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【手続補正書】
【提出日】平成19年7月31日(2007.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学部材を光軸方向に駆動するアクチュエータと、
駆動される前記光学部材を案内するガイド部材とを備え、
前記光学部材は異なる機能を有する複数の機能部を有し、
前記ガイド部材の案内によって前記光学部材の各機能部の光軸を光線にそれぞれ合致させることを特徴とする光学装置。
【請求項２】
前記光学部材は前記アクチュエータの駆動軸に沿って駆動されるとともに、前記複数の機能部は光軸をそれぞれ有し、前記各光軸は前記駆動軸を中心とする同一円弧上に位置しており、前記光学部材は前記ガイド部材の案内によって前記駆動軸を中心に回動することを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
【請求項３】
前記ガイド部材を前記光学部材の駆動方向と略直交方向に駆動する別のアクチュエータを設けたことを特徴とする請求項１または２に記載の光学装置。
【請求項４】
前記ガイド部材は不連続部を有し、前記光学部材の駆動ストローク範囲内において前記ガイド部材による前記光学部材の案内が前記不連続部に対応する位置で解除されることを特徴とする請求項１または２に記載の光学装置。
【請求項５】
前記光学部材を駆動するアクチュエータは、
前記駆動軸と、
前記駆動軸の端部に伸縮方向一端が固定され、電圧印加により伸縮する電気機械変換素子と、
前記駆動軸に摩擦力で係合し、前記電気機械変換素子の伸縮によって前記駆動軸が変位することで前記駆動軸に沿って移動する可動部材とから構成され、
前記光学部材が前記可動部材であるか、または、前記可動部材に連結されていることを特徴とする前記請求項１ないし４のいずれかに記載の光学装置。
【請求項６】
前記駆動軸が前記ガイド部材を兼ねていることを特徴とする前記請求項１ないし５のいずれかに記載の光学装置。
【請求項７】
光学部材を光軸方向に駆動するアクチュエータと、
駆動される前記光学部材を案内するガイド部材とを備え、
前記光学部材は１つの機能部を有し、
前記ガイド部材の案内によって前記光学部材の機能部の光軸を複数の光線にそれぞれ合致させることを特徴とする光学装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明の光学装置において、前記光学部材を駆動するアクチュエータは、前記駆
動軸と、
前記駆動軸の端部に伸縮方向一端が固定され、電圧印加により伸縮する電気機械変換素子と、
前記駆動軸に摩擦力で係合し、前記電気機械変換素子の伸縮によって前記駆動軸が変位することで前記駆動軸に沿って移動する可動部材とから構成され、
前記光学部材が前記可動部材であるか、または、前記可動部材に連結されていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月8日(2007.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
加熱ローラ２２及び加圧ローラ２４の表面は、優れた離型性を有することが好ましく、例えば、加熱ローラ２２及び加圧ローラ２４の芯金の表面上に、直接又は他の層を介して、シリコーンゴム、フッ素ゴム、フッ素樹脂等の層を形成することが好ましい。
また、加熱ローラ２２及び加圧ローラ２４の表面は、表面粗さがＲａで０．０５〜１μｍであるように形成されているのも好ましい。これにより、安定した定着性を確保でき、良好な画質の画像を記録媒体に形成することができる。
また、加熱ローラ２２及び加圧ローラ２４の少なくとも一方にオイルを塗布するためのオイル塗布手段を設け、記録媒体の剥離性を高めても良い。オイルとしては、例えば、ジメチルシロキサン、アミノ基含有ジメチルシロキサン、オルガノポリシロキサン、ジメチルオルガノポリシロキサン等を単独、又は、適宜混合して、粘度を１００〜１０００ｃｓ程度にしたものを用いることができる（具体的には、信越化学製ＫＦ９６（３００ｃｓ）を用いた）。これにより、記録媒体Ｐの定着ローラへの張り付きを抑えることができ、加熱ローラ２２から記録媒体Ｐを容易に剥離することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
図８（ａ）〜（ｃ）に示すように、把持搬送手段１３０は、第１スプロケット１２６と、第２スプロケット１２８と、チェーン１３４と、グリッパユニット１３６と、搬送ローラ１４０と、カム１４２とから構成されている。
第１スプロケット１２６と第２スプロケット１２８は、搬送方向において、それらの間に定着ローラ対が挟まれるように配置されている。また、チェーン１３４は、第１スプロケット１２６と第２スプロケット１２８に巻き掛けられている。第１スプロケット１２６、第２スプロケット１２８及びチェーン１３４は、同様の構成でそれぞれのスプロケットが互いに対向するように搬送路を挟んで搬送路の両側にも設置されている。搬送路を挟んで両側に設けられている第１スプロケット１２６，１２６は、軸部材によって接続されており、第２スプロケット１２８，１２８も同様に軸部材によって接続されている。それら軸部材は、それぞれ第１スプロケット１２６及び第２スプロケット１２８の回転軸であり、互いに平行になるように配置されている。
ここで、第２スプロケット１２８は図示しない回転駆動手段に接続されており、把持搬送手段１３０の回転動力を供給している。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月24日(2007.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿の画像を読み取る読取手段と、
前記読取手段で読み取られた原稿の画像に基づき該原稿の印刷設定値を検出する検出手段と、
前記検出手段で検出された印刷設定値を用いて印刷を行う印刷手段と
を具備する画像形成装置。
【請求項２】
前記検出手段は、
前記読取手段で読み取られた原稿の画像に基づきパンチ穴、ステープル、Ｚ折り等の後処理に係わる印刷設定値の検出を行なう
請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記検出手段は、
前記後処理に係わる印刷設定値を前記原稿の画像に含まれる当該後処理の跡に基づき検出する
請求項２記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記検出手段は、
前記後処理に係わる印刷設定値を前記原稿の画像に含まれる当該後処理を指し示す情報に基づき検出する
請求項２記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記検出手段により検出された印刷設定値を表示器に表示制御する表示制御手段と、
前記表示制御手段により表示制御された前記印刷設定値を変更する変更手段と
を更に具備する請求項１記載の画像形成装置。
【請求項６】
