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【手続補正書】
【提出日】平成20年7月10日(2008.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの薬学的活性成分の皮膚送達のための水中油型（Ｏ／Ｗ）マイクロエマルジョン又はサブミクロンエマルジョン組成物の製造方法であって、
ａ）動物油、鉱油又は植物油、シラン、シロキサン、エステル、脂肪酸、脂肪、ハロゲン化合物及びアルコキシル化アルコールから成る群のうちの少なくとも１つ、並びに1つ又は複数の親油性界面活性剤を含む第１の成分と、水及び少なくとも１つの親水性界面活性剤を含む第２の成分とを均質になるように混合する工程、
ｂ）工程ａ）の混合物を、継続的に混合しながら、４０〜９９℃、好ましくは４５〜９５℃、より好ましくは６５〜８５℃の範囲で相集合温度に加熱して水中油型マイクロエマルジョン又はサブミクロンエマルジョンを生成させる工程、
ｃ）前記マイクロエマルジョン又はサブミクロンエマルジョンを冷却する工程、
ｄ）２℃と前記相集合温度との間の温度で前記マイクロエマルジョン又はサブミクロンエマルジョンに第３の成分を添加する工程であって、該第３の成分は、必要に応じて予備混合され、構成成分が溶解するまで加熱されており、非界面活性剤両親媒性型化合物、界面活性剤及び水から成る群から選択される少なくとも１つの構成成分を含むが、該第３の成分が水を含む場合には、非界面活性剤両親媒性型化合物及び／又は界面活性剤も含む、工程
を含む方法。
【請求項２】
前記第２の成分が２つのアリコートで添加され、前記アリコートが、それぞれ好ましくは約７０重量％及び３０重量％の第２の成分を有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第２のアリコートが、前記マイクロエマルジョン又はサブミクロンエマルジョンが生成された後、第１のアリコートの温度より実質的に低い温度で、組成物の全体温度を好ましくは約６０℃より低くするように迅速に添加され、それにより前記マイクロエマルジョン又はサブミクロンエマルジョンの構造が固定される、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記第１の成分中に閉塞剤が存在する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記閉塞剤がワセリンである、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記第１の成分、第２の成分及び第３の成分の少なくとも１つの中に薬学的活性作用物質が含まれる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記薬学的活性成分が水に不溶性であるか又は難溶性である、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記薬学的活性成分がコルチコステロイド、デソニド、クロベタゾール、ベタメタゾン、ビタミンＤアナログ及びビタミンＡアナログから選択される1つ又は複数の水不溶性化合物である、請求項６記載の方法。
【請求項９】
ａ）動物油、鉱油又は植物油、シラン、シロキサン、エステル、脂肪酸、脂肪、ハロゲン化合物又はアルコキシル化アルコールから成る群のうちの少なくとも１つ、及び1つ又は複数の親油性界面活性剤を含む第１の成分を、４０〜９９℃、好ましくは４５〜９５℃
、より好ましくは６５〜８５℃の温度に加熱し、均質になるように混合する工程、
ｂ）水及び少なくとも１つの親水性界面活性剤を含む第２の成分を４０〜９９℃、好ましくは４５〜９５℃、より好ましくは６５〜８５℃の温度に加熱し、均質になるように混合する工程、
ｃ）前記第２の成分を、継続的に混合しながら、４０〜９９℃、好ましくは４５〜９５℃、より好ましくは６５〜８５℃の温度で前記第１の成分に添加し、マイクロエマルジョン又はサブミクロンエマルジョンを相集合温度で生成させる工程、
ｄ）前記マイクロエマルジョン又はサブミクロンエマルジョンを冷却する工程、
ｅ）室温と前記相集合温度との間の温度で前記マイクロエマルジョン又はサブミクロンエマルジョンに第３の成分を添加する工程であって、該第３の成分は予備混合され、必要に応じて、構成成分が溶解するまで加熱されており、非界面活性剤両親媒性型化合物、界面活性剤及び水から成る群から選択される少なくとも１つの構成成分を含むが、該第３の成分が水を含む場合には、非界面活性剤両親媒性型化合物及び／又は界面活性剤も含む、工程
を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
水相全体に分散した油相を含む少なくとも１つの薬学的活性成分の皮膚送達のための水中油型マイクロエマルジョン又はサブミクロンエマルジョン組成物であって、該油相が動物油、鉱油又は植物油、シラン、シロキサン、エステル、脂肪酸、脂肪、ハロゲン化合物又はアルコキシル化アルコールから成る群のうちの少なくとも１つ、及び少なくとも1つの親油性界面活性剤を含み、前記水相が少なくとも１つの親水性界面活性剤、水、及び任意に非界面活性剤両親媒性化合物を含み、該少なくとも１つの親水性界面活性剤と該少なくとも１つの親油性界面活性剤の重量比が約９．０：１．０〜２．０：３．０である組成物。
【請求項１１】
前記界面活性剤の総ＨＬＢ数が８．０〜１５．０、より好ましくは１０〜１２、更に好ましくは９．７〜１１．８である、請求項１０記載の組成物。
【請求項１２】
前記親油性界面活性剤のＨＬＢ数が１０未満であり、前記親水性界面活性剤のＨＬＢ数が１０より大きい、請求項１０記載の組成物。
【請求項１３】
前記油相中に閉塞剤が含まれる、請求項１０記載の組成物。
【請求項１４】
前記閉塞剤がワセリンである、請求項１３記載の組成物。
【請求項１５】
水に不溶性又は難溶性の薬学的活性作用物質を含む、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１６】
前記薬学的活性作用物質がコルチコステロイド、デソニド、クロベタゾール、ベタメタゾン、ビタミンＤアナログ及びビタミンＡアナログから選択される1つ又は複数の水不溶性化合物である、請求項１５に記載の組成物。
【請求項１７】
前記薬学的活性作用物質が前記水相中に存在する、請求項１５記載の組成物。
【請求項１８】
前記薬学的活性作用物質が前記油相中に存在する、請求項１５記載の組成物。
【請求項１９】
前記薬学的活性作用物質が前記油相と前記水相の両方に存在する、請求項１５記載の組成物。
【請求項２０】
水相全体に分散した油相を含むことを特徴とする水中油型マイクロエマルジョン又はサブミクロンエマルジョン組成物を、患者の皮膚状態の医学的又は美容的処置のための有効量含み、
前記油相が動物油、鉱油又は植物油、シラン、シロキサン、エステル、脂肪酸、脂肪、ハロゲン化合物及びアルコキシル化アルコールから成る群のうちの少なくとも１つ、並びに少なくとも1つの親油性界面活性剤を含み、
前記水相が少なくとも１つの親水性界面活性剤、水及び任意に非界面活性剤両親媒性型化合物を含み、
前記少なくとも１つの親水性界面活性剤と前記少なくとも１つの親油性界面活性剤の重量比が約９．０：１．０〜２．０：３．０である、
組成物。
【請求項２１】
