Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月23日(2008.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポータブルデータ記憶デバイスにおいて、
前記デバイスへおよび前記デバイスからデータを転送するデータインターフェイスと、
インターフェイス制御装置と、
マスター制御ユニットと、
それぞれのバス経由で、前記マスター制御ユニットへおよび前記マスター制御ユニットからデータを転送するために接続された、少なくとも２つのＮＡＮＤフラッシュメモリユニットとを具備し、
前記インターフェイス制御装置は前記インターフェイスを通して受け取ったデータを前記マスター制御ユニットに送るように構成され、
前記マスター制御ユニットは、
前記インターフェイス制御装置から受け取ったデータパケットをデータパケット部分に分割するように構成され、
前記それぞれのデータバスを使用して、前記データパケット部分の異なるものを前記各ＮＡＮＤフラッシュメモリユニットに同時に送信するように構成され、
前記両ＮＡＮＤフラッシュメモリユニットに送られる制御信号を使用して、ＮＡＮＤフラッシュメモリユニットを制御するように構成され、
前記バスを使用して前記データパケット部分を送信している間に、前記マスター制御ユニットが少なくともチップＥＮＡＢＬＥ信号を前記両ＮＡＮＤフラッシュメモリユニットに送信し、
前記マスター制御ユニットは、前記少なくとも２つのＮＡＮＤフラッシュメモリユニットに対して同時に信号を送るようにさらに構成されており、前記信号は前記少なくとも２つのＮＡＮＤフラッシュメモリユニットのそれぞれのメモリ空間のセクションを消去させるデバイス。
【請求項２】
前記ＮＡＮＤフラッシュメモリユニットは前記マスター制御ユニットにデータパケット部分を同時に送信するように構成され、前記マスター制御ユニットは前記データパケット部分を組み合わせてデータパケットを形成し、前記インターフェイス制御装置を通しての送信のために、前記データパケットを前記インターフェイス制御装置に送信するように構成されている、請求項１記載のデバイス。
【請求項３】
２つのＮＡＮＤフラッシュメモリユニットがあり、記憶されることになるデータの各ワードが、前記ＮＡＮＤフラッシュメモリユニットの異なるユニットに対するデータパケット部分に含まれる２バイトに分割されるように、前記マスター制御ユニットは前記データパケットをデータパケット部分に分割するように構成されている、請求項１記載のデバイス。
【請求項４】
前記マスター制御ユニットは、前記マスター制御ユニットのピンを通して同一の制御信号を前記両ＮＡＮＤフラッシュメモリユニットに同時に送り、前記マスター制御ユニットのピンはそれぞれ制御信号ラインに電気的に接続され、各制御信号ラインは前記各ＮＡＮＤフラッシュメモリユニットの制御信号入力のそれぞれに至る、請求項１ないし３のいずれか１項記載のデバイス。
【請求項５】
前記マスター制御ユニットが、同一のＷＲＩＴＥ、ＲＥＡＤ、ＥＮＡＢＬＥ、ＡＬＥ信号を前記それぞれのメモリデバイスに送信する、請求項４記載のデバイス。
【請求項６】
前記インターフェイスはＵＳＢインターフェイスであり、前記インターフェイス制御装置はＵＳＢ制御装置である、請求項１ないし５のいずれか１項記載のデバイス。
【請求項７】
前記インターフェイスは、少なくとも４８０Ｍｂｉｔ／ｓのデータ転送レートを有するＵＳＢ規格にしたがって動作する、請求項６記載のデバイス。
【請求項８】
前記それぞれの並列データバスは８ビットバスである、請求項１ないし７のいずれか１項記載のデバイス。
【請求項９】
前記予め定められたパケットサイズは５１２バイトである、請求項１ないし８のいずれか１項記載のデバイス。
【請求項１０】
前記ＮＡＮＤフラッシュメモリユニットそれぞれのメモリ空間のセクションを前記ＮＡＮＤフラッシュメモリユニットに消去させる前記信号を、前記ＮＡＮＤフラッシュメモリユニットのそれぞれに送信する前に、各ＮＡＮＤフラッシュメモリユニットに対して、前記メモリ空間のそのセクションに記憶されているデータの部分を異なる位置に転送するように命令するように前記マスター制御ユニットは動作可能である、請求項１ないし９のいずれか１項記載のデバイス。
【請求項１１】
前記異なる位置はＲＡＭメモリにある、請求項１０記載のデバイス。
【請求項１２】
前記異なる位置は消去されることになるセクション以外のそれぞれのメモリ空間中位置にある、請求項１０記載のデバイス。
【請求項１３】
ポータブルデータ記憶デバイスへおよび前記デバイスからデータを転送するためのデータインターフェイスと、インターフェイス制御装置と、キャッシュメモリを有するマスター制御ユニットと、少なくとも２つのＮＡＮＤフラッシュメモリユニットとを具備するポータブルデータ記憶デバイスにデータを記憶する方法において、前記方法は、
前記インターフェイス制御装置が、前記インターフェイスを通して受け取ったデータパケットを前記マスター制御ユニットに送信するステップと、
前記マスター制御ユニットが、前記インターフェイス制御装置から受け取った前記データパケットをデータパケット部分に分割し、異なるそれぞれのバスを通して、前記データパケット部分の異なる部分を前記それぞれのＮＡＮＤフラッシュメモリユニットに同時に送信し、前記両ＮＡＮＤフラッシュメモリユニットに送られる制御信号を使用して前記ＮＡＮＤフラッシュメモリユニットを制御するステップと、
前記マスター制御ユニットがＷＲＩＴＥ命令およびチップＥＮＡＢＬＥ制御信号を前記両ＮＡＮＤフラッシュメモリユニットに送信し、その後、前記チップＥＮＡＢＬＥ制御信号を依然として送っている間に、前記それぞれのバスを使用して前記それぞれのＮＡＮＤフラッシュメモリユニットに前記データパケット部分を送信するステップと、
前記それぞれのフラッシュメモリユニットが前記データパケット部分を記憶するステップとを含み、
前記方法は、前記マスター制御ユニットが、前記少なくとも２つのＮＡＮＤフラッシュメモリユニットに対して同時に信号を送るステップをさらに含み、前記信号は前記少なくとも２つのＮＡＮＤフラッシュメモリユニットのそれぞれのメモリ空間のセクションを消去させる方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の方法、および、さらにポータブルデータ記憶デバイスからデータを検索するものである方法において、前記方法は、
前記マスター制御ユニットが前記フラッシュメモリユニットにそれぞれのＲＥＡＤ命令およびチップＥＮＡＢＬＥ信号を同時に発行するステップと、
前記フラッシュメモリユニットが前記ＲＥＡＤ命令に応答し、前記チップＥＮＡＢＬＥ制御信号を依然として受け取っている間に、異なるそれぞれのバスを通して前記データを前記マスター制御ユニットに同時に送信するステップと、
前記マスター制御ユニットが前記フラッシュメモリユニットから受け取ったデータを組み合わせてデータパケットを形成し、前記データパケットを前記インターフェイス制御装置に送信するステップと、
