【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年3月4日(2008.3.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
言い換えると、どのサファイア、ＺｎＯ、６Ｈ−ＳｉＣまたはＬｉＡｌＯ２基材も、窒化物エピタキシーに理想的ではない（過度に高い格子不適合および熱膨脹係数
不適合、熱的不安定性）。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
その上、ＧａＮに対するレイジング効果（光学的ポンピングによる）が以前から公知である。III-Ｖ窒化物を基材とするダイオードレーザーが製造されているが、これらのレーザーの構造を構成する窒化物層の結晶品質は、非常に平均的である。１０９〜１０１０ｃｍ−２の転位密度が測定されている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
Y. Kato, S. Kitamura, K. HiramatsuおよびN. Sawaki, J. Cryst. Growth, 144, 133(1994) の文献は、サファイア基材上のＯＭＶＰＥによる窒化ガリウムの選択的な成長を記載しているが、その基材上には、薄い窒化ガリウム層を蒸着させ、ＳｉＯ２層でマスクしてエッチングし、窒化ガリウムの連続的な帯を形成している。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
基材は、一般的に厚さが数百マイクロメートル（特に約２００マイクロメートル）であり、サファイア、ＺｎＯ、６ＨＳｉＣ、ＬｉＡｌＯ２、ＬｉＧａＯ２およびＭｇＡｌ２Ｏ４からなる群から選択することができる。基材は、窒化により前処理しておくのが好ましい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
好ましくは、誘電体はＳｉｘＮｙ型、特にＳｉ３Ｎ４、である。ＳｉＯ２も挙げられるが、他の良く知られている誘電体も使用できる。誘電体の蒸着は、窒化ガリウム成長室中で、シランおよびアンモニアから行なう。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
好ましくは、キャリヤーガスはＮ２／Ｈ２混合物である。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
次に、ＯＭＶＰＥを使用して基材上のエピタキシャル再成長を行なう。規則的な特徴的構造または島が形成される。従ってヘテロエピタキシャルひずみなしに成長した規則的な特徴的構造または島の中のＧａＮ転位密度は、高解像度電子顕微鏡検査により、基材上への窒化ガリウムの直接蒸着により製造したものより、はるかに少ない。そのため、誘電体表面上で［10-10］方向で横方向に起こり、従ってサファイア基材とエピタキシャル関係にないＧａＮ成長により、通常の製法よりもはるかに優れたＧａＮ結晶品質が得られる。該特徴的構造が得られた後、ＯＭＶＰＥまたはＨＶＰＥを使用して成長を続行させることができる。成長は、島の合着まで横方向に起こる。島の合着により得られるこれらの表面は、サファイア上でヘテロエピタキシャル成長した層よりも優れた結晶品質を示す。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
マスクし、エッチングした基材上の再成長は、ＯＭＶＰＥを使用して行なう。基材は、一般的に厚さが数百マイクロメートル（特に、約２００マイクロメートル）であり、サファイア、ＺｎＯ、６ＨＳｉＣ、ＬｉＡｌＯ２、ＬｉＧａＯ２およびＭｇＡｌ２Ｏ４からなる群から選択することができる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
好ましくは、誘電体はＳｉｘＮｙ型、特にＳｉ３Ｎ４、である。ＳｉＯ２も挙げられるが、他の良く知られている誘電体も使用できる。誘電体は、上記の様に窒化ガリウム成長室中で、シランおよびアンモニアから基材上に直接蒸着させる。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
基材は、一般的に厚さが数百マイクロメートル（特に、約２００マイクロメートル）であり、サファイア、ＺｎＯ、６ＨＳｉＣ、ＬｉＡｌＯ２、ＬｉＧａＯ２およびＭｇＡｌ２Ｏ４からなる群から選択することができる。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
