【手続補正書】
【提出日】平成20年9月10日(2008.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー電解質膜と、
ガス拡散層と、
前記ポリマー電解質膜と前記ガス拡散層との間の触媒層と
を含んでなる、構成部分を有する膜電極サブアセンブリと、
前記膜電極サブアセンブリの１つ以上の構成部分上に配置され、前記ガス拡散層の外周縁と重なり合い、その場で付着可能かつ硬化可能な材料の層を含んでなるサブガスケットと
を含んでなる、膜電極アセンブリ（ＭＥＡ）用構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
本発明の様々な実施形態の前記記述は実例および説明の目的のために存在する。徹底的であるか、または本発明を開示された正確な形態に限定する意図はない。上記教示の観点から、多くの修正および変更が可能である。本発明の範囲は、この詳細な説明によってではなく、むしろ請求の範囲によって限定される。本発明の実施態様の一部を以下に列記する。
（１）
ポリマー電解質膜と、
ガス拡散層と、
前記ポリマー電解質膜と前記ガス拡散層との間の触媒層と
を含んでなる、構成部分を有する膜電極サブアセンブリと、
前記膜電極サブアセンブリの１つ以上の構成部分上に配置され、前記ガス拡散層の外周縁と重なり合い、その場で付着可能かつ硬化可能な材料の層を含んでなるサブガスケットと
を含んでなる、膜電極アセンブリ（ＭＥＡ）用構造体。
（２）
前記サブガスケットが前記ポリマー電解質膜の外周部分上に配置される、項目１に記載のＭＥＡ構造体。
（３）
前記サブガスケットの一部が前記触媒層と前記ポリマー電解質膜との間に配置される、項目１に記載のＭＥＡ構造体。
（４）
前記サブガスケットの一部が前記触媒層と前記ガス拡散層との間に配置される、項目１に記載のＭＥＡ構造体。
（５）
前記ガス拡散層および前記触媒層が触媒コーティング電極バッキングを形成し、そして前記触媒コーティング電極バッキングの縁が前記サブガスケットと重なり合う、項目１に記載のＭＥＡ構造体。
（６）
前記ポリマー電解質膜および前記触媒層が触媒コーティング膜を形成し、そして前記サブガスケットが前記触媒コーティング膜の外周部分上に配置される、項目１に記載のＭＥＡ構造体。
（７）
前記ガス拡散層の外周縁が前記サブガスケットと約０．０５ｍｍ〜約１０ｍｍ重なり合う、項目１に記載のＭＥＡ構造体。
（８）
前記サブガスケット材料が放射線によってその場で硬化可能である、項目１に記載のＭＥＡ構造体。
（９）
前記放射線に紫外線が含まれる、項目８に記載のＭＥＡ構造体。
（１０）
前記サブガスケット材料が熱的にその場で硬化可能である、項目１に記載のＭＥＡ構造体。
（１１）
前記サブガスケット材料が化学架橋によって硬化可能である、項目１に記載のＭＥＡ構造体。
（１２）
前記サブガスケット材料がスクリーン印刷によって付着可能である、項目１に記載のＭＥＡ構造体。
（１３）
前記サブガスケット材料がコーティングによって付着可能である、項目１に記載のＭＥＡ構造体。
（１４）
前記サブガスケット材料がスプレーによって付着可能である、項目１に記載のＭＥＡ構造体。
（１５）
前記サブガスケット材料がインクジェット印刷によって付着可能である、項目１に記載のＭＥＡ構造体。
（１６）
前記サブガスケットが前記ＭＥＡ構造体の活性領域と重なり合うように寸法設計される、項目１に記載のＭＥＡ構造体。
（１７）
前記サブガスケットが前記ＭＥＡ構造体の活性領域と重なり合わないように寸法設計される、項目１に記載のＭＥＡ構造体。
