【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年12月6日(2007.12.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の交互に配置された狭いバンドギャップ半導体層及び広いバンドギャップ半導体層を有する超格子構造と、
光を変調する為に、第二の低い電圧範囲と境を接する第一の電圧範囲の電圧を前記超格子構造に加える電源と、
を備える、光を変調する為の光変調器であって、
異なる狭いバンドギャップ層内の電子と正孔のエネルギー状態の波動関数が結合され、前記超格子構造は吸収端により特徴づけられる吸収スペクトルを有し、
第一の電圧範囲では電圧が増加するにつれて吸収端が赤方偏移し、光に対する超格子構造の透過率が減少し、
第二の電圧範囲では、電圧が増加するにつれて吸収端が青方偏移し、透過率が増加する、
光変調器。
【請求項２】
前記第一の電圧範囲では、前記波動関数は実質的に分離され、前記吸収端は、同じ狭いバンドギャップ層内でのエネルギー状態間の移行により決定される、
請求項１に記載の光変調器。
【請求項３】
前記第一の電圧範囲の電圧の印加に続いて、前記電源が、変調器内の光の通過により変調器内に生成される電子と正孔を取り除く為に、前記第二の電圧範囲の電圧を前記変調器に印加する、
請求項１または２に記載の光変調器。
【請求項４】
実質的に、狭いバンドギャップ層には、非発光性の電子トラップがなく、少なくとも１つの広いバンドギャップ層に非発光性の電子トラップが種付けられている、
請求項１〜請求項３のいずれかに記載の光変調器。
【請求項５】
前記少なくとも１つの広いバンドギャップ層が、全ての広いバンドギャップ層を含む、
請求項４に記載の光変調器。
【請求項６】
前記少なくとも１つの広いバンドギャップ層が、全部ではないが、いくつかの広いバンドギャップ層を含む、
請求項４に記載の光変調器。
【請求項７】
前記少なくとも１つの広いバンドギャップ層が、二層毎の広いバンドギャップ層を含む、
請求項６に記載の光変調器。
【請求項８】
前記少なくとも１つの広いバンドギャップ層が、４層毎の広いバンドギャップ層を含む、
請求項６に記載の光変調器。
【請求項９】
広いバンドギャップ層の前記トラップは、低温で広いバンドギャップ層を成長させる事により生成される、
請求項４〜請求項８のいずれかに記載の光変調器。
【請求項１０】
前記狭いバンドギャップ層の厚さは、１０ナノメーター以下である、
請求項１〜請求項９のいずれかに記載の光変調器。
【請求項１１】
前記狭いバンドギャップ層の厚さは、実質的には３ナノメーターである、
請求項１０に記載の光変調器。
【請求項１２】
前記広いバンドギャップ層の前記厚さは、６ナノメーター以下である、
請求項１〜請求項１１のいずれかに記載の光変調器。
【請求項１３】
前記広いバンドギャップ層の前記厚さは、実質的には３ナノメーターである、
請求項１２に記載の光変調器。
【請求項１４】
狭いバンドギャップ層に対する広いバンドギャップ層の厚さの比は１以上である、
請求項１〜請求項１３のいずれかに記載の光変調器。
【請求項１５】
前記比率は２以上である、請求項１４に記載の光変調器。
【請求項１６】
前記比率は３以上である、請求項１４に記載の光変調器。
【請求項１７】
前記超格子構造を構成する狭いバンドギャップ層の数は５０より上である、請求項１〜請求項１６のいずれかに記載の光変調器
【請求項１８】
前記超格子構造に含まれる狭いバンドギャップ層の数は実質的には２００である、
請求項１７に記載の光変調器。
【請求項１９】
前記超格子構造に含まれる狭いバンドギャップ層の数は実質的には３００である、
請求項１８に記載の光変調器。
【請求項２０】
前記超格子構造はpinダイオードの真性（intrinsic）領域内に形成される、
請求項１〜請求項１９のいずれかに記載の光変調器。
【請求項２１】
前記第一の電圧範囲は下限が３０ボルト未満である、
請求項１〜請求項２０のいずれかに記載の光変調器。
【請求項２２】
前記第一の電圧範囲の下限は、１５ボルト未満である、
請求項２１に記載の光変調器。
【請求項２３】
前記第一の電圧範囲の下限は、５ボルトから１０ボルトの間である、
請求項２２に記載の光変調器。
【請求項２４】
前記第一の電圧範囲の下限は、実質的に２５ボルトである、
請求項２１に記載の光変調器。
【請求項２５】
前記第一の電圧範囲は、２５ボルトから５５ボルトの電圧範囲である、
請求項２１に記載の光変調器。
【請求項２６】
前記狭いバンドギャップ層はGaAsで形成される、
請求項１〜請求項２５のいずれかに記載の光変調器。
【請求項２７】
前記広いバンドギャップ層はAlxGa(1-x)Asで形成される、
請求項１〜請求項２６のいずれかに記載の光変調器。
【請求項２８】
ｘは０．７以下である、請求項２７に記載の光変調器。
【請求項２９】
ｘは実質的に０．３である、請求項２８に記載の光変調器。
【請求項３０】
複数の交互に配置された狭いバンドギャップ半導体層及び広いバンドギャップ半導体層を有する超格子構造に、光線が入射するように光線を誘導することと、
光を変調する為に、第二の低い電圧範囲に境を接する第一の電圧範囲の電圧を前記超格子構造に加えることと、
を含む、光線の強度を変調する方法であって、
