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【手続補正書】
【提出日】令和1年11月5日(2019.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の半導体処理に使用するための静電チャックであって、
前記基板を支持するように構成されたサファイアの最上プレート層と、セラミックの下側プレート層と、周縁とを有するプレートアセンブリ、を備え、
前記プレートアセンブリは、前記周縁で、前記サファイアの最上プレート層と前記セラミックの下側プレート層の間にあり、半導体処理環境の腐食性処理化学作用に耐えることができる気密密封アルミニウム接合部と、前記サファイアの最上プレート層と前記セラミックの下側プレート層の間に配置され前記基板を前記プレートアセンブリにクランプするクランプ電極と、を有している、
ことを特徴とする静電チャック。
【請求項２】
前記クランプ電極は、８９重量％よりも多い金属アルミニウム及び９９重量％よりも多い金属アルミニウムから構成される群から選択された材料のものである、
請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記気密密封アルミニウム接合部は、８９重量％よりも多い金属アルミニウム及び９９重量％よりも多い金属アルミニウムから構成される群から選択された材料のものである、
請求項１に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記プレートアセンブリは、底部を有し、
静電チャックが、前記プレートアセンブリの前記底部に接合されたシャフトを更に備えている、
請求項１に記載の静電チャック。
【請求項５】
前記プレートアセンブリの底部と前記シャフトの間にあり、半導体処理環境の腐食性処理化学作用に耐えることができる追加の気密密封アルミニウム接合部を更に備えている、
請求項４に記載の静電チャック。
【請求項６】
前記下側プレート層の前記セラミックは、酸化アルミニウム及び窒化アルミニウムから構成される群から選択される、
請求項１に記載の静電チャック。
【請求項７】
基板の半導体処理に使用するための静電チャックであって、
前記基板を支持するように構成され５００℃から７５０℃の温度範囲にわたって１０Ｅ９ｏｈｍ−ｃｍから１０Ｅ１１ｏｈｍ−ｃｍの範囲のバルク抵抗率を有する材料の最上プレート層と、セラミックの下側プレート層と、周縁と、を有するプレートアセンブリを備え、
前記プレートアセンブリは、前記周縁で、前記最上プレート層と前記下側プレート層の間にあり、半導体処理環境の腐食性処理化学作用に耐えることができる気密密封アルミニウム接合部と、前記最上プレート層と下側プレート層の間に配置され、前記基板を前記プレートアセンブリにクランプするクランプ電極とを有している、
ことを特徴とする静電チャック。
【請求項８】
前記気密密封接合部は、８９重量％よりも多い金属アルミニウム及び９９重量％よりも多い金属アルミニウムから構成される群から選択された材料のものである、
請求項７に記載の静電チャック。
【請求項９】
前記プレートアセンブリは、底部を有し、
静電チャックが、前記プレートアセンブリの前記底部に接合されたシャフトを更に備えている、
請求項７に記載の静電チャック。
【請求項１０】
半導体処理に使用される多層プレートデバイスを製造する方法であって、
サファイアの最上プレート層と、セラミックの下側プレート層と、前記サファイアの最上プレート層と前記セラミックの下側プレート層間に配置され８９重量％アルミニウムよりも多いアルミニウムを含むろう付け層とを含む複数のプレート構成要素をスタックに配置する段階と、
前記サファイア最上プレート層を前記セラミックの下側プレート層に接合する段階であって、
前記構成要素を処理チャンバ内に置く段階、
前記処理チャンバから酸素を除去する段階、及び
前記プレート構成要素のスタックを加熱し、半導体処理環境の腐食性処理化学作用に耐えることができる気密密封アルミニウム接合部で、前記サファイアの最上プレート層を前記セラミックの下側プレート層に接合する段階を含む接合段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記処理チャンバから酸素を除去する前記段階は、前記プレート構成要素のスタックを前記加熱する段階中に真空圧力が１×１０Ｅ−４よりも低い真空を該プレート構成要素のスタックに印加する段階を含む、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記プレート構成要素のスタックを加熱する前記段階は、加圧された該プレート構成要素のスタックを８００℃と１２００℃の間の第１の温度まで加熱する段階を含む、  
請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月9日(2019.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コーンスティープリカーと、少なくとも1種の消泡剤（a）若しくは少なくとも1種の界面活性剤（b）の少なくとも一方、又はそれらの任意の組み合わせとを含む栄養組成物を含有する成長培地中で、少なくとも1種の酵母を培養して、増殖した酵母培養物を得ることと、
発酵基質に前記増殖した酵母培養物を接種して、発酵可能なバイオマスを生成することと、
前記発酵可能なバイオマスを発酵させて、少なくとも1種の生物産物と未発酵の固体含有物とを含む発酵したバイオマスを生成することと、
前記少なくとも1種の生物産物の少なくとも一部を前記固体含有物から分離することと、
を含む、発酵による生物産物の製造方法。
【請求項２】
前記栄養組成物は、非イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、又はそれらの任意の組み合わせである少なくとも1種の界面活性剤を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記コーンスティープリカー、前記少なくとも1種の消泡剤、及び前記少なくとも1種の界面活性剤は、培養のために添加前に予め混合しておく、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記コーンスティープリカー、前記少なくとも1種の消泡剤、及び前記少なくとも1種の界面活性剤は、培養のために個別に添加する、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも1種の消泡剤が存在し、それは少なくとも1種の有機消泡剤である、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも1種の消泡剤は、1から5までのHLB値を有する界面活性剤である、請求項5に記載の方法。
【請求項７】
コーンスティープリカーと、少なくとも1種の消泡剤と、少なくとも1種の界面活性剤とを含む追加の栄養組成物を導入することを更に含み、その栄養組成物は前記発酵可能なバイオマス中に含有される、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
