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【手続補正書】
【提出日】平成19年9月3日(2007.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換領域と、
前記複数の光電変換領域に各々対応して設けられた複数の転送スイッチ手段と、
前記複数の光電変換領域から読み出された光電荷を入力として増幅する、共通の増幅手段と、を有する単位セルを２次元状に配してなる固体撮像装置であって、
一の光電変換領域の周囲に複数の光電変換領域が隣接して配され、前記一の光電変換領域と前記複数の光電変換領域の各光電変換領域との間に前記一の光電変換領域からの過剰電荷を捕獲可能な不純物拡散領域を設けたことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記一の光電変換領域の周囲に配される前記複数の光電変換領域は、前記一の光電変換領域の行方向及び列方向に隣接して配される四つの光電変換領域であることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記増幅手段の入力をリセットするリセット手段が、前記単位セルに含まれることを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記増幅手段の出力を選択、非選択する選択スイッチ手段が、前記単位セルに含まれることを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像装置。
【請求項５】
更に、前記複数の光電変換領域に各々対応して設けられた複数の浮遊拡散領域を有し、該複数の浮遊拡散領域が導電体により互いに接続され、該導電体が前記増幅手段の入力に接続されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記増幅手段は、単位となる素子を複数並列接続して、１つの増幅手段として構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記リセット手段は、単位となる素子を複数並列接続して、１つのリセット手段として構成されていることを特徴とする請求項３記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記選択スイッチ手段は、単位となる素子を複数並列接続して、１つの選択スイッチ手段として構成されていることを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記不純物拡散領域は、前記転送スイッチ手段、前記増幅手段、前記リセット手段、または前記選択スイッチ手段の一部であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記不純物拡散領域は、前記光電荷と同一導電型の不純物拡散領域からなることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記不純物拡散領域は所定電位に設定されていることを特徴とする、請求項１０記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記転送スイッチ手段、前記増幅手段、前記リセット手段、又は前記選択スイッチ手段は絶縁ゲート型トランジスタからなり、前記不純物拡散領域は該絶縁ゲート型トランジスタのソース又はドレイン領域である請求項９に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
複数色のフィルタを組み合わせたカラーフィルタを有し、前記単位セルの配置される周期は、前記カラーフィルタのフィルタの配置される周期と一致していることを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記カラーフィルタはベイヤ配列であることを特徴とする請求項１３記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置へ光を結像するレンズと、
前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを有することを特徴とする固体撮像システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月23日(2007.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面状の基板の両面に電子部品を実装する過程において、すでに電子部品が実装された第１の面とは反対の第２の面に電子部品を実装する際に当該基板を支持するための支持ブロックを設計する方法であって、
前記基板の少なくとも第１の面に電子部品が実装された状態の部品実装済み基板の形状データを取得する基板形状取得工程と、
前記基板形状取得工程で取得した部品実装済み基板の形状データをもとに、当該基板に実装される電子部品に対応する凹部を有する支持ブロックの形状データを初期形状データとして作成する初期形状作成工程と、
前記初期形状作成工程で作成した初期形状データを利用者の指示に従って編集する形状編集工程と、
前記形状編集工程で編集した結果得られた支持ブロックの形状データである編集形状データに基づいて当該支持ブロックで基板の下受けをした状態をシミュレーションし、当該シミュレーション結果を表示する解析工程と、
前記解析工程のシミュレーションにより所望条件を満たすことが確認された編集形状データに基づいて、支持ブロック設計用のデータを出力する出力工程とを備えた基板支持ブロック設計方法。
【請求項２】
前記初期形状作成工程では、前記凹部の形状を決定後、当該決定した凹部以外の部分の形状に応じて、前記基板を吸着するための基板吸着用穴を作成することを特徴とする、請求項１記載の基板支持ブロック設計方法。
【請求項３】
前記初期形状作成工程では、前記凹部の形状を決定後、当該決定した凹部以外の任意の部分の面積に応じて、当該凹部以外の任意の部分の形状を凹部とすることを特徴とする、請求項１記載の基板支持ブロック設計方法。
【請求項４】
前記初期形状作成工程では、前記電子部品の背面を吸着するための吸着ノズルの位置を、前記凹部以外の部分および前記基板吸着用穴の位置および面積に基づいて決定することを特徴とする、請求項１記載の基板支持ブロック設計方法。
【請求項５】
前記初期形状作成工程では、前記基板を吸着するための基板吸着用穴または前記電子部品の背面を吸着するための吸着ノズルの空気の流路を確保するための配管を、前記支持ブロック内に作成することを特徴とする、請求項１記載の基板支持ブロック設計方法。
【請求項６】
前記解析工程では、有限要素法を用いて基板全面の吸着支持力あるいは歪み量分布を求めることを特徴とする、請求項１記載の基板支持ブロック設計方法。
【請求項７】
前記出力工程では、前記形状編集工程で編集した編集形状データを、前記凹部を有する座繰り部のデータと、前記基板を吸着するための基板吸着用穴または前記電子部品の背面を吸着するための吸着ノズルの空気の流路を確保するための配管を有するベース部のデータとに分けて出力することを特徴とする、請求項１記載の基板支持ブロック設計方法。
