Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月9日(2008.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
これらの全ての提案の目的は、測定の回数または測定機会の回数を増やすことによって、２つのパルスの間の対象媒体の送出されるべき最小体積を低減させ、測定精度を高めることである。これらの装置全ての欠点は、甚大な装置コストである。これは付加的なセンサおよびこれに必要なリード線によって生じる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
さらに本発明では有利には、回路装置として前置増幅器が使用される。前置増幅器の使用は、センサから出力された、場合によっては非常に小さい信号を、評価電子回路によってより良好に置きかえられる信号に置き換えるのに元来有意義である。これは殊に、評価電子回路がある程度の距離を介してセンサから離れている場合である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明の方法では上述の課題は次のことによって解決される。すなわち、１つまたは複数のセンサが出力信号を出力し、回路装置に供給し、この出力信号は周期的に、測定ツールの個々の歯の通過時に、最小値と最大値の間で変動し、１つまたは複数のセンサと相対して、歯の位置に依存して、再現可能な中間値をとり、回路装置は、１つまたは複数のセンサの出力信号から独自の出力信号を形成するように構成し、この出力信号は、この中間値を計数可能な値に置き変えることによって解決される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
センサ５１、５２は、相互に９０°の間隔を有している。この９０°は、歯車ないし第２の測定ツール４０に対する幾何学的なものと理解されるべきではなく、その下を動く個々の歯４２の動きに関している。すなわち、この領域において磁界が形成され、この磁界は動いて通過する歯４２によって変えられる。歯および全体的な測定ツール４０はこの目的のために強磁性に構成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
このときに第２のセンサは９０°だけ、この変化に関してオフセットされている。すなわち、１つの具体的な歯に割り当てられている角度の４分の１だけ、第１のセンサ５１に対してオフセットされている。これは具体的な歯の上に落ちる。例として例えば、１２個の歯を有する歯車が使用されている場合、これらの各歯には、測定ツール４０の円周の３０°が割り当てられる。（１２×３０°＝３６０°）。この場合には、２つのセンサ５１および５２は相互に、第２の測定ツール４０の円周上で、この角度の４分の１だけ、すなわち７．５°だけ離れている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
第２の測定ツール４０において歯４２の配置は対称であるので、２つのセンサ５１と５２の間で、３７．５°の角度間隔が生じる。なぜならこの場合には周期的な特性に基づいて４５０°の角度オフセットも生じるからである。すなわち、個々の歯に相対する９０°と等しい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
高い周波数によって、有利にはローパスであるＦ／Ｕ変換器により小さくかつ迅速なフィルタが設けられる。従って遅延は信号変化時に最小化され、測定値変化は非常に僅かな時間遅延のみを伴って行われる。高いデジタル入力周波数によって、フィルタ段はデジタル信号をここでは従来技術のようにもはや強力に平滑化しない。なぜなら信号は短い時間間隔で到来するからである。すなわち、アナログ測定値はここで本発明ではまだ小さいリップルＲｈしか有していない。これは図６に非常に明確に示されている。この図における３つの大きなリップルＲｇを有する粗い分解能の曲線Ｋｇは、測定中に生じた変動をほぼ正しく識別しない。小さいリップルＲｈを有する高い分解能は明確に、曲線Ｋｈで見てわかるように、図内に見えるべき隆起部を識別する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
図７には、本発明の流量センサの別の使用例が示されている。右側へ、弁のピストン変位量（Kolbenweg）Ｋが示されており、上方へ（正または負）流量が示されている。左側には第１の流れ方向が示され、これは正の体積流Ｑ＋で識別される。右側には第２の、反対の流れ方向が示され、これは負の体積流Ｑ−で識別される。従来のように媒体の体積が弁で測定される場合、これまでのように次のような問題がしばしば生じる。すなわち、従来の流量センサによっては媒体の非常に小さい体積流が零通過Ｎにおいてもはや正確に測定されないという問題が生じる。この原因は、それによって低い体積流が零通過において測定される粗い段階変化にある。これによって、零通過時のプランジャー位置の表示も不正確になってしまう。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月5日(2008.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長周期格子を含む光センサを提供する段階、
該光センサに光学的に接続された光導波ループを提供する段階、
ファイバループリングダウン分光法を用いて、試験媒体に曝露されたセンサの少なくとも一つの光学的性質と、試験媒体の非存在下におけるセンサの少なくとも一つの対応する光学的性質とを測定および比較する段階であって、該比較の結果が一つまたは複数の化合物の検出を示す、段階
を含む、試験媒体中の一つまたは複数の化合物を検出するための方法であって、
該ファイバループリングダウン分光法が、
輝度変調された基準位相の光を光導波ループ中に発する段階、
光導波ループに沿って該光の位相を検出する段階、および
ループに沿って検出された該光の位相を基準位相と比較する段階
を含み、検出された位相と基準位相との比較が光センサの該少なくとも一つの  光学的性質に関する情報を提供する、
方法。
【請求項２】
固相マイクロ抽出膜を長周期格子に配置する段階をさらに含み、
一つまたは複数の化合物が固相マイクロ抽出膜中に選択的に分配される、請求項1記載の方法。
【請求項３】
選択的分配が、固相マイクロ抽出膜に対する一つまたは複数の対象化合物の親和力に基づく、請求項2記載の方法。
【請求項４】
長周期格子を含む光センサを提供する段階、
該光センサに光学的に接続された光導波ループを提供する段階、
ファイバループリングダウン分光法を用いて、試験媒体に曝露されたセンサの少なくとも一つの光学的性質と、試験媒体の非存在下におけるセンサの少なくとも一つの対応する光学的性質とを測定および比較する段階であって、該比較の結果が一つまたは複数の化合物の検出を示す、段階
を含む、試験媒体中の一つまたは複数の化合物を検出するための方法であって、