コーンスティープリカーと、少なくとも1種の消泡剤と、任意に少なくとも1種の界面活性剤とを含む追加の栄養組成物を導入することを更に含み、その栄養組成物は前記発酵可能なバイオマス中に含有される、請求項2に記載の方法。
【請求項９】
前記コーンスティープリカー、前記少なくとも1種の消泡剤、及び任意の前記少なくとも1種の界面活性剤は、発酵可能なバイオマスに添加する前に予め混合しておく、請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
前記コーンスティープリカー、前記少なくとも1種の消泡剤、及び任意の前記少なくとも1種の界面活性剤は、発酵可能な塊へと個別に添加する、請求項8に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも1種の生物産物は、エタノール、油、又はそれらの組み合わせである、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
前記分離は、a）前記発酵したバイオマスからエタノールを蒸留すること、b）前記発酵したバイオマスから油を抽出すること、又はc）a）及びb）の両方を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１３】
前記栄養組成物の添加は、培養を同量の前記コーンスティープリカーだけを添加して、少なくとも1種の消泡剤を用いずに行った増殖槽及び発酵槽における酵母濃度と比べて、1グラム当たり少なくとも約3000000個の細胞の増殖槽及び発酵槽における酵母濃度の増大をもたらす、請求項1に記載の方法。
【請求項１４】
前記栄養組成物の添加は、培養を同量の前記コーンスティープリカーだけを添加して、少なくとも1種の界面活性剤及び少なくとも1種の消泡剤を用いずに行った増殖槽及び発酵槽における酵母濃度と比べて、1グラム当たり少なくとも約3000000個の細胞の増殖槽及び発酵槽における酵母濃度の増大をもたらす、請求項2に記載の方法。
【請求項１５】
前記栄養組成物の添加は、培養を同量の前記コーンスティープリカーだけを添加して、少なくとも1種の消泡剤及び少なくとも1種の界面活性剤を用いずに行った増殖槽及び発酵槽におけるエタノール濃度と比べて、少なくとも1%重量／容量の前記発酵したバイオマスにおけるエタノール濃度の増大をもたらす、請求項1に記載の方法。
【請求項１６】
前記発酵は、30%から40%までの発酵可能な固形分での高重力発酵であり、かつ前記栄養組成物の添加は、培養を該栄養組成物ではなく同量の尿素を用いて行ったエタノール収率と比べて、少なくとも約2%のエタノール収率の増大をもたらす、請求項1に記載の方法。
【請求項１７】
増殖槽及び発酵槽は、0.02%重量／容量から18%重量／容量までのエタノール濃度を有し、かつ前記栄養組成物の添加は、培養を同量の前記コーンスティープリカーだけを添加して、少なくとも1種の界面活性剤及び少なくとも1種の消泡剤を用いずに行った前記発酵したバイオマスにおける酵母濃度と比べて、単位重量当たりの細胞数を基準として少なくとも約2.5%の前記発酵したバイオマスにおける酵母濃度の増大をもたらす、請求項2に記載の方法。
【請求項１８】
前記栄養組成物の添加は、培養を同量の前記コーンスティープリカーだけを添加して、少なくとも1種の消泡剤を用いずに行った増殖槽及び発酵槽における残留糖濃度と比べて、少なくとも3%重量／容量の前記発酵したバイオマスにおける残留糖濃度の低減をもたらす、請求項1に記載の方法。
【請求項１９】
培養を、回分式発酵、流加回分式発酵、又は連続式発酵から選択される発酵方式で実施する、請求項1に記載の方法。
【請求項２０】
発酵を、回分式発酵、流加回分式発酵、又は連続式発酵から選択される発酵方式で実施する、請求項1に記載の方法。
【請求項２１】
前記発酵基質は、穀類、例えばトウモロコシ、コムギ、ライムギ、オオムギ及びモロコシ、リグノセルロース質材料、例えば木材、ヤナギ材及びスイッチグラス、農業残渣、例えばトウモロコシ茎葉、トウモロコシ穂軸、わら及びバガス、サトウキビ、糖蜜、テンサイ、デンプン材料、例えばタピオカ（カッサバ）及びジャガイモ、紙及びパルプ工業廃棄物、藻類、木材、種子、草、又はそれらの任意の組み合わせを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項２２】
前記発酵基質は、トウモロコシを含む、請求項1に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月11日(2019.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス電力レシーバにワイヤレスに電力を送信するための装置であって、
磁場を介してワイヤレス電力を送信するように構成されるトランスミッタ回路と、
前記トランスミッタ回路の電力レベル能力を判定するように構成されるプロセッサ回路と、
前記判定された電力レベル能力が第1の電力レベルよりも低いとの判定に基づいて、前記ワイヤレス電力レシーバに第1の通信を送信するように構成される通信回路であって、前記第1の通信が、前記ワイヤレス電力レシーバにワイヤレスに前記ワイヤレス電力レシーバの電力需要を前記第1の電力レベルから第2の電力レベルに調整させ、前記第1の電力レベルが前記第2の電力レベルよりも高く、前記第2の電力レベルが、前記トランスミッタ回路の前記電力レベル能力に対応する、通信回路と
を備える、装置。
【請求項２】
前記電力レベル能力が、前記トランスミッタ回路に結合される電源の電力供給能力に基づく、請求項1に記載の装置。
【請求項３】
前記通信回路が、前記ワイヤレス電力レシーバから第2の通信を受信するようにさらに構成され、前記第2の通信が前記第1の電力レベルの前記電力需要を含む、請求項1に記載の装置。
【請求項４】
前記通信回路が、前記電力レベル能力が前記第1の電力レベルを下回る電力レベルに対応するとき、前記第1の通信を送信するようにさらに構成される、請求項1に記載の装置。
【請求項５】
前記第2の電力レベルが、前記トランスミッタ回路の前記電力レベル能力以下の電力レベルに対応する、請求項1に記載の装置。
【請求項６】
前記プロセッサ回路が、前記トランスミッタ回路の前記電力レベル能力に基づいて前記トランスミッタ回路の電流レベルを調整するようにさらに構成される、請求項1に記載の装置。
【請求項７】
前記通信回路が、前記第1の通信に応答して前記ワイヤレス電力レシーバから第2の通信を受信するようにさらに構成され、前記第2の通信が、前記第2の電力レベルに調整されるものとする前記電力需要を含む、請求項1に記載の装置。
【請求項８】
ワイヤレス電力レシーバにワイヤレスに電力を送信するための方法であって、
ワイヤレス電力トランスミッタから、磁場を介してワイヤレス電力を送信するステップと、
前記ワイヤレス電力トランスミッタの電力レベル能力を判定するステップと、
前記判定された電力レベル能力が第1の電力レベルよりも低いとの判定に基づいて、前記ワイヤレス電力レシーバに第1の通信を送信するステップであって、前記第1の通信が、前記ワイヤレス電力レシーバにワイヤレスに前記ワイヤレス電力レシーバの電力需要を前記第1の電力レベルから第2の電力レベルに調整させ、前記第1の電力レベルが前記第2の電力レベルよりも高く、前記第2の電力レベルが、前記ワイヤレス電力トランスミッタの前記電力レベル能力に対応する、ステップと
