【手続補正書】
【提出日】平成18年11月24日(2006.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅、亜鉛、ニッケル、鉄、ニオブ、モリブデン、チタン、ニッケル／クロム合金、鉄／ニッケル／クロム合金及びアルミニウムからなる群から選択される金属で形成されたフレキシブル金属ホイルと、該ホイル表面上に堆積された所望の単相誘電体であって約０．０３〜約２ミクロンの厚さを有する層である誘電体とを含む、薄層コンデンサを形成するための層構造物。
【請求項２】
第２の金属層をさらに含む請求項１記載の層構造物であって、誘電体が第１の金属層を形成する金属とは異なるカチオン物質を含み、第１の金属ホイル層が約１２〜約１１０ミクロンの厚さを有する、層構造物。
【請求項３】
フレキシブルポリマー支持シートをさらに含む請求項１記載の層構造物であって、前記フレキシブル金属ホイルが、該フレキシブルポリマー支持シート上に放出可能でパターン化されていない層として形成される層構造物。
【請求項４】
前記誘電体がシリカである請求項１記載の層構造物。
【請求項５】
前記フレキシブル金属ホイルと前記誘電体との間にバリア層をさらに含む請求項１記載の層構造物。
【請求項６】
少なくとも１つのコンデンサを形成する方法であって、第１の金属ホイル層を提供すること、該金属コイル層上に、約０．０３〜約２ミクロン厚の誘電体層を堆積すること、及び該誘電体上に第２の金属層を堆積することを含む方法。
【請求項７】
ポリマー支持シートを提供すること、及び該支持シート上に約０．０５〜約３ミクロン厚の金属層を堆積することにより前記第１の金属ホイル層を提供することをさらに含む請求項６記載の方法。
【請求項８】
第１の導電層、０．０３〜約２ミクロンの厚さを有する第１の誘電体層、および第２の導電層をこの順で含む３層構造物（ａ）を請求項６記載の方法によって提供すること、
該第１の誘電体層の第１の面上にディスクリート導電パッチを有する構造物（ｂ）を形成するように該第１の導電層をパターン化すること、
該導電パッチを有する該構造物（ｂ）の面を第２の誘電体に埋め込み、それに続くプロセスの間、該構造物（ｂ）を支持して構造物（ｃ）を形成すること、及び
該第１の誘電体層の第２の面上にディスクリート導電パッチを有する構造物（ｄ）を形成するように該構造物（ｃ）の該第２の導電層をパターン化すること
を含む、マルチコンデンサ構造物を提供する方法。
【請求項９】
前記誘電体層の暴露された部分をパターン化して構造物（ｅ）を形成することをさらに含む請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記層の少なくとも１つが、燃焼化学蒸着または制御された雰囲気燃焼化学蒸着によって形成される、請求項７記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３８】
上述のように、シリカまたはシリカベースの誘電層をエッチングするのに望ましい例が挙げられることができる。シリカおよびシリカベースの組成物のための好適なエッチング剤はアンモニウムヒドロゲンジフルオライド、フルオロホウ酸およびこれらの混合物を含む。シリカおよびシリカベースの組成物のための特に好適なエッチング剤はアンモニウムヒドロゲンジフルオライドの１．７重量％水性溶液および１．０５重量％のフルオロホウ酸の水性溶液である。他の物質をこれら２つの成分の混合物に添加されることもできる。
本発明は、以下の物及び方法を提供する。
（１） 金属ホイルおよびその上の約０．０３〜約２ミクロンの厚さを有する誘電体を含む薄層コンデンサのための層構造物。
（２） 誘電体が約１重量％〜約１００重量％のシリカを含む（１）記載の層構造物。
（３） 金属ホイルが銅ホイル、ニッケルホイルおよびアルミニウムホイルからなる群から選択される（１）記載の層構造物。
（４） 第１の金属層、約０．０３〜約２ミクロンの厚さを有する誘電体層、および第２の金属層を含む少なくとも１つの薄層コンデンサとして働くかまたは形成するための層構造物。
（５） 第１の金属層が金属ホイルであり、第２の金属層が誘電体層上に堆積された金属層である（４）記載の層構造物。
（６） ホイルが約１２〜約１１０ミクロンの厚さであり、第２の金属層が約０．５〜約３ミクロンの厚さである（５）記載の層構造物。
