Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月27日(2006.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【発明の属する技術分野】
より詳しくは、電子写真感光体・静電記録誘電体等の像担持体に対して電子写真方式・静電記録方式等の適宜の作像プロセス機器にて所望の画像を形成担持させる、間接（転写）方式或いは直接方式の画像形成装置であって、画像形成のプロセススピード及び画像形成の画素密度を変更可能な画像形成装置における帯電電圧制御方法、及び画像形成装置の改善に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【発明の属する技術分野】
この環境変動による放電の増減を抑制するために、上記のような常に一定の交流電圧を印加する「ＡＣ定電圧制御方式」のほかに、帯電部材に交流電圧を印加することで流れる交流電流値を制御する「ＡＣ定電流制御方式」が提案されている。このＡＣ定電流制御方式によれば、材料の抵抗が上昇する低温低湿環境（Ｌ／Ｌ）では交流電圧のピーク間電圧値を上げ、逆に材料の抵抗が下降する高温高湿環境（Ｈ／Ｈ）ではピーク間電圧値を下げることができるため、ＡＣ定電圧制御方式に比べ放電の増減を抑制することが可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【発明の属する技術分野】
そこで、長期にわたり高画質、高品質を安定して提供するにあたり、過剰放電を起こさず、問題なく均一な帯電を行なえるよう印加する電圧・電流を制御する必要があり、その方法として、非画像形成時において、帯電部材に直流電圧を印加した時の像担持体への放電開始電圧をＶｔｈとした時に、少なくとも１点以上のＶｔｈの２倍未満のピーク間電圧を印加した時の電流値と、少なくとも２点以上のＶｔｈの２倍以上のピーク間電圧を印加した時の電流値を測定し、測定された交流電圧のピーク間電圧と交流電流値の関係から、画像形成時に帯電手段に印加する所望の放電電流量を得るに必要な交流電圧のピーク間電圧を決定するという、「放電電流量制御方式」が本発明者らによって発明された。（特願２０００−１１８１９号（特開２００１−２０１９２０号公報）、特願２０００−１１８２０号（特開２００１−２０１９２１号公報））。
この方式は、実際に帯電のＡＣ電圧のピーク間電圧とＡＣ電流の関係を測定し、所望の放電電流量を得るに必要なピーク間電圧を決定するため、環境変動、帯電部材の製造ばらつきなどを吸収することが可能となった。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月19日(2007.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストレージシステムの記憶領域ごとに、ストレージ性能に関する要求値の設定を受けつける設定手段と、
前記ストレージシステムの稼動状況に関する値と、設定した前記要求値とを比較する比較手段と、
前記比較手段の出力に基づき、前記稼動状況に関する値が前記要求値を満足しない前記記憶領域を特定する特定手段と、
前記特定手段により特定された記憶領域内に格納されているデータの全部または一部を、他の記憶領域に移動する移動手段とを備えたストレージシステム。
【請求項２】
請求項１記載のストレージシステムであってさらに、
前記ストレージシステムの稼動状況に関する値の、単位期間の平均値を算出する算出手段と、
算出された前記平均値と、前記要求値とを比較する第２の比較手段と、
前記第２の比較手段による比較の結果に基づき、前記単位期間の平均値が前記要求値を超えている前記記憶領域を特定する第２の特定手段を有するストレージシステム。
【請求項３】
データセンタにおけるストレージサービス提供方法であって、
前記データセンタが、
ストレージ性能に関して締結されたサービスレベル保証契約にもとづき、ストレージ性能に関する要求値の設定を受けつけるステップと、
前記ストレージシステムの稼動状況を監視するステップと、
前記監視の結果、前記稼動状況に関する値が前記要求値を超えた場合に、前記ストレージシステム内のデータ配置を変更するステップ
からなる、ストレージサービス提供方法。
【請求項４】
請求項３記載のストレージサービス提供方法であってさらに、
前記データセンタが、
前記ストレージシステムの稼動状況に関する値の、単位期間の平均値を算出するステップと、
前記平均値が、前記要求値を満足していない記憶領域の契約者に対して、サービスレベル保証契約にもとづいて支払われた利用料の料金割引を行う旨を報告するステップからなる、
ストレージサービス提供方法。
【請求項５】
請求項３または４記載のストレージサービス提供方法であってさらに、
前記データセンタが、前記ストレージシステムの稼動状況に関する値を契約者に報告するステップからなる、
ストレージサービス提供方法。
【請求項６】
データセンタにおけるストレージサービス提供方法であって、
前記データセンタが、
ストレージシステムの記憶領域ごとに、ストレージ性能に関する要求値の設定を受けつけるステップと、
前記ストレージシステムの稼動状況を監視するステップと、
前記ストレージシステムの稼動状況が前記設定された要求値を満足しない前記記憶領域に格納されたデータの全部または一部を、他の記憶領域に移動するステップ
からなる、ストレージサービス提供方法。
【請求項７】
請求項６記載のストレージサービス提供方法であって、
前記要求値は前記記憶領域ごとに異なる値を有し、データセンタの利用料は、前記要求値にもとづいて決定される、ストレージサービスの提供方法。
【請求項８】
請求項６記載のストレージサービス提供方法であってさらに、
前記データセンタが、
前記ストレージシステムの稼動状況に関する値の、単位期間の平均値を算出するステップと、
前記平均値が、前記要求値を満足していない記憶領域について、利用料の料金割引を行う旨を出力するステップからなる、
ストレージサービス提供方法。
【請求項９】
複数の記憶装置と、その制御装置からなるストレージシステムの、前記複数の記憶装置の記憶領域を利用者に割り当てる方法であって、前記制御装置は、前記割り当てた記憶領域へのアクセス性能に関する要求を受け付け、前記割り当てた記憶領域へのアクセス状況を監視し、前記アクセス状況が前記要求を満足しない場合は前記要求を満足するように前記記憶領域を再割り当てする、ストレージシステムの利用方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記要求内容に応じて課金し、前記要求を満足しない時間に応じて前記課金額を減じる、ストレージシステムの利用方法。
【請求項１１】
請求項１、２に記載のストレージシステムであって、前記ストレージ性能は、I/Oアクセス可能回数、データ転送量、ディスク空き容量率、ディスク利用率、データ転送速度、のうちひとつ以上から決定されるストレージシステム。
【請求項１２】
