Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月9日(2008.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータシステムであって、
並列通信バスを介して第２のデバイスと動作可能に通信する第１のデバイスを含み、前記第１のデバイスは、第１の割り込みメッセージを、前記並列通信バスを介して前記第２のデバイスに伝送するように構成されており、前記第１の割り込みメッセージは、前記第１のデバイスを特定する第１の識別子を持つ複数のビットを有するデータ部分を有するコンピュータシステム。
【請求項２】
前記並列通信バスに動作可能に結合されている第３のデバイスをさらに含み、前記第３のデバイスは、前記第２のデバイスに前記並列通信バスを介して第２の割り込みメッセージを伝送するように構成されており、前記第２の割り込みメッセージは、前記第３のデバイスを特定する第２の識別子を持つ複数のビットを有するデータ部分を有する請求項１記載のコンピュータシステム。
【請求項３】
前記並列通信バスに動作可能に結合されている第３のデバイスをさらに含み、前記第１のデバイスは、前記第３のデバイスに前記並列通信バスを介して第２の割り込みメッセージを伝送するように構成されており、前記第２の割り込みメッセージは、前記第１のデバイスを特定する第２の識別子を持つ複数のビットを有するデータ部分を有する請求項１記載のコンピュータシステム。
【請求項４】
前記第１の割り込みメッセージの前記データ部分は、実行すべき前記第２のデバイスのためのタスクを特定する割り込みコマンドをさらに含み、
前記第２のデバイスは、前記第１の割り込みメッセージを受信し、前記第１の識別子に関連付けられた少なくとも１つのタスクを実行するように構成された請求項１記載のコンピュータシステム。
【請求項５】
前記第１のデバイスは、前記第２のデバイスに前記並列通信バスを介して前記第１の割り込みメッセージを書き込み、
前記第１の割り込みメッセージは、前記第１の割り込みメッセージに関連付けられていない他のタスクを実行することを停止するように前記第２のデバイスを誘導する請求項１記載のコンピュータシステム。
【請求項６】
前記第２のデバイスは、ブリッジ通信デバイスと、プロセッサと、割り込みハンドラデバイスと、前記ブリッジ通信デバイス、前記プロセッサ、および前記割り込みハンドラデバイスに動作可能に結合された内部バスとを含み、前記ブリッジ通信デバイスは、前記第１の割り込みメッセージを受信し、前記割り込みハンドラデバイスに前記第１の割り込みメッセージを伝送する請求項１記載のコンピュータシステム。
【請求項７】
前記割り込みハンドラデバイスは、前記第１の割り込みメッセージを受信して前記第１の割り込みメッセージをメモリの第１のメモリ位置に記憶し、前記割り込みハンドラデバイスは、前記第１の割り込みメッセージが前記メモリに記憶されていることを示す第１の信号を前記プロセッサに伝送し、前記プロセッサは、前記第１の信号に応答して前記第１のメモリ位置から前記第１の割り込みメッセージを取り出し、
前記プロセッサは、前記第１の割り込みメッセージを読み取った後で前記第１の割り込みメッセージに関連付けられた少なくとも１つのタスクを実行する請求項６記載のコンピュータシステム。
【請求項８】
前記割り込みハンドラデバイスは、前記第１割り込みメッセージを受信して前記第１割り込みメッセージをメモリの第１のメモリ位置に記憶し、前記割り込みハンドラデバイスは、受信された割り込みのタイプを示す複数の信号の１つをプロセッサに伝送し、前記プロセッサは前記複数の信号の前記１つに応答して前記第１のメモリ位置から前記第１の割り込みメッセージを取り出し、
前記プロセッサは、前記第１の割り込みメッセージを取り出した後で前記第１の割り込みメッセージに関連付けられた少なくとも１つのタスクを実行する請求項６記載のコンピュータシステム。
【請求項９】
並列通信バスを介して割り込みメッセージを伝送する方法であって、
第１のデバイスから前記並列通信バスを介して第１の割り込みメッセージを伝送することを含み、前記第１の割り込みメッセージは、前記第１のデバイスを特定するための第１の識別子を持つ複数のビットを有するデータ部分を有し、さらに
前記通信バスに動作可能に結合された第２のデバイスで前記第１の割り込みメッセージを受信することを含み、前記第２のデバイスは、メモリの第１のメモリ位置に前記第１の割り込みメッセージを記憶する、方法。
【請求項１０】
製品であって、
少なくとも１つの割り込みメッセージを、並列通信バスを介して伝送するために内部で符号化されたコンピュータプログラムを有するコンピュータ記憶媒体を含み、前記コンピュータ記憶媒体は、
第１のデバイスから前記並列通信バスを介して第１の割り込みメッセージを伝送するコードであって、前記第１の割り込みメッセージは、前記第１のデバイスを特定する第１の識別子を持つ複数のビットを有するデータ部分を有するコードと、
前記通信バスに動作可能に結合された第２のデバイスで前記第１の割り込みメッセージを受信するコードであって、前記第２のデバイスは、メモリの第１のメモリ位置に前記第１の割り込みメッセージを記憶するコードとを含む、製品。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月13日(2008.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１０ＧＨｚの周波数でデータを伝送するためのケーブルであって、導電体および前記導電体を被覆する絶縁体を含み、前記絶縁体が、テトラフルオロエチレン、および約２．８〜５．３のＨＦＰＩに相当する量のヘキサフルオロプロピレンを含む部分結晶性コポリマーを含み、前記コポリマーは、実質的にアルカリ金属塩を含有せず、約３０±３ｇ／１０分の範囲のメルトフローレートを有し、１０６個の炭素原子に対し約５０個以下の不安定な末端基を有しており、前記コポリマーが、１０ＧＨｚで０．０００２５以下の損失係数を示すことを特徴とするケーブル。
【請求項２】
導電体および前記導電体を被覆する絶縁体を含むケーブルにより少なくとも１０ＧＨｚの周波数でデータを伝送する方法であって、テトラフルオロエチレン、および約２．８〜５．３のＨＦＰＩに相当する量のヘキサフルオロプロピレンを含む部分結晶性コポリマーから前記絶縁体を生成する工程を含み、前記コポリマーは、実質的にアルカリ金属塩を含有せず、約３０±３ｇ／１０分の範囲のメルトフローレートを有し、１０６個の炭素原子に対し約５０個以下の不安定な末端基を有しており、前記コポリマーが、１０ＧＨｚで０．０００２５以下の損失係数を示すことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
電気的性質の驚くべき改良がさらに発見された。本発明で使用されるＴＦＥ／ＨＦＰコポリマーで絶縁した導電体でのキャパシタンス計測において、実際、絶縁体は発泡されていない、すなわち中実ポリマーである時、あたかも絶縁体が発泡質であるかのようにキャパシタンスが減少することが明らかになった。
本発明は、以下の態様を包含する。
