(57)【要約】  基板１の上に金属製リング２と金属製カバー３を備え、金属製リング２は半田によって基板１に固定され、金属製カバー３は金属製リング２に沿って溶接されており、送信キャビティ４と受信キャビティ５の間は通気孔１０となる一部を除いて溶接しており、その通気孔の位置は、キャビティサイズによる共振波長をλｇとすると、λｇ／４だけキャビティ中心からずらして構成した。これにより、電気的アイソレーションを確保したまま、耐湿性の低いマイクロ波集積回路を実装可能とする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板と、複数の空間を有する枠体形状を呈し前記誘電体基板上に接合されるリング部材と、該リング部材上に接合されるカバー部材によって複数のキャビティを画成し、これら複数のキャビティに送信用または受信用半導体デバイスをそれぞれ実装するようにした送受信装置において、
前記複数のキャビティ間をつなぐ通気孔を形成するとともに、λｇをキャビティサイズによる共振波長とすると、該通気孔をキャビティ中心から、略λｇ／４ずれた位置、または略ｎ×λｇ／２＋λｇ／４（ｎ：自然数）ずれた位置、または略λｇ／４ずれた位置から間隔λｇ／２おきの複数の位置に形成したことを特徴とする送受信装置。
【請求項２】
前記リング部材とカバー部材を接合する接合材が存在しない箇所を、前記キャビティ間をつなぐ箇所に、設けることにより前記通気孔を形成することを特徴とする請求項１に記載の送受信装置。
【請求項３】
前記接合材は、溶接用ろう材または導電性接着剤であることを特徴とする請求項１または２に記載の送受信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は主としてマイクロ波帯及びミリ波帯において用いる送受信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波帯、ミリ波帯などの高周波帯で動作する高周波半導体デバイスが搭載される高周波パッケージにおいては、その耐環境性と、動作安定性、腐食などを踏まえて、金属フレームなどにより気密でかつ電気的にシールドされたキャビティ内に搭載されることが多い。【０００３】
特許文献１には、制御信号線を誘電体多層基板内に配線し、この誘電体多層基板上に金属フレームを設け、金属フレーム内部にマイクロ波集積回路を実装することにより集積回路入出力アイソレーションを向上させ、また溶接加工により気密封止を可能とすることが開示されている。【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２０３２９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来技術では、電気的アイソレーションを確保するために、送信と受信のキャビティは空間的に独立した状態で構成されていた。このため、従来技術では、容積の小さいキャビティ側においては、水蒸気の飽和時間が短くなってしまうので、耐湿性の低いマイクロ波集積回路等を実装することは不可能であった。【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、電気的アイソレーションを確保したまま、耐湿性の低いマイクロ波集積回路を実装することを可能とする送受信装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、誘電体基板と、複数の空間を有する枠体形状を呈し前記誘電体基板上に接合されるリング部材と、該リング部材上に接合されるカバー部材によって複数のキャビティを画成し、これら複数のキャビティに送信用または受信用半導体デバイスをそれぞれ実装するようにした送受信装置において、前記複数のキャビティ間をつなぐ通気孔を形成するとともに、λｇをキャビティサイズによる共振波長とすると、該通気孔をキャビティ中心から、略λｇ／４ずれた位置、または略ｎ×λｇ／２＋λｇ／４（ｎ：自然数）ずれた位置、または略λｇ／４ずれた位置から間隔λｇ／２おきの複数の位置に形成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、複数のキャビティ間をつなぐ通気孔を形成するとともに、λｇをキャビティサイズによる共振波長とすると、該通気孔をキャビティ中心から、略λｇ／４ずれた位置、または略ｎ×λｇ／２＋λｇ／４（ｎ：自然数）ずれた位置、または略λｇ／４ずれた位置から間隔λｇ／２おきの複数の位置に形成したので、各キャビティ間の電気的アイソレーションを確保したまま、耐湿性の低いマイクロ波集積回路を実装することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、この発明の送受信装置の実施の形態１の構成を示す平面図である。
【図２】図２は、この発明の送受信装置の実施の形態１の構成を示す斜視図である。
【図３】図３は、通気孔の幅と漏れ込み量の関係を示す図である。
【図４】図４は、送信キャビティと受信キャビティとの間を通気孔で連通させた場合の共振波形を示す図である。
【図５】図５は、通気孔の高さＨ＝０．１ｍｍ、幅Ｂ＝１ｍｍのときにおける通気孔の位置と送受信アイショレーション特性の関係を示す図である。
【図６】図６は、通気孔の高さＨ＝０．０１ｍｍ、幅Ｂ＝１．８ｍｍのときにおける通気孔の位置と送受信アイショレーション特性の関係を示す図である。
【図７】図７は、送信キャビティ内の共振波を例示する図である。
【図８】図８は、送信キャビティの計算モデルを示す図である。
【図９】図９は、各辺方向のモード次数を適宜設定した場合の共振周波数を示す図である。
【図１０】図１０は、この発明の送受信装置の実施の形態２の構成を示す平面図である。
【図１１】図１１は、この発明の送受信装置の実施の形態３の構成を示す平面図である。
【図１２】図１２は、この発明の送受信装置の実施の形態４の構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００１０】
１  多層誘電体基板
２  リング部材
３  カバー
４  送信キャビティ
５  受信キャビティ
５ａ，５ｂ  受信キャビティ
８  溶接用ろう材（溶接箇所）
９  非溶接箇所（非溶接部）
１０，１０ａ，１０ｂ  通気孔
１２  キャビティ中心
１３  ろう材
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に、本発明にかかる送受信装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。【００１２】
実施の形態１．
図１は、本発明にかかる送受信装置の実施の形態１の構成を示す平面図であり、図２はその分解斜視図である。図１、２に示すように、この実施の形態１における送受信装置は、多層誘電体基板（以下基板という）１と、金属製のリング部材（シールリング）２と、蓋体としての金属製のカバー部材（以下カバーという）３で構成されている。基板１の表面には、接地導体層が形成され、またリング部材２およびカバー３は接地されている。リング部材２は、日の字型の枠体形状を呈しており、これにより、送信キャビティ４と受信キャビティ５の２つの部屋を画成している。送信キャビティ４内の基板１上には、送信用高周波半導体デバイス（ＭＭＩＣ）などが実装されており、受信キャビティ５内の基板１上には、受信用ＭＭＩＣ等が実装されている。この場合、送信キャビティ４が受信キャビティ５よりも半分以下の大きさで小さく設定されている。【００１３】
基板１とリング部材２の下部隅部はハンダや銀ろうなどのろう材（接合材）１３で固定しており、リング部材２の上面とカバー３は溶接用ろう材（接合材）８を用いて溶接により固定している。リング部材２およびカバー３の接合によって、基板１上に設けられた複数のＭＭＩＣ６，７は気密封止される。また、リング部材２およびカバー３は、基板１上に設けられた複数のＭＭＩＣ６，７から外部への不要放射をシールドする。すなわち、リング部材２およびカバー３によって、基板１の表層の一部および複数のＭＭＩＣ６，７を覆う電磁シールド部材を構成している。【００１４】
