Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月23日(2007.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハが載置される電極上のシースに対してその周辺部に載置された部材上のシースを独立に制御できる機構を有するプラズマ処理装置を用いて、ウェハの端部の堆積物を除去するプラズマ処理方法であって、
ウエハが載置される電極上のシースの高さと、その周辺部に載置された部材上のシースの高さを異ならせて電極上のシースから部材上のシースの間に位置する部分のシースを電極上から部材上に向けて下がるように傾斜させ、ウェハ端部にイオンを斜めに入射させてウェハ端部の堆積物を除去する
ことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
プラズマを生成して、ウェハを処理するプラズマ処理装置において、
ウェハが載置される電極と、該電極の周辺部に設けた部材と、前記電極および前記電極の周辺部に設けた部材に高周波バイアス電圧を印加する高周波バイアス電源を有し、
電極に印加される高周波バイアス電圧とその周辺部に設けた部材に印加される高周波バイアス電圧を電極に印加されるバイアス電圧が周辺部に設けた部材に印加されるバイアス電圧より大きくなるように比率を調整する機構を設けた
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２記載のプラズマ処理装置において、
前記高周波バイアス電圧の比率を調整する機構として、インピーダンス調整回路を設け、前記電極に印加する高周波バイアス電圧を、前記インピーダンス調整回路を介して前記電極に印加するバイアス電圧を分配する機構を設けた
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項２記載のプラズマ処理装置において、
高周波バイアス電圧の比率を調整する機構として、インピーダンス調整回路を設け、前記電極に印加する高周波バイアス電圧を、可変容量コンデンサを用いたインピーダンス調整回路を介して前記電極に印加するバイアス電圧を分配する機構を設けた
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項２記載のプラズマ処理装置において、
高周波バイアス電圧の比率を調整する機構として、２つの高周波バイアス電源を設け、一方の高周波電源を前記電極に接続し、他方の高周波電源を前記部材に接続する
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項２記載のプラズマ処理装置において、
前記電極の周辺部に設けた部材が、シリコン材である
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項２記載のプラズマ処理装置において、
前記電極の周辺部に設けた部材が、シリコン材と絶縁物の積層物である
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項２記載のプラズマ処理装置において、
前記電極の周辺部に設けた部材が、絶縁材である
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項９】
請求項２記載のプラズマ処理装置において、
高周波バイアス電源が、４００ｋＨｚから２００ＭＨｚの高周波バイアス電源である
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項２記載のプラズマ処理装置において、
プラズマ生成高周波電源が、１０ＭＨｚから２．５ＧＨｚの高周波電源である
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１１】
請求項２記載のプラズマ処理装置において、
プラズマ処理圧力が、０．１から１００Ｐａの圧力範囲である
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１２】
請求項２記載のプラズマ処理装置であって、
前記ウェハの処理が、レジストマスク剥離プラズマ処理であり、ウェハ外周部のデポ膜を除去する処理である
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１３】
請求項２記載のプラズマ処理装置であって、
前記ウェハの処理が、Ｏ２またはＯを含み、Ｈ２またはＨを含むガスを用いたレジストマスク剥離プラズマ処理であり、ウェハ外周部のデポ膜を除去する処理である
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１４】
プラズマを生成して、ウェハを処理するプラズマ処理装置において、
ウェハが載置される電極と、該電極の周辺部に設けた部材と、前記電極および前記電極の周辺部に設けた部材に高周波バイアス電圧を印加する高周波バイアス電源と、電極上のイオンシースと電極の周辺部に設けた部材上のイオンシースの高さを制御する機構を有し、
電極に印加される高周波バイアス電圧と電極の周辺部に設けた部材に印加する高周波バイアス電圧を同じ高周波バイアス源から供給し、
イオンシースの高さを制御する機構が、電極の周辺部に設けた部材の高さを調整する機構である
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、ウェハが載置される電極上のイオンシースとその周辺部に載置された部材上のイオンシースの高さを制御できる機構を設け、ウェハ端部におけるイオンを斜めに入射させてウェハ端部裏面のデポを削減する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
［第２の実施例］本発明の第２の実施例を、図６を用いて説明する。第２の実施例は、下部電極１４に印加する第１の高周波バイアス電源１６２と、シリコンリング１４１に印加する第２の高周波バイアス電源１６３をそれぞれ別の電源とし、第２の高周波バイアス電源１６３の電力を第１の高周波バイアス電源１６２の電力より小さくすることにより、ウェハ２上のイオンシースの厚さよりシリコンリング１４１上のイオンシースの厚さを薄くして、イオンシースの傾斜部を形成し、ベベルにおけるイオンの入射を斜めにしてベベルデポ膜を低減する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月2日(2007.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍ本の送信アンテナを有する送信機とＮ本の受信アンテナを有する受信機の間でデータ通信をおこなう無線データ通信システムであって、
