(57)【要約】  陽極（２０）と陰極（６０）との間に、少なくとも発光層（４０）を有し、発光層（４０）は、ホスト材料と複数のドーパントを含有し、複数のドーパントのうち少なくとも１つは紫外発光性を有する青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子（１）。【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に、少なくとも発光層を有し、
前記発光層は、ホスト材料と複数のドーパントを含有し、
前記複数のドーパントのうち少なくとも１つは、紫外発光性を有する青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記紫外発光性を有するドーパントの紫外発光領域のピークが、４５０ｎｍ以下である請求項１記載の青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記紫外発光性を有するドーパントの三重項エネルギーギャップが、他のドーパントより大きい請求項１又は２記載の青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記複数のドーパントのうち少なくとも１つのイオン化ポテンシャルが、前記ホスト材料より小さい請求項１〜３のいずれか一項記載の青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記複数のドーパントのうち少なくとも１つの電子親和力が、前記ホスト材料より小さい請求項１〜４のいずれか一項記載の青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
前記複数のドーパントのうち少なくとも一つのドーパントが重金属錯体である請求項１〜５のいずれか一項記載の青色発光有機エレクトロルミネンセンス素子。
【請求項７】
前記複数のドーパントが全て、重金属錯体である請求項１〜６のいずれか一項記載の青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
前記重金属錯体のうち少なくとも１つが、カルベン錯体又はピラゾール系錯体である請求項６又は７記載の青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
前記複数のドーパントのうち少なくとも１つが、前記ホスト材料のイオン化ポテンシャルより小さい値を有し、素子からの発光ピーク波長強度対比で１／１０以下の発光強度である請求項６〜８のいずれか一項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
発光層と、陽極及び／又は陰極の間に、正孔輸送層及び／又は電子輸送層を有し、かつ、前記重金属錯体のうち少なくとも１つの三重項エネルギーギャップ値が、前記正孔輸送層及び／又は電子輸送層を構成する少なくとも１つの化合物の三重項エネルギーギャップ値より小さい請求項６〜９のいずれか一項記載の青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
前記重金属錯体のうち少なくとも１つの三重項エネルギーギャップ値が、前記正孔輸送層及び／又は電子輸送層を構成する少なくとも１つの化合物の三重項エネルギーギャップ値より０．２ｅＶ以上小さい請求項１０記載の青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、さらに詳しくは、高効率な青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機物質を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に有機ＥＬ素子は、発光層及び該層を挟んだ一対の対向電極から構成されている。【０００３】
発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する現象である。【０００４】
従来の有機ＥＬ素子としては、様々なものが知られているが、例えば、特許文献１には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）／正孔輸送層／発光層／陰極の素子構成の有機ＥＬ素子において、正孔輸送層の材料として、芳香族第三級アミンを用いることが開示されており、この素子構成により、２０Ｖ以下の印加電圧で数百ｃｄ／ｍ２の高輝度が可能となった。さらに、りん光性発光ドーパントであるイリジウム錯体を発光層にドーパントとして用いることにより、輝度数千ｃｄ／ｍ２以下では、発光効率が約４０ルーメン／Ｗ以上であることが報告されている（非特許文献１）。【０００５】
特許文献２では、複数の可視光発光性ドーパント移動を利用した高効率有機ＥＬ素子が開示されている。特許文献３及び４ではＩｒｐｐｙを補助ドーパントとした赤色系蛍光ＥＬ素子が開示されている。【０００６】
非特許文献２では、ホスト材料を２つ、ドーパント錯体（例えば、ｔｒｉｓｐｈｅｎｙｌｐｙｒａｚｏｌｅｄｉｒｉｄｉｕｍ（Ｉｒｓｐｐｚｄ３））を２つ使用し、ホスト：ドーパント錯体の２層構成である有機ＥＬ素子を開示している。非特許文献２においてドーパント錯体の発光ピークはいずれも４５０ｎｍ以上である。【０００７】
特許文献５では、発光層に含まれるドーパントとして、２種類のドーパントを使用する有機ＥＬ素子を開示している。特許文献５において、ドーパントはそれぞれ配位子が有機化合物であるりん光発光性金属錯体である。また、２種類のドーパントのうち最大発光波長の長いドーパントは、配位子構造中に置換基を有し、他方のドーパントよりも低濃度で発光層中に含有されている。【０００８】
特許文献６では、発光層に含まれるホストとりん光性ドーパントとのＨＯＭＯ、ＬＵＭＯを限定した技術を開示しているが、ドーパントが可視光域の発光特性を有する錯体であって、発光層含有ドーパントが１種の実施例記載がなされている。
