【手続補正書】
【提出日】平成20年7月30日(2008.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）（ｉ）モノマーを含む前駆物質をパルスプラズマ励起を用いてプラズマ重合すること、および（ｉｉ）モノマーのインターポリマー化単位のポリマーを１つ以上含むターゲットからスパッタリングすることからなる群から選択されたプラズマによる堆積技術を用いて、実質的にフッ素化されていないポリマー層を誘電体層上に堆積する工程であって、前記モノマーが、芳香族モノマー、実質的に炭化水素のモノマー、およびそれらの組合せからなる群から選択される工程と、
（ｂ）有機半導体層を前記ポリマー層に隣接して堆積する工程とを含む、有機電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
（ａ）基板を提供する工程と、
（ｂ）ゲート電極材料を前記基板上に蒸着する工程と、
（ｃ）ゲート誘電体を前記ゲート電極材料上に蒸着する工程と、
（ｄ）芳香族モノマー、実質的に炭化水素のモノマー、およびそれらの組合せからなる群から選択されたモノマーを含む前駆物質を前記ゲート誘電体上にパルスプラズマ励起を用いてプラズマ重合して、実質的にフッ素化されていないポリマー層を前記ゲート誘電体上に形成する工程と、
（ｅ）有機半導体層を前記ポリマー層に隣接して蒸着する工程と、
（ｆ）前記有機半導体層に隣接するソース電極およびドレイン電極を蒸着する工程とを含む、有機薄膜トランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
本発明の様々な改良及び変更が本発明の範囲及び原理から逸脱することなく実施できることは、当業者には明らかであろう。本発明は、本明細書に記載した具体的な実施形態および実施例に不当に限定されるものではなく、このような実施例および実施形態は例として示されるにすぎず、本発明の範囲は、冒頭に記載の特許請求の範囲によってのみ限定されるものとすることを理解されたい。本発明の実施態様の一部を以下に列記する。
（１）
（ａ）（ｉ）モノマーを含む前駆物質をプラズマ重合すること、および（ｉｉ）モノマーのインターポリマー化単位のポリマーを１つ以上含むターゲットからスパッタリングすることからなる群から選択されたプラズマによる堆積技術を用いて、実質的にフッ素化されていないポリマー層を誘電体層上に堆積する工程であって、前記モノマーが、芳香族モノマー、実質的に炭化水素のモノマー、およびそれらの組合せからなる群から選択される工程と、
（ｂ）有機半導体層を前記ポリマー層に隣接して堆積する工程とを含む、有機電子デバイスの製造方法。
（２）
前記モノマーが芳香族モノマーである、項目１に記載の方法。
（３）
前記芳香族モノマーが炭化水素置換基だけを含む、項目２に記載の方法。
（４）
前記ポリマー層がナフタレン、ベンゼン、エチルベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、スチレン、フェニルアセチレン、およびそれらの組合せからなる群から選択されたモノマーのインターポリマー化単位を含む、項目１に記載の方法。
（５）
前記ポリマー層がスチレンインターポリマー化単位を含む、項目４に記載の方法。
（６）
前記スチレンインターポリマー化単位が、α−メチルスチレン、４−ｔ−ブチルスチレン、２−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン、およびそれらの組合せからなる群から選択されたモノマーに由来する、項目５に記載の方法。
（７）
前記スチレンインターポリマー化単位がα−メチルスチレンに由来する、項目６に記載の方法。
（８）
前記誘電体層が、プラズマによる堆積技術を用いて堆積され、前記誘電体層と前記ポリマー層とが一体化した層である、項目１に記載の方法。
（９）
前記ポリマー層が、シャドウマスクのアパーチャを通して前記誘電体層上に堆積される、項目１に記載の方法。
（１０）
前記ポリマー層が、予め選択されたパターンを形成する、項目９に記載の方法。
（１１）
前記誘電体層が、プラズマによる堆積技術を用いて前記シャドウマスクのアパーチャまたは第２のシャドウマスクのアパーチャを通して堆積され、前記誘電体層と前記ポリマー層とが一体化した層である、項目９に記載の方法。
（１２）
前記ポリマー層が、モノマーを含む前駆物質をプラズマ重合することによって堆積される、項目１に記載の方法。
（１３）
プラズマ重合が、パルスプラズマ励起を用いて行われる、項目１２に記載の方法。
（１４）
前記ポリマー層中の残留フリーラジカルをクエンチする工程をさらに含む、項目１に記載の方法。
（１５）
前記有機電子デバイスが有機薄膜トランジスタであり、前記誘電体層がゲート誘電体である、項目１に記載の方法。
（１６）
前記有機薄膜トランジスタを少なくとも１つの他の薄膜トランジスタに相互接続して集積回路を形成する工程をさらに含む、項目１５に記載の方法。
（１７）
（ａ）基板を提供する工程と、
（ｂ）ゲート電極材料を前記基板上に蒸着する工程と、
（ｃ）ゲート誘電体を前記ゲート電極材料上に蒸着する工程と、
（ｄ）芳香族モノマー、実質的に炭化水素のモノマー、およびそれらの組合せからなる群から選択されたモノマーを含む前駆物質を前記ゲート誘電体上にプラズマ重合して、実質的にフッ素化されていないポリマー層を前記ゲート誘電体上に形成する工程と、
（ｅ）有機半導体層を前記ポリマー層に隣接して蒸着する工程と、
（ｆ）前記有機半導体層に隣接するソース電極およびドレイン電極を蒸着する工程とを含む、有機薄膜トランジスタの製造方法。
（１８）
前記ゲート電極材料、前記ゲート誘電体、前記ポリマー層、前記有機半導体層、および前記ソース電極およびドレイン電極の１つ以上がシャドウマスクのアパーチャを通して堆積される、項目１７に記載の方法。
（１９）
前記ゲート電極材料、前記ゲート誘電体、前記ポリマー層、前記有機半導体層、および前記ソース電極およびドレイン電極の各々が、１つ以上のシャドウマスクの１つ以上のアパーチャを通して堆積される、項目１８に記載の方法。
（２０）
誘電体層上の実質的にフッ素化されていないポリマー層と前記ポリマー層に隣接した有機半導体層とを含む有機電子デバイスであって、前記ポリマー層が、芳香族ポリマーまたは実質的に炭化水素のポリマーを含み、実質的に不溶性である、有機電子デバイス。
（２１）
前記ポリマー層が、ナフタレン、ベンゼン、エチルベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、スチレン、フェニルアセチレン、およびそれらの組合せからなる群から選択されたモノマーのインターポリマー化単位を含む、項目２０に記載の有機電子デバイス。
（２２）
前記ポリマー層がスチレンインターポリマー化単位を含む、項目２１に記載の有機電子デバイス。
（２３）
前記スチレンインターポリマー化単位が、α−メチルスチレン、４−ｔ−ブチルスチレン、２−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン、およびそれらの組合せからなる群から選択されたモノマーに由来する、項目２２に記載の有機電子デバイス。
（２４）
前記スチレンインターポリマー化単位がα−メチルスチレンである、項目２３に記載の有機電子デバイス。
（２５）
前記ポリマー層がパターン化され、該パターンが、シャドウマスクのアパーチャによって画定される、項目２０に記載の有機電子デバイス。
（２６）
前記ポリマー層と前記誘電体層とが一体化している、項目２０に記載の有機電子デバイス。
（２７）
前記デバイスが有機薄膜トランジスタであり、前記誘電体層がゲート誘電体である、項目２０に記載の有機電子デバイス。
（２８）
項目２７に記載の有機薄膜トランジスタを含む集積回路。