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【手続補正書】
【提出日】平成19年3月20日(2007.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源からの光を標本に集光させる対物レンズと、
前記光源からの光を前記標本上で２次元走査する光走査手段と、
前記標本から発する検出光を共焦点検出するためのピンホールと、
前記ピンホールにより検出される前記検出光の光路にあって、入力周波数に応じて光の波長を回折する音響光学素子と、
前記音響光学素子の入力周波数を制御し、前記検出光の波長を前記音響光学素子で回折させる制御手段と、
前記音響光学素子で回折された前記検出光を検出する検出手段と、
を具備したことを特徴とする走査型共焦点顕微鏡。
【請求項２】
波長の異なる光を発生する光源と、
前記光源からの光の波長を切り替える波長切替手段と、
前記光源からの光を標本に集光させる対物レンズと、
前記光源からの光を前記標本上で２次元走査する光走査手段と、
前記標本から発する検出光を共焦点検出するためのピンホールと、
前記ピンホールにより検出される前記検出光の光路にあって、入力周波数に応じて光の波長を回折する音響光学素子と、
前記波長切替手段による前記光源からの光の波長切り替えを制御するとともに、該波長切り替えに応じて、前記音響光学素子の入力周波数を制御し、前記光源からの光の波長に応じた前記検出光の波長を前記音響光学素子で回折させる制御手段と、
前記音響光学素子で回折された前記検出光を検出する検出手段と、
を具備したことを特徴とする走査型共焦点顕微鏡。
【請求項３】
さらに前記音響光学素子は、回折光の強度を調整可能になっていて、
前記制御手段は、前記検出手段で検出する検出光の強度に応じて前記音響光学素子の回折光の強度を調整可能にしたことを特徴とする請求項１または２記載の走査型共焦点顕微鏡。
【請求項４】
前記制御部は、前記検出手段で検出する検出光の強度に応じて前記音響光学素子の回折される前記検出光の波長を切り替えることを特徴とする請求項１または２記載の走査型共焦点顕微鏡。
【請求項５】
前記光源は、レーザ光源からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の走査型共焦点顕微鏡。
【請求項６】
前記光源からの光の導入路にマルチモードファイバを設けたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の走査型共焦点顕微鏡。
【請求項７】
前記光源は、ＬＥＤ、水銀ランプ、キセノンランプのいずれかからなることを特徴とする請求項６記載の走査型共焦点顕微鏡。
【請求項８】
前記光源は、ＬＥＤからなり、
前記制御手段は、前記光走査手段による前記ＬＥＤからの光の前記標本上での２次元走査に応じて前記ＬＥＤの光量を制御することを特徴とする請求項７記載の走査型共焦点顕微鏡。
【請求項９】
前記波長切替手段によって波長を切り替えられた光源からの光は、前記音響光学素子の０次光の光路から前記音響光学素子へ入射され、前記対物レンズを介して標本へ照射されることを特徴とする請求項１または２に記載の走査型共焦点顕微鏡。
【請求項１０】
LED光源と、
前記LED光源からの光を伝送するマルチモード光ファイバと、
前記光ファイバからの光を前記標本上で２次元走査する光走査手段と、  
前記光走査手段により走査された光を標本に収束させるとともに当該標本から発する検出光を集光する対物レンズと、
前記対物レンズにより集光された検出光を前記光ファイバより手前で検出器へ向けて分岐する分岐手段と、
前記分岐手段で分岐された検出光を共焦点検出するためのピンホールと、を具備したことを特徴とする走査型共焦点顕微鏡。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項８の発明は、請求項７記載の発明において、前記光源は、ＬＥＤからなり、前記制御手段は、前記光走査手段による前記ＬＥＤからの光の前記標本上での２次元走査に応じて前記ＬＥＤの光量を制御することを特徴としている。
請求項９の発明は、請求項1または２の発明において、前記波長切替手段によって波長を切り替えられた光源からの光は、前記音響光学素子の０次光の光路から前記音響光学素子へ入射され、前記対物レンズを介して標本へ照射されることを特徴としている。
請求項１０の発明は、LED光源と、前記LED光源からの光を伝送するマルチモード光ファイバと、前記光ファイバからの光を前記標本上で２次元走査する光走査手段と、前記光走査手段により走査された光を標本に収束させるとともに当該標本から発する検出光を集光する対物レンズと、前記対物レンズにより集光された検出光を前記光ファイバより手前で検出器へ向けて分岐する分岐手段と、前記分岐手段で分岐された検出光を共焦点検出するためのピンホールと、を具備したことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
また、上述では、検出器が１個の場合においても２波長の蛍光検出をほぼ同時にできる例を述べているが、例えば標本２０が２つ以上の蛍光色素で標識されているときは、従来では、２つ以上の検出器を必要としていたが、音響光学素子１２への入力周波数を高速に切り替えることで、検出器は１個で多波長の検出が可能となる。つまり、レーザ光源の波長の切り替えに合せて、音響光学素子１２の音響光学素子１２への入力周波数を高速に切り替えるようにすることで、多波長蛍光のほぼ同時性をもった画像を検出することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
さらに、光学フィルタを追加するなどのメンテナンス作業を必要としないばかりか、ユーザが自由にプログラマブルに波長を変えられることから、新たな実験をしたいような場合にフィルタを購入することなく、直ちに実験を始めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月20日(2007.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貯湯タンクと、タンクへ給水する給水管と、タンクからの湯を出湯させる出湯管と、前記出湯管と前記給水管から分岐した水を混合する混合バルブを有する貯湯式温水器において、貯湯式温水器への流入水量を調節する弁体を有し、前記混合バルブは状記憶合金バネとバイアスバネのバネ加重のバランスにより湯量調節弁を動作させるものであって、前記バイアスバネは混合バルブボディにねじ込みにより固定されており、バイアスバネのたわみ荷重を可変させて温度を調節することが可能であり、かつ、水側の通水量は一定で、湯側の通水量のみを制御する構造であることを特長とした貯湯式温水器。
【請求項２】
混合バルブの給水側の穴を楕円状にして給水量をコントロールすることを特長とした請求項１に記載の貯湯式温水器。
【請求項３】
混合バルブの給水側の穴を円筒状接続口の中心に対し位置を上方または下方に位置して給水量をコントロールすることを特長とした請求項１に記載の貯湯式温水器。
【請求項４】
混合バルブの給湯側の手前に逆止機構を有する弁を搭載したことを特長とした請求項１に記載の貯湯式温水器。
【請求項５】
