【手続補正書】
【提出日】平成20年10月14日(2008.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ構造体を形成する方法において、
シリコン含有エラストマーの表面の一部分を選択的に活性化するステップと、
前記活性化された部分を基板に接触させるステップと、
前記活性化された部分と前記基板とを結合させて、前記活性化された部分と、前記活性化された部分に接触する前記基板の部分とが不可逆に接着されるようにするステップと、
を備えた方法。
【請求項２】
前記選択的に活性化するステップは、
前記表面を部分的にカバーして、前記表面の保護部分及び前記表面の非保護部分を設ける段階と、
前記非保護部分に活性化処理を施す段階と、
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
表面を部分的にカバーする前記段階は、前記表面の前記保護部分にハードマスクを形成することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
表面を部分的にカバーする前記段階は、前記シリコン含有エラストマーの前記表面にマスクを位置させることを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
活性化処理を施す前記段階は、前記非保護部分にＵＶ放射線を照射することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
表面を部分的にカバーする前記段階は、前記シリコン含有エラストマーの前記表面にマスクを位置させることを含み、前記マスクは、ＵＶ不透過部分及びＵＶ透過部分のパターンを備え、且つ前記ＵＶ不透過部分の下にスペーサ材料を備え、
前記表面の非保護部分は、前記ＵＶ透過部分の下にあってそこから離間される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも前記非保護部分は、前記照射中に分子状酸素に富んだ雰囲気に接触される、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも前記非保護部分は、前記照射中にオゾンに富んだ雰囲気に接触される、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記結合は、前記シリコン含有エラストマー及び前記物質を加熱することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記シリコン含有エラストマーの表面は、平坦である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記シリコン含有エラストマーの表面は、高いエリア及び低いエリアのパターンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記シリコン含有エラストマーと前記基板を分離するステップを更に備えた、請求項１から１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記基板と前記表面の活性化された部分とは、接触状態のままである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記シリコン含有エラストマーと、前記表面の活性化された部分に接触する前記基板の部分とは、接触状態のままである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記選択的に活性化するステップは、シリコン含有エラストマーの非パターン化表面上にマスクを位置させるステップを備えており、前記マスクは、ＵＶ不透過部分及びＵＶ透過部分のパターンを備え、且つＵＶ不透過部分の下にスペーサ材料を備え、前記表面は、前記ＵＶ透過部分の下にあってそこから離間された露出部分を含むものであり、
前記選択的に活性化するステップは、さらに、活性化された部分を提供するために前記非パターン化表面の前記露出部分にＵＶ放射線を照射するステップを備えている請求項１に記載の方法であって、
前記方法は、さらに、前記接触の前に、前記表面から前記マスクを除去するステップを備えており、
前記方法は、さらに、前記シリコン含有エラストマー及び前記基板を分離させるステップを備えており、
前記基板及び前記表面の活性化された部分が接触を保つようにしたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記シリコン含有エラストマーの層は、前記分離の後に前記表面の活性化された部分に接続されたままとなる、請求項１５の記載の方法。
【請求項１７】
前記照射の時間巾を調整することにより前記層の厚みを制御するステップを更に備えた、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記分離は、前記シリコン含有エラストマー内に粘着破壊を誘起することを含む、請求項１２、１３又は１５から１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
前記分離後の前記基板上の表面の活性化された部分の最小特徴部サイズは、１マイクロメーター未満である、請求項１３又は１５から１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
前記分離の後に、
前記基板にエッチング剤を塗布して、前記表面の露出部分に接触しない基板の部分を除去するステップと、
前記シリコン含有エラストマーを前記基板から除去するステップと、
を更に備えた請求項１３又は１５から１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
前記選択的に活性化するステップは、高いエリア及び低いエリアのパターンを含むシリコン含有エラストマーの表面にマスクを配置するステップを備え、前記マスクは、ＵＶ不透過部分及びＵＶ透過部分のパターンを備え、且つ前記ＵＶ不透過部分の下にスペーサ材料を備え、前記表面は、高いエリアの露出部分が前記ＵＶ透過部分の下にあってそこから離間されており、
前記選択的に活性化するステップは、さらに、活性化された部分を提供するために、前記高いエリアの露出部分をＵＶ放射線で照射するステップを備えた方法であって、
前記方法は、さらに、前記接触の前に、前記表面から前記マスクを除去するステップを備え、
前記方法は、さらに、前記シリコン含有エラストマー及び前記基板を分離させるステップを備え、前記基板及び前記高いエリアの活性化された部分が接触を保つことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
高いエリア及び低いエリアのパターンを含むシリコン含有エラストマーを形成するステップを更に備えた、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記分離は、前記シリコン含有エラストマー内に粘着破壊を誘起することを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記低いエリアより上のシリコン含有エラストマーの部分は、前記分離の後に前記高いエリアの活性化された部分に接続されたままとなる、請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
前記高いエリア及び低いエリアのパターンは、アレーとして構成される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
前記分離の後に、
エッチング剤を前記基板に塗布して、前記高いエリアの活性化された部分に接触していない前記基板の部分を除去するステップと、
前記シリコン含有エラストマーを前記基板から除去するステップと、
を更に備えた請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
前記分離の後に、
前記基板に材料を堆積するステップと、
前記基板から前記シリコン含有エラストマーを除去して、前記堆積した材料のパターンを形成するステップと、
を更に備えた請求項１３又は１５から２６のいずれかに記載の方法。
【請求項２８】
前記基板は、非平坦である、請求項１２、１３又は１５から２７のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
表面を選択的に活性化する方法において、
シリコン含有エラストマーの表面にマスクを配置するステップであって、前記マスクは、ＵＶ不透過部分及びＵＶ透過部分のパターンを備え、且つ前記ＵＶ不透過部分の下にスペーサ材料を備え、前記表面は、前記ＵＶ透過部分の下にあってそこから離間された露出部分を含むものであるステップと、
前記表面の露出部分にＵＶ放射線を照射するステップと、
前記露出部分を前記照射中に酸素分子とオゾン分子の濃度を高めた空気と接触させるステップとを備えた方法。
【請求項３０】
前記照射は、重水素灯からのＵＶ放射線で照射することを含み、又は、前記照射は、前記照射は、水銀灯からのＵＶ放射線で照射することを含む請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記スペーサ材料は、少なくとも１００ｎｍの厚みを有し、好ましくは、前記スペーサ材料は、少なくとも０．５μｍの厚みを有し、より好ましくは、前記スペーサ材料は、少なくとも３μｍの厚みを有する、請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
前記スペーサ材料は、ホトレジストを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３３】
前記シリコン含有エラストマーは、ポリシロキサン、ポリシロキサンのセグメントを含むブロックコポリマー、及びシリコン変性エラストマー、より成るグループから選択された部材を含み、好ましくは、前記シリコン含有エラストマーは、ポリシロキサンを含み、又は、好ましくは、前記シリコン含有エラストマーは、ポリ（ジメチルシロキサン）を含む請求項１から３２のいずれかに記載の方法。
【請求項３４】
前記基板は、シリコン、酸化シリコン、石英、ガラス、ポリマー及び金属より成るグループから選択された部材を含む、請求項１から３３のいずれかに記載の方法。