Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月29日(2007.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々を識別可能な複数種類の識別情報を可変表示可能な可変表示手段を備え、特定入賞部への遊技媒体の入賞にもとづいて複数種類の識別情報の可変表示を開始し、当該複数種類の識別情報の可変表示の表示結果が特定表示結果となったときに遊技者にとって有利となる特定遊技状態に移行可能な遊技機であって、
遊技機に対する電力供給が開始されたときにＲＡＭクリア処理を含む初期化処理を実行可能な初期化処理手段と、
前記初期化処理手段が初期化処理を行った後、所定の処理を繰り返し実行するメインルーチンと、前記メインルーチン実行中の所定時間毎に発生するタイマ割込に応じて前記メインルーチンを中断して起動される割込ルーチンとを実行する実行手段とを含む遊技制御手段と、
前記遊技制御手段が送信したコマンドにもとづいて遊技機に設けられている電気部品を制御する電気部品制御手段とを備え、
前記実行手段は、
前記割込ルーチンにおいて、特定遊技状態とするか否かを決めるための特定遊技状態決定用数値を所定の範囲内で更新する特定遊技状態判定用数値更新処理と、所定の時期に前記特定遊技状態決定用数値の更新の初期値をＲＡＭの所定アドレスに格納されている初期値用数値に変更する初期値変更処理と、前記所定アドレスに格納されている初期値用数値を更新する初期値用数値更新処理とを含む遊技制御処理を実行するとともに、
前記メインルーチンにおいても、前記所定の処理として、前記所定アドレスに格納されている初期値用数値を更新する初期値用数値更新処理を実行し、
前記メインルーチンにおける初期値用数値更新処理を開始する前に前記タイマ割込による割込を禁止し、初期値用数値更新処理の完了後に前記タイマ割込による割込を許可し、
前記初期化処理手段は、前記ＲＡＭクリア処理を実行するときに前記電気部品制御手段に初期設定コマンドを送信する
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明による遊技機は、各々を識別可能な複数種類の識別情報を可変表示可能な可変表示手段を備え、特定入賞部への遊技媒体の入賞にもとづいて複数種類の識別情報の可変表示を開始し、当該複数種類の識別情報の可変表示の表示結果が特定表示結果となったときに遊技者にとって有利となる特定遊技状態に移行可能な遊技機であって、遊技機に対する電力供給が開始されたときにＲＡＭクリア処理を含む初期化処理を実行可能な初期化処理手段と、初期化処理手段が初期化処理を行った後、所定の処理を繰り返し実行するメインルーチンと、メインルーチン実行中の所定時間毎に発生するタイマ割込に応じてメインルーチンを中断して起動される割込ルーチンとを実行する実行手段とを含む遊技制御手段と、遊技制御手段が送信したコマンドにもとづいて遊技機に設けられている電気部品を制御する電気部品制御手段とを備え、実行手段は、割込ルーチンにおいて、特定遊技状態とするか否かを決めるための特定遊技状態決定用数値を所定の範囲内で更新する特定遊技状態判定用数値更新処理と、所定の時期に特定遊技状態決定用数値の更新の初期値をＲＡＭの所定アドレスに格納されている初期値用数値に変更する初期値変更処理と、所定アドレスに格納されている初期値用数値を更新する初期値用数値更新処理とを含む遊技制御処理を実行するとともに、メインルーチンにおいても、所定の処理として、所定アドレスに格納されている初期値用数値を更新する初期値用数値更新処理を実行し、メインルーチンにおける初期値用数値更新処理を開始する前にタイマ割込による割込を禁止し、初期値用数値更新処理の完了後にタイマ割込による割込を許可し、初期化処理手段は、ＲＡＭクリア処理を実行するときに電気部品制御手段に初期設定コマンドを送信することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項１記載の発明では、遊技機が、初期化処理を行った後、所定の処理を繰り返し実行するメインルーチンと、メインルーチン実行中の所定時間毎に発生するタイマ割込に応じてメインルーチンを中断して起動される割込ルーチンとを実行する実行手段を含む遊技制御手段を備え、実行手段は、割込ルーチンにおいて、特定遊技状態とするか否かを決めるための特定遊技状態決定用数値を所定の範囲内で更新する特定遊技状態判定用数値更新処理と、所定の時期に特定遊技状態決定用数値の更新の初期値をＲＡＭの所定アドレスに格納されている初期値用数値に変更する初期値変更処理と、所定アドレスに格納されている初期値用数値を更新する初期値用数値更新処理とを含む遊技制御処理を実行するとともに、メインルーチンにおいても、所定の処理として、所定アドレスに格納されている初期値用数値を更新する初期値用数値更新処理を実行し、メインルーチンにおける初期値用数値更新処理を開始する前にタイマ割込による割込を禁止し、初期値用数値更新処理の完了後にタイマ割込による割込を許可し、初期化処理手段は、ＲＡＭクリア処理を実行するときに電気部品制御手段に初期設定コマンドを送信するように構成したので、初期値用数値の更新処理が割込にもとづく処理によって阻害されないことから、特定遊技状態決定用の数値のランダム性を向上させるための制御が確実に実行される。その結果、特定遊技状態を狙った不正行為を効果的に防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月27日(2007.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数種類の識別情報を可変表示可能な可変表示装置を有し、該可変表示装置の表示結果が予め定められた特定の表示態様になった場合に、遊技者に有利な特定遊技状態に制御可能な遊技機であって、
前記特定遊技状態に制御するか否かを決定するための特定遊技状態決定用カウンタと、
前記可変表示装置においてリーチ状態を成立させるか否かを決定するためのリーチ決定用カウンタと、
複数種類の普通識別情報を可変表示可能な普通識別情報用可変表示装置と、
該普通識別情報用可変表示装置の表示結果が特定の識別情報となったときに、遊技者にとって不利な状態から遊技者にとって有利な状態に変化する始動用可変入賞球装置と、
該始動用可変入賞球装置へ遊技球が入球したタイミングで取得した前記特定遊技状態決定用カウンタの値に基づいて前記特定遊技状態に制御するか否かを決定する特定遊技状態決定手段と、
該特定遊技状態決定手段が前記特定遊技状態に制御しないことを決定したときに、前記リーチ決定用カウンタに基づいて前記リーチ状態を成立させるか否かを決定するリーチ決定手段と、
所定の条件が成立した場合に、前記可変表示装置または前記普通可変表示装置の可変表示時間が短縮される特別遊技状態に制御する特別遊技状態制御手段と、
