【手続補正書】
【提出日】平成19年8月17日(2007.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面状の主面を有する支持基体と、前記支持基体の主面上に設けられ当該主面に対して平行に波長λ１の第１のレーザ光を出射する第１の半導体レーザ素子と、前記第１の半導体レーザ素子上に設けられ前記支持基体の主面に平行であり且つ前記第１の半導体レーザ素子から出射されたレーザ光と同一方向に波長λ１と異なる波長λ２の第２のレーザ光を出射する第２の半導体レーザ素子と、拡大又は縮小光学素子とを有するレーザ発光部と、
上記第１のレーザ光及び第２のレーザ光が入射され、これらのレーザ光を外部に出射する出射光学系とを備え、
第１の半導体レーザ素子の出射位置と第２の半導体レーザ素子の出射位置とは、レーザ光の進行方向に所定距離だけ離間しており、上記拡大又は縮小光学素子は、出射位置がレーザ光の進行方向後ろ側に位置する半導体レーザ素子の光路中における上記離間部分に設けられていること
を特徴とするレーザ出射装置。
【請求項２】
上記レーザ発光部は、一つの収納部内に収納されており、
上記出射光学系は、収納部に設けられた透明な部材から構成された出射窓であること
を特徴とする請求項１記載のレーザ出射装置。
【請求項３】
上記第１の半導体レーザ素子は、ＧａＮ基板を用いたレーザ素子であること
を特徴とする請求項１記載のレーザ出射装置。
【請求項４】
上記第２の半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ基板を用いたレーザ素子であること
を特徴とする請求項１記載のレーザ出射装置。
【請求項５】
上記第１の半導体レーザ素子は、ＧａＮ基板を用いたレーザ素子であり、
上記第２の半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ基板を用いたレーザ素子であり、
上記拡大又は縮小光学素子は、上記第１の半導体レーザ素子の光路中に挿入されるときには、プラスのパワーのレンズであり、上記第２の半導体レーザ素子の光路中に挿入されるときには、マイナスのパワーのレンズであること
を特徴とする請求項１記載のレーザ出射装置。
【請求項６】
平面状の主面を有する支持基体と、前記支持基体の主面上に設けられ当該主面に対して平行に波長λ１の第１のレーザ光を出射する第１の半導体レーザ素子と、前記第１の半導体レーザ素子上に設けられ前記支持基体の主面に平行であり且つ前記第１の半導体レーザ素子から出射されたレーザ光と同一方向に波長λ１よりも長い波長λ２の第２のレーザ光を出射する第２の半導体レーザ素子と、前記第１の半導体レーザ素子上に設けられ上記第２のレーザ光と同一の方向に波長λ２よりも長い波長λ３の第３のレーザ光を出射する第３の半導体レーザ素子を有するレーザ発光部と、
上記第１のレーザ光、第２のレーザ光及び第３のレーザ光が入射され、これらのレーザ光を外部に出射する合成光学系とを備え、
第１の半導体レーザ素子の出射位置と第２の半導体レーザ素子の出射位置とは、レーザ光の進行方向に所定距離だけ離間しており、第２の半導体レーザ素子の出射位置と第３の半導体レーザ素子の出射位置とは、レーザ光の進行方向に同一の位置とされており、上記拡大又は縮小光学素子は、出射位置がレーザ光の進行方向後ろ側に位置する半導体レーザ素子の光路中における上記離間部分に設けられていること
を特徴とするレーザ出射装置。
【請求項７】
上記レーザ発光部は、一つの収納部内に収納されており、
上記出射光学系は、収納部に設けられた透明な部材から構成された出射窓であること
を特徴とする請求項６記載のレーザ出射装置。
【請求項８】
上記第１の半導体レーザ素子は、ＧａＮ基板を用いたレーザ素子であること
を特徴とする請求項６記載のレーザ出射装置。
【請求項９】
上記第２の半導体レーザ素子及び第３の半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ基板を用いたレーザ素子であること
を特徴とする請求項６記載のレーザ出射装置。
【請求項１０】
上記第１の半導体レーザ素子は、ＧａＮ基板を用いたレーザ素子であり、
上記第２の半導体レーザ素子及び第３の半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ基板を用いたレーザ素子であり、
上記拡大又は縮小光学素子は、上記第１の半導体レーザ素子の光路中に挿入されるときには、プラスのパワーのレンズであり、上記第２の半導体レーザ素子及び第３の半導体レーザ素子の光路中に挿入されるときには、マイナスのパワーのレンズであること
を特徴とする請求項６記載のレーザ出射装置。
【請求項１１】
