【手続補正書】
【提出日】平成19年5月23日(2007.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタを製造する薄膜トランジスタ製造システムにおいて、
基板上にアモルファスシリコン膜を成膜する成膜装置と、
上記アモルファスシリコン膜に対してレーザアニール処理することによってチャネル層となるポリシリコン膜を生成するレーザアニール装置と、
上記ポリシリコン膜に対して集光した光を照射し、その反射光を検出する光学系と、
上記光学系により検出された反射光を撮像する撮像部と、上記基板を支持して照射光の光軸方向に移動させる支持部と、
上記支持部の制御並びに上記撮像部により撮像された画像に基づき上記ポリシリコン膜の表面空間構造の周期性を評価する制御部とを有する評価装置とを備え、
上記評価装置は、上記制御部が、上記支持部を制御して上記ポリシリコン膜を光軸方向に対して移動させ、各移動位置における上記ポリシリコン膜の撮像画像のコントラストを算出し、算出した各コントラストの大きさに基づき上記ポリシリコン膜の評価位置を決定し、上記評価位置で撮像された撮像画像の自己相関を算出して上記ポリシリコン膜の表面空間構造の周期性を評価し、
上記レーザアニール装置又は成膜装置は、上記評価装置の評価に基づき、上記レーザのエネルギ密度又はアモルファスシリコン膜の膜厚を制御する
ことを特徴とする薄膜トランジスタ製造システム。
【請求項２】
上記評価装置の制御部は、算出したコントラストの最大値に基づき上記ポリシリコン膜の評価位置を決定する
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ製造システム。
【請求項３】
上記評価装置の光学系は、コントラストが最大となる上記ポリシリコン膜の光軸方向に対する移動位置と、上記自己相関が最大値となる上記ポリシリコン膜の光軸方向に対する移動位置とが一致するように調整されている
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ製造システム。
【請求項４】
上記評価装置の制御部は、画像のエッジ部分の明るさの微分値、各画素の明るさの変調度、又は、各画素の標準偏差をコントラストとして算出する
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ製造システム。
【請求項５】
レーザアニール装置によってアモルファスシリコン膜に対してアニール処理することによってチャネル層となるポリシリコン膜を生成するポリシリコン膜生成工程を有し、薄膜トランジスタを製造する薄膜トランジスタ製造方法において、
基板上にアモルファスシリコン膜を成膜し、上記アモルファスシリコン膜に対して、
レーザアニール処理を行ってポリシリコン膜を形成し、上記ポリシリコン膜表面の空間構造を評価し、
上記ポリシリコン膜に対して集光した光を照射して反射光を検出し、
上記ポリシリコン膜を照射光の光軸方向に移動させて反射光を撮像し、
各移動位置における上記ポリシリコン膜の撮像画像のコントラストを算出し、
算出した各コントラストの大きさに基づき上記ポリシリコン膜の評価位置を決定し、
上記評価位置で撮像された撮像画像の自己相関を算出して上記ポリシリコン膜の表面空間構造の周期性を評価し、
上記評価に基づき、上記レーザのエネルギ密度又はアモルファスシリコン膜の膜厚を制御する
ことを特徴とする薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項６】
算出したコントラストの最大値に基づき上記ポリシリコン膜の評価位置を決定する
ことを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項７】
コントラストが最大となる上記ポリシリコン膜の光軸方向に対する移動位置と、自己相関が最大値となる上記ポリシリコン膜の光軸方向に対する移動位置とが一致するように光学系が調整されている
ことを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項８】
画像のエッジ部分の明るさの微分値、各画素の明るさの変調度、又は、各画素の標準偏差をコントラストとして算出する
ことを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項９】
被検査物に対して集光した光を照射してその反射光を撮像し、その画像に基づき上記被検査物の表面空間構造の周期性を評価する評価装置において、
上記被検査物に対して集光した光を照射し、その反射光を検出する光学系と、
上記光学系により検出された反射光を撮像する撮像部と、
上記被検査物を支持し、支持した被検査物を照射光の光軸方向に移動させる支持部と、
上記支持部の制御並びに上記撮像部により撮像された画像に基づき上記被検査物の表面空間構造の周期性の評価をする制御部とを備え、
上記制御部は、上記支持部を制御して上記被検査物を光軸方向に対して移動させ、各移動位置における上記被検査物の撮像画像のコントラストを算出し、算出した各コントラストの大きさに基づき上記被検査物の評価位置を決定し、上記評価位置で撮像された撮像画像の自己相関を算出して上記被検査物の表面空間構造の周期性を評価する
ことを特徴とする評価装置。
【請求項１０】
上記制御部は、算出したコントラストの最大値に基づき上記被検査物の評価位置を決定する
ことを特徴とする請求項９記載の評価装置。
【請求項１１】
上記光学系は、コントラストが最大となる上記被検査物の光軸方向に対する移動位置と、自己相関が最大値となる上記被検査物の光軸方向に対する移動位置とが一致するように調整されている