混合バルブの給水側に給水量を制限するオリフィス状の圧損板を搭載したことを特長とした請求項１に記載の貯湯式温水器。
【請求項６】
貯湯タンク内の湯の使用を検出する使用検出手段と、前記使用検出手段が検知した時刻に関する使用検出時刻情報を記録する使用検出時刻情報記憶手段と、前記記憶された使用検出時刻情報に基づいて、前記ヒータ通電時間の制御内容を決定する制御内容決定手段と、該決定されたヒータ通電時間の制御内容に基づいて、貯湯タンク内の温度を制御する温度制御部とを有する請求項１に記載の貯湯式温水器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために請求項１記載の発明によれば、貯湯タンクと、タンクへ給水する給水管と、タンクからの湯を出湯させる出湯管と、前記出湯管と前記給水管から分岐した水を混合する混合バルブを有する貯湯式温水器において、前記混合バルブは状記憶合金バネとバイアスバネのバネ加重のバランスにより湯量調節弁を動作させるものであって、前記バイアスバネは混合バルブボディにねじ込みにより固定されており、バイアスバネのたわみ荷重を可変させて温度を調節することが可能であり、かつ、水側の通水量は一定で、湯側の通水量のみを制御する構造であることを特長とした貯湯式温水器とした。
請求項２によれば、混合バルブの給水側の穴を楕円状にして給水量をコントロールすることを特長とした請求項１に記載の貯湯式温水器とした。
請求項３によれば、混合バルブの給水側の穴を円筒状接続口の中心に対し位置を上方または下方に位置して給水量をコントロールすることを特長とした請求項１に記載の貯湯式温水器とした。
請求項４によれば、混合バルブの給湯側の手前に逆止機構を有する弁を搭載したことを特長とした請求項１に記載の貯湯式温水器とした。
請求項５によれば、混合バルブの給水側に給水量を制限するオリフィス状の圧損板を搭載したことを特長とした請求項１に記載の貯湯式温水器とした。
請求項６によれば、貯湯タンク内の湯の使用を検出する使用検出手段と、前記使用検出手段が検知した時刻に関する使用検出時刻情報を記録する使用検出時刻情報記憶手段と、前記記憶された使用検出時刻情報に基づいて、前記ヒータ通電時間の制御内容を決定する制御内容決定手段と、該決定されたヒータ通電時間の制御内容に基づいて、貯湯タンク内の温度を制御する温度制御部とを有する請求項１に記載の貯湯式温水器とした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、温水器内部で高温に貯湯した湯を適温に出湯することが可能なため、使用者でのわずらわしい混合水栓の操作が無く、快適に湯を使用することができるうえ、給水温度や貯湯した温度が変化しても出湯温度が大幅に変化することがない。また、万一混合バルブが故障しても６０℃以上の湯が出ることは無く、安全である。
しかも、バイアスバネのたわみ荷重を可変させて温度を調節することが可能であるため、生産時に発生する温度調節作業が部品を組替えることなく、ねじの調節により容易にできるため、手間がかからず、コストを安くすることが可能である。
また、使用時間を学習して保温温度を可変する機能を有する学習節電機能を有する貯湯式温水器へ適用した場合には、使用者は節電機能により維持費を安くできるうえ、給水温度や給湯温度が変化しても約３５℃の適温の湯を使用することが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月20日(2007.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
即ち、本発明のバックライト用光学部材は、少なくとも２枚の厚み６〜７５μｍの二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムを接着層を介して貼り合わせてなる支持体上に、機能層を有してなることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月26日(2007.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを主成分とする固体状態の合金の粒子からなるリチウム二次電池用の電極材料において、
前記固体状態の合金が純金属もしくは固溶体を含有し、前記固体状態の合金がシリコンと、シリコンより原子比率の低い少なくとも第一の元素Ａと第二の元素Ｅから構成され、前記第一の元素Ａの原子比率は前記第二の元素Ｅの原子比率より高く、かつ前記第一の元素Ａがスズ、アルミニウム、亜鉛からなる群から選択される一種類以上の元素であり、前記第二の元素Ｅが銅、銀、亜鉛、チタン、アルミニウム、バナジウム、イットリウム、ジルコニウム、ホウ素からなる群から選択される一種類以上の元素であって、前記第一の元素Ａと第二の元素Ｅとは異なる元素（Ａ≠Ｅ）であり、前記固体状態の合金の粒子は、微結晶シリコンあるいは非晶質化シリコンの中にシリコン以外の元素からなる微結晶あるいは非晶質が分散している粒子であることを特徴とするリチウム二次電池用の電極材料。
【請求項２】
前記合金の組成は、該合金が融解した液体状態で完全に溶け合う元素組成であることを特徴とする請求項１に記載のリチウム二次電池用の電極材料。
【請求項３】
前記合金中のシリコンの含有率は５０重量％以上９５重量％以下であることを特徴とする請求項１に記載のリチウム二次電池用の電極材料。
【請求項４】
前記合金が共晶を含有することを特徴とする請求項１に記載のリチウム二次電池用の電極材料。
【請求項５】
前記共晶が、
（ａ）シリコンと第一の元素Ａとの共晶、
（ｂ）シリコンと第二の元素Ｅとの共晶、
（ｃ）第一の元素Ａと第二の元素Ｅとの共晶
（ｄ）前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の組み合わせの共晶
のいずれかであることを特徴とする請求項４に記載のリチウム二次電池用の電極材料。
【請求項６】
前記合金のシリコンにホウ素、アルミニウム、ガリウム、アンチモン、リン、からなる群から選択される一種類以上のドーパントとしての元素が原子比で１×１０−８〜２×１０−１の範囲でドーピングされていることを特徴とする請求項１に記載のリチウム二次電池用の電極材料。
【請求項７】
シリコンを主成分とするシリコン粒子からなるリチウム二次電池用の電極材料において、
前記シリコンを主成分とするシリコン粒子に、炭素材料、金属マグネシウム、炭素材料と金属マグネシウムの群から選択される材料を複合化させ、前記シリコンにドーパントとしてのホウ素元素が原子比で１×１０−８〜２×１０−１の範囲でドーピングされていることを特徴とするリチウム二次電池用の電極材料。
【請求項８】
前記ドーパントのシリコンに対する比率が原子比で１×１０−５〜１×１０−１の範囲であることを特徴とする請求項６又は７に記載のリチウム二次電池用の電極材料。
【請求項９】
前記ドーパントが、ホウ素であることを特徴とする請求項６に記載のリチウム二次電池用の電極材料。
【請求項１０】
前記シリコンを主成分とする合金粒子もしくはシリコンを主成分とする粒子の平均粒径が０．０２μｍ〜５μｍであることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載のリチウム二次電池用の電極材料。
【請求項１１】
