【手続補正書】
【提出日】平成20年9月9日(2008.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プラズマ処理装置であって、
真空チャンバと、
前記真空チャンバと流体的に連通する排気口と、
前記真空チャンバと流体的に連通するガス源と、
ウェハ領域の圧力制御を４０％にする閉じ込め装置と、
を備えるプラズマ処理装置。
【請求項２】  請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、前記閉じ込め装置は、
真空チャンバ内の垂直制限リングと、
前記真空チャンバ内の垂直方向に調節可能な閉じ込めリングと、
を備えるプラズマ処理装置。
【請求項３】  請求項２に記載のプラズマ処理装置であって、前記垂直制限リングは前記プラズマ処理装置に連結された第１端と、自由端であって、前記垂直方向に調節可能な閉じ込めリングに隣接する第２端とを有するプラズマ処理装置。
【請求項４】  請求項２および請求項３のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマ処理中に前記閉じ込めリングを垂直方向に調節する、前記垂直方向に調節可能な閉じ込めリングに結合されたコントローラをさらに備えるプラズマ処理装置。
【請求項５】  請求項２から請求項４のうちのいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記垂直制限リングは前記閉じ込めリングの外側に位置するプラズマ処理装置。
【請求項６】  請求項２から請求項５のうちのいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記垂直制限リングの前記自由端がリップを有するプラズマ処理装置。
【請求項７】  請求項２から請求項６のうちのいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記閉じ込めリングがリップを有するプラズマ処理装置。
【請求項８】  請求項２から請求項４、請求項６、および請求項７のうちのいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記垂直制限リングが前記閉じ込めリングの内側に位置するプラズマ処理装置。
【請求項９】  請求項２から請求項８のうちのいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記真空チャンバ内に、前記真空チャンバ内で基板を保持するチャックを備えるプラズマ処理装置。
【請求項１０】  請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、前記閉じ込め装置は、
前記真空チャンバ内の第１の垂直方向に調節可能な閉じ込めリングと、
前記真空チャンバ内の第２の垂直方向に調節可能な閉じ込めリングと、
を備えるプラズマ処理装置。
【請求項１１】  請求項１０に記載のプラズマ処理装置であって、前記第１の垂直方向に調節可能な閉じ込めリングと前記第２の垂直方向に調節可能な閉じ込めリングとに結合されたコントローラであって、前記第１の垂直方向に調節可能な閉じ込めリングと前記第２の垂直方向に調節可能な閉じ込めリングとをプラズマ処理中に前記プラズマ処理装置内で調節できる前記コントローラをさらに備えるプラズマ処理装置。
【請求項１２】  請求項１０および請求項１１のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、第３の閉じ込めリングをさらに備えるプラズマ処理装置。
【請求項１３】  請求項１２に記載のプラズマ処理装置であって、前記第３の閉じ込めリングは垂直方向に調節可能であるプラズマ処理装置。
【請求項１４】  請求項１３に記載のプラズマ処理装置であって、前記コントローラは、前記第３の閉じ込めリングに結合されているプラズマ処理装置。
【請求項１５】  プラズマ処理装置内のウェハ領域圧力を制御する方法であって、
エッチング用ガス源をウェハエリア領域に供給すること、
前記エッチング用ガス源からプラズマを前記ウェハエリア領域に発生すること、
前記プラズマを垂直制限リング内に閉じ込めること、および
前記垂直制限リングの自由端に隣接する閉じ込めリングを垂直方向に調節すること、
を備える方法。
【請求項１６】  プラズマ処理装置内のウェハ領域圧力を制御する方法であって、
エッチング用ガス源をウェハエリア領域に供給すること、
前記エッチング用ガス源からプラズマを前記ウェハエリア領域に発生すること、
前記プラズマを少なくとも２つの閉じ込めリング内に閉じ込めること、および
前記少なくとも２つの閉じ込めリングの少なくとも２つをプラズマ処理中に垂直方向に調節すること、
を備える方法。
【請求項１７】  プラズマ処理装置であって、
真空チャンバと、
前記真空チャンバと流体的に連通する排気口と、
前記真空チャンバと流体的に連通するガス源と、
閉じ込め装置であって、
前記真空チャンバ内の垂直制限リングと、
前記真空チャンバ内の垂直方向に調節可能な閉じ込めリングと、
を有する前記閉じ込め装置と、
を備えるプラズマ処理装置。
【請求項１８】  請求項１７に記載のプラズマ処理装置であって、前記垂直制限リングは前記プラズマ処理装置に連結された第１端と、自由端であって、前記垂直方向に調節可能な閉じ込めリングに隣接する第２端とを有するプラズマ処理装置。
【請求項１９】  請求項１７および請求項１８のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマ処理中に前記閉じ込めリングを垂直方向に調節する、前記垂直方向に調節可能な閉じ込めリングに結合されたコントローラをさらに備えるプラズマ処理装置。
【請求項２０】  請求項１７から請求項１９のうちのいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記垂直制限リングは前記閉じ込めリングの外側に位置するプラズマ処理装置。
【請求項２１】  請求項１８から請求項２０のうちのいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記垂直制限リングの前記自由端がリップを有するプラズマ処理装置。
【請求項２２】  請求項１７から請求項２１のうちのいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記閉じ込めリングがリップを有するプラズマ処理装置。
【請求項２３】  請求項１７から請求項１９、請求項２１、および請求項２２のうちのいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記垂直制限リングが前記閉じ込めリングの内側に位置するプラズマ処理装置。
【請求項２４】  請求項１７から請求項２３のうちのいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記真空チャンバ内に、前記真空チャンバ内で基板を保持するチャックを備えるプラズマ処理装置。
【請求項２５】  プラズマ処理装置であって、
真空チャンバと、
前記真空チャンバと流体的に連通する排気口と、
前記真空チャンバと流体的に連通するガス源と、
ウェハエリアの圧力制御を行う閉じ込め装置であって、
前記真空チャンバ内の第１の垂直方向に調節可能な閉じ込めリングと、
前記真空チャンバ内の第２の垂直方向に調節可能な閉じ込めリングと、
を有する前記閉じ込め装置と、
を備えるプラズマ処理装置。
【請求項２６】  請求項２５に記載のプラズマ処理装置であって、前記第１の垂直方向に調節可能な閉じ込めリングと前記第２の垂直方向に調節可能な閉じ込めリングとに結合されたコントローラであって、前記第１の垂直方向に調節可能な閉じ込めリングと前記第２の垂直方向に調節可能な閉じ込めリングとをプラズマ処理中に前記プラズマ処理装置内で調節できる前記コントローラをさらに備えるプラズマ処理装置。
【請求項２７】  請求項２５および請求項２６のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、第３の閉じ込めリングをさらに備えるプラズマ処理装置。
【請求項２８】  請求項２７に記載のプラズマ処理装置であって、前記第３の閉じ込めリングは垂直方向に調節可能であるプラズマ処理装置。