【手続補正書】
【提出日】平成20年8月15日(2008.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板を処理するプラズマ処理装置であって、
前記処理のために内部でプラズマが点火及び維持される略円筒形の処理チャンバと、
プラズマ閉じ込め装置と、
を備え、
前記プラズマ閉じ込め装置が、
前記処理チャンバの外周の周りに配置され、かつ前記処理チャンバの軸線に対して半径方向に対称に配置されて第一の磁界を生成するように構成された複数の第一の磁気要素を有する外側磁気バケットと、
前記処理チャンバの内部に配置されて前記外側磁気バケットの直径よりも小さな直径を有し、かつ前記処理チャンバの軸線に対して半径方向に対称に配置されて第二の磁界を生成するように構成された複数の第二の磁気要素を有する内側磁気バケットと、
を含み、
前記プラズマ閉じ込め装置が、前記第一の磁界と前記第二の磁界とを使用して、前記外側磁気バケットと前記内側磁気バケットとの間に、少なくとも前記略円筒形の処理チャンバと前記プラズマ閉じ込め磁界とによって画定される体積の内部に前記プラズマを閉じ込めると略同時に前記処理による副産物ガスの通過を可能にするプラズマ閉じ込め磁界を生成するように構成された
プラズマ処理装置。
【請求項２】  前記第一の磁界の一部が、前記第二の磁界の一部と結合し、該結合によりプラズマ閉じ込め磁界が生成され、前記プラズマ閉じ込め磁界が、前記プラズマが前記プラズマ閉じ込め磁界を通過するのを防ぐのに有効な磁界強度を有する請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】  前記プラズマ閉じ込め磁界が、第一の磁界と第二の磁界とによって生成され、約５０ないし約１０００ガウスの範囲の合成磁束を有する請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】  前記処理のために前記処理チャンバ内部に前記基板が配置されている時は、前記プラズマ閉じ込め装置が、前記基板の表面に近接する磁界を生成しない請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】  前記第一の磁気要素が、前記処理チャンバの軸線に沿って空間的に離間して設けられており、前記第二の磁気要素が、前記処理チャンバの軸線に沿って空間的に離間して設けられている請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】  前記第一の磁気要素のそれぞれが対応する第二の磁気要素を有するように、前記複数の第一の磁気要素における第一の磁気要素の合計数が、前記複数の第二の磁気要素における第二の磁気要素の合計数と等しい請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】  前記第一および第二の磁気要素は、尖頭を有し、前記第一の磁気要素の尖頭が、前記対応する第二の磁気要素の尖頭とその軸線方向を一致されている請求項６記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】  前記第一の磁気要素の磁気ベクトルが、前記対応する第二の磁気要素と同じ方向を指す請求項７記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】  前記第一の磁気要素の磁気ベクトルの方向が、前記処理チャンバの軸線の周囲で交互に逆方向となる請求項８記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】  前記第一の磁気要素及び前記第二の磁気要素が、永久磁石である請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】  前記プラズマ閉じ込め装置が、更に、前記第一の磁気要素と前記第二の磁気要素とによって生成される漂遊磁界を制御するように構成された複数の磁束プレートを含む請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】  前記複数の磁束プレートが、前記外側磁気バケットの外周の周囲に連続的に配置されて前記第一の磁気要素に近接する第一の磁束プレートを含む請求項１１記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】  前記複数の磁束プレートが、前記内側磁気バケットの一部の周囲に配置される第二の磁束プレートを含み、前記第二の磁束プレートが、処理中に前記基板が前記処理チャンバ内部に配置されている時、前記漂遊磁界の方向を前記基板から離れる方向に変化させるように構成された請求項１２記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】  前記第二の磁束プレートが、前記内側磁気バケットの頂部内周面の周囲に連続的に配置され、前記第二の磁束プレートが、前記第二の磁気要素に近接配置された請求項１３記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】  前記複数の磁束プレートが、高磁気透過性を有する材料から形成された請求項１１記載のプラズマ処理装置。
【請求項１６】  前記複数の磁束プレートが、冷間圧延鋼材から形成された請求項１５記載のプラズマ処理装置。