を含む、方法。
【請求項９】
前記電力レベル能力が、前記ワイヤレス電力トランスミッタに結合される電源の電力供給能力に基づく、請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
前記ワイヤレス電力レシーバから第2の通信を受信するステップをさらに含み、前記第2の通信が前記第1の電力レベルの前記電力需要を含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１１】
前記第1の通信を送信するステップが、前記電力レベル能力が前記第1の電力レベルを下回る電力レベルに対応するとき、前記第1の通信を送信するステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１２】
前記第2の電力レベルが、前記ワイヤレス電力トランスミッタの前記電力レベル能力以下の電力レベルに対応する、請求項8に記載の方法。
【請求項１３】
前記ワイヤレス電力トランスミッタの前記電力レベル能力に基づいて前記ワイヤレス電力トランスミッタの電流レベルを調整するステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１４】
前記第1の通信に応答して前記ワイヤレス電力レシーバから第2の通信を受信するステップをさらに含み、前記第2の通信が、前記第2の電力レベルに調整されるものとする前記電力需要を含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１５】
命令を含む非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記命令が、プロセッサによって実行されると、ワイヤレス電力トランスミッタに、
磁場を介して前記ワイヤレス電力トランスミッタからワイヤレス電力を送信することと、
前記ワイヤレス電力トランスミッタの電力レベル能力を判定することと、
前記判定された電力レベル能力が第1の電力レベルよりも低いとの判定に基づいて、ワイヤレス電力レシーバに第1の通信を送信することであって、前記第1の通信が、前記ワイヤレス電力レシーバにワイヤレスに前記ワイヤレス電力レシーバの電力需要を前記第1の電力レベルから第2の電力レベルに調整させ、前記第1の電力レベルが前記第2の電力レベルよりも高く、前記第2の電力レベルが、前記ワイヤレス電力トランスミッタの前記電力レベル能力に対応する、送信することと
を行わせる、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月21日(2019.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号３４において与えられるアミノ酸配列と少なくとも９０％の配列同一性を持つ、ネコカリシウイルス（ＦＣＶ）カプシドタンパク質。
【請求項２】
以下のアミノ酸Ｋ８９、Ｍ９０、Ｍ１００、Ｉ３１７、Ｌ３９０、Ａ３９１、Ｖ３９２、Ｑ３９６、Ｓ３９７、Ｋ３９８、Ｎ４０４、Ｔ４２６、Ｔ４３１、Ｓ４３８、Ｓ４３７、Ｄ４４０、Ｅ４４５、Ｋ４４７、Ｌ４４８、Ｅ４５１、Ｎ４５２、Ｇ４８４、Ｇ４８９、Ｉ４９１、Ｎ５１６、Ｓ５１７、Ｅ５１８、Ｉ５２４、Ｓ５４５、Ｓ６３４、Ｆ６３５、Ｐ６３６のうちの少なくとも１つを含み、ここでナンバリングは配列番号３４に従うものである、ネコカリシウイルス（ＦＣＶ）カプシドタンパク質。
【請求項３】
配列番号３４において与えられるアミノ酸配列と少なくとも９０％の配列同一性を持つカプシドタンパク質を含む、生弱毒化ＦＣＶ。
【請求項４】
以下のアミノ酸Ｋ８９、Ｍ９０、Ｍ１００、Ｉ３１７、Ｌ３９０、Ａ３９１、Ｖ３９２、Ｑ３９６、Ｓ３９７、Ｋ３９８、Ｎ４０４、Ｔ４２６、Ｔ４３１、Ｓ４３８、Ｓ４３７、Ｄ４４０、Ｅ４４５、Ｋ４４７、Ｌ４４８、Ｅ４５１、Ｎ４５２、Ｇ４８４、Ｇ４８９、Ｉ４９１、Ｎ５１６、Ｓ５１７、Ｅ５１８、Ｉ５２４、Ｓ５４５、Ｓ６３４、Ｆ６３５、Ｐ６３６のうちの少なくとも１つを含むカプシドタンパク質を含む、生弱毒化ＦＣＶ。
【請求項５】
請求項１または２に記載のカプシドタンパク質をコードする領域を含むことを特徴とする、ＤＮＡ断片。
【請求項６】
カプシドタンパク質をコードする領域が好適なプロモーターの制御下に置かれていることを特徴とする、請求項５に記載のＤＮＡ断片。
【請求項７】
請求項１または２に記載のネコカリシウイルス（ＦＣＶ）カプシドタンパク質をコードする領域を好適なプロモーターの制御下に含むことを特徴とする、生弱毒化組換えキャリアウイルス（ＬＡＲＣＶ）。
【請求項８】
ＬＲＣＶがミクソーマウイルスまたはネコヘルペスウイルスである、請求項７に記載の生弱毒化組換えキャリアウイルス。
【請求項９】
ＦＣＶに対してネコを防御するための薬剤の製造における、請求項７または８に記載の生弱毒化組換えキャリアウイルスの使用。
【請求項１０】
請求項７または８に記載の生弱毒化組換えキャリアウイルスを含む、ＦＣＶに対してネコを防御するための組成物。
【請求項１１】
請求項１もしくは２に記載のカプシドタンパク質をコードするオープンリーディングフレーム２（ＯＲＦ２）または請求項５に記載のＤＮＡ断片を含み、そして弱毒化ＦＣＶからのオープンリーディングフレーム１（ＯＲＦ１）を含むことを特徴とする、生弱毒化ハイブリッドＦＣＶ。
【請求項１２】
ＦＣＶ株Ｆ９からのＯＲＦ１を含むことを特徴とする、請求項１１に記載の生弱毒化ハイブリッドＦＣＶ。
【請求項１３】
ＦＣＶに対してネコを防御するための薬剤の製造における、請求項１１または１２に記載の生弱毒化ハイブリッドＦＣＶの使用。
【請求項１４】
請求項１１または１２に記載の生弱毒化ハイブリッドＦＣＶを含む、ＦＣＶに対してネコを防御するための組成物。
【請求項１５】
請求項３もしくは４に記載の生弱毒化ＦＣＶ、請求項７もしくは８に記載のＬＡＲＣＶ、または請求項１１もしくは１２に記載の生弱毒化ハイブリッドＦＣＶを含む、細胞培養物。
【請求項１６】
請求項３もしくは４に記載の生弱毒化ＦＣＶおよび／または請求項７もしくは８に記載の生組換えキャリアウイルスおよび／または請求項１１もしくは１２に記載の生弱毒化ハイブリッドＦＣＶ、ならびに薬学的に許容される担体を含むことを特徴とする、ＦＣＶに対するネコの防御のためのワクチン。
【請求項１７】
少なくとも１つの他のネコ病原性微生物もしくはネコ病原性ウイルスおよび／または少なくとも１つの他の免疫原性構成成分および／または前記ネコ病原性微生物もしくはネコ病原性ウイルスの前記他の免疫原性構成成分をコードする遺伝材料を含むことを特徴とする、請求項１６に記載のワクチン。
【請求項１８】
前記少なくとも１つの他のネコ病原性微生物またはネコ病原性ウイルスが、ネコ汎白血球減少症（ｆｅｌｉｎｅ  ｐａｎｌｅｕｃｏｐｅｎｉａ）ウイルス、クラミジア・シタッシ（Ｃｈｌａｍｙｄｉａ  ｐｓｉｔｔａｃｉ）、ボルデテラ・ブロンキセプチカ（Ｂｏｒｄｅｔｅｌｌａ  ｂｒｏｎｃｈｉｓｅｐｔｉｃａ）、ネコパルボウイルス、狂犬病ウイルスおよびネコヘルペスウイルスよりなる群から選択されることを特徴とする、請求項１７に記載のワクチン。
【請求項１９】
ａ．弱毒化ＦＣＶの全ＯＲＦ１領域および隣接するＯＲＦ２領域の５’部分を含む第一のＦＣＶ増幅産物の調製、
