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【手続補正書】
【提出日】平成19年8月23日(2007.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記キャラクタの属性情報は、キャラクタのゲームの習得度を示すレベルであり、各レベルには、付与可能なアイテムが予め設定されており、
前記判別ステップは、前記情報変化ステップによって変化されたキャラクタの属性情報に対して、所有不可能なアイテムを前記キャラクタが所有しているとき、当該アイテムが不正に取得されたものと判別する、請求項６に記載のゲームプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
好ましい実施の形態によれば、前記キャラクタの属性情報は、キャラクタのゲームの習得度を示すレベルであり、各レベルには、付与可能なアイテムが予め設定されており、前記判別ステップは、前記情報変化ステップによって変化されたキャラクタの属性情報に対して、所有不可能なアイテムを前記キャラクタが所有しているとき、当該アイテムが不正に取得されたものと判別するとよい（請求項７）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
ディスク３５には、ゲームのゲームプログラムや種々のデータが記録されている。このゲームシステムでは、オンラインゲームが実行可能なオンラインモードと、ネットワーク回線２には接続せずにゲーム装置３及びその周辺装置（モニタ３３等）を用いてゲームを楽しむオフラインモードとが準備されており、ディスク３５には、主としてオフラインモード用のゲームプログラムが記録されている。このゲームプログラムには、ポリゴンデータ及びテクスチャーデータによって構成され、ゲーム画面を構成するキャラクタ画像データや背景画像データ等の３次元画像データや、ゲーム進行上の状況等を表すデータ、ＢＧＭや各種効果音として用いられる音声データ等が含まれている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
サーバ１は、装備アイテムが不正に取得されたものであると判別したとき（Ｓ８：ＹＥＳ）、ハードディスク装置１４に、その内容、その時点の時刻及び当該ゲーム装置３を使用するユーザのＩＤ等を不正情報として記録する（Ｓ９）。このように、不正情報としてハードディスク装置１４に記憶するのは、後にこのゲーム管理者等が不正者を人為的に確認するためである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
このように、ユーザの中には、専用ツール（データ改ざん装置等）や専用ソフトウェアを用い、不正にデータを改ざんする者がおり、その者がオンラインゲームに参加しようとした場合には、各ユーザから送られるミニデータを参照し、そのミニデータに含まれる、ゲームレベル及び装備アイテムのデータの関係に基づいて、不正に取得された装備アイテムのデータを検出することができる。従来の構成では、複製された装備アイテムのデータを検知することしかできず、改ざんされた装備アイテムのデータを検出することができなかったが、本実施形態では、それを確実に検出することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
また、上記制御処理では、ステップＳ６においてゲーム装置３からのミニデータの有無を判別していたが、これに代えて、ミニデータの有無にかかわらず、不正検出プログラムを強制的に起動させるようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月15日(2007.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外皮を具備する内視鏡用可撓管において、
前記外皮は、発泡され気泡を備える発泡体層を有すると共に、前記気泡にポリエステル、ポリオレフィンのいずれかを含浸されている、
ことを特徴とする内視鏡用可撓管。
【請求項２】
前記外皮は、前記発泡体層の外周面に被覆されている無発泡の無発泡体層を有することを特徴とする請求項１の内視鏡用可撓管。
【請求項３】
前記無発泡体層は、ポリエステル、ポリウレタン、ポリオレフィン系エラストマー、スチレン系エラストマー、フッ素系エラストマー、シリコン系エラストマーの少なくともいずれかを含んでいることを特徴とする請求項２の内視鏡用可撓管。
【請求項４】
前記発泡体層の外周面は、加熱溶融されている、
ことを特徴とする請求項１の内視鏡用可撓管。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記課題に着目してなされたもので、その目的とするところは、高弾発性及び水蒸気遮蔽性を有する内視鏡用可撓管を提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１の発明は、外皮を具備する内視鏡用可撓管において、前記外皮は、発泡され気泡を備える発泡体層を有すると共に、前記気泡にポリエステル、ポリオレフィンのいずれかを含浸されている、ことを特徴とする内視鏡用可撓管である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そして、本請求項１の発明では、外皮の発泡体層によって、内視鏡用可撓管に高弾発性を付与すると共に、気泡に水蒸気遮蔽性を有する含浸材料を含浸させることにより、発泡体層に水蒸気遮蔽性を付与している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３の発明は、前記無発泡体層は、ポリエステル、ポリウレタン、ポリオレフィン系エラストマー、スチレン系エラストマー、フッ素系エラストマー、シリコン系エラストマーの少なくともいずれかを含んでいることを特徴とする請求項２の内視鏡用可撓管である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
そして、本請求項３の発明では、無発泡体層を、ポリエステル、ポリウレタン、ポリオレフィン系エラストマー、スチレン系エラストマー、フッ素系エラストマー、シリコン系エラストマーの少なくともいずれかを含むように形成している。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項４の発明は、前記発泡体層の外周面は、加熱溶融されている、ことを特徴とする請求項１の内視鏡用可撓管である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
そして、本請求項４の発明では、発泡体層の外周面を加熱溶融して発泡形状を潰すことにより、内視鏡用可撓管に水蒸気遮蔽性を付与している。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明によれば、内視鏡用可撓管に高弾発性及び水蒸気遮蔽性が付与されている。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
