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【手続補正書】
【提出日】平成19年5月11日(2007.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、比較例１の発光素子のＸ−Ｘ線上の発光強度のＬＥＤの発光面内での分布を測定した結果を図１１に示す。実施例に比較し、ＬＥＤの中央部の発光強度が低下する傾向があり、またＬＥＤの上部に配設したオーミック性の影響によって、発光強度の面内分布に不均一を生じている。また、比較例１のＬＥＤの輝度は１６００ｍｃｄであった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
その後実施例と同様にして、上記の電極３８を形成したエピタキシャルウェーハを、通常のスクライブ法により素子の形状に裁断して個別に細分化し、ＬＥＤとなした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
比較例３では、半導体層４３の上に形成する電極の構造を前記の実施例と異なるものとした。すなわち、比較例３では上部クラッド層４３５の表面に、厚さ５０ｎｍの金・ゲルマニウム合金を下層とし、厚さ５０ｎｍの金を上層とし、直径を約５０μｍとする円形のオーミック性の分配電極４７を形成した。分配電極４７は近接する相互の距離を２００μｍとし等間隔に半導体層４３の表面に配置した。次に、上部クラッド層４３５とその表面の分配電極４７とを覆って、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）からなる透明導電膜４４を、膜厚約３００ｎｍとして半導体層４３上に被着させた。その後、透明導電膜４４の隅部に、前記の実施例で形成した台座電極と同じ厚さを約１２００ｎｍ、直径を約１１０μｍとする金からなる台座電極４６を形成した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
その後実施例と同様にして、上記の電極４６，４７および透明導電膜４４を形成したエピタキシャルウェーハを、通常のスクライブ法により素子の形状に裁断して個別に細分化し、ＬＥＤとなした。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2004363572.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2004363572.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月28日(2007.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランダムポテンシャルによって生成される量子局在状態へ、電子−正孔対の生成により供給される電子をトラップさせることにより初期の電子分布を形成し、所定の操作により上記電子系の拡散性を増加させ、所定の時間が経過した後、電子分布を検出することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記電子系へ正孔を注入することによる電子−正孔再結合発光により終状態の電子分布を検出することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
上記電子系の拡散性を増加させるための上記操作は、上記半導体装置が置かれている環境の温度を上昇させることであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
上記電子系の拡散性を増加させるための上記操作は、ランダムポテンシャルが大きい層とランダムポテンシャルが小さい層とが量子的に結合した動作領域において、これらの層を貫く電界の強度を大きくすることであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
上記量子局在状態が存在する領域の外に量子箱が形成されており、上記領域の上記量子局在状態にトラップされた電子をこの量子箱に移動させ、この電子の光吸収を検出することにより、任意の時刻における電子分布を検出することを特徴とする請求項１、３または４記載の半導体装置。
【請求項６】
正孔保持層と障壁層とランダムポテンシャルが導入された機能層と絶縁層とが順次積層された構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
正孔保持層と第１の障壁層とランダムポテンシャルが導入された局在層と第２の障壁層と伝導層と絶縁層とが順次積層された構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
正孔保持層と第１の障壁層とランダムポテンシャルが導入された機能層と第２の障壁層と量子箱層と絶縁層とが順次積層された構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
正孔保持層と第１の障壁層とランダムポテンシャルが導入された局在層と第２の障壁層と伝導層と第３の障壁層と量子箱層と絶縁層とが順次積層された構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
上記半導体装置は巡回セールスマン問題を解くためのものであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項１１】
ランダムポテンシャルによって生成される量子局在状態へ、電子−正孔対の生成により供給される電子をトラップさせることにより初期の電子分布を形成するステップと、
所定の操作により上記電子系の拡散性を増加させるステップと、
所定の時間が経過した後、電子分布を検出するステップとを有することを特徴とする半導体装置の動作方法。
【請求項１２】
上記電子系へ正孔を注入することによる電子−正孔再結合発光により終状態の電子分布を検出することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の動作方法。
【請求項１３】
上記半導体装置は巡回セールスマン問題を解くためのものであることを特徴とする請求項１１または１２記載の半導体装置の動作方法。
【請求項１４】
ランダムポテンシャルによって生成される量子局在状態へ、電子−正孔対の生成により供給される電子をトラップさせることにより初期の電子分布を形成し、所定の操作により上記電子系の拡散性を増加させ、所定の時間が経過した後、電子分布を検出することを特徴とする情報処理装置。
【請求項１５】
正孔保持層と障壁層とランダムポテンシャルが導入された機能層と絶縁層とが順次積層された構造を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項１６】
