【手続補正書】
【提出日】平成19年7月11日(2007.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体プロセスチャンバ内に使用する構成部品の表面にテクスチャを設ける方法であって、
前記表面上に複数のフィーチャを形成させるため、前記構成部品の表面を横切って電磁ビームを走査させるステップと、
前記構成部品の表面及び前記フィーチャを粗くするステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記走査は、移動時間及び休止時間からなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記電磁ビームは、前記ビームが導かれる前記構成部品の表面上の一点において、104Ｗ／ｍｍ2乃至107Ｗ／ｍｍ2の範囲内の電力密度を有していることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記構成部品の表面を粗くするステップは、前記構成部品にビードを吹き付けるステップからなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記構成部品の表面を粗くするステップは、前記構成部品を化学的に粗くするステップからなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記電磁ビームを走査させるステップの前に、前記構成部品を加熱するステップを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記構成部品を加熱するステップは、前記構成部品が溶融、流れ、または実質的な分解を受け始める温度より低い温度まで前記構成部品を予熱するステップからなることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記構成部品は、放射熱ランプ、誘導加熱器、または赤外型抵抗加熱器を使用して加熱されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記ビードを吹き付けるステップは、酸化アルミニウム、ガーネット、炭化シリコン、酸化シリコン、またはそれらの組合わせからなるグリット粒子を使用して遂行されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
前記構成部品にビードを吹き付けるステップの後に、前記構成部品を化学的に清浄化するステップを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項１１】
前記構成部品を化学的に粗くするステップの後に、前記構成部品を化学的に清浄化するステップを更に含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項１２】
前記構成部品の表面上に前記複数のフィーチャを形成させるステップの後に、前記構成部品を化学的に清浄化するステップを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記構成部品の表面にテクスチャを設けるステップの前に、前記構成部品の応力を逃がすステップを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数のフィーチャを形成するステップの後に、前記構成部品の応力を逃がすステップを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記構成部品の表面にテクスチャを設けるステップの前に、前記構成部品の応力を逃がすステップと、前記表面上に複数のフィーチャを形成させるステップの後に、前記構成部品の応力を逃がすステップとを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記構成部品にビードを吹き付けるステップの後に、前記構成部品の応力を逃がすステップを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項１７】
前記電磁ビームは、前記構成部品の第１の表面上にフィーチャを形成させることによって生じた何等かの可能な歪みを補償するために、前記構成部品の第２の表面上にフィーチャを形成させるために使用されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
構成部品の表面にテクスチャを設ける方法であって、
テクスチャ化チャンバを10-3トル乃至10-5トルの範囲の圧力までポンプするステップと、
50乃至160キロボルトの加速電圧において、15乃至50ミリアンペアの電子ビーム電流の電子ビームを前記構成部品の表面を横切って走査させ、前記表面上に複数のフィーチャを形成させるステップと、
前記構成部品の表面及び前記フィーチャを粗くするステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】
前記走査は、移動時間及び休止時間からなることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記電子ビームは、前記ビームが導かれる前記構成部品の表面上の一点において、104Ｗ／ｍｍ2乃至107Ｗ／ｍｍ2の範囲内の電力密度を有していることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記構成部品の表面を粗くするステップは、前記構成部品にビードを吹き付けるステップからなることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記構成部品の表面を粗くするステップは、前記構成部品を化学的に粗くするステップからなることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
前記電子ビームを走査させるステップの前に、前記構成部品を加熱するステップを更に含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２４】
前記構成部品を加熱するステップは、前記構成部品が溶融、流れ、または実質的な分解を受け始める温度より低い温度まで前記構成部品を予熱するステップからなることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記構成部品は、放射熱ランプ、誘導加熱器、または赤外型抵抗加熱器を使用して加熱されることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記ビードを吹き付けるステップは、酸化アルミニウム、ガーネット、炭化シリコン、酸化シリコン、またはそれらの組合わせからなるグリット粒子を使用して遂行されることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
前記構成部品にビードを吹き付けるステップの後に、前記構成部品を化学的に清浄化するステップを更に含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２８】
前記構成部品を化学的に粗くするステップの後に、前記構成部品を化学的に清浄化するステップを更に含むことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２９】
前記構成部品の表面上に前記複数のフィーチャを形成させるステップの後に、前記構成部品を化学的に清浄化するステップを更に含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項３０】
