【手続補正書】
【提出日】平成19年1月5日(2007.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  導波管から導波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザガスを励起し、前記レーザガスが発する光を共振させてレーザ光を発生させるレーザ発振装置において、
前記電磁波は、前記導波管の前記各微小間隙において、その電界が同位相とされて前記レーザ管内に導入されることを特徴とするレーザ発振装置。
【請求項２】  導波管から導波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザガスを励起し、前記レーザガスから発する光を共振させてレーザ光を発生させるレーザ発振装置において、
前記微小間隙は、前記導波管の長端面に形成されており、当該長端面の長手方向の中心線に沿って、当該中心線の左右に当該中心線からの距離が等しくなるように配置されていることを特徴とするレーザ発振装置。
【請求項３】  前記微小間隙は、前記中心線に沿って、前記導波管内における前記電磁波の波長λｇの二分の一の間隔で配列され、前記電磁波は、前記導波管の前記各微小間隙において、その電界が同位相とされて前記レーザ管内に導入されることを特徴とする請求項２に記載のレーザ発振装置。
【請求項４】  前記導波管には、前記電磁波の位相を調節する位相調節手段が設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のレーザ発振装置。
【請求項５】  前記微小間隙上から前記レーザ管壁までの間に、前記電磁波の通路が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のレーザ発振装置。
【請求項６】  前記微小間隙から前記レーザ管壁までの距離は、前記導波管から導入される電磁波の半波長の整数倍であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のレーザ発振装置。
【請求項７】  前記微小間隙上を含む前記通路を囲むように導電体が設けられ、前記通路が前記レーザ管との接触部位で当該レーザ管の長手方向にわたる空隙とされていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のレーザ発振装置。
【請求項８】  前記空隙は、前記微小間隙とほぼ同一幅に形成されていることを特徴とする請求項７に記載のレーザ発振装置。
【請求項９】  前記空隙は、相対応する左右の前記微小間隙を含む幅に形成されており、その先端部位のみが幅狭で前記レーザ管の長手方向にわたる１本のスリット形状とされていることを特徴とする請求項７に記載のレーザ発振装置。
【請求項１０】  前記空隙は、相対応する左右の前記微小間隙を含む幅に形成されており、その先端部位のみが前記微小間隙に対応した幅狭で前記レーザ管の長手方向にわたる偶数本のスリット形状とされていることを特徴とする請求項７に記載のレーザ発振装置。
【請求項１１】  前記空隙の幅が前記導波管から導入される電磁波の半波長の整数倍であることを特徴とする請求項７に記載のレーザ発振装置。
【請求項１２】  前記微小間隙の形成面を対向させて前記レーザ管を狭持するように一対の前記導波管が設けられ、前記各導波管内に同一の電磁波が供給されて前記レーザ管内で対向する双方向からレーザガスの励起を行うことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載のレーザ発振装置。
【請求項１３】  前記空隙には、誘電体が充填されていることを特徴とする請求項７〜１２のいずれか１項に記載のレーザ発振装置。
【請求項１４】  前記導波管の短端面に、前記微小間隙のインピーダンスを調整するための微小金属体が埋め込まれていることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載のレーザ発振装置。
【請求項１５】  前記導波管内には、誘電体が充填されていることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載のレーザ発振装置。
【請求項１６】  前記微小間隙内には、その先端面が平坦化されるように誘電体が充填されていることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載のレーザ発振装置。
【請求項１７】  導波管から導波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザガスを励起し、前記レーザガスから発する光を共振させてレーザ光を発生させるレーザ発振装置において、
前記微小間隙は前記導波管の短端面に形成されており、且つ、前記電磁波は前記導波管の前記各微小間隙においてその電界が同位相とされて前記レーザ管内に導入されることを特徴とするレーザ発振装置。
【請求項１８】  導波管から導波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザガスを励起し、前記レーザガスから発する光を共振させてレーザ光を発生させるレーザ発振装置において、
前記微小間隙の形成面を対向させて前記レーザ管を狭持するように一対の前記導波管が設けられ、前記各導波管内に同一の電磁波が供給されて前記レーザ管内で対向する双方向からレーザガスの励起を行うことを特徴とするレーザ発振装置。
【請求項１９】  前記微小間隙の形成面が前記導波管の短端面であり、前記各微小間隙が長手方向に等間隔で一列に形成されていることを特徴とする請求項１８に記載のレーザ発振装置。
【請求項２０】  前記各導波管は、対向する前記各形成面間で各々対応する前記微小間隙が相対的にシフトするように配されていることを特徴とする請求項１７又は１８に記載のレーザ発振装置。
【請求項２１】  前記各導波管内に供給される電磁波の位相を両者間で相対的にシフトさせる位相調節手段が設けられていることを特徴とする請求項２０に記載のレーザ発振装置。
