【手続補正書】
【提出日】平成19年2月23日(2007.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に形成した配線の露出表面に、ＣｏまたはＮｉ合金膜からなる保護膜を選択的に形成して該配線を保護するに際し、
前記基板の被めっき下地表面に前処理を行い、
前記前処理を施した被めっき下地表面に無電解めっきを施して前記保護膜を選択的に形成し、
前記無電解めっき後の基板を清浄化処理して乾燥させ、
前記乾燥後の基板表面に、常圧雰囲気下でプラズマ処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
基板の表面に形成した配線の露出表面に、ＣｏまたはＮｉ合金膜からなる保護膜を選択的に形成して該配線を保護するに際し、
前記基板の被めっき下地表面に、常圧雰囲気下でプラズマ処理してから前処理を施し、
前記前処理を施した被めっき下地表面に無電解めっき処理を施して前記保護膜を選択的に形成し、
前記無電解めっき処理後の基板を清浄化処理して乾燥させ、
前記乾燥後の基板表面に、常圧雰囲気下でプラズマ処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
前記基板表面の清浄化処理を、ｐＨが２以下の無機酸、ｐＨが５以下のキレート能力を有する有機酸、ｐＨが５以下の無機酸にキレート剤を添加した液、配線の防食剤を除去できるアルカリ溶液、またはアミノ酸のアルカリ溶液からなる薬液に前記基板表面を接触させることにより行い、しかる後に、前記清浄化後の基板表面をリンス液でリンス処理することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記前処理は、清浄化後の基板上の被めっき下地表面に触媒を付与して該被めっき下地表面を活性化する活性化処理を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記被めっき下地表面への触媒の付与を、Ｐｄ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｐｔ，ＲｕまたはＡｕを含んだ薬液、またはアルキルアミンボランまたはＮａＢＨ４を含んだ薬液に被めっき下地表面を接触させることにより行い、しかる後に、前記触媒付与後の基板表面をリンス液でリンス処理することを特徴とする請求項４記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記プラズマ処理を、Ｏ２，Ａｒ，Ｈｅ，Ｈ２，Ｎ２，ＮＨ３，ＳＯ２，ＳＯ３，ＣＦ４，Ｃ２Ｆ６，ＣＦ３，ＣＦＣＦ２，ＣＣＩＦ３の内少なくとも１つを含んだ雰囲気下で行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記プラズマ処理により、該基板表面上に形成された膜の１／１００以上１／２以下の膜厚を改質させることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項８】
基板の表面に形成した配線の露出表面に保護膜を選択的に形成する基板処理装置であって、
前記基板表面に前処理を施す前処理チャンバと、
前記前処理を施した被めっき下地表面に無電解めっき処理を施して前記保護膜を選択的に形成する無電解めっきチャンバと、
前記処理後の基板を清浄化し乾燥させる後処理チャンバと、
基板表面に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理チャンバを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
前記プラズマ処理チャンバは、プラズマ処理するためのプラズマ処理ユニットと該プラズマ処置ユニットと装置内の雰囲気を遮断するためのトランスファユニットを有し、前記プラズマ処理ユニットは、温度をコントロールするためのヒータを有し、前記トランスファユニットは、基板を冷却するためのクールプレートを有することを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、基板の表面に形成した配線の露出表面に、ＣｏまたはＮｉ合金膜からなる保護膜を選択的に形成して該配線を保護するに際し、前記基板の被めっき下地表面に前処理を行い、前記前処理を施した被めっき下地表面に無電解めっきを施して前記配線保護膜を選択的に形成し、前記無電解めっき後の基板を清浄化処理して乾燥させ、前記乾燥後の基板表面に、常圧雰囲気下でプラズマ処理を行うことを特徴とする基板処理方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項２に記載の発明は、基板の表面に形成した配線の露出表面に、ＣｏまたはＮｉ合金膜からなる保護膜を選択的に形成するに際し、前記基板の被めっき下地表面に、常圧雰囲気下でプラズマ処理してから前処理を施し、前記前処理を施した被めっき下地表面に無電解めっき処理を施して前記保護膜を選択的に形成し、前記無電解めっき処理後の基板を清浄化処理して乾燥させ、前記乾燥後の基板表面に、常圧雰囲気下でプラズマ処理を行うことを特徴とする基板処理方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記前処理は、前記基板表面を清浄化する清浄化処理を含むことが好ましい。
一般に無電解めっきは、下地の状態によって結果が大きく左右される。基板表面は、前工程の条件によって、配線膜上に酸化膜が形成されていたり、層間絶縁膜上に金属成分が残留していたり、あるいは防食剤が強く吸着していたりと実に様々である。このため、めっき前処理として、適正な清浄化処理を行って、基板表面全体を清浄化することで、再現性のあるめっきを行うことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項３に記載の発明は、前記基板表面の清浄化処理を、ｐＨが２以下の無機酸、ｐＨが５以下のキレート能力を有する有機酸、ｐＨが５以下の無機酸にキレート剤を添加した液、配線の防食剤を除去できるアルカリ溶液、またはアミノ酸のアルカリ溶液からなる薬液に前記基板表面を接触させることにより行い、しかる後に、前記清浄化後の基板表面をリンス液でリンス処理することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理方法である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項４に記載の発明は、前記前処理は、清浄化後の基板上の被めっき下地表面に触媒を付与して該被めっき下地表面を活性化する活性化処理を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板処理方法である。
