【手続補正書】
【提出日】平成20年6月24日(2008.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャージポンプであって、
ＶＤＤ信号線及びＶＳＳ信号線と電気的に結合され、入力画交番信号線と電気的に結合され、出力がポンプキャパシターと電気的に結合されたインバーター、
第１のＰＭＯＳトランジスターのソース及び第２のＰＭＯＳトランジスターのソースと電気的に結合されたポンプキャパシター、
ドレインが前記ＶＳＳ信号線と前記インバーターのドレインと電気的に結合され、ゲートが前記交番信号線と第３のＰＭＯＳトランジスターのゲートと第４のＰＭＯＳトランジスターのソースと電気的に結合され、基板が前記端子と電気的に結合される前記第１のＰＭＯＳトランジスター、
ドレインが負の電圧線と電気的に結合され、ゲートが前記交番信号線の相補部と前記第４のＰＭＯＳトランジスターのゲートと前記第３のＰＭＯＳトランジスターのソースと電気的に結合され、基板が前記端子と電気的に結合される前記第２のＰＭＯＳトランジスター、
ドレインと基板が前記端子と電気的に結合される前記第３のＰＭＯＳトランジスター、及び
ドレインと基板が前記端子と電気的に結合される前記第４のＰＭＯＳトランジスター、を有するチャージポンプ。
【請求項２】
前記交番信号線及び前記第１のＰＭＯＳトランジスターのゲートと電気的に結合されたキャパシター、を更に有する請求項１記載のチャージポンプ。
【請求項３】
前記交番信号線の相補部及び前記第２のＰＭＯＳトランジスターのゲートと電気的に結合されたキャパシター、を更に有する請求項１記載のチャージポンプ。
【請求項４】
前記端子は接地と電気的に結合される、請求項１記載のチャージポンプ。
【請求項５】
チャージポンプであって、
ＶＤＤ信号及びＶＳＳ信号と電気的に結合された場合に充電し、前記ＶＳＳ信号線及びスリープ信号と電気的に結合された場合に放電する、ポンプキャパシター、
ゲートが第１の低位電圧を受信した場合に前記ＶＤＤ信号と前記ポンプキャパシターを電気的に結合するＰＭＯＳトランジスター及びゲートが高位電圧を受信した場合に前記ＶＳＳ信号線と前記ポンプキャパシターを電気的に結合するＮＭＯＳトランジスターを備えたインバーター、
ゲートが第３の低位電圧を受信した場合に前記ポンプキャパシターと前記ＶＳＳ信号線を電気的に結合する第１のＰＭＯＳトランジスター、
ゲートが第４の低位電圧を受信した場合に交番信号の相補部と端子を電気的に結合する第２のＰＭＯＳトランジスター、
ゲートが第２の低位電圧を受信した場合に前記スリープ信号と前記ポンプキャパシターを電気的に結合する第３のＰＭＯＳトランジスター、
ゲートが第５の低位電圧を受信した場合に前記交番信号と前記端子を電気的に結合する第４のＰＭＯＳトランジスター、並びに
前記第１のＰＭＯＳトランジスター、前記第２のＰＭＯＳトランジスター、前記第３のＰＭＯＳトランジスター、及び前記第４のＰＭＯＳトランジスターの基板と電気的に結合される前記端子、を有するチャージポンプ。
【請求項６】
前記交番電流を前記第１のＰＭＯＳトランジスターのゲートと電気的に結合するキャパシター、を更に有する請求項５記載のチャージポンプ。
【請求項７】
前記第２の低位電圧は前記第３の低位電圧であるか、又は前記第４の低位電圧は前記第５の低位電圧である、請求項５記載のチャージポンプ。
【請求項８】
チャージポンプであって、
スリープ信号と電気的に結合された場合に充電し、出力と電気的に結合された場合に放電するポンプキャパシター、
交番信号の状態に基づきＶＤＤ信号又は出力を前記ポンプキャパシターと電気的に結合する、前記交番信号を受信する手段、
前記交番信号の相補部の状態に基づき前記スリープ信号を前記ポンプキャパシターと電気的に結合する、前記交番信号の相補部を受信する手段、及び
前記交番信号の状態及び前記交番信号の相補部の状態に基づき前記交番信号及び前記交番信号の相補部を端子と電気的に結合する手段、を有するチャージポンプ。
【請求項９】
前記チャージポンプを前記ＶＳＳ信号及び前記スリープ信号から電気的に切断する手段、を更に有する請求項８記載のチャージポンプ。
【請求項１０】
集積回路であって、
（ａ）前記集積回路に電力を供給し、論理レベルの範囲を定めるＶｄｄ正の供給端子とＶｓｓ接地端子を含む２つの電源端子、
（ｂ）それぞれ論理ゲートと記憶セルの選択された１つであり、それぞれ前記電源端子の１つと直列に電気的に接続されたスリープトランジスターを含むロジック構成要素、
（ｃ）前記論理レベルの範囲外の電圧を生成する電圧源、
