Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月28日(2006.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の圧縮比を持つディジタル画像データを記録再生可能な記録再生装置であって、シリアルデータを送信するための通信手段を具備し、
上記通信手段は、同期転送と非同期転送とが可能なシリアルバスに接続されていて、上記画像データの圧縮比情報と該圧縮比の画像データの再生予定時刻とを含む属性情報を発生させ、上記発生させた属性情報に従い上記シリアルバス上の送信帯域幅を変化させることを特徴とする記録再生装置。
【請求項２】
複数の圧縮比を持つディジタル画像データを記録再生可能な記録再生装置であって、シリアルデータを送受信するための通信手段を具備し、
上記通信手段は、同期転送と非同期転送とが可能なシリアルバスに接続されていて、上記画像データの圧縮比情報と上記圧縮比の画像データを再生する予定再生時間とを含む属性情報を発生させ、上記発生させた属性情報に従い上記シリアルバス上の送信帯域幅を変化させることを特徴とする記録再生装置。
【請求項３】
記録媒体上にデータを記録する記録手段と、上記記録媒体に記録されたデータを再生する再生手段と、上記記録媒体を識別するための識別手段と、上記記録媒体毎に該記録媒体の記録データに関連づけられた複数の属性情報を記憶するための記憶手段と、上記記憶手段に記憶された各属性情報を再生時に並べ換えるための並べ換え手段と、上記記録データを再生する再生時間情報を発生する再生時間情報発生手段と、シリアルデータを送受信するための通信手段とを具備し、上記記録手段は上記記録媒体上に画像データを記録するとともに、上記属性情報は該画像データの圧縮比情報を含み、
上記通信手段は、同期転送と非同期転送とが可能なシリアルバスに接続されていて、
上記並べ換え手段の出力と上記再生時間情報発生手段が発生した再生時間情報とに基づいて上記シリアルバス上の送信帯域幅を変化させることを特徴とする記録再生装置。
【請求項４】
記録媒体上に１からｎ（ｎは１以上の整数）の複数のデータを記録する記録手段と、上記記録媒体に記録されたデータを再生する再生手段と、上記記録媒体を識別するための識別手段と、上記１からｎの複数の記録データに関連づけられた１からｎの複数の属性情報を記憶するための記憶手段と、上記記憶手段に記憶された各属性情報を再生時に並べ換えるための並べ換え手段と、上記記録データを再生する際に上記属性情報と関連づけられた再生時間情報を発生する再生時間情報発生手段と、シリアルデータを送受信するための通信手段とを具備し、上記記録手段は記録媒体上に画像データを記録するとともに、上記属性情報は該画像データの圧縮比情報を含み、
上記通信手段は、同期転送と非同期転送とが可能なシリアルバスに接続されていて、上記並べ換え手段の出力と上記再生時間情報発生手段が発生した再生時間情報とに基づいて上記シリアルバス上の送信帯域幅を変化させることを特徴とする記録再生装置。
【請求項５】
記録媒体上にデータと該データに関連づけられた複数の属性情報とを記録する記録手段と、上記記録媒体に記録されたデータと該データに関連づけられた複数の属性情報とを再生する再生手段と、再生時に上記記録媒体に記録された上記属性情報を並べ換えるための並べ換え手段と、シリアルデータを送受信するための通信手段を具備し、上記記録手段は記録媒体上に画像データを記録するとともに、上記属性情報は該画像データの圧縮比情報を含み、
上記通信手段は、同期転送と非同期転送とが可能なシリアルバスに接続されていて、上記並べ変え手段の出力と上記圧縮比情報とに基づき送信帯域幅を変化させることを特徴とする記録再生装置。
【請求項６】
上記通信手段は、上記画像の圧縮比が高い時には上記シリアルバス上の送信帯域幅を減少するように変化させることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の記録再生装置。
【請求項７】
上記通信手段は、上記画像の圧縮比が低い時には上記シリアルバス上の送信帯域幅を増加させるように変化させることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の記録再生装置。
【請求項８】
上記通信手段が送信帯域幅を変化させる転送モードは同期転送であることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の記録再生装置。
【請求項９】
上記再生時間情報には、上記再生される記録データの予定再生時間が含まれることを特徴とする請求項３または４に記載の記録再生装置。
【請求項１０】
上記並べ換え手段は、上記再生手段が上記記録媒体上のデータを再生する順番と、該再生データに関連づけられた上記属性情報の順番とを同じにするように、上記属性情報を並べ換えることを特徴とする請求項３〜５の何れか１項に記載の記録再生装置。
【請求項１１】
上記並べ換え手段は、上記再生手段が上記記録媒体上の第ｍ番目の記録データ（ｍは１以上ｎ以下の整数）を再生する順番と、該再生データに関連づけられた第ｍ番目の上記属性情報の順番とを同じにするように、上記属性情報を並べ換えることを特徴とする請求項３〜５の何れか１項に記載の記録再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月16日(2006.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面と、裏面と、その主面上に形成された半導体素子および複数の電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップを樹脂封止する封止体と、
前記封止体の内部に配置されており、前記半導体チップと接続するチップ搭載部と、
前記チップ搭載部を支持する吊りリードと、
それぞれの一部が前記封止体の裏面の周縁部に露出しており、前記周縁部に並んで配置された複数のリードと、
前記半導体チップの前記複数の電極とこれに対応する前記複数のリードとをそれぞれ接続する複数のワイヤとを有し、
前記吊りリードにおける前記封止体の外周部に配置された端部は、前記封止体の裏面側において前記封止体によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、前記チップ搭載部のチップ搭載側と反対側の裏面に突出部が設けられ、前記突出部は前記封止体の裏面に露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、前記吊りリードのチップ搭載側と反対側の裏面に突出部が設けられ、前記突出部は前記封止体の裏面に露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、前記チップ搭載部のチップ搭載側と反対側の裏面の中央部に突出部が設けられており、前記吊りリードのチップ搭載側と反対側の裏面に突出部が設けられ、前記チップ搭載部および前記吊りリードそれぞれの前記突出部は前記封止体の裏面に露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置において、前記チップ搭載部のチップ搭載側と反対側の裏面に突出部が設けられており、前記吊りリードのチップ搭載側と反対側の裏面の前記半導体チップの角部に対応した箇所に突出部が設けられ、前記チップ搭載部および前記吊りリードそれぞれの前記突出部は前記封止体の裏面に露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置において、前記チップ搭載部のチップ搭載側と反対側の裏面に複数の突出部が設けられており、前記吊りリードのチップ搭載側と反対側の裏面に突出部が設けられ、前記チップ搭載部および前記吊りリードそれぞれの前記突出部は前記封止体の裏面に露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置において、前記チップ搭載部および前記吊りリードは、それぞれの突出部領域を除いてそれ以外の領域がハーフエッチング加工されて成ることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置において、前記吊りリードは、そのチップ搭載側と反対側の裏面が前記封止体によって覆われて前記封止体の裏面に露出していないことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置において、前記チップ搭載部の面積は前記半導体チップの面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
チップ搭載部と、前記チップ搭載部に連結された吊りリードと、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードとを有するリードフレームと、
複数の半導体素子及び複数の電極を有し、前記チップ搭載部上に配置された半導体チップと、
前記半導体チップの前記複数の電極と前記複数のリードとを電気的に接続する複数のワイヤと、
表面と、前記表面と反対側の裏面と、前記表面と前記裏面の間の側面とを有し、かつ、前記半導体チップ、前記チップ搭載部、前記複数のワイヤ及び前記複数のリードを封止する樹脂体とを有し、
前記複数のリードの各々の一端部が前記樹脂体の前記裏面から露出され、
前記複数のリード及び前記吊りリードは、前記樹脂体の前記側面において、前記リードフレームの切断により生じる切断面を有し、
前記吊りリードの切断面は、前記樹脂体の裏面に達していないことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置において、前記樹脂体の厚さ方向における前記吊りリードの切断面の長さは、前記樹脂体の厚さ方向における前記複数のリードの切断面の長さより短いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、ノンリード型の半導体装置の品質向上に適用して有効な技術に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の目的は、品質の向上を図る半導体装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明のその他の目的は、実装性の向上を図る半導体装置を提供することにある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月4日(2007.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下層配線と、前記下層配線の上方に絶縁層を介して配設される上層配線と、の電気的な接続を、前記下層配線に設けられた凸状部で行い、
前記凸状部は、柱状の導電性部材と、前記柱状の導電性部材の上層及び下層にそれぞれ形成され、かつ前記下層配線の全体に渡って形成された導電膜とで構成され、
前記上層配線は、前記凸状部が前記絶縁層より露出した部箇所で、前記下層配線と電気的に接続していること
を特徴とする半導体装置。
【請求項２】
コンタクトホールが形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された第１の配線と、前記第１の配線の上方に第２の絶縁膜を介して配設される第２の配線と有し、
第１の配線と第２の配線との電気的な接続を、前記第１配線に設けられた凸状部で行い、
前記コンタクトホールは、前記柱状の導電性部材と、同じ材料が充填され、かつ、
前記凸状部は、柱状の導電性部材と、前記柱状の導電性部材の上層及び下層にそれぞれ形成され、かつ前記下層配線の全体に渡って形成された導電膜とで構成され、
前記第２の配線は、前記凸状部が前記第２の絶縁膜より露出した部箇所で、前記第１の配線と電気的に接続していること
を特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記柱状の導電性部材は、アルミニウム、又はアルミニウムを主成分とする金属材料でなり、
前記柱状の導電性部材の上層及び下層に形成される前記導電膜は、チタン、タンタル、タングステンから選ばれた高融点金属、又は該高融点金属の窒化物から選ばれた一でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第１のマスクを形成し、エッチング処理により前記マスクを形成した位置の第１の導電膜に凸状部を形成し、
前記凸状部を覆って第２の導電膜と無機材料からなる第１のマスクを形成し、
前記第２の導電膜上に第２のマスクを形成し、前記第２の導電膜の一部を残存した状態でエッチング処理を止め、前記第２のマスクを除去し、
前記第１のマスクにより前記残存した第２の導電膜を除去すること
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
第１の絶縁膜のコンタクトホールを形成し、
前記第１の絶縁膜上及びコンタクトホールに第１の導電膜を形成し、
前記第１の絶縁膜における前記コンタクトホールによる凹部を前記第１の導電膜が充填するように加熱処理を行い、
前記第１の導電膜上に第１のマスクを形成し、前記第１の導電膜が前記コンタクトホールを充填している状態でエッチング処理を止め、
前記第１のマスクを形成した位置の第１の導電膜に凸状部を形成し、
前記凸状部を覆って第２の導電膜と無機材料でなる第２のマスクを形成し、
前記第２の導電膜上に第３のマスクを形成し、前記第２の導電膜の一部を残存した状態でエッチング処理を止め、前記第３のマスクを除去し、
前記第２のマスクにより前記残存した第２の導電膜を除去すること
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４又は５において、
前記第１の導電膜は、アルミニウム、又はアルミニウムを主成分とする金属材料でなる柱状の導電性部材と、
チタン、タンタル、タングステンから選ばれた高融点金属、又は該高融点金属の窒化物から選ばれた一でなる前記柱状の導電性部材の上層及び下層の導電膜と、を有するように形成すること
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月3日(2007.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細孔を有する多孔質膜を形成し、
前記多孔質膜上に導電性材料を含む組成物を吐出して導電層を形成し、前記細孔の一部に前記導電性材料を含む組成物を充填することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項２】
絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に細孔を有する多孔質膜を形成し、
前記多孔質膜上に導電性材料を含む組成物を吐出して導電層を形成し、前記細孔の一部に前記導電性材料を含む組成物を充填することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項３】
第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に細孔を有する多孔質膜を形成し、
前記多孔質膜上に導電性材料を含む組成物を吐出して導電層を形成し、前記細孔の一部に前記導電性材料を含む組成物を充填し、
前記多孔質膜及び前記導電層を覆う第２の絶縁層を形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記導電層をマスクとして前記多孔質膜をエッチングすることを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項５】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に細孔を有する多孔質膜を形成し、
前記多孔質膜に前記第１の導電層に達する開口部を形成し、
前記開口部に導電性材料を含む組成物を吐出して、前記細孔の一部に前記導電性材料を含む組成物を充填し、かつ、前記第１の導電層と接する第２の導電層を形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項６】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に細孔を有する多孔質膜を形成し、
前記絶縁層及び前記多孔質膜に前記第１の導電層に達する開口部を形成し、
前記開口部に導電性材料を含む組成物を吐出して、前記細孔の一部に前記導電性材料を含む組成物を充填し、かつ、前記第１の導電層と接する第２の導電層を形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記多孔質膜は、有機材料又は珪素と酸素との結合で骨格構造が形成された多孔質材料、多孔性有機樹脂材料または多孔質シリカ材料より形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項８】
請求項２または６において、
前記絶縁層は、珪素の酸化物材料又は窒化物材料で形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項９】
請求項３において、
前記第１の絶縁層または前記第２の絶縁層は、珪素の酸化物材料又は窒化物材料で形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記導電性材料を含む組成物は、銀、金、銅又はインジウム錫酸化物を含むことを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の導電層をゲート電極とした薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項５または６に記載の第２の導電層をソース配線またはドレイン配線とした薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
細孔を有する多孔質膜と、
前記多孔質膜上に接する導電層とを有し、
前記導電層は、導電性材料を含む組成物でなり、
前記導電性材料を含む組成物は、前記細孔の一部に充填されていることを特徴とする配線基板。
【請求項１４】
絶縁層と、
前記絶縁層上に細孔を有する多孔質膜と、
前記多孔質膜上に接する導電層とを有し、
前記導電層は、導電性材料を含む組成物でなり、
前記導電性材料を含む組成物は、前記細孔の一部に充填されていることを特徴とする配線基板。
【請求項１５】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に細孔を有する多孔質膜と、
前記多孔質膜上に接する導電層と、
前記多孔質膜及び前記導電層を覆う第２の絶縁層とを有し、
前記導電層は、導電性材料を含む組成物でなり、
前記導電性材料を含む組成物は、前記細孔の一部に充填されていることを特徴とする配線基板。
【請求項１６】
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に設けられた、前記第１の導電層に達する開口部を有し、かつ、細孔を有する多孔質膜と、
前記開口部において前記第１の導電層と接する第２の導電層とを有し、
前記第２の導電層は、導電性材料を含む組成物でなり、
前記導電性材料を含む組成物は、前記細孔の一部に充填されていることを特徴とする配線基板。
【請求項１７】
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に設けられた、前記第１の導電層に達する開口部を有する絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた、前記第１の導電層に達する開口部を有し、かつ、細孔を有する多孔質膜と、
前記開口部において前記第１の導電層と接する第２の導電層とを有し、
前記第２の導電層は、導電性材料を含む組成物でなり、
前記導電性材料を含む組成物は、前記細孔の一部に充填されていることを特徴とする配線基板。
【請求項１８】
請求項１３乃至１７のいずれか一項において、
前記多孔質膜は、有機材料又は珪素と酸素との結合で骨格構造が形成された多孔質材料、多孔性有機樹脂材料または多孔質シリカ材料からなることを特徴とする配線基板。
【請求項１９】
請求項１４または１７において、
前記絶縁層は、珪素の酸化物材料又は窒化物材料からなることを特徴とする配線基板。
【請求項２０】
請求項１５において、
前記第１の絶縁層または前記第２の絶縁層は、珪素の酸化物材料又は窒化物材料からなることを特徴とする配線基板。
【請求項２１】
請求項１３乃至２０のいずれか一項において、前記導電性材料を含む組成物は、銀、金、銅又はインジウム錫酸化物からなることを特徴とする配線基板。
【請求項２２】
請求項１３乃至１５のいずれか一項に記載の導電層をゲート電極とした薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】
請求項１６または１７に記載の第２の導電層をソース配線またはドレイン配線とした薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月12日(2007.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜に露光及び現像を行うことによってマスクパターンを形成し、
前記第２の絶縁膜をマスクとして、前記第１の絶縁膜をエッチングして開口部を形成し、
前記開口部の側面に、選択的に組成物を吐出して、バリア層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜に露光及び現像を行うことによってマスクパターンを形成し、
