Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月26日(2007.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記録層を有する光記録再生媒体の夫々の前記記録層に対し、光源からの光束で集光スポットを生成するための対物レンズと、前記光源と前記対物レンズの間の光路中に配置され、選択された前記記録層に応じて前記光束に球面収差を発生させるための球面収差発生手段と、前記対物レンズを含む光学ヘッドを前記媒体の半径方向に移動させるための第１の駆動手段とを有する光学的情報記録再生装置において、
前記集光スポットを現在アドレス位置から異なる前記記録層上の目的アドレス位置へアクセスする際に、前記第１の駆動手段の駆動中に前記球面収差発生手段を駆動させることを特徴とする光学的情報記録再生装置。
【請求項２】
前記光学的情報記録再生装置は、前記集光スポットを前記記録層間で移動させるための第２の駆動手段を有し、前記球面収差発生手段及び前記第１の駆動手段の駆動開始後に、前記第２の駆動手段が駆動されることを特徴とする請求項１に記載の光学的情報記録再生装置。
【請求項３】
前記光学的情報記録再生装置は、前記集光スポットを前記記録層間で移動させるための前記第２の駆動手段を有し、前記球面収差発生手段及び前記第１の駆動手段の駆動に先立って、前記第２の駆動手段が駆動されることを特徴とする請求項１に記載の光学的情報記録再生装置。
【請求項４】
前記球面収差発生手段及び前記第１の駆動手段の駆動終了後に、前記第２の駆動手段が駆動されることを特徴とする請求項２に記載の光学的情報記録再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、サーボコントローラ１１は、ドライバ９によりステッピングモータ８をコントロールし、光学ヘッド２を所望の半径位置に移動させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
本実施例においては、球面収差発生素子を動作させるときに、光学ヘッドの移動と同時に行うので、数百ｍＳかかる球面収差発生素子移動時間と、それと同程度の時間のかかる光学ヘッド移動時間を足し合わせることなく、効率よく動作させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2006260707.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月8日(2007.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
独立したデータ情報および前記データ情報に対応するアドレス情報が記録された複数の記録領域を有し、
前記複数の記録領域の各々から再生されるアドレスマークの光強度は、前記複数の記録領域に入射される光量に応じて一定の比率に定まる、記録媒体。
【請求項２】
前記記録媒体は、凹凸形状が形成された導波路が複数積層されている、請求項１に記載の記録媒体。
【請求項３】
前記アドレス情報は、前記アドレスマークが前記開口と前記記録領域との位置ずれによって撮像面上に結像されなくなるのを防ぐための第１のマージン領域の内側に来るように設定され、かつ、前記アドレスマークが前記複数の記録領域から再生される前記データマークと重なるのを防ぐための第２のマージン領域の外側に来るように設定される、請求項１または２に記載の記録媒体。
【請求項４】
前記凹凸形状は、ホログラムである、請求項１〜３のいずれかに記載の記録媒体。
【請求項５】
ホログラムが形成され、独立したデータ情報および前記データ情報に対応するアドレス情報が記録された複数の記録領域を有する記録媒体の情報を再生する情報再生装置であって、
ホログラムで回折される回折光を制限する開口を有するマスクと、
前記開口を通過する前記回折光を受けて、前記複数の記録領域に対応するデータマークおよびアドレスマークを撮像面上に再生する撮像素子と、
前記撮像素子からの出力を元に前記複数の記録領域を識別して前記複数の記録領域に対する前記開口の位置を算出し、該検出結果に基づいて前記開口を所望の前記記録領域に移動させる処理回路とを備える、情報再生装置。
【請求項６】
前記記録媒体は、凹凸形状が形成された導波路が複数積層されている、請求項５に記載の情報再生装置。
【請求項７】
前記処理回路は、前記複数の記録領域の一部分に対応する前記アドレスマークを撮像面上に再生する撮像素子からの出力を受けたとき、前記所望の記録領域に対応する前記アドレスマークと比較することにより、前記複数の記録領域に対する前記開口の位置を算出し、該検出結果に基づいて前記開口を前記所望の記録領域に移動させる、請求項５または６に記載の情報再生装置。
【請求項８】
前記撮像素子は、前記記録媒体における前記複数の記録領域の面内方向に対して平行駆動され、
前記撮像素子の撮像面の面積は、前記記録媒体における前記複数の記録領域全体の面積よりも小さい、請求項５または６に記載の情報再生装置。
【請求項９】
前記撮像素子と前記開口を有する前記マスクとは、一体形成されている、請求項５〜８のいずれかに記載の情報再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明のある局面によれば、記録媒体であって、独立したデータ情報およびデータ情報に対応するアドレス情報が記録された複数の記録領域を有し、複数の記録領域の各々から再生されるアドレスマークの光強度は、複数の記録領域に入射される光量に応じて一定の比率に定まる。
好ましくは、記録媒体は、凹凸形状が形成された導波路が複数積層されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この発明の他の局面によれば、ホログラムが形成され、独立したデータ情報およびデータ情報に対応するアドレス情報が記録された複数の記録領域を有する記録媒体の情報を再生する情報再生装置であって、ホログラムで回折される回折光を制限する開口を有するマスクと、開口を通過する回折光を受けて、複数の記録領域に対応するデータマークおよびアドレスマークを撮像面上に再生する撮像素子と、撮像素子からの出力を元に複数の記録領域を識別して複数の記録領域に対する開口の位置を算出し、その検出結果に基づいて開口を所望の記録領域に移動させる処理回路とを備える。