ここで、この実施の形態１においては、リング部材２とカバー３との溶接箇所８のうちの、送信キャビティ４と受信キャビティ５の間を画成する箇所の一部、すなわちリング部材のうちの送信キャビティ４と受信キャビティ５の間を画成するための枠体の上面の一部箇所と、その箇所に対応するカバー３の一部を溶接しないことにより、非溶接箇所９を設け、これにより送信キャビティ４と受信キャビティ５をつなぐ通気孔１０を設けている。【００１５】
この場合、前述したように、送信キャビティ４の容積が受信キャビティ５よりも半分以下の大きさで小さく設定されているので、通気孔１０を設けない場合は、送信キャビティ４の水蒸気の飽和時間が短くなってしまい、送信キャビティ４に耐湿性の低いＭＭＩＣ等を実装することは不可能であったが、本実施の形態１においては、通気孔１０を設けることにより、送信キャビティ４および受信キャビティ５の双方とも、もう一方のキャビティを合わせて１つの大きい容積のキャビティと考えることができるようにしている。すなわち、通気孔１０により両キャビティ４，５間を通気させて、送信キャビティ４の体積（容積）空間に受信キャビティ５の体積空間を加えて、送信キャビティ４の体積空間を擬似的に大きくしている。したがって、送信キャビティの水蒸気飽和量を大きくすることができ、容積の小さな送信キャビティ４にも耐湿性の低いＭＭＩＣ等を実装することが可能になる。【００１６】
しかし、この通気孔１０を設けたことにより、送信キャビティ４側の電波が受信キャビティ５に漏れて、あるいは受信キャビティ５側の電波が送信キャビティ４に漏れて、電気的なアイソレーションが劣化してしまうという問題がある。そこで、この実施の形態１においては、通気孔１０の位置をキャビティの中心１２からλｇ／４だけずれた位置に設定することで、送信キャビティ４および受信キャビティ５間がつながれていたとしても送信キャビティ４および受信キャビティ５間の電気的アイソレーションを確保するようにしている。ここで、λｇはキャビティサイズによる共振周波数の波長を示す。通気孔１０の寸法、配置位置などについては、後で詳述する。【００１７】
なお、上記では、両キャビティ間に容積差がある場合に本発明を適用するようにしたが、送信キャビティ４と受信キャビティ５が同じ体積である場合にも本発明を適用するようにしてもよい。すなわち、送信キャビティ４と受信キャビティ５が同じ体積である場合でも、キャビティ中心からλ/4だけずれた位置に通気孔１０を設けるようにすれば、電気的アイソレーションを確保したまま、両キャビティ４，５間の水蒸気飽和特性をできるだけ均等に近づける（すなわち、片方の条件が悪くならなくする）ことができるという効果がある。【００１８】
つぎに、通気孔（隙間）１０の孔幅Ｌ、孔高さＨについて考察する。通気孔１０の幅Ｌは、λｇ／２（λｇは、ＭＭＩＣの使用周波数５０ＧＨｚ〜１００ＧＨｚのミリ波帯で利用されるパッケージにおける、キャビティサイズによって決まる共振周波数の波長であって、共振周波数としては７０〜８０ＧＨｚ帯）より小さくし、例えば３λｇ／８以下が適切である（例えば、共振周波数λｇが７６〜７７ＧＨｚ帯の場合、λｇ／２＝２ｍｍであるので、３λｇ／８＝１．５ｍｍ以下が適切）。より好適には、通気孔１０の幅Ｌとしては、干渉抑圧（アイソレーション）効果や製造ばらつきや加工性などを考慮すると、λｇ／４程度の幅になるようにするのが最も適切である（例えば、共振周波数が７７ＧＨｚの場合、λｇ／２＝２ｍｍであるので、λｇ／４＝１ｍｍ程度が最も適切）。これは、導波管のカットオフ周波数を与えることが出来る通気孔の幅Ｌとして、λｇ／２以下が必要なことによる。但し、送信キャビティ４と受信キャビティ５の干渉を抑圧するために、通過損失量をかなり抑えることが好ましく、電磁解析を行った結果も考慮し、実際には３λｇ／８以下とするのが適切である。【００１９】