（７） 第１の金属層が銅、アルミニウムおよびニッケルからなる群から選択され、第２の金属層が銅、ニッケルおよび亜鉛からなる群から選択される（４）記載の層構造物。
（８） 第１の金属層がポリマー支持シート上の約０．５〜約３ミクロンの厚さの被覆である（４）記載の層構造物。
（９） ポリマー支持シートがポリイミドである（８）記載の層構造物。
（１０） 第１の金属層と誘電体層の間に約０．０１〜約０．０８ミクロンの厚さのバリア層をさらに含む（４）記載の層構造物。
（１１） バリア層が酸化タングステン、酸化ストロンチウムおよび混合されたタングステン／ストロンチウムの酸化物からなる群から選択される物質で形成される（１０）記載の層構造物。
（１２） バリア層がＢａＷＯ４、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＮｉおよびＰｔからなる群から選択される物質で形成される（１０）記載の層構造物。
（１３） バリア層がＣｅＯ２およびＳｒ１−ｘＢａｘＷＯ４からなる群から選択される物質で形成される（１０）記載の層構造物。
（１４） 誘電体層と第２の金属層の間に約０．０００１〜約０．０５ミクロンの厚さの接着層をさらに含む（４）記載の層構造物。
（１５） 接着層が酸化亜鉛である（１４）記載の層構造物。
（１６） 接着層が白金／シリカである（１４）記載の層構造物。
（１７） 接着層が機能的グラジェント物質である（１４）記載の層構造物。
（１８） 誘電体層が約１重量％〜１００重量％のシリカを含む（４）記載の層構造物。
（１９） 誘電体層がＢＳＴ、ＳｒＴｉＯ３、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＭｎＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２およびＰＬＺＴからなる群から選択される（４）記載の層構造物。
（２０） 誘電体層がバリウムチタン酸化物、ジルコニウムドープトバリウムチタン酸化物、および錫ドープトバリウムチタン酸化物からなる群から選択される（４）記載の層構造物。
（２１） 誘電体層がＷＯ３、ＳｒＯ、混合されたタングステンストロンチウムの酸化物、ＢａＷＯ４、ＣｅＯ２およびＳｒ１−ｘＢａｘＷＯ４からなる群から選択される（４）記載の層構造物。
（２２） 第１の金属層がニッケル、タングステン、モリブデン、鉄、ニオブ、チタン、ニッケル／クロム合金、および鉄／ニッケル／クロム合金からなる群から選択される（４）記載の層構造物。
（２３） 第１の金属層の誘電体層の面側の表面粗さが少なくとも約１．１ｃｍ２／ｃｍ２である（４）記載の層構造物。
（２４） 誘電体層が約１０−１〜約１０−５アンペア／ｃｍ２の導電率を有する損失のあるものである（４）記載の層構造物。
（２５） 損失が誘電体層の薄さによって達成される（２４）記載の層構造物。
（２６） 損失が誘電体層の化学的ドーピングによって達成される（２４）記載の層構造物。
（２７） 第１および第２の金属層の少なくとも１つにパターンが設けられ、ディスクリートコンデンサプレートを提供する（４）記載の層構造物。
（２８） 第１および第２の金属層にそれぞれパターンが設けられ、誘電体層の反対側にディスクリートコンデンサプレートを提供する（４）記載の層構造物。
（２９） 第１の金属ホイル層を提供し、
該金属ホイル層上に誘電体層を約０．０３〜約２ミクロンの厚さで堆積し、さらに
該誘電体上に第２の金属層を堆積することを含む少なくとも１つのコンデンサを形成する方法。
（３０） 誘電体層が燃焼化学蒸着によって堆積される（２９）記載の方法。
（３１） 第２の金属層が燃焼化学蒸着または制御された雰囲気燃焼化学蒸着によって堆積される（２９）記載の方法。
（３２） 第２の金属層が燃焼化学蒸着または制御された雰囲気燃焼化学蒸着により電気的導電シード層を堆積することによって形成され、該第２の金属層への追加の金属が電気メッキによって堆積される（２９）記載の方法。
（３３） 金属ホイル層上の誘電層を堆積する前に、約０．０１〜約０．０８ミクロンの厚さのバリア層が該ホイル層上に堆積され、該誘電体層の堆積の間の過剰な温度から該金属ホイル層を保護し、および／または該金属ホイル層の酸化を防げ、および／または該金属ホイル層と該誘電体層の間の化学的相互作用を妨げる（２９）記載の方法。
