【手続補正書】
【提出日】平成18年12月29日(2006.12.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  対向して配置された一対の基板と、該一対の基板のうちのー方の基板に設けられ且つ配向膜で覆われた共通電極と、他方の基板にマトリックス状に配置され且つ配向膜で覆われた複数の画素電極と、各画素電極に接続されたスイッチング素子と、一対の基板の対向する配向膜間に封入された液晶とから少なくとも構成される液晶セルを有する液晶表示装置において、
互いに隣接する画素電極のリバースチルトドメインが発生する側の電極間隔が、前記隣接する画素電極の最短電極間隔よりも広くなっている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】  リバースチルトドメインの長手方向に直交する方向において、隣接する画素電極間の間隔の一部が広くなっている
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】  画素電極を千鳥格子状に配列した
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】  液晶は、液晶分子長軸が対向する配向膜間で約９０°連続的に捩れた捩れネマティック液晶である
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】  各画素部の周縁の少なくとも一部に、遮光するためのブラックマトリックスが形成されている
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】  画素部における液晶セル厚が４μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】  画素電極の大きさが５μｍ〜５０μｍ四方である
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】  対向して配置された一対の基板と、該一対の基板のうちのー方の基板に設けられ且つ配向膜で覆われた共通電極と、他方の基板にマトリックス状に配置され且つ配向膜で覆われた複数の画素電極と、各画素電極に接続されたスイッチング素子と、一対の基板の対向する配向膜間に封入された液晶とから少なくとも構成される液晶セルを有する液晶表示装置において、
前記互いに隣接するリバースチルトドメインで挟まれた領域における液晶セル厚が、画素部における液晶セル厚よりも狭くなっている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】  隣接するリバースチルトドメインの間に、液晶セル厚を狭くするような障壁部が形成されている
ことを特徴とする請求項８記載の液晶表示装置。
【請求項１０】  液晶は、液晶分子長軸が対向する配向膜間で約９０°連続的に捩れた捩れネマティック液晶である
ことを特徴とする請求項８，９のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１１】  各画素部の周縁の少なくとも一部に、遮光するためのブラックマトリックスが形成されている
ことを特徴とする請求項８〜１０のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１２】  画素部における液晶セル厚が４μｍ以下である
ことを特徴とする請求項８〜１１のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１３】  画素電極の大きさが５μｍ〜５０μｍ四方である
ことを特徴とする請求項８〜１２のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１４】  請求項１記載の液晶表示装置の製造方法において、スイッチング素子側の基板が以下の工程（ａ）〜（ｅ）：
（ａ）基板上に第１層間絶縁層を形成し、その上にトランジスタを形成する為の薄膜Ｓｉ層を形成し、その表面に酸化被膜を形成し、その上にゲート電極とＣｓ電極とを形成することにより薄膜トランジスタを構成し、更に薄膜トランジスタ上に第２層間絶縁層を形成する工程；
（ｂ）第２層間絶縁層の全面に反射防止膜を形成する工程；
（ｃ）反射防止膜及び第２層間絶縁層に、薄膜Ｓｉ層に達するコンタクトホールを形成  する工程；
（ｄ）コンタクトホールに第１配線層を形成する工程；
及び（ｅ）全面に第３層間絶縁層を形成し、更にパッシベーション膜を形成した後に、パッシベーション膜をコンタクトホール部及び画素開口部についてエッチング除去し、第３層間絶縁層についてはコンタクトホール部についてエッチング除去し、それらに第２配線層を形成し、全面に平坦化用有機膜を形成した後に、その平坦化用有機膜に画素電極用コンタクトホールを開口し、その上に、互いに隣接する画素電極のリバースチルトドメインが発生する側の電極間隔が、前記隣接する画素電極の最短電極間隔よりも広くなるように画素電極を形成する工程、を含んでなる