請求項１における、前記データの他の記憶領域への移動は、ミラーディスクの作成、他の物理ボリュームへのデータ移動のいずれかであるストレージサブシステム。
【請求項１３】
請求項３において、前記ストレージ性能は、I/Oアクセス可能回数、データ転送量、ディスク空き容量率、ディスク利用率、データ転送速度、のうちひとつ以上から決定されるストレージサービス提供方法。
【請求項１４】
請求項３において、前記データ配置の変更は、ミラーディスクの作成、他の物理ボリュームへのデータ移動のいずれかであるストレージサービス提供方法。
【請求項１５】
請求項６において、前記データの他の記憶領域への移動は、ミラーディスクの作成、他の物理ボリュームへのデータ移動のいずれかであるストレージサービス提供方法。
【請求項１６】
請求項９において、前記アクセス性能は、I/Oアクセス可能回数、データ転送量、ディスク空き容量率、ディスク利用率、データ転送速度、のうちひとつ以上から決定される、ストレージシステムの利用方法。
【請求項１７】
請求項９において、前記記憶領域の再割り当ては、ミラーディスクの作成、他の物理ボリュームへのデータ移動のいずれかである、ストレージシステムの利用方法。
【請求項１８】
ネットワークに接続されたサーバ、前記サーバに接続された記憶装置からなり、前記ネットワークを介したアクセスを受ける記憶システム群の運用方法であって、
顧客の希望する記憶装置性能についての要求値を、前記記憶装置に接続された記憶装置管理端末が前記記憶装置の記憶領域ごとに受け付けるステップと、
前記記憶システム群の制御手段が、前記要求値と、前記記憶装置の稼動状況を表す数値とを比較するステップと、
前記記憶システム群の制御手段が、前記稼動状況を示す数値が前記要求値を満足しない前記記憶領域に格納されたデータを、他の記憶領域に移動するステップ
を有する、記憶システム群の運用方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月12日(2007.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生産する製品の生産予定情報を記録した生産予定データと、製品を構成する部品の種類及び数量を記録した部品構成マスタデータと、部品に関する情報を記録した部品マスタデータと、製品の生産に必要な部品の現在の在庫情報を記録した部品在庫データと、過剰部品数を算出する条件を記録した過剰部品数算出条件データとを記憶した記憶装置を参照可能な中央処理装置が行う部品出庫要求方法であって、
入力装置が、現在の生産予定データの入力を受け付け、前記記憶装置における前記生産予定データを、入力された生産予定データに更新し、
前記中央処理装置が、前記記憶装置の生産予定データと、部品構成マスタデータと、部品マスタデータとに基づいて部品の所要量を計算し、
前記中央処理装置が、前記部品の所要量と、前記部品在庫データと、前記過剰部品数算出条件データとに基づいて、部品の出庫要求数を算出し、算出した部品出庫要求数に基づいて要求指示を出力することを特徴とする部品出庫要求方法。
【請求項２】
前記過剰部品数算出条件データは、在庫場所別の部品在庫数を反映するか否か、生産予約済み部品を在庫数に反映するか否か、回転在庫を反映するか否か、梱包単位を反映するか否か等の在庫数量を計算する上での制約条件に関する情報である請求項１記載の部品出庫要求方法。
【請求項３】
生産予定データと、部品構成マスタデータと、部品マスタデータと、部品在庫データ過剰部品数算出条件データとは、毎日更新される、請求項１または２記載の部品出庫要求方法。
【請求項４】
生産する製品の生産予定情報を記録した生産予定データと、製品を構成する部品の種類及び数量を記録した部品構成マスタデータと、部品に関する情報を記録した部品マスタデータと、製品の生産に必要な部品の現在の在庫情報を記録した部品在庫データと、過剰部品数を算出する条件を記録した過剰部品数算出条件データとを記憶した記憶装置と、
前記記憶装置を参照可能な中央処理装置と、
現在の生産予定データの入力を受け付け、前記記憶装置における前記生産予定データを、入力された生産予定データに更新する入力装置とを備え、
前記中央処理装置が、前記記憶装置の生産予定データと、部品構成マスタデータと、部品マスタデータとに基づいて部品の所要量を計算した後、前記部品の所要量と、前記部品在庫データと、前記過剰部品数算出条件データとに基づいて、部品の出庫要求数を算出し、算出した部品出庫要求数に基づいて要求指示を出力することを特徴とする部品出庫要求装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明にかかる部品出庫要求方法は、生産する製品の生産予定情報を記録した生産予定データと、製品を構成する部品の種類及び数量を記録した部品構成マスタデータと、部品に関する情報を記録した部品マスタデータと、製品の生産に必要な部品の現在の在庫情報を記録した部品在庫データと、過剰部品数を算出する条件を記録した過剰部品数算出条件データとを記憶した記憶装置を参照可能な中央処理装置が行う部品出庫要求方法であって、入力装置が、現在の生産予定データの入力を受け付け、前記記憶装置における前記生産予定データを、入力された生産予定データに更新し、前記中央処理装置が、前記記憶装置の生産予定データと、部品構成マスタデータと、部品マスタデータとに基づいて部品の所要量を計算し、前記中央処理装置が、前記部品の所要量と、前記部品在庫データと、前記過剰部品数算出条件データとに基づいて、部品の出庫要求数を算出し、算出した部品出庫要求数に基づいて要求指示を出力することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
次に、上記目的を達成するために本発明にかかる部品出庫要求装置は、生産する製品の生産予定情報を記録した生産予定データと、製品を構成する部品の種類及び数量を記録した部品構成マスタデータと、部品に関する情報を記録した部品マスタデータと、製品の生産に必要な部品の現在の在庫情報を記録した部品在庫データと、過剰部品数を算出する条件を記録した過剰部品数算出条件データとを記憶した記憶装置と、前記記憶装置を参照可能な中央処理装置と、現在の生産予定データの入力を受け付け、前記記憶装置における前記生産予定データを、入力された生産予定データに更新する入力装置とを備え、前記中央処理装置が、前記記憶装置の生産予定データと、部品構成マスタデータと、部品マスタデータとに基づいて部品の所要量を計算した後、前記部品の所要量と、前記部品在庫データと、前記過剰部品数算出条件データとに基づいて、部品の出庫要求数を算出し、算出した部品出庫要求数に基づいて要求指示を出力することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月14日(2007.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影領域の中心部に配置された撮影領域と、動体物を捕捉するための上記撮影領域の周辺に配置された複数の動体物捕捉領域とを有し、それぞれについて被写体像信号を出力する撮像部と、