ｂ．ＯＲＦ１領域の３’部分および隣接する全ＯＲＦ２／／ＯＲＦ３領域を含み、ここでＯＲＦ２は請求項１または２に記載のＦＣＶカプシドタンパク質をコードするＯＲＦ２である第二のＦＣＶ増幅産物の調製、
ｃ．オーバーラップ伸長を用いた第一および第二の増幅産物のアセンブリ、
ｄ．感染性ＦＣＶの作成、
ｅ．感染性ＦＣＶでの感受性細胞の感染
ｆ．感染性の後代ＦＣＶの回収
のステップを含む、請求項１１または１２に記載の生弱毒化ハイブリッドＦＣＶを得る方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月29日(2019.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多相ブラシレス直流モータであって、
モータ本体と駆動モジュールとデジタルコントローラとを備え、前記駆動モジュールは、それぞれが２つの端部を含む複数の相コイル巻線を有し、
前記駆動モジュールはさらに、複数のＨブリッジ単段インバータを有し、前記複数のＨブリッジ単段インバータのそれぞれが、前記多相ブラシレス直流モータの各相を表し、
前記デジタルコントローラは、複数の出力端子を含み、
前記複数のＨブリッジ単段インバータのそれぞれはさらに、前記複数の相コイル巻線が共通のエンドポイントを有することなく独立して作動するように配置された、前記複数の相コイル巻線のそれぞれのものの前記２つの端部と電気的に接続する２つの出力端を有しており、
前記デジタルコントローラの前記複数の出力端子のうちの１又は複数は、前記複数のＨブリッジ単段インバータのそれぞれの各制御ピンと電気的に接続し、前記デジタルコントローラの出力信号は、パルス幅変調された正弦波であり、前記パルス幅変調された正弦波は、前記複数のＨブリッジ単段インバータのそれぞれを駆動し、
前記パルス幅変調された正弦波は、同じ周波数及び振幅であり、
前記複数の相コイル巻線の各自が互いに独立しており、前記パルス幅変調された正弦波は、非ゼロの位相差を有する２つの隣接する相コイル巻線ごとに対応し、前記複数の相コイル巻線の位相差は同じである、多相ブラシレス直流モータ。
【請求項２】
前記複数の相コイル巻線は、２つの相コイル巻線、３つの相コイル巻線、及び、２又は３の倍数である数の相コイル巻線のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の多相ブラシレス直流モータ。
【請求項３】
前記デジタルコントローラは、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイコントローラである、請求項１に記載の多相ブラシレス直流モータ。
【請求項４】
前記フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイコントローラは、アナログ及びデジタル回路のうちの少なくとも一方を有する、請求項３に記載の多相ブラシレス直流モータ。
【請求項５】
前記複数の相コイル巻線は、共通のエンドポイントを有することなく並列に配置される、請求項１に記載の多相ブラシレス直流モータ。
【請求項６】
多相ブラシレス直流モータの駆動方法であって、前記多相ブラシレス直流モータは、それぞれが２つの端部を含む複数の相コイル巻線を有する駆動モジュールを備え、前記駆動モジュールはさらに、複数のＨブリッジ単段インバータを有し、前記複数のＨブリッジ単段インバータのそれぞれは、前記多相ブラシレス直流モータの各相を表し、前記複数のＨブリッジ単段インバータのそれぞれはさらに、前記複数の相コイル巻線が共通のエンドポイントを有することなく独立して作動するように配置された、前記複数の相コイル巻線のそれぞれのものの前記２つの端部と電気的に接続する２つの出力端を有し、前記方法は、
コントローラから、同じ周波数および振幅を有するパルス幅変調された信号を出力し、それによって、各相の前記複数のＨブリッジ単段インバータをそれぞれ駆動するステップ
を備えており、
前記方法はさらに、
前記コントローラから、同じ周波数および振幅を有するパルス幅変調された正弦波を出力し、それによって、各相の前記複数のＨブリッジ単段インバータをそれぞれ駆動するステップであって、前記パルス幅変調された正弦波は、非ゼロの位相差を有する２つの隣接する相コイル巻線ごとに対応し、前記複数の相コイル巻線の位相差は同じである、ステップと、
それらの対応する相において正弦波駆動電圧又は正弦波駆動電流を、前記複数のＨブリッジ単段インバータのそれぞれから、対応して電気的に接続された前記複数の相コイル巻線に出力するステップと、
を備える、多相ブラシレス直流モータの駆動方法。
【請求項７】
各相の前記複数のＨブリッジ単段インバータのそれぞれは、単段モードで作動する、請求項６に記載の多相ブラシレス直流モータの駆動方法。
【請求項８】
前記複数の相コイル巻線は、２つの相コイル巻線、３つの相コイル巻線、及び、２又は３の倍数である数の相コイル巻線のうちの少なくとも１つを有する、請求項６に記載の多相ブラシレス直流モータの駆動方法。
【請求項９】
前記複数の相コイル巻線は、共通のエンドポイントを有することなく並列に配置される、請求項６に記載の多相ブラシレス直流モータの駆動方法。
【請求項１０】
３相ブラシレス直流モータであって、
モータ本体と駆動モジュールとデジタルコントローラとを備え、前記駆動モジュールは、それぞれが２つの端部を有する３つの相コイル巻線を有し、
前記駆動モジュールはさらに、３つのＨブリッジ単段インバータを有し、前記３つのＨブリッジ単段インバータのそれぞれは、前記３相ブラシレス直流モータの３相の各相を表し、
前記デジタルコントローラは、６つの出力端子を含み、
前記３つのＨブリッジ単段インバータのそれぞれはさらに、前記３つの相コイル巻線は、共通のエンドポイントを有することなく独立して作動するように配置された、前記３つの相コイル巻線のそれぞれのものの前記２つの端部と電気的に接続する２つの出力端を有しており、
前記デジタルコントローラの前記出力端子は、前記３つのＨブリッジ単段インバータのそれぞれの各制御ピンと電気的に接続し、前記デジタルコントローラの出力信号は、パルス幅変調された正弦波であり、前記パルス幅変調された正弦波は、前記３つのＨブリッジ単段インバータのそれぞれを駆動し、
前記パルス幅変調された正弦波は、同じ周波数及び振幅であり、
前記３つの相コイル巻線の各自が互いに独立しており、前記パルス幅変調された正弦波は、非ゼロの位相差を有する２つの隣接する相コイル巻線ごとに対応し、前記３つの相コイル巻線の位相差は同じである、３相ブラシレス直流モータ。
【請求項１１】
前記３つの相コイル巻線は、共通のエンドポイントを有することなく並列に配置される、請求項１０に記載の３相ブラシレス直流モータ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月23日(2019.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号９〜２６２のいずれか１つにより示されるＣａｓ９のアミノ酸配列と少なくとも８０パーセント同一であるアミノ酸配列を含み、
