【手続補正書】
【提出日】平成19年3月5日(2007.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの第１の主面上に形成されたパッド電極と、
前記半導体チップの第１の主面上に接着された支持体と、
前記半導体チップの第２の主面から前記パッド電極に到達するビアホールと、
前記ビアホールを通して、前記パッド電極と電気的に接続され、かつ前記ビアホールから前記半導体チップの第２の主面上に延びる配線層と、
前記配線層上を覆うようにして形成され、かつ当該配線層を補強する補強層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体チップの第１の主面上に形成されたパッド電極と、
前記半導体チップの第２の主面から前記パッド電極に到達するビアホールと、
前記ビアホールを通して、前記パッド電極と電気的に接続され、かつ前記ビアホールから前記半導体チップの第２の主面上に延びる配線層と、
前記配線層上を覆うようにして形成され、かつ当該配線層を補強する補強層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップの第２の主面から前記ビアホールの側壁にかけて形成された絶縁膜と、
前記補強層上を覆うようにして形成された保護層と、
前記補強層及び前記保護層の一部を開口する開口部と、
前記開口部で露出する前記配線層上に形成された導電端子と、を有し、
前記配線層は、前記ビアホールを通して、前記パッド電極と電気的に接続され、かつ前記ビアホールから前記絶縁膜上を含む前記半導体チップの第２の主面上に延びていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記補強層は、シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜から成ることを特徴とする請求項１、２、３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
パッド電極が形成された半導体基板を準備し、
前記半導体基板の第１の主面上に支持体を接着する工程と、
前記半導体基板の第２の主面から前記パッド電極に到達するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールを通して、前記パッド電極と電気的に接続され、かつ前記ビアホールから前記半導体基板の第２の主面上に延びる配線層を形成する工程と、
前記配線層上を覆うようにして、当該配線層を補強する補強層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
第１の主面上にパッド電極が形成された半導体基板を準備し、
前記半導体基板の第２の主面から前記パッド電極に到達するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールを通して、前記パッド電極と電気的に接続され、かつ前記ビアホールから前記半導体基板の第２の主面上に延びる配線層を形成する工程と、
前記配線層上を覆うようにして、当該配線層を補強する補強層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体基板の第１の主面上に支持体を接着した後、前記半導体基板の第２の主面上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記ビアホールを形成した後、前記ビアホール内を含む前記半導体基板の第２の主面上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜を異方性エッチングして、前記ビアホールの底部に位置する第２の絶縁膜を除去して、前記ビアホールの側壁に側壁絶縁膜を形成する工程と、
前記配線層及び前記補強層を形成した後、前記補強層上を覆うようにして保護層を形成する工程と、
前記補強層及び前記保護層の一部をエッチングして、前記配線層の一部を露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部で露出する前記配線層上に導電端子を形成する工程と、
前記半導体基板を複数の半導体チップに分割する工程と、を有することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記ビアホールを形成した後、前記ビアホール内を含む前記半導体基板の第２の主面上に、絶縁膜を形成する工程と、
前記ビアホールの底部に位置する前記絶縁膜を除去して、前記ビアホールの側壁に側壁絶縁膜を形成する工程と、
前記配線層及び前記補強層を形成した後、前記補強層上を覆うようにして保護層を形成する工程と、
前記補強層及び前記保護層の一部を除去して、前記配線層の一部を露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部で露出する前記配線層上に導電端子を形成する工程と、
前記半導体基板を複数の半導体チップに分割する工程と、を有することを特徴とする請求項５、６、７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記補強層を形成する工程は、シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜から成る膜を形成することを特徴とする請求項５、６、７、８のうちいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の半導体装置は、上記課題に鑑みて為されたものであり、半導体チップの第１の主面上に形成されたパッド電極と、半導体チップの第１の主面上に接着された支持体と、半導体チップの第２の主面からパッド電極に到達するビアホールと、ビアホールを通してパッド電極と電気的に接続され、かつビアホールから半導体チップの第２の主面上に延びる配線層と、配線層上を覆うようにして形成され、かつ当該配線層を補強する補強層（例えばシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜から成る）と、を有することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、半導体チップの第１の主面上に形成されたパッド電極と、半導体チップの第２の主面からパッド電極に到達するビアホールと、ビアホールを通してパッド電極と電気的に接続され、かつビアホールから半導体チップの第２の主面上に延びる配線層と、配線層上を覆うようにして形成され、かつ当該配線層を補強する補強層（例えばシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜から成る）と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の半導体装置は、上記構成に加えて、半導体チップの第２の主面上から前記ビアホールの側壁にかけて形成された絶縁膜と、補強層上を覆うようにして形成された保護層と、補強層及び保護層の一部を開口する開口部と、開口部で露出する配線層上に形成された導電端子と、を有し、配線層は、ビアホールを通してパッド電極と電気的に接続され、かつビアホールから絶縁膜上を含む半導体チップの第２の主面上に延びていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、パッド電極が形成された半導体基板を準備し、半導体基板の第１の主面上に支持体を接着する工程と、半導体基板の第２の主面からパッド電極に到達するビアホールを形成する工程と、ビアホールを通してパッド電極と電気的に接続され、かつビアホールから半導体基板の第２の主面上に延びる配線層を形成する工程と、配線層上を覆うようにして当該配線層を補強する補強層（例えばシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜から成る）を形成する工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、第１の主面上にパッド電極が形成された半導体基板を準備し、前記半導体基板の第２の主面からパッド電極に到達するビアホールを形成する工程と、ビアホールを通してパッド電極と電気的に接続され、かつビアホールから半導体基板の第２の主面上に延びる配線層を形成する工程と、配線層上を覆うようにして当該配線層を補強する補強層（例えばシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜から成る）を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、上記工程に加えて、半導体基板の第１の主面上に支持体を接着した後、半導体基板の第２の主面上に第１の絶縁膜を形成する工程と、ビアホールを形成した後、ビアホール内を含む半導体基板の第２の主面上に第２の絶縁膜を形成する工程と、前記ビアホールの底部に位置する第２の絶縁膜を除去して、ビアホールの側壁に側壁絶縁膜を形成する工程と、配線層及び補強層を形成した後、補強層上を覆うようにして保護層を形成する工程と、補強層及び保護層の一部を除去して配線層の一部を露出する開口部を形成する工程と、開口部で露出する配線層上に導電端子を形成する工程と、半導体基板を複数の半導体チップに分割する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
もしくは、本発明の半導体装置の製造方法は、上記工程に加えて、ビアホールを形成した後、ビアホール内を含む半導体基板の第２の主面上に、絶縁膜を形成する工程と、前記ビアホールの底部に位置する絶縁膜を除去して、ビアホールの側壁に側壁絶縁膜を形成する工程と、配線層及び補強層を形成した後、補強層上を覆うようにして保護層を形成する工程と、補強層及び保護層の一部を除去して、配線層の一部を露出する開口部を形成する工程と、開口部で露出する配線層上に導電端子を形成する工程と、半導体基板を複数の半導体チップに分割する工程と、を有することを特徴とする。