【手続補正書】
【提出日】平成19年8月10日(2007.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された複数のスイッチング素子と、これら複数のスイッチング素子と電気的に接続された複数の画素電極と、前記スイッチング素子と前記画素電極との層間に形成されると共に複数の配線からなる１または２以上の配線層とを有する電極基板を備えた反射型液晶表示装置であって、
前記電極基板は、前記画素電極と前記スイッチング素子との層間に複数の誘電体部を有すると共に、これら複数の誘電体部における屈折率の差を利用し、前記電極基板への入射光のうち前記複数の画素電極間への侵入光の前記基板側への進行を阻止する
ことを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項２】
前記複数の誘電体部は、
前記画素電極または前記配線層の少なくとも１の直下の層間絶縁層において、前記複数の画素電極の間、または前記複数の配線の間に対応する領域に形成されると共に、第１誘電体からなる第１誘電体部と、
前記層間絶縁層および前記第１誘電体部の間に対応する領域に形成されると共に、前記第１誘電体の屈折率よりも低い屈折率を有する第２誘電体からなる第２誘電体部とを含み、
前記侵入光を、前記第１誘電体部と前記第２誘電体部との界面で反射することにより、第１誘電体部内に封じ込める
ことを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶表示装置。
【請求項３】
前記第２誘電体部が、前記層間絶縁層からなる
ことを特徴とする請求項２に記載の反射型液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１誘電体が、ハフニウム酸化物（ＨｆＯx）、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、およびシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）のうちの少なくとも１種の材料である
ことを特徴とする請求項２に記載の反射型液晶表示装置。
【請求項５】
前記第２誘電体が、シリコン酸化物（ＳｉＯx）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯx）、シリコン窒化物（ＳｉＮx）のうちの少なくとも１種の材料である
ことを特徴とする請求項２に記載の反射型液晶表示装置。
【請求項６】
複数の画素電極を有する電極基板を備えた反射型液晶表示装置の製造方法であって、
前記電極基板の製造工程において、
基板上に複数のスイッチング素子を形成する工程と、
前記スイッチング素子の上層に、複数の配線からなる１または２以上の配線層を形成する工程と、
前記配線層の上層に、前記複数のスイッチング素子と電気的に接続された前記複数の画素電極を形成する工程と、
前記画素電極または前記配線層の少なくとも１の直下の層間絶縁層において、前記複数の画素電極の間、または前記複数の配線の間に対応する領域に、第１誘電体からなる第１誘電体部を形成する工程と、
前記層間絶縁層および前記第１誘電体部の間に対応する領域に、前記第１誘電体の屈折率よりも低い屈折率を有する第２誘電体からなる第２誘電体部を形成する工程と
を含むことを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記配線層のうちの一の配線層上に前記層間絶縁層を形成し、この層間絶縁層のうち、前記第１誘電体部および前記第２誘電体部となる部分を選択的に除去して前記第２誘電体からなる層を埋め込み、さらにこの第２誘電体からなる層のうち、前記第１誘電体部となる部分を選択的に除去して前記第１誘電体からなる層を埋め込み、その後、これらの上部に前記画素電極または他の配線層を形成することにより、前記第１誘電体部および前記第２誘電体部を形成する
ことを特徴とする請求項６に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２誘電体部を、前記層間絶縁層により構成する
ことを特徴とする請求項６に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記配線層のうちの一の配線層上に前記層間絶縁層を形成し、この層間絶縁層のうち、前記第１誘電体部となる部分を選択的に除去して前記第１誘電体からなる層を埋め込み、その後、これらの上部に前記画素電極または他の配線層を形成することにより、前記第１誘電体部および前記第２誘電体部を形成する
ことを特徴とする請求項８に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１誘電体および前記第２誘電体の屈折率を、前記電極基板へ入射した光のうち前記第１誘電体部への侵入光が、第１誘電体部と前記第２誘電体部との界面で反射され、第１誘電体部内で封じ込められるように設定する
ことを特徴とする請求項６に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１誘電体として、ハフニウム酸化物（ＨｆＯx）、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、およびシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）のうちの少なくとも１種の材料を用いる
ことを特徴とする請求項６に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２誘電体として、シリコン酸化物（ＳｉＯx）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯx）、シリコン窒化物（ＳｉＮx）のうちの少なくとも１種の材料を用いる
ことを特徴とする請求項６に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
基板上に形成された複数のスイッチング素子と、これら複数のスイッチング素子と電気的に接続された複数の電極と、前記スイッチング素子と前記電極との層間に形成されると共に複数の配線からなる１または２以上の配線層とを有すると共に、入射媒質を介して入射した入射光を反射するパネルであって、
前記電極と前記スイッチング素子との層間に複数の誘電体部を有すると共に、これら複数の誘電体部における屈折率の差を利用し、前記入射光のうち前記複数の電極間への侵入光の前記基板側への進行を阻止する
ことを特徴とするパネル。
【請求項１４】
前記複数の誘電体部は、
前記電極または前記配線層の少なくとも１の直下の層間絶縁層において、前記複数の電極の間、または前記複数の配線の間に対応する領域に形成されると共に、第１誘電体からなる第１誘電体部と、
前記層間絶縁層および前記第１誘電体部の間に対応する領域に形成されると共に、前記第１誘電体の屈折率よりも低い屈折率を有する第２誘電体からなる第２誘電体部とを含み、
前記侵入光を、前記第１誘電体部と前記第２誘電体部との界面で反射することにより、第１誘電体部内に封じ込める
