Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月22日(2007.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
機体上に設けたエンジンと、機体の進行方向に向かって左右に設けた左右前輪及び左右後輪と、該左右前輪（６，６）を操向操作する操向操作具と、左右後輪のそれぞれの伝動軸に設けたエンジン駆動力を伝達・非伝達するクラッチ又はそれぞれの伝動軸を回転不能にするブレーキと、操向操作具に連動して前記左右いずれかのクラッチ又はブレーキを作動させる連動ロッドとを備えた走行車両において、
前記操向操作具と前記連動ロッドの間に、その融通量を変更して前記クラッチまたはブレーキの作動タイミングを変更する融通機構を設け、該融通機構の融通量を変更してクラッチ又はブレーキの作動タイミングを変更する変更手段を設けたことを特徴とする走行車両。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題は次の解決手段で達成できる。
請求項１記載の発明は、機体上に設けたエンジン（１２）と、機体の進行方向に向かって左右に設けた左右前輪（６，６）及び左右後輪（７，７）と、該左右前輪（６，６）を操向操作する操向操作具（１６）と、左右後輪（７，７）のそれぞれの伝動軸（８９，８９）に設けたエンジン駆動力を伝達・非伝達するクラッチ（Ｉ，Ｉ）又はそれぞれの伝動軸（８９，８９）を回転不能にするブレーキ（Ｊ）と、操向操作具（１６）に連動して前記左右いずれかのクラッチ（Ｉ，Ｉ）又はブレーキ（Ｊ，Ｊ）を作動させる連動ロッド（１８０，１８０）とを備えた走行車両において、前記操向操作具（１６）と前記連動ロッド（１８０，１８０）の間に、その融通量を変更して前記クラッチ（Ｉ，Ｉ）またはブレーキ（Ｊ，Ｊ）の作動タイミングを変更する融通機構（１８７、１８９など）を設け、該融通機構（１８７、１８９など）の融通量を変更することによりクラッチ（Ｉ，Ｉ）またはブレーキ（Ｊ，Ｊ）の作動タイミングを変更する変更手段（チェンジレバー９０など）を設けた走行車両である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月25日(2007.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動力源の出力を第１電動機および伝達部材へ分配する差動機構と該伝達部材から駆動輪への動力伝達経路に設けられた第２電動機とを有して電気的な無段変速機として作動可能な無段変速部を備えた車両用駆動装置の制御装置であって、
前記差動機構に備えられ、前記無段変速部を電気的な無段変速作動可能な無段変速状態と該電気的な無段変速作動不能な有段変速状態とに選択的に切り換えるための係合装置と、
該係合装置による前記無段変速状態と前記有段変速状態との切換えに際して、前記駆動力源の出力トルクの変化を抑制する駆動力源トルク変化抑制制御手段と
を、含むことを特徴とする車両用駆動装置の制御装置。
【請求項２】
駆動力源の出力を第１電動機および伝達部材へ分配する差動機構と該伝達部材から駆動輪への動力伝達経路に設けられた第２電動機とを備えた車両用駆動装置の制御装置であって、
前記差動機構に備えられ、該差動機構を差動作用が働く差動状態と該差動作用を不能とするロック状態とに選択的に切り換えるための係合装置と、
該係合装置による前記差動状態と前記ロック状態との切換えに際して、前記駆動力源の出力トルクの変化を抑制する駆動力源トルク変化抑制制御手段と
を、含むことを特徴とする車両用駆動装置の制御装置。
【請求項３】
前記駆動力源トルク変化抑制制御手段は、前記駆動力源の出力トルクの変化が予め記憶された所定値より大きいときに該駆動力源の出力トルクの変化を抑制するものである請求項１または２の車両用駆動装置の制御装置。
【請求項４】
前記駆動力源トルク変化抑制制御手段は、前記係合装置の応答性が遅いときに前記駆動力源の出力トルクの変化を抑制するものである請求項１乃至３のいずれか１の車両用駆動装置の制御装置。
【請求項５】
前記伝達部材と前記駆動輪との間の動力伝達経路の一部を構成する自動変速部を、さらに含む請求項１乃至４のいずれか１の車両用駆動装置の制御装置。
【請求項６】
前記自動変速部は、有段変速機であることを特徴とする請求項５の車両用駆動装置の制御装置。
【請求項７】
予め記憶された関係から車両状態に基づいて、前記無段変速部を無段変速状態と有段変速状態とのいずれかに切り換えるように前記係合装置を制御する切換制御手段を、さらに含む請求項１、５、または６の車両用駆動装置の制御装置。
【請求項８】
前記切換制御手段は、出力トルクに基づいて前記無段変速部を無段変速状態と有段変速状態とのいずれかに切り換えるものである請求項７の車両用駆動装置の制御装置。
【請求項９】
前記切換制御手段は、車速に基づいて前記無段変速部を無段変速状態と有段変速状態とのいずれかに切り換えるものである請求項７または８の車両用駆動装置の制御装置。
【請求項１０】
前記切換制御手段は、エンジン回転速度およびエンジン出力トルクに基づいて前記無段変速部を無段変速状態と有段変速状態とのいずれかに切り換えるものである請求項７の車両用駆動装置の制御装置。
【請求項１１】
前記切換制御手段は、前記有段変速部の各変速段において前記無段変速部を無段変速状態と有段変速状態とのいずれかに切り換えるものである請求項７乃至１０のいずれか１の車両用駆動装置の制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月29日(2007.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
紫外線硬化性樹脂を硬化させるために紫外線を照射する工程と、
硬化した紫外線硬化性樹脂が塗布されている縁部をサンディングする工程とをさらに含む請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月2日(2007.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上へのペースト塗布に先立ち、捨て打ち塗布用シート上にペーストを吐出させるように構成されたペースト塗布装置において、
前記捨て打ち塗布用シートを前記ペーストが塗布される面の反対側から支持するバックアップ部材を備え、前記バックアップ部材に支持された前記捨て打ち塗布用シートの上面が前記基板の上面と同じ高さ位置になるように構成されていることを特徴とするペースト塗布装置。
【請求項２】
前記バックアップ部材は、支持した前記捨て打ち塗布用シート側に向けて開口孔を有する多孔質材からなり、前記開口孔からの吸気操作により前記捨て打ち塗布用シートを吸着するように構成されたことを特徴とする請求項１に記載のペースト塗布装置。
【請求項３】