前記シリコンを主成分とする合金粒子もしくはシリコンを主成分とする粒子が微粉末である、ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載のリチウム二次電池用の電極材料。
【請求項１２】
前記シリコンを主成分とする合金粒子に、炭素材料、金属マグネシウム、炭素材料と金属マグネシウムの群から選択される材料を複合化させたことを特徴とする請求項１に記載のリチウム二次電池用の電極材料。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の電極材料と、導電補助材、結着剤、集電体から構成されていることを特徴とする電極構造体。
【請求項１４】
前記導電補助材が炭素材料である、ことを特徴とする請求項１３記載の電極構造体。
【請求項１５】
請求項１３及び１４に記載の電極構造体を用いた負極、電解質及び正極を具備し、リチウムの酸化反応及びリチウムイオンの還元反応を利用したことを特徴とする二次電池。
【請求項１６】
前記正極を構成する正極材料が、少なくともイットリウム、イットリウムとジルコニウムの群から成る元素を含有するリチウム−遷移金属複合酸化物であることを特徴とする請求項１５記載の二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明は、シリコンを主成分とする固体状態の合金の粒子からなるリチウム二次電池用の電極材料において、前記固体状態の合金が純金属もしくは固溶体を含有し、前記固体状態の合金がシリコンと、シリコンより原子比率の低い少なくとも第一の元素Ａと第二の元素Ｅから構成され、前記第一の元素Ａの原子比率は前記第二の元素Ｅの原子比率より高く、かつ前記第一の元素Ａがスズ、アルミニウム、亜鉛からなる群から選択される一種類以上の元素であり、前記第二の元素Ｅが銅、銀、亜鉛、チタン、アルミニウム、バナジウム、イットリウム、ジルコニウム、ホウ素からなる群から選択される一種類以上の元素であって、前記第一の元素Ａと第二の元素Ｅとは異なる元素（Ａ≠Ｅ）であり、前記固体状態の合金の粒子は、微結晶シリコンあるいは非晶質化シリコンの中にシリコン以外の元素からなる微結晶あるいは非晶質が分散している粒子であることを特徴とするものである。ここで、前記合金の組成は、該合金が融解した液体状態で完全に溶け合う元素組成（融解した状態で２相以上にならない（均一な相になる）ような元素組成）であることが好ましい。ここに元素組成とは、合金を構成する元素の種類及びそれらの元素の原子比率によって定めることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また本発明は、シリコンを主成分とするシリコン粒子からなるリチウム二次電池用の電極材料において、前記シリコンを主成分とするシリコン粒子に、炭素材料、金属マグネシウム、炭素材料と金属マグネシウムの群から選択される材料を複合化させ、前記シリコンにドーパントとしてのホウ素元素が原子比で１×１０−８〜２×１０−１の範囲でドーピングされていることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
もちろん上記シリコン合金には、電気抵抗を下げ、容量を増すために、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、アンチモン、リンからなる群から選択される一種類以上のドーパントが、シリコンに対して原子比で１×１０−８〜２×１０−１の範囲でドーピングされているのが好ましく、１×１０−５〜１×１０−１の範囲でドーピングされているのがより好ましい。ドーパントとしては、特に、ｐ型ドーパントのイオン半径の小さいホウ素が、より好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月15日(2007.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、前記トランジスタと電気的に接続する電極とを有し、
前記電極は、
酸化珪素もしくは珪素を含むインジウム錫酸化物、酸化亜鉛、またはガリウムを含む酸化亜鉛で成る第１の透明導電膜と、
前記第１の透明導電膜上に形成され、インジウム錫酸化物または酸化錫で成る第２の透明導電膜とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
トランジスタと、前記トランジスタと電気的に接続する電極とを有し、
前記電極は、
酸化珪素もしくは珪素を含むインジウム錫酸化物、酸化亜鉛、またはガリウムを含む酸化亜鉛で成る第１の透明導電膜と、
前記第１の透明導電膜上に形成され、インジウム錫酸化物または酸化錫で成り、仕事関数が５．０ｅＶ以上の第２の透明導電膜とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
トランジスタと、前記トランジスタと電気的に接続する電極とを有し、
前記電極は、
酸化珪素もしくは珪素を含むインジウム錫酸化物、酸化亜鉛、またはガリウムを含む酸化亜鉛で成る非晶質の第１の透明導電膜と、
前記第１の透明導電膜上に形成され、インジウム錫酸化物または酸化錫で成る結晶性の第２の透明導電膜とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
トランジスタと、前記トランジスタと電気的に接続する電極とを有し、
前記電極は、
酸素を６１原子％、インジウムを３４原子％、錫を２原子％、珪素を３原子％含む第１の透明導電膜と、
前記第１の透明導電膜上に形成され、酸素を６２原子％、インジウムを３６原子％、錫を２原子％含む第２の透明導電膜とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記第１の透明導電膜の膜厚は８０〜１２０ｎｍであり、前記第２の透明導電膜の膜厚は３０ｎｍ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、フレキシブルプリント基板と電気的に接続される端子接続部を有し、前記端子接続部は、比抵抗が３μΩ以下の導電膜と、前記第１の透明導電膜と前記第２の透明導電膜とを順に積層した積層構造であることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記第１の透明導電膜の下部に、窒化珪素膜を有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項の表示装置を搭載したビデオカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯情報端末、デジタルカメラ、または携帯電話。
【請求項９】
トランジスタに電気的に接続するように、酸化珪素もしくは珪素を含むインジウム錫酸化物、酸化亜鉛、またはガリウムを含む酸化亜鉛でなる第１の透明導電膜を成膜し、
前記第１の透明導電膜上に、インジウム錫酸化物または酸化錫でなる第２の透明導電膜を成膜し、
弱酸性溶液を用いて、前記第１の透明導電膜及び前記第２の透明導電膜をエッチングすることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
トランジスタに電気的に接続するように、酸化珪素もしくは珪素を含むインジウム錫酸化物、酸化亜鉛、またはガリウムを含む酸化亜鉛でなる非晶質の第１の透明導電膜を成膜し、
