Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月17日(2008.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの血清アルブミン結合ドメイン（ＳＡＢＭ）、少なくとも１つの標的化因子（ＴＡ）および少なくとも１つの細胞傷害性因子（ＣＡ）を含む、コンジュゲート分子。
【請求項２】
前記ＳＡＢＭがＤＩＣＬＰＲＷＧＣＬＷ（配列番号８）の配列と少なくとも５０％同一であるアミノ酸配列を含み、該アミノ酸配列が２つのＣｙｓ残基を有し、該２つのＣｙｓ残基の間に５つのアミノ酸残基を有する、請求項１に記載のコンジュゲート分子。
【請求項３】
該ＳＡＢＭがＤＩＣＬＰＲＷＧＣＬＷ（配列番号８）のアミノ酸配列の改変体を含み、ここで、前記Ｃｙｓ残基を除いて、配列番号８の残基のうちの残基のいずれか１〜５残基が異なるアミノ酸残基で置換された、請求項１に記載のコンジュゲート分子。
【請求項４】
前記ＳＡＢＭが：
Ｘａａ−Ｘａａ−Ｃｙｓ−Ｘａａ−Ｘａａ−Ｘａａ−Ｘａａ−Ｘａａ−Ｃｙｓ−Ｘａａ−Ｘａａ
Ｐｈｅ−Ｃｙｓ−Ｘａａ−Ａｓｐ−Ｔｒｐ−Ｐｒｏ−Ｘａａ−Ｘａａ−Ｘａａ−Ｓｅｒ−Ｃｙｓ［配列番号１］
Ｖａｌ−Ｃｙｓ−Ｔｙｒ−Ｘａａ−Ｘａａ−Ｘａａ−Ｉｌｅ−Ｃｙｓ−Ｐｈｅ［配列番号２］
Ｃｙｓ−Ｔｙｒ−Ｘａａ１−Ｐｒｏ−Ｇｌｙ−Ｘａａ−Ｃｙｓ［配列番号３］
Ａｓｐ−Ｘａａ−Ｃｙｓ−Ｌｅｕ−Ｐｒｏ−Ｘａａ−Ｔｒｐ−Ｇｌｙ−Ｃｙｓ−Ｌｅｕ−Ｔｒｐ［配列番号４］
Ｔｒｐ−Ｃｙｓ−Ａｓｐ−Ｘａａ−Ｘａａ−Ｌｕｃ−Ｘａａ−Ａｌａ−Ｘａａ−Ａｓｐ−Ｌｅｕ−Ｃｙｓ［配列番号５］
Ａｓｐ−Ｌｅｕ−Ｖａｌ−Ｘａａ−Ｌｅｕ−Ｇｌｙ−Ｌｅｕ−Ｇｌｕ−Ｃｙｓ−Ｔｒｐ［配列番号６］
ＣＸＸＧＰＸＸＸＸＣ［配列番号２１］
ＸＸＸＸＣＸＸＧＰＸＸＸＸＣＸＸＸＸ［配列番号２２］
ＣＸＸＸＸＸＸＣＸＸＸＸＸＸＣＣＸＸＸＣＸＸＸＸＸＸＣ［配列番号２３］
ＣＣＸＸＸＣＸＸＸＸＸＸＣ［配列番号２４］
ＣＣＸＸＸＸＸＣＸＸＸＸＣＸＸＸＸＣＣ［配列番号２５］
ＣＸＣＸＸＸＸＸＸＸＣＸＸＸＣＸＸＸＸＸＸ［配列番号２６］
ＸＸＸＸＸＤＸＣＬＰＸＷＧＣＬＷＸＸＸＸ［配列番号１５５］
ＸＸＸＸＤＸＣＬＰＸＷＧＣＬＷＸＸＸ［配列番号１５６］
ＤＸＣＬＰＸＷＧＣＬＷ［配列番号４２３］
ＸＸＸＸＤＩＣＬＰＲＷＧＣＬＷＸＸＸ［配列番号４２４］
ＸＸＸＸＸＤＩＣＬＰＲＷＧＣＬＷＸＸＸＸ［配列番号４２５］
ＸＸＥＭＣＹＦＰＧＩＣＷＭＸＸ［配列番号４２６］
ＸＸＤＬＣＬＲＤＷＧＣＬＷＸＸ［配列番号４２７］
よりなる群から選択される直鎖状または環状のアミノ酸配列を含み、ここで、Ｘは任意のアミノ酸残基である、請求項１に記載のコンジュゲート分子。
【請求項５】
前記ＳＡＢＭが、配列番号７〜２０、２７〜１５４および１５７〜４２１よりなる群から選択されるアミノ酸配列のいずれか１つを含む、請求項１に記載のコンジュゲート分子。
【請求項６】
前記ＳＡＢＭが、配列番号７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８，１９および２０よりなる群から選択されるアミノ酸配列を含む、請求項１に記載のコンジュゲート分子。
【請求項７】
前記ＳＡＢＭが表１〜９に記載されたペプチド配列のいずれか１つを含む、請求項１に記載のコンジュゲート分子。
【請求項８】
前記ＳＡＢＭが、約１００μＭ以下であるＫｄでもって血清アルブミンに結合する、請求項１に記載のコンジュゲート分子。
【請求項９】
前記ＴＡが抗体である、請求項１に記載のコンジュゲート分子。
【請求項１０】
前記抗体がＦａｂ、Ｆ（ａｂ）２、ｓｃＦｖまたはダイアボディーである、請求項９に記載のコンジュゲート分子。
【請求項１１】
前記ＴＡが、癌において上昇する細胞表面タンパク質に結合する、請求項１に記載のコンジュゲート分子。
【請求項１２】
前記細胞表面タンパク質がＨＥＲ２、ＰＳＭＡ、ＰＣＭＡ、ＫＤＲおよびＦｌｔ−１である、請求項１１に記載のコンジュゲート分子。
【請求項１３】
前記細胞表面タンパク質がＢ細胞表面マーカーである、請求項１１に記載のコンジュゲート分子。
【請求項１４】
前記Ｂ細胞表面マーカーである細胞表面タンパク質が、ＣＤ２０またはＢＲ３である、請求項１１に記載のコンジュゲート分子。
【請求項１５】
前記ＴＡが抗ＨＥＲ２抗体である、請求項１に記載のコンジュゲート分子。
【請求項１６】
前記ＴＡが、配列番号４２８のＶＬ配列および配列番号４２９のＶＨ配列を有する抗体である、請求項１５に記載のコンジュゲート分子。
【請求項１７】
前記ＴＡが、配列番号４２８および配列番号４２９を含む抗ＨＥＲ２抗体の改変体配列を含む、請求項１５に記載のコンジュゲート分子。
【請求項１８】
前記細胞傷害性因子がモノメチルオーリスタチン（ＭＭＡＥ）である、請求項１に記載のコンジュゲート分子。
【請求項１９】
前記ＳＡＢＭと標的化因子または細胞傷害性因子との間に位置するリンカー部分がＧＧＧＳである、請求項１に記載のコンジュゲート分子。
【請求項２０】
前記ＳＡＢＭがヒトアルブミンに結合する、請求項１に記載のコンジュゲート分子。
【請求項２１】
治療用の薬学的キャリアと混合された請求項１に記載のコンジュゲート分子を含む、組成物。
【請求項２２】
治療剤にコンジュゲートした血清アルブミン結合部分（ＳＡＢＭ）を含む治療剤を生産する工程を包含する、治療剤の毒性を低下させるための方法。
【請求項２３】
治療剤の毒性を低下させるための組成物であって、血清アルブミン結合部分（ＳＡＢＭ）にコンジュゲートした該治療剤を含む、組成物。
【請求項２４】
治療上有効量の請求項１に記載のコンジュゲート分子を含む、哺乳動物における治療剤の毒性を低下させるための組成物であって、該組成物は、該哺乳動物に投与されることによって特徴付けられる、組成物。
【請求項２５】
治療上有効量の請求項１に記載のコンジュゲート分子を含む、哺乳動物において癌を処置するための組成物。
【請求項２６】
治療上有効量の、自己免疫障害に寄与するかまたはそれを引き起こすＢ細胞に結合する請求項１記載のコンジュゲート分子を含む、哺乳動物において自己免疫障害を処置するための組成物。
【請求項２７】
容器、請求項１に記載のコンジュゲート分子を含む該容器内の組成物、治療上有効な用量を投与するための指示を含むパッケージ添付文書を備える、製品。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月8日(2008.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の撚り線対電話ＤＳＬ回線（４２４）に接続され、ＤＳＬデータ信号を受信するとともに、第２の撚り対電話回線（４２３）に接続されているＤＳＬモデム（４００）と、