前記捨て打ち塗布用シートは、供給ローラから引き出され前記バックアップ部材を経て巻き取りローラに巻き取られる長尺な帯状に構成され、
前記バックアップ部材と前記巻き取りローラとの間に、前記捨て打ち塗布用シートに張力を付与するテンションローラを設けた
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のペースト塗布装置。
【請求項４】
前記捨て打ち塗布用シートは、長手方向の両縁部に沿って、等間隔で配列された複数個の貫通孔を有し、
前記テンションローラは、回転軸方向の中央部よりも両端部において径大に形成されるとともに、径大な前記両端部は捨て打ち塗布用シートの前記貫通孔に嵌り込む複数個の突起を有して歯車状に構成された
ことを特徴とする請求項３に記載のペースト塗布装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月25日(2007.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
合板表面に各種ＳＬ材を塗布・乾燥させたものは、建築部材の床、壁などに使われてい
る。従来、合板と各種ＳＬ材耐ワレ性及びＳＬ材との密着性性を向上させるために、樹脂
エマルジョン等を塗布することがあった。
しかしながら、近年床、壁の使用条件の多様化によるＳＬ材のワレの発生が起き易くな
っている。また合板からのホルムアルデヒド放散を防止するために合板作製時にパラフィ
ン等の成分を配合する等の処理を施していることがあり、パラフィンの表面への移行等が
問題となる場合がある。その結果、従来の樹脂エマルジョンと合板の間に一層増えること
になり、結果として合板とＳＬ材の密着性が不良となることが起きている。
【特許文献１】特開平７−４０４９５号公報
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月21日(2007.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微細形状を備えた型を製作するステップと、
常温での弾性率が１〜４（ＧＰａ）である素材を、保持部に取り付けるステップと、
微細形状を有する型の温度を、前記素材のガラス転移点温度より高く設定するステップと、
前記型を前記素材に向かって押圧して、前記微細形状を前記素材に転写するステップと、
前記素材における転写された微細形状の根本側と前記型の先端側とが、転写された微細形状の先端側と前記型の奥側とが剥がれるより早く剥がれるように、前記型を前記素材より離型させるステップと、を有することを特徴とする成形方法。
【請求項２】
前記型は、離型時の引き抜き方向に沿って延在する面に凹凸を形成した微細形状を有することを特徴とする請求項１に記載の成形方法。
【請求項３】
前記型は、離型時の引き抜き方向に沿って延在する面の先端側の領域にのみ撥水性のコートが被覆されていることを特徴とする請求項１に記載の成形方法。
【請求項４】
前記素材は光学素子の素材であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の成形方法。 
【請求項５】
前記微細形状は、アスペクト比が１以上であり、所定のピッチで並んだ複数のラインアンドスペースを含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の成形方法。
【請求項６】
離型時の引き抜き方向に沿って延在する面に凹凸を形成した微細形状を有する型と、
常温での弾性率が１〜４（ＧＰａ）である素材を保持する保持部と、
前記型を加熱するヒータと、
前記型と前記保持部とを相対移動させる駆動部と、を有し、
前記ヒータにより加熱した前記型を前記素材に向かって押圧して、前記微細形状を前記素材に転写した後、前記型を前記素材より離型させることによって光学素子を成形することを特徴とする成形装置。
【請求項７】
前記素材は光学素子の素材であることを特徴とする請求項６に記載の成形装置。
【請求項８】
前記微細形状は、アスペクト比が１以上であり、所定のピッチで並んだ複数のラインアンドスペースを含むことを特徴とする請求項６又は７に記載の成形装置。
【請求項９】
アスペクト比が１以上であり、１０００ｎｍ以下のピッチで並んだ複数のラインアンドスペースを含む微細構造を有し、前記微細構造におけるラインの幅が、先端側より根本側で細い部位を有することを特徴とする構造物。
【請求項１０】
前記構造物は光学素子であることを特徴とする請求項９に記載の構造物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第１の本発明の成形方法は、微細形状を備えた型を製作するステップと、常温での弾性率が１〜４（ＧＰａ）である素材を、保持部に取り付けるステップと、微細形状を有する型の温度を、前記素材のガラス転移点温度より高く設定するステップと、前記型を前記素材に向かって押圧して、前記微細形状を前記素材に転写するステップと、前記素材における転写された微細形状の根本側と前記型の先端側とが、転写された微細形状の先端側と前記型の奥側とが剥がれるより早く剥がれるように、前記型を前記素材より離型させるステップと、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
ここで、本発明者らは、新たな問題に直面した。新たな問題とは、上述の成形方法により素材を成形した後に離型しようとすると、転写された素材の微細形状が、型の微細形状と分離せず、素材の微細形状の一部が引きちぎられてしまうという現象が生じることである。本発明者らは、かかる現象の原因の一つを、素材に転写された高アスペクト比の微細形状と、型との密着度が高いから、それらを分離する力を、微細形状が支持することができないためではないかと考えた。そこで、本発明者らは、鋭意研究の結果、前記微細形状を前記素材に転写した後に、離型の際に、転写された微細形状と型との密着度を、転写された微細形状の根本側から低くなるようにし、それにより転写された微細形状の根本側と前記型の先端側とが、転写された微細形状の先端側と前記型の奥側とが剥がれるより早く剥がれるようにしている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