【請求項１７】  請求項１記載のプラズマ処理装置であって、更に、
前記処理チャンバ内部に配置されてプラズマスクリーンとプラズマスクリーン支持部とを含み、かつ、前記プラズマスクリーン支持部が前記処理チャンバに取り付けられ、前記プラズマスクリーンが前記プラズマスクリーン支持部に接合されるプラズマスクリーン装置を備えたプラズマ処理装置。
【請求項１８】  請求項１記載のプラズマ処理装置であって、
更に、前記略円筒形の処理チャンバの内周の内側に配置される略円筒形のハウジングを含み、該略円筒形のハウジングが、前記略円筒形の処理チャンバの内径よりも小さな外径を有すると共に、前記略円筒形の処理チャンバと軸線方向に一致し、前記略円筒形の処理チャンバの前記内周と前記略円筒形のハウジングの前記外周とが、略円筒形の対称性を有する環状の隙間をその間に画定したプラズマ処理装置。
【請求項１９】  前記基板が、前記略円筒形のハウジングの上方に配置された請求項１８記載のプラズマ処理装置。
【請求項２０】  前記内側バケットが、前記略円筒形のハウジング内に配置された請求項１９記載のプラズマ処理装置。
【請求項２１】  前記プラズマ閉じ込め磁界が、前記処理のために前記処理チャンバ内部に前記基板が配置されている状態で前記基板の下方に配置された請求項２０記載のプラズマ処理装置。
【請求項２２】  前記略円筒形のハウジングが、処理中に前記基板を保持するチャック装置を表す請求項２１記載のプラズマ処理装置。
【請求項２３】  請求項１８記載のプラズマ処理装置であって、更に、
前記処理チャンバ内部に配置されてプラズマスクリーンとプラズマスクリーン支持部とを含み、かつ前記プラズマスクリーン支持部が前記処理チャンバに取り付けられ、前記プラズマスクリーンが前記プラズマスクリーン支持部に接合されるプラズマスクリーン装置を備えるプラズマ処理装置。
【請求項２４】  プラズマ励起処理を使用して処理チャンバ内で基板を処理する際にプラズマの体積を制御する方法であって、
第一の磁気要素により、前記処理チャンバ内部で第一のマルチカスプ磁界を生成するステップであって、前記第一のマルチカスプ磁界は、前記基板の最上面から離れていることで、前記基板の前記最上面に近接する前記第一のマルチカスプ磁界の影響を最小限にする、ステップと、
第二の磁気要素により、前記処理チャンバ内部で第二のマルチカスプ磁界を生成するステップであって、前記第二のマルチカスプ磁界は、前記基板の前記最上面から離れていることで、前記基板の前記最上面に近接する前記第二のマルチカスプ磁界の影響を最小限にする、ステップと、
前記第一のマルチカスプ磁界と前記第二のマルチカスプ磁界とを結合し、前記第一の磁気要素と前記第二の磁気要素との間に合成磁界を生成するステップと、
少なくとも前記処理チャンバと前記合成磁界とによって画定される体積の内部に前記プラズマを閉じ込めるステップと
を備える方法。
【請求項２５】  プラズマ励起処理を使用して処理チャンバ内で基板を処理する際にプラズマの体積を制御し、活性領域と非活性領域とを有するプラズマ閉じ込め装置であって、
複数の第一の磁気要素を有し、前記基板が処理のために前記処理チャンバ内に配置された時に前記基板から離れた磁界を前記処理チャンバ内部で生成するように構成された第一の磁気バケットと、
複数の第二の磁気要素を有し、前記基板が処理のために前記処理チャンバ内に配置された時に前記基板から離れた磁界を前記処理チャンバ内部で生成するように構成された第二の磁気バケットと、
を備え、
前記磁界は、前記処理チャンバの前記活性領域に前記プラズマを集中させると共に、前記プラズマが前記処理チャンバの前記非活性領域から離れた状態を強制するよう構成されるプラズマ閉じ込め装置。
【請求項２６】 プラズマによって基板を処理するプラズマ処理装置であって、
処理チャンバと、
第一の磁界を生成するよう構成された複数の第一の磁気要素を有する第一の磁気装置であって、前記複数の第一の磁気要素の内の隣接する磁気要素の磁気ベクトルは、前記処理チャンバの軸線の周囲で方向性が交互になっている、第一の磁気装置と、
第二の磁界を生成するよう構成された複数の第二の磁気要素を有する第二の磁気装置であって、前記複数の第二の磁気要素の内の隣接する磁気要素の磁気ベクトルは、前記処理チャンバの前記軸線の周囲で方向性が交互になっている、第一の磁気装置と、
を備え、
前記第一の磁界および前記第二の磁界は、前記第一の磁気装置と前記第二の磁気装置との間に合成磁界を生成し、前記合成磁界は、前記合成磁界の第一の側に前記プラズマを略閉じ込める
プラズマ処理装置。
【請求項２７】 プラズマによって基板を処理するプラズマ処理装置であって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバの内部に配置され、前記処理チャンバ内に前記プラズマを閉じ込めるのに十分な強さの磁界を生成するよう構成された磁気装置と、
前記処理チャンバの内部に配置されて前記磁気装置の一部を囲む磁束プレートであって、前記磁束プレートによって囲まれた前記磁気装置の前記一部において形成された前記磁界の一部をブロックし、方向を変えるよう構成された磁束プレートと、
を備えるプラズマ処理装置。
【請求項２８】 前記第一のマルチカスプ磁界は、前記基板の前記最上面によって画定される平面より下で生成される請求項２４記載の方法。
