【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年4月16日(2008.4.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット基板（１５）に結合された少なくとも一の薄層を備えた積層構造を作製する方法において、
ａ）ガス種を初期基板（１）へ導入することによって薄層（７）を形成して、前記初期基板の残り（９）から膜（６）を分離する弱化層（５）を形成する段階を備え、前記薄層（７）は第１の接触面と称する自由面（８）を有するものであり、
ｂ）第１の接触面（８）を介在支持体（１０）の面（１１）に結合接触させる段階であって、得られる構造は後の初期基板の薄化と両立するものであるところの段階と、
ｃ）初期基板（１）において弱化層（５）で破面を行うのに好適な処理を行うことによって前記初期基板（１）を薄化し、第２の接触面と称する薄層の自由面（１４）であってかつ第１の接触面（８）の反対側の面である自由面を露出する段階と、
ｄ）ターゲット基板（１５）の面を第２の接触面（１４）の少なくとも一部に結合接触させる段階であって、得られる構造は後の介在支持体の全て又はその一部の除去と両立するものであるところの段階と、
ｅ）前記積層構造を得るために介在支持体（１０）の少なくとも一部を除去する段階と、を備え、
段階ｃ）において薄化中の結合欠陥を回避するために、段階ａ）において薄層（７）を形成することによって段階ｂ）において前記構造の両立性を得ることを特徴とする方法。
【請求項２】
ターゲット基板は薄層のための一時的な支持体に過ぎず、前記方法における前記段階は全て又はその一部を繰り返し、ターゲット基板は初期基板又は介在支持体として扱うことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記両立性は、薄層及び／又は前記薄層を形成する材料もしくは材料群の厚さに因るものであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
薄層が接触する介在支持体及び／又はターゲット基板の性質は、得られる構造の材料の相変化に関連する非両立性を回避するように選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
薄層が接触する介在支持体及び／又はターゲット基板の性質は、得られる構造における材料の非均一性に関連する非両立性を回避するように選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
薄層が接触する介在支持体及び／又はターゲット基板の性質は、介在支持体及び／又はターゲット基板と薄層間の熱膨張係数の差に関連する非両立性を回避するように選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
薄層及び／又は介在支持体及び／又はターゲット基板は、一又は二以上の接触面を有する少なくとも一の付加層を備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
段階ｄ）の前の付加層は、少なくとも一のコンポーネントの全て又はその一部を備えることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
付加層は、酸化物又は多結晶シリコン又はアモルファスシリコンから成ることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
段階ａ）及びｃ）は、薄層及び／又は介在支持体の第１の接触面のラフネスが第２の接触面及び／又はターゲット基板のラフネスより小さくなるように実施し、段階ｄ）における構造の両立性は、第２の接触面を薄層に結合接触させること、及び、介在支持体を除去することによって得られることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
段階ｂ）及び／又は段階ｄ）における前記両立性を可能とする、薄層の第１の接触面及び／又は第２の接触面の結合接触は、結合接触を可能とする処理を行って形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
結合接触のために用いられる処理は、単独のもの、又は、機械化学的及び／又はイオン研磨、薄層の第１の接触面と介在支持体もしくはターゲット基板との間への介在層の挿入、熱処理、及び、化学的処理と組み合わせたものが選択されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
段落ｂ）及び／又は段落ｄ）における結合接触は分子結合によって実現されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
薄層の第１の接触面の表面極性（この面の原子の性質に関連した極性）は第２の接触面の極性と異なっており、段落ｄ）における構造の両立性は、薄層の第２の接触面とターゲット基板とを結合接触されることによって得られ、薄層の第１の接触面は介在支持体の除去によって自由面となることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
段落ｄ）で実現される構造両立性は、薄層の第２の接触面を、段落ｅ）の後のターゲット基板の除去を可能とする結合エネルギーでターゲット基板に結合接触させることによって得られることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
段階ｃ）と段階ｄ）との間に実施される中間段階は、薄層の第２の接触面及び／又はターゲット基板に要素を形成することを備え、段階ｄ）の後に得られる構造は前記要素の存在と両立することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
段階ｄ）の前に実施する中間段階は、第２の接触面の少なくとも一の領域を孤立させるためのトリミング作業から成り、段落ｄ）はこれらの領域の少なくとも一の領域をターゲット基板に結合接触させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
段階ａ）は、少なくとも一の材料層（３）で被覆された基板（１）から始めて実施することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