前記モデム及び前記第２の回線に接続され、前記第１の回線により運ばれた干渉ノイズに関連する前記第２の線からの干渉データを収集する干渉収集器（４２２）と、
前記干渉収集器、前記モデム及び前記第１のＤＳＬ回線に接続され、前記収集された干渉データを用いて前記第１のＤＳＬ回線上の前記データ信号から前記干渉ノイズを除去する干渉キャンセラ（４４０）と、
を有するシステム。
【請求項２】
前記モデムに接続され、さらなる干渉データを収集する無線周波数（ＲＦ）アンテナ（３９４）をさらに有する請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記第２の回線は、アクティブＤＳＬ（Digital Subscriber Line、デジタル加入者回線）回線である請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記第２の回線は、アクティブでないＤＳＬ回線である請求項１記載のシステム。
【請求項５】
前記ＤＳＬモデムにさらなる干渉収集器として接続された線路をさらに有する請求項１記載のシステム。
【請求項６】
前記干渉キャンセラは、前記第２の回線から前記干渉データを構成する適応型フィルタ（３２４）を含む請求項１記載のシステム。
【請求項７】
前記干渉キャンセラは、前記第１のＤＳＬ回線上の信号から干渉ノイズを減算する減算器（３２５，４４０）をさらに含む請求項６記載のシステム。
【請求項８】
前記干渉は、
インパルス雑音と、
人為的電子放射と、
ＲＦ干渉と、
漏話と、
の少なくとも１つを含む請求項１記載のシステム。
【請求項９】
前記干渉キャンセラは、前記第１のＤＳＬ回線上の前記ＤＳＬモデムによって受信した信号からＲＦ干渉ノイズを除去する請求項１記載のシステム。
【請求項１０】
前記第１のＤＳＬ回線及び前記第２の回線は、前記モデムをネットワーク干渉デバイス（４０４、６４０）に接続する同一のドロップセグメント（４０６、６１０）の両方の部分である請求項１記載のシステム。
【請求項１１】
前記第１のＤＳＬ回線及び前記第２の回線は、同一の物理経路に従う請求項１記載のシステム。
【請求項１２】
前記第１及び第２の撚り対回線は、両方とも同一のペデスタル（４０４）に接続されている請求項１記載のシステム。
【請求項１３】
前記第２の回線は、アクティブＰＯＴＳ（基本電話サービス、Plain Old Telephone service）回線（６３０）である請求項１記載のシステム。
【請求項１４】
前記第２の回線と下流の音声電話加入者装置間にマイクロフィルタ（６２０）をさらに有する請求項１３記載のシステム。
【請求項１５】
ＤＳＬモデムに接続されたＤＳＬループ線路からＤＳＬ信号を受信し（７２０）、
前記モデムに接続された第２のループ線路から干渉ノイズを受信し（７１０）、
前記受信した信号から干渉ノイズを減算する（７３０）、
方法。
【請求項１６】
前記第２のループ回線は、前記モデムに接続された第２のＤＳＬループである請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記第２のＤＳＬはアクティブである請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記第２のＤＳＬはアクティブでない請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
ＲＦアンテナからさらなる干渉ノイズを受信し、前記受信した信号から前記受信したさらなるノイズを減算する請求項１５記載の方法。
【請求項２０】
前記干渉ノイズは、ＡＭラジオ干渉を含む請求項１５記載の方法。
【請求項２１】
前記受信した干渉ノイズの減算は、前記ＤＳＬモデムにおいて適応型フィルタによって実行される請求項１５記載の方法。
【請求項２２】
前記ＤＳＬモデムは、時間領域処理及び周波数領域処理を含み、前記干渉ノイズの減算は、前記ＤＳＬモデムにおいて時間領域処理を用いて実行される請求項１５記載の方法。
【請求項２３】
前記ＤＳＬモデムは、時間領域処理及び周波数領域処理を含み、前記干渉ノイズの減算は、前記ＤＳＬモデムにおいて周波数領域処理を用いて実行される請求項１５記載の方法。
【請求項２４】
干渉ノイズの受信は、ＲＦ干渉データを受信することを含む請求項１５記載の方法。
【請求項２５】
干渉ノイズの受信は、漏話干渉データを受信することを含む請求項１５記載の方法。
【請求項２６】
前記第１及び第２のループ回線は、共通のペデスタルからドロップにおける共通の束に収容される請求項１５記載の方法。
【請求項２７】
前記第２のループ回線は、アクティブＰＯＴＳ（基本電話サービス、Plain Old telephone Service）回線である請求項１５記載の方法。
【請求項２８】
Ｎ撚り対電話ループは、共通のペデスタルからドロップにおける共通の束に収容される請求項１５記載のシステム。
【請求項２９】
Ｎ−１電話ループからの複数の線路の少なくとも１つは、アクティブＰＯＴＳ（基本電話サービス、Plain Old telephone Service）回線である請求項２８記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月17日(2008.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と；
その第１の側の前記回路基板の一部分上に形成された金属のスパイラルパターンであっ
て、少なくとも４つのアームから形成され、それぞれのアームが接触位置を有する、金属
のスパイラルパターンと；
前記回路基板の第２の側に装着された、少なくとも２つの信号コネクタ及び少なくとも
４つのアースコネクタであって、前記アームの少なくとも２つが、それぞれ、各信号コネ
クタに電気的に接続され、前記アームの異なる２つ以上が、それぞれ、前記アースコネク
タの少なくとも２つに電気的に接続される、少なくとも２つの信号コネクタ及び少なくと
も４つのアースコネクタと；
を有するアンテナ装置において、
前記回路基板が、前記アンテナを一定の方向に方向付けるよう構築され、かつ適用され
たハウジング内に取り付けられた
ことを特徴とするアンテナ装置。
【請求項２】
それぞれのアームが、前記スパイラルの中心近くに接触位置を有する
ことを特徴とする請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項３】
有限接地面をさらに有する
ことを特徴とする請求項１に記載のアンテナ。
【請求項４】
前記有限接地面が、後方への反射及びサイドローブを最小限に抑えるよう構築され、か
つ適用される
ことを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記少なくとも２つの信号コネクタが、その接触位置で前記スパイラルアームの複数に