前記第２の絶縁膜をマスクとして、前記第１の絶縁膜をエッチングして開口部を形成し、
前記第２の絶縁膜を除去し、
前記開口部の側面に、選択的に組成物を吐出して、バリア層を形成し、
前記バリア層上に導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜に露光及び現像を行うことによってマスクパターンを形成し、
前記第２の絶縁膜をマスクとして、前記第１の絶縁膜をエッチングして開口部を形成し、
前記第２の絶縁膜を除去し、
前記開口部に組成物を吐出して、導電膜を形成し、
前記導電膜上に組成物を吐出して、バリア層を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、組成物を選択的に吐出して第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜をマスクとして、前記第１の絶縁膜をエッチングして、開口部を形成し、
前記開口部の側面に、選択的に組成物を吐出して、バリア層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、組成物を選択的に吐出して第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜をマスクとして、前記第１の絶縁膜をエッチングして、開口部を形成し、
前記第２の絶縁膜を除去し、
前記開口部に組成物を吐出して、導電膜を形成し、
前記導電膜上に組成物を吐出して、バリア層を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２、請求項３または請求項５において、
前記導電膜は、銀、金、銅またはインジウム錫酸化物を含む材料であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜に形成する開口部をテーパー状に形成し、前記第１の絶縁膜に不活性元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記不活性元素は、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）から選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記バリア層は、分子内にフッ素原子を含有するモノマーを含む樹脂、または炭素と水素原子のみから構成されるモノマーを含む樹脂で作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜はポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミドから選ばれた一種、または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜は珪素と酸素との結合で骨格構造が形成された材料で作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜は、前記不活性元素が１×１０１９乃至５×１０２１ａｔｏｍ／ｃｍ３の濃度で含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
絶縁体を含む組成物を吐出して前記第１の絶縁膜を形成した後に、平坦化処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月12日(2007.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタ及び半導体集積回路
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と第１不純物領域と第２不純物領域とを有し、
前記ゲート電極は前記第１不純物領域と前記第２不純物領域とによって挟むように設けられており、
前記第１不純物領域は少なくとも第１コンタクトホール及び第２コンタクトホールを介して第１の配線と電気的に接続され、
前記第２不純物領域は少なくとも第３コンタクトホールを介して第２の配線と電気的に接続され、
前記第１コンタクトホールの中心と前記第２コンタクトホールの中心とを結ぶ線分の中点と、前記第３コンタクトホールの中心とを結ぶ第２の線分の長さは、前記第１コンタクトホールの中心と前記第３コンタクトホールの中心とを結ぶ第１の線分の長さより短く、かつ、前記第２のコンタクトホールの中心と前記第３のコンタクトホールの中心とを結ぶ第３の線分の長さより短いことを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
ゲート電極と第１不純物領域と第２不純物領域とを有し、
前記ゲート電極は前記第１不純物領域と前記第２不純物領域とによって挟むように設けられており、
前記第１不純物領域は少なくとも第１コンタクトホール及び第２コンタクトホールを介して第１の配線と電気的に接続され、
前記第２不純物領域は少なくとも第３コンタクトホールを介して第２の配線と電気的に接続され、
前記第１コンタクトホールの中心と前記第２コンタクトホールの中心とを結ぶ線分の中点と、前記第３コンタクトホールの中心とを結ぶ第２の線分の長さは、前記第１コンタクトホールの中心と前記第３コンタクトホールの中心とを結ぶ第１の線分の長さより短く、かつ、前記第２のコンタクトホールの中心と前記第３のコンタクトホールの中心とを結ぶ第３の線分の長さより短く、
前記ゲート電極は、前記第１の線分の中点において、前記第１の線分と垂直に交わり、かつ、前記第２のコンタクトホールの中心と前記第３のコンタクトホールの中心とを結ぶ第３の線分の中点において、前記第３の線分と垂直に交わることを特徴とするトランジスタ。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１コンタクトホールの中心と前記第３コンタクトホールの中心との距離は、前記第２コンタクトホールの中心と前記第３コンタクトホールの中心との距離と等しいことを特徴とするトランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１コンタクトホールの直径、前記第２コンタクトホールの直径、及び前記第３コンタクトホールの直径は、前記トランジスタのゲート長よりも大きいことを特徴とするトランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１コンタクトホールと前記ゲート電極の間の距離、前記第２コンタクトホールと前記ゲート電極の間の距離、及び前記第３コンタクトホールと前記ゲート電極の間の距離は、前記トランジスタのゲート長よりも大きいことを特徴とするトランジスタ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のトランジスタによって構成されることを特徴とする半導体集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月10日(2007.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の厚さ方向に積層されたソース領域、チャネル形成領域、及びドレイン領域と、前記チャネル形成領域を包囲するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と少なくとも一部が重なるゲート電極と、を有し、