（ｄ）前記論理レベルの範囲外の電圧をパワーダウンモードの間に前記スリープトランジスターに印加する回路、及び
（ｅ）前記電圧源を制御し前記パワーダウンモードの間に前記スリープトランジスターを通る漏れ電流を適切に最小化する電圧調整器、を有する集積回路。
【請求項１１】
前記電源端子の前記１つは前記Ｖｓｓ端子であり、前記論理レベルの範囲外の電圧はＶｓｓより低い電圧であり、及び前記スリープトランジスターはｎチャネルトランジスターである、請求項１０記載の集積回路。
【請求項１２】
前記電圧調整器はチャージポンプ回路を有し、前記電圧調整器は前記範囲外の電圧の大きさが前記スリープトランジスターを通る漏れ電流を適切に最小化するために不十分である場合に前記チャージポンプ回路をイネーブルし、前記範囲外の電圧の大きさが前記スリープトランジスターを通る漏れ電流を適切に最小化するために十分である場合に前記チャージポンプ回路をディスエーブルする、請求項１０記載の集積回路。
【請求項１３】
前記電圧調整器は、前記範囲外の電圧でバイアスされたエミュレートされたスリープトランジスター、及び電圧オフセットを有する前記範囲外の電圧でバイアスされた別のエミュレートされたスリープトランジスターを有し、並びに前記電圧調整器は、前記範囲外の電圧を調整し２つの前記エミュレートされたスリープトランジスターの電圧降下を等しくする、請求項１０記載の集積回路。
【請求項１４】
前記電圧調整器は、前記範囲外の電圧でバイアスされたエミュレートされたスリープトランジスター、並びに前記電源端子の前記１つに充電され及び前記エミュレートされたスリープトランジスターを通じて前記電源端子の他方に放電されるキャパシター、を有する、請求項１０記載の集積回路。
【請求項１５】
前記電圧調整器は前記範囲外の電圧を、前記キャパシターが前記エミュレートされたスリープトランジスターを通じて放電するために必要な時間量を最大化するレベルに調整する、請求項１４記載の集積回路。
【請求項１６】
前記スリープトランジスターは前記ロジック構成要素の中の他のトランジスターと同じ閾電圧を有する、請求項１０記載の集積回路。
【請求項１７】
集積回路であって、
（ａ）前記集積回路に電力を供給し、Ｖｄｄ正の供給端子とＶｓｓ接地端子を含む２つの電源端子、
（ｂ）それぞれ論理ゲートと記憶セルの選択された１つであり、それぞれ前記電源端子の１つと直列に電気的に接続されたスリープトランジスターを含むロジック構成要素、
（ｃ）負電圧を生成するチャージポンプ、
（ｄ）前記負電圧をパワーダウンモードの間に前記スリープトランジスターに印加する回路、及び
（ｅ）前記チャージポンプを制御し前記パワーダウンモードの間に前記スリープトランジスターを通る漏れ電流を適切に最小化する電圧調整器、を有する集積回路。
【請求項１８】
前記電圧調整器は、前記負電圧の大きさが前記スリープトランジスターを通る漏れ電流を適切に最小化するために不十分である場合に前記チャージポンプ回路をイネーブルし、前記負電圧の大きさが前記スリープトランジスターを通る漏れ電流を適切に最小化するために十分である場合に前記チャージポンプ回路をディスエーブルする、請求項１７記載の集積回路。
【請求項１９】
リーク管理システムであって、集積回路の静的リークを最小化し、前記リーク制御システムは、
スリープトランジスターに印加されるべき制御信号を生成する生成器、
前記制御信号を調整し前記静的リークを最小化するかどうかを決定し、エミュレートされたスリープトランジスターを有する監視装置、及び
前記決定に従い前記制御信号を調整する調整器、を有するリーク管理システム。
【請求項２０】
前記制御信号はＶｄｄ正の供給端子の電圧とＶｓｓ接地端子の電圧との間に定められた電圧の範囲外の電圧を有し、及び
前記監視装置は前記範囲外の電圧を調整するか否かを決定する、請求項１９記載のリーク管理システム。
【請求項２１】
方法であって、それぞれ論理ゲートと記憶セルの選択された１つであり及びそれぞれＶｓｓ接地端子と力列に電気的に接続されたスリープトランジスターを有するあるロジック構成要素を有する集積回路の静的リークを最小化し、前記方法は、
前記スリープトランジスターに印加されるべき負電圧を生成する段階、
前記負電圧を前記静的リークを最小化するために調整するか否かを決定する段階、及び
前記決定に従い前記負電圧を調整する段階、を有する方法。
【請求項２２】