工程４では、図５に示されるように、発泡体層３６の外周面に無発泡体層３８を被覆する。この無発泡体層３８は、発泡体層３６の外周面に無発泡の熱可塑性エラストマーを一体に組付けることにより形成されている。このような無発泡体層３８は水蒸気遮蔽性を有する。また、無発泡体層３８は高弾発性を有することが好ましい。無発泡体層３８を形成する材料としては、例えば、ポリエステル、ポリウレタン、ポリオレフィン系エラストマー、スチレン系エラストマー、フッ素系エラストマー、シリコン系エラストマーが用いられる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
工程４で、発泡体層３６の連続気泡に、水蒸気遮蔽性を有する含浸材料を含浸する。この結果、発泡体層３６に水蒸気遮蔽性が付与される。なお、含浸材料は高弾発性を有することが好ましく、この場合には発泡体層３６の弾発性が増強される。含浸材料としては、例えば、ポリエステル、ポリウレタン、ポリオレフィン系エラストマー、スチレン系エラストマー、フッ素系エラストマー、シリコン系エラストマーが用いられる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
本発明は、高弾発性及び水蒸気遮蔽性を有する、体腔内に挿入される挿入部を形成する内視鏡用可撓管を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月19日(2006.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
複数の一体形に形成された翼形ベーンを備えたタービンノズルを形成することは、ただ１つの翼形ベーンを含むタービンノズルと比べて、耐久性を改善しかつ漏洩を減少させるのを助ける。しかしながら、冷却空気がタービンノズルへ送られる時、エンジンの組立てを容易にしかつタービンノズル間の熱膨張を吸収するためのギャップ又は接合面によって離間された円周方向に隣り合うタービンノズル間において、依然として漏洩が生じる可能性がある。従って、少なくとも一部の公知のタービンノズルでは、後方フック組立体の半径方向外側に配置されたシール組立体を含み、接合面を通り抜ける漏洩を最少にするようにしている。時間が経つにつれて、反復される熱サイクルにより、シールが劣化するおそれがある。しかしながら、ノズルの位置のために、そのような接合面シールへのアクセスが困難な場合がある。
【特許文献１】米国特許 3842595号明細書
【特許文献２】米国特許 4126405号明細書
【特許文献３】米国特許 4297077号明細書
【特許文献４】米国特許 4425078号明細書
【特許文献５】米国特許 4522054号明細書
【特許文献６】米国特許 4531289号明細書
【特許文献７】米国特許 4842249号明細書
【特許文献８】米国特許 4732029号明細書
【特許文献９】米国特許 5343694号明細書
【特許文献１０】米国特許 4869465号明細書
【特許文献１１】米国特許 5092735号明細書
【特許文献１２】米国特許 5243761号明細書
【特許文献１３】米国特許 5249920号明細書
【特許文献１４】米国特許 5289711号明細書
【特許文献１５】米国特許 6311537号明細書
【特許文献１６】米国特許 6272900号明細書
【特許文献１７】米国特許 6227800号明細書
【特許文献１８】米国特許 6193465号明細書
【特許文献１９】米国特許 6164656号明細書
【特許文献２０】米国特許 6099245号明細書
【特許文献２１】米国特許 6076835号明細書
【特許文献２２】米国特許 5953822号明細書
【特許文献２３】米国特許 5875554号明細書
【特許文献２４】米国特許 5358379号明細書
【特許文献２５】米国特許 5372476号明細書
【特許文献２６】米国特許 5425260号明細書
【特許文献２７】米国特許 5620300号明細書
【特許文献２８】米国特許 5662160号明細書
【特許文献２９】米国特許 5669757号明細書
【特許文献３０】米国特許 5673898号明細書
【特許文献３１】米国特許 5732932号明細書
【特許文献３２】米国特許 5810333号明細書
【特許文献３３】米国特許 5848854号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月21日(2006.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
圧縮機、特に高圧用圧縮機の技術分野においては、吸収されるパワーを少なくするように性能を更に向上させるために相当に大きな努力がなされてきた。
【特許文献１】米国特許 ３９７６３９５合明細書
【特許文献２】米国特許出願公開 ２００４／０００６８７０号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月19日(2006.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
可変サイクルターボファンラムジェットエンジンは、低亜音速マッハ数から約マッハ６の高超音速マッハ数の間の航空機飛行速度を提供するために使用される。特許文献１に記載されるような周知のエンジンは、コアエンジンシステム及びデュアルモードオーグメンタを含む。デュアルモードオーグメンタは、追加加熱を与えて、コアエンジンシステムから流出する空気流を排気し、エンジン推力を増加させる。コアエンジンシステムは、動力を与えてファンアセンブリを駆動し、通常、コンプレッサ、燃焼器、高圧タービン及び低圧タービンを直列、すなわち軸流関係に備える。デュアルモードオーグメンタは、コアエンジンの下流に位置し、コアエンジン及びコアエンジンを包囲するバイパスダクトから空気の供給を受ける。しかしながら、オーグメンタは化学量論比によって推力増加レベルに限定され、そのため、エンジンが広範囲の動作飛行速度にわたって効率的に動作するために、いくつかの異なる燃焼システムが必要とされる。
【特許文献１】米国特許５，６９４，７６８号明細書
【特許文献２】米国特許 ２６３５４２０号明細書
【特許文献３】米国特許 ２７０５３９６号明細書
【特許文献４】米国特許 ３７２６０９１号明細書
【特許文献５】米国特許 ３９１６６２１号明細書
【特許文献６】米国特許 ４３１２１８５号明細書
【特許文献７】米国特許 ５０７６０５３号明細書
【特許文献８】米国特許 ５５１３４８９号明細書
【特許文献９】米国特許 ５６９４７６８号明細書
【特許文献１０】米国特許 ５８７３２４０号明細書
【特許文献１１】米国特許 ５９３７６３５号明細書
【特許文献１２】米国特許 ６００３３０１号明細書
【特許文献１３】米国特許 ６４４２９３０号明細書
【特許文献１４】米国特許 ６４７７８２９号明細書
【特許文献１５】米国特許 ６５５０２３５号明細書