[１]少なくとも１０ＧＨｚの周波数でデータを伝送するためのケーブルであって、導電体および上記導電体を被覆する絶縁体を含み、上記絶縁体が、テトラフルオロエチレン、および約２．８〜５．３のＨＦＰＩに相当する量のヘキサフルオロプロピレンを含む部分結晶性コポリマーを含み、上記コポリマーは、実質的にアルカリ金属塩を含有せず、約３０±３ｇ／１０分の範囲のメルトフローレートを有し、１０６個の炭素原子に対し約５０個以下の不安定な末端基を有しており、上記コポリマーが、１０ＧＨｚで０．０００２５以下の損失係数を示すことを特徴とするケーブル。
[２]上記絶縁体の厚さが９ミル（０．２３ｍｍ）未満である[１]に記載のケーブル。
[３]上記絶縁体が中実である[１]に記載のケーブル。
[４]上記絶縁体が発泡質である[１]に記載のケーブル。
[５]上記ケーブルが同軸ケーブルである[４]に記載のケーブル。
[６]導電体および上記導電体を被覆する絶縁体を含むケーブルにより少なくとも１０ＧＨｚの周波数でデータを伝送する方法であって、テトラフルオロエチレン、および約２．８〜５．３のＨＦＰＩに相当する量のヘキサフルオロプロピレンを含む部分結晶性コポリマーから上記絶縁体を生成する工程を含み、上記コポリマーは、実質的にアルカリ金属塩を含有せず、約３０±３ｇ／１０分の範囲のメルトフローレートを有し、１０６個の炭素原子に対し約５０個以下の不安定な末端基を有しており、上記コポリマーが、１０ＧＨｚで０．０００２５以下の損失係数を示す方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月15日(2008.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子システムにおいてプロセッサと論理装置間でデータ通信をする方法であって、
前記プロセッサでデータを生成するステップと、
前記プロセッサからデータを共有記憶装置の第１のポートに供給するステップと、
前記共有記憶装置の第２のポートから前記データを前記論理装置内へ読み出すステップと、
前記データを前記論理装置で処理するステップと、
からなる方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、更に、
結果を前記論理装置で生成するステップと、
前記論理装置から結果を共有記憶装置の第１のポートに供給するステップと、
前記共有記憶装置の第２のポートから前記結果を前記プロセッサ内へ読み出すステップと、
前記結果を前記プロセッサで処理するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、
前記プロセッサでデータを生成するステップが、第１のデータを記憶された命令に基づいて前記プロセッサで処理することからなり、
前記データを前記論理装置で処理するステップが、他のデータを前記論理装置のハードウエア構成に基づいて前記論理装置で処理することからなる、
ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月24日(2008.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）領域およびバルク・シリコン領域を含むデバイス内にシリコン・トレンチ分離部（ＳＴＩ）を形成する方法であって、
ＳＴＩマスクを使用して最上のシリコン層をエッチングするステップと、
バルク・シリコン領域の所望の深さまでエッチングし且つＳＯＩ領域の埋め込み絶縁体で停止する時限エッチングを実行するステップと、
ＳＯＩ領域の前記埋め込み絶縁体を貫通してエッチングするステップと、
ＳＴＩを形成するためにＳＴＩ材料を堆積するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記バルク・シリコン領域の前記所望の深さが、前記ＳＯＩ領域のシリコン層および前記埋め込み絶縁体の厚さと少なくとも同じ厚さである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
さらに、ハードマスク層を堆積し、パターン化し、エッチングして前記ＳＴＩマスクを形成することによって、前記ＳＴＩマスクを形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ハードマスク層がテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ＳＴＩマスクのエッチング・ステップが、前記ハードマスク層と、任意の反射防止コーティング（ＡＲＣ）およびパッド層のうち少なくとも１つとを貫通してエッチングすることを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記時限エッチングのステップが、前記埋め込み絶縁体の材料に対して選択的であるエッチングレシピを使用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記時限エッチングのステップが、前記ＳＯＩ領域のシリコン層の下の窒化シリコンを除去する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記埋め込み絶縁体のエッチング・ステップが、前記ＳＴＩマスクを除去することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記埋め込み絶縁体のエッチング・ステップが、露出したシリコン、ポリシリコンおよび窒化シリコンのいずれもエッチングすることができないエッチングレシピを使用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
さらに、最上面の上の前記ＳＴＩ材料を除去するために研磨するステップと、パッド層を除去するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）領域とバルク・シリコン領域が混合したデバイスのシリコン・トレンチ分離部（ＳＴＩ）をエッチングする方法であって、
ＳＴＩマスクを使用して最上のシリコン層をエッチングするステップと、
バルク・シリコン領域の所望の深さまでエッチングし且つＳＯＩ領域の埋め込み絶縁体で停止する時限エッチングを実行するステップと、
ＳＯＩ領域の前記埋め込み絶縁体を貫通してエッチングするステップと、
を含む方法。
【請求項１２】
シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）領域およびバルク・シリコン領域を含む半導体デバイスであって、
ＳＯＩ領域のシリコン層および埋め込み絶縁体の厚さと実質的に等しい深さまで延在するシリコン・トレンチ分離部（ＳＴＩ）
を含む半導体デバイス。
【請求項１３】
前記ＳＴＩが、前記ＳＯＩ領域および前記バルク・シリコン領域内に実質的に等しい深さまで延在する、請求項１２に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記ＳＴＩデバイスが、前記ＳＯＩ領域のシリコン層および埋め込み絶縁体を貫通して延在する、請求項１２に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）領域およびバルク・シリコン領域を含むデバイス内にシリコン・トレンチ分離部（ＳＴＩ）を形成する方法であって、
ＳＴＩマスクを準備するステップと、
前記ＳＯＩ領域および前記バルク・シリコン領域内に前記ＳＴＩを同時に形成するステップと、
を含み、前記形成ステップが、
