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【手続補正書】
【提出日】平成20年9月12日(2008.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
支持体の中にまたはその表面に証印または他の可視的特徴を持つ前記支持体と；前記支持体表面の少なくとも一部の上に、硬化した透明バインダー中に顔料フレークを含むコーティング層とを含む有価証券、権利書、身分証明書、セキュリティラベルまたはブランド品の書類のためのセキュリティエレメントであって、ここで前記コーティング層の中の前記顔料フレークは、可視スペクトルの少なくとも一部を吸収し、少なくとも一つの特定の観察方向に沿って下の証印または他の可視的特徴に対して可視性を与え、且つ少なくとももう一つの観察方向に沿って下の証印または他の可視的特徴に対して可視性を妨害するように、局所的に配向されており、前記硬化した、透明バインダーの中の顔料フレークの配向は、それ自体は、前記支持体の中若しくはその表面に存在する前記証印も他の可視的特徴も含んだり反射したりしない、前記セキュリティエレメント。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
ａ）証印または他の可視的特徴を含む表面をもつ支持体を準備する；
ｂ）前記支持体表面の少なくとも一部分の上部に、配向可能なフレーク顔料粒子と硬化性の透明バインダーとを含むコーティング層を適用する；
ｃ）少なくとも一つの特定の観察方向に沿って下の証印または他の可視的特徴に対して可視性を与え、且つ少なくとももう一つの観察方向に沿って下の証印または他の可視的特徴に対する可視性を妨げるように、前記コーティング層の中の前記フレーク顔料粒子を局所的に配向させる、ここで前記コーティング層の中の顔料フレークの配向は、それ自体、下の証印も他の可視的特徴も含まないし、反射もしない；
ｄ）前記フレーク顔料粒子の配向を固定するために、前記コーティング層を硬化させる；
の各段階を含み、前記フレーク顔料粒子は、可視スペクトルの少なくとも一部を吸収する、請求項１〜１２のいずれか一つに記載のセキュリティエレメントの製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月28日(2008.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
図４は、搬送フィルム７と、転写層手段としての多層フィルム１ｄとを備えた転写フィルム２０ｂを示している。搬送フィルム７は、インモールドプロセス後に多層フィルム１ｄから剥離される。多層フィルム１ｄは、クリアラッカーの受容層５と、その上に、空間構造３を有する透明で彩色された放射硬化複製ラッカー層２と、アルミニウム蒸着の反射層４の形態のコントラスト層とを、パターンとして備えている。不透明なカラーラッカーの加飾プリント８は、プリントにより、反射層４と受容層５の遊離領域に適用される。ヒートシール可能な接着剤で構成される接着剤層６は、加飾プリント８を覆う。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
図１２は、図１０に示す外郭部１２で加飾された射出成型品１００ｂの断面図を示している。外郭部１２は、搬送フィルム７と分離されて射出成型型の中に配置される。外郭部１２の樹脂板９の反対側には、無色透明の樹脂材料が外郭部の上に射出され、樹脂材料がコンポーネント１０１ｂを硬化成型する。多層フィルム１ｃは、加飾された射出成型品１００ｂの可視側を観察する担当者に対し、無色透明の樹脂材料のコンポーネント１０１ｂを通じて視認可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月12日(2008.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
関連したｐコンタクトを有するｐ型材料層と、
関連したｎコンタクトを有するｎ型材料層と、
前記ｐ型層と前記ｎ型層との間に挟まれ、前記ｐ型層および前記ｎ型層と隣接接触した活性領域と、
前記ｐ型材料層および前記ｎ型材料層のうちの少なくとも１つの中に形成された閉じ込め構造であって、前記閉じ込め構造の面積と一致する前記活性領域の面積からの光の放射を実質的に妨げる閉じ込め構造と、
前記ｐ型材料層および前記ｎ型材料層のうちの１つと関連した粗面と
を備えることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
前記閉じ込め構造は、前記ｐ型材料層および前記ｎ型材料層のうちの少なくとも１つのイオン注入領域を備えることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記閉じ込め構造は、前記ｐ型材料層および前記ｎ型材料層のうちの少なくとも１つの酸化領域を備えることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記閉じ込め構造は、前記ｐ型材料層および前記ｎ型材料層のうちの少なくとも１つの中の電流阻止領域を備えることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記電流閉じ込め構造は、前記ｐ型材料層の中にあることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記電流閉じ込め構造は、前記ｎ型材料層の中にあることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記ｎ型材料層に隣接した電導性基板をさらに備え、前記ｎコンタクトは、前記電導性基板と隣接接触していることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項８】
関連した第１のコンタクトおよび光が放射される第１の表面を有し、ドーピングされた第１の材料層と、
関連した第２のコンタクトを有し、前記第１の材料層と反対にドーピングされた第２の材料層と、
前記第１の材料層と前記第２の材料層との間に挟まれ、前記第１の材料層および前記第２の材料層と隣接接触した活性領域と、
前記第１の材料層および前記第２の材料層のうちの１つと一体化され、前記第１のコンタクトとほぼ軸方向に一列に並んでいる閉じ込め構造であって、前記閉じ込め構造の面積と一致する前記活性領域の面積における光の放射を実質的に妨げる閉じ込め構造と
を備えることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項９】
前記閉じ込め構造は、前記第１の材料層および第２の材料層のうちの１つの一部を備え、前記一部は、イオン注入されていることを特徴とする請求項８に記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
前記閉じ込め構造は、前記第１の材料層および第２の材料層のうちの１つの一部を備え、前記一部は、酸化されていることを特徴とする請求項８に記載の発光ダイオード。
【請求項１１】
前記閉じ込め構造は、第１の材料層および第２の材料層のうちの１つの一部を備え、前記一部は、半絶縁性材料を注入されていることを特徴とする請求項８に記載の発光ダイオード。
【請求項１２】
前記第１の材料層および第２の材料層の材料はＧａＮを含み、前記半絶縁性材料は、ＡｌおよびＧａのうちの１つを含むことを特徴とする請求項１１に記載の発光ダイオード。