好ましくは、誘電体はＳｉｘＮｙ型、特にＳｉ３Ｎ４、である。ＳｉＯ２も挙げられるが、他の良く知られている誘電体も使用できる。誘電体は、窒化ガリウム成長室中で、窒化ガリウム蒸着の後にシランおよびアンモニアから直接蒸着させる。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
次に、ＯＭＶＰＥを使用して基材上に再成長させる。規則的な特徴的構造または縞が発達する。従ってヘテロエピタキシャルひずみなしに成長した規則的な特徴的構造または縞の中のＧａＮ転位密度は、高解像度電子顕微鏡検査により、第三の態様では、最初のＧａＮ層中に存在する密度よりも、はるかに小さい。そのため、誘電体表面上で［10-10］方向で横方向に起こり、従ってサファイア基材とエピタキシャル関係にないＧａＮ成長により、通常の製法よりもはるかに優れたＧａＮ結晶品質が得られる。規則的な特徴的構造の列が得られた後、ＯＭＶＰＥまたはＨＶＰＥを使用して成長を続行させることができる。成長は、島の合着まで横方向に起こる。島の合着により得られるこれらの表面は、サファイア上でヘテロエピタキシャル成長した層よりも優れた結晶品質を示す。
従って、本製法の斬新さは、成長の異方性を利用して横方向成長を誘発し、合着するまで進行させ、それによって連続的な、ひずみの無いＧａＮ層を得ることにある。横方向成長は、局所的なエピタキシーにより得られる、欠陥密度が低い窒化ガリウム特徴的構造または島から起こる。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
別の態様では、マグネシウム、亜鉛、カドミウム、ベリリウム、カルシウムおよび炭素からなる群から選択されたドーピング剤、特にマグネシウム、でドーピングした窒化ガリウムを使用してエピタキシャル再成長を行なう。これは、ドーピング剤、特にマグネシウム、で窒化ガリウムをドーピングすることにより、ＧａＮ成長様式が変化し、<10-11>方向における成長速度を、[0001]方向における成長速度に対して相対的に増加させることが分かったためである。好ましくは、ドーピング剤／Ｇａのモル比は、０を超え、１以下であり、０．２未満が有利である。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
本発明は、上記の製法により得られることを特徴とする、エピタキシャル成長した窒化ガリウム層にも関連する。これらの層は、有利なことに、欠陥密度が、先行技術で得られる欠陥密度よりも低く、特に約１０９ｃｍ−２未満である。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
−  図３は、局所的な窒化ガリウムの切頭六角形ピラミッドの[11-20]方向に対して直角方向の断面図である。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
−  図４は、ＷＴ、ＷＢおよびＨ値(μm) の変化と成長時間（分）の関係を示す。ＷＴ、ＷＢおよびＨは図３に定義されている。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
−  図５は、[0001]および<10-11>方向におけるＴＭＧＡのモルフラックスに基準を合わせた成長速度の変化と、蒸気相中のＭｇ／Ｇａモル比の関係を示す。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
実施例１  ドーピングしていない窒化ガリウム層の蒸着
大気圧で作動する好適な垂直反応器をオルガノメタリック蒸気相エピタキシーに使用する。厚さ２μm の薄い窒化ガリウム層２を、オルガノメタリック蒸気相エピタキシーにより、１０８０℃で、厚さ２００μm の(0001)サファイア基材１の上に蒸着させる。ガリウムの供給源はトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）であり、窒素供給源はアンモニアである。その様な方法は多くの文献に記載されている。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
実験条件は下記の通りである。気体状媒体はＨ２とＮ２の等比率の混合物である（４sl／分）。アンモニアは別のラインを経由して導入する（２sl／分）。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
