(57)【要約】  真空紫外線が誘電体層に到達するのを防ぎつつ，かつ保護層の剥れを防ぐことができるプラズマディスプレイパネル用基板構体及びＡＣ型プラズマディスプレイパネルを提供する。  本発明のＰＤＰ用基板構体は，基板上（１２）に，表示電極（１３）と，表示電極（１３）を被覆する第１誘電体層（１５）と，真空紫外線を遮蔽する遮蔽層（１７）と，第２誘電体層（１９）と，保護層（２１）とをこの順に重ねて備える。
2007072542.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に，表示電極と，表示電極を被覆する第１誘電体層と，真空紫外線を遮蔽する遮蔽層と，第２誘電体層と，保護層とをこの順に重ねて備えるプラズマディスプレイパネル用基板構体。
【請求項２】
遮蔽層は，第１及び第２誘電体層によって包み込まれるように，第１及び第２誘電体層よりも狭い領域に形成される請求項１に記載の基板構体。
【請求項３】
第１及び第２誘電体層は，同じ材料からなる請求項２に記載の基板構体。
【請求項４】
第２誘電体層は，厚さが第１誘電体層の１／１０以下である請求項１に記載の基板構体。
【請求項５】
第１及び第２誘電体層は，ＳｉＯ2からなる請求項１に記載の基板構体。
【請求項６】
遮蔽層は，Ｚｒ化合物，Ａｌ化合物，Ｔｉ化合物，Ｙ化合物，Ｚｎ化合物，低融点ガラス，ＳｉＣ及びＳｉＮからなる群から選ばれる少なくとも１つからなる請求項１に記載の基板構体。
【請求項７】
遮蔽層は，ＺｒＯ2からなる請求項１に記載の基板構体。
【請求項８】
保護層は，ＭｇＯからなる請求項１に記載の基板構体。
【請求項９】
前面側の基板上に面放電を発生させる表示電極と、表示電極を被覆する第１誘電体層と，第１誘電体層の表面を保護する保護層とを設けてなるＡＣ型プラズマディスプレイパネルにおいて、
第１誘電体層と保護層との間に真空紫外線を遮蔽する遮蔽層を設けるとともに、遮蔽層と保護層の間に第２誘電体層を設け、前記遮蔽層を第１及び第２誘電体層により挟み込んでなることを特徴とするＡＣ型プラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，プラズマディスプレイパネル（以下，「ＰＤＰ」と呼ぶ。）用基板構体及びＰＤＰに関する。
【背景技術】
【０００２】
図４に，一般的なＰＤＰの概略構造斜視図を示す。ＰＤＰは前面側の基板構体１と、背面側の基板構体２を貼り合わせた構造をしている。前面側基板構体１は、ガラス基板１ａ上に，透明電極３１とバス電極３２からなる表示電極３が配置され，表示電極３は誘電体層４で覆われている。誘電体層４の上にさらに２次電子放出係数の高いＭｇＯ層からなる保護層５が形成されている。背面側基板構体２には、ガラス基板２ａ上に，表示電極と直交するようにアドレス電極６を配置し、かつアドレス電極６間には，発光領域を規定するために隔壁７が設けられ，アドレス電極６上の隔壁７で区分けされた領域には，赤，緑，青の蛍光体層８が形成されている。貼り合わせた前面側基板構体１と背面側基板構体２の内部には，Ｎｅ−Ｘｅガスが封入されている。【０００３】
図５に断面から見た放電セルの放電時の様子を示す。ＸとＹの２本１組からなる表示電極３間に電圧を印加し，放電空間に電界をかけるとＸｅが励起されてガス放電９を生じ，そこから真空紫外線１０が放出される。真空紫外線１０は蛍光体８に当たり可視光１１を出す。セル内部の電界で真空紫外線１０を制御することによりディスプレイとして動作する。このとき真空紫外線１０は蛍光体８だけでなく前面側基板構体１にも照射される。前面側基板構体１のガラス基板１ａ上には放電面から順に保護層（ＭｇＯ層）５と誘電体層４が形成されているが，ＭｇＯは真空紫外線１０の一部波長（１６５ｎｍ以上）を透過するため真空紫外線１０の一部は誘電体層４まで到達している。【０００４】
誘電体層４が，真空紫外線透過材料からなる場合，真空紫外線１０が，誘電体層４中を透過する。このとき，真空紫外線１０のエネルギーにより，誘電体膜中の未分解物質（Ｈ2，ＮＨ3等）を主成分とする不純物ガスが発生し，ＰＤＰの放電特性や寿命に悪影響を与えることがある。【０００５】