【請求項１３】
前記第１の表面は、少なくとも部分的に粗面処理されていることを特徴とする請求項８に記載の発光ダイオード。
【請求項１４】
前記第１の表面に隣接した、少なくとも部分的に粗面処理された透明電導性材料の層をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の発光ダイオード。
【請求項１５】
前記透明電導性材料は、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３および酸化インジウム錫（ＩＴＯ）のうちの１つを含むことを特徴とする請求項１４に記載の発光ダイオード。
【請求項１６】
前記第２のコンタクトは、反射性材料から形成されていることを特徴とする請求項８に記載の発光ダイオード。
【請求項１７】
前記閉じ込め構造の面積は、前記第１のコンタクトの面積と実質的に同じであることを特徴とする請求項８に記載の発光ダイオード。
【請求項１８】
基礎ＬＥＤ構造であって、
関連した第１のコンタクトおよび光が放射される第１の表面を有する第１の材料層と、
第２の材料層と、
前記第１の材料層と前記第２の材料層との間に挟まれ、前記第１の材料層および前記第２の材料層と隣接接触した活性領域と、
前記第２の材料層に隣接し、関連した基板コンタクトを有する電導性基板と
を有する基礎ＬＥＤ構造と、
前記第１の材料層、前記第２の材料層および前記電導性基板のうちの１つの中にあり、前記第１のコンタクトとほぼ軸方向に一列に並んだ少なくとも１つの閉じ込め構造であって、前記活性領域の方に向かって流れる電流を、前記閉じ込め構造の面積と一致する前記活性領域の面積から遠ざけるように方向付ける閉じ込め構造と
を備えることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１９】
前記第１の材料層はｐ型材料を含み、前記第２の材料層はｎ型材料を含み、前記少なくとも１つの電流閉じ込め構造は前記ｐ型材料の中にあることを特徴とする請求項１８に記載の発光ダイオード。
【請求項２０】
前記第１の材料層はｐ型材料を含み、前記第２の材料層はｎ型材料を含み、前記少なくとも１つの電流閉じ込め構造は前記ｎ型材料の中にあることを特徴とする請求項１８に記載の発光ダイオード。
【請求項２１】
前記第１の材料層はｐ型材料を含み、前記第２の材料層はｎ型材料を含み、前記少なくとも１つの電流閉じ込め構造は前記電導性基板の中にあることを特徴とする請求項１８に記載の発光ダイオード。
【請求項２２】
前記第１の材料層はｎ型材料を含み、前記第２の材料層はｐ型材料を含み、前記少なくとも１つの電流閉じ込め構造は前記ｎ型材料の中にあることを特徴とする請求項１８に記載の発光ダイオード。
【請求項２３】
前記第１の材料層はｎ型材料を含み、前記第２の材料層はｐ型材料を含み、前記少なくとも１つの電流閉じ込め構造は前記ｐ型材料の中にあることを特徴とする請求項１８に記載の発光ダイオード。
【請求項２４】
前記第１の材料層はｎ型材料を含み、前記第２の材料層はｐ型材料を含み、前記少なくとも１つの電流閉じ込め構造は前記基板の中にあることを特徴とする請求項１８に記載の発光ダイオード。
【請求項２５】
前記第１の表面の少なくとも一部が粗面処理されていることを特徴とする請求項１８に記載の発光ダイオード。
【請求項２６】
前記第１の表面に隣接した、少なくとも部分的に粗面処理された透明電導性材料の層をさらに備えることを特徴とする請求項１８に記載の発光ダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月31日(2008.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次元のカラー画像を投射する画像投射装置であって、
支持物と、
異なる波長の複数のレーザ光線を放射するための、該支持物上のレーザアセンブリと、
該支持物から作用距離にあるスペースにおける走査ラインのパターンを掃引するための、該支持物上のスキャナであって、各走査ラインは複数のピクセルを有する、スキャナと、
選択されたピクセルを該レーザ光線によって照明されて見えるようにさせることによって画像を成すための、該レーザアセンブリおよび該スキャナに作用可能に接続されたコントローラと、
該レーザ光線をフォーカスしてほぼ共線的に揃えることによって、該スキャナに向けられる合成光線を形成するための、該レーザアセンブリと該スキャナとの間の支持物上の光学アセンブリと
を備え、該光学アセンブリは、
複数の光学素子のうちの１つが、各レーザ光線を配向することと、
対応する複数のホルダのうちの１つが、各光学素子を保持することと、
該支持物上に該それぞれの光学素子を調整可能なように二次元配置し、該それぞれのレーザ光線を該合成光線の共線的な配置へと配向することと
を特徴とする、画像投射装置。
【請求項２】
前記レーザアセンブリが、赤、青および緑のレーザ光線をそれぞれ生成するための、赤および青の固体の半導体レーザと緑のレーザとを含む、請求項１に記載の画像投射装置。
【請求項３】
前記レーザアセンブリが、緑のレーザ光線を生じるための、ダイオードポンピングされたＹＡＧレーザと、光学周波数二倍化器とを含む、請求項１に記載の画像投射装置。
【請求項４】
前記スキャナが、第１の走査角度にわたって第１の走査速度で第１の方向に沿って前記合成光線を掃引するための第１の振動可能な走査ミラーと、該第１の方向に対して実質的に垂直の第２の方向に沿って、該第１の走査速度とは異なる第２の走査速度で、該第１の走査角度とは異なる第２の走査角度で、該合成光線を掃引するための第２の振動可能な走査ミラーとを含む、請求項１に記載の画像投射装置。
【請求項５】
前記光学アセンブリが、各光線を整形するためのレンズアセンブリを含む、請求項１に記載の画像投射装置。
【請求項６】
前記レーザアセンブリが、前記緑の光線を変調して、非回折光線および回折光線を生じさせるための音響光学変調器を含む、請求項２に記載の画像投射装置。
【請求項７】
前記レーザアセンブリが、前記非回折光線が前記合成光線の中に存在することを防止する手段を含む、請求項６に記載の画像投射装置。
【請求項８】
前記光学アセンブリが、ダイクロイックフィルタを含み、各ダイクロイックフィルタが、前記光線のうちの少なくとも一つを反射し、かつ前記光線のうちの少なくとも一つを透過させるように作用する、請求項１に記載の画像投射装置。
【請求項９】
各ホルダは、一対の傾斜したスロットであって、相手のスロットに向けて収束しているが、その手前で終端している、一対の傾斜したスロットと、該傾斜したスロットの間で直線に沿って延びている直線状のスロットとを有しており、前記支持物は、複数の位置調整ポストを含み、該複数の位置調整ポストのうちの１つは、各スロットにおいて受け入れられ、その中でそれぞれのホルダとそれぞれの光学素子とを二次元で位置調整する、請求項１に記載の画像投射装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月6日(2008.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次元のカラー画像を投射する画像投射システム（２０）であって、該システムは、
投射画面と、
赤、青および紫の固体の半導体レーザ（２２、２８、３４）を含むレーザアセンブリであって、異なる波長の複数の赤の、青および紫のレーザ光線（４０、５６、５８）からなる合成光線を該投射画面に対して放射するレーザアセンブリと、