上記複数の動体物捕捉領域から出力される被写体像信号の焦点評価値の変化に基づいて動体物が存在する位置を検出し、該検出結果に応じた表示を行うように制御する制御部と、
を具備することを特徴とするカメラ。
【請求項２】  
上記複数の動体物捕捉領域は、上記撮影領域を囲う枠形状であることを特徴とする請求項１に記載のカメラ。
【請求項３】
上記制御部は、上記動体物検出領域に動体物が存在すると判断したならば、該動体物への撮影レンズの焦点調節を行うように制御することを特徴とする請求項１に記載のカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、撮像素子による撮像を行うカメラに係り、特に表示画面に撮影領域外の状況を表示して、撮影領域内に不要な被写体が入り込むことを防止するカメラに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために、撮影領域の中心部に配置された撮影領域と、動体物を捕捉するための上記撮影領域の周辺に配置された複数の動体物捕捉領域とを有し、それぞれについて被写体像信号を出力する撮像部と、上記複数の動体物捕捉領域から出力される被写体像信号の焦点評価値の変化に基づいて動体物が存在する位置を検出し、該検出結果に応じた表示を行うように制御する制御部と、を具備するカメラを提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
まず、動体物を検出したか否かの指標となるf_moveフラグを０にクリアする（ステップＳ２１）。このf_moveフラグが０であれば、動体物を検出していないことを示し、逆にf_moveフラグが１であれば、動体物を検出したということを示している。次に、図２（ａ）に示す動体物検出エリア２６の焦点評価値を算出する（ステップＳ２２）。この動体物検出エリア２６は、具体的には図５（ａ）に示すように、複数の動体物捕捉エリア３１が撮像領域（撮影領域）２５の周囲に配置された構成である。これらの動体物捕捉エリア３１は、図５（ｂ）に示すように、少なくとも枠形状の３つのグループ（Ａ、Ｂ、Ｃグループ）に分割される。焦点評価値とは、撮像素子が捕捉した被写体像信号の高周波成分を抽出して積分したものであり、被写体像信号のコントラスト、又はＭＴＦに相当する数値である。本実施形態においては、この焦点評価値の算出は、１stレリーズスイッチがオン状態の時に実行されるため、通常は複数回実行される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
次に、前回に算出された焦点評価値と今回算出された焦点評価値とを比較して、動体物検出エリア２６の一部に変化があったか否かを判断する（ステップＳ２３）。この判断でエリア全体に変化が見られない及び全体が変化してしまっていた場合は（ＮＯ）、動体物が存在しない（検出できない）又は、カメラ自体の向きが動かされていると判断して、後述するステップＳ２７へ移行する。この焦点評価値の変化の有無は、予め決められた所定値以上の差が焦点評価値に発生した場合には、変化ありと判断し、所定値以上の差が無い場合は、変化なしと判断している。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
しかし、動体物検出エリア２６の一部に変化があった場合には（ＹＥＳ）、変化した動体物捕捉エリア３１付近に動体物が存在するものと判断し、動体物を検出したという指標となるf_moveフラグに１を設定する（ステップＳ２４）。そして、焦点評価値が変化して動体物が存在すると推測する動体物捕捉エリア３１の位置を抽出して記憶部１６に記憶する（ステップＳ２５）。次に図５（ｂ）を用いて動体物の移動方向を検出する（ステップＳ２６）。この動体物の移動方向として、焦点評価値に変化した動体物捕捉エリア３１の位置が例えば、Ａ→Ｂ→Ｃグループへと移動すれば、動体物が撮像領域２５内に進入しようとしていると判断できる。逆に、Ｃ→Ｂ→Ａグループへと移動すれば、動体物が撮像領域２５内から遠ざかろうとしているものと判断できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
図５（ａ）は、動体物捕捉エリアと撮像領域（撮影領域）の配置関係を示す図であり、図５（ｂ）は、動体物捕捉エリアの分割例を示す図である。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月22日(2006.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極と、
異方性薄膜からなり、非導電性マトリックスに分散された均一材料からなる導電領域を有し、かつ前記電極とバス層との間に配置されている透明の電流自己制限構造と、
前記電極に隣接して配置されかつ該電極により前記電流自己制限構造から分離されている有機スタックと
からなる、有機発光デバイス。
【請求項２】
前記電流自己制限構造が、前記電極に接触して設けられている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記電流自己制限構造が、前記電極上のパターン化された格子構造として被着されている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記電流自己制限構造がウィンドウを画定するグリッドとして被着され、該ウィンドウに前記電極が取り付けられている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記電流自己制限構造および前記電極と接触しているフォトレジスト材料をさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記バス層が、前記電流自己制限構造内に埋め込まれている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記バス層が、前記電流自己制限構造上に配置されている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記電流自己制限構造がセラミックス材料からなり、前記マトリックスがフォトレジスト材料からなる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
前記電流自己制限構造がセラミックス材料からなり、前記マトリックスがポリマーからなる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記電流自己制限構造が、無機導電粒子を含有するポリマー化合物からなる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記電流自己制限構造が、導電性ポリマーからなる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】
有機発光デバイスの信頼性を高めるための方法であって、