該ファイバループリングダウン分光法が、
光導波ループを複数の光パルスで照射する段階、
ループに沿った一つまたは複数の場所で該光パルスの往復を検出する段階、  および
該光パルスのリングダウン時間を測定する段階
を含み、該リングダウン時間が光センサの少なくとも一つの光学的性質を示す、
方法。
【請求項５】
固相マイクロ抽出膜を長周期格子に配置する段階をさらに含み、
一つまたは複数の化合物が固相マイクロ抽出膜中に選択的に分配される、請求項4記載の方法。
【請求項６】
選択的分配が、固相マイクロ抽出膜に対する一つまたは複数の対象化合物の親和力に基づく、請求項5記載の方法。
【請求項７】
一つまたは複数の化合物に曝露された場合に変化する少なくとも一つの光学的性質を有する、長周期格子を含む光センサ、
該光センサに光学的に接続された光導波ループ、
光を光導波ループ中に発するための光源、
光導波ループに沿って、光センサを通過した該光を検出するための光検出器、および
検出された光を解析するための手段
を含み、
検出された光が光センサの該少なくとも一つの光学的性質に関する情報を提供する、
試験媒体中の一つまたは複数の化合物を検出するためのシステム。
【請求項８】
光源が、輝度変調された基準位相の光を発し、
光検出器が、光導波ループに沿って該光の位相を検出し、
解析するための手段が、ループに沿って検出された該光の位相を基準位相と比較するための手段を含み、
検出された位相と基準位相との比較が光センサの少なくとも一つの光学的性質に関する情報を提供する、
請求項7記載のシステム。
【請求項９】
光源が光導波ループを複数の光パルスで照射し、
光検出器がループに沿った一つまたは複数の場所で該光パルスの往復を検出し、
解析するための手段が、該光パルスのリングダウン時間を測定するための手段を含み、
リングダウン時間が光センサの少なくとも一つの光学的性質を示す、
請求項7記載のシステム。
【請求項１０】
長周期格子に配置された固相マイクロ抽出膜をさらに含み、
一つまたは複数の化合物が固相マイクロ抽出膜中に選択的に分配され、
一つまたは複数の化合物の分配が、長周期格子の少なくとも一つの光学的性質を変化させる、
請求項7記載のシステム。
【請求項１１】
一つまたは複数の対象化合物の固相マイクロ抽出膜中への選択的分配が可逆性である、請求項10記載のシステム。
【請求項１２】
選択的分配が、固相マイクロ抽出膜に対する一つまたは複数の対象化合物の親和力に基づく、請求項10記載のシステム。
【請求項１３】
少なくとも一つの光学的性質が屈折率である、請求項7記載のシステム。
【請求項１４】
光が、赤外線(IR)、可視光線および紫外線から選択される少なくとも一つの波長を有する、請求項7記載のシステム。
【請求項１５】
光導波ループが単一モード光ファイバを含む、請求項7記載のシステム。
【請求項１６】
それぞれが長周期格子および固相マイクロ抽出膜を含む、2つ以上の光センサを含む、請求項7記載のシステム。
【請求項１７】
それぞれが長周期格子および固相マイクロ抽出膜を含む、2つ以上の光センサを提供する段階を含む、請求項1記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月9日(2008.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が、センサ、および、近隣のモートと通信するための無線通信システムを有する、複数のモートと、
前記複数のモートの各々の間に分散した分散経路指定テーブルと、
前記分散経路指定テーブルを周期的に更新するための更新システムと
を含む無線センサ・ネットワーク。
【請求項２】
前記モートの各々が更に太陽電池を含む、請求項１に記載の無線センサ・ネットワーク。
【請求項３】
前記通信システムが受動モードおよび能動モードを含み、前記受動モードが送信モートから受信モートにデータをリレーするために利用され、前記能動モードが当該モートによって生成されたデータを送るために利用される、請求項１に記載の無線センサ・ネットワーク。
【請求項４】
少なくとも１つのトランスポート・ルータおよびモニタ・ステーションを更に含む、請求項１に記載の無線センサ・ネットワーク。
【請求項５】
各モートは、当該モートが近隣のモートによってネットワークに取込まれること及び他のモートを前記ネットワークに取込むことを可能にする結合及び取込みシステムを更に含む、請求項１に記載の無線センサ・ネットワーク。
【請求項６】
各モートが、当該モートを取込んだ近隣のモートを介したエンドポイントまでの一次パスを保存する、請求項５に記載の無線センサ・ネットワーク。
【請求項７】
各モードが、他の近隣のモートを介したエンドポイントまでの二次パスのセットを識別するためのシステムを更に含む、請求項６に記載の無線センサ・ネットワーク。
【請求項８】
各モートが、前記エンドポイントまでの前記一次パス及び前記二次パスのセットをランク付けする経路指定テーブルを含む、請求項７に記載の無線センサ・ネットワーク。
【請求項９】
各モートが、近隣のモートの伝送基準のセットを分析することによって当該モートの経路指定テーブルを周期的に更新する、請求項８記載の無線センサ・ネットワーク。
【請求項１０】
各々が近隣の装置と通信するための無線通信システムを有する複数の装置を含む無線ネットワークをイネーブルするための方法であって、
各装置からの結合コマンド及びエンドポイントからの取込みコマンドをブロードキャストするステップと、
前記エンドポイントの近くにある装置を前記エンドポイントとネットワークにおいて結合するステップと、
追加の装置を前記ネットワークに結合させるために、前記エンドポイントに結合された各装置からの取込み信号をブロードキャストするステップと、
更なる追加の装置を前記ネットワークに結合させるために、前記ネットワークに結合された各追加の装置からの取込み信号をブロードキャストするステップと
を含む、方法。
【請求項１１】
前記ネットワークに結合するために使用可能な更なる装置がなくなるまで、直前のブロードキャストするステップを繰り返す更なるステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記無線ネットワークが無線センサ・ネットワークを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
各装置が、センサ、および、近隣のモートと通信するための無線通信システムを有するモートである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記エンドポイントまでの一次パスを各モートに保存する更なるステップを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
他の近隣のモートを通信しようとすることによって前記エンドポイントまでの二次パスのセットを各モートに識別させる更なるステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