【請求項８】
前記基板形状取得工程では、電子部品の配置の異なる複数の基板について当該電子部品が全て実装された１枚の仮想的な基板の形状データを取得することを特徴とする、請求項１記載の基板支持ブロック設計方法。
【請求項９】
平面状の基板の両面に電子部品を実装する過程において、すでに電子部品が実装された第１の面とは反対の第２の面に電子部品を実装する際に当該基板を支持するための支持ブロックを設計する装置であって、
前記基板の少なくとも第１の面に電子部品が実装された状態の部品実装済み基板の形状データを取得する基板形状取得部と、
前記基板形状取得部で取得した部品実装済み基板の形状データをもとに、当該基板に実装される電子部品に対応する凹部を有する支持ブロックの形状データを初期形状データとして作成する初期形状作成部と、
前記初期形状作成部で作成した初期形状データを利用者の指示に従って編集する形状編集部と、
前記形状編集部で編集した結果得られた支持ブロックの形状データである編集形状データに基づいて当該支持ブロックで基板の下受けをした状態をシミュレーションし、当該シミュレーション結果を表示する解析部と、
前記解析部のシミュレーションにより所望条件を満たすことが確認された編集形状データに基づいて、支持ブロック設計用のデータを出力する出力部とを備えた基板支持ブロック設計装置。
【請求項１０】
平面状の基板の両面に電子部品を実装する過程において、すでに電子部品が実装された第１の面とは反対の第２の面に電子部品を実装する際に当該基板を支持するための支持ブロックを設計するためのプログラムであって、コンピュータを、
前記基板の少なくとも第１の面に電子部品が実装された状態の部品実装済み基板の形状データを取得する基板形状取得手段、
前記基板形状取得手段で取得した部品実装済み基板の形状データをもとに、当該基板に
実装される電子部品に対応する凹部を有する支持ブロックの形状データを初期形状データとして作成する初期形状作成手段、
前記初期形状作成手段で作成した初期形状データを利用者の指示に従って編集する形状編集手段、
前記形状編集手段で編集した結果得られた支持ブロックの形状データである編集形状データに基づいて当該支持ブロックで基板の下受けをした状態をシミュレーションし、当該シミュレーション結果を表示する解析手段、および、
前記解析手段のシミュレーションにより所望条件を満たすことが確認された編集形状データに基づいて、支持ブロック設計用のデータを出力する出力手段として機能させるための基板支持ブロック設計プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月28日(2007.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
成膜に際しては、まず界面活性剤として陽イオン型のセチルトリメチルアンモニウムブロマイド（ＣＴＡＢ：Ｃ１６Ｈ３３Ｎ＋（ＣＨ３）３Ｂｒ−）と、シリカ誘導体としてテトラエトキシシラン（ＴEＯＳ：Tetraethoxy Silane）と、酸触媒としての塩酸（HCl）とを、H2O/アルコール混合溶媒に溶解して形成した前駆体（プレカーサー）溶液に第１の配線層（図示せず）の形成された基板を浸せきし、３０から１５０℃で１時間乃至１２０時間保持することによりシリカ誘導体を加水分解重縮合反応で重合させて（予備架橋工程）、界面活性剤の周期的な自己凝集体を形成する。そして基板を引き上げ、水洗、乾燥を行った後、４００℃の大気中または窒素雰囲気中で３時間加熱・焼成し、鋳型の界面活性剤を完全に熱分解除去して純粋なメゾポーラスシリカ薄膜を形成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
ここでＴＭＣＴＳ（１、３、５、７−テトラメチルシクロテトラシロキサン（（ＳｉＨ（ＣＨ3））4Ｏ4））の構造式は、次式に示すごとくである。
【化１】
2006073799.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
またＨＭＤＳ（ヘキサメチルシラザン（（ＣＨ3）3ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ3）3））の構造式は、次式に示すごとくである。
【化２】
2006073799.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
そしてＴＭＣＳ（トリメチルクロロシラン（（ＣＨ３）３ＳｉＣｌ）の構造式は、次式に示すごとくである。
【化３】
2006073799.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
そして清浄化された表面にアルゴン/ヘリウム/窒素/水素プラズマによる前処理を行い、スパッタリング法により拡散防止バリア膜１０５としての窒化タンタル（ＴａＮ）、銅めっき用のシード膜１０６としての銅薄膜を形成する（図２０（ｋ））。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
そして、レジストパターンＲ１をＯ2アッシングにより除去する。このときＯ２プラズマにより、誘電体薄膜表面がダメージを受けるため、アッシング後に図７に示したリカバリー処理を行なう（図２４（ｈ））。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
溶媒やアルコキシシランの加水分解で生じるアルコール成分の除去のために行う乾燥、焼成において、乾燥条件は特に限定されず、溶媒やアルコール成分が蒸発できればよい。焼成条件も特に限定されず、焼成により薄膜中のシラノール基の縮合がさらに促進されていればよい。したがって、焼成雰囲気も、大気中、不活性ガス中、真空中のいずれでも行うことができる。但し、薄膜中に水素基やメチル基などが存在する場合にはこれらが分解しない温度で焼成することが望ましい。具体的には、２５０〜４５０℃の範囲で、窒素中での焼成が好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月24日(2007.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源電圧制御機能を有する半導体記憶装置であって、
ワード線と、
ビット線と、
電源線と、
前記ワード線と前記ビット線と前記電源線とに接続されたメモリセルと、
活性なワード線に接続された前記メモリセルに対しては、前記電源線を介して、所定の電源電圧を供給し、非活性なワード線に接続された前記メモリセルに対しては、前記電源線を介して、前記所定の電源電圧よりも低く、かつ、前記メモリセルがデータを保持できる最低レベル以上の電圧を供給するメモリセル電源電圧制御回路とを備える、半導体記憶装置。
【請求項２】
前記メモリセル電源電圧制御回路は、前記所定の電源電圧が印加される電源端子と接地端子との間に直列に接続された第１〜３のトランジスタを備え、
前記第１のトランジスタは、前記所定の電源電圧が印加される電源端子に接続され、
前記第２のトランジスタは、ダイオード型にゲート接続され、
前記第１および第３のトランジスタは、外部から供給されるアドレス信号に基づいて制
御されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記第２のトランジスタの閾値電圧の絶対値が、前記メモリセルに含まれる全てのトランジスタの閾値電圧の最大値以上であることを特徴とする、請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記メモリセル電源電圧制御回路は、前記アドレス信号が活性状態を示すときには前記所定の電源電圧を、前記アドレス信号が非活性状態を示すときには第２のトランジスタの閾値電圧を出力することを特徴とする、請求項３に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記メモリセル電源電圧制御回路は、前記ワード線が活性状態になる前に、前記メモリセルに前記所定の電源電圧を供給することを特徴とする、請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記メモリセル電源電圧制御回路は、複数の前記ワード線に接続された複数の前記メモリセルに対して同じ電源電圧を供給することを特徴とする、請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
前記電源線は、前記メモリセルが含まれるメモリセルアレイにおける基板電位供給領域に配線され、
前記メモリセル電源電圧制御回路は、前記基板電位供給領域に隣接し、かつ、ワード線ドライバ回路領域に隣接する領域に配置されることを特徴とする、請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
前記メモリセルに供給される電源電圧が前記メモリセルがデータを保持できる最低レベルの電圧よりも低くなることを防止するメモリセル電源電圧補償回路をさらに備える、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項９】
前記メモリセル電源電圧補償回路は、前記所定の電源電圧が印加される電源端子と前記電源線とに接続された電荷供給素子を含むことを特徴とする、請求項８に記載の半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記メモリセル電源電圧制御回路は、前記所定の電源電圧が印加される電源端子と接地端子との間に直列に接続された第１〜３のトランジスタを備え、
前記第１のトランジスタは、前記所定の電源電圧が印加される電源端子に接続され、
前記第２のトランジスタは、ダイオード型にゲート接続され、
前記第１および第３のトランジスタは、外部から供給されるアドレス信号に基づいて制御され、
前記第１のトランジスタは、前記メモリセル電源電圧補償回路として機能することを特徴とする、請求項８に記載の半導体記憶装置。
【請求項１１】
前記メモリセル電源電圧補償回路は、
前記電源線を介して前記メモリセルに供給される電源電圧と当該電源電圧の基準電圧とを比較する比較回路と、
前記比較回路から出力される信号に応じて、前記所定の電源電圧が印加される電源端子と前記電源線とを導通および短絡するスイッチ素子とを備え、
前記メモリセルに供給される電源電圧を前記基準電圧以上に保持することを特徴とする、請求項８に記載の半導体記憶装置。
【請求項１２】
前記比較回路および前記スイッチ素子は、外部から供給されるアドレス信号が活性状態を示すときには動作を停止することを特徴とする、請求項１１に記載の半導体記憶装置。
【請求項１３】
前記ビット線をプリチャージするか否かを制御する制御信号が供給されるビット線プリチャージ制御信号線と、
前記ビット線と前記ビット線プリチャージ制御信号線とに接続され、前記制御信号に基づいてビット線をプリチャージするビット線プリチャージ回路と、
外部からの信号に基づいて前記制御信号を前記ビット線プリチャージ制御信号線に出力するビット線プリチャージ制御回路とをさらに備え、
前記ビット線プリチャージ制御回路は、活性な前記ワード線が非活性な状態になる際に、前記ワード線に接続された前記メモリセルの前記電源線に蓄積された電荷を、前記ビット線プリチャージ制御信号線に供給することを特徴とする、請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項１４】
前記メモリセルの代替として使用可能な冗長救済用メモリセルと、前記冗長救済用メモリセルに供給される電源電圧を、前記メモリセル電源電圧制御回路から供給される電源電圧および接地電位のいずれかに切り替えるスイッチ素子とを含む冗長救済ブロックをさらに備え、
前記メモリセルの代替として使用されない冗長救済用メモリセルを含む冗長救済ブロックでは、前記スイッチ素子は接地電位を出力することを特徴とする、請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項１５】
前記メモリセルの代替として使用可能な冗長救済用メモリセルと、
前記メモリセルに供給される電源電圧を、前記メモリセル電源電圧制御回路から供給される電源電圧および接地電位のいずれかに切り替えるスイッチ素子とをさらに備え、
前記冗長救済用メモリセルによって代替されるメモリセルでは、前記スイッチ素子は接地電位を出力することを特徴とする、請求項２に記載の半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、メモリセル電源電圧制御回路は、前記所定の電源電圧が印加される電源端子と接地端子との間に直列に接続された第１〜３のトランジスタを備えていることが好ましく、第１のトランジスタは、所定の電源電圧が印加される電源端子に接続され、第２のトランジスタは、ダイオード型にゲート接続され、第１および第３のトランジスタは、外部から供給されるアドレス信号に基づいて制御されることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
メモリセル電源電圧制御回路は、前記所定の電源電圧が印加される電源端子と接地端子との間に直列に接続された第１〜３のトランジスタを備えており、第１のトランジスタが所定の電源電圧が印加される電源端子に接続され、第２のトランジスタがダイオード型にゲート接続され、第１および第３のトランジスタが外部から供給されるアドレス信号に基づいて制御されるといった構成を有する。したがって、メモリセル電源電圧制御回路は、所定の電源電圧および第２のトランジスタの閾値電圧のいずれかを、ワード線の状態（活性あるいは非活性）に応じて、メモリセルに対して供給することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月4日(2007.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンパクトディスクメディアへのデータファイルの書き込み方法であって、
前記コンパクトディスクメディアに書き込むために、前記ファイルの第１の部分を受信する工程と、
前記ファイルの前記第１の部分を複数のチャンクに分割する工程と、
前記コンパクトディスクメディアに書き込まれる予定の前記複数のチャンクと、前記ファイルデータとを相互に関係付けるための情報を含むマップデータセクタを、前記複数のチャンクの組のために生成する工程と、
