【手続補正書】
【提出日】平成19年3月9日(2007.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】絶縁膜の形成方法及び絶縁膜形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板が有する被処理面を第１のガスにより生成された酸素原子活性種によって酸化することで、前記被処理基板に第１の絶縁膜を形成する工程と、
表面波プラズマから生成された活性種により前記被処理基板近傍に供給された第２のガスを化学反応させて、前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程とを有していることを特徴とする絶縁膜の形成方法。
【請求項２】
前記酸素原子活性種は、電磁波により前記第１のガスを励起させることで発生する表面波プラズマによって生成させることを特徴とする請求項１に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項３】
前記第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜を形成する工程とを、１つの処理容器内で連続して行うことを特徴とする請求項１に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項４】
前記第１の絶縁膜を形成する工程は、前記被処理基板が搬入された処理容器の内部に第１のガスを供給し、前記処理容器の内部で前記第１のガスによる表面波プラズマを生じさせることにより酸素原子活性種を生成させ、この酸素原子活性種によって前記被処理基板の被処理面を酸化し、前記被処理基板に第１の絶縁膜を形成する工程を有しており、
前記第２の絶縁膜を形成する工程は、前記処理容器の内部に前記第１のガスを連続して供給し続けるとともに前記表面波プラズマのプラズマ放電を連続して行っている状態で、前記処理容器の内部にさらに第２のガスを供給し、前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程を有していることを特徴とする請求項３に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項５】
前記第１のガスと前記第２のガスとを分離して供給することを特徴とする請求項４に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項６】
前記第２のガスを供給するときに、前記第２のガスの流量よりも前記第１のガスの流量が多くなるように設定していることを特徴とする請求項４又は５に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項７】
前記第２のガスを供給するときに、前記第２のガスの供給量が段階的に増加するように設定していることを特徴とする請求項４又は５に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項８】
前記第１のガスは、酸素ガス、又は、酸素ガスと希ガスとを含む混合ガスであることを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項９】
前記第２のガスは、シラン、有機シリコン化合物、又は、有機金属化合物のうちの少なくとも１つを含んでいることを特徴とする請求項４乃至８のいずれか１項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項１０】
前記被処理基板は、外部に露出する部分の少なくとも一部に半導体領域を有しているとともに、前記半導体領域の表面を前記被処理面としていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項１１】
前記化学的気相堆積法を行うことによって前記処理容器の内部に付着した絶縁膜を除去する工程をさらに有していることを特徴とする請求項４乃至１０のいずれか１項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項１２】
被処理基板の被処理面を酸素原子活性種により酸化することにより第１の絶縁膜を形成する第１の処理室と、
この第１の処理室に連通機構を介して設けられた，前記第１の絶縁膜上に表面波プラズマを用いて化学的気相堆積法によって第２の絶縁膜を形成する第２の処理室と、
前記連通機構を開き、前記第１の処理室で前記第１の絶縁膜が形成された前記被処理基板を真空中で前記第２の処理室へ移動する被処理基板移動機構と、
前記第１の処理室および第２の処理室に夫々導波管を介して接続された前記第１の処理室および第２の処理室に導入された処理ガスを励振させる電磁波を生成する電磁波源を具備することを特徴とする絶縁膜形成装置。
【請求項１３】
被処理基板を支持する基板支持台が設けられた処理容器と、
この処理容器に導波管を介して接続された電磁波源と、
前記処理容器に設けられた，前記高周波電源から生成された電磁波により励振されて前記被処理基板の被処理面を酸化するための酸素原子活性種を発生する処理ガスを前記処理容器内に導入する第１のガス導入系と、
前記処理容器に設けられた，前記酸素原子活性種と反応して分解する絶縁膜成膜用ガスを前記処理容器内に導入する第２のガス導入系とを備え、
前記第１のガス導入系から前記処理ガスを導入し前記電磁波源から電磁波を導入して表面波プラズマを発生させ、この表面波プラズマから前記酸素原子活性種を発生させ前記被処理基板の被処理面を酸化したのち、前記表面波プラズマを発生した状態で前記第２のガス導入系から絶縁膜成膜用ガスを前記処理容器内に導入することを特徴とする絶縁膜形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や金属酸化物半導体素子（ＭＯＳ素子）等の半導体素子、半導体集積回路装置のような半導体装置、或いは、液晶表示装置のような表示装置の製造プロセスで絶縁膜を形成する場合に適用される絶縁膜の形成方法及び絶縁膜形成装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、このような事情にもとづいてなされたもので、被処理基板やこの被処理基板に形成される絶縁膜に損傷が与えられるのを抑制しつつ、被処理基板に膜質の良好な絶縁膜を形成することができる絶縁膜の形成方法及び絶縁膜形成装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一形態に係る絶縁膜の形成方法は、被処理基板が有する被処理面を第１のガスにより生成された酸素原子活性種によって酸化することで、前記被処理基板に第１の絶縁膜を形成する工程と、表面波プラズマから生成された活性種により前記被処理基板近傍に供給された第２のガスを化学反応させて、前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程とを有している。  
本発明の一形態に係る絶縁膜形成装置は、被処理基板の被処理面を酸素原子活性種により酸化することにより第１の絶縁膜を形成する第１の処理室と、この第１の処理室に連通機構を介して設けられた，前記第１の絶縁膜上に表面波プラズマを用いて化学的気相堆積法によって第２の絶縁膜を形成する第２の処理室と、前記連通機構を開き、前記第１の処理室で前記第１の絶縁膜が形成された前記被処理基板を真空中で前記第２の処理室へ移動する被処理基板移動機構と、前記第１の処理室および第２の処理室に夫々導波管を介して接続された前記第１の処理室および第２の処理室に導入された処理ガスを励振させる電磁波を生成する電磁波源を具備している。 
本発明の他の形態に係る絶縁膜形成装置は、被処理基板を支持する基板支持台が設けられた処理容器と、この処理容器に導波管を介して接続された電磁波源と、前記処理容器に設けられた，前記高周波電源から生成された電磁波により励振されて前記被処理基板の被処理面を酸化するための酸素原子活性種を発生する処理ガスを前記処理容器内に導入する第１のガス導入系と、前記処理容器に設けられた，前記酸素原子活性種と反応して分解する絶縁膜成膜用ガスを前記処理容器内に導入する第２のガス導入系とを備え、前記第１のガス導入系から前記処理ガスを導入し前記電磁波源から電磁波を導入して表面波プラズマを発生させ、この表面波プラズマから前記酸素原子活性種を発生させ前記被処理基板の被処理面を酸化したのち、前記表面波プラズマを発生した状態で前記第２のガス導入系から絶縁膜成膜用ガスを前記処理容器内に導入することを特徴とする。