前記構成部品の表面にテクスチャを設けるステップの前に、前記構成部品の応力を逃がすステップを更に含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項３１】
前記複数のフィーチャを形成させるステップの後に、前記構成部品の応力を逃がすステップを更に含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項３２】
前記構成部品の表面にテクスチャを設けるステップの前に前記構成部品の応力を逃がすステップと、前記表面上に複数のフィーチャを形成させるステップの後に前記構成部品の応力を逃がすステップとを更に含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項３３】
前記構成部品にビードを吹き付けるステップの後に、前記構成部品の応力を逃がすステップを更に含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項３４】
前記電磁ビームは、前記構成部品の第１の表面上にフィーチャを形成させることによって生じた何等かの可能な歪みを補償するために、前記構成部品の第２の表面上にフィーチャを形成させるために使用されることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項３５】
プロセスチャンバ内において使用するためのプロセスチャンバ構成部品であって、
１またはそれ以上の表面を有するボディと、
前記表面上に形成されている複数のフィーチャと、
を含み、
前記フィーチャは前記プロセスチャンバ構成部品の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させたことによって形成されており、前記形成されたフィーチャは凹み、突起、及びそれらの組合わせからなるグループから選択され、
前記表面は、前記表面上に複数のフィーチャが形成された後に、化学的に粗くされることを特徴とするプロセスチャンバ構成部品。
【請求項３６】
前記プロセスチャンバ構成部品を化学的に粗くした後に、前記表面を化学的に清浄化することを特徴とする請求項３５に記載のプロセスチャンバ構成部品。
【請求項３７】
プロセスチャンバ内において使用するためのプロセスチャンバ構成部品であって、
１またはそれ以上の表面を有するボディと、
前記表面上に形成されている複数のフィーチャと、
を含み、
前記フィーチャは前記プロセスチャンバ構成部品の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させたことによって形成されており、前記形成されたフィーチャは凹み、突起、及びそれらの組合わせからなるグループから選択され、
前記構成部品は、前記プロセスチャンバ構成部品の表面を横切って電磁ビームを走査させる前に、応力逃がしされていることを特徴とするプロセスチャンバ構成部品。
【請求項３８】
プロセスチャンバ内において使用するためのプロセスチャンバ構成部品であって、
１またはそれ以上の表面を有するボディと、
前記表面上に形成されている複数のフィーチャと、
を含み、
前記フィーチャは前記プロセスチャンバ構成部品の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させたことによって形成されており、前記形成されたフィーチャは凹み、突起、及びそれらの組合わせからなるグループから選択され、
前記構成部品は、予熱温度まで加熱される前に、応力逃がしされていることを特徴とするプロセスチャンバ構成部品。
【請求項３９】
プロセスチャンバ内において使用するためのプロセスチャンバ構成部品であって、
１またはそれ以上の表面を有するボディと、
前記表面上に形成されている複数のフィーチャと、
を含み、
前記フィーチャは前記プロセスチャンバ構成部品の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させたことによって形成されており、前記形成されたフィーチャは凹み、突起、及びそれらの組合わせからなるグループから選択され、
前記構成部品は、前記複数のフィーチャが形成された後に、応力逃がしされていることを特徴とするプロセスチャンバ構成部品。
【請求項４０】
プロセスチャンバ内において使用するためのプロセスチャンバ構成部品であって、
１またはそれ以上の表面を有するボディと、
前記表面上に形成されている複数のフィーチャと、
を含み、
前記フィーチャは前記プロセスチャンバ構成部品の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させたことによって形成されており、前記形成されたフィーチャは凹み、突起、及びそれらの組合わせからなるグループから選択され、
前記構成部品は、表面にテクスチャを設ける前に、及び前記表面上に複数のフィーチャが形成された後に、応力逃がしされていることを特徴とするプロセスチャンバ構成部品。
【請求項４１】
プロセスチャンバ内において使用するためのプロセスチャンバ構成部品であって、
１またはそれ以上の表面を有するボディと、
前記表面上に形成されている複数のフィーチャと、
を含み、
前記フィーチャは前記プロセスチャンバ構成部品の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させたことによって形成されており、前記形成されたフィーチャは凹み、突起、及びそれらの組合わせからなるグループから選択され、
前記構成部品は、前記複数のフィーチャが形成された後に、応力逃がしされていることを特徴とするプロセスチャンバ構成部品。
【請求項４２】
プロセスチャンバ内において使用するためのプロセスチャンバ構成部品であって、
１またはそれ以上の表面を有するボディと、
前記表面上に形成されている複数のフィーチャと、
を含み、
前記フィーチャは前記プロセスチャンバ構成部品の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させたことによって形成されており、前記形成されたフィーチャは凹み、突起、及びそれらの組合わせからなるグループから選択され、
前記プロセスチャンバ構成部品は、放射熱ランプ、誘導加熱器、または赤外型抵抗加熱器を使用して加熱されることを特徴とするプロセスチャンバ構成部品。
【請求項４３】
プロセスチャンバ内において使用するためのプロセスチャンバ構成部品であって、
１またはそれ以上の表面を有するボディと、
前記表面上に形成されている複数のフィーチャと、
を含み、
前記フィーチャは前記プロセスチャンバ構成部品の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させたことによって形成されており、前記形成されたフィーチャは凹み、突起、及びそれらの組合わせからなるグループから選択され、
前記構成部品は第１及び第２の表面上に形成されているフィーチャを有し、前記第２の表面上のフィーチャは前記第１の表面上へのフィーチャの形成によって誘起される応力を補償することを特徴とするプロセスチャンバ構成部品。
【請求項４４】
前記構成部品の表面上の一点における電力密度は、104Ｗ／ｍｍ2乃至105Ｗ／ｍｍ2の範囲内にあることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項４５】
前記表面を化学的に粗くするステップは、前記表面を電気化学的に粗くするステップからなることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項４６】
前記表面を化学的に粗くするステップは、前記表面を電気化学的に粗くするステップからなることを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項４７】
前記表面は、電気化学的に粗くされていることを特徴とする請求項３５に記載のプロセスチャンバ構成部品。