Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月17日(2008.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カード本体であって、
ａ）第１の形状を有する第１のカード本体（１）と、
ｂ）第２の形状を有する第２のカード本体とを備え、第１のカード本体（１）が、第２のカード本体（２）を包含し、前記カード本体がさらに、
ｃ）第２の形状から第１の形状を分離する第１の境界を備え、該第１の境界が、第１のカード本体間の機械的連結強度を画定する第１の数の開口部（５、６、７、１７、１８）および第１の数のノッチ（１９、２０）を備え、前記カード本体がさらに、
ｄ）第３の形状を有する第３のカード本体（３）を備え、第２のカード本体（２）が、第３のカード本体（３）を包含し、第３のカード本体が、電子モジュールを受けるための空洞（４）を有し、前記カード本体がさらに、
ｅ）第３の形状（３）から第２の形状（２）を分離する第２の境界を備え、該第２の境界が、第２のカード本体間の機械的連結強度を画定する第２の数の開口部（２１）および第２の数のノッチ（１１、１２、１３、１４、１５、１６）を備え、
第２の機械的連結強度が、第１の機械的連結強度より大きくなるように、第１の数の開口部（５、６、７、１７、１８）の累積された長さが、第２の数の開口部（２１）の累積された長さより長く、かつ第１の数のノッチ（１９、２０）の累積された長さが、第２の数のノッチ（１１、１２、１３、１４、１５、１６）の累積された長さより短い、カード本体。
【請求項２】
第１および第２の境界が、少なくとも１つのタブ（８、９、１０）を備える、請求項１に記載のカード本体。
【請求項３】
第１の形状（１）、第２の形状（２）、および第３の形状（３）が、ほぼ平行６面体形状である、請求項１または２に記載のカード本体。
【請求項４】
第２の境界が、追加の開口部（２２、２３、２６）が設けられた少なくとも１つの角を備える、請求項１から３のいずれか一項に記載のカード本体。
【請求項５】
開口部（２９）のうちの少なくとも１つが、使用者が爪を差し込むことができる寸法を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載のカード本体。
【請求項６】
第１のカード本体（１）が、ＩＳＯ規格７８１０による約８５．６ｍｍ×５４ｍｍの寸法を有する、請求項１から５のいずれか一項に記載のカード本体。
【請求項７】
第２のカード本体（２）が、ＥＴＳＩ規格ＧＳＭ１１．１１による約２５ｍｍ×１５ｍｍの寸法を有する、請求項１から６のいずれか一項に記載のカード本体。
【請求項８】
第３のカード本体（３）が、ＥＴＳＩ規格ＴＳ１０２２２１による約１５ｍｍ×１２ｍｍの寸法を有する、請求項１から７のいずれか一項に記載のカード本体。
【請求項９】
カード本体製造方法であって、
ａ）第１の形状、および電子モジュールを受けるための空洞を有する第１のカード本体（１）を製造することからなる、第１の製造ステップと、
ｂ）第２の形状を有する第２のカード本体（２）と第３の形状を有する第３のカード本体（３）とを製造することからなる、第２の製造ステップとを含み、
第１のカード本体が、第２のカード本体を包含し、第１の形状および第２の形状が、第１の境界によって分離され、
第２のカード本体が、第３のカード本体を包含し、第２の形状および第３の形状が、第２の境界によって分離され、
第２の製造ステップがさらに、
ｂ１）第１の数の開口部（５、６、７、１７、１８）および第２の数の開口部（２１）を打ち抜くことからなる第１の打ち抜きステップを含み、第１の数の開口部の累積長さが、第２の数の開口部の累積長さより長く、前記第２の製造ステップがさらに、
ｂ２）第１の数のノッチ（１９、２０）および第２の数のノッチ（１１、１２、１３、１４、１５、１６）を打ち抜くことからなる第２の打ち抜きステップを含み、第１の数のノッチの累積長さが、第２の数のノッチの累積長さより短い、カード本体製造方法。
【請求項１０】
第１の打ち抜きステップと第２の打ち抜きステップが逆にされる、請求項９に記載のカード本体製造方法。
【請求項１１】
カード本体アンプラグ方法であって、
カード本体が、
第１のカード本体（１）、第２のカード本体（２）、および第３のカード本体（３）を備え、
第１のカード本体が、第２のカード本体を包含し、かつ第１のカード本体間の機械的連結強度を画定する第１の境界によって分離され、
第２のカード本体が、第３のカード本体を包含し、かつ第２のカード本体間の機械的連結強度を画定する第２の境界によって分離され、
カード本体アンプラグ方法が、
ａ）第１のカード本体間の機械的連結強度より大きな第１の力を、第２および第３のカード本体（２、３）を第１のカード本体（１）から分離できるように、第１のカード本体（１）に対して第２のカード本体（２）および第３のカード本体（３）によって構成される領域に加えるステップと、
ｂ）第２のカード本体間の機械的連結強度より大きな第２の力を、第３のカード本体を第２のカード本体から分離できるように、第２のカード本体（２）に対して第３のカード本体（３）上に加えるステップとを含み、
第２の力が、第１の力より大きい、カード本体アンプラグ方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月15日(2008.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１記憶層及び第２記憶層を有する光記憶媒体へのデータの書き込みの間においてレーザビームの書込パワーを制御する方法において、
書込パワー制御が前記第１記憶層への書込動作に対して実行される場合に第１カウンタをインクリメントするステップと、
書込パワー制御が前記第２記憶層への書込動作に対して実行される場合に第２カウンタをインクリメントするステップと、
前記第１記憶層に対する２つの書込パワー制御動作の間の第１待ち時間を、前記第１カウンタを考慮して計算するステップと、
前記第２記憶層に対する２つの書込パワー制御動作の間の第２待ち時間を、前記第２カウンタを考慮して計算するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記２つの書込パワー制御動作の間の待ち時間が、対応するカウンタの値の増加に伴い増加する方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記２つの書込パワー制御動作の間の待ち時間が、対応するカウンタの値を一定値により乗算することにより計算される方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、
何の記憶層に対して現在書込動作が実行されているかを決定するステップと、
書込動作が前記第１記憶層に対して実行されている場合は、
前記第１記憶層に対して書込パワー制御を実行し、
前記第１カウンタをインクリメントし、
前記第１待ち時間を計算し、
書込動作が前記第２記憶層に対して実行されている場合は、
前記第２記憶層に対して書込パワー制御を実行し、
前記第２カウンタをインクリメントし、
前記第２待ち時間を計算する、
ステップと、
