【手続補正書】
【提出日】平成19年5月28日(2007.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体からなる第１導電型の半導体層、活性層および第２導電型の半導体層が積層された積層半導体層と、前記活性層と該活性層を挟む第１導電型の半導体層および第２導電型の半導体層からなるレーザ光の導波路領域に対してほぼ垂直な端面に位置するフロント側のレーザミラーおよびリア側のレーザミラーとを具備する窒化物半導体レーザ素子であって、
前記活性層は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０．０５≦ｘ≦０．２５、０≦ｙ≦０．９５、０．０５≦ｘ＋ｙ≦１）であり、また光の波長換算で４２０ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下のエネルギーバンドギャップを有しており、
前記フロント側のレーザミラーの反射率は６０％以下であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記フロント側のレーザミラーは、レーザ光に対する屈折率が互いに異なる第１の透光性膜および第２の透光性膜が前記導波路領域の一端面に積層されてなることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記第１の透光性膜はＺｒＯ2 膜であり、前記第２の透光性膜はＳｉＯ2 膜であり、前記第１の透光性膜と第２の透光性膜とからなるペアが１．５〜２．５ペア積層されていることを特徴とする請求項２記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記フロント側のレーザミラーは、前記導波路領域の一端面に第１の透光性膜からなる単層膜が形成されてなることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記第１の透光性膜は、Ａｌ2 Ｏ3 膜、Ｎｂ2 Ｏ5 膜、ＨｆＯｘ膜、ＭｇＯ膜、Ｔａ2 Ｏ5 膜、ＳｉＯＮ膜、ＡｌＯｘＮｙ膜、ＧａＯｘ膜のいずれか１つからなる単層膜であることを特徴とする請求項４記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記フロント側のレーザミラーの反射率は２０％以下であることを特徴とする請求項４または５記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】
窒化物半導体からなる第１導電型の半導体層、活性層および第２導電型の半導体層が積層された積層半導体層と、前記活性層と該活性層を挟む第１導電型の半導体層および第２導電型の半導体層からなるレーザ光の導波路領域に対してほぼ垂直な端面に位置するフロント側のレーザミラーおよびリア側のレーザミラーとを具備する窒化物半導体レーザ素子であって、
前記活性層は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０．０５≦ｘ≦０．２５、０≦ｙ≦０．９５、０．０５≦ｘ＋ｙ≦１）であり、また光の波長換算で４２０ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下のエネルギーバンドギャップを有しており、
前記フロント側のレーザミラーは、Ａｌ2 Ｏ3 膜、Ｎｂ2 Ｏ5 膜、ＨｆＯｘ膜、ＭｇＯ膜、Ｔａ2 Ｏ5 膜、ＳｉＯＮ膜、ＡｌＯｘＮｙ膜、ＧａＯｘ膜のいずれか１つからなる単層膜が前記導波路領域の一端面に形成されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記リア側レーザミラーは、前記導波路領域の一端面にレーザ光に対する屈折率が互いに異なる第１の透光性膜および第２の透光性膜が積層されてなり、当該リア側レーザミラーの反射率は９０％以上であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記第１の透光性膜はＺｒＯ2 膜であり、前記第２の透光性膜はＳｉＯ2 膜であり、前記第１の透光性膜と第２の透光性膜とからなるペアが４．５〜６．５ペア積層されていることを特徴とする請求項８記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１０】
前記活性層は、青紫色〜緑色を含む波長領域内で発光が可能であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１１】
前記第２導電型の半導体層上に電極が形成されており、該電極の一端が導波路領域の一端面（結晶劈開面）から０．１〜５μｍ離間していることを特徴とする請求項１又は７に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１２】