前記第１の透明導電膜上に、インジウム錫酸化物または酸化錫でなる第２の透明導電膜を成膜し、
弱酸性溶液を用いて、前記第１の透明導電膜及び前記第２の透明導電膜をエッチングし、
熱処理により前記第２の透明導電膜を結晶化することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１１】
トランジスタに電気的に接続するように、酸化珪素もしくは珪素を含むインジウム錫酸化物、酸化亜鉛、またはガリウムを含む酸化亜鉛でなる非晶質の第１の透明導電膜を成膜し、
前記第１の透明導電膜上に、インジウム錫酸化物または酸化錫でなる第２の透明導電膜を成膜し、
弱酸性溶液を用いて、前記第１の透明導電膜及び前記第２の透明導電膜をエッチングし、
熱処理により前記第２の透明導電膜を結晶化し、
結晶化した前記第２の透明導電膜に表面処理を行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、前記第２の透明導電膜の表面処理を強酸性溶液を用いて行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１１において、前記第２の透明導電膜の表面処理を酸素プラズマまたはアルカリ系溶液を用いて行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項９乃至請求項１３のいずれか一項において、前記第２の透明導電膜を成膜後、前記第２の透明導電膜をエッチングする前に、前記第２の透明導電膜の表面を研磨することを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月22日(2007.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに可動で、運搬手段（２０）と協働する２つの部材（１１，１２）を含む、情報キャリアの把持装置（１０）を具備する、該キャリアの搭載装置であって、これら２つの部材（１１，１２）は運搬手段（２０）上に自在に装着されていて、運搬手段（２０）の起動時、これらの相対運動を確実にする制御手段（３０）と協働することを特徴とする搭載手段。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
他の実施例では、把持装置１０の部材１２は可動であり、キャリアの再生動作の位置より下にある非作動位置と、キャリア駆動手段の位置より上にある作動位置との間をいったり来たりすることで、情報キャリアの搭載／取り出し操作中に妨害が生じないようにする。他の実施例では、部材１１，１２はともに垂直方向に可動で、アーム２０に設置したカムによって制御される。
本発明の好ましい態様を整理して記載すれば、下記のとおりである。
１．互いに可動で、運搬手段（２０）と協働する２つの部材（１１，１２）を含む、情報キャリアの把持装置（１０）を具備する、該キャリアの搭載装置であって、これら２つの部材（１１，１２）は運搬手段（２０）上に自在に装着されていて、運搬手段（２０）の起動時、これらの相対運動を確実にする制御手段（３０）と協働することを特徴とする搭載手段。
２．制御手段（３０）が、運搬手段（２０）に対して相対運動を行うことを特徴とする上記１に記載の装置。
３．制御手段（３０）が、相対運動が生じると、可動部材（１１，１２）の一つと協働してこれをもう一方の可動部材（１１，１２）から遠ざかる方向に移動させる部材（３７）を含むことを特徴とする上記１に記載の装置。
４．可動部材（１１，１２）の少なくとも一つが、弾性手段（１３）の作用を受けることを特徴とする上記１−３のいずれかに記載の装置。
５．可動部材（１１，１２）がシャフト（１６）を中心に回転自在であることを特徴とする上記１−４のいずれかに記載の装置。
６．可動部材（１１，１２）が、いくらか傾斜を持つ周縁プロフィール（１４）と、キャリア（４０）の把持表面（２１）を含むことを特徴とする上記１−５のいずれかに記載の装置。
７．把持装置（１０）が、情報キャリア（４０）をその周縁縁の限られた表面で保持することを特徴とする上記１−６のいずれかに記載の装置。
８．搭載装置が、これを運搬手段（２０）に連結している弾性手段（９２）を介して、キャリア（４０）を作動位置に締め付ける手段（８０）とつながっていることを特徴とする上記１−７のいずれかに記載の装置。
９．運搬手段（２０）が、締め付け手段（８０）と協働して、その高い位置と低い位置の間を行き来させるための制御手段（９０）を支えていることを特徴とする上記８に記載の装置。
１０．運搬手段（２０）と締め付け手段（８０）との間の相対運動によって、制御手段（９０）が起動し、前記締め付け手段（８０）がその高い位置と低い位置の間を行き来できるようにすることを特徴とする上記９に記載の装置。
１１．運搬手段（２０）および／または締め付け手段（８０）がシャフト（２６）を中心にして回転することを特徴とする上記１−１０のいずれかに記載の装置。
１２．制御手段（３０）が、起動手段（５２）と協働して、運搬手段（２０）に対する制御手段（３０）の相対運動を起こす部材（３１）を含むことを特徴とする上記２に記載の装置。
１３．起動手段（５２）が、縁、溝、一部分（５２Ｂ）を含むことを特徴とする上記１２に記載の装置。
１４．起動手段（５２）が、可動部材（１１０）を含むことを特徴とする上記１２に記載の装置。
１５．可動部材（１１０）が、起動手段（５２）の一部分（１５２Ｃ）からなることを特徴とする上記１４に記載の装置。
１６．可動部材（１１０）の周縁が、起動手段（５２）の縁／一部分（５２Ｂ）の一つであることを特徴とする上記１４または１５のいずれかに記載の装置。
１７．装置が、把持装置によって把持されるキャリアの搭載経路を規定する案内手段（７８，７９）とつながっていることを特徴とする上記１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月2日(2007.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略平坦なベース面を有するダミー部材の該ベース面上に、該ベース面側を表面とする記録層を形成する記録層形成工程と、該記録層の裏面側に基板を付設する基板付設工程と、前記ダミー部材を除去するダミー部材除去工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記ダミー部材は材質がシリコンとされ、前記ダミー部材除去工程は、前記ダミー部材をアルカリ溶液で溶解して除去するように構成されたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記記録層形成工程の前に、前記記録層の表面を保護するための保護層を前記ダミー部材のベース面上に形成する保護層形成工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記保護層は材質がダイヤモンドライクカーボンとされたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記記録層形成工程と、前記基板付設工程と、の間に、前記記録層の裏面側に軟磁性層を形成する軟磁性層形成工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記記録層形成工程と、前記軟磁性層形成工程と、の間に、前記記録層に溝を形成して記録要素に分割する記録層分割工程が設けられ、且つ、該記録層分割工程と、前記軟磁性層形成工程と、の間に、前記記録要素間の隙間部の少なくとも一部に非磁性体を充填する非磁性体充填工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記非磁性体は材質がダイヤモンドライクカーボンとされたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