前記チャネル形成領域は、極細炭素繊維で形成され、
前記極細炭素繊維の間には、前記極細炭素繊維の間を充填する部材が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記極細炭素繊維の間を充填する部材は、半導体材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記極細炭素繊維の間を充填する部材は、絶縁材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記チャネル形成領域は、一本の極細炭素繊維で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記チャネル形成領域は、複数の極細炭素繊維で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記基板の厚さ方向に積層されたソース領域、チャネル形成領域、及びドレイン領域は柱状形状であり、
柱状形状である前記チャネル形成領域を、複数有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記ゲート電極は、柱状形状である複数の前記チャネル形成領域で共通することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記基板の厚さ方向に積層されたソース領域、チャネル形成領域、及びドレイン領域は柱状形状であり、
前記ゲート電極は、柱状形状である前記チャネル形成領域の両サイドに形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記極細炭素繊維は、グラファイトナノファイバ、カーボンナノファイバ、カーボンナノチューブ、チューブ状グラファイト、カーボンナノコーン、又はコーン状グラファイトであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
導電性を有する第１の領域上に、選択的に金属元素を含む領域を形成し、
前記金属元素を含む領域上に極細炭素繊維を形成し、
前記極細炭素繊維の間を充填する部材を形成し、
前記極細炭素繊維を包囲するゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に接するゲート電極を形成し、
前記極細炭素繊維と接続する導電性を有する第２の領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
導電性を有する第１の領域上に、選択的に金属元素を含む領域を形成し、
前記金属元素を含む領域上に極細炭素繊維を形成した後、半導体材料を形成し、
前記半導体材料に、レーザ光を照射して前記極細炭素繊維の間を半導体材料で充填し、
前記半導体材料の一部を除去した後、
前記極細炭素繊維を包囲するゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に接するゲート電極を形成し、
前記極細炭素繊維と接続する導電性を有する第２の領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記レーザ光は、連続発振のレーザから照射されるレーザ光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記金属元素は、ニッケル、鉄、コバルト、白金、ゲルマニウム、チタン、又はパラジウムから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記導電性を有する第１の領域及び前記導電性を有する第２の領域は、ソース領域及びドレイン領域であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１０乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記極細炭素繊維は、グラファイトナノファイバ、カーボンナノファイバ、カーボンナノチューブ、チューブ状グラファイト、カーボンナノコーン、又はコーン状グラファイトであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月5日(2007.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に素子を含む被剥離層を形成し、
前記素子を含む被剥離層上に溶媒に溶ける有機樹脂膜を形成し、
前記有機樹脂膜上に第１の両面テープを貼り付け、
前記第１の基板の一部を切断して除去し、
前記第１の両面テープに第２の基板を貼り付け、
前記第１の基板下側に第２の両面テープで第３の基板を貼り付け、
前記第１の基板の一部を除去した部分から剥離を行い、前記第１の基板、前記第２の両面テープ、および前記第３の基板と、前記素子を含む被剥離層とを分離し、
前記素子を含む被剥離層に接着剤で第４の基板を貼り付けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板上に素子を含む被剥離層を形成し、
前記素子を含む被剥離層上に溶媒に溶ける有機樹脂膜を形成し、
前記有機樹脂膜上に両面テープを貼り付け、
前記第１の基板の一部を切断して除去し、
前記両面テープに第２の基板を貼り付け、
前記第１の基板の一部を切断して除去した部分から剥離を行い、前記第１の基板と、前記素子を含む被剥離層とを分離し、
前記素子を含む被剥離層に接着剤で第３の基板を貼り付け、
前記第２の基板を除去し、
前記両面テープを除去し、
前記有機樹脂膜を溶媒で溶かして除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、前記第２の基板は、前記第１の基板よりも剛性の高い基板であり、
且つ、前記第３の基板はフィルム基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１の基板上に素子を含む被剥離層を形成し、
前記素子を含む被剥離層上に溶媒に溶ける有機樹脂膜を形成し、
前記有機樹脂膜上に第１の両面テープを貼り付け、
前記第１の基板の一部を切断して除去し、
前記第１の両面テープに第２の基板を貼り付け、
前記第１の基板下側に第２の両面テープで第３の基板を貼り付け、
前記第１の基板の一部を除去した部分から剥離を行い、前記第１の基板、前記第２の両面テープ、および前記第３の基板と、前記素子を含む被剥離層とを分離し、
前記素子を含む被剥離層に接着剤で第４の基板を貼り付け、
前記第２の基板を除去し、
前記第１の両面テープを除去し、
前記有機樹脂膜を溶媒で溶かして除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
第１の基板上に素子及びアライメントマーカを含む被剥離層を形成し、
前記素子を含む被剥離層上に溶媒に溶ける有機樹脂膜を形成し、
前記有機樹脂膜上に第１の両面テープを貼り付け、
前記アライメントマーカと重なる前記第１の基板の一部を切断して除去し、
前記第１の両面テープに第２の基板を貼り付け、
前記第１の基板下側に第２の両面テープで第３の基板を貼り付け、