このような処理を施すことにより、型ＭＤを素材Ｍから引き離すと、まず型ＭＤの先端側の領域（Ｒ１）から、転写された微細形状ＭＳが剥がれようとする。ここで、型ＭＤの奥側の領域（Ｒ２）からは微細形状ＭＳが剥がれていないので、微細形状ＭＳの根本側の幅Ｗ１が細くなるように変形する（図１（ｂ）参照）。すると、微細形状ＭＳと型ＭＤの内側面ＩＳとの間にスキマが生じ、ここから空気が侵入するため、微細形状ＭＳは型ＭＤから、より離型しやすくなり、ちぎれなどの破損を抑制することができる。最終的には、図１（ｃ）に示すように、型ＭＤが微細形状ＭＳから離隔することになるが、離型終了時において、型ＭＤの微細形状の溝幅はその深さ方向に一様であるにも関わらず、微細形状ＭＳの根本の幅Ｗ１が、その先端の幅Ｗ２よりも小さく（Ｗ１＜Ｗ２）となっている。尚、本発明者らの検討結果によれば、型ＭＤの微細形状の内側面ＩＳに凹凸を設ける場合、その引き抜き方向に直交する向きに凹凸を設けると離型力の制御を容易にするので望ましく、更に内側面の粗さをＲｙ、高さ（溝深さ）をＨとしたときに、Ｒｙ／Ｈ＜１／２０である場合に、素材のちぎれなどの離型不良の発生率が低くなるので望ましいことがわかった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
その後、ステップＳ１０５で、素材Ｍにおける転写された微細形状ＭＳの根本側と型ＭＤの先端側とが、転写された微細形状ＭＳの先端側と型ＭＤの奥側とが剥がれるより早く剥がれるように、上型２を素材Ｍより離型させる（離型するステップ）。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月3日(2007.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部装置からの画像情報に基づいて画像信号を生成する画像処理部と、生成された画像信号に基づいて画像を形成する画像形成部とを有する画像形成装置であって、
前記画像形成部は、前記画像処理部と通信を行うための通信回路と、前記通信回路を含む前記画像形成部内の複数の回路へ供給されるクロックを出力する発振手段と、前記発振手段から出力されるクロックの供給を制御する制御手段と、を有し、
前記制御手段は、前記通信回路を介して前記画像処理部から特定モードを示す命令を受信した場合、前記通信回路へのクロックの供給を維持し、前記通信回路以外の回路へのクロックの供給を停止するように制御することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記特定モードでは、前記制御手段に対するクロックの供給が継続されることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記特定モードでは、前記制御手段に対して供給されるクロックの周波数を低周波数に切り替えることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記特定モードでは、前記制御手段に対するクロックの供給が停止されることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記画像処理部によって前記特定モードから他のモードへの移行を指定する命令を受信すると、前記通信回路以外の回路へのクロック停止を解除することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記画像処理部によって前記特定モードから他のモードへの移行を指定する命令を受信すると、前記クロックの周波数を通常の周波数に切り替えることを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記画像処理部によって前記特定モードから他のモードへの移行を指定する命令を受信すると、前記制御手段に対するクロック停止を解除することを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記特定モードでは、前記制御手段に対して供給されるクロックを間欠動作させることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記画像処理部によって前記特定モードから他のモードへの移行を指定する命令を受信すると、前記制御手段に対して供給されるクロックの間欠動作を解除することを特徴とする請求項８に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記特定モードとは、低消費電力のモードであることを特徴とする請求項１乃至９の何れか一項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、外部装置からの画像情報に基づいて画像信号を生成する画像処理部と、生成された画像信号に基づいて画像を形成する画像形成部とを有する画像形成装置であって、前記画像形成部は、前記画像処理部と通信を行うための通信回路と、前記通信回路を含む前記画像形成部内の複数の回路へ供給されるクロックを出力する発振手段と、前記発振手段から出力されるクロックの供給を制御する制御手段と、を有し、前記制御手段は、前記通信回路を介して前記画像処理部から特定モードを示す命令を受信した場合、前記通信回路へのクロックの供給を維持し、前記通信回路以外の回路へのクロックの供給を停止するように制御することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月26日(2006.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  直交変調信号を受信する第１の受信系から中間周波信号（ＩＦ信号）が、ＢＰＳＫ変調信号を受信する少なくとも１系統の第２の受信系から中間周波信号が入力される複数の入力端子と、
前記複数の入力端子を介して入力される中間周波信号に必要な帯域幅が電子的に可変なバンドパスフィルタと、
前記バンドパスフィルタを経た中間周波信号を増幅する可変利得アンプと、
前記可変利得アンプを経た中間周波信号を直交復調して出力する直交復調器と
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明では次の構成を採る。すなわち、本発明による半導体装置は、直交変調信号を受信する第１の受信系から中間周波信号（ＩＦ信号）が、ＢＰＳＫ変調信号を受信する少なくとも１系統の第２の受信系から中間周波信号が入力される複数の入力端子と、前記複数の入力端子を介して入力される中間周波信号に必要な帯域幅が電子的に可変なバンドパスフィルタとを有するとともに、当該バンドパスフィルタを経た中間周波信号を増幅する可変利得アンプおよびこの可変利得アンプを経た中間周波信号を直交復調して出力する直交復調器を具備する構成となっている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月15日(2007.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３６】  上記第１及び第２の特徴情報生成ステップでは、ＡＤＲＣ(Adaptive Dynamic Range Coding) 処理によって上記第１及び第２の特徴情報を生成することを特徴とする請求項３５記載の記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月14日(2007.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  前記統計多重制御手段は、
