Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月19日(2008.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】式（Ｉ）
【化１】
2003524004.tif 000001
［式中、
Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3及びＧ4は互いに独立して炭素原子数１ないし１８のアルキル基又は炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基を表わすか又は基Ｇ1及びＧ2と基Ｇ3及びＧ4は互いに独立してそれらが結合している炭素原子と一緒になって炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基を形成し；
Ｒは水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、オキシル基、−ＯＨ、−ＣＨ2ＣＮ、炭素原子数３ないし６のアルケニル基、炭素原子数３ないし８のアルキニル基、非置換の又はフェニル基において炭素原子数１ないし４のアルキル基及び／又は炭素原子数１ないし４のアルコキシ基により置換された炭素原子数７ないし１２のフェニルアルキル基；炭素原子数１ないし８のアシル基、炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基、炭素原子数１ないし１８のヒドロキシアルコキシ基、炭素原子数２ないし１８のアルケニルオキシ基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルコキシ基、非置換の又はフェニル基において炭素原子数１ないし４のアルキル基及び／又は炭素原子数１ないし４のアルコキシ基により置換された炭素原子数７ないし１２のフェニルアルコキシ基；炭素原子数１ないし１８のアルカノイルオキシ基、（炭素原子数１ないし１８のアルコキシ）カルボニル基、グリシジル基、又はＧが水素原子、メチル基又はフェニル基である基−ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）（Ｇ）を表し；
ｎは１、２、３又は４であり；および
Ｘはｎに等しい価の有機基を表すが、但しＸはメチル基およびエトキシカルボニル基とは異なり；および
ｎが２、３又は４の場合、基Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3、Ｇ4及びＲの各々は式
【化２】
2003524004.tif 000002
で表される単位において同じであるか又は異なった意味を表し得る。］で表される化合物。
【請求項２】光、熱又は酸化により誘発される分解を受けやすい有機材料及び式（ＩＡ）
【化３】
2003524004.tif 000003
［式中、
Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3及びＧ4は互いに独立して炭素原子数１ないし１８のアルキル基又は炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基を表わすか又は基Ｇ1及びＧ2と基Ｇ3及びＧ4は互いに独立してそれらが結合している炭素原子と一緒になって炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基を形成し；
Ｒは水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、オキシル基、−ＯＨ、−ＣＨ2ＣＮ、炭素原子数３ないし６のアルケニル基、炭素原子数３ないし８のアルキニル基、非置換の又はフェニル基において炭素原子数１ないし４のアルキル基及び／又は炭素原子数１ないし４のアルコキシ基により置換された炭素原子数７ないし１２のフェニルアルキル基；炭素原子数１ないし８のアシル基、炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基、炭素原子数１ないし１８のヒドロキシアルコキシ基、炭素原子数２ないし１８のアルケニルオキシ基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルコキシ基、非置換の又はフェニル基において炭素原子数１ないし４のアルキル基及び／又は炭素原子数１ないし４のアルコキシ基により置換された炭素原子数７ないし１２のフェニルアルコキシ基；炭素原子数１ないし１８のアルカノイルオキシ基、（炭素原子数１ないし１８のアルコキシ）カルボニル基、グリシジル基又はＧが水素原子、メチル基又はフェニル基である基−ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）（Ｇ）を表し；
ｎは１、２、３又は４であり；および
Ｘはｎに等しい価の有機基を表し、；および
ｎが２、３又は４の場合、基Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3、Ｇ4及びＲの各々は式
【化４】
2003524004.tif 000004
で表される単位において同じであるか又は異なった意味を表し、但し式
【化５】
2003524004.tif 000005
で表される化合物を含む写真材料は含まない］の化合物の少なくとも１つを含む組成物。
【請求項３】請求項２で定義された通りの式（ＩＡ）で表される化合物を含む塗料。
【請求項４】請求項２で定義された通りの式（ＩＡ）で表される化合物（但し、式
【化６】
2003524004.tif 000006
で表される化合物は含まない。）を含む記録材料。
【請求項５】光、熱又は酸化により誘発される分解に対して有機材料を安定化する方法であって、前記有機材料に少なくとも１つの請求項２で定義された式（ＩＡ）で表される化合物を配合することからなり、但し、有機材料が写真材料である場合、式（ＩＡ）の化合物は次式
【化７】
2003524004.tif 000007
とは異なるところの方法。
【請求項６】請求項２で定義された式（ＩＡ）の化合物を調製するための方法であって、式（Ｓ−１）
【化８】
2003524004.tif 000008
［式中、Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3、Ｇ4およびＲは請求項２で定義した通りのものを表す。］で表される化合物と式（Ｓ−２）
【化９】
2003524004.tif 000009
［式中、ＮおよびＸは請求項２で定義した通りであり、およびＨＡＬはハロゲン原子を表す。］で表される化合物を不活性有機溶媒中、塩基不存在下で反応させることからなる方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年4月16日(2008.4.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モデル予測制御アプリケーションにおいて用いられる方法であって、
複数の独立して制御可能な操作変数のそれぞれの値を個別に変化させて、上記操作変数の変化によって引き起こされる上記操作変数に従属した少なくとも１つの被制御変数に対する影響を測定するステップと、
