【手続補正書】
【提出日】令和1年7月29日(2019.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークピースを横断するレーザスキャンによるレーザ誘起材料効果のエッジ特性を向上する方法であって、
レーザ処理システムの処理ステーションでレーザ処理フィールドと前記ワークピースとを相対的に方向付け、
ガス入力部から前記ワークピースの主面の少なくとも一部を横切るガス入力方向におけるガス入力流れを確立し、前記ガス入力流れにおけるガスは、前記ガス入力方向において正のガス入力速度を有しており、
真空源から前記ワークピースの前記主面の少なくとも前記一部を横切るガス排気方向におけるガス排気流れを確立し、前記ガス入力流れ及び前記ガス排気流れは、前記ワークピースの前記主面の少なくとも前記一部を横切る優勢ガス流れ方向を確立し、  前記ガス入力流れ及び前記ガス排気流れを維持しつつ、前記ワークピースに対する前記レーザビームのレーザビーム処理軸の相対移動の第１のレーザスキャン方向に前記レーザビームをスキャンし、前記レーザビームは、前記第１のレーザスキャン方向に沿って前記ワークピースに当たり、前記第１のレーザスキャン方向は、前記優勢ガス流れ方向に対して斜めに反対側に方向付けられる、
方法。
【請求項２】
前記ガス入力流れ及び前記ガス排気流れを維持しつつ、前記ワークピースに対するそれぞれのレーザビーム処理軸の相対移動の第２のレーザスキャン方向にスキャンし、前記第２のレーザスキャン方向は、前記優勢ガス流れ方向に対して斜めに反対側に方向付けられ、前記第２のレーザスキャン方向は、前記第１のレーザスキャン方向を横切る、請求項１の方法。
【請求項３】
前記第２のスキャン方向は、前記第１のスキャン方向に直交する、請求項２の方法。
【請求項４】
前記第１のスキャン方向は、前記優勢ガス流れ方向に対して135°±22.5°の角度である、請求項１の方法。
【請求項５】
前記第２のスキャン方向は、前記優勢ガス流れ方向に対して225°±22.5°の角度である、請求項２の方法。
【請求項６】
前記優勢ガス流れ方向は、前記第１のレーザスキャン方向及び前記第２のレーザスキャン方向に沿ったスキャン中、概して同一のままである、請求項１の方法。
【請求項７】
前記レーザ誘起材料効果は、前記第１のレーザスキャン方向に沿って第１のスキャンフィーチャを形成し、前記エッジのそれぞれは、それぞれ平均適合直線として表現でき、それぞれのエッジの水平方向のピークと谷は、前記それぞれの平均適合直線に対する絶対値として表現でき、そのそれぞれの平均適合直線に対するそれぞれのエッジの前記絶対値の標準偏差は、0.3ミクロン未満である、請求項１の方法。
【請求項８】
前記優勢ガス流れ方向に沿った前記累積的ガス流れは、相対運動の第１のレーザスキャン方向にレーザビームをスキャンするステップ中及びその間において連続している、請求項１の方法。
【請求項９】
前記レーザビームは、フィーチャ長さ及びフィーチャ幅を有する細長いフィーチャを形成するように複数のパスからなるスキャンセットに対してスキャンされ、前記細長いフィーチャを形成するためのレーザスキャニングのパスのそれぞれは、前記第１のスキャン方向に前記レーザビームをスキャンし、前記スキャンセットのそれぞれのパスの前記レーザ誘起材料効果は、前記スキャンセットの他のパスの少なくとも１つと重なり合う、請求項１の方法。
【請求項１０】
前記複数のパスは、少なくとも最初のパスと最後のパスとを含み、前記細長いスキャンフィーチャは、対向する細長いプライマリエッジ及び細長いセカンダリエッジと、前記細長いプライマリエッジと前記細長いセカンダリエッジとから等距離にある中線とを有し、前記スキャンセットの前記最初のパスは、前記細長いプライマリエッジと前記細長いセカンダリエッジのいずれかよりも前記中線の近くに位置し、前記最後のパスは、前記細長いプライマリエッジと前記細長いセカンダリエッジのいずれかの上に位置する、請求項９の方法。
【請求項１１】