前記水中油型マイクロエマルジョン又はサブミクロンエマルジョン組成物が、少なくとも１つの薬学的活性作用物質を含む、請求項２０記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月3日(2008.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
剥離端を含むピーラー部材であって、ウェブが前記剥離端の周りを通過するときにＲＦＩＤ（無線周波識別）ラベルが前記ウェブから剥離するように設けたピーラー部材と；
前記ウェブに担持されたＲＦＩＤラベルに、該ＲＦＩＤラベルが前記剥離端の周りを通過する前にプログラミング信号を送信するＲＦＩＤプログラミングアンテナと；
前記ＲＦＩＤプログラミングアンテナに接続され前記プログラミング信号を発生させるＲＦＩＤプログラマと；
製品に取り付けるために前記ウェブから剥離したＲＦＩＤラベルを受け取って移動させて前記製品に接触させるラベルタンプアセンブリと；
を含んでなるＲＦＩＤラベルアプリケータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項２のＲＦＩＤラベルアプリケータであって、前記ラベル拒否アセンブリは、前記ラベルタンプアセンブリの径路内まで伸長して前記ＲＦＩＤラベルが製品に付与される前にその少なくとも１つのＲＦＩＤラベルを受け取る蓄積バッドを含むＲＦＩＤラベルアプリケータ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
請求項８のＲＦＩＤラベルアプリケータであって、前記タンプパッドは吸引パッドを含むＲＦＩＤラベルアプリケータ。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
請求項１１のＲＦＩＤラベルアプリケータあって、前記ＲＦＩＤラベルが前記剥離端の周りを通過する前に前記ＲＦＩＤラベルをプログラミングし、また、不良ＲＦＩＤラベルを検出するＲＦＩＤプログラミングシステムをさらに含み、前記ラベル拒否アセンブリは、不良ＲＦＩＤラベルの検出に応答して前記蓄積パッドを前記延伸位置へ移動させるＲＦＩＤラベルアプリケータ。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
ＲＦＩＤラベルアプリケータにおいてＲＦＩＤラベルを拒否する方法であって：
ウェブに担持されたＲＦＩＤラベルを、該ＲＦＩＤラベルがピーラー部材の周りを通過する前にプログラミングし、該プログラミングは不良ＲＦＩＤラベルを検出することを含むプログラミングと；
前記ＲＦＩＤラベルが前記ピーラー部材の前記剥離端の周りを通過するときに、前記Ｒ
ＦＩＤラベルを前記ウェブから剥離し；
不良ラベルが検出されたときに、該不良ラベルが前記ウェブから剥離しないでウェブ上
に残るように、前記ピーラー部材の前記剥離端の周りの前記ウェブの経路を変更する；
ことを含んでなる方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
請求項１６の方法あって：
前記ウェブから前記ＲＦＩＤラベルが剥離した後に、ラベルタンプアセンブリに担持されたＲＦＩＤラベルを受け取り；
前記ラベルタンプアセンブリを前記ＲＦＩＤラベルと共にＲＦＩＤラベルを取り付けるべき製品の方へ移動させ；
不良ラベルが検出されたときに、前記ラベルタンプアセンブリの径路内へラベル蓄積パッドを延伸させて前記不良ラベルを製品に付与しなで前記ラベル蓄積パッドに付与する；
ことをさらに含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月21日(2008.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）水酸化銅（II）、水溶性オルトリン酸塩、および水を組み合わせて混合物を形成し、
（ｂ）混合物を乾燥させる
の連続した工程を含んでなる、水酸化銅（II）を安定化させる方法。
【請求項２】
水酸化銅（II）が、アンモニアの存在下で銅金属を酸素で酸化することによって調製される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法に従って調製される安定化水酸化銅（II）。
【請求項４】
請求項１に記載の方法に従って調製される安定化水酸化銅（II）と、界面活性剤、固
体希釈剤または液体希釈剤の少なくとも１つとを含んでなる組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月26日(2008.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性金属を含む廃棄材料の封入のための方法であって、
前記方法が、低い腐食速度を与える少なくとも１つのセメント質組成物で前記廃棄材料を処理する工程を含み、
前記セメント質組成物が、アルカリ土類金属のサルホアルミネート塩を含む少なくとも一つのサルホアルミネートセメントを含んでなるセメント質組成物であって、高い内部ｐＨを与えるセメント質成分を実質的に含まない、方法。
【請求項２】
前記セメント質組成物が、石灰系セメント質成分を実質的に含まない、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記石灰系セメント質成分が、酸化カルシウムおよび／または水酸化カルシウム（生石灰および／または消石灰）および／または普通ポルトランドセメントである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記セメント質組成物が、アルカリ土類金属のサルホアルミネート塩を含む少なくとも一つのサルホアルミネートセメントを含んでなり、前記セメント質組成物のｐＨが１１．５を超えない、請求項１ないし３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記セメント質組成物のｐＨが、９．５〜１１．５の範囲にある、請求項１ないし４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記ｐＨが、９．５〜１１の範囲にある、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ｐＨが、１０〜１１の範囲にある、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記アルカリ土類金属のサルホアルミネート塩が、カルシウムサルホアルミネートを含む、請求項１ないし７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記セメント質組成物が、さらに少なくとも一つのさらなるアルカリ土類金属を含む、請求項１ないし８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも一つのさらなるアルカリ土類金属が、カルシウム塩を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記カルシウム塩が、硫酸カルシウムを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記硫酸カルシウムが、水和型硫酸カルシウムを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも一つのさらなるアルカリ土類金属が、水酸化マグネシウムを含む、請求項９ないし１