【特許文献１６】米国特許 ６６３７１８７号明細書
【特許文献１７】米国特許 ６６６６０１８号明細書
【特許文献１８】ＷＯ８７／０６９７６号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月18日(2006.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスタービンエンジン（１０）のタービンノズル（５０）であって、
外側バンド（５４）と、
内側バンド（５６）と、
前記外側バンド及び前記内側バンドにより互いに結合され、少なくとも第１の翼形ベーン（１１４）と第２の翼形ベーン（１１０）とを含む複数の翼形ベーン（５２）と、を含み、
前記第１の翼形ベーンが、該第１の翼形ベーンと前記外側バンドとの間で延びる複合半径フィレット（１４０）を含み、
前記第２の翼形ベーンが、単一半径フィレット（１３２）のみにより前記外側バンドに結合されている、
ことを特徴とするタービンノズル（５０）。
【請求項２】
前記複合半径フィレット（１４０）が、第１の半径（Ｒ１）と第２の半径（Ｒ２）のみを含み、前記第１の半径（Ｒ１）が前記第２の半径（Ｒ２）より小さいことを特徴とする、請求項１に記載のタービンノズル（５０）。
【請求項３】
前記第１の半径（Ｒ１）が、前記第２の半径（Ｒ２）と前記外側バンド（５４）との間に位置することを特徴とする、請求項２に記載のタービンノズル（５０）。
【請求項４】
前記複合半径フィレット（１４０）が、前記タービンノズル内での応力集中を低減するのを可能にすることを特徴とする、請求項１に記載のタービンノズル（５０）。
【請求項５】
前記複数の翼形ベーン（５２）の各々が、前縁（１０４）及び後縁（１０６）において接合された第１の側壁（１００）と第２の側壁（１０２）とを含み、
前記複合半径フィレット（１４０）が、前記第１の翼形ベーンの第１及び第２の側壁の一方のみに沿って延びている、
ことを特徴とする、請求項１に記載のタービンノズル（５０）。
【請求項６】
前記複数の翼形ベーン（５２）が、第３の翼形ベーン（１１２）を更に含み、
前記第２の翼形ベーンが、前記第１の翼形ベーンと第３の翼形ベーンとの間で前記タービンノズル内に結合され、
前記第３の翼形ベーンが、第２の複合半径フィレット（１４０）により前記外側バンド（５４）に結合されている、
ことを特徴とする、請求項１に記載のタービンノズル（５０）。
【請求項７】
前記複数の翼形ベーン（５２）の各々が、前縁（１０４）及び後縁（１０６）において接合された第１の側壁（１００）と第２の側壁（１０２）とを含み、
前記複合半径フィレット（１４０）が、前記第１の翼形ベーンの第１の側壁及び前記第３の翼形ベーンの第２の側壁のみに沿って延びている、
ことを特徴とする、請求項６に記載のタービンノズル（５０）。
【請求項８】
前記複数の翼形ベーン（５２）の各々が、単一半径フィレット（１３０）により前記内側バンド（５６）に結合されていることを特徴とする、請求項１に記載のタービンノズル（５０）。
【請求項９】
少なくとも１つのタービンノズル組立体（５０）を含むガスタービンエンジン（１０）であって、
前記少なくとも１つのタービンノズル組立体が、外側バンド（５４）と、内側バンド（５６）と、前記外側バンド及び前記内側バンドにより互いに結合された複数の翼形ベーン（５２）とを含み、
前記複数の翼形ベーンが、第１の翼形ベーン（１１４）と、前記第１の翼形ベーンに円周方向に隣接して配置された第２の翼形ベーン（１１０）とを含み、
前記第１の翼形ベーンが、該第１の翼形ベーンと前記外側バンドとの間で延びる少なくとも１つの複合半径フィレット（１４０）を含み、
前記第２の翼形ベーンが、該第２の翼形ベーンと前記外側バンドとの間で延びる単一半径フィレット（１３２）のみを含む、
ことを特徴とするガスタービンエンジン（１０）。
【請求項１０】
前記第１の翼形ベーンの複合半径フィレット（１４０）が、前記タービンノズル（５０）内での応力集中を低減するのを可能にすることを特徴とする、請求項９に記載のガスタービンエンジン（１０）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
２つ以上の一体形に形成された翼形ベーンを備えたタービンノズルを形成することは、ただ１つ又は２つの翼形ベーンを含むタービンノズルと比べて、耐久性を改善しかつ漏洩を減少させるのを助ける。従って、少なくとも一部の公知のタービンノズルは、１対の円周方向外側の翼形ベーン間に配置された少なくとも１つの翼形ベーンを含む。しかしながら、作動中に、温度勾配及び空力負荷により、翼形ベーンと外側バンドとの間の接合部において熱応力と熱による翼弦変形（サーマルコーディング）とが生じる可能性がある。より具体的には、外側翼形ベーン間に配置されたベーンに生じるよりも高い応力が、外側翼形ベーン内に生じることになる。時間が経つにつれて、タービンノズルに生じる局部応力により、タービンノズルが早期破損を引き起こすおそれがある。
【特許文献１】米国特許 4126405号明細書
【特許文献２】米国特許 4297077号明細書
【特許文献３】米国特許 4522054号明細書
【特許文献４】米国特許 4531289号明細書
【特許文献５】米国特許 4732029号明細書
【特許文献６】米国特許 4842249号明細書
【特許文献７】米国特許 5372476号明細書
【特許文献８】米国特許 4869465号明細書
【特許文献９】米国特許 5243761号明細書
【特許文献１０】米国特許 5249920号明細書
【特許文献１１】米国特許 5289711号明細書
【特許文献１２】米国特許 5620300号明細書
【特許文献１３】米国特許 5425260号明細書
【特許文献１４】米国特許 5662160号明細書
【特許文献１５】米国特許 5669757号明細書
【特許文献１６】米国特許 5673898号明細書
【特許文献１７】米国特許 5732932号明細書
【特許文献１８】米国特許 5810333号明細書
【特許文献１９】米国特許 5848854号明細書
【特許文献２０】米国特許 5875554号明細書
【特許文献２１】米国特許 5953822号明細書
【特許文献２２】米国特許 6099245号明細書
【特許文献２３】米国特許 6183192号明細書
【特許文献２４】米国特許 6164656号明細書
【特許文献２５】米国特許 6193465号明細書
【特許文献２６】米国特許 6272900号明細書
【特許文献２７】米国特許 6311537号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月1日(2006.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ヨーロッパ特許出願公開第１，００７，６０５号明細書には、エチレン、２．５〜４．５モル％の酢酸ビニルおよび９．５〜１４モル％の、炭素原子数１５までの分岐したビニルエステルよりなるターポリマーが開示されている。このポリマーは３５００〜６０００ｇ／モルの平均分子量および２．２〜３．６（ＣＨ2 ）／１００（ＣＨ3 基）の分岐度を有している。末端でないところで分岐した脂肪酸のビニルエステルを使用するのが有利である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
