【手続補正書】
【提出日】平成19年12月3日(2007.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】        
【請求項１】
半導体材料処理装置におけるイットリアでコーティングされたセラミック部品であって、
セラミック材料の素地を含む基板と、
前記基板の少なくとも１表面にサーマルスプレーされたイットリア含有コーティングと、
を備えたことを特徴とするセラミック部品。
【請求項２】
前記セラミック部品は、
誘電体窓、チャンバー壁、チャンバーライナー、基板支持体、バッフル、ガス供給プレート、プラズマ閉込めリング、ノズル、ファスナ、発熱体、プラズマフォーカスリング、チャック及びプラズマスクリーンから構成されるグループから選択され、ならびに／あるいは
前記半導体材料処理装置は、プラズマエッチング装置を含む
ことを特徴とする請求項１に記載のセラミック部品。
【請求項３】
前記セラミック材料は、
アルミナ、石英、酸化ジルコニウム、炭化シリコン、窒化シリコン、炭化ほう素、窒化ほう素、窒化アルミニウム、及びそれらの混合物から構成されるグループから選択される
ことを特徴とする請求項１に記載のセラミック部品。
【請求項４】
前記イットリア含有コーティングは、
イットリア及び／又は
プラズマエッチング装置を含む半導体材料処理装置
から実質的に構成される
ことを特徴とする請求項１に記載のセラミック部品。
【請求項５】
前記イットリア含有コーティングは、
ランタン、Ｃｅ、Ｐｒ、ネオジウム、Ｐｍ、Ｓｍ、ユーロピウム、ガドリニウム、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから構成されるグループうちの少なくとも１つの酸化物、炭化物、窒化物、ほう化物及び／又は炭窒化物を含む
ことを特徴とする請求項１に記載のセラミック部品。
【請求項６】
前記イットリア含有コーティングは、
前記基板の外側表面の全体に対して適用される
ことを特徴とする請求項１に記載のセラミック部品。
【請求項７】
半導体材料処理装置におけるイットリアでコーティングされたセラミック部品であって、
セラミック材料を含む基板と、
前記基板の少なくとも１表面にサーマルスプレーされた第１イットリア含有コーティングと、
前記セラミック材料とイットリアとを含む多相酸化物を前記基板と前記第１イットリア含有コーティングとの界面に具備し、前記基板と前記第１イットリア含有コーティングとを一緒に焼結する工程により形成された結合層と、
を備え、
（ｉ）前記第１イットリア含有コーティングは、
プラズマ調整処理によって処理され、一緒に焼結された後に露出している表面に付着するパーティクルを減少させる露出している表面を含み、あるいは、
（ｉｉ）前記セラミック部品は、
焼結された前記第１イットリア含有コーティングの上に形成されて前記露出している表面に付着したイットリアのパーティクルを覆うサーマルスプレーされた状態の第２イットリア含有コーティングをさらに備え、
（ｉ）前記第１イットリア含有コーティングは、約２０％以下の多孔性を有し、９５％から１００％の立方体の結晶構造を有し、約２００ｋｓｉから約４００ｋｓｉの張力の接着強度を有し、ならびに、
（ｉｉ）前記第１イットリア含有コーティング及び前記第２イットリア含有コーティングは、約２０％以下の多孔性を有し、９５％から１００％の立方体の結晶構造を有し、約２００ｋｓｉから約４００ｋｓｉの張力の接着強度を有する
ことを特徴とするセラミック部品。
【請求項８】
前記セラミック部品は、
誘電体窓、チャンバー壁、チャンバーライナー、基板支持体、バッフル、ガス供給プレート、プラズマ閉込めリング、ノズル、ファスナ、発熱体、プラズマフォーカスリング、チャック及びプラズマスクリーンから構成されるグループから選択され、ならびに／あるいは
前記半導体材料処理装置は、プラズマエッチング装置を含む
ことを特徴とする請求項７に記載のセラミック部品。
【請求項９】
前記基板は、
アルミナ、石英、酸化ジルコニウム、炭化シリコン、窒化シリコン、炭化ほう素、窒化ほう素、窒化アルミニウム、及びそれらの混合物から構成されるグループから選択されるセラミック材料を含む
ことを特徴とする請求項７に記載のセラミック部品。
【請求項１０】
前記セラミック部品は、前記第２イットリア含有コーティングを備え、
前記第１イットリア含有コーティング及び前記第２イットリア含有コーティングは、
ランタン、Ｃｅ、Ｐｒ、ネオジウム、Ｐｍ、Ｓｍ、ユーロピウム、ガドリニウム、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから構成されるグループうちの少なくとも１つの酸化物、炭化物、窒化物、ほう化物及び／又は炭窒化物を含む
ことを特徴とする請求項７に記載のセラミック部品。
【請求項１１】
前記セラミック部品は、前記第２イットリア含有コーティングを備え、
前記第１イットリア含有コーティング及び前記第２イットリア含有コーティングは、前記基板の外側表面の全体に配置される
ことを特徴とする請求項７に記載のセラミック部品。
【請求項１２】
前記セラミック部品は、前記第２イットリア含有コーティングを備え、
前記第１イットリア含有コーティング及び前記第２イットリア含有コーティングは、実質的にイットリアで構成される
ことを特徴とする請求項７に記載のセラミック部品。
【請求項１３】
前記セラミック部品は、前記第２イットリア含有コーティングを備え、
前記第２イットリア含有コーティングは、付着する高分子パーティクルの付着性を高めるのに有効な粗度を有する露出している表面を含む
