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【手続補正書】
【提出日】平成19年3月5日(2007.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
クランパ凹部２３の円筒部２３ａには複数（この場合１２０度の配置角で３個）の開口２３ｃが形成されている。この開口２３ｃには後述する押圧リング２５の取り付け用フック２７ｃが係合される。
円筒部２３ａの外周にはまた、回転軸３方向に複数（この場合１２０度の配置角で３個）のガイドリブ２３ｄが形成されている。このガイドリブ２３ｄは、押圧リング２５に設けられたガイド溝２７ｄが係合し、押圧リング２５を回転軸３方向へガイドすると共に、押圧リング２５が押圧リングホルダ２１に対して回転運動しないよう回転方向の動きを防止している。
クランパ凹部２３の底部２３ｂは回転軸３と直交する平面上に内面２３ｅ、外面２３ｆが形成され、その中心にガイド軸２４が形成されている。ガイド軸２４はターンテーブル１０側へ突出する回転ガイド部２４ａと、クランパ凹部２３の内部、図の上方へ突出する磁石ガイド部２４ｂで構成されている。回転ガイド部２４ａはディスク装着状態（図１の状態）でヨーク材１７の先端開口１７ｃへ嵌合し、押圧リングホルダ２１を回転軸３と同軸上に位置させる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
次に、図４乃至図６により本発明の他の実施の形態（第二の実施の形態）を説明する。上述第一の実施の形態と同一の作用を持つ構成については同じ符号を付けその説明を省略する。
この図に示すディスククランプ装置は、スピンドルモータ１に取り付けられたターンテーブル１１０とクランパ１２０で構成されている。
ディスクＤを載置するターンテーブル１１０は、載置部１１１と、その内側の円錐台状に形成されディスクＤの中心孔をガイドするセンタリング部材１１５およびターンテーブル１１０を回転軸３へ圧入固定するための筒状固定部１１３が樹脂で一体に形成されている。載置部１１１にはディスクの心出しを行う心出し片１１４が複数（この場合等間隔に５個）一体に設けられ、その周囲には環状シート１８が張り付けられている。
さらに、このターンテーブル１１０の上部には、クランパ１２０と軸方向に対向してターンテーブル１１０とクランパ１２０の相対的な回転運動を防止する構成が設けられている。そして、その防止手段のモータ側で固定部１１３とセンタリング部材１１５の間の凹所１１６にはヨーク材１１７が取り付けられている。このターンテーブル１１０は回転軸３に圧入で固定される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2005302098.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月31日(2007.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学デバイスであって、
第１の光を表面上に放射する第１の光源と、
前記表面で反射された反射光を受光する第１の検出器とを有し、
前記光学デバイスと前記表面とが第１の距離だけ離れている状態で前記反射光は前記第１の検出器において第１のスペックルパターンを生成し、
前記第１のスペックルパターンに関連する定量化可能な特性を使用して、前記光学デバイスと前記表面との間の距離を測定する
ことを特徴とする光学デバイス。
【請求項２】
前記光学デバイスと前記表面とが第２の距離だけ離れている状態で、前記反射光は前記第１検出器において第２のスペックルパターンを生成し、
前記第１スペックルパターンに関連する前記定量化可能な特性と、前記第２スペックルパターンに関連する定量化可能な特性とを使用して、前記光学デバイスと前記表面との間の距離が測定される、
ことを特徴とする請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項３】
前記第１スペックルパターンに関連する前記定量化可能な特性と、前記第２スペックルパターンに関連する前記定量化可能な特性との比率を使用して、前記光学デバイスと前記表面との間の距離が測定される、
ことを特徴とする請求項２に記載の光学デバイス。
【請求項４】
前記第１の光が、前記第１の距離において第１波長から前記第２の距離において第２波長に調節され、その結果、前記第１スペックルパターンに関連する前記定量化可能な特性と、前記第２スペックルパターンに関連する前記定量化可能な特性とがほぼ等しくなり、
前記第１の波長と前記第２の波長との比が、前記光学デバイスと前記表面との間の距離を測定するために使用される、
ことを特徴とする請求項２に記載の光学デバイス。
【請求項５】
第２の光を前記表面に放射するように構成された第２の光源であって、前記第１の光が第１の波長の光を有するのに対して、前記第２の光は、前記第１の波長とは異なる第２の波長の光を有する、第２光源をさらに備え、
前記第１のスペックルパターンが、前記第１の反射光により生成され、前記第２のスペックルパターンが、第２の反射光により生成される、
ことを特徴とする請求項２に記載の光学デバイス。
【請求項６】
第２の光を前記表面に放射するように構成された第２の光源であって、前記第１の光が第１の波長の光を有するのに対して、前記第２の光は、前記第１の波長とは異なる第２の波長の光を有する、第２の光源と、
前記表面から反射した光を受光するように構成された第２の検出器であって、前記第１のスペックルパターンが、前記第１の距離において前記第１の検出器により受光される第１の反射光により生成され、第２スペックルパターンが、前記第１の距離において前記第２検出器により受光される第２の反射光により生成され、前記第１のスペックルパターンに関連する前記定量化可能な特性と、前記第２のスペックルパターンに関連する定量化可能な特性との差が、前記第１の距離を決定するために使用される、第２の検出器と、
をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項７】
前記第１のスペックルパターンに関連する前記定量化可能な特性が、前記第１のスペックルパターンの平均スペックルサイズに対応する、
ことを特徴とする請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項８】
前記第１のスペックルパターンに関連する前記定量化可能な特性が、前記第１のスペックルパターンにおけるスペックルの数に対応する、
ことを特徴とする請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項９】
前記第１のスペックルパターンに関連する前記定量化可能な特性が、前記第１の検出器により検出された光輝の量に関連する、
ことを特徴とする請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項１０】
前記表面に対する前記光学デバイスの横断方向の移動を検出するようにさらに構成された、