前記情報符号化手段から出力されたデータを一時的に保存したのち、前記多重化手段に対して出力するメモリと、
前記メモリにおけるデータの残存状況を考慮して、前記情報符号化手段に対して設定すべき符号レートを決定する手段と
を含むことを特徴とする請求項１記載の統計多重システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ここで、符号化難易度について説明する。符号化難易度は、ピクチャの符号化の難易度を表すものであるが、これは、同じ画質を保つために必要なデータ量の比率と言い換えることができる。符号化難易度を数値化する方法は種々考えられるが、本実施の形態では、ＩピクチャについてはイントラＡＣを用いて符号化難易度を求め、ＰピクチャとＢピクチャについてはＭＥ残差を用いて符号化難易度を求めることとしている。前述のように、イントラＡＣは絵柄の複雑さを表し、ＭＥ残差は映像の動きの速さおよび絵柄の複雑さを表し、これらは符号化の難易度と強い相関があることから、これらを変数とする一次関数等により、符号化難易度を算出することが可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図６は、データ送信指令装置６５が実行する処理を表す流れ図である。まず、データ送信指令装置６５は、情報符号化装置４から出力されたビットレートの目標値Ｐを確認（Ｓ１０）し、次いで、情報ＦＩＦＯメモリ６１のデータの残存状況Ｆを確認する（Ｓ１２）。続いて、データ送信指令装置６５は、情報符号化装置４から送信されたビットレートの目標値Ｐと情報ＦＩＦＯメモリ６１のデータ残存状況Ｆとに基づき、情報ＦＩＦＯメモリ６１のオーバーフローなどが生じないよう、情報符号化装置４が出力すべき符号化情報信号Ｓｔd のビットレートＲd を決定し（Ｓ１４）、このビットレートＲd を情報符号化装置４に通知する（Ｓ１６）。次いで、データ送信指令装置６５は、統計多重制御装置５に対して、符号化情報信号Ｓｔd のビットレートＲd を通知する（Ｓ１８）。図６に示した処理により、情報符号化装置４の符号化情報信号Ｓｔd のビットレートＲd が設定される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
次いで、統計多重制御装置５は、各画像符号化装置２i に対して設定された暫定ビットレートＴＲi の総和と画像基準値Ｔ1 との大小関係を判断する（Ｓ１０４）。暫定ビットレートＴＲi の総和が画像基準値Ｔ1 よりも大きい場合（Ｓ１０４でＹ）には、その総和が画像基準値Ｔ1 以下になるよう、各暫定ビットレートＴＲi を減少方向に修正し、これを最終的なビットレートＲi とする（Ｓ１０６）。一方、暫定ビットレートＴＲi の総和が画像基準値Ｔ1 以下の場合（Ｓ１０４でＮ）には、その総和が画像基準値Ｔ1 を超えない範囲でより大きくなるように（すなわち、総和が、画像基準値Ｔ1 と同じか僅かに小さい値になるように）符号化画像信号Ｓｔi の暫定ビットレートＴＲi を増加方向に修正し、これを最終的なビットレートＲi とする（Ｓ１０８）。続いて、ステップＳ１０６またはステップＳ１０８で設定された符号化画像信号Ｓｔi のビットレートＲi を各画像符号化装置２i に送信する（Ｓ１１０）。図７に示した処理により、各画像符号化装置２i の符号化画像信号Ｓｔi のビットレートＲi が設定される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
情報符号化装置４では、符号化制御部４３がデータ送信指令装置６５からビットレートＲd を受信し、このビットレートＲd に応じて符号化部４２の符号化処理を制御する。符号化部４２は、符号化制御部４３から指示されたビットレートＲd で付帯情報Ｓd を符号化し、符号化情報信号Ｓｔd を多重化装置６に出力する。画像符号化装置２i では、符号化制御部１５が統計多重制御装置５からビットレートＲi を受信し、このビットレートＲi に応じてエンコーダ１３の符号化処理を制御する。エンコーダ１３は、符号化制御部１５から指示されたビットレートＲi でプログラムＳi を圧縮符号化し、符号化画像信号Ｓｔi を多重化装置６に出力する。多重化装置６は、情報符号化装置４から送信された符号化情報信号Ｓｔd および各画像符号化装置２i から送信された符号化画像信号Ｓｔi を多重化して、多重化データＳｍを生成し、伝送路に対して出力する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の実施の形態に係る統計多重制御装置を含む統計多重システムの概略の構成を表すブロック図である。
【図２】
図１に示した統計多重システムにおける統計多重制御装置のハードウェア構成を表すブロック図である。
【図３】
図１に示した統計多重システムにおける情報符号化装置の概略構成例を表すブロック図である。
【図４】
図１に示した統計多重システムにおける画像符号化装置の概略構成例を表すブロック図である。
【図５】
図１に示した統計多重制御装置における割当ビットレートの一例を表すチャートである。
【図６】
データ送信指令装置により実行される処理を表す流れ図である。
【図７】
統計多重制御装置により実行される処理を表す流れ図である。
【図８】
統計多重システムの他の構成例を表すブロック図である。
【図９】
ビットレートが固定された場合の一般的な割当符号レートを表す図である。
【図１０】
統計多重制御における一般的な割当符号レートを表す図である。
【図１１】
統計多重制御における一般的な割当符号レートを表す図である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月10日(2007.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  原稿を読み取る画像読取ユニットと、シートに画像を形成する画像形成ユニットとを有する画像読取形成装置において、
前記画像読取ユニットと画像形成ユニットとを、前記画像読取ユニット又は画像形成ユニットのいずれか一方のユニットに設けられた突起部材と、他方のユニットに設けられるとともに前記突起部材の受け部となる取付孔と、両ユニット間に介在するダンパーと、前記突起部材を前記取付孔に挿入した状態で前記突起部材が取付孔から脱落するのを防止するためのストッパとを有する接続手段で接続したことを特徴とする画像読取形成装置。
【請求項２】  前記ダンパーは前記取付孔に嵌入可能な嵌入突部を有するとともに、該嵌入突部に前記突起部材が嵌入可能な嵌入孔部を有し、且つ前記嵌入突部は前記取付孔に嵌入した状態で嵌入部両側の径が前記取付孔の径よりも大きく構成されていることを特徴とする請求項１記載の画像読取形成装置。