画像形成装置に内蔵されたコンピュータを、
原稿から読み取られた該原稿の画像に基づき該原稿の印刷設定値を検出する検出手段、
前記検出手段で検出された印刷設定値を用いて印刷を行う印刷手段
として機能させるための画像形成プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置および画像形成プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像形成装置および画像形成プログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そこで、本発明は、煩雑な印刷設定値の設定操作を自動で行なえるようにした画像形成装置および画像形成プログラムを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するため、請求項１の画像形成装置の発明は、原稿の画像を読み取る読取手段と、前記読取手段で読み取られた原稿の画像に基づき該原稿の印刷設定値を検出する検出手段と、前記検出手段で検出された印刷設定値を用いて印刷を行う印刷手段とを具備する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、請求項２記載の発明は、請求項１の発明において、前記検出手段は、前記読取手段で読み取られた原稿の画像に基づきパンチ穴、ステープル、Ｚ折り等の後処理に係わる印刷設定値の検出を行なう。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、請求項３記載の発明は、請求項２の発明において、前記検出手段は、前記後処理に係わる印刷設定値を前記原稿の画像に含まれる当該後処理の跡に基づき検出する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、請求項４記載の発明は、請求項２の発明において、前記検出手段は、前記後処理に係わる印刷設定値を前記原稿の画像に含まれる当該後処理を指し示す情報に基づき検出する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、請求項５記載の発明は、請求項１の発明において、前記検出手段により検出された印刷設定値を表示器に表示制御する表示制御手段と、前記表示制御手段により表示制御された前記印刷設定値を変更する変更手段とを更に具備する。  
また、請求項６記載の画像形成プログラムの発明は、画像形成装置に内蔵されたコンピュータを、原稿から読み取られた該原稿の画像に基づき該原稿の印刷設定値を検出する検出手段、前記検出手段で検出された印刷設定値を用いて印刷を行う印刷手段として機能させる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、煩雑な印刷設定値の設定操作を行う必要がなくなるので、設定ミスを抑止することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
以下、この発明に係わる画像形成装置および画像形成プログラムの実施例について添付図面を参照して詳細に説明する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
本発明の画像形成装置および画像形成プログラムは、プリンタ、ファックス、コピー機、複合機などの画像形成装置全般に適用可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月8日(2007.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
ところで、上記特許文献１に記載のレンズ系の光軸調整装置では、レンズを偏心調整させ、ＵＶ照射ユニットによりＵＶ硬化型接着剤を硬化させ、鏡筒とレンズとを固定保持するような構成及び方法になっている。
しかしながら、ＵＶ硬化型接着剤に関わらず、接着剤全般に共通することであるが接着剤は硬化段階で収縮が発生するという問題がある。この収縮により調整された鏡筒とレンズとにはミクロンオーダーの偏心が生じてしまう。この偏心が規格内に収まれば良いが、外れてしまう場合は偏心不良となってしまう。
また、最近の技術動向として、被調整レンズの小型化という流れがある。小型化により要求される光学性能も厳しくなり、被調整レンズにはミクロンオーダーの偏心精度が求められている。このような状況の中で、従来のレンズ系光軸調整装置及び調整方法では、この要求精度を満足することは難しい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月13日(2007.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回動により開口を変えて光量を調整する遮光羽根部を樹脂により成型した光量調節用遮光羽根部材において、前記羽根部と共に前記羽根部の面に対し２個の回動のための軸部を一体的に射出型により成型し、前記羽根部の外縁の厚み方向の略中央部に射出型の型合わせ部を配置したことを特徴とする光量調節用遮光羽根部材。
【請求項２】
前記羽根部の外縁に前記型合わせ部に向う少なくとも２個の傾斜部又は円弧部を設けたことを特徴とする請求項１に記載の光量調節用遮光羽根部材。
【請求項３】
前記傾斜部又は円弧部の表面に光を乱反射させる凹凸形状のマット面を設けたことを特徴とする請求項２に記載の光量調節用遮光羽根部材。
【請求項４】
前記傾斜部又は円弧部において、前記射出型の固定型の離型抵抗を可動型よりも小さくしたことを特徴とする請求項２に記載の光量調節用遮光羽根部材。
【請求項５】
回動により開口を変えて光量を調整する遮光羽根部を樹脂により成型した光量調節用遮光羽根部材において、前記羽根部と共に前記羽根部の面に対し２個の回動のための軸部を一体的に射出型により成型し、前記軸部の根元部は円弧状としたことを特徴とする光量調節用遮光羽根部材。
【請求項６】
回動により開口を変えて光量を調整する遮光羽根部を樹脂により成型した光量調節用遮光羽根部材において、前記羽根部と共に前記羽根部の面に対し２個の回動のための軸部を一体的に射出型により成型し、前記羽根部が互いに重ならない部分は前記羽根部が重なる部分よりも肉厚を厚くしたことを特徴とする光量調節用遮光羽根部材。
【請求項７】
前記２個の回動のための軸部は前記羽根部の表面及び裏面にそれぞれ設けた請求項１又は５又は６に記載の光量調節用遮光羽根部材。
【請求項８】