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記セメント質組成物が、少なくとも一つの追加無機充填材を含む、請求項１ないし１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも一つの追加無機充填材が、高炉スラグ、粉砕燃料灰、微粒子シリカ、石灰石、または無機流動化剤を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記セメント質組成物が、少なくとも一つの有機流動化剤を含む、請求項１ないし１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記サルホアルミネートセメントが、１００〜７００ｍ２／ｋｇの範囲の表面積を持つ、請求項１ないし１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前記表面積が、２００〜５００ｍ２／ｋｇの範囲である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記表面積が、３００〜４５０ｍ２／ｋｇの範囲である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記追加成分の粒子の少なくとも８０％が、７５μｍ未満の粒径を持つ、請求項９ないし１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
前記セメント質組成物が、廃棄材料を処理するための水性組成物の形態で提供される、請求項１ないし２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
前記水性組成物の含水率が、７５％（ｗ／ｗ）を超えない、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記含水率が、３０〜７５％（ｗ／ｗ）の範囲である、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記含水率が、５０〜７０％（ｗ／ｗ）の範囲である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記セメント質組成物が、加圧下で廃棄材料中にポンプ注送される、請求項１ないし２４のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】
封入が、振動もしくは非振動グラウチング直接封入法またはドラム内混合法を使って達成される、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記活性金属が、両性活性金属を含む、請求項１ないし２６のいずれかに記載の方法。
【請求項２８】
前記両性活性金属が、アルミニウムを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記活性金属が、活性金属残渣を含む、請求項１ないし２８のいずれかに記載の方法。
【請求項３０】
前記廃棄材料が、核加工産業で生成する廃棄材料を含む、請求項１ないし２９のいずれかに記載の方法。
【請求項３１】
前記廃棄材料が、イオン交換樹脂を含む、請求項１ないし３０のいずれかに記載の方法。
【請求項３２】
請求項１ないし３１のいずれかに記載の方法を含む廃棄材料の貯蔵方法。
【請求項３３】
請求項１ないし３２のいずれかに記載の方法に従って製造されるセメント質モノリス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月21日(2008.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ８およびＲ９が上記で定義の意味を有する式(Ｘ)の化合物を得るために、化合物(IX)のエステル開裂および脱カルボキシル化を行い、これはまた式(Ａ)の化合物の製造の鍵となる中間体である。本エステル開裂は、典型的に、ベンジル型エステルの場合、当分野で既知の方法に従った、加水分解または水素化である。本脱カルボキシル化は、典型的に実施例で説明する通りの方法に従い、または当分野で既知の方法を使用して行い、例えばJ. Med. Chem., 41, 2461 (1998)を参照のこと。本エステル、すなわちＲ'がＲ９である式(Ｘ)の化合物を、そのまま次工程に使用でき、または、所望により、次工程の前に、それをＲ'がＨである各酸に加水分解できる。加水分解は、当分野で既知の方法に従い、行うことができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３９】
実施例１
(Ｓ)−５−ヒドロキシメチル−ピロリジン−２−オンの製造
【化３８】
2008511573.tif 000001
２７５ｇのリチウムボロハイドライドの１５Ｌの無水テトラヒドロフラン懸濁液を１０℃に冷却し、１.６kgの(Ｓ)−５−オキソ−ピロリジン−２−カルボン酸メチルエステルの８Ｌのテトラヒドロフラン溶液を２時間以内に添加する。得られた懸濁液を４０℃に温め、さらに３時間撹拌する。水(１.８Ｌ)を次いで添加し、混合物を濾過する。固体を次いで７Ｌのテトラヒドロフランに懸濁し、還流温度で７５分加熱する。この後、混合物を２５℃に冷却し、濾過する。濾液をゆっくり５００mLのシュウ酸の１Ｍ水溶液で室温で処理する。得られた懸濁液を濾過し、固体を５Ｌのテトラヒドロフランで洗浄する。溶媒を次いで濾液から除去し、油状物を得る。油状物を６.３Ｌの酢酸エチルおよび０.７Ｌのエタノールの混合物に高温で再溶解し、わずかに濁った溶液を濾過する。透明溶液を−２５℃に冷却し、得られた懸濁液を２時間撹拌する。固体を濾過により回収し、酢酸エチルで洗浄し、乾燥させて、表題化合物を得る。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月21日(2008.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
配列分析：ゲノムＤＮＡを、Ｈｉｇｈ Ｐｕｒｅ ＰＣＲテンプレート調製キット（Roche, Mannheim, Germany）を用いて急速冷凍（snap−frozen）組織から抽出する。ＫＩＴのエクソン９、１１、１３、１４、１５および１７、ならびにＰＤＧＦＲＡのエクソン１２および１８を、既報のポリメラーゼ連鎖反応（ＰＣＲ）により増幅する（例えば、Debiec−Rychter M et al., J Pathol 2004；202：430−438を参照のこと。）。そのＰＣＲ産物を、精製し（Microcon PCR, Millipore, MA, USA）、そしてＴｒａｎｓｇｅｎｏｍｉｃ ＷＡＶＥ ＤＨＰＬＣシステムの高速液体クロマトグラフィー（ＤＨＰＬＣ；Transgenomic, Inc., UK）により変異をスクリーニングした。異常な溶出プロフィールを示すサンプルを、再増幅し、配列決定した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
【表２】
2008511572.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月28日(2008.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