遊技状態が前記特別遊技状態となることに基づいて、前記リーチ決定手段が前記リーチ状態の成立有と決定する確率を低くするように切り替える確率変化手段とを備えたことを特徴とする、遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の目的は、特定遊技状態を発生させないことを事前決定したときのリーチ状態成立率を遊技状態に応じて変化させることが可能な遊技機を提供することである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１に記載の本発明は、複数種類の識別情報を可変表示可能な可変表示装置を有し、該可変表示装置の表示結果が予め定められた特定の表示態様になった場合に、遊技者に有利な特定遊技状態に制御可能な遊技機であって、
前記特定遊技状態に制御するか否かを決定するための特定遊技状態決定用カウンタと、
前記可変表示装置においてリーチ状態を成立させるか否かを決定するためのリーチ決定用カウンタと、
複数種類の普通識別情報を可変表示可能な普通識別情報用可変表示装置と、
該普通識別情報用可変表示装置の表示結果が特定の識別情報となったときに、遊技者にとって不利な状態から遊技者にとって有利な状態に変化する始動用可変入賞球装置と、
該始動用可変入賞球装置へ遊技球が入球したタイミングで取得した前記特定遊技状態決定用カウンタの値に基づいて前記特定遊技状態に制御するか否かを決定する特定遊技状態決定手段と、
該特定遊技状態決定手段が前記特定遊技状態に制御しないことを決定したときに、前記リーチ決定用カウンタに基づいて前記リーチ状態を成立させるか否かを決定するリーチ決定手段と、
所定の条件が成立した場合に、前記可変表示装置または前記普通可変表示装置の可変表示時間が短縮される特別遊技状態に制御する特別遊技状態制御手段と、
遊技状態が前記特別遊技状態となることに基づいて、前記リーチ決定手段が前記リーチ状態の成立有と決定する確率を低くするように切り替える確率変化手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項１に記載の本発明によれば、特定遊技状態決定手段の働きにより、始動用可変入賞球装置へ遊技球が入球したタイミングで取得した特定遊技状態決定用カウンタの値に基づいて特定遊技状態に制御するか否かが決定される。リーチ決定手段の働きにより、前記特定遊技状態決定手段が前記特定遊技状態に制御しないことを決定したときに、前記リーチ決定用カウンタに基づいて前記リーチ状態を成立させるか否かが決定される。特別遊技状態制御手段の働きにより、所定の条件が成立した場合に、前記可変表示装置または前記普通可変表示装置の可変表示時間が短縮される特別遊技状態に制御される。確率変化手段の働きにより、遊技状態が前記特別遊技状態となることに基づいて、前記リーチ決定手段が前記リーチ状態の成立有と決定する確率を低くするように切り替えられる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項１に関しては、特定遊技状態を発生させないことを事前決定したときのリーチ状態成立率を遊技状態に応じて変化させることが可能となる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月6日(2007.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
本発明のディスプレイ用フィルタは衝撃緩和層（Ｃ）を有しているので、耐衝撃性が高い。その耐衝撃性は、高速面衝撃試験によって評価される。具体的にはＡＳＴＭ規格の高速面衝撃試験装置を用い、
撃芯径：１／２インチ、
受け側リング径：１インチ、
測定温度：室温
撃芯速度：３．５７ｍ／ｓ
の条件で測定される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
上記の方法で作製した塗料は、透明高分子フィルム、透明樹脂、透明ガラス等の上にバーコーター、ブレードコーター、スピンコーター、リバースコーター、ダイコーター、或いはスプレー等の従来公知のコーティングをして、色素を含有する基材を作製する。コーティング面を保護するために保護層を設けたり、コーティング面を保護するようにコーティング面に、ディスプレイ用フィルタの他の構成部材を貼り合わせても良い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
（切断）積層体３を９５８ｍｍ ＊ ５６４ｍｍサイズに切断する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
ＡＳＴＭ規格の高速面衝撃試験装置を用い、
撃芯径：１／２インチ、
受け側リング径：１インチ、
測定温度：室温
撃芯速度：３．５７ｍ／ｓ
の条件で本サンプルの高速面衝撃試験を行う。結果を表１に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月28日(2007.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁束の作用により発熱する誘導発熱体を有する回転体と、該回転体の外周面に対向して配置されて該回転体に誘導発熱のための磁束を生起させる磁束生成手段と、該回転体と相互に圧接可能な加圧部材とを備え、上記回転体と加圧部材とでシート状媒体上に担持されている未定着トナー対して熱・圧力を作用させて上記シート状媒体に該トナーを浸透させる定着装置において、
上記磁束生成手段は、上記回転体に対向する側に該磁束生成手段を覆うことが可能な被覆部を備えていることを特徴とする定着装置。
【請求項２】
請求項１記載の定着装置において、
上記被覆部は、上記磁束生成手段本体に対して着脱可能な構成であることを特徴とする定着装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の定着装置において、
上記被覆部は非磁性体で構成されていることを特徴とする定着装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちの一つに記載の定着装置において、
上記被覆部における上記回転体と対向する側の面には離型層が設けられていることを特徴とする定着装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のうちの一つに記載の定着装置において、
上記被覆部における上記回転体と対向する側の面には離型剤が塗布されることを特徴とする定着装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のうちの一つに記載の定着装置において、
上記被覆部における上記回転体に対向する面は、上記回転体との間の隙間を移動可能なクリーニングシートにより拭き取り清掃されることを特徴とする定着装置。
【請求項７】
請求項６記載の定着装置において、
