【手続補正書】
【提出日】平成20年10月30日(2008.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ウエハ内にデュアルダマシンエッチング構造を形成するための方法であって、前記ウエハは、有機ケイ酸塩ガラス誘電体層を備え、前記方法は、
第１の低選択性エッチャントを用いて、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体の大部分をエッチングし、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体の残留部分を残す第１のエッチング工程と、
第２の高選択性エッチャントを用いて、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体の前記残留部分をエッチング除去する第２のエッチング工程と、を備える、方法。
【請求項２】  請求項１に記載の方法であって、前記ウエハは、さらに、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体の下に金属化オブジェクトを備え、前記金属化オブジェクトと前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体はバリア層によって隔てられ、前記方法は、さらに、
前記第２のエッチング工程に続いて、前記バリア層の一部を前記金属化オブジェクトに至るまでエッチングする工程を備える、方法。
【請求項３】  請求項１ないし２のいずれかに記載の方法であって、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体の前記大部分は、さらに、トレンチ誘電体と、ビア誘電体のほとんどとを含み、前記残留部分は、さらに、前記ビア誘電体の残留部分を含む、方法。
【請求項４】  請求項１ないし３のいずれかに記載の方法であって、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体層の上方に設けられた反射防止膜層とキャップ層とをさらに備えるウエハへのビア優先デュアルダマシン構造の形成に用いられ、さらに、前記第１のエッチング工程に先立って、
フォトレジストを用いて前記ウエハの上部にビアをパターニングする工程と、
前記反射防止膜層と、前記キャップ層とをエッチングして開口する工程と、を備える、方法。
【請求項５】  請求項４に記載の方法であって、前記第２のエッチング工程に続いて、さらに、
前記フォトレジストを剥離する工程と、
第２のフォトレジストを用いて前記ウエハの上部にトレンチをパターニングする工程と、
前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体を貫通して前記トレンチをエッチングする工程と、を備える、方法。
【請求項６】  請求項５に記載の方法であって、さらに、
トレンチ停止層によって互いに隔てられた第１の有機ケイ酸塩ガラス誘電体層および第２の有機ケイ酸塩ガラス誘電体層の前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体を形成する工程と、
前記トレンチの前記エッチング工程を前記トレンチ停止層で停止させる工程と、を備える、方法。
【請求項７】  請求項１ないし６のいずれかに記載の方法であって、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体の下にバリア層を備えるウエハに用いられ、さらに、前記第２のエッチング工程に続いて前記バリアをエッチングする工程を備える、方法。
【請求項８】  請求項１ないし７のいずれかに記載の方法であって、前記低選択性エッチャントは、Ａｒ／Ｎ2／ＣＦ4、およびＡｒ／Ｎ2／Ｃ2Ｆ6からなるエッチャント混合物の群から選択される、方法。
【請求項９】  請求項１ないし８のいずれかに記載の方法であって、前記高選択性エッチャントは、Ａｒ／Ｎ2／Ｃ4Ｆ8の混合物である、方法。
【請求項１０】  請求項１ないし９のいずれかに記載の方法であって、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体の前記大部分は、トレンチ誘電体のほとんどと、ビア誘電体の一部とを含み、前記残留部分は、さらに、前記ビア誘電体のほとんどを含む、方法。
【請求項１１】  ウエハ内にデュアルダマシンエッチング構造を備えた半導体素子であって、前記ウエハは、有機ケイ酸塩ガラス誘電体層を備え、前記デュアルダマシン構造は、
第１の低選択性エッチャントを用いて、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体の大部分をエッチングし、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体の残留部分を残す第１のエッチング工程と、
第２の高選択性エッチャントを用いて、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体の前記残留部分をエッチング除去する第２のエッチング工程と、を備える方法によって形成される、半導体素子。
【請求項１２】  請求項１１に記載の半導体素子であって、前記ウエハは、さらに、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体の下に金属化オブジェクトを備え、前記金属化オブジェクトと前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体はバリア層によって隔てられ、前記方法は、さらに、
前記第２のエッチング工程に続いて、前記バリア層の一部を前記金属化オブジェクトに至るまでエッチングする工程を備える、半導体素子。
【請求項１３】  請求項１１ないし１２のいずれかに記載の半導体ウエハであって、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体の前記大部分は、さらに、トレンチ誘電体と、ビア誘電体のほとんどとを含み、残留部分は、さらに、前記ビア誘電体の残留部分を含む、半導体素子。
【請求項１４】  請求項１１ないし１３のいずれかに記載の半導体素子であって、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体層の上方に設けられた反射防止膜層とキャップ層とをさらに備え、前記方法は、さらに、前記第１のエッチング工程に先立って、
フォトレジストを用いて前記ウエハの上部にビアをパターニングする工程と、
前記反射防止膜層と、前記キャップ層とをエッチングして開口する工程と、を備える、半導体素子。
【請求項１５】  請求項１４に記載の半導体素子であって、前記方法は、前記第２のエッチング工程に続いて、さらに、
前記フォトレジストを剥離する工程と、
第２のフォトレジストを用いて前記ウエハの上部にトレンチをパターニングする工程と、
前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体を貫通して前記トレンチをエッチングする工程と、を備える、半導体素子。
【請求項１６】  請求項１５に記載の半導体素子であって、前記方法は、さらに、
トレンチ停止層によって互いに隔てられた第１の有機ケイ酸塩ガラス誘電体層および第２の有機ケイ酸塩ガラス誘電体層の前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体を形成する工程と、
前記トレンチの前記エッチング工程を前記トレンチ停止層で停止させる工程と、を備える、半導体素子。
【請求項１７】  請求項１１ないし１６のいずれかに記載の半導体素子であって、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体の下にバリア層を備え、前記方法は、さらに、前記第２のエッチング工程に続いて前記バリアをエッチングする工程を備える、半導体素子。
【請求項１８】  請求項１１ないし１７のいずれかに記載の半導体素子であって、前記低選択性エッチャントは、Ａｒ／Ｎ2／ＣＦ4、およびＡｒ／Ｎ2／Ｃ2Ｆ6からなるエッチャント混合物の群から選択される、半導体素子。
【請求項１９】  請求項１１ないし１８のいずれかに記載の半導体素子であって、前記高選択性エッチャントは、Ａｒ／Ｎ2／Ｃ4Ｆ8の混合物である、半導体素子。
【請求項２０】  請求項１１ないし１９のいずれかに記載の半導体素子であって、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体の前記大部分は、トレンチ誘電体のほとんどと、ビア誘電体の一部とを含み、前記残留部分は、さらに、前記ビア誘電体のほとんどを含む、半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図６によると、工程１０２に示されたプロセスによって実現される後者の実施形態が完了されつつある。低選択性のエッチャントは、非常に少量のビア誘電体層１２を残して、キャップ層６と、トレンチ誘電体層８と、必須でないトレンチ停止層１０と、ビア誘電体層１２の大部分と、をエッチングすることで、ビアエッチング構造２０を形成する。ＣＯＲＡＬ（商標）に適した低選択性のエッチャントとして、Ａｒ／Ｎ2／ＣＦ4、Ａｒ／Ｎ2／Ｃ2Ｆ6、およびＡｒ／Ｎ2／Ｃ9Ｆ8／Ｏ2が挙げられるが、それらに限定はしない。Ａで示すように、エッチング後に残るビア誘電体１２の薄層は、厚さ１ミクロン未満であることが好ましく、厚さ約１００から約４０００Åの範囲であることがさらに好ましく、厚さ約１０００から２０００Åの範囲であることがさらにまた好ましい。