【手続補正書】
【提出日】平成31年2月22日(2019.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
本発明による実施例は、エッチングでの損傷が各比較例よりも有意に少ないようにみえる。ＡＬＤ及びスパッタリングによって形成された二層バリアは、酸エッチングに対する下層の高ビスマスＩＥＬのより効率的な保護を提供する。
本発明の代表的な態様としては、以下を挙げることができる：
《態様１》
有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）のための支持体として適合する層状構造体であって、
（ｉ）光透過性ガラス基材、
（ｉｉ）前記光透過性ガラス基材の一方の面上に形成され、少なくとも３０質量％のＢｉ２Ｏ３を含むガラスから作られた外側層を有する拡散性内部取り出し層（ＩＥＬ）、
（ｉｉｉ）前記ＩＥＬ上に形成された耐酸性バリア層であって、
・前記ＩＥＬと接触しているＡＬＤで被着された金属酸化物層であり、該金属酸化物が酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）及び酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）からなる群より選ばれる、ＡＬＤで被着された金属酸化物層、及び、
・前記ＡＬＤで被着された金属酸化物層と接触しているスパッタ被着されたＳｉＯｘＮｙ層、
から作られた二層構造を有する耐酸性バリア層、
を含む、層状構造体。
《態様２》
前記耐酸性バリア層上に（ｉｖ）透明電極層をさらに含む、態様１記載の層状構造体。
《態様３》
前記透明電極層が透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層を含む、態様２記載の層状構造体。
《態様４》
前記透明電極層が、前記透明導電性酸化物層と接触している金属層、好ましくはＭｏ−Ａｌ−Ｍｏ層、をさらに含む、態様３記載の層状構造体。
《態様５》
前記透明電極層が前記透明導電性酸化物層と接触している金属グリッドをさらに含む、態様３記載の層状構造体。
《態様６》
前記ＡＬＤで被着された金属酸化物層が、５ｎｍと１００ｎｍの間、好ましくは１０ｎｍと５０ｎｍの間に含まれる厚さを有する、態様１〜５のいずれか１つに記載の層状構造体。
《態様７》
前記ＳｉＯｘＮｙ層が、５ｎｍと２００ｎｍの間、好ましくは１０ｎｍと１００ｎｍの間に含まれる厚さを有する、態様１〜６のいずれか１つに記載の層状構造体。
《態様８》
前記ＳｉＯｘＮｙ層が、少なくとも１．８、好ましくは少なくとも１．９の屈折率（５５０ｎｍにおける）を有する、態様１〜７のいずれか１つに記載の層状構造体。
《態様９》
以下の一連の工程（ａ）〜（ｄ）を含む、態様１〜８のいずれか１つに記載の層状構造体の製造方法。
（ａ）光透過性ガラス基材であって、拡散性内部取り出し層（ＩＥＬ）が該光透過性基材の一方の面上に形成されており、前記ＩＥＬの外側層が少なくとも３０質量％のＢｉ２Ｏ３を含有するガラスから作られている、光透過性ガラス基材を提供する工程
（ｂ）前記ＩＥＬの表面上に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）及び酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）からなる群より選ばれる金属酸化物の層を原子層堆積（ＡＬＤ）により被着させる工程
（ｃ）その結果得られたＡＬＤでコーティングされた前記基材を洗浄する工程
（ｄ）ＡＬＤでコーティングされ洗浄された前記基材上にＳｉＯｘＮｙ層をスパッタリングによって被着させる工程
《態様１０》
前記ＳｉＯｘＮｙ層の上に透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層を被着させる追加の工程（ｅ）をさらに含む、態様９記載の方法。
《態様１１》
前記透明導電性酸化物層の上に金属層を被着させる追加の工程（ｆ）をさらに含む、態様１０記載の方法。
《態様１２》
前記ＴＣＯ層及び場合により存在する金属層をフォトリソグラフィー及び酸ウェットエッチングによってパターニングする追加の工程をさらに含む、態様１０又は１１記載の方法。
《態様１３》
前記洗浄工程が、ＡＤＬでコーティングされた前記基材を洗浄剤溶液中に浸漬させ、水ですすぎ、そして乾燥させることを含む、態様９〜１２のいずれか１つに記載の方法。
《態様１４》