電気的に接続され、前記信号コネクタが、前記回路基板内の孔を介して前記アームに接続
される
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記孔のそれぞれが、前記少なくとも４つのアームの１つの前記接触位置により、前記
回路基板の前記第１の側に実質的に覆われる
ことを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記アンテナの利得が、好適には、少なくとも６ｄＢｉであり、８０２．１１ａの単一
帯域をカバーする
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記装置が、約７０度の平均的なビーム幅を有する、円偏波方向性アンテナを形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項９】
それぞれのアームの導体の物理的な長さが、好適には、所望の帯域幅の２波長である
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
その第１の側の回路基板の一部分上に形成された金属のスパイラルパターンであって、
少なくとも４つのアームから形成され、それぞれのアームが接触位置を有する、金属のス
パイラルパターンと；
少なくとも２つの信号コネクタ及び少なくとも４つのアースコネクタであって、前記ア
ームの少なくとも２つが、それぞれ、各信号コネクタに電気的に接続され、前記アームの
異なる２つ以上が、それぞれ、前記アースコネクタの少なくとも２つに電気的に接続され
る、少なくとも２つの信号コネクタ及び少なくとも４つのアースコネクタと
を有することを特徴とするアンテナ装置。
【請求項１１】
前記回路基板が、前記アンテナを一定の方向に方向付けるよう構築され、かつ適用され
たハウジング内に取り付けられる
ことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
有限接地面をさらに有する
ことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記有限接地面が、後方への反射及びサイドローブを最小限に抑えるよう構築され、か
つ適用される
ことを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記少なくとも２つの信号コネクタ及び前記少なくとも４つのアースコネクタが、前記
回路基板の第２の側に装着され、
その接触位置で前記スパイラルアームの複数に電気的に接続され、
前記アームとの前記電気接続が、前記回路基板内の孔を介する
ことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１５】
それぞれのアームの導体の物理的な長さが、好適には、所望の帯域幅の２波長である
ことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１６】
その第１の側の回路基板の一部分上に形成された金属のスパイラルパターンであって、
複数のアームから形成され、それぞれのアームが接触位置を有する、金属のスパイラルパ
ターンと；
複数の信号コネクタ及び複数のアースコネクタであって、前記アームの少なくとも２つ
が、各信号コネクタに電気的に接続され、前記アームの異なる２つが、それぞれ、前記ア
ースコネクタの２つに電気的に接続される、複数の信号コネクタ及び複数のアースコネク
タと
を有するアンテナにおいて、
前記回路基板が、前記アンテナを一定の方向に方向付けるよう構築され、かつ適用され
たハウジング内に取り付けられた
ことを特徴とするアンテナ。
【請求項１７】
それぞれのアームが、前記スパイラルの中心近くに接触位置を有する
ことを特徴とする請求項１６に記載のアンテナ。
【請求項１８】
有限接地面をさらに有する
ことを特徴とする請求項１６に記載のアンテナ。
【請求項１９】
前記有限接地面が、後方への反射及びサイドローブを最小限に抑えるよう構築され、か
つ適用される
ことを特徴とする請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記複数の信号コネクタ及び前記複数のアースコネクタが、前記回路基板の第２の側に
あり、前記回路基板内の孔を介して前記アームに電気的に接続される
ことを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月26日(2008.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（１０）であって、
基板（１７）の第１の組成を有する単結晶半導体領域（１４）の上に重なるゲート積層体（２９）と、
前記ゲート積層体（２９）の向き合う側壁上に配置される１対の第１のスペーサ（３２）と、
前記第１の組成とは異なる第２の組成を有する単結晶半導体合金から本質的に成る１対の半導体合金領域（３９）であって、前記半導体合金領域（３９）は前記ゲート積層体（２９）の両側に配置され、前記半導体合金領域（３９）の各々は前記ゲート積層体（２９）から第１の間隔を置かれる、１対の半導体合金領域（３９）と、
前記半導体合金領域（３９）のそれぞれの１つの中に少なくとも部分的に配置される１対のソース領域及びドレイン領域（２４）であって、前記ソース領域及び前記ドレイン領域（２４）の各々は、前記１対の第１のスペーサ（３２）の対応する１つによって前記ゲート積層体（２９）から前記第１の間隔とは異なる第２の間隔を置かれる、１対のソース領域及びドレイン領域（２４）と
を備える電界効果トランジスタ（１０）。
【請求項２】
前記第２の間隔は前記第１の間隔より長い、請求項１に記載のＦＥＴ。
【請求項３】
電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（１０）であって、
シリコン・オン・インシュレータ基板（１７）の単結晶シリコン領域（１４）の上に重なるゲート積層体（２９）と、
前記ゲート積層体（２９）の向き合う側壁上に配置される１対の第１のスペーサ（３２）と、
前記ゲート積層体（２９）の両側に配置され、本質的に単結晶シリコン・ゲルマニウムから成る１対のシリコン・ゲルマニウム領域（３９）であって、前記シリコン・ゲルマニウム領域（３９）の各々は前記ゲート積層体（２９）から第１の間隔を置かれる、１対のシリコン・ゲルマニウム領域（３９）と、
前記シリコン・ゲルマニウム領域（３９）のそれぞれの１つの中に少なくとも部分的に配置される１対のソース領域及びドレイン領域（２４）であって、前記ソース領域及び前記ドレイン領域（２４）の各々は、前記１対の第１のスペーサ（３２）の対応する１つによって前記ゲート積層体（２９）から第２の間隔を置かれる、１対のソース領域及びドレイン領域（２４）と、
シリサイド領域であって、前記シリサイド領域の少なくとも１つ（２８）は前記ゲート積層体（２９）の一層として配置され、前記シリサイド領域の少なくとも１つ（４０）は、少なくとも部分的に前記シリコン・ゲルマニウム領域（３９）の上に重なる、シリサイド領域と
を備える電界効果トランジスタ。
【請求項４】
電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（１０）を製造する方法であって、
ゲート積層体（ＰＣ）（２６）を形成するため、第１の組成を有する基板（１７）の単結晶半導体領域（１４）の上に重なるゲート多結晶半導体層（２６）をパターン付けするステップと、
前記ゲート積層体（２６）の側壁の上に重なる犠牲スペーサ（５０）を形成するステップと、
前記犠牲スペーサ（５０）に隣接する位置（６６）において前記単結晶半導体領域（１４）の部分に窪みを付けるステップと、
前記第１の組成とは異なる第２の組成を有し、本質的に単結晶半導体合金から成る領域（３９）であって、前記犠牲スペーサ（５０）は前記半導体合金領域（３９）と前記ゲート積層体（２６）の間の第１の間隔を少なくとも部分的に決定する、半導体合金領域（３９）を前記位置（６６）にエピタキシャルに成長させるステップと、
前記犠牲スペーサ（５０）を除去するステップと、
前記ＦＥＴ（１０）を完成するステップと
を含む方法。
【請求項５】
前記単結晶半導体領域（１４）は本質的にシリコンから成り、前記半導体合金領域（３９）は本質的にシリコン・ゲルマニウムから成る、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ＦＥＴ（１０）を完成させる前記ステップは、前記ゲート積層体（２６）の側壁の上に重なる第１のスペーサ（３２）を形成するステップと、前記ゲート積層体（２６）及び前記第１のスペーサ（３２）をマスクとして使用して、少なくとも前記半導体合金領域（３９）にソース及びドレインの注入を実施するステップとを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記ＦＥＴ（１０）のソース及びドレイン領域（２４）の位置は、前記ソース及びドレインの注入によって決定され、前記第１のスペーサ（３２）は前記ソース及びドレイン領域（２４）と前記ゲート積層体（２６）との間の第２の間隔を少なくとも部分的に決定する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ＦＥＴ（１０）を完成させる前記ステップは、前記第１のスペーサ（３２）を形成する前に、拡張領域注入（２５）及びハロー領域注入（２３）の少なくとも１つを実施するステップをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記単結晶半導体領域（１４）の前記部分に窪みを付ける前記ステップは、前記部分に注入するステップと、前記注入によって注入されない前記単結晶半導体領域（１４）の部分に対して、前記注入された部分を優先的にエッチングするステップとを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
前記注入の深さは、前記部分が窪みを付けられる窪みの深さ（６０）を決定する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記シリコン領域（１４）は、前記基板（１７）の埋め込み酸化物層（１８）の上に重なる前記基板（１７）のシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）層（１４）の内に配置され、
前記単結晶半導体領域（１４）の前記部分に窪みを付ける前記ステップは、前記部分に注入するステップと、前記注入によって注入されない前記単結晶半導体領域（１４）の部分に対して、前記注入された部分を優先的にエッチングするステップとを含み、
前記注入の深さは、前記部分が窪みを付けられる窪みの深さ（６０）を決定し、
前記窪みの深さ（６０）は、前記埋め込み酸化物層（１８）の上面（６４）の前記シリコン領域（１４）の上面からの深さに対して約８０％又はそれ以上に延びる、
請求項４に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のスペーサ（３２）の上に第２のスペーサ（３４）を形成するステップと、前記半導体合金領域（３９）の上に重なるシリサイド（４０）を形成するステップとをさらに含み、前記シリサイド（４０）は前記第１のスペーサ（３２）及び前記第２のスペーサ（３４）によって前記ゲート積層体（２６）から間隔を置かれる、請求項４に記載の方法。
【請求項１３】
前記半導体合金領域（３９）の上に重なる前記シリサイド（４０）を形成しながら同時に、前記ゲート積層体（２６）からゲート・シリサイド（２８）を形成するステップをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月3日(2008.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
従来技術によれば、歪んだ珪素を製造するために、上に純粋珪素がエピタキシャルに成長する一般に１５〜３０原子％の範囲のゲルマニウム含有量のＳｉ−Ｇｅ−緩衝層が使用されている。エピタキシャルな成長によって、成長するＳｉ層は緩衝層の結晶格子を引き継ぐ。Ｓｉ−Ｇｅ−緩衝層の原子は珪素単結晶の場合よりも互いに大きい間隔を取っているので、成長する珪素層の格子は拡がりそしてその際に電子的性質が有利な方に変化する。電子はこのトランジスタによってより早く流れることができる。可能なスイッチング周波数が増加しそしてトランジスタの電力消費量が減少する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
歪ませるべきそう層の単斜晶系構造は、成長平面の格子パラメータａ、ｂが同じでありそしてｃ−軸がａ及びｂと異なっていることに特徴がある。b −軸とｃ−軸との間の角度並びにａ−軸とｃ−軸との間の角度が９０°であるが、ａ−軸とｂ−軸との間の角度は９０°と相違する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
Ｓｉ−Ｇｅ−層（２）の三軸歪みを格子セル（２ａ）の転位によって実証している。四角形で歪んだＳｉ−Ｇｅ（２）は［１００］及び［０１０］方向に二軸引張り歪みを有するが、本発明に従う三軸で歪んだＳｉ−Ｇｅ（２）は追加的に［−１００］方向の張力によって歪んでいる（図４参照）。これによって格子セル（２ａ）の菱形の底面が生じる。この歪みは正孔移動度の増加をもたらす。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