を有する方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、前記レーザビームの書込パワーの制御が、反射されたレーザビームから決定される非対称性値βに基づくウォーキング最適パワー制御として実行される方法。
【請求項６】
少なくとも第１記憶層及び第２記憶層を有する光記憶媒体へデータを書き込む光学記録装置において、
レーザビームの書込パワーを制御する手段と、
書込パワー制御が前記第１記憶層への書込動作に対して実行される場合にインクリメントされる第１カウンタと、
書込パワー制御が前記第２記憶層への書込動作に対して実行される場合にインクリメントされる第２カウンタと、
前記第１記憶層に対する２つの書込パワー制御動作の間の第１待ち時間を、前記第１カウンタを考慮して計算する手段と、
前記第２記憶層に対する２つの書込パワー制御動作の間の第２待ち時間を、前記第２カウンタを考慮して計算する手段と、
を有する光学記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月12日(2008.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に記録管理情報を記録する方法であって、
第１領域に第１データを物理的に上書きするようとの命令を受信し、前記第１領域が既記録領域に含まれる時、前記第１データを第１代替領域に記録する段階と、
前記第１代替領域が欠陥領域と確認された時、第２データを第２代替領域に記録する段階と、
前記記録媒体の管理領域内に最終エントリを含む管理情報を記録し、前記最終エントリは前記第１領域が前記第２代替領域に置き換えられたことを示すために第１領域及び第２代替領域の位置を示す位置情報を有する段階と、
を含んで構成される、記録媒体のデータ記録方法。
【請求項２】
前記第１データを記録する前記記録ステップに対応する第１臨時エントリを生成し、前記第１臨時エントリは前記第１領域が第１代替領域に置き換えられたことを示すために第１領域及び前記第１代替領域の位置を示す位置情報を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１臨時エントリは、記録装置内に含まれるメモリ内に臨時に記録されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２データを記録するための記録ステップに対応する第２臨時エントリを生成し、前記第２臨時エントリは前記第１領域が第２代替領域に置き換えられたことを示すために第１代替領域及び前記第２代替領域の位置を示す位置情報を有することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記第２臨時エントリは、記録装置内に含まれるメモリ内に臨時に記憶されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１代替領域は、前記記録媒体のユーザデータ領域内に位置することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第２代替領域は、前記記録媒体のスペア領域内に位置することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
記録媒体上に管理情報を記録する装置であって、
前記記録媒体上にデータを記録するように構成された光ピックアップと、
第１領域に第１データを上書きするようにとの命令を受信し、そして前記第１領域が既記録領域であると判定される時、前記第１データを第１代替領域に記録するように制御するように構成され、前記第１代替領域が欠陥であると判定された時、第２データを第２代替領域に記録するように制御するように構成され、前記記録媒体の管理領域内の最終エントリを含む管理情報を記録するように構成され、前記最終エントリは前記第１領域が前記第２代替領域で置き換えられたことを示すために前記第１領域と前記第２代替領域の位置を示す位置情報を含む、前記光ピックアップに動作的に結合されたコントローラと、
を備えたことを特徴とする装置。
【請求項９】
前記第１データを記録するための前記記録ステップに対応する第１臨時エントリを生成するようにさらに構成され、前記第１臨時エントリは前記第１領域が前記第１代替領域に置き換えられたことを示すために前記第１領域及び前記第１代替領域の位置を示す位置情報を有することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記第２データを記録するための前記記録ステップに対応する第２臨時エントリを生成するようにさらに構成され、前記第２臨時エントリは前記第１領域が第２代替領域に置き換えられたことを示すために前記第１代替領域及び前記第２代替領域の位置を示す位置情報を有することを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１臨時エントリと前記第２臨時エントリとを記憶するメモリをさらに備えことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
記録媒体からデータを再生する方法であって、
前記記録媒体は前記記録媒体の管理領域内の最終エントリとして管理情報を含み、前記最終エントリは前記第１領域が第２代替領域に置き換えられたことを示すために前記第１領域及び前記第２代替領域の位置を示す位置情報を有し、前記第１領域が既記録領域であると判定される時、前記第１データを第１代替領域に置き換えられ、前記第１代替領域が欠陥であると判定された時、前記第１代替領域が前記第２代替領域に置き換えられ、
前記方法は、
前記第１領域又は前記第１代替領域を再生するための命令が受信された時、前記最終エントリに基づいて前記第２代替領域上に記憶されたデータを再生するステップ
を含んでいることを特徴とする方法。
【請求項１３】
前記第１代替領域は、前記記録媒体のユーザデータ領域に位置することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２代替領域は、前記記録媒体のスペア領域に位置することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
記録媒体からデータを再生する装置であって、
前記記録媒体は前記記録媒体の管理領域内の最終エントリとして管理情報を含み、前記最終エントリは前記第１領域が第２代替領域に置き換えられたことを示すために前記第１領域及び前記第２代替領域の位置を示す位置情報を有し、前記第１領域が既記録領域であると判定される時、前記第１データを第１代替領域に置き換えられ、前記第１代替領域が欠陥であると判定された時、前記第１代替領域が前記第２代替領域に置き換えられ、
前記装置は、
前記記録媒体からデータを読み出すように構成された光ピックアップと、
もし前記第１領域又は前記第１代替領域のいずれかに記録されたデータを再生する場合、前記最終エントリに基づいて前記第２代替領域上に記憶されたデータを再生するように制御するように構成された、前記光ピックアップに動作的に結合されたコントローラと、
を備えたことを特徴とする装置。
【請求項１６】