前記羽根部の遮光部の表面及び裏面に光を乱反射させる凹凸形状のマット面を設け、前記遮光部ではない表面及び裏面は、前記マット面とは異なる表面形状としたことを特徴とする請求項１又は５又は６に記載の光量調節用遮光羽根部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するための本発明に係る光量調節用遮光羽根部材の技術的特徴は、回動により開口を変えて光量を調整する遮光羽根部を樹脂により成型した光量調節用遮光羽根部材において、前記羽根部と共に前記羽根部の面に対し２個の回動のための軸部を一体的に射出型により成型し、前記羽根部の外縁の厚み方向の略中央部に射出型の型合わせ部を配置したことにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明に係る光量調節用遮光羽根部材の技術的特徴は、回動により開口を変えて光量を調整する遮光羽根部を樹脂により成型した光量調節用遮光羽根部材において、前記羽根部と共に前記羽根部の面に対し２個の回動のための軸部を一体的に射出型により成型し、前記軸部の根元部は円弧状としたことにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
更に、本発明に係る光量調節用遮光羽根部材の技術的特徴は、回動により開口を変えて光量を調整する遮光羽根部を樹脂により成型した光量調節用遮光羽根部材において、前記羽根部と共に前記羽根部の面に対し２個の回動のための軸部を一体的に射出型により成型し、前記羽根部が互いに重ならない部分は前記羽根部が重なる部分よりも肉厚を厚くしたことにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図３は遮光羽根製作用の射出成型の型構造断面図であり、図２の絞り羽根３のＡ−Ａ断面に相当している。射出型は可動型１１と固定型１２から成り、可動型１１には絞り羽根３のカム軸部３ｂを形成するためのキャビティ１１ａ、樹脂流れを良くしカム軸部３ｂの強度を増すための円弧部１１ｂ、また絞り羽根３を成型するキャビティ１１ｃが形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
固定型１２には、樹脂を注入するためのゲート部１２ａ、回転軸部３ａを形成するためのキャビティ１２ｂ、可動型１１のキャビティ１１ｃと共働して絞り羽根３を成型するキャビティ１２ｃ、樹脂流れを良好にし回転軸部３ａの強度を増すための円弧部１２ｄが形成されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本実施例の絞り羽根３は、羽根端部３ｆには少なくとも２個の傾斜部又は円弧部を有することにより、羽根端部３ｆまで安定して樹脂が流れ、薄い羽根を射出成型で製作することを可能としている。更に、回転軸部３ａ、カム軸部３ｂを射出成型する際に流動抵抗を減らし、湯流れを良くするために軸部３ａ、３ｂの根元部を円弧状にして、軸部３ａ、３ｂの抜け、折れ強度を向上させる効果もある。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月28日(2006.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板にソース領域、ドレイン領域およびゲート領域を備えてなる電界効果トランジスタ式センサにおいて、メソ細孔を有し且つ該メソ細孔の壁面に酸化スズの微結晶を含んでなる多孔質体を該ゲート領域に備え、且つ、該多孔質体がＸ線回折分析において１ｎｍ以上の構造周期性に対応する角度領域に少なくとも一つの回折ピークを有することを特徴とする電解効果トランジスタ式センサ。
【請求項２】
前記メソ細孔の径の分布が窒素ガス吸着測定により求められたものであり、該分布が単一の極大値を有し、且つ６０％以上の前記メソ細孔の径が該極大値に対してプラスマイナス５ナノメートル以内の範囲に含まれることを特徴とする請求項１に記載の電解効果トランジスタ式センサ。
【請求項３】
前記微結晶の平均結晶子径が２．７ｎｍ以上６ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至２のいずれかに記載の電解効果トランジスタ式センサ。
【請求項４】
前記多孔質体が薄膜状であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電解効果トランジスタ式センサ。
【請求項５】
半導体基板にソース領域、ドレイン領域およびゲート領域を備えてなる電解効果トランジスタ式センサの製造方法において、
溶媒にスズ化合物と界面活性剤を溶解し反応溶液を作製する工程、
該反応溶液を該ゲート領域に配置する工程、
水蒸気を含む雰囲気中に該基板を保持し多孔質体前駆体を作製する工程、
該前駆体から界面活性剤を除去して多孔質体を作製する工程
を有することを特徴とする電解効果トランジスタ式センサの製造方法。
【請求項６】
前記界面活性剤が非イオン性界面活性剤であることを特徴とする請求項５に記載の電解効果トランジスタ式センサの製造方法。
【請求項７】
前記界面活性剤がエチレンオキサイド鎖を含んでいることを特徴とする請求項５乃至６のいずれかに記載の電解効果トランジスタ式センサの製造方法。
【請求項８】
前記界面活性剤がブロックコポリマーであることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の電解効果トランジスタ式センサの製造方法。
【請求項９】
水蒸気を含む雰囲気中に前記基板を保持し前記多孔質体前駆体を作製する工程が、１００℃以下で行われることを特徴とする請求項５乃至８のいずれかに記載の電解効果トランジスタ式センサの製造方法。
【請求項１０】
水蒸気を含む雰囲気中に前記基板を保持し前記多孔質体前駆体を作製する工程が、相対湿度４０％以上１００％以下で行われることを特徴とする請求項５乃至８のいずれかに記載の電解効果トランジスタ式センサの製造方法。
【請求項１１】
半導体基板にソース領域、ドレイン領域およびゲート領域を備えてなる電界効果トランジスタ式センサにおいて、メソ孔を有し且つ該メソ孔の壁面に酸化スズの結晶を含んでなる多孔質体を該ゲート領域に備えることを特徴とする電解効果トランジスタ式センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月24日(2007.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光送信器と、
光受信器と、
前記光送信器と前記光受信器の間にあって、該光送信器と該光受信器を取り付けて光学的に結合し積層体を形成する少なくとも３層の材料とを備えることを特徴とするオプトカプラ。
【請求項２】
前記少なくとも３層の材料は、透光性であって、絶縁層と、固定層と、前記絶縁層と前記固定層の間の遮断層とを備えることを特徴とする請求項１記載のオプトカプラ。
【請求項３】
前記絶縁層は、二酸化ケイ素と窒化ケイ素とベンゾシクロブテン層のうちの一つを備え、
前記固定層はエポキシ層を備え、
前記遮断層はガラス層とポリイミド層のうちの一つを備える、
ことを特徴とする請求項２記載のオプトカプラ。
【請求項４】
前記絶縁層は前記光受信器に一体的に形成してあり、
前記固定層が前記光送信器を前記遮断層に取り付けている、
ことを特徴とする請求項２記載のオプトカプラ。
【請求項５】
前記固定層は前記光受信器の一体形成部分であることを特徴とする請求項４記載のオプトカプラ。
【請求項６】
前記絶縁層と前記遮断層の間に別の透光性固定層をさらに備え、
前記別の固定層が前記遮断層を前記絶縁層に取り付ける、
ことを特徴とする請求項２記載のオプトカプラ。
