(57)【要約】  プラスチックを基板としたフレキシブルな材料構成が可能であり、真空装置を使用しなくても比較的簡便な工程で、低コストで製造が可能であり、また発光色の異なる複数の蛍光体粒子を混合することや色変換に蛍光染料を用いることで素子の発光色の調節が容易であるという特長を有し、バックライト、表示素子へ応用されているエレクトロルミネッセンス素子において、低電圧交流電源で、均一な輝度が得られ、発光面の大面積化が可能な面発行型エレクトロルミネッセンス素子を提供する。  透明導電体層、透明半導体層及び／又は透明絶縁体層、発光層、誘電体層、背面電極層の順に並んだ積層構造を有し、透明導電体層、透明半導体層、透明絶縁体層、誘電体層が金属酸化物を含む面発光型エレクトロルミネッセント素子。
2007139033.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明導電体層、透明半導体層及び／又は透明絶縁体層、発光層、誘電体層、背面電極層の順に並んだ積層構造を有し、該透明導電体層、該透明半導体層、該透明絶縁体層、該誘電体層が金属酸化物を含む面発光型エレクトロルミネッセント素子。
【請求項２】
請求項１において前記透明半導体層及び前記透明絶縁体層が周期表の第１２族、第１３族及び第１４族の元素からなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含有することを特徴とする面発光型エレクトロルミネッセント素子。
【請求項３】
請求項１または２において、前記発光層が、周期表の第２族元素と第１６族元素とから成る群から選ばれる少なくとも１種の元素及び／又は周期表の第１３族元素と第１５族元素とから成る群から選ばれる少なくとも１種の元素とを含む化合物半導体を含むことを特徴とする面発光型エレクトロルミネッセント素子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項において前記透明導電体層が有機物からなるフィルム及び／又はプラスチック基板上に形成されることを特徴とする面発光型エレクトロルミネッセント素子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項において駆動実効電圧が１００Ｖ以下であることを特徴とする面発光型エレクトロルミネッセント素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面発光型のエレクトロルミネッセンス素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
平面発光型のエレクトロルミネッセント素子（以下ＥＬ素子とも称する）には、蛍光体粒子を高誘電率のバインダー中に分散した分散型無機ＥＬ素子（例えば、特許文献１など）および高誘電率の誘電体層と薄膜発光層を積層させた薄膜型無機ＥＬ素子並びに有機物からなる電子輸送層ならびに正孔輸送層と発光層の積層構造からなる有機ＥＬ素子等がある。
【特許文献１】特開２００５−３３９９２４号公報
【非特許文献１】蛍光体ハンドブック  ＩＩ編  第２章  蛍光体同学会編  オーム社
【非特許文献２】エレクトロルミネッセントディスプレイ  猪口敏夫著  産業図書
【非特許文献３】有機ＥＬ素子とその工業化最前線  宮田清蔵編  エヌ・ティー・エス社
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
これらの素子の内、有機ＥＬ素子に関しては、直流電流駆動が可能であるが、それゆえに大面積化に伴なう電圧降下の為の輝度不均一が顕在化しやすく、均一で大きな発光面を得ることは、困難であった。【０００４】
一方、分散型無機ＥＬ素子も薄膜型無機ＥＬ素子も電極と発光層の間に絶縁性の誘電体層を挟む構造からなるが、発光には高い電圧が必要で、典型的には、実効電圧で１００Ｖ以上が必要であり、しばしば２００Ｖ以上が必要となることから、これにより安全上の問題や、大型のインバーター回路を必要とする等の問題を有することが多かった。【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、上記従来における問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。【０００６】