上記クリーニングシートは、上記回転体の移動方向に移動することを特徴とする定着装置。
【請求項８】
請求項６または７記載の定着装置において、
上記クリーニングシートは、上記回転体に対向する面に弾性体層が設けられていることを特徴とする定着装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のうちの一つに記載の定着装置において、
上記クリーニングシートは熱的な良導体を含み、上記回転体と上記磁束生成手段との間の隙間内に進入した後、一旦停止させたうえで上記隙間内から排出される動作が設定されていることを特徴とする定着装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のうちの一つに記載の定着装置を用いることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
ローラ自身の自己発熱を行わせる電磁誘導加熱は、ベルトが掛け回されているローラの一つあるいは加圧ローラと対峙するローラの一部若しくは全てを導電体で構成し、コイル線のみあるいはコイル線とコア等からなる磁束生成手段を上記ローラの一つ若しくは加圧ローラと対峙するローラの近傍若しくは内部に配置して磁束生成手段のコイル線に交流電流を流すようになっている。コイルに電流が流されると、コイル周辺に生起された交番磁界により上記ローラを構成する導電体内に誘導渦電流が発生し、その渦電流と上記導電体自身の抵抗によるジュール熱の発生により導電体自体を発熱させる。このような自己発熱方式による加熱構造では、電気から熱への変換効率を大きく向上させることができ、また、導電体の肉厚が厚い場合でもその表面近傍の薄い層のみを発熱させることができるという長所を有している。さらに、磁束生成手段をローラの外部空間に配置する場合には、トナーの定着に用いられる側のローラ表面のみを集中的に発熱させて温度上昇させることができるので、ウオームアップ時間が短縮できると共にコイルの電気抵抗により生じた熱を外部に放熱させやすいので、磁束生成手段が高温となって発熱効率が下がったりコイルの被覆材が破壊されたりするのを防ぎ易く、しかも、定着装置としての組立工程が容易でとなることにより事故や寿命により交換が必要になったときに磁束生成手段を取り外し易い等の利点も得ることができる。  
交流電流が印加される部材としては、上記コイル線のみでなく、コイル線をボビンに捲装した構成や磁束の空間分布を調整するためのヨークなどのコア部材を用いる構成、さらにはコイル線とコアを熱的に保護する断熱部材がコイル線あるいはコアに配設されていた構成なども磁束生成手段として用いられる。また、加熱対象部は温度センサなどにより温度管理されてコイル線への通電制御が行われるようになっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
磁束生成手段を被加熱部材であるローラに対する外部空間に設けた場合には、電気−熱変換効率を高める目的で磁束生成手段をローラＬ（図１２参照）になるべく近づけることが望ましい。さらに、磁束生成手段とローラとの対向面はローラの周方向である程度の幅を持たせて広い範囲で一様な温度上昇を得ることが望ましい。  
上述した望ましい形態に基づいて磁束生成手段を配置すると、磁束生成手段とローラとの対向面で記録媒体の出入り口の幅が狭い隙間空間がローラの周方向の広い範囲において存在することになる。このため、この隙間空間においてローラ周面に付着したトナーや紙粉等の異物が入り込むと隙間空間内に止まったり磁束生成手段内に入り込むことがある。このような異物は定着行程が継続されると堆積して成長し、結果として、ローラ表面を損傷したり、ローラの回転に連れ回って記録媒体表面に付着して汚損するなどの不具合を招く。例えば、図１２に示した構成を対象とした場合には、図１５において符号Ｐ１，Ｐ２で示すように、導電性線材Ａに付着したり、ローラＬの回転方向（図示矢印方向）に従ってローラＬ周面で運ばれた異物が回転方向下流側で堆積したりする。また、図１３および図１４に示した構成を対象とした場合には、図１６および図１７に示すように、ローラの回転に従ってコア部材Ｃに堰き止められる状態でコア部材Ｃ側に付着したり（図中、符号Ｐ２’で示す状態）、あるいは、断熱部材Ｄの表面に付着する（図１７中、符号Ｐ３で示す状態）。  
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、磁束の作用により発熱する誘導発熱体を有する回転体と、該回転体の外周面に対向して配置されて該回転体に誘導発熱のための磁束を生起させる磁束生成手段と、該回転体と相互に圧接可能な加圧部材とを備え、上記回転体と加圧部材とでシート状媒体上に担持されている未定着トナー対して熱・圧力を作用させて上記シート状媒体に該トナーを浸透させる定着装置において、上記磁束生成手段は、上記回転体に対向する側に該磁束生成手段を覆うことが可能な被覆部を備えていることを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2003043832.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月28日(2006.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】感光性組成物
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  側鎖にスチレン性二重結合を有するポリマーおよびアジド化合物を含んでなることを特徴とする感光性組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月18日(2007.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体材料にてなる基板と、上記基板（１２０）上の複数のセクションとを備え、すべての上記セクションは互いに接続され、少なくとも２つの上記セクションは共振器であり、上記各共振器は導波路システムを含み、関連する波長において最大の共振を提供する互いに間隔を有する複数の共振最大点を有し、各セクションの上記共振最大点のうちの少なくとも２つの間隔は本質的に等しくなく、上記共振器である２つのセクションのそれぞれの少なくとも１つの上記共振の最大は互いにオーバーラップする装置。
【請求項２】  共振器である上記複数のセクションのそれぞれの、ただ１つの上記共振の最大は互いにオーバーラップする請求項１記載の装置。
【請求項３】  上記共振器は、関連する波長において最大の透過を提供する、互いに間隔を有する複数の透過最大点（１３０）を、共振最大点として有する透過フィルタ（５０）と、関連する波長において最大の反射を提供する、互いに間隔を有する複数の反射最大点（１４０）を、共振最大点として有する反射器（９０）、（１００）、（１１０）とのいずれかである請求項１又は２記載の装置。