前記ＳＴＩマスクを使用して最上のシリコン層までエッチングするステップと、
前記バルク・シリコン領域の所望の深さまでエッチングし、前記ＳＯＩ領域の埋め込み絶縁体上で停止する時限エッチングを実行するステップと、
前記ＳＯＩ領域の前記埋め込み絶縁体を貫通してエッチングするステップと、
前記ＳＴＩを形成するためにＳＴＩ材料を堆積させるステップと
を含む、方法。
【請求項１６】
前記バルク・シリコン領域の前記所望の深さが、少なくとも前記ＳＯＩ領域のシリコン層および前記埋め込み絶縁体の厚さである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記時限エッチングのステップが、前記埋め込み絶縁体の材料に対して選択的であるエッチング方法を使用するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記時限エッチングのステップが、前記ＳＯＩ領域のシリコン層の下にある全ての窒化シリコンを除去する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記埋め込み絶縁体のエッチング・ステップが、露出したシリコン、ポリシリコン、および窒化シリコンのいずれもエッチングすることができないエッチングレシピを使用するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月13日(2008.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学−機械研磨組成物であって：
（ａ）アルミナ、セリア、ジルコニア、及びそれらの組合せからなる群から選択した０．０１質量％〜１質量％の砥材
（ｂ）Ｃｌ-、Ｂｒ-、及びＩ-からなる群から選択したアニオンを含む０．０５ｍＭ〜３０ｍＭのハロゲン化物塩、並びに
（ｃ）水、を含んでなり、
ここで９未満のｐＨを有する研磨組成物。
【請求項２】
研磨組成物が３〜８のｐＨを有する、請求項１に記載された化学−機械研磨組成物。
【請求項３】
砥材がアルミナ又はセリアである、請求項１に記載された化学−機械研磨組成物。
【請求項４】
砥材がセリアである、請求項３に記載された化学−機械研磨組成物。
【請求項５】
ハロゲン化物塩がアニオンＩ-を有する、請求項４に記載された化学−機械研磨組成物。
【請求項６】
ハロゲン化物塩がＬｉ+、Ｎａ+、Ｋ+、Ｍｇ2+、Ｃａ2+、Ｓｒ2+、Ｂａ2+、Ｆｅ2+、ＮＨ4+、及びＣ5Ｈ5ＮＨ+からなる群から選択したカチオンを有する、請求項５に記載された化学−機械研磨組成物。
【請求項７】
ハロゲン化物塩がＫＩである、請求項６に記載された化学−機械研磨組成物。
【請求項８】
さらに有機カルボン酸を含んでなる、請求項７に記載された研磨組成物。
【請求項９】
ハロゲン化物塩がアニオンＩ-を有する、請求項１に記載された化学−機械研磨組成物。
【請求項１０】
ハロゲン化物塩がＬｉ+、Ｎａ+、Ｋ+、Ｍｇ2+、Ｃａ2+、Ｓｒ2+、Ｂａ2+、Ｆｅ2+、ＮＨ4+、及びＣ5Ｈ5ＮＨ+からなる群から選択したカチオンを有する、請求項１に記載された化学−機械研磨組成物。
【請求項１１】
ハロゲン化物塩がＫＩである、請求項１０に記載された化学−機械研磨組成物。
【請求項１２】
砥材が０．０１質量％〜０．５質量％の量で存在する、請求項１に記載された化学−機械研磨組成物。
【請求項１３】
ハロゲン化物塩が０．１ｍＭ〜１０ｍＭの濃度で存在する、請求項１に記載された化学−機械研磨組成物。
【請求項１４】
さらに有機カルボン酸を含んでなる、請求項１に記載された化学−機械研磨組成物。
【請求項１５】
有機カルボン酸がモノカルボン酸及びジカルボン酸からなる群から選択される、請求項１４に記載された化学−機械研磨組成物。
【請求項１６】
有機カルボン酸がアミノカルボン酸である、請求項１５に記載された化学−機械研磨組成物。
【請求項１７】
化学−機械研磨の方法であって：
（ａ）基材を研磨パッドおよび請求項１〜１６のいずれかに記載された化学−機械研磨組成物と接触させること、
（ｂ）研磨パッドを基材と関連して動かし、それらの間には化学−機械研磨組成物を伴うこと、そして
（ｃ）基材を研磨するために少なくとも基材の一部を磨り減らす(abrading)こと、を含んでなる方法。
【請求項１８】
基材が二酸化珪素を含んでなる、請求項１７に記載された方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月4日(2008.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩｎＰ基板と、
ＩＩ−ＶＩ材料およびＩＩＩ−Ｖ材料の交互層、
とを含み、前記ＩＩ−Ｖｉ材料がＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＭｇＺｎＳｅ、ＢｅＺｎＴｅ及びＢｅＭｇＺｎＴｅからなる群より選択され、前記ＩＩ−ＶＩ材料およびＩＩＩ−Ｖ材料の交互層が１つ以上の分布ブラッグ反射器を形成している層状構造。
【請求項２】
前記ＩＩ−ＶＩ材料がＣｄxＺｎ1-xＳｅ（式中、ｘは０．４４〜０．５４である）を含む請求項１に記載の層状構造。
【請求項３】
前記ＩＩＩ−Ｖ材料がＩｎyＡｌ1-yＡｓ（式中、ｙは０．４４〜０．５２である）を含む請求項１又は２に記載の層状構造。
【請求項４】
各分布ブラッグ反射器が、前記ＩＩ−ＶＩ材料およびＩＩＩ−Ｖ材料を含む半導体材料の層を１５対以下含み、９５％以上の反射率を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の層状構造。
【請求項５】
ＩＩ−ＶＩ材料およびＩＩＩ−Ｖ材料の前記交互層が、エピタキシアル成長により製造されたものである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の層状構造。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月14日(2008.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱チャンバクリーニング処理の制御方法であって、
基板ホルダー、シャワーヘッド、シールド、リング、電極、又は、これらの組合せ、から選択されるシステム部品から材料堆積物を除去するために発熱チャンバクリーニング処理においてクリーニングガスに前記システム部品を晒すこと、
モニタされる前記システム部品に対する少なくとも１つの温度関連パラメータを選択すること、及び前記パラメータに対する閾値を設定すること、
前記晒している間に前記少なくとも１つの温度関連パラメータをモニタリングすることによって前記システム部品のクリーニング状態を決定すること、及び、前記モニタされた温度関連パラメータを前記閾値と比較すること、を含み、
前記決定された状態に基づいて、
（ａ）前記晒すこと及び前記モニタリングの継続、又は、（ｂ）前記チャンバクリーニング処理の停止、のうち１つを行う、方法。
【請求項２】
前記モニタされた温度関連パラメータは、前記システム部品の温度である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記システム部品への加熱出力、又は、冷却出力、又はこれらいずれもの出力、を印加することをさらに含み、
