【手続補正書】
【提出日】平成19年8月20日(2007.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延在して第１の方向と交差する第２の方向に並設された多数の第１電極と、前記第１電極を覆って形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上で前記第２の方向に延在して前記第１の方向に並設された多数の第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との交叉部付近に設けられた電子源を有する多数の画素を備えた表示領域を背面基板上に形成した背面パネルと、
前記背面パネルの前記表示領域に有する前記電子源から取り出される電子の励起で発光する複数色の蛍光体層と第３電極を前面基板に形成した前面パネルと、
前記背面パネルと前記前面パネルの周辺部に介在して両パネルを封止する封止枠とを具備し、
前記第１電極の少なくとも一端は前記表示領域から前記背面パネルと前記封止枠とが対向する封止領域を通して外側に引き出された第１電極引出端子を有し、
前記第２電極の少なくとも一端は前記表示領域から前記背面パネルと前記封止枠とが対向する封止領域を通して外側に引き出された第２電極引出端子を有し、
前記絶縁膜は、前記封止枠による封止領域を除いて形成されている表示パネルを具備したことを特徴とする自発光平面表示装置。
【請求項２】
前記絶縁膜は、窒化シリコンまたは酸化シリコンの何れかの単層蒸着膜、若しくは両者の多層蒸着膜であることを特徴とする請求項１に記載の自発光平面表示装置。
【請求項３】
前記絶縁膜は、窒化シリコンと酸化シリコンが混合された共蒸着膜であることを特徴とする請求項１に記載の自発光平面表示装置。
【請求項４】
前記背面パネルと前記前面パネルの間、かつ前記封止枠の内側に、前記背面パネルと前記前面パネルの間を所定間隔に保持する１または複数の隔壁を有することを特徴とする請求項１に記載の自発光平面表示装置。
【請求項５】
第１の方向に延在して第１の方向と交差する第２の方向に並設された多数の第１電極と、前記第１電極を覆って形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上で前記第２の方向に延在して前記第１の方向に並設された多数の第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との交叉部付近に設けられた電子源を有する多数の画素を備えた表示領域を背面基板上に形成した背面パネルと、
前記背面パネルの前記表示領域に有する前記電子源から取り出される電子の励起で発光する複数色の蛍光体層と第３電極を前面基板に形成した前面パネルと、
前記背面パネルと前記前面パネルの周辺部に介在して両パネルを封止する封止枠とを具備し、
前記第１電極の少なくとも一端は前記表示領域から前記背面パネルと前記封止枠とが対向する封止領域を通して外側に引き出された第１電極引出端子を有し、
前記第２電極の少なくとも一端は前記表示領域から前記背面パネルと前記封止枠とが対向する封止領域を通して外側に引き出された第２電極引出端子を有し、
前記絶縁膜は、前記封止枠による封止領域の第２電極引出側では前記第２電極引出端子の間を除いて形成されている表示パネルを具備したことを特徴とする自発光平面表示装置。
【請求項６】
前記絶縁膜は、窒化シリコンまたは酸化シリコンの何れかの単層蒸着膜、若しくは両者の多層蒸着膜であることを特徴とする請求項５に記載の自発光平面表示装置。
【請求項７】
前記絶縁膜は、窒化シリコンと酸化シリコンが混合された共蒸着膜であることを特徴とする請求項５に記載の自発光平面表示装置。
【請求項８】
前記背面パネルと前記前面パネルの間、かつ前記封止枠の内側に、前記背面パネルと前記前面パネルの間を所定間隔に保持する１または複数の隔壁を有することを特徴とする請求項５に記載の自発光平面表示装置。
【請求項９】
前記封止領域では、前記第２電極引出端子が、その少なくとも一方の側縁の長さが該第２電極引出端子の前記封止領域における引き出し距離よりも長い平面形状を有することを特徴とする請求項５に記載の自発光平面表示装置。
【請求項１０】
第１の方向に延在して該第１の方向と交差する第２の方向に並設された多数の第１電極と、前記第２の方向に延在して前記第１の方向に並設された多数の第２電極を背面基板に形成した背面パネルと、
蛍光体層を前面基板に形成した前面パネルと、
前記背面パネルと前記前面パネルを封止する封止枠と、
前記第１電極から前記背面基板と前記封止枠とが対向する封止領域を通して外側に引き出された第１電極引出端子と、