有機スタックを含む有機発光デバイスを形成するステップと、
前記有機発光デバイス内に、異方性の薄膜からなり、非導電マトリックスに分散された均一材料からなる導電領域を有し、かつ電極とバス層との間に配置されている透明の電流自己制限構造を組み込み、該電流自己制限構造が、前記電極により前記有機スタックから分離される、ステップと
を含む、方法。
【請求項１３】
前記電流制限構造が、前記有機発光デバイスの前記電極に接触して形成されている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記電流自己制限構造が、前記有機発光デバイスの前記電極に接触したパターン化された格子として形成されている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記電流自己制限構造がウィンドウを画定するグリッドとして被着され、該ウィンドウに前記有機発光デバイスの前記電極が取り付けられている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記電流自己制限構造がセラミックス材料を使用して形成されており、前記マトリックスがフォトレジスト材料を使用して形成されている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記電流自己制限構造がセラミックス材料を使用して形成されており、前記マトリックスがポリマーを使用して形成されている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記電流自己制限構造が、無機導電性粒子を含有するポリマー化合物を含むポリマーを使用して形成されている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
前記電流自己制限構造が、導電性ポリマーを使用して形成されている、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月28日(2006.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光デバイスであって、
上部表面を有するデバイス構造体と、
ｐ形半導体層及びｎ形半導体層を含む前記デバイス構造体内のヘテロ接合と、
前記上部表面上に配置されているｐ型電極及びｎ型電極とを含み、当該ｐ型電極が前記ｐ形半導体層に電気的に接続され、当該ｎ型電極が前記ｎ形半導体層に電気的に接続され、
前記ｐ型電極及び前記ｎ型電極の一方が、少なくとも２つの第１のアームと、該第１のアームと接続されている導電部材とからなり、前記ｐ型電極及び前記ｎ型電極のもう一方が、少なくとも２つの第２のアームからなり、前記少なくとも２つの第１のアームの１つが、２つの第２のアームの間に配置され、
前記導電部材が、前記デバイスの少なくとも３つの縁部に沿って、前記第２のアームを実質上包囲している発光デバイス。
【請求項２】
前記デバイス構造体が、断面を有するむくの柱状体であり、
前記２つの電極の長さが、前記断面の１つの側部の長さの65％以上である、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記デバイスの断面が、多角形であり、
前記２つの電極の長さが前記多角形の少なくとも２つの辺の長さの65％以上である、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記２つの電極の内側輪郭が前記多角形の辺と平行である、請求項３に記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記２つの電極の内側輪郭が互いに平行である、請求項３に記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記多角形が、正方形、六角形、八角形、矩形、台形、及び平行四辺形を含むグループから選択される、請求項３に記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記２つの電極のそれぞれが、
ワイヤボンディング領域(14a、14b)を備えており、
該電極の形状が、前記ワイヤボンディング領域から離れるにつれてテーパーがつけられたものである、
請求項３に記載の発光デバイス。
【請求項８】
前記断面の形状が、円形、楕円形、及び長円形を含むグループから選択され、
前記２つの電極のうちの少なくとも一方が、該デバイスの周辺長の25％以上の長さを有している、 請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記デバイス構造体が、球形及び半球形を含むグループから選択される、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１０】
前記２つの電極(14a、14b)のうちの一方が、発光領域の100％を包囲する形状を有する包囲電極である、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１１】
前記包囲電極(14a、14b)の形状が、矩形、円形、正方形、平行四辺形、楕円形、及び長円形を含むグループから選択される、請求項10に記載の発光デバイス。
【請求項１２】
前記包囲電極(14a、14b)の形状が、それらに対応する半導体層中に電流を拡散させるよう作用する突出部を含む、請求項10に記載の発光デバイス。
【請求項１３】
Ｑ（Ｑ≧２）個の電気的に接続された領域を画定すると共に発光領域を包囲するように配置された複数のｎ電極及びｐ電極(14a、14b)を備えている、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１４】
前記Ｑ個の電気的に接続された領域が、多段メタライゼーション(multilevel metalization)を利用して接続される、請求項13に記載の発光デバイス。
【請求項１５】
前記２つの電極(14a、14b)の一方が、２つの外側アーム及びＮ（Ｎ≧０）個の内側アームと、前記２つの外側アームと前記Ｎ個の内側アームとを接続するクロスビームとを備えており、前記２つの外側アームの突出部が、発光領域の75％以上を包囲する、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１６】
前記２つの外側アームと前記Ｎ個の内側アームとの間に配置された接続パッド(14a、14b)を備えている、請求項15に記載の発光デバイス。
【請求項１７】
前記２つの電極(14a、14b)の他方が、Ｍ（Ｍ≧１）個の先端を有するフォーク状に形成されている、請求項16に記載の発光デバイス。
【請求項１８】
前記Ｍ個の先端が、前記２つの外側アームと前記Ｎ個の内側アームとの間に配置されている、請求項17に記載の発光デバイス。
【請求項１９】
前記Ｎ個の内側アームと前記Ｍ個の先端との間の距離が一定である、請求項18に記載の発光デバイス。
【請求項２０】