特許文献１に記載のＰＤＰでは，保護層５と誘電体層４との間に真空紫外線遮蔽機能を有するＺｒＯ2などからなる中間層を設けることによって，真空紫外線１０が誘電体層４に到達するのを防いでいる。
【特許文献１】特開２００４−７１３３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが，中間層と保護層５とは，必ずしも良好な密着性が得られず，保護層５が剥れてしまうということがあった。【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり，真空紫外線が誘電体層に到達するのを防ぎつつ，かつ保護層の剥れを防ぐことができるＰＤＰ用基板構体を提供するものである。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【０００８】
本発明のＰＤＰ用基板構体は，基板上に，表示電極と，表示電極を被覆する第１誘電体層と，真空紫外線を遮蔽する遮蔽層と，第２誘電体層と，保護層とをこの順に重ねて備える。
本発明によれば，保護層と遮蔽層との間に第２誘電体層を備えるので，保護層と遮蔽層との間の密着性の悪さに起因する保護層の剥れを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態のＰＤＰ用前面基板の構造を示す断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態のＰＤＰ用前面基板の構造を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例１及び比較例２の輝度変化試験の結果を示すグラフである。
【図４】従来のＰＤＰの概略斜視図である。
【図５】従来のＰＤＰに係るガス放電パネルの放電時の様子を示す概略図である。
【符号の説明】
【００１０】
１：前面側基板構体  １ａ：前面ガラス基板  ２：背面側基板構体  ２ａ：背面ガラス基板  ３：表示電極  ３１：透明電極  ３２：バス電極  ４：誘電体層  ５：保護層  ６：アドレス電極  ７：隔壁  ８：蛍光体層  ９：ガス放電  １０：真空紫外線  １１：可視光  １２：基板  １３：表示電極  １５：第１誘電体層  １７：遮蔽層  １９：第２誘電体層  ２１：保護層  ＸとＹ：２本１組からなる表示電極
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下，本発明の実施形態を図面を用いて説明する。図面は，説明の便宜のために用いられるものであり，本発明の範囲は，図面に示す実施形態に限定されない。【００１２】
以下の実施形態では、前面側の基板に表示電極、誘電体層及び保護層などが設けられる場合を例にとって説明を進める。以下の実施形態及び実施例において、前面側の基板構体を前面基板とも呼ぶ。
本発明は，主に，以下に示す２つの実施形態で実施することができる。
１．第１実施形態
図１は，本発明の第１実施形態のＰＤＰ用前面基板の構造を示す断面図である。本実施形態の前面基板は，基板１２上に，表示電極１３と，表示電極１３を被覆する第１誘電体層１５と，真空紫外線を遮蔽する遮蔽層１７と，第２誘電体層１９と，保護層２１とをこの順に重ねて備える。本実施形態では，第２誘電体層１９は，遮蔽層１７と保護層２１の間の密着層として機能する。従って，第２誘電体層１９の材料は、遮蔽層１７と保護層２１の両方に対して密着性が高いものを選択する。遮蔽層１７と保護層２１の間に第２誘電体層１９が挟まることによって，遮蔽層１７，第２誘電体層１９及び保護層２１の間の密着性が高まり，保護層２１の剥れを防ぐことができる。【００１３】
基板１２は，特に限定されず，当該分野で公知の基板をいずれも使用することができる。具体的には，ガラス基板，プラスチック基板等の透明基板が挙げられる。【００１４】
表示電極１３としては，ＩＴＯ，ＳｎＯ2 などの透明電極材料で形成された電極や，Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｃｒなどの金属電極材料で形成された電極を用いることができる。具体的には，例えば，ＩＴＯ，ＳｎＯ2 などの幅の広い透明電極１３ａと，電極の抵抗を下げるための，例えばＡｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造）等からなる金属製の幅の狭いバス電極１３ｂから構成された電極などが用いられる。表示電極１３は，Ａｇ，Ａｕについては印刷法を用い，その他については蒸着法，スパッタ法等の成膜法とエッチング法を組み合わせることにより，所望の本数，厚さ，幅及び間隔で形成することができる。【００１５】