【請求項３】  前記ダンパーは前記取付孔に嵌入可能な嵌入突部を有するとともに、該嵌入突部に前記突起部材が嵌入可能な嵌入孔部を有し、且つ前記嵌入突部が複数に分割され、前記嵌入孔部に前記突起部材を嵌入することにより、前記分割部分の径が前記取付孔の径よりも大きくなるよう構成されていることを特徴とする請求項１記載の画像読取形成装置。
【請求項４】  前記ダンパーは前記取付孔の一方面側に取り付けられる第１ダンパーと、前記取付孔の他方面側に取り付けられる第２ダンパーとによって構成され、前記第１ダンパー又は第２ダンパーのいずれかに前記取付孔に嵌入する嵌入突部を形成したことを特徴とする請求項１記載の画像読取形成装置。
【請求項５】  ２枚の板部材の間にダンパーを接着し、一方の板部材を前記画像読取ユニット又は画像形成ユニットに取り付け、他方の板部材に前記突起部材を設けたことを特徴とする請求項１記載の画像読取形成装置。
【請求項６】  前記ストッパは前記突起部材に着脱自在であり、突起部材からストッパを取り外すことにより前記突起部材を前記取付孔から取り外し可能であることを特徴とする請求項１記載の画像読取形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明に係る代表的な構成は、原稿を読み取る画像読取ユニットと、シートに画像を形成する画像形成ユニットとを有する画像読取形成装置において、前記画像読取ユニットと画像形成ユニットとを、前記画像読取ユニット又は画像形成ユニットのいずれか一方のユニットに設けられた突起部材と、他方のユニットに設けられるとともに前記突起部材の受け部となる取付孔と、両ユニット間に介在するダンパーと、前記突起部材を前記取付孔に挿入した状態で前記突起部材が取付孔から脱落するのを防止するためのストッパとを有する接続手段で接続したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月10日(2007.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  金属基盤上に第一絶縁層、電極層、及び第二絶縁層が順次積層された積層構造を有する静電チャックであり、第一絶縁層及び第二絶縁層がポリイミドフィルムで構成されていると共に、少なくとも上記金属基盤と第一絶縁層との間が膜厚５〜５０μｍの熱可塑性ポリイミド系接着フィルムにより接着されていることを特徴とする静電チャック。
【請求項２】  金属基盤と第一絶縁層との間、第一絶縁層と電極層との間、及び電極層と第二絶縁層との間がそれぞれ膜厚５〜５０μｍの熱可塑性ポリイミド系接着フィルムにより接着されている請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】  金属基盤がアルミ合金製金属基盤である請求項１又は２に記載の静電チャック。
【請求項４】  第一絶縁層及び第二絶縁層を構成するポリイミドフィルムは、その膜厚が２０〜５０μｍである請求項１〜３のいずれかに記載の静電チャック。
【請求項５】  金属基盤上に膜厚５〜５０μｍの熱可塑性ポリイミド系接着フィルム、第一絶縁層となるポリイミドフィルム、膜厚５〜５０μｍの熱可塑性ポリイミド系接着フィルム、電極層となる金属箔、膜厚５〜５０μｍの熱可塑性ポリイミド系接着フィルム、及び第二絶縁層となるポリイミドフィルムを順次重ね合わせ、加圧下に加熱温度１００〜２５０℃で低温圧着処理し、金属基盤上に第一絶縁層、電極層、及び第二絶縁層が順次積層された積層構造を形成することを特徴とする静電チャックの製造方法。
【請求項６】  第一又は第二の絶縁層の一側面上に蒸着手段又はメッキ手段で電極層を積層し、金属基盤上に膜厚５〜５０μｍの熱可塑性ポリイミド系接着フィルム、第一絶縁層となるポリイミドフィルム、上記電極層、及び第二絶縁層となるポリイミドフィルムの順となるように重ね合わせると共に、上記第一又は第二の絶縁層と上記電極層との間に膜厚５〜５０μｍの熱可塑性ポリイミド系接着フィルムを挟み込み、加圧下に加熱温度１００〜２５０℃で低温圧着処理し、金属基盤上に第一絶縁層、電極層、及び第二絶縁層が順次積層された積層構造を形成することを特徴とする静電チャックの製造方法。
【請求項７】  第一絶縁層となるポリイミドフィルム、膜厚５〜５０μｍの熱可塑性ポリイミド系接着フィルム、電極層となる金属箔、膜厚５〜５０μｍの熱可塑性ポリイミド系接着フィルム、及び第二絶縁層となるポリイミドフィルムを順次重ね合わせ、加圧下に加熱温度１００〜２５０℃で低温圧着処理して第一絶縁層、電極層、及び第二絶縁層が積層された静電チャックシートを形成し、次いで膜厚５〜５０μｍの熱可塑性ポリイミド系接着フィルムを介して上記静電チャックシートを金属基盤上に重ね合わせ、加圧下に加熱温度１００〜２５０℃で低温圧着処理して金属基盤上に第一絶縁層、電極層、及び第二絶縁層が順次積層された積層構造を形成することを特徴とする静電チャックの製造方法。
【請求項８】  静電チャックシートは、第一絶縁層を構成するポリイミドフィルムと膜厚５〜５０μｍの熱可塑性ポリイミド系接着フィルムとを予め積層一体化せしめて第一積層シートを形成すると共に、第二絶縁層を構成するポリイミドフィルムと膜厚５〜５０μｍの熱可塑性ポリイミド系接着フィルムとを予め積層一体化せしめて第二積層シートを形成し、これら第一積層シート及び第二積層シートの各接着フィルム間に金属箔を挟み込み、加圧下に加熱温度１００〜２５０℃で低温圧着処理して形成される請求項７に記載の静電チャックの製造方法。
【請求項９】  金属基盤がアルミ合金製金属基盤である請求項５〜８のいずれかに記載の静電チャックの製造方法。
【請求項１０】  第一絶縁層及び第二絶縁層を構成するポリイミドフィルムは、その膜厚が２０〜５０μｍである請求項５〜９のいずれかに記載の静電チャックの製造方法。
【請求項１１】  低温圧着処理は、大気中で厚さ方向圧力２〜５ＭＰａの加圧条件下で行う請求項５〜１０のいずれかに記載の静電チャックの製造方法。
【請求項１２】  低温圧着処理は、１３３Ｐａ以下の減圧雰囲気下に厚さ方向圧力０．１〜５ＭＰａの加圧条件下で行う請求項５〜１０のいずれかに記載の静電チャックの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
