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【手続補正書】
【提出日】平成20年7月16日(2008.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気体発生を伴って分解反応する傾向にある液体燃料を使用する直接液体燃料電池であって、
カソードと、
アノードと、
前記カソードと前記アノードとの間に配置される電解質室と、
前記アノードの前記電解質室を向く側とは反対側に配置される燃料室と、
前記アノードの前記燃料室を向く側に配置される少なくとも一つの膜とを備え、
前記アノードの前記燃料室を向く表面もしくは表面付近に形成される気体が、前記アノード付近に堆積することが可能であって、少なくとも堆積した気体が前記アノードと前記燃料室からの液体燃料との直接的な接触を実質的に防ぐ場所に堆積可能となるように、前記少なくとも一つの膜が構成され、配置されることを特徴とする燃料電池。
【請求項２】
前記少なくとも１つの膜が、ステンレススチールおよび有機ポリマーのうち少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１に記載の燃料電池。
【請求項３】
前記少なくとも一つの膜が、ステンレススチールのマイクロメッシュを含むことを特徴とする請求項１乃至２のいずれかに記載の燃料電池。
【請求項４】
前記燃料電池が、前記少なくとも一つの膜と前記アノードとの間に配置される自由空間およびスペーサー構造のいずれかもしくは両方を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の燃料電池。
【請求項５】
前記スペーサー構造が、編み合わせた網であることを特徴とする請求項４に記載の燃料電池。
【請求項６】
前記燃料電池が、前記アノードの前記燃料室を向く表面に配置されるフレームシールから成るスペーサー構造を備えることを特徴とする請求項４に記載の燃料電池。
【請求項７】
前記燃料電池が、少なくとも前記アノード付近の第１の膜と、前記第１の膜の前記燃料室を向く側にある第２の膜とを含み、
前記アノードの前記燃料室を向く表面もしくは表面付近に形成される気体が、前記アノード付近に堆積することが可能であって、少なくとも堆積した気体が前記アノードと前記燃料室からの液体燃料との直接的な接触を実質的に防ぐ場所に堆積可能となるように、前記第１の膜が構成され、配置されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の燃料電池。
【請求項８】
前記燃料電池が、少なくとも前記アノードを収容するケースを有し、前記燃料室の少なくとも一部が前記ケースの外に配置され、そして、前記ケースが、前記ケースの外に配置された前記燃料室の前記少なくとも一部と１つ以上の液体通路を介して接続されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の燃料電池。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の燃料電池における燃料分解を防止し、あるいは減少させる方法であって、
前記燃料電池において電気エネルギーを発生させ、
前記燃料電池がさらなる電気エネルギーを発生するのを実質的に防止し、それによって、気体の発生とともに燃料分解が前記燃料電池のアノードにおいて生じ、そして、
（ａ）少なくとも１つの膜を伴い、前記アノードで生成される気体が、前記アノード付近であって、少なくとも堆積した気体が前記アノードと前記液体燃料との接触を実質的に防ぐ場所に堆積するのを容易にし、
（ｂ）  前記アノードで生成される気体が、前記アノード付近であって、少なくとも堆積した気体が前記アノードと前記液体燃料との接触を実質的に防ぐ場所に堆積させる、あるいは堆積させることを可能にする
ことの一方もしくはそれ以上を含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
直接液体燃料電池が実質的に無負荷状態であるとき前記燃料電池のアノードにおける前記燃料電池内の燃料の分解を減少、もしくは実質的に防止する方法であって、
前記燃料の分解は気体を生成し、
前記方法は、初期の燃料分解によって生成される気体によって、前記燃料と前記アノードとのさらなる接触を制限する、あるいは実質的に防止する障壁を形成させることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月4日(2008.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子状材料を気化させて表面上に凝縮させることで層を形成する方法であって、
（a）ある量の粒子状材料を、その粒子状材料が自由に通過できるサイズの開口部を有する第１の容器に供給し；
（b）上記開口部を通じてその粒子状材料をスクリューの中に移し；
（c）そのスクリューの少なくとも一部を回転させて上記粒子状材料を第１の容器から供給路に沿って気化ゾーンに移し、その気化ゾーンでその粒子状材料の少なくとも１つの成分を気化させて表面に供給することで層を形成する操作を含んでおり、
上記スクリューのサイズが、上記粒子状材料が上記開口部を自由に通過するのが容易になるように選択されている方法。
【請求項２】
上記供給路内の上記粒子状材料の温度を望ましい気化温度よりも低い温度に維持する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記粒子状材料を上記気化ゾーンに供給する速度が、気化した粒子状材料の堆積速度を規定している、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
粒子状材料を気化させて表面上に凝縮させることで層を形成する方法であって、
（a）ある量の粒子状材料を、その粒子状材料が自由に通過できるサイズの開口部を有する第１の容器に供給し；
（b）上記開口部を通じてその粒子状材料を第１の供給路に移し；
（c）その第１の供給路内の粒子状材料がその第１の供給路に沿って移動するときにあらかじめ処理して吸着したガスまたは不純物を除去し；
（d）そのあらかじめ処理した粒子状材料を第１の供給路から移動させて第２の供給路に沿って気化ゾーンに供給し、そこでそのあらかじめ処理した粒子状材料を気化させて表面上に凝縮させることで層を形成する操作を含む方法。
【請求項５】
有機材料を気化させて表面上に凝縮させることで層を形成する方法であって、
（a）ある量の粉末形態の有機材料を第１の容器に供給し；
（b）該有機材料を該第１の容器内で流動化し、該流動化された材料をスクリュー構造の中に移し；
（c）該スクリュー構造の少なくとも一部を回転させて流動化粉末を第１の容器から供給路に沿って気化ゾーンに移し、その気化ゾーンで該粉末を気化させて基板に供給することで層を形成する操作を含む方法。
【請求項６】
有機材料を気化させて表面上に凝縮させることで層を形成する方法であって、
（a）ある量の粉末形態の有機材料を第１の容器に供給し；
