【手続補正書】
【提出日】平成20年4月25日(2008.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  マイクロ電子基板と、平面化加工液および平面化加工表面を備えた平面化加工パッドを含む平面化加工媒体と、を係合させる段階を有し、平面化加工液および平面化加工パッドの少なくとも一方は選択された化学剤を備え、
選択された化学剤を備えた平面化加工媒体の離散要素（discrete element）から不活性化剤を分離させ、または選択された化学剤を備えた平面化加工媒体の離散要素への不活性化剤のカップリングを妨げ、または不活性化剤の分離および妨げをする段階と、
平面化加工パッドおよびマイクロ電子基板の少なくとも一方を他方に対して移動させ、マイクロ電子基板から素材を除去する段階とを更に有することを特徴とするマイクロ電子基板を平面化加工する方法。
【請求項２】  腐食抑制剤を含む不活性化剤を選択する段階を更に有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記不活性化剤を分離させ、または妨げ、または分離および妨げをする段階は、不活性化剤と選択された化学剤とを化学的に反応させかつ平面化加工液中に不活性化剤を溶解させる段階を有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】  前記不活性化剤を分離させ、または妨げ、または分離および妨げをする段階は、不活性化剤と選択された化学剤とを化学的に反応させる段階と、不活性化剤を成分に分解する段階と、該成分を平面化加工液中に溶解させる段階とを有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】  前記平面化加工パッドは該パッド内に固定分散された研摩要素を備え、前記不活性化剤を分離させ、または妨げ、または分離および妨げをする段階は、研摩要素から不活性化剤を分離させおよび／または不活性化剤が研摩要素に結合することを制限する段階を有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】  前記選択された化学剤と平面化加工液の少なくとも１つの成分とを反応させて変換化学剤を形成する段階と、該変換化学剤と不活性化剤とを反応させる段階とを更に有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】  リン酸を含む化学剤を選択する段階を更に有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】  前記不活性化剤はベンゾールトリアゾールを含み、前記不活性化剤を分離させ、または妨げ、または分離および妨げをする段階は、ベンゾールトリアゾールと選択された化学剤とを化学的に反応させる段階と、平面化加工液中にベンゾールトリアゾールを溶解させる段階とを有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】  エッチング液を含む化学剤を選択する段階を更に有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】  前記平面化加工パッドは第一ゼータ電位をもつ研摩要素を有し、マイクロ電子基板は第二ゼータ電位をもつ成分を有し、或るｐＨをもつ平面化加工液を選択する段階を更に有し、これにより前記抑制剤および研摩要素の両者が前記ｐＨで同じ極性をもつ電荷を有し、前記抑制剤および研摩要素の両者が前記ｐＨで同じ極性をもつ電荷を有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１１】  約６〜１０の範囲のｐＨをもつ平面化加工液を選択する段階を更に有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】  約７のｐＨをもつ平面化加工液を選択する段階を有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１３】  マイクロ電子基板と平面化加工パッドの平面化加工表面とを係合させ、かつ平面化加工パッドおよびマイクロ電子基板の少なくとも一方を他方に対して移動させ、マイクロ電子基板から素材を除去する段階と、
マイクロ電子基板および平面化加工パッドの一方が他方に対して移動するときに平面化加工パッドから素材を除去して、平面化加工パッドから化学剤を解放させる段階と、
化学剤を備えた平面化加工パッドの離散要素から腐食抑制剤を分離させ、または化学剤を備えた平面化加工パッドの離散要素への腐食抑制剤のカップリングを妨げ、または腐食抑制剤の分離および妨げをする段階とを有することを特徴とするマイクロ電子基板を平面化加工する方法。