（１８）
前記サブガスケットが約５μｍ〜約１００μｍの厚さを有する、項目１に記載のＭＥＡ構造体。
（１９）
前記サブガスケットが感圧接着剤組成物を含んでなる、項目１に記載のＭＥＡ構造体。
（２０）
前記サブガスケットが熱可塑性材料を含んでなる、項目１に記載のＭＥＡ構造体。
（２１）
前記サブガスケットがイオン非伝導性材料を含んでなる、項目１に記載のＭＥＡ構造体。
（２２）
前記サブガスケットが非導電性材料を含んでなる、項目１に記載のＭＥＡ構造体。
（２３）
前記サブガスケットの表面がシーリング表面を含んでなる、項目１に記載のＭＥＡ構造体。
（２４）
前記シーリング表面がミクロ構造化表面を含んでなる、項目２３に記載のＭＥＡ構造体。
（２５）
第１の膜電極構造体と、
前記第１の膜電極構造体に連結された第２の膜電極構造体と
を含んでなる膜電極アセンブリ（ＭＥＡ）であって、前記第１の膜電極構造体および第２の膜電極構造体の少なくとも一方が
ポリマー電解質膜と、
ガス拡散層と、
前記ポリマー電解質膜と前記ガス拡散層との間の触媒層と
を含んでなる、構成部分を有する電極サブアセンブリと、
前記電極サブアセンブリの１つ以上の構成部分上に配置され、前記ガス拡散層の外周縁と重なり合い、その場で付着可能かつ硬化可能な材料の層を含んでなるサブガスケットと
を含んでなる、構成部分を有していることを特徴とする、ＭＥＡ。
（２６）
前記サブガスケットが前記ポリマー電解質膜の外周部分上に配置される、項目２５に記載のＭＥＡ。
（２７）
前記サブガスケットの一部が前記触媒層と前記ポリマー電解質膜との間に配置される、項目２５に記載のＭＥＡ。
（２８）
前記サブガスケットの一部が前記触媒層と前記ガス拡散層との間に配置される、項目２５に記載のＭＥＡ。
（２９）
前記ガス拡散層および前記触媒層が触媒コーティング電極バッキングを形成し、そして前記触媒コーティング電極バッキングの縁が前記サブガスケットと重なり合う、項目２５に記載のＭＥＡ。
（３０）
前記ポリマー電解質膜および前記触媒層が触媒コーティング膜を形成し、そして前記サブガスケットが前記触媒コーティング膜の外周部分上に配置される、項目２５に記載のＭＥＡ。
（３１）
前記ガス拡散層の外周縁が前記サブガスケットと約０．０５ｍｍ〜約１０ｍｍ重なり合う、項目２５に記載のＭＥＡ。
（３２）
前記第２の膜電極構造体および前記第１の膜電極構造体が融合二層ポリマー電解質膜によって連結される、項目２５に記載のＭＥＡ。
（３３）
前記サブガスケットが前記ポリマー電解質膜の外周部分上に配置され、そして
前記第２の膜電極構造体および前記第１の膜電極構造体が、融合内部サブガスケットを有する融合二層ポリマー電解質膜によって連結される、項目２５に記載のＭＥＡ。
（３４）
前記サブガスケット材料が放射線によってその場で硬化可能である、項目２５に記載のＭＥＡ。
（３５）
前記サブガスケット材料が化学架橋によって硬化可能である、項目２５に記載のＭＥＡ。
（３６）
前記サブガスケット材料がスクリーン印刷によって付着可能である、項目２５に記載のＭＥＡ。
（３７）
前記サブガスケット材料がコーティングによって付着可能である、項目２５に記載のＭＥＡ。
（３８）
前記サブガスケット材料がスプレーによって付着可能である、項目２５に記載のＭＥＡ。
（３９）
前記サブガスケット材料がインクジェット印刷によって付着可能である、項目２５に記載のＭＥＡ。
（４０）
前記サブガスケットが前記電極サブアセンブリの活性領域と重なり合うように寸法設計される、項目２５に記載のＭＥＡ。
