【手続補正書】
【提出日】平成20年9月11日(2008.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスであって：
コアを有する少なくとも１つのナノワイヤ；
該少なくとも１つのナノワイヤの長さの少なくとも一部分に沿って位置決めされたゲート接点；
該ゲート接点と該少なくとも１つのナノワイヤとの間の誘電性材料層であって、該誘性電材料層が、前記少なくとも１つのナノワイヤの該コアの周りに形成されたシェル層である、誘性電材料層；
該少なくとも１つのナノワイヤの該コアの剥き出た部分と接触するソース接点；
該少なくとも１つのナノワイヤの該コアの剥き出た部分と接触するドレイン接点；を備え、そして
ここで、該ソース接点および該ドレイン接点のうちの少なくとも一方の少なくとも一部分が、該ゲート接点が位置決めされる該少なくとも１つのナノワイヤの該長さの該一部分と重複する、電子デバイス。
【請求項２】
前記少なくとも１つのナノワイヤが、複数の整列されたナノワイヤを備える、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記少なくとも１つのナノワイヤが、複数のランダムに配向されたナノワイヤを備える、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項４】
基板をさらに備える請求項１に記載の電子デバイスであって、前記ソース接点および前記ドレイン接点が該基板上に形成され、前記少なくとも１つのナノワイヤが該ソース接点および該ドレイン接点上に堆積され、そして前記ゲート接点が前記少なくとも１つのナノワイヤ上の前記誘電性材料層上に形成される、電子デバイス。
【請求項５】
基板をさらに備える請求項１に記載の電子デバイスであって、前記ゲート接点が該基板上に形成され、前記少なくとも１つのナノワイヤが該ゲート接点上に堆積され、そして前記ソース接点および前記ドレイン接点が該少なくとも１つのナノワイヤ上に形成される、電子デバイス。
【請求項６】
前記誘電性材料層が、前記ゲート接点上の前記少なくとも１つのナノワイヤの堆積の前に該ゲート接点上に形成される、請求項５に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記電子デバイスが、トランジスターである、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記トランジスターが、電界効果トランジスター（ＦＥＴ）である、請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項９】
電子デバイスであって：
半導体ナノワイヤであって、該半導体ナノワイヤが、コアおよび該コア上にシェル層として堆積される少なくとも１つの誘電性材料層を有する、半導体ナノワイヤ；
該ナノワイヤの該コアの剥き出た部分に接触するドレイン接点およびソース接点；および
該ナノワイヤの長さに沿って該ドレイン接点および該ソース接点の少なくとも１つと重複する、該ナノワイヤに接続されるゲート接点を備える、電子デバイス。
【請求項１０】
複数の半導体ナノワイヤであって、各々のナノワイヤが、半導体コアおよび該半導体コアの周りに堆積されたシェル層を有し、該シェル層が誘電性材料を含む、複数の半導体ナノワイヤ；
該複数の半導体ナノワイヤの該コアの剥き出た部分に接触するドレイン接点およびソース接点；および
該複数の半導体ナノワイヤの長さに沿って該ドレイン接点および該ソース接点の少なくとも１つと重複する、該複数の半導体ナノワイヤに接続されるゲート接点を備える、電子デバイス。
【請求項１１】
前記複数の半導体ナノワイヤが整列されている、請求項１０に記載の電子デバイス。
【請求項１２】
電子デバイスを製作するための方法であって：
（ａ）基板上にナノワイヤを位置決めする工程であって、該ナノワイヤが半導体コアを有し、絶縁性シェル層が該コアを取り囲み、そして導体層が該絶縁性シェル層を取り囲む工程；
（ｂ）該基板上の該ナノワイヤをエッチングする工程であって、該ナノワイヤの長さに沿った第１の位置にある該ナノワイヤの周りの導体層のリング形状の第１の部分、および該エッチングから反対の側の該ナノワイヤの長さに沿った導体層の第２の部分を除き、該ナノワイヤから該導体層を除去する工程；
（ｃ）該基板上の該ナノワイヤ上に誘電性材料を位置決めする工程；
（ｄ）該ナノワイヤをエッチングする工程であって、該ナノワイヤの長さに沿った第２の位置および第３の位置で、該誘電性材料、該絶縁性シェル層、および該コアの直径の部分を該ナノワイヤから除去し、ここで、該第２の位置および該第３の位置が第１の位置の反対側である工程；および
（ｅ）該第２の位置上にドレイン接点を、そして該第３の位置上にソース接点を形成する工程を包含する、方法。
【請求項１３】
工程（ａ）で堆積される前記ナノワイヤが、複数のナノワイヤで位置決めされ、ここで、工程（ｂ）〜（ｅ）が該複数のナノワイヤ上で実施され、前記電子デバイスを形成する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
工程（ｂ）が：フォトレジスト材料を前記ナノワイヤに付与すること；
該フォトレジスト材料を該ナノワイヤから、前記第１の位置を除いて除去すること；および
エッチングを用いる工程であって、前記リング形状の第１の部分および前記第２の部分を除いて該ナノワイヤから導体層を除去することを包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
工程（ｄ）が：
フォトレジスト材料を前記ナノワイヤに付与すること；
該フォトレジスト材料を該ナノワイヤから第２の位置および第３の位置で除去すること；
前記誘電性材料、絶縁性シェル層、および前記コアの直径の部分を、前記第２の位置および第３の位置で該ナノワイヤから除去するためにエッチングを用いることを包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
工程（ｂ）が：反応性イオンエッチングを用いることを包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記用いることが：イオンビームを調節するために、プラズマ電力、プラズマ圧力、および基板バイアスの少なくとも１つを調整する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
工程（ｃ）が：蒸着を用いることを包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
前記用いることが：化学的蒸着を用いることを包含する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
工程（ｃ）が：ガラスプロセス上のスピン、ポリマープロセス上のスピン、の少なくとも１つを用いること、およびペレリンを付与することを包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項２１】
工程（ｄ）が：プラズマ乾燥エッチングを用いることを包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項２２】
前記用いることが：前記コアと前記誘電性材料との間のエッチ選択性を制御するためにガス比およびガス圧の少なくとも１つを調整することを包含する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記調整することが：実質的に平坦な表面を生成するように前記コアおよび前記誘電性材料のエッチ速度を実質的に等しくするために前記ガス比および前記ガス圧の少なくとも１つを調整することを包含する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
工程（ｅ）が：前記ドレイン接点およびソース接点をそれぞれ形成するために前記第２の位置および第３の位置を金属化することを包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項２５】
基板上の電子デバイスであって：
絶縁シェル層によって取り囲まれた半導体コアを有するナノワイヤ；
該ナノワイヤの長さの一部分に沿って該ナノワイヤを取り囲むリング形状の第１のゲート領域；
該ナノワイヤと該基板との間の該ナノワイヤの長さに沿って位置決めされる第２のゲート領域；および
該半導体コアの個々の剥き出た部分で該ナノワイヤの該半導体コアに接続されるソース接点およびドレイン接点、を備える、電子デバイス。
【請求項２６】
基板上の電子デバイスであって：
複数の整列されたナノワイヤであって、各々が絶縁シェル層によって取り囲まれた半導体コアを有するナノワイヤ；
該ナノワイヤの長さの一部分に沿って該ナノワイヤの各々を囲う第１のゲート領域；
該ナノワイヤの各々と該基板との間の該ナノワイヤの各々の長さに沿って位置決めされる第２のゲート領域；および
該半導体コアの個々の剥き出た部分で該ナノワイヤの各々の該半導体コアに接続されるソース接点およびドレイン接点、を備える、電子デバイス。