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【手続補正書】
【提出日】平成19年7月10日(2007.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波吸収体用の合金粉末において、偏平加工する前の原料粉末の酸素濃度が０．００１〜０．０８ｍａｓｓ％である粉末を偏平加工によりアスペクト比１０以上、平均粒径２０〜５０μｍにすることを特徴とする電磁波吸収体用粉末。
【請求項２】
請求項１に記載の偏平加工する前の原料粉末の酸素濃度を０．０３〜０．０６ｍａｓｓ％とすることを特徴とする電磁波吸収体用粉末。
【請求項３】
請求項１または２に記載の原料粉末として、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｒ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金を用いることを特徴とする電磁波吸収体用粉末。    
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の原料粉末をＯ2 混合ガスにてガスアトマイズ法により製造することを特徴とする電磁波吸収体用粉末の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電磁波吸収体用粉末およびその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電磁波吸収体に用いる偏平粉末およびその製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述したような問題を解消するために、発明者らは鋭意開発を進めた結果、粉末形状を決定する因子として、硬さ以外に原料粉末の酸素量との関係を見出し、０．０８ｍａｓｓ％以下にすることにより、アスペクト比が大きくなり、吸収特性も向上することが分かった。その発明の要旨とするところは、
（１）電磁波吸収体用の合金粉末おいて、偏平加工する前の原料粉末の酸素濃度が０．００１〜０．０８ｍａｓｓ％である粉末を偏平加工によりアスペクト比１０以上、平均粒径２０〜５０μｍにすることを特徴とする電磁波吸収体用粉末。
（２）前記（１）に記載の偏平加工する前の原料粉末の酸素濃度を０．０３〜０．０６ｍａｓｓ％とすることを特徴とする電磁波吸収体用粉末。
（３）前記（１）または（２）に記載の原料粉末として、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｒ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金を用いることを特徴とする電磁波吸収体用粉末。
（４）前記（１）〜（３）のいずれか１に記載の原料粉末をＯ2 混合ガスにてガスアトマイズ法により製造することを特徴とする電磁波吸収体用粉末の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月2日(2007.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型ＧａＮ系半導体層とｐ型ＧａＮ系半導体層を備えたＧａＮ系半導体発光素子において、
前記ｐ型ＧａＮ系半導体層上に形成された透光性電極を備え、
前記透光性電極は、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層上に部分的に配置された接着性金属層を介して前記ｐ型ＧａＮ系半導体層と密着した構成を有し、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層に達する光出射用の複数の貫通孔を有することを特徴とするＧａＮ系半導体発光素子。
【請求項２】
前記透光性電極は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、或いはＡＺＯによって形成されることを特徴とする請求項１記載のＧａＮ系半導体発光素子。
【請求項３】
前記接着性金属層は、前記透光性電極上に形成されるパッド電極の直下、及び前記透光性電極の周辺部に形成されることを特徴とする請求項１記載のＧａＮ系半導体発光素子。
【請求項４】
前記接着性金属層は、ロジウムによって形成されることを特徴とする請求項１または３記載のＧａＮ系半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によると、ｎ型ＧａＮ系半導体層とｐ型ＧａＮ系半導体層を備えたＧａＮ系半導体発光素子において、
前記ｐ型ＧａＮ系半導体層上に形成された透光性電極を備え、
前記透光性電極は、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層上に部分的に配置された接着性金属層を介して前記ｐ型ＧａＮ系半導体層と密着した構成を有し、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層に達する光出射用の複数の貫通孔を有することを特徴とするＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のＧａＮ系半導体発光素子によると、透光性電極は、ｐ型ＧａＮ系半導体層上に部分的に配置された接着性金属層を介してｐ型ＧａＮ系半導体層と密着した構成を有し、ｐ型ＧａＮ系半導体層に達する光出射用の複数の貫通孔を有するため、内部発光が貫通孔を介して直接外部へ出射することにより透光性電極の吸光量を低減して出射効率を向上し、発光素子の発光強度を高めることができる。また、透光性電極は、ｐ型ＧａＮ系半導体層上に部分的に配置された接着性金属層を介してｐ型ＧａＮ系半導体層と密着しているため、耐久性が向上し、透光性電極とＧａＮ系半導体層との密着性の劣化に関わる特性を改善することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月27日(2007.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積重ね軸線上に重ね合わせ可能に構成された少なくとも２つの容器から成る器具であって、容器のうち一つは、ヒンジ付きの蓋を有し、もう一つの容器は、前記蓋に付け足され、各容器は、ハウジングを構成することを特徴とする器具。
【請求項２】
積重ね軸線（Ｘ）上に重ね合わせ可能に構成された少なくとも３つの容器（２，３，４）と、２つの連続して位置する容器を互いに連結し、容器のうち１つを他の容器に対し、積重ね軸線に対して平行ではない回転軸線（Ｚ）の回りに少なくとも部分的にピボット運動させることができる少なくとも２つのヒンジとから成り、各容器は、ハウジング（１２）を構成し、ハウジングのうち少なくとも２つは、互いに異なる物質を収容しており、この物質のうちの１つは液体ファンデーションであり、また、他の物質はフレークを含む、ことを特徴とする器具。
【請求項３】
