【手続補正書】
【提出日】令和1年6月14日(2019.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
本開示の主題を、詳細に及びその特定の実施形態を参照して記載したが、本明細書に開示された様々な詳細は、これらの詳細が、たとえ本明細書に付随する各図面に特定の要素が示されている場合であっても、本明細書に記載された様々な実施形態の本質の構成要素である要素に関係していることを示唆するものではないことに留意されたい。むしろ、本明細書に添付の請求項は、本開示の幅及び本明細書に記載される様々な実施形態の対応する範囲の唯一の表現として解釈されるべきである。さらに、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、修正及び変更が可能であることは明らかであろう。
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
実施の形態１
ポリマー汚損を低減する触媒系であって、
少なくとも１つのチタネート化合物と、
少なくとも１つのアルミニウム化合物と、
ホスホニウムまたはホスホニウム塩、スルホネートまたはスルホン酸塩、スルホニウムまたはスルホニウム塩、環状部分を含むエステル、無水物、ポリエーテル、及び長鎖アミン末端処理化合物のうちの１つ以上から選択される、防汚剤と、を含む、触媒系。
実施の形態２
前記防汚剤が、ホスホニウムまたはホスホニウム塩を含む、実施の形態１に記載の触媒系。
実施の形態３
前記防汚剤が、テトラアルキルホスホニウムハライド、ホスホニウムマロネート、トリヘキシルテトラデシルホスホニウムハライド、テトラブチルホスホニウムハライド、テトラブチルホスホニウムテトラハロボレート、テトラブチルホスホニウムハライド、テトラブチルホスホニウムヘキサハロホスフェート、及びテトラブチルホスホニウムテトラハロボレートのうちの１つ以上を含む、実施の形態２に記載の触媒系。
実施の形態４
前記防汚剤が、スルホネートまたはスルホン酸塩を含む、実施の形態１に記載の触媒系。
実施の形態５
前記防汚剤が、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ジオクチルスルホコハク酸ナトリウム、テトラブチルホスホニウムメタンスルホネート、テトラブチルホスホニウムｐ−トルエンスルホネート、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムｐ−トルエンスルホネート、３−（ジメチル（オクタデシル）アンモニオ）プロパン−１−スルホネート、３，３’−（１，４−ジドデシルピペラジン−１，４−ジイウム−１，４−ジイル）ビス（プロパン−１−スルホネート）、及び３−（４−（ｔｅｒｔ−ブチル）ピリジニオ）−１−プロパンスルホネートのうちの１つ以上を含む、実施の形態４に記載の触媒系。
実施の形態６
前記防汚剤が、スルホニウムまたはスルホニウム塩を含む、実施の形態１に記載の触媒系。
実施の形態７
前記防汚剤が、環状部分を含むエステルを含む、実施の形態１に記載の触媒系。
実施の形態８
前記防汚剤が、ε−カプロラクトン及び２−フェニルエチルアセテートのうちの１つ以上を含む、実施の形態７に記載の触媒系。
実施の形態９
前記防汚剤が、無水物を含む、実施の形態１に記載の触媒系。
実施の形態１０
前記無水物が、１５０ｇ／ｍｏｌ〜２００，０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量（Ｍｎ）を有する無水物末端処理ポリマーである、実施の形態９に記載の触媒系。
実施の形態１１
前記防汚剤が、１５０ｇ／ｍｏｌ〜２００，０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量（Ｍｎ）を有するポリエーテルを含む、実施の形態１に記載の触媒系。
実施の形態１２
前記防汚剤が、長鎖アミン末端処理化合物を含む、実施の形態１に記載の触媒系。
実施の形態１３
前記防汚剤が、ポリイソブテン−モノ−スクシンイミド及びポリイソブテン−ビス−スクシンイミドのうちの１つ以上を含む、実施の形態１２に記載の触媒系。
実施の形態１４
前記長鎖アミン末端処理化合物が、１５０ｇ／ｍｏｌ〜２００，０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量（Ｍｎ）を有する、実施の形態１２に記載の触媒系。
実施の形態１５
非ポリマーエーテル化合物をさらに含む、実施の形態１に記載の触媒系。
実施の形態１６
前記非ポリマーエーテル化合物が、テトラヒドロフラン、ジオキサン、またはテトラヒドロピランである、実施の形態１５に記載の触媒系。
実施の形態１７
前記チタネート化合物のうちの少なくとも１つが、アルキルチタネートである、実施の形態１に記載の触媒系。
実施の形態１８
前記アルキルチタネートが、構造Ｔｉ（ＯＲ）４を有し、式中、Ｒは２〜８個の炭素原子を含む分岐または直鎖アルキル基である、実施の形態１７に記載の触媒系。
実施の形態１９
前記アルキルチタネートが、テトラエチルチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラ−ｎ−ブチルチタネート、または２−テトラエチルヘキシルチタネートから選択される、実施の形態１７に記載の触媒系。
実施の形態２０
