【手続補正書】
【提出日】平成20年6月25日(2008.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体装置の一連の製造工程を処理するステップと、
前記処理された半導体装置から測定学的データを取得するステップとを含み、前記測定学的データは複数のプロセスステップに関し、さらに、
前記取得された測定学的データを用いて最終クリティカルディメンジョン制御調整プロセスを実行するステップを含み、前記最終クリティカルディメンジョン制御調整プロセスを実行するステップはさらに、前記複数のプロセスステップに関する測定学的データを相互に関係付けるステップと、前記測定学的データの相互関係に基づき前記測定学的データに基づき最終クリティカルディメンジョンエラーを算出するステップと、前記最終クリティカルディメンジョンエラーを算出するステップに応答して、少なくとも１つの制御入力パラメータを修正して、目標のクリティカルディメンジョンに近づくステップとを含み、さらに、
前記最終クリティカルディメンジョン制御調整プロセスに応答して、フィードバックおよびフィードフォワード修正プロセスのうち少なくとも１つを実行するステップを含む、方法。
【請求項２】  半導体装置の一連の工程を実行するステップはさらに、半導体ウェハを処理するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  半導体ウェハを処理するステップはさらに、
前記半導体ウェハ上で金属堆積プロセスを実行するステップと、
前記半導体ウェハ上で、前記金属堆積プロセスの後に続くある期間に、フォトリソグラフィプロセスを実行するステップと、
前記半導体ウェハ上で、前記フォトリソグラフィプロセスの後に続くある期間に、エッチングプロセスを実行するステップと、
測定学的データを取得するステップとを含み、
前記測定学的データを取得するステップはさらに、
前記金属堆積プロセス、前記フォトリソグラフィプロセスおよび前記エッチングプロセスの各々に関連した測定学的データを取得するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  最終クリティカルディメンジョン制御調整プロセスを実行するステップはさらに、
前記金属堆積プロセス、前記フォトリソグラフィプロセスおよび前記エッチングプロセスの各々に関連した前記測定学的データを用いて、最終クリティカルディメンジョンエラ
ーデータを算出するステップと、
前記最終クリティカルディメンジョンエラーデータがデッドゾーン外であるかどうかを判断するステップと、
前記最終クリティカルディメンジョンエラーデータが前記デッドゾーン外であるという判断に基づき、少なくとも１つの制御入力パラメータを修正するステップとを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】  少なくとも１つの制御入力パラメータを修正するステップはさらに、フォトリソグラフィプロセスにおいて露光量を修正するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  少なくとも１つの制御入力パラメータを修正するステップはさらに、フォトリソグラフィプロセスにおいて露光フォーカスを修正するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】  少なくとも１つの制御入力パラメータを修正するステップはさらに、エッチングプロセスにおいてエッチングレシピを修正するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】  少なくとも１つの制御入力パラメータを修正するステップはさらに、高性能プロセス制御装置（ＡＰＣ）上でフィードバックプロセスを実行するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】  少なくとも１つの制御入力パラメータを修正するステップはさらに、高性能プロセス制御装置（ＡＰＣ）上でフィードフォワードプロセスを実行するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】  半導体ウェハを処理するためのシステムであって、
半導体ウェハの表面上に金属物質を堆積させるための金属堆積プロセスツールと、
前記半導体ウェハの前記表面上に金属線を規定するためのフォトリソグラフィツールと、
前記フォトリソグラフィツールによる前記半導体ウェハの処理から結果として生じる材料をエッチングするためのエッチングプロセスツールと、
前記金属堆積プロセスツール、前記フォトリソグラフィツールおよび前記エッチングプロセスツールの各々に電子的に結合された少なくとも１つのマシンインターフェイスとを含み、前記マシンインターフェイスは、前記金属堆積プロセスツール、前記フォトリソグラフィツールおよび前記エッチングプロセスツールの各々に少なくとも１つの制御入力パラメータを送るためのものであり、前記システムはさらに、
前記マシンインターフェイスに電子的に結合されたコンピュータシステムを含み、前記コンピュータシステムは前記マシンインターフェイスを制御するためのものであり、前記システムはさらに、
前記金属堆積プロセスツール、前記フォトリソグラフィツールおよび前記エッチングプロセスツールの各々に結合された少なくとも１つの測定学的ツールを含み、前記測定学的ツールは、金属堆積、フォトリソグラフィおよびエッチングプロセスツールにより処理される半導体ウェハから測定学的データを取得するためのものであり、前記システムはさらに、
前記測定学的ツールおよび前記コンピュータシステムに結合された最終クリティカルディメンジョン制御アルゴリズムユニットを含み、前記最終クリティカルディメンジョン制御アルゴリズムユニットは、前記金属堆積、フォトリソグラフィおよびエッチングプロセスに関する測定学的データの相互関係に基づき最終クリティカルディメンジョンエラーを算出するステップに応答して、前記コンピュータシステムに少なくとも１つの制御入力パラメータを修正させ、フィードバックおよびフィードフォワード調整データのうち少なくとも１つを生成し、目標のクリティカルディメンジョンに近づくためのものである、システム。
