Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月29日(2008.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  一般式１
【化１】
2004511556.tif 000001
の化合物（必要により個々の光学異性体、個々の鏡像体の混合物又はラセミ体の形態であってもよい）。
〔式中、
Ａは
【化２】
2004511556.tif 000002
の中から選ばれた二重結合基を表し、
X-は単一の負の電荷を有する陰イオンを表し、
R1及びR2は必要によりヒドロキシ又はハロゲンにより置換されていてもよいC1-C4-アルキルを表し、
R3、R4、R5、R6、R7及びR8（これらは同じであってもよく、また異なっていてもよい）は水素、C1-C4-アルキル、C1-C4-アルキルオキシ、ヒドロキシ、CF3、CN、NO2又はハロゲンを表し、但し、基R3、R4及びR7の少なくとも一つが水素ではなく、かつ、基R5、R6及びR8の少なくとも一つが水素ではないことを条件とする〕
【請求項２】  
Ａが
【化３】
2004511556.tif 000003
の中から選ばれた二重結合基を表し、
X-が塩化物、臭化物、メチルサルフェート、4-トルエンスルホネート及びメタンスルホネートの中から選ばれた単一の負の電荷を有する陰イオンを表し、
R1及びR2（これらは同じであってもよく、また異なっていてもよい）がメチル、エチル、n-プロピル及びイソ-プロピル（これらは必要によりヒドロキシ又はフッ素により置換されていてもよい）の中から選ばれた基を表し、
R3、R4、R5、R6、R7及びR8（これらは同じであってもよく、また異なっていてもよい）が水素、メチル、エチル、メチルオキシ、エチルオキシ、ヒドロキシ、フッ素、塩素、臭素、CN、CF3又はNO2を表し、但し、基R3、R4及びR7の少なくとも一つが水素ではなく、かつ、基R5、R6及びR8の少なくとも一つが水素ではないことを条件とする請求の範囲第１項記載の一般式１の化合物（必要により個々の光学異性体、個々の鏡像体の混合物又はラセミ体の形態であってもよい）。
【請求項３】  
Ａが
【化４】
2004511556.tif 000004
の中から選ばれた二重結合基を表し、
X-が臭化物イオンを表し、
R1及びR2（これらは同じであってもよく、また異なっていてもよい）がメチル又はエチルを表し、
R3、R4、R5、R6、R7及びR8（これらは同じであってもよく、また異なっていてもよい）が水素、メチル、メチルオキシ、フッ素、塩素又は臭素を表し、但し、基R3、R4及びR7の少なくとも一つが水素ではなく、かつ、基R5、R6及びR8の少なくとも一つが水素ではないことを条件とする請求の範囲第１項又は第２項記載の一般式１の化合物（必要により個々の光学異性体、個々の鏡像体の混合物又はラセミ体の形態であってもよい）。
【請求項４】  
Ａが
【化５】
2004511556.tif 000005
の中から選ばれた二重結合基を表し、
X-が臭化物イオンを表し、
R1及びR2（これらは同じであってもよく、また異なっていてもよい）がメチル又はエチルを表し、
R3、R4、R5、R6、R7及びR8（これらは同じであってもよく、また異なっていてもよい）が水素、フッ素、塩素又は臭素を表し、但し、基R3、R4及びR7の少なくとも一つが水素ではなく、かつ、基R5、R6及びR8の少なくとも一つが水素ではないことを条件とする請求の範囲第１項、第２項又は第３項記載の一般式１の化合物（必要により個々の光学異性体、個々の鏡像体の混合物又はラセミ体の形態であってもよい）。
【請求項５】  
Ａが
【化６】
2004511556.tif 000006
の中から選ばれた二重結合基を表し、
X-が臭化物イオンを表し、
R1及びR2がメチルを表し、
R3、R4、R5、R6、R7及びR8（これらは同じであってもよく、また異なっていてもよい）が水素又はフッ素を表し、但し、基R3、R4及びR7の少なくとも一つが水素ではなく、かつ、基R5、R6及びR8の少なくとも一つが水素ではないことを条件とする請求の範囲第１項〜第４項の一項記載の一般式１の化合物（必要により個々の光学異性体、個々の鏡像体の混合物又はラセミ体の形態であってもよい）。
【請求項６】  医薬組成物を製造するための、請求の範囲第１項〜第５項の一項記載の一般式１の化合物の使用。
【請求項７】  請求の範囲第１項〜第５項の一項記載の一般式１の化合物を含む医薬組成物。
【請求項８】  喘息、慢性閉塞性肺疾患（COPD）、迷走神経誘発洞性徐脈、心臓律動障害、胃腸道の痙攣、尿道の痙攣及び月経障害の治療のための医薬組成物を調製するための請求の範囲第１項〜第５項の一項記載の一般式１の化合物の使用。
【請求項９】  必要により通常の賦形剤及び／又は担体と組み合わされてもよい、請求の範囲第１項〜第５項の一項記載の一般式１の一種以上の化合物又はその生理学上許される塩を活性物質として含むことを特徴とする医薬製剤。
【請求項１０】  医薬製剤が、式１の一種以上の化合物に加えて、β擬態、抗アレルギー薬、PAF-アンタゴニスト、ロイコトリエン-アンタゴニスト及びステロイドの中から選ばれる少なくとも一種の更なる活性物質を含むことを特徴とする請求の範囲第９項記載の医薬製剤。
【請求項１１】  一般式１
【化７】
2004511556.tif 000007
（式中、Ａ、X-並びに基R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及びR8は請求の範囲第１項〜第５項に示された意味を有する）
の化合物の調製方法であって、
第一工程で一般式３
【化８】
2004511556.tif 000008
（式中、基R3、R4、R5、R6、R7及びR8は請求の範囲第１項〜第５項に示された意味を有し、かつＲはC1-C4-アルキルを表す）
の化合物を式２
【化９】
2004511556.tif 000009
（式中、Ａ及びR1は請求の範囲第１項〜第５項に示された意味を有してもよい）の化合物と反応させて、式４
【化１０】
2004511556.tif 000010
（式中、Ａ並びに基R1、R3、R4、R5、R6、R7及びR8は請求の範囲第１項〜第５項に示された意味を有する）
の化合物を得、続いてこれを化合物R2-X（式中、R2及びＸは請求の範囲第１項〜第５項に示された意味を有してもよい）と反応させることにより四級化することを特徴とする上記化合物の調製方法。
【請求項１２】  一般式４
【化１１】
2004511556.tif 000011
（式中、Ａ並びに基R1、R3、R4、R5、R6、R7及びR8は請求の範囲第１項〜第５項に示された意味を有する）