（３４） 第２の金属層を堆積する前に、物質の層が約０．００１〜約０．０５ミクロンの厚さで堆積され、その物質の層が該誘電体層と第２の金属層の間の接着を促進させる（２９）記載の方法。
（３５） 第２の金属層にパターンが設けられ、多数のディスクリートコンデンサプレートを提供する（２９）記載の方法。
（３６） パターンが設けられた第２の物質層が誘電体に積層され、さらに金属ホイル層にパターンが設けられ、多数のディスクリートコンデンサプレートを形成する（３５）記載の方法。
（３７） パターンが設けられた金属ホイル層が誘電体に積層される（３６）記載の方法。
（３８） ポリマー支持シートを提供し、
該支持シート上に約０．０５〜約３ミクロンの厚さの第１の金属層を堆積し、該第１の金属層上に約０．０３〜約２ミクロンの厚さの誘電体層を堆積し、さらに
該誘電体層上に約０．０５〜約３ミクロンの厚さの第２の金属層を堆積することを含む少なくとも１つの薄層コンデンサを提供する方法。
（３９） 第２の金属層に実質的にパターンが設けられ、ディスクリートコンデンサプレートを形成する（３８）記載の方法。
（４０） 第１の電気的導電層、誘電体層、および第２の導電層をこの順で含む３層構造物（ａ）を提供し、
該第１の電気的導電層にパターンが設けられ、該誘電体層の第１の面上にディスクリート電気的導電パッチを有する構造物（ｂ）を形成し、
該電気的導電パッチを有する該構造物（ｂ）の面を誘電体に埋め込み、それに続くプロセスの間、該構造物（ｂ）を支持して構造物（ｃ）を形成し、さらに
該構造物（ｃ）の該第２の電気的導電層にパターンが設けられ、該誘電体層の第２の面上にディスクリート電気的導電パッチを有する構造物（ｄ）を形成することを含む、マルチコンデンサ構造物を提供する方法。
（４１） 構造物（ｄ）が形成された後に、該誘電体層の暴露された部分にパターンが設けられ、構造物（ｅ）を形成する（４０）記載の方法。
（４２） 構造物（ｅ）が形成された後に、第２の電気的導電体層から形成された電気的導電パッチを有する該構造物の側が誘電体に埋め込まれ、構造物（ｆ）を形成する（４１）記載の方法。
（４３） 誘電体層が約０．０３〜約２ミクロンの厚さを有する（４０）記載の方法。
（４４） 誘電体が約１重量％〜約１００重量％のシリカを含む（４０）記載の方法。
（４５） 第１の電気的導電層が銅ホイル、ニッケルホイルおよびアルミニウムホイルからなる群から選択される金属ホイルである（４０）記載の方法。
（４６） 第１の電気的導電層が金属ホイルであり、第２の電気的導電層が誘電体層上に堆積された金属層である（４０）記載の方法。
（４７） 金属ホイルが約１２〜約１１０ミクロンの厚さであり、堆積された金属層が約０．５〜約３ミクロンの厚さである（４６）記載の方法。
（４８） 第１の電気的導電層が銅、アルミニウムおよびニッケルからなる群から選択され、第２の電気的導電層が銅、ニッケルおよび亜鉛からなる群から選択される（４６）記載の方法。
（４９） 第１の電気的導電層と誘電体層の間に約０．０１〜約０．０８ミクロンの厚さのバリア層をさらに含む（４０）記載の方法。
（５０） バリア層が酸化タングステン、酸化ストロンチウム、および混合されたタングステン／ストロンチウムの酸化物からなる群から選択される物質から形成される（４９）記載の方法。
（５１） バリア層がＢａＷＯ４、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＮｉおよびＰｔからなる群から選択される物質で形成される（４９）記載の方法。
（５２） バリア層がＣｅＯ２およびＳｒ１−ｘＢａｘＷＯ４からなる群から選択される物質で形成される（４９）記載の方法。
（５３） 誘電体層と第２の電気的導電層の間に約０．０００１〜約０．０５ミクロンの厚さの接着層をさらに含む（４０）記載の方法。
（５４） 接着層が酸化亜鉛である（５３）記載の方法。
（５５） 接着層が白金／シリカである（５３）記載の方法。
（５６） 接着層が機能的グラジェント物質である（５３）記載の方法。
（５７） 誘電体層がＢＳＴ、ＳｒＴｉＯ３、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＭｎＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２およびＰＬＺＴからなる群から選択される（４０）記載の方法。