【請求項７】
前記光送信器の少なくとも一部と前記光受信器の少なくとも一部を覆い、前記光送信器からの光信号を前記光受信器へ案内する透光性導光体をさらに備えることを特徴とする請求項１記載のオプトカプラ。
【請求項８】
前記光送信器は前面発光ダイオードを備え、
前記透光性導光体は前記前面発光ダイオードにより前記光受信器へ送信された光信号を反射する反射面を備える、
ことを特徴とする請求項７記載のオプトカプラ。
【請求項９】
前記積層体を支持する基板をさらに備え、
該基板が前記光送信器と前記光受信器とに電気的に接続した複数の互いに電気的に絶縁した導体を有する、
ことを特徴とする請求項１記載のオプトカプラ。
【請求項１０】
前記光送信器と前記光受信器を被包する被包体をさらに備えることを特徴とする請求項９記載のオプトカプラ。
【請求項１１】
第１のダイ上に絶縁層を配置するステップと、
前記絶縁層上に遮断層を配置するステップと、
前記遮断層上に固定層を配置するステップと、
前記固定層上に第２のダイを配置するステップと、
を有することを特徴とするオプトカプラ製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁層と前記遮断層と前記固定層は透光性であることを特徴とする請求項１１記載のオプトカプラ製造方法。
【請求項１３】
前記透光性絶縁層は二酸化ケイ素と窒化ケイ素とベンゾシクロブテン層の一つを備え、
前記透光性遮断層はエポキシ層を備え、
前記透光性固定層はガラス層とポリイミド層のうちの一方を備える、
ことを特徴とする請求項１１記載のオプトカプラ製造方法。
【請求項１４】
第１のダイ上に絶縁層を配置する前記ステップは、前記第１のダイを得る該第１のダイのウェーハ上に絶縁層を形成するステップを有することを特徴とする請求項１１記載のオプトカプラ製造方法。
【請求項１５】
前記絶縁層上に遮断層を配置する前記ステップは、前記ウェーハ上に前記絶縁層を形成した後に前記絶縁層上に遮断層をスピンコートするステップを有することを特徴とする請求項１４記載のオプトカプラ製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁層上に遮断層を配置する前記ステップは、前記遮断層を配置する前に前記遮断層を配置するためのもう１つの固定層を前記絶縁層上に配置するステップを有することを特徴とする請求項１１記載のオプトカプラ製造方法。
【請求項１７】
前記第１のダイの少なくとも一部及び前記第２のダイの少なくとも一部を覆って、前記第１のダイと前記第２のダイの間で光信号を案内する透光性導光体を形成するステップをさらに有することを特徴とする請求項１１記載のオプトカプラ製造方法。
【請求項１８】
基板上に複数の互いに電気的に絶縁した導体を有する該基板上に第１のダイを搭載するステップと、
前記第１のダイと前記第２のダイを対応する前記導体に電気的に接続するステップと、
をさらに有することを特徴とする請求項１１記載のオプトカプラ製造方法。
【請求項１９】
前記第１のダイと前記第２のダイを被包体内に被包するステップをさらに有することを特徴とする請求項１８記載のオプトカプラ製造方法。
【請求項２０】
該基板上に第１のダイを搭載する前記ステップが、前記第１のダイを複数の相接する基板装置のうちの一つに装着するステップを有するとともに、前記複数の相接する基板装置の一つを他の前記基板装置から切り離すステップをさらに有することを特徴とする請求項１８記載のオプトカプラ製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月24日(2007.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタ及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体膜にパルス発振型のレーザ光を照射することにより、格子状に整列した複数のリッジ、及び前記複数のリッジ間に形成された結晶粒を有する結晶性半導体膜を有する薄膜トランジスタであって、
前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、隣接する前記リッジ間に設けられる
ことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
半導体膜にパルス発振型のレーザ光を照射することにより、格子状に整列した複数のリッジ、及び前記複数のリッジ間に形成された結晶粒を有する結晶性半導体膜を有する薄膜トランジスタであって、
前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、結晶粒界を有さない
ことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
半導体膜にパルス発振型のレーザ光を照射することにより、格子状に整列した複数のリッジ、及び前記複数のリッジ間に形成された結晶粒を有する結晶性半導体膜を有する薄膜トランジスタであって、
前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、一つの前記結晶粒のみ有する
ことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
半導体膜にパルス発振型のレーザ光を照射することにより、格子状に整列した複数のリッジ、及び前記複数のリッジ間に形成された結晶粒を有する結晶性半導体膜と、前記結晶性半導体膜に設けられたゲート電極とを有する薄膜トランジスタであって、
前記ゲート電極は隣接する前記リッジ間に設けられている
ことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
半導体膜にパルス発振型のレーザ光を照射することにより、格子状に整列した複数のリッジ、及び前記複数のリッジ間に形成された結晶粒を有する結晶性半導体膜と、前記結晶性半導体膜に設けられたゲート電極とを有する薄膜トランジスタであって、
前記ゲート電極は一つの前記結晶粒上に設けられている
ことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記結晶性半導体膜が有する結晶粒の大きさは、
前記レーザの発振波長と同程度の間隔である
ことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項７】
半導体膜にパルス発振型のレーザ光を照射することにより、格子状に整列した複数のリッジ、及び前記複数のリッジ間に形成された結晶粒を、前記レーザ光の発振波長と同程度の間隔で整列した結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜をパターニングする薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域が前記結晶粒を一つ有するように、前記結晶性半導体膜をパターニングする
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