（b）該有機材料を該第１の容器内で流動化し、該流動化された有機材料を第１の容器から移動させ、その移動された粉末が第１の供給路に沿って移動している間に加熱および部分真空に晒すことで吸着したガスまたは不純物を除去し；
（c）該流動化された有機材料を第１の供給路から移動させて第２の供給路に沿って気化ゾーンに供給し、その気化ゾーンで該有機材料末を気化させて表面に供給することで層を形成する操作を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月4日(2008.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高フッ素化ポリマー電解質と少なくとも１つの酸化マンガンとを含むポリマー電解質膜を含み、前記ポリマー電解質膜の厚さにわたっての前記少なくとも１つの酸化マンガンの分布が均一である、燃料電池膜電極複合体。
【請求項２】
ａ）酸官能基を含む高フッ素化ポリマー電解質を提供する工程と、
ｂ）ポリマー電解質膜の全重量の０．０１〜５パーセントを提供するような量で少なくとも１つの酸化マンガンを添加する工程と、
ｃ）その後、ポリマー電解質膜の厚さにわたっての各酸化マンガンの分布が均一である、前記ポリマー電解質を含むポリマー電解質膜を形成する工程と、を含む、燃料電池ポリマー電解質膜を作製する方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法を含み、ｄ）前記ポリマー電解質膜を含む膜電極複合体を形成する工程をさらに含む、燃料電池膜電極複合体を作製する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月9日(2008.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子状材料を気化させて表面上に凝縮させることで層を形成する方法であって、
（a）ある量の第１の粒子状材料を、第１の開口部を有する第１の容器に供給し、かつ、ある量の第２の粒子状材料を、その第１の容器から離れていて第２の開口部を有する第２の容器に供給し；
（b）第１の粒子状材料を第１の容器の第１の開口部を通じてマニホールドの中に移し、そのマニホールドの中でその第１の粒子状材料を気化させ；
（c）第２の粒子状材料を第２の容器の第２の開口部を通じて上記マニホールドの中に移し、そのマニホールドの中で第２の粒子状材料を気化させることにより、気化された第１の粒子状材料とその第２の粒子状材料を混合し；
（d）混合された気化材料を上記マニホールドから表面に供給して層を形成する操作を含む方法。
【請求項２】
第１の容器および第２の容器にそれぞれ付属する第３の容器と第４の容器を用意し、粒子状材料を対応する第１の容器または第２の容器に移す操作をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１の粒子状材料をマニホールドに移す上記ステップが、
（a）その第１の粒子状材料を第1の開口部を通じて第１のスクリュー構造に移し；
（b）その第１のスクリュー構造の少なくとも一部を回転させてその第１の粒子状材料を第１の容器から供給路に沿って第１の気化ゾーンに移し、その気化ゾーンでその第１の粒子状材料を気化させる操作を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第１の粒子状材料と第２の粒子状材料の少なくとも一方が有機粒子状材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
粒子状材料を気化させて表面上に凝縮させることで膜を形成する方法であって、
（a）ある量の第１の粒子状材料を、第１の開口部を有する第１の容器に供給し、かつ、ある量の第２の粒子状材料を、その第１の容器から離れていて第２の開口部を有する第２の容器に供給し；
（b）第１の粒子状材料を第１の容器の第１の開口部を通じてマニホールドの中に移し；
（c）第２の粒子状材料を第２の容器の第２の開口部を通じてマニホールドの中に移し、そこで第１の粒子状材料と第２の粒子状材料を混合させ；
（d）混合された第１の粒子状材料と第２の粒子状材料を該マニホールドの中で気化させ、そのようにして気化させた第１の粒子状材料と第２の粒子状材料を基板の表面に供給して層を形成する操作を含む方法。
【請求項６】
有機材料を気化させて表面上に凝縮させることで膜を形成する方法であって、
（a）ある量の第１の有機材料を粉末形態で第１の容器に供給し、かつ、ある量の第２の有機材料を、その第１の容器から離れている第２の容器に供給し；
（b）第１の容器内の第１の有機材料を流動化し、その流動化された第１の有機材料を第１の容器からマニホールドの中に移し、該マニホールドの中で第１の有機材料を気化させ；
（c）第２の容器内の第２の有機材料を流動化し、流動化された第２の有機材料を第２の容器から該マニホールドの中に移し、そして該マニホールドの中で第２の有機材料を気化させることで気化された第１の有機材料と第２の有機材料とを混合させ；
（d）混合された気化材料を該マニホールドから基板の表面に供給して層を形成する操作を含む方法。
【請求項７】
有機材料を気化させて表面上に凝縮させることで膜を形成する方法であって、
（a）ある量の第１の有機材料を粉末形態で第１の容器に供給し、かつ、ある量の第２の有機材料を、その第１の容器から離れている第２の容器に供給し；
（b）第１の容器内の第１の有機材料を流動化し、その流動化された第１の有機材料を第１のスクリュー構造によって第１の容器からマニホールドの中に移し；
（c）第２の容器内の第２の有機材料を流動化し、その流動化された第２の有機材料を第２のスクリュー構造によって第２の容器から該マニホールドの中に移し、そこで第１の有機材料と第２の有機材料とを混合させ；
（d）混合された第１の有機材料と第２の有機材料を該マニホールドの中で気化させ、そのようにして気化させた第１の有機材料と第２の有機材料を基板の表面に供給して層を形成する操作を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月23日(2008.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の導体を収容するための第１の圧接スロットを含む第１のコンタクトであって、前記第１の圧接スロットが、開端部および閉端部を有し、前記開端部に隣接した幅を有する第１の部分と、前記第１の部分および前記閉端部の中間にある幅を有する第２の部分とを有し、前記第１の部分の幅が前記第２の部分の幅より広い、第１のコンタクトと、
前記第１および第２の導体を収容するための第２の圧接スロットを含む第２のコンタクトであって、前記第２の圧接スロットが、開端部および閉端部を有し、前記開端部に隣接した幅を有する第１の部分と、前記第１の部分および前記閉端部の中間にある幅を有する第２の部分とを有し、前記第１の部分の幅が前記第２の部分の幅より狭い、第２のコンタクトであって、前記第１のコンタクトの第１の圧接スロットと前記第２のコンタクトの第２の圧接スロットで一つの平面が形成される第２のコンタクトと、