中間留分中の芳香族化合物の総含有量は２２重量％以下に、好ましくは１８重量％以下に、特に好ましくは１５重量％以下に水素化および／または水素化脱硫によって減らされてきた。本発明の添加剤は９０〜２０％が１１０℃より低い、特に１００℃より低い沸点範囲を有する狭い中間留分において特に有利な結果を発揮する。曇り点より１０℃下で沈殿するパラフィンをＤＳＣによると３重量％より多く含有するパラフィンリッチの中間留分において使用するのが有利である。中間留分が０．８４０ｇ／ｃｍ3 より低い、特に０．８３５ｇ／ｃｍ3 より低い密度を有する中間留分において使用するのも有利である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
他の冷間流動性向上剤として使用するのに同様に適するオレフィンコポリマーはモノエチレン性不飽和モノマーから直接誘導できるかまたは多重不飽和モノマー、例えばイソプレンまたはブタジエンから誘導されるポリマーの水素化によって間接的に製造することができる。エチレンの他に、有利なコポリマーは炭素原子数３〜２４のα−オレフィンから誘導される構造単位を含有しそして１２０，０００までの分子量を有している。特に有利なα−オレフィンはプロピレン、ブテン、イソブテン、ｎ−ヘキセン、イソヘキセン、ｎ−オクテン、イソオクテン、ｎ−デセン、イソデセンである。オレフィンのコモノマー含有量は好ましくは１５〜５０モル％、特に好ましくは２０〜４５モル％、中でも３０〜３５モル％である。これらのコポリマーは少量の、例えば１０モル％までの他のコモノマー、例えば末端に二重結合のないオレフィンまたは非共役オレフィンを含有していてもよい。エチレン−プロピレンコポリマーが有利である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
【表１ａ】
2004204222.tif 000001
【表１ｂ】
2004204222.tif 000002
比較例として種々の市販のエチレン／酢酸ビニルおよびエチレン／ＶｅｏＶａ−コポリマー、種々のエチレンー酢酸ビニルーＶｅｏＶａ−コポリマーおよびエチレン／酢酸ビニル／２−エチルヘキサン酸ビニルエステル（ＥＨＶ）−ターポリマーの効力を報告する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月12日(2007.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイス用基板の洗浄液において、以下の成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、及び（ｄ）を含み、かつｐＨが１．５以上６．５未満であることを特徴とする半導体デバイス用基板洗浄液。
成分（ａ）：有機酸
成分（ｂ）：有機アルカリ成分
成分（ｃ）：界面活性剤
成分（ｄ）：水
【請求項２】
請求項１において、前記成分（ａ）がカルボキシル基を１以上有する炭素数１〜１０の有機化合物であることを特徴とする半導体デバイス用基板洗浄液。
【請求項３】
請求項２において、前記成分（ｂ）が以下の一般式（Ｉ）で表されることを特徴とする半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ｒ１）４Ｎ＋ＯＨ−              …（Ｉ）
（但し、Ｒ１は水素原子、或いは水酸基、アルコキシ基、又はハロゲンにて置換されていてもよいアルキル基を示し、４個のＲ１は全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。但し、全て同時に水素原子である場合を除く。）
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、前記成分（ａ）の含有量が０．０５〜１０重量％であり、前記成分（ｂ）の含有量が０．０１〜１０重量％であり、且つ、前記成分（ｃ）の含有量が０．０００３〜０．１重量％であることを特徴とする半導体デバイス用基板洗浄液。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項において、前記成分（ａ）と（ｂ）との重量比率［成分（ａ）／成分（ｂ）］が０．８以上５以下であり、前記成分（ｃ）と（ｂ）との重量比率［成分（ｃ）／成分（ｂ）］が０．０１以上０．２以下であることを特徴とする半導体デバイス用基板洗浄液。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、前記半導体デバイス用基板が表面に金属配線を有することを特徴とする半導体デバイス用基板洗浄液。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項において、前記半導体デバイス用基板が表面に低誘電率絶縁膜を有することを特徴とする半導体デバイス用基板洗浄液。
【請求項８】
以下の成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、及び（ｄ）を含み、かつｐＨが１．５以上６．５未満である液を用いて、半導体デバイス用基板を洗浄することを特徴とする半導体デバイス用基板の洗浄方法。
成分（ａ）：有機酸
成分（ｂ）：有機アルカリ成分
成分（ｃ）：界面活性剤
成分（ｄ）：水
【請求項９】
請求項８において、前記成分（ａ）がカルボキシル基を１以上有する炭素数１〜１０の有機化合物であることを特徴とする半導体デバイス用基板の洗浄方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記成分（ｂ）が以下の一般式（Ｉ）で表されることを特徴とする半導体デバイス用基板の洗浄方法。
（Ｒ１）４Ｎ＋ＯＨ−              …（Ｉ）
（但し、Ｒ１は水素原子、或いは水酸基、アルコキシ基、又はハロゲンにて置換されていてもよいアルキル基を示し、４個のＲ１は全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。但し、全て同時に水素原子である場合を除く。）
【請求項１１】
請求項８ないし１０のいずれか１項において、前記成分（ａ）の含有量が０．０５〜１０重量％であり、前記成分（ｂ）の含有量が０．０１〜１０重量％であり、且つ、前記成分（ｃ）の含有量が０．０００３〜０．１重量％であることを特徴とする半導体デバイス用基板の洗浄方法。
【請求項１２】
請求項８ないし１１のいずれか１項において、前記成分（ａ）と（ｂ）との重量比率［成分（ａ）／成分（ｂ）］が０．８以上５以下であり、前記成分（ｃ）と（ｂ）との重量比率［成分（ｃ）／成分（ｂ）］が０．０１以上０．２以下であることを特徴とする半導体デバイス用基板の洗浄方法。
【請求項１３】
