【手続補正書】
【提出日】平成20年8月28日(2008.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）分子状酸素を含む酸化剤流を気泡塔型反応器の反応ゾーン中に導入し；
（ｂ）ｐ−キシレンを含む供給流を、最大直径（Ｄ）を有する、前記反応ゾーン中に導入し（但し、ｐ−キシレンの少なくとも３０重量％は、前記分子状酸素が前記反応ゾーンに入る最低位置の１．５Ｄ以内において前記反応ゾーンに入る）；そして
（ｃ）前記反応ゾーンに含まれる多相反応媒体の液相中において前記ｐ−キシレンを酸化させる
ことを含んでなる方法。
【請求項２】
前記ｐ−キシレンの少なくとも５０重量％を、前記分子状酸素が前記反応ゾーンに入る最低位置の２．５Ｄ以内において、前記反応ゾーン中に導入する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ｐ−キシレンの少なくとも７５重量％を、前記分子状酸素が前記反応ゾーンに入る最低位置の５Ｄ以内において、前記反応ゾーン中に導入する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記供給流を、複数の供給開口部を経て、前記反応ゾーン中に導入し、前記供給開口部の少なくとも２つを、互いに垂直方向に少なくとも０．５Ｄの間隔をあけて配置する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記供給開口部の少なくとも２つを、互いに垂直方向に少なくとも１．５Ｄの間隔をあけて配置する請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記供給流を、前記反応ゾーンを１対の交差垂直面によって等容積の４つの垂直クアドラント（ｑｕａｄｒａｎｔ）に理論的に分割する場合に、前記ｐ−キシレンの８０重量％以下が前記垂直クアドラントの単一のクアドラント中において前記反応ゾーンに入るように、前記反応ゾーン中に導入する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記反応ゾーンの少なくとも一部分を、前記反応器の１つ又はそれ以上の直立側壁によって規定し、前記ｐ−キシレンの少なくとも２５重量％が、前記直立側壁から内側に少なくとも０．０５Ｄの間隔をあけて配置された１つ又はそれ以上の位置において、前記反応ゾーンに入る請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記反応媒体が最大高さ（Ｈ）、最大幅（Ｗ）及び少なくとも３：１のＨ：Ｗ比を有する請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記Ｈ：Ｗ比が８：１〜２０：１の範囲である請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記分子状酸素の大部分が、前記反応ゾーンの底部の０．２５Ｗ以内において、前記反応ゾーンに入る請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記酸化が、前記反応媒体中で前記ｐ−キシレンの少なくとも１０重量％に、固体を形成させる請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記酸化を、コバルト、臭素及びマンガンを含む触媒系の存在下で、実施する請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記酸化を、前記反応ゾーンを等容積の３０個の水平スライスに理論的に分割した場合に、ｐＸ−ｍａｘ水平スライスが前記の３０個の水平スライスの全ての最大ｐ−キシレン濃度を有し且つｐＸ−ｍｉｎが前記ｐＸ−ｍａｘ水平スライスの上方に位置するすべての水平スライスの最小ｐ−キシレン濃度を有するように、実施し、前記ｐ−キシレン濃度を前記反応媒体の液相中で時間平均及び容積平均重量基準で測定し、そして（前記ｐＸ−ｍａｘ水平スライスのｐ−キシレン濃度）対（前記ｐＸ−ｍｉｎ水平スライスのｐ−キシレン濃度）の比が少なくとも５：１である請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記酸化を、前記反応ゾーンを、等容積の３０個の水平スライスに理論的に分割した場合に、Ｏ2−ｍａｘ水平スライスが前記の３０個の水平スライスの全ての最大酸素濃度を有し且つＯ2−ｍｉｎ水平スライスが前記Ｏ2−ｍａｘ水平スライスの上方に位置するすべての水平スライスの最小酸素濃度を有するように、実施し、前記酸素濃度を前記反応媒体の気相中で時間平均及び容積平