（４１）
前記サブガスケットが前記電極サブアセンブリの活性領域と重なり合わないように寸法設計される、項目２５に記載のＭＥＡ。
（４２）
前記サブガスケットが約５μｍ〜約１００μｍの厚さを有する、項目２５に記載のＭＥＡ。
（４３）
前記サブガスケットがイオン非伝導性材料を含んでなる、項目２５に記載のＭＥＡ。
（４４）
前記サブガスケットが非導電性材料を含んでなる、項目２５に記載のＭＥＡ。
（４５）
前記サブガスケットの表面がシーリング表面を含んでなる、項目２５に記載のＭＥＡ。
（４６）
前記シーリング表面がミクロ構造化表面を含んでなる、項目４５に記載のＭＥＡ。
（４７）
ポリマー電解質膜と、
前記ポリマー電解質膜の反対面に配置された第１および第２のガス拡散層と、
第１および第２の触媒層であって、前記第１の触媒層が前記第１のガス拡散層と前記ポリマー電解質膜との間に配置され、そして前記第２の触媒層が前記第２のガス拡散層と前記ポリマー電解質膜との間に配置される、第１および第２の触媒層と
を含んでなる、構成部分を有する膜電極アセンブリ（ＭＥＡ）と、
その場で付着可能かつ硬化可能である材料の一層以上から形成され、前記第１のガス拡散層と前記第２のガス拡散層との間に一部が配置されるサブガスケットと
を含んでなる、電気化学的電池アセンブリ。
（４８）
前記サブガスケット層が前記ポリマー電解質膜の外周部分上に配置される、項目４７に記載のアセンブリ。
（４９）
前記第１のガス拡散層および前記第１の触媒層が第１の触媒コーティング電極バッキングを形成し、前記第２のガス拡散層および前記第２の触媒層が第２の触媒コーティング電極バッキングを形成し、そして前記サブガスケットの一部が前記第１の触媒コーティング電極バッキングと前記第２の触媒コーティング電極バッキングとの間に配置される、項目４７に記載のアセンブリ。
（５０）
前記ポリマー電解質膜ならびに前記第１および第２の触媒層が触媒コーティング膜を形成し、そして前記サブガスケットが前記触媒コーティング膜の外周部分上に配置される、項目４７に記載のアセンブリ。
（５１）
前記サブガスケット材料が放射線によってその場で硬化可能である、項目４７に記載のアセンブリ。
（５２）
前記放射線に紫外線が含まれる、項目５１に記載のアセンブリ。
（５３）
前記サブガスケット材料が熱的にその場で硬化可能である、項目４７に記載のアセンブリ。
（５４）
前記サブガスケット材料が化学架橋によって硬化可能である、項目４７に記載のアセンブリ。
（５５）
前記サブガスケット材料がスクリーン印刷、コーティング、スプレーおよびインクジェット印刷の少なくとも１つによって付着可能である、項目４７に記載のアセンブリ。
（５６）
前記サブガスケットが前記ＭＥＡの活性領域と重なり合うように寸法設計される、項目４７に記載のアセンブリ。
（５７）
前記サブガスケットが前記ＭＥＡの活性領域と重なり合わないように寸法設計される、項目４７に記載のアセンブリ。
（５８）
前記サブガスケットが約５μｍ〜約１００μｍの厚さを有する、項目４７に記載のアセンブリ。
（５９）
前記サブガスケットがイオン非伝導性材料を含んでなる、項目４７に記載のアセンブリ。
（６０）
前記サブガスケットが非導電性材料を含んでなる、項目４７に記載のアセンブリ。
（６１）
前記サブガスケットの表面がシーリング表面を含んでなる、項目４７に記載のアセンブリ。
（６２）
前記シーリング表面がミクロ構造化表面を含んでなる、項目６１に記載のアセンブリ。
（６３）