前記洗浄工程が、ＡＬＤでコーティングされた前記基材を、洗浄剤溶液への浸漬の間及び水によるすすぎの間、超音波にさらすことを含む、態様１３記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）のための支持体として適合する層状構造体であって、
（ｉ）光透過性ガラス基材、
（ｉｉ）前記光透過性ガラス基材の一方の面上に形成され、少なくとも３０質量％のＢｉ２Ｏ３を含むガラスから作られた外側層を有する拡散性内部取り出し層（ＩＥＬ）、
（ｉｉｉ）前記ＩＥＬ上に形成された耐酸性バリア層であって、
・前記ＩＥＬと接触しているＡＬＤで被着された金属酸化物層であり、該金属酸化物が酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）及び酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）からなる群より選ばれる、ＡＬＤで被着された金属酸化物層、及び、
・前記ＡＬＤで被着された金属酸化物層と接触しているスパッタ被着されたＳｉＯｘＮｙ層、
から作られた二層構造を有する耐酸性バリア層、
を含む、層状構造体。
【請求項２】
前記耐酸性バリア層上に（ｉｖ）透明電極層をさらに含む、請求項１記載の層状構造体。
【請求項３】
前記透明電極層が透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層を含む、請求項２記載の層状構造体。
【請求項４】
前記透明電極層が、前記透明導電性酸化物層と接触している金属層をさらに含む、請求項３記載の層状構造体。
【請求項５】
前記金属層が、Ｍｏ−Ａｌ−Ｍｏ層である、請求項４記載の層状構造体。
【請求項６】
前記透明電極層が前記透明導電性酸化物層と接触している金属グリッドをさらに含む、請求項３記載の層状構造体。
【請求項７】
前記ＡＬＤで被着された金属酸化物層が、５ｎｍと１００ｎｍの間に含まれる厚さを有する、請求項１〜６のいずれか１つに記載の層状構造体。
【請求項８】
前記ＳｉＯｘＮｙ層が、５ｎｍと２００ｎｍの間に含まれる厚さを有する、請求項１〜７のいずれか１つに記載の層状構造体。
【請求項９】
前記ＳｉＯｘＮｙ層が、少なくとも１．８の屈折率（５５０ｎｍにおける）を有する、請求項１〜８のいずれか１つに記載の層状構造体。
【請求項１０】
以下の一連の工程（ａ）〜（ｄ）を含む、請求項１〜９のいずれか１つに記載の層状構造体の製造方法。
（ａ）光透過性ガラス基材であって、拡散性内部取り出し層（ＩＥＬ）が該光透過性基材の一方の面上に形成されており、前記ＩＥＬの外側層が少なくとも３０質量％のＢｉ２Ｏ３を含有するガラスから作られている、光透過性ガラス基材を提供する工程
（ｂ）前記ＩＥＬの表面上に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）及び酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）からなる群より選ばれる金属酸化物の層を原子層堆積（ＡＬＤ）により被着させる工程
（ｃ）その結果得られたＡＬＤでコーティングされた前記基材を洗浄する工程
（ｄ）ＡＬＤでコーティングされ洗浄された前記基材上にＳｉＯｘＮｙ層をスパッタリングによって被着させる工程
【請求項１１】
前記ＳｉＯｘＮｙ層の上に透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層を被着させる追加の工程（ｅ）をさらに含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記透明導電性酸化物層の上に金属層を被着させる追加の工程（ｆ）をさらに含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記ＴＣＯ層をフォトリソグラフィー及び酸ウェットエッチングによってパターニングする追加の工程をさらに含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
前記ＴＣＯ層及び金属層をフォトリソグラフィー及び酸ウェットエッチングによってパターニングする追加の工程をさらに含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
前記洗浄工程が、ＡＤＬでコーティングされた前記基材を洗浄剤溶液中に浸漬させ、水ですすぎ、そして乾燥させることを含む、請求項１０〜１４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１６】
前記洗浄工程が、ＡＬＤでコーティングされた前記基材を、洗浄剤溶液への浸漬の間及び水によるすすぎの間、超音波にさらすことを含む、請求項１５記載の方法。