前記インターフェイス制御装置が、前記マスター制御ユニットから受信したデータパケットを前記データインターフェイスを通して前記デバイスから送り出すステップとを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月6日(2008.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動接触子を備えるこの電力断路装置を開閉するように構成された回路遮断器を制御する制御装置であって、
この制御装置は回転出力シャフト（１２）を装備するモータ（３）を具備し、かつ、電力供給手段（４−９）と、前記モータ（３）の出力変位を前記接触子の変位に変換する作動手段と、に連結され、前記装置は前記接触子を開閉することに伴う機械式ばね装置も備え、
前記ばね装置は２つのプレストレスが加えられ且つ反対側にある機械式ばねを含み、
第１ばね（１５）、いわゆる開放ばねは前記接触子の開放を保証し、第２ばね（１６）、いわゆる閉鎖ばねは前記接触子の閉鎖を保証し、前記作動手段はリング（１８）によって分離されたこれら２つのばねの各々によって応力が加えられ、かつ、前記接触子を前記開放位置及び前記閉鎖位置に固定する装置を含む、制御装置において、
前記作動手段は、前記回転シャフト（１２）と前記リング（１８）の連結を与える１組の結合要素を含み、
前記接触子の閉鎖位置では、１組の前記結合要素は死点、いわゆる開放死点の近くで当接要素（１９）に当接し、
前記開放ばね（１５）は作動中にこの死点を通過して移動する時に前記開放位置に向けてこれを駆動することができるのみであることを特徴とする制御装置。
【請求項２】
１組の前記結合要素は前記出力シャフト（１２）によって駆動されて回転し、かつ連接棒（１７）の一端に結合されるクランク（１４）を備え、
前記連接棒（１７）の他端は前記リング（１８）に結合されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記接触子の開放位置では、１組の前記結合要素は死点位置、いわゆる閉鎖死点の近くで前記当接要素（１９）に当接し、
前記閉鎖ばね（１６）は閉鎖中にこの死点を通過して移動する時に前記閉鎖位置に向けてこれを駆動することができるのみであることを特徴とする、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記クランク（１４）は、前記出力シャフト（１２）に噛合し、かつ該出力シャフト（１２）上に結合する歯付き部分（１３）を介して該出力シャフト（１２）によって駆動されて回転することを特徴とする、請求項２または請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記モータ（３）は、位置及び速度調節器（５）によって制御される電力変換器（４）によって電力供給される前記接触子の軌跡を支援且つ制御するモータであることを特徴とする、請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記調節器（５）は開放のための移動の終端及び閉鎖のための移動の終端において前記接触子の移動に減衰を与えることを特徴とする、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記ばね（１５、１６）は軸線（Ａ−Ａ´）に沿って整合して取り付けられ、これらそれぞれの端部の一方はばね当接部（１５Ａ、１６Ａ）に当接し、これらの対向する端部の他方はリング（１８）によって分離されることを特徴とする、請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記閉鎖ばね（１６）の作動を解放する装置を含むことを特徴とする、請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記ばね（１５、１６）は軸線（Ａ−Ａ´）に沿って整合して取り付けられ、これらそれぞれの端部の一方はばね当接部（１５Ａ、１６Ａ）に当接し、これらの対向する端部の他方はリング（１８）によって分離され、
前記閉鎖ばね（１６）の作動を解放する装置を含み、
前記解放装置は前記閉鎖ばね（１６）の前記当接部（１６Ａ）の制御された移動のための装置に存することを特徴とする、請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
自身の開放死点に向けて１組の前記結合要素を押圧する押圧装置（２３）を備えることを特徴とする、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
１組の前記結合要素は前記出力シャフト（１２）によって駆動されて回転し、かつ連接棒（１７）の一端に結合されるクランク（１４）を備え、
前記連接棒（１７）の他端は前記リング（１８）に結合され、
自身の開放死点に向けて１組の前記結合要素を押圧する押圧装置（２３）を備え、
前記押圧装置は前記クランク（１４）に応力を加えるように構成されたハンマ（２３）に存することを特徴とする、請求項１、３乃至６、及び９に記載の装置。
【請求項１２】
前記接触子の閉鎖及び開口位置では、前記連接棒（１７）は前記当接要素（１９）に当接することを特徴とする、請求項１から請求項１１までのいずれか１項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スズウイスカ形成に対する耐性を有する半田付け可能な耐食性スズ系被覆を、電子部品の金属表面に施すための方法であって、
約０．１μｍと約２０μｍの間の厚みを有する第１の金属層を金属表面上に沈積する工程と、ここで、前記第1の金属層はＮｉと約０．１質量％と約０．４質量％の間の濃度のＰを主として含むＮｉ系材料であり、前記Ｎｉ系材料は、Ｎｉの供給源と約５と約１２ｍｌ／Ｌの間の濃度のＰ系添加剤を含む浴から電気分解により析出された層であり、前記Ｎｉ系材料は、スズ系被覆のバルク材料不足を促進し、そうしてスズ系被覆の内部引っ張り応力をも促進する拡散対をスズ系被覆との間で形成するものであり；および
第１の金属層上に、スズ系被覆を約０．５μｍと約２．５μｍの間の厚さで沈積する工程、
とを備えることを特徴とする前記方法。
【請求項２】
電子部品の金属表面は、銅、銅合金、鉄、及び鉄合金からなる群から選択された金属である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１の金属層は、Ｎｉ系材料であり、約０．１μｍと約３μｍの間の厚さを有する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
電子部品は、電子デバイス内へ組み込むための電子パッケージのリード線である請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
電子部品は、電子デバイス内へ組み込むための電子パッケージのリード線であり、前記方法は、
第１の金属層をリード線の金属表面上に沈積する工程；および