本発明の面発光型エレクトロルミネッセント素子（以下面発光型ＥＬ素子とも称する。）は積層構造を有し、無機材料から構成されることで耐久性が向上し、１００Ｖ以下の低電圧で発光する面発光型のエレクトロルミネッセント素子を提供するものである。交流で駆動をすることから、容量性負荷の素子となり、大面積化が容易となる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の課題は本発明を特定する下記の事項およびその好ましい態様により達成された。
（１）
透明導電体層、透明半導体層及び／又は透明絶縁体層、発光層、誘電体層、背面電極層の順に並んだ積層構造を有し、透明導電体層、透明半導体層、透明絶縁体層、誘電体層が金属酸化物を含む面発光型エレクトロルミネッセント素子。
（２）
（１）において透明半導体層及び透明絶縁体層が周期表の第１２族、第１３族及び第１４族の元素からなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含有することを特徴とする面発光型エレクトロルミネッセント素子。
（３）
（１）または（２）において、発光層が、周期表の第２族元素と第１６族元素とから成る群から選ばれる少なくとも１種の元素及び／又は周期表の第１３族元素と第１５族元素とから成る群から選ばれる少なくとも１種の元素とを含む化合物半導体を含むことを特徴とする面発光型エレクトロルミネッセント素子。
（４）
（１）〜（３）のいずれかにおいて透明導電体層が有機物からなるフィルム及び／又はプラスチック基板上に形成されることを特徴とする面発光型エレクトロルミネッセント素子。
（５）
（１）〜（４）のいずれかにおいて駆動実効電圧が１００Ｖ以下であることを特徴とする面発光型エレクトロルミネッセント素子。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の面発光型エレクトロルミネッセンス素子は、透明導電体層、透明半導体層及び／又は透明絶縁体層、誘電体層が金属酸化物を含むことにより低電圧交流電源で駆動可能となり、均一な輝度が得られ、発光面の大面積化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の面発光型エレクロルミネッセント素子の一実施態様を示す断面模式図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の面発光型エレクトロルミネッセント素子は、透明導電体層、透明半導体層及び／又は透明絶縁体層、発光層、誘電体層、背面電極層の順に並んだ積層構造を有し、透明導電体層、透明半導体層、透明絶縁体層、誘電体層が金属酸化物を含むことを特徴とする。【００１１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳しく説明する。
図１は、本発明にかかる面発光型エレクトロルミネッセント素子の構成を示す模式図である。
図１に示すように、面発光型エレクトロルミネッセント素子は、絶縁性の支持体を備えており、支持体上に順に、透明導電体層、透明半導体層及び透明絶縁体層或いは透明半導体層又は透明絶縁体層、発光層、誘電体層、背面電極層、絶縁層を並べた積層構造を有している。透明導電体層と背面電極層には交流電源が接続されている。
透明半導体層、透明絶縁体層の両方を有する場合、支持体上に、透明導電体層／透明半導体層／透明絶縁体層／発光層／誘電体層／背面電極層／絶縁層の順で積層する。【００１２】
（支持体）
本発明の面発光型ＥＬ素子は、絶縁性の支持体上に透明導電体層が形成されることが好ましい。この際用いることができる支持体としては、有機物からなるフィルム及び／又はプラスチック基板であることが好ましい。基板とは透明導電体層をその上に形成する部材を指す。フィルム状の場合、有機物である高分子ポリマー材料を好ましく用いることができる。有機物からなるフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロースベース等の透明フィルムを挙げることができる。また、プラスチック基板としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリスチレン等を挙げることができる。