該レーザ光線をコリメートするコリメーティングレンズ（１４）と、
該コリメートされたレーザ光線を焦点面にフォーカスする複数のレンズ（３６）を有するレンチキュラーレンズアレイ（１６）と、
該焦点面にある開口部（３８）を有するマスク（１８）と、
該投射画面にわたって走査ラインのパターンにおいて該合成光線を掃引するスキャナ（６６、７０）であって、各走査ラインは複数のピクセルを有する、スキャナ（６６、７０）と、
該レーザアセンブリおよび該スキャナに作用可能に接続されたコントローラ（１１４）であって、選択されたピクセルを該合成光線によって照明させて見えるようにさせることによって該画像を生成するコントローラ（１１４）と、
ある波長を有する該レーザ光線の一つを異なる波長に変換することによって、赤、青および緑のカラーで該画像を生成する蛍光体（５０、４２）と
を備える、画像投射システム。
【請求項２】
前記スキャナが、第１の走査角度にわたって第１の走査速度で第１の方向に沿って前記合成光線を掃引する第１の振動可能な走査ミラー（６４）と、該第１の方向に対して実質的に垂直な第２の方向に沿って、該第１の走査速度とは異なる第２の走査速度で、該第１の走査角度とは異なる第２の走査角度で、該合成光線を掃引する第２の振動可能な走査ミラー（６８）とを含む、請求項１に記載の画像投射システム。
【請求項３】
前記走査速度のうちの少なくとも一つが、可聴周波数を超えて、騒音を最小限にする、請求項２に記載の画像投射システム。
【請求項４】
前記走査ミラーのうちの少なくとも一つ（６４）が、慣性ドライブ（６６）によって振動させられる、請求項２に記載の画像投射システム。
【請求項５】
前記コントローラ（１１４）が、前記レーザアセンブリを活性化することによって前記選択されたピクセルを照明し、該レーザアセンブリを非活性化することによって該選択されたピクセル以外のピクセルを照明させない、請求項１に記載の画像投射システム。
【請求項６】
前記コリメーティングレンズ（１４）が、フレネルレンズである、請求項１に記載の画像投射システム。
【請求項７】
ダイクロイックフィルタ（５２、５４）を含む光学アセンブリをさらに備え、各ダイクロイックフィルタが、前記光線のうちの少なくとも一つを反射し、かつ該光線のうちの少なくとも一つを透過させるように作用する、請求項１に記載の画像投射システム。
【請求項８】
前記開口部（３８）の各々が、長方形の構成を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記蛍光体（５０）は、前記マスク（１８）の前記開口部（３８）内に位置する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記蛍光体は前記マスク（１８）と接触するプレート（４２）であり、複数の小型レンズ（１５０）をさらに備え、該小型レンズ（１５０）の各々は、各開口部（３８）を貫通して延びている、請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月8日(2008.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ工程において集積回路設計の画像を投影するためのマスクを設計する方法であって、
複数の限界幅セグメントを有する集積回路レイアウトの設計を準備するステップと、
限界幅セグメントの投影を補助するために用いられるマスク構造体を、前記集積回路設計の前記限界幅セグメントに位置合わせすることにより、所定の製造可能設計ルールを満足する第１のマスク設計を作成するステップと、
限界幅セグメントの投影を補助するために用いられるマスク構造体を、前記集積回路設計の前記限界幅セグメントに位置合わせすることにより、所定のリソグラフィ設計ルールを、前記限界幅セグメントの近傍の領域において満足する第２のマスク設計を作成するステップと、
前記所定の製造可能設計ルールに違反する前記第２のマスク設計の設計構造体を識別するステップと、
前記第２のマスク設計から導かれる第３のマスク設計であって、前記所定の製造可能設計ルールに違反する前記第２のマスク設計の前記マスク構造体は、前記第３のマスク設計が前記所定の製造可能設計ルールを満足するように、前記第１のマスク設計からの設計構造体によって選択的に置き替えられる、第３のマスク設計を作成するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記第２のマスク設計は、前記第１のマスク設計のサブセットを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第３のマスク設計を用いて、前記集積回路設計の画像を基板に転写するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
限界幅セグメントの投影を補助するために用いられる前記マスク構造体は、交互位相シフト領域を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記所定の製造可能設計ルールは、最小の位相幅及び最小の位相−位相間隔を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
限界幅セグメントの投影を補助するために用いられる前記マスク構造体は、サブ解像度アシスト構造体（ＳＲＡＦ）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記所定の製造可能設計ルールは、ＳＲＡＦサイズ及び間隔を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
集積回路設計の画像を投影するための交互位相シフト・マスクを設計する方法であって、
複数の限界幅セグメントを有する集積回路レイアウトの設計を準備するステップと、
交互位相シフト領域を前記限界幅セグメントに位置合わせし、前記交互位相シフト領域をそれらが位置合わせされる前記限界幅セグメントの少なくとも幾つかの端部を越えて延長させることによって、所定の製造可能設計ルールを満足する交互位相シフト・マスクの第１のマスク設計を作成するステップと、
交互位相シフト領域を前記限界幅セグメントに位置合わせし、前記交互位相シフト領域の対をそれらが位置合わせされる前記限界幅セグメントの端部を実質的に越えて延長させずに、交互位相シフト・マスクの第２のマスク設計を作成するステップと、
前記所定の製造可能設計ルールに違反する前記第２のマスク設計の設計構造体を識別するステップと、
前記第２のマスク設計から導かれる第３のマスク設計であって、前記所定の製造可能設計ルールに違反する前記第２のマスク設計の前記設計構造体は、前記第３のマスク設計が前記所定の製造可能設計ルールを満足するように、前記第１のマスク設計からの設計構造体によって選択的に置き替えられる、第３のマスク設計を作成するステップと
を含む方法。
【請求項９】
前記所定の製造可能設計ルールは、最小の位相幅及び最小の位相−位相間隔を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記交互位相シフト・マスクの前記第２のマスク設計は、最小の位相幅及び最小の位相−位相間隔を含む製造設計ルールの少なくとも１つに違反する、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記第３のマスク設計を用いて、集積回路設計の画像を基板に転写するステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
