【手続補正書】
【提出日】平成19年9月3日(2007.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置および駆動回路
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板の上方に、複数のＴＦＴと前記複数のＴＦＴに電気的に接続されたアルミニウムを含む配線とが設けられた信号線側駆動回路であって、
前記信号線側駆動回路は、第１のレベルシフタ回路、第２のレベルシフタ回路、シフトレジスタ、及び第３のレベルシフタ回路とを有し、
前記第１のレベルシフタ回路にクロック信号が入力され、
前記第２のレベルシフタ回路にスタートパルス信号が入力され、
前記シフトレジスタにおいて、前記第１のレベルシフタ回路から第１のバッファ回路を介して入力された信号及び前記第２のレベルシフタ回路から第２のバッファ回路を介して入力された信号をもとに、タイミング信号が生成され、
前記第３のレベルシフタ回路に前記タイミング信号が入力され、
前記第３のレベルシフタ回路から第３のバッファ回路を介して出力された信号によって、サンプリング回路が画像信号をサンプリングして信号線へ供給し、
前記ＴＦＴまたは前記配線の上方に有機性樹脂膜が設けられていることを特徴とする信号線側駆動回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のレベルシフタ回路は、入力された前記クロック信号の電位差の絶対値を大きくして出力し、
前記第３のレベルシフタ回路は、入力された前記タイミング信号の電位差の絶対値を大きくして出力することを特徴とする信号線側駆動回路。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板の上方に、複数のＴＦＴと前記複数のＴＦＴに電気的に接続されたアルミニウムを含む配線とが設けられた信号線側駆動回路であって、
前記信号線側駆動回路は、第１のレベルシフタ回路、第２のレベルシフタ回路、シフトレジスタ、及び第３のレベルシフタ回路とを有し、
前記第１のレベルシフタ回路にクロック信号が入力され、
前記第２のレベルシフタ回路にスタートパルス信号が入力され、
複数の第１のバッファ回路に、前記第１のレベルシフタ回路から出力された信号が第２のバッファ回路を介して入力され、
前記シフトレジスタにおいて、前記複数の第１のバッファ回路のそれぞれから入力された信号及び前記第２のレベルシフタ回路から第３のバッファ回路を介して入力された信号をもとに、選択信号が生成され、
前記第３のレベルシフタ回路に前記選択信号が入力され、
前記第３のレベルシフタ回路から出力された信号が第４のバッファ回路を介して信号線へ供給され、
前記ＴＦＴまたは前記配線の上方に有機性樹脂膜が設けられていることを特徴とする信号線側駆動回路。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板の上方に、複数のＴＦＴと前記複数のＴＦＴに電気的に接続されたアルミニウムを含む配線とが設けられた信号線側駆動回路であって、
前記信号線側駆動回路は、第１のレベルシフタ回路、第２のレベルシフタ回路、シフトレジスタ、及び第３のレベルシフタ回路とを有し、
前記第１のレベルシフタ回路にクロック信号が入力され、
前記第２のレベルシフタ回路にスタートパルス信号が入力され、
複数の第１のバッファ回路に、前記第１のレベルシフタ回路から出力された信号が第２のバッファ回路を介して入力され、
前記シフトレジスタにおいて、前記複数の第１のバッファ回路のそれぞれから入力された信号、前記第１のバッファ回路のそれぞれから複数の第３のバッファ回路のそれぞれを介して入力された信号、及び前記第２のレベルシフタ回路から第４のバッファ回路を介して入力された信号をもとに、選択信号が生成され、
前記第３のレベルシフタ回路に前記選択信号が入力され、
前記第３のレベルシフタ回路から出力された信号が第５のバッファ回路を介して信号線へ供給され、
前記ＴＦＴまたは前記配線の上方に有機性樹脂膜が設けられていることを特徴とする信号線側駆動回路。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
前記第１のレベルシフタ回路は、入力された前記クロック信号の電位差の絶対値を大きくして出力し、
前記第３のレベルシフタ回路は、入力された前記選択信号の電位差の絶対値を大きくして出力することを特徴とする信号線側駆動回路。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記絶縁表面を有する基板はガラス基板であることを特徴とする信号線側駆動回路。
【請求項７】
複数の画素ＴＦＴがマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス回路と、
前記複数の画素ＴＦＴのそれぞれのソース電極に電気的に接続された複数のソース信号線と、
前記複数の画素ＴＦＴのそれぞれのゲート電極に電気的に接続された複数のゲート信号線と、
前記複数のソース信号線に電気的に接続され、絶縁表面を有する基板の上方に複数のＴＦＴと前記複数のＴＦＴに電気的に接続されたアルミニウムを含む配線とが設けられたソース信号線側駆動回路と、
前記複数のゲート信号線に電気的に接続されたゲート信号線側駆動回路とを有し、
前記ソース信号線側駆動回路は、第１のレベルシフタ回路、第２のレベルシフタ回路、シフトレジスタ、及び第３のレベルシフタ回路とを有しており、
前記第１のレベルシフタ回路にクロック信号が入力され、