別のＳｉ−層（３）も三軸的に歪ませるのが特に有利であり、高い正孔移動度及び電子移動度を示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
続くイオン注入のために保護層をこのヘテロ構造の上に析出させた。保護層はＰＥＣＶＤによって析出させたＳｉＯ２よりなる。このヘテロ構造に６０ｋｅＶ  Ｈｅ＋−イオンを７×１０１５ｃｍ−２の被爆量で注入しそして次に４５０℃で１分間熱処理する。保護層は緩衝ＨＦ溶液で化学的に湿式エッチングすることによって除く。原理的に図５に示した通り、４μｍの幅及び８ｍｍの長さ（図５に示した１０μｍではない）を有するラインを標準的なリソグラフィー及び反応性イオンエッチングを用いて構造化する。次いでこの構造をＡｒ雰囲気において１０分間、８５０℃で熱処理する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
別の実施例によれば、図面にならって、ただし薄いＳｉキャップ層を既に有するＳｉ−Ｇｅ−層（２）を場合によっては基体（１）の上に配置することができる。Ｓｉキャップ層がＳｉ−Ｇｅ層の緩和の間に直接的に歪められるという長所がある。この様に、歪んだＳｉ層（３）を歪んだＳｉ−Ｇｅ−層（２）の上に生じさせるためには、簡単なエピタキシャル段階が必要である。Ｓｉ層（３）の層厚ｄ３は、それの臨界層厚を超えない様に選択するのが有利である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月25日(2008.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データポイントのセットから１つまたは複数のデータポイントを廃棄するように構成されたクリティカルアパーチャ圧縮モジュールを備えるシステムであって、前記廃棄された１つまたは複数のデータポイントの許容帯域は前記廃棄された１つまたは複数のデータポイントの傾向を表す直線の周辺にあり、前記データポイントのセットの残りは圧縮されたデータポイントのセットを表すシステム。
【請求項２】
データ圧縮の方法であって、
保持されたデータポイントの許容帯域およびアーカイブされたデータポイントと前記保持されたデータポイントとの間にある中間ポイントの許容帯域に基づいて、前記アーカイブされたデータポイントから始まり、前記保持されたデータポイントについての偏差の上限および下限まで延びる上側勾配および下側勾配を有するクリティカルアパーチャを提供するステップと、
前記アーカイブされたデータポイントから始まり、後続の新しいデータポイントまで延びる線の勾配が前記クリティカルアパーチャ内にある場合、前記保持されたデータポイントを廃棄するステップと
を備える方法。
【請求項３】
有形媒体であって、
保持されたデータポイントの許容帯域およびアーカイブされたデータポイントと前記保持されたデータポイントとの間にある中間ポイントの許容帯域に基づいて、前記アーカイブされたデータポイントから始まり、前記保持されたデータポイントの偏差の上限および下限まで延びる直線の上側勾配および下側勾配を備えるクリティカルアパーチャを提供するように構成されたコードと、
前記アーカイブされたデータポイントから後続の新しいデータポイントまで延びる線の勾配が前記クリティカルアパーチャ内にある場合に前記保持されたデータポイントを廃棄するように構成されたコードと
を備えるデータフィルタリングコードを備える媒体。
【請求項４】
アーカイブされたデータポイント、保持されたデータポイント、または許容帯域、またはそれらの組合せに基づいてクリティカルアパーチャを計算するステップと、
前記アーカイブされたデータポイントから新しいデータポイントまで延びる線の計算された勾配が前記計算されたクリティカルアパーチャ内にある場合に、前記保持されたデータポイントを廃棄するステップと、
新しい保持されたデータポイントに新しいクリティカルアパーチャを計算するステップとを備えており、前記新しい保持されたデータポイントは前記新しいデータポイントである方法。
【請求項５】
工業用システムからサンプリングされたデータポイントのセットをデータ管理システムに供給し、前記データポイントのセットは前記工業用システムで１つまたは複数の測定可能なプロセスパラメータを表すステップと、
前記データ管理システムに許容帯域を提供するステップと、
前記データポイントのセットの１つまたは複数のデータポイントを廃棄することによって、圧縮されたデータポイントのセットを取得するステップとを備えており、前記廃棄された１つまたは複数のデータポイントは前記廃棄された１つまたは複数のデータポイントの傾向を表す直線の周辺の前記許容帯域内にある方法。
【請求項６】
データ管理システムであって、
保持されたデータポイントの許容帯域およびアーカイブされたデータポイントと前記保持されたデータポイントとの間にある中間ポイントの許容帯域に基づいて、前記アーカイブされたデータポイントから始まり、前記保持されたデータポイントの偏差の上限および下限まで延びる直線の上側勾配および下側勾配を備えるクリティカルアパーチャを提供する手段と、
前記アーカイブされたデータポイントから後続の新しいデータポイントまで延びる線の勾配が前記クリティカルアパーチャ内にある場合に前記保持されたデータポイントを廃棄する手段と
を備えるシステム。
【請求項７】
１つまたは複数のセンサを使用して監視され、前記センサは工業用ユニットの任意の測定可能なアクティビティを表すデータポイントのセットを提供する工業用ユニットと、
前記１つまたは複数のセンサからデータポイントのセットを受け取り、前記データ管理システムは前記データポイントのセットから１つまたは複数のデータポイントを廃棄するように構成されたクリティカルアパーチャ圧縮モジュールを備えており、前記廃棄された１つまたは複数のデータポイントは前記廃棄された１つまたは複数のデータポイントの傾向を表す直線の周辺の前記許容帯域内にあり、前記データポイントのセットの残りは圧縮されたデータポイントのセットを表すデータ管理システムとを備えるシステム。
【請求項８】
工業用セットアップ（ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ ｓｅｔｕｐ）におけるデータ管理システムの動作の方法であって、
工業用セットアップ内のデバイスからの１つまたは複数のプロセスパラメータを表すデータポイントのセットを測定するステップと、
データフィルタリングアルゴリズムを使用して、保持されたデータポイントのクリティカルアパーチャ、許容帯域とアーカイブされたデータポイントの少なくとも１つに基づくクリティカルアパーチャの少なくとも１つを計算するステップと、