電圧が超格子に加えられていない時、異なる狭いバンドギャップ層内の電子と正孔のエネルギー状態の波動関数が結合され、前記超格子構造が、吸収端により特徴づけられる吸収スペクトルを有し、
第一の電圧範囲では電圧が増加するにつれて吸収端が赤方偏移し、光に対する
超格子構造の透過率は減少し、第二の電圧範囲では電圧が増加するにつれて吸収端が青
方偏移し、光の透過率が増加する、方法。
【請求項３１】
前記第一の電圧範囲では、実質的に前記波動関数は分離され、前記吸収端は同じ狭いバンドギャップ層内のエネルギー状態間の移行により決定される、
請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記第一の電圧範囲の電圧の印加に続いて、変調器内の光の通過により変調器内に生成される電子と正孔を取り除く為に、前記第二の範囲の電圧を変調器に印加することを含む、
請求項３０または３１に記載の方法。
【請求項３３】
複数の交互に配置された狭いバンドギャップ半導体層及び広いバンドギャップ半導体層を含む多層のヘテロ結合構造と、
少なくとも１つの前記広いバンドギャップ層に位置する電子トラップと、を備え、
実質的に、前記狭いバンドギャップ層には電子トラップを含まない、光変調器。
【請求項３４】
前記少なくとも１つの広いバンドギャップ層が、全ての広いバンドギャップ層を含む、
請求項３３に記載の光変調器。
【請求項３５】
前記少なくとも１つの広いバンドギャップ層が、全部ではないが、いくつかの広いバンドギャップ層を含む、
請求項３３に記載の光変調器。
【請求項３６】
前記少なくとも１つの広いバンドギャップ層が、二層毎の広いバンドギャップ層を含む、
請求項３５に記載の光変調器。
【請求項３７】
前記少なくとも１つの広いバンドギャップ層が、４層毎の広いバンドギャップ層を含む、
請求項３５に記載の光変調器。
【請求項３８】
広いバンドギャップ層の前記トラップは、低温で、前記広いバンドギャップ層を成長させる事により生成される、
請求項３３〜請求項３７のいずれかに記載の光変調器。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
MQW構造は、狭いバンドギャップの材料の層の各々が２つの広いバンドギャップの材料の層の間に挟まれるように、広いバンドギャップの半導体材料の層と交互に設けられた狭いバンドギャップの半導体材料の薄い層とが積層されている。その交互の構造は、伝導帯の電子と価電子帯の正孔を閉じ込める事のできる狭いバンドギャップ内に配置された、一連の量子井戸を形成する。狭いバンドギャップ層の各々は、伝導帯の電子を閉じ込める量子井戸と、価荷電子帯の正孔を閉じ込める量子井戸を有する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
下記は、本発明の実施形態の例を記載したものであり、ここに添付した図面を参照しながら読まれるべきものである。図面において、１以上の図面に現れる同一の構造、要素又は部分は、通常、それらが現れる全ての図面において同じ符号を付されている。図面に示されている部品及び特徴の寸法は、説明の便利と明瞭のために選択されたもので必ずしも実寸ではない。
図１Aは、本発明の実施形態による、光変調器２０の断面の概略図を示している。光変調器２０は、高濃度にPドーピング（doped）された層２４と高濃度にNドーピング(doped）された層２６の間に形成された、エピタキシャル超格子（すなわちSL）構造２２、を備える。SL構造２２と高濃度にドーピングされた層２４、２６はpin ダイオード２８を形成する。SL構造２２は、広いバンドギャップ障壁層３２と交互に存在する複数の狭い“量子井戸”層３０を備える。図１Aでは、２、３の量子井戸層３０と障壁層３２のみが、示されている。“狭い”と“広い”という単語は、バンドギャップ層３０，３２の事を意味し、層の厚さを意味するものではない事に注意されたい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７４】
図面は、以下に列挙されている。
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の実施形態による、SL構造を備えた光変調器の断面図を模式的に示す。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の実施形態による、図１Ａに示された光変調器と同様の光変調器による青方向への偏移に続いての赤方向への偏移を示す吸収端から実験的に決められた、グラフを示す。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明の実施形態による、変調器に加えられる電場がない状態の、図１Ａに示された光変調器のSL構造の量子井戸内の電子と正孔の波動関数と許容されるエネルギー状態のエネルギーレベルを、模式的に示す。
【図２Ｂ】図２Ｂは、分離電圧が変調器に加えられた時の、図１Ａと２Ａに示された光変調器のSL構造内の電子と正孔の許容される波動関数とエネルギーレベルを、模式的に示す。
【図２Ｃ】図２Cは、分離電圧よりも大きい電圧が変調器に加えられた時の、図１Ａと２Ａ-２Bに示された光変調器の電子と正孔の波動関数の効果を、模式的に示す。