【手続補正書】
【提出日】平成19年5月8日(2007.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式［１］の化学組成を有する結晶相を有する蛍光体。 
【化１】
2005226068.tif 000001
（但し、Ｍ1は、１価の元素、Ｅｕ，Ｍｎ，及びＭｇを除く２価の元素、３価の元素、並
びに５価の元素の群から選ばれる少なくとも１種の元素であって、２価の元素が占める割合が８０ｍｏｌ％以上であり、Ｂａ，Ｃａ，及びＳｒの合計が占める割合が４０ｍｏｌ％以上であり、ＢａとＣａの合計に対するＣａの割合（モル比）が０．２以上０．９以下である。Ｍ2は、Ｓｉ及びＧｅを合計で９０ｍｏｌ％以上含む４価の元素群を表し、Ｚは、
−１価の元素、−２価の元素、Ｈ、及びＮからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素である。ａは０．００１≦ａ≦０．８、ｂは０＜ｂ≦０．８、ｃ，ｄは０＜ｃ／（ｃ＋ｄ）≦０．２、ａ，ｂ，ｃ，ｄは１．８≦（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦２．２、ｅ，ｆは０≦ｆ／（ｅ＋ｆ）≦０．０３５、及び３．６≦（ｅ＋ｆ）≦４．４を満足する数である。） 
【請求項２】
Ｍ1の中でＢａ、Ｃａ、及びＳｒの合計が占める割合が８０ｍｏｌ％以上であることを特
徴とする請求項１に記載の蛍光体。 
【請求項３】
Ｍ2の中でＳｉが占める割合が８０ｍｏｌ％以上であることを特徴とする請求項１又は２
に記載の蛍光体。 
【請求項４】
前記一般式［１］の化学組成を有する結晶相を有する蛍光体。 
（但し、Ｍ1は、１価の元素、Ｅｕ，Ｍｎ，及びＭｇを除く２価の元素、３価の元素、並
びに５価の元素の群から選ばれる少なくとも１種の元素であって、Ｂａ，Ｃａ，及びＳｒからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を８５ｍｏｌ％以上含み、ＢａとＣａの合計に対するＣａの割合（モル比）が０．２以上０．８以下である。Ｍ2がＳｉであり、Ｚ
は、−１価の元素、−２価の元素、Ｈ、及びＮからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素である。ａは０．０１＜ａ≦０．５、ｂは０＜ｂ≦０．７、ｃ、ｄは０≦ｄ／（ｃ＋ｄ）≦０．２、ａ，ｂ，ｃ，ｄは１．９≦（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦２．１、ｅ，ｆは０≦ｆ／（ｅ＋ｆ）≦０．０１、及び３．８≦（ｅ＋ｆ）≦４．２を満足する数である。） 
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の蛍光体であって、Ｘ線回折測定から得られる特定の結晶相を含むことを特徴とする蛍光体。ここで結晶相は以下の条件を満足するものとする。 
（条件） 
ＣｕＫαのＸ線源を用いたＸ線回折測定において回折角（２θ）２１．３°〜２２．５゜の範囲（Ｒ０）に回折ピークが観測され、この回折ピークを基準回折ピーク（Ｐ０）とし、Ｐ０のブラッグ角（θｓ）より導かれる５つの回折角の角度範囲をＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５としたとき、これらの範囲内に回折ピークが少なくとも１本存在すること。ただし前記結晶相由来の６本以上の回折ピークのうちの最強回折ピークに対し、Ｐ０は回折ピーク高さ比で２０％以上の強度を有し、その他の回折ピークは回折ピーク高さ比で９％以上である。ここで一つの角度範囲に回折ピークが２本以上存在するときは強度の大きいピークとする。 
Ｒ１：２×ａｒｃｓｉｎ｛ｓｉｎ（θ０）／（０．７２０×１．０１５）｝〜２×ａｒｃｓｉｎ｛ｓｉｎ（θ０）／（０．７２０×０．９８５）｝ 
Ｒ２：２×ａｒｃｓｉｎ｛ｓｉｎ（θ０）／（０．６９８×１．０１５）｝〜２×ａｒｃｓｉｎ｛ｓｉｎ（θ０）／（０．６９８×０．９８５）｝ 
Ｒ３：２×ａｒｃｓｉｎ｛ｓｉｎ（θ０）／（０．５９２×１．０１５）｝〜２×ａｒｃｓｉｎ｛ｓｉｎ（θ０）／（０．５９２×０．９８５）｝ 
Ｒ４：２×ａｒｃｓｉｎ｛ｓｉｎ（θ０）／（０．５７２×１．０１５）｝〜２×ａｒｃｓｉｎ｛ｓｉｎ（θ０）／（０．５７２×０．９８５）｝ 