上記操作変数の変化によって引き起こされる上記被制御変数に対する影響を用いて、上記少なくとも１つの被制御変数を上記操作変数に関連付けたステップ応答モデル又は有限インパルスモデルの何れかである第１の線形化されたダイナミックモデルを生成するステップと、
行列の基本変形により、上記第１の線形化されたダイナミックモデルにおいて、選択されたバルブ位置についての上記被制御変数を対応する選択されたＰＩＤコントローラーの目標値についての上記操作変数と交換して第２の線形化されたダイナミックモデルを生成し、上記選択されたＰＩＤコントローラーの目標値についての上記操作変数による影響が、上記第２の線形化されたダイナミックモデルから排除されるステップとを有すること
を特徴とする方法。
【請求項２】
上記第２の線形化されたダイナミックモデルを生成するステップの後に、
上記操作変数、及び上記被制御変数の現在値を測定するステップと、
離散した時間間隔ごとに、上記第２の線形化されたダイナミックモデル、上記操作変数及び上記被制御変数の上記現在値、及び予め選択された運転制約値から、上記少なくとも１つの被制御変数が少なくとも１つの上記運転制約値に近づくようにするための少なくとも上記操作変数の現在と未来の新しい値を計算するステップと、
上記操作変数の現在と未来の新しい値により上記プロセスが上記少なくとも１つの被制御変数を少なくとも１つの上記運転制約値に近づけるようにするために、上記操作変数を調整してプロセスに変更を加えるステップを有することを特徴とする請求項１の記載の方法。
【請求項３】
上記プロセスは、上記操作変数に従属した少なくとも１つの制御されない変数を含み、
上記操作変数の現在と未来の新しい値を計算するステップは、上記制御されない変数が予め定義された制約値を超えないように上記操作変数の現在と未来の新しい値を計算することを含むこと
を特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
上記操作変数の現在と未来の新しい値を計算するステップは、少なくとも上記操作変数のうち１つが予め定義された制約値を超えないように上記操作変数の現在と未来の新しい値を計算することを含むこと
を特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
上記新たな操作変数を得るステップは、二次計画法を含むこと
を特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項６】
上記操作変数の現在と未来の新しい値を計算するステップは、少なくとも上記操作変数のうち１つが予め定義された制約値を超えないように上記操作変数の現在と未来の新しい値を計算することを含むこと
を特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
上記プロセスは、上記操作変数に従属した少なくとも１つの制御されない変数を含み、
上記操作変数の現在と未来の新しい値を計算するステップは、上記制御されない変数が予め定義された制約値を超えないように上記操作変数の現在と未来の新しい値を計算することを含むこと
を特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項８】
上記新たな操作変数を得るステップは、線形計画法を含むこと
を特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項９】
上記操作変数の現在と未来の新しい値を計算するステップは、少なくとも上記操作変数のうち１つが予め定義された制約値を超えないように上記操作変数の現在と未来の新しい値を計算することを含むこと
を特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
上記プロセスは、上記操作変数に従属した少なくとも１つの制御されない変数を含み、
上記操作変数の現在と未来の新しい値を計算するステップは、上記制御されない変数が予め定義された運転制約値を超えないように上記操作変数の現在と未来の新しい値を計算することを含むこと
を特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１１】
上記操作変数の現在と未来の新しい値を計算するステップは、少なくとも上記操作変数のうち１つが予め定義された制約値を超えないように上記操作変数の現在と未来の新しい値を計算することを含むこと
を特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項１２】
上記プロセスは、上記操作変数に従属した少なくとも１つの制御されない変数を含み、
上記操作変数の現在と未来の新しい値を計算するステップは、上記制御されない変数が予め定義された制約値を超えないように上記操作変数の現在と未来の新しい値を計算することを含むこと
を特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
上記第２の線形化されたダイナミックモデルを生成するステップの後に、
手動、カスケード、又は自動モードのＰＩＤコントローラをエミュレートする数学的エミュレーターによって、望まれる制御体系をプロセスの外部でエミュレートするステップを含むこと
を特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の方法により実験に基づくダイナミックモデルから作成されたオフラインシミュレータ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
本発明によれば、モデル予測制御アプリケーションにおいて用いられる方法であって、複数の独立して制御可能な操作変数のそれぞれの値を個別に変化させて、上記操作変数の変化によって引き起こされる上記操作変数に従属した少なくとも１つの被制御変数に対する影響を測定するステップと、上記操作変数の変化によって引き起こされる上記被制御変数に対する影響を用いて、上記少なくとも１つの被制御変数を上記操作変数に関連付けたステップ応答モデル又は有限インパルスモデルの何れかである第１の線形化されたダイナミックモデルを生成するステップと、行列の基本変形により、上記第１の線形化されたダイナミックモデルにおいて、選択されたバルブ位置についての上記被制御変数を対応する選択されたＰＩＤコントローラーの目標値についての上記操作変数と交換して第２の線形化されたダイナミックモデルを生成し、上記選択されたＰＩＤコントローラーの目標値についての上記操作変数による影響が、上記第２の線形化されたダイナミックモデルから排除されるステップとを有することを特徴とする方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月1日(2008.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
そのバリア層内にデルタドーピング層を有する高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を含む、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物超小型電子デバイス構造であって、