好ましくは、記録媒体は、凹凸形状が形成された導波路が複数積層されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月19日(2006.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記録層を有する光ディスクであって、
当該光ディスク内に含まれる記録層についての情報が保持される管理領域を有し、
当該管理領域は他の規格に準拠した記録層の有無、および当該他の規格に準拠した記録層に関する情報を含み、
上記管理領域の情報が最も記録密度が高い記録層に記録されることを特徴とする光ディスク。
【請求項２】
請求項１に記載の光ディスクに対して情報の読出しを行なう光ディスク装置であって、
上記最も記録密度が高い記録層の管理領域にアクセスする手段と、
上記管理領域の情報から、他の規格に準拠した記録層の有無、および当該他の規格に準拠した記録層に関する情報を抽出する手段とを備えることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項３】
請求項１に記載の光ディスクに対して情報の記録または再生を行なう光ディスク装置であって、
上記最も記録密度が高い記録層の管理領域にアクセスする手段と、
上記管理領域の情報から、他の規格に準拠した記録層の有無、および当該他の規格に準拠した記録層に関する情報を抽出する手段とを備えることを特徴とする光ディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月19日(2006.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録密度が異なる複数の光ディスク規格に準拠した情報層を多層化した光ディスクであって、最も記録密度が高い情報層の管理領域に別の情報層の種類を表す情報が記録された光ディスクから情報の読み出しを行う光ディスク装置の検査システムであって、
上記光ディスクが挿入された光ディスク装置に対し、上記最も記録密度が高い情報層にアクセスするコマンドを送信し、当該コマンドに対応して上記光ディスク装置が上記最も記録密度が高い情報層へのアクセスを正常に行ったか否かを判断する手段と、
上記最も記録密度が高い情報層の管理領域の情報を検出するコマンドを上記光ディスクに送信し、当該コマンドに対応して上記光ディスク装置が当該管理領域に記録された他の情報層の種類を示す情報を取得したか否かを判断する手段とを備えることを特徴とする検査システム。
【請求項２】
上記光ディスクは記録可能型の情報層を含むことを特徴とする請求項１記載の検査システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、上述のような問題を解決すべく、複数の異なる光ディスク規格に準拠した情報層を多層化した光ディスクにおいて、アクセス時間を短縮することを目的とする。
また、複数の異なる光ディスク規格の情報層を多層化した光ディスクを再生する光ディスク装置の再生動作を検査する検査システムを提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明は、記録密度が異なる複数の光ディスク規格に準拠した情報層を多層化した光ディスクであって、最も記録密度が高い情報層の管理領域に別の情報層の種類を表す情報が記録された光ディスクから情報の読み出しを行う光ディスク装置の検査システムであって、
上記光ディスクが挿入された光ディスク装置に対し、上記最も記録密度が高い情報層にアクセスするコマンドを送信し、当該コマンドに対応して上記光ディスク装置が上記最も記録密度が高い情報層へのアクセスを正常に行ったか否かを判断する手段と、
上記最も記録密度が高い情報層の管理領域の情報を検出するコマンドを上記光ディスクに送信し、当該コマンドに対応して上記光ディスク装置が当該管理領域に記録された他の情報層の種類を示す情報を取得したか否かを判断する手段とを備えたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、複数の異なる光ディスク規格に準拠した情報層を多層化した光ディスクが挿入された際、光ディスク装置が正常に再生動作を行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月23日(2007.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特定の区域への立ち入りまたは特定の区域からの立ち去りを予め許可された人物または物体だけに制限するために当該区域に設置された入退出管理装置と、この入退出管理装置と通信回線で接続されたデータ管理装置とから構成される入退出管理システムにおいて、
上記データ管理装置は、上記入退出管理装置に記憶された少なくとも入退出情報を定期的に収集する情報収集装置と、
この情報収集装置で収集した上記入退出情報を格納する情報格納部と、
インターネットを介して上記データ管理装置との接続が許可される参照装置へ当該入退出情報を供給する情報公開装置とを備え、
上記情報格納部は、上記区域の複数をグループ化してグループ識別コードを付与して格納するようにしたことを特徴とする入退出管理システム。
【請求項２】
請求項１記載の入退出管理システムにおいて、
上記グループ識別コードは、上記入退出管理装置が設置される顧客毎に付与する顧客番号としたことを特徴とする入退出管理システム。
【請求項３】
請求項１または２記載の入退出管理システムにおいて、
上記顧客番号は、上記入退出管理装置が設置される顧客を管理する顧客管理テーブルと、上記入退出管理装置が設置される顧客毎の棟情報を管理する建物管理テーブルと、上記入退出管理装置が設置され電気錠が設けられるドア情報を管理するドア管理テーブルとに設けたことを特徴とする入退出管理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、建物の区画された領域への出入を管理するのに好適な入退出管理システムに関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この目的を達成するために、本発明は、特定の区域への立ち入りまたは特定の区域からの立ち去りを予め許可された人物または物体だけに制限するために当該区域に設置された入退出管理装置と、この入退出管理装置と通信回線で接続されたデータ管理装置とから構成される入退出管理システムにおいて、上記データ管理装置は、上記入退出管理装置に記憶された少なくとも入退出情報を定期的に収集する情報収集装置と、この情報収集装置で収集した上記入退出情報を格納する情報格納部と、インターネットを介して上記データ管理装置との接続が許可される参照装置へ当該入退出情報を供給する情報公開装置とを備え、上記情報格納部は、上記区域の複数をグループ化してグループ識別コードを付与して格納する構成にしてあり、例えば上記グループ識別コードは、上記入退出管理装置が設置される顧客毎に付与する顧客番号とし、例えばこの顧客番号は、上記入退出管理装置が設置される顧客を管理する顧客管理テーブルと、上記入退出管理装置が設置される顧客毎の棟情報を管理する建物管理テーブルと、上記入退出管理装置が設置され電気錠が設けられるドア情報を管理するドア管理テーブルとに設けたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