前記送信機は、各々の送信アンテナに対する送信信号を変調する変調機を具備してなり、
前記受信機は、各々の受信アンテナからの受信信号を復調する復調機を具備してなり、
前記送信機から前記受信機にトレーニング信号を送信し、
Ｍ個の送信信号ベクトルの同相成分と直交成分と、Ｎ個の受信ベクトルの同相成分と直交成分とから、変調時に生ずる前記変調機の同相成分のずれと直交成分のずれと、復調時に生じる前記復調機の同相成分のずれと直交成分のずれとを含んだ送信信号ベクトルと受信信号ベクトルとの関係を表す２Ｎ行２Ｍ列の伝搬行列を演算し、
前記トレーニング信号を送信後に、前記送信機から前記受信機に送信されるデータによって、前記復調機に入力される同相成分と直交成分とを、前記伝搬行列に基づいて演算することを特徴とする無線データ通信システム。
【請求項２】
請求項１において、
前記伝搬路行列の決定のために、一つの送信アンテナに対してコンスタレーション上に少なくとも二つの線形独立な信号点を有するトレーニング信号を用いることを特徴とする無線データ通信システム。
【請求項３】
請求項１において、
ＱＰＳＫにより前記トレーニング信号を構成することを特徴とする無線データ通信システム。
【請求項４】
請求項２において、
第一のトレーニング信号と第二のトレーニング信号から各々信号点を抽出し、前記抽出した信号点のコンスタレーション上の位相が互いに９０°異なるＢＰＳＫにより構成することを特徴とする無線データ通信システム。
【請求項５】
請求項２において、
前記トレーニング信号をＢＰＳＫにより構成し、前記トレーニング信号を送出するたびに前記トレーニング信号のコンスタレーション上の信号点の位相を９０°回転させることを特徴とする無線データ通信システム。
【請求項６】
Ｍ本の送信アンテナを有する送信機とＮ本の受信アンテナを有する受信機の間でデータ通信をおこなう無線データ通信方法であって、
前記送信機は、各々の送信アンテナに対する送信信号を変調してデータを前記送信アンテナから送信する送信機であり、
前記受信機は、各々の受信アンテナからの受信信号を復調してデータを取り出す受信機であり、
前記送信機から前記受信機にトレーニング信号を送信するステップと、
Ｍ個の送信信号ベクトルの同相成分と直交成分と、Ｎ個の受信ベクトルの同相成分と直交成分とから、変調時に生ずる前記変調機の同相成分のずれと直交成分のずれと、復調時に生じる前記復調機の同相成分のずれと直交成分のずれとを含んだ送信信号ベクトルと受信信号ベクトルとの関係を表す２Ｎ行２Ｍ列の伝搬行列を演算するステップと、
前記トレーニング信号を送信後に、前記送信機から前記受信機に前記送信アンテナから前記受信アンテナにデータを送信するステップと、
送信されたデータよって前記復調機に入力される同相成分と直交成分とを、前記伝搬行列に基づいて演算するステップと
を有することを特徴とする無線データ通信方法。
【請求項７】
請求項６において、
ＱＰＳＫにより前記トレーニング信号を構成することを特徴とする無線データ通信方法。
【請求項８】
請求項６において、
第一のトレーニング信号と第二のトレーニング信号から各々信号点を抽出し、前記抽出した信号点のコンスタレーション上の位相が互いに９０°異なるＢＰＳＫにより構成することを特徴とする無線データ通信方法。
【請求項９】
請求項６において、
前記トレーニング信号をＢＰＳＫにより構成し、前記トレーニング信号を送出するたびに前記トレーニング信号のコンスタレーション上の信号点の位相を９０°回転させることを特徴とする無線データ通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
【数１３】
2006245871.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パケットに対して処理を行う複数の負荷分散装置と接続され、さらにネットワークを介して第一及び第二の通信装置とも接続され、メモリとＣＰＵを有するパケット転送装置であって、
上記第一の通信装置から受信した上記第二の通信装置宛てのパケットを上記複数の負荷分散装置のうちの一の負荷分散装置に送信し、さらに該一の負荷分散装置で処理された該パケットを上記第二の通信装置に送信するインターフェースを有し、
上記ＣＰＵは、上記第一の通信装置から、該第一の通信装置のユーザを特定する情報を含むパケットを受信した際に、該ユーザを特定する情報に基づいて、上記第一の通信装置から受信するパケットを送信する上記一の負荷分散装置を決定することを特徴とするパケット転送装置。
【請求項２】
請求項１記載のパケット転送装置であって、
上記メモリには、上記第一の通信装置のユーザを特定する情報と、上記一の負荷分散装置を特定する情報との対応情報が記憶されていることを特徴とするパケット転送装置。
【請求項３】
請求項１記載のパケット転送装置であって、
上記ユーザを特定する情報は、上記第一の端末装置と該パケット転送装置との接続を識別する情報であることを特徴とするパケット転送装置。
【請求項４】
請求項３記載のパケット転送装置であって、
上記第一の端末と該パケット転送装置との接続を識別する情報は、セッション識別子であることを特徴とするパケット転送装置。
【請求項５】
請求項１記載のパケット転送装置であって、
上記ユーザを特定する情報は、上記第一の端末装置のIPアドレスであることを特徴とするパケット転送装置。
【請求項６】
請求項１記載のパケット転送装置であって、
上記メモリには、上記第一の通信装置のIPアドレスと上記一の負荷分散装置を特定する情報との対応情報が記憶されており、
上記ＣＰＵは、上記第二の通信装置から上記第一の通信装置宛てのパケットを受信した際には、上記第一の通信装置宛てのパケットの宛先IPアドレスと上記対応情報に基づいて、上記第一の通信装置宛てのパケットを上記一の負荷分散装置に送信することを決定することを特徴とするパケット転送装置。
【請求項７】
請求項１記載のパケット転送装置であって、
上記ＣＰＵは、上記第一の通信装置のユーザを特定する情報を含むパケットを受信した際に、特定のアルゴリズムに従って上記第一の通信装置から受信するパケットを処理すべき上記一の負荷分散装置を決定することを特徴とするパケット転送装置。
【請求項８】
請求項１記載のパケット転送装置であって、
第一及び第二の仮想通信装置を有し、
上記第一の仮想通信装置は、上記第一の通信装置から上記第二の通信装置宛てのパケットを受信して、該パケットを上記一の負荷分散装置に送信し、
上記第二の仮想通信装置は、上記一の負荷分散装置から上記パケットを受信して、該パケットを上記第二の通信装置に送信することを特徴とするパケット転送装置。
【請求項９】
請求項８記載のパケット転送装置であって、
上記第二の仮想通信装置は、上記第二の通信装置から上記第一の通信装置宛てのパケットを受信し、該パケットを上記一の負荷分散装置に送信し、