二酸化チタン顔料は、該顔料を分散させる被覆用ビヒクルに不溶である。その物理的及び化学的特徴を含め、このような二酸化チタン顔料の性能特性は、顔料の粒子径及びその表面の化学組成によって決定される。二酸化チタンは、２種の結晶構造すなわちアナターゼ型及びルチル型で市販されている。ルチル型二酸化チタン顔料は、それらが、アナターゼ型顔料よりも光をより効率的に散乱し、より安定でかつ耐久性があるので好まれる。二酸化チタンは、屈折及び回折の２つの方法で光を散乱する。その屈折及び回折能力による二酸化チタンの装飾的及び機能的特質は、二酸化チタンを高度に望ましい顔料にしている。しかし、二酸化チタンは、製造業者にとって高価な顔料であることが知られている。従って、顔料としての二酸化チタンに対するより手頃な代替物が求められている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
次いで、懸濁液をプレスフィルターで濾過して、１，３００ｋｇの湿潤ケーキ及び５，７００ｋｇの濾液が生じた。濾液は、主として硫酸ナトリウム（Ｎａ２ＳＯ４）溶液であった。ケーキは、固体が約３５％であった。ケーキを、プレスフィルター中で直接的に、室温で、３，８６０リットルのプロセス水を用い、乾燥ケーキ１トン当たり約８．５ｍ３の洗浄溶液の洗浄比率を保持して洗浄した。ケーキの洗浄で生じた濾液を、場合によっては将来の使用のために、又は排出物処理のために貯蔵した。次いで、濾過器から取り出したケーキ、約１，３００ｋｇを、蠕動ポンプを通して分散機（約１，０００リットル）に移送した。固体を約３５％含む分散した溶液は、１．３３ｇ／ｃｍ３の密度、１７，４００ｃＰの粘度を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月8日(2008.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と半導体領域とを備える半導体本体を有する半導体装置を製造する方法において、前記半導体基板および前記半導体領域が電気絶縁層によって互いに分離され、前記電気絶縁層が、投影図で見たとき隣接している第１および第２の副層を備え、前記第１の副層が、前記第２の副層より厚さが小さいものであり、前記第１の副層の上方に位置する前記半導体領域の第１の副領域内で、少なくとも１つのデジタル半導体素子が形成され、前記第２の副層の上方に位置する前記半導体領域の第２の副領域内で、少なくとも１つのアナログ半導体素子が形成される方法であって、前記第２の副層が、その下側の境界が前記第１の副層の下側の境界に対して前記半導体本体内で陥凹するように形成されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記半導体本体内の前記第１の副層の上側の境界が、前記半導体本体内で、前記第２の副層の上側の境界と同じレベルで形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の副層および前記第２の副層が、前記半導体基板の表面で形成され、前記半導体領域が、基板移送技法によってその上に設けられることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の副層および前記第２の副層が、前記半導体基板の表面の熱酸化によって形成され、厚さ調節手段が局所的に適用され、形成すべき前記第１の副層の位置での酸化物の厚さが、形成すべき前記第２の副層の位置での酸化物の厚さより小さくなるようにし、前記熱酸化プロセスの後で、前記半導体本体の表面が化学機械研磨によって平坦化され、その後、前記半導体領域が前記基板移送技法によってその上に設けられることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記厚さ調節手段が、前記第１の副層の位置で、前記酸化プロセスを遅延するマスクを適用することを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記厚さ調節手段が、酸化加速不純物を、前記半導体基板内で、前記第２の副層の位置で提供することを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記半導体領域が、水素およびヘリウムによって別の半導体基板の表面領域を処理することによって形成され、前記別の半導体基板を移送し、それによって前記表面領域が前記平坦化済み半導体基板上に設けられた後で、前記別の半導体基板の残りの部分が分割技法によって除去されることを特徴とする請求項４から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
半導体基板と半導体領域とを備える半導体本体を有する半導体装置において、前記半導体基板および前記半導体領域が電気絶縁層によって互いに分離され、前記電気絶縁層が、投影図で見ると隣接する層である第１および第２の副層を備え、前記第１の副層が、前記第２の副層より厚さが小さいものであり、前記第１の副層の上方に位置する前記半導体領域の第１の副領域内で、少なくとも１つのデジタル半導体素子が形成され、前記第２の基板の上方に位置する前記半導体領域の第２の副領域内で、少なくとも１つのアナログ半導体素子が形成される半導体装置であって、前記第２の副層の下側の境界が前記第１の副層の下側の境界に対して前記半導体本体内で陥凹するように前記第２の副層が形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記第１の副層の上側の境界が、前記半導体本体内で、前記第２の副層の上側の境界と同じレベルで形成されることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１の副層と前記第２の副層の位置で、前記半導体領域の厚さがほぼ同じであり、前記半導体素子がいわゆる十分に空乏化したモードで動作するように、前記厚さが非常に小さいことを特徴とする請求項８または９に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月29日(2008.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項６に記載のランプにおいて、
−前記放電容器は、メタルハライドとしてＮａＩ及びＳｃｌ３を含む、ランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項６に記載のランプにおいて、
−前記放電容器は、メタルハライドとしてＮａＩ、Ｓｃｌ３、ＩｎＩ及びＴｌＩを含む、ランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月31日(2008.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子装置であって、
前記電子装置をディジタル・デバイスおよびアナログ・デバイスの一方に結合するインターフェース手段と、
前記インターフェース手段が前記ディジタル・デバイスまたは前記アナログ・デバイスに結合されているかどうかを判定する制御手段と、
前記判定に応じて、前記インターフェース手段をディジタル信号を処理するディジタル処理ユニットおよびアナログ信号を取り扱うアナログ処理ユニットの一方に結合させる、電界効果トランジスタを含む、スイッチ手段と、
を備える、前記電子装置。
【請求項２】
