【手続補正書】
【提出日】平成20年7月25日(2008.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フェノール及びメチルエチルケトンを製造する方法であって、
（ａ）ベンゼン及びＣ４アルキル化剤を含む原材料をアルキル化条件下で、１２．４±０．２５、６．９±０．１５、３．７５±０．０７、及び３．４２±０．０７オングストロームにおける格子面間隔の最大値を含むＸ線回折パターンを有するモレキュラーシーブを含む、触媒に接触させてｓｅｃ−ブチルベンゼンを生成する工程と、
（ｂ）前記（ａ）において生成されたｓｅｃ−ブチルベンゼンを酸化してヒドロペルオキシドを生成する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）において生成されたヒドロキシペルオキシドを分解してフェノール及びメチルエチルケトンを製造する工程とを含む方法。
【請求項２】
ｓｅｃ−ブチルベンゼンを製造する方法であって、
ベンゼン及びＣ４アルキル化剤を含む原材料をアルキル化条件下で、（ａ）１２．４±０．２５、６．９±０．１５、３．７５±０．０７、及び３．４２±０．０７オングストロームの格子面間隔の最大値を含むＸ線回折パターンを有するモレキュラーシーブを含む、触媒に接触させて０．１２重量％未満のｉｓｏ−ブチルベンゼン又はｔｅｒｔ−ブチルベンゼンを含むｓｅｃ−ブチルベンゼンを生成する工程を含む方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法であって、前記ｓｅｃ−ブチルベンゼン中のｉｓｏ−ブチルベンゼンが０．５重量％未満であることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法であって、前記ｓｅｃ−ブチルベンゼン中のｔｅｒｔ−ブチルベンゼンが０．１重量％未満であることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法であって、前記ｓｅｃ−ブチルベンゼン中のｉｓｏ−及びｔｅｒｔ−ブチルベンゼンが０．５重量％未満であることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法であって、前記（ａ）におけるＣ４アルキル化剤が直鎖ブテンを含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、前記直鎖ブテンが、１−ブテン及び／又は２−ブテンを含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項６又は７のいずれか１項に記載の方法であって、前記直鎖ブテンが混合Ｃ４流れの中に存在することを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項９に記載の方法であって、前記混合Ｃ４流れが以下の主要成分を含む蒸気分解された粗Ｃ４流れから提供されることを特徴とする方法：
３０乃至８５重量％ブタジエン
０乃至１５重量％Ｃ４アセチレン
１乃至３０重量％ブテン−１
１乃至１５重量％ブテン−２
０乃至３０重量％イソブテン
０乃至１０重量％ノルマル−ブタン
０乃至１重量％ｉｓｏ−ブタン
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の方法であって、前記混合Ｃ４流れが、ブタジエンを除去するために、蒸気分解された粗Ｃ４流れを溶媒抽出工程にかけることにより得られたラフィネート流れから提供されることを特徴とし、
前記ラフィネート流れが以下の主要な成分を含むことを特徴とする方法：
０乃至２重量％ブタジエン
０乃至０．５重量％Ｃ４アセチレン
２０乃至５０重量％ブテン−１
１０乃至３０重量％ブテン−２
０乃至５５重量％イソブテン
０乃至５５重量％ノルマル−ブタン
０乃至１重量％ｉｓｏ−ブタン
【請求項１１】
請求項８又は９に記載の方法であって、前記混合Ｃ４流れが、ブタジエンを除去するために、蒸気分解された粗Ｃ４流れを水素化工程にかけることにより得られたラフィネート流れから提供されることを特徴とし、
