【手続補正書】
【提出日】平成20年3月25日(2008.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インターフェロメトリック変調器の製造方法であって、
少なくとも第１のパターニング製造工程を用いて透明な基板上に光学的スタックを形成することと、
前記基板上に支持体構造を形成することと、
少なくとも第２のパターニング製造工程を用いて前記光学的スタック及び前記支持体構造上に上部ミラー層を形成することと、を具備し、
前記光学的スタック、前記支持体構造、前記上部ミラー層の少なくとも１つの表面によって空洞部が形成され、前記上部ミラー層の前記空洞部への一部の移動は、前記基板の表面から認識される光学特性を制御可能かつ予測可能な方法で変化させ、前記第１及び第２の製造工程の少なくとも１つはリフトオフ工程を具備する方法。
【請求項２】
前記光学的スタックは導電層、下部ミラー金属層、誘電体層の少なくとも１つを具備する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記光学的スタックは下部ミラー金属層を具備する請求項２に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも前記下部ミラー金属層はロー（行）電極を形成する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記光学的スタック上に前記上部ミラー層を形成することは、前記光学的スタックと前記上部ミラー層間に犠牲層を堆積することを具備する請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記空洞部を形成するために前記犠牲層の少なくとも一部を除去することをさらに具備する請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記リフトオフ工程は、前記犠牲層の少なくとも一部とともに前記光学的スタックの少なくとも一部を離昇することを具備する請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記上部ミラー層は弾性をもつ金属導電層を具備する請求項１に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも前記上部ミラー層はカラム（列）電極を構成する請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１及び第２の製造工程は、リフトオフ工程を具備する請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
イメージングアプリケーションを形成することをさらに具備する請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記イメージングアプリケーションはフラットパネルディスプレイを具備する請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記フラットパネルディスプレイはモバイル電子デバイスの一部である請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記イメージングアプリケーションは、ハンドヘルドコンピュータ、パーソナルデジタルアシスタント、ラップトップコンピュータ、携帯電話、ハンドヘルドビデオゲームデバイス、家庭機器、テレビ、時計、キオスク、自動車計算装置の少なくとも１つを具備する請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記リフトオフ工程は概してＴ字形状のリフトオフステンシルを形成することを具備する請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記リフトオフ工程はリフトオフステンシルをパターニングすることを具備する請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記リフトオフステンシルのパターニングはポリマー上にフォトレジストを堆積することを具備する請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記リフトオフ工程は、リフトオフステンシルを除去するためのウエットエッチングを具備する請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記上部ミラー層上に変形可能な層を堆積することをさらに具備する請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記上部ミラー層は犠牲層の除去後、前記変形可能な層から吊り下げられる請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
請求項１の方法によって製造されるインターフェロメトリック変調器。
【請求項２２】
請求項１の方法によって製造されるインターフェロメトリック変調器のアレイからなるディスプレイシステム。
【請求項２３】
前記アレイと電気通信可能であり、イメージデータを処理するように構成されたプロセッサと、
前記プロセッサと電気通信可能なメモリ装置と、をさらに具備する請求項２２に記載のディスプレイ装置。
【請求項２４】
少なくとも１つの信号を前記アレイに送信するように構成された請求項２３に記載のディスプレイ装置。
【請求項２５】
前記イメージデータの少なくとも一部を前記駆動回路に送信するように構成されたコントローラをさらに具備する請求項２４に記載のディスプレイ装置。
【請求項２６】
前記イメージデータを前記プロセッサに送信するように構成されたイメージ源モジュールをさらに具備する請求項２３に記載のディスプレイ装置。
【請求項２７】
前記イメージ源モジュールは、受信機、トランシーバ、送信器の少なくとも１つを具備する請求項２６に記載のディスプレイ装置。
【請求項２８】
入力データを受信するとともに当該入力データを前記プロセッサに送信するように構成された入力装置をさらに具備する請求項２３に記載のディスプレイ装置。
【請求項２９】
インターフェロメトリック変調器の製造方法であって、
基板上にリフトオフステンシルを形成することと、
前記リフトオフステンシルと前記基板上に第１の材料層を堆積することと、
前記第１の材料層上に第２の材料層を堆積することと、