また、通気孔１０の孔高さＨ（隙間の高さ）は、０．００１〜０．１ｍｍ程度の場合、通過損失量を充分に抑えることができる。高さＨが０．１ｍｍよりも大きいと、単に非溶接部９を設けただけでは済まなくなり、リング部材２の上面に特別に通気孔用の溝を別個に設ける必要が生じる。この場合、生産性が悪くなるという欠点がある。ただし、生産性の低下を厭わなければ、リング部材２の上面に特別に通気孔用の溝を別個設けても良いが、それであっても通気孔１０の高さＨはλｇ／２よりも小さくする必要がある。通気孔の幅Ｌがλｇ／４程度であっても、送信キャビティ４と受信キャビティ５の空間が相互に連通するので、送信キャビティ４および受信キャビティ５が個別に隔離されている場合に比較して、水蒸気の飽和時間としては充分に長い時間を確保することができる。ただし、通気孔１０の幅Ｌや高さＨがλｇ／４よりも小さくなるにつれて、通気孔の通気性が次第に悪化するので、水蒸気飽和量の緩和効果が薄れない程度に、通気孔の幅と高さを設定すればよい。因みに、水の分子径は、０．０９５７２ｎｍ×２以下なので、これよりも大きい幅と高さにする必要がある。カバー（リッド）３をリング部材２に溶接後、通気孔１０の断面を計ったところ、その高さＨが１μｍ以上あることを確認した。この場合に、温度８０℃以上、湿度８０％以上の環境下において、耐湿性の低いＭＭＩＣが問題なく動作することが確認できた。【００２０】
図３に、送信キャビティ４と受信キャビティ５のアイソレーション特性を示す。図３において、縦軸は漏れこみ量（ｄＢ）、横軸は通気孔１０の幅Ｌを示す。通気孔１０の高さとしては、０．０１ｍｍ、０．０５ｍｍ、０．１ｍｍを採用し、通気孔１０の設置位置としては、キャビティ中心１２からλｇ／４だけずれた位置を採用した。図３に示すように、通気孔１０の幅Ｌが２ｍｍよりも小さくなると、漏れこみ量が急激に減少し、幅Ｌが１ｍｍの場合は、２ｍｍの場合に比べて漏れこみ量をかなり落とすことができる。【００２１】
つぎに、通気孔（隙間）１０の配置位置について考察する。通気孔１０は、送信キャビティ４と受信キャビティ５の境界部において、キャビティ中央１２からのずれ位置を、λｇ／４程度（例えば、共振周波数が７７ＧＨｚの場合、λｇ／２＝２ｍｍであるので、１ｍｍ）にすれば、電磁解析結果において送受アイソレーションが一番低くなる（＝通過損失を一番低くできる）ことを確認した。図４に、送信キャビティ４、受信キャビティ５間を、通気孔１０で連通させた場合の共振波形を示す。図４においてモードの次数ｎ＝７（ｍ＋ｌ＋ｎ＝８）であり、共振波が７つとなる共振波形が見られる。この場合、電界最大点（腹）が７つとなる。同共振波形において、送信キャビティ４の中央位置で漏れこみが生じているのがわかる。これは、共振周波数の波長λｇに影響の高い周波数（例えば、共振周波数７７ＧＨｚに対し７６ＧＨｚ）において、送信キャビティのＴＥ１０ｎモード（ｎ次モード）に対応した振幅が突出してきたことを示す。すなわち、通気孔１０が中央位置の場合は帯域として漏れこみが大きいことがわかる。【００２２】
次に、中央位置からの通気孔１０のずれ位置Ｄが、０〜２．５ｍｍの間で、アイソレーション特性がどれだけ変化したかを、図５（通気孔１０の高さＨ＝０．１ｍｍ、幅Ｂ＝１ｍｍの例）、図６（通気孔１０の高さＨ＝０．０１ｍｍ、幅Ｂ＝１．８ｍｍの例）に示す。図５，図６において、縦軸は漏れこみ量、横軸はずれ位置Ｄを示す。図５、６からわかるように、中央位置で最も漏れが大きく、中央位置から１ｍｍ近辺までの間は漏れ量の変化が小さく、中央から１ｍｍ近辺の位置で漏れ量が減少し、特に１ｍｍ近辺（ｄ＝１．１８ｍｍ＝λｇ／４に相当）の位置で、送受アイソレーションが一番低くなることがわかる（中央位置よりも１０〜２０ｄＢ低減できる）。なお、幅Ｂを２ｍｍにした場合には、ずれ位置Ｄが０〜２ｍｍの間で特異点が発生し漏れ量が一時的に大きくなるところがあるが、７０〜８０ＧＨｚ帯全体で見ると、中央からλｇ／４のずれた位置が、漏れ量が最も小さい帯域となることが判明している。これは、キャビティ長に対しｎ次の共振モードが生じ、キャビティ中央が共振波形の腹に位置することにより、キャビティ中央位置で漏れが最も大きくなり、腹に対応する中央からλｇ／４ずれた位置で、漏れが最も小さくなるからである。すなわち、キャビティ共振によって生じる共振波の電界最大点（腹）からλｇ／４ずらした位置（言い換えると、電界最小点（節）の位置）に通気孔１０を設ければ、漏れ量が最も小さくなり、漏れ特性（アイソレーション特性）が良くなる。図７に送信キャビティ内の共振波形を例示する。【００２３】