前記第２電極から前記背面基板と前記封止枠とが対向する封止領域を通して外側に引き出された第２電極引出端子を有する表示パネルを具備した自発光平面表示装置の製造方法であって、
前記背面パネルを構成する背面基板に第１電極および第１電極引出端子を形成するための第１金属膜を形成する第１金属膜形成工程と、
形成した前記第１金属膜の上に感光性レジストを塗布し、前記第１電極および第１電極引出端子のパターンの露光と現像処理により前記第１金属膜の露出部分を形成するパターニング工程と、
前記第１金属膜の露出部分をエッチング加工し、加工後に前記感光性レジストを除去して第１電極および第１電極引出端子を形成するエッチング処理工程と、
前記第１電極及び第１電極引出端子を覆い、かつ前記封止枠の第２電極引出側で封止される封止領域の内側まで絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記第１電極と前記絶縁膜を覆って前記背面基板に第２電極および第２電極引出端子を形成するための第２金属膜を形成する第２金属膜形成工程と、
形成した前記第２金属膜の上に感光性レジストを塗布し、前記第２電極および第２電極引出端子のパターンの露光と現像処理により前記第２金属膜の露出部分を形成するパターニング工程と、
前記第２金属膜の露出部分をエッチング加工し、加工後に前記感光性レジストを除去して第２電極および第２電極引出端子を形成するエッチング処理工程と、
前記封止枠の第１電極引出側で封止される封止領域の前記絶縁膜を除去する絶縁膜除去工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする自発光平面表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１金属膜、前記第２金属膜、前記絶縁膜を蒸着で形成することを特徴とする請求項１０に記載の自発光平面表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁膜の除去をドライエッチングで行うことを特徴とする請求項１０に記載の自発光平面表示装置の製造方法。
【請求項１３】
第１の方向に延在して該第１の方向と交差する第２の方向に並設された多数の第１電極と、前記第２の方向に延在して前記第１の方向に並設された多数の第２電極を背面基板に形成した背面パネルと、
蛍光体層を前面基板に形成した前面パネルと、
前記背面パネルと前記前面パネルを封止する封止枠と、
前記第１電極から前記背面基板と前記封止枠とが対向する封止領域を通して外側に引き出された第１電極引出端子と、
前記第２電極から前記背面基板と前記封止枠とが対向する封止領域を通して外側に引き出された第２電極引出端子を有する表示パネルを具備した自発光平面表示装置の製造方法であって、
前記背面パネルを構成する背面基板に第１電極および第１電極引出端子を形成するための第１金属膜を形成する第１金属膜形成工程と、
形成した前記第１金属膜の上に感光性レジストを塗布し、前記第１電極および第１電極引出端子のパターンの露光と現像処理により前記第１金属膜の露出部分を形成するパターニング工程と、
前記第１金属膜の露出部分をエッチング加工し、加工後に前記感光性レジストを除去して第１電極および第１電極引出端子を形成するエッチング処理工程と、
前記第１電極および第１電極引出端子を覆い、かつ前記封止枠で封止される封止領域の外側まで絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記第１電極および第１電極引出端子と前記絶縁膜を覆って前記背面基板に第２電極および第２電極引出端子を形成するための第２金属膜を形成する第２金属膜形成工程と、
形成した前記第２金属膜の上に感光性レジストを塗布し、前記第２電極および第２電極引出端子のパターンの露光と現像処理により前記第２金属膜の露出部分を形成するパターニング工程と、
前記第２金属膜の露出部分をエッチング加工し、加工後に前記感光性レジストを除去して第２電極および第２電極引出端子を形成するエッチング処理工程と、
前記封止枠で封止される封止領域の前記第２電極引出端子の間の前記絶縁膜を除去する絶縁膜除去工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする自発光平面表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１金属膜、前記第２金属膜、前記絶縁膜を蒸着で形成することを特徴とする請求項１３に記載の自発光平面表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記絶縁膜の除去をドライエッチングで行うことを特徴とする請求項１３に記載の自発光平面表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
