(57)【要約】  本発明は、アルミナを３５質量％以上６０質量％以下、導電性化合物を４０質量％以上６５質量％以下含有する焼結体からなる磁気ヘッド用基板に関する。導電性化合物は、タングステンの炭化物、窒化物および炭窒化物のうちから選択される少なくとも１種を含んでいる。前記焼結体の最大結晶粒径が４μｍ以下（但し、０μｍを除く）である。本発明ではさらに、前記磁気ヘッド用基板から形成されたスライダを備えた磁気ヘッド、およびその磁気ヘッドを備えた記録媒体駆動装置が提供される。
2007105477.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミナを３５質量％以上６０質量％以下、導電性化合物を４０質量％以上６５質量％以下含有する焼結体からなり、
前記導電性化合物は、タングステンの炭化物、窒化物および炭窒化物から選択される少なくとも１種であり、
前記焼結体の最大結晶粒径が４μｍ以下（但し、０μｍを除く）である、磁気ヘッド用基板。
【請求項２】
前記焼結体は、平均結晶粒径が１μｍ以下（但し、０μｍを除く）である、請求項１に記載の磁気ヘッド用基板。
【請求項３】
前記アルミナは、平均結晶粒径が１μｍ以下（但し、０μｍを除く）である、請求項１に記載の磁気ヘッド用基板。
【請求項４】
前記導電性化合物は、タングステンの炭化物である、請求項１に記載の磁気ヘッド用基板。
【請求項５】
前記導電性化合物は、平均結晶粒径が１０ｎｍ（０．０１μｍ）以上１μｍ以下である、請求項１に記載の磁気ヘッド用基板。
【請求項６】
電磁変換素子が形成される主面からの深さ１ｍｍまでの領域における前記主面と平行な面において、上記導電性化合物の結晶粒子の分布密度が５×１０５個／ｍｍ２以上である、請求項１に記載の磁気ヘッド用基板。
【請求項７】
前記導電性化合物の結晶粒子は、楔形形状の粒子を含む、請求項１に記載の磁気ヘッド用基板。
【請求項８】
前記焼結体は、熱伝導率が３０Ｗ／（ｍ・ｋ）以上である、請求項１に記載の磁気ヘッド用基板。
【請求項９】
上記焼結体は、抗折強度が７００ＭＰａ以上である、請求項１に記載の磁気ヘッド用基板。
【請求項１０】
スライダと、電磁変換素子と、を備えた磁気ヘッドであって、
前記スライダは、アルミナを３５質量％以上６０質量％以下、導電性化合物を４０質量％以上６５質量％以下含有する焼結体からなり、
前記導電性化合物は、タングステンの炭化物、窒化物および炭窒化物のうちから選択される少なくとも１種であり、
前記焼結体の最大結晶粒径が４μｍ以下（但し、０μｍを除く）である、磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記焼結体は、平均結晶粒径が１μｍ以下（但し、０μｍを除く）である、請求項１０に記載の磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記アルミナは、平均結晶粒径が１μｍ以下（但し、０μｍを除く）である、請求項１０に記載の磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記導電性化合物は、タングステンの炭化物である、請求項１０に記載の磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記導電性化合物は、平均結晶粒径が１０ｎｍ（０．０１μｍ）以上１μｍ以下である、請求項１０に記載の磁気ヘッド。
【請求項１５】
前記スライダにおける電磁変換素子が形成される端面からの深さ１ｍｍまでの領域における前記端面と平行な面において、上記導電性化合物の結晶粒子の分布密度が５×１０５個／ｍｍ２以上である、請求項１０に記載の磁気ヘッド。
【請求項１６】
前記導電性化合物の結晶粒子は、楔形形状の粒子を含む、請求項１０に記載の磁気ヘッド。
【請求項１７】
前記焼結体は、熱伝導率が３０Ｗ／（ｍ・ｋ）以上である、請求項１０に記載の磁気ヘッド。
【請求項１８】
上記焼結体は、抗折強度が７００ＭＰａ以上である、請求項１０に記載の磁気ヘッド。
【請求項１９】
前記スライダは、浮上面と、空気を導入するための凹部と、を有しており、
前記凹部は、表面における算術平均高さＲａが２０ｎｍ以下である、請求項１０に記載の磁気ヘッド。
【請求項２０】
請求項１０ないし１９のいずれかに記載の磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドによって情報の記録および再生を行う磁気記録層を有する記録媒体と、
前記記録媒体を駆動させるモータと、
を備えている、記録媒体駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブやテープドライブ等の記録媒体駆動装置、これに用いられる磁気ヘッド、および磁気ヘッドの基材であるスライダを形成するための磁気ヘッド用基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高密度磁気ディスクの記録再生用の磁気ヘッドとしては、磁性薄膜を利用したものが使用されている。かかる磁気ヘッドには、耐摩耗性、浮上面における表面平滑性、機械加工性等に優れることが要求されている。【０００３】
このような磁気ヘッドを作製するためには、先ず、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セラミックスから成るセラミック基板上に、非晶質状のアルミナから成る下地膜をスパッタ法により成膜して、前記下地膜上に電磁変換素子を搭載する。電磁変換素子は、磁気抵抗効果を発揮するものである。このような電磁変換素子としては、たとえばＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｒｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子「以下、「ＭＲ素子」と称す）、ＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｒｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子「以下、「ＧＭＲ素子」と称す）、あるいはＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ  Ｍａｇｎｅｔｒｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子（以下、「ＴＭＲ素子」と称す）が用いられる。【０００４】
次に、電磁変換素子が搭載されたセラミック基板を短冊状に切断し、切断面を研磨して鏡面とした後、鏡面の一部を除去して凹部を形成する。凹部は、イオンミリング加工や反応性イオンエッチングによって形成される。そして、短冊状に切断されたセラミック基板をチップ状に分割することで、磁気ヘッドが得られる。このようにして得られる磁気ヘッドでは、除去されずに鏡面のままの部分は磁気記録媒体に対向させられる浮上面となり、凹部は磁気ヘッドを浮上させるための空気を通す流路として機能する。【０００５】