半導体膜にパルス発振型のレーザ光を照射することにより、格子状に整列した複数のリッジ、及び前記複数のリッジ間に形成された結晶粒を、前記レーザ光の発振波長と同程度の間隔で整列した結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜をパターニングする薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域が前記結晶粒の粒界を有さないように、前記結晶性半導体膜をパターニングする
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
非晶質半導体膜にプラズマ処理を施し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱することにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜にパルス発振型のレーザ光を照射することにより、格子状に整列した複数のリッジ、及び前記複数のリッジ間に形成された結晶粒を、前記レーザ光の発振波長と同程度の間隔で整列するように形成し、
前記結晶性半導体膜をパターニングする薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域が前記結晶粒を一つ有するように、前記結晶性半導体膜をパターニングする
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
非晶質半導体膜にプラズマ処理を施し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱することにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜にパルス発振型のレーザ光を照射することにより、格子状に整列した複数のリッジ、及び前記複数のリッジ間に形成された結晶粒を、前記レーザ光の発振波長と同程度の間隔で整列するように形成し、
前記結晶性半導体膜をパターニングする薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域が前記結晶粒の粒界を有さないように、前記結晶性半導体膜をパターニングする
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０において、
希ガス元素、窒素およびアンモニアから選ばれた一種または複数種を主成分とする気体をプラズマ化した雰囲気中に、半導体膜を曝すことにより前記プラズマ処理を施す
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１２】
請求項７乃至１１のいずれか一において、
前記パターニングされた結晶性半導体膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に有機材料を塗布し、
前記有機材料を露光することによりマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電膜をエッチングすることによりゲート電極を隣接する前記リッジ間に形成する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記導電膜をエッチングすることにより形成されたゲート電極の幅は、前記マスクの幅より細い
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１４】
請求項９乃至１３のいずれか一において、前記結晶化を促進する金属元素は、Ｎｉであることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１５】
請求項９乃至１４のいずれか一において、スピンコーティング法、ディップ法、イオン注入法、又はスパッタリング法により前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を含む溶液を添加することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月24日(2007.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】結晶性半導体膜の作製方法、及び薄膜トランジスタの作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱することにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜に偏光方向が制御されたパルス発振型のレーザ光を照射することにより、前記結晶性半導体膜表面に格子状に整列したリッジが形成され、前記リッジの間隔は前記レーザ光の発振波長と同程度の間隔で形成されることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項２】
非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱することにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜に偏光方向が制御されたパルス発振型のレーザ光を一度照射することにより、前記結晶性半導体膜表面に格子状に整列したリッジが形成され、前記リッジの間隔は前記レーザ光の発振波長と同程度の間隔で形成されることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項３】
非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱することにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜に偏光方向が制御されたパルス発振型のレーザ光を照射することにより、前記結晶性半導体膜表面に格子状に整列したリッジが形成され、前記リッジの間隔は前記レーザ光の発振波長と同程度の間隔で形成され、前記リッジに前記金属元素を偏析させることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項４】
非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱することにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜に偏光方向が制御されたパルス発振型のレーザ光を一度照射することにより、前記結晶性半導体膜表面に格子状に整列したリッジが形成され、前記リッジの間隔は前記レーザ光の発振波長と同程度の間隔で形成され、前記リッジに前記金属元素を偏析させることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記パルス発振型のレーザ光の走査方向と、前記リッジの整列方向は揃うことを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記結晶化を促進する金属元素は、Ｎｉであることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、スピンコーティング法、ディップ法、イオン注入法、又はスパッタリング法により前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を含む溶液を添加することを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の結晶性半導体膜の作製方法により得られた結晶性半導体膜をパターニングし、