前記モニタされた温度関連パラメータは、前記加熱出力、又は、前記冷却出力、又は前記いずれもの出力である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記加熱出力を印加することには、抵抗ヒータ又はランプヒータを出力することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記冷却出力を印加することには、前記システム部品を冷却媒体に接触することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記晒すことには、ＣｌＦ３、Ｆ２、ＮＦ３、又は、ＨＦ、又はこれらの少なくとも２以上の混合物を含むクリーニングガスに、前記システム部品を晒すことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記クリーニングガスは、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ、及びＮ２、又はこれらの少なくとも２以上の混合物を含む不活性ガスをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記モニタリングすることには、少なくとも１つの温度関連パラメータにおける変化を検出することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記閾値は、
予め選択されたシステム部品温度を保持するために前記クリーニングガスに前記システム部品を晒すことの前に前記システム部品に印加された、前記加熱出力、又は、冷却出力、又は、これらいずれもの出力、を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項１０】
前記（ｂ）を行うことには、前記閾値に到達した後に前記チャンバクリーニング処理を停止することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記モニタリングすることには、２つ又はそれ以上の温度関連パラメータに対するモニタされた値を組み合わせることによって、調整されたシステム部品パラメータを演算すること、及び、２つ又はそれ以上の温度関連パラメータに対して予め選択された値を組み合わせることによって演算された調整された閾値と前記調整されたシステム部品パラメータとを比較すること、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
発熱チャンバクリーニング処理の制御方法であって、
予め選択された基板ホルダー温度を達成するために材料堆積物を上部に有する基板ホルダーに予め選択された基準で加熱出力を印加すること、
基板ホルダー上の材料堆積物とクリーニングガスとを反応させて材料堆積物を除去するために、予め選択された基板ホルダー温度で前記基板ホルダーをチャンバクリーニング処理中にクリーニングガスに晒すこと、を含み、前記反応中に熱が発生して、予め選択された基板ホルダー温度よりも上に基板ホルダーの温度が上昇し、
前記反応中に発生した熱を補償するために加熱出力を調整すること、
前記晒している間における少なくとも１つの基板ホルダー温度、又は、加熱出力をモニタリングすること、
前記基板ホルダーのモニタされた温度の少なくとも１つを前記予め選択された基板ホルダー温度と比較することによって、又は、モニタされた加熱出力を前記加熱出力における前記予め選択された基準と比較することによって、前記モニタリングから基板ホルダーのクリーニング状態を決定すること、
前記決定された状態に基づいて、
（ａ）前記晒すこと及び前記モニタリングの継続、又は、（ｂ）前記処理の停止、のうち１つを行う、方法。
【請求項１３】
前記モニタリングすることには、前記加熱出力及び前記基板ホルダーの温度のいずれをもモニタリングすることを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記処理を停止することは、前記モニタされた加熱出力が前記加熱出力の前記予め選択された基準に等しいことが前記決定によって示されるときに行う、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
予め選択された基板ホルダー温度を得るために予め選択された基準で前記基板ホルダーに冷却出力を印加すること、
反応中に生成された熱を補償するために冷却出力を調整すること、
前記チャンバクリーニング処理中に前記冷却出力をモニタリングすること、をさらに含み、
前記決定することには、前記モニタされた冷却出力を前記冷却出力の予め選択された基準と比較することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記処理を停止することは、前記モニタされた冷却出力が前記冷却出力の予め選択された基準に等しいことが前記決定により示されるときに行う、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
プロセッサによって実行するときに請求項１に記載の方法を処理システムに行わせる、プロセッサ上で実行するためのプログラム指令を含む、コンピュータ読込可能媒体。
【請求項１８】
前記セラミック基板ホルダーは、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＢａＯ、又は、ＬａＢ６、又は、これらの混合物、の少なくとも１つを含む、請求項１記載の方法。
【請求項１９】
前記材料堆積物は、シリコン含有堆積物、高誘電体堆積物、金属堆積物、金属酸化堆積物、金属窒化堆積物、の少なくとも１つを含む、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月5日(2008.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
従って、前記交流波形の半周期毎の振幅の変動に拘らず、半周期毎にほぼ同一のエネルギー量を供給する装置および方法があれば望ましい。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
【特許文献１】独国特許発明第４４０６３７１号明細書
【特許文献２】米国特許第号５，６９１，６２８明細書
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月19日(2008.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を発するためのアセンブリであって、
略１つの発光方向に光を発するために基体上に配列された無機発光ダイオード（ＬＥＤ）のアレイと；
前記ＬＥＤとともに配置される反射体のアレイであって、前記反射体は、反射シートの個別の部分を画定し、前記反射体はそれぞれのアパーチャーを有し、前記ＬＥＤのアレイのそれぞれのＬＥＤは、前記それぞれのアパーチャーから突出し、前記基体は、前記反射シートの第１の面に向かって配置され、前記ＬＥＤの発光面は、前記反射シートの第２の面である反射面に向かって配置される反射体のアレイと；
前記反射シートの前記第２の面上に配置されるスクリーン層であって、前記ＬＥＤからの前記光の少なくとも一部は、前記湾曲した反射体から反射した後で前記スクリーン層によって配向されるスクリーン層とを含む、アセンブリ。
【請求項２】
