Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月27日(2007.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口端付近にフランジを有する２本の通水管を、前記フランジ同士を対向接触させて接続した通水管の接続部分に装着される通水管接続具において、
対向接触状態にある前記フランジに着脱可能に係合するクリップと、前記クリップの外周を覆ったカバーとで構成され、
前記クリップは、前記フランジを着脱可能に挟持するため先端部同士を離して配置された２つの腕部と、２つの前記腕部を互いに弾性的に開閉可能に保つため前記腕部の基端部
を連接する腕支持部とを備え、
前記カバーは、２つの前記腕部の外周を覆う腕カバー部と、前記クリップを前記フランジに着脱する際に前記クリップの腕部の開度が所定範囲内となるよう規制する開度規制手段とを備えたことを特徴とする通水管接続具。
【請求項２】
開口端付近にフランジを有する２本の通水管を、前記フランジ同士を対向接触させて接続した通水管の接続部分に装着される通水管接続具において、
対向接触状態にある前記フランジに着脱可能に係合するクリップと、前記クリップの外周を覆ったカバーとで構成され、
前記クリップは、前記フランジを着脱可能に挟持するため先端部同士を離して配置され
た２つの腕部と、２つの前記腕部を互いに弾性的に開閉可能に保つため前記腕部の基端部を連接する腕支持部とを備え、
前記カバーは２ つの前記腕部の外周を覆う腕カバー部を備え、前記腕カバー部に、前記フランジに当接して当該フランジに対する前記クリップの腕部の取付方向を規制する取付方向規制手段を設けたことを特徴とする通水管接続具。
【請求項３】
前記取付方向規制手段として、前記腕カバー部の先端部に前記フランジの一部が嵌入可能な凹部を設けた請求項２記載の通水管接続具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の通水管接続具は、開口端付近にフランジを有する２本の通水管を前記フランジ同士を対向接触させて接続した通水管の接続部分に装着される通水管接続具において、
対向接触状態にある前記フランジに着脱可能に係合するクリップと、前記クリップの外周を覆ったカバーとで構成され、
前記クリップは、前記フランジを着脱可能に挟持するため先端部同士を離して配置された２つの腕部と、２つの前記腕部を互いに弾性的に開閉可能に保つため前記腕部の基端部を連接する腕支持部とを備え、
前記カバーは、２つの前記腕部の外周を覆う腕カバー部と、前記クリップを前記フランジに着脱する際に前記クリップの腕部の開度が所定範囲内となるよう規制する開度規制手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
通水管の接続部分にあるフランジに通水管接続具を装着するとき、フランジに対してクリップが斜め掛け状態になると、正常装着状態のときに比べ、クリップは大きく開くこととなるが、本発明の通水管接続具の場合、クリップの外周を覆うカバーに設けられた開度規制手段によってクリップの腕部の開度は所定範囲内となるよう規制されるため、それより大きく開くことがない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
即ち、開度規制手段でクリップの腕部の開度が所定範囲内となるよう規制されることにより、正常装着時における開度を超えてクリップの腕部が開くことができない。このため、正常装着時よりも大きくクリップを開く必要がある斜め掛けが発生することがなくなり、斜め掛けなどの装着不良の発生を未然に防止することができる。また、クリップおよびカバーの装着が１ 度の作業で完了するため、装着作業は極めて容易であり、カバーの取り付け忘れも発生しない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項１記載の発明によれば、開度規制手段でクリップをフランジに着脱する際のクリップの開度が所定範囲内となるよう規制され、正常装着時における開度を超えてクリップが開くことができなくなるため、正常装着時よりも大きくクリップを開く必要がある斜め掛けが発生しなくなり、斜め掛けなどの装着不良の発生を未然に防止することができ、装着も容易となる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月30日(2007.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
開口端付近にフランジを有する２本の通水管を前記フランジ同士を互いに対向接触させて接続した通水管の接続部分に装着される通水管接続具であって、
対向接触した前記フランジに着脱可能に係合するクリップと、前記クリップの外周に着脱可能に取り付けられたカバーとで構成され、
前記クリップが、前記フランジを着脱可能に挟持するため先端部同士を離して配置された２つの腕部と、２つの前記腕部を互いに弾性的に開閉可能に保つため前記腕部の基端部を連接する腕支持部と、前記フランジを前記腕部の間に誘導するため前記腕部の先端部に設けられた拡径形状のガイド部とを備え、
前記カバーが、前記腕部の外側にそれぞれ配置される腕カバー部と、前記腕カバー部同士を開閉可能に保つため前記腕カバー部の基端部を連接するカバー支持部と、前記ガイド部を前記腕部が開く方向に貫通させるため前記腕カバー部に開設された開口部または切欠部と、前記腕カバー部同士を連結するため前記腕カバー部に設けられた連結手段とを備え、前記連結手段により前記腕カバー部同士を連結した状態において、前記開口部から前記ガイド部の先端が突出することを特徴とする通水管接続具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の通水管接続具は、開口端付近にフランジを有する２本の通水管を前記フランジ同士を互いに対向接触させて接続した通水管の接続部分に装着される通水管接続具であって、
対向接触した前記フランジに着脱可能に係合するクリップと、前記クリップの外周に着脱可能に取り付けられたカバーとで構成され、
前記クリップが、前記フランジを着脱可能に挟持するため先端部同士を離して配置された２つの腕部と、２つの前記腕部を互いに弾性的に開閉可能に保つため前記腕部の基端部を連接する腕支持部と、前記フランジを前記腕部の間に誘導するため前記腕部の先端部に設けられた拡径形状のガイド部とを備え、
前記カバーが、前記腕部の外側にそれぞれ配置される腕カバー部と、前記腕カバー部同士を開閉可能に保つため前記腕カバー部の基端部を連接するカバー支持部と、前記ガイド部を前記腕部が開く方向に貫通させるため前記腕カバー部に開設された開口部または切欠部と、前記腕カバー部同士を連結するため前記腕カバー部に設けられた連結手段とを備え、前記連結手段により前記腕カバー部同士を連結した状態において、前記開口部から前記ガイド部の先端が突出することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月11日(2007.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面が親水性の無機微粒子が水性媒質中に分散した組成物において、上記無機微粒子が、少なくとも親水性のセグメントと、疎水性セグメントを後処理によって親水化したセグメントとを含有するポリビニルエーテル構造のブロック共重合体で被覆されていることを特徴とする水性の微粒子分散組成物。