自発光平面表示装置の一例である電子放出型の表示装置を構成する表示パネルは、内面に電子放出型の電子源を有する第１電極（例えば、カソード電極）と制御電極である第２電極（例えば、ゲート電極、走査電極）を形成した背面パネルと、この背面パネルと対向する内面に複数色の蛍光体層と第３電極（アノード電極、陽極）とを備えた前面パネルを有している。前面パネルは、ガラスを好適とする光透過性の材料で形成される。そして、両パネルの貼り合せ内周縁に封止枠を介挿して封止し、当該背面パネルと前面パネルおよび封止枠で形成される内部を真空にして構成される。背面パネルには、ガラスあるいはアルミナ等の絶縁材を好適とする背面基板の上に、第１の方向に延在しこの第１の方向と交差する第２の方向に並設されて多数の電子源をもつ複数の第１電極と、第２の方向に延在し第１の方向に並設して設けた第２電極を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
封止領域ＳＬの内側は表示領域であり、この表示領域内のカソード電極ＣＬとゲート電極ＧＬの各交差部には電子源が配置される。電子源は、例えば、後述するような構成を有するＭＩＭ電子源である。そして、この電子源は、ゲート電極引出端子ＧＬＴから順次入力する垂直走査信号で選択されたゲート電極ＧＬと交差するカソード電極ＣＬに対してカソード電極引出端子ＣＬＴから供給される画像データ信号に応じた電子量を放出する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
表示領域におけるカソード電極ＣＬとゲート電極ＧＬの層構造を図１（ｂ）に示す。なお、図１（ｂ）も模式図であり、電子源は図示を省略してある。カソード電極ＣＬは背面基板ＳＵＢ１の上に形成され、その上を覆って層間絶縁膜ＩＮＳが形成されている。実施例１では、層間絶縁膜ＩＮＳとして窒化シリコン（ＳｉＮ）を用いた。なお、この層間絶縁膜としては、酸化シリコンの単層蒸着膜、窒化シリコンと酸化シリコンの多層蒸着膜、又は窒化シリコンと酸化シリコンが混合された共蒸着膜を用いても良い。層間絶縁膜ＩＮＳの上にゲート電極ＧＬが形成されている。ゲート電極ＧＬの端部はゲート電極引出端子ＧＬＴとなって封止領域ＳＬの外側に引き出されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
層間絶縁膜ＩＮＳは、図１（ｃ）に示すように、封止領域ＳＬよりも内側まで形成され、封止枠ＭＦＬを接着する接着剤ＦＧと接触しないようにしている。実施例１では、接着剤ＦＧとして酸化鉛（ＰｂＯ）を含むフリットガラスを用いた。図１（ｄ）に示すように、背面パネルを構成する背面基板ＳＵＢ１と封止枠ＭＦＬの間のゲート電極引出端子側（図１（ａ）の左右両辺側）にはゲート電極引出端子ＧＬＴと接着剤ＦＧが介在することになる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
実施例１の構成としたことにより、前記したＰｂＯ＋ＳｉＮ→Ｐｂ＋ＳｉＯ2＋ＮＯの反応が生じる余地はなくなり、層間絶縁膜ＩＮＳと背面パネルに封止枠ＭＦＬを接着する接着剤ＦＧとの接触が完全に回避され、両者の化学反応に起因する真空リークが防止される。したがって、封止領域での真空リークが低減し、信頼性の高い自発光平面表示装置を提供することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
形成したカソード電極とカソード電極引出端子の全面を覆い、かつ図１（ａ）で見た封止枠の左右両辺側で封止される封止領域（シール領域）の内側まで絶縁膜（層間絶縁膜となる）を形成する（ｐ−４）。この絶縁膜としては、窒化シリコン（ＳｉＮ）を用い、図１（ａ）で見た封止領域の左右両辺側をマスクして蒸着する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
その後、封止領域のカソード電極引出端子側（図１（ａ）の上下両辺側）、カソード電極引出端子領域及び電子源部の層間絶縁膜を除去する（ｐ−８）。封止領域のゲート電極引出端子側（図１（ａ）の左右両辺側）にはマスク蒸着により層間絶縁膜は存在せず、背面基板と封止枠の間にはゲート電極引出端子と接着剤のみが存在することになる。こうして製造された背面パネルに封止枠を介して前面パネルを貼り合せ、真空抜きして自発光平面表示装置を構成する表示パネルが完成する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
