Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月24日(2007.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】電子化された文書を分析し、意味的まとまりに基づいて文末ごとの分割点尤度を求める手段と、
前記分割点尤度および指定された文書セグメント・サイズに基づいて前記文書を文書セグメントに分割する手段と、
を有する文書分割装置。
【請求項２】電子化された文書を分析し、意味的まとまりに基づいて文末ごとの分割点尤度を求める手段と、
前記分割点尤度に基づいて前記文書を文書セグメントに分割する手段と、を備え、
分割された前記文書セグメントが指定サイズに基づいて定められるしきい値より大きいとき、該文書セグメント内で最もよい分割点尤度を持つ位置で該文書セグメントを分割するようプログラムされた文書分割装置。
【請求項３】前記文書の文末の左右に所定幅の窓を設定し、該左右の窓に含まれるタームの類似度を計算する手段を有し、前記分割点尤度を求める手段は、該類似度に基づいて分割点尤度を求める請求項２に記載の文書分割装置。
【請求項４】前記類似度を計算する手段は、cを文末位置として、複数（Ｌ）の異なる窓幅についてそれぞれ分割点尤度f(c)を計算し、こうして得られた複数の分割点尤度に基づいて総合的な分割点尤度F(c)を計算する、請求項３に記載の文書分割装置。
【請求項５】分割された文書セグメントのサイズが指定サイズより予め定めた程度以上小さいとき、分割前の文書セグメントに戻り、次によい分割点尤度を持つ位置で該文書セグメントを分割するようプログラムされた請求項２に記載の文書分割装置。
【請求項６】分割された文書セグメント間の類似度を計算し、類似度が予め定めたしきい値以上の文書セグメントに関連づけリンクを形成するようプログラムされた請求項２に記載の文書分割装置。
【請求項７】前記文書セグメントは、マークアップ言語でフォーマットされ、前記関連づけリンクは、マークアップ言語で該文書セグメントに埋め込まれる請求項６に記載の文書分割装置。
【請求項８】請求項２に記載の文書分割装置から分割された文書セグメントを受け取り、関連づけて順次表示する表示装置。
【請求項９】前記分割された文書セグメントを、前記文書セグメント間の類似度、あるいは全体の文書構成に従って関連づけて順次表示する請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】前記指定サイズは、文書セグメントを表示する表示装置の特性に従って定められる請求項２に記載の文書分割装置。
【請求項１１】電子化された文書を分析し、意味的まとまりに基づいて文末ごとの分割点尤度を求めるステップと、
前記分割点尤度に基づいて前記文書を文書セグメントに分割するステップと、
をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
前記プログラムは、分割された前記文書セグメントが指定されたサイズに基づいて定められるしきい値より大きいとき、該文書セグメント内で最もよい分割点尤度を持つ位置で該文書セグメントを分割するよう構成されている、前記記録媒体。
【請求項１２】前記プログラムは、コンピュータに、前記文書の文末の左右に所定幅の窓を設定し、該左右の窓に含まれるタームの類似度を計算するステップを実行させ、前記分割点尤度を求めるステップは、該類似度に基づいて分割点尤度を求める、請求項１１に記載の記録媒体。
【請求項１３】前記類似度を計算するステップは、cを文末位置として、複数（Ｌ）の異なる窓幅についてそれぞれ分割点尤度f(c)を計算し、こうして得られた複数の分割点尤度に基づいて総合的な分割点尤度F(c)を計算する、請求項１２に記載の記録媒体。
【請求項１４】前記プログラムは、分割された文書セグメントのサイズが指定サイズより予め定めた程度以上小さいとき、分割前の文書セグメントに戻り、次によい分割点尤度を持つ位置で該文書セグメントを分割するステップをコンピュータに実行させる、請求項１１に記載の記録媒体。
【請求項１５】前記プログラムは、分割された文書セグメント間の類似度を計算し、類似度が予め定めたしきい値以上の文書セグメントに関連づけリンクを形成するステップをコンピュータに実行させる、請求項１１に記載の記録媒体。
【請求項１６】前記文書セグメントは、マークアップ言語でフォーマットされ、前記関連づけリンクは、マークアップ言語で該文書セグメントに埋め込まれる請求項１５に記載の記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月26日(2007.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
デジタルデータを磁気テープに記録／再生することのできるドライブ装置として、いわゆるテープストリーマドライブが知られている。このようなテープストリーマドライブは、メディアであるテープカセットのテープ長にもよるが、例えば数十〜数百ギガバイト程度の膨大な記録容量を有することが可能であり、このため、コンピュータ本体のハードディスク等のメディアに記録されたデータをバックアップするなどの用途に広く利用されている。また、データサイズの大きい画像データ等の保存に利用する場合にも好適とされている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そこで、例えばこのような管理情報の領域を、磁気テープ上の先頭位置や、磁気テープに対して形成したパーティションごとの先頭位置に設けるようにすることが行われている。
そして、テープストリーマドライブ側においては、磁気テープに対するデータの記録又は再生動作を実行する前に、上記管理情報の領域にアクセスして必要な管理情報を読み込み、この管理情報に基づいて以降の記録／再生動作が適正に行われるように各種処理動作を実行するようにされる。
また、データの記録又は再生動作が終了された後は、この記録／再生動作に伴って変更が必要となった管理情報の内容を書き換えるために、再度、管理情報の領域にアクセスして情報内容の書き換えを行って、次の記録／再生動作に備えるようにされる。この後に、テープストリーマドライブにより、テープカセットのアンローディング及びイジェクト等が行われることになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
１．テープカセットの構成
先ず、本実施の形態のテープストリーマドライブに対応するテープカセットについて図３及び図４を参照して説明する。
図３（ａ）は、リモートメモリチップが配されたテープカセットの内部構造を概念的に示すものである。この図に示すテープカセット１の内部にはリール２Ａ及び２Ｂが設けられ、このリール２Ａ及び２Ｂ間にテープ幅８ｍｍの磁気テープ３が巻装される。
