【手続補正書】
【提出日】平成19年10月12日(2007.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁基板と、
前記第１絶縁基板上に形成される第１信号線と、
前記第１絶縁基板上に形成され、前記第１信号線と絶縁されて交差する第２信号線と、
前記第１信号線と前記第２信号線とが交差して画定する画素ごとに形成される画素電極と、
前記第１信号線、前記第２信号線、及び前記画素電極と各々接続されるゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、を有する薄膜トランジスタと、
を含み、
前記ドレイン電極は前記ゲート電極と重畳し、前記ドレイン電極と重畳する前記ゲート電極の境界線が前記第１信号線と平行であることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２】
前記画素電極は、ドメイン規制手段を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３】
前記ドメイン規制手段は、前記画素電極が有する切開部であることを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項４】
前記ドメイン規制手段は、前記第１信号線に対してほぼ±４５度を成すことを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項５】
前記ドメイン規制手段は、前記画素の上下二等分線に対してほぼ鏡面対称を成すことを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項６】
前記薄膜トランジスタのチャネルは、直線状又は馬蹄状であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項７】
基板上にゲート電極を有するゲート線を形成するステップと、
前記基板上にゲート絶縁膜を積層するステップと、
前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成するステップと、
前記半導体層と接するソース電極を有するデータ線及び前記ゲート電極と重畳するドレイン電極を形成するステップと、
前記半導体層を覆う保護膜を形成するステップと、
前記ドレイン電極と接続される画素電極を形成するステップと、
を含み、
前記半導体層、前記データ線、前記ドレイン電極、又は前記画素電極は、フォトエッチング工程の露光工程で感光膜を露光及び現像した感光膜パターンをエッチングマスクにしてパターニングし、前記ドレイン電極と重畳する前記ゲート電極の境界線は、前記露光工程で前記感光膜を露光するスキャニング方向に対して直交して配置されることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項８】
前記露光工程は、互いに隣接する第１ショット及び第２ショットを含む複数のショットに分割して露光する分割露光工程によって実施されることを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項９】
前記半導体層、前記データ線、及び前記ドレイン電極は、一つの感光膜パターンを用いるフォトエッチング工程で形成することを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１０】
前記画素電極は、ＩＺＯ又はＩＴＯで形成することを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１１】
基板と、
前記基板上に形成される第１信号線と、
前記基板上に形成され、前記第１信号線と交差する第２信号線と、
前記第１信号線に接続され、前記第１信号線に略平行な端部を有するゲート電極と、前記第２信号線に接続されるソース電極と、前記ゲート電極の端部と重畳するドレイン電極と、前記ドレイン電極、前記ソース電極、及び前記ゲート電極と重畳する突出部を有する半導体層と、を含む薄膜トランジスタと、
前記ソース電極と接続される画素電極と、
を含み、
前記画素電極と前記ドレイン電極とは、前記基板上の異なる層に配置され、前記半導体層の突出部を除く領域は、前記第２信号線と同じ平面形状を有していることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１２】
前記ゲート電極の端部は、前記第２信号線と略垂直であることを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１３】
前記ソース電極の一部は、前記ドレイン電極の一部を取り囲むように形成されることを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１４】
前記ソース電極の端部は前記ドレイン電極と対向して配置され、当該ドレイン電極は鉤状又は馬蹄状の形状であることを特徴とする請求項１３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１５】
前記ソース電極の端部と前記ドレイン電極の端部とは相互に対向して配置され、当該ソース電極の端部と当該ドレイン電極の端部とは直線状であることを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１６】
前記画素電極は、切開部を有することを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１７】
前記切開部は、前記第１信号線に対して略４５度を成すことを特徴とする請求項１６に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１８】
前記画素電極は、前記切開部に平行な面取りをした端部を有することを特徴とする請求項１７に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１９】
前記画素電極は、当該画素電極を２等分する斜め線に対して対称な複数の切開部を有することを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２０】