実施例２の表示領域におけるカソード電極ＣＬとゲート電極ＧＬの層構造を図３（ａ）に示す。なお、電子源は図示を省略してある。カソード電極ＣＬは背面基板ＳＵＢ１の上に形成され、その上を覆って層間絶縁膜ＩＮＳが形成されている。実施例２では、層間絶縁膜ＩＮＳとして窒化シリコン（ＳｉＮ）を用いた。なお、この層間絶縁膜としては、酸化シリコンの単層蒸着膜、窒化シリコンと酸化シリコンの多層蒸着膜、又は窒化シリコンと酸化シリコンが混合された共蒸着膜を用いても良い。層間絶縁膜ＩＮＳの上にゲート電極ＧＬが形成されている。ゲート電極ＧＬの端部はゲート電極引出端子ＧＬＴとなって封止領域ＳＬの外側に引き出されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
層間絶縁膜ＩＮＳは、図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示すように、封止領域ＳＬではゲート電極引出端子ＧＬＴの下層にのみ有している。この層間絶縁膜ＩＮＳは、封止領域ＳＬでは、封止枠ＭＦＬを接着する接着剤ＦＧとはゲート電極引出端子ＧＬＴの下層の側面のみと接触している。実施例２では、接着剤ＦＧとして酸化鉛（ＰｂＯ）を含むフリットガラスを用いた。図３（ｃ）に示すように、背面パネルを構成する背面基板ＳＵＢ１と封止枠ＭＦＬの間のゲート電極引出端子側（図１（ａ）の左右両辺側）にはゲート電極引出端子ＧＬＴとこのゲート電極引出端子ＧＬＴの下層に残された層間絶縁膜ＩＮＳ、および接着剤ＦＧが介在することになる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
実施例２の構成としたことにより、前記したＰｂＯ＋ＳｉＮ→Ｐｂ＋ＳｉＯ2＋ＮＯの反応は、ゲート電極引出端子ＧＬＴの下層の側面でのみ発生する可能性はあるが、この部分の接触面積は極めて小さいため、両者間に化学反応が生じても、それは僅かであり、真空リークの可能性は極めて小さい。そのため、信頼性の高い自発光平面表示装置を提供することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
感光性レジストから露出した部分の第１電極膜をウエットエッチングにより溶解除去することでカソード電極とカソード電極引出端子を形成する（ｐ−１３）。なお、この後、残留した感光性レジストを剥離剤や水洗で除去し、洗浄する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
図５では、封止領域ＳＬにおける第２電極引出端子ＧＬＴの側縁に突起Ｐを設けた。これにより、封止領域ＳＬにおける第２電極引出端子ＧＬＴの側縁の長さＬ１（第２電極引出端子ＧＬＴの下層にある層間絶縁膜ＩＮＳの長さも同じ）は該封止領域ＳＬにおける第２電極引出端子ＧＬＴの引き出し長さＬ２より長くなる。そのため、この層間絶縁膜ＩＮＳと封止枠ＭＦＬを背面パネルに接着する接着剤ＦＧとの接触距離も同様に長くなる。その結果、真空リークの可能性を低減できる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
前面パネルを構成する前面基板ＳＵＢ２の内面には陽極ＡＤと蛍光体層ＰＨが形成されている。背面パネルＰＮＬ１を構成する背面基板ＳＵＢ１と前面パネルＰＮＬ２を構成する前面基板ＳＵＢ２とは、その周縁に封止枠ＭＦＬを介在させて貼り合わされる。この貼り合わせた間隙を所定値に保持するため、背面パネルＰＮＬ１と前面パネルＰＮＬ２の間にガラス板を好適とする隔壁ＳＰＣを植立させている。図７はこの隔壁ＳＰＣに沿った断面なので、隔壁ＳＰＣは図示を省略してある。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
この電子源の構造を、その製造工程で説明する。先ず、背面基板ＳＵＢ１上に下部電極ＤＥＤ（前記の各実施例におけるカソード電極ＣＬ）、保護絶縁層ＩＮＳ１、絶縁層ＩＮＳ２を形成する。次に、層間絶縁膜ＩＮＳ３と、上部電極ＡＥＤへの給電線となる上部バス電極（前記の各実施例におけるゲート電極ＧＬ）とスペーサを配置するためのスペーサ電極となる金属膜を、例えばスパッタリング法等で成膜する。下部電極や上部電極にはアルミニウムを用いることができるが、後述する他の金属も用いることができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
層間絶縁膜ＩＮＳ３としては、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化物、シリコンなどを用いることができる。ここでは、シリコン窒化物を用い膜厚は１００ｎｍとした。この層間膜ＩＮＳ３は、陽極酸化で形成する保護絶縁層ＩＮＳ１にピンホールがあった場合、その欠陥を埋め、下部電極ＤＥＤと走査信号配線となる上部バス電極（金属膜下層ＭＤＬと金属膜上層ＭＡＬの間に金属膜中間層ＭＭＬとして銅（Ｃｕ）を挟んだ３層の積層膜）間の絶縁を保つ役割を果たす。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