そして、このテープカセット１には不揮発性メモリ及びその制御回路系等を内蔵したリモートメモリチップ４が設けられている。またこのリモートメモリチップ４は後述するテープストリーマドライブにおけるリモートメモリインターフェース３０と無線通信によりデータ伝送を行うことができるものとされ、このためのアンテナ５が設けられている。
詳しくは後述するが、リモートメモリチップ４には、テープカセットごとの製造情報やシリアル番号情報、テープの厚さや長さ、材質、パーティションごとの記録データの使用履歴等に関連する情報、ユーザ情報等が記憶される。
なお、本明細書では上記リモートメモリチップ４に格納される各種情報は、主として磁気テープ３に対する記録／再生の各種管理のために用いられることから、これらを一括して『管理情報』とも言うことにする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
図１に示すＳ−ＲＡＭ２４，フラッシュＲＯＭ２５は、システムコントローラ１５が各種処理に用いるデータが記憶される。
例えばフラッシュＲＯＭ２５には制御に用いる定数等が記憶される。またＳ−ＲＡＭ２４はワークメモリとして用いられたり、ＭＩＣ（リモートメモリチップ４、接触型メモリ１０４）から読み出されたデータ、ＭＩＣに書き込むデータ、テープカセット単位で設定されるモードデータ、各種フラグデータなどの記憶や演算処理などに用いるメモリとされる。
また、フラッシュＲＯＭ２５には、システムコントローラ１５が実行すべきプログラムや、その他ファームウェアとしての各種データも記憶される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
このようにして、ステップＳ１０６→Ｓ１０７による処理が終了したとされる場合には、ステップＳ１０８に進む。
ステップＳ１０８においては、先のステップＳ１０３にて外部通信モードに対応して設定されたパラメータを内部通信モードに対応する値にリセットする。そして、この場合にはステップＳ１０９の処理により所定時間の待機を行った上で、ステップＳ１０１の処理に戻るようにされる。なお、ステップＳ１０９の処理は省略して、所定の待機時間が経過するのを待つことなくステップＳ１０１に移行しても構わない。
しかし、ステップＳ１０４のアテンション対応処理を実行するために、例えば実際には、ステップＳ１０３に対応するタイミングで、リモートメモリインターフェイス３０からは、搬送波の出力を開始させている。また、ステップＳ１０８の処理タイミングで対応しては、この搬送波の出力を停止させるようにしている。そこで、ステップＳ１０９のような待機時間を与えることで、テープストリーマドライブ１０側の外部通信動作を間欠的なものとすれば、それだけ、搬送波を輻射させる延べ期間が短くなって、輻射された搬送波による影響をできるだけ少ないものとすることができる。例えば、テープストリーマドライブ１０の近くで、データ書込／読出装置５０とリモートメモリチップ４との通信を実行させているようなことも考えられるので、このような措置は有効である。また、搬送波を出力する延べ期間が短くなるのに応じて、その分、電力消費量も少ないものとすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月12日(2007.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  記録層と
１枚以上の半透過性の記録層と、
前記記録層と半透過性の記録層の間及び半透過性の記録層間に透明層を備えた構造であって、
前記各記録層は波長とレンズＮＡが同一の光学系で記録又は再生され、前記各記録層の記録密度は光ビームの入射側にある層ほど高くなっていることを特徴とする光ディスク。
【請求項２】  前記半透過性の記録層のうち光ビームの入射側に最も近い層の光ビーム入射側に透明保護層を備えていることを特徴とする請求項１記載の光ディスク。
【請求項３】  前記透明保護層の厚みが０．１２ｍｍ以下であり、前記透明層の厚みが６０μｍ以下であることを特徴とする請求項２記載の光ディスク。
【請求項４】  前記記録層の記録密度に比べて、前記半透過性の記録層のうちで最も光ビーム入射側に位置する層の記録密度が１．０５倍以上であることを特徴とする請求項３記載の光ディスク。
【請求項５】  前記記録層のピット状記録パターンに比べて、前記半透過性の記録層のうちで最も光ビーム入射側に位置する層のピット状記録パターンのトラックピッチが０．７倍以上１．０倍以下であり、ピット状記録パターンの最短ピット長が０．７倍以上１．０倍以下であることを特徴とする請求項４記載の光ディスク。
【請求項６】  ＮＡ≧０．８かつ光源波長４００ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の光学条件を持つ前記光学系で記録又は再生されることを特徴とする請求項５記載の光ディスク。
【請求項７】  前記各記録層は球面収差補正機能付きの前記光学系で記録又は再生されることを特徴とする請求項６記載の光ディスク。
【請求項８】  請求項１から７に記載の光ディスクに対して、記録又は再生を行う装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月14日(2007.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
図３中（Ａ）に示すように、全反射戻り光量とピエゾ素子の制御電圧（ＰＺＴ電圧）との関係は、ピエゾ素子の制御電圧が小さくなる程（光学ヘッド１４とガラス原盤２００との間の距離が短くなる程）、全反射戻り光量は少なくなる。これは、ピエゾ素子の制御電圧を増加させていくと、ピエゾ素子が伸張し、光ヘッド１４がガラス原盤２００に接近され、波長λの1/2以下の距離、代表的に200ｎｍ以下の距離になると、光ヘッド１４のＳＩＬ端面がガラス原盤２００のニアフィールド領域に位置されるようになり、光ヘッド１４のＳＩＬ端面とガラス原盤２００との間にエバネセント結合、すなわちＳＩＬ端面からのいわゆる滲みだしが生じるためである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