【請求項４】  上記基板上に２つの側面を持つ活性放射発生セクション（３０）をさらに備え、上記複数のセクションは上記２つの側面を持つ活性セクションの１つの側面に接続された請求項１乃至３のいずれか１つに記載の装置。
【請求項５】  上記複数のセクションの少なくとも１つは不活性である請求項１乃至４のいずれか１つに記載の装置。
【請求項６】  上記複数のセクションの少なくとも１つは活性である請求項１乃至５のいずれか１つに記載の装置。
【請求項７】  上記導波路システムの少なくとも１つは、ストリップ化されていない領域と交互に配置される、短周期でストリップ化された領域を含む、周期的に破壊された短周期構造を有する請求項１乃至６のいずれか１つに記載の装置。
【請求項８】  上記導波路システムの少なくとも１つは、それぞれが一定の長さを有しこれにより変調周期を形成する複数の反復する単位領域を持つ回折格子と、上記レーザ中の光伝送の方向に沿った上記反復する単位領域のそれぞれにおけるその位置によって変化する上記回折格子の光の反射又は透過を決定する少なくとも１つのパラメータとを有し、上記回折格子は少なくとも２つの変調周期だけ延在する、請求項１乃至７のいずれか１つに記載の装置。
【請求項９】  上記導波路システムの少なくとも１つはリング共振器（８００）である請求項１乃至７のいずれか１つに記載の装置。
【請求項１０】  上記活性セクションは、１つの中心周波数の周りの帯域幅上に自然放出により光ビームを発生し、上記光ビームを導波し、光増幅作用を有する、請求項６乃至９のいずれか１つに記載の装置。
【請求項１１】  上記複数のセクションの組み合わせは、上記組み合わせの反射波長の少なくとも１つにおいてレーザ光を発生させる、反射作用と上記活性セクションの上記光増幅作用とが組み合わされた作用を有する請求項１０記載の装置。
【請求項１２】  上記複数のセクションのいくつかを接続し、上記活性セクションに接続するために用いられる、複数のパワースプリッタをさらに備えた請求項６乃至１１のいずれか１つに記載の装置。
【請求項１３】  上記装置は上記活性セクション（９００）と複数の上記セクション（９１０）、（９２０）、（９３０）との縦続接続である請求項６乃至１２のいずれか１つに記載の装置。
【請求項１４】  上記活性セクション（４００）の接続は、上記パワースプリッタの他のマルチポート側への複数のセクション（４１０）、（４２０）、（４３０）の並列接続を有して、パワースプリッタ（４５０）の１つのシングルポート側に実行される請求項１２記載の装置。
【請求項１５】  往復キャビティのフェーズを調整するために用いられる複数の位相セクションをさらに備えた請求項１乃至１４のいずれか１つに記載の装置。
【請求項１６】  共振器である上記セクションの少なくともいくつかに電流を注入するための手段をさらに備え、それにより波長においてシフトされる上記透過又は反射特性を有する請求項１乃至１５のいずれか１つに記載の装置。
【請求項１７】  半導体材料にてなる基板と、上記基板上に接続された複数のセクションとを備え、上記セクションの少なくとも２つは関連する波長において最大の反射を提供する互いに間隔を有する複数の共振最大点を有する複数の共振器であり、各セクションの上記反射最大点のうちの少なくとも２つの間隔は本質的に等しくない装置のレーザ周波数を設定するための方法であり、上記方法は上記共振器である各セクションの上記複数の共振最大点が互いにオーバーラップするように、上記共振器の上記共振最大点を位置するステップを備え、上記複数の共振最大点は上記レーザ周波数を画定する方法。
【請求項１８】  請求項１記載の装置のレーザ周波数を第１の周波数から第２の周波数に変更するための方法であり、上記第２の周波数は上記第１の周波数から第１の距離だけ間隔を有し、上記装置は半導体材料にてなる基板と、上記装置上に接続された複数のセクションとを備え、上記セクションの少なくとも２つは関連する波長において最大の反射を提供する互いに間隔を有する複数の共振最大点を有する共振器であり、各セクションの上記共振最大点のうちの少なくとも２つの間隔は本質的に等しくなく、上記方法は、上記共振器の上記共振最大点の相対的な位置を、上記第１の距離より実質的に小さい第２の距離を有して変更するステップを備える方法。
【請求項１９】  集積化された／半導体の同調可能な光レーザとしての請求項４記載の装置の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
図６は可能な構成の例を図示するが、本発明はこれに限定されない。活性セクション（３０）は、１つの側面において光学的に複数のセクション（１２０）に接続されていて、上記複数のセクションは透過フィルタ（５０）と３つの反射器（９０）（１００）（１１０）とを備える。レーザ光（１０）は、活性セクションの他の側面よりレーザから出る。（２０）は上記活性セクション（３０）内の増幅作用を示す。上記接続（４０）、（６０）、（７０）及び（８０）は光の相互接続性を意味し、物理的接続と考えられるべきではない。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月25日(2007.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】      
【請求項１】  通信チャネルにおけるタイムスロットの期間を自動的に調整する方法であって、
前記通信チャネルをモニタするステップと、
前記通信チャネルにおけるタイムスロットにおいてデータが送信されているかどうかを判断するステップと、
前記タイムスロットにおいてデータが送信されている場合には、前記タイムスロットを第１の期間になるよう調整するステップと、
前記タイムスロットにおいてデータが送信されていない場合には、前記タイムスロットを第２の期間になるよう調整するステップと、
を含む、前記タイムスロットの期間を自動的に調整する方法。
【請求項２】  相異なるユニットの間でデータ通信を行うシステムであって、
データを送信し受信するための複数のタイムスロットを有するデータチャネルを具え、
各ユニットは、データをモニタして処理するマイクロプロセッサを具え、
前記マイクロプロセッサは、前記タイムスロット中の１つのタイムスロットの期間を、そのタイムスロットの内容に応じて調整する、前記データ通信を行うシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月20日(2007.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板に接するブロッキング膜と、
前記ブロッキング膜に接するゲート配線と、
前記ゲート配線に接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に接し、高濃度不純物領域、チャネル形成領域、及び前記高濃度不純物領域と前記チャネル形成領域との間の低濃度不純物領域、を有する結晶質半導体層と、