前記アーカイブされたデータポイントから後続の新しいデータポイントまで延びる直線の計算された勾配が前記クリティカルアパーチャの内部にある場合に前記保持されたデータポイントを廃棄するステップとを備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月10日(2008.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造体を形成する方法であって、
半導体領域を準備するステップと、
前記半導体領域の上にゲート・スタックを形成するステップであって、前記ゲート・スタックは、
（１）前記半導体領域の上のゲート誘導体領域と、
（２）前記ゲート誘導体領域の上の第１のゲート・ポリシリコン領域と、
（３）前記第１のゲート・ポリシリコン領域の上の、１つのタイプのドーパントでドープされた第２のゲート・ポリシリコン領域と、
を含む、ステップと、
前記ゲート・スタックの側壁の上に、拡散バリア領域及びスペーサ酸化物領域を形成するステップと、
を含み、
前記拡散バリア領域は、前記ゲート・スタックと前記スペーサ酸化物領域の間に挟まれ、
前記拡散バリア領域は、前記第１のゲート・ポリシリコン領域及び前記第２のゲート・ポリシリコン領域の両方と物理的に直接接触している、
方法。
【請求項２】
前記ゲート・スタックを形成する前記ステップは、
前記半導体領域の上にゲート誘電体層を形成するステップと、
前記ゲート誘電体層の上にゲート・ポリシリコン層を形成するステップと、
前記タイプのドーパントを前記ゲート・ポリシリコン層の上部層に注入するステップと、
エッチング・ステップ後の前記ゲート・ポリシリコン層の残りが前記第１のゲート・ポリシリコン領域及び前記第２のゲート・ポリシリコン領域を含み、エッチング・ステップ後の前記ゲート誘電体層の残りが前記ゲート誘電体領域を含むように、前記ゲート・ポリシリコン層及び前記ゲート誘電体層の一部をエッチングによって除去するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記拡散バリア領域は酸窒化シリコンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記拡散バリア領域及び前記スペーサ酸化物領域を形成する前記ステップは、
前記ゲート・スタックの前記側壁の上面に前記拡散バリア領域を形成するステップと、
前記拡散バリア領域を形成する前記ステップの後に、前記拡散バリア領域の上に前記スペーサ酸化物領域を形成するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記拡散バリア領域及び前記スペーサ酸化物領域を形成する前記ステップは、窒素運搬ガスの存在下で前記ゲート・スタックの前記側壁を熱酸化するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記窒素運搬ガスの存在下で前記ゲート・スタックの前記側壁を熱酸化する前記ステップは、
前記窒素運搬ガスを予熱するステップと、
予熱された前記窒素運搬ガスの存在下で前記ゲート・スタックの前記側壁を熱酸化するステップと、
を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ゲート・スタックの前記側壁を熱酸化する前記ステップは、
前記ゲート・スタックの上面及び前記側壁の上に拡散バリア層及びスペーサ酸化物層を形成するように、前記窒素運搬ガスの存在下で前記ゲート・スタックの前記上面及び前記側壁を熱酸化するステップと、
前記第２のゲート・ポリシリコン領域のポリシリコン材料が雰囲気に晒され、除去ステップ後の前記拡散バリア層の残りが前記拡散バリア領域を含み、除去ステップ後の前記スペーサ酸化物層の残りが前記スペーサ酸化物領域を含むように、前記ゲート・スタックの上面において前記拡散バリア層及び前記スペーサ酸化物層の一部を除去するステップと、
を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
半導体領域と、
前記半導体領域の上のゲート・スタックであって、
（１）前記半導体領域の上のゲート誘導体領域と、
（２）前記ゲート誘導体領域の上の第１のゲート・ポリシリコン領域と、
（３）前記第１のゲート・ポリシリコン領域の上の、１つのタイプのドーパントでドープされた第２のゲート・ポリシリコン領域と、
を含むゲート・スタックと、
前記ゲート・スタックの側壁の上の拡散バリア領域及びスペーサ酸化物領域と、
を備え、
前記拡散バリア領域は、前記ゲート・スタックと前記スペーサ酸化物領域の間に挟まれ、
前記拡散バリア領域は、前記第１のゲート・ポリシリコン領域及び前記第２のゲート・ポリシリコン領域の両方と物理的に直接接触している、
半導体構造体。
【請求項９】
前記拡散バリア領域は酸窒化シリコンを含む、請求項８に記載の半導体構造体。
【請求項１０】
前記第１のゲート・ポリシリコン領域に対応する前記スペーサ酸化物領域の第１の領域の第１の厚さと、前記第２のゲート・ポリシリコン領域に対応する前記スペーサ酸化物領域の第２の領域の第２の厚さとが実質的に同一である、請求項８に記載の半導体構造体。
【請求項１１】
半導体構造体を形成する方法であって、
半導体基板を準備するステップと、
前記半導体基板の上にゲート・スタックを形成するステップであって、前記ゲート・スタックは、
（１）前記半導体基板の上のゲート誘電体領域と、
（２）前記ゲート誘電体領域の上の第１のゲート・ポリシリコン領域と、
（３）前記第１のゲート・ポリシリコン領域の上の、１つのタイプのドーパントで高濃度ドープされた第２のゲート・ポリシリコン領域と、
を含む、ステップと、
前記ゲート・スタックの第１の側壁及び第２の側壁の上に、第１の拡散バリア領域及び第２の拡散バリア領域と第１のスペーサ酸化物領域及び第２のスペーサ酸化物領域とをそれぞれ形成するステップと、
を含み、
前記第１の拡散バリア領域は、前記ゲート・スタックと前記第１のスペーサ酸化物領域の間に挟まれ、
前記第１の拡散バリア領域は、前記第１のゲート・ポリシリコン領域及び前記第２のゲート・ポリシリコン領域の両方と物理的に直接接触し、
前記第２の拡散バリア領域は、前記ゲート・スタックと前記第２のスペーサ酸化物領域の間に挟まれ、
前記第２の拡散バリア領域は、前記第１のゲート・ポリシリコン領域及び前記第２のゲート・ポリシリコン領域の両方と物理的に直接接触している、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月26日(2008.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅相互接続部であって、
或る量の不純物を含有する不純物含有銅ソースから得られ、下にある絶縁層（１１５）の中への銅の実質的な拡散を防止する障壁層（２３０）の上に堆積された、不純物含有銅シード層（４４０）と、