記録要素に分割された分割記録層と、一部が前記記録要素間の隙間部内に突出する突出部を構成するように前記分割記録層の裏面側に形成された軟磁性層と、該軟磁性層の突出部及び前記記録要素を隔てるように前記記録要素間の隙間部内に充填された非磁性体と、を有してなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項９】
請求項８において、
前記非磁性体が前記分割記録層の裏面側まで形成され、且つ、前記分割記録層の表面側に保護層が形成され、前記各記録要素が前記非磁性体及び保護層内に封止されたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１０】
記録要素に分割された分割記録層と、前記分割記録層の表面側に形成された保護層と、前記記録要素間の隙間部内及び前記分割記録層の裏面側に形成された非磁性体と、を有してなり、前記各記録要素が前記非磁性体及び保護層内に封止されたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１１】
請求項９又は１０において、
前記非磁性体と、前記保護層と、は材質が共通とされたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記非磁性体及び保護層の材質はダイヤモンドライクカーボンであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１３】
記録要素に分割された分割記録層と、前記記録要素間の隙間部内に形成された非磁性体と、前記記録要素の表面の上及び前記非磁性体の表面の上に形成された保護層と、を有してなり、前記保護層における前記記録要素の上の部分が前記保護層における前記非磁性体の上の部分よりも薄いことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記記録要素の表面が前記非磁性体の表面よりも表面側に突出していることを特徴とする磁気記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月12日(2007.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を格納する格納ポートと、外部の圧力より低い圧力に維持された処理空間内で該基板を処理するための処理室と、の間に配置されるロードロック室と、
前記ロードロック室内に除湿された環境を形成する除湿ユニットと、
を備えることを特徴とするロードロックシステム。
【請求項２】
前記除湿ユニットは、前記ロードロック室内の温度が低下したときに該ロードロック室内の水分が結露しないように、前記ロードロック室内の湿度を制御する制御部を有することを特徴とする請求項１に記載のロードロックシステム。
【請求項３】
前記除湿ユニットは、
前記ロードロック室に接続された管と、
前記管に配置された冷却部及び加熱部と、
前記冷却部及び前記加熱部をそれぞれ制御する制御部と、
を有することを特徴とする請求項１に記載のロードロックシステム。
【請求項４】
前記除湿ユニットは、前記管の中で前記冷却部と前記加熱部との間に配置された、水分を除去するためのフィルタを有することを特徴とする請求項３に記載のロードロックシステム。
【請求項５】
前記格納ポート及び前記ロードロック室の間に他の室を備え、
前記除湿ユニットは、前記他の室を除湿することを特徴とする請求項１に記載のロードロックシステム。
【請求項６】
前記除湿ユニットは、前記ロードロック室内の温度が低下したときに該ロードロック室内の水分が結露しないように、前記他の室内の湿度を制御する制御部を有することを特徴とする請求項５に記載のロードロックシステム。
【請求項７】
前記制御部は、前記ロードロック室内及び前記他の室内の湿度を各々算出し、その算出結果に基づいて、前記他の室から前記ロードロック室内に流入した気体の水分が該ロードロック室内の温度が低下したときに結露しないように、該他の室内の湿度を制御することを特徴とする請求項６に記載のロードロックシステム。
【請求項８】
前記除湿ユニットは、
前記他の室に接続された管と、
前記管に配置された冷却部及び加熱部と、
前記冷却部及び前記加熱部をそれぞれ制御する制御部と、
を有することを特徴とする請求項５に記載のロードロックシステム。
【請求項９】
前記他の室内の静電気を除去する除電部を有することを特徴とする請求項５乃至請求項８のいずれか１項に記載のロードロックシステム。
【請求項１０】
前記他の室は、前記格納ポートと前記ロードロック室との間で前記基板を搬送する搬送部を含むことを特徴とする請求項５乃至請求項９のいずれか１項に記載のロードロックシステム。
【請求項１１】
露光処理システムであって、
基板を格納する格納ポートと、
外部の圧力より低い圧力に維持された処理空間内で該基板に露光処理するための露光処理部と、
前記格納ポート及び前記露光処理部の間に配置されるロードロック室と、
前記ロードロック室内に除湿された環境を形成する除湿ユニットと、
を備えることを特徴とする露光処理システム。
【請求項１２】
前記除湿ユニットは、前記ロードロック室へ供給されるガスを除湿することを特徴とする請求項１１に記載の露光処理システム。
【請求項１３】
前記格納ポート及び前記ロードロック室の間にミニエンバイロメント室を備え、
前記除湿ユニットは、前記ミニエンバイロメント室へ供給されるガスを除湿することを特徴とする請求項１１に記載の露光処理システム。
【請求項１４】
デバイスの製造方法であって、
請求項１１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の露光処理システムを用いて、基板を露光する露光工程と、
露光された前記基板を現像する現像工程と、
を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月14日(2007.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、ランタンと仕事関数（ｗｏｒｋ  ｆｕｎｃｔｉｏｎ）を４．５ｅＶ以下とする物質との合金は、ｐ形リン化硼素系半導体層の表面と接触するｐ形オーミック電極の底面部を構成するのに好都合である。仕事関数が４．５ｅＶを超えると、ｐ形リン化硼素系半導体層との障壁が急激に大となり、ｐ形オーミック電極を形成するに不利である。小さな仕事関数に加えて、融点の高い物質との合金は、耐熱性に優れるｐ形オーミック電極を構成するに好適となる。従って、仕事関数は小さいが融点の低いガリウム（仕事関数＝４．０ｅＶ、融点＝２９．８℃）やインジウム（仕事関数＝３．８ｅＶ、融点＝１５６℃）との合金よりも、より融点の高い合金が適する。例えば、ランタンとアルミニウム（仕事関数＝４．３ｅＶ、融点＝６６０℃）或いはランタンと珪素（仕事関数＝４．０ｅＶ、融点＝１４１４℃）との合金からは、良好なオーミック接触性を呈する底面部を好都合に構成できる。アルミニウム（Ａｌ）或いは珪素（Ｓｉ）の含有量は質量百分率（質量％）にして、１％以上で５０％未満であるのが適する。ランタン合金膜は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法や高周波スパッタリング法等の手段に依り形成できる。周知のフォトリソグラフィー技術を利用して合金膜をパターニング加工すれば、平面形状を円形、方形等とする所望の形状の底面部を形成できる。その他には、例えば、ランタンとテルル（元素記号：Ｔｅ、仕事関数＝４．３ｅＶ、融点＝４５０℃）との合金であるテルル化ランタン（組成式：Ｌａ2Ｔｅ3）や、ニッケル（元素記号：Ｎｉ、仕事関数＝４．５ｅＶ、融点＝１４５３℃）とのランタンニッケル（組成式ＬａＮｉ5）合金を例示できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ｐ形オーミック電極、特に、その底面部は、ｐ形リン化硼素系半導体層との接触を良好とするため、細孔の無い連続膜から構成するのが適する。このため、底面部は膜厚を１０ｎｍ以上とするランタンを含む膜から構成するのが適する。より好適なのは１００ｎｍ以上で３００ｎｍ以下である。
底面部の表面上には、更に、他の金属膜を重層させれば、重層構造からなるオーミック電極を構成できる。例えば、１２０ｎｍの膜厚のランタン（９５質量％）・アルミニウム（５質量％）合金から構成した円形の平面形状の底面部に、チタン（Ｔｉ）膜と金（Ａｕ）膜とを順次、重層させて３層構造のｐ形オーミック電極を好ましく構成できる。重層構造のｐ形オーミック電極を構成するにあたって、最上層は、結線（ｂｏｎｄｉｎｇ）を容易となすため、金（Ａｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）から構成するのが好適である。また、３層の重層構造のｐ形オーミック電極にあって、底面部と最上層との中間に設ける中間層は、例えば、チタン、モリブデン（Ｍｏ）等の遷移金属或いは白金（Ｐｔ）から構成され得る。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月22日(2007.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する２つの電極と、
前記対向する２つの電極間で発生したプラズマを噴射するプラズマ噴射口と、
を各々具備する複数のプラズマ発生手段を有し、
前記複数のプラズマ発生手段の各々が具備する前記プラズマ噴射口は、１列または複数列で線状に配列されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
対向する２つの電極と、
前記対向する２つの電極間にガスを供給する手段と、
前記対向する２つの電極間で発生したプラズマを噴射するプラズマ噴射口と、
前記ガスを排気する手段と、
を各々具備する複数のプラズマ発生手段を有し、
前記複数のプラズマ発生手段の各々が具備する前記プラズマ噴射口は、１列または複数列で線状に配列されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記対向する２つの電極の一方は、長方形状の電極であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記長方形状の電極の前記プラズマ噴射口に最も近接した辺の長さは、１ｍｍ以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記対向する２つの電極の一方は、集束イオンビーム装置、フォトリソグラフィー法、又はレーザ描画装置を用いて加工されたものであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか一において、
前記対向する２つの電極の他方は、前記複数のプラズマ発生手段に共通する電極であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記対向する２つの電極は誘電体に覆われていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記対向する２つの電極間にパルス状の電圧を印加してプラズマを発生させることによって、成膜処理、エッチング処理、又は表面改質処理を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記複数のプラズマ発生手段を走査する手段を有し、
前記走査するタイミングと、前記電圧を印加するタイミングと、を同期させることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記複数のプラズマ発生手段の位置合わせを行う手段を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１１】
複数のプラズマ発生手段に各々設けられた対向する２つの電極間でプラズマを発生させ、
前記複数のプラズマ発生手段の各々から前記プラズマを噴射して、１列または複数列の線状プラズマを形成し、
前記線状プラズマにより、基板上に成膜処理、エッチング処理、または表面改質処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
複数のプラズマ発生手段に各々設けられた対向する２つの電極間に電圧を印加してプラズマを発生させ、
前記複数のプラズマ発生手段の各々から前記プラズマを噴射して、１列または複数列の線状プラズマを形成し、
前記電圧を印加するタイミングに同期させて、前記複数のプラズマ発生手段または基板を走査し、
前記線状プラズマにより、前記基板上に成膜処理、エッチング処理、または表面改質処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
複数のプラズマ発生手段に各々設けられた対向する２つの電極間にガスを供給及び電圧を印加してプラズマを発生させ、
前記複数のプラズマ発生手段の各々から前記プラズマを噴射して、１列または複数列の線状プラズマを形成し、
前記電圧を印加するタイミングに同期させて、前記複数のプラズマ発生手段または基板を走査し、
前記線状プラズマにより、前記基板上に成膜処理、エッチング処理、または表面改質処理を行い、
前記複数のプラズマ発生手段に設けられた排気手段から前記ガスを排気することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記対向する２つの電極の一方は長方形状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記成膜処理によって、前記基板上にパターンを形成し、
前記長方形状の電極の前記基板に最も近接する辺の長さは、前記パターンの線幅の１０倍以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月25日(2007.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機絶縁膜を形成し、