ことを特徴とする請求項７に記載のセラミック部品。
【請求項１４】
前記基板は、実質的にアルミナから構成され、
前記第１イットリア含有コーティングは、実質的にイットリアから構成され、
前記結合層は、実質的にイットリウム・アルミニウム・ガーネットから構成され、
前記セラミック部品は、実質的にイットリアから構成される第２イットリア含有コーティングを備えた
ことを特徴とする請求項７に記載のセラミック部品。
【請求項１５】
請求項７に記載の少なくとも１つのセラミック部品を備えた
ことを特徴とする半導体材料処理装置。
【請求項１６】
半導体材料処理装置における半導体材料の処理方法であって、
請求項７に記載の少なくとも１つのセラミック部品を具備した半導体材料処理装置のプラズマチャンバーにおいて、半導体材料をプラズマで処理する処理工程を備えた
ことを特徴とする半導体材料の処理方法。
【請求項１７】
前記処理工程は、ポリシリコン半導体材料を前記プラズマチャンバーでプラズマエッチングする工程を含む
ことを特徴とする請求項１６に記載の半導体材料の処理方法。
【請求項１８】
半導体材料処理装置におけるイットリアでコーティングされたセラミック部品の製造方法であって、
第１イットリア含有コーティングを少なくとも基板の１表面にサーマルスプレーする第１サーマルスプレー工程を備え、
前記基板は、セラミック材料の素地を含む
ことを特徴とする製造方法。
【請求項１９】
前記基板と、サーマルスプレーされた状態の第１イットリア含有コーティングとを一緒に焼結し、前記セラミック材料とイットリアとを含む多相酸化物を前記基板と前記第１イットリア含有コーティングとの界面に具備する結合層を形成する焼結工程をさらに備えた
ことを特徴とする請求項１８に記載の製造方法。
【請求項２０】
前記焼結工程の後に、前記第１イットリア含有コーティングの上に第２イットリア含有コーティングをサーマルスプレーする第２サーマルスプレー工程をさらに備えた
ことを特徴とする請求項１９に記載の製造方法。
【請求項２１】
前記焼結工程の後に、プラズマ調整処理によって前記第１イットリア含有コーティングの露出している表面を処理して、一緒に焼結された後に露出している表面に付着するイットリアのパーティクルを減少させるプラズマ調整処理工程をさらに備えた
ことを特徴とする請求項１９に記載の製造方法。
【請求項２２】
前記セラミック材料は、アルミナであり、
前記第１イットリア含有コーティング及び前記第２イットリア含有コーティングは、実質的にイットリアから構成された
ことを特徴とする請求項２０に記載の製造方法。
【請求項２３】
前記基板及び前記第１イットリア含有コーティングは、約８００℃〜およそ１５００℃の温度で約７日間までの期間で一緒に焼結される
ことを特徴とする請求項１９に記載の製造方法。
【請求項２４】
前記セラミック部品は、
誘電体窓、チャンバー壁、チャンバーライナー、基板支持体、バッフル、ガス供給プレート、プラズマ閉込めリング、ノズル、ファスナ、発熱体、プラズマフォーカスリング、チャック及びプラズマスクリーンから構成されるグループから選択され、ならびに／あるいは
前記半導体材料処理装置は、プラズマエッチング装置を含む
ことを特徴とする請求項１８に記載の製造方法。
【請求項２５】
前記基板は、
アルミナ、石英、酸化ジルコニウム、炭化シリコン、窒化シリコン、炭化ほう素、窒化ほう素、窒化アルミニウム、及びそれらの混合物から構成されるグループから選択されるセラミック材料を含む
ことを特徴とする請求項１８に記載の製造方法。
【請求項２６】
前記第１イットリア含有コーティング及び前記第２イットリア含有コーティングは、
ランタン、Ｃｅ、Ｐｒ、ネオジウム、Ｐｍ、Ｓｍ、ユーロピウム、ガドリニウム、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから構成されるグループうちの少なくとも１つの酸化物、炭化物、窒化物、ほう化物及び／又は炭窒化物を含む
ことを特徴とする請求項２０に記載の製造方法。
【請求項２７】
前記第１イットリア含有コーティング及び前記第２イットリア含有コーティングは、前記基板の外側表面の全体にサーマルスプレーされている
ことを特徴とする請求項２０に記載の製造方法。
【請求項２８】
前記第２イットリア含有コーティングは、付着する高分子パーティクルの形態におけるプラズマ副生成物の付着性を高めるのに有効な粗度を有する露出している表面を含む
ことを特徴とする請求項２０に記載の製造方法。
【請求項２９】
半導体材料処理チャンバーにおけるイットリアでコーティングされたセラミック部品の製造方法であって、
セラミック材料を含む基板を部分的に焼結する工程と、
前記基板の少なくとも１表面に第１イットリア含有コーティングをサーマルスプレーする工程と、
前記基板と、サーマルスプレーされた状態の前記第１イットリア含有コーティングとを一緒に焼結し、前記セラミック材料とイットリアとを含む多相酸化物を前記基板と前記第１イットリア含有コーティングとの界面に具備する結合層を形成する工程と、
（ｉ）前記第１イットリア含有コーティングの露出された表面をプラズマ調整処理によって処理して、一緒に焼結された後に前記露出している表面に付着するパーティクルを減少させる工程、あるいは、
（ｉｉ）焼結された前記第１イットリア含有コーティングの上に第２イットリア含有コーティングをサーマルスプレーして、一緒に焼結された後に前記露出している表面に付着したイットリアのパーティクルを覆う工程と、
を備えたことを特徴とする製造方法。