各モートに前記一次パスおよび前記二次パスのセットを経路指定テーブルにおいてランク付けさせる更なるステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記近隣のモートの通信基準のセットを分析することによって各モートに自身の経路指定テーブルを周期的に更新させる更なるステップを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
センサ・ネットワークにおいて使用するためのモートであって、
環境データを感知するためのセンサと、
近隣のモートと通信するための通信システムと、
前記モートをモートのネットワークにおいて確立するための結合及び取込みシステムと、
前記モートからエンドポイントまでのパスのセットをランク付けする経路指定テーブルと、
前記経路指定テーブルを周期的に更新するための更新システムと
を含む、モート。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月9日(2008.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像センサから得られる生のデジタル画像データについての、ロスレス又は近ロスレスのon-the-fly圧縮のための方法であって、以下を有している方法。
少なくともセンサ インテグレーション タイム、センサ温度及び画像データのアナログ及びデジタルゲインに関係する情報を受信すること；
画像センサから得られる１つ又はそれ以上のカラープレーンにおける複数のピクセル値からなる生のデジタル画像データを受信すること；
前記受信した生の画像データのピクセル値分布を調整し、ピクセル値にゲインを適用し、圧縮用データにプレコンディションすること；但し、ゲインは受信情報を使って少なくとも部分的に決定される。
近傍の複数ピクセルの複数クラスタにおける複数ピクセルのピクセル値を、前記クラスタの別のピクセル値を使って、予測するために２つ又はそれ以上予測ルーチンを提供すること；
前記受信された情報、クラスタサイズ、及び、画像データ又は各クラスタのための適切な予測ルーチンを選択し、使うこと；
各クラスタと各カラープレーンに対し、以下により、ピクセル予測誤差を生成すること、
―選択された予測ルーチンを使ってピクセル値を予測すること、但し、前記ピクセル予測誤差は予測ピクセル値とプレコンディションされたピクセル値との差から導かれるものである；
―各クラスタに対しエントロピ数を決定すること；
２つ又はそれ以上の統計的符号化スキームを提供すること。但し、各々は、クラスタのピクセル予測誤差のためにコードと対応するコード長を決定する。
各クラスタのピクセル予測誤差を、各カラープレーン毎に、以下のように符号化すること、
―前記クラスタのカラープレーンに対し、エントロピ数と受信情報を使って、適切な統計的符号化スキームを決定し選択すること、及び
―選択した統計的符号化スキームにより、ピクセル予測誤差及びクラスタのエントロピを符号化すること；
画像の各ラインに対応するビットストリームの長さを決め、前記ラインに対応する前記ビットストリームに長さを付加し、及び/又はインデックステーブルに前記長さを記憶させること。
【請求項２】
更に、ピクセル予測誤差の生成の前に、画像センサの固有のノイズと誤差の補償するために、画像データを処理することを特徴とする請求項１に記載のon-the-fly圧縮のための方法。
【請求項３】
クラスタのエントロピ数が、クラスタにおける最大及び最小ピクセル値の差及び、クラスタにおけるピクセル値の変化（variation）を反映するために決められる、請求項１に記載のon-the-fly圧縮のための方法。
【請求項４】
ピクセル値を予測するのに使われるクラスタは固定サイズで、１次元のクラスタであることを特徴とする請求項１に記載のon-the-fly圧縮のための方法。
【請求項５】
クラスタは８×１の固定サイズをもつことを特徴とする請求項１に記載のon-the-fly圧縮のための方法。
【請求項６】
デジタル画像プロセッサにより、画像センサからのデジタル画像データを圧縮するのに使われるソフトウェアを記憶する電子的記憶メディア。但し、前記ソフトウェアはデジタル画像プロセッサにより、請求項１の複数ステップを実行される。
【請求項７】
ピクセル予測誤差を生成し、符号化する前に実行される以下のステップを更に有する、請求項１に記載の近ロスレスのon-the-fly圧縮のための方法。
画像データのピクセル値をガンマ補正すること；
前記ガンマ補正されたピクセル値のLSB(least significant bits)の１つ又はそれ以上を削減すること；
【請求項８】
デジタル画像プロセッサにより、画像センサからのデジタル画像データを圧縮するのに使われるソフトウェアを記憶する電子的記憶メディア。但し、前記ソフトウェアはデジタル画像プロセッサにより、請求項７の複数ステップを実行される。
【請求項９】
画像データを伸張するために以下のステップを有する請求項７に記載の方法。
圧縮時に適用される、１つ又はそれ以上の統計的符号化スキームを使って、符号化されたピクセル予測誤差を復号すること；
復号されたピクセル予測誤差及び圧縮時に適用される予測ルーチンを使って、ピクセル値を算出すること；および
算出されたピクセル値の逆ガンマ補正を実行すること。
【請求項１０】
画像全体を伸張することなく、圧縮済み画像の特定部分だけを検索する請求項９に記載の画像データを伸張する方法であって、復号する前に、次のステップを含む方法。
インデックスの付いた圧縮画像データを提供すること。但し、インデックスの付いた部分はサブサンプリング、ズーミング、パンニング、クロッピングのために適していること；
・伸張用に選択されるインデックスのついた部分を識別するために埋め込まれたライン インデックス テーブル又は単独のライン インデックス テーブルを使うこと。
【請求項１１】
デジタル画像データを圧縮するための画像圧縮部であって、前記セクションはデジタル画像処理装置に接続され、少なくとも次に関係する情報を受信する。センサ インテグレーション タイム、センサ温度及び画像データのアナログゲイン、及び、“１つ又はそれ以上のカラープレーンにおける複数のピクセル値からなる生のデジタル画像データに関係する情報”、ガンマ補正データを保持する圧縮部、“クラスタ内の別のピクセル値を使った近傍の複数ピクセルの複数クラスタにおける複数ピクセルのピクセル値を予測する、少なくとも２つの予測ルーチン”、及び“少なくとも２つの統計的符号化スキーム（各々は、クラス他のピクセル予測誤差のためにコードと対応するコード長を決定する）”。前記圧縮部は以下を有する；
生のデジタル画像データを受信し、前記受信したデータのピクセル値分布を調整し、ピクセル値にゲインを適用し、圧縮のためにデータをプレコンディションするために接続されるプレコンディショニング ブロック；但し、ゲインは受信情報により少なくとも部分的に決定される。
ガンマ補正データに基づきピクセル値のガンマ補正を行い、各ガンマ補正されたピクセル値に対しビット数を削減するためのビット削減ブロック。