また、支持体としては、ガラス基板やセラミック基板を用いることもできる。
好ましい支持体の厚みは３０μｍ〜１ｃｍ、より好ましくは５０μｍ〜１０００μｍである。【００１３】
（透明導電体層）
本発明に好ましく用いられる透明導電体層の表面抵抗値は、０．０１Ω／□〜１０Ω／□が好ましい。特に０．０１Ω／□〜１Ω／□が好ましい。
透明導電体層の表面低効率は、ＪＩＳ  Ｋ６９１１に記載の方法に準じて測定することができる。
本発明に用いられる透明導電体層は金属酸化物を含む。該透明導電体層は、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロースベース等の有機物からなるフィルム及び／又はプラスチック基板上に形成することが好ましい。
透明導電体層は、例えば、有機物からなるフィルム及び／又はプラスチック基板上に、インディウム・錫酸化物（ＩＴＯ）や錫酸化物、酸化亜鉛等の透明導電性物質を蒸着、塗布、印刷等の方法で付着、成膜することで得られる。
この場合、耐久性を上げる目的で透明導電体層表面を酸化錫が主体の層とすることが、好ましい。
透明導電体層の調製法はスパッター、真空蒸着等の気相法であっても良い。ペースト状のＩＴＯや酸化錫を塗布やスクリーン印刷で作成したり、膜全体を過熱したりレーザーにて加熱して成膜しても良い。この場合の透明フィルムは、耐熱性の高いものが好ましく用いることが出来る。【００１４】
本発明の面発光型ＥＬ素子において、透明導電体層には一般的に用いられる任意の透明電極材料が用いられる。例えば錫ドープ酸化錫、アンチモンドープ酸化錫、亜鉛ドープ酸化錫、フッ素ドープ酸化錫、酸化亜鉛などの金属酸化物、銀の薄膜を高屈折率層で挟んだ多層構造、ポリアニリン、ポリピロールなどの共役系高分子などが挙げられる。
これら単独よりもさらに低抵抗化を目的とする場合には、例えば櫛型あるいはグリッド型等の網目状ないしストライプ状金属細線を配置して通電性を改善することが好ましい。金属や合金の細線としては、銅や銀、アルミニウム、ニッケル等が好ましく用いられる。この金属細線の太さは、任意であるが、０．５μｍ程度から２０μｍの間が好ましい。金属細線は、５０μｍから４００μｍの間隔のピッチで配置されていることが、好ましく、特に１００μｍから、３００μｍピッチが、好ましい。金属細線を配置することで、光の透過率が減少するが、この減少は出来るだけ小さいことが好ましく、８０％以上１００未満の透過率を確保することが更に好ましい。
好ましい透明導電体層の厚みは３０ｎｍ〜１００μｍ、より好ましくは５０ｎｍ〜１０μｍである。【００１５】
金属細線は、メッシュを透明導電性フィルムに張り合わせてもよいし、予めマスク蒸着ないしエッチングによりフィルム上に形成した金属細線上に金属酸化物等を塗布、蒸着しても良い。また、予め形成した金属酸化物薄膜上に上記の金属細線を形成してもよい。
これとは異なる方法となるが、金属細線の代わりに、１００ｎｍ以下の平均厚みを有する金属薄膜を金属酸化物と積層して本発明に適した透明導電体層とすることができる、金属薄膜に用いられる金属としては、ＡｕやＩｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｎｉなど耐腐食性が高く、天延性等に優れたものが好ましいが、特にこの限りではない。【００１６】
これらの複層膜は、高い光透過率を実現することが好ましく、７０％以上の光透過率を有することが好ましく、８０％以上の光透過率を有することが特に好ましい。光透過率を規定する波長は、５５０ｎｍである。【００１７】
（透明半導体層及び透明絶縁体層）
本発明に用いられる透明半導体層及び/又は透明絶縁体層は、透明導電体層と発光層の間に設けられ、金属酸化物を含む。