【請求項１４】  前記平面化加工パッドから素材を除去する段階は、平面化加工パッドの平面化加工表面から素材を研摩する段階を有することを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１５】  前記化学剤と平面化加工液とを反応させて変換化学剤を形成する段階を更に有し、前記腐食抑制剤を分離させ、または妨げ、または分離および妨げをする段階は、腐食抑制剤と変換化学剤とを反応させる段階を有することを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１６】  前記腐食抑制剤を分離させ、または妨げ、または分離および妨げをする段階は、腐食抑制剤と選択された化学剤とを化学的に反応させかつ平面化加工液中に腐食抑制剤を溶解させる段階を有することを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１７】  前記腐食抑制剤を分離させ、または妨げ、または分離および妨げをする段階は、腐食抑制剤と選択された化学剤とを化学的に反応させ、腐食抑制剤を成分に分解し、かつ該成分を平面化加工液中に溶解させる段階を有することを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１８】  リン酸を含む化学剤を選択する段階を更に有することを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１９】  前記腐食抑制剤はベンゾールトリアゾールを含み、前記腐食抑制剤を分離させ、または妨げ、または分離および妨げをする段階は、ベンゾールトリアゾールと選択された化学剤とを化学的に反応させる段階と、平面化加工液中にベンゾールトリアゾールを溶解させる段階とを有することを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項２０】  エッチング液を含む化学剤を選択する段階を更に有することを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項２１】  前記平面化加工パッドは該パッド内に固定分散された研摩要素を備え、前記腐食抑制剤を分離させ、または妨げ、または分離および妨げをする段階は、研摩要素から腐食抑制剤を分離させおよび／または腐食抑制剤が研摩要素に結合することを制限する段階を有することを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項２２】  マイクロ電子基板と平面化加工パッドの平面化加工表面とを係合させ、かつ平面化加工パッドおよびマイクロ電子基板の少なくとも一方を他方に対して移動させ、マイクロ電子基板から素材を除去する段階と、
マイクロ電子基板および平面化加工パッドの一方が他方に対して移動するときに平面化加工パッドから素材を除去することにより、平面化加工表面の近くで平面化加工パッド内に埋入された第一化学剤を解放させる段階と、
平面化加工パッドの外部での化学反応により、第一化学剤を第二化学剤に化学的に変換する段階と、
平面化加工パッドを第二化学剤に露出することにより、平面化加工パッドと化学的に相互作用する腐食抑制剤の量を制限する段階とを有することを特徴とするマイクロ電子基板を平面化加工する方法。
【請求項２３】  前記腐食抑制剤の量を制限する段階は、第二化学剤を備えた平面化加工パッドから腐食抑制剤を除去する段階を有することを特徴とする請求項２２記載の方法。
【請求項２４】  前記腐食抑制剤の量を制限する段階は、平面化加工パッドへの腐食抑制剤のカップリングを妨げる段階を有することを特徴とする請求項２２記載の方法。
【請求項２５】  リン、塩素、硫黄および窒素の少なくとも１つを含む第一化学剤を選択する段階を更に有することを特徴とする請求項２２記載の方法。
【請求項２６】  前記第一化学剤を選択して、リン酸、塩酸、硫酸および硝酸の少なくとも１つを含む第二化学剤を形成する段階を更に有することを特徴とする請求項２２記載の方法。
【請求項２７】  前記化学剤を化学的に変換する段階は、第一化学剤と平面化加工液の成分とを結合する段階を有することを特徴とする請求項２２記載の方法。
【請求項２８】  前記平面化加工液は水を含み、第一化学剤を化学的に変換する段階は、第一化学剤と水とを結合して第二化学剤を形成する段階を有することを特徴とする請求項２２記載の方法。
【請求項２９】  前記平面化加工パッドから素材を除去する段階は、平面化加工パッドの平面化加工表面から素材を摩耗させる段階を有することを特徴とする請求項２２記載の方法。
【請求項３０】  前記腐食抑制剤を制限する段階は、腐食抑制剤と第二化学剤とを化学的に反応させる段階および平面化加工液中に腐食抑制剤を溶解させる段階を有することを特徴とする請求項２２記載の方法。
【請求項３１】  前記平面化加工パッドは該パッド内に固定分散された研摩要素を備え、前記腐食抑制剤を制限する段階は、研摩要素から腐食抑制剤を分離させ、または研摩要素への腐食抑制剤のカップリングを制限し、または腐食抑制剤の分離および制限をする段階を有することを特徴とする請求項２２記載の方法。