均モル湿潤基準で測定し、そして（前記Ｏ2−ｍａｘ水平スライスの酸素濃度）対（前記Ｏ2−ｍｉｎ水平スライスの酸素濃度）の比が少なくとも２：１である請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記方法が、前記粗製テレフタル酸の少なくとも一部を二次酸化反応器における酸化に供することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記二次酸化反応器中における前記酸化を、前記気泡塔型反応器中における前記酸化よりも少なくとも１０℃高い平均温度において、実施する請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記二次酸化反応器中における前記酸化を、前記気泡塔型の平均温度よりも２０〜８０℃高い範囲の平均温度において実施し、前記気泡塔型反応器中における前記酸化を１４０〜１８０℃の範囲の平均温度において実施し、前記二次酸化反応器中における前記酸化を１８０〜２２０℃の範囲の平均温度において実施する請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記酸化が前記反応媒体中において前記粗製テレフタル酸の固体粒子を形成させ、前記粗製テレフタル酸粒子の代表サンプルが以下の特性：
（ｉ）１２ｐｐｍｗ未満の４，４−ジカルボキシスチルベン（４，４−ＤＣＳ）を含み、
（ｉｉ）８００ｐｐｍｗ未満のイソフタル酸（ＩＰＡ）を含み、
（ｉｉｉ）１００ｐｐｍｗ未満の２，６−ジカルボキシフルオレノン（２，６−ＤＣＦ）を含み、
（ｉｖ）３４０ｎｍにおけるパーセント透過率（％Ｔ340）が２５より高い
の１つ又はそれ以上を有する請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
主に液相の流れと主に気相の流れとを反応させるための気泡塔型反応器であって、
常態での直立中心シェル軸に沿って伸びる細長い反応ゾーンを規定する容器シェル（前記反応ゾーンは、互いに最大距離（Ｌ）をあけて配置された常態での（垂直）下端及び常態での（垂直）上端を有し、前記反応ゾーンは最大直径（Ｄ）を有し、前記反応ゾーンは少なくとも３：１のＬ：Ｄ比を有する）；
前記気相流を前記反応ゾーン中に排出するための１つ又はそれ以上の気体用開口部（前記気体用開口部の少なくとも１つは、前記の常態での下端の０．２５Ｄ以内に配置する）；及び
前記液相流を前記反応ゾーン中に導入するための１つ又はそれ以上の液体用開口部（前記液体用開口部の全てによって規定される累積孔面積の少なくとも３０％が、前記の常態での下端の最も近くに位置する気体用開口部から１．５Ｄの軸距離を開けて配置された液体用開口部による）
を含んでなる気泡塔型反応器。
【請求項２０】
前記液体用開口部の全てによって規定される累積孔面積の少なくとも５０％が、前記の常態での下端の最も近くに位置する気体用開口部から２．５Ｄ未満の軸距離をあけて配置された液体用開口部によるものである請求項１９に記載の気泡塔型反応器。
【請求項２１】
前記液体用開口部の全てによって規定される累積孔面積の少なくとも７５％が、前記の常態での下端の最も近くに位置する気体用開口部から５Ｄ未満の軸距離をあけて配置された液体用開口部によるものである請求項１９に記載の気泡塔型反応器。
【請求項２２】
前記反応器が、互いに少なくとも０．５Ｄの間隔をあけて配置された少なくとも２つの液体用開口部を含む請求項１９に記載の気泡塔型反応器。
【請求項２３】
前記反応器が、互いに少なくとも１．５Ｄの間隔をあけて配置された少なくとも２つの液体用開口部を含む請求項１９に記載の気泡塔型反応器。
【請求項２４】
前記反応ゾーンを１対の交差垂直面によって等容積の４つの垂直クアドラントに理論的に分割する場合に、前記液体用開口部の全てによって規定される累積孔面積の８０％以下を前記垂直クアドラントの共通の１つに配置した請求項１９に記載の気泡塔型反応器。
【請求項２５】
前記反応ゾーンの少なくとも一部を、前記反応器の１つ又はそれ以上の直立側壁によって規定し、前記液体用開口部の全てによって規定される累積孔面積の少なくとも２５％が、前記直立側壁から内側に少なくとも０．０５Ｄの間隔をあけて配置された液体用開口部によるものである請求項１９に記載の気泡塔型反応器。
【請求項２６】
前記気体用開口部の全てによって規定される累積孔面積の大部分を、前記反応ゾーンの前記の常態での下端の０．０２２Ｌ以内に配置した請求項１９に記載の気泡塔型反応器。
【請求項２７】
Ｌが２０〜７５ｍの範囲であり、Ｄが２〜１０の範囲であり、前記Ｌ：Ｄ比が８：１〜２０：１の範囲である請求項１９に記載の気泡塔型反応器。