前記第１代替領域は、前記記録媒体のユーザデータ領域に位置することを特徴とする請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記第２代替領域は、前記記録媒体のスペア領域に位置することを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月21日(2008.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
-方法の正常な進行を示唆する基準を検査するステップと；
-検査結果がネガティブな場合に実行される処理ステップ(E528)
を含むデータ処理方法であって、
検査結果がポジティブである場合に第1動作(E512)が実施され、処理ステップが第1動作(E512)と共通の第1特性を有する少なくとも1つの第2動作(E528)を含むことを特徴とするデータ処理方法。
【請求項２】
-方法の正常な進行を示唆する基準を検査するステップ(E308；E406，E410，E416)と；
-検査結果がネガティブな場合に行われる処理ステップ(E320；E458；E528)
を含み、
-処理ステップ(E320；E458；E528)が非ゼロ時間の中間ステップ(E312，E314，E450，E452，E454，E456；E520，E522，E524，E526)を介して検査ステップ(E308；E406，E410，E416)から分離されるデータ処理方法であって、
検査結果がポジティブである場合に第1動作(E314；E408，E412，E414；E504，E506，E508，E510)が実施され、中間ステップが第1動作と共通の少なくとも1つの第1特性を有する少なくとも1つの第2動作(E314；E450，E454，E456；E520，E522，E524，E528)の実施を含むことを特徴とするデータ処理方法。
【請求項３】
第2動作が第1動作と異なる請求項1または請求項2に記載の方法。
【請求項４】
検査結果がポジティブである場合、第3動作(E418；E512)が実施され、処理ステップが第3動作(E418；E512)と共通の少なくとも1つの第2特性を有する少なくとも1つの第4動作(E458；E528)の実施を含む請求項２及び請求項3に記載の方法。
【請求項５】
方法が電子装置(10)内で実施され、共通の第1または第2特性がそれぞれ第1、第3動作において、及びそれぞれ第2、第4動作によって生ずる装置の電力消費または電磁放射である請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の方法。
【請求項６】
共通の第1または第2特性がそれぞれ第1、第3動作において、及び第2、第4動作において実行される命令数である請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の方法。
【請求項７】
共通の第1または第2特性がそれぞれ第1、第3動作によって、及びそれぞれ第2、第4動作によって実行される命令のタイプである請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の方法。
【請求項８】
共通の第1または第2特性がそれぞれ第1、第3動作によって、及びそれぞれ第2、第4動作によって処理されるデータのタイプである請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の方法。
【請求項９】
第1、第3動作がそれぞれ1つのメモリの第1ゾーンへのアクセスを含み、第2、第4動作がそれぞれ前記メモリの第1ゾーンとは異なる第2ゾーンへのアクセスを含む請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の方法。
【請求項１０】
共通の第1または第2特性が外部装置との通信である請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の方法。
【請求項１１】
外部装置が暗号プロセッサである請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
外部装置がメモリ(2，6)である請求項10に記載の方法。
【請求項１３】
外部装置が半導体書換え型メモリ(6)である請求項10に記載の方法。
【請求項１４】
外部装置がユーザ端末である請求項10に記載の方法。
【請求項１５】
第1動作がセキュリティ保持されたステップを含む請求項1から請求項14までのいずれか1項に記載の方法。
【請求項１６】
セキュリティ保持されたステップが暗号化アルゴリズムを含む請求項15に記載の方法。
【請求項１７】
処理ステップ(E320；E528)が物理的メモリ(6)へのロックデータの書込みを含む請求項1から請求項16までのいずれか1項に記載の方法。
【請求項１８】
方法の進行が正常である限り、ロックデータの書込み(E528)が物理的メモリ(6)へのデータの書込み(E512)と同時に行われる請求項17に記載の方法。
【請求項１９】
データが金額を表す請求項18に記載の方法。
【請求項２０】
シグネチュアに誤りがあれば基準がネガティブである請求項1から請求項19までのいずれか1項に記載の方法。
【請求項２１】
異常が検知されれば基準がネガティブである請求項1から請求項20までのいずれか1項に記載の方法。
【請求項２２】
攻撃が検知されれば基準がネガティブである請求項1から請求項21までのいずれか1項に記載の方法。
【請求項２３】
機能エラーが検知されれば基準がネガティブである請求項1から請求項22までのいずれか1項に記載の方法。
【請求項２４】
中間ステップが方法の実行に際して決定される少なくとも１つの命令を含む請求項2から請求項23までのいずれか1項に記載の方法。
【請求項２５】
超小形回路カード(10)のマイクロプロセッサ(2)によって実施される請求項1から請求項24までのいずれか1項に記載の方法。
【請求項２６】
-装置の機能の正常性を示唆する基準を検査する手段と；
-検査結果がネガティブである場合に起動される処理手段と；
-検査手段の起動を処理手段の起動から非ゼロ時間だけ分離するための分離手段
を含むデータ処理装置であって、
検査結果がポジティブである場合に第1動作手段が起動され、分離手段が第1動作手段と共通の少なくとも1つの第1特性を有することを特徴とするデータ処理装置。
【請求項２７】
検査結果がポジティブである場合に第2動作手段が起動され、処理手段が第2動作手段と共通の少なくとも1つの第2特性を有する請求項26に記載の装置。
【請求項２８】
-装置の機能の正常性を示唆する基準を検査する手段と；
-検査結果がネガティブである場合に起動される処理手段
を含むデータ処理装置であって、
検査結果がポジティブである場合に第1動作手段が起動され、処理手段が第1動作手段と共通の少なくとも1つの第1特性を有する
事を特徴とするデータ処理装置。
【請求項２９】
装置が超小形回路カードである請求項26から請求項28までのいずれか1項に記載の装置。
【請求項３０】
前記第1ゾーンは機密キーを含む請求項9記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月9日(2008.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１個以上の第２導電形のエミッタ領域が内部に設けられた第１導電形のベース領域をそれぞれ有する少なくとも１個のセル、
