【手続補正書】
【提出日】平成20年5月15日(2008.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  一般式（CI）：
【化１】
2003535196.tif 000001
〔式中、
Ｒ100は、水素またはメチルを表し、
Ｒ701は、水素、または光異性化性の基を有さないＣ1〜Ｃ8直鎖または分枝アルキル、好ましくはメチル、エチル、プロピル、ｎ-ブチル、特に好ましくはメチルを表す。〕
で示される少なくとも３個の反復単位を有する少なくとも１種のブロック（Ａ）、および
一般式（CII）：
【化２】
2003535196.tif 000002
〔式中、
Ｒ702は、水素またはメチルを表し、
Ｒ703は、[Ｓ-Ｔ-Ｑ-Ｐ]〈式中、Ｐは、Ａおよび／またはＭを表すが、但しＰはＡを表すポリマー（Ｂ）の１種またはそれ以上のブロックが、常に含まれる。〉を表し、
Ｐ＝Ａ（色素基）、Ｍ（メソゲン）である式：Ｓ-Ｔ-Ｑ-Ｐで示される、主鎖から枝分れしている側鎖は、一般に以下の定義：
【化３】
2003535196.tif 000003
〈式中、
Ｓ1、Ｓ2は、相互に独立に、Ｏ、Ｓ原子またはＮＲ1基を表し、
Ｒ1は、水素またはＣ1〜Ｃ4アルキルを表し、
Ｔ1、Ｔ2は、相互に独立に、任意に-Ｏ-、-ＮＲ1-若しくは-ＯＳｉＲ12Ｏ-により中断されていても良い、および／またはメチル若しくはエチルにより置換されていても良い、(ＣＨ2)n基を表し、
ｎは、２、３または４の数を表し、
Ｑ1、Ｑ2は、二価の基を表し、
Ａは、電磁放射を吸収することができる単位を表し、
Ｍは、少なくとも１２個のπ電子を有する分極性芳香族基を表す。〉
により表される。〕
で示される反復単位を有する少なくとも１種のブロック（Ｂ）
からなることを特徴とする、様々なブロックを有するポリマー。
【請求項２】  ブロック（Ａ）が、少なくとも５個の反復単位を含有することを特徴とする請求項１に記載のブロックポリマー。
【請求項３】  ブロック（Ｂ）が、少なくとも３個の反復単位を含有することを特徴とする請求項１または２に記載のブロックポリマー。
【請求項４】  １種より多いブロック（Ａ）および／または（Ｂ）を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のブロックポリマー。
【請求項５】  ブロック（Ｂ）のモノマー合計対ブロック（Ａ）のモノマー合計の比が、１：１〜１：１０,０００の間であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のブロックポリマー。
【請求項６】  ブロック（Ａ）が、メタクリル酸メチル単位を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のブロックポリマー。
【請求項７】  ブロック（Ｂ）が、一般式［ＳＴＱＰ］で示される少なくとも２種の異なるモノマーを含有し、該モノマーの少なくとも１種は、光異性化性基であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のブロックポリマー。
【請求項８】  光異性化性基がアゾ基であるモノマーを、ポリマー（Ｂ）が含有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のブロックポリマー。
【請求項９】  光異性化性基が、構造（CIV）：
【化４】
2003535196.tif 000004
〔式中、
Ｒ101およびＲ102は、相互に独立に、水素または非イオン性置換基を表し、
ｍおよびｎは、相互に独立に、０〜４、好ましくは０〜２の整数を表し、
Ｘ101は、Ｓ101Ｔ101Ｑ101を有する結合を表す、即ちＸ101は、Ｘ101'〈この場合、Ｘ101'は、２価のＱと結合している。〉の意味を有し、
Ｘ102は、Ｘ102'-Ｒ104を表し、
Ｘ101'およびＸ102'は、直接結合、-Ｏ-、-Ｓ-、-(Ｎ-Ｒ105)-、-Ｃ(Ｒ106Ｒ107)-、-(Ｃ=Ｏ)-、-(ＣＯ-Ｏ)-、-(ＣＯ-ＮＲ105)-、-(ＳＯ2)-、-(ＳＯ2-Ｏ)-、-(ＳＯ2-ＮＲ105)-、-(Ｃ=ＮＲ18)-または-(ＣＮＲ18-ＮＲ15)-を表し、
Ｒ104、Ｒ15およびＲ18は、相互に独立に、水素、Ｃ1〜Ｃ20アルキル、Ｃ3〜Ｃ10シクロアルキル、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル、Ｃ6〜Ｃ10アリール、Ｃ1〜Ｃ20アルキル-(Ｃ=Ｏ)-、Ｃ3〜Ｃ10シクロアルキル-(Ｃ=Ｏ)-、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル-(Ｃ=Ｏ)-、Ｃ6〜Ｃ10アリール-(Ｃ=Ｏ)-、Ｃ1〜Ｃ20アルキル-(ＳＯ2)-、Ｃ3〜Ｃ10シクロアルキル-(ＳＯ2)-、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル-(ＳＯ2)-またはＣ6〜Ｃ10アリール-(ＳＯ2)-を表すか、あるいは