積重ね軸線上に重ね合わせ可能に構成された少なくとも３つの容器と、各容器を別の容器に対し、積重ね軸線に平行ではない回転軸線の回りに少なくとも部分的にピボット運動できるようにする少なくとも２つのヒンジとから成る器具であって、各容器は、ハウジングを構成し、各容器は、一番下に位置する容器を除き、容器が重ね合わされ且つ積重ね軸線が垂直であるとき、そのすぐ下に位置する容器の閉じ蓋として役目を果たし、前記ヒンジは、前記容器の積重ね軸線の回りに角度的に互いに偏心しており、前記２つの連続して位置する容器は、ヒンジの直径方向反対側に設けられており、且つ、対応する容器が積重ねられたとき、隣接して位置する掴みタブを有することを特徴とする器具。
【請求項４】
積重ね軸線上に重ね合わせ可能に構成された少なくとも３つの容器と、容器のうち１つを他の容器に対し、積重ね軸線に平行ではない回転軸線の回りに少なくとも部分的にピボット運動できるようにする少なくとも１つのヒンジとから成る器具であって、各容器は、ハウジングを構成し、容器のうち少なくとも１つは、そのすぐ下に位置する容器に着脱自在に固定されており、最下の容器はねじ山付きネックを有することを特徴とする器具。
【請求項５】
積重ね軸線上に重ね合わせ可能に構成された少なくとも３つの容器と、各容器を別の容器に対し、積重ね軸線に平行ではない回転軸線の回りに少なくとも部分的にピボット運動できるようにする少なくとも２つのヒンジとから成る器具であって、各容器は、ハウジングを構成し、少なくとも１つのハウジングは、アプリケータ部材を有する端容器によって構成されており、前記アプリケータ部材は、フォームアプリケータ部材及び焼結アプリケータ部材の少なくとも１つを有することを特徴とする器具。
【請求項６】
受け器を閉鎖する閉じキャップであって、請求項１〜５のうち何れか一に記載の器具を有していることを特徴とするキャップ。
【請求項７】
請求項１〜５のうち何れか一に記載の器具を備えた受け器。
【請求項８】
受け器であって、フラスコ又は可撓性管である受け器本体と、閉じキャップとを有し、閉じキャップは、積重ね軸線上に重ね合わせ可能であるように構成された少なくとも２つの容器と、容器のうちの１つを、他の容器に対し、積重ね軸線に平行ではない回転軸線の回りに少なくとも部分的にピボット運動できるようにする少なくとも１つのヒンジとを有し、各容器はハウジングを構成していることを特徴とする受け器。
【請求項９】
容器のうちの一つは、ヒンジ（７）によって前記容器に連結された蓋（１７）を有し、もう一つの容器は、前記蓋に固定されていることを特徴とする請求項８のうち何れか一に記載の受け器。
【請求項１０】
一番下に位置する容器を除き、各容器は、容器が重ね合わされ且つ積重ね軸線が垂直であるとき、そのすぐ下に位置する容器の閉じ蓋として役目を果たすことを特徴とする請求項８記載の受け器。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月12日(2007.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−Ｄ−グルクロン酸−β−１，３−Ｄ−Ｎ−アセチルグルコサミン−β−１，４−を１単位とし、これを１個〜１０個含む２糖〜２０糖の低分子量ヒアルロナンを有効成分とするサイトカイン関連遺伝子の発現抑制剤。
【請求項２】
上記低分子量ヒアルロナンのうち、１単位を２個含む４糖であることを特徴とする請求項１記載のサイトカイン関連遺伝子の発現抑制剤。
【請求項３】
上記サイトカイン関連遺伝子は、炎症性サイトカインに関連する遺伝子であることを特徴とする請求項１記載のサイトカイン関連遺伝子の発現抑制剤。
【請求項４】
注射剤及び経口投与剤であることを特徴とする請求項１記載のサイトカイン関連遺伝子の発現抑制剤。
【請求項５】
−Ｄ−グルクロン酸−β−１，３−Ｄ−Ｎ−アセチルグルコサミン−β−１，４−を１単位とし、これを１個〜１０個含む２糖〜２０糖の低分子量ヒアルロナンを有効成分とするケモカイン関連遺伝子の発現抑制剤。
【請求項６】
上記低分子量ヒアルロナンのうち、１単位を２個含む４糖であることを特徴とする請求項５記載のケモカイン関連遺伝子の発現抑制剤。
【請求項７】
注射剤及び経口投与剤であることを特徴とする請求項５記載のケモカイン関連遺伝子の発現抑制剤。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月23日(2007.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
成分Ｂが、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、メタクリルオキシプロピルトリエトキシシランおよびその組み合わせから選択される請求項１記載の複合材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明のいくつかの具体例において、成分Ｂは式：
Ｒｂ−Ｓｉ−（ＯＲａ）３
（式中、各Ｒａは独立して、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルおよびｔｅｒｔ−ブチルから選択されるか；あるいは各Ｒａはメチルおよびエチルから選択され；Ｒｂは置換または非置換のエチレン性不飽和ヒドロカルビル基から選択されるか；あるいはＲｂはアクリレートおよびメタクリレートから選択される）の少なくとも１つの有機シランモノマーを含み；よって、成分Ｂはメタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、メタクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、およびその組み合わせから選択されうる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明のいくつかの具体例において、未硬化バインダー組成物は緩衝液をさらに含むことができる。これらの具体例のいくつかの態様において、緩衝液はｐＨ７の中性緩衝液である。これらの具体例のいくつかの態様において、緩衝液は、ＮａＨＣＯ３およびＮａＨ２ＰＯ４の組み合わせを含む。これらの具体例のいくつかの態様において、緩衝液は、本質的にＮａＨＣＯ３およびＮａＨ２ＰＯ４の組み合わせからなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
本発明のいくつかの具体例において、複合材料の製造方法は：（ａ）（ｉ）（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸アルキルエステル誘導体、スチレンおよびスチレン誘導体から選択される少なくとも１つのモノマーを含む成分Ａ；（ｉｉ）式：
Ｒｂ−Ｓｉ−（ＯＲａ）３