或る量の不純物を含有する不純物含有銅ソースから得られ、下にある前記絶縁層（１１５）の開口部を埋める、不純物含有銅（３５０）と、
を含む銅相互接続部。
【請求項２】
前記不純物含有銅シード層（４４０）の前記銅ソースが、前記不純物含有銅（３５０）の前記銅ソースである、請求項１に記載の銅相互接続部。
【請求項３】
前記不純物の含有量が、前記不純物含有銅シード層（４４０）及び前記不純物含有銅（３５０）の少なくとも１つの０．００１重量％以上１．２０重量％以下を占める、請求項１に記載の銅相互接続部。
【請求項４】
堆積前に前記不純物含有銅シード層（４４０）中の前記不純物含有銅が前記不純物含有銅（３５０）と実質的に同じ組成である、請求項１に記載の銅相互接続部。
【請求項５】
前記不純物含有銅ソース中の前記銅が、Ａｇ、Ａｓ、Ｃ、Ｃｄ、Ｃｌ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎ、Ｎｉ、Ｏ、Ｐｂ、Ｓ、Ｓｎ、Ｔｌ及びＺｎの群から選択された不純物を含有する、請求項１に記載の銅相互接続部。
【請求項６】
銅相互接続部を形成する方法であって、
或る量の不純物を含有する不純物含有銅シード・ソースから得られた不純物含有銅シード層（４４０）を、下にある絶縁層（１１５）の開口部の内部を覆い、下にある前記絶縁層（１１５）の中への前記銅の実質的な拡散を防止する障壁層（２３０）の上に堆積するステップと、
前記開口部を、或る量の不純物を含有する不純物含有銅シード・ソースから得られた不純物含有銅（３５０）で埋めるステップと、
を含む方法。
【請求項７】
前記不純物含有銅シード層（４４０）の前記銅シード・ソースが前記不純物含有銅（３５０）の前記銅シード・ソースである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記不純物の含有量が、前記不純物含有銅シード層（４４０）及び前記不純物含有銅（３５０）の少なくとも１つの０．００１重量％以上１．２０重量％以下を占める、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記不純物含有銅シード層（４４０）、前記障壁層（２３０）及び前記不純物含有銅（３５０）を、前記不純物含有銅シード層（４４０）、前記障壁層（２３０）及び前記不純物含有銅（３５０）が前記絶縁層（１１５）と平坦化されるまで化学的機械研磨するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
銅相互接続部であって、
開口部を有する絶縁層（１１５）と、
下にある前記絶縁層（１１５）上に堆積され前記開口部の内部を覆い、下にある前記絶縁層（１１５）の中への銅の実質的な拡散を防止する、障壁層（２３０）と、
或る量の不純物を含有する不純物含有銅ソースから得られ、前記障壁層（２３０）上に堆積され前記開口部を埋める、不純物含有銅シード（３５０）と、
を備えた銅相互接続部。
【請求項１１】
前記不純物の含有量が、前記不純物含有銅シード（３５０）の０．００１重量％以上１．２０重量％以下を占める、請求項１０に記載の銅相互接続部。
【請求項１２】
銅相互接続部を形成する方法であって、
絶縁層（１１５）を堆積するステップと、
前記絶縁層（１１５）に開口部をエッチングするステップと、
前記絶縁層（１１５）への前記銅の実質的な拡散を防止する障壁層（２３０）を、前記開口部の内部を覆って前記絶縁層（１１５）内に堆積するステップと、
前記開口部を、或る量の不純物を含有する不純物含有銅シード・ソースから得られた不純物含有銅シード（３５０）で埋めるステップと、
を含む方法。
【請求項１３】
前記不純物の含有量が、前記不純物含有銅シードの０．００１重量％以上１．２０重量％以下を占める、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記不純物含有銅シード（３５０）及び前記障壁層（２３０）を、前記不純物含有銅シード（３５０）及び前記障壁層（２３０）が前記絶縁層（１１５）と平坦化されるまで化学的機械研磨するステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記不純物含有銅シード（３５０）が、スパッタリング、ＰＶＤ、ＣＶＤ、ＩＰＶＤ、及びＡＬＤの少なくとも１つによって堆積される、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月9日(2008.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、
前記半導体層の第一部分の第一側面に隣接した第一ゲート誘電体と、
前記第一ゲート誘電体に隣接した第一ゲート電極と、
前記半導体層の第一部分の第二側面に隣接した第二ゲート誘電体と、
前記第二ゲート誘電体に隣接した第二ゲート電極と、
（ｉ）前記第一ゲート電極と前記第一ゲート誘電体、及び（ｉｉ）前記第二ゲート電極と前記第二ゲート誘電体のうち少なくとも一つをカプセル封止する手段と、
歪みチャネル領域の対向する端部に隣接し、かつ前記半導体層の第一部分の内部に第一及び第二ヘテロ接合を有する歪みチャネル領域と、
選択的に成長され、前記第一部分の外側にある前記半導体層の第二部分を覆う半導体材料とを備え、
前記半導体材料は、前記半導体層の材料とは異なる材料からなり、
前記半導体材料は、前記半導体層の前記第一及び第二部分の歪みチャネル領域中に前記半導体材料が拡散する量を制御することにより拡散源として使用される半導体デバイス。
【請求項２】
請求項１記載の半導体デバイスは、更に、
前記半導体層内のソース／ドレインエクステンション領域と、
前記第一ゲート電極及び前記第二ゲート電極のうち一つ以上に隣接する少なくとも一つの側壁スペーサと、
前記少なくとも一つの側壁スペーサが、前記ソース／ドレインエクステンション領域に隣接して配置されることと、
前記ソース／ドレインエクステンション領域に隣接し、かつ前記半導体層内に存在するソース／ドレイン領域と
を備える半導体デバイス。
【請求項３】
請求項２記載の半導体デバイスは、更に、
前記ソース／ドレイン領域のシリサイド領域と、前記第一ゲート電極及び前記第二ゲート電極のうち少なくとも一つのシリサイド領域とを備える半導体デバイス。
【請求項４】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、
前記半導体層は、絶縁基板上に半導体の半導体層を含む半導体デバイス。
【請求項５】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、