前記リフトオフステンシルを除去して、前記第２の材料層と前記第１の材料層とからなるパターニングされた領域を形成することと、を具備する方法。
【請求項３０】
前記第１の材料層はＩＴＯ（インジウムすず酸化物）であることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記第２の材料層は、クロム、モリブデン、チタンからなる群から選択された少なくとも１つの金属を具備する請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記第２の材料層はモリブデンを具備する請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記第１の材料層は前記第２の材料層の厚さよりも大きい厚さをもつ請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】
前記第２の材料層上に第３の材料層を堆積することをさらに具備する請求項２９に記載の方法。
【請求項３５】
前記第３の材料層は、誘電材料を具備する請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記第３の材料層上に第４の材料層を堆積することをさらに具備する請求項３４に記載の方法。
【請求項３７】
前記第４の材料層は、モリブデンを具備する請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
請求項２９の方法によって製造されたインターフェロメトリック変調器。
【請求項３９】
インターフェロメトリック変調器のアレイを製造する方法であって、
リフトオフステンシルを用いて基板上に複数の正にパターニングされた光学的スタックと、複数の負にパターニングされたポスト領域とを形成することと、
前記負にパターニングされたポスト領域内に複数のポスト構造を形成すること、とを具備する方法。
【請求項４０】
請求項３９の方法によって製造されたインターフェロメトリック変調器のアレイ。
【請求項４１】
ディスプレイ装置の製造方法であって、
第１のミラー層を堆積することと、
前記第１のミラー層上に犠牲層を堆積することと、
前記犠牲層上にリフトオフステンシルを形成することと、
前記リフトオフステンシル上に第２のミラー層を堆積することと、
前記リフトオフステンシルを除去することによって、前記第２のミラー層のパターニングされた領域を形成して前記犠牲層の一部を露出することと、
を具備する方法。
【請求項４２】
前記犠牲層を堆積することは、モリブデン、シリコン、チタン、タングステン、ゲルマニウムから選択された少なくとも１つの材料を堆積することを含む請求項４１記載の方法。
【請求項４３】
空洞部を形成するために前記犠牲層の少なくとも一部を除去することをさらに具備する請求項４１記載の方法。
【請求項４４】
前記リフトオフステンシルを形成することは、前記犠牲層上にリフトオフ材料を堆積することと、
前記堆積されたリフトオフ材料をフォトレジストにより包囲することと、を具備する請求項４１記載の方法。
【請求項４５】
請求項４１の方法によって製造されたディスプレイ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
一実施例は、インターフェロメトリック変調器の製造方法を提供するものであって、少なくとも第１のパターニング製造工程を用いて透明な基板上に光学的スタック（積層体）を形成することと、前記基板上に支持体構造を形成することとを含む。この実施形態において、前記方法はさらに、少なくとも第２のパターニング製造工程を用いて前記光学的スタック及び支持体構造上に上部ミラー層を形成することを含む。ここで、前記光学的スタック、前記支持体構造、前記上部ミラー層の少なくとも１つの表面によって空洞部が形成され、前記上部ミラー層の前記空洞部への一部の移動は、前記支持体の表面から認識される光学特性を制御可能かつ予測可能な方法で変化させ、前記第１及び第２の製造工程の少なくとも１つはリフトオフ工程を具備する。他の実施形態は、そのような方法によって製造されたインターフェロメトリック変調器を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
図１０Ｂに示すように、積層体４０２は、ＩＴＯ層４０４、Ｃｒ層４０６、誘電層４０８そして犠牲Ｍｏ層４１０を含む複数材料層からなる。図１５を参照して後述するように、ＩＴＯ層４０４、Ｃｒ層４０６、誘電層４０８は最終的に光学的スタック９０６に組み込まれる。上記したように、リフトオフステンシル３０８の厚さは好ましくは、リフトオフステンシル３０８を後で除去するために用いられる化学現象への縦方向のアクセスを可能にするために、積層体４０２の厚さよりも大きい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
図１５Ａは平面図であり、図１５Ｂ、１５Ｃは、本実施形態によるインターフェロメトリック変調器６００の断面図である。図に示すように、変調器９００は、リフトオフ工程が行われた（この間、リフトオフステンシル７０８が（図１４Ｂに示すようにリフトオフステンシル７０８上に堆積された屈曲層８０２の一部とともに）除去された）後の、（ＡＩミラー層８０４及びＮｉ導電層８０６を含む）パターニングされた屈曲層８０２を含む。リフトオフステンシル７０８を除去すると、開口９０２、９０４が形成される。図１５Ｂ及び１５Ｃは積層体４０２からの犠牲層４１０の後工程による除去を示しており、ＩＴＯ層４０４、Ｃｒ層４０６、誘電体層４０８を含む光学的スタック９０６を形成する。犠牲層４１０を除去すると、変調器９００の空洞部１９が形成される。ポスト６０２ａはパターニングされた屈曲層８０２のための支持体構造であり、空洞部１９を規定する役目をもつ。一実施形態において、除去は、Ｍｏ犠牲層４１０と化学的に反応させるために、開口９０２、９０４を通して流れるキセノンフッ化物（ＸｅＦ２）に対して変調器８００を露出することによって達成され、ドライエッチング工程によって犠牲層が除去されて空洞部１９を形成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５Ｂ】
2008514991.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５Ｃ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５Ｃ】
2008514991.tif 000002