【請求項３２】  マイクロ電子基板と、平面化加工液および第一化学剤が埋入された平面化加工パッドの平面化加工表面とを係合させる段階と、
マイクロ電子基板および平面化加工パッドの少なくとも一方を他方に対して移動させ、マイクロ電子基板から素材を除去する段階と、
平面化加工パッドから素材を除去しかつ第一化学剤を平面化加工液に露出させることにより、第一化学剤を平面化加工液中に解放する段階と、
第一化学剤と平面化加工液とを化学的に反応させて、第一化学剤とは化学的に異なる第二化学剤を形成する段階と、
第二化学剤により平面化加工パッドに化学的に影響を与えることにより、マイクロ電子基板からの素材除去速度、または素材除去態様を制御し、または素材除去速度および素材除去態様を制御する段階とを有することを特徴とするマイクロ電子基板を平面化加工する方法。
【請求項３３】  前記素材除去速度、または素材除去態様、または素材除去速度および素材除去態様を制御する段階は、腐食抑制剤と第二化学剤とを化学的に結合させることにより、平面化加工パッドと化学的に相互作用する腐食抑制剤の量を制限する段階を有することを特徴とする請求項３２記載の方法。
【請求項３４】  前記第二化学剤はエッチング液を含み、前記素材除去速度、または素材除去態様、または素材除去速度および素材除去態様を制御する段階は、マイクロ電子基板をエッチング液に露出することによりマイクロ電子基板からの素材除去速度を加速する段階を有することを特徴とする請求項３２記載の方法。
【請求項３５】  リン、塩素、硫黄および窒素の少なくとも１つを含む第一化学剤を選択する段階を更に有することを特徴とする請求項３２記載の方法。
【請求項３６】  前記第一化学剤を選択して、リン酸、塩酸、硫酸および硝酸の少なくとも１つを含む第二化学剤を形成する段階を更に有することを特徴とする請求項３２記載の方法。
【請求項３７】  前記第一化学剤を化学的に反応させる段階は、第一化学剤と平面化加工液の成分とを結合する段階を有することを特徴とする請求項３２記載の方法。
【請求項３８】  前記平面化加工液は水を含み、第一化学剤を化学的に反応させる段階は、第一化学剤と水とを結合して第二化学剤を形成する段階を有することを特徴とする請求項３２記載の方法。
【請求項３９】  前記平面化加工パッドから素材を除去する段階は、平面化加工パッドの平面化加工表面から素材を摩耗させる段階を有することを特徴とする請求項３２記載の方法。
【請求項４０】  マイクロ電子基板と係合する形状をもつ平面化加工表面を備えた平面化加工パッドと、
該平面化加工パッドに隣接する平面化加工液とを有し、平面化加工パッドおよび平面化加工液の少なくとも一方は、離散要素と、マイクロ電子基板の平面化加工中に、離散要素から不活性化剤を分離させ、または不活性化剤が離散要素に結合することを妨げ、または不活性化剤の分離および妨げをするべく選択された化学剤とを備えていることを特徴とするマイクロ電子基板を平面化加工するための平面化加工媒体。
【請求項４１】  前記化学剤は腐食抑制剤を含むものが選択されることを特徴とする請求項４０記載の平面化加工媒体。
【請求項４２】  前記化学剤は、不活性化剤を平面化加工液中に溶解させるものが選択されることを特徴とする請求項４０記載の平面化加工媒体。
【請求項４３】  前記化学剤は、不活性化剤を、平面化加工液中に溶解可能な成分に分解するものが選択されることを特徴とする請求項４０記載の平面化加工媒体。
【請求項４４】  前記化学剤はリン酸を含むことを特徴とする請求項４０記載の平面化加工媒体。
【請求項４５】  前記化学剤はエッチング液を含むことを特徴とする請求項４０記載の平面化加工媒体。
【請求項４６】  前記離散要素は平面化加工パッド内に固定分散された研摩要素を含み、前記化学剤は研摩要素から不活性化剤を分離させ、または研摩要素への不活性化剤のカップリングを制限し、または不活性化剤の分離および制限をするものが選択されることを特徴とする請求項４０記載の平面化加工媒体。
【請求項４７】  前記化学剤は、不活性化剤を研摩要素から分離し、または不活性化剤が研摩要素と結合するのを制限し、または不活性化剤の分離および制限をする変換化学剤を形成するために、平面化加工液の成分と反応するように選択されることを特徴とする請求項４０記載の平面化加工媒体。
【請求項４８】  平面化加工液を更に有し、該平面化加工液が約６〜１０の範囲のｐＨを有することを特徴とする請求項４０記載の平面化加工媒体。
【請求項４９】  平面化加工液を更に有し、該平面化加工液が約７のｐＨを有することを特徴とする請求項４０記載の平面化加工媒体。
【請求項５０】  前記平面化加工パッドは第一ゼータ電位をもつ研摩要素を有し、マイクロ電子基板は第二ゼータ電位をもつ成分を有し、平面化加工液は、抑制剤および研摩要素の両者が同じ極性の電荷をもつようなｐＨを有することを特徴とする請求項４０記載の平面化加工媒体。