【特許文献１】特開昭６３−２９５６９５号公報
【特許文献２】特開２００４−３１９４５６号公報
【特許文献３】特表２００３−５２０３９１号公報
【特許文献４】特表２００４−５２６２８４号公報
【特許文献５】特開２００５−１００９５７号公報
【特許文献６】特開２００５−２０３２９３号公報
【非特許文献１】Ｔ．Ｔｓｕｔｓｕｉ．ｅｔ．ａｌ．Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３８（１９９９）ｐｐ．Ｌ１５０２−Ｌ１５０４
【非特許文献２】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８６，２６３５０２（２００５）
【０００９】
しかし、このようなりん光型有機ＥＬ素子の多くは、緑色発光又は赤色発光であり、多色化、特に、青色発光の高効率化が問題とされている。特に、青色発光では、発光量子効率５％以上の素子構成が少ないという問題があった。【００１０】
また、有機ＥＬ素子をフラットパネルディスプレイ等へ応用する場合、発光効率を改善し、低消費電力化することが求められているが、上記素子構成では、発光輝度向上とともに、発光効率が著しく低下するという欠点を有しており、そのためフラットパネルディスプレイの消費電力が低下しないという問題があった。【００１１】
本発明は、高電流効率又は高発光効率の青色発光有機ＥＬ素子を開発することを目的とする。
【発明の開示】
【００１２】
本発明によれば、以下の青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
１．陽極と陰極との間に、少なくとも発光層を有し、
前記発光層は、ホスト材料と複数のドーパントを含有し、
前記複数のドーパントのうち少なくとも１つは、紫外発光性を有する青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子。
２．前記紫外発光性を有するドーパントの紫外発光領域のピークが、４５０ｎｍ以下である１記載の青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子。
３．前記紫外発光性を有するドーパントの三重項エネルギーギャップが、他のドーパントより大きい１又は２記載の青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子。
４．前記複数のドーパントのうち少なくとも１つのイオン化ポテンシャルが、前記ホスト材料より小さい１〜３のいずれか記載の青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子。
５．前記複数のドーパントのうち少なくとも１つの電子親和力が、前記ホスト材料より小さい１〜４のいずれか記載の青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子。
６．前記複数のドーパントのうち少なくとも一つのドーパントが重金属錯体である１〜５のいずれか記載の青色発光有機エレクトロルミネンセンス素子。
７．前記複数のドーパントが全て、重金属錯体である１〜６のいずれか記載の青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子。
８．前記重金属錯体のうち少なくとも１つが、カルベン錯体又はピラゾール系錯体である６又は７記載の青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子。
９．前記複数のドーパントのうち少なくとも１つが、前記ホスト材料のイオン化ポテンシャルより小さい値を有し、素子からの発光ピーク波長強度対比で１／１０以下の発光強度である６〜８のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１０．発光層と、陽極及び／又は陰極の間に、正孔輸送層及び／又は電子輸送層を有し、かつ、前記重金属錯体のうち少なくとも１つの三重項エネルギーギャップ値が、前記正孔輸送層及び／又は電子輸送層を構成する化合物の三重項エネルギーギャップ値より小さい６〜９のいずれか記載の青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子。
１１．前記重金属錯体のうち少なくとも１つの三重項エネルギーギャップ値が、前記正孔輸送層及び／又は電子輸送層を構成する化合物の三重項エネルギーギャップ値より０．２ｅＶ以上小さい１０記載の青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１３】
本発明によれば、高電流効率又は高発光効率の青色発光有機ＥＬ素子が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の青色発光有機ＥＬ素子に係る一実施形態を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の青色発光有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に少なくとも発光層を有する構成をしている。
発光層は、ホスト材料と複数のドーパントを含有する。複数のドーパントのうち少なくとも１つは、紫外光領域の発光性能（紫外発光性）を有するドーパントであり、好ましくはこのドーパントは重金属錯体である。また、好ましくは複数のドーパントのうち少なくとも１つは、イオン化ポテンシャルが、前記ホスト材料より小さい。
本発明の素子では発光層内の電荷バランスが保たれ、発光層内に正孔と電子の再結合確率が高くなり、高電流効率を実現することができる。【００１６】
１つの発光層に可視発光性ドーパントと紫外発光性ドーパントを共に含ませてもよいし、発光層を多層にして、別々の層に可視発光性ドーパントと紫外発光性ドーパントを含ませてもよい。【００１７】
