【手続補正書】
【提出日】平成19年7月12日(2007.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層に接する第１のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第１のマスクを用いて、前記第１の導電層をエッチングして、第２の導電層を形成し、
前記第１のマスク上に、絶縁層と、第１の半導体層及び一導電型が付与された第２の半導体層を積層形成し、
前記第２の半導体層に接する第２のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第２のマスクを用いて、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を同時にエッチングして、第３の半導体層及び一導電型が付与された第４の半導体層を形成し、
前記第４の半導体層に接する第３の導電層を形成し、
前記第３の導電層に接する第３のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第３のマスクを用いて、前記第４の半導体層及び前記第３の導電層を同時にエッチングして、第５の半導体層及び第４の導電層を形成し、
前記第１乃至前記第３のマスクのうち、少なくとも１つは除去しないことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
基板上に第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層に接する第１のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第１のマスクを用いて、前記第１の導電層をエッチングして、第２の導電層を形成し、
前記第１のマスク上に、第１の絶縁層と、第１の半導体層と、第２の絶縁層とを積層形成し、
前記第２の絶縁層に接する第２のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第２のマスクを用いて、前記第２の絶縁層をエッチングして、第３の絶縁層を形成し、
前記第２のマスク上に、一導電型が付与された第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層に接する第３のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第３のマスクを用いて、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を同時にエッチングして、第３の半導体層及び一導電型が付与された第４の半導体層を形成し、
前記第４の半導体層と接する第３の導電層を形成し、
前記第３の導電層に接する第４のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第４のマスクを用いて、前記第４の半導体層及び前記第３の導電層を同時にエッチングして、第５の半導体層及び第４の導電層を形成し、
前記第１乃至前記第４のマスクのうち、少なくとも１つは除去しないことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
基板上に第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層に接する第１のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第１のマスクを用いて、前記第１の半導体層をエッチングして、第２の半導体層を形成し、
前記第１のマスク上に、第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層に接する第２のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第２のマスクを用いて、前記第１の導電層をエッチングして、第２の導電層を形成し、
前記第１のマスクと前記第２のマスクのうち、少なくとも１つは除去しないことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
基板上に第１の導電層と、一導電型が付与された第１の半導体層を積層形成し、
前記第１の半導体層に接する第１のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第１のマスクを用いて、前記第１の半導体層をエッチングして、一導電型が付与された第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層に接する第３の半導体層を形成し、
前記第３の半導体層に接する第２のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第２のマスクを用いて、前記第２の半導体層及び前記第３の半導体層をエッチングして、一導電型が付与された第４の半導体層と、第５の半導体層を形成し、
前記第２のマスク上に、絶縁層と、第２の導電層を積層形成し、
前記第２の導電層に接する第３のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第３のマスクを用いて、前記第２の導電層をエッチングして、第３の導電層を形成し、
前記第１乃至前記第３のマスクのうち、少なくとも１つは除去しないことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項５】
基板上に第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層に接する第１のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第１のマスクを用いて、前記第１の半導体層をエッチングして、第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層上に、一導電型が付与された第３の半導体層と、第１の導電層を積層形成し、
前記第１の導電層に接する第２のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第２のマスクを用いて、前記第３の半導体層及び前記第１の導電層をエッチングして、一導電型が付与された第４の半導体層と、第２の導電層を形成し、
前記第２のマスク上に、絶縁層と、第３の導電層を積層形成し、
前記第３の導電層に接する第３のマスクを液滴吐出法により形成し、
前記第３のマスクを用いて、前記第３の導電層をエッチングして、第４の導電層を形成し、
前記第１乃至前記第３のマスクのうち、少なくとも１つは除去しないことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項６】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の導電層と前記第３の導電層は、液滴吐出法、スパッタリング法又は蒸着法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項７】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の導電層と前記第３の導電層は、銀、金、銅又はインジウム錫酸化物により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
請求項３において、
前記導電層は、液滴吐出法、スパッタリング法又は蒸着法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
請求項３において、
前記導電層は、銀、金、銅又はインジウム錫酸化物により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
請求項４又は請求項５において、
前記第１の導電層と前記第２の導電層は、液滴吐出法、スパッタリング法又は蒸着法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１１】
請求項４又は請求項５において、
前記第１の導電層と前記第２の導電層は、銀、金、銅又はインジウム錫酸化物により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１２】
請求項１、請求項４又は請求項５のいずれか一項において、
前記第１乃至前記第３のマスクは、液滴吐出法により形成された絶縁層に、フォトマスクを用いた露光処理及び現像処理を行って形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１３】
請求項１、請求項４又は請求項５のいずれか一項において、
前記第１乃至前記第３のマスクは、有機材料又は珪素と酸素との結合で骨格構造が形成された材料で形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１４】
請求項２において、
前記第１乃至前記第４のマスクは、液滴吐出法により形成された絶縁層に、フォトマスクを用いた露光処理及び現像処理を行って形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１５】
請求項２において、
前記第１乃至前記第４のマスクは、有機材料又は珪素と酸素との結合で骨格構造が形成された材料で形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１６】
請求項３において、
前記第１のマスク及び前記第２のマスクは、液滴吐出法により形成された絶縁層に、フォトマスクを用いた露光処理及び現像処理を行って形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１７】
請求項３において、
前記第１のマスク及び前記第２のマスクは、有機材料又は珪素と酸素との結合で骨格構造が形成された材料で形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。