【手続補正書】
【提出日】平成19年4月11日(2007.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に設けられた高融点金属膜と、前記高融点金属膜上に設けられ、ＴＦＴのドレイン領域として機能するポリシリコン膜と、を有する２つの積層体と、
２つの前記積層体の周囲に２つの前記積層体の側面と接するように配置された窒化シリコン膜と、
前記積層膜及び前記窒化シリコン膜上に設けられ、ソース領域と、前記ソース領域の両端にそれぞれ接して設けられた２つのチャネル形成領域と、前記２つのチャネル形成領域を挟んで前記ソース領域と反対側にそれぞれ設けられた２つのＬＤＤ領域と、を有する島状の半導体膜と、
前記島状の半導体膜、前記ポリシリコン層及び前記窒化シリコン膜を覆って設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極及び第２のゲート電極と、
前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜上に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられた熱伝導層と、を有する半導体装置であって、
前記ＬＤＤ領域と前記ポリシリコン膜とは、接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に設けられた高融点金属膜と、前記高融点金属膜上に設けられ、ＴＦＴのドレイン領域として機能するポリシリコン膜と、を有する２つの積層体と、
２つの前記積層体の周囲に２つの前記積層体の側面と接するように配置された窒化シリコン膜と、
前記積層膜及び前記窒化シリコン膜上に設けられ、ソース領域と、前記ソース領域の両端にそれぞれ接して設けられた２つのチャネル形成領域と、前記２つのチャネル形成領域を挟んで前記ソース領域と反対側にそれぞれ設けられた２つのＬＤＤ領域と、を有する島状の半導体膜と、
前記島状の半導体膜、前記ポリシリコン層及び前記窒化シリコン膜を覆って設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極及び第２のゲート電極と、
前記第１のゲート電極、前記第２のゲート電極及び前記ゲート絶縁膜上に設けられた第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に設けられた熱伝導層と、
前記熱伝導層上に設けられた第２の層間絶縁膜と、を有する半導体装置であって、
前記ＬＤＤ領域と前記ポリシリコン膜とは、接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に設けられた高融点金属膜と、前記高融点金属膜上に設けられ、ＴＦＴのドレイン領域として機能するポリシリコン膜と、を有する２つの積層体と、
２つの前記積層体の周囲に２つの前記積層体の側面と接するように配置された窒化シリコン膜と、
前記積層膜及び前記窒化シリコン膜上に設けられ、ソース領域と、前記ソース領域の両端にそれぞれ接して設けられた２つのチャネル形成領域と、前記２つのチャネル形成領域を挟んで前記ソース領域と反対側にそれぞれ設けられた２つのＬＤＤ領域と、を有する第１の島状の半導体膜と、
前記窒化シリコン膜上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域との間に設けられたチャネル形成領域と、を有する第２の島状半導体膜と、
前記第１の島状の半導体膜、前記第２の島状半導体膜、前記ポリシリコン層及び前記窒化シリコン膜を覆って設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第１の島状半導体膜上に設けられた第１のゲート電極及び第２のゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第２の島状半導体膜上に設けられた第３のゲート電極と、
前記第１のゲート電極、前記第２のゲート電極、前記第３のゲート電極及び前記ゲート絶縁膜上に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられた熱伝導層と、を有する半導体装置であって、
前記第１の島状半導体膜が有するＬＤＤ領域と前記ポリシリコン膜とは、接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に設けられた高融点金属膜と、前記高融点金属膜上に設けられ、ＴＦＴのドレイン領域として機能するポリシリコン膜と、を有する２つの積層体と、
２つの前記積層体の周囲に２つの前記積層体の側面と接するように配置された窒化シリコン膜と、
前記積層膜及び前記窒化シリコン膜上に設けられ、ソース領域と、前記ソース領域の両端にそれぞれ接して設けられた２つのチャネル形成領域と、前記２つのチャネル形成領域を挟んで前記ソース領域と反対側にそれぞれ設けられた２つのＬＤＤ領域と、を有する第１の島状の半導体膜と、
前記窒化シリコン膜上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域との間に設けられたチャネル形成領域と、を有する第２の島状半導体膜と、
前記第１の島状の半導体膜、前記第２の島状半導体膜、前記ポリシリコン層及び前記窒化シリコン膜を覆って設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第１の島状半導体膜上に設けられた第１のゲート電極及び第２のゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第２の島状半導体膜上に設けられた第３のゲート電極と、
前記第１のゲート電極、前記第２のゲート電極、前記第３のゲート電極及び前記ゲート絶縁膜上に設けられた第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に設けられた熱伝導層と、
前記熱伝導層上に設けられた第２の層間絶縁膜と、を有する半導体装置であって、
