【手続補正書】
【提出日】平成19年1月22日(2007.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にフッ化炭素鎖を有する物質を含む組成物を吐出し、
前記組成物を用いて、前記半導体層上に選択的にマスクを形成し、
前記組成物を除去し、
前記マスクを用いて半導体層をパターニングすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
電気的に接続する第１の導電層及び第２の導電層を隣接して形成し、ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にフッ化炭素鎖を有する物質を含む組成物を吐出し、
前記組成物を用いて、前記半導体層上に選択的にマスクを形成し、
前記組成物を除去し、
前記マスクを用いて半導体層をパターニングすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
請求項２において、前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、液滴吐出法を用いて形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
凹部を有するゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に凹部を有するゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に凹部を有する半導体層を形成し、
前記半導体層が有する前記凹部にフッ化炭素鎖を有する物質を含む組成物を吐出し、
前記組成物を用いて、前記半導体層上に選択的にマスクを形成し、
前記組成物を除去し、
前記マスクを用いて半導体層をパターニングすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項５】
電気的に接続する第１の導電層及び第２の導電層を隣接して形成し、ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に、凹部を有するゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に凹部を有する半導体層を形成し、
前記半導体層が有する前記凹部フッ化炭素鎖を有する物質を含む組成物を吐出し、
前記組成物を用いて、前記半導体層上に選択的にマスクを形成し、
前記組成物を除去し、
前記マスクを用いて半導体層をパターニングすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項６】
請求項５において、前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、液滴吐出法を用いて形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一項において、前記凹部は溝状の形状であるように形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
請求項４乃至６のいずれか一項において、前記凹部は孔状の形状であるように形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記パターニングした半導体層に電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、前記フッ化炭素鎖を有する物質は、ポリテトラフルオロエチレン、パーフルオロアルコキシアルカン、パーフルオロエチレンプロペンコーポリマー、エチレン−テトラフルオロエチレンコポリマー、ポリビニリデンフルオライド、ポリクロロトリフルオロエチレン、エチレン−クロロトリフルオロエチレンコポリマー、ポリテトラフルオロエチレン−パーフルオロジオキソールコポリマー、またはポリビニルフルオライドを用いることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、前記マスクは、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料、ベンゾシクロブテン、パリレン、フレア、透過性を有するポリイミドなどの有機材料、シロキサン系ポリマー等の重合によってできた化合物材料、または水溶性ホモポリマーと水溶性共重合体を含む組成物材料を用いることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１２】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にフッ化炭素鎖を有する物質を含む組成物を吐出し、
前記組成物を用いて、前記半導体層上に選択的にマスクを形成し、
前記組成物を除去し、
前記マスクを用いて半導体層をパターニングし、
前記半導体層に電気的に接続してソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層上に第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第２の電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１３】
電気的に接続する第１の導電層及び第２の導電層を隣接して形成し、ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にフッ化炭素鎖を有する物質を含む組成物を吐出し、
前記組成物を用いて、前記半導体層上に選択的にマスクを形成し、
前記組成物を除去し、
前記マスクを用いて半導体層をパターニングし、
前記半導体層に電気的に接続してソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層上に第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第２の電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１３において、前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、液滴吐出法を用いて形成されることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１５】
凹部を有するゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に凹部を有するゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に凹部を有する半導体層を形成し、
前記半導体層が有する前記凹部にフッ化炭素鎖を有する物質を含む組成物を吐出し、
前記組成物を用いて、前記半導体層上に選択的にマスクを形成し、
前記組成物を除去し、
前記マスクを用いて半導体層をパターニングし、
前記半導体層に電気的に接続してソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層上に第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第２の電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１６】
電気的に接続する第１の導電層及び第２の導電層を隣接して形成し、ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に、凹部を有するゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に凹部を有する半導体層を形成し、
前記半導体層が有する前記凹部にフッ化炭素鎖を有する物質を含む組成物を吐出し、
前記組成物を用いて、前記半導体層上に選択的にマスクを形成し、
前記組成物を除去し、
前記マスクを用いて半導体層をパターニングし、
前記半導体層に電気的に接続してソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層上に第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第２の電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１６において、前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、液滴吐出法を用いて形成されることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１２乃至１７のいずれか一項において、前記フッ化炭素鎖を有する物質は、ポリテトラフルオロエチレン、パーフルオロアルコキシアルカン、パーフルオロエチレンプロペンコーポリマー、エチレン−テトラフルオロエチレンコポリマー、ポリビニリデンフルオライド、ポリクロロトリフルオロエチレン、エチレン−クロロトリフルオロエチレンコポリマー、ポリテトラフルオロエチレン−パーフルオロジオキソールコポリマー、またはポリビニルフルオライドを用いることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１２乃至１８のいずれか一項において、前記マスクは、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料、ベンゾシクロブテン、パリレン、フレア、透過性を有するポリイミドなどの有機材料、シロキサン系ポリマー等の重合によってできた化合物材料、または水溶性ホモポリマーと水溶性共重合体を含む組成物材料を用いることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２０】
凹部を有するゲート電極層を有し、
前記ゲート電極層上に凹部を有するゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上に凹部を有する半導体層を有し、
前記半導体層に接してソース電極層及びドレイン電極層を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２１】
電気的に接続する第１の導電層及び第２の導電層を隣接して含むゲート電極層を有し、
前記ゲート電極層上に、凹部を有するゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上に凹部を有する半導体層を有し、
前記半導体層に接してソース電極層及びドレイン電極層を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２２】
請求項２０または請求項２１において、前記凹部は溝状の形状であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２３】
請求項２０または請求項２１において、前記凹部は孔状の形状であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２４】
凹部を有するゲート電極層を有し、
前記ゲート電極層上に凹部を有するゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上に凹部を有する半導体層を有し、
前記半導体層に接してソース電極層及びドレイン電極層を有し、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層上に第１の電極層を有し、
前記第１の電極層上に電界発光層を有し、
前記電界発光層上に第２の電極層を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２５】
電気的に接続する第１の導電層及び第２の導電層を隣接して含むゲート電極層を有し、
前記ゲート電極層上に、凹部を有するゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上に凹部を有する半導体層を有し、
前記半導体層に接してソース電極層及びドレイン電極層を有し、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層上に第１の電極層を有し、
前記第１の電極層上に電界発光層を有し、
前記電界発光層上に第２の電極層を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２６】
請求項２４または請求項２５における表示装置により表示画面を構成されることを特徴とするテレビジョン装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2005285843.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2005285843.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2005285843.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2005285843.tif 000004
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2005285843.tif 000005
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2005285843.tif 000006