第１の金属層上に、スズ系被覆を約０．５μｍと約２．０μｍの間の厚さで沈積する工程とを備えることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項６】
電子部品は、受動電子デバイスである請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
電子部品は、チップキャパシタ又はチップ抵抗である請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
スズウイスカ形成に対する耐性を有した半田付け可能な耐食性スズ系被覆を、電子デバイスの組立中に半田付けにより取り付けるための金属リード線上に施すための方法であって、
約０．５μｍと約２０μｍの間の厚さの第１の金属層を金属リード線上に沈積する工程と、ここで、第１の金属層は、Ｎｉと約０．１質量％と約０．４質量％の間の濃度のＰを含むＮｉ系材料からなり、前記Ｎｉ系材料は、スズ系被覆のバルク材料不足を促進し、そうしてスズ系被覆の内部引っ張り応力をも促進する拡散対をスズ系被覆との間で形成するものであり、前記Ｎｉ系材料の第１の金属はＮｉイオンと約５と約１２ｍｌ／Ｌの間の濃度のＰ系添加剤を含む浴から電気分解で析出されたものであり；および
第１の金属層上にスズ系被覆を約０．５μｍと約３．０μｍの間の厚さで沈積する工程、とを備えることを特徴とする前記方法。
【請求項９】
第１の金属層及びスズ系被覆が沈積される金属リード線は、電子パッケージに組み込まれるリードフレームのセグメントを構成する請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
第１の金属層を沈積する工程は、Ｎｉ系材料を約０．１と約３μｍの間の厚さに沈積する工程を含む請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
第１の金属層が、Ｎｉ（ＮＨ２ＳＯ３）２、ＮｉＣｌ２・６Ｈ２ＯおよびＨ４ＢＯ３を含む電解質Ｎｉ浴から電気分解による析出層である第１の金属層を析出させる請求項１乃至１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
第１の金属層が、３１９と３８３ｇ／Ｌの間の濃度のＮｉ（ＮＨ２ＳＯ３）２、５と１５ｇ／Ｌの間の濃度のＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏおよび２０と４０ｇ／Ｌの間の濃度のＨ４ＢＯ３を含む電解質Ｎｉ浴から電気分解による析出層である第１の金属層を析出させる請求項１乃至１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
電子パッケージの組立中に半田付けにより電子デバイスを取り付けるための金属リード線であって、前記リード線は、金属線と、その上のＮｉ系金属層と、該Ｎｉ系金属層上のスズ系被覆とを備え、前記Ｎｉ系金属層は、約０．１μｍと約２０μｍの間の厚さを有し、スズ系被覆は約０．５μｍと約３．０μｍの間の厚さを有し、前記Ｎｉ系金属層はＮｉと約０．１質量％と約０．４質量％の間の濃度のＰを含み、ここで、Ｎｉ系金属は、スズ系被覆と拡散対を形成し、これはスズ系被覆のバルク材料不足を促進し、かくしてスズ系被覆におけるウイスカ形成を阻止するスズ系被覆の内部引っ張り応力を促進するものであることを特徴とする前記金属リード線。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月22日(2007.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
有機半導体層処方であって、１，０００Hzで３．３以下の誘電率εを有する有機結合剤、および式Ａ：
【化１】
2007519227.tif 000001
式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、およびＲ１２は、それぞれ、同一または異なっていてもよく、独立して、水素；任意に置換されたＣ１〜Ｃ４０のカルビルまたはヒドロカルビル基；任意に置換されたＣ１〜Ｃ４０のアルコキシ基；任意に置換されたＣ６〜Ｃ４０のアリールオキシ基；任意に置換されたＣ７〜Ｃ４０のアルキルアリールオキシ基；任意に置換されたＣ２〜Ｃ４０のアルコキシカルボニル基；任意に置換されたＣ７〜Ｃ４０のアリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基 （−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ、式中、Ｘは、ハロゲン原子を示す。）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基；イソシアネート基；チオシアネート基またはチオイソシアネート基；任意に置換されたアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基；ＣＦ３基；ハロ基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）；または任意に置換されたシリル基であり、；および
式中、Ｒ２およびＲ３ならびに／またはＲ８およびＲ９のそれぞれの組は、独立して、Ｃ４〜Ｃ４０の飽和または不飽和の環を形成するように架橋されていてもよく、飽和または不飽和の環は、酸素原子、硫黄原子、式−Ｎ（Ｒａ）−（式中、Ｒａは、水素原子または任意に置換された炭化水素基）で示される基が介在していてもよい、；および
式中、ポリアセン骨格の１または２以上の炭素原子は、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅから選択されるヘテロ原子によって任意に置換されていてもよい；および
式中、独立して、ポリアセンの隣接する環の位置に存在するいずれかの２または３以上の置換基Ｒ１〜Ｒ１２は、ともに、ポリアセンに融合した、任意にＯ、Ｓまたは−Ｎ（Ｒａ）（Ｒａは、上記定義のとおりである）が割り込まれたさらなるＣ４〜Ｃ４０の飽和または不飽和の環または芳香族環系を構成してもよい、；および
式中、ｎは、０、１、２、３または４である、
のポリアセン化合物を含む、前記処方。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
ポリアセン化合物が、化合物群１または８、またはそれらの異性体から選択され、ここで化合物群１は、式１：
【化２】
2007519227.tif 000002
で表され、化合物群８は、式８：
【化３】
2007519227.tif 000003
で表され、