集積回路設計の画像を投影するためのフォトマスクを設計する方法であって、
複数の限界幅セグメントを有する集積回路レイアウトの設計を準備するステップと、
サブ解像度アシスト構造体（ＳＲＡＦ）を前記限界幅セグメントに位置合わせすることにより、所定の製造可能設計ルールを満足するフォトマスクの第１のマスク設計を作成するステップと、
サブ解像度アシスト構造体を前記限界幅セグメントに位置合わせすることにより、所定のリソグラフィ設計ルールを前記限界幅セグメントの近傍の領域において満足するフォトマスクの第２のマスク設計を作成するステップと、
前記所定の製造可能設計ルールに違反する前記第２のマスク設計の設計構造体を識別するステップと、
前記第２のマスク設計から導かれる第３のマスク設計であって、前記所定の製造可能設計ルールに違反する前記第２のマスク設計の前記設計構造体は、前記第３のマスク設計が前記所定の製造可能設計ルールを満足するように、前記第１のマスク設計からの設計構造体によって選択的に置き替えられる、第３のマスク設計を作成するステップと
を含む方法。
【請求項１３】
前記所定の製造可能設計ルールは、ＳＲＡＦサイズ及び間隔を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２のマスク設計は、ＳＲＡＦサイズ及び間隔を含む所定の製造設計ルールの少なくとも１つに違反する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記第３のマスク設計を用いて、前記集積回路設計の画像を基板に転写するステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
マシンにより可読なプログラム記憶装置であって、集積回路設計の画像を投影するためのマスクを設計する方法ステップを実行するための、前記マシンにより実行可能な命令のプログラムを記憶し、前記集積回路設計のレイアウトは複数の限界幅セグメントを有し、前記方法ステップは、
限界幅セグメントの投影を補助するために用いられるマスク構造体を、前記集積回路設計の前記限界幅セグメントに位置合わせすることにより、所定の製造可能設計ルールを満足する、マスクの第１のマスク設計を作成するステップと、
限界幅セグメントの投影を補助するために用いられるマスク構造体を、前記集積回路設計の前記限界幅セグメントに位置合わせすることにより、所定のリソグラフィ設計ルールを前記限界幅セグメントの近傍の領域において満足する、マスクの第２のマスク設計を作成するステップと、
前記所定の製造可能設計ルールに違反する前記第２のマスク設計の設計構造体を識別するステップと、
前記第２のマスク設計から導かれる第３のマスク設計であって、前記所定の製造可能設計ルールに違反する前記第２のマスク設計の前記マスク構造体は、前記第３のマスク設計が前記所定の製造可能設計ルールを満足するように、前記第１のマスク設計からのマスク構造体によって選択的に置き替えられる、第３のマスク設計を作成するステップと
を含む、プログラム記憶装置。
【請求項１７】
限界幅セグメントの投影を補助するために用いられる前記マスク構造体は交互位相シフト領域、またはサブ解像度アシスト構造体（ＳＲＡＦ）を含む、請求項１６に記載のプログラム記憶装置。
【請求項１８】
前記所定の製造可能設計ルールは、最小の位相幅及び最小の位相−位相間隔、またはＳＲＡＦサイズ及び間隔を含む、請求項１７に記載のプログラム記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月12日(2008.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を含むフラットパネルディスプレイとヘッドとの間の距離を継続的に測定する非接触センサと、サーボ制御システムとを備える装置であって、
前記フラットパネルディスプレイは、前記ヘッドに対して相対運動し、
前記非接触センサは、前記距離に関する第１の値および第２の値を測定し、
前記サーボ制御システムは、
前記測定された距離および第１の予め定義された値により定義される第１の信号を生成する制御回路と、
前記ヘッドと前記フラットパネルディスプレイとの間の距離が予め定義された範囲内に継続的に維持されるよう、前記第１の信号に従い前記ヘッドの位置を変更するアクチュエータと
を含み、
前記距離は、前記予め定義された範囲に関する第２の値以下の値を前記第１の信号が有する場合に、前記予め定義された範囲内にあるものとして検出される、装置。
【請求項２】
前記非接触センサにより生成された関連アナログ信号をデジタル信号に変換するアナログデジタルコンバータをさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記測定された距離を表す線形信号を生成すべく、前記変換されたデジタル信号を線形化する信号調整ブロックをさらに含む、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記アクチュエータは、
増幅器と、
リニアモータと、
リニアエンコーダと
を含む、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記ヘッドは、前記フラットパネルディスプレイを検査する、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記ヘッドは、前記フラットパネルディスプレイを修復する、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
前記ヘッドは、前記フラットパネルディスプレイに焦点を合わされた顕微鏡の対物レンズを含む、請求項４に記載の装置。
【請求項８】
前記測定された第１の値は第１の光学像に関連し、前記測定された第２の値は第２の光学像に関連する、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記ヘッドは、前記フラットパネルディスプレイに焦点を合わされた顕微鏡の対物レンズを含み、
物体平面が最適な焦点平面の上に位置することにより被照スポットが前記顕微鏡の主光軸の第１の側に現れる場合、前記測定された第１の値は前記測定された第２の値よりも大きい、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記測定された第１の値が前記測定された第２の値より大きいことに応答して画像が形成される、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
物体平面が最適な焦点平面の下に位置することにより被照スポットが顕微鏡の主光軸の第２の側に現れる場合、前記測定された第１の値は、前記測定された第２の値より小さい、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記測定された第１の値が前記測定された第２の値より小さいことに応答して画像が形成される、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１の予め定義された値は、複数の外部条件を考慮して動的にアップデートされる、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記外部条件は、前記フラットパネルディスプレイを受け入れるチャックの平坦度の偏差を表す、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記外部条件は、フラットパネルディスプレイの厚みにおける偏差を表す、請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
