【手続補正書】
【提出日】平成20年6月2日(2008.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理装置内のガスから汚染物質を除去する装置であって、
複数の並列フィルタステージが内部に設置され、貫流する前記ガスから前記汚染物質の少なくとも一部を除去するフィルタユニットと、
前記並列フィルタステージを通して前記ガスフローを分配するフローコントローラと
を含み、前記フローコントローラが前記複数のフィルタステージの各構成要素に実質的に等しいボリュームの前記ガスを供給するように構成されている、装置。
【請求項２】
前記フローコントローラが拡散プレートを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記フローコントローラがアクティブフローコントローラである、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記装置が空気濾過システムである、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記複数のフィルタステージの各構成要素が複数のフィルタモジュールで構成される、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記複数のフィルタステージが、少なくとも２行と２列を有するマトリクスに配置される、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記汚染物質がアミンを含む、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記複数のフィルタステージの各構成要素が、物理吸着フィルタ媒体を有するフィルタモジュールを含む、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記複数のフィルタステージの各構成要素が、化学吸着フィルタ媒体を有するフィルタモジュールを含む、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記化学吸着フィルタ媒体が、スルホン化物とカルボン酸官能基からなるグループから選択された酸性物質からなる、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
クリーンルーム内のガスから汚染物質を除去する装置であって、
複数の並列フィルタステージが内部に設置され、貫流する前記ガスから前記汚染物質の少なくとも一部を除去するフィルタユニットと、
前記ガスを受け入れる入力面と前記ガスを前記複数のフィルタステージに供給する出力面を有するとともに前記フィルタユニット内に装着されて前記複数のフィルタステージの各構成要素に実質的に等しいボリュームの前記ガスを供給するように構成された拡散プレートと、
前記複数のフィルタステージの各構成要素を貫流するガスの前記ボリュームを表すサンプルを採取するための複数のサンプリングポートと
を備える、装置。
【請求項１２】
前記拡散プレートがあるパターンで配置された複数の穴を有し、前記複数の穴の各々が前記入力面から前記出力面に貫通するとともにそれを通しての前記ガスの通過を可能にし、前記穴のパターンが前記出力面と前記複数のフィルタステージの間の実質的に一様なガスフローを可能にする、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記穴の少なくともサブセットが、開いてそれを通しての前記ガスの通過を可能にするように機能することができ、あるいは閉じてそれを通しての前記ガスの通過を阻止することができる、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記穴の前記少なくともサブセットを前記開くことおよび前記閉じることがコントローラによって制御される、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記複数のフィルタステージの各構成要素が複数のフィルタモジュールを含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１６】
前記複数のフィルタステージを通過する前に前記ガスをサンプリングするための入力サンプリングポートと、前記複数のフィルタステージを少なくとも実質的に通過した後で前記ガスをサンプリングするための出力サンプリングポートとをさらに備える、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記複数のサンプリングポート、前記入力サンプリングポート、および前記出力サンプリングポートと連通する検出器をさらに備え、各サンプリングポートが、場合によってはガスの流出を提供する直径を有するアパーチャを使用する、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記検出器の動作を制御するためのコントローラをさらに含む、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記汚染物質がアミンを含む、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記複数のフィルタモジュールの少なくとも１つの構成要素が物理吸着フィルタ媒体を備える、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記物理吸着フィルタ媒体が活性炭からなる、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記複数のフィルタモジュールの少なくとも１つの構成要素が化学吸着フィルタ媒体を備える、請求項１９に記載の装置。
【請求項２３】
前記化学吸着フィルタ媒体が酸性物質からなる、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記酸性物質がスルホン化物からなる、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
前記酸性物質がカルボキシル官能基を含む、請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
前記複数のサンプリングポートの少なくとも１つの構成要素が、汚染物質を蓄積する濃縮器に結合される、請求項１１に記載の装置。
【請求項２７】
フィルタユニットを使用して半導体処理装置内のガスから汚染物質を除去する方法であって、
入力ガスボリュームを受け入れるステップと、
前記フィルタユニット内に設置された複数のフィルタステージで前記ガスボリュームを使用できるようにする前に、フローコントローラを介して前記ガスボリュームを通過させるステップと、
前記汚染物質の少なくとも一部を除去するために前記複数の並列フィルタステージの各構成要素を介して前記ガスボリュームの一部を通過させるステップと
を含み、前記フローコントローラが前記複数のフィルタステージの各構成要素に実質的に等しいボリュームの前記ガスを供給するように構成されている、方法。
【請求項２８】
前記フローコントローラが拡散プレートを備える、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記フィルタユニットがクリーンルーム内に設置される、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記複数のフィルタステージの各構成要素が複数のフィルタモジュールで構成される、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記複数のフィルタステージが、少なくとも２行と２列を有するマトリクスに配置される、請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
前記フィルタユニットが、複数のフィルタステージをサンプリングするための複数のサンプリングポートを備える、請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
前記フィルタユニットが、前記サンプリングポートに連通可能に結合された検出器をさらに含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記フィルタユニットが、前記複数のフィルタステージに到達する前に前記ガスボリュームの少なくとも一部をサンプリングするための入力サンプリングポートと、前記複数のフィルタステージを通過した後で前記ガスボリュームの少なくとも一部をサンプリングするための出力サンプリングポートとをさらに備え、前記入力および出力サンプリングポートがさらに前記検出器に連通される、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記フィルタユニットが、前記フィルタユニットの動作を監視するためのコントローラをさらに含む、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記複数のフィルタモジュールの少なくとも１つの構成要素が物理吸着フィルタ媒体からなる、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記複数のフィルタモジュールの少なくとも１つの構成要素が化学吸着フィルタ媒体からなる、請求項３５に記載の方法。