Ｃａｓ９蛋白質のアミノ酸配列が、配列番号９に示されるアミノ酸配列のアミノ酸残基２６２、２６７、２９４、４０５、４０９、４８０、５４３、６９４、１２１９、１２２４、１２５６および１３６２からなる群から選択されるアミノ酸残基において、または配列番号１０〜２６２に示されるアミノ酸配列のいずれかの対応するアミノ酸残基において、少なくとも１つ、少なくとも２つ、少なくとも３つ、少なくとも４つ、少なくとも５つ、少なくとも６つまたは、少なくとも７つの変異を含み、
組み換えＣａｓ９蛋白質のアミノ酸配列が、天然に存在するＣａｓ９蛋白質のアミノ酸配列と同一でない、組み換えＣａｓ９蛋白質。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月11日(2019.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二重特異性抗体を生成するための、SEQ ID NO: 01のアミノ酸配列を有するかまたはその変種である可変ドメインを含む共通抗体軽鎖の使用。
【請求項２】
2つの共通抗体軽鎖を第一の抗体重鎖および第二の抗体重鎖と組み合わせることによる、請求項1記載の使用であって、該第一の抗体重鎖が共通抗体軽鎖と共に第一の抗原結合部位を形成し、該第二の抗体重鎖が共通抗体軽鎖と共に第二の抗原結合部位を形成する、使用。
【請求項３】
共通軽鎖が、SEQ ID NO: 01のアミノ酸配列内に1〜11個のアミノ酸変異を含む、請求項1〜2のいずれか一項記載の使用。
【請求項４】
共通軽鎖が、SEQ ID NO: 01のアミノ酸配列内に1〜13個のアミノ酸変異を含み、このうち多くて11個がHVRに存在する、請求項1〜3のいずれか一項記載の使用。
【請求項５】
2つの重鎖と、SEQ ID NO: 01のアミノ酸配列を有するかまたはその変種である可変ドメインをそれぞれ含む2つの共通軽鎖とを含む、二重特異性全長抗体。
【請求項６】
ヒト化軽鎖遺伝子座を含むトランスジェニックベクターであって、該ヒト化軽鎖遺伝子座が以下：
（a）V遺伝子セグメントとして、ヒト軽鎖VセグメントIGKV1-39-01；
（b）該軽鎖遺伝子セグメントの3'近位に、プロモーター；および
（c）該軽鎖遺伝子セグメントの5'近位に、ヒトIGKJ4 J要素またはその機能的断片
を含む、トランスジェニックベクター。
【請求項７】
請求項6記載のトランスジェニックベクターに存在するヒト化免疫グロブリン遺伝子座を含む、トランスジェニックウサギ。
【請求項８】
以下：
（1）8つのヒトVH要素、ヒトJH1〜JH6要素、ヒトbcl2コード配列に融合したヒトCμコード領域、およびヒトCγコード領域によって置換された、ウサギ免疫グロブリン重鎖遺伝子座に由来する導入遺伝子；
（2）ヒトVκ要素IGKV1-39-01およびヒトIgKJ4 J要素を含む、ウサギ免疫グロブリン軽鎖遺伝子座に由来する導入遺伝子；
（3）ヒトCD79αおよびCD79β遺伝子座に由来する導入遺伝子；ならびに
（4）ウサギCμおよびウサギCκ遺伝子座内の機能欠失変異
をさらに含む、請求項7記載のトランスジェニックウサギ。
【請求項９】
請求項6記載のトランスジェニックベクターに存在するヒト化免疫グロブリン遺伝子座を含む、請求項7〜8のいずれか一項記載のトランスジェニックウサギ由来のB細胞。
【請求項１０】
請求項7〜8のいずれか一項記載のトランスジェニックウサギを用いて、ヒト免疫グロブリンを産生するための方法。
【請求項１１】
ヒト免疫グロブリンが抗体であることを特徴とする、請求項10記載の方法。
【請求項１２】
ヒト免疫グロブリンがポリクローナル抗体であることを特徴とする、請求項10〜11のいずれか一項記載の方法。
【請求項１３】
ヒト免疫グロブリンがモノクローナル抗体であることを特徴とする、請求項10〜11のいずれか一項記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
1つの態様において、ヒト免疫グロブリンは抗体である。1つの態様において、ヒト免疫グロブリンはポリクローナル抗体である。1つの好ましい態様において、ヒト免疫グロブリンはモノクローナル抗体である。
[本発明1001]
二重特異性抗体を生成するための、SEQ ID NO: 01のアミノ酸配列を有するかまたはその変種である可変ドメインを含む共通抗体軽鎖の使用。
[本発明1002]
2つの共通抗体軽鎖を第一の抗体重鎖および第二の抗体重鎖と組み合わせることによる、本発明1001の使用であって、該第一の抗体重鎖が共通抗体軽鎖と共に第一の抗原結合部位を形成し、該第二の抗体重鎖が共通抗体軽鎖と共に第二の抗原結合部位を形成する、使用。
[本発明1003]
共通軽鎖が、SEQ ID NO: 01のアミノ酸配列内に1〜11個のアミノ酸変異を含む、本発明1001〜1002のいずれかの使用。
[本発明1004]
共通軽鎖が、SEQ ID NO: 01のアミノ酸配列内に1〜13個のアミノ酸変異を含み、このうち多くて11個がHVRに存在する、本発明1001〜1003のいずれかの使用。
[本発明1005]
2つの重鎖と、SEQ ID NO: 01のアミノ酸配列を有するかまたはその変種である可変ドメインをそれぞれ含む2つの共通軽鎖とを含む、二重特異性全長抗体。
[本発明1006]
ヒト化軽鎖遺伝子座を含むトランスジェニックベクターであって、該ヒト化軽鎖遺伝子座が以下：
（a）V遺伝子セグメントとして、ヒト軽鎖VセグメントIGKV1-39-01；
（b）該軽鎖遺伝子セグメントの3'近位に、プロモーター；および
（c）該軽鎖遺伝子セグメントの5'近位に、ヒトIGKJ4 J要素またはその機能的断片
を含む、トランスジェニックベクター。
[本発明1007]
本発明1005のトランスジェニックベクターに存在するヒト化免疫グロブリン遺伝子座を含む、トランスジェニックウサギ。
[本発明1008]
以下：
（1）8つのヒトVH要素、ヒトJH1〜JH6要素、ヒトbcl2コード配列に融合したヒトCμコード領域、およびヒトCγコード領域によって置換された、ウサギ免疫グロブリン重鎖遺伝子座に由来する導入遺伝子；
（2）ヒトVκ要素IGKV1-39-01およびヒトIgKJ4 J要素を含む、ウサギ免疫グロブリン軽鎖遺伝子座に由来する導入遺伝子；
（3）ヒトCD79αおよびCD79β遺伝子座に由来する導入遺伝子；ならびに
（4）ウサギCμおよびウサギCκ遺伝子座内の機能欠失変異
をさらに含む、本発明1007のトランスジェニックウサギ。
[本発明1009]
本発明1006のトランスジェニックベクターに存在するヒト化免疫グロブリン遺伝子座を含む、本発明1007〜1008のいずれかのトランスジェニックウサギ由来のB細胞。
[本発明1010]
本発明1007〜1008のいずれかのトランスジェニックウサギを用いて、ヒト免疫グロブリンを産生するための方法。
[本発明1011]
ヒト免疫グロブリンが抗体であることを特徴とする、本発明1010の方法。
[本発明1012]
ヒト免疫グロブリンがポリクローナル抗体であることを特徴とする、本発明1010〜1011のいずれかの方法。
[本発明1013]
ヒト免疫グロブリンがモノクローナル抗体であることを特徴とする、本発明1010〜1011のいずれかの方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月4日(2019.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オリゴヌクレオチド組成物であって、
（１）塩基配列；