前記反射シートが、湾曲領域を有する表面を有する反射シート底面と、前記反射シート底面の前記湾曲領域上に配置された反射層とを含む、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記反射層が、交番する屈折率の複数のポリマー層を含む、請求項２に記載のアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月13日(2008.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導原理により食品および飲料の温度を維持するためのデバイスであって、該デバイスは、以下：
保管のために平面の面積を減少させるために、丸められるか、曲げられるか、または折り畳まれ得る、薄い加温マット（１０）であって、該加温マット上に食品および飲料用の誘導容器および他の型の容器が配置され得る、加温マット（１０）、ならびに
電源（４６）および該加温マット（１０）への接続のためのエネルギー変換器（１１）、
を備え、ここで該エネルギー変換器（１１）は、該電源からのエネルギーを誘導エネルギーに変換し、該加温マット（１０）は、以下：
−耐熱性の非金属材料製のプレート（２０）、
−該エネルギー変換器（１１）からの誘導エネルギーによって種々の磁場を生成するための、少なくとも１つの加温要素（２２）、
を備える、デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のデバイスであって、前記加温要素（２２）が、前記プレート（２０）に、鋳造されるか、溶融されるか、接着されるか、または他の方法では取り付けられる、デバイス。
【請求項３】
請求項１または２に記載のデバイスであって、前記プレート（２０）における前記耐熱性材料は、約１００℃の連続的温度および約１３０℃の最大の一過性温度に耐え得る、デバイス。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のデバイスであって、前記プレート（２０）における前記材料が可撓性であり、該プレート（２０）が保管のために丸められるか、曲げられるか、または折り畳まれることを可能にする、デバイス。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のデバイスであって、保管のために前記加温マット（１０）を折り畳むのを容易にするために、弱い部位（２４ａ、２４ｂ）が前記プレート（２０）に提供される、デバイス。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のデバイスであって、前記加温要素（２２）が、電導体（３０）の形態の誘導コイルおよび前記エネルギー変換器（１１）に接続された供給導体（３２）を備える、デバイス。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のデバイスであって、前記加温マット（１０）は、前記加温要素（２２）の下に配置された、フェライトまたは別の金属材料の層（１９）をさらに備える、デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月2日(2008.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ素子であって、
第１の書き込みビット線と、
同第１の書き込みビット線に対する相補ビット線である第２の書き込みビット線と、
同第１の書き込みビット線と第２の書き込みビット線とに結合しているメモリセル列と、
データ線と結合している入力および同データ線の値に依存してラッチされた値を供給する出力を有するラッチ回路であって、同出力は第１の書き込みビット線と結合して、メモリ素子の動作中、第１の書き込みビット線の値が前記出力により連続的に決定される前記ラッチ回路と、
メモリセル列と結合している、第１の読み出しビット線と、
第１の読み出しビット線に対する相補ビット線であって、メモリセル列と結合している第２の読み出しビット線と、
からなるメモリ素子。
【請求項２】
メモリ素子であって、
ビット線と、
同ビット線と結合しているメモリセル列と、
データ線と結合している入力および同データ線の値に依存してラッチされた値を供給する出力を有し、同出力は前記ビット線と結合しており、メモリ素子の動作中、前記ビット線の値が前記出力により連続的に決定される、ラッチ回路であって、同ラッチ回路は、クロック信号を受信する第２の入力を有し、ラッチの出力は、クロック信号の状態の変化によって決定される時間でのデータ線の値に依存して変化することと、
メモリセルに書き込み信号を搬送するためのメモリセル列のメモリセルに結合したワード線と、
書き込み信号を供給するためのワード線に結合している出力を有する、クロック信号を受信するための入力を備えるワード線生成回路であって、書き込み信号は、書き込み生成回路の入力で受信されるクロック信号の状態の変化によって決定される時間で状態を変化させることと、
書き込み生成回路によって受信されたクロック信号とラッチの第２の入力で受信されるクロック信号とが共通クロック信号から生成されることと、
からなるメモリ素子。
【請求項３】
メモリ素子であって、
書き込みビット線と、
同書き込みビット線と結合しているメモリセル列と、
前記メモリセル列と結合している読み出しビット線と、
データ線と結合している入力および同データ線の値に依存してラッチされた値を供給する出力を有し、同出力は前記ビット線と結合しており、メモリ素子の動作中、前記ビット線の値が前記出力により連続的に決定されるラッチ回路と、
同ラッチはクロス結合インバータ対を含み、同ラッチの出力は同インバータ対の第１のインバータの入力と、第２のインバータの出力とに結合しており、
同ラッチは更に第３のインバータを含み、同第３のインバータは、ラッチの出力に接続している出力と、前記インバータ対の第１のインバータの入力と、前記インバータ対の第２のインバータの出力と、に接続している入力を有している、メモリ素子。
【請求項４】
メモリ素子を動作する方法であって、
読み出しビット線と相補読み出しビット線を介して複数の読み出しを行い、書き込みビット線と相補書き込みビット線を介してメモリセル列のメモリセルに複数の書き込みを行い、読み出しビット線と相補読み出しビット線はメモリセル列に結合しており、書き込みビット線と相補書き込みビット線はメモリセル列に結合している工程と、
動作中、第１のラッチ出力と第２のラッチ出力とで、書き込みビット線と相補書き込みビット線の値をそれぞれ連続制御する工程と、
からなる方法。
【請求項５】
それぞれがメモリセル列に結合している複数の相補ビット線対と、
データ線と結合している入力および同データ線の値に依存して相補的にラッチされた値を供給する第１と第２の出力をそれぞれが有する複数のラッチ回路と、
同複数のラッチ回路の第１の出力は複数のビット線対のうちの第１のビット線に結合されて、同第１のビット線の値は、メモリ素子動作中に第１の出力によって連続的に決定され、第２の出力は複数のビット線対のうちの第２のビット線に結合されて、同第２のビット線の値は、メモリ素子動作中に第２の出力によって連続的に決定されることと、
前記ラッチはクロック信号を受信するための第２の入力を含み、ラッチの出力は、クロック信号の状態の変化によって決定される時間でのデータ線の値に依存して値を変化する、メモリ素子。