Ｘ102'-Ｒ104は、水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ＣＦ3またはＣＣｌ3を表すことができ、
Ｒ106およびＲ107は、相互に独立に、水素、ハロゲン、Ｃ1〜Ｃ20アルキル、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ、Ｃ3〜Ｃ10シクロアルキル、Ｃ2〜Ｃ20アルケニルまたはＣ6〜Ｃ10アリールを表し、
Ｓ101は、Ｏ、Ｓ原子またはＮＲ109基を表し、
Ｒ109は、水素またはＣ1〜Ｃ4アルキルを表し、
Ｔ101は、任意に-Ｏ-、-ＮＲ109-若しくは-ＯＳｉＲ1092Ｏ-により中断されていても良い、および／またはメチル若しくはエチルにより置換されていても良い、(ＣＨ2)x基を表し、
ｘは、２、３または４の数を表し、
Ｑ101は、Ｚ101、Ｚ102または-Ｚ101-Ｘ100-Ｚ102-基を表し、
Ｚ101およびＺ102は、相互に独立に、-Ｓ-、-ＳＯ2-、-Ｏ-、-ＣＯＯ-、-ＯＣＯ-、-ＣＯＮＲ109-、-ＮＲ109ＣＯ-、-ＮＲ109-、-Ｎ=Ｎ-、-ＣＨ=ＣＨ-、-Ｎ=ＣＨ-、-ＣＨ=Ｎ-基、または-(ＣＨ2)y-基〈式中、ｙ＝１または２である。〉を表し、および
Ｘ100は、５員環または６員環の脂肪族環、芳香環または複素環を表し、Ｚ101＝-ＣＯＯ-または-ＣＯＮＲ109-である場合は、直接結合または-(ＣＨ=ＣＨ)y-基〈式中、ｙは上記の意味を有する。〉を表す。〕
を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のブロックポリマー。
【請求項１０】  光異性化性基を有するモノマーが、式（CV）：
【化５】
2003535196.tif 000005
〔式中、
Ｒ102は、水素またはメチルを表し、
他の基は、上記の意味を有する〕
で示されることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のブロックポリマー。
【請求項１１】  光異性化性基を有するモノマーを、以下の化合物
【化６】
2003535196.tif 000006
【化７】
2003535196.tif 000007
【化８】
2003535196.tif 000008
から選択する請求項１０に記載のブロックポリマー。
【請求項１２】  分極性芳香族基Ｍが、式（CVI）：
【化９】
2003535196.tif 000009
〔式中、
Ｚ200は、次式：
【化１０】
2003535196.tif 000010
で示される基を表し、
Ｂは、Ｏ、ＳまたはＮ-Ｃ1〜Ｃ4アルキルを表し、
Ｘ103は、-Ｘ103'-(Ｑ102)j-Ｔ102-Ｓ102-を表し、
Ｘ104は、Ｘ104'-Ｒ203を表し、
Ｘ103'およびＸ104'は、相互に独立に、直接結合、-Ｏ-、-Ｓ-、-(Ｎ-Ｒ205)-、-Ｃ(Ｒ206Ｒ207)-、-(Ｃ=Ｏ)-、-(ＣＯ-Ｏ)-、-(ＣＯ-ＮＲ205)-、-(ＳＯ2)-、-(ＳＯ2-Ｏ)-、-(ＳＯ2-ＮＲ205)-、-(Ｃ=ＮＲ208)-または-(ＣＮＲ208-ＮＲ205)-を表し、
Ｒ205、Ｒ208およびＲ203は、相互に独立に、水素、Ｃ1〜Ｃ20アルキル、Ｃ3〜Ｃ10シクロアルキル、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル、Ｃ6〜Ｃ10アリール、Ｃ1〜Ｃ20アルキル-(Ｃ=Ｏ)-、Ｃ3〜Ｃ10シクロアルキル-(Ｃ=Ｏ)-、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル-(Ｃ=Ｏ)-、Ｃ6〜Ｃ10アリール-(Ｃ=Ｏ)-、Ｃ1〜Ｃ20アルキル-(ＳＯ2)-、Ｃ3〜Ｃ10シクロアルキル-(ＳＯ2)-、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル-(ＳＯ2)-またはＣ6〜Ｃ10アリール-(ＳＯ2)-を表すか、あるいは
Ｘ104'-Ｒ203は、水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ＣＦ3またはＣＣｌ3を表すことができ、
Ｒ206およびＲ207は、相互に独立に、水素、ハロゲン、Ｃ1〜Ｃ20アルキル、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ、Ｃ3〜Ｃ10シクロアルキル、Ｃ2〜Ｃ20アルケニルまたはＣ6〜Ｃ10アリールを表し、
Ｙ200は、一重結合、-ＣＯＯ-、ＯＣＯ-、-ＣＯＮＨ-、-ＮＨＣＯ-、-ＣＯＮ(ＣＨ3)-、-Ｎ(ＣＨ3)ＣＯ-、-Ｏ-、-ＮＨ-または-Ｎ(ＣＨ3)-を表し、