光ディスクに対してレーザ光を出射する光学ヘッドにおいて、
上記光ディスクの種類に応じて１つの出射窓から異なる波長のレーザ光を出力するレーザ出射装置と、
上記レーザ出射装置から出力されたレーザ光を平行光とするコリメータレンズと、
中央部分の開口数が低くなっており、コリメータレンズを通過した平行光とされたレーザ光が入射され、入射された光を上記光ディスクに照射する対物レンズとを備えており、
上記レーザ出射装置は、
平面状の主面を有する支持基体と、前記支持基体の主面上に設けられ当該主面に対して平行に波長λ１の第１のレーザ光を出射する第１の半導体レーザ素子と、前記第１の半導体レーザ素子上に設けられ前記支持基体の主面に平行であり且つ前記第１の半導体レーザ素子から出射されたレーザ光と同一方向に波長λ１と異なる波長λ２の第２のレーザ光を出射する第２の半導体レーザ素子と、拡大又は縮小光学素子とを有するレーザ発光部が収納されおり、第１の半導体レーザ素子の出射位置と第２の半導体レーザ素子の出射位置とは、レーザ光の進行方向に所定距離だけ離間しており、上記拡大又は縮小光学素子は、出射位置がレーザ光の進行方向後ろ側に位置する半導体レーザ素子の光路中における上記離間部分に設けられていること
を特徴とする光学ヘッド。
【請求項１２】
上記第１の半導体レーザ素子は、ＧａＮ基板を用いたレーザ素子であること
を特徴とする請求項１１記載の光学ヘッド。
【請求項１３】
上記第２の半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ基板を用いたレーザ素子であること
を特徴とする請求項１１記載の光学ヘッド。
【請求項１４】
上記第１の半導体レーザ素子は、ＧａＮ基板を用いたレーザ素子であり、
上記第２の半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ基板を用いたレーザ素子であり、
上記拡大又は縮小光学素子は、上記第１の半導体レーザ素子の光路中に挿入されるときには、プラスのパワーのレンズであり、上記第２の半導体レーザ素子の光路中に挿入されるときには、マイナスのパワーのレンズであること
を特徴とする請求項１１記載の光学ヘッド。
【請求項１５】
光ディスクに対してレーザ光を出射する光学ヘッドにおいて、
上記光ディスクの種類に応じて１つの出射窓から異なる３つの波長のレーザ光を出力するレーザ出射装置と、
上記レーザ出射装置から出力されたレーザ光を平行光とするコリメータレンズと、
中央部分の開口数が低くなっており、コリメータレンズを通過した平行光とされたレーザ光が入射され、入射された光を上記光ディスクに照射する対物レンズとを備えており、
上記レーザ出射装置は、
平面状の主面を有する支持基体と、前記支持基体の主面上に設けられ当該主面に対して平行に波長λ１の第１のレーザ光を出射する第１の半導体レーザ素子と、前記第１の半導体レーザ素子上に設けられ前記支持基体の主面に平行であり且つ前記第１の半導体レーザ素子から出射されたレーザ光とは異なる方向に波長λ１よりも長い波長λ２の第２のレーザ光を出射する第２の半導体レーザ素子と、前記第１の半導体レーザ素子上に設けられ上記第２のレーザ光と同一の方向に波長λ２よりも長い波長λ３の第３のレーザ光を出射する第３の半導体レーザ素子を有するレーザ発光部が収納されおり、第１の半導体レーザ素子の出射位置と第２の半導体レーザ素子の出射位置とは、レーザ光の進行方向に所定距離だけ離間しており、第２の半導体レーザ素子の出射位置と第３の半導体レーザ素子の出射位置とは、レーザ光の進行方向に同一の位置とされており、上記拡大又は縮小光学素子は、出射位置がレーザ光の進行方向後ろ側に位置する半導体レーザ素子の光路中における上記離間部分に設けられていること
を特徴とする光学ヘッド。
【請求項１６】
上記第１の半導体レーザ素子は、ＧａＮ基板を用いたレーザ素子であること
を特徴とする請求項１５記載の光学ヘッド。
【請求項１７】
上記第２の半導体レーザ素子及び第３の半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ基板を用いたレーザ素子であること
を特徴とする請求項１５記載の光学ヘッド。
【請求項１８】
上記第１の半導体レーザ素子は、ＧａＮ基板を用いたレーザ素子であり、
上記第２の半導体レーザ素子及び第３の半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ基板を用いたレーザ素子であり、
上記拡大又は縮小光学素子は、上記第１の半導体レーザ素子の光路中に挿入されるときには、プラスのパワーのレンズであり、上記第２の半導体レーザ素子及び第３の半導体レーザ素子の光路中に挿入されるときには、マイナスのパワーのレンズであること