さらに、前記第１信号線及び前記第２信号線と離隔し、前記画素電極に重畳する第３信号線を有することを特徴とする請求項１９に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２１】
さらに、前記第３信号線に接続され、前記切開部と重畳するストレージ電極を有することを特徴とする請求項２０に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２２】
基板と、
前記基板上に形成される第１信号線と、
前記基板上に形成され、前記第１信号線と交差する第２信号線と、
前記第１信号線に接続され、前記第１信号線に対し略平行な端部を有するゲート電極と、前記第２信号線に接続されるソース電極と、前記ゲート電極の端部と重畳され、前記第２信号線に略平行な第１部分及び当該第１方向とは異なる方向に前記第１部分から延長される第２部分を含むドレイン電極と、有する薄膜トランジスタと、
前記ドレイン電極の第２部分に接続される画素電極と、
を含み、
前記画素電極と前記ドレイン電極とは、前記基板上の異なる層に配置されることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２３】
前記第２部分は、前記第１信号線に略平行であることを特徴とする請求項２２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２４】
前記ゲート電極の端部は、前記第２信号線と略直交していることを特徴とする請求項１２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２５】
前記ソース電極は、前記ドレイン電極の一部分を部分的に囲むことを特徴とする請求項２２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２６】
前記ソース電極は、前記ドレイン電極に面する端部を有し、鉤状又は馬蹄状の形状であることを特徴とする請求項２５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２７】
前記ソース電極とドレイン電極とは、相互に向き合う直線状の端部を有することを特徴とする請求項２４に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２８】
前記画素電極は、切開部を有することを特徴とする請求項２２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２９】
前記切開部は、前記第１信号線に対して略±４５度の角度を成すことを特徴とする請求項２８に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３０】
前記画素電極は、前記切開部に対して略直行に面取りをされた端部を有することを特徴とする請求項２８に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３１】
前記面取りされた端部は、前記ドレイン電極の第１部分と第２部分とが交わる第１交点に隣接して配置されることを特徴とする請求項３０に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３２】
前記面取りされた端部と前記画素電極の端部とが交わる第２交点は、前記第１交点と隣接することを特徴とする請求項３１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３３】
基板と、
前記基板上に形成される第１信号線と、
前記基板上に形成され、前記第１信号線と交差する第２信号線と、
前記第１信号線と接続され、前記第１信号線に略平行な端部を有するゲート電極と、
前記第２信号線に接続されるソース電極と、前記第２信号線に略平行な第１部分を備え、前記ゲート電極の端部と重畳されるドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタと、
前記ドレイン電極に接続され、第１方向に延長される第１切開部と第２方向に延長される第２切開部を有する画素電極と、
を含み、
前記画素電極及び前記ドレイン電極は、前記基板上の異なる層に配置され、
前記画素電極は、前記第１方向又は前記第２方向と略垂直方向に面取りされた端部を有することを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３４】
前記ドレイン電極は、さらに、前記第１部分とは異なる方向に延長された第２部分を有し、
前記画素電極は、前記ドレイン電極の第２部分と接続されることを特徴とする請求項３３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３５】
前記面取りされた端部は、前記ドレイン電極の第１部分と前記ドレイン電極の第２部分とが交わる第１交点に隣接して配置されることを特徴とする請求項３４に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３６】
さらに、前記第１方向又は前記第２方向に略平行な第１ストレージ電極を有することを特徴する請求項３５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３７】
さらに、前記第２信号線に略平行であって、前記第１ストレージ電極と電気的に接続された第２ストレージ電極を有することを特徴する請求項３６に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３８】
さらに、前記第１信号線に略平行な第１ストレージ電極を有することを特徴する請求項３５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３９】
前記画素電極は、第３方向に延長される第３切開部をさらに有することを特徴する請求項３５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項４０】
前記第１方向と前記第２方向とは前記第１信号線に対して略±４５度を成し、前記第３方向は前記第１信号線に略平行であることを特徴とする請求項３９に記載の薄膜トランジスタ表示板。