前記コンパクトディスクメディアに前記マップデータセクタを書き込む工程と、
前記ファイルの前記第１の部分の前記複数のチャンクを、前記コンパクトディスクメディアに書き込む工程と、
を備えるデータファイルの書き込み方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月19日(2007.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を出射するレーザ光源と、
上記レーザ光源から出射されたレーザ光が拡散光として入射され、入射光をコリメートするための複数のレンズから成るコリメータレンズ系と、
上記コリメータレンズ系を透過したレーザ光が入射される対物レンズとを少なくとも備える光学ピックアップであって、
上記コリメータレンズ系として、上記レーザ光の光軸方向に移動可能に保持された第１のレンズ群と、固定とされた第２のレンズ群とを備えるようにしたことを特徴とする光学ピックアップ。
【請求項２】
上記コリメータレンズ系は、
上記レーザ光源により近い側のレンズ群が凹レンズ系により、他方のレンズ群が凸レンズ系により構成されていることを特徴とする請求項１に記載の光学ピックアップ。
【請求項３】
上記コリメータレンズ系は、
上記第１のレンズ群と第２のレンズ群との双方が凸レンズ系により構成されていることを特徴とする請求項１に記載の光学ピックアップ。
【請求項４】
上記コリメータレンズ系は、
上記レーザ光源に対してより遠い側に上記第１のレンズ群が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の光学ピックアップ。
【請求項５】
上記コリメータレンズ系は、
上記第１のレンズ群と上記第２のレンズ群とが連なって配置されていることを特徴とする請求項１に記載の光学ピックアップ。
【請求項６】
さらに、上記第１のレンズ群を上記レーザ光の光軸方向に駆動する駆動機構を備えることを特徴とする請求項１に記載の光学ピックアップ。
【請求項７】
上記コリメータレンズ系は、
上記第１のレンズ群の移動に応じて波面収差を発生することを特徴とする請求項１に記載の光学ピックアップ。
【請求項８】
上記第１のレンズ群の焦点距離が上記コリメータレンズ系全体の合成焦点距離よりも短くなるように設定されていることを特徴とする請求項１に記載の光学ピックアップ。
【請求項９】
光ディスク記録媒体に対する記録又は再生を行う光ディスク装置であって、
レーザ光を出射するレーザ光源と、
上記レーザ光源から出射されたレーザ光が拡散光として入射され、入射光をコリメートするための複数のレンズから成るコリメータレンズ系と、
上記コリメータレンズ系を透過したレーザ光が入射される対物レンズとを少なくとも備え、上記コリメータレンズ系として、上記レーザ光の光軸方向に移動可能に保持された第１のレンズ群と、固定とされた第２のレンズ群とを備えるようにした光学ピックアップを備える、
ことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項１０】
上記コリメータレンズ系は、
上記レーザ光源により近い側のレンズ群が凹レンズ系により、他方のレンズ群が凸レンズ系により構成されていることを特徴とする請求項９に記載の光ディスク装置。
【請求項１１】
上記コリメータレンズ系は、
上記第１のレンズ群と第２のレンズ群との双方が凸レンズ系により構成されていることを特徴とする請求項９に記載の光ディスク装置。
【請求項１２】
上記コリメータレンズ系は、
上記レーザ光源に対してより遠い側に上記第１のレンズ群が配置されていることを特徴とする請求項９に記載の光ディスク装置。
【請求項１３】
上記コリメータレンズ系は、
上記第１のレンズ群と上記第２のレンズ群とが連なって配置されていることを特徴とする請求項９に記載の光ディスク装置。
【請求項１４】
さらに、上記第１のレンズ群を上記レーザ光の光軸方向に駆動する駆動機構を備えることを特徴とする請求項９に記載の光ディスク装置。
【請求項１５】
上記コリメータレンズ系は、
上記第１のレンズ群の移動に応じて波面収差を発生することを特徴とする請求項９に記載の光ディスク装置。
【請求項１６】
上記第１のレンズ群の焦点距離が上記コリメータレンズ系全体の合成焦点距離よりも短くなるように設定されていることを特徴とする請求項９に記載の光ディスク装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光学ピックアップ及び光ディスク装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、光ディスク記録媒体について記録再生を行う光ディスク装置と、光ディスク装置に備えられる光学ピックアップに関し、特にコリメータレンズ系を構成するレンズをレーザ光軸方向に移動させることで球面収差補正を行う構成に好適なものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月3日(2007.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
非磁性支持体と、非磁性支持体の一方の面上に形成された非磁性粉末とバインダ樹脂とを含む少なくとも一層の下塗層と、この下塗層の上に形成された、磁性粉末とバインダ樹脂とを含む少なくとも一層の磁性層、および非磁性支持体の他方の面上に形成されたバックコート層を有し、最上層磁性層の磁性粉末の粒子径が３５ｎｍ以下の磁気記録媒体において、
前記下塗層の平均厚みが０．５０〜１．５μｍであり、かつ下塗層に含まれる非磁性粉末の平均粒子径（Ｒｆとする）が３０〜２００ｎｍであり、該下塗層の平均厚みをＤｕとしたとき、Ｒｆ／Ｄｕの値が０．０６〜０．２であることを特徴とする磁気記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
すなわち本発明は非磁性支持体と、非磁性支持体の一方の面上に形成された非磁性粉末とバインダ樹脂とを含む少なくとも一層の下塗層（以下、下層または非磁性下層ともいう）と、この下塗層の上に形成された、磁性粉末とバインダ樹脂とを含む少なくとも一層の磁性層、および非磁性支持体の他方の面上に形成されたバック層を有し、最上層磁性層の磁性粉末の粒子径が３５ｎｍ以下の磁気記録媒体において、下塗層に含まれる非磁性粉末の平均粒子径（Ｒｆ）が３０〜２００ｎｍであり、かつ、下塗層の平均厚みをＤｕとしたとき、Ｒｆ／Ｄｕの値が０．０６〜０．２であることを特徴とする磁気記録媒体に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体上に非磁性粉末をバインダ樹脂に分散させてなる塗料を塗布してなる下塗層とその上に、磁性粉末を結合剤樹脂に分散させた磁性塗料を塗布してなるいわゆる重層塗布型の磁気記録媒体に適用される。すなわち本発明の磁気記録媒体は非磁性支持体と、非磁性支持体の一方の面上に形成された非磁性粉末とバインダ樹脂とを含む少なくとも一層の下塗層と、この下塗層の上に形成された、磁性粉末とバインダ樹脂とを含む少なくとも一層の磁性層、および非磁性支持体の他方の面上に形成されたバック層を有し、最上層磁性層の磁性粉末の粒子径が３５ｎｍ以下の磁気記録媒体において、下塗層に含まれる非磁性粉末の平均粒子径（Ｒｆ）が３０〜２００ｎｍであり、かつ、下塗層の平均厚みをＤｕとしたとき、Ｒｆ／Ｄｕの値が０．０６〜０．２であることを特徴とする磁気記録媒体である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月3日(2007.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に配された光電変換素子と、前記半導体基板の上に層間絶縁層を介して配された複数の配線層と、前記複数の配線層のうち少なくとも１層の配線層の上に配された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の上に配された層内レンズとを有する光電変換装置であって、