式中、群１中のＲ６およびＲ１３、ならびに群８中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、およびＲ１８は、それぞれ独立して、同一または異なり、およびそれぞれ独立して、水素；任意に置換されたＣ１〜Ｃ４０のカルビルまたはヒドロカルビル基；任意に置換されたＣ１〜Ｃ４０のアルコキシ基；任意に置換されたＣ６〜Ｃ４０のアリールオキシ基；任意に置換されたＣ７〜Ｃ４０のアルキルアリールオキシ基；任意に置換されたＣ２〜Ｃ４０のアルコキシカルボニル基；任意に置換されたＣ７〜Ｃ４０のアリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基 （−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ、式中、Ｘは、ハロゲン原子を示す。）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基；イソシアネート基；チオシアネート基またはチオイソシアネート基；任意に置換されたアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基；ＣＦ３基；ハロ基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）；または任意に置換されたシリル基であり、；および
式中、Ｒ１およびＲ２、Ｒ２およびＲ３、Ｒ３およびＲ４、Ｒ８およびＲ９、Ｒ９およびＲ１０、Ｒ１０およびＲ１１、Ｒ１５およびＲ１６、ならびにＲ１６およびＲ１７のそれぞれの組は、独立して、Ｃ４〜Ｃ４０の飽和または不飽和の環を形成するように互いに架橋されていてもよく、飽和または不飽和の環は、酸素原子、硫黄原子、式−Ｎ（Ｒａ）−（式中、Ｒａは、水素原子または炭化水素基）で示される基が介在していてもよい、；および
式中、Ａは、ケイ素またはゲルマニウムである、請求項１に記載の有機半導体層処方。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月18日(2008.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁放射を生成するための機器であって、
スーパールミネッセント発光ダイオードを含み、スーパールミネッセント発光ダイオードは、ＰＮ接合部と光ビーム経路を規定する導波路とを形成する半導体ヘテロ構造を含み、
ヘテロ構造は、光ビーム経路において、利得領域と、利得領域と直列の吸収領域とを備え、前記機器はさらに、
利得領域におけるＰＮ接合部に電圧を順方向に印加して、利得領域から光ビーム経路に沿って光の放出を発生させるための第１の接点と、
吸収領域におけるＰＮ接合部と接触する第２の接点とを含み、第２の接点は、吸収領域におけるＰＮ接合部のＰドープされた側とＮドープされた側との間に永久的な電気接点を形成し、その結果、吸収領域におけるＰＮ接合部はバイアスがかかっておらず、
前記機器はさらに、スーパールミネッセント発光ダイオードを担持するハウジングを含み、ハウジングは対称軸を含み、前記光ビーム経路は前記対称軸と平行であり、
ハウジングは、２つの平行な面を有する円盤形のボディを含み、対称軸は、前記ボディの対称軸であり、前記面に対して垂直であり、ハウジングはさらに、対称軸の方向にボディを貫通する電気接点を含み、スーパールミネッセント発光ダイオードは、前記ボディの面に取り付けられた半導体チップに設けられる、機器。
【請求項２】
前記第２の接点は、Ｐ側の電位を有する層とＮ側の電位を有する層との間にワイヤ接点を備える、請求項１に記載の機器。
【請求項３】
ＰＮ接合部はｎドープされた側とｐドープされた側とを含み、ｎドープされた側とｐドープされた側の少なくとも一方は、第２の接点によって、ヘテロ構造の外側の金属面に接続される、請求項１に記載の機器。
【請求項４】
導波路は、光ビーム経路に平行な長手方向において導波構造を制限する２つの端面を含み、端面は光ビーム経路に対して垂直である、請求項１から３のいずれかに記載の機器。
【請求項５】
利得領域および吸収領域におけるＰＮ接合部は、ｐドープされた構成要素とｎドープさ
れた構成要素とを含むバルクｐｎ接合部であり、そのいずれもが１０ｎｍを超える層厚を有する、請求項１から４のいずれかに記載の機器。
【請求項６】
半導体ヘテロ構造は利得領域において多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を備え、かつＰＮ接合部は前記多重量子井戸構造において形成され、または半導体ヘテロ構造は利得領域において量子細線もしくは量子ドットを備える、請求項１から５のいずれかに記載の機器。
【請求項７】
導波路は屈折率誘導型である、請求項１から６のいずれかに記載の機器。
【請求項８】
導波路は利得誘導型である、請求項１から６のいずれかに記載の機器。
【請求項９】
半導体ヘテロ構造は、第１のクラッド層と、第２のクラッド層とを含み、ＰＮ接合部は、第１および第２のクラッド層の間にＰＮ接合積層構造を含み、ＰＮ接合積層構造は、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造またはｐドープされた材料のバルク層とｎドープされた材料のバルク層とを含み、ヘテロ構造はさらに、第１の金属電極と電気的に接触している第１のクラッド層と、第２の金属電極と電気的に接触している第２のクラッド層とを含み、第１の金属電極または第２の金属電極または両方の金属電極は、利得領域と吸収領域との間で中断される、請求項１から８のいずれかに記載の機器。
【請求項１０】
前記ハウジングはＴＯ缶である、請求項１に記載の機器。
【請求項１１】
スーパールミネッセント発光ダイオードは、ハウジングの中心に配置され、ビーム経路は対称軸と一致している、請求項１に記載の機器。
【請求項１２】
ビーム経路は、円盤形のボディと同心である、請求項１から１１のいずれかに記載の機器。
【請求項１３】
利得領域において放出される放射によって生じ、かつＰＮ接合部の吸収領域において吸収される光電流をモニタリングし、それによって利得領域において放出される光の尺度であるモニタリング信号を生成するためのモニタリング手段をさらに含む、請求項１に記載の機器。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月17日(2007.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）工作物の動きを熱により誘起するように構成された工作物加熱システムと、
ｂ）前記工作物から離間し、減衰力を加えて前記工作物の前記動きを減衰させるように構成された減衰部材とを備える、機器であって、前記減衰部材は、前記減衰部材と前記工作物の間のガス圧が前記工作物の前記動きを妨げるのに十分に短い距離だけ前記工作物の静止位置から離間しており、該距離は３ｍｍ未満である、機器。
【請求項２】
前記工作物は半導体ウエハを含み、前記減衰部材は、前記ウエハから離間した減衰プレートを含む、請求項１に記載の機器。
【請求項３】
前記減衰プレートは、１ｍｍ程度の距離だけ前記ウエハの静止位置から離間している、請求項２に記載の機器。
【請求項４】
前記減衰プレートは、０．５ｍｍよりも長い距離だけ前記ウエハの前記静止位置から離間している、請求項２に記載の機器。
