【手続補正書】
【提出日】平成20年3月27日(2008.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノワイヤを生成するための方法であって、以下の工程：
（ａ）基板材料上に１つ以上の核形成粒子を堆積させる工程；
（ｂ）該核形成粒子を第１温度に加熱する工程；
（ｃ）該核形成粒子と第１前駆体ガス混合物とを接触させて液体の合金滴を作製し、ナノワイヤ成長を開始させる工程；
（ｄ）該合金滴を第２温度に加熱する工程；および
（ｅ）該合金滴と第２前駆体ガス混合物とを接触させる工程
を包含し、それによってナノワイヤが該合金滴の部位で成長する、方法。
【請求項２】
前記基板材料が結晶である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板材料がシリコンを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記基板材料が非晶質である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基板材料が、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４またはアルミナを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記成長が、エピタキシャルに起こる、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記成長が、前記基板材料の面から突き出ている、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ナノワイヤが、電荷を転移し得る、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１温度が、前記第２温度よりも高い、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１温度が、前記第２温度よりも少なくとも５０℃高い、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記核形成粒子が、第１前駆体ガス混合物および第２前駆体ガス混合物の両方と反応してＳｉが沈殿する共晶を形成する金属を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記核形成粒子が、Ａｕ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｇａ、ＮｉまたはＳｎを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記核形成粒子が、ＡｕコロイドまたはＡｕフィルムを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１前駆体ガス混合が、ＳｉＨ４、ＳｉＣｌ４またはＳｉＨ２Ｃｌ２を含み、そしてさらにＢ２Ｈ６、ＰＯＣｌ３またはＰＨ３を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２前駆体ガス混合が、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＣｌ４またはＳｉＨ２Ｃｌ２を含み、そしてさらにＢ２Ｈ６、ＰＯＣｌ３またはＰＨ３を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記工程（ｃ）または（ｅ）における接触が、プラズマ励起スパッタ堆積によって生じる、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１に記載の方法であって、以下の工程：
（ｆ）成長するナノワイヤと、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＣｌ４またはＳｉＨ２Ｃｌ２を含み、そしてさらにＢ２Ｈ６、ＰＯＣｌ３またはＰＨ３を含む１つ以上のさらなる前駆体ガス混合物とを接触させて、前記ナノワイヤを所望の長さに成長させる工程をさらに包含する、方法。
【請求項１８】
前記工程（ｆ）における接触が、プラズマ励起スパッタ堆積によって生じる、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
ナノワイヤを生成するための方法であって、以下の工程：
（ａ）基板材料上に１つ以上の核形成粒子を堆積させる工程；
（ｂ）該核形成粒子を、第１前駆体ガスが該核形成粒子との共晶相を有する温度である第１温度に加熱する工程；
（ｃ）該核形成粒子と、該第１前駆体ガスを含む第１前駆体ガス混合物とを接触させて、ナノワイヤ成長を開始させる工程であって、ここで、該第１前駆体ガス混合物が、ナノワイヤの配向を補助する少なくとも１つの原子種を含む、工程；
（ｄ）該核形成粒子と、該第１温度よりも低い第２温度で核形成粒子との共晶相を有する、第２前駆体ガスを含む第２前駆体ガス混合物とを接触させる工程；および