前記第１のコンタクトと前記第２のコンタクトから伸び出して連結部と接触する連結尾部を有し、前記連結尾部は前記第１と第２のコンタクトのスロットで形成される前記平面から離れる方向に伸びている、電気的に結合された圧接システム。
【請求項２】
前記第１の圧接スロットの第２の部分と前記第２の圧接スロットの第１の部分の少なくともいずれかが、第１のエッジから第２のエッジまでの幅が異なる横寸法を有する、請求項１に記載の圧接システム。
【請求項３】
前記第１の圧接スロットの少なくとも一部分が長手軸に沿って湾曲され、前記第２の圧接スロットの少なくとも一部分が長手軸に沿って湾曲され、前記第１の圧接スロットおよび前記第２の圧接スロットが一定の方向に湾曲される、請求項１に記載の圧接システム。
【請求項４】
前記第１の導体が、前記第２の部分で前記第１のコンタクトに電気的に結合され、前記第２の導体が、前記第２のコンタクトの前記第１の部分で、前記第２のコンタクトに電気的に結合された、請求項１の圧接システムと電気的に結合される一対の圧接要素。
【請求項５】
伝導性コアを囲む絶縁を各々が有する第１および第２の導体を、請求項１の電気的に結合された圧接システムに接続する方法であって、
前記第１のコンタクトおよび前記第２のコンタクトの上方に前記第１の導体を配置するステップと、
前記第１のコンタクトおよび前記第２のコンタクトの前記スロット内に前記第１の導体を差し込むステップと、
前記第１のコンタクトおよび前記第２のコンタクトの前記スロットの上方および前記第１の導体の上方に前記第２の導体を配置するステップと、
前記第１のコンタクトおよび前記第２のコンタクトの前記スロット内に前記第２の導体を差し込むステップと、を含み、前記第１の導体の前記伝導性コアが前記第１のスロットの前記第２の部分と電気的に係合し、前記第２の導体の前記伝導性コアが前記第２のスロットの前記第１の部分と電気的に係合する、方法。
【請求項６】
前記キャップを通る前記開口部に隣接して前記ハウジングの前記キャビティ内に刃先を提供するステップと、
前記ハウジングのキャビティに対して閉位置に前記キャップを回動させ、前記ブレードが前記キャップが閉位置に回動されると、前記開口を貫通する前記第１の導体および第２の導体の部分を切断するステップと、
前記第１のコンタクトおよび前記第２のコンタクトの下方に延在する結合尾部を提供するステップと、
前記結合尾部を結合要素に弾性的に電気的に接続するステップと、をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月15日(2008.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１のＩＤＣ素子を受容するキャビティを含む筐体と、
枢動部とカバー部とを含むキャップと、
前記キャップの前記枢動部内の少なくとも１つの凹部と、
前記枢動部内の前記凹部に隣接する前記筐体の前記キャビティ内の刃先と、を備え、
前記キャップを開成位置と閉成位置との間で枢動可能にするように、前記枢動部が前記筐体に枢動可能に載置され、
前記キャビティは、第１のＩＤＣ素子を受容する第１の部分と、
第２のＩＤＣ素子を受容する第２の部分と、を備え、
前記第１のＩＤＣ素子は、前記第２のＩＤＣ素子よりも前記キャップの前記枢動部分に近くに位置し、
更に、前記ＩＤＣ素子内の絶縁変位スロットと位置合わせされた前記カバー部上の突起を備えた、少なくとも１つの導電体を終端させる電気コネクタ。
【請求項２】
第１の導電体は、前記キャビティの前記第１の部分に進入するとともに前記第１のＩＤＣ素子と係合し、第２の導電体は、前記キャビティの前記第２の部分に進入するとともに前記第２のＩＤＣ素子と係合する、第１の導電体と第２の導電体との組み合わせにおける、請求項１に記載の電気コネクタ。
【請求項３】
前記少なくとも１つの凹部は、更に、前記キャビティの前記第１の部分と位置合わせされた前記キャップの前記枢動部内の第１の凹部と、前記キャビティの前記第２の部分と位置合わせされた前記キャップの前記枢動部内の第２の凹部と、を備え、
前記第１の凹部は、前記キャップの前記枢動部を貫通する貫通穴を備え、
前記第２の凹部は、前記キャップの前記枢動部を貫通する貫通穴を備える、請求項１に記載の電気コネクタ。
【請求項４】
前記ＩＤＣ素子は、
第１のコンタクトと、
第１のコンタクトと電気的に結合された第２のコンタクトと、を備え、
第１のコンタクトおよび第２のコンタクトは、少なくとも１つの導電体を受容する、請求項１に記載の電気コネクタ。
【請求項５】
ＩＤＣ素子を受容するキャビティを含む筐体を提供するステップと、
枢動部とカバー部とを含み、前記枢動部内に凹部を有する、前記筐体に枢動可能に載置されたキャップを提供するステップと、
前記枢動部内の前記凹部に隣接する前記筐体の前記キャビティ内に刃先を提供するステップと、
前記キャップを前記筐体の前記キャビティに対して開成位置に枢動するステップと、
導電体を前記キャビティ内に挿入すると共に前記枢動部を介して前記凹部内に挿入するステップと、
前記キャップを前記筐体の前記キャビティに対して閉成位置に枢動するステップであって、前記刃先が前記凹部内を通る前記導電体を分断すると共に、前記キャップが前記導電体を前記ＩＤＣ素子内のスロット内に付勢するステップと、を含む、導電体をＩＤＣ素子内に挿入する方法。
【請求項６】
前記枢動部内の前記凹部が第１の凹部であると共に、前記キャップの前記枢動部が第２の凹部を有し、前記筐体が前記枢動部内の前記第１の凹部に隣接する第１の部分と前記枢動部内の前記第２の凹部に隣接する第２の部分とを備え、
第１の導電体を前記キャビティ内および前記第１の凹部内に挿入するステップと、
第２の導電体を前記キャビティ内および前記第２の凹部内に挿入するステップと、を更に含み、
前記キャップを閉成位置に枢動するステップが、前記第１の凹部内の前記第１の導電体を分断するとともに、前記第２の凹部内の前記第２の導電体を分断する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ＩＤＣが前記キャビティの前記第１の部分内に第１のＩＤＣ素子を備えると共に、第２のＩＤＣ素子が前記キャビティの前記第２の部分内に設けられており、
前記第１の導電体を前記第１のＩＤＣ素子内の前記スロット内に付勢するステップと、
前記第２の導電体を前記第２のＩＤＣ素子内のスロット内に付勢するステップと、を更に含む、請求項６に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
通例ＩＤＣ素子は絶縁筐体内に収容されている。筐体は、導電体を押圧してＩＤＣ素子と接触させるように移動可能であるキャップまたは移動可能部材を有することが多い。通例導電体を筐体内に挿入する際、キャップが閉じた後ユーザは導電体がＩＤＣ素子と適正な接続を行ったということを目視確認することが不可能である。ユーザはその後導電体とＩＤＣ素子との間に有効な接続が行われたかどうか判断できない。上記キャップまたは移動可能部材を有する周知のＩＤＣコネクタブロックは、米国特許第４，９９５，８２９号公報（特許文献１）、米国特許第５，６６４，９６３号公報（特許文献２）、欧州特許出願公開第０８７８８６６  Ａ２号公報（特許文献３）、欧州特許出願公開第０７７８６３７  Ａ２号公報（特許文献４）、フランス特許出願公開第２７３９０９６  Ａ号公報（特許文献５）や、国際公開第ＷＯ９９／０４４５５  Ａ号パンフレット（特許文献６）に記載されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