を有し、
前記ブロッキング膜は酸化タンタルからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ガラス基板の表面を覆う第１のブロッキング膜と、
ガラス基板の裏面を覆う第２のブロッキング膜と、
前記第１のブロッキング膜の上に形成されたゲート配線と、
前記ゲート配線の上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に形成され、第１の不純物領域、チャネル形成領域、を有する結晶質半導体層と、
を有し、
前記第１のブロッキング膜及び前記第２のブロッキング膜は酸化タンタルからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ガラス基板の全面を覆うブロッキング膜と、
前記ガラス基板の表面に前記ブロッキング膜を介して形成されたゲート配線と、
前記ゲート配線の上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に形成され、第１の不純物領域、チャネル形成領域、を有する結晶質半導体層と、
を有し、
前記ブロッキング膜は酸化タンタルからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記第１の不純物領域と前記チャネル形成領域との間には第２の不純物領域が形成されており、
前記第２の不純物領域は、第１の不純物領域より不純物濃度が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜中のナトリウム濃度は１×１０１６ａｔｏｍｓ  ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
ガラス基板に酸化タンタル膜を形成し、
前記酸化タンタル膜の上にゲート配線を形成し、
前記ゲート配線の上にゲート絶縁膜と半導体膜を積層形成し、
前記半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜をパターニングして結晶質半導体層を形成し、
１３族または１５族に属する不純物元素を前記結晶質半導体層に選択的に添加して高濃度不純物領域を形成し、
１３族または１５族に属する不純物元素を前記結晶質半導体層に選択的に添加して低濃度不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
ガラス基板に酸化タンタル膜を形成し、
前記酸化タンタル膜の上にゲート配線を形成し、
前記ゲート配線の上にゲート絶縁膜と半導体膜を積層形成し、
前記半導体膜に半導体膜の結晶化を促進する元素を添加し、
前記半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜中の前記結晶化を促進する元素を除去し、
前記結晶質半導体膜をパターニングして結晶質半導体層を形成し、
１３族または１５族に属する不純物元素を前記結晶質半導体層に選択的に添加して高濃度不純物領域を形成し、
１３族または１５族に属する不純物元素を前記結晶質半導体層に選択的に添加して低濃度不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
ガラス基板の表面及び裏面に酸化タンタル膜を形成し、
前記ガラス基板の表面に前記酸化タンタル膜を介してゲート配線を形成し、
前記ゲート配線の上にゲート絶縁膜と半導体膜を積層形成し、
前記半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜をパターニングしてチャネル形成領域となる部分を有する結晶質半導体層を形成し、
１３族または１５族に属する不純物元素を前記結晶質半導体層に選択的に添加して第１の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
ガラス基板の表面及び裏面に酸化タンタル膜を形成し、
前記ガラス基板の表面に前記酸化タンタル膜を介してゲート配線を形成し、
前記ゲート配線の上にゲート絶縁膜と半導体膜を積層形成し、
前記半導体膜に半導体膜の結晶化を促進する元素を添加し、
前記半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜中の前記結晶化を促進する元素を除去し、
前記結晶質半導体膜をパターニングしてチャネル形成領域となる部分を有する結晶質半導体層を形成し、
１３族または１５族に属する不純物元素を前記結晶質半導体層に選択的に添加して第１の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
ガラス基板の全面を覆って酸化タンタル膜を形成し、
前記ガラス基板の表面に前記酸化タンタル膜を介してゲート配線を形成し、
前記ゲート配線の上にゲート絶縁膜と半導体膜を積層形成し、
前記半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜をパターニングしてチャネル形成領域となる部分を有する結晶質半導体層を形成し、
１３族または１５族に属する不純物元素を前記結晶質半導体層に選択的に添加して第１の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
ガラス基板の全面を覆って酸化タンタル膜を形成し、
前記ガラス基板の表面に前記酸化タンタル膜を介してゲート配線を形成し、
前記ゲート配線の上にゲート絶縁膜と半導体膜を積層形成し、
前記半導体膜に半導体膜の結晶化を促進する元素を添加し、
前記半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜中の前記結晶化を促進する元素を除去し、
前記結晶質半導体膜をパターニングしてチャネル形成領域となる部分を有する結晶質半導体層を形成し、
１３族または１５族に属する不純物元素を前記結晶質半導体層に選択的に添加して第１の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項７、請求項９、又は請求項１１のいずれか一において、
前記結晶化を促進する元素として、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂから選ばれた少なくとも一つの元素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一において、
前記第１の不純物領域を形成した後、
前記結晶質半導体層の前記第１の不純物領域と前記チャネル形成領域となる部分との間に、１３族または１５族に属する不純物元素を選択的に添加して第２の不純物領域を形成し、
前記第２の不純物領域は、前記第１の不純物領域より不純物濃度が低いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 基板と、
