(57)【要約】【課題】  本発明は、ダイヤモンド(001)、(110)又は(111)表面上に原子レベルで平坦面を選択的に形成する方法を提供する。【解決手段】  段差をつけた結晶構造(001)、(110)又は(111)のいずれかのダイヤモンド表面上に、その後、ダイヤモンドのステップフロー成長が行われる成長条件で、CVD（化学気相成長法）でダイヤモンドを成長させるダイヤモンド表面上に原子的平坦面の選択的に形成する方法。
2007132644.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
段差をつけた結晶構造(001)、(110)又は(111)のいずれかのダイヤモンド表面上に、その後、ダイヤモンドのステップフロー成長が行われる成長条件で、CVD（化学気相成長法）でダイヤモンドを成長させるダイヤモンド表面上に原子的平坦面を選択的に形成する方法。
【請求項２】
段差をつけたダイヤモンド表面が、 (001)、(110)又は(111)のいずれかのダイヤモンド基板またはCVDでホモエピタキシャル成長したダイヤモンド膜の表面に、金属を堆積し、その金属を目的の形状に加工し、ダイヤモンドをエッチングすることにより、そのダイヤモンド表面を加工し、さらに金層を除去することにより得られることを特徴とする請求項１に記載したダイヤモンド表面上に原子的平坦面を選択的に形成する方法。
【請求項３】
CVDが、マイクロ波プラズマCVDである請求項１に記載したダイヤモンド表面上に原子的平坦面を選択的に形成する方法。
【請求項４】
ステッフロー成長において、炭素原ガスの供給量を0.001％〜0.2%とする請求項１ないし請求項３のいずれかひとつに記載したダイヤモンド表面上に原子的平坦面を選択的に形成する方法。
【請求項５】
結晶構造(001)、(110)又は(111)のいずれかのダイヤモンド主表面を備え、前記主表面は、該表面に対して所定のオフ角を備え、該オフ角の頂点からオフ角の傾斜面に沿って選択成長してなる実質的に原子レベルで平坦面を備えるダイヤモンド基板。
【請求項６】
基板は、メサ構造を備えることを特徴とする請求項５に記載したダイヤモンド基板。
【請求項７】
ダイヤモンド基板と、基板上にダイヤモンドを成長させて堆積した第一導電型半導体層と、該半導体層は、その表面に対して所定のオフ角を備え、該オフ角の頂点からオフ角の傾斜面に沿って選択成長してなる傾斜面を形成し、前記第一導電型半導体層の前記傾斜面上にダイヤモンドを成長させて堆積した第二導電型半導体層とからなり、ここで、前記第一導電型半導体層の前記傾斜面と第二導電型半導体層との界面は、実質的に原子レベルで平坦な表面を形成し、前記第二導電型半導体層状に堆積した金属電極とを備える半導体装置。
【請求項８】
ダイヤモンド基板と、基板上にダイヤモンドを成長させて堆積した第一導電型半導体層と、該半導体層は、その表面に対して所定のオフ角を備え、該オフ角の頂点からオフ角の傾斜面に沿って選択成長してなる傾斜面を形成し、前記第一導電型半導体層の傾斜面上にダイヤモンドを成長させて堆積した真性半導体層と、前記第一導電型半導体層の前記傾斜面上にダイヤモンドを成長させて堆積した第二導電型半導体層とからなり、ここで、前記第一導電型半導体層の前記傾斜面と第二導電型半導体層との界面は、実質的に原子レベルで平坦な表面を形成し、前記第二導電型半導体層状に堆積した金属電極とを備える半導体装置。
【請求項９】
第一導電型半導体層と、該半導体層は、その表面に対して所定のオフ角を備え、該オフ角の頂点からオフ角の傾斜面に沿って選択成長してなる傾斜面を形成し、前記第一導電型半導体層の前記傾斜面上にダイヤモンドを成長させて堆積した第二導電型半導体層とからなり、ここで、前記第一導電型半導体層の前記傾斜面と第二導電型半導体層との界面は、実質的に原子レベルで平坦な表面を形成し、前記第二導電型半導体層状に堆積した金属電極とを備える電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、ダイヤモンドのエピタキシャル成長に関し、より詳しくは半導体デバイス特性を改善できるダイヤモンドのエピタキシャル成長に関し、ダイヤモンド表面上に原子レベルで平坦面を選択的に形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  従来、ダイヤモンドのホモエピタキシャル成長させた膜表面は、異常成長粒子やマクロバンチング、そしてエッチピットといった欠陥が形成されやすいことが知られている。  これらの欠陥はデバイス特性を劣化させる。他の材料を見てもデバイス特性において表面の平坦性は非常に重要であり、ダイヤモンドを用いたデバイス作製においても、これらの欠陥を作製するデバイス内で低減させる必要がある。  ダイヤモンド(001)基板上において、マイクロ波プラズマCVDを用いて0.025%のメタン濃度によりステップテラス構造の形成が報告されている（非特許文献  1参照）。  しかし、(111)基板上では、そのような平坦な表面は得られていない。従って、ダイヤモンドを用いたデバイス作製において、デバイスサイズの平坦な表面を選択的に形成する技術が求められている。【０００３】  一方、他の材料を見ると、SiC基板上にメサ構造形成後、化学気相成長法（H2(4400 cm3/min), SiH4(2.7 cm3/min), C3H8(0.3cm3/min), 1600℃, 20 mbar, 30分間）を行うことでメサ表面上を原子的平坦にすることが知られている（非特許文献２）。  また、Si(111)基板上にメサ構造形成後、超音速ビームSi2H6を原料に基板温度850℃で堆積を行うことでメサ表面上を原子的平坦にすることが知られている（非特許文献３）。  さらに、GaAs (111)B基板上にSiO2マスクを用いてメサ構造形成後、有機金属気相エピタキシー法を行うことでメサ表面上を原子的平坦にすることが知られている（非特許文献４）。【０００４】
【非特許文献１】H. Watanabe, D. Takeuchi, S. Yamanaka, H. Okushi, K. Kajimura, T.Sekiguchi, Diamond and Related Materials 8 (1999) 1272-1276.
