【手続補正書】
【提出日】平成19年11月7日(2007.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素と複数のソース信号線と複数のゲート信号線と複数の電源線がマトリクス状に配置され、
前記画素は、一端がソース信号線に接続され、他端が電流電圧変換素子に接続された第一のスイッチと、
一端が前記電流電圧変換素子に接続され、他端が保持手段と電圧電流変換素子に接続された第二のスイッチと、
前記電流電圧変換素子および前記電圧電流変換素子に接続された画素電極と、
一端が前記画素電極に接続され、他端が前記電源線に接続された第三のスイッチと、
前記画素電極を一方の電極とする発光素子とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
複数の画素と複数のソース信号線と複数のゲート信号線と複数の電源線がマトリクス状に配置され、
前記画素は、一端がソース信号線に接続され、他端が第一の薄膜トランジスタのドレイン端子に接続された第一のスイッチと、
一端が前記第一の薄膜トランジスタのドレイン端子に接続され、他端が前記第一の薄膜トランジスタのゲート端子と保持手段と第二の薄膜トランジスタのゲート端子に接続された第二のスイッチと、
前記第一の薄膜トランジスタのソース端子、および前記第二の薄膜トランジスタのソース端子又はドレイン端子のいずれか一方に接続された画素電極と、
一端が前記画素電極に接続され、他端が前記電源線に接続された第三のスイッチと、
前記画素電極を一方の電極とする発光素子とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
複数の画素と複数のソース信号線と複数のゲート信号線と複数の電源線がマトリクス状に配置され、
前記画素は、一端がソース信号線に接続され、他端が第一の薄膜トランジスタのドレイン端子とゲート端子に接続された第一のスイッチと、
一端が前記第一の薄膜トランジスタのドレイン端子とゲート端子に接続され、他端が前記保持手段と第二の薄膜トランジスタのゲート端子に接続された第二のスイッチと、
前記第一の薄膜トランジスタのソース端子、および前記第二の薄膜トランジスタのソース端子又はドレイン端子のいずれか一方に接続された画素電極と、
一端が前記画素電極に接続され、他端が前記電源線に接続された第三のスイッチと、
前記画素電極を一方の電極とする発光素子とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項２乃至請求項３に記載のいずれか一項において、
前記第一の薄膜トランジスタのソース端子、および前記第二の薄膜トランジスタのソース端子又はドレイン端子のいずれか一方は抵抗を介して画素電極に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４に記載のいずれか一項において、
前記第一の薄膜トランジスタおよび前記第二の薄膜トランジスタは異なるゲート幅を有することを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項２乃至請求項５に記載のいずれか一項において、
前記第一の薄膜トランジスタおよび前記第二の薄膜トランジスタは同一の極性を持つことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項２乃至請求項６に記載のいずれか一項において、
前記第一の薄膜トランジスタおよび前記第二の薄膜トランジスタはＮ型薄膜トランジスタであり、且つ、画素電極は発光素子の陽極であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項２乃至請求項７に記載のいずれか一項において、
前記第一の薄膜トランジスタおよび前記第二の薄膜トランジスタはセミアモルファス薄膜トランジスタであることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項２乃至請求項７に記載のいずれか一項において、
前記第一の薄膜トランジスタおよび前記第二の薄膜トランジスタはアモルファス薄膜トランジスタであることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項２乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第一の薄膜トランジスタおよび前記第二の薄膜トランジスタのゲート電極、ソース・ドレイン配線は液滴吐出法を用いて形成された薄膜トランジスタであることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０に記載のいずれか一項において、
前記第一のスイッチ、前記第二のスイッチおよび前記第三のスイッチは同一のゲート信号線によって制御されることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１０に記載のいずれか一項において、
