【手続補正書】
【提出日】平成19年8月17日(2007.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路パターンが描かれたフォトマスクを照明する照明光学系と、
前記照明光学系によって照明されたフォトマスク上の回路パターンをウェハの表面のレジスト層に投影する投影光学系と、
前記投影光学系と前記ウェハとの間を満たす液体を保持する液槽と
を備えた露光装置であって、
前記液槽は、ウェハ載置領域を有する底部と、前記底部と一体的に設けられると共に、前記ウェハ載置領域を囲む側壁部と、前記ウェハ載置領域に載置されるウェハと前記側壁部との間に介在し、前記ウェハの表面と実質的に同一面を構成してウェハ表面全体の温度分布の均一化を図る温度分布均一化部とを含む
ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記温度分布均一化部の表面の反射率がウェハの表面のそれと実質的に同一である
ことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記温度分布均一化部の熱伝導率がウェハのそれと実質的に同一である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記温度分布均一化部とウェハとの隙間は５０μｍ以上、１００μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記温度分布均一化部は前記側壁部および底部と別体のスペーサである
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記温度分布均一化部は前記側壁部および底部と一体的に形成されている
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記スペーサは、基材の表面に薄膜を形成したものである
ことを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項８】
前記基材は、セラミック，アートン，ゼオノア，アクリル，ポリカーボネート，ガラスまたはＳｉＣにより形成され、
前記薄膜は、ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，ＺｎＯ2 ，ＭｇＦ2 ，ａ−Ｓｉ，ａ−Ｃ，ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，ＳｉＣ，ＳｉＯＣ，ＴｉＮまたはＴｉＯＮにより形成されている
ことを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
ウェハ載置領域を有する底部、前記底部と一体的に設けられると共に前記ウェハ載置領域を囲む側壁部、および前記ウェハ載置領域に載置されるウェハと前記側壁部との間に介在し前記ウェハの表面と実質的に同一面を構成してウェハ表面全体の温度分布の均一化を図る温度分布均一化部を含む液槽と、回路パターンが描かれたフォトマスクを照明する照明光学系と、前記照明光学系によって照明されたフォトマスク上の回路パターンをウェハの表面のレジスト層に投影する投影光学系とを備えた露光装置を用意する工程と、
表面にレジスト層を有するウェハを前記ウェハ載置領域に載置する工程と、
前記液槽内のウェハおよび温度分布均一化部上に液体を満たす工程と、
前記液槽内に満たされた液体に前記投影光学系の先端を浸す工程と、
前記照明光学系からレーザ光を射出して、前記フォトマスク上の回路パターンを照射すると共に、その回路パターンからの結像光束を前記投影光学系および前記液体を通して前記レジスト層に結像投影する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置、および半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、微細な回路パターンをウェハ表面のレジスト層に露光するための露光装置およびその露光装置を用いた半導体装置の製造方法に係り、特に、投影レンズとウェハとの間に液体を満たして露光する所謂液浸型の露光装置およびその露光装置を用いた半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、投影レンズとウェハとの間の媒質の屈折率または露光光の波長に依存することなく、投影レンズとウェハとの間の媒質の径方向の温度分布を均一化し、ウェハ全体にわたって均一の解像度を得ることができる露光装置およびその露光装置を用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の露光装置は、以下の各構成要素（Ａ１）〜（Ａ４）を備えたものである。
（Ａ１）回路パターンが描かれたフォトマスクを照明する照明光学系
（Ａ２）照明光学系によって照明されたフォトマスク上の回路パターンをウェハ表面のレジスト層に投影する投影光学系
（Ａ３）投影光学系とウェハとの間を満たす液体を保持する液槽
（Ａ４）液槽が、ウェハ載置領域を有する底部と、底部と一体的に設けられると共に、ウェハ載置領域を囲む側壁部と、ウェハ載置領域に載置されるウェハと側壁部との間に介在し、ウェハの表面と実質的に同一面を構成してウェハ表面全体の温度分布の均一化を図る温度分布均一化部とを含むこと
本発明の半導体装置の製造方法は、以下の各工程（Ｂ１）〜（Ｂ５）を含むものである。
（Ｂ１）ウェハ載置領域を有する底部、底部と一体的に設けられると共にウェハ載置領域を囲む側壁部、およびウェハ載置領域に載置されるウェハと側壁部との間に介在しウェハの表面と実質的に同一面を構成してウェハ表面全体の温度分布の均一化を図る温度分布均一化部を含む液槽と、回路パターンが描かれたフォトマスクを照明する照明光学系と、照明光学系によって照明されたフォトマスク上の回路パターンをウェハの表面のレジスト層に投影する投影光学系とを備えた露光装置を用意する工程
（Ｂ２）表面にレジスト層を有するウェハをウェハ載置領域に載置する工程
（Ｂ３）液槽内のウェハおよび温度分布均一化部上に液体を満たす工程
（Ｂ４）液槽内に満たされた液体に投影光学系の先端を浸す工程
（Ｂ５）照明光学系からレーザ光を射出して、フォトマスク上の回路パターンを照射すると共に、その回路パターンからの結像光束を投影光学系および液体を通してレジスト層に結像投影する工程
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この露光装置、および半導体装置の製造方法では、ウェハと実質的に同一面を構成する温度分布均一化部によって、ウェハの周辺部分の液温がウェハの表面部分のそれと実質的に同じになり、温度分布の均一化が図られる。温度分布均一化部は、例えば、その表面がウェハ表面と実質的に同一の反射率を有し、更に好ましくは熱伝導率がウェハと実質的に同一のものであり、これにより露光時の温度分布がウェハの中心部および周縁部を含めて全体的に均一になる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の露光装置、および半導体装置の製造方法によれば、液槽内の、ウェハ載置領域に載置されるウェハと側壁部との間に温度分布均一化部を設け、この温度分布均一化部によりウェハの表面と実質的に同一面を構成し、ウェハ表面全体の特に径方向の温度分布の均一化を図るようにしたので、ウェハ表面の全体にわたって解像度が均一化される。