Ｒ５：２×ａｒｃｓｉｎ｛ｓｉｎ（θ０）／（０．５００×１．０１５）｝〜２×ａｒｃｓｉｎ｛ｓｉｎ（θ０）／（０．５００×０．９８５）｝ 
【請求項６】
請求項５に記載の蛍光体であって、前記結晶相が以下の条件を満足することを特徴とする蛍光体。 
（条件） 
ＣｕＫαのＸ線源を用いたＸ線回折測定において回折角（２θ）２１．３°〜２２．５゜の範囲（Ｒ０）に回折ピークが観測され、この回折ピークを基準回折ピーク（Ｐ０）とし、Ｐ０のブラッグ角（θｓ）より導かれる５つの回折角の角度範囲をＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５としたとき、これらの範囲内に回折ピークが少なくとも１本存在すること。ただし前記結晶相由来の６本以上の回折ピークのうちの最強回折ピークに対し、Ｐ０は回折ピーク高さ比で２０％以上の強度を有し、その他の回折ピークは回折ピーク高さ比で９％以上である。ここで一つの角度範囲に回折ピークが２本以上存在するときは強度の大きいピークとする。 
Ｒ１：２×ａｒｃｓｉｎ｛ｓｉｎ（θ０）／（０．７２０×１．０１０）｝〜２×ａｒｃｓｉｎ｛ｓｉｎ（θ０）／（０．７２０×０．９９０）｝ 
Ｒ２：２×ａｒｃｓｉｎ｛ｓｉｎ（θ０）／（０．６９８×１．０１０）｝〜２×ａｒｃｓｉｎ｛ｓｉｎ（θ０）／（０．６９８×０．９９０）｝ 
Ｒ３：２×ａｒｃｓｉｎ｛ｓｉｎ（θ０）／（０．５９２×１．０１０）｝〜２×ａｒｃｓｉｎ｛ｓｉｎ（θ０）／（０．５９２×０．９９０）｝ 
Ｒ４：２×ａｒｃｓｉｎ｛ｓｉｎ（θ０）／（０．５７２×１．０１０）｝〜２×ａｒｃｓｉｎ｛ｓｉｎ（θ０）／（０．５７２×０．９９０）｝ 
Ｒ５：２×ａｒｃｓｉｎ｛ｓｉｎ（θ０）／（０．５００×１．０１０）｝〜２×ａｒｃｓｉｎ｛ｓｉｎ（θ０）／（０．５００×０．９９０）｝
【請求項７】
白色に発光する
ことを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の蛍光体。
【請求項８】
赤色に発光する
ことを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の蛍光体。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか１項に記載の蛍光体の製造方法であって
加熱雰囲気が還元雰囲気である
ことを特徴とする蛍光体の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜８の何れか１項に記載の蛍光体を
樹脂中に分散させた
ことを特徴とする蛍光体含有樹脂。
【請求項１１】
３５０−４３０ｎｍの光を発生する第１の発光体と、当該第１の発光体からの光の照射によって可視光を発生する第２の発光体とを有する発光装置において、第２の発光体が、請求項１〜８のいずれか１項に記載の蛍光体を含有してなることを特徴とする発光装置。 
【請求項１２】
第１の発光体がレーザーダイオード又は発光ダイオードであることを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。 
【請求項１３】
第１の発光体としてＧａＮ系化合物半導体を使用する
ことを特徴とする請求項１１または１２に記載の発光装置。
【請求項１４】
白色に発光する
ことを特徴とする請求項１１〜１３の何れか１項に記載の発光装置。
【請求項１５】
赤色に発光する
ことを特徴とする請求項１１〜１３の何れか１項に記載の発光装置。
【請求項１６】
請求項１１〜１５の何れか１項に記載の発光装置を有する照明装置。 
【請求項１７】
請求項１１〜１５の何れか１項に記載の発光装置を有する画像表示装置。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（但し、Ｍ1は、１価の元素、Ｅｕ，Ｍｎ，及びＭｇを除く２価の元素、３価の元素、並
びに５価の元素の群から選ばれる少なくとも１種の元素を表し、２価の元素が占める割合が８０ｍｏｌ％以上であり、Ｂａ，Ｃａ，及びＳｒの合計が占める割合が４０ｍｏｌ％以上であり、ＢａとＣａの合計に対するＣａの割合（モル比）が０．２以上０．９以下である。Ｍ2は、Ｓｉ及びＧｅを合計で９０ｍｏｌ％以上含む４価の元素群を表し、Ｚは、−
