【手続補正書】
【提出日】令和1年7月31日(2019.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の状態を有するモノリシック形状記憶ポリマー（ＳＭＰ）発泡体
を含むシステムであって、前記ＳＭＰ発泡体は、（ａ）ポリウレタン、（ｂ）内側ストラットによって画定された内側網状化セルを有する内側半分部分、および（ｃ）前記ＳＭＰ発泡体の断面を備える平面において前記内側半分部分を囲む、外側ストラットによって画定された外側網状化セルを有する外側半分部分を備えるシステム。
【請求項２】
前記外側網状化セルが前記内側網状化セルより網状化しているような網状化勾配を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ＳＭＰ発泡体が、遠位部分および近位部分を含み、
前記遠位部分が、前記内側半分部分および前記外側半分部分を含み、
前記遠位部分および近位部分のうちの１つは、前記遠位部分および近位部分の別のものよりも大いに網状化したセルを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記ＳＭＰ発泡体が、経時的に、疎水性の増加に向かい回復するように構成された表面エネルギーを有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記内側および外側ストラットは両方がＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン（ＨＰＥＤ）、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）およびヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）を含み、ＴＥＡはＨＰＥＤよりも、高いヒドロキシル基のモル比に寄与する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記ＳＭＰ発泡体が０．０６ｇ／ｃｍ3未満の密度を有する、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記内側および外側ストラットは両方がＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン（ＨＰＥＤ）、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）およびトリメチルヘキサメチレンジアミン（ＴＭＨＤＩ）を含み、ＨＰＥＤはＴＥＡよりも、高いヒドロキシル基のモル比に寄与する、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
炭化水素膜を含むシステムであって、
前記ＳＭＰ発泡体が、追加の内側ストラットと、追加の外側ストラットとを含み、前記追加の外側ストラットは前記ＳＭＰ発泡体の断面を備える平面において前記内側半分部分を囲み、
前記炭化水素膜が前記追加の内側ストラットと前記追加の外側ストラットの両方を覆う、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記炭化水素膜が５００ｎｍほど厚くない、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記炭化水素膜が疎水性である、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
前記追加の内側ストラットが前記内側半分部分に含まれ、前記追加の外側ストラットが前記外側半分部分に含まれる、請求項８に記載のシステム。
【請求項１２】
前記炭化水素膜が、ビニル基をさらに含む炭化水素ポリマーを含む、請求項８に記載のシステム。
【請求項１３】
前記ＳＭＰ発泡体は、前記炭化水素膜に基づく熱刺激に曝されたとき非線形膨張速度を含む、請求項８に記載のシステム。
【請求項１４】
前記内側および外側ストラットは両方が、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン（ＨＰＥＤ）、グリセロール、ペンタンジオールおよびヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記ＳＭＰ発泡体が、前記内側および外側ストラットの両方の外面に化学的に結合したヒドロキシル基を含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項１６】
第１および第２の状態を有するモノリシック形状記憶ポリマー（ＳＭＰ）発泡体、および
炭化水素膜
を備えるシステムであって、
前記ＳＭＰ発泡体が、（ａ）ポリウレタン、（ｂ）内側ストラットによって画定された内側網状化セルを有する内側半分部分、および（ｃ）前記ＳＭＰ発泡体の断面を備える平面において前記内側半分部分を囲む、外側ストラットによって画定された外側網状化セルを有する外側半分部分を備え、
前記炭化水素膜が前記内側および外側ストラットの両方を覆うシステム。
【請求項１７】
前記炭化水素膜が５００ｎｍほど厚くなく、前記炭化水素膜が疎水性である、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
プラズマチャンバ内に第１および第２の状態を有するモノリシック形状記憶ポリマー（ＳＭＰ）発泡体を配置すること、
前記チャンバを第１の圧力レベル範囲まで排気すること、
前記第１の圧力レベル範囲にある間、第１のガス混合物を前記チャンバに供給すること、
前記第１のガス混合物を第１のプラズマにイオン化すること、
第１の期間にわたって前記ＳＭＰ発泡体を前記第１のプラズマに曝して前記ＳＭＰ発泡体のセルを網状化し、前記網状化したセルの内側および外側ストラットの表面を酸化させること、および
前記ＳＭＰ発泡体を大気圧に曝すこと
を含む方法であって、
前記ＳＭＰ発泡体が、（ａ）ポリウレタンと、（ｂ）前記内側ストラットを含む内側半分部分と、（ｃ）前記ＳＭＰ発泡体の断面を備える平面において前記内側半分部分を囲む、前記外側ストラットを含む外側半分部分とを含む方法。
【請求項１９】
前記ＳＭＰ発泡体を前記第１のプラズマに曝した後に、続いて、
前記ＳＭＰ発泡体を含む前記チャンバおよび別のチャンバの少なくとも１つを第２の圧力レベル範囲まで排気すること、
前記第２の圧力レベル範囲にある間に第２のガス混合物を前記チャンバおよび別のチャンバの前記少なくとも１つに供給すること、
前記第２のガス混合物を第２のプラズマにイオン化すること、および
第２の期間にわたって前記ＳＭＰ発泡体を前記第２のプラズマに曝して、前記内側および外側ストラットの両方の前記酸化した表面上に炭化水素膜を形成すること
を含む方法であって、
前記炭化水素膜が５００ｎｍほど厚くない、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１のガス混合物が酸素およびテトラフルオロメタンを含み、前記第２のガス混合物がアセチレン、エチレン、プロピレン、メタン、イソブチレン、エタン、プロパン、ブタンおよびアルゴンからなる群から選択される少なくとも１つのメンバーを含む、請求項
１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２の期間、前記ＳＭＰ発泡体を前記第２のプラズマに曝す前に前記ＳＭＰ発泡体の一部をマスキングすることを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１の期間、前記ＳＭＰ発泡体を前記第１のプラズマに曝す前に前記ＳＭＰ発泡体の一部をマスキングすることを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
前記内側および外側ストラットは両方がＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン（ＨＰＥＤ）、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）およびヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）を含み、ＴＥＡはＨＰＥＤよりも、高いヒドロキシル基のモル比に寄与する、請求項８に記載のシステム。
【請求項２４】
前記ＳＭＰ発泡体が、前記内側および外側ストラットの両方の外面に化学的に結合したヒドロキシル基を含む、請求項８に記載のシステム。
【請求項２５】
前記内側および外側ストラットは両方がＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン（ＨＰＥＤ）、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）およびヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）を含み、ＴＥＡはＨＰＥＤよりも、高いヒドロキシル基のモル比に寄与する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２６】
前記ＳＭＰ発泡体が、前記内側および外側ストラットの両方の外面に化学的に結合したヒドロキシル基を含む、請求項１８に記載の方法。