紫外発光性ドーパントは、好ましくは、紫外発光領域のピークが４５０ｎｍ以下である。より好ましくは、３５０〜４２０ｎｍである。
また好ましくは、紫外発光性ドーパントの三重項エネルギーギャップは、他のドーパントより大きい。
紫外発光性ドーパントの、紫外発光領域のピークが４５０ｎｍ以下、及び三重項エネルギーギャップが他のドーパントより大きいことにより、励起エネルギーを紫外発光性ドーパントから可視発光性ドーパントへ移動させることができる。この結果、高効率化が実現する。【００１８】
好ましくは、複数のドーパントのうち少なくとも１つのイオン化ポテンシャルが、より好ましくは紫外発光性ドーパントのイオン化ポテンシャルが、ホスト材料より小さい。
紫外発光性ドーパントのイオン化ポテンシャルがホスト材料より小さいことにより、紫外発光性ドーパントは、正孔を発光層内に保持することができる電荷保持性ドーパントとして機能する。この結果、再結合確率を高め、素子の発光電流効率が向上する。【００１９】
好ましくは、複数のドーパントのうち少なくとも１つの電子親和力が、より好ましくは紫外発光性ドーパントの電子親和力が、ホスト材料よりも小さい。
紫外発光性ドーパントは、直接発光に寄与しなくてもよいので、紫外発光性ドーパントの電子親和力は、ホスト材料よりも小さいのが好ましい。【００２０】
好ましくは、複数のドーパントのうち、少なくとも１つは青色可視発光性ドーパントである。
青色可視発光性ドーパントは、好ましくは、可視発光領域のピークが３８０ｎｍから４９５ｎｍである。より好ましくは、４００〜４８０ｎｍである。【００２１】
青色可視発光性ドーパントは重金属錯体であるのが好ましい。青色可視発光性ドーパントにより、素子の発光色の概要が決定する。このような錯体により、蛍光型有機ＥＬ素子より高電流効率化を実現できる。このドーパントは、オルトメタル金属錯体、デバイスの機能する温度範囲でりん光発光する材料であれば何でも良いが、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ａｕ等の金属錯体が好ましい。その中で特にＩｒ、Ｐｔが好ましい。【００２２】
「青色りん光」発光域では、ホスト材料と可視発光性りん光性重金属ドーパントのエネルギーレベルの差が小さくなり、発光層内に電荷を蓄積し難くなることで、低効率となる。ここで、上記の紫外発光性ドーパントを可視発光性ドーパントと共に発光層に含有させることにより、緑青から青色域を高効率で発光することができる。【００２３】
好ましくは、複数のドーパントの全てが重金属錯体である。より好ましくは、これら重金属錯体の少なくとも１つは、カルベン錯体又はピラゾール錯体である。【００２４】
好ましくは、複数のドーパントのうち少なくとも１つは、ホスト材料のイオン化ポテンシャルより小さく、かつ、該ドーパントの発光強度が、素子からの発光（ＥＬ）ピーク波長強度対比で１／１０以下である。【００２５】
本発明の青色発光有機ＥＬ素子は、発光層と陽極及び／又は陰極の間に正孔輸送層及び／又は電子輸送層を有していてもよい。
図１は、このような青色発光有機ＥＬ素子の一例を示す断面図である。
有機ＥＬ素子１は、基板１０、陽極２０、正孔輸送層３０、発光層４０、電子輸送層５０及び陰極６０を、この順に積層した構成をしている。【００２６】
発光層４０は、複数のドーパントを有し、これらのドーパントは重金属錯体でよい。重金属錯体のうち少なくとも１つの三重項エネルギーギャップは、正孔輸送層及び／又は電子輸送層を構成する少なくとも１つの化合物よりも小さいことが好ましい。これにより、より高効率化が可能となる。【００２７】
また、重金属錯体のうち少なくとも１つの三重項エネルギーギャップは、正孔輸送層及び／又は電子輸送層を構成する少なくとも１つの化合物の三重項エネルギーギャップよりも０．２ｅＶ以上小さいことが好ましい。【００２８】
尚、この例では、陽極２０と正孔輸送層３０、正孔輸送層３０と発光層４０、発光層４０と電子輸送層５０及び電子輸送層５０と陰極６０がそれぞれ接しているが、他の層が介在していてもよい。【００２９】
以下に、本発明の青色発光有機ＥＬ素子を構成する各部材について説明する。
発光層に含有される紫外発光性ドーパントは、紫外発光領域で発光性能を有するものであれば、特に材料を限定されるものではない。また、紫外発光領域のピークは室温下で測定したものであることが好ましいが、室温下で発光を観測できないドーパントの場合、温度７７Ｋで測定した紫外発光領域のピークでもよい。【００３０】
可視発光性ドーパント及び／又は紫外発光性ドーパントは、特願２００５−１０３００４記載のカルベン錯体及びピラゾール誘導体を配位子に有する重金属錯体であるのが好ましい。
また、紫外発光性ドーパントは、紫外発光領域のピーク波長が４５０ｎｍ以下の化合物がより好ましい。また、ＷＯ２００５／０１９３７３記載のカルベン錯体を用いてもよい。紫外発光性ドーパントにおいては、この中で発光波長が４５０ｎｍ以下の化合物を用いることが好ましい。【００３１】
また、ＷＯ２００４／０４５００１及びＵＳ２００４０９１７３８に記載の有機化合物、ＷＯ２００２／０１５６４５、特表２００４−５０６３０５号公報及びＷＯ２００４／０１７０４３に記載のボレート錯体、及びＥＰ１２１１２５７Ａ２及び特開２００３−０８１９８９号公報に記載のフェニルピリジン配位子の共役系を短くした骨格錯体を用いてもよい。紫外発光性ドーパントにおいては、この中で発光ピーク波長が４５０ｎｍ以下である化合物を用いることが好ましい。【００３２】
発光層に含まれる青色可視発光性ドーパントは、デバイスの機能する温度範囲でりん光発光する材料であれば何でも良いが、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ａｕ等の金属錯体が好ましい。その中で特にＩｒ、Ｐｔが好ましい。具体例を下に示す。【００３３】