請求項８ないし１２のいずれか１項において、前記半導体デバイス用基板が表面に金属配線を有することを特徴とする半導体デバイス用基板の洗浄方法。
【請求項１４】
請求項８ないし１３のいずれか１項において、前記半導体デバイス用基板が表面に低誘電率絶縁膜を有することを特徴とする半導体デバイス用基板の洗浄方法。
【請求項１５】
請求項８ないし１４のいずれか１項において、前記半導体デバイス用基板は、基板表面にＣｕ膜と低誘電率絶縁膜を有し、かつ、ＣＭＰ処理後に基板を洗浄することを特徴とする半導体デバイス用基板の洗浄方法。
【請求項１６】
請求項１５において、前記ＣＭＰ処理がアゾール系防食剤を含む研磨剤により行われることを特徴とする半導体デバイス用基板の洗浄方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月17日(2007.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プリント配線板の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅箔の片面側に補助金属層として０．０８〜２．０μｍ厚のニッケル層を備え、他面側に微細銅粒による粗化処理を施したレーザー穴明け加工用の表面処理銅箔を用いて、該粗化処理を施した他面側を基材に張り合わせることで、前記補助金属層が表面側に配置されるように銅張積層板を形成し、
当該補助金属層にレーザーを照射して、銅箔と基材とを同時にレーザー穴明け加工することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
銅箔の片面側に補助金属層として０．０５〜３．０μｍ厚のコバルト層を備え、他面側に微細銅粒による粗化処理を施したレーザー穴明け加工用の表面処理銅箔を用いて、該粗化処理を施した他面側を基材に張り合わせることで、前記補助金属層が表面側に配置されるように銅張積層板を形成し、
当該補助金属層にレーザーを照射して、銅箔と基材とを同時にレーザー穴明け加工することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
電解銅箔の粗面側に補助金属層として０．０５〜２．０μｍ厚のニッケル層を備え、光沢面側に微細銅粒による粗化処理を施したレーザー穴明け加工用の表面処理銅箔を用いて、該粗化処理を施した光沢面側を基材に張り合わせることで、前記補助金属層が表面側に配置されるように銅張積層板を形成し、
当該補助金属層にレーザーを照射して、銅箔と基材とを同時にレーザー穴明け加工することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
電解銅箔の粗面側に補助金属層として０．０３〜３．０μｍ厚のコバルト層を備え、光沢面側に微細銅粒による粗化処理を施したレーザー穴明け加工用の表面処理銅箔を用いて、該粗化処理を施した光沢面側を基材に張り合わせることで、前記補助金属層が表面側に配置されるように銅張積層板を形成し、
当該補助金属層にレーザーを照射して、銅箔と基材とを同時にレーザー穴明け加工することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項５】
レーザー穴明け加工は、炭酸ガスレーザーによるものである請求項１〜請求項４いずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月1日(2006.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分離領域および前記分離領域によって規定された活性領域を有する半導体基板と、
前記半導体基板に形成された複数の不揮発性メモリセルと、前記不揮発性メモリセルの周辺回路用の第１電界効果トランジスタとを有する半導体集積回路装置であって、
前記複数の不揮発性メモリセルの各々は、
前記半導体基板上に形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成された第１導電膜と、
前記第１導電膜上に形成された第２導電膜と、
前記第２導電膜上に形成された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成された第３導電膜と、
前記第３導電膜上に形成された第４導電膜と、
を有し、
前記不揮発性メモリセルにおいて、前記不揮発性メモリセルの浮遊ゲート電極は前記第１および第２導電膜を含んで構成され、且つ、前記不揮発性メモリセルの制御ゲート電極は前記第３および第４導電膜を含んで構成されており、
前記第１電界効果トランジスタは、
前記半導体基板上に形成された第１ゲート絶縁膜と、
前記第１ゲート絶縁膜上に形成された前記第１導電膜と、
前記第１導電膜上に形成された前記第２導電膜と、
前記第２導電膜上に形成された前記第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成された前記第３導電膜と、
前記第３導電膜上に形成された前記第４導電膜と、
を有し、
前記第１電界効果トランジスタにおいて、前記第２絶縁膜および前記第３導電膜に孔が形成されており、
前記第１電界効果トランジスタにおいて、前記第４導電膜は前記孔内にも形成され、且つ、前記第２導電膜に電気的に接続されており、
前記第１電界効果トランジスタにおいて、前記第１電界効果トランジスタのゲート電極は前記第１、第２、第３および前記第４導電膜を含んで構成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体集積回路装置において、
前記孔は複数個形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体集積回路装置において、
前記第１電界効果トランジスタのゲート電極の平面内において、前記孔は、前記活性領域および前記分離領域と平面的に重なる位置に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記分離領域は、前記半導体基板に形成された溝と、前記溝内に残された第３絶縁膜によって形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置は、更に、
前記第１電界効果トランジスタ上に形成された第４絶縁膜と、
前記第４絶縁膜中に形成されたコンタクトホールと、
前記第４絶縁膜上に形成され、且つ、前記コンタクトホールを介して前記第１電界効果トランジスタのゲート電極に接続された配線層とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体集積回路装置において、
前記第１電界効果トランジスタのゲート電極の平面内において、前記コンタクトホールは、前記分離領域と平面的に重なる位置に設けられ、且つ、前記活性領域と平面的に重なる位置には設けられていないことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項７】