（式中、各Ｒａは独立して、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルおよびｔｅｒｔ−ブチルから選択され；Ｒｂは、置換または非置換のエチレン性不飽和ヒドロカルビル基から選択される）の少なくとも１つのシランモノマーを含む成分Ｂ；および（ｉｉｉ）少なくとも１つの連鎖移動剤を含む成分Ｃ：からフリーラジカル重合により製造されるバインダーコポリマーを含む未硬化バインダー組成物を提供することを含む；ただし、硬化したバインダー組成物は＜１重量％（固形分基準）の重合可能な不飽和カルボン酸モノマー由来の単位を含有し、かつ未硬化バインダー組成物は＜０．５重量％（固形分基準）のコロイド状シリカを含有する。これらの具体例のいくつかの態様において、バインダーコポリマーは、６０〜９５重量％；あるいは８０〜９５重量％；あるいは８５〜９５重量％（固形分基準）の成分Ａを含む。これらの具体例のいくつかの態様において、成分Ａは少なくとも１つの（メタ）アクリル酸アルキルエステルを含む。これらの具体例のいくつかの態様において、少なくとも１つの（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレートおよびその組み合わせから選択される。これらの具体例のいくつかの態様において、バインダーコポリマーは、５〜４０重量％；あるいは５〜２０重量％（固形分基準）の成分Ｂを含む。これらの具体例のいくつかの態様において、成分Ｂは、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、メタクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、およびその組み合わせから選択される少なくとも１つのシランモノマーを含む。これらの具体例のいくつかの態様において、バインダーコポリマーは、０．１〜１０重量％；あるいは１〜５重量％（固形分基準）の成分Ｃを含む。これらの具体例のいくつかの態様において、成分ＣはｎＤＤＭ、ＭＭＰ、ＭＰＡおよびＢＭＰから選択される少なくとも１つの連鎖移動剤を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月14日(2007.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デスロラタジンおよびモメタゾンフロエートの局所適用を含む併用療法により鼻炎を治療するための医薬の製造における、デスロラタジンの使用。
【請求項２】
デスロラタジンおよびモメタゾンフロエートの局所適用を含む併用療法により鼻炎を治療するための医薬の製造における、モメタゾンフロエートの使用。
【請求項３】
請求項１または請求項２のうちのいずれかに記載の使用であって、前記デスロラタジンおよびモメタゾンフロエートが別個の投薬形状で存在していることを特徴とする、使用。
【請求項４】
請求項１または請求項２のうちのいずれかに記載の使用であって、前記デスロラタジンおよびモメタゾンフロエートが単位投薬形状で存在していることを特徴とする、使用。
【請求項５】
請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の使用であって、前記医薬が水性スプレー式点鼻薬の形状であることを特徴とする、使用。
【請求項６】
請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の使用であって、前記医薬が加圧計量用量吸入器の形状であることを特徴とする、使用。
【請求項７】
薬学的に受容可能な担体中にデスロラタジンおよびモメタゾンフロエートを含有することを特徴とする、流体組成物。
【請求項８】
請求項７に記載の組成物であって、前記デスロラタジンおよびモメタゾンフロエートのうちの一方または両方が懸濁した粒子として存在していることを特徴とする、使用。
【請求項９】
請求項７または請求項８のうちのいずれかに記載の組成物であって、前記担体が水性媒体を含有することを特徴とする、組成物。
【請求項１０】
請求項７または請求項８のうちのいずれかに記載の組成物であって、前記担体が低沸点クロロフルオロカーボン噴霧剤または低沸点フルオロハイドロカーボン噴霧剤を含有することを特徴とする、組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月15日(2007.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水中油型エマルジョンを形成する方法であって、
多糖および有機ポリシロキサン‐ポリオキシアルキレンポリマーを油相に添加すること、および
該油相を水相と混合して、該エマルジョンを形成すること
を含む、方法。
【請求項２】
前記油相が、エマルジョンの質量に対して０．１〜９５質量％の前記多糖、およびエマルジョンの質量に対して０．１〜５０質量％の前記有機ポリシロキサン‐ポリオキシアルキレンポリマーを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記多糖は、アミノ‐多カルボキシレートデンプン誘導体、キサンガム、ヒドロキシエチルセルロースおよびヒドロキシプロピルデンプンフォスフェートから成る群から選択され、前記アミノ‐多カルボキシレートデンプン誘導体は、以下の構造
【化１】
2007106761.tif 000001
（式中、ＳＴ‐Ｏはデンプン分子または化工デンプン分子を表し（ここで無水グルコース単位のヒドロキシ基の水素は以下のように置換されている）、
ＲはＨまたはＣＨ3であり、
Ｒ’はＨ、ＣＨ3またはＣＯＯＭであり、
Ｍは、Ｈ、アルカリ金属、アルカリ土類金属およびアンモニウムから成る群から選択された陽イオンであり、
ｎは２または３であり、
Ｒ”はＨまたは炭素原子数１〜１８のアルキルである）
の一つを有し、
前記有機ポリシロキサン‐ポリオキシアルキレンポリマーは、以下の式
【化２】
2007106761.tif 000002
（式中、ｌは０〜２００であり、ｍは１〜４０であり、ｎは１〜１００であり、ｙは４〜４０であり、ｚは０〜４０であり、ｙ：ｚの質量比は１００：０〜０：１００であり、Ｒは、水素、炭素原子数１〜１６のアルキル、アルコキシおよびアシル基から選択される。）
を有する、請求項１または２のいずれかに記載の方法。
【請求項４】
前記式ＩＩの有機ポリシロキサン‐ポリオキシアルキレンポリマーは、１０〜４０のｌ、１〜１０のｍを有し、（Ｃ2Ｈ4Ｏ）y（Ｃ3Ｈ6Ｏ）z基の分子量は１５０〜３０００であり、Ｒは水素またはＣＨ3である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記多糖は、前記式Ｉのアミノ‐多カルボキシレートデンプン誘導体である、請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
前記式Ｉのデンプン誘導体において、各Ｒ、Ｒ’およびＲ”はＨであり、ＭはＨであり、ｎは２である、請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月28日(2007.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
ＯＰＣ、ＰＰＣ（以下、ＯＰＣも含めてＰＰＣと表現する。）の補正方法は、大きくルール・ベースＰＰＣと、モデル・ルールＰＰＣとに分類される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
ルール・ベースＰＰＣは、設計パターンの幅、もしくはパターン同士の最近接パターン間距離等に応じて、設計パターンを構成するエッジの移動量をルール（テーブル）として規定し、そのルール（テーブル）に従って、最適なエッジの移動量（補正量）を取得する方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
