【手続補正書】
【提出日】令和1年5月23日(2019.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
本発明について、好ましい実施形態を参照して説明してきたが、当業者であれば、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく形状及び細部において変更がなされ得ることを認識するであろう。本開示の実施態様の一部を以下の［項目１］−［項目２０］に記載する。
［項目１］
フレキシブルデバイス用のアセンブリ層であって、前記アセンブリ層が、
物理的に架橋されたシリコーンエラストマー、又は、共有結合で架橋されたシリコーンエラストマー生成試薬混合物と、
ＭＱ樹脂と、を含む前駆体から誘導され、
約−３０℃〜約９０℃の温度範囲内で、前記アセンブリ層が、振動数１Ｈｚにおいて約２ＭＰａを超えないせん断貯蔵弾性率と、約５０ｋＰａ〜約５００ｋＰａのせん断応力を負荷して５秒において測定される少なくとも約６×１０−６  １／Ｐａのせん断クリープコンプライアンス（Ｊ）と、約５ｋＰａ〜約５００ｋＰａの範囲内のせん断応力を負荷した少なくとも１点において前記負荷したせん断応力の解除後約１分以内に少なくとも約５０％のひずみ回復と、を有する、アセンブリ層。
［項目２］
前記アセンブリ層が光学的に透明である、項目１に記載のアセンブリ層。
［項目３］
前記アセンブリ層が２つの透明基材の間に配置されてラミネートを形成するとき、前記ラミネートが７０℃／相対湿度９０％の環境に７２時間置かれ、次いで室温まで冷却された後に、前記ラミネートが約５％未満のヘイズ値を有する、項目２に記載のアセンブリ層。
［項目４］
前記フレキシブルデバイスが電子ディスプレイデバイスである、項目１に記載のアセンブリ層。
［項目５］
前記共有結合で架橋されたシリコーンエラストマー生成試薬混合物が触媒を含む、項目１に記載のアセンブリ層。
［項目６］
前記アセンブリ層が約１０部〜約５０部のＭＱ樹脂を含む、項目１に記載のアセンブリ層。
［項目７］
第１のフレキシブル基材と、
第２のフレキシブル基材と、
前記第１のフレキシブル基材と前記第２のフレキシブル基材との間に接触して配置されたアセンブリ層（ここで、前記アセンブリ層は、
物理的に架橋されたシリコーンエラストマーと、共有結合で架橋されたシリコーンエラストマー生成試薬混合物と、のうちの少なくとも１つと、
ＭＱ樹脂と、を含む前駆体から誘導される）と、を含み、
約−３０℃〜約９０℃の温度範囲内で、前記アセンブリ層が、振動数１Ｈｚにおいて約２ＭＰａを超えないせん断貯蔵弾性率と、約５０ｋＰａ〜約５００ｋＰａのせん断応力を負荷して５秒において測定される少なくとも約６×１０−６  １／Ｐａのせん断クリープコンプライアンス（Ｊ）と、約５ｋＰａ〜約５００ｋＰａの範囲内のせん断応力を負荷した少なくとも１点において前記負荷したせん断応力の解除後約１分以内に少なくとも約５０％のひずみ回復と、を有する、ラミネート。
［項目８］
前記アセンブリ層が光学的に透明である、項目７に記載のラミネート。
［項目９］
前記第１の基材及び前記第２の基材のうちの少なくとも１つが光学的に透明である、項目７に記載のラミネート。
［項目１０］
前記ラミネートが７０℃／相対湿度９０％の環境に７２時間置かれ、次いで室温まで冷却された後に、前記ラミネートが約５％未満のヘイズ値を有する、項目９に記載のラミネート。
［項目１１］
前記アセンブリ層が約１０部〜約５０部のＭＱ樹脂を含む、項目７に記載のラミネート。
［項目１２］
前記ラミネートが、約１５ｍｍ未満の曲率半径を負荷するチャネル内に室温で２４時間の期間にわたって定置された際、不良を呈さない、項目７に記載のラミネート。
［項目１３］
前記ラミネートが、室温での前記２４時間の期間後に前記チャネルから取り出された後、少なくとも約１３０度の夾角まで復帰する、項目１２に記載のラミネート。
［項目１４］
前記ラミネートに、約１０，０００サイクルの曲率半径約１５ｍｍ未満の折り曲げによる動的折り曲げ試験を室温で実施するとき、前記ラミネートが不良を呈さない、項目７に記載のラミネート。
［項目１５］
第１の基材と第２の基材とを接着する方法であって、前記第１の基材と前記第２の基材の両方が可撓性であり、前記方法が、
前記第１の基材と前記第２の基材との間にアセンブリ層（ここで、前記アセンブリ層は、
物理的に架橋されたシリコーンエラストマーと、共有結合で架橋されたシリコーンエラストマー生成試薬混合物と、のうちの少なくとも１つと、
ＭＱ樹脂と、を含む前駆体から誘導され、
約−３０℃〜約９０℃の温度範囲内で、前記アセンブリ層は、振動数１Ｈｚにおいて約２ＭＰａを超えないせん断貯蔵弾性率と、約５０ｋＰａ〜約５００ｋＰａのせん断応力を負荷して５秒において測定される少なくとも約６×１０−６  １／Ｐａのせん断クリープコンプライアンス（Ｊ）と、約５ｋＰａ〜約５００ｋＰａの範囲内のせん断応力を負荷した少なくとも１点において前記負荷したせん断応力の解除後約１分以内に少なくとも約５０％のひずみ回復と、を有する）を配置してフレキシブルラミネートを形成することと、
