品傷害を含むやけど、日焼け、免疫及び自己免疫疾患；
細胞性悪性形質転換又は転移性腫瘍増殖；
糖尿病性網膜症、腫瘍脈管形成；
月経困難症、早期分娩、喘息又は好酸球関連障害と関連するプロスタノイド誘発性平滑筋収縮；
アルツハイマー病；
緑内障；
骨量減少；
骨粗鬆症；
パジェット病；
消化性潰瘍、胃炎、限局性腸炎、潰瘍性大腸炎、憩室炎又は他の胃腸障害；胃腸出血；
低プロトロンビン血症、血友病及び他の出血問題から選択される凝固障害；
腎臓疾患；
血栓症、心筋梗塞、脳卒中；並びに
閉塞性血管疾患
から選択される、請求項２１に記載の医薬製剤。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
前記疾患が閉塞性血管疾患である、請求項２２に記載の医薬製剤。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２４】
請求項１〜２０のいずれか一項に記載の化合物、又は前記化合物の塩、水和物若しくはエステルを有効成分として含む、アテローム性動脈硬化症の治療において斑を減少させるための医薬製剤。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】
請求項１〜２０のいずれか一項に記載の化合物、又は前記化合物の塩、水和物若しくはエステルを有効成分として含む、骨形成の促進のための又は細胞保護のための医薬製剤。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２６】
請求項１〜２０のいずれか一項に記載の化合物、又は前記化合物の塩、水和物若しくはエステル並びにシクロオキシゲナーゼ阻害剤を有効成分として含む、痛み、炎症、アテローム性動脈硬化症、心筋梗塞、脳卒中又は血管閉塞性障害の治療又は予防のための医薬製剤。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２７】
薬学的に許容可能な担体、及び、請求項１〜２０のいずれか一項に記載の化合物を含む医薬製剤。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
Ｋ−２４の合成。Ｋ−２３（５．４ｇ、２０ｍｍｏｌ）、トリ−ｏ−トリルホスフィン（２．２ｇ、７ｍｍｏｌ、０．３当量）及び酢酸パラジウム（５００ｍｇ、２ｍｍｏｌ、０．１当量）のトリエチルアミン（２０ｍＬ）溶液を入れたチュ−ブに酢酸メチル（５ｇ、７０ｍｍｏｌ、３．５当量）を室温で添加した。チュ−ブは密封し、反応混合物は６時間１００℃で加熱、攪拌し、次いで室温まで冷却し、６００ｍＬの撹拌中の氷水に注ぎ、そしてＣＨ２Ｃｌ２（３ｘ１００ｍＬ）で抽出した。一緒に合わせた有機抽出物は水（２ｘ１００ｍＬ）、ブライン（１００ｍＬ）で洗浄後乾燥した（Ｎａ２ＳＯ４）。濾過し溶媒を除去後、６ｇの残渣が得られ、これはＣＨ２Ｃｌ２／酢酸エチル／ヘキサンを用いた再結晶化とフラッシュ・クロマトグラフィ−（シリカゲル、ＣＨ２Ｃｌ２；ＣＨ２Ｃｌ２／ＥｔＯＡｃ／ヘキサン、ｖ／ｖ／ｖ＝１：１０：２０−１：２０：１０；ＥｔＯＡｃ）の併用により精製し、その結果Ｋ−２４（総量４．５ｇ、８１％）が、灰色がかった白色の固体として得られた。ＭＳ（ＡＰＣＩ）：２７４（Ｍ−１）。１Ｈ−ＮＭＲ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月18日(2008.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
哺乳動物被験体におけるウイルス関連のリンパ増殖性障害を処置もしくは予防するため、または該障害の発症のリスクを軽減するための組成物であって、
ＴＧＦ−βアンタゴニスト
を含み、
該被験体がウイルス関連リンパ増殖性障害を有するか、またはそのリスクがある、
組成物。
【請求項２】
前記ウイルス関連の増殖性障害が、ヘルペスウイルス、ＨＨＶ−８、サイトメガロウイルス、エプスタイン−バーウイルス（ＥＢＶ）、Ｃ型レトロウイルス、ヒトＴリンパ球向性ウイルス１型およびヒト免疫不全ウイルスから選択されるウイルスに関連する、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記ウイルス関連リンパ増殖性障害がエプスタイン−バーウイルス関連のリンパ増殖性障害である、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記ウイルス関連リンパ増殖性障害が移植後リンパ増殖性障害である、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記被験体がＩＦＮ−γの低プロデューサー遺伝子型を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記被験体がＩＦＮ−γ遺伝子の＋８７４位置でアデノシンを有する、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記ＴＧＦ−βアンタゴニストが、抗ＴＧＦ−β抗体、抗ＴＧＦ−βレセプター抗体、および可溶性ＴＧＦ−βレセプターから選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記抗ＴＧＦ−β抗体または抗ＴＧＦ−βレセプター抗体がヒト型またはヒト化型である、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
前記抗ＴＧＦ−β抗体がＴＧＦ−β１、ＴＧＦ−β２およびＴＧＦ−β３に特異的に結合する、請求項７に記載の組成物。
【請求項１０】