の中間体生成物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年9月1日(2008.9.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、少なくとも１つのＴｉ−ハロゲン結合を有するＴｉ化合物および、特定の種類から選択される電子供与性化合物の少なくとも２つが担持されているＭｇジハライド系担体を含む、オレフィン、特にプロピレンの重合用触媒成分に関する。本発明は、該成分から得られる触媒および、オレフィンの重合方法におけるそれらの使用にさらに関する。本発明の触媒は、高いキシレン不溶性、広範囲のアイソタクチシティおよび特に、ステレオブロックの非常に高い含有量による状態を特徴とするプロピレンホモポリマーを高収率で得ることが可能である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
芳香族カルボン酸の好ましいエステルは、置換されていてもよい、安息香酸およびフタル酸のＣ１〜Ｃ２０のアルキルまたはアリールエステルから選択される。該酸のアルキルエステルが好ましい。特に好ましいのは、Ｃ１〜Ｃ６直鎖状または分岐状のアルキルエステルである。特定な例は、安息香酸エチル、安息香酸ｎ−ブチル、ｐ−メトキシ安息香酸エチル、ｐ−エトキシ安息香酸エチル、安息香酸イソブチル、トルエン酸エチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジ−ｎ−プロピル、フタル酸ジ−ｎ−ブチル、フタル酸ジ−ｎ−ペンチル、フタル酸ジ−ｉ−ペンチル、フタル酸ビス（２−エチルヘキシル）、フタル酸エチル−イソブチル、フタル酸エチル−ｎ−ブチル、フタル酸ジ−ｎ−ヘキシル、フタル酸ジイソブチルである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
これらの製造法のいずれかにおいて、所望の電子供与性化合物および特にカルボン酸のエステルから選択されたものをそのまま加えることができ、または代わりに、エステル化、エステル交換反応等のような公知の化学反応を用いて、所望の電子供与性化合物に変換することができる適当な前駆体を用いることによりその場で（in situ）得ることができる。
用いられる製造方法にかかわらず、２以上の電子供与性化合物の最終的な量はＭｇＣｌ２に対して０．０１〜１、好ましくは０．０５〜０．５のモル比となるようなものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月9日(2008.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ポリイソシアネート化合物およびポリ活性水素化合物から誘導されたポリウレタンポリマーを含むポリマー組成物であって、前記ポリウレタンポリマーが、このポリウレタンポリマーの主鎖に沿って側鎖としておよび／または末端位におけるペンダント基として、有効量の共有結合した抗微生物活性四級アンモニウム基を有し、この抗微生物活性四級アンモニウム基が次式（Ｉ）：
【化１】
2004511582.tif 000001
（式中、ｍは１または２であり、
ｐは１であり、
ｍ＋ｑ＝３という条件でｑ＝１または２であり、
ｘは６〜２０であり、
ｙは２〜８であり、
ｚは２〜１０であり、
ＬはＯ、Ｓ、ＮＲ5またはＮＨであり、Ｒ5はＣ1-4アルキルまたはベンジルであり、
各Ｒ4は独立してＣ1-4アルキル、フェニルまたはＣ6-8アラルキルであり、そして
Ｑ-はハロゲン、アルキルスルフェートまたはカルボキシレート、スルホネート、スルフェート、ホスホネートまたはホスフェートである）
の化合物から誘導され、または
次式（II）：
【化２】
2004511582.tif 000002
（式中、Ｒ1はＨまたはＣＨ3であり、
Ｒ5はＣ2-8アルキレンであり、
Ｑ-はハロゲン、アルキルスルフェート、アルキルスルホネートまたはカルボキシレートであり、
Ｚ+は−Ｎ+（Ｒ4）2Ｒ3、−Ｎ+Ｒ4（Ｒ3）2、
【化３】
2004511582.tif 000003
であり、
Ｒ3はＣ8-20アルキル、ベンジルまたは置換ベンジルであり、
各Ｒ4は独立にＣ1-4アルキル、フェニルまたはＣ6-8アラルキルであり、そして
Ｒ6はＨまたはＣ1-4アルキルである）
のアルキルアミノアクリレート化合物であるポリマー組成物。
【請求項２】  前記抗微生物活性四級アンモニウム基が式（Ｉ）の化合物から誘導されかつアルキルアミドプロピルジメチルヒドロキシアルキルアンモニウム塩である、請求項１記載のポリマー組成物。
【請求項３】  前記ポリウレタンポリマーがカチオン安定化部分を含む、請求項１記載のポリマー組成物。
【請求項４】  少なくとも１つの抗微生物活性四級アンモニウム基が式（II）のアルキルアミノアクリレート化合物から誘導されかつ付加重合基上に位置し、前記ポリウレタンポリマーがモノオールもしくはポリオールビニル系化合物から誘導され、前記ポリウレタンポリマーを形成するために使用されるイソシアネートの全当量が、前記ポリウレタンポリマーおよび前記モノオールもしくはポリオールビニル系化合物を形成するために使用される前記ポリ活性水素化合物により寄与される活性水素基の当量より大きく、付加重合基が前記モノオールもしくはポリオールビニル系化合物と少なくとも１つの抗微生物性四級アンモニウム基を有するビニル系化合物の反応により形成され、前記モノオールビニル系化合物がアルキルアルコール、アリルアミン、または下式
【化４】
2004511582.tif 000004
（式中、ＹはＯまたはＮＨであり、
Ｒ1はＨまたはＣＨ3であり、
Ｒ5はＣ2-8アルキレンである）
のヒドロキシアルキルアクリル化合物、またはこれらの混合物より選ばれる、請求項１記載のポリマー組成物。
【請求項５】  前記モノオールビニル系化合物が、ヒドロキシエチルメタクリレートまたはヒドロキシエチルアクリレートである、請求項４記載のポリマー組成物。
【請求項６】  式（II）のアルキルアミノアクリレート化合物が、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ドデシル−Ｎ−エチルメタクリロイル塩、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ヘキサデシル−Ｎ−エチルメタクリロイル塩、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ベンジル−Ｎ−ラウロイルメタクリロイル塩、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−（２，４−ジクロロベンジル）−Ｎ−エチルメタクリロイル塩、Ｎ，Ｎ−ジエチル−Ｎ−ヘキサデシル−Ｎ−エチルメタクリロイル塩のようなＮ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−アルキル−Ｎ−アルキルメタクロイルアンモニウム塩の群より選ばれ、対イオンが塩化物、臭化物、沃化物、Ｃ1-4アルキルスルフェート、スルフェート、またはカルボキシレートから選ばれる、請求項１記載のポリマー組成物。
【請求項７】  請求項１記載のポリマー組成物によりコーティングされた基材を含む物品。
【請求項８】  ポリイソシアネート化合物およびポリ活性水素化合物から誘導されたポリウレタンポリマーを含むポリマー組成物であって、前記ポリウレタンポリマーが、このポリウレタンポリマーの主鎖に沿って側鎖としておよび／または末端位におけるペンダント基として、有効量の共有結合した抗微生物活性四級アンモニウム基を有し、この抗微生物活性四級アンモニウム基が次式（III）：