【化１】
2007029426.tif 000002
2007029426.tif 000003
式中、Ｍｅはメチル基である。【００３４】
また、以下に示す重金属錯体は、紫外発光性ドーパントとして用いることができる。【００３５】
【化２】
2007029426.tif 000004
【００３６】
発光層に含まれるホスト材料は、特に制限されるものではなく、広く有機ＥＬで用いられる材料でよい。好ましくは、可視発光性ドーパントの三重項エネルギーギャップより大きい値を有する材料が好ましい。ホスト材料は、例えば、アミン誘導体、カルバゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチアゾール系及びベンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤、金属キレート化オキサノイド化合物、スチリル系化合物等を使用することができる。好ましくは、薄膜形成性の良い化合物である。【００３７】
ホスト材料は、少なくとも一つカルバゾリル基を有する有機化合物であるのが好ましい。具体例を以下に示す。【００３８】
【化３】
2007029426.tif 000005
2007029426.tif 000006
【００３９】
また、発光層に含まれるホスト材料の３重項エネルギーレベル（ＥｇＴ（ＨＯＳＴ））は、発光層に含まれる可視発光性ドーパントの３重項エネルギーレベル（ＥｇＴ（Ｄｏｐａｎｔ））よりも大きいことが好ましい。このような関係により、励起エネルギーがホスト材料からドーパントへ効率よく移動し、発光効率がより向上するためである。
より好ましくは、以下の条件を満たすホスト材料とドーパントを用いる。
ＥｇＴ（Ｄｏｐａｎｔ）＋０．２≦ＥｇＴ（ＨＯＳＴ）  （ｅＶ）
具体例として、以下の有機化合物が挙げられる。
【化４】
2007029426.tif 000007
【００４０】
また、ホスト材料は、下記式に示すＳｉ系有機化合物でもよい。
【化５】
2007029426.tif 000008
【００４１】
本発明の有機ＥＬ素子は、基板により支持されることが好ましい。基板の材料については、特に制限はなく、公知の有機ＥＬ素子に慣用されているもの、例えば、ガラス、透明プラスチック又は石英等からなるものを用いることができる。【００４２】
陽極の材料としては、仕事関数が４ｅＶ以上の金属、合金、電気伝導性化合物又はこれらの混合物が好ましく用いられる。具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＳｎＯ２又はＺｎＯ等の誘電性透明材料が挙げられる。陽極は、例えば蒸着法やスパッタリング法等の方法で、前記材料の薄膜を形成することにより作製することができる。発光層からの発光を陽極より取り出す場合、陽極の透過率は１０％より大きいことが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。【００４３】
陰極の材料としては、仕事関数が４ｅＶ以下の金属、合金、電気伝導性化合物又はこれらの混合物が好ましく用いられる。具体例としては、ナトリウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／銅混合物、Ａｌ／Ａｌ２Ｏ３、インジウム等が挙げられる。この陰極は、蒸着法やスパッタリング法等の方法で、材料の薄膜を形成することにより作製することができる。発光層からの発光を陰極より取り出す場合、陰極の透過率は１０％より大きいことが好ましい。また、陰極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陰極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選択される。【００４４】
本発明の有機ＥＬ素子は、高効率化のため、必要に応じて、正孔輸送層及び／又は電子輸送層を設けてもよい。【００４５】
正孔輸送層（正孔注入層を含む）は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであればよい。【００４６】
正孔輸送層を構成する化合物の具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン誘導体等が挙げられる。また、正孔輸送層は、層を構成する化合物の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。【００４７】
好ましくは、正孔輸送層を構成する化合物は、カルバゾリル基を有する、又はｍ−位置結合を有する化合物である。これにより化合物の１重項エネルギーレベルや３重項エネルギーレベルが大きくなり、高効率化に有効である。具体的には、特開２００２−２０３６８３号公報記載の化合物を、陽極に接する正孔輸送層を構成する化合物として用いることが好ましい。【００４８】
電子輸送層（電子注入層を含む）は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものであればよい。【００４９】
電子輸送層を構成する化合物としては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体等が挙げられる。また、電子輸送層は、層を構成する化合物の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。【００５０】
本発明の有機ＥＬ素子において、電子輸送層がπ電子欠乏性含窒素ヘテロ環を分子骨格にもつものが好ましい。
π電子欠乏性含窒素ヘテロ環誘導体としては、ベンズイミダゾール環、ベンズトリアゾール環、ピリジノイミダゾール環、ピリミジノイミダゾール環、ピリダジノイミダゾール環から選ばれた含窒素５員環の誘導体や、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環で構成される含窒素６員環誘導体が好ましい例として挙げられる。【００５１】