この静電チャックは、一般に、金属基盤上に第一絶縁層、電極層、及び第二絶縁層からなる積層構造を有する静電チャックシートを積層して構成されており、この静電チャックシートの第二絶縁層の上にウエハを載置してこのウエハと電極層との間に高電圧を印加し、この際にウエハと電極との間に発生する静電引力（クーロン力）を利用してウエハをステージ上に吸着し保持させるものであり、第一絶縁層としては耐熱性に優れたポリイミドフィルムやセラミックス薄板が用いられ、電極層としては金属の蒸着膜やメッキ膜が用いられ、また、第二絶縁層としてはポリイミドフィルムが用いられ、そして、各金属基盤、第一絶縁層、電極層、及び第二絶縁層の間は接着剤層で接着されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、特開平10-209,256号及び特開平10-209,257号の各公報には、第一絶縁層をセラミックからなる絶縁板で構成し、各接着剤層の層厚を薄くして熱伝導性を改善すると共に、セラミック絶縁板上に積層された第二絶縁層の絶縁性フィルムが疲労した際には、容易にこれを交換できるようにしたものが提案されている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月23日(2007.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板に不純物を注入して形成され、入射光に応じた電荷を蓄積して出力する有効画素部と、前記有効画素部と隣接して設けられ入射光に対する遮光膜を有する黒基準部とを備える固体撮像装置において、
前記黒基準部は、前記半導体基板に不純物を注入して形成された第１の黒基準部と、前記半導体基板に不純物を注入していない第２の黒基準部とから構成される
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】  前記第２の黒基準部から出力される第２の黒基準信号をアナログ信号の状態でクランプするアナログクランプ手段と、
前記第１の黒基準部から出力される第１の黒基準信号をデジタル信号の状態でクランプするデジタルクランプ手段と
を備えることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】 有効画素部と隣接して設けられ入射光に対する遮光膜を有する黒基準部を備える固体撮像装置の駆動方法であって、
前記黒基準部は、半導体基板に不純物を注入して形成された第１の黒基準部と、前記半導体基板に不純物を注入していない第２の黒基準部とから構成されており、
前記第２の黒基準部から出力される第２の黒基準信号をアナログ信号の状態でクランプするアナログクランプ工程と、
前記第１の黒基準部から出力される第１の黒基準信号をデジタル信号の状態でクランプするデジタルクランプ工程と
を備えることを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、入射光を取り込んで蓄積した電荷を電気信号として出力する固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような課題を解決するために成されたものである。すなわち、本発明は、半導体基板に不純物を注入して形成され、入射光に応じた電荷を蓄積して出力する有効画素部と、有効画素部と隣接して設けられ入射光に対する遮光膜を有する黒基準部とを備える固体撮像装置であり、この黒基準部として、半導体基板に不純物を注入して形成された第１の黒基準部と、半導体基板に不純物を注入していない第２の黒基準部とから構成されるものである。
また、本発明は、有効画素部と隣接して設けられ入射光に対する遮光膜を有する黒基準部を備える固体撮像装置の駆動方法であって、黒基準部が、半導体基板に不純物を注入して形成された第１の黒基準部と、半導体基板に不純物を注入していない第２の黒基準部とから構成されており、第２の黒基準部から出力される第２の黒基準信号をアナログ信号の状態でクランプするアナログクランプ工程と、第１の黒基準部から出力される第１の黒基準信号をデジタル信号の状態でクランプするデジタルクランプ工程とを備えている駆動方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月1日(2007.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板内の領域に形成された画素の受光部と、
上記受光部の上方位置に凸状のレンズ曲面を有して層間絶縁膜内に埋め込まれている凸状レンズと、
上記凸状レンズの上方に形成されたオンチップレンズと、を有し、
上記凸状レンズは、下層の層間絶縁膜の表面に形成された窪み上に、上記窪みを埋める光透過材料からなるレンズ下部と、上記凸状のレンズ曲面を有し上記レンズ下部と同一の光透過材料からなるレンズ上部とが一体となって形成され、
上記光透過材料がプラズマＣＶＤ膜である
固体撮像装置。
【請求項２】
上記光透過材料がプラズマＣＶＤ法により形成されたＰ−ＳｉＮ又はＰ−ＳｉＯ２である
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
基板内の領域に画素の受光部を形成するステップと、
上記受光部の上方位置に凸状のレンズ曲面を有して層間絶縁膜内に埋め込まれている凸状レンズを形成するステップと、
上記凸状レンズの上方にオンチップレンズを形成するステップと、
を備え、
上記凸状レンズを形成するステップが、さらに、
上記受光部の形成後に、上記受光部の上方の表面部分に窪みを有する層間絶縁膜を形成するステップと、
上記層間絶縁膜上に光透過膜を形成するステップと、
上記層間絶縁膜の上記窪みの形状を反映した凹部が形成され平坦でない上記光透過膜の上面に対し、表面が凸状曲面のマスク層を、上記凹部を覆う位置に形成するステップと、
上記マスク層および上記光透過膜を一括してエッチングし、上記光透過膜を上記凸状レンズの形状に加工するステップと、
を含む固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
上記光透過膜を、上記層間絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法により形成する
請求項３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
上記光透過膜が、プラズマＣＶＤ法により形成されたＳｉＮ膜又はＳｉＯ２膜である
請求項３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、基板内の領域に画素の受光部を形成するステップと、上記受光部の上方位置に凸状のレンズ曲面を有して層間絶縁膜内に埋め込まれている凸状レンズを形成するステップと、上記凸状レンズの上方にオンチップレンズを形成するステップと、を備える。