前記積層半導体層が形成された基板は、窒化物半導体基板であって、該窒化物半導体基板の第２の主面は、少なくとも２以上の異なる結晶成長面を有していることを特徴とする請求項１又は７に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１３】
前記窒化物半導体基板の第２の主面には段差を有することを特徴とする請求項１２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１４】
前記窒化物半導体基板の第２の主面における異なる結晶成長面の表面積は、０. ５％以上であることを特徴とする請求項１２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の窒化物半導体レーザ素子の第１の態様は、窒化物半導体からなる第１導電型の半導体層、活性層および第２導電型の半導体層が積層された積層半導体層と、前記活性層と該活性層を挟む第１導電型の半導体層および第２導電型の半導体層からなるレーザ光の導波路領域に対してほぼ垂直な端面に位置するフロント側のレーザミラーおよびリア側のレーザミラーを具備する窒化物半導体レーザ素子であって、前記活性層は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０．０５≦ｘ≦０．２５、０≦ｙ≦０．９５、０．０５≦ｘ＋ｙ≦１）であり、また光の波長換算で４２０ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下のエネルギーバンドギャップを有しており、前記フロント側のレーザミラーの反射率は６０％以下であることを特徴とする。 ここで、フロント側のレーザミラーは、導波路領域の一端面に、レーザ光に対する屈折率が互いに異なる第１の透光性膜および第２の透光性膜が積層されてなる積層膜が形成される構造と、導波路領域の一端面に保護膜として第１の透光性膜からなる単層膜が形成される構造がある。フロント側のレーザミラーに積層膜を用いる場合、第１の透光性膜としてＺｒＯ2 膜、第２の透光性膜としてＳｉＯ2 膜を用い、第１の透光性膜と第２の透光性膜を１．５〜２．５ペア積層することで実現可能である。フロント側のレーザミラーに単層膜を用いる場合、第１の透光性膜として、Ａｌ2 Ｏ3 膜、Ｎｂ2 Ｏ5 膜、ＨｆＯｘ膜、ＭｇＯ膜、Ｔａ2 Ｏ5 膜、ＳｉＯＮ膜、ＡｌＯｘＮｙ膜、ＧａＯｘ膜のいずれか１つを用いることで、フロント側のレーザミラーの反射率が２０％以下となるように実現可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の窒化物半導体レーザ素子の第２の態様は、窒化物半導体からなる第１導電型の半導体層、活性層および第２導電型の半導体層が積層された積層半導体層と、前記活性層と該活性層を挟む第１導電型の半導体層および第２導電型の半導体層からなるレーザ光の導波路領域に対してほぼ垂直な端面に位置するフロント側のレーザミラーおよびリア側のレーザミラーとを具備する窒化物半導体レーザ素子であって、前記活性層は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０．０５≦ｘ≦０．２５、０≦ｙ≦０．９５、０．０５≦ｘ＋ｙ≦１）であり、また光の波長換算で４２０ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下のエネルギーバンドギャップを有しており、前記フロント側のレーザミラーは、Ａｌ2 Ｏ3 膜、Ｎｂ2 Ｏ5 膜、ＨｆＯｘ膜、ＭｇＯ膜、Ｔａ2 Ｏ5 膜、ＳｉＯＮ膜、ＡｌＯｘＮｙ膜、ＧａＯｘ膜のいずれか１つからなる単層膜が前記導波路領域の一端面に形成されてなることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記各態様において、活性層は、青紫色〜緑色を含む波長領域の範囲内で発光が可能なものであり、光の波長換算で、４２０ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下のエネルギーバンドギャップを有するものである。
又は、前記第２導電型の半導体層上に電極が形成されており、該電極の一端が導波路領域の一端面（結晶劈開面）から０．１〜５μｍ離間していることが好ましい。前記積層半導体層が形成された基板は、窒化物半導体基板であって、該窒化物半導体基板の第２の主面は、少なくとも２以上の異なる結晶成長面を有していることが好ましい。前記窒化物半導体基板の第２の主面には段差を有することが好ましい。前記窒化物半導体基板の第２の主面における異なる結晶成長面の表面積は、０. ５％以上であることが好ましい。