近年、記録媒体駆動装置では、記録媒体における記録密度を高くすることが求められている。この要求に応じるためには、記録媒体に対する磁気ヘッドの浮上量（隙間）を１０ｎｍ以下と極めて低くしなければならない。ところが、磁気ヘッドの浮上量を小さくすると、磁気ヘッドにおける電磁変換素子のコイルから発生した熱の影響が相対的に強くなり、記録媒体に保存された記録が破壊されるという問題を生じている。【０００６】
一方、磁気ヘッドにおけるスライダ（磁気ヘッド用基板）を形成する材料としては、アルミナ系複合セラミックスが採用されている。また、アルミナ系複合セラミックスとしては、種々のものが提案されている（たとえば特許文献１〜４参照）。【０００７】
特許文献１には、０．５μｍ〜１００μｍの結晶粒子を有するアルミナの結晶粒内に粒径２．０μｍ以下の窒化チタン微粒子を分散させたアルミナ系複合セラミックスが開示されている。このアルミナ系複合セラミックスは、強度および耐熱性の向上を図ったものである。【０００８】
特許文献２には、窒化チタンを１０〜２５重量％を含み、アルミナの結晶粒内に窒化チタン超微粒子が均一分散した、相対密度が９６％以上、かつ体積固有抵抗が１×１０４〜５×１０６Ω・ｃｍの範囲に制御された焼結体からなるアルミナ系複合セラミックスが開示されている。このアルミナ系複合セラミックスは、高強度化、高密度化および比抵抗の最適化を図ったものである。【０００９】
特許文献３には、アルミナ粒子７７〜９６体積％と、炭化チタン、窒化チタン、炭化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、炭化ハフニウム、窒化ハフニウム、炭化ニオブ、窒化ニオブ、炭化タンタルおよび窒化タンタルからなる群から選ばれる１種以上の導電性化合物粒子４〜２３体積％とを含み、アルミナ粒子と前記導電性化合物粒子の平均粒径がいずれも５μｍ以下であって、面抵抗率が１０６〜１０１０Ω／ｃｍ２であるアルミナ系複合セラミックスが開示されている。このアルミナ系複合セラミックスは、電子部品において、帯電除去を有用に行なえるようにするためのものである。【００１０】
特許文献４には、磁気ヘッド用のセラミックスとして、種々のものが例示されており、アルミナ系複合材料として、アルミナ・炭化タングステン焼結体が例示されている。【００１１】
【特許文献１】特開平２−２２９７５６号公報
【特許文献２】特開平８−１１９７２２号公報
【特許文献３】特許３３１３３８０号公報
【特許文献４】特開２０００−３４８３２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、特許文献１〜３に開示されたアルミナ系複合セラミックスは、磁気ヘッドのスライダ材料として採用することを目的としたものではなく、磁気ヘッドに採用するのは困難である。【００１３】
すなわち、特許文献１に開示されたアルミナ系複合セラミックスは、高強度、高耐熱衝撃性の複合セラミックスであるものの、破壊靱性も高くしたものである。そのため、機械加工性が低く、磁気ヘッド用基板から磁気ヘッドへの加工が困難である。【００１４】
特許文献２および特許文献３に開示されたアルミナ系複合セラミックスは、高密度の複合セラミックスであるものの、磁気ヘッドに用いるには導電性が低いものである。【００１５】
以上、説明した通り、特許文献１〜３で提案されたアルミナ系複合セラミックスは、磁気ヘッドに採用するには、機械加工性または導電性が低いという問題が生じるものであった。【００１６】
一方、特許文献４に開示されたアルミナ・炭化タングステン焼結体は、磁気ヘッド用のものであるが機械加工性が悪いといった問題がある。すなわち、タングステンはアルミナに対して比重が大きいため、製造工程において原料粉末を調合する際に均一に混合しにくく沈殿凝集などが発生しやすい。そのため、得られた磁気ヘッド用基板には凝集欠陥が発生しやく、磁気ヘッド用基板を用いて磁気ヘッドを作製する際のイオンミリング加工により、この凝集欠陥に起因して高精度な加工ができない。その結果、磁気ヘッドの浮上面を目的とする表面粗さに制御するのが困難となり、磁気ヘッドの浮上量を一定に保持することが困難となる。特に、低背化の磁気ヘッドとして採用することができない。【００１７】
本発明は、機械加工性および導電性を兼ね備えた磁気ヘッドのための材料を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の第１の側面では、アルミナを３５質量％以上６０質量％以下、導電性化合物を４０質量％以上６５質量％以下含有する焼結体からなり、前記導電性化合物は、タングステンの炭化物、窒化物および炭窒化物のうちから選択される少なくとも１種を含んでおり、前記焼結体の最大結晶粒径が４μｍ以下（但し、０μｍを除く）である、磁気ヘッド用基板が提供される。【００１９】
本発明の第２の側面では、スライダと、電磁変換素子と、を備えた磁気ヘッドであって、前記スライダは、アルミナを３５質量％以上６０質量％以下、導電性化合物を４０質量％以上６５質量％以下含有する焼結体からなり、前記導電性化合物は、タングステンの炭化物、窒化物および炭窒化物のうちから選択される少なくとも１種を含んでおり、前記焼結体の最大結晶粒径が４μｍ以下（但し、０μｍを除く）である、磁気ヘッドが提供される。【００２０】
前記スライダは、浮上面と、空気を導入するための凹部と、を有している。前記凹部は、表面における算術平均高さＲａが２０ｎｍ以下であるのが好ましい。【００２１】
本発明の第３の側面では、本発明の第２の側面に係る磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドによって情報の記録および再生を行う磁気記録層を有する記録媒体と、前記記録媒体を駆動させるモータと、を備えている、記録媒体駆動装置が提供される。【００２２】
好ましくは、前記焼結体は、平均結晶粒径が１μｍ以下（但し、０μｍを除く）である。【００２３】
好ましくは、前記アルミナは、平均結晶粒径が１μｍ以下（但し、０μｍを除く）である。【００２４】
好ましくは、前記導電性化合物は、タングステンの炭化物である。前記導電性化合物は、たとえば平均結晶粒径が１０ｎｍ（０．０１μｍ）以上１μｍ以下であり、楔形形状の粒子を含んでいるのが好ましい。【００２５】
本発明の磁気ヘッド用基板および磁気ヘッドは、電磁変換素子が形成される主面やスライダの端面からの深さ１ｍｍまでの領域における前記主面や端面と平行な面において、導電性化合物の結晶粒子の分布密度が５×１０５個／ｍｍ２以上である。【００２６】
前記焼結体は、熱伝導率が、たとえば３０Ｗ／（ｍ・ｋ）以上であり、抗折強度が、たとえば７００ＭＰａ以上である。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の磁気ヘッド用基板によれば、アルミナを３５質量％以上６０質量％以上、導電性化合物を４０質量％以上６５質量％以下含み、タングステンの炭化物、窒化物および炭窒化物のうちから選択される少なくとも１種を含んでおり、導電性を適切に維持することができる。また、前記焼結体の最大結晶粒径が４μｍ以下（但し、０μｍを除く）とされているため、アルミナおよび導電性化合物の凝集が抑制されており、組織の均一化が図られており、機械加工性を良好なものとすることができる。そのため、機械加工面の表面粗さを目的のものとして浮上特性に優れた磁気ヘッドを提供できるようになる。【００２８】