【請求項６】
第１の書き込みビット線と、
同第１の書き込みビット線への相補ビット線である第２の書き込みビット線と、
第１の書き込みビット線と第２の書き込みビット線とに結合しているメモリセル列と、
同メモリセル列に結合している読み出しビット線と、
データ線に結合している入力を有するラッチ回路であって、データ線の値に依存する第１のラッチされた値を供給する第１出力と、データ線の値に依存する第２のラッチされた値を供給する第２出力と、第１の出力は第１の書き込みビット線に結合して、メモリ素子の動作中に第１の出力の値が変化した場合に第１の書き込みビット線の値は変化し、第２の出力は第２の書き込みビット線に結合して、メモリ素子の動作中に第２の出力の値が変化した場合に第２の書き込みビット線の値は変化することと、
からなるメモリ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月24日(2008.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＮ接合を形成する半導体へテロ構造を備えたエレクトロルミネセント発光装置であって、
前記半導体へテロ構造は、ゲイン領域であって、その活性ゾーンからの誘導放出を含む光放出を発生させるように前記ＰＮ接合にバイアスをかけるコンタクト手段を備えたゲイン領域を含み、
前記半導体へテロ構造は、前記活性ゾーン内に、それぞれが複数の量子ドットを含む複数の量子ドット層、および
それぞれが前記量子ドット層の１つに隣接する複数の隣接層を備えており、
少なくとも２つの隣接層の材料組成または堆積パラメータが異なる、装置。
【請求項２】
前記複数の隣接層の隣接層材料はある材料系に属し、その材料組成は少なくとも１つのパラメータを含むパラメータ群によって記述され得、また前記パラメータ群のうちの少なくとも１つのパラメータは隣接層間で異なる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記材料系は元素Ｉｎ、ＧａおよびＡｓの３元系であり、前記隣接層材料はＩｎｘＧａ１−ｘＡｓであって、ｘは前記少なくとも１つのパラメータであり、また前記量子ドット層はＩｎＡｓ層である、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記量子ドット層はＩｎＡｓ層、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ層、ＩｎｘＡｌ１−ｘＡｓ層、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層またはＳｉｘＧｅ１−ｘ層である、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
少なくとも２つの隣接層は層厚さが異なりかつ同じ材料から形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
最も低い量子状態を飽和させるのに十分高い電流を注入してこれによりドット内のそれぞれ異なる量子状態からの放出を生じさせる電流注入手段を備えた、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記へテロ構造は強い屈折率ガイド型導波路を形成し、その内部へ前記活性ゾーンで生
成された光が放出される、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記へテロ構造は弱い屈折率ガイド型導波路を形成し、その内部へ前記活性ゾーンで生成された光が放出される、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記へテロ構造はゲインガイド型導波路を形成し、その内部へ前記活性ゾーンで生成された光が放出される、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記活性ゾーンは、複数のバリア層をもつ積層構造を備え、前記バリア層の対のそれぞれが１つの量子ドット層と１つの隣接層とを挟む、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記半導体へテロ構造は、第１のクラッド層と第２のクラッド層とを備え、前記積層構造は前記第１のクラッド層と前記第２のクラッド層との間に位置し、前記第１のクラッド層は第１の金属電極と電気的に接触し、前記第２のクラッド層は第２の金属電極と電気的に接触する、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
非レージング超発光ダイオードである、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
半導体光増幅器である、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
外部共振器半導体レーザであり、レーザ空胴共振器を画定する複数の反射素子をさらに備えており、前記半導体へテロ構造は、前記レーザ空胴共振器内に配置され前記レーザのゲイン素子として働く、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
半導体へテロ構造を備えたエレクトロルミネセント発光装置であって、前記半導体へテロ構造は、基板上に、第１のクラッド層および第２のクラッド層と、前記第１のクラッド層および第２のクラッド層の間に配置される発光アレンジメントとを含み、前記発光アレンジメントは、電流が注入されると電磁放射を光線経路へと放出し、前記発光アレンジメントは、複数の量子ドット層を備えた積層体を含み、各量子ドット層はバリア層とキャップ層とによって挟まれ、前記キャップ層のうちの少なくとも２つは異なる材料よりなる、装置。
【請求項１６】
前記量子ドット層はＩｎＡｓ層であり、前記キャップ層はＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ層であって、ｘは０＜ｘ＜１を満たすパラメータであり、かつ少なくとも２つのキャップ層のｘ値は異なる、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
半導体へテロ構造を備えた非レージング超発光ダイオードであって、前記半導体へテロ構造は、基板上に、第１のクラッド層および第２のクラッド層と、前記第１のクラッド層および第２のクラッド層の間に配置される発光アレンジメントとを含み、前記発光アレンジメントは、電流が注入されると電磁放射を前記へテロ構造によって形成される導波路へと放出し、前記発光アレンジメントは、複数の量子ドット層を備えた積層体を含み、各量子ドット層はバリア層とキャップ層とによって挟まれ、前記キャップ層のうちの少なくとも２つは異なる材料よりなるかまたは異なる厚さを有する、ダイオード。
【請求項１８】
前記導波路は、前記導波路を長さ方向に制限する２つの端面を備え、前記端面は長さ方向に対して垂直である、請求項１７に記載の超発光ダイオード。
【請求項１９】
吸収領域を備え、前記吸収領域内には前記ＰＮ接合がバイアスがないように配線されている、請求項１７に記載の超発光ダイオード。
【請求項２０】