一方、モデル・ルールＰＰＣは、露光光の回折光強度分布を高精度に予測できるリソグラフィシミュレータを用いて、設計パターンと同じパターンがウェハ上に形成されるように、最適なエッジの移動量（補正量）を計算により取得する方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ルール・ベースＰＰＣとモデル・ルールＰＰＣとを組み合わせることにより、より高精度な補正を実現する補正方法も提案されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
ＣＧ配線パターンレイアウトの光強度分布は、ＣＧ配線パターンレイアウトに対してＰＰＣを施し、該ＰＰＣを施して得られたＣＧ配線パターンレイアウトのマスクデータを用いて光学像計算を行い、該光学計算の結果に基づいてウエハ上の光強度分布を算出することにより、取得された。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
図１１はＰＰＣが施されるダミーパターン（ＰＰＣ対象ダミーパターン）ＤＰ１とＰＰＣが施されないダミーパターン（ＰＰＣ非対称ダミーパターン）ＤＰ２を含むＣＧ配線パターンレイアウトを示している。図１１の例では、ＰＰＣ非対称ダミーパターンＤＰ２の対象となるダミーパターンは限定されていない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
図１２は、ＰＰＣ対象ダミーパターンＤＰ１およびＰＰＣ非対称ダミーパターンＤＰ２’を含む、ＣＧ配線パターンレイアウトを示している。ＰＰＣ非対称ダミーパターンＤＰ２’の対象となるダミーパターンは、大型ダミーパターンを含む。大型ダミーパターンにＰＰＣを施さないことにより、ＰＰＣの処理時間を短縮できる。ＭＤＰを行う場合、大型ダミーパターンにＭＤＰを施さないことにより、ＭＤＰの処理時間を短縮できる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月6日(2007.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１放送データ及び第２放送データを含むデジタル放送波を受信する受信部と、
前記受信部で受信したデジタル放送波の第１放送データ又は第２放送データを出力する切換処理部と、
前記第１放送データの受信に適した第１受信エリア情報及び前記第２放送データの受信に適した第２受信エリア情報の少なくとも一方の受信エリア情報を記憶する記憶部と、
現在位置情報を取得する位置情報取得部と、
前記位置情報取得部で取得された現在位置情報及び前記記憶部に記憶された受信エリア情報に基づいて、前記切換処理部を制御する制御部と、
を有することを特徴とするデジタルデータ受信機。
【請求項２】
前記切換処理部から出力された放送データに基づく映像を表示する表示部を更に有する、請求項１に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項３】
第１放送データ及び第２放送データを含むデジタル放送波を受信するデジタル受信部と、
前記デジタル放送波と放送プログラムの内容が同じアナログ放送波を受信するアナログ受信部と、
前記デジタル受信部で受信したデジタル放送波の第１放送データ及び第２放送データ、前記アナログ受信部で受信したアナログ放送波のアナログ放送信号の何れかを出力する切換処理部と、
前記第１放送データの受信に適した第１受信エリア情報及び前記第２放送データの受信に適した第２受信エリア情報を記憶する記憶部と、
現在位置情報を取得する位置情報取得部と、
前記位置情報取得部で取得された現在位置情報と、前記記憶部に記憶された第１受信エリア情報及び第２受信エリア情報に基づいて、前記切換処理部を制御する制御部と、
を有することを特徴とするデジタルデータ受信機。
【請求項４】
前記切換処理部から出力された放送データ又は放送信号に基づく映像を表示する表示部を更に有する、請求項３に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項５】
前記制御部は、前記第１放送データの受信感度及び／又は前記第２放送データの受信感度を検出し、前記切換処理部を制御する、請求項１〜４の何れか一項に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項６】
前記第１放送データの受信感度及び／又は前記第２放送データの受信感度に基づいて、前記受信エリア情報の修正を行うエリア情報修正部を更に有する、請求項１〜５の何れか一項に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項７】
前記第１放送データは固定向けデジタル放送データであり、前記第２放送データは携帯向けデジタル放送データである、請求項１〜６の何れか一項に記載のデジタルデータ受信機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係るデジタルデータ受信機は、第１放送データ及び第２放送データを含むデジタル放送波を受信する受信部と、受信部で受信したデジタル放送波の第１放送データ又は第２放送データを出力する切換処理部と、第１放送データの受信に適した第１受信エリア情報及び前記第２放送データの受信に適した第２受信エリア情報の少なくとも一方の受信エリア情報を記憶する記憶部と、現在位置情報を取得する位置情報取得部と、位置情報取得部で取得された現在位置情報及び記憶部に記憶された受信エリア情報に基づいて切換処理部を制御する制御部を有することを特徴とする。
また、上記課題を解決するために、本発明に係るデジタルデータ受信機は、第１放送データ及び第２放送データを含むデジタル放送波を受信するデジタル受信部と、デジタル放送波と放送プログラムの内容が同じアナログ放送波を受信するアナログ受信部と、デジタル受信部で受信したデジタル放送波の第１放送データ及び第２放送データ、アナログ受信部で受信したアナログ放送波のアナログ放送信号の何れかを出力する切換処理部と、第１放送データの受信に適した第１受信エリア情報及び第２放送データの受信に適した第２受信エリア情報を記憶する記憶部と、現在位置情報を取得する位置情報取得部と、位置情報取得部で取得された現在位置情報と、記憶部に記憶された第１受信エリア情報及び第２受信エリア情報に基づいて切換処理部を制御する制御部を有することを特徴とする。