前記電界効果トランジスタを含む前記スイッチ手段が、少なくとも毎秒４８０メガビットのビットレートを有するディジタル信号とアナログ信号との間の切り替えを可能とする、請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
電子装置を制御する方法であって、
前記電子装置のコネクタが結合された状態にあるかどうかを判定するステップと、
前記コネクタが前記結合された状態にある場合に前記コネクタがディジタル・デバイスに結合されているかアナログ・デバイスに結合されているかを判定するステップと、
前記判定に応じて、前記コネクタをディジタル信号を処理するための前記電子装置のディジタル処理ユニットおよびアナログ信号を取り扱うための前記電子装置のアナログ処理ユニットの一方に結合するステップと、
を含み、
前記コネクタが、電界効果トランジスタを含むスイッチを介して前記ディジタル処理ユニットまたは前記アナログ処理ユニットに選択的に結合される、
前記方法。
【請求項４】
前記電界効果トランジスタを含む前記スイッチが、少なくとも毎秒４８０メガビットのビットレートを有するディジタル信号とアナログ信号との間の切り替えを可能とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
オーディオ装置である請求項１に記載の電子装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月30日(2008.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
他のアイテムとの関係に基づいてアイテムを識別するための意味識別子を提供するステップと、
データ・モデル内のアイテムについての前記意味識別子の判定を可能にするために、データ・モデルのマッピングを獲得するステップと、
前記マッピングを、マッピングおよび前記意味識別子のうちの少なくとも１つに基づいて実行されるデータ統合機能と関連付けるステップと、
を含む、データ統合のための方法。
【請求項２】
前記関係は、関係階層におけるアイテムの位置を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記意味識別子は、アイテムについての固有の識別子である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記意味識別子は、前記アイテムの他のアイテムとのすべての関係より少ない数であって、当該識別子が固有であるために十分な数の関係に基づいている、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記意味識別子は、当該識別子が固有であるために必要な最小数の関係に基づいている、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記意味識別子は、アイテムについてのコンテキスト依存識別子である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
データ統合プロセスを実行する方法であって、
モデルをデータ・セットと関連付けるステップと、
前記データ・セットからアイテムを選択するための選択コマンドを、前記モデルから判定される前記アイテムについての区別特性に基づいて形成するステップと、
を含む、方法。
【請求項８】
前記選択コマンド／クエリの前記形成は、当該選択コマンド／クエリを使用されるプロセスの実行時に行われる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記選択コマンド／クエリの前記形成は、当該選択コマンド／クエリを使用されるプロセスの設計時に行われる、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
データ統合プロセスを実行する方法であって、
モデルをデータ・セットと関連付けるステップと、
前記データ・セットを照会するためのクエリを、前記モデルから判定される前記アイテムについての区別特性に基づいて形成するステップと、
を含む、方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の方法のステップをコンピュータに実行させるためのコンピュータ・プログラム。
【請求項１２】
データ統合のためのシステムであって、
他のアイテムとの関係に基づいてアイテムを識別するための意味識別子と、
データ・モデル内のアイテムについての前記意味識別子の判定を可能にするためのデータ・モデルのマッピングと、
前記マッピングを、マッピングおよび前記意味識別子のうちの少なくとも１つに基づいて実行されるデータ統合機能と関連付けるための機構と、
を備える、システム。
【請求項１３】
前記意味識別子は、第２のアイテムに対して直接的な関係を有する第１のアイテムに対する直接的な関係を取得することによって、前記第２のアイテムに対する間接的な関係を再帰的に取得する、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記意味識別子は、文字列で取得され、前記文字列は、固有識別子のためにすべての要素が必要とされない場合に切り捨てられる、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】
前記データ統合機能は変換操作である、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１６】
前記変換操作は、意味識別子の前記フォーマット、意味識別子の前記言語、意味識別子の前記データ・モデルの１以上を修正する、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記変換操作の前記マッピングは、該操作の実行において、元の意味コンテキストと変換された意味コンテキストとの間で前後に変換されるデータをトレースすることができる、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１８】
前記変換操作は、サービス指向アーキテクチャ内のサービスとして提供される、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１９】
前記エンティティの区別特性に基づいて論理エンティティのインスタンスを選択的にフィルタリングするためのフィルタをさらに備える、請求項１２に記載のシステム。
【請求項２０】
前記区別特性は、前記マッピングおよび前記意味識別子の少なくとも１つから得られる、請求項１９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月30日(2008.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型の半導体基板であって、前記半導体基板は、該半導体基板の上部領域の下方に配置された第２の導電型のドープ領域を含み、前記第１の導電型は、前記第２の導電型とは異なる、第１の導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の前記上部領域内に配置されたウェル領域であって、前記ウェル領域は、前記第２の導電型の外側ウェル領域と、前記第１の導電型の内側ウェル領域とを含み、前記ウェル領域のウェルの各々は、分離領域によって上面で分離される、ウェル領域と、
