【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年10月24日(2007.10.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板表面上に金属を含む金属層を析出させる方法であって、
前記基板を、復極剤及びハロゲン化物イオンを含み、かつ、実質的に前記金属のイオンが存在しない第一溶液に浸す工程と、
その後、前記基板とアノード間に電流を流しながら、前記基板を、前記金属のイオン及びハロゲン化物イオンを含有する第二溶液に浸す工程と、
を備えることを特徴とする金属析出方法。
【請求項２】  前記金属が銅、金、銀、アルミニウム、プラチナ、ニッケル、クロム、亜鉛、それらの合金、および、それらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする、請求項１に記載の金属析出方法。
【請求項３】  前記金属が銅であることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の金属析出方法。
【請求項４】  前記金属が、銅、金、銀、アルミニウム、プラチナ、ニッケル、クロム、亜鉛からなる群から選択された、２以上の合金化した金属を含む合金であること、および、前記金属のイオンが前記２以上の合金化した金属のイオンを含むことを特徴とする、請求項１に記載の金属析出方法。
【請求項５】  前記合金が銅を含むことを特徴とする、請求項４に記載の金属析出方法。
【請求項６】  前記復極剤が光沢剤もしくは平坦化剤であることを特徴とする、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の金属析出方法。
【請求項７】  前記復極剤が有機硫化物であることを特徴とする、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の金属析出方法。
【請求項８】  前記復極剤が、A-R1-(S)n-R2-Q-O3-Dの化学式（R1とR2はアルキレン基、Aは水素、スルホン酸塩、ホスホン酸塩、アルカリ金属スルホン酸塩、アルカリ金属ホスホン酸塩、スルホン酸のアンモニウム塩、ホスホン酸のアンモニウム塩、スルホン酸、ホスホン酸、アルカリ金属からなる群から選ばれる、nは１から３までの整数、Dは水素、I族の金属イオン、II族の金属イオン、アンモニウムイオンからなる群から選ばれる、Qは硫黄もしくはリン）を持つことを特徴とする、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の金属析出方法。
【請求項９】  前記復極剤が、HO3P-(CH2)3-S-S-(CH2)3-PO3H、HO3S-(CH2)4-S-S-(CH2)4-SO3H、NaO3S-(CH2)3-S-S-S-S-S-(CH2)3-SO3Na、HO3S-(CH2)2-S-S-(CH2)2-SO3H、CH3-S-S-CH2-SO3H、HS-(CH2)3-SO3H、および、それらの混合物からなる群から選択された化合物を含むことを特徴とする、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の金属析出方法。
【請求項１０】  前記基板を前記第一溶液に浸す工程の間、基板とアノード間に電流を実質的に流さないことを特徴とする、請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の金属析出方法。
【請求項１１】  前記基板を前記第一溶液に浸す工程の間、基板とアノード間に電流を流すことを特徴とする、請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の金属析出方法。
【請求項１２】  前記第一溶液がｐＨ調整剤を含むことを特徴とする、請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の金属析出方法。
【請求項１３】  前記第二溶液が実質的に復極剤を含まないことを特徴とする、請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の金属析出方法。
【請求項１４】  前記第二溶液が復極剤を含むことを特徴とする、請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の金属析出方法。
【請求項１５】  前記基板を第一溶液に浸す前記工程と、前記基板を第二溶液に浸す前記工程を繰り返すことを特徴とする、請求項１から請求項１４のいずれか一項に記載の金属析出方法。
【請求項１６】  さらに、前記基板を研磨する工程を含むことを特徴とする、請求項１から請求項１５のいずれか一項に記載の金属析出方法。
【請求項１７】  基板表面上に金属を含む金属層を析出させる方法であって、
絶縁層を表面に持つ半導体基板を与える工程と、
前記絶縁層の中に開口部を作る工程と、
前記開口部の側面と底面にバリアー層を形成する工程と、
前記バリアー層に銅シード層を形成する工程と、
その後、前記基板を、復極剤及びハロゲン化物イオンを含み、かつ、前記金属のイオンが実質的に存在しない第一溶液に浸す工程と、
その後前記基板とアノード間に電流を流しながら、前記基板を、前記金属のイオン及びハロゲン化物イオンを含んでいる第二溶液に浸す工程と、