前記第１の絶縁層と前記層内レンズとの間に、前記第１の絶縁層と前記層内レンズの界面における反射を低減させるための第２の絶縁層が配され、
前記光電変換素子の少なくとも一部の上に、前記光電変換素子と前記層間絶縁層との界面での反射を低減させるための第３の絶縁層が配されたことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
半導体基板に配された光電変換素子と、前記半導体基板の上に層間絶縁層を介して配された複数の配線層と、前記複数の配線層のうち少なくとも１層の配線層の上に配された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の上に配された層内レンズとを有する光電変換装置であって、
前記第１の絶縁層と前記層内レンズとの間に、前記第１の絶縁層の屈折率と前記層内レンズの屈折率との間の屈折率を有し、膜厚が０．０５μｍ〜１．０μｍの第２の絶縁層が配され、
前記光電変換素子の少なくとも一部の上に、前記半導体基板の屈折率と前記層間絶縁層の屈折率との間の屈折率を有する第３の絶縁層が配されることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
前記第２の絶縁層の膜厚が０．０５μｍ〜１．０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第２の絶縁層の屈折率が、前記層内レンズの屈折率と第１の絶縁層の屈折率の間の値であることを特徴とする請求項１または３に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記層内レンズがシリコン窒化膜からなり、前記第１の絶縁層がシリコン酸化膜からなり、前記第２の絶縁層が酸窒化シリコン膜からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記酸窒化シリコン膜の屈折率が１．６〜１．８であることを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記第３の絶縁層は、シリコン酸化膜とシリコン酸化膜の上に配されたシリコン窒化膜とを含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記第１の絶縁層がＣＭＰ法によって平坦化されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】
半導体基板に形成された光電変換素子と、前記半導体基板の上に層間絶縁層を介して配された複数の配線層と、前記複数の配線層のうち少なくとも１層の配線層の上に配された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の上に配された層内レンズとを有する光電変換装置であって、
前記第１の絶縁層がＣＭＰ法によって平坦化されており、
前記第１の絶縁層と前記層内レンズとの間に前記第１の絶縁層と層内レンズの界面における反射を低減させるための第２の絶縁層を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項１０】
更に、前記層内レンズの上にカラーフィルタを有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
更に、前記層内レンズの上にオンチップレンズを有することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、該固体撮像装置へ光を結像する光学系と、該固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを有することを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、半導体基板に配された光電変換素子と、前記半導体基板の上に層間絶縁層を介して配された複数の配線層と、前記複数の配線層のうち少なくとも１層の配線層の上に配された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の上に配された層内レンズとを有する光電変換装置であって、前記第１の絶縁層と前記層内レンズとの間に、前記第１の絶縁層と前記層内レンズの界面における反射を低減させるための第２の絶縁層が配され、前記光電変換素子の少なくとも一部の上に、前記光電変換素子と前記層間絶縁層との界面での反射を低減させるための第３の絶縁層が配されたことを特徴とする。
また、本発明は、半導体基板に配された光電変換素子と、前記半導体基板の上に層間絶縁層を介して配された複数の配線層と、前記複数の配線層のうち少なくとも１層の配線層の上に配された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の上に配された層内レンズとを有する光電変換装置であって、前記第１の絶縁層と前記層内レンズとの間に、前記第１の絶縁層の屈折率と前記層内レンズの屈折率との間の屈折率を有し、膜厚が０．０５μｍ〜１．０μｍの第２の絶縁層が配され、前記光電変換素子の少なくとも一部の上に、前記半導体基板の屈折率と前記層間絶縁層の屈折率との間の屈折率を有する第３の絶縁層が配されることを特徴とする。
また、本発明は、半導体基板に形成された光電変換素子と、前記半導体基板の上に層間絶縁層を介して配された複数の配線層と、前記複数の配線層のうち少なくとも１層の配線層の上に配された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の上に配された層内レンズとを有する光電変換装置であって、前記第１の絶縁層がＣＭＰ法によって平坦化されており、前記第１の絶縁層と前記層内レンズとの間に前記第１の絶縁層と層内レンズの界面における反射を低減させるための第２の絶縁層を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月29日(2007.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製のヒューズ配線を搭載し、ヒューズ配線上にはＳｉＣＮ膜のみが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