【請求項２】
前記無機微粒子と前記ブロック共重合体とを非水媒質中に分散した後に、疎水性セグメントを親水化する請求項１に記載の水性の微粒子分散組成物。
【請求項３】
前記微粒子が、金属または金属化合物である請求項１に記載の水性の微粒子分散組成物。
【請求項４】
前記微粒子分散組成物を色材として含有していることを特徴とするインクジェットプリンター用インク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記本発明においては、前記無機微粒子と前記ブロック共重合体とを非水媒質中に分散した後に、疎水性セグメントを親水化することが好ましい。また、前記微粒子が金属または金属化合物であり得る。また、本発明は、前記微粒子分散組成物を色材として含有していることを特徴とするインクジェットプリンター用インクを提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月12日(2007.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
実施例３. 行動観察試験によるTGA40Sの行動異常に対する効果評価
実験群として、2〜3ヶ月齢雄性ICR系マウス５１匹を対照飼料群（２７匹）とTGA40S配合飼料群（24匹）の２群に分け、それぞれの群に、表１に示した対照飼料およびTGA40S配合飼料を与えた。さらに各群を、拘束をかけない非拘束群（非拘束-対照食群（９匹）、非拘束-ARA食群（12匹））と拘束をかける拘束群（拘束-対照食群（18匹）、拘束-ARA食群（12匹））に分けた。ワイヤーメッシュ拘束チューブによる拘束は、摂取開始から３週間後に１回、６時間だけ行った。その後も実験期間中は、それぞれの群に対して表１に示した対照飼料またはTGA40S配合飼料を与え続けた。なお、TGA40S配合飼料に使用したTGA40Sは実施例１で得たものを使用した。
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月18日(2007.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペプチド結合を有する高分子中において、構成元素として少なくとも金属元素と窒素とを含む蛍光体粒子の前記金属元素と、前記ペプチド結合を形成するアミド基が配位結合していることを特徴とする蛍光体。
【請求項２】
前記ペプチド結合を有する高分子は、６，６−ナイロン、６，１０−ナイロンまたは尿素樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の蛍光体。
【請求項３】
前記蛍光体粒子が、アルミニウム、ガリウム、インジウムまたはこれらのいずれか２種以上の混晶であるＩＩＩ族元素を含む、請求項１に記載の蛍光体。
【請求項４】
発光中心を有することを特徴とする請求項１に記載の蛍光体。
【請求項５】
蛍光体粒子の粒径がボーア半径の２倍以下であることを特徴とする請求項１に記載の蛍光体。
【請求項６】
金属元素を含む蛍光体粒子前駆体と、ジアミン類とを混合させる工程と、前記ジアミン類とペプチド結合を形成するジカルボン酸類をさらに混合し、ジアミン類とジカルボン酸類とを縮重合させてペプチド結合を有する高分子を合成する工程とを有する、蛍光体の製造方法。
【請求項７】
蛍光体粒子前駆体が、硝酸ガリウム、硝酸インジウム、硝酸アルミニウムから選ばれる少なくともいずれかを含有することを特徴とする請求項６に記載の蛍光体の製造方法。
【請求項８】
ジアミン類とジカルボン酸類との組み合わせが、ヘキサメチレンジアミンとアジピン酸ジクロリドもしくはセバシン酸ジクロリド、または尿素とホルムアルデヒドである、請求項６に記載の蛍光体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月4日(2007.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】繊維複合材料の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）一般式（１）または（２）で示される室温で液状の脂肪族エポキシ樹脂と、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）硬化剤とを少なくとも含むエポキシ樹脂組成物であって、
前記（Ｂ）エポキシ樹脂１００質量部に対して、（Ａ）液状の脂肪族エポキシ樹脂の配合量が０．５質量部〜１０質量部であり、離型剤が添加されていないエポキシ樹脂組成物と、
【化１】
2006083216.tif 000001
［上記式（１）において、ｎは整数値１〜９であり、式（２）において、ｍは整数値２〜６である］
補強材とをからなるプリプレグを
加熱したプレスで加熱加圧して、前記エポキシ樹脂組成物と硬化する繊維強化複合材料の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、（Ａ）一般式（１）または（２）で示される室温で液状の脂肪族エポキシ樹脂と、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）硬化剤とを少なくとも含むエポキシ樹脂組成物であって、
前記（Ｂ）エポキシ樹脂１００質量部に対して、（Ａ）液状の脂肪族エポキシ樹脂の配合量が０．５質量部〜１０質量部であり、離型剤が添加されていないエポキシ樹脂組成物と、
補強材とをからなるプリプレグを
加熱したプレスで加熱加圧して、前記エポキシ樹脂組成物と硬化する繊維強化複合材料の製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月6日(2007.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水溶性高分子（Ａ）と、下記一般式（１）で表されるＮ−オキシル化合物（Ｂ）からなることを特徴とする水溶性高分子組成物。
【化１】
2006083291.tif 000001
（式中、Ｒ1は、水酸基、カルボキシル基、炭素数１〜３のヒドロキシアルキル基もしく
は炭素数１〜３のヒドロキシアルコキシル基で置換されていてもよいメチレン基、直接結合またはカルボニル基、Ｒ2はＨまたはメチロール基、Ｒ3は炭素数１〜３のアルキル基を表し、複数のＲ3は同じでも異なっていてもよい。）
【請求項２】
（Ａ）の重量に基づく（Ｂ）の含有量が０．００１〜１０％である請求項１記載の組成物。
【請求項３】
（Ａ）と（Ｂ）の合計含有量が８０〜１００重量％である請求項１または２記載の組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか記載の組成物からなる原油回収用薬剤または高分子凝集剤。
【請求項５】
水溶性高分子（Ａ）の水溶液に下記一般式（１）で表されるＮ−オキシル化合物（Ｂ）を加えるか、あるいは（Ａ）に（Ｂ）を加えた水溶性高分子組成物を水溶液とすることを特徴とする（Ａ）の水溶液の安定化方法。
【化２】
2006083291.tif 000002
（式中、Ｒ1は、水酸基、カルボキシル基、炭素数１〜３のヒドロキシアルキル基もしく