【請求項５１】  マイクロ電子基板と係合する形状をもつ平面化加工表面を備えた平面化加工パッド本体を有し、該平面化加工パッド本体は、マイクロ電子基板の平面化加工中に腐食する平面化加工パッド素材を有し、
平面化加工表面の近くで平面化加工パッド本体内に埋入された第一化学剤を有し、第一化学剤は、平面化加工液との化学反応を受けて、平面化加工パッド本体の腐食により第一化学剤が平面化加工液体に露出されると第一化学剤とは異なる第二化学剤を形成するものが選択され、第二化学剤は、平面化加工パッド本体の化学的特性に影響を与えることによりマイクロ電子基板からの素材除去態様を制御するものが選択されることを特徴とするマイクロ電子基板を平面化加工するための平面化加工媒体。
【請求項５２】  前記第二化学剤は、腐食抑制剤と第二化学剤とを化学的に結合することにより平面化加工パッドと化学的に相互作用する腐食抑制剤の量を制限するものが選択されることを特徴とする請求項５１記載の平面化加工媒体。
【請求項５３】  前記第二化学剤は、マイクロ電子基板からの素材の除去速度を加速するエッチング液を含むものが選択されることを特徴とする請求項５１記載の平面化加工媒体。
【請求項５４】  前記第一化学剤はリン、塩素、硫黄および窒素の少なくとも１つを含むものが選択されることを特徴とする請求項５１記載の平面化加工媒体。
【請求項５５】  前記第一化学剤は、リン酸、塩酸、硫酸および硝酸の少なくとも１つを含む第二化学剤を形成するものが選択されることを特徴とする請求項５１記載の平面化加工媒体。
【請求項５６】  マイクロ電子基板と係合する形状をもつ平面化加工表面を備えた平面化加工パッドを有し、該平面化加工パッドは、マイクロ電子基板の平面化加工中に腐食する平面化加工パッド素材を有し、
平面化加工表面の近くで平面化加工パッド本体内に埋入された化学剤を有し、該化学剤は、平面化加工パッドの腐食により露出されると解放され、化学剤は、マイクロ電子基板の平面化加工中に、平面化加工パッドの離散要素から腐食抑制剤を分離し、または腐食抑制剤が平面化加工パッドの離散要素にカップリングすることを妨げ、または腐食抑制剤の分離および妨げをするものが選択されることを特徴とするマイクロ電子基板を平面化加工するための平面化加工媒体。
【請求項５７】  前記化学剤はエッチング液を含むことを特徴とする請求項５６記載の平面化加工媒体。
【請求項５８】  前記化学剤はリン酸を含むことを特徴とする請求項５６記載の平面化加工媒体。
【請求項５９】  前記化学剤は第一化学剤であり、かつ平面化加工パッドから解放されると化学反応を受けて、マイクロ電子基板の平面化加工中に、平面化加工パッドから腐食抑制剤を除去し、または腐食抑制剤が平面化加工パッドにカップリングすることを妨げ、または腐食抑制剤の除去および妨げをするように構成された第二化学剤を形成するものが選択されることを特徴とする請求項５６記載の平面化加工媒体。
【請求項６０】  マイクロ電子基板と係合する形状をもつ平面化加工表面を備えた平面化加工パッド本体を有し、該平面化加工パッド本体は、マイクロ電子基板の平面化加工中に腐食する平面化加工パッド素材を有し、
平面化加工表面の近くで平面化加工パッド本体内に埋入された第一化学剤を有し、第一化学剤は、平面化加工液との化学反応を受けて、平面化加工パッド本体の腐食により第一化学剤が平面化加工液体に露出されると第二化学剤を形成するものが選択され、第二化学剤は、マイクロ電子基板の平面化加工中に、抑制剤が平面化加工パッド本体と化学的に相互作用することを少なくとも制限するものが選択されることを特徴とするマイクロ電子基板を平面化加工するための平面化加工媒体。
【請求項６１】  前記抑制剤はベンゾールトリアゾールを含み、前記第二化学剤は、平面化加工パッド本体の平面化加工表面へのベンゾールトリアゾールのカップリングを制限するものが選択されることを特徴とする請求項６０記載の平面化加工媒体。
【請求項６２】  前記平面化加工パッド本体内に固定分散された研摩要素を更に有し、第二化学剤は、マイクロ電子基板の平面化加工中に、抑制剤が研摩要素と化学的に相互作用することを少なくとも制限するものが選択されることを特徴とする請求項６０記載の平面化加工媒体。
【請求項６３】  前記研摩要素はアルミナ粒子を含むことを特徴とする請求項６２記載の平面化加工媒体。
【請求項６４】  前記マイクロ電子基板は銅を含み、抑制剤は銅の腐食を抑制するものが選択され、第二化学剤は平面化加工パッドから抑制剤を除去するものが選択されることを特徴とする請求項６０記載の平面化加工媒体。
【請求項６５】  前記第一化学剤は、塩素、リン、硫黄および窒素から選択されることを特徴とする請求項６０記載の平面化加工媒体。
【請求項６６】  前記第一化学剤は、塩酸、リン酸、硫酸および硝酸の少なくとも１つを含む第二化学剤を形成するものが選択されることを特徴とする請求項６０記載の平面化加工媒体。