金属製のヒューズ配線を搭載し、ヒューズ配線上にはＳｉＣＮ膜または窒化膜が形成され、その上に、ＬＴ実施する時のブローマージンを十分確保できる膜厚量を有する酸化膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
金属製のヒューズ配線を搭載し、ヒューズ配線上にはＳｉＣＮ膜または窒化膜を形成し、前記ヒューズ配線が単層の配線層とその下層であるビアホール、または複数の配線層とその配線層の中間にあるビアホールから形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ダマシンプロセスの過程で金属製のヒューズ配線と、ヒューズ配線上のＳｉＣＮ膜、更にその上のビア層間絶縁膜を形成する工程と、
前記ビア層間絶縁膜上にパッシベーション膜を形成する工程と、
ヒューズ部上の前記パッシベーション膜をエッチングして除去する工程と、
前記ビア層間絶縁膜をエッチバックして除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
ダマシンプロセスの過程で金属製のヒューズ配線と、ヒューズ配線上のＳｉＣＮ膜または窒化膜、更にその上のビア層間絶縁膜を形成する工程と、
前記ビア層間絶縁膜上にパッシベーション膜を形成する工程と、
ヒューズ部上の前記パッシベーション膜をエッチングして除去する工程と、
前記ビア層間絶縁膜をエッチバックして除去する工程と、
前記ＳｉＣＮ膜または窒化膜上に酸化膜を形成する工程と、
ヒューズ部上に写真製版してレジストを形成する工程と、
エッチングにより、ヒューズ部上のレジストを除去すると共に、ヒューズ部上の前記酸化膜の膜厚を制御する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
ダマシンプロセスの過程で金属製のヒューズ配線と、ヒューズ配線上のＳｉＣＮ膜または窒化膜、更にその上のビア層間絶縁膜を形成する工程と、
前記ビア層間絶縁膜上にパッシベーション膜を形成する工程と、
ヒューズ部上の前記パッシベーション膜をエッチングして除去する工程と、
前記ビア層間絶縁膜をエッチバックして除去する工程と、
ヒューズ部以外の領域上に写真製版によりレジストを形成する工程と、
酸化膜を形成する工程と、
リフトオフしてヒューズ部以外の領域上の前記レジストとその上の酸化膜を除去する工程と、
エッチングによりヒューズ部上の前記酸化膜の膜厚を制御する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
ヒューズ配線と、第一配線を形成する工程と、
前記ヒューズ配線上及び前記第一配線上に、ＳｉＣＮ膜又は第一窒化膜で構成された第一絶縁膜を形成する工程と、
前記第一絶縁膜上に第一ビア層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第一ビア層間絶縁膜内に前記第一配線と接続される前記ビアを形成し、前記第一ビア層間絶縁膜上に前記ビアと接続されるアルミニウム配線を形成する工程と、
前記第一ビア層間絶縁膜上及び前記アルミニウム配線上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜をエッチングして、前記アルミニウム配線を露出させ、前記ヒューズ配線上の前記第一ビア層間絶縁膜を露出させる工程と、
前記ヒューズ配線上の前記第一ビア層間絶縁膜をエッチングして、前記ヒューズ配線上の前記第一絶縁膜を露出させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記ヒューズ配線はヒューズ部に存在し、前記第一配線はパッド部に存在し、前記アルミニウム配線はパッドであり、前記ヒューズ配線上の前記第一絶縁膜を露出させる工程はエッチバックにより行われることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記ヒューズ配線上の前記第一絶縁膜を露出させる工程の後に、
ポリイミド膜を形成する工程と、
前記ヒューズ部及び前記パッド部の前記ポリイミド膜をエッチングして除去して、前記パッドと前記ヒューズ配線上の前記第一絶縁膜を露出させることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記パッシベーション膜は、第一酸化膜と、前記第一酸化膜上の第二窒化膜で構成され、
前記ビアはタングステンであることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月15日(2006.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め外周面にめっき処理を施した金属管を一方向に移動しながら該外周面に押出成形により少なくとも単層からなる樹脂層を被覆せしめ、さらに前記一方向の移動に連動して高周波誘導加熱により該樹脂層の有する溶融温度以上に金属管を加熱せしめ、次いで可及的速かに押えロールにより樹脂層を外方より押圧して密合状に接着せしめ、その後冷却装置の通過によって該樹脂層を冷却固化せしめることを特徴とする被覆金属管の被覆形成方法。
【請求項２】
予め外周面にめっき処理を施した金属管（Ｐ）の移動方向に、順次送りロール装置（１）、押出被覆装置をなすダイ本体（２）に連設した少なくとも１つの押出供給ユニット（２１）、高周波誘導加熱装置（３）、押えロール装置（４）、および冷却装置（５）からなる一連の装置を配列せしめて備えてなることを特徴とする被覆金属管の形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するため本発明の第１の実施態様は、予め外周面にめっき処理を施した金属管を一方向に移動しながら該外周面に押出成形により少なくとも単層からなる樹脂層を被覆せしめ、さらに前記一方向の移動に連動して高周波誘導加熱により該樹脂層の有する溶融温度以上に金属管を加熱せしめ、次いで可及的速かに押えロールにより樹脂層を外方より押圧して密合状に接着せしめ、その後冷却装置の通過によって該樹脂層を冷却固化せしめる被覆金属管の被覆形成方法を特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月6日(2006.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー原料と各種添加剤を配合し混練された未加硫組成物を芯金と共に押出し、芯金の周囲に未加硫組成物を円筒状に形成し、加熱加硫した後、円筒状ゴム層の両端部を切断して導電性ローラを製造する方法であって、
該芯金は端部切断処理後のゴム長よりも広い幅に、接着剤が塗布されていることを特徴とする導電性ローラの製造方法。
【請求項２】
ゴム層が発泡体であり、未加硫組成物が円筒状に成型されたときには未発泡状であり、加熱加硫は円筒型金型の中で発泡も行なわせ、かつ、芯金への接着剤塗布幅を、両端部切断処理前のゴム長と同じかそれよりも狭くすることを特徴とする請求項１に記載の導電性ゴムローラの製造方法。
【請求項３】
接着剤がバインダーとして熱可塑性エラストマーを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の導電性ローラの製造方法。
【請求項４】
