【手続補正書】
【提出日】平成19年4月18日(2007.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
反射型マスク１２０は、被処理体１４０上に転写されるべき回路パターン（又は像）が形成されており、マスクステージ１２５によって支持及び駆動される。反射型マスク１２０から発せられた回折光は、反射型投影光学系１３０で反射されて被処理体１４０上に投影される。反射型マスク１２０と被処理体１４０とは、光学的に共役の関係に配置される。ＥＵＶ露光装置１００は、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であるため、反射型マスク１２０と被処理体１４０を同期して走査することにより反射型マスク１２０のマスクパターンを被処理体１４０上に縮小投影する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図５に示した多層膜ミラー１２０ａにおいては、積層された物質１２１、１２２の一方には使用するＥＵＶ光の波長に対して式２で示される屈折率の実部が小さい（第１の屈折率）物質が選択される。また、他方には屈折率の実部が大きい（第２の屈折率）物質が選択されることで、各層間の界面での反射率を高めることができる。屈折率の実部が小さい物質（第１の層）としては、Ｖ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｗ等からなるものが望ましい。屈折率の実部の大きい物質（第２の層）としては、Ｌｉ，Ｂ４Ｃ，ＢＮ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｓｃ，Ｆｅ，Ｇｅ，Ｌａ，Ｍｇ，Ｆ，Ｗ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ等からなるものが望ましい。物質１２１と１２２の界面での反射率を高めるためには、物質１２１と１２２屈折率の実部の差は０．０２以上であることが望ましい。また、物質１２１、１２２ともに、屈折率の虚部が小さい材料が好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
マスクステージ１２５は、反射型マスク１２０を保持して図示しない移動機構に接続されている。マスクステージ１２５は、当業界周知のいかなる構成をも適用することができる。図示しない移動機構はリニアモーターなどで構成され、少なくともＸ方向にマスクステージを駆動することで反射型マスク１２０を移動することができる。ＥＵＶ露光装置１００は、反射型マスク１２０と被処理体１４０を同期した状態で走査する。ここで、反射型マスク１２０又は被処理体１４０面内で走査方向をＸ、それに垂直な方向をＹ、反射型マスク１２０又は被処理体１４０面に垂直な方向をＺとする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
反射されるＥＵＶ光の反射率は最大で０．７程度であり、反射されなかったＥＵＶ光は多層膜中あるいは基板中で吸収され、そのエネルギーの大部分が熱になる。従って、光学系全系での反射率を高めるために多層膜ミラーの枚数は最小に抑えることが好ましい。そのため、ＥＵＶに用いられる反射型投影光学系１３０は、上述のように４乃至６枚程度の多層膜ミラーで構成されることが一般的である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本実施形態の反射型投影光学系１３０は、光学素子１３５乃至１３８にはＭｏとＢｅを積層した多層膜ミラーを用いることが好ましい。これにより、波長１１ｎｍ付近での光に対して高い反射率を得るので、ＥＵＶ露光装置１００は被処理体１４０へ照射する光量を高め、スループットを向上させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
アライメント検出機構１５０によって反射型マスク１２０の位置と反射型投影光学系１３０の光軸との位置関係、および被処理体１４０の位置と反射型投影光学系３００の光軸との位置関係が計測される。そして、反射型マスク１２０の反射型投影像が被処理体１４０の所定の位置に一致するようにマスクステージ１２５およびウェハステージ１４５の位置と角度が設定される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、フォーカス位置検出機構１６０によって被処理体１４０面でＺ方向のフォーカス位置が計測される。さらに、ウェハステージ１４５の位置及び角度を制御することによって、露光中は常時被処理体１４０面を反射型投影光学系１３０による結像位置に保つ。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
以下、図６を参照して、１１ｎｍ程度の波長の露光光を用いる場合の光学素子（反射型投影光学ミラー）１３５乃至１３８等に従来用いられてきたＭｏ／Ｂｅを使用した場合の多層膜の反射率を説明する。ここで、図６は、ＭｏとＢｅとからなる一対の層の厚さが５．６ｎｍ、Ｍｏの厚さがそのうちの４０％、積層数が４０層である反射型投影光学ミラーの反射率を示すグラフである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
図６に示す反射率は、反射率計を使って測定される。反射率計の主要部分は光源と分光器と光量センサからなる。反射率の測定は、光源から発生した光を分光器で単色化し、特定の波長の光だけを取り出す。その後、試料に照射せずに特定の波長の光を直接光量センサに入射して光量センサにより計測される光量と、試料に照射し、試料から反射してきた特定波長の光を光量センサに入射して光量センサにより計測された光量とを測定する。そして、その比から求めることが出来る。以下に示す反射率においても同様である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
被処理体の露光時間は露光の光量の増加に比例して短縮されるため、１１ｎｍ付近の波長の露光光を用いる場合にＭｏ／Ｓｒを使用した反射型マスクを使用することで、安全性を維持することができる。さらに、１３．５ｎｍ付近の波長の露光光を用いる場合に比べてより微細な加工が可能で、生産性の高い露光装置を提供することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
例えば、ＥＵＶ露光装置のスループットが時間当たり３００ｍｍφのウェハを１２０枚程度処理する。その場合、ショット数はレイアウトによって変化するが１００ショットと仮定し、ウェハの受け渡し時間が十分に小さいと仮定すれば１ショットあたりの処理時間が０．３秒となる。この時間の半分を露光時間と仮定すると露光時間が０．１５秒となる。仮に露光時間を２倍の０．３秒として計算するとウェハ処理枚数は８０枚にまで減少する。その結果、本実施形態のＭｏ／Ｓｒを含む多層膜ミラーを使用したＥＵＶ露光装置１００は、１３．５ｎｍ付近の光を露光光とした場合と比較して大幅にスループットを向上させることができるので、高い生産性を達成することが可能である。また、反射型マスク１２０の材料にＢｅを使用しないため、安全性を維持することが可能である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
その結果、本実施例のように、１１ｎｍ付近の露光波長を用いて、Ｍｏ／Ｙの反射型マスクを使用したＥＵＶ露光装置１００は、１３．５ｎｍ付近の光を露光光とした場合と比較して大幅にスループットを向上させることができる。そのため、高い生産性を達成することが可能である。また、反射型マスク１２０の材料にＢｅを使用しないため、安全性を維持することが可能である。