【手続補正書】
【提出日】平成19年10月9日(2007.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート配線と、
前記基板上に、前記ゲート配線と同一の材料で形成された容量配線と、
前記ゲート配線及び前記容量配線上に第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に半導体層と、
前記半導体層上に第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に形成され、かつ、前記半導体層と電気的に接続する画素電極と、
前記第３の絶縁膜上に、前記画素電極と同一の材料で形成された共通配線と、
前記第３の絶縁膜を介して前記共通配線と重畳するように配置された信号配線と、
前記信号配線と前記半導体層を電気的に接続する接続電極と、を有し、
前記画素電極と前記共通配線とは、前記基板の面と平行な電界が生じるように配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
基板上にゲート配線と、
前記基板上に、前記ゲート配線と同一の材料で形成された容量配線と、
前記ゲート配線及び前記容量配線上に第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に、半導体層、前記半導体層上の第２の絶縁膜、及び前記第２の絶縁膜上のゲート電極で構成される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に形成され、かつ、前記薄膜トランジスタと電気的に接続する画素電極と、
前記第３の絶縁膜上に、前記画素電極と同一の材料で形成された共通配線と、
前記第３の絶縁膜を介して前記共通配線と重畳するように配置された信号配線と、
前記信号配線と前記半導体層を電気的に接続する接続電極と、を有し、
前記薄膜トランジスタは、前記共通配線と前記ゲート配線との交点に対応して設けられ、
前記画素電極と前記共通配線とは、前記基板の面と平行な電界が生じるように配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
一対の基板と、
前記一対の基板間に保持された液晶と、
前記一対の基板の一方の基板上にゲート配線と、
前記一方の基板上に、前記ゲート配線と同一の材料で形成された容量配線と、
前記ゲート配線及び前記容量配線上に第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に半導体層と、
前記半導体層上に第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に形成され、かつ、前記半導体層と電気的に接続する画素電極と、
前記第３の絶縁膜上に、前記画素電極と同一の材料で形成された共通配線と、
前記第３の絶縁膜を介して前記共通配線と重畳するように配置された信号配線と、
前記信号配線と前記半導体層を電気的に接続する接続電極と、を有し、
前記画素電極と前記共通配線とは、前記一方の基板の面と平行な電界が生じるように配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
一対の基板と、
前記一対の基板間に保持された液晶と、
前記一対の基板の一方の基板上にゲート配線と、
前記一対の基板上に、前記ゲート配線と同一の材料で形成された容量配線と、
前記ゲート配線及び前記容量配線上に第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に、半導体層、前記半導体層上の第２の絶縁膜、及び前記第２の絶縁膜上のゲート電極で構成される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に形成され、かつ、前記薄膜トランジスタに電気的に接続する画素電極と、
前記第３の絶縁膜上に、前記画素電極と同一の材料で形成された共通配線と、
前記第３の絶縁膜を介して前記共通配線と重畳するように配置された信号配線と、
前記信号配線と前記半導体層を電気的に接続する接続電極と、を有し、
前記薄膜トランジスタは、前記共通配線と前記ゲート配線との交点に対応して設けられ、
前記画素電極と前記共通配線とは、前記一方の基板の面と平行な電界が生じるように配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記一対の基板の他方の基板には、
前記薄膜トランジスタを有する画素部の各画素に対応した赤色のカラーフィルター層、青色のカラーフィルター層、及び緑色のカラーフィルター層と、
前記薄膜トランジスタと重畳するように設けられ、前記赤色のカラーフィルター層と前記青色カラーフィルター層とを積層して構成される遮光膜と、
前記他方の基板の前記カラーフィルター層が形成された面とは反対側の面に形成された透光性導電膜と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項５において、
ｎチャネル型薄膜トランジスタを有する駆動回路を有し、
前記画素部の薄膜トランジスタはｎチャネル型薄膜トランジスタであり、かつ、前記駆動回路が有するｎチャネル型薄膜トランジスタとは形状が異なっていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記画素部のｎチャネル型薄膜トランジスタが有する不純物領域と前記ゲート電極とが、重ならないことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第３の絶縁膜は、珪素を成分とする絶縁膜と、有機樹脂材料から成る絶縁膜とから成ることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第３の絶縁膜は、酸化珪素または窒化珪素または酸化窒化珪素から成る絶縁膜と、ポリイミドまたはアクリルまたはポリアミドまたはポリイミドアミドまたはベンゾシクロブテンから成る絶縁膜とから成ることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記液晶表示装置は、携帯電話、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、ＤＶＤプレイヤー、電子書籍、または携帯型情報端末であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
基板上にゲート配線及び容量配線を形成し、
前記ゲート配線及び前記容量配線上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にゲート電極と信号配線を形成し、
前記ゲート電極及び前記信号配線上に第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜上に、前記半導体層と電気的に接続する画素電極、前記第３の絶縁膜を介して前記信号配線に重畳する共通配線、及び前記共通配線と前記半導体層とを接続する接続電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１２】
一対の基板の一方の基板上にゲート配線及び容量配線を形成し、
前記ゲート配線及び前記容量配線上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にゲート電極と信号配線を形成し、
前記ゲート電極及び前記信号配線上に第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜上に、前記半導体層に接続する画素電極、前記第３の絶縁膜を介して前記信号配線に重畳する共通配線、及び前記共通配線と前記半導体層とを接続する接続電極とを形成し、
前記一対の基板間に液晶を挟持することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１３】
一対の基板の一方の基板上にゲート配線及び容量配線を形成し、
前記ゲート配線及び前記容量配線上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にゲート電極と信号配線を形成し、
前記ゲート電極及び前記信号配線上に第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜上に、前記半導体層に接続する画素電極、前記第３の絶縁膜を介して前記信号配線に重畳する共通配線、及び前記共通配線と前記半導体層とを接続する接続電極を形成し、
前記一対の基板の他方の基板に、各画素に対応した赤色のカラーフィルター層と、青色のカラーフィルター層と、緑色のカラーフィルター層とを形成し、
少なくとも前記半導体層と重畳するように、前記赤色カラーフィルター層と前記青色カラーフィルター層とを積層して構成される遮光膜を形成し、
前記他方の基板の前記カラーフィルター層が形成された面とは反対側の面に透光性導電膜を形成し、
前記一対の基板間に液晶を挟持することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記第３の絶縁膜は、珪素を成分とする絶縁膜と、有機樹脂材料から成る絶縁膜とから形成されることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至請求項１３いずれか一項において、
前記第３の絶縁膜は、酸化珪素または窒化珪素または酸化窒化珪素から成る絶縁膜と、ポリイミドまたはアクリルまたはポリアミドまたはポリイミドアミドまたはベンゾシクロブテンから成る絶縁膜とから形成されることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記液晶表示装置は、携帯電話、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、ＤＶＤプレイヤー、電子書籍、または携帯型情報端末であることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。