【手続補正書】
【提出日】平成19年5月28日(2007.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造過程におけるリソグラフィ工程において用いられる露光用マスクに形成すべきマスクパターンの補正方法であって、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンの孤立部分と平行に延び、且つ、終端部を有する隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分を設けることを特徴とするマスクパターンの補正方法。
【請求項２】
孤立パターンの孤立部分は、所定の幅Ｗ0以下の幅、及び、所定の長さＬ0以下の長さを有し、
孤立パターンの孤立部分の縁部から距離Ｓの領域には、隣接パターンが存在しないことを特徴とする請求項１に記載のマスクパターンの補正方法。
【請求項３】
隣接パターンに設けられた延長部分と、該隣接パターンに隣接する隣接パターンとの間に所定のスペースが確保できない場合、該所定のスペースが確保されるように該延長部分の長さを短縮することを特徴とする請求項１に記載のマスクパターンの補正方法。
【請求項４】
孤立パターンは、孤立部分、並びに、孤立部分の両端から延在する第１延在部分及び第２延在部分を備え、
孤立パターンの孤立部分、第１延在部分及び第２延在部分は、直線状であり、
隣接パターンは、第１隣接パターン及び第２隣接パターンから成り、
第１終端部を有する第１隣接パターンは、孤立パターンの第１延在部分と平行に延び、
第１終端部と対向する第２終端部を有する第２隣接パターンは、孤立パターンの第２延在部分と平行に延び、
第１終端部と第２終端部との間の距離をΔＬ12、所定のスペース長をＣとし、第１隣接パターンに設けられた延長部分の長さをΔＬEX-1、第２隣接パターンに設けられた延長部分の長さをΔＬEX-2としたとき、
ΔＬ12＝ΔＬEX-1＋ΔＬEX-2＋Ｃ    （１）
を満足することを特徴とする請求項１に記載のマスクパターンの補正方法。
【請求項５】
第１隣接パターンは、孤立パターンの第１延在部分と平行に延びる直線状の形状を有し、
第２隣接パターンは、孤立パターンの第２延在部分と平行に延びる直線状の形状を有することを特徴とする請求項４に記載のマスクパターンの補正方法。
【請求項６】
第１隣接パターンは、孤立パターンの第１延在部分と平行に延びる直線状の形状を有し、
第２隣接パターンは、第１の辺及び第２の辺から構成された「Ｌ」字形状を有し、
第２隣接パターンを構成し、第２終端部を有する第１の辺は、孤立パターンの第２延在部分と平行に直線状に延び、
第２隣接パターンを構成する第２の辺は、孤立パターンの第２延在部分が延びる方向と直角方向であって孤立パターンの第２延在部分から離れる方向に、第１の辺における第２終端部から延びていることを特徴とする請求項４に記載のマスクパターンの補正方法。
【請求項７】
第１隣接パターンは、第１の辺及び第２の辺から構成された「Ｌ」字形状を有し、
第１隣接パターンを構成し、第１終端部を有する第１の辺は、孤立パターンの第１延在部分と平行に直線状に延び、
第１隣接パターンを構成する第２の辺は、孤立パターンの第１延在部分が延びる方向と直角方向であって孤立パターンの第１延在部分から離れる方向に、第１の辺における第１終端部から延び、
第２隣接パターンは、第１の辺及び第２の辺から構成された「Ｌ」字形状を有し、
第２隣接パターンを構成し、第２終端部を有する第１の辺は、孤立パターンの第２延在部分と平行に直線状に延び、
第２隣接パターンを構成する第２の辺は、孤立パターンの第２延在部分が延びる方向と直角方向であって孤立パターンの第２延在部分から離れる方向に、第１の辺における第２終端部から延びていることを特徴とする請求項４に記載のマスクパターンの補正方法。
【請求項８】
直線状の孤立パターンは、両端が終端部で終わっている孤立部分から成り、
隣接パターンは、第１隣接パターン及び第２隣接パターンから成り、
第１終端部を有する第１隣接パターンは、孤立パターンと平行に延び、
第１終端部と対向する第２終端部を有する第２隣接パターンは、孤立パターンと平行に延び、
第１終端部と第２終端部との間の距離をΔＬ12、所定のスペース長をＣとし、第１隣接パターンに設けられた延長部分の長さをΔＬEX-1、第２隣接パターンに設けられた延長部分の長さをΔＬEX-2としたとき、
ΔＬ12＝ΔＬEX-1＋ΔＬEX-2＋Ｃ    （１）
を満足することを特徴とする請求項１に記載のマスクパターンの補正方法。
【請求項９】
第１隣接パターンは、孤立パターンと平行に延びる直線状の形状を有し、
第２隣接パターンは、孤立パターンと平行に延びる直線状の形状を有することを特徴とする請求項８に記載のマスクパターンの補正方法。
【請求項１０】
第１隣接パターンは、孤立パターンと平行に延びる直線状の形状を有し、
第２隣接パターンは、第１の辺及び第２の辺から構成された「Ｌ」字形状を有し、
第２隣接パターンを構成し、第２終端部を有する第１の辺は、孤立パターンと平行に直線状に延び、
第２隣接パターンを構成する第２の辺は、孤立パターンが延びる方向と直角方向であって孤立パターンから離れる方向に、第１の辺における第２終端部から延びていることを特徴とする請求項８に記載のマスクパターンの補正方法。
【請求項１１】
第１隣接パターンは、第１の辺及び第２の辺から構成された「Ｌ」字形状を有し、
第１隣接パターンを構成し、第１終端部を有する第１の辺は、孤立パターンと平行に直線状に延び、
第１隣接パターンを構成する第２の辺は、孤立パターンが延びる方向と直角方向であって孤立パターンから離れる方向に、第１の辺における第１終端部から延び、
第２隣接パターンは、第１の辺及び第２の辺から構成された「Ｌ」字形状を有し、
第２隣接パターンを構成し、第２終端部を有する第１の辺は、孤立パターンと平行に直線状に延び、
第２隣接パターンを構成する第２の辺は、孤立パターンが延びる方向と直角方向であって孤立パターンから離れる方向に、第１の辺における第２終端部から延びていることを特徴とする請求項８に記載のマスクパターンの補正方法。
【請求項１２】
孤立パターンは、一端が終端部である孤立部分、並びに、孤立部分の他端から延在する延在部分を備え、
孤立パターンの孤立部分及び延在部分は、直線状であり、
終端部を有する隣接パターンは、孤立パターンの延在部分と平行に延び、
孤立パターンの終端部から基準線までの長さから、隣接パターンの終端部から基準線までの長さを減じた値をΔＬとしたとき、隣接パターンに設けられた延長部分の長さΔＬEXは、
ΔＬEX＝ΔＬ±α    （２）
（但し、αは、０以上であって最小加工寸法以下の値）を満足することを特徴とする請求項１に記載のマスクパターンの補正方法。
【請求項１３】
隣接パターンは、孤立パターンの延在部分と平行に延びる直線状の形状を有することを特徴とする請求項１２に記載のマスクパターンの補正方法。
【請求項１４】
隣接パターンは、第１の辺及び第２の辺から構成された「Ｌ」字形状を有し、
隣接パターンを構成し、終端部を有する第１の辺は、孤立パターンの延在部分と平行に直線状に延び、
隣接パターンを構成する第２の辺は、孤立パターンの延在部分が延びる方向と直角方向であって孤立パターンの延在部分から離れる方向に、第１の辺における終端部から延びていることを特徴とする請求項１２に記載のマスクパターンの補正方法。