なお、上部バス電極は、上記の３層積層膜とは限らず、それ以上の層数とすることもできる。例えば、金属膜下層ＭＤＬ、金属膜上層ＭＡＬとしてアルミニウム（Ａｌ）やクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）などの耐酸化性の高い金属材料、またはそれらを含む合金やそれらの積層膜を用いることができる。なお、ここでは金属膜下層ＭＤＬ、金属膜上層ＭＡＬとしてアルミニウムとネオジム（Ａｌ−Ｎｄ）の合金を用いた。この他に、金属膜下層ＭＤＬとしてＡｌ合金とＣｒ、Ｗ、Ｍｏなどの積層膜を用い、金属膜上層ＭＡＬとしてＣｒ、Ｗ、ＭｏなどとＡｌ合金の積層膜を用いて、金属膜中間層ＭＭＬのＣｕに接する膜を高融点金属とした５層膜を用いることで、画像表示装置の製造プロセスにおける加熱工程の際に、高融点金属がバリア膜となってＡｌとＣｕの合金化を抑制できるので、配線の低抵抗化に特に有効である。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
上記金属膜下層ＭＤＬ、金属膜上層ＭＡＬとしてＡｌ−Ｎｄ合金のみ用いる場合の、当該Ａｌ−Ｎｄ合金の膜厚は、金属膜下層ＭＤＬより金属膜上層ＭＡＬを厚くし、金属膜中間層ＭＭＬのＣｕは配線抵抗を低減するため、できるだけ厚くしておく。ここでは金属膜下層ＭＤＬを３００ｎｍ、金属膜中間層ＭＭＬを４μｍ、金属膜上層ＭＡＬを４５０ｎｍの膜厚とした。なお、金属膜中間層ＭＭＬのＣｕはスパッタ以外に電気めっきなどにより形成することも可能である。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
高融点金属を用いる上記５層膜の場合は、Ｃｕと同様に、特に燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液でのウェットエッチングが可能なＭｏでＣｕを挟んだ積層膜を金属膜中間層ＭＭＬとして用いるのが特に有効である。この場合、Ｃｕを挟むＭｏの膜厚は５０ｎｍとし、この金属膜中間層を挟む金属膜下層ＭＤＬのＡｌ合金は３００ｎｍ、金属膜上層ＭＡＬのＡｌ合金は４５０ｎｍの膜厚とする。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
Ｍｏを用いた５層膜の場合も、エッチング液に硝酸を加えないことにより、ＭｏとＣｕをエッチングせずにＡｌ−Ｎｄ合金のみ選択的にエッチング加工することが可能である。ここでは、金属膜上層ＭＡＬを１画素あたり１本形成したが、２本形成することも可能である。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
続いて、スクリーン印刷によるレジストのパターニングとエッチング加工により金属膜下層ＭＤＬを、下部電極ＤＥＤと交差するストライプ形状に加工する。このエッチング加工は燐酸、酢酸の混合水溶液でのウェットエッチングで行う。その際、印刷するレジスト膜を金属膜上層ＭＡＬのストライプ電極の位置からずらすことにより、金属膜下層ＭＤＬの一方の片側端部ＥＧ１を金属膜上層ＭＡＬより張り出させて、後の工程で上部電極ＡＥＤとの接続を確保するコンタクト部とする。また、金属膜下層ＭＤＬの上記一方の片側端部ＥＧ１とは反対側の他方の片側端部ＥＧ２では、金属膜上層ＭＡＬと金属膜中間層ＭＭＬをマスクとしてオーバーエッチング加工がなされ、金属膜中間層ＭＭＬに庇を形成する如く後退した部分が形成される。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
最後に、上部電極ＡＥＤの成膜を行う。この成膜にはスパッタ法を用いる。上部電極ＡＥＤとしては、アルミニウムでも良く、あるいはイリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）の積層膜を用い、その膜厚は例えば６ｎｍとすることもできる。この時、上部電極ＡＥＤは、上部バス電極（金属膜下層ＭＤＬ、金属膜中間層ＭＭＬ、金属膜上層ＭＡＬの積層膜）の一方の端部（図８（ｃ）の右側）では、金属膜中間層ＭＭＬと金属膜上層ＭＡＬの庇構造による金属膜下層ＭＤＬの後退部（ＥＧ２）により切断される。そして、上部バス電極の他方の端部（図８（ｃ）の左側）では、上部電極ＡＥＤは、上部バス電極（金属膜下層ＭＤＬ、金属膜中間層ＭＭＬ、金属膜上層ＭＡＬの積層膜）とは金属膜下層ＭＤＬのコンタクト部（ＥＧ１）により断線を起こさずに成膜接続されて、電子放出部へ給電される構造となる。