上記第一の仮想通信装置は、上記一の負荷分散装置から上記パケットを受信し、該パケットを上記第一の通信装置に送信することを特徴とするパケット転送装置。
【請求項１０】
請求項１記載のパケット転送装置であって、
上記ＣＰＵは、上記第一の通信装置のユーザを特定する情報と、該ユーザのサービスレベルを特定する情報に基づいて、上記第一の通信装置から受信するパケットを送信する上記一の負荷分散装置を決定し、
上記メモリには、上記ユーザを特定する情報と、上記決定された一の負荷分散装置を特定する情報との対応情報が記憶されており、
上記インターフェースは、上記対応情報に基づいて、上記第一の通信装置から受信したパケットを上記一の負荷分散装置に送信することを特徴とするパケット転送装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月21日(2007.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部の機器と通信可能な主制御装置と、当該主制御装置によって制御される少なくとも１つの電気機器とが無線接続されており、上記外部の機器から送信された送信情報に基づいて、上記主制御装置が上記電気機器の動作を制御する管理システムにおいて利用され、
上記主制御装置と上記電気機器との情報通信を仲介する電気機器制御装置であって、
上記主制御装置と無線通信によって情報の受信を行う通信手段と、
上記通信手段が受信した情報に基づいて、上記電気機器に対して赤外線を照射して上記電気機器を操作する赤外線照射手段とを、備えることを特徴とする電気機器制御装置。
【請求項２】
上記通信手段は、特定小電力を用いた無線通信によって、上記主制御装置から情報の受信を行うことを特徴とする請求項１に記載の電気機器制御装置。
【請求項３】
上記通信手段は、上記主制御装置に対して情報の送信を行うものであり、
上記通信手段が送信する情報には、上記電気機器に対して赤外線を照射した旨の赤外線照射情報が含まれることを特徴とする請求項１または２に記載の電気機器制御装置。
【請求項４】
上記電気機器が配置された場所の環境状態を検知する検知手段をさらに備え、
上記通信手段は、上記検知手段による検知結果に基づいて、上記電気機器が動作しているか否かに関する情報を上記主制御装置に送信することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の電気機器制御装置。
【請求項５】
上検知手段は、温度を検知する温度検知手段であることを特徴とする請求項４に記載の電気機器制御装置。
【請求項６】
上検知手段は、照度を検知する照度検知手段であることを特徴とする請求項４に記載の電気機器制御装置。
【請求項７】
上記電気機器には、照明が含まれており、
上記通信手段は、上記照明の電源のオンおよびオフを制御するコマンドを上記主制御装置から受け取ることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の電気機器制御装置。
【請求項８】
上記電気機器には、エアコンが含まれており、
上記通信手段は、上記エアコンの電源のオンおよびオフを制御するコマンドを上記主制御装置から受け取ることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の電気機器制御装置。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか１項に記載の電気機器制御装置と、上記電気機器制御装置を制御する主制御装置とを含んで構成される電気機器制御システム。
【請求項１０】
当該システムには、上記外部の機器として携帯端末がさらに含まれており、
上記携帯端末は、上記主制御装置とインターネットを介して通信を行うことを特徴とする請求項９に記載の電気機器制御システム。
【請求項１１】
外部の機器と通信可能な主制御装置と、当該主制御装置によって制御される少なくとも１つの電気機器とが無線接続されており、上記外部の機器から送信された送信情報に基づいて、上記主制御装置が上記電気機器の動作を制御する管理システムにおいて利用され、上記主制御装置と上記電気機器との情報通信を仲介する電気機器制御装置における電気機器制御方法であって、
通信手段が、無線通信によって上記主制御装置から情報を受信する受信ステップと、
上記通信手段が受信した情報に基づいて、赤外線照射手段が、赤外線を照射して上記電気機器を操作する操作ステップとを、含むことを特徴とする電気機器制御方法。
【請求項１２】
請求項１〜９の何れか１項に記載の電気機器制御装置における電気機器制御プログラムであって、コンピュータを上記各手段として機能させるための電気機器制御プログラム。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電気機器制御プログラムを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の電気機器制御装置において、上記通信手段は、特定小電力を用いた無線通信によって、上記主制御装置から情報の受信を行うことが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の電気機器制御装置において、上記通信手段は、上記主制御装置に対して情報の送信を行うものであり、上記通信手段が送信する情報には、上記電気機器に対して赤外線を照射した旨の赤外線照射情報が含まれることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
上記の構成によれば、上記電気機器が照明機器あるいはテレビなどである場合に、当該照明機器をＯＮ／ＯＦＦすることによって変化した室内などの照度変化を、照度検知手段が感知し、その結果をセキュリティシステムの主制御装置へ通知することができる。これによって、上記赤外線照射手段によって電気機器が確実に操作されたことを確認することができる。
また、本発明の電気機器制御装置において、上記電気機器には、照明が含まれており、上記通信手段は、上記照明の電源のオンおよびオフを制御するコマンドを上記主制御装置から受け取るものであってもよい。
また、本発明の電気機器制御装置において、上記電気機器には、エアコンが含まれており、上記通信手段は、上記エアコンの電源のオンおよびオフを制御するコマンドを上記主制御装置から受け取るものであってもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、本発明にかかる電気機器制御システムは、上記の何れかの電気機器制御装置と、上記電気機器制御装置を制御する主制御装置とを含んで構成されることを特徴としている。