さらに、上記課題を解決するために、本発明に係るデジタルデータ受信機は、第１放送データから第１映像データを生成する第１映像データ生成部と、第２放送データから第２映像データを生成する第２映像データ生成部と、デジタルデータ受信機の位置情報を取得する位置情報取得部と、第１放送データの受信に適した第１受信エリアに対応した第１受信エリア情報及び第２放送データの受信に適した第２受信エリアに対応した第２受信エリア情報が記憶された記憶部と、現在位置情報、第１受信エリア情報及び第２受信エリア情報に基づいて、第１映像データと第２映像データとの切換えを行う映像切換部と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月8日(2007.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図１３は、空間分割多重伝送システムの構成例を示す。図において、送信器は、シリアルパラレル変換（Ｓ／Ｐ）した各データ系列の送信信号を、符号器、インタリーバ、ＯＦＤＭ変調器を介して送信アンテナ（ここでは４本）から送信する構成である。受信器は、受信アンテナ（ここでは４本）の受信信号をＯＦＤＭ−ＭＩＭＯ復調器で処理し、各データ系列ごとにデインタリーバ、復号器を介してパラレルシリアル変換（Ｐ／Ｓ）して出力する構成である。なお、ＯＦＤＭに空間分割多重伝送を適用した場合には、ＯＦＤＭシンボルの送信タイミングは同期させて送信する必要がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
図１４は、従来のマルチキャリア信号復調回路の構成例を示す（非特許文献１）。ここでは、２つのデータ系列を処理する２多重の受信信号が入力される場合を示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図１５は、IEEE802.11a にて規定されているＯＦＤＭ信号を用いたパケットフォーマットを示す。先頭のＰＬＣＰプリアンブルは、無線パケット信号の受信同期処理に必要な16μsec の既知の固定パターン信号である。10個のショートトレーニングシンボルからなるショートプリアンブル（８μsec ）は、サブキャリア数を12本に間引いた信号として規定され、主にＡＦＣ粗調整やタイミング検出などに利用される。２つのＯＦＤＭシンボルからなるロングプリアンブル（８μsec ）は、52本のサブキャリアすべてに既知パターンを割り当てた信号として規定され、主にＡＦＣ微調整やチャネル推定などに利用される。次に、データ部の伝送速度とパケット長を伝達するＳＩＧＮＡＬと呼ばれるヘッダ信号が送信される。ヘッダ信号は、１つのＯＦＤＭシンボルから構成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図１６は、IEEE802.11a のパケットフォーマットを周波数軸／時間軸の二次元表現で示す。網かけ部分が既知トレーニング信号である。データ部のＯＦＤＭシンボルにも既知トレーニング信号である４本のパイロットサブキャリアが挿入される。受信側では、このパイロットサブキャリアの観測により全サブキャリア共通の位相回転を検出し、基準位相の回転を補正する位相トラッキング処理が行われる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
したがって、例えばIEEE802.11a システムとのバックワードコンパチビィリティを確保しつつ、空間分割多重伝送された信号を復調するためには、図１７に示すIEEE802.11a 信号との共通部分を備えたパケット信号を復調する機能が必要になる。図１８は、IEEE802.11a 信号との共通部分を備えたパケットフォーマットを周波数領域と時間領域の二次元表現で示す。ただし、ＭＩＭＯプリアンブル数は２の場合を示したが、システムの要求およびデータ多重数により様々異なる。空間分割多重された信号から同期を確立し、復調を行うためには、この先頭のプリアンブル信号を用いてタイミング検出を行う必要がある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
しかし、図１４に示す従来のマルチキャリア信号復調回路は、独立に送受信されるパケットモードでの通信ではなく、連続的に送受信される連続モードでの通信を前提としている。また、タイミング同期を確立する場合、粗タイミング検出および精密タイミング検出の２段階の信号処理を必要としており、回路規模および信号処理量が増大して消費電力が大きくなる問題がある。さらに、精密タイミング検出を行うまでにキャリア周波数誤差の検出タイミングが確定しないため、受信信号を遅延させる必要があった。この遅延時間のために、応答信号を返す時間が遅くなり、無線ＬＡＮで適用される単一周波数でのパケットモードによる運用ではスループットが低下する問題がある。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月13日(2007.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に行列状に位置する複数の発光部材と、
各々が少なくとも一つの前記発光部材を覆い、互いに間隙をおいて行列状に位置する複数の導体と、
前記複数の導体を電気的に接続する抵抗体とを有する発光スクリーン構造であって、
前記抵抗体は、行方向に延びる行ストライプ部と列方向に延びる列ストライプ部とを有する格子形状であり、
前記列ストライプ部は、行方向において隣接する導体間の間隙と重ならない位置に配置されている
ことを特徴とする発光スクリーン構造。
【請求項２】
前記行方向において隣接する導体間の間隙は、列方向において隣接する導体間の間隙よりも狭いことを特徴とする請求項１に記載の発光スクリーン構造。
【請求項３】
前記抵抗体の行ストライプ部は、前記列方向において隣接する導体間の間隙部分に位置することを特徴とする請求項２に記載の発光スクリーン構造。
【請求項４】
前記複数の発光部材は、互いに間隙を置いて位置し、互いに隣接する発光部材間に黒色部材を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の発光スクリーン構造。
【請求項５】
前記抵抗体のシート抵抗が、前記黒色部材のシート抵抗より低いことを特徴とする請求項４に記載の発光スクリーン構造。
【請求項６】
前記格子状の抵抗体が、黒色部材に設けられた開口部を介して前記導体と電気的に接続されている請求項４に記載の発光スクリーン構造。
【請求項７】
前記複数の導体の各々の形状が矩形であり、該矩形の角部が曲率を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の発光スクリーン構造
【請求項８】
前記格子状の抵抗体が透明抵抗膜であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の発光スクリーン構造
【請求項９】
前記抵抗体のシート抵抗が１００ｋΩ／□以下である請求項１〜８のいずれかに記載の発光スクリーン構造。
【請求項１０】
前記抵抗体の体積抵抗が１×１０-4Ωｍ以上である請求項１〜９のいずれかに記載の発光スクリーン構造。
【請求項１１】
前記黒色部材の体積抵抗が１００Ωｍ以上である請求項４に記載の発光スクリーン構造。
【請求項１２】
前記黒色部材の体積抵抗が１０ｋΩｍ以上である請求項４に記載の発光スクリーン構造。
【請求項１３】
前記黒色部材のシート抵抗が１００ＭΩ／□以上である請求項４に記載の発光スクリーン構造。
【請求項１４】