は炭素数１〜３のヒドロキシアルコキシル基で置換されていてもよいメチレン基、直接結合またはカルボニル基、Ｒ2はＨまたはメチロール基、Ｒ3は炭素数１〜３のアルキル基を表し、複数のＲ3は同じでも異なっていてもよい。）
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月27日(2007.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性ポリエステル（Ａ）、および−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ−の構造を有する化合物（Ｂ）を含み、かつ下記の（ａ）〜（ｄ）を満足する熱可塑性接着剤組成物。
（ａ）結晶性ポリエステル（Ａ）の融点が６０℃〜１５０℃であり、かつガラス転移温度が−１００℃〜３０℃である
（ｂ）結晶性ポリエステル（Ａ）１００重量部に対し、−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ−の構造を有する化合物（Ｂ）が０．０５〜１０重量部である
（ｃ）熱可塑性接着剤組成物の酸価が３０当量／ｔｏｎ未満である
（ｄ）（熱可塑性接着剤組成物の還元粘度）／（結晶性ポリエステル（Ａ）の還元粘度）＝１．０１〜１．５０である
【請求項２】
結晶性ポリエステル（Ａ）、−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ−の構造を有する化合物（Ｂ）および少なくとも１．１個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂(Ｃ) を含み、かつ下記の（ａ）〜（ｃ）を満足する熱可塑性接着剤組成物。
（ａ）結晶性ポリエステル（Ａ）の融点が６０℃〜１５０℃であり、かつガラス転移温度が−１００℃〜３０℃である
（ｂ）結晶性ポリエステル（Ａ）１００重量部に対し、−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ−の構造を有する化合物（Ｂ）が０．０５〜１０重量部、少なくとも１．１個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂(Ｃ)が０．１〜８０重量部である
（ｃ）熱可塑性接着剤組成物の酸価が３０当量／ｔｏｎ未満である
【請求項３】
化合物（Ｂ）が、−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ−の構造を一分子中に少なくとも２つ以上含有することを特徴とする請求項１または２に記載の熱可塑性接着剤組成物。
【請求項４】
化合物（Ｂ）の分子末端の少なくとも一つ以上がイソシアネート基であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の熱可塑性接着剤組成物。
【請求項５】
さらにポリオレフィン（Ｄ）を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の熱可塑性接着剤組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の熱可塑性接着剤組成物を用いた積層体。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれかに記載の熱可塑性接着剤組成物を用いたフレキシブルフラットケーブル。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれかに記載の熱可塑性接着剤組成物を用いたフレキシブルプリント配線基板。
【請求項９】
請求項１〜５のいずれかに記載の熱可塑性接着剤組成物を用いた自動車部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第１の態様は、結晶性ポリエステル（Ａ）、および−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ−の構造を有する化合物（Ｂ）を含み、かつ下記の（ａ）〜（ｄ）を満足する熱可塑性接着剤組成物である。
（ａ）結晶性ポリエステル（Ａ）の融点が６０℃〜１５０℃であり、かつガラス転移温度が−１００℃〜３０℃である
（ｂ）結晶性ポリエステル（Ａ）１００重量部に対し、−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ−の構造を有する化合物（Ｂ）が０．０５〜１０重量部である
（ｃ）熱可塑性接着剤組成物の酸価が３０当量／ｔｏｎ未満である
（ｄ）（熱可塑性接着剤組成物の還元粘度）／（結晶性ポリエステル（Ａ）の還元粘度）＝１．０１〜１．５０である
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第２の態様は、結晶性ポリエステル（Ａ）、−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ−の構造を有する化合物（Ｂ）および少なくとも１．１個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂(Ｃ)を含み、かつ下記の（ａ）〜（ｃ）を満足する熱可塑性接着剤組成物である。
（ａ）結晶性ポリエステル（Ａ）の融点が６０℃〜１５０℃であり、かつガラス転移温度が−１００℃〜３０℃である
（ｂ）結晶性ポリエステル（Ａ）１００重量部に対し、−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ−の構造を有する化合物（Ｂ）が０．０５〜１０重量部、少なくとも１．１個以上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂(Ｃ)が０．１〜８０重量部である
（ｃ）熱可塑性接着剤組成物の酸価が３０当量／ｔｏｎ未満である
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月6日(2007.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂（Ａ）とフィラー（Ｂ）の合計量に対し、熱可塑性樹脂（Ａ）成分２〜５０重量％およびフィラー（Ｂ）成分９８〜５０重量％を含有してなり、レーザーフラッシュ法で測定した熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする色光合成光学系部品用樹脂組成物。
【請求項２】
フィラー（Ｂ）成分の２０重量％以上が熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導性フィラーであることを特徴とする請求項１記載の色光合成光学系部品用樹脂組成物。
【請求項３】
（ａ）熱可塑性樹脂が液晶ポリマーおよびポリアリーレンスルフィド樹脂から選ばれた少なくとも１種である請求項１または２記載の色光合成光学系部品用樹脂組成物。
【請求項４】
さらに（ｃ）脂肪酸金属塩、エステル系化合物、アミド基含有化合物、エポキシ系化合物、リン酸エステルのいずれか１種以上の添加剤を（Ａ）および（Ｂ）の合計量１００重量部に対して０〜１０重量部添加してなる請求項１〜３のいずれか記載の色光合成光学系部品用樹脂組成物。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか記載の色光合成光学系部品用樹脂組成物を溶融成形してなる色光合成光学系部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち本発明は、