前記第１の予め定義された値はゼロである、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
フラットパネルディスプレイの予め定義された範囲内にヘッドを継続的に維持する方法であって、
前記ヘッドと前記フラットパネルディスプレイとの間の距離を非接触で継続的に測定する工程と、
前記測定された距離と予め定義された距離との差を検出する工程と、
前記フラットパネルディスプレイに対するヘッドの相対位置を変更することにより、前記フラットパネルディスプレイの予め定義された範囲内に前記ヘッドを維持するべく前記検出された差を既知の値より小さく維持する工程と、
前記測定された距離を表すアナログ信号をデジタル信号に変換する工程と
を含む方法。
【請求項１８】
前記変換されたデジタル信号を線形化する工程をさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ヘッドを用いて前記フラットパネルディスプレイを検査する工程をさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記ヘッドを用いて前記フラットパネルディスプレイを修復する工程をさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記ヘッドに光学系の対物レンズを配置する工程をさらに含み、前記対物レンズは、前記フラットパネルディスプレイに継続的に合焦されるべく前記フラットパネルディスプレイの予め定義された範囲内に維持される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記対物レンズの新たな位置を表す情報を搬送する信号を符号化する工程と、
リニアモータを用い、かつ、前記符号化された信号に従い、前記対物レンズの位置を変更する工程と
をさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
光ビームの第１の像に応答して第１の信号を生成する工程と、
前記光ビームの第２の像に応答して第２の信号を生成する工程と、
前記第１の信号および前記第２の信号により定義される第３の信号を生成する工程と
をさらに含み、
前記第３の信号が第１の予め定義された値以下の値を有する場合に合焦状態が検出される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
物体平面が最適な焦点平面の上に位置する場合、前記第２の信号を前記１の信号より大きくする工程と、
前記第２の信号が前記第１の信号より大きい場合、前記対物レンズの光軸の第１の側に被照スポットが現れる工程と
をさらに含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記物体平面が前記最適な焦点平面の下に位置する場合、前記第２の信号を前記１の信号より小さくする工程と、
前記第２の信号が前記第１の信号より小さい場合、前記光軸の第２の側に被照スポットが現れる工程と
をさらに含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
第１の容量測定に応答して第１の信号を生成する工程と、
第２の容量測定に応答して第２の信号を生成する工程と、
前記第１の信号および前記第２の信号により定義される第３の信号を生成する工程と
をさらに含み、
前記第３の信号が第１の予め定義された値以下の値を有する場合に合焦状態が検出される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２７】
前記測定された第１の値は容量測定に関連し、前記測定された第２の値は第２の容量測定に関連する、請求項７に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月5日(2008.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のビデオフレームからビデオ信号データのコード化形式を生成するコンピュータ装置であって、
対象となるビデオ信号データのビデオフレームのシーケンスにおける２またはそれ以上のフレームの間でオブジェクトの対応する要素を識別する手段と、
ビデオフレームシーケンスにおける非オブジェクト背景からオブジェクトをセグメント化するのに用いられる輪郭モデルを生成するように、対応する要素の相関関係をモデル化する手段であって、輪郭モデルは、オブジェクトと一致する画像強度の蓄積された誤差領域における輪郭頂点位置を判別することによって生成される、手段と、
前記オブジェクトに関係する前記ビデオフレーム内の画素データをセグメント化および再サンプリングする手段であって、前記輪郭モデルを利用する、手段と、
前記再サンプリングされた画素データの空間位置を復元する手段であって、前記輪郭モデルを利用する復元手段とを備え、
前記オブジェクトは１つまたはそれ以上であり、
前記再サンプリングされたデータが前記対象となるビデオ信号データの中間形式であるコンピュータ装置。
【請求項２】
請求項１において、前記オブジェクトが追跡方法によって追跡され、
前記ビデオフレームのシーケンスにおいてオブジェクトを検出するオブジェクト検出手段と、
前記ビデオフレームのシーケンスの２つまたはそれ以上のフレームを通して前記オブジェクトを追跡するオブジェクト追跡手段とを備え、
前記オブジェクト検出手段および前記オブジェクト追跡手段が、Ｖｉｏｌａ／Ｊｏｎｅｓ顔検出アルゴリズムを備えているコンピュータ装置。
【請求項３】
請求項１において、前記セグメント化および再サンプリング手段がセグメント化部を有し、
前記オブジェクトに関係する前記画素データを、前記ビデオフレームのシーケンスの他の画素データからセグメント化する前記セグメント化部と、
前記復元した再サンプリングされた画素データを関連するセグメント化データとともに組み立てて、元のビデオフレームを生成する生成手段とによって具現化された空間セグメント化を利用して、前記オブジェクトがビデオフレームからセグメント化され、
前記セグメント化部が時間積分を用いる、コンピュータ装置。
【請求項４】
請求項１において、前記輪郭モデルが全体モデルに因子分解され、
輪郭測定値を全体動きのモデルに統合する統合手段を備え、
前記輪郭モデル化手段が、２次元アフィン型の動きモデルの解を求めるために、頑健なサンプリングコンセンサスを備え、
前記輪郭モデル化手段が、前記ビデオフレームシーケンスの２またはそれ以上のビデオフレームの間のブロックを基礎とする動き検出から生成された、有限差分に基づくサンプリング母集団を備えたコンピュータ装置。
【請求項５】
請求項１において、前記対象となるビデオ信号データの中間形式がさらにコード化され、
前記オブジェクト画素データを、コード化された表現に分解する分解手段と、
コード化された表現から、前記オブジェクト画素データを再構成する再構成手段とを備え、