複数の電子放出素子と、該電子放出素子に電圧を印加する配線とを備えた電子源基板と、該電子放出素子から放出された電子の照射によって発光する発光部材を備えた発光スクリーン構造とを有する画像形成装置であって、該発光スクリーン構造が請求項１〜１３のいずれかに記載の発光スクリーン構造であることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月1日(2007.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
ステップＳ１０５では、コピーした画像データを自動的にアルバムに仕分けして保存する。例えば、２００４年１月２０日に撮影された画像は「２００４年１月２０日」として分類されたアルバムに保存される。なお、画像データを保存するアルバムは、「年」「月」「日」の順にツリー形式で構成される。具体的には、図６に示すように「２００４年」アルバムの下層に「１月」アルバムを作成し、「１月」アルバムの下層に「２０日」アルバムを作成する。したがって、２００４年１月２０日に撮影された画像は、撮影年で分類された「２００４年」アルバム、および撮影年月で分類された「２００４年１月」アルバムにも所属する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
リモコン３００の操作ボタン３０９の操作によりコピー先のアルバムを決定すると、ステップＳ３０６において図２２（ａ）に示すようなコピー対象画像についての問い合わせ画面が表示される。この問い合わせ画面では、「選択した一枚だけをコピーする」か、あるいは「同じ入力日の画像をすべてコピーする」かをユーザに問い合わせる。これらのメッセージの下には、ステップＳ３０２で選択された画像Ｉ１、および同じ入力日の画像Ｉ２，Ｉ３がサムネイル一覧表示される。なお、ユーザはリモコン３００を用いて画像の隣に表示された矢印キーＫ１を操作することにより、現在問い合わせ画面に表示されていない同入力日の画像を表示させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２４】
また、リモコン３００Ａ〜Ｃに設けられたスクロールホイール３１０や、図４０に示すようにリモコン３００Ｄに設けられた矢印ボタン３２２をオンすることによって、アルバムを切り換えるように構成してもよい。この場合、スクロールホイール３１０や矢印ボタン３２２の操作回数に応じて、記憶部１０１ｂに保存されたアルバムが一つづつ切り替わる。アルバムが切り替わるたびに、切り替わったアルバム内に含まれる画像のサムネイル一覧表示を行う。スライドショー再生中にスクロールホイール３１０や矢印ボタン３２２が操作されると、切り替わった新たなアルバムの画像をサムネイル一覧表示した後、スライドショー表示を開始する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月10日(2007.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と該基板上に設けられたエピタキシャル強誘電体膜とを備えた圧電アクチュエーターにおいて、
前記エピタキシャル強誘電体膜は、該エピタキシャル強誘電体膜の結晶面のうち、前記基板表面の結晶面に垂直な前記エピタキシャル強誘電体膜の結晶面の一つの結晶面をX結晶面、該X結晶面の面間間隔をxとし、前記エピタキシャル強誘電体膜の構成材料のバルク状態でのX結晶面の面間隔をx0としたとき、０．９９７ ≦ x ／ x0 ≦ １．００３であり、残留分極が３５μＣ／ｃｍ2以上、自発分極が８０μＣ／ｃｍ2以上であることを特徴とする圧電アクチュエーター。
【請求項２】
前記エピタキシャル強誘電体膜が、１００ｎｍ以上、１０μｍ以下の膜厚を有することを特徴とする請求項１に記載の圧電アクチュエーター。
【請求項３】
前記エピタキシャル強誘電体膜は、ＰＺＴ、ＰｂＴｉＯ3、ＹＭｎＯ3、Ｙ2Ｏ3、ＰｂＺｒＯ3のいずれかを含むことを特徴とする請求項1または２に記載の圧電アクチュエーター。
【請求項４】
前記エピタキシャル強誘電体膜は、非鉛系の強誘電体材料であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の圧電アクチュエーター。
【請求項５】
前記エピタキシャル強誘電体膜は、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9のいずれかを含むことを特徴とする請求項４に記載の圧電アクチュエーター。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の圧電アクチュエーターを用いて液体を吐出する液体吐出ヘッド。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれかに記載の圧電アクチュエーターの製造方法において、
スパッタリング法によって前記基板上に前記強誘電体膜をエピタキシャルに形成する成膜工程を有することを特徴とする圧電アクチュエーターの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧電アクチュエーター、圧電アクチュエーターの製造方法、液体吐出ヘッド
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、強誘電体薄膜素子に関するものであり、強誘電体薄膜の自発分極が薄膜素子の素子特性向上に関与する素子、例えば、不揮発性メモリ等に関する。また、本発明は、エピタキシャル強誘電体膜の圧電特性を利用する圧電アクチュエーターおよびこれを含む構成を有する圧電アクチュエーター部を有する液体吐出ヘッド並びに圧電アクチュエーターの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の更に他の目的は、基板と該基板上に設けられたエピタキシャル強誘電体膜とを備えた圧電アクチュエーターにおいて、前記エピタキシャル強誘電体膜は、該エピタキシャル強誘電体膜の結晶面のうち、前記基板表面の結晶面に垂直な前記エピタキシャル強誘電体膜の結晶面の一つの結晶面をX結晶面、該X結晶面の面間間隔をxとし、前記エピタキシャル強誘電体膜の構成材料のバルク状態でのX結晶面の面間隔をx0としたとき、０．９９７ ≦  x ／ x0 ≦ １．００３であり、残留分極が３５μＣ／ｃｍ2以上、自発分極が８０μＣ／ｃｍ2以上であることを特徴とする圧電アクチュエーターを提供することである。また、本発明の更に他の目的は、上記本発明の圧電アクチュエーターの製造方法において、スパッタリング法によって前記基板上に前記強誘電体膜をエピタキシャルに形成する成膜工程を有することを特徴とする圧電アクチュエーターの製造方法を提供することである。また、本発明の更に他の目的は、上記圧電アクチュエーターを用いて液体を吐出する液体吐出ヘッドを提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、上記目的を達成した本発明は、
基板と該基板上に設けられたエピタキシャル強誘電体膜とを備えた圧電アクチュエーターにおいて、
前記エピタキシャル強誘電体膜は、該エピタキシャル強誘電体膜の結晶面のうち、前記基板表面の結晶面に垂直な前記エピタキシャル強誘電体膜の結晶面の一つの結晶面をX結晶面、該X結晶面の面間間隔をxとし、前記エピタキシャル強誘電体膜の構成材料のバルク状態でのX結晶面の面間隔をx0としたとき、０．９９７ ≦  x ／ x0 ≦ １．００３であり、残留分極が３５μＣ／ｃｍ2以上、自発分極が８０μＣ／ｃｍ2以上であることを特徴とする圧電アクチュエーターである。