【化５】
2004511582.tif 000005
（式中、ｍは１または２であり、
ｍ＋ｑ＝３という条件でｑ＝１または２であり、
ｘは６〜２０であり、
ｙは２〜８であり、
ｚは２〜１０であり、
ＬはＯ、Ｓ、ＮＲ5またはＮＨであり、Ｒ5はＣ1-4アルキルまたはベンジルであり、
各Ｒ4は独立してＣ1-4アルキル、フェニルまたはＣ6-8アラルキルであり、そして
Ｑ-はハロゲン、アルキルスルフェートまたはカルボキシレート、スルホネート、スルフェート、ホスホネートまたはホスフェートである）
の化合物から誘導されるポリマー組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月3日(2008.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ミラーを作成する方法において：
ミラーブランクを作成するためにガラス材の板を垂下させる工程；及び
完成ミラーを作成するために前記ミラーブランクの上面を研磨する工程；
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】  前記ミラーがＥＵＶリソグラフィ素子であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】  ＥＵＶリソグラフィ素子を作成する方法において：
ガラス材の個片の上面を研削する工程；
ブランクを作成するために前記個片の前記上面にかぶせて前記ガラス材の板を垂下させる工程；及び
完成リソグラフィ素子を作成するために前記ブランクの上面を研磨する工程；
を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】  前記ガラス材が火炎加水分解により作成されることを特徴とする請求項１から３いずれか１項に記載の方法。
【請求項５】  前記ガラス材が超低膨張ガラス材を含むことを特徴とする請求項１から４いずれか１項に記載の方法。
【請求項６】  前記超低膨張ガラス材が５℃から３５℃の温度範囲において約３０ｐｐｂ/℃をこえない熱膨張係数を有することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年5月27日(2008.5.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５】
コーティング及び加熱したガラスを急冷する前に、賦形処理を行う請求項２乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
ガラスの熱硬化又は賦形処理には６００℃以上の温度が必要である。その際このガラスは軟化状態になり、引続きこのガラスに空気を迅速に吹付けることで冷却される。この工程時に破壊強度を高め、かつ極めて小さく、従って危険のない破片を伴う破壊をもたらす応力状態を保存する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
本発明のもう１つの実施形態では、コーティング及び加熱したガラスに、急冷前に賦形処理を施す。このコーティング及び加熱したガラスを急冷する前に、例えば曲げてもよい。曲げたガラスは、例えば車輌の風防ガラスに使える。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月23日(2008.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＥＧ-ＶＥＧＦ又はＥＧ-ＶＥＧＦをコードするポリヌクレオチドを含有してなり、内分泌腺内皮細胞の増殖、分化又は開窓を選択的に誘導する際に使用するための医薬であって、ここでのＥＧ-ＶＥＧＦは、配列番号：２のアミノ酸残基２０−１０５と少なくとも８０％の同一性を有するアミノ酸配列を含み、ヒトの臍静脈内皮(ＨＵＶＥＣ)細胞ではなく副腎皮質毛細血管内皮(ＡＣＥ)細胞の増殖又は走化性を誘導するものである医薬。
【請求項２】  ＥＧ-ＶＥＧＦ又はＥＧ-ＶＥＧＦをコードするポリヌクレオチドを含有してなり、内分泌腺内皮細胞の走化性を選択的に誘導する際に使用するための医薬であって、このＥＧ-ＶＥＧＦは請求項１に定義されるものである医薬。
【請求項３】  ＥＧ-ＶＥＧＦ又はＥＧ-ＶＥＧＦをコードするポリヌクレオチドを含有してなり、内分泌組織の血管新生を選択的に誘導する際に使用するための医薬であって、このＥＧ-ＶＥＧＦは請求項１に定義されるものである医薬。
【請求項４】  ＥＧ-ＶＥＧＦのアンタゴニストを含有してなり、内分泌腺内皮細胞の増殖、分化又は開窓を選択的に阻害する際に使用するための医薬であって、このＥＧ-ＶＥＧＦは請求項１に定義されるものである医薬。
【請求項５】  ＥＧ-ＶＥＧＦのアンタゴニストを含有してなり、内分泌組織の内皮細胞増殖又は血管新生を選択的に阻害する際に使用するための医薬であって、このＥＧ-ＶＥＧＦは請求項１に定義されるものである医薬。
【請求項６】  ＥＧ-ＶＥＧＦのアンタゴニストを含有してなり、内分泌組織の内分泌組織腫瘍又は癌を治療する際に使用するための医薬であって、このＥＧ-ＶＥＧＦは請求項１に定義されるものである医薬。
【請求項７】  前記癌がアンドロゲン依存性癌である、請求項６に記載の医薬。
【請求項８】  前記腫瘍が卵巣嚢胞である、請求項６に記載の医薬。
【請求項９】  ＥＧ-ＶＥＧＦのアンタゴニストを含有してなり、繁殖性を制御する際に使用するための医薬であって、このＥＧ-ＶＥＧＦは請求項１に定義されるものである医薬。
【請求項１０】  前記繁殖性が排卵を阻害することによって制御される、請求項９に記載の医薬。
【請求項１１】  前記繁殖性が卵胞成熟を阻害することによって制御される、請求項９に記載の医薬。
【請求項１２】  ＥＧ-ＶＥＧＦのアンタゴニストを含有してなり、多嚢胞性卵巣症候群と関係する不妊性を治療する際に使用するための医薬であって、このＥＧ-ＶＥＧＦは請求項１に定義されるものである医薬。
【請求項１３】  前記アンタゴニストは抗体、その抗原結合断片、アンチセンス分子、又は小分子を含む、請求項４から１２のいずれか一に記載の医薬。
【請求項１４】  前記抗体又は抗体断片はモノクローナル抗体又はモノクローナル抗体断片である、請求項１３に記載の医薬。
【請求項１５】  前記抗体又は抗体断片はヒト化である、請求項１４に記載の医薬。
【請求項１６】  前記抗体断片が、Ｆａｂ、Ｆａｂ'、Ｆ(ａｂ')２'、又はＦｖ断片である、請求項１４又は１５に記載の医薬。
【請求項１７】  ＥＧ-ＶＥＧＦの生物学的活性を調節する化合物を同定する方法であって、
（ａ）候補化合物をＥＧ-ＶＥＧＦと接触させ；そして
（ｂ）内皮細胞増殖又は生存に伴うＭＡＰキナーゼのリン酸化を誘導するＥＧ-ＶＥＧＦの能力の変化を決定する
ことを含んでなり、
該ＭＡＰキナーゼのリン酸化を誘導するＥＧ-ＶＥＧＦの能力を増大させる又は阻害する候補化合物がＥＧ-ＶＥＧＦの生物学的活性を調節する化合物として同定され、該ＥＧ-ＶＥＧＦが請求項１に定義されるものである方法。