第１誘電体層１５は，酸化珪素（ＳｉＯ2），弗化マグネシウム（ＭｇＦ2），弗化リチウム（ＬｉＦ），塩化カリウム（ＫＣｌ）等で形成することができる。これらの材料は、真空紫外線を透過するので、従来技術の項で述べた不純物ガスの問題が起こり得るが、本発明によれば、そのような問題が起こるのを防ぐことができる。第１誘電体層１５は，例えば，厚さ５〜１５μｍで形成される。第１誘電体層１５は，ＣＶＤ法，スパッタ法などで、形成することができる。【００１６】
遮蔽層１７は，真空紫外線，具体的には波長１９０ｎｍ以下の光を透過しない材料で形成される。遮蔽層１７は，例えば，ジルコニウム（Ｚｒ）化合物，アルミニウム（Ａｌ）化合物，チタン（Ｔｉ）化合物，イットリウム（Ｙ）化合物，亜鉛（Ｚｎ）化合物，低融点ガラス，炭化珪素（ＳｉＣ）及び窒化珪素（ＳｉＮ）からなる群から選ばれる少なくとも１つからなる。すなわち，遮蔽層１７は，これらの何れか１つからなってもよいし，これらの何れか２つ以上の混合物からなってもよい。Ｚｒ化合物としては，酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2），窒化ジルコニウム等が挙げられ，Ａｌ化合物としては，アルミナ，窒化アルミニウム等が挙げられ，Ｔｉ化合物としては，チタニア，窒化チタン等が挙げられ，Ｙ化合物としては，酸化イットリウム，窒化イットリウム等が挙げられ，Ｚｎ化合物としては，酸化亜鉛，窒化亜鉛，硫化亜鉛等が挙げられる。遮蔽層１７は，例えば，厚さ０．１〜１μｍ，好ましくは，０．３〜０．４μｍで形成される。遮蔽層１７は，スパッタ法，蒸着法，ゾルゲル法，バインダ法などで形成することができる。【００１７】
第２誘電体層１９は，第１誘電体層１５の説明で挙げた材料，方法で形成することができる。第２誘電体層１９を形成する材料は，第１誘電体層１５と同じであっても異なっていてもよい。第２誘電体層１９は，真空紫外線に曝されるので，不純物ガスの発生を抑えるために，第２誘電体層１９は，第１誘電体層１５より薄く形成することが好ましく，第１誘電体層１５の１／１０以下（例えば、１／２０以下、１／５０以下）の厚さで形成することが好ましい。第２誘電体層１９は，好ましくは厚さ１μｍ以下（例えば、０．５μｍ以下、０．２μｍ以下）である。また，第２誘電体層１９は，厚さ０．０１μｍ以上（例えば、０．０２μｍ以上、０．０５μｍ以上）の厚さで形成することが好ましい。薄すぎると，第２誘電体層１９が適切に機能を発揮しないことがあるからである。【００１８】
なお，本実施形態は，二層の誘電体層を有するが，別の実施形態では，三層以上の誘電体層が存在してもよい。【００１９】
保護層２１は，表示の際の放電により生じるイオンの衝突による損傷から第２誘電体層１９などを保護する機能を有する。保護層２１は，例えば，ＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ等からなる。保護層２１の厚さは，例えば，０．５〜１．５μｍとする。保護層２１は，スパッタ法，蒸着法などで形成することができる。【００２０】
２．第２実施形態
図２は，本発明の第２実施形態のＰＤＰ用前面基板の構造を示す断面図である。本実施形態の前面基板では，遮蔽層１７は，第１及び第２誘電体層１５，１９によって包み込まれるように，第１及び第２誘電体層１５，１９よりも狭い領域に形成される。従って，遮蔽層１７の外周の外側において，第１及び第２誘電体１５，１９が接触している。別の表現では，遮蔽層１７は，第１及び第２誘電体層１５，１９からなる誘電体層中に埋め込まれる。第１及び第２誘電体層１５，１９が密着し、遮蔽層１７は両者の間に保持される。第１及び第２誘電体層１５，１９の材料は，互いに密着性が高くなるように選択する。この観点から，第１及び第２誘電体層１５，１９は、同じ材料で形成することが好ましい。また，保護層２１の剥れを効果的に防止するために、第２誘電体層１９の材料は、保護層２１と密着性が高いものを選択する。【００２１】