正孔保持層と第１の障壁層とランダムポテンシャルが導入された局在層と第２の障壁層と伝導層と絶縁層とが順次積層された構造を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項１７】
正孔保持層と第１の障壁層とランダムポテンシャルが導入された機能層と第２の障壁層と量子箱層と絶縁層とが順次積層された構造を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項１８】
正孔保持層と第１の障壁層とランダムポテンシャルが導入された局在層と第２の障壁層と伝導層と第３の障壁層と量子箱層と絶縁層とが順次積層された構造を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項１９】
ランダムポテンシャルによって生成される量子局在状態へ、電子−正孔対の生成により供給される電子をトラップさせることにより初期の電子分布を形成するステップと、
所定の操作により上記電子系の拡散性を増加させるステップと、
所定の時間が経過した後、電子分布を検出するステップとを有することを特徴とする情報処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月20日(2007.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
格子緩和された高品質ＳｉＧｅオン・インシュレータ基板材料を製造する方法において、
Ｇｅの拡散バリアの働きをするのに充分なイオン濃度を有する注入リッチ領域を形成するためにＳｉ含有基板にイオンを注入する工程を含み、
前記注入リッチ領域は、その上にＳｉ含有基板の表面層が配置され、
注入されたＳｉ含有基板の上にＧｅ含有層を形成する工程を含み、
（ｉ）拡散バリア層の形成と、（ｉｉ）前記Ｇｅ含有層、および注入リッチ領域の上に配置されるＳｉ含有基板の前記表面層に渡るＧｅの相互拡散とを可能にする温度で基板を加熱する工程とを含み、これにより前記拡散バリア層の上に格子緩和されたＳｉＧｅ層を形成する、製造方法。
【請求項２】
前記注入イオンは、酸素イオン，窒素イオン，ＮＯイオン，不活性ガスまたはこれらの混合物を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記注入イオンは、酸素イオンを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記注入する工程は、ブランケット注入処理またはマスクされた注入処理を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記注入する工程は、４×１０17／ｃｍ2 以上のイオン・ドーズを用いて行われる高ドーズ・イオン注入処理を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
前記高ドーズ・イオン注入は、０．０５〜５００ｍＡ／ｃｍ2のビーム電流密度および１５０〜１０００ｋｅＶのエネルギーで作動するイオン注入装置内で行われる請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記高ドーズ・イオン注入処理は、２００℃〜８００℃の温度で行われる請求項５に記載の製造方法。
【請求項８】
前記高ドーズ・イオン注入処理は、ベース・イオン注入工程の後に続いて４Ｋ〜２００℃の温度で行われる更なるイオン注入工程を含む請求項５に記載の製造方法。
【請求項９】
前記更なるイオン注入工程は、０．０５〜１０ｍＡ／ｃｍ2のビーム電流密度で、１×１０14〜１×１０16／ｃｍ2 のイオン・ドーズ、４０ｋｅＶ以上のエネルギーを用いて行われる請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記注入する工程は、４×１０17／ｃｍ2 以下のイオン・ドーズを用いて行われる低ドーズ・イオン注入処理を含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記低ドーズ・イオン注入は、０．０５〜５００ｍＡ／ｃｍ2 のビーム電流密度および４０〜１００００ｋｅＶのエネルギーで作動するイオン注入装置内で行われる請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記低ドーズ・イオン注入処理は、１００℃〜８００℃の温度で行われる請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記低ドーズ・イオン注入処理は、ベース・イオン注入工程の後に続いて４Ｋ〜２００℃の温度で行われる更なるイオン注入工程を含む請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記更なるイオン注入工程は、０．０５〜１０ｍＡ／ｃｍ2 のビーム電流密度で、１×１０14〜１×１０16／ｃｍ2のイオン・ドーズ、４０ｋｅＶ以上のエネルギーを用いて行われる請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記Ｇｅ含有層は、ＳｉＧｅ合金層または純Ｇｅである請求項１に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記Ｇｅ含有層は、最大９９．９９原子パーセントのＧｅからなるＳｉＧｅ合金層である請求項１に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記Ｇｅ含有層は、減圧化学気相成長、常圧化学気相成長、超高真空化学気相成長、分子線エピタキシおよびプラズマ化学気相成長からなるグループから選択されるエピタキシャル成長処理によって形成される請求項１に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記加熱する工程の前に前記Ｇｅ含有層の上にＳｉキャップ層を形成する工程を更に含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記Ｓｉキャップ層は、エピＳｉ、エピＳｉＧｅ、ａ：Ｓｉ、ａ：ＳｉＧｅ、単結晶または多結晶Ｓｉ、またはこれらの多層の組み合わせを含む請求項１８に記載の製造方法。
【請求項２０】
表面酸化膜層は、前記加熱する工程の間に形成される請求項１に記載の製造方法。
【請求項２１】
ウエット化学エッチング処理を利用して前記表面酸化膜層を除去する工程を更に含む請求項２０に記載の製造方法。
【請求項２２】
前記加熱する工程は、少なくとも１つの酸素含有ガスを含む酸化雰囲気中で行われる請求項１に記載の製造方法。
【請求項２３】
不活性ガスを更に含み、前記不活性ガスが前記少なくとも１つの酸素含有ガスを希釈するために用いられる請求項２２に記載の製造方法。
【請求項２４】
前記加熱する工程は、９００℃〜１３５０℃の温度で行われる請求項１に記載の製造方法。
【請求項２５】