接続装置に関連する他の問題は、ＩＤＣ素子スロット内への導電体の挿入はかなりの力を必要とすることが多く、特別な工具または装置の使用を必要とする場合があるということである。キャップは導電体をＩＤＣ素子スロット内に挿入する挿入装置として用いられるように構成されていることが多い。しかし導電体をＩＤＣ素子スロット内に挿入するようにキャップを閉めることは大きな力を必要とする場合があり、ユーザの指または手に負担をかけることがある。
【特許文献１】米国特許第４，９９５，８２９号公報
【特許文献２】米国特許第５，６６４，９６３号公報
【特許文献３】欧州特許出願公開第０８７８８６６  Ａ２号公報
【特許文献４】欧州特許出願公開第０７７８６３７  Ａ２号公報
【特許文献５】フランス特許出願公開第２７３９０９６  Ａ号公報
【特許文献６】国際公開第ＷＯ９９／０４４５５  Ａ号パンフレット
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月19日(2008.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー電解質膜であって、ポリマーを含み、そのポリマーが結合したアニオン官能基を含むポリマー電解質膜を含む燃料電池膜電極アセンブリであって、前記ポリマー電解質膜が、マンガンカチオンおよびルテニウムカチオンからなる群から選択されるカチオンをさらに含む、燃料電池膜電極アセンブリ。
【請求項２】
前記カチオンがマンガンカチオンである、請求項１に記載の燃料電池膜電極アセンブリ。
【請求項３】
前記ポリマーが完全フッ素化されている、請求項１に記載の燃料電池膜電極アセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】燃料電池膜電極アセンブリ
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月2日(2008.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流型アクティブ・マトリックスOLEDデバイスの製造方法であって、
a）基板の上方に半導体層を設け；
b）その基板の上方に導電層を設け；
c）上記半導体層と上記導電層の間に絶縁層を設け；
d）各画素を発光させるため、上記半導体層または上記導電層の上方に有機発光ダイオードを設け；
e）第1の電流としてのデータ信号を受け取って対応する画素から出る光の明るさを調節するため、上記半導体層の中に形成されたチャネル領域と、上記導電層の中に形成されたゲートとを備える第1のトランジスタを画素ごとに形成し；
f）上記第1の電流に応答して上記有機発光ダイオードの中を流れる電流を調節するため、上記導電層の中に形成されたゲートと、上記半導体層の中に形成されたチャネル領域とを備える第2のトランジスタを画素ごとに形成し；
g）上記第1のトランジスタと上記第2のトランジスタを形成する前、または形成した後に、供給源から供給されて1個以上のレーザー・パルスを発生させるパルス式レーザーを用いた照射により、上記半導体層のうちで、その第1のトランジスタのチャネル領域の一部に関係する領域と、その第2のトランジスタのチャネル領域の一部に関係する領域をアニーリングする操作を含む方法。
【請求項２】
アクティブ・マトリックス回路によって駆動される画素を有するアクティブ・マトリックスOLEDデバイスであって、各画素が、
a）有機発光ダイオードと；
b）第1の電流としてのデータ信号を受け取って対応する画素から出る光の明るさを調節するため、ゲートとチャネル領域を備える第1のトランジスタと；
c）上記第1の電流に応答して上記有機発光ダイオードを流れる第2の電流を調節するため、ゲートとチャネル領域とを備える第2のトランジスタと第3のトランジスタを含んでおり、上記第1のトランジスタのチャネル領域の一部が、上記第2のトランジスタのチャネル領域と上記第3のトランジスタのチャネル領域の間に配置されている、アクティブ・マトリックスOLEDデバイス。
【請求項３】
電流型アクティブ・マトリックスOLEDデバイスの製造方法であって、
a）基板の上方に半導体層を設け；
b）その基板の上方に導電層を設け；
c）上記半導体層と上記導電層の間に絶縁層を設け；
d）各画素を発光させるため、上記半導体層または上記導電層の上方に有機発光ダイオードを設け；
e）第1の電流としてのデータ信号を受け取って対応する画素から出る光の明るさを調節するため、上記半導体層の中に形成されたチャネル領域と、上記導電層の中に形成されたゲートとを備える第1のトランジスタを画素ごとに形成し；
f）上記第1の電流に応答して上記有機発光ダイオードの中を流れる電流を調節するため、上記導電層の中に形成されたゲートと、上記半導体層の中に形成されたチャネル領域とを備える第2のトランジスタと第3のトランジスタを画素ごとに形成し；
g）上記第1のトランジスタ、上記第2のトランジスタ、上記第3のトランジスタを形成する前、または形成した後に、供給源から供給されて1個以上のレーザー・パルスを発生させるパルス式レーザーを用いた照射により、上記半導体層のうちで、その第1のトランジスタのチャネル領域の一部に関係する領域と、その第2のトランジスタのチャネル領域の一部に関係する領域と、その第3のトランジスタのチャネル領域の一部に関係する領域をアニーリングする操作を含む方法。
【請求項４】
アクティブ・マトリックス回路によって駆動される画素を有するアクティブ・マトリックスOLEDデバイスであって、各画素が、
a）有機発光ダイオードと；
b）第1の電流としてのデータ信号を受け取って対応する画素から出る光の明るさを調節するため、ゲートとチャネル領域をそれぞれが備える第1のトランジスタおよび第2のトランジスタと；
c）上記第1の電流に応答して上記有機発光ダイオードを流れる第2の電流を調節するため、ゲートとチャネル領域を備える第3のトランジスタとを含んでおり、上記第3のトランジスタのチャネル領域の一部が、上記第1のトランジスタのチャネル領域と上記第2のトランジスタのチャネル領域の間に配置されている、アクティブ・マトリックスOLEDデバイス。
【請求項５】
電流型アクティブ・マトリックスOLEDデバイスの製造方法であって、
a）基板の上方に半導体層を設け；
b）その基板の上方に導電層を設け；
c）上記半導体層と上記導電層の間に絶縁層を設け；
d）各画素を発光させるため、上記半導体層または上記導電層の上方に有機発光ダイオードを設け；
e）第1の電流データとしての信号を受け取って対応する画素から出る光の明るさを調節するため、半導体層の中に形成されたチャネル領域と、導電層の中に形成されたゲートとをそれぞれが備える第1のトランジスタと第2のトランジスタを画素ごとに形成し；