請求項５または６のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記孔の直径は、前記コンタクトホールの直径よりも大きいことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記第１電界効果トランジスタは、更に、前記第４導電膜上に形成された第５絶縁膜を有し、
前記コンタクトホールは、前記第４および第５絶縁膜を貫通して前記第１電界効果トランジスタのゲート電極に接続するように形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記不揮発性メモリセルにおいて、前記分離領域は第１方向に延在しており、
前記不揮発性メモリセルにおいて、前記第３および第４導電膜は、前記第１方向と直交する第２方向に延在しており、且つ、前記第２方向で隣接する各不揮発性メモリセルのワード線を構成しており、
前記不揮発性メモリセルにおいて、前記第１および第２導電膜は、前記第２方向で隣接する各不揮発性メモリセル毎に分離されており、且つ、前記第２方向における前記第２導電膜の長さは前記第１導電膜の長さよりも長いことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置は更に、
前記第１電界効果トランジスタとは別に、前記不揮発性メモリセルの周辺回路用の第２電界効果トランジスタを有し、
前記第２電界効果トランジスタは、
前記半導体基板上に形成され、且つ、前記第１ゲート絶縁膜よりも膜厚の薄い第２ゲート絶縁膜と、
前記第２ゲート絶縁膜上に形成された前記第１導電膜と、
前記第１導電膜上に形成された前記第２導電膜と、
前記第２導電膜上に形成された前記第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成された前記第３導電膜と、
前記第３導電膜上に形成された前記第４導電膜と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記第２絶縁膜は、酸化シリコン膜および窒化シリコン膜の積層膜であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、
前記第１電界効果トランジスタは、入力回路、出力回路、入出力双方向回路、電源回路または昇圧回路を構成する電界効果トランジスタであることを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路装置
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月18日(2006.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像信号の特定周波数成分を強調し、再生画像の輪郭を補正する画像信号処理装置において、
原画像信号から前記輪郭に対応する特定周波数成分を抽出してエッジ信号を生成するエッジ信号生成回路と、前記原画像信号の信号レベルに応じてゲイン信号を生成するゲイン生成回路と、を有する輪郭強調信号生成回路を備え、
前記輪郭強調信号生成回路は、前記ゲイン信号に基づいて前記エッジ信号の振幅を変換して、前記再生画像の輪郭を補正する輪郭強調信号を生成することを特徴とする画像信号処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像信号処理装置において、
前記エッジ信号生成回路は、
前記原画像信号から前記特定周波数成分を抽出する周波数フィルタ回路と、
前記周波数フィルタ回路の出力信号からピークが所定基準値以下の波形を除去するノイズ除去回路と、
を有し、前記ノイズ除去回路の出力信号に基づいて前記エッジ信号を生成することを特徴とする画像信号処理装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の画像信号処理装置において、
前記ゲイン生成回路は、
非線形のゲイン定義関数を予め設定され、当該ゲイン定義関数に基づいて、前記原画像信号の信号レベルに対応する前記ゲイン信号の信号レベルを定めること、
を特徴とする画像信号処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の画像信号処理装置において、
前記輪郭強調信号生成回路は、
前記ゲイン信号を前記エッジ信号に乗じて前記輪郭強調信号を生成する乗算回路を有すること、
を特徴とする画像信号処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の画像信号処理装置において、
前記原画像信号に対して非線形特性に基づく階調補正を施す階調補正回路と、
前記階調補正された前記原画像信号に前記輪郭強調信号を加算して出力画像信号を生成する加算回路と、
を有することを特徴とする画像信号処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る画像信号処理装置は、原画像信号から画像の輪郭に対応する特定周波数成分を抽出してエッジ信号を生成するエッジ信号生成回路と、前記原画像信号の信号レベルに応じてゲイン信号を生成するゲイン生成回路と、を有する輪郭強調信号生成回路を備え、前記輪郭強調信号生成回路は、前記ゲイン信号に基づいて前記エッジ信号の振幅を変換して、前記再生画像の輪郭を補正する輪郭強調信号を生成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また他の本発明に係る画像信号処理装置においては、前記ゲイン生成回路が、非線形のゲイン定義関数を予め設定され、当該ゲイン定義関数に基づいて、前記原画像信号の信号レベルに対応する前記ゲイン信号の信号レベルを定める。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月8日(2007.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
現実空間を撮影して得られる現実空間画像に、仮想物体の画像を合成して得られる複合現実空間画像と、前記複合現実空間画像を観察した作業者の身体の一部の位置姿勢情報と、時刻情報とが対応付けられて記録された記録手段と、