前記格子緩和されたＳｉＧｅ層の上に追加のＳｉＧｅ層を成長する工程を更に含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項２６】
前記追加のＳｉＧｅ層の上に歪みＳｉ層を形成する工程を更に含む請求項２５に記載の製造方法。
【請求項２７】
前記格子緩和されたＳｉＧｅ層の上に歪みＳｉ層を形成する工程を更に含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項２８】
Ｓｉ含有基板と、
前記Ｓｉ含有基板の上に存在してＧｅ拡散を妨げる絶縁領域と、
前記絶縁領域の上に存在する格子緩和されたＳｉＧｅ層とを備え、
前記格子緩和されたＳｉＧｅ層は、２０００ｎｍ以下の厚さおよび５×１０@7 原子／ｃｍ2 以下の欠陥密度を有する基板材料。
【請求項２９】
前記絶縁領域は、パターニングされた請求項２８に記載の基板材料。
【請求項３０】
前記絶縁領域は、埋め込み酸化膜領域である請求項２８に記載の基板材料。
【請求項３１】
前記格子緩和されたＳｉＧｅ層は、１〜１００％の測定された格子緩和を有する請求項２８に記載の基板材料。
【請求項３２】
Ｓｉ含有基板と、
前記Ｓｉ含有基板の上に存在してＧｅ拡散を妨げる絶縁領域と、
前記絶縁領域の上に存在する格子緩和されたＳｉＧｅ層と、
前記格子緩和されたＳｉＧｅ層の上に形成される歪みＳｉ層とを備え、
前記格子緩和されたＳｉＧｅ層は、２０００ｎｍ以下の厚さおよび５×１０7原子／ｃｍ2以下の欠陥密度を有するヘテロ構造。
【請求項３３】
前記絶縁領域は、パターニングされた請求項３２に記載のヘテロ構造。
【請求項３４】
前記絶縁領域は、埋め込み酸化膜領域である請求項３２に記載のヘテロ構造。
【請求項３５】
前記格子緩和されたＳｉＧｅ層は、１〜１００％の測定された格子緩和を有する請求項３２に記載の基板材料。
【請求項３６】
前記歪みＳｉ層は、エピＳｉ層を含む請求項３２に記載のヘテロ構造。
【請求項３７】
格子緩和されたＳｉＧｅと歪みＳｉの交互層が、前記歪みＳｉ層の上に形成される請求項３２に記載のヘテロ構造。
【請求項３８】
前記歪みＳｉ層は、ＧａＡｓとＧａＰからなるグループから選択される格子間不整合化合物で置き換えられる請求項３２に記載のヘテロ構造。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月28日(2007.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
こうしたソリッドステート放射線イメージャに関する１つの問題は、ダイナミックレンジが制限されることである。処理可能な最大の信号レベルは、フォトダイオードの両端のバイアス電圧（通常１−１０Ｖ）、及びフォトダイオードの静電容量（通常１００マイクロメートルピッチにつき０．４−０．８ｐＦ、平方ピッチに対応する）に比例する。ダイナミックレンジを増大させるためにバイアス又は静電容量を大きくすると、漏洩電流の増大又はより多くの点欠陥を含む様々な欠点がある。通常、Ｘ線用途において、最大Ｘ線信号レベルは、Ｘ線を通じてフォトダイオードに入射する光の量を低減することで増大することができる。かかる解決法の結果として得られる効果は、電子ノイズに対する感度がこれに応じて大きくなり、従って、最小信号レベルに関して逆効果となる。
【特許文献１】米国特許第６７７７６８５号
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月11日(2007.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Gd、Al、Ga、Oを主要元素とし、Ceを発光成分として含む酸化物蛍光体において、前記酸化物蛍光体に長周期型周期律表のIa族、IIa族、IVb族、及びVIIb族の元素の少なくとも一種の元素を含むことを特徴とする酸化物蛍光体。
【請求項２】
前記Gd、Al、Ga、Oを主要元素としCeを発光成分として含む酸化物蛍光体1モルに対して、前記一種の元素を含む化合物を0.001モルを超え5.0モル未満含むことを特徴とする請求項1記載の酸化物蛍光体。
【請求項３】
拡散透過率が60.0%以上、X線感度がCdWO4の1.8倍以上且つ励起停止後300msにおける残光の減衰率が5×10-5以下であることを特徴とする請求項２記載の酸化物蛍光体。
【請求項４】
セラミックスシンチレータと、このシンチレータの発光を検出するための光検出器とを備えたX線検出器において、前記セラミックスシンチレータとして請求項1乃至請求項３に記載の酸化物蛍光体を用いたことを特徴とする放射線検出器。
【請求項５】
Ｘ線源と、このＸ線源に対向して置かれたＸ線検出器と、これらＸ線源及びＸ線検出器を保持し、被検体の周りを回転駆動される回転円板と、前記Ｘ線検出器で検出されたＸ線の強度に基づき該被検体の断層像を画像再構成する画像再構成手段とを備えたＸ線ＣＴ装置において、前記Ｘ線検出器として請求項４に記載の放射線検出器を用いたことを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
即ち、本発明の酸化物蛍光体は、Gd、Al、Ga、Oを主要元素とし、Ceを発光成分として含む酸化物蛍光体において、前記酸化物蛍光体1モルに対して長周期型周期律表のIa族、IIa族、IVb族、及びVIIb族の元素の少なくとも一種の元素を含む化合物を0.001モルを超え5.0モル未満含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また本発明の酸化物蛍光体は、Gd、Al、Ga、Oを主要元素とし、Ceを発光成分として含む酸化物蛍光体であって、酸化物蛍光体1モルに対して長周期型周規期律表のIa族、IIa族、IVb族、及びVIIb族の元素の少なくとも一種の元素を0.001モルを超え5.0モル未満含み、拡散透過率が60.0%以上、Ｘ線感度がCdWO4の1.8倍以上且つ励起停止後300msにおける残光の減衰率が5×10-5以下のものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月7日(2007.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
採取し、選別された四万十層中の泥岩質部分を１０℃〜１００℃の温度で粉砕処理することにより得られた粒径０．６μｍ〜１００μｍの四万十層中の泥岩質部分の粉末を、不純物を含まない水性溶媒に浸漬して、前記泥岩質部分の粉末から有効ミネラル成分を抽出して得たミネラル液を、１質量％〜４０質量％含有することを特徴とするミネラル含有石鹸。
【請求項２】
前記泥岩質部分は、緑泥石，方解石および麦飯石の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載のミネラル含有石鹸。
【請求項３】