前記第２のレベルシフタ回路にスタートパルス信号が入力され、
前記シフトレジスタにおいて、前記第１のレベルシフタ回路から第１のバッファ回路を介して入力された信号及び前記第２のレベルシフタ回路から第２のバッファ回路を介して入力された信号をもとに、タイミング信号が生成され、
前記第３のレベルシフタ回路に前記タイミング信号が入力され、
前記第３のレベルシフタ回路から第３のバッファ回路を介して出力された信号によって、サンプリング回路が画像信号をサンプリングして前記ソース信号線へ供給し、
前記ＴＦＴまたは前記配線の上方に有機性樹脂膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１のレベルシフタ回路は、入力された前記クロック信号の電位差の絶対値を大きくして出力し、
前記第３のレベルシフタ回路は、入力された前記タイミング信号の電位差の絶対値を大きくして出力することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
複数の画素ＴＦＴがマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス回路と、
前記複数の画素ＴＦＴのそれぞれのソース電極に電気的に接続された複数のソース信号線と、
前記複数の画素ＴＦＴのそれぞれのゲート電極に電気的に接続された複数のゲート信号線と、
前記複数のソース信号線に電気的に接続され、絶縁表面を有する基板の上方に複数のＴＦＴと前記複数のＴＦＴに電気的に接続されたアルミニウムを含む配線とが設けられたソース信号線側駆動回路と、
前記複数のゲート信号線に電気的に接続されたゲート信号線側駆動回路とを有し、
前記ゲート信号線側駆動回路は、第１のレベルシフタ回路、第２のレベルシフタ回路、シフトレジスタ、及び第３のレベルシフタ回路とを有しており、
前記第１のレベルシフタ回路にクロック信号が入力され、
前記第２のレベルシフタ回路にスタートパルス信号が入力され、
複数の第１のバッファ回路に、前記第１のレベルシフタ回路から出力された信号が第２のバッファ回路を介して入力され、
前記シフトレジスタにおいて、前記複数の第１のバッファ回路のそれぞれから入力された信号及び前記第２のレベルシフタ回路から第３のバッファ回路を介して入力された信号をもとに、選択信号が生成され、
前記第３のレベルシフタ回路に前記選択信号が入力され、
前記第３のレベルシフタ回路から出力された信号が第４のバッファ回路を介して前記ゲート信号線へ供給され、
前記ＴＦＴまたは前記配線の上方に有機性樹脂膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第１のレベルシフタ回路は、入力された前記クロック信号の電位差の絶対値を大きくして出力し、
前記第３のレベルシフタ回路は、入力された前記選択信号の電位差の絶対値を大きくして出力することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
複数の画素ＴＦＴがマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス回路と、
前記複数の画素ＴＦＴのそれぞれのソース電極に電気的に接続された複数のソース信号線と、
前記複数の画素ＴＦＴのそれぞれのゲート電極に電気的に接続された複数のゲート信号線と、
前記複数のソース信号線に電気的に接続されたソース信号線側駆動回路と、
前記複数のゲート信号線に電気的に接続され、複数のＴＦＴと前記複数のＴＦＴに電気的に接続されたアルミニウムを含む配線とが設けられたゲート信号線側駆動回路とを有し、
前記ゲート信号線側駆動回路は、第１のレベルシフタ回路、第２のレベルシフタ回路、シフトレジスタ、及び第３のレベルシフタ回路とを有しており、
前記第１のレベルシフタ回路にクロック信号が入力され、
前記第２のレベルシフタ回路にスタートパルス信号が入力され、
複数の第１のバッファ回路に、前記第１のレベルシフタ回路から出力された信号が第２のバッファ回路を介して入力され、
前記シフトレジスタにおいて、前記複数の第１のバッファ回路のそれぞれから入力された信号、前記第１のバッファ回路のそれぞれから複数の第３のバッファ回路のそれぞれを介して入力された信号、及び前記第２のレベルシフタ回路から第４のバッファ回路を介して入力された信号をもとに、選択信号が生成され、
前記第３のレベルシフタ回路に前記選択信号が入力され、
前記第３のレベルシフタ回路から出力された信号が第５のバッファ回路を介して前記ゲート信号線へ供給され、
前記ＴＦＴまたは前記配線の上方に有機性樹脂膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記第１のレベルシフタ回路は、入力された前記クロック信号の電位差の絶対値を大きくして出力し、
前記第３のレベルシフタ回路は、入力された前記選択信号の電位差の絶対値を大きくして出力することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項７乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記絶縁表面を有する基板はガラス基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項７乃至請求項１３のいずれか一項に記載の半導体装置を組み込んだ表示装置。
【請求項１５】
請求項７乃至請求項１３のいずれか一項に記載の半導体装置を組み込んだ電子機器。