ことを特徴とする請求項１に記載の光学デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月9日(2007.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体の上面に被加熱容器を載置するトッププレートを配し、該トッププレートの下方に誘導加熱コイルを配し、該誘導加熱コイルを駆動する電子基板と、前記誘導加熱コイルと前記電子基板を冷却するファンとを前記本体内部に配した誘導加熱調理器において、
前記ファンにターボファンを用い、該ファンの吸込口と吹出口の方向を前記ファンの軸方向と一致する方向に配置し、前記吹出口の下流側に前記電子基板を配置することを特徴とする誘導加熱調理器。
【請求項２】
請求項１において、
前記吹出口を複数設けたことを特徴とする誘導加熱調理器。
【請求項３】
請求項２において、
前記電子基板のうち発熱の大きい部品を前記複数の吹出口の下流に集中して配置したことを特徴とする誘導加熱調理器。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記複数の吹出口の少なくとも一つは前記誘導加熱コイルにダクトを介して導くよう構成したことを特徴とする誘導加熱調理器。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記ファンは、羽根車と該羽根車を駆動するファンモータを有し、
該ファンモータは少なくともその一部を前記羽根車内部に内蔵させたことを特徴とする誘導加熱調理器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、請求項１の発明は、本体の上面に被加熱容器を載置するトッププレートを配し、該トッププレートの下方に誘導加熱コイルを配し、該誘導加熱コイルを駆動する電子基板と、前記誘導加熱コイルと前記電子基板を冷却するファンとを前記本体内部に配した誘導加熱調理器において、前記ファンにターボファンを用い、該ファンの吸込口と吹出口の方向を前記ファンの軸方向と一致する方向に配置し、前記吹出口の下流側に前記電子基板を配置するものである。
また、請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記吹出口を複数設けたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項３の発明は、請求項２において、前記電子基板のうち発熱の大きい部品を前記複数の吹出口の下流に集中して配置したものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、前記複数の吹出口の少なくとも一つは前記誘導加熱コイルにダクトを介して導くよう構成したものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項５の発明は、請求項１乃至４のいずれかにおいて、前記ファンは、羽根車と該羽根車を駆動するファンモータを有し、該ファンモータは少なくともその一部を前記羽根車内部に内蔵させたものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
以上述べたように、請求項１記載の発明は、本体の上面に被加熱容器を載置するトッププレートを配し、該トッププレートの下方に誘導加熱コイルを配し、該誘導加熱コイルを駆動する電子基板と、前記誘導加熱コイルと前記電子基板を冷却するファンとを前記本体内部に配した誘導加熱調理器において、前記ファンにターボファンを用い、該ファンの吸込口と吹出口の方向を前記ファンの軸方向と一致する方向に配置し、前記吹出口の下流側に前記電子基板を配置するものである。また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記吹出口を複数設けたものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項３記載の発明は、請求項２において、前記電子基板のうち発熱の大きい部品を前記複数の吹出口の下流に集中して配置したものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、前記複数の吹出口の少なくとも一つは前記誘導加熱コイルにダクトを介して導くよう構成したものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項５記載の発明は、請求項１乃至４のいずれかにおいて、前記ファンは、羽根車と該羽根車を駆動するファンモータを有し、該ファンモータは少なくともその一部を前記羽根車内部に内蔵させたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月4日(2007.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光を用いて、露光面に配置された基板を露光する走査型露光装置において、
前記露光面における露光範囲を制限する絞りと、
前記絞りの開口を通過して前記露光面に入射する光が、前記露光面から所定量光軸方向に離れた面に形成する照度分布を計測する計測手段と、
前記計測手段により計測された前記露光面上の走査方向に並ぶ複数の位置に入射する光が形成する前記照度分布を積算することにより、前記露光面に入射する光の角度特性を求める演算手段とを備えることを特徴とする走査型露光装置。
【請求項２】
前記複数の位置に入射する光が形成する前記照度分布のそれぞれは、前記計測手段により独立に計測されることを特徴とする請求項１の走査型露光装置。
【請求項３】
前記計測手段は、光の強度を計測する光検出器を有し、前記光検出器を光軸と垂直方向に移動させて前記照度分布を計測することを特徴とする請求項１の走査型露光装置。
【請求項４】
前記計測手段は、センサーアレイを備え、前記センサーアレイを光軸と垂直方向に移動させて前記照度分布を計測することを特徴とする請求項１の走査型露光装置。
【請求項５】
前記計測手段は、２次元センサーアレイを備えることを特徴とする請求項１の走査型露光装置。
【請求項６】
光源からの光を用いて、露光面に配置された基板を露光する走査型露光装置において、
走査方向に延びたスリット状の開口が設けられ、前記露光面における露光範囲を制限する絞りと、
前記露光面に対して光学的にフーリエ変換面となる位置に配置された２次元センサーアレイと、