前記水性溶媒として、活性化によりクラスターを小さくした水性溶媒を用いることを特徴とする請求項１または２に記載のミネラル含有石鹸。
【請求項４】
採取し、選別された四万十層中の泥岩質部分を１０℃〜１００℃の温度で粉砕処理することにより得られた粒径０．６μｍ〜１００μｍの四万十層中の泥岩質部分の粉末を、不純物を含まない水性溶媒に浸漬して、前記泥岩質部分の粉末から有効ミネラル成分を抽出して得たミネラル液を、１質量％〜９９．８質量％含有することを特徴とするミネラル含有化粧品。
【請求項５】
前記泥岩質部分は、緑泥石，方解石および麦飯石の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項４に記載のミネラル含有化粧品。
【請求項６】
前記水性溶媒として、活性化によりクラスターを小さくした水性溶媒を用いることを特徴とする請求項４または５に記載のミネラル含有化粧品。
【請求項７】
採取し、選別された四万十層中の泥岩質部分を１０℃〜１００℃の温度で粉砕処理することにより得られた粒径０．６μｍ〜１００μｍの四万十層中の泥岩質部分の粉末を、請求項１に記載のミネラル液に換算して、１質量％〜４０質量％含有することを特徴とするミネラル含有石鹸。
【請求項８】
前記泥岩質部分は、緑泥石，方解石および麦飯石の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項７に記載のミネラル含有石鹸。
【請求項９】
採取し、選別された四万十層中の泥岩質部分を１０℃〜１００℃の温度で粉砕処理することにより得られた粒径０．６μｍ〜１００μｍの四万十層中の泥岩質部分の粉末を、３質量％〜７０質量％含有することを特徴とするミネラル含有化粧品。
【請求項１０】
前記泥岩質部分は、緑泥石，方解石および麦飯石の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項９に記載のミネラル含有化粧品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係るミネラル含有石鹸，化粧品類は、採取し、選別された四万十層中の泥岩質部分を１０℃〜１００℃の温度で粉砕処理することにより得られた粒径０．６μｍ〜１００μｍの四万十層中の泥岩質部分の粉末を、不純物を含まない水性溶媒に浸漬して、前記泥岩質部分の粉末から有効ミネラル成分を抽出して得たミネラル液を含有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明に係る他のミネラル含有石鹸，化粧品類は、採取し、選別された四万十層中の泥岩質部分を１０℃〜１００℃の温度で粉砕処理することにより得られた粒径０．６μｍ〜１００μｍの四万十層中の泥岩質部分の粉末を含有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月13日(2007.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両の緊急時に乗員をウェビングによって座席に拘束するシートベルト装置であって、
衝突の際に乗員の移動によって生ずるウェビング引出し荷重を判別する判別手段と、
前記ウェビングを巻取るボビンと、
衝突の際に前記ウェビング引出しによる前記ボビンの回転を阻止可能な回転阻止手段と、
前記ボビンと前記回転阻止手段間に介在し、前記ウェビング引出し荷重が各々に定められた値を超えると前記ボビンの回転を許容する複数のエネルギ吸収手段と、
前記ウェビング引出し荷重の判別結果に基づいて、前記複数のエネルギ吸収手段を全部作動状態から該判別結果に対応したエネルギ吸収手段を選択した選択的作動状態に移行させる選択手段と、
を備えることを特徴とするシートベルト装置。
【請求項２】
前記複数のエネルギ吸収手段の各々は前記ボビン内部にボビンの軸方向に延在する捻れ可能な部材からなり、各部材の各一端側が前記ボビンと係合し、各他端側が前記回転阻止手段と係合するものであり、
前記選択手段は、前記一端側及び／又は前記他端側に介在して前記係合を解除する、ことを特徴とする請求項１に記載のシートベルト装置。
【請求項３】
前記捻れ可能な部材は、前記ボビン内部に同軸に配置された、トーション軸及びトーションパイプを含む、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のシートベルト装置。
【請求項４】
前記ボビンの内周には軸方向に延在する長手の溝が形成され、
前記トーションパイプには前記長手の溝に対向して軸方向に延在する長手の貫通穴が形成され、
前記トーション軸には前記長手の貫通穴に対向して軸方向に延在する長手の溝とこの溝と連続する周方向に形成されたに周溝とが形成され、
前記選択手段は、前記ボビンの長手の溝、前記トーションパイプの長手の貫通穴、前記トーション軸の長手の溝にそれぞれ係合するロックプレートと、このロックプレートに付勢力を与えて前記トーション軸の軸方向に移動させるアクチュエータと、を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のシートベルト装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図１に示されるように、リトラクタベース３３は、対向する一対の側壁を有する略「コ」の字状の形状をしており、両側壁にそれぞれ設けられた開口部が軸受となって回転可能にボビン３４を保持している。ボビン３４は図示しないウェビングが巻装される略筒状の形状である。このボビン３４は中空となっており、中空内部にボビン３４と同軸に配置されたトーション軸３５及びトーションパイプ３６がある。トーション軸３５及びトーションパイプ３６相互間には僅かな隙間が存在し、トーションパイプ３６は軸方向において移動可能である。トーション軸３５及びトーションパイプ３６の右端側には、軸３５端部の軸中心に螺合するねじによって上述したロック機構３ｂが取付けられる。トーション軸３５及びトーションパイプ３６の左端側には、エネルギ吸収機構の動作態様を選択する動作選択機構が設けられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
図１２に示されるように、リトラクタベース３３は、対向する一対の側壁を有する略「コ」の字状の形状をしており、両側壁にそれぞれ設けられた開口部が軸受となって回転可能にボビン３４を保持している。ボビン３４は図示しないウェビングが巻装される略筒状の形状である。このボビン３４は中空となっており、中空内部にボビン３４と同軸に配置されたトーション軸３５及びトーションパイプ３６がある。トーション軸３５及びトーションパイプ３６相互間には僅かな隙間が存在し、トーションパイプ３６とトーション軸３５とは別個に捻れることが可能である。トーションパイプ３６は第１の実施例とは異なり、軸方向において移動することはない。トーション軸３５及びトーションパイプ３６の右端側には、軸３５端部の軸中心に螺合するねじによって上述したロック機構３ｂが取付けられる。トーション軸３５及びトーションパイプ３６の左端側には、エネルギ吸収機構の動作態様を選択する動作選択機構が設けられる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月31日(2007.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項５】  成分（ａ）のアスパルテームの配合量が、成分（ｃ）のアセトアミノフェンに対して０．１〜５０質量％である請求項１〜４のいずれか１項に記載の内服固形製剤。