前記内側ウェル領域の上方に配置された、少なくとも前記第１の導電型のゲート導体を有する電界効果トランジスタと
を備えるバラクタ構造体。
【請求項２】
前記第２のドープ領域は、サブコレクタ又は分離ウェルである、請求項１に記載のバラクタ構造体。
【請求項３】
各々のウェル領域は、隣接するウェル領域が互いに接触状態にあるように、前記分離領域の下方に延びる、請求項１に記載のバラクタ構造体。
【請求項４】
前記半導体基板の前記上部領域は、エピタキシャル半導体層を含む、請求項１に記載のバラクタ構造体。
【請求項５】
前記電界効果トランジスタは、前記ゲート導体の下方に配置されたゲート誘電体と、前記ゲート導体上に配置されたハード・マスクと、該ゲート導体の側壁上に配置された少なくとも１つのスペーサと、隣接するソース／ドレイン領域とをさらに備える、請求項１に記載のバラクタ構造体。
【請求項６】
前記ゲート導体はポリシリコンを含む、請求項１に記載のバラクタ構造体。
【請求項７】
半導体基板の上部領域の下方に配置された、ｎ−ドープ領域を含むｐ−型半導体基板と、
前記半導体基板の前記上部領域内に配置されたウェル領域であって、前記ウェル領域は、外側Ｎ−ウェル領域及び内側Ｐ−ウェル領域を含み、該ウェル領域のウェルの各々は、分離領域によって上面で分離される、ウェル領域と、
前記内側Ｐ−ウェル領域の上方に配置された、少なくともｐ−型ゲート導体を有する電界効果トランジスタと
を備えるバラクタ構造体。
【請求項８】
前記ｎ−ドープ領域は、サブコレクタ又は分離ウェルを含む、請求項７に記載のバラクタ構造体。
【請求項９】
各々のウェル領域は、隣接するウェル領域が互いに接触状態にあるように、分離領域の下方に延びる、請求項７に記載のバラクタ構造体。
【請求項１０】
前記基板の前記上部領域は、エピタキシャル半導体層を含む、請求項７に記載のバラクタ構造体。
【請求項１１】
前記電界効果トランジスタは、前記ゲート導体の下方に配置されたゲート誘電体と、前記ゲート導体上に配置されたハード・マスクと、前記ゲート導体の側壁上に配置された少なくとも１つのスペーサと、隣接するソース／ドレイン領域とをさらに備える、請求項７に記載のバラクタ構造体。
【請求項１２】
前記ゲート導体は、ポリシリコンを含む、請求項７に記載のバラクタ構造体。
【請求項１３】
バラクタ構造体を製造する方法であって、
第１の導電型の半導体基板を含む構造体を準備するステップと、
前記半導体基板の前記上部領域内に複数の分離領域を形成するステップと、
前記半導体基板の前記上部領域内にウェル領域を形成するステップであって、前記ウェル領域は、前記第１の導電型とは異なる第２の導電型の外側ウェル領域と、該第１の導電型の内側ウェル領域とを含み、前記ウェル領域のウェルの各々は、分離領域によって上面で分離される、ステップと、
前記内側ウェル領域の上方に、少なくとも前記第１の導電型のゲート導体を有する電界効果トランジスタを形成するステップであって、前記第２の導電型のドープ領域は、前記複数の分離領域を形成する前又は直後に、前記半導体基板の上部領域内に形成される、ステップと
を含む方法。
【請求項１４】
前記ウェル領域を形成するステップは、マスク・イオン注入プロセスを含む、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月18日(2008.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
飛行時間チャンバを有する飛行時間型質量分析計であって、
第１の場所と第２の場所との間に延びる、飛行経路の第１のセグメントに沿うイオンの飛行時間を温度の変化で変化させる温度依存パラメータを有する少なくとも第１の素子と、
第２の素子の位置を決定する温度依存寸法形状を有するスペーサと、を含み、上記位置が上記チャンバ内のイオンの上記飛行経路の第２のセグメントに沿う飛行時間に影響を及ぼし、
上記スペーサの材料及び寸法は、質量分析計の動作中、イオンが飛行経路を移動するのにかかる総計時間が、上記第１のセグメントに沿うイオンの飛行時間の変化及び温度に係わりなく、同じ質量対電荷比のイオンについて実質的に一定であるように選択されることを特徴とする飛行時間型質量分析計。
【請求項２】
上記飛行経路の上記第１のセグメントに沿うイオンの上記飛行時間は、それが温度のる変化で増大するように変化し、上記飛行経路の上記第２のセグメントに沿うイオンの飛行時間は、それが温度の変化で減少するように影響されることを特徴とする請求項１に記載の質量分析計。
【請求項３】
上記第１の場所は、上記イオンが上記チャンバの中へ加速される場所であることを特徴とする請求項１に記載の質量分析計。
【請求項４】
上記第２の場所は、上記イオンが上記イオン検出器によって検出される場所であることを特徴とする請求項３に記載の質量分析計。
【請求項５】
上記第１の場所は、上記イオンが、開始されるべきイオンの飛行時間のタイミングをトリガする場所であることを特徴とする請求項１に記載の質量分析計。
【請求項６】
上記第２の場所は、上記イオンが、終了されるべきイオンの飛行時間のタイミングをトリガする場所であることを特徴とする請求項５に記載の質量分析計。
【請求項７】
上記第１の素子は、リフレクトロンであり、上記温度依存パラメータは、長さであることを特徴とする請求項１に記載の質量分析計。
【請求項８】
上記第１の素子は、リフレクトロンであり、上記温度依存パラメータは、電界であることを特徴とする請求項１に記載の質量分析計。
【請求項９】
上記第１の素子は、加速器であり、上記温度依存パラメータは、長さであることを特徴とする請求項１に記載の質量分析計。
【請求項１０】
上記第１の素子は、加速器であり、上記温度依存パラメータは、電界であることを特徴とする請求項１に記載の質量分析計。
【請求項１１】
上記スペーサは、上記質量分析計の構成部品からなることを特徴とする請求項１に記載の質量分析計。
【請求項１２】
上記スペーサは、上記イオン検出器からなることを特徴とする請求項１１に記載の質量分析計。
【請求項１３】
上記スペーサは、上記リフレクトロン素子からなることを特徴とする請求項１１に記載の飛行時間形質量分析計。
【請求項１４】
上記スペーサは、イオンの発生源からなることを特徴とする請求項１１に記載の質量分析計。
【請求項１５】
上記スペーサは、イオンの発生源に連結されることを特徴とする請求項１に記載の質量分析計。
【請求項１６】
上記スペーサは、検出器に連結されることを特徴とする請求項１に記載の質量分析計。
【請求項１７】
上記スペーサは、リフレクトロン素子に連結されることを特徴とする請求項１に記載の質量分析計。
【請求項１８】
上記スペーサは、高熱膨張の材料で形成されることを特徴とする請求項１に記載の質量分析計。
【請求項１９】
上記材料は、アルミニウムであることを特徴とする請求項１８に記載の質量分析計。
【請求項２０】
上記スペーサは、低熱膨張の材料で形成されることを特徴とする請求項１に記載の質量分析計。
【請求項２１】
上記スペーサは、温度補償バーと拘束機構とを含み、上記拘束機構は、主として上記第２の素子に対する支持をなし、上記熱補償バーの一端は、上記拘束機構に取り付けられ、上記熱補償バーの他端は、上記飛行時間チャンバに取り付けられ、上記拘束機構は、上記第２の素子の位置を決定する少なくとも一つの自由度を許容することを特徴とする請求項１に記載の質量分析計。
【請求項２２】
上記拘束機構は、レバー素子からなることを特徴とする請求項２１に記載の質量分析計。
【請求項２３】