１価の元素、−２価の元素、Ｈ、及びＮからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素である。ａは０．００１≦ａ≦０．８、ｂは０＜ｂ≦０．８、ｃ，ｄは０＜ｃ／（ｃ＋ｄ）≦０．２、ａ，ｂ，ｃ，ｄは１．８≦（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦２．２、ｅ，ｆは０≦ｆ／（ｅ＋ｆ）≦０．０３５、及び３．６≦（ｅ＋ｆ）≦４．４を満足する数である。） 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
式［１］中のＭ1は、１価の元素、Ｅｕ，Ｍｎ，及びＭｇを除く２価の元素、３価の元
素、並びに５価の元素の群から選ばれる少なくとも１種の元素を表し、２価の元素が占める割合が８０ｍｏｌ％以上であり、Ｂａ，Ｃａ，及びＳｒの合計が占める割合が４０ｍｏｌ％以上であり、ＢａとＣａの合計に対するＣａの割合（モル比）が０．２以上０．９以下という条件を満たすものである。Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ以外の元素を具体的に述べると、１価の元素としては、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ等が挙げられ、２価の元素としては、Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｓｍ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｈｇ，Ｐｂ等が挙げられ、３価の元素としては、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ等や、Ｙ，Ｓｃ等の希土類元素が挙げられ、５価の元素としては、Ｐ，Ｓｂ，Ｂｉが挙げられるが、これらに限定されるものではない。中でも、２価の元素においてはＶ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｓｍ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｗ，Ｐｂは性能に影響しにくい。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
Ｍ1中２価の元素及び付活元素Ｅｕ2+とＭｎ2+の焼成時の固体内拡散による珪酸塩の結 晶化を助ける意味で、１価の元素、３価の元素、５価の元素を合計２０ｍｏｌ％以内で導入しても良い。赤色又は白色の発光強度等の面から、ＢａとＣａの合計に対するＣａの割合（モル比）が０．２以上０．８以下であることが好ましい。赤色又は白色の発光強度等の面から、Ｂａ，Ｃａ，及びＳｒの合計が占める割合が８０ｍｏｌ％以上であることが好ましく、Ｂａ，及びＣａの合計が占める割合が８０ｍｏｌ％以上であることがより好ましく、Ｂａ，Ｃａ，及びＳｒの合計が占める割合が１００ｍｏｌ％であることが更に好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
式［１］中のＭ2は、Ｓｉ及びＧｅを合計で９０ｍｏｌ％以上含む４価の元素群を表す
が、赤色又は白色の発光強度等の面から、Ｍ2がＳｉを８０ｍｏｌ％以上含むことが好ま
しく、Ｍ2がＳｉからなることがより好ましい。Ｓｉ，Ｇｅ以外の４価の元素としては、
Ｚｎ，Ｔｉ，Ｈｆ等が挙げられ、赤色又は白色の発光強度等の点から、性能を損なわない範囲でこれらを含んでいてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
式［１］中のＺは、−１価の元素、−２価の元素、Ｈ、及びＮからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、例えば、酸素と同じ−２価の元素であるＳ，Ｓｅ，Ｔｅ以外に−１価の元素であるＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ等であってもよいし、ＯＨ基が含有されてい
てもよいし、酸素基が一部ＯＮ基やＮ基に変わっていてもよい。また、Ｚは、蛍光性能には影響が少ない程度、即ち、不純物レベルの対全元素比約２ｍｏｌ％以下で含まれていてもよい。これは、（Ｚ＋酸素原子）に対するＺのモル比としては０．０３５以下に相当する。よって、（Ｚ＋酸素原子）に対するＺのモル比であるｆ／（ｅ＋ｆ）の範囲は０≦ｆ／（ｅ＋ｆ）≦０．０３５であり、蛍光体の性能の点から、ｆ／（ｅ＋ｆ）≦０．０１が好ましく、ｆ／（ｅ＋ｆ）＝０がより好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