（２）骨格の架橋パターン；
（３）骨格のキラル中心のパターン；および
（４）骨格のリン修飾のパターン
によって定義される特定のオリゴヌクレオチド種類の第１の複数のオリゴヌクレオチドを含み、
組成物は、前記特定のオリゴヌクレオチド種類のオリゴヌクレオチドについて、同じ塩基配列を有するオリゴヌクレオチドの実質的にラセミ体の調製物と比較して豊富に含むという点でキラリティが制御されており、
第１の複数のオリゴヌクレオチドにおける、それぞれのクルレオチド間の結合は、ホスホロチオエート結合であり、
前記骨格キラル中心のパターンが、少なくともひとつのＲｐ、および少なくともひとつのＳｐを含み、
前記オリゴヌクレオチド組成物が、転写スプライシング系において転写物と接触すると、転写物のスプライシングが、前記組成物が存在しないこと、リファレンス組成物が存在すること、およびこれらの組み合わせからなる群から選択されるリファレンス条件下で観察されるものに対して、変更されることを特徴とする、
オリゴヌクレオチド組成物。
【請求項２】
前記リファレンス条件が、前記組成物が存在しないことである、
請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記特定のオリゴヌクレオチド種類のオリゴヌクレオチドが、それぞれ１個以上の糖修飾をさらに含む、
請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記糖修飾が、２’−Ｏ−メチル、２’−ＭＯＥ、２’−Ｆ、モルホリノおよび二環式糖部分から選択される１個以上の修飾を含む、
請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記糖修飾が、１つ以上の２’−Ｆ糖部分を含む、
請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記糖修飾が、１つ以上の２’−Ｏ−メチル糖部分を含む、
請求項４に記載の組成物。
【請求項７】
前記塩基配列が、ジストロフィン遺伝子の２０塩基長部分またはその相補体から５以下のミスマッチを有する配列を含み、その長さが５０塩基長以下であり、前記骨格のキラル中心のパターンが、ＲｐまたはＳｐから独立して少なくとも３個のキラリティが制御された中心を含み、前記特定のオリゴヌクレオチド種類のオリゴヌクレオチドが、ジストロフィン遺伝子のエキソンのスキップに介在することができる、
請求項２に記載の組成物。
【請求項８】
前記特定のオリゴヌクレオチド種類のオリゴヌクレオチドが、前記ジストロフィン遺伝子のエキソン５１のスキップに介在することができる、
請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
前記エキソン５１は、変異したものであり、フレームシフト、中途終止コドンおよび／または１つ以上の下流エキソンの欠失を引き起こしうるものである、
請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
前記組成物は、ジストロフィン遺伝子のエキソン５１を含まず、エキソン５１のスキッピングがないｍＲＮＡによるものに比べて改善された機能を有するジストロフィン蛋白をエンコードするｍＲＮＡを生成する、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
第１の複数のオリゴヌクレオチドのそれぞれは、１５塩基以上を含む、
請求項４に記載の組成物。
【請求項１２】
特定のオリゴヌクレオチド種類の塩基配列を有するオリゴヌクレオチドの少なくとも１０％が、前記特定のオリゴヌクレオチド種類のオリゴヌクレオチドである、
請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】
特定のオリゴヌクレオチド種類の塩基配列、骨格の架橋パターン、および骨格リン修飾のパターンを有するオリゴヌクレオチドの少なくとも１０％が、前記特定のオリゴヌクレオチド種類のオリゴヌクレオチドである、
請求項１１に記載の組成物。
【請求項１４】
標的転写物のスプライシングを変更する方法であって、
（１）塩基配列；
（２）骨格の架橋パターン；
（３）骨格のキラル中心のパターン；および
（４）骨格のリン修飾のパターン
によって定義される特定のオリゴヌクレオチド種類の第１の複数のオリゴヌクレオチドを含むオリゴヌクレオチド組成物を投与することを含み、
前記組成物は、特定のオリゴヌクレオチド種類のオリゴヌクレオチドについて、同じ塩基配列を有するオリゴヌクレオチドの実質的にラセミ体の調製物と比較して豊富に含むという点でキラリティが制御されており、
第１の複数のオリゴヌクレオチドにおける、それぞれのクルレオチド間の結合は、ホスホロチオエート結合であり、
前記骨格キラル中心のパターンが、少なくともひとつのＲｐ、および少なくともひとつのＳｐを含み、
前記オリゴヌクレオチド組成物が、転写スプライシング系において標的転写物と接触すると、転写物のスプライシングが、前記組成物が存在しないこと、リファレンス組成物が存在すること、およびこれらの組み合わせからなる群から選択されるリファレンス条件下で観察されるものに対して、変更されることを特徴とする、
方法。
【請求項１５】
前記標的転写物のスプライシングが、前記組成物が存在しない場合と比較して、変更される、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記標的転写物が、ジストロフィンのプレｍＲＮＡであり、前記変更が、前記組成物が存在しない場合と比較して、１つ以上のエキソンが増加した量でスキップされることである、
請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
ジストロフィンのエキソン５１が、前記組成物が存在しない場合と比較して、増加した量でスキップされる、
請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
ディシェンヌ型筋ジストロフィーの治療剤であって、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の組成物を含む、治療剤。
【請求項１９】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載されたオリゴヌクレオチド。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月5日(2019.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
人間の存在を検出するための方法であって、
検出領域内の第1位置に配置された第1トランシーバを準備する段階と；
前記検出領域内の第2位置に配置された第2トランシーバを準備する段階と；
前記第1トランシーバに通信可能に結合されたコンピュータサーバーと；
前記第1トランシーバが、第1組のワイヤレス信号を、前記第2トランシーバから前記ワイヤレス通信ネットワークを介して受信する段階と；
前記コンピュータサーバーが、前記第1トランシーバから第1組の信号データを受信する段階であって、前記第1組の信号データは、前記第1組のワイヤレス信号の特性に関するデータを含み、前記特性データは、前記通信ネットワーク上の前記第1トランシーバの通常動作の一部として生成される、受信する段階と；