上記凸状レンズを形成するステップが、さらに、上記受光部の形成後に、上記受光部の上方の表面部分に窪みを有する層間絶縁膜を形成するステップと、上記層間絶縁膜上に光透過膜を形成するステップと、上記層間絶縁膜の上記窪みの形状を反映した凹部が形成され平坦でない上記光透過膜の上面に対し、表面が凸状曲面のマスク層を、上記凹部を覆う位置に形成するステップと、上記マスク層および上記光透過膜を一括してエッチングし、上記光透過膜を上記凸状レンズの形状に加工するステップと、を含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明に係る固体撮像装置は、基板内の領域に形成された画素の受光部と、上記受光部の上方位置に凸状のレンズ曲面を有して層間絶縁膜内に埋め込まれている凸状レンズと、上記凸状レンズの上方に形成されたオンチップレンズと、を有し、上記凸状レンズは、下層の層間絶縁膜の表面に形成された窪み上に、上記窪みを埋める光透過材料からなるレンズ下部と、上記凸状のレンズ曲面を有し上記レンズ下部と同一の光透過材料からなるレンズ上部とが一体となって形成され、上記光透過材料がプラズマＣＶＤ膜である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月10日(2007.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 
冷却媒体を流す冷却回路を有するタービンノズルの内側及び外側バンドの少なくとも一方における温度不整合を制御する装置であって、当該装置が、
１以上のノズルベーン（１４）と、該ノズルベーンの両端に隣接していて高温燃焼ガスを流す流路（２０）を部分的に画成する内側及び外側ノズルバンド部（１６、１８）とを有するノズルセグメント（１２）
を具備していて、
上記内側及び外側バンド部の一方がタービンの高温ガス流路に暴露される壁（２５）を形成しているとともに壁の高温ガス流路から離れた方の側にカバー（２８）を有していて、該カバーと壁がそれらの間に冷却媒体を受入れて冷却回路の一部をなすプレナム（Ｐ）を画成しており、
上記セグメントが、カバーと壁との温度差を低減すべく冷却媒体と高温燃焼ガスの温度の中間の温度で熱媒体を流して上記一方のバンド部における熱応力を低減するための、カバーを貫通した１以上の通路（４２、６０）を含んでいる、装置。
【請求項２】 
前記通路が高温ガス流路を流れる高温燃焼ガスと連通し且つ／又は上記カバーの上記壁と反対側の圧縮機吐出空気と連通している、請求項１記載の装置。
【請求項３】 
前記通路が、一方のノズルバンド部の前縁部近傍に、高温燃焼ガスと圧縮機吐出空気とを混合して当該通路（４２）に高温燃焼ガスと圧縮機吐出空気の混合物を流すための、混合室（４８）を有している、請求項１記載の装置。
【請求項４】 
前記通路が、高温燃焼ガスがノズルベーンの後縁から流出する角度と実質的に同じ角度に熱媒体を向ける角度の出口（４７）を有している、請求項１記載の装置。
【請求項５】 
前記通路（４２）が、バンド部の両端の間にその前縁から後縁にかけて略蛇行（６０）して延在している、請求項１記載の装置。
【請求項６】 
前記セグメントの両側でカバー（２８）とバンド部の壁（２８）がそれらの間に継手（３２）を形成しており、熱媒体を流して継手に沿ってカバーと壁との温度差を減らすため、前記通路（４２）がセグメントの片側の継手近傍まで延在しているとともに第２通路（４２）がセグメントの反対側に沿う第２継手（３２）近傍まで延在している、請求項１記載の装置。
【請求項７】 
中間にタービンノズルベーンを有していて該ノズルベーンに冷却媒体を流すための冷却回路を有する内側及び外側バンドの少なくとも一方における温度不整合を制御する装置であって、当該装置が、
１以上のノズルベーン（１４）と、該ノズルベーンの両端に隣接していて高温燃焼ガスを流す流路（２０）を部分的に画成する内側及び外側ノズルバンド部（１６、１８）とを有するノズルセグメント（１２）
を具備していて、
上記内側及び外側バンド部の一方がタービンの高温ガス流路に暴露される壁（２５）を形成しているとともに壁の高温ガス流路から離れた方の側にカバー（２８）を有していて、該カバーと壁がそれらの間に冷却媒体を受入れて冷却回路の一部をなすプレナム（Ｐ）を画成していて、カバー（２８）とバンド部の壁（２８）はその両側でそれらの間に継手（３２）を形成しており、
上記セグメントが、継手領域におけるカバーと壁との温度差を低減すべく冷却媒体と高温燃焼ガスの温度の中間の温度で媒体を流して上記バンド部における熱応力を低減するための、カバーを前縁近傍から後縁まで継手（３２）近傍で貫通した複数の通路（４２）を含んでいる、装置。
【請求項８】 
上記通路（４２）が、高温ガス流路を流れる高温燃焼ガス及びカバーの壁とは反対側の圧縮機吐出空気と連通している、請求項７記載の装置。
【請求項９】 
上記通路の各々が、一方のノズルバンド部の前縁部近傍に、高温燃焼ガスと圧縮機吐出空気とを混合して当該通路に高温燃焼ガスと圧縮機吐出空気の混合物を流すための、混合室（４８）を有している、請求項７記載の装置。
【請求項１０】 
内側バンド（１６）の壁と外側バンド（１８）の壁の間にベーンを有するタービンノズルセグメントの内側バンド又は外側バンドの壁（２５）と、ノズルを通過する高温燃焼ガスの流路（２０）から離れた方の壁の側にあるカバー（２８）との温度差を低減するための方法であって、上記壁とカバーが、ノズルベーンの内部に流す冷却媒体を受入れるプレナム（Ｐ）をそれらの間に画成しており、当該方法が、
上記カバーの温度を高めるため、カバー内の１以上の通路（４２、６０）に高温燃焼ガスと冷却媒体の温度の中間の温度で熱媒体を流して段階を含んでなる方法。
【請求項１１】 高温燃焼ガス及び／又は圧縮機吐出空気を通路に流すことを含んでなる、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】 高温燃焼ガスと圧縮機吐出空気を壁の前縁近傍の混合室（４８）内で混合して熱媒体を生成させ、その混合物を前縁近傍から通路を通して壁の後縁まで流すことを含んでなる、請求項１０記載の方法。
【請求項１３】 壁の後縁で流出する熱媒体を、高温燃焼ガスがノズルベーンの後縁から流出するのと実質的に同じ角度で流すことを含んでなる、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
通路（６０）がセグメントの両端の間に前縁から後縁にかけて蛇行して延在している、請求項１２記載の方法。
【請求項１５】 
前記セグメントの両側でカバーと壁の間に継手（３２）を設け、継手近傍に１対の通路（４２）を形成し、この継手近傍の１対の通路に上記熱媒体を流す、請求項１２記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月29日(2007.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題の解決手段】本発明者らは、この様な状況に鑑みて、α−ＭＳＨを阻害し、これが関与する疾病或いは生体に好ましくない現象の発現を予防或いは改善する手段を求めて、鋭意研究努力を重ねた結果、上記一般式（Ｉ）に表される化合物及び／又は生理的に許容されるその塩に優れたα−ＭＳＨ阻害作用を見いだし発明を完成させた。更に、検討を重ね、かかる化合物を皮膚外用剤に含有させることにより、α−ＭＳＨが関与する皮膚の疾病或いは異常、例えば、炎症或いは免疫が関与する色黒（色素異常）に著効を有する皮膚外用剤が得られることを見いだし、発明を完成させるに至った。即ち、本発明は、次に示す技術に関するものである。
