【手続補正書】
【提出日】平成19年11月13日(2007.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタ、表示装置及びその作製方法、並びにテレビジョン装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有する絶縁層と、
前記開口部に設けられた第１の導電層と、
前記絶縁層と前記第１の導電層とに接して設けられた第２の導電層とを有し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚いことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
開口部を有する絶縁層と、
前記開口部に設けられた第１の導電層と、
前記絶縁層と前記第１の導電層とに接して設けられた第２の導電層とを有し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚く、
前記第２の導電層は導電性材料を含む液滴を噴出して形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
開口部を有する絶縁層と、
前記開口部に設けられた第１の導電層と、
前記絶縁層と前記第１の導電層とに接して設けられた第２の導電層と、
前記第２の導電層上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第３の導電層と、
前記第３の導電層上に設けられた開口部を有する第２の絶縁層と、
前記開口部に設けられた第４の導電層とを有し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚く、
前記第４の導電層は、前記第３の導電層より、幅が広くかつ厚いことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
開口部を有する絶縁層と、
前記開口部に設けられた第１の導電層と、
前記絶縁層と前記第１の導電層とに接して設けられた第２の導電層と、
前記第２の導電層上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第３の導電層と、
前記第３の導電層上に設けられた開口部を有する第２の絶縁層と、
前記開口部に設けられた第４の導電層とを有し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚く、
前記第４の導電層は、前記第３の導電層より、幅が広くかつ厚く、
前記第２の導電層及び前記第３の導電層は導電性材料を含む液滴を噴出して形成されることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
開口部を有する絶縁層と、
前記開口部に設けられた第１の導電層と、
前記絶縁層と前記第１の導電層とに接して設けられた第２の導電層と、
前記第２の導電層上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた一対の第３の導電層と、
一方の前記第３の導電層上に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた電界発光層と、
前記電界発光層上に設けられた第２の電極とを有し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚いことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
開口部を有する絶縁層と、
前記開口部に設けられた第１の導電層と、
前記絶縁層と前記第１の導電層とに接して設けられた第２の導電層と、
前記第２の導電層上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた一対の第３の導電層と、
一方の前記第３の導電層上に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた電界発光層と、
前記電界発光層上に設けられた第２の電極とを有し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚く、
前記第２の導電層は導電性材料を含む液滴を噴出して形成されることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
開口部を有する絶縁層と、
前記開口部に設けられた第１の導電層と、
前記絶縁層と前記第１の導電層とに接して設けられた第２の導電層と、
前記第２の導電層上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた一対の第３の導電層と、
一方の前記第３の導電層上に設けられた第１の電極と、
他方の前記第３の導電層上に設けられた開口部を有する第２の絶縁層と、
前記開口部に設けられた第４の導電層と、
前記第１の電極上に設けられた電界発光層と、
前記電界発光層上に設けられた第２の電極とを有し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚く、
前記第４の導電層は、前記第３の導電層より、幅が広くかつ厚いことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
開口部を有する絶縁層と、
前記開口部に設けられた第１の導電層と、
前記絶縁層と前記第１の導電層とに接して、設けられた第２の導電層と、
前記第２の導電層上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた一対の第３の導電層と、
一方の前記第３の導電層上に設けられた第１の電極と、
他方の前記第３の導電層上に設けられた開口部を有する第２の絶縁層と、
前記開口部に設けられた第４の導電層と、
前記第１の電極上に設けられた電界発光層と、
前記電界発光層上に設けられた第２の電極とを有し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚く、
前記第４の導電層は、前記第３の導電層より、幅が広くかつ厚く、
前記第２の導電層及び前記第３の導電層は導電性材料を含む液滴を噴出して形成されることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項３乃至８のいずれか一項において、前記第１の導電層の下に酸化チタン膜を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項３乃至８のいずれか一項において、前記第１の導電層の下にＷ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｐｄ（鉛）、Ｐｔ（白金）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｓｃ（スカンジウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｖ（バナジウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）もしくはＺｎ（亜鉛）の元素、又は前記元素の酸化物、窒化物もしくは酸窒化物からなる膜を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項３乃至１０のいずれか一項において、
