【手続補正書】
【提出日】平成19年10月10日(2007.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置および電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のソース信号線と、複数のゲート信号線と、複数の電源供給線と、複数の画素と、を有する発光装置であって、
前記複数の画素はスイッチング用ＴＦＴと、ＳＲＡＭと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、ＥＬ素子と、をそれぞれ有しており、
前記スイッチング用ＴＦＴのソースとドレインとは、一方が前記複数のソース信号線の１つと、他方が前記ＳＲＡＭの入力側とそれぞれ電気的に接続されており、
前記ＳＲＡＭの出力側と前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲートとは電気的に接続されており、
前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソースは前記複数の電源供給線の１つに、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのドレインは前記ＥＬ素子が有する陰極または陽極とそれぞれ電気的に接続されており、
前記ＳＲＡＭは、前記複数のソース信号線の１つから前記スイッチング用ＴＦＴを介して前記ＳＲＡＭに入力されたデジタルデータ信号を、次のデジタルデータ信号が前記ＳＲＡＭに入力されるまで保持していることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
複数のソース信号線と、複数のゲート信号線と、複数の電源供給線と、複数の画素と、を有する発光装置であって、
前記複数の画素はスイッチング用ＴＦＴと、ＳＲＡＭと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、ＥＬ素子と、をそれぞれ有しており、
前記スイッチング用ＴＦＴのソースとドレインとは、一方が前記複数のソース信号線の１つと、他方が前記ＳＲＡＭの入力側とそれぞれ電気的に接続されており、
前記ＳＲＡＭの出力側と前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲートとは電気的に接続されており、
前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソースは前記複数の電源供給線の１つに、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのドレインは前記ＥＬ素子が有する陰極または陽極とそれぞれ電気的に接続されており、
１フレーム期間中に前記ＥＬ素子が発光する期間をデジタルデータ信号を用いて制御し、
前記ＳＲＡＭは、前記複数のソース信号線の１つから前記スイッチング用ＴＦＴを介して前記ＳＲＡＭに入力されたデジタルデータ信号を、次のデジタルデータ信号が前記ＳＲＡＭに入力されるまで保持していることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
複数のソース信号線と、複数のゲート信号線と、複数の電源供給線と、複数の画素と、を有する発光装置であって、
前記複数の画素はスイッチング用ＴＦＴと、ＳＲＡＭと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、ＥＬ素子と、をそれぞれ有しており、
前記スイッチング用ＴＦＴのソースとドレインとは、一方が前記複数のソース信号線の１つと、他方が前記ＳＲＡＭの入力側とそれぞれ電気的に接続されており、
前記ＳＲＡＭの出力側と前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲートとは電気的に接続されており、
前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソースは前記複数の電源供給線の１つに、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのドレインは前記ＥＬ素子が有する陰極または陽極とそれぞれ電気的に接続されており、
１フレーム期間はｎ個のサブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ２、…、ＳＦｎとからなっており、
前記ｎ個のサブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ２、…、ＳＦｎは、書き込み期間Ｔａ１、Ｔａ２、…、Ｔａｎと表示期間Ｔｓ１、Ｔｓ２、…、Ｔｓｎとをそれぞれ有しており、
前記書き込み期間Ｔａ１、Ｔａ２、…、Ｔａｎにおいてデジタルデータ信号が前記複数の画素の全てに入力され、
前記デジタルデータ信号によって、前記表示期間Ｔｓ１、Ｔｓ２、…、Ｔｓｎにおいて前記複数のＥＬ素子が発光するか発光しないかが選択され、
前記表示期間Ｔｓ１、Ｔｓ２、…、Ｔｓｎの長さの比は、２０：２−１：…：２−（ｎ−１）で表され、
前記ＳＲＡＭは、前記複数のソース信号線の１つから前記スイッチング用ＴＦＴを介して前記ＳＲＡＭに入力されたデジタルデータ信号を、次のデジタルデータ信号が前記ＳＲＡＭに入力されるまで保持していることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記ＳＲＡＭは、第１のｎチャネル型ＴＦＴと、第２のｎチャネル型ＴＦＴと、第１のｐチャネル型ＴＦＴと、第２のｐチャネル型ＴＦＴを有しており、
前記第１のｐチャネル型ＴＦＴのソースおよび前記第２のｐチャネル型ＴＦＴのソースは高電圧側の電源に、前記第１のｎチャネル型ＴＦＴのソースおよび前記第２のｎチャネル型ＴＦＴのソースは低電圧側の電源にそれぞれ電気的に接続されており、