また、上記目的を達成した本発明は、上記本発明の圧電アクチュエーターの製造方法において、
スパッタリング法によって前記基板上に前記強誘電体膜をエピタキシャルに形成する成膜工程を有することを特徴とする圧電アクチュエーターの製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月25日(2007.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局と少なくとも１台の端末から構成される無線通信システムであって、
前記基地局が、自局の存在を前記端末に通知することを目的とした無線信号を送信する機能を備え、
前記端末が、前記基地局の存在を通知する信号のための通信チャネルで受信を行い、該通信チャネルの受信信号の電力を測定する機能を備え、
受信電力測定の結果が所定の値より大きい場合に、前記基地局が該端末の通信範囲内に存在することを特徴とする無線通信システム。
【請求項２】
上記基地局が、自局の存在を端末に通知することを目的とした無線信号を送信するための通信チャネルのために第一の搬送波周波数使用し、上記端末との通信に用いる別の通信チャネルのために前記第一の搬送波周波数と異なる第二の搬送波周波数を使用し、
上記端末が、前記第一の搬送波周波数で前記基地局の存在を通知する信号の受信電力を測定し、受信電力測定の結果が所定の値より大きい場合に、第二の搬送波周波数を用いて基地局と通信することを特徴とした、請求項１に記載の無線通信システム。
【請求項３】
上記基地局が、自局の存在を前記端末に通知することを目的とした無線信号を所定の第一の周期で送信し、
上記端末が、所定の第二の周期で前記基地局の存在を通知する信号の受信電力を測定し、前記第一の周期の逓倍と第二の周期とが異なることを特徴とした請求項１記載の無線通信システム。
【請求項４】
上記端末が前記基地局の存在を通知する信号の受信電力を測定する際、前記端末が、ローノイズアンプを有し、前記ローノイズアンプの出力信号の大きさを測定することを特徴とした、請求項１記載の無線通信システム。
【請求項５】
基地局と少なくとも１台の端末から構成される無線通信システムにおける端末であって、
所定の通信チャネルを検出する第１の受信部と、該検出された所定の通信チャネルにおける受信信号の信号処理を行う第２の受信部と、前記第１及び第２の受信部に選択的に電力を供給する電源部とを有し、
該端末が自局の通信範囲内に基地局が存在するか否かを判断するために、前記電源部は前記第１の受信部に電力を供給し、
前記第１の受信部は、前記基地局から送信される、該基地局の存在を通知するための無線信号を送信する前記所定の通信チャネルを検出し、該通信チャネルにおける受信電力を測定し、該受信電力に基づいて自局の通信範囲内に基地局が存在するか否かを判定することを特徴とする端末。
【請求項６】
請求項５記載の端末であって、該端末が自局の通信範囲内に基地局が存在するか否かを判断する際には、前記電源部は前記第２の受信部には電力を供給しないことを特徴とする端末。
【請求項７】
請求項５記載の端末であって、前記第２の受信部は、少なくとも前記第１の受信部で受信された信号を復調する復調部を有することを特徴とする端末。
【請求項８】
請求項５に記載の端末であって、前記第１の受信部はアナログ回路を含む受信部であり、前記第２の受信部はディジタル回路を含む受信部であることを特徴とする端末。
【請求項９】
請求項５記載の端末であって、前記基地局の存在を通知するための無線信号を送信する所定の通信チャネルは搬送波周波数により規定される通信チャネルであることを特徴とする端末。
【請求項１０】
基地局と少なくとも１台の端末から構成される無線通信システムのための端末における基地局検知方法であって、
該端末は、所定の通信チャネルを検出する第１の受信部と、該検出された所定の通信チャネルにおける受信信号の信号処理を行う第２の受信部と、前記第１及び第２の受信部に選択的に電力を供給する電源部とを有し、
該端末が自局の通信範囲内に基地局が存在するか否かを判断するために、前記電源部から前記第１の受信部に電力を供給し、
前記第１の受信部において、前記基地局から送信される、該基地局の存在を通知するための無線信号を送信する前記所定の通信チャネルを検出し、該通信チャネルにおける受信電力を測定し、該受信電力に基づいて自局の通信範囲内に基地局が存在するか否かを判定することを特徴とする基地局検出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月9日(2007.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発熱素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】不純物を拡散させて導電性を具備させたシリコンを材料とし、１又は複数の孔部を設けたことを特徴とする発熱素子。
【請求項２】前記シリコンの基板をエッチング加工して作製することを特徴とする請求項１記載の発熱素子。
【請求項３】前記開孔部はスリットであることを特徴とする請求項１記載の発熱素子。
【請求項４】前記スリットは、角部分をとった又は角部分に丸みを持たせたスリットであることを特徴とする請求項３記載の発熱素子。
【請求項５】前記開孔部は貫通孔であることを特徴とする請求項１記載の発熱素子。
【請求項６】前記不純物はホウ素であることを特徴とする請求項１記載の発熱素子。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月23日(2007.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも光入射側から順に、第１の光起電力素子と第２の光起電力素子とが積層された積層型光起電力素子であって、該第１の光起電力素子と該第２の光起電力素子との間に、当該第１、第２の光起電力素子とを電気的に直列接続するように設けられた選択反射層を備え、前記第２の光起電力素子の分光特性が最大となる波長λｍａｘ±１００ｎｍの範囲内のいずれかの波長を有する光が前記第１の光起電力素子で共振をする構造であることを特徴とする積層型光起電力素子。
【請求項２】  前記第２の光起電力素子の分光特性が最大となる波長λｍａｘ−５０ｎｍから波長λｍａｘ＋１００ｎｍの範囲内のいずれかの波長を有する光が前記第１の光起電力素子で共振をする構造であることを特徴とする請求項１に記載の積層型光起電力素子。
【請求項３】  前記選択反射層と第１の光起電力素子との界面におけるλｍａｘ以下の波長での反射率が、前記選択反射層と第１の光起電力素子との界面におけるλｍａｘ以上の波長での反射率よりも大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載の積層型光起電力素子。
【請求項４】  前記第１の光起電力素子が少なくともｐｉｎ型接合を有し、該ｉ型層が非晶質Ｓｉ：Ｈであることを特徴とする請求項３に記載の積層型光起電力素子。