前記セルが内部に設けられた第２導電形の第１ウェル領域、
前記第１ウェル領域が内部に設けられた第１導電形の第２ウェル領域、
第２導電形のドリフト領域、
第１導電形のコレクタ領域、
コレクタ接点、
エミッタ領域と第１ウェル領域との間にＭＯＳＦＥＴチャンネルが形成されるように前記ベース領域と連通された第１ゲート、及び
前記第１ウェル領域内に埋め込まれた少なくとも１個の埋込み領域を備えてなり、
素子の動作中に前記ベース領域と第１ウェル領域との接合における空乏領域が、前記第１ウェル領域と第２ウェル領域との接合へ向けて延び、前記第１ウェル領域の電圧を前記コレクタ接点の電圧上昇から実質的に遮断することにより、前記ベース領域と前記第２ウェル領域との間におけるＭＯＳＦＥＴチャンネル形成を要さずに素子を遮断するように素子を編成し、且つ、前記空乏領域の延びを、埋込み領域が自己の構成要素として含む少なくとも１個のトランジスタの突き抜けにより達成させる半導体素子。
【請求項２】
請求項１の半導体素子において、前記埋込み領域を第１導電形材料によって形成してなる半導体素子。
【請求項３】
請求項１又は２の半導体素子において、更に
エミッタ接点と接触する第１導電形の領域、及び
第１導電形の領域と第２ウェルとの間に配設された第２導電形の領域を備え、
前記第２導電形の領域が第１ウェル領域を、第２ウェル、前記第２導電形の領域及び前記第１導電形の領域によって形成されるＪＦＥＴ機構中のドリフト領域へ接続してなる半導体素子。
【請求項４】
請求項１から３の何れかの素子において、前記埋込み領域をエミッタ接点に接触させてなる半導体素子。
【請求項５】
請求項４の素子において、前記埋込み領域を第１ゲートに接触させてなる半導体素子。
【請求項６】
請求項４の素子において、前記埋込み領域を第１ウェル領域内にカプセル包装のうえ設置してなる半導体素子。
【請求項７】
請求項４又は６の素子において、前記埋込み領域を実質上ベース領域の片側から反対側へ延在させてなる半導体素子。
【請求項８】
請求項４又は６の素子において、複数の埋込み領域の積み重ねを含めてなる半導体素子。
【請求項９】
請求項１から８の何れかの素子において、前記ベース領域と前記埋込み領域との間に延在する第１ウェル領域の一部分におけるドーピング濃度を、前記埋込み領域と前記第２ウェル領域との間に延在する第１ウェル領域の他部分におけるドーピング濃度と相違させてなる半導体素子。
【請求項１０】
１個以上の第２導電形のエミッタ領域が内部に設けられた第１導電形のベース領域をそれぞれ有する少なくとも１個のセル、
前記セルが内部に設けられた第２導電形の第１ウェル領域、
前記第１ウェル領域が内部に設けられた第１導電形の第２ウェル領域、
第２導電形のドリフト領域、
第１導電形のコレクタ領域、
コレクタ接点、
エミッタ領域と第１ウェル領域との間にＭＯＳＦＥＴチャンネルが形成されるように前記ベース領域と連通された第１ゲート、及び
前記第１ウェル領域内に埋め込まれた少なくとも１個の埋込み領域を備えてなる半導体素子の運転方法において、
前記ベース領域と第１ウェル領域との接合における空乏領域が前記第１ウェル領域と第２ウェル領域との接合へ向けて延びるように電圧を前記素子に印加し、その結果として前記第１ウェル領域の電圧を前記コレクタ接点の電圧上昇から実質的に遮断することにより、前記ベース領域と前記第２ウェル領域との間におけるＭＯＳＦＥＴチャンネル形成を要さずに素子を遮断し、且つ、前記空乏領域の延びを、自己の構成要素として前記埋込み領域を含む少なくとも１個のトランジスタの突き抜けにより達成させる半導体素子の運転方法。
【請求項１１】
請求項１０の方法において、前記埋込み領域をエミッタ接点と接触させておき、前記素子への電圧印加により、第２ウェル領域、第１ウェル領域、及び埋込み領域からなるトランジスタのベースをして突き抜けを起こさせてなる半導体素子の運転方法。
【請求項１２】
コレクタ接点、
第１導電形コレクタ領域、
第２導電形ドリフト領域、
少なくとも１個の第１導電形ウェル領域、
少なくとも１個の第２導電形ウェル領域、
少なくとも１個の第２導電形ウェル領域に対するエミッタ接点、及び
少なくとも１個の第１導電形ウェル領域を覆うゲート電極
を備えてなるＪＦＥＴスイッチト・パワー半導体素子。
【請求項１３】
請求項１２の素子において、パワー・スイッチング素子機構をＣＩＧＢＴとしてなる半導体素子。
【請求項１４】
請求項１３の素子において、ゲート電極を、ドリフト領域と第２ウェル領域との間にＭＯＳ反転チャネルが形成されるようなＭＯＳＦＥＴゲートの形とし、更に第２導電形のウェル領域を第１導電形のウェル領域の中に配置し、その第２導電形のウェル領域の中に配置した第１導電形の領域によってＪＦＥＴ機構を形成してなる半導体素子。
【請求項１５】
請求項１３の素子において、更なる第１導電形の領域を第１ウェル領域に隣接させて設け且つ第２ゲート電極に接続することによりＪＦＥＴ機構を形成し、前記更なる第１導電形の領域を第１導電形のウェル領域に関して縦型又は横型に取付け、更に第２導電形のウェル領域を第１導電形のウェル領域の中に配置し、前記更なる第１導電形の領域により形成されるＪＦＥＴ領域を前記第２導電形のウェル領域の中に配置してなる半導体素子。
【請求項１６】
請求項１３の素子において、更なる第１導電形の領域を第１導電形のウェル領域に隣接させて設け且つ第２ゲート電極に接続することによりこれら領域の間にＪＦＥＴ機構を形成し、前記第１導電形の領域を第１ウェル領域に関して縦型又は横型に取付け、前記素子内で１つの第１導電形領域により第１ウェル領域をエミッタに接続してなる半導体素子。
【請求項１７】
請求項１３の素子において、更なる第１導電形の領域が第１ウェル領域をエミッタに接続し且つ第２ゲート電極に接続され、第２導電形のウェル領域が第１導電形のウェル領域の中に配置され、前記更なる第１導電形の領域によって形成されるＪＦＥＴ領域が第２導電形のウェル流域内に配置されてなる半導体素子。
【請求項１８】
請求項１２の素子において、更に、内部に配置された前記エミッタを有するベース領域からなる少なくとも１個のセルを有し、その少なくとも１個のセルを第１導電形のウェル領域内に設け、その第１導電形のウェル領域を第２導電形のウェル領域内に設け、少なくとも１個の第１導電形の埋込み領域を第２ウェル領域内に設けてなる半導体素子。
【請求項１９】
パワー・スイッチング素子機構と該パワー・スイッチング素子機構をオン・オフするように適合されたＪＦＥＴ機構とを単一基板上に統合して有する半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月25日(2008.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者の体にエネルギーを流す医療用プローブアセンブリであって、
末端領域と近位領域を有し、その間の内径が定義された細長い部材と、
前記の細長い部材の末端領域に付随し、突起部を備えたエネルギー伝達装置と、
前記突起部に付随する温度センサとを
備えた患者の体にエネルギーを流す医療用プローブアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月22日(2008.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動洗浄機内に着脱自在に挿入可能な自立型洗剤小出し装置であって、洗剤配合物を収容する複数のチャンバを備えたカートリッジと、洗浄液を選択的に前記カートリッジの一チャンバ内に差し向けてこのチャンバ内の洗剤に接触させるための差し向け手段とを有し、前記逸らせ手段は、前記逸らせ手段に設けられた開口部を各前記チャンバに設けられた入口開口部に選択的に位置合わせするよう前記カートリッジに対して動くことができる、装置。
【請求項２】
前記差し向け手段は、各チャンバの開口部と位置合わせ状態になるよう回転できる注ぎ口を有する、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記注ぎ口は、選択されなかったチャンバへの前記洗浄液の接近を妨害するよう配置されている、請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記装置は、前記差し向け手段に通じるファンネルを備えている、請求項１〜３のうちいずれか一に記載の装置。
【請求項５】
前記差し向け手段又は前記カートリッジは、次のチャンバを選択するよう手で動かすことができる、請求項１〜４のうちいずれか一に記載の装置。
【請求項６】
前記差し向け手段又は前記カートリッジは、次のチャンバを選択するよう自動的に動くことができる、請求項１〜４のうちいずれか一に記載の装置。
【請求項７】
ユーザの介入は、前記差し向け手段又は前記カートリッジを動かし、次に前記差し向け手段又は前記カートリッジを次に前記洗浄機の作動中にリセットするために必要である、請求項１〜４のうちいずれか一に記載の装置。
【請求項８】
ユーザの介入は、前記差し向け手段又は前記カートリッジをリセットし、次に前記差し向け手段又は前記カートリッジを前記洗浄機の作動中に動かすために必要である、請求項１〜４のうちいずれか一に記載の装置。
【請求項９】
前記装置は、前記洗浄機の作動中に生じるパラメータに応答するよう構成されている、請求項６〜８のうちいずれか一に記載の装置。
【請求項１０】
前記装置は、熱反応要素を有し、前記パラメータは、温度である、請求項９記載の装置。
【請求項１１】
前記装置は、ユーザの手で操作されるよう構成されている、請求項５、７又は８記載の装置。
【請求項１２】
前記装置は、前記洗浄機のドアにより操作されるよう構成されている、請求項５、７又は８記載の装置。
【請求項１３】
前記差し向け手段は、可動であるよう構成され、前記カートリッジは、静止している、請求項１〜１２のうちいずれか一に記載の装置。
【請求項１４】
前記カートリッジは、前記装置から取り出すことができる、請求項１〜１３のうちいずれか一に記載の装置。
【請求項１５】
実質的に一方向の流れのみを可能にする前記チャンバの全てからの共通出口を有する、請求項１〜１４のうちいずれか一に記載の装置。
【請求項１６】
前記出口は、前記一方向の流れを可能にする蛇行した経路を備えている、請求項１５記載の装置。
【請求項１７】
前記出口は、前記出口に流入する液体を逸らして前記出口から逆戻りさせるのに役立つ複数のバッフルを有する、請求項１５又は１６記載の装置。
【請求項１８】
前記カートリッジは、前記出口から間隔を置いて配置されている、請求項１５〜１７のうちいずれか一に記載の装置。
【請求項１９】
前記カートリッジには、洗剤があらかじめ入れられており、前記カートリッジは、前記装置から取り外し可能である、請求項１〜１８のうちいずれか一に記載の装置。
【請求項２０】
前記装置は、円筒形であり、使用にあたり、その主軸線が実質的に垂直な状態で位置決めされるよう構成されている、請求項１〜１９のうちいずれか一に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月11日(2008.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者の一部分の少なくとも１つの運動パラメータを制御することのできる運動要素と、
脳活動を示す信号を生成する脳モニタと、
リハビリテーション情報が格納されたメモリを含む回路機構と
を備え、回路機構は、運動要素を制御するように、および前記リハビリテーション情報を利用するリハビリテーション過程の一部として、前記信号と前記運動要素の運動とを相互に関連付けるように適応される、リハビリテーション装置。
【請求項２】
前記部分は手足である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記回路機構は、運動の方向および位置または到達点の少なくとも１つを制御するように適応される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記回路機構は、運動に対する抵抗、速度、および運動モードの少なくとも１つを制御するように適応される、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記回路機構は、前記運動要素の運動の少なくとも１つのパラメータを測定するように適応される、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記回路機構は、前記運動の力、運動ベクトル、および速度の少なくとも１つを測定するように適応される、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記リハビリテーション情報はリハビリテーション計画を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記リハビリテーション情報はリハビリテーション診断を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記リハビリテーション情報は、予想される脳運動関係の少なくとも１つのテンプレートを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記回路機構は、前記測定に基づいて予想される運動を生成するように適応される、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記回路機構は、前記運動要素の運動に基づいて予想される脳活動を生成するように適応される、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記回路機構は、前記測定を前記リハビリテーション情報と比較するように適応される、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記回路機構は、前記患者のリハビリテーション改善を前記リハビリテーション情報の傾向と比較するように適応される、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記回路機構は、前記測定に応答して少なくとも１つの運動パラメータを変更するように適応される、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記変更は前記運動の時間枠内である、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記回路機構は、前記患者の運動する意図を検出し、それに応答して前記運動要素の制御を提供するように適応される、請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