このように構成した本発明によれば、データ管理装置にインターネットを介して接続される参照装置は、例えば顧客番号をキーワードにして棟情報や建物毎のドア情報を取得することができるので、サイト毎に高価なサーバーを導入しなければならないという問題は生じない。また、複数の管理対象拠点を有する顧客においても、１現場毎に管理しなければならないという問題は生じない。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月9日(2007.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来、レンタカー業者では、運転免許証により借手の身元を確認して貸し出しを行っている。
そして、万一、このレンタカーが返却されなかった場合、レンタカー業者は、前記運転免許証で確認した身元に対して返却を求めていた。
【特許文献１】特開２００４−３０３３４号公報
【特許文献２】特開２００５−６３３４２号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2006260482.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2006260482.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月26日(2007.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
所定距離離れたそれぞれの初期位置に検査ステージを挟んで直線状に配置された第１，第２のスピンドルを有し、前記検査ステージの前側あるいは後ろ側のいずれか一方にディスク反転機構が設けられ、前記第１のスピンドルに装着されたディスクが前記検査ステージの位置に移送されるときにはあるいは移送中には前記第２のスピンドルに装着されたディスクが前記検査ステージの位置から自己の前記初期位置に戻され、前記第２のスピンドルに装着されたディスクが前記検査ステージの位置に移送されるときにはあるいは移送中には前記第１のスピンドルに装着されたディスクが前記検査ステージの位置から自己の前記初期位置に戻され、かつ、自己の前記初期位置に戻った前記第１のスピンドルに装着された前記ディスクが前記ディスク反転機構に渡されてこれにより反転された前記ディスクが前記第２のスピンドルに装着されるディスク搬送機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記第１のハンドリングロボットは、前記ディスク供給位置にある前記ディスクを前記ディスク供給位置から前記第１のスピンドルに装着する動作と前記第１のスピンドルに装着された前記ディスクを前記反転機構へ受け渡す動作とを並行して行い、前記第２のハンドリングロボットは、前記反転機構から反転された前記ディスクを受け取り前記第２のスピンドルに装着する動作と前記第２のスピンドルに装着された前記ディスクを前記ディスク排出位置へ送出する動作とを並行して行い、前記第１および第２のハンドリングロボットの前記ディスクの受け渡し面が実質的に同一平面上にある請求項４記載のディスク搬送機構。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
このような目的を達成するためのこの発明のディスク搬送機構およびこれを利用した検査装置の構成は、所定距離離れたそれぞれの初期位置に検査ステージを挟んで直線状に配置された第１，第２のスピンドルを有し、検査ステージの前側あるいは後ろ側のいずれか一方にディスク反転機構が設けられ、第１のスピンドルに装着されたディスクが検査ステージの位置に移送されるときにはあるいは移送中には第２のスピンドルに装着されたディスクが検査ステージの位置から自己の初期位置に戻され、第２のスピンドルに装着されたディスクが検査ステージの位置に移送されるときにはあるいは移送中には第１のスピンドルに装着されたディスクが検査ステージの位置から自己の初期位置に戻され、かつ、自己の初期位置に戻った第１のスピンドルに装着されたディスクがディスク反転機構に渡されてこれにより反転されたディスクが第２のスピンドルに装着されるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月1日(2007.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線を支持する本体部と、
前記本体部の少なくとも第１の面に取付けられ、振動により前記本体部から発せられる音を吸収するための防音部材とを備え、
前記本体部の一部は動作時に振動する筐体に挿入される、コネクタ。
【請求項２】
前記防音部材は、
前記第１の面に対向するカバー部と、
前記カバー部と前記第１の面との間に位置する吸音材とを含む、請求項１に記載のコネクタ。
【請求項３】
前記防音部材は、
前記吸音材の周囲を取り囲むように前記カバー部に設けられる遮音材をさらに含む、請求項２に記載のコネクタ。
【請求項４】
前記カバー部を前記本体部に締結する締結部材をさらに備える、請求項２または３に記載のコネクタ。
【請求項５】
前記本体部は、金属製であり、
前記カバー部は、樹脂製である、請求項２〜４のいずれか１項に記載のコネクタ。
【請求項６】
前記防音部材は、前記本体部が前記筐体に一部が挿入された状態において前記筐体から突出する前記本体部の部分に取付けられる、請求項１〜５のいずれか１項に記載のコネクタ。
【請求項７】
前記本体部は、断面の高さよりも幅が広い形状を有し、
前記第１の面は前記断面における幅方向に沿う面である、請求項１〜６のいずれか１項に記載のコネクタ。
【請求項８】
前記本体部は、
前記配線を収納する凹部が設けられた第１の部材と、
前記第１の部材に前記配線を収納した上に蓋をする第２の部材とを含み、