前記プレコンディショニングされたデータを受信し、選択された予測ルーチンを使ってピクセル予測誤差を生成するために接続される予測ブロック。但し、予測ブロックは、各クラスタ及び各カラープレーン毎に、次のための処理手段を有している；
―選択された予測ルーチンを使ってピクセル値を予測すること、但し、前記ピクセル予測誤差は予測ピクセル値とプレコンディションされたピクセル値との差から導かれるものである、
―各クラスタに対しエントロピ数を決定すること；
各クラスタのピクセル予測誤差を符号化する符号化ブロック。但し、前記符号化ブロックは、各クラスタ及び各カラープレーン毎に、選択した統計的符号化スキームを使って、ピクセル予測誤差及びクラスタのエントロピを符号化するための処理手段を有する；及び
画像の各ラインに対応するビットストリームの長さを決め、前記ラインに対応する前記ビットストリームに長さを付加し、及びインデックステーブルに前記長さを記憶させるためのインデキシング ブロック。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月25日(2008.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路を形成する方法であって、
第一層を含む第一ウェハを提供するステップであって、第一層にチャネル領域を有する複数のトランジスタのうち少なくとも実質的に大部分が第一導電型であるステップと、
第二ウェハを第一ウェハに結合するステップであって、第二ウェハが第二層を含み、第二層にチャネル領域を有する複数のトランジスタのうち少なくとも実質的に大部分が第二導電型であるステップと、
前記結合するステップに続いて、第二ウェハの一部を除去するステップとを備え、
前記除去するステップの後に、第一層のチャネル領域は全体として第一歪みを有し、第二層のチャネル領域は全体として第二歪みを有し、第一歪みは第二歪みよりも高い伸張性を有している方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記除去するステップは、第二ウェハの厚さの少なくとも９９％を除去するステップを含む方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法は、更に、
第二ウェハを結合する前に、第一基板上に第二層を形成するステップと、
第二ウェハを結合する前に、第二層上に第二基板を結合するステップと、
第二ウェハを結合する前に、第二層から第一基板を除去するステップとを備え、
第二ウェハの一部を除去ステップは、第二基板を除去するステップを含む方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法は、更に、
前記除去するステップに続いて、第一及び第二ウェハ上に層間絶縁膜を形成するステップを備える方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、
前記結合するステップは、第二層にチャネル領域を有するトランジスタが第一ウェハに対して表面を上向きにして配置されるように第二ウェハを結合するステップを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月23日(2008.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性の又は半透明の基板と、前記基板の第１の側に成長させた発光半導体材料から構成される第１の層と、第１の電極及び第２の電極とを有する発光ダイオードであって、前記基板が多結晶体であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
前記基板が、多結晶α−Ａｌ２Ｏ３又は多結晶ＳｉＣである、請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記半導体材料が、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、窒化インジウム又はこれらの窒化物ＡｌＧａＩｎＮの組み合わせを有するグループから選択される、請求項１又は２に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記多結晶基板の平均粒径が、発光ダイオードの使用時に前記半導体材料によって発せられる光の波長の２倍を下回る、請求項１、２又は３に記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記多結晶基板の平均粒径が、４００ｎｍを下回る、請求項１乃至４の何れか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
発光半導体材料から構成される前記第１の層がｎ型層である、請求項１乃至５の何れか一項に記載の発光ダイオード。
【請求項７】
ｐ型の発光半導体材料から構成される第２の層が、前記ｎ型層の上に成長されるｐ型層である、請求項６に記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記ｐ型層が、前記ｎ型層の表面の一部のみを覆う、請求項７に記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記第１の電極が、前記ｐ型層の表面に取り付けられ、前記第２の電極が、前記ｎ型層の前記表面に取り付けられる、請求項８に記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
透光性の又は半透明の基板が供給され、発光半導体材料から構成される第１の層が、前記基板の第１の側に成長され、第１の電極及び第２の電極が、発光ダイオードに取り付けられる当該発光ダイオードを作製する方法であって、前記基板が多結晶体であることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月25日(2008.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スタティックランダムアクセスメモリセルを備えている装置において、前記スタティックランダムアクセスメモリセルは、
第１分離リセス量を有する第１デバイスと、
前記第１デバイスに連結されており、前記第１分離リセス量とは異なる第２分離リセス量を有している第２デバイスと、を備え、
前記第１デバイスはパストランジスタであり、前記第２デバイスはラッチトランジスタであり、
前記パストランジスタは、前記パストランジスタのチャネルの上面幅と実質的に等しい第１有効チャネル幅を有しており、