被めっき下地表面の配線部分へ触媒を付与し活性化させることによって、選択性を高めた無電解めっきを再現性良く行うことができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項５に記載の発明は、前記被めっき下地表面の活性化処理を、Ｐｄ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｏ，ＰｔまたはＡｕを含む薬液、またはアルキルアミンボランまたはＮａＢＨ４を含む薬液に被めっき下地表面を接触させることにより行い、しかる後に、前記活性化処理後の基板表面をリンス液でリンス処理することを特徴とする請求項４記載の基板処理方法である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
プラズマ処理を常圧雰囲気下で行うことにより、ウエット処理とドライ処理（プラズマ処理）の切り替えが容易であり、連続処理を行いやすい。また、平行平板内で発生したプラズマをガスの流れで系外に押出すリモートプラズマ処理を用いることにより、基板にバイアス電圧を掛けることなく処理を行えるので、基板へのダメージが通常の減圧下でのプラズマ処理に比べると少ない。このリモートプラズマ処理は、例えば積水化学工業株式会社の型式ＡＰ−Ｔ等を用いることで可能になる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項６に記載の発明は、前記プラズマ処理を、Ｏ２，Ａｒ，Ｈｅ，Ｈ２，Ｎ２，ＮＨ３，ＳＯ２，ＳＯ３，ＣＦ４，Ｃ２Ｆ６，ＣＦ３，ＣＦＣＦ２，ＣＣＩＦ３の内少なくとも１つを含んだ雰囲気下で行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の基板処理方法である。
このように様々なガス種を使うことで、処理の目的を変更することができ、基板の表面によって、結果が変化しないようにすることが可能になる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項７に記載の発明は、前記プラズマ処理により、該基板表面上に形成された膜の１／１００以上１／２以下の膜厚を改質させることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の基板処理方法である。
これにより、保護膜を２層構造にでき、配線金属との密着性と絶縁膜との密着性の両方を向上させられる。また、保護膜を改質することで配線金属の拡散に対するバリア性を向上させることができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
前記プラズマ処理は、その処理のなかで、ガスの種類、流量、電圧のいずれかを変化させる複数の処理ステップを持つことが好ましい。
これにより、複数のプロセス条件を変化させて、処理の対象や、改質の条件を変えることができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
前記ＣｏまたはＮｉ合金膜は、Ｗ、ＭｏまたはＲｅ等の高融点金属を含むことが好ましく、このように、Ｗ、ＭｏまたはＲｅ等の高融点金属を合金内に導入することで、熱的に安定しためっき膜を得ることができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
請求項８に記載の発明は、基板の表面に形成した配線の露出表面に配線保護膜を選択的に形成する基板処理装置であって、前記基板表面に前処理を施す前処理チャンバと、前記前処理を施した基板の被めっき下地表面に無電解めっきを施して前記配線保護膜を選択的に形成する無電解めっきチャンバと、前記無電解めっき後の基板を清浄化し乾燥させる後処理チャンバと、前記乾燥後の基板表面にプラズマ処理を行うプラズマ処理チャンバを有することを特徴とする基板処理装置である。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
前記前処理チャンバは、基板表面を薬液で処理し、該薬液を基板表面から除去する第１前処理ユニットと、基板表面に触媒を付与し、該触媒付与に使用した薬液を基板表面から除去する第２前処理ユニットの少なくとも一方を有することが好ましい。
処理装置に投入される基板の表面状態は前工程によって左右されるが、第１前処理ユニットでの適正な薬液処理による表面清浄化及び初期化と、第２前処理ユニットでの触媒付与による活性化処理の少なくとも一方を行うことにより、前工程の如何に依らないめっき処理が可能となる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
前記無電解めっきチャンバは、めっき槽、めっき液循環系及びめっき液貯槽を備え、該めっき液循環系は、めっき待機時及びめっき処理時に個別に設定可能な流量でめっき液を前記めっき槽と前記めっき液貯槽の間を循環可能であり、かつめっき待機時のめっき液の循環流量が２〜２０Ｌ／ｍｉｎで、めっき処理時のめっき液の循環流量が０〜１０Ｌ／ｍｉｎであることが好ましい。
これにより、めっき待機時にめっき液の大きな循環流量を確保して、無電解めっきユニット内のめっき浴の液温を一定に維持し、めっき処理時には、めっき液の循環流量を小さくして、より均一な膜厚の配線保護膜（めっき膜）を成膜することができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
前記乾燥チャンバは、スピンドライヤからなることが好ましい。
これにより、基板を迅速に乾燥できるので、装置としての生産性を高めることができる。例えばドライエアユニットを有する場合、基板の乾燥が徹底でき、吸着水分による配線部分の酸化やミストバックによるウォータ・マーク発生等の問題を回避できる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
請求項９に記載の発明は、前記プラズマ処理チャンバは、プラズマ処理するためのプラズマ処理ユニットと該プラズマ処置ユニットと装置内の雰囲気を遮断するためのトランスファユニットを有し、前記プラズマ処理ユニットは、温度をコントロールするためのヒータを有し、前記トランスファユニットは、基板を冷却するためのクールプレートを有することを特徴とする請求項８記載の基板処理装置である。これにより、プラズマ処理時の基板表面の反応性をコントロールでき、クールプレートで冷却することで、基板が大気中に放出された際に大気と反応することを抑制できる。