前記絞りの前記スリット状の開口を通過した光の前記フーリエ変換面における強度分布を計測する計測手段とを備えることを特徴とする走査型露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の第１の側面としての走査型露光装置は、光源からの光を用いて、露光面に配置された基板を露光する走査型露光装置において、前記露光面における露光範囲を制限する絞りと、前記絞りの開口を通過して前記露光面に入射する光が、前記露光面から所定量光軸方向に離れた面に形成する照度分布を計測する計測手段と、前記計測手段により計測された前記露光面上の走査方向に並ぶ複数の位置に入射する光が形成する前記照度分布を積算することにより、前記露光面に入射する光の角度特性を求める演算手段とを備えることを特徴とする。また、本発明の第２の側面としての走査型露光装置は、光源からの光を用いて、露光面に配置された基板を露光する走査型露光装置において、走査方向に延びたスリット状の開口が設けられ、前記露光面における露光範囲を制限する絞りと、前記露光面に対して光学的にフーリエ変換面となる位置に配置された２次元センサーアレイと、前記絞りの前記スリット状の開口を通過した光の前記フーリエ変換面における強度分布を計測する計測手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月12日(2007.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１の電源電圧を印加するための第１電源電圧パッドと、
テストを実行するための第２の電源電圧を印加するための第２電源電圧パッドと、
前記第２電源電圧パッドへの前記第２の電源電圧の印加により生ずる電流を検知する電流検知手段と、
前記電流検知手段の検知出力に基づき前記第２電源電圧パッドからの前記第２の電源電圧の供給を遮断又は抑制する制御手段と
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的達成のため、この発明に係る半導体装置は、第１の電源電圧を印加するための第１電源電圧パッドと、テストを実行するための第２の電源電圧を印加するための第２電源電圧パッドと、前記第２電源電圧パッドへの前記第２の電源電圧の印加により生ずる電流を検知する電流検知手段と、前記電流検知手段の検知出力に基づき前記第２電源電圧パッドからの前記第２の電源電圧の供給を遮断又は抑制する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月14日(2007.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１メタル層からなる多数のゲート配線と、
第２メタル層からなり、上記ゲート配線に交差させて配置された多数のソース配線と、
上記第１メタル層からなるゲート電極、並びに、上記第２メタル層からなるソース電極及びドレイン電極を備えたＴＦＴと、
上記ソース配線下に配置され、絶縁膜を介して上記第１メタル層と少なくとも１つの交点を有する半導体層と、
異なる上記ソース配線下の上記半導体層を伸延させて連結する半導体連結部とを備えたことを特徴とするＴＦＴアレイ基板。
【請求項２】
上記半導体層は、表示領域を横断してソース配線に沿って伸延させて配置されることを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴアレイ基板。
【請求項３】
上記半導体連結部は、表示領域外において異なるソース配線下の上記半導体層を伸延させて連結することを特徴とする請求項１又は２に記載のＴＦＴアレイ基板。
【請求項４】
上記半導体連結部は、表示領域の対向する２つの端辺側のそれぞれにおいて異なるソース配線下の上記半導体層を伸延させて連結することを特徴とする請求項３に記載のＴＦＴアレイ基板。
【請求項５】
上記半導体連結部は、表示領域内において異なるソース配線下の半導体層を伸延させて連結することを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴアレイ基板。
【請求項６】
上記半導体連結部は、上記ゲート配線上に配置され、上記ゲート配線に沿って伸延させるとともに、ソース配線間に上記ゲート配線との非重複領域を有することを特徴とする請求項５に記載のＴＦＴアレイ基板。
【請求項７】
第１メタル層からなり、ゲート配線に対して平行に配置され、互いに接続された多数の補助容量配線を備え、
上記半導体連結部は、上記補助容量配線上に配置され、上記補助容量配線に沿って伸延させることを特徴とする請求項５に記載のＴＦＴアレイ基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によるＴＦＴアレイ基板は、第１メタル層からなる多数のゲート配線と、第２メタル層からなり、上記ゲート配線に交差させて配置された多数のソース配線と、上記第１メタル層からなるゲート電極、並びに、上記第２メタル層からなるソース電極及びドレイン電極を備えたＴＦＴと、上記ソース配線下に配置され、絶縁膜を介して上記第１メタル層と少なくとも１つの交点を有する半導体層と、異なる上記ソース配線下の上記半導体層を伸延させて連結する半導体連結部とを備えて構成される。この様な構成により、製造工程を複雑化することなく、各半導体配線の面積を増大させることができ、静電気による欠陥の発生を抑制することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明によるＴＦＴアレイ基板は、上記半導体連結部が、表示領域外において異なるソース配線下の上記半導体層を伸延させて連結するように構成される。この様な構成により、開口率を低下させる等の表示品質の低下を生じさせることなく、ＴＦＴアレイ基板における半導体配線の面積を増大させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明によるＴＦＴアレイ基板は、上記半導体連結部が、表示領域の対向する２つの端辺側のそれぞれにおいて異なるソース配線下の上記半導体層を伸延させて連結するように構成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明によるＴＦＴアレイ基板は、上記半導体層が、表示領域を横断してソース配線に沿って伸延させて配置されるように構成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明によるＴＦＴアレイ基板は、上記半導体連結部が、表示領域内において異なるソース配線下の半導体層を伸延させて連結するように構成される。この様な構成により、表示領域内において半導体配線を連結することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明によるＴＦＴアレイ基板は、上記半導体連結部が、上記ゲート配線上に配置され、上記ゲート配線に沿って伸延させるとともに、ソース配線間に上記ゲート配線との非重複領域を有するように構成される。この様な構成により、開口率を低下させることなく、表示領域内において半導体配線を連結することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明によるＴＦＴアレイ基板は、第１メタル層からなり、ゲート配線に対して平行に配置され、互いに接続された多数の補助容量配線を備え、上記半導体連結部が、上記補助容量配線上に配置され、上記補助容量配線に沿って伸延させるように構成される。この様な構成により、開口率を低下させることなく、表示領域内において半導体配線を連結することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月5日(2007.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽イオン交換樹脂のプロトン伝導経路とカーボンの表面との接面に触媒金属と酸化チタンとが選択的に備えられた触媒電極をアノードに用いたことを特徴とする固体高分子形燃料電池。