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】  請求項８記載の液晶表示装置の製造方法において、スイッチング素子側の基板が以下の工程（ａ）〜（ｅ）：
（ａ）基板上に第１層間絶縁層を形成し、その上にトランジスタを形成する為の薄膜Ｓｉ層を形成し、その表面に酸化被膜を形成し、その上にゲート電極とＣｓ電極とを形成することにより薄膜トランジスタを構成し、更に薄膜トランジスタ上に第２層間絶縁層を形成する工程；
（ｂ）第２層間絶縁層の全面に反射防止膜を形成する工程；
（ｃ）反射防止膜及び第２層間絶縁層に、薄膜Ｓｉ層に達するコンタクトホールを形成  する工程；
（ｄ）コンタクトホールに第１配線層を形成する工程；
及び（ｅ）全面に第３層間絶縁層を形成し、更にパッシベーション膜を形成した後に、パッシベーション膜をコンタクトホール部及び画素開口部についてエッチング除去し、第３層間絶縁層についてはコンタクトホール部についてエッチング除去し、それらに第２配線層を形成し、全面に平坦化用有機膜を形成した後、前記平坦化用有機膜に画素電極用コンタクトホールを開口する際に、互いに隣接するリバースチルトドメインで挟まれた領域における液晶セル厚が画素部における液晶セル厚より狭くなるように平坦化用有機膜を加工した後に、画素電極を形成する工程、を含んでなる
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
即ち、本発明は、対向して配置された一対の基板と、該一対の基板のうちのー方の基板に設けられ且つ配向膜で覆われた共通電極と、他方の基板にマトリックス状に配置され且つ配向膜で覆われた複数の画素電極と、各画素電極に接続されたスイッチング素子と、一対の基板の対向する配向膜間に封入された液晶とから少なくとも構成される液晶セルを有する液晶表示装置において、互いに隣接する画素電極のリバースチルトドメインが発生する側の電極間隔が、前記隣接する画素電極の最短電極間隔よりも広くなっていることを特徴とする液晶表示装置を提供する。
また、本発明は、対向して配置された一対の基板と、該一対の基板のうちのー方の基板に設けられ且つ配向膜で覆われた共通電極と、他方の基板にマトリックス状に配置され且つ配向膜で覆われた複数の画素電極と、各画素電極に接続されたスイッチング素子と、一対の基板の対向する配向膜間に封入された液晶とから少なくとも構成される液晶セルを有する液晶表示装置において、互いに隣接するリバースチルトドメインで挟まれた領域の液晶セル厚が画素部の液晶セル厚より狭くなっていることを特徴とする液晶表示装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、本発明の液晶表示装置のスイッチング素子側の基板が以下の工程（ａ）〜（ｅ）：（ａ）  基板上に第１層間絶縁層を形成し、その上にトランジスタを形成する為の薄膜Ｓｉ層を形成し、その表面に酸化被膜を形成し、その上にゲート電極とＣｓ電極とを形成することにより薄膜トランジスタを構成し、更に薄膜トランジスタ上に第２層間絶縁層を形成する工程；
（ｂ）  第２層間絶縁層の全面に反射防止膜を形成する工程；
（ｃ）  反射防止膜及び第２層間絶縁層に、薄膜Ｓｉ層に達するコンタクトホールを形成する工程；
（ｄ）  コンタクトホールに第１配線層を形成する工程；及び（ｅ）全面に第３層間絶縁層を形成し、更にパッシベーション膜を形成した後に、パッシベーション膜をコンタクトホール部及び画素開口部についてエッチング除去し、第３層間絶縁層についてはコンタクトホール部についてエッチング除去し、それらに第２配線層を形成し、全面に平坦化用有機膜を形成した後に、その平坦化用有機膜に画素電極用コンタクトホールを開口し、その上に、互いに隣接する画素電極のリバースチルトドメインが発生する側の電極間隔が、前記隣接する画素電極の最短電極間隔よりも広くなっていることを特徴とする製造方法を提供する。
また、本発明は、本発明の液晶表示装置のスイッチング素子側の基板が以下の工程（ａ）〜（ｅ）：（ａ）基板上に第１層間絶縁層を形成し、その上にトランジスタを形成する為の薄膜Ｓｉ層を形成し、その表面に酸化被膜を形成し、その上にゲート電極とＣｓ電極とを形成することにより薄膜トランジスタを構成し、更に薄膜トランジスタ上に第２層間絶縁層を形成する工程；
（ｂ）第２層間絶縁層の全面に反射防止膜を形成する工程；
（ｃ）反射防止膜及び第２層間絶縁層に、薄膜Ｓｉ層に達するコンタクトホールを形成する工程；
（ｄ）コンタクトホールに第１配線層を形成する工程；及び（ｅ）全面に第３層間絶縁層を形成し、更にパッシベーション膜を形成した後に、パッシベーション膜をコンタクトホール部及び画素開口部についてエッチング除去し、第３層間絶縁層についてはコンタクトホール部についてエッチング除去し、それらに第２配線層を形成し、全面に平坦化用有機膜を形成した後、前記平坦化用有機膜に画素電極用コンタクトホールを開口する際に、互いに隣接するリバースチルトドメインで挟まれた領域における液晶セル厚が画素部における液晶セル厚より狭くなるように平坦化用有機膜を加工した後に、画素電極を形成する工程を含んでなることを特徴とする製造方法を提供する。