前記第１の島状半導体膜が有するＬＤＤ領域と前記ポリシリコン膜とは、接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上に設けられた高融点金属膜と、前記高融点金属膜上に設けられ、ＴＦＴのドレイン領域として機能するポリシリコン膜と、を有する２つの積層体と、
２つの前記積層体の周囲に２つの前記積層体の側面と接するように配置された窒化シリコン膜と、
前記積層膜及び前記窒化シリコン膜上に設けられ、ソース領域と、前記ソース領域の両端にそれぞれ接して設けられた２つのチャネル形成領域と、前記２つのチャネル形成領域を挟んで前記ソース領域と反対側にそれぞれ設けられた２つのＬＤＤ領域と、を有する第１の島状の半導体膜と、
前記窒化シリコン膜上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域またはドレイン領域の一方と接して設けられたＬＤＤ領域と、前記ソース領域またはドレイン領域の他方及び前記ＬＤＤ領域と接して設けられたチャネル形成領域と、を有する第２の島状半導体膜と、
前記窒化シリコン膜上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域との間に設けられたチャネル形成領域と、を有する第３の島状半導体膜と、
前記第１島状の半導体膜、前記第２の島状半導体膜、前記第３の島状半導体膜、前記ポリシリコン層及び前記窒化シリコン膜を覆って設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第１の島状半導体膜上に設けられた第１のゲート電極及び第２のゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第２の島状半導体膜上に設けられた第３のゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第３の島上半導体膜上に設けられた第４のゲート電極と、
前記第１のゲート電極、前記第２のゲート電極、前記第３のゲート電極、第４のゲート電極及び前記ゲート絶縁膜上に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられた熱伝導層と、を有する半導体装置であって、
前記第１の島状半導体膜が有するＬＤＤ領域と前記ポリシリコン膜とは、接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上に設けられた高融点金属膜と、前記高融点金属膜上に設けられ、ＴＦＴのドレイン領域として機能するポリシリコン膜と、を有する２つの積層体と、
２つの前記積層体の周囲に２つの前記積層体の側面と接するように配置された窒化シリコン膜と、
前記積層膜及び前記窒化シリコン膜上に設けられ、ソース領域と、前記ソース領域の両端にそれぞれ接して設けられた２つのチャネル形成領域と、前記２つのチャネル形成領域を挟んで前記ソース領域と反対側にそれぞれ設けられた２つのＬＤＤ領域と、を有する第１の島状の半導体膜と、
前記窒化シリコン膜上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域またはドレイン領域の一方と接して設けられたＬＤＤ領域と、前記ソース領域またはドレイン領域の他方及び前記ＬＤＤ領域と接して設けられたチャネル形成領域と、を有する第２の島状半導体膜と、
前記窒化シリコン膜上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域との間に設けられたチャネル形成領域と、を有する第３の島状半導体膜と、
前記第１島状の半導体膜、前記第２の島状半導体膜、前記第３の島状半導体膜、前記ポリシリコン層及び前記窒化シリコン膜を覆って設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第１の島状半導体膜上に設けられた第１のゲート電極及び第２のゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第２の島状半導体膜上に設けられた第３のゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第３の島上半導体膜上に設けられた第４のゲート電極と、
前記第１のゲート電極、前記第２のゲート電極、前記第３のゲート電極、第４のゲート電極及び前記ゲート絶縁膜上に設けられた第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に設けられた熱伝導層と、
前記熱伝導層上に設けられた第２の層間絶縁膜と、を有する半導体装置であって、
前記第１の島状半導体膜が有するＬＤＤ領域と前記ポリシリコン膜とは、接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記熱伝導層は熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、前記熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の絶縁膜は、炭素を主成分とすることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７において、前記熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の絶縁膜は、ダイヤモンドライクカーボン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムから選ばれた一つであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、前記半導体装置は携帯電話、ビデオカメラ、モバイルコンピュータ、携帯書籍、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、ＤＶＤプレーヤー、テレビから選ばれた一つであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記高融点金属膜は、Ｗ又はＭｏであることを特徴とする半導体装置。