【請求項１８】  前記ＭＡＰキナーゼがＥＲＫ１又はＥＲＫ２である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】  ＥＧ-ＶＥＧＦの生物学的活性を調節する化合物を同定する方法であって、
（ａ）候補化合物をＥＧ-ＶＥＧＦと接触させ；そして
（ｂ）ＡＣＥ細胞の増殖又は生存を誘導するＥＧ-ＶＥＧＦの能力の変化を決定する
ことを含んでなり、
該ＡＣＥ細胞の増殖又は生存を誘導するＥＧ-ＶＥＧＦの能力を増大させる又は阻害する候補化合物がＥＧ-ＶＥＧＦの生物学的活性を調節する化合物として同定され、該ＥＧ-ＶＥＧＦが請求項１に定義されるものである方法。
【請求項２０】  ＡＣＥ細胞の増殖又は生存を誘導するＥＧ-ＶＥＧＦの能力を増大させる候補化合物がＥＧ-ＶＥＧＦのアゴニストとして同定される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】  ＡＣＥ細胞の増殖又は生存を誘導するＥＧ-ＶＥＧＦの能力を阻害する候補化合物がＥＧ-ＶＥＧＦのアンタゴニストとして同定される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】  前記内分泌腺内皮細胞がステロイド産生内皮細胞である、請求項１から１６のいずれか一に記載の医薬。
【請求項２３】  前記内分泌腺内皮細胞ないしは組織が、卵巣、睾丸、子宮、子宮頸管、前立腺、副腎又は膵臓内皮細胞である、請求項１から１６のいずれか一に記載の医薬。
【請求項２４】  前記ＥＧ-ＶＥＧＦポリペプチドが天然のＥＧ-ＶＥＧＦのアミノ酸配列を含む、請求項１から１６のいずれか一に記載の医薬。
【請求項２５】  前記ＥＧ-ＶＥＧＦポリペプチドが配列番号：２の残基２０−１０５を含む、請求項１から１６のいずれか一に記載の医薬。
【請求項２６】  前記ＥＧ-ＶＥＧＦポリペプチドが配列番号：２のアミノ酸配列を含む、請求項１から１６のいずれか一に記載の医薬。
【請求項２７】  前記ＥＧ-ＶＥＧＦポリペプチドが配列番号：１のヌクレオチド９１−４０５の核酸配列を含むポリヌクレオチドによってコードされる、請求項１から１６のいずれか一に記載の医薬。
【請求項２８】  前記ポリヌクレオチドが配列番号：１のヌクレオチド９１−４０５の核酸配列を含む、請求項１から３のいずれか一に記載の医薬。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月23日(2008.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７５】  血管新生を阻害するための医薬組成物であって、細胞を、血管新生を阻害するために充分な量の請求項1に記載の抗原結合蛋白を含み、ここで抗原結合部位のうち少なくとも1個はVEGFレセプターに特異的である、医薬組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７６】  前記抗原結合部位のうち少なくとも1個がKDRに特異的である、請求項75に記載の医薬組成物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７７】  前記抗原結合部位のうち少なくとも1個がFLT1に特異的である、請求項75に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月7日(2008.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の式：
【化１】
2004511462.tif 000001
（式中、
AはC5-20アリール基であり、かつ以下：
-F、-Cl、-Br、-I、
-OH、
-OMe、-OEt、
-SH、-SMe、-SEt、
-C(=O)Me、-C(=O)OH、-C(=O)OMe、
-CONH2、-CONHMe、
-NH2、-NMe2、-NEt2、-N(nPr)2、-N(iPr)2、
-CN、
-NO2、
-Me、-Et、
-CF3、-OCF3、
-CH2OH、-CH2CH2OH、
-CH2NH2、-CH2CH2NH2、及び
-Phから独立して選択される１個以上の置換基；又は以下：
-OH、
-OMe、-OEt、-O(tBu)、-OCH2Ph、
-C(=O)OMe、-C(=O)OEt、-C(=O)O(tBu)、
-C(=O)NH2、-C(=O)NHMe、-C(=O)NMe2、-C(=O)NHEt、
-NH2、-NHMe、-NHEt、-NH(iPr)、-NH(nPr)、-NMe2、-NEt2、-N(iPr)2、
-N(nPr)2、-N(nBu)2、-N(tBu)2、
-Me、-Et、-nPr、iPr、-nBu、-tBu、
-CF3、-CHF2、-CH2F、-CCl3、-CBr3、-CH2CH2F、-CH2CHF2、-CH2CF3、
-CH2OH、-CH2CH2OH、-CH(OH)CH2OH、
-CH2NH2、-CH2CH2NH2、及び
-CH2CH2NMe2から独立して選択される１個以上の置換基で置換されていてもよく；
Q1は共有結合又はC1-7アルキレン基であり;並びに
R1は水素又はC1-7アルキル基である）
であらわされる化合物、並びにそれらの薬学的に許容される塩及び溶媒和物から選択される化合物。
【請求項２】
Q1が共有結合である、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
Q1が飽和C1-7アルキレン基である、請求項１記載の化合物。
【請求項４】
Q1が部分的に不飽和のC2-7アルキレン基である、請求項１記載の化合物。
【請求項５】
Q1が脂肪族C1-7アルキレン基である、請求項１記載の化合物。
【請求項６】
Q1が直鎖C1-7アルキレン基である、請求項１記載の化合物。
【請求項７】
Q1が飽和脂肪族C1-7アルキレン基である、請求項１記載の化合物。
【請求項８】
Q1が飽和直鎖C1-7アルキレン基である、請求項１記載の化合物。
【請求項９】
Q1が部分的に不飽和の脂肪族C2-7アルキレン基である、請求項１記載の化合物。
【請求項１０】
Q1が部分的に不飽和の直鎖C2-7アルキレン基である、請求項１記載の化合物。
【請求項１１】
Q1が-CH2-、-CH2CH2-、及び-CH=CH-から選択される、請求項１〜１０のいずれか１項記載の化合物。
【請求項１２】
Aが置換されていてもよいフェニル基である、請求項１〜１１のいずれか１項記載の化合物。
【請求項１３】
Aが置換されていないフェニル基である、請求項１〜１１のいずれか１項記載の化合物。
【請求項１４】
R1が水素、又は飽和脂肪族C1-7アルキル基である、請求項１〜１３のいずれか１項記載の化合物。
【請求項１５】
R1が-H、-Me、-Et、-nPr、-iPr、-nBu、-sBu、又は-tBuである、請求項１〜１３のいずれか１項記載の化合物。
【請求項１６】
R1が、-H、-Me、又は-Etである、請求項１〜１３のいずれか１項記載の化合物。
【請求項１７】