前記アルミニウム化合物のうちの少なくとも１つが、構造ＡｌＲ’３またはＡｌＲ’２Ｈを有し、式中、Ｒ’は、２〜８個の炭素原子を含む分岐または直鎖アルキル基である、実施の形態１に記載の触媒系。
実施の形態２１
前記アルミニウム化合物のうちの少なくとも１つが、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリ−イソ−ブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウム、またはアルミノキサンから選択される、実施の形態１に記載の触媒系。
実施の形態２２
全チタネート化合物対全アルミニウム化合物のモル比が、１：１０〜１：１である、実施の形態１に記載の触媒系。
実施の形態２３
全チタネート化合物対全防汚剤のモル比が、１：１０〜１：０．０１である、実施の形態１に記載の触媒系。
実施の形態２４
全チタネート化合物対全非ポリマーエーテル化合物のモル比が、１：１０〜１：０である、実施の形態１に記載の触媒系。
実施の形態２５
１−ブテンを選択的に製造する方法であって、
エチレンを触媒系に接触させて、前記エチレンをオリゴマー化して、１ブテンを選択的に形成させることを含み、前記触媒系が、
少なくとも１つのチタネート化合物と、
少なくとも１つのアルミニウム化合物と、
ホスホニウムまたはホスホニウム塩、スルホネートまたはスルホン酸塩、スルホニウムまたはスルホニウム塩、環状部分を含むエステル、無水物、ポリエーテル、及び長鎖アミン末端処理化合物のうちの１つ以上から選択される、防汚剤と、を含む、方法。
実施の形態２６
前記防汚剤が、ホスホニウムまたはホスホニウム塩を含む、実施の形態２５に記載の触媒系。
実施の形態２７
前記防汚剤が、テトラアルキルホスホニウムハライド、ホスホニウムマロネート、トリヘキシルテトラデシルホスホニウムハライド、テトラブチルホスホニウムハライド、テトラブチルホスホニウムテトラハロボレート、テトラブチルホスホニウムハライド、テトラブチルホスホニウムヘキサハロホスフェート、及びテトラブチルホスホニウムテトラハロボレートのうちの１つ以上を含む、実施の形態２６に記載の触媒系。
実施の形態２８
前記防汚剤が、スルホネートまたはスルホン酸塩を含む、実施の形態２５に記載の触媒系。
実施の形態２９
前記防汚剤が、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ジオクチルスルホコハク酸ナトリウム、テトラブチルホスホニウムメタンスルホネート、テトラブチルホスホニウムｐ−トルエンスルホネート、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムｐ−トルエンスルホネート、３−（ジメチル（オクタデシル）アンモニオ）プロパン−１−スルホネート、３，３’−（１，４−ジドデシルピペラジン−１，４−ジイウム−１，４−ジイル）ビス（プロパン−１−スルホネート）、及び３−（４−（ｔｅｒｔ−ブチル）ピリジニオ）−１−プロパンスルホネートのうちの１つ以上を含む、実施の形態２８に記載の触媒系。
実施の形態３０
前記防汚剤が、スルホニウムまたはスルホニウム塩を含む、実施の形態２５に記載の触媒系。
実施の形態３１
前記防汚剤が、環状部分を含むエステルを含む、実施の形態２５に記載の触媒系。
実施の形態３２
前記防汚剤が、ε−カプロラクトン及び２−フェニルエチルアセテートのうちの１つ以上を含む、実施の形態３１に記載の触媒系。
実施の形態３３
前記防汚剤が、無水物を含む、実施の形態２５に記載の触媒系。
実施の形態３４
前記無水物が、１５０ｇ／ｍｏｌ〜２００，０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量（Ｍｎ）を有する無水物末端処理ポリマーである、実施の形態３３に記載の触媒系。
実施の形態３５
前記防汚剤が、１５０ｇ／ｍｏｌ〜２００，０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量（Ｍｎ）を有するポリエーテルを含む、実施の形態２５に記載の触媒系。
実施の形態３６
前記防汚剤が、長鎖アミン末端処理化合物を含む、実施の形態２５に記載の触媒系。
実施の形態３７
前記防汚剤が、ポリイソブテン−モノ−スクシンイミド及びポリイソブテン−ビス−スクシンイミドのうちの１つ以上を含む、実施の形態３６に記載の触媒系。
実施の形態３８
前記長鎖アミン末端処理化合物が、１５０ｇ／ｍｏｌ〜２００，０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量（Ｍｎ）を有する、実施の形態２５に記載の触媒系。
実施の形態３９
非ポリマーエーテル化合物をさらに含む、実施の形態２５に記載の方法。
実施の形態４０
前記非ポリマーエーテル化合物が、テトラヒドロフラン、ジオキサンまたはテトラヒドロピランである、実施の形態３９に記載の方法。
実施の形態４１
前記チタネート化合物のうちの少なくとも１つが、アルキルチタネートである、実施の形態２５に記載の方法。
実施の形態４２
前記アルキルチタネートが、構造Ｔｉ（ＯＲ）４を有し、式中、Ｒは２〜８個の炭素原子を含む分岐または直鎖アルキル基である、実施の形態４１に記載の方法。
実施の形態４３