透明半導体層及び透明絶縁体層に含むことができる元素としては周期表の第２族、３族、９族、１２族（旧２Ｂ族（旧ＩＩｂ族））、１３族（旧３Ｂ族（旧ＩＩＩ族））、１４族（旧４Ｂ族（旧ＩＶ族））、第１５族（旧５Ｂ族（旧Ｖ族））、第１６族の元素が好ましく、第１２族、第１３族及び第１４族の元素からなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含むことがより好ましい。具体的には、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｒｈ、Ｉｒ等を挙げることができ、さらに好ましくは、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｇｅである。
またこれらの元素以外に透明半導体が、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ等のカルコゲナイドやＣｕ、Ａｇ等を好ましく含むことができる。
該元素は一つあるいは複数の元素を用いることができる。【００１８】
透明半導体層及び／又は透明絶縁体層に含むことができる具体的な金属酸化物の例を以下に示す。透明半導体層及び／又は透明絶縁体層に含むことができる金属酸化物の例；
ＬａＣｕＯＳ、ＬａＣｕＯＳｅ、ＬａＣｕＯＴｅ
ＳｒＣｕ2Ｏ2
ＺｎＯ−Ｒｈ２Ｏ3、ＺｎＲｈ2Ｏ4
ＣｕＡｌＯ2
これらの金属酸化物を得るためには、プラズマ酸化法や自然酸化法ないし酸化物をターゲットとしたスパッター等の蒸着法など一般的な方法を用いることができる。
透明半導体の事例については、月刊オプトロニクス２００４年１０月号  Ｐ１１５−Ｐ１６５及び機能材料  ２００５年４月号  Ｖｏｌ．２５  Ｎｏ．４に詳しい。
本発明のエレクトロルミネッセンス素子において、透明半導体層及び透明絶縁体層の厚みは１ｎｍ以上１００μｍ以下が好ましい。特に好ましくは、１ｎｍ以上１μｍ以下である。
層としての光線透過率は、５５０ｎｍの光線透過率として８０％以上が好ましい。【００１９】
（発光層）
本発明に用いられる発光層は、透明半導体層及び／又は透明絶縁体層と誘電体層の間に設けられる。
本発明のエレクトロルミネッセンス素子においては、発光層の厚みは発光層の厚みは０．１μｍ以上１００μｍ以下が好ましい。特に好ましくは、０．１μｍ以上３μｍ以下である。【００２０】
発光層に含まれる蛍光体物質の材料としては、具体的には周期表の第２族（旧２Ａ族（旧ＩＩ族））元素と第１６族（旧６Ｂ族（旧ＶＩ族））元素とから成る群から選ばれる少なくとも１種の元素及び／又は周期表の第１３族元素と第１５族元素とから成る群から選ばれる少なくとも１種の元素とを含むことが好ましく、必要な発光波長領域により任意に選択される。
発光層には、ＩＩ―ＶＩ族並びにＩＩＩ―Ｖ族化合物半導体を好ましく用いることができる。また、好ましくはＮ型半導体である。
そのキャリア密度は、１０17cm-3以下であることが好ましい。また、ドナーアクセプター型発光中心が好ましい。
キャリア密度等は、当業界で一般に用いられるホール効果測定法などで求めることができる。【００２１】
発光層に含まれる蛍光体物質の具体例としては、ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ，ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＺｎＴｅ，ＣａＳ，ＭｇＳ，ＳｒＳ，ＧａＰ，ＧａＡｓ，ＧａＮ，ＩｎＰ，ＩｎＡｓ及びそれらの混晶などが挙げられ、ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＣａＳなどを好ましく用いることができる。
さらに、ＢａＡｌ２Ｓ４、ＣａＧａ２Ｓ４、Ｇａ２Ｏ３、Ｚｎ２ＳｉＯ４、Ｚｎ２ＧａＯ４、ＺｎＧａ２Ｏ４，ＺｎＧｅＯ３，ＺｎＧｅＯ４，ＺｎＡｌ２Ｏ４，ＣａＧａ２Ｏ４，ＣａＧｅＯ３，Ｃａ２Ｇｅ２Ｏ７，ＣａＯ，Ｇａ２Ｏ３，ＧｅＯ２，ＳｒＡｌ２Ｏ４，ＳｒＧａ２Ｏ４，ＳｒＰ２Ｏ７，ＭｇＧａ２Ｏ４，Ｍｇ２ＧｅＯ４，ＭｇＧｅＯ３，ＢａＡｌ２Ｏ４，Ｇａ２Ｇｅ２Ｏ７，ＢｅＧａ２Ｏ４，Ｙ２ＳｉＯ５，Ｙ２ＧｅＯ５，Ｙ２Ｇｅ２Ｏ７，Ｙ４ＧｅＯ８，Ｙ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ２Ｓ，ＳｎＯ２及びそれらの混晶などを好ましく用いることができる。【００２２】