分散性サブガスケット材料を１つ以上のＭＥＡ構成部分の少なくとも１つの表面の一部に付着させる工程と、
そのサブガスケット分散材料をその場で硬化して、一つ以上のサブガスケット層を形成する工程と
を含んでなる、１つ以上のサブガスケット化ＭＥＡ構成部分を形成する工程と、
前記サブガスケット層の部分が第１のガス拡散層（ＧＤＬ）構造体と第２のＧＤＬ構造体との間に配置されるように、ポリマー電解質膜（ＰＥＭ）構造体の反対面において前記第１および第２のＧＤＬ構造体を整列させる工程と
を含んでなり、前記第１のＧＤＬ構造体、前記第２のＧＤＬ構造体および前記ＰＥＭ構造体の１つ以上が、前記１つ以上のサブガスケット化ＭＥＡ構成部分を含むことを特徴とする、膜電極アセンブリ（ＭＥＡ）の製造方法。
（６４）
前記１つ以上のサブガスケット化ＭＥＡ構成部分を形成する工程が、サブガスケット化ＰＥＭ構造体を形成する工程を含んでなる、項目６３に記載の方法。
（６５）
前記１つ以上のサブガスケット化ＭＥＡ構成部分を形成する工程が、１つ以上のサブガスケット化ＧＤＬ構造体を形成する工程を含んでなる、項目６３に記載の方法。
（６６）
前記ＰＥＭ構造体が触媒コーティング膜を含んでなる、項目６３に記載の方法。
（６７）
前記第１および第２のＧＤＬ構造体が触媒コーティング電極バッキングを含んでなる、項目６３に記載の方法。
（６８）
前記分散性サブガスケット材料を付着させる工程が、前記分散性サブガスケット材料をスクリーン印刷する工程を含んでなる、項目６３に記載の方法。
（６９）
前記分散性サブガスケット材料を付着させる工程が、前記分散性サブガスケット材料をコーティングする工程を含んでなる、項目６３に記載の方法。
（７０）
前記分散性サブガスケット材料を付着させる工程が、前記分散性サブガスケット材料をスプレーする工程を含んでなる、項目６３に記載の方法。
（７１）
前記分散性サブガスケット材料を付着させる工程が、前記分散性サブガスケット材料をインクジェット印刷する工程を含んでなる、項目６３に記載の方法。
（７２）
前記分散性サブガスケット材料をその場で硬化する工程が、水分への暴露によって前記サブガスケット分散材料をその場で硬化する工程を含んでなる、項目６３に記載の方法。
（７３）
前記分散性サブガスケット材料をその場で硬化する工程が、ガスへの暴露によって前記サブガスケット分散材料をその場で硬化する工程を含んでなる、項目６３に記載の方法。
（７４）
前記分散性サブガスケット材料をその場で硬化する工程が、放射線への暴露によって前記サブガスケット分散材料をその場で硬化する工程を含んでなる、項目６３に記載の方法。
（７５）
前記サブガスケット分散材料をその場で硬化する工程が、熱的に前記サブガスケット分散材料をその場で硬化する工程を含んでなる、項目６３に記載の方法。
（７６）
前記サブガスケット分散材料をその場で硬化する工程が、前記分散性サブガスケット材料の冷却によって前記サブガスケット分散材料をその場で硬化する工程を含んでなる、項目６３に記載の方法。
（７７）
前記サブガスケット分散材料をその場で硬化する工程が、前記サブガスケット分散材料を化学的に変性する工程を含んでなる、項目６３に記載の方法。
（７８）
前記サブガスケット分散材料をその場で硬化する工程が、前記サブガスケット分散材料を化学的に変性することなく硬化する工程を含んでなる、項目６３に記載の方法。
（７９）
前記第１および第２のＧＤＬ構造体を前記ＰＥＭ構造体に結合する工程をさらに含んでなる、項目６３に記載の方法。
（８０）