【請求項１１】  前記最終クリティカルディメンジョン制御アルゴリズムユニットは前記コンピュータシステムと一体化される、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】  コンピュータシステムと、
前記コンピュータシステムに結合された製造モデルとを含み、前記製造モデルは少なくとも１つの制御入力パラメータ信号を生成および修正するためのものであり、さらに、
前記製造モデルに結合されたマシンインターフェイスを含み、前記マシンインターフェイスは前記製造モデルからプロセスレシピを受取るためのものであり、さらに、
前記マシンインターフェイスに結合され半導体ウェハを処理するための少なくとも１つの処理ツールを含み、前記処理ツールは前記マシンインターフェイスから少なくとも１つの制御入力パラメータ信号を受取るためのものであり、さらに、
前記処理ツールに結合された測定学的ツールを含み、前記測定学的ツールは測定学的データを取得するためのものであり、さらに、
前記測定学的ツールおよび前記コンピュータシステムに結合された最終クリティカルディメンジョン制御アルゴリズムユニットを含み、前記最終クリティカルディメンジョン制御アルゴリズムユニットは、複数のプロセスステップに関する測定学的データに基づき最終クリティカルディメンジョンエラーを算出し、前記最終クリティカルディメンジョンエラーに基づきフィードバックおよびフィードフォワード調整データのうち少なくとも１つを生成し、目標のクリティカルディメンジョンに近づくためのものである、装置。
【請求項１３】  前記コンピュータシステムは、少なくとも１つの制御入力パラメータを修正するための修正データを生成するためのものである、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】  前記製造モデルは、前記修正データに応答して前記制御入力パラメータを修正するためのものである、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】  半導体装置の一連の製造工程を処理するための手段と、
前記処理された半導体装置から測定学的データを取得するための手段とを含み、前記測定学的データは複数のプロセスステップに関し、さらに、
前記取得された測定学的データを用いて最終クリティカルディメンジョン制御調整プロセスを実行するための手段を含み、前記最終クリティカルディメンジョン制御調整プロセスを実行する手段はさらに、前記複数のプロセスステップに関する測定学的データを相互に関係付ける手段と、前記測定学的データの相互関係に基づき前記測定学的データに基づき最終クリティカルディメンジョンエラーを算出する手段と、前記最終クリティカルディメンジョンエラーを算出する手段に応答して、少なくとも１つの制御入力パラメータを修正して、目標のクリティカルディメンジョンに近づく手段とを含み、さらに、
前記最終クリティカルディメンジョン制御調整プロセスに応答して、フィードバックおよびフィードフォワード修正プロセスのうち少なくとも１つを実行するための手段を含む、装置。
【請求項１６】  コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置であって、命令がエンコードされており、コンピュータによって実行された場合に、
半導体装置の一連の製造工程を処理するステップと、
前記処理された半導体装置から測定学的データを取得するステップとを含み、前記測定学的データは複数のプロセスステップに関し、さらに、
前記取得された測定学的データを用いて最終クリティカルディメンジョン制御調整プロセスを実行するステップを含み、前記最終クリティカルディメンジョン制御調整プロセスを実行するステップはさらに、前記複数のプロセスステップに関する測定学的データを相互に関係付けるステップと、前記測定学的データの相互関係に基づき前記測定学的データに基づき最終クリティカルディメンジョンエラーを算出するステップと、前記最終クリティカルディメンジョンエラーを算出するステップに応答して、少なくとも１つの制御入力パラメータを修正して、目標のクリティカルディメンジョンに近づくステップとを含み、さらに、
前記最終クリティカルディメンジョン制御調整プロセスに応答して、フィードバックおよびフィードフォワード修正プロセスのうち少なくとも１つを実行するステップを含む方法を実行する、コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置。
【請求項１７】  コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置であって、命令がエ
ンコードされており、コンピュータによって実行された場合に、
半導体装置の一連の工程を実行するステップはさらに、半導体ウェハを処理するステップを含む、請求項１６に記載の方法を実行する、コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置。
【請求項１８】  コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置であって、命令がエンコードされており、コンピュータによって実行された場合に、
半導体ウェハを処理し測定学的データを取得するステップはさらに、
前記半導体ウェハ上で金属堆積プロセスを実行するステップと、
前記半導体ウェハ上で、前記金属堆積プロセスの後に続くある期間に、フォトリソグラフィプロセスを実行するステップと、
前記半導体ウェハ上で、前記フォトリソグラフィプロセスの後に続くある期間に、エッチングプロセスを実行するステップと、
測定学的データを取得するステップとを含み、
前記測定学的データを取得するステップはさらに、前記金属堆積プロセス、前記フォトリソグラフィプロセスおよび前記エッチングプロセスの各々に関連する測定学的データを取得するステップを含む、請求項１７に記載の方法を実行する、コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置。
【請求項１９】  コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置であって、命令がエンコードされており、コンピュータによって実行された場合に、