前記カプセル封止手段は、（ｉ）前記第一ゲート電極と前記第一ゲート誘電体、及び（ｉｉ）前記第二ゲート電極と前記第二ゲート誘電体のうち少なくとも一つの内部に拡散する酸素を最小化するカプセル封止材を含む半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月27日(2008.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯電話を制御する方法であって、前記携帯電話が、別の携帯電話によってメッセージ伝送システムを介して送信されたメッセージを受信することができ、
別の携帯電話からメッセージを受信するステップであって、受信したメッセージが、プレゼンテーション部および関連する制御部を含み、前記制御部が、前記受信したメッセージの処理の制御に関連するステップと、
前記受信したメッセージから前記制御部を抽出するステップと、
抽出した制御部に基づいて前記メッセージに関連するオペレーションを実行するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記抽出した制御部が、
通知モード制御コマンド、転送制御コマンド、アーカイビング制御コマンド、応答受信側制御コマンドのうちの１つまたは複数を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
各コマンドが、少なくとも１つの関連する制御パラメータを有する請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記抽出した制御部が前記通知モード制御コマンドを含み、前記オペレーションが、前記携帯電話上で事前構成されたメッセージ通知モードを無視した、前記通知モード制御コマンドに従うメッセージ通知の発行を含む請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記抽出した制御部が、前記転送制御コマンドまたは前記応答受信側制御コマンドを含み、前記オペレーションが、前記転送制御コマンドまたは前記応答受信側制御コマンドに従ってそれぞれメッセージを転送し、または前記メッセージに応答するためのターゲット・アドレスの自動設定を含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
別の携帯電話によってメッセージ伝送システムを介して送信されたメッセージを受信する受信装置を有する携帯電話であって、
受信したメッセージをプレゼンテーション部および関連する制御部に分解するメッセージ分解ユニットであって、前記制御部が、受信したメッセージの処理の制御に関連するメッセージ分解ユニットと、
前記制御部に基づいて、前記メッセージに関連するオペレーションを実行する実行装置と
を備える携帯電話。
【請求項７】
携帯電話を制御する方法において、前記携帯電話が、前記携帯電話のユーザがメッセージを入力するためのユーザ・インターフェースを生成するユーザ・インターフェース・ジェネレータと、メッセージ伝送システムを介して別の携帯電話に前記メッセージを送信する送信装置とを有する方法であって、
プレゼンテーション部および制御部を入力するユーザ・インターフェースを生成するステップと、
受信側に表示するように識別される形式に前記プレゼンテーション部をフォーマットするステップと、
制御データであると識別される形式に前記制御部をフォーマットするステップと、
前記送信装置によって送信するために、フォーマットしたプレゼンテーション部および制御部を完全なメッセージとしてパッケージ化するステップと
を含む方法。
【請求項８】
メッセージ伝送システムを介して別の携帯電話にメッセージを送信する送信装置を有する携帯電話であって、
プレゼンテーション部および制御部を入力するためのユーザ・インターフェースを生成するユーザ・インターフェース・ジェネレータと、
受信側に表示するように識別される形式に前記プレゼンテーション部をフォーマットするメッセージ・プレゼンテーション・ジェネレータと、
制御データであると識別される形式に前記制御部をフォーマットする制御コマンド・ジェネレータと、
前記送信装置によって送信するために、フォーマットしたプレゼンテーション部および制御部を完全なメッセージとしてパッケージ化するパッケージング・モジュールと
を備える携帯電話。
【請求項９】
コンピュータ上で実行されるときに請求項１ないし５のいずれか一項に記載のすべてのステップを実行するように適合されたプログラム・コード手段を含むコンピュータ・プログラム。
【請求項１０】
コンピュータ上で実行されるときに請求項７に記載のすべてのステップを実行するように適合されたプログラム・コード手段を含むコンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月8日(2008.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中空筒状の磁石装置（２１、２２、３１、３２、５１）を備え、磁石装置（２１、２２、３１、３２、５１）が永久磁石（２２、３２）又は短絡棒を有し、且つ軸（２５、３９、５５）に取り外し可能に取り付けられ、
磁石装置（２１、２２、３１、３２、５１）の端面の１つに相対回転不能に固定して軸（２５、３９、５５）と形状拘束的に又は摩擦により結合させるための少なくとも１つのリング状の固定装置（２３、２６、３５、３７、５３）が設けられ、
固定装置（２３、２６、３５、３７、５３）が、磁石装置（２１、２２、３１、３２、５１）に固定するためのクランプスリーブ（２３、３５）と、このクランプスリーブ（２３、３５）を軸（２５、３９、５５）に締め付けるためのクランプディスク（２６、３７）とを備え、このクランプディスク（２６，３７）がクランプスリーブ（２３，２５）の磁石装置とは反対側の軸線方向部分に取り付けられるようにした電気機械のための回転子において、
クランプスリーブ（３５，５３）の磁石装置とは反対側の軸線方向部分にスリットが設けられたことを特徴とする回転子。
【請求項２】
固定装置（２３、２６、３５、３７、５３）が締め付け力を与える少なくとも１つのねじを含む請求項１記載の回転子。
【請求項３】
クランプスリーブがアングルディスク（２３）である請求項１又は２記載の回転子。
【請求項４】
クランプスリーブ（２３）が磁石装置（２１）と固定結合された請求項１から３の１つに記載の回転子。
【請求項５】
クランプスリーブ（５３）がテーパ状部分（５３１）を備え、このテーパ状部分（５３１）が磁石装置（５１）と軸（５５）との間に圧入可能であり、その結果両構成要素の間で摩擦結合が生じる請求項１から４の１つに記載の回転子。
【請求項６】
クランプスリーブ（２３、３５）が不均衡を補整するバランスディスクの機能を有する請求項１から５の１つに記載の回転子。
【請求項７】
固定装置がクランプリングを含み、このクランプリングが、軸線方向にスリットを有し、且つ直接磁石装置に直接取り付けられた請求項１から６の１つに記載の回転子。