最初の窒化ガリウムエピ層が成長した後、窒化ケイ素被膜３の薄い層をマスクとして使用し、続いてＳｉＨ４およびＮＨ３をそれぞれ５０sccmおよび２slm の速度で使用して窒化ガリウムを選択的に成長させる。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
断面に対する透過電子顕微鏡観察により、得られたマスクは、厚さが約２nmの無定形の連続層を形成していることが分かる。この被膜の化学量論的測定は行なっていないので、本明細書では以下、用語ＳｉＮを使用する。それでも、この化学量論はＳｉ３Ｎ４に対応している様である。このＳｉＮ層は、極めて薄いが、完全に選択的なマスクであることが確認されている。次いで、写真平版印刷および反応性イオンエッチングによりエッチングを行ない、１０μｍ直径の円により取り囲まれた六角系開口部４を露出する。マスク中で隣接する２個の開口部の中心間の距離は１５μｍである。エッチングした試料に対して、ＴＭＧａ流量は別にして、標準的な窒化ガリウム成長に使用する条件と類似の条件下で、露出した窒化ガリウム区域５にエピタキシャル再成長を行ない、窒化ガリウムを蒸着させる。マスクの表面に当たるガリウム原子が区域５の近くに非常に効率的に集まることから生じる高成長率を避けるために、ＴＭＧａ流量は低い値［典型的には、ドーピングしていない窒化ガリウムによる実験に対する１６（モル／分）］に固定する。局所的なエピタキシーは、２個の開口部間の空間に対して事実上直角の[0001]方向における窒化ガリウム６の成長速度Ｖｃを示す。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
図３は、局所的な窒化ガリウムの切頭六角形ピラミッドの[11-20] 方向に対して直角方向の断面図である。ＷＴ、ＷＢおよびＨは、時間ｔと共に変化する。θＲは、(0001)と、平面を限定する(10-11)間の角度である。ＷＢ０はＳｉＮマスク中の開口部の幅である。
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
図４は、ＷＴ、ＷＢおよびＨ値(μm) の変化と成長時間（分）の関係を示す。実験的な点を通る直線状回帰を使用し、下記の結果が得られる。
【誤訳訂正２４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
ＶＲ＝２．１μm/h([10-11]方向における横方向速度）、
ＶＣ＝１３μm/h ([0001]方向における速度）、
ＷＢ０＝７．６μm、
θＲ＝６２．１゜
ＷＴはt0で０である（ピラミッドがゼロ幅のピークを有する）場合、高さＨは、式ＶＲ／ｃｏｓ(θＲ）により与えられる低い速度で変化する。
【誤訳訂正２５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
ＶＣは、同じ蒸気相組成物を使用する(0001)基材上の標準的なエピタキシーに対して測定した１(m/hの速度と比較して、極めて高いことが分かる。その結果、ＶＲ／ＶＣ比は約０．１５に過ぎない。
【誤訳訂正２６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
実施例２  マグネシウムを添加した窒化ガリウムの層の気相蒸着
気相中に２．８（μモル／分）の（ＭｅＣｐ）２Ｍｇを導入した以外は、実施例１を繰り返す。使用条件は、成長時間３０分間、成長温度１０８０℃、ＴＭＧａ１６（μモル／分）、およびＮ２、Ｈ２およびＮＨ３のそれぞれに対して２ sl/分である。
【誤訳訂正２７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
図６は、マグネシウムの存在がＶＲ／ＶＣ比をｃｏｓ(θＲ)閾のはるか上に増加させ、その結果、(0001)の上側小平面が広がることを示している。成長の選択性は（ＭｅＣｐ）２Ｍｇの存在により影響されないが成長異方性が有利に変化する。
実施例３  Ｍｇ／Ｇａモル比の影響
図５は、[0001]および[10-11]方向におけるＴＭＧＡのモルフラックスに基準を合わせた成長速度の変化と、蒸気相中のＭｇ／Ｇａモル比の関係を示す。
【誤訳訂正２８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
実際には、（ＭｅＣｐ）２Ｍｇの一定フラックスを維持し、ＴＭＧＡの量を変える様に選択した。これによって、成長する島の表面上で使用できるＭｇ濃度をすべての試料で確実に同等にすることができる。