前記ラフィネート流れが以下の主要な成分を含むことを特徴とする方法：
０乃至２重量％ブタジエン
０乃至０．５重量％Ｃ４アセチレン
５０乃至９５重量％ブテン−１
０乃至２０重量％ブテン−２
０乃至３５重量％イソブテン
０乃至１０重量％ノルマル−ブタン
０乃至１重量％ｉｓｏ−ブタン
【請求項１２】
請求項８又は９に記載の方法であって、前記混合Ｃ４流れが、蒸気分解された粗Ｃ４流れをブタジエン除去のための溶媒抽出工程とイソ−ブテン除去工程とで処理することにより得られたラフィネート流れから提供されることを特徴とし、
前記ラフィネート流れが以下の主要な成分を含むことを特徴とする方法：
０乃至１重量％ブタジエン
０乃至０．５重量％Ｃ４アセチレン
２５乃至７５重量％ブテン−１
１５乃至４０重量％ブテン−２
０乃至５重量％イソブテン
０乃至５５重量％ノルマル−ブタン
０乃至２重量％ｉｓｏ−ブタン
【請求項１３】
請求項８又は９に記載の方法であって、前記混合Ｃ４流れが、蒸気分解された粗Ｃ４流れをブタジエン除去のための水素化工程とイソ−ブテン除去工程で処理することにより得られたラフィネート流れから提供されることを特徴とし、
前記ラフィネート流れが以下の主要な成分を含むことを特徴とする方法：
０乃至１重量％ブタジエン
０乃至０．５重量％Ｃ４アセチレン
７５乃至９５重量％ブテン−１
０乃至２０重量％ブテン−２
０乃至５重量％イソブテン
０乃至１０重量％ノルマル−ブタン
０乃至２重量％ｉｓｏ−ブタン
【請求項１４】
請求項８に記載の方法であって、前記混合Ｃ４流れが精製混合されたブタン／ブテン流れであることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、前記精製混合されたブタン／ブテン流れが以下の主要成分を含むことを特徴とする方法：
０乃至２重量％プロピレン
０乃至２重量％プロパン
０乃至５重量％ブタジエン
５乃至２０重量％ブテン−１
１０乃至５０重量％ブテン−２
５乃至２５  重量％イソブテン
１０乃至４５重量％ｉｓｏ−ブタン
５乃至２５重量％ｎ−ブタン
【請求項１６】
請求項８に記載の方法であって、前記混合Ｃ４流れがオレフィン転化工程のための酸素処理により得られたＣ４分画由来であることを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、前記Ｃ４分画が以下の主要な成分を含むことを特徴とする方法：
０乃至１重量％  プロピレン
０乃至０．５重量％プロパン
０乃至１重量％ブタジエン
１０乃至４０重量％ブタジエン−１
５０乃至８５重量％ブタジエン−２
０乃至１０重量％イソブテン
０乃至１０重量％ノルマル及びｉｓｏ−ブタン
【請求項１８】
請求項８乃至１７のいずれか１項に記載の方法であって、前記混合Ｃ４流れが複数のオレフィンＣ４炭化水素又はこれらの混合物を結合することにより生成されることを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項８乃至１８に記載の方法であって、前記混合Ｃ４流れの混合物が、前記（ａ）の接触させる工程の前に、硫黄除去、窒素除去、酸化物除去、ブタジエン除去、及びイソブテン除去の中の少なくとも１つの処理を受けることを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１乃至１９に記載の方法であって、前記（ａ）における原材料が１０００ｐｐｍ未満の水、及び／又は１００ｐｐｍ未満の硫黄、及び／又は１０ｐｐｍ未満の窒素を含むことを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項１乃至２０のいずれか１項に記載の方法であって、前記モレキュラーシーブがＭＣＭ−２２、ＰＳＨ−３、ＳＳＺ−２５、ＥＲＢ−１、ＩＴＱ−１、ＩＴＱ−２、ＭＣＭ−３６、ＭＣＭ−４９、ＭＣＭ−５６、ＵＺＭ−８及びこれらの混合物から選択されることを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項１乃至２１のいずれか１項に記載の方法であって、前記アルキル化条件が、約６０℃乃至約２６０℃の温度、７０００ｋＰａ以下の圧力、及び約０．１乃至５０ｈｒ−１のアルキル化剤を基準にした原材料の重量空間速度（ＷＨＳＶ）、及び約１乃至約５０のＣ４アルキル化剤を基準にしたベンゼンのモル比を含むことを特徴とする方法。