さらに、上記の電気機器制御システムには、上記外部の機器として携帯端末がさらに含まれており、上記携帯端末は、上記主制御装置とインターネットを介して通信を行うものであってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月7日(2007.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基板上にイリジウムを主成分とする厚さが２０ｎｍを限度とする金属層を少なくとも最上層に含む複数層で構成された下電極を形成する工程と、
前記下電極上に圧電体前駆体膜を塗布する塗布工程と、
前記塗布工程により塗布された前記圧電体前駆体膜を乾燥する乾燥工程と、
前記乾燥工程により乾燥した前記圧電体前駆体膜を脱脂する脱脂工程と、
前記脱脂工程により脱脂された前記圧電体前駆体膜を焼成して結晶化して圧電体膜とする焼成工程とを有する圧電体膜形成工程を複数回行って複数層の圧電体層を形成する工程と、
前記圧電体層上に上電極を形成する工程とを具備し、
前記焼成工程によって前記金属層が加熱処理されることで、酸化イリジウムを主成分とする厚さが５０ｎｍを限度とする酸化イリジウム層を形成することを特徴とする圧電素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、基板上にイリジウムを主成分とする厚さが２０ｎｍを限度とする金属層を少なくとも最上層に含む複数層で構成された下電極を形成する工程と、前記下電極上に圧電体前駆体膜を塗布する塗布工程と、前記塗布工程により塗布された前記圧電体前駆体膜を乾燥する乾燥工程と、前記乾燥工程により乾燥した前記圧電体前駆体膜を脱脂する脱脂工程と、前記脱脂工程により脱脂された前記圧電体前駆体膜を焼成して結晶化して圧電体膜とする焼成工程とを有する圧電体膜形成工程を複数回行って複数層の圧電体層を形成する工程と、前記圧電体層上に上電極を形成する工程とを具備し、前記焼成工程によって前記金属層が加熱処理されることで、酸化イリジウムを主成分とする厚さが５０ｎｍを限度とする酸化イリジウム層を形成することを特徴とする圧電素子の製造方法にある。
かかる第１の態様では、下電極の最上層に所定厚さの金属層を設けることにより、圧電体層を焼成により形成する際に下電極が同時に加熱処理されても、下電極内の層間剥離を防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月20日(2007.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態を示す要部断面図である。
【図２】図１に示す配線回路基板の製造方法を示す製造工程図であって、  （ａ）は、金属支持基板の上に、スパッタリングまたは電解めっきにより、金属薄膜を形成する工程、  （ｂ）は、金属薄膜の上に、金属箔のパターンと反転するパターンで、レジストを形成する工程、  （ｃ）は、レジストから露出する金属薄膜の上に、電解めっきにより、金属箔を形成する工程、  （ｄ）は、レジストおよびレジストが形成されていた部分の金属薄膜を除去する工程、  （ｅ）は、金属箔を含む金属支持基板の上に、ベース絶縁層を形成する工程、  （ｆ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、  （ｇ）は、導体パターンを被覆するように、ベース絶縁層の上に、カバー絶縁層を形成する工程を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月18日(2007.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウエハに配設された微細構造体の表面形状の検知に供するためのシリコンウエハ載置用冶具であって、
前記シリコンウエハ載置用冶具は、シリコンウエハの非測定面である下側の面を非接触状態として、前記シリコンウエハをその外周部にて保持する支持部を備え、
前記支持部は、前記シリコンウエハの外周部の下側の面にて前記シリコンウエハを載置するための第１の面部と、
前記シリコンウエハ外周形状に沿うように配され、前記シリコンウエハの側面部の移動を制限して該シリコンウエハの搭載位置を決める第２の面部と、
前記第１の面に載置されたシリコンウエハ上面より上側に１ｍｍ以内にある第３の面部と、により構成され、
前記支持部には、前記シリコンウエハを搬送する搬送部の搭載部の通路としての欠け部が設けられていることを特徴とするシリコンウエハ載置用冶具。
【請求項２】
請求項１に記載のシリコンウエハ載置用冶具であって、前記第１の面部の幅が５ｍｍ以内であることを特徴とするシリコンウエハ載置用冶具。
【請求項３】
請求項１または２に記載のシリコンウエハ載置用冶具であって、前記第１の面部には、載置するシリコンウエハの外周の下側の面を吸引する真空吸引部を備えていることを特徴とするシリコンウエハ載置用冶具。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載のシリコンウエハ載置用冶具であって、前記支持部はＡｌからなることを特徴とするシリコンウエハ載置用冶具。
【請求項５】
請求項４に記載のシリコンウエハ載置用冶具であって、前記Ａｌが表面処理されたものであることを特徴とするシリコンウエハ載置用冶具。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載のシリコンウエハ載置用冶具であって、シリコンウエハに配設された前記微細構造体の表面凹凸を検知する際に、共焦点型のレーザー顕微鏡装置のＸＹステージ上に配設して用いられる、シリコンウエハ載置用の冶具であることを特徴とするシリコンウエハ載置用冶具。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項記載のシリコンウエハ載置用冶具を用い、前記微細構造体の表面形状の検出を行うものであることを特徴とする微細構造体の表面形状検出方法。
【請求項８】
請求項７に記載の微細構造体の表面形状検出方法であって、前記真空吸引部によりシリコンウエハの外周部の下側の面を吸引固定しながら検出を行うことを特徴とする微細構造体の表面形状検出方法。
【請求項９】
