【手続補正書】
【提出日】平成18年12月8日(2006.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外線光子を検出するためのアバランシェ・フォトダイオードであって、
第１のドーパントを有する基板（１１０）と、
前記基板の上に置かれた、第１のドーパントを有する第１の層（１１１）と、
前記第１の層の上に置かれた、第２のドーパントを有する第２の層（１１２）と、
前記第２の層の上に置かれた、第２のドーパントを有する第３の層（１１４）と、
該アバランシェ・フォトダイオードの表面上に電気的パッシベーションをもたらすためのパッシベーション層（１１６、１２２）と、
前記第３の層の上に置かれた、可動イオン移動を制限するためのケイ酸燐ガラス（１２４）と、
第１の電極が前記基板の下に置かれ、また第２の電極が前記第３の層の上に置かれた、オームコンタクトを形成するための１対の金属電極（１１８、１２０）と、
を含み、
該アバランシェ・フォトダイオードが、傾斜メサ形状を形成する第１の側壁と第２の側壁とを含み、
該アバランシェ・フォトダイオードが、ほぼ摂氏１５０度に匹敵する温度を含む環境内で動作する、
ことを特徴とするアバランシェ・フォトダイオード。
【請求項２】
前記第１のドーパントがｐ−型であり、前記第２のドーパントがｎ−型であることを特徴とする、請求項１に記載のフォトダイオード。
【請求項３】
前記基板が、４Ｈ炭化ケイ素を含み、ほぼ５×１０18ｃｍ-3にドープされていることを特徴とする、請求項１に記載のフォトダイオード。
【請求項４】
前記第１の層が、炭化ケイ素を含み、ほぼ１×１０17ｃｍ-3にドープされていることを特徴とする、請求項３に記載のフォトダイオード。
【請求項５】
前記第２の層が、炭化ケイ素を含み、ほぼ５×１０16ｃｍ-3にドープされていることを特徴とする、請求項４に記載のフォトダイオード。
【請求項６】
前記第３の層が、炭化ケイ素を含み、ほぼ５×１０18ｃｍ-3にドープされていることを特徴とする、請求項５に記載のフォトダイオード。
【請求項７】
前記傾斜メサ形状を形成する角度が、２０度から６０度の範囲内であることを特徴とする、請求項１に記載のフォトダイオード。
【請求項８】
前記傾斜メサ形状を形成する角度が、ほぼ２０度であることを特徴とする、請求項１に記載のフォトダイオード。
【請求項９】
前記基板、前記第１の層、前記第２の層及び前記第３の層が、４Ｈポリタイプであることを特徴とする、請求項６に記載のフォトダイオード。
【請求項１０】
前記パッシベーション層が、二酸化ケイ素を含み、前記第１の側壁と前記第２の側壁との上に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載のフォトダイオード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
現行のシステム及び技術においては、これら及びその他の欠点が存在する。
【特許文献１】米国特許 ４９４９１４４号明細書
【特許文献２】米国特許 ５１７９４３０号明細書
【特許文献３】米国特許 ５２５７４９６号明細書
【特許文献４】米国特許 ５３０３６８４号明細書
【特許文献５】米国特許 ５３９４００５号明細書
【特許文献６】米国特許 ５４６７１８５号明細書
【特許文献７】米国特許 ５４８０２９８号明細書
【特許文献８】米国特許 ５５４４４７８号明細書
【特許文献９】米国特許 ５５８１０８７号明細書
【特許文献１０】米国特許 ６０１３９１９号明細書
【特許文献１１】米国特許 ６０５７９１７号明細書
【特許文献１２】米国特許 ６１４７３９１号明細書
【特許文献１３】米国特許６２３９４３４号明細書
【特許文献１４】米国特許 ６２６５７２７号明細書
【特許文献１５】米国特許 ６３２６６５４号明細書
【特許文献１６】米国特許６３５０９８８ 号明細書
【特許文献１７】米国特許 ６７６８３２６号明細書
【特許文献１８】米国特許出願公開第 ２００１／０００９２６８号明細書
【非特許文献１】F Yan et al., "Low-noise visible-blind UV avalanche photodiodes with edge terminated by 20 positive bevel", Mar. 2002, Electronics Letters, vol.38 No. 7, pp 335.*
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【非特許文献３】Yan, et al., Low-Noise Visible-Blind UV Avalanche Photodiodes With Edge Terminated by 2.degree. Positive Bevel, pp. 335-336, Electronic Letter, vol. 38, No. 7, 2002. .
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【非特許文献２２】Vasile, et al., High Gain Avalanche Photodiode Arrays for DIRC Applications, pp. 848-852, IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 46, No. 4, 1999. .
【非特許文献２３】Brown, et al., Silicon Carbide UV Photodiodes, pp. 325-333, IEEE Transaction on Electron Devices, vol. 40, No. 2 1992. .
【非特許文献２４】Glasow, et al., SiC-UV-Photodetectors, pp. 40-45, SPIE vol. 868, Optoelectronic Technologies for Remote Sensing from Space, 1997. .
【非特許文献２５】Carrano, et al., Very Low Dark Current Metal-Semiconductor-Metal Ultraviolet Photodectors Fabricated On Single-Crystal GaN Epitaxial Layers, pp. 1992-1994, Appl. Phys. Lett. 70, No. 15, 1997..