【手続補正書】
【提出日】平成19年9月7日(2007.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上の下地前処理を行った領域に、液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜をパターニングし、
前記パターニングされた半導体膜に下地前処理を行い、
前記下地前処理を行った半導体膜上に、液滴吐出法によりソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極上に柱状の導電膜を形成する
ことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記柱状の導電膜は、液滴吐出法により形成され、
前記導電層となるドットを滴下するたびに加熱処理を行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上の下地前処理を行った領域に、液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜をパターニングし、
前記パターニングされた半導体膜に下地前処理を行い、
前記下地前処理を行った半導体膜上に、液滴吐出法によりソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記半導体膜、並びに前記ソース電極及びドレイン電極を覆うように、第１の絶縁膜を形成し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極上において、前記第１の絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールに柱状の導電膜を形成する
ことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
液滴吐出法により、第１の絶縁膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて、エッチング法により前記第１の絶縁膜にコンタクトホールを形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上の下地前処理を行った領域に、液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜をパターニングし、
前記パターニングされた半導体膜に下地前処理を行い、
前記下地前処理を行った半導体膜上に、液滴吐出法によりソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極上に柱状の有機膜を形成し、
前記柱状の有機膜、前記半導体膜、並びに前記ソース電極及びドレイン電極を覆うように、第１の絶縁膜を形成し、
前記柱状の有機膜を除去して、前記第１の絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部に、前記ソース電極又はドレイン電極と接続するように電極を形成する
ことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１の絶縁膜は、前記柱状の有機膜に対して撥液性を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板上の下地前処理を行った領域に、液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜をパターニングし、
前記パターニングされた半導体膜に下地前処理を行い、
前記下地前処理を行った半導体膜上に、液滴吐出法によりソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記半導体膜、並びに前記ソース電極及びドレイン電極の表面に、第１の絶縁膜に対して撥液性を有する有機膜を形成し、
前記ソース電極又はドレイン電極上に選択的にマスクを形成し、
前記マスクを用いて、前記有機膜を除去し、
前記マスクを除去した後、前記第１の絶縁膜を形成することにより、前記マスク上の領域の前記第１の絶縁膜には開口部が形成され、
前記開口部に、前記ソース電極又はドレイン電極と接続するように電極を形成する
ことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記ゲート電極上の前記半導体膜に接してチャネル保護膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁表面を有する基板上の下地前処理を行った領域に、液滴吐出法によりソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜をパターニングし、
前記パターニングされた半導体膜に下地前処理を行い、
前記下地前処理を行った半導体膜上に、液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極上に柱状の導電膜を形成し、
前記柱状の導電膜、前記半導体膜並びに前記ソース電極及びドレイン電極を覆うように、第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上において、前記柱状の導電膜と接続するように電極を形成する
ことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項３乃至９のいずれか一において、
気体を噴きつけることにより、前記第１の絶縁膜表面を平坦化することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面を有する基板上の下地前処理を行った領域に、液滴吐出法により第１及び第２のゲート電極を形成し、
前記第１及び第２のゲート電極上にそれぞれ、ゲート絶縁膜を介して第１及び第２の半導体膜を形成し、
前記第１及び第２の半導体膜に下地前処理を行い、
前記下地前処理が行われた第１及び第２の半導体膜上に、それぞれ液滴吐出法により第１及び第２のソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ゲート絶縁膜をエッチングすることにより、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極と、前記第２のゲート電極とを接続するためのコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールに、液滴吐出法により導電膜を形成し、
前記第２のソース電極又は前記第２のドレイン電極上に柱状の導電膜を形成する
ことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面を有する基板上の下地前処理を行った領域に、液滴吐出法により第１及び第２のゲート電極を形成し、
前記第１及び第２のゲート電極上にそれぞれ、ゲート絶縁膜を介して第１及び第２の半導体膜を形成し、
前記第１及び第２の半導体膜をパターニングし、
前記パターニングされた第１及び第２の半導体膜に下地前処理を行い、
前記下地前処理が行われた第１及び第２の半導体膜上に、それぞれ液滴吐出法により第１及び第２のソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極を用いて、前記ゲート絶縁膜をエッチングすることにより、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極と、前記第２のゲート電極とを接続するためのコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールに、液滴吐出法により導電膜を形成し、
前記第２のソース電極又は前記第２のドレイン電極上に柱状の導電膜を形成する
ことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、
前記柱状の導電膜と電気的に接続された電極を形成し、液滴吐出法により前記電極と電気的に接続された電界発光層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一において、
前記液滴吐出法はインクジェット法であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一において、
前記半導体膜は、非晶質半導体、セミアモルファス半導体、微結晶半導体、有機半導体、及び結晶性半導体のいずれかであることを特徴とする表示装置の作製方法。