前記２つの外側アームの突出部が発光領域の100％を包囲する、請求項17に記載の発光デバイス。
【請求項２１】
発光領域の面積と前記デバイス構造体の全面積との比として規定される面積利用率が少なくとも60％であり、
前記デバイス構造体の面積が0.2mm２以上である、
請求項１に記載の発光デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月17日(2006.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体装置を形成するためのプロセスであって：
基板（１０）上にシード膜（３４）を形成して、その後、前記シード膜（３４）の一部を空気に露出させることにより、酸化部分と残留非酸化部分とを形成する段階；
前記シード膜（３４）の酸化部分を還元する段階であって、前記基板（１０）を復元槽の中に入れることにより、前記シード膜（３４）内の銅をあまり除去せずに、前記酸化部分を銅に戻す段階；および
前記シード膜（３４）上に導電膜（７６）を形成する段階；
によって構成されることを特徴とするプロセス。
【請求項２】  半導体装置を形成するためのプロセスであって：
基板（１０）上にシード膜（３４）を形成して、前記シード膜（３４）の一部を酸化する段階；
前記基板を槽（５０）内の溶液（５９）に入れて、前記基板（１０）は、前記槽（５０）のカソードの少なくとも一部とする段階；
アノード（５４）と前記槽（５０）の前記カソードとの間で電流を流して、前記シード膜（３４）の前記一部を還元する段階；および
前記シード膜（３４）上に導電膜（７６）を形成する段階；
によって構成されることを特徴とするプロセス。
【請求項３】  半導体装置を形成するためのプロセスであって：
基板（１０）上にシード膜（３４）を形成して、前記シード膜（３４）の一部を酸化する段階；
前記基板（１０）を槽（５０）内の溶液（５９）に入れる段階であって：
前記基板（１０）は、前記槽（５０）のカソードの少なくとも一部であり；
前記溶液（５９）は、陽イオンおよび陰イオンにイオン化できる電解質を含み；
前記陽イオンは、ナトリウム，カリウム，アルミニウムおよびアンモニウム・イオンからなるグループから選択され；および
前記陰イオンは、弗化物，炭酸塩，重炭酸塩，硫酸塩，亜燐酸塩，燐酸塩，硼酸塩およびクエン酸塩からなるグループから選択される、段階；
アノード（５４）と前記槽（５０）の前記カソードとの間で電流を流して、前記シード膜（３４）の前記一部を還元する段階；および
前記シード膜（３４）上に導電膜（７６）を形成する段階；
によって構成されることを特徴とするプロセス。
【請求項４】  半導体装置を形成するためのプロセスであって：
半導体装置基板（１０）上にパターン化された絶縁層（１１）を形成する段階であって、前記パターン化された絶縁層（１１）は開口部を含む、段階；
前記開口部内にシード膜（３４）を形成する段階であって、前記シード膜（３４）は銅を含む、段階；
前記シード膜（３４）を酸化雰囲気に露出する段階；
前記半導体装置基板（１０）を溶液（５９）が貯えられた槽（５０）に入れる段階であって、前記半導体装置基板（１０）は前記槽（５０）のカソードの少なくとも一部を形成する、段階；
アノード（５４）と前記槽（５０）の前記カソードとの間で電流を流して、前記シード膜（３４）の酸化した部分を還元する段階；および
電流を流した後で、前記シード膜（３４）上に導電膜（７６）を形成する段階；
によって構成されることを特徴とするプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月7日(2007.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  給水された洗浄水を吐水孔から人体に吐水する人体洗浄装置であって、
前記吐水孔に通水される洗浄水流量を設定する流量設定手段と、
前記給水洗浄水を、前記設定流量に流量調整した上で前記吐水孔に通水する流量調整手段と、
前記通水洗浄水の流れに規則的な変動を生じさせる変動発生手段と、
前記変動発生手段を制御して、前記流れの変動の規則性を前記設定流量に応じて変更する変動制御手段とを備え、
該変動制御手段は、前記流れの変動の規則性のうち変動の振幅を変更する振幅変更手段を有する、
ことを特徴とする人体洗浄装置。
【請求項２】  請求項１記載の人体洗浄装置であって、
前記振幅変更手段は、前記設定流量が小さいほど、前記変動振幅の変更可変幅を広くする、人体洗浄装置。
【請求項３】  請求項１又は請求項２記載の人体洗浄装置であって、
吐水洗浄水から受ける使用者の洗浄感を設定する体感設定手段を備え、
前記振幅変更手段は、
前記設定流量が同一である状況下において、前記体感設定手段により、刺激感の強弱が前記洗浄感として設定されると、前記刺激感が強くなるほど前記変動振幅を大きくする、人体洗浄装置。
【請求項４】  請求項１ないし請求項３いずれか記載の人体洗浄装置であって、
前記変動発生手段は、前記流れの変動の規則性が同一である状況下では、前記変動が生じた洗浄水の流れの状態での洗浄水吐水に基づく吐水状態変化を人体が刺激変化として認識しないように、前記流れの変動を誘起する変動誘起手段を有する、人体洗浄装置。
【請求項５】  請求項４記載の人体洗浄装置であって、
前記変動誘起手段は、前記洗浄水の流れの変動を、人体が周期的な刺激を刺激変化として知覚できる周波数よりも高い周波数で誘起する誘起手段を有する、人体洗浄装置。
【請求項６】  請求項５記載の人体洗浄装置であって、
前記知覚周波数は、約５Ｈｚの周波数とされている、人体洗浄装置。
【請求項７】  請求項１ないし請求項６いずれか記載の人体洗浄装置であって、
前記変動発生手段は、
洗浄水の給水経路の一部をなすシリンダと、
該シリンダ内で往復動し、その往復動により洗浄水の流れに脈動を起こして洗浄水を前記シリンダ下流に圧送するプランジャと、
該プランジャを往復駆動させる電磁ソレノイドと、
該電磁ソレノイドを励磁する励磁手段と、
前記シリンダに設けられ、下流側への洗浄水の通過を許容する逆止弁とを有する、人体洗浄装置。
【請求項８】請求項７記載の人体洗浄装置であって、
前記変動制御手段は、
前記励磁手段を制御して、前記電磁ソレノイドの励磁強度又はデューティ比の少なくとも一方を変更する手段を有する、人体洗浄装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】
かかる課題の少なくとも一部を解決するため、本発明の人体洗浄装置は、
給水された洗浄水を吐水孔から人体に吐水する人体洗浄装置であって、
前記吐水孔に通水される洗浄水流量を設定する流量設定手段と、
前記給水洗浄水を、前記設定流量に流量調整した上で前記吐水孔に通水する流量調整手段と、
前記通水洗浄水の流れに規則的な変動を生じさせる変動発生手段と、
前記変動発生手段を制御して、前記流れの変動の規則性を前記設定流量に応じて変更する変動制御手段とを備え、
該変動制御手段は、前記流れの変動の規則性のうち変動の振幅を変更する振幅変更手段を有する、
ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月24日(2007.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明を図１〜図１５に図示の実施の形態に基づいて詳細に説明する。
図１は実施例の光学式位置ずれ検出装置の構成図であり、レーザーダイオードから成る半導体レーザー光源１１からの光束の出射方向には、コリメータレンズ１２、非偏光ビームスプリッタ１３、対物レンズ１４、水晶板１５が配列されている。また、非偏光ビームスプリッタ１３の反射方向には偏光プリズム１６が設けられ、偏光プリズム１６の反射方向に受光素子１７が設けられ、偏光プリズム１６の直進方向に受光素子１８が配置されている。そして、水晶板１５の下方には被測定対象であるヘッドアーム２０が配置されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
実施例の検出装置２６は２０ｍｍ程度の外形であり、また非常に小型であるが、コンピュータ２８と制御系２９によるロータリポジショナ２４の回転位置決め制御に悪影響を与えることはない。検出装置２６からの信号は中継回路を経由して、コンピュータ２８内のＡ／Ｄコンバータに入力され、コンピュータ２８内ではＡ／Ｄコンバータの数値を監視しずれを検出すると、接続されているＨＤＤ用ボイスコイルモータ３０に回転の指令を与えてずれを相殺するように、制御系が構成されている。即ち、ロータリポジショナ２４に配置された検出装置２６と、ヘッドアーム２０によるスリット状マーキングＭとの位置関係が一定になるように制御される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
(2)ロータリポジショナ２４を制御系２９により規定位置まで回転させ、ＨＤＤのヘッド２７に信号を印加しサーボトラック信号を記録する。なお、ロータリポジショナ２４の回転に筐体２１内のヘッドアーム２０は、制御系３１により追従することになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
(ニ)実施例では、照明２光束からの反射光束を偏光プリズム１６で分離して、別々の受光素子１７、１８に入射させているが、図８に示すようにこれらの受光素子１７、１８を分離することなく、２分割フォトダイオードとして直接入射させてもよい。なお、その場合には各受光素子１７、１８の直前に偏光板３１、３２を挿入すれば偏光成分毎の信号が検出でき、光学系は非常に簡便になる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図１１は更に他の実施例の説明図である。本実施例では、マーキングＭを使用せずに、ヘッドアーム２０の金属反射物体の境界部（端部）を用いている。図１１に示すように、２光束が照明された領域で境界部が相対移動により通過すると、互いにずれたタイミングで反射光量が変調される。反射物体からの２つの反射光束は、水晶板１５を通過し、２光束の主光線が再び一致して、非偏光ビームスプリッタ１３まで戻され、通過光と反射光に分離されるが、先の図８に示す実施例と同様に正常光ｏと異常光ｅがそれぞれ受光素子１７、１８に入射する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図１３に示すように受光素子１７、１８で得られた受光量から、図１４に示すように差を求めて、受光素子１７、１８の差信号のゼロクロス位置を基準位置Ｘ１とすることもできる。その場合には、物体に照明する２光束間の光量バランスを故意に崩すことや、受光素子１７、１８の直前にフィルタを追加することで実現できる。物体を照明する２光束は、偏光面が互いに直交しているが、半導体レーザー光源１１の偏光面と水晶板１５内の光学軸を入射面に投影したときのベクトルとなす角度ηを４５度からずらせばよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2001311606.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2001311606.tif 000002
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2001311606.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月9日(2007.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  波長１．３０μｍ〜波長１．６０μｍの２波長以上の光を伝送する光伝送路用の光ファイバであり、
光軸中心を含み第１の屈折率を有する中心コア領域と、この中心コア領域を取り囲み前記第１の屈折率より小さい第２の屈折率を有する第２コア領域と、この第２コア領域を取り囲み前記第２の屈折率より大きい第３の屈折率を有する第３コア領域と、この第３コア領域を取り囲み前記第３の屈折率より小さい第４の屈折率を有するクラッド領域とを備え、
前記クラッド領域の最外層の屈折率を基準として前記中心コア領域の比屈折率差が０．４％以上０．７％以下であり、
波長帯域１．３０μｍ〜１．６０μｍの全範囲において波長分散が−２０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以上−３ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下であり、
波長１．５５μｍにおける実効断面積が４０μｍ2以上であり、
波長１．３８μｍにおけるＯＨ基に因るロス増が０．１ｄＢ／ｋｍ以下であり、
ケーブルカットオフ波長が１．３３μｍ以下である
ことを特徴とする光伝送路用の光ファイバ。
【請求項２】  波長帯域１．３０μｍ〜１．６０μｍの全範囲において波長分散が−１２ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以上−４ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の光ファイバ。
【請求項３】  波長帯域１．２５μｍ〜１．６５μｍの全範囲において波長分散が−２０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以上−３ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の光ファイバ。
【請求項４】  波長帯域１．２５μｍ〜１．６５μｍの全範囲において波長分散が−１６ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以上−４ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の光ファイバ。
【請求項５】  前記クラッド領域が、
前記第３の屈折率より小さい屈折率を有する内層クラッド領域と、