前記抗ＴＧＦ−β抗体がＴＧＦ−β１およびＴＧＦ−β２に特異的に結合する、請求項７に記載の組成物。
【請求項１１】
前記抗体が１Ｄ１１、またはそのヒトもしくはヒト化誘導体である、請求項７に記載の組成物。
【請求項１２】
前記抗体がＴＧＦ−β１に特異的に結合する、請求項７に記載の組成物。
【請求項１３】
前記抗体がＣＡＴ１９２またはその誘導体である、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
前記被験体が移植に起因するリスクがある、請求項４に記載の組成物。
【請求項１５】
前記移植が、心臓、腎臓、肺、肝臓、角膜、骨髄、幹細胞、血管および島細胞の移植から選択される、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１６】
前記被験体が免疫不全に起因するリスクがある、請求項１に記載の組成物。
【請求項１７】
前記被験体が免疫抑制療法に起因するリスクがある、請求項１に記載の組成物。
【請求項１８】
哺乳動物被験体におけるウイルス感染に対してＴ細胞応答性を増強するための組成物であって、
ＴＧＦ−βアンタゴニスト
を含み、
該被験体がウイルス関連リンパ増殖障害を有するかまたはそのリスクがある、
組成物。
【請求項１９】
前記ウイルス関連リンパ増殖性障害が、ヘルペスウイルス、ＨＨＶ−８、サイトメガロウイルス、エプスタイン−バーウイルス（ＥＢＶ）、Ｃ型レトロウイルス、ヒトＴリンパ球向性ウイルス１型およびヒト免疫不全ウイルスから選択されるウイルスに関連する、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２０】
前記ウイルス関連リンパ増殖性障害がヘルペスウイルス関連のリンパ増殖性障害である、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２１】
前記ウイルス関連増殖性障害がＥＢＶ関連リンパ増殖性障害である、請求項２０に記載の組成物。
【請求項２２】
前記ＥＢＶ関連リンパ増殖性障害が、原発性ＣＮＳリンパ腫、移植後リンパ増殖性障害、バーキットリンパ腫、Ｔ細胞リンパ腫、Ｘ連鎖性リンパ増殖性障害、チェディアック−東症候群およびホジキンリンパ腫から選択される、請求項２１に記載の組成物。
【請求項２３】
前記ウイルス関連リンパ増殖性障害がＨＩＶ関連リンパ増殖性障害である、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２４】
ウイルス関連リンパ増殖性障害に対するＴ細胞応答性を増強するための組成物であって、
ＴＧＦ−βアンタゴニスト
を含む、組成物。
【請求項２５】
低ＩＦＮ−γレベルに関連するウイルス関連リンパ増殖性障害を処置するための組成物であって、
ＴＧＦ−βアンタゴニスト
を含む、組成物。
【請求項２６】
高ＴＧＦ−βレベルに関連するウイルス関連リンパ増殖性障害を処置するための組成物であって、
ＴＧＦ−βアンタゴニスト
を含む、組成物。
【請求項２７】
ウイルス関連リンパ増殖性障害を処置もしくは予防するため、または該障害の発症のリスクを軽減するためのＴＧＦ−βアンタゴニストの投与のための候補被験体を同定する方法であって、
ある被験体がＩＦＮ−γの低プロデューサー遺伝子型を有するか否かを決定する工程
を包含する、方法。
【請求項２８】
前記被験体がＩＦＮ−γの低プロデューサー遺伝子型についてホモ接合性である、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記被験体がＩＦＮ−γの低プロデューサー遺伝子型についてヘテロ接合性である、請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
前記被験体がＩＦＮ−γ遺伝子の＋８７４位置でアデノシンを有する、請求項２７に記載の方法。
【請求項３１】
前記被験体が、ウイルス関連リンパ増殖性障害のリスクがある、請求項２７に記載の方法。
【請求項３２】
前記被験体がウイルス関連リンパ増殖性障害を有する、請求項２７に記載の方法。
【請求項３３】
ウイルス関連リンパ増殖性障害を処置もしくは予防するため、または該障害の発症のリスクを軽減するためのＴＧＦ−βアンタゴニストの投与のための候補被験体を同定する方法であって、
ある被験体が低ＩＦＮ−γレベルを有するか否かを決定する工程
を包含する、方法。
【請求項３４】
ウイルス関連リンパ増殖性障害を処置するためのＴＧＦ−βアンタゴニストの投与のための候補被験体を選択する方法であって、
ある被験体がＩＦＮ−γの低プロデューサー遺伝子型を有するか否かを決定する工程
を包含する、方法。
【請求項３５】
前記被験体がＩＦＮ−γ遺伝子の＋８７４位置でアデノシンを有するか否かを決定する工程
をさらに包含する、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
ウイルス関連リンパ増殖性障害を処置するためのＴＧＦ−βアンタゴニストの投与のための候補を選択する方法であって、
被験体が低ＩＦＮ−γレベルを有するか否かを決定する工程
を包含する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月10日(2008.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
心筋組織の梗塞された領域中の電気伝導の障害を治療する方法において使用するための医薬の調製における、梗塞された領域の境界域内の電気伝導を改良することが可能な生物学的物質の使用であって、当該方法は当該医薬を梗塞された領域の境界域に送達することを含む、前記使用。