前記第１の基板の一部を除去した部分から剥離を行い、前記第１の基板、前記第２の両面テープ、および前記第３の基板と、前記素子を含む被剥離層とを分離し、
前記素子を含む被剥離層に接着剤で第４の基板を貼り付け、
前記第２の基板を除去し、
前記第１の両面テープを除去し、
前記有機樹脂膜を溶媒で溶かして除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、前記第２の基板および前記第３の基板は、前記第１の基板よりも剛性の高い基板であり、且つ、前記第４の基板はフィルム基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
第１の基板上に素子及び端子電極を含む被剥離層を形成し、
前記素子及び端子電極を含む被剥離層を第１の基板から剥離し、
前記素子及び端子電極を含む被剥離層に接着剤で第２の基板を貼り付け、
周縁部が樹脂で覆われた前記端子電極にＦＰＣを圧着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記第１の基板は、ガラス基板であり、且つ、前記第２の基板はフィルム基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月20日(2007.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極とゲート絶縁層と半導体層とを有するボトムゲート型の薄膜トランジスタを有する液晶表示装置の作製方法であって、
基板上に導電体層を形成し、
前記導電体層上に前記ゲート電極を液滴吐出法により形成し、
前記ゲート電極と重ならない位置に形成された前記導電体層を絶縁化し、
前記ゲート電極上に前記ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に前記半導体層を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記絶縁化は、前記導電体層を酸化することによって行うことを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項３】
ゲート電極とゲート絶縁層と半導体層とを有するボトムゲート型の薄膜トランジスタを有する液晶表示装置の作製方法であって、
基板上に導電体層を形成し、
前記導電体層上に前記ゲート電極を液滴吐出法により形成し、
前記ゲート電極と重ならない位置に形成された前記導電体層を、前記ゲート電極をマスクとしてエッチングし、
前記ゲート電極上に前記ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に前記半導体層を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記導電体層は、チタン、タングステン、クロム、アルミニウム、タンタル、ニッケル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、イリジウム、ニオブ、パラジウム、白金、モリブデン、コバルト、又はロジウムから選ばれる金属を含むことを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記導電体層の膜厚は、０．０１〜１０ｎｍであることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記ゲート絶縁層は、前記ゲート電極と接する窒化珪素層若しくは窒化酸化珪素層を有することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記半導体層は、アモルファス半導体層、セミアモルファス半導体層、又は多結晶半導体層であることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月25日(2007.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に依れば、第１のIII−Ｖ族化合物半導体層に内在する転位の、上層である第２のIII−Ｖ族化合物半導体層への伝搬を抑制できるので、例えば、第１のIII−Ｖ族化合物半導体層に比較して、第２のIII−Ｖ族化合物半導体層の転位密度を約１／１０００に低減できる。従って、この様な低転位密度の第２のIII−Ｖ族化合物半導体層を、例えば、電子走行層として利用すれば、高い電子移動度を発現できるＭＥＳＦＥＴ用途の積層構造体を構成できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係わる第１及び第２のIII−Ｖ族化合物半導体層とは、ガリウム（Ｇａ）、硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）等のIII族元素と窒素（元素記号：Ｎ）等とを構成元素として含むIII−Ｖ族化合物半導体から成る層である。例えば、組成式ＢαＡｌβＧａγＩｎ１−α−β−γＮ（０≦α≦１、０≦β≦１、０≦γ≦１、０≦α＋β＋γ≦１）から成る層である。第１及び第２を構成する代表的なIII族窒化物半導体層は、例えば、ｎ形またはｐ形の窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌβＧａγＮ：０≦β≦１、０≦γ≦１、β＋γ＝１）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、及びそれらの混晶である。また、窒素（Ｎ）に代えて砒素（元素記号：Ａｓ）またはリン（元素記号：Ｐ）等のＶ族元素を含むIII−Ｖ族化合物半導体からも第１及び第２の半導体層を構成できる。また前記（５）の窒化ガリウム系化合物半導体は一般式ＡｌβＧａγＩｎ１−β−γＮ（０≦β≦１、０≦γ≦１、０≦β＋γ≦１）で表される化合物半導体である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明では、これらの凹部に選択的に硼素を含むIII−Ｖ族化合物半導体の結晶粒を配置する。結晶粒を構成するに適する硼素を含むIII−Ｖ族化合物半導体には、リン化硼素（ＢαＰβ：α≧１及びβ≧１であって、α＝６でβ＝１のＢ６Ｐ、α＝６でβ＝１２のＢ６Ｐ１２などが含まれる。）、砒化硼素（ＢαＡｓβ：α≧１及びβ≧１）、アンチモン化硼素（ＢＳｂ）、及びそれらの混晶を例示できる。本発明者の知見に依れば、これらの硼素を含むIII−Ｖ族化合物半導体は、上記の凹部を起点として成長を始め、そこに結晶粒を形成する。従って、貫通転位が露出している凹部を選択的に埋め込むのに好適な材料である。凹部に配置された結晶粒は、通常、多角形又は球状の外観を呈している。結晶粒は、単結晶であるのが最も好ましく、単結晶であるか否かは、例えば、結晶粒からの制限視野電子線回折（Selected-area  Electron  Diffraction；略称ＳＥＤ）パターンの解析して判断できる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月5日(2007.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この方法によれば、電子チャネルと電極金属との界面におけるトンネル効果が増大するため、オーミック電極のコンタクト抵抗を低減することができる。例えば、一般的な、厚さが２５ｎｍのＡｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ層とＧａＮとが積層されたヘテロ接合トランジスタのソース電極及びドレイン電極をこの方法により形成した場合、コンタクト抵抗が１×１０-5Ω・ｃｍ2程度のオーミック電極を形成することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