本発明の磁気ヘッドによれば、スライダが前記磁気ヘッド用基板と同様な組成および組織状態となっていることから、導電性を適切に維持しつつ、機械加工性を良好なものとすることができるため、浮上特性に優れたものとなる。【００２９】
本発明の磁気ヘッド用基板および磁気ヘッドのスライダにおいて、導電性化合物としてタングステンの炭化物からなるものを用いれば、タングステンの炭化物がタングステンの窒化物や炭窒化物より安価であるため、製造コスト的に有利となる。また、導電性化合物としてタングステンの炭化物を用いれば、磁気ヘッド用基板あるいはその分割片を研磨するときに、砥粒とタングステン化合物との間の抵抗を大きく確保できるため、磁気ヘッド用基板あるいはその分割片のラッピングレートを向上させることができる。【００３０】
本発明の磁気ヘッド用基板および磁気ヘッドのスライダにおいて、導電性化合物の結晶粒子が楔形形状の粒子を含んでいれば、磁気ヘッドを作製する際、アルミナの結晶相に対する導電性化合物の結晶粒子のアンカー効果により、アルミナの結晶粒子および導電性化合物の結晶粒子の脱粒を抑制することができる。そのため、本発明の磁気ヘッド用基板が機械加工性に優れたものとなり、機械加工面の表面粗さを目的とするものにできるため、磁気ヘッドの浮上量を安定化させることができる。【００３１】
本発明の磁気ヘッド用基板および磁気ヘッドのスライダにおいて、導電性化合物の平均結晶粒径を１０ｎｍ（０．０１μｍ）以上１μｍ以下とすれば、磁気ヘッド用基板およびスライダの全体にわたって抵抗値を均一にすることができるとともに、体積固有抵抗を１Ω・ｃｍ以下にすることができる。【００３２】
本発明の磁気ヘッド用基板および磁気ヘッドのスライダにおいて、電磁変換素子が形成される主面や端面からの深さが１ｍｍまでの領域の主面や端面と平行な面における導電性化合物の結晶粒子が分布密度を５×１０５個／ｍｍ２以上とすれば、組織が均一化されているために機械加工性をさらに良好なものとすることができる。また、適切に導電性を維持しつつも、スライダにおいて、端面における帯電エリアが減少（分散）されるため、静電気の発生を抑制することができる。さらに、分布密度を５×１０５個／ｍｍ２以上にすれば、導電性化合物の結晶粒子の放熱性が良好であるため、焼結体全体として放熱性を高めることもできる。【００３３】
本発明の磁気ヘッド用基板および磁気ヘッドのスライダにおいて、熱伝導率を３０Ｗ／（ｍ・ｋ）以上とすれば、磁気ヘッドにおける電磁変換素子のコイルから発生した熱を速やかに逃がすことができるため、記録媒体に保存された記録が熱により破壊されることを抑制することができる。【００３４】
本発明の磁気ヘッド用基板および磁気ヘッドのスライダにおいて、抗折強度を７００ＭＰａ以上とすれば、マイクロクラックを適切に防止することができ、その結果、アルミナおよび導電性化合物の脱粒を抑制できるため、良好なＣＳＳ（コンタクト・スタート・ストップ）特性を有する磁気ヘッドを得ることができる。【００３５】
本発明の磁気ヘッドにおいて、スライダにおける凹部の表面の算術平均高さＲａを２０ｎｍ以下（０ｎｍを除く）とすれば、凹部の平滑性が向上するため、浮上特性を安定化させることができる。【００３６】
本発明の記録媒体駆動装置では、磁気ヘッドの浮上特性が安定化しているため、スライダが小型化された場合であっても、その浮上量を一定に保持することができ、長期間にわたって正確に情報の記録・再生を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明に係る記録媒体駆動装置の一例を示す平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。
【図３】図１のIII−III線に沿う断面図である。
【図４】本発明に係る磁気ヘッドの一例を示す全体斜視図である。
【図５】本発明に係る磁気ヘッドのスライダおよび磁気ヘッド用基板の組織構造を示す模式図である。
【図６】楔形形状の導電性化合物の結晶粒子の模式図である。
【図７】図７Ａは磁気ヘッド用基板の製造工程を説明するための斜視図であり、図７Ｂは磁気ヘッド用に基板に電磁変換素子を形成する工程を説明するための集合基板の斜視図である。
【図８】図８Ａおよび図８Ｂは、磁気ヘッド用基板を切断して短冊片を得るため工程を説明するための斜視図である。
【図９】短冊片の研磨に用いるラップ装置の概略構成を示す斜視図である。
【図１０】図９に示したラップ装置の一部を断面で示した正面図である。
【図１１】短冊片に凹部を形成する工程を説明するための斜視図である。
【図１２】短冊片を切断して磁気ヘッドの得る工程を説明するための斜視図である。
【図１３】図１０に示したラップ装置におけるラップ治具に磁気ヘッド用基板の分割片を配置した状態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００３８】
１  ハードディスクドライブ（記録媒体駆動装置）
２  磁気ヘッド
２０  （磁気ヘッドの）電磁変換素子
２１  （磁気ヘッドの）スライダ
２２  （スライダの）浮上面
２３  （スライダの）凹部
２４  （スライダの）端面
３Ａ，３Ｂ  磁気ディスク（記録媒体）
４０  モータ
６  焼結体
６１  導電性化合物の結晶粒子
７  磁気ヘッド用基板
７０  （磁気ヘッド用基板の）主面
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下においては、本発明について、図面を参照しつつ具体的に説明する。【００４０】
図１ないし図３に示したハードディスクドライブ１は、記録媒体駆動装置の一例に相当するものであり、ケース１０の内部に、磁気ヘッド２、磁気ディスク３Ａ，３Ｂ、および回転駆動機構４を収容したものである。【００４１】
磁気ヘッド２は、任意のトラックにアクセスし、情報の記録および再生を行うためのものである。磁気ヘッド２は、アクチュエータ５に対して、サスペンションアーム５０を介して支持されており、磁気ディスク３Ａ，３Ｂ上を非接触状態で移動するようになっている。より具体的には、磁気ヘッド２は、アクチュエータ５を中心として、磁気ディスク３Ａ，３Ｂの半径方向に回転可能であるとともに、上下方向に往復移動可能とされている。磁気ヘッド２は、電磁変換素子２０およびスライダ２１を備えている。【００４２】
図４に示したように、電磁変換素子２０は、磁気抵抗効果を発揮するものであり、たとえばＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｒｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子「以下、「ＭＲ素子」と称す）、ＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｒｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子「以下、「ＧＭＲ素子」と称す）、あるいはＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ  Ｍａｇｎｅｔｒｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子（以下、「ＴＭＲ素子」と称す）として構成されている。【００４３】