円筒状ゴム層の両端部切断を、芯金を加熱した後あるいは加熱しながら、行なうことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の導電性ローラの製造方法。
【請求項５】
接着剤が導電性フィラーとして少なくとも導電性カーボンを含んでいることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の導電性ローラの製造方法。
【請求項６】
芯金に塗布される接着剤として、ゴム層の切断部近傍に塗布されるものとローラ中央部に当たる部分に塗布されるものが異なり、切断部近傍に塗布されるものに用いられるバインダーの耐熱温度の方が中央部に塗布されるものに用いられるバインダーの耐熱温度よりも低いものであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の導電性ローラの製造方法。
【請求項７】
芯金と、該芯金の周面を被覆している接着層と、該接着層を介して該芯金の周面を被覆している導電性のゴム層とを具備し、該ゴム層が、該芯金の軸方向に幅Ａ１を有している導電性ローラの製造方法であって、
（ｉ）軸方向に前記幅Ａ１よりも大きい幅Ｂ１で接着剤を周面に塗布した芯金を、導電性フィラーを含有している未加硫のゴム組成物と共に押し出して、該芯金の周面を、該芯金周面上の該接着剤を覆うように該未加硫のゴム組成物で被覆する工程、
（ｉｉ）該芯金周面を被覆している未加硫のゴム組成物を加熱し、該ゴム組成物中のゴムを加硫してゴム層を形成する工程、及び
（ｉｉｉ）前記工程（ｉｉ）により得られた芯金周面のゴム層の両端部を、前記幅Ａ１で切断する工程
を有していることを特徴とする導電性ローラの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】導電性ローラの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電子写真プロセスを利用した画像形成装置に用いる帯電・転写ローラ、現像ローラ、あるいは搬送ローラ、定着ローラ、中間転写体等に用いる導電性ローラの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明は、芯金と、該芯金の周面を被覆している接着層と、該接着層を介して該芯金の周面を被覆している導電性のゴム層とを具備し、該ゴム層が、該芯金の軸方向に幅Ａ１を有している導電性ローラの製造方法であって、
（ｉ）軸方向に前記幅Ａ１よりも大きい幅Ｂ１で接着剤を周面に塗布した芯金を、導電性フィラーを含有している未加硫のゴム組成物と共に押し出して、該芯金の周面を、該芯金周面上の該接着剤を覆うように該未加硫のゴム組成物で被覆する工程、
（ｉｉ）該芯金周面を被覆している未加硫のゴム組成物を加熱し、該ゴム組成物中のゴムを加硫してゴム層を形成する工程、及び
（ｉｉｉ）前記工程（ｉｉ）により得られた芯金周面のゴム層の両端部を、前記幅Ａ１で切断する工程
を有していることを特徴とする導電性ローラの製造方法である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月16日(2006.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
車両室内の側面に沿って下方に向って展開するカーテンエアバッグと、
該カーテンエアバッグの下方への展開を案内するために、上下方向に延在し、車両のピラーに取り付けられたガイド部材と、
を有するカーテンエアバッグ装置において、
該カーテンエアバッグは、該ガイド部材に沿ってカーテンエアバッグの上部から下部にまで延在するように膨張する縦室を連結帯基端部の略直上に有し、
該縦室の幅方向の中間点を結ぶ上下方向の線分と該ガイド部材とが略平行であることを特徴とするカーテンエアバッグ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のカーテンエアバッグ装置は、車両室内の側面に沿って下方に向って展開するカーテンエアバッグと、該カーテンエアバッグの下方への展開を案内するために、上下方向に延在し、車両のピラーに取り付けられたガイド部材と、を有するカーテンエアバッグ装置において、該カーテンエアバッグは、該ガイド部材に沿ってカーテンエアバッグの上部から下部にまで延在するように膨張する縦室を連結帯基端部の略直上に有し、該縦室の幅方向の中間点を結ぶ上下方向の線分と該ガイド部材とが略平行であることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月6日(2006.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
このガスシール材料が弾性接着剤である場合、締付部材によってガス導入口を外側から締め付けたときに、ガスシール材料が該挿入体の外周面に沿って押し広げられる如く展延し、ガス導入口内面と該挿入体外周面との間のシール特性が著しく向上する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の一形態について説明する。図１（ａ）はカーテンエアバッグの膨張展開時の側面図、同（ｂ）は同（ａ）のＢ−Ｂ線断面図、図２はガス導入口部分の拡大図、図３（ａ）は図２のIII−III線断面図、図３（ｂ）、（ｃ）は図３（ａ）のＢ付近及びＣ付近の拡大図、図４はガス導入口付近の分解斜視図である。図５は図４のＶ−Ｖ線に沿うガス導入口の断面図である。なお、図５では図４の締付部材は図示が省略されている。図６はカーテンエアバッグ装置を備えた車両室内の模式的な側面図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図４，５の通り、ガス導入口１ｂ付近では、各シート１１，１１の上辺から延出した舌片状部１１ｔ、１１ｔの上縁と下縁とが線状結合部１２，１２により結合され、これによりガス導入口１ｂが形成されている。この舌片状部１１ｔ、１１ｔ同士を離反させるように押し開くことによりガス導入口１ｂが開放する。このように開放したガス導入部１ｂにあっては、線状結合部１２，１２に沿う部分が図４，５のように溝状となる。この実施の形態では、溝状部分に弾性接着剤３ｅを付着させてある。ガス導入口１ｂにノズル３ｂ及びダクト３ａを挿入した後、締付部材３ｄでガス導入口１ｂを外側から締め付けると、図３（ｂ）、（ｃ）のように弾性接着剤３ｅがダクト３ａの外周面に沿って展延し、溝状部分及びその近傍においてガス導入口１ｂ内面とダクト３ａ外周面との隙間が気密に封じられる。これにより、ガス導入口１ｂ内面とダクト３ａ外周面との隙間からのガスリークが確実に防止される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
該カーテンエアバッグ１の後端部の下側角縁付近から連結帯７が延出しており、この連結帯７の先端側のループ部７ａが該ガイドロッド５に緩く巻き付いている。このループ部７ａはガイドロッド５に沿って上下動自在である。なお、連結帯７の先端にリングを取り付け、このリングをガイドロッド５に嵌挿してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図１の通り、このカーテンエアバッグ１は、該車室側面と車室内とにそれぞれ臨む２面を構成するほぼ同一形状の２枚のシート１１，１１を重ね合わせ、これらシート１１，１１同士を線状結合部１２〜１８及び環状結合部２１〜２８によって結合することにより、上下方向室３１〜３５、袋室４１〜４４及び横方向室５１，５２並びに非膨張部６１，６２を形成したものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