前記回路機構は、運動準備の整ったことを検出し、それに応答して前記運動要素の制御を提供するように適応される、請求項１に記載の装置。
【請求項１８】
前記回路機構は、運動または運動欠如の検出に応答して、前記測定の信号処理を変更するように適応される、請求項１に記載の装置。
【請求項１９】
前記脳モニタはＥＥＧモニタを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項２０】
前記脳モニタは血流測定装置を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項２１】
前記脳モニタはｆＭＲＩシステムを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項２２】
前記運動要素はロボットマニピュレータを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項２３】
前記運動要素は、制御可能な仕方で運動に抵抗する抵抗運動要素を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項２４】
前記運動要素は、３Ｄ空間において最小限の次元で少なくとも３０ｃｍのボリュームにわたって実質的に非制約運動が可能であるように適応される、請求項１に記載の装置。
【請求項２５】
前記運動要素は、少なくとも１種類の身体部分に選択的に連結および連結解除するように適応される、請求項１に記載の装置。
【請求項２６】
前記回路機構は、前記患者に認知リハビリテーションを提供するように適応される、請求項１に記載の装置。
【請求項２７】
前記回路機構は、前記患者のリハビリテーションの進展を格納するメモリを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項２８】
少なくとも２つの運動要素を備え、前記回路機構は、それらを両側の手足に関連付けられるものとして識別するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項２９】
リハビリテーション装置の運動要素を、リハビリテーション過程に適合させる仕方で動かすステップと、
脳モニタから動きに相関付けられる信号を生成するステップと
を含む、リハビリテーション装置を使用するリハビリテーション方法。
【請求項３０】
（ａ）所望のリハビリテーション過程に関して決定する回路機構を利用するステップと、
（ｂ）前記リハビリテーション過程を達成するように前記運動要素を制御するステップと
を含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３１】
前記所望のリハビリテーション過程は、少なくとも運動要素の制御を通した皮質再構築を含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記信号生成に応答して前記運動要素を動かすステップを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３３】
前記動きに応答して前記生成を制御するステップを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３４】
生成された信号を比較するステップを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３５】
運動要素の動きを比較するステップを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３６】
前記動きを測定するステップを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３７】
前記動きの品質を測定するステップを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３８】
前記信号に基づいて前記患者の前記リハビリテーション過程の進展を追跡するステップを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３９】
前記動きをフィードバックとして使用して、リハビリテーション過程を適応させるステップを含む、請求項２９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月15日(2008.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の多孔質中空膜を有して成る膜モジュールであって、
前記多孔質中空膜がヘッダー間で延在するように前記多孔質中空膜の両端部が前記ヘッダーに取り付けられており、
一方のヘッダーには、ガス源および／または液体源と流体連通状態となっている１つ以上の開口部が形成されており、
他方のヘッダーはヘッドピースに接続されて封止されており、前記他方のヘッダーと前記ヘッドピースとが流体連通状態になっており、
前記ヘッドピースが、更なる膜モジュールの関連するヘッドピースと連結して、膜モジュール・ラックを形成するようになっている、膜ジュール。
【請求項２】
ヘッドピースが、濾液が取り出される前記多孔質中空膜の開口端部と流体連通状態となっている濾液導管を含んでいる、請求項１に記載の膜モジュール。
【請求項３】
ヘッドピースが、ガス／空気を膜モジュールに供するためのガス／空気導管を更に含んでいる、請求項２に記載の膜モジュール。
【請求項４】
膜モジュールの断面が正方形または矩形である、請求項１に記載の膜モジュール。
【請求項５】
前記一方のヘッダーより下方にスカート部が設けられている、請求項１に記載の膜モジュール。
【請求項６】
前記多孔質中空膜が垂直に設けられ、液体源には、前記スカート部より下方に配置されている導管にて開口部が含まれている、請求項５に記載の膜モジュール。
【請求項７】
ガス源には、前記スカート部の側壁を通過するように設けられたパイプまたはチューブが含まれており、スカート部にガスを供給する前記パイプまたはチューブの遠位端部が前記一方のヘッダーの開口部より下方に位置している、請求項１に記載の膜モジュール。
【請求項８】
前記パイプまたはチューブが、ヘッドピースのガス／空気導管に接続されている、請求項７に記載の膜モジュール。
【請求項９】
前記ガスと前記液体とを混合した後に、それらを前記一方のヘッダーの開口部に通すように前記スカート部が配置されている、請求項５に記載の膜モジュール。
【請求項１０】
ヘッダー間にて長手方向に延在する１つ以上の支持部材によってヘッダーが相互に間隔を空けて支持されている、請求項１に記載の膜モジュール。
【請求項１１】
支持部材がロッドである、請求項１０に記載の膜モジュール。
【請求項１２】
１つ以上の支持部材が、中空チューブであって、ガス／空気導管からスカート部へとガスを供給するのに用いられる、請求項１０または１１に記載の膜モジュール。