前記基板を第一溶液に浸す工程と前記基板を第二溶液に浸す工程を、前記開口部が前記金属で充填されるまで繰り返す工程と、
を備えることを特徴とする金属析出方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
本件第二の発明は、基板表面上の金属を含む金属層を析出される方法であって絶縁層を表面に持つ半導体基板を与える工程と、
前記絶縁層に開口部を作る工程と、
前記開口部の側面と底面上にバリアー層を形成する工程と、
前記バリアー層上に銅シード層を形成する工程と、
そして、その後、前記基板を、復極剤を含み、かつ、前記金属のイオンが実質的に存在しない第一溶液に浸す工程と、
その後、前記基板とアノード間に電流を流しながら、前記基板を前記金属のイオンを含んでいる前記第二溶液に浸す工程と、
前記基板に第一溶液を浸す工程と前記基板を第二溶液に浸す工程を、開口部が前記金属で充填されるまで繰り返す工程と、
を備える方法であることを特徴とする。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
前記基板は、半導体物質、ガラス、石英、セラミック物質、ポリマー物質もしくは、それらの組み合わせたもののような物質でも良い。前記基板は平坦な基板でも良く、柔軟性を持つ基板でも良い。前記基板が半導体物質から作られているならば、その基板は集積回路の製作に適しており、特に、パターンプロセッシングのような集積回路金属鍍金に適している。基板表面は絶縁層を含み、絶縁層は溝、ビアホール、もしくは、コンタクトホールなどの、超高アスペクト比でサブミクロンの開口部を包含しうる。開口部は、これらの物質に限られるわけではないが、TiNもしくはTaNを含むバリアー層に覆われている。シード層と呼ばれる薄い金属層を開口部もしくはバリアー層上に形成しても良い。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７９】
基板上に金属層を析出させる方法を説明する。前記基板は少なくとも一つの開口部を含む。前記基板は半導体基板であることが好ましい。前記方法は以下の工程を含む。基板に絶縁層を与え、前記絶縁層中に開口部を作り、前記開口部の側面と底面にバリアー層を形成し、そして、前記バリアー層に銅シード層を形成する。前記基板を、少なくとも復極剤を含み、かつ、実質的に金属イオンが存在しない第一溶液に浸し、基板とアノード間の電流を流しながら、少なくとも銅イオンを含む第二溶液に前記基板を浸す。そして、前記基板を第一溶液に浸す工程と前記基板を第二溶液に浸す工程を開口部が金属で充填されるまで何度も繰り返す。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８７】
【実施例】
高アスペクト比でサブミクロンの形状の中でパターン析出を行った。リソグラフやエッチングの工程を用いて、シリコンウェーハの表面上に析出した絶縁体の中にパターン構造を形成した。そのとき、物理的な気相成長を使い、TaNバリアー層を析出し、その後に、銅シード層の析出を行った。次の２つの例では、この発明に従って、これらのパターン構造の中に銅を析出させることについて記載されている。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
（実施例１）
NaO3S-(CH2)3-S-S-(CH2)3-SO3Naのようなスルホン化した有機二硫化物のアルカリ金属塩１mg/lを含む水溶液(溶液１)中にウェーハ表面を浸し、その後ウェーハ表面を乾燥させた。浸漬はアノードなしで開回路状態で行った。それに続いて、同じウェーハ表面がある溶液中に浸され、電解鍍金が行われる。この溶液は７０g/lのCuSO4・5H2O、１７５g/lのH2SO4、５０mg/lのHCl、および、１００mg/lのポリプロピレングリコールを含み、平均分子量は７２５であった（溶液２）。銅を定電流電解鍍金によってウェーハ表面上に析出させた（１０mA/cm2）。図１は、溶液１に浸す第一工程なしで、溶液２から銅シード層上に銅を電解鍍金した場合の、０．３μｍの溝のＦＩＢ−ＳＥＭ断面図を示している。この過程では、銅表面は、銅のパターン配線に不適切で、溝の中に欠陥をもった、とても荒い表面になる。図２は、溶液２の中で電解鍍金を行う工程が溶液１にウェーハを浸した後に行われた場合の、幅０．３μｍの溝のＦＩＢ−ＳＥＭ断面図を示している。この図は、光沢剤もしくは平坦化剤の添加剤を含む溶液１に浸す工程によって、銅のパターン鍍金に必要な超充填特性と滑らかな表面が得られることを示している。光沢剤もしくは平坦化剤の添加剤を含む溶液１に浸す工程は、光沢剤もしくは平坦化剤の添加剤を含まない溶液２の中での電解鍍金の工程の前に行われた。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】図面の簡単な説明
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、例１に従って作成した、幅０．３μｍの溝のＦＩＢ−ＳＥＭ断面図であり、ここでは、第二溶液２のみに浸すことによって、銅が銅シード層上に電解鍍金される。
【図２】  図２は、例１に従って作成した、幅０．３μｍの溝のＦＩＢ−ＳＥＭ断面図であり、ここでは、第二溶液２の中に浸すことによって、銅シード層上に銅が電解鍍金され、この第一溶液１の中に浸す工程がこの工程の先に行われた。
【図３】  図３は、例２に従って作成した、幅０．３μｍの銅充填した溝のＦＩＢ−ＳＥＭ断面図である。