【請求項２】
生物学的物質が、電気伝導を向上することが可能な少なくとも一つの細胞を含む、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
生物学的物質が、少なくとも一つのギャップ結合タンパク質をコードする核酸を含む、請求項１または２に記載の使用。
【請求項４】
生物学的物質が、少なくとも一つのナトリウムチャネルタンパク質をコードする核酸を含む、請求項１または２に記載の使用。
【請求項５】
生物学的物質が、少なくとも一つのカルシウムチャネルタンパク質をコードする核酸を含む、請求項１または２に記載の使用。
【請求項６】
生物学的物質が：自家性、間葉系幹細胞、同種、異種の一つを含む、請求項１または２に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月18日(2008.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
治療材料を保持する足場と、
足場内に除去可能に植え込まれた骨格とを備え、
足場は、骨格を除去したとき形態を変化させて足場を組織内に定着させる、自己固定型足場装置。
【請求項２】
請求項１に記載の自己固定型足場装置において、
骨格は金属材料にて製造される、自己固定型足場装置。
【請求項３】
請求項１に記載の自己固定型足場装置において、
治療材料は、組織に送り出す前に、足場内にて含浸させる、自己固定型足場装置。
【請求項４】
請求項１に記載の自己固定型足場において、
骨格は、遠隔制御植え込みのためのリードを備える、自己固定型足場。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月30日(2008.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
被圧延材（１）を製造する圧延装置における圧延ロール及び／又はローラの洗浄方法であって、複数のノズル（Ｄ１〜Ｄｎ）から高圧の液体を圧延ロールに噴射する前記洗浄方法において、
所定の数の複数のノズル（Ｄ１〜Ｄｎ）をノズルバー（１０）内或いはノズルバー（１０）上に固設するとともに、前記各ノズルに少なくとも１つの切換バルブを配設し、少なくとも１つの前記ノズルをガイドバーの端部から順次連続して開閉することを特徴とする洗浄方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
被圧延材（１）を製造する圧延装置における圧延ロール及び／又はローラの洗浄装置であって、複数のノズル（Ｄ１〜Ｄｎ）から高圧の液体を圧延ロールに噴射する請求項１〜６の何れか１項に記載の洗浄方法を実施する前記洗浄装置において、
前記ノズル（Ｄ１〜Ｄｎ）に少なくとも１つのバルブを配設したことを特徴とする洗浄装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
互いに隣接させた複数のノズル（Ｄ１〜Ｄｎ）を、それぞれに設けられたバルブにより液体の前記圧力管路に接続したことを特徴とする請求項１３記載の洗浄装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月6日(2008.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明により製造される金属板が、それらのその後の加工に有利である優れた機械的特性及び構造を有していることは明白である。この場合において、本発明により製造される金属板の長手方向、横断方向、及び斜め方向において決定される特性の間での偏りは小さい。幅の広い金属板を製造することのできる利点とは別に、繰り返された方向変化を使用してマグネシウム金属板を圧延するための技術文献(Beck, Adolf "Magnesium und seine Legierungen", Springer Bln, 2. Auflage 2001, Kapitel: Technologie des Walzens)中に既に記載されているプラス効果が、本発明による加工工程で既に生じる。驚くべきことに、この場合、ストリップから切り離されるメタルシートの移動が一度だけであるにもかかわらず、得られる特性改良が本発明による圧延方法で生じるので、圧延間でのそれらの配列は、圧延を受けたストリップの配列からそれる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
各々の場合において、運搬デバイス１３は、積み上げられた金属板Ｂのうちの１つを冷間圧延ミル１４へ搬送するので、前記金属板が、初めに、１つの短い長手方向側ＬＳ１で、冷間圧延ミル１４の圧延間隔（図示せず）へ入る。この方法において、熱間圧延ストリップＷがもともとの圧延された長手方向Ｌに対して直角に配列（つまりオフセット９０度）される方向Ｑで、それぞれの金属板Ｂを圧延する。各々の場合において、炉１５中で中間加熱しながら６倍に冷間圧延することによって、厚さ６．５ｍｍの金属板Ｂから、熱間圧延ストリップＷの幅ｂよりも実質的に大きい長さＬＢｆを有する厚さ０．９ｍｍの金属板Ｂｆを仕上げ圧延する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
最終焼鈍された仕上げ金属板Ｂｆは、優れた機械的特性を有する。従って、ここで試験されるマグネシウム金属板Ｂｆの場合には、降伏点Ｒｐ０．２が１６５〜１７０Ｎ/ｍｍ２の範囲にあり、引張強さＲｍは２５０〜２７０Ｎ/ｍｍ２の範囲にあり、そして、伸び率Ａ５０は、１５〜２０％の範囲であった。