（１）前記バリア層は、前記デルタドーピング層を有することを除いて実質的に均質であること、および
（２）前記バリア層は、隣接する小さなバンドギャップ材料と比較して大きなバンドギャップを有する材料を含み、該大きなバンドギャップ材料および小さなバンドギャップ材料は、両者間の界面に沿ってチャネルを形成するように組み合わさって配置されること
のうち、少なくとも一方を特徴とする、デバイス構造。
【請求項２】
前記バリア層は、前記デルタドーピング層を含むことを除いて実質的に均質である、請求項１に記載の超小型電子デバイス構造。
【請求項３】
前記バリア層は、隣接する小さなバンドギャップ材料と比較して大きなバンドギャップを有する材料を含み、該大きなバンドギャップ材料および小さなバンドギャップ材料は、両者間の界面に沿ってチャネルを形成するように組み合わさって配置される、請求項１に記載の超小型電子デバイス構造。
【請求項４】
前記バリア層は、非ドープＩＩＩ−Ｖ族窒化物を含む、請求項１に記載の超小型電子デバイス構造。
【請求項５】
前記バリア層は、非ドープＡｌＧａＮを含む、請求項４に記載の超小型電子デバイス構造。
【請求項６】
前記バリア層は、非ドープＧａＮを含む、請求項２に記載の超小型電子デバイス構造。
【請求項７】
前記デルタドープ層は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｃ、Ｏ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｄ、Ｒｂ、Ｓｒ、ＳｃおよびＢｅからなる群から選択された少なくとも１つのドーパント種を含む、請求項１に記載の超小型電子デバイス構造。
【請求項８】
前記高電子移動度トランジスタは、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ高電子移動度トランジスタである、請求項１に記載の超小型電子デバイス構造。
【請求項９】
前記デルタドープ層は、前記ＡｌＧａＮ／ＧａＮ高電子移動度トランジスタの前記バリア層内で、前記デルタドープ層とチャネル層とが前記デバイス構造の動作における電荷キャリアのトンネル距離未満の距離だけ離間するような前記トランジスタの前記チャネル層に対する位置に配置される、請求項８に記載の超小型電子デバイス構造。
【請求項１０】
前記デルタドーピング層内のドーパントは、シリコンである、請求項９に記載の超小型電子デバイス構造。
【請求項１１】
サファイア基板と、該基板上のＡｌＮバッファ層と、該ＡｌＮバッファ層上のＧａＮ層と、該ＧａＮ層上のＡｌＧａＮ層とを含み、該ＡｌＧａＮ層が内部にデルタドープ層を有し、かつ、該ＡｌＧａＮ層は、前記デルタドーピング層を有することを除いて実質的に均質である、ＨＥＭＴデバイス。
【請求項１２】
前記デルタドープ層は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｃ、Ｏ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｄ、Ｒｄ、Ｓｒ、ＳｃおよびＢｅからなる群から選択されたドーパントを含む、請求項１１に記載のＨＥＭＴデバイス。
【請求項１３】
前記デルタドープ層は、シリコンドーパントを含む、請求項１１に記載のＨＥＭＴデバイス。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年5月9日(2008.5.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
本明細書における定義を以下に述べる：
「非晶質物質」という用語は、融解物および／または気相から得られる物質でＸ線回折を測定したときに長距離（ｌｏｎｇ  ｒａｎｇｅ）の結晶構造を示さないものおよび／または、本明細書の中で「示差熱分析」として記述している試験法により測定されるような、ＤＴＡ（示差熱分析）で測定したときに非晶質物質の結晶化に相当する発熱ピークを示すものを指す；
「セラミック」という用語には、非晶質物質、ガラス、結晶質セラミック、ガラス−セラミック、およびそれらの組み合わせを含む；
「複合金属酸化物」という用語は、２種またはそれ以上の異なる金属元素と酸素とを含む金属酸化物（たとえば、ＣｅＡｌ１１Ｏ１８、Ｄｙ３Ａｌ５Ｏ１２、ＭｇＡｌ２Ｏ４、およびＹ３Ａｌ５Ｏ１２）を指す；
「複合Ａｌ２Ｏ３金属酸化物」という用語は、理論的酸化物基準で、Ａｌ２Ｏ３と１種または複数のＡｌ以外の金属元素を含む複合金属酸化物（たとえば、ＣｅＡｌ１１Ｏ１８、Ｄｙ３Ａｌ５Ｏ１２、ＭｇＡｌ２Ｏ４、およびＹ３Ａｌ５Ｏ１２）を指す；
「複合Ａｌ２Ｏ３Ｙ２Ｏ３」という用語は、理論的酸化物基準で、Ａｌ２Ｏ３とＹ２Ｏ３とを含む複合金属酸化物（たとえば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）を指す；
「複合Ａｌ２Ｏ３ＲＥＯ」という用語は、理論的酸化物基準で、Ａｌ２Ｏ３と希土類酸化物とを含む複合金属酸化物（たとえば、ＣｅＡｌ１１Ｏ１８およびＤｙ３Ａｌ５Ｏ１２）を指す；
「ガラス」という用語は、ガラス転移温度を示す非晶質物質を指す；
「ガラス−セラミック」という用語は、非晶質物質を熱処理することによって形成される結晶を含むセラミックを指す；
「Ｔｇ］という用語は、本明細書の中で「示差熱分析」として記述している試験法により測定されるガラス転移温度を指す；
「Ｔｘ］という用語は、本明細書の中で「示差熱分析」として記述している試験法により測定される結晶化温度を指す；
「希土類酸化物」という用語は、酸化セリウム（たとえば、ＣｅＯ２）、酸化ジスプロシウム（たとえば、Ｄｙ２Ｏ３）、酸化エルビウム（たとえば、Ｅｒ２Ｏ３）、酸化ユウロピウム（たとえば、Ｅｕ２Ｏ３）、ガドリニウム（たとえば、Ｇｄ２Ｏ３）、酸化ホルミウム（たとえば、Ｈｏ２Ｏ３）、酸化ランタン（たとえば、Ｌａ２Ｏ３）、酸化ルテチウム（たとえば、Ｌｕ２Ｏ３）、酸化ネオジム（たとえば、Ｎｄ２Ｏ３）、酸化プラセオジム（たとえば、Ｐｒ６Ｏ１１）、酸化サマリウム（たとえば、Ｓｍ２Ｏ３）、テルビウム（たとえば、Ｔｂ２Ｏ３）、酸化トリウム（たとえば、Ｔｈ４Ｏ７）、ツリウム（たとえば、Ｔｍ２Ｏ３）、および酸化イッテルビウム（たとえば、Ｙｂ２Ｏ３）、ならびにそれらの組み合わせを指す；
「ＲＥＯ］という用語は、希土類酸化物（類）を指す。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年2月25日(2008.2.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
先行技術においてこれまでに記載されているように、重合後の粗ポリマーは、ろ過、遠心分離、デカンテーションなどによりアルコールから分離される。本発明の方法によれば、ポリマーは、分離に供され、それによりメタノール中に懸濁され、固体はメタノールから分離される。この手順は、所望のポリマーよりメタノールに溶解性である副生物および低分子量材料を除去するために必要な期間、繰り返される。このようにして、望ましくないモノマー不純物およびオリゴマーは、温度に応じて溶媒（メタノールなど）に溶解し、かくて各分離工程の間に除去される。