前記第１の面は前記第２の部材の一部である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のコネクタ。
【請求項９】
前記本体部は、車載用の回転電機のケースに取付けられ、
前記配線は、前記車載用の回転電機に電力を供給する電力配線である、請求項１〜８のいずれか１項に記載のコネクタ。
【請求項１０】
前記電力配線は、複数のパワーケーブルを含み、
前記複数のパワーケーブルは横に並んで前記本体部に収納され、
前記第１の面は、前記複数のパワーケーブルが並ぶ方向に沿う面である、請求項９に記載のコネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
特開２００１−１７６６０２号公報（特許文献１）には、このような車両に用いられるコネクタにおいてコネクタと防振カバーとの間にゴム部材を入れることによりコネクタと防振カバーの密着性を高め、防振機能を確保する技術について開示されている。
【特許文献１】特開２００１−１７６６０２号公報
【特許文献２】特開２００３−６８４１７号公報
【特許文献３】特開平８−１７５３６号公報
【特許文献４】実開平７−４２０７０号公報
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月1日(2007.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
さらに、本発明のリチウム化カルボキシル基を含む高分子重合体は、架橋されたものであってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月17日(2007.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
しかし高率放電用途の鉛蓄電池において、電池の内部抵抗の影響により、高率放電時に電圧効果が増大して出力の低下が生じている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月9日(2007.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
量子井戸構造を有する３族窒化物系化合物半導体発光素子であって、井戸層の上下に形成される層と井戸層との接合部近傍に該井戸層の上下に形成される層の格子定数が該井戸層の格子定数に近づくように変化して形成されている領域を有し、該井戸層の上下に形成される層はＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）で、該井戸層はＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ＜１）で、該領域はＡｌｘ’Ｇａ１−ｘ ’Ｎ（０≦ｘ’＜１）であり、該領域におけるｘ’がｘ’＝ｘからｘ’＝０の方向に変化して形成されていることを特徴とする３族窒化物系化合物半導体発光素子。    
【請求項２】
量子井戸構造を有する３族窒化物系化合物半導体発光素子であって、井戸層の上下に形成される層と井戸層との接合部近傍に該井戸層の上下に形成される層の格子定数が該井戸層の格子定数に近づくように変化して形成されている領域を有し、該井戸層の上下に形成される層はＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）で、該井戸層はＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）であり、該領域は前記井戸層側からＩｎｙ’Ｇａ１−ｙ’Ｎ（０≦ｙ’＜１）とＡｌｘ’Ｇａ１−ｘ ’Ｎ（０≦ｘ’＜１）で形成され、更にｙ’とｘ’は該井戸層側から、ｙからｙ’＝ｘ’＝０を経由してｘにいたるように変化して形成されていることを特徴とする３族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項３】
前記領域は前記井戸層の上下に形成される層内に形成されていることを特徴とする請求項１及び請求項２に記載の３族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項４】
前記井戸層の上下に形成される層はクラッド層であることを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載の３族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項５】
前記井戸層の上下に形成される層はバリア層（障壁層）であることを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載の３族窒化物系化合物半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の手段によれば、量子井戸構造を有する３族窒化物系化合物半導体発光素子であって、井戸層の上下に形成される層と井戸層との接合部近傍に該井戸層の上下に形成される層の格子定数が該井戸層の格子定数に近づくように変化して形成されている領域を有し、該井戸層の上下に形成される層はＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）で、該井戸層はＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ＜１）で、該領域はＡｌｘ’Ｇａ１−ｘ ’Ｎ（０≦ｘ’＜１）であり、該領域におけるｘ’がｘ’＝ｘからｘ’＝０の方向に変化して形成されていることを特徴とする。この構造を採用することにより、井戸層の界面近傍におけるミスフィット転位の発生を抑制すると同時に、井戸層における複数の準位発生を抑えることができるので、結晶性を高めると同時に、更に素子特性を向上させることができる。また、結晶性の良好な３元系の３族窒化物半導体を用いることにより、かつ井戸層との界面においては、最も結晶性の良好なＧａＮ（Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ ’Ｎにおけるｘ’＝０）を用いることにより、井戸層の界面近傍におけるミスフィット転位の発生を抑制すると同時に、井戸層における複数の準位発生を抑えることができるので、結晶性を高めると同時に、更に素子特性を向上させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために、請求項２に記載の手段によれば、量子井戸構造を有する３族窒化物系化合物半導体発光素子であって、井戸層の上下に形成される層と井戸層との接合部近傍に該井戸層の上下に形成される層の格子定数が該井戸層の格子定数に近づくように変化して形成されている領域を有し、該井戸層の上下に形成される層はＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）で、該井戸層はＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）であり、該領域は該井戸層側からＩｎｙ’Ｇａ１−ｙ’Ｎ（０≦ｙ’＜１）とＡｌｘ’Ｇａ１−ｘ ’Ｎ（０≦ｘ’＜１）で形成され、更にｙ’とｘ’は該井戸層側から、ｙからｙ’＝ｘ’＝０を経由してｘにいたるように変化して形成されていることを特徴とする。