を特徴とする請求項１５記載の光学ヘッド。
【請求項１９】
光ディスクに対してレーザ光を出射する光学ヘッドを備えた光ディスク装置において、
上記光学ヘッドは、
上記光ディスクの種類に応じて１つの出射窓から異なる波長のレーザ光を出力するレーザ出射装置と、
上記レーザ出射装置から出力されたレーザ光を平行光とするコリメータレンズと、
中央部分の開口数が低くなっており、コリメータレンズを通過した平行光とされたレーザ光が入射され、入射された光を上記光ディスクに照射する対物レンズとを備えており、
上記レーザ出射装置は、
平面状の主面を有する支持基体と、前記支持基体の主面上に設けられ当該主面に対して平行に波長λ１の第１のレーザ光を出射する第１の半導体レーザ素子と、前記第１の半導体レーザ素子上に設けられ前記支持基体の主面に平行であり且つ前記第１の半導体レーザ素子から出射されたレーザ光と同一方向に波長λ１と異なる波長λ２の第２のレーザ光を出射する第２の半導体レーザ素子と、拡大又は縮小光学素子とを有するレーザ発光部が収納されおり、第１の半導体レーザ素子の出射位置と第２の半導体レーザ素子の出射位置とは、レーザ光の進行方向に所定距離だけ離間しており、上記拡大又は縮小光学素子は、出射位置がレーザ光の進行方向後ろ側に位置する半導体レーザ素子の光路中における上記離間部分に設けられていること
を特徴とする光ディスク装置。
【請求項２０】
光ディスクに対してレーザ光を出射する光学ヘッドを備えた光ディスク装置において、
上記光学ヘッドは、
上記光ディスクの種類に応じて１つの出射窓から異なる３つの波長のレーザ光を出力するレーザ出射装置と、
上記レーザ出射装置から出力されたレーザ光を平行光とするコリメータレンズと、
中央部分の開口数が低くなっており、コリメータレンズを通過した平行光とされたレーザ光が入射され、入射された光を上記光ディスクに照射する対物レンズとを備えており、
上記レーザ出射装置は、
平面状の主面を有する支持基体と、前記支持基体の主面上に設けられ当該主面に対して平行に波長λ１の第１のレーザ光を出射する第１の半導体レーザ素子と、前記第１の半導体レーザ素子上に設けられ前記支持基体の主面に平行であり且つ前記第１の半導体レーザ素子から出射されたレーザ光とは異なる方向に波長λ１よりも長い波長λ２の第２のレーザ光を出射する第２の半導体レーザ素子と、前記第１の半導体レーザ素子上に設けられ上記第２のレーザ光と同一の方向に波長λ２よりも長い波長λ３の第３のレーザ光を出射する第３の半導体レーザ素子を有するレーザ発光部が収納されおり、第１の半導体レーザ素子の出射位置と第２の半導体レーザ素子の出射位置とは、レーザ光の進行方向に所定距離だけ離間しており、第２の半導体レーザ素子の出射位置と第３の半導体レーザ素子の出射位置とは、レーザ光の進行方向に同一の位置とされており、上記拡大又は縮小光学素子は、出射位置がレーザ光の進行方向後ろ側に位置する半導体レーザ素子の光路中における上記離間部分に設けられていること
を特徴とする光ディスク装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ出射装置、光学ヘッド及び光ディスク装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、複数種類の半導体レーザを内蔵して複数波長のレーザ光を出射するレーザ出射装置、このレーザ出射装置を用いた光学ヘッド及び光ディスク装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明に係る光学ヘッドは、光ディスクに対してレーザ光を出射する光学ヘッドにおいて、上記光ディスクの種類に応じて１つの出射窓から異なる３つの波長のレーザ光を出力するレーザ出射装置と、上記レーザ出射装置から出力されたレーザ光を平行光とするコリメータレンズと、中央部分の開口数が低くなっており、コリメータレンズを通過した平行光とされたレーザ光が入射され、入射された光を上記光ディスクに照射する対物レンズとを備えており、上記レーザ出射装置は、平面状の主面を有する支持基体と、前記支持基体の主面上に設けられ当該主面に対して平行に波長λ１の第１のレーザ光を出射する第１の半導体レーザ素子と、前記第１の半導体レーザ素子上に設けられ前記支持基体の主面に平行であり且つ前記第１の半導体レーザ素子から出射されたレーザ光とは異なる方向に波長λ１よりも長い波長λ２の第２のレーザ光を出射する第２の半導体レーザ素子と、前記第１の半導体レーザ素子上に設けられ上記第２のレーザ光と同一の方向に波長λ２よりも長い波長λ３の第３のレーザ光を出射する第３の半導体レーザ素子を有するレーザ発光部が収納されおり、第１の半導体レーザ素子の出射位置と第２の半導体レーザ素子の出射位置とは、レーザ光の進行方向に所定距離だけ離間しており、第２の半導体レーザ素子の出射位置と第３の半導体レーザ素子の出射位置とは、レーザ光の進行方向に同一の位置とされており、上記拡大又は縮小光学素子は、出射位置がレーザ光の進行方向後ろ側に位置する半導体レーザ素子の光路中における上記離間部分に設けられていることを特徴とする。