前記基板に隣接した第１の光センサと、
前記第１の光センサに隣接した第１の透明導電層と、
前記第１の透明導電層に隣接した第２の光センサと、
前記第２の光センサに隣接した第２の透明導電層と、
を備え、
前記第１の光センサの第１のピクセル電極が前記基板に電気的に接続され、
前記第１の透明導電層が前記第１の光センサの第１の外側電極を前記基板に電気的に接続し、
前記第２の光センサの第２のピクセル電極が前記第１の透明導電層を介して前記基板に電気的に接続され、
前記第２の透明導電層が前記第２の光センサの第２の外側電極を前記基板に電気的に接続することを特徴とする複数光センサ構造。
【請求項２】  前記第２の透明導電層に隣接した第３の光センサと、前記第３の光センサに隣接した第３の透明導電層と、
をさらに備え、
前記第３の光センサの第３のピクセル電極が前記第２の透明導電層を介して前記基板に電気的に接続され、
前記第３の透明導電層が前記第３の光センサの第３の外側電極を前記基板に電気的に接続する、請求項１に記載の複数光センサ構造。
【請求項３】  前記第１の光センサが、第１の波長範囲の光を検出する請求項１に記載の複数光センサ構造。
【請求項４】  前記第２の光センサが、第２の波長範囲の光を検出する請求項１に記載の複数光センサ構造。
【請求項５】  前記第３の光センサが、第３の波長範囲の光を検出する請求項２に記載の複数光センサ構造。
【請求項６】  前第１の透明導電層が、
内側の第１の透明導電層と、
外側の第１の透明導電層と、
前記内側の第１の透明導電層と前記外側の第１の透明導電層との間に配置された第１の絶縁層と、
を備え、
前記内側の第１の透明導電層によって、前記第１の光センサの前記第１の外側電極が前記基板に対して電気的に接続され、
前記外側の第１の透明導電層によって、前記第２の光センサの前記第２のピクセル電極が前記基板に対して電気的に接続される、請求項１に記載の複数光センサ構造。
【請求項７】  前記第２の透明導電層が、
内側の第２の透明導電層と、
外側の第２の透明導電層と、
前記内側の第２の透明導電層と前記外側の第２の透明導電層との間に配置された第２の絶縁層と、
を備え、
前記内側の第２の透明導電層によって、前記第２の光センサの前記第２の外側電極が前記基板に対して電気的に接続され、
前記外側の第２の透明導電層によって、前記第３の光センサの前記第３のピクセル電極が前記基板に対して電気的に接続される、請求項２に記載の複数光センサ構造。
【請求項８】  前記第１の透明導電層が、前記第１の光センサの前記第１の外側電極及び前記基板に電気的に接続された内側表面を備えている請求項１に記載の複数光センサ構造。
【請求項９】  導電性プラグによって、前記第１の透明導電層の前記内側表面が前記基板に電気的に接続される請求項８に記載の複数光センサ構造。
【請求項１０】  前記第２の透明導電層が、前記第２の光センサの前記第２の外側電極及び前記基板に電気的に接続された内側表面を備える請求項１に記載の複数光センサ構造。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月22日(2006.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号を送受信する複数個のアンテナ素子と、
これら複数個のアンテナ素子に対応して設けられ送信源信号及び受信信号を増幅するとともにこれら信号の位相を制御する複数個の送受信モジュールと、
これら複数個の送受信モジュールに前記送信源信号を分配して供給するとともに前記複数個の送受信モジュールからの前記受信信号を合成する分配合成器と、
この分配合成器に前記送信源信号を供給する前置励振回路と
を備えたアクティブフェーズドアレイアンテナ装置において、
前記前置励振回路から前記分配合成器に供給される前記送信源信号のレベルを制御することにより、前記複数個の各送受信モジュールから前記複数個の各アンテナ素子に供給される送信信号のレベル変動を補償することを特徴とするアクティブフェーズドアレイアンテナ装置。
【請求項２】
前記送信源信号のレベル制御は、前記複数個の送受信モジュールのいずれか1つの温度変化に基づいて行なわれる制御を含むことを特徴とする請求項1に記載のアクティブフェーズドアレイアンテナ装置。
【請求項３】
信号を送受信する複数個のアンテナ素子と、
これら複数個のアンテナ素子に対応して設けられ送信源信号及び受信信号を増幅するとともにこれら信号の位相を制御する複数個の送受信モジュールと、
これら複数個の送受信モジュールに前記送信源信号を分配して供給するとともに前記複数個の送受信モジュールからの前記受信信号を合成する分配合成器と、
この分配合成器に所定のレベルに制御された前記送信源信号を供給する前置増幅回路と、
この前置増幅回路から前記分配合成器への前記送信源信号のレベルをモニタするレベルモニタ回路と、
このレベルモニタ回路からのモニタ結果に基づいて前記前置増幅回路から前記分配合成器に供給される前記送信源信号が前記所定のレベルとなるように前記前置増幅回路を制御するレベル制御回路と
を有することを特徴とするアクティブフェーズドアレイアンテナ装置。
【請求項４】
さらに、前記複数個の送受信モジュールのいずれか1つの温度をモニタする温度センサを有し、前記レベル制御回路は前記レベルモニタ回路からのモニタ結果及び前記温度センサからのモニタ結果に基づいて前記前置増幅回路を制御することを特徴とする請求項３に記載のアクティブフェーズドアレイアンテナ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明のアクティブフェーズドアレイアンテナ装置は、信号を送受信する複数個のアンテナ素子と、これら複数個のアンテナ素子に対応して設けられ送信源信号及び受信信号を増幅するとともにこれら信号の位相を制御する複数個の送受信モジュールと、これら複数個の送受信モジュールに前記送信源信号を分配して供給するとともに前記複数個の送受信モジュールからの前記受信信号を合成する分配合成器と、この分配合成器に前記送信源信号を供給する前置励振回路とを備えたアクティブフェーズドアレイアンテナ装置において、前記前置励振回路から前記分配合成器に供給される前記送信源信号のレベルを制御することにより、前記複数個の各送受信モジュールから前記複数個の各アンテナ素子に供給される送信信号のレベル変動を補償することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月24日(2007.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面および底面を有する熱伝導体と、
電子回路を上に有するダイであって、前記電子回路に電源を供給するための第１および第２接点を備え、前記熱伝導体と熱的接触し、前記熱伝導体の前記上面より小さい底面を有するダイと、