【請求項６】  成分（ｂ）の酸味を呈する物質の配合量が、成分（ｃ）のアセトアミノフェンに対して０．１〜５００質量％である請求項１〜４のいずれか１項に記載の内服固形製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月5日(2007.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
情報化時代に入って、光化学的重合が多種多様の分野で頻用されるようになり、今では、その用途は、合成樹脂の分野を越えて、塗料、印刷用刷版、印刷回路、集積回路などの情報記録や電子機器の分野にまでおよぶようになった。光化学的重合は、重合性化合物を光照射によって重合させる技術であって、大別すると、重合性化合物に直接光照射し、活性化させることによって重合を開始する光重合と、重合性化合物に光増感剤を共存せしめた状態で光照射し、光増感剤の成長活性種を生成させることによって重合性化合物を重合させる光増感重合とがある。いずれの光化学的重合も、重合の開始及び停止が励起光の点滅によって制御可能であり、また、励起光の強度や波長を選択することによって重合速度や重合度を容易に制御できる特徴がある。しかも、光化学的重合は、一般に、重合開始のエネルギーが低いために、低温でも重合が可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
これまで、緑色域で発光する有機ＥＬ素子においては、ゲスト発光剤の配合による発光効率の改善が報告されているけれども、赤色域の発光においては、未だ効果的なゲスト発光剤が見出されておらず、依然として、完全な赤色発光とは程遠く、発光寿命が短かく、耐久性においても信頼性においても不充分な状況にある。例えば、特開平１０−６０４２７号公報及び米国特許第４７６９２９２号明細書に開示された有機ＥＬ素子は、輝度が充分でないうえに、発光が完全な赤色ではなく、したがって、フルカラーを実現するうえでなお問題があると言わざるを得ない。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月26日(2007.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】マグネシウム合金薄板の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  マグネシウム合金を溶解炉内で液体もしくは固液共存状態に融解し、溶解炉から流下するマグネシウム合金を凝固させると同時に圧縮して連続した板材を形成する凝固工程と、
連続した板材を所定サイズの板材に切断する切断工程と、
この板材に歪みを加えて板厚方向に圧縮変形させ薄板に形成する圧延工程と、
圧縮変形後の薄板を加熱処理する熱処理工程と
によりマグネシウム合金薄板を形成することを特徴とするマグネシウム合金薄板の製造方法。
【請求項２】  圧延工程と熱処理工程とを交互に複数回繰り返す請求項１に記載のマグネシウム合金薄板の製造方法。
【請求項３】  圧延工程における１回の圧縮変形量が、５〜２０％である請求項１、２のいずれか一項に記載のマグネシウム合金薄板の製造方法。
【請求項４】  熱処理工程における加熱処理温度が２００〜５００℃である請求項１、２のいずれか一項に記載のマグネシウム合金薄板の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マグネシウム合金薄板の製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みて創案されたもので、プレス加工等を可能とする延性に富むマグネシウム合金薄板の製造方法を提供することを目的とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明に係るマグネシウム合金薄板の製造方法は、マグネシウム合金を溶解炉内で液体もしくは固液共存状態に融解し、溶解炉から流下するマグネシウム合金を凝固させると同時に圧縮して連続した板材を形成する凝固工程と、連続した板材を所定サイズの板材に切断する切断工程と、この板材に歪みを加えて板厚方向に圧縮変形させ薄板に形成する圧延工程と、圧縮変形後の薄板を加熱処理する熱処理工程とによりマグネシウム合金薄板を形成することを特徴とするもので、溶融させたマグネシウム合金から連続した板材を形成し、これを所定サイズに切断した板材に対し、圧延工程により圧縮変形を加え、これを熱処理工程により加熱処理することにより、結晶粒径の小さいマグネシウム合金薄板が形成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
【発明の効果】
以上の説明の通り本発明によれば、溶融させたマグネシウム合金から連続した板材を形成し、これを所定サイズに切断した板材に対し、圧延工程により圧縮変形を加え、これを熱処理工程により加熱処理することにより、結晶粒径の小さいマグネシウム合金薄板が形成される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
実施形態に係るマグネシウム合金薄板の金属組織の状態を示す模式図。
【図２】
従来技術になるマグネシウム合金薄板の金属組織の状態を示す模式図。
【図３】
第１の製造方法によるマグネシウム合金薄板の製造工程を示す工程図。
【図４】
第２の製造方法によるマグネシウム合金薄板の製造構成を示す構成図。
【図５】
第３の製造方法によるマグネシウム合金薄板の製造構成を示す工程図。
【図６】
マグネシウム合金薄板をプレス加工したときの金属組織の状態を示す模式図。
【図７】
マグネシウム合金薄板を鍛造加工したときの金属組織の状態を示す模式図。
【符号の説明】
１  マグネシウム合金薄板
２  金型
３  板材
８  加熱炉
１１  溶解炉
１３  溶融マグネシウム合金
１４  ローラ
１５  切断機
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月2日(2007.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  運転によって循環する無端のベルトと、ベルト案内部とを備えた、平坦な被印刷体に画像付けする機械のためのベルト伝動装置において、