線状結合部１３とカーテンエアバッグ前部側の周回線状結合部１２との間に上下方向室３１が形成されている。この上下方向室３１の上部はガス導入口１ｂに連通し、下部は袋室４１と次に説明する上下方向室３２の下部に連通している。上下方向室３１の下部付近の膨張厚みが過大とならないように規制するために、上下方向室３１の下部に環状結合部２１が設けられている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
この形態では、接着剤として弾性接着剤３ｅを用いているので、締付部材３ｄの締め付け時に弾性接着剤３ｅが展延し、空隙部が十分に気密にシールされる。なお、弾性接着剤としてはシリコン系弾性接着剤など各種の市販のものを用いることができるが、耐熱性、耐候性に優れたものが好適である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005178612.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月6日(2006.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
一方の半円筒部(2A)の他側縁近傍に形成された係合部が、先端に係合爪(411)を有する係合凸部(41)よりなり、他方の半円筒部(2B)の他側縁近傍に形成された係合部が、孔縁部(421)に係合爪(411)が係り止められる係合孔(42)よりなり、一方の半円筒部(2A)の一側縁近傍に、結合すべき１本の紐(R)の両端部(R1)(R2)または２本の紐の一端部を係合凸部(41)と共同して保持しうる保持凸部(6)が形成されていることを特徴とする、請求項２〜４のいずれか１つに記載の紐結合具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
針状突起として、上記のような第１針状突起と第２針状突起とを備えていれば、例えば、紐の端部どうしを結合する際、開口レベル付近まで達する第１の針状突起を有する一方の半円筒部の上に、紐の端部を配置しておいてから、両半円筒部どうしを重ね合わせることができるので、結合作業が楽である。しかも、第１の針状突起と互い違いに配置された第２の針状突起が、他方の半円筒部の開口レベルを越えるような突出長さを有するものとなされているので、これらの第２針状突起によって、紐の端部を確実に刺し止めることができる。
また、針状突起として、第１針状突起および第２針状突起に加えて、上記のような第３針状突起を備えていれば、結合すべき紐が例えば弾性の大きいゴム紐であっても、第２針状突起に押されて一方の半円筒部の幅中央部分から一側縁側または他側縁側に逃げたゴム紐部分を第３針状突起によって刺し止めることができるので、紐の端部どうしの結合状態をより確実に維持しうる。
さらに、第４針状突起があれば、第２針状突起に押されて他方の半円筒部の幅中央部分から一側縁側または他側縁側に逃げたゴム紐部分を第４針状突起によって刺し止めることができるので、紐の端部どうしの結合状態を更に確実に維持しうる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
針状突起を上記のように構成する場合において、一方の半円筒部の他側縁近傍に形成された係合部が、先端に係合爪を有する係合凸部よりなり、他方の半円筒部の他側縁近傍に形成された係合部が、孔縁部に係合爪が係り止められる係合孔よりなり、一方の半円筒部の一側縁近傍に、結合すべき１本の紐の両端部または２本の紐の一端部を係合凸部と共同して保持しうる保持凸部が形成されているのが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
第１半円筒部(2A)の一側縁近傍には、結合すべき１本の紐(R)の両端部(R1)(R2)または２本の紐の一端部を係合凸部(41)と共同して保持しうる保持凸部(6)が形成されている。保持凸部(6)は、第１針状突起(31)および第３針状突起(33)を挟んで係合凸部(41)と左右に向かい合うように、第１半円筒部(2A)内面の一側縁近傍における図１の上下各部分に１つずつ、計２つ形成されている。保持凸部(6)の長さは、第１針状凸部(31)よりも長く、かつ係合凸部(41)よりも短いものとなされている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月8日(2006.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
なお、切り込み６は、図１に示したような連続的なものばかりでなく、ミシン目のような断続的なものでも、図８に示した先行技術１に記載の発明のように十字であってもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
【図１】包装用袋の正面図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【図３】台形形状の横縁と底辺との交角を切り落とした包装用袋の斜視図である。
【図４】切り込みの左右両端をＶ字状型に切断した包装用袋の正面図である。
【図５】実施例１の包装用袋の製造工程を示す図であり、図５（ａ）は切り込み６を形成した第１フィルム２ａ（３ａ）に第２フィルムを積層する工程を示す図、図５（ｂ）はフィルム２、３を重ね合わせる工程を示す図、図５（ｃ）は台形形状に熱シールする状態を示す図、図５（ｄ）は熱シール部の一部を所定形状に打ち抜いた状態を示す図５（ｃ）の一部拡大図である。
【図６】実施例２の包装用袋製造用フィルムの製造工程を示す図である。
【図７】実施例３の包装用袋製造用フィルムの製造工程を示す図である。
【図８】従来の包装用袋を示す図であり、図８（ａ）は、従来の包装用袋の正面図、図８（ｂ）はＢ−Ｂ線断面図である。
【図９】包装用袋にサンドイッチ等を収納した状態を示す斜視図である。
【図１０】包装用袋にサンドイッチ等を収納し包装した状態を示す斜視図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
１          サンドイッチ等の包装用袋
２、３      フィルム
２ａ、３ａ    第１フィルム
２ｂ、３ｂ    第２フィルム
４          縁辺のシール部
５          上辺のシール部
６          切り込み
７          開口部
８          切り落とし部
９          Ｖ字状型切断部
４０          外側フィルムの供給ロール
４１          切り込み具
４２、４７    ガイドロール
４３          Ｔダイ
４４、４４'  圧着ロール
４５          巻取ロール
４６          内側フィルムの供給ロール