【請求項５】
前記減衰プレートの上で前記ウエハを支持するように構成された支持システムをさらに備える、請求項２に記載の機器。
【請求項６】
前記減衰プレートの下で前記ウエハを支持するように構成された支持システムをさらに備える、請求項２に記載の機器。
【請求項７】
前記減衰部材は、第１及び第２の減衰部材を含み、前記機器はさらに、前記第１減衰部材の上で、且つ、前記第２減衰部材の下で前記工作物を支持するように構成された支持システムを備え得る、請求項１に記載の機器。
【請求項８】
前記減衰プレートは、その表面に画定された環状陥凹部を備え、前記熱誘起運動中に、前記ウエハの外縁を前記環状陥凹部内に収容するように構成される、請求項２に記載の機器。
【請求項９】
前記工作物加熱システムは、前記工作物を照射するように構成された照射システムを備える、請求項１に記載の機器。
【請求項１０】
前記照射システムは、照射フラッシュに前記工作物を露出させるように構成された少なくとも１つの照射フラッシュ装置を備える、請求項９に記載の機器。
【請求項１１】
前記減衰部材は窓を備える、請求項１に記載の機器。
【請求項１２】
前記減衰部材に補助熱エネルギーを供給するように構成された補助加熱器をさらに備える、請求項１に記載の機器。
【請求項１３】
前記照射システムはさらに、前記照射フラッシュに先立つ事前加熱段階中に前記工作物を事前加熱するように構成された事前加熱システムを備える、請求項１０に記載の機器。
【請求項１４】
前記減衰部材と前記工作物の間の距離は、前記減衰力を調節するために調節可能である、請求項１３に記載の機器。
【請求項１５】
前記減衰部材と前記工作物の間の距離は、前記事前加熱段階中に採用可能な少なくとも第１の距離と、前記第１の距離よりも短く、前記照射フラッシュ及び後続の運動減衰の段階中に採用可能な第２の距離との間で調節可能である、請求項１３に記載の機器。
【請求項１６】
前記減衰部材と前記工作物の間の前記距離は、前記第１の距離と、前記第２の距離と、前記第２の距離よりも長く、前記運動減衰段階後の冷却段階中に採用可能な第３の距離との間で調節可能である、請求項１５に記載の機器。
【請求項１７】
前記減衰部材は、空間的に変化する減衰力を加えるように構成される、請求項１に記載の機器。
【請求項１８】
前記減衰部材は、複数の陥凹部が画定された平面プレートを含み、それによって、各陥凹部の近傍では、前記陥凹部から離れたところよりも前記減衰力が小さくなる、請求項１７に記載の機器。
【請求項１９】
ａ）工作物の動きを熱により誘起させる手段と、
ｂ）減衰力を加えて前記工作物の前記動きを減衰させる手段とを備え、前記加える手段は前記工作物から、前記減衰力を加える手段と前記工作物の間のガス圧が前記工作物の前記動きを妨げるのに十分短い距離だけ離間しており、該距離は３ｍｍ未満である、機器。
【請求項２０】
ａ）工作物の動きを熱により誘起させることと、
ｂ）前記工作物から離間した減衰部材によって減衰力を加えて、前記工作物の前記動きを減衰させることとを含み、減衰力を加えることは、前記減衰部材と前記工作物の間の距離を、前記減衰部材と前記工作物の間のガス圧が前記工作物の前記動きを妨げるのに十分に短く維持することを含み、該距離は３ｍｍ未満である、方法。
【請求項２１】
前記工作物は半導体ウエハを含み、前記減衰部材は、前記ウエハから離間した減衰プレートを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
維持することは、前記ウエハの静止位置から１ｍｍ程度の距離のところに前記減衰プレートを維持することを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
維持することは、前記ウエハの前記静止位置から０．５ｍｍよりも長い距離のところに前記減衰プレートを維持することを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
維持することは、前記減衰プレートの上で前記ウエハを支持することを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
維持することは、前記減衰プレートの下で前記ウエハを支持することを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
前記減衰部材は、第１及び第２の減衰部材を含み、維持することは、前記第１減衰部材の上で、且つ、前記第２減衰部材の下で前記工作物を支持することを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２７】
前記熱誘起運動中に、前記減衰プレートの表面に画定された環状陥凹部に前記ウエハの外縁を収容することをさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２８】
熱により動きを誘起することは、照射フラッシュに前記工作物を露出させることを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２９】
前記減衰部材は窓を備える、請求項２０に記載の方法。
【請求項３０】
前記減衰部材に補助熱エネルギーを供給することをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項３１】
前記照射フラッシュに先立つ事前加熱段階中に前記工作物を事前加熱することをさらに含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３２】
前記減衰部材と前記工作物の間の距離を調節することをさらに含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記事前加熱段階中に前記減衰部材と前記工作物の間の第１の距離を維持することと、前記照射フラッシュ及び後続の運動減衰の段階中に前記第１の距離よりも短い前記減衰部材と前記工作物の間の第２の距離を維持することとをさらに含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】
前記運動減衰段階後の冷却段間中に前記減衰部材と前記工作物の間で前記第２の距離よりも長い第３の距離を維持することをさらに含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
加えることは、空間的に変化する減衰力を加えることを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項３６】