【請求項１３】
前記多孔質中空膜がスクリーンによって包囲されており、それによって、ガス／空気の気泡および液体流れが膜モジュール内に保持される、請求項１に記載の膜モジュール。
【請求項１４】
スクリーンが、ガス／空気の気泡および／または液体に対して実質的に透過性を有していない、請求項１３に記載の膜モジュール。
【請求項１５】
前記多孔質中空膜が、両端をヘッダーに固定された多孔質中空繊維を含んで成り、下方のヘッダーには複数の開口部が形成されている、請求項１に記載の膜モジュール。
【請求項１６】
多孔質中空繊維の下方端部が封止される一方、多孔質中空繊維の上方端部が開口し、濾液の取出しができるようになっている、請求項１５に記載の膜モジュール。
【請求項１７】
多孔質中空繊維が、束状に分けて配置されている、請求項１５に記載の膜モジュール。
【請求項１８】
前記開口部が、束状の多孔質中空繊維の間に形成された空間に対応するように位置している、請求項１７に記載の膜モジュール。
【請求項１９】
前記開口部には、スロット部、複数のスロット部、または、穴から成る１つ以上の列が含まれる、請求項１７に記載の膜モジュール。
【請求項２０】
束状の多孔質中空繊維が、スロット部の間または穴列の間に位置するようにポッティング・ヘッドにて配置されている、請求項１９に記載の膜モジュール。
【請求項２１】
請求項１に記載の膜モジュールを複数有して成り、複数の膜モジュールが前記ヘッドピースによって一体的に接続されている、膜モジュール・ラック。
【請求項２２】
前記一方のヘッダーが、接続手段によって一体的に接続されている、請求項２１に記載の膜モジュール・ラック。
【請求項２３】
接続手段には、膜モジュールの前記一方のヘッダーに設けられたインターロック機構が含まれる、請求項２２に記載の膜モジュール・ラック。
【請求項２４】
請求項１に記載の膜モジュールのラックを含んだ濾過システムであって、
前記膜モジュールが、濾過すべき供給液体を含むタンク内に垂直に配置されており、
前記膜モジュールの前記多孔質中空膜に膜間圧を加えて、濾液を前記多孔質中空膜の孔に通過させる手段、および
前記多孔質中空繊維の間にて上方へと移動する気泡を生じさせ、多孔質中空繊維の外面を洗浄するために、前記開口部へと連続的または断続的にガスを供給する手段
を有して成る、濾過システム。
【請求項２５】
前記開口部に供給されるガスには、ガスと液体との混合物が含まれる、請求項２４に記載の濾過システム。
【請求項２６】
多孔質中空膜を取り付けるのに使用するポッティング・ヘッドであって、
硬化性ポッティング材料を受容するキャビティーが１つ以上含まれる予備成形ポッティング要素を有して成り、使用に際して、前記多孔質中空膜を支持する、ポッティング・ヘッド。
【請求項２７】
前記ポッティング要素が射出成形プラスチック材料から形成される、請求項２６に記載のポッティング・ヘッド。
【請求項２８】
前記ポッティング要素には、流体を通過させるための貫通孔が１つ以上形成されている、請求項２６に記載のポッティング・ヘッド。
【請求項２９】
前記貫通孔が、前記キャビティーの間に配置されている、請求項２８に記載のポッティング・ヘッド。
【請求項３０】
前記キャビティーには、前記ポッティング要素に形成されたチャンネルが含まれる、請求項２６に記載のポッティング・ヘッド。
【請求項３１】
複数の多孔質中空膜を有して成る膜モジュールであって、
前記多孔質中空膜がヘッダー間で延在するように多孔質中空膜の両端部がヘッダーに取り付けられており、
前記ヘッダーの少なくとも１つが予備成形ポッティング要素を有して成り、前記ポッティング要素には、多孔質中空膜を固定および支持する硬化性ポッティング材料を含んだキャビティーが１つ以上含まれており、また、
前記ポッティング要素には、ガス源および／または液体源と流体連通状態にある貫通孔が１つ以上形成されている、
膜モジュール。
【請求項３２】
前記貫通孔は、前記多孔質中空膜の間に前記ガスおよび／または液体が流れるように、前記キャビティーの間に位置している、請求項３１に記載の膜モジュール。
【請求項３３】
前記多孔質中空膜が束状の膜を有して成り、多孔質中空膜の束と束との間および前記多孔質中空膜間にガスおよび／または液体が流れるようになっている、請求項３２に記載の膜モジュール。
【請求項３４】
前記多孔質中空繊維膜の束が、マットの形態を有している、請求項３３に記載の膜モジュール。
【請求項３５】
前記開口部が噴出口を有して成る、請求項６に記載の膜モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月28日(2008.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴を使用することによって基板上に線を作製する方法であって：
前記基板表面上の前記液滴組成物の後退接触角が10°未満であることを保証する工程；
r[m]が最初に前記表面に接触した後から約τ[s]の時点で測定された、前記表面上に付着する滴下物の底面半径、τ=5R/u、u[m/s]が前記滴下物の衝突時速度、R[m]が前記表面と衝突する直前の前記液滴半径で、かつr0[m]は接触角が静的前進接触角であるときの前記の表面上に付着する滴下物の底面半径であるとしたとき、r/Rで定義される前記滴下物の拡がりSが、r0/Rで定義される前記滴下物の拡がりS0よりも大きいことを保証する工程；
前記滴下物によって形成される微細流の接触角が、τ以降では常に前進接触角よりも小さいことを保証する工程；及び、
前記基板表面で測定される、連続する滴下物の中心間距離が0より大きく前記滴下物の直径よりも小さくなるように前記滴下物を配置する工程；
を有し、
上記工程によってプリント線が平行端部を有するように作製される方法。
【請求項２】
ρが前記液体の密度、uは前記滴下物の衝突時速度、Rは前記表面と衝突する直前の前記液滴半径で、かつγは前記液体の表面張力であるとしたとき、前記液滴の拡がりSがρuR/γで定義されるウエーバー数Weの増加によって増大する、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記液滴の拡がりSが前記表面の粗さの増加によって増大する、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記液滴の拡がりSが平均的な固体-液体界面エネルギーの減少によって増大する、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記液滴の拡がりSが平均的な前記液体の粘性の減少によって増大する、請求項1に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月22日(2008.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遠位要素（３）を備えたガイドワイヤ（２）を用いて体腔及び血管から異物及び血栓を除去するための装置であって、
前記遠位要素（３）は直交構造体（４）を有し、該直交構造体はポリマー材料から作製されたファイバ又は剛毛からなり、前記遠位要素は放射線不透過性材料からなることを特徴とする装置。
【請求項２】