前記ラッチトランジスタは、前記ラッチトランジスタのチャネルの上面幅より大きな第２有効チャネル幅を有している、ことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記第１及び第２デバイスの下に基板を更に備えており、前記パストランジスタ及びラッチトランジスタのチャネルの上面は、前記基板の主要面と実質的に平行である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第２有効チャネル幅は、前記ラッチトランジスタのチャネルの上面幅と、前記ラッチトランジスタのチャネルの第１側壁面幅と、前記ラッチトランジスタのチャネルの第２側壁面幅との和に実質的に等しい、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
メモリセルを備えている装置において、前記メモリセルは、
第１有効チャネル幅を有する第１トランジスタと、
前記第１トランジスタに連結されていて、前記第１トランジスタと実質的に等しいデバイス区域を有しており、前記第１有効チャネル幅と実質的に等しくない第２有効チャネル幅を有している、第２トランジスタと、を備え、
前記第１有効チャネル幅は、前記第１トランジスタのチャネルの上面幅に実質的に等しく、
前記第２有効チャネル幅は、前記第２トランジスタのチャネルの上面より大きく、
前記第２有効チャネル幅は、前記チャネルの上面のチャネル幅と、前記チャネルの側面のチャネル幅の２倍との和に実質的に等しく、前記チャネルの上面は、第１面と実質的に平行な前記第２トランジスタのゲートに近接しており、前記側面は、前記第２トランジスタのゲートに近接しており、前記第１面とは実質的に平行でない、ことを特徴とする装置。
【請求項５】
第１及び第２デバイスを第１及び第２位置に含んでいるスタティックランダムアクセスメモリセルを作る方法において、
前記メモリセルの第１デバイスを、これと関連する第１分離リセス量を有するように形成する段階と、
前記メモリセルの第２デバイスを、これと関連する第２分離リセス量を有するように形成する段階であって、前記第２分離リセス量は前記第１分離リセス量と異なっている、第２デバイスを形成する段階と、有し、
前記第１デバイスはパストランジスタであり、前記第２デバイスはラッチトランジスタであり、
前記パストランジスタは、前記パストランジスタのチャネルの上面幅と実質的に等しい第１有効チャネル幅を有しており、
前記ラッチトランジスタは、前記ラッチトランジスタのチャネルの上面幅より大きな第２有効チャネル幅を有している、ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月25日(2008.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正端子及び負端子を有するショットキーデバイスであって、
正端子及び負端子を有するショットキー同等のデバイスであって、前記ショットキー同等のデバイスの前記正端子は前記ショットキーデバイスの前記正端子として動作する、ショットキー同等のデバイスと、
前記ショットキー同等のデバイスの前記負端子に接続される第一電極、前記ショットキー同等のデバイスの前記正端子に接続されるゲート、及び前記ショットキーデバイスの負端子として動作する第二電極を有するデプレーション・トランジスタと、
を備え、前記ショットキー同等のデバイスは、互いに結合されて前記ショットキー同等のデバイスの正端子を形成する第一電流電極、ゲート、及び本体と、前記ショットキー同等のデバイスの負端子としての第二電流電極とを有するトランジスタ含む、ショットキーデバイス。
【請求項２】
前記トランジスタは、０．２ボルト未満の閾値電圧を有する非デプリーション・トランジスタである、請求項１に記載のショットキーデバイス。
【請求項３】
正端子及び負端子を有するショットキーデバイスであって、
正端子及び負端子を有するショットキー同等のデバイスであって、前記ショットキー同等のデバイスの前記正端子は前記ショットキーデバイスの前記正端子として動作する、ショットキー同等のデバイスと、
前記ショットキー同等のデバイスの前記負端子に接続される第一電流電極、前記ショットキー同等のデバイスの前記正端子に接続されるゲート、及び前記ショットキーデバイスの負端子として動作する第二電流電極を有するデプレーション・トランジスタと、
を備え、前記ショットキーデバイスは基板の半導体領域に形成され、該基板は、
第一導電性の第一ウエル領域と、
前記第一ウエルに隣接する第二導電性の第二ウエル領域と、
前記基板の表面に位置し、前記ショットキーデバイスの前記第一正端子に結合され、前記第一ウエル領域よりも高濃度にドープされ、且つ前記第一ウエル領域内にある、前記第一導電性である第一ドープ領域と、
ショットキー・ダイオードを形成する前記第一ウエルの第一部分上の金属であって、前記金属は前記ショットキー・ダイオードの前記負端子であり、且つ前記第一ウエルの前記第一部分は前記ショットキー・ダイオードの前記正端子である、前記金属と、
前記第一ウエル領域の前記第一部分と前記第一ドープ領域との間の前記第一ウエル領域内の第一素子分離領域と、
前記第一ウエル領域の前記第一部分から離間し、前記第一ウエル領域内にあり、且つ前記基板の前記表面にある前記第二導電性のチャンネル領域と、
前記チャンネル領域の上方にあるゲートと、
前記第二導電性であり、前記デプレーション・トランジスタの前記第一電流電極であり、前記チャンネル領域よりも高濃度にドープされ、且つ前記チャンネル領域に隣接し且つ接続され、且つ前記金属の下にあり且つ前記金属に接触する少なくとも一部を有する第二ドープ領域と、
前記チャンネル領域から離間し、前記第二導電性であり、前記デプリーション・トランジスタの前記第二電流電極であり、前記基板の前記表面にあり、前記第二ウエル領域内にあり、且つ前記ショットキーデバイスの前記負端子である、第三ドープ領域と、
前記チャンネル領域と前記第三ドープ領域との間にある第二素子分離領域と、
を有する、ショットキーデバイス。
【請求項４】
前記第二導電性がＮ型である、請求項３に記載のショットキーデバイス。
【請求項５】
前記金属がケイ化コバルトである、請求項４に記載のショットキーデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月1日(2008.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射器導体パターン（30-1、230）が形成され、折畳まれた位置と展開される位置との間の移動に対してフレキシブルである薄く、フレキシブルな誘電体基板構造（22、210）と、
ＲＦエネルギにより放射器導体パターンを励起するための励起回路（42、232””）とを具備している折畳み可能な放射器アセンブリ（20、200）。
【請求項２】
複数の放射器ストリップ（20、200）と、
ＲＦエネルギにより放射器導体パターンを励起するための励起回路（40）とを具備しており、
前記複数の放射器ストリップは、それぞれ複数の放射器導体パターン（30、230）が形成されているフレキシブルな誘電体基板構造を具備しており、それらのフレキシブルな基板構造はＲＦフィードベース構造（184）に取付けられているベース部と、制約構造がない場合に前記ベース部に関して可動である屈曲部とを有し、前記放射器導体パターンは屈曲部により支持されている放射器アセンブリ。