ことを特徴とする請求項１３に記載のパネル。
【請求項１５】
前記第２誘電体部が、前記層間絶縁膜からなる
ことを特徴とする請求項１４に記載のパネル。
【請求項１６】
前記入射媒質が、液晶層からなる
ことを特徴とする請求項１３に記載のパネル。
【請求項１７】
前記電極が、電界により各画素を駆動するための画素電極である
ことを特徴とする請求項１３に記載のパネル。
【請求項１８】
前記第１誘電体が、ハフニウム酸化物（ＨｆＯx）、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、およびシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）のうちの少なくとも１種の材料である
ことを特徴とする請求項１４に記載のパネル。
【請求項１９】
前記第２誘電体が、シリコン酸化物（ＳｉＯx）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯx）、シリコン窒化物（ＳｉＮx）のうちの少なくとも１種の材料である
ことを特徴とする請求項１４に記載のパネル。
【請求項２０】
基板上に形成された複数のスイッチング素子と、これら複数のスイッチング素子と電気的に接続された複数の画素電極と、前記スイッチング素子と前記画素電極との層間に形成されると共に複数の配線からなる１または２以上の配線層とを有する電極基板を備えた液晶表示装置であって、
前記電極基板は、前記画素電極と前記スイッチング素子との層間に複数の誘電体部を有すると共に、これら複数の誘電体部における屈折率の差を利用し、前記電極基板への入射光のうち前記複数の画素電極間への侵入光の前記基板側への進行を阻止する
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２１】
前記複数の誘電体部は、
前記画素電極または前記配線層の少なくとも１の直下の層間絶縁層において、前記複数の画素電極の間、または前記複数の配線の間に対応する領域に形成されると共に、第１誘電体からなる第１誘電体部と、
前記層間絶縁層および前記第１誘電体部の間に対応する領域に形成されると共に、前記第１誘電体の屈折率よりも低い屈折率を有する第２誘電体からなる第２誘電体部とを含み、
前記侵入光を、前記第１誘電体部と前記第２誘電体部との界面で反射することにより、第１誘電体部内に封じ込める
ことを特徴とする請求項２０に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
前記第２誘電体部が、前記層間絶縁層からなる
ことを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
前記第１誘電体が、ハフニウム酸化物（ＨｆＯx）、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、およびシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）のうちの少なくとも１種の材料である
ことを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置。
【請求項２４】
前記第２誘電体が、シリコン酸化物（ＳｉＯx）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯx）、シリコン窒化物（ＳｉＮx）のうちの少なくとも１種の材料である
ことを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】反射型液晶表示装置およびその製造方法、パネルならびに液晶表示装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、複数の画素電極を有する電極基板を備えた反射型液晶表示装置およびその製造方法、この反射型液晶表示装置に用いるのに好適なパネル、ならびに複数の画素電極を有する電極基板を備えた液晶表示装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、画素電極間からの侵入光が基板に到達するのを容易に防止し、表示品質を向上させることが可能な反射型液晶表示装置およびその製造方法ならびに液晶表示装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の反射型液晶表示装置は、基板上に形成された複数のスイッチング素子と、これら複数のスイッチング素子と電気的に接続された複数の画素電極と、これらスイッチング素子と画素電極との層間に形成されると共に複数の配線からなる１または２以上の配線層とを有する電極基板を備えたものであって、この電極基板が、画素電極とスイッチング素子との層間に複数の誘電体部を有すると共に、これら複数の誘電体部における屈折率の差を利用し、電極基板への入射光のうち複数の画素電極間への侵入光の基板側への進行を阻止するものである。この場合において、上記複数の誘電体部は、画素電極または配線層の少なくとも１の直下の層間絶縁層において、複数の画素電極の間、または複数の配線の間に対応する領域に形成されると共に、第１誘電体からなる第１誘電体部と、層間絶縁層および第１誘電体部の間に対応する領域に形成されると共に、第１誘電体の屈折率よりも低い屈折率を有する第２誘電体からなる第２誘電体部とを含み、上記侵入光を、第１誘電体部と第２誘電体部との界面で反射することにより、第１誘電体部に封じ込めるようにするのが好ましい。
本発明の液晶表示装置は、基板上に形成された複数のスイッチング素子と、これら複数のスイッチング素子と電気的に接続された複数の画素電極と、これらスイッチング素子と画素電極との層間に形成されると共に複数の配線からなる１または２以上の配線層とを有する電極基板を備えたものであって、この電極基板が、画素電極とスイッチング素子との層間に複数の誘電体部を有すると共に、これら複数の誘電体部における屈折率の差を利用し、電極基板への入射光のうち複数の画素電極間への侵入光の基板側への進行を阻止するものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の反射型液晶表示装置および液晶表示装置では、電極基板において、複数の誘電体部における屈折率の差を利用することで、画素電極間への侵入光の基板側への進行が阻止される。すなわち、侵入光の進行が画素電極とスイッチング素子との層間で阻止され、侵入光は基板へは到達しない。これら複数の誘電体部が、上述した形状の第１の誘電体部および第２誘電体部を含むようにした場合には、侵入光は、第１誘電体部と第２誘電体部との界面で反射され、第１誘電体部内に封じ込められる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の反射型液晶表示装置または液晶表示装置によれば、複数の誘電体部における屈折率の差を利用し、画素電極間への侵入光の基板側への進行を阻止するようにしたので、侵入光が基板へ到達するのを防止し、基板に対する侵入光の影響を容易に除去することができる。よって、侵入光に起因するスイッチング素子の誤動作などを防止し、表示品質を向上させることができる。