発明の具体的な説明
本発明は、モノマーＩ
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
重合工程後かつエステル交換工程前に、粗ポリマーは、精製手順に供されるが、それにおいて同じタイプのアルコール溶媒（第一溶媒）を用いて、多工程分離プロセスにより粗ポリマーを精製する。追加の第一溶媒は、粗ポリマー混合物に添加され、結果として得られるスラリーを激しく攪拌し、および／または沸騰（約６６℃）まで数分間加熱し、ついで２５℃ほどまで冷却し、放置する。こうすつことにより、スラリーを相分離することができ、ついで液体は、遠心分離、ろ過、デカンテーションもしくは類似の手段により除去される。この方法は、もはや精製が確認されなくなるまで、例えば、デカントされた溶媒の少量の試料が蒸発乾固で実質的に残留物を示さなくなるまで、少なくとももう１回繰り返す。この分離法、すなわち、加熱、冷却、分離および溶媒置換は、一般に２〜１０回実施される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
モノマーの重合から製造された粗ポリマーの不純度の重要な測度の１つは、多分散度値である。一般に、例えば、約３未満の低値を有することが、望ましい；低値は、重合反応が鎖長においてより均一であったことを示す。この精製工程の独特性は、生成された所望のポリマーが溶媒にある程度まで溶解せず、望ましくない低分子量平均のポリマーおよび望ましくないモノマーが溶媒に溶解性であることである。かくて、新規な精製／分離工程は、これらの望ましくない材料の除去を与える。一般に、粗ポリマーの多分散度は、精製処理前のもとの粗ポリマーの値の少なくとも約１０％この値を減少させる目的で、この精製／分離工程の前、間および後に、測定される。好ましくは、多分散度が約２．０以下である生成物を与えることが望ましい。多分散度とは、ゲル透過クロマトグラフィー(GPC)
により測定して、重量平均分子量(Mw)の数平均分子量(Mn)に対する比率を意味すると、理解すべきである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
加水分解を利用してフェノールブロック基の除去を行う場合は、酸は、強酸のメンバー、例えば、塩酸、臭化水素酸、硫酸であるものとする。
かくて、本発明の方法によれば、アシルオキシ誘導ポリマーの重合後、かつエステル交換に先立って、粗ポリマーは、この新規な分離法に供され、この分離法は実質的に精製されたポリマーを与え、ついでこのポリマーはさらに処理できる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年8月28日(2008.8.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
廃棄物の混合物を破砕、洗浄、乾燥および溶解してリサイクルポリエステル原材料を得ることを含む、ポリエステル資材、特に、使用済ポリエステル容器を処理する方法であって、破砕され乾燥された廃棄ポリエステル資材混合物に、
ポリシロキサンとフタル酸エステル群から選択される可塑剤との組み合わせからなる群から選択される第一のバリエーションによる変性剤、または、
シラザンとシランとの組み合わせからなる第二のバリエーションによる変性剤を
添加する(但し、前記変性剤の量は、前記廃棄物混合物の４〜６重量％である)ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記破砕され乾燥された廃棄ポリエステル資材混合物に、前記変性剤として、
ポリヒドロシロキサンと、ジオクチルフタル酸エステル、ジノニルフタル酸エステルおよびジブチルセバシン酸エステルの群から選択される可塑剤との組み合わせからなる群から選択される第一のバリエーションによる変性剤、または、
ヘキサメチルジシラザンとテトラエトキシシランとの組み合わせからなる第二のバリエーションによる変性剤を
添加することを特徴とする請求項１に記載のポリエステル資材処理方法。
【請求項３】
前記変性剤は、２０〜３０重量％の液体ポリヒドロシロキサンと７０〜８０重量％のジオクチルフタル酸エステル、ジノニルフタル酸エステルおよびジブチルセバシン酸エステルの群から選択される可塑剤からなる第一のバリーションによる変性剤、または、５５〜６５重量％のヘキサメチルジシラザンと３５〜４５重量％のテトラエトキシシランとからなる第二のバリエーションによる変性剤であることを特徴とする請求項１に記載のポリエステル資材処理方法。
【請求項４】
１３０±５℃の温度の反応ミキサー中の前記廃棄物混合物に前記変性剤を添加し、次いで、得られた廃棄物混合物を５０〜１００分間撹拌することを特徴とする請求項１に記載のポリエステル資材処理方法。
【請求項５】
請求項３に記載のポリエステル資材の処理方法において、さらに、得られた廃棄物混合物を、２４０〜２５０℃の温度で加工して粒状のポリエステル原材料を得ることを特徴とするポリエステル資材処理方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明のさらにもう一つの特徴によれば、変性剤は、２０〜３０重量％の液体ポリヒドロシロキサンと７０〜８０重量％のジオクチルフタル酸エステル、ジノニルフタル酸エステル、ジブチルセバシン酸エステルの群から選択される可塑剤、または、５５〜６５重量％のヘキサメチルジシラザンと３５〜４５重量％のテトラエトキシシランを含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
実施例２
１０ｋｇの廃棄物ポリエステル容器をシュレッダーで裁断し、洗浄機で洗浄して生じた廃棄物混合物をドライヤーで乾燥した。廃棄物混合物を反応器に充填し、１３０±５℃の温度まで加熱した。この温度のときに、反応器に６０重量％のヘキサメチルジシラザンと４０重量％のテトラエトキシシランからなる変性剤４００ｇを添加した。次に、混合物を同じ温度で約６０分間撹拌した。次に、生じた廃棄物混合物を２４０〜２５０℃の範囲内の温度で押出機によって粒状に加工した。得られた粒状物は、透明であり、高レベルの光沢性を示した。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年12月27日(2007.12.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
透明支持体と、その上に、トリフェニレン液晶化合物及び下記一般式（III）で表される化合物の少なくとも一種からなる光学異方性層とを有する光学補償シート；
一般式（III）
（Ｒ−）sＡｒ（−Ｙ）r
Ａｒは芳香族ヘテロ環基又は芳香族炭素環基を表し；Ｒは置換基を表し；Ｙはスルホ又はカルボニルを表し；ｓは０〜５のいずれかの整数を表し、ｒは１〜４のいずれかの整数を表し；ｓ及びｒが２以上の時、複数のＲ及びＹは同一でも異なっていてもよい。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