前記第１および第２のＧＤＬ構造体を前記ＰＥＭ構造体に結合する工程が、前記第１および第２のＧＤＬ構造体ならびに前記ＰＥＭ構造体に圧力および熱の一方または両方を適用する工程を含んでなる、項目７９に記載の方法。
（８１）
前記第１および第２のＧＤＬ構造体ならびに前記ＰＥＭ構造体に圧力および熱の一方または両方を適用する工程が、５０ｃｍ2あたり約０．５トン〜約３．０トンの圧力を適用する工程を含んでなる、項目８０に記載の方法。
（８２）
前記第１および第２のＧＤＬ構造体ならびに前記ＰＥＭ構造体に圧力および熱の一方または両方を適用する工程が、前記ＰＥＭの軟化点付近の温度で熱を適用する工程を含んでなる、項目８０に記載の方法。
（８３）
前記第１および第２のＧＤＬ構造体を前記サブガスケット化ＰＥＭに結合する工程が、前記第１および第２のＧＤＬ構造体ならびに前記ＰＥＭ構造体に予め決められた時間で圧力および熱の一方または両方を適用する工程を含んでなる、項目８０に記載の方法。
（８４）
前記予め決められた時間が約１０分以下である、項目８３に記載の方法。
（８５）
前記１つ以上のサブガスケット化ＭＥＡ構成部分を形成する工程が、サブガスケット化ＰＥＭ構造体を形成する工程を含み、
前記サブガスケット化ＰＥＭ構造体の反対面において前記第１および第２のＧＤＬ構造体を配置する工程が、
より大きいシートから前記第１および第２のＧＤＬ構造体を切断する工程と、
前記サブガスケット化ＰＥＭ構造体の反対面に関して前記第１および第２のＧＤＬ構造体を整列させる工程と
を含む、項目６３に記載の方法。
（８６）
前記１つ以上のサブガスケット化ＭＥＡ構成部分を形成する工程が、サブガスケット化ＰＥＭ構造体を形成する工程を含み、
前記サブガスケット化ＰＥＭ構造体の反対面に関して前記第１および第２のＧＤＬ構造体を整列させる工程が、前記サブガスケット化ＰＥＭ構造体のサブガスケット化部分と重なり合うように前記第１および第２のＧＤＬ構造体を整列させる工程を含む、項目６３に記載の方法。
（８７）
ガス拡散層（ＧＤＬ）構造体とポリマー電解質膜（ＰＥＭ）構造体とを含む膜電極（ＭＥＡ）サブアセンブリの製造方法であって、
分散性サブガスケット材料をＭＥＡ構成部分の少なくとも１つの表面の一部に付着させる工程と、
そのサブガスケット分散材料をその場で硬化して、一つ以上のサブガスケット層を形成する工程と
を含んでなる、サブガスケット化ＭＥＡ構成部分を形成する工程と、
前記ＧＤＬ構造体の縁が前記一つ以上のサブガスケット層の一部と重なり合うように、前記ＰＥＭ構造体上に前記ＧＤＬ構造体を配置する工程と
を含んでなり、前記ＧＤＬおよび前記ＰＥＭの少なくとも１つが、前記サブガスケット化ＭＥＡ構成部分を１つ以上含むことを特徴とする、方法。
（８８）
前記サブガスケット化ＭＥＡ構成部分を形成する工程が、サブガスケット化ＰＥＭを形成する工程を含んでなる、項目８７に記載の方法。
（８９）
前記サブガスケット化ＭＥＡ構成部分を形成する工程が、サブガスケット化ＧＤＬを形成する工程を含んでなる、項目８７に記載の方法。
（９０）
前記サブガスケット化ＭＥＡ構成部分を形成する工程が、サブガスケット化触媒コーティング膜を形成する工程を含んでなる、項目８７に記載の方法。
（９１）
前記サブガスケット化ＭＥＡ構成部分を形成する工程が、サブガスケット化触媒コーティング電極バッキングを形成する工程を含んでなる、項目８７に記載の方法。
（９２）
前記ＰＥＭ構造体の一表面上に前記ＧＤＬ構造体を配置する工程と、前記ＰＥＭ構造体の反対面上に対向するＧＤＬ構造体を配置する工程とをさらに含んでなる、項目８７に記載の方法。