【請求項２】
カーボンと混合された陽イオン交換樹脂に吸着した触媒金属の陽イオンを還元して、カーボンと陽イオン交換樹脂と触媒金属とを含む混合物を形成する工程と、
その工程の後に、前記混合物とチタニウムアルコキシドとの混合物中でチタニウムアルコキシドを加水分解する工程を備えることを特徴とする固体高分子形燃料電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項２の発明は、固体高分子形燃料電池の製造方法において、カーボンと混合された陽イオン交換樹脂に吸着した触媒金属の陽イオンを還元して、カーボンと陽イオン交換樹脂と触媒金属とを含む混合物を形成する工程と、その工程の後に、前記混合物とチタニウムアルコキシドとの混合物中でチタニウムアルコキシドを加水分解する工程を備えることを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月10日(2007.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）抄造に用いる網板の下側に多孔板を設置した状態で、炭素短繊維を抄造して、炭素繊維紙とする工程と、
（ｂ）該炭素繊維紙に熱硬化性樹脂を含浸して、樹脂含浸炭素繊維紙とする工程と、
（ｃ）該樹脂含浸炭素繊維紙を加熱プレスして、樹脂硬化炭素繊維紙とする工程と、
（ｄ）該樹脂硬化炭素繊維紙を、窒素雰囲気下１２００℃以上の温度で焼成して、炭素電極基材とする工程と
を有することを特徴とする炭素電極基材の製造方法。
【請求項２】
前記多孔板の孔径が４〜１０ｍｍ、かつ、該多孔板のピッチ間距離が６〜１２ｍｍである請求項１記載の炭素電極基材の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ａ）において、前記炭素短繊維に対して５質量％までの結着剤を使用する請求項１または２記載の炭素電極基材の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｂ）〜（ｄ）の各工程を、それぞれ連続的に行う請求項１〜３のいずれか１項記載の炭素電極基材の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｃ）において、前記樹脂含浸炭素繊維紙を予備加熱可能な加熱ゾーンと、前記樹脂含浸炭素繊維紙をプレスしつつ前記熱硬化性樹脂を硬化可能な硬化ゾーンとを具備する連続ベルト装置を用いる請求項４記載の炭素電極基材の製造方法。
【請求項６】
前記加熱ゾーンの温度が１２０〜３００℃、前記加熱ゾーンの通過時間が１〜６分、前記硬化ゾーンの温度が２５０〜４００℃（但し前記加熱ゾーンの温度より高い温度）、前記硬化ゾーンでのプレス圧が１〜２０ＭＰａである請求項５記載の炭素電極基材の製造方法。
【請求項７】
前記連続ベルト装置におけるベルトの速度を０．１〜６．０ｍ／ｍｉｎとする請求項５または６記載の炭素電極基材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】炭素電極基材の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の要旨は、（ａ）抄造に用いる網板の下側に多孔板を設置した状態で、炭素短繊維を抄造して、炭素繊維紙とする工程と、
（ｂ）該炭素繊維紙に熱硬化性樹脂を含浸して、樹脂含浸炭素繊維紙とする工程と、
（ｃ）該樹脂含浸炭素繊維紙を加熱プレスして、樹脂硬化炭素繊維紙とする工程と、
（ｄ）該樹脂硬化炭素繊維紙を、窒素雰囲気下１２００℃以上の温度で焼成して、炭素電極基材とする工程とを有することを特徴とする炭素電極基材の製造方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記多孔板の孔径が４〜１０ｍｍ、かつ、該多孔板のピッチ間距離が６〜１２ｍｍであること、
前記工程（ａ）において、前記炭素短繊維に対して５質量％までの結着剤を使用すること、
前記工程（ｂ）〜（ｄ）の各工程を、それぞれ連続的に行うこと、
前記工程（ｃ）において、前記樹脂含浸炭素繊維紙を予備加熱可能な加熱ゾーンと、前記樹脂含浸炭素繊維紙をプレスしつつ前記熱硬化性樹脂を硬化可能な硬化ゾーンとを具備する連続ベルト装置を用いること、さらに、前記加熱ゾーンの温度が１２０〜３００℃、前記加熱ゾーンの通過時間が１〜６分、前記硬化ゾーンの温度が２５０〜４００℃（但し前記加熱ゾーンの温度より高い温度）、前記硬化ゾーンでのプレス圧が１〜２０ＭＰａであること、
前記連続ベルト装置におけるベルトの速度を０．１〜６．０ｍ／ｍｉｎとすることがそれぞれ好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月19日(2007.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
（実施例１）
実施例１のリチウムイオン二次電池用で用いた表面修飾した炭素負極は、以下のように作成した。２−プロパノールに２．５mMのジルコニウムイソプロポキシドを溶解した後、ここに０．５ｇの天然黒鉛（平均粒径３．５μｍ）を入れ、超音波をあてながら約２時間撹拌した。その後ろ過し、残査を１１０℃で真空乾燥した後、５００℃で１２時間にわたって空気中で加熱した。得られた酸化ジルコニウムで表面修飾された天然黒鉛を、バインダーとしてのフッ化ポリビニリデン（ＰＶＤＦ）及び導電助剤としてのアセチレンブラック（ＡＢ）と共に、１−メチル−２−ピロリディノン（ＮＭＰ）に混合し、スラリー状にした後でドクターブレード法により銅箔上に膜状に整形し、有機成分を揮発させて薄膜とした。炭素活物質の面積当りの密度は約１．０mg／cm2であった。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月12日(2007.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質膜、アノード側反応室、およびカソード側反応室を有するとともに、前記アノード側反応室に燃料を供給して電気エネルギを得る燃料電池と、  当該燃料電池システムに供給される燃料を収納する燃料収納手段と、  当該燃料電池システムに供給される水を収納する水収納手段と、前記水収納手段から溢れた水を保持する保持手段と、前記燃料および前記水の供給動作を制御する供給制御手段と、前記水収納手段内の燃料濃度を検出する燃料濃度検出手段とを備え、前記供給制御手段は、前記燃料濃度検出手段からの燃料濃度検出信号に応じて、前記アノード側反応室内の燃料濃度が所定範囲内となるように前記燃料および前記水の供給量を制御する構成とされていることを特徴とする燃料電池システム。