この構造を採用することにより、井戸層の界面近傍におけるミスフィット転位の発生を抑制すると同時に、井戸層における複数の準位発生を抑えることができるので、結晶性を高めると同時に、更に素子特性を向上させることができる。また、結晶性の良好な３元系（ＡｌＧａＮとＩｎＧａＮ）と最も結晶性の良好なＧａＮ（Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ ’Ｎにおけるｘ’＝０及びＩｎｙ’Ｇａ１−ｙ’Ｎにおけるｙ’＝０）を組合せることにより井戸層の界面近傍におけるミスフィット転位の発生を抑制すると同時に、井戸層における複数の準位発生を抑えることができるので、結晶性を高めると同時に、更に素子特性を向上させることができる。上記の課題を解決するために、請求項３に記載の手段によれば、前記領域は前記井戸層の上下に形成される層内に形成されていることを特徴とする。新たな層とすることなく井戸層の上下に形成される層から井戸層へと連続的に変化させることができる。上記の課題を解決するために、請求項４に記載の手段によれば、前記井戸層の上下に形成される層はクラッド層であることを特徴とする。単一量子井戸構造においては、井戸層の上下に形成される層はクラッド層としても作用するため、この領域の存在により井戸層の界面近傍におけるミスフィット転位の発生を抑制すると同時に、井戸層における複数の準位発生を抑えることができるので、結晶性を高めると同時に、更に素子特性を向上させることができる。上記課題を解決するために、請求項５に記載の手段によれば、前記井戸層の上下に形成される層は障壁層（バリア層）であることを特徴とする。多重量子井戸（ＭＱＷ）構造に適用した場合にもこの領域の存在により井戸層の界面近傍におけるミスフィット転位の発生を抑制すると同時に、井戸層における複数の準位発生を抑えることができるので、結晶性を高めると同時に、更に素子特性を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月3日(2007.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムイオン二次電池に組み込まれる電池監視用半導体装置であって、
前記半導体装置は、前記電池の電極に接続される一対の電極端子と、検出端子と、放電回路遮断用外付け素子が接続される端子と、充電回路遮断用外付け素子が接続される端子と、充電器電圧検出回路と、放電電圧検出回路と、制御回路と、駆動回路と、を備え、前記充電器電圧検出回路と前記放電電圧検出回路とは前記検出端子における電圧変動または電流変動に応じた信号を前記制御回路に送り、前記制御回路は前記充電器電圧検出回路と前記放電電圧検出回路とからの信号に応じて前記駆動回路を制御して前記外付け素子のそれぞれに制御信号を与えるように構成されてなり、
前記半導体装置は、さらに、前記検出端子を入力とし、検出信号を前記駆動回路に出力する逆接続検出回路を備えてなり、前記検出端子の電位が電源電圧の電位を超えた時に前記検出信号を反転させ、タイマ時間を持たせた制御を経ることなく充電器からの電流を直ちに遮断するように構成されてなることを特徴とするリチウムイオン二次電池監視用半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載のリチウムイオン二次電池監視用半導体装置において、
前記逆接続検出回路は、
アノードが前記検出端子に接続されたダイオードと、
一方の端子が前記ダイオードのカソードに接続され、他方の端子が第１の電源に接続された抵抗と、
一方の入力が前記ダイオードのカソードに接続され、他方の入力が第２の電源に接続され、前記検出信号を出力する比較器と、を有することを特徴とするリチウムイオン二次電池監視用半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載のリチウムイオン二次電池監視用半導体装置において、
前記逆接続検出回路は、
一方の端子が前記検出端子に接続された第１の抵抗と、
一方の端子が前記第１の抵抗の他方の端子に接続され、他方の端子が第１の電源に接続された第２の抵抗と、
一方の端子が第２の電源に接続された第３の抵抗と、
一方の端子が前記第３の抵抗の他方の端子に接続され、他方の端子が前記第１の電源に接続された第４の抵抗と、
一方の入力が前記第１の抵抗の他方の端子に接続され、他方の入力が前記第３の抵抗の他方の端子に接続され、前記検出信号を出力する比較器と、を有することを特徴とするリチウムイオン二次電池監視用半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載のリチウムイオン二次電池監視用半導体装置において、
前記検出信号が反転した時に、直ちに、リチウムイオン二次電池と充電器との間の電流遮断を行う機能を有することを特徴とするリチウムイオン二次電池監視用半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載のリチウムイオン二次電池監視用半導体装置において、
前記検出信号が反転した時に、充電回路遮断用素子駆動信号又は放電回路遮断用素子駆動信号が反転する機能を有することを特徴とするリチウムイオン二次電池監視用半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】リチウムイオン二次電池監視用半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月29日(2006.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ又は電気信号を送受信するために設けられたコードの一端が電子機器又は情報通信機器に接続されている一方で、コードの他端が電子機器又は情報通信機器に接続されずに放置されている放置プラグを介した電子機器又は情報通信機器への不正なアクセスを防止する装置であって、放置プラグを差し込むことができるようにハウジング内に形成されたプラグ受入れ部と、該放置プラグをプラグ受入れ部から引き抜くことができないように施錠する施錠手段とを有し、当該施錠手段は、前記ハウジング内に収容されたものであり、プラグのレバーに設けられたフランジに着脱可能に掛止する掛止部材を含むことを特徴とするプラグセキュリティ装置。