f）上記第1の電流に応答して上記有機発光ダイオードの中を流れる電流を調節するため、上記導電層の中に形成されたゲートと、上記半導体層の中に形成されたチャネル領域とを備える第3のトランジスタを画素ごとに形成し；
g）上記第1のトランジスタ、上記第2のトランジスタ、上記第3のトランジスタを形成する前、または形成した後に、供給源から供給されて1個以上のレーザー・パルスを発生させるパルス式レーザーを用いた照射により、上記半導体層のうちで、その第1のトランジスタのチャネル領域の一部に関係する領域と、その第2のトランジスタのチャネル領域の一部に関係する領域と、その第3のトランジスタのチャネル領域の一部に関係する領域をアニーリングする操作を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月31日(2008.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
選択されたメモリ・セルから電流を導く第１の電流経路と、電流を基準セルから導く第２の電流経路とを有する電流ミラーと、
前記第１及び第２の電流経路の少なくとも一部分を所定の電圧へ選択的に事前充電する事前充電回路とを備え、
前記事前充電回路は、基準電圧を受け取る第１の入力と、第２の入力と、事前充電電圧を与える出力であって分圧器回路を介して前記第２の入力に結合された前記出力とを備える演算増幅器を備える、センス増幅器。
【請求項２】
前記分圧器回路が、
電源電圧端子に結合された第１の端子と、前記演算増幅器の第２の入力に結合された第２の端子とを有する第１の抵抗性構成要素であって、第１の抵抗値を有する第１の抵抗性構成要素と、
前記演算増幅器の第２の端子に結合された第１の端子と、前記演算増幅器の出力に結合された第２の端子とを有する第２の抵抗性構成要素であって、第２の抵抗値を有する第２の抵抗性構成要素と
を備える請求項１記載のセンス増幅器。
【請求項３】
前記第１の抵抗値の前記第２の抵抗値に対する比が、前記演算増幅器と前記第１の及び第２の電流経路のうちの少なくとも一部分との間で共有される電荷の量を制御し、
前記の電荷共有が、前記第１及び第２の電流経路のうちの前記少なくとも一部分を事前充電するためである
請求項２記載のセンス増幅器。
【請求項４】
前記第１の抵抗性構成要素が、前記第１の抵抗値を有する抵抗であり、
前記第２の抵抗性構成要素が、前記第２の抵抗値を有する抵抗であり、
前記第１の抵抗値の前記第２の抵抗値に対する比が、第１のキャパシタンスの第２のキャパシタンスに対する比に少なくとも部分的に依存し、
前記第１のキャパシタンスが、前記第１及び第２の電流経路と関連付けられ、
前記第２のキャパシタンスが、前記演算増幅器の出力と関連付けられる
請求項２記載のセンス増幅器。
【請求項５】
メモリ・セルに格納された論理状態を検知する方法であって、
事前充電回路を設けるステップと、
前記事前充電回路を用いて電荷を容量性構成要素に蓄積するステップと、
前記メモリ・セルに格納された論理状態を検知するセンス増幅器の動作を使用可能にするステップと、
前記容量性構成要素を前記事前充電回路から結合しなくするステップと、
電荷を前記容量性構成要素と前記センス増幅器との間で共有させることにより前記センス増幅器を所定の電圧へ事前充電するステップと、
前記センス増幅器に格納された論理状態を検知するステップと
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月29日(2008.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
命令を実行する処理ユニットと、
同処理ユニットに結合し、同処理ユニットから制御信号を受信することに応答して第１の所定の動作を実施する回路と、
集積回路に供給される電源電圧が、所定の電圧レベルより低いかどうかを判定する低電圧検出回路と、を備える集積回路であって、
前記第１の所定の動作が前記回路で行われることに応答して、前記低電圧検出回路の動作をイネーブルする電圧検出イネーブル信号が供給され、前記電源電圧が所定の電圧レベルより低い場合、前記低電圧検出回路によって、集積回路で第２の所定の動作が始動されるようにする集積回路。
【請求項２】
チャージポンプをディスエーブルする方法であって、
プログラム信号および消去信号の一方の信号に応答して第１検出イネーブル信号を供給すること、
前記電源端子の電圧が所定レベルを超える場合、前記第１検出イネーブル信号に応答して電圧有効信号を供給すること、および、
前記電圧有効信号がアサートされていないことに応答して前記チャージポンプを放電させることを含む方法。
【請求項３】
前記ディスエーブルすることは、前記高電圧イネーブル信号がアサートされていないときに、高電圧イネーブル信号に応答して前記チャージポンプをディスエーブルすることとさらにみなされる請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記高電圧イネーブル信号は、
ブロック保護信号がアサートされること、
プログラムまたは消去制御シーケンスエラーの発生、
リセット信号がアサートされること、および、
前記電圧有効信号がアサートされないこと
のうちの１つまたは複数に応答してアサートされない請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記電源端子の電圧が前記所定の電圧より低いことに応答して、電圧ロー信号を生成すること、および、前記電圧ロー信号が生成されることに応答して、低レベル割り込み信号を生成することをさらに含む請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月1日(2008.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークピースのスルーホールに金属を充填するための電気処理であって、下記工程、すなわち、
（ｉ）スルーホールを有するワークピースを有機添加剤を含有する金属沈着電解質に接触させ、前記ワークピースと少なくとも１つのアノードとの間に電圧を印加することによって前記ワークピースに電流を印加する工程であって、前記電流を好ましい沈着が前記スルーホールの中央部に生じるように選択することによって前記スルーホールの中央部を完全にまたはほぼ完全に埋める工程と、
（ｉｉ）前記ワークピースを金属沈着電解質に接触させ、前記ワークピースと少なくとも１つのアノードとの間に電圧を印加することによって前記ワークピースに電流を供給する工程であって、工程（ｉ）で得られた完全にまたはほぼ完全に二つに分けられたスルーホールに金属を充填する工程と、
を含んでなり、
前記工程（ｉ）における電流はパルス逆電流であり、前記電流の各サイクルにおいて、少なくとも１つの順方向電流パルスと少なくとも１つの逆方向電流パルスとが生じ、そして前記工程（ｉｉ）における電流はパルス逆電流、直流または交流であり、
前記工程（ｉ）における前記少なくとも１つの逆方向電流パルスの継続時間に対する前記少なくとも１つの順方向電流パルスの継続時間の比を５〜７５、最も好ましくは約２０に設定し、前記少なくとも１つの順方向電流パルスの継続時間を５〜２５０ｍｓに設定し、そして前記少なくとも１つの逆方向電流パルスの継続時間を、好ましくは２０ｍｓ以下、最も好ましくは１〜１０ｍｓに設定する、