上記拘束機構は、ピボット要素からなることを特徴とする請求項２１に記載の質量分析計。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月22日(2008.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１．５ボルトの公称の開路電圧を有し、かつハウジング、アルカリ金属を含む負極、正極、負極及び正極の間に配置されたセパレーター及び電解質を含む、以下を特徴とする電気化学的な一次電池；ここで：
該正極が、ＦｅＳ、ＦｅＳ2、Ｂｉ2Ｏ3、ＣｕＯ、Ｃｕ2Ｏ、ＣｕＳ及びＣｕＳ2から成る群より選択される１以上を含み、
該電解質が溶質及び有機溶媒を含み；
該溶質がヨウ化リチウムを含み；
該溶媒が１以上のエーテルを含み；
該１以上のエーテルが１，２−ジメトキシプロパン及び置換された１，２−ジメトキシプロパンから選択された１，２−ジメトキシプロパンベースの溶媒成分を含み；及び
該エーテルが１，２−ジメトキシエタンを含む場合、該エーテルが３０容積パーセントより少ない１，２−ジメトキシエタンを含む。
【請求項２】
該アルカリ金属が、リチウム、ナトリウム及びカリウムから成る群より選択される少なくとも一つの金属である、請求項１に記載する電池。
【請求項３】
該アルカリ金属がリチウムを含む、請求項２に記載する電池。
【請求項４】
該正極が、ＦｅＳ及びＦｅＳ2の少なくとも一つを含む、請求項１に記載する電池。
【請求項５】
金属リチウムを含む負極及び硫化鉄を含む正極を含む、請求項１に記載する電池。
【請求項６】
該溶媒が、１，２−ジメトキシエタンを含み、及び１，２−ジメトキシエタンに対する１，２−ジメトキシプロパンベースの成分の容積比率が、少なくとも１対２である、請求項５に記載する電池。
【請求項７】
１，２−ジメトキシエタンに対する１，２−ジメトキシプロパンベースの成分の容積比率が、少なくとも１対５である、請求項６に記載する電池。
【請求項８】
該溶媒が１，２−ジメトキシエタンを含まない、請求項５に記載する電池。
【請求項９】
該溶媒が、１０から９０容積パーセントの１，２−ジメトキシプロパンベースの成分を含む、請求項５に記載する電池。
【請求項１０】
該溶媒が、４０から８０容積パーセントの１，２−ジメトキシプロパンベースの成分を含む、請求項９に記載する電池。
【請求項１１】
１，２−ジメトキシプロパンベースの成分が、１，２−ジメトキシプロパンである、請求項５に記載する電池。
【請求項１２】
合計のエーテル含量が、少なくとも溶媒の９０容積パーセントである、請求項５に記載する電池。
【請求項１３】
該溶媒が、さらに１０から９０容積パーセントの１，３−ジオキソラン又は置換された１，３−ジオキソランから選択された１，３−ジオキソランベースの成分を含む、請求項５に記載する電池。
【請求項１４】
１，３−ジオキソランベースの成分が、溶媒の合計容積の７５パーセント以下である、請求項１３に記載する電池。
【請求項１５】
１，３−ジオキソランベースの成分が、溶媒の合計容積の少なくとも２０パーセントである、請求項１３に記載する電池。
【請求項１６】
１，３−ジオキソランベースの成分が、溶媒の合計容積の２０から７５パーセントである、請求項１３に記載する電池。
【請求項１７】
１，３−ジオキソランベースの成分が、１，３−ジオキソランである、請求項１３に記載する電池。
【請求項１８】
該溶媒がさらに、３，５−ジメチルイソオキサゾールを含む、請求項５に記載する電池。
【請求項１９】
該溶媒が、ジアルキルカーボネート及び環状カーボネートを含まない、請求項５に記載する電池。
【請求項２０】
該電解質が、溶媒１リットルに対して０．５から２モルの溶質を含む、請求項５に記載する電池。
【請求項２１】
該溶質が第一の成分としてヨウ化リチウムを含む多成分溶質である、請求項５に記載する電池。
【請求項２２】
該溶質が、第二の成分としてリチウムトリフルオロメタンスルホネートを含む、請求項２１に記載する電池。
【請求項２３】
該溶質が、少なくとも５質量パーセントのヨウ化リチウムを含む、請求項２２に記載する電池。
【請求項２４】
該金属リチウムが、リチウムの合金を含む、請求項５に記載する電池。
【請求項２５】
該合金がアルミニウムを含む、請求項２４に記載する電池。
【請求項２６】
該正極が、硫化鉄及びカーボンの混合物を含む、請求項５に記載する電池。
【請求項２７】
該混合物が結合剤を含み、及び該正極が金属集電体における混合物の被覆を含む、請求項２６に記載する電池。
【請求項２８】
該混合物が、少なくとも２０質量パーセントの二硫化鉄を含む、請求項２７に記載する電池。
【請求項２９】
溶質及び有機溶媒を含む電解質を含み、ここで：
該溶質が溶媒１リットル当たり０．５から２モルのヨウ化リチウムを含み；及び
該溶媒が第一の溶媒成分として１０から９０容積パーセントの１，２−ジメトキシプロパンを、及び第二の溶媒成分として１０から９０容積パーセントの１，３−ジオキソランを含む、請求項５に記載の電池。
【請求項３０】
該溶媒が、１，２−ジメトキシエタン、ジアルキルカーボネート及び環状カーボネートを含まない、請求項２９に記載する電池。
【請求項３１】
該溶媒がさらに第三の溶媒成分を含み、及び該第三の溶媒成分が、全溶媒の５０容積パーセントより少ない、請求項２９に記載する電池。
【請求項３２】
該溶媒が、３−メチル−２−オキサゾリジノン及び３，５−ジメチルイソオキサゾールから成る群より選択される少なくとも一つの成分を含む、請求項３０に記載する電池。
【請求項３３】
該溶質が第二の溶質成分を含む、請求項２９に記載する電池。
【請求項３４】
該第二の溶質成分がリチウムトリフルオロメタンスルホネートを含む、請求項３３に記載する電池。
【請求項３５】
リチウム一次電池における使用のための電解質であって、該電解質が、溶質及び有機溶媒を含み、該溶質がヨウ化リチウムを含み、該溶媒が１以上のエーテルを含み、該１以上のエーテルが１，２−ジメトキシプロパン及び置換された１，２−ジメトキシプロパンから選択された１，２−ジメトキシプロパンベースの溶媒成分を含み、該エーテルが１，２−ジメトキシエタンを含む場合、該エーテルが３０容積パーセントより少ない１，２−ジメトキシエタンを含む電解質。
【請求項３６】
該溶媒が１，２−ジメトキシエタンを含まない、請求項３５に記載する電解質。
【請求項３７】
該溶媒がさらに１，３−ジオキソランを含む、請求項３５に記載する電解質。
【請求項３８】
該溶媒がさらに３，５−ジメチルイソオキサゾールを含む、請求項３７に記載する電解質。
【請求項３９】
該溶媒がジアルキルカーボネート及び環状カーボネートを含まない、請求項３５に記載する電解質。
【請求項４０】
該溶質が第二の溶質成分を含む、請求項３５に記載する電解質。
【請求項４１】
該第二の溶質成分が、リチウムトリフルオロメタンスルホネートを含む、請求項４０に記載する電解質。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月22日(2008.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ金属を含む負極、正極、負極及び正極の間に配置されたセパレーター及び電解質を有する電気化学的な電池であって、該電解質が以下を含む電池：
５０質量パーセントより多いヨウ化リチウムを含む溶質；及び
４５から８０容積パーセントの１，２−ジメトキシエタン及び５から２５容積パーセントの３−メチル−２−オキサゾリジノンを含む溶媒。