半導体へテロ構造接合と導波路とを備えたエレクトロルミネセント発光装置を製造する方法であって、基板を提供するステップと、前記基板上に半導体へテロ構造および導波路構造の層を製造するステップと、前記半導体へテロ構造によって作られる前記半導体へテロ構造接合にバイアスをかけるための電極コンタクトを提供するステップとを備え、前記半導体へテロ構造を製造するステップは、バリア層を製造するステップと、その上に自己集合半導体材料の層を成長させ、それによって量子ドット層を形成するステップと、前記自己集合半導体材料とは異なる半導体材料の隣接層を前記量子ドット層上に成長させるステップと、前記バリア層、量子ドット層および隣接層をそれぞれ成長させるステップを繰り返すステップとを包含し、少なくとも２つの隣接層の材料組成または堆積パラメータは異なるように選択される、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月2日(2008.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ素子（１００，２００）の複数のスタックを含む発光デバイス（１０）であって、１つのスタックの１つの有機ＥＬ素子（１００）が同じスタックの別の有機ＥＬ素子（２００）の少なくとも一部分と重なっているとともに上記同じスタックの有機ＥＬ素子（１００，２００）が電気的に分離しており、各有機ＥＬ素子が、一対の電極（１２０，１４０）間に配置された有機ＥＬ材料（１３０）を含んでいて、１つのスタックの１つの有機ＥＬ素子（１００）が、隣接するスタック内の別の有機ＥＬ素子（１００）と電気的に直列に接続していることを特徴とする、発光デバイス（１０）。
【請求項２】
各有機ＥＬ素子（１００，２００）が異なる電圧（１１０，２１０）で活性化される、請求項１記載の発光デバイス（１０）。
【請求項３】
各有機ＥＬ素子（１００，２００）が異なる電流で活性化される、請求項１記載の発光デバイス（１０）。
【請求項４】
前記１つの有機ＥＬ素子（１００）の有機ＥＬ材料（１３０）が、前記別の有機ＥＬ素子（２００）の有機ＥＬ材料（２３０）と同一である、請求項１記載の発光デバイス（１０）。
【請求項５】
前記１つの有機ＥＬ素子（１００）の有機ＥＬ材料（１３０）が、前記別の有機ＥＬ素子（２００）の有機ＥＬ材料（２３０）と異なる、請求項１記載の発光デバイス（１０）。
【請求項６】
前記電極の１つが、インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛、インジウム亜鉛酸化物、亜鉛インジウムスズ酸化物、酸化アンチモン、カーボンナノチューブ、銀、金及びそれらの混合物からなる群から選択される材料を含む、請求項１記載の発光デバイス（１０）。
【請求項７】
前記電極の１つがカソードであって、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｓｃ、Ｙ、ランタニド系列の元素、それらの合金、それらの混合物、Ａｇ−Ｍｇ合金、Ａｌ−Ｌｉ合金、Ｉｎ−Ｍｇ合金、Ａｌ−Ｃａ合金、ＬｉＦ、ＫＦ及びＮａＦからなる群から選択される材料を含む、請求項１記載の発光デバイス（１０）。
【請求項８】
前記電極の１つが、カソードであり、かつインジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛、インジウム亜鉛酸化物、亜鉛インジウムスズ酸化物、酸化アンチモン、カーボンナノチューブ及びそれらの混合物からなる群から選択される材料を含む、請求項１記載の発光デバイス（１０）。
【請求項９】
前記カソードが、１ｎｍ〜１０ｎｍの厚さを有する層である、請求項８記載の発光デバイス（１０）。
【請求項１０】
発光デバイス（１０）の製造方法であって、
各々一対の電極（１２０，１４０；２２０，２４０）間に配置された有機ＥＬ材料（１３０,２３０）を含む複数の有機ＥＬ素子（１００，２００）を１つのスタックに、該スタックの１つの有機ＥＬ素子（１００）が同じスタックの別の有機ＥＬ素子（２００）の少なくとも一部分と重なるとともにこれらの有機ＥＬ素子（１００，２００）が電気的に分離するように配置し、
１つのスタックの１つの有機ＥＬ素子（１００）を、隣接するスタック内の別の有機ＥＬ素子（１００）と電気的に直列に接続する
ことを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月3日(2008.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱膨張係数を有し、金属マトリックス複合体ワイヤを含む長手方向コアと、
前記コアの熱膨張係数より大きな熱膨張係数を集合的に有する複数のワイヤであって、アルミニウムワイヤ、銅ワイヤ、アルミニウム合金ワイヤまたは銅合金ワイヤのうち少なくとも１つを含み、前記コア周囲に撚られている複数のワイヤと、
を含み、５ＭＰａ以下の応力パラメータを有するケーブル。
【請求項２】
前記ケーブルが３ＭＰａ以下の応力パラメータを有している、請求項１に記載のケーブル。
【請求項３】
前記ケーブルが０ＭＰａ〜５ＭＰａの応力パラメータを有している、請求項１に記載のケーブル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ケーブル
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月15日(2008.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱膨張係数を有し、かつ、アラミド、セラミック、ホウ素、ポリ（ｐ−フェニレン−２，６−ベンゾビスオキサゾール）、黒鉛、炭素、チタン、タングステン、または形状記憶合金の少なくとも１つを含む長手方向のコアと、
合せて前記コアの熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有する複数のワイヤであって、前記複数のワイヤが、アルミニウムワイヤ、銅ワイヤ、アルミニウム合金ワイヤ、または銅合金ワイヤの少なくとも１つを含み、前記複数のワイヤが、前記コアの周りに撚り合される、複数のワイヤとを
含むケーブルであって、
前記長手方向のコアが金属マトリックス複合ワイヤを含む場合、前記コアが、別個に、アラミド、セラミック、ホウ素、ポリ（ｐ−フェニレン−２，６−ベンゾビスオキサゾール）、黒鉛、炭素、チタン、タングステン、または形状記憶合金の少なくとも１つを含むという条件で、前記ケーブルが５ＭＰａ以下の応力パラメータを有する、ケーブル。
【請求項２】
前記コアが、ポリマーマトリックス内の、アラミド、セラミック、ホウ素、ポリ（ｐ−フェニレン−２，６−ベンゾビスオキサゾール）、黒鉛、炭素、チタン、タングステン、または形状記憶合金の少なくとも１つの連続繊維を含む複合体を含む、請求項１に記載のケーブル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
本発明のさまざまな変更および改変が、本発明の範囲および精神から逸脱することなく、当業者には明らかになるであろう。また、本発明は、ここに記載された例示的な実施形態に不当に限定されるべきではないことが理解されるべきである。
以下に、本願発明に関連する発明の実施形態について、列挙する。
実施形態１