前記ベルト案内部が、前記ベルト（２５；２９；２９'；１０５）の長手方向に方向付けられて互いに前記ベルト（２５；２９；２９'；１０５）の横方向で対向する、前記ベルト（２５；２９；２９'；１０５）の突出する２つのエッジ（２５．３；２９．１；２９'．１；２９'．２；２９．３）のためのストッパ（２７；２８；２８'；２８''；２８'''）を含んでいることを特徴とするベルト伝動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月5日(2007.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基材上にアパタイト層が、積層した部分と、積層しない部分及び／又はそれらの組合せを含む微細構造体。
【請求項２】  前記のアパタイト層が、置換されていてもよいヒドロキシアパタイトである、請求項１記載の構造体。
【請求項３】  請求項１又は２記載の構造体を、それぞれ異なる又は同一のパターンで繰り返し形成させた微細積層構造体。
【請求項４】  （ａ）基材の少なくとも１の面において、アパタイト層を形成させない領域を、被覆材で被覆する工程；
（ｂ）アパタイト層を形成させる工程；並びに
（ｃ）被覆材を除去する工程
を含む、基材の表面に、所望のパターン又は微細構造体を有するアパタイト層を形成させる方法。
【請求項５】  前記（ｂ）工程において、Ｃａイオンが、０．０２〜２５mmol・l-1、及びＰイオン（Ｐ含有陰イオンとして含まれるリンの量）が、０．１〜１０mmol・l-1含まれ、pHが６〜８である溶液を用いることを特徴とする、請求項４記載の方法。
【請求項６】  活性物質の存在下に、前記工程（ｂ）を行うことを特徴とする、請求項４又は５記載の方法。
【請求項７】  前記の基材が、活性物質である、請求項４〜６記載のいずれか１項記載の記載の方法。
【請求項８】  前記の被覆材が、ホトレジストである、請求項４〜７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】  前記のアパタイト層が、置換されていてもよいヒドロキシアパタイトである、請求項４〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】  請求項４〜９のいずれか１項記載の方法によって微細構造体又はパターンを形成された電子素子。
【請求項１１】  請求項４〜９のいずれか１項記載の方法によって微細構造体又はパターンを形成された生体適合材。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月6日(2007.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】連続的ヒドロシリル化反応方法、変性された液状有機珪素化合物の連続的製造方法および連続的ヒドロシリル化反応装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 （Ａ）珪素原子結合水素原子を１分子中に少なくとも１個有する液状珪素化合物と、（Ｂ）脂肪族不飽和結合を１分子中に少なくとも１個有する液状有機化合物を、（Ｃ）白金系触媒の存在下でヒドロシリル化反応させる方法において、該ヒドロシリル化反応を、内部に攪拌手段兼栓流性維持手段を有する筒状反応装置中で連続的に行うことを特徴とする、連続的ヒドロシリル化反応方法。
【請求項２】 該筒状反応装置は円筒状であり、攪拌手段兼栓流性維持手段として複数の円盤を有する回転軸を内部に有することを特徴する、請求項１記載の連続的ヒドロシリル化反応方法。
【請求項３】 該円盤は少なくとも１個の通液孔及び／または切欠き部を有することを特徴とする、請求項２記載の連続的ヒドロシリル化反応方法。
【請求項４】 該回転軸を１０〜２０００ｒｐｍで回転させながらヒドロシリル化反応を行うことを特徴とする、請求項２記載の連続的ヒドロシリル化反応方法。
【請求項５】 該筒状反応装置は、冷媒を通液したジャケットにより冷却されていることを特徴とする、請求項１または請求項２記載の連続的ヒドロシリル化反応方法。
【請求項６】 該筒状反応装置の川下にスタチック反応装置を接続してヒドロシリル化反応を行うことを特徴とする請求項１または請求項２記載の連続的ヒドロシリル化反応方法。
【請求項７】 （Ａ）成分と（Ｂ）成分を予めプレミキサーで混合してから該筒状反応装置に導入してヒドロシリル化反応を行うことを特徴とする、請求項１、請求項２または請求項６記載の連続的ヒドロシリル化反応方法。
【請求項８】 プレミキサーがダイナミックミキサーであることを特徴とする、請求項７記載の連続的ヒドロシリル化反応方法。
【請求項９】 （Ａ）成分がオルガノハイドロジェンポリシロキサンであり、（Ｂ）成分が片末端にアルケニル基を有するポリオキシアルキレンまたはアルケンであることを特徴とする、請求項１、請求項２、請求項６または請求項７記載の連続的ヒドロシリル化反応方法。
【請求項１０】 内部に攪拌手段兼栓流性維持手段を有する筒状反応装置中で（Ａ）珪素原子結合水素原子を１分子中に少なくとも１個有する液状珪素化合物と（Ｂ）脂肪族不飽和結合を１分子中に少なくとも１個有する液状有機化合物を（Ｃ）白金系触媒の存在下で連続的にヒドロシリル化反応させることを特徴とする、変性された液状有機珪素化合物の連続的製造方法。
【請求項１１】（Ａ）珪素原子結合水素原子を１分子中に少なくとも１個有する液状珪素化合物と、（Ｂ）脂肪族不飽和結合を１分子中に少なくとも１個有する液状有機化合物を、（Ｃ）白金系触媒の存在下で連続的にヒドロシリル化反応させるための、内部に攪拌手段兼栓流性維持手段を有し筒状であることを特徴とする、連続的ヒドロシリル化反応装置。
【請求項１２】攪拌手段兼栓流性維持手段として複数の円盤を有する回転軸を内部に有することを特徴とする、請求項１１記載の連続的ヒドロシリル化反応装置。
【請求項１３】該円盤は少なくとも１個の通液孔及び／または切欠き部を有することを特徴とする、請求項１２記載の連続的ヒドロシリル化反応装置。
【請求項１４】該筒状反応装置は、冷媒を通液したジャケットにより冷却されていることを特徴とする、請求項１１または請求項１２記載の連続的ヒドロシリル化反応装置。