（５８） 誘電体層がバリウムチタン酸化物、ジルコニウムドープトバリウムチタン酸化物、および錫ドープトバリウムチタン酸化物からなる群から選択される（４０）記載の方法。
（５９） 誘電体層がＷＯ３、ＳｒＯ、混合されたタングステンストロンチウムの酸化物、ＢａＷＯ４、ＣｅＯ２およびＳｒ１−ｘＢａｘＷＯ４からなる群から選択される（４０）記載の方法。
（６０） 第１の電気的導電層がニッケル、タングステン、モリブデン、鉄、ニオブ、チタン、ニッケル／クロム合金、および鉄／ニッケル／クロム合金からなる群から選択される（４０）記載の方法。
（６１） 有機化合物含有媒体中で分散される先駆物質を含む混合物であって、該先駆物質が約１３５℃以下の沸点を有し、該先駆物質が約０．４モル以下の量で該媒体中に存在する、被覆を堆積するために有用な先駆物質混合物。
（６２） 先駆物質が約０．０６６モル以下の量で存在する（６１）記載の先駆物質混合物。
（６３） 有機化合物含有媒体が約１５０℃以下の沸点を有する溶媒である（６１）記載の先駆物質混合物。
（６４） 有機化合物含有媒体が２０℃で液体である（６１）記載の先駆物質混合物。
（６５） 混合物が液体であり、先駆物質がテトラメチルシランである（６１）記載の先駆物質混合物。
（６６） テトラメチルシランが約０．４モル以下の量で存在する（６５）記載の先駆物質混合物。
（６７） テトラメチルシランが約０．０６６モル以下の量で存在する（６５）記載の先駆物質混合物。
（６８） 有機化合物含有媒体が２０℃でガスであるが、大気圧以上の特定の圧力下で保たれる場合、２０℃で液体溶液である（６１）記載の先駆物質混合物。
（６９） 特定の圧力が約１００ｐｓｉ以上である（６８）記載の先駆物質混合物。
（７０） 有機化合物含有媒体が主としてキャリアとして働く第１の成分と主として燃料として働く第２の成分を含む（６１）記載の先駆物質混合物。
（７１） 第１の成分がプロパンを含み、第２の成分がメタンを含む（７０）記載の先駆物質混合物。
（７２） 有機化合物含有媒体がプロパンを含む（６１）記載の先駆物質混合物。
（７３） 有機化合物含有媒体がブタンを含む（７２）記載の先駆物質混合物。
（７４） シリカを生じる先駆物質を含む（６１）記載の先駆物質混合物。
（７５） 混合物がさらにシリカドーパントのための先駆物質を含む（７４）記載の先駆物質混合物。
（７６） 先駆物質の分解温度未満の温度で、先駆物質が非飽和蒸気であるのに充分低い濃度で存在する（６１）記載の先駆物質混合物。
（７７） 先駆物質の分解温度が約５００℃以上である（７６）記載の先駆物質混合物。
（７８） ５０℃未満の温度で非飽和蒸気であるのに充分低い濃度でテトラメチルシランを含むガス性媒体を含む（６１）記載の先駆物質混合物。
（７９） ２０℃未満の温度で非飽和蒸気であるのに充分低い濃度でテトラメチルシランを含むガス性媒体を含む（６１）記載の先駆物質混合物。
（８０） ＳＴＰ有機ガスをさらに含み、有機ＳＴＰ液体溶媒の濃度が０℃以上の温度で混合物が非飽和蒸気である（７９）記載の先駆物質混合物。
（８１） ＳＴＰ有機ガスをさらに含み、有機ＳＴＰ液体溶媒の濃度が２０℃以上の温度で混合物が非飽和蒸気である（７９）記載の先駆物質混合物。
（８２） 混合物が最初に液体であり、次いでフレームに導入される前に気化される（６１）記載の先駆物質混合物。
（８３） 熱分解プロセスによってシリカ被覆を堆積するための先駆物質溶液であって、該先駆物質溶液が有機溶媒および該有機溶媒に溶解されたシリカ先駆物質を含み、該シリカ先駆物質が１５０℃以下の沸点を有し、該先駆物質が該媒体中に約０．４モル以下の量で存在する先駆物質溶液。
（８４） 有機溶媒が１５０℃以下の沸点を有する（８３）記載の先駆物質溶液。
（８５） シリカ先駆物質がテトラメチルシランである（８３）記載の先駆物質溶液。
（８６） 有機溶媒がプロパンおよびブタンからなる群から選択される（８５）記載の先駆物質溶液。
（８７） 溶液がさらにシリカドーパントのための先駆物質を含む（８５）記載の先駆物質溶液。
（８８） 被覆を堆積するために有用な先駆物質混合物であって、該混合物が有機化合物含有媒体中に分散されたテトラメチルシランを含む、先駆物質混合物。
本発明は特定の実施例によってより詳細に記載される。