【請求項２】
前記保持手段は、水を吸収保持するゲル状吸収体を備えたことを特徴とする請求項１に記載の燃料電池システム。
【請求項３】
前記保持手段は、水を吸収保持する吸収体と、水の少なくとも一部を大気に蒸散させる蒸散体とを備えたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の燃料電池システム。
【請求項４】
前記燃料は、メタノールとされ、前記アノード側反応室外側には、前記メタノールと水との反応後に生成される二酸化炭素を分離する気液分離膜が設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の燃料電池システム。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の燃料電池システムを備えたことを特徴とする機器。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月28日(2007.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）複数のチップ領域に区画され、上記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において上記半導体集積回路と電気的に接続する複数の電極が形成された半導体ウエハを用意する工程；
（ｂ）上記複数の電極に接触可能な複数の接触端子を有するプローブカードを用意する工程；
（ｃ）上記複数の接触端子の先端を上記複数の電極に接触させて上記半導体集積回路の電気的検査を行う工程；
上記工程（ｂ）は以下の工程を含む：
（ｂ１）第１配線が形成された配線基板に対し、上記複数の電極に接触させるための複数の接触端子と、上記複数の接触端子と上記第１配線とに電気的に接続する第２配線と、上記複数の接触端子の形成領域の近傍であって上記第２配線の非形成領域に配置され、信号伝達には関与しない第１ダミー配線とを含む第１シートを用意する工程；
（ｂ２）上記工程（ｂ１）の後、上記第１シートのうち上記複数の接触端子が形成された領域を上記第１シートの裏面より押圧可能な状態に、上記第１シートを上記配線基板に取り付ける工程。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、上記複数の電極は、上記チップ領域の外周に沿って複数列で配列され、第１列に含まれる上記電極と第２列に含まれる上記電極とは、上記チップ領域の外周に沿った方向で互い違いに配置される。
【請求項３】
請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、上記ダミー配線は、上記第１シートの中心部から上記電極配列部に対応する部位に向かって放射状に形成された配線を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月11日(2006.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のコンテンツを加工することにより第２のコンテンツを生成する加工手段と、
前記第１のコンテンツに対する第１のコピー制限情報に従い、前記第２のコンテンツのコピー制限を示す第２の制限情報を生成する制限情報生成手段と、
前記第２のコンテンツと前記第２の制限情報とを記録媒体に記録する記録手段とを備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記加工手段は、前記第１のコンテンツと、コピーが制限されていない第３のコンテンツとを合成することで、前記第２のコンテンツを生成することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記第１のコンテンツ、第２のコンテンツ及び第３のコンテンツは、画像データ、オーディオデータ及びテキストデータの何れかであることを特徴とする請求項１又は２記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記第１のコンテンツと第３のコンテンツは前記記録媒体に記録されており、
前記記録媒体から前記第１のコンテンツと第３のコンテンツを再生する再生手段を備え、前記加工手段は、前記記録媒体から再生された前記第１のコンテンツ及び前記第３のコンテンツを用いて第２のコンテンツを生成することを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記第１のコンテンツは画像編集に用いる編集用画像データであり、前記加工手段は、入力された画像データを前記編集用画像データを用いて編集することにより前記第２のコンテンツを生成することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項６】
複数の前記第１のコンテンツに対してそれぞれ前記第１の制限情報が付加されていることを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記第１の制限情報は、自由にコピー可能、コピー禁止、及び、１回だけコピー可能の何れかを示す情報であり、前記制限情報生成手段は、前記第１の制限情報の内容に対応した前記第２の制限情報を生成することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、著作権保護されたコンテンツ、例えば画像データを記録する情報処理装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、このような従来の問題点に鑑み、著作権保護付きのコンテンツデータが記録された記録媒体において、著作権保護されたコンテンツを編集した際に、編集データに対しても著作権保護機能を付加することが可能な情報処理装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る情報処理装置は、第１のコンテンツを加工することにより第２のコンテンツを生成する加工手段と、前記第１のコンテンツに対する第１のコピー制限情報に従い、前記第２のコンテンツのコピー制限を示す第２の制限情報を生成する制限情報生成手段と、前記第２のコンテンツと前記第２の制限情報とを記録媒体に記録する記録手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月13日(2007.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体の一方の表面に磁性層を含む第１多層膜を有し、他方の表面に第２多層膜を有して成る磁気記録媒体であって、第１多層膜の長手方向のヤング率および厚さをＥ１およびｔ１、第２多層膜の長手方向のヤング率および厚さをＥ２およびｔ２とし、第１多層膜の単位幅あたりのモジュラス強度Ｆ１をＦ１＝Ｅ１×ｔ１、第２多層膜の単位幅あたりのモジュラス強度Ｆ２をＦ２＝Ｅ２×ｔ２としたときに、０．０５≦Ｆ１／Ｆ２≦２を満たす磁気記録媒体。
【請求項２】