（１）熱可塑性樹脂（Ａ）とフィラー（Ｂ）の合計量に対し、熱可塑性樹脂（Ａ）成分２〜５０重量％およびフィラー（Ｂ）成分９８〜５０重量％を含有してなり、レーザーフラッシュ法で測定した熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする色光合成光学系部品用樹脂組成物、
（２）フィラー（Ｂ）成分の２０重量％以上が熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導性フィラーであることを特徴とする請求項１記載の色光合成光学系部品用樹脂組成物、
（３）（ａ）熱可塑性樹脂が液晶ポリマーおよびポリアリーレンスルフィド樹脂から選ばれた少なくとも１種である（１）または（２）記載の色光合成光学系部品用樹脂組成物、
（４）さらに（ｃ）脂肪酸金属塩、エステル系化合物、アミド基含有化合物、エポキシ系化合物、リン酸エステルのいずれか１種以上の添加剤を（Ａ）および（Ｂ）の合計量１００重量部に対して０〜１０重量部添加してなる（１）〜（３）のいずれか記載の色光合成光学系部品用樹脂組成物、および
（５）（１）〜（４）いずれか記載の色光合成光学系部品用樹脂組成物を溶融成形してなる色光合成光学系部品である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
本発明においてフィラーの添加量は、本発明で規定する熱伝導率を満たす限り特に制限はなく、また用いるフィラーの種類によっても異なるが、用いるフィラーの特性を発揮し、かつ溶融加工性とのバランスの点から、熱可塑性樹脂（Ａ）とフィラー（Ｂ）の合計量１００重量％に対し、熱可塑性樹脂（Ａ）２〜５０重量％、フィラー（Ｂ）９８〜５０重量％である必要があり、熱可塑性樹脂（Ａ）１０〜３０重量％、フィラー（Ｂ）９０〜７０重量％であることがより好ましく、熱可塑性樹脂（Ａ）１５〜３５重量％、フィラー（Ｂ）８５〜６５重量％であることが特に好ましく、熱可塑性樹脂（Ａ）１５〜２８重量％、フィラー（Ｂ）８５〜７２重量％であることが最も好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月25日(2007.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にロジック部と複数の単位メモリセルより構成されたメモリ部と前記ロジック部及び前記メモリ部に供給される電圧より大きい電圧が供給される高耐圧部とを有する半導体記憶装置において、
前記単位メモリセルは、ソースまたはドレインの一方がビット線に、他方が電荷蓄積ノードに接続された前記電荷蓄積ノードに対して電荷の出し入れを行う書込みトランジスタと、
前記書込みトランジスタによって電荷蓄積ノードに対して出し入れされた蓄積電荷量に依存して、そのソースおよびドレイン間に設けられたチャネル領域のコンダクタンスが変調される読出しトランジスタと、の少なくとも２つのトランジスタからなり、
前記読出しトランジスタは、前記ロジック部のトランジスタよりも厚いゲート絶縁膜を有し、
前記ソースまたはドレインの一部を形成する高濃度不純物拡散領域に隣接して設けられた前記読出しトランジスタのゲート長を決定する拡散層は、前記高耐圧部を構成するトランジスタのゲート長を決定する拡散層より接合深さが浅く、その不純物濃度が高いことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
半導体基板上にロジック部と複数の単位メモリセルより構成されたメモリ部と前記ロジック部及び前記メモリ部に供給される電圧より大きい電圧が供給される高耐圧部とを有する半導体記憶装置において、
前記単位メモリセルは、ソースまたはドレインの一方がビット線に、他方が電荷蓄積ノードに接続された前記電荷蓄積ノードに対して電荷の出し入れを行う書込みトランジスタと、
前記書込みトランジスタによって電荷蓄積ノードに対して出し入れされた蓄積電荷量に依存してそのソースおよびドレイン間に設けられたチャネル領域のコンダクタンスが変調される読出しトランジスタと、
前記読出しトランジスタと直列に接続され、そのゲート電極がメモリセル選択用のワード線に接続された選択トランジスタと、の３つのトランジスタからなり、
前記読出しトランジスタ及び選択トランジスタは、前記ロジック部を構成するトランジスタよりも厚いゲート絶縁膜を有し、
前記ソースまたはドレインの一部領域を形成する高濃度不純物拡散領域に隣接して設けられた前記読出しトランジスタのゲート長を決定する拡散層は、前記高耐圧部を構成するトランジスタのゲート長を決定する拡散層より接合深さが浅く、その不純物濃度が大きいことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３】
前記読出しトランジスタは、前記選択トランジスタよりも長いゲート長を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記選択トランジスタと前記読出しトランジスタとは、異なるしきい電圧を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記選択トランジスタのゲート電極表面はシリサイド化され、前記読出しトランジスタのゲート電極表面はシリサイド化されていないことを特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記選択トランジスタおよび前記読出しトランジスタのそれぞれのゲート電極の両側壁に形成されたサイドウオールを有し、
前記サイドウオールの下方に位置する前記半導体基板内にゲート長を決定する拡散層が形成され、
前記選択トランジスタのゲート長を決定する拡散層のいずれか一方に、前記ゲート長を決定する拡散層に比べて高濃度の不純物が導入された拡散層領域が隣接して設けられていることを特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
前記書込みトランジスタのチャネル領域が厚さ5nm以下のシリコンよりなることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
前記書込みトランジスタのチャネル領域が厚さ5nm以下のシリコンよりなることを特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項９】
前記書込みトランジスタのチャネル領域が厚さ5nm以下のシリコンよりなることを特徴とする請求項３に記載の半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記書込みトランジスタのチャネル領域が厚さ5nm以下のシリコンよりなることを特徴とする請求項４に記載の半導体記憶装置。
【請求項１１】
前記書込みトランジスタのチャネル領域が厚さ5nm以下のシリコンよりなることを特徴とする請求項５に記載の半導体記憶装置。
【請求項１２】
前記書込みトランジスタのチャネル領域が厚さ5nm以下のシリコンよりなることを特徴とする請求項６に記載の半導体記憶装置。
【請求項１３】
前記書込みトランジスタのチャネル領域がアモルファスシリコンよりなることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項１４】