【請求項３】
放射器導体パターン（30、230）が形成され、折畳まれた位置と展開される位置との間の移動に対してフレキシブルである薄く、フレキシブルな誘電体基板構造（30、220）と、
ＲＦエネルギにより放射器導体パターンを励起するための励起回路（40）とを具備し、
前記フレキシブルな基板構造は、折畳まれた位置から解放されるとき展開される位置へポップアップするように折畳まれた位置において前記フレキシブルな基板構造を展開される位置へ駆動しようとするばね力を有している折畳み可能なポップアップ放射器アセンブリ（22、210）。
【請求項４】
放射器導体パターンはフレアダイポール放射器パターン（30）である請求項１乃至３のいずれか１項記載の放射器アセンブリ。
【請求項５】
放射器導体パターンはＴＥＭホーン放射器パターン（230）である請求項１乃至３のいずれか１項記載の放射器アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月12日(2008.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と、
スズ含有材料及び、電子伝導性材料であり前記スズ含有材料を担持する担体材料を含む負極と、
前記負極を支持する集電体と、
前記正極と前記負極との間に配置される溶融塩電解質と、
を含むアルカリ金属イオンバッテリーであるバッテリ。
【請求項２】
前記バッテリが、リチウムイオンバッテリである請求項１に記載のバッテリ。
【請求項３】
前記スズ含有材料が、スズ合金である請求項１に記載のバッテリ。
【請求項４】
前記スズ含有材料が、前記担体材料に担持された粒子状の材料であり、当該スズ含有材料が、保護層によって溶融塩電解質から分離されている請求項１に記載のバッテリ。
【請求項５】
前記保護層が、ポリマー層である請求項４に記載のバッテリ。
【請求項６】
前記保護層が、固体電解質界面（ＳＥＩ）層である請求項４に記載のバッテリ。
【請求項７】
前記保護層が、溶融塩電解質の分解によって形成され、前記溶融塩電解質が更に分解するのを保護することを特徴とする請求項４に記載のバッテリ。
【請求項８】
前記正極が、スズ含有材料の粒子を含み、前記粒子が金属化合物を含有する担体材料によって担持されることを特徴とする請求項１に記載のバッテリ。
【請求項９】
前記粒子が、ナノ粒子である請求項８に記載のバッテリ。
【請求項１０】
前記担体材料が、金属合金である請求項１に記載のバッテリ。
【請求項１１】
前記スズ含有材料が、スズと、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ａｓ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｂ及びＢｉからなる元素のグループから選択された１つ又はそれ以上の元素との合金であることを特徴とする請求項１に記載のバッテリ。
【請求項１２】
前記担体材料は、銀、コバルト、ニッケル、銅、モリブデン、バナジウム、パラジウム、及びタングステンから成る金属のグループから選択された１つ又はそれ以上の金属を含む請求項１に記載のバッテリ。
【請求項１３】
前記担体材料が、酸化物、窒化物、又は炭化物である請求項１に記載のバッテリ。
【請求項１４】
前記スズ含有材料がスズを含有するナノ粒子を含み、前記担体材料が導電体である請求項１３に記載のバッテリ。
【請求項１５】
前記スズ含有材料が、５０％を上回るスズを含む請求項１に記載のバッテリ。
【請求項１６】
前記担体材料が電子伝導性材料であり、前記負極が更にバインダを含む請求項１５に記載のバッテリ。
【請求項１７】
正極と、
スズ含有粒子を含む負極と、
正極と負極との間に配置された電解質と、
を含み、
前記スズ含有粒子が、該スズ含有粒子によって前記電解質の分解を遅らせるように作用する保護層によって前記電解質から分離されることを特徴とするバッテリ。
【請求項１８】
前記保護層が、ポリマーである請求項１に記載のバッテリ。
【請求項１９】
前記電解質が溶解塩電解質であり、前記担持材料が金属化合物粒子である請求項１７に記載のバッテリ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月14日(2008.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
第２の電極と、
溶融塩電解質と、
実質的にアルミニウム金属であり、前記第１の電極と関連付けられる集電体とを含み、
前記集電体は、前記第１の電極と前記集電体とを、その間に介在して完全に分離する保護層を有し、当該保護層が、前記集電体よりもアルミニウム含量が低いアルミニウム合金を含み、前記溶融塩電解質による前記集電体の腐食を軽減させるバッテリ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月22日(2008.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
骨の回復のための拡張可能な移植物であって、以下：
該移植物に固有の、１つの拡張面であって、該１つの拡張面は、骨の回復面に対応する、拡張面；
該骨のための、第一の負担表面および第二の負担表面をそれぞれ形成する、対向する第一のプレートおよび第二のプレートであって、該第一のプレートおよび第二のプレートは、該移植物の拡張の際に、該１つの拡張面に沿って互いから離れて移動するために適している、第一のプレートおよび第二のプレート；
該第一の負担表面および第二の負担表面の各々のための、第一の支持体および第二の支持体であって、それぞれ、第一のプレートおよび第二のプレートの下方に位置する、第一の支持体および第二の支持体；ならびに
該移植物の拡張を制御するための手段であって、該手段は、各支持体と対応するプレートとの間に提供される材料ウェブを備え、該移植物の拡張を制御する所定の厚さを有する、手段、
を備える、拡張可能な移植物。
【請求項２】
各材料ウェブに隣接して位置する溝をさらに備え、該溝は、各支持体とそれぞれのプレートとの間のクリアランスを可能にするための所定の幅を有する、請求項１に記載の拡張可能な移植物。
【請求項３】
各支持体の長さが互いに実質的に等しい、請求項１に記載の拡張可能な移植物。
【請求項４】
前記プレートのうちの少なくとも一方の、少なくとも１つの第一の支持体の長さが、対応する第二の支持体より短く、その結果、前記移植物の拡張の際に、前記第一のプレートおよび第二のプレートが、互いに対してある角度で移動する、請求項１に記載の拡張可能な移植物。
【請求項５】
前記第一の支持体および第二の支持体が、１対の第一の支持体および第二の支持体を備える、請求項１に記載の拡張可能な移植物。
【請求項６】
拡張可能な移植物を患者に挿入するための、医療用挿入デバイスであって、以下：
中心ボアを有する把持部分；
該中心ボアに収容される第一の管；
該第一の管に収容されるねじ切りされた棒であって、該患者への挿入のために、移植物を受容するための遠位端を有する、ねじ切りされた棒；