前記パターニングされた結晶性半導体膜にソース領域、及びドレイン領域を形成し、
前記結晶性半導体膜に形成されたリッジの整列方向と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域を流れる電流の方向が沿うようにパターニングすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月24日(2007.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体膜にパルス発振型のレーザ光を照射することにより、格子状に整列したリッジ間に設けられ、且つ隣接間で配向性の揃った結晶粒を有する結晶性半導体膜と、
配向性がランダムな結晶粒を有する結晶性半導体膜と、を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体膜にパルス発振型のレーザ光を照射することにより、格子状に整列したリッジ間に設けられ、且つ隣接間で配向性の揃った結晶粒を有する結晶性半導体膜を用いた薄膜トランジスタと、
配向性がランダムな結晶粒を有する結晶性半導体膜を用いた容量素子と、を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体膜にパルス発振型のレーザ光を照射することにより、格子状に整列したリッジ間に設けられ、且つ隣接間で配向性の揃った結晶粒を有する結晶性半導体膜を用いた薄膜トランジスタと、
配向性がランダムな結晶粒を有する結晶性半導体膜を用いた容量素子と、を有する画素部を含む
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２又は３において、
前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、前記リッジを有さない
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記結晶粒の大きさは、前記半導体膜へ照射するパルスレーザの発振波長と同程度の間隔である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を選択的に添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱することにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜にパルス発振型のレーザ光を照射することにより、格子状に整列し、
且つ隣接間で配向性が揃った結晶粒が形成されるリッジを、前記レーザ光の発振波長と同程度の間隔で整列するように形成し、
前記結晶性半導体膜を前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域が前記配向性の揃った結晶粒からなるようにパターニングする
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を選択的に添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱することにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜にパルス発振型のレーザ光を照射することにより、格子状に整列し、
且つ隣接間で配向性が揃った結晶粒が形成されるリッジを、前記レーザ光の発振波長と同程度の間隔で整列するように形成し、
前記結晶性半導体膜を前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域が前記配向性の揃った結晶粒からなり、且つ前記金属元素が添加されない半導体膜を有する容量素子を形成するようにパターニングする
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
非晶質半導体膜にプラズマ処理を施し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を選択的に添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱することにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜にパルス発振型のレーザ光を照射することにより、格子状に整列し、
且つ隣接間で配向性の揃った結晶粒が形成されるリッジを、前記レーザ光の発振波長と同程度の間隔で整列するように形成し、
前記結晶性半導体膜を前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域が前記配向性の揃った結晶粒からなるようにパターニングする
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
非晶質半導体膜にプラズマ処理を施し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を選択的に添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱することにより結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜にパルス発振型のレーザ光を照射することにより、格子状に整列し、
且つ隣接間で配向性の揃った結晶粒が形成されるリッジを、前記レーザ光の発振波長と同程度の間隔で整列するように形成し、
前記結晶性半導体膜を前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域が前記配向性の揃った結晶粒からなり、且つ前記金属元素が添加されない半導体膜を有する容量素子を形成するようにパターニングする
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８又は９において、
希ガス元素、窒素およびアンモニアから選ばれた一種または複数種を主成分とする気体をプラズマ化した雰囲気中に、半導体膜を曝すことにより前記プラズマ処理を施す
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項６乃至１０のいずれか一において