図８に、送信キャビティ４の計算モデルを示す。送信キャビティ４の短手方向の長さをＡ、高さをＢ、長手方向の長さ（信号伝搬方向の長さ）をＣとしている。Ｃ0：光速（=2.98×108m/s）、Ｅr：比誘電率（=1.00）、Ｆ：信号周波数（Hz）とすると、
λ０＝Ｃ0×1000／Ｆ
λ１＝Ｃ0×1000／｛Ｆ・（Ｅr）1/2｝
λｇ＝λ１／｛１−（λ１／２・Ｃ）2｝1/2
より、長手方向の長さＣを１０〜２０ｍｍの間で適宜設定し、Ｆ＝７７ＧＨｚとすると、共振波長λｇ／２＝２ｍｍとなる。この結果を用いると、キャビティ中央（腹）から節の位置までずらす大きさλｇ／４は、１ｍｍとなる。【００２４】
また、実際の空間内の波長を次のように求めると、より正確に共振波長λｇを求めることができ、腹と節の位置を正確に設定することができる。下式（１）は、図８に示した直方体モデルの共振周波数を求めるための式であり、ここで、短手方向の長さＡ、高さＢを１〜５ｍｍ、長手方向の長さＣを１０〜２０ｍｍの間で適宜設定すると、下記式（１）を用いても、７６〜７７ＧＨｚ付近の周波数で共振するのは、図９よりｌ＝１、ｍ＝０、ｎ＝７となる。図９は、各辺方向のモード次数ｌ、ｍ、ｎを適宜設定した場合の固有の共振周波数ＴＥ（ｌ，ｍ，ｎ）を示すものである。【００２５】
【数１】
2007108262.tif 000003
Order：ｌ＋ｍ＋ｎ
なお、ｌは送信キャビティ４の短手方向のモード次数、ｍは送信キャビティ４の高さ方向のモード次数、ｎは送信キャビティ４の長手方向のモード次数である。【００２６】
よって、キャビティの長手方向（Ｃ方向）に共振波の数７個より、キャビティの長手方向の長さＣをモード次数７で割ると、共振波長λｇが求められる。この結果を用いると、キャビティ中央（腹）から節の位置までずらす長さλｇ／４は、約１ｍｍ（例えば、λｇ／４＝１．１８ｍｍ）にすれば良いことがわかる。【００２７】
このように実施の形態１によれば、送信キャビティ４と受信キャビティ５との間に、キャビティ中心１２からλｇ／４の位置に通気孔１０を設けるようにしているので、送信キャビティ４と受信キャビティ５との間の電気的アイソレーションを確保したまま、容積の小さな送信キャビティ４の容積を擬似的に増大させ、これにより送信キャビティ４の水蒸気飽和量を大きくすることができ、容積の小さな送信キャビティ４にも耐湿性の低い高周波半導体デバイス等を実装することが可能になる。【００２８】
なお、上記では、基板１とリング部材２はハンダなどのろう材１３で固定としたが、ろう材１３に変えて導電性接着剤を採用し、基板１とリング部材２とを導電性接着剤で固定するようにしてもよい。また、上記では、リング部材２とカバー３とは溶接用ろう材８で固定したが、溶接用ろう材８に変えて導電性接着剤を採用し、リング部材２とカバー３とを導電性接着剤で固定するようにしてもよい。この導電性接着剤を採用する場合も、送信キャビティ４と受信キャビティ５との間の境界部における、キャビティ中心１２から略λｇ／４の位置に、導電性接着剤の非付着箇所を設けるようにして通気孔１０を形成する。また、キャビティサイズによっては、キャビティ中央が共振波形の節に位置することもある。この場合は、通気孔１０を中央に設ける（中央からのずれ量０）としても良い。【００２９】
実施の形態２．
図１０は、本発明にかかる送受信装置の実施の形態２の構成を示す平面図である。実施の形態１においては、通気孔１０をキャビティの中心１２からλ／４だけずれた位置に配設するようにしたが、この実施の形態２においては、図１０に示すように、（ｎ×λｇ／２）＋λｇ／４（ｎ：自然数）だけずれた位置に通気孔１０を設ける。すなわち、前述したように、共振波形は、λｇ／２間隔で電界最大点（腹）が生じるので、この実施の形態２においては、キャビティ中央１２から（λｇ／４）＋（λｇ／２）×ｎの位置に通気孔１０を設置するようにしている。【００３０】