前記書込みトランジスタのチャネル領域がアモルファスシリコンよりなることを特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項１５】
前記書込みトランジスタのチャネル領域がアモルファスシリコンよりなることを特徴とする請求項３に記載の半導体記憶装置。
【請求項１６】
前記書込みトランジスタのゲート電極が金属よりなることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項１７】
前記書込みトランジスタのゲート電極が金属よりなることを特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項１８】
前記書込みトランジスタのソースまたはドレインの少なくとも一方が金属よりなることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項１９】
前記書込みトランジスタのソースまたはドレインの少なくとも一方が金属よりなることを特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月7日(2007.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
バースト・パターンは、図４（ｂ）に示すように、トラック中心をＴｃ、トラック境界をＴｂ、トラック幅をＴｗとしたとき、バーストＡは、一のトラックの一方のトラック境界Ｔｂ上に記録され、バーストＢは当該一のトラックの他方のトラック境界Ｔｂ上に記録された信号である。また、バーストＣ、バーストＤは、１つのトラック内であって、奇数トラック又は偶数トラックにそれぞれ記録された信号である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月25日(2007.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
記録媒体の再生を行うための光ピックアップ装置であって、
対物レンズをフォーカス方向およびトラッキング方向に移動駆動可能なアクチュエータと、
前記アクチュエータを支持するベースフレームとを有し、
前記ベースフレームには、該ベースフレームに支持される前記アクチュエータのディスクと対面する面の少なくとも一部を覆うカバー体が、一体に形成されて成ることを特徴とする光ピックアップ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、記録媒体の再生を行うための光ピックアップ装置であって、
対物レンズをフォーカス方向およびトラッキング方向に移動駆動可能なアクチュエータと、
前記アクチュエータを支持するベースフレームとを有し、
前記ベースフレームには、該ベースフレームに支持される前記アクチュエータのディスクと対面する面の少なくとも一部を覆うカバー体が、一体に形成されて成ることを特徴とする光ピックアップ装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に従えば、アクチュエータは、対物レンズをフォーカス方向およびトラッキング方向に移動駆動させる。前記ベースフレームには、対物レンズおよび前記アクチュエータが支持されている。前記ベースフレームには、カバー体が一体に形成されて成る。このカバー体は、前記アクチュエータのディスクと対面する面の少なくとも一部を覆うように配設されている。このようにカバー体とベースフレームとが一体に形成されて成るので、従来のようにカバー体とベースフレームとが別体構造のものより、装置全体の部品点数を低減することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明によれば、前記ベースフレームには、カバー体が一体に形成されて成る。このカバー体は、前記アクチュエータのディスクと対面する面の少なくとも一部を覆うように配設されている。このようにカバー体とベースフレームとが一体に形成されて成るので、従来のようにカバー体とベースフレームとが別体構造のものより、装置全体の部品点数を低減することができる。これによって光ピックアップ装置の構造を簡単化することができ、製作コストの低減を図ることが可能となる。また前記カバー体によって、ほこりおよび異物がアクチュエータに付着することを極力防止することが可能となる。しかも本発明に従えば、前記従来の別体構造のように、ベースフレームに対するカバー体の取付け誤差を考慮する必要がない。換言すれば、ベースフレーム本体に対するカバー体の製作誤差は、前記従来の取付け誤差よりも格段に小さくし得る。したがって記録媒体とカバー体とのクリアランスを、従来の別体構造のものより小さくすることができ、機器の薄形化を実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月25日(2007.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層の製造方法であって、
シード基板上に分離層をヘテロエピタキシャル成長させる分離層形成工程と、
前記分離層上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層形成工程を経て形成される複合部材から前記分離層を利用して前記半導体層を分離する分離工程と、
を含むことを特徴とする半導体層の製造方法。
【請求項２】
前記分離層形成工程では、前記分離層として、前記分離層の内部、及び／又は、前記分離層と前記半導体層との界面、及び／又は、前記分離層と前記シード基板との界面に歪エネルギーを発生させることができる層を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体層の製造方法。
【請求項３】
前記分離層形成工程では、格子定数及び／又は熱膨張係数が前記シード基板と異なる材料で前記分離層を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体層の製造方法。
【請求項４】
前記分離工程では、前記複合部材に力を印加することにより前記複合部材から前記半導体層を分離することを特徴とする請求項１に記載の半導体層の製造方法。
【請求項５】
前記シード基板は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｇｅ、Ｓｉからなるグループから選択されるいずれかの材料により構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の半導体層の製造方法。
【請求項６】
前記分離層形成工程では、化合物半導体により構成される分離層を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体層の製造方法。
【請求項７】
前記分離層形成工程では、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰからなるグループから選択されるいずれかの材料により構成される分離層を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体層の製造方法。
【請求項８】