熱膨張係数を有し、かつ、アラミド、セラミック、ホウ素、ポリ（ｐ−フェニレン−２，６−ベンゾビスオキサゾール）、黒鉛、炭素、チタン、タングステン、または形状記憶合金の少なくとも１つを含む長手方向のコアと、
合せて前記コアの熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有する複数のワイヤであって、前記複数のワイヤが、アルミニウムワイヤ、銅ワイヤ、アルミニウム合金ワイヤ、または銅合金ワイヤの少なくとも１つを含み、前記複数のワイヤが、前記コアの周りに撚り合される、複数のワイヤとを
含むケーブルであって、
前記長手方向のコアが金属マトリックス複合ワイヤを含む場合、前記コアが、別個に、アラミド、セラミック、ホウ素、ポリ（ｐ−フェニレン−２，６−ベンゾビスオキサゾール）、黒鉛、炭素、チタン、タングステン、または形状記憶合金の少なくとも１つを含むという条件で、前記ケーブルが２０ＭＰａ以下の応力パラメータを有する、ケーブル。
実施形態２
前記ケーブルが１５ＭＰａ以下の応力パラメータを有する、実施形態１に記載のケーブル。
実施形態３
前記ケーブルが１０ＭＰａ以下の応力パラメータを有する、実施形態１に記載のケーブル。
実施形態４
前記ケーブルが５ＭＰａ以下の応力パラメータを有する、実施形態１に記載のケーブル。
実施形態５
前記ケーブルが０ＭＰａから１５ＭＰａの範囲内の応力パラメータを有する、実施形態１に記載のケーブル。
実施形態６
前記ケーブルが０ＭＰａから１０ＭＰａの範囲内の応力パラメータを有する、実施形態１に記載のケーブル。
実施形態７
前記コアが、ポリマーマトリックス内の、アラミド、セラミック、ホウ素、ポリ（ｐ−フェニレン−２，６−ベンゾビスオキサゾール）、黒鉛、炭素、チタン、タングステン、または形状記憶合金の少なくとも１つの連続繊維を含む複合体を含む、実施形態１に記載のケーブル。
実施形態８
前記コアが、ポリマーマトリックス内の連続セラミックを含む複合体を含む、実施形態１に記載のケーブル。
実施形態９
前記ワイヤおよび前記コアが、連続しており、長さが少なくとも１５０メートルである、実施形態１に記載のケーブル。
実施形態１０
前記コアが、１ｍｍから１２ｍｍの直径を有するワイヤを含む、実施形態１に記載のケーブル。
実施形態１１
前記コアが、１ｍｍから４ｍｍの直径を有するワイヤを含む、実施形態１に記載のケーブル。
実施形態１２
前記コアのワイヤが、１０から１５０の撚り係数を有するように螺旋状に撚り合される、実施形態１に記載のケーブル。
実施形態１３
前記ワイヤが、形状が台形である、実施形態１に記載のケーブル。
実施形態１４
ケーブルを製造する方法であって、
複数のワイヤを長手方向のコアの周りに撚り合せて、予備的な撚り合されたケーブルを提供する工程であって、前記複数のワイヤが、アルミニウムワイヤ、銅ワイヤ、アルミニウム合金ワイヤ、または銅合金ワイヤの少なくとも１つを含み、前記コアが、アラミド、セラミック、ホウ素、ポリ（ｐ−フェニレン−２，６−ベンゾビスオキサゾール）、黒鉛、炭素、チタン、タングステン、または形状記憶合金の少なくとも１つを含む工程と、
前記予備的な撚り合されたケーブルを閉じダイにかけて、実施形態１に記載のケーブルを提供する工程であって、前記閉じダイが内径を有し、前記ケーブルが外径を有し、前記ダイ内径が前記ケーブル外径の１．００から１．０２倍の範囲内である工程とを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月15日(2008.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つのプロセッサおよび第１の比較器を有する第１の論理装置と、
少なくとも１つのプロセッサおよび第２の比較器を有する第２の論理装置と、
を含み、前記少なくとも２つのプロセッサのそれぞれが前記第１および第２の比較器のそれぞれに結合され、
前記第１および第２の比較器が分散型比較器システムとして動作し、
各比較器が前記プロセッサにおける故障を独立に識別する、
電子モジュール。
【請求項２】
前記第１および第２の比較器のそれぞれがソフトウエアで比較機能を実行する、
請求項１に記載の電子モジュール。
【請求項３】
前記第１および第２の比較器のそれぞれがハードウェア装置である、
請求項１に記載の電子モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月28日(2007.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維と、約−４０℃〜約０℃のガラス転移温度を有する高粘度ポリマー約１〜約１５重量％とを含んでなる繊維構造物。
【請求項２】
請求項１に記載の繊維構造物の１つもしくはそれ以上の層を含んでなる、物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
表５の固体接着剤による結果は、剛性が高くなると比較的低い重量分率において、より不十分な弾道貫通抵抗（より低いＶ50）につながることを確認する。また、かかる系は液体接着剤で加工された系よりも実質的に剛性であり、これは快適さを減少させる。
本発明の好適な実施態様は次のとおりである。
１．  繊維と、約−４０℃〜約０℃のガラス転移温度を有する高粘度ポリマー約１〜約１５重量％とを含んでなる繊維構造物。
２．  ポリマーが約２０，０００〜４００，０００の分子量を有する上記１に記載の繊維構造物。
３．  ポリマーが２０℃において約２×１０6〜約１０13ポアズの粘度を有する上記１に記載の繊維構造物。
４．  ポリマーがポリ（ビニルプロピオネート）、ポリ（ヘキシルメタクリレート）、ポリ（イソプロピルアクリレート）、およびエチレン／メチルアクリレートコポリマーよりなる群の１つから選択される上記１に記載の繊維構造物。
５．  繊維がポリオレフィン、ポリイミド、ポリエステル、ポリ（ビニルアルコール）、ポリベンゾイミダゾール、ポリピリドビスイミダゾール、ポリピリダゾール、ポリアレーンアゾール、およびポリアラミドよりなる群の１つから紡糸される上記１に記載の繊維構造物。
６．  編布、織布、一織構造物、一方向シート、多方向シート、不織層、および単繊維よりなる群から選択される形態にある上記１に記載の繊維構造物。
７．  ポリマーがポリビニルプロピオネートであり、繊維がポリアラミドである上記１に記載の繊維構造物。
８．  上記１に記載の繊維構造物の１つもしくはそれ以上の層を含んでなる、物品。
９．  ポリマーがポリ（ビニルプロピオネート）である上記８に記載の物品。
１０．  ポリマーがポリ（ヘキシルメタクリレート）である上記８に記載の物品。
１１．  ポリマーがポリエチレン／メチルアクリレートコポリマーである上記８に記載の物品。
１２．  繊維がポリピリドビスイミダゾールを含んでなる上記９〜１１のいずれか一項に記載の物品。
１３．  繊維がポリピリダゾールを含んでなる上記９〜１１のいずれか一項に記載の物品。
１４．  繊維がポリアレーンアゾールを含んでなる上記９〜１１のいずれか一項に記載の物品。
１５．  繊維がポリベンゾイミダゾールを含んでなる上記９〜１１のいずれか一項に記載の物品。
１６．  繊維がポリ（パラフェニレンテレフタルアミド）を含んでなる上記９〜１１のいずれか一項に記載の物品。
１７．  防護服である上記８に記載の物品。
１８．  加工層および未加工層の組合せを含んでなる防護服である上記８に記載の物品。