ファイバ（４）はポリウレタン、ポリアミド、ポリアクリル、ポリエステル、ポリテトラフルオロエチレン又はポリアルキレンで製作されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
ファイバ（４）は０．５〜６ｍｍ、好ましくは１．２〜３ｍｍの長さを有する、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
ファイバ（４）は遠位要素（３）との間の角度が４５度〜１０５度、好ましくは約９０度である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
ファイバ（４）は遠位要素（３）の長軸に沿ってスパイラル状に配置されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
ファイバ（４）は基本的に互いに平行に二以上の方向に整列されている、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
遠位要素（３）は螺旋形状に巻かれたワイヤからなる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
直交構造体（４）にはコーティングが施されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
コーティングはパリレン（Parylene）又はポリテトラフルオロエチレンからなる、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
コーティングはコラーゲン、又は血液凝固を助ける材料を包含する、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
コーティングはフィブリン、トロンビン、第ＶＩＩＩ因子及び／又は第ＸＩＩＩａ因子を含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記遠位要素（３）は白金合金からなる、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
ガイドカテーテル及び／又はマイクロカテーテル（６）と組み合わされている、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
ガイドカテーテル及び／又はマイクロカテーテル（６）は吸引カテーテルとして設計されている、請求項１３に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月22日(2008.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリ(ヘキサメチレンビグアニド)およびポリクオタニウム-１より成る群から選択される１つ以上の抗菌剤と、下記一般式：
【化１】
2008510568.tif 000001
（式中、R1基は同じ又は異なるC1-6 アルキレン基であり；R2基は同じ又は異なるC1-6 アルキレン基であり；x、y及びzはそれぞれ、1〜50の整数から選択される同じ又は異なる整数である。）
で表される１つ以上のトリアルカノールアミン・アルコキシレートバッファー剤を含み、200〜450 mOsm/kgの最終浸透圧を有することを特徴とする点眼組成物。
【請求項２】
前記トリアルカノールアミン・アルコキシレートバッファー剤が、トリエタノールアミン・エトキシレートバッファー剤であり、x、y及びzがそれぞれ独立して1〜10の整数であることを特徴とする請求項１記載の組成物。 
【請求項３】
ポリ(エチレンオキシド)-ポリ(プロピレンオキシド)-ポリ(エチレンオキシド) ポリエーテル、及びポリ(プロピレンオキシド)-ポリ(エチレンオキシド)-ポリ(プロピレンオキシド)ポリエーテルよりなる群から選択される１つ以上の界面活性剤をさらに含むことを特徴とする請求項１または２記載の組成物。  
【請求項４】
塩化亜鉛、塩化ナトリウム、塩化カリウム、ブドウ糖、マンノース、グリセリン、プロピレングリコール、塩化カルシウム及び塩化マグネシウムより成る群から選択される１つ以上の浸透圧剤をさらに含むことを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の組成物。
【請求項５】
水溶性セルロースポリマー、グアー、ヒドロキシエチルグアー、ヒドロキシプロピルグアー、ヒドロキシプロピルメチルグアー、ポリ(N-ビニルピロリドン)、ポリ(ビニルアルコール) 、ポリ(エチレングリコール) 及びポリ(エチレンオキシド)より成る群から選択される１つ以上の増粘剤をさらに含むことを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の組成物。
【請求項６】
ポリ(ビニルアルコール)、 ポリ(N-ビニルピロリドン)、水溶性セルロース誘導体、ポリ(エチレングリコール)、グリセリン、プロピレングリコール、非ポリマー性ジオール及び非ポリマー性グリコールより成る群から選択される１つ以上の保湿剤をさらに含むことを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の組成物。 
【請求項７】
エチレンジアミン四酢酸、グルコン酸、クエン酸、酒石酸及びそれらの塩より成る群から選択される１つ以上の金属イオン封鎖剤をさらに含むことを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の組成物。
【請求項８】
単糖類、二糖類、オリゴ糖類及び多糖類より成る群から選択される１つ以上の水溶性炭水化物をさらに含むことを特徴とする請求項１から７いずれか１項記載の組成物。
【請求項９】
クエン酸バッファー剤及びトリス(ヒドロキシメチル)アミノメタンバッファー剤（トリスバッファー剤）より成る群から選択される１つ以上のバッファー剤をさらに含むことを特徴とする請求項１から８いずれか１項記載の組成物。
【請求項１０】
前記トリアルカノールアミン・アルコキシレートバッファー剤が、組成物の全質量に対して0.02〜3.0質量％含まれていることを特徴とする請求項１から９いずれか１項記載の組成物。
【請求項１１】
前記トリアルカノールアミン・アルコキシレートバッファー剤が、トリエタノールアミン・エトキシレートバッファー剤であり、x、y及びzがそれぞれ独立して、１または２であることを特徴とする請求項１から１０いずれか１項記載の組成物。 
【請求項１２】
コンタクトレンズを処理するための組成物であって、ポリ(ヘキサメチレンビグアニド)およびポリクオタニウム-１より成る群から選択される１つ以上の抗菌剤と、下記一般式：
【化２】
2008510568.tif 000002
（式中、R1基は同じ又は異なるC1-6 アルキレン基であり；R2基は同じ又は異なるC1-6 アルキレン基であり；x、y及びzはそれぞれ、1〜50の整数から選択される同じ又は異なる整数である。）
で表される１つ以上のトリアルカノールアミン・アルコキシレートバッファー剤を含み、200〜450mOsmkgの最終浸透圧を有することを特徴とする組成物。
【請求項１３】
コンタクトレンズを消毒および洗浄するための請求項１から１１いずれか１項記載の組成物の使用。