【手続補正書】
【提出日】平成20年2月19日(2008.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波面出射レーザ放射のコヒーレンスを低減させるためのシステムであり、特に、共振体の表面に当たるレーザ光の第一の部分光が部分反射され、該レーザ光の第二の部分光が前記共振体内に入射し、複数の全反射をした後に少なくともほぼ入射位置の領域において再び該共振体から出射し、前記第一の部分光と一緒に照明面まで送られ、部分光（１０ａ、１０ｂ）への分割に加えて前記波面および少なくとも１つの部分光（１０ｂ）が１レーザパルス中に変調され、前記共振体（９、９’）で反射されたり前記共振体（９、９’）に入射したりする前記部分光（１０ａ、１０ｂ）が前記共振体（９、９’）の下流において重ね合わせられ、前記共振体（９、９’）が局所位相分布の変化する位相プレート（１２）を備えるように、前記共振体（９、９’）が形成されている、半導体リソグラフィにおける投影オブジェクティブ用の前記システムであって、
前記位相プレート（１２）が、レーザ光の第二の部分光（１０ｂ）の経路のため、光線の方向に対して横方向に様々な厚さを有し、前記位相プレート（９）の厚さが、幅ｓの横方向において様々に変化していくことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記厚さの相違が２００ｎｍから５００ｎｍの間であることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記幅ｓの変化は、入射表面（１１）における前記レーザ放射の空間的コヒーレンス距離の大きさとほぼ同じであることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記幅ｓについて０．０５＜ｓ＜１ｍｍが成り立つことを特徴とする、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記位相プレート（１２）が、ゼロ次回折に最適化された回折光学素子（ＤＯＥ）として形成されていることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記位相プレート（１２）として、拡散スクリーンが備えられていることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記共振体（９、９’）が、少なくとも５つの角を有するプリズムとして形成されていることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記共振体（９、９’）における反射角が少なくとも３７度であることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記共振体（９、９’）における前記第二の部分光（１０ｂ）の光路長が、前記可干渉距離の倍数であることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記共振体（９、９’）に当たる光が、第一の反射部分光（１０ａ）と前記共振体（９、９’）内を循環する第二の部分光（１０ａ、１０ｂ）に関して１／３対２／３の割合で分割されることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記レーザ光（１０）の１５７ｎｍ以下の波長において、フッ化カルシウムが前記共振体（９、９’）として用いられることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
フッ化カルシウムの結晶方位は、第一の（１００）結晶面が前記レーザ光の当たる表面の平面に対して４５度の角度を形成し、かつ側面と垂直であり、第二の（１００）結晶面が該側面と平行であるように選択されることを特徴とする、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
偏光状態を設定するために、前記共振体（９、９’）に当たる前記レーザ光の偏光方向を入射面に対して回転させ得ることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
偏光度が非偏光と直線偏光との間で調整可能であることを特徴とする、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記偏光度を設定するために、ラムダ／２プレート（１８）が用いられることを特徴とする、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
プリズム（９’）が非対称に形成されていることを特徴とする、請求項７に記載のシステム。
【請求項１７】
プリズム（９’）が少なくとも１つの非対称な面を備えていることを特徴とする、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記共振体（９、９’）に当たる前記レーザ光（１０）の中心光の位置が偏心していることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項１９】
前記共振体（９’）が非対称に形成されており、前記レーザ光（１０）の中心光が該共振体（９’）に偏心的に当たることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項２０】
前記レーザ光（１０）の当たる前記共振体（９、９’）の表面（１１）が分割層（１７）を備え、該分割層が該共振体（９、９’）に入射する前記部分光（１０ｂ）の入射角に影響を与えるようになっていることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項２１】
前記分割層（１７）の厚さが変化することを特徴とする、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２２】
前記分割層（１７）が非均一的に形成されていることを特徴とする、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２３】
前記分割層（１７）が誘電層を有することを特徴とする、請求項２０、２１あるいは２２に記載のシステム。
【請求項２４】
光源としてのレーザと、照明装置と、マスクを備えた照明面と、投影オブジェクティブとを備えた半導体リソグラフィ用の投影露光装置であり、
波面出射レーザ放射線のコヒーレンスを低減させるために、共振体の表面に当たるレーザ光が第一の部分光を含んで部分反射され、該レーザ光の第二の部分光が前記共振体内に入射して、複数の全反射をした後に、少なくともほぼ入射位置の領域において再び該共振体から出射し、前記第一の部分光と一緒に照明面まで送られ、部分光（１０ａ、１０ｂ）への分割に加えて、少なくとも１つの部分光（１０ｂ）の波面が１レーザパルス中に変調され、前記共振体（９、９’）で反射されたり前記共振体（９、９’）に入射したりする前記部分光（１０ａ、１０ｂ）が前記共振体（９、９’）の下流において重ね合わせられるように、前記共振体（９、９’）が形成されている、投影露光装置であって、
該共振体（９、９’）が局所位相分布の変化する位相プレート（１２）を備え、前記位相プレート（１２）が、レーザ光の第二の部分光（１０ｂ）の経路のため、光線の方向に対して横方向に様々な厚さを有し、前記位相プレート（９）の厚さが、幅ｓの横方向において様々に変化していくことを特徴とする、投影露光装置。
【請求項２５】
前記幅ｓの変化は、前記入射表面（１１）における前記レーザー放射の空間的コヒーレンス距離の大きさとほぼ同じであることを特徴とする、請求項２４に記載の投影露光装置。
【請求項２６】
前記位相プレート（１２）が、ゼロ次回折に最適化された回折光学素子（ＤＯＥ）として形成されていることを特徴とする、請求項２４に記載の投影露光装置。
【請求項２７】
拡散スクリーンが前記位相プレート（１２）として備えられていることを特徴とする、請求項２４に記載の投影露光装置。
【請求項２８】
前記共振体（９、９’）が少なくとも５つの角を有するプリズムとして形成されていることを特徴とする、請求項２４に記載の投影露光装置。
【請求項２９】
前記共振体（９、９’）内における前記第二の部分光（１０ｂ）の光路長が時間的コヒーレンス距離の倍数であることを特徴とする、請求項２４に記載の投影露光装置。
【請求項３０】
前記レーザ光（１０）の１５７ｎｍ以下の波長において、フッ化カルシウムが前記共振体（９、９’）として用いられることを特徴とする、請求項２４に記載の投影露光装置。
【請求項３１】
前記プリズム（９’）が非対称に形成されていることを特徴とする、請求項２４に記載の投影露光装置。
【請求項３２】
前記共振体（９、９’）に当たる前記レーザ光（１０）の中心光の位置が偏心的であることを特徴とする、請求項２４に記載の投影露光装置。
【請求項３３】
前記レーザ光（１０）の当たる前記共振体（９、９’）の表面（１１）が分割層（１７）を備え、該分割層が該共振体（９、９’）に入射する部分光（１０ｂ）の入射角に影響を与えるようになっていることを特徴とする、請求項２４に記載の投影露光装置。
【請求項３４】
前記分割層が変化する厚さを有し、及び／又は非均一的に形成されていることを特徴とする、請求項３３に記載の投影露光装置。
【請求項３５】
前記分割層が誘電層を有することを特徴とする、請求項３３あるいは３４に記載の投影露光装置。