前記コンピュータサーバーが、前記第2トランシーバから前記第1トランシーバへの通信に関するベースライン信号プロファイルを生成する段階であって、前記ベースライン信号プロファイルは、前記受信された第1組の信号データの前記ワイヤレス信号特性に少なくとも部分的に基づいており、かつ、人間が前記検出領域に存在しないときの、前記第2トランシーバから前記第1トランシーバへのワイヤレス送信の特性を表す、生成する段階と；
前記第1トランシーバが、前記第2トランシーバから前記ワイヤレス通信ネットワークを介して第2組のワイヤレス信号を受信する段階と；
前記コンピュータサーバーが、前記第1トランシーバから第2組の信号データを受信する段階であって、前記第2組の信号データは、前記第2組のワイヤレス信号の特性に関するデータを含み、前記特性データは、前記通信ネットワーク上の前記第1トランシーバの通常動作の一部として生成される、受信する段階と；
前記コンピュータサーバーが、人間が前記検出領域内に存在するか否かを判断する段階であって、前記判断は、前記受信された第2組のワイヤレス信号データの前記ワイヤレス信号特性の、前記ベースライン信号プロファイルとの比較に少なくとも部分的に基づく、判断する段階とを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月4日(2019.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体分注装置のノズル（１０２）を洗浄するための洗浄装置（１）であって、
洗浄すべき前記ノズル（１０２）の一部（１０６）を受け入れる受入口（６）を含む受入ヘッド（４）を支持するベース部材（２）と、
加圧ガスを受け取るためのガス入口（９６）と、
前記ノズル（１０２）を洗い流すための加圧ガスを前記ノズル（１０２）に付与するガス出口（８１）を前記受入ヘッド（４）に有するガスチャネル（８０）と、
を備え、
前記受入口（６）は、前記ノズル（１０２）が前記受入口（６）に受け入れられた時に前記受入ヘッド（４）を前記ノズル（１０２）に対して密封する密封縁部（７）を含み、前記ガス出口（８１）は、前記密封縁部（７）に隣接する、
ことを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】
前記受入ヘッド（４）は、前記ノズル（１０２）との接触時に第１の位置（Ｐ１）から第２の位置（Ｐ２）へ移動可能であり、前記ガス入口（９６）及び前記ガス出口（８１）は、前記受入ヘッド（４）の前記第１の位置から前記第２の位置への移動時にガス連通して前記ガス入口（９６）から前記ガス出口（８１）にガスを供給する、
請求項１又は請求項１のプリアンブルに記載の洗浄装置。
【請求項３】
前記受入ヘッド（４）は、付勢力に抗して移動可能である、
請求項１又は２に記載の洗浄装置。
【請求項４】
前記受入ヘッド（４）を第１の位置（Ｐ１）に付勢する付勢手段を備える、
請求項３に記載の洗浄装置。
【請求項５】
前記付勢手段は、少なくとも１つのコイルばね（３２）、及び／又は空気ばねを形成する少なくとも１つのガス圧空洞を含む、
請求項４に記載の洗浄装置。
【請求項６】
前記ガス入口（９６）と前記ガス出口（８１）との間に遮断弁（７０）を備える、
請求項１から５のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項７】
前記遮断弁（７０）は、前記受入ヘッド（４）の一部（７４）によって形成され、第１の位置（Ｐ１）においてガス導管（７２）を遮断し、第２の位置（Ｐ２）において前記ガス導管（７２）の遮断を解除する、
請求項６に記載の洗浄装置。
【請求項８】
前記ガスチャネル（８０）は、前記加圧ガスが前記ノズル（１０２）に対して実質的に半径方向に付与されるように形成される、
請求項１から７のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項９】
前記ガスチャネル（８０）は、前記受入口（６）の周囲の円周方向スロットとして形成される、
請求項１から８のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項１０】
前記ガスチャネル（８０）は、ラバルノズルとして形成される、
請求項１から９のいずれか又は請求項１の前提部分に記載の洗浄装置。
【請求項１１】
前記ガスチャネル（８０）は、該ガスチャネル（８０）が前記受入口（６）の方向に広がるような少なくとも１つのテーパ面（８２）を有する、
請求項９又は１０に記載の洗浄装置。
【請求項１２】
前記ガスチャネル（８０）は、１ｍｍ以下の、好ましくは０．５ｍｍ以下の、特に好ましくは約０．３ｍｍの幅を有する、
請求項９、１０又は１１に記載の洗浄装置。
【請求項１３】
前記受入ヘッド（４）は、除去された残留流体を排出するための排出チャネル（８４）を含む、
請求項１から１２のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項１４】
前記ガス導管（７２）は、排出チャネル（８４）の外側に形成されて前記ガスチャネル（８０）に通じる、実質的に円筒状の円筒空間（５４）に通じる、
請求項７に記載の洗浄装置。
【請求項１５】
前記円筒空間（５４）は、共に固定された、好ましくは共にねじ留めされた、前記受入ヘッド（４）の第１及び第２の本体部分（３６、４６）間に形成される、
請求項１４に記載の洗浄装置。
【請求項１６】
前記密封縁部（７）と協働して前記受入口（６）を画定する取り外し可能なナット（６０）を含む、
請求項１から１５のいずれか又は請求項１の前提部分に記載の洗浄装置。
【請求項１７】
前記排出チャネル（８４）は、該排出チャネル（８４）の内壁を覆う排出管（８６）を備える、
請求項１３に記載の洗浄装置。
【請求項１８】
前記ノズル（１０２）から除去された残液を収集する収集容器（８８）を備える、
請求項１から１７のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項１９】
前記ノズル（２２）を洗い流すために使用したガスを排出するための第２のガス出口（９０）を含み、該第２のガス出口（９０）は、前記洗浄装置（１）から排出される使用済みのガスを濾過するためのフィルタ要素（９２）を備える、
請求項１から１８のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項２０】
液体分注装置のノズル（１０２）を洗浄するための洗浄装置（１）であって、
洗浄すべき前記ノズル（１０２）の一部（１０６）を受け入れる受入口（６）を含む受入ヘッド（４）を支持するベース部材（２）と、
加圧ガスを受け取るためのガス入口（９６）と、
前記ノズル（１０２）を洗い流すための加圧ガスを前記ノズル（１０２）に付与するための、前記受入ヘッド（４）におけるガス出口（８１）と、
排出管（８６）、収集容器（８８）及びフィルタ要素（９２）のうちの少なくとも１つと、
を備えることを特徴とする洗浄装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月11日(2019.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低エネルギー放射線量子及び高エネルギー放射線量子の同時検出のための放射線検出器であって、前記放射線検出器は多層構造を有し、