【請求項５】  前記第２の光起電力素子が少なくともｐｉｎ型接合を有し、該ｉ型層が微結晶質Ｓｉであることを特徴とする請求項４に記載の積層型光起電力素子。
【請求項６】  前記第２の光起電力素子が少なくともｐｎ型接合を有し、該ｐ型、ｎ型半導体が単結晶または多結晶Ｓｉであることを特徴とする請求項４に記載の積層型光起電力素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成すべく本発明の積層型光起電力素子は、少なくとも光入射側から順に、第１の光起電力素子と第２の光起電力素子とが積層された積層型光起電力素子であって、該第１の光起電力素子と該第２の光起電力素子との間に、当該第１、第２の光起電力素子とを電気的に直列接続するように設けられた選択反射層を備え、前記第２の光起電力素子の分光特性が最大となる波長λｍａｘ（以下、「λｍ」と言う。）±１００ｎｍの範囲内のいずれかの波長を有する光が前記第１の光起電力素子で共振をする構造であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また本発明の選択反射層と第１の光起電力素子との界面におけるλｍａｘ以下の波長での反射率は前記選択反射層と第１の光起電力素子との界面におけるλｍａｘ以上の波長での反射率よりも大きいことが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月16日(2007.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒートローラと、
前記ヒートローラの外側に設けられ、そのヒートローラを誘導加熱するための高周波磁界を発するコイルと、
を備え、
前記コイルは前記ヒートローラの軸方向に沿って配置された複数のコイルからなり、これらコイルのうち前記ヒートローラの軸方向端部と対応する部位と前記ヒートローラの表面との間の距離が、同コイルの他の部位と前記ヒートローラの表面との間の距離よりも、小さく設定されている、
ことを特徴とする定着装置。
【請求項２】
前記ヒートローラは、芯金の上に断熱層、金属層、剥離層を順に積層して構成されていることを特徴とする請求項１に記載の定着装置。
【請求項３】
前記ヒートローラの表面に加圧状態で接するプレスローラと、
前記プレスローラの外側に設けられ、そのプレスローラを誘導加熱するための高周波磁界を発するコイルと、
をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の定着装置。
【請求項４】
ヒートローラと、
前記ヒートローラの外側に設けられ、そのヒートローラを誘導加熱するための高周波磁界を発するコイルと、
を備え、
前記コイルは前記ヒートローラの軸方向に沿って配置された複数のコイルからなり、これらコイルのうち前記ヒートローラの軸方向端部と対応する部位が前記ヒートローラの軸方向と直行する方向に拡がっている、
ことを特徴とする定着装置。
【請求項５】
前記ヒートローラは、芯金の上に断熱層、金属層、剥離層を順に積層して構成されていることを特徴とする請求項４に記載の定着装置。
【請求項６】
前記ヒートローラの表面に加圧状態で接するプレスローラと、
前記プレスローラの外側に設けられ、そのプレスローラを誘導加熱するための高周波磁界を発するコイルと、
をさらに備えていることを特徴とする請求項４に記載の定着装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１に係る発明の定着装置は、ヒートローラと、このヒートローラの外側に設けられ、そのヒートローラを誘導加熱するための高周波磁界を発するコイルと、を備えている。そして、上記コイルは上記ヒートローラの軸方向に沿って配置された複数のコイルからなり、これらコイルのうち上記ヒートローラの軸方向端部と対応する部位と上記ヒートローラの表面との間の距離が、同コイルの他の部位と上記ヒートローラの表面との間の距離よりも、小さく設定されている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月21日(2007.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１個の光通信ポートを有する支持面と、
長形の遠位端と、底面が前記支持面に固定されたフランジ付き近位端とを有する少なくとも１本の整列ピンと、
を備えることを特徴とする光ファイバコネクタ。
【請求項２】
前記整列ピンの前記フランジ付き近位端が停止縁部を備え、
前記長形の遠位端が、組み合わされる相手の光ファイバコネクタの整列孔内に挿入される時に、組み合わされる相手の前記光ファイバコネクタの表面が前記停止縁部に当たることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項３】
前記停止縁部が、各々の前記光通信ポートと、組み合わされる相手の前記光ファイバコネクタの個々の光通信ポートとの間の光学的結合を最適にするように選択された距離だけ、前記支持面から離間配置されることを特徴とする請求項２に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項４】
前記停止縁部は、組み合わされる相手の前記光ファイバコネクタの前記表面が前記停止縁部に当たる時に、前記支持面に対して平行ではないように構成されることを特徴とする請求項２に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項５】
各々の前記光通信ポートが、組み合わされる相手の前記光ファイバコネクタの個々の光通信ポートに対して位置決めされるように選択された個々の位置において、２本の整列ピンが前記支持面に固定されることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項６】
少なくとも１個の光通信ポートを有する支持面と、
弾性部材により互いに結合される一対の整列ピンであって、各々が長形の遠位端と、底面が前記支持面に固定されるフランジ付き近位端とを有する整列ピンと、
を備えることを特徴とする光ファイバコネクタ。
【請求項７】
前記弾性部材が、前記整列ピンが互いに近づく方向にも、互いから離れる方向にも選択的に移動することを可能にするように構成および配置されるばね領域を備えることを特徴とする請求項６に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項８】
前記弾性部材が、前記整列ピンにほぼ垂直な平面に屈曲部を備えることを特徴とする請求項６に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項９】
各々の整列ピンのフランジ付き近位端が、前記支持面から離れて上方に屈曲し、前記支持面と相俟って内部に接着剤を収容する個々の凹部を形成する個々の領域を備えることを特徴とする請求項６に記載の光ファイバコネクタ。
【請求項１０】
長形の遠位端と、底面を有するフランジ付き近位端とを有する少なくとも１本の整列ピンを設けることと、
各々の整列ピンの前記近位端の底面を、少なくとも１個の光通信ポートを有する支持面に固定することと、
を備えることを特徴とする光ファイバコネクタの製造方法。