具体例を以下に示す。
【化６】
2007029426.tif 000009
2007029426.tif 000010
【００５２】
含窒素５員環誘導体は、好ましくは、ベンズイミダゾール環、ベンズトリアゾール環、ピリジノイミダゾール環、ピリミジノイミダゾール環、ピリダジノイミダゾール環から選ばれる。好ましくは、下記式（Ｉ）で表される化合物である。
【化７】
2007029426.tif 000011
（式中、Ｌ１はｎ価の連結基を表し、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−又は＝Ｎ−Ｒ１（Ｒ１は水素原子、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を表す。）を表し、Ｚ１は芳香族環を形成する基を表し、ｎは２〜６の整数を表す。）【００５３】
式（Ｉ）中、Ｌ１は、ｎ価の連結基を表し、好ましくは、炭素、ケイ素、窒素、ホウ素、酸素、硫黄、金属、金属イオン等で形成される連結基であり、より好ましくは炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、ホウ素原子、酸素原子、硫黄原子、芳香族炭化水素環、芳香族へテロ環であり、さらに好ましくは炭素原子、ケイ素原子、芳香族炭化水素環、芳香族へテロ環である。Ｌ１で表される連結基の具体例としては以下のものが挙げられる。【００５４】
【化８】
2007029426.tif 000012
【００５５】
式（Ｉ）におけるＸは、−Ｏ−、−Ｓ−又は＝Ｎ−Ｒ１を表す。Ｒ１は水素原子、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ環基を表す。
Ｒ１で表される脂肪族炭化水素基は、直鎖、分岐又は環状のアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８のアルキル基である。例えば、メチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８のアルケニル基である。例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８のアルキニル基である。例えばプロピニル、３−ペンチニル等が挙げられる。）であり、より好ましくはアルキル基である。【００５６】
Ｒ１で表されるアリール基は、単環又は縮環のアリール基であり、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、さらに好ましくは炭素数６〜１２のアリール基である。アリール基は置換されていてもよい。例えば、フェニル、２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２−メトキシフェニル、３−トリフルオロメチルフェニル、ペンタフルオロフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル等が挙げられる。【００５７】
Ｒ１で表されるヘテロ環基は、単環又は縮環のヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、さらに好ましくは炭素数２〜１０のヘテロ環基である。）であり、好ましくは窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子の少なくとも一つを含む芳香族へテロ環基である。【００５８】
Ｒ１で表されるヘテロ環基の具体例としては、例えばピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルフォリン、チオフェン、セレノフェン、フラン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、ピリミジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデン、カルバゾール、アゼピン等が挙げられ、好ましくは、フラン、チオフェン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリンであり、より好ましくはフラン、チオフェン、ピリジン、キノリンであり、さらに好ましくはキノリンである。【００５９】
Ｒ１で表される脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基は、置換基を有していてもよい。置換基として好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、さらに好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、芳香族へテロ環基であり、特に好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、芳香族へテロ環基である。【００６０】
Ｒ１として好ましくはアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基であり、より好ましくはアリール基、芳香族へテロ環基であり、さらに好ましくはアリール基である。Ｘとして好ましくは−Ｏ−、＝Ｎ−Ｒ１であり、より好ましくは＝Ｎ−Ｒ１であり、特に好ましくは＝Ｎ−Ａｒ１（Ａｒ１はアリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、さらに好ましくは炭素数６〜１２のアリール基である。）、芳香族ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、さらに好ましくは炭素数２〜１０の芳香族ヘテロ環基）であり、好ましくはアリール基である。）である。【００６１】