Ｅ１が５０〜１００ＧＰａである請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
ｔ１が１０〜３００ｎｍである請求項１または請求項２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
Ｅ２が１０〜５０ＧＰａである請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
ｔ２が４００〜１５００ｎｍである請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
第１多層膜が磁性層、下地層および保護層を含んで成る、請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
第２多層膜がバックコート層および補強層を含んで成る請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
第１多層膜が磁性層、下地層および保護層を含んで成り、第２多層膜がバックコート層および補強層を含んで成り、下地層および補強層が同じ種類の内部応力を有している、請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
下地層および補強層が引張応力を有している、請求項８に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
下地層を構成する材料が、補強層を構成する材料と実質的に同一である、請求項８または９に記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
下地層が、体積抵抗率が５μΩｃｍ以下である、金属、半金属、もしくは合金、またはそれらの混合物から成る、請求項６、８〜１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】
下地層の厚さが５〜２００ｎｍである請求項６、８〜１１のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１３】
補強層が、非磁性支持体とバックコート層との間に形成されている、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１４】
補強層が、２０ＧＰａ以上のヤング率を有する、請求項７〜１０、および１３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１５】
補強層の厚さが５０〜５００ｎｍある、請求項７〜１０、１３および１４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１６】
下地層および／または補強層がＣｕを主成分として含む、請求項６〜１５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１７】
磁性層の厚さが５〜１２０ｎｍである請求項１〜１６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１８】
磁気記録媒体全体の厚さが３〜８μｍである請求項１〜１７のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月1日(2007.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に使用するポリエステルアクリレートは、例えば以下の方法で得ることができる。
（１）ジカルボン酸化合物と、分子内に２つ以上の放射線硬化性官能基及び１つ以上のＯＨ基を有する化合物とを反応させる。
ジカルボン酸化合物１モルに対して、分子内に２つ以上の放射線硬化性官能基及び１つのＯＨ基を有する化合物２モルを反応させることが好ましい。
（２）分子末端にカルボキシル基を有するエステルプレポリマーに分子内に２つ以上の放射線硬化性官能基及び１つ以上のＯＨ基を有する化合物を反応させる。
ジカルボン酸化合物１モルに対して、分子内に２つ以上の放射線硬化性官能基及び１つのＯＨ基を有する化合物２モルを反応させることが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
またジカルボン酸化合物としては、分子末端にカルボキシル基を有するエステルプレポリマーを用いることもできる。上記エステルプレポリマーは、グリコールに対して過剰なジカルボン酸成分を脱水縮合反応させて得ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
放射線硬化層の平均粗さ（Ｒａ）は、カットオフ値０．２５ｍｍにおいて、１〜３ｎｍが好ましい。上記範囲内にあると、塗布工程でパスロールへの張り付き故障を起こすことがなく、また、十分な磁性層の平滑性が得られるので好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
本発明の非磁性層の厚さは、好ましくは０．２〜３．０μｍであり、０．３〜２．５μｍであることがより好ましく、０．４〜２．０μｍであることがさらに好ましい。なお、本発明の磁気記録媒体の非磁性層は、実質的に非磁性であればその効果を発揮するものであり、例えば不純物として、あるいは意図的に少量の磁性体を含んでいても、本発明の効果を示すものであり、本発明の磁気記録媒体と実質的に同一の構成とみなすことができる。なお、実質的に同一とは、非磁性層の残留磁束密度が１０ｍＴ（１００Ｇ）以下または抗磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００ Ｏｅ）以下であることを示し、好ましくは残留磁束密度と抗磁力を持たないことを意味する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
VIII．物理特性
本発明に用いられる磁気記録媒体の磁性層の飽和磁束密度は、１００〜３００ｍＴ（１，０００〜３，０００Ｇ）であることが好ましい。また磁性層の抗磁力（Ｈｒ）は、１４３．３〜３１８．４ｋＡ／ｍ（１，８００〜４，０００Ｏｅ）であることが好ましいが、より好ましくは１５９．２〜２７８．６ｋＡ／ｍ（２，０００〜３，５００Ｏｅ）である。抗磁力の分布は狭い方が好ましく、ＳＦＤおよびＳＦＤｒは好ましくは０．６以下、さらに好ましくは０．２以下である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