該把持部分および／または該移植物キャリアに取り付けられた、ハンドル；ならびに
該移植物の拡張を決定するためのゲージ、
を備える、デバイス。
【請求項７】
前記把持部分の近位端と前記第一の管の近位端とが、同一面にある、請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
前記ハンドルが、前記把持部分と前記第一の管との、いずれかまたは両方の近位端に取り付けられている、請求項６に記載のデバイス。
【請求項９】
前記ハンドルが、前記把持部分および／または前記第一の管に対して自由に回転する、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記ハンドルが、ねじ山を有する開口部を備え、該ねじ山のねじ山ピッチが、前記ねじ切りされた棒のねじ山ピッチに対応する、請求項６に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記ゲージが、前記把持部分内の、前記ねじ切りされた棒の一部を受容するための開口部を備える、請求項６に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記窓に隣接して位置する第一のマークをさらに備え、該第一のマークは、該窓内に表示される、前記ねじ切りされた棒の一部に提供された第二のマークに関連し、該ねじ切りされた棒の回転が、該第一のマークと第二のマークとの間の相対的な移動を引き起こす、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記ねじ切りされた棒が回転することを実質的に止めるロックデバイスをさらに備える、請求項６に記載のデバイス。
【請求項１４】
骨の回復のためのシステムであって、以下：
少なくとも１つの拡張可能な移植物であって、骨の回復面に対応する１つの拡張面を有する、拡張可能な移植物；
回復させる骨の外側表面に隣接して位置するための、第一の管；
該骨の内部の遠位端に固定するためにねじ切りされた端部を有する第一の棒であって、該第一の棒は、該第一の管に受容される、第一の棒；
該第一の管を内部に受容するための第二の管；
該第二の管を受容するための第三の管であって、該第三の管は、該第三の管を該骨の外側表面に係留するための１つ以上の係合部材を備える、第三の管；
該骨の側面に細長開口部を作製するためのドリルであって、該ドリルは、該第一の棒によって案内される、ドリル；および
拡張可能な移植物を患者に挿入するための、医療用挿入デバイス、
を備える、システム。
【請求項１５】
前記医療用挿入デバイスが、以下：
中心ボアを有する把持部分；
該中心ボアに収容される第四の管；
前記第一の管に収容される第二の棒であって、該第二の棒は、前記患者への挿入のために移植物を受容するための遠位端を有し、そしてねじ切りされている、第二の棒；
該把持部分および／または該移植物キャリアに取り付けられた、ハンドル；ならびに
該移植物の拡張を決定するためのゲージ、
を備える、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
ヒトまたは動物の骨の解剖学的構造を回復させるためのシステムであって、以下：
１つの拡張面を有する拡張可能な移植物であって、骨に導入されるように構成されている、拡張可能な移植物；
該１つの所定の面を骨の回復面と一致させるように、該拡張可能な移植物を、該骨の内部で位置決めするための手段；
該骨の回復面内で該移植物を拡張させるための手段であって、第一の支持表面および第二の支持表面が、該骨の内部の組織を広げる、手段；ならびに
該移植物の周囲に充填材料を注入するための手段、
を備える、システム。
【請求項１７】
前記注入するための手段が、イオン性セメントを注入するように構成されている、請求項１６に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月6日(2008.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自律式生体内装置であって、
標本を保存する吸引チャンバと、
前記吸引チャンバの内部に移動可能なプランジャと、
生体内で画像を取得する撮像装置と、
前記生体内装置のうち前記吸引チャンバの近くの領域が内腔内組織と接触しているときを検出するために、生体内の前記生体内装置の配向を示す位置機構と、
前記位置機構からの読み込みデータに基いて、前記吸引チャンバにおける標本採取を作動させる作動装置と、
を備える自律式生体内装置。
【請求項２】
前記プランジャが前記吸引チャンバの前記内部に移動することによって作動し、内腔壁から前記標本を切り取るブレードを備える、請求項１に記載の自律式生体内装置。
【請求項３】
前記プランジャを前記吸引チャンバの前記内部に保持するラッチを備える、請求項１に記載の自律式生体内装置。
【請求項４】
前記プランジャの前記吸引チャンバの前記内部への移動により、前記ブレードを前記吸引チャンバ上にスナップ式で閉じるばねを備える、請求項２に記載の自律式生体内装置。
【請求項５】
前記プランジャの少なくとも周縁が潤滑剤を有する、請求項１に記載の自律式生体内装置。
【請求項６】
前記プランジャの少なくとも一部がシーラントで取り囲まれている、請求項１に記載の自律式生体内装置。
【請求項７】
前記プランジャの移動が外部コマンドにより誘発される、請求項１に記載の自律式生体内装置。
【請求項８】
前記プランジャの移動が、前記生体内装置の位置に基いて誘発される、請求項１に記載の自律式生体内装置。
【請求項９】
複数の標本をそれぞれ採取する複数の吸引チャンバを備える、請求項１に記載の自律式生体内装置。
【請求項１０】
前記複数の吸引チャンバが、それぞれ、前記生体内装置の複数の側面に配置されている、請求項９に記載の自律式生体内装置。
【請求項１１】
第１の時点において第１の前記吸引チャンバが第１標本を採取し、異なる第２の時点で第２の前記吸引チャンバが第２標本を採取する、請求項９に記載の自律式生体内装置。
【請求項１２】
前記標本を切り取る少なくとも２つのブレードを有する回転ホイールを備える、請求項９に記載の自律式生体内装置。
【請求項１３】
前記吸引チャンバ内に保存されている前記標本の性質を検知する生体内センサーを備える、請求項１に記載の自律式生体内装置。
【請求項１４】
嚥下型カプセルを備える、請求項１に記載の自律式生体内装置。
【請求項１５】
前記吸引チャンバ内に保存されている前記標本の性質を検知する生体内センサーと、
検知されたデータを伝送するトランスミッタと
を備える、請求項１に記載の自律式生体内装置。
【請求項１６】
複数の標本をそれぞれ保存する複数の吸引チャンバと、
各吸引チャンバの内部にそれぞれ移動可能な複数のプランジャと、
前記位置機構は、各吸引チャンバにそれぞれ関連した前記生体内装置の複数の領域のうちの１つの領域が内腔内組織と接触しているときを示すことと、