前記記録手段に記録された前記複合現実空間画像と前記位置姿勢情報とを、前記時刻情報に基づいて再生する再生手段とを有することを特徴とする再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、上述の目的は、現実空間を撮影して得られる現実空間画像に、仮想物体の画像を合成して得られる複合現実空間画像と、複合現実空間画像を観察した作業者の身体の一部の位置姿勢情報と、時刻情報とが対応付けられて記録された記録手段と、記録手段に記録された複合現実空間画像と位置姿勢情報とを、時刻情報に基づいて再生する再生手段とを有することを特徴とする再生装置によっても達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本実施形態において、蓄積部１４に記録されたデータは、表示装置３１に表示される例えば図２（ｂ）に示すような再生画面で再生される。再生画面は、３Ｄ軌跡表示モジュール５０と、動画再生モジュール６０と、経過時間表示モジュール７０とを有している。３Ｄ軌跡表示モジュール５０には、作業者４０が作業した複合現実空間（上述した世界座標系の空間）が仮想物体とともに３次元的に表示され、その中に、作業中における作業者４０のＨＭＤの移動軌跡５５がやはり３次元的に表示される。動画再生モジュール６０は、動画表示用の動画表示領域６１と、動画表示を制御するスライドバー６２、動画の再生を中止する中止ボタン６５、動画再生を一時停止する停止ボタン６６、動画再生ボタン６７から構成され、蓄積部１４に記録された画像データは、動画表示領域６１内で再生される。経過時間表示モジュール７０は、記録開始時を０とした経過時間を表示する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月8日(2007.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子及びスイッチ素子を含む複数の画素が基板上にアレイ状に配置された光電変換素子アレイと、
前記光電変換素子アレイから出力された信号を検出する検出手段と、
前記検出手段から出力された信号を表示装置に対して出力する出力手段と、
を有し、
前記出力手段は連続して前記信号を出力し、前記光電変換素子に留まっていたキャリアを掃き出すためのリフレッシュ動作を行った結果、前記検出手段から信号が出力されてこない期間においては、補間用の信号を出力することを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】
前記補間用の信号として、前記信号が出力されてこない期間の直前のフレームにおいて前記検出手段から出力された信号を用いることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
前記補間用の信号として、前記信号が出力されてこない期間の直前のフレーム及び直後のフレームにおいて前記検出手段から出力された信号を用いた中間画像の信号を用いることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記補間用の信号を前記表示装置に対して出力するに当たり、前記表示装置にマーキングを行わせることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】
前記光電変換素子及びスイッチ素子の材料として、アモルファスシリコンが用いられており、前記光電変換素子はＭＩＳ型光電変換素子であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】
放射線に対して波長変換を施す波長変換体を有し、前記波長変換体により波長変換されて出力された波が前記光電変換素子に入射することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
被検体に放射線を照射する放射線源と、
前記被検体を透過した放射線を検出する請求項１乃至６のいずれか１項に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置から出力された信号に対して画像処理を施す画像処理手段と、
前記画像処理手段により処理された後の画像データを表示する表示手段と、
を有することを特徴とする放射線撮像システム。
【請求項８】
光電変換素子及びスイッチ素子を含む複数の画素が基板上にアレイ状に配置された光電変換素子アレイと、前記光電変換素子アレイから出力された信号を検出する検出手段と、を有する放射線撮像装置を制御する方法であって、
前記検出手段から出力された信号を連続して表示装置に対して出力し、前記光電変換素子に留まっていたキャリアを掃き出すためのリフレッシュ動作を行った結果、前記検出手段から信号が出力されてこない期間においては、補間用の信号を出力することを特徴とする放射線撮像装置の制御方法。
【請求項９】
前記補間用の信号として、前記信号が出力されてこない期間の直前のフレームにおいて前記検出手段から出力された信号を用いることを特徴とする請求項８に記載の放射線撮像装置の制御方法。
【請求項１０】
前記補間用の信号として、前記信号が出力されてこない期間の直前のフレーム及び直後のフレームにおいて前記検出手段から出力された信号を用いた中間画像の信号を用いることを特徴とする請求項８に記載の放射線撮像装置の制御方法。
【請求項１１】
光電変換素子及びスイッチ素子を含む複数の画素が基板上にアレイ状に配置された光電変換素子アレイと、前記光電変換素子アレイから出力された信号を検出する検出手段と、を有する放射線撮像装置をコンピュータに制御させるためのプログラムであって、
コンピュータに、前記検出手段から出力された信号を連続して表示装置に対して出力し、前記光電変換素子に留まっていたキャリアを掃き出すためのリフレッシュ動作を行った結果、前記検出手段から信号が出力されてこない期間においては、補間用の信号を出力する処理を行わせることを特徴とするプログラム。
【請求項１２】
コンピュータに、前記補間用の信号として、前記信号が出力されてこない期間の直前のフレームにおいて前記検出手段から出力された信号を用いる処理を行わせることを特徴とする請求項１１に記載のプログラム。
【請求項１３】
コンピュータに、前記補間用の信号として、前記信号が出力されてこない期間の直前のフレーム及び直後のフレームにおいて前記検出手段から出力された信号を用いた中間画像の信号を用いる処理を行わせることを特徴とする請求項１１に記載のプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明に係る放射線撮像装置は、光電変換素子及びスイッチ素子を含む複数の画素が基板上にアレイ状に配置された光電変換素子アレイと、前記光電変換素子アレイから出力された信号を検出する検出手段と、前記検出手段から出力された信号を表示装置に対して出力する出力手段と、を有し、前記出力手段は連続して前記信号を出力し、前記光電変換素子に留まっていたキャリアを掃き出すためのリフレッシュ動作を行った結果、前記検出手段から信号が出力されてこない期間においては、補間用の信号を出力することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明に係る放射線撮像装置の制御方法は、光電変換素子及びスイッチ素子を含む複数の画素が基板上にアレイ状に配置された光電変換素子アレイと、前記光電変換素子アレイから出力された信号を検出する検出手段と、を有する放射線撮像装置を制御する方法であって、前記検出手段から出力された信号を連続して表示装置に対して出力し、前記光電変換素子に留まっていたキャリアを掃き出すためのリフレッシュ動作を行った結果、前記検出手段から信号が出力されてこない期間においては、補間用の信号を出力することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明に係るプログラムは、光電変換素子及びスイッチ素子を含む複数の画素が基板上にアレイ状に配置された光電変換素子アレイと、前記光電変換素子アレイから出力された信号を検出する検出手段と、を有する放射線撮像装置をコンピュータに制御させるためのプログラムであって、コンピュータに、前記検出手段から出力された信号を連続して表示装置に対して出力し、前記光電変換素子に留まっていたキャリアを掃き出すためのリフレッシュ動作を行った結果、前記検出手段から信号が出力されてこない期間においては、補間用の信号を出力する処理を行わせることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月8日(2007.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子及びスイッチ素子を含む複数の画素が基板上にアレイ状に配置された光電変換素子アレイと、