前記有機絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部が形成された前記有機絶縁膜に接するように、バリア性を有する第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜に接するように、アルミニウムを含む第２の導電膜を形成し、
減圧又は常圧下で、ランプを用いて選択的な加熱処理を行って、前記第２の導電膜を流動化させることにより、前記第２の導電膜の平坦化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
有機絶縁膜を形成し、
前記有機絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部が形成された前記有機絶縁膜に接するように、バリア性を有する第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜に接するように、アルミニウムを含む第２の導電膜を形成し、
減圧又は常圧下で、レーザ光を照射することにより選択的な加熱処理を行って、前記第２の導電膜を流動化させることにより、前記第２の導電膜の平坦化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
配線又は半導体膜上に有機絶縁膜を形成し、
前記有機絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部が形成された前記有機絶縁膜に接するように、窒化膜を形成し、
前記有機絶縁膜の前記開口部を介して、前記配線又は前記半導体膜が露出するように、前記窒化膜をパターニングし、
前記窒化膜に接するように、バリア性を有する第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜に接するように、アルミニウムを含む第２の導電膜を形成し、
減圧又は常圧下で、ランプを用いて選択的な加熱処理を行って、前記第２の導電膜を流動化させることにより、前記第２の導電膜の平坦化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
配線又は半導体膜上に有機絶縁膜を形成し、
前記有機絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部が形成された前記有機絶縁膜に接するように、窒化膜を形成し、
前記有機絶縁膜の前記開口部を介して、前記配線又は前記半導体膜が露出するように、前記窒化膜をパターニングし、
前記窒化膜に接するように、バリア性を有する第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜に接するように、アルミニウムを含む第２の導電膜を形成し、
減圧又は常圧下で、レーザ光を照射することにより選択的な加熱処理を行って、前記第２の導電膜を流動化させることにより、前記第２の導電膜の平坦化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
配線又は半導体膜上に有機絶縁膜を形成し、
前記有機絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部が形成された前記有機絶縁膜に接するように、窒化膜を形成し、
前記有機絶縁膜の前記開口部を介して、前記配線又は前記半導体膜が露出するように、前記窒化膜をパターニングし、
前記窒化膜に接するように、バリア性を有する第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜に接するように、アルミニウムを含む第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜に接するように、第３の導電膜を形成し、
減圧又は常圧下で、ランプを用いて選択的な加熱処理を行って、前記第２の導電膜と前記第３の導電膜を流動化させることにより、前記第２の導電膜と前記第３の導電膜の平坦化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
配線又は半導体膜上に有機絶縁膜を形成し、
前記有機絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部が形成された前記有機絶縁膜に接するように、窒化膜を形成し、
前記有機絶縁膜の前記開口部を介して、前記配線又は前記半導体膜が露出するように、前記窒化膜をパターニングし、
前記窒化膜に接するように、バリア性を有する第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜に接するように、アルミニウムを含む第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜に接するように、第３の導電膜を形成し、
減圧又は常圧下で、レーザ光を照射することにより選択的な加熱処理を行って、前記第２の導電膜と前記第３の導電膜を流動化させることにより、前記第２の導電膜と前記第３の導電膜の平坦化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１、請求項３及び請求項５のいずれか一項において、
前記ランプは、紫外乃至赤外光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項２、請求項４及び請求項６のいずれか一項において、
前記レーザ光は、パルス発振又は連続発振を行う気体レーザ又は固体レーザのレーザ光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記有機絶縁膜は、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、エポキシアクリル、ベンゾシクロブテン及びパリレンから選択された一種を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の導電膜は、チタン、タンタル、タングステン又はシリコンを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第２の導電膜は、ゲルマニウム、スズ、ガリウム、亜鉛、鉛、インジウム及びスカンジウムから選択された一種又は複数種の元素を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項５又は請求項６において、
前記第３の導電膜は、ゲルマニウム、スズ、ガリウム、亜鉛、鉛、インジウム及びスカンジウムから選択された一種又は複数種の元素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の導電膜を形成する工程、前記第２の導電膜を形成する工程、及び前記選択的な加熱処理を行う工程を、大気に晒すことなく連続的に行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月9日(2007.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