以上のように、記録レーザーパワーにより変動される全反射戻り光量を被制御対象として固定された制御目標値を使用してフォーカス制御をすると、実質的にずれた制御目標値について制御していることになり、本発明では、これを解消すべく、記録レーザーパワーの変化に依存しない全反射戻り光量を取得して、当該全反射戻り光量に基づいて固定の制御目標値を使用してフォーカス制御をするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月1日(2007.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ビームスプリッタ、これを用いた光ピックアップおよびレーザ光の光量制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  レーザ光源から出射されたレーザ光の光スポットを光ディスクの記録面に照射して、情報の記録・再生を行う光ピックアップであって、前記光ディスクの記録面で反射したレーザ光の戻り光を信号処理系に導くビームスプリッタと、前記レーザ光源から出射されたレーザ光の一部を受光してその光量を検出する光検出器と、前記光検出器の出力に基づいて前記レーザ光源の出射光量を制御するレーザ駆動制御手段とを備え、前記ビームスプリッタは、ガラス基板の一面にハーフミラーを形成し、前記ガラス基板の基板面が所定の反射率となるように構成し、前記ビームスプリッタは、前記レーザ光源から出射されたレーザ光の一部を前記ガラス基板の基板面で反射して前記光検出器に導くように前記レーザ光源からの出射光の光路中に配置されることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項２】  レーザ光源から出射されたレーザ光の光スポットを光ディスクの記録面に照射して、情報の記録・再生を行う光ピックアップであって、前記光ディスクの記録面で反射したレーザ光の戻り光を信号処理系に導くビームスプリッタと、前記レーザ光源から出射されたレーザ光の一部を受光してその光量を検出する光検出器と、前記光検出器の出力に基づいて前記レーザ光源の出射光量を制御するレーザ駆動制御手段とを備え、前記ビームスプリッタは、ガラス基板の一面に偏光分離膜を形成し、前記ガラス基板の基板面が所定の反射率となるように構成し、前記ビームスプリッタは、前記レーザ光源から出射されたレーザ光の一部を前記ガラス基板の基板面で反射して前記光検出器に導くように前記レーザ光源からの出射光の光路中に配置されることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項３】  レーザ光源から出射されたレーザ光の一部を光検出器により検出し、前記光検出器の出力に基づいて前記レーザ光源の出射光量を制御するレーザ光の光量制御方法であって、前記レーザ光源からの出射光の光路中に、ガラス基板の一面にハーフミラーを形成したビームスプリッタを配置したものにおいて、前記レーザ光源から出射されたレーザ光の一部を前記ビームスプリッタのガラス基板の基板面で反射させて前記光検出器に導くようにしたことを特徴とするレーザ光の光量制御方法。
【請求項４】  レーザ光源から出射されたレーザ光の一部を光検出器により検出し、前記光検出器の出力に基づいて前記レーザ光源の出射光量を制御するレーザ光の光量制御方法であって、前記レーザ光源からの出射光の光路中に、ガラス基板の一面に偏光分離膜を形成したビームスプリッタを配置したものにおいて、前記レーザ光源から出射されたレーザ光の一部を前記ビームスプリッタのガラス基板の基板面で反射させて前記光検出器に導くようにしたことを特徴とするレーザ光の光量制御方法。
【請求項５】  一方の主表面に入射する光線の光軸と当該主表面の法線とのなす角度が４５度の関係にあるビームスプリッタであって、
前記主表面は当該ビームスプリッタの材料自体が露出していることを特徴とするビームスプリッタ。
【請求項６】  請求項５に記載のビームスプリッタにおいて、
他方の主表面にハーフミラーが形成されていることを特徴とするビームスプリッタ。
【請求項７】  請求項５に記載のビームスプリッタにおいて、
他方の主表面に偏光分離膜が形成されていることを特徴とするビームスプリッタ。
【請求項８】  請求項５乃至７に記載のビームスプリッタにおいて、
当該ビームスプリッタの屈折率が１．５であることを特徴とするビームスプリッタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、請求項３記載の発明は、レーザ光源から出射されたレーザ光の一部を光検出器により検出し、前記光検出器の出力に基づいて前記レーザ光源の出射光量を制御するレーザ光の光量制御方法であって、前記レーザ光源からの出射光の光路中に、ガラス基板の一面にハーフミラーを形成したビームスプリッタを配置したものにおいて、前記レーザ光源から出射されたレーザ光の一部を前記ビームスプリッタのガラス基板の基板面で反射させて前記光検出器に導くようにしたことを特徴とする。
また、請求項４記載の発明は、レーザ光源から出射されたレーザ光の一部を光検出器により検出し、前記光検出器の出力に基づいて前記レーザ光源の出射光量を制御するレーザ光の光量制御方法であって、前記レーザ光源からの出射光の光路中に、ガラス基板の一面に偏光分離膜を形成したビームスプリッタを配置したものにおいて、前記レーザ光源から出射されたレーザ光の一部を前記ビームスプリッタのガラス基板の基板面で反射させて前記光検出器に導くようにしたことを特徴とする。
また、請求項５の発明は、一方の主表面に入射する光線の光軸と当該主表面の法線とのなす角度が４５度の関係にあるビームスプリッタであって、前記主表面は当該ビームスプリッタの材料自体が露出していることを特徴とする。
また、請求項６の発明は、請求項５に記載のビームスプリッタにおいて、他方の主表面にハーフミラーが形成されていることを特徴とする。
また、請求項７の発明は、請求項５に記載のビームスプリッタにおいて、他方の主表面に偏光分離膜が形成されていることを特徴とする。
また、請求項８の発明は、請求項５乃至７に記載のビームスプリッタにおいて、当該ビームスプリッタの屈折率が１．５であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、ビームスプリッタのガラス基板の基板面を所定の反射率となるように構成し、かつ、前記レーザ光源から出射されたレーザ光の一部を前記ガラス基板の基板面で反射させて前記光検出器に導くように前記レーザ光源からの出射光の光路中に配置するので、ガラス基板の基板面での反射により得られるレーザ光の一部を光量検出用の光検出器により受光してその光量を検出することが可能となる。これにより、誘電体多層膜等の高機能膜を利用することなくレーザ光源の光量制御を実現することができ、低コストな光ピックアップおよびレーザ光の光量制御方法を提供することができるようになった。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月3日(2007.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  顧客番号、注文データ、仮締め操作などの入力を行う入力手段と、
