【手続補正書】
【提出日】平成19年10月4日(2007.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）少なくとも１つの液体中の、その中で溶解性でない半導体粒子の懸濁液を調製する工程と、
ｂ）インクジェット印刷法により前記懸濁液を基板上に塗布し、それによって印刷された多孔質半導体膜を形成する工程と
を有する基板上での多孔質半導体膜の製造方法。
【請求項２】
ｃ）印刷された多孔質半導体膜を乾燥及び／または焼結し、それによって乾燥及び／または焼結した多孔質半導体膜を形成する、追加の工程を有する
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記半導体粒子の懸濁液は、いくつかの段階で塗布され、各段階はただ１層の塗布のみを有する
上記の請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項４】
前記半導体粒子の１層は約１〜１０の半導体粒子の単層を有する
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記半導体粒子の懸濁液を塗布する各段階の後で、請求項２に記載の乾燥及び／または焼結工程が続く
請求項３〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記工程ｂ）及びｃ）が、１〜１０００回行われる
請求項２〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記多孔質半導体膜は約１〜約１００μｍの範囲の厚みを有する
上記の請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
結果として得られる、印刷された、及び／または、乾燥された、及び／または焼結された多孔質半導体膜がざらつきのある膜であるように、記半導体粒子の懸濁液が定められた大きさのスポットに塗布される
上記の請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記定められた大きさのスポットは、１つにまとめると、前記基板の表面の２０％を超えて被覆する
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記インクジェット印刷法は１〜２００℃の範囲の温度で行われる
上記の請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記乾燥及び／または焼結工程ｃ）は、約１５〜２５０℃の範囲の温度で行われる
請求項２〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記乾燥及び／または焼結工程は、前記温度で１分〜６０分の範囲の時間で行われる
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
いくつかの異なる種類の半導体粒子の懸濁液が調製され、ここで、前記多孔質半導体膜は、多層の配置として、多層の配置内における全て、いくつか、あるいは１つの層に対して異なる半導体粒子の懸濁液を用いて、製造される
上記の請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記半導体粒子は、前記基板上に印刷された後で、現像工程を受けない
上記の請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
工程ａ）及び／または工程ｂ）は、両親媒性の材料がない状態で行われ、及び／または、結合剤料がない状態で行われる
上記の請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
前記半導体粒子の懸濁液は、工程ａ）において前記半導体粒子を前記液体に加えることにより、あるいはその逆により、調製される
上記の請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記半導体粒子は、直径が約５ｎｍ〜約５００ｎｍの範囲の大きさである
上記の請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
特に請求項１〜１７のいずれかに記載の方法における使用のための、半導体粒子と、その中で前記半導体粒子が溶解性でない少なくとも１つの液体とを有し、前記半導体粒子が約５ｎｍ〜約５００ｎｍの範囲の大きさであることを特徴とする
半導体粒子の懸濁液。
【請求項１９】
前記半導体粒子は凝集体である
請求項１８に記載の懸濁液。
【請求項２０】
酸、塩基、及び／または、希釈液体の存在によって、使用のために調節された電気伝導性を有することを特徴とする
請求項１８〜１９のいずれかに記載の懸濁液。
【請求項２１】
調節後の前記懸濁液の電気伝導性は、約６００〜約２０００μジーメンス／ｃｍの範囲である
請求項２０に記載の懸濁液。
【請求項２２】
前記酸はＨＮＯ３であり、前記アルコールはＣ１〜Ｃ４アルコールである
請求項２１に記載の懸濁液。
【請求項２３】
その中で前記半導体粒子が溶解性でない前記少なくとも１つの液体は、水とアルコールの混合物である
請求項１８〜２２のいずれかに記載の懸濁液。
【請求項２４】
水：アルコールの比は０．５〜２の範囲である
請求項２３に記載の懸濁液。
【請求項２５】
前記半導体粒子は酸化物粒子である
請求項１８〜２４のいずれかに記載の懸濁液。
【請求項２６】
前記半導体粒子が、１０重量％以下の量で存在する
上記の請求項のいずれかに記載の懸濁液。
【請求項２７】
請求項１〜１７のいずれかに記載の方法により、請求項１８〜２６のいずれかで定義された半導体粒子の懸濁液の使用により製造された
多孔質半導体膜。
【請求項２８】
平均の孔の大きさが約５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲であり、及び／または、平均の空隙率が３０％〜８０％である
請求項２７に記載の多孔質半導体膜。
【請求項２９】
基板上にある、
請求項２７〜２８のいずれかに記載の多孔質半導体膜。
【請求項３０】
前記基板は可撓性である
請求項２９に記載の多孔質半導体膜。
【請求項３１】
前記基板は平坦な表面あるいは不規則な表面を有する
請求項２９〜３０のいずれかに記載の多孔質半導体膜。
【請求項３２】
半導体粒子の複数のスポットを有し、前記スポットは離間している
請求項２７〜３１のいずれかに記載の多孔質半導体膜。
【請求項３３】
請求項１〜１７のいずれかに記載の方法を用いて製造された、及び／または、請求項２７〜３２のいずれかに記載の多孔質半導体膜を有する
電子デバイス。
【請求項３４】
太陽電池である、
請求項３３に記載の電子デバイス。
【請求項３５】
特に請求項３４に記載の太陽電池であり、
元の電力変換効率の１５％を超えて失うことなく、１０００回以上の曲げサイクルを耐えるその能力によって反映されるような安定性を有する
請求項３３に記載の電子デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
実施例
パターン化されたＴｉＯ２層を有する可撓性ＤＳＳＣの例が図４に示される。可撓性基板は、例えば透明導電性酸化物（ＴＣＯ）、例えば導電性ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）層（約１００ｎｍ）を有するＰＥＮから形成される。多孔質ＴｉＯ２層は、連続的なインクジェット印刷によって約５μｍ厚でＰＥＮ基板上に塗布される。本発明に係る懸濁液の典型的な例は：水中３重量％ＴｉＯ２（〜１８ｎｍの直径を持つ粒子）：イソプロパノール（１：１）、ＨＮＯ３で調節された電気伝導度１２００μジーメンス／ｃｍ、である。懸濁液は５０の印刷サイクルで用いられる。構造は表面の約３０〜４０％を被覆し、約１ｍｍ２の点からなる。それは２００℃で３０分間焼結された。ＴｉＯ２の塗布と乾燥／焼結の後で、赤い色素分子が、エタノール中の溶液（０．３ｍＭ）からの自己組織化（ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｉｎｇ）により単層としてＴｉＯ２に付着される。酸化還元対として働くヨウ素／ヨウ化物（０．０１５Ｍ）を含めたポリマー電解液（ＰＣ／ＥＣ中のＰＥＯ）で着色された多孔質層が満たされる。同じポリマー電解液の５μｍ厚のバルク層が、多孔質層とＰＥＮ基板上にまた適用された平坦で滑らかな白金膜（５０ｎｍ）の間のギャップを架橋する。ＴｉＯ２層と白金対極の間の直接の接触を避けるため、ガラスからなる直径５μｍのスペーサボールが２つの電極間に導入される。