ことを特徴とする請求項９記載の評価装置。
【請求項１２】
上記被検査物は、アモルファスシリコン膜に対してアニール処理をすることによって形成されたポリシリコン膜である
ことを特徴とする請求項９記載の評価装置。
【請求項１３】
上記被検査物は、アモルファスシリコン膜に対してレーザアニール処理をすることによって形成されたポリシリコン膜である
ことを特徴とする請求項９記載の評価装置。
【請求項１４】
上記制御部は、画像のエッジ部分の明るさの微分値、各画素の明るさの変調度、又は、各画素の標準偏差をコントラストとして算出する
ことを特徴とする請求項９記載の評価装置。
【請求項１５】
上記制御部は、上記被検査物が光軸方向に移動させたときに得られるコントラストのピーク間隔に基づき、上記被検査物の表面空間構造の周期を算出する
ことを特徴とする請求項９記載の評価装置。
【請求項１６】
上記制御部は、隣接するコントラストのピークの間隔を測定し、照射光の波長と測定した上記間隔との積の平方根を演算して、上記被検査物の表面空間構造の周期を算出する
ことを特徴とする請求項１５記載の評価装置。
【請求項１７】
被検査物に対して集光した光を照射してその反射光を撮像し、その画像に基づき上記被検査物の表面空間構造の周期性を評価する評価方法において、
被検査物に対して集光した光を照射し、その反射光を検出し、
上記被検査物を照射光の光軸方向に移動させ、検出された反射光を撮像し、各移動位置における上記被検査物の撮像画像のコントラストを算出し、
算出した各コントラストの大きさに基づき上記被検査物の評価位置を決定し、
上記評価位置で撮像された撮像画像の自己相関を算出して上記被検査物の表面空間構造の周期性を評価する
ことを特徴とする評価方法。
【請求項１８】
算出したコントラストの最大値に基づき上記被検査物の評価位置を決定する
ことを特徴とする請求項１７記載の評価方法。
【請求項１９】
コントラストが最大となる上記被検査物の光軸方向に対する移動位置と、自己相関が最大値となる上記被検査物の光軸方向に対する移動位置とが一致するように光学系が調整されていること
を特徴とする請求項１７記載の評価方法。
【請求項２０】
上記被検査物は、アモルファスシリコン膜に対してアニール処理をすることによって形成されたポリシリコン膜であること
を特徴とする請求項１７記載の評価方法。
【請求項２１】
上記被検査物は、アモルファスシリコン膜に対してレーザアニール処理をすることによって形成されたポリシリコン膜である
ことを特徴とする請求項１７記載の評価方法。
【請求項２２】
画像のエッジ部分の明るさの微分値、各画素の明るさの変調度、又は、各画素の標準偏差をコントラストとして算出すること
を特徴とする請求項１７記載の評価方法。
【請求項２３】
上記被検査物が光軸方向に移動させたときに得られるコントラストのピーク間隔に基づき、上記被検査物の表面空間構造の周期を算出すること
を特徴とする請求項１７記載の評価方法。
【請求項２４】
上記制御部は、隣接するコントラストのピークの間隔を測定し、照射光の波長と測定した上記間隔との積の平方根を演算して、上記被検査物の表面空間構造の周期を算出すること
を特徴とする請求項２３記載の評価方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる薄膜トランジスタの製造システムは、基板上にアモルファスシリコン膜を成膜する成膜装置と、上記アモルファスシリコン膜に対してレーザアニール処理することによってチャネル層となるポリシリコン膜を生成するレーザアニール装置と、上記ポリシリコン膜に対して集光した光を照射し、その反射光を検出する光学系と、上記光学系により検出された反射光を撮像する撮像部と、上記基板を支持して照射光の光軸方向に移動させる支持部と、上記支持部の制御並びに上記撮像部により撮像された画像に基づき上記ポリシリコン膜の表面空間構造の周期性を評価する制御部とを有する評価装置とを備え、上記評価装置は、上記制御部が、上記支持部を制御して上記ポリシリコン膜を光軸方向に対して移動させ、各移動位置における上記ポリシリコン膜の撮像画像のコントラストを算出し、算出した各コントラストの大きさに基づき上記ポリシリコン膜の評価位置を決定し、上記評価位置で撮像された撮像画像の自己相関を算出して上記ポリシリコン膜の表面空間構造の周期性を評価し、上記レーザアニール装置又は成膜装置は、上記評価装置の評価に基づき、上記レーザのエネルギ密度又はアモルファスシリコン膜の膜厚を制御することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明にかかる薄膜トランジスタ製造方法は、レーザアニール装置によってアモルファスシリコン膜に対してアニール処理することによってチャネル層となるポリシリコン膜を生成するポリシリコン膜生成工程を有し、薄膜トランジスタを製造する薄膜トランジスタ製造方法であって、基板上にアモルファスシリコン膜を成膜し、上記アモルファスシリコン膜に対して、レーザアニール処理を行ってポリシリコン膜を形成し、上記ポリシリコン膜表面の空間構造を評価し、上記ポリシリコン膜に対して集光した光を照射して反射光を検出し、上記ポリシリコン膜を照射光の光軸方向に移動させて反射光を撮像し、各移動位置における上記ポリシリコン膜の撮像画像のコントラストを算出し、算出した各コントラストの大きさに基づき上記ポリシリコン膜の評価位置を決定し、上記評価位置で撮像された撮像画像の自己相関を算出して上記ポリシリコン膜の表面空間構造の周期性を評価し、上記評価に基づき、上記レーザのエネルギ密度又はアモルファスシリコン膜の膜厚を制御することを特徴とする。