前記減衰部材は、複数の陥凹部が画定された平面プレートを含み、その結果、ガス圧の変化に起因する前記減衰力が、各陥凹部近傍では、前記陥凹部から離れたところの前記減衰力よりも小さい、請求項３５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月21日(2007.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランスファプレスの加工段階を通じて、ワークピースを移動するための装置であって、ツールの個数が、ワークピースを生産するために必要な作業段階の数に対応しており、前記装置は、互いに平行に配置された、２つの支持レール（１０）を備え、前記２つの支持レール（１０）に、ワークピースを収容、及び、移動するための、把持部、又は、クロスメンバーが固定されており、前記２つの支持レール（１０）、又は、関連する移動用キャリッジは、ワークピースを移動する目的ために、ワークピースを移動する方向、及び、その反対の方向に水平移動を行い、ツール交換作業中に前記２つの支持レール（１０）を交換するために、それぞれの前記支持レール（１０）に、少なくとも１つの直線駆動装置（１６、１７）を備え、前記直線駆動装置は、前記支持レール（１０）の外端に位置することを特徴とし、さらに、前記支持レール（１０）は、支持レールロック（１３）を介して交換され、前記直線駆動装置（１６、１７）は、支持レール末端部（１１、１２）を互いに所定の距離を置いて離間させることを特徴とする、ワークピース移動装置。
【請求項２】
直線駆動装置（１６、１７）が、支持レール末端部（１１、１２）に少なくとも部分的に配設されていることを特徴とする、請求項１記載の移動装置。
【請求項３】
直線駆動装置（１６、１７）におけるセコンダリ部（２０、２１）が、支持レール末端部（１１、１２）に配設されていることを特徴とする、請求項１又は２記載の移動装置。
【請求項４】
支持レール（１０）は、支持レールロック（１３）によって、支持レール末端部（１１、１２）に接続され、前記支持レールロックは、回転式テンションクランプとして設計されていることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の移動装置。
【請求項５】
セコンダリ部（２１）は２つの部分に分離され、一方の部分は支持レール末端部（１２）に配設され、他方の部分は支持レール（１０）に配設され、支持レールロック（１３）が所定の位置に固定されたとき、これら２部分がユニットを形成することを特徴とする、請求項３記載の移動装置。
【請求項６】
直線駆動装置（１６、１７）が互いに独立して変位可能であることを特徴とする、請求項１記載の移動装置。
【請求項７】
支持レール末端部（１１、１２）は、支持ロック（１３）が開いているとき、互いに、反対の方向に、独立して変位可能であることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の移動装置。
【請求項８】
支持レール（１３）における基台（１４）は、支持レール末端部（１１、１２）の空洞形状と合致することを特徴とする、請求項１ないし７のいずれかに記載の移動装置。
【請求項９】
２つの支持レールロック（１３）と、少なくとも１つの直線駆動装置装置（１６、１７）が、支持レール（１０）を交換する目的で、隙間を作るために使用されることを特徴とする、請求項１ないし８のいずれかに記載の移動装置。
【請求項１０】
３方向移動手段のための支持レールが、把持部を伴って把持レールとして設計されていて、リフティング機構を用いて垂直移動を行うことができると共に、開閉機構を用いて、部品を移動する方向に対して横方向に移動でき、さらに、好ましくは、直線駆動装置が、少なくとも水平移動を行えることを特徴とする、請求項１ないし９のいずれかに記載の移動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月9日(2008.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質膜を含む物品であって、ここで前記膜の表面は、膜表面に付着している１又は複数の単量体の重合により親水性になるよう修飾されており、前記表面修飾膜の相対的極性相互作用特性及び非極性相互作用特性が、前記修飾膜と接触している液体から微細気泡を除去することを特徴とする、前記物品。
【請求項２】
表面修飾膜が、分解に対して機械的に安定である、請求項１に記載の物品。
【請求項３】
膜の相対的極性及び非極性相互作用特性が、修飾表面のアミド及びメチレン部分の濃度により調節される、請求項１に記載の物品。
【請求項４】
修飾膜が、濾過装置に組み込まれている、請求項１に記載の物品。
【請求項５】
重合性多孔質膜基材を含む複合多孔質膜であって、ここで前記重合性多孔質膜基材は約０．００５〜約０．０５ミクロンの孔を有し、前記基材はアミド基で修飾された表面を有しており、前記アミド基は重合性組成物に由来し、前記重合性組成物は多孔質基材の表面に付着している１又は複数のアミド単量体を含み、前記多孔質基材の表面でインシトゥで重合していることを特徴とする、前記複合多孔質膜。
【請求項６】
重合性組成物が、Ｎ，Ｎ−メチルビスアクリルアミド（ＭＢＡＭ）、ジメチルアクリルアミド（ＤＭＡＭ）、又は約１：０〜約１：４のＭＢＡＭ／ＤＭＡＭ重量比のこれらの組合せを含む、請求項５に記載の複合多孔質膜。
【請求項７】
重合性組成物が、開始剤を含む、請求項５に記載の複合多孔質膜。
【請求項８】
基材が、超高分子量ポリエチレンである、請求項５に記載の複合多孔質膜。
【請求項９】
基材が、ポリテトラフルオロエチレンである、請求項５に記載の複合多孔質膜。
【請求項１０】
５０ｐｓｉを超える平均ＩＰＡ泡立ち点を有する、請求項５に記載の複合多孔質膜。
【請求項１１】
メチレン基に対するアミド基の比が、膜の極性及び非極性相互作用特性を調節する、請求項５に記載の複合多孔質膜。
【請求項１２】
液体から微細気泡を除去する方法であって、前記液体を、約０．０１〜０．０３ミクロンの平均ポアサイズを有し、第一の重合体で形成されている複合多孔質膜基材で濾過する工程を含み、ここで前記基材は、架橋された第二の重合体により直接表面全体が被覆されており、前記架橋された第二の重合体は、遊離基開始剤及びジメチルアクリルアミド（ＤＭＡＭ）が場合によって混合されたＮ，Ｎ−メチルビスアクリルアミド（ＭＢＡＭ）を含む単量体組成物を用いてインシトゥで重合される単量体から形成され、前記単量体組成物は前記基材上でインシトゥで架橋され、前記複合多孔質膜は多孔質膜基材と本質的に同じ多孔質構造を有することを特徴とする、前記方法。
【請求項１３】
第一の重合体が超高分子量ポリエチレンである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
第一の重合体がポリテトラフルオロエチレンである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
液体が、酸性トップ反射防止コーティング液である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
液体が、界面活性剤を含有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
液体が、フッ素重合体を含有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