前記入力手段により入力された各顧客に対応する顧客番号を記憶する顧客番号記憶手段と、
前記入力手段により入力された注文データを記憶する新規追加登録アイテム記憶手段と、
前記入力手段により仮締め指示入力に応じて、前記新規追加登録アイテム記憶手段に記憶されている注文データを、移動記憶する登録済みアイテム記憶手段と、
前記注文データを表示する表示手段とを有し、
前記新規追加登録アイテム記憶手段と、前記登録済みアイテム記憶手段とは、前記顧客番号記憶手段に記憶された顧客番号と前記注文データとが関連づけて記憶されており、
前記入力手段により、顧客情報が入力されたとき、前記登録済みアイテム記憶手段から、入力された顧客情報に関連づけて記憶されている注文データを前記表示手段に表示し、
前記登録済みアイテム記憶手段に記憶されている注文データと、新規入力される注文データとを区別可能に表示することを特徴とする注文データ管理装置。
【請求項２】  前記入力手段により仮締め指示入力されたとき、前記新規追加登録アイテム記憶手段に記憶されている注文データと、登録済みアイテム記憶手段に記憶されている注文データに共通の注文データが存在しているか判別し、存在している場合、該共通の注文データをまとめて、前記登録済みアイテム記憶手段に移動記憶することを特徴とする請求項１記載の注文データ管理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、顧客番号、注文データ、仮締め操作などの入力を行う入力手段と、
前記入力手段により入力された各顧客に対応する顧客番号を記憶する顧客番号記憶手段と、
前記入力手段により入力された注文データを記憶する新規追加登録アイテム記憶手段と、
前記入力手段により仮締め指示入力に応じて、前記新規追加登録アイテム記憶手段に記憶されている注文データを、移動記憶する登録済みアイテム記憶手段と、
前記注文データを表示する表示手段とを有し、
前記新規追加登録アイテム記憶手段と、前記登録済みアイテム記憶手段とは、前記顧客番号記憶手段と前記注文データとが関連づけて記憶されており、
前記入力手段により、顧客情報が入力されたとき、前記登録済みアイテム記憶手段から、入力された顧客情報に関連づけて記憶されている注文データを前記表示手段に表示し、
前記登録済みアイテム記憶手段に記憶されている注文データと、新規入力される注文データとを区別可能に表示することを特徴とする注文データ管理装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また本発明は、前記入力手段により仮締め指示入力されたとき、前記新規追加登録アイテム記憶手段に記憶されている注文データと、登録済みアイテム記憶手段に記憶されている注文データに共通の注文データが存在しているか判別し、存在している場合、該共通の注文データをまとめて、前記登録済みアイテム記憶手段に移動記憶することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月18日(2007.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
作動時に、ベンチュリの内面に燃料が衝突する結果として該ベンチュリに沿って炭素が形成されることになる。時の経過とともに、炭素は堆積してエンジン性能に悪影響を与えるおそれがある。より具体的には、炭素の堆積は、燃焼器内の空気流特性に悪影響を与えかつ／又はエンジン流路内に配置された性能装置の精度及びマージンを歪めるおそれがある。従って、少なくとも一部の公知の燃焼器内部では、燃焼器及び／又はエンジンの性能が所定のレベルまで低下した場合、燃焼器は内部を清浄化される。しかしながら、アクセスしやすさが制約されるため、公知の燃焼器のベンチュリ区域は、燃焼器をエンジン内に結合したままで他のエンジン部品に損傷を与える危険性を冒さずに効果的に清浄化できない。このため一般的には、清浄化することを必要とする燃焼器のベンチュリ区域にアクセスするために、広範囲でかつ時間のかかるエンジンの取外し及び分解が必要になる。
【特許文献１】米国特許第 3091926号明細書
【特許文献２】米国特許第 3623668号明細書
【特許文献３】米国特許第 3764071号明細書
【特許文献４】米国特許第 4059123号明細書
【特許文献５】米国特許第 4196020号明細書
【特許文献６】米国特許第 4338780号明細書
【特許文献７】米国特許第 4342198号明細書
【特許文献８】米国特許第 4485630号明細書
【特許文献９】米国特許第 4567857号明細書
【特許文献１０】米国特許第 4713120号明細書
【特許文献１１】米国特許第 4834912号明細書
【特許文献１２】米国特許第 4854127号明細書
【特許文献１３】米国特許第 4898001号明細書
【特許文献１４】米国特許第 5117637号明細書
【特許文献１５】米国特許第 5142871号明細書
【特許文献１６】米国特許第 5146741号明細書
【特許文献１７】米国特許第 5154060号明細書
【特許文献１８】米国特許第 5181379号明細書
【特許文献１９】米国特許第 5228283号明細書
【特許文献２０】米国特許第 5239816号明細書
【特許文献２１】米国特許第 5241827号明細書
【特許文献２２】米国特許第 5261223号明細書
【特許文献２３】米国特許第 5273395号明細書
【特許文献２４】米国特許第 5274995号明細書
【特許文献２５】米国特許第 5279127号明細書
【特許文献２６】米国特許第 5291732号明細書
【特許文献２７】米国特許第 5307637号明細書
【特許文献２８】米国特許第 5323604号明細書
【特許文献２９】米国特許第 5329761号明細書
【特許文献３０】米国特許第 5430935号明細書
【特許文献３１】米国特許第 5584178号明細書
【特許文献３２】米国特許第 5590529号明細書
【特許文献３３】米国特許第 5613363号明細書
【特許文献３４】米国特許第 5630319号明細書
【特許文献３５】米国特許第 5657633号明細書
【特許文献３６】米国特許第 5679174号明細書
【特許文献３７】米国特許第 5725611号明細書
【特許文献３８】米国特許第 5839643号明細書
【特許文献３９】米国特許第 5868860号明細書
【特許文献４０】米国特許第 5970715号明細書
【特許文献４１】米国特許第 6047539号明細書
【特許文献４２】米国特許第 6049978号明細書
【特許文献４３】米国特許第 6070410号明細書
【特許文献４４】米国特許第 6141967号明細書
【特許文献４５】米国特許第 6163959号明細書
【特許文献４６】米国特許第 6192688号明細書
【特許文献４７】米国特許第 6195607号明細書
