【手続補正書】
【提出日】平成18年12月15日(2006.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板の製造方法及び固体撮像装置の製造方法、半導体基板及び固体撮像装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  固体撮像装置用のエピタキシャル半導体基板の作製において、
半導体基板の略同一深さに炭素とフッ素とをそれぞれ注入する工程と、
上記半導体基板上にエピタキシャル層を成長させる工程とを有する
ことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】  上記炭素の注入量が５×１０１３ｃｍ−２以上であり、かつ上記フッ素の注入量が該炭素の注入量の１／１００以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項３】  上記炭素の注入量が５×１０１３ｃｍ−２以上であり、かつ上記フッ素の注入量が１×１０１３ｃｍ−２以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項４】  上記炭素の注入量が５×１０１４ｃｍ−２以上であり、かつ上記フッ素の注入量が１×１０１３ｃｍ−２以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項５】  固体撮像装置用のエピタキシャル半導体基板の作製において、
略同一深さに炭素とフッ素とが注入された半導体基板に対して、該半導体基板上にエピタキシャル層を成長させる
ことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項６】  上記炭素の注入量が５×１０１３ｃｍ−２以上であり、かつ上記フッ素の注入量が該炭素の注入量の１／１００以上であることを特徴とする請求項５に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項７】  上記炭素の注入量が５×１０１３ｃｍ−２以上であり、かつ上記フッ素の注入量が１×１０１３ｃｍ−２以上であることを特徴とする請求項５に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項８】  上記炭素の注入量が５×１０１４ｃｍ−２以上であり、かつ上記フッ素の注入量が１×１０１３ｃｍ−２以上であることを特徴とする請求項５に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項９】  半導体基板の略同一深さに炭素とフッ素とをそれぞれ注入し、該半導体基板上にエピタキシャル層を成長させてエピタキシャル半導体基板を作製し、
上記エピタキシャル半導体基板のエピタキシャル層に固体撮像素子を形成する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】  上記炭素の注入量が５×１０１３ｃｍ−２以上であり、かつ上記フッ素の注入量が該炭素の注入量の１／１００以上であることを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】  上記炭素の注入量が５×１０１３ｃｍ−２以上であり、かつ上記フッ素の注入量が１×１０１３ｃｍ−２以上であることを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】  上記炭素の注入量が５×１０１４ｃｍ−２以上であり、かつ上記フッ素の注入量が１×１０１３ｃｍ−２以上であることを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】  略同一深さに炭素とフッ素とが注入された半導体基板に対して、該半導体基板上にエピタキシャル層を成長させてエピタキシャル半導体基板を作製し、
上記エピタキシャル半導体基板のエピタキシャル層に固体撮像素子を形成する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１４】  上記炭素の注入量が５×１０１３ｃｍ−２以上であり、かつ上記フッ素の注入量が該炭素の注入量の１／１００以上であることを特徴とする請求項１３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１５】  上記炭素の注入量が５×１０１３ｃｍ−２以上であり、かつ上記フッ素の注入量が１×１０１３ｃｍ−２以上であることを特徴とする請求項１３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１６】  上記炭素の注入量が５×１０１４ｃｍ−２以上であり、かつ上記フッ素の注入量が１×１０１３ｃｍ−２以上であることを特徴とする請求項１３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１７】  表面を有する半導体基板であって、
上記表面から略同一深さに炭素とフッ素とが注入され、
上記表面上にエピタキシャル層を成長させる
ことを特徴とする半導体基板。
【請求項１８】  略同一深さに炭素とフッ素とが注入された半導体基板に対して、
上記半導体基板上にエピタキシャル層を成長させて作製されたエピタキシャル半導体基板のエピタキシャル層に固体撮像素子が形成された
ことを特徴とする固体撮像装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば固体撮像装置等の半導体装置を形成するときに用いられるエピタキシャル基板等の半導体基板を製造する方法と、この半導体基板を用いて作製する固体撮像装置の製造方法に係わる。また、本発明は、半導体基板と、固体撮像装置に係わる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上述した問題の解決のために、本発明においては、エピタキシャル層形成中に混入する金属不純物を有効にゲッタリングすることができるエピタキシャル半導体基板の製造方法、及び白傷欠陥を低減した固体撮像装置を製造することができる固体撮像装置の製造方法、半導体基板、並びに固体撮像装置を提供するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上述の本発明の製造方法によれば、炭素とフッ素とを半導体基板の略同一深さに注入することにより、これら炭素とフッ素の相互作用により半導体基板中の酸素析出が加速され、炭素及びフッ素を注入した領域において強力なゲッタリング効果が得られる。
そして、この半導体基板上にエピタキシャル層を成長させてエピタキシャル半導体基板を作製することにより、強力なゲッタリング効果によりエピタキシャル層から金属不純物が有効に除去されたエピタキシャル半導体基板を形成することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の半導体基板は、表面を有する半導体基板であって、表面から略同一深さに炭素とフッ素とが注入され、表面上にエピタキシャル層を成長させるものである。
本発明の固体撮像装置は、略同一深さに炭素とフッ素とが注入された半導体基板に対して、半導体基板上にエピタキシャル層を成長させて作製されたエピタキシャル半導体基板のエピタキシャル層に固体撮像素子が形成されたものである。
本発明の固体撮像装置によれば、エピタキシャル層から金属不純物が有効に除去されたエピタキシャル半導体基板のエピタキシャル層に固体撮像素子を作製して固体撮像装置を構成することにより、白傷欠陥を低減することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また本発明は、上記固体撮像装置の製造方法において、炭素の注入量が５×１０１４ｃｍ−２以上であり、かつフッ素の注入量が１×１０１３ｃｍ−２以上である構成とする。
本発明は、表面を有する半導体基板であって、表面から略同一深さに炭素とフッ素とが注入され、表面上にエピタキシャル層を成長させる半導体基板である。
本発明は、略同一深さに炭素とフッ素とが注入された半導体基板に対して、半導体基板上にエピタキシャル層を成長させて作製されたエピタキシャル半導体基板のエピタキシャル層に固体撮像素子が形成された固体撮像装置である。