他の側面において、本発明は、透明支持体と、その上に、トリフェニレン液晶化合物及び下記一般式（III）で表される化合物の少なくとも一種からなる光学異方性層とを有する光学補償シートを提供する。
一般式（III）
（Ｒ−）sＡｒ（−Ｙ）r
Ａｒは芳香族ヘテロ環基又は縮合芳香族炭素環基を表し；Ｒは置換基を表し；Ｙはスルホ又はカルボニルを表し；ｓは０〜５のいずれかの整数を表し、ｒは１〜４のいずれかの整数を表し；ｓ及びｒが２以上の時、複数のＲ及びＹは同一でも異なっていてもよい。
本発明の態様として、前記一般式(III)で表される化合物が、下記一般式（IIIａ）で表される前記光学補償シート：
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年8月18日(2008.8.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
マイクロリソグラフィープロセスにおいて使用するための硬化性反射防止膜用組成物であって、
溶媒系に分散されたポリマーバインダー、ならびに、ナフトエ酸、アントラセン、ナフタレン、ベンゼン、カルコン、フタルイミド、パモ酸、アクリジン、アゾ化合物、およびジベンゾフランからなる群より選ばれる減光性化合物を含み、
かつ該ポリマーバインダーが下記式で示される繰り返し単位を含むことにより改良された硬化性反射防止膜用組成物：
【化１】
2005526270.tif 000001
式中、ポリマーバインダーの各単位中のＲは、それぞれ独立に水素およびＣ１-Ｃ８アルキル基からなる群より選ばれ、ポリマーバインダーの各単位中のＸは、それぞれ独立に-ＨＩ２、-Ｉ３、-ＨＦ２、-Ｆ３、-ＨＣｌ２、-Ｃｌ３、-ＨＢｒ２、および-Ｂｒ３からなる群より選ばれる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項４５】
マイクロリソグラフィープロセスにおいて使用するための硬化性反射防止膜用組成物であって、
溶媒系に分散されたポリマーバインダーおよび２４８ｎｍの波長の光を吸収する減光性化合物を含み、
かつ該ポリマーバインダーが下記式で示される繰り返し単位を含むことにより改良された硬化性反射防止膜用組成物：
【化１１】
2005526270.tif 000002
式中、ポリマーバインダーの各単位中のＲは、それぞれ独立に水素およびＣ１-Ｃ８アルキル基からなる群より選ばれ、ポリマーバインダーの各単位中のＸは、それぞれ独立に-ＨＩ２、-Ｉ３、-ＨＦ２、-Ｆ３、-ＨＣｌ２、-Ｃｌ３、-ＨＢｒ２、および-Ｂｒ３からなる群より選ばれる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年12月7日(2007.12.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７６】
10)  ３）ないし７）と同様のSac（図１１および図１２）のベース帯域信号(Bn)の取得。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７７】
11)  ３）ないし７）と同様のSac/A2（図１３，１４，１５）からのターム
【数４３】
2005526965.tif 000001
の取得。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年8月14日(2008.8.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エチルジメチルアミン及びトリエチルアミンの製造法において、以下の工程
（ｉ）アルカリ金属ジメチルアミド、アルカリ金属ジエチルアミド及びアルカリ金属水素化物の群からの触媒の存在で、ジエチルアミンとジメチルアミンとの混合物とエチレンとを反応させる工程
（ｉｉ）触媒を除去する工程
（ｉｉｉ）得られた混合物を、蒸留により、トリエチルアミン及びエチルジメチルアミン及び場合によりジエチルアミン及びジメチルアミンに分離する工程
（ｉｖ）場合により、触媒及び出発アミンを反応へと返送する工程
を含むことを特徴とする、エチルジメチルアミン及びトリエチルアミンの製造法。
【請求項２】
ジエチルアミンを過剰に使用する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
ジエチルアミン対ジメチルアミンの比が（８〜１５）：１である、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
エチレンを過剰に使用する、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
アルカリ金属を、Ｌｉ、Ｎａ又はＫから選択する、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
触媒を、ジエチルアミドＮａ及びジメチルアミドＮａ及びその混合物から選択する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
金属アミドを、反応に使用する前に、ジメチルアミン又はジエチルアミン又はその混合物から自体公知の方法で製造する、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
反応器へ通じる流れが、アンモニア０〜１質量％、（モノエチルアミン＋モノメチルアミン）０〜５質量％、（ジエチルアミン＋ジメチルアミン）２０〜８０質量％、トリエチルアミン０〜５０質量％、エチレン５〜５０質量％、触媒０．０１〜２０質量％及び触媒用溶剤０〜２０質量％を含有する、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
アミドの製造及びヒドロアミノ化を単一処理工程で行う、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
環式又は開鎖イミン、又は互変異性エナミン化合物の群からの助触媒を使用する、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
触媒を除去した後に得られるアミン混合物の一部分を分離し、トリエチルアミンの一部分を、アンモニアを添加しながら異性化の方法でアルキル交換し、得られたジエチルアミンを、除去に続けて出発材料として反応器へ返送する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
一般に、本発明によるヒドロアミノ化は、製造すべきアルキルアミンをもたらすアミンを、他の出発材料と比較して過剰で使用するというように行われる。一般的には、トリエチルアミンがより必要とされているため、出発材料であるジエチルアミン及びジメチルアミンは有利に（８〜１５）：１の割合で、殊に１０：１の割合で使用され、従ってトリエチルアミン及びエチルジメチルアミンはこのような割合で得られる。これは通常、市場の需要に相当する。しかしながら、使用すべきジエチルアミン及びジエチルアミンの割合は、変更のきく方法で、各生成物の要求に合わせて調整することができ、これは本発明による方法の更なる利点である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１７】