R1が-Hである、請求項１〜１３のいずれか１項記載の化合物。
【請求項１８】
以下の式：
【化２】
2004511462.tif 000002
であらわされる化合物、並びにそれらの薬学的に許容される塩及び溶媒和物から選択される、請求項１記載の化合物。
【請求項１９】
以下の式：
【化３】
2004511462.tif 000003
であらわされる化合物、並びにそれらの薬学的に許容される塩及び溶媒和物から選択される、請求項１記載の化合物。
【請求項２０】
以下の式：
【化４】
2004511462.tif 000004
であらわされる化合物から選択される、請求項１記載の化合物。
【請求項２１】
以下の式：
【化５】
2004511462.tif 000005
であらわされる化合物から選択される、請求項１記載の化合物。
【請求項２２】
請求項１〜２１のいずれか１項記載の化合物と製薬上許容される担体又は希釈剤とを含む医薬組成物。
【請求項２３】
人間又は動物の体を治療する方法に使用するための請求項１〜２１のいずれか１項記載の化合物。
【請求項２４】
人間又は動物の体の増殖性症状を治療する方法に使用するための請求項１〜２１のいずれか１項記載の化合物。
【請求項２５】
人間又は動物の体の癌を治療する方法に使用するための請求項１〜２１のいずれか１項記載の化合物。
【請求項２６】
人間又は動物の体の乾癬を治療する方法に使用するための請求項１〜２１のいずれか１項記載の化合物。
【請求項２７】
増殖性症状の治療に使用する薬剤を製造するための請求項１〜２１のいずれか１項記載の化合物の使用。
【請求項２８】
癌の治療に使用する薬剤を製造するための請求項１〜２１のいずれか１項記載の化合物の使用。
【請求項２９】
乾癬の治療に使用する薬剤を製造するための請求項１〜２１のいずれか１項記載の化合物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月9日(2008.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  安定した支持構造体上に配置された容器内の流体をポンプ送り又は混合するためのシステムであって、
前記容器内に設置するための磁気インペラと、
前記磁気インペラを浮上させるための少くとも１つの超伝導素子と、
前記超伝導素子に熱的にリンクされた冷却源と、
前記磁気インペラに回転を誘導するために前記超伝導素子を回転させるための原動デバイスと、
から成ることを特徴とする流体ポンプ送り又は混合システム。
【請求項２】  前記超伝導素子を熱的に隔絶するチャンバーを画定する壁を含み、該壁及びチャンバーが、該超伝導素子と一緒に回転される構成とされている請求項１に記載の流体ポンプ送り又は混合システム。
【請求項３】  前記冷却源への熱的リンクが、前記チャンバーの少くとも一部分を貫通して延長して前記超伝導素子を直接支持しており、該チャンバーを画定する前記壁は、回転運動を可能にする軸受によって支持されており、前記原動デバイスは、無端ベルトによって前記チャンバーに結合されたモータであり、該無端ベルトが、該モータの回転運動を前記壁及び熱的リンクに伝達して前記超伝導素子を回転させる請求項２に記載の流体ポンプ送り又は混合システム。
【請求項４】  前記磁気インペラは、該磁気インペラが回転されたとき所望のポンプ送り又は混合する働きをする少くとも１つのブレード又はベーンを備えている請求項１〜３のいずれか１項に記載の流体ポンプ送り又は混合システム。
【請求項５】  前記容器は、入口と出口を有する遠心ポンプ送りヘッドであり、前記磁気インペラの回転によって前記流体を該入口から出口へ圧送する請求項１に記載の流体ポンプ送り又は混合システム。
【請求項６】  前記入口は、前記ポンプ送りヘッドの、前記超伝導素子に近接する側とは反対側の容器壁に設けられている請求項５に記載の流体ポンプ送り又は混合システム。
【請求項７】  前記磁気インペラは、前記超伝導素子の回転軸線に対して非対称の磁界を創生するように互いに異なる極性を有する第１磁石と第２磁石を含む請求項１に記載の流体ポンプ送り又は混合システム。
【請求項８】  前記容器は、可撓袋から成る請求項１〜７のいずれか１項に記載の流体ポンプ送り又は混合システム。
【請求項９】  前記冷却源は、ロッドによって前記超伝導素子に熱的にリンクされた、液体寒剤を収容した容器である請求項１〜８のいずれか１項に記載の流体ポンプ送り又は混合システム。
【請求項１０】  前記冷却源は、前記超伝導素子を冷却することができる冷凍機である請求項１〜８のいずれか１項に記載の流体ポンプ送り又は混合システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
更に、クライオスタット１２の外側壁１８又はその他のハウジングは、超伝導素子２０を流体Ｆ及び磁気軸受１４を収容した容器１６から熱的に隔絶し離隔させるチャンバー２５を画定する。この熱的隔絶は、チャンバー２５を拔気するか、チャンバー２５に断熱材を充填することによって与えられる。この熱的隔絶及び離隔のお陰で、超伝導素子２０を容器１６及び磁気軸受１４に隣接した外側壁又はハウジング１８に密に近接させて配置することができ、それによって、磁気軸受１４と超伝導素子２０との間の離隔間隔即ち間隙を大幅に縮減することができる。それによって、浮上する磁気軸受１４の磁気剛性及び負荷容量を高め、磁気軸受を粘性の流体又は比較的大容量の流体に使用するのに適したものとすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2004511902.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６ｂ】
2004511902.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８ｂ】
2004511902.tif 000003
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2004511902.tif 000004
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２ｃ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２ｃ】
2004511902.tif 000005
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2004511902.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月9日(2008.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電性材料と誘電体材料との間に第１の界面層を備え、
前記第１の界面層が酸化アルミニウムおよびランタニド酸化物からなる群から選択され、膜厚が４分子単層以下であり、
前記誘電体材料が、１０より大きい誘電率を有することを特徴とする集積回路。
【請求項２】