【請求項２３】
請求項１乃至２２のいずれか１項に記載の方法であって、前記（ａ）において生成されるアルキル化流出物がポリブチルベンゼンを含み、トランスアルキル化触媒の存在下で、前記ポリブチルベンゼンをベンゼンに接触させてｓｅｃ−ブチルベンゼンを製造する工程を更に含むことを特徴とする方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の方法であって、前記トランスアルキル化触媒が、ゼオライトベータ、モルデナイト、ＵＳＹ、ＭＣＭ−２２、ＰＳＨ−３、ＳＳＺ−２５、ＥＲＢ−１、ＩＴＱ−１、ＩＴＱ−２、ＭＣＭ−３６、ＭＣＭ−４９、ＭＣＭ−５６、ＵＺＭ−８及びこれらの混合物から選択されるモレキュラーシーブを含むことを特徴とする方法。
【請求項２５】
請求項１及び請求項３乃至２４のいずれか１項に記載の方法であって、前記酸化工程（ｂ）が触媒の存在下において行われることを特徴とする方法。
【請求項２６】
請求項２５に記載の方法であって、前記酸化触媒が、
（ａ）マンガンを含むオキソ（ヒドロオキソ）架橋４核金属錯体、
（ｂ）混合金属コア、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ及びこれらの混合物から選択される二価金属、並びにＩｎ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｇａ、Ａｌ及びこれらの混合物から選択される三価金属である他の金属を有するオキソ（ヒドロオキソ）架橋４核金属錯体、及び
（ｃ）単独又はフリーラジカル開始剤の存在下におけるＮ−ヒドロキシ置換環状イミド
から選択されることを特徴とする方法。
【請求項２７】
請求項２５又は２６に記載の方法であって、前記酸化触媒が不均一系触媒であることを特徴とする方法。
【請求項２８】
請求項１及び請求項３乃至２７に記載の方法であって、前記酸化する工程（ｂ）が約７０℃乃至約２００℃の温度、及び約０．５乃至１０大気（５０乃至１０００ｋＰａ）の圧力で行われることを特徴とする方法。
【請求項２９】
請求項１及び請求項３乃至２８に記載の方法であって、前記分解する工程（ｃ）が触媒の存在下で行われることを特徴とする方法。
【請求項３０】
請求項２９に記載の方法であって、前記分解（ｃ）が均一系触媒の存在下で行われることを特徴とする方法。
【請求項３１】
請求項３０に記載の方法であって、前記均一系触媒が、硫酸、過塩素酸、リン酸、塩酸、ｐ−トルエンスルホン酸、塩化第２鉄、三フッ化ホウ素、二酸化硫黄、及び三酸化硫黄のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする方法。
【請求項３２】
請求項２９のいずれか１項に記載の方法であって、前記分解する工程（ｃ）が不均一系触媒の存在下で行われることを特徴とする方法。
【請求項３３】
請求項３２に記載の方法であって、前記不均一系触媒がスメクタイトクレイを含むことを特徴とする方法。
【請求項３４】
請求項１及び請求項３乃至３３のいずれか１項に記載の方法であって、前記分解する工程（ｃ）が約４０℃乃至約１２０℃の温度、約１００乃至１０００ｋＰａの圧力及びヒドロペルオキシドを基準として約１乃至約５０ｈｒ−１の液体時間空間速度（ＬＨＳＶ）において行われることを特徴とする方法。
【請求項３５】
請求項１に記載の方法であって、前記酸化する工程（ｂ）が触媒の存在下において行われ、及び前記分解する工程（ｃ）が触媒の存在下において行われ、
前記（ａ）、前記（ｂ）、及び前記（ｃ）において用いる各触媒が不均一系触媒であることを特徴とする方法。
【請求項３６】
請求項１乃至３５のいずれか１項に記載の方法であって、少なくとも１つの接触工程（ａ）、酸化工程（ｂ）、及び分解工程（ｃ）が触媒蒸留により行われることを特徴とする方法。