前記第１のｐチャネル型ＴＦＴと前記第１のｎチャネル型ＴＦＴは、互いのドレインおよびゲートがそれぞれ電気的に接続されており、
前記第２のｐチャネル型ＴＦＴと前記第２のｎチャネル型ＴＦＴは、互いのドレインおよびゲートがそれぞれ電気的に接続されており、
前記第１のｐチャネル型ＴＦＴのドレイン、前記第１のｎチャネル型ＴＦＴのドレイン、前記第２のｐチャネル型ＴＦＴのゲートおよび前記第２のｎチャネル型ＴＦＴのゲートは、同じ電位に保たれており、
前記第２のｐチャネル型ＴＦＴのドレイン、前記第２のｎチャネル型ＴＦＴのドレイン、前記第１のｐチャネル型ＴＦＴのゲートおよび前記第１のｎチャネル型ＴＦＴのゲートは、同じ電位に保たれていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記ＳＲＡＭは、第１のｎチャネル型ＴＦＴと、第２のｎチャネル型ＴＦＴと、第１の抵抗と、第２の抵抗と、を有しており、
前記第１のｎチャネル型ＴＦＴは、ドレインが前記第１の抵抗を介して高電圧側の電源に、ソースが低電圧側の電源にそれぞれ電気的に接続されており、
前記第２のｎチャネル型ＴＦＴは、ドレインが前記第２の抵抗を介して高電圧側の電源に、ソースが低電圧側の電源にそれぞれ電気的に接続されており、
前記第１のｎチャネル型ＴＦＴのドレインは、前記第２のｎチャネル型ＴＦＴのゲートと同じ電位に保たれており、
前記第２のｎチャネル型ＴＦＴのドレインは、前記第１のｎチャネル型ＴＦＴのゲートと同じ電位に保たれていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記ＳＲＡＭは、第１のｐチャネル型ＴＦＴと、第２のｐチャネル型ＴＦＴと、第１の抵抗と、第２の抵抗と、を有しており、
前記第１のｐチャネル型ＴＦＴは、ソースが高電圧側の電源に、ドレインが前記第１の抵抗を介して低電圧側の電源にそれぞれ電気的に接続されており、
前記第２のｐチャネル型ＴＦＴは、ソースが高電圧側の電源に、ドレインが前記第２の抵抗を介して低電圧側の電源にそれぞれ電気的に接続されており、
前記第１のｐチャネル型ＴＦＴのドレインは、前記第２のｐチャネル型ＴＦＴのゲートと同じ電位に保たれており、
前記第２のｐチャネル型ＴＦＴのドレインは、前記第１のｐチャネル型ＴＦＴのゲートと同じ電位に保たれていることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記ＳＲＡＭは１つのｐチャネル型ＴＦＴと、第１のｎチャネル型ＴＦＴと、第２のｎチャネル型ＴＦＴと、１つの抵抗と、を有しており、
前記第１のｎチャネル型ＴＦＴのソースおよび前記第２のｎチャネル型ＴＦＴのソースは、低電圧側の電源にそれぞれ電気的に接続されており、
前記第１のｎチャネル型ＴＦＴのドレインは、前記抵抗を介して高電圧側の電源に接続されており、
前記第２のｎチャネル型ＴＦＴのドレインは、前記ｐチャネル型ＴＦＴのドレインに電気的に接続されており、
前記ｐチャネル型ＴＦＴのソースは、高電圧側の電源に電気的に接続されており、
前記第１のｎチャネル型ＴＦＴのドレインは、前記第２のｎチャネル型ＴＦＴのゲートと同じ電位に保たれており、
前記第２のｎチャネル型ＴＦＴのドレインは、前記第１のｎチャネル型ＴＦＴのゲートと同じ電位に保たれていることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記ＳＲＡＭは１つのｎチャネル型ＴＦＴと、第１のｐチャネル型ＴＦＴと、第２のｐチャネル型ＴＦＴと、１つの抵抗と、を有しており、
前記第１のｐチャネル型ＴＦＴのソースおよび前記第２のｐチャネル型ＴＦＴのソースは、高電圧側の電源にそれぞれ電気的に接続されており、
前記第１のｐチャネル型ＴＦＴのドレインは、前記ｎチャネル型ＴＦＴのドレインに電気的に接続されており、
前記第２のｐチャネル型ＴＦＴのドレインは、前記抵抗を介して低電圧側の電源に電気的に接続されており、
前記ｎチャネル型ＴＦＴのソースは，低電圧側の電源に電気的に接続されており、
前記第１のｐチャネル型ＴＦＴのドレインは、前記第２のｐチャネル型ＴＦＴのゲートと同じ電位に保たれており、
前記第２のｐチャネル型ＴＦＴのドレインは、前記第１のｐチャネル型ＴＦＴのゲートと同じ電位に保たれていることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記ＥＬ素子は、前記陽極と前記陰極との間にＥＬ層を有しており、
前記ＥＬ層は低分子系有機物質またはポリマー系有機物質であることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記低分子系有機物質は、Ａｌｑ３（トリス−８−キノリノラト−アルミニウム）またはＴＰＤ（トリフェニルアミン誘導体）からなることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項９において、
前記ポリマー系有機物質は、ＰＰＶ（ポリフェニレンビニレン）、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）またはポリカーボネートからなることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項２乃至請求項１１のいずれか１項において、
前記１フレーム期間とは１／６０ｓ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の前記発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
図６に本実施例のＳＲＡＭの等価回路図を示す。ＳＲＡＭはｎチャネル型ＴＦＴと抵抗とを２つづつ有している。１つのｎチャネル型ＴＦＴと１つの抵抗とが対になっており、１つのＳＲＡＭの中にｎチャネル型ＴＦＴと抵抗との対が２組存在することになる。そして、ｎチャネル型ＴＦＴのドレイン領域は抵抗を介して高電圧側の電源Ｖｄｄｈに、ソース領域は低電圧側の電源Ｖｓｓにそれぞれ接続されている。