前記熱伝導体の前記上面に接合されて、前記上面から電気的に絶縁される導電材料を備える第１トレースと、
前記第１接点から前記第１トレースに至る第１導電経路と、
前記ダイおよび前記第１導電経路を被覆するカプセル化キャップとを有し、
前記第１トレースが、前記カプセル化キャップの外側に延在する第１部分と、前記カプセル化キャップにより被覆される第２部分とを有する
ことを特徴とする回路素子。
【請求項２】
前記電子回路がＬＥＤを備えることを特徴とする、請求項１に記載の回路素子。
【請求項３】
前記第１トレースが、絶縁基板上に導電材料を備え、前記絶縁基板が前記熱伝導体に接合されることを特徴とする、請求項１に記載の回路素子。
【請求項４】
前記絶縁基板が開口部を備え、前記ダイが、前記開口部を通して前記熱伝導体に接続されることを特徴とする、請求項３に記載の回路素子。
【請求項５】
前記熱伝導体が銅を含むことを特徴とする、請求項１に記載の回路素子。
【請求項６】
前記熱伝導体がアルミニウムを含むことを特徴とする、請求項１に記載の回路素子。
【請求項７】
前記熱伝導体が、前記上面上に開口部を有するキャビティを備え、前記ダイが前記キャビティ内に実装されることを特徴とする、請求項１に記載の回路素子。
【請求項８】
前記ダイが、前記上面から離れる方向に光を発光する発光デバイスを備え、前記カプセル化キャップが前記光に対して光学的に透明であることを特徴とする、請求項１に記載の回路素子。
【請求項９】
前記第１導電経路が、前記第１接点に接合される第１端部と、前記第１トレースに接合される第２端部とを有するワイヤを備えることを特徴とする、請求項１に記載の回路素子。
【請求項１０】
前記第１トレースが、銅でできたＴ形の帯状部分を備えることを特徴とする、請求項９に記載の回路素子。
【請求項１１】
前記第１トレースの前記第１部分の上にはんだボールをさらに備えることを特徴とする、請求項９に記載の回路素子。
【請求項１２】
前記熱伝導体の前記上面に接合されて、前記上面から絶縁された導電媒体を備える第２トレースであって、第２導電経路により前記第２接点に電気的に接続される第２トレースをさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の回路素子。
【請求項１３】
前記第２トレースがはんだボールをさらに備えることを特徴とする、請求項１２に記載の回路素子。
【請求項１４】
前記熱伝導体の前記上面の上に配設され、前記第１および第２はんだボールの配設位置を結ぶ直線上から外れた位置に配設された第３のはんだボールをさらに備えることを特徴とする、請求項１２に記載の回路素子。
【請求項１５】
前記カプセル化キャップが、前記ダイを囲繞するダムを備え、前記ダムに透明なカプセル化材料が充填されることを特徴とする、請求項１に記載の回路素子。
【請求項１６】
前記熱伝導体の前記底面が、前記熱伝導体の前記上面より大きい表面積を有する表面を備えることを特徴とする、請求項１に記載の回路素子。
【請求項１７】
前記熱伝導体の前記底面が、前記熱伝導体の前記底面からの熱の伝達を促進するためのフィンを備えることを特徴とする、請求項１６に記載の回路素子。
【請求項１８】
上面および底面と、前記上面と前記底面とを貫通する孔とを有する回路基板であって、前記ダイが前記回路基板の前記上面の上方の位置から見えるように、前記第１トレースが前記回路基板の前記底面上にある導体に接続される回路基板をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の回路素子。
【請求項１９】
前記熱伝導体が、前記回路基板の前記底面上にある第２および第３の位置を介して、前記回路基板に接続されることを特徴とする、請求項１８に記載の回路素子。
【請求項２０】
前記回路基板、前記第１トレース、並びに前記第２および第３位置間の前記接続がはんだ接合部を有することを特徴とする、請求項１９に記載の回路素子。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月13日(2007.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタの作製方法、及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
選択的に１４ｎｍ以下の非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱することにより、｛１００｝結晶面が｛１１０｝結晶面及び｛１１１｝結晶面より多く配向した結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜にｎ型の不純物元素を添加する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
選択的に１４ｎｍ以下の非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱することにより、許容角度を１０度未満とする反射電子回折パターン測定により｛１００｝結晶面に３０％以上配向する結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜にｎ型の不純物元素を添加する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
第１の領域及び第２の領域に１４ｎｍ以下の第１の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記第１の非晶質半導体膜を加熱することにより、｛１００｝結晶面が｛１１０｝結晶面及び｛１１１｝結晶面より多く配向した第１の結晶性半導体膜を形成し、
前記第２の領域に形成された前記第１の結晶性半導体膜を選択的に除去し、
前記第１の領域及び前記第２の領域に３０ｎｍ以下の第２の非晶質半導体膜を形成し、
少なくとも前記第２の領域に形成された前記第２の非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記第１の結晶性半導体膜及び前記第２の非晶質半導体膜を加熱することにより前記第１の領域に｛１００｝結晶面が｛１１０｝結晶面及び｛１１１｝結晶面より多く配向した第２の結晶性半導体膜を形成し、前記第２の領域に｛１１０｝結晶面及び｛１１１｝結晶面のいずれかが｛１００｝結晶面より多く配向した第２の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１及び第２の結晶性半導体膜に不純物元素を添加し、