前記複数のパスは、少なくとも最初のパスと最後のパスとを含み、前記細長いスキャンフィーチャは、対向する細長いプライマリエッジ及び細長いセカンダリエッジと、前記細長いプライマリエッジと前記細長いセカンダリエッジとから等距離にある中線とを有し、前記最初のパスは、前記細長いプライマリエッジと前記細長いセカンダリエッジのいずれかの上に位置し、前記スキャンセットの前記最後のパスは、前記細長いプライマリエッジと前記細長いセカンダリエッジのいずれかよりも前記中線の近くに位置する、請求項９の方法。
【請求項１２】
前記スキャンセットのそれぞれのパスによりスクライブラインが形成され、前記スキャンセットの前記パスの過半数は、一時的に連続的に生成されたスクライブラインに対して重なり合わないスクライブラインを生成する、請求項９の方法。
【請求項１３】
前記ビーム軸は、前記第１の方向における前記第１のレーザスキャン中に運動する、請求項１の方法。
【請求項１４】
前記レーザビーム処理軸は、スキャンフィールド内で移動し、前記スキャンフィールドは、前記スキャンフィールドの面積以下の面積のレーザ処理フィールドを含み、前記優勢ガス流れ方向に沿った前記累積的ガス流れは、前記処理フィールドの長軸寸法の半分よりも長い距離を前記ワークピース上で移動する、請求項１の方法。
【請求項１５】
前記レーザビーム処理軸は、レーザ処理中の前記ワークピースに対するビーム位置を有し、前記優勢ガス流れ方向に沿った前記累積的ガス流れは、前記ワークピースに対する前記ビーム位置とは独立した距離を前記ワークピース上で移動する、請求項１の方法。
【請求項１６】
相対移動の前記第１のレーザスキャン方向に前記レーザビームをスキャンするステップでは、相対移動の第２のレーザスキャン方向に同一のレーザビーム又は異なるレーザビームをスキャンするステップの前に、複数の平行なスキャン経路に沿って前記第１のレーザスキャン方向に前記レーザビームをスキャンする、請求項１の方法。
【請求項１７】
前記レーザビーム処理軸は、スキャンフィールド内で移動し、前記スキャンフィールドは、前記スキャンフィールドの面積以下の面積のレーザ処理フィールドを含み、前記レーザ処理フィールドは、矩形状の周囲を有し、前記第１のスキャン方向は、前記処理フィールドの対角軸に平行である、請求項１の方法。
【請求項１８】
前記レーザビーム処理軸は、スキャンフィールド内で移動し、前記スキャンフィールドは、前記スキャンフィールドの面積以下の面積のレーザ処理フィールドを含み、前記処理フィールドは、前記処理フィールドを二分する長軸の長軸寸法を有し、前記ガス入力方向は、前記処理フィールドの前記長軸に略垂直であり、前記ガス入力方向に沿って移動するガス流れ体積は、前記ガス入力方向に垂直な流れ幅寸法を有し、前記流れ幅寸法は、前記長軸寸法よりも大きい、請求項１の方法。
【請求項１９】
前記レーザビーム処理軸は、スキャンフィールド内で移動し、前記スキャンフィールドは、前記スキャンフィールドの面積以下の面積のレーザ処理フィールドを含み、あるいは、前記長軸は、前記処理フィールドの対角軸に等しい、請求項18の方法。
【請求項２０】
前記レーザビーム処理軸は、相対運動の第１のレーザスキャン方向にレーザビームをスキャンするステップ中及びその間において連続運動を行う、請求項１の方法。
【請求項２１】
前記レーザビーム処理軸は、スキャンフィールド内で移動し、相対運動の第１のレーザスキャン方向にレーザビームをスキャンするステップ及び第２のレーザスキャン方向に同一のレーザビーム又は異なるレーザビームをスキャンするステップは、前記ガス入力流れ及び前記ガス排気流れの前記優勢ガス流れ方向を維持しつつ、それぞれ前記ワークピース上の複数の隣り合うスキャンフィールドにわたって行われる、請求項１の方法。
【請求項２２】
前記ワークピースは、フィーチャ方位を有する１以上のフィーチャを含み、前記処理ステーションは、第１の処理ステーション軸と前記第１の処理ステーション軸に直交する第２の処理ステーション軸とを有する第１の処理ステーション方位を有し、前記レーザビーム処理軸は、第１のスキャンフィールド軸と前記第１のスキャンフィールド軸に直交する第２のスキャンフィールド軸とを有するスキャンフィールド方位を有するスキャンフィールド内で移動し、前記フィーチャ方位は、前記処理ステーション方位又は前記スキャンフィールド方位に対して方向付けられる、請求項１の方法。