Ｚ１は芳香族環を形成するに必要な原子群を表す。Ｚ１で形成される芳香族環は、芳香族炭化水素環、芳香族ヘテロ環のいずれでもよく、具体例としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、セレノフェン環、テルロフェン環、イミダゾール環、チアゾール環、セレナゾール環、テルラゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環、ピラゾール環等が挙げられる。好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環である。より好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環である。さらに好ましくはベンゼン環、ピリジン環である。特に好ましくはピリジン環である。
Ｚ１で形成される芳香族環は、さらに他の環と縮合環を形成してもよく、また置換基を有していてもよい。置換基としては例えばＲ１で表される脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基が有する置換基として例示されているものを挙げることができる。【００６２】
式（Ｉ）で表される化合物のうち、好ましくは下記式（ＩＩ）で表される化合物である。【００６３】
【化９】
2007029426.tif 000013
【００６４】
式（ＩＩ）中、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３は、それぞれ式（Ｉ）におけるＲ１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｚ１１、Ｚ１２及びＺ１３は、それぞれ式（Ｉ）におけるＺ１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｌ１１、Ｌ１２及びＬ１３は、それぞれ連結基を表す。Ａ、Ｌ１１、Ｌ１２及びＬ１３の具体例としては、式（Ｉ）におけるＬ１の具体例として挙げたもののうち３価のものが適用できる。Ｌ１１、Ｌ１２及びＬ１３として好ましくは、単結合、二価の芳香族炭化水素環基、二価の芳香族ヘテロ環基、及びこれらの組み合わせからなる連結基であり、より好ましくは単結合である。Ｌ１１、Ｌ１２及びＬ１３は置換基を有していてもよく、置換基としては例えばＲ１で表される脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基が有する置換基として例示されているものを挙げることができる。【００６５】
Ｙは、窒素原子、１，３，５−ベンゼントリイル基、又は２，４，６−トリアジントリイル基を表す。１，３，５−ベンゼントリイル基は、２，４，６−位に置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、アルキル基、芳香族炭化水素環基、ハロゲン原子等が挙げられる。【００６６】
式（Ｉ）、特に式（ＩＩ）で表される化合物の具体例を以下に示す。【００６７】
【化１０】
2007029426.tif 000014
2007029426.tif 000015
【００６８】
さらに、電子輸送層を構成する化合物として下記式（ａ）及び（ｂ）のトリアジン骨格を有する誘導体、下記式（ｃ）のピリミジン骨格を有する誘導体及び下記式（ｄ）のケイ素化合物及び下記式（ｅ）の化合物を用いることができる。
【化１１】
2007029426.tif 000016
（式中、Ａｒ１〜Ａｒ４，Ａｒ１１〜Ａｒ１３，Ｒ１１〜Ｒ１４はそれぞれ置換又は無置換のアリール基である。アリール基は炭素数１−４のアルキル基、ハロゲン等により置換される。）【００６９】
式（ａ）〜（ｅ）の具体例を以下に示す。【００７０】
【化１２】
2007029426.tif 000017
【００７１】
具体的には、特願２００２−２９９８１０請求項１のカルバゾリル基を１個有する化合物であり、かつ３価含窒素ヘテロ環を有する化合物が好ましい。より具体的には、特願２００２−２９９８１０記載の具体例１３頁から１９頁記載のカルバゾリル基１個と３価含窒素ヘテロ環を有する化合物が挙げられる。特に好ましくは、高い１重項エネルギーレベル及び３重項エネルギーレベルを得る手段として、分子骨格内にｍ−結合部位を有することが挙げられる。【００７２】
また、本発明の有機ＥＬ素子は、さらに電流効率又は発光効率を上げるために、必要に応じて、正孔輸送層及び電子輸送層に無機材料を添加してもよい。また、好ましくは、正孔輸送層に無機材料を用いてもよい。一方、さらに電流（発光）効率を上げるために、電子輸送層と金属陰極との間に無機材料を用いてもよい。具体的には、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃｓ等のアルカリ金属の弗化物や酸化物である。また、電子輸送層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。尚、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。【００７３】
さらに、本発明の有機ＥＬ素子において、電子輸送層は、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントを含有していてもよい。本発明において、還元性ドーパントは電子注入効率を上昇させる化合物である。【００７４】
また、本発明においては、陰極と有機薄膜層との界面領域に還元性ドーパントが添加されていると好ましく、界面領域に含有される有機層の少なくとも一部を還元しアニオン化する。好ましい還元性ドーパントとしては、アルカリ金属、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体の群から選ばれる少なくとも一つの化合物である。【００７５】