【特許文献４８】米国特許第 6310022号明細書
【特許文献４９】米国特許第 6345441  号明細書
【特許文献５０】米国特許第 6351948  号明細書
【特許文献５１】米国特許第 6394108  号明細書
【特許文献５２】米国特許第 6434821  号明細書
【特許文献５３】米国特許第 6491048  号明細書
【特許文献５４】米国特許第 6662547  号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月18日(2007.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
運転時、配流ポートに流れた空気流は、配流ポート開口を通ってノズル空洞に向けて半径方向内向きに強制的に流される。配流ポートに流入する空気流は、ポートの半径方向内側面に対して衝突し、ポート開口を通る流れの方向に向きを変える。しかしながら、空気流は流れの方向を変えると、乱流及び圧力損失が発生する。その上、乱流及び圧力損失は、翼形ベーン空洞中央冷却通路に供給される冷却空気流に悪影響を及ぼす可能性がある。中央冷却通路の冷却が低下した状態での長時間にわたる連続運転により、タービンノズルの有効寿命が制限されるおそれがある。
【特許文献１】米国特許第 2896906  号明細書
【特許文献２】米国特許第 4126405  号明細書
【特許文献３】米国特許第 4251185  号明細書
【特許文献４】米国特許第 4492517  号明細書
【特許文献５】米国特許第 4551064  号明細書
【特許文献６】米国特許第 5165847  号明細書
【特許文献７】米国特許第 5197852  号明細書
【特許文献８】米国特許第 5224818  号明細書
【特許文献９】米国特許第 5964575  号明細書
【特許文献１０】米国特許第 6726446  号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月5日(2006.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気体圧回路において、１次側圧力気体を絞り２次側のノズルフラッパへ供給する気体流路の絞り装置であって、
一方端に供給口を有し、他方端に出力口を有するハウジングと、
ハウジング内に設けられ、気体の流れ方向に沿い所定の間隔を有する平行隙間を含む絞り部と、
を備え、平行隙間の整流作用により絞り部に流れる気体を乱れなく形成することを特徴とするノズルフラッパ弁用気体流路絞り装置。
【請求項２】
請求項１に記載のノズルフラッパ弁用気体流路絞り装置において、
絞り部は、平行平板により平行隙間が形成される絞り部であることを特徴とするノズルフラッパ弁用気体流路絞り装置。
【請求項３】
請求項２に記載のノズルフラッパ弁用気体流路絞り装置において、
絞り部は、ハウジングと同軸に配置され供給口の直径より大きな外径のディスクを含み、
ハウジングは、ディスクの面に平行な供給口側内壁を有し、
平行隙間は、ハウジングの供給口側内壁とディスクの一方側の面との間で形成されることを特徴とするノズルフラッパ弁用気体流路絞り装置。
【請求項４】
請求項３に記載のノズルフラッパ弁用気体流路絞り装置において、
絞り部は、ハウジングと同軸に層配置され供給口の直径より大きな外径の複数のディスクを含み、
複数のディスクは所定間隔で積層され、供給口からみて最下流側に配置される円板以外のディスクが中央部に気体流入口を有するドーナツ型ディスクであることを特徴とするノズルフラッパ弁用気体流路絞り装置。
【請求項５】
請求項２に記載のノズルフラッパ弁用気体流路絞り装置において、
絞り部は、平行隙間を形成するための所定厚みのスペーサが平行平板の間に配置されることを特徴とするノズルフラッパ弁用気体流路絞り装置。
【請求項６】
気体圧回路において、１次側圧力気体を絞り２次側のノズルフラッパへ供給する気体流路の絞り装置であって、
一方端に供給口を有し、他方端に出力口を有するハウジングと、
ハウジング内に設けられ、気体の流れ方向に沿い並列に配置された所定の断面積を有する複数の管路を含む絞り部と、
を備え、管路の整流作用により絞り部に流れる気体を乱れなく形成することを特徴とするノズルフラッパ弁用気体流路絞り装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明に係るノズルフラッパ弁用気体流路絞り装置は、気体圧回路において、１次側圧力気体を絞り２次側のノズルフラッパへ供給する気体流路の絞り装置であって、一方端に供給口を有し、他方端に出力口を有するハウジングと、ハウジング内に設けられ、気体の流れ方向に沿い所定の間隔を有する平行隙間を含む絞り部と、を備え、平行隙間の整流作用により絞り部に流れる気体を乱れなく形成することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
図１６は、スペーサ５００の上に隙間形成蓋１４２を配置し、平行隙間１５２を形成する様子を示す図である。平行隙間１５２は、スペーサ５００の小扇形のない部分５７２に対応して形成される。この構成により、気体流路は、「−貫通穴１５０−スペーサ５００の小扇形のない部分５７２に対応する平行隙間１５２−開口５７６−図３で説明した内側窓部１５６−」のように形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月15日(2007.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  本体部の側面部に開閉可能に設けた映像表示装置と、前記映像表示装置と本体部の間にカード型記録媒体に撮影画像を記録、再生するカード型記録装置を備えたビデオカメラにおいて、前記カード型記録媒体が装着される装着部を覆う開閉可能な蓋部に前記映像表示装置の開閉を規制するロック部を設けたことを特徴とするビデオカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成18年12月28日(2006.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画像を構成する連続した静止画像を入力し、各静止画像において、オブジェクト画像と背景画像の夫々を符号化し、外部に伝送する画像処理装置であって、
前記背景画像を格納する格納手段と、
入力した静止画像と、前記格納手段に格納されている背景画像とで、対応する領域間の差分を示す差分画像を生成する差分画像生成手段と、
前記差分画像に基づいた値が予め設定された閾値よりも大きいか否かを判定する判定手段と、