このように実施の形態２においては、送信キャビティ４と受信キャビティ５との間に、キャビティ中心１２から（λｇ／４）＋（λｇ／２）×ｎの位置に通気孔１０を設けるようにしているので、送信キャビティ４と受信キャビティ５との間の電気的アイソレーションを確保したまま、容積の小さな送信キャビティ４の容積を擬似的に増大させ、これにより送信キャビティ４の水蒸気飽和量を大きくすることができ、容積の小さな送信キャビティ４にも耐湿性の低い高周波半導体デバイス等を実装することが可能になる。【００３１】
実施の形態３．
図１１は、本発明にかかる送受信装置の実施の形態３の構成を示す平面図である。実施の形態１においては、通気孔１０をキャビティの中心１２からλ／４だけずれた位置に一カ所のみに配設するようにしたが、この実施の形態２においては、図１１に示すように、通気孔１０をキャビティ中心１２からλｇ／４だけずれた位置に１ヶ所設けていたが、この実施の形態においては、通気孔がキャビティの中心からλｇ／４だけずれた位置からλｇ／２おきに複数個設けるようにしている。【００３２】
このように実施の形態３においては、送信キャビティ４と受信キャビティ５との間に、キャビティ中心１２からλｇ／４だけずれた位置からλｇ／２おきに複数個の通気孔１０を設けるようにしているので、送信キャビティ４と受信キャビティ５との間の電気的アイソレーションを確保したまま、容積の小さな送信キャビティ４の容積を擬似的に増大させ、これにより送信キャビティ４の水蒸気飽和量を大きくすることができ、容積の小さな送信キャビティ４にも耐湿性の低い高周波半導体デバイス等を実装することが可能になる。【００３３】
実施の形態４．
図１２は、本発明にかかる送受信装置の実施の形態４の構成を示す平面図である。実施の形態１〜３においては、送信キャビティ４と受信キャビティ５との２つのキャビティがある場合を想定したが、実施の形態４においては、３個以上のキャビティがある場合を想定している。この場合は、１つの送信キャビティ４が中央に設置され、その両側に１個ずつ２個の受信キャビティ５ａ，５ｂが設置されているものとする。送信キャビティ４と受信キャビティ５ａの間には、前述と同様の通気孔１０ａが形成され、送信キャビティ４と受信キャビティ５ｂの間には、前述と同様の通気孔１０ｂが形成されている。これら通気孔１０ａ,１０ｂは、実施の形態１と同様、キャビティの中心１２からλｇ／４だけずれた位置に配設される。【００３４】
このように実施の形態４においては、３個以上のキャビティ間に、キャビティ中心１２からλｇ／４だけずれた位置に通気孔１０をそれぞれ設けるようにしているので、各キャビティ間の電気的アイソレーションを確保したまま、容積の小さなキャビティの容積を擬似的に増大させ、これにより容積の小さなキャビティの水蒸気飽和量を大きくすることができ、容積の小さなキャビティにも耐湿性の低い高周波半導体デバイス等を実装することが可能になる。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
以上のように、本発明にかかる送受信装置は、マイクロ波帯及びミリ波帯において用いる送受信装置に有用である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2007108262.tif 000012
【図１０】
2007108262.tif 000013
【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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2007108262.tif 000017
2007108262.tif 000018
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