この内層クラッドの屈折率より大きい屈折率を有する外層クラッド領域と
を含むことを特徴とする請求項１記載の光ファイバ。
【請求項６】  波長帯域１．３０μｍ〜１．６０μｍ内の各波長の信号光を合波して送出する複数の送信局と、
この送信局から送出された多波長の信号光を伝送する請求項１記載の光ファイバと、
この光ファイバを伝送してきて到達した多波長の信号光を分波して各波長の信号光を受信する受信局と
を備えることを特徴とする光伝送システム。
【請求項７】  波長帯域１．２５μｍ〜１．６５μｍ内の各波長の信号光を合波して送出する複数の送信局と、
この送信局から送出された多波長の信号光を伝送する請求項３記載の光ファイバと、
この光ファイバを伝送してきて到達した多波長の信号光を分波して各波長の信号光を受信する受信局と
を備えることを特徴とする光伝送システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光ファイバは、波長１．３０μｍ〜波長１．６０μｍの２波長以上の光を伝送する光伝送路用の光ファイバであり、光軸中心を含み第１の屈折率を有する中心コア領域と、この中心コア領域を取り囲み第１の屈折率より小さい第２の屈折率を有する第２コア領域と、この第２コア領域を取り囲み第２の屈折率より大きい第３の屈折率を有する第３コア領域と、この第３コア領域を取り囲み第３の屈折率より小さい第４の屈折率を有するクラッド領域とを備え、クラッド領域の最外層の屈折率を基準として中心コア領域の比屈折率差が０．４％以上０．７％以下であり、波長帯域１．３０μｍ〜１．６０μｍの全範囲において波長分散が−２０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以上−３ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下であり、波長１．５５μｍにおける実効断面積が４０μｍ2以上であり、波長１．３８μｍにおけるＯＨ基に因るロス増が０．１ｄＢ／ｋｍ以下であり、ケーブルカットオフ波長が１．３３μｍ以下であることを特徴とする。
より好適には、上記の波長帯域１．３０μｍ〜１．６０μｍの全範囲において波長分散が−１２ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以上−４ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下であることを特徴とする。また、より好適には、上記の波長帯域より広い波長帯域１．２５μｍ〜１．６５μｍの全範囲において波長分散が−２０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以上−３ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下であることを特徴とする。更に好適には、より広い波長帯域１．２５μｍ〜１．６５μｍの全範囲において波長分散が−１６ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以上−４ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明に係る光ファイバは、クラッド領域が、第３の屈折率より小さい屈折率を有する内層クラッド領域と、この内層クラッドの屈折率より大きい屈折率を有する外層クラッド領域とを含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月6日(2007.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】焦点検出装置およびカメラ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  撮影レンズの光軸から第１方向に第１距離だけ離間した第１焦点検出領域からの光束を、前記光軸側に所定の偏向角で偏向して２分割する第１の光学系と、
撮影レンズの光軸から第２方向に第２距離だけ離間した第２焦点検出領域からの光束を２分割する第２の光学系と、
前記第１の光学系で２分割された光束を前記偏向角に応じた角度でそれぞれ受光する一対の第１焦点検出素子と、
前記第２の光学系で２分割された光束をそれぞれ受光する一対の第２焦点検出素子と、
前記第１および第２焦点検出素子を同一面上に保持する保持手段とを備えた焦点検出装置であって、
前記第２距離は前記第１距離よりも短くされ、前記第２の光学系は、前記第２焦点検出領域からの光束を、前記第１の光学系による偏向角よりも小さい偏向角で前記光軸側に偏向するか、あるいは全く偏向せずに２分割するよう構成されるとともに、前記保持手段を前記第１方向の軸回りに角度調整して装置本体に固定するための角度調整機構を設けたことを特徴とする焦点検出装置。
【請求項２】  前記第１方向は、長方形の撮影画面における長辺方向であり、前記第２方向は、前記撮影画面における短辺方向であることを特徴とする請求項１に記載の焦点検出装置。
【請求項３】  撮影レンズの光軸から第１方向に第１距離だけ離間した第１焦点検出領域からの光束を、前記光軸側に所定の偏向角で偏向して２分割する第１の光学系と、
撮影レンズの光軸から第２方向に第２距離だけ離間した第２焦点検出領域からの光束を２分割する第２の光学系と、
前記第１の光学系で２分割された光束を前記偏向角に応じた角度でそれぞれ受光する一対の第１焦点検出素子と、
前記第２の光学系で２分割された光束をそれぞれ受光する一対の第２焦点検出素子と、
前記第１および第２焦点検出素子を同一面上に保持する保持手段とを備えた焦点検出装置であって、
前記第２距離を前記第１距離よりも短くするとともに、前記保持手段を前記第１方向の軸回りに角度調整する角度調整機構を設けたことを特徴とする焦点検出装置。
【請求項４】  請求項１〜３のいずれか１項に記載の焦点検出装置を備えたことを特徴とするカメラ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
一実施の形態を示す図面に対応づけて説明すると、請求項１の発明は、撮影レンズＬＥの光軸ＬＸから第１方向に第１距離だけ離間した第１焦点検出領域Ｌ（Ｒ）からの光束を、光軸ＬＸ側に所定の偏向角θで偏向して２分割する第１の光学系３Ｌ（３Ｒ），７と、撮影レンズＬＥの光軸ＬＸから第２方向に第２距離だけ離間した第２焦点検出領域Ｔ（Ｂ）からの光束を２分割する第２の光学系３Ｔ（３Ｂ），７と、第１の光学系で２分割された光束を上記偏向角θに応じた角度でそれぞれ受光する一対の第１焦点検出素子９Ｌａ，９Ｌｂ（９Ｒａ，９Ｒｂ）と、第２の光学系で２分割された光束をそれぞれ受光する一対の第２焦点検出素子９Ｔａ，９Ｔｂ（９Ｂａ，９Ｂｂ）と、第１および第２焦点検出素子を同一面上に保持する保持手段９とを備えた焦点検出装置に適用される。