請求項７または８に記載の微細構造体の表面形状検出方法であって、共焦点型のレーザー顕微鏡装置を用いて微細構造体の表面凹凸を検査光であるレーザー光にて検出するものであることを特徴とする微細構造体の表面形状検出方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の請求項１に係るシリコンウエハ載置用冶具は、シリコンウエハに配設された、ＭＥＭＳ、配線構造体、あるいはこれらを形成するための中間構造体等の微細構造体の表面形状の検知に供するためのシリコンウエハ載置用冶具であって、前記シリコンウエハ載置用冶具は、シリコンウエハの非測定面である下側の面を非接触状態として、前記シリコンウエハをその外周部にて保持する支持部を備え、前記支持部は、前記シリコンウエハの外周部の下側の面にて前記シリコンウエハを載置するための第１の面部と、前記シリコンウエハ外周形状に沿うように配され、前記シリコンウエハの側面部の移動を制限して該シリコンウエハの搭載位置を決める第２の面部と、前記第１の面に載置されたシリコンウエハ上面より上側に１ｍｍ以内にある第３の面部と、により構成され、前記支持部には、前記シリコンウエハを搬送する搬送部の搭載部の通路としての欠け部が設けられていることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項２に係るシリコンウエハ載置用冶具は、請求項１記載のシリコンウエハ載置用冶具であって、前記第１の面部の幅が５ｍｍ以内であることを特徴とするものである。
本発明の請求項３に係るシリコンウエハ載置用冶具は、請求項１または２に記載のシリコンウエハ載置用冶具であって、前記第１の面部には、載置するシリコンウエハの外周の下側の面を吸引する真空吸引部を備えていることを特徴とするものである。
本発明の請求項４に係るシリコンウエハ載置用冶具は、請求項１ないし３のいずれかに記載のシリコンウエハ載置用冶具であって、前記支持部はＡｌからなることを特徴とするものである。
本発明の請求項５に係るシリコンウエハ載置用冶具は、請求項４に記載のシリコンウエハ載置用冶具であって、前記Ａｌは表面処理されたものであることを特徴とするものである。
本発明の請求項６に係るシリコンウエハ載置用冶具は、請求項１ないし５のいずれかに記載のシリコンウエハ載置用冶具であって、シリコンウエハに配設された前記微細構造体の表面凹凸を検知する際に、共焦点型のレーザー顕微鏡装置のＸＹステージ上に配設して用いられる、シリコンウエハ載置用の冶具であることを特徴とするものである。尚、それ自体に剛性が十分でなく、雰囲気の振動により振動してしまう程度の大きさ及び厚さのシリコンウエハ、例えば、ＭＥＭＳ、配線構造体、あるいはこれらを形成するための中間構造体等の微細構造体を配設するために薄肉化した８インチサイズの０．２５ｍｍ厚レベルのシリコンウエハも、ここで言う、シリコンウエハに当たる。
また、ＸＹステージとはＸＹ移動可能なステージのことで、Ｚ方向にも移動可能なＸＹＺステージを含むものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の請求項７に係る微細構造体の表面形状検出方法は、請求項１乃至６のいずれかに記載のシリコンウエハ載置用冶具を用い、前記微細構造体の表面形状の検出を行うものであることを特徴とするものである。
本発明の請求項８に係る微細構造体の表面形状検出方法は、請求項７記載の微細構造体の表面形状検出方法であって、前記真空吸引部によりシリコンウエハの外周部の下側の面を吸引固定しながら検出を行うことを特徴とするものである。
本発明の請求項９に係る微細構造体の表面形状検出方法は、請求項７または８に記載の微細構造体の表面形状検出方法であって、共焦点型のレーザー顕微鏡装置を用いて微細構造体の表面凹凸を検査光であるレーザー光にて検出するものであることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月13日(2007.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の基板上にバンドギャップエネルギを利用した複数の検知領域を備え、各検知領域で電磁波を波長分離して検知することにより、前記電磁波の各波長に対応する単位信号を出力する物理量分布検知のための物理情報取得装置であって、
前記検知領域は、格子整合系で、もしくは所定の元素を添加することで格子整合条件に適合するように構成されている
ことを特徴とする物理情報取得装置。
【請求項２】
前記検知領域は、三元以上の混晶により、前記格子整合条件に適合するように構成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の物理情報取得装置。
【請求項３】
前記検知領域は、量子井戸構造を有している
ことを特徴とする請求項１に記載の物理情報取得装置。
【請求項４】
前記検知領域は、超格子構造を有している
ことを特徴とする請求項３に記載の物理情報取得装置。
【請求項５】
前記検知領域は、前記基板と格子整合した構造を有している
ことを特徴とする請求項１に記載の物理情報取得装置。
【請求項６】
所定の基板上にバンドギャップエネルギを利用し、電磁波を波長分離して検知する複数の検知領域を設け、
前記検知領域は、格子整合系で、もしくは所定の元素を添加することで格子整合条件に適合するように構成されている
ことを特徴とする物理情報取得装置の製造方法。
【請求項７】
前記複数の検知領域は、イオン注入を繰り返すことにより形成する
ことを特徴とする請求項６に記載の物理情報取得装置の製造方法。
【請求項８】
前記複数の検知領域は、熱拡散を繰り返すことにより形成する
ことを特徴とする請求項６に記載の物理情報取得装置の製造方法。
【請求項９】
前記複数の検知領域は、複数回のＣＶＤ法で結晶成長を行なうことにより形成する
ことを特徴とする請求項６に記載の物理情報取得装置の製造方法。
【請求項１０】
前記複数の検知領域は、複数回のＭＢＥ法あるいはＭＯＣＶＤ法を行なうことにより形成する
ことを特徴とする請求項６に記載の物理情報取得装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】物理情報取得装置およびその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
たとえば、三元以上の混晶にすることで、格子整合条件に適合するように構成することができる。あるいは、格子整合系またはある元素を添加することで格子整合条件に近づけることのできる混晶と量子井戸層の組合せでバンドギャップを変えるようにしてもよい。なお、量子井戸層との組合せにする場合には、超格子構造にするのがよい。また、検知領域は、各検知領域間だけでなく、基板との関係においても、格子整合した構造を有するようにするのがよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
前述のような物理情報取得装置を製造する仕組みとしては、たとえば、所定の基板上にバンドギャップエネルギを利用し、電磁波を波長分離して検知する複数の検知領域を設け、検知領域は、格子整合系で、もしくは所定の元素を添加することで格子整合条件に適合するように構成するのがよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