好ましい還元性ドーパントとしては、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）及びＣｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）及びＢａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶのものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、Ｒｂ又はＣｓであり、特に好ましくは、Ｃｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。【００７６】
アルカリ土類金属酸化物としては、例えば、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ及びこれらを混合したＢａｘＳｒ１−ｘＯ（０＜ｘ＜１）や、ＢａｘＣａ１−ｘＯ（０＜ｘ＜１）を好ましいものとして挙げることができる。
アルカリ酸化物又はアルカリフッ化物としては、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＮａＦ等が挙げられる。アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体としては金属イオンとしてアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも一つ含有するものであれば特に限定はない。【００７７】
また配位子としては、例えば、キノリノール、ベンゾキノリノール、アクリジノール、フェナントリジノール、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジアリールオキサジアゾール、ヒドロキシジアリールチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フェナントロリン、フタロシアニン、ポルフィリン、シクロペンタジエン、βージケトン類、アゾメチン類、及びそれらの誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。【００７８】
また、還元性ドーパントの好ましい形態としては、層状又は島状に形成する。層状に用いる際の好ましい膜厚としては０．０５〜８ｎｍである。【００７９】
還元性ドーパントを含む電子輸送層の形成手法としては、抵抗加熱蒸着法により還元性ドーパントを蒸着しながら、界面領域を形成する発光材料又は電子注入材料である有機物を同時に蒸着させ、有機物中に還元性ドーパントを分散する方法が好ましい。分散濃度としてはモル比として１００：１〜１：１００、好ましくは５：１〜１：５である。還元性ドーパントを層状に形成する際は、界面の有機層である発光材料又は電子注入材料を層状に形成した後に、還元性ドーパントを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは膜厚０．５ｎｍ〜１５ｎｍで形成する。還元性ドーパントを島状に形成する際は、界面の有機層である発光材料又は電子注入材料を形成した後に、還元性ドーパントを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは膜厚０．０５〜１ｎｍで形成する。【００８０】
また、本発明の有機ＥＬ素子において、正孔又は電子輸送層を構成する物質として、絶縁体又は半導体の無機化合物を使用してもよい。正孔又は電子輸送層が半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、正孔又は電子注入性を向上させることができる。【００８１】
本発明の有機ＥＬ素子は、製造法については、特に制限はなく、従来の有機ＥＬ素子に使用される製造方法を用いて製造すればよい。具体的には、真空蒸着法、キャスト法、塗布法、スピンコート法等により形成することができる。
[実施例]【００８２】
実施例及び比較例で下記式に示した化合物を使用した。これらの化合物の特性を下記に記載する方法で測定した。【００８３】
【化１３】
2007029426.tif 000018
（Ｍｅはメチル基を示す。）【００８４】
（１）イオン化ポテンシャル（Ｉｐ）
イオン化ポテンシャルは、材料にモノクロメーターで分光した重水素ランプの光（励起光）を照射し、放出された光電子放出をエレクトロメータで測定し、得られた光電子放出の照射光子エネルギー曲線からの光電子放出の閾値を外挿法により求める等の方法で測定することができる。例えば、類似の市販されている大気中紫外線光電子分析装置ＡＣ−１（理研計器株式会社製）により、測定することができる。
具体的には、ガラス基板上に、イソプロピルアルコール→水→イソプロピルアルコールの順に各５分間超音波洗浄し、さらに３０分間ＵＶ洗浄した。次に真空蒸着装置を用いて成膜することにより測定対象物質の薄膜試料を作成した。成膜には、昭和真空（株）製  ＳＧＣ−８ＭＩＩを用い、到達真空度５．３×１０−４Ｐａ以下で、蒸着速度２Å／ｓで２０００Å作製した。
イオン化ポテンシャルは、大気中光電子分光装置（使用機器：理研計器（株）製、ＡＣ−１）を用い測定した。該機器において、重水素ランプの紫外線を分光器で分光した光を薄膜試料に照射し、放出される光電子をオープンカウンターで計測した。
イオン化ポテンシャルが６．０ｅＶ以下の場合、縦軸を量子収率の平方根、横軸を照射光のエネルギー（Δ＝０．０５ｅＶ間隔で測定）としプロットした光電子スペクトルに対して、バックグラウンドと量子収率の平方根との交点をイオン化ポテンシャルとした。
イオン化ポテンシャルが６．０ｅＶより大きい場合、ＵＰＳ（紫外光電子分光法）測定により得られたＨＯＭＯレベル値を換算することで決定した。【００８５】
（２）一重項エネルギーレベル（ＥｇＳ）
