【手続補正書】
【提出日】平成19年2月28日(2007.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一絶縁表面上に少なくとも第１のＴＦＴと第２のＴＦＴを有し、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴは前記絶縁表面上に設けられた電極と、
前記電極上に接して設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に接して設けられた島状半導体膜からなる活性層と、
前記活性層上に接して設けられた第２の絶縁層とを有し、
前記第１のＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであり、
前記第２のＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであり、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴはエンハンスメント型ＴＦＴであり、
前記第１のＴＦＴの第２の絶縁層の応力と膜厚の積は、前記第２のＴＦＴの第２の絶縁層の応力と膜厚の積とは異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
同一絶縁表面上に少なくとも第１のＴＦＴと第２のＴＦＴを有し、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴは前記絶縁表面上に設けられた電極と、
前記電極上に接して設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に接して設けられた島状半導体膜からなる活性層と、
前記活性層上に接して設けられた第２の絶縁層とを有し、
前記第１のＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであり、
前記第２のＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであり、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴはディプレッション型ＴＦＴであり、
前記第１のＴＦＴの第２の絶縁層の応力と膜厚の積は、前記第２のＴＦＴの第２の絶縁層の応力と膜厚の積とは異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
同一絶縁表面上に少なくとも第１のＴＦＴと第２のＴＦＴを有し、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴは前記絶縁表面上に設けられた電極と、
前記電極上に接して設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に接して設けられた島状半導体膜からなる活性層と、
前記活性層上に接して設けられた第２の絶縁層とを有し、
前記第１のＴＦＴはエンハンスメント型ＴＦＴであり、前記第２のＴＦＴはディプレッション型ＴＦＴであり、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであり、
前記第１のＴＦＴの第２の絶縁層の応力と膜厚の積は、前記第２のＴＦＴの第２の絶縁層の応力と膜厚の積とは異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
同一絶縁表面上に少なくとも第１のＴＦＴと第２のＴＦＴを有し、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴは前記絶縁表面上に設けられた電極と、
前記電極上に接して設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に接して設けられた島状半導体膜からなる活性層と、
前記活性層上に接して設けられた第２の絶縁層とを有し、
前記第１のＴＦＴはエンハンスメント型ＴＦＴであり、前記第２のＴＦＴはディプレッション型ＴＦＴであり、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであり、
前記第１のＴＦＴの第２の絶縁層の応力と膜厚の積は、前記第２のＴＦＴの第２の絶縁層の応力と膜厚の積とは異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一つにおいて、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴのどちらか一方または両方は、チャネルドープ法により不純物が添加されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一つにおいて、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴのどちらか一方または両方の活性層のチャネル形成領域におけるｎ型またはｐ型不純物濃度が１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一つにおいて、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴのどちらか一方または両方の活性層のチャネル形成領域におけるｎ型またはｐ型不純物濃度は、ＳＩＭＳ分析における検出限界値未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
同一絶縁表面上に少なくとも第１のＴＦＴと第２のＴＦＴを有し、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴは前記絶縁表面上に設けられた電極と、
前記電極上に接して設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に接して設けられた島状半導体膜からなる活性層と、
前記活性層上に接して設けられた第２の絶縁層とを有し、
前記第１のＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであり、
前記第２のＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであり、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴはエンハンスメント型ＴＦＴであり、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴのどちらか一方は、チャネルドープ法により不純物が添加され、
前記第１のＴＦＴにおける第２の絶縁層の応力と膜厚の積は、前記第２のＴＦＴにおける第２の絶縁層の応力と膜厚の積と等しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
同一絶縁表面上に少なくとも第１のＴＦＴと第２のＴＦＴを有し、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴは前記絶縁表面上に設けられた電極と、
前記電極上に接して設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に接して設けられた島状半導体膜からなる活性層と、
前記活性層上に接して設けられた第２の絶縁層とを有し、
前記第１のＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであり、
前記第２のＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであり、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴはディプレッション型ＴＦＴであり、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴのどちらか一方は、チャネルドープ法により不純物が添加され、
前記第１のＴＦＴの第２の絶縁層の応力と膜厚の積は、前記第２のＴＦＴの第２の絶縁層の応力と膜厚の積と等しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
同一絶縁表面上に少なくとも第１のＴＦＴと第２のＴＦＴを有し、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴは前記絶縁表面上に設けられた電極と、
前記電極上に接して設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に接して設けられた島状半導体膜からなる活性層と、
前記活性層上に接して設けられた第２の絶縁層とを有し、
前記第１のＴＦＴはエンハンスメント型ＴＦＴであり、前記第２のＴＦＴはディプレッション型ＴＦＴであり、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであり、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴのどちらか一方は、チャネルドープ法により不純物が添加され、
前記第１のＴＦＴの第２の絶縁層の応力と膜厚の積は、前記第２のＴＦＴの第２の絶縁層の応力と膜厚の積と等しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
同一絶縁表面上に少なくとも第１のＴＦＴと第２のＴＦＴを有し、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴは前記絶縁表面上に設けられた電極と、
前記電極上に接して設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に接して設けられた島状半導体膜からなる活性層と、
前記活性層上に接して設けられた第２の絶縁層とを有し、
前記第１のＴＦＴはエンハンスメント型ＴＦＴであり、前記第２のＴＦＴはディプレッション型ＴＦＴであり、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであり、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴのどちらか一方は、チャネルドープ法により不純物が添加され、
前記第１のＴＦＴの第２の絶縁層の応力と膜厚の積は、前記第２のＴＦＴの第２の絶縁層の応力と膜厚の積と等しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項８乃至１１の何れか一つにおいて、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴのどちらか一方の活性層のチャネル形成領域におけるｎ型またはｐ型不純物濃度が１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であり、
他方の活性層のチャネル形成領域におけるｎ型またはｐ型不純物濃度が１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項８乃至１２の何れか一つにおいて、
前記第１のＴＦＴと前記第２のＴＦＴのどちらか一方の活性層のチャネル形成領域におけるｎ型またはｐ型不純物濃度は、ＳＩＭＳ分析における検出限界値未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３の何れか一つにおいて、
前記ｎチャネル型ＴＦＴは、ドレイン電圧が＋１Ｖ、且つ前記活性層におけるチャネル形成領域の幅１μｍ当たりのドレイン電流値が１ｐＡとなるときのゲート電圧の絶対値が２Ｖ以下であり、
前記ｐチャネル型ＴＦＴは、ドレイン電圧が−１Ｖ、且つ前記活性層におけるチャネル形成領域の幅１μｍ当たりのドレイン電流値が１ｐＡとなるときのゲート電圧の絶対値が２Ｖ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４の何れか一つにおいて、
前記第１の絶縁層は酸化シリコン、窒化シリコン、窒酸化シリコンから選ばれた単層膜または複数の積層膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５の何れか一つにおいて、
前記活性層は、非晶質半導体、多結晶半導体、微結晶半導体から選ばれた単層膜または複数の積層膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６の何れか一つにおいて、
前記第２の絶縁層は酸化シリコン、窒化シリコン、窒酸化シリコンから選ばれた単層膜または複数の積層膜からなることを特徴とする半導体装置。