液体が、フッ素重合体及び界面活性剤を含有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
界面活性剤が、フッ素化界面活性剤である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
界面活性剤が、フッ素化界面活性剤である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
液体から微細気泡を除去する方法であって、前記液体を多孔質膜で濾過する工程を含み、ここで前記多孔質膜は、膜の極性及び非極性相互作用特性を調節するようなアミド基のメチレン基に対する比を有することを特徴とする、前記方法。
【請求項２２】
液体を回転ウエハー上に塗布する段階をさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月25日(2008.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管腔を内部に定め、かつ、近位端および遠位端を有する細長いシャフトと、
細長いシャフトの遠位端に動作自在に装着されて組織を操作する移動先端部と、
細長いシャフトの近位端に動作自在に接続されて細長いシャフトを介して外科手術部位まで潅注液を選択的に搬入し、外科手術部位から潅注液を選択的に排除する弁組立体と、を備えることを特徴とする外科手術装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月7日(2008.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが硬質の複数の個々のグレージング部材（１．１〜１．４、２．１〜２．４）からなり、かつ結合層によって互いに表面で組み立てられ、互いに延長方向に延びて、グレージング部材の面上の垂直な突起における隣接する縁領域において部分的に重なり合い、縁側でこの限定的な重複領域（３）において互いに組み立てられる少なくとも２つの積層グレージング部材（１、２）のためのアセンブリデバイスであって、硬質グレージング部材の一部のみ、各積層グレージング部材（１、２）の少なくとも１つの個々のグレージング部材（１．１、１．２、２．１、２．２）が重複領域（３）に及ぶことを特徴とする、アセンブリデバイス。
【請求項２】
重複領域（３）に及ぶ個々のグレージング部材（１．１、１．２、２．１、２．２）の厚さと、必要に応じて少なくとも１つの中間層（７）の厚さとによって規定される重複領域（３）の厚さが、全体で個々の積層グレージング部材（１、２）の厚さを超えないことを特徴とする、請求項１に記載のアセンブリデバイス。
【請求項３】
各積層グレージング部材（１、２）が、重複領域（３）において隣接する縁と縁を合わせたリム（１Ｋ、１Ｋ’、２Ｋ、２Ｋ’）を有し、延長方向において互いを埋め合わせることを特徴とする、請求項１又は２に記載のアセンブリデバイス。
【請求項４】
各積層グレージング部材（１、２）が、１つの突き出たリム（１Ｋ、２Ｋ）を有する突き出た少なくとも１つの個々のグレージング部材と、１つの凹んだリム（１Ｋ’、２Ｋ’）を有する少なくとも１つの個々のグレージング部材とを縁領域において含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載のアセンブリデバイス。
【請求項５】
１つの突き出たリム（１Ｋ、２Ｋ）及び／又は１つの凹んだリム（１Ｋ’、２Ｋ’）が、表面で互いに組み立てられた複数の個々のグレージング部材（１．１、１．２；２．１、２．２；１．３、１．４；２．３、２．４）に共通して属していることを特徴とする、請求項４に記載のアセンブリデバイス。
【請求項６】
延長方向において見た場合に、第２の積層グレージング部材の突き出たリム（１Ｋ、２Ｋ）が、第１の積層グレージング部材の凹んだリム（１Ｋ’、２Ｋ’）に常に続くことを特徴とする、請求項４又は５に記載のアセンブリデバイス。
【請求項７】
互いに対する２つのリムのオフセット（１Ｋ、１Ｋ’；２Ｋ、２Ｋ’）が、積層グレージング部材（１、２）の縁側で互い違いの構造を形成することを特徴とする、請求項４、５又は６に記載のアセンブリデバイス。
【請求項８】
一方の積層グレージング部材上に、その間に配置された少なくとも２つの突き出たリムと少なくとも１つの凹んだリムが設けられ、もう一方の積層グレージング部材上に、少なくとも１つの突き出たリムと少なくとも２つの凹んだリムが設けられ、これらの積層グレージング部材が少なくとも３つの個々のグレージング部材を含むことを特徴とする、請求項４、５又は６に記載のアセンブリデバイス。
【請求項９】
重複領域（３）において、一連の積層グレージング部材（１、２）を結合する少なくとも１つの機械的なアセンブリ部材（５）が設けられたことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載のアセンブリデバイス。
【請求項１０】
重複領域（３）において、１つの中間結合層が２つの一連の積層グレージング部材の面間に設けられたことを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載のアセンブリデバイス。
【請求項１１】
積層グレージング部材（１、２）の重複領域（３）において、積層グレージング部材（１、２）を貫通する少なくとも１つの貫通孔（６）が、機械的なアセンブリ部材（５）の挿入及び／又は固定のために設けられたことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のアセンブリデバイス。
【請求項１２】
アセンブリ部材（５）が、貫通孔において積層グレージング部材を貫通するその長手方向の軸を心出しするための手段を含むことを特徴とする、請求項１１に記載のアセンブリデバイス。
【請求項１３】
アセンブリ部材（５）が、第１の積層グレージング部材（１）の第１の個々のグレージング部材（１．２）の穴の軸に固定して中心に配置され、それが、軸の外側の別の積層グレージング部材（２）に属する第２の個々のグレージング部材（２．２）の穴の偏心配置を補正する手段（偏心リング１６．１、１６．２）を含むことを特徴とする、請求項１２に記載のアセンブリデバイス。
【請求項１４】
アセンブリ部材が、貫通孔（６）に挿入できる少なくとも１つの棒又は１つのスリーブ（８）と、正確な調整において棒又はスリーブを取り囲み、個々のグレージング部材の穴において調整できる１つの心出しリング（１５）と、少なくとも１つの偏心リングであって、一方で、正確な調整において棒又はスリーブを取り囲み、もう一方で、別の個々のグレージング部材の穴において調整できる少なくとも１つの偏心リングとを含むことを特徴とする、請求項１３に記載のアセンブリデバイス。
【請求項１５】
アセンブリ部材（５）が、外側に貫通孔を覆うためのエンドワッシャー（１０、１３）を含むことを特徴とする、請求項１１〜１４のいずれか１項に記載のアセンブリデバイス。
【請求項１６】