ここで、複数の検知領域は、イオン注入を繰り返すことにより形成してもよいし、熱拡散を繰り返すことにより形成してもいし、複数回のＣＶＤ法で結晶成長を行なうことにより形成してもよいし、複数回のＭＢＥ法あるいはＭＯＣＶＤ法を行なうことにより形成してもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月1日(2007.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
さらに、長期間の光照射による安定化後の変換効率を評価するために、ＡＭ−１．５、５００ｍＷ／ｃｍ2 、２５℃および端子間開放状態の条件で実施例１および比較例１の積層型光起電力装置の他方の部分に１６０分間光を照射した後、ＡＭ−１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2 および２５℃の条件で光を照射し出力特性を測定した。光照射後の出力特性の値を光照射前の初期特性の値で除算することにより規格化された出力特性を算出した。規格化された出力特性として規格化変換効率、規格化開放電圧、規格化短絡電流および規格化曲線因子（Ｆ．Ｆ．）を表４に示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
さらに、長期間の光照射による安定化後の変換効率を評価するために、ＡＭ−１．５、５００ｍＷ／ｃｍ2 、２５℃および端子間開放状態の条件で実施例２および比較例２の積層型光起電力装置の他方の部分に１６０分間光を照射した後、ＡＭ−１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2 および２５℃の条件で光を照射し出力特性を測定した。光照射後の出力特性の値を光照射前の初期特性の値で除算することにより規格化された出力特性を算出した。規格化された出力特性として規格化変換効率、規格化開放電圧、規格化短絡電流および規格化曲線因子を表８に示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
さらに、長期間の光照射による安定化後の変換効率を評価するために、ＡＭ−１．５、５００ｍＷ／ｃｍ2 、２５℃および端子間開放状態の条件で実施例３および比較例３の積
層型光起電力装置の他方の部分に１６０分間光を照射した後、ＡＭ−１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2 および２５℃の条件で光を照射し出力特性を測定した。光照射後の出力特性の値を光照射前の初期特性の値で除算することにより規格化された出力特性を算出した。規格化された出力特性として規格化変換効率、規格化開放電圧、規格化短絡電流および規格化曲線因子を表１２に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月1日(2007.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子の第１および第２の導電型の電極と電気的に接続される第１および第２の配線層を絶縁層を介して一体的に設けられた後、前記発光素子の搭載部がプレス成形によって設けられた導電材料からなる基板と、
前記発光素子を封止する封止部とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記基板および前記配線層は、銅からなることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記搭載部は、前記基板に対して前記発光素子を直接搭載するように前記第１および第２の配線層と前記絶縁層とが除去されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記基板は、前記発光素子の発する熱を放熱する放熱部と、前記放熱部と電気的に絶縁されて前記第１および第２の配線層と電気的に接続される導電部とを有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記配線層は、前記発光素子から放射される光を反射する光反射性を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記搭載部は、前記配線層の表面から第１の深さを有して設けられて発光素子を搭載する第１の領域と、前記第１の領域より小なる第２の深さを有して前記発光素子の第１および第２の導電型の電極とワイヤを介して電気的に接続される第２の領域と、前記第１および第２の領域の間に設けられる傾斜部とを有することを請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記発光素子は、ＧａＮ系半導体からなるＬＥＤ素子であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項８】
前記発光素子は、前記第１および第２の導電型の電極が設けられる光取り出し面から光を放射するフェイスアップ型ＬＥＤ素子であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項９】
前記封止樹脂は、前記発光素子から放射される光によって励起される蛍光体を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
発光素子と、
前記発光素子の第１および第２の導電型の電極と電気的に接続される第１および第２の配線層を絶縁層を介して一体的に設けられた後、前記発光素子の搭載部がプレス成形によって設けられた導電材料からなる基板と、
前記発光素子を封止する封止部と、
前記封止部から入射する光を所望の方向に放射させる光学形状面を有した光学系とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
前記光学系は、ガラス材料で形成されることを特徴とする請求項１０に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記光学系は、樹脂材料で形成されて前記基板を一体的に封止する構成の請求項１０に記載の発光装置。
【請求項１３】
発光素子と、前記発光素子の第１および第２の導電型の電極と電気的に接続される第１および第２の配線層を絶縁層を介して一体的に設けられた後、前記発光素子の搭載部がプレス成形によって設けられた導電材料からなる基板と、前記発光素子を封止する封止部とを有する発光装置と、
第１の面に前記発光装置と電気的に接続される配線パターンを有し、前記第１の面に複数の前記発光装置を所定の配列で実装し、前記発光装置の発光に基づく光を前記第１の面から第２の面に取り出して外部放射させる開口部を前記所定の配列で複数設けられる実装基板と、