スライダ２１は、磁気ヘッド２の基材となるものであり、浮上面２２および凹部２３を備えている。浮上面２２は、磁気ディスク３に対向する面であり、鏡面として形成されている。凹部２３は、磁気ヘッドを浮上させるための空気を通す流路として機能するである。凹部２３は、イオンミリング加工や反応性イオンエッチングによって目的とする深さおよび形状に形成されており、表面における算術平均高さＲａは、たとえば２０ｎｍ以下（０ｎｍを除く）とされている。このような表面粗さに凹部２３を形成すれば、凹部２３の平滑性が向上し、空気の流れを適切に制御できるため、磁気ヘッド２の浮上特性を安定化させることができる。【００４４】
スライダ２１は、図５に示したように、アルミナを３５質量％以上６０質量％以下、導電性化合物を４０質量％以上６５質量％以下含有する焼結体６からなっている。焼結体６（スライダ２１）におけるアルミナおよび導電性化合物の比率は、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）発光分析法によりアルミニウムおよびタングステンの比率を求め、アルミニウムについては酸化物に重量換算するとともに、タングステンについては導電性化合物の種類に応じて炭化物、窒化物または炭窒化物に重量換算した上で求めることができる。【００４５】
焼結体６は、アルミナの結晶粒子６０および導電性化合物の結晶粒子６１を含んでおり、最大結晶粒径が４μｍ以下（０μｍを除く）、好ましくは１μｍ以下とされている。このようなスライダ２１は、アルミナの結晶粒子６０および導電性化合物の結晶粒子６１の凝集を防止することができ組織の均一化を図ることができるため、表面粗さを小さなものとして、組織の均一性を向上させるとともに、適切な導電性が維持されている。【００４６】
アルミナの結晶粒子６０は、たとえば平均結晶粒径が１μｍ以下（０μｍを除く）とされている。一方、導電性化合物の結晶粒子６１は、タングステンの炭化物、窒化物および炭窒化物から選択される少なくとも１つの化合物からなるものであり、好ましくはタングステン炭化物である。導電性化合物としてタングステンの炭化物を用いれば、タングステンの炭化物がタングステンの窒化物や炭窒化物より安価であるため、製造コスト的に有利となる。導電性化合物の結晶粒子６１は、たとえば平均結晶粒径が１０ｎｍ（０．０１μｍ）以上１μｍ以下とされる。【００４７】
アルミナの結晶粒子６０および導電性化合物の結晶粒子６１の最大結晶粒径、平均結晶粒径は、たとえばスライダ２１の端面２４あるいは目的とする断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて最大結晶粒径や平均結晶粒径の大きさに応じて倍率３２５０〜１３０００倍より適宜倍率を選定して撮影した５μｍ×８μｍ〜２０μｍ×３２μｍの範囲の画像を、画像解析ソフト（Ｉｍａｇｅ−Ｐｒｏ  Ｐｌｕｓ）を用いて解析することによって算出することができる。【００４８】
導電性化合物の結晶粒子６１は、楔形形状の粒子を含んでいるのが好ましい。導電性化合物の結晶粒子６１が楔形形状の粒子を含んでいれば、アルミナの結晶粒子６０に対する導電性化合物の結晶粒子６１のアンカー効果により、アルミナおよび導電性化合物の結晶粒子６０，６１ともに脱粒しにくくなる。【００４９】
ここで、楔形形状とは、スライダ２１の電磁変換素子２０側の端面２４またはこの端面２４から１ｍｍ以下の領域を研磨して得られる鏡面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等で観察した場合に、図６に示したように導電性化合物の結晶粒子６１の輪郭線によって形成される交差角θが９０°未満の角を１つ以上有する粒子をいう。最小となる交差角θは、磁気ヘッド２の浮上面２２（図４参照）に対し、垂直方向に位置することが最も高いアンカー効果が得られるため好ましい。【００５０】
図４に示したように、スライダ２１は、電磁変換素子２０側の端面２４からの深さＤが１ｍｍまでの領域における端面２４と平行な面２５において、導電性化合物の結晶粒子６１（図５および図６参照）の分布密度が５×１０５個／ｍｍ２以上であるのが好ましい。導電性化合物の結晶粒子６１の分布密度は、１×１０６個／ｍｍ２以上であるのがさらに好ましい。【００５１】
スライダ２１において、端面２４からの深さＤが１ｍｍまでの面２５における導電性化合物の結晶粒子６１の分布密度を５×１０５個／ｍｍ２以上とすれば、さらに適切に導電性を維持することができるとともに、端面２４における耐電エリアが減少（分散）するため静電気の発生を抑制することができる。分布密度を５×１０５個／ｍｍ２以上すれば、導電性化合物の結晶粒子６１の放熱性が良好であることに起因して、焼結体６として放熱性を高めることもできる。【００５２】
分布密度を測定する領域を端面２４からの深さＤが１ｍｍまでの領域における端面２４に平行な面２５としたのは、端面２４における放熱性が、磁気ヘッド２の浮上量、磁気ディスク３Ａ，３Ｂの記録の破壊に対して影響を与えるためである。分布密度の測定面は、端面２４からの深さＤが１ｍｍまでの領域であれば、この端面２４であっても、断面であってもよい。分布密度の測定範囲は、測定面における２０μｍ×２０μｍとするのが好ましい。この範囲であれば、十分に導電性化合物の結晶粒子６１の分散を確認することができる。【００５３】
ここで、分布密度が５×１０５個／ｍｍ２以上とは、たとえば端面２４あるいは目的とする断面における２０μｍ×２０μｍの範囲で、導電性化合物粒子２が２００個以上存在する状態をいい、走査型電子顕微鏡で撮影した倍率７０００倍〜１３０００倍の画像から求めることができる。【００５４】
スライダ２１はさらに、熱伝導率が、たとえば３０Ｗ／（ｍ・ｋ）以上とされ、抗折強度が、たとえば７００ＭＰａ以上とされている。スライダ２１において、熱伝導率を３０Ｗ／（ｍ・ｋ）以上とすれば、磁気ヘッド２に形成されたコイルから発生した熱を速やかに逃がすことができるため、磁気ディスク３Ａ，３Ｂに保存された記録が熱により破壊されることを抑制することができる。一方、抗折強度を７００ＭＰａ以上とすれば、マイクロクラックを防止することができるため、アルミナおよび導電性化合物の脱粒を抑制でき、良好なＣＳＳ（コンタクト・スタート・ストップ）特性を有する磁気ヘッドを得ることができる。【００５５】
ここで、スライダ２１を成す焼結体６の熱伝導率は、ＪＩＳ  Ｒ  １６１１−１９９７に準拠して測定することができ、抗折強度は、ＪＩＳ  Ｒ  １６０１−１９９５に準拠して３点曲げ強度で評価することができる。【００５６】
図１ないし図３に示した磁気ディスク３Ａ，３Ｂは、記録媒体の一例に相当するものであり、磁気記録層（図示略）を備えている。これらの磁気ディスク３Ａ，３Ｂは、貫通孔３０Ａ，３０Ｂを有する円板状に形成されている。【００５７】