固定部３５のフランジ３４には、図６に示すように、上下に切欠３９が形成されていて、この切欠３９から変位部３８の係止片３７がのぞいている。また、切欠３９にはチャック爪２５，２６が収まり、チャック爪２５，２６によって係止片３７を係止できるようになっている。
アダプタ２１をチャッキング装置２０に取り付ける場合には、まず、台座２３にアダプタ２１のフランジ３４を位置決めし、チャック爪２５，２６によって係止片３７を係止する。これによりアダプタ２１はチャッキング装置２０に仮止めされる。アダプタ２１のフランジ３４には、台座２３に対して所定の位置に配置されるように、位置決め突起２４を受け入れるための孔が形成されている。つまりチャッキング装置２０によってプロペラシャフトのフランジヨーク１４をチャッキングする場合と同様のやり方で、アダプタ２１をチャッキング装置２０によって仮保持することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
アダプタ２１がチャッキング装置２０に仮保持された状態で、ボルト３２によってアダプタ２１を台座２３に固定する。すなわちアダプタ２１のフランジ３４は台座２３に対して所定の位置で仮保持されているから、ボルト３２を締めつける孔が、フランジ３４から台座２３へ連通している。この孔にボルト３２を螺合させ、台座２３にフランジ３４を固定する。ボルト３２の挿入位置と、位置決め突起２４の位置とは、図６において円周方向に異なる角度位置にあるから、両者が干渉することはない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
台座２３にフランジ３４がボルト３２で固定された後は、チャック爪２５，２６を開いても、アダプタ２１が動いたり、チャッキング装置２０から外れることはない。そしてこの状態で、チャック爪２５，２６を開閉することにより、アダプタ２１でスリーブヨーク１５を保持して固定（チャッキング）することができる。
より具体的には、チャック爪２５，２６が開いた状態で、スリーブヨーク１５を右側から割コレット３６へ挿入することができる。スリーブヨーク１５を挿入した後、操作棒３０をＡ１方向に引っ張ると、チャック爪２５，２６が閉じる。チャック爪２５，２６が閉じると、その爪先は割コレット３６に一体的に突設された係止片３７を左方向に変位させる力を加える。割コレット３６に左方向の力が加わると、案内筒３３と割コレット３６とのテーパ関係により、割コレット３６はその内径が狭まり、スリーブヨーク１５の周面を堅固に締めつける。これによりスリーブヨーク１５は確実に保持固定される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2002350269.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2002350269.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月20日(2007.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  パイプや板材等を連結するクランプを締付固定するボルトとナットを有するクランプ金具において、前記ボルトの外端部をプレス加工してボルトの外端部を外周側に向けて押し潰して、環状の係止部を形成し、この係止部でボルトに螺合している前記ナットを係止することにより、ボルトの外端部からナットの螺出を阻止し、ナットを締付けたり緩めたりするための自動締付機の回転トルクでは当該ボルトから前記ナットが離脱しないように構成したことを特徴とするクランプ金具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明は、パイプや板材等を連結するクランプを締付固定するボルトとナットを有するクランプ金具において、前記ボルトの外端部をプレス加工してボルトの外端部を外周側に向けて押し潰して、環状の係止部を形成し、この係止部でボルトに螺合している前記ナットを係止することにより、ボルトの外端部からナットの螺出を阻止し、ナットを締付けたり緩めたりするための自動締付機の回転トルクでは当該ボルトから前記ナットが離脱しないように構成したクランプ金具である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月18日(2007.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 
ロータディスク（１６）に連結された隣接するファンブレード（１８）間に用いられ、内側流路境界を画定するプラットホーム（３４）において、
前記隣接するファンブレード（１８）の輪郭と合致する輪郭を有する構造本体部分（４０）と、前記構造本体部分（４０）に連結された流路表面部分（４２）とを備え、
前記構造本体部分（４０）は、第１側壁（５０）と、第２側壁（５２）と、これらの第１および第２側壁（５０，５２）間に延在する半径方向内側表面（５４）と、開口端とを有する中空体であり、
前記流路表面部分（４２）が、前記構造本体部分（４０）を越えて横方向に突出する１対の破砕性ウィング（６０）を画定する、プラットホーム。
【請求項２】 
前記構造本体部分（４０）および前記流路表面部分（４２）が一体の部材（３５）を形成する、請求項１に記載のプラットホーム（３４）。
【請求項３】
前記一体部材（３５）が複合材料から形成された、請求項２に記載のプラットホーム（３４）。
【請求項４】
前記複合材料がエポキシ樹脂中にグラファイト繊維を含有する、請求項３に記載のプラットホーム（３４）。
【請求項５】 
前記第１および第２側壁（５０，５２）それぞれに１個以上の軽量化穴を形成した、請求項１に記載のプラットホーム（３４）。
【請求項６】 
前記第１側壁（５０）が凹状曲面を有し、前記第２側壁（５２）が凸状曲面を有する、請求項１に記載のプラットホーム（３４）。
【請求項７】 
さらに、前記半径方向内側表面（５４）に取り付けられた前方位置決めバンパ（５６）と前記半径方向内側表面（５４）に取り付けられた後方位置決めバンパ（５８）とを備える、請求項１に記載のプラットホーム（３４）。
【請求項８】 
前記ウィング（６０）の幅対厚さの比が前記ウィング（６０）の少なくとも一部において４０以上である、請求項１に記載のプラットホーム（３４）。
【請求項９】 
さらに、前記ウィング（６０）それぞれに取り付けられたシール部材（６２）を備える、請求項１に記載のプラットホーム（３４）。
【請求項１０】 
さらに、前記流路表面部分（４２）の上に配置されたガラス布相（４３）を備える、請求項１に記載のプラットホーム（３４）。
【請求項１１】 
前記一体部材（３５）にポリウレタン塗料の皮膜を１層以上設けた、請求項２に記載のプラットホーム（３４）。
【請求項１２】 
さらに、前記プラットホーム（３４）の前端（４４）から軸線方向外方へ延在する前方取り付けフランジ（６４）と、前記プラットホーム（３４）の後端（４６）から軸線方向外方へ延在する後方取り付けフランジ（６６）とを備える、請求項１に記載のプラットホーム（３４）。
【請求項１３】 
前記プラットホームは複合材料製の一体部材（３５）からなり、前記構造本体部分（４０）と一体的に形成されてほぼＴ形状をなす流路表面部分（４２）を含み、前記流路表面部分（４２）が、前記構造本体部分（４０）を越えて横方向に突出する１対の破砕性ウィング（６０）を画定する、請求項１に記載のプラットホーム。