前記差分画像に基づいた値が、予め設定された閾値よりも大きい場合、新たな背景画像として前記静止画像を符号化し、外部に出力する出力手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記出力手段は、出力した静止画像を前記格納手段に新たな背景画像として格納することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記差分画像生成手段は、前記静止画像、前記背景画像から対応するブロックを抽出し、前記静止画像、前記背景画像において夫々のブロック間の差分を示す差分ブロックを求めることを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
更に、前記差分ブロックに対して周波数変換を施して係数ブロックを生成する周波数変換手段を備え、
前記判定手段は、前記係数ブロックと比較対象のブロックとの差分絶対和が予め設定された閾値よりも大きいか否かを判定することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記差分画像生成手段が前記静止画像、前記背景画像から複数のブロックを抽出し、前記判定手段が予め設定された個数以上のブロックについて前記差分絶対和が予め設定された閾値よりも大きいと判定した場合、前記出力手段は符号化し、外部に伝送する対象として、前記静止画像を出力することを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記差分画像生成手段が前記静止画像、前記背景画像から複数のブロックを抽出し、前記判定手段が予め設定された個数以下のブロックについて前記差分絶対和が予め設定された閾値よりも大きいと判定した場合、前記出力手段は、出力する背景画像がない旨を示す信号を出力することを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記静止画像は少なくとも１フレーム以上の静止画像であって、前記判定手段が予め設定された個数以上のブロックについて前記差分絶対和が予め設定された閾値よりも大きいと判定した場合、前記出力手段は符号化し、外部に伝送する対象として、前記１フレーム以上の静止画像のうちいずれか１つの静止画像を出力することを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項８】
動画像を構成する連続した静止画像を入力し、各静止画像において、オブジェクト画像と背景画像の夫々を符号化し、外部に伝送する画像処理装置が行う画像処理方法であって、
格納手段が、前記背景画像をメモリに格納する格納工程と、
差分画像生成手段が、入力した静止画像と、前記格納工程で格納されている背景画像とで、対応する領域間の差分を示す差分画像を生成する差分画像生成工程と、
判定手段が、前記差分画像に基づいた値が予め設定された閾値よりも大きいか否かを判定する判定工程と、
出力手段が、前記差分画像に基づいた値が、予め設定された閾値よりも大きい場合、新たな背景画像として前記静止画像を符号化し、外部に出力する出力工程と
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項９】
コンピュータに読み込ませることで、当該コンピュータを請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像処理装置として機能させる為のコンピュータプログラム。
【請求項１０】
コンピュータに請求項８に記載の画像処理方法を実行させる為のコンピュータプログラム。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載のプログラムを格納したことを特徴とする、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
すなわち、動画像を構成する連続した静止画像を入力し、各静止画像において、オブジェクト画像と背景画像の夫々を符号化し、外部に伝送する画像処理装置であって、
前記背景画像を格納する格納手段と、
入力した静止画像と、前記格納手段に格納されている背景画像とで、対応する領域間の差分を示す差分画像を生成する差分画像生成手段と、
前記差分画像に基づいた値が予め設定された閾値よりも大きいか否かを判定する判定手段と、
前記差分画像に基づいた値が、予め設定された閾値よりも大きい場合、新たな背景画像として前記静止画像を符号化し、外部に出力する出力手段と
を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
すなわち、動画像を構成する連続した静止画像を入力し、各静止画像において、オブジェクト画像と背景画像の夫々を符号化し、外部に伝送する画像処理装置が行う画像処理方法であって、
格納手段が、前記背景画像をメモリに格納する格納工程と、
差分画像生成手段が、入力した静止画像と、前記格納工程で格納されている背景画像とで、対応する領域間の差分を示す差分画像を生成する差分画像生成工程と、
判定手段が、前記差分画像に基づいた値が予め設定された閾値よりも大きいか否かを判定する判定工程と、
出力手段が、前記差分画像に基づいた値が、予め設定された閾値よりも大きい場合、新たな背景画像として前記静止画像を符号化し、外部に出力する出力工程と
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月2日(2007.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ｎ型窒化物半導体層、井戸層を障壁層で挟んだ活性層、ｐ型窒化物半導体層を順に有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記活性層上に、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）よりなるｐ側キャップ層と、Ａｌを含む窒化物半導体からなるｐ側クラッド層とを順に有し、