回転駆動機構４は、磁気ディスク３を回転させるためのものであり、モータ４０および回転軸４１を備えている。モータ４０は、回転軸４１に対して回転力を付与するためのものであり、ケース１０の底壁１１に固定されている。回転軸４１は、モータ４０により回転させられるものであるとともに、磁気ディスク３Ａ，３Ｂを支持するためのものである。この回転軸４１に対しては、ハブ４２が固定されている。ハブ４２は、回転軸４１とともに回転するものであり、挿入部４３およびフランジ部４４を有するものである。磁気ディスク３Ａ，３Ｂは、貫通孔３０Ａ，３０Ｂに挿入部４３が挿入された状態で、スペーサ４５，４６，４７を介して、フランジ部４４に積層されている。磁気ディスク３Ａ，３Ｂはさらに、クランプ４９をネジ４８によりスペーサ４７に固定することにより、ハブ４１ひいては回転軸４０に固定されている。このような回転機構４では、モータ４０により回転軸４１を回転させることにより、ハブ４２ひいては磁気ディスク３Ａ，３Ｂが回転させられる。【００５８】
次に、磁気ヘッド２の製造方法について、図７ないし図１２を参照しつつ説明する。【００５９】
まず、図７Ａに示したように、円板状の磁気ヘッド用基板７を形成する。この磁気ヘッド用基板７は、材料粉末を混合・造粒して得られる顆粒を用いた加圧焼結により作製される。【００６０】
材料粉末としては、アルミナ粉末３５質量％以上６０質量％以下、および導電性化合物４０質量％以上６５質量％以下含有するものが用いられる。材料粉末としては、焼結を促進させて焼結体をより緻密にするために、Ｙｂ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、およびＭｇＯの少なくとも１種を０．１質量％以上０．６質量％以下加えてもよい。材料粉末の混合は、たとえばボールミル、振動ミル、コロイドミル、アトライター、あるいは高速ミキサーを用いて行なわれる。【００６１】
アルミナ粉末としては、たとえば平均粒径が０．３μｍ以上０．７μｍ以下のものが使用される。アルミナ粉末として平均粒径が０．３μｍ以上０．７μｍ以下のものを用いるのは、アルミナ粉末の平均粒径が０．７μｍを超えると、焼結体の緻密化が不十分となり、強度不足となるからであり、０．３μｍ未満では成形性が低下しやすく、焼結における制御も難しくなるからである。したがって、アルミナ粉末として、平均粒径が０．３μｍ以上０．７μｍ以下のものを用いることで、焼結体の緻密化は促進され、磁気ヘッド用基板７として必要な強度を容易に得ることができる。とくに、アルミナ粉末としては、平均粒径が０．０５μｍ以上０．５μｍ以下のものを用いることにより、アルミナの結晶粒子の平均粒径を１．０μｍ以下とすることができる。【００６２】
導電性化合物としては、平均粒径１０ｎｍ以上８００ｎｍ以下のタングステン（Ｗ）の炭化物、窒化物および炭窒化物のうちの少なくとも一種が用いられ、その中でもとくに、窒化物タングステンや炭窒化物タングステンよりも安価な炭化物のタングステンを用いるのが好ましい。そうすれば、製造コスト的に有利となる。導電性化合物として平均粒径が１０ｎｍ以上８００ｎｍ以下のものを用いるのは、平均粒径が１０ｎｍ未満では、導電性化合物粒子の粉末の凝集力が強過ぎるため、凝集体が形成されやすくなるからであり、８００ｎｍを超えると、低温での焼結性が悪化する傾向にあるからである。したがって、導電性化合物粒子の粉末として、平均粒径を１０ｎｍ以上８００ｎｍ以下のものを用いることで、凝集体が形成されず導電性化合物の平均結晶粒径を１０ｎｍ以上１μｍ以下とすることができ、低温での焼結性も良好な磁気ヘッド用基板７を得ることができる。【００６３】
なお、アルミナ粉末および導電性化合物の粉末の平均粒径は、液相沈降法、遠心沈降光透過法、レーザー回折散乱法、レーザードップラー法等により測定することができる。【００６４】
顆粒への造粒は、材料粉末の混合物に、結合剤や分散剤等の成形助剤を添加して均一に混合した後、転動造粒機、スプレードライヤー、圧縮造粒機等の各種造粒機を用いて行なうことができる。【００６５】
加圧焼結は、得られた顆粒を成形手段で所望の形状に成形して成形体とした後、還元性雰囲気中で行なわれる。成形は、乾式加圧成形、冷間等方静水圧成形等の公知の手段により行なわれる。還元性雰囲気は、たとえばアルゴン、ヘリウム、ネオン、窒素、真空により達成される。加圧力は、３０ＭＰａ以上に設定するのが好ましい。そうすれば、焼結体の緻密化が促進され、磁気ヘッド用基板７として求められる強度、たとえば抗折強度を７００ＭＰａ以上とすることができる。磁気ヘッド用基板７において抗折強度を７００ＭＰａ以上とできれば、マイクロクラックの発生を適切に防止することができる。その結果、磁気ヘッド用基板７では、アルミナの粒子や導電性化合物粒子の脱粒を抑制できるため、良好なＣＳＳ（コンタクト・スタート・ストップ）特性を有する磁気ヘッドを提供することが可能となる。なお、抗折強度は、ＪＩＳ  Ｒ  １６０１−１９９５に準拠して３点曲げ強度で評価することができる。【００６６】
焼結温度は、たとえば１４００℃以上１７００℃以下とされる。焼結温度が１４００℃未満では、材料粉末を十分に焼結させることができないからであり、１７００℃を超えると、導電性化合物の粒子が凝集しやすく、導電性化合物が本来備えている機能を十分に発揮することができないからである。【００６７】
また、炭素質材料を含む遮蔽材を上記成形体の周囲に配置して加圧焼結することが好適である。このようにすることで、導電性化合物粒子が酸化物粒子に変質することを防止でき、機械的特性の優れた磁気ヘッド用基板７とすることができる。【００６８】
このようにして形成される磁気ヘッド用基板７は、図４に示したようにアルミナ（結晶粒子６０）を３５質量％以上６０質量％以下、導電性化合物（結晶粒子６１）を４０質量％以上６５質量％以下含有するとともに、最大結晶粒径が４μｍ以下（０μｍを除く）の焼結体６となる。このような焼結体（磁気ヘッド用基板７）は、導電性化合物（結晶粒子６１）が４０質量％以上であるために、スライシング加工等の機械加工における耐チッピング性や電荷の除去速度を低下させることもなく、導電性化合物（結晶粒子６１）が６５質量％以下であるために表面品位を損なうことなく、摺動特性を適切に維持することができる。ここでは、焼結体６（磁気ヘッド用基板７）におけるアルミナおよび導電性化合物粒子の合計を１００質量％となるように示しているが、不純物を０．５質量％以下の割合で含有してもよい。【００６９】
なお、焼結体６（磁気ヘッド用基板７）におけるアルミナおよび導電性化合物粒子の比率は、スライダ２１の場合と同様に、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）発光分析法によりアルミナおよびタングステンの比率に基づいて求めることができる。【００７０】
焼結体６（磁気ヘッド用基板７）はまた、材料粉末の粒径、焼結条件（焼結温度や焼結圧力）を適宜調整することにより、導電性化合物の結晶粒子６１の平均結晶粒径が、たとえば１０ｎｍ（０．０１μｍ）以上１μｍ以下、電磁変換素子が形成される主面７０からの深さ１ｍｍまでの領域における主面７０と平行な面７１（図７参照）における分布密度が５×１０５個／ｍｍ２以上とされる。【００７１】
磁気ヘッド基板７において導電性化合物の平均結晶粒径を１０ｎｍ（０．０１μｍ）以上１μｍ以下とすれば、磁気ヘッド用基板７の全体にわたって抵抗値を均一にすることができるとともに、体積固有抵抗を１Ω・ｃｍ以下にすることができる。【００７２】
