【手続補正書】
【提出日】平成19年6月22日(2007.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマにより被処理基体表面に露出する被処理物を酸化し、酸化膜を形成する処理方法において、
プラズマ中のイオンを含む酸化種により前記被処理物を酸化処理し３０乃至２００Åの膜厚を有する酸化膜を形成する第一の工程と、
プラズマ中のイオンの前記酸化膜への到達量を制御し前記酸化膜を中性ラジカル種により処理する第二の工程とを含んでなることを特徴とする処理方法。
【請求項２】
前記第一の工程では、反応容器内圧力を１５０Ｐａ以下で処理し、前記第二の工程では、前記反応容器内圧力を２５０Ｐａ以上で処理することを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項３】
前記第一の工程では、プラズマ源に前記被処理基体を近接させて処理し、前記第二の工程では少なくとも前記第一の工程よりも前記プラズマ源から遠方に前記被処理基体を離間させて処理することを特徴とする請求項１または２に記載の処理方法。
【請求項４】
前記第一の工程では、前記被処理基体に近接した位置にプラズマ発生部を有するプラズマ源により処理し、前記第二の工程では前記プラズマ源からのプラズマ供給を停止し、リモートプラズマを供給する別のプラズマ源により処理することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の処理方法。
【請求項５】
前記第二の工程では少なくとも前記第一の工程よりも低い電力でプラズマ励起することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の処理方法。
【請求項６】
前記第一の工程では、前記被処理基体の設置された支持体にバイアス電圧を印加して処理し、前記第二の工程では前記バイアス電圧の印加を停止して処理することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の処理方法。
【請求項７】
前記第一の工程では、プラズマ発生部に磁界発生手段による磁界を発生させて処理し、前記第二の工程では前記磁界の発生を停止して処理することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の処理方法。
【請求項８】
前記酸化処理では、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、及びＨ２Ｏ２のうち少なくとも一種類以上からなる気体、またはそれらをＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎ２、及びＨ２のうち少なくとも一種類以上の気体で希釈あるいは該気体を添加した気体を処理ガスとして使用することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか一項に記載の処理方法。
【請求項９】
前記第二の工程ではＨ２により処理することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか一項に記載の処理方法。
【請求項１０】
前記被処理基体表面に露出する被処理物は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、シリコンカーバイド、及びシリコンゲルマニウムのうちのいずれかであることを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか一項に記載の処理方法。
【請求項１１】
前記プラズマを生成するプラズマ源は表面波プラズマ源であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の処理方法。
【請求項１２】
前記プラズマ源は表面波干渉プラズマ源であることを特徴とする請求項１１に記載の処理方法。
【請求項１３】
プラズマにより基体表面に露出する被処理物を酸化し、酸化膜を形成する処理装置において、
プラズマ中のイオンを含む酸化種により被処理物を酸化処理し３０乃至２００Åの膜厚を有する酸化膜を形成する酸化膜形成手段と、
プラズマ中のイオンの前記酸化膜への到達量を制御し前記酸化膜を中性ラジカル種により処理する中性ラジカル種処理手段とを備えることを特徴とする処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の処理方法は、次のとおりである。
（１）プラズマにより被処理基体表面に露出する被処理物を酸化し、酸化膜を形成する処理方法において、プラズマ中のイオンを含む酸化種により前記被処理物を酸化処理し３０乃至２００Åの膜厚を有する酸化膜を形成する第一の工程と、プラズマ中のイオンの前記酸化膜への到達量を制御し前記酸化膜を中性ラジカル種により処理する第二の工程とを含んでなることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（２）前記第一の工程では、反応容器内圧力を１５０Ｐａ以下で処理し、前記第二の工程では、前記反応容器内圧力を２５０Ｐａ以上で処理することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（３）前記第一の工程では、プラズマ源に前記被処理基体を近接させて処理し、前記第二の工程では少なくとも前記第一の工程よりも前記プラズマ源から遠方に被前記処理基体を離間させて処理することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（４）前記第一の工程では、前記被処理基体に近接した位置にプラズマ発生部を有するプラズマ源により処理し、前記第二の工程では前記プラズマ源からのプラズマ供給を停止し、リモートプラズマまたはダウンフロープラズマを供給する別のプラズマ源により処理することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（５）前記第二の工程では少なくとも前記第一の工程よりも低い電力でプラズマ励起することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（６）前記第一の工程では、前記被処理基体の設置された支持体にバイアス電圧を印加して処理し、前記第二の工程では前記バイアス電圧の印加を停止して処理することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（７）前記第一の工程では、プラズマ発生部に磁界発生手段による磁界を発生させて処理し、前記第二の工程では前記磁界の発生を停止して処理することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（８）前記酸化処理では、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、及びＨ２Ｏ２のうち少なくとも一種類以上からなる気体、またはそれらをＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎ２、及びＨ２のうち少なくとも一種類以上の気体で希釈あるいは該気体を添加した気体を処理ガスとして使用することを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（９）また、本発明の別の側面としての処理方法は、前記第二の工程ではＨ２により処理することを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（１０）前記被処理基体表面に露出する被処理物は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、シリコンカーバイド、及びシリコンゲルマニウムのうちのいずれかであることを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明は、プラズマにより基体表面に露出する被処理物を酸化し、酸化膜を形成する処理装置において、プラズマ中のイオンを含む酸化種により被処理物を酸化処理し３０乃至２００Åの膜厚を有する酸化膜を形成する酸化膜形成手段と、プラズマ中のイオンの前記酸化膜への到達量を制御し前記酸化膜を中性ラジカル種により処理する中性ラジカル種処理手段とを備えることを特徴としてもよく、上記（２）乃至（１１）のいずれかに記載の特徴を有する処理方法を用いる処理装置であってもよい。