前記ｐ側キャップ層よりも上にストライプ状の突出部を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記ｐ側クラッド層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）を含む超格子よりなることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記ｐ側キャップ層は、膜厚１０Å以上、０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記ストライプ状の突出部は、前記ｐ側クラッド層の膜厚が０．１μｍとなる位置よりも下に形成される請求項１乃至３のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記井戸層と障壁層の間に障壁層よりもバンドギャップエネルギーの大きい中間層を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記中間層の膜厚は、障壁層よりも薄いことを特徴とする請求項５に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記中間層はＡｌｕＧａ１−ｕＮ（０≦ｕ≦１）からなることを特徴とする請求項５又は６に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記ｐ側キャップ層とｐ側クラッド層との間に、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）よりなるｐ側ガイド層を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記ｐ側光ガイド層の膜厚は、１μｍ以下である請求項８に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１０】
前記ｐ側光ガイド層にストライプ状の突出部を有し、突出部の高さが１００Å以上である請求項８又は９に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１１】
前記ｐ側キャップ層及び前記ｐ側クラッド層はＭｇがドープされていると共に、前記ｐ側光ガイド層のＭｇ濃度は、前記ｐ側キャップ層及び前記ｐ側クラッド層のＭｇ濃度よりも小さいことを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１２】
前記ｐ側光ガイド層の突出部が、前記ｐ側窒化物半導体層側からエッチングされて形成され、該エッチング深さが０．７μｍ以内であることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１３】
前記ｐ側光ガイド層がストライプ状の突出部を有し、前記突出部以外の領域における膜厚が５００Å以上１５００Å以下の範囲であることを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１４】
前記ｐ側光ガイド層がストライプ状の突出部を有し、前記突出部のストライプ幅が、１μｍ以上３μｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項８乃至１３のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、本発明の窒化物半導体レーザ素子は、基板上に、ｎ型窒化物半導体層、井戸層を障壁層で挟んだ活性層、ｐ型窒化物半導体層を順に有する窒化物半導体レーザ素子において、前記活性層上に、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）よりなるｐ側キャップ層と、Ａｌを含む窒化物半導体からなるｐ側クラッド層とを順に有し、前記ｐ側キャップ層よりも上にストライプ状の突出部を有することを特徴とする。このように、膜厚１μｍ以下のｐ側光ガイド層がストライプ状の突出部を有することで、従来では実現できなかった良好な水平横モードの制御が実現され、これにより良好なアスペクト比のレーザ光が得られる。すなわち、このレーザ素子は、基本モードでの連続発振下で、良好なビーム形状のレーザ光が得られるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月8日(2007.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】下記（１）〜（４）の特性を有する絶縁性フィルム層と１層以上の半硬化状態の接着剤層の積層体から構成されることを特徴とする半導体用接着剤付きテープ。
（１）膜厚が１０〜６５μｍ
（２）５０〜２００℃におけるフィルム幅方向（ＴＤ）の線膨張係数が１７〜３０ｐｐｍ／℃
（３）引張弾性率が６〜１２ＧＰａ
（４）フィルム幅方向（ＴＤ）と長手方向（ＭＤ）の線膨張係数差が３〜１０ｐｐｍ／℃
【請求項２】絶縁性フィルム層がポリイミド樹脂を主成分とすることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用接着剤付きテープ。
【請求項３】硬化後の該接着剤層のフィルム幅方向（ＴＤ）の１５０℃における弾性率が１ＭＰａ〜５ＧＰａであり、かつフィルム幅方向（ＴＤ）の２５〜１５０℃における線膨張係数が１０〜５００ｐｐｍ／℃の範囲にあることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用接着剤付きテープ。
【請求項４】接着剤層がエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、マレイミド樹脂から選ばれる少なくとも１種の熱硬化性樹脂を含有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置用接着剤付きテープ。
【請求項５】請求項１〜４のいずれか記載の半導体装置用接着剤付きテープを用いた銅張り積層板。
【請求項６】請求項５記載の半導体装置用接着剤付きテープを用いた半導体接続用基板。
【請求項７】請求項６記載の半導体接続用基板を用いた半導体装置。
【請求項８】請求項５記載の銅張り積層板を用いた半導体接続用基板。
【請求項９】請求項８記載の半導体接続用基板を用いた半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は下記（１）〜（４）の特性を有する絶縁性フィルム層と１層以上の半硬化状態の接着剤層の積層体から構成されることを特徴とする半導体用接着剤付きテープである。
（１）膜厚が１０〜６５μｍ
（２）５０〜２００℃におけるフィルム幅方向（ＴＤ）の線膨張係数が１７〜３０ｐｐｍ／℃
（３）引張弾性率が６〜１２ＧＰａ
（４）フィルム幅方向（ＴＤ）と長手方向（ＭＤ）の線膨張係数差が３〜１０ｐｐｍ／℃
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の半導体装置用接着剤付きテープに用いられる絶縁性フィルム層とは、下記（１）〜（４）の特性を有することが必須であるが、それ以外は特に限定されない。
（１）膜厚が１０〜６５μｍ
（２）５０〜２００℃におけるフィルム幅方向（ＴＤ）の線膨張係数が１７〜３０ｐｐｍ／℃
（３）２５℃における引張弾性率が６〜１２ＧＰａ
（４）フィルム幅方向（ＴＤ）と長手方向（ＭＤ）の線膨張係数差が３〜１０ｐｐｍ／℃