【請求項２】
データ又は電気信号を送受信するために設けられたコードの一端が電子機器又は情報通信機器に接続されている一方で、コードの他端が電子機器又は情報通信機器に接続されずに放置されている放置プラグを介した電子機器又は情報通信機器への不正なアクセスを防止する装置であって、放置プラグを差し込むことができるようにハウジング内に形成されたプラグ受入れ部と、該放置プラグをプラグ受入れ部から引き抜くことができないように施錠する施錠手段とを有し、
前記施錠手段は、鍵が差し込まれて操作される錠本体部と、プラグの所定箇所に掛止するように前記プラグ受入れ部に設けられた掛止部材と、該掛止部材の掛止状態を解除する解除手段とを含み、該解除手段が、錠本体部のみの操作により掛止部材の掛止状態を解除できるように形成されたものであるプラグセキュリティ装置。
【請求項３】
前記掛止部材の掛止状態を解除する解除手段は、先端がほぼ半円形断面に形成された軸部材であり、該先端は前記掛止部材に形成された孔に挿入され、弾性部材により付勢された掛止部材の位置を規定するものであり、該軸部材の先端の径部分を孔面に当接させることにより掛止部材の掛止状態を解除し、該軸部材の先端の円周部分で孔面を押すことにより掛止部材をプラグの所定箇所に掛止させるものである請求項２記載のプラグセキュリティ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラグセキュリティ装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、一端が電子機器又は情報通信機器に接続される一方で、他端が電子機器又は情報通信機器に接続されずに放置されている送受信用コードの放置プラグを介して不正なアクセスが為されないように防御するための装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の課題は、一端が電子機器又は情報通信機器に接続され、他端が電子機器又は情報通信機器に接続されずに放置されている送受信用コードの放置プラグを介して不正なアクセスが為されないように防御する装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、データ又は電気信号を送受信するために設けられたコードの一端が電子機器又は情報通信機器に接続される一方で、電子機器又は情報通信機器に接続されずに放置されているコード他端の放置プラグに、電子機器又は情報通信機器のジャックに差し込むことを不可能にする手段を取り付け、該手段を該放置プラグから取り外しできないように施錠手段を設けることにより、放置プラグを介した電子機器又は情報通信機器への不正なアクセスを防止可能にするものである。
ここで、ジャックに差し込むことを不可能にする手段とは、放置プラグの先端部や中央部等の一部又は放置プラグの全体を覆う部材、あるいは放置プラグの所定箇所に固定され得る部材であって、いずれかの部材をプラグに付加することにより、それらの外形をジャックよりも大きくし得るものであれば良く、これにより、放置プラグはジャックに差し込むことができなくなる。
本発明は、放置プラグ自体をジャックに差し込むことができないようにすると共に、この差込み不能状態を施錠手段により制御するものであるため、たとえ、放置プラグが、不特定多数の人間の出入りするゾーンや、ハブから遠く離れた場所に存在したとしても、悪意ある者等が放置プラグを自己の携帯パソコン等のジャックに差し込むことはできず、したがって、電子機器又は情報通信機器への不正なアクセスを防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月13日(2007.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像部における基板に受光部を形成する工程と、
前記基板の上層に、前記受光部の周縁において盛り上がった形状の遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜上に光学的に透明な絶縁膜を形成する工程と、
エッチバックにより前記絶縁膜を加工して、前記受光部の周縁部における前記遮光膜の側壁にサイドウォール絶縁膜を形成する工程と、
前記受光部に対応する位置にマスク開口をもつマスク層を前記遮光膜上に形成する工程と、
前記サイドウォール絶縁膜および前記マスク層をエッチングマスクとして前記遮光膜をエッチングして、前記受光部を露出させる開口部を形成する工程と
を有する固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記受光部を形成する工程の後、前記遮光膜を形成する工程の前に、前記基板の前記受光部を除く領域に電極を形成する工程をさらに有し、
前記遮光膜を形成する工程において、前記受光部および前記電極を被覆する前記遮光膜を形成する
請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記電極は、転送電極である
請求項２記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記電極を形成する工程において、単層あるいは複数層の前記電極を形成する
請求項２記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記開口部を形成する工程において、前記サイドウォール絶縁膜下の前記遮光膜を除去する
請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記開口部を形成する工程において、矩形の前記開口部を形成する
請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記開口部を形成する工程において、前記サイドウォール絶縁膜および前記マスク層をエッチングマスクとして前記遮光膜を等方性エッチングする
請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記遮光膜の形成と同時に、前記撮像部の周辺部における前記基板上にモニタ用遮光膜を形成し、