Ｒ201、Ｒ202およびＲ206は、相互に独立に、水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ1〜Ｃ20アルキル、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ、フェノキシ、Ｃ3〜Ｃ10シクロアルキル、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル、Ｃ6〜Ｃ10アリール、Ｃ1〜Ｃ20アルキル-(Ｃ=Ｏ)-、Ｃ6〜Ｃ10アリール-(Ｃ=Ｏ)-、Ｃ1〜Ｃ20アルキル-(ＳＯ2)-、Ｃ1〜Ｃ20アルキル-(Ｃ=Ｏ)-Ｏ-、Ｃ1〜Ｃ20アルキル-(Ｃ=Ｏ)-ＮＨ-、Ｃ6〜Ｃ10アリール-(Ｃ=Ｏ)-ＮＨ-、Ｃ1〜Ｃ20アルキル-Ｏ-(Ｃ=Ｏ)-、Ｃ1〜Ｃ20アルキル-ＮＨ-(Ｃ=Ｏ)-またはＣ6〜Ｃ10アリール-ＮＨ-(Ｃ=Ｏ)-を表し、
ｑ、ｒおよびｓは、相互に独立に、０〜４、好ましくは０〜２の整数を表し、
Ｑ102は、-Ｏ-、-Ｓ-、-(Ｎ-Ｒ205)-、-Ｃ(Ｒ206Ｒ207)-、-(Ｃ=Ｏ)-、-(ＣＯ-Ｏ)-、-(ＣＯ-ＮＲ205)-、-(ＳＯ2)-、-(ＳＯ2-Ｏ)-、-(ＳＯ2-ＮＲ205)-、-(Ｃ=ＮＲ208)-、-(ＣＮＲ208-ＮＲ205)-、-(ＣＨ2)p-、ｐ-Ｃ6Ｈ4-若しくはｍ-Ｃ6Ｈ4-、または次式：
【化１１】
2003535196.tif 000011
で示される２価の基を表し、
ｊは、０〜４の整数を表し、ｊ＞１である場合、個々のＱ102は、異なる意味を有することができ、
Ｔ102は、その鎖が、-Ｏ-、-ＮＲ209-または-ＯＳｉＲ2202Ｏ-により中断されていても良い-(ＣＨ2)p-を表し、
Ｓ102は、直接結合、-Ｏ-、-Ｓ-または-ＮＲ209-を表し、
ｐは、２〜１２、好ましくは２〜８、特に２〜４の整数を表し、
Ｒ209は、水素、メチル、エチルまたはプロピルを表し、および
Ｒ220は、メチルまたはエチルを表す。〕
に相当することを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載のブロックポリマー。
【請求項１３】  異方性形態を示すＭ基を有するモノマーが、式（CVII）：
【化１２】
2003535196.tif 000012
〔式中、
Ｒ102は、水素またはメチルを表し、
他の基は、上記の意味を有する。〕
を有することを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載のブロックポリマー。
【請求項１４】  異方性形態を示すＭ基を有するモノマーを、以下の化合物：
【化１３】
2003535196.tif 000013
から選択する請求項１３に記載のブロックポリマー。
【請求項１５】  式（CV）で示されるモノマーおよび式（CVII）で示されるモノマーを、１：１〜１：３０の比率で使用することを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載のブロックポリマー。
【請求項１６】  ２以下の光学濃度を有することを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載のブロックポリマー。
【請求項１７】  コポリマー中における各ブロックの定義した構造および分子量を有するポリマーを、制御重合により合成し、この制御重合における技術として、いくつかの場合においてアクリレートおよびメタクリレートベースでの保護ＯＨ官能化モノマーを含むモノマーのアニオン重合、並びに官能化モノマーの制御ラジカル重合の両方を使用する、請求項１〜１６のいずれかに記載のブロックポリマーの製造方法。
【請求項１８】  光学要素および記憶要素、好ましくは高容量記憶装置を製造するための、請求項１〜１７いずれかに記載のブロックポリマーの使用。
【請求項１９】  光学要素を、データ記憶のために使用することを特徴とする請求項１８に記載の使用。
【請求項２０】  光学要素または記憶要素、好ましくは高容量記憶装置を、ホログラフィーによるデータ記憶のために使用することを特徴とする請求項１８または１９に記載の使用。
【請求項２１】  情報を、レーザー光線により、光学要素および／または記憶装置に記入することを特徴とする請求項１８〜２０のいずれかに記載の使用。
【請求項２２】  請求項１〜１７のいずれかに記載のブロックポリマー少なくとも１種を含有し、該ブロックポリマーが、０.１ｍｍ以上の透過厚みを有する記憶装置、好ましくは高容量記憶装置。
【請求項２３】  前記請求項のいずれかの記載に従って射出成形することによる、光学要素および記憶要素、好ましくは高容量記憶装置の製造方法。
【請求項２４】  さらに成形品を研磨する、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】  さらに透明保護層を適用する、請求項２３または２４に記載の方法。
【請求項２６】  請求項２２〜２５のいずれかの記載による光学要素および記憶装置。