前記電気処理。
【請求項２】
前記メタライゼーション工程（ｉ）および（ｉｉ）は異なる電解質中で行われる、請求項１に記載の処理。
【請求項３】
前記メタライゼーション工程（ｉ）および（ｉｉ）は同じ電解質中で行われる、請求項１に記載の処理。
【請求項４】
前記少なくとも１つの逆方向電流パルスの継続時間に対する前記少なくとも１つの順方向電流パルスの継続時間の比を約２０に設定する、請求項１ないし３のいずれかに記載の処理。
【請求項５】
前記少なくとも１つの逆方向電流パルスの継続時間を１〜１０ｍｓに設定する、請求項１ないし４のいずれかに記載の処理。
【請求項６】
前記ワークピースにおける前記少なくとも１つの順方向電流パルスのピーク電流密度を、好ましくは１５Ａ／ｄｍ２以下、水平処理の場合最も好ましくは１．５〜８Ａ／ｄｍ２、垂直処理の場合最も好ましくは２Ａ／ｄｍ２に設定する、請求項１ないし５のいずれかに記載の処理。
【請求項７】
前記ワークピースにおける前記少なくとも１つの逆方向電流パルスのピーク電流密度を、好ましくは６０Ａ／ｄｍ２以下、水平処理の場合最も好ましくは３０〜５０Ａ／ｄｍ２、垂直処理の場合最も好ましくは３〜１０Ａ／ｄｍ２に設定する、請求項１ないし６のいずれかに記載の処理。
【請求項８】
前記ワークピースの第１面と少なくとも第１アノードとの間に第１電圧を印加することによって第１パルス逆電流が前記ワークピースの第１面に供給され、この第１パルス逆電流の各サイクルにおいて、少なくとも第１順方向電流パルスと少なくとも第１逆方向電流パルスとが流れ、
前記ワークピースの第２面と少なくとも第２アノードとの間に第２電圧を印加することによって第２パルス逆電流が前記ワークピースの第２側面に供給され、この第２パルス逆電流の各サイクルにおいて、少なくとも第２順方向電流パルスと少なくとも第２逆方向電流パルスとが流れる、請求項１ないし７のいずれかに記載の処理。
【請求項９】
前記第１電流パルスは、前記第２電流パルスに対して約１８０°のオフセットである、請求項８に記載の処理。
【請求項１０】
電解質として硫酸銅電解質が用いられる、請求項１ないし９のいずれかに記載の処理。
【請求項１１】
前記電解質は、１５〜７５ｇ／Ｌの銅と、２０〜４００ｇ／Ｌの硫酸と、２０〜２００ｍｇ／Ｌの塩化物とを含有する無機基質を含んでなる、請求項１に記載の処理。
【請求項１２】
前記有機添加剤が、増白剤、レべリング剤および湿潤剤である、請求項１１に記載の処理。
【請求項１３】
前記電解質は、レドックス系を用いた不活性アノードを用いて運転される、請求項１ないし１２のいずれかに記載の処理。
【請求項１４】
電解質として硫酸銅電解質が用いられ、アノードとして可溶性アノードが用いられる、請求項１ないし１３のいずれかに記載の処理。
【請求項１５】
前記スルーホールの最大深さは３．５ｍｍであり、好ましい深さは０．０２５〜１ｍｍ、特に好ましい深さは０．０５〜０．５ｍｍである、請求項１ないし１４のいずれかに記載の処理。
【請求項１６】
前記スルーホールの直径は１，０００μｍ以下、好ましくは３０〜３００μｍ、最も好ましくは６０〜１５０μｍである、請求項１ないし１５のいずれかに記載の処理。
【請求項１７】
前記ワークピースは板状であり、かつ、スルーホールを有する、請求項１ないし１６のいずれかに記載の処理。
【請求項１８】
前記ワークピースはプリント基板または任意の他の板状電気回路基体である、請求項１ないし１７のいずれかに記載の処理。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月13日(2008.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バリスタにおいて、セラミック製ベース（１）を有しており、該セラミック製ベース（１）の表面には、少なくとも部分的に絶縁層（２）が設けられており、該絶縁層（２）は、基本となるガラスと充填剤とから複合されており、該充填剤は、乃至3Al2O3乃至2SiO2を含んでおり、前記絶縁層は、付加的に、材料を強化する繊維を有していることを特徴とするバリスタ。
【請求項２】
絶縁層（２）は、５〜４０％の充填剤の重量配分を有している請求項１記載のバリスタ。
【請求項３】
基本となるガラスは、３０〜５０％のＺｎＯの重量配分を有している請求項１又は２記載のバリスタ。
【請求項４】
基本となるガラスは、３０〜40％のB2O3の重量配分を有している請求項１から３迄の何れか１記載のバリスタ。
【請求項５】
基本となるガラスは、１0％以下のCuOの重量配分を有している請求項１から４迄の何れか１記載のバリスタ。
【請求項６】
基本となるガラスは、１0％以下のP2O５の重量配分を有している請求項１から５迄の何れか１記載のバリスタ。
【請求項７】
セラミック製ベース（１）には、金属化部（３）が設けられている請求項１から６迄の何れか１記載のバリスタ。
【請求項８】
材料を強化する繊維（４）は、有機質及び／又は無機質である請求項１から７迄の何れか１記載のバリスタ。
【請求項９】
絶縁層（２）は、有機質の結合物質（４）である請求項１から８迄の何れか１記載のバリスタ。
【請求項１０】
絶縁層（２）は、無機質の結合物質（４）である請求項１から９迄の何れか１記載のバリスタ。
【請求項１１】
絶縁層（２）は、温度上昇により硬化することができる請求項１から１０迄の何れか１記載のバリスタ。
【請求項１２】
バリスタは、多層バリスタである請求項１から１１までのいずれか１記載のバリスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月23日(2008.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ含有材料の表面上に金属シリサイドを形成する方法であって、
Ｓｉ含有材料の上に金属含有シリコン合金層を含む構造体を準備するステップと、
前記構造体に、前記Ｓｉ含有材料中への前記金属の一方向拡散を増強してアモルファス金属含有シリサイドを形成する第１の温度で実施される第１の熱サイクルと、前記アモルファス金属含有シリサイドを、前記金属含有シリコン合金層に比べて実質的にエッチング不可能な結晶化金属リッチ・シリサイドに転化する第２の温度で実施される第２の熱サイクルとを含む第１のアニール処理を施すステップと、
未反応な金属含有シリコン合金層を前記構造体から除去するステップと、