【非特許文献２】J. Anthony Powell, Philip G. Neudeck, Andrew J. Trunek, Glenn M.Beheim, Lawrence G. Matus, Richard W. Hoffman, Jr., and Luann J. Key, Growth ofstep-free surfaces on device-size (0001) SiC mesas, Applied Physics Letters Vol.77 (2000) 1449-1451.
【非特許文献３】Doohan Lee, Jack M. Blakely, Todd W. Schroeder and J. R. Engstrom, Agrowth method for creating arrays of atomically flat mesas on silicon, AppliedPhysics Letters Vol. 78 (2001) 1349-1351.
【非特許文献４】Toshio Nishida and Naoki Kobayashi, Step-free surface grown on GaAs(111)B substrate by selective area metalorganic vapor phase epitaxy, AppliedPhysics Letters Vol. 69 (1996) 2549-2550.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】  本発明では、この方法を用いてダイヤモンド(001)、(110)又は(111)表面に、メサ構造を形成した後ステップフロー成長を用いることで、そのメサ表面上に選択的に原子的平坦面を形成することを試み、ダイヤモンド(001)、(110)又は(111)表面にも原子的平坦面が選択的に形成できることが判明し、さらに、ステップすら含まない完全なダイヤモンド表面の選択的な形成も実現した。本発明は、ダイヤモンド(001)、(110)又は(111)表面上に原子レベルで平坦面を選択的に形成する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】  すなわち、本発明は、段差をつけた結晶構造(001)、(110)又は(111)のいずれかのダイヤモンド表面上に、その後、ダイヤモンドのステップフロー成長が行われる成長条件で、CVD（化学気相成長法）でダイヤモンドを成長させるダイヤモンド表面上に原子的平坦面の選択的に形成する方法である。  また、本発明は、段差をつけたダイヤモンド表面を、結晶構造(001)、(110)又は(111)のいずれかのダイヤモンド基板の表面に、金属を堆積し、リソグラフィ技術を用いてその金属を加工し、さらにその金属をマスクとしてダイヤモンドをエッチングすることにより得られることが望ましい。  さらに、本発明は、CVDを、マイクロ波プラズマCVDとすることができる。  また、本発明は、ステッフロー成長において、炭素原ガスの供給量を0.001％〜0.2%として、炭素原ガスの供給量をコントロールすることができる。
【発明の効果】
【０００７】  本発明により、ダイヤモンド(001)、(110)又は(111)表面にも原子的平坦面が選択的に形成できることがわかり、さらに、ステップすら含まない完全なダイヤモンド表面の選択的な形成もできることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の概念（原子的平坦面）の模式図
【図２】本発明のプロセスの一例
【図３】ダイヤモンド(001)表面のAFM像
【図４】ダイヤモンド(111)表面のAFM像
【図５】ダイヤモンド(111)表面のAFM像
【図６】本発明の方法により得られるダイヤモンド基板を用いた半導体素子の一例
【図７】本発明の方法により得られるダイヤモンド基板を用いた半導体素子の一例
【０００９】  本発明で用いるダイヤモンド表面は、結晶構造が(001)、(110)又は(111)であり、実施例には示さなかったが結晶構造(110)表面においても、同様に実施できる。  また、本発明で用いるマスクは、金、白金等が代表的であるが、アルミナ等の金属酸化物やシリコン酸化物を代用することもできる。  また、リソグラフィは、業界周知の手段であり、周知のリソグラフィを採用することができる。その工程は、レジストの塗布、露光、現像から成る。リソグラフィの代表的には、露光の際、光を用いたフォトリソグラフィと電子を用いた電子リソグラフィがある。また、本発明で用いるレジストは、露光により硬化するものであれば、どのようなレジストでも用いることができる。