前記半導体層形成工程では、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰからなるグループから選択されるいずれかの材料により構成される半導体層を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の半導体層の製造方法。
【請求項９】
前記シード基板と前記分離層との間に、前記シード基板及び前記分離層に対して選択的にエッチングが可能な材料で分離補助層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の半導体層の製造方法。
【請求項１０】
前記シード基板と前記分離層との間に分離補助層を形成する工程を更に含み、前記分離補助層は、それに接する層よりもＡｌを多く含んでいることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の半導体層の製造方法。
【請求項１１】
前記シード基板と前記分離層との間において分離補助層を形成する工程を更に含み、前記分離補助層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ＞０．９５）を満足する材料で構成されることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の半導体層の製造方法。
【請求項１２】
前記分離工程の前において前記分離補助層の周辺部をエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項９乃至請求項１１のいずれか１項に記載の半導体層の製造方法。
【請求項１３】
前記半導体層形成工程の後であって前記分離工程の前において、前記分離層及び前記半導体層が形成された前記シード基板を、前記分離層を内側にして、ハンドル基板に接合する接合工程を更に含み、
前記分離工程では、前記接合工程を経て形成される複合部材から、前記分離層を利用して、前記ハンドル基板とともに前記半導体層を分離することを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の半導体層の製造方法。
【請求項１４】
前記分離工程の後に残るシード基板を原料として前記分離層形成工程及びその後の工程を更に実施して更に半導体層を製造することを特徴とする請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の半導体層の製造方法。
【請求項１５】
半導体層を有する基板の製造方法であって、
シード基板上に分離層をヘテロエピタキシャル成長させる分離層形成工程と、
前記分離層上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記分離層及び前記半導体層が形成された前記シード基板を、前記分離層を内側にして、ハンドル基板に接合する接合工程と、
前記接合工程を経て形成される複合部材から、前記分離層を利用して、前記ハンドル基板とともに前記半導体層を分離して、前記ハンドル基板上に前記半導体層を有する基板を得る分離工程と、
を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１６】
前記半導体層に半導体素子を形成する素子形成工程を含み、該半導体素子が、発光ダイオード又はレーザーを含むことを特徴とする請求項１５に記載の基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月23日(2007.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部及び接続領域において、
前記画素部にゲート電極を形成し、
前記画素部及び前記接続領域に渡って、前記ゲート電極を覆うように、第１の絶縁膜を形成し、
前記画素部及び前記接続領域に渡って、前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記画素部を覆う第１のマスクを用いて、前記接続領域の前記第２の絶縁膜を前記第１の絶縁膜が露出するようにエッチングして、広面積な第１の開口部を形成し、
前記接続領域全面を覆い、且つ前記画素部上に第２の開口部が設けられた第２のマスクを用いて、前記画素部の前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜をエッチングして微細な第３の開口部を形成する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
画素部及び接続領域において、
前記画素部にゲート電極を形成し、
前記画素部及び前記接続領域に渡って、前記ゲート電極を覆うように、第１の絶縁膜を形成し、
前記画素部及び前記接続領域に渡って、前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記画素部を覆う第１のマスクを用いて、前記接続領域の前記第２の絶縁膜を前記第１の絶縁膜が露出するようにエッチングして、広面積な第１の開口部を形成し、
前記接続領域全面を覆い、前記第１の開口部上は開口し、且つ前記画素部上に第２の開口部が設けられた第２のマスクを用いて、前記第１の開口部をエッチングし、且つ前記画素部の前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜をエッチングして微細な第３の開口部を形成する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
画素部及び接続領域において、
前記画素部にゲート電極を形成し、
前記画素部及び前記接続領域に渡って、前記ゲート電極を覆うように、第１の絶縁膜を形成し、
前記画素部及び前記接続領域に渡って、前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記画素部を覆う第１のマスクを用いて、前記接続領域の前記第２の絶縁膜を前記第１の絶縁膜が露出するようにエッチングして、広面積な第１の開口部を形成し、
前記接続領域全面を覆い、前記第１の開口部上は開口し、且つ前記画素部上に第２の開口部が設けられた第２のマスクを用いて、前記第１の開口部の深さが増すようにエッチングし、同時に前記画素部の前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜をエッチングして微細な第３の開口部を形成する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
画素部及び接続領域において、
前記画素部にゲート電極を形成し、
前記画素部及び前記接続領域に渡って、前記ゲート電極を覆うように、第１の絶縁膜を形成し、
前記画素部及び前記接続領域に渡って、前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に設けられた開口部に、導電膜を形成し、
前記導電膜を覆うように、第３の絶縁膜を形成し、
前記画素部を覆う第１のマスクを用いて、前記接続領域の前記第３の絶縁膜を前記第１の絶縁膜が露出するようにエッチングして、広面積な第１の開口部を形成し、
前記接続領域全面を覆い、且つ前記画素部上に第２の開口部が設けられた第２のマスクを用いて、前記画素部の前記第３の絶縁膜をエッチングして微細な第３の開口部を形成する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項５】