しかしながら、実用レベルの高周波デバイスのオーミック電極には１０-7Ω・ｃｍ2台のコンタクト抵抗が要求されており、前記従来のオーミック電極形成方法によって得られるオーミック電極では、この要求を満たすことができないという問題がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
界面における障壁高さは、電極に用いる金属のフェルミ準位から真空準位までの高さである仕事関数によって決定される。ｎ-型の窒化物半導体において通常電極に用いられるＴｉの仕事関数は約５ｅＶであり、トンネル効果を増大させてコンタクト抵抗を低減した場合においても、必要とする１０-7Ω・ｃｍ2台のコンタクト抵抗を達成することは極めて困難であるという問題がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
図１（ｃ）は本実施形態の半導体装置の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性と従来の半導体装置と比較して示している。図から明らかなように、本発明によるＩ−Ｖ特性の方が傾きが大きく、コンタクト抵抗率は従来の半導体装置が１×１０‐5Ω・ｃｍ2であるのに対して１×１０‐6Ω・ｃｍ2となり、約１／１０に低減されている。なお、従来の半導体装置には、多層電極の下層をＴｉとし、上層をＡｌとする構成の装置を用いた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
図３（ｃ）は本実施形態の半導体装置の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性と従来の半導体装置と比較して示している。図から明らかなように、本発明によるＩ−Ｖ特性の方が傾きが大きく、コンタクト抵抗率は従来の半導体装置が１×１０‐5Ω・ｃｍ2であるのに対して５×１０‐7Ω・ｃｍ2となり、約１／２０に低減されている。なお、従来の半導体装置には、多層電極の下層をＴｉとし、上層をＡｌとする構成の装置を用いた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
ｎ型コンタクト層７３の上におけるｎ側電極を除く領域の上には、厚さが５００ｎｍのｎ型のＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層７４が形成され、ｎ型クラッド層７４の上には、ＧａＮからなる光ガイド層７５と光ガイド層７７との間に挟まれたＧａＮとＩｎＧａＮとの量子井戸構造を有する発光層７６、厚さが５００ｎｍのｐ型のＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層７８及び厚さが１００ｎｍのｐ型のＧａＮからなるｐ型コンタクト層７９が下から順に積層されている。また、ｐ型コンタクト層７９の上には白金からなるｐ側電極８０が形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月17日(2006.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の情報中継装置によって構成されたネットワークシステムにおいて、データパケットを配信するパケット配信方法であって、
前記情報中継装置は、アプリケーション層で識別される識別子によって前記ネットワークシステムの経路を特定する経路表を備えており、
上流の前記情報中継装置から下流の前記情報中継装置に、アプリケーション層で識別される経路情報に基づいて経路を設定し、
前記データパケットを受信し、
受信した該データパケットに含まれる情報と、前記経路表、とに従って、該データパケットの宛先を決定し、
該決定した宛先に基づいて、前記受信したデータパケットを送信することを特徴とするパケット配信方法。
【請求項２】
前記データパケットを蓄積するストレージ部を備え、
前記受信したデータパケットを前記ストレージ部に蓄積し、
該決定した宛先に基づいて、前記蓄積したデータパケットを送信することを特徴とする請求項１に記載のパケット配信方法。
【請求項３】
前記データパケットは、ヘッダ部及びデータ部から構成され、
前記ヘッダ部には、アプリケーション層で識別される識別子で記述される送信先アドレスと、アプリケーション層で識別される識別子で記述される送信元アドレスと、を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のパケット配信方法。
【請求項４】
前記データパケットを送信する際に、該データパケットが正しく送信されたかを確認することを特徴とする請求項２に記載のパケット配信方法。
【請求項５】
前記データパケットが正しく送信された場合に、該正しく送信された経路を解放し、前記経路情報を変更することを特徴とする請求項４に記載のパケット配信方法。
【請求項６】
前記データパケットが正しく送信されなかった場合に、該データパケットの再送を要求し、
前記再送の要求に基づいて、前記データパケットを再び送信することを特徴とする請求項４に記載のパケット配信方法。
【請求項７】
前記受信したデータパケットを再構築したデータ情報を、前記ストレージ部に蓄積することを特徴とする請求項２に記載のパケット配信方法。
【請求項８】
データパケットを受信する受信部と、
前記一つ又は複数の送信ポートを備えてデータパケットを送信する送信部と、
前記受信部と送信部の経路の切換を行うスイッチ部と、
前記データパケットの宛先情報に基づいて前記スイッチ部を制御するルーティング処理部とを備えて前記データパケットを転送する情報中継装置において、
前記受信部は、前記受信したデータパケットのヘッダ情報を抽出し、前記ヘッダ情報をルーティング処理部に通知し、
前記ルーティング処理部は、
アプリケーション層で識別される識別子によって前記データパケットの宛先に関する情報を含むマルチキャスト経路表を備えて、前記通知されたヘッダ情報と前記マルチキャスト経路表とに基づいて前記データパケットの宛先を前記送信部から選択し、前記スイッチ部に前記選択したデータパケットの送信先を通知し、
前記スイッチ部は、前記通知に基づいて前記受信部と送信部の経路を切り換え、
前記送信部は、前記送信部選択手段の選択結果に基づいて前記データパケットの宛先情報を処理し、
該データパケットを前記送信部から送信する送出することを特徴とする情報中継装置。
【請求項９】
前記データパケットを蓄積するストレージ部を備え、
前記ストレージ部は受信したデータパケットを蓄積し、
前記送信部は、前記送信部選択手段の選択結果に基づいて前記蓄積されたデータパケットの宛先情報を処理し、
該蓄積されたデータパケットを前記送信部から送信する送出することを特徴とする請求項８に記載の情報中継装置。