エンドワッシャー（１０、１３）が棒又はスリーブ（８）とともに、締め付けることができ又はねじ込むことができ、デバイスにおいて、棒又はスリーブ（８）が２つのエンドワッシャーの締め付け又はねじ込み後に貫通孔の軸方向において固定されることを特徴とする、請求項１４又は１５に記載のアセンブリデバイス。
【請求項１７】
エンドワッシャー（１０、１３）が、貫通孔（６）の出口の周りの積層グレージング部材（１、２）の外面で平らに適用されることを特徴とする、請求項１５又は１６に記載のアセンブリデバイス。
【請求項１８】
貫通孔（６）においてアセンブリ部材（５）を挿入及び／又は設置した後、残りの中空スペースが充填剤の塊で満たされることを特徴とする、請求項１１〜１７のいずれか１項に記載のアセンブリデバイス。
【請求項１９】
エンドワッシャー（１０、１３）が、充填剤の塊を挿入するためのオリフィス（１７）を含むことを特徴とする、請求項１８又は請求項１５〜１７のいずれか１項に記載のアセンブリデバイス。
【請求項２０】
エンドワッシャーがまた、挿入した充填剤の塊によって置換される空気を排出するためのオリフィス（１８）を含むことを特徴とする、請求項１９に記載のアセンブリデバイス。
【請求項２１】
重複領域に及ぶ少なくとも個々のグレージング部材が、部分的に圧縮応力を加えるか又は圧縮応力を加えたガラスから作られることを特徴とする、請求項１〜２０のいずれか１項に記載のアセンブリデバイス。
【請求項２２】
請求項１〜２１のいずれか１項に記載の１つ又は複数のアセンブリ部材によって互いに組み立てられた少なくとも２つの積層グレージング部材からなる、構造モジュール。
【請求項２３】
骨格に取り付けられた複数のガラスグレージング部材からなり、一方で平面に配置され、請求項２２に記載の少なくとも１つの構造モジュールによる作用力に対してこの平面に関して横方向に強化される、表面。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月10日(2008.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液化ガスを輸送するための少くとも１つの貨物タンクを備えたキャリヤーであって、
主甲板と、二重底を構成する外側底と内側底を有し、該内側底に該キャリヤーの長手方向に間隔を置いて複数の凹部が形成されており、該各凹部は、前記各貨物タンクの一部分を受容するように設計されており、該内側底から該キャリヤーの中立軸線までの距離が、前記外側底から主甲板までの距離の約１５〜３０％の割合とされていることを特徴とするキャリヤー。
【請求項２】
前記内側底から該キャリヤーの中立軸線までの距離が、前記外側底から主甲板までの距離の約２５％の割合とされている請求項１に記載のキャリヤー。
【請求項３】
前記二重底から離隔されて該二重底の頂部に支持された、側部タンクを具備する請求項１又は２に記載のキャリヤー。
【請求項４】
前記側部タンクは、バラストのためのタンクである請求項３に記載のキャリヤー。
【請求項５】
前記貨物タンクを支持するためのスカートが前記二重底の内側底に取り付けられている請求項１〜３のいずれか１項に記載のキャリヤー。
【請求項６】
前記二重底の内側底と外側底の間に空間が形成されており、該空間は、密閉空間であり、空洞及びバラスト収容タンクを構成する請求項１〜５のいずれか１項に記載のキャリヤー。
【請求項７】
前記二重底内の空間は、長手方向の隔壁によって左舷スペースと、中央スペースと、右舷スペースに分割されている請求項１〜６のいずれか１項に記載のキャリヤー。
【請求項８】
前記各凹部は、前記内側底と外側底の間の空間が密閉空間となり、各凹部が二重底の空間内に潜り込むような態様に該内側底に形成された構造体である請求項７項に記載のキャリヤー。
【請求項９】
前記各凹部の水平断面は、該凹部の深さとともに変化する形状及び、又はサイズを有し、前記内側底の頂部表面積は、該すべての凹部の水平断面の合計面積より大きい請求項１〜７のいずれか１項に記載のキャリヤー。
【請求項１０】
前記凹部は、半球構造体又は半多角形構造体として形成され、該凹部の水平断面は、八角形、多角形、又は円形である請求項１〜９のいずれか１項に記載のキャリヤー。
【請求項１１】
前記各凹部の水平断面の面積は、該凹部の底部に向かって漸次減小している請求項１〜１０のいずれか１項に記載のキャリヤー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
各凹部の水平断面形状は、凹部の深さとともに変化するように形成することができるが、内側底の凹部部分を除く頂部表面積は、内側底の頂部高さ位置におけるすべての凹部の水平断面の合計断面積より大きくなるように構成する。凹部の好ましい実施形態では、凹部の水平断面は凹部の底部に向かって漸次減小する構成とされる。凹部は、半球構造体又は半多角形構造体として形成することができ、凹部の水平断面は八角形、多角形、円形等とすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図１及び２に示されるキャリヤーは、内側底３と外側底４から成る二重底２を備えた本発明による新規なＬＮＧキャリヤーである。このキャリヤーの主甲板は、符号２３で示されている。内側底３は、ＬＮＧキャリヤー上に設置される貨物タンクの数に対応する数の複数個の凹部５を具備している。ＬＮＧキャリヤーは、更に、貨物タンクを支持するためのスカート７を備えている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
各凹部５の水平断面は、その形状及び寸法が凹部の深さとともに（深さが深くなるにつれて）変化する構成とすることができる。図１にみられるように、内側底３の表面積は、内側底の頂部高さ位置におけるすべての凹部５の水平断面の合計断面積より大きい。図示の実施例では、内側底の頂部高さ位置における凹部５の水平断面は、八角形である。各凹部５は、内側底３と外側底４の間の空間内へ潜り込むような態様に形成され、内側底と外側底の間の空間が密閉状態に維持されるよう内側底と一体に形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図３の船殻の構成と図２の本発明によるＬＮＧキャリヤーの船殻を比較すると、当業者には明らかなように、図３の従来のＬＮＧキャリヤーは二重底を備えていないのに対して、図２の本発明のＬＮＧキャリヤーは、明確に構成された二重底を有している。図３においては、バラスト水のための側部タンク１３ａ，１３ｂはいわゆるホッパータンクであり、各側部タンクは、ＬＮＧキャリヤーの底部のスペースと側部のスペースの両方を占めている。これに対して、図２においては、二重底２は、ＬＮＧキャリヤーの両側部のスペース（タンク）１９，２０から内側底３によって分離されている。側部のスペース１９，２０は、バラスト水のためのタンクとして機能し、二重底のスペース１６，１７，１８は、バラスト水のためのタンクとして使用してもよく、あるいは、空のスペースとしてもよい。