（誘電体層）
本発明に用いられる誘電体層は発光層と背面電極層の間に設けられ、金属酸化物を含む。誘電体層に含むことができる金属酸化物としては、Ｔｉ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ｐｂ、Ｔａ、Ｌｉ、Ｙ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｓｉ等から選ばれる一つあるいは複数の元素の酸化物を挙げることができる。
具体的にはＴｉＯ２、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、ＫＮｂＯ3、ＰｂＮｂＯ３、Ｔａ２Ｏ３、ＢａＴａ2Ｏ6、ＬｉＴａＯ3、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＡｌＯＮ、ＳｉＯ2などを挙げることができる。これらは薄膜結晶層として設置されても良いし、また粒子構造を有する膜として用いても良く、それらの組み合わせであってもよい。
薄膜結晶層の場合は、基板にスパッタリング等の気相法で形成した薄膜であっても、ＢａやＳｒなどのアルコキサイドを用いたゾルゲル膜であっても良く、この場合膜の厚みは通常１μｍ以上５０μｍ以下の範囲である。この場合基板とは、背面電極を含む側と発光層を含む側の双方が考えられる。粒子構造を有する膜の場合、粒子は発光層の厚みに対し十分に小さいことが好ましい。具体的には発光層厚みの１／３〜１／１０００の大きさが好ましい。
誘電体層には高誘電率の有機バインダーを含有しても良い。具体的には、シアノレジンフッ化ゴム等である。【００２３】
（背面電極層）
本発明に用いられる背面電極層は誘電体層上に配され、誘電体層と絶縁層の間に設けられることが好ましい。
光を取り出さない側の背面電極層は、導電性の有る任意の材料が使用出来る。金、銀、白金、銅、鉄、アルミニウムなどの金属、グラファイトなどの中から、作成する素子の形態、作成工程の温度等により適時選択されるが、その中でも熱伝導率が高いことが重要で、好ましくは、２．０Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇ以上であることであることが好ましい。
また、ＥＬ素子の周辺部に高い放熱性と通電性を確保するために、金属シートや金属メッシュを用いることも好ましい。
背面電極層の厚みに特に制約はないが、０．０１μｍ以上１ｍｍ以下が好ましい。【００２４】
（絶縁層）
本発明では、背面電極層上に絶縁層を設けることもできる。
絶縁層は絶縁性の無機材料や高分子材料、無機材料粉体を高分子材料に分散した分散液などを蒸着、塗布などにより形成できる。【００２５】
（白色・蛍光染料）
本発明の用途は、特に限定されるものではないが、光源としての用途を考えると、発光色は白色が好ましい。
発光色を白色とする方法としては、３原色または補色関係に発光する複数の発光材料を混合する方法が好ましい。（青−緑−赤の組み合わせや、青緑−オレンジの組み合わせなど）また、特開平７−１６６１６１号公報、特開平９−２４５５１１号公報、特開２００２−６２５３０号公報に記載の青色や青緑色発光の蛍光体と蛍光顔料や蛍光染料を用いて発光の一部を緑色や赤色に波長変換（発光）させて白色化する方法も好ましい。好ましい、蛍光染料としては、ローダミン系の蛍光染料が用いられる。さらに、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）は、ｘ値が０．３０〜０．４の範囲で、かつｙ値が０．３０〜０．４０の範囲が好ましい。【００２６】
（封止・吸水）
本発明の面発光型ＥＬ素子は、最後に適当な封止材料を用いて、外部環境からの湿度の影響を排除するよう加工することが好ましい。素子の基板自体が十分な遮蔽性を有する場合には、作成した素子の上方に遮蔽性のシートを重ね、周囲をエポキシ等の硬化材料を用いて封止することが好ましい。また、面状素子をカールさせないために両面に遮蔽性シートを配しても良い。素子の基板が、水分透過性を有する場合は、両面に遮蔽性シートを配する必要がある。