複数の前記発光装置の実装面と反対側の面に取り付けられる放熱部とを有することを特徴とするＬＥＤランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記目的を達成するため、発光素子と、前記発光素子の第１および第２の導電型の電極と電気的に接続される第１および第２の配線層を絶縁層を介して一体的に設けられた後、前記発光素子の搭載部がプレス成形によって設けられた導電材料からなる基板と、前記発光素子を封止する封止部とを有することを特徴とする発光装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明は、上記目的を達成するため、発光素子と、前記発光素子の第１および第２の導電型の電極と電気的に接続される第１および第２の配線層を絶縁層を介して一体的に設けられた後、前記発光素子の搭載部がプレス成形によって設けられた導電材料からなる基板と、前記発光素子を封止する封止部と、前記封止部から入射する光を所望の方向に放射させる光学形状面を有した光学系とを有することを特徴とする発光装置を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明は、上記目的を達成するため、発光素子と、前記発光素子の第１および第２の導電型の電極と電気的に接続される第１および第２の配線層を絶縁層を介して一体的に設けられた後、前記発光素子の搭載部がプレス成形によって設けられた導電材料からなる基板と、前記発光素子を封止する封止部とを有する発光装置と、第１の面に前記発光装置と電気的に接続される配線パターンを有し、前記第１の面に複数の前記発光装置を所定の配列で実装し、前記発光装置の発光に基づく光を前記第１の面から第２の面に取り出して外部放射させる開口部を前記所定の配列で複数設けられる実装基板と、複数の前記発光装置の実装面と反対側の面に取り付けられる放熱部とを有することを特徴とするＬＥＤランプを提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月4日(2007.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源から放射された放射光が入射する入射面、入射面から入射した入射光が出射する互いに対向した第1主面及び第２主面を備えた導光体と、
前記導光体の第２主面側に配置され、第２主面と対向する側に鏡面を有した光学シートと、
前記導光体と前記光学シートとの間に配置され、光透過性を有し且つその表面に凹凸形状を有するフィルム体と、
を備え、前記光学シートは、鏡面側に前記フィルム体の凹凸形状とは異なるサイズの凹凸形状を有し、且つ、前記フィルム体の凹凸形状は、前記光学シートの凹凸形状よりも大きいことを特徴とする面光源装置。
【請求項２】
前記フィルム体の凹凸形状は、アクリル系またはシリコン系の球状体によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の面光源装置。
【請求項３】
前記光学シートに接触する前記フィルム体の表面硬度は、前記光学シートの鏡面の硬度と同等以下であることを特徴とする請求項１に記載の面光源装置。
【請求項４】
複数の表示画素が配置された有効表示部を備えた液晶表示パネルと、
前記液晶表示パネルを照明する面光源装置と、を備えた液晶表示装置であって、
前記面光源装置は、光源と、
前記光源から放射された放射光が入射する入射面、入射面から入射した入射光を前記液晶表示パネルに向けて出射する第１主面及び第１主面と互いに対向した第２主面を備えた導光体と、
前記導光体の第２主面側に配置され、第２主面と対向する側に鏡面を有した光学シートと、
前記導光体と前記光学シートとの間に配置され、光透過性を有し且つその表面に凹凸形状を有するフィルム体と、
を備え、前記光学シートは、鏡面側に前記フィルム体の凹凸形状とは異なるサイズの凹凸形状を有し、且つ、前記フィルム体の凹凸形状は、前記光学シートの凹凸形状よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
前記フィルム体の凹凸形状は、アクリル系またはシリコン系の球状体によって形成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明の第１の態様による面光源装置は、
光源と、
前記光源から放射された放射光が入射する入射面、入射面から入射した入射光が出射する互いに対向した第1主面及び第２主面を備えた導光体と、
前記導光体の第２主面側に配置され、第２主面と対向する側に鏡面を有した光学シートと、
前記導光体と前記光学シートとの間に配置され、光透過性を有し且つその表面に凹凸形状を有するフィルム体と、
を備え、前記光学シートは、鏡面側に前記フィルム体の凹凸形状とは異なるサイズの凹凸形状を有し、且つ、前記フィルム体の凹凸形状は、前記光学シートの凹凸形状よりも大きいことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明の第２の態様による液晶表示装置は、
複数の表示画素が配置された有効表示部を備えた液晶表示パネルと、
前記液晶表示パネルを照明する面光源装置と、を備えた液晶表示装置であって、
前記面光源装置は、光源と、
前記光源から放射された放射光が入射する入射面、入射面から入射した入射光を前記液晶表示パネルに向けて出射する第１主面及び第１主面と互いに対向した第２主面を備えた導光体と、
前記導光体の第２主面側に配置され、第２主面と対向する側に鏡面を有した光学シートと、
前記導光体と前記光学シートとの間に配置され、光透過性を有し且つその表面に凹凸形状を有するフィルム体と、
を備え、前記光学シートは、鏡面側に前記フィルム体の凹凸形状とは異なるサイズの凹凸形状を有し、且つ、前記フィルム体の凹凸形状は、前記光学シートの凹凸形状よりも大きいことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
さらに、この導光体２６は、光透過性を有するアクリル系樹脂やポリカーボネート系樹脂などにより形成されている。ここでは、導光体２６は、第１側面２６ａから第２側面（非光入射面）２６ｅに向かって厚さが徐々に薄くなるような楔形に形成されている。ここで、導光体２６の厚さとは、第１主面２６ｂの法線方向に沿った高さに相当する。このような形状により、導光体２６の第１側面２６ａから入射した光を第１主面２６ｂに向けて均等に反射させるとともに、導光体２６の第２側面２６ｅ側に位置する第２主面２６ｄ側にドライバ回路５などの収容スペースを確保する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月21日(2007.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ビームを光学的情報記録媒体上に照射し、情報の記録或いは再生を行う光学的情報記録再生装置において、