前記構造体に、前記結晶化金属リッチ・シリサイドを最低抵抗相にある金属シリサイド相に転化する第３の温度で第２のアニール処理を施すステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記金属含有シリコン合金層は、合金層の堆積によって、又は、初めに高融点金属を堆積して金属層を形成し、次に前記高融点金属層をシリコンでドープすることよって形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１アニールの前に、前記金属含有シリコン合金層の上にバリヤ層を形成するステップをさらに含み、前記バリヤ層は、前記未反応金属含有シリコン合金層を除去する前記ステップにおいて除去される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記金属含有シリコン合金層は、Ｃ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ及びそれらの混合物から構成される群から選択される少なくとも１つの添加物をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記金属含有シリコン合金層は、３０原子％より少ないＳｉを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記金属含有シリコン合金は、Ｎｉ、Ｃｏ又はそれらの合金を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１温度は、前記第２温度より低い、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１温度は、３５０℃より低い、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１熱サイクルは、３０秒から１２０秒までの時間実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２温度は、４５０℃より低く、前記第１温度より高いことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２温度は、３５０℃から４００℃までの温度である、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２熱サイクルは、１０秒から３０秒までの時間実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記除去するステップは、化学エッチャントを用いる湿式エッチング工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第３温度は、７００℃から９００℃までであり、前記第２アニールは、３００秒又はそれ以下の時間実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
金属シリサイドが配置される領域をもつシリコン含有材料であって、前記金属シリサイドはその最低抵抗相にあり、１４ｎｍから２５ｎｍまでの厚さを有するため、前記金属シリサイドが分離トレンチ領域の上に配置されず、前記構造体内部のリークが低減される、シリコン含有材料を含む半導体構造体。
【請求項１６】
前記金属シリサイドは、コバルト・ジシリサイド又はニッケル・モノシリサイドである、請求項１５に記載の半導体構造体。
【請求項１７】
前記金属シリサイドは、内部に埋め込まれた酸化物を連続的に含まない、請求項１５に記載の半導体構造体。
【請求項１８】
前記Ｓｉ含有材料は、基板、ゲート電極又はその両方を含む、請求項１５に記載の半導体構造体。
【請求項１９】
前記Ｓｉ含有材料は、単結晶Ｓｉ、多結晶Ｓｉ、ＳｉＧｅ、アモルファスＳｉ、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）又はシリコン・ゲルマニウム・オン・インシュレータ（ＳＧＯＩ）を含む、請求項１５に記載の半導体構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月9日(2008.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一連のピンによって互いに拘束される一連の凸状円板を有する二軸形タービン用凸状密封底（１０）であって、
前記円板の各円板が、リング（７０）の内側溝付き面（７２）の対応する環状面（７１）と係合して軸方向の密封状態を達成する外側整形縁部を含み、
前記一連の円板は、それぞれ第１の円板（１２）と第２の円板（１３）と第３の円板（１４）との３個の円板であり、
前記３個の円板は、一連のスポーク（３０）によって中央部において互いに固定され、前記３個の円板は、前記３個の円板に対して垂直に配置されて前記３個の円板の軸方向の相対移動を最小限に抑えると同時に前記３個の円板の半径方向の膨張を可能にする前記一連のピンによってそれぞれ対をなして拘束され、
前記密封底は、丸頭を有する第１の一連のピン（２０）と第２の一連のピン（２１）とを含み、前記第１の一連のピン（２０）は、前記第１の円板（１２）を前記第３の円板（１４）に対して拘束する一方で、前記第２の一連のピン（２１）は、前記第２の円板（１３）を前記第３の円板（１４）に対して拘束する
ことを特徴とする密封底（１０）。
【請求項２】
前記３個の円板の各円板は、前記一連のピン（２０）および（２１）用の一連の収容部（４０）を含むことを特徴とする請求項１に記載の密封底（１０）。
【請求項３】
前記一連の収容部（４０）は、前記３個の円板の各円板上において、前記外側円形縁部（１５）に近接して周に沿って配置されることを特徴とする請求項１または２に記載の密封底（１０）。
【請求項４】
前記収容部（４０）は、各円板の底面上に配置される周に沿って等間隔に分布せしめられる、各円板に溶接されたブシュであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の密封底（１０）。
【請求項５】
前記第１の円板（１２）は、中央開口（１６）を有し、前記第２の円板（１３）は、これに対応して、中央開口（１７）を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の密封底（１０）。
【請求項６】
前記第３の円板（１４）は、前記第１の円板（１２）と前記第２の円板（１３）との間に配置されるとともに、これらの円板と共に、それぞれ装置の外側から高圧タービンの方向および低圧タービンの方向に送られるそれぞれの２つの加圧空気流のための、それぞれ第１のダクト（６１）と第２のダクト（６２）とを形成することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の密封底（１０）。
【請求項７】
前記３個の円板の各円板は、底面上に配置されるとともに、半径方向に等距離に前記底面の周に沿って均等に分布せしめられて配置される一連の貫通切取り部（１８）を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の密封底（１０）。
【請求項８】
前記３個の円板の各円板の対応する一連の切取り部（１８）内に挿入されるとともに、前記３個の円板に、各々の円板の対応する中央部分において溶接される一連のスポーク（３０）を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の密封底（１０）。
【請求項９】
前記第１の一連のピン（２０）および前記第２の一連のピン（２１）のピンは、前記３個の円板の各円板の底面周上において等間隔に分布せしめられることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の密封底（１０）。