【誤訳訂正２９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
成長は供給するガリウムの量により直線状に調整されるので、それらを比較するために、成長速度を標準化する。Ｍｇ／Ｇａモル比が０から０．１７に変化する時、ＶＮＣは０．８から０．１μm/h/μモルに減少するのに対し、ＶＮＲは０．１６から０．４μm/h/μモルに増加する。点線は、外挿により得られるＶＲ／ＶＣ比の曲線である。右側のｙ軸はＶＲ／ＶＣである。
【誤訳訂正３０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７１】
好適な反応器中で結晶化基材、例えばサファイア、上にエピタキシャル様式で予め蒸着させたＧａＮ層上にＳｉＮを蒸着させる。次いで、マスク中に、幅５μmで、５μmの間隔をおいた直線状開口部を形成し、直ぐ下の層を区域を露出させる。直線状開口部は、ＧａＮ中で[10-10]方向に］向いているのが好ましいが、この実施例に記載する方法の変形は、所望により、他の配向の直線状開口部、特にＧａＮ[11-20]方向、で行なうこともできる。エピタキシャル成長は、露出した区域で、意図的にではなくドーピングしたＧａＮで、[0001]方向におけるＧａＮ特徴的構造の成長速度が、該特徴的構造の傾斜した側面に対して直角の方向における成長速度を十分に超える様な操作条件下で行なう。その様な条件下では、成長の異方性により、(0001)小平面が消失する。本製法の第一工程は、(0001)小平面が消失した時に完了する。第一工程の後、ＧａＮ特徴的構造は縞の形態にあり、その断面は三角形である。しかし、マスクを再び完全に覆うために、第一工程は、ＧａＮ特徴的構造の合着まで続行することができる。この場合、合着したＧａＮ特徴的構造の断面はジグザグ線である。
【誤訳訂正３１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７６】
好適なエピタキシャル成長反応器を使用してオルガノメタリック蒸気相エピタキシーを行なう。基材、特に(0001)サファイアを予め脱脂し、Ｈ２ＳＯ４：Ｈ３ＰＯ４の３：１比の酸溶液中で酸洗し、温度約１０５０〜１０８０℃に加熱し、ＮＨ３の流れに約１０分間露出して化学的に窒化する。この窒化工程の後、非常に薄い窒化ケイ素の被膜を基材表面上に形成するが、この被膜は、ＮＨ３とシランＳｉＨ４を温度１０８０℃で、被膜の厚さを１原子平面の厚さに制限するのに十分に短い時間反応させることにより得られる。
【誤訳訂正３２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７８】
気体状媒体は、窒素と水素の等比率の混合物である（４sl／分）。アンモニアは流量２sl／分で導入し、シランは、水素中５０ ppmに希釈した形態で流量５０scc/分で導入する。これらの条件下で、典型的なＮＨ３とＳｉＨ４の反応時間は３０秒間のオーダーである。
【誤訳訂正３３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８４】
こうして、ＧａＮ特徴的構造の合着により、欠陥密度が１０８cm−２のオーダーである、すなわち従来の方法により製造される窒化ガリウム層に存在する欠陥密度の１００分の１未満であるＧａＮ層が得られる。
【誤訳訂正３４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】図面の簡単な説明
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の窒化ガリウム層を図式的に示す断面図である。
【図２】
誘電体中の開口部が分離した開口部である場合の、ドーピングしていない窒化ガリウムを使用する局所的なエピタキシーの際に形成される規則的なピラミッド形特徴的構造を示す写真である。
【図３】
局所的な窒化ガリウムの切頭六角形ピラミッドの[11-20]方向に対して直角方向の断面図である。
【図４】
ＷＴ、ＷＢおよびＨ値(μm) の変化と成長時間（分）の関係を示す図である。
【図５】
[0001]および<10-11>方向におけるＴＭＧＡのモルフラックスに基準を合わせた成長速度の変化と、蒸気相中のＭｇ／Ｇａモル比の関係を示す図である。
【図６】
マグネシウムでドーピングしたＧａＮによる局所的なエピタキシャル再成長により得られる、観察されたピラミッドの写真である。
【図７】
図５による成長の際に得られるピラミッドの透過電子顕微鏡写真である。
【図８】
図５による成長の際に得られるピラミッドの走査電子顕微鏡写真である。