前記アルキルチタネートが、テトラエチルチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラ−ｎ−ブチルチタネート、または２−テトラエチルヘキシルチタネートから選択される、実施の形態４１に記載の方法。
実施の形態４４
前記アルミニウム化合物のうちの少なくとも１つが、構造ＡｌＲ’３またはＡｌＲ’２Ｈを有し、式中、Ｒ’は、２〜８個の炭素原子を含む分岐または直鎖アルキル基である、実施の形態２５に記載の方法。
実施の形態４５
前記アルミニウム化合物のうちの少なくとも１つが、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリ−イソ−ブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウム、またはアルミノキサンから選択される、実施の形態２５に記載の方法。
実施の形態４６
全チタネート化合物対全アルミニウム化合物のモル比が、１：１０〜１：１である、実施の形態２５に記載の方法。
実施の形態４７
全チタネート化合物対全防汚剤のモル比が、１：１０〜１：０．０１である、実施の形態２５に記載の方法。
実施の形態４８
全チタネート化合物対全非ポリマーエーテル化合物のモル比が、１：１０〜１：０である、実施の形態２５に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー汚損を低減する触媒系であって、
少なくとも１つのチタネート化合物と、
少なくとも１つのアルミニウム化合物と、
ホスホニウムまたはホスホニウム塩、スルホネートまたはスルホン酸塩、スルホニウムまたはスルホニウム塩、環状部分を含むエステル、無水物、ポリエーテル、及び長鎖アミン末端処理化合物のうちの１つ以上から選択される、防汚剤と、を含む、触媒系。
【請求項２】
前記防汚剤が、ホスホニウムまたはホスホニウム塩を含む、請求項１に記載の触媒系。
【請求項３】
前記防汚剤が、テトラアルキルホスホニウムハライド、ホスホニウムマロネート、トリヘキシルテトラデシルホスホニウムハライド、テトラブチルホスホニウムハライド、テトラブチルホスホニウムテトラハロボレート、テトラブチルホスホニウムハライド、テトラブチルホスホニウムヘキサハロホスフェート、及びテトラブチルホスホニウムテトラハロボレートのうちの１つ以上を含む、請求項２に記載の触媒系。
【請求項４】
前記防汚剤が、スルホネートまたはスルホン酸塩を含む、請求項１から３いずれか１項に記載の触媒系。
【請求項５】
前記防汚剤が、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ジオクチルスルホコハク酸ナトリウム、テトラブチルホスホニウムメタンスルホネート、テトラブチルホスホニウムｐ−トルエンスルホネート、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムｐ−トルエンスルホネート、３−（ジメチル（オクタデシル）アンモニオ）プロパン−１−スルホネート、３，３’−（１，４−ジドデシルピペラジン−１，４−ジイウム−１，４−ジイル）ビス（プロパン−１−スルホネート）、及び３−（４−（ｔｅｒｔ−ブチル）ピリジニオ）−１−プロパンスルホネートのうちの１つ以上を含む、請求項４に記載の触媒系。
【請求項６】
前記防汚剤が、スルホニウムまたはスルホニウム塩を含む、請求項１から５いずれか１項に記載の触媒系。
【請求項７】
前記防汚剤が、環状部分を含むエステルを含む、請求項１から６いずれか１項に記載の触媒系。
【請求項８】
前記防汚剤が、ε−カプロラクトン及び２−フェニルエチルアセテートのうちの１つ以上を含む、請求項７に記載の触媒系。
【請求項９】
前記防汚剤が、無水物を含む、請求項１から８いずれか１項に記載の触媒系。
【請求項１０】
前記無水物が、１５０ｇ／ｍｏｌ〜２００，０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量（Ｍｎ）を有する無水物末端処理ポリマーである、請求項９に記載の触媒系。
【請求項１１】
前記防汚剤が、１５０ｇ／ｍｏｌ〜２００，０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量（Ｍｎ）を有するポリエーテルを含む、請求項１から１０いずれか１項に記載の触媒系。
【請求項１２】
前記防汚剤が、長鎖アミン末端処理化合物を含む、請求項１から１１いずれか１項に記載の触媒系。
【請求項１３】
前記防汚剤が、ポリイソブテン−モノ−スクシンイミド及びポリイソブテン−ビス−スクシンイミドのうちの１つ以上を含む、請求項１２に記載の触媒系。
【請求項１４】
前記長鎖アミン末端処理化合物が、１５０ｇ／ｍｏｌ〜２００，０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量（Ｍｎ）を有する、請求項１２に記載の触媒系。
【請求項１５】
１−ブテンを選択的に製造する方法であって、
エチレンを触媒系に接触させて、前記エチレンをオリゴマー化して、１ブテンを選択的に形成させることを含み、前記触媒系が、
少なくとも１つのチタネート化合物と、
少なくとも１つのアルミニウム化合物と、
ホスホニウムまたはホスホニウム塩、スルホネートまたはスルホン酸塩、スルホニウムまたはスルホニウム塩、環状部分を含むエステル、無水物、ポリエーテル、及び長鎖アミン末端処理化合物のうちの１つ以上から選択される、防汚剤と、を含む、方法。