前記分解手段が主成分分析を含み、
前記再構成手段が主成分分析を含むコンピュータ装置。
【請求項６】
請求項５において、フレームの非オブジェクト画素が、オブジェクト画素がモデル化されるのと同じようにモデル化され、
前記非オブジェクトが、他のオブジェクトが取り去られたときのフレームの残差オブジェクトに相当する、コンピュータ装置。
【請求項７】
請求項５において、前記セグメント化および再サンプリングされた画素データが、従来のビデオ圧縮および解凍処理に組み合わせられ、
前記再サンプリングされた画素データを標準的なビデオデータとして従来のビデオ圧縮および解凍処理に供給する手段と、
輪郭モデルの相関関係データを対応するコード化済みビデオデータとともに記憶および伝送する手段とを備え、
前記圧縮および解凍処理が、圧縮効率の向上を可能にすることができる、コンピュータ装置。
【請求項８】
請求項１において、前記輪郭モデルが局所変形モデルに因子分解され、
前記オブジェクトに対応する２次元メッシュオーバレイ画素を定義する手段と、
局所動きのモデルへの輪郭測定値を生成する手段とによって、前記因子分解が具現化され、
前記メッシュ定義手段は規則的な頂点グリッドおよびエッジに基づいており、
前記輪郭測定値が、前記ビデオフレームシーケンスにおける２つ以上のビデオフレーム間のブロックを基礎とした動き検出から生成される有限差分に基づく頂点変位を含む、コンピュータ装置。
【請求項９】
請求項８において、前記頂点は離散画像特徴に相当し、
前記オブジェクトに相当する顕著な画像特徴を特定する手段を備え、
前記特定手段は、画像勾配Ｈａｒｒｉｓ応答の解析を行う、コンピュータ装置。
【請求項１０】
請求項１において、蓄積された誤差に関係するフレームの輪郭頂点位置を判別することによって、非オブジェクト背景からオブジェクトをセグメント化するのに輪郭モデルが用いられる、コンピュータ装置。
【請求項１１】
請求項１において、輪郭モデルを生成するように相関関係をモデル化する手段が、さらに、規則的間隔の輪郭をもたらすために、複数の輪郭モデルのうちの一つの輪郭モデルの輪郭位置をメッシュ頂点に合わせる手段を有する、コンピュータ装置。
【請求項１２】
複数のビデオフレームからビデオ信号データのコード化形式を生成する方法であって、
対象となるビデオ信号データのビデオフレームのシーケンスにおける２またはそれ以上のフレームの間でオブジェクトの対応する要素を識別する工程と、
ビデオフレームシーケンスにおける非オブジェクト背景からオブジェクトをセグメント化するのに用いられる輪郭モデルを生成するように、対応する要素の相関関係をモデル化する工程であって、輪郭モデルは、オブジェクトと一致する画像強度の蓄積された誤差領域における輪郭頂点位置を判別することによって生成される、工程と、
前記オブジェクトに関係する前記ビデオフレーム内の画素データをセグメント化および再サンプリングする工程であって、前記輪郭モデルを利用する工程と、
前記再サンプリングされた画素データの空間位置を復元する工程であって、前記輪郭モデルを利用する工程とを備えた、コード化形式生成方法。
【請求項１３】
請求項１２において、蓄積された誤差に関係するフレームの輪郭頂点位置を判別することによって、非オブジェクト背景からオブジェクトをセグメント化するのに輪郭モデルが用いられる、コード化形式生成方法。
【請求項１４】
請求項１２において、輪郭モデルを生成するように相関関係をモデル化する工程が、さらに、規則的間隔の輪郭をもたらすために、複数の輪郭モデルのうちの一つの輪郭モデルの輪郭位置をメッシュ頂点に合わせる工程を有する、コード化形式生成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月17日(2008.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局（Ｂ、１００）といくつかのノードデバイス（Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｘ、Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、Ｉ４、Ｉ５、Ｉ６、１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２、１１４、１１６、１１８、１２０）を含み、前記システム中のデバイス（Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｘ、Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、Ｉ４、Ｉ５、Ｉ６、１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２、１１４、１１６、１１８、１２０）対間の通信リンクを使用して実際の通信構成で動作する、無線通信システムの性能を解析する方法であって、
前記システム中のデバイス（Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｘ、Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、Ｉ４、Ｉ５、Ｉ６、１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２、１１４、１１６、１１８、１２０）対のリンク特性を観察するステップ（２０）と、
前記リンク特性を使用して、最適化された通信ソリューションを生成するステップ（２２）と、
前記最適化された通信ソリューションを使用して第１の品質測定基準を計算するステップ（２４）と、
前記ノードデバイス（Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｘ、Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、Ｉ４、Ｉ５、Ｉ６、１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２、１１４、１１６、１１８、１２０）についての前記実際の通信構成を観察し、第２の品質測定基準を生成するステップ（２６）と、
前記第１の品質測定基準を前記第２の品質測定基準と比較するステップ（２８）と、
を含む方法。
【請求項２】
互いに通信を行うコンポーネント及び能力を有する複数のノードデバイス（Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｘ、Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、Ｉ４、Ｉ５、Ｉ６、１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２、１１４、１１６、１１８、１２０）を備え、少なくとも１つのデバイス（Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｘ、Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、Ｉ４、Ｉ５、Ｉ６、１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２、１１４、１１６、１１８、１２０）をさらに備える無線通信システムであって、前記少なくとも１つのデバイスが、