前記第２の導電層は、銀、金、銅、又はインジウム錫酸化物を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項３乃至１１のいずれか一項において、
前記第３の導電層は、銀、金、銅、又はインジウム錫酸化物を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項３乃至１２のいずれか一項において、
前記開口部の幅は、５μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項３乃至１３のいずれか一項において、
前記半導体層は、水素又はハロゲン元素を含む非単結晶半導体であることを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項３乃至１３のいずれか一項において、
前記半導体層は、水素又はハロゲン元素を含むセミアモルファス半導体であることを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
請求項３乃至１３のいずれか一項において、
前記半導体層が、水素とハロゲン元素を含む多結晶半導体であることを特徴とする表示装置。
【請求項１７】
請求項３乃至１６のいずれか一項において、
前記半導体層のチャネルの長さは５μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
請求項３乃至１７のいずれか一項の表示装置で、表示画面を構成したことを特徴とするテレビジョン装置。
【請求項１９】
開口部を有する絶縁層を形成し、
前記開口部に第１の導電層を形成し、
前記絶縁層及び前記第１の導電層上に、導電性材料を含む液滴を噴出することにより、第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚くなるように形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２０】
開口部を有する絶縁層を形成し、
前記開口部に第１の導電層を形成し、
導電性材料を含む液滴を噴出することにより、前記絶縁層及び前記第１の導電層に接して第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層上にゲート絶縁膜を介して半導体層を形成し、
前記半導体層上に、導電性材料を含む液滴を噴出することにより第３の導電層を形成し、
前記第３の導電層上に第２の絶縁層及び第４の導電層を形成し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚く、
前記第４の導電層は、前記第３の導電層より、幅が広くかつ厚くなるように形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２１】
開口部を有する絶縁層を形成し、
前記開口部に第１の導電層を形成し、
導電性材料を含む液滴を噴出することにより、前記絶縁層及び前記第１の導電層に接して第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層上にゲート絶縁膜を介して半導体層を形成し、
前記半導体層上に、導電性材料を含む液滴を噴出することにより第３の導電層を形成し、
前記第３の導電層上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第２の電極を形成し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚くなるように形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２２】
開口部を有する絶縁層を形成し、
前記開口部に第１の導電層を形成し、
導電性材料を含む液滴を噴出することにより、前記絶縁層及び前記第１の導電層に接して第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層上にゲート絶縁膜を介して半導体層を形成し、
前記半導体層上に、導電性材料を含む液滴を噴出することにより一対の第３の導電層を形成し、
一方の前記第３の導電層上に第１の電極を形成し、
他方の前記第３の導電層上に第２の絶縁層及び第４の導電層を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第２の電極を形成し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層より、幅が広くかつ厚くなるように形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１９乃至２２のいずれか一項において、
前記第１の導電層の下に酸化チタン膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１９乃至２３のいずれか一項において、
前記第１の導電層の下にＷ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｐｄ（鉛）、Ｐｔ（白金）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｓｃ（スカンジウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｖ（バナジウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）もしくはＺｎ（亜鉛）の元素、又は前記元素の酸化物、窒化物もしくは酸窒化物からなる膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項１９乃至２４のいずれか一項において、
前記導電性材料として、銀、金、銅、又はインジウム錫酸化物を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項１９乃至２５のいずれか一項において、
前記半導体層は、水素又はハロゲン元素を含むガスにより形成された非単結晶半導体であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項１９乃至２５のいずれか一項において、
前記半導体層は、水素又はハロゲン元素を含むガスにより形成されたセミアモルファス半導体であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２８】
請求項１９乃至２５のいずれか一項において、
前記半導体層は、水素とハロゲン元素を含むガスにより形成された多結晶半導体であることを特徴とする表示装置の作製方法。