実施例１
エチルジメチルアミン及びトリエチルアミンの合成
２５０ｍｌオートクレーブ中に、ジエチルアミドナトリウム（５０ミリモル）及びジエチルアミン／ジメチルアミン混合物（５モル／２モル）をアルゴンの適度な流れのもとで反応器中に導入した。撹拌しながら、反応器を操作温度（７０℃）にし、その後、エテン４０バールを注入した。実験の間、反応圧力をエテンを用いて４０バールに保持し、試料を採取した。実験の終了後、オートクレーブを冷却し、減圧し、残留触媒をエタノールで不活性化した。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年4月14日(2008.4.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
さらに、アルキルという用語は、「非置換アルキル」および「置換されたアルキル」を含み、後者は、炭化水素バックボーンの1つまたは複数の炭素に水素を置換する置換基を有するアルキル部分をいう。このような置換基は、たとえば、ハロゲン、ヒドロキシル、アルキルカルボニルオキシ、アリールカルボニルオキシ、アルコキシカルボニルオキシ、アリールオキシカルボニルオキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、アルキルチオカルボニル、アルコキシル、アリールオキシ、ホスフェート、ホスホナート、ホスフィナート、シアノ、アミノ（アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノ、ジアリールアミノ、およびアルキルアリールアミノを含む）、アシルアミノ（アルキルカルボニルアミノ、アリールカルボニルアミノ、カルバモイル、およびウレイドを含む）、アミジノ、イミノ、スルフヒドリル、アルキルチオ、アリールチオ、チオカルボキシレート、スルフェート、スルホナート、スルファモイル、スルホンアミド、ニトロ、トリフルオロメチル、シアノ、アジド、ヘテロシクリル、アルキルアリール、または芳香族もしくは複素環芳香族化合物部分を含み得る。シクロアルキルは、たとえば上記した置換基でさらに置換することができる。「アルキルアリール」部分は、アリール（たとえば、フェニルメチル（ベンジル））で置換されたアルキルである。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年5月1日(2008.5.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の詳細な説明
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の詳細な説明】
明細書  第１１頁、第３〜４行
「本ケースでは欠損層の限界を構成する高さよりも深いウェーハＷ内の深さまで移動でき」を、
『本ケースではウェーハＷ内において空乏層の限界である水平面よりも深くまでとしてもよく』へ訂正する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月31日(2008.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中継器システムの発振を検出するための方法であって、
前記中継器における無線通信装置回路で、無線信号を送信すること及び無線信号を受信することのうちの少なくとも１つを実行し、
前記中継器システムが発振しているかを決定するために前記無線通信装置回路で前記無線信号を使用すること
を含む方法。
【請求項２】
前記無線通信装置回路で前記無線信号を使用することは、
前記無線通信装置回路から基地局への呼を確立することと、
前記呼を確立することができない場合、発振を決定すること
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記無線通信装置回路で前記無線信号を使用することは、
前記基地局からの信号品質を測定するために前記無線通信装置回路を使用することと、
前記信号品質が一定の基準を満たす場合、発振を決定すること
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
発振を決定することは、
前記信号品質が一定のレベル未満に下がる場合、発振を決定すること
を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
発振を決定することは、
前記信号品質が、前記中継器が使用される前に存在したレベルから下がる場合、発振を決定すること
を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記無線通信装置回路で前記無線信号を使用することは、
前記信号品質を測定するために信号対雑音値を得ること
を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記無線通信装置回路で前記無線信号を使用することは、
少なくとも一の開ループ出力制御パラメータを推定するために、前記無線通信装置回路を使用することと、
前記推定された開ループ出力制御パラメータを使用して、前記無線通信装置回路から基地局への通信リンクを確立することと、
前記基地局から少なくとも一の閉ループ出力制御命令を受信することと、
前記閉ループ出力制御命令が一定の量よりも大きい場合、発振を決定すること
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記無線通信装置回路で前記無線信号を使用することは、少なくとも、前記呼を完成させるために必要な送信出力を推定することを含み、閉ループ出力制御命令を受信することは、少なくとも出力調整情報を受信することを含み、発振を決定することは、前記出力調整情報が一定の量よりも大きい場合、発振を決定することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記中継器システムが発振している場合、中継器の利得を減少させること
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
中継器システムの発振を検出するための装置であって、
前記中継器に組み込まれた無線通信装置回路と、
前記中継器システムが発振しているかを決定するために前記無線通信装置回路を使用するための手段
を備える装置。
【請求項１１】
前記無線通信装置回路を使用するための手段は、
前記無線通信装置回路から基地局への呼を確立するための手段と、
前記呼を確立することができない場合、発振を決定するための手段
を備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記無線通信装置回路を使用するための手段は、
前記基地局からの信号品質を測定するために前記無線通信装置回路を使用するための手段と、
前記信号品質が一定の基準を満たす場合、発振を決定するための手段
を備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