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月30日(2006.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
アンテナからの受信信号と局部発振器からの信号とをミキシングする受信ミキサと上記アンテナとの間に設けられた差動低雑音増幅器と、該差動低雑音増幅器に接続される複数のリードピンとを有し、
該差動低雑音増幅器は、互いに位相が逆相であって、かつ、実質的に同一周波数帯である信号が入力される２つの単位増幅器を有し、
上記２つの単位増幅器の第1の電源線は互いに異なるリードピンに接続されていることを特徴とする無線送受信用の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
低周波数バンド低雑音増幅器５０２ａも同様に、３１７は図１ｂのトランジスタ１０２のグランドピン、３２０はトランジスタ１０７のグランドピン、３１８、３１９はそれぞれ、低雑音差動増幅器１０１と１０６の入力ピンである。３１６は低周波数バンド低雑音増幅器５０２ａの電源ピンである。３２１はバイアス回路の電源ピン、３２２はバイアス回路のグランドピンである。バイアス回路のピンは、低周波低雑音増幅器と高周波低雑音増幅器で共有している。３２３はチップ上の各パッドから上記に示したリードピンにつけたボンディングワイヤである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月31日(2007.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  前記工程(ａ)は、前記第１のＮＭＯＳトランジスタよりも動作電圧が高い第２のＮＭＯＳトランジスタを形成するための第２のＮＭＯＳ領域および、前記第１のＰＭＯＳトランジスタよりも動作電圧が高い第２のＰＭＯＳトランジスタを形成するための第２のＰＭＯＳ領域を規定する工程を含み、
前記工程(ｂ)は、前記第２のＮＭＯＳ領域および前記第２のＰＭＯＳ領域上に、前記第１のゲート絶縁膜よりも厚い第２のゲート絶縁膜を形成する工程を含み、
前記工程(ｂ)と(ｃ)との間に、前記第２のＮＭＯＳ領域および前記第２のＰＭＯＳ領域の表面内に、前記第２のＮＭＯＳトランジスタの１対のＮ型不純物層および前記第２のＰＭＯＳトランジスタの１対のＰ型不純物層を形成する工程をさらに備える、請求項１または請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
また、上記シリコン窒化膜は熱窒化法により形成しても良い。膜厚制御の容易な熱窒化法により形成することで、膜厚のばらつきによるデバイス特性のばらつきを低減できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
次に、レジストマスクＲ２３を除去した後、図２６に示す工程において、写真製版により、低電圧ＰＭＯＳ領域ＬＰＲ、高電圧ＮＭＯＳ領域ＨＮＲおよび高電圧ＰＭＯＳ領域ＨＰＲ上を覆うようにレジストマスクＲ２４を形成する。そして、シリコン基板１を最大で６０°程度傾け、低電圧ＮＭＯＳ領域ＬＮＲにおいてシリコン基板１内にボロン等のＰ型不純物をイオン注入してポケット層９１を形成する。この注入条件は、注入エネルギー１ｋｅＶ〜５０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０13〜１×１０14／ｃｍ2である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
レジストマスクＲ２７を除去した後、図３２に示す工程において、写真製版により、低電圧ＰＭＯＳ領域ＬＰＲ、高電圧ＮＭＯＳ領域ＨＮＲおよび高電圧ＰＭＯＳ領域ＨＰＲ上を覆うようにレジストマスクＲ２８を形成する。そして、低電圧ＮＭＯＳ領域ＬＮＲにおいてはゲート電極４１および側壁保護膜６を注入マスクとしてシリコン基板１内にヒ素等のＮ型不純物をイオン注入し、シリコン基板１の表面内に１対のソース・ドレイン主要層７１を形成する。この注入条件は、注入エネルギー１０ｋｅＶ〜１００ｋｅＶ、ドーズ量１×１０14〜１×１０16／ｃｍ2である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
なお、低電圧ＰＭＯＳ領域ＬＰＲのエクステンション層５２は、レジストマスクＲ２３およびＲ２４の除去によって２回のエッチングを被ることになるが、Ｐ型不純物は、Ｎ型不純物に比べて拡散量が大きく、Ｐ型不純物拡散層であるエクステンション層５２はＮ型不純物拡散層であるエクステンション層５１よりも深く形成されている。従って、エッチングにより除去される量がエクステンション層５２よりも多くても、それによってエクステンション層５１の抵抗がエクステンション層５２よりも大きくなるということはない。すなわち、エッチングに対する余裕度は、エクステンション層５２の方が大きい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３９】
次に、図３８に示す工程において、シリコン基板１の傾きを元に戻し、ゲート電極４２を注入マスクとしてシリコン基板１内にボロンあるいはＢＦ2をイオン注入して、シリコン基板１の表面内に１対のエクステンション層５２を形成する。この注入条件は、注入エネルギー１ｋｅＶ〜５０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０13〜４×１０15／ｃｍ2である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５４】
また、上記シリコン窒化膜は熱窒化法により形成しても良い。膜厚制御の容易な熱窒化法により形成することで、膜厚のばらつきによるデバイス特性のばらつきを低減できる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月20日(2007.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
低電源電圧におけるトランジスタの電流駆動能力の変化によって、レシオ回路の動作が不確実となり、ラッチ回路の書き込み動作保証が損なわれることがある。このため、低電源電圧においても駆動能力の関係が変化せず、レシオ回路及びラッチ回路の動作安定性を確保できる回路構成が要求される。
図１２（ｃ）に示すレイアウトを持つＭＯＳトランジスタは、この目的を達成するために提案されたものである。その電流特性は、図１３の曲線Ｃに示している。図示のように、縦続接続されている２段のチャネルからなるこのＭＯＳトランジスタは、しきい値電圧Ｖthが図１２（ａ）のレイアウトを持つトランジスタより大きく、且つ低電圧駆動の場合でも他のトランジスタの電流特性曲線と交差することなく、低電圧時のレシオ回路における動作が安定している。