式［１］中のＭｇは、２価の元素が主であるＭ1に置換され、ＭｇとＭ1の合計モル数に対するＭｇのモル数の割合であるｃ／（ｃ＋ｄ）が、０＜ｃ／（ｃ＋ｄ）≦０．２である。 
前記一般式［１］の結晶相ＥｕaＭｎbＭｇcＭ1dＭ2ＯeＺfにおいては、Ｅｕ2+、Ｍｎ2+、Ｍｇ2+は主に２価の元素からなるＭ1に置換され、Ｍ2は主にＳｉとＧｅで占められ、アニオンは主に酸素であり、その基本組成は、Ｍ1、Ｍ2、酸素原子の総モル比がそれぞれ２，１，４のものであるが、カチオン欠損やアニオン欠損が多少生じていても本目的の蛍光性能に大きな影響がないので、ＳｉとＧｅが主に占めるＭ2の全モル比を化学式上で１と
固定したときに、（Ｍ1＋Ｅｕ＋Ｍｎ＋Ｍｇ）のモル比（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）は、１．８≦
（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦２．２の範囲であり、下限としては１．９≦（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が好ましく、上限としては（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦２．１が好ましく、より好ましくは（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝２である。又、アニオン側のサイトの全モル比である（ｅ＋ｆ）は、３．６≦（ｅ＋ｆ）≦４．４の範囲であり、下限としては３．８≦（ｅ＋ｆ）が好ましく、上限としては（ｅ＋ｆ）≦４．２が好ましく、より好ましくはｅ＝４、かつｆ＝０である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
以上述べたように本発明で得られた発光強度の高い蛍光体はいずれも前述した特定の結晶相を含むことが明らかとなったことからＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含むアルカリ土類珪酸塩の結晶相を有する蛍光体であって、前述の特定の結晶相を含むことを特徴とする蛍光体であるといえる。 
本発明において、前記蛍光体に光を照射する第１の発光体は、波長３５０−４３０ｎｍの光を発生する。好ましくは波長３５０−４３０ｎｍの範囲にピーク波長を有する光を発生する発光体を使用する。第１の発光体の具体例としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザーダイオード（ＬＤ）等を挙げることができる。消費電力が良く少ない点でより好ましくはレーザーダイオードである。その中で、ＧａＮ系化合物半導体を使用した、ＧａＮ系ＬＥＤやＬＤが好ましい。なぜなら、ＧａＮ系ＬＥＤやＬＤは、この領域の光を発するＳｉＣ系ＬＥＤ等に比し、発光出力や外部量子効率が格段に大きく、前記蛍光体と組み合わせることによって、非常に低電力で非常に明るい発光が得られるからである。例えば、２０ｍＡの電流負荷に対し、通常ＧａＮ系はＳｉＣ系の１００倍以上の発光強度を有する。ＧａＮ系ＬＥＤやＬＤにおいては、ＡｌXＧａYＮ発光層、ＧａＮ発光層、またはＩｎXＧａYＮ発光層を有しているものが好ましい。ＧａＮ系ＬＥＤにおいては、それらの中でＩｎXＧａYＮ発光層を有するものが発光強度が非常に強いので、特に好ましく、Ｇａ
Ｎ系ＬＤにおいては、ＩｎXＧａYＮ層とＧａＮ層の多重量子井戸構造のものが発光強度が非常に強いので、特に好ましい。なお、上記においてＸ＋Ｙの値は通常０．８〜１．２の
範囲の値である。ＧａＮ系ＬＥＤにおいて、これら発光層にＺｎやＳｉをドープしたも
のやドーパント無しのものが発光特性を調節する上で好ましいものである。ＧａＮ系ＬＥＤはこれら発光層、ｐ層、ｎ層、電極、および基板を基本構成要素としたものであり、発光層をｎ型とｐ型のＡｌXＧａYＮ層、ＧａＮ層、またはＩｎXＧａYＮ層などでサンドイッチにしたヘテロ構造を有しているものが発光効率が高く、好ましく、さらにヘテロ構造を量子井戸構造にしたものが発光効率がさらに高く、より好ましい。