【請求項２９】 前記第二のマルチカスプ磁界は、前記基板の前記最上面によって画定される前記平面より下で生成される請求項２８記載の方法。
【請求項３０】 前記第一のマルチカスプ磁界および前記第二のマルチカスプ磁界は、前記基板の前記最上面と略平行に生成される請求項２４記載の方法。
【請求項３１】 前記第一のマルチカスプ磁界および前記第二のマルチカスプ磁界は、前記基板の前記最上面の直上における前記磁界の影響を排除するように、前記基板から離れて生成される請求項２４記載の方法。
【請求項３２】 前記複数の第一の磁気要素の個々の磁気要素は、前記複数の第二の磁気要素の個々の磁気要素に対応する請求項２６記載のプラズマ処理装置。
【請求項３３】 前記第一および第二の磁気要素の対応する個々の磁気要素同士は、軸線が一致しており、前記第一および第二の磁気要素の対応する個々の磁気要素の前記磁気ベクトル同士は、同じ方向に向いている請求項３２記載のプラズマ処理装置。
【請求項３４】 前記複数の第一の磁気要素は、前記処理チャンバの外部に配置され、前記複数の第二の磁気要素は、前記処理チャンバの内部に配置される請求項２６記載のプラズマ処理装置。
【請求項３５】 前記磁界の少なくとも一部は、結合することにより、前記第一の磁気バケットと前記第二の磁気バケットとの間に合成磁界を生成するよう構成されており、前記合成磁界は、少なくとも前記合成磁界によって画定される体積の内部に前記プラズマを略閉じ込めると共に、前記処理による副産物ガスの通過を可能にするよう構成されている請求項２５記載の装置。
【請求項３６】 前記第一の磁気要素と、前記第二の磁気要素の内の少なくとも一部とは、前記基板の前記最上面によって画定される前記平面より下に前記磁界を生成するように、前記基板の最上面によって画定される平面より下に配置される請求項２５記載の装置。
【請求項３７】 前記複数の第一の磁気要素の個々の磁気要素は、前記複数の第二の磁気要素の個々の磁気要素に対応しており、前記第一および第二の磁気要素の対応する個々の磁気要素同士は、軸線が一致しており、前記第一および第二の磁気要素の対応する個々の磁気要素の磁気ベクトル同士は、同じ方向に向いている請求項２５記載の装置。
【請求項３８】 前記複数の第一の磁気要素は、前記処理チャンバの外部に配置され、前記複数の第二の磁気要素は、前記処理チャンバの内部に配置される請求項２５記載の装置。
【請求項３９】 請求項２５記載の装置であって、更に、
前記第一の磁気要素と前記第二の磁気要素との一方または両方によって生成される前記磁界を制御するように構成された複数の磁束プレートを備える装置。
【請求項４０】 前記複数の第一の磁気要素および前記複数の第二の磁気要素は、前記処理チャンバの軸線の周囲に配置されており、前記複数の第二の磁気要素は、前記複数の第一の磁気要素よりも前記処理チャンバの前記軸線の近くに配置されている請求項２５記載の装置。
【請求項４１】  前記磁束プレートは、前記基板が、処理のために前記処理チャンバ内に配置された時に、前記磁界の前記一部をブロックする、または、前記磁界の前記一部の方向を前記基板から離れる方向に変えるよう構成されている請求項２７記載のプラズマ処理装置。
【請求項４２】 請求項２７記載のプラズマ処理装置であって、更に、
前記処理チャンバの内部に配置され、前記処理中に前記基板を受けるよう構成された表面を有する基板ホルダを備えるプラズマ処理装置。
【請求項４３】 前記磁気装置および前記磁束プレートは、前記基板ホルダの外周の内側に配置される請求項４２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４４】 前記磁束プレートは、前記基板が前記基板ホルダの前記表面によって受けられた時に、前記磁界の前記一部をブロックする、または、前記磁界の前記一部の方向を前記基板から離れる方向に変えるように、前記磁気装置と前記基板ホルダの前記表面との間に配置される請求項４３記載のプラズマ処理装置。
【請求項４５】 請求項２７記載のプラズマ処理装置であって、更に、
前記処理チャンバの外部に配置され、前記処理チャンバ内に前記プラズマを閉じ込めるのに十分な強さの第二の磁界を生成するよう構成された第二の磁気装置と、
前記処理チャンバの外部に配置されて前記第二の磁気装置の一部を囲む第二の磁束プレートであって、前記第二の磁束プレートによって囲まれた前記第二の磁気装置の前記一部において形成された前記第二の磁界の一部をブロックし、方向を変えるよう構成された磁束プレートと、
を備えるプラズマ処理装置。
【請求項４６】 前記磁束プレートは、前記磁界の前記一部をブロックする、または、前記磁界の前記一部の方向を前記第二の磁気装置に向かう方向に変えるよう構成されており、前記第二の磁束プレートは、前記第二の磁界の前記一部をブロックする、または、前記第二の磁界の前記一部の方向を前記磁気装置に向かう方向に変えるよう構成されている請求項４５記載のプラズマ処理装置。
【請求項４７】 前記磁気装置は、前記処理チャンバの軸線の周囲に配置された複数の磁気要素を備えており、前記第二の磁気装置は、前記処理チャンバの軸線の周囲に配置された複数の第二の磁気要素を備える請求項４５記載のプラズマ処理装置。
【請求項４８】 前記磁束プレートは、前記磁気装置の最上部の内周の周囲に連続的に配置され、前記第二の磁束プレートは、前記第二の磁気装置の外周の周囲に連続的に配置される請求項４７記載のプラズマ処理装置。