前記作動装置は、前記位置機構からの読み込みデータに基いて、前記複数の吸引チャンバのうちの１つの吸引チャンバにおける標本採取を作動させることと、
を備える、請求項１に記載の自律式生体内装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月27日(2008.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固形製品の分配機と共に使用するための供給システムの証明装置であって、
ａ）光の伝達が可能で、内表面と外表面を包含し、前記内表面が湿気のある状態に曝される出口導管と、
ｂ）前記出口導管の外表面の近傍の、前記出口導管を介して固形製品の供給を感知するセンサ機構と、
ｃ）装着面と、
ｄ）前記出口導管と前記装着面とを相互結合する密閉部であって、前記湿気のある状態に対し障壁を備え、それによって、前記湿気のある状態が前記密閉部の近傍の前記出口導管の内表面から外表面に漏出することを防止し、前記センサ機構を前記湿気のある状態に曝すことから保護する密閉部と、
を具備する、供給システムの証明装置。
【請求項２】
製品錠剤をさらに具備し、前記製品錠剤と前記湿気のある状態とが、前記出口導管内に残留物を生成し、前記出口導管が、前記残留物による汚染から、前記センサ機構を保護する、請求項１に記載の供給システムの証明装置。
【請求項３】
前記センサ機構が、光線を放射するエミッタと前記光線を受光するレシーバとを包含し、前記エミッタが、前記出口導管の一方の側に配置され、前記レシーバが前記出口導管の反対側に配置され、前記エミッタが前記光線を放射し、前記レシーバが、前記出口導管を介して前記光線を受光する、請求項１に記載の供給システムの証明装置。
【請求項４】
前記装着面が皿洗い機であり、前記出口導管が前記皿洗い機に、適切に機能するように接続される、請求項１に記載の供給システムの証明装置。
【請求項５】
殺菌剤が、前記出口導管を介して前記皿洗い機に分配される、請求項４に記載の供給システムの証明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
固形製品の分配機と共に使用するための、好適な実施形態の供給システムの証明装置は、出口導管とセンサ機構を包含する。出口導管は、光の透過が可能で、内表面と外表面を包含する。内表面は、湿気のある状態に曝される。センサ機構は、出口導管の外表面の近傍にあり、センサ機構は、出口導管を介して固形製品の供給を感知する。出口導管は、湿気のある状態に対して障壁を備え、それによってセンサ機構を湿気のある状態に曝すことから保護する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
固形製品の分配機と共に使用するための、好適な実施形態の供給システムの証明装置は、出口導管と光センサ機構を包含する。出口導管は、光の透過が可能である。光センサ機構は、光線を放射するエミッタと光線を受光するレシーバとを包含する。エミッタは、出口導管の一方の側に配置され、レシーバは出口導管の反対側に配置される。エミッタは光線を放射し、レシーバは、出口導管を介して光線を受光する。出口導管は、出口導管内の残留物による汚染から、光センサ機構を保護する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
固形製品の分配機と共に使用するための、好適な実施形態の供給システムの証明装置は、製品錠剤、製品錠剤を分配する出口導管、及び赤外線センサ機構を備える。出口導管は、光の透過が可能である。赤外線センサ機構は、光線を放射するエミッタと光線を受光するレシーバとを包含する。エミッタは、出口導管の一方の側に配置され、レシーバは出口導管の反対側に配置される。エミッタは光線を放射し、レシーバは、出口導管を介して光線を受光する。出口導管は、出口導管内の残留物による汚染から、赤外線センサ機構を保護し、製品錠剤が出口導管を介して分配される時に、製品錠剤は出口導管内の光線を中断し、赤外線センサ機構は製品錠剤が分配されたことの表示を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
加えて、第一ディスク部材２０１は、第一分配開口部２０４を包含し、第二ディスク部材２０２は第二分配開口部２０５を包含し、第三ディスク部材は、第三分配開口部２０６を包含する。好ましくは、第一分配開口部２０４は、所定量の製品錠剤を収納するために形成され配置される直径を有し、それによって、製品の所望される投薬量を分配することに役立つ。第二分配開口部２０５は、第一分配開口部２０４の直径より大きな直径有し、第三分配開口部２０６は、第二分配開口部２０５の直径より大きな直径を有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
製品錠剤が、第一ディスク部材２０１から第二ディスク部材２０２へ、及び第三ディスク部材２０３へ分配されるから、第二ディスク部材２０２と第三ディスク部材２０３の厚さは、第一ディスク部材２０１の厚さより厚く、分配開口部の直径は増加する。その結果、分配開口部の容積は増加し、それは、錠剤分配機２００の中で製品錠剤の詰りの発生を低減することに役立つ。分配開口部が先細りであると、これはさらに、錠剤分配機２００の中で製品錠剤の詰りの発生を低減する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
【図１】本発明の原理によって構成される、錠剤分配機の組立分解側面図である。
【図２】図１に示された錠剤分配機の組立分解上方斜視図である。
【図３】図１に示された錠剤分配機の組立分解下方斜視図である。
【図４】図１に示された錠剤分配機の部分下方斜視図である。
【図５】図１に示された錠剤分配機と共に使用するための、センサ機構の組立分解側面斜視図である。
【図６】第一位置に第一分配開口部を有する第一ディスク部材を包含する、図１に示された錠剤分配機の平面図である。
【図７】第二位置に図６で示された第一分配開口部を有する第一ディスク部材を包含する、図１に示された錠剤分配機の別の平面図である。
【図８】図７に示された第二位置で第一分配開口部内に製品錠剤を有する、図１に示された錠剤分配機の側断面図である。
【図９】図７と８に示された第二位置より180度回転した第一分配開口部から、第二ディスク部材の第二分配開口部まで移動している製品錠剤を示す、図１に示された錠剤分配機の側断面図である。
【図１０】図９に示された第二分配開口部から、第三ディスク部材の第三分配開口部まで移動している製品錠剤を示す、図１に示された錠剤分配機の側断面図である。
【図１１】図１０に示された位置より180度回転した第三分配開口部から、第四ディスク部材の第四分配開口部と出口導管まで移動している製品錠剤を示す、図１に示された錠剤分配機の側断面図である。
【図１２】適切に作用するように、図１に示された錠剤分配機に接続される、図５に示されたセンサ機構の側面図である。
【図１３】本発明の原理によって構成される、別の実施形態の錠剤分配機に分配開口部を有するディスク部材の概略図である。