前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域が前記配向性の揃った結晶粒からなり、且つ前記結晶粒の結晶粒界を有さないように前記結晶性半導体膜をパターニングする
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項６乃至１１のいずれか一において、
前記パターニングされた結晶性半導体膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に有機材料を塗布し、
前記有機材料を露光することによりマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電膜をエッチングすることによりゲート電極を形成し、前記ゲート電極は隣接する前記リッジ間に形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記導電膜をエッチングすることにより形成されたゲート電極の幅は、前記マスクの幅より細い
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項６乃至１３のいずれか一において、スピンコーティング法、ディップ法、イオン注入法、又はスパッタリング法により前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を含む溶液を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項６乃至１４のいずれか一において、前記結晶化を促進する金属元素は、Ｎｉであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月25日(2007.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モーターに対して駆動信号を出力する複数のＨブリッジ回路と、
前記Ｈブリッジ回路を制御する制御部と、
前記Ｈブリッジ回路にて駆動するモーターの種類についてのデータに基づき、１つのモーターを駆動するために、複数のＨブリッジ回路を独立して駆動させるか、組み合わせて駆動するかの設定を行う設定部とを備えることを特徴とするモーター駆動回路。
【請求項２】
前記設定部は、駆動するために大電流を必要としないＤＣモーターを駆動する場合には、複数のＨブリッジ回路を独立して駆動させるように設定することを特徴とする請求項１に記載のモーター駆動回路。
【請求項３】
前記設定部は、駆動するために大電流を必要とするＤＣモーターを駆動する場合には、複数のＨブリッジ回路を組み合わせて駆動させるように設定することを特徴とする請求項１に記載のモーター駆動回路。
【請求項４】
前記設定部は、ステッピングモーターを駆動する場合には、複数のＨブリッジ回路を組み合わせて駆動させるように設定することを特徴とする請求項１に記載のモーター駆動回路。
【請求項５】
少なくとも１つのＤＣモーター、少なくとも１つのステッピングモーター、少なくとも１つのＤＣモータと１つのステッピングモーター、のいずれかを接続することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のモーター駆動回路。
【請求項６】
前記制御部は、ステッピングモーターを駆動する駆動信号を生成する第１生成回路とＤＣモータを駆動する駆動信号を生成する第２生成回路とを備え、前記初期設定に基づき、前記第１生成回路と前記第２生成回路のうちいずれか一方を選択することを特徴とする請求項１から５に記載のモーター駆動回路。
【請求項７】
前記第１生成回路は、入力するシリアルデータをラッチするラッチ手段を備えることを特徴とする請求項６に記載のモーター駆動回路。
【請求項８】
前記第２生成回路は、ＰＷＭ信号を入力して駆動信号を生成することを特徴とする請求項６に記載のモーター駆動回路。
【請求項９】
ステッピングモーター用のクロック信号を入力する端子とＤＣモーターの位相信号を入力する端子を兼用していることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載のモーター駆動回路。
【請求項１０】
前記モーター駆動回路は、ステッピングモーター用のシリアルデータを入力する端子とＤＣモーターの位相信号を入力する端子を兼用していることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載のモーター駆動回路。
【請求項１１】
記録ヘッドを用いて記録を行う記録装置であって、
制御コントローラと、
前記制御コントローラから入力した信号に基づき、モーターを駆動する複数のＨブリッジ回路を有するモーター駆動回路とを備え、
所定のタイミングで、前記モーター駆動回路はモーターの種類についてのデータを前記制御コントローラから入力し、
前記モーター駆動回路は前記データに基づき、１つのモーターを駆動するために、複数のＨブリッジ回路を独立して駆動させるか、組み合わせて駆動するかの設定を行うことを特徴とする記録装置。
【請求項１２】
前記モーター駆動回路は、前記データを、モード信号とクロック信号に基づきシリアルデータを入力することを特徴とする請求項９に記載の記録装置。
【請求項１３】
前記Ｈブリッジ回路が動作しない状態で、前記モーター駆動回路は設定を行うことを特徴とする請求項９または１０に記載の記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のモーター駆動回路は、モーターに対して駆動信号を出力する複数のＨブリッジ回路と、前記Ｈブリッジ回路を制御する制御部と、前記Ｈブリッジ回路にて駆動するモーターの種類についてのデータに基づき、１つのモーターを駆動するために、複数のＨブリッジ回路を独立して駆動させるか、組み合わせて駆動するかの設定を行う設定部とを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の記録装置は、記録ヘッドを用いて記録を行う記録装置であって、制御コントローラと、前記制御コントローラから入力した信号に基づき、モーターを駆動するＨブリッジ回路を複数有するモーター駆動回路とを備え、所定のタイミングで、前記モーター駆動回路はモーターの種類についてのデータを前記制御コントローラから入力し、前記モーター駆動回路は前記データに基づき、１つのモーターを駆動するために、複数のＨブリッジ回路を独立して駆動させるか、組み合わせて駆動するかの設定を行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月4日(2007.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチトキャパシタ増幅回路において、
オペアンプと、
前記スイッチトキャパシタ増幅回路の第一入力端子と前記オペアンプの第一入力端子との間に設けられ、所定期間に前記スイッチトキャパシタ増幅回路の第一入力端子の電圧から第一基準電圧を減算した電圧に基づき、電荷量が変化する第一容量と、