発振を決定するための手段は、前記信号品質が一定のレベル未満に下がる場合、発振を決定することを含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
発振を決定するための手段は、前記信号品質が、前記中継器が使用される前に存在したレベルから下がる場合、発振を決定することを含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記無線通信装置回路を使用するための手段は、
前記信号品質を測定するために信号対雑音値を得るための手段
を備える、請求項１２に記載の装置。
【請求項１６】
前記無線通信装置回路を使用するための手段は、
少なくとも一の開ループ出力制御パラメータを推定するために前記無線通信装置回路を使用するための手段と、
前記推定された開ループ出力制御パラメータを使用して前記無線通信装置回路から基地局への通信リンクを確立するための手段と、
少なくとも一の閉ループ出力制御命令を前記基地局から受信するための手段と、
前記閉ループ出力制御命令が一定の量よりも大きい場合、発振を決定するための手段
を備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１７】
前記無線通信装置回路を使用するための手段は、少なくとも、前記呼を完成させるために必要な送信出力を推定することを備え、閉ループ出力制御命令を受信するための手段は、少なくとも出力調整情報を受信するための手段を備え、発振を決定するための手段は、前記出力調整情報が一定の量よりも大きい場合、発振を決定することを備える、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記中継器システムが発振している場合、中継器の利得を減少させるための手段
を更に備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１９】
中継器システムの発振を検出するための装置であって、
前記中継器システムが発振しているかを検出するために、無線信号を送信すること及び無線信号を受信することのうちの少なくとも１つを実行するように構成される無線通信装置（ＷＣＤ）と、
前記ＷＣＤに結合され、前記中継器システムが発振している場合、前記中継器システムの利得を減少させるように構成されるプロセッサ
を備える装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月14日(2008.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遺伝子サイレンシング技術において標的遺伝子をサイレンシングするために干渉性RNAとして使用するためのリボ核酸（RNA）であって、5'から3'方向に少なくとも、
第１のエフェクター配列、
第２のエフェクター配列、
前記第２のエフェクター配列に実質的に相補的な配列、および、
前記第１のエフェクター配列に実質的に相補的な配列、
の４つの配列を含み、
前記第１および前記第2のエフェクター配列がそれぞれ10〜200ヌクレオチド長であり、
前記相補的な配列がそれぞれ対応するエフェクター配列と二本鎖領域を形成することができ、前記４つの配列の少なくとも一つは前記標的遺伝子の領域の予想される転写物と実質的に同一であり、
さらに1以上のヌクレオチド配列からなるスペーシングを含み、前記スペーシング配列は前記第１のエフェクター配列および前記第２のエフェクター配列の間に位置して両者を隔てているか、または、前記第２のエフェクター配列に実質的に相補的な配列と前記第１のエフェクター配列に実質的に相補的な配列との間に位置して両者を隔てている、
前記リボ核酸（RNA）。
【請求項２】
エフェクター配列が長さが21〜30ヌクレオチドである、請求項１記載のRNA。
【請求項３】
更に１以上のヌクレオチドからなる追加的スペーシング配列を含み、
第２のエフェクター配列に実質的に相補的な配列が第１のエフェクター配列に実質的に相補的な配列と隔てられている場合には、前記第１のエフェクター配列が前記第２のエフェクター配列と前記追加的スペーシング配列によって隔てられ、
第１のエフェクター配列が第２のエフェクター配列と隔てられている場合には、前記第２のエフェクター配列に実質的に相補的な配列が第１のエフェクター配列に実質的に相補的な配列と前記追加的スペーシング配列によって隔てられている、請求項１または２記載のRNA。
【請求項４】
第２のエフェクター配列と前記第２のエフェクター配列に実質的に相補的な配列との間でループを形成する１以上のヌクレオチドからなるスペーシング配列を含む、請求項１〜３のいずれか１項記載のRNA。
【請求項５】
スペーシング配列がAA、UU、UUA、UUAG、UUACAAおよびN1AAN2（式中、N1およびN2は同一でも異なっていてもよく、C、G、UまたはAのいずれかである）からなる群より選ばれる配列を含む、請求項２〜４のいずれか１項記載のRNA。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項記載のRNAをコードする核酸構築物。
【請求項７】
遺伝子サイレンシング技術において標的遺伝子をサイレンシングするために干渉性RNAとして使用するためのリボ核酸（RNA）をコードする配列を含む二本鎖核酸構築物であって、5'から3'方向に少なくとも、
第１のエフェクターコード配列、
第２のエフェクターコード配列、
前記第２のエフェクターコード配列によってコードされるRNAと二本鎖領域を形成することができるRNAをコードする配列、
前記第１のエフェクターコード配列によってコードされるRNAと二本鎖領域を形成することができるRNAをコードする配列、
の４つの配列を含み、
前記第１および第２のエフェクターコード配列が長さ10〜200ヌクレオチドであり、
前記４つの配列の少なくとも一つは前記標的遺伝子の領域と実質的に同一であり
更に１以上のヌクレオチドからなるスペーシング配列を含み、前記スペーシング配列は前記第１のエフェクター配列および前記第２のエフェクター配列の間に位置して両者を隔てているか、または、前記第２のエフェクター配列に実質的に相補的な配列と前記第１のエフェクター配列に実質的に相補的な配列との間に位置して両者を隔てている、
前記核酸構築物。
【請求項８】
エフェクターコード配列が長さ21〜30ヌクレオチドである、請求項７記載の核酸構築物。
【請求項９】
第２のエフェクター配列に実質的に相補的な配列が第１のエフェクター配列に実質的に相補的な配列と隔てられている場合は、前記第１のエフェクターコード配列は前記第２のエフェクター配列と1以上のヌクレオチドからなる追加的スペーシング配列によって隔てられており、
第１のエフェクター配列が第２のエフェクター配列と隔てられている場合は、前記第２のエフェクターコード配列に実質的に相補的な配列は、少なくとも前記第１のエフェクター配列に実質的な配列と1以上のヌクレオチドからなる追加的スペーシング配列によって隔てられている、
請求項７または８記載の核酸構築物であって、
前記核酸構築物。
【請求項１０】
第２のエフェクターコード配列と前記第２のエフェクターコード配列に実質的に相補的な配列との間に、１以上のヌクレオチドからなるスペーシング配列を含む、請求項７〜９のいずれか１項記載の核酸構築物。