前記情報記録媒体に対する前記光ビームの照射状態を示す第１及び第２の信号を検出する検出回路と、
前記第１及び第２の信号に基づいて記録又は再生動作を停止させるかどうかを判別するエラー判別回路と、
前記判別回路の判別の結果に応じて記録又は再生動作を停止させるコントローラとを備え、
前記エラー判別回路は、前記第１及び第２の信号とそれら信号の各々に対して設定された記録又は再生動作を停止すべき閾値とを比較し、それら比較の結果の組み合わせにより記録又は再生動作を停止させるかどうかを判別することを特徴とする光学的情報記録再生装置。
【請求項２】
前記第１及び第２の信号は、トラッキングエラー信号とフォーカスエラー信号、前記記録媒体からの反射光の総和を示す和信号と前記光ビームを前記記録媒体上に集光する対物レンズのトラッキング方向の位置を示すレンズ位置信号、前記トラッキングエラー信号と前記和信号、又は前記トラッキングエラー信号、前記フォーカスエラー信号、前記和信号、前記レンズ位置信号のいずれかと前記光ビームのパワーを示す信号との組み合わせであることを特徴とする請求項１に記載の光学的情報記録再生装置。
【請求項３】
前記エラー判別回路は、前記第１の信号とその信号に対して設定された記録又は再生動作を停止すべき閾値との比較の結果に基づき前記記録又は再生動作を停止させるかどうかの判別を行い、前記第１の信号の値が前記閾値より小さい場合には、前記第２の信号に対応して設定された記録又は再生動作を停止させる閾値を設定し、当該閾値と前記第２の信号との比較の結果に基づき前記記録又は再生動作を停止させるかどうかの判別を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の光学的情報記録再生装置。
【請求項４】
装置内の温度又は前記記録媒体の反射率に応じて前記閾値を切り替えることを特徴とする請求項３に記載の光学的情報記録再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明は、上記目的を達成する為、光ビームを光学的情報記録媒体上に照射し、情報の記録或いは再生を行う光学的情報記録再生装置において、前記情報記録媒体に対する前記光ビームの照射状態を示す第１及び第２の信号を検出する検出回路と、前記第１及び第２の信号に基づいて記録又は再生動作を停止させるかどうかを判別するエラー判別回路と、前記判別回路の判別結果に応じて記録又は再生動作を停止させるコントローラとを備え、前記エラー判別回路は、前記第１及び第２の信号とそれら信号の各々に対して設定された記録又は再生動作を停止すべき閾値とを比較し、それら比較の結果の組み合わせにより記録又は再生動作を停止させるかどうかを判別することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月25日(2007.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トッププレート上に載置された被加熱物を、前記トッププレートの下方に設けられた加熱手段により加熱する構成の加熱調理器において、
前記トッププレートを半透明とすると共に、そのトッププレートの下方に蛍光表示管を設けたことを特徴とする加熱調理器。
【請求項２】
トッププレートは、可視光領域において分光透過特性を有することを特徴とする請求項１記載の加熱調理器。
【請求項３】
トッププレートは、可視光領域において、赤色に相当するほぼ７００ｎｍの分光透過率を、青色や緑色に相当するほぼ５００ｎｍの分光透過率より大きくしたことを特徴とする請求項２記載の加熱調理器。
【請求項４】
トッププレートは、ほぼ透明な結晶化ガラスの裏面に金属薄膜を形成した構成であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の加熱調理器。
【請求項５】
高温注意用の表示は、蛍光表示管以外の光源を使用するようにしたことを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の加熱調理器。
【請求項６】
加熱コイルの下方側に配置される高透磁率体を備え、
蛍光表示管を構成している金属部材の少なくとも一部が、前記高透磁率体の上面位置よりも下方に位置するように配置したことを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の誘導加熱調理器。
【請求項７】
蛍光表示管を構成するリードピンが、高透磁率体の上面位置よりも下方に位置するように配置したことを特徴とする請求項６記載の誘導加熱調理器。
【請求項８】
蛍光表示管の封止蓋は、下面側のガラス基板に配置されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の誘導加熱調理器。
【請求項９】
蛍光表示管の表示面が、トッププレートの下面より２ｍｍ以上離間するように配置したことを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載の誘導加熱調理器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明の誘導加熱調理器は、トッププレート上に載置された被加熱物を、前記トッププレートの下方に設けられた加熱コイルにより誘導加熱する構成のものにおいて、
前記トッププレートを半透明とすると共に、そのトッププレートの下方に蛍光表示管を設けたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
即ち、蛍光表示管は高輝度で表示を行うことができるため、トッププレートの表示を行う部分を半透明にしても、表示を十分に視認することができる。また、液晶表示器のような視野角の制限もなく、しかも、表示の自由度が高いので、デザイン性を低下させることもない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月16日(2007.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
望ましくは、次式で算出されるペーストの乾燥膜密度Ｄ（ｇ／ｃｍ３）が３．０〜４．８ｇ／ｃｍ３となるように、導電性粉末を適宜選択、混合して用いる。
Ｄ＝Ｗ／（πＴ×１０−４）
但し、ＷおよびＴは、導体ペーストを膜厚が約２５０μｍとなるようにＰＥＴフィルム上に塗布し、１５０℃で１０分間乾燥した後、直径２０ｍｍの円形に切出し、ＰＥＴフィルムを剥がした後の乾燥膜の重量（ｇ）および厚さ（μｍ）である。