前記スイッチトキャパシタ増幅回路の第二入力端子と前記オペアンプの第二入力端子との間に設けられ、前記所定期間に前記スイッチトキャパシタ増幅回路の第二入力端子の電圧から第二基準電圧を減算した電圧に基づき、電荷量が変化する第二容量と、
前記オペアンプの第一入力端子と前記オペアンプの出力端子との間に設けられ、前記所定期間に前記オペアンプの出力端子の電圧から第一参照電圧を減算した電圧に基づき、電荷量が変化する第三容量と、
前記オペアンプの第二入力端子と前記第一基準電圧が印加される端子との間に設けられ、前記所定期間に前記第一基準電圧から第二参照電圧を減算した電圧に基づき、電荷量が変化する第四容量と、
を備えていることを特徴とするスイッチトキャパシタ増幅回路。
【請求項２】
前記第一参照電圧と前記第二参照電圧とのどちらか一方が、温度特性を持つことを特徴とする請求項１記載のスイッチトキャパシタ増幅回路。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月12日(2007.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有するソースフォロワを複数有する回路であって、
前記第１のトランジスタのソース電極は前記第２のトランジスタのドレイン電極に電気的に接続し、
前記第２のトランジスタのゲート電極に電気的に接続された第１の電源線と、
前記第２のトランジスタのソース電極に電気的に接続された第２の電源線と、
定電流源を介して前記第１の電源線と電気的に接続された第３の電源線と、を有し、
前記複数のソースフォロワのうち、ｎ（ｎは自然数）番目とｎ＋１番目のソースフォロワ間の前記第２の電源線の抵抗をＲｄ（ｎ）、ｎ番目とｎ＋１番目のソースフォロワ間の前記第１の電源線の抵抗をｒｂ（ｎ）、抵抗Ｒｄ（ｎ）に流れる電流をｉｄ（ｎ）、抵抗ｒｂ（ｎ）に流れる電流をｉｂ（ｎ）としたとき、
Ｒｄ（ｎ）×ｉｄ（ｎ）＝ｒｂ（ｎ）×ｉｂ（ｎ）を満たすことを特徴とするソースフォロワを有する回路。
【請求項２】
第１のトランジスタ及び第２のトランジスタとを有するソースフォロワを複数有する回路であって、
前記第１のトランジスタのソース電極は前記第２のトランジスタのドレイン電極に電気的に接続し、
前記第２のトランジスタのゲート電極に電気的に接続された第１の電源線と、
前記第２のトランジスタのソース電極に電気的に接続された第２の電源線と、
抵抗を介して前記第１の電源線と電気的に接続された第３の電源線と、を有し、
前記複数のソースフォロワのうち、ｎ（ｎは自然数）番目とｎ＋１番目のソースフォロワ間の前記第２の電源線の抵抗をＲｄ、ｎ番目とｎ＋１番目のソースフォロワ間の前記第１の電源線の抵抗をｒｂ、ｎ番目のソースフォロワに流れる電流をｉｃ、前記第１の電源線と前記第３の電源線の間に設けられた前記抵抗に流れる電流をｉｍとしたとき、
ｒｂ×ｉｍ＝Ｒｄ×ｉｃを満たすことを特徴とするソースフォロワを有する回路。
【請求項３】
請求項１において、前記第１の電源線と前記第３の電源線の間に設けられた前記定電流源は、前記複数のソースフォロワにおいて各ソースフォロワに一つずつ設けられていることを特徴とするソースフォロワを有する回路。
【請求項４】
請求項２において、前記第１の電源線と前記第３の電源線の間に設けられた前記抵抗は、前記複数のソースフォロワにおいて各ソースフォロワに一つずつ設けられていることを特徴とするソースフォロワを有する回路。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタはそれぞれ、薄膜トランジスタであることを特徴とするソースフォロワを有する回路。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタはそれぞれ、同じ導電型を有することを特徴とするソースフォロワを有する回路。
【請求項７】
画素部と、信号線駆動回路と、走査線駆動回路と、を有し、
前記信号線駆動回路には、請求項１乃至請求項６のいずれか一の前記ソースフォロワを有する回路を具備することを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
なお、図１では、Ｎチャネル型のトランジスタを用いたソースフォロワを用いているがＰチャネル型のトランジスタを用いたソースフォロワの場合も同様である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
なお、図２の例では、Ｎチャネル型のトランジスタを用いたソースフォロワを用いているがＰチャネル型のトランジスタを用いたソースフォロワの場合も同様である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月18日(2007.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
図８は、電気信号評価部２１１ｅの詳細な構成を示すブロック図である。図８において
、電気信号評価部２１１ｅは、バンドパスフィルタ−ａ（以下、ＢＰＦ−ａと呼ぶ）２５５と、バンドパスフィルタ−（２ａ−ｂ）（以下、ＢＰＦ−（２ａ−ｂ）と呼ぶ）２５６と、レベル検出部２５３−１〜２５３−２と、レベル判定部２５４とからなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
レベル判定部２５４は、レベル検出部２５３−１によって検出された試験信号ａのレベルに対して、レベル検出部２５３−２によって検出された相互変調ひずみのレベルが一定レベル以上であるか否かを判断する。試験信号ａのレベルに対する相互変調ひずみのレベルが一定レベル以上になった場合、レベル判定部２５４は、無線信号の送信を停止するようパワー制御部２０９に指示する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
図９は、電気信号評価部２１１ｆの構成を示すブロック図である。高調波ひずみを検出する場合、図５に示す中継装置２０ｂは、電気信号評価部２１１の代わりに、図９に示す電気信号評価部２１１ｆを含む。図９において、電気信号評価部２１１ｆは、バンドパスフィルタ−ａ（以下、ＢＰＦ−ａと呼ぶ）２５５と、バンドパスフィルタ−２ａ（以下、ＢＰＦ−２ａと呼ぶ）２５７と、レベル検出部２５３−１〜２５３−２と、レベル判定部２５４とからなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
レベル判定部２５４は、レベル検出部２５３−１によって検出された試験信号ａのレベルに対して、レベル検出部２５３−２によって検出された高調波ひずみのレベルが一定レベル以上であるか否かを判断する。試験信号ａのレベルに対する高調波ひずみのレベルが一定レベル以上になった場合、レベル判定部２５４は、無線信号の送信を停止するようパワー制御部２０９に指示する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
パワー制御部２０９は、電気信号評価部２１１からの指示に応じて、無線信号の出力を停止させる。パワー制御部２０９の具体的な動作は、図４に示すパワー制御部２０９と同様であるため、説明を省略する。