化合物をトルエンに溶解し、１０−５ｍｏｌ／リットルの溶液とした。分光光度計（日立社製Ｕ３４１０）にて吸収スペクトルを計測し、紫外吸収スペクトルの長波長側の立ち上がりに対して接線を引き横軸との交点である波長（吸収端）を求めた。この波長をエネルギー値に換算して１重項エネルギーレベルの値を求めた。【００８６】
（３）三重項エネルギーレベル（ＥｇＴ）
最低励起３重項エネルギーレベルＥｇＴは以下のように測定した。濃度１０μｍｏｌ／ｌ、溶媒：ＥＰＡ（ジエチルエーテル：イソペンタン：イソプロピルアルコール＝５：５：２容積比）、温度７７Ｋ、石英セルを用い、ＳＰＥＸ社ＦＬＵＯＲＯＬＯＧＩＩを用いて測定した。得られたりん光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き横軸との交点である波長（発光端）を求めた。この波長をエネルギー値に換算した。【００８７】
（４）電子親和力（Ａｆ）
電子親和力（Ａｆ）は以下の方法により算出した。
Ａｆ＝Ｉｐ−Ｅｇｓ（ｅＶ）【００８８】
（５）紫外発光領域のピーク波長
紫外発光領域のピーク波長は以下の方法で測定した。濃度１０μｍｏｌ／ｌ、溶媒：塩化メチレン、温度２９６Ｋ、石英セルを用い、励起光を該石英セルに入れた試料に照射し、蛍光スペルトルを測定した。得られた蛍光スペクトルからピーク波長を決定した。
ピーク波長は、ＳＰＥＸ社ＦＬＵＯＲＯＬＯＧＩＩや日立社製Ｆ４５００等市販の装置で測定可能である。【００８９】
（６）素子からの発光ピーク波長強度対比
素子のＥＬ輝度を１００ｃｄ／ｍ２に設定し、その発光スペクトルを測定した。発光スペクトルは分光器により測定した。一方、一重項エネルギーレベル測定と同様の条件で調製した被測定試料の蛍光スペクトル又は上記（３）三重項エネルギーレベル記載の方法でりん光スペクトルを測定し、各ドーパント錯体のピーク発光波長を決定した。
この各ピーク波長において、素子のＥＬ発光における、該ドーパントの発光強度を決定した。この値と該素子の発光ピーク波長での発光強度から発光強度比を決定した。【００９０】
実施例１
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に、透明電極を覆うようにして膜厚４０ｎｍのＨＩＭ（ＥｇＳ＝３．３ｅＶ、ＥｇＴ＝２．５ｅＶ）膜を抵抗加熱蒸着により成膜した。このＨＩＭ膜は、正孔輸送層（正孔注入層）として機能する。ＨＩＭの成膜に続けて、この膜上に膜厚４０ｎｍのＴＣＴＡ（ＥｇＳ＝３．３ｅＶ、ＥｇＴ＝３．０ｅＶ）膜（正孔輸送層）を抵抗加熱蒸着により成膜した。【００９１】
次に、ＴＣＴＡ膜上に、膜厚２０ｎｍで化合物（Ａ）をホスト材料（Ｉｐ＝６．０ｅＶ、ＥｇＳ＝３．４ｅＶ、ＥｇＴ＝２．９ｅＶ、Ａｆ＝２．６ｅＶ）として蒸着し発光層を成膜した。同時に紫外発光性ドーパントとしてＩｒ金属錯体化合物（Ｂ１）（紫外発光領域のピーク波長４１４ｎｍ（７７Ｋ）、Ｉｐ＝５．３ｅＶ、ＥｇＳ＝３．０ｅＶ、ＥｇＴ＝３．１ｅＶ、Ａｆ＝２．３ｅＶ）を添加した。発光層中における金属錯体化合物（Ｂ１）の濃度は７．５重量％とした。さらに、膜厚２０ｎｍで化合物（Ａ）をホスト材料として蒸着し発光層を成膜した。同時に可視発光性ドーパントとしてＩｒ金属錯体化合物（Ｃ）（Ｉｐ＝５．６５ｅＶ、ＥｇＳ＝２．５８ｅＶ、ＥｇＴ＝２．６ｅＶ、Ａｆ＝３．０７ｅＶ）を添加した。発光層中における金属錯体化合物（Ｃ）の濃度は７．５重量％とした。この積層膜は、発光層として機能する。【００９２】
この膜上に膜厚２５ｎｍの化合物（Ｄ）（ＥｇＳ＝３．８ｅＶ、ＥｇＴ＝２．９ｅＶ）を成膜した。この膜は電子輸送層として機能する。さらにこの膜上に膜厚５ｎｍのＡｌｑ３（ＥｇＳ＝２．７ｅＶ、ＥｇＴ＝２．１ｅＶ）を成膜した。この膜は電子輸送層（電子注入層）として機能する。この後フッ化リチウムを０．１ｎｍの厚さに蒸着し、次いでアルミニウムを１５０ｎｍの厚さに蒸着した。このＡｌ／ＬｉＦは陰極として機能する。このようにして有機ＥＬ素子を作製した。【００９３】
得られた素子を封止後、通電試験を行なったところ電圧６．０Ｖ、電流密度０．４ｍＡ／ｃｍ２にて、発光輝度１２５ｃｄ／ｍ２の青緑色発光が得られ、発光効率は３１ｃｄ／Ａであった。
また、本作製素子を輝度１００ｃｄ／ｍ２で発光させ、そのＥＬスペクトルを測定した。そのピーク波長４８６ｎｍであった。該ＥＬスペクトルで該錯体（Ｂ１）の発光強度（発光波長ピーク（４１４ｎｍ））は０であったので、強度比は０であった。【００９４】
実施例２
実施例１において、紫外発光性ドーパントとして化合物（Ｂ１）の代わりに化合物（Ｂ２）（紫外発光領域のピーク波長４００ｎｍ、Ｉｐ＝５．１ｅＶ、ＥｇＳ＝３．５４ｅＶ（吸収端）、ＥｇＴ＝３．３ｅＶ、Ａｆ＝１．５６ｅＶ）を用いて、同様に素子を作製した。
その結果、得られた素子を封止後、通電試験を行なったところ電圧７．０Ｖ、電流密度０．３５ｍＡ／ｃｍ２にて、発光輝度１０５ｃｄ／ｍ２の青緑色発光が得られ、発光効率は３０ｃｄ／Ａであった。
また、本作製素子を輝度１００ｃｄ／ｍ２で発光させ、そのＥＬスペクトルを測定した。そのピーク波長４８６ｎｍであった。該ＥＬスペクトルで該錯体（Ｂ２）の発光強度（発光波長ピーク（４００ｎｍ））は０であったので、強度比は０であった。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明の青色発光有機ＥＬ素子は、発光効率が高く、長寿命であり、青色をはじめとした各色有機ＥＬ用材料として使用可能であり、各種表示素子、ディスプレイ、バックライト、照明光源、標識、看板、インテリア等の分野に適用でき、特にカラーディスプレイの表示素子として適している。
【図１】
2007029426.tif 000019
【国際調査報告】
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2007029426.tif 000021