また、導電性化合物の結晶粒子６１の分布密度を５×１０５個／ｍｍ２以上とすれば、導電性を維持しつつ機械加工性を良好なものとすることができとともに、放熱性を高めることができる。なお、導電性化合物の結晶粒子６１の分布密度の定義および測定方法は、スライダ２１の場合と同様である。【００７３】
さらに、焼結温度を１５００℃以上に設定することにより、導電性化合物の結晶粒子６１をある程度凝集させ、導電性化合物の結晶粒子６１の一部を楔形形状に形成することもできる。ここで、楔形形状の定義については、図４を参照してスライダ２１について説明した場合と同様である。磁気ヘッド用基板７において、導電性化合物の結晶粒子６１として楔形形状の粒子を含んでいれば、アルミナの結晶粒子６０に対する導電性化合物の結晶粒子６１のアンカー効果により、アルミナの結晶粒子６０および導電性化合物粒子６１が脱粒しにくくなる。そのため、磁気ヘッド用基板７は機械加工性に優れたものとなり、機械加工面の表面粗さを目的とするものにできるため、浮上特性の安定した磁気ヘッド２を提供することが可能となる。【００７４】
また、材料粉末の組成を適宜選択することにより、焼結体（磁気ヘッド用基板７）の熱伝導率を、たとえば３０Ｗ／（ｍ・ｋ）以上とすることができる。その場合には、磁気ヘッド用基板７から得られるスライダ２１（磁気ヘッド２）が熱伝導性に優れたものとなる。そのため、磁気ヘッド２における電磁変換素子２０のコイル（図示略）から発生した熱を速やかに逃がすことができるため、磁気ヘッド用基板７では、記録媒体に保存された記録が熱により破壊されることを抑制することができる磁気ヘッド２を提供することが可能となる。なお、熱伝導率は、ＪＩＳ  Ｒ  １６１１−１９９７に準拠して測定することができる。【００７５】
次に、図７Ｂに示したように、磁気ヘッド用基板７に対して、予め磁気ヘッド用基板７に対して非晶質のアルミナからなる下地膜をバイアススパッタ法により成膜した後、複数の電磁変換素子８０を一括して造り込んで集合基板８を形成する。【００７６】
複数の電磁変換素子８０は、半導体集積技術を用いて、たとえばギャップ膜、保護膜、上下磁極膜、コイル膜および絶縁膜を形成することにより磁気ヘッド基板７に対して造り込まれる。ギャップ膜および保護膜は、たとえばバイアススパッタ法によりアルミナスパッタ膜として形成される。上下磁極膜およびコイル膜は、たとえばめっき法により形成される。上下磁極膜は、たとえばＮｉ−Ｆｅ合金により、コイル膜は、たとえば銅により形成される。絶縁膜は、磁極膜とコイルとの間、およびコイル間の絶縁性を保つためのものであり、たとえば絶縁性を有する熱硬化性樹脂を用いたホトリソグラフィ法により形成される。【００７７】
次に、図８Ａおよび図８Ｂに示したように、集合基板８を切断して短冊片８１を得る。この工程は、図８Ａに示した集合基板８を四角に切断する第１切断加工と、図８Ｂに示した電磁変換素子８０が並ぶ列を１つの単位として、短冊片８１に切断する第２切断加工と、を含んでいる。第１および第２切断加工は、たとえばダイヤモンドカッタを用いて行なわれる。【００７８】
次に、短冊片８１におけるスライダ２１の浮上面２２（図４参照）となるべき面を研磨する。この研磨は、たとえば図９および図１０に示したラップ装置９を用いて行なわれる。ラップ装置９は、ラップ盤９０、ラップ治具９１および容器９２を備えたものである。【００７９】
ラップ盤９０は、駆動部（図示略）により回転させられるものであり、たとえば錫により、平坦度が１０μｍ以下、ビッカース硬度（Ｈｖ）が７８ＭＰａに形成されている。このラップ盤９０は、渦巻き状の溝９３を有している。溝９３は、断面が矩形状とされており、ピッチＰｔが、たとえば０．１〜０．５ｍｍに設定されている。【００８０】
ラップ治具９１は、短冊片８１を保持するためのものであり、円板状に形成されている。このラップ治具９１は、アクチュエータ（図示略）によって上下方向に往復移動可能とされているとともに、保持した短冊片８１をラップ盤９０に対して所定の圧力で押し付けるように構成されている。【００８１】
容器９２は、ラップ盤９０に供給する研磨液９４を保持したものである。研磨液９４としては、たとえば濃度０．１〜１．０ｇ／Ｌが研磨粒を含むｐＨ７．５〜８．５がスラリー状のものを使用することができる。研磨粒としては、たとえば平均粒径が０．０５〜０．１５μｍのダイヤモンド砥粒を用いることができる。【００８２】
このようなラップ装置９を用いて短冊片８１を研磨する場合には、ラップ盤９０を所定の周速度で回転させつつ、ラップ盤９０に向けて容器９２からの研磨液９４の吐出させた状態で、短冊片８１を保持させたラップ治具９１をラップ盤９０に押し付けることにより行なわれる。容器９２からの研磨液９４の吐出速度は、たとえば０．３ｍＬ／６０ｓｅｃに、ラップ盤９０の回転速度は、たとえば０．５〜１．０ｍ／ｓｅｃに、ラップ盤９０に対する短冊片８１（ラップ治具９１）を押し付ける圧力は、たとえば５０〜１００ＭＰａに設定される。このようにして短冊片８１におけるスライダ２１の浮上面２２（図４参照）となるべき面を研磨することにより、研磨面８２は算術平均粗さＲａが０．２〜０．４ｎｍの鏡面とされる。【００８３】
次に、図１１に示したように、短冊片８１の研磨面８２に凹部８３を形成する。凹部８３は、磁気ヘッド２を浮上させるための空気を通す流路（凹部２３）（図４参照）として機能するものであり、研磨面８２における除去されずに鏡面のままの部分は、磁気ヘッド２において磁気記録媒体に対向させられる浮上面２２（図４参照）となるものである。先の凹部８３は、たとえばイオンミリング加工や反応性イオンエッチングにより、目的とする形状、深さおよび表面粗さに形成される。凹部８３の表面における算術平均粗さＲａは、たとえば２０ｎｍ以下（０ｎｍを除く）とされる。このような表面粗さに凹部８３を形成すれば、磁気ヘッド２における凹部２３（図４参照）の平滑性が向上し、空気の流れを適切に制御できるため、磁気ヘッド２の浮上特性を安定化させることができる。【００８４】
最後に、図１２に示したように、凹部８３を形成した短冊片８１を切断することにより、図４に示したようにチップ状の磁気ヘッド２を得ることができる。
【実施例】
【００８５】
以下、本発明の実施例を説明する。ただし、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。【００８６】
［実施例１］
本実施例では、組成および組織状態の異なる複数の試験片を用いて、組成および組織状態が機械的特性に与える影響を検討した。【００８７】
（試験片の作製）
試験片は、目的とする組成に調合した材料粉末を含むスラリーを用いて成形体を形成した後に、この成形体を加圧焼結して磁気ヘッド基板を形成するとともに、この磁気ヘッド基板を切断することにより作製した。【００８８】
材料粉末としては、アルミナ、導電性化合物およびＹｂ２Ｏ３を用い、これら材料粉末に分散剤を添加した。【００８９】
なお、材料粉末におけるアルミナおよび導電性化合物の平均粒径や含有量を選択することにより、下記表１に示した通り、焼結体（試験片）におけるアルミナおよび導電性化合物の平均結晶粒径および含有量を調整した。また、材料粉末におけるＹｂ２Ｏ３の含有量は０．２質量％とした。【００９０】
成形体は、スラリーを噴霧乾燥機に投入して顆粒とした後、イオン交換水１０％を顆粒に噴霧しバインダーとした後、乾式加圧成形によって形成した。【００９１】