前記スリープトランジスターの１又は複数のパラメーターを監視する段階、を更に有する請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記負電圧を調整するか否かを決定する段階は、前記スリープトランジスターのドレイン−ソース電流とドレイン−ゲート電流を比較する段階、を有する、請求項２１記載の方法。
【請求項２４】
前記負電圧を調整するか否かを決定する段階は、
前記負電圧をエミュレートされたスリープトランジスターに印加する段階、
前記エミュレートされたスリープトランジスターを通る電流を前記静的リークに比例して引き起こす段階、及び
前記電流の量に従い前記負電圧を調整するか否かを決定する段階、を有する、請求項２１記載の方法。
【請求項２５】
前記負電圧を調整するか否かを決定する段階は、
前記負電圧を第１のエミュレートされたスリープトランジスターに印加し結果として第１の電流を生じる段階、
前記負電圧とオフセット電圧の和を第２のエミュレートされたスリープトランジスターに印加し結果として第２の電流を生じる段階、及び
前記第１の電流を前記第２の電流と比較する段階、を有する、請求項２１記載の方法。
【請求項２６】
適応型リーク制御装置であって、集積回路の静的リークを最小化し、前記適応型リーク制御装置は、
正の供給電圧に充電されるキャパシター、
前記キャパシターを前記静的リークに比例するレートで放電するトランジスター、及び
前記キャパシターの放電の最小レートに基づき前記静的リークを制御するスリープトランジスターに印加される負電圧を調整するか否かを決定する制御回路、を有する適応型リーク制御装置。
【請求項２７】
方法であって、集積回路の静的リークを最小化し、前記方法は、
キャパシターを正の供給電圧に充電する段階、
前記キャパシターを前記静的リークに比例するレートで放電する段階、及び
スリープトランジスターのゲートに印加される負電圧を調整し前記キャパシターの前記放電レートを最小化する段階、を有する方法。
【請求項２８】
前記キャパシターを第１の所定値に放電するために必要な第１の時間を測定する段階、
前記キャパシターを第２の所定値に放電するために必要な第２の時間を測定する段階、及び
前記第１の時間及び前記第２の時間の間の比較に従い前記負電圧を調整する段階、を更に有する請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
電力管理方法であって、ロジック構成要素とＶｄｄ正の供給電圧端子とＶｓｓ接地端子とを有する集積回路で実行され、前記ロジック構成要素のそれぞれは前記端子の１つと直列に電気的に接続されたスリープトランジスターと前記Ｖｄｄ正の供給電圧端子と論理レベルの範囲を定める前記Ｖｓｓ接地端子とを有し、前記方法は、
（ｉ）前記論理レベルの範囲外の電圧を生成する段階、
（ｉｉ）生成された前記論理レベルの範囲外の電圧をパワーダウンモードの間に前記スリープトランジスターに印加する段階、
（ｉｉｉ）前記生成された電圧を調整し、前記パワーダウンモードの間に前記スリープトランジスターを通る漏れ電流を最小化する段階、を有する方法。
【請求項３０】
チャージポンプ回路であって、論理ゲートの静的リークを最小化し、前記チャージポンプ回路は、
それぞれ第１及び第２の端子を有する２つのキャパシターであって、前記キャパシターの一方の前記第１の端子は第１の回路入力で交番信号を受信し、前記キャパシターの他方の前記第１の端子は第２の回路入力で前記交番信号の相補部を受信する２つのキャパシター、
それぞれゲートが前記２つのキャパシターの前記第２の端子の異なる１つと電気的に接続された第１及び第２のＰＭＯＳスイッチ、
前記スイッチの両方のソースと電気的に接続された第１の端子及び第２の端子を有するポンプキャパシター、
前記交番信号を受信する入力及び前記ポンプキャパシターの前記第２の端子と電気的に結合された出力を有するインバーター、
第２の端子が前記キャパシターの他方の前記第２の端子と電気的に結合され第２の端子が仮想接地と電気的に接続された、少なくとも２つの端子を有する負のパスゲート、及び
第１の端子が前記キャパシターの一方の前記第２の端子と電気的に結合され、第２の端子が仮想接地と電気的に接続された、少なくとも２つの端子を有する正のパスゲート、を有し、
前記第２のスイッチのドレインは負の出力と結合され、前記負の出力はスリープトランジスターに負電圧を供給し前記論理ゲートの静的リークを制御する、チャージポンプ回路。
【請求項３１】
前記仮想接地と結合されたインバーターを更に有し、前記インバーターは、前記正電圧を前記仮想接地に印加し前記チャージポンプを抑制する、請求項３０記載のチャージポンプ。