前記マスク層の形成と同時に、前記モニタ用遮光膜上にマスク開口をもつモニタ用マスク層を形成し、
前記遮光膜をエッチングする工程において、前記モニタ用遮光膜に形成される開口部の幅をモニタすることにより、前記受光部を露出させる前記開口部の幅を管理する
請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
基板に形成された受光部と、
前記基板上に形成され、前記受光部に対応する位置に開口部をもつ遮光膜と、
前記開口部の縁に沿って、前記遮光膜の側壁の上部に形成された光学的に透明なサイドウォール絶縁膜とを有し、
前記サイドウォール絶縁膜下における前記遮光膜が除去されている
固体撮像装置。
【請求項１０】
前記基板上に、前記受光部を除く領域に形成された電極をさらに有し、
前記遮光膜は、前記電極を被覆するように形成されている
請求項９記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記電極は、転送電極である
請求項１０記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記電極は、単層または複数層により形成されている
請求項１０記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記遮光膜を被覆する保護絶縁膜を有し、
前記サイドウォール絶縁膜下における領域が前記保護絶縁膜により埋め込まれている
請求項９記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記遮光膜の開口部は、矩形である
請求項９記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の撮像面に光を結像させる光学系と、
前記固体撮像装置からの出力信号に対して所定の信号処理を行う信号処理回路と
を有し、
前記固体撮像装置は、
基板に形成された受光部と、
前記基板上に形成され、前記受光部に対応する位置に開口部をもつ遮光膜と、
前記開口部の縁に沿って、前記遮光膜の側壁の上部に形成された光学的に透明なサイドウォール絶縁膜とを有し、
前記サイドウォール絶縁膜下における前記遮光膜が除去されている
カメラ。
【請求項１６】
前記基板上において、前記受光部を除く領域に形成された電極をさらに有し、
前記遮光膜は、前記電極を被覆するように形成されている
請求項１５記載のカメラ。
【請求項１７】
前記電極は、転送電極である
請求項１６記載のカメラ。
【請求項１８】
前記電極は、単層または複数層により形成されている
請求項１６記載のカメラ。
【請求項１９】
前記遮光膜を被覆する保護絶縁膜を有し、
前記サイドウォール絶縁膜下における領域が前記保護絶縁膜により埋め込まれている
請求項１５記載のカメラ。
【請求項２０】
前記遮光膜の開口部は、矩形である
請求項１５記載のカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、感度特性を向上させることができる固体撮像装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記の目的を達成するため、本発明の固体撮像装置の製造方法は、撮像部における基板に受光部を形成する工程と、前記基板の上層に、前記受光部の周縁において盛り上がった形状の遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜上に光学的に透明な絶縁膜を形成する工程と、エッチバックにより前記絶縁膜を加工して、前記受光部の周縁部における前記遮光膜の側壁にサイドウォール絶縁膜を形成する工程と、前記受光部に対応する位置にマスク開口をもつマスク層を前記遮光膜上に形成する工程と、前記サイドウォール絶縁膜および前記マスク層をエッチングマスクとして前記遮光膜をエッチングして、前記受光部を露出させる開口部を形成する工程とを有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記の目的を達成するため、本発明の固体撮像装置は、基板に形成された受光部と、前記基板上に形成され、前記受光部に対応する位置に開口部をもつ遮光膜と、前記開口部の縁に沿って、前記遮光膜の側壁の上部に形成された光学的に透明なサイドウォール絶縁膜とを有し、前記サイドウォール絶縁膜下における前記遮光膜が除去されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記の目的を達成するため、本発明のカメラは、固体撮像装置と、前記固体撮像装置の撮像面に光を結像させる光学系と、前記固体撮像装置からの出力信号に対して所定の信号処理を行う信号処理回路とを有し、前記固体撮像装置は、基板に形成された受光部と、前記基板上に形成され、前記受光部に対応する位置に開口部をもつ遮光膜と、前記開口部の縁に沿って、前記遮光膜の側壁の上部に形成された光学的に透明なサイドウォール絶縁膜とを有し、前記サイドウォール絶縁膜下における前記遮光膜が除去されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の固体撮像装置の製造方法によれば、感度特性を向上させた固体撮像装置を製造することができる。
また、本発明によれば、感度特性を向上させた固体撮像装置およびカメラを実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月11日(2007.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
そして以上のようなバッファ層２を介して基板１上に積層されるサブコレクタ層３〜第２コンタクト層１０は、ベース層６と等しい格子定数を有するように格子整合された層として構成されている。そこで、以下においては、先ずベース層６の構成を説明し、その後サブコレクタ層３，コレクタ層４、エミッタ層８，第１コンタクト層９，第２コンタクト層１０、第１グレーディッド層５、第２グレーディッド層７の順に各層の構成を説明する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
すなわち、バッファ層２上のサブコレクタ層３は、ベース層６と等しい格子定数を持つｎ型のＩｎＧａＡｓからなる。つまり、このサブコレクタ層３は、ベース層６と同様のＩｎ組成のＩｎＧａＡｓにｎ型不純物をドーピングしてなる。このためここでは、Ｉｎ組成が４０％のｎ型のＩｎＧａＡｓをサブコレクタ層３とし、その膜厚を１００ｎｍ〜５００ｎｍ、例えば３００ｎｍとする。また、ｎ型不純物としては、例えばＳｉが用いられ、濃度は５×１０18ｃｍ-3〜２×１０19ｃｍ-3、例えば１×１０19ｃｍ-3であることとする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