前記システム中のデバイス（Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｘ、Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、Ｉ４、Ｉ５、Ｉ６、１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２、１１４、１１６、１１８、１２０）対のリンク特性を観察するステップ（２０）と、
前記リンク特性を使用して、最適化された通信ソリューションを生成するステップ（２２）と、
前記最適化された通信ソリューションを使用して第１の品質測定基準を計算するステップ（２４）と、
前記ノードデバイス（Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｘ、Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、Ｉ４、Ｉ５、Ｉ６、１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２、１１４、１１６、１１８、１２０）についての前記実際の通信構成を観察し、第２の品質測定基準を生成するステップ（２６）と、
前記第１の品質測定基準を前記第２の品質測定基準と比較するステップ（２８）と
を含む方法を実行又は命令するように構成される、無線通信システム。
【請求項３】
少なくとも１つの基地局（１００）と、互いに無線通信を行うように構成された、いくつかのインフラストラクチャノードデバイス（１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２）と、前記インフラストラクチャノードデバイス（１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２）と通信するいくつかのリーフデバイス（１１４、１１６、１１８、１２０）とを備える無線通信システムであって、
前記システム中における、または前記システムに対して通信を行うように結合された少なくとも１つの解析するデバイスは、前記システムにおいて定義される実際の通信経路に関連するデータを収集し、前記システムの通信ステータスの実際の品質測定基準を観察するように構成され、
前記解析するデバイスは、さらに、
前記システム中のデバイス（Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｘ、Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、Ｉ４、Ｉ５、Ｉ６、１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２、１１４、１１６、１１８、１２０）対のリンク特性を観察するステップ（２０）と、
前記リンク特性を使用して、最適化された通信ソリューションを生成するステップ（２２）と、
前記最適化された通信ソリューションを使用して第１の品質測定基準を計算するステップ（２４）と、
前記ノードデバイス（Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｘ、Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、Ｉ４、Ｉ５、Ｉ６、１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２、１１４、１１６、１１８、１２０）についての前記実際の通信構成を観察し、第２の品質測定基準を生成するステップ（２６）と、
前記第１の品質測定基準を前記第２の品質測定基準と比較するステップ（２８）と、
を含む方法を実行又は命令するように構成される、無線通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月23日(2008.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一酸化炭素と蒸気とを含む供給ガス流から水素を製造するのに使用可能な触媒であって、
無機酸化物担体と、該無機酸化物担体上に分散した状態の白金族金属とを含み、前記無機担体は、炭素を含む燃焼除去用添加剤を添加した後に、前記添加剤を加熱して除去することにより変性されていることを特徴とする触媒。
【請求項２】
前記白金族金属が、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、及びイリジウムからなる群から選ばれることを特徴とする請求項１に記載の触媒。
【請求項３】
前記白金族金属が、前記無機酸化担体に対して０．１〜１０質量％の量で存在することを特徴とする請求項１に記載の触媒。
【請求項４】
前記酸化物担体の前記変性が、前記添加剤を、前記無機酸化物担体に対して１〜２０質量％の量で添加することにより行なわれることを特徴とする請求項１に記載の触媒。
【請求項５】
前記燃焼除去用添加剤が、砂糖、糊、及び木質材、小麦粉、木粉、及びポリマーから成る群から選ばれることを特徴とする請求項１に記載の触媒。
【請求項６】
前記添加剤が木粉であることを特徴とする請求項５に記載の触媒。
【請求項７】
前記無機酸化担体が、更に、希土類酸化物を添加することにより変性されることを特徴とする請求項１に記載の触媒。
【請求項８】
前記希土類酸化物が、前記無機酸化物担体に対して２〜２０質量％の量で存在することを特徴とする請求項７に記載の触媒。
【請求項９】
前記無機酸化物担体がアルミナであることを特徴とする請求項１に記載の触媒。
【請求項１０】
更に、アルカリ化合物を、前記変性無機酸化担体に添加された状態で含むことを特徴とする請求項７に記載の触媒。
【請求項１１】
一酸化炭素と蒸気とを含む供給ガス流から水素を製造するのに使用可能な触媒であって、
希土類酸化物変性アルミナ担体及び白金族金属を含み、及び前記希土類酸化物は、プラセオジム及びネオジムオキシドから選ばれることを特徴とする触媒。
【請求項１２】
前記白金族金属が、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、及びイリジウムから成る群から選ばれることを特徴とする請求項１１に記載の触媒。
【請求項１３】
前記白金族金属が、前記アルミナ担体に対して０．１〜１０質量％の量で存在することを特徴とする請求項１１に記載の触媒。
【請求項１４】
前記希土類酸化物が、前記変性アルミナ担体に対して２〜２０質量％の量で存在することを特徴とする請求項１１に記載の触媒。
【請求項１５】
更に、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、又はＣｓを含むアルカリ金属成分を含むことを特徴とする請求項１１に記載の触媒。
【請求項１６】
前記アルカリ金属成分が、前記アルミナ担体に対して、金属として０．２〜１５質量％の量で存在することを特徴とする請求項１５に記載の触媒。
【請求項１７】
前記触媒が、ハニカムモノリスに堆積した洗浄被覆組成物の状態であることを特徴とする請求項１又は１１に記載の触媒。
【請求項１８】
一酸化炭素と蒸気とを含む供給ガス流から水素を製造する方法であって、
供給ガス流を触媒と接触させる工程を含み、この触媒は、炭素を含む燃焼除去用添加剤の添加後に、該添加剤を加熱除去することにより変性された無機酸化物担体と、該担体上に分散した状態の白金族金属とを含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】