【請求項１５】該筒状反応装置の川下にスタチック反応装置を接続していることを特徴とする、請求項１１または請求項１２記載の連続的ヒドロシリル化反応装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、内部に攪拌手段兼栓流 性維持手段を有する筒状反応装置中で連続的にヒドロシリル化反応する方法、変性された液状有機珪素化合物の連続的製造方法および連続的ヒドロシリル化反応装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者らは上記問題点を解消するため鋭意検討した結果、本発明に到達した。本発明の目的は、タンク型反応装置を使用することなく、有機溶剤で希釈することなく、迅速かつ効率的にヒドロシリル化反応する方法、変性された液状有機珪素化合物の連続的製造方法およびそのための連続的ヒドロシリル化反応装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）珪素原子結合水素原子を１分子中に少なくとも１個有する液状珪素化合物と、（Ｂ）脂肪族不飽和結合を１分子中に少なくとも１個有する液状有機化合物を、（Ｃ）白金系触媒の存在下でヒドロシリル化反応させる方法において、該ヒドロシリル化反応を、内部に攪拌手段兼栓流性維持手段を有する筒状反応装置中で行うことを特徴とする、連続的ヒドロシリル化反応方法；内部に攪拌手段兼栓流性維持手段を有する筒状反応装置中で（Ａ）珪素原子結合水素原子を１分子中に少なくとも１個有する液状珪素化合物と（Ｂ）脂肪族不飽和結合を１分子中に少なくとも１個有する液状有機化合物を（Ｃ）白金系触媒の存在下で連続的にヒドロシリル化反応させることを特徴とする、変性された液状有機珪素化合物の連続的製造方法；および上記連続的ヒドロシリル化反応のための、内部に攪拌手段兼栓流性維持手段を有し筒状であることを特徴とする、連続的ヒドロシリル化反応装置を要旨とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（Ａ）成分がオルガノハイドロジエンポリシロキサンのような親油性物質であり、（Ｂ）成分がアルケニル基を片末端に有するポリオキシアルキレンのような親水性物質である場合、すなわち、（Ａ）成分と（Ｂ）成分に相溶性がなく、反応組成物と未反応の（Ｂ）成分とが相溶性が小さい場合、該筒状反応装置中での反応は最も効果的な反応方法となる。したがって、該円盤の回転により各成分がよく混合され、栓流性が確保されるので反応効率がよく、反応装置の小型設計が可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2001294666.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2001294666.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月23日(2007.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下記一般式（１）で表される基を末端基として有し、下記一般式（２）で表される基を繰り返し単位として有する化合物において、１，４−シクロヘキサンジカルボキシレート構造単位中のシス構造の割合が、全ての１，４−シクロヘキサンジカルボキシレート構造単位に対して３０％以上である化合物からなることを特徴とするプラスチックレンズ材料。
一般式（１）
【化１】
2001294620.tif 000001
一般式（２）
【化２】
2001294620.tif 000002
（式中、Ｒ1はそれぞれ独立にアリル基またはメタリル基のいずれかを表し、Ｘはそれぞれ独立に２個〜６個の水酸基を有する炭素数２〜炭素数２０の多価アルコールから誘導された有機残基を表す。ただし、Ｘはエステル結合によって、さらに上記一般式（１）を末端基とし、上記一般式（２）を繰り返し単位とする分岐構造を有することが出来る。）
【請求項２】  多価アルコールが、プロピレングリコールであることを特徴とする請求項１に記載のプラスチックレンズ材料。
【請求項３】  請求項１または請求項２に記載のプラスチックレンズ材料のうち少なくとも一種以上、及び下記一般式（３）で表される化合物のうち少なくとも一種以上、を含有することを特徴とするプラスチックレンズ用組成物。
一般式（３）
【化３】
2001294620.tif 000003
（式中、Ｙは２個〜６個の水酸基を有する炭素数２〜炭素数２０の多価飽和アルコールから誘導された一種以上の有機残基を表し、Ｒ2は、アリル基またはメタリル基のいずれかを表す。ただし、それぞれのＲ2は、それぞれ独立である。またＹの水酸基の数をｎとした場合に、ｓは０〜ｎ−１の整数のいずれかであり、ｔは１〜ｎの整数のいずれかであり、且つｓ＋ｔ＝ｎである。）
【請求項４】  請求項１または請求項２に記載のプラスチックレンズ材料のうち少なくとも一種以上：０．０５質量％〜３０質量％、一般式（３）で表される化合物のうち少なくとも一種以上：５０質量％〜９９．９５質量％、及び請求項１または２に記載のプラスチックレンズ材料または一般式（３）で表される化合物と共重合可能なモノマーのうち少なくとも一種以上：０質量％〜２０質量％を含有することを特徴とする請求項３に記載のプラスチックレンズ用組成物。
【請求項５】  一般式（３）で表される化合物が、ジエチレングリコールビスアリルカーボネートであることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載のプラスチックレンズ用組成物。
【請求項６】  請求項３〜請求項５のいずれかに記載のプラスチックレンズ用組成物を硬化して得られるプラスチックレンズ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
（１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジアリルの製造例−２）１，４−シクロヘキサンジカルボン酸（シス／トランス＝６．５／３．５）（イーストマン・ケミカル社製）１０００ｇの代わりに、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸（トランス体１００％）（アルドリッチ社製）１０００ｇを用いた以外は１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジアリルの製造例−１と同様の操作を行い、１４７℃〜１５０℃／０．４ｋＰａで蒸留を行い、１３００ｇの無色透明液体を得た（以下、「サンプルＢ」とする。）。この液体を、ガスクロマトグラフ法により、分析したところ、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジアリルのトランス構造が１００％であった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
また、サンプルＡとサンプルＢを混合して、シス構造とトランス構造の存在比が２／８である１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジアリル（以下、「サンプルＣ」とする。）、シス構造とトランス構造の存在比が５／５である１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジアリル（以下、「サンプルＤ」とする。）及び、シス構造とトランス構造の存在比が３／７である１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジアリル（以下、「サンプルＥ」とする。）を調整した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３８】実施例１