画素部及び接続領域において、
前記画素部にゲート電極を形成し、
前記画素部及び前記接続領域に渡って、前記ゲート電極を覆うように、第１の絶縁膜を形成し、
前記画素部及び前記接続領域に渡って、前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に設けられた開口部に、導電膜を形成し、
前記導電膜を覆うように、第３の絶縁膜を形成し、
前記画素部を覆う第１のマスクを用いて、前記接続領域に設けられた前記第３の絶縁膜を前記第１の絶縁膜が露出するようにエッチングして、広面積な第１の開口部を形成し、
前記接続領域全面を覆い、前記第１の開口部上は開口し、且つ前記画素部上に第２の開口部が設けられた第２のマスクを用いて、前記第１の開口部をエッチングし、且つ前記画素部の前記第３の絶縁膜をエッチングして微細な第３の開口部を形成する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項６】
画素部及び接続領域において、
前記画素部にゲート電極を形成し、
前記画素部及び前記接続領域に渡って、前記ゲート電極を覆うように、第１の絶縁膜を形成し、
前記画素部及び前記接続領域に渡って、前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に設けられた開口部に、導電膜を形成し、
前記導電膜を覆うように、第３の絶縁膜を形成し、
前記画素部を覆う第１のマスクを用いて、前記接続領域の前記第３の絶縁膜を前記第１の絶縁膜が露出するようにエッチングして、広面積な第１の開口部を形成し、
前記接続領域全面を覆い、前記第１の開口部上は開口し、且つ前記画素部上に第２の開口部が設けられた第２のマスクを用いて、前記第１の開口部の深さが増すようにエッチングし、同時に前記画素部の前記第３の絶縁膜をエッチングして微細な第３の開口部を形成する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記広面積な第１の開口部には、接続端子を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記微細な第３の開口部には、画素電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一に記載の方法により形成された薄膜トランジスタを有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月18日(2007.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路チップの製造方法であって、
第１面及び第２面を有し、前記第１面側に集積回路を含む半導体領域を有する半導体基板の前記第１面に第１支持部材を結合させる第１結合工程と、
前記第１支持部材に結合された前記半導体基板の前記第２面側の部分を前記半導体領域が残るように除去して前記半導体基板を薄化する薄化工程と、
薄化後の前記半導体基板の前記第２面側に第２支持部材を結合させる第２結合工程と、
前記半導体領域を切断してチップ化するチップ化工程とを含み、
前記チップ化工程では、前記半導体領域を前記第１支持部材及び前記第２支持部材と共に切断してチップ化することを特徴とする集積回路チップの製造方法。
【請求項２】
前記チップ化工程の後に、チップ化された前記半導体領域から前記第１支持部材を剥離する剥離工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の集積回路チップの製造方法。
【請求項３】
集積回路チップの製造方法であって、
第１面及び第２面を有し、前記第１面側に集積回路を含む半導体領域を有する半導体基板の前記第１面に第１支持部材を結合させる第１結合工程と、
前記第１支持部材に結合された前記半導体基板の前記第２面側の部分を前記半導体領域が残るように除去して前記半導体基板を薄化する薄化工程と、
薄化後の前記半導体基板の前記第２面側に第２支持部材を結合させる第２結合工程と、
前記半導体領域を切断してチップ化するチップ化工程とを含み、
前記半導体基板は、前記半導体領域の下に分離層を有し、
前記薄化工程では、前記第１支持部材に結合された前記半導体基板を前記分離層を利用して分割することにより前記半導体基板の前記第２面側の部分を除去する、
ことを特徴とする集積回路チップの製造方法。
【請求項４】
前記分離層は、陽極化成又はイオン注入によって形成されることを特徴とする請求項３に記載の集積回路チップの製造方法。
【請求項５】
前記薄化工程で除去された部分を前記半導体基板の材料として再使用することを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の集積回路チップの製造方法。
【請求項６】
チップ化された半導体領域をパッケージングする工程を更に含むことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の集積回路チップの製造方法。
【請求項７】
前記第１支持部材は、プラスチック、ガラス、セラミック、金属、半導体からなるグループから選択されるいずれかの材料で構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の集積回路チップの製造方法。
【請求項８】
前記第２支持部材は、前記半導体基板よりも高い熱伝導率を有する部材で構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の集積回路チップの製造方法。
【請求項９】
前記第２結合工程では、薄化後の前記半導体領域と前記第２支持部材とを導電性を有する部材によって結合することを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の集積回路チップの製造方法。
【請求項１０】
前記半導体領域は、シリコン、ゲルマニウム、化合物半導体からなるグループから選択されるいずれかの材料で構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の集積回路チップの製造方法。
【請求項１１】
前記第２支持部材は、光透過性部材であることを特徴とする請求項１乃至請求項７及び請求項１０のいずれか１項に記載の集積回路チップの製造方法。
【請求項１２】
前記第２結合工程では、薄化後の前記半導体領域と前記第２支持部材とを光透過性を有する部材によって結合することを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の集積回路チップの製造方法。
【請求項１３】
半導体装置であって、
集積回路チップと、
前記集積回路の１つの面に結合された光透過性の支持部材と、
をパッケージングして構成され、前記集積回路チップと前記支持部材とが略同一の大きさを有する、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
前記集積回路チップ及び前記支持部材は、複数の集積回路チップを有する半導体基板と前記半導体基板に結合された支持部材とを共に切断して得られたものであることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月25日(2007.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底面の四隅近傍に高さ調整を行なうレグアジャスタを有する設備において、前記レグアジャスタに螺挿されたナットにより固定して設けたブラケット部と、