【請求項１１】
請求項１〜５のいずれか１項記載のRNAを細胞に導入することにより、または、請求項６〜１０のいずれか１項記載の核酸構築物を細胞に導入することにより、標的遺伝子の発現を阻害する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月13日(2007.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ記憶装置を有する撮像システムであって、この撮像システムは、複数のピクセルを有するセンサアレイが設けられたチップを具えている当該撮像システムにおいて、前記ピクセルのうち第１の部分が、前記センサアレイに入射される光を表わす信号を生ぜしめるのに用いられ、前記ピクセルのうち第２の部分が、プログラミングされたデータを記憶させるのに用いられ、前記ピクセルのうち前記第２の部分が、
回路を変更して第１論理状態のデータを表わしたピクセルと、
回路を変更せずに第２論理状態のデータを表わしたピクセルと
を有し、
回路を変更して第１論理状態のデータを表わした前記ピクセルが、変更された光感応領域を有している撮像システム。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像システムにおいて、回路を変更して第１論理状態のデータを表わした前記ピクセルが無効化されている撮像システム。
【請求項３】
請求項１に記載の撮像システムにおいて、回路を変更して第１論理状態のデータを表わした前記ピクセルは変更しえないようになっている撮像システム。
【請求項４】
請求項１に記載の撮像システムにおいて、回路を変更して第１論理状態のデータを表わした前記ピクセルの各々の前記光感応領域が、ホトダイオードを有している撮像システム。
【請求項５】
請求項１に記載の撮像システムにおいて、回路を変更して第１論理状態のデータを表わした前記ピクセルの各々の前記光感応領域が、レーザ変更されている撮像システム。
【請求項６】
イメージセンサのピクセルアレイのうちの選択ピクセルをプログラミングするプログラミング工程により、このピクセルアレイ中にデータを記憶する工程を有するイメージセンサ動作方法において、前記プログラミング工程が更に、
前記選択ピクセルの回路を変更して、第１論理状態を表わすデータを前記選択ピクセル内に記憶する選択ピクセル回路変更工程と、
前記選択ピクセルの回路を変更せずに、第２論理状態を表わすデータを前記選択ピクセル内に記憶する工程と
を有し、変更されない前記選択ピクセルの回路が前記選択ピクセルの光感応領域となるようにするイメージセンサ動作方法。
【請求項７】
請求項６に記載のイメージセンサ動作方法において、この方法が、前記ピクセルアレイ中に記憶された前記データを読出す工程を更に有するイメージセンサ動作方法。
【請求項８】
請求項７に記載のイメージセンサ動作方法において、この方法が、前記ピクセルアレイ中に記憶された前記データを解読する工程を更に有するイメージセンサ動作方法。
【請求項９】
請求項８に記載のイメージセンサ動作方法において、前記データを解読する前記工程が、前記ピクセルアレイ中に記憶された前記データを論理状態に変換する工程を有するイメージセンサ動作方法。
【請求項１０】
請求項６に記載のイメージセンサ動作方法において、前記データが製造情報を有するようにするイメージセンサ動作方法。
【請求項１１】
請求項６に記載のイメージセンサ動作方法において、前記データがピクセル識別情報を有するようにするイメージセンサ動作方法。
【請求項１２】
請求項６に記載のイメージセンサ動作方法において、前記データが検査情報を有するようにするイメージセンサ動作方法。
【請求項１３】
請求項６に記載のイメージセンサ動作方法において、前記データが欠陥ピクセル情報を有するようにするイメージセンサ動作方法。
【請求項１４】
請求項６に記載のイメージセンサ動作方法において、前記データを記憶する前記工程が、前記データを記憶する前記ピクセルアレイ内の位置を決定する初期工程を有するイメージセンサ動作方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載のイメージセンサ動作方法において、データを記憶する前記位置を決定する前記工程が、前記データを記憶する前記ピクセルアレイ内の行及び列を決定する工程を有するイメージセンサ動作方法。
【請求項１６】
請求項６に記載のイメージセンサ動作方法において、前記選択ピクセル回路変更工程が、回路を無効化する工程を有するイメージセンサ動作方法。
【請求項１７】
請求項６に記載のイメージセンサ動作方法において、前記選択ピクセルの前記光感応領域をホトダイオードとするイメージセンサ動作方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載のイメージセンサ動作方法において、前記選択ピクセルの前記光感応領域をレーザにより変更するイメージセンサ動作方法。
【請求項１９】
複数のピクセルを有するセンサアレイを具える半導体チップであって、前記ピクセルのうち第１の部分が、前記センサアレイに入射される光を表わす信号を生ぜしめるのに用いられ、前記ピクセルのうち第２の部分が、データを種々の信号状態として生ぜしめるのに用いられるようになっており、前記ピクセルのうち前記第２の部分が、欠陥ホトセンサを有して第１論理状態のデータを表わしているピクセルを具えている半導体チップ。
【請求項２０】
請求項１９に記載の半導体チップにおいて、前記データを生ぜしめるのに用いられる前記第２の部分のピクセルが更に、
欠陥ホトセンサを有さずに第２論理状態のデータを表わしているピクセル
を有している半導体チップ。
【請求項２１】
請求項２０に記載の半導体チップにおいて、前記欠陥ホトセンサがホトダイオードを有している半導体チップ。
【請求項２２】
請求項２０に記載の半導体チップにおいて、前記欠陥ホトセンサがレーザ変更されている半導体チップ。
【請求項２３】
プロセッサと、
このプロセッサに結合されているとともに複数のピクセルを有するピクセルセンサアレイと
を具えるプロセッサシステムにおいて、
前記ピクセルのうち第１の部分が、前記ピクセルセンサアレイに入射する光を表わす信号を生ぜしめるのに用いられ、前記ピクセルのうち第２の部分が、プログラミングされたデータを記憶させるのに用いられるようになっており、
プログラミングされたデータを記憶させるのに用いられた前記ピクセルの前記第２の部分が、
欠陥ホトセンサを有して第１論理状態のデータを表わしているピクセルであって、回路を変更した前記ピクセルが、変更した光感応領域を有している当該ピクセルと、
欠陥ホトセンサを有さずに第２論理状態を表わしているピクセルと
を具えているプロセッサシステム。
【請求項２４】
請求項２３に記載のプロセッサシステムにおいて、回路を変更した前記ピクセルが無効化されているプロセッサシステム。
【請求項２５】
請求項２３に記載のプロセッサシステムにおいて、回路を変更した前記ピクセルの各々の前記光感応領域が、ホトダイオードを有しているプロセッサシステム。
【請求項２６】
請求項２３に記載のプロセッサシステムにおいて、回路を変更した前記ピクセルの各々の前記光感応領域が、レーザ変更されているプロセッサシステム。