前記第１の導電性材料がシリコンを含む請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
前記第１の導電性材料が単結晶のシリコン構造である請求項１に記載の集積回路。
【請求項４】
前記第１の導電性材料がシリコン−ゲルマニウム合金である請求項１に記載の集積回路。
【請求項５】
前記誘電体材料の、前記第１の界面層が位置する面と反対側の面に、直接接している第２の界面層と、
前記第２の界面層の真上にある第２の導電性材料とをさらに備え、
前記第２の界面層が酸化アルミニウムおよびランタニド酸化物からなる群から選択され、膜厚が４分子単層以下であり、
前記第２の導電性材料がゲート電極を備え、
前記第１の界面層、前記誘電体材料、及び前記第２の界面層が、集積トランジスタ用のゲート誘電体を形成することを特徴とする請求項１に記載の集積回路。
【請求項６】
前記誘電体材料の、前記第１の界面層が位置する面と反対側の面に、直接接触している第２の界面層と、
前記第２の界面層の真上にある第２の導電性材料とをさらに備え、
前記第２の界面層が酸化アルミニウムおよびランタニド酸化物からなる群から選択され、４分子単層以下の膜厚を有する請求項１に記載の集積回路。
【請求項７】
前記導電性材料がシリコン基板を備え、
前記第２の導電性材料がゲート電極を備え、
前記界面層、誘電体材料および第２の界面層が集積トランジスタのゲート誘電体を形成する請求項６に記載の集積回路。
【請求項８】
前記導電性材料がメモリセル内に蓄積電極を備え、
前記第２の導電性材料が参照電極を備え、
前記界面層、誘電体材料および第２の界面層が集積コンデンサのコンデンサ誘電体を形成する請求項６に記載の集積回路。
【請求項９】
前記第１の界面層の膜厚が３Å〜１５Åである請求項１に記載の集積回路。
【請求項１０】
前記第１の界面層の膜厚が３Å〜９Åである請求項９に記載の集積回路。
【請求項１１】
導電性材料と誘電体材料との間に、複数の交互の界面層および誘電体層を備え、
各界面層が酸化アルミニウムおよびランタニド酸化物からなる群から選択され、その膜厚が１Å〜１５Åであり、
各誘電体層の誘電率が５より大きい集積回路。
【請求項１２】
各界面層が酸化アルミニウムを含み、各誘電体層が酸化ジルコニウムを含む請求項１１に記載の集積回路。
【請求項１３】
誘電体スタックを集積回路中に形成する方法であって、
半導体基板の上に、酸化アルミニウムまたはランタニド酸化物を堆積させるステップと、
前記酸化アルミニウムまたはランタニド酸化物の真上に、少なくとも５の誘電率を有する誘電体材料を堆積させるステップとを含み、
前記酸化アルミニウムまたは前記ランタニド酸化物が、
第１の反応種にさらすことにより、半導体基板の上にアルミニウムまたはランタニド複合体の１単層だけを形成すること、および、
酸素ソースガスを第１の材料と反応させて、１単層だけの酸化アルミニウムまたは酸化ランタニドを前記半導体基板の上に形成すること
を含む少なくとも１つのサイクルによって堆積される方法。
【請求項１４】
前記サイクルを３〜１５回繰り返して、酸化アルミニウムまたはランタニド酸化物の界面層を形成することをさらに含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記誘電体材料を堆積させた後にさらに前記サイクルを少なくとも１回繰り返して、酸化アルミニウムまたはランタニド酸化物の最上位の界面層を形成することを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
シリコン含有層を最上位の前記界面層の上に堆積させることをさらに含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
酸化アルミニウムおよびランタニド酸化物からなる群から選択された中間酸化物層で分離された少なくとも２つの高誘電率層を備え、
各高誘電率層の誘電率が１０より大きいことを特徴とし、
前記中間酸化物層の膜厚が１０Å以下であるナノラミネート構造。
【請求項１８】
２つの前記高誘電率層の各々の外側に外部酸化物層をさらに備え、前記外部酸化層は、酸化アルミニウムおよびランタニド酸化物からなる群から選択され、その膜厚は４分子単層以下である請求項１７に記載のナノラミネート構造。
【請求項１９】
前記外部酸化物層の膜厚が１０Åであり、前記中間酸化物層の膜厚が５Åである請求項１８に記載のナノラミネート構造。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月25日(2008.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ反応チャンバ内で基板支持体を取り囲むように構成された結合リングアセンブリであって、
環状の支持面を有する部材と、
前記環状支持面上の静電エッジリングチャックと、
前記基板支持体上に配置された基板の下面とエッジリングの上面との間に間隙を提供するように寸法付けられた、前記静電エッジリングチャック上のエッジリングと、
を備えることを特徴とする結合リングアセンブリ。
【請求項２】
前記静電エッジリングチャックは、１つ又は複数の埋込み電極を含むセラミック体を含むことを特徴とする請求項１に記載の結合リングアセンブリ。
【請求項３】
前記静電エッジリングチャックは、接着剤で前記支持面に接着されていることを特徴とする請求項１に記載の結合リングアセンブリ。
【請求項４】
前記部材及び前記静電エッジリングチャックを通って延びる少なくとも１つのガス通路を更に備え、
前記ガス通路は、前記静電エッジリングチャックの露出面に伝熱ガスを供給するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の結合リングアセンブリ。
【請求項５】
前記静電エッジリングチャックは、バイポーラチャックを含むことを特徴とする請求項１に記載の結合リングアセンブリ。
【請求項６】
プラズマ反応チャンバであって、
前記プラズマ反応チャンバ内で基板支持体を取り囲むように構成されたエッジリングクランピングアセンブリを備え、
前記エッジリングクランピングアセンブリは、
環状支持面を有する部材と、
前記環状支持面上の静電エッジリングチャックと、
前記基板支持体上に配置されたウエハの下面とエッジリングの上面との間に間隙を提供するように寸法付けられた前記エッジリングチャック上のエッジリングと、
を備えることを特徴とするプラズマ反応チャンバ。
【請求項７】
前記基板支持体はベースプレートを備え、前記ベースプレートは、その上面に静電ウエハチャックを有することを特徴とする請求項６に記載のプラズマチャンバ。
【請求項８】
前記部材の下面は前記基板支持体の上面に接触することを特徴とする請求項６に記載のプラズマチャンバ。
【請求項９】
前記ウエハチャックの上面は、前記エッジリングチャックの上面よりも高いことを特徴とする請求項７に記載のプラズマチャンバ。
【請求項１０】
前記ウエハチャックとエッジリングチャックとの間の前記ベースプレートに溝を備えることを特徴とする請求項７に記載のプラズマチャンバ。
【請求項１１】