該ブラケット部間に架渡され、前記ブラケット部に着脱可能な、筐体底部と設置面との隙間を塞ぐ塞ぎ板と、
を備えたことを特徴とする設備の下部塞ぎ板取付け構造。
【請求項２】
前記ブラケット部と前記塞ぎ板は互いにマグネットにより脱着可能としたことを特徴とする請求項１の設備の下部塞ぎ板取付け構造。
【請求項３】
前記塞ぎ板が左右の側板と前板とに分割可能で、前記左右の側板が一部前側まで回り込んでおり、前記前板を前記左右の側板に架け渡し脱着可能としたことを特徴とする請求項1記載の設備の下部塞ぎ板取付け構造。
【請求項４】
前側のブラケット部間に前板を取付け、該前板端は一部筐体の側面に回り込んでおり、側板は一部側面に回り込んだ前記前板端と後側のブラケット間に取付けたことを特徴とする請求項1記載の設備の下部塞ぎ板取付け構造。
【請求項５】
塞ぎ板に窓部を設け、該窓部に透光性部材を交換可能に設け、該透光性部材の裏側に照明装置を設けたことを特徴とする請求項１乃至４いずれか1項記載の設備の下部塞ぎ板取付け構造。
【請求項６】
底面の四隅近傍に高さ調整を行なうレグアジャスタを有する設備において、筐体の底部を鉄製とし、少なくとも筐体の正面幅を有し、高さが略通常のレグアジャスタの高さ寸法である軟質樹脂製の帯体に複数のマグネット面を側辺側に向けて設けたことを特徴とする設備の下部塞ぎ板取付け板構造。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月18日(2007.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動体と、複数の基準体とを備えた位置検出装置であって、
前記基準体は、
起測信号を受信する起測信号受信部と、
前記起測信号を受けて個別反応信号を送信する個別反応信号送信部と、を有し、
前記移動体は、
前記起測信号を前記複数の基準体に送信する起測信号送信部と、
前記複数の基準体からの個別反応信号を受信する個別反応信号受信部と、
前記起測信号の送信から前記個別反応信号の受信までの時間を計測し、当該時間より得られる前記基準体から前記移動体までの距離に基づいて、前記移動体の位置を取得する位置取得手段と、を有することを特徴とする位置検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の位置検出装置において、
前記起測信号は、音波の信号および光の信号のうちの何れか一方の信号であって、前記個別反応信号は、前記音波の信号および前記光の信号のうちの他方の信号であることを特徴とする位置検出装置。
【請求項３】
請求項１記載の位置検出装置において、
前記起測信号は音波の信号、前記個別反応信号は光の信号であって、前記複数の基準体は、これら複数の基準体間で、前記個別反応信号送信部を共用することを特徴とする位置検出装置。
【請求項４】
請求項１記載の位置検出装置において、
前記起測信号は光の信号、前記個別反応信号は音波の信号であって、前記複数の基準体は、これら複数の基準体間で、前記起測信号受信部を共用することを特徴とする位置検出装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の位置検出装置において、
前記位置取得手段は、前記起測信号を送信してから前記個別反応信号を受信するまでの所要時間を計測する時間計測手段と、
前記所要時間に基づいて、前記複数の基準体からの距離をそれぞれ算出する距離算出手段と、
前記複数の基準体からの距離、および前記複数の基準体の間の距離に基づいて、前記移動体の位置を算出する位置算出手段とを備えることを特徴とする位置検出装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の位置検出装置において、
前記基準体は、前記個別反応信号の送信を、前記起測信号を受信してから前記複数の基準体毎に異なる所定の時間遅らせる遅延手段を備えることを特徴とする位置検出装置。
【請求項７】
請求項６に記載の位置検出装置において、
前記位置取得手段は、前記所定の時間を含んだ前記所要時間の長さから、前記複数の基準体を識別する基準体識別手段を備えることを特徴とする位置検出装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の位置検出装置において、
前記起測信号送信部は、前記起測信号を、所定の間隔で断続的に送信することを特徴とする位置検出装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の位置検出装置において、
前記移動体は、接触を検出する接触検出手段を備えることを特徴とする位置検出装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の位置検出装置において、
前記移動体は、前記接触検出手段が接触を検出することで前記起測信号の送信を開始することを特徴とする位置検出装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０の何れか１項に記載の位置検出装置において、
前記複数の基準体を有する基体を複数備え、
前記個別反応信号送信部は、当該個別反応信号送信部が属する基体を特定する識別情報を前記個別反応信号に付加する識別情報付加手段を有し、
前記移動体は、前記識別情報で特定される基体を、当該移動体が現時点で存在する基体として特定する基体特定手段を備えることを特徴とする位置検出装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項１０の何れか１項に記載の位置検出装置において、
前記複数の基準体を有する基体を複数備え、
前記個別反応信号送信部は、当該個別反応信号送信部が属する基体を特定する予め設定した識別情報を受信したとき前記個別反応信号を送信し、
前記起測信号送信部は、前記個別反応信号を受信するまでの間、前記識別情報を順次更新して前記起測信号に付加する識別情報付加手段を有し、
前記移動体は、前記個別反応信号を受信したときに、当該個別反応信号に対応する起測信号に付加した識別情報で特定される基体を、当該移動体が現時点で存在する基体として特定する基体特定手段を備えることを特徴とする位置検出装置。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の位置検出装置を備え、
表示手段に割りつけられた複数の指示領域に対応する情報を表示するようにした情報端末装置であって、
前記移動体は、
前記指示領域の前記表示手段上での表示位置と当該表示位置に割りつけられた指示領域との対応を管理する管理手段と、
前記位置検出装置で検出された前記移動体の位置から、前記管理手段での管理情報に基づき、指示された指示領域を特定し、特定した指示領域に割りつけられた情報を生成する指定情報生成手段と、
前記指示領域を表示する指示画面及び前記指定情報生成手段で生成した指定情報を、前記表示手段で表示する表示データを生成し、これを送信する表示データ送信部と、を備え、
前記表示手段は、
前記表示データ送信部で送信される表示データを受信する表示データ受信部を備え、
当該表示データ受信部で受信した表示データを表示するようになっていることを特徴とする情報端末装置。