前記白金族金属を、前記無機酸化物担体に対して０．１〜１０質量％含むことを特徴する請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記変性無機酸化物担体が、更に、希土類酸化物を添加することにより変性されることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記希土類酸化物を、更に変性された前記無機酸化物担体に対して２〜２０質量％含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記触媒が、ハニカム状モノリスに堆積した洗浄被覆組成物の状態であることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
前記ガス流が、１５０℃の温度で前記触媒と接触されることを特徴とする請求項１８に記載の触媒。
【請求項２４】
前記燃焼除去用添加剤が、前記変性無機酸化物担体（但し、該担体は、前記添加剤を加熱除去する前のものである。）に対して、１〜２０質量％の量で存在することを特徴とする請求項１８に記載の触媒。
【請求項２５】
前記燃焼除去用添加剤が、砂糖、糊、及び木質材、小麦粉、木粉、及びポリマーから成る群から選ばれることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２６】
前記触媒が、アルカリ金属成分を更に含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
一酸化炭素と蒸気とを含む供給ガス流から水素を製造する方法であって、
供給ガス流を触媒と接触させる工程を含み、前記触媒は、アルミナ担体と該アルミナ担体上に分散された状態の白金族金属とを含み、前記アルミナ担体は、プラセオジム及びネオジムオキシドから選ばれる希土類酸化物を添加することによって変性されていることを特徴とする方法。
【請求項２８】
前記白金族金属が、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、及びイリジウムから成る群から選ばれることを特徴とする請求項２７に記載の触媒。
【請求項２９】
前記希土類酸化物が、前記変性アルミナ担体に対して２〜２０質量％の量で存在することを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
前記触媒が更にアルカリ金属成分を含むことを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月17日(2008.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
ツイストペアＡ、Ｂ、ＣおよびＤを含むケーブルにおける２本の選択されたツイストペアＡおよびＢの往復ＤＣ抵抗を決定するために、制御回路４０２はスイッチ５０２および５０４を制御して、選択されたツイストペアＡおよびＢ間に電流強制回路４０４および電圧測定回路４０６を接続する。さらに、スイッチ５１２および５１４は、同一の選択されたツイストペアＡおよびＢ間に負荷回路４１２、サンプルホールド回路４１４および駆動回路４１６を接続し得る。選択されたツイストペアＡおよびＢの往復ＤＣ抵抗は、図４に関連して上述した態様で決定されることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
測定手順は、ＰＳＥ１２の端子を介してツイストワイヤに強制的に与えられる予め定められた電流Ｉを生成するように電流強制回路６０４を制御する制御回路６０２によって開始される。強制的に与えられる電流Ｉに応答して、制御回路６１０は、ケーブル１６のＰＤ側のツイストペア間で生成される入力電圧ＶINのうち予め定められた一部１／Ｎを与えるように精密分割器６１２を制御する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月22日(2008.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造体であって、
第１デバイス領域におけるｐ型デバイス及び第２デバイス領域におけるｎ型デバイスを有する基板と、
前記第２デバイス領域における前記ｎ型デバイスへの第１型シリサイド・コンタクトであって、前記第２デバイス領域における前記ｎ型デバイスの伝導帯と実質的に合わせられた仕事関数を有する第１型シリサイド・コンタクトと、
前記第１デバイス領域における前記ｐ型デバイスへの第２型シリサイド・コンタクトであって、前記第１デバイス領域における前記ｐ型デバイスの価電子帯と実質的に合わせられた仕事関数を有する第２型シリサイド・コンタクトと、
を備える半導体構造体。
【請求項２】
半導体構造体を形成する方法であって、
基板の少なくとも第１デバイス領域上に第１シリサイド層を形成するステップであって、前記基板の前記第１デバイス領域が第１導電型デバイスを含み、前記第１シリサイド層が前記第１導電型デバイスの伝導帯と実質的に合わせられた仕事関数を有するステップと、
前記基板の少なくとも第２デバイス領域上に第２シリサイド層を形成するステップであって、前記基板の前記第２デバイス領域が第２導電型デバイスを含み、前記第２シリサイド層が前記第２導電型デバイスの価電子帯と実質的に合わせられた仕事関数を有するステップと、
を含む方法。
【請求項３】
半導体デバイスであって、
第１デバイス領域及び第２デバイス領域を有する基板と、
少なくとも１つの第１型デバイスであって、前記第１デバイス領域内の前記基板の第１デバイス・チャネル部分の上の第１ゲート領域と、前記第１デバイス・チャネルに隣接するソース及びドレーン領域と、前記第１デバイス・チャネルに隣接する前記ソース及びドレーン領域への第１シリサイド・コンタクトとを含み、前記第１シリサイド・コンタクトが前記基板の前記第１デバイス領域内に第１歪みを生み出す、第１型デバイスと、
少なくとも１つの第２型デバイスであって、前記第２デバイス領域内の前記基板の第２デバイス・チャネル部分の上の第２ゲート領域と、前記第２デバイス・チャネルに隣接するソース及びドレーン領域と、前記第２デバイス・チャネルに隣接する前記ソース及びドレーン領域への第２シリサイド・コンタクトとを含み、前記第２シリサイド・コンタクトが前記基板の前記第２デバイス領域内に第２歪みを生み出す、第２型デバイスと、
を含み、
前記第１歪み及び前記第２歪みは圧縮歪みであって前記第１圧縮歪みは前記第２圧縮歪みよりも大きく、又は前記第１歪みは圧縮歪みであって前記第２歪みは引張歪みであり、或いは前記第１歪み及び前記第２歪みは引張歪みであって前記第１引張歪みは前記第２引張歪みよりも小さい、半導体デバイス。
【請求項４】
半導体構造体を形成する方法であって、
基板の少なくとも第１デバイス領域上に第１シリサイド層を形成するステップであって、前記基板の前記第１デバイス領域が第１導電型デバイスを含み、前記第１シリサイド層が前記基板の前記第１デバイス領域内に第１歪みを生み出すステップと、
前記基板の少なくとも第２デバイス領域上に第２シリサイド層を形成するステップであって、前記基板の前記第２デバイス領域が第２導電型デバイスを含み、前記第２シリサイド層が前記基板の前記第２デバイス領域内に第２歪みを生み出すステップと、
を含み、
前記第１歪みが前記第２歪みとは異なる、方法。