そして、第２距離を第１距離よりも短くし、第２焦点検出領域Ｔ（Ｂ）からの光束を第１の光学系３Ｌ（３Ｒ）による偏向角よりも小さい偏向角で光軸側に偏向するか、あるいは全く偏向せずに２分割するよう第２の光学系３Ｔ（３Ｂ）を構成し、さらに保持手段９を第１方向の軸Ｘ回りに角度調整して装置本体５に固定するための角度調整機構５ａを設け、これにより上記問題点を解決する。
請求項２の発明は、上記第１方向を長方形の撮影画面Ｐにおける長辺方向とし、第２方向を上記撮影画面における短辺方向としたものである。
請求項３の発明に係る焦点検出装置は、第２距離を第１距離よりも短くするとともに、保持手段を第１方向の軸回りに角度調整する角度調整機構を設けたことを特徴とする。
請求項４の発明に係るカメラは、上記焦点検出を備えて成る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2001311870.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月6日(2007.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】
前記凸部は、回転対称または略回転対称な形状を有し、
前記平坦化する工程では、前記凸部の形状が写された前記凹部の対称軸に対して垂直または略垂直な平坦面が形成されるように、前記第２の光学材料の表面を研磨する
請求項２４記載の光学素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明に係る第１の光学素子の製造方法では、より好適には、前記凸部は、回転対称または略回転対称な形状を有し、前記平坦化する工程では、前記凸部の形状が写された前記凹部の対称軸に対して垂直または略垂直な平坦面が形成されるように、前記第２の光学材料の表面を研磨する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタと、保持容量と、前記薄膜トランジスタのドレイン領域にドレイン電極を介して電気的に接続された透光性を有する導電膜と、が少なくとも配置された第１の基板と、
少なくともカラーフィルターが配置された第２の基板と、
を有し、
前記薄膜トランジスタのゲート電極と、前記保持容量の一方の電極と、が第１の遮光性を有する導電膜から形成されており、
前記薄膜トランジスタのソース領域に電気的に接続されたソース配線と、前記ドレイン電極と、が第２の遮光性を有する導電膜から形成されており、
前記保持容量の一方の電極は、前記ソース配線と前記透光性を有する導電膜との間隙と、に重なって配置されており、
前記第１の基板と前記第２の基板との間には、液晶が封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタと、保持容量と、前記薄膜トランジスタのドレイン領域にドレイン電極を介して電気的に接続された透光性を有する導電膜と、が少なくとも配置された第１の基板と、
少なくともカラーフィルターが配置された第２の基板と、
を有し、
前記薄膜トランジスタのゲート電極に電気的に接続されたゲート配線と、前記保持容量の一方の電極と、が第１の遮光性を有する導電膜から形成されており、
前記薄膜トランジスタのソース領域に電気的に接続されたソース配線と、前記ドレイン電極と、が第２の遮光性を有する導電膜から形成されており、
前記保持容量の一方の電極は、前記ソース配線と前記透光性を有する導電膜との間隙と、前記ソース配線のエッジの一部と、前記透光性を有する導電膜のエッジの一部と、に重なって配置されており、
前記第１の基板と前記第２の基板との間には、液晶が封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのドレイン領域にドレイン電極を介して電気的に接続された透光性を有する導電膜と、が少なくとも配置された第１の基板と、
少なくともカラーフィルターが配置された第２の基板と、
を有し、
前記薄膜トランジスタのソース領域に電気的に接続されたソース配線と、前記薄膜トランジスタのゲート電極と、が第１の遮光性を有する導電膜から形成されており、
前記ゲート電極に電気的に接続されたゲート配線と、前記ドレイン電極と、が第２の遮光性を有する導電膜から形成されており、
前記ドレイン電極は、前記ソース配線と前記透光性を有する導電膜との間の間隙と、前記ソース配線のエッジの一部と、前記透光性を有する導電膜のエッジの一部と、に重なって配置されており、
前記第１の基板と前記第２の基板との間には、液晶が封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記カラーフィルターの色に応じて、前記ドレイン電極の面積が異なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記カラーフィルターの色の比視感度に応じて、前記ドレイン電極の面積が異なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのドレイン領域にドレイン電極を介して電気的に接続された透光性を有する導電膜と、が少なくとも配置された第１の基板と、
少なくともカラーフィルターが配置された第２の基板と、
を有し、
前記薄膜トランジスタのソース領域に電気的に接続されたソース配線と、前記薄膜トランジスタのゲート電極と、が第１の遮光性を有する導電膜から形成されており、
前記ゲート電極に電気的に接続されたゲート配線と、前記ドレイン電極と、が第２の遮光性を有する導電膜から形成されており、
前記ゲート電極は、前記ソース配線と前記透光性を有する導電膜との間の間隙と、前記ソース配線のエッジの一部と、前記透光性を有する導電膜のエッジの一部と、に重なって配置されており、
前記第１の基板と前記第２の基板との間には、液晶が封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのドレイン領域にドレイン電極を介して電気的に接続された透光性を有する導電膜と、が少なくとも配置された第１の基板と、
少なくともカラーフィルターが配置された第２の基板と、
を有し、
前記薄膜トランジスタのソース領域に電気的に接続され第１及び第２の幅を有するソース配線と、前記薄膜トランジスタのゲート電極と、が第１の遮光性を有する導電膜から形成されており、
前記ゲート電極に電気的に接続されたゲート配線と、前記ドレイン電極と、が第２の遮光性を有する導電膜から形成されており、
前記第２の幅は前記第１の幅の２倍以上であり、
前記第２の幅を有する領域は、前記透光性を有する導電膜に重なって配置されており、
前記第１の基板と前記第２の基板との間には、液晶が封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記ドレイン電極の一部は、前記透光性を有する導電膜と接して重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の基板と前記第２の基板との間には、前記ドレイン電極と重なる位置にスペーサが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の半導体装置を用いて作製された電子機器。