【請求項２２】  前記各導波管に電磁波を同調させる同調手段がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項１７〜２１のいずれか１項に記載のレーザ発振装置。
【請求項２３】  照明光を発する光源である請求項１〜２２のいずれか１項に記載のレーザ発振装置と、
前記レーザ発振装置からの照明光をレチクルに照射する第１光学系と、
前記レチクルを介した照明光を被照射面に照射する第２光学系とを備え、
前記被照射面に前記レチクルのパターンを投影し露光を行うことを特徴とする露光装置。
【請求項２４】  被照射面に感光材料を塗布する工程と、
請求項２３に記載の露光装置を用いて、前記感光材料が塗布された前記被照射面に回路パターンの露光を行う工程と、
前記回路パターンの露光が行われた前記感光材料を現像する工程とを備えることを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のレーザ発振装置は、導波管から導波管壁に形成された複数の微小間隙を介して電磁波をレーザ管内に導入することにより前記レーザ管内のレーザガスを励起し、前記レーザガスから発する光を共振させてレーザ光を発生させるレーザ発振装置において、前記微小間隙は、前記導波管の長端面に形成されており、当該長端面の長手方向の中心線に沿って、当該中心線の左右に当該中心線からの距離が等しくなるように配置されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のレーザ発振装置の一態様では、前記微小間隙は、前記中心線に沿って、前記導波管内における前記電磁波の波長λｇの二分の一の間隔で配列され、前記電磁波は、前記導波管の前記各微小間隙において、その電界が同位相とされて前記レーザ管内に導入される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のレーザ発振装置の一態様において、前記微小間隙上から前記レーザ管壁までの間に、前記電磁波の通路が形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
本発明のデバイスの製造方法は、被照射面に感光材料を塗布する工程と、前記露光装置を用いて、前記感光材料が塗布された前記被照射面に回路パターンの露光を行う工程と、前記回路パターンの露光が行われた前記感光材料を現像する工程とを備える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
Ｈ面において、各スロット１０がＨ面の長手方向の中心線ｍに沿ってλg ／２ピッチで左右に等間隔ｄで配置されており、従って中心線ｍを挟んで各スロット１０がλg ピッチで互いにλg ／２だけシフトした２列のスロット群が形成されており、図３に示すように、これらスロット群をスロット１０とほぼ同一幅でスリット状に開放する金属壁１２が設けられている。従って、この金属壁１２により、スロット１０からレーザ管壁の窓部１５までの間に（レーザ管２との接触部位で）レーザ管２の長手方向に導波管１の全域にわたる２列の空隙が形成され、これら空隙がマイクロ波の通路１１となる。なお、図３では、便宜上左右のスロット１０が同一平面内に描かれている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
また、通路１１の幅はスロット１０の短軸方向幅以上とする。その際の通路１１の幅ｗは、導波管１から導入されるマイクロ波の管内における半波長の整数倍、即ち、
ｗ＝ｎ×λg ／２  ・・・（２）
で表される幅ｗとする。但し、ｎ＜０のときは、通路１１の幅をスロット１０の短軸方向の幅と同程度（同一幅程度）にとる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
本例では、一対の導波管１ａ，１ｂを、対向する前記各形成面間で各々対応するスロット１０が左右に位置するように、レーザ管２を上下方向から狭持するように設け、後述するようにレーザ管内で対向する双方向からレーザガスの励起を行う。この場合、上記の実施形態のように空間シフトや位相シフトは不要である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
次に、空間シフト、位相シフトを行なう場合について説明する。図１５は、これらシフトを行なう際の導波管１０１ａ，１０１ｂの近傍を示す模式図である。図１５において、１１２は導波管１０１ａ，１０１ｂの双方に共通に接続されたマイクロ波源、１１３は導波管１０１ａ，１０１ｂの各々に接続された同調手段であるチューナである。チューナ１３は、例えば３スタブチューナやＥ−Ｈチューナ等のものであり、導波管１０１ａ，１０１ｂからのマイクロ波源１１２に対する反射を極小とする機能をもつ。また、１１４は各導波管１０１ａ，１０１ｂ内に供給されるマイクロ波の位相を両者間で相対的にシフトさせる位相調節シフタであり、導波管１０１ａ，１０１ｂの一方、ここでは導波管１０１ａに接続されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
図２１は上記ウェハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウェハ表面に気相反応を用いて導電膜や絶縁膜を形成する。ステップ１３（ＰＶＤ）ではウェハ上に導電膜や絶縁膜をスパッタリングや蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウェハに感光材料を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した投影露光装置によってマスクの回路パターンをウェハの感光材料が塗布された被照射面に焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウェハの感光材料を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが終了して不要となったレジストを除去する。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウェハ上に多重に回路パターンが形成される。