前記エッジリングは、導電性材料を含むことを特徴とする請求項６に記載のプラズマチャンバ。
【請求項１２】
前記エッジリングは、シリコンを含むことを特徴とする請求項１１に記載のプラズマチャンバ。
【請求項１３】
前記エッジリングは、その上面の内側のエッジに窪みを有し、前記窪みは、前記ウエハチャックに搭載されたウエハの下に嵌められるように構成されていることを特徴とする請求項７に記載のプラズマチャンバ。
【請求項１４】
前記ベースプレートは、導電性材料を含むことを特徴とする請求項７に記載のプラズマチャンバ。
【請求項１５】
前記ベースプレートは、ＲＦ駆動される電極であることを特徴とする請求項１４に記載のプラズマチャンバ。
【請求項１６】
前記プラズマ反応チャンバは、前記ベースプレートに対向する上部電極を有する平行平板リアクタを含むことを特徴とする請求項１５に記載のプラズマチャンバ。
【請求項１７】
ウエハの外端が、前記ウエハの下面と前記エッジリングの上面との間に前記間隙をもって前記エッジリングにかぶさるように前記ウエハチャック上に搭載されるウエハを含むことを特徴とする請求項１６に記載のプラズマチャンバ。
【請求項１８】
前記ウエハは、前記エッジリングの内側のエッジにかぶさることを特徴とする請求項１７に記載のプラズマチャンバ。
【請求項１９】
前記間隙は、最大で約０．００５０８〜約０．００７６２ｃｍ（約０．００２〜約０．００３インチ）の間隔を有することを特徴とする請求項１７に記載のプラズマチャンバ。
【請求項２０】
前記エッジリングクランピングアセンブリは、前記基板支持体にボルト締め又はネジ止めされていることを特徴とする請求項６に記載のプラズマチャンバ。
【請求項２１】
当該プラズマチャンバは、半導体エッチング装置であることを特徴とする請求項６に記載のプラズマチャンバ。
【請求項２２】
請求項７に記載のプラズマチャンバで半導体基板を処理する方法であって、
ウエハを前記ウエハチャックに静電気的にクランプする工程と、
前記エッジリングチャックに前記エッジリングを静電気的にクランプする工程と、
前記プラズマチャンバの内側にプロセスガスを供給する工程と、
前記プロセスガスにエネルギを与えてプラズマ状態にする工程と、
前記プラズマを用いて前記ウエハを処理する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２３】
前記エッジリングの対向面と前記環状支持面との間に伝熱ガスを供給することによって、前記エッジリングの温度を調節する工程を更に含むことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記静電エッジリングチャックは、前記基板支持体上に搭載されたセラミック体の外側部分を含み、
前記セラミック体は、前記静電エッジチングチャックの径方向内側に配置された静電基板チャックを含むことを特徴とする請求項１に記載の結合リングアセンブリ。
【請求項２５】
溝が前記環状支持面に配置され、前記溝は、前記静電エッジリングチャック上にクランプされた前記エッジリングの延長部分を受け入れるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の結合リングアセンブリ。
【請求項２６】
前記基板支持体は、環状フランジを含み、
前記部材は、前記環状フランジ上に搭載された結合リングであることを特徴とする請求項１に記載の結合リングアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月25日(2008.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の構成要件を含む、ストレージセルを有するストレージデバイスを備えた放射線硬化ストレージシステム；
共通に接続されたゲート及び別々のドレインを有する第１ＰＦＥＴ及び第１ＮＦＥＴを備えた第１インバーターであり、該第１ＰＦＥＴのドレインが、Ｐ＋ドレイン拡散層に重なるゲート部分を有するＮＷＥＬＬにおけるＰ＋ドレイン拡散層；
共通に接続されたゲート及び別々のドレインを有する第２ＰＦＥＴ及び第２ＮＦＥＴを備えた第２インバーターであり、該ＰＦＥＴが、Ｐ＋ドレイン拡散層に重なるゲート部分を有するＮＷＥＬＬにおけるＰ＋ドレイン拡散層；
第１及び第２ＰＦＥＴｓのＰ＋ドレイン拡散層を、第１及び第２ＮＦＥＴｓのドレインにそれぞれ接続する第１及び第２の抵抗； 
該第１インバーター及び該第２ＰＦＥＴのＰ＋ドレイン拡散層と、共通して接続されたゲートと接続するドレインを備えた第１パスゲートＰＦＥＴ；
及び、該第２インバーターと該第１ＰＦＥＴのＰ＋ドレイン拡散層と、共通して接続したゲートと接続するドレインを備えた第２パスゲートＰＦＥＴ。
【請求項２】
第１及び第２ＰＦＥＴＳの各々が、それぞれに対応する抵抗値よりも低い値のソース-ドレイン間の抵抗を備えた請求項１記載のシステム。
【請求項３】
該抵抗の各々の抵抗値が、該第１及び第２ＰＦＥＴｓの各々のソース-ドレイン間の抵抗値より１桁大きい抵抗を備えることを特徴とする請求項２記載のシステム。
【請求項４】
各々の抵抗の抵抗値が、ストレージセルのシングルイベントアップセットイミュニティを向上させるように、選択された抵抗を備えた請求項２記載のシステム。
【請求項５】
Ｐ＋ドレイン拡散層に重なるゲート部分が、付加キャパシタンスを備えた請求項１記載のシステム。
【請求項６】
シングルイベントアップセットイミュニティを向上させるように、選択された付加キャパシタンスを備えた請求項５記載のシステム。
【請求項７】
付加キャパシタンスが、０．２〜０．５[pF]である請求項５記載のシステム。
【請求項８】
上記ストレージデバイスが、更に、以下の要件を含む請求項１記載のシステム。
アドレッシング回路；
アドレッシング回路に接続されたワードライン及び相補的なビットラインペア配列；
選択されたワードライン及びビットラインペアの交差領域に配置された多数のストレージセル；
及び、相補的なビットラインペアに接続されたセンスアンプ；
【請求項９】
上記ストレージデバイスに接続された電子システムを含む請求項１記載のシステム。
【請求項１０】
第１及び第２ＰＦＥＴＳの各々が、それぞれに対応する抵抗値よりも低い値のソース-ドレイン間の抵抗を備えることを特徴とする請求項７記載のシステム。
【請求項１１】
該抵抗の各々の抵抗値が、該第１及び第２ＰＦＥＴｓの各々のソース-ドレイン間の抵抗値より１桁大きい抵抗を備えることを特徴とする請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
各々の抵抗の抵抗値が、ストレージセルのシングルイベントアップセットイミュニティを向上させるように、選択された抵抗を備えた請求項１０記載のシステム。
【請求項１３】
Ｐ＋ドレイン拡散層に重なるゲート部分が、付加キャパシタンスを備えた請求項９記載のシステム。
【請求項１４】
電子システムがマイクロプロセッサーを含むことを特徴とする請求項９記載のシステム。
【請求項１５】
シングルイベントアップセットイミュニティを向上させるように、選択された付加キャパシタンスを備えた請求項１３記載のシステム。
【請求項１６】