このような遮蔽性のシートは、ガラス、金属、プラスチックフイルム等の中から目的に応じて選択されるが、例えば特開２００３−２４９３４９号公報に開示されているような酸化珪素からなる層と有機高分子化合物からなる多層構成の防湿フィルムを好ましく用いることができるし、３フッ化塩化エチレン等も好ましく用いることができる。
上記封止工程は、特公昭６３―２７８３７号公報に記載の如く、真空ないし不活性ガス置換された雰囲気下で行うことが好ましく、封止工程実施前には、特開平５−１６６５８２号公報に記載の如く、含水分量を十分に低減することが重要である。【００２７】
これらのＥＬ素子を作成する際に、防湿フィルムより内部に、吸水層を設けることが、好ましい。給水層は、ナイロンやポリビニルアルコール等の吸水性が高く、水分保持能力が高い素材からなることが、好ましい。透明性が、高いことも重要である。透明性さえ高ければ、セルロースや紙の様な素材も好ましく用いることが出来る。【００２８】
（紫外線吸収剤）
本発明には、特開平９−２２７８１に記載されている酸化セリウム等の無機化合物を用いることができる。より好ましくは有機化合物を用いることができる。
本発明においては紫外線吸収剤としてモル吸光係数の高いトリアジン骨核を有する化合物を用いることが好ましく、例えば、以下の公報に記載の化合物を用いることができる。
これらは、写真感光材料に好ましく添加されるが、本発明でも有効である。例えば、特開昭４６−３３３５号、同５５−１５２７７６号、特開平５−１９７０７４号、同５−２３２６３０号、同５−３０７２３２号、同６−２１１８１３号、同８−５３４２７号、同８−２３４３６４号、同８−２３９３６８号、同９−３１０６７号、同１０−１１５８９８号、同１０−１４７５７７号、同１０−１８２６２１号、独国特許第１９７３９７９７Ａ号、欧州特許第７１１８０４Ａ号及び特表平８−５０１２９１号等に記載されている化合物を使用できる。
これらの紫外線吸収剤は、発光体層ならびに蛍光染料が、紫外線を吸収しない様に配置されることが重要であり透明電極層より外側の防湿フィルムや吸水フィルム中に添加して用いることができる。もちろんこれらのフィルム面上に紫外線吸収層として塗布や印刷をして用いることもできる。【００２９】
（薄膜形成方法）
以上の透明導電体層、透明半導体層、透明絶縁体層、発光層、誘電体層、背面電極層等の薄膜形成方法としては、スパッター法、電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、プラズマＣＶＤ法などを好ましく用いることができる。【００３０】
（電源）
本発明の面発光型エレクトロルミネッセンス素子は、交流で駆動されることが好ましい。駆動実行電圧は３００Ｖ以下であることが好ましく、１０Ｖ〜２００Ｖであることが更に好ましく、３０Ｖ〜１５０Ｖ  であることが特に好ましい。
本発明では、面発光型ＥＬ素子を駆動する電源が、電流を検出して、それを一定に保つ機能を有していることが好ましい。【００３１】
（その他）
本発明の素子構成において、基板、反射層、各種保護層、フィルター、光散乱反射層などを必要に応じて付与することができる。特に基板に関しては、ガラス基板やセラミック基板に加え、フレキシブルな透明樹脂シートを用いることができる。【００３２】
本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。
本出願は2006年5月26日出願の日本特許出願（特願2006-146676）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
【図１】
2007139033.tif 000003
【国際調査報告】
2007139033.tif 000004
2007139033.tif 000005
2007139033.tif 000006
2007139033.tif 000007