段落ｅ）の後に、段階ａ）において基板（１）を被覆する材料層（３）を除去する段階を備えることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
初期基板（１）はシリコンから成り、それを被覆する材料層（３）は酸化シリコンから成ることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
介在支持体の少なくとも一部は、接触部を形成後の薄層を介して、又は、介在支持体を薄層の第１の接触面に接触させる前もしくは後の介在支持体の接触面を介してガス種を導入することによって除去し、ガス種のこの付加は介在支持体の全てもしくはその一部の除去を可能とする弱化層を形成することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
段階ｅ）の終了時に得られる積層構造は、第１の接触面側を薄化することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
単結晶シリコンから成る基板、単結晶シリコンから成る介在支持体、多結晶又は初期基板のシリコンより低質の単結晶シリコンから成るターゲット基板を用いることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
ＳｉＣもしくはＧａＡｓ初期基板、ＳｉＣもしくはＧａＡｓ介在支持体、初期基板材料より低質のＳｉＣもしくはＧａＡｓターゲット基板、初期基板を起源とするＳｉＣもしくはＧａＡｓを含む薄層を用いることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
薄層は、Ｓｉ、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＬｉＮｂＯ３、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、サファイア及び半導体から成る群から選択された材料の層であることを特徴とする請求項１に記載の方法。 
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
ＢＥＳＯＩとして公知の技術は、ガス種の注入による薄膜の分離を用いない。主要な特徴のうちの一つは、通常シリコンから成る単結晶層を支持する間、化学的（選択的）攻撃を可能とする結晶停止層を用いることである。この停止層は単結晶層若しくはエピタキシャル成長層である。それは、ドープシリコン層、薄膜の性質とは異なる性質を有する結晶材料のエピタキシーによって得られる層（例えば、ＳｉｘＧｅ１−ｘ）、シリコン基板の固体（バルク）部から形成された多孔性の単結晶シリコン層であってもよい。この技術は、停止層上に単結晶膜を堆積することが必要な場合には、アモルファス停止層を用いることはできる。これは、中間基板の使用についての情報は提供していない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
段階ｃ）における薄化若しくは段階ｅ）における除去では、初期基板若しくは開示支持体を除去することができるいかなる技術を使用することもできる。特に、分離、（ガス種の導入によって弱化した領域を形成することによる）破損、機械的及び／又は化学的攻撃。薄化及び除去の種類に依存して、基板及び支持体を再利用することが可能であってもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
一の好適な実施形態では：
−段階ａ）は、前記第１の接触面に対応する面のうちの一を介して初期基板にガス種を導入することを含むものであって、これは、前記膜を初期基板の残りから分離しかつ段階ｃ）の間に初期基板の破損につながる弱化（弱くなった）層を形成するためであり、
−段階ｃ）は、弱化層で初期基板において破損を得るために好適な処理を行うことを含む。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
一の実施形態では、介在支持体の少なくとも一部は、接触部（コンタクト）を形成後に薄層を介して、又は、薄層の第１の接触面と接触させる前若しくは後に介在支持体の接触面を介して、気体化合物の導入によって除去してもよく、このガス種の付加によって薄層の膜によって被覆され得る介在支持体の全て若しくは一部の除去を可能にする弱化層を形成する。この場合、介在支持体は例えば、新しい支持体として再利用される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
次の段階は、面２を通過し、従って図２で示した酸化層３を通過するガス種４によって初期基板１のイオン注入である。例えば、ガス種４は７５ｋｅＶのエネルギーで約６×１０１６原子／ｃｍ２のドーズ量で注入される水素イオンであってもよい。これによって、面２に平行な面に弱化層５を誘起する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
この代替では、介在基板は高品質シリコンから成ってもよい。それは、例えば、剥離技術を用いて、又は、ガス種を注入した後に分離することによって、又は、例えば、分離を可能とするためのかなり低い結合エネルギーに基づく段階ｂ）の後の技術によって、例えば、機械的若しくは気圧法等によって、それを被覆するのに好都合である。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
この代替の全ての場合では、高品質及び／又は高コストの初期基板、例えば、３００ｎｍ径シリコンは、例えば、段階ａ）においてガス種注入、及び、段階ｃ）で初期基板の残留部からの分離を用いて再被覆するのが好都合である。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７０】
［１−１０２］の方向を有する単結晶サファイアのウェハーで作製され、エピタキシャル品質を有する表面上が研磨された初期基板１の例を考えよう。初期基板１は、ガス種例えば、水素を注入する。酸化層がない場合、注入エネルギーは、例えば、２×１０１７原子数／ｃｍ２のドーズに対して６０ｋｅＶである。酸化層の存在下では、この酸化層の厚さを考慮して注入エネルギーを大きめにする。注入面（第１の接触面）の準備後、初期基板は介在支持体と分子結合することによって接触する。サファイア膜を弱化層で若しくはその近傍で分離する。