付加キャパシタンスが、０．２〜０．５[pF]である請求項１３記載のシステム。
【請求項１７】
以下の要件を含む放射線硬化ストレージセルの操作方法；
ストレージセルのインバーターの出力における論理状態を変える、ストレージセルのノード上における粒子衝突（パーティクル・ヒット）の維持；
回路ノードにおけるシングルイベントアップセットイベントの結果として回路に蓄積された臨界電荷からの復帰；
及び、書き込みサイクル時間にそれほど影響を与えないように復帰時間を許容したクロスカップルドインバーターペアを介してフィードバック伝搬を遅延させるＲＣ回路の遅延の増加。
【請求項１８】
以下のものを少なくとも一つ有することを特徴とする請求項１７記載の方法：
インバーターのソース／ドレイン領域におけるキャパシタンスの増加による、衝突されたノードにおける臨界電荷蓄積のイミュニティの増加及び電圧変化を減少させる方法；
Ｎ＋トランジスターに対する衝突から保護するために抵抗性の障壁を用いた電圧降下量の制限方法；
及び、粒子衝突によるいくらかの電圧変化がクロスカップルドインバーターの向かい合っているノード間に蓄積した電荷を分配するオーバーラップキャパシタンスを介して接続することを可能にするようにクロスカップルドインバーターにおけるゲートとドレイン領域間のオーバーラップキャパシタンスからの付加電荷を発生させる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月19日(2008.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両安全装置を始動させるための装置であって、
物体までの距離及び／又は物体とセンサとの間の相対速度に対応する出力を生じさせるように構成された近接センサと、
加速度計と、
前記近接センサ及び前記加速度計から受信した信号に対して衝突アルゴリズムを実行する第１の処理装置と、
前記近接センサ及び前記加速度計から受信した信号に対して安全解除アルゴリズムを実行する第２の処理装置と、
前記第１の処理装置からの信号及び前記第２の処理装置からの信号の同時出力に応答して信号を生じさせる信号発生器と、を有する装置。
【請求項２】
前記第１の処理装置及び前記第２の処理装置は、別々のハードウエアユニットによって構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１の処理装置及び前記第２の処理装置は、個別のハードウエア構成要素によって構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第１の処理装置及び前記第２の処理装置は、集積回路によって構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第１の処理装置及び前記第２の処理装置は各々、それぞれのプリント基板上に装着される、請求項２〜４の何れか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記第１の処理装置及び前記第２の処理装置は、別々のソフトウエア制御プロセッサによって構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記近接センサはレーダーである、請求項１〜６の何れか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記レーダーはドップラーレーダーである、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記加速度計は、所定方向の加速度に感応する、請求項１〜８の何れか１項に記載の装置。
【請求項１０】
前記近接センサは、前記所定方向における物体までの距離を決定するように配向される、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記加速度計を車両に取付けたとき、前記加速度計の前記所定の方向は、車両の長手方向軸線と整列する、請求項９又は１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記加速度計を車両に取付けたとき、前記加速度計の前記所定の方向は、車両の横断方向軸線に平行である、請求項９又は１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記近接センサからの信号は、前記近接センサと物体の間の相対速度ｖrelを表す、請求項１〜１２の何れか１項に記載の装置。
【請求項１４】
前記加速度計からの信号ａがその所定の閾値を超え、しかも、前記相対速度ｖrelがその所定の閾値を超えたとき、前記第１の処理ユニットがその出力を生じさせる、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記感知された加速度ａがその第１の所定の閾値を超え且つその第２の所定の閾値よりも小さく、しかも、前記感知された相対速度ｖrelがその第１の所定の閾値よりも大きく且つその第２の所定の閾値よりも小さいとき、安全解除アルゴリズムを実行する前記第２の処理ユニットがその出力を生じさせる、請求項９に記載の装置。
【請求項１６】
前記加速度計からの出力がａであるとき、前記衝突アルゴリズムを実行する前記第１の処理装置は、前記加速度計からの信号ａ及び前記相対速度ｖrelの関数ｆ（ａ，ｖrel）と定数とを比較する、請求項１３に記載の装置。
【請求項１７】
前記加速度計からの信号ａ及び前記相対速度ｖrelの前記関数ｆ（ａ，ｖrel）は、信号ａの関数と相対速度ｖrelの関数とを乗じた関数
ｆ（ａ，ｖrel）＝ｆ1(a)・ｆ2（ｖrel）
である、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
加速度及び相対速度の前記関数ｆ（ａ，ｖrel）は、加速度ａと、前記相対速度ｖrelのある一定の累乗とを乗じ、それを加速度及び相対速度を測定した時間ｔで除した関数
2008505002.tif 000001
である、請求項１６に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月27日(2008.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【図１】先行技術に従った、波長の関数として用いられ得るフィルタの透過度を概略的に示す図である。
【図２】青、緑、赤、および黄の色印象が線図において色座標にどのように対応させられるかを概略的に示す図である。
【図３ａ】フィルタが基本的に垂直に作用されている照射ジオメトリを備えた前照灯を示す図である。
【図３ｂ】垂直の入射が基本的にいかなる役割も果たさない照射ジオメトリを備えた前照灯を示す図である。
【図４】光学システムに要求される色座標の法定許容領域を示す図である。
【図５】オスラム社製のハロゲン前照灯ランプのスペクトル領域を示す図である。
【図６ａ】図５のランプを用いた前照灯のレイアウトを概略的に示す図である。
【図６ｂ】最適化されたフィルタの色座標の角度依存を示す図である。