表３に記したように、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（ＡｋｚｏＮｏｂｅｌ社製 商品名Ｎｏｕｒｙｓｅｔ２００）９７．０重量部、サンプルＦを５．０重量部、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート（ＩＰＰ）を３重量部配合して、混合攪拌して完全に均一にした溶液組成物とし、そのときの粘度を測定した。その後、減圧可能なデシケーターに、この溶液が入った容器を入れ、約１５分真空ポンプで減圧することにより、溶液中の気体を脱気した。この溶液組成物を、眼鏡プラスチックレンズ用のガラス製の型と樹脂性のガスケットによって組み立てられた型に気体が混入しないように慎重に注射器にて注入した後、オーブン中で、４０℃で７時間、４０℃〜６０℃まで１０時間、６０℃〜８０℃まで３時間、８０℃で１時間、８５℃で２時間のプログラム昇温加熱により硬化させた。
【プルーフの要否】要
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年10月5日(2007.10.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  重合用の触媒系であって、
第一に以下の一般式AまたはBの何れかによって表される、有機金属錯化合物：
【化１】
2001294607.tif 000001
（式中、Lnはランタノイド金属を表し、その原子番号は57〜71の範囲内であり得、Xは、ハロゲン原子を表し、塩素、フッ素、臭素またはヨウ素であり得、上記式Aにおいて、該金属Lnには、2つのリガンド分子CPAが結合しており、その各々は置換シクロペンタジエニル基からなり、上記式Bにおいて、金属Lnには、1つのリガンド分子が結合しており、該リガンドは置換または無置換の2つのシクロペンタジエニル基またはフルオレニル基CpBからなり、該2つの基は、式MR2（式中Mはメンデレエフ周期律表の第IVA族の元素であり、またRは炭素原子数1〜20のアルキル基を表し）に対応する架橋Pにより相互に結合している。）、
および、
第二にアルキルマグネシウム、アルキルリチウム、アルキルアルミニウムまたはグリニャール試薬からなる群から選択され、もしくはこれら成分の混合物からなる助触媒とを含み、
上記一般式Aにおいて、CpAが式：(C5H4)(SiMe3)(式中、Meはメチル基を表す)に対応するアルキルシリル基によって置換されたシクロペンタジエニル基からなり、かつ上記一般式Bにおいて、CpBが(C5H3)(SiMe3)(式中、Meはメチル基を表す)に対応するアルキルシリル基によって置換されたシクロペンタジエニル基または式：C13H8に対応する無置換フルオレニル基からなることを特徴とする、上記重合用触媒系。
【請求項２】  請求項１記載の触媒系の製造方法であって、第一段階において有機金属錯化合物を製造する工程を含み、
その第一工程において式：HCpで表される水素化されたリガンド分子をアルキルリチウムと反応させて、リチウム塩を生成し、
第二工程において、錯化溶媒中で、該塩をランタノイドのトリハライド無水物と反応させ、ここで該ランタノイドのトリハライドは、式：LnX3で表され、Xは塩素、フッ素、臭素またはヨウ素であり得るハロゲン原子を表し、
第三工程において、該錯化溶媒を蒸発させ、次いで非-錯化溶媒で、該第二工程の終了時点において得られる生成物を抽出し、および場合によって
第四の工程において該第三工程の終了時点において抽出された生成物を結晶化させて、該錯化溶媒をまったく含まない、上記の有機金属錯化合物を得ることを含み、
第二段階において、かくして調製された有機金属錯化合物に、該助触媒を添加する工程を含むことを特徴とする、上記方法。
【請求項３】  エチレンと共役ジエンとのコポリマーの製造方法であって、不活性炭化水素溶媒中で、エチレンおよび共役ジエンの存在下で、触媒系を作用させる工程を含み、該工程が、
第一に、以下の一般式A'またはB'の何れかによって表される、有機金属錯化合物：
【化２】
2001294607.tif 000002
（式中、Lnはランタノイド金属を表し、その原子番号は57〜71の範囲内であり得、Xは、ハロゲン原子を表し、塩素、フッ素、臭素またはヨウ素であり得、上記式A'において、金属Lnには、2つのリガンド分子CP1およびCP2が結合しており、その各々は同一または異なっており、置換または無置換のシクロペンタジエニル基またはフルオレニル基からなり、上記式B'において、金属Lnには、1つのリガンド分子が結合しており、該リガンドは置換または無置換の2つのシクロペンタジエニル基またはフルオレニル基Cp1およびCP2からなり、かつ該2つの基は、式MR2（式中Mはメンデレエフ周期律表の第IVA族の元素であり、またRは炭素原子数1〜20のアルキル基を表す）に対応する架橋Pにより相互に結合している）、および、
第二に、アルキルマグネシウム、アルキルリチウム、アルキルアルミニウムまたはグリニャール試薬からなる群から選択され、もしくはこれら成分の混合物からなる助触媒、
とを含む触媒系の使用を含むことを特徴とする、上記コポリマーの製造方法。
【請求項４】  有機金属錯化合物として、CP1およびCP2が同一であり、その各々がシクロペンタジエニル基を含む、錯体化合物の使用を含む、請求項３記載のエチレンと共役ジエンとのコポリマーの製造方法。
【請求項５】  有機金属錯化合物として、CP1およびCP2が同一であり、その各々が、フルオレニル基を含む錯化合物の使用を含む、請求項３記載のエチレンと共役ジエンとのコポリマーの製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
３つのテストを実施したが、その各々は、反応器に、300mlのトルエン、ｘ(mg)の式：[(C5H4)SiMe3]2NdClで示される上記の錯化合物、BuLi、HDiBAおよびｙ(ml)のイソプレンを含む溶液の導入に相当する。
該BuLiおよびHDiBAは、以下のような割合となるように導入する：
BuLi/ネオジム=10およびHDiBA/ネオジム=10
反応器内の温度を80℃に高め、かつエチレンを上記の溶液に添加する。反応器内の圧力は、一定値に維持され、かつ4バールに等しい。
ある時間ｔの経過後、反応器の冷却および脱気によって重合を停止させ、次いで得られたコポリマーをメタノール中で沈殿させる。
以下の表IIは、操作条件および上記３種のテストについて得られた結果を示す。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
【表２】
表II
2001294607.tif 000003