加圧焼結は、成形体を金型（直径１２７ｍｍ、深さ２ｍｍ）に配置し、アルゴン雰囲気中で行なった。焼結温度については、下記表１に示した通りである。【００９２】
試験片は、磁気ヘッド用基板を切断することにより、１０ｍｍ×１０ｍｍ×２ｍｍの板状、および２０ｍｍ×５０ｍｍ×１．２ｍｍの板状に形成した。【００９３】
（組織状態の観察）
試験片の組織状態は、アルミナおよび導電性化合物のそれぞれの平均結晶粒径、試験片の最大結晶粒径および平均結晶粒径として観察した。最大結晶粒径および平均結晶粒径は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、最大結晶粒径や平均結晶粒径の大きさに応じて倍率３２５０〜１３０００倍より適宜倍率を選定して撮影した５μｍ×８μｍ〜２０μｍ×３２μｍの範囲の画像を、画像解析ソフト（Ｉｍａｇｅ−Ｐｒｏ  Ｐｌｕｓ）を用いて解析することによって算出した。アルミナおよび導電性化合物のそれぞれの平均結晶粒径、試験片の最大結晶粒径および平均結晶粒径の算出結果については、表１に示した。【００９４】
（試験片の組成）
試験片の組成は、アルミナと導電性化合物との重量比率として算出した。まず、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）発光分析装置（セイコー電子工業製、ＳＰＳ１２００ＶＲ）を用いてアルミニウムおよびタングステンの比率を求めた。次いで、アルミニウムについては酸化物の重量に換算するとともに、タングステンについては導電性化合物の種類に応じて炭化物、窒化物または炭窒化物の重量に換算し、それらの比率（重量％）を算出した。重量比率の算出結果については、表１に示した。【００９５】
（機械的特性の評価）【００９６】
機械的特性は、ラッピングレート、凹部の表面粗さ、およびビッカース硬度として評価した。【００９７】
ラッピングレートは、図９および図１０に示したラップ装置９（ラップマスターＳＦＴ社製９“型）を用いて、単位時間当たりの研磨量として評価した。研磨液９４としては、平均粒径０．１μｍのダイヤモンド砥粒を濃度０．５ｇ／Lで分散させたｐＨ８．１のスラリー状のものを使用した。ラップ盤９０としては、平坦度１０μｍ以下、ビッカース硬度（Ｈｖ）７８ＭＰａ、溝９５のピッチＰｔが０．３ｍｍの錫製のものを使用した。ラップ盤９０の回転速度は、周速として、０．６５ｍ／秒に設定した。図１３に示したように、ラップ治具９１に対しては、１０ｍｍ×１０ｍｍ×２ｍｍの試験片９５を３０枚等間隔で円周状に配置した。ラップ盤９０に対する研磨液９４の供給速度は、０．３mＬ／６０ｓｅｃとし、ラップ盤９０に対する試験片９５の押し付け圧力は０．０７ＭＰａに設定した。【００９８】
ラッピングレートは、ラップ加工する前の試験片９５の厚み（ｔａ）およびラップ加工した後の試験片９５の厚み（ｔｂ）を、それぞれダイヤルゲージを用いて測定し、その差（ｔａ−ｔｂ）をラップ加工に要した時間で除すことにより求めた。【００９９】
凹部の表面粗さは、算術平均高さ（Ｒａ）として、原子間力顕微鏡を用いて、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に準拠して測定した。ただし、評価長さを１０μｍとした。凹部は、イオンミリング装置（「ＡＰ−ＭＩＥＤ型」日本電子株式会社製）を用いて形成した。イオンミリングは、２０ｍｍ×５０ｍｍ×１．２ｍｍの試験片に対して、Ａｒ＋イオンを用いて加速電圧３ｋＶ／３０ｍＡ、衝突角度３５度、イオンミリング深さ０．２μｍにて行なった。【０１００】
ビッカース硬度は、試験力を１９６Ｎとした以外は、ＪＩＳ  Ｒ  １６１０−２００３に準拠して測定した。【０１０１】
ラッピングレート、凹部の表面粗さ、およびビッカース硬度の測定結果は表１に示した。【０１０２】
【表１】
2007105477.tif 000003
【０１０３】
表１に示す通り、アルミナを３５質量％以上６０質量％以下、導電性化合物を４０質量％以上６５質量％以下で含有し、且つ、焼結体（試験片）の最大結晶粒径が４μｍ以下である本発明の試料（Ｎｏ．２，４〜６，８，１０〜１２，１４〜１９，２２，２４，２７〜２９，３２〜３４，３６）は、ラッピングレートが０．０６４μｍ／ｍｉｎ以上、イオンミリング加工後の凹部の算術平均高さＲａは２２ｎｍ以下、ビッカース硬度が１９．２ＧＰａ以上であり、イオンミリング加工後のアルミナ、導電性化合物の組織の分散性が高く、非常に高精度な表面を得ることができた。【０１０４】
本発明の試料のうち、Ｎｏ．２４を除く焼結体（試験片）の平均結晶粒径を１μｍ以下とした試料は、イオンミリング加工後の凹部の算術平均高さＲａは２１ｎｍ以下とさらに高精度な表面を得ることができた。また、Ｎｏ．１７を除く焼結体（試験片）のアルミナの平均結晶粒径を１μｍ以下とした試料、Ｎｏ．６を除く導電性化合物粒子の平均結晶粒径が１０ｎｍ（０．０１μｍ）以上１μｍ以下とした試料は、何れもイオンミリング加工後の算術平均高さＲａは２０ｎｍ以下とさらに高精度な表面を得ることができた。【０１０５】
本発明の試料のうち、導電性化合物としてタングステンの炭化物（ＷＣ）を用いた試料（Ｎｏ．２，４〜６，８，１０〜１２，１４〜１９，２２，２４，３６）は、他の導電性化合物（ＷＮ，ＷＣＮ）に比べてダイヤモンド砥粒との抵抗が増加し、ラッピングレートが０．０９３μｍ／ｍｉｎ以上とより高い値となることがわかった。【０１０６】
これに対し、試料Ｎｏ．１は、アルミナ粉末の平均粒径が０．３μｍ以下であったため、アルミナ粉末自体の分散性が悪くなり、また成形体の弾性回復も大きく、その結果良好に焼結させることができなかった。試料Ｎｏ．７は加圧焼結温度が１４００℃未満であったため、試料Ｎｏ．２１は常圧焼結を用いたためにいずれも十分に焼結させることができず、全ての評価を行なうことができなかった。【０１０７】
また、焼結体の最大粒径が４μｍを超える試料（Ｎｏ．３，２０，２１，２３，２５，３７）は、イオンミリング加工後の算術平均高さＲａは２４ｎｍ以上３６ｎｍ以下と非常に大きいものであった。【０１０８】
同様に、アルミナを３５質量％以上６０質量％以下、導電性化合物を４０質量％以上６５質量％以下で含有しない試料（Ｎｏ．９，１３，２６，３０，３１，３５）は、ラッピングレートは０．０４５μｍ／ｍｉｎと低いものや、イオンミリング加工後の算術平均高さＲａは２５ｎｍ程度の試料が多く、加工性が低下していることがわかった。【０１０９】
［実施例２］
本実施例では、試験片における導電性化合物の分布密度が、導電性や機械的特性に与える影響を検討した。【０１１０】
（試験片の作製）
試験片は、実施例１と同様にして作製した。ただし、焼結体（試験片）におけるアルミナおよび導電性化合物粒子のそれぞれについて、平均結晶粒径および含有量を表２のように調整し、焼成温度を調整することによって試験片の導電性化合物粒子の分布密度を調整した。また、試験片としては、焼結体を切断することにより、１０ｍｍ×１０ｍｍ×２ｍｍの板状、２０ｍｍ×５０ｍｍ×３．５ｍｍの長尺状を作製した。【０１１１】
（分布密度の測定）