（ｆ）該核形成粒子を該第２温度に加熱する工程
を包含する、方法。
【請求項２０】
ナノワイヤを生成するための方法であって、以下の工程：
（ａ）基板材料をヒドロキシル化する工程；
（ｂ）該基板材料と第１前駆体ガス混合物とを接触させる工程；
（ｃ）１つ以上の核を該基板材料の表面上に形成させる工程；
（ｄ）該核と第２前駆体ガス混合物とを接触させる工程；および
（ｅ）該１つ以上の核の部位でナノワイヤを成長させる工程
を包含する、方法。
【請求項２１】
ナノワイヤを生成するための方法であって、以下の工程：
（ａ）反応チャンバ内において１つ以上の核形成粒子を上に堆積した基板材料を提供する工程；
（ｂ）該ナノワイヤの成長を補助する少なくとも１つの原子種、および該成長するナノワイヤの配向を補助する少なくとも１つの原子種を含む、前駆体ガス混合物を導入する工程；ならびに
（ｃ）該核形成粒子の部位でナノワイヤを成長させる工程
を包含する、方法。
【請求項２２】
前記成長するナノワイヤの配向を補助する原子種が、塩素である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法によって生成したナノワイヤ。
【請求項２４】
請求項２２に記載の方法によって生成したナノワイヤを含む電子回路。
【請求項２５】
ナノワイヤ合成のための方法であって、以下の工程：
（ａ）第１温度で容器の一端に粒状のナノワイヤ前駆体材料を配置する工程；
（ｂ）第２温度で該容器の反対端に触媒粒子を配置する工程；
（ｃ）該容器の一端から該容器の他端に材料を輸送する工程；および
（ｄ）輸送剤を粒状のナノワイヤ前駆体材料と反応させてナノワイヤを形成する工程
を包含する、方法。
【請求項２６】
ナノワイヤ構造体上のダングリングボンドから表面準位を低減させる方法であって、以下の工程：
（ａ）該ナノワイヤ構造体を作製する工程；
（ｂ）該ナノワイヤ構造体上に犠牲層を堆積させる工程；
（ｃ）該ナノワイヤ構造体を該犠牲層で不動態化する工程；および
（ｄ）該犠牲層を化学的に除去する工程
を包含する、方法。
【請求項２７】
ナノワイヤを採取する方法であって、以下の工程：
（ａ）ナノワイヤの所望の部分を成長させる工程；
（ｂ）該ナノワイヤの所望の部分とは異なる特性を有する該ナノワイヤの犠牲部分を成長させる工程；
（ｃ）該ナノワイヤの犠牲部分を差次的に除去する工程；および
（ｄ）該ナノワイヤの所望の部分から成長スタブを除去する工程
を包含する、方法。
【請求項２８】
前記ナノワイヤの犠牲部分がｎドープされ、そして前記ナノワイヤの所望の部分がｐドープされる、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記ナノワイヤの犠牲部分がｐドープされ、かつ、前記ナノワイヤの所望の部分がｎドープされる、請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
前記ナノワイヤの犠牲部分を成長させるために、ホウ素ＮＷＳがドーパントとして用いられる、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記ナノワイヤの犠牲部分を別々に除去する工程が、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、またはエチレンジアミン／ピロカテコール／水（ＥＤＰ）を用いる工程を包含する、請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
前記ナノワイヤの犠牲部分がドープされず、かつ、前記ナノワイヤの所望の部分がｐドープされる、請求項２７に記載の方法。
【請求項３３】
前記ナノワイヤの犠牲部分がドープされず、かつ、前記ナノワイヤの所望の部分がｎドープされる、請求項２７に記載の方法。
【請求項３４】
前記ナノワイヤの所望の部分が、ＳｉまたはＧｅを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３５】
ナノワイヤを第１基板から第２基板へ転移させる方法であって、以下の工程：
（ａ）転移面をこびりつかないコーティングでコーティングする工程；
（ｂ）該こびりつかないコーティングを施した転移面を、該ナノワイヤを含む第１基板にプレスする工程；
（ｃ）該こびりつかないコーティングを施した転移面を、該第２基板上に配置する工程；および
（ｄ）該ナノワイヤを、該こびりつかないコーティングを施した転移面から取り外して該第２基板上に配置する工程
を包含する、方法。
【請求項３６】
ナノワイヤを採取する方法であって、以下の工程：
（ａ）１つ以上のナノワイヤが上面に付着した基板材料を提供する工程；
（ｂ）該基板の上面に配向される転移基板を提供する工程；
（ｃ）該転移基板が１つ以上のナノワイヤと接触するように、該転移基板に圧力を加える工程；
（ｄ）１つ以上のナノワイヤを、該基板から該転移基板へ転移させる工程；および
（ｅ）該転移基板を除去する工程
を包含する、方法。