前記第１の領域にｎチャネル型の薄膜トランジスタを形成し、前記第２の領域にｐチャネル型の薄膜トランジスタを形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１の領域に１４ｎｍ以下の第１の非晶質半導体膜を形成し、第２の領域に１４ｎｍ以上３０ｎｍ以下の第２の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１及び第２の非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記第１及び第２の非晶質半導体膜を加熱することにより、前記第１の領域に｛１００｝結晶面が｛１１０｝結晶面及び｛１１１｝結晶面より多く配向した第１の結晶性半導体膜を形成し、前記第２の領域に｛１１０｝結晶面及び｛１１１｝結晶面のいずれかが｛１００｝結晶面より多く配向した第２の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１及び第２の結晶性半導体膜に不純物元素を添加して前記第１の領域にｎチャネル型の薄膜トランジスタを形成し、前記第２の領域にｐチャネル型の薄膜トランジスタを形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
第１の領域に１４ｎｍ以下の第１の非晶質半導体膜を形成し、第２の領域に１４ｎｍ以上３０ｎｍ以下の第２の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１及び第２の非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記第１及び第２の非晶質半導体膜を加熱することにより、許容角度を１０度未満とする反射電子回折パターン測定により｛１００｝結晶面に３０％以上配向する第１の結晶性半導体膜を形成し、｛１００｝結晶面に３０％未満に配向する第２の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１及び第２の結晶性半導体膜に不純物元素を添加して前記第１の領域にｎチャネル型の薄膜トランジスタを形成し、前記第２の領域にｐチャネル型の薄膜トランジスタを形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
同一基板上の第１の領域及び第２の領域に１４ｎｍ以下の第１の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記第１の非晶質半導体膜を加熱することにより、｛１００｝結晶面が｛１１０｝結晶面及び｛１１１｝結晶面より多く配向した第１の結晶性半導体膜を形成し、
前記第２の領域に形成された前記第１の結晶性半導体膜を選択的に除去し、
前記第１の領域及び前記第２の領域に３０ｎｍ以下の第２の非晶質半導体膜を形成し、
少なくとも前記第２の領域に形成された前記第２の非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記第１の結晶性半導体膜及び前記第２の非晶質半導体膜を加熱することにより前記第１の領域に｛１００｝結晶面が｛１１０｝結晶面及び｛１１１｝結晶面より多く配向した第２の結晶性半導体膜を形成し、前記第２の領域に｛１１０｝結晶面及び｛１１１｝結晶面のいずれかが｛１００｝結晶面より多く配向した第２の結晶性半導体膜を形成し、
前記第１及び第２の結晶性半導体膜に不純物元素を添加し、
前記第１の領域にｎチャネル型の薄膜トランジスタを形成し、前記第２の領域にｐチャネル型の薄膜トランジスタを形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
ここで薄膜トランジスタの半導体膜の膜厚について述べる。薄膜トランジスタを形成す
る場合、デバイスの電気特性やコンタクト抵抗の増加等により半導体膜の膜厚を薄くして
結晶性半導体膜を形成する工程は必要とされていなかった。一般に、半導体膜を成膜する
場合、成膜室を安定な状態に保持した後、成膜を開始している。薄い半導体膜を形成する
場合、成膜条件、特に上記のような成膜時間が極端に短くなってしまう。以上を踏まえる
と、薄い薄膜トランジスタを形成するため、成膜時間を極端に短くすることは工程上不
都合なことが多く、必要とされなかった。またさらに一般的な半導体膜の膜厚は、薄膜ト
ランジスタの電気特性からみて最適化されてきたものであり、半導体膜を薄膜化する必要
がなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月25日(2007.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の端子が第２の端子に対する第１の最大電圧に耐えるとともに、第３の端子は前記第２の端子に対する第２の最大電圧に耐え、かつ前記第２の最大電圧は前記第１の最大電圧よりも大幅に大きいように設定した上記第１、第２、第３の端子を含む複数の端子と
前記第３と第２の端子に結合され、電源を制御する集積回路が通常作動している時、前記第３の端子における電圧を高圧に切り替える電源スイッチと、
前記第３の端子に結合された高電圧バッファ回路と、
前記高電圧バッファ回路に結合された電圧調整器回路と、
電圧調整器回路、前記第１の端子および電源スイッチに結合されている機能回路と、
前記第３の端子の電圧を検出するために結合され、前記第３の端子の前記電圧が第１のしきい値よりも小さいときに第１の状態を有し、前記第３の端子の前記電圧が第２のしきい値よりも小さいときに第２の状態を有する検出器回路と、
前記検出器回路と前記機能回路に結合され、前記複数の端子に応答して前記機能回路の少なくとも２つの別の動作モードの１つを選択するようになっている選択器回路とを備えることを特徴とする電源制御集積回路。
【請求項２】
前記検出器回路は前記第１の状態に復帰した後に前記検出器回路の前記第２の状態を保持するように前記選択器回路が適合されることを特徴とする請求項１に記載の電源制御集積回路。
【請求項３】
前記第１の端子は内部端子であることを特徴とする請求項１に記載の電源制御集積回路。
【請求項４】
前記第１の端子は前記集積回路用の電源端子、制御端子、機能端子のうち１つの端子であることを特徴とする請求項１に記載の電源制御集積回路。
【請求項５】
前記機能回路の前記少なくとも２つの別の動作モードの１つは通常動作モードと代替動作モードを含むことを特徴とする請求項１に記載の電源制御集積回路。
【請求項６】
前記代替動作モードは前記通常動作モードとは異なる試験モードであることを特徴とする請求項５に記載の電源制御集積回路。
【請求項７】
前記代替動作モードは前記通常動作モードとは異なるトリミング・モードであることを特徴とする請求項５に記載の電源制御集積回路。
【請求項８】
前記代替動作モードも通常動作モードであることを特徴とする請求項５に記載の電源制御集積回路。
【請求項９】
前記第１と第２のしきい値は前記第１の端子に印加される前記電圧に依存することを特徴とする請求項１に記載の電源制御集積回路。
【請求項１０】
前記第３の端子は前記集積回路の電源端子および機能端子のうちの１つの端子であることを特徴とする請求項１に記載の電源制御集積回路。