【請求項１０】
前記第１の一連のピン（２０）のピンは、前記第２の一連のピン（２１）に対して１５°の角度で角度的に位相ずれすることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の密封底（１０）。
【請求項１１】
前記第１の一連のピン（２０）と前記第２の一連のピン（２１）との各一連のピンは、１２本の丸頭ピンからなることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の密封底（１０）。
【請求項１２】
前記第１の円板（１２）と前記第２の円板（１３）との各々は、それぞれ前記第１の一連のピン（２０）および前記第２の一連のピン（２１）の収容部として、１２個のブシュを含み、前記第３の円板（１４）は、それぞれ前記第１の一連のピン（２０）および前記第２の一連のピン（２１）の収容部として、２４個のブシュを含むことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の密封底（１０）。
【請求項１３】
前記第１の円板（１２）に適用される断熱要素（８０）を含むことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の密封底（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月9日(2008.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
継手手段によって結合することができる一連の環状のセクタ（１２）を含み、各セクタ（１２）が、底面（１５）を備えた少なくとも１つのキャビティ（１４）を有する第１の側面を含む、タービンのステータのための保護装置であって、
前記少なくとも１つのキャビティ（１４）の各底面（１５）が円周方向及び／又は軸方向に凸状であり、
各セクタ（１２）が、前記少なくとも１つのキャビティ（１４）内部に配置されかつ長手方向に可変の断面を有して各セクタ（１２）の剛性を調整するようになった少なくとも１つの強化リブ（１６）を含み、
前記凸状の底面（１５）が、軸方向断面において軸方向曲率半径（７０）を有する頂点を有し、前記軸方向曲率半径（７０）が、前記ロータの半径で除算したときに0.221〜0.299の範囲にある値を有する
ことを特徴とする、保護装置（１０）。
【請求項２】
前記軸方向曲率半径（７０）が、前記ロータの半径で除算したときに0.260に等しい値を有することを特徴とする、請求項１記載の保護装置（１０）。
【請求項３】
前記半径方向断面における頂点が、円周方向曲率半径（６０）を有し、前記円周方向曲率半径（６０）が、前記ロータの半径で除算したときに0.365〜0.494の範囲にある値を有することを特徴とする、請求項１又は２記載の保護装置（１０）。
【請求項４】
前記円周方向曲率半径（６０）が、前記ロータの半径で除算したときに0.429に等しい値を有することを特徴とする、請求項３記載の保護装置（１０）。
【請求項５】
前記軸方向断面における頂点が、前記少なくとも１つのキャビティ（１４）の１つの端部からの間隔（８０）を有し、前記間隔（８０）が、前記少なくとも１つのキャビティ（１４）の軸方向長さで除算したときに0.142〜0.192の範囲にある値を有することを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項記載の保護装置（１０）。
【請求項６】
前記少なくとも１つのキャビティ（１４）の軸方向長さで除算したときの間隔（８０）が、０．１６７に等しい値を有することを特徴とする、請求項５記載の保護装置（１０）。
【請求項７】
軸方向に沿った前記リブ（１６）が、前記タービンの軸線に対して、3.162°〜4.278°の範囲にある角度（５０）だけ傾斜していることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか１項記載の保護装置（１０）。
【請求項８】
前記角度（５０）が、3.72°であることを特徴とする、請求項７記載の保護装置（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月8日(2008.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
衝撃掘削に適したロックドリルビットであって、
ビット・ボディー（２）と、
長手方向の中心軸（ＣＬ）を規定するヘッド部分（３）であって、外側部分（１２，１２'）を有する前面（８）を含み、前記外側部分（１２，１２'）が前記前面（８）に対して隆起しているヘッド部分（３）と、
該ヘッド部分（３）を通って延び、前記前面（８）と連通して噴射流体をそこへ導く少なくとも一つの流体流路（７）と、を備えたロックドリルビットにおいて、
前記外側部分は、周方向に間隔を空けたいくつかの隆起部分（１２，１２'）を含み、該隆起部分（１２，１２'）の各々は最大二つの外周ボタン（６）を含み、該外周ボタン（６）が、前記ヘッド部分（３）において、該ロックドリルビット（１，１'）の中心軸（ＣＬ）のまわりに略円環状に配置された少なくとも二つの前ボタン（４）及び少なくとも二つの流体流路（７）と交わる仮想円（Ｃ）の半径方向外側に取り付けられていることを特徴とするロックドリルビット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記隆起部分（１２，１２'）が、前記ロックドリルビット（１，１'）の前記中心軸（ＣＬ）のまわりに略円環状に配置された少なくとも二つの前面ボタン（４）及び少なくとも二つの流体流路（７）と交わる仮想円（Ｃ）の半径方向外側に配置されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のロックドリルビット。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
外周ボタン６は、ドリルヘッド３に、ロックドリルビット１の中心軸ＣＬのまわりで略円環状に配置された少なくとも二つの前面ボタン４及び少なくとも二つの噴射流路７と交わる仮想円Ｃの半径方向外側に取り付けられる。前面ボタン１２は、前面８で、外周ボタン６の半径方向内側に取り付けられる。流体流路７のオリフィスは隆起部１２の下の平面Ｐに配置される。隆起部１２はロックドリルビット１の中心軸ＣＬのまわりで略円環状に配置された４つ又は少なくとも２つの前面ボタン４及び４つ又は少なくとも２つの流体流路７と交わる仮想円Ｃの半径方向外側に配置される。前面８はビット・ボディー２の外周溝１０で終わる。流体流路７と交わる仮想円Ｃは、また、同数の前面ボタン４と交わる。通常５〜１０個ある外周ボタン６の主要部分は前面８で円Ｃの半径方向外側に取り付けられる。別の前溝が各外周溝１０と前面８の間に形成される。前溝は、長手方向中心軸ＣＬに対して外向きに前面に対して後方へ傾斜したベベル１３である。あるいはまた、前溝は、一般にＣＬに対して外向き及び後方へ傾斜したカーブに従うことができる。