【請求項１０】
データパケットを配信する複数の情報中継装置によって構成されたネットワークシステムであって、
前記中継装置は、アプリケーション層で識別される識別子によって前記ネットワークシステムの経路を特定する経路表と、
前記データパケットを蓄積するストレージ部と、を備えており、
上流の前記情報中継装置から下流の前記情報中継装置に、アプリケーション層で識別される経路情報に基づいて経路を設定し、
前記データパケットを受信し、
受信した該データパケットに含まれる情報と、前記経路表、とに従って、該データパケットの宛先を決定し、
前記受信したデータパケットを前記ストレージ部に蓄積し、
該決定した宛先に基づいて、前記蓄積したデータパケットを送信することを特徴とするネットワークシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
（実施態様２５）
前記アプリケーション層で識別される識別子はネットワークストレージアドレスであることを特徴とする請求項１６に記載のネットワークシステム。
（実施態様２６）
前記アプリケーション層で識別される識別子として、前記データパケットの送信先を識別するＩＤを用いることを特徴とする請求項１に記載のパケット配信方法。
（実施態様２７）
前記アプリケーション層で識別される識別子として、前記データパケットの送信先を識別する地理的位置若しくは領域、又は、物理的な位置若しくは領域を示すＩＤを用いることを特徴とする請求項１に記載のパケット配信方法。
（実施態様２８）
前記アプリケーション層で識別される識別子はマルチキャストグループアドレスであることを特徴とする請求項１に記載のパケット配信方法。
（実施態様２９）
前記アプリケーション層で識別される識別子はネットワークストレージアドレスであることを特徴とする請求項１０に記載のパケット配信方法。
（実施態様３０）
前記ネットワークストレージアドレスによって、前記情報中継装置に備えられた前記ストレージ部を特定することを特徴とする請求項１１に記載のパケット配信方法。
（実施態様３１）
前記経路表には、前記ネットワークストレージアドレスによって示される前記データパケットの送信先を識別する転送先アドレスを含むことを特徴とする請求項１１に記載のパケット配信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月7日(2007.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
図４は、１／Ｙの容量変化、つまり、第１の可変容量素子１００５の容量変化比と、第１の可変容量素子１００５のＱ値を示す特性曲線である。図４において、左側の縦軸はＱ値を示し、右側の縦軸は容量変化比を示し、さらに、横軸はオーバーラップ率を示す。ここで、容量変化比は、第１の可変容量素子１００５の最大容量値を最小容量値で割り算した値で、単位は［倍］である。また、オーバーラップ率は、下部電極１０１６の面積をＳとし、オーバーラップ領域Ａｏの面積をＳｏとした場合、（Ｓｏ／Ｓ）×１００［％］である。さらに、図４の特性曲線の測定条件は下記の通りである。寄生抵抗Ｒｓは２Ωであり、寄生抵抗Ｒｐｂ１は１５０Ωである。また、オーバーラップ率が１００％の時、寄生容量Ｃｐａ１は０．８ｐＦであり、オーバーラップ率が０％の時、寄生容量Ｃｐｂ１は０．２ｐＦである。また、第１の可変容量素子１００５は、諸元では４ｐＦから２ｐＦの範囲で変化すると仮定する。つまり、第１の可変容量素子１００５の容量変化比は２倍である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
また、差動容量素子１において、各シールド板１０２２、１０２３及び１０２４は、それぞれに電荷が溜まることを防止するために、インダクタンス及び／又は抵抗を介して、グランド（図示せず）と接続されても構わない。また、各シールド板１０２２、１０２３及び１０２４において仮想グランドとグランド（図示せず）とを電気的に直接接続しても、各シールド板１０２２、１０２３及び１０２４に電荷が溜まることを防止することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
また、シールド板２００５には、複数の貫通孔２００５１が形成される。なお、図示の便宜上、図８Ａ及び図８Ｂでは、一個の貫通孔２００５１のみが参照番号を付けて示されている。複数の貫通孔２００５１は、ｘ軸方向及びｙ軸方向に配列される。ここで、ｙ軸及びｘ軸に平行な貫通孔２００５１の各列の数は奇数である（図示は９列ずつ）。以下、ｙ軸に平行な貫通孔２００５１の列を縦列と称し、ｘ軸に平行な貫通孔２００５１の列を横列と称する。また、中央の縦列を構成する各貫通孔２００５１の中心が、シールド板２００５において鉛直面Ｂ−Ｂ’と交差する線上に一致するように、それら貫通孔２００５１は配列される。中央の横列を構成する各貫通孔２００５１の中心が、シールド板２００５において鉛直面Ａ−Ａ’と交差する線上に一致するように、それら貫通孔２００５１は配列される。また、ｘ軸及びｙ軸の各方向に隣り合う２個の貫通孔２００５１の中心間距離はΔである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
ここで、本実施形態の技術的効果を明確にするため、差動容量素子１−３のいずれかの代わりに、従来の差動容量素子をスイッチ回路に組み込んだ場合における問題点を説明する。シールド板を持たない差動容量素子をスイッチ回路に組み込んだ場合、半導体基板に発生する寄生抵抗の影響で、スイッチ回路がオンの間、スイッチ回路を組み込んだことに起因する挿入損失が大きくなり、出力される差動信号の強度が劣化する。また、前述のオーバーラップ率が１００％の差動容量素子を組み込んだ場合、各容量素子とシールド板との間に発生する寄生容量により、ｐチャネルのＭＯＳＦＥＴ４００３がオフになりきらず、差動入力端子４００１に入力される差動信号が寄生容量を介してリークする。その結果、ｎチャネルのＭＯＳＦＥＴ４００４及び４００５がオンの間、スイッチ回路の挿入損失が大きくなり、出力される差動信号の強度が劣化する。それに対して、差動容量素子１−３のいずれかの場合、寄生容量を抑えることが可能となるので、上記挿入損失の小さい差動スイッチ回路４を実現することが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０Ａ】
2005159280.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０Ｂ】
2005159280.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2005159280.tif 000003
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2005159280.tif 000004
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2005159280.tif 000005
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2005159280.tif 000006