【請求項２】
該溶媒が、さらに少なくとも一つの付加的な共溶媒を含む、請求項１に記載する電池。
【請求項３】
該溶媒が、さらに１，３−ジオキソラン及び置換された１，３−ジオキソランから選択された１，３−ジオキソランベースの共溶媒を含む、請求項２に記載する電池。
【請求項４】
該溶媒が、最大で４５容積パーセントの１，３−ジオキソランベースの共溶媒を含む、請求項３に記載する電池。
【請求項５】
１，３−ジオキソランベースの共溶媒に対する１，２−ジメトキシエタンの容積比率が、少なくとも１対１である、請求項３に記載する電池。
【請求項６】
１，３−ジオキソランベースの共溶媒に対する１，２−ジメトキシエタンの容積比率が、少なくとも１対２である、請求項５に記載する電池。
【請求項７】
１，３−ジオキソランベースの共溶媒に対する１，２−ジメトキシエタンの容積比率が、１対３である、請求項６に記載する電池。
【請求項８】
１，３−ジオキソランベースの共溶媒が、１，３−ジオキソランである、請求項３に記載する電池。
【請求項９】
該溶媒が、さらに３，５−ジメチルイソオキサゾールを含む、請求項２に記載する電池。
【請求項１０】
該溶媒が、合計で５質量パーセントより少ないジアルキルカーボネート及び環状カーボネートを含む、請求項１に記載する電池。
【請求項１１】
該溶媒が、ジアルキルカーボネート及び環状カーボネートを含まない、請求項１０に記載する電池。
【請求項１２】
該電解質が、溶媒１リットル当たり０．５から２モルの溶質を含む、請求項１に記載する電池。
【請求項１３】
該溶質が、さらにリチウムトリフルオロメタンスルホネートを含む、請求項１に記載する電池。
【請求項１４】
該溶質が、実質的にヨウ化リチウムからなる、請求項１に記載する電池。
【請求項１５】
該アルカリ金属が、リチウム、ナトリウム及びカリウムから成る群より選択される少なくとも一つの金属である、請求項１に記載する電池。
【請求項１６】
該アルカリ金属が、リチウム金属を含む、請求項１５に記載する電池。
【請求項１７】
該リチウム金属が合金を含む、請求項１６に記載する電池。
【請求項１８】
該合金がアルミニウムを含む、請求項１７に記載する電池。
【請求項１９】
該正極が、ＦｅＳ及びＦｅＳ2から成る群より選択される少なくとも一つを含む、請求項１に記載する電池。
【請求項２０】
該正極が、ＦｅＳ2及びカーボンの混合物を含む、請求項１９に記載する電池。
【請求項２１】
該正極が、金属集電体における混合物のコーティングを含み、かつ該混合物が結合剤を含む、請求項１に記載する電池。
【請求項２２】
該電池が一次電池である、請求項１に記載する電池。
【請求項２３】
前記電池は一次電池であり；
前記負極はリチウム金属を含み；
前記正極はＦｅＳ及びＦｅＳ2の少なくとも一つを含み；
前記電解質は５０質量パーセントより多いヨウ化リチウムを含む溶質、並びに５０より多くから８０容積パーセントの１，２−ジメトキシエタン及び５から２０容積パーセントの３−メチル−２−オキサゾリジノンを含む溶媒を含み；及び
該溶質の濃度が、溶媒１リットル当たり０．５から２モルである、
請求項１に記載の電気化学的な電池。
【請求項２４】
以下を特徴とする、リチウム一次電池において使用するための電解質：
該電解質は、溶媒１リットル当たり０．５から２モルの溶質を含み；
該溶質は、５０質量パーセントより多いヨウ化リチウムを含み；及び
該溶媒は４５から８０容積パーセントの１，２−ジメトキシエタン及び５から２５容積パーセントの３−メチル−２−オキサゾリジノンを含む。
【請求項２５】
該溶媒がさらに少なくとも一つの付加的な溶媒を含む、請求項２４に記載する電解質。
【請求項２６】
該溶媒がさらに、１，３−ジオキソランを含む、請求項２５に記載する電解質。
【請求項２７】
該溶媒が、最大で４５容積パーセントの１，３−ジオキソランを含む、請求項２６に記載する電解質。
【請求項２８】
１，３−ジオキソランに対する１，２−ジメトキシエタンの容積比率が、少なくとも１対１である、請求項２６に記載する電解質。
【請求項２９】
１，３−ジオキソランに対する１，２−ジメトキシエタンの容積比率が、少なくとも１対２である、請求項２８に記載する電解質。
【請求項３０】
１，３−ジオキソランに対する１，２−ジメトキシエタンの容積比率が、１対３である、請求項２９に記載する電解質。
【請求項３１】
該溶媒が、さらに３，５−ジメチルイソオキサゾールを含む、請求項２４に記載する電解質。
【請求項３２】
該溶媒が、合計で５質量パーセントより少ないジアルキルカーボネート及び環状カーボネートを含む、請求項２４に記載する電解質。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月1日(2008.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｌｉ２ＮｉＭｎ３Ｏ８で表される正極活物質を含む正極と、負極活物質を含む負極と、フルオロスルホニルイミドアニオンを含有する溶融塩を含む電解質とを備え、
前記正極活物質はリチウムに対して少なくとも約４．０ボルトの電気化学ポテンシャルを有する充電式リチウム系の電池。
【請求項２】
前記正極活物質はリチウムに対して少なくとも約４．５Ｖの電気化学ポテンシャルを有する請求項１に記載の電池。
【請求項３】
前記電解質はリチウム化合物を含み、当該リチウム化合物はリチウムイオン源を提供する請求項１に記載の電池。
【請求項４】
前記負極活物質はリチウムイオンを可逆的に挿入し、前記電池は充電式リチウムイオン電池である請求項１に記載の電池。
【請求項５】
前記負極活物質はリチウム化遷移金属酸化物を含む請求項４に記載の電池。
【請求項６】
前記負極活物質はリチウムチタン酸化物を含む請求項４に記載の電池。
【請求項７】
前記負極活物質はリチウムを含み、前記電池は充電式リチウム電池である請求項１に記載の電池。
【請求項８】
前記負極活物質はリチウム金属の層である請求項７に記載の電池。
【請求項９】
前記負極活物質はリチウム含有合金を含む請求項７に記載の電池。
【請求項１０】
前記負極活物質はリチウムアルミニウム合金を含む請求項１に記載の電池。
【請求項１１】
前記正極活物質はリチウムイオンを可逆的に挿入する請求項１に記載の電池。
【請求項１２】
前記溶融塩電解質はオニウムを含む請求項１に記載の電池。
【請求項１３】
前記正極は電子伝導性物質を含み、当該電子伝導性物質は前記溶融塩電解質と接触状態にあるバリア材を有する粒子であり、前記バリア材は導電性カーボンではなく、前記電解質の実質的な分解を誘導しない請求項１に記載の電池。
【請求項１４】
式Ｌｉ２ＮｉＭｎ３Ｏ８で表される正極活物質を含む正極と、負極活物質を含む負極と、フルオロスルホニルイミドアニオンを含有する溶融塩を含む電解質とを備え、
当該電解質はカチオンに対して導電性を有し、当該カチオンは化学種のカチオン形態であり、
前記正極活物質は前記カチオンを可逆的に挿入可能であり、
前記正極活物質は前記化学種に対して少なくとも約４．５ボルトの電気化学ポテンシャルを有する電池。
【請求項１５】
前記化学種はアルカリ金属である請求項１４に記載の電池。
【請求項１６】
前記アルカリ金属はリチウムであり、前記カチオンはリチウムイオンである請求項１５に記載の電池。
【請求項１７】
前記負極活物質は前記カチオンを可逆的に挿入可能である請求項１４に記載の電池。
【請求項１８】
前記負極活物質は前記化学種を元素形態で含む請求項１４に記載の電池。