磁性層のＴＯＰＯ−３Ｄのｍｉｒａｕ法で測定した中心面表面粗さＲａは、好ましくは４．０ｎｍ以下であり、より好ましくは３．０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは２．０ｎｍ以下である。磁性層の最大高さＳＲmaxは、０．５μｍ以下、十点平均粗さＳＲｚは０．３μｍ以下、中心面山高さＳＲｐは０．３μｍ以下、中心面谷深さＳＲｖは０．３μｍ以下、中心面面積率ＳＳｒは２０〜８０％、平均波長Ｓλａは５〜３００μｍが好ましい。磁性層の表面突起は０．０１〜１μｍの大きさのものを１００μｍ2当たり０〜２，０００個の範囲で任意に設定することが可能であり、これにより電磁変換特性、摩擦係数を最適化することが好ましい。これらは支持体のフィラーによる表面性のコントロールや磁性層に添加する粉末の粒径と量、カレンダ処理のロール表面形状などで容易にコントロールすることができる。カールは±３ｍｍ以内とすることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月7日(2007.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記１分子中に４個以上のメルカプト基を有する化合物が、
式III
【化３】
2005302166.tif 000001
又は式IV
【化４】
2005302166.tif 000002
で表される化合物である請求項１記載の光ディスク用紫外線硬化型組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月28日(2006.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  脂質をベースとする焼成されない組成物と焼成部分からなる焼成製品であって、該脂質をベースとする組成物は本質的に水分を含まず且つ凍結乾燥した乳酸菌生菌を含み、該焼成部分は１種以上の非消化性の繊維様物質を含むことを特徴とする焼成製品。
【請求項２】  上記乳酸菌がラクトバチルス、ラクトコッカス、ビフィドバクテリウムおよびストレプトコッカスより選択される請求項１に記載の焼成製品。
【請求項３】  上記乳酸菌が１種以上の乳酸菌種の混合物の形態であることを特徴とする請求項１または２に記載の焼成製品。
【請求項４】  上記乳酸菌がストレプトコッカス・サーモフィルス種の少なくとも１菌株およびラクトバチルス・アシドフィルス種の少なくとも１菌株から構成される請求項１〜３のいずれか１項に記載の焼成製品。
【請求項５】  上記非消化性の繊維様物質が、フラクトオリゴ糖、ガラクトオリゴ糖、大豆オリゴ糖、キシロオリゴ糖およびイソマルトオリゴ糖などの短鎖および長鎖オリゴ糖からなる群より選択されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の焼成製品。
【請求項６】  上記脂質をベースとする組成物がさらに糖、パーム油、脱脂粉乳および香料を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の焼成製品。
【請求項７】  非消化性の繊維様物質の１日あたりの摂取量が２〜１５ｇ、好ましくは３〜１０ｇ、特に好ましくは約５ｇであり、乳酸菌の１日当たりの摂取量が５×１０８〜１×１０１２  ＣＦＵ（コロニー形成単位）、好ましくは１×１０９〜５×１０１１  ＣＦＵ、特に好ましくは約１０１１  ＣＦＵであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の焼成製品。
【請求項８】  室温（１８〜２２℃）での有効期限が少なくとも６カ月であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の焼成製品。
【請求項９】  凍結乾燥した乳酸菌生菌を脂質をベースとする組成物１ｇあたり１０６〜１０１２  ＣＦＵ、好ましくは１０７〜０．５×１０１２  ＣＦＵ、より好ましくは１０９〜１０１１  ＣＦＵ、特に好ましくは０．５×１０１０〜１．５×１０１０  ＣＦＵ、最も好ましくは１０１０  ＣＦＵ含み、融点が３０℃を越えるショートニングの少なくとも１種を、該組成物の総重量に対して１０〜４０重量％の濃度で含む脂質をベースとする組成物。
【請求項１０】  上記ショートニングがパーム油、パーム核油、ココナッツオイル、ココアバター、ピーナツバターあるいはその他の植物性バター、バター、マーガリン、水素添加あるいは部分的に水素添加した植物油および植物油からなる群より選択され、好ましくはパーム油であることを特徴とする請求項９記載の脂質をベースとする組成物。
【請求項１１】  上記凍結乾燥乳酸菌がストレプトコッカス・サーモフィルス種およびラクトバチルス・アシドフィルス種から選択され、好ましくはストレプトコッカス・サーモフィルス種の少なくとも１菌株とラクトバチルス・アシドフィルス種の少なくとも１菌株をから構成されることを特徴とする請求項９または１０に記載の脂質をベースとする組成物。
【請求項１２】  形態がスプレッドであることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の脂質をベースとする組成物。
【請求項１３】  ４０℃を超える加熱を行わずに脂質をベースとする組成物の成分を混合するステップと
焼成部分の成分を混合して、焼くステップと、
焼成部分と脂質をベースとする組成物を組み合わせるステップ
からなる請求項１〜８のいずれか１項に記載の焼成製品の製造方法。
【請求項１４】  機能性腸疾患の治療と予防に用いる請求項１〜８のいずれかに記載の焼成製品あるいは請求項９〜１２のいずれかに記載の脂質をベースとする組成物。
【請求項１５】  上記機能性腸疾患が、便秘を主症状とする過敏性腸症候群、下痢を主症状とする過敏性腸症候群、機能性便秘あるいは機能性下痢である請求項１４に記載の焼成製品あるいは脂質をベースとする組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月19日(2007.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は新規な抗クラミジア組成物に関するものである。本発明による抗クラミジア組成物は、有効成分であるインターフェロンαとヒドロキシ安息香酸及び／又はヒドロキシケイ皮酸との併用による相乗効果により、抗クラミジア活性が顕著に高められているうえ、生体に対する毒性が低く、生体内における持続性に優れるので、注射又は経皮、経粘皮、経鼻腔若しくは経口経路などにより、生体に適用することによって、クラミジアの増殖を効果的に抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月9日(2007.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
インキ組成物中のバインダー樹脂の濃度は、０．５〜３０重量％、好ましくは１〜２０重量％である。この濃度が０．５重量％よりも少ないと、特に非浸透性の被記録体に対して発光性有機化合物を十分に定着させることができない。３０重量％よりも多いと、インキ組成物の吐出安定性を低下させたり、発光性有機化合物分子の周囲をバインダー層が厚く覆うこととなって発光性有機化合物の発光強度の低下を招いたり、バインダー樹脂自体に起因する発光により発光性有機化合物の発光の障害を惹き起したりするおそれがある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
【化３６】