前記光電変換素子アレイから出力された信号を検出する検出手段と、
前記検出手段から出力された信号を参照して、前記光電変換素子を初期化するためのリフレッシュ動作を行うか否かの判定を行う判定手段と、
を有し、
前記判定手段による判定の結果に応じて前記リフレッシュ動作を行うことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】
前記検出手段から出力された信号をｎ（ｎ≧１）フレーム分積算した積算データを求め、前記積算データから単一画素単位又は複数画素単位で最大出力値を抽出し、前記最大出力値に応じて前記リフレッシュ動作を行うことを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
前記リフレッシュ動作を行うに当たり参照する信号を出力する画素がユーザにより指定可能であることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記光電変換素子及びスイッチ素子の材料として、アモルファスシリコンが用いられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】
前記光電変換素子は、ＭＩＳ型光電変換素子であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】
放射線に対して波長変換を施す波長変換体を有し、前記波長変換体により波長変換されて出力された波が前記光電変換素子に入射することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
前記光電変換素子は入射した光に応じて電子及びホールの一対を発生するものであり、前記リフレッシュ動作は前記光電変換素子に蓄えられていた前記電子及びホールの一対のうちの一方を掃き出す動作であり、前記判定手段によってリフレッシュ動作を行う判定の結果が得られた場合に前記リフレッシュ動作を行うことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項８】
被検体に放射線を照射する放射線源と、
前記被検体を透過した放射線を検出する請求項１乃至７のいずれか１項に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置から出力された信号に対して画像処理を施す画像処理手段と、
前記画像処理手段により処理された後の画像データを表示する表示手段と、
を有することを特徴とする放射線撮像システム。
【請求項９】
光電変換素子及びスイッチ素子を含む複数の画素が基板上にアレイ状に配置された光電変換素子アレイと、前記光電変換素子アレイから出力された信号を検出する検出手段と、を有する放射線撮像装置を制御する方法であって、
前記検出手段から出力された信号を参照して、前記光電変換素子を初期化するためのリフレッシュ動作を行うか否かの判定を行い、前記判定の結果に応じて前記リフレッシュ動作を行うことを特徴とする放射線撮像装置の制御方法。
【請求項１０】
前記検出手段から出力された信号をｎ（ｎ≧１）フレーム分積算した積算データを求め、前記積算データから単一画素単位又は複数画素単位で最大出力値を抽出し、前記最大出力値に応じて前記リフレッシュ動作を行うことを特徴とする請求項９に記載の放射線撮像装置の制御方法。
【請求項１１】
光電変換素子及びスイッチ素子を含む複数の画素が基板上にアレイ状に配置された光電変換素子アレイと、前記光電変換素子アレイから出力された信号を検出する検出手段と、を有する放射線撮像装置をコンピュータに制御させるためのプログラムであって、
コンピュータに、前記検出手段から出力された信号を参照して、前記光電変換素子を初期化するためのリフレッシュ動作を行うか否かの判定を行わせ、前記判定の結果に応じて前記リフレッシュ動作を行う処理を行わせることを特徴とするプログラム。
【請求項１２】
コンピュータに、前記検出手段から出力された信号をｎ（ｎ≧１）フレーム分積算した積算データを求め、前記積算データから単一画素単位又は複数画素単位で最大出力値を抽出し、前記最大出力値に応じて前記リフレッシュ動作を行う処理を行わせることを特徴とする請求項１１に記載のプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明に係る放射線撮像装置は、光電変換素子及びスイッチ素子を含む複数の画素が基板上にアレイ状に配置された光電変換素子アレイと、前記光電変換素子アレイから出力された信号を検出する検出手段と、前記検出手段から出力された信号を参照して、前記光電変換素子を初期化するためのリフレッシュ動作を行うか否かの判定を行う判定手段と、を有し、前記判定手段による判定の結果に応じて前記リフレッシュ動作を行うことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明に係る放射線撮像装置の制御方法は、光電変換素子及びスイッチ素子を含む複数の画素が基板上にアレイ状に配置された光電変換素子アレイと、前記光電変換素子アレイから出力された信号を検出する検出手段と、を有する放射線撮像装置を制御する方法であって、前記検出手段から出力された信号を参照して、前記光電変換素子を初期化するためのリフレッシュ動作を行うか否かの判定を行い、前記判定の結果に応じて前記リフレッシュ動作を行うことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明に係るプログラムは、光電変換素子及びスイッチ素子を含む複数の画素が基板上にアレイ状に配置された光電変換素子アレイと、前記光電変換素子アレイから出力された信号を検出する検出手段と、を有する放射線撮像装置をコンピュータに制御させるためのプログラムであって、コンピュータに、前記検出手段から出力された信号を参照して、前記光電変換素子を初期化するためのリフレッシュ動作を行うか否かの判定を行わせ、前記判定の結果に応じて前記リフレッシュ動作を行う処理を行わせることを特徴とする。