前記第一のスイッチおよび前記第二のスイッチは異なるゲート信号線によって制御されることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
複数の画素と複数のソース信号線と複数のゲート信号線と複数の電源線がマトリクス状に配置され、
前記画素は、一端がソース信号線に接続され、他端が電流電圧変換素子に接続された第一のスイッチと、
一端が前記電流電圧変換素子に接続され、他端が保持手段と電圧電流変換素子に接続された第二のスイッチと、
前記電流電圧変換素子および前記電圧電流変換素子に接続された画素電極と、
一端が前記画素電極に接続され、他端が前記電源線に接続された第三のスイッチと、
前記画素電極を一方の電極とする発光素子とを有する画素部を表示媒体として組み込んだことを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
複数の画素と複数のソース信号線と複数のゲート信号線と複数の電源線がマトリクス状に配置され、
前記画素は、一端がソース信号線に接続され、他端が第一の薄膜トランジスタのドレイン端子に接続された第一のスイッチと、
一端が前記第一の薄膜トランジスタのドレイン端子に接続され、他端が前記第一の薄膜トランジスタのゲート端子と保持手段と第二の薄膜トランジスタのゲート端子に接続された第二のスイッチと、
前記第一の薄膜トランジスタのソース端子、および前記第二の薄膜トランジスタのソース端子又はドレイン端子のいずれか一方に接続された画素電極と、
一端が前記画素電極に接続され、他端が前記電源線に接続された第三のスイッチと、
前記画素電極を一方の電極とする発光素子とを有する画素部を表示媒体として組み込んだことを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
複数の画素と複数のソース信号線と複数のゲート信号線と複数の電源線がマトリクス状に配置され、
前記画素は、一端がソース信号線に接続され、他端が第一の薄膜トランジスタのドレイン端子とゲート端子に接続された第一のスイッチと、
一端が前記第一の薄膜トランジスタのドレイン端子とゲート端子に接続され、他端が前記保持手段と第二の薄膜トランジスタのゲート端子に接続された第二のスイッチと、
前記第一の薄膜トランジスタのソース端子、および前記第二の薄膜トランジスタのソース端子又はドレイン端子のいずれか一方に接続された画素電極と、
一端が前記画素電極に接続され、他端が前記電源線に接続された第三のスイッチと、
前記画素電極を一方の電極とする発光素子とを有する画素部を表示媒体として組み込んだことを特徴とする電子機器。
【請求項１６】
請求項１４乃至請求項１５に記載のいずれか一項において、
前記第一の薄膜トランジスタのソース端子、および前記第二の薄膜トランジスタのソース端子又はドレイン端子のいずれか一方は抵抗を介して画素電極に接続されていることを特徴とする電子機器。
【請求項１７】
請求項１４乃至請求項１６に記載のいずれか一項において、
前記第一の薄膜トランジスタおよび前記第二の薄膜トランジスタは異なるゲート幅を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１８】
請求項１４乃至請求項１７に記載のいずれか一項において、
前記第一の薄膜トランジスタおよび前記第二の薄膜トランジスタは同一の極性を持つことを特徴とする電子機器。
【請求項１９】
請求項１４乃至請求項１８に記載のいずれか一項において、
前記第一の薄膜トランジスタおよび前記第二の薄膜トランジスタはＮ型薄膜トランジスタであり、且つ、画素電極は発光素子の陽極であることを特徴とする電子機器。
【請求項２０】
請求項１４乃至請求項１９に記載のいずれか一項において、
前記第一の薄膜トランジスタおよび前記第二の薄膜トランジスタはセミアモルファス薄膜トランジスタであることを特徴とする電子機器。
【請求項２１】
請求項１４乃至請求項１９に記載のいずれか一項において、
前記第一の薄膜トランジスタおよび前記第二の薄膜トランジスタはアモルファス薄膜トランジスタであることを特徴とする電子機器。
【請求項２２】
請求項１４乃至請求項２１に記載のいずれか一項において、
前記第一の薄膜トランジスタおよび前記第二の薄膜トランジスタのゲート電極、ソース・ドレイン配線は液滴吐出法を用いて形成された薄膜トランジスタであることを特徴とする電子機器。
【請求項２３】
請求項１３乃至請求項２２に記載のいずれか一項において、
前記第一のスイッチ、前記第二のスイッチおよび前記第三のスイッチは同一のゲート信号線によって制御されることを特徴とする電子機器。
【請求項２４】
請求項１３乃至請求項２２に記載のいずれか一項において、
前記第一のスイッチおよび前記第二のスイッチは異なるゲート信号線によって制御されることを特徴とする電子機器。