代表的には、ZEP520Aなどがある。  また、本発明で用いるダイヤモンドのエッチングも、周知慣用のダイヤモンドエッチングを採用することができる。代表的には、ICP（誘導結合型プラズマ）を用いたドライエッチングがある。【００１０】  本発明の段差（メサ構造）付きのダイヤモンド表面の代表例は、図２に示すような工程により得られが、ダイヤモンド表面に段差（メサ構造）さえあれば、本発明の原子的平坦面の選択的形成を行うことができる。  また、本発明のおけるステップフロー成長とは、ステップが優先的に成長する方法であり、用いるダイヤモンド表面の種類(001)、(110)又は(111)に応じて、炭素原ガスの濃度などの成長条件を制御する必要がある。  本発明で用いる炭素原ガスは、メタン、エタン等の炭化水素や、一酸化炭素、二酸化炭素及び水素の混合物を用いる。その際、酸素や希ガスが混合された状態でも可能である。  本発明のステップフロー成長の手段としては、CVD（化学気相成長法）を用いることができる。  とくに、マイクロ波プラズマCVDを用いることが望ましい。
【実施例１】
【００１１】  本発明について実施例を用いてさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。（実施例１）  図２のプロセスに基づいて、説明する。  ダイヤモンド基板(001)の表面に、レジスト膜を形成し、電子線露光により、レジストの所望箇所を除去し、次いで、金を蒸着することにより、ダイヤモンド基板(001)表面に、金の層を設けた。次いで、リフトオフすることにより、レジストが除去された部位のみ、金の層が形成された。次いで、ダイヤモンドエッチングすることによりダイヤモンド基板を加工し、さらに金層を除去することにより、段差（メサ構造）をつけ、その後、マイクロ波プラズマCVDを用いてダイヤモンドのステップフロー成長が行われる成長条件（1200 W、50 Torr、水素濃度99.95%、メタン濃度0.05%）でダイヤモンドを成長させた。  これを模式図で示すと、図１に示すようになる。  すなわち、段差（メサ構造）をつけたダイヤモンド基板を作成し、CVDによりダイヤモンドをエピタキシャル成長させ、エピタキシャル成長機構で段差上の表面が原子的に平坦になることが確認できた。  図３にその結果を示す。
【実施例２】
【００１２】  ダイヤモンド(111)基板を用いた他は実施例１と同じ操作をした。但し、水素濃度は99.995%、メタン濃度は0.005%とした。  図４及び図５にその結果を示す。  より広いメサ上の表面（図５）においては、原子的に平坦な面と原子ステップを含む面、そして基板上の成長と同様な表面形態をしている部分を持つ。それは、原子的平坦面の形成が途中であることを示す。
【実施例３】
【００１３】  高温/高圧合成によるIbダイヤモンド (111)基板を、マイクロ波プラズマCVD装置の反応器に導入し、低抵抗率を有するp+ダイヤモンド膜の成長を行った。その膜中ホウ素濃度は1020 atoms/cm3であった。その後、反応器から取り出し、リソグラフィ技術を用いてそのダイヤモンド膜表面上に段差（メサ構造）をつけた。その後、マイクロ波プラズマCVD装置の反応器に導入し、ダイヤモンドのステップフロー成長が行われる成長条件でp型ダイヤモンド膜を成長させた。その膜中のホウ素濃度は1017 atoms/cm3であった。その後、ダイヤモンドの核形成を有するステップフロー成長によりn型ダイヤモンド膜を形成した。その膜中リン濃度は1017 atoms/cm3であった。メサ上のpn接合は原子的に平坦な界面を有した。メサ構造以外のダイヤモンド膜を最初に形成した低抵抗ダイヤモンド膜がでるまで選択的にエッチングを行い、その低抵抗ダイヤモンド膜とメサ構造上のn型ダイヤモンド表面上に接触抵抗の低い電極を形成し、pn接合半導体素子を形成した。その断面構造の模式図を図６に示す。  上記、pn接合界面に不純物の少ない高品質なi層を設けたpin接合半導体素子も作製できる。その断面構造の模式図を図７に示す。  上記半導体素子において、金属-n型ダイヤモンド膜界面に接触抵抗を下げるためn+層（膜中リン濃度1019〜1022atoms/cm3）を設ける場合もある。  
【産業上の利用可能性】
【００１４】  本発明は、ダイヤモンド表面上の原子的平坦面の選択的形成だけでなく、ステップ制御、デルタドーピングなどのナノレベルでのドーピング制御が期待できる。 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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