本発明に係るディスク装置は、光ディスクに対してレーザ光を出射する光学ヘッドを備えた光ディスク装置において、上記光学ヘッドは、上記光ディスクの種類に応じて１つの出射窓から異なる波長のレーザ光を出力するレーザ出射装置と、上記レーザ出射装置から出力されたレーザ光を平行光とするコリメータレンズと、中央部分の開口数が低くなっており、コリメータレンズを通過した平行光とされたレーザ光が入射され、入射された光を上記光ディスクに照射する対物レンズとを備えており、上記レーザ出射装置は、平面状の主面を有する支持基体と、前記支持基体の主面上に設けられ当該主面に対して平行に波長λ１の第１のレーザ光を出射する第１の半導体レーザ素子と、前記第１の半導体レーザ素子上に設けられ前記支持基体の主面に平行であり且つ前記第１の半導体レーザ素子から出射されたレーザ光と同一方向に波長λ１と異なる波長λ２の第２のレーザ光を出射する第２の半導体レーザ素子と、拡大又は縮小光学素子とを有するレーザ発光部が収納されおり、第１の半導体レーザ素子の出射位置と第２の半導体レーザ素子の出射位置とは、レーザ光の進行方向に所定距離だけ離間しており、上記拡大又は縮小光学素子は、出射位置がレーザ光の進行方向後ろ側に位置する半導体レーザ素子の光路中における上記離間部分に設けられていることを特徴とする。
本発明に係るディスク装置は、光ディスクに対してレーザ光を出射する光学ヘッドを備えた光ディスク装置において、上記光学ヘッドは、上記光ディスクの種類に応じて１つの出射窓から異なる３つの波長のレーザ光を出力するレーザ出射装置と、上記レーザ出射装置から出力されたレーザ光を平行光とするコリメータレンズと、中央部分の開口数が低くなっており、コリメータレンズを通過した平行光とされたレーザ光が入射され、入射された光を上記光ディスクに照射する対物レンズとを備えており、上記レーザ出射装置は、平面状の主面を有する支持基体と、前記支持基体の主面上に設けられ当該主面に対して平行に波長λ１の第１のレーザ光を出射する第１の半導体レーザ素子と、前記第１の半導体レーザ素子上に設けられ前記支持基体の主面に平行であり且つ前記第１の半導体レーザ素子から出射されたレーザ光とは異なる方向に波長λ１よりも長い波長λ２の第２のレーザ光を出射する第２の半導体レーザ素子と、前記第１の半導体レーザ素子上に設けられ上記第２のレーザ光と同一の方向に波長λ２よりも長い波長λ３の第３のレーザ光を出射する第３の半導体レーザ素子を有するレーザ発光部が収納されおり、第１の半導体レーザ素子の出射位置と第２の半導体レーザ素子の出射位置とは、レーザ光の進行方向に所定距離だけ離間しており、第２の半導体レーザ素子の出射位置と第３の半導体レーザ素子の出射位置とは、レーザ光の進行方向に同一の位置とされており、上記拡大又は縮小光学素子は、出射位置がレーザ光の進行方向後ろ側に位置する半導体レーザ素子の光路中における上記離間部分に設けられていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
このことにより、本発明に係る光学ヘッドでは、レーザ出射装置から発散角が異なる２つのレーザ光を１つの出射窓から出力される。従って、本発明に係る光学ヘッドでは、簡易な構成且つ光の損失なく、第１のレーザ光と第２のレーザ光のビーム径を異なるものとすることができる。
本発明に係る光ディスク装置は、光学ヘッドが、レーザ出射装置と、当該レーザ出射装置から出力されたレーザ光を平行光とするコリメータレンズと、中央部分の開口数が低くなっている対物レンズとを備えている。上記レーザ出射装置は、第１のレーザ光を出射する第１の半導体レーザ素子と、同一方向に波長λ２の第２のレーザ光を出射する第２の半導体レーザ素子とを有するレーザ発光部とが一体的に形成されたレーザ発光部を備え、第１の半導体レーザ素子の出射位置と第２の半導体レーザ素子の出射位置とは、レーザ光の進行方向に所定距離だけ離間しており、出射位置がレーザ光の進行方向後ろ側に位置する半導体レーザ素子の光路中における上記離間部分に拡大又は縮小光学素子が設けられている。
このことにより、本発明に係る光ディスク装置では、レーザ出射装置から発散角が異なる２つのレーザ光を１つの出射窓から出力される。従って、本発明に係る光ディスク装置では、簡易な構成且つ光の損失なく、第１のレーザ光と第２のレーザ光のビーム径を異なるものとすることができる。