最終クリティカルディメンジョン制御調整プロセスを実行するステップはさらに、
前記金属堆積プロセス、前記フォトリソグラフィプロセスおよび前記エッチングプロセスの各々に関連する前記測定学的データを用いて、最終クリティカルディメンジョンエラーデータを算出するステップと、
前記最終クリティカルディメンジョンエラーデータがデッドゾーン外であるかどうかを判断するステップと、
前記最終クリティカルディメンジョンエラーデータが前記デッドゾーン外であるという判断に基づいて、少なくとも１つの制御入力パラメータを修正するステップとを含む、請求項１８に記載の方法を実行する、コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置。
【請求項２０】  コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置であって、命令がエンコードされており、コンピュータによって実行された場合に、
少なくとも１つの制御入力パラメータを修正するステップはさらに、フォトリソグラフィプロセスにおいて露光量を修正するステップを含む、請求項１６に記載の方法を実行する、コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置。
【請求項２１】  コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置であって、命令がエンコードされており、コンピュータによって実行された場合に、
少なくとも１つの制御入力パラメータを修正するステップはさらに、フォトリソグラフィプロセスにおいて露光フォーカスを修正するステップを含む、請求項１６に記載の方法を実行する、コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置。
【請求項２２】  コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置であって、命令がエンコードされており、コンピュータによって実行された場合に、少なくとも１つの制御入力パラメータを修正するステップはさらに、エッチングプロセスにおいてエッチングレシピを修正するステップを含む、請求項１６に記載の方法を実行する、コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置。
【請求項２３】  コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置であって、命令がエンコードされており、コンピュータによって実行された場合に、少なくとも１つの制御入力パラメータを修正するステップはさらに、高性能プロセス制御装置（ＡＰＣ）上でフィードバックプロセスを実行するステップを含む、請求項１６に記載の方法を実行する、コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置。
【請求項２４】  コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置であって、命令がエンコードされており、コンピュータによって実行された場合に、少なくとも１つの制御入
力パラメータを修正するステップはさらに、堆積期間を修正して、スペーサ堆積プロセスの間にスペーサ幅を調整するステップを含む、請求項１６に記載の方法を実行する、コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置。
【請求項２５】  コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置であって、命令がエンコードされており、コンピュータによって実行された場合に、少なくとも１つの制御入力パラメータを修正するステップはさらに、イオン注入プロセスの間にイオン注入量を調整するステップを含む、請求項１６に記載の方法を実行する、コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置。
【請求項２６】  コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置であって、命令がエンコードされており、コンピュータによって実行された場合に、少なくとも１つの制御入力パラメータを修正するステップはさらに、高性能プロセス制御装置（ＡＰＣ）上でフィードフォワードプロセスを実行するステップを含む、請求項１６に記載の方法を実行する、コンピュータが読出可能なプログラム記憶装置。
【請求項２７】  クリティカルディメンジョンを制御するための装置であって、
複数のプロセスステップに関する測定学的データを相互に関係付け、前記相互に関係付けられた測定学的データに基づいて最終クリティカルディメンジョンエラーを算出し、前記最終クリティカルディメンジョンエラーを算出することに応答して、制御入力パラメータを修正して、前記最終クリティカルディメンジョンエラーに基づき、フィードバックおよびフィードフォワード調整データのうち少なくとも１つを生成し、目標のクリティカルディメンジョンに近づくためのものである制御装置を含む、装置。
【請求項２８】  前記制御装置はさらに、前記最終クリティカルディメンジョンエラー、ならびに、前記フィードバックおよびフィードフォワード調整データのうち少なくとも１つを算出するための最終クリティカルディメンジョン制御アルゴリズムユニットを含む、請求項２７に記載の装置。
【請求項２９】  最終クリティカルディメンジョンエラーを算出するステップはさらに、金属クリティカルディメンジョンに関するエラーを算出するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３０】  前記フィードバックおよびフィードフォワード修正プロセスのうち少なくとも１つを実行するステップはさらに、フォトリソグラフィプロセスに関する露光量を修正するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３１】  前記フィードバックおよびフィードフォワード修正プロセスのうち少なくとも１つを実行するステップはさらに、エッチングプロセスに関するエンドポイント時間を修正するステップを含む、請求項１に記載の方法。