分布密度は、実施例１と同様な条件で試験片にラップ加工を施し、走査型電子顕微鏡を用いてラップ加工面をのうち２０μｍ×２０μｍの範囲の導電性化合物粒子の数をカウントすることにより確認した。走査型電子顕微鏡での倍率は、７０００〜１３０００倍の範囲から最適な倍率を選択した。走査型電子顕微鏡の観察においては、導電性化合物粒子の形状を同時に確認した。【０１１２】
（機械的特性）
機械的特性は、体積固有抵抗、ラッピングレートおよび最大チッピング量として評価した。【０１１３】
体積固有抵抗は、ＪＩＳ  Ｃ  ２１４１−１９９２に準拠して測定した。【０１１４】
ラッピングレートは、実施例１と同様にして測定した。【０１１５】
最大チッピング量は、試験片をスライサー（「ＳＰＧ２５Ｎ−１３Ｋ型」（株）不二越社製）を用いて溝を形成したときの溝表面から測定した。試験片としては、各試料につき２０ｍｍ×５０ｍｍ×３．５ｍｍの長尺状のものを１０個ずつ準備した。スライサーにおけるダイヤモンドブレードとしては、ＳＤ１２００ＥＬ−１Ｈ／Ｓｉｚｅ（ダイヤモンドブレードサイズ幅９９ｍｍ×高さ４０ｍｍ×厚み０．０７ｍｍ）を用いた。溝は、ダイヤモンドブレードの送り速度２２０ｍｍ／ｍｉｎ、回転数１００００ｒｐｍとして、加工深さ３．５ｍｍ、加工ピッチ２ｍｍ、加工長さ５０ｍｍに形成した。溝表面に関しては金属顕微鏡を用いて倍率１０００倍にして撮影し、６０μｍ×８０μｍの範囲の画像を解析することによって最大チッピング量を算出した。【０１１６】
体積固有抵抗、ラッピングレートおよび最大チッピング量の測定結果については、表２に示した。【０１１７】
【表２】
2007105477.tif 000004
【０１１８】
表２に示す通り、本発明の試料のうち、導電性化合物粒子の分布密度が５×１０５個／ｍｍ２以上の試料（Ｎｏ．４１〜４７）は、体積固有抵抗は３×１０−３Ω・ｃｍ以下と低く、最大チッピング量は１１μｍ以下と小さいものであった。【０１１９】
特に、これらの試料のうち、導電性化合物粒子として楔形形状の粒子を含む試料（Ｎｏ．４１〜４５）は、最大チッピング量を６μｍ以下とさらに小さくすることができた。
【図１】
2007105477.tif 000005
【図２】
2007105477.tif 000006
【図３】
2007105477.tif 000007
【図４】
2007105477.tif 000008
【図５】
2007105477.tif 000009
【図６】
2007105477.tif 000010
【図７】
2007105477.tif 000011
【図８】
2007105477.tif 000012
【図９】
2007105477.tif 000013
【図１０】
2007105477.tif 000014
【図１１】
2007105477.tif 000015
【図１２】
2007105477.tif 000016
【図１３】
2007105477.tif 000017
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月27日(2007.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミナを３５質量％以上６０質量％以下、導電性化合物を４０質量％以上６５質量％以下含有し、実質的に前記アルミナおよび前記導電性化合物からなる焼結体からなり、
前記導電性化合物は、タングステンの炭化物、窒化物および炭窒化物から選択される少なくとも１種であり、
前記焼結体の最大結晶粒径が４μｍ以下（但し、０μｍを除く）である、磁気ヘッド用基板。
【請求項２】
前記焼結体は、平均結晶粒径が１μｍ以下（但し、０μｍを除く）である、請求項１に記載の磁気ヘッド用基板。
【請求項３】
前記アルミナは、平均結晶粒径が１μｍ以下（但し、０μｍを除く）である、請求項１に記載の磁気ヘッド用基板。
【請求項４】
前記導電性化合物は、タングステンの炭化物である、請求項１に記載の磁気ヘッド用基板。
【請求項５】
前記導電性化合物は、平均結晶粒径が１０ｎｍ（０．０１μｍ）以上１μｍ以下である、請求項１に記載の磁気ヘッド用基板。
【請求項６】
電磁変換素子が形成される主面からの深さ１ｍｍまでの領域における前記主面と平行な面において、上記導電性化合物の結晶粒子の分布密度が５×１０５個／ｍｍ２以上である、請求項１に記載の磁気ヘッド用基板。
【請求項７】
前記導電性化合物の結晶粒子は、楔形形状の粒子を含む、請求項１に記載の磁気ヘッド用基板。
【請求項８】
前記焼結体は、熱伝導率が３０Ｗ／（ｍ・ｋ）以上である、請求項１に記載の磁気ヘッド用基板。
【請求項９】
上記焼結体は、抗折強度が７００ＭＰａ以上である、請求項１に記載の磁気ヘッド用基板。
【請求項１０】
スライダと、電磁変換素子と、を備えた磁気ヘッドであって、
前記スライダは、アルミナを３５質量％以上６０質量％以下、導電性化合物を４０質量％以上６５質量％以下含有し、実質的に前記アルミナおよび前記導電性化合物からなる焼結体からなり、
前記導電性化合物は、タングステンの炭化物、窒化物および炭窒化物のうちから選択される少なくとも１種であり、
前記焼結体の最大結晶粒径が４μｍ以下（但し、０μｍを除く）である、磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記焼結体は、平均結晶粒径が１μｍ以下（但し、０μｍを除く）である、請求項１０に記載の磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記アルミナは、平均結晶粒径が１μｍ以下（但し、０μｍを除く）である、請求項１０に記載の磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記導電性化合物は、タングステンの炭化物である、請求項１０に記載の磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記導電性化合物は、平均結晶粒径が１０ｎｍ（０．０１μｍ）以上１μｍ以下である、請求項１０に記載の磁気ヘッド。
【請求項１５】
前記スライダにおける電磁変換素子が形成される端面からの深さ１ｍｍまでの領域における前記端面と平行な面において、上記導電性化合物の結晶粒子の分布密度が５×１０５個／ｍｍ２以上である、請求項１０に記載の磁気ヘッド。
【請求項１６】
前記導電性化合物の結晶粒子は、楔形形状の粒子を含む、請求項１０に記載の磁気ヘッド。
【請求項１７】
前記焼結体は、熱伝導率が３０Ｗ／（ｍ・ｋ）以上である、請求項１０に記載の磁気ヘッド。
【請求項１８】
上記焼結体は、抗折強度が７００ＭＰａ以上である、請求項１０に記載の磁気ヘッド。
【請求項１９】
前記スライダは、浮上面と、空気を導入するための凹部と、を有しており、
前記凹部は、表面における算術平均高さＲａが２０ｎｍ以下である、請求項１０に記載の磁気ヘッド。
【請求項２０】
請求項１０ないし１９のいずれかに記載の磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドによって情報の記録および再生を行う磁気記録層を有する記録媒体と、
前記記録媒体を駆動させるモータと、
を備えている、記録媒体駆動装置。
【国際調査報告】
2007105477.tif 000018
2007105477.tif 000019
2007105477.tif 000020
2007105477.tif 000021