第１実施形態について説明した各層の材料や製法などは，基本的に第２実施形態についても当てはまる。【００２２】
（その他）
以上の実施形態で示した種々の特徴は，互いに組み合わせることができる。１つの実施形態中に複数の特徴が含まれている場合，そのうちの１又は複数個の特徴を適宜抜き出して，単独で又は組み合わせて，本発明に採用することができる。
以上の実施形態では、前面側の基板に表示電極、誘電体層及び保護層などが設けられる場合を例にとって説明を進めたが、これらの部材を背面側の基板に設ける逆のパネル構成においても、本発明は実施可能である。【００２３】
３．ＰＤＰ
ＰＤＰは，背面側の基板構体（背面基板）と前面側の基板構体（前面基板）を封着材を用いて貼り合わせ，放電ガスを封入することによって製造することができる。ＰＤＰは，例えば，特許文献１に記載の方法に準じて製造することができる。本発明の基板構体を用いることによって，本発明のＰＤＰ、例えば、前面側の基板１２上に面放電を発生させる表示電極１３と、表示電極１３を被覆する第１誘電体層１５と，第１誘電体層１５の表面を保護する保護層２１とを設けてなり、第１誘電体層１５と保護層２１との間に真空紫外線を遮蔽する遮蔽層１７を設けるとともに、遮蔽層１７と保護層２１の間に第２誘電体層１９を設け、前記遮蔽層１７を第１及び第２誘電体層１５，１９により挟み込んでなることを特徴とするＡＣ型ＰＤＰを得ることができる。
【実施例】
【００２４】
３−１．前面基板の作製
（実施例１）
（１）ガラス基板上に透明電極及びバス電極を形成後，以下の条件で、ＳｉＯ2からなる第１誘電体層を１０μｍの厚さに形成した。
・装置：平行平板型プラズマＣＶＤ装置
・ガス種／流量：ＳｉＨ4／８０００ｓｃｃｍ，Ｎ2Ｏ／１１００００ｓｃｃｍ
・ＲＦパワー：１７ｋＷ
・基板温度:４５０℃
・真空度：２．５Ｔｏｒｒ
（２）次に、以下の条件でＺｒＯ2からなる遮蔽層を０．３μｍの厚さに形成した。
・装置：電子ビーム型蒸着装置
・真空度：１０-6Ｔｏｒｒ
・電源：１．５ｋＷ，１５０ｍＡ
（３）次に、以下の条件で、ＳｉＯ2からなる第２誘電体層を０．１μｍの厚さに形成した。
・装置：平行平板型プラズマＣＶＤ装置
・ガス種／流量：ＳｉＨ4／３０００ｓｃｃｍ，Ｎ2Ｏ／４００００ｓｃｃｍ
・ＲＦパワー：７ｋＷ
・基板温度:４５０℃
・真空度：３Ｔｏｒｒ
（４）次に、以下の条件で、ＭｇＯからなる保護層を０．８μｍの厚さに形成し、前面基板を作製した。
・真空度：４×１０-7Ｔｏｒｒ
・電源：１．５ｋＷ，１５０ｍＡ
・温度：１５０℃
（５）遮蔽層は，第２実施形態のように，第１及び第２誘電体層によって包み込まれるように形成した。成膜直後には保護層の剥れは発生しなかった。【００２５】
（比較例１：第２誘電体層なし）
実施例１と同じ条件で第１誘電体層、遮蔽層及び保護層を形成し、前面基板を作製した。第２誘電体層は形成しなかった。その結果、成膜直後に保護層の剥れが発生した。【００２６】
（比較例２：遮蔽層なし）
実施例１と同じ条件で第１誘電体層、保護層を形成し、前面基板を作製した。遮蔽層及び第２誘電体層は形成しなかった。成膜直後には保護層の剥れは発生しなかった。【００２７】
３−２．ＰＤＰの作製，輝度変化試験
実施例１及び比較例２の前面基板を用い，特許文献１に記載の方法に準じて，ＰＤＰを作製した。作製したそれぞれのＰＤＰについて，輝度変化試験を行った。その結果を図３に示す。図３によれば，実施例１の基板を用いた場合，輝度の低下が，比較例２の基板を用いた場合よりも大幅に遅くなっていることが分かる。これは，実施例１が遮蔽層を備えることにより，不純物ガスの発生が抑制されたためであると考えられる。【００２８】
３−３．まとめ
以上より，本発明のＰＤＰによれば，保護層の剥れを防ぐことができ，かつ真空紫外線による誘電体層からの不純物ガスの発生を抑制することができることが分かった。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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