（１）一般式（Ｉ）に表される化合物及び／又はその生理的に許容される塩からなる、α−ＭＳＨ阻害剤。
（２）一般式（Ｉ）に表される化合物が、ソフォラフラバノンＧ（化学構造式１）であることを特徴とする、請求項１に記載のα−ＭＳＨ阻害剤。
（３）（１）又は（２）に記載のα−ＭＳＨ阻害剤から選ばれる１種乃至は２種以上を含有する、α−ＭＳＨ阻害用の皮膚外用剤。
（４）α−ＭＳＨ阻害が、α−ＭＳＨ関与の色素生成の抑制を目的とすることを特徴とする、（３）に記載の皮膚外用剤。
（５）炎症及び／又は免疫関与の色素異常症対応用のものであることを特徴とする、（３）又は（４）に記載の皮膚外用剤。
（６）化粧料であることを特徴とする、（３）〜（５）何れか１項に記載の皮膚外用剤。以下、本発明について、実施の形態を中心に更に詳細に説明を加える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明の実施の形態】（１）本発明のα−ＭＳＨ阻害剤
本発明のα−ＭＳＨ阻害剤は、上記一般式（Ｉ）に表される化合物及び／又は生理的に許容されるその塩からなる。一般式（Ｉ）に表される化合物は様々な類縁体や立体異性体が存在するが、これらの中では、立体構造を考えなければ化学構造式１に表されるソフォラフラバノンＧが効果の点で好ましい。この様な化合物は、植物体中にふくまれているものが多いので、植物体の抽出物を精製することにより得ることが出来る。例えば、化学構造
式１で表される化合物であれば、マメ科クララ（クジン）等のマメ科エンジュ属の植物体中に多く含まれており、これらの植物体にメタノールなどの溶媒を加え、室温であれば数日、沸点付近の温度であれば数時間浸漬し、濾過して不溶物を取り除いた後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーやＯＤＳカラムを装着した逆相の分取液体クロマトグラフィーによって精製分離する事が出来る。又、構造が比較的簡単なため、化学合成によって合成することも可能であり、この様に製造されて、α−ＭＳＨ阻害のために使用されるものも、本発明のα−ＭＳＨ阻害剤の技術的範囲に属する。又、本発明のα−ＭＳＨ阻害剤として、一般式（Ｉ）の化合物を塩の形態で用いる場合、かかる塩としては、生理的に許容されるものであれば、特段の限定は受けず、例えば、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属塩、カルシウムやマグネシウムのようなアルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、トリエタノールアミンやトリエチルアミンなどの有機アミン塩、リジンやアルギニンなどの塩基性アミノ酸塩等が好適に例示できる。その他、水酸基に、アルキルハライドと塩基、アシルハライドと塩基のような試薬の組合せで処理して、アシル基或いはアルキル基を導入した誘導体や糖鎖を導入した配糖体も本発明の技術的範囲に属する。本発明の皮膚外用剤において、この様な本発明のα−ＭＳＨ阻害剤は唯一種を含有することも出来るし、２種以上を組み合わせて含有することも出来る。本発明の皮膚外用剤に於けるα−ＭＳＨ阻害剤の好ましい含有量は、皮膚外用剤全量に対して総量で、０．００１〜１０重量％であり、更に好ましくは、０．０１〜５重量％である。これは少なすぎると効果を発揮しない場合があり、多すぎても効果が頭打ちになり、製剤の自由度を損なう場合があるからである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（２）本発明の皮膚外用剤
本発明のα−ＭＳＨ阻害用の皮膚外用剤は上記α−ＭＳＨ阻害剤を含有することを特徴とする。本発明で言う、皮膚外用剤とは、皮膚上に外用で適用される組成物の総称であり、例えば、化粧料、皮膚外用医薬、皮膚外用消毒剤、皮膚外用殺菌剤等が例示でき、これらの内では、化粧料と皮膚外用医薬が好ましく例示でき、中でも化粧料が特に好適に例示できる。これは、本発明のα−ＭＳＨ阻害剤の作用が極めてマイルドである為、日常的な使用が可能であるからである。ここで、α−ＭＳＨ阻害用とは、α−ＭＳＨの発現が関与する疾病或いは生体にとって好ましくない反応を予防或いは改善する目的で使用されることを意味する。この様な疾病或いは生体に好ましくない反応としては、例えば、免疫異常、炎症、或いは色素異常などが挙げられ、この中ではα−ＭＳＨ関与の色素異常或いはトラブルが好適に例示できる。かかるα−ＭＳＨ関与の色素トラブルとしては、炎症或いは免疫反応が関与するもの等が例示できる。この様な色素トラブルには、通常のアスコルビン酸乃至はその誘導体などにより緩和することのできないくすみ等が例示できる。本発明の皮膚外用剤に於いては、上記α−ＭＳＨ阻害剤が、α−ＭＳＨとそのレセプターの結合を阻害するため、色素異常以外にもこのものが関与する好ましくない生理作用を阻害することができる。この様な生理作用としては化学物質に対する過敏な反応や炎症反応が例示できる。この為、本発明のα−ＭＳＨ阻害用の皮膚外用剤は炎症反応が起こりやすい夏の時期の化粧料として有用である。又、通常の化粧料などの皮膚外用剤が使用しにくい、敏感肌の人に適用しても、その抗炎症作用のためトラブルを起こすことは通常の化粧料に比較して極めて少ない。この様な目的の皮膚外用剤も本発明の皮膚外用剤として好適である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
＜実施例１＞上記製造例で示す方法によって得た、ソフラフラバノンＧについて、α−ＭＳＨに対する作用を、培養細胞（マウスメラノーマＢ−１６細胞）を用いて、サイクリックＡＭＰの産生量を指標に検討した。細胞は１０％ＦＢＳ加ＭＥＭ（イーグルの最少培地）で５％炭酸ガス湿度９５％３７℃の条件で９６ウェルのプレートで細胞１０4個／ウェル、培地１６０μｌ／ウェルの条件で１晩培養した。これにα−ＭＳＨ（１×１０-7Ｍ）及びα−ＭＳＨ阻害剤１の種々の濃度を加え、アマシャム社製のバイオトレイク・セルラー・コミュニケーション・アッセーｃＡＭＰエンザイムイムノアッセイ・システム（コードＲＰＮ２２５）を用いて、４５０ｎｍの分光光度として測定した。対照としてはα−ＭＳＨ、α−ＭＳＨ阻害剤を共に添加しないものを用い、このｃＡＭＰ濃度を１００として、それぞれのｃＡＭＰ比濃度を測定した。ここで、ｃＡＭＰの産生量を指標としたのは、細胞がα−ＭＳＨに作用するとｃＡＭＰの産生を促す作用が知られているからである。結果を図１に示す。これより本発明のα−ＭＳＨ阻害剤は優れたα−ＭＳＨの活性阻害作用を示すことがわかる。