2005047892.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月13日(2007.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤモンドスクライバーにおいて、
ダイヤモンド粒のトウ及び／又はヒールを頂点とした三角錐の先端付近に、該トウと該ヒールを結ぶ稜線に沿って、稜線を残して左右の間隔を開けて削られた両側の凹面と、中央に凸状のリッジと、が形成されていることを特徴とするダイヤモンドスクライバー。
【請求項２】
リッジの幅が５μm以上１５μm以下の範囲に形成されていることを特徴とする請求項１記載のダイヤモンドスクライバー。
【請求項３】
リッジの高さが２μm以上に形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のダイヤモンドスクライバー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項１記載の発明は、ダイヤモンドスクライバーにおいて、ダイヤモンド粒のトウ及び／又はヒールを頂点とした三角錐の先端付近に、該トウと該ヒールを結ぶ稜線に沿って、稜線を残して左右の間隔を開けて削られた凹面と、中央に凸状のリッジと、が形成されていることを特徴とするダイヤモンドスクライバーである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図２(a)及び図２(b)に示すように、ダイヤモンド粒１のトウ1fを頂点とした三角錐の両側部分1g、1hをトウ1fとヒールを結ぶ稜線1iに沿って、稜線1iを残して左右の間隔を開けて削り取り、凹面を形成することにより、トウ1fを頂点とした三角錐の先端付近中央に、鋭利な凸状のリッジを形成することができる。具体的なリッジ形状は、図２(c)の丸枠内Aの部分拡大斜視図で示すように、水平面1aの四隅のトウ1bに各々形成される。サファイヤウエハーのスクライブには、このリッジの幅L１が約8μm、リッジの高さHが約5μmとなるように、三角錐の両側部分1g、1hを削り取るのが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図１及び図２に示すダイヤモンドスクライバーを用いてサファイヤウエハーを繰り返しスクライブし、良好なスクライブラインが引けなくなったところで、刃先の摩耗部分の寸法を計測した。図３(a)及び図３(b)に示すように、ハッチング部分の使用限界に達した刃先の摩耗部分1jの寸法を以下に示す。
幅L1：8.0μm
長さL2：18μm
長さL3：19.16μm
高さh：2.97μm
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
実施例で示すダイヤモンドスクライバーは、その刃先がリッジ状に加工されているため、高さhが2.97μm分摩耗するまで幅8.0μm以下の細いスクライブラインを描くことができる。これは、換言すると、幅8.0μm以下の細いスクライブラインを繰り返し引くことができ、ダイヤモンドスクライバーのライフを長くすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
リッジ加工していない普通のダイヤモンドスクライバーを用いてサファイヤウエハーを繰り返しスクライブし、良好なスクライブラインが引けなくなったところで、刃先の摩耗部分の寸法を計測した。図４(a)及び図４(b)に示すように、ハッチング部分の使用限界に達した刃先の摩耗部分11jの寸法を以下に示す。
L1：8.5μm
長さL2：9μm
長さL3：9.58μm
高さh：1.49μm
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
比較例で示すダイヤモンドスクライバーは、その刃先がリッジ状に加工されておらず、三角錐のままであるため、摩耗部分１１jの高さhが1.49μmに達するまでスクライブすると、摩耗によって刃先が三角錐の両側部分まで広がり、幅8.5μm以下の細いスクライブラインを描くことができなくなってしまう。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
以上のように、実施例の摩耗部分の高さhと比較例の摩耗部分の高さhを比べると、実施例で示すダイヤモンドスクライバーの方が、ダイヤモンドスクライバーとして使用限界に達するまでのライフが長くなり、良好なスクライブラインを長く維持できることがわかる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【図１】ダイヤモンドスクライバーに設けられたダイヤモンド粒を３方向から見た時の拡大図である。
【図２】(a)は、図１のA部の拡大図であり、リッジ状に加工された刃先の形状を示す概念図である。(b)は、図２(a)の側面図である。(c)は、水平面の四隅に形成されたリッジ形状を示す部分拡大斜視図である。
【図３】(a)は、図１のA部の拡大図であり、リッジ状に加工された刃先の摩耗量をハッチングで示す概念図である。(b)は、図３(a)の側面図である。
【図４】(a)は、図１のA部の拡大図であり、従来の刃先の摩耗量をハッチングで示す概念図である。(b)は、図４(a)の側面図である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
１  ダイヤモンド粒
１a  水平面
１b、１f、１１f  トウ
１c  デルタ面
１d  ヒール
１g、１h  三角錐の両側部分
１e、１i、１１j  稜線
１j、１１j  摩耗部分
L  リッジの幅
H  リッジの高さ
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005047194.tif 000001
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2005047194.tif 000002
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2005047194.tif 000003
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2005047194.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月10日(2007.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
（試験例１）ラット摘出皮膚透過性試験
（方法）
電気シェーバーで腹部を剃毛したヘアレスラット（雄、8〜10週齢）の腹部剃毛部より左右2箇所から皮膚を摘出した。摘出した皮膚を平均有効面積0.98cm2の横型拡散セルに装着した後、ドナー側のセル内に表1、表２に示した各検体一定量を塗布し、検体が揮散しないように被覆し、レシーバー側のセルにpH7.4リン酸緩衝液3mLを加えた。レシーバー層の外層には37℃の恒温水を還流し、レシーバー液は撹拌子により撹拌した。