そして、サブコレクタ層３上のコレクタ層４は、ベース層６と等しい格子定数を持つｎ型のＩｎＧａＰからなる。このため、コレクタ層４におけるＩｎ組成は、４９％より大きく１００％未満であり、より好ましくはＩｎ組成が７７％〜８８％の間に設定される。ここでは、Ｉｎ組成４０％のＩｎＧａＡｓからなるベース層５６の格子定数に合わせ、Ｉｎ組成８７％のＩｎＧａＰをコレクタ層４とし、その膜厚を２００ｎｍから６００ｎｍ、例えば４５０ｎｍに設定する。また、ｎ型不純物としては、例えばＳｉが用いられ、濃度は１×１０15ｃｍ-3〜５×１０16ｃｍ-3、例えば２×１０16ｃｍ-3であることとする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
次に、ベース層６の上方に配置されるエミッタ層８は、ベース層６と等しい格子定数を持つｎ型のＩｎＧａＰからなる。このため、エミッタ層８におけるＩｎ組成は、４９％より大きく１００％未満であり、より好ましくはＩｎ組成が７７％〜８８％の間に設定される。ここでは、Ｉｎ組成４０％のＩｎＧａＡｓからなるベース層６の格子定数に合わせ、Ｉｎ組成８７％のＩｎＧａＰをエミッタ層８とし、その膜厚を２０ｎｍから１００ｎｍ、例えば６０ｎｍに設定する。また、ｎ型不純物としては、例えばＳｉが用いられ、濃度は１×１０16ｃｍ-3から１×１０18ｃｍ-3、例えば５×１０17ｃｍ-3であることとする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
このうち、コレクタ層４−第１グレーディッド層５間に設けられた第１高濃度ドーピング層２１は、Ｉｎ組成がコレクタ層４と同一のｎ型ＩｎＧａＰからなり（つまりベース層６と格子定数が等しく設定され）、ｎ型不純物の濃度がコレクタ層４よりも高く設定されている。このため、上述した第１実施形態のコレクタ層４の構成に基づくと、この第１高濃度ドーピング層２１は、Ｉｎ組成８７％のＩｎＧａＰ中にｎ型不純物として、例えばＳｉが５×１０17ｃｍ-3〜５×１０18ｃｍ-3、一例として１．５×１０18ｃｍ-3の濃度で含有されていることとする。また、膜厚は、１ｎｍ〜５ｎｍ、例えば３ｎｍに設定されていることとする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
一方、ベース層７−エミッタ層８間の第２グレーディッド層７’は、第１実施形態において説明した第２グレーディッド層と同様に、不純物濃度、膜厚が設定され、かつベース層６と等しい格子定数に保たれたｎ型のＩｎＧａＡｓＰからなり、ベース層６−エミッタ層８間の伝導帯不連続を解消するように、Ａｓの濃度とＰの濃度とにより組成変調されている。そして、この組成変調は、ベース層６との界面ではＩｎＧａＡｓからなるベース層６に組成、格子定数が接続され、エミッタ層８との界面ではＩｎＧａＰからなるエミッタ層８に組成、格子定数が接続されるように、ＩｎＧａＡｓＰの組成が複数段階（例えば３段階またはそれ以上）に変調された構成となっている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月4日(2007.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
また、緻密化工程で得られたＴｉＯ２−ＳｉＯ２緻密体は、ガラス化工程を行わずに成形工程を行うことで、ガラス化工程を省略できる。すなわち、成形工程でガラス化と成形を同時に行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月22日(2006.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理室を形成する真空処理容器と、
前記真空処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置と、
前記真空処理容器内に電磁エネルギを供給し処理室内に供給した処理ガスを解離してプラズマを生成するプラズマ生成手段とを備え、
前記真空処理容器内に搬入したウエハにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
真空処理室内表面温度を制御する処理室表面温度制御部を備え、該制御部は、ウエハ処理に先立って、直前のロットからの空き時間又は直前のロットの処理電力又は直前のロットの処理圧力又は直前のロットのウエハ処理枚数を元に真空処理容器内表面温度を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
真空処理室を形成する真空処理容器と、
前記真空処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置と、
前記真空処理容器内に電磁エネルギを供給し処理室内に供給した処理ガスを解離してプラズマを生成するプラズマ生成手段とを備え、
前記真空処理容器内に搬入したウエハにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
真空処理室内表面温度を制御する処理室表面温度制御部を備え、該制御部は、ロット前クリーニング処理に先立って、直前のロットからの空き時間又は直前のロットの処理電力又は直前のロットの処理圧力又は直前のロットのウエハ処理枚数を元に真空処理容器内表面温度を制御し、ロット前クリーニングの条件を元に真空処理容器内表面温度を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
真空処理室を形成する真空処理容器と、前記真空処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置と、前記真空処理容器内に電磁エネルギを供給し処理室内に供給した処理ガスを解離してプラズマを生成するプラズマ生成手段とを備え、前記真空処理容器内に搬入したウエハにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、真空処理室内表面温度を制御する処理室表面温度制御部を備え、該制御部は、ウエハ処理に先立って、直前のロットからの空き時間又は直前のロットの処理電力又は直前のロットの処理圧力又は直前のロットのウエハ処理枚数を元に真空処理容器内表面温度を制御する。