圧力及び熱のうちの少なくとも１つを加えてラミネートを形成することと、を含む、方法。
［項目１６］
前記アセンブリ層が光学的に透明である、項目１５に記載の方法。
［項目１７］
前記ラミネートが７０℃／相対湿度９０％の環境に７２時間置かれ、次いで室温まで冷却された後に、前記ラミネートが約５％未満のヘイズ値を有する、項目１５に記載の方法。
［項目１８］
前記ラミネートが、約１５ｍｍ未満の曲率半径を負荷するチャネル内に室温で２４時間の期間にわたって定置された際、不良を呈さない、項目１５に記載の方法。
［項目１９］
前記ラミネートが、室温での前記２４時間の期間後に前記チャネルから取り出された後、少なくとも約１３０度の夾角まで復帰する、項目１８に記載の方法。
［項目２０］
前記ラミネートに、約１０，０００サイクル超の曲率半径約１５ｍｍ未満の折り曲げによる動的折り曲げ試験を室温で実施するとき、前記ラミネートが不良を呈さない、項目１５に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブルデバイス用のアセンブリ層であって、前記アセンブリ層が、
物理的に架橋されたシリコーンエラストマー、又は、共有結合で架橋されたシリコーンエラストマー生成試薬混合物と、
ＭＱ樹脂と、を含む前駆体から誘導され、
約−３０℃〜約９０℃の温度範囲内で、前記アセンブリ層が、振動数１Ｈｚにおいて約２ＭＰａを超えないせん断貯蔵弾性率と、約５０ｋＰａ〜約５００ｋＰａのせん断応力を負荷して５秒において測定される少なくとも約６×１０−６  １／Ｐａのせん断クリープコンプライアンス（Ｊ）と、約５ｋＰａ〜約５００ｋＰａの範囲内のせん断応力を負荷した少なくとも１点において前記負荷したせん断応力の解除後約１分以内に少なくとも約５０％のひずみ回復と、を有する、アセンブリ層。
【請求項２】
前記共有結合で架橋されたシリコーンエラストマー生成試薬混合物が触媒を含む、請求項１に記載のアセンブリ層。
【請求項３】
前記アセンブリ層が約１０部〜約５０部のＭＱ樹脂を含む、請求項１に記載のアセンブリ層。
【請求項４】
第１のフレキシブル基材と、
第２のフレキシブル基材と、
前記第１のフレキシブル基材と前記第２のフレキシブル基材との間に接触して配置されたアセンブリ層（ここで、前記アセンブリ層は、
物理的に架橋されたシリコーンエラストマーと、共有結合で架橋されたシリコーンエラストマー生成試薬混合物と、のうちの少なくとも１つと、
ＭＱ樹脂と、を含む前駆体から誘導される）と、を含み、
約−３０℃〜約９０℃の温度範囲内で、前記アセンブリ層が、振動数１Ｈｚにおいて約２ＭＰａを超えないせん断貯蔵弾性率と、約５０ｋＰａ〜約５００ｋＰａのせん断応力を負荷して５秒において測定される少なくとも約６×１０−６  １／Ｐａのせん断クリープコンプライアンス（Ｊ）と、約５ｋＰａ〜約５００ｋＰａの範囲内のせん断応力を負荷した少なくとも１点において前記負荷したせん断応力の解除後約１分以内に少なくとも約５０％のひずみ回復と、を有する、ラミネート。
【請求項５】
前記ラミネートが７０℃／相対湿度９０％の環境に７２時間置かれ、次いで室温まで冷却された後に、前記ラミネートが約５％未満のヘイズ値を有する、請求項４に記載のラミネート。
【請求項６】
前記ラミネートが、約１５ｍｍ未満の曲率半径を負荷するチャネル内に室温で２４時間の期間にわたって定置された際、不良を呈さない、請求項４に記載のラミネート。
【請求項７】
前記ラミネートが、室温での前記２４時間の期間後に前記チャネルから取り出された後、少なくとも約１３０度の夾角まで復帰する、請求項６に記載のラミネート。
【請求項８】
前記ラミネートに、約１０，０００サイクルの曲率半径約１５ｍｍ未満の折り曲げによる動的折り曲げ試験を室温で実施するとき、前記ラミネートが不良を呈さない、請求項４に記載のラミネート。
【請求項９】
第１の基材と第２の基材とを接着する方法であって、前記第１の基材と前記第２の基材の両方が可撓性であり、前記方法が、
前記第１の基材と前記第２の基材との間にアセンブリ層（ここで、前記アセンブリ層は、
物理的に架橋されたシリコーンエラストマーと、共有結合で架橋されたシリコーンエラストマー生成試薬混合物と、のうちの少なくとも１つと、
ＭＱ樹脂と、を含む前駆体から誘導され、
約−３０℃〜約９０℃の温度範囲内で、前記アセンブリ層は、振動数１Ｈｚにおいて約２ＭＰａを超えないせん断貯蔵弾性率と、約５０ｋＰａ〜約５００ｋＰａのせん断応力を負荷して５秒において測定される少なくとも約６×１０−６  １／Ｐａのせん断クリープコンプライアンス（Ｊ）と、約５ｋＰａ〜約５００ｋＰａの範囲内のせん断応力を負荷した少なくとも１点において前記負荷したせん断応力の解除後約１分以内に少なくとも約５０％のひずみ回復と、を有する）を配置してフレキシブルラミネートを形成することと、
圧力及び熱のうちの少なくとも１つを加えてラミネートを形成することと、を含む、方法。
【請求項１０】
前記ラミネートに、約１０，０００サイクル超の曲率半径約１５ｍｍ未満の折り曲げによる動的折り曲げ試験を室温で実施するとき、前記ラミネートが不良を呈さない、請求項９に記載の方法。