前記多層構造が、
高エネルギー放射線量子が後方シンチレータ層によって吸収されることに応じてシンチレーションフォトンのバーストを放出する後方シンチレータ層と、
後方シンチレータ層の後側に取り付けられた後方フォトセンサ層であって、前記後方シンチレータ層において生成されるシンチレーションフォトンを検出する後方フォトセンサ層と、
前記後方フォトセンサ層と反対側の、前記後方シンチレータ層の前方に配された前方シンチレータ層であって、前記低エネルギー放射線量子が前記前方シンチレータ層によって吸収されることに応じてシンチレーションフォトンのバーストを放出する前方シンチレータ層と、
前記後方シンチレータ層と反対側の、前記前方シンチレータ層の前側に取り付けられた前方フォトセンサ層であって、前記前方シンチレータ層において生成されるシンチレーションフォトンを検出する前方フォトセンサ層と、
を有し、前記高エネルギー放射線量子がガンマ線であり、前記低エネルギー放射線量子がＸ線であり、
前記高エネルギー放射線量子は、前記後方シンチレータ層によって吸収される前に、前記前方フォトセンサ層及び前記前方シンチレータ層を通過し、
前記後方フォトセンサ層は、前記２次元の各次元において後方フォトセンサ層ピクセルピッチを有するピクセルの２次元アレイを有し、前記前方フォトセンサ層は、前記２次元の各次元において前方フォトセンサ層ピクセルピッチを有するピクセルの２次元アレイを有し、前記後方フォトセンサ層ピクセルピッチが、前記前方フォトセンサ層ピクセルピッチに等しくない、放射線検出器。
【請求項２】
前記Ｘ線は、２０ｋｅＶ乃至１２０ｋｅＶのレンジのエネルギーを有し、前記ガンマ線は、１２０ｋｅＶ乃至２ＭｅＶのレンジのエネルギーを有する、請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項３】
前記前方フォトセンサ層は、前記放射線検出器の照射側に配され、前記放射線検出器の照射側は、低エネルギー放射線量子及び／又は高エネルギー放射線量子を受け取るように構成される、請求項１又は２に記載の放射線検出器。
【請求項４】
前記後方シンチレータ層は、ヨウ化ナトリウム、ガドリニウムオキシオルトシリケート、ルテチウムガドリニウムオキシオルトシリケート、ルテチウムオキシオルトシリケート、ルテチウムイットリウムオキシオルトシリケート、ルテチウムオアイロシリケート、ビスマスゲルマネート、臭化ランタンのグループから選択される少なくとも１つの材料を含み、及び／又は、前記前方シンチレータ層は、ヨウ化セシウム、オキシ硫化ガドリニウム、タングステン酸カルシウム、及びタングステン酸カドミウムのグループから選択される少なくとも１つの材料を含む、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項５】
前記後方シンチレータ層及び前記前方シンチレータ層が同一材料を含む、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項６】
前記後方シンチレータ層及び／又は前記前方シンチレータ層が、モノリシックシンチレータを有する、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項７】
前記後方シンチレータ層及び／又は前記前方シンチレータ層が、ピクセル化されたシンチレータを有する、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項８】
前記後方シンチレータ層と前記前方シンチレータ層との間に配される光学デカップリング層を更に有する、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項９】
前記光学デカップリング層が、前記高エネルギー放射線量子に対し透明である、請求項８に記載の放射線検出器。
【請求項１０】
前記後方フォトセンサ層が、光電子増倍管、アバランシェフォトダイオード又はシリコン光電子増倍管を有し、及び／又は前記前方フォトセンサ層が、薄膜トランジスタ検出器、ＣＭＯＳ能動ピクセルセンサ又はシリコン光電子増倍管を有する、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項１１】
Ｘ線源と、
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の放射線検出器と、
を有するイメージングシステム。
【請求項１２】
前記放射線検出器は、前記前方フォトセンサ層がＸ線源と前記前方シンチレータ層との間にあるように構成される、請求項１１に記載のイメージングシステム。
【請求項１３】
低エネルギーのＸ線放射線及び高エネルギーのガンマ放射線の組み合わされた検出のための放射線検出器であって、前記放射線検出器は多層構造を有し、
前記多層構造が、
Ｘ線放射線量子が前記前方シンチレータ層によって吸収されることに応じてシンチレーションフォトンのバーストを放出する前方シンチレータ層と、
前記前方シンチレータ層の前側に取り付けられた前方フォトセンサ層であって、前記前方シンチレータ層において生成されるシンチレーションフォトンを検出する前方フォトセンサ層と、
前記前方シンチレータ層の後方に配され、ガンマ放射線量子が後方シンチレータ層によって吸収されることに応じてシンチレーションフォトンのバーストを放出する後方シンチレータ層と、
前記前方シンチレータ層と反対側の、前記後方シンチレータ層の後側に取り付けられた後方フォトセンサ層であって、前記後方シンチレータ層において生成されるシンチレーションフォトンを検出する後方フォトセンサ層と、
前記前方シンチレータ層と前記後方シンチレータ層との間に配される光学デカップリング層であって、前記後方シンチレータ層又は前記前方シンチレータ層と一体的に形成されている、光学デカップリング層と、
を有する、放射線検出器。
【請求項１４】
前記後方フォトセンサ層は、前記２次元の各次元において後方フォトセンサ層ピクセルピッチを有するピクセルの２次元アレイを有し、前記前方フォトセンサ層は、前記２次元の各次元において前方フォトセンサ層ピクセルピッチを有するピクセルの２次元アレイを有し、前記後方フォトセンサ層ピクセルピッチが、前記前方フォトセンサ層ピクセルピッチに等しくない、請求項１３に記載の放射線検出器。
【請求項１５】
前記前方フォトセンサ層及び／又は前記後方フォトセンサ層がフォイル基板を有する、請求項１３に記載の放射線検出器。
【請求項１６】
前記後方フォトセンサ層が、光ガイド層を介して前記後方シンチレータ層の後側に取り付けられ、及び／又は、前記前方フォトセンサ層が、光ガイド層を介して前記前方シンチレータ層の前側に取り付けられる、請求項１３項に記載の放射線検出器。
【請求項１７】
前記放射線検出器は、低エネルギー放射線量子及び高エネルギー放射線量子をコリメートするコリメータ層を更に有し、前記コリメータ層は、前記前方シンチレータ層と反対側の、前記前方フォトセンサ層の前に配置される、請求項１６に記載の放射線検出器。
【請求項１８】
前記コリメータ層が、相互に直交する方向に延在するアパーチャの２次元アレイを有する、請求項１７に記載の放射線検出器。