【手続補正書】
【提出日】平成19年6月19日(2007.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基準プレート、露光装置およびデバイス製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  
基準マークパターンに観察光を照射し、そこで反射された光を検出することで前記基準マークパターンの位置を求めるために用いる、露光装置用の基準プレートであって、前記基準マークパターンは前記観察光に直接曝されない位置に設けられていることを特徴とする基準プレート。
【請求項２】  
前記基準マークパターンは、前記観察光を透過する基板上に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基準プレート。
【請求項３】  
前記基準マークパターンが、前記基板の、前記観察光が入射する側の面とは反対側の面に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の基準プレート。
【請求項４】  
前記基板の厚さは、前記基板の材質の前記観察光に対する屈折率をｎ、前記観察光の波長をλとすると、
ｎｄ＝λ／２×ｍ（ｍ＝１，２，３・・・）
を満足する厚さの近傍ｄであることを特徴とする請求項３に記載の基準プレート。
【請求項５】  
前記基準マークパターンが、前記基板の、前記観察光が入射する側の面に設けられ、該入射する側の面の上に、前記観察光を透過する別の基板か、前記観察光を透過する保護膜が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載のステージ基準プレート。
【請求項６】  
前記別の基板または前記保護膜の厚さは、前記別の基板または保護膜の材質の前記観察光に対する屈折率をｎ、前記観察光の波長をλとすると、
ｎｄ＝λ／２×ｍ（ｍ＝１，２，３・・・）
を満足する厚さｄの近傍であることを特徴とする請求項５に記載の基準プレート。
【請求項７】 
前記保護膜または前記基板がＳｉＯ2 からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の基準プレート。
【請求項８】 
前記基準マークパターンが、クロムまたはアルミニウムからなることを特徴とする請求項１〜７いずれか１項に記載の基準プレート。
【請求項９】 
マスクパターンをウエハに露光するための露光装置において、前記マスクを搭載するマスクステージ上に設けられるマスク基準プレートおよび前記ウエハを搭載するウエハステージ上に設けられるウエハ基準プレートとして請求項１〜８に記載の基準プレートを用いることを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
前記観察光として露光光と同一波長の光を用いて、前記基準マークパターンによるマスクステージおよびウエハステージの位置関係の計測を行うための観察顕微鏡を有することを特徴とする請求項９に記載の露光装置。
【請求項１１】 
前記露光の光源としてＡｒＦエキシマレーザまたはＦ2 エキシマレーザを使用することを特徴とする請求項９に記載の露光装置。
【請求項１２】
請求項９〜１１に記載の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記従来技術の課題を解決し、短波長の観察光を用いても高精度なマーク検出を安定して行える長寿命な基準プレート並びに該基準プレートを用いた露光装置およびデバイス製造方法を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明の基準プレートは、基準マークパターンに観察光を照射し、そこで反射された光を検出することで前記基準マークパターンの位置を求めるために用いる、露光装置用の基準プレートであって、前記基準マークパターンは前記観察光に直接曝されない位置に設けられていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに、前記基準マークパターンは、前記観察光を透過する基板上に設けられている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらに、基準マークパターンが、前記基板の、前記観察光が入射する側の面とは反対側の面に設けられている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
さらに、前記基板の厚さは、前記基板の材質の前記観察光に対する屈折率をｎ、前記観察光の波長をλとすると、ｎｄ＝λ／２×ｍ（ｍ＝１，２，３・・・）を満足する厚さの近傍ｄである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに、前記基準マークパターンが、前記基板の、前記観察光が入射する側の面に設けられ、該入射する側の面の上に、前記観察光を透過する別の基板か、前記観察光を透過する保護膜が設けられている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに、前記別の基板または前記保護膜の厚さは、前記別の基板または保護膜の材質の前記観察光に対する屈折率をｎ、前記観察光の波長をλとすると、
ｎｄ＝λ／２×ｍ（ｍ＝１，２，３・・・）を満足する厚さｄの近傍である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらに、前記保護膜または前記基板がＳｉＯ２
からなる。
さらに、前記基準マークパターンが、クロムまたはアルミニウムからなる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
さらに、本発明の露光装置は、マスクパターンをウエハに露光するための露光装置において、前記マスクを搭載するマスクステージ上に設けられるマスク基準プレートおよび前記ウエハを搭載するウエハステージ上に設けられるウエハ基準プレートとして前記基準プレートを用いる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
さらに、本発明の露光装置は、前記観察光として露光光と同一波長の光を用いて、前記基準マークパターンによるマスクステージおよびウエハステージの位置関係の計測を行うための観察顕微鏡を有することを特徴とする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
さらに、本発明の露光装置は、前記露光の光源としてＡｒＦエキシマレーザまたはＦ2 エキシマレーザを使用する。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
さらに、本発明のデバイス製造方法は、前記露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有することを特徴とする。